(57)【要約】【課題】１０００ｎｍ〜１１００ｎｍの波長をもつレーザ光を用いて切削することが可能なガラス基板よりなり、安価で、かつ、切削にかかる時間および手間を低減させることが可能な受動素子用基板を実現する。【解決手段】本発明に係る受動素子用基板は、Ｆｅが添加され、１０００ｎｍ〜１１００ｎｍの波長の吸収率が高いガラス基板１よりなる。【選択図】図１
2008028334.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
受動素子が作成される母体基板となる受動素子用基板であって、
光吸収剤が添加され、１０００ｎｍ〜１１００ｎｍの波長の吸収率が高いガラス基板よりなることを特徴とする受動素子用基板。
【請求項２】
上記光吸収剤は、Ｆｅからなることを特徴とする請求項１に記載の受動素子用基板。
【請求項３】
上記Ｆｅは、上記ガラス基板の材料に対して０．２５重量％以上添加されることを特徴とする請求項２に記載の受動素子用基板。
【請求項４】
上記光吸収剤は、さらに、Ｃｏを含んでいることを特徴とする請求項２に記載の受動素子用基板。
【請求項５】
上記光吸収剤は、さらに、Ｎｉを含んでいることを特徴とする請求項２または４に記載の受動素子用基板。
【請求項６】
請求項１〜５の何れか１項に記載の受動素子用基板上に受動素子が作成されてなることを特徴とする受動素子チップ。
【請求項７】
請求項６に記載の受動素子チップを備えていることを特徴とする高周波モジュール。
【請求項８】
受動素子が作成される母体基板となる受動素子用基板の製造方法であって、
ガラス基板の材料に、１０００ｎｍ〜１１００ｎｍの波長の吸収率を高めるべく光吸収剤を添加する工程を有することを特徴とする受動素子用基板の製造方法。
【請求項９】
上記光吸収剤は、Ｆｅからなることを特徴とする請求項８に記載の受動素子用基板の製造方法。
【請求項１０】
上記Ｆｅは、上記ガラス基板の材料に対して０．２５重量％以上添加されることを特徴とする請求項９に記載の受動素子用基板の製造方法。
【請求項１１】
上記光吸収剤は、さらに、Ｃｏを含んでいることを特徴とする請求項９に記載の受動素子用基板の製造方法。
【請求項１２】
上記光吸収剤は、さらに、Ｎｉを含んでいることを特徴とする請求項９または１１に記載の受動素子用基板の製造方法。
【請求項１３】
受動素子用基板に受動素子が作成されてなる受動素子チップの製造方法であって、
請求項８〜１２の何れか１項に記載の受動素子用基板の製造方法を用いて受動素子用基板を製造する工程と、
上記受動素子用基板上に受動素子を作成する工程と、
レーザ光の波長域が１０００ｎｍ〜１１００ｎｍであるレーザ装置を用いて、上記受動素子用基板を切削してチップ単位に分離する工程とを有する受動素子チップの製造方法。
【請求項１４】
上記受動素子用基板を、半導体装置を製造するときの母体基板と同じ形状に加工する工程を有することを特徴とする請求項１３に記載の受動素子チップの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、主に高周波モジュールに使用する受動素子用基板、受動素子チップ、およびそれらの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、高周波および高出力で動作する高周波モジュールは、Ｗ−ＬＡＮ機能搭載のパーソナルコンピュータ、携帯情報端末等の通信用増幅器の出力部に使用されている。また、前記高周波モジュールのサイズは、前記携帯情報端末等の小型化に伴い、１０ｍｍ２〜４ｍｍ２程度にまで微細化を図ることが要求されている。
【０００３】
前記高周波モジュールでは、熱伝導性、電気伝導性および耐熱性に優れているセラミック基板が用いられており、該セラミック基板上には、増幅器、受動素子チップ、スイッチ素子、フィルタ等が備えられている。なお、前記受動素子チップには、スパイラルコイル、キャパシタ、抵抗等が備えられている。
【０００４】
ここで、前記受動素子チップを高周波帯域で動作させた場合、該受動素子チップの基板部分の抵抗成分は高周波特性に大きな影響を及ぼす。このため、前記高周波モジュールでは、受動素子が作成される受動素子用基板として、絶縁性の高いＧａＡｓ基板またはＳＯＩ基板が用いられている。
【０００５】
