(57)【要約】【課題】製造工程中に２枚の基板間の電気的導通を行うための球状の導電体の粒径管理を容易に行えるようにして不良品の選別を容易にできるようにした液晶表示装置を提供すること。【解決手段】画素電極２３を有する第１基板１１と共通電極を有する第２基板とが対向配置され、両基板の周縁部がシール剤により固着されているとともに両基板間に液晶が封入され、第１基板１１の周縁部にはコモン配線に電気的に接続されているトランスファ電極１３が設けられ、トランスファ電極１３と共通電極との間が球状の導電体２０を含むコンタクト材２１により電気的に接続された液晶表示装置１０において、トランスファ電極１３は透明導電性材料で形成されており、このトランスファ電極１３と第１基板１１の間にトランスファ電極１３の中心１３ａ及びこの中心１３ａからの距離を示す遮光性材料から形成された目印パターン１４が形成されていることを特徴とする。【選択図】  図２
2008164896.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素電極を有する第１基板と共通電極を有する第２基板とが対向配置され、両基板の周
縁部がシール剤により固着されているとともに両基板間に液晶が封入され、前記第１基板
の周縁部にはコモン配線に電気的に接続されているトランスファ電極が設けられ、前記ト
ランスファ電極と前記共通電極との間が球状の導電体を含むコンタクト材により電気的に
接続された液晶表示装置において、
前記トランスファ電極と前記第１基板の間に前記トランスファ電極の中心及び前記中心
からの距離を示す目印パターンが形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記目印パターンは、Ａｌ金属、Ａｌ合金又はポリシリコンにより形成されていること
を特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記目印パターンは、複数の同心状に形成された円環又は円弧を備えていることを特徴
とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記コモン配線及び目印パターンと前記トランスファ電極との間には平坦化膜が配置さ
れ、前記トランスファ電極は、前記平坦化膜上に形成されているとともに、前記トランス
ファ電極の周縁部において前記平坦化膜に形成されたコンタクトホールを介して前記コモ
ン配線と電気的に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記コンタクトホールは前記トランスファ電極の周縁部に沿って溝又は複数個の孔とし
て形成されていることを特徴とする請求項４に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記第２基板の前記トランスファ電極と対向する位置には、前記目印パターンと対向す
る位置に切り欠きが形成された遮光用のブラックマトリクスが設けられていることを特徴
とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記トランスファ電極は、前記画素電極と同組成の透明導電性材料からなり、前記画素
電極と同時に形成されたものであることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の液
晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置に関し、特に製造工程中に２枚の基板間の電気的導通を行うた
めの球状の導電体の粒径管理を容易に行えるようにして不良品の選別を容易に行うことが
できるようにした液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は、電極等が形成された２枚の透明基板を対向させ、その透明基板の周辺
をシール材で固着し、この透明基板とシール材によって形成される空間に液晶を封入した
構成を有している。このうちアクティブマトリクス型の液晶表示装置の一具体例を図３〜
