(57)【要約】【課題】本発明は、部品内蔵基板に配置された伝送回路をシミュレーション測定する場合のシミュレーション精度を向上させることを目的とする。【解決手段】上記目的を達成する為に、本発明の回路シミュレーションシステム４は、電子部品を内蔵した誘電体基板に配置された伝送回路の特性を、電子部品の影響を含めた誘電体基板の実効誘電率を考慮して、シミュレーション測定するシミュレーション部８を有する。この構成により、シミュレーション部８は、電子部品の影響を含めた誘電体基板の実効誘電率に基づいて伝送回路の特性をシミュレーション測定するので、シミュレーション測定の結果をより現実の伝送回路の特性に近づけることができ、シミュレーション精度を向上させることができる。【選択図】図１
2008040524.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品を内蔵した誘電体基板に配置された伝送回路の特性を、前記電子部品の影響を含めた前記誘電体基板の実効誘電率を考慮して、シミュレーション測定するシミュレーション部を有する回路シミュレーションシステム。
【請求項２】
前記誘電体基板を、仮想的に複数のセルに分割する基板分割部を有し、
前記計算部は、前記セルの各々に対して前記実効誘電率を計算する請求項１に記載の回路シミュレーションシステム。
【請求項３】
前記基板分割部は、前記伝送回路の動作周波数帯に応じて前記セルの寸法を決定する請求項２に記載の回路シミュレーションシステム。
【請求項４】
前記計算部は、前記電子部品に対する前記伝送回路の相対位置を考慮して、前記実効誘電率を求める請求項１に記載の回路シミュレーションシステム。
【請求項５】
電子部品を内蔵した誘電体基板に配置された伝送回路の特性を、前記電子部品の影響を含めた前記誘電体基板の実効誘電率を考慮して、シミュレーション測定するシミュレーション工程を含む部品内蔵基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、部品内蔵基板に配置された伝送回路の特性をシミュレーション測定する回路シミュレーションシステムと部品内蔵基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の回路シミュレーションシステムについて、図５を用いて説明する。従来の回路シミュレーションシステムは、図５に示す様な誘電体基板１に配置された伝送回路２を電磁界解析によってシミュレーション測定する場合、誘電体基板１の誘電率を考慮して、伝送回路２の特性をシミュレーション測定していた。
【０００３】
なお、この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献１が知られている。
【特許文献１】特開２００２−２５９４８３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来の回路シミュレーションシステムにおいて、誘電体基板１が内部に電子部品３を有する場合、誘電体基板１の誘電率を考慮して伝送回路２の特性をシミュレーション測定したとしても、内蔵された電子部品３が誘電体基板１の誘電率に及ぼす影響が大きく、シミュレーション測定の結果が現実の伝送回路の特性に対し大きくずれるという問題があった。
【０００５】
そこで本発明は、部品内蔵基板に配置された伝送回路をシミュレーション測定する場合のシミュレーション精度を向上させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成する為に、本発明の回路シミュレーションシステムは、電子部品を内蔵した誘電体基板に配置された伝送回路の特性を、電子部品の影響を含めた誘電体基板の実効誘電率を考慮して、シミュレーション測定するシミュレーション部を有する。
【発明の効果】
【０００７】
上記構成により、シミュレーション部は、電子部品の影響を含めた誘電体基板の実効誘電率に基づいて伝送回路の特性をシミュレーション測定するので、シミュレーション測定の結果をより現実の伝送回路の特性に近づけることができ、シミュレーション精度を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
（実施の形態１）
