(57)【要約】【課題】ＩＰＡなどの有機溶剤の蒸気を用いて液体で濡れた基板表面を乾燥させる基板処理装置および基板処理方法において、基板表面に形成されたパターンの倒壊が発生するのを防止しながら、基板表面を良好に乾燥させる。【解決手段】リンス処理後に多孔質材料で形成された対向部材４の底面４３を基板対向面として基板表面Ｗｆに付着するリンス液に対向しながら離間配置させる。そして、リンス液に溶解して表面張力を低下させる有機溶剤の蒸気を含む有機溶剤ガスを対向部材４の天面４１の略中央部に供給する。対向部材４に供給された有機溶剤ガスは対向部材４の内部を分散しながら広がっていき、対向部材４の底面４３の全体から均一に基板表面Ｗｆに付着するリンス液に向けて吐出される。これにより、リンス液の各部に有機溶剤が均一に溶解していき、表面張力が均一に低下していく。【選択図】図１
2008028068.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液体で濡れた基板表面を乾燥させる基板処理装置において、
前記基板表面を上方に向けた状態で基板を略水平姿勢で保持する基板保持手段と、
多孔質材料で形成されるとともに、前記基板保持手段に保持された前記基板の表面と対向可能な基板対向面を有し、該基板対向面を前記基板表面に付着する液体に対向しながら離間配置される対向部材と、
前記液体に溶解して表面張力を低下させる有機溶剤の蒸気を必須的に含む有機溶剤ガスを前記対向部材の前記基板対向面を除く非対向面に供給することで、前記対向部材を介して前記基板対向面から前記基板表面に付着する液体に向けて前記有機溶剤ガスを吐出させる溶剤ガス吐出手段と
を備え、
前記溶剤ガス吐出手段から吐出される前記有機溶剤ガスに含まれる有機溶剤を前記基板表面に付着する液体に溶解させた後、該溶解済の液体を前記基板表面から除去して前記基板表面を乾燥させることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記基板表面の全体が前記液体で濡れている請求項１記載の基板処理装置において、
前記基板対向面は前記基板表面の平面サイズと同等以上の大きさの平面サイズを有する基板処理装置。
【請求項３】
前記対向部材が略円盤状部材であり、該略円盤状部材の底面を前記基板対向面として前記基板表面に対向して配置された請求項１または２記載の基板処理装置であって、
前記溶剤ガス吐出手段は前記略円盤状部材の天面に前記有機溶剤ガスを供給するとともに、供給ガスの全てを前記略円盤状部材の底面に導いて前記略円盤状部材の底面から前記有機溶剤ガスを吐出させる基板処理装置。
【請求項４】
前記基板保持手段に保持された前記基板を回転させる回転手段をさらに備え、
前記溶剤ガス吐出手段は前記回転手段により回転される前記基板の表面に付着する液体に前記対向部材を介して前記有機溶剤ガスを供給する請求項１ないし３のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記回転手段は前記基板を回転させて前記基板表面に付着している前記溶解済の液体を振り切って前記基板表面を乾燥させる請求項４記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記対向部材を加熱して前記対向部材の温度を調整する温度調整手段をさらに備える請求項１ないし５のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項７】
液体で濡れた基板表面を乾燥させる基板処理方法において、
前記基板表面を上方に向けた状態で基板を略水平姿勢で保持しながら多孔質材料で形成された対向部材の一面を基板対向面として前記基板表面に付着する液体に対向させながら離間配置する対向部材配置工程と、
前記対向部材配置工程後に前記液体に溶解して表面張力を低下させる有機溶剤の蒸気を必須的に含む有機溶剤ガスを前記基板対向面を除く非対向面に供給することで、前記対向部材を介して前記基板対向面から前記基板表面に付着する液体に向けて前記有機溶剤ガスを吐出させるとともに、前記有機溶剤ガスに含まれる有機溶剤を前記基板表面に付着する液体に溶解させる溶解工程と、
前記有機溶剤が溶解した溶解済の液体を前記基板表面から除去して該基板表面を乾燥させる乾燥工程と
を備えたことを特徴とする基板処理方法。
【請求項８】
前記対向部材配置工程前にリンス液を前記基板表面に供給してリンス処理を施すリンス工程をさらに備え、
前記溶解工程では、前記基板表面に付着しているリンス液を前記液体として該リンス液に前記有機溶剤を溶解させる請求項７記載の基板処理方法。
【請求項９】
前記リンス工程前に前記基板表面にエッチング作用を有する薬液を供給して前記基板表面に対して薬液処理を施す薬液処理工程をさらに備える請求項８記載の基板処理方法であって、
前記多孔質材料は前記薬液に対して耐薬品性を有する基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、液体で濡れた基板表面を乾燥させる基板処理装置および基板処理方法に関するものである。なお、乾燥処理対象となる基板には、半導体ウエハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板、プラズマ表示用ガラス基板、ＦＥＤ（Field Emission Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板等が含まれる。
【背景技術】
【０００２】
薬液による薬液処理および純水などのリンス液によるリンス処理が行われた後、基板表面に付着するリンス液を除去すべく、数多くの乾燥方法が従来より提案されている。そのうちのひとつとして、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）などの有機溶剤を用いた乾燥方法が知られている。例えば特許文献１に記載された装置では、基板を回転させながら脱イオン化された純水（以下「ＤＩＷ」と称する）で濡れた基板表面に有機溶剤を供給して基板表面を乾燥させている。この装置では、回転チャックに略水平姿勢で保持された基板の上方に有機溶剤供給部（対向部材）が対向して配置されている。有機溶剤供給部は基板に対応する円盤形状を有し、その下部には有機溶剤を基板上に供給するための複数のノズルが形成されている。複数のノズルは回転チャックの回転軸を中心として放射状に配置されている。このため、複数のノズルから有機溶剤が吐出されると、複数のノズルに対向した基板表面の各部に有機溶剤が同時に供給される。その結果、基板上のＤＩＷに有機溶剤が溶解して表面張力が低下し、基板の乾燥効率が向上する。
