(57)【要約】【課題】簡単な方法でノーマリーオフを実現させた高電子移動度トランジスタを提供する。【解決手段】ＧａＮ系単結晶基板１の上にＧａＮ系半導体層２が積層される。ＧａＮ系単結晶基板１は電子走行層を構成し、ＧａＮ系半導体層２は電子供給層を構成する。ＧａＮ系単結晶基板１の成長主面はｍ面となっており、ＧａＮ系単結晶基板１上に形成されたＧａＮ系半導体層２の成長主面もｍ面となる。このような層構造にすれば、ｍ面は非極性面であるため、ピエゾ電界が発生しないので、ゲート電圧が印加されない場合における２次元電子ガス層の発生が抑制され、ノーマリーオフが実現できる。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＧａＮ系基板上にＧａＮ系半導体層が積層された高電子移動度トランジスタであって、
前記ＧａＮ系半導体層の成長主面はｍ面であることを特徴とする高電子移動度トランジスタ。
【請求項２】
前記ＧａＮ系基板は単結晶基板であることを特徴とする請求項１記載の高電子移動度トランジスタ。
【請求項３】
積層欠陥が１０３ｃｍ−１以下であることを特徴とする請求項２記載の高電子移動度トランジスタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電界効果トランジスタの一種であり、高速なスイッチングと高感度を得られるＧａＮ系の高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＧａＮやＡｌＧａＮ等のＧａＮ系III−Ｖ族化合物半導体を用いたＧａＮ系の高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ：High Electron Mobility Transistor）は、ＳｉやＧａＡｓ等を用いたＨＥＭＴに比べ、動作時のオン抵抗が１桁以上も小さく、高耐圧で高温動作や大電流動作が可能となるデバイスとして注目されている。
【０００３】
上記ＧａＮ系高電子移動度トランジスタは、例えば、非特許文献１に示すように、ＳｉＣ基板上にＧａＮ層とｎ型ＡｌＧａＮ層を順に積層させ、ソース電極、ゲート電極、ドレイン電極を並列に配置した構造となっている。
【０００４】
電界効果トランジスタの一種である高電子移動度トランジスタが、高速なスイッチングと高感度を達成できるのは、バンドギャップの異なる異種の半導体材料を接合することで、界面に２次元電子ガス層を作り出し、電子が流れる流路として利用しているためである。２次元電子ガス層では、移動度が高い自由電子が極めて薄い層内に広がっており、電子が通常の半導体層の内部と比べて高速に移動することができる。非特許文献１に示された構造では、２次元電子ガスはｎ型ＡｌＧａＮ層との境界付近のＧａＮ層内に存在する。
【非特許文献１】大久保聡著、「もう光るだけじゃない、機器の進化の裏にＧａＮ」、２００６年６月５日、日経エレクトロニクス、ｐ．５１−６０
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、上記のように、２次元電子ガスの存在により、高速動作、高感度等が得られるが、トランジスタを構成するＧａＮ系半導体層は、ｃ軸方向を成長方向としており、ｃ軸方向に対称性がなく、ｃ面成長のエピタキシャル膜には表裏が生じるというウルツ鉱構造のため、ｎ型ＡｌＧａＮ層とＧａＮ層の界面においては、格子歪みに基づくピエゾ圧電効果によりピエゾ電界が発生する。このピエゾ電界の作用によって、ゲート電極に電圧を印加しなくても、２次元電子ガス層が形成されてトランジスタがオン状態になるというノーマリーオンという状態が発生していた。
【０００６】
