(57)【要約】【課題】  ＥＳＤに対して有効でかつマイグレーションを防止することのできるサスペンション装置を提供する。【解決手段】  配線付きフレキシャ１４を備えたサスペンション装置にＥＳＤ対策部５０が設けられている。ＥＳＤ対策部５０は、金属基板５１と、電気絶縁層５３と、一対の読取用導体６０ａ，６０ｂからなる第１導電部材６０と、一対の書込用導体７０ａ，７０ｂからなる第２導電部材７０と、ヒータ用導体８０ａ，８０ｂと、半導電層１０１，１０２，１０３，１０４などを備えている。半導電層１０１，１０２，１０３，１０４は、それぞれ金属基板５１に接地されている。これら半導電層１０１，１０２，１０３，１０４は、絶縁部１１１，１１２，１１３によって互いに電気的に隔離されている。【選択図】    図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
読取用素子および書込用素子を有するスライダを保持する配線付きフレキシャと、前記配線付きフレキシャを支持するロードビームとを含むサスペンション装置において、
前記配線付きフレキシャは、
金属基板と、
前記金属基板上に形成された電気絶縁層と、
前記電気絶縁層上に形成され前記読取用素子に電気的に接続される第１導電部材と、
前記電気絶縁層上に前記第１導電部材とは離れた位置に形成され、前記書込用素子に電気的に接続される第２導電部材と、
前記第１導電部材の外面の少なくとも一部を覆うよう形成されかつ前記金属基板に接地される第１の半導電層と、
前記第２導電部材の外面の少なくとも一部を覆うよう形成されかつ前記金属基板に接地される第２の半導電層と、
前記第１の半導電層と前記第２の半導電層との間を電気的に隔離する絶縁部と、
を具備したことを特徴とするサスペンション装置。
【請求項２】
前記第１および第２の半導電層の抵抗値がそれぞれ１０６〜１０１１Ωであることを特徴とする請求項１に記載のサスペンション装置。
【請求項３】
前記第１導電部材の近傍に前記金属基板と導通する第１のアース端子が形成され、前記第２導電部材の近傍に前記金属基板と導通する第２のアース端子が形成され、前記第１の半導電層が前記第１導電部材と前記第１のアース端子の双方にわたって形成され、前記第２の半導電層が前記第２導電部材と前記第２のアース端子の双方にわたって形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載のサスペンション装置。
【請求項４】
前記第１の半導電層の一部に前記金属基板に接合される延出部が形成され、前記第２の半導電層の一部に前記金属基板に接合される延出部が形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載のサスペンション装置。
【請求項５】
前記第１導電部材が一対の読取用導体からなり、これら読取用導体の双方にわたって前記第１の半導電層が形成され、
前記第２導電部材が一対の書込用導体からなり、これら書込用導体の双方にわたって前記第２の半導電層が形成されていることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載のサスペンション装置。
【請求項６】
前記スライダがヒータを有し、
前記配線付きフレキシャには前記ヒータに電気的に接続される一対のヒータ用導体が形成され、
前記一対のヒータ用導体のうち一方のヒータ用導体の外面の少なくとも一部を覆って形成されかつ前記金属基板に接地される第３の半導電層と、
前記一対のヒータ用導体のうち他方のヒータ用導体の外面の少なくとも一部を覆って形成されかつ前記金属基板に接地される第４の半導電層と、
前記第３の半導電層と前記第４の半導電層との間を電気的に隔離する絶縁部と、
を具備したことを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載のサスペンション装置。
【請求項７】
