(57)【要約】【課題】簡単なレンズ構成で、安定、かつ高速なビームウエスト位置の調整を、像面のスポットの光量プロファイルが変動することなく実現することができる光ビーム走査装置を提供する。【解決手段】この光ビーム走査装置１２は、光源８からの光ビームを偏向手段１５により偏向し、感光体３０の表面を結像した光ビームで走査するもので、光源８と偏向手段１５との間の光ビームの光軸上には第１の電気光学素子１が配置される。第１の電気光学素子１は、電気光学結晶２と、該電気光学結晶２の光軸方向に互いに対向する面にそれぞれ設けられた透明電極３と、を備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源からの光ビームを偏向手段により偏向し、感光体の表面を結像した光ビームで走査する光ビーム走査装置において、
前記光源と前記偏向手段との間の光ビームの光軸上に第１の電気光学素子を配置し、
該第１の電気光学素子は、電気光学結晶と、該電気光学結晶の光軸方向に互いに対向する面にそれぞれ設けられた透明電極と、を備えることを特徴とする光ビーム走査装置。
【請求項２】
前記第１の電気光学素子の前記透明電極を、該第１の電気光学素子を透過する光ビームの光束より大きい膜電極で形成した、ことを特徴とする請求項１に記載の光ビーム走査装置。
【請求項３】
前記第１の電気光学素子を、前記光源とコリメータレンズとの間に配置した、ことを特徴とする請求項１又は２に記載の光ビーム走査装置。
【請求項４】
少なくとも前記光源、前記第１の電気光学素子、および前記コリメータレンズを一体にしてユニット化したことを特徴とする請求項３に記載の光ビーム走査装置。
【請求項５】
前記光源と前記第１の電気光学素子との間に、絞り手段を配置した、ことを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の光ビーム走査装置。
【請求項６】
前記偏向手段とシリンダーレンズとの間の光ビームの光軸上に第２の電気光学素子を配置し、
該第２の電気光学素子は、電気光学結晶と、該電気光学結晶の光軸方向に互いに対向する面にそれぞれ設けられた透明電極と、を備えることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の光ビーム走査装置。
【請求項７】
前記第２の電気光学素子の前記透明電極を、該第２の電気光学素子を透過する光ビームの光束より大きい膜電極で形成した、ことを特徴とする請求項６に記載の光ビーム走査装置。
【請求項８】
前記第１の電気光学素子を光軸に対して傾動可能に配置した、ことを特徴とする請求項６又は７に記載の光ビーム走査装置。
【請求項９】
前記コリメータレンズと前記シリンダーレンズとの間に絞り手段を配置した、ことを特徴とする請求項６〜８のいずれか一項に記載の光ビーム走査装置。
【請求項１０】
前記電気光学結晶がＫＴＮ（ＫＴａＮｂＯ3 ：タンタル酸ニオブ酸カリウム）結晶である、ことを特徴とする請求項１〜９のいずれか一項に記載の光ビーム走査装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複写機やレーザプリンタ等に用いられる光ビーム走査装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子写真方式を採用したレーザプリンタ等においては、像担持体としての感光体を帯電器により帯電し、この感光体に画像情報に応じたレーザ照射を行って潜像を形成する。そして、この潜像を現像器によって現像して得た現像像をシート等に転写して画像を形成する。
【０００３】
このようなレーザプリンタでは、感光体への画像情報に基づくレーザ照射は、光源に半導体レーザを用い、偏向器とレンズを介して像面である感光体表面を所望のスポットによりレーザビームで走査する。
【０００４】
しかし、従来においては、レーザビームの走査位置によりビームウエストの位置が光軸方向に蛇行する像面湾曲が生じたり、温度変化による部品間の相対距離変動や屈折率の変化によりビームウエストの位置が変動したりする問題があった。
【０００５】
また、近年レーザプリンタのカラー化が進み、淡い中間濃度画像に対する均一性の要求が高まっている。
【０００６】
レーザプリンタにおいてハイライトの中間濃度の画像を良好に再現するためには、感光体表面にプロファイルが一様で、小さいスポットを結像させなければならず、また、経時的にもそのスポットのプロファイルが変動しないことが望ましい。
