(57)【要約】【課題】  容器内の減圧に起因するシース熱電対または被測温体の損傷を防止しつつ、被測温体の温度を正確に測定することが可能な測温装置を提供する。【解決手段】  測温装置５は、サセプタ４に追従して移動可能な先端部５０ａ、およびチャンバー１外に延出するように設けられ、先端部５０ａの移動を許容する緩衝部５０ｂを有するシース熱電対５０と、先端部５０ａをサセプタ４に押し付ける方向に付勢する圧縮コイルばね５３と、圧縮コイルばね５３と緩衝部５０ｂとを収容し、内部がチャンバー１内と連通するようにチャンバー１の底壁１９に密着し、緩衝部５０ｂの終端部分が外部に延出される密閉部材５１と、密閉部材５１の緩衝部５０ｂの終端部分が外部に延出される部分に溶接により気密に形成された接合部５５とを具備する。【選択図】図２
2008064551.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
容器内に配置された被測温体の温度を測定する測温装置であって、
熱電対素線をシースで覆った構造を有し、前記容器内に位置されるとともに前記被測温体に追従して移動可能な先端部と、前記容器外に延出するように設けられ、前記先端部の移動を許容する緩衝部とを有するシース熱電対と、
前記シース熱電対の前記先端部を前記被測温体に押し付ける方向に付勢するばね部材と、
前記ばね部材と前記緩衝部とを収容し、その内部が前記容器の内部と連通するように前記容器の壁部に密着して設けられ、前記緩衝部の終端部分が外部に延出される密閉部材と、
前記密閉部材の前記緩衝部の終端部分が外部に延出される部分に溶接またはろう付けにより気密に形成された接合部と
を具備することを特徴とする測温装置。
【請求項２】
腐食ガス雰囲気の容器内に配置された被測温体の温度を測定する測温装置であって、
熱電対素線を前記腐食ガスに対して耐食性を有する材料からなるシースで覆った構造を有し、前記容器内に位置されるとともに前記被測温体に追従して移動可能な先端部と、前記容器外に延出するように設けられ、前記先端部の移動を許容する緩衝部とを有するシース熱電対と、
前記シース熱電対の前記先端部を前記被測温体に押し付ける方向に付勢する、前記腐食ガスに対して耐食性を有する材料からなるばね部材と、
前記ばね部材と前記緩衝部とを収容し、その内部が前記容器の内部と連通するように前記容器の壁部に密着して設けられ、前記緩衝部の終端部分が外部に延出される、前記腐食ガスに対して耐食性を有する材料からなる密閉部材と、
前記密閉部材の前記緩衝部の終端部分が外部に延出される部分に溶接またはろう付けにより気密に形成された接合部と
を具備することを特徴とする測温装置。
【請求項３】
前記ばね部材はコイルばねであり、
前記密閉部材には、前記コイルばねの伸縮に伴って前記被測温体に対する進退方向に移動する、前記腐食ガスに対して耐食性を有する材料からなるピストンが収容されており、
前記シース熱電対は、前記ピストンに固定されていることを特徴とする請求項２に記載の測温装置。
【請求項４】
前記腐食ガスはハロゲンを含むガスであり、
前記腐食ガスに対して耐食性を有する材料はニッケル（Ｎｉ）またはニッケル合金であることを特徴とする請求項２または請求項３に記載の測温装置。
【請求項５】
前記ばね部材はインコネル（登録商標）からなることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の測温装置。
【請求項６】
前記緩衝部は、前記被測温体に対する進退方向に伸縮可能に屈曲していることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の測温装置。
【請求項７】
前記緩衝部は螺旋状に屈曲していることを特徴とする請求項６に記載の測温装置。
【請求項８】
