(57)【要約】      （修正有）【課題】多層樹脂付開口基板作製法において、孔径が小さい場合においても、開口不良が発生しないように解決し、回路基板の高密度化のために要求されているランドレスや狭小ランド幅の孔に対応した回路基板の製造方法を提供する。【解決手段】（Ａ）表面および孔の内壁に第１導電層を有する絶縁性基板の少なくとも片面の一部に第１樹脂層を形成する工程、（Ｂ）孔上の第１樹脂層を凸形状または凹形状に成形する工程、（Ｃ）第１導電層上の第１樹脂層上に電着法によって第２樹脂層８を形成する工程、及び、（Ｄ）第１樹脂層用現像液によって孔上の第１樹脂層を除去する工程、を含む回路基板の製造方法。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）表面および孔の内壁に第１導電層を有する絶縁性基板の少なくとも片面の一部に第１樹脂層を形成する工程、
（Ｂ）孔上の第１樹脂層を凸形状または凹形状に成形する工程、
（Ｃ）第１導電層上の第１樹脂層上に電着法によって第２樹脂層を形成する工程、及び、
（Ｄ）第１樹脂層用現像液によって孔上の第１樹脂層を除去する工程、
を含む回路基板の製造方法。
【請求項２】
工程（Ｂ）を、孔内の気体の体積を変化させることにより行う請求項１記載の回路基板の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は２記載の回路基板の製造方法において、
第１樹脂層が光架橋性樹脂からなる層であり、
第１樹脂層用現像液が光架橋性樹脂層用現像液であり、
工程（Ｄ）の後に更に、
（Ｅ）第１樹脂層に対してパターン露光して硬化部を形成する工程、
（Ｆ）第２樹脂層を除去する工程、
（Ｇ）未硬化の第１樹脂層を除去する工程、
（Ｈ）未硬化の第１樹脂層の除去によって露出した第１導電層上に電解めっき処理により第２導電層を形成する工程、
（Ｉ）硬化部を除去する工程、及び、
（Ｊ）露出した第１導電層を除去する工程、
を含む回路基板の製造方法。
【請求項４】
請求項１又は２記載の回路基板の製造方法において、
工程（Ｄ）の後に更に、
（Ｋ）孔の内壁にエッチングレジスト層を形成する工程、
（Ｌ）第２樹脂層を除去する工程、
（Ｍ）第１樹脂層を除去する工程、
（Ｎ）第１導電層上に光架橋性樹脂層を形成する工程、
（Ｏ）回路部に相当する部分の光架橋性樹脂を架橋して硬化部を形成する工程、
（Ｐ）非回路部に相当する未硬化の光架橋性樹脂層を除去する工程、
（Ｑ）未硬化の光架橋性樹脂層を除去によって露出した第１導電層を除去する工程、及び、
（Ｒ）エッチングレジスト層および硬化部を除去する工程、
を含む回路基板の製造方法。
【請求項５】
請求項１又は２記載の回路基板の製造方法において、
第１樹脂層が光架橋性樹脂からなる層であり、
第１樹脂層用現像液が光架橋性樹脂層用現像液であり、
工程（Ｄ）の後に更に、
（Ｓ）第１樹脂層に対してパターン露光して硬化部を形成する工程、
（Ｔ）第２樹脂層を除去する工程、
（Ｕ）未硬化の第１樹脂層を除去する工程、
（Ｖ）未硬化の第１樹脂層の除去によって露出した第１導電層上にエッチングレジスト層を形成する工程、
（Ｗ）硬化部を除去する工程、
（Ｘ）エッチングレジスト層が第１導電層上に形成されていない第１導電層を除去する工程、及び、
（Ｙ）エッチングレジスト層を除去する工程、
を含む回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路基板の製造方法に関し、スルーホールまたはバイアホールと呼ばれる孔を有する回路基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の電子機器の小型、多機能化に伴い、回路基板も高密度化や配線パターンの微細化が進められており、そのような条件を達成する手段としては、回路基板の多層化が挙げられる。図３７で示したように、絶縁性基板１に複数の配線層を積層して形成した回路基板は、一般にスルーホール２０、バイアホール２１、インタースティシャルバイアホール２２と呼ばれる、内壁を導電層１２で被覆したあるいは充填した貫通孔、非貫通孔（以下、「孔」という）といった細孔を通じて各層間の導通が行われている。
【０００３】
図３８は、孔を上部から見た概略図である。孔３の周囲にランド２３と呼ばれる導電層が形成されている。ランドは角形、円形、楕円形、異形等、種々の種類があるが、占有面積あるいは設計面の使いやすさから、円形を用いることが多い。また、高密度化に対応するためには、ランドレスもしくは狭小ランド幅の孔が必要とされている。ここでランド幅（Ｌｗ）とは、円形状ランドの場合は貫通孔周囲の環状導体幅の最小値を意味している。穴明け加工時の貫通孔の直径をＤ０、円形状ランドの環状導体の直径をＤとすると、ランドレスとは、ランド幅Ｌｗ＝（Ｄ−Ｄ０）／２がゼロであり、狭小ランド幅とは、ランド幅Ｌｗ＝（Ｄ−Ｄ０）／２が０より大きく４０μｍ以下をいう。
【０００４】
回路基板を製造する方法は、サブトラクティブ法、アディティブ法、セミアディティブ法等がある。サブトラクティブ法は、表面に導電層を設けた絶縁性基板の回路部にエッチングレジスト層を設け、露出している非回路部の導電層をエッチング除去して回路を形成する方法である。アディティブ法は、絶縁性基板の表面の非回路部にめっきレジスト層を設け、回路部に相当する部分に無電解めっき処理等で導電層を形成する方法である。セミアディティブ法は、薄い導電層（第１導電層）を表面に有する絶縁性基板の非回路部にめっきレジスト層を設け、回路部に相当する部分に電解めっき処理で導電層（第２導電層）を形成し、非回路部のめっきレジスト層を除去した後、フラッシュエッチング処理によって、非回路部の薄い導電層を除去して回路を形成する方法である。なお、本明細書では、回路基板上に形成される導電層を「表面導電層」または単に「導電層」と称する。また、説明を容易にするため、回路基板上に最初に形成される表面導電層を「第１導電層」、セミアディティブ法のように第１導電層上に更に形成する導電層を「第２導電層」との名称を用いる場合がある。
【０００５】
エッチングレジスト層およびめっきレジスト層は、スクリーン印刷法、感光性材料を用いた露光現像工程を有するフォトファブリケーション法、インクジェット法等によって形成される。ランドレスや狭小ランド幅の孔を製造しようとする場合、孔の穴開け加工やスクリーン印刷法、露光工程、インクジェット法等の工程における位置合わせが重要であり、特に、高密度回路基板で要求されるランドレスおよび狭小ランド幅の孔では、非常に高い位置合わせ精度が必要となる。ランドは、図３８のように、孔の全方向に均一な幅を有する形、つまり孔とランドが同心円である場合が最も望ましいが、位置合わせが不正確であると、図３９のように、孔とランドは同心円とならなくなるという問題があった。
【０００６】
図３９は（ａ）狭小ランド幅、（ｂ）広大ランド幅の孔において、距離Ｘの位置ずれが発生した場合の孔３とランド２３の位置ずれを表した平面概略図である。図３９（ｂ）広大ランド幅の孔３では、孔３の周囲にランド２３が形成された状態となるが、図３９（ａ）狭小ランド幅の孔３では、ランド２３が孔３部分から切れてしまい、全ての外周に渡って狭小ランドが存在する孔を形成することができないという問題が発生している。穴開け加工の精度、基板の伸縮、露光用フォトマスクの寸法変化等が原因となって、位置合わせ精度には限界があるのが実情である。また、高密度回路基板上に形成される孔の径は多種類で、孔数も極めて多いため、全ての孔に対して精確に位置合わせを行うことは非常に困難である。したがって、高密度回路基板ではランドレスや狭小ランド幅の孔が求められているにもかかわらず、ランド幅を大きく設計しなくてはならないという問題が発生している（例えば、特許文献１）。
