(57)【要約】      （修正有）【課題】被加工物に貼着された保護テープに帯電されている静電気を除去する機能を備えたプラズマエッチング装置を提供する。【解決手段】エッチング室２０ａに配設され被加工物を保持するチャックテーブル６１は内部の電極６２、６３に電圧を印加することによりクーロン力を生成する静電チャックテーブル６からなっている。チャックテーブル６１には上面に開口する複数の細孔６１ｂと連通路が形成されており、連通路に接続されチャックテーブル６１の上面に負圧を作用せしめる吸引手段７と、連通路に接続されチャックテーブル６１の上面に剥離ガスを供給せしめる剥離ガス供給手段８と、吸引手段７と剥離ガス供給手段８の連通路への連通を選択的に切り換える切り換え手段６８と、エッチング室２０ａに大気を導入する大気導入手段１６とを具備している。【選択図】図１
2008028021.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エッチング室を形成するとともに被加工物搬入搬出用開口を備えたハウジングと、該エッチング室に配設され上面に被加工物を保持するチャックテーブルを備えた下部電極ユニットと、該下部電極ユニットの該チャックテーブルと対向して配設され該チャックテーブルに向けてプラズマ発生用ガスを噴出する噴出口を有するガス噴出部を備えた上部電極ユニットと、該被加工物搬入搬出用開口を開閉するゲートと、該エッチング室を減圧する減圧手段とを具備し、該チャックテーブルが内部に電圧が印加されることにより電荷を発生する電極を備え該電極に電圧印加手段により電圧を印加することによりクーロン力を生成する静電チャックテーブルからなっている、プラズマエッチング装置において、
該チャックテーブルには、上面に開口する複数の細孔と、該細孔に連通する連通路が形成されており、
該連通路に接続され該連通路および該複数の細孔を介して該チャックテーブルの上面に負圧を作用せしめる吸引手段と、
該連通路に接続され該連通路および該複数の細孔を介して該チャックテーブルの上面に剥離ガスを供給せしめる剥離ガス供給手段と、
該吸引手段と該剥離ガス供給手段の該連通路への連通を選択的に切り換える切り換え手段と、
該エッチング室に大気を導入する大気導入手段と、を具備している、
ことを特徴とするプラズマエッチング装置。
【請求項２】
該剥離ガス供給手段は、ヘリウムガスを供給する、請求項１記載のプラズマエッチング装置。
【請求項３】
請求項１記載のプラズマエッチング装置を用いたプラズマエッチング方法であって、
該ゲートを開け、該エッチング室内に被加工物を搬入して該チャックテーブル上に載置し、該吸引手段を作動して該チャックテーブル上に被加工物を吸引保持する吸引保持工程と、
該ゲートを閉じ、該電圧印加手段を附勢して該静電チャックテーブルに電圧を印加しクーロン力を生成せしめることによりチャックテーブル上に被加工物を静電吸着保持する静電吸着保持工程と、
該減圧手段を作動して該エッチング室内を減圧し、該上部電極ユニットからプラズマ発生用ガスを噴出しつつ被加工物にプラズマエッチングを施すエッチング処理工程と、
該エッチング処理工程を実施した後、該減圧手段を作動し該エッチング室からプラズマ発生用ガスを排出するとともに、該大気導入手段を作動して該エッチング室内の圧力を所定の圧力に調整するエッチング室内圧力調整工程と、
該エッチング室内圧力調整工程を実施し該静電チャックテーブルへの電圧の印加を停止した後、該剥離ガス供給手段を作動して該チャックテーブル上の被加工物を浮上せしめることにより、被加工物に帯電している静電気を除去する除電工程と、
該除電工程を実施した後、該吸引手段を作動して該チャックテーブル上に被加工物を再度吸引保持する再吸引保持工程と、
該再吸引保持工程を実施した後、該ゲートを開けるとともに該吸引手段の作動を停止して被加工物の吸引保持を解除し、被加工物を該チャックテーブル上から搬出する搬出工程と、を含む、
