(57)【要約】 【課題】製造効率を向上させることができる接合装置およびこの接合装置を用いた電子部品の製造方法を提供すること。【解決手段】接合装置は、被接合部分表面が半田により構成されている電子部品（半導体素子３）と、基板４とを接合する接合装置である。接合装置は、基板４が設置される設置部１４と、半導体素子３を保持し、半導体素子３を設置部１４上に搬送する搬送部１１と、搬送部１１に保持された半導体素子３のアライメントマーク（図示略）および設置部１４に設置された基板４のアライメントマーク（図示略）のうち、少なくともいずれか一方を検出する検出部１２とを備える。搬送部１１は、半導体素子３を加熱する加熱部１１２を有する。検出部１２には、搬送部１１に保持された半導体素子３に向かって非酸化性ガスを供給するガス供給部１３が設けられている。【選択図】図２
2008311265.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被接合部分表面の少なくとも一部が半田により構成されている電子部品と、基板とを接合する接合装置であって、
前記基板が設置される設置部と、
前記電子部品を保持し、前記電子部品を前記設置部上に搬送する搬送部と、
前記搬送部に保持された前記電子部品のアライメントマークおよび前記設置部に設置された前記基板のアライメントマークのうち、少なくともいずれか一方を検出する検出部とを備え、
前記搬送部は、前記電子部品を加熱する加熱部を有し、
前記検出部には、前記搬送部に保持された前記電子部品の前記被接合部分に向かって非酸化性ガスを供給するガス供給部が設けられている接合装置。
【請求項２】
請求項１に記載の接合装置において、
前記ガス供給部は、前記搬送部に保持された前記電子部品の被接合部分の側方および、下方の少なくともいずれか一方から前記被接合部分に対し非酸化性ガスを直接供給するように構成されている接合装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の接合装置において、
前記検出部は、前記設置部上に基板が設置されるとともに、前記搬送部により、前記設置部上に前記電子部品が搬送された状態において、前記設置部と前記搬送部との間に配置可能に構成されるとともに、前記設置部上に搬送された前記電子部品のアライメントマークおよび前記設置部に設置された前記基板のアライメントマークを検出するものであり、
前記ガス供給部は、前記検出部により前記電子部品のアライメントマークおよび前記基板のアライメントマークを検出する際に非酸化性ガスを供給するように構成されている接合装置。
【請求項４】
請求項３に記載の接合装置において、
前記検出部は、前記電子部品のアライメントマークを撮像する第一の撮像手段と、
前記基板のアライメントマークを撮像する第二の撮像手段とを有する接合装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかに記載の接合装置において、
前記搬送部には、保持した前記電子部品に向けて非酸化性ガスを供給する第二のガス供給部が設けられている接合装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかに記載の接合装置において、
前記電子部品は半導体素子であり、
当該接合装置は、前記半導体素子と、前記基板とを接合するものである接合装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれかに記載の接合装置を用いた電子装置の製造方法であって、
前記設置部に前記基板を設置する工程と、
前記搬送部により、前記電子部品を保持するとともに、前記電子部品を前記設置部上に搬送する工程と、
前記検出部により、前記電子部品のアライメントマークおよび前記基板のアライメントマークの少なくともいずれか一方を検出する工程と、
前記搬送部により前記設置部上に搬送された前記電子部品と、前記設置部に設置された基板とを接合する工程とを備え、
前記電子部品のアライメントマークおよび前記基板のアライメントマークの少なくともいずれか一方を検出する前記工程では、前記搬送部の加熱部により、前記電子部品を加熱するとともに、前記ガス供給部から、前記電子部品の前記被接合部分に対し、非酸化性ガスが供給される電子装置の製造方法。
【請求項８】
請求項７に記載の電子装置の製造方法において、