前記緩衝部は波形に屈曲していることを特徴とする請求項６に記載の測温装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、容器内に配置された被測温体の温度を測定する測温装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体の製造プロセスにおいては、半導体基板を処理容器内の載置台上に載置した状態で、処理容器内に処理ガスを供給しつつ、載置台に内蔵したヒーター等の加熱機構によって半導体基板を加熱して、半導体基板に所定の処理を施すといったことが行われている。このような処理では、加熱温度が半導体基板の品質に大きく影響するため、載置台（または加熱機構）の温度を正確に測定する必要がある。このため、載置台の温度測定には、熱応答性に優れた熱電対が多く用いられており、中でも、耐熱性を有する金属等からなるシースで熱電対を覆うことにより構成されたシース熱電対が多く用いられている（例えば特許文献１、２参照）。
【０００３】
シース熱電対は通常、先端部が載置台に接触するように処理容器の壁部に気密に取り付けられるが、長尺であるために長さ方向の取り付け誤差が生じやすい。また、処理容器内に処理ガスを供給すると、処理容器内の圧力変化等によって載置台が多少動くことから、シース熱電対の先端部は載置台と非接触状態になりやすい。先端部が載置台と非接触状態になっていると、載置台の温度を正確に測定することができない。このため、シース熱電対は、取り付け誤差を吸収するとともに載置台の動きに追従することができるように、載置台に対する進退方向、すなわち長さ方向の自由度を有するように処理容器の壁部に取り付けられることが好ましい。
【０００４】
そこで、図６に示すように、多少伸縮、ここでは伸長させた状態のベローズＣの一端部および他端部をそれぞれシース熱電対Ａおよび処理容器の壁部、例えば底壁部Ｄに気密に取り付けることによりシース熱電対Ａをあらかじめ載置台Ｂに弱く押し付けておき、ベローズＣの伸縮によってシース熱電対Ａを載置台の動きに追従させるといったことが行われている。
【０００５】
しかしながら、半導体の製造プロセスにおいては一般的に、処理ガス供給の際に処理容器内を例えば真空圧に減圧するといったことが行われていることに加え、ベローズは一般的に、製造過程の都合上、ある程度の径Ｒを有しているため、前述のベローズＣを用いたシース熱電対の取り付け態様では、処理容器内を例えば真空圧に減圧することによりベローズＣにその径Ｒに応じた大気と真空との差圧がかかり、シース熱電対Ａに著しく大きい載置台Ｂへの押し付け力（図６の矢印Ｅ参照）が作用してしまう。この結果、シース熱電対Ａが載置台Ｂに強く押し付けられてしまい、シース熱電対Ａまたは載置台Ｂが損傷するおそれがある。
【０００６】
このような事態を回避するには、ベローズを用いずに、剛性を有する密閉部材によってシース熱電対および処理容器の壁部の間を密閉するとともに、シース熱電対の金属製シースの一部を剥がし、テフロン（登録商標）等の樹脂コーティングが施された熱電対素線の一部を露出させて弛ませておくことにより、シース熱電対の載置台に対する進退方向への自由度を確保し、かつ、ばねによってシース熱電対の先端部を載置台に押し付ける方向に付勢しておくといったことも考えられる。ところが、このような態様では、樹脂コーティングされた熱電対素線が処理容器内の雰囲気に曝されるため、処理ガスがハロゲン系ガス等の腐食ガスである場合には、樹脂が腐食ガスによって腐食するおそれがあり、有機汚染につながる懸念もある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであって、シース熱電対を用いた測温装置であって、容器内の減圧に起因するシース熱電対または被測温体の損傷を防止しつつ、被測温体の温度を正確に測定することが可能な測温装置を提供することを目的とする。
【０００８】
また、本発明は、シース熱電対を用いた測温装置であって、容器内の減圧に起因するシース熱電対または被測温体の損傷を防止しつつ、被測温体の温度を正確に測定することに加えて、容器内の腐食ガスに起因する腐食を防止することが可能な測温装置を提供することを目的とする。
【特許文献１】特開平４−６３２８１号公報
【特許文献２】特開平６−１７６８５５号公報
