(57)【要約】【課題】ピットやスクラッチのような凹欠陥を有する基板表面を平滑化する方法の提供。【解決手段】ＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク用ガラス基板表面を平滑化する方法であって、ガラス基板上に薄膜を形成する工程と、前記ガラス基板上に存在する凹欠陥を検出する工程と、検出された凹欠陥直上の前記薄膜を局所的に加熱することにより若しくは該薄膜を局所的に陽極酸化することにより、前記薄膜を構成する材料に体積増加を伴う化学反応を生じさせる工程と、を含むことを特徴とするガラス基板表面を平滑化する方法。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク用ガラス基板表面を平滑化する方法であって、
ガラス基板上に薄膜を形成する工程と、
前記ガラス基板上に存在する凹欠陥を検出する工程と、
検出された凹欠陥直上の前記薄膜を局所的に加熱することにより、前記薄膜を構成する材料に体積増加を伴う化学反応を生じさせる工程と、を含むことを特徴とするＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク用ガラス基板表面を平滑化する方法。
【請求項２】
前記化学反応が、酸化反応であることを特徴とする請求項１に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク用ガラス基板表面を平滑化する方法。
【請求項３】
前記化学反応が、窒化反応であることを特徴とする請求項１に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク用ガラス基板表面を平滑化する方法。
【請求項４】
前記薄膜が、Ａｌ、Ｂ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｇｅ、Ｈｆ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｔｉ、ＺｎおよびＺｒからなる群から選択される少なくとも１つを主たる構成材料とする請求項１ないし３のいずれかに記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク用ガラス基板表面を平滑化する方法。
【請求項５】
前記薄膜が、互いに構成材料が異なる少なくとも２層の膜を含み、
前記化学反応が、前記２層の膜を構成する材料同士の相互拡散に伴うことを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク用ガラス基板表面を平滑化する方法。
【請求項６】
前記少なくとも２層の膜のうち１層の膜が、Ａｌ、Ｂ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｇｅ、Ｈｆ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｔｉ、ＺｎおよびＺｒからなる群から選択される少なくとも１つを主たる構成材料とすることを特徴とする請求項５に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク用ガラス基板表面を平滑化する方法。
【請求項７】
前記薄膜の厚さが、前記ガラス基板に存在する凹欠陥の最大深さの０．５〜１０倍であることを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク用ガラス基板表面を平滑化する方法。
【請求項８】
前記薄膜の局所的に加熱された部位の結晶状態が、前記化学反応によってアモルファスとなることを特徴とする請求項１ないし７のいずれかに記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク用ガラス基板表面を平滑化する方法。
【請求項９】
前記局所的な加熱後の前記薄膜の結晶状態がアモルファスであることを特徴とする請求項１ないし７のいずれかに記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク用ガラス基板表面を平滑化する方法。
【請求項１０】
前記局所的な加熱を、前記ガラス基板の凹欠陥直上の薄膜にレーザー光を照射することにより行うことを特徴とする請求項１ないし９のいずれかに記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク用ガラス基板表面を平滑化する方法。
【請求項１１】
前記レーザー光の径が、前記ガラス基板に存在する凹欠陥の直径の２倍以下であることを特徴とする請求項１０に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク用ガラス基板表面を平滑化する方法。
【請求項１２】
前記凹欠陥の検出をレーザー光照射により行い、
前記局所的な加熱に使用するレーザー光源と、前記凹欠陥の検出に使用するレーザー光源と、が同一のレーザー光源であることを特徴とする請求項１０または１１に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク用ガラス基板表面を平滑化する方法。
【請求項１３】
前記凹欠陥の検出に、加熱可能な探針を有する原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）、走査型トンネル顕微鏡（ＳＴＭ）または触針式段差計を使用し、
前記局所的な加熱を、前記凹欠陥直上の薄膜に接近または接触させた前記探針を加熱することにより行うことを特徴とする請求項１ないし９のいずれかに記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク用ガラス基板表面を平滑化する方法。
【請求項１４】
前記局所的な加熱後の前記薄膜表面を針状の部材を用いて研削することを特徴とする請求項１ないし１２のいずれかに記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク用ガラス基板表面を平滑化する方法。
【請求項１５】
前記局所的な加熱後の前記薄膜表面を前記探針を用いて研削することを特徴とする請求項１３に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク用ガラス基板表面を平滑化する方法。
【請求項１６】
ＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク用ガラス基板表面を平滑化する方法であって、
ガラス基板上に薄膜を形成する工程と、
前記ガラス基板上に存在する凹欠陥を検出する工程と、
検出された凹欠陥直上の前記薄膜を局所的に陽極酸化することにより、前記薄膜を構成する材料に体積増加を伴う化学反応を生じさせる工程と、を含むことを特徴とするＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク用ガラス基板表面を平滑化する方法。
【請求項１７】
前記薄膜が、Ａｌ、Ｂ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｇｅ、Ｈｆ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｔｉ、ＺｎおよびＺｒからなる群から選択される少なくとも１つを主たる構成材料とする請求項１６に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク用ガラス基板表面を平滑化する方法。
【請求項１８】
前記薄膜の厚さが、前記ガラス基板に存在する凹欠陥の最大深さの０．５倍以上であることを特徴とする請求項１６または１７に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク用ガラス基板表面を平滑化する方法。
【請求項１９】
