(57)【要約】【課題】溶剤から金属成分を除去して蒸気を発生させることにより、溶剤の汚染に起因する基板への悪影響を防止することができる蒸気発生装置を提供する。【解決手段】ヒータ４１の加熱により容器７５内のイソプロピルアルコールが蒸気にされ、供給口８７から外部に供給されるが、容器７５に貯留されたイソプロピルアルコールは循環配管４７を通ってフィルタ５１により金属成分が除去されている。したがって、イソプロピルアルコールに金属成分が含まれていても金属成分が除去されるので、金属成分が蒸気に含まれることを防止でき、イソプロピルアルコールの汚染に起因する基板Ｗへの悪影響を防止できる。【選択図】図２
2008032263.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
溶剤蒸気を発生させる蒸気発生装置において、
溶剤を貯留する容器と、
溶剤を加熱するために前記容器に付設された加熱手段と、
前記容器に形成され、発生された溶剤蒸気を外部に供給するための供給口と、
前記容器内から溶剤を排出するとともに、再び溶剤を前記容器に戻す循環配管と、
前記循環配管を流通する溶剤を濾過するためのフィルタと、
を備えていることを特徴とする蒸気発生装置。
【請求項２】
請求項１に記載の蒸気発生装置において、
前記容器は、ステンレス鋼板製であり、その内面に酸化不動態膜処理が施されていることを特徴とする蒸気発生装置。
【請求項３】
請求項１に記載の蒸気発生装置において、
前記容器は、ステンレス鋼板製であり、その内面にフッ素樹脂が被着されていることを特徴とする蒸気発生装置。
【請求項４】
請求項１に記載の蒸気発生装置において、
前記容器は、ステンレス鋼板製であり、その内面に高機能樹脂が被着されていることを特徴とする蒸気発生装置。
【請求項５】
請求項１から４のいずれかに記載の蒸気発生装置において、
前記容器は、溶剤の沸騰を抑制するための樹脂製の網を備えていることを特徴とする蒸気発生装置。
【請求項６】
請求項１から５のいずれかに記載の蒸気発生装置において、
前記容器は、溶剤が供給される供給管を備えているとともに、
前記供給管は、溶剤を濾過するフィルタを備えていることを特徴とする蒸気発生装置。
【請求項７】
溶剤蒸気により基板を乾燥する基板乾燥装置において、
基板を保持する保持機構と、
前記保持機構の周囲を囲うチャンバと、
前記チャンバ内に溶剤蒸気を供給する供給手段と、
溶剤蒸気を発生させる蒸気発生手段と、
前記溶剤蒸気発生手段で発生された溶剤蒸気を前記供給手段へ供給する供給管とを備え、
前記蒸気発生手段は、
溶剤を貯留する容器と、
溶剤を加熱するために前記容器に付設された加熱手段と、
前記容器に形成されるとともに前記供給管に接続され、前記容器内で発生された溶剤蒸気を前記供給管へ導くための供給口と、
前記容器内から溶剤を排出するとともに、再び溶剤を前記容器に戻す循環配管と、
前記循環配管を流通する溶剤を濾過するためのフィルタと、
を備えたことを特徴とする基板乾燥装置。
【請求項８】
請求項７に記載の基板乾燥装置において、
前記容器は、ステンレス鋼板製であり、その内面に酸化不動態膜処理が施されていることを特徴とする基板乾燥装置。
【請求項９】
請求項７に記載の基板乾燥装置において、
前記容器は、ステンレス鋼板製であり、その内面にフッ素樹脂が被着されていることを特徴とする基板乾燥装置。
【請求項１０】
請求項７に記載の基板乾燥装置において、
前記容器は、ステンレス鋼板製であり、その内面に高機能樹脂が被着されていることを特徴とする基板乾燥装置。
【請求項１１】
請求項７から１０のいずれかに記載の基板乾燥装置において、
前記容器は、溶剤の沸騰を抑制するための樹脂製の網を備えていることを特徴とする基板乾燥装置。
【請求項１２】
請求項７から１１のいずれかに記載の基板乾燥装置において、
前記容器は、溶剤が供給される供給管を備えているとともに、
