(57)【要約】【課題】  各光経路の挿入損失の均一性を向上させつつ、部品点数が少なく小型の光クロスコネクト装置を提供することを目的としている。【解決手段】  光クロスコネクト装置において、光入力ポートと光出力ポートとＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍ）ミラーとを有し、このＭＥＭＳミラーを介する光経路で前記各光入力ポートと前記各光出力ポート間をクロスコネクトする光スイッチと、前記光スイッチの光経路の切替とともに、この切替による各光経路の挿入損失のばらつきが小さくなるように、前記各ＭＥＭＳミラーの位置の制御を行う制御部と、を備えた。【選択図】  図１
2008072201.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光入力ポートと光出力ポートとＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍ）ミラーとを有し、このＭＥＭＳミラーを介する光経路で前記各光入力ポートと前記各光出力ポート間をクロスコネクトする光スイッチと、
前記光スイッチの光経路の切替とともに、この切替による各光経路の挿入損失のばらつきが小さくなるように、前記各ＭＥＭＳミラーの位置の制御を行う制御部と、
を備えたことを特徴とする光クロスコネクト装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記各光経路の挿入損失の設定値に対応する情報を記憶した設定値テーブルを有し、この設定値テーブルを参照して制御を行うことを特徴とする請求項１に記載の光クロスコネクト装置。
【請求項３】
前記光スイッチは、前記光出力ポートにおける光強度を検出する光検出部を有し、
前記制御部は、前記光スイッチの光経路の切替を行うように前記各ＭＥＭＳミラーの位置の制御を行うとともに、この切替による各光経路の挿入損失のばらつきが小さくなるように前記光検出部の検出結果に基づく前記各ＭＥＭＳミラーの位置のフィードバック制御を行うことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の光クロスコネクト装置。
【請求項４】
自光クロスコネクト装置と接続した装置の制御情報を受けるインタフェース部と、を備え、
前記制御部は、前記インタフェース部による制御情報に基づいて制御を行うことを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれかに記載の光クロスコネクト装置。
【請求項５】
光入力ポートと光出力ポートとＭＥＭＳミラーとを有する光スイッチにおいて、このＭＥＭＳミラーを介する光経路で前記各光入力ポートと前記各光出力ポート間をクロスコネクトする光クロスコネクト方法であって、
前記光スイッチの光経路の切替とともに、この切替による各光経路の挿入損失のばらつきが小さくなるように、前記各ＭＥＭＳミラーの位置の制御を行う制御ステップと、
を備えたことを特徴とする光クロスコネクト方法。
【請求項６】
請求項５に記載の光クロスコネクト方法を電子計算機に実行させるプログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、光通信分野において光パス切替に用いられる光クロスコネクト装置に関し、特にポート間の挿入損失の均一性を向上させる光クロスコネクト装置、光クロスコネクト方法、およびプログラムに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
各光パスの挿入損失の均一性を向上させることを目的とする光クロスコネクト装置が特許文献１に開示されている。この従来の光クロスコネクト装置は、Ｎ個の光入力ポートとＭ個の光出力ポートを備えるＮ×Ｍマトリックス型光スイッチと、Ｎ×Ｍマトリックス型光スイッチと各光出力ポートの間に配置される可変光減衰器と、Ｎ×Ｍ個の経路に対応する光減衰量を経路番号と関連付けて記憶する設定値テーブルと、設定値テーブル内を検索及び所望の光減衰量を抽出する制御手段を有し、外部から光パス切替指示が入力されると、制御手段は、光パス切替指示に含まれる経路番号に対応する光減衰量を設定値テーブルから抽出して可変光減衰器に出力することで、出力された光を所望の減衰値に減衰させることができ、その結果、挿入損失の均一性を向上させることができる。