ことを特徴とするプラズマエッチング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエーハ等のウエーハの裏面にプラズマエッチングを施しウエーハの裏面に生成された研削歪等を除去するためのプラズマエッチング装置およびプラズマエッチング方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に形成されたストリートと呼ばれる分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスを形成する。そして、半導体ウエーハを分割予定ラインに沿って切断することによりデバイスが形成された領域を分割して個々の半導体チップを製造している。なお、半導体ウエーハは個々のデバイスに分割される前にその裏面を研削装置によって研削して所定の厚さに形成されている。
【０００３】
しかるに、上述したようにウエーハの裏面を研削すると、ウエーハの裏面に研削歪が残存し、分割されたデバイスの抗折強度が低下するという問題がある。
このような問題を解消するために、ウエーハの裏面にプラズマエッチングを施すことによって、ウエーハの裏面に生成された研削歪を除去し、デバイスの抗折強度を向上させる技術が提案されており、プラズマエッチングを実施するプラズマエッチング装置が下記特許文献１に開示されている。
【特許文献１】特開２００６−７３５９２号公報
【０００４】
上述したプラズマエッチング装置は、プラズマ処理室を真空状態にしてプラズマエッチング処理を実施することから、被加工物を保持するチャックテーブルが被加工物を真空吸引保持する方式であると、被加工物をチャックテーブル上に確実に吸引保持することが困難である。従って、プラズマエッチング装置のチャックテーブルは、一般に静電気による吸着力を利用して被加工物を吸着保持する静電チャックテーブルが用いられている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
而して、ウエーハの表面には保護テープが貼着されており、この保護テープを介してウエーハを静電チャックテーブルに静電吸着すると、保護テープに静電気が帯電し、静電チャックテーブルの電極への通電をOFFしても静電チャックテーブルからウエーハを離脱できないという問題がある。
【０００６】
本発明は上記事実に鑑みてなされたもので、その主たる技術課題は、被加工物に貼着された保護テープに帯電されている静電気を除去する機能を備えたプラズマエッチング装置およびプラズマエッチング方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記主たる技術課題を解決するために、本発明によれば、エッチング室を形成するとともに被加工物搬入搬出用開口を備えたハウジングと、該エッチング室に配設され上面に被加工物を保持するチャックテーブルを備えた下部電極ユニットと、該下部電極ユニットの該チャックテーブルと対向して配設され該チャックテーブルに向けてプラズマ発生用ガスを噴出する噴出口を有するガス噴出部を備えた上部電極ユニットと、該被加工物搬入搬出用開口を開閉するゲートと、該エッチング室を減圧する減圧手段とを具備し、該チャックテーブルが内部に電圧が印加されることにより電荷を発生する電極を備え該電極に電圧印加手段により電圧を印加することによりクーロン力を生成する静電チャックテーブルからなっている、プラズマエッチング装置において、
該被加工物保持テーブルには、上面に開口する複数の細孔と、該細孔に連通する連通路が形成されており、
該連通路に接続され該連通路および該複数の細孔を介して該チャックテーブルの上面に負圧を作用せしめる吸引手段と、
該連通路に接続され該連通路および該複数の細孔を介して該チャックテーブルの上面に剥離ガスを供給せしめる剥離ガス供給手段と、
該吸引手段と該剥離ガス供給手段の該連通路への連通を選択的に切り換える切り換え手段と、
該エッチング室に大気を導入する大気導入手段と、を具備している、
ことを特徴とするプラズマエッチング装置が提供される。
【０００８】
上記剥離ガス供給手段は、ヘリウムガスを供給することが望ましい。
【０００９】
また、本発明によれば、上記プラズマエッチング装置を用いたプラズマエッチング方法であって、
該ゲートを開け、該エッチング室内に被加工物を搬入して該チャックテーブル上に載置し、該吸引手段を作動して該チャックテーブル上に被加工物を吸引保持する吸引保持工程と、
該ゲートを閉じ、該電圧印加手段を附勢して該静電チャックテーブルに電圧を印加しクーロン力を生成せしめることによりチャックテーブル上に被加工物を静電吸着保持する静電吸着保持工程と、
該減圧手段を作動して該エッチング室内を減圧し、該上部電極ユニットからプラズマ発生用ガスを噴出しつつ被加工物にプラズマエッチングを施すエッチング処理工程と、