しかしながら、前記ＧａＡｓ基板およびＳＯＩ基板はコストが高いため、高周波モジュールの低コスト化を図るには、前記受動素子用基板として、ガラス基板、または、ガラス繊維を含有するエポキシ樹脂（ガラエポ）基板を用いることが検討されている。
【０００６】
一方、特許文献１には、ガラス基板を使用した回路基板およびその製造方法が開示されている。
【０００７】
具体的には、前記ガラス基板に金属膜をスパッタリング法で堆積させた後、フォトレジスト膜をマスクにしたドライエッチングで金属膜をパターニングすることにより、第１層目の配線を形成する。次に、第１層目の配線の上部に層間絶縁膜を形成させた後、フォトレジスト膜をマスクにしてドライエッチングすることにより、該層間絶縁膜にスルーホールを形成する。上記工程を繰り返すことにより、複数層にわたり配線が形成される。
【０００８】
また、前記ガラス基板上に受動素子を作成する場合、例えば、スパイラルラインは、スパッタリング法で堆積したＡｌ合金膜等の帯状の導電膜を螺旋状に巻くか、あるいは、蛇行させることによって形成され、抵抗は、ＣＶＤ法で堆積した多結晶シリコン膜等を用いることによって形成される。また、キャパシタの容量絶縁膜は、ＣＶＤ法または陽極酸化法で堆積した酸化タンタル膜等を用いることによって形成される。
【０００９】
上記のように、複数層の配線および受動素子が前記ガラス基板上に形成されると、該ガラス基板上に予め形成されているスクライブラインに沿って、ダイシングが行われる。これにより、チップ化された多数の前記回路基板が製造されることとなる。
【特許文献１】国際公開番号ＷＯ０１／８２６６６（国際公開日２００１年１１月１日）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、ダイシングの機械的加工によってチッピングが生じるため、図４に示されるように、チップが欠けてしまう虞がある。従って、スクライブラインの幅（切しろ）は、チッピングによって生じるチップの欠けの大きさと、ダイシングに使用されるブレードの幅とから決定されることになる。このため、前記切しろは、１ｍｍ程度設けなくてはならない。
【００１１】
従って、前記回路基板の実効チップサイズが２．４ｍｍ２以下になると、該切しろの面積は、該チップサイズの面積より大きくなってしまう。このため、前記高周波モジュールのサイズを１０ｍｍ２以下にすると、生産性が劣ってしまうという問題が生じる。
【００１２】
そこで、前記切しろを小さくするために、ダイシングではなく、レーザ光によって切削する方法が提案されている。レーザ光によって切削する方法として、高エネルギーのレーザ光を出力することができる炭酸ガス（ＣＯまたはＣＯ２）レーザまたはＹＡＧレーザを用いて切削する方法がある。
【００１３】
しかしながら、前記炭酸ガスレーザのレーザ光の波長は１０μｍ程度であるため、レーザ光を収束させて前記ガラス基板を直接切削することができない。このため、レーザ光により生じる前記ガラス基板の熱応力を利用して該ガラス基板を切削することから、該ガラス基板の熱物性上の限界に達した場合には、垂直クラックの形成が阻害される虞がある。従って、前記炭酸ガスレーザを用いて前記ガラス基板を切削することは困難である。
【００１４】
一方、前記ＹＡＧレーザのレーザ光の波長は１０６４ｎｍであるため、該レーザ光を収束させて前記ガラス基板を直接切削することができる。しかしながら、前記ガラス基板は、通常１０００ｎｍ程度の厚さであるため、１０００ｎｍ程度の波長をもつレーザ光のエネルギーを殆ど吸収しない。従って、前記ＹＡＧレーザを用いて前記ガラス基板を切削する場合であっても、切削に時間がかかる上、切削された面も滑らかではないという問題を生じる。
【００１５】
本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、１０００ｎｍ〜１１００ｎｍの波長をもつレーザ光を用いて切削することが可能なガラス基板よりなり、安価で、かつ、切削にかかる時間および手間を低減させることが可能な受動素子用基板を実現することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明に係る受動素子用基板は、上記課題を解決するため、受動素子が作成される母体基板となる受動素子用基板であって、光吸収剤が添加され、１０００ｎｍ〜１１００ｎｍの波長の吸収率が高いガラス基板よりなる。特に、上記光吸収剤は、Ｆｅからなることが好ましい。また、上記Ｆｅは、上記ガラス基板の材料に対して０．２５重量％以上添加されることが好ましい。
