(57)【要約】【課題】本発明の目的は、配線の低抵抗化を図ることのできる、特に、複数層からなる陽極補助配線の製造方法を提供することにある。【解決手段】有機ＥＬ素子の陽極配線と接続するように陽極補助配線を形成するにあたり、基板上に第１の陽極補助配線を形成する工程Ａ、第１の保護層を形成する工程Ｂ、第２の陽極補助配線を形成する工程Ｃ、第２の保護層を形成する工程Ｄ、およびバリアメタルを形成する工程Ｅを含む、陽極補助配線の製造方法。【選択図】図１
2008311143.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機ＥＬ素子の陽極配線と接続するように陽極補助配線を形成する、陽極補助配線の製造方法であって、
（Ａ）基板上に第１の金属膜を形成し、フォトプロセスおよびウエットエッチングプロセスにより第１の陽極補助配線を形成する工程Ａ、
（Ｂ）前記第１の陽極補助配線の上面および側面を覆うように、第１の絶縁膜を形成し、フォトプロセスおよびウエットエッチングプロセスによりコンタクトホールを備える第１の保護層を形成する工程Ｂ、
（Ｃ）前記第１の陽極補助配線および前記第１の保護層上に第２の金属膜を形成し、フォトプロセスおよびウエットエッチングプロセスにより第２の陽極補助配線を形成する工程Ｃ、
（Ｄ）前記第２の陽極補助配線の上面および側面を覆うように、第２の絶縁膜を形成し、フォトプロセスおよびウエットエッチングプロセスによりコンタクトホールを備える第２の保護層を形成する工程Ｄ、および
（Ｅ）前記第２の陽極補助配線および前記第２の保護層上に第３の金属膜を形成し、フォトプロセスおよびウエットエッチングプロセスによりバリアメタルを形成する工程Ｅ
を含むことを特徴とする、陽極補助配線の製造方法。
【請求項２】
前記工程Ｃおよび前記工程Ｄを交互に複数回繰り返すことを特徴とする、請求項１に記載の陽極補助配線の製造方法。
【請求項３】
前記第１の金属膜、前記第２の金属膜、および前記バリアメタルの厚さを、１〜２μｍとすることを特徴とする、請求項１または２に記載の陽極補助配線の製造方法。
【請求項４】
前記第１の絶縁膜、および前記第２の絶縁膜の厚さを、０．２〜２μｍとすることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の陽極補助配線の製造方法。
【請求項５】
前記工程Ａ、前記工程Ｃ、および前記工程Ｅにおいて、エッチング液を燐酸、硝酸および酢酸を含む混合水溶液とするとともに、液温を３５〜４０℃とし、さらにエッチング時間を３〜５分とすることを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の陽極補助配線の製造方法。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかに記載の陽極補助配線の製造方法を用いて得られたことを特徴とする有機ＥＬ素子。
【請求項７】
請求項１〜５のいずれかに記載の陽極補助配線の製造方法を用いることを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、陽極補助配線の製造方法に関し、特に、配線の低抵抗化を実現可能な陽極補助配線の製造方法に関する。本発明は、このような陽極補助配線の製造方法を用いて得られた有機ＥＬ素子に関する。本発明は、このような陽極補助配線の製造方法を用いる有機ＥＬ素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ素子は、次世代のフラットパネル用の光源等として、近年、その開発が益々注目されている。有機ＥＬ素子の構造は、そのマトリクス方式（パッシブマトリクス方式またはアクティブマトリクス方式）および発光方式（ボトムエミッション方式またはトップエミッション方式）によって複数存在する。しかしながら、それら基本構造は、一対の電極によって有機発光層を挟持するという点で共通し、少なくとも一方の電極を透明電極とした構造である。
【０００３】
図５は、一般的な有機ＥＬ素子１００の構造を示す平面図であり、図６はそのＢ−Ｂ´断面図である。これらの図に示す有機ＥＬ素子１００の製造方法は以下のとおりである。なお、基板１０２上には、図示しないカラーフィルタ層、色変換層、および平坦化層等が形成されていてもよい。
【０００４】
まず、基板１０２上に陽極配線１０４が複数並列に形成されるとともに、陰極補助配線１０６が陽極配線１０４と垂直方向に複数並列に形成される。次いで、各陽極配線１０４の端部に、陽極補助配線１０８がそれぞれ形成される。これにより、陽極補助配線１０８は、陽極配線１０４と電気的に接続される。陽極配線１０４は透明性を有するＩＴＯ（indium tin oxide）、またはＩＺＯ（indium tin oxide）等で形成することができる。陽極補助配線１０８は、コンタクト抵抗を考慮して、比抵抗の小さい金属を用いることが肝要であり、例えば、Ａｌ、Ｍｏ、Ｃｒ等が用いられる。
【０００５】
さらに、陽極配線１０４、陰極補助配線１０６、および陽極補助配線１０８上に、コンタクトホール１１０を備える絶縁膜１１２が形成される。絶縁膜１１２の形成時には、陰極補助配線１０６と後述する陰極配線１１４とを接続するためのコンタクトホール１１６も形成される。
【０００６】
加えて、陰極配線１１４を分離するために、例えば逆テーパ形状の陰極分離隔壁１１８が形成される。その後、絶縁膜１１２上に、図示しない有機発光層を含む有機層が形成され、最後に陰極配線１１４が、陰極分離隔壁１１８の存在により、陽極配線１０４に直交するように形成される。
【０００７】
このように製造された、図５，６に示す構造の有機ＥＬ素子においては、陽極配線１０４と陰極配線１１４との間に電圧を印加することにより、有機発光層内に電流が流れ、発光に至る。有機ＥＬ素子は電流駆動型であるため、電圧駆動型の液晶等と比較して、電極に大電流が流れる。このため、有機ＥＬ素子においては、消費電力を小さくする観点から、配線抵抗を小さくすることが肝要である。この問題に対し、以下の技術が開示されている。
【０００８】