【０００７】
このような要望に対し、走査ビームのビームウエスト位置を補正する手段として、例えば、レンズの位置をアクチュエータにより移動可能に構成して光学系の結像特性を改善した技術が提案されている（特許文献１）。
【０００８】
また、図１８に示すように、ポリゴンミラー１０７で偏向する前のレーザビーム１１１をシリンダーレンズ１０３で主走査若しくは副走査方向に中間結像させ、そのビームウエスト部分に電気光学素子１０４を配置したものが提案されている（特許文献２）。この提案では、電気光学素子１０４に電圧を印加して光学系の結像特性を改善している。
【０００９】
電気光学素子１０４は、図１９に示すように、電気光学結晶１１２の対向面にＡｕ等の材質からなる電極対１１３を配置し、光軸５２に対して垂直な方向に制御電源１１０で電圧を印加して電界強度を変えることで電気光学結晶１１２の屈折率を変化させる。
【特許文献１】特開昭５８−５７１０８号公報
【特許文献２】特開平４−２６４４２０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかし、上記特許文献１では、光学部品を固定する場合に比較して、光学部品の位置の安定性や再現性が劣り、また、光学部品の高速移動が困難であることから、像面湾曲を補正することが難しい。
【００１１】
一方、上記特許文献２では、電気光学素子１０４に生じる屈折率分布が一定でないため、被走査面のスポットの光量プロファイルが変動し潜像の一様性が損なわれる問題や、電気光学素子１０４に付与する電界の大きさに応じて光ビームが曲がる等の問題がある。
【００１２】
また、電気光学結晶１１２で中間ビームウエスト部を形成するため、レンズ構成が複雑になるという問題もある。
【００１３】
そこで、本発明は、簡単なレンズ構成で、安定、かつ高速なビームウエスト位置の調整を、像面のスポットの光量プロファイルが変動することなく実現することができる光ビーム走査装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記目的を達成するために、本発明の光ビーム走査装置は、光源からの光ビームを偏向手段により偏向し、感光体の表面を結像した光ビームで走査する光ビーム走査装置において、前記光源と前記偏向手段との間の光ビームの光軸上に第１の電気光学素子を配置し、該第１の電気光学素子は、電気光学結晶と、該電気光学結晶の光軸方向に互いに対向する面にそれぞれ設けられた透明電極と、を備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、簡単なレンズ構成で、安定、かつ高速なビームウエスト位置の調整を、像面のスポットの光量プロファイルが変動することなく実現することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の実施の形態を図を参照して説明する。
【００１７】
図１は本発明の第１の実施の形態であるレーザ（光ビーム）走査装置を説明するための平面図、図２は図１に示すレーザ走査装置の制御ブロック図である。
【００１８】
図１に示すように、このレーザ走査装置１２は、レーザ駆動基板２２によって駆動され、半導体レーザ８から射出されたレーザビームを絞り５によって制限し、電気光学素子１を透過したレーザビームをコリメータレンズ６にて略平行化する。
【００１９】
そして、コリメータレンズ６にて略平行化されたレーザビームをシリンダーレンズ７によって感光体ドラム３０の表面の移動方向（副走査方向）にのみ集光し、不図示のモータにより一定の回転速度で回転制御されるポリゴンミラー１５によって偏向する。
【００２０】
次に、偏向されたレーザビームを走査レンズとしてのｆθレンズ１６，１７によって像面である感光体ドラム３０の表面に等速かつ所定のスポット径をもって結像する。感光体ドラム３０の表面に結像するスポットは、ポリゴンミラー１５の回転による主走査と、感光体ドラム３０の回転による副走査に伴って静電潜像を形成する。
【００２１】
感光体ドラム３０の表面に潜像を形成する際に、走査ライン毎に主走査方向の潜像タイミングを揃える処理は、ビームディテクターセンサ（以下、ＢＤセンサ）９による信号を基準に行う。この場合、ミラー４８でレーザビームを分離し、ＢＤセンサ９にレーザビームを取り入れる。
【００２２】
