(57)【要約】      （修正有）【課題】光デバイスウエーハに反りを発生させることなく加工することができるウエーハの加工方法を提供する。【解決手段】サファイヤ基板２０の表面に光半導体層２１が積層され複数の光デバイスが形成されたウエーハ２を、複数の光デバイスを区画するストリート２３に沿って分割するウエーハ２の加工方法であって、ウエーハ２の表面に形成された該ストリート２３に沿って光半導体層２１に対して吸収性を有する波長のレーザー光線を照射しストリート２３に沿って光半導体層２１を分離する光半導体層分離工程と、光半導体層分離工程が実施されたウエーハ２の表面に保護部材を貼着する保護部材装着工程と、保護部材が貼着されたウエーハ２の裏面を研削して光デバイスの仕上がり厚さに形成する裏面研削工程とを含む。【選択図】図５
2008311404.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
サファイヤ基板の表面に光半導体層が積層され複数の光デバイスが形成されたウエーハを、該複数の光デバイスを区画するストリートに沿って分割するウエーハの加工方法であって、
ウエーハの表面に形成された該ストリートに沿って該光半導体層に対して吸収性を有する波長のレーザー光線を照射し該ストリートに沿って該光半導体層を分離する光半導体層分離工程と、
該光半導体層分離工程が実施されたウエーハの表面に保護部材を貼着する保護部材装着工程と、
該保護部材が貼着されたウエーハの裏面を研削して光デバイスの仕上がり厚さに形成する裏面研削工程と、を含む、
ことを特徴とするウエーハの加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、サファイヤ基板の表面に窒化物半導体層からなる光半導体層が積層され複数の光デバイスが形成されたウエーハを、該複数のデバイスを区画するストリートに沿って分割するウエーハの加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光ダイオードやレーザーダイオード等の光デバイスを製造する製造工程においては、サファイヤ基板の表面にエピタキシャル法によって窒化物半導体層からなる光半導体層が積層され複数の光デバイスをマトリックス状に形成した光デバイスウエーハが形成される。このように形成された光デバイスウエーハは、光デバイスがストリートと呼ばれる分割予定ラインによって区画されており、このストリートに沿って分割することによって個々の光デバイスを製造している。
【０００３】
このような光デバイスウエーハのストリートに沿った切断は、通常、サファイヤ基板の裏面を研削して所定の仕上がり厚さに形成した後、切削ブレードを高速回転して切削する切削装置によって行われている。また、上述した光デバイスウエーハをストリートに沿って分割する方法として、サファイヤ基板の裏面を研削して所定の仕上がり厚さに形成した後、ストリートに沿ってパルスレーザー光線を照射することによりレーザー加工溝および／または変質層を形成し、このレーザー加工溝および／または変質層に沿って破断する方法が提案されている。（例えば、特許文献１、特許文献２参照。）
【特許文献１】特開平１０−３０５４２０号公報
【特許文献２】特許第４４９０２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
而して、光デバイスウエーハはサファイヤ基板の裏面を研削して厚さを１００μm以下の厚さに形成すると、外周部が表面側に反りあがり湾曲する。この光デバイスウエーハの湾曲は、サファイヤ基板の表面に積層された窒化物半導体層が中心に向けて引っ張る応力を発生しているためであると考えられる。
こように、光デバイスウエーハが湾曲すると、ストリートに沿ってレーザー光線を照射する際に、レーザー光線の集光点を所定の位置に位置付けることが困難となり、所定のレーザー加工を施すことができない。
【０００５】
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術的課題は、光デバイスウエーハに反りを発生させることなく加工することができるウエーハの加工方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、サファイヤ基板の表面に光半導体層が積層され複数の光デバイスが形成されたウエーハを、該複数の光デバイスを区画するストリートに沿って分割するウエーハの加工方法であって、
