(57)【要約】【課題】本発明は、補助配線形成用積層体と透明導電膜とのパターニングを効率よく実施するために、フォトリソグラフ法により透明導電膜にパターニングを施す際に、透明導電膜用のエッチャントに対する補助配線の腐食を抑制して、補助配線および透明補助配線付き電極基体を得る製造方法の提供。【解決手段】基体上に透明導電膜とパターン化された補助配線とを有する基体に対して、フォトリソグラフ法により透明導電膜に平面状にパターニングを施す補助配線付き電極基体の製造方法において、前記補助配線は、ＡｌまたはＡｌ合金を主成分とする導体層およびキャップ層を基体側からこの順に含み、フォトレジストにより被覆されていない前記補助配線の幅方向の露出が４μｍ以下であって、かつ前記透明導電膜のエッチングに用いるエッチャントは非酸化性の酸であることを特徴とする補助配線付き電極基体の製造方法。【選択図】図２
2008243451.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体上に透明導電膜とパターン化された補助配線とを有する基体に対して、フォトリソグラフ法により透明導電膜に平面状にパターニングを施す補助配線付き電極基体の製造方法において、
前記補助配線は、ＡｌまたはＡｌ合金を主成分とする導体層およびキャップ層を基体側からこの順に含み、
フォトレジストにより被覆されていない前記補助配線の幅方向の露出が４μｍ以下であって、
かつ前記透明導電膜のエッチングに用いるエッチャントは非酸化性の酸であることを特徴とする補助配線付き電極基体の製造方法。
【請求項２】
前記非酸化性の酸が臭化水素酸および／または塩酸を主成分とすることを特徴とする請求項１に記載の補助配線付き電極基体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネセンス（有機ＥＬ）ディスプレィなどのフラットパネルディスプレィ用電極配線として好適に用いられる補助配線付き電極基体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の高度情報化に伴って、フラットパネルディスプレィの需要がますます高まっている。最近、自己発光型で低電圧駆動が可能な有機ＥＬディスプレィが、高速応答性、視認性、輝度などの点で従来のＬＣＤやＰＤＰに比べ格段に優れていることから、次世代のディスプレィとして特に注目されている。有機ＥＬ素子は、基本的には、錫ドープ酸化インジウム（以下、ＩＴＯともいう）の透明電極（陽極）と金属電極（陰極）の間に、陽極側から正孔輸送層、発光層、電子輸送層などの有機質層が形成された構造をしている。近年のカラー化や高精細化には、ＩＴＯ層のさらなる低抵抗化が必要であるが、ＬＣＤなどに従来から用いられているＩＴＯ層の低抵抗化は既に限界に近づいている。そこで、ＡｌやＡｌ合金などの低抵抗金属を補助配線とし、ＩＴＯ層からなる透明電極と組み合わせることにより、実質的に素子回路の低抵抗化を実現している。
【０００３】
ところで、ＡｌまたはＡｌ合金は低抵抗ではあるが、ヒロックが発生しやすい問題や他の金属と電気的コンタクトが取りにくいという問題があり、一般的にはＡｌまたはＡｌ合金の上下、またはそのどちらか一方に下地層やキャップ層が形成されて使用されている（例えば、特許文献１および２参照。）。特に、ＡｌまたはＡｌ合金が透明導電膜と直接接する場合には、下地層やキャップ層を形成することが好ましい。
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−３１１９５４号公報
【特許文献２】特開２００４−１５８４４２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
また、透明導電膜用のエッチャントは、ＡｌまたはＡｌ合金を含む金属で形成された補助配線を腐食させる。従って、透明導電膜の上に、ＡｌまたはＡｌ合金を形成する構成のときには、一般的に、透明導電膜を成膜、パターニングして透明電極を形成し、次いでＡｌ系の膜（下地層などを含む）を成膜、パターニングして補助配線を形成するという工程で製造されている。したがって、２回のパターニングの間に成膜工程が必要となり、生産性が悪いという問題がある。上記問題を解決するため、ＡｌやＡｌ合金などの金属で補助配線を形成して補助配線付き基体を得た後、ＩＴＯ層等の透明導電膜をパターニングして透明電極を形成することが望ましく、ＩＴＯ層等の透明導電膜をパターニングする際、補助配線をレジストで覆うことで補助配線を透明導電膜用のエッチャントから保護する方法が存在する。
【０００６】
しかし、実際の製造工程において、レジストで補助配線を完全に被覆することは困難であり、結果的に補助配線を完全に保護することは困難であった。レジストの被覆が不十分なところでは、透明導電膜のパターニングの際に透明導電膜用のエッチャントにより補助配線が腐食し、配線抵抗を増大させて、結果信頼性が低下する問題があった。
【０００７】
本発明は、透明導電膜用のエッチャントに対する補助配線の腐食を抑制することにより、補助配線形成用積層体と透明導電膜とのパターニングを効率よく実施できる、補助配線およびパターニングされた透明導電膜とが形成された基体、即ち、透明補助配線付き電極基体（以下、単にパターニング付き基体という。）を得る製造方法の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の目的を達成するために、本発明は、基体上に透明導電膜とパターン化された補助配線とを有する基体を、フォトリソグラフ法により透明導電膜に平面状にパターニングを施す補助配線付き電極基体の製造方法において、前記補助配線は、ＡｌまたはＡｌ合金を主成分とする導体層およびキャップ層を基体側からこの順に含み、フォトレジストにより被覆されていない前記補助配線の幅方向の露出が４μｍ以下であって、かつ前記透明導電膜のエッチングに用いるエッチャントは非酸化性の酸であることを特徴とする補助配線付き電極基体の製造方法を提供する。