図５を用いて説明する。なお、図３は携帯機器用の小型の液晶表示装置の第１基板側を模
式的に示す平面図、図４はシール材やコンタクト材の配置を模式的に示す断面図、図５は
トランスファ電極と共通電極の接続状態を模式的に示す要部拡大図である。
【０００３】
液晶表示装置５０の透明基板からなる第１基板５１は、表示領域５２に走査線及び信号
線がマトリクス状に形成されており、走査線と信号線で囲まれる部分に画素電極が形成さ
れ、走査線と信号線の交差部に画素電極と接続されたスイッチング素子としての薄膜トラ
ンジスタＴＦＴ（Thin Film Transistor）が形成されている。これら各配線やＴＦＴ、画
素電極の具体的な構成は図示しないが、図４ではこれらを模式的に第１構造物５３として
示してある。
【０００４】
第１基板５１の短辺部には液晶表示装置５０を駆動するための画像供給装置（図示せず
）と接続するためのフレキシブル配線基板５４がＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film
：異方性導電膜）圧着法により設けられ、このフレキシブル配線基板５４は画像供給装置
からのデータ線及び制御線をドライバＩＣ５５に接続している。ＶＣＯＭ信号、ソース信
号、ゲート信号はドライバＩＣ５５内で生成され、それぞれ液晶表示装置上のコモン配線
５６Ｃ、ソース配線５６Ｓ、ゲート配線５６Ｇに接続され、このうちソース配線５６Ｓ及
びゲート配線５６Ｇはそれぞれ表示領域５２の信号線及び走査線に接続されている。なお
、中型ないし大型の液晶表示装置の場合、携帯機器用ドライバＩＣ５５に搭載されている
機能の多くはプリント基板に搭載され、特にＶＣＯＭ信号は共通電極駆動回路部で生成さ
れ、ドライバＩＣを搭載したフレキシブル配線基板を通してコモン配線と接続されている
。
【０００５】
第１基板５１には周縁部に複数、例えば４個のトランスファ電極５７１〜５７４が設け
られている。なお、図５には４個のトランスファ電極５７１〜５７４の内の一つ５７２の
部分の断面図が示されている。このトランスファ電極５７１〜５７４は、ゲート配線５６
Ｇないしソース配線５６Ｓを形成する工程と同一工程で形成され、ゲート配線５６Ｇない
しソース配線５６Ｓと同じ素材、例えばＡｌ金属、Ａｌ合金やポリシリコン(以下、「ｐ
−Ｓｉ」という。)で形成されている。このトランスファ電極５７１〜５７４はコモン配
線５６Ｃを介して互いに直接接続ないしはドライバＩＣ５５内で互いに接続されて同電位
となるようになっている。そして、トランスファ電極５７１〜５７４は後述する共通電極
５８と電気的に接続され、ドライバＩＣ５５から出力される所定の電圧ＶＣＯＭが共通電
極５８に印加されるようになっている。なお、ゲート配線５６Ｇ及びソース配線５６Ｓの
配置を逆にする場合もある。また、ドライバＩＣ５５は、短辺部だけでなく、長辺部に配
置される場合もある。
【０００６】
また、透明基板からなる第２基板５９には、カラーフィルタと、ブラックマトリクスが
形成されている。カラーフィルタは第１基板５１の画素電極と対向するように配置される
とともに各画素に応じたフィルタ層が設けられ、ブラックマトリクスは少なくとも第１基
板５１の走査線や信号線に対応する位置に配置されている。これらカラーフィルタ等の具
体的な構成は図示しないが、図４ではこれらを模式的に第２構造物６０として示してある
。また、第２基板５９には更にＩＴＯ（Indium-Tin-Oxide）ないしＩＺＯ（Indium-Zinc-
Oxide）等で構成された透明電極からなる共通電極５８が少なくとも表示領域５２の全域
に亘って形成されている。
【０００７】
シール材６１は、第１基板５１の表示領域５２の周囲を注入口（図示せず）を除いて塗
布されており、また、コンタクト材５７がトランスファ電極５７１〜５７４上に塗布され
ている。このコンタクト材５７は、図５に示したように、例えばエポキシ樹脂等の熱硬化
性樹脂６３に球状の導電体６４及び絶縁性(下記特許文献１参照)ないし導電性(下記特許
文献２又は３参照)のフィラ６５を混入したものである。
