(57)【要約】      （修正有）【課題】凹凸部が形成された金属体表面にモールド樹脂を被覆することにより、熱抵抗の小さい電気絶縁型の樹脂モールド型電力用半導体装置を提供する。【解決手段】電力用半導体素子１０３と、電力用半導体素子１０３が搭載されて電力用半導体素子１０３の第１主面と電気的に接続される金属体１０１と、金属体１０１に直接または他の配線部材を介して電気的に接続され、外部と電気的接続するための第１外部端子と、第１主面に対向する前記電力用半導体素子１０３の第２主面に形成された電極に直接または他の配線部材を介して電気的に接続され、外部と電気的接続するための第２外部端子と、これらを覆うモールド樹脂１１１とを有する樹脂モールド型電力用半導体装置であって、金属体１０１の電力用半導体素子１０３搭載面の対向面には凹凸部１０２が形成されている。【選択図】図２
2008028053.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電力用半導体素子と、
前記電力用半導体素子が搭載されて該電力用半導体素子の第１主面と電気的に接続されることにより、該電力用半導体素子が発生する熱を拡散させる金属体と、
前記金属体に直接または他の配線部材を介して電気的に接続され、外部と電気的接続するための第１外部端子と、
前記第１主面に対向する前記電力用半導体素子の第２主面に形成された電極に直接または他の配線部材を介して電気的に接続され、外部と電気的接続するための第２外部端子と、
外部との電気的接続に必要な部分を除く前記第１及び第２外部端子の部分，前記他の配線部材の全体，前記電力用半導体素子の全体、及び前記金属体の全体を覆うモールド樹脂とを有する樹脂モールド型電力用半導体装置であって、
前記金属体の前記電力用半導体素子搭載面の対向面には凹凸部が形成されていることを特徴とする樹脂モールド型電力用半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の樹脂モールド型電力用半導体装置において、
さらに、前記金属体を搭載することにより液体の流路を形成するための容器を有し、
前記金属体の前記凹凸部が形成された前記対向面は、前記モールド樹脂を介して前記液体に接触していることを特徴とする樹脂モールド型電力用半導体装置。
【請求項３】
請求項１または２記載の樹脂モールド型電力用半導体装置において、
前記凹凸部は周期的な凹凸が形成されていることを特徴とする樹脂モールド型電力用半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一に記載の樹脂モールド型電力用半導体装置において、
前記金属体の前記凹凸部が形成された面における前記モールド樹脂の被覆厚さは、0.5
mm以下であることを特徴とする樹脂モールド型電力用半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一に記載の樹脂モールド型電力用半導体装置において、
前記金属体の前記凹凸部が形成された面を被覆する前記モールド樹脂の熱伝導率は、１Ｗ／ｍＫ以上であることを特徴とする樹脂モールド型電力用半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一に記載の樹脂モールド型電力用半導体装置において、
前記金属体の前記凹凸部が形成された面を被覆する前記モールド樹脂内の無機粒子の比率は、前記樹脂モールド型電力用半導体装置のその他の部分に充填されるモールド樹脂内の無機粒子の比率より多く、その他の構成材質は同じであることを特徴とする樹脂モールド型電力用半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一に記載の樹脂モールド型電力用半導体装置において、
前記金属体の材質は、アルミニウムまたは銅であることを特徴とする樹脂モールド型電力用半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一に記載の樹脂モールド型電力用半導体装置において、
前記モールド樹脂の前記金属体の前記凹凸部が形成された面における被覆厚さは、前記凹凸部の凹凸の根元に近い部分の方が先端に近い部分より薄いことを特徴とする樹脂モールド型電力用半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