特許文献１には、大画面化しても低消費電力を実現できる発光装置が開示されている。この発光装置では、画素部のソース信号線または電源供給線の表面をメッキ処理して配線の低抵抗化が図られている。また、端子においても同様にメッキ処理して低抵抗化が図られており、メッキ処理する前の配線をゲート電極と同じ材料で形成し、その配線の表面をメッキ処理してソース信号線または電源供給線を形成している。
【０００９】
特許文献２には、基板上に設けられ、導電性の金属酸化膜を有する第１の配線と、上記第１の配線の上に形成され、上記第１の配線と接続された積層金属膜を有する金属パッドと、上記金属パッドの側面を覆うように形成された保護膜と、上記基板上に上記第１の配線と分離して形成された補助配線と、上記金属パッドの上に形成され、上記金属パッドと上記補助配線とを電気的に接続するブリッジ配線とを備え、上記金属パッドの最上層に、下層に配置された金属の酸化を防ぐバリア層が形成されている表示装置が開示されている。
【００１０】
【特許文献１】特開２００２−３１８５５５号公報
【特許文献２】特開２００５−１８３２０８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
特許文献１に開示されている発光装置では、メッキ法により低抵抗化を図っているところ、このような手段によれば、メッキ用配線が別途必要となる。また、メッキ法を採用した場合には、金属イオンを多量に含むメッキ液に表示パネルを浸漬することに起因して、金属イオンによる汚染の問題がある。
【００１２】
特許文献２に開示されている表示装置では、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏからなる金属パッド層を用い、陰極配線の形成と同時にブリッジ配線によって接続することにより低抵抗化を図っている。特許文献２には、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏからなる金属パッド層を、燐酸、酢酸、および硝酸を含む混合水溶液で一括してウエットエッチングする旨が開示されているが、ＭｏとＡｌとではエッチングレートが異なる。このため、金属パッド層での端面において凹凸が生じ、所望の形状が得られないおそれがある。これはドライエッチングを施した場合においても同様であり、積層金属をエッチングする場合のその積層端面の精度を高めることは困難である。
【００１３】
また、特定の文献の開示は見当たらないが、配線抵抗を小さくする最も単純な手段として、透明電極の厚さを大きくする、または陽極補助配線の厚さを大きくするという手段がある。しかしながら、透明電極を単層または複数層として、全体の厚さを大きくした場合には、光学素子としての特性である、光取り出し量が変化するおそれがある。これに対し、陽極補助配線を単層として、その厚さを大きくすると、当該補助配線のウエットエッチング時間が長くなるため、レジストが損傷し、エッチング不良が発生するおそれがある。
【００１４】
従って、本発明の第１の目的は、上記各諸問題に鑑み、金属イオンの汚染の問題がないだけでなく、配線端面において所望形状が得られるとともに、光学素子特性を損なわず、しかもエッチング不良を生じずに、有機ＥＬ素子中の配線の低抵抗化を図ることにある。即ち、本発明の第１の目的は、特に、上記各諸問題に鑑み、上記低抵抗化を複数層からなる陽極補助配線において実現することにある。また、本発明の第２の目的は、上記製造方法を用いて得られた有機ＥＬ素子を提供すること、および、上記製造方法を用いる有機ＥＬ素子の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明は、有機ＥＬ素子の陽極と接続するように陽極補助配線を形成するにあたり、（Ａ）基板上に第１の金属膜を形成し、フォトプロセスおよびウエットエッチングプロセスにより第１の陽極補助配線を形成する工程Ａ、（Ｂ）上記第１の陽極補助配線の上面および側面を覆うように、第１の絶縁膜を形成し、フォトプロセスおよびウエットエッチングプロセスによりコンタクトホールを備える第１の保護層を形成する工程Ｂ、（Ｃ）上記第１の陽極補助配線および上記第１の保護層上に第２の金属膜を形成し、フォトプロセスおよびウエットエッチングプロセスにより第２の陽極補助配線を形成する工程Ｃ、（Ｄ）上記第２の陽極補助配線の上面および側面を覆うように、第２の絶縁膜を形成し、フォトプロセスおよびウエットエッチングプロセスによりコンタクトホールを備える第２の保護層を形成する工程Ｄ、および（Ｅ）上記第２の陽極補助配線および上記第２の保護層上に第３の金属膜を形成し、フォトプロセスおよびウエットエッチングプロセスによりバリアメタルを形成する工程Ｅを含む、陽極補助配線の製造方法に関する。本発明の陽極補助配線の製造方法は、有機ＥＬ素子等の発光素子、またはこれらを含む各種表示装置に用いられる。
【００１６】
本発明の陽極補助配線の製造方法においては、上記工程Ｃおよび上記工程Ｄを交互に複数回繰り返すが望ましい。また、当該製造方法においては、上記第１の金属膜、上記第２の金属膜、および上記バリアメタルの厚さを、１〜２μｍとすることができ、上記第１の絶縁膜、および上記第２の絶縁膜の厚さを、０．２〜２μｍとすることができる。さらに、上記工程Ａ、上記工程Ｃ、および上記工程Ｅにおいては、エッチング液を燐酸、硝酸および酢酸を含む混合水溶液とするとともに、液温を３５〜４０℃とし、さらにエッチング時間を３〜５分とすることができる。
【００１７】
本発明は、上記の陽極補助配線の製造方法を用いて得られた有機ＥＬ素子を包含する。本発明は、上記の陽極補助配線の製造方法を用いる有機ＥＬ素子の製造方法を包含する。
【発明の効果】
【００１８】
本発明の陽極補助配線の製造方法によれば、陽極補助配線を複数の金属膜からなるものとし、全体としてその厚さを大きくすることで、陽極補助配線の低抵抗化を図ることができる。当該製造方法によれば、メッキ法を使用しないことにより金属イオンによる汚染がなく、また、陽極補助配線を構成する各層を異なる金属層とした場合であっても、各層を別個にエッチングすることにより、積層体端面での形状に関する優れた精度を得ることができる。また、当該製造方法によれば、透明電極の厚さを大きくしないことから透明電極の光学素子特性を十分に発揮でき、また、陽極補助配線を構成する各層の厚さを大きくしないことからエッチング時間を短くし、レジストの損傷を抑えて、エッチング不良を抑制できる。
【００１９】