前記一方のヒータ用導体の近傍に前記金属基板と導通する第３のアース端子が形成され、前記他方のヒータ用導体の近傍に前記金属基板と導通する第４のアース端子が形成され、前記第３の半導電層が前記一方のヒータ用導体と前記第３のアース端子の双方にわたって形成され、前記第４の半導電層が前記他方のヒータ用導体と前記第４のアース端子の双方にわたって形成されていることを特徴とする請求項６に記載のサスペンション装置。
【請求項８】
前記第３の半導電層の一部に前記金属基板に接合される延出部が形成され、前記第４の半導電層の一部に前記金属基板に接合される延出部が形成されていることを特徴とする請求項６に記載のサスペンション装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、例えばパーソナルコンピュータ等の情報処理装置に使用されるサスペンション装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
パーソナルコンピュータ等の情報処理装置に、ハードディスク装置（ＨＤＤ）（これ以降、単にディスク装置と称する）が使用されている。ディスク装置は、スピンドルを中心に回転する磁気ディスクと、ピボット軸を中心に旋回するキャリッジなどを含んでいる。キャリッジのアームに、サスペンション装置が設けられている。
【０００３】
前記サスペンション装置は、前記キャリッジに固定されるロードビーム(load beam)と、ロードビームに重ねて固定されるフレキシャ(flexure)などを有している。フレキシャに形成されたタング部にスライダが取付けられている。スライダにはデータの読取りあるいは書込みを行なうための素子（トランスジューサ）が設けられている。
【０００４】
前記フレキシャは、要求される仕様に応じて様々な形態のものが製作されている。その一例として、配線付きフレキシャ(flexure with conductors)が開発されている。配線付きフレキシャは、薄いステンレス鋼からなる金属基板と、この金属基板上に形成された電気絶縁層と、電気絶縁層上に形成された読取用導体および書込用導体などを含んでいる。また必要に応じてヒータ用の導体が設けられることもある。
【０００５】
前記読取用導体と書込用導体のそれぞれの一端は、前記読取用素子および書込用素子に接続される。読取用素子および書込用素子として、例えばＭＲ素子が使用されている。読取用導体と書込用導体のそれぞれの他端はアンプに接続される。ヒータ用の一対の導体は、スライダに内蔵されたヒータに接続される。
【０００６】
サスペンション装置を製作する際、前記読取用導体と書込用導体がアンプに接続されていないため、フレキシャの配線部等が周囲の部材に触れたときなどに、静電気が配線部等に帯電することがある。万一この静電気が、読取用導体および書込用導体を介して読取用素子および書込用素子に流れたときに、読取用素子および書込用素子が静電気放電すなわちＥＳＤ（Electro Static Discharge）によって破壊される可能性がある。
【０００７】
ＥＳＤ対策として、例えば下記の特許文献１に記載されているように、読取用導体および書込用導体に多数のダイオードを接続し、摩擦電荷による電圧をダイオードによって放散させることが提案されている。
【特許文献１】特開２００２−１２３９１７公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
特許文献１に記載されているサスペンション装置は、ごく小さい多数のダイオードを所定の極性となるように読取用導体および書込用導体に接続する必要があり、ダイオードのボンディングに手間がかかるだけでなく部品数も増えるため、コストが高くつく。
【０００９】
ＥＳＤ対策として、ダイオードを用いる代りに、フレキシャの配線部を高抵抗の半導電層で覆い、この半導電層をフレキシャの金属基板に接地（アース）させることにより、フレキシャに帯電した静電気を前記半導電層を介して金属基板に逃がすことも提案されている。
【００１０】
