(57)【要約】【課題】簡易な構成で、反射サイドビームの影響を排除して確実なトラッキング制御を行い得る光ピックアップを実現する。【解決手段】レーザダイオード１１のレーザ発光点２５を、レーザチップ２４の出射端面における一方の隅部にオフセット配置するとともに、当該レーザダイオード１１に入射する２本の反射サブビームＢｓの配列方向と、レーザチップ２４の厚さ方向とが所定のなす角θを有するように配置したことにより、反射サブビームＢｓの配列方向に対するレーザチップ２４の見かけ上のチップ厚さを、反射サイドビームＢｓの戻り間隔未満に削減して、レーザチップ２４の出射端面で反射サイドビームＢｓが再反射されて光ディスクに戻ることを防ぎ、再反射された反射サイドビームＢｓと出射サイドビームとが干渉してトラッキングエラー信号の信号品質が低下することを確実に防止できる。【選択図】図４
2008016155.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザダイオードと、
上記レーザダイオードから出射された出射ビームを回折させ、０次光でなる出射メインビームと、±１次光でなる２本の出射サブビームとを生成する回折素子と、
上記出射メインビーム及び２本の出射サブビームをそれぞれ集光して光ディスクの記録面に照射するとともに、当該集光された出射メインビーム及び２本の出射サブビームが当該記録面で反射されてなる反射メインビーム及び２本の反射サブビームを受光する対物レンズと
を具え、
上記レーザダイオードは、レーザ発光点がレーザチップの出射端面における一方の隅部にオフセット配置されているとともに、当該レーザダイオードに入射する上記２本の反射サブビームの配列方向と、上記レーザチップの厚さ方向とが所定のなす角を有するように配置されている
ことを特徴とする光ピックアップ。
【請求項２】
上記レーザチップを上記レーザダイオードのパッケージに取り付けるための取付手段における上記反射サブビームが入射する領域には、当該入射した反射サブビームがその入射方向に戻ることを防止するための戻り光防止手段が設けられている
ことを特徴とする請求項１に記載の光ピックアップ。
【請求項３】
レーザダイオードと、
上記レーザダイオードから出射された出射ビームを回折させ、０次光でなる出射メインビームと、±１次光でなる２本の出射サブビームとを生成する回折素子と、
上記出射メインビーム及び２本の出射サブビームをそれぞれ集光して光ディスクの記録面に照射するとともに、当該集光された出射メインビーム及び２本の出射サブビームが当該記録面で反射されてなる反射メインビーム及び２本の反射サブビームを受光する対物レンズと
を具え、
上記レーザダイオードは、レーザ発光点がレーザチップの出射端面における一方の隅部にオフセット配置されているとともに、当該レーザダイオードに入射する上記２本の反射サブビームの配列方向と、上記レーザチップの厚さ方向とが所定のなす角を有するように配置されている
ことを特徴とする光ディスク装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は光ピックアップ及び光ディスク装置に関し、３ビーム法を用いてトラッキング制御を行う光ピックアップに適用して好適なものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、光ディスク装置の光ピックアップにおいて、３ビーム法を用いたトラッキング制御が広く用いられている。かかる３ビーム法を用いた光ピックアップでは、レーザダイオードから出射されたレーザ光を回折格子によって回折させて０次光（メインビーム）、＋１次光及び−１次光（サイドビーム）の３本の光ビームを生成し、これらを対物レンズで集光して、光ディスクの記録面に所定間隔で照射する。
【０００３】
そしてこの光ピックアップでは、メインビーム及び２本のサイドビームが光ディスクの記録面で反射されてなる反射メインビーム及び２本の反射サイドビームの光量をそれぞれ受光素子で検出し、これらの光量差に基づいてトラッキングエラー信号を生成する。
【０００４】
