(57)【要約】【課題】高フレームレートを実現することが可能な固体撮像素子の駆動方法を提供する。【解決手段】多数の光電変換素子１０１と、ＶＣＣＤ１０２と、ラインメモリ１０５と、ＨＣＣＤ１０３とを含む固体撮像素子５の駆動方法であって、固体撮像素子５は、各ＶＣＣＤ１０２から転送されてラインメモリ１０５に蓄積された電荷の配列が、ある電荷に注目したときに、その注目した電荷に隣接する２つの電荷のうち一方の電荷がその注目した電荷と同一色成分となり、他方の電荷がその注目した電荷と異なる色成分となる配列となるように各光電変換素子１０１の特性が決められたものであり、上記配列でラインメモリ１０５に蓄積されている電荷を全てＨＣＣＤ１０３に転送し、転送した電荷のうちの、隣接する同一色成分の２つの電荷のＨＣＣＤ１０３の電荷転送方向上流側の電荷のみを水平方向に転送して、該２つの電荷を加算するステップを有する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に形成された多数の光電変換素子と、前記多数の光電変換素子の各々で発生した電荷を垂直方向に転送する多数本の垂直電荷転送部と、前記多数本の垂直電荷転送部の各々から転送された電荷を一時的に蓄積するラインメモリと、ラインメモリに蓄積された電荷を前記垂直方向に直交する水平方向に転送する水平電荷転送部とを含む固体撮像素子の駆動方法であって、
前記固体撮像素子は、前記多数本の垂直電荷転送部の各々から転送されて前記ラインメモリに蓄積された電荷の配列が、ある電荷に注目したときに、前記注目した電荷に隣接する２つの電荷のうち、一方の電荷が前記注目した電荷と同一色成分となり、他方の電荷が前記注目した電荷と異なる色成分となる配列となるように、前記多数の光電変換素子の各々の特性が決められたものであり、
前記配列で前記ラインメモリに蓄積されている電荷を全て前記水平電荷転送部に転送する電荷転送ステップと、
前記水平電荷転送部に転送された電荷のうちの、隣接する同一色成分の２つの電荷の前記水平電荷転送部の電荷転送方向上流側の電荷のみを前記水平方向に転送して、前記２つの電荷を加算する加算ステップと、
前記加算された電荷を前記水平方向に転送する水平転送ステップとを含む固体撮像素子の駆動方法。
【請求項２】
請求項１記載の固体撮像素子の駆動方法であって、
前記電荷転送ステップで電荷を転送し終わった後、前記ラインメモリに印加する電圧を前記転送時よりも高電圧にする電圧変更ステップを含み、
前記電圧変更ステップと前記加算ステップを同時に開始する固体撮像素子の駆動方法。
【請求項３】
請求項１記載の固体撮像素子の駆動方法であって、
前記電荷転送ステップで電荷を転送し終わった後、前記ラインメモリに印加する電圧を前記電荷の転送時よりも高電圧にする電圧変更ステップを含み、
前記電圧変更ステップを前記加算ステップの後に行う固体撮像素子の駆動方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか記載の固体撮像素子の駆動方法に基づく駆動を行う駆動手段と、
前記固体撮像素子とを備える撮像装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体基板上に形成された多数の光電変換素子と、前記多数の光電変換素子の各々で発生した電荷を垂直方向に転送する多数本の垂直電荷転送部と、前記多数本の垂直電荷転送部の各々から転送された電荷を一時的に蓄積するラインメモリと、ラインメモリに蓄積された電荷を前記垂直方向に直交する水平方向に転送する水平電荷転送部とを含む固体撮像素子の駆動方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、例えば特許文献１に開示されているように、シリコン基板上に、正方格子状に配列された検出感度の低い低感度の光電変換素子と、正方格子状に配列された検出感度の高い高感度の光電変換素子とを互いに隣接する位置にずらして配置して、ハニカム状の配列パターンを形成した固体撮像素子が提案されている。
【０００３】