前記電子部品は、半導体素子であり、
前記半導体素子は、半導体基板と、この半導体基板に突設された被接合部分であるポストとを備え、
前記ポストは、半田層と、この半田層により表面が被覆されるとともに、前記半田層よりも融点が低い導体ポスト部とを備え、
前記電子部品のアライメントマークおよび前記基板のアライメントマークの少なくともいずれか一方を検出する前記工程では、前記搬送部の加熱部により、前記半田層の融点以上の温度で前記電子部品を加熱する電子装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、接合装置およびこの接合装置を用いた電子装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体素子等の電子部品を基板に実装する際には、電子部品を所定の温度以上に加熱し、電子部品の被接合部分表面の半田を溶融させて、電子部品と基板とを接合している（特許文献１，２参照）。
電子部品と基板とを接合する際には、電子部品の被接合部分表面の半田が酸化してしまうため、従来の接合装置では、電子部品と基板とを接合する際に、電子部品と基板とで挟まれた領域にＮ２ガス等の非酸化性ガスを供給している。
【０００３】
【特許文献１】特開平９−３１２３１４号公報
【特許文献２】特開２０００−６８３３１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、従来の接合装置では、以下のような課題がある。
電子部品と基板とを備える電子装置の製造効率を向上させるためには、電子部品と基板とを接合する工程の前段で、電子部品を加熱しておくことが好ましい。
しかしながら、従来の接合装置は、電子部品と基板との接合時のみに、電子部品の被接合部分周辺に非酸化性ガスが供給可能な構成となっている。従って、電子部品と基板とを接合する工程の前段で、電子部品を加熱してしまうと被接合部分の半田が酸化し、電子部品と基板との接合不良が生じてしまう。
そのため、従来の接合装置では、電子部品を基板上に搬送した後、電子部品の加熱を開始しなければならず、電子装置の製造効率を向上させることが困難となっている。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明によれば、被接合部分表面の少なくとも一部が半田により構成されている電子部品と、基板とを接合する接合装置であって、前記基板が設置される設置部と、前記電子部品を保持し、前記電子部品を前記設置部上に搬送する搬送部と、前記搬送部に保持された前記電子部品のアライメントマークおよび前記設置部に設置された前記基板のアライメントマークのうち、少なくともいずれか一方を検出する検出部とを備え、前記搬送部は、前記電子部品を加熱する加熱部を有し、前記検出部には、前記搬送部に保持された前記電子部品の前記被接合部分に向かって非酸化性ガスを供給するガス供給部が設けられている接合装置が提供される。
【０００６】
この発明によれば、電子部品のアライメントマークおよび基板のアライメントマークの少なくともいずれか一方を検出する検出部には、搬送部に保持された電子部品の被接合部分に向かって非酸化性ガスを供給するガス供給部が設けられている。
従って、本発明の接合装置では、たとえば、電子部品のアライメントマークや、基板のアライメントマークを検出する工程において、検出部に設けられたガス供給部から、搬送部に保持された電子部品の被接合部分に対し非酸化性ガスを供給し、電子部品の被接合部分を低酸素雰囲気におくことができる。そのため、電子部品のアライメントマークや、基板のアライメントマークを検出する工程において、搬送部の加熱部で、電子部品を加熱しても、電子部品の被接合部分の半田が酸化してしまうことを防止できる。
このように本発明の接合装置では、基板と電子部品とを接合する工程の前段で電子部品の加熱を行うことができる。従って、従来のように、基板と電子部品とを接合する工程で電子部品の加熱を開始する場合に比べ、製造にかかる時間を短縮することができ、製造効率を高めることができる。
【０００７】