ここで、上述した３ビーム法を用いた光ピックアップでは、光ディスクに対して照射されるメインビーム及びサイドビームの光路と、光ディスクで反射された反射メインビーム及び反射サイドビームの光路とをビームスプリッタによって分離するようになされているものの、反射サイドビームの一部は受光素子ではなくレーザダイオードに戻り、図５に示すように、反射サイドビームＢｓはレーザダイオード５０のレーザチップ５１に入射してしまう。
【０００５】
そして、レーザダイオード５０に戻った反射サイドビームＢｓは、レーザチップ５１の出射端面で反射され、メインビーム及びサイドビームと共に再び光ディスクに照射されてしまい、当該サイドビームと干渉を起こすことによってトラッキングエラー信号の品質が低下してしまうという問題があった。
【０００６】
このような反射サイドビームの影響によるトラッキングエラー信号の品質低下を回避するため、レーザチップの出射端面における反射サイドビームの戻り領域に対し、粗面加工や反射防止膜を付加したり、あるいは端面を斜めにカットしたりする等、種々の反射防止加工を施すことにより、当該出射端面に入射した反射サイドビームがその入射方向に戻ってサイドビームと干渉することを防止するようになされた光ピックアップが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特許第３１０８９７６号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上述した構成の光ピックアップでは、レーザチップの出射端面に対して反射防止加工を施すことにより、レーザダイオードの製造工程が煩雑になり、ひいては光ピックアップの製造工程が煩雑になってしまうという問題があった。
【０００８】
また、図５に示したレーザチップ５１のチップ厚ｔに比べて反射サイドビームＢｓの戻り間隔Ｐ’が広くなるように光ピックアップの光学系を設計することで（すなわちＰ’＞ｔ）、レーザチップ５１の出射端面に反射サイドビームＢｓが戻らないようにすることも考えられる。すなわち、光ディスク上におけるメインビームとサイドビームとのビーム間隔をＰ、対物レンズの焦点距離をＦo 、コリメータレンズの焦点距離をＦc 、往路光学系の倍率をＭ＝Ｆｏ／Ｆｃとすると、レーザチップ５１の出射端面における反射メインビームと反射サイドビームＢｓとのビーム間隔（すなわち、図５に示すレーザチップ５１の発光点５２と反射サイドビームＢｓとのビーム間隔）Ｐ’は、Ｐ’＝Ｐ／Ｍで与えられる。
【０００９】
従って、光ディスク上のビーム間隔Ｐが大きく、かつ往路倍率Ｍが小さくなるように光ピックアップの光学系を設計すれば、レーザチップ５１の出射端面におけるビーム間隔Ｐ’の値を大きくすることができる。
【００１０】
しかしながら、光ディスクが偏芯した場合におけるトラッキングエラー信号の振幅変動を小さくするには、光ディスク上のビーム間隔Ｐを大きくすることはできず、また、光ピックアップの光利用効率を高めてレーザパワーを有効に利用するには、往路倍率Ｍを大きくする必要があり、これらの要因によって、反射サイドビームＢｓの戻り間隔を広げ得ないという問題もあった。
【００１１】
本発明は以上の点を考慮してなされたもので、簡易な構成で、反射サイドビームの影響を排除して確実なトラッキング制御を行い得る光ピックアップ及び光ディスク装置を提案しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
かかる課題を解決するため本発明の光ピックアップにおいては、レーザダイオードと、当該レーザダイオードから出射された出射ビームを回折させ、０次光でなる出射メインビームと±１次光でなる２本の出射サブビームを生成する回折素子と、出射メインビーム及び２本の出射サブビームをそれぞれ集光して光ディスクの記録面に照射するとともに、当該集光された出射メインビーム及び２本の出射サブビームが当該記録面で反射されてなる反射メインビーム及び２本の反射サブビームを受光する対物レンズとを設け、レーザダイオードは、そのレーザ発光点をレーザチップの出射端面における一方の隅部にオフセット配置するとともに、当該レーザダイオードに入射する２本の反射サブビームの配列方向と、レーザチップの厚さ方向とが所定のなす角を有するように配置した。