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−３６４０４２号公報（第１頁、第１図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に開示された従来の光クロスコネクト装置は、光スイッチの光出力ポート数Ｍに対応して、外付けの可変光減衰器がＭ個必要となるため、部品点数が多く、装置のハードウエア規模が大きくなり、ひいては装置コストが高くなるという問題点があった。
【０００５】
この発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、各光経路の挿入損失の均一性を向上させつつ、部品点数が少なく小型の光クロスコネクト装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
この発明に係る光クロスコネクト装置は、光入力ポートと光出力ポートとＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍ）ミラーとを有し、このＭＥＭＳミラーを介する光経路で前記各光入力ポートと前記各光出力ポート間をクロスコネクトする光スイッチと、前記光スイッチの光経路の切替とともに、この切替による各光経路の挿入損失のばらつきが小さくなるように、前記各ＭＥＭＳミラーの位置の制御を行う制御部と、を備えたものである。
【発明の効果】
【０００７】
この発明は、各光経路の挿入損失の均一性を向上させつつ、部品点数が少なく小型の光クロスコネクト装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
実施の形態１．
この発明の実施の形態１による光クロスコネクト装置は、Ｎ×Ｍマトリックス型光スイッチの内部においてＭＥＭＳミラーの位置をずらすことによる可変アッテネーション機能を持たせ、光経路の切替とともに、各光経路の挿入損失の情報を記憶した設定値テーブルを参照して挿入損失のばらつきが小さくなるように、各ＭＥＭＳミラーの位置の制御を行うようにしたので、各光経路の挿入損失の均一性を向上させつつ、部品点数が少なく小型にすることができるものである。
【０００９】
図１は、この発明の実施の形態１による光クロスコネクト装置を示す構成図である。図１において、光クロスコネクト装置１は、外部から制御通信入出力線を介して光パス切替指示信号を取得すると、この光パス切替指示信号から切替ミラーの番号を抽出し光経路切替のための制御信号を生成する制御部１１と、Ｎ（Ｎは２以上の自然数）個の光入力ポート２１ａとＭ（Ｍは２以上の自然数）個の光出力ポート２１ｂとＮ×Ｍ個のＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍ）ミラー２２とを有する光スイッチであって制御部１１から制御信号を受け取るとＮ×Ｍ個のＭＥＭＳミラー２２のうち指定されたミラーの駆動切替を行うＮ×Ｍマトリックス型光スイッチ１２と、を備えている。なお、図１では、Ｎ＝３、Ｍ＝３の場合を示すが、これに限られるものではない。
【００１０】
図２は、この発明の実施の形態１による光クロスコネクト装置を示す構成図であり、Ｎ×Ｍ（ここでは３×３）のマトリックス型光スイッチ１２の具体的構成の一例を示すものである。図２において、マトリックス型光スイッチ１２は、外部から光パス切替指示が入力されると、ＭＥＭＳミラー２２を駆動させるアクチュエータをオンにして、所望の光経路を確立し、ＭＥＭＳミラー２２を介して光入力ポート２１ａと光出力ポート２１ｂを接続する。これにより、光ファイバとしての光入力ポート２１ａを伝搬してきた光は、光入力ポートのコリメートレンズ２０でコリメートされ、ＭＥＭＳミラー２２で反射され、光出力ポートのコリメートレンズ２０で光ファイバとしての光出力ポート２１ｂに結合される。
