(57)【要約】【課題】ＣＯＤを生じないレーザ出力を高めるとともに、投入電力とレーザ出力との低出力側の比例限度を小さくすることが可能な半導体レーザ素子を提供すること。【解決手段】基板１と半導体層２と、を備えており、半導体層２には、出射端面２ａが形成されており、軸方向ｘに延びるリッジストライプとしてのｐ型第２クラッド層５ｄが形成された、半導体レーザ素子Ａであって、リッジストライプとしてのｐ型第２クラッド層５ｄのうち出射端面２ａに繋がる部分を覆い、かつｐ型第２クラッド層５ｄのうち軸方向ｘにおける中央寄り部分を露出させるとともに、その厚さが１００〜５００Åとされた絶縁層７をさらに備えている。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と
上記基板に積層された第１導電型半導体層、活性層、および第２導電型半導体層を含む半導体層と、を備えており、
上記半導体層には、上記基板の面内方向と直角である出射端面が形成されており、
上記第２導電型半導体層には、上記出射端面と直角である方向に延びるリッジストライプが形成された、半導体レーザ素子であって、
上記リッジストライプのうち上記出射端面に繋がる部分を覆い、かつ上記リッジストライプのうちこれが延びる方向における中央寄り部分を露出させるとともに、その厚さが
１００〜５００Åとされた絶縁層をさらに備えていることを特徴とする、半導体レーザ素子。
【請求項２】
上記リッジストライプを挟む第１導電型半導体からなる電流狭窄層をさらに備えており、
上記絶縁層は、上記リッジストライプと上記電流狭窄層とに跨るように形成されている、請求項１に記載の半導体レーザ素子。
【請求項３】
基板に互いに積層された第１導電型半導体層、活性層、および第２導電型半導体層を含む半導体層を形成する工程と、
上記第２導電型半導体層を覆う帯状のマスク層を形成する工程と、
上記第２導電型半導体層のうち上記マスク層から露出する部分を除去することにより、第２導電型半導体からなるリッジストライプを形成する工程と、
上記リッジストライプを挟むように第１導電型半導体からなる電流狭窄層を形成する工程と、
上記マスク層を除去する工程と、
上記リッジストライプと上記電流狭窄層とに跨る絶縁層を形成する工程と、
上記リッジストライプが延びる方向と直角であり、かつ上記絶縁層と交差する出射端面を形成するように、上記半導体層を分割する工程と、
を有することを特徴とする、半導体レーザ素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、たとえばＣＤやＤＶＤの記録および再生用の光ピックアップに用いられる半導体レーザ素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＣＤやＤＶＤの記録および再生には、レーザ光が広く用いられている。通常、記録処理を行うときには、比較的大出力のレーザ光が用いられ、再生処理を行うときには、比較的小出力のレーザ光が用いられる。このため、記録および再生の双方の処理を行う光ピックアップには、発光可能な光の出力範囲が広い半導体レーザ素子が求められる。
【０００３】