【００１７】
上記構成によれば、ガラス基板の材料に光吸収剤を添加することによって、該ガラス基板の１０００ｎｍ〜１１００ｎｍの波長の吸収率が向上する。このため、従前より半導体装置の製造にて用いられている、レーザ光の波長域が１０００ｎｍ〜１１００ｎｍであるレーザ装置を用いて、受動素子用基板を切削することが可能となる。
【００１８】
その結果、安価なガラス基板を受動素子用基板に用いることができると共に、受動素子用基板の切削にかかる時間および手間を低減させることが可能となる。
【００１９】
上記光吸収剤は、さらに、Ｃｏを含んでいることが好ましい。また、上記光吸収剤は、さらに、Ｎｉを含んでいてもよい。
【００２０】
上記構成によれば、上記ガラス基板には、Ｆｅの補助的な着色剤として、少量のＣｏおよび／またはＮｉが添加される。これにより、上記ガラス基板の光の吸収率をさらに高めることが可能となる。
【００２１】
本発明の受動素子チップは、上記構成の受動素子用基板上に受動素子が作成されてなる。また、本発明の高周波モジュールは、上記構成の受動素子チップを備えている。
【００２２】
上記構成によれば、上記受動素子用基板として安価な上記ガラス基板を用いているため、該受動素子用基板上に受動素子が作成された受動素子チップ、および、該受動素子チップが備えられた高周波モジュールにおいても、コストを低減させることが可能となる。また、上記レーザ装置を用いて、上記ガラス基板を切削することができるため、上記受動素子チップのチップサイズ、および、該受動素子チップが備えられた高周波モジュールのサイズを縮小することが可能となる。
【００２３】
また、受動素子が作成される母体基板となる受動素子用基板の製造方法であって、ガラス基板の材料に、１０００ｎｍ〜１１００ｎｍの波長の吸収率を高めるべく光吸収剤を添加する工程を有する。
【００２４】
上記工程によれば、受動素子用基板として用いられるガラス基板の材料に光吸収剤を添加することによってガラス基板の１０００ｎｍ〜１１００ｎｍの波長の吸収率を向上させることが可能となる。これにより、従前より半導体装置の製造にて用いられている、レーザ光の波長域が１０００ｎｍ〜１１００ｎｍであるレーザ装置を用いて切削可能な受動素子用基板を得ることができる。
【００２５】
受動素子用基板に受動素子が作成されてなる受動素子チップの製造方法であって、上記した本発明の受動素子用基板の製造方法を用いて受動素子用基板を製造する工程と、上記受動素子用基板上に受動素子を作成する工程と、レーザ光の波長域が１０００ｎｍ〜１１００ｎｍであるレーザ装置を用いて、上記受動素子用基板を切削してチップ単位に分離する工程とを有する。
【００２６】
上記工程によれば、上記受動素子用基板として用いられる上記ガラス基板の材料に光吸収剤が添加された後、該ガラス基板上に受動素子が作成される。その後、該ガラス基板は、レーザ光の波長域が１０００ｎｍ〜１１００ｎｍであるレーザ装置を用いて切削され、該ガラス基板から多数の受動素子チップが製造される。
【００２７】
上述したように、本発明の受動素子用基板の製造方法にて作成することで、上記受動素子用基板として安価なガラス基板を用いることが可能となるため、上記受動素子チップのコストを低減させることができる。また、切削にかかる時間および手間を低減させることが可能となる。
【００２８】
加えて、ダイシングによる切削の場合に生じるチッピング等を考慮して、上記ガラス基板に切しろを設ける必要がなくなる。これにより、上記切しろを狭めることができるため、上記受動素子チップのチップサイズを歩留まりよく縮小させることが可能となる。
【００２９】
上記受動素子用基板を、半導体装置を製造するときの母体基板と同じ形状に加工する工程を有する。
【００３０】
上記工程によれば、上記受動素子用基板として用いられる上記ガラス基板を半導体装置を製造するときの母体基板と同じ形状に加工する。これにより、例えばＬＳＩ用ウェハ処理等が行われる従前よりある半導体装置の製造装置を用いて、上記受動素子チップを製造することが可能となる。
