(57)【要約】【解決手段】基板又は基板上に溝又は凹陥部を形成し、液状シリコーン組成物の液滴を基板上に載せ、液状シリコーン組成物の液滴を、液状シリコーン組成物の表面張力により、溝の内周面上端において保持しつつ、凸形状に保持、又は凹陥部の周面で保持しつつ、液状シリコーン組成物の表面張力により凸形状に保持して、液状シリコーン組成物の液滴を硬化させることにより、微小電子部品を液状シリコーン組成物の硬化物で基板上に封止する。【効果】流動性の高い液状シリコーン組成物を用い、その特性を生かして基板と微小電子部品（チップ）との間の隙間やチップ自体の狭小部に液状シリコーン組成物を行き渡らせると共に、基板上に載せた液状シリコーン組成物が広がりすぎることがなく、液状シリコーン組成物を基板上の所望の範囲に保持して、形状の良好な硬化物を形成することができる。【選択図】図１
2008071859.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に配置された微小電子部品を液状シリコーン組成物の液滴で覆い、該液状シリコーン組成物の液滴を硬化させることにより上記微小電子部品を基板上に封止する方法であって、
基板上面の、液状シリコーン組成物の硬化物で封止する所定の領域を取り囲むように溝を形成し、
微小電子部品を上記領域の中央部に配置して、液状シリコーン組成物の液滴を上記領域上に載せ、
該液状シリコーン組成物の液滴を、液状シリコーン組成物の表面張力により、液状シリコーン組成物が上記溝に流出しないように上記溝内周面上端において保持しつつ、上記領域内に凸形状に保持して、
液状シリコーン組成物の液滴を硬化させることを特徴とする微小電子部品の封止方法。
【請求項２】
基板上に配置された微小電子部品を液状シリコーン組成物の液滴で覆い、該液状シリコーン組成物の液滴を硬化させることにより上記微小電子部品を基板上に封止する方法であって、
基板の、液状シリコーン組成物の硬化物で封止する所定部分に凹陥部を形成し、
微小電子部品を上記凹陥部の中央部に配置して、液状シリコーン組成物の液滴を上記凹陥部に載せ、
該液状シリコーン組成物の液滴を、上記凹陥部の周面で保持しつつ、液状シリコーン組成物の表面張力により凸形状に保持して、
液状シリコーン組成物の液滴を硬化させることを特徴とする微小電子部品の封止方法。
【請求項３】
基板上に配置された微小電子部品を液状シリコーン組成物の液滴で覆い、該液状シリコーン組成物の液滴を硬化させることにより上記微小電子部品を基板上に封止する方法であって、
基板上面の、液状シリコーン組成物の硬化物で封止する所定の領域を、所定高さの堰部材で取り囲んで凹陥部を形成し、
微小電子部品を上記凹陥部の中央部に配置して、液状シリコーン組成物の液滴を上記凹陥部に載せ、
該液状シリコーン組成物の液滴を、上記凹陥部の周面で保持しつつ、液状シリコーン組成物の表面張力により凸形状に保持して、
液状シリコーン組成物の液滴を硬化させることを特徴とする微小電子部品の封止方法。
【請求項４】
上記堰部材がソルダーレジスト、ダム材、又は粘着材を有する高分子シートで形成されていることを特徴とする請求項３記載の封止方法。
【請求項５】
液状シリコーン組成物が加熱硬化型の液状シリコーン組成物であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項記載の封止方法。
【請求項６】
液状シリコーン組成物の粘度が１００Ｐａ・ｓ以下であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項記載の封止方法。
【請求項７】
上記微小電子部品が半導体素子であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項記載の封止方法。
【請求項８】