しかし、例えばヒータ用導体を備えた配線付きフレキシャのように、サスペンション装置の使用中に各導体間に比較的大きな電位差が印加され続けるものでは、電位差が生じている導体間に、前記半導電層に沿ってマイグレーション(migration)が生じ、デンドライト(dendrite)などの短絡の原因物質が形成されるおそれがあることが判った。
【００１１】
従ってこの発明は、ＥＳＤ（Electro Static Discharge）対策を備えかつマイグレーションを防止することのできるサスペンション装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明は、読取用素子および書込用素子を有するスライダを保持する配線付きフレキシャと、前記配線付きフレキシャを支持するロードビームとを含むサスペンション装置において、前記配線付きフレキシャは、金属基板と、前記金属基板上に形成された電気絶縁層と、前記電気絶縁層上に形成され前記読取用素子に電気的に接続される第１導電部材と、前記電気絶縁層上に前記第１導電部材とは離れた位置に形成され、前記書込用素子に電気的に接続される第２導電部材と、前記第１導電部材の外面の少なくとも一部を覆うよう形成されかつ前記金属基板に接地される第１の半導電層と、前記第２導電部材の外面の少なくとも一部を覆うよう形成されかつ前記金属基板に接地される第２の半導電層と、前記第１の半導電層と前記第２の半導電層との間を電気的に隔離する絶縁部とを具備している。前記第１および第２の半導電層の抵抗値は、例えば１０６〜１０１１Ωである。
【００１３】
本発明の１つの形態では、前記第１導電部材の近傍に前記金属基板と導通する第１のアース端子が形成され、前記第２導電部材の近傍に前記金属基板と導通する第２のアース端子が形成され、前記第１の半導電層が前記第１導電部材と前記第１のアース端子の双方にわたって形成され、前記第２の半導電層が前記第２導電部材と前記第２のアース端子の双方にわたって形成されている。フレキシャに帯電した静電気は、これらアース端子を介して金属基板に逃がされる。
【００１４】
本発明の他の形態では前記第１の半導電層の一部に前記金属基板に接合される延出部が形成され、前記第２の半導電層の一部に前記金属基板に接合される延出部が形成されている。フレキシャに帯電した静電気は、これら延出部を介して金属基板に逃がされる。
【００１５】
本発明の１つの形態では、前記第１導電部材が一対の読取用導体からなり、これら読取用導体の双方にわたって前記第１の半導電層が形成され、前記第２導電部材が一対の書込用導体からなり、これら書込用導体の双方にわたって前記第２の半導電層が形成されている。
【００１６】
本発明の１つの形態では、前記スライダがヒータを有し、前記配線付きフレキシャには前記ヒータに電気的に接続される一対のヒータ用導体が形成され、前記一対のヒータ用導体のうち一方のヒータ用導体の外面の少なくとも一部を覆って形成されかつ前記金属基板に接地される第３の半導電層と、前記一対のヒータ用導体のうち他方のヒータ用導体の外面の少なくとも一部を覆って形成されかつ前記金属基板に接地される第４の半導電層と、前記第３の半導電層と前記第４の半導電層との間を電気的に隔離する絶縁部とを具備している。
【００１７】
前記一方のヒータ用導体の近傍に前記金属基板と導通する第３のアース端子が形成され、前記他方のヒータ用導体の近傍に前記金属基板と導通する第４のアース端子が形成され、前記第３の半導電層が前記一方のヒータ用導体と前記第３のアース端子の双方にわたって形成され、前記第４の半導電層が前記他方のヒータ用導体と前記第４のアース端子の双方にわたって形成されていてもよい。  
あるいは、前記第３の半導電層の一部に前記金属基板に接合される延出部が形成され、前記第４の半導電層の一部に前記金属基板に接合される延出部が形成されていてもよい。
【発明の効果】
【００１８】