また、感光体ドラム３０のレーザ走査終端近傍には、ミラー２６とピントセンサ１０とを設ける。ピントセンサ１０は、図５に示すように、スリット板３１、フォトダイオード３３、フォトダイオード３３の出力を電圧変換する電気基板３４を有している。
【００２３】
ピントセンサ１０のスリット板３１は、図６に示すように、例えば、ピッチｐ＝０．１５ｍｍ及び幅ｂ＝０．０５ｍｍの連続した複数のスリット３２をガラス板上に形成したものである。
【００２４】
このピントセンサ１０を感光ドラム３０の表面に相当するビーム結像位置に取り付け、レーザビーム走査することで、図７に示す出力３５が得られる。ここで、出力３５は、レーザビームがビームウエストにあると、レーザの光量出力が一定の場合にＶＨとＶＬとの差が最大となるとともに、ＶＨの値も最大となる。
【００２５】
また、レーザ走査装置１２は、半導体レーザ８とコリメータレンズ６との相対間隔の僅かな変動が像面のビームウエスト位置の大きな変動につながる。このため、この実施の形態では、レーザ駆動基板２２、半導体レーザ３、絞り５、電気光学素子１、およびコリメータレンズ６を一体化した光源ユニット１３を採用している。
【００２６】
光源ユニット１３は、図３に示すように、コリメータレンズ６が鏡筒２７に固定されている。そして、コリメータレンズ６とレーザホルダー２９に圧入された半導体レーザ８との間隔を、レーザホルダー２９に対し鏡筒２７を光軸方向に変位させて、光束３６が平行光束となるように調整する。
【００２７】
かかる調整後、鏡筒２７をＵＶ接着剤３９でレーザホルダー２９に固定する。また、鏡筒２７内には、電気光学結晶１と半導体レーザ８側の面がマット化されて黒色塗装された絞り５とが一体に固定されている。
【００２８】
次に、図４を参照して、電気光学素子１について説明する。
【００２９】
図４に示すように、電気光学素子１は、厚さｔ＝５ｍｍの平板状の電気光学結晶２の光軸方向に互いに対向する面の略全域にそれぞれ透明導電膜３が形成され、各透明導電膜３には導電ケーブル４が電気接合されている。
【００３０】
導電ケーブル４を電圧制御可能な電源に接続して透明導電膜３に電圧を印加すると、電気光学結晶２に電界が加わり、所謂電気光学効果により電気光学結晶２の屈折率が変化する。
【００３１】
また、電気光学結晶２は、透明導電膜３に対する印加電圧を制御すれば１００ｋＨｚ以上の高速制御が可能であり、レーザ走査装置１２のライン走査毎にビームウエスト調整を行うのに十分な性質を持つ。
【００３２】
電気光学結晶２の材質としては、特に限定されるものではないが、電気光学係数の高いものとしてニオブ酸リチウムやＫＴＮ（タンタル酸ニオブ酸カリウム）等が望ましい。
【００３３】
本実施の形態では、屈折率が１００Ｖ／ｍｍの電界で２．５×１０-3で変化する電気光学結晶２を最大定格５００Ｖの制御電圧で駆動しており、厚さｔ＝５ｍｍの電気光学結晶２では光学距離の変化が最大０．０１２５ｍｍ生じる。
【００３４】
本実施の形態のレーザ走査装置１２では、半導体レーザ８とコリメータレンズ６との相対間隔の変動に対するビームウエスト位置の変動が１５０倍であるので、１．８７５ｍｍのレンジでピント調整が可能となる。
【００３５】
また、本実施の形態では、絞り５を半導体レーザ８と電気光学素子１との間に配置しているので、電気光学素子１を駆動制御しても感光体ドラム３０上に結像されるビームの光量は変動しない。
【００３６】
ところで、電気光学結晶に電界を与えた場合、電界の方向に屈折率の分布が不均一になり、特に電極の端部では顕著となる。このため、図１９に示すように、電気光学結晶に対して電界と垂直な方向にレーザビームを透過させると、電気光学素子に印加する電圧の大きさによりレーザビームが歪む。また、図１９の矢印のように、透過するレーザビームが電界の与えられた方向に曲がる性質もある。
【００３７】
これに対し、本実施の形態では、電気光学結晶２を透過するレーザビームの光軸方向にレーザビームの透過領域より十分に大きい透明導電膜３を配置し、該透明導電膜３に電圧を印加する。このため、電気光学結晶２はレーザビームに対し均等な屈折率変化となり、透過するレーザビームが歪むことがない。また、電気光学結晶２に対して光軸に平行な方向に電界がかけられるのでレーザビームが電界の方向に曲がることもない。
【００３８】
透明導電膜としては、例えば、導電性と光透過特性が良好なＩＴＯ（スズドープ酸化インジウム）やＦＴＯ（フッ素ドープ酸化スズ）、或いはこれらの複合導電膜を例示できるが、特に限定されない。
【００３９】
