(57)【要約】【課題】分離された２つのリソグラフィ工程を用いて、微細パターンを提供する一つのマスクを製造する。【解決方法】本発明は半導体素子の微細パターン形成方法に関し、特に被エッチング層を含む半導体基板を提供する段階と、被エッチング層の上部に第１フォトレジストパターンを形成する段階と、第１フォトレジストパターンを露光して第１フォトレジストパターンに酸を発生させる段階と、第１フォトレジストパターンをブリーチングして第1フォトレジストパターンを光に鈍感にさせる段階と、被エッチング層と光に鈍感になった第1フォトレジストパターンなどの上部に第２フォトレジストを形成する段階と、第２フォトレジストを露光して第２フォトレジストパターンを形成する段階とを含むものの、被エッチング層の上部に第１及び第２フォトレジストパターンを提供して素子の高集積化と歩留まりを改善できる技術である。【選択図】図１ｅ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被エッチング層を含む半導体基板を提供する段階と、
前記被エッチング層の上部に第１フォトレジストパターンを形成する段階と、
前記第１フォトレジストパターンを露光し、前記第1フォトレジストパターンに酸を発生させる段階と、
前記第1フォトレジストパターンをブリーチング(Bleaching)し、前記第1フォトレジストパターンを光に鈍感にさせる段階と、
前記被エッチング層と光に鈍感になった前記第１フォトレジストパターンなどの上部に第２フォトレジストを形成する段階と、
前記第２フォトレジストを露光し、第２フォトレジストパターンを形成する段階と、
を含むものの、
前記被エッチング層の上部に前記第１及び第２フォトレジストパターンを提供することを特徴とする半導体素子の微細パターン形成方法。
【請求項２】
前記第１フォトレジストパターンに対する露光段階は３０〜２００ｍＪ／ｃｍ2の露光エネルギーで行うことを特徴とする請求項１に記載の半導体素子の微細パターン形成方法。
【請求項３】
前記第１フォトレジストパターンに対する露光段階は８０〜１２０ｍＪ／ｃｍ2の露光エネルギーで行うことを特徴とする請求項１に記載の半導体素子の微細パターン形成方法。
【請求項４】
前記第１フォトレジストパターンに対するブリーチング工程はトリエチルアミン、HMDS、アンモニア、メチルアミン及びこれらの組合せでなる一群から選ばれた一つを用いた塩基性物質を利用して行われることを特徴とする請求項１項に記載の半導体素子の微細パターン形成方法。
【請求項５】
前記ブリーチングの工程は湿式方法で行うことを特徴とする請求項１に記載の半導体素子の微細パターン形成方法。
【請求項６】
前記ブリーチングの工程は
前記第１フォトレジストパターンを含む前記半導体基板をブリーチング溶液に５０−７０秒間浸漬させる段階と、
前記半導体基板をスピン乾燥(Spin-dehydrating)する段階と、
を含むことを特徴とする請求項５に記載の半導体素子の微細パターン形成方法。
【請求項７】
前記ブリーチングの工程は乾式方法で行うことを特徴とする請求項１に記載の半導体素子の微細パターン形成方法。
【請求項８】
前記乾式ブリーチングの工程は６０℃以下の温度でブリーチング物質を前記半導体基板上に噴射して行うことを特徴とする請求項７に記載の半導体素子の微細パターン形成方法。
【請求項９】
前記第１フォトレジストパターン及び第２フォトレジストパターンは複数含むものの、前記複数の第１フォトレジストパターンが前記複数の第２フォトレジストパターンの間に交互に位置することを特徴とする請求項１に記載の半導体素子の微細パターン形成方法。
【請求項１０】
前記第２フォトレジストは炭素数が４〜８であるアルコール(C4〜C8 alcohol)を溶媒に含むことを特徴とする請求項９に記載の半導体素子の微細パターン形成方法。
【請求項１１】
前記溶媒は1-ブタノール、2-ブタノール、2-メチル-1-プロパノール、1-ペンタノール、2-ペンタノール、3-ペンタノール、2-メチル-1-ブタノール、3-メチル-1-ブタノール、1,2-ジメチル-1-プロパノール、1-ヘキサノール、2-ヘキサノール、3-ヘキサノール、2-メチル-ペンタノール、3-メチルペンタノール、4-メチルペンタノール、1,3-ジメチルブタノール、1,2-ジメチルブタノール、ヘプタノール、オクタノール及びこれらの組合せでなる一群から選ばれた一つを用いることを特徴とする請求項１０に記載の半導体素子の微細パターン形成方法。
【請求項１２】
前記複数の第１フォトレジストパターンは第１ピッチを備え、前記複数の第２フォトレジストパターンは前記第１ピッチと同じ大きさのピッチを備えることを特徴とする請求項９に記載の半導体素子の微細パターン形成方法。
【請求項１３】
前記複数の第１フォトレジストパターン及び第２フォトレジストパターンの間のピッチは前記第１ピッチより狭く、前記第１ピッチの１／２である第２ピッチで画成されることを特徴とする請求項１２に記載の半導体素子の微細パターン形成方法。
【請求項１４】
前記第１フォトレジストパターンと前記半導体基板との間の界面にハードマスク層及び反射防止膜を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体素子の微細パターン形成方法。
