(57)【要約】      （修正有）【課題】可撓性フィルムを補強版に貼り付け、剥離後に応力が開放されても高精度であり接続信頼性の高い回路基板の製造方法および回路基板を提供すること。【解決手段】補強板１２に可撓性フィルム６の少なくとも片面に有機物層１２を介して貼り合わせ、次いで、可撓性フィルムの貼り合わせ面とは反対の面に回路パターンを形成してから、回路パターンと電子部品の電極を接合する回路基板の製造方法であって、前記補強板に可撓性フィルムを貼り合わせる際の可撓性フィルムの線膨張係数、湿度膨張係数および温度を、それぞれＡｐｐｍ／℃、Ｂｐｐｍ／％ＲＨ、Ｔ℃とするとともに、貼り合わせる前の可撓性フィルムの保存湿度をＨ％ＲＨとし、電子部品を接合したあとの回路パターン付き可撓性フィルム保存温度および保存湿度を、それぞれＴ１℃、Ｈ１％ＲＨとすると、Ａ×（Ｔ−Ｔ１）＋Ｂ×（Ｈ−Ｈ１）＜０の関係を満たすことを特徴とする回路基板の製造方法。【選択図】図２
2008243899.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
補強板に可撓性フィルムの少なくとも片面に有機物層を介して貼り合わせ、次いで、可撓性フィルムの貼り合わせ面とは反対の面に回路パターンを形成してから、回路パターンと電子部品の電極を接合する回路基板の製造方法であって、前記補強板に可撓性フィルムを貼り合わせる際の可撓性フィルムの線膨張係数をＡｐｐｍ／℃とし、前記補強板に可撓性フィルムを貼り合わせる際の可撓性フィルムの湿度膨張係数をＢｐｐｍ／％ＲＨとし、前記補強板に可撓性フィルムを貼り合わせる際の可撓性フィルムの温度をＴ℃とするとともに、前記補強板に可撓性フィルムを貼り合わせる前の可撓性フィルムの保存湿度をＨ％ＲＨとし、電子部品を接合したあとの回路パターン付き可撓性フィルム保存温度をＴ１℃とし、電子部品を接合したあとの回路パターン付き可撓性フィルム保存湿度をＨ１％ＲＨとすると、
Ａ×（Ｔ−Ｔ１）＋Ｂ×（Ｈ−Ｈ１）＜０
の関係を満たすことを特徴とする回路基板の製造方法。
【請求項２】
可撓性フィルムがポリイミドフィルムであることを特徴とする請求項１に記載の回路基板の製造方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の製造方法によって得られてなることを特徴とする回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高精度な回路パターンを有するとともに生産性に優れて高品質な可撓性フィルムを用いた回路基板の製造方法および回路基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
エレクトロニクス製品の軽量化、小型化、高精細化に伴い、プリント回路基板のパターニングの高精度化が求められている。中でも可撓性フィルム基板は、その可撓性ゆえに三次元配線ができ、エレクトロニクス製品の小型化に適していることから需要が拡大している。しかしながら、回路パターンの微細化の進展に関しては限界に近づきつつある。微細化にはライン幅やライン間のスペース幅で表される指標と基板上のパターンの位置で表される指標がある。後者の指標、いわゆる位置精度は、回路基板とＩＣなどの電子部品とを接続する際の両者の位置合わせを指標化したものであり、要求される精度が厳しくなってきている。
【０００３】
他方、回路基板加工プロセスでは、乾燥やキュアなどの熱処理プロセス、エッチングや現像などの湿式プロセスがあり、可撓性フィルムは、膨張と収縮を繰り返す。このときのヒステリシスは、基板上の回路パターンの位置ずれを引き起こす。また、アライメントが必要なプロセスが複数ある場合、これらのプロセス間に膨張、収縮があると、形成されるパターン間で位置ずれが発生する。可撓性フィルムの膨張と収縮による変形は、比較的大面積の基板寸法で加工を進めるＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）の場合には更に大きな影響を及ぼす。また、位置ずれは引っ張りや捻れなどの外力でも引き起こされ、柔軟性を上げるために薄い基板を使う場合は特に注意を必要とする。
【０００４】
これに対して、回路パターンを形成しようとする可撓性フィルムに有機物層を介して無機ガラス類あるいは金属などの補強板を貼り合わせ、全体の強度を増すことで外力による変形を抑えようとする技術が提案されている（例えば、特許文献１参照）。しかしながら、可撓性フィルムを補強板に貼り合わせた状態で高精度の回路パターンを形成しても、剥離後、可撓性フィルムの応力が開放されて回路パターンの位置精度が低下する場合があった。
【０００５】
これを解決する方法として、可撓性フィルムを補強板に貼り合わせる前に調湿することにより、可撓性フィルムの含水率を制御して位置精度を向上させようとする技術が提案されている（例えば、特許文献２参照）。しかしながら、ＩＣなどの電子部品を接合させる際の可撓性フィルムの熱収縮により、配線の断線や配線とＩＣなどの電子部品との接合部が剥離する場合があった。また、ＩＣなどの電子部品を接合させる際に可撓性フィルムにかける温度が高くなると接合不良になったり、電子部品と可撓性フィルムが貼り付いたりする場合があった。
【特許文献１】国際公開第０３／００９６５７号パンフレット
【特許文献２】特開２００４−３１９８６９号公報（３頁〜８頁）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、回路パターン付き可撓性フィルムにＩＣなどの電子部品を接合させる際に可撓性フィルムが熱収縮しても配線の断線や配線とＩＣなどの電子部品との接合部の剥離が発生せず、高信頼性の可撓性フィルム回路基板を安定かつ容易に製造できる回路基板の製造方法および回路基板を提供することにある。さらに、補強板から剥離した回路パターン付き可撓性フィルムにＩＣなどの電子部品を接合させる際に可撓性フィルムにかける温度に応じた高信頼性の可撓性フィルム回路基板を安定かつ容易に製造できる回路基板の方法および回路基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の目的を達成するため、本発明は以下の構成を採用する。すなわち、
（１）補強板に可撓性フィルムの少なくとも片面に有機物層を介して貼り合わせ、次いで、可撓性フィルムの貼り合わせ面とは反対の面に回路パターンを形成してから、回路パターンと電子部品の電極を接合する回路基板の製造方法であって、前記補強板に可撓性フィルムを貼り合わせる際の可撓性フィルムの線膨張係数をＡｐｐｍ／℃とし、前記補強板に可撓性フィルムを貼り合わせる際の可撓性フィルムの湿度膨張係数をＢｐｐｍ／％ＲＨとし、前記補強板に可撓性フィルムを貼り合わせる際の可撓性フィルムの温度をＴ℃とするとともに、前記補強板に可撓性フィルムを貼り合わせる前の可撓性フィルムの保存湿度をＨ％ＲＨとし、電子部品を接合したあとの回路パターン付き可撓性フィルム保存温度をＴ１℃とし、電子部品を接合したあとの回路パターン付き可撓性フィルム保存湿度をＨ１％ＲＨとすると、