上記半導体素子が発光ダイオードであることを特徴とする請求項７記載の封止方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板上に配置された半導体、ＬＥＤ、コンデンサー、トランジスター、抵抗などの微小電子部品（チップ）を、液状シリコーン組成物の硬化物で封止する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板上に半導体、ＬＥＤ、コンデンサー、トランジスター、抵抗などのチップが配置されたワークにおいて、これらのチップを外界からの湿度、熱、紫外線、振動などによる劣化から保護するために、シリコーン樹脂又はシリコーンゴムでコーティングする方法が数多く採り入れられている。
【０００３】
この封止用途に使用される液状シリコーン組成物は、硬化後に封止すべき所望の範囲より広がらないためのチクソ性が必要であるが、それ以上に、基板とチップとの間の隙間に良好に流れ込み、チップを完全に封止できる十分な流動性を確保しなければならない。そのため、このように相反した性能が要求されるものの、通常は、作業性などの事情から、流動性の確保が重視され、現実的には、液状シリコーン組成物を硬化させた後のシリコーン封止材が所望の範囲より広がってしまう場合が多い。
【０００４】
しかしながら、特に光学特性を要求される分野では、シリコーン封止材が大きくなるため、封止の良し悪しが、製品性能を左右するファクターとなる。シリコーン封止材が所望の範囲より広がることは、封止材が所定の形状にならないことにつながるため、問題がある。また、光学特性を必要としない用途においても、信頼性と共に、封止状態の美観が問われることがある。
【０００５】
なお、この発明に関連する先行技術文献情報としては、以下のものがある。
【０００６】
【特許文献１】特開２００４−１８６１６８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、上記問題を解決するためになされたものであり、基板上に配置された半導体、ＬＥＤ、コンデンサー、トランジスター、抵抗などの微小電子部品（チップ）を液状シリコーン組成物で封止するに際し、流動性が良好な液状シリコーン組成物の特性を生かしつつ、液状シリコーン組成物を基板上の所望の範囲に保持して、形状の良好な硬化物を形成することができる封止方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者らは、上記課題を解決するため鋭意検討を重ねた結果、基板上に配置された微小電子部品を液状シリコーン組成物の液滴で覆い、この液状シリコーン組成物の液滴を硬化させることにより微小電子部品を基板上に封止する際、
（１）基板上面の、液状シリコーン組成物の硬化物で封止する所定の領域を取り囲むように溝を形成し、微小電子部品を上記領域の中央部に配置して、液状シリコーン組成物の液滴を上記領域上に載せ、該液状シリコーン組成物の液滴を、液状シリコーン組成物の表面張力により、液状シリコーン組成物が上記溝に流出しないように上記溝内周面上端において保持しつつ、上記領域内に凸形状に保持した状態、
（２）基板の、液状シリコーン組成物の硬化物で封止する所定部分に凹陥部を形成し、微小電子部品を上記凹陥部の中央部に配置して、液状シリコーン組成物の液滴を上記凹陥部に載せ、該液状シリコーン組成物の液滴を、上記凹陥部の周面で保持しつつ、液状シリコーン組成物の表面張力により凸形状に保持した状態、又は
（３）基板上面の、液状シリコーン組成物の硬化物で封止する所定の領域を、所定高さの堰部材で取り囲んで凹陥部を形成し、微小電子部品を上記凹陥部の中央部に配置して、液状シリコーン組成物の液滴を上記凹陥部に載せ、該液状シリコーン組成物の液滴を、上記凹陥部の周面で保持しつつ、液状シリコーン組成物の表面張力により凸形状に保持した状態
とし、この液状シリコーン組成物の液滴を、凸形状に保持した状態で硬化させれば、流動性の高い液状シリコーン組成物を用い、その特性を生かして基板と微小電子部品(チップ)との間の隙間やチップ自体の狭小部に液状シリコーン組成物を行き渡らせると共に、基板上に載せた液状シリコーン組成物が広がりすぎることがなく、液状シリコーン組成物を基板上の所望の範囲に保持して、形状の良好な硬化物、即ちシリコーン封止材を形成することができることを見出し、本発明をなすに至った。
