(57)【要約】【課題】配線とコンタクトビアとの接触部分におけるコンタクト抵抗を低減させること。【解決手段】上面の少なくとも一部の領域において、両側壁の一方側が細くなったテーパー部２ａを有するとともに、他方側が平坦になった平坦部２ｂを有する配線２と、テーパー部２ａの少なくとも一部を含む領域上に形成されるとともにテーパー部２ａと接触するコンタクトビア４と、を備える。【選択図】図１
2008072044.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面の少なくとも一部の領域において、両側壁の一方側が細くなったテーパー部を有するとともに、他方側が平坦になった平坦部を有する配線と、
前記テーパー部の少なくとも一部を含む領域上に形成されるとともに前記テーパー部と接触するコンタクトビアと、
を備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記配線よりも下層に形成される他の配線を備え、
前記コンタクトビアは、前記テーパー部の少なくとも一部を含む領域、乃至、前記他の配線の上面の一部の領域上に形成されるとともに、前記テーパー部及び前記他の配線と接触することを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
上面の少なくとも一部の領域において、両側壁の一方側が細くなったテーパー部を有するとともに、他方側が平坦になった平坦部を有するゲート電極と、
前記テーパー部の少なくとも一部を含む領域上に形成されるとともに前記テーパー部と接触するコンタクトビアと、
を備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
前記ゲート電極の近傍の領域に形成された拡散層を備え、
前記コンタクトビアは、前記テーパー部の少なくとも一部を含む領域、乃至、前記拡散層の上面の一部の領域上に形成されるとともに前記テーパー部及び前記拡散層と接触することを特徴とする請求項３記載の半導体装置。
【請求項５】
前記ゲート電極は、トランジスタ形成領域から延在した部位に前記テーパー部を有することを特徴とする請求項３又は４記載の半導体装置。
【請求項６】
前記ゲート電極の前記テーパー部側の側壁に形成される第１のサイドウォールと、
前記ゲート電極の前記平坦部側の側壁に形成される第２のサイドウォールと、
を備え、
前記第１のサイドウォールの幅は、前記第２のサイドウォールの幅よりも小さいことを特徴とする請求項３乃至５のいずれか一に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記ゲート電極の前記平坦部側の側壁に形成されるサイドウォールを備え、
前記ゲート電極の前記テーパー部側の側壁にサイドウォールを有さないことを特徴とする請求項３乃至５のいずれか一に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記トランジスタ形成領域の周囲に形成されるとともに、少なくとも前記コンタクトビア直下であり、かつ、前記ゲート電極の直下に配されたフィールド絶縁膜を備えることを特徴とする請求項５乃至７のいずれか一に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記フィールド絶縁膜は、前記コンタクトビア直下であり、かつ、前記ゲート電極の直下から前記ゲート電極が存在しない領域の一部まで延在していることを特徴とする請求項８記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記拡散層は、前記フィールド絶縁膜と隣接する領域の一部に形成されることを特徴とする請求項８又は９記載の半導体装置。
【請求項１１】
絶縁層に配線用の溝パターンを形成する工程と、
前記溝パターン内に配線を形成する工程と、
少なくとも前記配線の上面の一部の領域上に開口部を有するレジストを形成する工程と、
前記レジストをマスクとして前記開口部から露出した前記配線を等方性エッチングすることで前記配線にテーパー部を形成する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
導電性膜又はゲート電極膜を成膜する工程と、
前記導電性膜又は前記ゲート電極膜上の所定の位置にハードマスクを形成する工程と、
前記導電性膜又は前記ゲート電極膜、乃至、前記ハードマスクの上面の一部の領域上に開口部を有するレジストを形成する工程と、
前記レジストをマスクとして前記開口部から露出した前記導電性膜又は前記ゲート電極膜を等方性エッチングすることで前記導電性膜又は前記ゲート電極膜にテーパー部を形成する工程と、