さらに、本発明の陽極補助配線の製造方法によれば、各金属膜の間に保護層を介在させることで、形成した金属膜の上にさらに金属膜を形成してエッチングするに際し、直下の金属膜のサイドエッチングまたはオーバーエッチングを防止することができる。このため、当該サイドエッチングを防止して、当該直下の金属膜の厚さと線幅を確実に保証することができ、ひいては陽極補助配線全体の優れた寸法精度を実現することができる。また、当該オーバーエッチングを防止して、隣接する金属膜同士の界面を十分に確保し、これにより陽極補助配線の低抵抗化の効果を十分に得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下に、図面を参照して本発明の好適な実施形態を説明する。なお、以下に示す例は、単なる例示であって、当業者の通常の創作能力の範囲で適宜設計変更することができる。
【００２１】
＜陽極補助配線の製造方法＞
図１（ａ）〜（ｑ）は、本発明の陽極補助配線の製造方法の各段階を順次示す断面図である。
【００２２】
（第１の陽極補助配線の形成工程）
第１段階は、図１（ａ）〜（ｃ）に示すように、基板１２上に第１の陽極補助配線１４を形成する段階である。なお、図１には示さないが、基板１２上には、カラーフィルタ層、色変換層、および平坦化層等が形成されていてもよい。
【００２３】
まず、図１（ａ）に示すように、基板１２上に第１の陽極補助配線１４をマスクスパッタし、さらに第１の陽極補助配線１４上にフォトレジスト１６を積層する。
【００２４】
基板１２は、その上に順次積層される層の形成における種々の条件（溶媒、温度等）に耐え得るものであれば特に限定されるものではないが、寸法安定性に優れていることが好ましい。好ましい基板１２の例としては、ガラス基板、あるいは、ポリオレフィン、ポリメチルメタクリレートなどのアクリル樹脂、ポリエチレンテレフタレートなどのポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、またはポリイミド樹脂で形成された剛直性の樹脂基板が挙げられる。また、他の好ましい基板１２の例としては、ポリオレフィン、ポリメチルメタクリレートなどのアクリル樹脂、ポリエチレンテレフタレートなどのポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、またはポリイミド樹脂などで形成された可撓性フィルムが挙げられる。
【００２５】
第１の陽極補助配線１４としては、低抵抗の金属を使用することが肝要であり、例えば、アルミニウム、銅およびタングステン等を含ませることができる。なお、フォトレジスト１６としては、東京応化工業製ＴＦＲ−１２５０を用いることができる。
【００２６】
基板１２への第１の陽極補助配線１４の積層は、図示しないメタルマスクまたはガラスマスクを用いた、マスクスパッタにより行なうことができる。この際、第１の陽極補助配線１４の厚さを１μｍ以上とすることにより、フォト工程を少数回で行なうことができ、これによりフォト工程の優れた実施効率を実現することができる。これに対し、第１の陽極補助配線１４の厚さを１０μｍ以下とすることにより、後述するウエットエッチング処理時間を短くしてその処理を容易ならしめるとともに、レジストの剥離を防止し、第１の陽極補助配線１４の優れた寸法精度を実現することができる。このような効果は、当該厚さを３μｍ以下とすることにより、さらに実効あるものとなる。
【００２７】
次に、図１（ｂ）に示すように、第１の陽極補助配線１４を感光し、第１の陽極補助配線１４の、フォトレジスト１６によって防護されていない部分をウエットエッチングにより除去する。
【００２８】
エッチング液としては、燐酸−硝酸−酢酸の混合水溶液を用いることができる。液温は、３５〜４０℃とすることがエッチングレートのコントロールのため好ましい。エッチング時間は、３〜５分とすることがフォトレジストの耐性のため好ましい。
【００２９】
さらに、図１（ｃ）に示すように、第１の陽極補助配線１４上のフォトレジスト１６を剥離する。当該剥離は、Ｄｉｐ、シャワーのいずれか、あるいはそれらの組み合わせにより行なうことができる。
【００３０】
（第１の保護層の形成工程）
第２段階は、図１（ｄ）〜（ｆ）に示すように、基板１２および第１の陽極補助配線１４上に第１の保護層１８を形成する段階である。
【００３１】
まず、図１（ｄ）に示すように、基板１２および陽極補助配線１４上に、第１の保護層１８を積層する。
【００３２】
第１の保護層１８としては、エッチング液に侵食されないものであることが肝要であり、例えば、シリコン酸化膜またはシリコン窒化膜を用いることができる。
【００３３】
基板１２および陽極補助配線１４上への第１の保護層１８の積層は、図示しないメタルマスクまたはガラスマスクを用いた、マスクスパッタにより行なうことができる。この際、第１の保護層１８の厚さを０．２μｍ以上とすることにより、第１の陽極補助配線１４をその端部に至るまで確実に覆うことができる。これに対し、第１の保護層１８の厚さを２μｍ以下とすることにより、無機系の保護層を使用した場合には、無機膜の応力に起因する基板１２の反り、および保護層１８の表面粗さの増大を防止することができる。また、第１の保護層１８の厚さを２μｍ以下とすることにより、有機系の保護層を使用した場合には、保護層１８中の溶剤を蒸発させるために温度を過度に上昇させる必要がなく、特に、基板１２に、熱に弱い色変換層を形成する場合には、有利である。このような、第１の保護層１８の厚さを２μｍ以下とした場合の効果は、その厚さを１μｍ以下とすることにより、さらに実効あるものとなる。
【００３４】
次に、図１（ｅ）に示すように、第１の保護層１８上に、フォトレジスト２０を積層する。なお、フォトレジスト２０としては、東京応化工業製ＴＦＲ−１２５０を用いることができる。
【００３５】
さらに、図１（ｆ）に示すように、第１の保護層１８の、フォトレジスト２０によって防護されていない部分をドライエッチングにより除去し、第１の保護層１８上のフォトレジスト２０を剥離する。
【００３６】
ドライエッチングの方法としては、反応性ガスエッチング、反応性イオンエッチング、反応性イオンビームエッチング、イオンビームエッチング、および反応性レーザービームエッチングを用いることができる。この中でも、通常用いられる方法は反応性イオンエッチングである。また、上記方法を用いる場合には、エッチングレートを１００ｎｍ／分程度とすることがさらに好ましい。