【００１１】
ここで、コリメートレンズ２０やＭＥＭＳミラー２２の光学特性の製造ばらつきや、コリメートレンズ２０とＭＥＭＳミラー２２とを調心接続する工程での製造ばらつきが光経路の損失ばらつきの原因となる。また、コリメートレンズ２０からの射出光が理想的なコリメート光（平行光）ではないため、入力側のコリメートレンズ２０からＭＥＭＳミラー２２までの距離と、ＭＥＭＳミラー２２から出力側のコリメートレンズ２０までの距離とが異なることも光経路の損失ばらつきの原因となる。
【００１２】
図３は、この発明の実施の形態１による光クロスコネクト装置を説明するための説明図である。図３において、光ファイバとしての光入力ポート２１ａからの光信号は、自由空間に出たのちＭＥＭＳミラー２２で反射される。このとき、ＭＥＭＳミラー２２の反射角度を最適に制御することにより、光ファイバとしての所望の光出力ポート２０ｂに反射光の最大パワーが入力される。なお、図２に示したように、光ファイバとしての光入力ポート２１ａ、２１ｂとＭＥＭＳミラー２２の間に適切な集光のためのレンズなどの光学部品、例えばコリメートレンズ２０を具備するようにしても良い。
【００１３】
図４は、この発明の実施の形態１による光クロスコネクト装置を示す構成図であり、ＭＥＭＳミラー２２の具体的構成を示すものである。図４において、ＭＥＭＳミラー２２は、Ｘ軸およびＹ軸方向に自由に角度を変えることができる構造である。図示を省略しているアクチュエータを用いて、Ｘ軸およびＹ軸方向に適切にミラーの角度を制御することにより、反射光は所望の光出力ポート２１ｂに入力される。
【００１４】
図５は、この発明の実施の形態１による光クロスコネクト装置を説明するための説明図である。図５において、横軸にＭＥＭＳミラー２２の角度、縦軸に光出力ポート２１ｂに入力される反射光の光強度を示す。この光強度は、ミラーの角度が最適値となったときに最大となり、このときの光スイッチの光経路における挿入損失値は最小となる。ここで、角度の最適値よりずらした角度に制御することにより、任意の損失を与えることが可能であることがわかる。
【００１５】
上述のように、反射光が所望の光出力ポート２１ｂに入力するようにＭＥＭＳミラー２２の位置を粗調整として制御することにより、光経路の切替を行うことができるとともに、最適位置からずれるようにＭＥＭＳミラー２２の位置を微調整として制御することにより、光経路に所望の損失値を発生させることができる。
【００１６】
このようにして、ＭＥＭＳミラー２２を制御することにより、わざと任意の損失を発生させるようにすることが可能であるので、この作用を利用し、光入力ポート２１ａと光出力ポート２１ｂのすべての組み合わせに対する光経路の損失値をあらかじめデータとして持つことにより、例えばその最大の損失値に合わせてすべての組み合わせの出力パワーを一定値にするように、各ＭＥＭＳミラー２２の位置を個別に制御することにより、各光出力ポート２１ｂから出力される光強度が均一となるように減衰させることができる。
【００１７】
図１において、制御部１１には、すべての光入力ポート２１ａと光出力ポート２１ｂの組み合わせの損失値をあらかじめデータとして持つためのメモリが設けられている。そのメモリには、設定値テーブル３１と、この設定値テーブル３１を制御する制御プログラムが記憶されている。制御プログラムは、外部から制御通信入出力回線を介して入力された光パス切替指示を解読して光経路番号を抽出し、この光経路番号をＮ×Ｍマトリックス型光スイッチ１２に出力する一方、この光経路番号に基づいて設定値テーブル３１内を検索し、検出された光減衰量を得るために必要な制御情報を算出して、各ＭＥＭＳミラー２２を制御するための処理を行う。
【００１８】