Ａ×（Ｔ−Ｔ１）＋Ｂ×（Ｈ−Ｈ１）＜０
の関係を満たすことを特徴とする回路基板の製造方法。
【０００８】
（２）可撓性フィルムがポリイミドフィルムであることを特徴とする前記（１）に記載の回路基板の製造方法。
【０００９】
（３）前記（１）または（２）に記載の製造方法によって得られてなることを特徴とする回路基板。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、補強板に貼り合わされた回路パターン付き可撓性フィルムあるいは補強板から剥離した回路パターン付き可撓性フィルムにＩＣなどの電子部品を接合させる際に可撓性フィルムが熱収縮しても配線の断線や配線とＩＣなどの電子部品との接合部の剥離が発生せず、高信頼性の回路基板を安定的かつ簡易に得ることができる。さらに、補強板から剥離した回路パターン付き可撓性フィルムにＩＣなどの電子部品を接合させる際に可撓性フィルムにかける温度に応じた高信頼性の可撓性フィルム回路基板を安定的かつ容易に得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
本発明は、補強板に可撓性フィルムの少なくとも片面を有機物層を介して貼り合わせ、次いで、可撓性フィルムの貼り合わせ面とは反対の面に回路パターンを形成してから、回路パターンと電子部品の電極を接合する回路基板の製造方法であって、前記補強板に可撓性フィルムを貼り合わせる際の可撓性フィルムの線膨張係数をＡｐｐｍ／℃、同可撓性フィルムの湿度膨張係数をＢｐｐｍ／％ＲＨ、補強板に可撓性フィルムを貼り合わせる際の可撓性フィルムの温度をＴ℃、補強板に可撓性フィルムを貼り合わせる前の可撓性フィルムの保存湿度をＨ％ＲＨ、電子部品を接合したあとの回路パターン付き可撓性フィルム保存温度をＴ１℃、同保存湿度をＨ１％ＲＨとすると、
Ａ×（Ｔ−Ｔ１）＋Ｂ×（Ｈ−Ｈ１）＜０
であることが重要である。
【００１２】
また、Ａ×（Ｔ−Ｔ１）＋Ｂ×（Ｈ−Ｈ１）≧−７００であることが好ましい。回路パターン付き可撓性フィルムにＩＣなどの電子部品を接合した際、回路パターンを形成している金属層と電子部品の電極との接合部の剥離抑止効果と、熱ストレスによる配線の断線の抑止効果はＡ×（Ｔ−Ｔ１）＋Ｂ×（Ｈ−Ｈ１）の値に関して二律背反の関係である。Ａ×（Ｔ−Ｔ１）＋Ｂ×（Ｈ−Ｈ１）の値が−７００より小さいと、補強板から回路パターン付き可撓性フィルムを剥離した際、配線にかかる大きな引張応力により配線が断線したり、回路パターン付き可撓性フィルムにＩＣなどの電子部品を接合した際、回路パターンを形成している金属層と電子部品の電極との接合が劣化したりするおそれがある。また、補強板から剥離した回路パターン付き可撓性フィルムへＩＣなどの電子部品を接続する際、電子部品の電極位置に対する可撓性フィルムの配線位置精度が著しく低下する場合がある。このことからＡ×（Ｔ−Ｔ１）＋Ｂ×（Ｈ−Ｈ１）≧−６００であることがより好ましく、Ａ×（Ｔ−Ｔ１）＋Ｂ×（Ｈ−Ｈ１）≧−５００であることがさらに好ましい。
【００１３】
可撓性フィルムは可撓性フィルムの温度変化により膨張したり収縮したりする。また、可撓性フィルムの保存湿度変化により膨張したり収縮したりする。可撓性フィルムの膨張や収縮は可撓性フィルムの温度変化および可撓性フィルムの保存湿度変化による膨張や収縮であるため、Ａ×（Ｔ−Ｔ１）＋Ｂ×（Ｈ−Ｈ１）の式で可撓性フィルムの寸法変化および応力を制御することが重要である。
【００１４】
可撓性フィルムの線膨張係数Ａは単位温度あたりの線膨張率であり、可撓性フィルムを同一保存湿度環境下、可撓性フィルムの温度が３０℃〜２００℃の範囲において、線膨張量を１０℃毎に測定し、得られた各温度における線膨張率を平均化した値である。線膨張係数Ａが大きすぎると、補強板から剥離した回路パターン付き可撓性フィルムに熱ストレスがかかる際の引張応力や圧縮応力が大きくなり、配線が断線したりＩＣなどの電子部品との接合部が剥離したりすることがある。このことから、線膨張係数Ａは４０ｐｐｍ／℃以下が好ましく、３０ｐｐｍ／℃以下がより好ましく、０ｐｐｍ／℃以上２０ｐｐｍ／℃以下がさらに好ましい。０ｐｐｍ／℃では補強板から剥離した回路パターン付き可撓性フィルムに熱ストレスがかかる際の引張応力や圧縮応力が最も小さくなる。
【００１５】
可撓性フィルムの湿度膨張係数Ｂは単位湿度あたりの湿度膨張率であり、可撓性フィルムを同一温度環境下、可撓性フィルムの保存湿度が１０％ＲＨ〜９０％ＲＨの範囲において、湿度線膨張量を１０％ＲＨ毎に測定し、得られた各湿度における湿度膨張率を平均化した値である。湿度膨張係数Ｂが大きすぎると、補強板から剥離した回路パターン付き可撓性フィルムの湿度ストレスがかかる際の引張応力や圧縮応力が大きくなり、配線が断線したりＩＣなどの電子部品との接合部が剥離したりすることがある。このことから湿度膨張係数Ｂは４０ｐｐｍ／％ＲＨ以下が好ましく、３０ｐｐｍ／％ＲＨ以下がより好ましく、０ｐｐｍ／％ＲＨ以上２０ｐｐｍ／％ＲＨ以下がさらに好ましい。０ｐｐｍ／％ＲＨでは補強板から剥離した回路パターン付き可撓性フィルムに湿度ストレスがかかる際の引張応力や圧縮応力が最も小さくなる。
【００１６】
補強板に可撓性フィルムを貼り合わせる前の可撓性フィルムの保存湿度とは可撓性フィルムを保存する環境湿度であり、０％ＲＨ以上１００％ＲＨ以下の湿度条件下であればよいが、湿度ストレスによる金属層の酸化を防ぐため７５％ＲＨ以下が好ましく、フィルムの種類に応じて好ましい条件が適宜選択される。また可撓性フィルムが重ならない状態で調湿することが好ましい。
【００１７】
補強板に可撓性フィルムを貼り合わせる際の可撓性フィルムの温度は可撓性フィルムの表面温度であり、可撓性フィルム表面の変形を防ぐために非接触型温度計にて異なる２点を測定した温度を平均した値である。可撓性フィルムの温度条件は０℃超１００℃未満でよいが、可撓性フィルムが金属層付きである場合は金属層の酸化を防ぐため、８０℃以下が好ましく、６０℃以下がより好ましく、４０℃以下がさらに好ましい。保存湿度と補強板に可撓性フィルムを貼り合わせる湿度が異なると、貼り合わせる際の可撓性フィルムが吸湿したり乾燥したりするため、同一湿度であることが好ましい。また、例えば可撓性フィルムがインラインで保存環境から貼り合わせ環境に移行するなど、短時間で行われる場合は、可撓性フィルムの吸湿状態が急に変化しないため、保存湿度と補強板に可撓性フィルムを貼り合わせる湿度が異なってもよい。
【００１８】
電子部品を接合したあとの回路パターン付き可撓性フィルムの保存温度は保存しているときの可撓性フィルムの表面温度であり、可撓性フィルム表面の変形を防ぐために非接触型温度計にて異なる２点を測定した温度を平均した値である。可撓性フィルムの保存温度条件は０℃超１００未満でよいが、配線の酸化を防ぐため８０℃以下が好ましく、６０℃以下がより好ましく、４０℃以下が最も好ましい。