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために、本発明の第１の観点では、容器内に配置された被測温体の温度を測定する測温装置であって、熱電対素線をシースで覆った構造を有し、前記容器内に位置されるとともに前記被測温体に追従して移動可能な先端部と、前記容器外に延出するように設けられ、前記先端部の移動を許容する緩衝部とを有するシース熱電対と、前記シース熱電対の前記先端部を前記被測温体に押し付ける方向に付勢するばね部材と、前記ばね部材と前記緩衝部とを収容し、その内部が前記容器の内部と連通するように前記容器の壁部に密着して設けられ、前記緩衝部の終端部分が外部に延出される密閉部材と、前記密閉部材の前記緩衝部の終端部分が外部に延出される部分に溶接またはろう付けにより気密に形成された接合部とを具備することを特徴とする測温装置を提供する。
【００１０】
また、本発明の第２の観点では、腐食ガス雰囲気の容器内に配置された被測温体の温度を測定する測温装置であって、熱電対素線を前記腐食ガスに対して耐食性を有する材料からなるシースで覆った構造を有し、前記容器内に位置されるとともに前記被測温体に追従して移動可能な先端部と、前記容器外に延出するように設けられ、前記先端部の移動を許容する緩衝部とを有するシース熱電対と、前記シース熱電対の前記先端部を前記被測温体に押し付ける方向に付勢する、前記腐食ガスに対して耐食性を有する材料からなるばね部材と、前記ばね部材と前記緩衝部とを収容し、その内部が前記容器の内部と連通するように前記容器の壁部に密着して設けられ、前記緩衝部の終端部分が外部に延出される、前記腐食ガスに対して耐食性を有する材料からなる密閉部材と、前記密閉部材の前記緩衝部の終端部分が外部に延出される部分に溶接またはろう付けにより気密に形成された接合部とを具備することを特徴とする測温装置を提供する。
【００１１】
本発明の第２の観点において、前記ばね部材はコイルばねであり、前記密閉部材には、前記コイルばねの伸縮に伴って前記被測温体に対する進退方向に移動する、前記腐食ガスに対して耐食性を有する材料からなるピストンが収容されており、前記シース熱電対は、前記ピストンに固定されていることができる。
【００１２】
さらに、以上の本発明の第２の観点において、前記腐食ガスがハロゲンを含むガスである場合に、前記腐食ガスに対して耐食性を有する材料はニッケル（Ｎｉ）またはニッケル合金であることが好ましい。
【００１３】
また、以上の本発明において、前記ばね部材はインコネル（登録商標）からなることが好ましい。
【００１４】
さらに、以上の本発明において、前記緩衝部は、前記被測温体に対する進退方向に伸縮可能に屈曲していることが好ましい。この場合に、前記緩衝部は螺旋状または波形に屈曲していることがなお好ましい。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の第１の観点によれば、シース熱電対を、容器内に位置されるとともに被測温体に追従して移動可能な先端部と、容器外に延出するように設けられ、先端部の移動を許容する緩衝部とから構成し、シース熱電対の先端部を被測温体に押し付ける方向に付勢するばね部材を設けたため、容器内外の圧力差に大きく影響を受けるベローズを用いることなく、シース熱電対の先端部を被測温体に確実に接触させることができる。したがって、容器内の減圧に起因するシース熱電対または被測温体の損傷を防止しつつ、被測温体の温度を正確に測定することが可能となる。
【００１６】
