(57)【要約】【課題】基板の表面へ液体吐出ノズルから洗浄液を吐出させつつ液体吐出ノズルを走査するとともに、基板表面へ気体噴出ノズルから乾燥用気体を噴出させつつ気体噴出ノズルを走査して基板をスピン乾燥させるときに、洗浄液と乾燥用気体との干渉による基板表面での液跳ねを抑え、液跳ねによる液滴が基板の乾燥部分に再付着することを防止できる方法を提供する。【解決手段】基板Ｗを水平姿勢に保持して鉛直軸回りに回転させ、純水吐出ノズル２０から基板の表面へ純水を吐出させつつその吐出口を基板の中心に対向する位置から基板の周縁に対向する位置まで走査する際に、ガス噴出ノズル２６から基板表面へ窒素ガスを噴出させつつその噴出口を、純水吐出ノズルの吐出口より常に基板の中心側に位置させかつ純水体吐出ノズルの吐出口から遠ざけるように、基板の中心に対向する位置から基板の周縁に対向する位置まで走査する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を水平姿勢に保持して鉛直軸回りに回転させるとともに、液体吐出ノズルの吐出口から基板の表面へ洗浄液を吐出させつつ、前記液体吐出ノズルの吐出口を基板の中心に対向する位置から基板の周縁に対向する位置まで走査する基板処理方法において、
気体噴出ノズルの噴出口から基板の表面へ乾燥用気体を噴出させつつ、前記気体噴出ノズルの噴出口を、基板の表面へ洗浄液を吐出させつつ基板の中心部から基板の周縁部に向かって移動する前記液体吐出ノズルの吐出口より常に基板の中心側に位置させかつ前記液体吐出ノズルの吐出口から遠ざけるように、基板の中心に対向する位置から基板の周縁に対向する位置まで走査することを特徴とする基板処理方法。
【請求項２】
前記液体吐出ノズルと前記気体噴出ノズルとを互いに反対方向へ移動させる請求項１に記載の基板処理方法。
【請求項３】
基板を水平姿勢に保持する基板保持手段と、
この基板保持手段によって保持された基板を鉛直軸回りに回転させる基板回転手段と、
前記基板保持手段によって保持され前記基板回転手段によって回転させられる基板の表面へ吐出口から洗浄液を吐出する液体吐出ノズルと、
この液体吐出ノズルへ洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、
前記液体吐出ノズルの吐出口を、その吐出口から基板の表面へ洗浄液を吐出させつつ基板の中心に対向する位置から基板の周縁に対向する位置まで走査する第１のノズル移動手段と、
を備えた基板処理装置において、
前記基板保持手段によって保持され前記基板回転手段によって回転させられる基板の表面へ噴出口から乾燥用気体を噴出する気体噴出ノズルと、
この気体噴出ノズルへ乾燥用気体を供給する気体供給手段と、
前記気体噴出ノズルの噴出口を、その噴出口から基板の表面へ乾燥用気体を噴出させつつ基板の中心に対向する位置から基板の周縁に対向する位置まで走査する第２のノズル移動手段と、
基板の表面へ乾燥用気体を噴出させつつ基板の中心部から基板の周縁部に向かって移動する前記気体噴出ノズルの噴出口が、基板の表面へ洗浄液を吐出させつつ基板の中心部から基板の周縁部に向かって移動する前記液体吐出ノズルの吐出口より常に基板の中心側に位置しかつ前記液体吐出ノズルの吐出口から遠ざかるように、前記第１のノズル移動手段および前記第２のノズル移動手段を制御する制御手段と、
をさらに備えたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
前記第１のノズル移動手段および前記第２のノズル移動手段によって前記液体吐出ノズルと前記気体噴出ノズルとが互いに反対方向へ移動させられる請求項３に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記制御手段により、前記第１のノズル移動手段による前記液体吐出ノズルの移動速度パラメータと前記第２のノズル移動手段による前記気体噴出ノズルの移動速度パラメータとが相互に独立して制御される請求項３または請求項４に記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等の基板を水平面内で鉛直軸回りに回転させ、基板の表面へ純水等の洗浄液を供給しつつ基板を乾燥処理する基板処理方法および基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造プロセスにおいては、リソグラフィ技術を利用して、例えばシリコン基板上にフォトレジストを塗布し、露光機を使用して基板上のレジスト膜に回路パターンを焼き付け、露光後のレジスト膜を現像液で現像する、といった各工程を行うことにより、基板上のレジスト膜に回路パターンを形成している。