電力用半導体素子を搭載した金属体の素子搭載面の対向面に周期的凹凸を形成した樹脂モールド型電力用半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
比較的取り扱う電力の小さい電子回路では、特定の回路をＩＣ化することにより、小型化及び低コスト化を図る技術の流れがある。しかし一方では、ディスクリート（個別）素子を用いて、回路変更の自由度を優先する考え方もある。回路の規模や生産量，製品のライフサイクル等により、これらの両極端から折衷方式まで、非常に多くのバリエーションがある。設計者は、どの形態を選ぶか、自由な発想が可能である。
【０００３】
これに対して、扱う電力の大きい回路では、電力用半導体素子から生ずる熱の処理、及び、扱う電圧が高いための絶縁構造の制約、さらには、回路の誘導成分を小さく保つ必要性等のため、回路を分割した機能単位ごとにまとめた、すなわち、複数の半導体素子を搭載し、内部で小規模の回路を形成したモジュールと呼ばれる半導体装置を専ら用いる。モジュールは、複数の電力用半導体素子及び付属する受動素子、それらを結ぶ配線部材，熱を伝えながら絶縁性を保つ部材，封止部材等で構成されている。
【０００４】
モジュールを用いる理由は、まず、熱の問題の解決、すなわち、半導体素子で生ずる熱の密度が大きいため、回路設計者がディスクリート素子で扱うには困難を伴い、モジュール内で熱を分散し、扱いやすくすることを挙げることができる。また、モジュール内で絶縁材を効果的に配置して絶縁距離の短縮化を図り、ディスクリート素子を並べるより大幅に小型化を実現できるメリットもある。さらには、大電流の断続による誘導起電力発生を極力抑えるための配線の引き回しを工夫し、回路の高速化を実現できる利点もある。
【０００５】
このように、モジュール使用に伴うメリットは多大で、大電力を扱う回路においては、モジュールの存在は必須と見なされている。しかし、先に述べたように、モジュールは単独の半導体素子でなく、半導体素子を複数組み合わせた回路になっているため、設計の自由度が阻害される一面を持っている。
【０００６】
個別の素子（あるいは、個別の素子に等しい程度の小規模の回路）ごとに半導体装置を構成し、それを用いて回路を組む場合には、熱拡散の面積が必要である。また、絶縁性確保のための距離も必要になる。このため、回路全体のサイズは大きくなってしまう。
【０００７】
そこで、これらの問題を解決するため、水冷構造のディスクリート半導体素子、または、それに近い構造の電力用半導体装置が望まれる。
【０００８】
半導体装置内部で絶縁をしない、ディスクリート素子に近い構成の半導体装置と冷却水との間で絶縁を確保するための構造が重要となる。特開２００２−３１４０３７号公報
（特許文献１）、及び、特開２０００−３１５７５７号公報（特許文献２）に、それに関連した技術が開示されている。これらは、いずれも冷却水との電気絶縁に関する技術開示であるが、絶縁のためだけの特別の構造を提案している。
【０００９】
経済性も鑑み、モールド樹脂で絶縁性を確保する部位を含め、半導体装置全体を一括して充填する構造が有効であるが、この点、前記文献には開示されていない。
【００１０】
【特許文献１】特開２００２−３１４０３７号公報
【特許文献２】特開２０００−３１５７５７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
背景技術で述べたように、本発明が目指す電力用半導体装置は、できるだけディスクリート素子に近い単位での小型のパッケージング（モジュール）であり、高密度の熱を処理するための液冷（水冷を含む）を前提とした構造である。
【００１２】
電力用ディスクリート素子は、ダイオードに代表される２端子素子及びＩＧＢＴに代表される３端子素子であり、本発明が目指す電力用半導体装置の端子数は、２端子或いは３端子が基本である。付加的に制御用端子が追加される構成はあり得る。
【００１３】
電力用半導体装置内部の配線は、単純に外部端子と内部の電力用半導体素子の端子を直接接続する構成であり、例外的に内部で素子どうしを並列接続する場合があるのみである。並列接続とは、一つには電力用半導体素子の電流容量を増大するために同一の半導体素子を複数個並列接続する場合、ＩＧＢＴまたはパワーＭＯＳのように逆電流に弱い素子の場合、ダイオードを逆並列に接続する場合を意味する。
【００１４】