【０００８】
コンタクト材５７に混入される球状の導電体６４は、例えば、球体の樹脂粒子の全面に
Ａｕ等の柔軟な導電性金属をメッキしたものが使用され、粒径は液晶表示装置のセルギャ
ップよりも若干大きいものが使用され、絶縁性のフィラとしては平均粒径が約１μｍ程度
のアルミナ粒子ないしシリカ粒子が使用され、また、導電性のフィラとしては平均粒径が
約０．１〜０．５μｍ程度のカーボンブラックやＡｌ粉末などが使用される。そうすれば
両基板５１、５９を貼り合わせたときに球状の導電体６４及び場合によっては更に導電性
のフィラを介してトランスファ電極５７１〜５７４と共通電極５８との間に電気的接続が
形成されるものである。
【０００９】
両基板５１、５９を貼り合わせるときは以下の手順で行なわれる。まず、第１基板５１
を第１のディスペンサ装置にセットしてシール材６１を所定パターンで塗布し、次に第１
基板５１を第２のディスペンサ装置にセットしてコンタクト材５７をトランスファ電極５
７１〜５７４上に塗布する。その後、第２基板５９のシール材６１やコンタクト材５７が
当接する部分に仮止め用接着剤を塗布する。その後、第１基板５１と第２基板５９を貼り
合わせ、仮止め用接着剤を硬化させて仮止めが完了する。そして仮止めされた両基板５１
、５９を加圧しながら加熱処理するとシール材６１、コンタクト材５７の熱硬化性樹脂が
硬化し、空の液晶表示装置が完成する。この空の液晶表示装置内に注入口（図示せず）か
ら液晶６８を注入し、この注入口を封止剤で塞ぐと液晶表示装置５０が完成する。
【特許文献１】特開２００２−９０７７０号公報
【特許文献２】特開平１１−９５２３２号公報
【特許文献３】特開２０００−２８４２９６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
上述した従来例の液晶表示装置のトランスファ接続形成部分の構成によれば、容易にト
ランスファ電極５７１〜５７４の表面にコンタクト材５７を配置することができ、球状の
導電体６４によってトランスファ電極５７１〜５７４と共通電極との間の電気的導通を達
成することができる。しかしながら、球状の導電体６４の粒径制御が極めて困難であり、
慢性的に所定の規格から外れるものが混在している。そのため、液晶表示装置の製造工程
ではトランスファ電極５７１〜５７４上に配置された球状の導電体６４の粒径が既定範囲
内に収まっているか否かの検査が行われている。
【００１１】
この球状の導電体６４の粒径の検査は、顕微鏡観察により行われる。しかしながら、従
来例のトランスファ電極５７１〜５７４は、ゲート配線５６Ｇないしソース配線５６Ｓを
形成する工程と同一工程で形成され、ゲート配線５６Ｇないしソース配線５６Ｓと同じ素
材、例えばＡｌ金属、Ａｌ合金やｐ−Ｓｉで形成されているため、遮光性である。そのた
め、このトランスファ電極５７１〜５７４上に配置された球状の導電体６４の粒径の検査
は、第１基板５１の裏側からの顕微鏡観察によって行うことはできず、第２基板５９側か
ら検査する必要がある。一方、第２基板５９の周縁部には遮光のためにブラックマトリク
ス６７が設けられているので、上述のような第２基板側からトランスファ電極５７１〜５
７４上に配置された球状の導電体６４の粒径を顕微鏡観察によって検査するためには、こ
のブラックマトリクスの一部を切り欠く必要がある。そのため、従来の液晶表示装置にお
いては、このブラックマトリクスの切り欠き部分から光漏れする虞があった。
【００１２】
また、近年、液晶表示装置として、広視野角が達成され、表示画質も良好な垂直配向（
ＶＡ：vertically aligned）型ないしマルチドメイン垂直配向（ＭＶＡ：Multi-domain V
ertically Aligned）型の透過型ないし半透過型の液晶表示装置が多く使用されるように
なってきている。また、スイッチング素子、走査線、信号線、ゲート配線ないしソース配
線等の形成方法として低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ：Low Temperature Poly-Silicon）法