図９は、このような用途に用いられる半導体レーザ素子の一例を示している（たとえば特許文献１参照）。同図に示された半導体レーザ素子Ｘは、基板９１、半導体層９２、電流狭窄層９６ａ、ｐ型コンタクト層９６ｂ、ｎ側電極９８ａ、ｐ側電極９８ｂを備えている。基板９１は、たとえばｎ型ＧａＡｓからなり、半導体層９２を支持している。半導体層９２は、ｎ型クラッド層９３ａ、ｎ型ガイド層９３ｂ、活性層９４、ｐ型ガイド層９５ａ、ｐ型第１クラッド層９５ｂ、エッチングストップ層９５ｃ、ｐ型第２クラッド層９５ｄが縦方向ｚに積層された構造とされており、たとえばＩｎＧａＡｌＰ系化合物半導体からなる。電流狭窄層９６ａは、ｐ型第２クラッド層９５ｄを横方向ｙにおいて挟むように形成されており、たとえばｎ型半導体からなる。ｐ型コンタクト層９６ｂは、ｐ型半導体からなり、ｐ側電極９８ｂとの接合状態をオーミックコンタクトとするために設けられている。ｎ側電極９８ａおよびｐ側電極９８ｂは、半導体層９２に電圧を印加するための電極である。
【０００４】
ｐ型第２クラッド層９５ｄは、軸方向ｘに延びる断面台形状とされており、いわゆるリッジストライプと称される部分となっている。半導体層９２のうち、ｐ型コンタクト層９６ｂと接するのは、リッジストライプとされたｐ型第２クラッド層９５ｄのみである。これにより、活性層９４から発せられた光が、ｐ型第２クラッド層９５ｄに沿って導波される。導波された光は、軸方向ｘにおいて平行に配置された出射端面９２ａの間において反射を繰り返すことにより、レーザ光として出射される。リッジストライプを有する構造によって導波されたレーザ光は、高出力化に適している。
【０００５】
ＣＤやＤＶＤに対して記録処理を行う際には、記録速度の向上を目的としてレーザ出力を高めることが指向される。しかし、高出力なレーザ光を出射すると、半導体層９２のうち出射端面９２ａ付近が発熱により損傷する光学損傷（以下ＣＯＤ：Catastrophic Optical Damage）が生じやすい。このため、半導体レーザ素子Ｘを使用する際には、ＣＯＤを生じない程度に出力を抑える必要がある。
【０００６】
一方、ＣＤやＤＶＤに対して再生処理を行う際には、できる限りレーザ出力を小さくすることが指向される。しかし、半導体レーザ素子Ｘを適切に制御するには、投入する電力とレーザ出力とが比例関係となる範囲で使用する必要がある。投入電力が小さすぎると、投入電力とレーザ出力との比例限度を下回ってしまい、適切な制御がなされない。
【０００７】
このように、半導体レーザ素子ＸをＣＤやＤＶＤの記録および再生に用いるには、ＣＯＤを生じないレーザ出力をさらに高めるとともに、投入電力とレーザ出力との低出力側の比例限度をさらに小さくすることが求められる。
【特許文献１】特開２００４−２１４２８９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、ＣＯＤを生じないレーザ出力を高めるとともに、投入電力とレーザ出力との低出力側の比例限度を小さくすることが可能な半導体レーザ素子を提供することをその課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の第１の側面によって提供される半導体レーザ素子は、基板と上記基板に積層された第１導電型半導体層、活性層、および第２導電型半導体層を含む半導体層と、を備えており、上記半導体層には、上記基板の面内方向と直角である出射端面が形成されており、上記第２導電型半導体層には、上記出射端面と直角である方向に延びるリッジストライプが形成された、半導体レーザ素子であって、上記リッジストライプのうち上記出射端面に繋がる部分を覆い、かつ上記リッジストライプのうちこれが延びる方向における中央寄り部分を露出させるとともに、その厚さが１００〜５００Åとされた絶縁層をさらに備えていることを特徴としている。
【００１０】
このような構成によれば、上記第２半導体層の上記出射端面近傍部分に流れる電流の大きさを適切に制限することが可能である。これにより、ＣＯＤを生じないレーザ出力を５５０ｍＷ以上に高めるとともに、投入電力とレーザ出力との低出力側の比例限度を２ｍＷより小さくすることができる。