【０００７】
このような位置合わせが原因となっていたランドと孔の位置ずれの問題を解決し、回路基板の高密度化のために要求されている狭小ランドを有する回路基板を製造する方法として、従来、孔を有し、少なくとも表面に導電層を有する絶縁性基板の表面に第１樹脂層を貼り付け、次いで表面導電層上の第１樹脂層上に第２樹脂層を形成し、次いで第１樹脂層用現像液によって孔上の第１樹脂層を除去する工程を含む回路基板の製造方法が提案されている。以下、この回路基板の製造方法を「多層樹脂付開口基板作製法」と称する。この製造方法では、孔上と表面導電層上とで、第１樹脂層の静電容量が異なることを利用して、表面導電層上の第１樹脂層上に第２樹脂層を形成する（例えば、特許文献２〜８）。
【０００８】
しかしながら、上記多層樹脂付開口基板作製法においては、基板の一部で、孔上の第１樹脂層上にも第２樹脂層が形成され、開口不良が発生することがあり、さらなる改善が必要となった。特に、孔径が小さい場合に、開口不良が顕著に発生するという問題があった。
【特許文献１】特開平７−７２６５号公報
【特許文献２】特開２００５−２８６２９４号公報
【特許文献３】特開２００５−２８６２９５号公報
【特許文献４】特開２００５−２８６２９６号公報
【特許文献５】特開２００５−２８６２９７号公報
【特許文献６】特開２００５−２８６２９８号公報
【特許文献７】特開２００５−２８６２９９号公報
【特許文献８】特開２００５−２８６３０１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明の課題は、上記多層樹脂付開口基板作製法において、孔径が小さい場合においても、開口不良が発生しないように解決し、回路基板の高密度化のために要求されているランドレスや狭小ランド幅の孔に対応した回路基板の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明者らは、この課題を解決するため研究を行った結果、
（１）（Ａ）表面および孔の内壁に第１導電層を有する絶縁性基板の少なくとも片面の一部に第１樹脂層を形成する工程、（Ｂ）孔上の第１樹脂層を凸形状または凹形状に成形する工程、（Ｃ）第１導電層上の第１樹脂層上に電着法によって第２樹脂層を形成する工程、及び、（Ｄ）第１樹脂層用現像液によって孔上の第１樹脂層を除去する工程、を含む回路基板の製造方法、
（２）工程（Ｂ）を、孔内の気体の体積を変化させることにより行う回路基板の製造方法、
（３）第１樹脂層が光架橋性樹脂からなる層であり、第１樹脂層用現像液が光架橋性樹脂層用現像液であり、工程（Ｄ）の後に更に、（Ｅ）第１樹脂層に対してパターン露光して硬化部を形成する工程、（Ｆ）第２樹脂層を除去する工程、（Ｇ）未硬化の第１樹脂層を除去する工程、（Ｈ）未硬化の第１樹脂層の除去によって露出した第１導電層上に電解めっき処理により第２導電層を形成する工程、（Ｉ）硬化部を除去する工程、及び、（Ｊ）露出した第１導電層を除去する工程、を含む回路基板の製造方法、
（４）工程（Ｄ）の後に更に、（Ｋ）孔の内壁にエッチングレジスト層を形成する工程、（Ｌ）第２樹脂層を除去する工程、（Ｍ）第１樹脂層を除去する工程、（Ｎ）第１導電層上に光架橋性樹脂層を形成する工程、（Ｏ）回路部に相当する部分の光架橋性樹脂を架橋して硬化部を形成する工程、（Ｐ）非回路部に相当する未硬化の光架橋性樹脂層を除去する工程、（Ｑ）未硬化の光架橋性樹脂層を除去によって露出した第１導電層を除去する工程、及び、（Ｒ）エッチングレジスト層および硬化部を除去する工程、を含む回路基板の製造方法、
（５）第１樹脂層が光架橋性樹脂からなる層であり、第１樹脂層用現像液が光架橋性樹脂層用現像液であり、工程（Ｄ）の後に更に、（Ｓ）第１樹脂層に対してパターン露光して硬化部を形成する工程、（Ｔ）第２樹脂層を除去する工程、（Ｕ）未硬化の第１樹脂層を除去する工程、（Ｖ）未硬化の第１樹脂層の除去によって露出した第１導電層上にエッチングレジスト層を形成する工程、（Ｗ）硬化部を除去する工程、（Ｘ）エッチングレジスト層が第１導電層上に形成されていない第１導電層を除去する工程、及び、（Ｙ）エッチングレジスト層を除去する工程、を含む回路基板の製造方法、を見出した。
【発明の効果】
【００１１】
上記のように、本発明の製造方法により、多層樹脂付開口基板作製の際に、孔上の第１樹脂層を凸形状または凹形状に形成することで、孔上の第１樹脂層上に第２樹脂層が形成されにくくなり、回路基板の高密度化のために要求されているランドレスや狭小ランド幅の孔に対応した回路基板の製造方法を実現することができた。この結果、基板の一部で開口不良が発生する問題を大幅に抑制することができた。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明の第２樹脂層を形成するための電着法の原理を説明する。
【００１３】
本発明の回路基板の製造方法において、第２樹脂層を形成するには、第２樹脂層に用いられる樹脂を、粒子状態で液体に分散させた溶液を使用する。樹脂粒子は、正または負に帯電している。図３３に示したように、孔３および表面導電層１２を有し、第１樹脂層５を貼り付けた回路形成用基板に対向するように現像電極１４を設置し、回路形成用基板の表面導電層１２を接地して、適正なバイアス電圧を印加すると、電界Ｅに従って、帯電した樹脂粒子１５は回路形成用基板方向に電気泳動し、電気泳動によって回路形成用基板方向に近づいてきた帯電した樹脂粒子は第１樹脂層５へ付着する。このように、溶液中の粒子の電気泳動を利用して粒子を基板に付着する方法を電着法という。
【００１４】
電気泳動によって回路形成用基板方向に近づいてきた帯電した樹脂粒子の第１樹脂層５ａへの付着量は、第１樹脂層の静電容量５ａによって決まる。図３４に示したように、回路形成用基板において、第１樹脂層５ａの静電容量は、その下の形状に影響を受ける。すなわち、導電層上の第１樹脂層と、孔上の第１樹脂層とでは、静電容量に差が生じる。そのため、孔上の第１樹脂層５ａへの第２樹脂層の付着量と、表面導電層１２上の第１樹脂層５ａ上への第２樹脂層の付着量に違いが生じることとなり、孔上の第１樹脂層への第２樹脂層の付着を抑制することできるのである。
【００１５】
以下、第１樹脂層の静電容量の差と、それに基づく第２樹脂層付着量の差について説明する。表面導電層表面と第１樹脂層表面を電極としたコンデンサーと見立てた場合、次式（１）が成立する。
Ｑ＝ＣＶ                                                （１）
［但し、Ｑ；第１樹脂層上の電荷、Ｃ；静電容量、Ｖ；導電層表面を基準とした第１樹脂層表面の電位］
静電容量Ｃは、次式（２）で表される。
Ｃ＝εＳ／ｄ                                            （２）
［但し、ε；誘電率、ｄ；第１樹脂層表面と表面導電層表面との距離、Ｓ；面積］
【００１６】