前記レジストを除去した後、前記ハードマスクをマスクとして前記導電性膜又は前記ゲート電極膜を異方性エッチングすることで配線又はゲート電極を形成する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及びその製造方法に関し、特に、配線又はゲート電極とコンタクトビアとの接触部分におけるコンタクト抵抗を低減させることができる半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
配線とコンタクトビアとが接触した配線構造を有する半導体装置では、一般的に、平坦な下層配線１０２上に絶縁膜１０３が形成され、下層配線１０２の平坦面上の領域における絶縁膜１０３に下穴１０３ａが形成され、下穴１０３ａにコンタクトビア１０４が形成され、コンタクトビア１０４を含む絶縁膜１０３上に上層配線１０５が形成されている（従来例１、図１４参照）。
【０００３】
また、従来の半導体装置において、下層配線２０３上面の左右両側にテーパー部２０３ａが形成され、下層配線２０３上に絶縁膜２０４が形成され、テーパー部２０３ａ上の領域における絶縁膜２０４に下穴２０４ａ（ヴィアホール、接続孔）が形成され、下穴２０４ａに上層配線２０５が埋め込まれたものが開示されている（従来例２、図１５参照；特許文献１、２参照）。
【０００４】
また、ＭＯＳトランジスタのゲート電極３０３とコンタクトビア３０８とが接触した配線構造を有する半導体装置では、一般的に、平坦なゲート電極３０３上に絶縁膜３０７が形成され、ゲート電極３０３の平坦面上の領域における絶縁膜３０７に下穴３０７ａが形成され、下穴３０７ａにコンタクトビア３０８が形成され、コンタクトビア３０８を含む絶縁膜３０７上に配線３０９が形成されている（従来例３−１、図１６（ａ）参照）。
【０００５】
また、従来の半導体装置において、ＭＯＳトランジスタのゲート電極３０３と、ソース／ドレインとなる片側の拡散層３０６との両方が一つのコンタクトビア３０８に接続され、コンタクトビア３０８用の下穴３０７ａ内のゲート電極３０３の側壁にサイドウォール３０５が残存したものがある（従来例３−２、図１６（ｂ）参照）。
【０００６】
さらに、従来の半導体装置において、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有するＭＯＳトランジスタのゲート電極３０３と、ソース／ドレインとなる片側の拡散層３０６と、片側のＬＤＤ領域３０４とが一つのコンタクトビア３０８に接続され、コンタクトビア３０８用の下穴３０７ａ内のゲート電極３０３の側壁にサイドウォール３０５が残存していないもの（下穴３０７ａ内のサイドウォール３０５をエッチング除去したもの）がある（従来例３−３、図１６（ｃ）参照）。なお、図示していないが、特許文献３に記載の製造方法によってゲート電極３０３にテーパー部を形成することもある。
【０００７】
【特許文献１】特開平１０−３０８４４５号公報
【特許文献２】特開平９−３０６９９２号公報
【特許文献３】特開平２−１５８１４３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、従来例１〜３の構成では、装置の微細化が進むにつれ、コンタクト抵抗や配線抵抗が増大するおそれがある。その理由は、以下の通りである。
【０００９】
従来例１（図１４参照）では、コンタクトビア１０４の底面の接触部分の幅が下層配線１０２の幅以下となり、装置の微細化が進むにつれコンタクト抵抗が増大するおそれがある。
【００１０】
従来例２（図１５参照）では、下層配線２０３上面のテーパー部２０３ａをエッチングにより形成しているため、上層配線２０５との下層配線２０３の接触部分だけでなく上層配線２０５との下層配線２０３の非接触部分も配線断面積が小さくなり、装置の微細化が進むにつれ上層配線２０５との下層配線２０３の非接触部分の配線抵抗が増大するおそれがある。
【００１１】
従来例３−１（図１６（ａ）参照）では、コンタクトビア３０８の底面の接触部分の幅がゲート電極３０３の幅以下となり、装置の微細化が進むにつれコンタクト抵抗が増大するおそれがある。
【００１２】
従来例３−２（図１６（ｂ）参照）では、下穴３０７ａ内にサイドウォール３０５が存在するので、コンタクトビア３０８と拡散層３０６との接触面積が小さくなり、装置の微細化が進むにつれ拡散層３０６のコンタクト抵抗が増大するおそれがある。
【００１３】