図６は、この発明の実施の形態１による光クロスコネクト装置を説明するための説明図であり、制御部１１に内蔵される設定値テーブル３１の内容の具体例を示す表である。図６において、設定値テーブル３１は、予め測定されたＮ×Ｍ個の各光経路の「損失値」を経路毎に「光経路番号」に対応付けてデータ化したもので、これらのデータは前記のメモリに格納されている。この設定値テーブル３１の「入力ポート番号−出力ポート番号」欄は、Ｎ×Ｍマトリックス型光スイッチ１２の光入力ポート番号（例えば入力１）と光出力ポート番号（例えば出力１）を示す。「損失値」欄には、この経路を伝搬した光のこの経路における損失値が記載されている。
【００１９】
なお、設定値テーブル３１の「損失値」欄に代えて、各ＭＥＭＳミラー２２に設定すべき減衰量とする場合には、記載される各減衰量は、Ｎ×Ｍ個の光経路のうち最も挿入損失の大きい経路を基準とし、この最大挿入損失と他経路の挿入損失との差分を「補正光減衰量」として求められる。損失値あるいは、補正光減衰量は、あらかじめ測定され、不揮発性メモリ、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）、ハードディスク等の媒体に格納される。
【００２０】
また、図６においては、Ｎ×Ｍのマトリックス型光スイッチ１２の光入力ポート数を３ポート、光出力ポート数を３ポートとし、総経路数９通りの３×３のマトリックス型光スイッチとする場合を示している。
【００２１】
次に動作について詳細に説明する。上述の構成を有する光クロスコネクト装置１の制御部１１は、先ず制御通信入力回線から光パス切替指示を受け取ると、この光パス切替指示を解読して、切り替える光入力ポート番号と光出力ポート番号に対応する光経路番号を取得する。次いで、制御部１１は、この光経路番号をマトリックス型光スイッチ１２に出力し、マトリックス型光スイッチ１２は、光経路番号に対応するＭＥＭＳミラー２２のスイッチをオンとして位置を制御することにより、経路の確立を行う。一方、制御部１１は、設定値テーブル３１を参照し、光経路番号に基づいてこの光経路を含むデータを検索し、検出されたデータから損失値あるいは設定すべき減衰量を抽出して、それぞれ対応するＭＥＭＳミラー２２の制御情報を求める。次いで、マトリックス型光スイッチ１２は、制御部１１からの制御情報を受け、ＭＥＭＳミラー２２の位置を制御することにより、光出力ポート２１ｂから出力される光を所定の減衰値に減衰させることができる。
【００２２】
例えば、制御部１１は、制御通信入力回線を介して「入力１−出力３、入力２−出力１、入力３−出力２」に切り替える光パス切替指示を取得すると、まずマトリックス型光スイッチ１２に光経路番号「３、４、８」を出力し、「入力１−出力３、入力２−出力１、入力３−出力２」間の各ＭＥＭＳミラー２２のスイッチをオンさせて各光経路の確立を行う。次いで、設定値テーブル３１を参照して、「入力１−出力３、入力２−出力１、入力３−出力２」に対応するＭＥＭＳミラー２２毎に設定すべき減衰量を抽出し、その減衰量に対応するＭＥＭＳミラー２２の位置制御を実施する。ここでは、光経路番号「８」の損失値が３．６ｄＢと最も大きいので、光経路番号「３、４」にほぼ３．６ｄＢとなるような減衰を与えるように、すなわち各光経路の挿入損失のばらつきが小さくなるように位置制御を行う。これにより、「入力１、入力２」から入力された光を所望の光強度まで減衰させて「出力３、出力１」に出力させることができ、各光経路の挿入損失の均一性を向上させることができる。
【００２３】
以上のように、この発明の実施の形態１による光クロスコネクト装置おいては、制御部１１に各光経路に対応する損失値を予めデータベース化して設定値テーブル３１に記憶させ、制御部１１により光経路の切替を行うとともに切替後の各光経路の挿入損失のばらつきが小さくなるように各ＭＥＭＳミラー２２の位置の制御を行うように構成したので、各光経路の挿入損失の均一性を向上させることができ、外付けの可変光減衰器が不要なことから、部品点数が少なく小型にすることができる。
【００２４】
実施の形態２．