の採用も行われるようになっている。このようなＶＡ型ないしＭＶＡ型の液晶表示装置や
ＬＴＰＳ法により製造された液晶表示装置においては、スイッチング素子としてのＴＦＴ
、走査線、信号線、ゲート配線ないしソース配線等が形成された第１基板の表面に亘って
例えばポリイミド等の高分子膜からなる平坦化膜（層間膜と称するる場合もある）が形成
されている。そして、少なくとも表示領域の表面はこの平坦化膜によって平らになるよう
にされ、画素電極はこの平坦化膜の表面に形成されている。
【００１３】
そのため、このような平坦化膜を有する液晶表示装置においては、製造工程でトランス
ファ電極の表面も平坦化膜で被覆されてしまう。そこで、トランスファ電極上の平坦化膜
にコンタクトホールを形成し、このコンタクトホール内に球状の導電体を含むコンタクト
材を配置することによって第２基板の共通電極と第１基板のトランスファ電極との間の電
気的導通をとることが多く行われている。しかしながら、この場合もトランスファ電極は
遮光性であるため、トランスファ電極上に配置された球状の導電体の粒径を検査する際に
は上述の従来例の液晶表示装置の場合と同様の問題点が存在している。
【００１４】
加えて、このようなコンタクトホール内に球状の導電体を含むコンタクト材を配置する
場合、球状の導電体の粒径が小さすぎる場合にはコンタクトホールを完全にコンタクト材
で充填できない場合が生じるために外部から侵入した水分によってトランスファ電極が腐
食される虞がある。また、球状の導電体の粒径が大きすぎる場合には、球状の導電体は、
トランスファ電極に沿った方向への変形がコンタクトホールの壁によって妨げられるので
、トランスファ電極と垂直な方向へ変形し難くなるため、セルギャップが大きくなりすぎ
て表示画質が低下する虞があるという問題点も存在している。
【００１５】
本発明は、上述のような従来例の液晶表示装置の問題点を解決すべくなされたものであ
って、特にＶＡ型ないしＭＶＡ型の液晶表示装置やＬＴＰＳ法により製造された液晶表示
装置等のような平坦化膜を有する液晶表示装置においても、製造工程中に球状の導電性粒
子の粒径の検査を容易に行うことができ、しかも、従来例のようにこの球状の導電性粒子
の粒径の検査のために遮光用のブラックマトリクスに切り欠きを設ける必要がない液晶表
示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上記目的を達成するため、本発明の液晶表示装置は、画素電極を有する第１基板と共通
電極を有する第２基板とが対向配置され、両基板の周縁部がシール剤により固着されてい
るとともに両基板間に液晶が封入され、前記第１基板の周縁部にはコモン配線に電気的に
接続されているトランスファ電極が設けられ、前記トランスファ電極と前記共通電極との
間が球状の導電体を含むコンタクト材により電気的に接続された液晶表示装置において、
前記トランスファ電極は透明導電性材料で形成され、前記トランスファ電極と前記第１基
板の間に前記トランスファ電極の中心及び前記中心からの距離を示す遮光性材料から形成
された目印パターンが形成されていることを特徴とする。なお、本発明の液晶表示装置は
、透過型液晶表示装置だけでなく半透過型液晶表示装置の場合も含まれる。
【００１７】
また、本発明は、上記液晶表示装置において、前記目印パターンは、Ａｌ金属、Ａｌ合
金又はｐ−Ｓｉにより形成されていることを特徴とする。
【００１８】
また、本発明は、上記液晶表示装置において、前記目印パターンは、複数の同心状に形
成された円環又は円弧を備えていることを特徴とする。
【００１９】
また、本発明は、上記液晶表示装置において、前記コモン配線及び目印パターンと前記
トランスファ電極との間には平坦化膜が配置され、前記トランスファ電極は、前記平坦化
膜上に形成されているとともに、前記トランスファ電極の周縁部において前記平坦化膜に
形成されたコンタクトホールを介して前記コモン配線と電気的に接続されていることを特
徴とする。
【００２０】