【請求項１５】
前記被エッチング層は半導体基板であることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子の微細パターン形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はメモリ素子に関し、特に半導体素子において微細パターンの形成方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般の半導体素子の微細パターン形成方法は次の通りである。まず、半導体基板上に被エッチング層を形成する。被エッチング層は絶縁膜、ポリシリコン層または金属層になり得る。被エッチング層の上部にフォトレジストを塗布する。露光マスクでフォトレジストを露光及び現像し、フォトレジストパターンを形成する。そこで、フォトレジストパターンは現在のリソグラフィ工程で形成できる最小の線幅と最小のピッチで形成される。ライン/スペースパターンにおいて、最小のピッチは同じ線幅１Fのライン／スペースを含む。次に、フォトレジストパターンをマスクに被エッチング層をエッチングして、被エッチング層パターンを形成する。フォトレジストパターンを除去して微細な被エッチング層パターンを形成する。
しかし、現在のリソグラフィ工程時に解像度のため、半導体素子の高集積化を達成するのに制限がある。これを克服するため、多くの費用を要する解像度の限界を克服できる装備の開発が求められる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明は半導体素子の微細パターンの形成方法に関し、分離された２つのリソグラフィ工程を用いて、微細パターンを提供する一つのマスクを製造する。各リソグラフィ工程は通常の方法と同じ解像度を有するパターンを形成するが、これらを組み合わせることにより通常の方法の限界を越えるパターンを形成することができる。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明の一実施形態に係る半導体素子の製造方法は、
被エッチング層を含む半導体基板を提供する段階と、被エッチング層の上部に第１フォトレジストパターンを形成する段階と、第1フォトレジストパターンを露光して第1フォトレジストパターンに酸を発生させる段階と、第1フォトレジストパターンをブリーチング(Bleaching)して第1フォトレジストパターンを光に鈍感にさせる段階と、被エッチング層と光に鈍感になった第１フォトレジストパターンなどの上部に第２フォトレジストを形成する段階と、第２フォトレジストを露光して第２フォトレジストパターンを形成する段階とを含むものの、被エッチング層の上部に第１及び第２フォトレジストパターンを提供することを特徴とする。
【０００５】
被エッチング層が形成された半導体基板の上部に第１フォトレジストパターンを形成する。第1フォトレジストパターンを露光させ、酸を発生させる。第1フォトレジストパターンにブリーチング工程を行い、第1フォトレジストパターンを光に鈍感にさせる。この時、ブリーチング工程は塩基性物質を用いた中和(Neutralizing)反応でＰＡＧ(Photo Active Generator)の活性度を低減させる。半導体基板の上部に第２フォトレジストを塗布する。塗布された第２フォトレジストを露光及び現像して隣接した第１フォトレジストパターンなどの間に第２フォトレジストパターンを形成する。本発明の一実施形態によると、第1フォトレジストパターンに対するブリーチング工程は第２フォトレジストパターン形成のための露光及び現像工程時に第1フォトレジストパターンが除去される現像を防ぐ。
【０００６】
また、第１フォトレジストパターンを３０〜２００ｍＪ／ｃｍ2の露光エネルギーを有して露光工程を行うのが好ましく、８０〜１２０ｍＪ／ｃｍ2の露光エネルギーを有して露光工程を行うのがさらに好ましい。第１フォトレジストパターンのブリーチング工程はトリエチルアミン、ＨＭＤＳ(Hexa Methyl Di-Silane)、アンモニア、メチルアミン及びこれらの組合せでなる一群から選ばれた一つを用いた塩基性物質を利用して行われることが好ましい。
【０００７】
ブリーチング工程は湿式方法で行われ得る。この時、湿式ブリーチング工程は第１フォトレジストパターンを含む半導体基板をブリーチング溶液に５０〜７０秒間浸漬させ、半導体基板をスピン乾燥(Spin-dehydrating)して行うのが好ましい。そして、ブリーチング工程は乾式方法で行うこともできる。この時、乾式ブリーチング工程は６０℃以下の温度でブリーチング物質を半導体基板上に噴射して行うのが好ましい。
【０００８】