【００３７】
第１の保護層１８上のフォトレジスト２０の剥離は、Ｄｉｐ、シャワーのいずれか、あるいはそれらの組み合わせにより行なうことができる。  
以上により、図１（ｆ）に示すような、コンタクトホール２２を備える第１の保護層１８を得ることができる。なお、コンタクトホール２２は、図１（ｆ）に示す例では、第１の陽極補助配線１４と後述する第２の陽極補助配線２４とが接触するだけの寸法を有すればよい。また、図１（ｆ）に示す例とは異なり、コンタクトホールを複数形成する必要がある場合には、個々の導電経路用のコンタクトホールを別個に形成しても、また、ドライエッチングを容易ならしめるために、複数の導電経路用のコンタクトホールの全てを一つのスリット状のホールとして形成してもよい。
【００３８】
（第２の陽極補助配線の形成工程）
第３段階は、図１（ｇ）〜（ｊ）に示すように、第１の陽極補助配線１４および第１の保護層１８上に第２の陽極補助配線２４を形成する段階である。
【００３９】
まず、図１（ｇ），（ｈ）に示すように、第１の陽極補助配線１４および第１の保護層１８上に第２の陽極補助配線２４をマスクスパッタし、さらに陽極補助配線２４上にフォトレジスト２６を積層する。
【００４０】
第２の陽極補助配線２４としては、上述した第１の陽極補助配線１４と同様のものを使用することができる。また、フォトレジスト２６も、上述した第１の陽極補助配線１４の形成時に使用したものと同様のものを使用することができる。
【００４１】
第１の陽極補助配線１４および第１の保護層１８上への第２の陽極補助配線２４の積層は、図示しないメタルマスクまたはガラスマスクを用いた、マスクスパッタにより行なうことができる。この際、第２の陽極補助配線２４の厚さは、後述するウエットエッチング処理を容易ならしめ、かつ、その処理時間を短くするため、１〜２μｍとすることが好ましい。
【００４２】
次に、図１（ｉ）に示すように、第２の陽極補助配線２４を感光し、第２の陽極補助配線２４の、フォトレジスト２６によって防護されていない部分をウエットエッチングにより除去する。このウエットエッチングにおいては、第１の保護層１８の存在により、第１の陽極補助配線１４のサイドエッチングまたはオーバーエッチングが防止され、第１の陽極補助配線１４の厚さおよび線幅が確実に保証される。
【００４３】
エッチング液、液温、およびエッチング時間は、上述した第１の陽極補助配線１４の形成時に使用した条件を適用することができる。
【００４４】
さらに、図１（ｊ）に示すように、第２の陽極補助配線２４上のフォトレジスト２６を剥離する。当該剥離は、上述した第１の陽極補助配線１４の形成時に使用した態様を適用することができる。
【００４５】
（第２の保護層の形成工程）
第４段階は、図１（ｋ）〜（ｍ）に示すように、第１の保護層１８および第２の陽極補助配線２４上に第２の保護層２８を形成する段階である。
【００４６】
まず、図１（ｋ），（ｌ）に示すように、第１の保護層１８および第２の陽極補助配線２４上に、第２の保護層２８を積層し、第２の保護層２８上に、フォトレジスト３０を積層する。
【００４７】
第２の保護層２８としては、上述した第１の保護層１８と同じものを使用することができる。また、フォトレジスト３０も、上述した第１の保護層１８の形成時に使用したフォトレジスト２０と同じものを使用することができる。
【００４８】
第１の保護層１８および第２の陽極補助配線２４上への第２の保護層２８の積層は、図示しないメタルマスクまたはガラスマスクを用いた、マスクスパッタにより行なうことができる。この際、第２の保護層２８の厚さは、第２の陽極補助配線２４をその端部に至るまで確実に覆うため、０．２μｍ以上とすることが好ましい。また、第２の保護層２８の厚さは、無機系の保護層を使用した場合に基板１２の反り等を防止し、あるいは有機系の保護層を使用した場合に溶剤蒸発温度を過度に高めることを回避するため、２μｍ以下とすることが好ましい。
【００４９】
次に、図１（ｍ）に示すように、第２の保護層２８を感光し、第２の保護層２８の、フォトレジスト２０によって防護されていない部分をドライエッチングにより除去し、第２の保護層２８上のフォトレジスト３０を剥離する。
【００５０】
ドライエッチングの方法およびその条件、ならびに第２の保護層２８上のフォトレジスト３０の剥離方法は、上述した第１の保護層１８の形成時に使用した方法および条件を適用することができる。  
以上により、図１（ｍ）に示すような、コンタクトホール３２を備える第２の保護層２８を得ることができる。
【００５１】
（バリアメタルの形成工程）
第５段階は、図１（ｎ）〜（ｑ）に示すように、第２の陽極補助配線２４および第２の保護層２８上にバリアメタル３４を形成する段階である。
【００５２】
まず、図１（ｎ），（ｏ）に示すように、第２の陽極補助配線２４および第２の保護層２８上にバリアメタル３４をマスクスパッタし、さらにバリアメタル３４上にフォトレジスト３６を積層する。
【００５３】
バリアメタル３４としては、上述した第１および第２の陽極補助配線１４，２４に具備すべき性質である低抵抗であることに加えて、酸化、水分の影響を受け難い性質を有する材料を使用することが肝要である。例えば、モリブデン、クロム、タングステン、タンタル等を使用することができ、この中でも、特に、モリブデンを用いることが、エッチング液の取り扱いの点、およびエッチング廃液の処理の点で好ましい。
【００５４】
第２の陽極補助配線２４および第２の保護層２８上へのバリアメタル３４の積層は、図示しないメタルマスクまたはガラスマスクを用いた、マスクスパッタにより行なうことができる。この際、バリアメタル３４の厚さは、後述するウエットエッチング処理を容易ならしめ、かつ、その処理時間を短くするため、１〜２μｍとすることが好ましい。
【００５５】
次に、図１（ｐ）に示すように、レジストをパターニングし、バリアメタル３４の、フォトレジスト３６によって防護されていない部分をウエットエッチングにより除去する。このウエットエッチングにおいては、第２の保護層２８の存在により、第２の陽極補助配線２４のサイドエッチングまたはオーバーエッチングが防止され、第２の陽極補助配線２４の厚さおよび線幅が確実に保証される。