【０００９】
本発明において、前記非酸化性の酸が臭化水素酸および／または塩酸を主成分とすることが好ましい。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の補助配線付き電極基体の製造方法は、フォトリソグラフ法により前記透明導電膜にパターニングを施す際に、フォトレジストにより被覆されていない前記補助配線の幅方向の露出を４μｍ以下として、かつ前記透明導電膜のエッチングに用いるエッチャントを非酸化性の酸とすることにより、ＡｌまたはＡｌ合金を含む金属からなる補助配線の腐食が抑制され、配線抵抗を増大させることがない。したがって、効率よく、信頼性の高い補助配線付き電極基体を製造できる。特に、素子寿命の長期化や発光特性の向上という要求が厳しい有機ＥＬディスプレィ等のフラットディスプレィでは、配線の低抵抗化が望まれるため、本発明により得られる補助配線付き電極基体は極めて有用である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
図１〜３を用いて本発明の補助配線付き電極基体の製造方法について詳細に説明する。図１は本発明の製造方法によって製造された補助配線付き電極基体を用いた有機ＥＬ素子の１例を示す一部切り欠き正面図であり、図２は図１のＡ−Ａ線での断面図であり、図３は図１のＢ−Ｂ線での断面図である。補助配線付き電極基体は、ガラス基板１上に透明電極３を有し、透明電極３上にパターン化された下地層２ａ、導体層２ｂおよびキャップ層２ｃを含む補助配線２を有している。
【００１２】
本実施の形態では、ガラス基板１上に透明導電膜および積層体をこの順で形成後、まず積層体をパターニングし、その後透明導電膜をパターニングする方法について説明するが、本発明は、ガラス基板１上に補助配線２を形成し、次いで、そのガラス基板１上に透明導電膜を形成後、透明導電膜をパターニングして得られる補助配線付き電極基板の製造方法に関しても有用することができる。なお、その場合、本実施例の下地層２ａは省略できる。
【００１３】
補助配線付き基体を形成後、正孔輸送層、発光層、電子輸送層を有する有機質層４を、透明電極３の上に形成する。カソードセパレータ（隔壁）を有する場合は、有機質層４の真空蒸着を行う前に、隔壁をフォトリソグラフにより形成する。カソード背面電極であるＡｌ陰極５は、補助配線２、透明導電膜３、有機質層４が形成された後、透明電極３と直交するように、真空蒸着により形成する。次に、破線で囲まれた部分を樹脂封止して封止缶６とすることで有機ＥＬ素子を形成する。
【００１４】
上記のような補助配線付き電極基体を形成する場合、図１〜３のとおり補助配線２と透明電極３とは異なったパターンを有するため、別々にパターニングをせざるをえない。その場合、まず透明導電膜をガラス基板１全面に形成し、所望の形状にパターニングした後、補助配線２の前駆体である積層体を形成しさらに積層体を所望の形状にパターニングして補助電極２を作成する方法が考えられる。しかし、この方法では、２回のパターニングの間に成膜工程を挿入せざるを得ず、生産性や物流などの点で問題がある。
【００１５】
生産性向上のため、ガラス基板１上に透明導電膜および積層体を形成後、まず積層体をパターニングし、その後透明導電膜をパターニングする方法が考えられる。この方法では、成膜を連続して行った後に各パターニングを行うことができるため、生産性の向上を図ることが可能である。透明導電膜を先にパターニングする方法では、パターニング時に補助配線２が存在しないため、透明導電膜用のエッチャントに対する補助配線２の耐久性等を考慮する必要性は生じない。しかし、前述したような、まずガラス基板１上に透明導電膜および積層体を形成する方法では、透明導電膜のパターニング時に補助配線２が存在するため、透明導電膜用のエッチャントにパターニングされた補助配線２がさらされることとなる。
【００１６】
透明導電膜用エッチャントとしては、酸化性の酸と非酸化性の酸との２種が一般的に使用されている。一般的に、透明導電膜用エッチャントの内、酸化性の酸では、補助電極２中の全ての層が腐食することが多いが、非酸化性の酸では、下地層２ａおよびキャップ層２ｃの腐食は生じないことが多い。導体層２ｂは、酸化性、非酸化性にかかわらず透明導電膜用のエッチャントによって腐食する可能性が高い。
【００１７】
補助配線２の腐食を防止するため、透明導電膜をフォトリソグラフ法によりパターニングをする際に、レジストで補助配線２を覆うことで、透明導電膜用のエッチャントに補助配線２がさらされないようにすることも可能である。しかし、レジストに欠点がある可能性も否定できない。また、レジストが目的とする場所からずれることも考えられ、その場合、補助配線のエッジの片側がレジストに被覆されずに露出する。レジストの欠点や位置ずれに伴う補助配線の露出が存在すると、そこから透明導電膜用エッチャントが浸透する問題がある。特に、レジストの欠点が補助配線２の断面部に近いときには、下地層２ａ、導体層２ｂおよびキャップ層２ｃの全てが透明導電膜用エッチャントにさらされ、補助配線の抵抗増大の問題が生じる可能性がある。
【００１８】
本発明は、フォトリソグラフ法により透明導電膜にパターニングを施す際に、透明導電膜のエッチングに用いるエッチャントを非酸化性の酸とすることにより、基体に形成された補助配線２の腐食や補助配線の抵抗の増大を防止できる。
【００１９】