従来例３−３（図１６（ｃ）参照）では、下穴３０７ａ内のサイドウォール３０５が除去されているが、拡散層３０６よりも不純物濃度が低いＬＤＤ領域３０４とコンタクトビア３０８とが接触することになるため、装置の微細化が進むにつれ拡散層３０６のコンタクト抵抗が増大するおそれがある。
【００１４】
本発明の主な課題は、配線又はゲート電極とコンタクトビアとの接触部分におけるコンタクト抵抗を低減させることである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明の第１の視点においては、半導体装置において、上面の少なくとも一部の領域において、両側壁の一方側が細くなったテーパー部を有するとともに、他方側が平坦になった平坦部を有する配線と、前記テーパー部の少なくとも一部を含む領域上に形成されるとともに前記テーパー部と接触するコンタクトビアと、を備えることを特徴とする。
【００１６】
本発明の第２の視点においては、半導体装置において、上面の少なくとも一部の領域において、両側壁の一方側が細くなったテーパー部を有するとともに、他方側が平坦になった平坦部を有するゲート電極と、前記テーパー部の少なくとも一部を含む領域上に形成されるとともに前記テーパー部と接触するコンタクトビアと、を備えることを特徴とする。
【００１７】
本発明の第３の視点においては、半導体装置の製造方法において、絶縁層に配線用の溝パターンを形成する工程と、前記溝パターン内に配線を形成する工程と、少なくとも前記配線の上面の一部の領域上に開口部を有するレジストを形成する工程と、前記レジストをマスクとして前記開口部から露出した前記配線を等方性エッチングすることで前記配線にテーパー部を形成する工程と、を含むことを特徴とする。
【００１８】
本発明の第４の視点においては、半導体装置の製造方法において、導電性膜又はゲート電極膜を成膜する工程と、前記導電性膜又は前記ゲート電極膜上の所定の位置にハードマスクを形成する工程と、前記導電性膜又は前記ゲート電極膜、乃至、前記ハードマスクの上面の一部の領域上に開口部を有するレジストを形成する工程と、前記レジストをマスクとして前記開口部から露出した前記導電性膜又は前記ゲート電極膜を等方性エッチングすることで前記導電性膜又は前記ゲート電極膜にテーパー部を形成する工程と、前記レジストを除去した後、前記ハードマスクをマスクとして前記導電性膜又は前記ゲート電極膜を異方性エッチングすることで配線又はゲート電極を形成する工程と、を含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、配線又はゲート電極とコンタクトビアとの接触面積が増加してコンタクト抵抗を低減させることができる。また、ゲート電極及び拡散層と接触するコンタクトビアにあっては、コンタクトビアの下にＬＤＤ領域がなく、コンタクトビアの下にサイドウォールが小さい或いは無いので、コンタクト抵抗を低減させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
（実施形態１）
本発明の実施形態１に係る半導体装置について図面を用いて説明する。図１は、本発明の実施形態１に係る半導体装置の構成を模式的に示した（ａ）部分平面図、及び、（ｂ）Ｘ−Ｘ´間の部分断面図である。
【００２１】
実施形態１に係る半導体装置は、配線２、５間をコンタクトビア４で電気的に接続した配線構造を有する。半導体装置には、上面にテーパー部２ａを有する下層配線２が絶縁膜１上に配設されている。下層配線２は、上面の少なくとも一部の領域において両側壁の一方側が細くなったテーパー部２ａを有し、他方側が平坦になった平坦部２ｂを有する。下層配線２上には、絶縁膜３が形成されている。絶縁膜３には、下層配線２のテーパー部２ａないし平坦部２ｂの一部の領域において下穴３ａが形成されている。下穴３ａには、コンタクトビア４が埋め込まれている。コンタクトビア４を含む絶縁膜３上には、上層配線５が形成されている。
【００２２】
次に、本発明の実施形態１に係る半導体装置の製造方法について図面を用いて説明する。図２は、本発明の実施形態１に係る半導体装置の製造方法を模式的に示した工程部分断面図である。
【００２３】
まず、下層配線用の導電体膜２上に、テーパー部形成用の開口部１１ａを有するレジスト１１を形成した後、開口部１１ａから露出する導電体膜２の一部を等方性エッチングにより除去し、テーパー部２ａを形成する（ステップＡ１；図２（ａ）参照）。ここで、等方性エッチング方法としては、薬液を用いる方法やガスを用いる方法などがある。また、等方性エッチングでは、絶縁膜１が現れない程度に行う。
【００２４】
