(57)【要約】【課題】ある波長のレーザ光を出力するＬＤを用いて、他の波長の光を取り出すことが可能となる発光装置を提供する。【解決手段】誘導放出により生じる光をレーザ光として出力するＬＤと、希土類イオンを含む発光体と、を備えた発光装置であって、前記発光体は、前記ＬＤから出力された光を受け、該光を前記希土類イオンに吸収させることで放出される光を、外部へ出力する発光装置とする。【選択図】図１
2008028185.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘導放出により生じる光をレーザ光として出力するＬＤと、
希土類イオンを含む発光体と、を備えた発光装置であって、
前記発光体は、
前記ＬＤから出力された光を受け、該光を前記希土類イオンに吸収させることで放出される光を、外部へ出力することを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記ＬＤは、波長λａのレーザ光を出力するものであるとともに、
前記希土類イオンは、波長λａの光を吸収して、波長λｂ（ただし、λａ≠λｂとする）の光を放出するものであることを特徴とする発光装置。
【請求項３】
前記発光体は、各層の厚さがλｂ／４であるＤＢＲを形成していることを特徴とする請求項２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記ＬＤは、ＶＣＳＥＬとして構成されており、
前記発光体は、
該ＶＣＳＥＬにおける発光面に、直接形成されていることを特徴とする請求項３に記載の発光装置。
【請求項５】
前記ＤＢＲは、
希土類イオンが添加されたポリマー層であって互いに屈折率が異なる高屈折率層と低屈折率層が、交互に配置されていることを特徴とする請求項４に記載の発光装置。
【請求項６】
前記ＬＤは、端面発光レーザとして構成されており、
前記ＤＢＲは、
希土類イオンが添加されたポリマー層と空気層が、交互に配置されていることを特徴とする請求項３に記載の発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＬＤ（レーザダイオード）を用いた発光装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、例えば光通信や光ディスク装置などにおける光源として、ＬＤ［Laser Diode：レーザダイオード］が広く用いられている。このＬＤは、Ｐ型領域とＮ型領域に挟まれた発光層（活性層）において誘導放出を引き起こさせ、これにより発生した光が取り出されるものである。
【０００３】
より具体的には、高いエネルギーを持った電子が低いエネルギー状態に戻ることにより放出された光を、へき開面等によるミラーを用いて発光層内を反復させ、誘導放出を促進させる。そしてこのような反復により位相の揃った強い光が生成され、レーザ光として取り出される。またＰＮ接合には継続して電流が流されており、レーザ光は継続して取り出される。
【０００４】
このように構成されるＬＤは、他の原理によるレーザに比べて小型化・大量生産が可能である等の利点を有しており、光通信や光ディスク装置などに用いられる光源装置として、非常に重要な役割を担っている。
【特許文献１】特開２００４−２９４５４４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上述した通り、ＬＤでは発光層における誘導放出を通じて、レーザ光が取り出される仕組となっている。そのため、発光層を構成する半導体材料の種類によって、出力（レーザ光）の波長が決まることになる。
【０００６】
そのため、ある所望の波長となるレーザ光を取り出そうとする場合、誘導放出によってこのような波長の光が得られる材質が、発光層に適用される。しかしそのような材質が存在しない場合、あるいは存在しているとしても、それが比較的高価であったり希少であったりすると、ニーズに合致した適切なＬＤを製造することは困難である。またそのような材質が、通常では一般的に用いられているものであったとしても、何らかの事情で入手困難となる可能性も否定できない。
【０００７】
すなわち、所望の波長の光を誘導放出させるために適格な材質が入手困難である場合、従来のＬＤの構成では、かかる所望の波長の光を取り出すことは容易ではなかった。このような事情から、所望の波長以外のレーザ光を出力するＬＤを用いて、所望の波長の光を取り出すことが可能となる装置が望まれていた。