【００１９】
電子部品を接合したあとの回路パターン付き可撓性フィルムの保存湿度は可撓性フィルムを保存している環境湿度であり、可撓性フィルムの保存湿度条件は０％ＲＨ以上１００％ＲＨ以下でよいが、配線の酸化を防ぐため７５％ＲＨ以下が好ましい。
【００２０】
本発明において可撓性フィルムとしては、プラスチックフィルムであって、回路パターン製造工程および電子部品実装での熱プロセスに耐えるだけの耐熱性を備えていることが重要であり、ポリカーボネート、ポリエーテルサルファイド、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリフェニレンサルファイド、ポリイミド、ポリアミド、液晶ポリマーなどのフィルムを採用することができる。中でもポリイミドフィルムは、耐熱性に優れるとともに、耐薬品性にも優れているので好適に採用される。また、低誘電損失など電気的特性が優れている点で、液晶ポリマーが好適に採用される。可撓性のガラス繊維補強樹脂板を採用することも可能である。ガラス繊維補強樹脂板の樹脂としては、エポキシ、ポリフェニレンサルファイド、ポリフェニレンエーテル、マレイミド、ポリアミド、ポリイミドなどが挙げられる。
【００２１】
可撓性フィルムの厚さは、電子機器の軽量化、小型化、あるいは微細なビアホール形成のためには薄い方が好ましく、一方、機械的強度を確保するためや平坦性を維持するためには厚い方が好ましく、４μｍから１２５μｍの範囲が好ましい。
【００２２】
本発明において可撓性フィルムは、特に調湿する前に熱処理するのが好ましい。熱処理をすることによって、回路基板の製造工程で可撓性フィルムに掛かる熱履歴によって、可撓性フィルムに熱収縮歪みが蓄積されるのを抑制することができる。本発明において可撓性フィルムの熱処理温度は１００℃以上２００℃以下であることが好ましく、回路基板製造工程の最高温度以上であることがさらに好ましい。
【００２３】
本発明において、可撓性フィルムは金属層をスパッタ法で形成したスパッタ膜付きであっても良い。また、補強板に貼り合わせる前に可撓性フィルムに金属層をスパッタ法で形成したスパッタ膜が形成されていることがセミアディティブ法の生産効率向上の点から好ましい。スパッタ膜は電解めっき給電用として好適に用いられ、絶縁層と接する金属層は、絶縁層との接着性を高めるためのクロム、ニッケル、チタン、タングステン、モリブデンおよびこれらの金属を含む合金の少なくとも１種類からなる金属層と銅層で構成されることが好ましい。
【００２４】
本発明において、回路パターンを構成する金属膜を形成する方法は特に限定されず、例えば、銅箔などの金属箔を接着剤層で貼り付けて形成することができる他、スパッタやめっき、あるいはこれらの組合せで形成することができる。また、銅などの金属箔の上に可撓性フィルムの原料樹脂あるいはその前駆体を塗布、乾燥、キュアすることで、金属層付き可撓性フィルムを得ることもできる。
【００２５】
本発明において補強板は、ソーダライムガラス、ホウケイ酸系ガラス、石英ガラスなどの無機ガラス類、インバー合金、ステンレススチール、チタンなどの金属、アルミナ、ジルコニア、窒化シリコンなどのセラミックスやガラス繊維補強樹脂板などが採用できる。いずれも線膨張係数や湿度膨張係数が小さい点で好ましいが、回路パターン製造工程の耐熱性、耐薬品性に優れている点や大面積で表面平滑性が高い板が安価に入手しやすい点や塑性変形しにくい点で無機ガラス類が好ましい。
【００２６】
補強板と可撓性フィルムを介する有機物層として、紫外線硬化型の粘着剤を用いることがあるが、この場合、紫外線を透過する補強板であることが望ましく、この点でも無機ガラス類が好ましい。
【００２７】
金属やガラス繊維補強樹脂を補強板に採用する場合は、長尺連続体にした製造もできるが、位置精度を確保しやすい点で、本発明の回路基板の製造方法は枚葉式で行うことが好ましい。枚葉とは、長尺連続体でなく、個別のシート状でハンドリングされる状態を言う。
【００２８】
補強板に無機ガラス類を用いる場合、ヤング率が小さかったり、厚みが小さいと可撓性フィルムの膨張・収縮力で反りやねじれが大きくなり、平坦なステージ上に真空吸着したときに補強板が割れることがある。また、真空吸着・脱着で可撓性フィルムが変形することになり、位置精度の確保が難しくなる傾向がある。一方、補強板が厚いと、肉厚ムラにより平坦性が悪くなることがあり、露光精度が悪くなる傾向がある。また、ロボットなどによるハンドリング時に負荷が大きくなり、素早い取り回しが難しくなって生産性が低下する要因になる他、運搬コストも増大する傾向がある。これらの点から、無機ガラス類の厚さは、０．３ｍｍから１．１ｍｍの範囲が好ましい。
【００２９】
補強板に金属を用いる場合、金属のヤング率が小さかったり、厚みが薄いと可撓性フィルムの膨張力や収縮力で金属の反りやねじれが大きくなり、平坦なステージ上に真空吸着できなくなったり、また、金属の反りやねじれの分、可撓性フィルムが変形することにより、位置精度の保持が難しくなる。また、金属に折れがあると、その時点で不良品になる。一方、金属が厚いと、肉厚ムラにより平坦性が悪くなることがあり、露光精度が悪くなる。また、ロボットなどによるハンドリング時に負荷が大きくなり、素早い取り回しが難しくなって生産性が低下する要因になる他、運搬コストも増大する。これらの点から、金属の厚さは、０．１ｍｍから０．７ｍｍの範囲が好ましい。
【００３０】
本発明に用いられる有機物層としては、接着剤または粘着剤が使用される。接着剤または粘着剤としては、例えば、アクリル系またはウレタン系の再剥離剤と呼ばれる粘着剤を挙げることができる。可撓性フィルム加工中は十分な接着力があり、剥離時は容易に剥離でき、可撓性フィルムに歪みを生じさせないために、弱粘着から中粘着と呼ばれる領域の粘着力のものが好ましい。タック性があるシリコーン樹脂を使用することもできる。また、タック性があるエポキシ系樹脂を使用することも可能である。
【００３１】
有機物としては、低温領域で接着力、粘着力が減少するもの、紫外線照射で接着力、粘着力が減少するものや加熱処理で接着力、粘着力が減少するものも好適に用いられる。これらの中でも紫外線照射によるものは、接着力、粘着力の変化が大きく好ましい。紫外線照射で接着力、粘着力が減少するものの例としては、２液架橋型のアクリル系粘着剤が挙げられる。また、低温領域で接着力、粘着力が減少するものの例としては、結晶状態と非結晶状態間を可逆的に変化するアクリル系粘着剤が挙げられ、好ましく使用される。
【００３２】
本発明における有機物層の厚みは、０．１μｍから２０μｍの範囲が好ましく、０．３μｍから１０μｍの範囲であることがさらに好ましい。
【００３３】
本発明において、可撓性フィルムを補強板から剥離するときの剥離力は、有機物層を介して補強板と貼り合わせた１ｃｍ幅の可撓性フィルムを剥離するときの１８０°方向ピール強度で測定される。剥離力を測定するときの剥離速度は３００ｍｍ／分とする。本発明において剥離力は０．０９８Ｎ／ｍから９８Ｎ／ｍの範囲であることが好ましい。剥離力は、低すぎると回路パターン形成中に可撓性フィルムが有機物層から剥離するおそれがある。一方、剥離力が高すぎると、可撓性フィルムが変形したりカールするおそれがある。