前記薄膜の局所的に陽極酸化された部位の結晶状態が、前記化学反応によってアモルファスとなることを特徴とする請求項１６ないし１８のいずれかに記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク用ガラス基板表面を平滑化する方法。
【請求項２０】
前記局所的な陽極酸化後の前記薄膜の結晶状態がアモルファスであることを特徴とする請求項１６ないし１８のいずれかに記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク用ガラス基板表面を平滑化する方法。
【請求項２１】
前記凹欠陥の検出に、通電可能な探針を有する原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）、走査型トンネル顕微鏡（ＳＴＭ）または触針式段差計を使用し、
前記局所的な陽極酸化を、前記凹欠陥直上の薄膜に接近または接触させた前記探針と、前記薄膜と、の間に電圧を印加することにより行うことを特徴とする請求項１６ないし２０のいずれかに記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク用ガラス基板表面を平滑化する方法。
【請求項２２】
前記局所的な陽極酸化後の前記薄膜表面を針状の部材を用いて研削することを特徴とする請求項１６ないし２０のいずれかに記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク用ガラス基板表面を平滑化する方法。
【請求項２３】
前記局所的な陽極酸化後の前記薄膜表面を前記探針を用いて研削することを特徴とする請求項２１に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク用ガラス基板表面を平滑化する方法。
【請求項２４】
請求項１ないし２３のいずれかに記載の方法により基板表面が平滑化されたＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク用ガラス基板上にＥＵＶ光を反射する反射層を形成してなるＥＵＶリソグラフィ用反射層付基板。
【請求項２５】
請求項２４に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射層付基板の反射層上にＥＵＶ光を吸収する吸収体層を形成してなるＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
【請求項２６】
請求項２５に記載のＥＵＶリソグラフィ用マスクブランクをパターニングしたＥＵＶリソグラフィ用反射型マスク。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ガラス基板表面の平滑化方法に関する。より具体的には、ＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ  Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ：極端紫外）リソグラフィ用反射型マスクブランク（以下、本明細書において、「ＥＵＶマスクブランク」という。）用ガラス基板表面の平滑化方法に関する。より具体的には、凹欠陥を有するＥＵＶマスクブランク用ガラス基板表面の平滑化方法に関する。
また、本発明は、該平滑化方法により基板表面が平滑化されたＥＵＶマスクブランク用基板を用いたＥＵＶマスクブランク、ならびに該ＥＵＶマスクブランクをパターニングしたＥＵＶマスクに関する。
【背景技術】
【０００２】
ＥＵＶマスクブランクは、ガラス基板上に、ＥＵＶ光を反射する反射層およびＥＵＶ光を吸収する吸収体層をこの順に形成することによって製造される。反射層としては、高屈折層であるモリブデン（Ｍｏ）層と低屈折層であるケイ素（Ｓｉ）層とを交互に積層することで、ＥＵＶ光を層表面に照射した際の光線反射率が高められた多層反射膜が最も一般的である。
【０００３】
ＥＵＶマスクブランクの製造に使用する基板表面に微少な凹凸が存在すると、該基板上に形成される反射層および吸収体層に悪影響を及ぼす。例えば、基板表面に微小な凹凸が存在すると、該基板上に反射層として形成される多層反射膜の周期構造が乱され、露光装置を用いてマスク上のパターンをＳｉウェハ上の感光性有機膜（いわゆるフォトレジスト膜）に転写した場合、所望のパターンの一部が欠損、あるいは所望のパターン以外に余分なパターンが形成される場合がある。基板上に存在する凹凸に起因する多層反射膜周期構造の乱れは位相欠陥と呼ばれ重大な問題であり、基板上には所定のサイズ以上の凹凸が無いことが望ましい。
【０００４】
非特許文献１および２には、ＥＵＶマスクおよびＥＵＶマスクブランクの欠陥に関する要求が記載されており、これら欠陥に関する要求は非常に厳しいものである。非特許文献１には、基板上に５０ｎｍを超える欠陥が存在すると、多層反射膜の構造に乱れを生じさせ、Ｓｉウェハ上のレジストに投影されるパターンに予期せぬ形状を生じさせることから許容できないと記載されている。また、非特許文献１には、Ｓｉウェハ上のレジストに投影されるパターンで、ラインエッジの粗さが増加するのを防止するために、基板の表面粗さはｒｍｓ（二乗平均平方根粗さ）で０．１５ｎｍ未満であることが必要であると記載されている。非特許文献２には、ＥＵＶリソグラフィに使用される、多層反射膜でコートされたマスクブランクに２５ｎｍを超える欠陥が存在することは許容できないと記載されている。
また、非特許文献３には、基板上のどの程度の大きさの欠陥が、転写される可能性があるか記載されている。非特許文献３には、位相欠陥がプリントされたイメージのライン幅を変える可能性があると記載されている。高さ２ｎｍ、ＦＷＨＭ（full width at half maximum）６０ｎｍの表面バンプを有する位相欠陥が、該欠陥が転写される可能性があるか否かの境目となるサイズであり、この大きさの位相欠陥は３５ｎｍのラインに対して２０％という許容不可能なライン幅の変化（マスク上、１４０ｎｍ）を生じると記載されている。
【０００５】
【非特許文献１】SEMI、 P37-1102 (2002)、 “極端紫外リソグラフィマスクブランクに関する指定”（Specification for extreme ultraviolet lithography mask substrate）
【非特許文献２】SEMI、 P38-1102 (2002)、 “極端紫外リソグラフィマスクブランクの吸収膜スタックおよび多層膜に関する指定”（Specification for absorbing film stacks and multilayers on extreme ultraviolet lithography mask blanks）
【非特許文献３】SPIE、 vol. 4889、 Alan Stivers.、 et. al.、 p.408-417 (2002)、 “ＥＵＶマスクブランクの検査用のマルチビーム共焦点評価システムの評価能力”（Evaluation of the Capability of a Multibeam Confocal Inspection System for Inspection of EUVL Mask Blanks）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
基板表面に存在する微小な凹凸のうち、異物やファイバのようなパーティクルや基板自体のバンプなどの凸欠陥は、フッ酸やアンモニア水を用いた従来の湿式洗浄方法や、ブラシ洗浄、または精密研磨等によって除去することができる。
しかしながら、ピットやスクラッチのような凹欠陥は、これらの方法では除去することができない。しかも、凸欠陥を除去するために、フッ酸やアンモニア水を用いた湿式洗浄方法を用いた場合、基板から凸欠陥をリフトオフして除去するために、基板表面をわずかにエッチングすることが必要であるため、基板表面に新たな凹欠陥が生じるおそれがある。凸欠陥を除去するために、ブラシ洗浄を用いた場合も、基板表面に新たな凹欠陥が生じるおそれがある。