光電変換素子の検出感度とは、光電変換素子に所定量の光が入射したときに、その光電変換素子から取り出せる信号量がどのくらいなのかを示す特性のことを示す。つまり、同一光量の光が入射したとき、検出感度が相対的に高い高感度の光電変換素子は、検出感度が相対的に低い低感度の光電変換素子よりも、取り出せる信号量が多いという特性を持つものと定義することができる。高感度の光電変換素子は、少ない光量でも多くの信号を得ることができるため、低照度の被写体を撮影するのに最適であるが、多くの光量が入射した場合には、信号がすぐに飽和してしまうため、高照度の被写体を撮影するのには適さない。又、低感度の光電変換素子は、多くの光量が入射してもあまり多くの信号を得られないため、高照度の被写体を撮影するのに最適であるが、少ない光量が入射した場合には、得られる信号が少なすぎてしまい、低照度の被写体を撮影するのには適さない。
【０００４】
特許文献１に開示された固体撮像素子では、低感度の光電変換素子から得られた低感度信号と高感度の光電変換素子から得られた高感度信号とを合成することで、ダイナミックレンジの拡大を図ることができる。
【０００５】
信号の合成方法としては、低感度信号と高感度信号を別々に読み出して、後段の信号処理部にて合成を行う方法と、低感度の光電変換素子で発生した低感度電荷と高感度の光電変換素子で発生した高感度電荷とを転送時に加算して行う方法とが考えられる。特許文献１に開示されたような構成の固体撮像素子において、同一色成分の低感度電荷と高感度電荷を加算して転送する方法を、図６を参照して説明する。
【０００６】
図６は、特許文献１記載のような構成の固体撮像素子において電荷加算を行う場合の従来の駆動方法を説明するための図である。
図６では、固体撮像素子が複数のＶＣＣＤと、ＨＣＣＤと、複数のＨＣＣＤとＶＣＣＤの間にラインメモリを有し、このラインメモリが、ハイレベル（以下、Ｈと略す）とローレベル（以下、Ｌと略す）の駆動パルスＬＭによって駆動され、ＨＣＣＤがＨとＬの駆動パルスφＨ１〜φＨ４によって４相駆動されるものとしている。又、ＨＣＣＤを構成する電極のうち、駆動パルスφＨ１が供給される電極をＨ１、駆動パルスφＨ２が供給される電極をＨ２、駆動パルスφＨ３が供給される電極をＨ３、駆動パルスφＨ４が供給される電極をＨ４で示してある。又、高感度の光電変換素子から得られる電荷のうち、赤色成分の電荷を“Ｒ”、緑色成分の電荷を“Ｇ”で表し、低感度の光電変換素子から得られる電荷のうち、赤色成分の電荷を“ｒ”、緑色成分の電荷を“ｇ”で表してある。
【０００７】
ラインメモリに複数のＶＣＣＤの各々から転送された電荷が蓄積された後、時刻ｔ１で駆動パルスφＨ１，φＨ３をＨとし、時刻ｔ２で駆動パルスＬＭφをＬとして電極Ｈ１，Ｈ３下の転送チャネルに低感度電荷ｒ，ｇを転送する。次に、時刻ｔ３で駆動パルスφＬＭをＨにし、時刻ｔ４で駆動パルスφＨ１，φＨ３をＬ、駆動パルスφＨ２，φＨ４をＨとして、電極Ｈ１下にあった電荷ｇを電極Ｈ４下に転送し、電極Ｈ３下にあった電荷ｒを電極Ｈ２下に転送する。次に、時刻ｔ５で駆動パルスφＬＭをＬとして電極Ｈ２，Ｈ４下の転送チャネルに高感度電荷Ｒ，Ｇを転送する。これにより、電荷ｒに電荷Ｒが加算され、電荷ｇに電荷Ｇが加算される。電荷加算後は、時刻ｔ５で駆動パルスφＬＭをＨにした後、駆動パルスφＨ１〜φＨ４をＬ，Ｈで切り替えていくことで、加算した電荷を順次転送する。
【０００８】
【特許文献１】特開２００４−０５５７８６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
図６に示した駆動方法では、電荷を加算するために、ラインメモリからＨＣＣＤまでの電荷転送を２度行う必要がある。このため、更なる多画素化が進んだ場合、上記駆動方法ではフレームレートの低下を招いてしまう。