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−１２８４９５号公報（図１８，図１９）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、基板表面に形成されるパターンの微細化が近年急速に進められているが、この微細化に伴って基板処理において新たな問題が生じることとなった。すなわち、乾燥処理を行っている間に、微細パターン同士が引き寄せられて倒壊する問題があった。具体的には、乾燥処理の進展に伴って液体と気体との界面が基板上に現れるが、微細パターン同士がパターンの間隙に発生する負圧によって引き寄せられて倒壊する問題があった。このパターンの間隙に発生する負圧の大きさは液体の表面張力に依存し、液体の表面張力が大きいほど大きくなる。そのため、ＤＩＷで濡れた基板表面を乾燥させる場合には、ＤＩＷよりも表面張力の小さな流体、例えばＩＰＡなどの有機溶剤を用いることがパターン倒壊防止に有効となっている。
【０００５】
しかしながら、特許文献１に記載された装置では、複数のノズルからＤＩＷで濡れた基板表面に有機溶剤を供給しているため、次のような問題があった。すなわち、複数ノズルの各々から有機溶剤が吐出されると、基板表面のうち、各ノズルから基板表面に向けて有機溶剤が直接に供給される基板表面領域（以下「直接供給領域」という）と、そうでない基板表面領域（以下「非直接供給領域」という）が生じてしまう。その結果、直接供給領域に付着する液体の表面張力が非直接供給領域に付着する液体の表面張力に比較して大きく低下して、直接供給領域に付着する液体と非直接供給領域に付着する液体との間に比較的大きな表面張力差が発生する。そして、このような表面張力差によって基板表面に付着する液体に水平方向（基板表面に平行な方向）に急激な対流（マランゴニ対流）が起こり、基板表面が局所的に乾燥してしまうという問題があった。このため、基板表面に付着するＤＩＷに有機溶剤が十分に溶解しないうちに基板表面が部分的に乾燥される結果となり、パターン倒壊を十分に防止することができなかった。
【０００６】
また、基板表面が部分的に乾燥されると、乾燥領域と未乾燥領域（液体で濡れている基板表面領域）との間に界面（気液固界面）が生じることとなるが、このような気液固界面の位置を制御することは困難であった。すなわち、基板表面に付着する液体にマランゴニ対流が起こり、該液体の一部が移動して基板表面が部分的に乾燥する。しかしながら、マランゴニ対流が起こった後に未乾燥領域上の液体が該液体の表面と基板表面とがなす固有の接触角を形成するように乾燥領域に移動する。その結果、一旦、乾燥した基板表面領域（乾燥領域）が再び液体で濡れることがあった。つまり、気液固界面の位置が乾燥領域と未乾燥領域との間で変動することがあった。その結果、乾燥領域に液滴が残留するなどしてウォーターマーク発生等の乾燥不良を引き起こしてしまう場合があった。
【０００７】
ここで、複数ノズルが形成された有機溶剤供給部を基板表面から上方に十分に離れた位置に配置することも考えられる。これにより、有機溶剤が複数ノズルから吐出されてから基板表面に付着するＤＩＷに到達するまでに有機溶剤を拡散させることができる。その結果、有機溶剤をある程度、基板表面に付着するＤＩＷの全体に均一に供給可能となる。しかしながら、この場合には、有機溶剤が拡散する結果、有機溶剤が複数ノズルから吐出されてから基板表面に付着するＤＩＷに到達するまでの間に、基板表面と複数ノズルとに挟まれた雰囲気中の有機溶剤の濃度が低下してしまう。このため、基板表面に付着する液体の表面張力を十分に低下させることができず、基板乾燥時におけるパターン倒壊を有効に防止することができなくなる。
【０００８】
この発明は上記課題に鑑みなされたものであり、ＩＰＡなどの有機溶剤の蒸気を用いて液体で濡れた基板表面を乾燥させる基板処理装置および基板処理方法において、基板表面に形成されたパターンの倒壊が発生するのを防止しながら、基板表面を良好に乾燥させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
この発明は、液体で濡れた基板表面を乾燥させる基板処理装置および基板処理方法であって、上記目的を達成するため、以下のように構成されている。すなわち、基板処理装置は、基板表面を上方に向けた状態で基板を略水平姿勢で保持する基板保持手段と、多孔質材料で形成されるとともに、基板保持手段に保持された基板の表面と対向可能な基板対向面を有し、該基板対向面を基板表面に付着する液体に対向しながら離間配置される対向部材と、液体に溶解して表面張力を低下させる有機溶剤の蒸気を必須的に含む有機溶剤ガスを対向部材の基板対向面を除く非対向面に供給することで、対向部材を介して基板対向面から基板表面に付着する液体に向けて有機溶剤ガスを吐出させる溶剤ガス吐出手段とを備え、溶剤ガス吐出手段から吐出される有機溶剤ガスに含まれる有機溶剤を基板表面に付着する液体に溶解させた後、該溶解済の液体を基板表面から除去して前記基板表面を乾燥させることを特徴としている。また、基板処理方法は、基板表面を上方に向けた状態で基板を略水平姿勢で保持しながら多孔質材料で形成された対向部材の一面を基板対向面として基板表面に付着する液体に対向させながら離間配置する対向部材配置工程と、対向部材配置工程後に液体に溶解して表面張力を低下させる有機溶剤の蒸気を必須的に含む有機溶剤ガスを基板対向面を除く非対向面に供給することで、対向部材を介して基板対向面から基板表面に付着する液体に向けて有機溶剤ガスを吐出させるとともに、有機溶剤ガスに含まれる有機溶剤を基板表面に付着する液体に溶解させる溶解工程と、有機溶剤が溶解した溶解済の液体を基板表面から除去して該基板表面を乾燥させる乾燥工程とを備えたことを特徴としている。