【００１３】
このように発光点のオフセット配置及びレーザチップの回転配置を行うことにより、反射サブビームの配列方向に対するレーザチップの見かけ上のチップ厚さを、反射サイドビームの戻り間隔未満に削減して、レーザチップの出射端面で反射サイドビームが再反射されて光ディスクに戻ることを防ぎ、再反射された反射サイドビームと出射サイドビームとが干渉してトラッキングエラー信号の信号品質が低下することを確実に防止できる。
【００１４】
また、本発明の光ディスク装置においては、レーザダイオードと、当該レーザダイオードから出射された出射ビームを回折させ、０次光でなる出射メインビームと±１次光でなる２本の出射サブビームを生成する回折素子と、出射メインビーム及び２本の出射サブビームをそれぞれ集光して光ディスクの記録面に照射するとともに、当該集光された出射メインビーム及び２本の出射サブビームが当該記録面で反射されてなる反射メインビーム及び２本の反射サブビームを受光する対物レンズとを設け、レーザダイオードは、そのレーザ発光点をレーザチップの出射端面における一方の隅部にオフセット配置するとともに、当該レーザダイオードに入射する２本の反射サブビームの配列方向と、レーザチップの厚さ方向とが所定のなす角を有するように配置した。
【００１５】
このように発光点のオフセット配置及びレーザチップの回転配置を行うことにより、反射サブビームの配列方向に対するレーザチップの見かけ上のチップ厚さを、反射サイドビームの戻り間隔未満に削減して、レーザチップの出射端面で反射サイドビームが再反射されて光ディスクに戻ることを防ぎ、再反射された反射サイドビームと出射サイドビームとが干渉してトラッキングエラー信号の信号品質が低下することを確実に防止できる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、レーザダイオードの発光点を出射端面の隅部にオフセット配置するとともに、当該レーザダイオードに入射する２本の反射サブビームの配列方向と、レーザチップの厚さ方向とが所定のなす角を有するように当該レーザチップを回転配置したことにより、反射サブビームの配列方向に対するレーザチップの見かけ上のチップ厚さを、反射サイドビームの戻り間隔未満に削減して、レーザチップの出射端面で反射サイドビームが再反射されて光ディスクに戻ることを防ぎ、再反射された反射サイドビームと出射サイドビームとが干渉してトラッキングエラー信号の信号品質が低下することを確実に防止でき、かくして、簡易な構成で、反射サイドビームの影響を排除して確実なトラッキング制御を行い得る光ピックアップ及び光ディスク装置を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下図面について、本発明の一実施の形態を詳述する。
【実施例】
【００１８】
（１）光ディスク装置の全体構成
図１において、１は本発明を適用した光ディスク装置を示し、制御部２によって全体を統括制御するようになされている。そして光ディスク装置１は、光ディスク１００が装填された状態において図示しない外部機器からの再生指示等を受け付けると、当該制御部２から駆動部３及び信号処理部４を制御することにより、光ディスク１００に記録された情報を読み出すようになされている。
【００１９】
実際上、駆動部３は、制御部２の制御に基づき、スピンドルモータ５により光ディスク１００を所望の回転速度で回転させ、スレッドモータ６により光ピックアップ７を光ディスク１００の径方向であるトラッキング方向へ大きく移動させ、さらに２軸アクチュエータ８により対物レンズ９を光ディスク１００に対して近接又は離隔させる方向であるフォーカス方向及びトラッキング方向の２方向へそれぞれ細かく移動させる。
【００２０】
これと並行して信号処理部４は、光ピックアップ７により対物レンズ９から所定の出射ビームを光ディスク１００の所望トラックに対して照射させ、その反射光の検出結果を基に再生信号を生成し、制御部２を介してこの再生信号を図示しない外部機器へ送出させる。