【０００７】
本発明は、上記した従来技術における問題点を解決するために、ピットやスクラッチのような凹欠陥を有する基板表面を平滑化する方法を提供することを目的とする。
また、本発明は、該基板表面を平滑化する方法により得られるＥＵＶマスクブランク用のガラス基板を提供することを目的とする。
また、本発明は、該ＥＵＶマスクブランク用基板を用いたＥＵＶマスクブランク用の反射層付基板およびＥＵＶマスクブランクを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の目的を達成するため、本発明は、ＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク用ガラス基板表面を平滑化する方法であって、
ガラス基板上に薄膜を形成する工程と、
前記ガラス基板上に存在する凹欠陥を検出する工程と、
検出された凹欠陥直上の前記薄膜を局所的に加熱することにより、前記薄膜を構成する材料に体積増加を伴う化学反応を生じさせる工程と、を含むことを特徴とするＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク用ガラス基板表面を平滑化する方法（以下、「本発明の基板平滑化方法（１）」という。）を提供する。
【０００９】
本発明の基板平滑化方法（１）において、前記化学反応が酸化反応であることが好ましい。
【００１０】
また、本発明の基板平滑化方法（１）において、前記化学反応が窒化反応であることが好ましい。
【００１１】
また、本発明の基板平滑化方法（１）において、前記薄膜がＡｌ、Ｂ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｇｅ、Ｈｆ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｔｉ、ＺｎおよびＺｒからなる群から選択される少なくとも１つを主たる構成材料とすることが好ましい。
【００１２】
また、本発明の基板平滑化方法（１）において、前記薄膜が、互いに構成材料が異なる少なくとも２層の膜を含み、
前記化学反応が、前記２層の膜を構成する材料同士の相互拡散に伴ってもよい。
【００１３】
前記薄膜が互いに構成材料が異なる少なくとも２層の膜を含む場合において、前記少なくとも２層の膜のうち１層の膜が、Ａｌ、Ｂ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｇｅ、Ｈｆ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｔｉ、ＺｎおよびＺｒからなる群から選択される少なくとも１つを主たる構成材料とすることが好ましい。
【００１４】
また、本発明の基板平滑化方法（１）において、前記薄膜の厚さが、前記ガラス基板に存在する凹欠陥の最大深さの０．５〜１０倍であることが好ましい。
【００１５】
また、本発明の基板平滑化方法（１）において、前記薄膜の局所的に加熱された部位の結晶状態が、前記化学反応によってアモルファスとなることが好ましい。
【００１６】
また、本発明の基板平滑化方法（１）において、前記局所的な加熱後の前記薄膜の結晶状態がアモルファスであることが好ましい。
【００１７】
また、本発明の基板平滑化方法（１）において、前記局所的な加熱を、前記ガラス基板の凹欠陥直上の薄膜にレーザー光を照射することにより行うことが好ましい。
【００１８】
前記局所的な加熱をレーザー光照射で行う場合において、前記レーザー光の径が前記ガラス基板に存在する凹欠陥の直径の２倍以下であることが好ましい。
【００１９】
前記局所的な加熱をレーザー光照射で行う場合において、前記凹欠陥の検出をレーザー光照射により行い、
前記局所的な加熱に使用するレーザー光源と、前記凹欠陥の検出に使用するレーザー光源と、が同一のレーザー光源であることが好ましい。
【００２０】
また、本発明の基板平滑化方法（１）において、前記凹欠陥の検出に、加熱可能な探針を有する原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）、走査型トンネル顕微鏡（ＳＴＭ）または触針式段差計を使用し、
前記局所的な加熱を、前記凹欠陥直上の薄膜に接近または接触させた前記探針を加熱することにより行うことが好ましい。
【００２１】
また、本発明の基板平滑化方法（１）において、前記局所的な加熱後の前記薄膜表面を針状の部材を用いて研削してもよい。
【００２２】
前記凹欠陥の検出および前記局所的な加熱をＡＦＭ、ＳＴＭまたは触針式段差計の加熱可能な探針で行なう場合、前記局所的な加熱後の前記薄膜表面を前記探針を用いて研削することが好ましい。
【００２３】
また、上記の目的を達成するため、本発明は、ＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク用ガラス基板表面を平滑化する方法であって、
ガラス基板上に薄膜を形成する工程と、
前記ガラス基板上に存在する凹欠陥を検出する工程と、
検出された凹欠陥直上の前記薄膜を局所的に陽極酸化することにより、前記薄膜を構成する材料に体積増加を伴う化学反応を生じさせる工程と、を含むことを特徴とするＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク用ガラス基板表面を平滑化する方法（以下、「本発明の基板平滑化方法（２）」という。）を提供する。
【００２４】
また、本発明の基板平滑化方法（２）において、前記薄膜がＡｌ、Ｂ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｇｅ、Ｈｆ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｔｉ、ＺｎおよびＺｒからなる群から選択される少なくとも１つを主たる構成材料とすることが好ましい。
【００２５】
また、本発明の基板平滑化方法（２）において、前記薄膜の厚さが、前記ガラス基板に存在する凹欠陥の最大深さの０．５倍以上であることが好ましい。
【００２６】
また、本発明の基板平滑化方法（２）において、前記薄膜の局所的に陽極酸化された部位の結晶状態が、前記化学反応によってアモルファスとなることが好ましい。
【００２７】
また、本発明の基板平滑化方法（２）において、前記局所的な陽極酸化後の前記薄膜の結晶状態がアモルファスであることが好ましい。
【００２８】
本発明の基板平滑化方法（２）において、前記凹欠陥の検出に、通電可能な探針を有する原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）、走査型トンネル顕微鏡（ＳＴＭ）または触針式段差計を使用し、
前記局所的な加熱を、前記凹欠陥直上の薄膜に接近または接触させた前記探針と前記薄膜との間に電圧を印加することにより行うことが好ましい。
【００２９】
また、本発明の基板平滑化方法（２）において、前記局所的な陽極酸化後の前記薄膜表面を針状の部材を用いて研削してもよい。
【００３０】
前記凹欠陥の検出および前記局所的な陽極酸化をＡＦＭ、ＳＴＭまたは触針式段差計の探針で行なう場合、前記局所的な陽極酸化後の前記薄膜表面を前記探針を用いて研削することが好ましい。
【００３１】
また、本発明は、本発明の基板平滑化方法（１），（２）により基板表面が平滑化されたＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク用基板上にＥＵＶ光を反射する反射層を形成してなるＥＵＶリソグラフィ用反射層付基板（以下、「本発明の反射層付基板」という。）を提供する。
【００３２】
また、本発明は、上記した本発明の反射層付基板の反射層上にＥＵＶ光を吸収する吸収体層を形成してなるＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク（以下、「本発明のＥＵＶマスクブランク」という。）を提供する。