【００１０】
このように構成された発明（基板処理装置および方法）では、対向部材の一面が基板対向面として基板表面に付着する液体に対向しながら離間配置される。また、液体に溶解して表面張力を低下させる有機溶剤（以下「表面張力低下溶剤」という）の蒸気を必須的に含む有機溶剤ガスが対向部材の基板対向面を除く非対向面に供給される。ここで、対向部材は多孔質材料で形成されているため、対向部材に供給された有機溶剤ガスは対向部材内部で分散しながら広げられ、基板対向面の全体から均一に基板表面に付着する液体に向けて吐出される。その結果、基板表面に付着する液体に有機溶剤ガスに含まれる表面張力低下溶剤が液体各部に均一に溶解していく。これによって、液体各部で表面張力が均一に低下していき、基板表面に付着する液体内で水平方向（基板表面に平行な方向）に大きな表面張力差が局所的に生じることがない。したがって、基板表面が部分的に乾燥するのを防止しながら、基板表面に付着する液体に表面張力低下溶剤を溶解させて表面張力を十分に低下させることができる。このため、基板乾燥時におけるパターン倒壊を有効に防止することができる。また、基板表面の部分的な乾燥を防止しているため、基板表面に付着する液体中に気液固界面が現れることがない。このため、基板表面（乾燥領域）に液滴が残留するなどしてウォーターマーク発生等の乾燥不良が発生するのを抑制できる。
【００１１】
さらに、基板対向面の全体から均一に有機溶剤ガスを吐出可能なことから、対向部材を基板表面に近接して配置することができる。すなわち、従来技術のように基板表面に付着する液体に有機溶剤を均一に供給するために、対向部材を基板表面から上方に十分に離れた位置に配置する必要がない。したがって、基板表面と対向部材との隙間を狭めることができ、基板表面と対向部材とに挟まれた雰囲気中の有機溶剤（有機溶剤の蒸気）の濃度を高めることができる。したがって、基板表面に付着する液体に表面張力低下溶剤を十分に溶解させることができ、パターン倒壊防止効果をさらに高めることができる。また、基板表面と対向部材とに挟まれた空間の体積を限定することで、該空間に供給すべき有機溶剤の蒸気量を低減することができ、有機溶剤の消費量を抑制できる。
【００１２】
ここで、基板表面の全体が液体で濡れている基板処理装置においては、基板対向面は基板表面の平面サイズと同等以上の大きさの平面サイズを有するのが好ましい。このように構成された装置では、基板対向面の全体から有機溶剤ガスが均一に基板表面全体に付着する液体に向けて吐出される。このため、基板表面全体に付着する液体の各部で表面張力差を発生させることなく、液体の全面にわたって表面張力を均一に低下させていくことができる。したがって、パターン倒壊を防止しながら基板表面全体を良好に乾燥させることができる。
【００１３】
また、対向部材が略円盤状部材であり、該略円盤状部材の底面を基板対向面として基板表面に対向して配置された基板処理装置においては、溶剤ガス吐出手段は略円盤状部材の天面に有機溶剤ガスを供給するとともに、供給ガスの全てを略円盤状部材の底面に導いて略円盤状部材の底面から有機溶剤ガスを吐出させてもよい。このような構成によれば、略円盤状部材の天面に供給された有機溶剤ガスの全てが対向部材内部で分散しながら広げられ、略円盤状部材の底面全体から吐出される。したがって、基板表面に付着する液体の全面に均一かつ効率的に有機溶剤を溶解させることができる。
【００１４】
また、基板保持手段に保持された基板を回転させる回転手段をさらに設けて、回転手段により回転される基板の表面に向けて対向部材を介して有機溶剤ガスを供給してもよい。この構成によれば、基板表面に付着する液体各部に対向部材から吐出される有機溶剤ガスをさらに均一にして供給することができる。したがって、基板表面に付着する液体内で表面張力差が生じるのを確実に防止できる。
【００１５】
また、基板を回転させて基板表面に付着した溶解済の液体を振り切って基板を乾燥させるのが好ましい。この構成によれば、パターン倒壊を有効に防止しながらも、乾燥時間を短縮してスループットを向上させることができる。
【００１６】
また、対向部材を加熱して対向部材の温度を調整する温度調整手段をさらに設けてもよい。この構成によれば、温度調整手段が対向部材を加熱することによって、対向部材に有機溶剤ガスを供給する際に対向部材と有機溶剤ガスとの間の温度差を小さくしたり、あるいは対向部材の温度を有機溶剤ガスの温度以上に調整することができる。このため、例えば温度調整前における対向部材の温度が有機溶剤ガスの温度よりも低い場合であっても、温度調整手段により予め昇温させることで、対向部材において有機溶剤ガスに含まれる有機溶剤の蒸気が凝縮するのを防止できる。その結果、凝縮して生成された液が対向部材から基板表面に落下して基板表面にパーティクルが付着するなどの弊害を未然に防止できる。したがって、対向部材の温度を調整しておくことで、基板への弊害を防止しながら比較的高温の有機溶剤ガスを基板表面に付着する液体に供給できる。これにより、基板表面からの液体（溶解済の液体）の乾燥速度を高めて乾燥時間を短縮することができる。
【００１７】
また、対向部材配置工程前にリンス液を基板表面に供給してリンス処理を施すリンス工程をさらに備え、溶解工程では、基板表面に付着しているリンス液を液体として該リンス液に有機溶剤を溶解させてもよい。この構成によれば、リンス処理後にリンス液で濡れている基板表面を乾燥させる際に、パターンの倒壊が発生するのを防止しながら、リンス液を基板表面から除去して基板表面を良好に乾燥させることができる。
【００１８】
また、リンス工程前に基板表面にエッチング作用を有する薬液を供給して基板表面に対して薬液処理を施す薬液処理工程をさらに備える基板処理方法においては、対向部材を形成する多孔質材料は薬液に対して耐薬品性を有していることが好ましい。これにより、基板表面に対して一連の洗浄処理（薬液処理工程＋リンス工程＋溶解工程＋乾燥工程）を同一のチャンバーで連続して実行できる。すなわち、同一チャンバー内で一連の洗浄処理を実行する場合、薬液処理工程においてチャンバー内に設けた対向部材がエッチング作用を有する薬液の蒸気等に晒され腐食されるおそれがある。これに対して、薬液に対して耐薬品性を有する多孔質材料で対向部材を形成することにより、薬液による対向部材の腐食を防止することができる。