図７は、ＡｌＧａＮ層とＧａＮ層との接合面における伝導帯及び価電子帯のエネルギーバンド構造模式図を示すものである（詳しくは、後述する図１０、１１を参照）。図７はゲートに電圧を印加しない場合（ゲート電圧＝０）を示すが、ゲート電圧が０の場合でも、伝導帯にまで大きく２次元電子ガスが出現しており、この２次元電子ガスの影響でＡｌＧａＮ層とＧａＮ層との間で電子が流れやすくなっている。
【０００７】
上記のようなノーマリーオン状態では、様々なデバイスに適用できないため、ゲート電極に電圧を印加しない場合には、トランジスタがオフ状態となるノーマリーオフを実現することが求められている。そこで、非特許文献１に示されているように、ゲート電極近傍のＡｌＧａＮ層を局所的に薄くするリセス構造等が提案されているが、ＡｌＧａＮ層を深く掘りこんでゲート電極を設ける等の工程やその精度の確保が必要であり、時間と手間がかかっていた。
【０００８】
本発明は、上述した課題を解決するために創案されたものであり、簡単な方法でノーマリーオフを実現させた高電子移動度トランジスタを提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するために、請求項１記載の発明は、ＧａＮ系基板上にＧａＮ系半導体層が積層された高電子移動度トランジスタであって、前記ＧａＮ系半導体層の成長主面はｍ面であることを特徴とする高電子移動度トランジスタである。
【００１０】
また、請求項２記載の発明は、前記ＧａＮ系基板は単結晶基板であることを特徴とする請求項１記載の高電子移動度トランジスタである。
【００１１】
また、請求項３記載の発明は、積層欠陥が１０３ｃｍ−１以下であることを特徴とする請求項２記載の高電子移動度トランジスタである。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、ＧａＮ系半導体層の成長主面をｍ面としており、ｍ面は非極性面であるため、ピエゾ電界が発生しないので、ゲート電圧が印加されない場合における２次元電子ガス層の発生が抑制され、ノーマリーオフが実現できる。また、成長用基板にｍ面を主面としたＧａＮ系単結晶基板を用いているので、実質的に無転位でかつ平坦な表面状態を有するＧａＮ系半導体層をＧａＮ系単結晶基板上に形成することができ、高性能な高電子移動度トランジスタを実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、図面を参照して本発明の一実施形態を説明する。図１は本発明の高電子移動度トランジスタの基本的な積層構造を示す。
【００１４】
本発明の高電子移動度トランジスタは、六方晶化合物半導体であるIII−Ｖ族ＧａＮ系半導体が用いられており、上記III−Ｖ族ＧａＮ系半導体は、４元混晶系のＡｌｘＧａｙＩｎｚＮ（ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）で表される。
【００１５】
ＧａＮ系単結晶基板１の上にＧａＮ系半導体層２が積層される。ＧａＮ系単結晶基板１は電子走行層を構成し、ＧａＮ系半導体層２は電子供給層を構成する。図に示すように、ＧａＮ系単結晶基板１の成長主面はｍ面となっており、ＧａＮ系単結晶基板１上に形成されたＧａＮ系半導体層２の成長主面もｍ面となる。
【００１６】
図３は、ＧａＮ系半導体の結晶構造のユニットセルを表した図解図である。ＧａＮ系半導体の結晶構造は、六方晶系で近似することができ、六角柱の軸方向に沿うｃ軸を法線とする面（六角柱の頂面）がｃ面（０００１）である。ＧａＮ系半導体では、分極方向がｃ軸に沿っている。そのため、ｃ面は＋ｃ軸側と−ｃ軸側とで異なる性質を示すので、極性面（Polar Plane）と呼ばれる。一方、六角柱の側面（柱面）がそれぞれｍ面（１０−１０）であり、隣り合わない一対の稜線を通る面がａ面（１１−２０）である。これらは、ｃ面に対して直角な結晶面であり、分極方向に対して直交しているため、極性のない平面、すなわち、非極性面（Nonpolar Plane）と呼ばれる。
