(57)【要約】【課題】  構造が簡単で微細な粉末の焙焼を効率的に行うことができる焙焼炉と、それを用いて厚膜抵抗体形成用として好適な酸化イリジウム粉の効率的な製造方法を提供する。【解決手段】  断面形状が略角型の管状炉であって、焙焼室内の鉛直方向に多段に原料載置用の平坦な棚板を有し、各段に均等に雰囲気ガスが流れるように雰囲気ガス吹込み用ノズルを配置し、かつ、流入直後に雰囲気ガスが原料表面を吹込み方向と略同一方向のみに流れるように、棚板から鉛直方向の同一平面位置に複数本の雰囲気ガス吹込み用ノズルを並列して設置してある。この焙焼炉を用いて、ヘキサクロロイリジウム（IV）酸アンモニウム又はヘキサクロロイリジウム（IV）酸カリウムを６００〜１０５０℃で酸化焙焼することにより品質の安定した酸化イリジウム粉が得られる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
断面形状が略角型の管状炉であって、焙焼室内の鉛直方向に多段に複数の棚板を有し、焙焼室内の軸方向の一方に雰囲気ガス吹込み用ノズルを備えるとともに、他方に雰囲気ガス排出口を備えており、雰囲気ガスが原料表面を吹込み方向と略同一方向のみに流れるように構成されてなることを特徴とする酸化物粉末製造用の焙焼炉。
【請求項２】
前記原料を載置する棚板の各段に複数本の雰囲気ガス吹込み用ノズルを備え、かつ該雰囲気ガス吹込み用ノズルが鉛直方向の同一位置に水平に並んで設置されていることを特徴とする請求項１に記載の焙焼炉。
【請求項３】
前記雰囲気ガス吹込みノズルが前記棚板の内部まで延伸していることを特徴とする請求項１または２に記載の焙焼炉。
【請求項４】
前記棚板がスペーサーをなす側壁部分を除き平坦であることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の焙焼炉。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか１項に記載の焙焼炉を用い、ヘキサクロロイリジウム（IV）酸アンモニウム又はヘキサクロロイリジウム（IV）酸カリウムを６００〜１０５０℃で酸素含有ガス雰囲気下で焙焼することを特徴とする酸化イリジウム粉の製造方法。
【請求項６】
ヘキサクロロイリジウム（IV）酸アンモニウム又はヘキサクロロイリジウム（IV）酸カリウムにカリウムを添加して焙焼することを特徴とする請求項５に記載の酸化イリジウム粉の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、微細な粉末の酸化焙焼に好適な焙焼炉、およびそれを用いた厚膜抵抗体用ペーストの導電粉として好適な酸化イリジウム粉の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子デバイスには絶縁基板上に導体、抵抗体、コンデンサー等の電子部品をペーストを使用して印刷形成した回路配線基板が多用されている。厚膜抵抗体は、チップ抵抗器、厚膜ハイブリッドＩＣや抵抗ネットワーク等に広く用いられている。厚膜抵抗体の製造方法としては、通常、絶縁体基板の表面に形成された導電体回路パターン又は電極の上に導電粉を均一に分散させたペーストを印刷し、これを焼成する工程を用いて製造されている。
【０００３】
厚膜抵抗体の製造に用いるペーストは、導電粉とガラス結合剤をビヒクルと呼ばれる有機媒体中に均一に分散させることにより調整されている。このうち、導電粉は厚膜抵抗体の電気的特性を決定する最も重要な役割を担い、酸化ルテニウム（ＲｕＯ２）やルテニウム酸鉛（Ｐｂ２Ｒｕ２Ｏ７）の微粉末が広く用いられている。
一般に、酸化ルテニウムは低抵抗値から高抵抗値まで広範囲の導電物として使用され、高抵抗領域では導電物濃度に対する抵抗値の変動がより小さいルテニウム酸鉛が用いられることが多い。
ところが、近年では、電子機器から毒性のある鉛の使用を排除する目的で、高抵抗領域の厚膜抵抗体用の導電粉として、ルテニウム酸鉛粉に代わる鉛を含有しない導電粉が望まれている。この解決策として、Ｂｉ２Ｒｕ２Ｏ７、ＣａＲｕＯ３、ＳｒＲｕＯ３、ＢａＲｕＯ３、ＬａＲｕＯ３等のルテニウム複合酸化物が提案されているが、実用化までには至っていない。
