(57)【要約】【課題】品種の識別が可能な窒化物半導体基板を提供する。【解決手段】主面が（０００１）面であり、外周に円弧状部２とオリエンテーションフラット３が形成された窒化物半導体基板１において、上記円弧状部２と上記オリエンテーションフラット３との間に上記オリエンテーションフラット３に対して角度を有する品種識別フラット４を形成した。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
主面が（０００１）面であり、外周に円弧状部とオリエンテーションフラットが形成された窒化物半導体基板において、上記円弧状部と上記オリエンテーションフラットとの間に上記オリエンテーションフラットに対して角度を有する品種識別フラットを形成したことを特徴とする窒化物半導体基板。
【請求項２】
上記品種識別フラットの長さを２ｍｍ以上としたことを特徴とする請求項１記載の窒化物半導体基板。
【請求項３】
上記角度を１４０度〜１６０度としたことを特徴とする請求項１又は２記載の窒化物半導体基板。
【請求項４】
上記オリエンテーションフラットをへき開面に形成したことを特徴とする請求項１〜３いずれか記載の窒化物半導体基板。
【請求項５】
上記オリエンテーションフラットをへき開面に垂直な面に形成したことを特徴とする請求項１〜３いずれか記載の窒化物半導体基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、品種の識別が可能な窒化物半導体基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
青色半導体レーザ、青色／青紫色発光ダイオード等に使用される窒化物半導体基板（ＧａＮ単結晶基板）は、基本的には外周が円形に形成される。しかし、デバイスプロセスにおいて、へき開面（例えば、（１−１００）面）を認識することが必要なときのために、オリエンテーションフラットと呼ばれる直線部が形成される。つまり、図２（ａ）及び図２（ｂ）に示されるように、窒化物半導体基板２１ａ，２１ｂは、外周に円弧状部２２とオリエンテーションフラット２３ａ，２３ｂが形成される。
【０００３】
デバイスプロセスにおいて、このオリエンテーションフラット２３ａ，２３ｂを基準にすることにより、へき開面を認識したり、位置決めをすることができる。
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−２２２７４６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、デバイス製造者によっては、デバイスの構造上の理由から、あるいはデバイスプロセス装置の都合により、図２（ａ）のようにオリエンテーションフラット２３ａをへき開面に形成した窒化物半導体基板２１ａ（便宜上これをＡ型と呼ぶことにする）を望んだり、図２（ｂ）のようにオリエンテーションフラット２３ｂをへき開面に垂直な面（例えば、（１１−２０）面）に形成した窒化物半導体基板２１ｂ（Ｂ型と呼ぶことにする）を望んだりする。
【０００６】
基板製造者においては、各々のデバイス製造者の要望に応えて、オリエンテーションフラットの方位が異なるＡ型やＢ型の窒化物半導体基板を製造する。このように、窒化物半導体基板には、オリエンテーションフラットの方位が異なる品種が２つあるいはそれ以上存在する。図示した２品種の窒化物半導体基板２１ａ，２１ｂは、円弧状部２２の径と周長、オリエンテーションフラット２３，２３ｂの長さが全く同じであり、外観上全く差違がない。
【０００７】
基板製造者は、これら品種の異なる窒化物半導体基板２１ａ，２１ｂの識別を、窒化物半導体基板２１ａ，２１ｂに同梱される製造記録票、窒化物半導体基板２１ａ，２１ｂを収納する容器、窒化物半導体基板２１ａ，２１ｂを保管する場所の区分けなどによって行うことができる。
【０００８】
しかし、デバイス製造者において梱包や容器から取り出した窒化物半導体基板２１ａ，２１ｂ（これを現品基板という）について品種を識別することは困難である。基板製造者であっても、現品基板はそれのみで品種を識別することは困難である。
【０００９】
そこで、本発明の目的は、上記課題を解決し、品種の識別が可能な窒化物半導体基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するために本発明は、主面が（０００１）面であり、外周に円弧状部とオリエンテーションフラットが形成された窒化物半導体基板において、上記円弧状部と上記オリエンテーションフラットとの間に上記オリエンテーションフラットに対して角度を有する品種識別フラットを形成したものである。
【００１１】
上記品種識別フラットの長さを２ｍｍ以上としてもよい。
【００１２】
上記角度を１４０度〜１６０度としてもよい。
【００１３】
上記オリエンテーションフラットをへき開面に形成してもよい。
【００１４】
上記オリエンテーションフラットをへき開面に垂直な面に形成してもよい。
【発明の効果】
【００１５】
本発明は次の如き優れた効果を発揮する。
【００１６】
（１）品種の識別が可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の一実施形態を添付図面に基づいて詳述する。
【００１８】
図１（ａ）に示されるように、本発明に係る窒化物半導体基板１は、主面が（０００１）面であり、外周に円弧状部２とオリエンテーションフラット３が形成された窒化物半導体基板１において、上記円弧状部２と上記オリエンテーションフラット３との間に上記オリエンテーションフラット３に対して角度を有する品種識別フラット４を形成したものである。
