(57)【要約】【課題】本発明は、光ピックアップ内の温度変化に対する光ピックアップの動作の安定性を向上することができる。【解決手段】本発明は、レーザ制御部１２は、予め記憶している電流値補正テーブルに基づいて設定され、光ピックアップ２０内の温度を表す温度情報に応じて変化する設定電流値と、レーザダイオード２１からの光ビーム４０の出射光強度を表すＡＰＣ検出電流の電流値とが一致するように光ビーム４０の出射光強度を調整することにより、光ディスク１００に照射される光ビーム４０の照射光量をほぼ一定にする。【選択図】図１１
2008016124.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源から出射された光ビームを光ディスクに対して照射する光ピックアップを有する光ディスク装置において、
上記光ビームを上記光ピックアップ内の温度に応じた回折効率で回折させる回折素子と、
回折された上記光ビームを集光して光ディスクに照射する対物レンズと、
上記光ビームの光量を検出し、検出された当該光ビームの光量に応じた検出電流を生成する第１の光検出部と、
上記検出電流の電流値が設定されている第１の電流値と一致するように上記光源から出射される上記光ビームの強度を調整する光ビーム制御部と、
上記光ピックアップ内の上記温度を測定し、当該温度の情報を生成する温度センサ部と、
上記光ディスクに対して照射される上記光ビームの上記温度の変化に応じた光量の変化を補正するための第１の補正値が登録された第１の補正テーブルを記憶する記憶部と
を具え、
上記光ビーム制御部は、
上記温度の情報に応じた上記第１の補正値を用いて上記第１の電流値を補正することにより、上記光ディスクに照射される上記光ビームの照射光量をほぼ一定にする
ことを特徴とする光ディスク装置。
【請求項２】
上記光ビーム制御部は、
温度に対する上記照射光量の変化を補正する第１の補正値を上記温度の情報に応じて選定し、所定の第２の電流値に対して乗算することにより、上記第１の電流値を算出する
ことを特徴とする請求項１に記載の光ディスク装置。
【請求項３】
上記第２の電流値は、
上記記憶部に予め記憶されている
ことを特徴とする請求項２に記載の光ディスク装置。
【請求項４】
上記第２の電流値は、
記録処理の際、上記光ディスクに対するＯＰＣ（Optimum Power Control）処理に基づいて生成された
ことを特徴とする請求項２に記載の光ディスク装置。
【請求項５】
上記第１の補正値は、
所定の温度範囲に対応させて段階的に設定された
ことを特徴とする請求項２に記載の光ディスク装置。
【請求項６】
上記光源は、
波長の異なる複数の上記光ビームを出射する
ことを特徴とする請求項１に記載の光ディスク装置。
【請求項７】
上記光ディスク装置は、
上記光ディスクで反射された後に上記回折素子を再び通過した上記光ビームの光量を検出し、当該光ビームの光量に応じた検出信号を生成する第２の光検出部と、
上記検出信号を所定の増幅率で増幅する増幅処理部と
を具え、
上記記憶部は、
上記温度の変化に対する上記検出信号の変化量を補正する第２の補正値が登録された第２の補正テーブルを記憶し、
上記増幅処理部は、
上記温度の情報に応じた上記第２の補正値を用いて上記増幅率を補正することにより、増幅された上記検出信号の信号レベルをほぼ一定にする
ことを特徴とする請求項１に記載の光ディスク装置。
【請求項８】
光源から出射された光ビームを光ディスクに対して照射する光ピックアップを有する光ディスク装置において、
上記光ビームを上記光ピックアップ内の温度に応じた回折効率で回折させる回折素子と、
回折された上記光ビームを集光して光ディスクに照射する対物レンズと、
上記光ディスクで反射された後に上記回折素子を再び通過した上記光ビームの光量を検出し、当該光ビームの光量に応じた検出信号を生成する第２の光検出部と、
上記検出信号を所定の増幅率で増幅する増幅処理部と、
上記光ピックアップ内の上記温度を測定し、当該温度の情報を生成する温度センサ部と、
上記温度の変化に対する上記検出信号の変化量を補正する第２の補正値が登録された第２の補正テーブルを記憶する記憶部と
を具え、
上記増幅処理部は、
上記温度の情報に応じた上記第２の補正値を用いて上記増幅率を補正することにより、増幅された上記検出信号の信号レベルをほぼ一定にする
ことを特徴とする光ディスク装置。
【請求項９】
光源から出射された光ビームを光ディスクに対して照射する光ピックアップにおいて、
上記光ビームを上記光ピックアップ内の温度に応じた回折効率で回折させる回折素子と、
回折された上記光ビームを集光して光ディスクに照射する対物レンズと、
上記光ビームの光量を検出し、検出された当該光ビームの光量に応じた検出電流を生成する第１の光検出部と、
上記光ピックアップ内の上記温度を測定し、当該温度の情報を生成する温度センサ部と
を具え、
上記光ディスクに対して照射される上記光ビームにおける上記温度の変化に応じた光量の変化を、第１の補正テーブルに登録された上記光量の変化を補正するための第１の補正値を用いることにより上記温度の情報に応じて第１の電流値を補正し、補正された当該第１の電流値と上記検出電流の電流値とが一致するように、上記光源から出射される上記光ビームの強度が調整されることにより、上記光ディスクに照射される上記光ビームの照射光量をほぼ一定にする
ことを特徴とする光ピックアップ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光ピックアップ及び光ディスク装置に関し、例えば複数波長の光ビームを使用する光ディスク装置に適用して好適なものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、光ディスク装置においては、例えばＣＤ（Compact Disc）、ＤＶＤ（Digital Versatile Disc）及びＢＤ（Blu-ray Disc：登録商標）などの各種方式のうち、使用されるレーザ光の波長などが異なる複数の方式の光ディスクに対応するようになされたものがある。