また、本発明は、上記液晶表示装置において、前記コンタクトホールは前記トランスフ
ァ電極の周縁部に沿って溝又は複数個の孔として形成されていることを特徴とする。
【００２１】
また、本発明は、前記第２基板の前記トランスファ電極と対向する位置には、前記目印
パターンと対向する位置に切り欠きが形成された遮光用のブラックマトリクスが設けられ
ていることを特徴とする。
【００２２】
また、本発明は、上記液晶表示装置において、前記トランスファ電極は、前記画素電極
と同組成の透明導電性材料からなり、前記画素電極と同時に形成されたものであることを
特徴とする。
【発明の効果】
【００２３】
本発明の液晶表示装置は、上記構成を備えることにより以下に述べるような優れた効果
を奏する。すなわち、本発明の液晶表示装置によれば、トランスファ電極を透明導電性材
料で形成するとともに、このトランスファ電極と前記第１基板の間に前記トランスファ電
極の中心及び前記中心からの距離を示す遮光性材料から形成された目印パターンを形成し
たため、製造工程中に液晶表示装置を第１基板の裏側から顕微鏡で検査すると、コンタク
ト材中の球状の導電体が目印パターンの背面側に重なって見えるため、目印パターンを基
準としてコンタクト材中の球状の導電体の粒径を直ちに確認することができ、不良品の分
別が容易にできるようになる。
【００２４】
また、コンタクト材中の球状の導電体の粒径の確認の際には、第２基板側から観察する
必要がなくなるため、従来例のように第２基板側のブラックマトリクスに切り欠きを設け
る必要がなくなるので、このブラックマトリクスの切り欠きに起因する光漏れがなくなる
ので、コントラストが良好な液晶表示装置が得られる。
【００２５】
また、本発明の液晶表示装置によれば、Ａｌ金属、Ａｌ合金ないしｐ−Ｓｉは液晶表示
装置の走査線、信号線等の形成に普通に採用されているものであるから、これらの走査線
や信号線の形成時に同時に目印パターンを形成することができるため、特に目印パターン
形成用の特殊な材料を用意する必要もなく、また、目印パターン形成用の余分な工数の必
要もなくなる。
【００２６】
また、本発明の液晶表示装置によれば、目印パターンは、複数の同心状に形成された円
環又は円弧を備えているものとしたため、球状の導電体の粒径が極めてわかりやすくなる
。
【００２７】
また、本発明の液晶表示装置によれば、コモン配線及び目印パターンと前記トランスフ
ァ電極との間には平坦化膜が配置され、前記トランスファ電極は、前記平坦化膜上に形成
されているとともに、前記トランスファ電極の周縁部において前記平坦化膜に形成された
コンタクトホールを介して前記コモン配線と電気的に接続されたものとしたため、通常は
Ａｌ金属、Ａｌ合金もしくはｐ−Ｓｉ等の遮光部材で形成されるコモン配線は平面視にお
いてトランスファ電極の周辺部で部分的に重複するように形成される。そのため、トラン
スファ電極のうちコモン配線によって遮光される部分が少なくなるので、製造工程中に液
晶表示装置を第１基板の裏側から顕微鏡で検査すると、コンタクト材中の球状の導電体と
目印パターンとを明確に確認でき、コンタクト材中の球状の導電体の粒径を直ちに確認す
ることができるようになる。
【００２８】
加えて、トランスファ電極が平坦化膜の表面に設けられているため、球状の導電体の粒
径が小さくても、トランスファ電極の表面を完全にコンタクト材で被覆することができる
だけでなく、トランスファ電極自体が水分に対して不活性なＩＴＯやＩＺＯ等の透明な導
電性材料で形成されているため、外部から浸入した水分によってトランスファ電極が腐食
されることがなくなり、また、球状の導電体の粒径が大きくても、球状の導電体の変形を
妨げる部材が存在しないために従来例のようなセルギャップの不均一性が生じなくなる。
【００２９】
また、本発明の液晶表示装置によれば、コンタクトホールをトランスファ電極の周縁部
に沿って溝又は複数個の孔に形成したため、平面視でコモン配線とトランスファ電極の間
の重複部分の面積を小さくしながらもコモン配線とトランスファ電極との間の接触面積を
大きくすることができ、コモン配線と共通電極との間の配線抵抗を小さくすることができ