ここで、孔上の第１樹脂層の静電容量をＣＨ、表面導電層上の第１樹脂層の静電容量をＣＳ、孔上の第１樹脂層上の電荷をＱＨ、表面導電層上の第１樹脂層上の電荷をＱＳ、孔上の第１樹脂層表面の電位をＶＨ，表面導電層上の第１樹脂層上の電位をＶＳ、孔上の第１樹脂層に付着した第２樹脂層を形成する樹脂粒子数をＮＨ、表面導電層上の第１樹脂層に付着した第２樹脂層を形成する樹脂粒子数をＮＳ、孔上の第１樹脂層表面と表面導電層表面との距離ｄＨ、表面導電層上の第１樹脂層表面と表面導電層表面との距離ｄＳとする。
【００１７】
すなわち、図３４に示したように、孔上と表面導電層上において、一定面積（Ｓが一定）における静電容量Ｃを比較した場合、孔上の第１樹脂層表面と表面導電層表面との距離ｄＨ１７が、表面導電層上の第１樹脂層表面と表面導電層表面との距離ｄＳ１６より大きいので、孔上の静電容量ＣＨが表面導電層上の静電容量ＣＳよりも小さくなる。樹脂粒子は、第１樹脂層全面が等電位（つまり、ＶＨ＝ＶＳ）となるように、第１樹脂層上に付着する。したがって、孔上の電荷ＱＨは表面導電層上の電荷ＱＳに比べて小さくなる。次式（３）のように、電荷Ｑの大きさは、第２樹脂層を形成する樹脂粒子数Ｎに比例する。
Ｑ＝Ｎｑ                                                  （３）
［但し、Ｎ；第２樹脂層を形成する樹脂粒子数、ｑ；第２樹脂層を形成する樹脂粒子１個の電荷］
【００１８】
したがって、孔上の第１樹脂層に付着した第２樹脂層を形成する樹脂粒子数ＮＨは、非常に少なくなり、表面導電層上の第１樹脂層に付着した第２樹脂層を形成する樹脂粒子数ＮＳよりも小さくなる。
【００１９】
本発明のように、孔上の第１樹脂層を凸形状に形成した場合には、孔上の第１樹脂層表面と導電層表面との距離ｄＨが、平滑形状に比べ長くなる。すなわち、孔上の第１樹脂層が凸形状の場合には、平滑形状に比べ、導電層上の第１樹脂層と孔上の第１樹脂層とでは、静電容量の差が大きくなる。したがって、平滑形状に比べ、孔上と表面導電層上の第２樹脂層の付着量の差が大きくなる。そのため、孔上の第１樹脂層を凸形状に形成することによって、第２樹脂層を孔上以外の第１樹脂層表面に第２樹脂層を形成することができるのである。
【００２０】
また、本発明者は、以下のように、孔上の第１樹脂層が凹形状の場合でも、凸形状の場合と同様に、孔上以外の第１樹脂層表面に第２樹脂層を形成することができることを見出した。
【００２１】
まず、図３５は、第１樹脂層５ａが平滑形状の場合の第２樹脂層を形成するときの電気力線１９の様子を示す概念図である。第２樹脂層を形成する工程に用いられる帯電した荷電粒子は、電気力線１９に沿って移動し、電気力線１９が集中する場所には多くの荷電粒子が付着する。孔上の電気力線１９は孔のエッジ部に向かって湾曲した曲線となり、孔の径が小さいと孔上の第１樹脂層上の中央部にも電気力線１９が通り、孔上全面に荷電粒子が付着しやすい。つまり、孔径が小さい場合においては、図３５に示すような第１樹脂層５ａが平滑形状の場合には、孔上の第１樹脂層５ａへの第２樹脂層を形成する樹脂の付着が抑制されるという効果を十分得ることができなかったのである。
【００２２】
一方、図３６は、孔上の第１樹脂層５ｃが凹形状の場合の電気力線１９の様子を示しており、点Ａは孔上の第１樹脂層５ｃの中央部を示している。孔上の第１樹脂層５ｃを凹形状とすることで、点Ａは電気力線１９が通りにくくなるため、点Ａ周辺に電荷粒子が付着しにくくなり、従って孔上の第１樹脂層５ｃ上に荷電粒子が付着しない。また、凹形状によって溶液が囲まれるため、第２樹脂層形成用樹脂を分散させた溶液が孔上で流動しにくくなり、孔上に荷電粒子が付着しにくくなる。このように、孔上の第１樹脂層を凹形状とした場合にも、凸形状の場合と同様、孔上以外の第１樹脂層表面に第２樹脂層を形成することができる。
【００２３】
次に、本発明の回路基板の具体的な製造方法について詳細に説明する。
【００２４】
以下、本発明の回路基板の製造方法の例を、図１〜図３２を用いて説明する。貫通孔を例にとって説明するが、非貫通孔でも以下に説明するのと同様の方法で、回路基板を製造することができる。また、各層の形成や除去については、具体例を用いて説明するが、これらの具体例に限られるものではなく、適宜、代替可能な技術を用いることができる。
【００２５】
まず、回路形成用基板の孔上の第１樹脂層を凸形状にした場合の樹脂付開口基板製造方法の例を説明する。図１に、孔３を有し、更に表面および孔の内壁に第１導電層２を有する回路形成用基板１００を示す。この回路形成用基板１００に対して、孔３を塞いで、テンティングとなるように、第１樹脂層５ａを形成する（図２）。このとき、第１樹脂層５ａの形成は、回路基板に配線パターンが必要な部分に、つまり回路基板の少なくとも片面の一部に形成すればよい。次に、後述する方法によって、孔上の第１樹脂層５ａを凸形状に成形する（図３）。次に、電着法等によって第１導電層２上の第１樹脂層５ｂ上に第２樹脂層８を形成する（図４）。このとき、孔上の第１樹脂層５ｂは凸形状なので、孔上の第１樹脂層５ｂ上には第２樹脂層がほとんど形成されないことに留意されたい。次に、第１樹脂層用現像液によって、孔上の第１樹脂層５ｂのみを除去して、樹脂付開口基板１１０を製造する（図５）。
【００２６】
次に、回路形成用基板の孔上の第１樹脂層を凹形状にした場合の樹脂付開口基板製造方法の例を説明する。図１に示した孔３を有し、更に表面および孔の内壁に第１導電層２を有する回路形成用基板１００に、孔３を塞いで、テンティングとなるように、第１樹脂層５ａを形成する（図２）。このとき、第１樹脂層５ａの形成は、回路基板に配線パターンが必要な部分に、つまり回路基板の少なくとも片面の一部に形成すればよい。次に、後述する方法により、孔上の第１樹脂層５ａを凹形状に成形する（図６）。次に、電着法等によって第１導電層２上の第１樹脂層５ｃ上に第２樹脂層８を形成する（図７）。このとき、孔上の第１樹脂層５ｃは凹形状なので、孔上の第１樹脂層５ｃ上には第２樹脂層がほとんど形成されないことに留意されたい。次に、第１樹脂層用現像液によって、孔上の第１樹脂層５ｃのみを除去して、樹脂付開口基板１１０を製造する（図５）。
【００２７】
また、本発明のセミアディティブ法を応用した例を次に説明する。まず、表面および孔３の内壁に第１導電層２を有する回路形成用基板１００に、第１樹脂層を貼り付けるなどによって第１樹脂層５ａを形成する（図２）。この際、第１樹脂層５の材料としては、光架橋性樹脂を使用する。次に、後述する方法により、孔上の第１樹脂層５ａを凸形状または凹形状に成形する（図３、図６）。次に、電着法等によって第１導電層２上の、第１樹脂層５ｂ上、又は第１樹脂層５ｃ上に第２樹脂層８を形成する（図４、図７）。このとき、孔上の第１樹脂層５ｂ、５ｃは凸形状または凹形状なので、孔上の第１樹脂層５ｂ、５ｃ上には第２樹脂層がほとんど形成されないことに留意されたい。次に、第１樹脂層用現像液によって孔上の第１樹脂層５ｂ、５ｃを除去する（図５）。なお、この場合、第１樹脂層は光架橋性樹脂からなる層なので、第１樹脂層用現像液としては光架橋性樹脂層用現像液を用いる。ここで、第１樹脂層５を有する樹脂付開口基板１１０ができあがる。次に、第１樹脂層５に対してパターン露光し硬化部７を形成する（図８）。次に、第２樹脂層除去液を用いて第２樹脂層８を除去する（図９）。次に、未硬化の第１樹脂層５を第１樹脂層用現像液（光架橋性樹脂層用現像液）で除去する（図１０）。次に露出している第１導電層２上に電解めっき処理により第２導電層６を形成する（図１１）。次に、硬化部７を除去する（図１２）。次に、露出した第１導電層２をフラッシュエッチングなどにより除去することによって回路基板１２０を製造する（図１３）。