また、本発明の第２の観点によれば、シース熱電対を、容器内に位置されるとともに被測温体に追従して移動可能な先端部と、容器外に延出するように設けられ、先端部の移動を許容する緩衝部とから構成し、シース熱電対の先端部を被測温体に押し付ける方向に付勢するばね部材を設けたため、容器内外の圧力差に大きく影響を受けるベローズを用いたり、耐食性を低下させる要因となるシースの一部を剥がしたりすることなく、シース熱電対の先端部を被測温体に確実に接触させることができる。しかも、容器内の腐食ガスの雰囲気に曝されるシース、密閉部材およびばね部材をいずれも、腐食ガスに対する耐食性材料によって形成し、密閉部材とシースとの接合部を溶接またはろう付けによって形成したため、腐食ガスによる腐食を防止することができる。したがって、容器内の減圧に起因するシース熱電対または被測温体の損傷ならびに容器内の腐食ガスに起因する腐食を防止しつつ、被測温体の温度を正確に測定することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、添付図面を参照して本発明の実施形態について具体的に説明する。
図１は本発明に係る一実施形態としての測温装置を備えたウエハ処理装置を概略的に示す断面図である。
【００１８】
ウエハ処理装置１００は、半導体基板であるウエハＷを収容可能な処理容器としてのチャンバー１と、このチャンバー１内に収容されたウエハＷを載置して、ウエハＷの温度を調整する温調部としてのサセプタ４と、このサセプタ４（被測温体）の温度を測定する測温装置５と、ウエハＷに所定の処理を施すための腐食ガスを含む処理ガスをチャンバー１内に供給する処理ガス供給機構２と、チャンバー１内を減圧可能な減圧機構３とを備えている。
【００１９】
チャンバー１は、上部が開口した略筒状に形成されており、チャンバー１の側壁には、ウエハＷを搬入出するための搬入出口１３が形成されているとともに、この搬入出口１３を開閉するゲートバルブ１４が設けられている。サセプタ４は、高さ方向に延びる支柱部材１１を介してチャンバー１の底壁１９に設けられ、内部にヒーター４０が埋設されており、このヒーター４０はヒーター電源４１に接続されている。ヒーター電源４１、すなわちヒーター４０は、測温装置５の測定温度に基づき、後述するコントローラ９０によって制御されており、これにより、サセプタ４に載置されたウエハＷの温度が調整されるように構成されている。
【００２０】
チャンバー１の上部には、開口を閉塞し、かつサセプタ４に対向するようにシャワーヘッド１５が設けられている。シャワーヘッド１５は、内部に、処理ガス供給機構２による処理ガスを拡散させる拡散空間１６を有するとともに、サセプタ４との対向面に、処理ガス供給機構２による処理ガスを吐出する複数または多数の吐出孔１７が形成されている。
【００２１】
チャンバー１の側壁の下部には排気口１８が形成されている。減圧機構３は、排気口１８に接続された排気管３１と、排気管３１を介してチャンバー１内を排気する排気装置３２とを有している。
【００２２】
処理ガス供給機構２は、ハロゲン系ガス（ハロゲンを含むガス）等の腐食ガスを含む処理ガスが貯留された処理ガス貯留部２１と、処理ガス貯留部２１からの処理ガスをシャワーヘッド１５の拡散空間１６内に導く導管２２と、導管２２を流通する処理ガスの流量を調整する流量調整機構としてのマスフローコントローラ２３およびバルブ２４とを有している。なお、複数種類の異なる処理ガスをチャンバー１内に供給する場合には、例えば、複数の処理ガス供給機構２が設けられる。
【００２３】
次に、測温装置５について詳細に説明する。
図２は測温装置５の断面図である。
【００２４】
測温装置５は、先端部（軸方向一端部）５０ａがチャンバー１内に位置されるとともにサセプタ４に追従して移動可能に設けられ、この先端部の後側（軸方向他方側）に、先端部の移動を許容する緩衝部５０ｂがチャンバー１外に延出するように設けられたシース熱電対５０と、シース熱電対５０の先端部５０ａをサセプタ４に押し付ける方向に付勢するばね部材としての圧縮コイルばね５３と、この圧縮コイルばね５３と緩衝部５０ｂとを収容し、その内部がチャンバー１の内部と連通するようにチャンバー１の壁部、例えば底壁１９と気密に密着して設けられ、緩衝部５０ｂの終端部分が外部に延出される密閉部材５１と、密閉部材５１の緩衝部５０ｂの終端部分が外部（チャンバー１外の雰囲気側）に延出される部分に気密に形成された接合部５５とを備えている。
【００２５】