図８に、主走査及び副走査の像面湾曲の測定データの一例を示す。図８の例では、主走査像面湾曲１８および副走査像面湾曲１９のうち、特に主走査方向のビーム形成について、ビームウエスト位置が走査位置±Ｓ１を頂点として湾曲する傾向を持つ。
【００４０】
また、像面をデフォーカスして像面上のスポットの形状をスポット径とした所謂デフォーカス特性を図９に示す。図９から判るように、図９（ａ）の主走査深度の方が図９（ｂ）の副走査深度より敏感に変動する。
【００４１】
次に、レーザ走査装置１２の動作例について説明する。
【００４２】
本実施の形態では、ビームウエスト位置の調整により主走査及び副走査の両方のビームウエスト位置の補正に対して効果があるが、像面湾曲およびビームウエスト位置の変動に対するスポットプロファイルの変化が大きい主走査の結像について主に補正を加える。ビームウエスト位置の調整は、まず、ビームウエスト位置を各々のレーザ走査ユニット対して測定および記憶し、次に、画像形成を行う度にビームウエスト位置を補正する。
【００４３】
図１１は、ビームウエスト位置の測定方法および該測定結果の記憶方法を説明するためのフローチャート図である。ビームウエスト位置の測定は図１３に示す測定装置で行う。この測定装置は、レーザ走査装置１２に対し、Ｃ１〜Ｃ５の５つのＣＣＤカメラ４３を結像面の走査方向に並設し、各ＣＣＤカメラ４３をそれぞれ独立したリニアステージ４４に取り付ける。
【００４４】
そして、コンピュータ４１の指示により駆動基板５０を介してパルスモータ４５を制御して送りネジ４６を回転駆動させることで、ＣＣＤカメラ４３が図１３の矢印Ｄ方向に精度よく直線移動する。
【００４５】
また、ＣＣＤカメラ４３を、図８に示す走査位置±Ｓ１及び±Ｓ２に配置し、特に像面湾曲が顕著となる±Ｓ１の位置を測定することで、少ないカメラ数で像面湾曲を正確に測定することができる。ＣＣＤカメラ４３の撮影画像は、画像処理基板４２で処理される。なお、図１３中の符号４７は、像面湾曲の測定において、コンピュータ４１の指示に従ってレーザ走査装置１２のレーザ走査を制御するコントローラである。
【００４６】
図１１に戻って、まず、ステップＳ１０１では、コントローラ４７により、レーザ走査装置１２をＣ１のＣＣＤカメラ４３の測定ポイントで、かつポリゴンミラー１５を静止させた状態で連続点灯する。
【００４７】
次に、測定ポイントのＣＣＤカメラ４３を図１３の矢印Ｄ方向に移動させ、その測定ポイントのビームウエスト位置を測定する（ステップＳ１０３）。そして、ポリゴンミラー１５を必要角度回転させ、Ｃ２のＣＣＤカメラ４３の測定ポイントを静止露光する（ステップＳ１０２）。
【００４８】
この処理を次の測定ポイントが有るか否かの判断（ステップＳ１０４）の上、測定を繰り返し（ステップＳ１０２〜ステップＳ１０４）、測定した５ポイントのビームウエストの位置情報をレーザ駆動基板２２のメモリ２３に記憶する（ステップＳ１０５）。
【００４９】
次に、図１２を参照して、ビームウエスト位置の補正方法について説明する。ビームウエスト位置の補正処理は、図２のメインコントローラ２０で行なわれる。
【００５０】
まず、感光体ドラム３０の表面を露光する前に、ポリゴンミラー１５を所定の回転速度で回転駆動し、ＢＤセンサ９及びピントセンサ１０をレーザ走査する状態で、電気光学素子１の印加電圧を制御電源１４で段階的に変化させる（ステップＳ１１１）。
【００５１】
次に、ピントセンサ１０の出力電圧が最大となる印加電圧Ｖｃからビームウエスト位置を測定し、メインコントローラ２０内のメモリ３８に記憶する（ステップＳ１１２）。
【００５２】
次に、メモリ３８のビームウエスト位置データにレーザ駆動基板２２内のメモリ２３に記憶された５つの走査位置のビームウエスト位置データを合算し、図８に示す走査位置に対し連続したビームウエスト位置のプロファイル曲線に近似する。
【００５３】
そして、この曲線が直線となって感光ドラム３０の表面に合致する電気光学素子１への印加電圧データをメインコントローラ２０で算出する（ステップＳ１１３）。
【００５４】
次に、ＢＤセンサ９の信号を基準に、電気光学素子１に対し前記印加電圧データによる電圧の印加を繰り返しながら、感光体ドラム３０を画像データ２１に基づき露光する（ステップＳ１１４）。これにより、感光体ドラム３０の表面で概ね最適かつ一様なスポットによる露光が可能となる。
【００５５】
ここで、ビームウエスト位置におけるスポット形状（本実施の形態）及び非ビームウエスト位置にあってスポットが変化した場合のスポット形状（従来例）をそれぞれ図１０（ａ）及び図１０（ｂ）に示し、さらにその主走査断面を図１０（ｃ）に示す。
