(57)【要約】【課題】絶縁基板の主面に、画素毎にべた形成した共通電極を有し、その上に絶縁膜を介して櫛歯状の画素電極を設ける形式の液晶表示パネルにおける当該共通電極を、スパッタ成膜とホトリソ工程を用いずに高精度に形成する。【解決手段】ガラス基板１の主面に形成するゲート配線/電極３および共通電極配線１０と同時に共通電極用バンク５０を形成し、このバンク５０で囲まれた内側に導電性インクをインクジェット塗布することで、高精度に共通電極２を形成する。【選択図】図２
2008129303.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板の主面に薄膜トランジスタからなる多数の画素をマトリクス配置した有効表示領域と、この有効表示領域の外側に画素の点灯・非点灯を制御する駆動回路を含む外部回路を設けた液晶表示パネルを有する液晶表示装置であって、
前記絶縁基板の主面に形成されたゲート配線/電極と、このゲート配線/電極と同一層に共通電極配線および該共通電極配線の一部と共に共通電極の外縁を規制するバンクを有し、
前記バンクの内側に塗布型導電膜で形成された共通電極を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記バンクの前記絶縁基板面からの高さが、前記共通電極の同高さよりも高いことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記ゲート配線/電極と前記共通電極配線および前記共通電極の前記絶縁基板面からの高さが略等しいことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】
請求項１乃至３の何れかにおいて、
前記共通電極の上層に、絶縁膜を介して画素電極を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５】
請求項４において、
前記画素電極は櫛歯状であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項６】
請求項４又は５において、
前記画素電極は前記薄膜トランジスタに接続していることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項７】
絶縁基板の主面に薄膜トランジスタからなる多数の画素をマトリクス配置した有効表示領域と、この有効表示領域の外側に画素の点灯・非点灯を制御する駆動回路を含む外部回路を設けた薄膜トランジスタ基板で構成した液晶表示パネルを有する液晶表示装置の製造方法であって、
前記液晶表示パネルを構成する前記絶縁基板の前記画素の開口部に、ゲート配線/電極および共通電極配線と同時に共通電極用のバンクを形成し、
前記バンクで囲まれた内側に塗布型導電性溶液を塗布し、これを焼成して、前記共通電極を形成することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項８】
請求項７において、
前記バンクを金属膜のスパッタとホトリソグラフィーでパターニングすることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項９】
請求項７又は８において、
前記塗布型導電性溶液の塗布をインクジェットで行うことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置とその製造方法に関し、特に横電界方式におけるコモン透明導電膜の形成工程を削減して全体のコスト低減を図った横電界型の液晶表示装置に好適なものである。
【背景技術】
【０００２】
フラット・パネル・ディスプレイ（ＦＰＤ）の典型として液晶表示装置が広く用いられている。液晶表示装置は、基本的には二枚の基板の一方に画素電極を、他方の基板に共通電極（対向電極、コモン電極）を形成し、両電極間に電界を形成して液晶分子の配向方向を制御する、所謂縦電界方式（一般的に、ＴＮ方式などと呼ばれる）、二枚の基板の一方の基板に画素電極と共通電極（対向電極）を当該基板の基板面に略平行に配列させて形成し、両電極間に形成される電界で液晶分子の配向方向を制御する、所謂横電界方式（ＩＰＳ方式とも称する）とに大別される。これらの方式には、さらに、多くの派生的な方式が提案されて、実用化がなされている。