補助配線の断面部ではＡｌまたはＡｌ合金が露出している。通常、ＡｌまたはＡｌ合金層は非酸化性の酸によって腐食するが、フォトレジストにより被覆されていない補助配線２の幅方向の露出を４μｍ以下とし、かつ非酸化性の酸を用いることによりＡｌまたはＡｌ合金層は腐食されない。これは、フォトレジストで被覆されていない補助配線２が非酸化性の酸にさらされた場合、補助配線２の断面のＡｌまたはＡｌ合金層がアノード、補助配線２の表層（キャップ層２ｃ）がカソードとして腐食が進行すると考えられる。しかし、フォトリソグラフ法により透明導電膜にパターニングを施す場合は、フォトレジストによりカソードであるキャップ層を被覆するので、カソード反応が低減し、その結果アノード反応も低減、結果としてＡｌまたはＡｌ合金の腐食が抑制されると考えられる。被覆されていない補助配線２の幅方向の露出は４μｍ以下であることが好ましい。フォトレジストにより被覆されていない補助配線２の幅方向の露出が４μｍを超えるとカソード反応を抑制する効果が低減するので、ＡｌまたはＡｌ合金層は腐食を生じ、補助配線２の抵抗を増大させるおそれがある。
【００２０】
非酸化性の酸のエッチャントとしては、塩酸、臭化水素酸、または塩酸と臭化水素酸の混酸などが挙げられる。なお、非酸化性の酸とは、酸化剤が1質量％以下である酸を示す。
【００２１】
導体層２ｂは、ＡｌまたはＡｌ合金を主成分とする層であり、ＡｌまたはＡｌ合金が、導体層２ｂ中に９０質量％以上、特に９５質量％以上であることが好ましい。導体層２ｂには、不純物としてＴｉ、Ｍｎ、Ｓｉ、Ｎａ、Ｏが含有されていてもよく、その含有量は合計で５質量％以下、特に１質量％以下であることが好ましい。Ａｌ合金としては、Ａｌ−Ｎｄ合金であることが、配線を低抵抗に保持したまま、ヒロックを発生しにくくすることができる点で好ましい。なお、本発明において「主成分」とは、含有量が５０質量％または５０原子％超であることを意味する（以下同様とする。）。
【００２２】
導体層２ｂの材料をＡｌ−Ｎｄ合金を主成分とした場合、導体層２ｂの表面粗度が低下し、キャップ層２ｃによる被覆性がよくなり、導体層２ｂの露出が抑えられるので、補助配線２のＩＴＯのエッチャントに対する耐久性や耐アルカリ性をさらに向上させることができる。Ａｌ−Ｎｄ合金を主成分とした場合、導体層２ｂのＡｌ含有率は、配線の抵抗を低くする点から、導体層２ｂの全成分に対して９７〜９９．９原子％であることが好ましく、Ｎｄ含有率は導体層２ｂ全成分に対して０．１〜３原子％であることが好ましい。Ｎｄ含有率が高くなるほど、成膜直後の抵抗が増大するが、有機ＥＬ表示素子などにおいては、一般的に補助配線２形成後に表示素子形成のための熱処理を行う必要があり、成膜後に熱処理を行うことにより、Ａｌと同等の抵抗まで低下させることができる。Ｎｄ含有率が０．１原子％より少ないと耐ヒロック性が充分でなく、３原子％を超えると、熱処理後の抵抗がＡｌの抵抗よりも増大する。
【００２３】
導体層２ｂの膜厚は、充分な導電性や良好なパターニング性が得られるように１００〜５００ｎｍであることが好ましく、１５０〜４００ｎｍであることがより好ましい。
【００２４】
キャップ層２ｃは、特に限定されないが、ＭｏまたはＭｏ合金を主成分とする層であることが好ましい。ＭｏまたはＭｏ合金を主成分とした場合、キャップ層２ｃは、導体層２ｂであるＡｌまたはＡｌ合金を主成分とする層と同じエッチャントでほぼ同じ速度でエッチングすることができ、キャップ層２ｃと導体層２ｂとが一括してパターニングすることが可能となるからである。また、ＭｏまたはＭｏ合金を主成分とするキャップ層２ｃは、透明導電膜用の酸化剤を含まないエッチャントに対して耐性が高いので、透明導電膜をフォトリソグラフ法によりパターニングする際に、透明導電膜用の酸化剤を含まないエッチャントを用いる場合、キャップ層２ｃが腐食しないという利点もある。また、キャップ層２ｃ中のＭｏまたはＭｏ合金の含有率は、９０〜１００原子％であることが好ましい。
【００２５】
Ｍｏ合金を用いる場合は、Ｎｉ−ＭｏまたはＭｏ−Ｎｂ合金であることが好ましい。Ｎｉ−ＭｏまたはＭｏ−Ｎｂ合金は耐湿性が優れるので、得られた補助配線付き補助配線付き電極基体を用いた電子装置の信頼性を向上させることができる。Ｎｉ−ＭｏまたはＭｏ−Ｎｂ合金を用いた場合、キャップ層２ｃのエッチング速度は、エッチャントの種類に応じてＮｉとＭｏまたはＭｏとＮｂの組成比を変えて、容易に調整することができる。Ｎｉに対するＭｏの比率、Ｎｂに対するＭｏの比率が大きい方が、該速度が速くなる。
【００２６】
キャップ層２ｃがＮｉ−Ｍｏ合金層を主成分とする場合、キャップ層２ｃ中のＮｉ含有率は、全成分に対して好ましくは３０〜９５原子％、より好ましくは６５〜８５原子％である。Ｎｉ含有率が３０原子％未満であると２ｃの耐湿性が充分でなく、９５原子％を超えるとエッチング速度が遅く、導体層２ｂのエッチング速度と同程度に調整することが困難になる。またキャップ層２ｃのＭｏの含有率は、キャップ層２ｃ全成分に対して好ましくは５〜７０原子％、より好ましくは１５〜３５原子％である。Ｍｏの含有率が５原子％未満であるとキャップ層２ｃのエッチング速度が遅く、導体層２ｂのエッチング速度と同程度に調整することが困難になり、７０原子％を超えるとキャップ層２ｃの耐湿性が充分でなくなる。キャップ層２ｃ中のＮｉおよびＭｏの合計含有率はキャップ層２ｃ全成分の９０〜１００原子％であることが好ましい。
【００２７】
キャップ層２ｃがＮｉ−Ｍｏ合金を主成分とする場合、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、Ａｌなどの金属を１種以上で、エッチング性などを劣化させない範囲、例えば、１０原子％以下でキャップ層２ｃ中に含有していてもよい。
【００２８】
前記キャップ層２ｃの膜厚は、導体層２ｂを保護するバリア膜としての機能およびパターニング性の観点から１０〜２００ｎｍが好ましく、１５〜６０ｎｍがより好ましい。
【００２９】
下地層２ａは、特に限定されないが、ＭｏまたはＭｏ合金を主成分とする層であることが好ましい。ＭｏまたはＭｏ合金を主成分とした場合、下地層２ａは、導体層２ｂであるＡｌまたはＡｌ合金を主成分とする層と同じエッチャントでほぼ同じ速度でエッチングすることができるからであり、下地層２ａと導体層２ｂとを一括してパターニングすることが可能となるからである。また、ＭｏまたはＭｏ合金を主成分とした場合、下地層２ａは、透明導電膜用の酸化剤を含まないエッチャントに対して耐性が高いので、透明導電膜をフォトリソグラフ法によりパターニングする際に、酸化剤を含まないエッチャントを用いる場合には、下地層２ａが腐食しないという利点もある。下地層２ａ中のＭｏまたはＭｏ合金の含有率は、下地層２ａ全成分に対して９０〜１００原子％であることが好ましい。