【００１７】
図１のように、非極性面であるｍ面を成長主面とすれば、バンドギャップの異なる異種の半導体材料である電子走行層（ＧａＮ系単結晶基板１）と電子供給層（ＧａＮ系半導体層２）との接合界面には、ピエゾ電界は発生せずに、ノーマリーオフの構成が可能となる。
【００１８】
図１の構成を用いた高電子移動度トランジスタの具体的な構造を図２に示す。図１の構造と対比させながら説明すると、ＧａＮ系単結晶基板１として単結晶のアンドープＧａＮ基板１１を、ＧａＮ系半導体層２としてｎ型ＡｌＧａＮ層２２を用いた。アンドープＧａＮ基板１１は１μｍ程度の厚みで構成し、アンドープＧａＮ基板１１のｍ面上に、Ｓｉを１０１７〜１０１８ドープした膜厚２０ｎｍ程度のＡｌＧａＮ層２２を成長させた。ｎ型ＡｌＧａＮ層２２のＡｌ比率は２０％〜３０％程度とした。ここで、アンドープＧａＮ基板１１が電子走行層、ｎ型ＡｌＧａＮ層２２が電子供給層に相当する。一方、ｎ型ＡｌＧａＮ層２２上には、ソース電極３１、ゲート電極３２、ドレイン電極３３が形成される。領域４０は、ゲート電極に正電圧が印加されたときに発生する２次元電子ガスの層を示す。また、ＧａＮ系単結晶基板１には、アンドープＧａＮ基板１１の替わりにｐ型ＧａＮ基板１１を用いても良い。アンドープＧａＮ基板では、若干ｎ型になるので、これを補正するためである。
【００１９】
ｍ面の主面を有するアンドープＧａＮ基板１１上にｎ型ＡｌＧａＮ層２２を結晶成長させると、ｎ型ＡｌＧａＮ層２２の成長主面もｍ面となるため、アンドープＧａＮ基板１１とｎ型ＡｌＧａＮ層２２との接合界面にはピエゾ電界が発生しないので、ゲート電極に電圧が印加されていない場合における２次元電子ガス４０の発生を抑えることができる。
【００２０】
図４は、ｍ面を成長主面とした場合のＡｌＧａＮ層とＧａＮ層との接合界面における伝導帯及び価電子帯のエネルギーバンド構造模式図を示す（詳しくは、後述する図８、９を参照）。図４はゲート電極３２に電圧が印加されていない場合を示し、点線で表された２次元電子ガスは、ゲート電極３２に電圧が印加されたときに出現することを示す。ゲート電極３２に電圧が印加されていない場合には、図示していないが、フェルミ準位は伝導帯のエネルギーバンドよりも下方に存在し、２次元電子ガスの発生もないので、トランジスタはオフ状態となり、ノーマリーオフを実現することができる。一方、ゲート電極３２に電圧が印加されると、接合界面における伝導帯のエネルギーバンドとフェルミ準位とが近接するとともに、２次元電子ガスが点線で示されるように発生するので、トランジスタはオン状態となる。
【００２１】
次に、図２の高電子移動度トランジスタの製造方法を説明する。まず、ｍ面を主面とする単結晶のアンドープＧａＮ基板１１は、ｃ面を主面としたＧａＮ単結晶から切り出して作製することができる。切り出された基板のｍ面は、たとえば、化学的機械的研磨処理によって研磨され、＜０００１＞軸方向および＜１１−２０＞軸方向の両方に関する方位誤差が、±１°以内（好ましくは±０．３°以内）とされる。こうして、ｍ面を主面とし、かつ、転位や積層欠陥といった結晶欠陥のないアンドープＧａＮ基板１１が得られる。このようなＧａＮ単結晶基板の表面には、原子レベルの段差が生じているにすぎない。
【００２２】
次に、ｍ面を主面とするアンドープＧａＮ基板１１上にＭＯＣＶＤ法により、ｎ型ＡｌＧａＮ層２２を形成する。ＭＯＣＶＤ装置の成長室内にアンドープＧａＮ基板１１を搬送し、ヒータにより加熱し、基板温度が１０００℃〜１１００℃に達するまで待機した後、キャリアガスとともに、窒素の原料ガスであるアンモニア、アルミニウムの原料ガスであるトリメチルアルミニウム、ガリウムの原料ガスであるトリメチルガリウム、ｎ型ドーパントＳｉ（シリコン）の原料ガスであるシランが供給される。その結果、アンドープＧａＮ基板１１上に、シリコンがドープされたｎ型ＡｌＧａＮ層２２が成長する。  