【０００３】
これらの各方式の液晶表示装置の中で、横電界方式は視野角が広く、また、画素電極と共通電極の両方を一方の基板（通常は、薄膜トランジスタを形成した側の基板、薄膜トランジスタ基板：ＴＦＴ基板）に形成することで、他方の基板（通常は、カラーフィルタを形成することで、カラーフィルタ基板：ＣＦ基板）との位置合わせ裕度が大きい、などから製造歩留まりが良い、などの特徴を有する。
【０００４】
横電界方式の液晶表示装置は、その一方の基板であるＴＦＴ基板の主面に薄膜トランジスタからなる多数の画素回路をマトリクス配置した有効表示領域と、この有効表示領域の外側に画素の点灯・非点灯を制御する駆動回路を含む外部回路が設置または形成される。一方、ＣＦ基板の主面には、通常はＲ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）の３色のカラーフィルタが形成され、ＴＦＴ基板と主面同士を対向させて貼り合わせ、貼り合わせた間隙に液晶を封止して構成される。本発明は、横電界方式の液晶表示装置の、特にＴＦＴ基板に設ける共通電極とその形成に関連する。カラーフィルタをＴＦＴ基板側に設けたものもあるが、本発明はカラーフィルタに直接関連しないので、詳しい説明はしない。
【０００５】
図１０は、従来のＴＦＴ基板の構造例を説明する１画素の断面図である。このＴＦＴ基板は、ガラス等の無機基板、あるいは耐熱プラスチックスなどの有機フィルムを用い、その主面（ＴＦＴ等を構成するための内面）に薄膜トランジスタや画素電極、共通電極が形成される。ここでは、基板に透明ガラス基板を用いるものとして説明する。図１３において、ＴＦＴ部分ＴＦＴには、ガラス基板１の主面に金属膜（アルミニウム（Ａｌ）等）膜３の積層構造を有する。又、画素開口部ＰＸには共通電極２としてのＩＴＯ膜が下部ゲート電極/ゲート配線３Ａと同層に有する。共通配線部（共通電極給電部）ＣＬには、共通電極２を形成するＩＴＯ膜の上に金属膜（アルミニウム（Ａｌ）等）からなる上部共通電極２Ａが積層されている。
【０００６】
金属膜３、ＩＴＯ膜３Ａからなるゲート配線/電極、共通電極２としてのＩＴＯ膜、上部共通電極２Ａを覆ってゲート絶縁膜４が形成されている。このゲート絶縁膜４としては窒化シリコン（ＳｉＮ）が好適であるが、他の適当な絶縁材であってもよい。ゲート絶縁膜４の上層で、ＴＦＴ部分ＴＦＴには半導体膜５がパターニングされている。この半導体膜５はアモルファスシリコン、ポリシリコン等５Ｂと、その上層に不純物半導体層５Ａを有する積層構造である。
【０００７】
半導体膜５の上部には、チャネルを挟んでソース電極６とドレイン電極７が形成されている。これらソース電極６とドレイン電極７はアルミニウムを好適とする金属膜をパターニングして形成される。このソース電極６とドレイン電極７の上層を含むゲート絶縁膜４を覆って、保護絶縁膜８が成膜されている。保護絶縁膜８はパッシベーション膜（ＰＡＳ膜）とも称し、ゲート絶縁膜４と同様の窒化シリコンが好適である。しかし、他の適当な絶縁材であってもよい。なお、ソース電極６とドレイン電極７は動作中に切り替わるが、説明の便宜上、図示のように固定したものとする。
【０００８】
保護絶縁膜８の上には、ＩＴＯからなる画素電極９がパターニングされている。画素電極９は櫛歯形であり、その一部は保護絶縁膜８に開けたコンタクトホールを通してＴＦＴのドレイン電極７と接続している。また、共通配線部ＣＬでは、共通配線１０が保護絶縁膜８とゲート絶縁膜４を通して開けられたスルーホールを通して上部共通電極２Ａに接続している。
【０００９】