ウエーハの表面に形成された該ストリートに沿って該光半導体層に対して吸収性を有する波長のレーザー光線を照射し該ストリートに沿って該光半導体層を分離する光半導体層分離工程と、
該光半導体層分離工程が実施されたウエーハの表面に保護部材を貼着する保護部材装着工程と、
該保護部材が貼着されたウエーハの裏面を研削して光デバイスの仕上がり厚さに形成する裏面研削工程と、を含む、
ことを特徴とするウエーハの加工方法が提供される。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によるウエーハの加工方法においては、光半導体層分離工程を実施する際には、ウエーハは裏面を研削して光デバイスの仕上がり厚さに形成する前の状態であるので、外周部が反りあがって湾曲することがないため、レーザー光線の集光点を光半導体層の所定位置に確実に位置付けることができる。また、裏面研削工程を実施しウエーハを光デバイスの仕上がり厚さに形成しても上記光半導体層分離工程を実施することにより光半導体層がストリートに沿って分離されているので、ウエーハの外周が反り上がることがない。従って、後工程においてウエーハの外周が反り上がることによる不具合を未然に解消することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下、本発明によるウエーハの加工方法について添付図面を参照して、更に詳細に説明する。
【０００９】
図１には、本発明によるウエーハの加工方法によって個々の光デバイスに分割されるウエーハとしての光デバイスウエーハの斜視図が示されており、図２には図１に示す光デバイスウエーハの要部拡大断面図が示されている。図１および図２に示す光デバイスウエーハ２は、サファイヤ基板２０の表面に積層された窒化物半導体層からなる光半導体層２１によって複数の光デバイス２２がマトリックス状に形成されている。そして、各光デバイス２２は、格子状に形成されたストリート２３によって区画されている。なお、サファイヤ基板２０は、例えば厚さが７００μmに形成されている。また、窒化物半導体層からなる光半導体層２１は、サファイヤ基板２０の表面に例えばエピタキシャル法によって形成されている。
【００１０】
上述した光デバイスウエーハ２をストリート２３に沿って分割するには、先ず光デバイスウエーハ２の表面に形成されたストリート２３に沿って光半導体層２１に対して吸収性を有する波長のレーザー光線を照射しストリート２３に沿って光半導体層２１を分離する光半導体層分離工程を実施する。この光半導体層分離工程は、図３に示すレーザー加工装置を用いて実施する。図３に示すレーザー加工装置３は、被加工物を保持するチャックテーブル３１と、該チャックテーブル３１上に保持された被加工物にレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段３２と、チャックテーブル３１上に保持された被加工物を撮像する撮像手段３３を具備している。チャックテーブル３１は、被加工物を吸引保持するように構成されており、図示しない移動機構によって図３において矢印Ｘで示す加工送り方向および矢印Ｙで示す割り出し送り方向に移動せしめられるようになっている。
【００１１】
上記レーザー光線照射手段３２は、実質上水平に配置された円筒形状のケーシング３２１を含んでいる。ケーシング３２１内には図示しないＹＡＧレーザー発振器或いはＹＶＯ４レーザー発振器からなるパルスレーザー光線発振器や繰り返し周波数設定手段を備えたパルスレーザー光線発振手段が配設されている。上記ケーシング３２１の先端部には、パルスレーザー光線発振手段から発振されたパルスレーザー光線を集光するための集光器３２２が装着されている。
【００１２】
上記レーザー光線照射手段３２を構成するケーシング３２１の先端部に装着された撮像手段３３は、図示の実施形態においては可視光線によって撮像する通常の撮像素子（ＣＣＤ）の外に、被加工物に赤外線を照射する赤外線照明手段と、該赤外線照明手段によって照射された赤外線を捕らえる光学系と、該光学系によって捕らえられた赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子（赤外線ＣＣＤ）等で構成されており、撮像した画像信号を図示しない制御手段に送る。
