(57)【要約】【課題】硬化速度が速く、かつ、硬化物に含まれるイオン不純物を充分に低減させることができる電子部品用エポキシ組成物、及び、該電子部品用エポキシ組成物を用いた電子部品の接合方法を提供する。【解決手段】電子部品の接着又は封止を行うためのエポキシ組成物であって、エポキシ化合物と、熱カチオン重合触媒と、前記熱カチオン重合触媒の活性温度よりも高い活性温度を有する熱潜在性アミン化合物とを含有することを特徴とする電子部品用エポキシ組成物。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品の接着又は封止を行うためのエポキシ組成物であって、
エポキシ化合物と、熱カチオン重合触媒と、前記熱カチオン重合触媒の活性温度よりも高い活性温度を有する熱潜在性アミン化合物とを含有することを特徴とする電子部品用エポキシ組成物。
【請求項２】
エポキシ化合物１００重量部に対して、熱カチオン重合触媒０．１〜５重量部、熱潜在性アミン化合物０．００１〜１重量部を含有することを特徴とする請求項１記載の電子部品用エポキシ組成物。
【請求項３】
請求項１又は２記載の電子部品用エポキシ組成物を用いた電子部品の接合方法であって、熱カチオン重合触媒の活性温度よりも高く、かつ、熱潜在性アミン化合物の活性温度よりも低い温度に加熱することで、エポキシ化合物を硬化させる工程１、及び、
熱潜在性アミン化合物の活性温度よりも高い温度に加熱する工程２
を有することを特徴とする電子部品の接合方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、硬化速度が速く、かつ、硬化物に含まれるイオン不純物を充分に低減させることができる電子部品用エポキシ組成物、及び、該電子部品用エポキシ組成物を用いた電子部品の接合方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
エポキシ組成物は、種々の封止剤や接着剤等に用いられており、用途や求められる性能に応じて、エポキシ化合物と硬化剤、添加剤との組み合わせが種々検討されている。
なかでも、半導体装置等の電子部品の接着又は封止に用いることが検討されている。
例えば、特許文献１には、半導体装置の封止剤や接着剤として用いられるエポキシ組成物として、ビスフェノールＡ型エポキシ化合物とポリチオールとを含有するエポキシ組成物が開示されている。このエポキシ組成物は、プラスチック材料に対して高密着し、低温で硬化できることから、特に半導体用途に好適であるとしている。
【０００３】
しかしながら、このような電子部品の接着や封止に用いるエポキシ組成物には、より高い生産効率を実現するために速やかに硬化するように潜在性アミン系又はイミダゾール系等の硬化促進剤が配合される。硬化促進剤を含有するエポキシ組成物は、硬化速度には優れるが、硬化させると原料のエポキシ化合物由来の塩化物イオン等の不純物が発生し、半導体において短絡等が発生しやすくなり、電気的接続の信頼性が低くなるという問題があった。従って、半導体用途に用いるエポキシ組成物として、硬化速度が速く、かつ、硬化物に含まれる塩化物イオン等のイオン不純物が充分に少ないものが求められているのが現状である。
【特許文献１】特開２００６−３６９３５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、上記現状に鑑み、硬化速度が速く、かつ、硬化物に含まれるイオン不純物を充分に低減させることができる電子部品用エポキシ組成物、及び、該電子部品用エポキシ組成物を用いた電子部品の接合方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は電子部品の接着又は封止を行うためのエポキシ組成物であって、エポキシ化合物と、熱カチオン重合触媒と、前記熱カチオン重合触媒の活性温度よりも高い活性温度を有する熱潜在性アミン化合物とを含有する電子部品用エポキシ組成物である。
以下に本発明を詳述する。
【０００６】
本発明者らは、鋭意検討した結果、エポキシ組成物の重合触媒として熱カチオン重合触媒を使用した場合、硬化速度を極めて速くすることができ、かつ、塩化物イオン等の不純物の発生を抑制することが可能となることを見出した。