【００３０】
Ｍｏ合金は、Ｎｉ−ＭｏまたはＭｏ−Ｎｂ合金であることが好ましい。Ｎｉ−ＭｏまたはＭｏ−Ｎｂ合金は耐湿性が優れるので、得られた配線付き基体を用いた電子装置の信頼性を向上させることができる。Ｎｉ−ＭｏまたはＭｏ−Ｎｂ合金を主成分とした場合、下地層２ａのエッチング速度は、エッチャントの種類に応じてＮｉとＭｏ、またはＭｏとＮｂ組成比を変えて、容易に調整することができる。Ｎｉに対するＭｏの比率が大きい方が、該速度が速くなる。Ｎｂに対するＭｏの比率が大きい方が、該速度が速くなる。
【００３１】
下地層２ａがＮｉ−Ｍｏ合金を主成分とする層である場合、下地層２ａ中のＮｉ含有率は、下地層２ａ全成分に対して好ましくは３０〜９５原子％、より好ましくは６５〜８５原子％である。Ｎｉ含有率が３０原子％未満であるとＮｉ−Ｍｏ合金を主成分とする層の耐湿性が充分でなく、９５原子％を超えるとエッチング速度が遅く、導体層２ｂのエッチング速度と同程度に調整することが困難になる。またＮｉ−Ｍｏ合金を主成分とする層のＭｏの含有率は、下地層２ａ全成分に対して好ましくは５〜７０原子％、より好ましくは１５〜３５原子％である。Ｍｏの含有率が５原子％未満であると下地層２ａのエッチング速度が遅く、導体層２ｂのエッチング速度と同程度に調整することが困難になり、７０原子％を超えるとＮｉ−Ｍｏ合金を主成分とする層の耐湿性が充分でなくなる。下地層２ａ中の下地層２ａ全成分に対するＮｉおよびＭｏの合計含有率は９０〜１００原子％であることが好ましい。
【００３２】
下地層２ａがＮｉ−Ｍｏ合金を主成分とする層である場合、耐湿性向上等の目的で、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、Ａｌなどの金属を１種以上、エッチング性などを劣化させない範囲、例えば、１０原子％以下で下地層２ａ中に含有していてもよい。
【００３３】
前記下地層２ａの膜厚は、導体層２ｂを保護するバリア膜としての機能およびパターニング性の観点から１０〜２００ｎｍが好ましく、１５〜６０ｎｍがより好ましい。
【００３４】
前記下地層２ａ、導体層２ｂおよびキャップ層２ｃはスパッタ法により形成されることが耐食性および生産性の点で好ましい。また、リン酸−硝酸−酢酸−水の混酸を用いて、フォトリソグラフ法によりパターニングを行うことで補助配線２を形成することが好ましい。
【００３５】
補助配線２は、キャップ層２ｃ（例えば、Ｎｉ−Ｍｏ合金を主成分とする層のようにＮｉを含む層である場合）と導体層２ｂとの間、および／または導体層２ｂと下地層２ａ（例えば、Ｎｉ−Ｍｏ合金を主成分とする層のようにＮｉを含む層である場合）との間に、Ｎｉを含まないＮｉ拡散防止層を有していてもよい。
【００３６】
キャップ層２ｃおよび／または下地層２ａがＮｉを含有し、導体層２ｂとキャップ層２ｃとが接しているときおよび／または導体層２ｂと下地層２ａとが接しているときに熱処理すると、キャップ層２ｃおよび／または下地層２ａからＮｉが導体層２ｂに拡散し、導体層２ｂの抵抗が増大する。該抵抗の増大は、Ｎｉ拡散防止層の形成により防止することができる。Ｎｉ拡散防止層もスパッタ法により形成されるのが好ましい。
Ｎｉ拡散防止層の膜厚はバリア性およびパターニング性の観点から１０〜２００ｎｍが好ましく、１５〜５０ｎｍがより好ましい。
【００３７】
Ｎｉ拡散防止層は、キャップ層２ｃおよび導体層２ｂと一括エッチングできる点から、Ｍｏを主成分とするＭｏ系金属層であることが好ましい。具体的には、Ｍｏ、Ｍｏ−Ｎｂ合金、Ｍｏ−Ｔａ合金などが挙げられる。該Ｍｏ系金属層のＭｏ含有率は、Ｎｉ拡散防止層全成分の８０〜１００原子％であることが好ましい。また、該Ｍｏ系金属層のＮｂまたはＴａ含有率は、０〜２０原子％であることが好ましい。
【００３８】
Ｎｉ拡散防止層を形成することに替えて、キャップ層２ｃ（例えば、Ｎｉ−Ｍｏ合金を主成分とする層のようにＮｉを含む層である場合）を、酸化、窒化、酸窒化、酸炭化または酸窒炭化などの処理をする、つまり、キャップ層２ｃ形成時にそのような処理を施すことによっても、前記Ｎｉ拡散防止層と同様に抵抗増大を防止することができる。該処理は、Ｎｉ−Ｍｏ合金を主成分とする層をスパッタリングにより形成する時に、スパッタガスとして、Ｏ２、Ｎ２、ＣＯ、ＣＯ２などの反応性ガスとＡｒガスとの混合ガスを用いる方法により実施される。反応性ガスの含有率は、Ｎｉ拡散防止効果の観点から５〜５０体積％であることが好ましく、２０〜４０体積％であることがより好ましい。
また、その下地層２ａ（例えば、Ｎｉ−Ｍｏ合金を主成分とする層のようにＮｉを含む層である場合）に、キャップ層２ｃと同じように酸化、窒化、酸窒化、酸炭化または酸窒炭化などの処理を施してもよい。その効果や好ましい範囲はキャップ層２ｃと同じである。
【００３９】
透明導電膜はパターニングされ、透明電極（陽極）３として機能する。透明導電膜の膜厚は５０〜３００ｎｍが好ましく、１００〜２００ｎｍがより好ましい。
【００４０】
透明導電膜は、ＩＴＯ層またはＩＺＯ層（亜鉛ドープ酸化インジウム層）であることが好ましい。特に、ＩＴＯ層であることが好ましい。ＩＴＯ層は、補助配線２のパターニングに使用されるリン酸−硝酸−酢酸−水の混酸に対する耐性が高く、補助配線２の形成時に透明導電膜が腐食しないので好ましい。
【００４１】