【０００８】
そこで本発明は上記の問題点に鑑み、ある波長のレーザ光を出力するＬＤを用いて、他の波長の光を取り出すことが可能となる発光装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するために、本発明に係る発光装置は、誘導放出により生じる光をレーザ光として出力するＬＤと、希土類イオンを含む発光体と、を備えた発光装置であって、前記発光体は、前記ＬＤから出力された光を受け、該光を前記希土類イオンに吸収させることで放出される光を、外部へ出力する構成（第１の構成）としている。
【００１０】
一般に希土類イオンは、ある波長の光を吸収して、この波長と異なる波長の光を放出することが知られている。なお、「光を吸収」とは、その光により励起状態となることを表し、「光を放出」とは、この励起状態から基底状態へ遷移することで、その光を放出することを表す。
【００１１】
例えばエルビウムイオンであれば、９８０ｎｍ帯（或いは１４８０ｎｍ帯）の波長の光を吸収し、自然放出或いは誘導放出によって１５５０ｎｍ帯の波長の光を放出する。そこで上記第１の構成によれば、ＬＤから出力されたレーザ光を、発光体が有する希土類イオンによって波長を変換させて、取り出すことが可能となる。つまり、ある波長のレーザ光を出力するＬＤを用いて、他の波長の光を取り出すことが可能となる。
【００１２】
なお、本構成の発光装置単体によって、ＬＤによるレーザ光の出力、および発光体による光の波長変換および光の出力を行わせることができる。そのため外部から光を入力させる必要はなく、ＬＤに電流を流すだけで、所定の波長の光を取り出すことが可能である。
【００１３】
上記第１の構成において、より具体的には、前記ＬＤは、波長λａのレーザ光を出力するものであるとともに、前記希土類イオンは、波長λａの光を吸収して、波長λｂ（ただし、λａ≠λｂとする）の光を放出するものである構成（第２の構成）とすればよい。
【００１４】
本構成により、波長λａのレーザ光を出力するＬＤを用いて、波長λｂの光を取り出すことが可能となる。これにより、仮にＬＤによって波長λｂのレーザ光を直接取り出すことが困難であっても、波長λａのレーザ光を出力するＬＤを用いて、波長λｂの光を取り出すことが可能となる。
【００１５】
また上記第２の構成において、前記発光体は、各層の厚さがλｂ／４であるＤＢＲを形成している構成（第３の構成）としてもよい。
【００１６】
ＤＢＲ［Ｄistributed Ｂragg Ｒeflector］は、互いに反射率の異なるλ／４厚さの層からなるペアが、複数段重ねられた構造となっており、波長λの光を効率よく反射させ得るものとして知られている。そこで本構成によれば、発光体は各層の厚さがλｂ／４であるＤＢＲを形成しているため、希土類イオンが放出する光の位相を揃えて、より良質な波長λｂの光を取り出すことが可能となる。その結果、波長λｂのレーザ光を出力するＬＤを用いることなく、波長λｂのレーザ光に近い光を得ることが可能となる。
【００１７】
また上記第３の構成において、前記ＬＤは、ＶＣＳＥＬとして構成されており、前記発光体は、該ＶＣＳＥＬにおける発光面に、直接形成されている構成（第４の構成）としてもよい。
【００１８】
ＶＣＳＥＬ［Vertical Cavity Surface Emitting Laser］は、基板と垂直方向に光を出力するレーザであり、質のよい誘電体多層膜のミラーを比較的容易に形成できる等の利点を有するものとして知られている。本構成によれば、発光体がＶＣＳＥＬの発光面に直接形成されているために、ＶＣＳＥＬから出力されるレーザ光を、発光体へ効率よく取り込ませることが可能となる。また本構成は、ＶＣＳＥＬの発光面上に発光体を積層させることで達成され得るから、発光装置の製造工程を簡易化させることが可能となる。
【００１９】
また上記第４の構成において、より具体的には、前記ＤＢＲは、希土類イオンが添加されたポリマー層であって互いに屈折率が異なる高屈折率層と低屈折率層が、交互に配置されている構成（第５の構成）としてもよい。本構成により、自らが有する希土類イオンによる発光作用と、ＤＢＲ構造による光の増幅作用とを、発光体に両立させることが容易となる。
【００２０】