【００２３】
最後に、ソース電極３１、ゲート電極３２、ドレイン電極３３の各電極を金属蒸着法により、ストライプ状に形成すると、図２の高電子移動度トランジスタが完成する。図２の矢印で示すように、結晶成長方向はｍ軸方向であるが、ソース電極３１、ゲート電極３２、ドレイン電極３３が並ぶ方向はｃ軸方向に平行になるように、各電極のストライプ方向（長手方向）はａ軸方向に平行になるように形成する。
【００２４】
ところで、単結晶のアンドープＧａＮ基板１１上に形成されるｎ型ＡｌＧａＮ層２２の成長に際しては、ガリウム原料（トリメチルガリウム）のモル分率に対する窒素原料（アンモニア）のモル分率の比であるＶ／III比は、３０００以上の高い値に維持して行われる。このような高いＶ／III比は、ｃ面を主面とするＧａＮ結晶の成長には適用されてきたが、ｃ面以外の面を主面とするIII族窒化物半導体層の成長に適用した報告はなされていない。
【００２５】
上記実施例では、このような高いＶ／III比を用い、かつ、単結晶アンドープＧａＮ基板１１とｎ型ＡｌＧａＮ層２２との間にバッファ層を介在することなく、ｍ面を主面とするｎ型ＡｌＧａＮ層２２が、無転位の状態で、かつ、平坦に成長する。
【００２６】
図５は、ＧａＮ単結晶基板を用いずに、ＳｉＣ基板のｍ面上にアンドープＧａＮを結晶成長させて、ａ面に沿う断面を示す電子顕微鏡（ＳＴＥＭ：走査透過電子顕微鏡）写真であり、写真の左右方向はｃ軸に平行である。この図からは、転位の存在を表す条線が出現しており、無数の積層欠陥が現われている。
【００２７】
一方、図６は、ＧａＮ単結晶基板のｍ面上に、ｎ型ＧａＮ層、ＩｎＧａＮ層／ＧａＮ層（５周期）、ＧａＮファイナルバリア層、ｐ型ＡｌＧａＮ電子阻止層、ｐ型ＧａＮ層を順次積層した積層体を形成し、この積層体について、図５と同様、ａ面に沿う断面を示す電子顕微鏡（ＳＴＥＭ：走査透過電子顕微鏡）写真を撮影したものである。写真の左右方向がｃ軸に平行である。なお、ＧａＮ単結晶基板上に形成したＧａＮ化合物半導体の各層については、上述したように、ガリウム原料（トリメチルガリウム）のモル分率に対する窒素原料（アンモニア）のモル分率の比であるＶ／III比は、３０００以上の高い値に維持して行った。
【００２８】
図６からは、転位の存在を表す条線が見られず、かつ、ＧａＮ単結晶基板とこの上に形成されたｎ型ＧａＮ層との界面の見分けがつかない状態となっている。このように、無転位でかつ平坦な表面状態をもつｍ面ＧａＮ系半導体層２を成長させることができる。その際に、従来から必要とされてきた、低いＶ／III比は不要であることがわかる。したがって、図２の構成の高電子移動度トランジスタでは、単結晶のアンドープＧａＮ基板１１のｍ面上に無転位でかつ平坦な表面状態をもつｎ型ＡｌＧａＮ層２２が形成される。
【００２９】
ただし、単結晶のアンドープＧａＮ基板１１の主面のオフ角は前述の範囲に制御されなければならない。例えば、オフ角を２°としたｍ面ＧａＮ単結晶基板上にＧａＮ系半導体層を成長した場合には、ＧａＮ結晶がテラス状に成長するので、オフ角を±１°以内とした場合のような平坦な表面状態とすることができない。
【００３０】
ところで、図６の写真データから無転位、すなわち積層欠陥は無い状態であると言えるのであるが、厳密にどの程度の積層欠陥が実際に存在するかを図６の写真データから調べたところ、最大で１０μｍの間隔で１個の積層欠陥が見つからなかった。したがって、最低１０μｍの間隔で１個の欠陥があるとすると、１ｃｍあたりの距離に換算すれば１０３個となるので、このことより、積層欠陥が１０３ｃｍ−１以下であれば、実質的に無転位であると言える。
【００３１】