【００２８】
また、本発明の回路基板の製造方法（４）のサブトラクティブ法を応用した例を次に説明する。凸形状を例にとって説明するが、凹形状の場合においても同様の方法で、回路基板を製造することができる。まず、表面および孔の内壁に第１導電層２を有する回路形成用基板１００の表面に、第１樹脂層５ａを形成する（図１４）。次に、後述する方法により、孔上の第１樹脂層５ａを凸形状に成形する（図１５）。次に、電着法等によって第１導電層２上の第１樹脂層５ｂ上に第２樹脂層８を形成する（図１６）。このとき、孔上の第１樹脂層５は凸形状なので、孔上の第１樹脂層５ｂ上には第２樹脂層８がほとんど形成されないことに留意されたい。次に、第１樹脂層用現像液によって、孔上の第１樹脂層５ｂを除去する（図１７）。第１樹脂層５ｂの除去量を変えることで、ランド幅を変えることができる。第１樹脂層５ｂの除去量は、処理時間、第１樹脂層用現像液の種類、液濃度、液温度、処理装置等を適宜変更することによって調整することができる。次に、孔３の内壁にエッチングレジスト層１０を形成する（図１８）。次に、第２樹脂層除去液を用いて第２樹脂層８を除去する（図１９）。次に、第１樹脂層用現像液によって、第１樹脂層５を除去する（図２０）。なお、第２樹脂層と第１樹脂層の除去は同時に行ってもよい。次に、第１導電層上にエッチングレジスト用の光架橋性樹脂層１１を形成する（図２１）。次に、回路部に相当する部分の光架橋性樹脂をパターン露光することにより架橋し、硬化部７を形成する（図２２）。次に、アルカリ現像処理等により、非回路部に相当する未硬化の光架橋性樹脂層１１を除去する（図２３）。次に、露出した第１導電層２をエッチングする（図２４）。次に、エッチングレジスト層１０および硬化部７を除去することによって回路基板１３０を製造することができる（図２５）。
【００２９】
また、本発明の回路基板の製造方法（５）のサブトラクティブ法を応用した例を次に説明する。凸形状を例にとって説明するが、凹形状の場合においても同様の方法で、回路基板を製造することができる。まず、表面および孔の内壁に第１導電層２を有する回路形成用基板１００の、第１導電層２の表面に、第１樹脂層５ａを形成する。この際、第１樹脂層５ａの材料としては、光架橋性樹脂を使用する（図１４）。次に、後述する方法により、孔上の第１樹脂層５ａを凸形状に成形する（図１５）。次に、電着法等によって第１導電層２上の第１樹脂層５ｂ上に第２樹脂層８を形成する（図１６）。このとき、孔上の第１樹脂層５ｂは凸形状なので、孔上の第１樹脂層５ｂ上には第２樹脂層８がほとんど形成されないことに留意されたい。次に、第１樹脂層用現像液によって、孔上の第１樹脂層５ｂを除去する（図１７）。なお、この場合、第１樹脂層は光架橋性樹脂からなる層なので、第１樹脂層用現像液は光架橋性樹脂層用現像液を用いる。次に、第１樹脂層５に対してパターン露光することにより架橋し、硬化部７を形成する（図２６）。次に、第２樹脂層除去液を用いて、第２樹脂層８を除去する（図２７）。次に、光架橋性樹脂層用現像液により、第１樹脂層５（未硬化の光架橋性樹脂層）を除去する（図２８）。次に、露出している第１導電層２上にエッチングレジスト層１０を形成する（図２９）。次に、硬化部７を除去する（図３０）。次に、露出した第１導電層２をエッチングする（図３１）。次に、エッチングレジスト層１０を除去することによって回路基板１４０を製造することができる（図３２）。
【００３０】
本発明の回路基板の製造方法に係わる、孔を有する回路形成用基板としては、表面および孔の内壁に導電層の存在の有無に関わらない。例えば、絶縁性基板に孔を設けた基板、絶縁性基板に導電層を貼り合わせた積層板に孔を設けた基板、絶縁性基板に導電層を張り合わせた積層板に孔を設けた後めっき処理により孔内壁を含む積層板表面に導電層を設けた基板、絶縁性基板に孔を設けた後めっき処理により孔内壁を含む表面に導電層を設けた基板、絶縁性基板に孔を設けた後種々のコーティング手段によって孔内壁を含む表面に導電層を設けた基板等を使用することができる。絶縁性基板としては、紙基材フェノール樹脂やガラス基材エポキシ樹脂の基板、ポリエステルフィルム、ポリイミドフィルム、液晶高分子フィルム等を使用することができる。導電層としては、銅、銀、金、アルミニウム、ステンレス、４２アロイ、ニクロム、タングステン、ＩＴＯ、導電性高分子、各種金属錯体等を使用することができる。これらの例は「プリント回路技術便覧」（社団法人日本プリント回路工業会編、１９８７刊行、日刊工業新聞社刊）に記載されている。孔は、貫通孔および非貫通孔、いわゆるスルーホールとバイアホールといわれるものであり、ドリルもしくはレーザーもしくはエッチング法等によって形成できる。
【００３１】
孔上の第１樹脂層を凸形状に形成する方法は、孔内の気体の体積変化を利用する方法が挙げられる。例えば、回路形成用基板を加熱することにより孔内の気体を加熱し、体積膨張させることで、孔上の第１樹脂層を凸形状とする方法、また、孔外の気体を減圧にすることで孔内の気体を膨張させ、孔上の第１樹脂層を凸形状とする方法、また、孔内の気体を加熱しかつ孔外の気体を減圧にすることで孔内の気体を膨張させ、孔上の第１樹脂層を凸形状とする方法が挙げられる。加熱条件は、回路形成用基板の厚みや面積に適した温度範囲で加熱条件を選定し、好ましくは６０℃〜１２０℃の条件下、より好ましくは８０℃〜１００℃で加熱を行う。孔外の気体の減圧条件は、好ましくは１〜７００ｈＰａの雰囲気下、より好ましくは１０〜１００ｈＰａの雰囲気下で行うことが好ましい。
【００３２】
孔上の第１樹脂層を凹形状に形成する方法は、孔内の気体の体積変化を利用する方法が挙げられる。例えば、減圧状態で第１樹脂層をラミネートし、ラミネート後の孔内外の圧力の違いで孔内の気体を収縮させることで、孔上の第１樹脂層を凹形状とする方法、また、孔内の気体を６０℃以上に加熱した状態で第１樹脂層をラミネートし、後に３０℃以下に回路形成用基板を冷却し孔内の気体を収縮させることで、孔上の第１樹脂層を凹形状とする方法、また、第１樹脂層にキャリアフィルムを貼り付けたまま６０℃以上に加熱し、３０℃以下に冷却した後キャリアフィルムを除去することで、孔上の第１樹脂層を凹形状とする方法、また、ラミネート後にキャリアフィルムを除去し、０〜４０℃の雰囲気下で３０分以上放置することで、孔上の第１樹脂層を凹形状とする方法が挙げられる。
【００３３】
凸形状の高さは、第１導電層上の第１樹脂層表面から孔上の第１樹脂層表面の最高点までの差は、孔径に対して、１０〜７０％が好ましく、更には３０〜５０％であることがより好ましい。例えば、孔径が１００μmの小径の場合、１０〜７０μmであることが好ましく、更には３０〜５０μmであることがより好ましい。この差が１０μmよりも小さいと第２樹脂層の付着量が多くなり、１００μmより大きいと凸形状が保持できない問題が生じる。
【００３４】