【０００９】
即ち、本発明は、以下の微小電子部品の封止方法を提供する。
［１］  基板上に配置された微小電子部品を液状シリコーン組成物の液滴で覆い、該液状シリコーン組成物の液滴を硬化させることにより上記微小電子部品を基板上に封止する方法であって、
基板上面の、液状シリコーン組成物の硬化物で封止する所定の領域を取り囲むように溝を形成し、
微小電子部品を上記領域の中央部に配置して、液状シリコーン組成物の液滴を上記領域上に載せ、
該液状シリコーン組成物の液滴を、液状シリコーン組成物の表面張力により、液状シリコーン組成物が上記溝に流出しないように上記溝内周面上端において保持しつつ、上記領域内に凸形状に保持して、
液状シリコーン組成物の液滴を硬化させることを特徴とする微小電子部品の封止方法。
［２］  基板上に配置された微小電子部品を液状シリコーン組成物の液滴で覆い、該液状シリコーン組成物の液滴を硬化させることにより上記微小電子部品を基板上に封止する方法であって、
基板の、液状シリコーン組成物の硬化物で封止する所定部分に凹陥部を形成し、
微小電子部品を上記凹陥部の中央部に配置して、液状シリコーン組成物の液滴を上記凹陥部に載せ、
該液状シリコーン組成物の液滴を、上記凹陥部の周面で保持しつつ、液状シリコーン組成物の表面張力により凸形状に保持して、
液状シリコーン組成物の液滴を硬化させることを特徴とする微小電子部品の封止方法。
［３］  基板上に配置された微小電子部品を液状シリコーン組成物の液滴で覆い、該液状シリコーン組成物の液滴を硬化させることにより上記微小電子部品を基板上に封止する方法であって、
基板上面の、液状シリコーン組成物の硬化物で封止する所定の領域を、所定高さの堰部材で取り囲んで凹陥部を形成し、
微小電子部品を上記凹陥部の中央部に配置して、液状シリコーン組成物の液滴を上記凹陥部に載せ、
該液状シリコーン組成物の液滴を、上記凹陥部の周面で保持しつつ、液状シリコーン組成物の表面張力により凸形状に保持して、
液状シリコーン組成物の液滴を硬化させることを特徴とする微小電子部品の封止方法。
［４］  上記堰部材がソルダーレジスト、ダム材、又は粘着材を有する高分子シートで形成されていることを特徴とする［３］記載の封止方法。
［５］  液状シリコーン組成物が加熱硬化型の液状シリコーン組成物であることを特徴とする［１］乃至［４］のいずれかに記載の封止方法。
［６］  液状シリコーン組成物の粘度が１００Ｐａ・ｓ以下であることを特徴とする［１］乃至［５］のいずれかに記載の封止方法。
［７］  上記微小電子部品が半導体素子であることを特徴とする［１］乃至［６］のいずれかに記載の封止方法。
［８］  上記半導体素子が発光ダイオードであることを特徴とする［７］記載の封止方法。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、流動性の高い液状シリコーン組成物を用い、その特性を生かして基板と微小電子部品（チップ）との間の隙間やチップ自体の狭小部に液状シリコーン組成物を行き渡らせると共に、基板上に載せた液状シリコーン組成物が広がりすぎることがなく、液状シリコーン組成物を基板上の所望の範囲に保持して、形状の良好な硬化物、即ちシリコーン封止材を形成することができ、これにより、半導体部品等の電子部品を封止した信頼性、耐久性の高い基板を得ることができる。また、特に比較的小さい液滴を保持するように構成した場合、液滴がドーム形状に保持され、ドーム型（縦断面略半月形状の）硬化物とすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明につき更に詳しく説明する。
本発明は、基板上に配置された、例えば、発光ダイオード（ＬＥＤ）、トランジスター等の半導体素子、コンデンサー、抵抗などの微小電子部品（チップ）を、液状シリコーン組成物の液滴で覆い、この液状シリコーン組成物の液滴を硬化させることにより微小電子部品を基板上に封止する方法である。