以下、本発明を実施するための実施の形態１について、図面を参照しながら説明する。図１は、本発明の実施の形態１における回路シミュレーションシステムのブロック図を示す。図１において、本施の形態１における回路シミュレーションシステム４は、伝送回路の種々のパラメータが入力される入力部５と、この入力部５で入力されたパラメータを計算する計算部６と、この計算部６の計算結果を記憶する記憶部７と、この記憶部７に記憶された計算結果を用いて伝送回路を電磁界解析によってシミュレーション測定するシミュレーション部８とを有する。
【０００９】
以下、回路シミュレーションシステム４が、図２に示す様な電子部品９が内蔵された樹脂からなる誘電体基板１０に配置された伝送回路１１をシミュレーション測定する場合について説明する。
【００１０】
図１において、入力部５は、図３に示す様に、ユーザによって電子部品９、誘電体基板１０、及び伝送回路１１について種々のパラメータが入力される。これらパラメータは、例えば、誘電体基板１０の誘電率と寸法、伝送回路１１の寸法と誘電体基板１０における伝送回路１１の相対的な位置情報、電子部品９の寸法と誘電体基板１０内における電子部品９の相対的な位置情報である。
【００１１】
計算部６は、入力部５で入力された誘電体基板１０の誘電率と電子部品９に関する情報とを用いて、シミュレーション部８が伝送回路の特性をシミュレーション測定する際に考慮すべき実効誘電率を計算する。例えば、この実効誘電率は、誘電体基板１０の誘電率から、電子部品９の寸法や電子部品９と伝送回路１１との相対位置に基づいて計算される。
【００１２】
記憶部７は、計算部６が計算した実効誘電率を記憶する。
【００１３】
シミュレーション部８は、記憶部７から誘電体基板１０の実効誘電率を読み取り、入力部５で入力された種々のパラメータに適用して、伝送回路１１の特性を電磁界解析によってシミュレーション測定する。
【００１４】
上記構成により、シミュレーション部８は、電子部品９の影響を含めた誘電体基板１０の実効誘電率に基づいて伝送回路１１の特性をシミュレーション測定するので、シミュレーション測定の結果をより現実の伝送回路の特性に近づけることができ、シミュレーション精度を向上させることができる。
【００１５】
なお、図４に示す様に、回路シミュレーションシステム４は、電子部品９と誘電体基板１０と伝送回路１１とを仮想的に複数のセルに分割する基板分割部（図示せず）を有し、計算部６が、各々のセルごとに誘電体基板１０の実効誘電率を計算しても良い。セルの適切な寸法は、伝送回路１１の動作周波数に依存する。これにより、シミュレーション部８は、各々のセルの実効誘電率に基づいて伝送回路の特性をシミュレーション測定できるので、誘電体基板１０が複数のセルに分割されていない場合より、シミュレーション測定の結果を更に現実の伝送回路に近づけることができ、シミュレーション精度を向上させることができる。
【００１６】
尚、誘電体基板１０は、セラミック基板、ガラス基板、或いはシリコンなどの半導体基板等であっても構わない。
【産業上の利用可能性】
【００１７】
本発明は、部品内蔵基板に配置された伝送回路をシミュレーション測定する場合のシミュレーション精度を向上させることができ、部品内蔵基板の製造工程において有用である。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の実施の形態１における回路シミュレーションのシステムのブロック図
【図２】同回路シミュレーションシステムの測定対象を示す図
【図３】（ａ）は、同回路シミュレーションシステムの測定対象を示す上面図、（ｂ）は、同回路シミュレーションシステムの測定対象を示す断面図
【図４】（ａ）は、同回路シミュレーションシステムの測定対象を示す断面図、（ｂ）は、同回路シミュレーションシステムの測定対象を示す上面図
【図５】従来の回路シミュレーションシステムの測定対象を示す図
【符号の説明】
【００１９】
４  回路シミュレーションシステム
５  入力部
６  計算部
７  記憶部
８  シミュレーション部
９  電子部品
１０  誘電体基板
１１  伝送回路
【図１】
2008040524.tif 000003
【図２】
2008040524.tif 000004
【図３】
2008040524.tif 000005
【図４】
2008040524.tif 000006
【図５】
2008040524.tif 000007