【００１１】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記リッジストライプを挟む第１導電型半導体からなる電流狭窄層をさらに備えており、上記絶縁層は、上記リッジストライプと上記電流狭窄層とに跨るように形成されている。このような構成によれば、上記第２導電型半導体層のうち上記リッジストライプ以外の部分がたとえばコンタクト層などと不当に導通することを防止することができる。
【００１２】
本発明の第２の側面によって提供される半導体レーザ素子の製造方法は、基板に互いに積層された第１導電型半導体層、活性層、および第２導電型半導体層を含む半導体層を形成する工程と、上記第２導電型半導体層を覆う帯状のマスク層を形成する工程と、上記第２導電型半導体層のうち上記マスク層から露出する部分を除去することにより、第２導電型半導体からなるリッジストライプを形成する工程と、上記リッジストライプを挟むように第１導電型半導体からなる電流狭窄層を形成する工程と、上記マスク層を除去する工程と、上記リッジストライプと上記電流狭窄層とに跨る絶縁層を形成する工程と、上記リッジストライプが延びる方向と直角であり、かつ上記絶縁層と交差する出射端面を形成するように、上記半導体層を分割する工程と、を有することを特徴としている。
【００１３】
このような構成によれば、本発明の第１の側面によって提供される半導体レーザ素子を適切に製造することができる。
【００１４】
本発明のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の好ましい実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。
【００１６】
図１は、本発明に係る半導体レーザ素子の一例を示している。本実施形態の半導体レーザ素子Ａは、基板１、半導体層２、電流狭窄層６ａ、ｐ型コンタクト層６ｂ、絶縁層７、ｎ側電極８ａ、およびｐ側電極８ｂを備えている。半導体レーザ素子Ａは、半導体層２
の出射端面２ａからたとえば７８０ｎｍ波長の赤外光や６５０ｎｍ波長の赤色光を出射可能に構成されている。
【００１７】
基板１は、半導体レーザ素子Ａの土台となっており、たとえばＧａＡｓ基板である。ＧａＡｓ基板は、半導体層２との間で格子整合をとるのに適している。本実施形態においては、基板１は、ｎ型半導体とされている。
【００１８】
半導体層２は、第１導電型半導体であるｎ型半導体からなる層と、第２導電型半導体であるｐ型半導体からなる層と、これらに挟まれた活性層とが積層されたものである。本実施形態においは、半導体層２は、ｎ型クラッド層３ａ、ｎ型ガイド層３ｂ、活性層４、ｐ型ガイド層５ａ、ｐ型第１クラッド層５ｂ、エッチングストップ層５ｃ、およびｐ型第２クラッド層５ｄが積層された構造とされている。半導体層２には、軸方向ｘに対して直角である縦方向ｘおよび横方向ｙに沿って広がる１対の出射端面２ａが形成されている。なお、以下に述べる半導体層２は、ＩｎＧａＡｌＰ系半導体からなる例であるが、これに限定されず、たとえばＡｌＧａＡｓ系半導体からなる構成としてもよい。
【００１９】
ｎ型クラッド層３ａは、活性層４から発せられた光を、活性層４、およびこれを挟むｎ型ガイド層３ｂ、ｐ型ガイド層５ａに閉じ込めるための層である。ｎ型クラッド層３ａは、たとえばｎ型Ｉｎ0.5（Ｇａ1-pＡｌp）0.5Ｐ（０.３≦ｐ≦０.９、たとえばｐ＝０.７）、キャリア濃度が８×１０17ｃｍ-3程度とされており、その厚さが１〜３μｍ程度とされている。