本発明に係わる第１樹脂層は、回路形成用基板へ熱圧着し、孔部に対してテンティングするようにラミネート可能で、かつ第１樹脂層用現像液に対して溶解性を有し、更に、本発明の回路基板の製造方法に含まれる一連の工程の後工程で必要とされる特性を有しているものであれば、特に限定されるものではない。具体的に例を挙げれば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、フェノール樹脂、ノボラック樹脂、スチレンとマレイン酸エステル共重合体、酢酸ビニル樹脂、安息香酸ビニル樹脂等からなるフィルムやそれら樹脂に酸性基を導入したアルカリ水溶液に溶解するフィルム、ポリエチレングリコールやポリビニルアルコール等の水溶性フィルム等の非感光性フィルムが挙げられる。また、回路基板製造用の光架橋性樹脂層等があげられ、具体的には、ネガドライフィルムフォトレジストなどが使用でき、例えばデュポンＭＲＣドライフィルム株式会社のリストン、日立化成工業株式会社のフォテック、旭化成エレクトロニクス株式会社のサンフォート等を使用することができる。本発明に係わる第１樹脂層は、キャリアフィルム（ポリエチレンテレフタレート等）と保護フィルム（ポリエチレン等）の間にはさまれている３層の構成であれば、保存や貼り付けの際に好適である。ブロッキングが問題にならなければ保護フィルムを使用しない２層構造のものでもよい。また、特許３２８１４７６号公報、同３２８１４８６号公報、特開２００２−１５８４２２号公報、特開２００２−２３４７０号公報等記載の光導電層を利用した有機光半導体レジストを使用することもできる。
【００３５】
本発明に係わる第１樹脂層用現像液とは、第１樹脂層を溶解する溶液であり、使用する第１樹脂層の組成に見合った現像液を用いる。第１樹脂層にアルカリ可溶性の樹脂を用いた場合には、アルカリ水溶液が有用に使用され、例えば、ケイ酸アルカリ金属塩、アルカリ金属水酸化物、リン酸および炭酸アルカリ金属塩、リン酸および炭酸アンモニウム塩等の無機塩基性化合物の水溶液、エタノールアミン類、エチレンジアミン、プロパンジアミン類、トリエチレンテトラミン、モルホリン等の有機塩基性化合物等を用いることができる。また、第１樹脂層に光架橋性樹脂を使用した場合は、未硬化の光架橋性樹脂を除去するために光架橋性樹脂層用現像液が使用され、炭酸ナトリウム水溶液が好適に使用できる。現像液によって開口した後には、水洗や酸処理によって現像の進行を停止することができる。
【００３６】
本発明に係わる第２樹脂層は、第１樹脂層用現像液に対して不溶性または難溶性であり、電着法に使用可能な樹脂であればいずれであってもよい。第２樹脂層形成のための電着法には、第２樹脂層に用いられる樹脂を粒子状態で、液体に分散させた溶液を使用する。粒子は、正または負に帯電している。液体としては、水や電気絶縁性液体を使用することができる。水を使用した場合、第２樹脂層は、適当な酸価を有する高分子を主成分とし、有機アミン等で中和されて、水中において帯電したコロイド粒子を形成する。電気絶縁性液体を使用した場合、アクリル樹脂、酢酸ビニル樹脂、塩化ビニル樹脂、塩化ビニリデン樹脂、ポリビニルブチラールの様なビニルアセタール樹脂、ポリスチレン、ポリエチレン、ポリプロピレンおよびその塩化物、ポリエチレンテレフタレートやポリエチレンイソフタレート等のポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、ビニル変性アルキッド樹脂、ゼラチン、カルボキシメチルセルロース等のセルロースエステル誘導体等の樹脂が粒子状態で、電気絶縁性液体中に分散されている。粒子には電荷制御剤を含有させることができ、その荷電は、第２樹脂層形成時のバイアス電圧の正負に応じて正、負を使い分ける必要がある。このような電気絶縁性液体中に第２樹脂層形成用樹脂を分散させた液としては、電子写真用湿式トナーを好適に用いることができる。
【００３７】
第２樹脂層は、第１樹脂層を貼り付けた回路形成用基板に対向するように現像電極を設置し、該回路形成用基板と現像電極との間に、液体中に帯電した第２樹脂層を形成するための樹脂粒子を分散させた溶液を充填し、回路形成用基板の導電層を接地して、適正なバイアス電圧を印加することで樹脂粒子を付着することができる。例えば、特開２００４−１６３６０５号公報、特開２００２−１３２０４９号公報等に記載の現像装置を用いることができる。第２樹脂層の膜厚は、樹脂粒子の電荷および印加電圧、搬送速度、樹脂粒子分散液供給量を制御することで決定することができる。電着法によって付着した樹脂粒子は、加熱、圧力、光、溶剤等によって、第１樹脂層上に定着されて、第２樹脂層となる。この第２樹脂層をレジスト層として、第１樹脂層用現像液で、孔上の第１樹脂層を除去する。
【００３８】
第２樹脂層の除去方法は、第１樹脂層上から速やかに除去できれば、どのような方法であっても良いが、例えば、有機溶剤、アルカリ水溶液、酸性水溶液などの第２樹脂層用除去液を使用して溶解もしくは分解除去する方法がある。有機溶剤としては、例えば、キシレン、トルエン、炭酸プロピレン等を用いることができる。また、アルカリ水溶液としては、例えば、炭酸ナトリウム、珪酸ナトリウム、リン酸ナトリウム等の弱アルカリを用いることができる。酸性水溶液としては、例えば、硫酸、酢酸、塩酸、クエン酸、塩化アンモニウム水、過酸化水素水および銅イオン含有液、鉄イオン含有液等が挙げられる。また、テープ剥離法や研磨法等を用いることができる。
【００３９】
第１樹脂層用現像液によって孔上の第１樹脂層を除去する処理装置、及び第２樹脂層用除去液によって第２樹脂層を除去する処理装置としては、ブラッシング、高圧スプレー、浸漬、超音波装置等、何れであっても効果がある。
【００４０】
本発明に係わる、導電層にエッチングレジスト層を形成する方法としては、電着やめっきが使用できる。導電層を銅として、そのエッチングレジスト層としてめっき金属を利用する場合には、金、錫、錫−鉛系はんだ合金、ニッケル、錫−ニッケル合金、ニッケル−金合金、銀、亜鉛、パラジウム、ルテニウム、ロジウム等が利用できる。また、エッチングレジスト層に電着樹脂を用いることができる。
【００４１】
また、本発明に係わるエッチングレジスト層は、電着樹脂も使用することができる。この際、第１樹脂層用現像液および導電層のエッチング液に不溶性もしくは難溶性の電着樹脂を用いる。例えば、水溶性電着樹脂や電子写真に使用する湿式トナー樹脂を使用することができる。水溶性電着樹脂としては、適当な酸価を有する高分子を主成分とし、有機アミン等で中和されて、水分散性樹脂となり、水中において巨大な帯電したコロイド粒子を形成して成るものがある。電子写真に使用する湿式トナー樹脂の成分としては、電気絶縁性の液体中に分散された樹脂粒子が挙げられ、樹脂粒子の具体的な例は、アクリル樹脂、酢酸ビニル樹脂、塩化ビニル樹脂、塩化ビニリデン樹脂、ポリビニルブチラールの様なビニルアセタール樹脂、ポリスチレン、ポリエチレン、ポリプロピレンおよびその塩化物、ポリエチレンテレフタレートやポリエチレンイソフタレート等のポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、ビニル変性アルキッド樹脂、ゼラチン、カルボキシメチルセルロース等のセルロースエステル誘導体等が挙げられる。
【００４２】
また、本発明に係わるエッチングレジスト層を除去する方法は、エッチングレジスト層として、金属めっきエッチングレジストを使用した場合には、はんだ剥離用として市販されている、硝酸系、硫酸系、シアン系などの酸系の処理液により除去を行うことができる。錫めっきによりエッチングレジスト層を形成した場合には、錫めっき剥離専用処理液を用いてエッチングレジスト層を除去することができる。また、電着樹脂をエッチングレジスト層として使用した場合には、アルカリ性水溶液、有機溶剤等で除去することができる。
【００４３】
本発明の回路基板の製造方法において、光架橋性樹脂層の硬化部を除去する方法としては、高ｐＨのアルカリ性水溶液、有機溶剤等で除去する方法が挙げられる。具体的には、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、メタ珪酸ナトリウム等を含む強アルカリ水溶液、アルコール、ケトン等の有機溶剤を挙げることができる。