【００５６】
エッチング液、液温、およびエッチング時間は、上述した第１および第２の陽極補助配線１４，２４の形成時に使用した条件を適用することができる。
【００５７】
さらに、図１（ｑ）に示すように、バリアメタル３４上のフォトレジスト３６を剥離する。当該剥離は、上述した第１および第２の陽極補助配線１４，２４の形成時に使用した態様を適用することができる。  
このような、一連の第１〜５段階を経ることにより、図１（ｑ）に示すように、基板１２上に、第１の陽極補助配線１４、第１の保護層１８、第２の陽極補助配線２４、第２の保護層２８、およびバリアメタル３４が順次積層された陽極補助配線３８を得ることができる。
【００５８】
以上は、本発明の陽極補助配線の製造方法の一例であるが、発明の基本的な概念である、「陽極補助配線を複数の金属膜から形成すること」は、上記例に限られない。例えば、上記した第３段階（第２の陽極補助配線の形成工程）および第４段階（第２の保護層の形成工程）を交互に複数回繰り返すことにより、さらに多段の金属膜を含む陽極補助配線を得ることができる。
【００５９】
これに対し、例えば、上記した第３段階（第２の陽極補助配線の形成工程）および第４段階（第２の保護層の形成工程）を行なわずに、上記した第２段階（第１の保護層の形成工程）直後に、上記した第５段階（バリアメタルの形成工程）を行なうことも、本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【００６０】
ここで、本発明の製法により得られた陽極補助配線の奏する効果について説明する。  
即ち、当該製法により得られた陽極補助配線は、第１に全体として厚膜である。一般に、導体中において、電流の流れる方向を長さａ、上記長さａに垂直な２方向をそれぞれ幅ｂ、厚さｃとすると、電気抵抗Ｒは、長さａに比例し、幅ｂおよび厚さｃのそれぞれに反比例する。図１（ｑ）に示す方向Ｈは、実際に陽極補助配線を使用するに際し、上記厚さｃに相当する。このため、この厚さｃが大きいほど陽極補助配線３８の電気的抵抗は小さくなるため、厚膜化を図った本発明の製法による陽極補助配線は、低抵抗化を実現できる。
【００６１】
以上により、本発明の陽極補助配線の製造方法によれば、全体として厚膜化することができ、陽極補助配線の低抵抗化を高いレベルで奏することができる。
【００６２】
また、本発明の陽極補助配線の製造方法によれば、各金属膜の間に保護層を介在させることで、形成した金属膜の上にさらに金属膜を形成してエッチングするに際し、直下の金属膜のサイドエッチングまたはオーバーエッチングを防止することができる。このため、当該サイドエッチングを防止して、当該直下の金属膜の厚さと線幅を確実に保証することができ、ひいては陽極補助配線全体の優れた寸法精度を実現することができる。また、当該オーバーエッチングを防止して、隣接する金属膜同士の界面を十分に確保し、これにより陽極補助配線の低抵抗化の効果を十分に得ることができる。
【００６３】
＜有機ＥＬ素子＞
次に、本発明の有機ＥＬ素子について説明する。なお、以下においては、本発明の特徴的な部分である「陽極補助配線」以外の部分については、特許文献２に準じて説明する。
本発明の有機ＥＬ素子は、上記した、陽極補助配線の製造方法を用いて得られた素子である。
【００６４】
図２は、本発明の陽極補助配線の製造方法により得られた有機ＥＬ素子を示す平面図であり、図３はそのＡ−Ａ´断面図である。  
これらの図において、符号５２は陽極配線、５４は陰極配線、５６は隔壁、５８は基板、６０は陰極補助配線、６２は絶縁膜、６４は開口部、６６はコンタクトホール、６８は陽極補助配線、７０は陽極配線５２と陽極補助配線６８とが接続される接続部である。
【００６５】
基板５８上には、基板５８の表面に接するように複数の陽極配線５２が形成されている。複数の陽極配線５２はそれぞれ平行に形成されている。陽極配線５２の端部にはそれぞれの陽極配線５２に対応された陽極補助配線６８が基板５８の端部まで形成されている。陽極配線５２と一列になるようにそれぞれの陽極補助配線６８が配置されている。この陽極配線５２の上には接続部７０が形成されており、陽極補助配線６８と接続されている。陽極補助配線６８には外部配線等と接続するための端子部（図示せず）が設けられている。陰極補助配線６０は陰極配線５４の本数に対応して形成されている。
【００６６】
陽極配線５２は、例えばＩＴＯ等などの透明導電膜により形成されている。陽極補助配線６８は、上述したように、多層構造の金属膜により形成されている。なお、陰極補助配線６０は陽極補助配線６８と同様に多層構造の金属膜により形成されていてもよい。あるいは陰極補助配線６０は陽極配線５２と同じ工程により形成されていてもよい。さらには透明導電膜と積層金属膜とを積層して陰極補助配線６０を形成してもよい。これらの配線が形成された基板５８上には、絶縁膜６２が形成されている。絶縁膜６２の膜厚は、例えば、０．７μｍとすることができる。絶縁膜６２には、陽極配線５２と陰極配線６０とが交差する位置（すなわち表示画素となる位置）に開口部６４が設けられている。
【００６７】
表示領域の外側には陰極補助配線６０と陰極配線５４とを接続するため、絶縁膜６２にコンタクトホール６６が形成されている。このコンタクトホール６６において、陰極配線５４と陰極補助配線６０とが接続されている。陰極補助配線６０の端部には端子部（図示せず）が設けられており、外部配線、駆動回路と接続されている。これにより、開口部６４において陽極配線５２と陰極配線５４に挟まれる有機薄膜層に電流を流すことができ、有機薄膜層が発光する。この開口部６４が設けられている領域が表示領域となり、所望の画像を表示することができる。
【００６８】
絶縁膜６２の上層には、複数の有機薄膜層（有機化合物層）、陰極配線５４が順に積層されている。従って、有機薄膜層は陰極配線５４と陽極配線５２とに挟まれる構成となっている。ただし、図２では有機薄膜層の図示を省略している。また、有機薄膜層を形成する前に、隣接する陰極配線同士を区分する分離構造体（以下、単に「隔壁５６」と称する）が設けられている。隔壁５６は、陰極配線５４を蒸着等により形成する前に、所望のパターンに形成されている。例えば、図２に示すように、陽極配線５２と直交する複数の陰極配線５４を形成するため、陽極配線５２と直交する複数の隔壁５６が陽極配線５２の上に形成されている。