【００５６】
図１０から判るように、スポットが変化した場合、従来例である図１０（ｂ）ではピーク光量が低下し左右に広がる傾向を持つが、本実施の形態である図１０（ａ）では、走査全域でビームウエストを再現させるので、一様なスポットが得られる。
【００５７】
これにより、簡単なレンズ構成で、安定、かつ高速なビームウエスト位置の調整を、像面のスポットの光量プロファイルが変動することなく実現することが可能となる。
【００５８】
次に、図１４〜図１７を参照して、本発明の第２の実施の形態であるレーザ走査装置を説明する。
【００５９】
図１４は本発明の第２の実施の形態であるレーザ走査装置を説明するための図であり、図１４（ａ）は平面図、図１４（ｂ）は半導体レーザ８からポリゴンミラー１５までの光路断面図である。図１５は、図１４に示すレーザ走査装置の制御ブロック図である。なお、上記第１の実施の形態に対して重複又は相当する部分については、図に同一符号を付してその説明を簡略化或いは省略する。
【００６０】
図１４に示すように、本実施の形態のレーザ走査装置４２は、上記第１の実施の形態に対し、電気光学素子１１をシリンダーレンズ７とポリゴンミラー１５との間に配置して副走査方向のビームウエスト位置を調整可能としている。
【００６１】
また、電気光学素子１を傾動可能に配置して、電気光学素子１で反射するレーザ光が半導体レーザに戻るのを回避するとともに、コリメータレンズ６を透過後の平行光束に対して絞り２５を配置している。さらに、ピントセンサ１０をレーザ走査装置４２内に設けることで、レーザ走査装置４２内でその測定を可能としている。
【００６２】
電気光学素子１１は、電気光学素子１と同様に、電気光学結晶２の光軸方向に互いに対向する面の略全域に透明導電膜３を形成したもので、それぞれの面の透明導電膜３に導電ケーブル４を電気接合する。また、２つの電気光学素子１と電気光学素子１１とに制御可能な電圧を印加するため、各電気光学素子１，１１の導電ケーブル４を２チャンネルの制御電源２４に接続する。
【００６３】
ここで、本実施の形態では、主走査及び副走査のビームウエスト位置の調整を行う。また、上記第１の実施の形態と異なり、ビームウエスト位置の調整に伴い光量が変動するため、設定光量をピントセンサ１０の出力値として記憶し、主走査及び副走査のビームウエスト位置の補正後、光量補正を行う。
【００６４】
図１６は、ピントセンサ１０の光量設定を説明するためのフローチャート図である。
【００６５】
まず、図１３に示す測定装置を用い、ＣＣＤカメラ４３及び画像処理基板４２で、感光体ドラム３０の表面相当位置の光量値が所定の光量値なるように、レーザ駆動基板２２内の電子ボリューム５１をコントローラ４７で制御して出力調整する（ステップＳ２０１）。
【００６６】
次に、ポリゴンミラー１５を所定の回転速度で回転駆動し、ＢＤセンサ９とピントセンサ１０のみにレーザを点灯走査する状態で、電気光学素子１の印加電圧を段階的に変化させる（ステップＳ２０２）。そして、ピントセンサ１０の光量が最大となる印加電圧Ｖｃ１を測定し、メインコントローラ２０の制御電源２４への出力に設定する（ステップＳ２０３）。
【００６７】
次に、同様に、電気光学素子１１の印加電圧を段階的に変化させ（ステップＳ２０４）、ピントセンサ１０の光量が最大となる印加電圧Ｖｃ２を測定し、メインコントローラ２０の制御電源２４への出力に設定する（ステップＳ２０５）。
【００６８】
そして、その状態でピントセンサのピーク出力Ｖ０をレーザ駆動基板内４２のメモリ２３に記憶する（ステップＳ２０６）。
【００６９】
図１７は、ビームウエスト位置の補正について説明するためのフローチャート図である。ここでの処理は、メインコントローラ２０による制御により実行される。
【００７０】
まず、ポリゴンミラー１５を所定の回転速度で回転駆動し、ＢＤセンサ９とピントセンサ１０のみにレーザを点灯走査する状態で、電気光学素子１の印加電圧を段階的に変化させる（ステップＳ２１１）。そして、ピントセンサ１０の光量が最大となる印加電圧Ｖｃ１を測定し、メインコントローラ２０の制御電源２４への出力に設定する（ステップＳ２１２）。
【００７１】
次に、電気光学素子１１の印加電圧を段階的に変化させ（ステップＳ２１３）、同様に、ピントセンサ１０の光量が最大となる印加電圧Ｖｃ２を測定し、メインコントローラ２０の制御電源２４への出力に設定する（ステップＳ２１４）。