また上記第３の構成において、前記ＬＤは、端面発光レーザとして構成されており、前記ＤＢＲは、希土類イオンが添加されたポリマー層と空気層が、交互に配置されている構成（第６の構成）としてもよい。
【００２１】
端面発光レーザは、基板面に水平に光を通して端面から出力させるレーザとして知られている。本構成によれば、ＤＢＲは、希土類イオンが添加されたポリマー層と空気層が交互に配置されたものとなっているため、ＤＢＲを容易に形成することが可能となる。例えば、基板上のＤＢＲを配置させるべき場所に、希土類イオンが添加されたポリマーの塊を形成しておき、空気層となる部分を除去することによって、ＤＢＲを形成させることが可能である。
【発明の効果】
【００２２】
上記したように、本発明に係る発光装置であれば、ＬＤから出力されたレーザ光を、発光体が有する希土類イオンによって波長を変換させて、取り出すことが可能となる。つまり、ある波長のレーザ光を出力するＬＤを用いて、他の波長の光を取り出すことが可能となる。その結果、小型化・大量生産が可能なＬＤの利点を活かしつつ、ＬＤの発光層特性により定まる波長以外の光を取り出すことができ、より多くのニーズに対応し得る発光装置が実現される。
【００２３】
なお、本構成の発光装置単体によって、ＬＤによるレーザ光の出力、および発光体による光の波長変換および光の出力を行わせることができる。そのため外部から光を入力させる必要はなく、ＬＤに電流を流すだけで、所定の波長の光を取り出すことが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
本発明の実施形態について、第１実施例から第３実施例の各々を挙げて、以下に説明する。
【００２５】
［第１実施例］
本発明の第１実施例として、ＶＣＳＥＬ型のＬＤを用いた発光装置を挙げて説明する。図１に、当該ＬＤの構成を模式的に示す。本図に示すように、当該発光装置１は、ＬＤ２および発光体３を備えている。
【００２６】
ＬＤ２は、ＶＣＳＥＬ型の構造となっており、発光層（活性層）２１を、上側ＤＢＲ２２と下側ＤＢＲ２３が挟み込む形態となっている。また上側ＤＢＲ２２にはプラス電極が、下側ＤＢＲ２３にはマイナス電極が設けられている。これにより、両電極間に電流を流すことで、発光層２１を励起状態にさせる。
【００２７】
発光層２１は、自然放出および誘導放出によって、９８０ｎｍ帯（以下、「λａ」とする）の波長の光を放出する化合物半導体により構成されている。
【００２８】
上側ＤＢＲ２２は、発光層から発せられる光を効率よく反射させるためのＤＢＲとして構成されている。より具体的には、厚さλａ／４のＡｌＧａＡｓ層であってそれぞれ反射率が異なる２層からなるペアを、複数段重ね合わせることにより構成されている。
【００２９】
なおかかるＡｌＧａＡｓ層のペアのうち、一方の層の成分はＡｌ0.9Ｇａ0.1Ａｓ（屈折率ｎ＝３）とされており、他方の層はＡｌ0.2Ｇａ0.8Ａｓ（屈折率ｎ＝３．４）とされている。このようにＡｌＧａＡｓ層は、Ａｌの添加量を通じて屈折率がコントロールされている。そして上側ＤＢＲ２２ではこのペアが２３段に重ねられ、光の反射率は約９９．５％である。
【００３０】
下側ＤＢＲ２３も、上側ＤＢＲ２２と同様にＤＢＲとして構成されている。ただし下側ＤＢＲ２３の場合は、上述したＡｌＧａＡｓ層のペアが４０段に重ねられることで、光の反射率は約９９．８％となっており、上側ＤＢＲ２２よりも反射率が高くなっている。
【００３１】
また発光体３は、希土類イオンの一種であるエルビウム（Ｅｒ）イオンが添加（ドープ）されたポリマーによるＤＢＲとして、ＬＤ２の発光面上に直接形成されている。なおエルビウムイオンは、９８０ｎｍ帯（＝λａ）の光を吸収し、１５５０ｎｍ帯（以下、「λｂ」とする）の光を放出するものとして知られている。
【００３２】
このエルビウムが添加されたポリマーによるＤＢＲは、より具体的には、厚さλｂ／４の層であってそれぞれ反射率が異なる２層からなるペアを、複数段重ね合わせることにより構成されている。なおこのペアは、高屈折率のエルビウムイオン添加ポリマー層、及び低屈折率のエルビウムイオン添加ポリマー層により構成されている。これらの層の形成方法については後述する。
【００３３】
これにより発光体３に含まれるエルビウムイオンは、ＬＤ２から取り出された波長λａの光を吸収するとともに、波長λｂの光を放出する。そしてこの放出された光は、発光体２自身のＤＢＲによって位相の揃った強い光となり、外部に出力される。