該エッチング処理工程を実施した後、該減圧手段を作動し該エッチング室からプラズマ発生用ガスを排出するとともに、該大気導入手段を作動して該エッチング室内の圧力を所定の圧力に調整するエッチング室内圧力調整工程と、
該エッチング室内圧力調整工程を実施し該静電チャックテーブルへの電圧の印加を停止した後、該剥離ガス供給手段を作動して該チャックテーブル上の被加工物を浮上せしめることにより、被加工物に帯電している静電気を除去する除電工程と、
該除電工程を実施した後、該吸引手段を作動して該チャックテーブル上に被加工物を再度吸引保持する再吸引保持工程と、
該再吸引保持工程を実施した後、該ゲートを開けるとともに該吸引手段の作動を停止して被加工物の吸引保持を解除し、被加工物を該チャックテーブル上から搬出する搬出工程と、を含む、
ことを特徴とするプラズマエッチング方法が提供される。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によるプラズマエッチング装置は以上のように構成されているので、エッチング処理行程を実施した後に、大気導入手段を作動してエッチング室内の圧力を所定の圧力に調整し、電圧印加手段をOFFして静電チャックテーブルに生成されているクーロン力を解除するとともに、剥離ガス供給手段を作動してチャックテーブルの保持面に剥離ガスを噴出し、チャックテーブルの保持面に静電吸着されている被加工物を浮上せしめことにより、被加工物に帯電している静電気を除去する。従って、被加工物をチャックテーブルの保持面から容易に搬出することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明によって構成されたプラズマエッチング装置およびプラズマエッチング方法の好適な実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。
【００１２】
図１には、本発明によって構成されたプラズマエッチングの断面図が示されている。図１に示すプラズマエッチング装置２は、エッチング室２０ａを形成するハウジング２０を具備している。このハウジング２０は、底壁２１と上壁２２と左右側壁２３、２４と後側が側壁２５および前側側壁（図示せず）とからなっており、右側側壁２４には被加工物搬出入用の開口２４ａが設けられている。開口２４ａの外側には、開口２４ａを開閉するためのゲート３が上下方向に移動可能に配設されている。このゲート３は、ゲート作動手段４によって作動せしめられる。ゲート作動手段４は、エアシリンダ４１と該エアシリンダ４１内に配設された図示しないピストンに連結されたピストンロッド４２とからなっており、エアシリンダ４１がブラケット４３を介して上記ハウジング２０の底壁２１に取り付けられており、ピストンロッド４２の先端（図において上端）が上記ゲート３に連結されている。このゲート作動手段４によってゲート３が開けられることにより、後述するように被加工物を開口２４ａを通して搬出入することができる。また、ハウジング２０を構成する底壁２１には排気口２１ａが設けられており、この排気口２１ａが減圧手段１１に接続されている。
【００１３】
上記ハウジング２０によって形成されるエッチング室２０ａには、下部電極ユニット５と上部電極ユニット９が対向して配設されている。下部電極ユニット５は、導電性の材料によって形成された下部電極５０と、該下部電極５０に配設された静電チャックテーブル６とからなっている。
【００１４】
下部電極ユニット５を構成する下部電極５０は、円盤状のチャックテーブル保持部５１と、該チャックテーブル保持部５１の下面中央部から突出して形成された円柱状の支持部５２とからなっている。このように円盤状のチャックテーブル保持部５１と円柱状の支持部５２とから構成された下部電極５０は、支持部５２がハウジング５１の底壁２１に形成された穴２１ｂを挿通して配設され、絶縁体２７を介して底壁２１にシールされた状態で支持されている。このようにハウジング２１の底壁２１に支持された下部電極５０は、支持部５２を介して高周波電源１２に電気的に接続されている。
【００１５】