【００２０】
ｎ型ガイド層３ｂは、活性層４に注入された電子および正孔を閉じ込めるための層である。ｎ型ガイド層３ｂは、たとえばアンドープのＩｎ0.5（Ｇａ1-qＡｌq）0.5Ｐ（０.４≦ｑ≦０.６、たとえばｑ＝０.５）からなり、その厚さが２〜１０ｎｍとされている。
【００２１】
活性層４は、電子と正孔とが再結合することにより光を発する層である。活性層４は、たとえば厚さが３〜９ｎｍのＩｎ0.5（Ｇａ1-rＡｌr）0.5Ｐ（０≦ｒ≦０.１、たとえばｒ＝０）からなるウェル層と厚さが３〜９ｎｍのアンドープのＩｎ0.5（Ｇａ1-sＡｌs）0.5Ｐ（０.１≦ｓ≦０.５、好ましくはｓ＝０.５）からなるバリア層との多重量子井戸構造（たとえばウェル層を３層、バリア層を２層）とされている。
【００２２】
ｐ型ガイド層５ａは、活性層４に注入された電子および正孔を閉じ込めるための層である。ｐ型ガイド層５ａは、たとえばアンドープのＩｎ0.5（Ｇａ1-qＡｌq）0.5Ｐ（０.４≦ｑ≦０.６、たとえばｑ＝０.５）からなり、その厚さが５〜１５ｎｍとされている。
【００２３】
ｐ型第１クラッド層５ｂは、活性層４から発せられた光を、活性層４、およびこれを挟むｎ型ガイド層３ｂ、ｐ型ガイド層５ａに閉じ込めるための層である。ｐ型第１クラッド層５ｂは、たとえばキャリア濃度が１×１０18ｃｍ-3程度のｐ型Ｉｎ0.5（Ｇａ1-tＡｌt）0.5Ｐ（０.３≦ｔ≦０.９、たとえばｔ＝０.７）からなり、その厚さが０.１〜０.４μｍとされる。
【００２４】
エッチングストップ層５ｃは、ｐ型第２クラッド層５ｄを形成するためのエッチング処理がｐ型第１クラッド層５ｂに及ぶことを防止するための層である。エッチングストップ層５ｃは、たとえば厚さが１〜５ｎｍのキャリア濃度が１×１０18ｃｍ-3程度であるｐ型Ｉｎ0.5（Ｇａ1-uＡｌu）0.5Ｐ（０≦ｕ≦０.５、たとえばｕ＝０.１）からなる層と厚さが３〜１０ｎｍのキャリア濃度が１×１０18ｃｍ-3程度であるｐ型Ｉｎ0.5（Ｇａ1-vＡｌv）0.5Ｐ（０≦ｖ≦０.５、たとえばｖ＝０.４）からなる層をそれぞれ３層と２層の積層させた構造とされている。
【００２５】
ｐ型第２クラッド層５ｄは、軸方向ｘに延びる断面台形状に仕上げられており、一般的な半導体レーザ素子の特徴部分の一つであるリッジストライプとされている。ｐ型第２クラッド層５ｄは、たとえば、キャリア濃度が１×１０18ｃｍ-3程度のｐ型Ｉｎ0.5（Ｇａ1-tＡｌt）0.5Ｐ（０.３≦ｔ≦０.９、好ましくはｔ＝０.７）からなり、その厚さが１〜１.７μｍ、その幅が１〜３μｍとされる。
【００２６】
電流狭窄層６ａは、半導体層２のうちｐ型コンタクト層６ｂと直接導通する部分をｐ型第２クラッド層５ｄに制限するための層である。電流狭窄層６ａは、エッチングストップ層５ｃ上においてｐ型第２クラッド層５ｄを挟むように形成されている。電流狭窄層６ａは、たとえばｎ型のＩｎ0.5（Ｇａ1-aＡｌa）0.5Ｐ（０.３≦ａ≦０.９、たとえばａ＝０.８）からなり、その厚さが０.１５〜０.５μｍとされる。
【００２７】
ｐ型コンタクト層６ｂは、半導体層２とｐ側電極８ｂとの間にショットキーバリアが生じることを回避し、オーミックコンタクト状態を実現するための層である。ｐ型コンタクト層６ｂは、たとえばｐ型のＧａＡｓからなり、その厚さが１〜３μｍ程度とされる。
【００２８】