【００３３】
また、本発明は、上記した本発明のＥＵＶマスクブランクをパターニングしたＥＵＶリソグラフィ用反射型マスク（以下、「本発明のＥＵＶマスク」という）を提供する。
【発明の効果】
【００３４】
本発明の基板平滑化方法では、凹欠陥を有するＥＵＶマスクブランク用ガラス基板表面に薄膜を形成し、該凹欠陥直上の薄膜、すなわち、薄膜上に凹欠陥が現れた部位を局所的に加熱して、該薄膜を構成する材料に体積増加を伴う化学反応を生じさせることにより（本発明の基板平滑化方法（１））、あるいは、薄膜上に凹欠陥が現れた部位を局所的に陽極酸化して、該薄膜を構成する材料に体積増加を伴う化学反応を生じさせることにより（本発明の基板平滑化方法（２））、薄膜上に現れた凹欠陥を低減または解消する。これによりＥＵＶマスクブランクの製造時に反射層や吸収体層が形成される成膜面となる薄膜表面を平滑化し、ＥＵＶマスクブランクとして問題がないレベルまで平滑性を高めることができる。
基板表面に存在する凸欠陥は、フッ酸やアンモニア水を用いた従来の湿式洗浄方法や、ブラシ洗浄または精密研磨によって除去することができる。しかし、凸欠陥を除去する目的でこれらの方法を実施した場合、基板表面に新たな凹欠陥が発生する場合もある。本発明の基板平滑化方法では、このような新たな凹欠陥が発生したガラス基板の成膜面を平滑化し、ＥＵＶマスクブランクとして問題がないレベルまで平滑性を高めることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３５】
以下、本発明の基板平滑化方法について図面を用いて説明する。
本発明の基板平滑化方法では、ＥＵＶマスクブランク用のガラス基板表面、より具体的には、ＥＵＶマスクブランクの製造時に反射層および吸収層が形成される側のガラス基板表面（以下、「成膜面」という。）を平滑化する目的で使用される。但し、ＥＵＶマスクブランクの製造時に静電チャック用の導電膜を形成する側のガラス基板表面を本発明の基板平滑化方法で平滑化してもよい。ＥＵＶマスクブランク用のガラス基板の成膜面を平滑化する場合を例に以下説明する。
【００３６】
本発明の基板平滑化方法を実施する場合、まず始めに、予め準備したＥＵＶマスクブランク用のガラス基板の成膜面を酸化セリウム、酸化ジルコニウム、コロイダルシリカ等の研磨砥粒を用いて研磨し、その後フッ酸、ケイフッ酸、硫酸等の酸性溶液や、アンモニア水等のアルカリ溶液、または純水を用いて成膜面を洗浄し、乾燥する。成膜面に異物やファイバのようなパーティクルや基板自体のバンプなどの凸欠陥が存在する場合、これらの手順によって除去される。
本発明の基板平滑化方法は、上記の手順で表面研磨および洗浄を実施することにより、凸欠陥が除去された成膜面に対して好ましく使用される。
【００３７】
ＥＵＶマスクブランク用のガラス基板は、成膜面全面において高い平滑性および平坦度を有していることが要求される。具体的には、ガラス基板の成膜面がｒｍｓ（二乗平均平方根粗さ）が０．１５ｎｍ以下の平滑な表面と５０ｎｍ以下の平坦度を有していることが要求される。これらの要求値を満たしても、なお成膜面にはピットやスクラッチと呼ばれる局在した凹欠陥が存在している場合がある。
【００３８】
ガラス基板の成膜面に存在する凹欠陥のサイズが非常に小さい場合、該ガラス基板を用いて製造されるＥＵＶマスクブランクに悪影響が及ぶおそれはない。しかしながら、ガラス基板の成膜面にある大きさ以上の凹欠陥が存在すると、成膜面上に形成される反射層表面や吸収体層表面に凹欠陥が現れ、該ガラス基板を用いて製造されるＥＵＶマスクブランクの欠陥となる場合がある。
ガラス基板の成膜面にどの程度の大きさの凹欠陥が存在すると、ＥＵＶマスクブランクの欠陥となるかは、凹欠陥の直径と深さ、および形状に影響されるため一概には言えないが、例えば、ガラス基板の成膜面に直径３０ｎｍ以上かつ深さ３ｎｍ以上の凹欠陥が存在すると、成膜面上に形成される反射層表面や吸収体層表面に凹欠陥が現れたり、反射層の多層構造に乱れが生じたりして、該ガラス基板を用いて製造されるＥＵＶマスクブランクの欠陥となるおそれがある。
【００３９】
ＥＵＶマスクブランク用のガラス基板は、平滑性および平坦度に優れていることに加えて、低熱膨張係数（０±１．０×１０-8／℃であることが好ましく、より好ましくは０±０．３×１０-8／℃）を有するものが好ましい。このような低熱膨張係数を有するガラス基板の具体例としては、例えばＳｉＯ2−ＴｉＯ2系ガラス製のガラス基板や、β石英固溶体を析出した結晶化ガラス製のガラス基板が挙げられる。
また、ＥＵＶマスクブランク用のガラス基板は、ＥＵＶマスクブランクまたはパターン形成後のフォトマスクの洗浄等に用いる洗浄液への耐性に優れたものであることが好ましい。
また、ＥＵＶマスクブランク用のガラス基板は、該ガラス基板上に形成される反射層および吸収体層の膜応力によって変形するのを防止するために、高い剛性を有しているものが好ましい。特に、３×１０7ｍ2／ｓ2以上の高い比剛性を有しているものが好ましい。
ＥＵＶマスクブランク用のガラス基板の大きさや厚みなどは、マスクの設計値等により適宜決定されるものである。具体例を挙げると、例えば外形６インチ（１５２．４ｍｍ）角程度で、厚さ０．２５インチ（６．３ｍｍ）程度のものがある。
【００４０】
図１は、ガラス基板の凹欠陥が存在する部分付近を示した模式図である。図１において、ガラス基板１の成膜面１ａには、凹欠陥２が存在している。凹欠陥２の直径は例えば１００ｎｍであり、深さは例えば３０ｎｍである。
【００４１】
本発明の基板平滑化方法（１）では、第１にガラス基板上に薄膜を形成する工程を実施する。本工程では、ガラス基板１の成膜面１ａに薄膜３を形成する。図２は、図１のガラス基板１の成膜面１ａに薄膜３を形成した状態を示している。図２において、薄膜３の厚さは凹欠陥２の深さの約１．５倍であり、４５ｎｍ程度である。薄膜３は、ガラス基板１の成膜面１ａの形状に沿って広がるため、凹欠陥２の直上の薄膜３には凹欠陥４が現れる。本発明の基板平滑化方法（１）では、薄膜３表面に現れる凹欠陥４を軽減または解消することにより、薄膜３表面を平滑化するものである。
なお、薄膜３は、後述するように体積増加をすることによって、凹欠陥４を軽減または解消する役割を果たす。この働き以外に、薄膜３は基板１の成膜面１ａ上に形成された非常に小さい凹欠陥２を検出しやすくするという効果も奏する。ＥＵＶマスクブランク用の基板のように非常に小さな欠陥までもが問題になるような用途においては、通常の光学検査装置では検出することが困難な欠陥までもが問題視される。しかし、本発明のように薄膜３を形成することで、基板１の成膜面１ａ上に形成された微小な凹欠陥２を検出することが可能となる。なお、薄膜３を形成することで、基板１の成膜面１ａ上に形成された微小な凹欠陥２を検出することが可能となる理由は、欠陥検出は基板の表面にレーザーを照射し、その反射像を解析することにより行われるが、基板にこのような薄膜を形成した場合、一般的なガラスの光線反射率の４％から１０％以上へと大きくなり、より高い信号／ノイズ比で欠陥像を得ることが可能になるからである。
【００４２】
薄膜３の構成材料は、加熱時に体積増加を伴う化学反応を生じるものである限り特に限定されない。ここで、加熱時に生じる化学反応は、体積増加を伴うものである限り特に限定されないが、加熱のみで進行し、かつ加熱した部位のみで局所的に反応を進行させることができ、かつ化学反応が伴う体積増加を制御しやすいことから酸化反応または窒化反応が好ましい。なお、酸化反応を行う場合、空気中または酸素雰囲気中で局所的な加熱を実施すればよい。窒化反応を行う場合、窒素雰囲気中で局所的な加熱を実施すればよい。