このＴＦＴ基板は、その主面の最上層を覆って配向膜が成膜され、ラビング等の処理で配向制御能が付与される。その後、このＴＦＴ基板にＣＦ基板を貼り合わせ、両者の間に液晶を封入して液晶表示パネルが構成される。液晶表示パネルを構成するＴＦＴ基板の周囲には、駆動回路チップ等の外部回路が実装され、あるいは当該基板面に作り込まれる。この液晶表示パネルに、バックライトなどの機構部品、表示信号制御回路を搭載したプリント基板などを組み込んで液晶表示装置とする。
【００１０】
図１１は、図１０における共通電極の形成プロセスを説明する図である。また、図１２は、図１１における各プロセスに対応したＴＦＴ基板の断面図である。そして、図１３は、図１２におけるＩＴＯエッチング後のＴＦＴ基板の平面図、図１４は、図１２における金属（以下、メタルとも言う）エッチング後のＴＦＴ基板の平面図である。
【００１１】
図１１、図１２、図１３、図１４を参照して、共通電極の形成プロセスを説明する。先ず、図１１のプロセス３１（以下、Ｐ−３１のように表記する）では、ガラス基板１の主面にＩＴＯ膜２０を成膜する（図１２の（a））。この上に感光性レジスト２１を塗布し、ホトリソグラフィー工程（図では、単に、ホトと表記）で共通電極のパターンにパターニングする（Ｐ−３２、（図１２の（b））。パターニングした感光性レジスト２１をマスクとしてＩＴＯ膜２０をエッチングした後、感光性レジスト２１を除去する（Ｐ−３３、図１２の（c）、図１３）。図１３にエッチング後のＩＴＯパターンの平面形状を示す。図１３のＡ−Ｂ線に沿った断面が図１２の（c）に対応する。この上に金属薄膜としてアルミニウム（Ａｌ）３０をスパッタし（Ｐ−３４、図１２の（d））、感光性レジストを塗布した後、マスク露光でゲート配線／電極３と上部共通電極配線（共通配線）２Ａの部分にレジスト４１を残す（Ｐ−３５、図１２の（e））。これにエッチングを施してレジスト４１の下層以外のメタルを除去して共通電極２を露出させる（Ｐ−３６、図１２の（f）、図１４）。
【００１２】
このように、従来は，ＩＴＯのパターニングとゲート電極/配線のメタルのパターニングとの２回のホトリソ工程を必要としている。なお、ＴＦＴ基板の製造におけるスパッタ成膜とホトリソ工程に換えて、ＴＦＴを構成する絶縁膜、導電膜、半導体膜の何れか、もしくは全部をインクジェット塗布による直接パターニングで形成するものが引用文献１に開示されている。
【特許文献１】特許第３７２５１６９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
大形ＴＶ用の液晶表示装置を構成する液晶表示パネルでは低コスト化が重要である。スパッタ成膜とホトリソ工程によるパターニングは、スパッタ用の真空装置、露光マスク、露光装置、現像装置、等の高価かつ大型の製造設備を要するため、スパッタ成膜やホトリソ工程の削減は製造コストの低減に直接寄与する。
【００１４】
引用文献１に開示のインクジェット塗布での薄膜の直接パターニングでは、精度が１０μｍのパターンまで形成可能としている。ＴＶ用の液晶表示パネルの１画素のサイズは５００μｍ×１７０μｍ程度と大きいので、理論上は画素電極等をインクジェット塗布で直接形成できると考えられる。しかし、インクジェット用のインクは薄膜材料を分散した溶液であり、ノズルから滴下されたインク滴は滴下表面上を濡れ広がるため、塗布端の外縁を精度よく制御することは困難である。
【００１５】
ガラス基板の主面に、画素毎にべた形成した共通電極を有し、その上に絶縁膜を介して櫛歯状の画素電極を設ける形式の液晶表示パネルの製造のためのスパッタ成膜とホトリソ工程数を削減するために、画素電極よりも面積の広い共通電極をインクジェット塗布で形成できれば、低コスト化に大きく貢献することが可能である。しかし、配線間ショートや層間の浮遊コンダクタンスを発生させないためには、共通電極のパターニング精度は５μｍ以下が必要であり、このような高精度パターニングを引用文献１に記載のインクジェット塗布では形成できない。
【００１６】