【発明の効果】
【００３１】
本発明に係る受動素子用基板は、以上のように、光吸収剤が添加され、１０００ｎｍ〜１１００ｎｍの波長の吸収率が高いガラス基板よりなるため、受動素子用基板に安価なガラス基板を用いることが可能となると共に、切削にかかる時間および手間を低減させることが可能となる。しかも、従前より半導体装置の製造にて用いられている、レーザ光の波長域が１０００ｎｍ〜１１００ｎｍであるレーザ装置を用いて、該ガラス基板を切削することが可能となるため、このような受動素子用基板を用いることで、従前よりある半導体装置の製造装置を利用して、受動素子チップを製造できるといった効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
本発明の一実施形態について図１および図３に基づいて説明すると以下の通りである。
【００３３】
図１は、ガラス基板のシリカ等の材料にＦｅを添加した場合の、該ガラス基板における光の透過率および反射率を示すグラフである。なお、実線は光の透過率を示しており、破線は光の反射率を示している。また、Ｆｅが添加されたガラス基板の厚さは１ｍｍとする。
【００３４】
Ｆｅが添加されていないガラス基板は、シリカを主成分として構成されており、反りや寸法変動が小さいために、フォトリソグラフィ技術を用いることによって、高い寸法精度で受動素子等を作成することができる。また、前記ガラス基板は、液晶ディスプレイ用基板、ハードディスク用基板等に使用されている。
【００３５】
前記反射率は、該ガラス基板に照射される光の波長の長さに拘わらず、略一定である。また、前記透過率は、前記ガラス基板に対するＦｅの添加量、および、光の波長の長さによって変化する。
【００３６】
ここで、前記ガラス基板を切削することができる、波長域が１０００ｎｍ〜１１００ｎｍのレーザ光を照射する。より好ましくは、波長域が１０６０ｎｍ〜１０７０ｎｍのレーザ光を照射する。この波長域のレーザ光を照射できる装置としてＹＡＧレーザがある。
【００３７】
前記ＹＡＧレーザは、従来からＬＳＩ用ウェハの製造工程において、該ウェハをチップ化する段階で用いられている装置である。また、前記ＹＡＧレーザは、Ｎｄ（ネオジム）をドープしたＹＡＧ結晶を発振材料に用いた固体レーザであり、レーザ光の波長は１０６４ｎｍ、スポットサイズは１０００ｎｍ程度である。
【００３８】
前記ＹＡＧレーザのレーザ光を前記ガラス基板に照射する場合、該レーザ光の波長は１０６４ｎｍであるため、図１を参照すると、前記透過率は、前記ガラス基板の材料にＦｅを添加していない場合では８０％程度であるのに対し、該ガラス基板の材料に対して０．３重量％のＦｅを添加した場合では４０％程度、１重量％のＦｅを添加した場合では５％程度となる。一方、前記反射率は、照射される光の波長の長さに依存しないため、前記ＹＡＧレーザを用いた場合であっても５％程度である。
【００３９】
ここで、ガラス基板の光の吸収率は、
（光の吸収率）＝１００−｛（光の透過率）＋（光の反射率）｝（％）・・・（１）
と表される。このため、式（１）より、前記ガラス基板の材料にＦｅを添加していない場合では、前記吸収率は１５％程度となるが、該ガラス基板の材料に対して０．３重量％のＦｅを添加した場合には５５％程度、１重量％のＦｅを添加した場合には９０％程度となる。
【００４０】
従って、前記ガラス基板の材料にＦｅを添加することによって、該ガラス基板の光の吸収率が高まるため、前記ＹＡＧレーザのレーザ光で該ガラス基板を切削することが可能となる。これにより、受動素子用基板として安価なガラス基板を用いることが可能となる。また、Ｆｅが添加された前記ガラス基板を、半導体装置を製造するときの母体基板である半導体ウェハと同じ形状に加工することにより、ＬＳＩ用ウェハ処理が行われる工程で、該ガラス基板上に受動素子を作成し、かつ、該ガラス基板を切削することが可能となる。すなわち、ＬＳＩ用ウェハ処理が行われる工程を用いて、受動素子チップを製造することが可能となる。
【００４１】
さらに、前記ガラス基板の材料にＦｅを添加することにより、レーザ光を収束させて該ガラス基板を直接切削することができるため、切削にかかる時間および手間を低減させることが可能となる。これにより、歩留まりよく受動素子チップを製造することが可能となる。