前記供給管は、溶剤を濾過するフィルタを備えていることを特徴とする基板乾燥装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハや液晶表示装置用のガラス基板（以下、単に基板と称する）等の基板に対する乾燥用の溶剤蒸気を発生させる蒸気発生装置及びこれを備えた基板乾燥装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、この種の蒸気発生装置として、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）を貯留する貯留槽と、貯留槽に付設され、イソプロピルアルコールを加熱するヒータと、貯留槽内のイソプロピルアルコールの蒸気を、基板を処理するためのチャンバに導入する導入管とを備えたものがある（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特許第３５８５１９９号（図２及び図４）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。
すなわち、従来の装置は、イソプロピルアルコールを貯留槽に供給した際に金属成分が混入したり、貯留槽の内壁から金属成分がイソプロピルアルコール中に溶出したりして、貯留槽のイソプロピルアルコールが金属成分を含む場合がある。そのイソプロピルアルコールを蒸気にして供給するが、特に貯留槽内のイソプロピルアルコールが突沸すると、金属成分がイソプロピルアルコールの蒸気に混入したままチャンバまで導入されてしまい、基板が金属成分で汚染されることがあるという問題がある。
【０００４】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、溶剤から金属成分を除去して蒸気を発生させることにより、溶剤の汚染に起因する基板への悪影響を防止することができる蒸気発生装置及びこれを備えた基板乾燥装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、請求項１に記載の発明は、溶剤蒸気を発生させる蒸気発生装置において、溶剤を貯留する容器と、溶剤を加熱するために前記容器に付設された加熱手段と、前記容器に形成され、発生された溶剤蒸気を外部に供給するための供給口と、前記容器内から溶剤を排出するとともに、再び溶剤を前記容器に戻す循環配管と、前記循環配管を流通する溶剤を濾過するためのフィルタと、を備えていることを特徴とするものである。
【０００６】
［作用・効果］請求項1に記載の発明によれば、加熱手段の加熱により容器内の溶剤が蒸気にされ、供給口から外部に供給されるが、容器に貯留された溶剤は循環配管を通ってフィルタにより金属成分が除去されている。したがって、溶剤に含まれていたり、容器から溶出した金属成分があったりしても、循環配管に設けられたフィルタにより金属成分が除去されるので、金属成分が蒸気に含まれることを防止できる。その結果、溶剤の汚染に起因する基板への悪影響を防止することができる。
【０００７】
本発明において、前記容器は、ステンレス鋼板製であり、その内面に酸化不動態膜処理が施されていることが好ましい（請求項２）。ステンレス鋼板製の容器であっても、内面に酸化不動態膜処理を施すことにより、容器の内面から溶剤に金属成分が溶出することを防止できる。したがって、容器に溶剤が供給されてから金属成分が溶剤に混入するのを防止できる。
【０００８】
なお、上記の酸化不動態膜処理とは、ステンレス鋼板を電解研磨した後、高温酸化雰囲気下において強固な不動態膜を形成させることである（ＧＯＬＤＥＰ: ゴールデップ（登録商標）とも呼ばれる）。この処理を行うと、低溶出性、高温耐性、耐オゾン性、機械的強度を向上させることができる。
【０００９】
また、本発明において、前記容器は、ステンレス鋼板製であり、その内面にフッ素樹脂が被着されていることが好ましい（請求項３）。ステンレス鋼板製の容器であっても、内面にフッ素樹脂を被着することにより、容器の内面から溶剤に金属成分が溶出することを防止できる。したがって、容器に溶剤が供給されてから金属成分が溶剤に混入するのを防止できる。
【００１０】
ここでいうフッ素樹脂としては、例えば、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ポリクロロトリフルオロエチレン・エチレン共重合体（ＰＣＴＦＥ）、テトラフルオロエチレン・エチレン共重合体（ＥＴＦＥ）、ポリビニリデンフルオライド（ＰＶＤＦ）などが挙げられる。