【００２１】
すなわち光ピックアップ７は、装着された光ディスクの種別に応じた波長の出射ビームを対物レンズで集光し、当該光ディスク１００の記録層に焦点を合致させて照射するとともに、当該合焦記録層で反射された反射ビームを対物レンズ９で受光して光電変換し、各種検出信号を生成して信号処理部４に供給する。
【００２２】
駆動部３は、信号処理部４から供給されるフォーカスエラー信号やトラッキングエラー信号に基づいて２軸アクチュエータ８を駆動する。また信号処理部４は、光ピックアップ７から供給される再生信号に対して所定の信号処理を施した後、制御部２を介して外部に出力する。
【００２３】
（２）光ピックアップの構成
図２は光ピックアップ７の構成を示し、レーザダイオード１１から出射された出射ビームを回折素子１２によって回折させ、０次光でなるメインビーム及び±１次光でなる２本のサイドビームを生成し、これら計３本の光ビームをビームスプリッタ１３に入射させる。
【００２４】
ビームスプリッタ１３は、回折格子１２からの出射ビーム（メインビーム及び２本のサイドビーム）をその偏光方向に基づいて反射し、立上ミラー１４を介してコリメータレンズ１５に入射させる。コリメータレンズ１５は発散光でなるメインビーム及び２本のサイドビームをそれぞれ平行光に変換し、さらに対物レンズ９で集光して、メインビーム及び２本のサイドビームを光ディスクの記録面に所定間隔で照射する。
【００２５】
さらに光ピックアップ７は、メインビーム及び２本のサイドビームがそれぞれ光ディスクの記録面で反射されてなる反射ビーム（反射メインビーム及び２本の反射サイドビーム）を対物レンズ９で受光し、コリメータレンズ１５及び立上ミラー１４を介してビームスプリッタ１３に入射する。
【００２６】
ビームスプリッタ１３は、反射ビーム（反射メインビーム及び２本の反射サイドビーム）をその偏光方向に基づいて透過することによって出射ビームと反射ビームとを分離し、反射メインビーム及び２本の反射サイドビームのみを検出レンズ１６を介して受光素子１７に入射させる。そして受光素子１７は、受光した反射メインビーム及び２本の反射サイドビームの光量に基づいた検出信号を生成し、信号処理部４に供給する。
【００２７】
ここで、上述したようにビームスプリッタ１３は反射メインビーム及び２本の反射サイドビームを透過して受光素子１７に入射させるが、その際、反射メインビーム及び２本の反射サイドビームの一部は当該ビームスプリッタ１３で反射され、レーザダイオード１１側に戻ってしまう。
【００２８】
そして、反射サイドビームがレーザダイオード１１の出射端面に入射した場合、当該反射サイドビームが出射端面で再反射されて出射サイドビームとともに光ディスク１００に照射されてしまい、出射サイドビームと反射サイドビームとの干渉によってトラッキングエラー信号の品位が低下してしまう。
【００２９】
このため本発明の光ピックアップ７では、レーザダイオード１１内の素子を、当該レーザダイオード１１に入射する反射サイドビームに対して適切な位置に配置することにより、反射サイドビームの再反射を防止するようになされている。
【００３０】
すなわち図３（Ａ）及び図３（Ｂ）はレーザダイオード１１の内部構造を示し、一端が開口した例えば金属缶でなるパッケージ２１における底面の内側に、レーザ光の光軸に対して平行な取付面を有するベース２２が取り付けられているとともに、当該ベース２２の取付面には取付手段としてのサブマウント２３が取り付けられ、さらにサブマウント２３の表面にはレーザ光を出射するレーザチップ２４が取り付けられている。
【００３１】
図４（Ａ）に、レーザダイオード１１のサブマウント２３及びレーザチップ２４をレーザ光の出射方向から見た図を示す。図５に示した従来のレーザダイオード５０では、レーザチップ５１の幅方向中央に発光点５２が設けられていると共に、２つの反射サブビームＢｓの配列方向とサブマウント５３の取付面５３Ａとが直交するように配置されているのに対し、図４に示した本発明のレーザダイオード１１では、発光点２５をレーザチップ２４の出射端面の隅部にオフセットして設けると共に、当該発光点２５を中心としてサブマウント２３及びレーザチップ２４を一体に、角度θだけ回転させて配置した。言い換えれば、サブマウント２３の取付面２３Ａに対する垂線すなわちレーザチップ２４の厚み方向と、２つの反射サブビームＢｓの配列方向とが角度θをなすように光ピックアップ７を構成した。