【００７２】
そして、ピントセンサ１０のピーク出力がレーザ駆動基板２２内のメモリ２３に記憶されたＶ０になるように、レーザ駆動基板２２内の電子ボリューム５１を制御し、レーザの光量出力を調整する（ステップＳ２１５）。その後、ＢＤセンサ９の信号を基準に、感光体ドラム３０の表面を画像データ２１に基づき露光する（ステップＳ２１６）。これにより、主走査及び副走査のビームウエスト位置を補正した露光が可能となる。
【００７３】
なお、本発明は上記実施の形態に例示したものに限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。
【００７４】
例えば、上記実施の形態では、偏向手段として回転多面鏡（ポリゴンミラー）を例示したが、これに限定されず、例えば往復回転振動するミラーからなる偏向手段や、電気光学素子で偏向走査する偏向手段等を採用してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００７５】
【図１】本発明の第１の実施の形態であるレーザ（光ビーム）走査装置を説明するための平面図である。
【図２】図１に示すレーザ走査装置の制御ブロック図である。
【図３】光源ユニットを説明するための概略断面図である。
【図４】電気光学素子を説明するための概略図であり、（ａ）は光軸方向から見た斜視図、（ｂ）は（ａ）の側面図である。
【図５】ピントセンサを説明するための概略図である。
【図６】ピントセンサのスリット板を説明するための図である。
【図７】ピントセンサの出力波形図である。
【図８】主走査および副走査における像面湾曲の測定データの一例を示すグラフ図である。
【図９】デフォーカス特性を示すグラフ図である。
【図１０】（ａ）はビームウエスト位置におけるスポット形状を示す図、（ｂ）は非ビームウエスト位置にあってスポットが変化した場合のスポット形状を示す図、（ｃ）は（ａ）および（ｂ）の主走査断面を示す図である。
【図１１】ビームウエスト位置の測定方法および該測定結果の記憶方法を説明するためのフローチャート図である。
【図１２】ビームウエスト位置の補正方法について説明するためのフローチャート図である。
【図１３】像面湾曲を測定するための測定装置の一例を説明するための説明図である。
【図１４】本発明の第２の実施の形態であるレーザ走査装置を説明するための図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は半導体レーザ８からポリゴンミラー１５までの光路断面図である。
【図１５】図１４に示すレーザ走査装置の制御ブロック図である。
【図１６】ピントセンサの光量設定を説明するためのフローチャート図である。
【図１７】ビームウエスト位置の補正について説明するためのフローチャート図である。
【図１８】従来のレーザ走査装置の一例を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は正面図である。手段の上視図（ａ）及び正面図（ｂ）。
【図１９】従来の電気光学素子を説明するための説明図である。
【符号の説明】
【００７６】
１  電気光学素子
２  電気光学結晶
３  透明導電膜
４  導電ケーブル
５，２５  絞り
６  コリメータレンズ
７  シリンダーレンズ
８  半導体レーザ
９  ＢＤセンサ
１０  ピントセンサ
１１  電気光学素子
１２  レーザ走査装置
１３  光源ユニット
１４  制御電源
１５  ポリゴンミラー
１６，１７  ｆθレンズ
２０  メインコントローラ
２１  画像データ
２２  レーザ駆動基板
２３  メモリ
２４  ２チャンネル制御電源
２６，４８，４９  ミラー
２７  鏡筒
２９  レーザホルダー
３０  感光体ドラム
３１  スリット板
３２  スリット
３３  フォトダイオード
３４  電気基板
３８  メモリ
４２  レーザ走査装置
５１  電子ボリューム
【図１】
2008164991.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2008164991.tif 000009
【図８】
2008164991.tif 000010
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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