【００１１】
また、本発明において、前記容器は、ステンレス鋼板製であり、その内面に高機能樹脂が被着されていることが好ましい（請求項４）。ステンレス鋼板製の容器であっても、内面に高機能樹脂（エンジニアリングプラスチックとも呼ばれる）を被着することにより、容器の内面から溶剤に金属成分が溶出することを防止できる。したがって、容器に溶剤が供給されてから金属成分が溶剤に混入するのを防止できる。
【００１２】
ここでいう高機能樹脂としては、例えば、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）などが挙げられる。
【００１３】
また、本発明において、前記容器は、溶剤の沸騰を抑制するための樹脂製の網を備えていることが好ましい（請求項５）。溶剤中の金属成分が完全に除去できなかったとしても、樹脂製の網により溶剤の突沸を抑制することができるので、溶剤蒸気に金属成分が混入したまま供給されるのを防止できる。また、沸騰石ではなく、樹脂製の網としたので、突沸を抑制しつつも不純物の混入を防止できる。
【００１４】
また、本発明において、前記容器は、溶剤が供給される供給管を備えているとともに、
前記供給管は、溶剤を濾過するフィルタを備えていることが好ましい（請求項６）。容器に溶剤を供給する際に、溶剤に含まれていた金属成分や不純物を供給管のフィルタにより除去することができるので、循環配管のフィルタへの負担を軽減することができる。
【００１５】
請求項７に記載の発明は、溶剤蒸気により基板を乾燥する基板乾燥装置において、基板を保持する保持機構と、前記保持機構の周囲を囲うチャンバと、前記チャンバ内に溶剤蒸気を供給する供給手段と、溶剤蒸気を発生させる蒸気発生手段と、前記溶剤蒸気発生手段で発生された溶剤蒸気を前記供給手段へ供給する供給管とを備え、前記蒸気発生手段は、溶剤を貯留する容器と、溶剤を加熱するために前記容器に付設された加熱手段と、前記容器に形成されるとともに前記供給管に接続され、前記容器内で発生された溶剤蒸気を前記供給管へ導くための供給口と、前記容器内から溶剤を排出するとともに、再び溶剤を前記容器に戻す循環配管と、前記循環配管を流通する溶剤を濾過するためのフィルタと、を備えたことを特徴とするものである。
【００１６】
［作用・効果］請求項７に記載の発明によれば、保持機構を囲うチャンバに溶剤蒸気を供給するが、その溶剤蒸気は蒸気発生手段によって発生されている。溶剤蒸気は、加熱手段の加熱により容器内の溶剤が蒸気にされ、供給口及び供給管を介してチャンバに供給されるが、容器に貯留された溶剤は循環配管を通ってフィルタにより金属成分が除去されている。したがって、溶剤に含まれていたり、容器から溶出した金属成分があったりしても、金属成分が除去されているので、金属成分が蒸気に含まれることを防止できる。その結果、溶剤の汚染に起因する基板への悪影響を防止することができ、清浄に基板を乾燥させることができる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明に係る蒸気発生装置によれば、加熱手段の加熱により容器内の溶剤が蒸気にされ、供給口から外部に供給されるが、容器に貯留された溶剤は循環配管を通ってフィルタにより金属成分が除去されている。したがって、溶剤に含まれていたり、容器から溶出した金属成分があったりしても、フィルタにより金属成分が除去されるので、金属成分が蒸気に含まれることを防止できる。その結果、溶剤の汚染に起因する基板への悪影響を防止できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、図面を参照して本発明の一実施例を説明する。
図１は、実施例に係る基板乾燥装置を備えた基板処理装置の概略構成を示すブロック図である。
【００１９】