【００６９】
隔壁５６は、逆テーパ構造を有していることが好ましい。すなわち、基板５８から離れるにつれて断面が広がるように形成されることが好ましい。これにより、隔壁５６の側壁および立ち上がり部分が蒸着の陰となり、陰極配線５４を区分することができる。隔壁５６は例えば、高さ３．４μｍ、幅１０μｍとすることができる。
【００７０】
隔壁５６上には、有機薄膜層が蒸着法あるいは塗布法等により形成されている。有機薄膜層は、図２において、その両側に位置する陽極配線５２および陰極配線５４とともに有機発光体を構成する。この有機発光体は、以下のいずれかの具体的な層構成とすることができる。
（１）陽極配線５２／有機ＥＬ層／陰極配線５４
（２）陽極配線５２／正孔注入層／有機ＥＬ層／陰極配線５４
（３）陽極配線５２／有機ＥＬ層／電子注入層／陰極配線５４
（４）陽極配線５２／正孔注入層／有機ＥＬ層／電子注入層／陰極配線５４
（５）陽極配線５２／正孔注入層／正孔輸送層／有機ＥＬ層／電子注入層／陰極配線５４
（６）陽極配線５２／正孔注入層／正孔輸送層／有機ＥＬ層／電子輸送層／電子注入層／陰極配線５４
なお、有機薄膜層と陰極配線５４との間には、例えば、ＬｉＦからなる陰極界面層を形成してもよい。
【００７１】
有機ＥＬ層の材料としては、所望する色調に応じて選択することが可能であり、例えば青色から青緑色の発光を得るためには、ベンゾチアゾール系、ベンゾイミダゾール系、ベンゾオキサゾール系などの蛍光増白剤、スチリルベンゼン系化合物、または芳香族ジメチリディン系化合物の少なくとも１つの材料を使用することが可能である。あるいはまた、上記材料をホスト材料として用い、これにドーパントを添加することによって有機ＥＬ層を形成してもよい。ドーパントとして用いることができる材料としては、たとえばレーザ色素としての使用が知られているペリレン（青色）などを用いることができる。
【００７２】
正孔注入層の材料としては、フタロシアニン（Ｐｃ）類（銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）などを含む）またはインダンスレン系化合物などを用いることができる。
【００７３】
正孔輸送層の材料としては、トリアリールアミン部分構造、カルバゾール部分構造、オキサジアゾール部分構造を有する材料（たとえばＴＰＤ、α−ＮＰＤ、ＰＢＤ、ｍ−ＭＴＤＡＴＡなど）を用いることができる。
【００７４】
電子注入層の材料としては、アルミニウムトリス（８−キノリノラート）（Ａｌｑ3）のようなアルミニウム錯体、アルカリ金属ないしアルカリ土類金属をドープしたアルミニウム錯体、あるいはアルカリ金属ないしアルカリ土類金属を添加したバソフェナントロリンなどを用いることができる。
【００７５】
電子輸送層の材料としては、Ａｌｑ3のようなアルミニウム錯体、ＰＢＤ、ＴＰＯＢのようなオキサジアゾール誘導体、ＴＡＺのようなトリアゾール誘導体、トリアジン誘導体、フェニルキノキサリン類、ＢＭＢ−２Ｔのようなチオフェン誘導体などの材料を用いることができる。
【００７６】
有機薄膜層を構成する各層は、蒸着（抵抗加熱または電子ビーム加熱）などの当該技術において知られている任意の手段を用いて形成されたものである。
【００７７】
さらに有機薄膜層の上には、蒸着された金属膜が存在する。この蒸着された金属膜は、逆テーパ構造の隔壁５６により分断された、複数の陰極配線５４である。陰極配線５４は、隔壁５６の外側には形成されないようマスクを用いて蒸着されている。本発明の有機ＥＬ素子は、上述のような構成を備えている。この素子が対向基板と対向配置されて有機ＥＬ表示装置が形成される。
【００７８】
次に、陽極配線５２と陽極補助配線６８とを接続する接続部７０の周辺の構成について図３を用いて説明する。図３は接続部７０周辺の構成を拡大して示す、図２のＡ−Ａ´断面図である。同図中、符号５２は陽極配線、５６は隔壁、６２は絶縁膜、６４は開口部、６８ａは第１の陽極補助配線、６８ｂは第２の陽極補助配線、７２は既に陽極補助配線６８により埋められたコンタクトホール、７４は第１の保護層、７６は第２の保護層、そして７８はバリアメタルである。
【００７９】
このような構造の有機ＥＬ素子では、上述したように、陽極補助配線の構造に基づくその低抵抗化を図るとともに、エッチング不良を抑制することができ、また、保護層を介在させることに起因して、陽極補助配線全体の優れた寸法制度等を実現することができる。これにより、当該有機ＥＬ素子においては、消費電力の低減等が図られ、ひいては、長寿命化を実現することができる。
【００８０】
なお、図４は、図３に示す接続部７０周辺付近の変形例を示す断面図である。この変形例においては、バリアメタル７８とその下方の第２の陽極補助配線６８ｂとの間が凹凸をなす形状となるよう第２の陽極補助配線６８ｂが配設されている。このため、図４に示す例は、図３に示す例に比べて、第２の陽極補助配線６８ｂとバリアメタル７８とが接触する界面が大きいために、陰極補助配線の低抵抗化をさらに高いレベルで実現することができる。
【００８１】
＜有機ＥＬ素子の製造方法＞
さらに、本発明の有機ＥＬ素子の製造方法について説明する。なお、以下においては、本発明の特徴的な部分である「陽極補助配線」以外の部分については、特許文献２に準じて説明する。また、以下の説明に使用する符号は、図２，３に示すものと同一である。  
【００８２】
まず、基板５８上に陽極配線５２となるＩＴＯ膜を成膜する。基板５８として、例えばガラス基板等の透明基板を用いる。ガラス基板としては、たとえばソーダライムガラスを使用することができる。ＩＴＯ膜の厚さは通常５０〜２００ｎｍである。より好ましくは１００〜１５０ｎｍである。典型的には、ＤＣスパッタ法により作製した厚さ１５０ｎｍのＩＴＯ膜である。ＩＴＯ膜は、一般的には、このほか、真空蒸着法、イオンプレーティング法等の物理的気相成長法（ＰＶＤ）で作製することができる。この説明ではＩＴＯ膜を使用する。もちろんＩＴＯ以外にもＩＺＯ等の透明な金属酸化物からなる導電膜でもよい。
【００８３】