ＩＴＯ層は、例えばガラス基板１上にエレクトロンビーム法、スパッタ法、イオンプレーティング法などを用いて成膜することにより形成される。ＩＴＯ層は、例えばＩｎ２Ｏ３とＳｎＯ２との総量に対して、ＳｎＯ２が３〜１５質量％含有されるＩＴＯターゲットを用いて、スパッタリング法により成膜するのが好ましい。形成されたＩＴＯ層の組成も、Ｉｎ２Ｏ３とＳｎＯ２との総量に対して、ＳｎＯ２が３〜１５質量％含有されることが好ましい。スパッタリングガスはＯ２とＡｒの混合ガスであることが好ましく、Ｏ２ガス濃度はスパッタリングガス中に０．２〜２体積％であることが好ましい。
【００４２】
補助配線付き電極基体は、透明導電膜と基体との間に、シリカ層を有していてもよい。該シリカ層は、基体と接していても、接していなくてもよい。該シリカ層は、通常シリカターゲットを用いて、スパッタリングして形成される。基体がガラス基板１の場合は、ガラス基板１中のアルカリ成分が導体層２ｂや有機ＥＬ層に移行して導体層２ｂや有機ＥＬ層が劣化するのを防止する。膜厚は５〜３０ｎｍであることが好ましい。
【００４３】
次に、本発明の補助配線付き電極基体の製造方法により有機ＥＬ素子を作製する好適例を、図１〜３を用いて説明するが、本発明はこれに限定されない。
まずガラス基板１上にシリカ層（図示せず）を形成し、次いで透明導電膜としてＩＴＯ層を形成する。次に、透明導電膜の上に、下地層２ａとしてのＮｉ−Ｍｏ合金を主成分とする層、Ｎｉ拡散防止層としてのＭｏ−Ｎｂ合金を主成分とする層（図示せず）、導体層２ｂとしてのＡｌ−Ｎｄ合金を主成分とする層、さらにＮｉ拡散防止層としてのＭｏ−Ｎｂ合金を主成分とする層（図示せず）、キャップ層２ｃとしてのＮｉ−Ｍｏ合金を主成分とする層からなる積層体（補助配線形成用積層体）を、この順序でスパッタリング法により形成する。
【００４４】
該積層体の上にフォトレジストを塗布し、フォトレジストのパターンに従って、金属層の不要部分を、リン酸−硝酸−酢酸−水の混酸を用いてエッチングし、レジストを剥離して、Ｎｉ−Ｍｏ合金を主成分とする層（下地層）２ａ、Ｍｏ−Ｎｂ合金を主成分とする層（Ｎｉ拡散防止層、図示せず）、Ａｌ−Ｎｄ合金を主成分とする層（導体層）２ｂ、Ｍｏ−Ｎｂ合金を主成分とする層（Ｎｉ拡散防止層、図示せず）およびＮｉ−Ｍｏ合金を主成分とする層（キャップ層）２ｃからなる補助配線２が形成される。
【００４５】
続いて、該補助配線２およびＩＴＯ層の上にフォトレジストを塗布し、フォトレジストのパターンに従って、透明導電膜の不要部分を、臭化水素酸を用いてエッチングし、透明電極３を形成し、補助配線付き電極基体を製造する。その後、補助配線付き電極基体全体を、紫外線−オゾン処理して有機物汚れを除去する。
【００４６】
次に正孔輸送層、発光層、電子輸送層を有する有機質層４を、３の上に形成する。カソードセパレータ（隔壁）を有する場合は、有機質層４の真空蒸着を行う前に、隔壁をフォトリソグラフにより形成する。
【００４７】
カソード背面電極であるＡｌ陰極５は、補助配線２、透明電極（陽極）３、有機質層４が形成された後、透明電極（陽極）３と直交するように、真空蒸着により形成する。次に、破線で囲まれた部分を樹脂封止して封止缶６とし、有機ＥＬ素子を形成する。
【００４８】
本発明の補助配線付き電極基体の製造法は、フォトリソグラフ法により透明導電膜にパターニングを施す際に、フォトレジストにより被覆されていない前記補助配線の幅方向の露出を４μｍ以下として、かつ透明導電膜のエッチングに用いるエッチャントを非酸化性の酸とすることにより、基体に形成された補助配線の腐食や補助配線の抵抗の増大を防止できる。
【００４９】
本発明に使用される基体は、必ずしも平面で板状である必要はなく、曲面でも異型状でもよい。基体としては、透明または不透明のガラス基板、セラミック基板、プラスチック基板、金属基板などが挙げられる。ただし、基体側から発光させる構造の有機ＥＬ素子に用いる場合には、基体は透明であることが好ましく、特にガラス基板が強度および耐熱性の点から好ましい。ガラス基板としては、無色透明なソーダライムガラス基板、石英ガラス基板、ホウケイ酸ガラス基板、無アルカリガラス基板が例示される。有機ＥＬ素子に用いる場合のガラス基板１の厚さは０．２〜１．５ｍｍであることが、強度および透過率の点から好ましい。
【実施例】
【００５０】
以下、実施例を用いて、本発明を詳細に説明する。ただし、本発明は、これに限定されないことは言うまでもない。
【００５１】
（実験１）
（サンプル１）
厚さ０．７ｍｍ×縦１００ｍｍ×横１００ｍｍの無アルカリガラス基板を洗浄後、スパッタ装置にセットした。
【００５２】
次に、ＩＴＯ（Ｉｎ２Ｏ３とＳｎＯ２との総量に対してＳｎＯ２１０質量％含有）ターゲットを用い、直流マグネトロンスパッタ法により、厚さ１００ｎｍのＩＴＯ層を形成して、ＩＴＯ層付きガラス基板を得た。ＩＴＯ層の組成はターゲットと同等であった。スパッタガスには、Ｏ２ガスを０．５体積％含有するＡｒガスを用いた。スパッタガス圧は０．４Ｐａであり、電力密度は３Ｗ／ｃｍ２であった。また、基板温度は３００℃であった。
【００５３】
形成されたＩＴＯ層のジャストエッチング時間を測定して結果を表１に示した。ジャストエッチング時間は、１４質量％の塩酸および１０質量％の塩化鉄（III）を含む４５℃水溶液の中にサンプルを浸漬し、膜が完全に溶出するまでの時間とした。２分間浸漬しても膜の溶出が見られないものは、エッチング不可とした。また、４５℃の４８質量％臭化水素酸を用いて、同様にジャストエッチング時間を測定し結果を表１に示した。
【００５４】
（サンプル２）
サンプル１と同様の無アルカリガラス基板の上に、原子百分率（％）が７４：２２：４のＮｉ−Ｍｏ−Ｆｅ合金ターゲットを用いて、スパッタガスはＣＯ２ガスを３３体積％含有するＡｒガスとし、直流マグネトロンスパッタ法により、厚さ５０ｎｍのＮｉ−Ｍｏ合金を主成分とする層（Ａｒ＋ＣＯ２成膜）を形成した。形成された膜の金属成分の組成はターゲットと同等であった。背圧は１．３×１０−３Ｐａ、スパッタガス圧は０．３Ｐａであり、電力密度は４．３Ｗ／ｃｍ２であった。また、基板の加熱はしなかった。形成されたＮｉ−Ｍｏ合金を主成分とする層のジャストエッチング時間をサンプル１と同様に測定して結果を表１に示した。