下部電極５０を構成するチャックテーブル保持部５１の上部には、図２に示すように上方が開放された円形状の嵌合凹部５１ａが設けられており、該嵌合凹部５１ａに静電チャックテーブル６を構成するチャックテーブル６１が嵌合される。チャックテーブル６１は、図示の実施形態においては抵抗が１０１３Ωcm以下のセラミック材からなり、上記嵌合凹部５１ａと対応する大きさの円盤状に形成されており、嵌合凹部５１ａに嵌合される。セラミック材によって形成されたチャックテーブル６１の内部には、電圧が印加されることにより電荷を発生する電極６２、６３が配設されている。この電極６２、６３は、それぞれ導線６４、６５を介して直流電圧印加手段６６、６７に接続されている。なお、直流電圧印加手段６６、６７は、それぞれ直流電源６６１、６７１と駆動回路６６２、６７２とからなっており、それぞれ駆動回路６６２、６７２をONすることによって上記電極６２にプラス(＋)電圧を印加し、上記電極６３にマイナス(−)電圧を印加せしめる。この結果、チャックテーブル６１の保持面６１aと該保持面６１aに載置される被加工物との間にプラス(＋)、マイナス(−)の電荷が発生し、この間に働くクーロン力によって被加工物を保持面６１aに吸着保持する。なお、上記電極構造を双極性電極構造とした例を示したが、単極性電極構造にしてもよい。
【００１６】
チャックテーブル６１は、上面が被加工物を保持する保持面６１aとして機能する。このチャックテーブル６１には、保持面６１aに開口する複数の細孔６１bと、該複数の細孔６１bに連通する連通路６１cが形成されている。
【００１７】
一方、下部電極５０を構成するチャックテーブル保持部５１と支持部５２には、上記連通路６１cに連通する連通路５０aが形成されている。この連通路５０aは、切り換え手段としての電磁切換弁６８を介して吸引手段７と剥離ガス供給手段８に選択的に連通せしめられるようになっている。従って、電磁切換弁６８の一方の電磁コイル６８１をONすると、電磁切換弁６８を介して連通路５０aが吸引手段７と連通し、この結果連通路６１cおよび複数の細孔６１bを介してチャックテーブル６１の保持面６１aに負圧が作用せしめられる。また、電磁切換弁６８の他方の電磁コイル６８２をONすると、電磁切換弁６８を介して連通路５０aが剥離ガス供給手段８と連通し、この結果連通路６１cおよび複数の細孔６１bを介してチャックテーブル６１の保持面６１aに剥離ガスが供給せしめられる。なお、剥離ガス供給手段８によって供給される剥離ガスの圧力は、図示の実施形態においては例えば１５００Paに設定されている。また、剥離ガス供給手段８によって供給される剥離ガスは、静電気を除去する機能を有するヘリウムガスが望ましい。
【００１８】
上記下部電極５０を構成するチャックテーブル保持部５１の下部には、冷却通路５１ｂが形成されている。この冷却通路５１ｂの一端は支持部５２に形成された冷媒導入通路５２ｂに連通され、冷却通路５１ｂの他端は支持部５２に形成された冷媒排出通路５２ｃに連通されている。冷媒導入通路５２ｂおよび冷媒排出通路５２ｃは、図１に示すように冷媒供給手段１３に連通されている。従って、冷媒供給手段１３が作動すると、冷媒が冷媒導入通路５２ｂ、冷却通路５１ｂおよび冷媒排出通路５２ｃを通して循環せしめられる。この結果、後述するプラズマエッチング処理時に発生する熱は下部電極５から冷媒に伝達されるので、下部電極５０の異常昇温が防止される。
【００１９】
上記上部電極ユニット９は、導電性の材料によって形成された上部電極９０を具備している。上部電極９０は、図１に示すように円盤状のガス噴出部９１と、該ガス噴出部９１の上面中央部から突出して形成された円柱状の支持部９２とからなっている。このようにガス噴出部９１と円柱状の支持部９２とからなる上部電極９０は、ガス噴出部９１が下部電極ユニット５を構成するチャックテーブル保持部５１と対向して配設され、支持部９２がハウジング２０の上壁２２に形成された穴２２ａを挿通し、該穴２２ａに装着されたシール部材２８によって上下方向に移動可能に支持されている。支持部９２の上端部には作動部材９３が取り付けられており、この作動部材９３が昇降駆動手段１４に連結されている。なお、上部電極９は、支持部９２を介して接地されている。
【００２０】
上部電極９を構成する円盤状のガス噴出部９１には、下面に開口する複数の噴出口９１ａが設けられている。この複数の噴出口９１ａは、ガス噴出部９１に形成された連通路９１ｂおよび支持部９２に形成された連通路９２ａを介してプラズマ発生用ガス供給手段１５に連通されている。プラズマ発生用ガス供給手段１５は、フッ素系ガスを主体とするプラズマ発生用の混合ガスを供給する。
【００２１】