しかしながら、熱カチオン重合触媒は、硬化時にプロトンを生じるため、短絡によって電気的接続の信頼性が低くなるという問題が新たに生じていた。
そこで、本発明者らは更に鋭意検討した結果、エポキシ組成物及び熱カチオン重合触媒に加えて、熱カチオン重合触媒の活性温度よりも高い活性温度を有する熱潜在性アミン化合物を併用した場合に、硬化時に熱カチオン重合触媒から生じたプロトンを、硬化物から溶出しないように保持しておくことができ、電子部品用として好適に用いることが可能となることを見出し、本発明を完成させるに至った。
【０００７】
本発明の電子部品用エポキシ組成物は、エポキシ化合物と、熱カチオン重合触媒と、所定の熱潜在性アミン化合物とを含有する。
【０００８】
本発明の電子部品用エポキシ組成物は、エポキシ化合物を含有する。
上記エポキシ化合物としては特に限定されないが、分子内に２個以上のエポキシ基を有していることが好ましく、例えば、２価フェノールのジグリシジルエーテル、多価フェノール（３価以上）のポリグリシジルエーテル、脂肪族２価アルコール又は高分子ジオールのジグリシジルエーテル、３価以上の脂肪族アルコールのポリグリシジルエーテル、エポキシ変性シリコーン、グリシジルエステル、グリシジルアミン、鎖状脂肪族エポキサイド、脂環式エポキサイド、構造中にウレタン結合を有するウレタン変性エポキシ化合物等が挙げられる。
【０００９】
上記２価フェノールのジグリシジルエーテルとしては特に限定されないが、２価フェノール（炭素数が６〜３０）のジグリシジルエーテルが好ましく、例えば、ビスフェノールＦジグリシジルエーテル、ビスフェノールＡジグリシジルエーテル、ビスフェノールＢジグリシジルエーテル、ビスフェノールＡＤジグリシジルエーテル、ビスフェノールＳジグリシジルエーテル、ハロゲン化ビスフェノールＡジグリシジルエーテル（例えば、テトラクロロビスフェノールＡジグリシジルエーテル等）、カテキンジグリシジルエーテル、レゾルシノールジグリシジルエーテル、ハイドロキノンジグリシジルエーテル、１，６−ジヒドロキシナフタレンジグリシジルエーテル、ジヒドロキシビフェニルジグリシジルエーテル、オクタクロロ−４，４’−ジヒドロキシビフェニルジグリシジルエーテル、テトラメチルビフェニルジグリシジルエーテル、９，９’−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フロオレンジグリシジルエーテル、ビスフェノールＡ２モルとエピクロロヒドリン３モルとの反応から得られるジグリシジルエーテル等が挙げられる。
【００１０】
上記多価フェノール（３価以上）のポリグリシジルエーテルとしては特に限定されないが、炭素数が６以上で、ゲルパーミエイションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法による重量平均分子量（以下、Ｍｗともいう）が５０００以下のものが好ましく、例えば、ピロガロールトリグリシジルエーテル、ジヒドロキシナフチルクレゾールトリグリシジルエーテル、トリス（ヒドロキシフェニル）メタントリグリシジルエーテル、ジナフチルトリオールトリグリシジルエーテル、４，４’−オキシビス（１，４−フェニルエチル）フェニルグリシジルエーテル、ビス（ジヒドロキシナフタレン）テトラグリシジルエーテル、フェノール又はクレゾールノボラック樹脂（Ｍｗ２００〜５０００）のグリシジルエーテル、リモネンフェノールノボラック樹脂（Ｍｗ４００〜５０００）のグリシジルエーテル、フェノールとグリオキザール、グルタールアルデヒド、又は、ホルムアルデヒドとの縮合反応によって得られるポリフェノール（Ｍｗ４００〜５０００）のポリグリシジルエーテル、レゾルシンとアセトンとの縮合反応によって得られるＭｗ４００〜５０００のポリフェノールのポリグリシジルエーテル等が挙げられる。
【００１１】
上記脂肪族２価アルコール又は高分子ジオールのジグリシジルエーテルとしては特に限定されないが、炭素数が２〜１００の脂肪族２価アルコール又はＭｗ１５０〜５０００の高分子ジオールのジグリシジルエーテルが好ましく、例えば、エチレングリコールジグリシジルエーテル、プロピレングリコールジグリシジルエーテル、テトラメチレングリコールジグリシジルエーテル、１，６−ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、ポリエチレングリコール（Ｍｗ１５０〜４０００）ジグリシジルエーテル、ポリプロピレングリコール（Ｍｗ１８０〜５０００）ジグリシジルエーテル、ポリテトラメチレングリコール（Ｍｗ２００〜５０００）ジグリシジルエーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル等が挙げられる。