本発明の目的は、ガラス等の絶縁基板の主面に、画素毎にべた形成した共通電極を有し、その上に絶縁膜を介して櫛歯状の画素電極を設ける形式の液晶表示パネルにおける当該共通電極のパターニングを、スパッタ成膜とホトリソ工程を用いずに高精度に形成した液晶表示装置とその製造方法を得ることにある。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
上記目的は、ガラス基板の主面に形成するゲート配線/電極および共通電極配線と同時に共通電極用バンク（堤）を形成し、このバンクで囲まれた内側に導電性インクをインクジェット塗布し、焼成することで、高精度に共通電極を形成することで達成される。ゲート配線/電極および共通電極配線とバンクは、同時に形成されるため、絶縁基板面からの高さは略同じとなる。また、共通電極は塗布したインクを焼成して得られるため、その絶縁基板面からの高さはゲート配線/電極および共通電極配線とバンクのそれよりも低くなる。
【００１８】
すなわち、ゲート配線/電極と同時に共通電極の外形を規制するバンクを精度の良いホトリソ工程で形成し、このバンクで囲まれた内側にＩＴＯを好適とする透明導電膜材料を溶液に分散したインクをインクジェット塗布する。塗布された透明導電膜材料の周縁（外縁）はバンクで規制される。これを焼成することで高精度の共通電極が形成される。その後、絶縁膜を成膜し、ＩＴＯを好適とする画素電極用の透明導電膜材料をスパッタ成膜し、ホトリソ工程で櫛歯状にパターニングして画素電極とする。
【００１９】
本発明の代表的な構成を記述すれば、以下のとおりであるが、本発明はこの記述および後述する実施の形態の記述に限定されるものではなく、本発明の技術思想を逸脱することなく、種々の変更が可能であることはいうまでもない。
【００２０】
絶縁基板の主面に薄膜トランジスタからなる多数の画素をマトリクス配置した有効表示領域と、この有効表示領域の外側に画素の点灯・非点灯を制御する駆動回路を含む外部回路を設けた液晶表示パネルを有する液晶表示装置において、本発明は、
前記絶縁基板の主面に形成されたゲート配線/電極と、このゲート配線/電極と同一層に共通電極配線および該共通電極配線の一部と共に共通電極の外縁を規制するバンクを有し、
前記バンクの内側に塗布型導電膜で形成された共通電極を有することを特徴とする。
【００２１】
また、本発明の液晶表示装置は、前記バンクの前記絶縁基板面からの高さが、前記共通電極の同高さよりも高いことを特徴とする。
【００２２】
また、本発明の液晶表示装置は、前記ゲート配線/電極と前記共通電極配線および前記共通電極の前記絶縁基板面からの高さが略等しいことを特徴とする。
【００２３】
また、本発明の液晶表示装置は、前記共通電極の上層に、絶縁膜を介して画素電極を有することを特徴とする。
【００２４】
また、本発明の液晶表示装置は、前記画素電極は櫛歯状であることを特徴とする。
【００２５】
また、本発明の液晶表示装置は、前記画素電極は前記薄膜トランジスタに接続していることを特徴とする。
【００２６】
そして、本発明の前記液晶表示装置を製造する方法は、前記液晶表示パネルを構成する前記絶縁基板の前記画素の開口部に、ゲート配線/電極および共通電極配線と同時に共通電極用のバンクを形成し、
前記バンクで囲まれた内側に塗布型導電性溶液を塗布し、これを焼成して、前記共通電極を形成することを特徴とする。
【００２７】
また、本発明の前記液晶表示装置を製造する方法は、前記バンクを金属膜のスパッタとホトリソグラフィーでパターニングすることを特徴とする。
【００２８】
また、本発明の前記液晶表示装置を製造する方法は、前記塗布型導電性溶液の塗布をインクジェットで行うことを特徴とする。
【発明の効果】
【００２９】
本発明では、共通電極の形成にスパッタ成膜や、それ自体のホトリソ工程を必要としないため、ＴＦＴ基板の製造におけるコストが削減され、設備、装置の投資を抑制して、全体として低コスト化を実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