そして、第１フォトレジストパターン及び第２フォトレジストパターンは複数含み、複数の第１フォトレジストパターンは複数の第２フォトレジストパターンの間に交互に位置するのが好ましい。さらに、第２フォトレジストは炭素数が４〜８であるアルコール(Ｃ4〜Ｃ8 alcohol)を溶媒に含むのが好ましい。この時、溶媒は1-ブタノール(1-butanol)、2-ブタノール(2-butanol)、2-メチル-1-プロパノール(2-methyl-1-propanol)、1-ペンタノール(1-pentanol)、2-ペンタノール(2-pentanol)、3-ペンタノール(3-pentanol)、2-メチル-1-ブタノール(2-methyl-1-butanol)、3-メチル-1-ブタノール(3-methyl-1-butanol)、1,2-ジメチル-1-プロパノール(1,2-dimethyl-1-propanol)、1-ヘキサノール(1-hexanol)、2-ヘキサノール(2-hexanol)、3-ヘキサノール(3-hexanol)、2-メチル-ペンタノール(2-methyl-pentanol)、3-メチルペンタノール(3-methylpentanol)、4-メチルペンタノール(4-methylpentanol)、1,3-ジメチルブタノール(1,3-dimethylbutanol)、1,2-ジメチルブタノール(2-dimethylbutanol)、ヘプタノール(heptanol)、オクタノール(octanol)及びこれらの組合せでなる一群から選ばれた一つを用いるのが好ましい。
【０００９】
さらに、複数の第1フォトレジストパターンは第1ピッチに備えられており、複数の第２フォトレジストパターンは第１ピッチと同じ大きさのピッチに備えられるのが好ましい。複数の第１フォトレジストパターン及び第２フォトレジストパターンの間は第1ピッチより狭く、第1ピッチの１／２の大きさである第２ピッチで画成される。
【００１０】
一方、第1フォトレジストパターンと半導体基板との間の界面にハードマスク層及び反射防止膜をさらに形成するのが好ましい。さらに、被エッチング層は半導体基板であり得る。
【発明の効果】
【００１１】
本発明に係る半導体素子の微細パターン形成方法は、リソグラフィ工程の限界を克服できる微細パターンを形成し、素子の高集積化と歩留まりを改善できるというメリットがある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下では、本発明の実施の形態を図を参照して詳しく説明する。
被エッチング層が形成された半導体基板の上部に第1フォトレジストパターンを形成する。第1フォトレジストパターンを露光させて酸を発生させる。光に鈍感になるよう酸が発生した第1フォトレジストパターンにブリーチング工程を行う。この時、ブリーチング工程は塩基性物質を用いた中和反応でＰＡＧの活性度を低下させる。
参考に、「被エッチング層」は第１フォトレジストの下部に提供された層または物質を意味する。被エッチング層は絶縁膜、導電層または半導体基板自体になり得る。しかし、説明のために被エッチング層は第1フォトレジストパターンの下部と基板の上部に位置する層に記述されることがある。
【００１３】
半導体基板の上部に第２フォトレジストを塗布する。塗布された第２フォトレジストを露光及び現像して隣接した第１フォトレジストパターンなどの間に第２フォトレジストパターンを形成する。本発明の一実施形態によれば、第１フォトレジストパターンに対するブリーチング工程は第２フォトレジストパターンを形成するための露光及び現像工程時に第1フォトレジストパターンが除去される現象を防止する。
【００１４】
図１ａ〜図１ｅは、本発明に係わり形成された半導体素子の微細パターン形成方法を示した図である。所定の下部構造物を含む被エッチング層が備えられた半導体基板１１の上部にハードマスク層１３を形成する。ハードマスク層１３の上部に反射防止膜１５を形成する。反射防止膜１５の上部に第１フォトレジスト(図示省略)を塗布する。第１フォトレジストを第１露光マスク(図示省略)に露光及び現像し、フォトレジストパターン１７を形成する。本発明の一実施形態によると、第１露光マスクはライン／スペースパターンを備える。
【００１５】
図１ｂ及び図１ｃに示されているように、第１フォトレジストパターン１７を露光し、酸が発生した第１フォトレジストパターン１９を形成する。酸が発生した第１フォトレジストパターン１９にトリエチルアミン、ＨＭＤＳ(Hexa Methyl Di-Silane)、アンモニア、メチルアミン及びこれらの組合せでなる一群から選ばれた一つを用いた塩基性物質を利用したブリーチング工程を行って中和された第１フォトレジストパターン２１を形成する。本発明の一実施形態によると、第１フォトレジストパターン１７に対する露光工程は３０〜２００ｍＪ／ｃｍ2の露光エネルギーで行い、８０〜１２０ｍＪ／ｃｍ2の露光エネルギーで行うのがさらに好ましい。一方、露光エネルギーはフォトレジストの種類、フォトレジストに含まれた酸の濃度などにより当業者が適切に調整することができる。
【００１６】
本発明の他の実施形態によると、第１フォトレジストパターン１９に対するブリーチング工程は湿式方法で行う。湿式ブリーチング工程は酸が発生した第1フォトレジストパターン１９を含む半導体基板１１をブリーチング溶液に５０〜７０秒間浸漬させた後、その浸漬された半導体基板１１をスピン乾燥する。本発明のさらに他の実施形態によると、ブリーチング工程は乾式方法で行うこともできる。乾式ブリーチング工程は６０℃以下の温度でブリーチング物質を半導体基板１１上に噴射して行われる。ブリーチング工程で第１フォトレジストパターン１９は光に「鈍感」か化学的に反応しない第１フォトレジストパターン21に変換される。