【０００４】
酸化イリジウム（ＩｒＯ２）は、その粉末を含むペーストで抵抗体を形成したときに、酸化ルテニウム粉に比べて高抵抗になる導電粉として一般に知られている。従って、酸化イリジウム粉は、ルテニウム酸鉛粉に代わる鉛を含有しない導電粉として有望である。
かかる酸化イリジウム粉の効率的な製造方法としては、ヘキサクロロイリジウム（IV）酸アンモニウム又はヘキサクロロイリジウム（IV）酸カリウム等の塩化イリジウム酸塩を、酸化性雰囲気下の高温において焙焼することが考えられる。
【０００５】
しかしながら、このような塩化イリジウム酸塩の酸化焙焼においては、得られる酸化イリジウム粉の特性を均一にするために、原料層の厚さを１〜２ｍｍ程度とし、雰囲気ガスと均一に反応させなければならず、炉床面積に対して生産性が低くなるという問題があった。炉床面積に対する生産性の低さは、原料をトレイに敷きこれを鉛直方向に積み重ねて炉の有効面積を拡大することで改善できる。焙焼炉は一般的なセラミックの焼成に用いられる焼成炉を転用することが可能である。このような焼成炉としては被焼成物を焙焼室内に複数段に収容して雰囲気を熱風循環させて、焙焼室内各部で均一に焼成できるとしたものが開示されている（例えば、特許文献１参照。）。
熱風循環式炉で焙焼室内の雰囲気を均一にしようとした場合風量を極端に大きくする必要があり、微細な粉末の焙焼には不向きである。また、風量を小さくした場合には、雰囲気のよどみ等が発生して均一な焙焼ができなくなる。
【０００６】
焙焼室内の雰囲気の均一化に対する改善策としては、焙焼室内に多段に設置した被熱処理物の載置面のそれぞれに供給する雰囲気ガスの流速を特定の値とするとともに、載置面を水平方向に移動させることで均一な焼成ができるとした熱処理装置の雰囲気ガス供給方法が開示されている（例えば、特許文献２参照。）。
しかしながら、積載面を移動させて熱処理する連続炉は装置が高価であるとともに、生産量が比較的小さい製品の生産には不向きであり、バッチ式炉でも載置面を移動させるようにすると複雑な構造となってしまう。また、開示されている雰囲気の均一化に必要な雰囲気ガス流速は微細な粉末の焙焼に対しては大き過ぎて、微粉末の焙焼に適しているとは言い難い。
【０００７】
また、焙焼室内雰囲気の均一化が可能な炉として、焙焼室内に匣を多段に積み重ねる構造であって、雰囲気ガスの供給管と排気管を切替えることで、雰囲気ガスの流れを切替えて雰囲気ガスを均一に焙焼室内の原料に供給できるとする焼成炉が提案されている（例えば、特許文献３参照。）。
また、雰囲気ガス供給管の噴出口の形状変更と、被熱処理物と雰囲気ガス供給管のうちの少なくとも一方が回転または移動することにより、焙焼室内の雰囲気を均一に保つことを可能とする熱処理炉も提案されている（例えば、特許文献４参照。）。
上記の焙焼炉はいずれも可動部分を有し、装置が複雑な構造となる。また、微細な粉末の焙焼には充分考慮する必要がある雰囲気ガス流速に関する記述がないばかりでなく、強制的に雰囲気ガスを循環させるために、雰囲気ガス流速を大きくせざるを得ない難点がある。
このような状況から、厚膜抵抗体形成用ペーストとしてルテニウム酸鉛粉に代わる鉛を含まない導電粉として良好な粉末特性を有する、酸化イリジウム粉の効率的な工業的製造方法が望まれており、その製造に必要な微細粉末の焙焼に好適な炉の提供が望まれている。
【特許文献１】特開平０５−１７２４６４号公報
【特許文献２】特開２００５−５０８４９号公報
【特許文献３】特開平０４−２７３９８８号公報
【特許文献４】特開２００２−３９６９１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