請求項１に記載した発明によれば、配線付きフレキシャに生じた静電気を前記半導電層を介して金属基板に逃がすことができるため、ＥＳＤによって読取用素子や書込用素子が破壊されることを防止できる。また、各導電部材間に電位差が生じても、半導電層に沿ってマイグレーションが生じることを防止できるため、導電部材が短絡する原因を排除することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下に本発明の第１の実施形態に係るサスペンション装置について、図１から図６を参照して説明する。  
図１に示すサスペンション装置１０は、ベースプレート１１と、ロードビーム１２と、ヒンジ部材１３と、配線付きフレキシャ(flexure with conductors)１４などを備えている。ロードビーム１２は、ヒンジ部材１３に固定される基部１５と、必要に応じてロード・アンロード用のタブ１６が形成される先端部１７とを有している。ベースプレート１１は、図示しないキャリッジのアームに固定される。
【００２０】
配線付きフレキシャ１４は、ロードビーム１２に沿って、ロードビーム１２の軸線方向（長手方向）に延びている。フレキシャ１４の一部は、ロードビーム１２に重ねた状態でレーザ溶接等の固定手段によってロードビーム１２に固定されている。フレキシャ１４の後部（フレキシャテール部）１８はベースプレート１１の後方に向かって延び、その端末部分に端子部１９が設けられている。端子部１９は、図示しないアンプに接続される。
【００２１】
図２に示すように、フレキシャ１４の先端部３０付近に、タング部３１と、タング部３１の両側に位置する一対のアウトリガー部(outrigger portion)３２と、接続端子として機能するパッド３３ａ，３３ｂ，３４ａ，３４ｂ，３５ａ，３５ｂが設けられている。タング部３１に、磁気ヘッドとして機能するスライダ４０（図２に２点鎖線で示す）が取付けられている。
【００２２】
図３に模式的に示すように、スライダ４０には、記録媒体である磁気ディスク（図示せず）にアクセスするための読取用素子４１と書込用素子４２が設けられている。読取用素子４１と書込用素子４２は、それぞれＭＲ素子(Magneto Resistive element)等の磁電変換素子からなる。さらにこのスライダ４０に、発熱体として機能するヒータ４３が内蔵されている。スライダ４０の端面に、接続端子として機能するパッド４４ａ，４４ｂ，４５ａ，４５ｂ，４６ａ，４６ｂが設けられている。
【００２３】
図４から図６に示されるように、配線付きフレキシャ１４の長手方向の一部にＥＳＤ対策部５０が設けられている。以下にこのＥＳＤ対策部５０について説明する。  
図５に模式的に示すように配線付きフレキシャ１４は、ばね性のある薄いステンレス鋼板からなる金属基板５１と、金属基板５１上に形成された配線部５２とを有している。
【００２４】
配線部５２は、電気絶縁層５３と、一対の読取用導体６０ａ，６０ｂからなる第１導電部材６０と、一対の書込用導体７０ａ，７０ｂからなる第２導電部材７０と、ヒータ用導体８０ａ，８０ｂと、後述する半導電層１０１，１０２，１０３，１０４と、カバー層８５などを備えている。カバー層８５は、各導体６０ａ，６０ｂ，７０ａ，７０ｂ，８０ａ，８０ｂと、半導電層１０１，１０２，１０３，１０４を覆っている。図４は、カバー層８５を省略した状態でＥＳＤ対策部５０を模式的に描いたものである。
【００２５】
読取用導体６０ａ，６０ｂと、書込用導体７０ａ，７０ｂと、ヒータ用導体８０ａ，８０ｂとは、互いに離れた位置に形成されている。ヒータ用導体８０ａ，８０ｂは、読取用導体６０ａ，６０ｂと書込用導体７０ａ，７０ｂとの間に形成されている。
【００２６】
読取用導体６０ａ，６０ｂは、図２に示すパッド３３ａ，３３ｂに接続されている。これらのパッド３３ａ，３３ｂは、スライダ４０のパッド４４ａ，４４ｂ（図３に示す）にボンディングされている。これにより読取用導体６０ａ，６０ｂは、読取用素子４１に電気的に接続されている。
【００２７】