図１を参照して説明を続けると、図示の実施形態におけるプラズマエッチング装置のハウジング２０を構成する底壁２１には大気導入口２１cが設けられている。この大気導入口２１cには、大気導入手段１６が接続されている。大気導入手段１６は、大気導入口２１cに接続された大気導入管１６１と、該大気導入管１６１の先端に接続されたエアクリーナ１６２と、大気導入管１６１に配設された大気導入弁１６３とからなっている。大気導入弁１６３は、OFFされている状態では大気導入管１６１の流通が遮断しており、ONされると大気導入管１６を連通し、エアクリーナ１６２を通過した大気をハウジング２０によって形成されるエッチング室２０ａに導入する。
【００２２】
また、図示の実施形態におけるプラズマエッチング装置２は、ハウジング２０によって形成されるエッチング室２０ａ内の圧力を検出する圧力検出手段１７を具備している。この圧力検出手段１７は、検出信号を後述する制御手段に送る。
【００２３】
図１を参照して説明を続けると、図示の実施形態におけるプラズマエッチング装置２は、上記ゲート作動手段４、減圧手段１１、高周波電源１２、直流電圧印加手段６６、６７の駆動回路６６２、６７２、電磁切換弁６８、冷媒供給手段１３、昇降駆動手段１４、プラズマ発生用ガス供給手段１５、吸引手段７、剥離ガス供給手段８、大気導入弁１６３等を制御する制御手段１８を具備している。この制御手段１８には上記圧力検出手段１７から検出信号が入力されるとともに、冷媒供給手段１３から冷媒温度（即ち電極温度）に関するデータが、プラズマ発生用ガス供給手段１５からガス流量に関するデータが入力され、これらのデータ等に基づいて制御手段１８は上記各手段に制御信号を出力する。
【００２４】
図示の実施形態におけるプラズマエッチング装置２は以上のように構成されており、以下その作用について説明する。
図４には、被加工物としての半導体ウエーハの斜視図が示されている。図４に示す半導体ウエーハ１０は、例えば厚さが７００μmのシリコンウエーハからなっており、表面１０ａに複数のストリート１０１が格子状に形成されているとともに、該複数のストリート１０１によって区画された複数の領域にIC、LSI等のデバイス１０２が形成されている。このように構成された半導体ウエーハ１０の表面１０ａには、図５に示すように厚さが１００μmの樹脂フィルムからなる保護テープ１００を貼着する（保護部材貼着工程）。従って、半導体ウエーハ１０の裏面１０bが露出する形態となる。このように、保護テープ１００が表面に貼着された半導体ウエーハ１０は、研削装置によって裏面が研削され、所定の厚さ（例えば、１００μm）に形成される。
【００２５】
上述したように裏面が研削され所定の厚さに形成された半導体ウエーハ１０を上記プラズマエッチング装置２によってプラズマエッチング処理するには、先ずゲート作動手段４を作動してゲート３を図１において下方に移動せしめ、ハウジング２０の右側側壁２４に設けられた開口２４ａを開ける。次に、図示しない搬出入手段によって保護テープ１００が貼着された半導体ウエーハ１０を開口２４ａからハウジング２０によって形成されるエッチング室２０ａに搬送し、下部電極５に配設されたチャックテーブル６１の保持面６１a上に保護テープ１００側を載置する。このとき、昇降駆動手段１４を作動して上部電極９を上昇せしめておく。そして、吸引手段７を作動するとともに電磁切換弁６８の一方の電磁コイル６８１をONする。この結果、電磁切換弁６８を介して連通路５０aが吸引手段７と連通し、連通路６１cおよび複数の細孔６１bを介してチャックテーブル６１の保持面６１aに負圧が作用せしめられ、保護テープ１００を介して半導体ウエーハ１０が保持面６１aに吸引保持される（吸引保持工程）。
【００２６】
このようにして、チャックテーブル６１の保持面６１a上に保護テープ１００を介して半導体ウエーハ１０を吸引保持したならば、直流電圧印加手段６６、６７の駆動回路６６２、６７２をONすることによって、電極６２にプラス(＋)電圧を印加するとともに電極６３にマイナス(−)電圧を印加せしめる。この結果、チャックテーブル６１の保持面６１aと該保持面６１aに吸引保持された半導体ウエーハ１０に貼着されている保護テープ１００との間にプラス(＋)、マイナス(−)の電荷が発生し、この間に働くクーロン力によって保護テープ１００を介して半導体ウエーハ１０が保持面６１aに静電吸着保持される（静電吸着保持工程）。このようにして、チャックテーブル６１の保持面６１a上に保護テープ１００を介して半導体ウエーハ１０を吸着保持したならば、電磁切換弁６８の一方の電磁コイル６８１をOFFして負圧による半導体ウエーハの吸引保持を解除する。なお、チャックテーブル６１の保持面６１a上に半導体ウエーハ１０を静電吸着保持する前に負圧により吸引保持するのは、保持面６１aに半導体ウエーハ１０を静電吸着保持する前に保持面６１a上に確実に位置決めするためである。