次に、レジスト１１を除去した後、下層配線として残す導電体膜２上の領域にレジスト１２を形成する（ステップＡ２；図２（ｂ）参照）。次に、レジスト１２をマスクとして絶縁膜１が現れるまで余分な導電体膜２を異方性エッチングにより除去し、テーパー部２ａを有する下層配線２を形成する（ステップＡ３；図２（ｃ）参照）。次に、レジスト１２を除去した後、下層配線２を含む絶縁膜１上に絶縁膜３を成膜し、下層配線２のテーパー部２ａないし平坦部２ｂの一部の領域に下穴３ａをエッチングにより形成する（ステップＡ４；図２（ｄ）参照）。
【００２５】
次に、下穴３ａにコンタクトビア４を埋め込んだ後、コンタクトビア４を含む絶縁膜３上に上層配線５を形成する（ステップＡ５；図１（ｂ）参照）。なお、コンタクトビア４と上層配線５は、デュアルダマシン法により一体に形成してもよい。
【００２６】
実施形態１によれば、下層配線２の配線断面がテーパー形状なので、コンタクトビア４との接触面積が増加し、コンタクト抵抗を低減させることができる。また、テーパー部２ａが下層配線２の上面の少なくとも一部の領域における両側壁の一方側にのみ選択的に形成されているので、配線抵抗が増加するという問題点もない。
【００２７】
（実施形態２）
本発明の実施形態２に係る半導体装置について図面を用いて説明する。図３は、本発明の実施形態２に係る半導体装置の構成を模式的に示した（ａ）部分平面図、及び、（ｂ）Ｘ−Ｘ´間の部分断面図である。
【００２８】
実施形態２に係る半導体装置は、下穴３ａに関して、下層配線２のテーパー部２ａの一部の領域においてのみ形成されている。下穴３ａに埋め込まれたコンタクトビア４は、下層配線２のテーパー部２ａのみと接触している。その他の構成は、実施形態１と同様である。また、製造方法については、下穴３ａの位置を下層配線２のテーパー部２ａの一部の領域上に形成する点以外は、実質的に実施形態１と同様である。
【００２９】
実施形態２によれば、実施形態１と同様の効果を奏する。
【００３０】
（実施形態３）
本発明の実施形態３に係る半導体装置について図面を用いて説明する。図４は、本発明の実施形態３に係る半導体装置の構成を模式的に示した（ａ）部分平面図、及び、（ｂ）Ｘ−Ｘ´間の部分断面図である。
【００３１】
実施形態３に係る半導体装置は、配線２、７と配線５の間をコンタクトビア４で電気的に接続した配線構造を有する。半導体装置は、絶縁膜６と絶縁膜１の間に配線７が形成されており、上面にテーパー部２ａを有する下層配線２が絶縁膜１上に配設されている。下層配線２は、上面の少なくとも一部の領域において両側壁の一方側が細くなったテーパー部２ａを有し、他方側が平坦になった平坦部２ｂを有する。下層配線２上には、絶縁膜３が形成されている。絶縁膜３ないし絶縁膜１には、下層配線２のテーパー部２ａないし平坦部２ｂの一部の領域、及び、配線７の上面の一部の領域を含む領域において下穴１ａ、３ａが形成されている。下穴１ａ、３ａは、下層配線２によって段差になった１つの下穴である。下穴１ａ、３ａには、コンタクトビア４が埋め込まれている。コンタクトビア４は、下層配線２および配線７と電気的に接続する。コンタクトビア４を含む絶縁膜３上には、上層配線５が形成されている。
【００３２】
また、製造方法については、下穴１ａ、３ａを下層配線２および配線７に通ずるように形成した点以外は、実質的に実施形態１と同様である。
【００３３】
実施形態３によれば、実施形態１と同様な効果を奏するとともに、下層配線２の配線断面形状がテーパー形状なので下穴１ａ、３ａ内へのコンタクトビア４の埋め込み性を向上させることができる。
【００３４】
（実施形態４）
本発明の実施形態４に係る半導体装置について図面を用いて説明する。図５は、本発明の実施形態４に係る半導体装置の製造方法を模式的に示した工程部分断面図である。
【００３５】
実施形態４に係る半導体装置は、製造方法に関して実施形態１と異なる。まず、絶縁膜１上に下層配線２用の溝パターン８ａを有する絶縁膜８を形成した後、ダマシン加工により溝パターン８ａ内に下層配線２を形成する（ステップＢ１；図５（ａ）参照）。次に、下層配線２を含む絶縁膜８上に、テーパー部２ａ形成用の開口部１３ａを有するレジスト１３を形成した後、開口部１３ａから露出する下層配線２の一部を等方性エッチングにより除去し、テーパー部２ａを形成する（ステップＢ２；図５（ｂ）参照）。ここで、等方性エッチング方法としては、薬液を用いる方法やガスを用いる方法などがある。また、等方性エッチングでは、絶縁膜１が現れない程度に行う。次に、レジスト１３を除去した後、下層配線２を含む絶縁膜８上に絶縁膜３を成膜し、下層配線２のテーパー部２ａないし平坦部２ｂの一部の領域に下穴３ａを形成する（ステップＢ３；図５（ｃ）参照）。次に、下穴３ａにコンタクトビア４を埋め込んだ後、コンタクトビア４を含む絶縁膜３上に上層配線５を形成する（ステップＢ４；図５（ｄ）参照）。