【００４４】
本発明に係わる導電層のエッチングまたはフラッシュエッチングに使用するエッチング液は、導電層を溶解除去できるものであればよい。例えば、アルカリ性アンモニア、硫酸−過酸化水素、塩化第二銅、過硫酸塩、塩化第二鉄等の一般的なエッチング液を使用できる。エッチングレジスト層として、金属めっきエッチングレジストを用いた場合、アルカリ性エッチング液が良好に使用できる。また、装置や方法としては、例えば、水平スプレーエッチング、浸漬エッチング等の装置や方法を使用できる。これらの詳細は、「プリント回路技術便覧」（社団法人日本プリント回路工業会編、日刊工業新聞社、１９８７年）に記載されている。
【００４５】
本発明に係わる露光処理方法としては、キセノンランプ、高圧水銀灯、低圧水銀灯、超高圧水銀灯、ＵＶ蛍光灯を光源とした反射画像露光、フィルムマスクを用いた片面、両面密着露光や、ＵＶレーザー光による走査露光によって所定のパターンを露光する。走査露光を行う場合には、Ｈｅ−Ｎｅレーザー、Ｈｅ−Ｃｄレーザー、アルゴンレーザー、クリプトンイオンレーザー、ルビーレーザー、ＹＡＧレーザー、窒素レーザー、色素レーザー、エキシマレーザー等のレーザー光源を発光波長に応じてＳＨＧ波長変換して走査露光する。あるいは液晶シャッター、マイクロミラーアレイシャッターを利用した走査露光によって露光することができる。
【００４６】
以下実施例によって本発明を更に詳しく説明するが、本発明はこの実施例に限定されるものではない。
【実施例１】
【００４７】
回路形成用基板の孔上の第１樹脂層を凸形状にした場合の樹脂付開口基板製造方法の実施例を説明する。表１の組成からなる塗布液を用い、厚さ２５μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（三菱化学ポリエステルフィルム製）上に、カーテンコート法を用いて、アルカリ可溶性樹脂からなるフィルム状の第１樹脂層（乾燥後のフィルム厚さ３０μｍ）を製造した。
【００４８】
【表１】
2008016710.tif 000003
【００４９】
絶縁性基板の両面に厚さ１２μｍの銅箔を張り合わせた銅張積層板（２００ｍｍ×２００ｍｍ×０．４ｍｍ）に、５０μｍの径の貫通孔を複数形成し、無電解銅めっき処理（奥野製薬（株）、ＯＰＣプロセスＭ）を実施し、表面および貫通孔内壁に約０．５μｍ厚の無電解銅めっき層を形成した。銅張積層板の銅箔と無電解めっき層とを併せて第１導電層とする。次に、ドライフィルム用ラミネーターを用いて１００℃予熱条件で、上記フィルム状の第１樹脂層を熱圧着した。
【００５０】
次に、キャリアフィルム（ポリエチレンテレフタレートフィルム）を剥離した後、４０℃３分４００ｈＰａの条件下で、孔上の第１樹脂層を凸形状に形成した。凸形状のトップの高さは、無電解銅めっき層上の第１樹脂層表面から３０μmまで高くなっていることを、キーエンスの超深度形状測定顕微鏡ＶＫ−８５００にて確認した。
【００５１】
次に、三菱ＯＰＣプリンティングシステム用正電荷トナー（三菱製紙（株）製、「ＯＤＰ−ＴＷ」、樹脂：酢酸ビニル系エマルジョン、分散媒：ＩＰソルベント１６２０（商品名、出光興産製）、樹脂濃度：１ｇ／Ｌ）を用いて、バイアス電圧＋３００Ｖを印加して、トナーを無電解銅めっき層上の第１樹脂層上に電着させた。続いて７０℃で２分間加熱してトナーを定着させ、第２樹脂層を得た。
【００５２】
次に、１質量％の炭酸ナトリウム水溶液（３０℃、スプレー圧０．２ＭＰａ）で６０秒間処理し、孔上の第１樹脂層を除去した。孔周囲を顕微鏡にて観察したところ、孔上の第１樹脂層を完全に除去でき、良好な樹脂付開口基板を作製することができた。
【実施例２】
【００５３】
回路形成用基板の孔上の第１樹脂層を凹形状にした場合の樹脂付開口基板製造方法の実施例を説明する。表１の組成からなる塗布液を用い、厚さ２５μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（三菱化学ポリエステルフィルム製）上に、カーテンコート法を用いて、アルカリ可溶性樹脂からなるフィルム状の第１樹脂層（乾燥後のフィルム厚さ３０μｍ）を製造した。
【００５４】
絶縁性基板の両面に厚さ１２μｍの銅箔を張り合わせた銅張積層板（２００ｍｍ×２００ｍｍ×０．４ｍｍ）に、５０μｍの径の貫通孔を複数形成し、無電解銅めっき処理（奥野製薬（株）、ＯＰＣプロセスＭ）を実施し、表面および貫通孔内壁に約０．５μｍ厚の無電解銅めっき層を形成した。銅張積層板の銅箔と無電解めっき層とを併せて第１導電層とする。次に、ドライフィルム用ラミネーターを用いて１００℃予熱条件で、上記フィルム状の第１樹脂層を熱圧着することにより第１樹脂層を形成した。
【００５５】
次に、キャリアフィルムを付けたまま１００℃３分の条件下に放置し、室温に冷却後、キャリアフィルムを剥離した。孔上の第１樹脂層を顕微鏡で観察したところ、凹形状に形成されていることが確認できた。凹形状の最大の深さは、無電解銅めっき層上の第１樹脂層表面から３５μmまで深くなっていることを、キーエンスの超深度形状測定顕微鏡ＶＫ−８５００にて確認した。
【００５６】
次に、三菱ＯＰＣプリンティングシステム用正電荷トナー（三菱製紙（株）製、「ＯＤＰ−ＴＷ」、樹脂：酢酸ビニル系エマルジョン、分散媒：ＩＰソルベント１６２０（商品名、出光興産製）、樹脂濃度：１ｇ／Ｌ）を用いて、バイアス電圧＋１００Ｖを印加して、トナーを無電解銅めっき層上の第１樹脂層上に電着させた。続いて７０℃で２分間加熱してトナーを定着させ、第２樹脂層を得た。
【００５７】
次に、１質量％の炭酸ナトリウム水溶液（３０℃、スプレー圧０．２ＭＰａ）で６０秒間処理し、孔上の第１樹脂層を除去した。孔周囲を顕微鏡にて観察したところ、孔上の第１樹脂層が完全に除去できており、良好な樹脂付開口基板が作製できた。
【実施例３】
【００５８】
本発明のセミアディティブ法を応用した場合の実施例を説明する。表２の組成からなる塗布液を用い、厚さ２５μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（三菱化学ポリエステルフィルム製）上に、カーテンコート法を用いて、フィルム状の光架橋性樹脂層（乾燥後のフィルム厚さ３０μｍ）を製造した。
【００５９】
【表２】
2008016710.tif 000004
【００６０】
絶縁性基板の両面に厚さ１２μｍの銅箔を張り合わせた銅張積層板（２００ｍｍ×２００ｍｍ×０．４ｍｍ）に、５０μｍの径の貫通孔を複数形成し、無電解銅めっき処理（奥野製薬（株）、ＯＰＣプロセスＭ）を実施し、表面および貫通孔内壁に約０．５μｍ厚の無電解銅めっき層を形成した。銅張積層板の銅箔と無電解めっき層とを併せて第１導電層とする。次に、ドライフィルム用ラミネーターを用いて１００℃予熱条件で、上記フィルム状の光架橋性樹脂層（第１樹脂層）を熱圧着した。
【００６１】
次に、キャリアフィルム（ポリエチレンテレフタレートフィルム）を剥離した後、４０℃３分３００ｈＰａの条件下で、孔上の光架橋性樹脂層を凸形状に形成した。凸形状のトップの高さは、無電解銅めっき層上の光架橋性樹脂層表面から５０μmまで高くなっていることを、キーエンスの超深度形状測定顕微鏡ＶＫ−８５００にて確認した。
【００６２】