このうち現像処理においては、例えばスリットノズルにより、基板の表面に形成された露光後のレジスト膜上へ現像液を供給し、その後に、基板を水平面内で鉛直軸回りに回転させながらストレートノズルの吐出口から基板の中心へ純水等の洗浄液（リンス液）を吐出する。基板の中心に供給された洗浄液は、遠心力により基板の周縁方向へ拡散して基板全体に行き渡り、基板表面のレジスト膜上から現像液を洗い流す。この洗浄処理（リンス処理）が終了すると、ノズルから基板上への洗浄液の供給を停止し、その後に、基板の回転数をさらに増大させて、基板表面のレジスト膜上の洗浄液を遠心力によって振り切ることにより、基板を乾燥（スピン乾燥）させている。
【０００３】
ところが、上記したように基板をスピン乾燥させると、基板上において洗浄液の液滴が斑に残留する、といったことが起こる。これは、現像処理後の基板においてはレジスト膜の表面に親水性部分と疎水性部分とが混在していることにより、基板上において洗浄液の保持力にばらつきを生じてしまうためである。このように基板の表面に形成されたレジストパターン上に斑に残留した洗浄液の液滴は、現像欠陥を生じる要因となることが分かっている。
【０００４】
上記した問題点を解決するために、基板をスピン乾燥させるときに、洗浄液吐出ノズルの吐出口から洗浄液を吐出しながら、その洗浄液吐出ノズルの吐出口を基板の中心部から周辺部に向かって走査する、といった方法（スキャンリンス法）が提案されている。この方法によると、基板の中心から周縁に至るまで洗浄液の液膜が形成され保持された状態のままで乾燥が進行するため、親水性部分と疎水性部分とが混在するレジスト膜表面であっても、基板上に洗浄液の液滴が残留しにくくなる。さらに、スキャンリンスの際に、洗浄液吐出ノズルの吐出口から洗浄液を吐出させつつ洗浄液吐出ノズルを走査するとともに、ガス噴出ノズルからガスを噴出させながら、ガス噴出ノズルを洗浄液吐出ノズルと一体でもしくは同期して洗浄液吐出ノズルに追従するようにガス噴出ノズルを走査する、といったことも行われている。このように、洗浄液を吐出しつつ基板の中心部から周辺部に向かって移動する洗浄液吐出ノズルを追いかけるようにガス噴出ノズルを移動させて、洗浄液吐出ノズルから基板上へ吐出された洗浄液を、ガス噴出ノズルから噴出されるガスによってブローすることにより、基板上に残留する洗浄液の液滴をさらに減らすことができる（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特許第３６９４６４１号公報（第７−９頁、図３、図４および図６−図８）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記したスキャンリンスでは、従来のスピン乾燥に比べて現像欠陥を大幅に低減させることができ、また、スキャンリンスの際に、ガス噴出ノズルからガスを噴出させつつガス噴出ノズルを洗浄液吐出ノズルに追従させて走査することにより、現像欠陥をさらに低減させることができる。しかしながら、基板の中心部から周辺部に向かって先行する洗浄液吐出ノズルと同一方向にガス噴出ノズルを走査する方法では、洗浄液吐出ノズルから基板上へ吐出された洗浄液とガス噴出ノズルから基板上へ噴出されたガスとが干渉して、洗浄液の飛び跳ねを生じやすい。このため、液跳ねによる液滴が、ガス噴出ノズルが通過して既に乾燥している基板の表面部分に飛散して付着し、この液滴によって現像欠陥が発生する、といった問題点がある。一方、洗浄液とガスとの干渉を防止するためには、洗浄液吐出ノズルとの距離を十分に確保しながらガス噴出ノズルを走査しなければならず、また、基板の表面に対してガス噴出ノズルを支持する角度や高さ位置の自由度が小さくなり、さらに、ガス噴出ノズルから噴出されるガス流量を余り大きくすることができない、といった種々の制約を生じることから、ガス噴出ノズルによる乾燥能力を十分に発揮させることができない、といった問題点がある。