かかる状況に鑑み、本発明は構造が簡単で微細な粉末の焙焼を効率的に行うことができる酸化物粉末製造に好適な焙焼炉を提供するとともに、それを用いて厚膜抵抗体形成用ペーストに好適な導電粉としての、酸化イリジウム粉の工業的に効率的な製造方法を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者らは、微細な粉末の焙焼に関する研究を行った結果、微細な粉末の焙焼には原料表面を流れる雰囲気ガスの流れの影響が大きいこと、雰囲気ガス流には雰囲気ガス吹込み用ノズルの配置と原料を載置する空間の影響が大きいとの結論に至り、本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明の焙焼炉は、断面形状が略角型の管状炉であって、焙焼室内の鉛直方向に多段に複数の棚板を有し、焙焼室内の軸方向の一方に雰囲気ガス吹込み用ノズルを備えるとともに他方に雰囲気ガス排出口を備えており、雰囲気ガスが原料表面を吹込み方向と略同一方向のみに流れるように構成されてなる焙焼炉とした。
断面形状を略角型とすることで、焙焼室内に無駄な空間を作ることなく複数の棚板を設置することができる。また、鉛直方向に複数の棚板を設置することで、各棚板に載置する原料の厚さを薄くしても、焙焼室内に載置できる原料の量を大幅に増大させることができる。
【００１０】
本発明の焙焼炉では、原料を載置する棚板の各段に複数本の雰囲気ガス吹込み用ノズルを備え、かつ該雰囲気ガス吹込み用ノズルが鉛直方向の同一位置に水平に並んで設置するのが好ましい。
原料を載置する各段に均等に雰囲気ガスを流入させるためには、各段に雰囲気ガス吹込み用ノズルを備えることが好ましく、更に各段毎に複数本の雰囲気ガス吹込み用ノズルを備えることが好ましい。
各段に複数の雰囲気ガス吹込み用ノズルを設置することで各段毎の雰囲気ガス流量の調整が容易になり、各段内での部分的な逆流を防止し、雰囲気ガス流を均一な層流とすることが可能となる。
【００１１】
また、雰囲気ガス吹込み用ノズルは棚板の内部まで延伸させるのが好ましい。
雰囲気ガス吹込み用ノズルを棚板の内部まで延伸させることで、各段毎のガス流量の調整が可能となり、均等に雰囲気ガスを流すことができるようになる。
【００１２】
さらに本発明の焙焼炉では、棚板がスペーサーをなす側壁部分を除き平坦であることが好ましい。
原料層の表面をなるべく均一に雰囲気ガスと接触させるためである。
原料の飛散防止のため、雰囲気ガス吹込み用ノズル先端と原料との間に遮蔽板を設置することも考えられるが、遮蔽板を設置すると遮蔽板に雰囲気ガス流が衝突して渦巻きは生ずるので好ましくない。従って、棚板の雰囲気ガス排出口側は、完全に開放状態とするのが好ましい。雰囲気ガス排出口側に仕切り板等障害物を設置すると、ガス流の逆流を起こす危険がある。
【００１３】
更に、本発明の酸化イリジウム粉の製造方法は、本発明の焙焼炉を用い、ヘキサクロロイリジウム（IV）酸アンモニウム又はヘキサクロロイリジウム（IV）酸カリウムを６００〜１０５０℃の焙焼温度で、酸素含有ガス雰囲気下で焙焼する方法を採用した。
【００１４】
本発明の酸化イリジウム粉の製造方法では、ヘキサクロロイリジウム（IV）酸アンモニウム又はヘキサクロロイリジウム（IV）酸カリウムにカリウムを添加して焙焼することもできる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、層流となった雰囲気ガスを使用して微細な粉末原料の焙焼を効率的に行うことができるので、粒度バラツキの少ない酸化物粉末の製造に好適な焙焼炉が得られるとともに、それを用いて厚膜抵抗体形成用ペーストに好適な導電粉としての酸化イリジウム粉を工業的で効率的に製造することでき、産業に寄与する効果が非常に大きい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
先ず本発明の焙焼炉の構造について説明する。図１は本発明の焙焼炉の内部構造を説明する図であって、（ａ）は透視斜視図を示し、（ｂ）は（ａ）１の線Ａ−Ａ’に沿った断面図を示す。
本発明の焙焼炉１０は、中央部に焙焼室１を有する断面形状が略角型の管状炉である。  焙焼室１の一端の側壁２には複数の雰囲気ガス吹込み用ノズル９が貫通して取り付けられており、これらの雰囲気ガス吹込み用ノズル９によって所定の雰囲気ガスが焙焼室１内に導入される。焙焼に使用された雰囲気ガスは、焙焼室１の他端の側壁３に取り付けられた雰囲気ガス排出管８によって系外に排出される