【００３４】
剥離の界面は、補強板と有機物層との界面でも有機物層と可撓性フィルムとの界面でもどちらでも良いが、可撓性フィルムから有機物層を除去する工程が省略できるので、有機物層と可撓性フィルムとの界面で剥離する方が好ましい。
【００３５】
補強板と有機物層との接着力を向上させるために、補強板にシランカップリング剤塗布などのプライマー処理を行っても良い。プライマー処理以外に紫外線処理、紫外線オゾン処理などによる洗浄や、ケミカルエッチング処理、サンドブラスト処理あるいは微粒子分散層形成などの表面粗化処理なども好適に用いられる。
【００３６】
ＩＣなどの電子部品と回路基板との接続方法としては、例えば、回路基板の接続部に形成された錫、金、はんだなどの金属層と電子部品の接続部に形成された金やはんだなどの金属層とを加熱圧着し金属接合させる方法、回路基板の接続部の錫、金、はんだなどの金属層と電子部品の接続部に形成された金やはんだなどの金属層とを圧着しつつ回路基板と電子部品間に配置した異方導電性接着剤または非導電性接着剤を硬化させ、機械的に接合させる方法、回路基板の接続部の錫、金、はんだなどの金属層と電子部品の接続部に形成された金やはんだなどの金属層とをプラズマなどにより表面活性化させて接合する方法などがある。
【００３７】
本発明に使用する可撓性フィルムには、補強板との貼り付けに先立って、貼り付け面である一方の面に回路パターンが形成されていても良い。この場合、パターン形成と同時に、もう一方の面に形成される回路パターンとの位置合わせ用マークを形成することが好ましい。貼り合わせ面とは反対側の面に形成する高精細パターンの高精細さを活かすために位置合わせマークを設けて位置合わせすることは高精細パターンの作製に非常に有効である。位置合わせマーク読みとり方法は特に限定されず、例えば、光学的な方法、電気的な方法、機械的な方法などを用いることができる。位置合わせマークは、可撓性フィルムを補強板と貼り合わせる際の位置合わせにも利用することができる。位置合わせマークの形状は特に限定されず、露光機などで一般に使用される形状が好適に採用できる。
【００３８】
可撓性フィルムを補強板に貼り付けた後に、可撓性フィルムの貼り付け面とは反対面に形成される回路パターンは、補強板および金属層により加工時に生じる可撓性フィルムの変形を防止できるため、特に高精度なパターンを形成することができる。
【００３９】
本発明によれば、このように、片面に特に高精細なパターンを形成した両面配線の回路基板を容易に提供できる。両面配線であることのメリットとしては、スルーホールを介しての配線交差ができ、配線設計の自由度が増すこと、太い配線で接地電位を必要な場所の近傍まで伝搬することで高速動作するＬＳＩのノイズ低減ができること、同様に太い配線で電源電位を必要な場所の近傍まで伝搬することにより、高速スイッチングでも電位の低下を防ぎ、ＬＳＩの動作を安定化できること、電磁波シールドとして外部ノイズを遮断することなどが挙げられ、ＬＳＩが高速化し、また、多機能化による多ピン化が進む中で優位である。
【００４０】
さらに本発明では、可撓性フィルムの両面の加工時に共に補強板を使用し、両面とも特に高精度なパターンを形成することも可能である。例えば、第１の補強板と可撓性フィルムの第２の面とを有機物層を介して貼り合わせて、可撓性フィルムの第１の面に回路パターンを形成してから、第１の面と第２の補強板とを有機物層を介して貼り合わせた後、可撓性フィルムを第１の補強板から剥離し、次いで可撓性フィルムの第２の面に回路パターンを形成してから、可撓性フィルムを第２の補強板から剥離する方法が挙げられ、両面共に高精度の回路パターン加工を実現することができる。
【００４１】
本発明の回路基板の製造方法の一例を以下に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００４２】
厚さ１．１ｍｍのソーダライムガラス（以下ガラス補強板という）にスピンコーター、ブレードコーター、ロールコーター、バーコーター、ダイコーター、スクリーン印刷機などで、シランカップリング剤を塗布する。間欠的に送られてくる枚葉補強板に比較的低粘度のシランカップリング剤の薄膜を均一に塗布するためには、スピンコーターの使用が好ましい。シランカップリング剤塗布後、加熱乾燥や真空乾燥などにより乾燥し、厚みが２０ｎｍのシランカップリング剤層を得る。
【００４３】
次に上記シランカップリング剤層上に、スピンコーター、ブレードコーター、ロールコーター、バーコーター、ダイコーター、スクリーン印刷機などで、紫外線硬化型再剥離粘着剤を塗布する。間欠的に送られてくる枚葉補強板に比較的粘度が高い粘着剤を均一に塗布するためには、ダイコーターの使用が好ましい。紫外線硬化型再剥離粘着剤を塗布後、加熱乾燥や真空乾燥などにより乾燥し、厚みが２μｍの紫外線硬化型有機物層を得る。この紫外線硬化型有機物層に、ポリエステルフィルム上にシリコーン樹脂層を設けた空気遮断用フィルムを貼り付けて１週間程度静置する。空気遮断用フィルムを貼り合わせる代わりに、窒素雰囲気中や真空中で保管することもできる。また、紫外線硬化型有機物層を長尺フィルム基体に塗布、乾燥後、枚葉補強板に転写することも可能である。
【００４４】
本発明において、紫外線硬化型有機物層は、最初に可撓性フィルム側に形成されていても良いし、補強板側に形成されていてもよく、両方に形成されていても良い。形成の容易さや剥離界面を可撓性フィルムと紫外線硬化型有機物層となるよう制御するためには、補強板側に形成されるのが好ましい。
【００４５】
次に上記空気遮断用フィルムを剥がして両面または片面にスパッタ膜を形成したポリイミドフィルムを貼り付ける。ポリイミドフィルムは予め１００℃から２００℃で１時間熱処理する。次に、ポリイミドフィルムを２０℃以上１００℃以下、０％ＲＨ以上１００％ＲＨ以下で１分間から２４時間調湿し、２０℃以上１００℃以下、０％ＲＨ以上１００％ＲＨ以下でガラス補強板にポリイミドフィルムを貼り合わせる。このとき、補強板に貼り合わせる際の可撓性フィルムの線膨張係数Ａは１４ｐｐｍ／℃、同可撓性フィルムの湿度膨張係数Ｂは１５ｐｐｍ／％ＲＨ、補強板に可撓性フィルムを貼り合わせるときの温度をＴ℃、補強板に可撓性フィルムを貼り合わせる前の保存湿度をＨ、電子部品を接合したあとの回路パターン付き可撓性フィルムの保存温度Ｔ１は２５℃、同保存湿度Ｈ１は４５％ＲＨとした。Ａ×（Ｔ−Ｔ１）＋Ｂ×（Ｈ−Ｈ１）＜０の関係を満たすことが重要である。
【００４６】
前述のように、ポリイミドフィルムの片面または両面に金属層があらかじめ形成されていても良い。ポリイミドフィルムの補強板貼り付け面側に金属層を設けておくと、電磁波遮断用のためのグラウンド層などとして利用することができ好ましい。ポリイミドフィルムは、あらかじめ所定の大きさのカットシートにしておいて貼り付けても良いし、長尺ロールから巻きだしながら、貼り付けと切断をしても良い。このような貼り付け作業には、図２に示したラミネーターが好適に用いられる。