【００３２】
このように、発光点２５をオフセット配置するとともにレーザチップ２４を反射サブビームＢｓの配列方向に対して回転させて配置したことにより、反射サブビームＢｓの配列方向に対するレーザチップ２４のチップ厚さｔ’を反射サイドビームＢｓの戻り間隔Ｐ’よりも小さくして（すなわちＰ’＞ｔ’）、レーザチップ２４の出射端面に反射サイドビームＢｓが入射することを防止でき、これにより、反射サイドビームＢｓがレーザチップ２４の出射端面で反射されて光ディスク１００に戻されることによるトラッキングエラー信号の品質低下を防止することができる。因みに、他方の反射サイドビームＢｓは依然としてサブマウント２３の端面に入射することになるが、これについてはサブマウント２３の端面を面取りするなどの種々の戻り光防止手段としての反射防止加工を施すことで、光ディスク１００への戻りを容易に防止することができる。
【００３３】
（３）動作及び効果
以上の構成において、この光ピックアップ７では、レーザダイオード１１の発光点２５をレーザチップ２４の出射端面の隅部にオフセットして設けると共に、当該発光点２５を中心として、レーザチップ２４を角度θだけ回転させて配置し、レーザチップ２４の厚み方向と、２つの反射サブビームＢｓの配列方向とが角度θをなすように構成した。
【００３４】
このように発光点２５のオフセット配置及びレーザチップ２４の回転配置を行うことにより、反射サブビームＢｓの配列方向に対するレーザチップ２４の見かけ上のチップ厚さｔ’を反射サイドビームＢｓの戻り間隔Ｐ’未満に削減して、レーザチップ２４の出射端面で反射サイドビームＢｓが再反射されて光ディスク１００に戻ることを防ぎ、再反射された反射サイドビームＢｓと出射サイドビームとが干渉してトラッキングエラー信号の信号品質が低下することを確実に防止できる。
【００３５】
（４）他の実施の形態
なお上述した実施の形態においては、光ディスク装置１の光ピックアップ７に本発明を適用した場合について述べたが、これに限らず、他の種々の構成の光ピックアップに本発明を適用しても良い。すなわち、光ピックアップ７は光ディスク装置１に組み込まれるもの以外でも良い。
【産業上の利用可能性】
【００３６】
本発明は、多層光ディスクを使用する光ディスク装置に広く適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】光ディスク装置の全体構成を示す略線図である。
【図２】光ピックアップの構成を示す略線図である。
【図３】本発明を適用したレーザダイオードの構成を示す略線図である。
【図４】本発明のレーザダイオードにおけるレーザチップと反射サイドビームの位置関係を示す略線図である。
【図５】従来のレーザダイオードにおけるレーザチップと反射サイドビームの位置関係を示す略線図である。
【符号の説明】
【００３８】
１……光ディスク装置、２……制御部、３……駆動部、４……信号処理部、５……スピンドルモータ、６……スレッドモータ、７……光ピックアップ、８……２軸アクチュエータ、９……対物レンズ、１１……レーザダイオード、１２……回折格子、１３……ビームスプリッタ、１４……立上ミラー、１５……コリメータレンズ、１６……検出レンズ、１７……受光素子、２１……パッケージ、２２……ベース、２３……サブマウント、２４、５１……レーザチップ、２５、５２……発光点。
【図１】
2008016155.tif 000003
【図２】
2008016155.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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