但し、薄膜３の構成材料は、加熱時に化学反応を生じやすいこと、および加熱により体積増加を伴う化学反応を生じさせた後の薄膜３表面の平滑性に優れる（以下、「加熱後の薄膜３表面の平滑性に優れる」という。）ことから、金属であることが好ましい。中でも、Ａｌ、Ｂ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｇｅ、Ｈｆ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｔｉ、ＺｎおよびＺｒからなる群（以下、「Ａ群」という。）から選択される少なくとも１つを主たる構成材料とすることが、加熱時に化学反応を生じやすく、加熱後の薄膜３表面の平滑性に優れ、かつＥＵＶマスクブランク製造時に該薄膜３上に形成される反射層や吸収体層に悪影響を与えないという点で優れている。中でも、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｓｉ、Ｔａ、ＴｉおよびＺｒを主たる構成材料とする薄膜３は、加熱後の結晶状態、特に加熱による酸化反応後の結晶状態、また加熱による窒化反応後の結晶状態がアモルファスとなりやすいことからさらに好ましい。
【００４３】
薄膜３を構成する材料は、加熱時に生じる化学反応による体積増加率が高い材料であることが好ましい。具体的には、下記式で求められる加熱時の体積増加率ΔＶが１０％以上となる材料であることが好ましく３０％以上となる材料であることがより好ましい。
ΔＶ（％）＝（Ｖ2−Ｖ1）／Ｖ1×１００
ここで、Ｖ1は常温（２０℃）における材料の体積であり、Ｖ2は加熱後における材料の体積である。加熱は、５０〜５００℃の範囲で行うことが好ましい。
以下、本明細書において、「加熱時の体積増加」と言った場合、加熱時に生じる化学反応による体積増加のことを指す。
なお、Ａ群の材料は、いずれもΔＶが５０〜２５０％である。
【００４４】
上記の条件を満たす薄膜３としては、「Ａ群」から選択される少なくとも１つを主たる構成材料とすることが好ましい。したがって、薄膜３はＡ群のうち１種のみを構成材料としてもよく、２種以上を構成材料としてもよい。また、薄膜３は、Ａ群以外の材料を構成材料として含んでいてもよい。但し、薄膜３がＡ群以外の材料を含む場合、薄膜３の全構成材料中、５０原子％以上がＡ群の材料であることが好ましい。
薄膜３がＡ群以外の材料を含む場合、薄膜３の全構成材料中、８０原子％以上がＡ群の材料であることがより好ましい。
なお、Ａ群の材料の中でも、Ｓｉ、ＴａおよびＴｉが酸化反応および窒化反応のどちらも容易に進行することから好ましい。さらに、Ｓｉであれば、反射多層膜を構成する膜の材料をそのまま使用できるため、生産性の点で好ましい。
【００４５】
薄膜３は、互いに構成材料が異なる少なくとも２層の膜を含んでいてもよい。すなわち、薄膜３は２層以上の膜が積層されたものであってもよい。但し、この場合、積層関係にある膜を構成する材料同士が、互いに異なるものであって、加熱時に相互拡散を伴う化学反応を生じ、かつ該化学反応が体積増加を伴うものであることが必要となる。以下、本明細書において、このような薄膜３のことを「積層体からなる薄膜３」という。積層体からなる薄膜３において、個々の膜を構成する材料としては、上記したＡ群の材料を使用することができる。但し、Ａ群の材料以外であっても、Ａ群の材料との間で加熱時に相互拡散を伴う化学反応を生じるものであれば、積層体からなる薄膜３を構成する膜材料として使用することができる。
なお、薄膜３が３層以上の膜が積層されたものである場合、互いに積層関係にある膜を構成する材料が互いに異なっていればよく、例えば、３層が積層された構成の場合、一番上の膜と一番下の膜とは同一の材料で構成されていてもよい。この場合、中間に位置する膜は、その上下に位置する膜とは異なる材料で構成される。
【００４６】
ガラス基板１の成膜面１ａに形成する薄膜３の厚さは、該成膜面１ａに存在する凹欠陥２の深さによって異なるが、凹欠陥２の深さの０．５〜１０倍程度であることが好ましい。薄膜３の厚さが上記の範囲であれば、後述する手順で凹欠陥２直上の薄膜３を局所的に加熱することにより、薄膜３表面に現れる凹欠陥４を軽減または解消して、薄膜３表面を平滑化することができる。薄膜３の厚さが凹欠陥２の深さの０．５倍未満であると、薄膜３を構成する材料の加熱時の体積増加率にもよるが、凹欠陥２直上の薄膜３を局所的に加熱した際に、薄膜３表面に現れる凹欠陥４を十分軽減することができないおそれがある。一方、薄膜３の厚さが凹欠陥２の深さの１０倍超であると、薄膜３を構成する材料の熱伝導性により、熱が広範囲に広がってしまい、凹欠陥２直上の薄膜３のみを局所的に加熱することが困難になる。この場合もまた、薄膜３表面に現れる凹欠陥４を十分軽減することができないおそれがある。
なお、ガラス基板１の成膜面１ａに複数の凹欠陥２が存在する場合、深さが最も大きい凹欠陥の深さ（凹欠陥の最大深さ）の０．５〜１０倍程度に薄膜３の厚さをする。また、積層体からなる薄膜３の場合、積層体全体の厚さが、凹欠陥２の深さの０．５〜１０倍程度とする。薄膜３の厚さは凹欠陥２の深さの１〜５倍程度であることがより好ましい。
【００４７】
但し、本発明の基板平滑化方法（１）では、薄膜３を形成した後で該薄膜３表面に現れる凹欠陥を検出するので、薄膜３形成時にガラス基板１の成膜面１ａに存在する凹欠陥２の深さは不明である。このため、薄膜３の厚さは、ガラス基板１の成膜面１ａ、より具体的には、表面研磨および洗浄により凸欠陥が除去された成膜面１ａ、に通常存在する凹欠陥２の深さを基準とすることになる。表面研磨および洗浄により凸欠陥が除去された成膜面１ａには、通常１〜５０ｎｍ程度の深さの凹欠陥２が存在する。このため、薄膜３の厚さは、凹欠陥を検出しやすくするという点を考慮すると、５〜５００ｎｍ程度であることが好ましく、５〜２５０ｎｍ程度であることがより好ましい。なお、積層体からなる薄膜３の場合、積層体全体の厚さが５〜１００ｎｍ程度であることが好ましく、５〜２５０ｎｍ程度であることがより好ましい。
【００４８】
本発明の基板平滑化方法（１）において、薄膜３の形成方法としては、マグネトロンスパッタリング法やイオンビームスパッタリング法などのスパッタリング法や、真空蒸着、ＣＶＤ法など、各種乾式成膜法を使用することができる。これらの中でも薄膜形成時に新たな凸欠陥（パーティクル）を生じさせるおそれが少ないことから、スパッタリング法またはＣＶＤ法が好ましく、新たな凸欠陥を生じさせないという観点ではＣＶＤ法が、成膜面１ａへの薄膜３の付着力という観点ではスパッタリング法が特に好ましい。但し、本発明の基板平滑化方法の実施後、薄膜３上に反射層や吸収体層を形成する際、同一の装置を使用できる点ではスパッタリング法が好ましい。
【００４９】
本発明の基板平滑化方法（１）では、ガラス基板上に薄膜を形成する工程に続いて、ガラス基板上に存在する凹欠陥を検出する工程を実施する。具体的には、ガラス基板上に存在する凹欠陥の位置、直径、深さ等を測定する。但し、本工程では、ガラス基板１の成膜面１ａに存在する凹欠陥２を検出するのではなく、薄膜３の形成後、該薄膜３表面に現れた凹欠陥４を検出して、次に実施する工程において、凹欠陥２直上の薄膜３を局所的に加熱する際に必要となるデータ（以下、本明細書において「凹欠陥データ」という）を収集する。具体的には、ガラス基板１上における凹欠陥４の位置、該凹欠陥４の形状および寸法（直径、深さ）といったデータを収集する。
なお、上記したように、基板１の成膜面１ａ上に薄膜３を形成することにより、成膜面１ａ上に形成された非常に小さい凹欠陥２（実際には、薄膜３表面に現れた凹欠陥４）が検出しやすくなっている。
凹欠陥４の検出には、ガラス基板上に存在する凹欠陥を検出する際に通常使用される手法を用いることができる。具体的には、触針段差計、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）、走査型トンネル顕微鏡（ＳＴＭ）、光切断法（三角測量法）、焦点ずれ検出方式、光触針追従式（合焦点法）、焦点走査法（走査型レーザ顕微鏡）、コンフォーカル（共焦点）レーザ欠陥検査法、ノマルスキー微分干渉法、縞走査法が挙げられる。これらの中でも、レーザ光照射による方法、すなわち、コンフォーカルレーザー欠陥検査法や、ＡＦＭ、ＳＴＭ、触針段差計のような探針（プローブ）を薄膜３表面に接近もしくは接触させる方法が、次に実施する凹欠陥直上の薄膜を局所的に加熱する工程を行うのに好ましい。探針を使用する方法は、凹欠陥の直径および深さをより正確に測定できるという点で、より好ましい。