焙焼室１内の鉛直方向にはスペーサーを兼ねた原料を載置するための複数の棚板６（図では３段の例を示す。）が設置されている。炉内の断面形状を略角型とすることで、焙焼室内に無駄な空間を作ることなく、複数の棚板６を設置することができる。また、鉛直方向に複数の棚板６を設置することで、各棚板６に載置する原料の厚さを薄くしても、焙焼室１内に載置できる原料の量を大幅に増大させることができる。
【００１７】
図１（ｂ）に示すように、棚板６は焙焼室１の長手方向に沿った両側に適当な高さの側壁６ａ，６ａを有しており、棚板６を多数積み重ねて載置する際のスペーサーの役割を果たしている。棚板６の天板６ｂは平坦であって、薄くひろげた被処理原料１５を載置するためのトレイ（皿）の役割を果たしているが、別途トレイを準備してトレイ上に被処理原料を薄くひろげてから天板上に載置してもよい。
焙焼室１内に被処理原料１５を載置した棚板６を複数重ねて載置し、棚板６の下側に形成されたトンネル部分の空間に、焙焼用の雰囲気ガスを一方向に静かに流すことにより焙焼処理を行う。
棚板６はアルミナ等のセラミックスあるいはステンレス鋼等の耐熱性材料で作成する。
【００１８】
各段を形成している棚板６は、棚板を重ねて載置するための鉛直方向に延びるスペーサーを兼ねた側壁６ａ，６ａを有している。棚板６はこのスペーサーを兼ねた側壁６ａ，６ａを除き平坦であることが好ましい。原料飛散防止のため、雰囲気ガス吹込み用ノズル端部と原料の間に遮蔽板を設置すると、遮蔽板により雰囲気ガス流の巻込みが発生するため好ましくない。必要上、どうしても遮蔽板を設置する場合には可能な限り高さを低くすることが好ましい。また、棚板６の雰囲気ガス排出側は完全に開放状態とすることが好ましい。雰囲気ガス排出側に仕切り板等を設置すると雰囲気ガス流が逆流してしまう。このため、各棚板６に設けるスペーサーを兼ねた側壁６ａ，６ａは、焙焼室１の長さ方向に沿った両側に鉛直方向に延びる柱状の突起のみを設けるのが望ましい。
【００１９】
管状の焙焼室１の一端の側壁２には、貫通した雰囲気ガス吹込み用ノズル９を備えている。雰囲気ガス吹込み用ノズル９は、棚板６の格段上部に複数個配置し、かつ鉛直方向の同一位置に水平に並んで設置するのが好ましい。
本発明の焙焼炉では、雰囲気ガスを層流にして各段に均等に流入させることが重要である。また、各段に設置した雰囲気ガス供給用ノズル間においても流量を均等にすることが好ましい。層流にすることで、微粉末原料でも飛散させることなく均一に焙焼することができる。また、流入量を均等にすることで、焙焼室内の原料を品質にバラツキなく焙焼することができるからである。
本発明では、雰囲気ガスとして空気や酸素ガス等の酸素含有ガスを使用するが、これら酸素含有ガスで層流を得るには、雰囲気ガスの流速は１００ｃｍ／ｓｅｃ以下とするのが適当である。
【００２０】
雰囲気ガスの流量を均等に調整するには、各段毎あるいは各雰囲気ガス吹込み用ノズル毎に簡易的な流量調整装置を取り付けても容易に行うことができる。
層流となる雰囲気ガスの流速は、雰囲気ガス吹込み用ノズルの配置により可能となる。雰囲気ガスを一方向のみに流す雰囲気ガス吹込み用ノズルの配置は、市販ソフト（例えば、汎用流体解析ソフトＣＦＸ）を用いて数値計算を行えば容易に得ることができる。焙焼規模によって変更される条件、即ち、棚板の段数・間隔および形状、焙焼室内の棚板と流入側および排出側の空間量、雰囲気ガス吹込み用ノズルの本数および間隔、焙焼温度条件等を入力して計算してやればよい。
【００２１】
本発明の焙焼炉では、雰囲気ガス吹込み用ノズル９は棚板６の内部まで延伸させるのが好ましい。
延伸する位置は特に限定するものではないが、流入した雰囲気ガスがすべて棚板各段内を流れる程度に、棚板が形成するトンネル部分の内部で、かつ棚板に載置される被処理原料よりもガス流入口側の位置まで入れればよい。