さらに、本発明によれば、上述した接合装置を用いた電子装置の製造方法も提供することができる。すなわち、本発明によれば、上述した接合装置を用いた電子装置の製造方法であって、前記設置部に前記基板を設置する工程と、前記搬送部により、前記電子部品を保持するとともに、前記電子部品を前記設置部上に搬送する工程と、前記検出部により、前記電子部品のアライメントマークおよび前記基板のアライメントマークの少なくともいずれか一方を検出する工程と、前記搬送部により前記設置部上に搬送された前記電子部品と、前記設置部に設置された基板とを接合する工程とを備え、前記電子部品のアライメントマークおよび前記基板のアライメントマークの少なくともいずれか一方を検出する前記工程では、前記搬送部の加熱部により、前記電子部品を加熱するとともに、前記ガス供給部から、前記電子部品の被接合部分に対し、非酸化性ガスが供給される電子装置の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、製造効率を向上させることができる接合装置およびこの接合装置を用いた電子装置の製造方法が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
図１には、本実施形態の接合装置１が示され、図２，３には、接合装置１を用いた半導体装置の製造工程が示されている。
まず、はじめに接合装置１の概要について説明する。
本実施形態の接合装置１は、被接合部分表面の少なくとも一部が半田により構成されている電子部品（半導体素子３）と、基板４とを接合する接合装置である。
この接合装置１は、基板４が設置される設置部１４と、半導体素子３を保持し、半導体素子３を設置部１４上に搬送する搬送部１１と、搬送部１１に保持された半導体素子３のアライメントマーク（図示略）および設置部１４に設置された基板４のアライメントマーク（図示略）のうち、少なくともいずれか一方を検出する検出部１２とを備える。
搬送部１１は、半導体素子３を加熱する加熱部１１２を有する。
また、検出部１２には、搬送部１１に保持された半導体素子３の被接合部分に向かって非酸化性ガスを供給するガス供給部１３が設けられている。
【００１０】
以下に、図１〜３を参照して、接合装置１について詳細に説明する。
接合装置１は、前述したように半導体素子３と基板４とを接合するためのものである。
半導体素子３は、図４に示すように、半導体基板３０と、半導体基板３０表面に突設されたポスト３３とを備える。
ポスト３３は、半導体素子３と基板４とを接合するための被接合部分であり、図４に示すように、導体ポスト部３１と、導体ポスト部３１の表面を覆うとともに、被接合部分表面を構成する半田層３２とを備える。
導体ポスト部３１は、半田層３２よりも融点の低い導体で構成されており、たとえば、銅、ニッケル等の金属である。
【００１１】
接合装置１は、前述した設置部１４、搬送部１１、検出部１２、ガス供給部１３に加え、半導体素子３が収納されている収納部１５、搬送部１１を駆動する駆動機構１６、検出部１２を駆動する駆動機構１７を備える。
【００１２】
半導体素子３は、収納部１５に複数収納されている。搬送部１１は、この収納部１５から半導体素子３を設置部１４に設置された基板４上まで搬送する。
搬送部１１は、図２、図３に示すように、半導体素子３を保持する保持部１１１と、保持した半導体素子３を加熱する加熱部１１２と、非酸化性ガスを供給するガス供給部（第二のガス供給部）１１３とを備える。
保持部１１１は、搬送部１１の先端部であり、半導体素子３を吸着保持する。
この保持部１１１には、図示しない吸着孔が形成されており、この吸着孔から吸引することで、半導体素子３が吸着保持されることとなる。
加熱部１１２は、保持部１１１に保持された半導体素子３を加熱するものであり、本実施形態では、ヒータである。この加熱部１１２は、保持部１１１に接するように配置されており、保持部１１１を介して半導体素子３が加熱される。
ガス供給部１１３は、保持部１１１の側方に設けられており、半導体素子３と、基板４とを接合する際に、保持部１１１で保持する半導体素子３に向けて非酸化性ガスを供給する。これにより、半導体素子３と基板４との間の空間に対し非酸化性ガスが供給されることとなる（図３（ａ）参照、図３（ａ）の矢印は、非酸化性ガスの流れを示す）。
ガス供給部１１３には、図示しないが、非酸化性ガス供給用のチューブが接続される。
ガス供給部１１３から供給される非酸化性ガスは、加熱されたものであってもよく、また、常温のものであってもよい。
また、非酸化性ガスは、酸化作用のないガスであり、たとえば、Ｎ２ガス等の還元性ガスであってもよく、また、Ａｒ等の不活性ガスであってもよい。