以上説明したように、図２の構造を有する高電子移動度トランジスタを作製して、トランジスタの特性を測定した。図２と同様、単結晶のアンドープＧａＮ基板１１を用い、このアンドープＧａＮ基板１１のｍ面上にｎ型ＡｌＧａＮ層２２を形成した。ここで、アンドープＧａＮ基板１１の残留ドナーキャリア濃度は、１０１６〜１０１７ｃｍ−３であった。また、ｎ型ＡｌＧａＮ層２２のＡｌ組成は２５％（Ａｌ０．２５ＧａＮ）に形成し、ｎ型不純物Ｓｉを３．５×１０１８ｃｍ−３ドーピングして、ドナーキャリア濃度を１０１５〜１０１６ｃｍ−３にした。
【００３２】
図８は、ゲート電極３２に印加するゲート電圧が０の場合、図９は、ゲート電極３２に印加するゲート電圧が５Ｖ（ボルト）の場合のアンドープＧａＮ基板（電子走行層）とｎ型ＡｌＧａＮ層（電子供給層）との接合界面付近のエネルギーバンドシミュレーション図を示す。図８、９ともに、左側縦軸がエネルギー（ｅＶ）を、右側縦軸がキャリア濃度（ｃｍ−３）を、横軸が深さ方向の距離（μｍ）を示す。また図中の点線の曲線ＥＦはフェルミ準位を、上側に描かれた曲線ＥＣは伝導帯におけるエネルギーバンドを、下側に描かれた曲線ＥＶは価電子帯におけるエネルギーバンドを、曲線ＥＤＧは２次元電子ガスエネルギーを表す。また、図からわかるように、ｎ型ＡｌＧａＮ層の膜厚は０．０２５μｍ、アンドープＧａＮ基板の厚さは０．０７５μｍとした。
【００３３】
図８を見ると、２次元電子ガスが発生していないことがわかり、また、伝導帯におけるバンドＥＣがフェルミ準位ＥＦと離れているので、ｎ型ＡｌＧａＮ層とアンドープＧａＮ基板との間に電流は流れない。しかし、図９を見ると、接合界面近傍の伝導帯におけるバンドＥＣがフェルミ準位ＥＦに近接するとともに、２次元電子ガスエネルギーＥＤＧが発生しており、ｎ型ＡｌＧａＮ層とアンドープＧａＮ基板の間に電流が流れる。このように、ゲート電極３２に電圧を印加しない場合には電流が流れないノーマリーオフが達成できていることが示されている。これは、単結晶ＧａＮ基板のｍ面が転位や積層欠陥といった結晶欠陥が少なく、平坦性の良い面であることを表しており、トランジスタのオン抵抗を非常に小さくできることがわかる。
【００３４】
一方、図８、９と対比するために、上記アンドープＧａＮ基板のｃ面を主面として、この上にｎ型ＡｌＧａＮ層２２を結晶成長させて、図２の構造とした高電子移動度トランジスタを作製した。アンドープＧａＮ基板における残留ドナーキャリア濃度やｎ型ＡｌＧａＮ層におけるＡｌ組成比率や不純物Ｓiによるドナーキャリア濃度は、図８、９の場合と同じようにした。図１０は、ゲート電極３２に印加するゲート電圧が０の場合、図１１は、ゲート電極３２に印加するゲート電圧が−３Ｖ（ボルト）の場合のアンドープＧａＮ基板とｎ型ＡｌＧａＮ層との接合界面付近のエネルギーバンドシミュレーション図を示す。また、図１０、１１の縦軸、横軸が表す意味や図中の記号が意味するものは、図８、９と同じである。
【００３５】
図１０を見ると、ゲート電圧が印加されていないにもかかわらず、２次元電子ガスエネルギーＥＤＧが発生しており、また、接合界面近傍の伝導帯におけるバンドＥＣがフェルミ準位ＥＦよりも下方に位置しているために、ｎ型ＡｌＧａＮ層とアンドープＧａＮ基板の間に電流が流れ、ノーマリーオンの状態になることがわかる。
【００３６】
次に、ゲートに負電圧を印加すると、図１１の状態になるが、２次元電子ガスの発生が抑制されたために、２次元電子ガスエネルギーＥＤＧの大きさは非常に小さくなり、また、接合界面近傍の伝導帯におけるバンドＥＣがフェルミ準位ＥＦよりも上方に位置するようになるので、トランジスタのオフ状態が実現できる。このように、ｃ面成長とすると、トランジスタをオン状態からオフ状態にするためには、ゲートに負電圧を印加しなければならない。
【００３７】