【００３４】
以上に説明した構成により、本実施例の発光装置１は、ＬＤ２で発生するλａの波長のレーザ光を、λｂの波長の光に変換して出力することができる。これにより、例えばλｂの波長の光を誘導放出する材質が入手困難であったとしても、λａの波長のレーザ光を出力するＬＤを用いて、λｂの波長の光を容易に取り出すことが可能となる。
【００３５】
なお波長λｂ（１５５０ｎｍ帯）の光は、例えばアイセーフ（光が目に入っても害が少ない）仕様の光として、また通信やセンシングに使用する光として、さらに環境測定、糖度測定および生体認証などの分野に使用する光として好適である。
【００３６】
次に、本実施例に係る発光装置１の製造工程例について、以下に説明する。初めにＬＤ２（ＶＣＳＥＬチップ）の部分の製造工程の一例について、図２を参照しながら説明する。
【００３７】
まずＶＣＳＥＬの層構造を、結晶成長の過程を経て形成させる（図２の＃１）。そしてＶＣＳＥＬの層構造が得られたら、ドライエッチングによりメサ（台状）部を形成させる（図２の＃２）。なおエッチングにより生成された溝の側面には、ＡｌＡｓ層が露出されるようにする。
【００３８】
ドライエッチングを施したら、次に４５０℃のＨ2Ｏを作用させることにより、露出部近くのＡｌＡｓ層を酸化させ、ＡｌＡｓ酸化層を形成させる（図２の＃３）。そしてさらに、ＶＣＳＥＬの層構造の上面にＳｉＯ2を堆積させるとともに（図２の＃４）、電極を形成させるための窓を設けるため、その一部を除去する（図２の＃５）。
【００３９】
その後、先述の窓に金属を配置させ、表面側の電極を形成させる（図２の＃６）。またＶＣＳＥＬの裏面にも同じく金属を配置させ、他方側の電極を形成させる（図２の＃７）。主にここまでの製造工程により、ＶＣＳＥＬチップ７が完成されることとなる。
【００４０】
次に、完成したＶＣＳＥＬチップ７上に、発光部３に相当する、エルビウム添加ポリマー層を堆積させていく。その工程の様子を図３に示す。このように真空状態において、エルビウムイオン、高屈折率のポリマー、および低屈折率のポリマーの各々に係る蒸着器を用いて、ＶＣＳＥＬチップ上にポリマー層を蒸着させる。なおここでの高屈折率および低屈折率とは、両者の相対的な関係を表すものである。
【００４１】
つまり、ＶＣＳＥＬチップ上に高屈折率のエルビウムイオン添加ポリマー層を堆積させるときは、エルビウムイオンおよび高屈折率のポリマーに係る蒸着器を同時に作動させ、低屈折率のエルビウムイオン添加ポリマー層を堆積させるときは、エルビウムイオンおよび低屈折率のポリマーを同時に作動させることとする。
【００４２】
このようにしてエルビウムイオン添加ポリマー層の形成が完了したら、ドライエッチング（アッシング）処理によって表面側の電極を露出させることで、発光装置１の本体部分が完成する。
【００４３】
［実施例２］
次に本発明の第２実施例として、同じくＶＣＳＥＬ型のＬＤを用いた発光装置を挙げて説明する。なお本実施例は、発光部に係る構成および製造工程を除いては基本的に実施例１と同様であるため、重複する説明は省略する。
【００４４】
当該発光装置の構成を図４に示す。本図のように、発光部３はエルビウムイオン添加ポリマーにより構成されているが、ＤＢＲを形成するための層構造を有していない点で実施例１のものとは異なっている。これにより発光部３は、ＬＤ２から出力されるレーザ光を受け、内部のエルビウムイオンが発生させる光を直接外部に出力するものとなっている。その結果、発光装置１としては、λａの波長であるレーザ光をλｂの波長の光に変換して出力することが可能となっている。
【００４５】
本実施例の発光装置によれば、実施例１のものに比べて、位相の揃った強い光を出力することは難しいが、発光部３を形成することが比較的容易となる。ここで本実施例に係る発光装置の製造工程について、以下に説明する。
【００４６】
まず実施例１の場合（図２の＃１〜＃７）と同様に、ＶＣＳＥＬチップを製造する。そして図５に示すように、サブマウントの上にこのＶＣＳＥＬチップを配置するとともに、ＬＥＤパッケージ（内部にポリマーを注入するための枠）をマウントする。なおＶＣＳＥＬチップにおけるプラス電極２４とマイナス電極２５は、本図のように、予めＬＥＤパッケージの外側に導出させておく。
【００４７】
その後、ＬＥＤパッケージの内部に、エルビウムイオンが添加されたポリマーを注入していく。これにより、発光装置１の本体部分に係る製造工程が完了する。