【００３６】
実施形態４によれば、実施形態１と同様の効果を奏する。
【００３７】
（実施形態５）
本発明の実施形態５に係る半導体装置について図面を用いて説明する。図６は、本発明の実施形態５に係る半導体装置の製造方法を模式的に示した工程部分断面図である。
【００３８】
実施形態５に係る半導体装置は、製造方法に関して実施形態１、４と異なる。まず、下層配線用の導電体膜２上に下層配線形成用マスクとなるハードマスク１４を形成した後、テーパー部形成用の開口部１１ａを有するレジスト１１を形成し、その後、開口部１１ａから露出する導電体膜２の一部を等方性エッチングにより除去し、テーパー部２ａを形成する（ステップＣ１；図６（ａ）参照）。ここで、等方性エッチング方法としては、薬液を用いる方法やガスを用いる方法などがある。次に、レジスト１１を除去した後、ハードマスク１４をマスクとして絶縁膜１が現れるまで余分な導電体膜２を異方性エッチングにより除去し、テーパー部２ａを有する下層配線２を形成する（ステップＣ２；図６（ｂ）参照）。次に、ハードマスク１４を除去した後、下層配線２を含む絶縁膜１上に絶縁膜３を成膜し、下層配線２のテーパー部２ａないし平坦部２ｂの一部の領域に下穴３ａを形成する（ステップＣ３；図６（ｃ）参照）。次に、下穴３ａにコンタクトビア４を埋め込んだ後、コンタクトビア４を含む絶縁膜３上に上層配線５を形成する（ステップＣ４；図６（ｄ）参照）。なお、コンタクトビア４と上層配線５は、デュアルダマシン法により一体に形成してもよい。
【００３９】
実施形態５によれば、実施形態１と同様の効果を奏する。
【００４０】
（実施形態６）
本発明の実施形態６に係る半導体装置について図面を用いて説明する。図７は、本発明の実施形態６に係る半導体装置の構成を模式的に示した（ａ）部分平面図、及び、（ｂ）Ｘ−Ｘ´間の部分断面図である。
【００４１】
実施形態６に係る半導体装置は、ＭＯＳトランジスタのゲート電極２３と配線２９ｃの間をコンタクトビア２８ｃで電気的に接続した配線構造を有する。半導体装置のＭＯＳトランジスタ形成領域では、チャネルとなる半導体基板上にゲート絶縁膜（図示せず）を介してゲート電極２３が形成されており、チャネルの両側に不純物濃度が拡散層２６ａ、２６ｂより低いＬＤＤ領域２４ａ、２４ｂが形成されており、ＬＤＤ領域２４ａ、２４ｂの外側にソース／ドレインとなる拡散層２６ａ、２６ｂが形成されており、拡散層２６ａがコンタクトビア２８ａを介して配線２９ａと電気的に接続されており、拡散層２６ｂがコンタクトビア２８ｂを介して配線２９ｂと電気的に接続されている。
【００４２】
ゲート電極２３は、ＭＯＳトランジスタ形成領域から、半導体基板２１上に形成されたフィールド絶縁膜２２上まで延在する。ゲート電極２３は、ＭＯＳトランジスタ形成領域の周囲にある周辺領域のフィールド絶縁膜２２上にコンタクト座部を有し、コンタクト座部の上面の少なくとも一部の領域において両側壁の一方側が細くなったテーパー部２３ａを有し、他方側が平坦になった平坦部２３ｂを有する。ゲート電極２３の平坦部２３ｂ側の側壁には、幅広のサイドウォール２５ａが形成されている。ゲート電極２３のテーパー部２３ａ側の側壁には、サイドウォールがないか、または幅の狭いサイドウォール２５ｂが形成されている。周辺領域において、フィールド絶縁膜２２、ゲート電極２３、サイドウォール２５ａ、２５ｂを含む半導体基板２１上に絶縁膜２７が形成されている。絶縁膜２７には、ゲート電極２３のテーパー部２３ａないし平坦部２３ｂの一部の領域において下穴２７ｃが形成されている。下穴２７ｃには、コンタクトビア２８ｃが埋め込まれている。コンタクトビア２８ｃを含む絶縁膜２７上には、配線２９ｃが形成されている。なお、図７では、ゲート電極２３のコンタクト座部の直下にフィールド絶縁膜２２を有する構成となっているが、フィールド絶縁膜２２がない構成であってもよい。
【００４３】
次に、本発明の実施形態６に係る半導体装置の製造方法について図面を用いて説明する。図８、図９は、本発明の実施形態６に係る半導体装置の製造方法を模式的に示した工程部分断面図である。
【００４４】
まず、半導体基板２１上にフィールド絶縁膜２２およびゲート絶縁膜３０を形成した後、ゲート電極となるゲート電極膜２３を成膜し、その後、ゲート電極膜２３上に、テーパー部形成用の開口部３１ａを有するレジスト３１を形成した後、開口部３１ａから露出するゲート電極膜２３の一部を等方性エッチングにより除去し、テーパー部２３ａを形成する（ステップＤ１；図８（ａ）参照）。ここで、等方性エッチング方法としては、薬液を用いる方法やガスを用いる方法などがある。また、等方性エッチングでは、フィールド絶縁膜２２やゲート絶縁膜３０が現れない程度に行う。