書込用導体７０ａ，７０ｂは、図２に示すパッド３４ａ，３４ｂに接続されている。これらのパッド３４ａ，３４ｂは、スライダ４０のパッド４５ａ，４５ｂ（図３に示す）にボンディングされている。これにより書込用導体７０ａ，７０ｂは、書込用素子４２に電気的に接続されている。
【００２８】
ヒータ用導体８０ａ，８０ｂは、図２に示すパッド３５ａ，３５ｂに接続されている。これらのパッド３５ａ，３５ｂは、スライダ４０のパッド４６ａ，４６ｂ（図３に示す）にボンディングされている。これによりヒータ用導体８０ａ，８０ｂは、前記ヒータ４３に電気的に接続されている。
【００２９】
読取用導体６０ａ，６０ｂと書込用導体７０ａ，７０ｂとヒータ用導体８０ａ，８０ｂは、例えば銅のように電気抵抗の小さい金属からなる。これらの導体６０ａ，６０ｂ，７０ａ，７０ｂ，８０ａ，８０ｂは、電気絶縁層５３上に、例えば銅めっき、あるいは銅板をエッチングすることなどによって形成される。電気絶縁層５３とカバー層８５は、それぞれポリイミドなどの電気絶縁性を有する高分子材料からなる。
【００３０】
図４に示すように第１導電部材６０の近傍に第１のアース端子９１が形成されている。図５に示すように第１のアース端子９１は金属基板５１上に設けられ、金属基板５１と導通している。第２導電部材７０の近傍に第２のアース端子９２（図４に示す）が形成されている。第２のアース端子９２も金属基板５１と導通している。
【００３１】
図６に示すように一方のヒータ用導体８０ａの近傍に第３のアース端子９３が設けられている。他方のヒータ用導体８０ｂの近傍に第４のアース端子９４（図４に示す）が設けられている。これらのアース端子９３，９４も金属基板５１と導通している。
【００３２】
前記一対の読取用導体６０ａ，６０ｂの外面の一部を覆って第１の半導電層１０１が形成されている。第１の半導電層１０１は、読取用導体６０ａ，６０ｂと第１のアース端子９１とにわたって形成されている。すなわち第１の半導電層１０１は、第１のアース端子９１を介して金属基板５１に接地されている。
【００３３】
前記一対の書込用導体７０ａ，７０ｂの外面の一部を覆って第２の半導電層１０２が形成されている。第２の半導電層１０２は、書込用導体７０ａ，７０ｂと第２のアース端子９２とにわたって形成されている。すなわち第２の半導電層１０２は、第２のアース端子９２を介して金属基板５１に接地されている。
【００３４】
さらに、一方のヒータ用導体８０ａの外面の一部を覆って第３の半導電層１０３が形成されている。第３の半導電層１０３は、一方のヒータ用導体８０ａと第３のアース端子９３とにわたって形成されている。すなわち第３の半導電層１０３は、第３のアース端子９３を介して金属基板５１に接地されている。
【００３５】
また、他方のヒータ用導体８０ｂの外面の一部を覆って第４の半導電層１０４が形成されている。第４の半導電層１０４は、他方のヒータ用導体８０ｂと第４のアース端子９４とにわたって形成されている。すなわち第４の半導電層１０４は、第４のアース端子９４を介して金属基板５１に接地されている。
【００３６】
半導電層１０１，１０２，１０３，１０４の抵抗値はそれぞれ１０６〜１０１１Ωであり、導体６０ａ，６０ｂ，７０ａ，７０ｂ，８０ａ，８０ｂの抵抗値（銅の抵抗値）と比較して桁違いに大きいが、半導電層１０１，１０２，１０３，１０４に静電気が伝わることは可能である。
【００３７】
前記それぞれの半導電層１０１，１０２，１０３，１０４は、絶縁部１１１，１１２，１１３によって互いに電気的に隔離されている。すなわち第１の半導電層１０１と第３の半導電層１０３との間に第１の絶縁部１１１が形成され、第３の半導電層１０３と第４の半導電層１０４との間に第２の絶縁部１１２が形成され、第４の半導電層１０４と第２の半導電層１０２との間に第３の絶縁部１１３が形成されている。図５と図６に示すようにそれぞれの絶縁部１１１，１１２，１１３においては、電気絶縁層５３が形成されていない代りに、カバー層８５の一部が充填されている。
【００３８】
