(57)【要約】【課題】本発明は、反復的なベンディング動作にもプローブと支持基板間の電気的絶縁が破壊されないプローブ基板及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明のプローブ基板は、複数のビーム１５０、ビーム１５０の一端部分に形成されている接触体１６０を含むプローブ２００、プローブ２００を支持してプローブ２００が上下にベンディングできるベンディング空間Ａを有する支持基板１００を含み、支持基板１００の上部表面にはトレンチ酸化膜１１１が形成されている。本発明によるプローブ基板及びその製造方法はビーム１５０と支持基板１００の間の境界部にトレンチ酸化膜１１１を形成することによってビーム１５０の継続的でかつ反復的なベンディング動作によるビーム１５０と支持基板１００の境界部に集中する応力で境界部Ｂが損傷することを防止する。【選択図】図１Ｂ
2008064738.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１端部及び第２端部を有するビームと前記ビームの第１端部に形成されている接触体とを含むプローブと、
前記プローブの第２端部を支持して前記プローブの第１端部が上下にベンディングできるベンディング空間を有する支持基板と、
前記支持基板の上部表面に形成されているトレンチ酸化膜とを含み、
前記トレンチ酸化膜は少なくとも前記支持基板が前記プローブを支持する部分のうち前記ベンディング空間に隣接している部分に形成されているプローブ基板。
【請求項２】
前記ベンディング空間によって、前記ビームと前記支持基板の一部とが所定間隔に離隔される請求項１に記載のプローブ基板。
【請求項３】
前記ベンディング空間の側壁は傾いている請求項１または２に記載のプローブ基板。
【請求項４】
前記支持基板には貫通ホールが形成されており、前記貫通ホールは連結部材が充填している請求項１〜３のいずれか１項に記載のプローブ基板。
【請求項５】
前記トレンチ酸化膜は、前記支持基板の表面の複数の微細トレンチに形成された熱酸化膜である請求項１〜４のいずれか１項に記載のプローブ基板。
【請求項６】
前記ビームは、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、ロジウム（Ｒｈ）、金（Ａｕ）の中から選択されたいずれか一つの金属または前記一つの金属を主にする合金で構成される請求項１〜５のいずれか１項に記載のプローブ基板。
【請求項７】
前記支持基板のベンディング空間の表面以外の前記支持基板の表面に絶縁膜が形成されている請求項１〜６のいずれか１項に記載のプローブ基板。
【請求項８】
前記支持基板と前記ビームとの間には前記絶縁膜が形成されており、前記支持基板に形成された貫通ホールに充填した連結部材と前記ビームとは互いに接触している請求項７に記載のプローブ基板。
【請求項９】
前記トレンチ酸化膜の長さ方向は、前記ビームの長さ方向と垂直である請求項１〜８のいずれか１項に記載のプローブ基板。
【請求項１０】
前記支持基板に形成された貫通ホールに充填した連結部材の周辺には補助トレンチ酸化膜が形成されている請求項１〜９のいずれか１項に記載のプローブ基板。
【請求項１１】
前記補助トレンチ酸化膜の長さ方向は、前記トレンチ酸化膜の長さ方向と垂直である請求項１０に記載のプローブ基板。
【請求項１２】
支持基板に複数の微細トレンチを形成するステップと、
前記微細トレンチの内部を熱酸化膜で充填してトレンチ酸化膜を形成するステップと、
前記支持基板に複数の貫通ホールを形成するステップと、
前記支持基板の全体表面に絶縁膜を形成するステップと、
前記貫通ホールの内部に連結部材を形成するステップと、
前記支持基板の上に形成された絶縁膜の上に複数のビームを形成するステップと、
前記ビームの一端部分の上に接触体を形成するステップと、
前記ビームの下部分に位置する支持基板の一部をエッチングして、前記ビームの前記接触体が形成されている端部が空中に浮かんでいるようにベンディング空間を形成するステップとを含み、