る。そのため、配線抵抗により共通電極に印加される信号が劣化することが少なくなるた
め、表示画質が良好な液晶表示装置が得られる。
【００３０】
また、本発明の液晶表示装置によれば、第２基板のトランスファ電極と対向する位置に
は、目印パターンと対向する位置に切り欠きが形成された遮光用のブラックマトリクスを
設けたため、第１基板側からだけでなく第２基板側からもコンタクト材中の球状の導電体
の粒径の確認を行うことができるようになる。
【００３１】
また、本発明の液晶表示装置によれば、トランスファ電極を画素電極と同組成の透明導
電性材料から形成したため、画素電極の形成時に同時にトランスファ電極を形成すること
ができ、特にトランスファ電極形成用の特殊な材料を用意する必要もなく、また、トラン
スファ電極形成用の余分な工数の必要もなくなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
以下、本発明を実施するための最良の形態を図面を参照しながら詳細に説明する。以下
に述べる各実施形態は本発明をここに記載したものに限定することを意図するものではな
く、本発明は特許請求の範囲に示した技術思想を逸脱することなく種々の変更を行ったも
のにも均しく適用し得るものである。
【００３３】
なお、図１は実施例に係る液晶表示装置のトランスファ電極部分の第１基板の概略平面
図であり、図２は図１のＡ−Ａ線に沿った模式断面図である。また、この実施例の液晶表
示装置の全体の平面図は図３に示した従来例の液晶表示装置５０と実質的に同一であるの
で、必要に応じて図３を援用して説明することとする。
【００３４】
この液晶表示装置１０のガラス等の透明基板からなる第１基板１１の表面には、必要に
応じて第１基板１１の絶縁性の強化及び第１基板１１上に窒化ケイ素又は酸化ケイ素から
なる絶縁膜１２が設けられており、この絶縁膜１２の表面のトランスファ電極１３の形成
領域に対応する位置に、例えばＡｌ金属、Ａｌ合金、ｐ−Ｓｉ等からなる目印パターン１
４が形成されている。この絶縁膜１２は、この絶縁膜１２の表面に形成される各種膜の付
着強度向上等の目的で設けられるものであり、必ずしも必要なものではない。
【００３５】
この目印パターン１４が形成された第１基板１１の表面全体に亘りゲート絶縁膜１５及
びパッシベーション膜１６が被覆され、このパッシベーション膜１６の表面にはＡｌ金属
、Ａｌ合金、ｐ−Ｓｉ等からなるコモン配線１７が所定のパターンに形成されている。そ
して、このコモン配線１７及び露出しているパッシベーション膜１６の表面には例えばポ
リイミドからなる平坦化膜１８が被覆されており、この平坦化膜１８の一部には、例えば
溝状のコンタクトホール１９が形成され、この平坦化膜１８の表面及びコンタクトホール
１９の内面には例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）ないしＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）
等の透明導電性材料からなるトランスファ電極１３が形成され、このトランスファ電極１
３はコンタクトホール１９を介してコモン配線１７と電気的に接続されている。
【００３６】
更に、このトランスファ電極１３の表面には球状の導電体２０を含むコンタクト材２１
が配置されており、この球状の導電体２０を介してトランスファ電極１３と共通電極（図
５の符号５８参照）が電気的に接続されている。このコンタクト材２１は第１基板１１と
図示しない第２基板との間のシール剤を兼ねており、液晶表示装置１０においては、コン
タクト材２１よりも内面側が表示領域２２となっており、この表示領域２２の平坦化膜１
８の表面にはＩＴＯないしＩＺＯ等の透明電極材料からなる画素電極２３（図１において
は図示せず）が形成されている。
【００３７】
上述した目印パターン１４は、トランスファ電極１３の中心１３ａと、この中心からの
距離が分かるものであれば任意の形状のものを使用でき、ここでは、例えばトランスファ