【００４８】
［実施例３］
次に本発明の第３実施例として、端面発光型のＬＤを用いた発光装置を挙げて説明する。まず本実施例の発光装置の構成を、図６に模式的に示す。本図に示すように発光装置１は、端面発光型ＬＤ４、発光体５、および共振補助部６などから構成されている。
【００４９】
端面発光型ＬＤ４は、発光層（活性層）４１が、Ｐ型クラッド層４２とＮ型クラッド層４３に挟まれて備えられている。これにより、Ｐ型クラッド層４２からＮ型クラッド層４３へ電流を流すと、発光層４１は励起状態となる。また発光層４１は、自然放出および誘導放出によって、λａ（＝９８０ｎｍ帯）の波長の光を放出する化合物半導体により構成されている。
【００５０】
また発光層４１の水平方向外側には、発光層４１で生じた光を効率よく反射させるレーザミラー４４が、発光層を挟んで設けられている。レーザミラー４４は、発光層４１で生じる光を効率よく反射させるため、λａ／４厚みの互いに反射率が異なる２層からなるペアが複数段重ねられて構成されている。
【００５１】
これにより発光層４１で生じた光は、レーザミラー４４により反射を繰り返すことで効率よく誘導放出を引き起こし、増幅されたレーザ光が発光体５へ出力されることとなる。なおレーザミラー４４を用いることなく、発光層のへき開面のみによる光の反射を通じて、誘導放出を引き起こさせるものとしてもよい。
【００５２】
レーザミラー４４の更に水平方向外側であって、その前方（発光させる方向）側には、発光体５が備えられている。またレーザミラー４４の水平方向外側であって、その後方（発光層４１を基準として、発光体５の反対方向）側には、共振補助部６が備えられている。
【００５３】
発光体５および共振補助部６は、共にエルビウムイオンが添加されたポリマーにより形成されているとともに、エルビウムイオンが放出する光を効率よく反射させるためのＤＢＲとして構成されている。より具体的に当該ＤＢＲは、エルビウムイオンが添加されたポリマー層と空気層からなるペアが複数段重ねられて構成されている。
【００５４】
つまり当該ポリマー層と空気層との屈折率が異なることにより、ＤＢＲが形成されることとなる。なお当該ポリマー層と空気層の厚みは、それぞれλｂ／４に設定されており、当該ＤＢＲによって、エルビウムイオンが放出する光を効率よく反射させることが可能となっている。
【００５５】
このような構成により発光体５では、レーザミラー４４から出力されたレーザ光を受け、波長λｂの光を放出する。そして発光体５自身のＤＢＲ構造によって位相の揃った強い光となり、外部に出力される。
【００５６】
また一方、発光体５が放出した光の一部は発光方向とは逆向きに進行し、共振補助部６へ進入する。そして共振補助部６でも、ＤＢＲ構造によりエルビウムイオンが放出した光を効率よく反射させ、位相の揃った光を発光体５側へ出力する。このようにエルビウムイオンが放出した光は、発光体５と共振補助部６の間で共振することにより、より効率よく発光体５から取り出すことが可能となる。なお、発光体５と共振補助部６との距離は、これらの間で波長λｂの光が共振するように（位相が揃うように）設定されている。
【００５７】
以上述べたように発光装置１では、端面発光型のＬＤで発生するλａの波長のレーザ光を、λｂの波長の光に変換して出力することができる。次に、本実施例に係る発光装置１の製造工程例について、図７を参照しながら以下に説明する。
【００５８】
まずＧａＡｓ材質の上にＬＤ層が載置された層構造を、結晶成長の過程を経て形成させる（図７の＃１）。その後ドライエッチングにより、ＬＤ層によるベースメサ（台状）部を形成する（図７の＃２）。そして更にＬＤ層に対してドライエッチングを行い、リッジ構造を形成させる（図７の＃３）。
【００５９】
またドライエッチングを施したものに、絶縁膜のパターニング（図７の＃４）、およびメタルパターニング（図７の＃５）を施す。その後、塗布およびスピンコート等の工程を経て、ＬＤ層の周囲に、エルビウムを添加したポリマー層を形成させる（図７の＃６）。
【００６０】
そして最終的には、図８に示すように、余分なポリマー層を除去することによって発光装置の本体が完成する。なお図８に示す通り、発光体５および共振補助部６は、エルビウムイオンが添加されたポリマー層と空気（エアー）層からなるペアが複数段重なることにより、ＤＢＲ構造を形成している。