この基板処理装置は、処理液を貯留する処理槽１を備えている。この処理槽１は、処理液を貯留し、起立姿勢とされた複数枚の基板Ｗを収容可能に構成されている。処理槽１の底部には、複数枚の基板Ｗが整列されている方向（紙面方向）に沿って長軸を有し、処理液を供給するための二本の供給・排気管７が配設されている。各供給・排気管７は、供給管１１と吸引管１３に分岐されている。供給管１１は、処理液供給源１５に連通接続されており、その流量が制御弁からなる処理液弁１７で制御される。吸引管１３は、真空時排気ポンプ１９に接続され、排気弁２１により開閉される。処理液供給源１５は、フッ化水素酸（ＨＦ）や、硫酸・過酸化水素水（Ｈ２ＳＯ４／Ｈ２Ｏ２）の混合液などの薬液や、純水などを処理液として供給する。
【００２０】
処理槽１は、その周囲がチャンバ２７で囲われている。チャンバ２７は、上部に開閉自在の上部カバー２９を備えている。起立姿勢で複数枚の基板Ｗを保持するリフタ３１は、チャンバ２７の上方にあたる「待機位置」と、処理槽１の内部にあたる「処理位置」と、処理槽１の上方であってチャンバ２７の内部にあたる「乾燥位置」とにわたって移動可能に構成されている。
【００２１】
なお、上述したリフタ３１が本発明における保持機構に相当する。
【００２２】
上部カバー２９の下方であってチャンバ２７の上部内壁には、溶剤ノズル３３と、不活性ガスノズル３４とが配設されている。溶剤ノズル３３には、供給管３５の一端側が連通接続されている。その他端側は、蒸気発生装置３７に連通接続されている。この供給管３５には、その上流側から順に、溶剤蒸気の流量を調整するための制御弁からなる蒸気弁３８と、溶剤蒸気の流量を検出する流量計３９と、溶剤蒸気を加熱するためのインラインヒータ４０とが配設されている。なお、供給管３５は、従来装置の供給管よりも大径（９．５２ｍｍ程度）で構成され、供給管３５の溶剤蒸気の流路抵抗を減らして供給が円滑に行われるようにされている。
【００２３】
なお、上述した溶剤ノズル３３が本発明における供給手段に相当する。
【００２４】
蒸気発生装置３７は、蒸気発生空間である内部空間を所定温度に温調したり、加熱して溶剤の蒸気を発生させたりするためのヒータ４１を備えており、内部空間に溶剤を供給するための溶剤供給源４３がフィルタ４５を介して連通接続されている。溶剤としては、例えば、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）が挙げられる。また、蒸気発生装置３７は、内部空間の溶剤を循環させる循環配管４７を備え、循環配管４７は、上流側から順にポンプ４９とフィルタ５１を備えている。フィルタ４５，５１は、溶剤に含まれていたり、供給時に混入したりした金属成分等の不純物を濾過する機能を備えている。
【００２５】
不活性ガスノズル３４には、供給管５３の一端側が連通接続されている。その他端側は、不活性ガスを供給する不活性ガス供給源５５に連通接続されている。不活性ガスとしては、例えば、窒素ガスが挙げられる。不活性ガスの供給量は、不活性ガス弁５７によって調整される。その下流側には、インラインヒータ５９が取り付けられており、不活性ガス供給源５５からの不活性ガスを所定温度に加熱して供給するようになっている。
【００２６】
チャンバ２７には、その内部が減圧下であっても液体を排出可能な真空時排水ポンプ６１が配設されている。また、チャンバ２７には、減圧状態を解消するための開閉弁からなる呼吸弁６３が取り付けられているとともに、内部圧力を検出するための圧力計６４が配設されている。
【００２７】
処理槽１の底部には、排出口６５が形成されている。この排出口６５には、ＱＤＲ弁６７が取り付けられている。このＱＤＲ弁６７から処理槽１内の処理液を排出すると、処理液がチャンバ２７内に一旦排出される。チャンバ２７の底部には、気液分離部６９に連通接続された排出管７１が取り付けられ、ここには排液弁７３が取り付けられている。気液分離部６９は、真空時排水ポンプ６１及び排出管７１から気体と液体を取り込むとともに、それらを分離して排出する。
【００２８】
上述した処理液弁１７、真空時排気ポンプ１９、排気弁２１、上部カバー２９、リフタ３１、蒸気発生装置３７、蒸気弁３８、インラインヒータ４０、ヒータ４１、ポンプ４９、不活性ガス弁５７、インラインヒータ５９、真空時排水ポンプ６１、呼吸弁６３、ＱＤＲ弁６７、排液弁７３などの動作は、制御部７４によって統括的に制御される。
【００２９】
次に、図２を参照して蒸気発生装置３７について詳細に説明する。なお、図２は、蒸気発生装置の切欠縦断面図である。