雰囲気ガス吹込み用ノズルを棚板の内部まで延伸させることで、各段毎のガス流量の調整が可能となり、より均等に雰囲気ガスを流すことができるようになる。
【００２２】
雰囲気ガスを流入させた後は、原料表面を雰囲気ガスが吹込み方向と略同一方向のみに流れるようにすることが必要である。雰囲気ガスが部分的に逆流すると原料と雰囲気ガスの反応が均一に行われず、棚板内での焙焼に斑ができて、得られる製品の品質にバラツキが生じる。逆流させることなく雰囲気ガスを一方向のみ流すには、雰囲気ガスの流速を遅くして層流とする必要がある。層流とすれば雰囲気ガスは被処理原料層に沿って平行に流れ、たとえ被処理原料が微粉末であっても飛散することもなく、均一な焙焼物を得ることができる。
【００２３】
本発明の焙焼炉は、他の微細な金属酸化物粉の製造にも用いることができ、特に酸化ルテニウム粉等の厚膜抵抗体用ペーストの導電粉の製造に好適に用いることができる。
【００２４】
本発明の焙焼炉を用いて、酸化イリジウム粉を製造する場合には、原料としてヘキサクロロイリジウム（IV）酸アンモニウム又はヘキサクロロイリジウム（IV）酸カリウムを用いて、焙焼に使用する雰囲気ガスを酸素含有ガスとする。焙焼温度は６００〜１０５０℃とする。
原料としてヘキサクロロイリジウム（IV）酸アンモニウムを用いる場合には、カリウム成分を全量に対し０．０２〜０．３重量％含有させることが好ましい。カリウムを含有させることで、焙焼中に塩化カリウムが生成して酸化イリジウムの異常粒成長を抑制することができる。焙焼温度が６００℃未満では、未酸化のイリジウム金属が残り、１０５０℃を超えると酸化イリジウムの揮発が多くなり収率が低下する。
【００２５】
焙焼温度は所望する酸化イリジウム粉の一次粒子径によって調整すればよい。好ましい一次粒子径は３０〜１００ｎｍであり、粒子径をこの範囲とすることで、厚膜抵抗体用ペーストの導電粉として好ましい特性を持った酸化イリジウム粉を得ることができる。
焙焼温度を７６０℃以上とすると、塩化カリウムの蒸発量が多くなるが、焙焼条件により、塩化カリウムが残存する場合がある。このときは水洗することで容易に単相の酸化イリジウム粉が得られる。
焙焼の際、各段の原料は、層厚が３ｍｍ以下であることが好ましい。層厚を３ｍｍより厚くすると、内部に未反応の塩化イリジウム酸塩もしくはイリジウム金属が残ってしまう。層厚を薄くしても問題ないが、焙焼室内に載置できる原料が減り、生産性が低下する。焙焼時間を短時間としたい場合でも、層厚を１ｍｍ程度にすれば十分である。
【００２６】
［実施例］
以下に、本発明の比較例及び実施例によって本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例によってなんら限定されるものではない。
（比較例１）
出発原料として、イリジウム濃度４３．６重量％のヘキサクロロインジウム（IV）酸アンモニウム（(ＮＨ４)２ＩｒＣｌ６（株）フルヤ金属製）を使用した。このヘキサクロロインジウム（IV）酸アンモニウム１４０ｇを等分して１５０ｍｍ角のアルミナ板６枚の上に２ｍｍの層厚で載置し、このアルミナ板１６を図２に示す角型管状炉の焙焼室１（内側寸法：１９０ｍｍＨ×４４０ｍｍＷ×１５００ｍｍＬ）内の底面に、焙焼炉の長軸方向に沿って３列にして並べて配置した。また、雰囲気ガス（酸素ガス）吹込み用ノズル９と原料の間に２５ｍｍＨ×２８０ｍｍＷの遮蔽板１３を焙焼室内底面の全幅に亘って設置した。  酸素ガス吹込み用ノズル９は、内径６ｍｍの円筒状のアルミナ管を用い、管状炉端部のガス進行方向に垂直な面に均等に４本取り付けた。そして各酸素ガス吹込み用ノズル９から１０リットル／分、合計４０リットル／分の酸素ガスを流した。この結果、焙焼室内の酸素ガスの平均流速は約４８ｃｍ／分となった。
【００２７】
焙焼温度を９００℃に保持して４時間焙焼した。得られた焙焼物を評価したところ、平均一次粒子径は３４ｎｍで、原料載置位置による粒子径の分散は０．９であり、厚膜抵抗体用ペーストの導電粉に適した酸化イリジウム粉であったが、生成量は７０ｇと僅かであった。
【００２８】
（比較例２）