次に、三菱ＯＰＣプリンティングシステム用正電荷トナー（三菱製紙（株）製、「ＯＤＰ−ＴＷ」、樹脂：酢酸ビニル系エマルジョン、分散媒：ＩＰソルベント１６２０（商品名、出光興産製）、樹脂濃度：１ｇ／Ｌ）を用いて、バイアス電圧＋３００Ｖを印加して、トナーを無電解銅めっき層上の光架橋性樹脂層上に電着させた。続いて７０℃で２分間加熱してトナーを定着させ、良好な第２樹脂層を得た。
【００６３】
次に、１質量％の炭酸ナトリウム水溶液（３０℃、スプレー圧０．２ＭＰａ）で６０秒間処理し、孔上の光架橋性樹脂層を除去した。孔周囲を顕微鏡にて観察したところ、孔上の光架橋性樹脂層が完全に除去できており、良好な樹脂付開口基板が作製できた。
【００６４】
次に、回路パターンを描画したフォトマスクを樹脂付開口基板上に載せ、吸引密着機構を有する焼付用高圧水銀灯光源装置（ユニレックＵＲＭ３００、ウシオ電機製）を用い、３０秒間紫外線パターン露光を行い、光架橋性樹脂層のうち光を照射した部分に硬化部を形成した。
【００６５】
次に、第２樹脂層をキシレンで除去し、次に、１質量％の炭酸ナトリウム水溶液（３０℃、スプレー圧  ０．２ＭＰａ）で３０秒間処理し、未硬化の光架橋性樹脂層を除去し、未硬化の光架橋性樹脂層下の無電解めっき層を露出した。次に露出している無電解めっき層上に、電解めっきを行って厚さ１５μmの第２導電層としての電解銅めっき層を形成した。次に、水酸化ナトリウム水溶液（４０℃、スプレー圧  ３．０ｋｇ／ｃｍ２）で処理し、光架橋性樹脂層の硬化部を除去した。
【００６６】
次に、硫酸−過酸化水素系のエッチング液（３０℃、スプレー圧  ０．２ＭＰａ）で処理し、露出している無電解めっき層と、その下の銅張積層板の銅箔を除去した。得られた回路基板を顕微鏡で観察したところ、孔とランドが同心円状に形成されており、配線部の断線欠陥がなく、良好な回路基板が作製できた。
【実施例４】
【００６７】
本発明の回路基板の製造方法（３）のサブトラクティブ法を応用した実施例を説明する。表１の組成からなる塗布液を用い、厚さ２５μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（三菱化学ポリエステルフィルム製）上に、カーテンコート法を用いて、フィルム状の第１樹脂層（乾燥後のフィルム厚さ３０μｍ）を製造した。
【００６８】
絶縁性基板の両面に厚さ１２μｍの銅箔を張り合わせた銅張積層板（２００ｍｍ×２００ｍｍ×０．４ｍｍ）に、９０μｍの径の貫通孔を複数形成し、無電解銅めっき処理および電解めっき処理（奥野製薬（株）、ＯＰＣプロセスＭ）を実施し、表面および貫通孔内壁に約２０μｍ厚の銅めっき層を形成した。銅張積層板の銅箔と無電解めっき層とを併せて第１導電層とする。次に、ドライフィルム用ラミネーターを用いて１００℃予熱条件で、上記フィルム状の第１樹脂層を熱圧着することにより第１樹脂層を形成した。
【００６９】
次に、キャリアフィルム（ポリエチレンテレフタレートフィルム）を剥離した後、４０℃２分６００ｈＰａの条件下で、孔上の第１樹脂層を凸形状に形成した。凸形状のトップの高さは、銅めっき層上の第１樹脂層表面から１５μmまで高くなっていることをキーエンスの超深度形状測定顕微鏡ＶＫ−８５００にて確認した。
【００７０】
次に、三菱ＯＰＣプリンティングシステム用正電荷トナー（三菱製紙（株）製、「ＯＤＰ−ＴＷ」、樹脂：酢酸ビニル系エマルジョン、分散媒：ＩＰソルベント１６２０（商品名、出光興産製）、樹脂濃度：１ｇ／Ｌ）を用いて、バイアス電圧＋３００Ｖを印加して、トナーを銅めっき層上の第１樹脂層上に電着させた。続いて７０℃で２分間加熱してトナーを定着させ、良好な第２樹脂層を得た。
【００７１】
次に、１質量％の炭酸ナトリウム水溶液（３０℃、スプレー圧０．２ＭＰａ）で６０秒間処理し、孔上の第１樹脂層を除去した。孔周囲を顕微鏡にて観察したところ、孔上の第１樹脂層が完全に除去できており、良好な樹脂付開口基板が作製できた。
【００７２】
次に、エッチングレジスト層形成のために、電解錫めっき液（メルテックス社製ソルダロンＳＮ−２６７０）を用いた電解めっきにより、露出している銅めっき層表面に錫めっきをエッチングレジスト層として形成した。
【００７３】
次に、第２樹脂層をキシレンで除去し、次に、１質量％の炭酸ナトリウム水溶液で処理し、第１樹脂層を除去した。
【００７４】
次に、１５μｍ厚の光架橋性樹脂層よりなる回路形成用ドライフィルムフォトレジストを基板の両面に熱圧着した。配線パターンを描画したフォトマスクを基板に載せ、吸引密着機構を有する焼付用高圧水銀灯光源装置（ユニレックＵＲＭ３００、ウシオ電機製）を用いて、３０秒間紫外線パターン露光を行い、光架橋した硬化部を形成した。その後、両面の支持体フィルムを除去した後、１質量％炭酸ナトリウム水溶液（３０℃）のアルカリ現像処理を行って未硬化の光架橋性樹脂層を除去した。この結果、基板両面に光架橋硬化した光架橋性樹脂からなるエッチングレジスト層（硬化部）が形成された。また、銅めっき層のうち、未硬化の光架橋性樹脂層の下にあった部分が露出された。
【００７５】
次に、エッチング液としてアンモニアアルカリエッチャント(メルテックス社製エープロセス)を用いて、露出した銅めっき層の除去を行った。その後、硬化した光架橋性樹脂からなるエッチングレジスト層の除去を３質量％水酸化ナトリウム水溶液（３０℃）を用いて行った。続いて、銅めっき層上の錫めっきを、錫めっき剥離専用処理液（メルテックス社製エンストリップＴＬ）を用いて剥離し、回路基板を得た。得られた回路基板を顕微鏡で観察したところ、孔とランドが同心円状に形成されており、配線部の断線欠陥がなく、良好な回路基板が作製できた。
【実施例５】
【００７６】
本発明の回路基板の製造方法（４）のサブトラクティブ法を応用した実施例を説明する。表２の組成からなる塗布液を用い、厚さ２５μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（三菱化学ポリエステルフィルム製）上に、カーテンコート法を用いて、フィルム状の光架橋性樹脂層（乾燥後のフィルム厚さ３０μｍ）を製造した。
【００７７】
絶縁性基板の両面に厚さ１２μｍの銅箔を張り合わせた銅張積層板（２００ｍｍ×２００ｍｍ×０．４ｍｍ）に、９０μｍの径の貫通孔を複数形成し、無電解銅めっき処理および電解めっき処理（奥野製薬（株）、ＯＰＣプロセスＭ）を実施し、表面および貫通孔内壁に約２０μｍ厚の銅めっき層を形成した。銅張積層板の銅箔と無電解めっき層とを併せて第１導電層とする。次に、ドライフィルム用ラミネーターを用いて１００℃予熱条件で、上記フィルム状の光架橋性樹脂層を熱圧着した。
【００７８】
次に、キャリアフィルム（ポリエチレンテレフタレートフィルム）を剥離した後、３０℃３分５００ｈＰａの条件下で、孔上の光架橋性樹脂層を凸形状に形成した。凸形状のトップの高さは、銅めっき層上の光架橋性樹脂層表面から３０μmまで高くなっていることをキーエンスの超深度形状測定顕微鏡ＶＫ−８５００にて確認した。
【００７９】
次に、三菱ＯＰＣプリンティングシステム用正電荷トナー（三菱製紙（株）製、「ＯＤＰ−ＴＷ」、樹脂：酢酸ビニル系エマルジョン、分散媒：ＩＰソルベント１６２０（商品名、出光興産製）、樹脂濃度：１ｇ／Ｌ）を用いて、バイアス電圧＋３００Ｖを印加して、トナーを銅めっき層上の光架橋性樹脂層上に電着させた。続いて７０℃で２分間加熱してトナーを定着させ、良好な第２樹脂層を得た。
【００８０】