電極１３の中心位置１３ａに対応する位置に設けられた小径の円環部分１４ａと、中心位
置がトランスファ電極１３の中心位置１３ａに対応する位置と一致し、予め定めた所定の
半径を有する中抜き半円状部分１４ｂと、トランスファ電極１３の中心位置１３ａに対応
する位置から放射状に伸びる直線部分１４ｃとを備えており、この直線部分１４ｃには途
中に所定間隔、例えば１００μｍ間隔で設けられた目印線１４ｄを備えているものを用い
た。このような目印パターン１４を用いると、球状の導電体の粒径が極めてわかりやすく
なる。
【００３８】
また、目印パターン１４の形成材料としては遮光性のものであれば任意のものを使用し
得る。しかしながら、液晶表示装置１０の走査線、ゲート配線（図３の符号５６Ｇ参照）
等の形成と同時に目印パターン１４を形成すれば、別途特殊な材料を用意する必要がなく
、また、特に目印パターン１４を作製するために工数を増やす必要がなくなるので、好ま
しい。そのため、目印パターン１４の形成材料としては、スイッチング素子としてのＴＦ
ＴをＬＴＰＳ法により作製する場合にはｐ−Ｓｉを用い、その他の場合にはＡｌ金属又は
Ａｌ合金を用いるとよい。なお、Ａｌ金属又はＡｌ合金の表面には耐食性のあるＭｏ層を
被覆することもできる。
【００３９】
そして、球状の導電体２０の直径は所望のトランスファ電極１３と共通電極間の距離よ
り僅かに大きいサイズのものが選択される。そのため、コンタクト材２１中の熱硬化性樹
脂が硬化した際、球状の導電体２０は押し潰されて僅かに偏平状となっており、その弾性
力によってトランスファ電極１３と共通電極との間に良好な電気的導通が達成されるとと
もに、コンタクト材中の熱硬化性樹脂によって球状の導電体２０及びトランスファ電極１
３の周囲を被覆するシール領域Ｌが形成される。
【００４０】
このような構成の液晶表示装置１０は、トランスファ電極１３がＩＴＯないしＩＺＯ等
の透明導電性材料で形成されているとともに、第１基板１１の表面の絶縁膜１２の表面に
トランスファ電極１３の中心１３ａ及びトランスファ電極１３の中心１３ａからの距離を
示す遮光性材料から形成された目印パターン１４が形成されているため、製造工程中に第
１基板１１の裏側から顕微鏡で検査すると、コンタクト材２１中の球状の導電体２０が目
印パターン１４の背面側に重なって見える。そのため、目印パターン１４の目印線１４ｄ
によってコンタクト材２１中の球状の導電体２０の粒径を直ちに確認することができるよ
うになる。また、目印パターン１４の小径の円環部分１４ａの中心から中抜き半円状部分
１４ｂの最外周までの距離をコンタクト材２１の硬化後における球状の導電体２０の許容
最大径に設定しておくと、球状の導電体２０のオーバーサイズのものを容易に識別するこ
とができるようになる。
【００４１】
ただし、本実施例の液晶表示装置１０においては、球状の導電体２０の径が所定値より
も大きくても、球状の導電体２０の周囲にはこの球状の導電体２０の変形を妨げる部材が
存在しないから、球状の導電体２０は大きく変形することができる。そのため、球状の導
電体をコンタクトホール内に配置した従来例の場合のように、第１基板１１と第２基板と
の間の距離、すなわちセルギャップに影響を与えることがなくなる。
【００４２】
また、球状の導電体２０の径が所定値よりも小さくても、トランスファ電極１３と共通
電極との間の電気的導通が確保されている限りは、トランスファ電極１３の周囲をコンタ
クト材２１で完全に被覆することができるほか、トランスファ電極１３は水分に対して不
活性なＩＴＯやＩＺＯ等の透明な導電性材料で形成されているから、外部から侵入した水
分によってトランスファ電極１３が腐食される虞がなくなる。
【００４３】
また、コンタクト材２１中の球状の導電体２０の粒径の確認の際には、第１基板１１側
から観察するのみでよく、第２基板側から観察する必要がなくなるため、従来例のように
第２基板側のブラックマトリクスに切り欠きを設ける必要がない。この場合、従来例のよ
うなブラックマトリクスの切り欠きに起因する光漏れがなくなるので、コントラストが良