比較例１の焙焼炉の高さを約３倍にした焙焼炉を使用してイリジウム濃度４３．６重量％のヘキサクロロイリジウム（IV）酸アンモニウムの焙焼を行った。図３（ａ），（ｂ）に示すように焙焼室内に３枚のスペーサーを兼ねた棚板６を重ねて載置して、各段の棚板の流入側に遮蔽板１３を設置し、排出側にも棚板端部に遮蔽板１４を設置した。
【００２９】
被処理原料を層厚２ｍｍでアルミナ板上に載置して、上記棚板６を使用して被処理原料を３枚２列、各段に６枚並べ３段積みとして、合計１８枚で４２０ｇの原料を焙焼した。
また、内径６ｍｍのアルミナ製の酸素ガス吹込み用ノズル９を各段に炉の中心線に対称にして２本、合計６本配置し、それぞれの酸素ガス吹込み用ノズル９から１０リットル／分で合計６０リットル／分の酸素ガスを流して焙焼中は酸化性雰囲気とした。各棚板６のトンネル部分の平均酸素ガス流速は２０ｃｍ／分となった。雰囲気ガス流の数値解析結果を図４に示す。図に示すように、酸素ガス吹込み用ノズルに近い遮蔽板１３の後方部分に渦巻きの発生が認められる。
【００３０】
得られた焙焼物を評価したところ、平均一次粒子径は３３ｎｍであるが、原料載置位置による分散が１８とバラツキが大きく、厚膜抵抗体用ペーストの導電粉には適さない酸化イリジウム粉であった。
また、市販のソフト（CFX、ANSYS（株））を用いて焙焼室内の雰囲気ガス流を数値解析した。結果を図４に示す。図４に示すように焙焼室内には部分的な渦や澱みが多数あり、原料表面で均一な流速分布が得られていない結果となった。
【実施例１】
【００３１】
図１に示す本発明の焙焼炉を使用して、比較例２と同量の原料を２列、３枚、３段積みとした場合について数値解析を行い、原料表面で流入側から排出側へ均一に雰囲気ガスが流れるような条件を導き出した。焙焼室の内側寸法は、比較例２と同様に比較例１の高さを３倍にしたものである。酸素ガスの流量を各酸素ガス吹込み用ノズル１本当たり１０リットル／分としたまま、酸素ガス吹込み用ノズルを各段２本から４本に増やして合計１２本とし、吹込みノズルの内径を８ｍｍに変更した。この結果、棚板格段のトンネル部分を流れる酸素ガスの平均流速は４０ｃｍ／分となった。また、各段の流入側に設置していた遮蔽板を撤去し、排出側も棚板端部は完全な開放状態に変更した。
変更後の雰囲気ガス流の数値解析結果を図５に示す。焙焼室内に発生していた部分的な渦や澱みが解消され、原料表面で均一な流速分布が得られているのがわかる。
得られた焙焼物を評価したところ、平均一次粒子径は３３ｎｍで、原料載置位置による分散は２となり、バラツキを解消することができ、厚膜抵抗体用ペーストの導電粉に適した酸化イリジウム粉が得られた。また、１バッチ当たりの生成量は２１０ｇであった。
【００３２】
以上のように、比較例２に比べて実施例１では、得られた酸化イリジウム粉の原料載置位置による分散が小さく、品質が安定していることがわかる。また、比較例１に比べ実施例は焙焼室内を有効に使い、生産性を大幅に向上できており、本発明によって、品質の安定した酸化イリジウム粉を効率よく生産できることが分かる。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本発明の焙焼炉の内部構造を説明する図であって、（ａ）は透視斜視図を、（ｂ）は線Ａ−Ａ’に沿った断面図である。
【図２】比較例１で用いた焙焼炉の内部構造を説明する透視斜視図である。
【図３】比較例２の原料積載方法を示す図であるって、（ａ）は平面図、（ｂ）は縦断面図である。
【図４】比較例２における焙焼室内の雰囲気ガス分布を示す図である。
【図５】本発明における焙焼室内の雰囲気ガス分布を示す図である。
【符号の説明】
【００３４】
１  焙焼室
２、３  側壁
６  棚板
８  雰囲気ガス排出管
９  雰囲気ガス吹込み用ノズル
１０  焙焼炉
１３、１４  遮蔽板
１５  被処理原料
１６  アルミナ板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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