シース熱電対５０は、熱電対素線と、この熱電対素線を被覆する中空のシースと、このシース内に重点されたマグネシア等の絶縁材とを有して構成されており、シース熱電対５０のシースは、ハロゲン系ガスに対する耐食性を有する材料、例えば、純ニッケル（Ｎｉ）またはニッケル・クロム・モリブデン（ＮｉＣｒＭｏ）やハステロイ等のニッケル合金によって形成されている。なお、シースおよび絶縁材は、外部に延出する部分には必ずしも設けなくてもよい。
【００２６】
シース熱電対５０の先端部５０ａは、例えば、サセプタ４の下面に形成された挿入孔４ａ内に挿入されることによりサセプタ４に接触している。シース熱電対５０の緩衝部５０ｂは、サセプタ４に対する進退方向に伸縮可能なように、例えば螺旋状に屈曲または湾曲している。シース熱電対５０は、その終端部が信号送信部５２に接続されており、信号送信部５２がシース熱電対５０による測定温度信号を後述するコントローラ９０に送信し、この測定温度信号に基づいてコントローラ９０がヒーター電源４１、すなわちヒーター４０の温度を制御するように構成されている。
【００２７】
密閉部材５１は、ハロゲン系ガスに対する耐食性を有する材料、例えば、シース熱電対５０のシースと同種の金属である純ニッケルまたはニッケル合金からなる筒状に形成され、軸方向一方側から他方側に向かって順に、圧縮コイルばね５３および圧縮コイルばね５３の伸縮に伴ってサセプタ４に対する進退方向に移動可能なピストン５４を収容するシリンダー部５１ｂと、シース熱電対５０の緩衝部５０ｂを収容する緩衝収容部５１ｃとを有しいている。密閉部材５１の軸方向一端部にはフランジ５１ａが形成されており、密閉部材５１は、フランジ５１ａの一端面がチャンバー１の底壁１９の外面（底面）に気密に取り付けられている。密閉部材５１の軸方向他端の壁部には前述の接合部５５が設けられており、接合部５５は、溶接またはろう付けによって形成されている。ここで、密閉部材５１を、シース熱電対５０のシースと同種の金属製とすることにより、両者の溶接またはろう付けが良好となり、接合部５５によってシースに確実に固定することができる。
【００２８】
圧縮コイルばね５３は、ハロゲン系ガスに対する耐食性を有し、かつ弾性力が確保される材料、例えばインコネル（登録商標）やニッケル、モリブデンを含むＳＵＳ３１６Ｌ等によって形成され、ピストン５４は、ハロゲン系ガスに対する耐食性を有する材料、例えば、シース熱電対５０のシースと同種の金属である純ニッケルまたはニッケル合金によって形成されている。ピストン５４には、シース熱電対５０のシースが内部を貫通するような貫通口が設けられ、これら両者は溶接やろう付け、またはカシメ等によって固定されており、これにより、シース熱電対５０の先端部５０ａが、ピストン５４を介した圧縮コイルばね５３の弾発力によってサセプタ４に押し付けられるように付勢されている（矢印Ｆ方向）。ここで、ピストン５４を、シース熱電対５０のシースと同種の金属製とすることにより、両者の溶接またはろう付けが良好となり、シースに確実に固定することができる。
【００２９】
ウエハ処理装置１００の各構成部は、マイクロプロセッサ（コンピュータ）を備えたコントローラ９０（制御部）に接続されて制御される構成となっている。コントローラ９０には、ウエハ処理装置１００の各構成部を管理するためにコマンドの入力操作等を行うキーボードや、ウエハ処理システム１の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等からなるユーザーインターフェースと、ウエハ処理装置１００で実行される処理をコントローラ９０の制御にて実現するための制御プログラムや処理条件データ等が記録されたレシピが格納された記憶部とが接続されており、必要に応じて、ユーザーインターフェースからの指示等にて任意のレシピを記憶部から呼び出してコントローラ９０に実行させることで、コントローラ９０の制御下でウエハ処理装置１００での所望の処理が行われる。
【００３０】