【０００６】
この発明は、以上のような事情に鑑みてなされたものであり、基板の表面へ液体吐出ノズルの吐出口から洗浄液を吐出させつつその吐出口を基板の中心部から周縁部まで走査するとともに、基板の表面へ気体噴出ノズルの噴出口から乾燥用気体を噴出させつつその噴出口を基板の中心部から周縁部まで走査して基板をスピン乾燥させるときに、洗浄液と乾燥用気体との干渉による基板の表面での液跳ねを抑え、液跳ねによる液滴が基板の乾燥部分に再付着することを防止して、現像欠陥等の発生を無くすことができるとともに、気体噴出ノズルから噴射される乾燥用気体による乾燥能力を十分に発揮させることができる基板処理方法を提供すること、ならびに、その方法を好適に実施することができる基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
請求項１に係る発明は、基板を水平姿勢に保持して鉛直軸回りに回転させるとともに、液体吐出ノズルの吐出口から基板の表面へ洗浄液を吐出させつつ、前記液体吐出ノズルの吐出口を基板の中心に対向する位置から基板の周縁に対向する位置まで走査する基板処理方法において、気体噴出ノズルの噴出口から基板の表面へ乾燥用気体を噴出させつつ、前記気体噴出ノズルの噴出口を、基板の表面へ洗浄液を吐出させつつ基板の中心部から基板の周縁部に向かって移動する前記液体吐出ノズルの吐出口より常に基板の中心側に位置させかつ前記液体吐出ノズルの吐出口から遠ざけるように、基板の中心に対向する位置から基板の周縁に対向する位置まで走査することを特徴とする。
【０００８】
請求項２に係る発明は、請求項１に記載の基板処理方法において、液体吐出ノズルと気体噴出ノズルとを互いに反対方向へ移動させることを特徴とする。
【０００９】
請求項３に係る発明は、基板を水平姿勢に保持する基板保持手段と、この基板保持手段によって保持された基板を鉛直軸回りに回転させる基板回転手段と、前記基板保持手段によって保持され前記基板回転手段によって回転させられる基板の表面へ吐出口から洗浄液を吐出する液体吐出ノズルと、この液体吐出ノズルへ洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、前記液体吐出ノズルの吐出口を、その吐出口から基板の表面へ洗浄液を吐出させつつ基板の中心に対向する位置から基板の周縁に対向する位置まで走査する第１のノズル移動手段とを備えた基板処理装置において、前記基板保持手段によって保持され前記基板回転手段によって回転させられる基板の表面へ噴出口から乾燥用気体を噴出する気体噴出ノズルと、この気体噴出ノズルへ乾燥用気体を供給する気体供給手段と、前記気体噴出ノズルの噴出口を、その噴出口から基板の表面へ乾燥用気体を噴出させつつ基板の中心に対向する位置から基板の周縁に対向する位置まで走査する第２のノズル移動手段と、基板の表面へ乾燥用気体を噴出させつつ基板の中心部から基板の周縁部に向かって移動する前記気体噴出ノズルの噴出口が、基板の表面へ洗浄液を吐出させつつ基板の中心部から基板の周縁部に向かって移動する前記液体吐出ノズルの吐出口より常に基板の中心側に位置しかつ前記液体吐出ノズルの吐出口から遠ざかるように、前記第１のノズル移動手段および前記第２のノズル移動手段を制御する制御手段とをさらに備えたことを特徴とする。
【００１０】
請求項４に係る発明は、請求項３に記載の基板処理装置において、第１のノズル移動手段および第２のノズル移動手段によって液体吐出ノズルと気体噴出ノズルとが互いに反対方向へ移動させられることを特徴とする。
【００１１】