【００１２】
上記３価以上の脂肪族アルコールのポリグリシジルエーテルとしては特に限定されないが、炭素数が３以上で、Ｍｗが１００００以下のグリシジルエーテルが好ましく、例えば、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、グリセロールトリグリシジルエーテル、ペンタエリスリトールテトラグリシジルエーテル、ソルビトールヘキサグリシジルエーテル、ポリ（ｎ＝２〜５）グリセロールポリグリシジルエーテル等が挙げられる。
【００１３】
上記エポキシ変性シリコーンとしては特に限定されないが、２個以上の水酸基を有するＭｗ２００〜２０００のポリジアルキルシロキサン（例えば、ポリジメチルシロキサン等）のグリシジルエーテルが好ましく、例えば、１，３−ビス（３−グリシドキシプロピル）−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン、１，３−ビス（３−グリシドキシプロピル）−１，１，３，３−ポリ（ｎ＝２〜２０）テトラメチルジシロキサン等が挙げられる。
【００１４】
上記グリシジルエステルとしては特に限定されないが、炭素数が６以上で２価以上の芳香族カルボン酸、脂肪族カルボン酸又は脂環式カルボン酸のグリシジルエステルが好ましく、例えば、フタル酸類のグリシジルエステル（フタル酸ジグリシジルエステル、イソフタル酸ジグリシジルエステル、テレフタル酸ジグリシジルエステル等）、トリメリット酸トリグリシジルエステル等の芳香族カルボン酸；上記芳香族カルボン酸のグリシジルエステルの芳香核水添加物、ダイマー酸ジグリシジルエステル、ジグリシジルオキサレート、ジグリシジルマレート、ジグリシジルスクシネート、ジグリシジルグルタレート、ジグリシジルアジペート、グリシジル（メタ）アクリレートの（共）重合体（重合度は例えば２〜１０）等の脂肪族又は脂環式カルボン酸のグリシジルエステル等が挙げられる。
【００１５】
上記グリシジルアミンとしては特に限定されないが、炭素数が６以上で２以上の活性水素原子を有する芳香族アミンのグリシジルアミン、又は、炭素数が５以上で２以上の活性水素原子を有する脂環式若しくは複素環式アミンのグリシジルアミンが好ましく、例えば、Ｎ，Ｎ−ジグリシジルアニリン、Ｎ，Ｎ−ジグリシジルトルイジン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラグリシジルジアミノジフェニルメタン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラグリシジルジアミノジフェニルスルホン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラグリシジルジアミノジフェニルメタン、Ｎ，Ｎ，Ｏ−トリグリシジルアミノフェノ−ル等の芳香族アミンのグリシジルアミン；Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラグリシジルキシリレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラグリシジルヘキサメチレンジアミン等の脂肪族アミンのグリシジルアミン；Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラグリシジルキシリレンジアミンの水添化合物、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラグリシジルシクロヘキサンジアミン等の脂環式アミンのグリシジルアミン；トリスグリシジルメラミン等の複素環式アミンのグリシジルアミン等が挙げられる。
【００１６】
上記鎖状脂肪族エポキサイドとしては特に限定されないが、炭素数が６以上で２価以上の鎖状脂肪族エポキサイドが好ましく、例えば、エポキシ化（ポリ）アルカジエン（例えば、エポキシ当量１３０〜１０００のエポキシ化ブタジエン（分子量２６０以上Ｍｗ２５００以下）、エポキシ化油脂（エポキシ化大豆油（分子量１３０以上Ｍｗ２５００以下）等が挙げられる。