図７、図８は、この発明の実施の形態２による光クロスコネクト装置を説明するための説明図である。図７において、実施の形態２による光クロスコネクト装置１は、実施の形態１とほぼ同じ構成及び制御プログラムからなるが、ＭＥＭＳミラー２２の角度コントロールを行う際に、光検出部としてのモニタＰＤ（Ｐｈｏｔｏ  Ｄｉｏｄｅ）４１により光出力ポート２１ｂにおける光強度を検出し、ＭＥＭＳミラー２２のアクチュエータに与える電流値および電圧値をコントロールする点で異なる。このとき、この検出した光強度を最大（すなわち光スイッチにおける光損失値を最小）になるようにミラーをコントロールするのではなく、最大よりやや小さくすることにより、減衰量を任意に与えるようにする。
【００２５】
次にＭＥＭＳミラーの制御方法につき詳細に説明する。図８において、まず、制御部１１から電流電圧制御器４５に制御信号を入力し、設定すべき減衰量を与えるように設定すると、電流電圧源４６に発振器４３からの信号を印加し、ある周波数で微小幅だけ変調すると、ＭＥＭＳミラー２２の角度制御も同期して動作し、ミラー角度も微小幅だけ変調することにより、光ファイバとしての光出力ポート２１ｂ中の光パワーにも微小に変調する。
【００２６】
光カプラ４２により微小パワーを分岐し、モニタＰＤ４１により出力光ファイバにおける光パワーを常時モニタしているのであるが、この光レベルが最大となるように制御する。出力光ファイバにおける光レベルは、ＭＥＭＳミラー制御に加え、温度、湿度などの環境条件により、微小にずれた場合にも変化する。このときの変調信号とモニタＰＤ４１により検出された光信号の光強度変化の位相を同期検波器４４において比較し、どちらにずれているかを判定し、ＭＥＭＳミラー２２の制御角度を電流電圧制御器４５、電流電圧源４６を介してコントロールする。このようにしてＭＥＭＳミラー２２の角度を高精度に設定することができる。
【００２７】
図９は、この発明の実施の形態２による光クロスコネクト装置を説明するための説明図であり、Ｎ×Ｍマトリックス型光スイッチの内部において、ミラー制御の際に、フィードバック制御の制御カーブを右肩あるいは左肩にずらすことにより、適切な損失を発生させる動作を示す。図９において、横軸に電流電圧制御器４５における電流電圧値、縦軸に光出力ポート２１ｂに入力される反射光の光強度を示す。光強度は、電流電圧制御されるミラーの角度が最適値となったときに最大となり、このときの光スイッチにおける挿入損失値は最小となる。ここでは、電流電圧値の最適値よりややずらした設定値に制御することにより、任意の損失値をわざと与えることが可能であることがわかる。
【００２８】
上述のように、ＭＥＭＳミラー２２を制御することにより、わざと任意の損失を発生するようにすることが可能で、実施の形態２では、任意の損失をそれぞれのＭＥＭＳミラー２２を制御するための電流電圧値を適切に制御することにより発生させる。
【００２９】
なお、モニタＰＤ４１、光カプラ４２は、３次元ＭＥＭＳ方式のマトリックス型光スイッチ内部に、極めて高度にインテグレートした光機能部であり、本機能だけのために新たに設けたものではない。これに対して、特許文献１における可変光減衰器は、光スイッチ内部に具備されているものではなく、個別の光機能部品として外付けする必要があり、従って、そのコストも大きくなるのである。
【００３０】
以上のように、この発明の実施の形態２による光クロスコネクト装置おいては、制御部１１に各光経路に対応する損失値を予めデータベース化して設定値テーブル３１に記憶させ、制御部１１により光経路の切替を行うとともに切替後の各光経路の挿入損失のばらつきが小さくなるように、光検出部の検出結果に基づく前記各ＭＥＭＳミラーの位置のフィードバック制御を行うように構成したので、温度、湿度などの環境条件により、微小にずれた場合にも、各光経路の挿入損失の均一性を向上させることができ、外付けの可変光減衰器が不要なことから、部品点数が少なく小型にすることができる。
【００３１】
実施の形態３．