【００１２】
本発明の第１の態様においては、基板上面の、液状シリコーン組成物の硬化物で封止する所定の領域を取り囲むように溝を形成し、微小電子部品を上記領域の中央部に配置して、液状シリコーン組成物の液滴を上記領域上に載せ、この液状シリコーン組成物の液滴を、液状シリコーン組成物の表面張力により、液状シリコーン組成物が上記溝に流出しないように上記溝内周面上端において保持しつつ、上記領域内に凸形状に保持して、液状シリコーン組成物の液滴を硬化させる。この第１の態様の場合、上記領域に液状シリコーン組成物の液滴を所定量、静かに載せてやれば、液滴は、その表面張力によって、上記溝内周面上端で上記溝に溢れ出ることなく保持されて、上記領域内に凸形状の液滴が形成される。
【００１３】
この第１の態様の場合、例えば、基板上にダイボンドされた半導体素子などの微小電子部品を液状シリコーン組成物の液滴で覆い、これを硬化させて封止する際、例えば、図１に示されるように、基板１の上面の、液状シリコーン組成物の硬化物３で封止する所定の領域を取り囲むように溝（図１の場合、水平方向円形で幅方向断面矩形の溝）１１を形成し、上記領域（即ち、溝１１の内周より内側の範囲）の中央部に微小電子部品２を配置して、液状シリコーン組成物の液滴を上記領域上に、形成するシリコーン組成物の硬化物３と同形状となるように載せ、液状シリコーン組成物の液滴を、液状シリコーン組成物の表面張力により、液状シリコーン組成物が上記溝１１に流出しないように上記溝１１の内周面上端において保持しつつ、上記領域内に凸形状（図１の場合は、ドーム形状（縦断面略半月形状））に保持して、液状シリコーン組成物の液滴を硬化させることにより、基板１上に微小電子部品２を液状シリコーン組成物の硬化物（シリコーン封止材）３で封止することができる。
【００１４】
この場合、基板上に形成する溝は、例えば、基板の切削加工によって形成することができる他、例えば、樹脂基板等の高分子材料基板などの場合、その成形時に溝を形成したものであってもよい。溝は、液状シリコーン組成物の硬化物で封止する所定の領域を取り囲むように全周に形成されていることが好ましく、その周方向（水平方向）の形状は円形、楕円形が好ましいが、四角形、五角形、六角形、八角形等の多角形などの形状を適用することもできる。また、溝の幅方向（縦断面方向）の断面形状も矩形の他、半円形、半楕円形、逆三角形などにすることも可能である。
【００１５】
溝の大きさは微小なもので十分な効果が得られるが、形成のしやすさから、深さが１０μｍ以上、特に５０μｍ以上であることが好ましく、幅が１０μｍ以上、特に５０μｍ以上であることが好ましい。一方、深さ及び幅の上限は、特に限定されるものではないが、通常、深さは５００μｍ以下、特に３００μｍ以下、幅は５００μｍ以下、特に３００μｍ以下である。なお、特に発光ダイオードを封止する場合、液状シリコーン組成物の硬化物で封止する上記領域の大きさは、通常０．００６〜２ｃｍ2程度である。
【００１６】
また、本発明の第２の態様においては、基板の、液状シリコーン組成物の硬化物で封止する所定部分に凹陥部を形成し、微小電子部品を上記凹陥部の中央部に配置して、液状シリコーン組成物の液滴を上記凹陥部に載せ、この液状シリコーン組成物の液滴を、上記凹陥部の周面で保持しつつ、液状シリコーン組成物の表面張力により凸形状に保持して、液状シリコーン組成物の液滴を硬化させる。
【００１７】
この第２の態様の場合、例えば、基板上にダイボンドされた半導体素子などの微小電子部品を液状シリコーン組成物の液滴で覆い、これを硬化させて封止する際、例えば、図２に示されるように、基板１の、液状シリコーン組成物の硬化物３で封止する所定部分に凹陥部（図２の場合、水平方向円形で縦断面矩形の凹陥部）１２を形成し、この凹陥部１２の中央部に微小電子部品２を配置して、液状シリコーン組成物の液滴を、凹陥部１２上に、形成するシリコーン組成物の硬化物３と同形状となるように載せ、液状シリコーン組成物の液滴を、上記凹陥部１２の周面で保持しつつ、液状シリコーン組成物の表面張力により凸形状（図２の場合は、ドーム形状（縦断面略半月形状））に保持して、液状シリコーン組成物の液滴を硬化させることにより、基板１上に微小電子部品２を液状シリコーン組成物の硬化物（シリコーン封止材）３で封止することができる。