本実施形態では、非酸化性ガスは、Ｎ２ガスである。
【００１３】
このような搬送部１１は、図１に示すように、駆動機構１６により、水平方向（図１Ｘ軸方向、Ｙ軸方向）、垂直方向（図１Ｚ軸方向）に駆動される。
駆動機構１６としては、たとえば、ボールねじ等で構成することができる。
【００１４】
検出部１２は、搬送部１１に保持された半導体素子３のアライメントマークおよび設置部１４に設置された基板４のアライメントマークを検出するために使用される。
本実施形態では、検出部１２は、搬送部１１に保持された半導体素子３のアライメントマークを撮像する第一の撮像手段（ＣＣＤカメラ１２１）と、設置部１４に設置された基板４のアライメントマークを撮像する第二の撮像手段（ＣＣＤカメラ１２２）とを有する。
【００１５】
ここで、ＣＣＤカメラ１２１は、図示しない制御部に接続され、制御部では、ＣＣＤカメラ１２１での撮像結果に基づいて、駆動機構１６を駆動する。これにより、基板４に対する半導体素子３の位置が調整されることとなる。
また、ＣＣＤカメラ１２２は、図示しない制御部に接続され、制御部では、ＣＣＤカメラ１２２での撮像結果に基づいて、設置部１４を駆動し、半導体素子３に対する基板４の位置調整を行う。
【００１６】
ＣＣＤカメラ１２１と、ＣＣＤカメラ１２２とは、筐体１２３の中央の穴内に挿入されており、レンズ部分を外側にして対向配置されている。
このような検出部１２は、駆動機構１７により、水平方向（図１Ｘ軸方向、Ｙ軸方向）に駆動される。そして、駆動機構１７により、検出部１２は、搬送部１１近傍に隣接して配置可能とされ、搬送部１１に保持された半導体素子３と対向配置可能となっている。
また、検出部１２は設置部１４に設置された基板４とも対向配置可能になっている。
検出部１２は、半導体素子３のアライメントマークおよび基板４のアライメントマークを検出する際、半導体素子３の位置調整、基板４の位置調整を行う際に搬送部１１の下方の空間および設置部１４の上方の空間に位置する。
【００１７】
このような検出部１２には、図１、図２（ｂ）に示すように、ガス供給部１３が設けられている。
ガス供給部１３は、筐体１２３に固定された先端部が筐体１２３から突出する供給管１３１と、この供給管１３１の基端部に接続されたチューブ１３２とを備える。
チューブ１３２は、供給管１３１に非酸化性ガスを供給するためのものである。
供給管１３１は、Ｌ字型形状であり、先端部がＣＣＤカメラ１２１側に屈曲する。この供給管１３１の先端部は、ＣＣＤカメラ１２１よりも搬送部１１側に突出している。
供給管１３１の先端部からは、搬送部１１に保持された半導体素子３の被接合部分に向かって非酸化性ガスが供給される。非酸化性ガスは、供給管１３１の先端部から被接合部分表面の半田層３２に直接吹きかけられる。具体的には、供給管１３１の先端部から排出された非酸化性ガスは、半導体素子３の基板面と水平方向に流れ、被接合部分の側方側から被接合部分に到達する。
ここで、ガス供給部１３から供給される非酸化性ガスは、加熱されたものであってもよく、また、常温のものであってもよい。
また、非酸化性ガスは、酸化作用のないガスであり、たとえば、Ｎ２ガス等の還元性ガスであってもよく、また、Ａｒ等の不活性ガスであってもよい。
本実施形態では、非酸化性ガスは、Ｎ２ガスである。
【００１８】
設置部１４は、基板４と半導体素子３との接合時に基板４が設置されるものである。この設置部１４は、基板４を吸着するとともに、水平方向（図１Ｘ軸方向、Ｙ軸方向）、垂直方向（図１Ｚ軸方向）に駆動可能となっている。
基板４は、基板４が積層して収納された収納部から、図示しない搬送手段により設置部１４まで搬送される。
【００１９】
次に、このような接合装置１を用いた半導体素子３と基板４との接合方法、すなわち、半導体装置の製造方法について説明する。
本実施形態における半導体装置の製造方法は、設置部１４に基板４を設置する工程と、搬送部１１により、半導体素子３を保持するとともに、半導体素子３を前記設置部１４上に搬送する工程と、検出部１２により、半導体素子３のアライメントマークおよび前記設置部１４に設置された基板４のアライメントマークを検出し、半導体素子３と前記基板４との位置調整を行う工程と、搬送部１１により保持された半導体素子３と、前記設置部１４に設置された基板４とを接合する工程とを備える。