【００４７】
図２は、本発明に好ましく用いられるラミネート装置の概略正面図である。
【００４８】
静電気帯電装置４で可撓性面状体５を帯電させ、ポリイミドフィルム６を吸着させる。可撓性面状体５には可撓性の織物や薄膜状物が採用でき、枠体７に固定されている。また、静電気帯電装置４は基台８上の支柱９に支持されており、上下動機構（図示しない）によって、支柱９は、図２の左右に移動する枠体７や載置台１０と静電気帯電装置４が干渉しないように動く。次に、有機物層１１が塗布されたガラス補強板１２を真空吸着等で載置台１０に保持する。載置台１０に加熱冷却機能が付いていてもよい。スキージ１３でポリイミドフィルム６を可撓性面状体５ごと剥離可能な有機物層１１に押しつけ、ポリイミドフィルム６をガラス補強板１２側に移し取る。スキージ１３はスキージ保持体１４に保持されており、移動や上下動が可能である。載置台１０は、レール１５、ガイド１６、ナット１７、ブラケット１８、ボールねじ２０、モーター２１によって図の左右に移動できる。
【００４９】
貼り合わせ面とは反対側の面にあらかじめスパッタリングによって設けたスパッタ膜上に、フォトレジストをスピンコーター、ブレードコーター、ロールコーター、ダイコーター、スクリーン印刷機などで塗布して、乾燥する。フォトレジストを所定パターンのフォトマスクを介して露光、現像して、めっき膜が不要な部分にレジスト層を形成する。次いで下地層を電極として電解めっきをおこなう。電解めっき液としては、硫酸銅めっき液、シアン化銅めっき液、ピロ燐酸銅めっき液などが用いられる。厚さ２μｍから２０μｍの銅めっき膜を形成後、フォトレジストを剥離し、続いてスライトエッチングにて下地層を除去して、さらに必要に応じて金、ニッケル、錫などのめっきを施し、回路パターンを得る。
【００５０】
上記ガラス補強板上の空気遮断用フィルムを剥がして、回路パターンが形成された面を貼り合わせ面として、ポリイミドフィルムをガラス補強板に貼り付けた後、上述のセミアディティブ法、フルアディティブ法、もしくはサブトラクティブ法で貼り合わせ面と反対側の面に高精細な回路パターンを形成する。
【００５１】
なお、サブトラクティブ法とは、ポリイミドフィルムにベタの金属層が形成されている場合、フォトレジストとエッチング液を使って回路パターンを形成する方法であり、製造プロセスが短く、低コストな方法である。特に高精細な回路パターンを得るためには、セミアディティブ法、フルアディティブ法の採用が好ましい。
【００５２】
さらに、ポリイミドフィルムに、接続孔を設けることができる。すなわち、ガラス補強板との貼り合わせ面側に設けた金属層と電気的に接続するためのビアホールを設けたり、ボールグッリドアレイのボール設置用の孔を設けたりすることができる。接続孔の設け方としては、炭酸ガスレーザー、ＹＡＧレーザー、エキシマレーザーなどのレーザー孔開けやケミカルエッチングを採用することができる。レーザーエッチングを採用する場合は、エッチングストッパ層として、ポリイミドフィルムのガラス補強板貼り付け面側に金属層があることが好ましい。
【００５３】
ポリイミドフィルムのケミカルエッチング液としては、ヒドラジン、水酸化カリウム水溶液などを採用することができる。また、ケミカルエッチング用マスクとしては、パターニングされたフォトレジストや金属層が採用できる。電気的に接続する場合は、接続孔形成後、前述の金属層パターン形成と同時にめっき法で孔内面を導体化することが好ましい。このときの接続孔は、直径が１５μｍから２００μｍが好ましい。ボール設置用の孔は、直径が８０μｍから８００μｍが好ましい。
【００５４】
接続孔を形成するタイミングは限定されないが、ポリイミドフィルムをガラス補強板に貼り合わせた後、ポリイミドフィルムの貼り合わせ面の反対面から接続孔を形成することが好ましい。
【００５５】
必要に応じて、回路パターン上にソルダーレジスト膜を形成する。スピンコーター、ブレードコーター、ロールコーター、バーコーター、ダイコーター、スクリーン印刷機などで回路パターン上に感光性ソルダーレジストを塗布し、乾燥させる。次に１００℃から２００℃でキュアをする。
【００５６】
次に、回路パターンが形成されたポリイミドフィルムをガラス補強板から剥離する。レーザー、高圧水ジェットやカッターなどを用いて、剥離前に個片または個片の集合体に回路パターン付きポリイミドフィルムを切り分けておくことが、取り扱いが容易になることから好ましい。さらに、電子部品との接続の位置精度を保つために、ポリイミドフィルム上の回路パターンに電子部品を接続した後に、ポリイミドフィルムをガラス補強板から剥離することがさらに好ましい。電子部品との接続方法としては、例えば、ハンダ接続、異方導電性フィルムによる接続、金属共晶による接続、非導電性接着剤による接続、ワイヤーボンディング接続などが採用できる。
【００５７】
可撓性フィルムの両面に、高精細の回路パターンを形成する場合は、最初に回路パターンが形成される面の加工においても、ガラス補強板に貼り合わせられていることが好ましい。この場合は、可撓性フィルムをガラス補強板に貼り合わせて、サブトラクティブ法、セミアディティブ法やフルアディティブ法でガラス補強板貼り合わせ面とは反対側の面に回路パターンを形成し、次いで別のガラス補強板に、可撓性フィルムの回路形成面側を貼り合わせてから、最初のガラス補強板を剥離し、もう一方の面に、サブトラクティブ法、セミアディティブ法やフルアディティブ法で回路パターンを形成し、その後、ガラス補強板を剥離する方法が好ましく用いられる。
【００５８】
本発明の製造方法によって得られる回路基板は、電子部品接続や可撓性フィルム剥離工程を経て、電子機器の配線板、ＩＣパッケージ用インターポーザー、ウエハレベルプロバー、ウエハレベルバーンインソケット用基板などに好ましく使用される。回路パターンに抵抗素子や容量素子を入れ込むことは、適宜好ましく用いられる。
【実施例】
【００５９】
以下、実施例を挙げて本発明をさらに具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。また、剥離力、線膨張係数、湿度膨張係数、熱収縮率、反り量、抵抗変化率は、以下の方法で測定した。
【００６０】
＜剥離力測定方法＞
補強板から剥離する可撓性フィルム（実施例においてはポリイミドフィルム）の剥離力の測定は次の方法で行った。補強板上に形成した再剥離剤層上に可撓性フィルムを貼り合わせた後、可撓性フィルムを１０ｍｍ幅に裁断した。ＴＭＩ社製「テンシロン」を用いて３００ｍｍ／分の剥離速度で１０ｍｍ幅の可撓性フィルムを１８０゜方向に剥離するときの力を剥離力とした。
【００６１】
＜線膨張係数の測定方法＞