前記トレンチ酸化膜を形成するステップにおいては、前記トレンチ酸化膜を、少なくとも前記支持基板が前記ビームを支持する部分のうち前記ベンディング空間に隣接する部分に位置させるプローブ基板の製造方法。
【請求項１３】
前記複数のビームを形成するステップは、
前記支持基板の上に形成された絶縁膜をパターニングして前記ベンディング空間に対応する支持基板の一部を露出するステップと、
前記露出された支持基板の上に犠牲金属膜を形成するステップと、
前記犠牲金属膜及び前記絶縁膜の上にシード層を形成するステップと、
前記シード層の上に第１感光膜パターンを形成して前記シード層の一部を露出するステップと、
電気メッキ法を利用して第１感光膜パターンによって露出された部分を金属で充填して複数のビームを形成するステップとを含む請求項１２に記載のプローブ基板の製造方法。
【請求項１４】
前記第１感光膜パターンは、横方向に長い棒形状のパターンが複数整列されている形状である請求項１３に記載のプローブ基板の製造方法。
【請求項１５】
前記第１感光膜パターンの長い棒状の一方端部は、前記連結部材と対応する請求項１４に記載のプローブ基板の製造方法。
【請求項１６】
パターニングされた前記絶縁膜は、前記トレンチ酸化膜及び前記連結部材を覆う請求項１３〜１５のいずれか１項に記載のプローブ基板の製造方法。
【請求項１７】
前記犠牲金属膜は、前記トレンチ酸化膜を覆わない請求項１３〜１６のいずれか１項に記載のプローブ基板の製造方法。
【請求項１８】
前記貫通ホールの周辺に補助トレンチ酸化膜を形成するステップをさらに含む請求項１２〜１７のいずれか１項に記載のプローブ基板の製造方法。
【請求項１９】
前記補助トレンチ酸化膜の長さ方向は前記トレンチ酸化膜の長さ方向と垂直である請求項１８に記載のプローブ基板の製造方法。
【請求項２０】
前記支持基板の一部をエッチングしてベンディング空間を形成するステップは、
前記犠牲金属膜をエッチングして前記ビームと前記支持基板の間に空間を形成するステップと、
前記空間を通して露出された支持基板をエッチングしてベンディング空間を形成するステップとを含む請求項１３〜１７のいずれか１項に記載のプローブ基板の製造方法。
【請求項２１】
前記接触体は電気メッキ法を利用して前記ビーム上に形成する請求項１２〜２０のいずれか１項に記載のプローブ基板の製造方法。
【請求項２２】
前記ビームは、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、ロジウム（Ｒｈ）、金（Ａｕ）の中から選択されたいずれか一つの金属または前記一つの金属を主な要素とする合金で形成する請求項１２〜２１のいずれか１項に記載のプローブ基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はプローブ基板及びその製造方法に関し、半導体ウェハー上に形成された半導体集積回路装置などの異常有無を電気的にテストするプローブを含むプローブ基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に半導体集積回路装置等は一連の半導体製造工程などを経て製造されるが、その製造過程中または製造完了後に、電気的検査を経て良品と不良品を選別する。このような電気的検査過程には外部から各種電気的信号を伝達し半導体集積回路での応答信号を検出して分析する検査装備が用いられ、検査装備と半導体集積回路を電気的に連結させるためにはプローブ（探針）が必要となる。これと類似する検査過程が液晶表示装置（ＬＣＤ）などのような平板ディスプレイなどの製造過程中または製造完了後にも施行されて、ここにも検査装備と素子間の電気的連結を担当するプローブが必要となる。
【０００３】