絶縁層７は、横方向ｙに延びる帯状とされており、ｐ型第２クラッド層５ｄおよび電流狭窄層６ａのうち出射端面２ａに繋がる部分を覆っている。本実施形態においては、絶縁層７は、半導体レーザ素子Ａの横方向ｙ全幅にわたって形成されている。絶縁層７は、たとえばＳｉＮｘからなり、その厚さが１００〜５００Å、その幅が１０〜４０μｍ程度とされている。
【００２９】
ｎ側電極８ａは、基板１の裏面を覆っており、たとえばＡｕ／Ｇｅ／Ｎｉ／Ｔｉ／Ａｕなどが積層された構造とされている。ｐ側電極８ｂは、ｐ型コンタクト層６ｂを覆っており、たとえばＴｉ／Ａｕなどが積層された構造とされている。
【００３０】
次に、半導体レーザ素子Ａの製造方法の一例について、図２〜図６を参照しつつ、以下に説明する。この製造方法は、複数の半導体レーザ素子Ａを一括して製造するものであり、これらの図においては、１つの半導体レーザ素子Ａが得られる領域よりも若干大きな領域を抽出して示している。
【００３１】
まず、図２に示すように、基板１’上に半導体層２’を形成する。基板１’は、図１に示した基板１が複数個取りできるサイズとされており、ｎ型のＧａＡｓ基板である。基板１’を、たとえばＭＯＣＶＤ（有機金属化学気相成長）装置内に入れ、反応ガスのトリエチルガリウム（ＴＥＧ）、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）、トリメチルインジウム（ＴＭＩｎ）、ホスフィン（ＰＨ3）、アルシン（ＡｓＨ3）および半導体層の導電形に応じて、ｎ型ドーパントガスとしてのＳｉＨ4またはｐ型ドーパントとしてジメチル亜鉛（ＤＭＺｎ）をキャリアガスの水素（Ｈ2）とともに導入し、５００〜７００℃程度で半導体をエピタキシャル成長させる。これにより、ｎ型クラッド層３ａ’、ｎ側ガイド層３ｂ’、活性層４’、ｐ側ガイド層５ａ’、ｐ型第１クラッド層５ｂ’、エッチングストップ層５ｃ’、およびｐ型第２クラッド層５ｄ’を形成する。ｎ型クラッド層３ａ’、ｎ側ガイド層３ｂ’、活性層４’、ｐ型ガイド層５ａ’、ｐ型第１クラッド層５ｂ’、エッチングストップ層５ｃ’、およびｐ型第２クラッド層５ｄ’の組成および厚さは、上述したｎ型クラッド層３ａ、ｎ側ガイド層３ｂ、活性層４、ｐ型ガイド層５ａ、ｐ型第１クラッド層５ｂ、エッチングストップ層５ｃ、およびｐ型第２クラッド層５ｄと同じである。そして、第２ｐ型クラッド層５ｄ’上に、マスク層５２を形成する。マスク層５２は、たとえばＳｉＯ2またはＳｉＮｘを用いたＣＶＤ法によって形成され、軸方向ｘに延びる幅１〜３μｍの帯状とされている。
【００３２】
次に、図３に示すように、ｐ型第２クラッド層５ｄ’に対してたとえばエッチングを施す。このエッチングにおいてマスク層５２がマスク機能を果たすことにより、ｐ型第２クラッド層５ｄ’のうちマスク層５２から露出した部分が除去される。これにより、ｐ型第２クラッド層５ｄ’が軸方向ｘに延びる断面台形状の帯状に仕上げられる。エッチングストップ層５ｃ’は、このエッチングによっては侵食されない構成とされている。このため、エッチングがｐ型第１クラッド層５ｂ’におよぶことはない。
【００３３】
次に、図４に示すように、電流狭窄層６ａ’を形成する。電流狭窄層６ａ’を作成するには、たとえばＭＯＣＶＤにおける成長条件を適宜設定することにより、エッチングストップ層５ｃ’およびｐ型第２クラッド層５ｄ’のうちマスク層５２から露出した部分に対して半導体を選択的に成長させる処理を行う。これにより、マスク層５２を避けた領域において、ｐ型第２クラッド層５ｄ’を挟むように電流狭窄層６ａ’が形成される。
【００３４】