本発明の目的は、電力用半導体装置を使用した回路設計において、ディスクリート素子並みの設計の自由度を得るための電力用半導体装置の構造を提供することにある。とりわけ、電力用半導体素子で生ずる高密度の熱を有効に処理するため、液冷に適した放熱構造及び絶縁構造を同時に備えた樹脂モールド型電力用半導体装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記課題を解決するため、本発明の樹脂モールド型電力用半導体装置のうち代表的な一つは、電力用半導体素子と、電力用半導体素子が搭載されて電力用半導体素子の第１主面と電気的に接続されることにより、電力用半導体素子が発生する熱を拡散させる金属体と、金属体に直接または他の配線部材を介して電気的に接続され、外部と電気的接続するための第１外部端子と、第１主面に対向する電力用半導体素子の第２主面に形成された電極に直接または他の配線部材を介して電気的に接続され、外部と電気的接続するための第２外部端子と、外部との電気的接続に必要な部分を除く第１及び第２外部端子の部分，他の配線部材の全体，電力用半導体素子の全体、及び金属体の全体を覆うモールド樹脂とを有する樹脂モールド型電力用半導体装置であって、金属体の電力用半導体素子搭載面の対向面には凹凸部が形成されているものである。
【００１６】
好ましくは、さらに、金属体を搭載することにより液体の流路が形成される容器を有し、金属体の凹凸部が形成された対向面は、モールド樹脂を介して液体に接触しているものである。
【００１７】
また、好ましくは、モールド樹脂の金属体の凹凸部を形成した面における被覆厚さが
０.５mm を超えない構成とする。
【００１８】
また、好ましくは、金属体の凹凸部を形成した面を被覆するモールド樹脂の熱伝導率を１Ｗ／ｍＫ以上とする。
【００１９】
また、好ましくは、金属体の周期的凹凸を形成した面を被覆するモールド樹脂内の無機粒子の比率が樹脂モールド型電力用半導体装置のその他の部分に充填されるモールド樹脂内の無機粒子の比率より多く、その他の構成材質が同じである構成とする。
【００２０】
また、好ましくは、金属体の材質をアルミニウムまたは銅とする。
【発明の効果】
【００２１】
凹凸部が形成された金属体表面にモールド樹脂を被覆することにより、熱抵抗の小さい電気絶縁型の樹脂モールド型電力用半導体装置を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明の実施例について詳細に説明する。
【実施例１】
【００２３】
本発明の第１の実施例について、図１乃至図３を参照して説明する。
【００２４】
図１は、本発明の第１の実施例による樹脂モールド型電力用半導体装置１００を斜め上方から眺めた斜視図である。半導体装置の内部が見えるように、モールド樹脂１１１を透明に描いている。同時に、モールド樹脂１１１の輪郭を他より細い線で表している。また、図２は図１のＩＧＢＴチップ１０３中央部で樹脂モールド型電力用半導体装置１００を切断した断面を示している。カソードアルミニウムワイヤ１０９は、図２ではワイヤの輪切り状態で見えている。また、ゲートアルミニウムワイヤ１１０は、図２ではＩＧＢＴチップ１０３中央にあるボンディングパッドの断面として見えている。
【００２５】
本実施例による樹脂モールド型電力用半導体装置は、ＩＧＢＴ（Insulated Gate 
Bipolar Transistor）による単独のスイッチング回路を構成している。ＩＧＢＴチップ
１０３は一辺１５mmの正方形である。通常のＩＧＢＴの使用法に則り、逆並列にダイオードチップ１０４を接続している。寸法は１５mm×１２mmである。
【００２６】
ＩＧＢＴチップ１０３のアノード電極（コレクタ電極）はチップの裏面全体であり、はんだ２０１で銅ベース１０１に接続されている。同時に、ダイオードチップ１０４の裏面もはんだ（図示せず）で銅ベース１０１に接続されている。なお、ダイオードチップ104の裏面（全面）はカソード電極である。
【００２７】
銅ベース１０１は、ＩＧＢＴチップ１０３及びダイオードチップ１０４を機械的に支えると同時にこれらと電気的に接続しており、請求項における金属体に相当する。銅ベース１０１にはアノード端子１０６がはんだ（図示せず）で接続され、樹脂モールド型電力用半導体装置１００の外部からの電気的接続を可能としている。すなわち、アノード端子
１０６は請求項記載の第１外部端子である。
【００２８】