このようなプローブが弾性を有するためにプローブを支持する支持基板の一部をエッチングしてベンディング（曲げ変形）空間を形成する。この時、プローブと支持基板との間には電気的絶縁のために酸化膜が形成される。しかし、プローブの反復的なベンディング動作によってプローブと支持基板間の境界部に応力が集中するため、強度が弱い酸化膜の一部は破損しやすくなる。この場合、プローブと支持基板間の電気的絶縁が破壊されて電気漏れ（絶縁劣化）が発生する。これはプローブ基板の不良原因となって、プローブ基板の検査品質を低下させる原因となる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の技術的課題は、反復的なベンディング動作にもプローブと支持基板間の電気的絶縁が破壊されないプローブ基板及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明のプローブ基板の特徴構成は、第１端部及び第２端部を有するビームと前記ビームの第１端部に形成されている接触体とを含むプローブと、前記プローブの第２端部を支持して前記プローブの第１端部が上下にベンディングできるベンディング空間を有する支持基板と、前記支持基板の上部表面に形成されているトレンチ酸化膜とを含み、前記トレンチ酸化膜は少なくとも前記支持基板が前記プローブを支持する部分のうちの前記ベンディング空間に隣接している部分に形成されている点にある。
【０００６】
前記ベンディング空間によって前記ビームと前記支持基板の一部とが所定間隔離隔されることが望ましい。
前記ベンディング空間の側壁は傾いていることが望ましい。
前記支持基板には貫通ホールが形成されており、前記貫通ホールは連結部材が充填していることが望ましい。
前記トレンチ酸化膜は前記支持基板の表面の複数の微細トレンチに形成された熱酸化膜であることが望ましい。
前記ビームはニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、ロジウム（Ｒｈ）、金（Ａｕ）の中から選択されたいずれか一つの金属または前記一つの金属を主にする合金で構成されることが望ましい。
【０００７】
前記支持基板のベンディング空間の表面以外の前記支持基板の表面には絶縁膜が形成されていることが望ましい。
前記支持基板と前記ビームとの間には前記絶縁膜が形成されており、前記連結部材と前記ビームとは互いに接触していることが望ましい。
前記トレンチ酸化膜の長さ方向は前記ビームの長さ方向と垂直であるのが望ましい。
前記連結部材の周辺には補助トレンチ酸化膜が形成されており、前記補助トレンチ酸化膜の長さ方向は前記トレンチ酸化膜の長さ方向と垂直になるのが望ましい。
【０００８】
本発明のプローブ基板の製造方法の特徴手段は、支持基板に複数の微細トレンチを形成するステップと、前記微細トレンチの内部を熱酸化膜で満たしてトレンチ酸化膜を形成するステップと、前記支持基板に複数の貫通ホールを形成するステップと、前記支持基板の全体表面に絶縁膜を形成するステップと、前記貫通ホールの内部に連結部材を形成するステップと、前記支持基板の上に形成された絶縁膜の上に複数のビームを形成するステップと、前記ビームの一端部分の上に接触体を形成するステップと、前記ビームの下部分に位置する支持基板の一部をエッチングしてベンディング空間を形成するステップとを含み、前記トレンチ酸化膜を形成するステップにおいては、前記トレンチ酸化膜を、少なくとも前記支持基板が前記ビームを支持する部分のうち前記ベンディング空間に隣接する部分に位置させる点にある。
【０００９】
前記複数のビームを形成するステップは、前記支持基板の上に形成された絶縁膜をパターニングして前記ベンディング空間に対応する支持基板の一部を露出するステップと、前記露出された支持基板の上に犠牲金属膜を形成するステップと、前記犠牲金属膜及び前記絶縁膜の上にシード層を形成するステップと、前記シード層の上に第１感光膜パターンを形成して前記シード層の一部を露出するステップと、電気メッキ法を利用して第１感光膜パターンによって露出された部分を金属で充填して複数のビームを形成するステップとを含むことが望ましい。
【００１０】
前記第１感光膜パターンは横方向に長い棒形状のパターンが複数整列されている形状であることが望ましい。