【００４５】
次に、レジスト３１を除去した後、ゲート電極として残すゲート電極膜２３上の領域にレジスト３２を形成する（ステップＤ２；図８（ｂ）参照）。次に、レジスト３２をマスクとして、フィールド絶縁膜２２およびゲート絶縁膜３０が現れるまで余分なゲート電極膜２３を異方性エッチングにより除去し、その後、半導体基板２１が現れるまで余分なゲート絶縁膜３０を異方性エッチングにより除去し、テーパー部２３ａを有するゲート電極２３を形成する（ステップＤ３；図８（ｃ）参照）。
【００４６】
次に、レジスト３２を除去した後、半導体基板２１の所定の領域にＬＤＤ領域（図７の２４ａ、２４ｂ）を形成する（ステップＤ４；図示せず）。次に、ゲート電極２３、フィールド絶縁膜２２およびＬＤＤ領域（図７の２４ａ、２４ｂ）を含む半導体基板２１上にサイドウォール２５ａ、２５ｂ用の絶縁膜２５を成膜する（ステップＤ５；図９（ａ）参照）。次に、エッチバックを行うことで、ゲート電極２３の両側壁にサイドウォール２５ａ、２５ｂを形成する（ステップＤ６；図９（ｂ）参照）。
【００４７】
次に、半導体基板２１の所定の領域に拡散層（図７の２６ａ、２６ｂ）を形成する（ステップＤ７；図示せず）。次に、ゲート電極２３、フィールド絶縁膜２２、サイドウォール２５ａ、２５ｂおよび拡散層（図７の２６ａ、２６ｂ）を含む半導体基板２１上に絶縁膜２７を成膜し、拡散層（図７の２６ａ、２６ｂ）の一部の領域、及び、ゲート電極２３のテーパー部２３ａないし平坦部２３ｂの一部の領域に、コンタクトビア（図７（ａ）の２８ａ、２８ｂ）用の下穴（図示せず）、下穴２７ｃをエッチングにより形成する（ステップＤ８；図９（ｃ）参照）。
【００４８】
次に、コンタクトビア（図７（ａ）の２８ａ、２８ｂ）用の下穴（図示せず）、下穴２７ｃにそれぞれコンタクトビア２８ａ、２８ｂ、２８ｃを埋め込んだ後、コンタクトビア２８ａ、２８ｂ、２８ｃを含む絶縁膜２７上の所定の領域に配線２９ａ、２９ｂ、２９ｃ（２９ａ、２９ｂについて図７（ａ）参照）を形成する（ステップＤ９；図７（ｂ）参照）。なお、コンタクトビア２８ａ、２８ｂ、２８ｃと、対応する配線２９ａ、２９ｂ、２９ｃとは、デュアルダマシン法により一体に形成してもよい。
【００４９】
実施形態６によれば、ゲート電極２３にテーパー部２３ａが形成されているので、コンタクトビア２８ｃとの接触面積が増加し、コンタクト抵抗を低減させることができる。
【００５０】
（実施形態７）
本発明の実施形態７に係る半導体装置について図面を用いて説明する。図１０は、本発明の実施形態７に係る半導体装置の構成を模式的に示した（ａ）部分平面図、及び、（ｂ）Ｘ−Ｘ´間の部分断面図である。
【００５１】
実施形態７に係る半導体装置は、下穴２７ｃに関して、ゲート電極２３のテーパー部２３ａの一部の領域においてのみ形成されている。下穴２７ｃに埋め込まれたコンタクトビア２８ｃは、ゲート電極２３のテーパー部２３ａのみと接触している。その他の構成は、実施形態６と同様である。また、製造方法については、下穴２７ｃの位置をゲート電極２３のテーパー部２３ａの一部の領域上に形成する点以外は、実質的に実施形態６と同様である。
【００５２】
実施形態７によれば、実施形態６と同様の効果を奏する。
【００５３】
（実施形態８）
本発明の実施形態８に係る半導体装置について図面を用いて説明する。図１１は、本発明の実施形態８に係る半導体装置の構成を模式的に示した（ａ）部分平面図、及び、（ｂ）Ｘ−Ｘ´間の部分断面図である。
【００５４】
実施形態８に係る半導体装置は、ＭＯＳトランジスタのゲート電極２３、拡散層２６ｃと配線２９ｃの間をコンタクトビア２８ｃで電気的に接続した配線構造を有する。半導体装置のＭＯＳトランジスタ形成領域では、チャネルとなる半導体基板上にゲート絶縁膜（図示せず）を介してゲート電極２３が形成されており、チャネルの両側に不純物濃度が拡散層２６ａ、２６ｂより低いＬＤＤ領域２４ａ、２４ｂが形成されており、ＬＤＤ領域２４ａ、２４ｂの外側にソース／ドレインとなる拡散層２６ａ、２６ｂが形成されており、拡散層２６ａがコンタクトビア２８ａを介して配線２９ａと電気的に接続されており、拡散層２６ｂがコンタクトビア２８ｂを介して配線２９ｂと電気的に接続されている。
【００５５】