半導体素子３のアライメントマークおよび前記設置部１４に設置された基板４のアライメントマークを検出し、位置調整を行う前記工程では、前記ガス供給部１３から、半導体素子３の被接合部分に対し、非酸化性ガスが供給される。
【００２０】
次に、半導体装置の製造方法をより詳細に説明する。
まず、図示しない搬送手段を介して、基板４を設置部１４上に設置する。
次に、搬送部１１により、収納部１５に収納されている半導体素子３を吸着保持し、設置部１４上方まで搬送する（図２（ａ）、（ｂ））。
このとき、搬送部１１の加熱部１１２は、保持した半導体素子３を加熱する。加熱部１１２は、半田層３２の融点以上、たとえば、２５０℃まで昇温する。
その後、検出部１２を設置部１４上まで移動させ、検出部１２を搬送部１１近傍に隣接して配置する。そして、検出部１２のＣＣＤカメラ１２１により、半導体素子３のアライメントマークを撮像する。次に、検出部１２のＣＣＤカメラ１２２により基板４のアライメントマークを撮像する。
撮像した画像は、図示しない制御部に送信され、制御部では、撮像した画像に基づいてアライメントマークが所定の位置にあるかどうか判断する。
アライメントマークが所定の位置にない場合には、制御部は、搬送部１１の駆動機構１６および設置部１４の駆動機構の少なくともいずれか一方を駆動する。
このような作業を繰り返し、半導体素子３と基板４との位置調整を行う。
【００２１】
半導体素子３のアライメントマーク、基板４のアライメントマークを検出し、半導体素子３，基板４の位置調整を行う工程において、搬送部１１の加熱部１１２はたとえば、２５０℃程度となっており、半田層３２の融点以上の温度で半導体素子３を加熱しつづける。
なお、半導体素子３のアライメントマーク、基板４のアライメントマークを検出し、半導体素子３，基板４の位置調整を行う工程において、加熱部１１２が加熱を開始するようにしてもよい。
さらに、半導体素子３のアライメントマーク、基板４のアライメントマークを検出し、半導体素子３，基板４の位置調整を行う工程において、検出部１２は、搬送部１１近傍に配置されており、ガス供給部１３からは、搬送部１１に保持された半導体素子３の被接合部分に向かって非酸化性ガスが供給される。
本実施形態では、半導体素子３のアライメントマーク、基板４のアライメントマークを検出する際、さらには、半導体素子３，基板４の位置調整を行う際に、半導体素子３の被接合部分に向かって非酸化性ガスが供給されている。
これにより、半導体素子３の被接合部分の周囲は低酸素雰囲気となる。
【００２２】
その後、検出部１２は、搬送部１１と設置部１４との間から移動する。そして、搬送部１１が下降し、設置部１４に接近して、半導体素子３と基板４とを圧着し、接合する（図３（ａ））。このとき、本実施形態では、加熱部１１２により、半導体素子３を昇温させることなく、半導体素子３と基板４とを接合する。
なお、加熱部１１２により、半導体素子３をさらに加熱し、半導体素子３を昇温させた後、半導体素子３と基板４とを接合してもよい。
【００２３】
半導体素子３と基板４とを接合する際には、搬送部１１のガス供給部１１３から非酸化性ガスが排出され、半導体素子３の被接合部分の周囲は低酸素雰囲気となる。
その後、搬送部１１による半導体素子３の吸着が解除され（図３（ｂ））、半導体装置５が得られる。
【００２４】
次に、本実施形態の作用効果について説明する。
半導体素子３のアライメントマークおよび基板４のアライメントマークを検出する検出部１２には、搬送部１１に保持された半導体素子３に向かって非酸化性ガスを供給するガス供給部１３が設けられている。
従って、半導体素子３のアライメントマークおよび基板４のアライメントマークを検出し、半導体素子３と基板４との位置調整を行う際に、検出部１２に設けられたガス供給部１３から、半導体素子３に対し非酸化性ガスを供給し、半導体素子３の被接合部分を低酸素雰囲気下におくことができる。そのため、半導体素子３のアライメントマークおよび基板４のアライメントマークを検出し、半導体素子３と基板４との位置調整を行う際に、搬送部１１の加熱部１１２により半導体素子３を加熱しても、半導体素子３の被接合部分の半田が酸化してしまうことを防止できる。
半導体素子３のアライメントマークおよび基板４のアライメントマークを検出し、半導体素子３と基板４との位置調整を行う際には、比較的時間を要するため、この工程において、半導体素子３を加熱することで、半導体素子３の被接合部分を十分に加熱することができる。