５０ｍｍ角に裁断した可撓性フィルム（実施例においてはポリイミドフィルム）の対角に位置する２点間の距離（以下、対角距離という）を２３℃、５５％ＲＨの温度湿度環境下で測長機ＳＭＩＣ−８００（ソキア（株）製）にて測定した。このとき可撓性フィルムの温度も２３℃であった。ボンディング機ＦＣ２０００（東レエンジニアリング（株）製）のヒートステージおよびＣＣＤカメラによるアライメント位置ずれ距離確認機能を利用して、２３℃、５５％ＲＨの温度湿度環境下における可撓性フィルムの対角距離に対する、５５％ＲＨ湿度環境下でステージ温度３０℃、５０℃、７０℃、１００℃、１２０℃、１５０℃、１８０℃における可撓性フィルムの対角距離の変位量を測定し、各温度における得られた線膨張率の平均値を求め、それを線膨張係数とした。このときステージ温度と可撓性フィルムの温度は同一である。
【００６２】
＜湿度膨張係数の測定方法＞
２００ｍｍ角に裁断した可撓性フィルム（実施例においてはポリイミドフィルム）の対角距離を２３℃温度環境下、２０％ＲＨ、３０％ＲＨ、４０％ＲＨ、５０％ＲＨ、６０％ＲＨ、７０％ＲＨ、８０％ＲＨ湿度環境下で測長機ＳＭＩＣ−８００（ソキア（株）製）にて測定し、各湿度における得られた線膨張率の平均値を求め、それを湿度膨張係数とした。
【００６３】
＜熱収縮率の測定方法＞
回路パターンを形成したポリイミドフィルムをガラスから剥離して、２５℃、６０％ＲＨの温度湿度環境下でインナーリードの長辺の約１９ｍｍ離れた配線のトータルピッチを測長機ＳＭＩＣ−８００（ソキア（株）製）にて測定した。このときポリイミドフィルムの温度も２５℃であった。
【００６４】
次いで、ボンディング機ＦＣ２０００（東レエンジニアリング（株）製）にてバンプを除去したＩＣを回路パターンを形成したポリイミドフィルムにツール温度４５０℃、接合時間１秒の条件にて接地した。このとき、配線とＩＣは接合することはなく、ポリイミドフィルムとＩＣが接合することもなかった。
【００６５】
バンプを除去したＩＣを接地したポリイミドフィルムを２５℃、６０％ＲＨの温度湿度環境下でインナーリードの長辺の約１９ｍｍ離れた配線のトータルピッチを測長機ＳＭＩＣ−８００（ソキア（株）製）にて測定した。このときポリイミドフィルムの温度も２５℃であった。
【００６６】
ＩＣを接地する前後の配線のトータルピッチ変化量から熱収縮率を求めた。
【００６７】
＜反り量の測定方法＞
レーザー顕微鏡ＶＫ−９５００（（株）キーエンス）にてガラス補強板から剥離したポリイミドフィルムの１角とレーザー顕微鏡のステージの距離を４角すべて測定し、平均した値をポリイミドフィルムの反り量とした。回路パターンが形成されている面側へのポリイミドの反りをプラス、回路パターンが形成されている面とは反対の面側へのポリイミドの反りをマイナスとして、反り量が±１ｍｍ以下を良好とした。
【００６８】
＜抵抗変化率の測定方法＞
回路パターンを形成したポリイミドフィルムにＩＣを接合してガラス補強板から回路パターンおよびＩＣ付きポリイミドフィルムを剥離し、小型冷熱衝撃装置ＴＳＥ−１１（エスペック（株）製）に投入して−５５℃温度環境下に１５分間、１２５℃温度環境下に１５分間を１サイクルとし、熱サイクルテスト前および３００サイクル後の抵抗変化率を求めた。また抵抗変化率は次のようにして求めた。
【００６９】
デジタルマルチメーターＣＤＭ−１７Ｄ（（株）カスタム）にて図１に示すポリイミドフィルム上に形成したチェーン回路用パターン１およびＩＣ内のチェーン回路用パターン３がＩＣ上のバンプ２にて接合されて形成されたチェーン回路の、熱サイクル前後の抵抗値を測定し、熱サイクル前後の抵抗変化率を求めた。抵抗変化率は±１０％以下を良好とした。
【００７０】
実施例１
厚さ３８μｍ、幅４００ｍｍの長尺のポリイミドフィルム（”カプトン１５０ＥＮ”東レデュポン（株）製、線膨張係数Ａが１４ｐｐｍ／℃、同湿度膨張係数Ｂが１５ｐｐｍ／％ＲＨ）の片面に、スパッタリングにより、１０ｎｍのＮｉ８０Ｃｒ２０層、１００ｎｍの銅層をこの順で積層して、スパッタ膜付きポリイミドフィルムを１５サンプル用意した。
【００７１】
厚さ１．１ｍｍ、４００ｍｍ角のソーダライムガラスに、ダイコーターで、有機物層として紫外線硬化型アクリル系の粘着剤”ＳＫダイン”ＳＷ−２２（綜研化学（株）製）と硬化剤Ｌ４５（綜研化学（株）製）を５０：１で混合したものをガラス補強板に塗布し、８０℃で２分乾燥した。乾燥後の有機物層厚みを２μｍとした。次いで、有機物層に、ポリエステルフィルム上に離型容易なシリコーン樹脂層を設けたフィルムで構成される空気遮断用フィルムを貼り付けて（ソーダライムガラスガラス／有機物層／シリコーン樹脂層／ポリエステルフィルムの構成）１週間、常温で静置した。
【００７２】
次に、空気遮断用フィルムを剥がしつつ、ガラス補強板の有機物層が形成されている側に図２に示したラミネーターで、予め３０℃、５０％ＲＨで２４時間保存したスパッタ膜付きポリイミドフィルムを、ポリイミドフィルムの温度が３０℃になるようにし、また５０％ＲＨの湿度環境下で貼り付けた。その後、ガラス基板側から紫外線を５０００ｍＪ／ｃｍ２照射し、有機物層を硬化させた。
【００７３】
次いで、銅層上にポジ型フォトレジストをスピンコーターにて塗布して８０℃で１０分間乾燥した。次に、フォトマスクを介してフォトレジストを露光後、フォトレジストを現像して、めっき膜が不要な部分に厚さ１５μｍのレジスト層を形成した。テスト用フォトマスクパターンは、線幅１０μｍで、ピッチが２５μｍである外形３０ｍｍ×４０ｍｍのチェーン回路パターンとした。現像後、１２０℃で１０分間ポストベークした。次いで、銅膜を電極として電解めっきをおこなった。電解めっき液は、硫酸銅めっき液とした。厚さ８μｍの銅めっき膜を形成後、フォトレジストをフォトレジスト剥離液で剥離し、続いて塩化鉄水溶液によるソフトエッチングにてレジスト層の下にあった銅層およびニッケル−クロム合金膜を除去して、図１に示すようなチェーン回路用パターンを得た。チェーン回路用パターンは図１の可撓性フィルム上に形成したチェーン回路用パターン１およびＩＣなどのＩＣ内のチェーン回路用パターン３がＩＣ上のバンプ２にて接合されてチェーン回路を形成する。
【００７４】
ソルダーレジスト層として、ＳＮ９０００（日立化成工業（株）製）を、チェーン回路用パターンが形成されたポリイミドフィルム上の各々のパターン中央部からインナーリードを除く３０ｍｍ×２０ｍｍの領域に、テスト用パターンとしてスクリーン印刷で塗布し、９０℃で１０分間乾燥した。次に、１５０℃で３０分間キュアすることで熱硬化した。
【００７５】
２５℃、６０％ＲＨの温度湿度環境下で測長機ＳＭＩＣ−８００（ソキア（株）製）にて、インナーリードの長辺の約１９ｍｍ離れた配線のトータルピッチを測定したところ、用いたポリイミドフィルム１５サンプルともフォトマスクパターンに対して±２０ｐｐｍであった。
【００７６】