【００１３】
上述したレーザー加工装置３を用いて光半導体層分離工程を実施するには、図３に示すようにレーザー加工装置３のチャックテーブル３１上に光デバイスウエーハ２の裏面２bを載置する。そして、図示しない吸引手段によってチャックテーブル３１上に光デバイスウエーハ２を吸着保持する（ウエーハ保持工程）。従って、チャックテーブル３１上に吸引保持された光デバイスウエーハ２は表面２aが上側となる。
【００１４】
上述したように光デバイスウエーハ２を吸引保持したチャックテーブル３１は、図示しない加工送り手段によって撮像手段３３の直下に移動される。チャックテーブル３１が撮像手段３３の直下に位置付けられると、撮像手段３３および図示しない制御手段によって光デバイスウエーハ２のレーザー加工すべき加工領域を検出するアライメント作業を実行する。即ち、撮像手段３３および図示しない制御手段は、光デバイスウエーハ２の所定方向に形成されているストリート２３と、ストリート２３に沿ってレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段３２の集光器３２２との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、レーザー光線照射位置のアライメントを遂行する。また、光デバイスウエーハ２に形成されている上記所定方向に対して直角に延びるストリート２３に対しても、同様にレーザー光線照射位置のアライメントが遂行される。
【００１５】
以上のようにしてチャックテーブル３１上に保持された光デバイスウエーハ２に形成されているストリート２３を検出し、レーザー光線照射位置のアライメントが行われたならば、図４の（ａ）で示すようにチャックテーブル３１をレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段３２の集光器３２２が位置するレーザー光線照射領域に移動し、所定のストリート２３を集光器３２２の直下に位置付ける。このとき、図４の（ａ）で示すように光デバイスウエーハ２は、ストリート２３の一端(図４の（ａ）において左端)が集光器３２２の直下に位置するように位置付けられる。次に、レーザー光線照射手段３２の集光器３２２から光半導体層２１に対して吸収性を有する波長のパルスレーザー光線を照射しつつチャックテーブル３１を図４の（ａ）において矢印Ｘ１で示す方向に所定の加工送り速度で移動せしめる（光半導体層分離工程）。そして、図４の（ｂ）で示すようにストリート２３の他端（図４において右端）が集光器３２２の直下位置に達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル３１の移動を停止する。この結果、、図４の（ｂ）および図５に示すように光デバイスウエーハ２の表面に形成された光半導体層２１にはレーザー加工溝２１１が形成され、光半導体層２１はストリート２３に沿って分離される。この光半導体層分離工程においては、パルスレーザー光線の集光点Ｐを光半導体層２１の上面付近に合わせる。この光半導体層分離工程を実施する際には、光デバイスウエーハ２は厚さが例えば７００μmあるので、外周部が反りあがって湾曲することがないため、パルスレーザー光線の集光点Ｐを光半導体層２１の上面付近に確実に位置付けることができる。
【００１６】
なお、上記光半導体層分離工程は、例えば以下の加工条件で行われる。
レーザー光線の光源            ：YAGレーザー
波長                          ：３５５ｎｍ
繰り返し周波数                ：１００ｋＨｚ
１パルス当たりのエネルギー密度：１５J／cm2
集光スポット径                ：１０μｍ
加工送り速度                  ：２００ｍｍ／秒
【００１７】
このようにして、光デバイスウエーハ２の所定方向に延在する全てのストリート２３に沿って上記光半導体層分離工程を実行したならば、チャックテーブル３１を９０度回動せしめて、上記所定方向に対して直角に延びる各ストリート２３に沿って上記光半導体層分離工程を実行する。
【００１８】