前記第１感光膜パターンの長い棒形状の一方端部は前記連結部材と対応することが望ましい。
パターニングされた前記絶縁膜は前記トレンチ酸化膜及び前記連結部材を覆うことが望ましい。
前記犠牲金属膜は前記トレンチ酸化膜を覆わないことが望ましい。
前記貫通ホールの周辺に補助トレンチ酸化膜を形成するステップをさらに含み、前記補助トレンチ酸化膜の長さ方向は前記トレンチ酸化膜の長さ方向と垂直であることが望ましい。
【００１１】
前記支持基板の一部をエッチングしてベンディング空間を形成するステップは、前記犠牲金属膜をエッチングして前記ビームと前記支持基板の間に空間を形成するステップと、前記空間を通して露出された支持基板をエッチングしてベンディング空間を形成するステップとを含むことが望ましい。
【００１２】
前記接触体は電気メッキ法を利用して前記ビームの上に形成することが望ましい。
前記ビームはニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、ロジウム（Ｒｈ）、金（Ａｕ）の中から選択されたいずれか一つの金属または前記一つの金属を主な要素とする合金で形成することが望ましい。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によると、ビームと支持基板との間の境界部にトレンチ酸化膜を形成することによって、ビームの継続的で反復的な曲がる動作によるビームと支持基板との境界部に集中する応力で境界部が損傷することを防止できる。
従って、ビームと支持基板との間の電気的絶縁性を維持するようにして電気漏れを防止し、プローブ基板の品質向上及び検査不良に対する安定性を確保できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施できるように本発明の実施形態について添付図を参照して詳細に説明する。しかし、本発明は多様な形態に実現できてここで説明する実施形態に限定されない。
図面から多様な層及び領域を明確に表現するために厚さを拡大して示した。明細書全体にわたって類似する部分については同一図面符号を付けた。
【００１５】
本発明の実施形態によるプローブ基板及びその製造方法について図面を参照して詳細に説明する。
図１Ａは本発明の実施形態によるプローブ基板の平面図であり、図１Ｂは図１ＡのＩｂ−Ｉｂを切断して示した断面図である。
【００１６】
図１Ａ及び図１Ｂに示したように、本発明の実施形態によるプローブ基板は支持基板１００、支持基板１００上に形成されているプローブ２００を含む。支持基板１００は単結晶シリコンウェハーであるのが好ましく、支持基板１００の表面一部には絶縁膜１２０が形成されている。
【００１７】
支持基板１００の上部表面近くにはトレンチ酸化膜１１１が形成されており、トレンチ酸化膜１１１と所定間隔離隔した位置には貫通ホール１０３が形成されてその内部に連結部材１３０が充填している。トレンチ酸化膜１１１は熱酸化膜で形成されており、電気的絶縁性及び硬度が非常に優れている。
【００１８】
プローブ２００は支持基板１００の連結部材１３０と電気的に連結されるビーム（棒状体）１５０、及びビーム１５０の一端部分に形成されていて、ビーム１５０の支持基板１００の表面と垂直な方向に付着されている接触体１６０を含む。ビーム１５０はニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、ロジウム（Ｒｈ）、金（Ａｕ）の中から選択されたいずれか一つの金属または前記一つの金属を主にする合金で構成される。このようなプローブ２００は微細接触が可能であって、繰り返される接触過程にも汚染物質が積層されないように接触体１６０の端部は丸味をつけられている。このような接触体１６０は電気的検査過程で検査装備であるプローブ基板と半導体集積回路などを電気的に連結させる。
【００１９】