【００１０】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、高フレームレートを実現することが可能な固体撮像素子の駆動方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の固体撮像素子の駆動方法は、半導体基板上に形成された多数の光電変換素子と、前記多数の光電変換素子の各々で発生した電荷を垂直方向に転送する多数本の垂直電荷転送部と、前記多数本の垂直電荷転送部の各々から転送された電荷を一時的に蓄積するラインメモリと、ラインメモリに蓄積された電荷を前記垂直方向に直交する水平方向に転送する水平電荷転送部とを含む固体撮像素子の駆動方法であって、前記固体撮像素子は、前記多数本の垂直電荷転送部の各々から転送されて前記ラインメモリに蓄積された電荷の配列が、ある電荷に注目したときに、前記注目した電荷に隣接する２つの電荷のうち、一方の電荷が前記注目した電荷と同一色成分となり、他方の電荷が前記注目した電荷と異なる色成分となる配列となるように、前記多数の光電変換素子の各々の特性が決められたものであり、前記配列で前記ラインメモリに蓄積されている電荷を全て前記水平電荷転送部に転送する電荷転送ステップと、前記水平電荷転送部に転送された電荷のうちの、隣接する同一色成分の２つの電荷の前記水平電荷転送部の電荷転送方向上流側の電荷のみを前記水平方向に転送して、前記２つの電荷を加算する加算ステップと、前記加算された電荷を前記水平方向に転送する水平転送ステップとを含む。
【００１２】
本発明の固体撮像素子の駆動方法は、前記電荷転送ステップで電荷を転送し終わった後、前記ラインメモリに印加する電圧を前記転送時よりも高電圧にする電圧変更ステップを含み、前記電圧変更ステップと前記加算ステップを同時に開始する。
【００１３】
本発明の固体撮像素子の駆動方法は、前記電荷転送ステップで電荷を転送し終わった後、前記ラインメモリに印加する電圧を前記電荷の転送時よりも高電圧にする電圧変更ステップを含み、前記電圧変更ステップを前記加算ステップの後に行う。
【００１４】
本発明の撮像装置は、前記固体撮像素子の駆動方法に基づく駆動を行う駆動手段と、前記固体撮像素子とを備える。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、高フレームレートを実現することが可能な固体撮像素子の駆動方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
【００１７】
図１は、本発明の実施形態を説明するための撮像装置の一例であるデジタルカメラの概略構成を示す図である。
図示するデジタルカメラの撮像系は、撮影レンズ１と、ＣＣＤ型の固体撮像素子５と、この両者の間に設けられた絞り２と、赤外線カットフィルタ３と、光学ローパスフィルタ４とを備える。
【００１８】
デジタルカメラの電気制御系全体を統括制御するシステム制御部１１は、フラッシュ発光部１２及び受光部１３を制御し、レンズ駆動部８を制御して撮影レンズ１の位置をフォーカス位置に調整したりズーム調整を行ったりし、絞り駆動部９を介し絞り２の開口量を制御して露光量調整を行う。
【００１９】
又、システム制御部１１は、撮像素子駆動部１０を介して固体撮像素子５を駆動し、撮影レンズ１を通して撮像した被写体画像を色信号として出力させる。システム制御部１１には、操作部１４を通してユーザからの指示信号が入力される。
【００２０】
デジタルカメラの電気制御系は、更に、固体撮像素子５の出力に接続された相関二重サンプリング処理等のアナログ信号処理を行うアナログ信号処理部６と、このアナログ信号処理部６から出力されたＲＧＢの色信号をデジタル信号に変換するＡ／Ｄ変換回路７とを備え、これらはシステム制御部１１によって制御される。
【００２１】
更に、このデジタルカメラの電気制御系は、メインメモリ１６と、メインメモリ１６に接続されたメモリ制御部１５と、補間演算やガンマ補正演算，ＲＧＢ／ＹＣ変換処理等を行って画像データを生成するデジタル信号処理部１７と、デジタル信号処理部１７で生成された画像データをＪＰＥＧ形式に圧縮したり圧縮画像データを伸張したりする圧縮伸張処理部１８と、測光データを積算しデジタル信号処理部１７が行うホワイトバランス補正のゲインを求める積算部１９と、着脱自在の記録媒体２１が接続される外部メモリ制御部２０と、カメラ背面等に搭載された液晶表示部２３が接続される表示制御部２２とを備え、これらは、制御バス２４及びデータバス２５によって相互に接続され、システム制御部１１からの指令によって制御される。