上述した光半導体層分離工程を実施したならば、光デバイスウエーハ２の表面２aに保護部材を貼着する保護部材装着工程を実施する。即ち、図６の(a)および(b)に示すようにストリート２３に沿ってレーザー加工溝２１１が形成された光デバイスウエーハ２の表面２aに保護部材４を貼着する。この保護部材４は、塩化ビニール等の合成樹脂シートが用いられる。保護部材４は表面２１aに紫外線や熱等の外的刺激によって粘着力が低下する粘着材４０が積層されており、図６の(b)に示すように光デバイスウエーハ２の表面２１aに粘着材４０によって貼着される。従って、光デバイスウエーハ２は光デバイス２２が形成されていない裏面２bが露出する状態となる。なお、外的刺激によって粘着力が低下する粘着材４０としては、アクリル系、エステル系、ウレタン系等の樹脂からなる粘着材を用いることができる。
【００１９】
上述した保護部材装着工程を実施したならば、保護部材４が貼着された光デバイスウエーハ２の裏面２b（サファイヤ基板２０の裏面）を研削して所定の厚さ（光デバイス２２の仕上がり厚さ）に形成する裏面研削工程を実施する。この裏面研削工程は、図７に示す研削装置５によって実施する。図７に示す研削装置５は、被加工物を保持するチャックテーブル５１と、該チャックテーブル５１に保持された被加工物の加工面を研削する研削手段５２を具備している。チャックテーブル５１は、上面に被加工物を吸引保持し図７において矢印５１aで示す方向に回転せしめられる。研削手段５２は、スピンドルハウジング５２１と、該スピンドルハウジング５２１に回転自在に支持され図示しない回転駆動機構によって回転せしめられる回転スピンドル５２２と、該回転スピンドル５２２の下端に装着されたマウンター５２３と、該マウンター５２３の下面に取り付けられた研削ホイール５２４とを具備している。この研削ホイール５２４は、円板状の基台５２５と、該基台５２５の下面に環状に装着された研削砥石５２６とからなっており、基台５２５がマウンター５２３の下面に取り付けられている。
【００２０】
上述した研削装置５を用いて裏面研削工程を実施するには、チャックテーブル５１の上面（保持面）に上述した光半導体層分離工程が実施され保護部材４が貼着された光デバイスウエーハ２の保護部材４側を載置し、光デバイスウエーハ２を保護部材４を介してチャックテーブ５１上に吸引保持する。従って、チャックテーブル５１上に吸引保持された光デバイスウエーハ２は裏面２ｂが上側となる。このようにチャックテーブル５１上に光デバイスウエーハ２を吸引保持したならば、チャックテーブル５１を矢印５１aで示す方向に例えば３００ｒｐｍで回転しつつ、研削手段５２の研削ホイール５２４を矢印５２４aで示す方向に例えば６０００ｒｐｍで回転せしめて光デバイスウエーハ２の裏面２b（サファイヤ基板２０の裏面）に接触せしめて研削することにより、光デバイスウエーハ２を光デバイス２２の仕上がり厚さ（例えば、６０μｍ）に形成する。このように裏面研削工程を実施することにより、光デバイスウエーハ２は厚さが例えば６０μｍと薄く形成されるが、上記光半導体層分離工程を実施することにより光半導体層２１がストリート２３に沿って分離されているので、外周が反り上がることがない。
【００２１】
上述したように裏面研削工程を実施し、光デバイスウエーハ２を光デバイス２２の仕上がり厚さに形成したならば、光デバイスウエーハ２をストリート２３に沿って分割する分割工程に移行するが、光デバイスウエーハ２のストリート２３に沿った分割を容易にするために、図示の実施形態においては光デバイスウエーハ２の裏面側からサファイヤ基板２０に対して透過性を有するレーザー光線をストリート２３に沿って照射し、サファイヤ基板２０の内部にストリート２３に沿って変質層を形成する変質層形成工程を実施する。この変質層形成工程は、上記図３に示すレーザー加工装置３と実質的に同様のレーザー加工装置を用いパルスレーザー光線の波長を変更して実施することができる。従って、以下に述べる変質層形成工程は、図３に示すレーザー加工装置３の符号と同一符号を用いて説明する。
【００２２】
上述したレーザー加工装置３を用いて変質層形成工程を実施するには、図８に示すようにレーザー加工装置３のチャックテーブル３１上に光デバイスウエーハ２の保護部材４を載置する。そして、図示しない吸引手段によってチャックテーブル４１上に光デバイスウエーハ２を吸着保持する（ウエーハ保持工程）。従って、チャックテーブル３１上に吸引保持された光デバイスウエーハ２は裏面２ｂが上側となる。