【００５５】
（サンプル３）
サンプル２において形成したＮｉ−Ｍｏ合金を主成分とする層付きガラス基板の上に、Ａｌターゲットを用いて、直流マグネトロンスパッタ法により、Ａｒガス雰囲気で、厚さ２００ｎｍのＡｌを主成分とする層を形成した。形成された膜の組成はターゲットと同等であった。背圧は１．３×１０−３Ｐａ、スパッタガス圧は０．３Ｐａであり、電力密度は４．３Ｗ／ｃｍ２であった。また、基板の加熱はしなかった。形成された積層体のジャストエッチング時間をサンプル１と同様に測定して結果を表１に示した。サンプル３の臭化水素酸を用いたときのジャストエッチング時間は、Ａｌを主成分とする層のみのジャストエッチング時間である。Ｎｉ−Ｍｏ合金を主成分とする層は溶出せずにそのまま残っていた。
【００５６】
（サンプル４）
サンプル２において形成したＮｉ−Ｍｏ合金を主成分とする層付きガラス基板の上に、原子百分率（％）が９９．８：０．２のＡｌ−Ｎｄ合金ターゲットを用いて、直流マグネトロンスパッタ法により、Ａｒガス雰囲気で、厚さ２００ｎｍのＡｌ−Ｎｄ合金を主成分とする層を形成した。形成された膜の組成はターゲットと同等であった。背圧は１．３×１０−３Ｐａ、スパッタガス圧は０．３Ｐａであり、電力密度は４．３Ｗ／ｃｍ２であった。また、基板の加熱はしなかった。形成された積層体のジャストエッチング時間をサンプル１と同様に測定して結果を表１に示した。サンプル４の臭化水素酸を用いたときのジャストエッチング時間は、Ａｌ-Ｎｄ合金を主成分とする層のみのジャストエッチング時間である。Ｎｉ−Ｍｏ合金を主成分とする層は溶出せずにそのまま残っていた。
【００５７】
（サンプル５）
サンプル３において形成したＡｌを主成分とする層付きガラス基板の上に、原子百分率（％）が９０：１０のＭｏ−Ｎｂ合金ターゲットを用いて、直流マグネトロンスパッタ法により、Ａｒガス雰囲気で、厚さ３０ｎｍのＭｏ−Ｎｂ合金を主成分とする層を形成した。形成された膜の組成はターゲットと同等であった。背圧は１．３×１０−３Ｐａ、スパッタガス圧は０．３Ｐａであり、電力密度は４．３Ｗ／ｃｍ２であった。また、基板の加熱はしなかった。形成された積層体のジャストエッチング時間をサンプル１と同様に測定して結果を表１に示した。
【００５８】
（サンプル６）
サンプル５において形成したＭｏ−Ｎｂ合金を主成分とする層付きガラス基板の上に、原子百分率（％）が７４：２２：４のＮｉ−Ｍｏ−Ｆｅ合金ターゲットを用いて、Ａｒガス雰囲気で、直流マグネトロンスパッタ法により、厚さ５０ｎｍのＮｉ−Ｍｏ合金を主成分とする層（Ａｒのみ成膜）を形成した。形成された膜の組成はターゲットと同等であった。背圧は１．３×１０−３Ｐａ、スパッタガス圧は０．３Ｐａであり、電力密度は４．３Ｗ／ｃｍ２であった。また、基板の加熱はしなかった。形成された積層体のジャストエッチング時間をサンプル１と同様に測定して結果を表１に示した。
【００５９】
（サンプル７）
サンプル１の無アルカリガラス基板の上に、Ｍｏターゲットを用いて、直流マグネトロンスパッタ法により、Ａｒガス雰囲気で、厚さ５０ｎｍのＭｏを主成分とする層を形成した。背圧は１．３×１０−３Ｐａ、スパッタガス圧は０．３Ｐａであり、電力密度は４．３Ｗ／ｃｍ２であった。また、基板の加熱はしなかった。
【００６０】
次に、Ｍｏを主成分とする層の上に、Ａｌターゲットを用いて、直流マグネトロンスパッタ法により、Ａｒガス雰囲気で、厚さ２００ｎｍのＡｌを主成分とする層を形成した。スパッタガス圧は０．３Ｐａであり、電力密度は４．３Ｗ／ｃｍ２であった。また、基板の加熱はしなかった。
【００６１】
続いて、Ａｌを主成分とする層の上に、Ｍｏターゲットを用いて、Ａｒガス雰囲気で、直流マグネトロンスパッタ法により、厚さ５０ｎｍのＭｏ層を形成した。スパッタガス圧は０．３Ｐａであり、電力密度は４．３Ｗ／ｃｍ２であった。また、基板の加熱はしなかった。形成された積層体のジャストエッチング時間をサンプル１と同様に測定して結果を表１に示した。
【００６２】
【表１】
2008243451.tif 000003
【００６３】
表１から、ＩＴＯエッチャントとして、塩酸―塩化鉄溶液を用いたときには、Ｎｉ−Ｍｏ合金を主成分とする層（Ａｒ＋ＣＯ2成膜）、Ａｌを主成分とする層、Ａｌ−Ｎｄ合金を主成分とする層、Ｍｏ−Ｎｂ合金を主成分とする層、Ｎｉ−Ｍｏ合金を主成分とする層（Ａｒのみ成膜）およびＭｏを主成分とする層は耐性が低く、早い時間で腐食することがわかる。一方、ＩＴＯエッチャントとして臭化水素酸を用いたときには、Ｎｉ−Ｍｏ合金を主成分とする層（Ａｒ＋ＣＯ2成膜）、Ｍｏ−Ｎｂ合金を主成分とする層、Ｎｉ−Ｍｏ合金を主成分とする層（Ａｒのみ成膜）およびＭｏを主成分とする層は、臭化水素酸に対して高い耐性を有することがわかる。しかし、Ａｌを主成分とする層およびＡｌ−Ｎｄ合金を主成分とする層は、臭化水素酸を用いても早い時間で腐食することがわかる。
【００６４】
(実験２)
（サンプル８〜１０）
サンプル１と同様のＩＴＯ層付きガラス基板の上に、原子百分率（％）が７４：２２：４のＮｉ−Ｍｏ−Ｆｅ合金ターゲットを用いて、スパッタガスはＣＯ２ガスを３３体積％含有するＡｒガスとし、直流マグネトロンスパッタ法により、厚さ５０ｎｍのＮｉ−Ｍｏ合金を主成分とする層（下地層）を形成した。背圧は１．３×１０−３Ｐａ、スパッタガス圧は０．３Ｐａであり、電力密度は４．３Ｗ／ｃｍ２であった。また、基板の加熱はしなかった。
【００６５】
次に、下地層の上に、Ａｌターゲットを用いて、直流マグネトロンスパッタ法により、Ａｒガス雰囲気で、厚さ２００ｎｍのＡｌを主成分とする層（導体層）を形成した。スパッタガス圧は０．３Ｐａであり、電力密度は４．３Ｗ／ｃｍ２であった。また、基板の加熱はしなかった。
【００６６】
続いて、該導体層の上に、原子百分率（％）が９０：１０のＭｏ−Ｎｂ合金ターゲットを用いて、直流マグネトロンスパッタ法により、Ａｒガス雰囲気で、厚さ３０ｎｍのＭｏ−Ｎｂ合金を主成分とする層（Ｎｉ拡散防止層）を形成した。スパッタガス圧は０．３Ｐａであり、電力密度は４．３Ｗ／ｃｍ２であった。また、基板の加熱はしなかった。