図１０は、この発明の実施の形態３による光クロスコネクト装置を説明するための説明図であり、制御部１１に内蔵される設定値テーブル３１ａの内容の具体例を示す表である。図１０において、設定値テーブル３１ａは、予め定められたＮ×Ｍ個の各光経路の「減衰量」を経路毎に「光経路番号」に対応付けてデータ化したもので、これらのデータは前記のメモリに格納されている。この設定値テーブル３１ａの「入力ポート番号−出力ポート番号」欄は、Ｎ×Ｍマトリックス型光スイッチ１２の光入力ポート番号（例えば入力１）と光出力ポート番号（例えば出力１）を示す。「減衰量」欄には、この経路を伝搬した光信号が出力される際に与えられるべき減衰量の設定値が記載されている。
【００３２】
実施の形態１においては、「光経路番号」毎に経路と損失値とを設定値テーブル３１中に記憶させ、制御プログラムが経路を検索することにより、その経路の減衰量を得られるように構成したが、実施の形態２においては、設定値テーブル３１ａに設定すべき減衰量を記憶するように構成した点で異なる。これにより、経路を検索し、その経路の減衰量を求める処理を簡略化することができる。
【００３３】
以上のように、この発明の実施の形態３による光クロスコネクト装置においては、実施の形態１と同様に、各光経路の挿入損失の均一性を向上させることができ、外付けの可変光減衰器が不要なことから、部品点数が少なく小型にすることができ、さらに、可変光減衰制御処理の簡略化が可能である。
【００３４】
実施の形態４
図１１は、この発明の実施の形態４による光クロスコネクト装置を示す構成図である。図１１において、光クロスコネクト装置１ａは、装置内部にＷＤＭ（Ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ  Ｄｉｖｉｓｉｏｎ  Ｍｕｌｔｉｐｌｅｘｉｎｇ）装置２とのインタフェースを司るインタフェース部としてのＬＭＰ−ＷＤＭ（Ｌｉｎｋ  Ｍａｎａｇｅｍｅｎｔ  Ｐｒｏｔｏｃｏｌ−Ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ  Ｄｉｖｉｓｉｏｎ  Ｍｕｌｔｉｐｌｅｘｉｎｇ）１３を具備し、このインタフェース部を介して接続されるＷＤＭ装置２の光インタフェース種別と光信号の検出手段の情報を制御情報として入力し，繋がった光インタフェース種別、光信号の検出手段に応じて自動的に最適なロスを発生させることを特長とする。
【００３５】
ここで、ＬＭＰ−ＷＤＭは、ＧＭＰＬＳ（Ｇｅｎｅｒａｌｉｚｅｄ  Ｍｕｌｔｉ−Ｐｒｏｔｏｃｏｌ  Ｌａｂｅｌ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）のプロトコルの１つで、光クロスコネクト装置間のリソース管理、警報管理機能などを行うＬＭＰ（Ｌｉｎｋ  Ｍａｎａｇｅｍｅｎｔ  Ｐｒｏｔｏｃｏｌ）を光クロスコネクト装置とＷＤＭ伝送装置間に適用できるように拡張したプロトコルである。なお、ＧＭＰＬＳは、光ネットワーク上の信号をルーティングするための技術である。ＩＰ（Ｉｎｔｅｒｎｅｔ  Ｐｒｏｔｏｃｏｌ）ルータにおけるＭＰＬＳではパケットにラベルを付加してルーティング経路を指定していたが、ＧＭＰＬＳでは光信号の波長を元にルーティング経路を決定したり、制御専用のＩＰチャネルを用意して実データは光信号のままルーティングする、といった処理を行う。
【００３６】
次に動作について説明する。図１１において、光クロスコネクト装置１ａは、ＬＭＰ−ＷＤＭ１３を介して、ＷＤＭ装置２と制御情報のやりとりを行う機能を装置内部に有する。ＷＤＭ装置２とは、制御情報のやり取りとは別に光ファイバで接続されており、主信号たる光信号の送受信を行うことは、言うまでもない。光クロスコネクト装置１ａの出力線はＷＤＭ装置２の光入力インタフェース部１４と光ファイバを介して接続されており、特にＷＤＭ装置２の光入力インタフェース部１４においては、その入力レベルの規定が厳密になされており、過大な光強度の光信号の入力は避ける必要がある。例えば、ＷＤＭ装置２への入力光レベルは−５ｄＢｍから−２０ｄＢｍの範囲などのように規定され、この場合、−５ｄＢｍ以上の光信号を入力することはシステム上許されない。さらに、ＷＤＭ装置２の光入力インタフェース部１４における入力光レベルをできるだけ均一にすることが望ましい。
【００３７】