【００１７】
上記脂環式エポキサイドとしては特に限定されないが、炭素数６以上、Ｍｗ２５００以下、エポキシ基の数が２以上の脂環式エポキサイドが好ましく、例えば、ビニルシクロヘキセンジオキシド、リモネンジオキシド、ジシクロペンタジエンジオキシド、ビス（２，３−エポキシシクロペンチル）エーテル、エチレングリコールビスエポキシジシクロペンチルエーテル、ビス（３，４−エポキシ−６−メチルシクロヘキシルメチル）アジペート、ビス（３，４−エポキシ−６−メチルシクロヘキシルメチル）ブチルアミン等が挙げられる。また、上述したフェノールのエポキシ化合物の核水添化物も含む。
【００１８】
上記構造中にウレタン結合を持つウレタン変性エポキシ化合物としては特に限定されず、例えば、ポリエーテルウレタンオリゴマー（Ｍｗ２００〜２５００、例えば、ポリエーテルジオールとジイソシアネートとを反応させて得られるイソシアネート基末端ウレタンプレポリマー）とグリシドールとの反応物等が挙げられる。
【００１９】
上記エポキシ化合物は、単独で用いられてもよいし、２種以上が併用されてもよい。
また、上述したエポキシ化合物以外のものでも、熱カチオン重合触媒により重合可能な基を２個以上もつ化合物であれば用いることができる。
上述したエポキシ化合物のなかでも、グリシジルエーテル、グリシジルアミン、フェノールのポリグリシジルエーテルが好適であり、フェノールのポリグリシジルエーテルが特に好適である。このようなエポキシ化合物を用いることにより、本発明の電子部品用エポキシ組成物に対して、特に優れた耐熱性を付与することが可能となる。
【００２０】
本発明の電子部品用エポキシ組成物は、熱カチオン重合触媒を含有する。
触媒として熱カチオン重合触媒を用いることにより、硬化速度を極めて速くすることができ、かつ、塩化物イオン等の不純物の発生を抑制することができる。
【００２１】
上記熱カチオン重合触媒としては特に限定されないが、加熱により活性化されエポキシ基の開環を誘発する触媒が用いられ、４級アンモニウム塩、ホスホニウム塩、スルホニウム塩等の各種オニウム塩や、有機金属錯体類等が挙げられる。
【００２２】
上記４級アンモニウム塩としては、例えば、ラウリルトリメチルアンモニウム塩、ステアリルトリメチルアンモニウム塩、トリオクチルメチルアンモニウム塩、ジステアリルジメチルアンモニウム塩、ジ硬化牛脂ジメチルアンモニウム塩、ジステアリルジベンジルアンモニウム塩、Ｎ−ポリオキシエチレン−Ｎ−ラウリル−Ｎ，Ｎ−ジメチルアンモニウム塩等が挙げられる。これらの４級アンモニウム塩は、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００２３】
上記ホスホニウム塩としては、例えば、ドデシルトリフェニルホスホニウム塩（ＤＴＰＢ）、メチルトリフェニルホスホニウム塩、ラウリルトリメチルホスホニウム塩、ステアリルトリメチルホスホニウム塩、ジステアリルジメチルホスホニウム塩、ジステアリルジベンジルホスホニウム塩等が挙げられる。
【００２４】
上記スルホニウム塩としては、例えば、下記式（１）及び下記式（２）で表されるヘテロ環誘導体が挙げられ、市販品としては例えば、アデカオプトンＣＰ−６６、アデカオプトンＣＰ−７７（何れもＡＤＥＫＡ社製）等が挙げられる。
【００２５】
【化１】
2008115293.tif 000002
【００２６】
上記スルホニウム塩としては、下記式（３）で表される化合物を用いてもよい。市販品としては例えば、サンエイドＳＩ−６０Ｌ、サンエイドＳＩ−８０Ｌ、サンエイドＳＩ−１００Ｌ（三新化学工業社製）。また、上記スルホニウム塩として、トリスアリールスルホニウムアンチモンヘキサフルオライドを用いてもよい。
【００２７】
【化２】
2008115293.tif 000003
式中、Ｒは、ベンゼン環の置換基を表し、Ｒ’及びＲ’’は、同一又は異なる炭化水素基を表す。なお、Ｒ’及びＲ’’は置換されていてもよい。
【００２８】
上記有機金属錯体としては、例えば、アルコキシシラン−アルミニウム錯体等が挙げられる。
【００２９】