【００６７】
さらに、該Ｎｉ拡散防止層の上に、原子百分率（％）が７４：２２：４のＮｉ−Ｍｏ−Ｆｅ合金ターゲットを用いて、Ａｒガス雰囲気で、直流マグネトロンスパッタ法により、厚さ５０ｎｍのＮｉ−Ｍｏ合金を主成分とする層（キャップ層）を形成し、積層体（補助配線形成用積層体）を得た。スパッタガス圧は０．３Ｐａであり、電力密度は４．３Ｗ／ｃｍ２であった。また、基板の加熱はしなかった。なお、下地層、導体層、Ｎｉ拡散防止層およびキャップ層の形成は、大気中に取り出すことなく連続して行った。
【００６８】
形成された積層体を、ライン／スペースが３０μｍ／９０μｍのマスクパターンを用い、フォトリソグラフ法により、リン酸（Ｈ３ＰＯ４８５質量％含有）：硝酸（ＨＮＯ３６０質量％含有）：酢酸（ＣＨ３ＣＯＯＨ９９質量％含有）：水が体積比で１６：１：２：１の割合で混合したエッチャントを用いてパターニングを行い、補助配線付き基体を形成した。
【００６９】
次いで、ライン／スペースが３０μｍ／９０μｍのマスクパターンを用い、フォトリソグラフ法により、ＩＴＯ層のパターニングを行った。露光は、補助配線の線幅方向にマスクパターンを所定の距離ずらして３種類実施し、現像後、配線の片側がフォトレジストに被覆されず露出するようにした。現像後、補助配線の露出量（補助配線のエッジとフォトレジストのエッジの距離）を測定したところ表２に記載の通りであった。ＩＴＯ層のエッチングは、４５℃の４８％臭化水素酸を用い、ジャストエッチング時間の１．５倍（６０秒）、エッチングを実施した。
【００７０】
ＩＴＯ層のパターニング後、補助配線がＩＴＯエッチャントにより腐食した個数を光学顕微鏡を用いて測定し、配線長で除することにより、配線１ｍｍあたりの腐食個数を求めた。その結果を表２に示した。０．０１個／ｍｍ以下であることが、補助配線形成用積層体とＩＴＯ層とを連続してパターニングを行う点から好ましい。なお、補助配線の腐食は露出している配線のエッジ部を起点として半円状に進行しており、腐食部では導体層の溶出や、その結果導体層の上のＮｉ拡散防止層およびキャップ層の剥離に至っていた。
【００７１】
（サンプル１１〜１３）
サンプル８で形成した積層体に、ライン／スペースが１５μｍ／４５μｍのマスクパターンを用いた以外はサンプル８と同様な方法によりパターニングを３種類行い、補助配線付き基体を形成した。次いで、ライン／スペースが１５μｍ／４５μｍのマスクパターンを用いた以外はサンプル８と同様な方法によりＩＴＯ層のパターニングを行い、ＩＴＯ補助配線付き電極基板を得た。補助配線がＩＴＯエッチャントにより腐食した個数をサンプル８と同様な方法により測定し結果を表２に示した。なお、ＩＴＯパターニング処理における現像後に補助配線の露出量を測定したところ、表２記載の通りであった。
【００７２】
（サンプル１４）
導体層を厚さ３００ｍｍのＡｌ−Ｎｄ合金を主成分とする層とした以外は、サンプル８と同様な方法により処理してＩＴＯ補助配線付き電極基板を得た。ＩＴＯパターニング処理における現像後に補助配線の露出量を測定したところ、表２記載の通りであった。補助配線がＩＴＯエッチャントにより腐食した個数をサンプル８と同様な方法により測定し結果を表２に示した。なお、導体層の形成は以下の通り実施した。原子百分率（％）が９９．８：０．２のＡｌ−Ｎｄ合金ターゲットを用いて、直流マグネトロンスパッタ法により、Ａｒガス雰囲気で、厚さ３００ｎｍのＡｌ−Ｎｄ合金を主成分とする層を形成した。背圧は１．３×１０−３Ｐａ、スパッタガス圧は０．３Ｐａであり、電力密度は４．３Ｗ／ｃｍ２であった。また、基板の加熱はしなかった。
【００７３】
（サンプル１５）
導体層を厚さ３００ｍｍのＡｌ−Ｎｄ合金を主成分とする層とした以外は、サンプル１１と同様な方法により処理してＩＴＯ補助配線付き電極基板を得た。ＩＴＯパターニング処理における現像後に補助配線の露出量を測定したところ、表２記載の通りであった。補助配線がＩＴＯエッチャントにより腐食した個数をサンプル８と同様な方法により測定し結果を表２に示した。なお、導体層の形成はサンプル１４と同様な方法により行った。
【００７４】
（サンプル１６）
サンプル１のＩＴＯ層付きガラス基板の上に、Ｍｏターゲットを用いて、直流マグネトロンスパッタ法により、Ａｒガス雰囲気で、厚さ５０ｎｍのＭｏを主成分とする層（下地層）を形成した。背圧は１．３×１０−３Ｐａ、スパッタガス圧は０．３Ｐａであり、電力密度は４．３Ｗ／ｃｍ２であった。また、基板の加熱はしなかった。
【００７５】
次に、下地層の上に、Ａｌターゲットを用いて、直流マグネトロンスパッタ法により、Ａｒガス雰囲気で、厚さ２００ｎｍのＡｌを主成分とする層（導体層）を形成した。スパッタガス圧は０．３Ｐａであり、電力密度は４．３Ｗ／ｃｍ２であった。また、基板の加熱はしなかった。
【００７６】
続いて、該導体層の上に、Ｍｏターゲットを用いて、Ａｒガス雰囲気で、直流マグネトロンスパッタ法により、厚さ５０ｎｍのＭｏを主成分とする層（キャップ層）を形成し、積層体を得た。スパッタガス圧は０．３Ｐａであり、電力密度は４．３Ｗ／ｃｍ２であった。また、基板の加熱はしなかった。なお、下地層、導体層およびキャップ層の形成は、大気中に取り出すことなく連続して行った。
【００７７】
形成された積層体を、サンプル８と同様な方法により処理してＩＴＯ補助配線付き電極基板を得た。補助配線がＩＴＯエッチャントにより腐食した個数をサンプル８と同様な方法により測定し結果を表２に示した。なお、ＩＴＯパターニング処理における現像後に補助配線の露出量を測定したところ、表２記載の通りであった。
【００７８】
（サンプル１７）