【００１８】
また、図３に示されるように、基板上面の所定領域を仕切るように基板上面から立設された周壁１３によって凹陥部１２を形成したものを用いてもよい。なお、図３において、１は基板、２は微小電子部品、３はシリコーン組成物の硬化物（シリコーン封止材）である。
【００１９】
この場合、基板上に形成する凹陥部は、例えば、基板の切削加工によって形成することができる他、例えば、樹脂基板等の高分子材料基板などの場合、その成形時に凹陥部を形成したものであってもよい。
【００２０】
また、凹陥部の水平方向の形状は、円形、楕円形が好ましいが、四角形、五角形、六角形、八角形等の多角形などの形状を適用することもできる。更に、凹陥部の縦断面形状も矩形の他、逆台形、底辺円弧状（即ち、凹陥部の底面が球面又は楕円球面）などにすることも可能である。
【００２１】
更に、本発明の第３の態様においては、基板上面の、液状シリコーン組成物の硬化物で封止する所定の領域を、所定高さの堰部材で取り囲んで凹陥部を形成し、微小電子部品を上記凹陥部の中央部に配置して、液状シリコーン組成物の液滴を上記凹陥部に載せ、この液状シリコーン組成物の液滴を、上記凹陥部の周面で保持しつつ、液状シリコーン組成物の表面張力により凸形状に保持して、液状シリコーン組成物の液滴を硬化させる。
【００２２】
この第３の態様の場合、例えば、基板上にダイボンドされた半導体素子などの微小電子部品を液状シリコーン組成物の液滴で覆い、これを硬化させて封止する際、例えば、図４に示されるように、基板１の上面の、液状シリコーン組成物の硬化物３で封止する所定の領域を、所定高さ（厚さ）の堰部材４で取り囲んで凹陥部（図４の場合、水平方向円形で縦断面矩形の凹陥部）１２を形成し、この凹陥部１２の中央部に微小電子部品２を配置して、液状シリコーン組成物の液滴を、凹陥部１２上に、形成するシリコーン組成物の硬化物３と同形状となるように載せ、液状シリコーン組成物の液滴を、上記凹陥部１２の周面（即ち、堰部材４の内周面）で保持しつつ、液状シリコーン組成物の表面張力により凸形状（図４の場合は、ドーム形状（縦断面略半月形状））に保持して、液状シリコーン組成物の液滴を硬化させることにより、基板１上に微小電子部品２を液状シリコーン組成物の硬化物（シリコーン封止材）３で封止することができる。
【００２３】
また、図５に示されるように、基板上面の所定領域を仕切るように基板上面に立設した堰部材により形成された周壁４１によって凹陥部１２を形成したものを用いてもよい。なお、図５において、１は基板、２は微小電子部品、３はシリコーン組成物の硬化物（シリコーン封止材）である。
【００２４】
この場合、堰部材をソルダーレジスト、ダム材、又は粘着材を有する高分子シートで形成することができる。ソルダーレジストの場合、例えば、スクリーン印刷、ステンシル印刷などによりパターンを印刷し、それを硬化させて得たものを堰部材として適用することが可能である。粘着材を有する高分子シートで形成する場合、片面に粘着材を有するテフロン（登録商標）シートやＰＥＴシートなどの高分子フィルムなどを利用して堰部材とすることも可能である。堰部材の高さ（厚さ）は、例えば１０μｍ以上、特に５０μｍ以上であることが好ましい。一方、高さ（厚さ）の上限は、特に限定されるものではないが、通常、１ｍｍ以下である。
【００２５】
また、凹陥部の水平方向の形状は、円形、楕円形が好ましいが、四角形、五角形、六角形、八角形等の多角形などの形状を適用することもできる。更に、凹陥部の縦断面形状も矩形の他、逆台形などにすることも可能である。
【００２６】