このように接合装置１では、半導体素子３のアライメントマークおよび基板４のアライメントマークを検出し、半導体素子３と基板４との位置調整を行う際に、半導体素子３の加熱を行うことができるので、従来のように、基板と半導体素子とを接合する工程で半導体素子の加熱を開始する場合に比べ、製造にかかる時間を短縮することができ、製造効率を高めることができる。
なお、本実施形態では、半導体素子３を搬送部１１に吸着させ、設置部１４上に搬送する段階で搬送部１１の加熱部１１２の加熱を開始しているが、半導体素子３を吸着し、設置部１４上に搬送するのにかかる時間は比較的短いため、搬送する段階で、半導体素子３の被接合部分が酸化してしまうことはほとんどないと考えられる。
【００２５】
また、本実施形態では、検出部１２は、半導体素子３のアライメントマークを検出するＣＣＤカメラ１２１と、基板４のアライメントマークを検出するＣＣＤカメラ１２２とを備えている。これにより、半導体素子３のアライメントマークを検出する間のみならず、基板４のアライメントマークを検出する間にも検出部１２に設けられたガス供給部１３から半導体素子３に対し、非酸化性ガスを供給することができる。これにより、比較的長い時間にわたって搬送部１１の加熱部１１２により、半導体素子３を加熱することが可能となるので、半導体素子３の被接合部分を確実に加熱することができる。
そのため、半導体素子３と、基板４とを接合する工程において、搬送部１１により半導体素子３をさらに長時間加熱する必要がなくなり、半導体装置の製造効率を高めることができる。
【００２６】
また、本実施形態では、搬送部１１には保持した半導体素子３に向けて非酸化性ガスを供給する第二のガス供給部１１３が設けられているので、半導体素子３と基板４との接合時に半導体素子３の被接合部分の半田層３２が酸化してしまうことを防止することができる。
なお、特許文献１の従来の接合装置では、搬送部から非酸化性ガスが半導体素子に向かって供給される構成となっている。この従来の接合装置では、半導体素子と基板とを接合する際に半導体素子と基板とで挟まれた空間内に搬送部から非酸化性ガスを供給する設定となっている。そのため、このような従来の接合装置では、たとえ、半導体素子や基板のアライメントマーク検出時に、搬送部から非酸化性ガスを排出させたとしても、半導体素子の被接合部分周辺を低酸素雰囲気にすることは難しい。
これに対し、本実施形態では、半導体素子３を保持している搬送部１１ではなく、この搬送部１１と半導体素子３を挟んで反対側に配置され、被接合部分側に位置する検出部１２にガス供給部１３を設け、このガス供給部１３から搬送部１１に保持された半導体素子３の被接合部分に向けて非酸化性ガスを供給しているので、半導体素子３や基板４のアライメントマーク検出時に、半導体素子３の被接合部分周辺を確実に低酸素雰囲気にすることができる。特に、本実施形態では、半導体素子３の基板側からでなく、被接合部分の側方から直接被接合部分に向けて非酸化性ガスを供給することができるので、半導体素子３と基板４との位置調整時に、半導体素子３の被接合部分周辺をより確実に低酸素雰囲気にすることができる。
【００２７】
また、半導体素子３の被接合部分の酸化を防止するためには、接合装置全体を非酸化性ガス雰囲気の空間内に配置することも考えられる。しかしながら、このような場合には、接合装置全体を収容するための密閉空間が必要となり、製造コストがかかる。
これに対し、本実施形態では、検出部１２にガス供給部１３を設け、このガス供給部１３から搬送部１１に保持された半導体素子３の被接合部分に向けて非酸化性ガスを供給しているので、接合装置全体を収容する密閉空間を形成する場合に比べ、製造コストの低減を図ることができる。
【００２８】
さらに、本実施形態では、半田層３２と、半田層３２よりも融点の高い導体ポスト部３１とを具備したポスト（被接合部分）３３を有する半導体素子を使用している。このような半導体素子３を使用する場合には、被接合部分を半田層３２の融点付近で加熱しても、導体ポスト部３１が溶融しないため、被接合部分の高さを確保することができる。
従って、基板４のアライメントマークや、半導体素子３のアライメントマークを検出する工程で、半導体素子３を半田層３２の融点付近まで加熱することができる。