以下、本発明の最良の実施形態を実施例の図面を参照して詳細に説明する。本発明は、透明な導電膜で構成される共通電極をＴＦＴ基板の主面の最下層にある構造とした液晶表示パネルに適用されるが、これに限定されるものではなく、同様の機能と精度が要求される薄膜の形成にも同様に適用可能である。
【実施例１】
【００３１】
図１は、本発明の実施例１の要部プロセスを説明する工程図である。また、図２は、図１に示す工程図の要部プロセスに対応したＴＦＴ基板の断面図である。図２の（a）、（b）、（c）、（d）、（e）は、図１のプロセス（Ｐ−１）、（Ｐ−３）、（Ｐ−４）、（Ｐ−５）、（Ｐ−６）に対応する。そして、図３は、ゲート配線/電極と共通電極形成用のバンクおよびこのバンクの一部も構成する共通電極配線を形成した状態の平面図、図４は、共通電極形成用のバンクにより形状規制された共通電極が形成された状態の平面図である。
【００３２】
図１のプロセス（Ｐ−１）では、洗浄したガラス基板１の表面に金属（メタル）膜３０としてアルミニウムＡlをスパッタで成膜する。金属膜はアルミニウム・ネオジム等の合金でもよく、また、後述する各種金属も用いることができる。この金属膜３０の上に感光性レジストを塗布し（Ｐ−２）、マスク露光と現像を含むホトリソ工程でゲート配線/電極およびバンク（共通配線の部分も含む）部分にレジスト４１を残す（Ｐ−３）。レジスト４１をエッチングマスクとして金属膜３０をウエットエッチングし、図３にも示すようにゲート配線/電極３およびバンク（共通配線１０の部分も含む）５０の部分に金属膜３０を残す（Ｐ−４）。バンク（共通配線１０の部分も含む）５０部分の内側に塗布形の透明導電膜材料としてＩＴＯ（の微粒子）を溶液に分散した導電性インク２０をインクジェットで塗布する（Ｐ−５）。これを乾燥し、焼成して透明な共通電極２を得る（Ｐ−６）。共通電極２はバンク５０で周縁が規制される。バンク５０はホトリソ工程で高精度にパターニングされているため、このバンク５０で外縁が規定される共通電極は前記した５μｍ以下の精度で形成される。
【００３３】
ここでは、エッチングをウェットプロセスとしたが、ガスを用いたドライエッチングでも構わない。使用するメタルは、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム・ネオジム（Ａｌ・Ｎｄ）以外に、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）などを単独または合金で用いることができ、必要に応じて複数層で形成する。膜厚は３０ｎｍ〜５００ｎｍに形成し、抵抗値は１０μΩｃｍ以下とする。
【００３４】
バンクのパターンは画素領域を囲む形状とする。ゲート配線/電極およびバンクと共に共通電極配線（共通配線）も形成され、この共通配線がバンクの一部を形成する。ガラス基板１の上でバンクで囲まれる領域は１画素の透過部に当たる。このバンクの内側を満たすように、塗布形の透明導電膜材料をインクジェットで塗布する。なお、インクジェットに限らず、例えばオフセット印刷など、他の塗布方法で透明導電膜材料をバンク内側に塗布してもよい。
【００３５】
塗布形の透明導電膜材料の溶液としては、ＩＴＯなどの透明導電材料の前駆体(ここでの前駆体は塗布後加熱や光照射などのエネルギーを与えることでＩＴＯとなるものを指す)を溶媒に溶かしたものでもよく、大きさ平均粒径が５〜５０ｎｍの微粒子を溶媒中に分散させたものでもよい。この微粒子を分散する溶媒としては、アルコール類、ケトン類、グリコールエーテル類、非環状炭化水素類、芳香族炭化水素類などを用いることができ、分散剤や安定剤を加えて用いる。この種の溶媒としては、例えば、住友金属鉱山社製の商品名「ＤＸ−４００シリーズ」などが市販されている。
【００３６】
透明導電膜材料の溶液をインクジェットで平坦なガラス基板上に単に塗布した場合、基板面との濡れ性（基板面と溶液の表面エネルギーの関係）により塗布パターンの端部（外縁の位置）は正確に規定できない。しかし、本実施例によれば、バンクを形成するメタルの段差によりインクが堰きとめられるので、バンクのパターンに従った形状で形成できる。バンクのパターン精度はメタルのホトリソによるパターニングの精度である±２μｍで形成可能である。