【００１９】
なお、本発明に用いられる「多孔質材料」としてはポリエチレン等のプラスチック材料、セラミックス材料、フッ素樹脂系の材料を用いることができる。また、ステンレス鋼等の金属材料も用いることができるが、このような金属材料はエッチング作用を有する薬液に対して耐薬品性を有していない。したがって、この場合には、金属材料で形成された対向部材の底面（下面）側に耐薬品性を有するフッ素樹脂系の多孔質材料で形成された部材を貼り付けて使用することが好ましい。
【００２０】
また、本発明に用いられる「有機溶剤ガス」としてはアルコール系有機溶剤の蒸気を含むガスを用いることができる。なお、アルコール系有機溶剤としては、安全性、価格等の観点からイソプロピルアルコール、エチルアルコールまたはメチルアルコールを用いることができるが、特にイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）が好適である。また、有機溶剤ガスは、このような有機溶剤の蒸気そのものであってもよいが、基板表面に付着する液体に有機溶剤を送り込むために、窒素ガス等の不活性ガスをキャリアとして用いて、不活性ガスに有機溶剤の蒸気を混合させたものであることが好ましい。
【発明の効果】
【００２１】
この発明によれば、多孔質材料で形成された対向部材の一面を基板対向面として基板表面に付着する液体に対向しながら離間配置するとともに、該液体に溶解して表面張力を低下させる有機溶剤の蒸気を必須的に含む有機溶剤ガスを基板対向面を除く非対向面に供給することで、基板対向面から基板表面に付着する液体に向けて有機溶剤ガスを吐出させている。これにより、基板表面に付着する液体に有機溶剤ガスに含まれる有機溶剤が均一に溶解していき、液体内で水平方向（基板表面に平行な方向）に大きな表面張力差が局所的に生じることがない。したがって、基板表面に付着する液体に有機溶剤を溶解させて表面張力を十分に低下させることができ、基板乾燥時におけるパターン倒壊を有効に防止することができる。また、基板表面の部分的な乾燥を防止しているため、基板表面に付着する液体中に気液固界面が現れることがなく、ウォーターマーク発生等の乾燥不良が発生するのを抑制できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
＜第１実施形態＞
図１はこの発明にかかる基板処理装置の第１実施形態を示す図である。この基板処理装置は半導体ウエハ等の基板Ｗの表面Ｗｆに付着した汚染物質を除去するための洗浄処理に用いられる枚葉式の基板処理装置である。より具体的には、微細パターンが形成された基板表面Ｗｆに対してフッ酸などの薬液による薬液処理および純水やＤＩＷなどのリンス液によるリンス処理を施した後、リンス液で濡れた基板Ｗに対して後述の溶解処理を施してから基板Ｗに対して乾燥処理を行う装置である。
【００２３】
この基板処理装置は、基板Ｗに対して洗浄処理を施す処理空間をその内部に有する処理チャンバー（図示せず）内に、基板Ｗをその表面Ｗｆを上方に向けた状態で略水平姿勢に保持して回転させるスピンチャック１と、スピンチャック１に保持された基板Ｗの上面に対向配置された溶剤ガス吐出部３と、スピンチャック１に保持された基板Ｗの上方からそれぞれ薬液およびリンス液を供給する、薬液ノズル５およびリンスノズル７を備えている。
【００２４】
スピンチャック１は、回転支柱１１がモータを含むチャック回転機構１３の回転軸に連結されており、チャック回転機構１３の駆動により鉛直軸回りに回転可能となっている。回転支柱１１の上端部には、円盤状のスピンベース１５が一体的にネジなどの締結部品によって連結されている。したがって、装置全体を制御する制御ユニット８０からの動作指令に応じてチャック回転機構１３を駆動させることによりスピンベース１５が鉛直軸回りに回転する。このように、この実施形態では、チャック回転機構１３が本発明の「回転手段」として機能する。
【００２５】
スピンベース１５の周縁部付近には、基板Ｗの周縁部を把持するための複数個のチャックピン１７が立設されている。チャックピン１７は、円形の基板Ｗを確実に保持するために３個以上設けてあればよく、スピンベース１５の周縁部に沿って等角度間隔で配置されている。チャックピン１７のそれぞれは、基板Ｗの周縁部を下方から支持する基板支持部と、基板支持部に支持された基板Ｗの外周端面を押圧して基板Ｗを保持する基板保持部とを備えている。各チャックピン１７は、基板保持部が基板Ｗの外周端面を押圧する押圧状態と、基板保持部が基板Ｗの外周端面から離れる解放状態との間を切り替え可能に構成されている。
【００２６】
スピンベース１５に対して基板Ｗが受渡しされる際には、複数個のチャックピン１７を解放状態とし、基板Ｗに対して洗浄処理を行う際には、複数個のチャックピン１７を押圧状態とする。押圧状態とすることによって、複数個のチャックピン１７は基板Ｗの周縁部を把持してその基板Ｗをスピンベース１５から所定間隔を隔てて略水平姿勢に保持することができる。これにより、基板Ｗはその表面（パターン形成面）Ｗｆを上方に向け、裏面Ｗｂを下方に向けた状態で保持される。このように、この実施形態では、チャックピン１７が本発明の「基板保持手段」として機能する。なお、基板保持手段としては、チャックピン１７に限らず、基板裏面Ｗｂを吸引して保持する真空チャックを用いてもよい。
【００２７】