【００１７】
図１ｄ及び図１ｅに示されているように、半導体基板１１と第１フォトレジストパターン２１の上部に第２フォトレジスト２３を塗布する。第２露光マスク(図示省略)で第２フォトレジスト２３を露光及び現像し、第１フォトレジストパターンなど２１の間に第２フォトレジストパターン２５を形成する。中和された第１フォトレジストパターン２１が露光工程で化学的に反応しないため、第１フォトレジストパターン２１は露光された第２フォトレジスト２３に対する現像工程時に現像されず、第２フォトレジストパターン２５の間に残り得る。
【００１８】
本発明の一実施形態によると、第２フォトレジスト２３は露光及び現像工程時にブリーチングされた第１フォトレジストパターン２１を溶解させない溶媒を含む。さらに、第２フォトレジスト２３は1-ブタノール(1-butanol)、2-ブタノール(2-butanol)、2-メチル-1-プロパノール(2-methyl-1-propanol)、1-ペンタノール(1-pentanol)、2-ペンタノール(2-pentanol)、3-ペンタノール(3-pentanol)、2-メチル-1-ブタノール(2-methyl-1-butanol)、3-メチル-1-ブタノール(3-methyl-1-butanol)、1,2-ジメチル-1-プロパノール(1,2-dimethyl-1-propanol)、1-ヘキサノール(1-hexanol)、2-ヘキサノール(2-hexanol)、3-ヘキサノール(3-hexanol)、2-メチル-ペンタノール(2-methyl-pentanol)、3-メチルペンタノール(3-methylpentanol)、4-メチルペンタノール(4-methylpentanol)、1,3-ジメチルブタノール(1,3-dimethylbutanol)、1,2-ジメチルブタノール(2-dimethylbutanol)、ヘプタノール(heptanol)、オクタノール(octanol)及びこれらの組合せでなる一群から選ばれた一つを含む。第２フォトレジスト２３は炭素数が４〜８(Ｃ4〜Ｃ8)であるアルコール類の溶媒を含む。
【００１９】
本発明の他の実施形態によると、第２露光マスクは中和された第１フォトレジストパターンなど２１の間に第２フォトレジストパターン２５を形成するように設計される。第２露光マスクは第１露光マスクを所定距離離隔させて用いることができる。そうでなければ、別途の露光マスクを作製することができる。さらに、第１フォトレジストパターン及び第２フォトレジストパターンのピッチはそれぞれ最小のピッチである。しかし、第１フォトレジストパターンと第２フォトレジストパターンとの間のピッチは最小のピッチより小さく、各フォトレジストパターンに対する最小のパターンの半分である。
【００２０】
本発明の他の実施形態に係る半導体素子の微細パターン形成方法は、図１ａ〜図１ｅに示された工程を少なくとも２回以上繰り返して行い、所定のピッチ内に少なくとも２つ以上のパターンを形成することができる。
【００２１】
なお、本発明について、好ましい実施の形態を基に説明したが、これらの実施の形態は、例を示すことを目的として開示したものであり、当業者であれば、本発明に係る技術思想の範囲内で、多様な改良、変更、付加等が可能である。このような改良、変更なども、特許請求の範囲に記載した本発明の技術的範囲に属することは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１ａ】本発明の一実施形態に係る半導体素子の微細パターン形成方法を示した断面図である。
【図１ｂ】本発明の一実施形態に係る半導体素子の微細パターン形成方法を示した断面図である。
【図１ｃ】本発明の一実施形態に係る半導体素子の微細パターン形成方法を示した断面図である。
【図１ｄ】本発明の一実施形態に係る半導体素子の微細パターン形成方法を示した断面図である。
【図１ｅ】本発明の一実施形態に係る半導体素子の微細パターン形成方法を示した断面図である。
【符号の説明】
【００２３】
１１  半導体基板
１３  ハードマスク層
１５  反射防止膜
１７  第１フォトレジストパターン
１９  第１フォトレジストパターン
２１  第１フォトレジストパターン
２３  第２フォトレジスト
２５  第２フォトレジストパターン
【図１ａ】
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【図１ｂ】
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【図１ｃ】
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【図１ｄ】
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【図１ｅ】
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