【００５０】
本発明の基板平滑化方法（１）では、ガラス基板上に存在する凹欠陥を検出する工程に続いて、検出された凹欠陥直上の薄膜を局所的に加熱することにより、薄膜を構成する材料に体積増加を伴う化学反応を生じさせる工程を実施する。但し、先の工程で検出されるのはガラス基板１の成膜面１ａに存在する凹欠陥２ではなく、薄膜３表面に現れた凹欠陥４である。したがって、本工程では、先の工程で得られた凹欠陥データに基づいて、凹欠陥４直下の薄膜３を局所的に加熱することになる。
【００５１】
薄膜３を構成する材料は、加熱時に体積増加を伴う化学反応を生じるものであるため、凹欠陥４直下の薄膜３を局所的に加熱すると、凹欠陥４直下の薄膜３が該薄膜３を構成する材料の化学反応により、局所的に体積増加する。この結果、図３に示すように、凹欠陥４が解消され、薄膜３表面が平滑化される。
【００５２】
本工程において、凹欠陥４直下の薄膜３を局所的に加熱する手段は、凹欠陥４直下の薄膜３を局所的に加熱できる方法である限り特に限定されない。凹欠陥４直下の薄膜３を局所的に加熱する好適な方法の一例として、凹欠陥４にレーザー光を照射する方法が挙げられる。凹欠陥４にレーザー光を照射する条件は、凹欠陥４直下の薄膜３を局所的に加熱することができる限り特に限定されない。但し、照射するレーザー光の径が凹欠陥４の直径に対して大きすぎると、凹欠陥４直下の薄膜３だけではなく、広範囲の薄膜３が加熱されることになるので、凹欠陥４直下の薄膜３のみを局所的に加熱することが困難になる。このため、照射するレーザー光の径が凹欠陥４の直径に対して２倍以下であることが好ましい。照射するレーザー光の径が凹欠陥４の直径に対して２倍以下であれば、凹欠陥４の直径が比較的小さい場合、例えば、凹欠陥４の直径が３０ｎｍ以下の場合であっても、レーザー光の照射により凹欠陥４を解消して、薄膜３を平坦化することができる。照射するレーザー光の径は凹欠陥４の直径に対して１倍以下であることがより好ましい。
但し、レーザー光の径が凹欠陥４の直径よりも小さすぎると、凹欠陥４直下を薄膜３を加熱する際に要する時間が長くなったり、レーザー光の照射位置を移動させる必要が生じるので好ましくない。このため、レーザー光の径は凹欠陥４の直径の０．５倍以上であることが好ましい。
【００５３】
本発明の基板平滑化方法（１）において、薄膜３表面に現れた凹欠陥４の検出、および検出された凹欠陥４直下の薄膜３の局所的な加熱をいずれもレーザー光照射により行う場合、レーザー光源が同一であることが好ましい。言い換えると、同一のレーザー光照射装置を使用することが好ましい。レーザー光照射により凹欠陥４を検出した後、同一のレーザー光源から該凹欠陥４直下の薄膜３にレーザー光照射を行えば、凹欠陥４の検出により得られた凹欠陥データをそのまま使用できるため、凹欠陥４直下の薄膜３へのレーザー光照射をより正確に行うことができる。
なお、凹欠陥４の検出と、凹欠陥４直下の薄膜３の局所的な加熱と、に同一のレーザー光照射装置を使用する場合、凹欠陥４検出時には、薄膜３が加熱されないように、薄膜３上でレーザー光を走査させればよく、凹欠陥４直下の薄膜３の局所的な加熱の際には、凹欠陥４にレーザー光を一定時間照射させればよい。
【００５４】
凹欠陥４直下の薄膜３を局所的に加熱するのに好適な方法の別の一例として、加熱可能な探針を有するＡＦＭ、ＳＴＭまたは触針段差計を用いて薄膜３表面に存在する凹欠陥４を検出し、次いで検出された凹欠陥４に探針を接近または接触させて該探針を加熱することにより、該凹欠陥４直下の薄膜３を局所的に加熱する方法が挙げられる。図４は、加熱可能な探針５を凹欠陥４に接触させて、該凹欠陥４直下の薄膜３を局所的に加熱している状態を示している。この方法もまた、凹欠陥４の検出により得られた凹欠陥データをそのまま使用できるため、凹欠陥４直下の薄膜３の局所的な加熱をより正確に行うことができる。加熱可能な探針を有するＡＦＭ、ＳＴＭとしては、米国Ａｎａｓｙｓ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ社のｎａｎｏ−ＴＡの局所熱解析システムなどがある。加熱可能な探針の材料としては、単結晶ＳｉやＳｉＮなどが好ましい。
【００５５】
上記の手順で凹欠陥４直下の薄膜３を局所的に加熱した結果、薄膜３の加熱された部分の結晶状態がアモルファスとなることが好ましい。別の言い方をすると、加熱時に生じる化学反応によって薄膜３を構成する材料の結晶状態がアモルファスとなることが好ましい。薄膜３の加熱された部分は、該薄膜３を構成する材料の化学反応により局所的に体積増加することにより、凹欠陥４であった部分が解消されて平滑化される部分である。この部分の結晶状態がアモルファスであれば、平滑化された薄膜表面がより平滑性に優れた状態になる。具体的には、平滑化された後の薄膜３表面の表面粗さが０．５ｎｍ  ｒｍｓ以下である。平滑化された後の薄膜３表面の表面粗さが０．５ｎｍ  ｒｍｓ以下であれば、薄膜３表面が十分平滑であるため、該薄膜３上に形成される反射層の多層構造に乱れが生じるおそれがない。反射層の多層構造に乱れが生じると、製造されるＥＵＶマスクブランクの欠陥となるおそれがある。また、製造されるＥＵＶマスクブランクにおいて、パターンのエッジラフネスが大きくなることがなく、パターンの寸法精度が良好である。薄膜３表面が表面粗さが大きいと、該薄膜３上に形成される反射層の表面粗さが大きくなり、さらに、該反射層上に形成される吸収体層の表面粗さが大きくなる。この結果、該吸収体層に形成されるパターンのエッジラフネスが大きくなり、パターンの寸法精度が悪化する。薄膜３表面の表面粗さは０．４ｎｍ  ｒｍｓ以下であることがより好ましく、０．３ｎｍ  ｒｍｓ以下であることがさらに好ましい。
【００５６】
本明細書において、「結晶状態がアモルファスである」と言った場合、全く結晶構造を持たないアモルファス構造となっているもの以外に、微結晶構造のものを含む。なお、結晶状態がアモルファスであること、すなわち、アモルファス構造であること、または微結晶構造であることは、Ｘ線回折（ＸＲＤ）法によって確認することができる。結晶状態が全く結晶構造を持たないアモルファス構造であるか、または微結晶構造であれば、ＸＲＤ測定により得られる回折ピークにシャープなピークが見られない。
なお、薄膜３表面の平滑性という点では、加熱後の薄膜３全体の結晶状態がアモルファスになっていることが好ましい。この場合、薄膜３を形成した時点で、薄膜３全体の結晶状態がアモルファスになっている。そして、凹欠陥４直下の薄膜３を構成する材料が加熱により化学反応した後でも、薄膜３全体の結晶状態はアモルファスを維持している。
【００５７】
次に、本発明の基板平滑化方法（２）について説明する。本発明の基板平滑化方法（２）においても、第１にガラス基板上に薄膜３´を形成する工程を実施する。但し、本発明の基板平滑化方法（２）では、薄膜３´の構成材料を陽極酸化により体積増加を伴う化学反応を生じるものとする。ここで、陽極酸化により生じる化学反応は、体積増加を伴うものである限り特に限定されないが、陽極酸化のみで進行し、かつ陽極酸化した部位のみで局所的に化学反応を進行させることができ、かつ化学反応が伴う体積増加を制御しやすいことが好ましい。
薄膜３´の構成材料は、陽極酸化時に化学反応を生じやすいこと、および陽極酸化により体積増加を伴う化学反応を生じさせた後の薄膜表面の平滑性に優れる（以下、「陽極酸化後の薄膜表面の平滑性に優れる」という。）ことから、金属であることが好ましい。中でも、上記したＡ群から選択される少なくとも１つを主たる構成材料とすることが、陽極酸化時に化学反応を生じやすく、陽極酸化後の薄膜３´表面の平滑性に優れ、かつＥＵＶマスクブランク製造時に該薄膜３´上に形成される反射層や吸収体層に悪影響を与えないという点で優れている。中でも、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｓｉ、Ｔａ、ＴｉおよびＺｒを主たる構成材料とする薄膜３´は、陽極酸化後の結晶状態がアモルファスとなりやすいことからさらに好ましい。