ＩＴＯはスパッタまたは蒸着によって、ガラス基板全面に均一性よく成膜することができる。フォトリソグラフィーおよびエッチングによりＩＴＯ膜をパターニングして、陽極配線５２を形成する。レジストとしてはフェノールノボラック樹脂を使用し、露光現像を行う。エッチングはウエットエッチングあるいはドライエッチングのいずれでもよいが、例えば、塩酸および硝酸の混合水溶液を使用してＩＴＯをパターニングすることができる。レジスト剥離材としては例えば、モノエタノールアミンを使用することができる。なお、この工程で陰極補助配線６０を形成することも可能である。
【００８４】
次いで、本発明の特徴部分である「陽極補助配線６８」を形成する。形成方法等は、陽極補助配線の製造方法の欄で述べたとおりである。
【００８５】
次に、陽極配線５２、陰極補助配線６０、および陽極補助配線６８を設けた基板５８の面に上から絶縁膜６２を成膜する。例えば、感光性のポリイミドの溶液をスピンコーティングにより塗布する。この絶縁膜６２の膜厚は、例えば、０．７μｍになるようにすればよい。さらに、この絶縁膜６２をパターニングする。例えば、絶縁膜の層をフォトリソグラフィー工程、現像工程でパターニングした後、キュアし、表示画素となる位置の絶縁膜を除去し、開口部６４を設ける。この開口部６４は、後述する陰極配線５４と、陽極配線５２との交差部分が表示画素となる位置に設ける。また、絶縁膜６２に、陰極配線５４と陰極補助配線６０とを接続するコンタクトホール６６を形成する。
【００８６】
このような画素に対応する開口部６４は、例えば、３００μｍ×３００μｍ程度で形成することができる。また、陰極配線５４と陰極補助配線６０とを導通させるためのコンタクトホール６６は、例えば、２００μｍ×２００μｍ以下で形成することができる。画素開口部６４が３００μｍ×３００μｍ程度の場合、陰極５４と補助配線６０とのコンタクト形成部６６を２００μｍ×２００μｍ以下とすると、素子全体の大きさに影響を与えなくて済むため好ましい。
【００８７】
続いて、絶縁膜６２（ポリイミドの層）の表面において、複数本の陰極配線５４を分離配置できるように隔壁５６を形成する。なお、図２では、便宜上、配線の本数は、実際の本数よりも少なく図示してある。隔壁５６は、絶縁膜６２の上層にノボラック樹脂、アクリル樹脂膜等の感光性樹脂を塗布することにより形成する。例えば、感光性樹脂をスピンコートして、フォトリソグラフィー工程でパターニングした後、光反応させて陰極隔壁５６を形成する。陰極隔壁５６が逆テーパ構造を有するようネガタイプの感光性樹脂を用いることが好ましい。
【００８８】
ネガタイプの感光性樹脂を用いると、上から光を照射した場合、深い場所ほど光反応が不十分となる。その結果、上から見た場合、硬化部分の断面積が上の方より下の方が狭い構造を有する。これが逆テーパ構造を有するという意味である。このような構造にすると、その後、陰極５４の蒸着時に蒸着源から見て陰になる部分は蒸着が及ばないため、陰極５４同士を分離することが可能になる。
【００８９】
さらに、開口部６４のＩＴＯ層の表面改質を行うために、酸素プラズマまたは紫外線を照射してもよい。例えば、並行平板ＲＦプラズマ（高周波プラズマ）装置を用い、酸素プラズマ照射を実施して、ＩＴＯ膜の表面改質を行う。
【００９０】
その後、有機薄膜層を積層する。まず、開口部を有する金属マスクをガラス基板５８に取り付ける。このとき、金属マスクの開口部と有機薄膜層を設けるべき位置が重なるように配置し、また、金属マスクとガラス基板５８との間に５０μｍの空間が空くように取り付ける。そして、０．５％（質量百分率）のポリビニルカルバゾールを溶解した安息香酸エチル溶液をマスクスプレー法によって塗布する。そして、溶液を濃縮乾燥して正孔注入層を形成する。
【００９１】
続いて、正孔注入層の上層にα−ＮＰＤ（Ｎ，Ｎ'−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ'−ジフェニル−ベンジジン）を蒸着して膜厚４０ｎｍの正孔輸送層を形成する。さらに、その上層に、発光層のホスト化合物となるＡｌｑ（トリス（８−ヒドロキシナト）アルミニウム）と、ゲスト化合物の蛍光性色素となるクマリン６とを同時に蒸着して、膜厚６０ｎｍの有機ＥＬ層を形成する。続いて、有機ＥＬ層の上層にＬｉＦを蒸着して、膜厚０．５ｎｍの陰極界面層を形成する。
【００９２】
その後、アルミニウム等の金属材料を蒸着して、膜厚１００ｎｍの陰極配線５４を形成する。この結果、隔壁５６によってアルミニウム膜は分離され、それぞれの隔壁間に陽極配線５２と交差する陰極配線５４を形成することができる。以上により、本発明の有機ＥＬ素子が得られる。
【００９３】
最後に、このようにして得られた有機ＥＬ素子を封止するため、封止用の対向基板を製造する。まず、有機ＥＬ素子の基板とは別のガラス基板を用意する。このガラス基板を加工して捕水材を収納するための捕水材収納部を形成する。捕水材収納部はガラス基板にレジストを塗布し、露光、現像により基板の一部を露出させる。この露出部分をエッチングにより薄くすることにより捕水材収納部を形成する。
【００９４】
この捕水材収納部に酸化カルシウム等の捕水材を配置した後、捕水材収納部を有する基盤と有機ＥＬ素子の基板とを重ね合わせて接着する。具体的には、対向基板の捕水材収納部が設けられた面に、ディスペンサを用いてシール材を塗布する。シール材として、例えば、エポキシ系紫外線硬化性樹脂を用いることができる。また、シール材は、有機ＥＬ素子と対向する領域の外周全体に塗布する。２枚の基板を位置合わせして対向させた後、紫外線を照射してシール材を硬化させ、基板同士を接着する。この後、シール材の硬化をより促進させるために８０℃のクリンオーブン中で１時間熱処理を施す。
【００９５】
この結果、シール材および一対の基板によって、有機ＥＬ素子が存在する基板間と、基板の外部とが隔離される。捕水材を配置することにより、封止された空間に残留または侵入してくる水分等による有機ＥＬ素子の劣化を防止することができる。以上により、有機ＥＬ素子を用いた表示装置が完成する。
【実施例】
【００９６】
以下に、本発明を実施例により詳細に説明し、本発明の効果を実証する。
＜有機ＥＬ素子の形成＞
（実施例）  
図１に示す製造方法に従って陽極補助配線を形成し、図２，３に示す構造の有機ＥＬ素子を得た。以下に示す参照符号は、図２，３に示すものである。
【００９７】
まず、基板５８に、図示しないカラーフィルタ層、色変換層、平坦化層を形成し、さらに第１の陽極補助配線６８ａを形成した。このとき、陰極補助配線６０も同時に形成した。