次に、１質量％の炭酸ナトリウム水溶液（３０℃、スプレー圧０．２ＭＰａ）で６０秒間処理し、孔上の光架橋性樹脂層を除去した。孔周囲を顕微鏡にて観察したところ、孔上の光架橋性樹脂層が完全に除去できており、良好な樹脂付開口基板が作製できた。
【００８１】
次に、回路パターンを描画したフォトマスクを樹脂付開口基板上に載せ、吸引密着機構を有する焼付用高圧水銀灯光源装置（ユニレックＵＲＭ３００、ウシオ電機製）を用い、３０秒間紫外線パターン露光を行い、光架橋性樹脂層のうち光を照射した部分に硬化部を形成した。
【００８２】
次に、第２樹脂層をキシレンで除去し、次に、１質量％の炭酸ナトリウム水溶液（３０℃、スプレー圧  ０．２ＭＰａ）で３０秒間処理し、未硬化の光架橋性樹脂層を除去した。次に、エッチングレジスト層形成のために、電解錫めっき液（メルテックス社製ソルダロンＳＮ−２６７０）を用いた電解めっきにより、露出している銅めっき層表面に錫めっきをエッチングレジスト層として形成した。
【００８３】
次に、硬化した光架橋性樹脂層を３質量％水酸化ナトリウム水溶液（３０℃）を用いて除去した。次に、エッチング液としてアンモニアアルカリエッチャント(メルテックス社製エープロセス)を用いて、硬化した光架橋性樹脂層を除去したことにより露出した銅めっき層の除去を行った。次に、銅めっき層上の錫めっきを、錫めっき剥離専用処理液（メルテックス社製エンストリップＴＬ）を用いて剥離し、回路基板の製造を行った。得られた回路基板を顕微鏡で観察したところ、孔とランドが同心円状に形成されており、配線部の断線欠陥がなく、良好な回路基板が作製できた。
【００８４】
（比較例）
表１の組成からなる塗布液を用い、厚さ２５μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（三菱化学ポリエステルフィルム製）上に、カーテンコート法を用いて、アルカリ可溶性樹脂からなるフィルム状の第１樹脂層（乾燥後のフィルム厚さ３０μｍ）を製造した。
【００８５】
絶縁性基板の両面に厚さ１２μｍの銅箔を張り合わせた銅張積層板（２００ｍｍ×２００ｍｍ×０．４ｍｍ）に、５０μｍの径の貫通孔を複数形成し、無電解銅めっき処理（奥野製薬（株）、ＯＰＣプロセスＭ）を実施し、表面および貫通孔内壁に約０．５μｍ厚の銅めっき層を形成した。次に、ドライフィルム用ラミネーターを用いて１００℃予熱条件で、上記フィルム状の第１樹脂層を熱圧着した。
【００８６】
次に、キャリアフィルム（ポリエチレンテレフタレートフィルム）を剥離した。凸形状または凹形状の形成は行わなかった。次に、三菱ＯＰＣプリンティングシステム用正電荷トナー（三菱製紙（株）製、「ＯＤＰ−ＴＷ」、樹脂：酢酸ビニル系エマルジョン、分散媒：ＩＰソルベント１６２０（商品名、出光興産製）、樹脂濃度：１ｇ／Ｌ）を用いて、バイアス電圧＋３００Ｖを印加して、トナーを銅めっき層上の第１樹脂層上に電着させた。続いて７０℃で２分間加熱してトナーを定着させ、第２樹脂層を得た。
【００８７】
次に、１質量％の炭酸ナトリウム水溶液（３０℃、スプレー圧０．２ＭＰａ）で６０秒間処理し、孔上の第１樹脂層を除去した。孔周囲を顕微鏡にて観察したところ、基板の一部で孔上の第１樹脂層上にも第２樹脂層が形成され、開口不良が発生していた。
【産業上の利用可能性】
【００８８】
本発明は、プリント配線板、半導体装置等の回路基板の製造方法に利用することができる。本発明の回路基板の製造方法に含まれる一連の工程で得られた樹脂付開口基板に対して、穴埋めインク工程、導電性インク充填工程、電着工程、金属めっき工程、レジスト形成工程、エッチング工程を、適宜組み合わせた一連の工程を行うことで、孔とランドの位置ずれの発生のない回路基板を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００８９】
【図１】本発明の回路基板の製造方法の一工程を表す断面図。
【図２】本発明の回路基板の製造方法の一工程を表す断面図。
【図３】本発明の回路基板の製造方法の一工程を表す断面図。
【図４】本発明の回路基板の製造方法の一工程を表す断面図。
【図５】本発明の回路基板の製造方法の一工程を表す断面図。
【図６】本発明の回路基板の製造方法の一工程を表す断面図。
【図７】本発明の回路基板の製造方法の一工程を表す断面図。
【図８】本発明の回路基板の製造方法の一工程を表す断面図。
【図９】本発明の回路基板の製造方法の一工程を表す断面図。
【図１０】本発明の回路基板の製造方法の一工程を表す断面図。
【図１１】本発明の回路基板の製造方法の一工程を表す断面図。
【図１２】本発明の回路基板の製造方法の一工程を表す断面図。
【図１３】本発明の回路基板の製造方法の一工程を表す断面図。
【図１４】本発明の回路基板の製造方法の一工程を表す断面図。
【図１５】本発明の回路基板の製造方法の一工程を表す断面図。
【図１６】本発明の回路基板の製造方法の一工程を表す断面図。
【図１７】本発明の回路基板の製造方法の一工程を表す断面図。
【図１８】本発明の回路基板の製造方法の一工程を表す断面図。
【図１９】本発明の回路基板の製造方法の一工程を表す断面図。
【図２０】本発明の回路基板の製造方法の一工程を表す断面図。
【図２１】本発明の回路基板の製造方法の一工程を表す断面図。
【図２２】本発明の回路基板の製造方法の一工程を表す断面図。
【図２３】本発明の回路基板の製造方法の一工程を表す断面図。
【図２４】本発明の回路基板の製造方法の一工程を表す断面図。
【図２５】本発明の回路基板の製造方法の一工程を表す断面図。
【図２６】本発明の回路基板の製造方法の一工程を表す断面図。
【図２７】本発明の回路基板の製造方法の一工程を表す断面図。
【図２８】本発明の回路基板の製造方法の一工程を表す断面図。
【図２９】本発明の回路基板の製造方法の一工程を表す断面図。
【図３０】本発明の回路基板の製造方法の一工程を表す断面図。
【図３１】本発明の回路基板の製造方法の一工程を表す断面図。
【図３２】本発明の回路基板の製造方法の一工程を表す断面図。
【図３３】第二樹脂層形成工程の最の樹脂粒子の電気泳動の概念図。
【図３４】孔上の第１樹脂層表面と表面導電層上の第１樹脂層表面の静電容量の差異を表す概念図。
【図３５】孔上の第１樹脂層が平滑形状の場合の電気力線の概念図。
【図３６】孔上の第１樹脂層が凹形状の場合の電気力線の概念図。
【図３７】貫通孔および／または非貫通孔を有する回路基板の一例を表す断面図。
【図３８】孔とランドを表した概略図。
【図３９】孔とランドの位置ずれを表した概略図。
【符号の説明】
【００９０】
１  絶縁性基板
２  第１導電層
３  孔
５  孔上を除去した第１樹脂層
５ａ  第１樹脂層
５ｂ  孔上を凸形状に成形した第１樹脂層
５ｃ  孔上を凹形状に成形した第１樹脂層
６  第２導電層
７  硬化部
８  第２樹脂層
１０  エッチングレジスト層
１１  光架橋性樹脂層
１２  導電層、表面導電層
１４  現像電極
１５  樹脂粒子
１６  表面導電層上の第１樹脂層表面と表面導電層表面との距離ｄＳ
１７  孔上の第１樹脂層表面と表面導電層表面との距離ｄＨ
１９  電気力線
２０  スルーホール
２１  バイアホール
２２  インタースティシャルバイアホール
２３  ランド
１００  回路形成用基板
１１０  樹脂付開口基板
１２０、１３０、１４０  回路基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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