このように構成されたウエハ処理装置１００においては、以下のようにしてウエハＷの処理が行われる。まず、ゲートバルブ１４によって搬入出口１３を開放した状態で、ウエハＷを搬入出口１３からチャンバー１内に搬入してサセプタ４上に載置し、ゲートバルブ１４によって搬入出口１３を閉塞する。
【００３１】
次に、減圧機構３の排気装置３２を作動させ、チャンバー１内を所定の圧力、例えば真空圧に減圧するとともに、処理ガス供給機構２によりシャワーヘッド１５を介してチャンバー１内に処理ガスを所定の流量供給しつつ、ヒーター４０によりサセプタ４を介してウエハＷを加熱する。ヒーター４０による加熱の際には、前述のように、シース熱電対５０がサセプタ４の温度を測定し、信号送信部５２がシース熱電対５０によるサセプタ４の測定温度信号をコントローラ９０に送信し、この測定温度信号に基づいてコントローラ９０がヒーター４０の温度を制御することで、サセプタ４上のウエハＷが所定の温度に調整される。これにより、ウエハＷに所定の処理が施されることとなる。
【００３２】
ここで、処理ガス供給機構２によるチャンバー１内への処理ガスの供給および／または減圧機構３によるチャンバー１内の減圧の際には、チャンバー１内の圧力が変化することにより、サセプタ４に揺れ等の動きが多少生じるが、シース熱電対５０の先端部５０ａは、緩衝部５０ｂがサセプタ４に対する進退方向に伸縮することとともに、圧縮コイルばね５３によってサセプタ４に押し付けられるように付勢されているため、サセプタ４の動きに追従して移動して、サセプタ４との接触が保たれる。したがって、サセプタ４の温度を正確に測定することができ、これにより、ヒーター４０の温度を精緻に制御してウエハＷの処理品を高めることが可能となる。
【００３３】
また、ばね部材、例えば圧縮コイルばね５３によってシース熱電対５０の先端部５０ａをサセプタ４に押し付けるように付勢したことにより、従来のように、大気と真空との差圧によって著しく大きな押し付け力を作用させてしまうベローズを用いる必要がないため、チャンバー１内の減圧によってシース熱電対５０がサセプタ４に強く押し付けられることを防止することができ、これにより、シース熱電対５０およびサセプタ４の損傷を防止して、装置の耐久性を高めることが可能となる。
【００３４】
また、シース熱電対５０をシースごと例えば螺旋状に屈曲させて緩衝部５０ｂを形成したことにより、従来のようにシースの一部を剥がして熱電対素線を露出させる必要がないため、耐熱性が確保され、これにより、チャンバー１内が高温に保たれる場合にも対応することが可能となる。
【００３５】
なお、緩衝部５０ｂは、伸縮の際の負荷が軽減されるように、極力小さい曲率を有することが好ましく、また、伸縮の際の負荷が分散されるように、サセプタ４に対する進退方向に一定の規則性を有する形状であることが好ましい。このような形状としては、図２に示した螺旋状以外に、例えば図３に示すような波形が挙げられる。
【００３６】
さらに、チャンバー１内の処理ガス、例えばハロゲン系ガス等の腐食ガスの雰囲気に曝される測温装置５の各部材、すなわちシース熱電対５０のシース、密閉部材５１、圧縮コイルスプリング５３およびピストン５４をいずれも、処理ガスに対する耐食性を有する材料、例えばニッケルまたはニッケル合金によって形成し、シース熱電対５０のシースと密閉部材５１とを気密に接合する接合部５５を溶接またはろう付けによって形成したため、樹脂等の有機系材料を一切用いる必要がなく、処理ガスによる測温装置５の腐食を防止して、有機汚染を回避することができる。
【００３７】
減圧機構３によるチャンバー１内の減圧、処理ガス供給機構２によるチャンバー１内への処理ガスの供給およびヒーター４０によるウエハＷの加熱を所定の時間行って、ウエハＷに所定の処理を施したら、処理ガス供給機構２によるチャンバー１内への処理ガスの供給およびヒーター４０によるウエハＷの加熱を停止し、ゲートバルブ１４によって搬入出口１３を開放して、ウエハＷを搬入出口１３からチャンバー１外に搬出する。
【００３８】
なお、本発明は上記実施形態に限定されることなく種々の変形が可能である。上記実施形態では、シース熱電対５０がチャンバー１内で露出するように測温装置５を配置したが、例えば図４に示すように、シース熱電対５０が筒状の支柱部材１１内に収まるように測温装置５を配置してもよい。