【００２３】
上述したようにウエーハ保持工程を実施したならば、光デバイスウエーハ２を吸引保持したチャックテーブル３１は、図示しない移動機構によって撮像手段３３の直下に位置付けられる。そして、撮像手段３３および図示しない制御手段によって光デバイスウエーハ２のレーザー加工すべき加工領域を検出するアライメント作業を実行する。即ち、撮像手段３３および図示しない制御手段は、光デバイスウエーハ２の所定方向に形成されているストリート２３と、このストリート２３に沿ってレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段３２の集光器３２２との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、レーザー光線照射位置のアライメントを遂行する。また、光デバイスウエーハ２に形成されている上記所定方向に対して直交して延びるストリート２３に対しても、同様にレーザー光線照射位置のアライメントが遂行される（アライメント工程）。このとき、光デバイスウエーハ２のストリート２２が形成されている表面２ａは下側に位置しているが、撮像手段３３が上述したように赤外線照明手段と赤外線を捕らえる光学系および赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子（赤外線ＣＣＤ）等で構成された撮像手段を備えているので、裏面２ｂから透かしてストリート２３を撮像することができる。
【００２４】
以上のようにしてアライメント工程を実施したならば、図９の（ａ）で示すようにチャックテーブル３１をレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段３２の集光器３２２が位置するレーザー光線照射領域に移動し、所定のストリート２３の一端（図９の（ａ）において左端）をレーザー光線照射手段３２の集光器３２２の直下に位置付ける。そして、集光器３２２からサファイヤ基板２０に対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線を照射しつつチャックテーブル３１を図９の（ａ）において矢印Ｘ１で示す方向に所定の送り速度で移動せしめる。そして、図９の（ｂ）で示すように集光器３２２の照射位置がストリート２３の他端の位置に達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル３１の移動を停止する。この変質層形成工程においては、パルスレーザー光線の集光点Ｐをサファイヤ基板２０の厚さ方向中央部に合わせる。この結果、サファイヤ基板２０には図９の（ｂ）および図１０に示すように内部にストリート２３に沿って変質層２０１が形成される。なお、上述した変質層形成工程においては、光デバイスウエーハ２は光デバイス２２の仕上がり厚さ（例えば、６０μｍ）に形成されているが、光半導体層２１がストリート２３に沿ってレーザー加工溝２１１によって分離されているので、外周が反り上がることがないため、レーザー光線の集光点をサファイヤ基板２０の内部に容易に位置付けることができる。従って、サファイヤ基板２０の内部にストリート２３に沿って正確に変質層２０１を形成することができる。
【００２５】
上記変質層形成工程における加工条件は、例えば次のように設定されている。
光源                          ：ＬＤ励起ＱスイッチＮｄ：ＹＶＯ４パルスレーザー
波長                          ：１０６４ｎｍのパルスレーザー
繰り返し周波数                ：１００ｋＨｚ
１パルス当たりのエネルギー密度：２０J／cm2
集光スポット径                ：φ１μｍ
加工送り速度                  ：３００ｍｍ／秒
【００２６】
以上のようにして、光デバイスウエーハ２の所定方向に延在する全てのストリート２３に沿って上記変質層形成工程を実行したならば、チャックテーブル３１を９０度回動せしめて、上記所定方向に対して直角に延びる各ストリート２３に沿って上記変質層形成工程を実行する。
【００２７】