【００２２】
図２は、図１に示す固体撮像素子５の平面模式図である。
固体撮像素子５は、半導体基板上の垂直方向とこれに直交する水平方向に配列された多数の光電変換素子１０１と、多数の光電変換素子１０１の各々で発生した電荷を垂直方向に転送する複数の垂直電荷転送部（ＶＣＣＤ）１０２と、複数の垂直電荷転送部１０２の各々を転送されてきた電荷を一時的に蓄積するラインメモリ１０５と、ラインメモリ１０５から出力された電荷を水平方向に転送する水平電荷転送部（ＨＣＣＤ）１０３と、水平電荷転送部を転送されてきた電荷に応じた信号を出力する出力部１０４とを含んで構成される。
【００２３】
多数の光電変換素子１０１は、水平方向に並ぶｎ個（ｎは２以上の自然数）の光電変換素子１０１からなる光電変換素子行を垂直方向にｍ（ｍは２以上の自然数）個配列した構成、又は、垂直方向に並ぶｍ個の光電変換素子１０１からなる光電変換素子列を水平方向にｎ個配列した構成となっている。奇数番目の光電変換素子行は、偶数番目の光電変換素子行に対して、各光電変換素子行の光電変換素子配列ピッチの略１／２だけ水平方向にずらして配置された、所謂、ハニカム配列となっている。
【００２４】
奇数番目の光電変換素子行を構成する光電変換素子１０１は、検出感度が相対的に低い低感度の光電変換素子である。奇数番目の光電変換素子行には、緑色の波長域の光を検出する低感度の光電変換素子１０１（以下、ｇ光電変換素子１０１という。図２では符号ｇを記した）と、青色の波長域の光を検出する低感度の光電変換素子１０１（以下、ｂ光電変換素子１０１という。図２では符号ｂを記した）を、ｇ光電変換素子１０１を先頭にして水平方向に交互に配列した行と、赤色の波長域の光を検出する低感度の光電変換素子１０１（以下、ｒ光電変換素子１０１という。図２では符号ｒを記した）とｇ光電変換素子１０１を、ｒ光電変換素子１０１を先頭にして水平方向に交互に配列した行とが含まれ、これら２つの行が垂直方向に交互に配列されている。
【００２５】
偶数番目の光電変換素子行を構成する光電変換素子１０１は、検出感度が相対的に高い高感度の光電変換素子である。偶数番目の光電変換素子行には、緑色の波長域の光を検出する高感度の光電変換素子１０１（以下、Ｇ光電変換素子１０１という。図２では符号Ｇを記した）と、青色の波長域の光を検出する高感度の光電変換素子１０１（以下、Ｂ光電変換素子１０１という。図２では符号Ｂを記した）を、Ｇ光電変換素子１０１を先頭にして水平方向に交互に配列した行と、赤色の波長域の光を検出する高感度の光電変換素子１０１（以下、Ｒ光電変換素子１０１という。図２では符号Ｒを記した）とＧ光電変換素子１０１を、Ｒ光電変換素子１０１を先頭にして水平方向に交互に配列した行とが含まれ、これら２つの行が垂直方向に交互に配列されている。
【００２６】
光電変換素子の検出感度を変化させるには、光電変換素子の受光面の面積を変化させてもよいし、光電変換素子上方に設けたマイクロレンズによって、集光面積を変化させてもよいし、低感度の光電変換素子１０１と高感度の光電変換素子１０１とで露光時間を変化させても良いし、出力部１０４において低感度の光電変換素子１０１から得られた電荷と高感度の光電変換素子１０１から得られた電荷の増幅率をそれぞれ変えても良い。
【００２７】
各光電変換素子列には、１つのＶＣＣＤ１０２が対応して設けられ、各ＶＣＣＤ１０２には、ここに対応する光電変換素子列に含まれるｍ個の光電変換素子１０１から電荷が読み出されるようになっている。
【００２８】
各光電変換素子列とそれに対応するＶＣＣＤ１０２の電荷転送チャネルとの間には、図中に矢印で模式的に示した電荷読み出し領域が形成されており、この電荷読み出し領域を介して、露光期間中に光電変換素子１０１で発生した電荷が、ＶＣＣＤ１０２の電荷転送チャネルに読み出される。
【００２９】