【００６１】
このように、基板上のＤＢＲを配置させるべき場所に、希土類イオンが添加されたポリマーの塊を形成しておき、空気層となる部分を除去することによって、ＤＢＲを形成している。そのため、ＤＢＲを容易に形成することが可能となっている。
【００６２】
［まとめ］
以上に説明したように本発明に係る発光装置は、誘導放出により波長λａのレーザ光を出力するＬＤと、波長λａの光を吸収して波長λｂの光を放出する希土類イオンを有する発光体と、を備えた構成としている。これにより、波長λａのレーザ光出力するＬＤを用いて、波長λｂの光を得ることが可能となっている。
【００６３】
なお本発明に係る発光装置によれば、ＬＤによるレーザ光の出力、および発光体による光の波長変換および光の出力を単体で行わせることができる。そのため外部から光を入力させる必要はなく、ＬＤに電流を流すだけで、波長λｂの光を取り出すことが可能である。
【００６４】
なお上述した各実施例では、希土類イオンの具体例としてエルビウムイオンを挙げて説明したが、ある波長の光を吸収して他の波長の光を放出する、他の希土類イオンを採用しても良い。
【００６５】
特に、吸収する光の波長および放出する光の波長は、希土類イオンの種類ごとに異なることから、必要に応じて適切な希土類イオンを選択することにより、本発明に係る発光装置は広いニーズに応えることができる。なお本発明に適用する希土類イオンとしては、９８０ｎｍ若しくは１４８０ｎｍ波長の光を吸収し１５５０ｎｍ波長の光を放出するＥｒイオンの他、Ｙｂイオン、Ｐｒイオン、Ｎｄイオン、Ｔｍイオン、Ｃｅイオン、Ｅｕイオン、Ｔｂイオンなど、種々のものが考えられる。
【００６６】
以上の通り、本発明の実施形態について各実施例を挙げて説明したが、本発明はこれらの内容に限定されるものではなく、発明の主旨を逸脱しない範囲で種々の変更を加えることが可能である。
【産業上の利用可能性】
【００６７】
本発明は、通信装置やセンサ装置における光源発生装置等に関して有用な技術である。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】本発明の第１実施例に係る発光装置の、模式的な構成図である。
【図２】本発明の第１実施例に係る発光装置の、製造工程（前半）を示す図である。
【図３】本発明の第１実施例に係る発光装置の、製造工程（後半）を示す図である。
【図４】本発明の第２実施例に係る発光装置の、模式的な構成図である。
【図５】本発明の第２実施例に係る発光装置の、製造工程に係る説明図である。
【図６】本発明の第３実施例に係る発光装置の、模式的な構成図である。
【図７】本発明の第３実施例に係る発光装置の、製造工程（前半）を示す図である。
【図８】本発明の第３実施例に係る発光装置の、製造工程（後半）を示す図である。
【符号の説明】
【００６９】
１    発光装置
２    ＶＣＳＥＬ型ＬＤ
３    発光体
４    端面発光型ＬＤ
５    発光体
６    共振補助部
７    ＶＣＳＥＬチップ
８    蒸着器
２１    発光層
２２    上側ＤＢＲ
２３    下側ＤＢＲ
２４    プラス電極
２５    マイナス電極
４１    発光層
４２    Ｐ型クラッド層
４３    Ｎ型クラッド層
４４    レーザミラー
【図１】
2008028185.tif 000003
【図２】
2008028185.tif 000004
【図３】
2008028185.tif 000005
【図４】
2008028185.tif 000006
【図５】
2008028185.tif 000007
【図６】
2008028185.tif 000008
【図７】
2008028185.tif 000009
【図８】
2008028185.tif 000010
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月24日(2006.7.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
前記ＬＤは、波長λａのレーザ光を出力するものであるとともに、
前記希土類イオンは、波長λａの光を吸収して、波長λｂ（ただし、λａ≠λｂとする）の光を放出するものであることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。