また、カソード端子１０７は請求項記載の第２外部端子の一例であり、請求項で配線部材と表現しているカソードアルミニウムワイヤ１０９を経由してＩＧＢＴチップ１０３表面のカソード電極（エミッタ電極）及びダイオードチップ１０４表面のアノード電極と電気的につながっている。さらに、同じく請求項記載の第２外部端子の一例であるゲート端子１０８は、配線部材であるゲートアルミニウムワイヤ１１０を経由してＩＧＢＴチップ１０３表面のゲート電極に接続している。
【００２９】
以上の外部端子３個はその一部がモールド樹脂１１１より外に出ていることにより、樹脂モールド型電力用半導体装置１００内部と外部の電気的接続を実現している。
【００３０】
本実施例による樹脂モールド型電力用半導体装置は、水あるいはその他の液体による冷却、すなわち液冷を前提としている。それも、いわゆる直接液冷構造であり、樹脂モールド型電力用半導体装置の下面が直接冷却液に触れる。
【００３１】
図３に樹脂モールド型電力用半導体装置１００の使用状態を示す。通常は、凹凸形成部１０２が冷却液３０３と直接接触することで熱交換を行うのであるが、凹凸形成部１０２、すなわち、銅ベース１０１が冷却液３０３及び冷却液導入容器３０１と同電位になる。
【００３２】
樹脂モールド型電力用半導体装置１００は、内部に電気的な絶縁構造を有しないため、内部回路の電位が冷却液３０３または冷却液導入容器３０１で決定され、回路設計に重大な支障を与える。そこで、凹凸形成部１０２と冷却液３０３または冷却液導入容器３０１との間に凹凸形成部のモールド樹脂１１２を挟み、銅ベース１０１と、冷却液導入容器
３０１及び冷却液３０３が直接接触しないようにしている。すなわち、樹脂モールド型電力用半導体装置１００は、冷却液３０３または冷却液導入容器３０１から電気的に絶縁されている。
【００３３】
その状態で熱交換が有効に機能するように、凹凸形成部のモールド樹脂１１２には高熱伝導性の樹脂を使用し、さらに厚さを０.３mm と薄くしている。
【００３４】
ここで、図３に示すように、樹脂モールド型電力用半導体装置１００の下面と冷却液導入容器３０１とで液体を格納する容器を構成するが、冷却液３０３が漏れないためにシール材が必要である。本実施例では、シール材としてゴムで構成したガスケット３０２を用いている。ガスケット３０２には、適度な圧力を加えておく必要があり、そのために樹脂モールド型電力用半導体装置１００と冷却液導入容器３０１をねじで締め付けている。この部分は図示していない。
【００３５】
ねじを通す穴が図１に示す銅ベース１０１の四隅にある取り付け用穴１０５である。正確に述べると、取り付け用穴１０５内壁にもモールド樹脂１１１がコーティングされており、取り付けねじとの絶縁を確保している。
【００３６】
また、凹凸形成部１０２を銅ベース１０１下面全面に形成すると、ガスケット３０２で挟むためのスペースがなくなり取り付けができない。このため、銅ベース１０１の周囲には、凹凸形成部１０２のない平らな部分が額縁状に設けられている。
【００３７】
本実施例による樹脂モールド型電力用半導体装置１００の定格電力は、６００Ｖ×200Ａである。主な用途はインバータである。インバータとして使用する場合、本実施例による樹脂モールド型電力用半導体装置を２台直列に接続し、いわゆるトーテンポールを構成する。その中点が交流出力、アノードが直流のプラス、カソードが直流のマイナスへの接続端子となる。上記の構成（１セット）が出力１相分にあたる。３相交流を得るには、３セット（樹脂モールド型電力用半導体装置１００を６台）用意し、１２０度ずつ位相をずらせた波形を作製する。
【００３８】
次に、本実施例の特徴であるモールド樹脂について述べる。樹脂には熱伝導を良くするための無機化合物の微粒子が添加されている。樹脂に混入される添加物をフィラーと呼んでいる。高熱伝導フィラーを添加した樹脂は、流動性及び金属等との接着性がフィラーなしのものより劣る。そのため、本実施例ではモールド圧力を１０メガパスカルとした。また、モールド温度を１６０℃とした。
【００３９】
樹脂の熱伝導率は４Ｗ／ｍＫと、一桁近く通常のモールド樹脂より高い。そのため、凹凸形成部のモールド樹脂１１２の厚さが０.３mm あるにもかかわらず、その部分での熱抵抗は１ワットあたり約０.０１℃ であった。凹凸形成部１０２では熱が拡散しているためモジュール内に絶縁材を挟む構造（絶縁材付近で熱が集中している）に比較し、同等以下の問題ない熱抵抗レベルであった。
【００４０】