本発明の電子部品用エポキシ組成物における  上記熱カチオン重合触媒の含有量の好ましい下限は、エポキシ化合物１００重量部に対して、０．１重量部であり、好ましい上限は５重量部である。０．１重量部未満であると、硬化速度の低下や、不純物の発生が起こることがあり、５重量部より多く添加しても、硬化速度はそれ以上速くならない。より好ましい下限は０．３重量部、より好ましい上限は３重量部である。
【００３０】
本発明のエポキシ組成物は、熱潜在性アミン化合物を含有する。
上記熱潜在性アミン化合物は、本発明の接着剤組成物中で加熱によってアミン化合物となるものである。また、上述したような熱カチオン重合触媒と併用しても、硬化速度を速くする効果等を妨げることはない。
【００３１】
上記熱潜在性アミン化合物としては、例えば、イミダゾール化合物、ジシアンジアミド化合物、アミンと酸の塩等が挙げられる。
上記熱潜在性アミン化合物のうち、市販品としては例えば、イミダゾール化合物であるＥＨ３２９３Ｓ、ＥＨ３３６６Ｓ、ＥＨ４０７０−８（ＡＤＥＫＡ社製）；ジシアンジアミド化合物であるＥＨ３６３６ＡＳ、ＥＨ３８４２（ＡＤＥＫＡ社製）；マイクロカプセルにアミン化合物を封入したものであるノバキュアＨＸ３７２２（旭化成社製）；アンカミン２０１４ＦＧ、ＥＨ３６２５Ｓ、ＥＨ３６７０Ｓ、ＥＨ３７３１Ｓ、ＥＨ３８４９Ｓ、ＥＨ４０７０Ｓ（ＡＤＥＫＡ社製）、アミキュアＰＮ２３（味の素社製）等が挙げられる。
【００３２】
上記熱潜在性アミン化合物は、上記熱カチオン重合触媒の活性温度よりも高い活性温度を有するものである。このように上記熱カチオン重合触媒の活性温度よりも高い活性温度を有することで、エポキシ化合物の硬化時には、上記熱カチオン重合触媒のみを活性化させ、エポキシ化合物の硬化後に熱潜在性アミン化合物を活性化させることが可能となる。
これにより、硬化反応における塩化物イオンの発生を防止しつつ、硬化時に熱カチオン重合触媒から生じるプロトンを、硬化物から溶出しないように保持しておくことが可能となる。
【００３３】
上記熱カチオン重合触媒の活性温度と、上記熱潜在性アミン化合物の活性温度との差は６０℃以上であることが好ましく、１００℃以上あることがより好ましい。
６０℃未満であると、熱カチオン重合によるエポキシ化合物の硬化を阻害して、硬化しにくくなることがある。
なお、本明細書において、上記熱カチオン重合触媒の活性温度は、使用量のエポキシ化合物及び熱カチオン重合触媒を混合し、ＤＳＣにより昇温速度５℃／分で測定した時の発熱ピーク温度であり、上記熱潜在性アミン化合物の活性温度は、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂１００重量部に、熱潜在性アミン化合物５重量部混合し、ＤＳＣにより昇温速度５℃／分で測定した時の発熱ピーク温度である。
【００３４】
上記熱潜在性アミン化合物の含有量としては特に限定されないが、上記エポキシ化合物１００重量部に対して好ましい下限が０．００１重量部、好ましい上限が１重量部である。０．００１重量部未満であると、硬化時に熱カチオン重合触媒から生じたプロトンを、硬化物から溶出しないように保持しておくことができないことがあり、１重量部を超えると、熱カチオン重合によるエポキシ化合物の硬化を阻害して、硬化しにくくなることがある。より好ましい下限は０．０１重量部、より好ましい上限は０．５重量部である。
【００３５】
また、本発明の電子部品用エポキシ組成物は、線膨張係数を下げる目的で有機フィラーや無機フィラー等のフィラーを含有してもよい。
上記有機フィラーとしては特に限定されず、例えば、ナイロンパウダー、フッ素樹脂パウダー、ポリエーテルパウダー等が挙げられる。
上記無機フィラーとしては特に限定されず、例えば、アルミナ、ジルコニア、炭化タングステン、炭化チタン、炭化ケイ素、炭化ホウ素、ダイヤモンド；微粉ケイ酸、含水ケイ酸、珪藻土、コロイダルシリカ等のシリカ；沈降性（活性、乾式、重質又は軽質）炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム等の炭酸塩；微粉ケイ酸マグネシウム、タルク、ソープストーン、ステアライト、ケイ酸カルシウム、アルミノケイ酸マグネシウム、アルミノケイ酸ソーダ等のケイ酸塩；チャンネルブラック、ファーネスブラック、サーマルブラック、アセチレンブラック等のカーボンブラック類、白亜、寒水クレー、胡粉、チョーク；カオリン質クレー、セリサイト質クレー、バイロフィライト質クレー、モンモリロナイト質クレー、ベントナイト、酸性白土等のクレー類；硫酸バンド、硫酸アルミナ、サチンホワイト等の硫酸アルミニウム；バライト粉、沈降性硫酸バリウム、リトポン等の硫酸バリウム；無水、半水等の石膏、鉛白、雲母粉、亜鉛華、酸化チタン、活性フッ化カルシウム、ゼオライト、セメント、石灰、亜硫酸カルシウム、二硫化モリブデン、アスベスト、ガラスファイバー、ロックファイバー、マイクロバルーン等が挙げられる。