【００３０】
溶剤を貯留する容器７５は、例えば、ステンレス鋼板で形成されている。その内面は、酸化不動態膜処理が施されている。酸化不動態膜処理は、ステンレス鋼板を電解研磨した後、高温酸化雰囲気下において強固な不動態膜を形成させる処理をいう。この処理を行うと、低溶出性、高温耐性、耐オゾン性、機械的強度を向上できる。容器７５は、内部空間７７に一端側が連通し、他端側が溶剤供給源４３に連通接続された供給管７９を備えている。この供給管７９は、上述したフィルタ４５を備えている。容器７５の底面には、上述したヒータ４１が付設されている。また、容器７５内には、樹脂製の網８０が配設されている。樹脂としては、例えば、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）などが挙げられる。
【００３１】
容器７５が備えている上述した循環配管４７は、その一端部が容器７５の一側面底部に連通接続され、その他端部が容器７５の底部に連通接続されている。ポンプ４９が作動されると、内部空間７７内の溶剤がフィルタ５１を通して循環される。なお、樹脂製の網８０は、循環配管４７と後述する供給口８７、分配管９３との間に配置されている。
【００３２】
容器７５の上部には、ガス混合室８３が２つ配備されている。ガス混合室８３は、その内部に蒸気発生槽８５を備え、その上部をキャリアガスが流通するように、キャリアガス供給源から一端側にキャリアガスが供給される。このキャリアガスは、例えば、窒素ガス（Ｎ２）である。容器７５の一端面上部には、容器７５内で発生されたイソプロピルアルコールの蒸気を外部に供給するための供給口８７が形成されている。この供給口８７には、上述した供給管３５の他端側が連通接続されている。ガス混合室８３の他端側と供給管３５は、ガス導入管８９で連通接続されている。ガス混合室８３には、ポンプ９１で汲み上げられた、容器７５に貯留するイソプロピルアルコールが分配管９３を介して供給される。分配管９３から供給されたイソプロピルアルコールは、蒸気発生槽８５に供給されて蒸気化される。発生されたイソプロピルアルコールの蒸気は、キャリアガスと混合され、ガス導入管８９を通して供給管３５に送られる。そして、本発明の加熱手段に相当するヒータ４１の加熱（例えば、６０〜８０℃以上）により容器７５内で発生されたイソプロピルアルコールの蒸気と混合されて、溶剤ノズル３３へ供給されるようになっている。
【００３３】
なお、容器７５の溶剤中にキャリアガスを供給して、バブリングを行うようにしてもよい。これによりイソプロピルアルコールの蒸気化を効率的に行うことができる。
【００３４】
次に、図３を参照して、上述した構成の基板乾燥装置の動作について説明する。なお、図３は、処理毎に各部の動作状況を示す図である。
【００３５】
この図３中において、処理液弁１７等の弁の動作が開放または流量が調整されている箇所には「開放」と記してあるが、空白の部分は「閉止」を意味する。同様に、真空時排気ポンプ１９等のポンプが動作されている箇所には「ＯＮ」と記してあるが、空白の部分は「停止」を意味する。また、蒸気発生装置３７は、内部空間を所定温度に加熱してイソプロピルアルコールの蒸気を積極的に発生させている箇所には「沸騰」と記してあるが、空白の部分は、内部空間に、溶剤供給源４３からイソプロピルアルコールを液体の状態で供給され、ヒータ４１が作動されて、沸騰しない程度にイソプロピルアルコールの液体が温調された状態であって、沸騰しない程度の温度に設定する「温調」を意味する。また、蒸気発生装置３７に設けられているポンプ４９は、常時作動（「ＯＮ」）されているが、適宜に停止（「ＯＦＦ」）させるようにしてもよい。
【００３６】
制御部７４は、上部カバー２９を開放し、未処理の基板Ｗを複数枚保持しているリフタ３１を「待機位置」から「乾燥位置」に搬入させる（ステップＳ１）。このとき排液弁７３は開放のままである。次に、制御部７４は、チャンバ２７内の酸素濃度低減処理を行う（ステップＳ２）。具体的には、不活性ガス弁５７を開放し、不活性ガス供給源５５からチャンバ２７内に不活性ガスを供給させる。これにより、チャンバ２７及び処理槽１の内部にある空気が不活性ガスによってパージされ、その結果、酸素濃度が低減される。さらに、制御部７４は、リフタ３１を「乾燥位置」から「処理位置」にまで下降させる。