【００４２】
加えて、前記ＹＡＧレーザのレーザ光のスポットサイズは１０００ｎｍ程度であるため、ダイシングによる切削の場合に生じるチッピング等を考慮した切しろを前記ガラス基板に設ける必要がなくなる。これにより、前記切しろを１０μｍ程度とすることが可能であるため、前記受動素子チップのチップサイズを１０ｍｍ２以下に縮小させることが可能となる。
【００４３】
そして、前記ＹＡＧレーザを用いて前記ガラス基板を切削する場合、時間および手間をかけず、かつ、切削面を滑らかにするためには、前記ガラス基板の光の吸収率が３０％以上であることが好ましい。このとき、光の透過率は、式（１）より６５％以下であればよいこととなるため、前記ガラス基板の材料に添加されるＦｅの濃度は、該ガラス基板の材料に対して０．２５重量％以上であればよい。
【００４４】
より好ましくは、０．４０重量％以上である。これにより、前記ガラス基板の光の吸収率がさらに向上するため、切断効率が向上し、切断工程に要する時間を削減することが可能となる。
【００４５】
図２（ａ）〜図２（ｆ）は、Ｆｅが添加されたガラス基板を受動素子用基板とし、その上に受動素子を作成する様子を示す概略工程図である。なお、図２（ａ）〜図２（ｅ）は、一括して作成される複数の受動素子チップのうちの１チップ分を拡大して示している。
【００４６】
本実施形態における受動素子用基板として用いられるガラス基板１（受動素子用基板）は、シリカを主成分とするガラス基板の材料に対して１重量％のＦｅが添加されている。
【００４７】
ガラス基板は、通常、矩形に製造される。従って、ＬＳＩ用ウェハ処理が行われる工程で処理できるようにするために、Ｆｅが添加されたガラス基板は、半導体装置を製造するときの母体基板である半導体ウエハと同じ形状に加工される。
【００４８】
また、ガラス基板１の材料に添加されるＦｅの補助的な着色剤として、ＣｏおよびＮｉが、前記ガラス基板の材料に対してそれぞれ６ｐｐｍ添加されている。ガラス基板１の材料にＣｏおよびＮｉを添加することによって、ガラス基板１の外観をさらに黒くすることができるため、前記ＹＡＧレーザのレーザ光をより吸収することが可能となる。
【００４９】
なお、ガラス基板１の材料にはＣｏおよびＮｉが添加されているが、これに限られたものではなく、ＣｏまたはＮｉを添加するだけでもよい。
【００５０】
また、ＣｏおよびＮｉ添加量は、ガラス基板１の材料に対してそれぞれ６ｐｐｍ添加されているが、これに限られたものではなく、それぞれ３ｐｐｍ〜１００ｐｐｍであってもよい。
【００５１】
なお、通常のガラス基板製造工程において、ＣｏおよびＮｉ添加量が１００ｐｐｍを超える場合、従来の工程におけるガラスの製造条件では問題が生じてしまう。また、ＣｏおよびＮｉ添加量が３ｐｐｍ未満の場合、所望の色のガラスを製造できない等の問題が生じてしまう。
【００５２】
まず、図２（ａ）に示されるように、ガラス基板１にＮｉＣｒ合金膜をスパッタリング法で堆積させた後、フォトレジスト膜３をマスクにしたドライエッチングで該ＮｉＣｒ合金膜をパターニングすることにより、金属層抵抗２を形成する。
【００５３】
次に、図２（ｂ）に示されるように、リフトオフ用のフォトレジスト膜４をパターニングする。そして、０．５μｍ厚のＴｉ／Ａｕ膜をＥＢ蒸着機を用いて堆積させた後、前記フォトレジスト膜４をマスクにして該Ｔｉ／Ａｕ膜をリフトオフすることにより、第１金属層配線５およびＭＩＭキャパシタの下層膜６を形成する。なお、第１金属層配線５は、スパイラルラインを形成している。
【００５４】
なお、第１金属層配線５として前記Ｔｉ／Ａｕ膜を用いているが、これに限られたものではなく、例えばＡｌ合金膜等を用いることができる。この場合、第１金属層配線５は、前記Ａｌ合金膜等をスパッタリング法で堆積させた後、フォトレジスト膜をマスクにしたドライエッチングでパターニングすることにより形成される。
【００５５】
ガラス基板１上に第１金属層配線５およびＭＩＭキャパシタの下層膜６が形成された後、図２（ｃ）に示されるように、プラズマＣＶＤ法または蒸着法で０．１μｍ厚のＳｉＮｘ膜を堆積させることによって、絶縁膜７が形成される。なお、絶縁膜７は、前記ＳｉＮｘ膜を堆積させることによって形成されているが、これに限られたものではなく、例えば、プラズマＣＶＤ法または蒸着法でＳｉＯｘ膜を、または、塗布法でポリイミド膜を堆積させることによって形成されてもよい。