請求項５に係る発明は、請求項３または請求項４に記載の基板処理装置において、制御手段により、第１のノズル移動手段による液体吐出ノズルの移動速度パラメータと第２のノズル移動手段による気体噴出ノズルの移動速度パラメータとが相互に独立して制御されることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
請求項１に係る発明の基板処理方法によると、気体噴出ノズルは、その噴出口から基板の表面へ乾燥用気体を噴出させつつ、その噴出口が液体吐出ノズルの吐出口から遠ざかるように走査されるので、洗浄液吐出ノズルから基板上へ吐出された洗浄液と気体噴出ノズルから基板上へ噴出された乾燥用気体との干渉が無くなり、洗浄液の飛び跳ねが抑えられる。このため、液跳ねによる液滴が、既に乾燥している基板の表面部分に飛散して付着することが防止されるので、現像欠陥等の発生を無くすことができる。また、基板上での洗浄液と乾燥用気体との干渉が無くなるので、基板の表面に対して気体噴出ノズルを支持する角度や高さ位置などの自由度が大きくなり、気体噴出ノズルから噴出される乾燥用気体の流量を大きくすることが可能になる。このため、気体噴出ノズルから噴射される乾燥用気体による乾燥能力を十分に発揮させることができる。
【００１３】
請求項２に係る発明の基板処理方法では、洗浄液吐出ノズルから基板上へ吐出された洗浄液と気体噴出ノズルから基板上へ噴出された乾燥用気体との干渉の程度を最も効果的に小さくすることができ、請求項１に係る発明の上記効果を確実に奏することができる。液体吐出ノズルと気体噴出ノズルとを互いに反対方向へ移動させることを特徴とする。
【００１４】
請求項３に係る発明の基板処理装置においては、制御手段により第１のノズル移動手段および第２のノズル移動手段が制御されて、気体噴出ノズルの噴出口が、液体吐出ノズルの吐出口より常に基板の中心側に位置しかつ液体吐出ノズルの吐出口から遠ざかるように、基板の中心部から基板の周縁部に向かって移動させられる。したがって、請求項３に係る発明の基板処理装置を使用すると、請求項１に係る発明の基板処理方法を好適に実施して、上記効果を奏することができる。
【００１５】
請求項４に係る発明の基板処理装置では、第１のノズル移動手段および第２のノズル移動手段によって液体吐出ノズルと気体噴出ノズルとが互いに反対方向へ移動させられるので、請求項２に係る発明の基板処理方法を好適に実施して、上記効果を奏することができる。
【００１６】
請求項５に係る発明の基板処理装置では、最適なシーケンスを構築することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、この発明の最良の実施形態について図面を参照しながら説明する。
図１および図２は、この発明に係る基板処理方法を実施するために使用される基板処理装置の構成の１例を示し、図１は、基板処理装置の概略平面図であり、図２は、その概略断面図である。
【００１８】
この基板処理装置は、表面に露光後のレジスト膜が形成された基板を現像処理した後に洗浄処理（リンス処理）するものであり、基板Ｗを水平姿勢に保持するスピンチャック１０、上端部にスピンチャック１０が固着され鉛直方向に支持された回転支軸１２、および、回転支軸１２に回転軸が連結されスピンチャック１０および回転支軸１２を鉛直軸回りに回転させる回転モータ１４を備えている。スピンチャック１０の周囲には、スピンチャック１０上の基板Ｗを取り囲むようにカップ１６が配設されている。カップ１６は、図示しない支持機構により上下方向へ往復移動自在に支持されており、カップ１６の底部には排液管１８が連通接続されている。また、図１および図２には図示を省略しているが、基板Ｗ上に現像液を供給する機構、例えば、下端面にスリット状吐出口が形設された現像液吐出ノズルを有し、そのスリット状吐出口から現像液を吐出させつつ、現像液吐出ノズルを、そのスリット状吐出口と直交する水平方向へ直線的に移動させて、基板Ｗ上に現像液を供給し液盛りする現像液供給機構、あるいは、ストレートノズルからなる現像液吐出ノズルを有し、その現像液吐出ノズルを、先端の吐出口が基板Ｗの中心部直上に配置される吐出位置と待機位置との間で往復移動するように支持し、現像液吐出ノズルの先端吐出口から現像液を基板Ｗの中心部上へ吐出する現像液供給機構が設けられている。