【００３７】
チャンバ２７内の酸素濃度が低減されると、制御部７４は、処理液弁１７を開放する（ステップＳ３）。これにより、処理液供給源１５から薬液が処理液として処理槽１に供給され、溢れた処理液がチャンバ２７の底部で回収される。回収された処理液は、排出管７１を通して気液分離部６９で回収され、図示しない廃液処理部に排出される。このようにして処理液が供給された後、制御部７４は、リフタ３１を「処理位置」に所定時間だけ維持して基板Ｗに対して処理液による処理を行う（ステップＳ３）。
【００３８】
薬液処理を開始して所定時間が経過すると、制御部７４は、リフタ３１を「処理位置」に維持させたまま、呼吸弁６３を開放するとともに、処理液供給源１５からの薬液に代えて純水を処理液として供給させる。そして、その状態を所定時間だけ維持して、基板Ｗを純水で洗浄処理する（ステップＳ４）。
【００３９】
純水洗浄が完了すると、制御部７４は、呼吸弁６３を閉止してチャンバ２７の内部を閉塞させるとともに、真空時排水ポンプ６１を作動させて、チャンバ２７底部に排出された処理液を排出してチャンバ２７内を低減圧状態にする（ステップＳ５）。
【００４０】
このとき、制御部７４が圧力計６４からの圧力値が一定となるように真空時排水ポンプ６１の排気圧力を調整するフィードバック制御を行うことがより好ましい。さらに、インラインヒータ４０を所定温度の加熱モードに設定するとともに、所定流量となるように調整した蒸気弁３８を開放する。これにより、蒸気発生装置３７で発生されたイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）の蒸気が、所定の温度に加熱された状態で供給管３５、溶剤ノズル３３を介してチャンバ２７内へ圧力差に応じて供給される。なお、このとき制御部７４は、流量計３９からの流量値（イソプロピルアルコールの蒸気流量）が所定値で一定となるように、蒸気弁３８の弁開度を微調整するフィードバック制御を行うことが好ましい。
【００４１】
上述したように、イソプロピルアルコールの蒸気をチャンバ２７内に供給し始めると、イソプロピルアルコールの蒸気がチャンバ２７の内部を満たすとともに、処理槽１に貯留されている純水の液面が次第にイソプロピルアルコールの蒸気により置換される（ステップＳ６）。その所定時間後、制御部７４は、リフタ３１を「処理位置」から「乾燥位置」へ上昇させる（ステップＳ７）。
【００４２】
制御部７４は、処理槽１に貯留している純水を急速排水させる（ステップＳ８）。具体的には、ＱＤＲ弁６７を開放して処理槽１内の純水をチャンバ２７に排出させる。そして、排気弁２１を開放するとともに真空時排気ポンプ１９を作動させて、供給・排気管７を介してチャンバ２７の内部をさらに減圧する。純水の急速排水が完了すると、制御部７４は、ＱＤＲ弁６７を閉止する（ステップＳ９）。これにより、「乾燥位置」にある基板Ｗの表面に付着している純水がイソプロピルアルコールの蒸気によって置換される。なお、減圧の際には、制御部７４が圧力計６４からの圧力値が一定となるように真空時排気ポンプ１９の排気圧力を調整するフィードバック制御を行うことが好ましい。
【００４３】
次に、制御部７４は、排気弁２１、蒸気弁３８、排液弁７３を閉止するとともに、真空時排気ポンプ１９を停止させる（ステップＳ１０）。この処理により、基板Ｗに対して高減圧乾燥を行う。
【００４４】
その後、真空時排水ポンプ６１を停止させるとともに、不活性ガス弁５７を開放して不活性ガスをチャンバ２７内に導入する（ステップＳ１１）。これによりチャンバ２７内の圧力が大気圧にまで回復される。
【００４５】
上記の気圧リカバリの後、制御部７４は、不活性ガス弁５７を閉止するとともに、上部カバー２９を開放するとともに、リフタ３１を「乾燥位置」から「待機位置」へと上昇させる（ステップＳ１２）。
【００４６】
その後、制御部７４は、処理液弁１７、排液弁７３、不活性ガス弁５７を開放する（ステップＳ１３）。これにより、次なる基板Ｗの処理のために、新たな処理液を処理槽１に供給させるとともに、チャンバ２７内を不活性ガスで充満させておく。