【００３７】
そして、透明導電材料の溶液を滴下塗布した後、２００℃以下で仮焼成して溶剤をある程度除去し、２００〜４５０℃で焼成する。これにより、ＩＴＯの導電性薄膜が形成される。このＩＴＯの薄膜は、膜厚１００ｎｍでのシート抵抗が、例えば０．１〜５０ｋΩ/□程度となる。また、透過率が、９０％以上となる。
【００３８】
また、従来のスパッタによるＩＴＯ等の透明導電膜の成膜では、スパッタ用ターゲットとしてのＩＴＯ等の材料使用効率が最大５０％で、かつパターニングにより成膜後にその２０〜４０％を除去していたのに比べ、本発明の実施例１のようにインクジェット塗布を用いることで、材料の８０〜９０％を有効に使用可能となり、材料効率の観点からも低コスト化を図ることができる。
【００３９】
図５は、共通電極の形成後のＴＦＴ基板の形成プロセスを工程順に説明する断面図である。なお、ここでは、共通電極を実施例１で形成したものを用いている。図６は、図４と同様の図５の（a）に対応する１画素部分の平面図、図７は、図５の（e）に対応する１画素部分の平面図、図８は、図５の（h）に対応する１画素部分の平面図である。
【００４０】
図５〜図８において、共通電極２を形成したＴＦＴ基板（図５の（a）、図６）にゲート絶縁膜４としてＳｉＮをＣＶＤで形成する（図５の（b））。このゲート絶縁膜４の形成のための反応ガスは、ＳｉＨ4、ＮＨ3で、バッファガスに窒素ガスＮ2を用いる。ゲート絶縁膜４は３００〜５００ｎｍの膜厚に形成する。その後、半導体膜５としてアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）５Ｂ、ｎ型不純物をドープしたアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）５ＡをＣＶＤで成膜する（図５の（b））。半導体層５のみをホトリソプロセスとドライエッチングでパターニングする（図５の（c））。
【００４１】
次に、ソース・ドレイン配線用メタル６０をスパッタで成膜し（図５の（d））、ソース電極６（及びソース配線、あるいはデータ線）１２、ドレイン電極７をパターン形成する（図５の（e）、図７）。ソース・ドレイン配線用メタルは、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム・ネオジム合金（Ａｌ―Ｎｄ）以外に、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）などを単独または合金で用い，必要に応じて複数層で形成する。
【００４２】
この上に、保護絶縁膜（ＰＡＳ膜）８としてＳｉＮをＣＶＤで３００〜５００ｎｍの膜厚に形成し（図５の（f））、画素電極とドレイン線をつなぐように保護絶縁膜８にスルーホールをホトリソで形成する（図５の（g））。
【００４３】
さらに、画素電極９としての透明導電膜を３０〜２００ｎｍの膜厚に形成し，横電界を発生させるために櫛歯形状にパターニングする（図５の（h）、図５の（i）、図８）。透明導電膜９はスパッタで形成し、材料には、ＩＴＯ、ＳｎＯ2、ＺｎＯ、ＡｌドープＺｎＯ、などが使用できる。図８の線Ｅ―Ｆに沿った断面が図５の（h）に、線Ｇ―Ｈに沿った断面が図５の（i）に対応する。
【００４４】
図９は、本発明による液晶表示装置の液晶表示パネルを構成するＴＦＴ基板の構造例を説明する１画素の断面図である。このＴＦＴ基板１には、ガラス等の無機基板、あるいは耐熱プラスチックスなどの有機フィルムを用い、その主面に薄膜トランジスタＴＦＴや画素電極、共通電極が形成される。ここでは、基板１に透明ガラス基板を用いるものとして説明する。図９において、ＴＦＴ部分ＴＦＴには、ガラス基板１の主面に金属膜のゲート電極３を有する。又、画素開口部ＰＸには共通電極２としてのＩＴＯ膜がゲート電極３と同層で有する。共通配線部（共通電極給電部）ＣＬには、金属膜からなる共通電極配線１０が形成されている。この共通電極配線１０はバンク５０の一部（一辺）を構成している。