【００１９】
また、カップ１６の側方側近傍には、先端の吐出口から洗浄液（リンス液）、例えば純水を基板Ｗ上へ吐出する純水吐出ノズル２０が配設されている。純水吐出ノズル２０は、図示していないが純水供給管を通して純水供給源に流路接続されている。純水吐出ノズル２０は、水平面内で回動可能にノズル保持部２２に保持されており、回転駆動機構２４によって水平面内で回動させられる。そして、純水吐出ノズル２０は、先端の吐出口から基板Ｗの表面へ純水を吐出させつつ、図１中に矢印ａで示すように吐出口が基板Ｗの中心に対向する位置から基板Ｗの周縁に対向する位置まで走査され、また、二点鎖線で示すようにカップ１６から外側へ外れた待機位置と実線で示すように吐出口が基板Ｗの中心部直上に配置される位置との間で往復移動するような構成となっている。
【００２０】
さらに、カップ１６の側方側近傍には、カップ１６を挟んで純水吐出ノズル２０の反対側に、先端の噴出口から乾燥用気体、例えば窒素ガスを基板Ｗ上へ噴出するガス噴出ノズル２６が配設されている。ガス噴出ノズル２６は、図示していないがガス供給管を通して窒素ガス供給源に流路接続されている。ガス噴出ノズル２６は、水平面内で回動可能にノズル保持部２８に保持されており、回転駆動機構３０によって水平面内で回動させられる。そして、ガス噴出ノズル２６は、先端の噴出口から基板Ｗの表面へ窒素ガスを噴出させつつ、図１中に矢印ｂで示すように噴出口が基板Ｗの中心に対向する位置から基板Ｗの周縁に対向する位置まで走査される。したがって、純水吐出ノズル２０とガス噴出ノズル２６とは、互いに反対方向へ走査される。また、ガス噴出ノズル２６は、二点鎖線で示すようにカップ１６から外側へ外れた待機位置と実線で示すように吐出口が基板Ｗの中心部直上に配置される位置との間で往復移動するような構成となっている。
【００２１】
回転駆動機構２４による純水吐出ノズル２０の回転動作および回転駆動機構３０によるガス噴出ノズル２６の回転動作は、制御装置３２によってそれぞれシーケンス制御される。この制御装置３２において、回転駆動機構２４による純水吐出ノズル２０の移動速度パラメータと回転駆動機構３０によるガス噴出ノズル２６の移動速度パラメータは、相互に独立して制御されるようにする。このように純水吐出ノズル２０およびガス噴出ノズル２６のそれぞれの移動速度パラメータを相互に独立して制御可能とすることにより、最適なシーケンスを構築することが可能となる。
【００２２】
図１および図２に示した基板処理装置を使用し、基板Ｗの表面に形成された露光後のレジスト膜上へ現像液を供給してレジスト膜を現像処理した後に、基板Ｗを比較的低速で回転させながら基板Ｗ上へ純水を供給して洗浄処理し、基板Ｗ表面のレジスト膜上から現像液を洗い流して除去し、この後に、基板Ｗを比較的高速で回転させてスピン乾燥（スキャンリンス）処理する。スキャンリンスする際は、基板Ｗを比較的高速、例えば１８００ｒｐｍ〜２５００ｒｐｍの範囲の回転速度で回転させ、純水吐出ノズル２０の吐出口から純水を基板Ｗ上へ吐出させつつ、純水吐出ノズル２０を、その吐出口が基板Ｗの中心に対向する位置から基板Ｗの周縁に対向する位置まで走査するとともに、ガス噴出ノズル２６の噴出口から窒素ガスを基板Ｗ上へ噴出させつつ、ガス噴出ノズル２６を、その噴出口が基板Ｗの中心に対向する位置から基板Ｗの周縁に対向する位置まで走査する。この場合において、まず、純水吐出ノズル２０の吐出口からの純水の吐出を開始するとともに、純水吐出ノズル２０の走査を開始し、純水吐出ノズル２０の吐出口が所定位置、例えば基板Ｗの中心から５０ｍｍの半径位置に到達した時点で、ガス噴出ノズル２６の噴出口からの窒素ガスの噴出を開始するとともに、ガス噴出ノズル２６の走査を開始する。そして、純水吐出ノズル２０の吐出口が基板Ｗの周縁に対向する位置に到達すると、純水吐出ノズル２０から基板Ｗ上への純水の供給を停止して、純水吐出ノズル２０を待機位置まで移動させ、その後に、ガス噴出ノズル２６の噴出口が基板Ｗの周縁に対向する位置に到達すると、ガス噴出ノズル２６から基板Ｗ上への窒素ガスの供給を停止して、ガス噴出ノズル２６を待機位置まで移動させる。基板Ｗの乾燥処理が終了すると、基板Ｗの回転を停止させる。