【００５６】
絶縁膜７が形成された後、フォトレジスト膜（図示しない）をマスクにしてドライエッチングすることにより、スルーホールパターン８が形成されたフォトレジスト膜が形成される。そして、前記スルーホールパターン８が形成されたフォトレジスト膜をマスクにして絶縁膜７をドライエッチングすることによって、スルーホール９が形成される。その後、絶縁膜７にスルーホール９が形成されると、前記スルーホールパターン８が形成されたフォトレジスト膜は、エッチングすることによって除去される。
【００５７】
次に、図２（ｄ）に示されるように、スルーホール９が形成された絶縁膜７にＡｌ合金膜１０をＥＢ蒸着機を用いて堆積させた後、フォトレジスト膜１３をマスクにしたドライエッチングで該Ａｌ合金膜１０をパターニングすることにより、第２金属層配線１１およびＭＩＭキャパシタの上層膜１２が形成される。なお、第２金属層配線１１は、第１金属層配線５と同様、スパイラルラインを形成している。
【００５８】
そして、図２（ｅ）に示されるように、プラズマＣＶＤ法または蒸着法で０．５μｍ厚のＳｉＮｘ膜を堆積させることによって、パッシベーション用絶縁膜１４が形成された後、高周波モジュール等に備えられているトランジスタの電極等に配線するために、コンタクトホール１５を形成する。コンタクトホール１５は、フォトレジスト膜（図示しない）をマスクにして、例えばメタンガス等のフロン系ガスを用いてパッシベーション用絶縁膜１４をエッチングすることにより形成される。
【００５９】
上記図２（ａ）〜図２（ｅ）の工程により、図３に示されるように、ガラス基板１上に、ＭＩＭキャパシタ、抵抗およびスパイラルラインよりなる受動素子が、複数の受動素子チップ分、一括して作成される。
【００６０】
一方、ガラス基板１には、それぞれのチップ間に、１０μｍ程度の切しろ（図示しない）が設けられており、該切しろに沿って、個々の受動素子チップ１００に分離される。
【００６１】
分離工程では、ＬＳＩ用ウェハ処理工程で通常使用されている前記ＹＡＧレーザを備えた装置が用いられる。例えば、前記ＹＡＧレーザのレーザ光は、２．５ｋＨｚのパルスで発振され、消費電力が１Ｗである場合、１ｓ／ｍｍの速度でガラス基板１を切削することが可能である。
【００６２】
これにより、図２（ｆ）に示されるように、ガラス基板１を、少ない切しろであっても、チッピングを発生することなく切削できると共に、ガラス基板１の切削面を滑らかに、かつ、時間をかけることなく加工することが可能である。しかも、従来より半導体装置の製造工程にて使用されている既存の装置を利用することができる。
【００６３】
本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能である。すなわち、請求項に示した範囲で適宜変更した技術的手段を組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。
【産業上の利用可能性】
【００６４】
本発明の受動素子用基板は、該受動素子用基板上に受動素子を作成することにより、高周波モジュールを備えている通信機器システム等、受動素子が作成される基板を備えているどのようなデバイスにも適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】１ｍｍ厚のガラス基板の材料にＦｅを添加した場合の、該ガラス基板における光の透過率および反射率を示すグラフである。
【図２】（ａ）〜（ｆ）は、本発明の一実施形態に係るガラス基板上に受動素子を作成する様子を示す概略工程図である。
【図３】図２に示されるガラス基板上に受動素子が作成された様子を示す平面図である。
【図４】従来のガラス基板を切削した場合に、チッピング等によって生じるチップの欠ける様子を示す断面図である。
【符号の説明】
【００６６】
１    ガラス基板（受動素子用基板）
１００    受動素子チップ
【図１】
2008028334.tif 000003
【図２】
2008028334.tif 000004
【図３】
2008028334.tif 000005
【図４】
2008028334.tif 000006