【００５８】
薄膜３´を構成する材料は、陽極酸化時に生じる化学反応による体積増加率が高い材料であることが好ましい。具体的には、下記式で求められる陽極酸化時の体積増加率ΔＶ´が１０％以上となる材料であることが好ましく３０％以上となる材料であることがより好ましい。
ΔＶ´（％）＝（Ｖ2´−Ｖ1）／Ｖ1×１００
ここで、Ｖ1は常温（２０℃）における材料の体積であり、Ｖ2´は陽極酸化後における材料の体積である。
以下、本明細書において、「陽極酸化時の体積増加」と言った場合、陽極酸化時に生じる化学反応による体積増加のことを指す。
なお、Ａ群の材料は、いずれもΔＶ´が５０〜２５０％である。
【００５９】
上記の条件を満たす薄膜３´としては、「Ａ群」から選択される少なくとも１つを主たる構成材料とすることが好ましい。したがって、薄膜３´はＡ群のうち１種のみを構成材料としてもよく、２種以上を構成材料としてもよい。また、薄膜３´は、Ａ群以外の材料を構成材料として含んでいてもよい。但し、薄膜３´がＡ群以外の材料を含む場合、薄膜３´の全構成材料中、５０原子％以上がＡ群の材料であることが好ましい。
薄膜３´がＡ群以外の材料を含む場合、薄膜３´の全構成材料中、８０原子％以上がＡ群の材料であることがより好ましい。
なお、Ａ群の材料の中でも、Ｓｉ、ＴａおよびＴｉが陽極酸化時に化学反応が容易に進行することから好ましい。さらに、Ｓｉであれば、反射多層膜を構成する膜の材料をそのまま使用できるため、生産性の点で好ましい。
【００６０】
ガラス基板１の成膜面１ａに形成する薄膜３´の厚さは、該成膜面１ａに存在する凹欠陥２の深さによって異なるが、凹欠陥２の深さの０．５倍以上であることが好ましい。薄膜３´の厚さが上記の範囲であれば、後述する手順で凹欠陥２直上の薄膜３´を局所的に陽極酸化することにより、薄膜３´表面に現れる凹欠陥４を軽減または解消して、薄膜３´表面を平滑化することができる。薄膜３´の厚さが凹欠陥２の深さの０．５倍未満であると、薄膜３´を構成する材料の陽極酸化時の体積増加率にもよるが、凹欠陥２直上の薄膜３´を局所的に陽極酸化した際に、薄膜３´表面に現れる凹欠陥４を十分軽減することができないおそれがある。
なお、ガラス基板１の成膜面１ａに複数の凹欠陥２が存在する場合、深さが最も大きい凹欠陥の深さ（凹欠陥の最大深さ）の０．５倍以上に薄膜３´の厚さをする。
薄膜３´の厚さは凹欠陥２の深さの１倍以上であることがより好ましい。
【００６１】
薄膜３´の形成方法としては、本発明の基板平滑化方法（１）における薄膜３の形成方法と同様、各種乾式成膜法を使用することができる。中でも薄膜形成時に新たな凸欠陥（パーティクル）を生じさせるおそれが少ないことから、スパッタリング法またはＣＶＤ法が好ましく、新たな凸欠陥を生じさせないという観点ではＣＶＤ法が、成膜面１ａへの薄膜３´の付着力という観点ではスパッタリング法が特に好ましい。但し、本発明の基板平滑化方法（２）の実施後、薄膜３´上に反射層や吸収体層を形成する際、同一の装置を使用できる点ではスパッタリング法が好ましい。
【００６２】
ガラス基板上に薄膜３´を形成する工程に続いて、ガラス基板上に存在するガラス基板上に存在する凹欠陥を検出する工程を本発明の基板平滑化方法（１）と同様の手順で実施する。
【００６３】
ガラス基板上に存在する凹欠陥を検出する工程に続いて、検出された凹欠陥直上の薄膜３´を局所的に陽極酸化することにより、薄膜３´を構成する材料に体積増加を伴う化学反応を生じさせる工程を実施する。但し、先の工程で検出されるのはガラス基板１の成膜面１ａに存在する凹欠陥２ではなく、薄膜３´表面に現れた凹欠陥４である。したがって、本工程では、先の工程で得られた凹欠陥データに基づいて、凹欠陥４直下の薄膜３´を局所的に陽極酸化することになる。
【００６４】
薄膜３´を構成する材料は、陽極酸化時に体積増加を伴う化学反応を生じるものであるため、凹欠陥４直下の薄膜３´を局所的に陽極酸化すると、凹欠陥４直下の薄膜３´が該薄膜３´を構成する材料の化学反応により、局所的に体積増加する。この結果、図３に示すように、凹欠陥４が解消され、薄膜３´表面が平滑化される。
【００６５】
本工程において、凹欠陥４直下の薄膜３´を局所的に陽極酸化する手段は、凹欠陥４直下の薄膜３´を局所的に陽極酸化できる方法である限り特に限定されない。凹欠陥４直下の薄膜３´を局所的に陽極酸化する好適な方法の一例として、通電可能な探針を有するＡＦＭ、ＳＴＭまたは触針段差計を用いて薄膜３´表面に存在する凹欠陥４を検出し、次いで検出された凹欠陥４に探針を接近または接触させて、探針と薄膜３´との間に電圧を印加することによって、該凹欠陥４直下の薄膜３´を局所的に陽極酸化する方法が挙げられる。図５は、陽極酸化可能な探針６を凹欠陥４に接触させて、探針６を正極、薄膜３´を負極として探針６と薄膜３´との間に直流電圧を印加することによって、該凹欠陥４直下の薄膜３を局所的に陽極酸化している状態を示している。この方法は、凹欠陥４の検出により得られた凹欠陥データをそのまま使用できるため、凹欠陥４直下の薄膜３の局所的な陽極酸化をより正確に行うことができる。陽極酸化可能な探針の材料は、導電性のあるものである必要があり、単結晶ＳｉやＳｉＮが好ましい。
【００６６】
上記の手順で凹欠陥４直下の薄膜３´を局所的に陽極酸化した結果、薄膜３´の陽極酸化された部分の結晶状態がアモルファスとなることが好ましい。別の言い方をすると、陽極酸化時に生じる化学反応によって薄膜３´を構成する材料の結晶状態がアモルファスとなることが好ましい。
薄膜３´の陽極酸化された部分は、該薄膜３を構成する材料の化学反応により局所的に体積増加することにより、凹欠陥４であった部分が解消されて平滑化される部分である。この部分の結晶状態がアモルファスであれば、平滑化された薄膜表面がより平滑性に優れた状態になる。具体的には、平滑化された後の薄膜３´表面の表面粗さが０．５ｎｍ  ｒｍｓ以下である。平滑化された後の薄膜３´表面の表面粗さが０．５ｎｍ  ｒｍｓ以下であれば、薄膜３´表面が十分平滑であるため、該薄膜３上に形成される反射層の多層構造に乱れが生じるおそれがない。反射層の多層構造に乱れが生じると、製造されるＥＵＶマスクブランクの欠陥となるおそれがある。また、製造されるＥＵＶマスクブランクにおいて、パターンのエッジラフネスが大きくなることがなく、パターンの寸法精度が良好である。薄膜３´表面が表面粗さが大きいと、該薄膜３´上に形成される反射層の表面粗さが大きくなり、さらに、該反射層上に形成される吸収体層の表面粗さが大きくなる。この結果、該吸収体層に形成されるパターンのエッジラフネスが大きくなり、パターンの寸法精度が悪化する。薄膜３´表面の表面粗さは０．４ｎｍ  ｒｍｓ以下であることがより好ましく、０．３ｎｍ  ｒｍｓ以下であることがさらに好ましい。
【００６７】
なお、薄膜３´表面の平滑性という点では、陽極酸化後の薄膜３´全体の結晶状態がアモルファスになっていることが好ましい。この場合、薄膜３´を形成した時点で、薄膜３´全体の結晶状態がアモルファスになっている。そして、凹欠陥４直下の薄膜３´を構成する材料が陽極酸化により化学反応した後でも、薄膜３´全体の結晶状態はアモルファスを維持している。
【００６８】
本発明の基板平滑化方法（１）において、凹欠点４直下の薄膜３の局所的な加熱に加熱可能な探針５を用いる場合、探針５の材料として薄膜３の材料よりも硬度の高いものを選択することにより、加熱後の薄膜３表面に存在する凸欠陥を除去することもできる。凹欠陥４直下の薄膜３を局所的に加熱した際、過度の体積増加によって薄膜３表面に凸欠陥が生じる場合がある。また、凹欠陥４直下の薄膜３を局所的に加熱した際の体積増加による欠陥の形状変化を制御して一度の処理で平坦にすることが困難な場合もあるが、そのような場合は後述のような加工で平坦とするために、敢えて過度の体積増加によって薄膜３表面に凸欠陥を生じさせる場合もある。