スピンチャック１の上方には、円盤状の溶剤ガス吐出部３が配設されている。溶剤ガス吐出部３はスピンチャック１に保持された基板Ｗの表面Ｗｆに対向しながら離間配置されている。この溶剤ガス吐出部３はスピンチャック１の回転支柱１１とほぼ同軸上に配置された支軸３５の下端部に一体的に取り付けられている。支軸３５には溶剤ガス吐出部昇降機構３７が連結されており、制御ユニット８０からの動作指令に応じて溶剤ガス吐出部昇降機構３７の昇降駆動用アクチェータ（例えばエアシリンダーなど）を作動させることで、溶剤ガス吐出部３をスピンベース１５に近接して対向させたり、逆に離間させることが可能となっている。具体的には、制御ユニット８０は溶剤ガス吐出部昇降機構３７を駆動させることで、スピンチャック１に保持された基板Ｗの表面Ｗｆの近傍に設定された所定の処理位置と、スピンチャック１の上方に十分に離れた退避位置との間で溶剤ガス吐出部３を昇降させる。
【００２８】
図２は図１の基板処理装置に装備された溶剤ガス吐出部の底面図である。以下、図１および図２を参照しつつ、溶剤ガス吐出部３の構成について説明する。溶剤ガス吐出部３は有底筒状に形成され、内底面が下方に向けられている。溶剤ガス吐出部３は、その下面３１ａが有底筒状体の内底面となっている略円盤状の蓋部３１と、蓋部３１の端縁部に下方に向けて延設された円環状の側部３２とを備えている。そして、溶剤ガス吐出部３の内部に、多孔質材料で形成された対向部材４が配設されている。対向部材４は略円盤状に形成された部材であり、対向部材４の天面４１と側面４２とが溶剤ガス吐出部３の内壁面に密着している。つまり、対向部材４の天面４１が溶剤ガス吐出部３の蓋部３１に、対向部材４の側面４２が溶剤ガス吐出部３の側部３２にそれぞれ密着している。
【００２９】
また、対向部材４の底面４３がスピンチャック１に保持された基板Ｗの表面Ｗｆに対向する基板対向面となっている。対向部材４の底面４３は基板表面Ｗｆと平行して対向可能となっている。対向部材４の底面４３は基板表面Ｗｆの平面サイズ（基板径）Ｄと同等以上の平面サイズを有している。このため、溶剤ガス吐出部３が処理位置に配置されると、対向部材４の底面４３が基板Ｗの表面全体を覆って基板表面Ｗｆ上の雰囲気を外部雰囲気から遮断することが可能となっている。
【００３０】
なお、対向部材４を形成する多孔質材料としては、例えばポリエチレン等のプラスチック材料、セラミックス材料、フッ素樹脂系の材料を用いることができる。特にリンス処理前にエッチング作用を有するフッ酸などの薬液を供給して基板表面Ｗｆに対して薬液処理を施す場合には、耐薬品性を有する多孔質材料を用いるのが好ましい。これにより、基板表面Ｗｆに対して一連の洗浄処理（薬液処理工程＋リンス工程＋溶解工程＋乾燥工程）を同一のチャンバーで連続して実行できる。すなわち、同一チャンバー内で一連の洗浄処理を実行する場合、薬液処理工程においてチャンバー内に設けられた対向部材４がエッチング作用を有する薬液の蒸気等に晒され腐食されるおそれがある。これに対して、薬液に対して耐薬品性を有する多孔質材料で対向部材４を形成することにより、薬液による対向部材４の腐食を防止することができる。
【００３１】
溶剤ガス吐出部３の蓋部３１の略中央部には開口が形成されている。また、支軸３５は中空軸からなり、蓋部３１に形成された開口と支軸３５の中空部とでガス供給路３９を形成している。ガス供給路３９は溶剤ガス供給ユニット２１と接続されており、溶剤ガス供給ユニット２１からの有機溶剤ガスをガス供給路３９を介して対向部材４の天面４１の略中央部（本発明の「非対向面」に相当）に供給可能となっている。このため、制御ユニット８０からの動作指令に応じて溶剤ガス供給ユニット２１から有機溶剤ガスが圧送されると、有機溶剤ガスが対向部材４の天面４１から対向部材４の内部に入り込む。対向部材４には材料に由来する多数の孔が形成されているため、対向部材４に供給された有機溶剤ガスは対向部材４の内部で分散しながら広げられる。また、対向部材４の天面４１および側面４２はそれぞれ、溶剤ガス吐出部３の蓋部３１および側部３２によって覆われているので、対向部材４に供給された有機溶剤ガスは全て対向部材４の底面４３に導かれる。このため、対向部材４の内部で拡散された有機溶剤ガスは対向部材４の底面４３の全体から均一に吐出される。このように、この実施形態では、溶剤ガス吐出部３、溶剤ガス供給ユニット２１およびガス供給路３９が本発明の「溶剤ガス吐出手段」として機能する。
【００３２】
有機溶剤ガスとしては、リンス液（ＤＩＷの場合、表面張力：７２ｍＮ／ｍ）に溶解して表面張力を低下させる有機溶剤、例えばＩＰＡ（イソプロピルアルコール）の蒸気（表面張力：２１〜２３ｍＮ／ｍ）を必須的に含むガスが用いられる。なお、有機溶剤はＩＰＡに限定されず、アルコール系有機溶剤、例えばエチルアルコール、メチルアルコールを用いるようにしてもよい。要はリンス液に溶解して表面張力を低下させる有機溶剤であればよい。また、有機溶剤ガスは、このような有機溶剤の蒸気そのものであってもよいが、基板表面Ｗｆに付着する液体（リンス液）に有機溶剤を送り込むために、窒素ガス等の不活性ガスをキャリアガスとして用いて、不活性ガスに有機溶剤の蒸気を混合させたものであることが好ましい。
【００３３】
図３は溶剤ガス供給ユニットの構成の一例を示す図である。この溶剤ガス供給ユニット２１は、ＩＰＡ蒸気供給源Ｓ１と窒素ガス供給源Ｓ２を備えている。ＩＰＡ蒸気供給源Ｓ１は、ＩＰＡ液体を貯留する溶剤タンク２１１と溶剤タンク２１１内のＩＰＡ液体を加熱するヒータＨ１を有している。このため、ヒータＨ１が溶剤タンク２１１内のＩＰＡ液体を加熱することで、溶剤タンク２１１内の貯留空間のうちＩＰＡ液体が貯留されていない未貯留領域ＵＳへのＩＰＡ蒸気の発生が促進される。窒素ガス供給源Ｓ２は主配管２１２を介してガス供給路３９に連通している。主配管２１２には、上流側（窒素ガス供給源Ｓ２側）から順にヒータＨ２とバルブＶ１とが介装されている。また、ヒータＨ２とバルブＶ１との間には主配管２１２から分岐配管２１３が分岐しており、分岐配管２１３を介して主配管２１２が溶剤タンク２１１内のインレットに接続されている。この分岐配管２１３にはバルブＶ２が介装されている。一方、バルブＶ１の下流側（ガス供給路３９側）では、溶剤タンク２１１内のアウトレットが分岐配管２１４を介して主配管２１２に接続されている。この分岐配管２１４にはバルブＶ３が介装されている。
【００３４】