半導体装置は、ＭＯＳトランジスタ形成領域の周囲にある周辺領域において、半導体基板２１上のフィールド絶縁膜２２と隣接する片側の領域に拡散層２６ｃが形成されている。拡散層２６ｃは、拡散層２６ａ、２６ｂと同時に形成される。拡散層２６ｃは、拡散層２６ａ、拡散層２６ｂの一方と電気的に接続される構成としてもよい。フィールド絶縁膜２２は、ゲート電極２３の下からゲート電極２３が存在しない領域の一部まで延在している。ゲート電極２３は、ＭＯＳトランジスタ形成領域から、半導体基板２１上に形成されたフィールド絶縁膜２２上まで延在する。ゲート電極２３は、フィールド絶縁膜２２上にコンタクト座部を有し、コンタクト座部の上面の少なくとも一部の領域において両側壁の一方側が細くなったテーパー部２３ａを有し、他方側が平坦になった平坦部２３ｂを有する。なお、テーパー部２３ａは、ＭＯＳトランジスタ形成領域内のゲート電極２３の部分に形成してもよい。ゲート電極２３の平坦部２３ｂ側の側壁には、幅広のサイドウォール２５ａが形成されている。ゲート電極２３のテーパー部２３ａ側の側壁には、サイドウォールがない。サイドウォールがないのは、下穴２７ｃを形成する際にエッチング除去されてしまうからである。周辺領域において、フィールド絶縁膜２２、ゲート電極２３、サイドウォール２５ａ、拡散層２６ｃを含む半導体基板２１上に絶縁膜２７が形成されている。絶縁膜２７には、ゲート電極２３のテーパー部２３ａないし平坦部２３ｂの一部の領域、フィールド絶縁膜２２の上面の一部の領域、及び、拡散層２６ｃの上面の一部の領域を含む領域において下穴２７ｃが形成されている。下穴２７ｃには、コンタクトビア２８ｃが埋め込まれている。コンタクトビア２８ｃを含む絶縁膜２７上には、配線２９ｃが形成されている。なお、図１１では、ゲート電極２３のコンタクト座部の直下にフィールド絶縁膜２２を有する構成となっているが、フィールド絶縁膜２２がない構成であってもよい。
【００５６】
また、製造方法については、拡散層２６ｃを形成した点、及び、下穴２７ｃをゲート電極２３および拡散層２６ｃに通ずるように形成した点以外は、実質的に実施形態６と同様である。
【００５７】
実施形態８によれば、実施形態６と同様な効果を奏するとともに、下穴２７ｃ内にサイドウォールがない、或いはサイドウォール（図示せず）があっても小さいので、下穴２７ｃにおける拡散層２６ｃの領域の寸法を小さくすることができる。また、下穴２７ｃ内のサイドウォールを除去した領域がＬＤＤ領域のような低濃度不純物領域になるといったような問題点も発生しない。
【００５８】
（実施形態９）
本発明の実施形態９に係る半導体装置について図面を用いて説明する。図１２、図１３は、本発明の実施形態９に係る半導体装置の製造方法を模式的に示した工程部分断面図である。
【００５９】
実施形態９に係る半導体装置は、製造方法に関して実施形態６と異なる。まず、半導体基板２１上にフィールド絶縁膜２２およびゲート絶縁膜３０を形成した後、ゲート電極となるゲート電極膜２３を成膜し、その後、ゲート電極膜２３上にゲート電極形成用マスクとなるハードマスク３４を形成した後、テーパー部形成用の開口部３１ａを有するレジスト３１を形成し、その後、開口部３１ａから露出するゲート電極膜２３の一部を等方性エッチングにより除去し、テーパー部２３ａを形成する（ステップＥ１；図１２（ａ）参照）。ここで、等方性エッチング方法としては、薬液を用いる方法やガスを用いる方法などがある。また、等方性エッチングでは、フィールド絶縁膜２２やゲート絶縁膜３０が現れない程度に行う。
【００６０】
次に、レジスト３１を除去した後、ハードマスク３４をマスクとして、フィールド絶縁膜２２およびゲート絶縁膜３０が現れるまで余分なゲート電極膜２３を異方性エッチングにより除去し、その後、半導体基板２１が現れるまで余分なゲート絶縁膜３０を異方性エッチングにより除去し、テーパー部２３ａを有するゲート電極２３を形成する（ステップＥ２；図１２（ｂ）参照）。
【００６１】
次に、ハードマスク３４を除去した後、半導体基板２１の所定の領域にＬＤＤ領域（図７の２４ａ、２４ｂ）を形成する（ステップＥ３；図示せず）。次に、ゲート電極２３、フィールド絶縁膜２２およびＬＤＤ領域（図７の２４ａ、２４ｂ）を含む半導体基板２１上にサイドウォール２５ａ、２５ｂ用の絶縁膜２５を成膜する（ステップＥ４；図１２（ｃ）参照）。次に、エッチバックを行うことで、ゲート電極２３の両側壁にサイドウォール２５ａ、２５ｂを形成する（ステップＥ５；図１３（ａ）参照）。
【００６２】
次に、半導体基板２１の所定の領域に拡散層（図７の２６ａ、２６ｂ）を形成する（ステップＥ６；図示せず）。次に、ゲート電極２３、フィールド絶縁膜２２、サイドウォール２５ａ、２５ｂおよび拡散層（図７の２６ａ、２６ｂ）を含む半導体基板２１上に絶縁膜２７を成膜し、拡散層（図７の２６ａ、２６ｂ）の一部の領域、及び、ゲート電極２３のテーパー部２３ａないし平坦部２３ｂの一部の領域に、コンタクトビア（図７（ａ）の２８ａ、２８ｂ）用の下穴（図示せず）、下穴２７ｃをエッチングにより形成する（ステップＥ７；図１３（ｂ）参照）。