モールド樹脂１１１の熱伝導率を下げると流動性が増すため、凹凸形成部のモールド樹脂１１２の厚さを小さくすることができる。樹脂の厚さ，熱伝導率，流動性のトレードオフを種々のモールド樹脂について実験で調べた結果、流動性が良好でなく凹凸形成部のモールド樹脂１１２を厚く形成しなければならない高熱伝導樹脂を使用する方が、凹凸形成部のモールド樹脂１１２部の熱抵抗を小さくできる場合が多いことが明らかになった。
【００４１】
また、凹凸形成部のモールド樹脂１１２の厚さは大きい方が電気的な絶縁性能の面でも有利であるため、その点でも樹脂の熱伝導率は高い方が良い。なお、本実施例では４Ｗ／ｍＫのものを使用したが、１Ｗ／ｍＫ以上であれば本構造が成立する。
【００４２】
モールド樹脂の熱伝導率には限界があるため、凹凸形成部のモールド樹脂１１２の厚さは０.５mm以下にする必要がある。
【００４３】
本実施例に限らず、本発明による樹脂モールド型電力用半導体装置の構造上の特徴は、半導体素子の電極の一つが直接金属体に接続されていること、すなわち半導体装置内に電気的な絶縁個所がないことである。中小型の半導体装置によくある、いわゆる個別素子あるいはディスクリート素子に相当する内部構造である。
【００４４】
一般的に、個別素子を使用する際には、絶縁処理は使用者に委ねられる。すなわち、絶縁が必要な個所には、個別素子の外部で絶縁処理を施さなければならない。
【００４５】
本発明は、前述したように液体による直接冷却を前提とした構造であり、液体及びその容器に触れる部分を使用者側で絶縁することは非常に困難である。そこで、半導体装置側で予め絶縁しておく構造を提供している。
【実施例２】
【００４６】
本発明の第２の実施例について、図４を参照して説明する。
【００４７】
図４は、第１の実施例の図２と同じ部分の断面を示している。４０３はＩＧＢＴチップ、４０４はカソードアルミニウムワイヤ、４０５はゲートアルミニウムワイヤ、４０６はモールド樹脂である。
【００４８】
ここで、第１の実施例との相違は、請求項で金属体と称している金属ベースの材質を銅からアルミニウムにしたこと、及びアルミニウムベース４０１の凹凸形成部４０２のモールド樹脂４０７の厚さを凹凸形成部４０２の先端に近づくほど厚くしたことである。
【００４９】
ＩＧＢＴチップ４０３で発生する熱は、はんだ４０８を経由してアルミニウムベース
４０１に流入する。アルミニウムベース４０１の凹凸形成部４０２を除いた厚さは３mmと比較的厚いため、アルミニウムベース４０１内で熱が左右に広がり、ある程度均等に凹凸形成部４０２に流れ込む。この熱拡散機構は、実施例１と何等変わらない。
【００５０】
上記で説明したとおり、実施例１では銅を使用し、実施例２ではアルミニウムを使用している。アルミニウムは価格が安いのみならず、比重が小さいために半導体装置を軽くすることができ、その点で銅に比べて有利であり、本実施例ではその特徴を生かすために使用している。しかし、熱伝導率が銅の約４００Ｗ／ｍＫに対して約２４０Ｗ／ｍＫと４割も小さい。そのため、本実施例の構造が意味を成してくる。
【００５１】
凹凸形成部４０２に流入した熱は、凹凸形成部のモールド樹脂４０７を横切って冷却液に流れて行く。ここで、銅に比べて熱伝導率の小さいアルミニウムではあるが、凹凸形成部のモールド樹脂４０７に使用している高熱伝導樹脂（４Ｗ／ｍＫ）より６０倍も熱伝導率が高い。すなわち、凹凸形成部のモールド樹脂４０７はアルミニウムに比較すると断熱材のようなものであり、極力薄くすることが求められる。
【００５２】
アルミニウムは銅に比べて熱伝導率が小さいため、同じ熱量を流した場合、銅より温度差が大きくなる。すなわち、凹凸形成部４０２の根元部と先端部で生じる温度差が銅の場合より大きい。このことは、冷却液（図示せず）と凹凸形成部４０２の温度差が凹凸形成部４０２の根元部の方が大きくなることを意味している。樹脂の熱伝導率が、上記したようにアルミニウムに比べて６０分の１と小さいことを考えると、凹凸形成部４０２の根元部における凹凸形成部のモールド樹脂４０７を薄くすれば冷却液への熱の伝達がより効率的になる。
【００５３】
そこで、本実施例では、凹凸形成部４０２の根元部の凹凸形成部のモールド樹脂４０７の厚さを極力小さくした。樹脂の流れの限界に近い０.２mm とした。凹凸形成部のモールド樹脂４０７の厚さを総て０.２mm にすると熱的な性能は高くなるが、製造歩留まりが悪くなる。
【００５４】
そこで、比較的熱の流れに貢献しない先端部の凹凸形成部のモールド樹脂４０７を厚くすることで熱的な性能と作りやすさとのバランスを取った。具体的には、先端部の凹凸形成部のモールド樹脂４０７の厚さを０.３５mm とした。さらに、モールド時の樹脂の注入を凹凸形成部４０２の先端からとし（突起の数だけ流入口を設けた）、樹脂が隅々まで行き渡るようにした。