そして、ビーム１５０の下側に位置する支持基板１００の一部は除去されてビーム１５０が上下にベンディングできるベンディング空間（Ａ）が形成される。このようなベンディング空間（Ａ）によってビーム１５０と支持基板１００の一部が所定間隔離隔してベンディング空間（Ａ）でビーム１５０が弾性を有して上下に微細に動くようになる。この時、ベンディング空間（Ａ）の側壁１０６は傾いて、側壁１０６の上端（上段）部はビーム１５０と接触していてベンディング空間（Ａ）の側壁１０６とビーム１５０は所定角度（θ）をなしている。
【００２０】
トレンチ酸化膜１１１はビーム１５０とベンディング空間（Ａ）の側壁１０６の境界部であるビーム１５０と支持基板１００間の境界部（Ｂ）に位置している。つまり、ベンディング空間（Ａ）の側壁１０６と隣接した位置にトレンチ酸化膜１１１が形成されている。従って、トレンチ酸化膜１１１はビーム１５０の継続的な曲げ動作によってビーム１５０と支持基板１００の境界部（Ｂ）に集中する応力で境界部（Ｂ）が損傷されることを防止し、ビーム１５０と支持基板１００間の電気的絶縁性を維持するようにして電気漏れを防止する。
【００２１】
図１Ａに示したように、このようなトレンチ酸化膜１１１はビーム１５０の長さ方向（Ｘ方向）に比べ、垂直方向（Ｙ方向）に長く伸びている。そして、連結部材１３０の周辺には補助トレンチ酸化膜１１２が形成されており、補助トレンチ酸化膜１１２はトレンチ酸化膜１１１の長さ方向（Ｙ方向）に比べ、垂直方向（Ｘ方向）に長く伸びている。補助トレンチ酸化膜１１２はトレンチ酸化膜１１１によって支持基板１００がＹ方向に連結部材１３０が損傷されることを防止するためにＸ方向に長く形成されている。
【００２２】
ベンディング空間（Ａ）の表面には絶縁膜１２０が形成されていない。絶縁のために支持基板１００とビーム１５０の間には絶縁膜１２０が形成されており、連結部材１３０とビーム１５０は互いに接触している。
【００２３】
ビーム１５０の他側端部分は連結部材１３０を通して支持基板１００下に形成されている回路部１７０と連結されている。回路部１７０下にはソルダレジスト（半田付着阻止層）１８１及びソルダパッド（下地半田層）１８２が形成されている。そして、ソルダパッド１８２にはソルダボール（半田球）１８３が付着されている。
【００２４】
図２乃至図１８には本発明の一実施形態によるプローブ基板の製造方法を順に示した。
図２Ａは本発明の一実施形態によるプローブ基板の製造方法における第一ステップの平面図であり、図２Ｂは図２ＡのＩＩｂ−ＩＩｂを切断して示した断面図である。図３は図２Ｂの次のステップの断面図である。図４Ａは図３の次のステップの平面図であり、図４Ｂは図４ＡのＩＶｂ−ＩＶｂを切断して示した断面図である。図５は図４Ｂの次のステップの断面図である。図６Ａは図５の次のステップの平面図であり、図６Ｂは図６ＡのＶＩｂ−ＶＩｂを切断して示した断面図である。図７乃至図１１は図６Ｂの次のステップの断面図を順に示した図面である。図１２Ａは図１１の次のステップの平面図であり、図１２Ｂは図１２ＡのＸＩＩｂ−ＸＩＩｂを切断して示した断面図である。図１３Ａは図１２Ａの次のステップの平面図であり、図１３Ｂは図１３ＡのＸＩＩＩｂ−ＸＩＩＩｂを切断して示した断面図である。図１４乃至図１８は図１３Ｂの次のステップの断面図を順に示した図面である。
【００２５】
まず、図２Ａ及び図２Ｂに示したように、支持基板１００上に感光膜を形成し、感光膜を露光及び現像して第１感光膜パターン１を形成する。このような感光膜はポジティブ感光膜（ｐｏｓｉｔｉｖｅｒｅｓｉｓｔ:光を受けた部分が現像されてなくなる感光膜）またはネガティブ感光膜（感光部分が硬化して、現象後も残るようになる感光膜）が全て形成可能である。そして、第１感光膜パターン１をエッチングマスクとして乾式エッチング法、例えばオゾンプラズマ等を使用する反応イオンエッチング法（ＲＩＥ）で支持基板１００の表面に複数の微細トレンチ１０１及び補助微細トレンチ１０２を形成する。このような微細トレンチ１０１は３０μｍ以上５０μｍ以下の深さで形成するのが望ましい。微細トレンチ１０１の深さが３０μｍ未満であればビームと支持基板間の境界部に硬度向上の効果がなく、５０μｍ超過であれば後続酸化膜形成工程による体積膨脹によって支持基板に変形が生じて支持基板表面の平坦度が低下して支持基板が破壊される場合もある。図２Ａに示したように、微細トレンチ１０１はＹ方向に長く伸びるように形成して、補助微細トレンチ１０２はＸ方向に長く伸びるように形成する。