このような構成により、バルブＶ１を閉じてバルブＶ２，Ｖ３を開くと、窒素ガスをキャリアガスとしてＩＰＡ蒸気がガス供給路３９に送り込まれる。このとき、ヒータＨ１の加熱温度を制御することにより、窒素ガスに混入させるＩＰＡ蒸気量を変えることができる。つまり、ヒータＨ１の制御により、有機溶剤ガス（窒素ガス＋ＩＰＡ蒸気）中のＩＰＡ蒸気濃度を調整することができる。また、ヒータＨ２を動作させることにより、キャリアガス（窒素ガス）自体を加熱することもできる。一方で、バルブＶ２，Ｖ３を閉じてバルブＶ１を開くことにより、窒素ガスのみをガス供給路３９に送り込むこともできる。なお、溶剤ガス供給ユニットの構成は、上記のようにＩＰＡ液体を加熱制御して生成したＩＰＡ蒸気を窒素ガスに混入させる場合に限らない。例えば、ＩＰＡ液体中に窒素ガスをバブリングさせることにより、ＩＰＡ蒸気を窒素ガスに混入させてもよい。
【００３５】
図１に戻って説明を続ける。薬液ノズル５は薬液供給ユニット２２と接続されており、制御ユニット８０からの動作指令に応じて薬液供給ユニット２２から薬液ノズル５に薬液が圧送され、薬液ノズル５から薬液が吐出される。一方、リンスノズル７はリンス液供給ユニット２３と接続されており、制御ユニット８０からの動作指令に応じてリンス液供給ユニット２３からリンスノズル７にリンス液が圧送され、リンスノズル７からリンス液が吐出される。これら薬液ノズル５とリンスノズル７はノズル移動機構（図示せず）に接続され、制御ユニット８０からの動作指令に応じてノズル移動機構が駆動されることで、薬液ノズル５およびリンスノズル７をそれぞれ、基板Ｗの回転中心の上方の吐出位置に配置したり、吐出位置から側方に退避した待機位置に配置したりすることができる。
【００３６】
次に、上記のように構成された基板処理装置の動作について図４ないし図６を参照しつつ詳述する。図４は図１の基板処理装置の動作を示すフローチャートである。また、図５および図６は図１の基板処理装置の動作を示す模式図である。基板搬送手段（図示せず）によって未処理の基板Ｗが処理チャンバー内に搬入されると（ステップＳ１）、制御ユニット８０は装置各部を制御して基板Ｗに対して洗浄処理（薬液処理＋リンス処理＋溶解処理＋乾燥処理）を実行する。ここで、基板表面Ｗfに微細パターンが形成されることがある。つまり、基板表面Ｗfがパターン形成面になっている。そこで、この実施形態では、基板表面Ｗｆを上方に向けた状態で基板Ｗが処理チャンバー内に搬入され、スピンチャック１に保持される。なお、なお、溶剤ガス吐出部３はスピンチャック１の上方の退避位置にあり、基板Ｗとの干渉を防止している。
【００３７】
先ず、基板Ｗに対して薬液処理が実行される。すなわち、薬液ノズル５を吐出位置に移動させるとともに、チャック回転機構１３の駆動によりスピンチャック１に保持された基板Ｗを所定の回転速度（例えば５００ｒｐｍ）で回転させる（ステップＳ２）。続いて、薬液ノズル５から基板表面Ｗｆに薬液としてフッ酸が供給されると、フッ酸が遠心力により広げられ基板表面Ｗｆ全体がフッ酸により薬液処理される（ステップＳ３；薬液処理工程）。
【００３８】
この薬液処理が終了すると、薬液ノズル５が待機位置に移動される。そして、基板Ｗに対してリンス処理が実行される。すなわち、リンスノズル７が吐出位置に移動されるとともに、リンスノズル７から回転する基板Ｗの表面Ｗｆにリンス液（ＤＩＷ）が供給される。これにより、リンス液が遠心力により広げられ基板表面Ｗｆ全体がリンス処理される（ステップＳ４；リンス工程）。その結果、基板表面Ｗｆに残留付着するフッ酸がリンス液により基板表面Ｗｆから除去される。そして、このようにリンス処理を受けた基板表面Ｗｆにはリンス液が全面にわたって付着しており、基板表面Ｗｆの全体にリンス液による液膜が形成されている。
【００３９】
所定時間のリンス処理が終了すると、制御ユニット８０は、溶剤ガス吐出部３を処理位置に位置決めする。具体的には、図５に示すように、対向部材４の底面４３を基板対向面として基板表面Ｗｆに付着するリンス液に対向させながら離間配置させる（対向部材配置工程）。これにより、基板表面Ｗｆの全体が対向部材４の底面４３で覆われる。続いて、溶剤ガス供給ユニット２１から有機溶剤ガスが溶剤ガス吐出部３に圧送され、対向部材４の天面４１に供給される。対向部材４に供給された有機溶剤ガスは対向部材４の内部で分散しながら広げられ、対向部材４の底面４３の全体から均一に基板表面Ｗｆの全体に付着するリンス液に向けて吐出される。その結果、有機溶剤ガスに含まれるＩＰＡ蒸気がリンス液の各部に均一に溶解していく。このため、パターン間隙に付着するリンス液にＩＰＡを溶解させて表面張力を十分に低下させることができる（溶解工程；ステップＳ５）。なお、溶解工程を実行する際には、基板Ｗの回転を停止してもよいし、リンス処理後から基板Ｗの回転を継続しつつ、回転する基板Ｗに対して溶剤ガス吐出部３から有機溶剤ガスを吐出させるようにしてもよい。基板Ｗを回転させることにより、基板表面Ｗｆに付着するリンス液の各部に有機溶剤ガスをさらに均一にして供給することができる。但し、基板表面Ｗｆ上の液体成分を振り切ることがないように、基板Ｗの回転数を１００ｒｐｍ以下に設定することが好ましい。
【００４０】
そして、リンス液へのＩＰＡの溶解処理が終了すると、基板表面全体が溶解済のリンス液（ＩＰＡが溶解したリンス液）による液膜で覆われた状態となっている。続いて、制御ユニット８０はチャック回転機構１３の回転速度を高めて基板Ｗを高速回転（例えば３０００ｒｐｍ）させる。これにより、基板表面Ｗｆに付着する溶解済のリンス液が振り切られ、基板Ｗの乾燥処理（スピンドライ）が実行される（ステップＳ６；乾燥工程）。このとき、パターン間隙に存在する液体成分の表面張力は十分に低下され、パターンの間隙に発生する負圧（パターン倒壊を引き起こす力）は低減されている。したがって、パターン倒壊を有効に防止しながらも、乾燥時間を短縮してスループットを向上させることができる。なお、この乾燥工程においては、溶剤ガス吐出部３を退避位置に位置決めしてもよいし、処理位置に位置決めしてもよい。溶剤ガス吐出部３を処理位置に位置決めした場合には、溶剤ガス供給ユニット２１から窒素ガスのみを供給して基板表面Ｗｆと対向部材４（底面４３）とに挟まれた空間ＳＰ（図５）を窒素ガス雰囲気としてもよい。これにより、基板Ｗの乾燥が促進され、乾燥時間をさらに短縮することができる。