【００４５】
ゲート配線/電極３、共通電極２としてのＩＴＯ膜、共通電極配線１０を覆ってゲート絶縁膜４が形成されている。このゲート絶縁膜４としては窒化シリコンＳｉＮが好適であるが、他の適当な絶縁材であってもよい。ゲート絶縁膜４の上層で、ＴＦＴ部分ＴＦＴには半導体膜５がパターニングされている。この半導体膜５はアモルファスシリコン（ポリシリコン等でも可）５Ｂと、その上層に不純物半導体層５Ａを有する積層構造である。
【００４６】
半導体膜５の上部には、チャネルを挟んでソース電極６とドレイン電極７が形成されている。これらソース電極６とドレイン電極７はアルミニウムを好適とする金属膜をパターニングして形成される。このソース電極６とドレイン電極７の上層を含むゲート絶縁膜４を覆って、保護絶縁膜（ＰＡＳ膜）８が成膜されている。保護絶縁膜８はゲート絶縁膜４と同様の窒化シリコンで形成するのが好適である。しかし、他の適当な絶縁材であってもよい。
【００４７】
保護絶縁膜８の上には、ＩＴＯからなる画素電極９がパターニングされている。画素電極９は櫛歯形であり、その一部は保護絶縁膜８に開けたコンタクトホールを通してＴＦＴのドレイン電極７と接続している。また、共通配線部ＣＬでは、共通配線１０が保護絶縁膜８とゲート絶縁膜４を通して開けられたスルーホールのコンタクト１１を通して図示しない共通電極給電線に接続している。
【００４８】
このＴＦＴ基板は、その主面の最上層を覆って図示しない配向膜が成膜され、ラビング等の処理で配向制御能が付与される。その後、このＴＦＴ基板にＣＦ基板を貼り合わせ、両者の間に液晶を封入して液晶表示パネルが構成される。液晶表示パネルを構成するＴＦＴ基板の周囲には、駆動回路チップ等の外部回路が実装され、あるいは当該基板面に作り込まれる。この液晶表示パネルに、バックライトなどの機構部品、表示信号制御回路を搭載したプリント基板などを組み込んで液晶表示装置とする。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明の実施例１の要部プロセスを説明する工程図である。
【図２】図１に示す工程図の要部プロセスに対応したＴＦＴ基板の断面図である。
【図３】ゲート配線/電極と共通電極形成用のバンクおよびこのバンクの一部も構成する共通電極配線を形成した状態の平面図である。
【図４】共通電極形成用のバンクにより形状規制された共通電極が形成された状態の平面図である。
【図５】共通電極の形成後のＴＦＴ基板の形成プロセスを工程順に説明する断面図である。
【図６】図４と同様の図８の（a）に対応する１画素部分の平面図である。
【図７】図５の（e）に対応する１画素部分の平面図である。
【図８】図５の（h）に対応する１画素部分の平面図である。
【図９】本発明による液晶表示装置の液晶表示パネルを構成するＴＦＴ基板の構造例を説明する１画素の断面図である。
【図１０】従来のＴＦＴ基板の構造例を説明する１画素の断面図である。
【図１１】図１０における共通電極の形成プロセスを説明する図である。
【図１２】図１１における各プロセスに対応したＴＦＴ基板の断面図である。
【図１３】図１２におけるＩＴＯエッチング後のＴＦＴ基板の平面図である。
【図１４】図１２における金属エッチング後のＴＦＴ基板の平面図である。
【符号の説明】
【００５０】
１・・・ガラス基板、２・・・共通電極、３・・・ゲート配線/電極、４・・・ゲート絶縁膜、５・・・シリコン半導体膜、６・・・ソース電極、７・・・ドレイン電極、８・・・保護絶縁膜、９・・・画素電極、１０・・・共通電極配線、１１・・・コンタクト、１２・・・データ線、２０・・・ＩＴＯ，２１,４１・・・レジスト、５０・・・バンク。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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