特に光通信分野のうちメトロエリアなどにおいて、比較的短距離間の接続を想定した短距離・中距離用のＷＤＭ装置と接続する場合に、光パス切替に利用される小規模・中規模の光クロスコネクト装置に関しては、光ファイバ伝送路による伝送損失が小さく入力光レベルが高めなので、入力光レベルを所定のレベル範囲内において均一にする必要性が高い。
【００３８】
光クロスコネクト装置１ａの装置内部に設けたＬＭＰ−ＷＤＭ１３を介して、ＷＤＭ装置２と情報のやり取りを行い、ＷＤＭ装置２におけるＬＭＰ−ＷＤＭ１３のベリフィケーション機能と連携することによって、光入力インタフェース部１４を介して接続されるＷＤＭ装置２の光インタフェース種別、光信号の検出手段の情報を入力し，繋がった光インタフェース種別、光信号の検出手段に応じて、接続されたＷＤＭ装置２の光入出力インタフェース特性、光レベルの規定値などを把握し、それを光クロスコネクト装置１ａの内部に有する前記メモリなどに格納されたデータと照らし合わせて、自動的に最適なロスを光クロスコネクト装置１ａ内部において発生させる。
【００３９】
以上のように、この発明の実施の形態４による光クロスコネクト装置おいては、制御部１１に各光経路に対応する損失値を予めデータベース化して設定値テーブル３１に記憶させ、ＷＤＭ装置２とのインタフェースを司るＬＭＰ−ＷＤＭ１３を介して、ＷＤＭ装置２の光インタフェース種別、光信号の検出手段の情報を入力し、繋がった光インタフェース種別、光信号の検出手段に応じて、制御部１１により光経路の切替を行うとともに切替後の各光経路の挿入損失のばらつきが小さくなるように、前記各ＭＥＭＳミラーの位置の制御を行うように構成したので、各光経路の挿入損失の均一性を向上させることができ、外付けの可変光減衰器が不要なことから、部品点数が少なく小型にすることができ、さらに、接続される装置に適したロスを自動的に発生させることができる。
【００４０】
実施の形態５．
実施の形態４では、光クロスコネクト装置とＷＤＭ装置が接続される場合について示したが、実施の形態５では、ルータなどのＷＤＭ装置以外の装置が接続される場合を示す点で異なる。
【００４１】
図１２は、この発明の実施の形態５による光クロスコネクト装置を示す構成図である。図１２において、光クロスコネクト装置１ｂは、装置内部に例えばルータ装置３とのインタフェースを司るインタフェース部としてのＬＭＰ（Ｌｉｎｋ  Ｍａｎａｇｅｍｅｎｔ  Ｐｒｏｔｏｃｏｌ）１５を具備し、このインタフェース部を介して接続されるルータ装置３の光インタフェース種別と光信号の検出手段の情報を制御情報として入力し，繋がった光インタフェース種別、光信号の検出手段に応じて自動的に最適なロスを発生させることを特長とする。なお、ＬＭＰは、ＧＭＰＬＳのプロトコルの１つで、光クロスコネクト装置間等のリソース管理、警報管理機能などを行うプロトコルである。
【００４２】
次に動作について説明する。図１２において、この発明の実施の形態５による光クロスコネクト装置１ｂは、ＬＭＰ１５を介して、ルータ装置３と制御情報のやりとりを行う機能を装置内部に有する。ルータ装置３とは、制御情報のやり取りとは別に光ファイバで接続されており、主信号たる光信号の送受信を行うことは、言うまでもない。光クロスコネクト装置１ｂの出力線はルータ装置３の光入力インタフェース部１４と光ファイバを介して接続されており、特にルータ装置３の光入力インタフェース部１４においては、その入力レベルの規定が厳密になされており、ＷＤＭ装置２の場合と同様に過大な光強度の光信号の入力は避ける必要がある。例えば、ルータ装置３への入力光レベルは−５ｄＢｍから−２０ｄＢｍの範囲などのように規定され、この場合、−５ｄＢｍ以上の光信号を入力することはシステム上許されない。さらに、ルータ装置３の光入力インタフェース部１４における入力光レベルをできるだけ均一にすることが望ましい。
【００４３】
比較的短い距離での他の装置との接続を想定したインタフェース規格にのっとった短距離・中距離用のルータ装置と接続する場合に、光パス切替に利用される小規模・中規模の光クロスコネクト装置に関しては、光ファイバ伝送路による伝送損失が小さく入力光レベルが高めなので、入力光レベルを所定のレベル範囲内において均一にする必要性が高い。