サンプル１と同様のＩＴＯ層付きガラス基板の上に、原子百分率（％）が９０：１０のＭｏ−Ｎｂ合金ターゲットを用いて、直流マグネトロンスパッタ法により、Ａｒガス雰囲気で、厚さ５０ｎｍのＭｏ−Ｎｂ合金層（下地層）を形成した。背圧は１．３×１０−３Ｐａ、スパッタガス圧は０．３Ｐａであり、電力密度は４．３Ｗ／ｃｍ２であった。また、基板の加熱はしなかった。
【００７９】
次に、下地層の上に、Ａｌターゲットを用いて、直流マグネトロンスパッタ法により、Ａｒガス雰囲気で、厚さ２００ｎｍのＡｌを主成分とする層（導体層）を形成した。スパッタガス圧は０．３Ｐａであり、電力密度は４．３Ｗ／ｃｍ２であった。また、基板の加熱はしなかった。
【００８０】
続いて、該導体層の上に、原子百分率（％）が９０：１０のＭｏ−Ｎｂ合金ターゲットを用いて、直流マグネトロンスパッタ法により、Ａｒガス雰囲気で、厚さ５０ｎｍのＭｏ−Ｎｂ合金を主成分とする層（キャップ層）を形成し、積層体を得た。スパッタガス圧は０．３Ｐａであり、電力密度は４．３Ｗ／ｃｍ２であった。また、基板の加熱はしなかった。なお、下地層、導体層およびキャップ層の形成は、大気中に取り出すことなく連続して行った。
【００８１】
形成された積層体を、サンプル８と同様な方法により処理してＩＴＯ補助配線付き電極基板を得た。補助配線がＩＴＯエッチャントにより腐食した個数をサンプル８と同様な方法により測定し結果を表２に示した。なお、ＩＴＯパターニング処理における現像後に補助配線の露出量を測定したところ、表２記載の通りであった。
【００８２】
（サンプル１８）
ＩＴＯ層のエッチングにおいて、１４質量％の塩酸および１０質量％の塩化鉄（III）を含む４５℃水溶液を用い、ＩＴＯ層のジャストエッチング時間の１．５倍（９０秒）エッチングを実施したこと以外は、サンプル８と同様な方法により処理してＩＴＯ補助配線付き電極基板を得た。ＩＴＯパターニング処理における現像後に補助配線の露出量を測定したところ、表２記載の通りであった。光学顕微鏡を用いてＩＴＯ補助配線付き電極基板を観察したところ、補助配線はＩＴＯエッチャントにより溶出し残存していなかった。また、ＩＴＯ層が極めて著しく線細りしていることがわかった。補助配線が溶出したことにより、その下のＩＴＯ層がＩＴＯエッチャントに晒される結果、ＩＴＯ層の線細りに至ったと考えられる。
【００８３】
（サンプル１９）
ＩＴＯ層のエッチングにおいて、１４質量％の塩酸および１０質量％の塩化鉄（III）を含む４５℃水溶液を用い、ＩＴＯ層のジャストエッチング時間の１．５倍（９０秒）エッチングを実施したこと以外は、サンプル１４と同様な方法により処理してＩＴＯ補助配線付き電極基板を得た。ＩＴＯパターニング処理における現像後に補助配線の露出量を測定したところ、表２記載の通りであった。光学顕微鏡を用いてＩＴＯ補助配線付き電極基板を観察したところ、補助配線はＩＴＯエッチャントにより溶出し残存していなかった。また、ＩＴＯ層が極めて著しく線細りしていることがわかった。補助配線が溶出したことにより、その下のＩＴＯ層がＩＴＯエッチャントに晒される結果、ＩＴＯ層の線細りに至ったと考えられる。
【００８４】
（サンプル２０）
ＩＴＯ層のエッチングにおいて、１４質量％の塩酸および１０質量％の塩化鉄（III）を含む４５℃水溶液を用い、ＩＴＯ層のジャストエッチング時間の１．５倍（９０秒）エッチングを実施したこと以外は、サンプル１６と同様な方法により処理してＩＴＯ補助配線付き電極基板を得た。ＩＴＯパターニング処理における現像後に補助配線の露出量を測定したところ、表２記載の通りであった。光学顕微鏡を用いてＩＴＯ補助配線付き電極基板を観察したところ、補助配線はＩＴＯエッチャントにより溶出し残存していなかった。また、ＩＴＯ層が極めて著しく線細りしていることがわかった。補助配線が溶出したことにより、その下のＩＴＯ層がＩＴＯエッチャントに晒される結果、ＩＴＯ層の線細りに至ったと考えられる。
【００８５】
【表２】
2008243451.tif 000004
【００８６】
表２から、ＩＴＯエッチャントとして臭化水素酸を用い、レジストにより被覆されなかった補助配線の露出量を４μｍ以下としたときには、補助配線の腐食が僅少であることがわかる。一方、露出量が４μｍ超のときには、腐食個数が増大することがわかる。補助配線の露出量の違いによって腐食のしやすさが変化するのは、露出部をカソード、配線断面の導体層露出部分をアノードとする腐食モードにおいて、カソードの面積が増減するためと推察される。
【００８７】
また、ＩＴＯエッチャントとして塩酸-塩化鉄溶液を用いたときには、レジストにより被覆されなかった補助配線の露出量が４μｍ以下であっても、補助配線がＩＴＯエッチャントにより著しく腐食し溶出に至ることがわかる。キャップ層、Ｎｉ拡散防止層および下地層の全てが塩酸-塩化鉄溶液に対して腐食するためである。
【産業上の利用可能性】
【００８８】
本発明の補助配線付き電極基体の製造法は、フォトリソグラフ法により透明導電膜にパターニングを施す際に、透明導電膜のエッチングに用いるエッチャントを非酸化性の酸とすることにより、基体に形成されたＡｌまたはＡｌ合金を主成分とする導体層およびキャップ層を基体側からこの順に含む補助配線の腐食や補助配線の抵抗の増大を防止できるので、特に有機ＥＬディスプレィ等のフラットパネルディスプレィに有用である。
【図面の簡単な説明】
【００８９】
【図１】本発明の製造方法によって製造された補助配線付き電極基体を用いた有機ＥＬ素子の１例を示す一部切り欠き正面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線での断面図である。
【図３】図１のＢ−Ｂ線での断面図である。
【符号の説明】
【００９０】
１：ガラス基板
２：補助配線
２ａ：下地層
２ｂ：導体層
２ｃ：キャップ層
３：透明電極（陽極）
４：有機質層
５：Ａｌ陰極
６：封止缶
【図１】
2008243451.tif 000005
【図２】
2008243451.tif 000006
【図３】
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