以上のように、結晶成長の主面を非極性面であるｍ面とすることにより、ＧａＮ基板１１とｎ型ＡｌＧａＮ層２２との接合界面にピエゾ電界が発生しないので、ゲート電極に電圧が印加されない場合には、２次元電子ガス４０の発生が抑制され、ノーマリーオフが実現できる。  またｍ面を結晶成長の主面とすることにより、III族窒化物半導体結晶の成長を極めて安定に行うことができ、結晶性を向上することができる。これにより、高性能の高電子移動度トランジスタの作製が可能になる。
【００３８】
また、電子走行層であるＧａＮ基板１１と電子供給層であるｎ型ＡｌＧａＮ層２２の成長界面に欠陥が生じた場合、これらの欠陥は、電子をトラップする作用があるため、ソース−ドレイン間の電流−電圧特性にヒステリシス現象が現れ、ドレイン電流が減少するという電流−電圧特性の劣化が発生する。
【００３９】
本発明では、ＧａＮ基板１１としてＧａＮ単結晶基板を用いているので、ｎ型ＡｌＧａＮ層２２は、欠陥の少ない高い結晶品質を有することができる。さらに、実質的に転位のないＧａＮ単結晶基板上にＧａＮ系半導体層であるｎ型ＡｌＧａＮ層２２を成長させることにより、このｎ型ＡｌＧａＮ層２２はＧａＮ単結晶基板の再成長面（ｍ面）からの積層欠陥や貫通転位が生じていない良好な結晶とすることができる。したがって、上記のような欠陥に起因するドレイン電流の減少という電流−電圧特性の劣化についても抑制することができ、高性能な高電子移動度トランジスタを実現できる。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】本発明の高電子移動度トランジスタの基本的な積層構造を示す図である。
【図２】本発明の高電子移動度トランジスタの具体的な構造を示す図である。
【図３】六方晶系の面方位を示すユニットセル図である。
【図４】ｍ面を成長主面とした場合のＡｌＧａＮ層とＧａＮ層との接合界面におけるバンド構造を模式的に示す図である。
【図５】ＳｉＣ基板のｍ面上にアンドープＧａＮを結晶成長させた場合のａ面に沿う断面を示す電子顕微鏡写真である。
【図６】ＧａＮ単結晶基板のｍ面上にＧａＮ系半導体層の積層体を結晶成長させた場合のａ面に沿う断面を示す電子顕微鏡写真である。
【図７】ｃ面を成長主面とした場合のＡｌＧａＮ層とＧａＮ層との接合界面におけるバンド構造を模式的に示す図である。
【図８】単結晶アンドープＧａＮ基板のｍ面上にｎ型ＡｌＧａＮ層を形成して図２の構造とし、ゲートに電圧を印加しない場合の接合界面付近のバンド構造を示すシミュレーション図である。
【図９】単結晶アンドープＧａＮ基板のｍ面上にｎ型ＡｌＧａＮ層を形成して図２の構造とし、ゲートに電圧を印加した場合の接合界面付近のバンド構造を示すシミュレーション図である。
【図１０】単結晶アンドープＧａＮ基板のｃ面上にｎ型ＡｌＧａＮ層を形成して図２の構造とし、ゲートに電圧を印加しない場合の接合界面付近のバンド構造を示すシミュレーション図である。
【図１１】単結晶アンドープＧａＮ基板のｃ面上にｎ型ＡｌＧａＮ層を形成して図２の構造とし、ゲートに電圧を印加した場合の接合界面付近のバンド構造を示すシミュレーション図である。
【符号の説明】
【００４１】
１    ＧａＮ系単結晶基板
２    ＧａＮ系半導体層
１１  アンドープＧａＮ基板
２２  ｎ型ＡｌＧａＮ層
３１  ソース電極
３２  ゲート電極
３３  ドレイン電極
４０  ２次元電子ガス
【図１】
2008311533.tif 000003
【図２】
2008311533.tif 000004
【図３】
2008311533.tif 000005
【図４】
2008311533.tif 000006
【図７】
2008311533.tif 000007
【図８】
2008311533.tif 000008
【図９】
2008311533.tif 000009
【図１０】
2008311533.tif 000010
【図１１】
2008311533.tif 000011
【図５】
2008311533.tif 000012
【図６】
2008311533.tif 000013