これにより、基板４と、半導体素子３との接合時において、半導体素子３をさらに高温になるように加熱する必要がなくなり、半導体装置の製造効率をより一層高めることができる。
【００２９】
なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
前記実施形態では、半導体素子３として、半田層３２と、半田層３２よりも融点の高い導体ポスト部３１とを具備したポスト３３を有する半導体素子３を使用したが、これに限らず、被接合部分として半田バンプを有する半導体素子を使用してもよい。
さらに、接合装置により、接合される部品は、半導体素子３に限らず、例えば、基板に対しコンデンサ等を接合してもよい。
【００３０】
前記実施形態では、搬送部１１にガス供給部１１３を設けたが、搬送部には、ガス供給部が設けられていなくてもよい。
また、前記実施形態では、検出部１２は、半導体素子３のアライメントマークを撮像するＣＣＤカメラ１２１と、基板４のアライメントマークを撮像するＣＣＤカメラ１２２とを有するものとしたが、これに限らず、検出部は、いずれか一方のカメラのみを有するものとしてもよい。
【００３１】
さらに、前記実施形態では、ガス供給部１３は、一つの供給管を有し、半導体素子３の非接合部分に対し、一方向から非酸化性ガスを供給していたが、これに限らず、供給管を複数設け、半導体素子３の非接合部分に対し複数方向から非酸化性ガスを供給してもよい。
また、前記実施形態では、ガス供給部１３から供給された非酸化性ガスは、半導体素子３の基板面と水平方向に流れ、被接合部分の側方側から被接合部分に到達するとしたが、非酸化性ガスの流れは、これに限定されず、たとえば、被接合部分の下方側から被接合部分に直接到達するようにしてもよい。また、被接合部分の下方側および側方から非酸化性ガスを供給してもよい。
【００３２】
また、前記実施形態では、半導体素子３のアライメントマーク、基板４のアライメントマークを検出し、半導体素子３，基板４の位置調整を行う工程の間中、半導体素子３の被接合部分に向かって非酸化性ガスが供給されているとしたが、これに限らず、たとえば、半導体素子３のアライメントマーク、基板４のアライメントマークを検出している間のみ非酸化性ガスを供給してもよい。ただし、前記実施形態のように、半導体素子３のアライメントマーク、基板４のアライメントマークを検出し、半導体素子３，基板４の位置調整を行う工程の間中、半導体素子３の被接合部分に向かって非酸化性ガスを供給することで、確実に半導体素子３の被接合部分の酸化を防止できる。
【００３３】
さらに、前記実施形態における半導体素子３のアライメントマーク、基板４のアライメントマークを検出し、半導体素子３，基板４の位置調整を行う工程では、位置調整終了後、確認のために、半導体素子３のアライメントマーク、基板４のアライメントマークの検出を再度行ってもよい。この場合、アライメントマークの検出を再度行っている間も含めて、半導体素子３の被接合部分に向かって非酸化性ガスを供給することで、確実に半導体素子３の被接合部分の酸化を防止できる。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】本発明の一実施形態にかかる接合装置を示す平面図である。
【図２】本実施形態の半導体装置の製造工程を示す図である。
【図３】本実施形態の半導体装置の製造工程を示す図である。
【図４】半導体素子を示す断面図である。
【符号の説明】
【００３５】
１    接合装置
３    半導体素子（電子部品）
４    基板
５    半導体装置（電子装置）
１１    搬送部
１２    検出部
１３    ガス供給部
１４    設置部
１５    収納部
１６    駆動機構
１７    駆動機構
３０    半導体基板
３１    導体ポスト部
３２    半田層
３３    ポスト（被接合部分）
１１１    保持部
１１２    加熱部
１１３    ガス供給部
１２１    ＣＣＤカメラ
１２２    ＣＣＤカメラ
１２３    筐体
１３１    供給管
１３２    チューブ
【図１】
2008311265.tif 000003
【図２】
2008311265.tif 000004
【図３】
2008311265.tif 000005
【図４】
2008311265.tif 000006