前記構成のＥＳＤ対策部５０を備えたフレキシャ１４によれば、サスペンション装置１０の製造時あるいは検査時などにフレキシャ１４の配線部５２に静電気が生じても、この静電気を半導電層１０１，１０２，１０３，１０４とアース端子９１，９２，９３，９４の少なくとも一部を介して金属基板５１に逃がすことができる。このため、ＭＲ素子のように高電圧に弱いとされる読取用素子４１と書込用素子４２が静電気によって破壊されることを防止できるものである。
【００３９】
またサスペンション装置１０の使用時に、ヒータ用導体８０ａ，８０ｂ間、あるいは第１導電部材６０と一方のヒータ用導体８０ａとの間、あるいは第２導電部材７０と他方のヒータ用導体８０ｂとの間に、比較的大きな電位差（例えば６ボルト前後）が生じ続けたとしても、絶縁部１１１，１１２，１１３によってマイグレーションの発生を防止することができる。このため、短絡の原因物質が生じることを排除できる。
【００４０】
しかもこのフレキシャ１４は、読取用導体６０ａ，６０ｂを互いに十分接近させて配置することができ、書込用導体７０ａ，７０ｂも互いに十分接近させて配置できるため、素子４１，素子４２の電気的特性（インピーダンス・マッチング等）に関して好ましい結果が得られることがある。
【００４１】
図７は、本発明の第２の実施形態のＥＳＤ対策部５０´を備えた配線付きフレキシャ１４を示している。このＥＳＤ対策部５０´では、第１の半導電層１０１の一部に延出部１２０が形成され、この延出部１２０が金属基板５１に接合されている。第２の半導電層１０２と、第３の半導電層１０３と、第４の半導電層１０４にも、それぞれ延出部（図示せず）が形成され、各延出部が金属基板５１に接合されている。
【００４２】
この実施形態のＥＳＤ対策部５０´の場合、フレキシャ１４の配線部５２等に生じた静電気を、半導電層１０１，１０２，１０３，１０４と延出部１２０を介して金属基板５１に逃がすことができる。それ以外の構成と作用について、この第２の実施形態のＥＳＤ対策部５０´は第１の実施形態のＥＳＤ対策部５０と共通であるから、互いに共通の部位に同一の符号を付して説明を省略する。なお、第１の実施形態で説明したアース端子９１〜９４の一部と第２の実施形態で説明した延出部１２０が併用されてもよい。
【００４３】
これらの実施形態をはじめとして、この発明を実施するに当たり、ロードビームやフレキシャ、金属基板、電気絶縁層、導電部材、半導電層、絶縁部のそれぞれの形態など、この発明の構成要素をこの発明の要旨を逸脱しない範囲で種々に変更して実施できることは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本発明の第１の実施形態に係るサスペンション装置の平面図。
【図２】図１に示されたサスペンション装置の先端部を拡大して示す平面図。
【図３】図１に示されたサスペンション装置に設けるスライダの一部を示す斜視図。
【図４】図１に示されたサスペンション装置のＥＳＤ対策部を示す平面図。
【図５】図４中のＦ５−Ｆ５線に沿うＥＳＤ対策部の断面図。
【図６】図４中のＦ６−Ｆ６線に沿うＥＳＤ対策部の断面図。
【図７】本発明の第２の実施形態に係るサスペンション装置のＥＳＤ対策部の断面図。
【符号の説明】
【００４５】
１０…サスペンション装置
１２…ロードビーム
１４…フレキシャ
４０…スライダ
４１…読取用素子
４２…書込用素子
４３…ヒータ
５０，５０´…ＥＳＤ対策部
５１…金属基板
５３…電気絶縁層
６０…第１導電部材
６０ａ，６０ｂ…読取用導体
７０…第２導電部材
７０ａ，７０ｂ…書込用導体
８０ａ，８０ｂ…ヒータ用導体
９１，９２，９３，９４…アース端子
１０１，１０２，１０３，１０４…半導電層
１１１，１１２，１１３…絶縁部
１２０…延出部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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