【００３６】
また、本発明の電子部品用エポキシ組成物は、更に必要に応じて、シランカップリング剤、チタンカップリング剤等の接着性付与剤；ヒンダードアミン、硫黄含有化合物等の酸化防止剤；ベンゾフェノン類、ベンゾトリアゾール類、サリチル酸エステル、金属錯塩等の紫外線吸収剤；金属石けん、亜鉛、錫、鉛、カドミウム等の重金属の無機及び有機塩、有機錫化合物等の安定剤；リン酸エステル、ひまし油、流動パラフィン、アルキル多環芳香族炭化水素等の可塑剤；パラフィンワックス、マイクロクリスタリンワックス、蜜ロウ、鯨ロウ、低分子量（Ｍｗ１０００〜１００００）ポリオレフィン等のワックス、ベンジルアルコール、タール、ビチューメン等の非反応性希釈剤；酢酸エチル等のエステル、トルエン等の芳香族炭化水素、メタノール等のアルコール、ジエチルエーテル等のエーテル、メチルエチルケトン等のケトン等の溶剤；発泡剤、消泡剤、脱水剤、帯電防止剤、抗菌剤、防かび剤、香料、難燃剤、分散剤等を含有してもよい。
【００３７】
本発明の電子部品用エポキシ組成物の製造方法としては特に限定されず、上記各種成分を均一に分散・混合することができればよく、例えば、３本ロール、らいかい機、プラネタリーミキサー等を用いる方法が挙げられる。
【００３８】
本発明の電子部品用エポキシ組成物を用いた電子部品の接合方法であって、熱カチオン重合触媒の活性温度よりも高く、かつ、熱潜在性アミン化合物の活性温度よりも低い温度に加熱することで、エポキシ化合物を硬化させる工程１、及び、熱潜在性アミン化合物の活性温度よりも高い温度に加熱する工程２を有する電子部品の接合方法もまた、本発明の１つである。
【００３９】
本発明の電子部品の接合方法では、まず、本発明の電子部品用エポキシ組成物を介して電子部品同士を貼り合わせた後、熱カチオン重合触媒の活性温度よりも高く、かつ、熱潜在性アミン化合物の活性温度よりも低い温度に加熱することで、エポキシ化合物を硬化させる工程１を行う。工程１では、必要な接着強度が得られるまで硬化を進行させる。
工程１の時点では、熱潜在性アミン化合物は活性化されていないことから、熱潜在性アミン化合物は硬化促進剤として作用せず、エポキシ化合物に由来する塩化物イオンの発生を大幅に低減させることが可能となる。    
【００４０】
次いで、熱潜在性アミン化合物の活性温度よりも高い温度に加熱する工程２を行う。工程２を行うことで、熱潜在性アミン化合物が活性化されアミン化合物が生成する。これにより、硬化時に熱カチオン重合触媒から生じたプロトンを、硬化物から溶出しないように保持しておくことができる。
【００４１】
本発明の電子部品の接合方法では、まず、工程１において熱カチオン重合触媒によりエポキシ化合物が硬化するため、硬化速度を極めて速くすることができ、かつ、塩化物イオン等の不純物の発生を抑制することができる。
硬化後は、熱潜在性アミン化合物からアミン化合物が生成するため、硬化時に熱カチオン重合触媒から生じたプロトンはこのアミン化合物と結合を形成し、硬化物から溶出しにくくなる。
従って、本発明の電子部品の接合方法を用いて得られる電子部品接合体は、塩化物イオン等の不純物に加えて、プロトンの溶出も極めて少なく、信頼性に優れるものとなる。
【発明の効果】
【００４２】
本発明では、エポキシ組成物において、エポキシ化合物及び熱カチオン重合触媒に加えて、熱カチオン重合触媒の活性温度よりも高い活性温度を有する熱潜在性アミン化合物を併用することにより、高い硬化速度を実現でき、塩化物イオン等の不純物を充分に低減させることができるとともに、硬化時に熱カチオン重合触媒から生じるプロトンを硬化物から溶出しないように保持しておくことが可能な電子部品用エポキシ組成物を提供することができる。