【００２６】
次に、図３に示したように、第１感光膜パターン１を除去して、乾式エッチング工程中に発生したエッチング用ガス（Ｃ４Ｆ８）によって形成されるポリマー及び乾式エッチング工程他その他の状況において発生する微細なパーティクルを除去するために支持基板１００を洗浄する。このためにプラズマ及び洗浄薬品を使用する。
【００２７】
次に、図４Ａ及び図４Ｂに示したように、支持基板１００上の、微細トレンチ１０１内部及び補助微細トレンチ１０２内部に熱酸化膜（ＳｉＯ２）１１０、１１１、１１２を形成する。このような熱酸化膜１１０、１１１、１１２は１、１００℃以上の高温及び高清浄度のガス（ＰＮ２）と水分条件で、支持基板１００の構成成分であるシリコン（Ｓｉ）が酸化されてシリコン体積の約１．４倍程度膨脹して形成される。特に、微細トレンチ１０１内部表面に形成される熱酸化膜１１１は微細トレンチ１０１内部を充填する。このように、微細トレンチ１０１内部に充填した熱酸化膜、つまり、トレンチ酸化膜１１１は電気的絶縁性及び硬度が非常に優れている。従って、トレンチ酸化膜１１１をビーム１５０と支持基板１００の境界部（Ｂ）に位置するようにしてビーム１５０の継続的な曲がる動作によってビーム１５０と支持基板１００の境界部（Ｂ）に集中する応力で境界部（Ｂ）が損傷されることを防止して、ビーム１５０と支持基板１００間の電気的絶縁性を維持するようにして電気漏れを防止する。このようなトレンチ酸化膜１１１はＹ方向に長く伸びるように形成する。
【００２８】
そして、貫通ホール１０３の上部外周には、首輪状の補助微細トレンチが掘られて、その内部表面に形成される熱酸化膜１１２を補助微細トレンチ内部に充填する。このように、補助微細トレンチ内部に充填した熱酸化膜、つまり、補助トレンチ酸化膜１１２はＹ方向に長く形成されたトレンチ酸化膜１１１によって支持基板１００が曲がることを防止するためにトレンチ酸化膜１１１の長さ方向（Ｙ方向）と垂直であるＸ方向に長く形成する。
【００２９】
次に、図５に示したように、支持基板１００の表面を研磨してトレンチ酸化膜１１１及び補助トレンチ酸化膜１１２を除いた他の熱酸化膜１１０を除去して支持基板１００の表面を平坦化させる。つまり、熱酸化膜形成工程時トレンチ酸化膜１１１及び補助トレンチ酸化膜１１２の上部は膨張して突出されているので、これを研磨して平坦化させる。
【００３０】
次に、図６Ａ及び図６Ｂに示したように、支持基板１００上にエッチングマスクを形成し、これを利用して支持基板１００をエッチングして支持基板１００の所定位置に複数の貫通ホール１０３を形成する。貫通ホール１０３はトレンチ酸化膜１１１と所定間隔離隔して形成して、補助トレンチ酸化膜１１２により囲まれた位置に形成する。補助トレンチ酸化膜１１２はトレンチ酸化膜１１１によって貫通ホール１０３が変形することを防止する役割を果たす。この場合、エッチング用マスクとしてはＡｌ、Ｃｒなどの金属膜を使用したり、窒化シリコン膜または酸化シリコン膜のようなシリコン化合物を使用することもできれば、感光膜だけを使用することもできる。そして、熱酸化工程または化学気相蒸着工程を進行して支持基板１００の全体表面に酸化シリコン膜や窒化シリコン膜などの絶縁膜１２０を形成する。この時、貫通ホール１０３の内壁表面にも絶縁膜１２０が形成される。
【００３１】
次に、図７に示したように、電気的に連結することができる導電物質で貫通ホール１０３内部を充填して連結部材１３０を形成する。
【００３２】