【００１９】
品種識別フラット４とは、オリエンテーションフラット３と同様に直線部であって、品種識別の目的でオリエンテーションフラット３とは別途に形成される。
【００２０】
この実施形態では、オリエンテーションフラット３がへき開面である（１−１００）面に対して垂直な面である（１１−２０）面に形成されている。つまり、この窒化物半導体基板は、本明細書で定義したＢ型である。
【００２１】
そして、この実施形態では、品種識別フラット４はオリエンテーションフラット３の反時計回り端と円弧状部２との間に形成されている。
【００２２】
図１（ｂ）に、品種識別フラット４の近傍を拡大して示す。図１（ａ）では縮小されているので、品種識別フラット４がどこにどのように形成されているか目視では分かりづらいが、図１（ｂ）では拡大してあるので、品種識別フラット４が直線状であること、品種識別フラット４がオリエンテーションフラット３に対して角度を有すること、など詳細が目視でよくわかる。
【００２３】
実物大の窒化物半導体基板１においては、品種識別フラット４が容易に視認でき、また、デバイスプロセス装置の光学的センサや機械的センサなど周知の技術により品種識別フラット４を検知することができる。
【００２４】
品種識別フラット４の長さは、２ｍｍ以上であるのが好ましい。これは目視で品種識別する場合に見やすくするためである。２ｍｍ未満では、熟練度や視力などの個人差によって目視では品種識別がしづらい場合がある。
【００２５】
オリエンテーションフラット３に対する品種識別フラット４の角度は、１４０度〜１６０度であるのが好ましい。１６０度以下とするのは、目視で品種識別する場合に見やすくするためである。１６０度を超えると、オリエンテーションフラット３と品種識別フラット４が一直線に近くなり、目視では品種識別がしづらい場合がある。１４０度以上とするのは、品種識別フラット４を形成したことによって基板面積が小さくなるのを防ぐためである。
【００２６】
以上の構成により、本発明の窒化物半導体基板１は次のような作用効果を奏する。
【００２７】
本発明の窒化物半導体基板１は、品種識別フラット４が形成されており、この品種識別フラット４を目視あるいはセンサで確認できるので、品種識別フラット４が形成されていない従来の窒化物半導体基板と区別することができる。
【００２８】
さらに、本発明の窒化物半導体基板１は、円弧状部２とオリエンテーションフラット３との間に品種識別フラット４が形成されていると共に、その品種識別フラット４がオリエンテーションフラット３に対して角度を有するので、両フラット間の形状の差違が顕著になり、目視あるいはセンサで確認しやすい。
【００２９】
また、この実施形態では、オリエンテーションフラット３が（１１−２０）面に形成されているＢ型の窒化物半導体基板１に品種識別フラット４を形成したので、この窒化物半導体基板１の現品基板を見た人（あるいはデバイスプロセス装置）は、この現品基板が本発明の窒化物半導体基板１であることを識別すると同時に、品種がＢ型であることをも識別することができる。
【００３０】
これとは逆に、オリエンテーションフラットが（１−１００）面に形成されているＡ型の窒化物半導体基板に品種識別フラットを形成した場合も、その窒化物半導体基板の現品基板の品種がＡ型であることを識別することができる。もちろん、Ａ型とＢ型の窒化物半導体基板に同じ品種識別フラットを形成してしまうと、両型間の識別ができないが、Ｂ型においてオリエンテーションフラット３の反時計回り端に品種識別フラット４を形成し、Ａ型においてオリエンテーションフラット３の時計回り端に品種識別フラット（図示せず）を形成すれば、両型共に本発明を適用でき、両型間の識別ができる。
【００３１】
さらに、本発明の窒化物半導体基板１は、品種識別が容易になったことにより、デバイス製造者において現品基板を品種識別できることはもとより、基板製造者においても品種取り違えといった作業ミスを低減し、製造記録票、容器、保管場所区分けといった工程管理の効率化に役立てることができる。
【００３２】
また、品種識別とは目的が異なるが、面仕上げが両面ミラー仕上げの窒化物半導体基板において、本発明の品種識別フラット４を形成した窒化物半導体基板１は、この品種識別フラット４の位置（オリエンテーションフラット３との相対位置）によって表裏の判別が可能となる。これにより、従来から両面ミラー仕上げ基板に設けられているインデックスフラットをなくすることができ、これにより、窒化物半導体基板の有効面積を増やすことができる。
【００３３】
なお、両面ミラー仕上げの窒化物半導体基板で品種識別を行う場合は、インデックスフラットで表裏識別を行い、品種識別フラット４で品種識別を行うようにする。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】（ａ）は、本発明の一実施形態を示す窒化物半導体基板の平面図、（ｂ）は、その破線円内の要部拡大図である。
【図２】（ａ）、（ｂ）は従来の窒化物半導体基板の平面図である。
【符号の説明】
【００３５】
１  窒化物半導体基板
２  円弧状部
３  オリエンテーションフラット
４  品種識別フラット
【図１】
2008016772.tif 000003
【図２】
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