【００９８】
ここで、第１の陽極補助配線６８ａの形成については、マスクスパッタエリア８０に、メタルマスクを用いて、Ａｌをマスクスパッタした。Ａｌの成膜条件および膜厚は、ウエットエッチングができる厚さ、即ち１〜３μｍ程度とした。その後、フォトレジストによるパターニングを行い、燐酸−硝酸−酢酸混合水溶液からなるエッチング液にてエッチングを行い、第１の陽極補助配線６８ａを得た。
【００９９】
次に、保護層エリア８２に、メタルマスクを用いて、シリコン酸化膜を、第１の保護層７４として形成した。第１の保護層７４の厚さは、０．５〜１μｍとした。その後、ドライエッチングにて、第１の陽極補助配線６８ａと第２の陽極補助配線６８ｂとを導通させるためのコンタクトホール７２を形成した。
【０１００】
さらに、第２の陽極補助配線６８ｂを形成するため、マスクスパッタエリア８０に、メタルマスクを用いて、Ａｌをマスクスパッタした。第１の陽極補助配線６８ａと同様に、Ａｌの成膜条件および膜厚は、ウエットエッチングができる厚さ、即ち１〜３μｍ程度とした。その後、フォトレジストによるパターニングを行い、燐酸−硝酸−酢酸混合水溶液からなるエッチング液にてエッチングを行い、第２の陽極補助配線６８ｂを得た。
【０１０１】
加えて、図１に示す保護層エリア８２に、メタルマスクを用いて、シリコン酸化膜を、第２の保護層７６として形成した。第２の保護層７６の厚さは、０．５〜１μｍ程度とした。その後、ドライエッチングにて、第２陽極補助配線６８ｂとバリアメタル層７８とを導通させるためのコンタクトホール７２を形成した。
【０１０２】
最後に、マスクスパッタエリア８０に、メタルマスクを用いて、Ｍｏをマスクスパッタし、フォトレジストによるパターニングを行い、燐酸−硝酸−酢酸混合水溶液からなるエッチング液にてエッチングを行い、バリアメタル層７８を得た。
【０１０３】
このようにして、陽極補助配線６８の部分を形成下の後、絶縁層６２、有機薄膜層、陰極配線５４等を形成し、有機ＥＬ素子を得た。
【０１０４】
（比較例１）
陽極補助配線を単層とするとともに保護層を設けず、陽極補助配線の厚みを実施例の陽極補助配線の厚みと同一とした以外は、実施例と同様にして有機ＥＬ素子を得た。
【０１０５】
（比較例２）
陽極補助配線を実施例と同様に３層としたが、保護層を設けず、陽極補助配線の厚みを実施例の陽極補助配線の厚みと同一とした以外は、実施例と同様にして有機ＥＬ素子を得た。
【０１０６】
＜評価項目＞
上記のようにして得られた実施例および比較例１，２の有機ＥＬ素子について、陽極補助配線の抵抗値を比較評価した。また、これらの有機ＥＬ素子について、その陽極補助配線の、断面視における端部の寸法精度を目視にて評価した。これらの結果を表１に示す。
【０１０７】
【表１】
2008311143.tif 000003
【０１０８】
表１に示すように、本発明の範囲内にある実施例の有機ＥＬ素子では、陽極補助配線の抵抗値が、本発明の範囲を逸脱する比較例１，２の有機ＥＬ素子に比べて、約１／２〜１／３となっていることが判る。また、本発明の範囲内にある実施例の有機ＥＬ素子では、陽極補助配線の端部の寸法精度が、本発明の範囲を逸脱する比較例１，２の有機ＥＬ素子に比べて、優れた結果となっていることが判る。これらの結果は、以下のような理由による。
【０１０９】
陽極補助配線の抵抗値について検討すると、比較例１については、単層とした結果、複数層とした場合に生ずる界面が生じていないことにより、高い抵抗値を示していると判断できる。また、比較例２については、保護層を設けなかったことにより、金属膜のエッチング時に、当該金属膜の直下の金属膜のサイドエッチングが生じ、金属膜同士の界面が十分に形成されなかったことにより、高い抵抗値を示していると判断できる。
【０１１０】
陽極補助配線の端部の寸法精度について検討すると、比較例１については、単層とした結果、エッチング時にその中央部に比べて端部のエッチング程度が過度に進んだことにより、優れた寸法精度を示さないと判断できる。また、比較例２については、保護層を設けなかったことにより、金属膜のエッチング時に、当該金属膜の直下の金属膜のサイドエッチングが生じ、このため、当該直下の金属膜の厚さと線幅を確実に保証することができなかったことから、優れた寸法精度を示さないと判断できる。
【０１１１】
以上により、本発明の範囲内にある実施例の有機ＥＬ素子では、陽極補助配線の抵抗値、および陽極補助配線の端部の寸法精度のいずれにおいても、優れた結果が得られ、この結果は、各比較例においては、実現できないものである。
【産業上の利用可能性】
【０１１２】
本発明によれば、陽極補助配線の厚膜化および界面の形成により、その抵抗値を低減することができるとともに、陽極補助配線を構成する各金属膜の間に保護層を介在させて、陽極補助配線の端部における優れた寸法精度を得ることができる。よって、本発明は、近年、低消費電力化および長寿命化が益々求められる各種表示装置に適用することができる有機ＥＬ素子を製造することができる点で有望である。
【図面の簡単な説明】
【０１１３】
【図１】本発明の陽極補助配線の製造方法の各段階を順次示す断面図であり、(ａ)〜(ｃ)は第１の陽極補助配線の形成工程、(ｄ)〜(ｆ)は第１の保護層の形成工程、(ｇ）〜（ｊ）は第２の陽極補助配線の形成工程、（ｋ）〜（ｍ）は第２の保護層の形成工程、そして（ｎ）〜（ｑ）はバリアメタルの形成工程をそれぞれ示す。
【図２】本発明の陽極補助配線の製造方法により得られた有機ＥＬ素子を示す平面図である。
【図３】図２のＡ−Ａ´断面図である。
【図４】図３に示す接続部７０周辺付近の変形例を示す断面図である。
【図５】従来の有機ＥＬ素子の構造を示す平面図である。
【図６】図５のＢ−Ｂ´断面図である。
【符号の説明】
【０１１４】
１２  基板
１４  第１の陽極補助配線
１８  第１の保護層
２４  第２の陽極補助配線
２８  第２の保護層
３４  バリアメタル
３８  陽極補助配線
【図１】
2008311143.tif 000004
【図２】
2008311143.tif 000005
【図３】
2008311143.tif 000006
【図４】
2008311143.tif 000007
【図５】
2008311143.tif 000008
【図６】
2008311143.tif 000009