上記第２及び第３の態様における凹陥部の大きさは、微小電子部品を収容することができる大きさであるが、通常、深さが５〜５０μｍ、径（水平方向の最大幅）が、０．０２〜１ｃｍであることが好ましい。なお、特に発光ダイオードを封止する場合、液状シリコーン組成物の硬化物で封止する上記凹陥部の底面の大きさは、通常０．０３〜０．８ｃｍ2程度である。
【００２７】
本発明に用いる液状シリコーン組成物は、例えば、水分により縮合反応を起こして架橋するタイプ、加熱若しくは室温によりヒドロシリル化反応を起こして架橋するタイプ、ＵＶ照射により架橋反応を起こすタイプ、パーオキサイドの分解反応によりラジカルを発生し、これにより架橋するタイプなど、通常のシリコーン系材料として使用される硬化型の全ての液状シリコーン組成物を対象とすることができるが、特に、加熱硬化型の液状シリコーン組成物が速硬化性、暗部での硬化性及びラインへの対応が可能という点で好ましい。
【００２８】
また、本発明のシリコーン封止材は、シリコーンゴム組成物を用いて、硬化後にゴム弾性を示すシリコーンゴム、シリコーン樹脂組成物を用いて、硬化後にプラスチックのようなシリコーンレジン（シリコーン樹脂）、シリコーンゲル組成物を用いて、硬化後に非常に柔らかいゲル状になるシリコーンゲルなどで構成することができ、全てのシリコーン材料に対応できる。なお、発光ダイオードを封止する場合、通常、透明な硬化物を与える液状シリコーン組成物が用いられる。
【００２９】
液状シリコーン組成物の粘度も、特に限定されるものではないが、微小電子部品（チップ）への封止性、特に流動性を考慮した場合、好ましくは１００Ｐａ・ｓ以下、より好ましくは３０Ｐａ・ｓ以下の粘度を示すものがよい。なお、粘度の下限は、好ましくは０．１Ｐａ・ｓ以上、より好ましくは１０Ｐａ・ｓ以上である。
【００３０】
本発明の液状シリコーン組成物は、基本的にはチクソ性を有するものでなくともよいが、作業性を有利にするためにチクソ性を付与したものを使用することも可能である。但し、チクソ性が高すぎて、塗布後に糸引きやメモリーが残ってしまったり、フォローパターンが残ったりするような組成物は、避けるべきである。このようなチクソ性を付与する材料としては、煙霧状シリカが一般的であり、少量、例えばチクソ性を付与する材料以外の組成物構成材料の合計１００質量部に対して０．５〜１０質量部の添加で効果が期待でき、特に、透明な硬化物を得る場合において適している。
【００３１】
基板の材質は、いずれの材質でもよいが、例えば、チップを固定するＦＲ−４基板、ガラス基板等のセラミック基板、アルミ基板等の金属基板、ゴム基板、樹脂基板等の高分子材料基板などを用いることができる。
【００３２】
なお、図示した例においては、シリコーン組成物の硬化物の形状がドーム形状のものを例示したが、本発明は、硬化物の凸形状（液滴の凸形状）がドーム形状のものに限られず、硬化時に基板に比較的広範囲に広がって硬化する薄膜のシリコーン封止材の形成においても適用することができる。この場合、液滴の周縁部が上述した溝の内周面上端において保持され、又は凹陥部の周面で保持されて、曲面を形成した凸形状をなすように硬化物（シリコーン封止材）が形成されて微小電子部品が封止される。
【実施例】
【００３３】
以下、実験例及び比較実験例を示し、本発明を具体的に説明する。
【００３４】
［実験例１，２］
信越化学工業（株）製ＬＥＤ封止用シリコーン組成物ＫＥＲ−２５００Ａ及びＢを使用し、Ａ剤及びＢ剤を均一に混合した。この混合物に対して真空脱泡を行い、巻き込まれたエアーを完全に除去した後、シリンジに詰めた。一方、フロートガラス上に８０μｍの厚みを有するテフロン（登録商標）粘着テープを貼り付けた後、カッターにて直径２ｍｍの円形に切り込みを入れ除去することにより、凹陥部を形成し、これをトルエンにて洗浄した。次に、この凹陥部にシリンジからシリコーン組成物を表１に示される量滴下し、この液滴を１２０℃×１時間で硬化させた後、硬化物の径（水平方向の最大幅）及び高さをノギスにて測定した。結果を表１に示す。