また、本発明の電子部品の接合方法は、硬化させても発生する塩化物イオンやプロトン等のイオン不純物の溶出が少ないため、電気的接続の高信頼性が求められる半導体等の接合方法として特に好適である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４３】
以下に実施例を掲げて本発明を更に詳しく説明するが、本発明はこれら実施例のみに限定されるものではない。
【００４４】
（実施例１）
表１に示すように、エポキシ化合物としてＥＲＬ−４２２１（ダウケミカル日本社製、脂環式エポキシ化合物、常温液状）１００重量部、熱カチオン重合触媒としてサンエイド  ＳＩ−６０Ｌ（三新化学工業社製、ベンジルオニウム塩、活性温度６０℃）２重量部、熱潜在性アミン化合物としてアデカハードナーＥＨ３６３６ＡＳ（ＡＤＥＫＡ社製、ジシアンジアミド、活性温度１８０℃）０．０４重量部を配合し、ハイブリッドミキサーＨＭ−５００（キーエンス社製）にて２分間攪拌することによりエポキシ組成物を調製した。
【００４５】
（実施例２、比較例１、２）
表１に示すように配合したこと以外は、実施例１と同様にしてエポキシ組成物を調製した。
【００４６】
＜評価＞
実施例１〜２及び比較例１〜２で得られたエポキシ組成物について以下の評価を行った。結果を表１に示した。
【００４７】
（１）ゲル分率
得られたエポキシ組成物を１３０℃のオーブンで１分間加熱した後、約１ｇ精秤し、それをメチルエチルケトンに２４時間浸漬した後、不溶分を１１０℃ギアオーブン中にて１時間乾燥し、再度精秤し、下記式に従って求めた。ゲル分率が９０％以上のものを硬化速度に優れるものと判断した。
ゲル分率（％）＝（Ｘ／Ｙ）×１００
式中Ｘは不溶分の乾燥重量（ｇ）を表し、Ｙはメチルエチルケトン浸漬前の重量（ｇ）を表す。
【００４８】
（２）ｐＨの測定
得られたエポキシ組成物を１３０℃のオーブンで３０分間加熱硬化させた後、さらに２６０℃のオーブンで３分間加熱した。この硬化物を約１ｍｇ計り取った。この１ｍｇの硬化物を細かく粉砕し、ガラス製試験管中に入れ、蒸留水を１０ｇ添加し、バーナーで試験管を封管し、１１０℃のオーブン中で時々振動させつつ、１２時間加熱抽出を行った後、ｐＨメーターを用いて、抽出水のｐＨを測定した。
なお、硬化物からプロトンが溶出した場合、抽出水のｐＨは低くなるものと考えられる。
【００４９】
（３）抵抗値測定
２５μｍの厚みのポリイミドフィルムに、８μｍの銅箔を積層した構造において、銅箔をパターニングし、図１に示すくし形電極１１、１２を形成した。くし形電極１１の複数本の電極指と、他方のくし形電極１２の複数本の電極指とは互いに間挿し合っており、各電極指の幅方向寸法は３０μｍ、電極指間のスペースの寸法は３０μｍとした。すなわち、ラインアンドスペース３０μｍ／３０μｍとなるようにくし形電極１１、１２を形成した。このくし形電極１１、１２上に得られたエポキシ組成物を塗布し、１３０℃のオーブンで３０分間加熱硬化させた後、更に２６０℃のオーブンで３分間加熱した。くし形電極１１に陽極を、くし形電極１２に陰極を接合し、５Ｖの直流電圧を印加しつつ、１２０℃及び相対湿度８５％の雰囲気において５０時間電圧を印加し続けた。試験終了後、光学顕微鏡を用い、くし形電極１１、１２の腐食の有無を確認し、かつ、くし形電極１１、１２間の絶縁抵抗値を測定した。抵抗値が１０１０Ωを超えるものを○、１０６Ω未満のものを×とした。
【００５０】
（４）金属腐食の有無
（３）の試験において、金属腐食が確認されなかったものを○、金属腐食が確認されたものを×とした。
【００５１】
【表１】
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【産業上の利用可能性】
【００５２】
本発明によれば、硬化速度が速く、かつ、硬化物に含まれるイオン不純物を充分に低減させることができる電子部品用エポキシ組成物、及び、該電子部品用エポキシ組成物を用いた電子部品の接合方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】評価におけるくし形電極を模式的に示した図である。
【符号の説明】
【００５４】
１１、１２  くし形電極
【図１】
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