次に、図５に示すように、マスク層５２をたとえばエッチングによって除去する。これにより、ｐ型第２クラッド層５ｄ’と電流狭窄層６ａ’とが露出した状態となる。次いで、図６に示すように、絶縁層７’を形成する。絶縁層７’は、たとえばＣＶＤ法によって形成したＳｉＮｘからなる膜をエッチングによってパターニングすることによって形成する。本実施形態においては、横方向ｙに延びる帯状とされた複数の絶縁層７’を、方向ｘにおいて等間隔に配置する。次いで、複数の絶縁層７’、ｐ型第２クラッド層５ｄ’、および電流狭窄層６ａ’を覆うように、ｐ型コンタクト層６ｂ’をたとえばＭＯＣＶＤ法によって形成する。そして、ｐ型コンタクト層６ｂ’を覆うようにｐ側電極８ｂ’を形成する。また、基板１’を研削するなどして適宜薄肉化した後に、基板１’の裏面にｎ側電極８ａ’を形成する。この後は、切断線Ｃｙに沿って、基板１’を割っていく。このへき開工程によって、出射端面２ａが形成される。このへき開工程の直後に、出射端面２ａを保護するためのコーティング処理を適宜行ってもよい。次いで、切断線Ｃｘに沿って基板１’を分割する。以上の工程により、図１に示す半導体レーザ素子Ａが得られる。
【００３５】
次に、半導体レーザ素子Ａおよびその製造方法の作用について説明する。
【００３６】
本実施形態において、絶縁層７は、第２ｐ型クラッド層５ｄの軸方向ｘ両端部分に流れる電流を制限する役割を果たす。これにより、半導体層２の出射端面２ａ近傍部分における発熱を抑制する効果が得られる。出射端面２ａ近傍部分における発熱を抑制すれば、この部分における光の吸収を低減し、光の吸収による発熱もまた抑制される。したがって、電流による発熱と光の吸収による発熱とのいわゆる正帰還ループによって生じるＣＯＤを回避することが可能となる。
【００３７】
一方、活性層４のうち絶縁層７によって電流非注入領域とされた部分は、通電を行っても反転部分が形成されないため、光を吸収する領域となる。活性層４の電流注入領域からの発光現象（利得）が、電流非注入領域による光吸収（損失）を上回ったときに、はじめてレーザ発振が可能となる。したがって、半導体レーザ素子Ａに通電する電流がある値以上となると、レーザ光の出力が急峻に立ち上がる。
【００３８】
出射端面２ａ近傍部分における光の吸収を抑制する手段としては、いわゆる窓構造を形成することが挙げられる。窓構造は、たとえば出射端面２ａ近傍部分にＺｎを拡散させることにより形成される。しかしながら、たとえばＡｌＧａＡｓ系半導体はＺｎ拡散係数が小さく、窓構造を形成することは困難である。
【００３９】
このように、電流非注入領域を有しながら窓構造の形成を適用し得ない半導体レーザ素子においては、電流注入領域を生じさせる絶縁層７の具体的な仕様が重要である。発明者らは、この点について試験研究を重ねた結果、絶縁層７の厚さを、１００〜５００Åとすれば上述した問題を解消できることを見出したのである。
【００４０】
図７は、半導体レーザ素子Ａへの投入電力と発せられるレーザ光の輝度とが比例関係を保ちうる下限のレベルＬｋと、絶縁層７の厚さｔとの関係を示している。本図に示されたように、厚さｔが５００Åよりも小さければ、下限のレベルＬｋを２ｍＷを下回る値とすることができる。これにより、たとえばＣＤやＤＶＤを再生させるときに、２ｍＷ以下のごく低出力のレーザ光を利用することが可能である。
【００４１】
一方、図８は、出射端面２ａにおいてＣＯＤが生じるレベルＬｃと絶縁層７の厚さｔの関係を示している。本図に示されたように、厚さｔが１００Å以上であれば、レベルＬｃを５５０ｍＷ以上とすることが可能である。したがって、たとえばＣＤやＤＶＤの記録処理を行うときに、比較的高出力なレーザ光を利用することが可能である。
【００４２】