【００３５】
［実験例３，４］
信越化学工業（株）製ＬＥＤ封止用シリコーン組成物ＫＥＲ−２５００Ａ及びＢを使用し、Ａ剤及びＢ剤を均一に混合し、更に、比表面積が３００ｍ2／ｇのジメチルジクロルシランで表面を処理した煙霧状シリカを上記Ａ剤及びＢ剤の合計１００質量部に対して５質量部添加し、撹拌機にて均一に混合した。この混合物に対して真空脱泡を行い、巻き込まれたエアーを完全に除去した後、シリンジに詰めた。一方、フロートガラス上に８０μｍの厚みを有するテフロン（登録商標）粘着テープを貼り付けた後、カッターにて直径２ｍｍの円形に切り込みを入れ除去することにより、凹陥部を形成し、これをトルエンにて洗浄した。次に、この凹陥部にシリンジから煙霧状シリカを含むシリコーン組成物を表１に示される量滴下し、この液滴を１２０℃×１時間で硬化させた後、硬化物の径（水平方向の最大幅）及び高さをノギスにて測定した。結果を表１に示す。
【００３６】
［比較実験例１，２］
信越化学工業（株）製ＬＥＤ封止用シリコーン組成物ＫＥＲ−２５００Ａ及びＢを使用し、Ａ剤及びＢ剤を均一に混合した。この混合物に対して真空脱泡を行い、巻き込まれたエアーを完全に除去した後、シリンジに詰め、シリコーン組成物をトルエンにて表面を洗浄したフロートガラス上に表１に示される量滴下し、この液滴を１２０℃×１時間で硬化させた後、硬化物の径（水平方向の最大幅）及び高さをノギスにて測定した。結果を表１に示す。
【００３７】
［比較実験例３，４］
信越化学工業（株）製ＬＥＤ封止用シリコーン組成物ＫＥＲ−２５００Ａ及びＢを使用し、Ａ剤及びＢ剤を均一に混合し、更に、比表面積が３００ｍ2／ｇのジメチルジクロルシランで表面を処理した煙霧状シリカを上記Ａ剤及びＢ剤の合計１００質量部に対して５質量部添加し、撹拌機にて均一に混合した。この混合物に対して真空脱泡を行い、巻き込まれたエアーを完全に除去した後、シリンジに詰め、煙霧状シリカを含むシリコーン組成物をトルエンにて表面を洗浄したフロートガラス上に表１に示される量滴下し、この液滴を１２０℃×１時間で硬化させた後、硬化物の径（水平方向の最大幅）及び高さをノギスにて測定した。結果を表１に示す。
【００３８】
【表１】
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【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】本発明の方法の第１の態様を適用し、基板に溝を形成して、微小電子部品を液状シリコーン組成物の硬化物で封止した状態の一例を示す図であり（Ａ）は平面図、（Ｂ）は断面図である。
【図２】本発明の方法の第２の態様を適用し、基板に凹陥部を形成して、微小電子部品を液状シリコーン組成物の硬化物で封止した状態の一例を示す図であり（Ａ）は平面図、（Ｂ）は断面図である。
【図３】本発明の方法の第２の態様を適用し、基板に凹陥部を形成して、微小電子部品を液状シリコーン組成物の硬化物で封止した状態の他の例を示す図であり（Ａ）は平面図、（Ｂ）は断面図である。
【図４】本発明の方法の第３の態様を適用し、基板上に堰部材により凹陥部を形成して、微小電子部品を液状シリコーン組成物の硬化物で封止した状態の一例を示す図であり（Ａ）は平面図、（Ｂ）は断面図である。
【図５】本発明の方法の第３の態様を適用し、基板上に堰部材により凹陥部を形成して、微小電子部品を液状シリコーン組成物の硬化物で封止した状態の他の例を示す図であり（Ａ）は平面図、（Ｂ）は断面図である。
【符号の説明】
【００４０】
１  基板
１１  溝
１２  凹陥部
１３  周壁
２  微小電子部品
３  液状シリコーン組成物の硬化物（シリコーン封止材）
４  堰部材
４１  堰部材により形成された周壁
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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