チェーン回路用パターンが形成された１５サンプルのポリイミドフィルムのうちの５サンプルについて、ガラス補強板からのポリイミドフィルムの剥離力を測定したところ、１．９６〜２Ｎ／ｍの範囲の数値が得られた。回路パターン形成中にポリイミドフィルムが有機物層から剥離することはなかった。次に、チェーン回路用パターンが形成された１５サンプルのポリイミドフィルムのうちの５サンプルについて端部から徐々にポリイミドフィルムをガラス補強板から剥離した。ポリイミドフィルムは、有機物層との界面で剥離し、目視で確認したところポリイミドフィルムの端部が同一フィルムの他の部分に触れる程度のカールは発現していなかった。また、ポリイミドフィルムの反り量は−１ｍｍ以下であった
ガラス補強板から剥離したチェーン回路用パターンが形成されたポリイミドフィルムの熱収縮率は、２００±１００ｐｐｍであった。
【００７７】
チェーン回路用パターンが形成された１５サンプルのポリイミドフィルムのうち、ガラス補強板から剥離されていない５サンプルについて、ガラス補強板に貼り付けた状態のままボンディング機ＦＣ２０００（東レエンジニアリング（株）製）にてバンプサイズ９０μｍ×１３μｍ、バンプ数１２９８個のＩＣを接合させた。なお、ＩＣを接合させた環境温度は２５℃、環境湿度は６０％ＲＨであり、このときポリイミドフィルムの表面温度は２５℃であった。
【００７８】
次いで、ＩＣ接合した５サンプルのポリイミドフィルムをガラス補強板から剥離して小型冷熱衝撃装置ＴＳＥ−１１（エスペック（株）製）にて−５５℃温度環境下に１５分間、１２５℃温度環境下に１５分間を１サイクルとする熱サイクルテストを３００サイクル行った。チェーン回路の抵抗変化率は±１０％以内であった。
【００７９】
なお、実施例１においては、ポリイミドフィルムの線膨張係数Ａは１４ｐｐｍ／℃、同湿度膨張係数Ｂは１５ｐｐｍ／％ＲＨ、ガラス基板にポリイミドフィルムを貼り合わせるときの温度Ｔは２０℃、ガラス板にポリイミドフィルムを貼り合わせる前の保存湿度Ｈは３０％ＲＨ、ＩＣを接合した後のポリイミドフィルムの保存温度Ｔ１は２７℃、同保存湿度Ｈ１は６０％ＲＨであり、Ａ×（Ｔ−Ｔ１）＋Ｂ×（Ｈ−Ｈ１）は、１４×（３０−２５）＋１５×（５０−６０）＝−８０である。
【００８０】
実施例２
ポリイミドフィルムをガラス基板に貼り付ける条件を３０℃から２５℃に変更したこと以外は、実施例１と同様の方法でポリイミドフィルム上にチェーン回路用パターンを得た。実施例１と同様の方法でソルダーレジスト層を形成し、次に、チェーン回路用パターンが形成された１０サンプルのポリイミドフィルムのうちの５サンプルを端部から徐々にガラス補強板から剥離した。ポリイミドフィルムの反り量は−１ｍｍ以下であった。
【００８１】
ガラス補強板から剥離したチェーン回路用パターンが形成されたポリイミドフィルムの熱収縮率は、２００±１００ｐｐｍであった。
【００８２】
チェーン回路用パターンが形成された１０サンプルのポリイミドフィルムのうち、ガラス補強板から剥離されていない５サンプルのポリイミドフィルムに、実施例１と同様にＩＣを接合した。このとき、環境温度は２５℃、環境湿度は６０％ＲＨであり、このときポリイミドフィルムの表面温度は２５℃であった。ガラス補強板から剥離して実施例１と同様の方法で熱サイクルテストを行った。チェーン回路の抵抗変化率は±１０％以内であった。
【００８３】
なお、実施例２においては、ポリイミドフィルムの線膨張係数Ａは１４ｐｐｍ／℃、同湿度膨張係数Ｂは１５ｐｐｍ／％ＲＨ、ガラス基板にポリイミドフィルムを貼り合わせるときの温度Ｔは２５℃、ガラス板にポリイミドフィルムを貼り合わせる前の保存湿度Ｈは５０％ＲＨ、ＩＣを接合した後のポリイミドフィルムの保存温度Ｔ１は２５℃、同保存湿度Ｈ１は６０％ＲＨであり、Ａ×（Ｔ−Ｔ１）＋Ｂ×（Ｈ−Ｈ１）は、１４×（２５−２５）＋１５×（５０−６０）＝−１５０である。
【００８４】
実施例３
ポリイミドフィルムをガラス基板に貼り合わせ前に保存する条件を５０％ＲＨから５２％ＲＨに変更し、ガラス基板に貼り付ける条件を３０℃から２０℃に変更したこと以外は、実施例１と同様の方法でポリイミドフィルム上にチェーン回路用パターンを得た。実施例１と同様の方法でソルダーレジスト層を形成し、次に、チェーン回路用パターンが形成された１０サンプルのポリイミドフィルムのうちの５サンプルを端部から徐々にガラス補強板から剥離した。ポリイミドフィルムの反り量は−１ｍｍ以下であった。
【００８５】
ガラス補強板から剥離したチェーン回路用パターンが形成されたポリイミドフィルムの熱収縮率は、２００±１００ｐｐｍであった。
【００８６】
チェーン回路用パターンが形成された１０サンプルのポリイミドフィルムのうち、ガラス補強板から剥離されていない５サンプルのポリイミドフィルムに、実施例１と同様にＩＣを接合した。このとき、環境温度は２５℃、環境湿度は６０％ＲＨであり、このときポリイミドフィルムの表面温度は２５℃であった。ガラス補強板から剥離して実施例１と同様の方法で熱サイクル試験を行った。チェーン回路の抵抗変化率は±１０％以内であった。
【００８７】
なお、実施例３においては、ポリイミドフィルムの線膨張係数Ａは１４ｐｐｍ／℃、同湿度膨張係数Ｂは１５ｐｐｍ／％ＲＨ、ガラス基板にポリイミドフィルムを貼り合わせるときの温度Ｔは２０℃、同ガラス板にポリイミドフィルムを貼り合わせる前の保存湿度Ｈは５２％ＲＨ、ＩＣを接合した後のポリイミドフィルムの保存温度Ｔ１は２５℃、同保存湿度Ｈ１は６０％ＲＨであり、Ａ×（Ｔ−Ｔ１）＋Ｂ×（Ｈ−Ｈ１）は、１４×（２０−２５）＋１５×（５２−６０）＝−１９０である。
【００８８】
実施例４
ポリイミドフィルムをガラス補強板に貼り付ける条件を３０℃から３５℃に変更したこと以外は、実施例１と同様の方法でポリイミドフィルム上にチェーン回路用パターンを得た。実施例１と同様の方法でソルダーレジスト層を形成し、次に、チェーン回路用パターンが形成された１０サンプルのポリイミドフィルムのうちの５サンプルを端部から徐々にガラス補強板から剥離した。ポリイミドフィルムの反り量は−１ｍｍ以下であった。
【００８９】
ガラス補強板から剥離したチェーン回路用パターンが形成されたポリイミドフィルムの熱収縮率は、２００±１００ｐｐｍであった。
【００９０】
チェーン回路用パターンが形成された１０サンプルのポリイミドフィルムのうち、ガラス補強板から剥離されていない５サンプルのポリイミドフィルムに、実施例１と同様にＩＣを接合した。このとき、環境温度は２５℃、環境湿度は６０％ＲＨであり、このときポリイミドフィルムの表面温度は２５℃であった。ガラス補強板から剥離して実施例１と同様の方法で熱サイクル試験を行った。チェーン回路の抵抗変化率は±１０％以内であった。
【００９１】
なお、実施例４においては、ポリイミドフィルムの線膨張係数Ａは１４ｐｐｍ／℃、同湿度膨張係数Ｂは１５ｐｐｍ／％ＲＨ、ガラス基板にポリイミドフィルムを貼り合わせるときの温度Ｔは３５℃、同ガラス板にポリイミドフィルムを貼り合わせる前の保存湿度Ｈは５０％ＲＨ、ＩＣを接合した後のポリイミドフィルムの保存温度Ｔ１は２５℃、同保存湿度Ｈ１は６０％ＲＨであり、Ａ×（Ｔ−Ｔ１）＋Ｂ×（Ｈ−Ｈ１）は、１４×（３５−２５）＋１５×（５０−６０）＝−１０である。