【００２３】
上記したような方法でスキャンリンスしたときは、ガス噴出ノズル２６が純水吐出ノズル２０から遠ざかるように走査されるので、純水吐出ノズル２０から基板Ｗ上へ吐出された純水とガス噴出ノズル２６から基板Ｗ上へ噴出された窒素ガスとの干渉が無くなり、純水の飛び跳ねが抑えられる。このため、液跳ねによる液滴が、既に乾燥している基板Ｗの表面部分に飛散して付着することが防止される。また、基板Ｗ上での純水と窒素ガスとの干渉が無くなるので、基板の表面に対してガス噴出ノズル２６を支持する角度や高さ位置などの自由度が大きくなり、ガス噴出ノズル２６から噴出される窒素ガスの流量を大きくすることが可能になるため、ガス噴出ノズル２６から噴射される窒素ガスによる乾燥能力を十分に発揮させることができる。
【００２４】
上記した実施形態では、ガス噴出ノズル２６を純水吐出ノズル２０の走査方向と逆の方向へ走査させるようにしたが、ガス噴出ノズルの走査方向は、純水吐出ノズル２０の走査方向と逆方向に限らず、ガス噴出ノズルを、純水吐出ノズル２０の走査方向に対して適当な角度をなす方向へ走査するようにしてもよい。このようにしても、ガス噴出ノズルは純水吐出ノズル２０から次第に遠ざかることとなり、基板Ｗ上での純水と窒素ガスとの干渉が抑えられる。
【００２５】
例えば、図３に概略平面図を示すように、カップ１６の後背側近傍（あるいは手前側近傍）に、ノズル保持部３６によって水平面内で回動可能に保持されたガス噴出ノズル３４を配設する。このガス噴出ノズル３４を回転駆動機構３８によって水平面内で回動させ、ガス噴出ノズル３４を、図３中に矢印ｃで示すように純水吐出ノズル２０の走査方向（矢印ａで示す方向）に対しほぼ直交する方向へ、先端の噴出口が基板Ｗの中心に対向する位置から基板Ｗの周縁に対向する位置まで走査できるようにする。そして、スキャンリンスする際は、純水吐出ノズル２０の吐出口からの純水の吐出を開始するとともに、純水吐出ノズル２０の走査を開始した後、純水吐出ノズル２０の吐出口が所定の半径位置に到達した時点で、ガス噴出ノズル３４の噴出口からの窒素ガスの噴出を開始するとともに、ガス噴出ノズル３４の走査を開始するように、制御装置４０によって回転駆動機構２４、３８を制御する。
【００２６】
なお、上記した実施形態では、基板の表面に形成された露光後のレジスト膜を現像処理した後に、基板を洗浄、スピン乾燥処理する場合を例にとって説明したが、この発明は、例えばエッチング処理後に基板を洗浄、スピン乾燥処理する場合などにも適用し得るものである。また、純水吐出ノズル２０の移動速度とガス噴出ノズル２６、３４の移動速度とは、必ずしも同一にする必要は無いし、純水吐出ノズル２０の移動速度やガス噴出ノズル２６、３４の移動速度を、基板Ｗの中心部から周縁部まで走査する過程で変更あるいは変化させるようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】この発明に係る基板処理方法を実施するために使用される基板処理装置の構成の１例を示す基板処理装置の概略平面図である。
【図２】図１に示した基板処理装置の概略断面図である。
【図３】この発明に係る基板処理方法を実施するために使用される基板処理装置の別の構成例を示す基板処理装置の概略平面図である。
【符号の説明】
【００２８】
１０  スピンチャック
１２  回転支軸
１４  回転モータ
１６  カップ
２０  純水吐出ノズル
２２  純水吐出ノズルのノズル保持部
２４  純水吐出ノズルの回転駆動機構
２６、３４  ガス噴出ノズル
２８、３６  ガス噴出ノズルのノズル保持部
３０、３８  ガス噴出ノズルの回転駆動機構
３２、４０  制御装置
Ｗ  基板
ａ  純水吐出ノズルの走査方向
ｂ、ｃ  ガス噴出ノズルの走査方向
【図１】
2008016781.tif 000003
【図２】
2008016781.tif 000004
【図３】
2008016781.tif 000005