【００４４】
光クロスコネクト装置１ｂの装置内部に設けたＬＭＰ１５を介して、ルータ装置３と情報のやり取りを行い、ルータ装置３におけるＬＭＰ１５の機能により、繋がったインタフェースに応じて、接続されたルータ装置３の光入出力インタフェース特性、光レベルの規定値などを把握し、それを光クロスコネクト装置１ｂの内部に有する前記メモリなどに格納されたデータと照らし合わせて、自動的に最適なロスを光クロスコネクト装置内部において発生させる。
【００４５】
以上のように、この発明の実施の形態５による光クロスコネクト装置おいては、制御部１１に各光経路に対応する減衰量を予めデータベース化して設定値テーブル３１に記憶させ、ルータ装置３とのインタフェースを司るＬＭＰ１５を介して、ルータ装置３の光インタフェース種別、光信号の検出手段の情報を入力し、繋がった光インタフェース種別、光信号の検出手段に応じて、制御部１１により光経路の切替を行うとともに切替後の各光経路の挿入損失のばらつきが小さくなるように、前記各ＭＥＭＳミラーの位置の制御を行うように構成したので、各光経路の挿入損失の均一性を向上させることができ、外付けの可変光減衰器が不要なことから、部品点数が少なく小型にすることができ、さらに、接続される装置に適したロスを自動的に発生させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】この発明の実施の形態１による光クロスコネクト装置を示す構成図
【図２】この発明の実施の形態１による光クロスコネクト装置を説明するための説明図
【図３】この発明の実施の形態１による光クロスコネクト装置を示す構成図
【図４】この発明の実施の形態１による光クロスコネクト装置を説明するための説明図
【図５】この発明の実施の形態１による光クロスコネクト装置を示す構成図
【図６】この発明の実施の形態１による光クロスコネクト装置を説明するための説明図
【図７】この発明の実施の形態２による光クロスコネクト装置を説明するための説明図
【図８】この発明の実施の形態２による光クロスコネクト装置を説明するための説明図
【図９】この発明の実施の形態２による光クロスコネクト装置を説明するための説明図
【図１０】この発明の実施の形態３による光クロスコネクト装置を説明するための説明図
【図１１】この発明の実施の形態４による光クロスコネクト装置を示す構成図
【図１２】この発明の実施の形態５による光クロスコネクト装置を示す構成図
【符号の説明】
【００４７】
１、１ａ、１ｂ  光クロスコネクト装置
２  ＷＤＭ装置
３  ルータ装置
１１  制御部
１２  マトリックス型光スイッチ
１３  ＬＭＰ−ＷＤＭ（Ｌｉｎｋ  Ｍａｎａｇｅｍｅｎｔ  Ｐｒｏｔｏｃｏｌ−Ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ  Ｄｉｖｉｓｉｏｎ  Ｍｕｌｔｉｐｌｅｘｉｎｇ）
１５  ＬＭＰ（Ｌｉｎｋ  Ｍａｎａｇｅｍｅｎｔ  Ｐｒｏｔｏｃｏｌ）
２１ａ  光入力ポート
２１ｂ  光出力ポート
２２  ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍ）ミラー
３１、３１ａ  設定値テーブル
４１  モニタＰＤ（Ｐｈｏｔｏ  Ｄｉｏｄｅ）
【図１】
2008072201.tif 000003
【図２】
2008072201.tif 000004
【図３】
2008072201.tif 000005
【図４】
2008072201.tif 000006
【図５】
2008072201.tif 000007
【図６】
2008072201.tif 000008
【図７】
2008072201.tif 000009
【図８】
2008072201.tif 000010
【図９】
2008072201.tif 000011
【図１０】
2008072201.tif 000012
【図１１】
2008072201.tif 000013
【図１２】
2008072201.tif 000014