レベルＬｋを小さい値とし、かつレベルＬｃを大きな値とすることは、絶縁層７によって第２ｐ型クラッド層５ｄに流れる電流の大きさを適切に制限することによって達成される。このような機能を絶縁層７に付与するには、絶縁層７の材質としてＳｉＮｘを用いることが好ましい。ＳｉＮｘは、たとえばＳｉＯ2と比べると導電率が若干良好な材料であり、流れる電流の大きさをその厚さによって制御することが容易である。
【００４３】
また、絶縁層７を半導体レーザ素子Ａの横方向ｙ全幅にわたって設けておけば、出射端面２ａ付近においてｐ型第２クラッド層５ｄとｐ型コンタクト層６ｂとが不当に接触してしまうおそれがない。半導体レーザ素子Ａの製造工程において、図４に示すマスク層５２を用いてｐ型第２クラッド層５ｄ’をリッジストライプとして仕上げた後にマスク層５２を除去し、ｐ型第２クラッド層５ｄ’と電流狭窄層６ａ’とを露出させた状態で絶縁層７’を形成すれば、ｐ型第２クラッド層５ｄ’とこれを挟む電流狭窄層６ａ’とに跨るように絶縁層７’を容易に形成することができる。
【００４４】
本発明に係る半導体レーザ素子およびその製造方法は、上述した実施形態に限定されるものではない。本発明に係る半導体レーザ素子および製造方法の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明に係る半導体レーザ素子の一例を示す斜視図である。
【図２】本発明に係る半導体レーザ素子の製造方法の一例において、半導体層を形成する工程を示す要部斜視図である。
【図３】本発明に係る半導体レーザ素子の製造方法の一例において、リッジストライプを形成する工程を示す要部斜視図である。
【図４】本発明に係る半導体レーザ素子の製造方法の一例において、電流狭窄層を形成する工程を示す要部斜視図である。
【図５】本発明に係る半導体レーザ素子の製造方法の一例において、マスク層を除去する工程を示す要部斜視図である。
【図６】本発明に係る半導体レーザ素子の製造方法の一例において、絶縁層を形成する工程を示す要部斜視図である。
【図７】絶縁層の厚さと比例限度レベルとの関係を示すグラフである。
【図８】絶縁層の厚さとＣＯＤを生じるレベルとの関係を示すグラフである。
【図９】従来の半導体レーザ素子の一例を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００４６】
Ａ            半導体レーザ素子
ｘ            軸方向
ｙ            横方向
ｚ            縦方向
１，１’      基板
２，２’      半導体層
２ａ，２ａ’  出射端面
３ａ，３ａ’  ｎ型クラッド層
３ｂ，３ｂ’  ｎ型ガイド層
４，４’      活性層
５ａ，５ａ’  ｐ型ガイド層
５ｂ，５ｂ’  ｐ型第１クラッド層
５ｃ，５ｃ’  エッチングストップ層
５ｄ，５ｄ’  ｐ型第２クラッド層
６ａ，６ａ’  電流狭窄層
６ｂ，６ｂ’  ｐ型コンタクト層
７，７’      絶縁層
８ａ，８ａ’  ｎ側電極
８ｂ，８ｂ’  ｐ側電極
５２          マスク層
【図１】
2008311472.tif 000003
【図２】
2008311472.tif 000004
【図３】
2008311472.tif 000005
【図４】
2008311472.tif 000006
【図５】
2008311472.tif 000007
【図６】
2008311472.tif 000008
【図７】
2008311472.tif 000009
【図８】
2008311472.tif 000010
【図９】
2008311472.tif 000011