【００９２】
実施例５
ポリイミドフィルムをガラス補強板に貼り合わせ前に保存する条件を５０％ＲＨから５２％ＲＨに変更し、ガラス補強板に貼り付ける条件を３０℃から２０℃に変更したこと以外は、実施例１と同様の方法でポリイミドフィルム上にチェーン回路用パターンを得た。実施例１と同様の方法でソルダーレジスト層を形成し、次に、チェーン回路用パターンが形成された１０サンプルのポリイミドフィルムのうちの５サンプルを端部から徐々にガラス補強板から剥離した。ポリイミドフィルムの反り量は−１ｍｍ以下であった。
【００９３】
ガラス補強板から剥離したチェーン回路用パターンが形成されたポリイミドフィルムの熱収縮率は、２００±１００ｐｐｍであった。
【００９４】
チェーン回路用パターンが形成された１０サンプルのポリイミドフィルムのうち、ガラス補強板から剥離されていない５サンプルのポリイミドフィルムをガラス補強板から剥離し、実施例１と同様にＩＣを接合した。このとき、環境温度は２５℃、環境湿度は６０％ＲＨであり、このときポリイミドフィルムの表面温度は２５℃であった。このときボンディング機のステージ温度は８０℃であり、すべての配線がＩＣのバンプに接合されていた。ＩＣ付きポリイミドフィルム５サンプルのうち、２サンプルにアンダーフィル材“チップコート”８４６２−２１（ナミックス（株）製）を封入後、１５０℃で２０分間仮キュアし、光学顕微鏡にて観察するとＩＣとポリイミドフィルムの隙間はアンダーフィル材で充填されていた。ＩＣ付きポリイミドフィルム５サンプルのうち、アンダーフィル材が封入されていない３サンプルについて、ガラス補強板から剥離して実施例１と同様の方法で熱サイクル試験を行った。チェーン回路の抵抗変化率は±１０％以内であった。
【００９５】
なお、実施例４においては、ポリイミドフィルムの線膨張係数Ａは１４ｐｐｍ／℃、同湿度膨張係数Ｂは１５ｐｐｍ／％ＲＨ、ガラス基板にポリイミドフィルムを貼り合わせるときの温度Ｔは２０℃、同ガラス板にポリイミドフィルムを貼り合わせる前の保存湿度Ｈは５２％ＲＨ、ＩＣを接合した後のポリイミドフィルムの保存温度Ｔ１は２５℃、同保存湿度Ｈ１は６０％ＲＨであり、Ａ×（Ｔ−Ｔ１）＋Ｂ×（Ｈ−Ｈ１）は、１４×（２０−２５）＋１５×（５２−６０）＝−１９０である。
【００９６】
比較例１
ポリイミドフィルムをガラス補強板に貼り合わせ前に保存する条件を５０％ＲＨから６５％ＲＨに変更し、ガラス基板に貼り付ける条件を３０℃から６０℃に変更したこと以外は、実施例１と同様の方法でポリイミドフィルム上にチェーン回路パターンを得た。実施例１と同様の方法でソルダーレジスト層を形成し、次に、チェーン回路用パターンが形成された１０サンプルのポリイミドフィルムのうちの５サンプルを端部から徐々にガラス補強板から剥離した。ポリイミドフィルムの反り量は１ｍｍ以下であった。
【００９７】
チェーン回路用パターンが形成された１０サンプルのポリイミドフィルムのうち、ガラス補強板から剥離されていない５サンプルのポリイミドフィルムに、実施例１と同様にＩＣを接合した。このとき、環境温度は２５℃、環境湿度は６０％ＲＨであり、このときポリイミドフィルムの表面温度は２５℃であった。ガラス補強板から剥離して実施例１と同様の方法で熱サイクルテストを行った。配線のクラックか配線とＩＣの接合劣化により５サンプル中３サンプルのチェーン回路の抵抗変化率は２０％〜６０％と大きかった。
【００９８】
なお、比較例１においては、ポリイミドフィルムの線膨張係数Ａは１４ｐｐｍ／℃、同湿度膨張係数Ｂは１５ｐｐｍ／％ＲＨ、ガラス基板にポリイミドフィルムを貼り合わせるときの温度Ｔは６０℃、同ガラス板にポリイミドフィルムを貼り合わせる前の保存湿度Ｈは６５％ＲＨ、ＩＣを接合した後のポリイミドフィルムの保存温度Ｔ１は２５℃、同保存湿度Ｈ１は６０％ＲＨであり、Ａ×（Ｔ−Ｔ１）＋Ｂ×（Ｈ−Ｈ１）は、１４×（６０−２５）＋１５×（６５−６０）＝５６５ある。
【００９９】
比較例２
ポリイミドフィルムをガラス補強板に貼り合わせ前に保存する条件を５０％ＲＨから６５％ＲＨに変更し、ガラス基板に貼り付ける条件を３０℃から６０℃に変更したこと以外は、実施例１と同様の方法でポリイミドフィルム上にチェーン回路パターンを得た。実施例１と同様の方法でソルダーレジスト層を形成し、次に、チェーン回路用パターンが形成された１０サンプルのポリイミドフィルムのうちの５サンプルを端部から徐々にガラス補強板から剥離した。ポリイミドフィルムの反り量は１ｍｍ以下であった。
【０１００】
チェーン回路用パターンが形成された１０サンプルのポリイミドフィルムのうち、ガラス補強板から剥離されていない５サンプルのポリイミドフィルムをガラス補強板から剥離し、実施例１と同様にＩＣを接合した。このとき、環境温度は２５℃、環境湿度は６０％ＲＨであり、このときポリイミドフィルムの表面温度は２５℃であった。このときボンディング機のステージ温度は１３０℃であり、すべての配線がＩＣのバンプに接合されていた。ＩＣ付きポリイミドフィルム５サンプルのうち、２サンプルにアンダーフィル材“チップコート”８４６２−２１（ナミックス（株）製）を封入後、１５０℃で２０分間仮キュアし、光学顕微鏡にて観察するとＩＣとポリイミドフィルムに貼り付きが発生して隙間にアンダーフィル材が十分充填されていなかった。ＩＣ付きポリイミドフィルム５サンプルのうち、アンダーフィル材が封入されていない３サンプルについて、ガラス補強板から剥離して実施例１と同様の方法で熱サイクル試験を行った。配線のクラックか配線とＩＣの接合劣化により５サンプル中３サンプルのチェーン回路の抵抗変化率は２０％〜６０％と大きかった。
【０１０１】
なお、比較例２においては、ポリイミドフィルムの線膨張係数Ａは１４ｐｐｍ／℃、同湿度膨張係数Ｂは１５ｐｐｍ／％ＲＨ、ガラス基板にポリイミドフィルムを貼り合わせるときの温度Ｔは６０℃、同ガラス板にポリイミドフィルムを貼り合わせる前の保存湿度Ｈは６５％ＲＨ、ＩＣを接合した後のポリイミドフィルムの保存温度Ｔ１は２５℃、同保存湿度Ｈ１は６０％ＲＨであり、Ａ×（Ｔ−Ｔ１）＋Ｂ×（Ｈ−Ｈ１）は、１４×（６０−２５）＋１５×（６５−６０）＝５６５である。
【図面の簡単な説明】
【０１０２】
【図１】可撓性フィルム上およびＩＣ内のチェーン回路の概略図である。
【図２】本発明に好ましく用いられるラミネート装置の概略正面図である。
【符号の説明】
【０１０３】
１：可撓性フィルム上に形成したチェーン回路用パターン
２：ＩＣ上のバンプ
３：ＩＣ内のチェーン回路用パターン
４：静電気帯電装置
５：可撓性面状態
６：プラスチックフィルム
７：枠体
８：基台
９：支柱
１０：載置台
１１：有機物層
１２：補強板
１３：スキージ
１４：スキージ保持体
１５：レール
１６：ガイド
１７：ナット
１８：ブラケット
２０：ボールねじ
２１：モーター
【図１】
2008243899.tif 000003
【図２】
2008243899.tif 000004