次に、図８に示したように、絶縁膜１２０が形成された支持基板１００上に感光膜を形成し、感光膜を露光及び現像して第２感光膜パターン２を形成する。第２感光膜パターン２はトレンチ酸化膜１１１、補助トレンチ酸化膜１１２及び連結部材１３０を覆っており、ベンディング空間（Ａ）に対応する部分は覆っていない。従って、第２感光膜パターン２によって覆われない部分には絶縁膜１２０が露出される。
【００３３】
次に、図９に示したように、第２感光膜パターン２をエッチングマスクとして露出された絶縁膜１２０をエッチングして支持基板１００の一部を露出する。
【００３４】
次に、図１０に示したように、第２感光膜パターン２を除去して、露出された支持基板１００及び絶縁膜１２０上にアルミニウムなどの金属で犠牲金属膜１３５を形成する。そして、犠牲金属膜１３５上に第３感光膜パターン３を形成する。第３感光膜パターン３は第２感光膜パターン２が形成された位置以外に形成される。つまり、第３感光膜パターン３はトレンチ酸化膜１１１、補助トレンチ酸化膜１１２及び連結部材１３０を覆わないし、第３感光膜パターン３によって覆われない部分には犠牲金属膜１３５が露出される。
【００３５】
次に、図１１に示したように、第３感光膜パターン３をエッチングマスクとして露出された犠牲金属膜１３５をエッチングする。従って、犠牲金属膜１３５はトレンチ酸化膜１１１、補助トレンチ酸化膜１１２及び連結部材１３０を覆わない。
【００３６】
次に、図１２Ａ及び１２Ｂに示したように、第３感光膜パターン３を除去して、露出された犠牲金属膜１３５及び絶縁膜１２０上にシード層（ｓｅｅｄｌａｙｅｒ）１４０を形成する。シード層１４０はウェット層及び電導層の二重層で形成するのが望ましい。この時、上部層は電導層としてニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、ロジウム（Ｒｈ）、金（Ａｕ）の中から選択されたいずれか一つの金属または前記一つの金属を主な要素とする合金で形成することが好ましく、下部層は電導層が支持基板１００上によく蒸着できるようにするウェット層としてチタン（Ｔｉ）などで形成することが望ましい。
【００３７】
次に、図１３Ａ及び図１３Ｂに示したように、シード層１４０上に感光膜を形成し、感光膜を露光及び現像して第４感光膜パターン４を形成する。第４感光膜パターン４の厚さは７０μｍ乃至１００μｍであるのが望ましい。図１３Ｂに示したように、第４感光膜パターン４は横方向に長い棒形状のパターンが複数整列されている形状であり、第４感光膜パターン４の長い棒形状の一方端部は連結部材１３０と対応する。このような第４感光膜パターン４によってシード層１４０が露出される。
【００３８】
次に、図１４に示したように、シード層１４０上に電気メッキ法を利用してシード層１４０と同じ金属（ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、ロジウム（Ｒｈ）、金（Ａｕ）の中から選択されたいずれか一つの金属または前記一つの金属を主にする合金）をメッキして第４感光膜パターン４によって露出された部分を充填して複数のビーム１５０を形成する。この場合、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）等は連想が優れており、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、ロジウム（Ｒｈ）は機械的性質が優れているので接触対象物質に合せて選択的に適用する。このように、金属でビームを形成することによってビームの強度を向上できる。そして、メッキ工程によって形成されたビーム１５０の不規則な上部面は不規則なので、ビーム１５０の上部面を研磨して平坦化させる。従って、均一な厚さのビーム１５０が形成される。
【００３９】
次に、図１５に示したように、第４感光膜パターン４及びビーム１５０上に第５感光膜パターン５を形成する。第５感光膜パターン５はビーム１５０の一端部分を露出する。
【００４０】