【００２７】
半導体ウエーハ１０を保護テープ１００を介してチャックテーブル６１の保持面６１a上に静電吸着保持したならば、ゲート作動手段４を作動してゲート３を図１において上方に移動せしめ、ハウジング２０の右側側壁２４に設けられた開口２４ａを閉じる。そして、昇降駆動手段１４を作動して上部電極９を下降させ、図３に示すように上部電極９を構成するガス噴射部９１の下面と下部電極５に配設されたチャックテーブル６１の保持面６１a上に保護テープ１００を介して保持された半導体ウエーハ１０の上面との間の距離をプラズマエッチング処理に適した所定の電極間距離（Ｄ）に位置付ける。なお、この電極間距離（Ｄ）は、図示の実施形態においては１０ｍｍに設定されている。
【００２８】
次に、減圧手段１１を作動してハウジング２０によって形成されるエッチング室２０ａ内を真空排気する。エッチング室２０ａ内を真空排気したならば、プラズマ発生用ガス供給手段１５を作動してプラズマ発生用ガスを上部電極９に供給する。プラズマ発生用ガス供給手段１５から供給されたプラズマ発生用ガスは、支持部９２に形成された連通路９２ａおよびガス噴出部９１に形成された連通路９１ｂを通して複数の噴出口９１ａから下部電極５に配設されたチャックテーブル６１の保持面６１a上に保護テープ１００を介して保持された半導体ウエーハ１０の裏面１０b（上面）に向けて噴出される。そして、密閉空間２０ａ内を所定のガス圧力に維持する。このように、プラズマ発生用ガスを供給した状態で、高周波電源１２から下部電極５と上部電極９との間に高周波電圧を印加する。これにより、下部電極５と上部電極９との間の空間にプラズマが発生し、このプラズマにより生じる活性物質が半導体ウエーハ１０の裏面１０bに作用するので、半導体ウエーハ１０の裏面１０bがエッチングされる（エッチング処理工程）。この結果、上述した半導体ウエーハ１０の裏面１０bの研削において生成された研削歪が除去される。
【００２９】
なお、上記エッチング処理工程は、例えば以下の条件で行われる。
電源６８の出力            ：２０００W
エッチング室２０ａの圧力  ：８０Pa
プラズマ発生用ガス        ：六フッ化イオウ(SF6)を７６ml／分、ヘリウム(He)を１
５ml／分、酸素(O2)を２７ml／分
または
：六フッ化イオウ(SF6)を７６ml／分、三フッ化メチル
(CHF3)を１５ml／分、酸素(O2)を２７ml／分
または
：六フッ化イオウ(SF6)を７６ml／分、窒素(N2)を１５ml
／分、酸素(O2)を２７ml／分
エッチング処理時間        ：３分
【００３０】
上述したエッチング処理行程を実施したならば、プラズマ発生用ガス供給手段１５の作動を停止するとともに高周波電源１２をOFFする。次に、制御手段１８は、減圧手段１１の作動を継続するとともに、大気導入弁１６３をONして大気をハウジング２０の空気供給口２１cからハウジング２０によって形成されるエッチング室２０ａに導入する。この結果、ハウジング２０によって形成されるエッチング室２０ａ内のプラズマ発生用ガスが排出されるとともに、大気が導入されて、ハウジング２０によって形成されるエッチング室２０ａ内の圧力が徐々に上昇する。そして、制御手段１８は、圧力検出手段１７からの検出信号にを入力しており、この圧力検出手段１７からの検出信号に基づいてハウジング２０によって形成されるエッチング室２０ａ内の圧力が例えば１０００Paに達したら、ガス排出手段１１の作動を停止するとともに、大気導入弁１７をOFFする（エッチング室内圧力調整工程）。
【００３１】