上述したように変質層形成工程を実施したならば、光デバイスウエーハ２の裏面２bを環状のフレームに装着されたダイシングテープの表面に貼着するウエーハ支持工程を実施する。即ち、図１１の（ａ）および（ｂ）に示すように、環状のフレーム６の内側開口部を覆うように外周部が装着されたダイシングテープ７の表面に光デバイスウエーハ２の裏面２bを装着する。
【００２８】
上述したウエーハ支持工程を実施ならば、ダイシングテープ６の表面に貼着された光デバイスウエーハ２を保護部材４に貼着している粘着材４０に外的刺激を付与し、粘着材４０の貼着力を低下せしめる粘着力低下工程を実施する。即ち、図１２に示す実施形態においては、紫外線照射器８によって半導体ウエーハ２の表面２ａが貼着されている保護部材４側から紫外線を照射する。紫外線照射器８から照射された紫外線は、保護部材４を透過して粘着材４０に照射される。この結果、粘着材４０は上述したように紫外線等の外的刺激が付与されると粘着力が低下する粘着剤によって形成されているので、粘着力が低下せしめられる。
【００２９】
上述した粘着力低下工程を実施したならば、光デバイスウエーハ２の表面２ａから保護部材４を剥離する保護部材剥離工程を実施する。即ち、上記粘着材低下工程を実施することにより粘着材４０の粘着力が低下せしめられているので、図１３に示すように保護部材４を光デバイスウエーハ２の表面２ａから容易に剥離することができる。
【００３０】
上述した保護部材剥離工程を実施したならば、環状のフレーム６に装着されたダイシングテープ７に貼着されている光デバイスウエーハ２に外力を付与し、光デバイスウエーハ２をレーザー加工溝２１１および変質層２０１が形成されているストリート２３に沿って破断するウエーハ破断工程を実施する。このウエーハ破断工程は、図示の実施形態においては図１４に示すテープ拡張装置９を用いて実施する。図１４に示すテープ拡張装置９は、上記環状のフレーム６を保持するフレーム保持手段９１と、該フレーム保持手段９１に保持された環状のフレーム６に装着されたダイシングテープ７を拡張するテープ拡張手段９２を具備している。フレーム保持手段９１は、環状のフレーム保持部材９１１と、該フレーム保持部材９１１の外周に配設された固定手段としての複数のクランプ９１２とからなっている。フレーム保持部材９１１の上面は環状のフレーム６を載置する載置面９１１ａを形成しており、この載置面９１１ａ上に環状のフレーム６が載置される。そして、載置面９１１ａ上に載置された環状のフレーム６は、クランプ９１２によってフレーム保持部材９１１に固定される。このように構成されたフレーム保持手段９１は、テープ拡張手段９２によって上下方向に進退可能に支持されている。
【００３１】
テープ拡張手段９２は、上記環状のフレーム保持部材９１１の内側に配設される拡張ドラム９２１を具備している。この拡張ドラム９２１は、環状のフレーム６の内径より小さく該環状のフレーム６に装着されたダイシングテープ７に貼着される半導体ウエーハ２の外径より大きい内径および外径を有している。また、拡張ドラム９２１は、下端に支持フランジ９２２を備えている。図示の実施形態におけるテープ拡張手段９２は、上記環状のフレーム保持部材９１１を上下方向に進退可能な支持手段９３を具備している。この支持手段９３は、上記支持フランジ９２２上に配設された複数のエアシリンダ９３１からなっており、そのピストンロッド９３２が上記環状のフレーム保持部材９１１の下面に連結される。このように複数のエアシリンダ９３１からなる支持手段９３は、環状のフレーム保持部材９１１を載置面９１１ａが拡張ドラム９２１の上端と略同一高さとなる基準位置と、拡張ドラム９２１の上端より所定量下方の拡張位置の間を上下方向に移動せしめる。従って、複数のエアシリンダ９３１からなる支持手段９３は、拡張ドラム９２１とフレーム保持部材９１１とを上下方向に相対移動する拡張移動手段として機能する。
【００３２】