【００４１】
こうして、基板Ｗの乾燥処理が終了すると、制御ユニット８０は、チャック回転機構１３を制御して基板Ｗの回転を停止させる（ステップＳ７）。そして、溶剤ガス吐出部３を退避位置に位置決めした状態で、基板搬送手段が処理済の基板Ｗを装置から搬出して、１枚の基板Ｗに対する一連の洗浄処理が終了する（ステップＳ８）。
【００４２】
以上のように、この実施形態によれば、リンス処理後に多孔質材料で形成された対向部材４の底面４３を基板対向面として基板表面Ｗｆの全体に付着するリンス液に対向しながら離間配置している。そして、ＩＰＡ蒸気、つまり表面張力低下溶剤の蒸気を含む有機溶剤ガスを対向部材４の天面４１に供給することで、対向部材４を介して対向部材４の底面４３の全体から均一に基板表面Ｗｆに付着するリンス液に向けて吐出させている。このため、リンス液の各部に表面張力低下溶剤が均一に溶解して、リンス液の全面にわたって表面張力を均一に低下させていくことができる。その結果、基板乾燥時におけるパターン倒壊を有効に防止することができる。
【００４３】
詳しく説明すると、従来技術のように基板表面Ｗｆに対して部分的に有機溶剤ガスが吐出されると、有機溶剤ガスが直接に供給される基板表面領域（直接供給領域）と、そうでない基板表面領域（非直接供給領域）が生じてしまう。その結果、直接供給領域に付着する液体の表面張力が非直接供給領域に付着する液体の表面張力に比較して大きく低下して、直接供給領域に付着する液体と非直接供給領域に付着する液体との間に比較的大きな表面張力差が発生する。そして、図６（ａ）に示すように、このような表面張力差によって基板表面Ｗｆに付着する液体に水平方向（基板表面に平行な方向）に急激な対流（マランゴニ対流）が起こり、基板表面Ｗｆが局所的に乾燥してしまうという問題があった。このため、基板表面Ｗｆに付着するリンス液に有機溶剤が十分に溶解しないうちに基板表面Ｗｆが部分的に乾燥される結果となり、パターン倒壊を十分に防止することができなかった。
【００４４】
これに対して、この実施形態によれば、図６（ｂ）に示すように、リンス液の各部に有機溶剤を均一に溶解させていくことで、リンス液の内部で水平方向に大きな表面張力差が局所的に生じることがない。したがって、基板表面が部分的に乾燥するのを防止しながら、パターン間隙に付着するリンス液に有機溶剤（表面張力低下溶剤）を溶解させて表面張力を十分に低下させることができる。このため、基板乾燥時におけるパターン倒壊を有効に防止することができる。また、基板表面Ｗｆの部分的な乾燥を防止しているため、基板表面Ｗｆに付着するリンス液中に気液固界面が現れることがない。このため、基板表面（乾燥領域）に液滴が残留するなどしてウォーターマーク発生等の乾燥不良が発生するのを抑制できる。
【００４５】
また、この実施形態によれば、対向部材４の底面４３の全体から均一に有機溶剤ガスを吐出可能なことから、対向部材４を基板表面Ｗｆに近接して配置することができる。すなわち、従来技術のように基板表面Ｗｆに付着する液体（リンス液）に有機溶剤を均一に供給するために、対向部材を基板表面Ｗｆから上方に十分に離れた位置に配置する必要がない。したがって、基板表面Ｗｆと対向部材４との隙間を狭めることができ、基板表面Ｗｆと対向部材４（底面４３）とに挟まれた雰囲気中の有機溶剤の蒸気濃度を高めることができる。したがって、基板表面Ｗｆに付着するリンス液に有機溶剤を十分に溶解させることができ、パターン倒壊防止効果をさらに高めることができる。また、基板表面Ｗｆと対向部材４とに挟まれた空間ＳＰの体積を限定することで、該空間に供給すべき有機溶剤の蒸気量を低減することができ、有機溶剤の消費量を抑制できる。
【００４６】
＜第２実施形態＞
図７はこの発明にかかる基板処理装置の第２実施形態を示す図である。この第２実施形態にかかる基板処理装置が第１実施形態と大きく相違する点は、対向部材４の内部に本発明の「温度調整手段」として機能するヒータが設けられている点である。なお、その他の構成および動作は基本的に第１実施形態と同様であるため、ここでは同一符号を付して説明を省略する。
【００４７】
この実施形態では、対向部材４の内部に該対向部材４を加熱して温調するためのヒータ８が埋設されている。このため、対向部材４に有機溶剤ガスを供給する際に、対向部材４を加熱制御して対向部材４と有機溶剤ガスとの間の温度差を小さくしたり、対向部材４の温度を有機溶剤ガスの温度以上に調整することができる。これにより、例えば温調前における対向部材４の温度が有機溶剤ガスの温度よりも低い場合であっても、対向部材４を温調することで対向部材４において有機溶剤ガスに含まれるＩＰＡ蒸気が凝縮するのを防止できる。その結果、凝縮して生成された液が対向部材４から基板表面Ｗｆに落下して基板表面Ｗｆにパーティクルが付着するなどの弊害を未然に防止できる。したがって、基板Ｗへの弊害を防止しながら比較的高温の有機溶剤ガスを基板表面Ｗｆに付着するリンス液に供給できる。これにより、基板表面Ｗｆからの溶解済のリンス液（ＩＰＡが溶解したリンス液）の乾燥速度を高めて乾燥時間を短縮することができる。
【００４８】
さらに、有機溶剤の液体を加熱してＩＰＡ蒸気を生成する場合においては、有機溶剤ガス（窒素ガス＋ＩＰＡ蒸気）中のＩＰＡ蒸気濃度を高くすることができる。すなわち、ＩＰＡ液体を加熱してＩＰＡ蒸気を生成する場合においては、加熱温度が高ければ高いほど、有機溶剤ガス中のＩＰＡ蒸気濃度を高めることができる。このため、対向部材４を温調しておくことで、対向部材４でＩＰＡ蒸気が凝縮するのを防止しながら、比較的高濃度のＩＰＡ蒸気を含んだ有機溶剤ガスを基板表面Ｗｆに向けて供給することができる。したがって、基板表面Ｗｆに付着するリンス液にＩＰＡを十分に溶解させることができ、パターン倒壊を効果的に防止できる。
【００４９】
＜その他＞