【実施例３】
【００５５】
本発明の第３の実施例について、図５を参照して説明する。
【００５６】
図５は、第１の実施例の図２と同じ部分の断面を示している。ここで、第１の実施例との相違は、モールド樹脂のフィラー混入量が樹脂の場所により違う点である。
【００５７】
すでに述べたように、高熱伝導性のフィラーを混入することで、樹脂の流動性及び金属等との接着性に悪い影響が出る。第１及び第２の実施例では、モールド前の部材の表面処理等によってその欠点を補うことで高熱伝導性樹脂を使用している。
【００５８】
本実施例では、基本的に同一のモールド樹脂であるが、高熱伝導性を必要とする凹凸形成部５０２の部分には充分なフィラーを確保し、高熱伝導性を必要としない他の部分では流動性や接着性を優先してフィラーの混入量を少なくすることで、さらに製品の歩留まり向上及び信頼性向上を図っている。
【００５９】
実現手段としては、フィラーの流動性が悪いことを利用する方法がある。すなわち、凹凸形成部５０２の先端部からのみ樹脂を注入することで、流動性の悪いフィラーが先まで行かないことを利用する。ただし、この方法ではモールド樹脂の少フィラー部５０７まで充分樹脂が行き渡らない場合もある。そこで、凹凸形成部５０２先端に加えて、図の上部であるモールド樹脂の少フィラー部５０７側からも同一の樹脂でフィラーの含有量の少ないものを注入する手段を取ることもある。この場合、注入時に両方から流れて来る樹脂がぶつかる部分に欠陥が出来やすいが、もともと同一の樹脂であるため親和性が良く、樹脂どうしの衝突部の欠陥は問題になるレベルではない。
【００６０】
何れにしても、モールド樹脂がその位置でフィラーの充填率に違いができる構造、すなわち、凹凸形成部５０２ではモールド樹脂の多フィラー部５０９、中間部ではモールド樹脂の中フィラー部５０８、上部ではモールド樹脂の少フィラー部５０７となる。そのことで、銅ベース５０１の側面、はんだ５０４を介して銅ベース５０１に搭載されたＩＧＢＴチップ５０３の表面，カソードアルミニウムワイヤ５０５，ゲートアルミニウムワイヤ
５０６，端子群（図示せず）等との樹脂の接着性が向上し、樹脂モールド型電力用半導体装置の信頼性向上及び歩留まり向上を実現している。
【００６１】
なお、本明細書で開示する技術的思想を用いた種々の変更は当然に適宜可能であり、本発明が実施例に狭く限定されることはない。例えば、本実施例ではＩＧＢＴチップ１０３が搭載される樹脂モールド型電力用半導体装置について詳細に説明したが、使用目的に応じて、ＩＧＢＴチップの代わりにパワーＭＯＳチップを用いることもできる。
【００６２】
以上のとおり、実施例１〜３の構成によれば、凹凸部が形成された金属体表面にモールド樹脂を被覆することにより、熱抵抗の小さい電気絶縁型の樹脂モールド型電力用半導体装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１】本実施例の樹脂モールド型電力用半導体装置の全体斜視図である。
【図２】実施例１の樹脂モールド型電力用半導体装置の断面図である。
【図３】実施例１の樹脂モールド型電力用半導体装置の使用形態の断面図である。
【図４】実施例２の樹脂モールド型電力用半導体装置の断面図である。
【図５】実施例３の樹脂モールド型電力用半導体装置の断面図である。
【符号の説明】
【００６４】
１００…樹脂モールド型電力用半導体装置、１０１,５０１…銅ベース、１０２,４０２，５０２…凹凸形成部、１０３，４０３，５０３…ＩＧＢＴチップ、１０４…ダイオードチップ、１０５…取り付け用穴、１０６…アノード端子、１０７…カソード端子、１０８…ゲート端子、１０９，４０４，５０５…カソードアルミニウムワイヤ、１１０，４０５，５０６…ゲートアルミニウムワイヤ、１１１，４０６…モールド樹脂、１１２，４０７…凹凸形成部のモールド樹脂、２０１，４０８，５０４…はんだ、３０１…冷却液導入容器、３０２…ガスケット、３０３…冷却液、４０１…アルミニウムベース、５０７…モールド樹脂の少フィラー部、５０８…モールド樹脂の中フィラー部、５０９…モールド樹脂の多フィラー部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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