【００４７】
上述したように、本実施例装置に係る蒸気発生装置３７によると、ヒータ４１の加熱により容器７５内のイソプロピルアルコールが蒸気にされ、供給口８７から外部に供給されるが、容器７５に貯留されたイソプロピルアルコールは循環配管４７を通ってフィルタ５１により金属成分が除去されている。したがって、イソプロピルアルコールに含まれていたり、容器７５から溶出した金属成分があったりしても、金属成分が除去されるので、金属成分が蒸気に含まれることを防止できる。その結果、イソプロピルアルコールの汚染に起因する基板Ｗへの悪影響を防止することができる。また、容器７５は、樹脂製の網８０を備えているので、イソプロピルアルコール中の金属成分がフィルタ５１で完全に除去できなかったとしても、樹脂製の網８０によりイソプロピルアルコールの突沸を抑制することができる。したがって、イソプロピルアルコールの蒸気に金属成分が混入したまま供給されるのを防止できる。その上、沸騰石ではなく、樹脂製の網８０としたので、イソプロピルアルコールの突沸を抑制しつつも不純物の混入を防止できる。
【００４８】
また、本実施例装置に係る基板乾燥装置によると、上述した蒸気発生装置３７によって発生されたイソプロピルアルコールの蒸気で基板Ｗを処理するので、イソプロピルアルコールの汚染に起因する基板Ｗへの悪影響を防止でき、清浄に基板を乾燥させることができる。
【００４９】
本発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。
【００５０】
（１）上述した実施例における蒸気発生装置３７では、溶剤としてイソプロピルアルコールを例に採って説明しているが、これに代えて他の溶剤を用いる構成としてもよい。
【００５１】
（２）上述した実施例における蒸気発生装置３７では、容器７５の内面を酸化不動態膜処理しているが、これに代えて、その内面にフッ素樹脂を被着してもよい。このようにしても同様の作用効果を奏する。なお、フッ素樹脂としては、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ポリクロロトリフルオロエチレン・エチレン共重合体（ＰＣＴＦＥ）、テトラフルオロエチレン・エチレン共重合体（ＥＴＦＥ）、ポリビニリデンフルオライド（ＰＶＤＦ）などが例示される。
【００５２】
（３）また、蒸気発生装置３７の容器７５は、その内面に高機能樹脂を被着させるようにしてもよい。これによっても同様の作用効果を奏する。なお、高機能樹脂としては、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）などが例示される。
【００５３】
（４）上述した実施例に係る基板乾燥装置では、処理槽１の上部から溢れた処理液をチャンバ２７で回収する構成を採用しているが、処理槽１が内槽と外槽を備え、内槽から溢れた処理液を外槽で回収する構成を採用してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】実施例に係る基板乾燥装置を備えた基板処理装置の概略構成を示すブロック図である。
【図２】蒸気発生装置の切欠縦断面図である。
【図３】処理毎に各部の動作状況を示す図である。
【符号の説明】
【００５５】
Ｗ  …  基板
１  …  処理槽
７  …  供給・排気管
１９  …  真空時排気ポンプ
２１  …  排気弁
２７  …  チャンバ
３１  …  リフタ（保持機構）
３３  …  溶剤ノズル（供給手段）
３５  …  供給管
３７  …  蒸気発生装置
４１  …  ヒータ（加熱手段）
６１  …  真空時排気ポンプ６１（排気手段）
６３  …  呼吸弁
６７  …  ＱＤＲ弁
７４  …  制御部
７５  …  容器
７７  …  内部空間
７９  …  供給管
８０  …  樹脂製の網
８１  …  フィルタ
８７  …  供給口
９１  …  ポンプ
【図１】
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【図２】
2008032263.tif 000004
【図３】
2008032263.tif 000005