好な液晶表示装置１０が得られる。ただし、第２基板側から観察できるようにする必要が
ある場合には、第２基板側のブラックマトリクスに切り欠きを設けてもよい。
【００４４】
また、本実施例の液晶表示装置１０では、トランスファ電極１３を平坦化膜１８上に形
成するとともに、トランスファ電極１３の周縁部において平坦化膜１８に形成されたコン
タクトホール１９を介してコモン配線１７と電気的に接続させたため、通常はＡｌ金属、
Ａｌ合金もしくはｐ−Ｓｉ等の遮光部材で形成されるコモン配線１７は平面視においてト
ランスファ電極１３の周辺部で部分的に重複するように形成される。そのため、トランス
ファ電極１３のうちコモン配線１７によって遮光される部分が少なくなるので、製造工程
中に液晶表示装置１０を第１基板の裏側から顕微鏡で検査すると、コンタクト材２１中の
球状の導電体２０と目印パターンとを明確に確認でき、コンタクト材２１中の球状の導電
体２０の粒径を直ちに確認することができるようになる。
【００４５】
また、本実施例の液晶表示装置１０では、コンタクトホール１９をトランスファ電極１
３の周縁部に沿って溝状に形成したため、平面視でコモン配線１７とトランスファ電極１
３の間の重複部分の面積を小さくしながらもコモン配線１７とトランスファ電極１３との
間の接触面積を大きくすることができる。そのため、コモン配線１７と共通電極との間の
配線抵抗を小さくすることができ、この配線抵抗により共通電極に印加される信号が劣化
することが少なくなるため、表示画質が良好な液晶表示装置１０が得られる。なお、この
コンタクトホール１９の形状は、溝状のばあいだけでなく孔を複数個設けた多点コンタク
トホールとしても同様の効果を生じる。
【００４６】
また、本実施例の液晶表示装置１０では、トランスファ電極１３と画素電極２３とを同
組成の透明導電性材料から形成したため、画素電極２３の形成時に同時にトランスファ電
極１３を形成することができる。そのため、特にトランスファ電極形成用の特殊な材料を
用意する必要もなく、また、トランスファ電極形成用の余分な工数の必要もなくなる。
【００４７】
なお、本実施例の液晶表示装置１０としては透過型の液晶表示装置を示したが、半透過
型液晶表示装置とすることもできる。この場合は、画素電極２３の表面ないしは下面にＡ
ｌ金属ないしＡｇ金属からなる反射板を設ければよい。
【００４８】
また、実施例の液晶表示装置１０としては、平坦化膜１８を有するものに適用した例を
示したが、本発明の第１基板１１の裏側から観察することによりトランスファ電極１３上
に配置された球状の導電体の粒径を検知し得るという効果は、トランスファ電極１３が透
明導電性材料からなること及びこのトランスファ電極１３と第１基板１１との間に目印パ
ターンが形成されていれば達成される効果であるため、図２〜図４に示したような平坦化
膜を備えていない従来例の液晶表示パネルの場合に対しても適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】実施例の液晶表示装置のトランスファ電極部分の第１基板の概略平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線に沿った模式断面図である。
【図３】液晶表示装置の第１基板側を模式的に示す平面図である。
【図４】液晶表示装置のシール材やコンタクト材の配置を模式的に示す断面図である。
【図５】トランスファ電極と共通電極の接続状態を模式的に示す要部拡大図である。
【符号の説明】
【００５０】
１０  液晶表示装置、１１  第１基板、１２  絶縁膜、１３  トランスファ電極、１４  
目印パターン、１５  ゲート絶縁膜、１６  パッシベーション膜、１７  コモン配線、１
８  平坦化膜、１９  コンタクトホール、２０  球状の導電体、２１  コンタクト材、２
２  表示領域、２３  画素電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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