同様に、本発明の基板平滑化方法（２）において、凹欠点４直下の薄膜３´の局所的な陽極酸化に通電可能な探針６を用いる場合、探針６の材料として薄膜３´の材料よりも硬度の高いものを選択することにより、陽極酸化後の薄膜３´表面に存在する凸欠陥を除去することもできる。凹欠陥４直下の薄膜３´を局所的に陽極酸化した際、過度の体積増加によって薄膜３´表面に凸欠陥が生じる場合がある。また、凹欠陥４直下の薄膜３´を局所的に陽極酸化した際の体積増加による欠陥の形状変化を制御して一度の処理で平坦にすることが困難な場合もあるが、そのような場合は後述のような加工で平坦とするために、敢えて過度の体積増加によって薄膜３´表面に凸欠陥を生じさせる場合もある。
上記の場合、薄膜３，３´表面に新たに生じた凸欠陥は、図６に示すように、探針５，６を用いて除去することができる。図６において、７は探針５，６を用いて除去された凸欠陥を示している。これにより薄膜３，３´表面の平滑性をより高めることができる。なお、凹欠陥４直下の薄膜３の局所的な加熱をレーザー光照射により行う場合においても、加熱後の薄膜３表面に新たな凸欠陥が生じた場合、針状の部材を用いて除去することができる。
【００６９】
上記の手順で薄膜３，３´表面が平滑化されたガラス基板を用いてＥＵＶマスクブランクを製造する場合、薄膜３，３´表面にＥＵＶ光を反射する反射層を形成し、該反射層上にＥＵＶ光を吸収する吸収体層を形成する。
【００７０】
薄膜３，３´表面に形成する反射層は、ＥＵＶマスクブランクの反射層として所望の特性を有するものである限り特に限定されない。ここで、反射層に特に要求される特性は、高ＥＵＶ光線反射率であることである。具体的には、ＥＵＶ光の波長領域の光線を反射層表面に照射した際に、波長１３．５ｎｍ付近の光線反射率の最大値が６０％以上であることが好ましく、６５％以上であることがより好ましい。なお、反射層上に後述する保護層を設けた場合であっても、波長１３．５ｎｍ付近の光線反射率の最大値が６０％以上であることが好ましく、６５％以上であることがより好ましい。
【００７１】
反射層は、高ＥＵＶ光線反射率を達成できることから、通常は高屈折層と低屈折率層を交互に複数回積層させた多層反射膜が用いられる。反射層をなす多層反射膜において、高屈折率層には、Ｍｏが広く使用され、低屈折率層にはＳｉが広く使用される。すなわち、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜が最も一般的である。但し、多層反射膜はこれに限定されず、Ｍｏ化合物／Ｓｉ化合物多層反射膜、Ｓｉ／Ｍｏ／Ｒｕ多層反射膜も用いることができる。
【００７２】
反射層をなす多層反射膜を構成する各層の膜厚および層の繰り返し単位の数は、使用する膜材料および反射層に要求されるＥＵＶ光線反射率に応じて適宜選択することができる。Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜を例にとると、ＥＵＶ光線反射率の最大値が６０％以上の反射層とするには、多層反射膜は膜厚２．３±０．１ｎｍのＭｏ層と、膜厚４．５±０．１ｎｍのＳｉ層とを繰り返し単位数が３０〜６０になるように積層させればよい。
【００７３】
なお、反射層をなす多層反射膜を構成する各層は、マグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法など、周知の成膜方法を用いて所望の厚さになるように成膜すればよい。例えば、イオンビームスパッタリング法を用いてＳｉ／Ｍｏ多層反射膜を形成する場合、ターゲットとしてＳｉターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガス（ガス圧１．３×１０-2Ｐａ〜２．７×１０-2Ｐａ）を使用して、イオン加速電圧３００〜１５００Ｖ、成膜速度０．０３〜０．３０ｎｍ／ｓｅｃで厚さ４．５ｎｍとなるようにＳｉ膜を成膜し、次に、ターゲットとしてＭｏターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガス（ガス圧１．３×１０-2Ｐａ〜２．７×１０-2Ｐａ）を使用して、イオン加速電圧３００〜１５００Ｖ、成膜速度０．０３〜０．３０ｎｍ／ｓｅｃで厚さ２．３ｎｍとなるようにＭｏ膜を成膜することが好ましい。これを１周期として、Ｓｉ膜およびＭｏ膜を４０〜５０周期積層させることによりＳｉ／Ｍｏ多層反射膜が成膜される。
【００７４】
反射層表面が酸化されるのを防止するため、反射層をなす多層反射膜の最表層は酸化されにくい材料の層とすることが好ましい。酸化されにくい材料の層は反射層のキャップ層として機能する。キャップ層として機能する酸化されにくい材料の層の具体例としては、Ｓｉ層を例示することができる。反射層をなす多層反射膜がＳｉ／Ｍｏ膜である場合、最上層をＳｉ層とすることによって、該最上層をキャップ層として機能させることができる。その場合キャップ層の膜厚は、１１．０±１．０ｎｍであることが好ましい。
【００７５】
反射層上に成膜される吸収体層の構成材料としては、ＥＵＶ光に対する吸収係数の高い材料、具体的には、Ｃｒ、Ｔａおよびこれらの窒化物などが挙げられる。中でも、ＴａＮがアモルファスになりやすく、表面形状が平滑であるという理由で好ましい。吸収体層の厚さは、５０〜１００ｎｍであることが好ましい。吸収体層の成膜方法は、スパッタリング法である限り特に限定されず、マグネトロンスパッタリング法またはイオンビームスパッタリング法のいずれであってもよい。
【００７６】
イオンビームスパッタリング法を用いて、吸収体層としてＴａＮ層を成膜する場合、ターゲットとしてＴａターゲットを用い、スパッタガスとしてＮ2ガス（ガス圧１．３×１０-2Ｐａ〜２．７×１０-2Ｐａ）を使用して、電圧３００〜１５００Ｖ、成膜速度０．０１〜０．１ｎｍ／ｓｅｃで厚さ５０〜１００ｎｍとなるように成膜することが好ましい。
スパッタリング法を用いて、吸収層を成膜する際、均一な成膜を得るために、回転体を用いて基板を回転させながら成膜を行うことが好ましい。
【００７７】
反射層と、吸収層と、の間にバッファ層を成膜してもよい。バッファ層を構成する材料としては、たとえば、Ｃｒ、Ａｌ、Ｒｕ、Ｔａおよびこれらの窒化物、ならびにＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4、Ａｌ2Ｏ3などが挙げられる。バッファ層は厚さ１０〜６０ｎｍであることが好ましい。
【図面の簡単な説明】
【００７８】
【図１】図１は、ガラス基板の凹欠陥が存在する部分付近を示した模式図である。
【図２】図２は、図１のガラス基板の成膜面に薄膜を形成した状態を示している。
【図３】図３は、本発明の基板平滑化方法によって、薄膜表面に現れた凹欠陥が解消されて薄膜表面が平滑化された状態を示している。
【図４】図４は、加熱可能な探針を薄膜表面に現れた凹欠陥に接触させて、該凹欠陥直下の薄膜を局所的に加熱している状態を示している。
【図５】図５は、通電可能探針を薄膜表面に現れた凹欠陥に接触させて、該凹欠陥直下の薄膜を局所的に陽極酸化している状態を示している。
【図６】図６は、薄膜表面に新たに生じた凸欠陥を探針を用いて除去している状態を示している。
【符号の説明】
【００７９】
１：基板
１ａ：成膜面
２：凹欠陥（基板の成膜面上に存在する凹欠陥）
３，３´：薄膜
４：凹欠陥（薄膜表面に現れた凹欠陥）
５：加熱可能な探針
６：通電可能な探針
７：探針５，６を用いて除去された凸欠陥
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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