以上のように構成されたテープ拡張装置９を用いて実施するウエーハ破断工程について図１５を参照して説明する。即ち、光デバイスウエーハ２（ストリート２３に沿ってレーザー加工溝２１１および変質層２０１が形成されている）の裏面２ｂが貼着されているダイシングテープ７が装着された環状のフレーム６を、図１５の（ａ）に示すようにフレーム保持手段９１を構成するフレーム保持部材９１１の載置面９１１ａ上に載置し、クランプ９１２によってフレーム保持部材９１１に固定する。このとき、フレーム保持部材９１１は図１５の（ａ）に示す基準位置に位置付けられている。次に、テープ拡張手段９２を構成する支持手段９３としての複数のエアシリンダ９３１を作動して、環状のフレーム保持部材９１１を図１５の（ｂ）に示す拡張位置に下降せしめる。従って、フレーム保持部材９１１の載置面９１１ａ上に固定されている環状のフレーム６も下降するため、図１５の（ｂ）に示すように環状のフレーム６に装着されたダイシングテープ７は拡張ドラム９２１の上端縁に接して拡張せしめられる。この結果、ダイシングテープ７に貼着されている光デバイウエーハ２には放射状に引張力が作用するため、光デバイウエーハ２はサファイヤ基板２０に変質層２０１が形成されることによって強度が低下せしめられたストリート２３に沿って破断され個々の光デバイス２２に分割される。
【００３３】
なお、上述した光半導体層分離工程において光半導体層２１に形成するレーザー加工溝２２１をサファイヤ基板２０にも深く形成すれば、上記裏面研削工程を実施した後に変質層形成工程を実施することなく、上記ウエーハ支持工程、粘着力低下工程、保護部材剥離工程、ウエーハ破断工程を実施することにより、光デバイウエーハ２をストリート２３に沿って個々の光デバイス２２に分割することができる。
また、上述した光半導体層分離工程および裏面研削工程を実施したならば、変質層形成工程を実施することなく、上記ウエーハ支持工程、粘着力低下工程、保護部材剥離工程を実施し、その後従来一般に用いられている切削装置の切削ブレードによって光半導体層２１に形成されたレーザー加工溝２２１に沿ってサファイヤ基板２０を切断してもよい。このとき、光デバイスウエーハ２は光デバイス２２の仕上がり厚さ（例えば、６０μｍ）に形成されているが、光半導体層２１がストリート２３に沿ってレーザー加工溝２１１によって分離されているので、外周が反り上がることがないため、切削ブレードによって光デバイスウエーハ２を正確に切断することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】本発明によるウエーハの加工方法によって分割されるウエーハとしての光デバイスウエーハを示す斜視図。
【図２】図１に示す光デバイスウエーハの断面拡大図。
【図３】本発明によるウエーハの加工方法における光半導体層分離工程を実施するためのレーザー加工装置の要部斜視図。
【図４】本発明によるウエーハの加工方法における光半導体層分離工程を示す説明図。
【図５】図５に示す光半導体層分離工程が実施された光デバイスウエーハの断面拡大図。
【図６】本発明によるウエーハの加工方法における保護部材装着工程を示す説明図。
【図７】本発明によるウエーハの加工方法における裏面研削工程を示す説明図。
【図８】本発明によるウエーハの加工方法における変質層形成工程を実施するためのレーザー加工装置の要部斜視図。
【図９】本発明によるウエーハの加工方法における変質層形成工程を示す説明図。
【図１０】図９に示す変質層形成工程が実施された光デバイスウエーハの断面拡大図。
【図１１】本発明によるウエーハの加工方法におけるウエーハ支持工程を示す説明図。
【図１２】本発明によるウエーハの加工方法における粘着力低下工程を示す説明図。
【図１３】本発明によるウエーハの加工方法における保護部材剥離工程を示す説明図。
【図１４】本発明によるウエーハの加工方法におけるウエーハ破断工程を実施するためのテープ拡張装置の斜視図。
【図１５】本発明によるウエーハの加工方法におけるウエーハ破断工程を示す説明図。
【符号の説明】
【００３５】
２：光デバイスウエーハ
２０：サファイヤ基板
２１：光半導体層
２２：光デバイス２２
２３：ストリート
３：レーザー加工装置
３１：レーザー加工装置のチャックテーブル
３２：レーザー光線照射手段
３２２：集光器
４：保護部材
５：研削装置
５１：研削装置のチャックテーブル
５２：研削手段
５２４：研削ホイール
６：環状のフレーム
７：ダイシングテープ
９：テープ拡張装置
９１：フレーム保持手段
９２：テープ拡張手段
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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