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば上記実施形態では、対向部材４の天面４１の略中央部を本発明の「非対向面」として当該部分から有機溶剤ガスを供給しているが、対向部材４への有機溶剤ガスの供給箇所はこれに限定されない。例えば対向部材４の側面４２から有機溶剤ガスを供給してもよい。要は基板表面Ｗｆに対向する基板対向面を除く非対向面から有機溶剤ガスを供給することで、基板対向面から基板表面Ｗｆに向けて有機溶剤ガスを吐出させればよい。
【００５０】
また、上記実施形態では、対向部材の形状を略円盤状としているが、これに限定されない。例えば図８に示すように、対向部材は略円盤状部材の基板中央領域に対向する部分を中空にした部材であってもよい（第３実施形態）。すなわち、対向部材は平面視で略円環状（ドーナツ状）の部材４Ａであってもよい。このような構成によれば、略円環状部材４Ａの底面４３Ａを基板対向面として略円環状部材の底面４３Ａから吐出された有機溶剤ガスは、略円環状部材４Ａと基板表面Ｗｆとに挟まれた空間ＳＰ１から径方向外側に、あるいは略円環状部材４Ａの中空部ＨＬから上方へと導かれ排出される。つまり、空間ＳＰ１に供給された有機溶剤ガスの一部は略円環状部材４Ａの中空部ＨＬから上方に排出される。このため、基板表面Ｗｆの中央部（略円環状部材の中空部ＨＬと対向する基板表面領域）に付着するリンス液の上方の雰囲気における有機溶剤の蒸気濃度は、その周囲雰囲気（略円環状部材４Ａの底面４３Ａと基板表面Ｗｆとに挟まれた空間）における有機溶剤の蒸気濃度とほぼ同一濃度に保たれる。したがって、このような構成であっても、基板表面Ｗｆに付着するリンス液の各部に有機溶剤を均一に溶解させていくことができる。
【００５１】
また、上記実施形態では、対向部材４の天面４１の略中央部を除く表面領域を溶剤ガス吐出部３の内底面（蓋部３１の下面３１ａ）に密着させているが、図９に示すように、対向部材４の天面４１と溶剤ガス吐出部３の内底面とを離間して構成してもよい（第４実施形態）。この構成によれば、溶剤ガス吐出部３の内底面と対向部材４の天面４１とに囲まれた空間ＳＰ２にガス供給路３９から有機溶剤ガスが導かれると、対向部材４の天面４１の全面から対向部材４の内部に有機溶剤ガスが供給される。このため、対向部材４の天面４１の各部に供給された有機溶剤ガスが対向部材４の底面４３に到達するまでの距離をほぼ同一にすることができる。したがって、対向部材４の底面４３から有機溶剤ガスをより均一に吐出させることができる。
【００５２】
また、上記実施形態では、対向部材４を形成する多孔質材料としてポリエチレン等のプラスチック材料、セラミックス材料、フッ素樹脂系の材料を用いているが、対向部材４を形成する多孔質材料はこれに限定されない。例えば対向部材４をステンレス鋼等の金属材料を用いて形成してもよい。特に上記第２実施形態では、対向部材を熱伝導率が比較的高い金属材料で形成することで、対向部材の内部に埋設したヒータ８からの熱を対向部材の全体に効率良く伝導させることができる。但し、このような金属材料はエッチング作用を有する薬液に対して耐薬品性を有していないことから、図１０に示すように、金属材料で形成された対向部材４Ｂの底面（下面）側に耐薬品性を有するフッ素樹脂系の多孔質材料で形成された膜状部材４Ｃを貼り付けて使用することが好ましい（第５実施形態）。この場合、膜状部材４Ｃの底面（下面）４３Ｃが本発明の「基板対向面」として機能する。
【００５３】
また、上記実施形態では、リンス液としてＤＩＷを用いているが、ＤＩＷの他、炭酸水、水素水、希薄濃度（例えば１ｐｐｍ程度）のアンモニア水、塩酸なども用いることができる。また、上記実施形態では、リンス液で濡れた基板表面Ｗｆを乾燥させているが、リンス液以外の液体で濡れた基板表面Ｗｆを乾燥させる基板処理装置および基板処理方法に対しても本発明を適用することができる。
【産業上の利用可能性】
【００５４】
この発明は、半導体ウエハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板、プラズマ表示用ガラス基板、ＦＥＤ（Field Emission Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板などを含む基板全般の表面に対して乾燥処理を施す基板処理装置および基板処理方法に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】この発明にかかる基板処理装置の第１実施形態を示す図である。
【図２】図１の基板処理装置に装備された溶剤ガス吐出部の底面図である。
【図３】溶剤ガス供給ユニットの構成の一例を示す図である。
【図４】図１の基板処理装置の動作を示すフローチャートである。
【図５】図１の基板処理装置の動作を示す模式図である。
【図６】図１の基板処理装置の動作を示す模式図である。
【図７】この発明にかかる基板処理装置の第２実施形態を示す図である。
【図８】この発明にかかる基板処理装置の第３実施形態を示す図である。
【図９】この発明にかかる基板処理装置の第４実施形態を示す図である。
【図１０】この発明にかかる基板処理装置の第５実施形態を示す図である。
【符号の説明】
【００５６】
３…溶剤ガス吐出部（溶剤ガス吐出手段）
４，４Ａ，４Ｂ，４Ｃ…対向部材
８…ヒータ（温度調整手段）
１３…チャック回転機構（回転手段）
１７…チャックピン（基板保持手段）
２１…溶剤ガス供給ユニット（溶剤ガス吐出手段）
３９…ガス供給路（溶剤ガス吐出手段）
４１…略円盤状部材の天面（非対向面）
４３…略円盤状部材の底面（基板対向面）
４３Ａ…略円環状部材の底面（基板対向面）
４３Ｃ…膜状部材の底面（基板対向面）
Ｄ…基板表面の平面サイズ
Ｗ…基板
Ｗｆ…基板表面
【図１】
2008028068.tif 000003
【図２】
2008028068.tif 000004
【図３】
2008028068.tif 000005
【図４】
2008028068.tif 000006
【図５】
2008028068.tif 000007
【図６】
2008028068.tif 000008
【図７】
2008028068.tif 000009
【図８】
2008028068.tif 000010
【図９】
2008028068.tif 000011
【図１０】
2008028068.tif 000012