次に、図１６に示したように、ビーム１５０上に電気メッキ法を利用してシード層１４０と同じ金属をメッキすることによって第５感光膜パターン５によって露出された部分を充填して接触体１６０を形成する。そして、第４感光膜パターン４及び第５感光膜パターン５を除去してビーム１５０及びシード層１４０の一部を露出する。そして、接触体１６０の端部を研磨して丸くする。
【００４１】
次に、図１７に示したように、ビーム１５０をエッチングマスクとしてシード層１４０及び犠牲金属膜１３５をパターニングして犠牲金属膜１３５の側壁及び支持基板１００の一部を露出する。
【００４２】
次に、図１８に示したように、犠牲金属膜１３５をエッチングして支持基板１００とビーム１５０の間に空間（Ｃ）を形成する。
【００４３】
次に、図１に示したように、支持基板１００とビーム１５０の間の空間（Ｃ）を通して露出された支持基板１００をエッチングしてベンディング空間（Ａ）を形成する。この時、支持基板１００の一端部分からエッチングを進めてベンディング空間（Ａ）を形成し、トレンチ酸化膜１１１に隣接した部分までエッチングを進行する。そして、支持基板１００下に回路部１７０を形成して連結部材１３０と回路部１７０を連結させる。さらに、回路部１７０下にソルダレジスト１８１及びソルダパッド１８２を形成してソルダパッド１８２にソルダボール１８３を付着する。
【００４４】
以上で本発明の望ましい実施形態について詳細に説明したが、当該技術分野における通常の知識を有する者であれば、多様な変形及び均等物が実施可能である。従って、本発明の権利範囲はこれに限定されることなく、特許請求の範囲で定義している本発明の基本概念を利用した当業者の多様な変形及び改良形態も本発明の権利範囲に属する。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１Ａ】本発明の実施形態によるプローブ基板の平面図
【図１Ｂ】図１ＡのＩｂ−Ｉｂ断面図
【図２Ａ】本発明の実施形態によるプローブ基板の製造方法の第一ステップの平面図
【図２Ｂ】図２ＡのＩＩｂ−ＩＩｂ断面図
【図３】図２Ｂの次のステップの断面図
【図４Ａ】図３の次のステップの平面図
【図４Ｂ】図４ＡのＩＶｂ−ＩＶｂ断面図
【図５】図４Ｂの次のステップの断面図
【図６Ａ】図５の次のステップの平面図
【図６Ｂ】図６ＡのＶＩｂ−ＶＩｂ断面図
【図７】図６Ｂの次のステップの断面図
【図８】図７の次のステップの断面図
【図９】図８の次のステップの断面図
【図１０】図９の次のステップの断面図
【図１１】図１０の次のステップの断面図
【図１２Ａ】図１１の次のステップの平面図
【図１２Ｂ】図１２ＡのＸＩＩｂ−ＸＩＩｂ断面図
【図１３Ａ】図１２Ａの次のステップの平面図
【図１３Ｂ】図１３ＡのＸＩＩＩｂ−ＸＩＩＩｂ断面図
【図１４】図１３Ｂの次のステップの断面図
【図１５】図１４の次のステップの断面図
【図１６】図１５の次のステップの断面図
【図１７】図１６の次のステップの断面図
【図１８】図１７の次のステップの断面図
【符号の説明】
【００４６】
１００  支持基板
１０１，１０２  微細トレンチ
１０３  貫通ホール
１１１  トレンチ酸化膜
１２０  絶縁膜
１３０  連結部材
１４０  シード層
１５０  ビーム
１６０  接触体
１７０  回路部
１８３  ソルダボール
２００  プローブ
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２Ａ】
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【図１２Ｂ】
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【図１３Ａ】
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【図１３Ｂ】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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