半導体基板表面の水平方向には、各光電変換素子１０１を避けるように蛇行して垂直転送電極Ｖ１，Ｖ２，…，Ｖ８が敷設されている。半導体基板には各光電変換素子列の側部に図示しない電荷転送チャネルが、光電変換素子１０１を避けるように垂直方向に蛇行して形成されている。この電荷転送チャネルと、この上に設けられ垂直方向に配置される垂直転送電極Ｖ１〜Ｖ８とでＶＣＣＤ１０２が形成される。ＶＣＣＤ１０２は、撮像素子駆動部１０から出力される垂直転送パルスφＶによって転送駆動される。ラインメモリ１０５に最も近いＶＣＣＤ１０２の垂直転送電極はＶ８となっている。垂直転送電極Ｖ１，Ｖ２，…，Ｖ８には、それぞれ垂直転送パルスφＶ１，φＶ２，…，φＶ８が供給される。
【００３０】
ラインメモリ１０５は、各ＶＣＣＤ１０２に対応するｎ個の電荷蓄積領域とその上方に設けられた駆動電極とで構成され、各電荷蓄積領域には、これに対応するＶＣＣＤ１０２から転送された電荷が一時的に蓄積される。ラインメモリ１０５の駆動電極には、撮像素子駆動部１０から出力される駆動パルスφＬＭが供給され、ラインメモリ１０５は、この駆動パルスφＬＭによって駆動される。
【００３１】
ＨＣＣＤ１０３は、図示しない電荷転送チャネルとその上に設けられた電極とで構成される。ＨＣＣＤ１０３は、撮像素子駆動部１０から出力される水平転送パルスφＨ１，φＨ２，φＨ３，φＨ４によって４相駆動される。ＨＣＣＤ１０３は、ラインメモリの各電荷蓄積領域に対応するｎ個の電荷転送段で構成され、各電荷転送段には、これに対応する電荷蓄積領域に蓄積された電荷が転送される。
【００３２】
各電荷転送段は、同一の駆動パルスが供給される一対の電極と、その一対の電極下方の電荷転送チャネルとで構成されている。各電荷転送段を構成する一対の電極には、水平転送パルスφＨ１が供給される電極Ｈ１と、水平転送パルスφＨ２が供給される電極Ｈ２と、水平転送パルスφＨ３が供給される電極Ｈ３と、水平転送パルスφＨ４が供給される電極Ｈ４とが含まれる。電極Ｈ１〜Ｈ４の配列は、例えば、電極Ｈ１〜Ｈ４をこの順に水平方向に配列したパターンを、水平方向に繰り返して配列したものとなっている。
【００３３】
尚、「垂直」「水平」という用語を使用して説明したが、これは、半導体基板表面に沿う「１方向」「この１方向に対して略直角の方向」という意味である。
【００３４】
このように構成された固体撮像素子５では、ラインメモリ１０５に、隣接する２つの光電変換素子行から得られた電荷を一度に蓄積することができる。Ｒ光電変換素子１０１から得られる電荷を“Ｒ”とし、Ｇ光電変換素子１０１から得られる電荷を“Ｇ”とし、Ｂ光電変換素子１０１から得られる電荷を“Ｂ”とし、ｒ光電変換素子１０１から得られる電荷を“ｒ”とし、ｇ光電変換素子１０１から得られる電荷を“ｇ”とし、ｂ光電変換素子１０１から得られる電荷を“ｂ”とすると、ラインメモリ１０５の各電荷蓄積領域に電荷が蓄積された状態での電荷の配列は、ＲｒＧｇＲｒＧｇＲｒＧｇ・・・、又は、ＧｇＢｂＧｇＢｂＧｇＢｂ・・・のように、ある電荷に注目したときに、その注目した電荷に隣接する２つの電荷のうち、一方の電荷がその注目した電荷と同一色成分となり、他方の電荷がその注目した電荷と異なる色成分となった配列となる。
【００３５】
次に、電荷を加算して読み出すための駆動方法を説明する。
図３は、図２に示した固体撮像素子５の駆動方法を説明するための図である。
図３には、ラインメモリ１０５の各電荷蓄積領域を長方形状のブロックで示し、各電荷蓄積領域の下に、これに対応するＨＣＣＤ１０５の電荷転送段を長方形状のブロックで示し、各電荷転送段の上方に、各電荷転送段を構成する電極Ｈ１〜Ｈ４を記した。
【００３６】
露光期間が終了すると、各光電変換素子１０１から電荷をＶＣＣＤ１０２に読み出し、これらを垂直方向に転送するようＶＣＣＤ１０２を駆動する。そして、隣接する２つの光電変換素子行から得られた電荷（・・・ｇＲｒＧｇＲｒＧ・・・）を、Ｈの駆動パルスφＬＭが供給されているラインメモリ１０５に蓄積する（時刻ｔ１）。このとき、電極Ｈ１〜Ｈ４に供給される水平転送パルスφＨ１〜φＨ４はＨとなっている。
【００３７】