【００６３】
次に、コンタクトビア（図７（ａ）の２８ａ、２８ｂ）用の下穴（図示せず）、下穴２７ｃにそれぞれコンタクトビア２８ａ、２８ｂ、２８ｃを埋め込んだ後、コンタクトビア２８ａ、２８ｂ、２８ｃを含む絶縁膜２７上の所定の領域に配線２９ａ、２９ｂ、２９ｃ（２９ａ、２９ｂについて図７（ａ）参照）を形成する（ステップＥ８；図１３（ｃ）参照）。なお、コンタクトビア２８ａ、２８ｂ、２８ｃと、対応する配線２９ａ、２９ｂ、２９ｃとは、デュアルダマシン法により一体に形成してもよい。
【００６４】
実施形態９によれば、実施形態６と同様の効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】本発明の実施形態１に係る半導体装置の構成を模式的に示した（ａ）部分平面図、及び、（ｂ）Ｘ−Ｘ´間の部分断面図である。
【図２】本発明の実施形態１に係る半導体装置の製造方法を模式的に示した工程部分断面図である。
【図３】本発明の実施形態２に係る半導体装置の構成を模式的に示した（ａ）部分平面図、及び、（ｂ）Ｘ−Ｘ´間の部分断面図である。
【図４】本発明の実施形態３に係る半導体装置の構成を模式的に示した（ａ）部分平面図、及び、（ｂ）Ｘ−Ｘ´間の部分断面図である。
【図５】本発明の実施形態４に係る半導体装置の製造方法を模式的に示した工程部分断面図である。
【図６】本発明の実施形態５に係る半導体装置の製造方法を模式的に示した工程部分断面図である。
【図７】本発明の実施形態６に係る半導体装置の構成を模式的に示した（ａ）部分平面図、及び、（ｂ）Ｘ−Ｘ´間の部分断面図である。
【図８】本発明の実施形態６に係る半導体装置の製造方法を模式的に示した第１の工程部分断面図である。
【図９】本発明の実施形態６に係る半導体装置の製造方法を模式的に示した第２の工程部分断面図である。
【図１０】本発明の実施形態７に係る半導体装置の構成を模式的に示した（ａ）部分平面図、及び、（ｂ）Ｘ−Ｘ´間の部分断面図である。
【図１１】本発明の実施形態８に係る半導体装置の構成を模式的に示した（ａ）部分平面図、及び、（ｂ）Ｘ−Ｘ´間の部分断面図である。
【図１２】本発明の実施形態９に係る半導体装置の製造方法を模式的に示した第１の工程部分断面図である。
【図１３】本発明の実施形態９に係る半導体装置の製造方法を模式的に示した第２の工程部分断面図である。
【図１４】従来例１に係る半導体装置の構成を模式的に示した部分断面図である。
【図１５】従来例２に係る半導体装置の構成を模式的に示した部分断面図である。
【図１６】従来例３に係る半導体装置の構成を模式的に示した部分断面図である。
【符号の説明】
【００６６】
１  絶縁膜
１ａ  下穴
２  下層配線（導電体膜）
２ａ  テーパー部
２ｂ  平坦部
３  絶縁膜
３ａ  下穴
４  コンタクトビア
５  上層配線
６  絶縁膜
７  配線
８  絶縁膜
８ａ  溝パターン
１１  レジスト
１１ａ  開口部
１２  レジスト
１３  レジスト
１３ａ  開口部
１４  ハードマスク
２１  半導体基板
２２  フィールド絶縁膜
２３  ゲート電極（ゲート電極膜）
２３ａ  テーパー部
２３ｂ  平坦部
２４ａ、２４ｂ  ＬＤＤ領域（低濃度拡散領域）
２５  絶縁膜
２５ａ、２５ｂ  サイドウォール
２６ａ、２６ｂ、２６ｃ  拡散層
２７  絶縁膜
２７ｃ  下穴
２８ａ、２８ｂ、２８ｃ  コンタクトビア
２９ａ、２９ｂ、２９ｃ  配線
３０  ゲート絶縁膜
３１  レジスト
３１ａ  開口部
３２  レジスト
３３  レジスト
３３ａ  開口部
３４  ハードマスク
１０１  絶縁膜
１０２  下層配線
１０３  絶縁膜
１０３ａ  下穴
１０４  コンタクトビア
１０５  上層配線
２０１  半導体基板
２０２  絶縁膜
２０３  下層配線
２０３ａ  テーパー部
２０４  絶縁膜
２０４ａ  下穴
２０５  上層配線
３０１  半導体基板
３０２  ゲート絶縁膜
３０３  ゲート電極
３０４  ＬＤＤ領域
３０５  サイドウォール
３０６  拡散層
３０７  絶縁膜
３０７ａ  下穴
３０８  コンタクトビア
３０９  配線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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