【００３９】
また、上記実施形態では、緩衝部５０ｂを収容する緩衝収容部５１ｃと、圧縮コイルばね５３およびピストン５４を収容するシリンダー部５１ｂと、シリンダー部５１ｂの一端部から突出するフランジ５１ａとから一体形成して密閉部材５１を構成し、この密閉部材５１をフランジ５１ａの一端面が密着するようにチャンバー１の底壁１９の外面に取り付けたが、例えば図５に示すように、密閉部材５１を、チャンバー１の底壁１９の外面（底面）に取り付けられる外側部材５１ｄと、チャンバー１の底壁１９の内面（上面）に取り付けられる内側部材５１ｅとを有して構成し、外側部材５１ｄと内側部材５１ｅとの間に緩衝部５０ｂ、圧縮コイルばね５３およびピストン５４が配置されるように構成してもよい。この場合には、例えば、外側部材５１ｄを、緩衝部５０ｂを収容する容器状に形成するとともに、内側部材５１ｅを、シース熱電対５０を囲繞するリング状に形成し、圧縮コイルばね５３およびピストン５４が外側部材５１ｄと内側部材５１ｅとの間に挟まれるようにチャンバー１の底壁１９内に配置される構成とすることができる。この場合には、チャンバー１の底壁１９の圧縮コイルばね５３およびピストン５４を囲繞する部分も密閉部材５１の一部として機能する。このような構成により、密閉部材５１（密閉部材５１のチャンバー１の底壁１９から突出する部分）の小型化を図ることができる。なお、内側部材を用いずに、圧縮コイルばね５３およびピストン５４が外側部材とチャンバー１の底壁１９との間に挟まれるように配置される構成としてもよく、あるいは、外側部材を用いずに内側部材を容器状に形成しておき、緩衝部５０ｂ、圧縮コイルばね５３およびピストン５４が内側部材内に収容される構成としてもよい。
【００４０】
また、上記実施形態では、ばね部材として圧縮コイルばねを用いたが、これに限らず、引張コイルばね等の他のばねを用いてもよい。
【００４１】
さらに、上記実施形態では、ヒーターの加熱によって半導体ウエハの温度を調整する場合の適用例について説明したが、これに限らず、例えば、クーリングプレートの冷却によってウエハの温度を調整する場合にも適用することができる。また、被処理体も半導体ウエハに限らず、ＦＰＤ用ガラス基板等であってもよい。
【産業上の利用可能性】
【００４２】
本発明は、半導体基板に成膜処理を施すＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置やＣＯＲ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｏｘｉｄｅ  Ｒｅｍｏｖａｌ）処理後の半導体基板に熱処理を施すポストヒート装置など、腐食ガス雰囲気の容器内に配置されたサセプタ等の被測温体の温度を測定する用途全般に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明に係る一実施形態としての測温装置を備えたウエハ処理装置を概略的に示す断面図である。
【図２】測温装置の断面図である。
【図３】測温装置に設けられた緩衝部の変形例を示す図である。
【図４】測温装置の処理容器への別の取り付け態様を示す図である。
【図５】測温装置に設けられた密閉部材の変形例を示す図である。
【図６】従来のシース熱電対の処理容器への取り付け態様を示す図である。
【符号の説明】
【００４４】
１：チャンバー（容器：処理容器）
２：処理ガス供給機構
４：サセプタ（被測温体）
５：測温装置
１９：底壁（壁部）
４０：ヒーター
５０：シース熱電対
５０ａ：先端部
５０ｂ：緩衝部
５１：密閉部材
５３：圧縮コイルばね（ばね部材）
５４：ピストン
５５：接合部
９０：コントローラ（制御部）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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