次に、駆動パルスφＬＭをＬにして、各電荷蓄積領域に蓄積された電荷を、それに対応する電荷転送段に移動させる（時刻ｔ２）。次に、駆動パルスφＬＭをＨにして、ラインメモリ１０５に、ＶＣＣＤ１０２からの電荷が蓄積できる状態に戻しておく（時刻ｔ３）。次に、ＨＣＣＤ１０３に転送された電荷のうち、隣接する同一色成分の２つの電荷のうちのＨＣＣＤ１０３の電荷転送方向上流側にある電荷のみを水平方向に転送するために、水平転送パルスφＨ１，φＨ３をＬにして、電極Ｈ１下にあった電荷ｇを電極Ｈ４下に転送し、電極Ｈ３下にあった電荷ｒを電極Ｈ２下に転送する（時刻ｔ４）。時刻ｔ４の駆動により、電荷Ｒに電荷ｒが加算され、電荷Ｇに電荷ｇが加算される。電荷加算後は、水平転送パルスφＨ１〜φＨ４をＬ，Ｈで切り替えていくことで、加算した電荷を順次水平方向に転送する。
【００３８】
加算した電荷を水平方向に転送した後、又は、その途中で、ＶＣＣＤ１０２を駆動して、隣接する２つの光電変換素子行から得られた電荷（・・・ｂＧｇＢｂＧｇＢ・・・）をラインメモリ１０５に蓄積する。そして、時刻ｔ２〜ｔ４と同様に駆動パルスφＬＭと水平転送パルスφＨ１〜φＨ４を供給することで、電荷Ｇに電荷ｇを加算し、電荷Ｂに電荷ｂを加算する。電荷加算後は、水平転送パルスφＨ１〜φＨ４をＬ，Ｈで切り替えていくことで、加算した電荷を順次水平方向に転送する。
【００３９】
このような駆動を繰り返すことで、全ての光電変換素子１０１から信号を読み出す。
【００４０】
以上のような駆動方法によれば、ラインメモリ１０５からＨＣＣＤ１０３への電荷の転送回数を１回にして、高感度の光電変換素子１０１から得られた電荷と、その高感度の光電変換素子１０１に隣接した同一色成分を検出する低感度の光電変換素子１０１から得られた電荷とを加算することができる。このため、従来よりも高速に信号を読み出すことが可能となり、多画素化が進んだ場合でも、フレームレートの低下を防ぐことができる。
【００４１】
尚、図３に示した駆動方法では、時刻ｔ２の後、時刻ｔ３で駆動パルスφＬＭをＨにしてから、時刻ｔ４で電荷の加算を行うものとしたが、図４に示すように、時刻ｔ２でラインメモリ１０５の電荷をＨＣＣＤ１０３に転送した後、時刻ｔ３’で、駆動パルスφＬＭをＨにすると同時に、水平転送パルスφＨ１，φＨ３をＬにしても良い。このようにすることで、図３に示した方法よりも駆動時間を短縮することができる。又、図３に示した方法よりも、水平転送パルスφＨ１，φＨ３をＨにしている時間を短くすることができ、消費電力を抑えることができる。
【００４２】
又は、図５に示すように、時刻ｔ２でラインメモリ１０５の電荷をＨＣＣＤ１０３に転送した後、時刻ｔ３’’で水平転送パルスφＨ１，φＨ３をＬにして電荷加算を行い、その後、時刻ｔ４’で駆動パルスφＬＭをＨにしても良い。このようにすることで、図３に示した方法よりも、水平転送パルスφＨ１，φＨ３をＨにしている時間を短くすることができ、消費電力を抑えることができる。
尚、本実施形態で説明した駆動方法は、ラインメモリ１０５の各電荷蓄積領域に電荷が蓄積された状態での電荷の配列が、ある電荷に注目したときに、その注目した電荷に隣接する２つの電荷のうち、一方の電荷がその注目した電荷と同一色成分となり、他方の電荷がその注目した電荷と異なる色成分となる配列となるように、各光電変換素子１０１の配列及び特性が決められたものであれば適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明の実施形態を説明するための撮像装置の一例であるデジタルカメラの概略構成を示す図
【図２】図１に示す固体撮像素子の平面模式図
【図３】図２に示した固体撮像素子５の駆動方法を説明するための図
【図４】図２に示した固体撮像素子５の駆動方法（変形例）を説明するための図
【図５】図２に示した固体撮像素子５の駆動方法（変形例）を説明するための図
【図６】特許文献１記載のような構成の固体撮像素子において電荷加算を行う場合の従来の駆動方法を説明するための図
【符号の説明】
【００４４】
５  固体撮像素子
１０１  光電変換素子
１０２  ＶＣＣＤ
１０３  ＨＣＣＤ
１０５  ラインメモリ
【図１】
2008104013.tif 000003
【図２】
2008104013.tif 000004
【図３】
2008104013.tif 000005
【図４】
2008104013.tif 000006
【図５】
2008104013.tif 000007
【図６】
2008104013.tif 000008