上述したように、ハウジング２０によって形成されるエッチング室２０ａ内の圧力が１０００Paに調整されてならば、静電チャックテーブル６の直流電圧印加手段６６、６７の駆動回路６６２、６７２をOFFする。この結果、チャックテーブル６１の保持面６１aと該保持面６１aに吸引保持された半導体ウエーハ１０に貼着されている保護テープ１００との間に働くクーロン力が解除される。しかるに、半導体ウエーハ１０に貼着されている保護テープ１００には静電気が帯電しているので、チャックテーブル６１の保持面６１aへの静電吸着が維持され、半導体ウエーハ１０をチャックテーブル６１の保持面６１aから離脱することは困難である。そこで、図示の実施形態においては、剥離ガス供給手段８を作動するとともに、電磁切換弁６８の他方の電磁コイル６８２をONする。電磁切換弁６８の他方の電磁コイル６８２をONすると、剥離ガス供給手段８から連通路５０a、連通路６１cおよび複数の細孔６１bを介してチャックテーブル６１の保持面６１aに１５００Paの剥離ガスが噴出せしめられる。この結果、剥離ガスの圧力が上記静電吸着力に打ち勝って、チャックテーブル６１の保持面６１aに静電吸着されている半導体ウエーハ１０は、僅かに浮上せしめられる。半導体ウエーハ１０がチャックテーブル６１の保持面６１aから浮上することにより、半導体ウエーハ１０に貼着された保護テープ１００に帯電している静電気が除去される(除電工程)。なお、この除電工程を実施する際に、ハウジング２０によって形成されるエッチング室２０ａ内の圧力を１０００Paに調整しておくのは、次の理由からである。即ち、ハウジング２０によって形成されるエッチング室２０ａ内の圧力がエッチング処理工程の圧力（８０Pa）と同じ状態で上記剥離ガスを供給すると、圧力差が大きいために半導体ウエーハ１０が大きく浮上せしめられて位置が不安定となる。また、除電工程を実施する際にゲート３を開放すると、チャックテーブル６１の保持面６１aに静電吸着されている半導体ウエーハ１０に大気圧が作用するため、上記剥離ガスの圧力を大気圧以上に設定しないと剥離ガスを供給してもチャックテーブル６１の保持面６１aに静電吸着されている半導体ウエーハ１０を浮上されることができない。
【００３２】
上述した除電工程を実施することにより、半導体ウエーハ１０に貼着された保護テープ１００に帯電している静電気が除去されたならば、吸引手段７を作動するとともに電磁切換弁６８の一方の電磁コイル６８１をONする。この結果、電磁切換弁６８を介して連通路５０aが吸引手段７と連通し、連通路６１cおよび複数の細孔６１bを介してチャックテーブル６１の保持面６１aに負圧が作用せしめられ、保護テープ１００を介して半導体ウエーハ１０が再度保持面６１aに吸引保持される（再吸引保持工程）。そして、ゲート作動手段４を作動してゲート３を図１において下方に移動せしめ、ハウジング２０の右側側壁２４に設けられた開口２４ａを開ける。この結果、ハウジング２０によって形成されるエッチング室２０ａ内の圧力が大気圧に戻される。次に、吸引手段７の作動を停止して保護テープ１００が貼着された半導体ウエーハ１０の吸引保持を解除し、図示しない搬出入手段によって保護テープ１００が貼着された半導体ウエーハ１０をチャックテーブル６１の保持面６１a上から容易に搬出することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本発明に従って構成されたプラズマエッチング装置の断面図。
【図２】図１に示すプラズマエッチング装置に装備される
【図３】図１に示すプラズマエッチング装置のプラズマプエッチング処理状態を示す断面図。
【図４】被加工物としての半導体ウエーハの斜視図。
【図５】図１に示す半導体ウエーハの表面に保護テープを貼着した状態を示す斜視図。
【符号の説明】
【００３４】
２： プラズマエッチング装置
２０：ハウジング
２０a：エッチング室
３：ゲート
４：ゲート作動手段
５：下部電極ユニット
５０：下部電極
５１：チャックテーブル保持部
６：静電チャックテーブル
６１：チャックテーブル
６２、６３：電極
６６、６７：直流電圧印加手段
６８：電磁切換弁
７：吸引手段
８：剥離ガス供給手段
９：上部電極ユニット
９０：上部電極
９１：ガス噴出部
９３：作動部材
１０：半導体ウエーハ
１００：保護テープ
１１：ガス排出手段
１２：高周波電源
１３：冷媒供給手段
１４：昇降駆動手段
１５：ガス供給手段
１６：大気導入手段
１７：圧力検出手段
１８：制御手段
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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