【０００３】
このような光ピックアップとして、対物レンズの前段に回折素子を設け、光ビームとして入射されたレーザ光の波長に応じて当該光ビームを回折又は透過させ、保護層の厚みなどの差異に基づく光ビームの収差を補正して複数の方式の光ディスクに適合させることにより、複数の波長の光ビームを１つの対物レンズで集光するようになされたものがある（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００５−１２９２０４公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところでかかる構成の光ピックアップにおいては、光ピックアップ内の温度変化に応じて回折素子の回折効率が変化するため、この温度変化に応じて光ディスクに照射される光ビームの光量が変化してしまう。この結果、光ビームの受光量に応じて光検出器から供給される検出信号の信号レベルが大きく変化してしまい、この検出信号から生成される再生ＲＦ信号や各種サーボ制御信号などの品質が低下して光ディスク装置の動作が不安定になるという問題があった。
【０００５】
本発明は以上の点を考慮してなされたもので、光ピックアップ内の温度変化に対する動作の安定性を向上する光ピックアップ及び光ディスク装置を提案しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
かかる課題を解決するため本発明においては、光源から出射された光ビームを光ディスクに対して照射する光ピックアップにおいて、光ビームを光ピックアップ内の温度に応じた回折効率で回折させる回折素子と、回折された光ビームを集光して光ディスクに照射する対物レンズと、光ビームの光量を検出し、検出された当該光ビームの光量に応じた検出電流を生成する第１の光検出部と、光ピックアップ内の温度を測定し、当該温度の情報を生成する温度センサ部とを設け、光ディスクに対して照射される光ビームにおける温度の変化に応じた光量の変化を、第１の補正テーブルに登録された光量の変化を補正するための第１の補正値を用いることにより温度の情報に応じて第１の電流値を補正し、補正された当該第１の電流値と検出電流の電流値とが一致するように、光源から出射される光ビームの強度が調整されることにより、光ディスクに照射される光ビームの照射光量をほぼ一定にするようにした。
【０００７】
これにより、光ビームが光検出器で受光されて生成される検出信号のレベルが大きく変化することがないため、再生ＲＦ信号や各種サーボ制御信号などの品質の低下を防止することができる。
【０００８】
さらに本発明においては、光源から出射された光ビームを光ディスクに対して照射する光ピックアップを有し、光ビームを光ピックアップ内の温度に応じた回折効率で回折させる回折素子と、回折された光ビームを集光して光ディスクに照射する対物レンズと、光ディスクで反射された後に回折素子を再び通過した光ビームの光量を検出し、当該光ビームの光量に応じた検出信号を生成する第２の光検出部と、検出信号を所定の増幅率で増幅する増幅処理部と、光ピックアップ内の温度を測定し、当該温度の情報を生成する温度センサ部と、温度の変化に対する検出信号の変化量を補正する第２の補正値が登録された第２の補正テーブルを記憶する記憶部とを設け、増幅処理部は、温度の情報に応じた第２の補正値を用いて増幅率を補正することにより、増幅された検出信号の信号レベルをほぼ一定にするようにした。
【０００９】
これにより、光ビームが光検出器で受光されて生成される検出信号のレベルが大きく変化することがないため、再生ＲＦ信号や各種サーボ制御信号などの品質の低下を防止することができる。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、光ビームが光検出器で受光されて生成される検出信号のレベルが大きく変化することがないため、再生ＲＦ信号や各種サーボ制御信号などの品質の低下を防止することができ、かくして光ピックアップ内の温度変化に対する動作の安定性を向上する光ピックアップ及び光ディスク装置を実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、図面について、本発明の一実施の形態を詳述する。
【００１２】
（１）光ディスク装置の構成
（１−１）光ディスク装置の全体構成
図１において、１は本発明による回折素子を用いた光ディスク装置を示し、ＣＤ（Compact Disc）方式、ＤＶＤ（Digital Versatile Disc）方式又はＢＤ（Blu-ray Disc、登録商標）方式といった３方式のいずれかでなる光ディスク１００を再生し得るようになされている。
【００１３】
システムコントローラ２は、ＣＰＵ(Central Processing Unit)と、電流値補正テーブル、増幅率補正テーブル、各種プログラムなどが格納されるＲＯＭ(Read Only Memory)と、当該ＣＰＵのワークメモリとしてのＲＡＭ(Random Access Memory)とからなり、光ディスク装置１の各部を制御する。
【００１４】
すなわちシステムコントローラ２は、サーボ回路３を介してスピンドルモータ４を回転させ、ターンテーブル（図示せず）に載置された光ディスク１００を回転駆動する。またシステムコントローラ２は、サーボ回路３を介して送りモータ５を回転させ、図示しないガイド軸に沿って光ピックアップ２０を光ディスク１００の半径方向であるトラッキング方向に移動させる。さらにシステムコントローラ２は、光ピックアップ２０を制御し、光ディスク１００に対する再生処理及び記録処理を実行させる。
【００１５】
この光ピックアップ２０は、いわゆる３波長対応型となっており、対物レンズ３０から、ＢＤ方式でなる光ディスク１００（以下、これをＢＤ方式ディスク１００ｂと呼ぶ）に対しては波長約４０５［ｎｍ］の光ビーム４０（以下、これをＢＤ用光ビーム４０ｂと呼ぶ）を照射し、またＤＶＤ方式でなる光ディスク１００（以下、これをＤＶＤ方式ディスク１００ｄと呼ぶ）に対しては波長約６５０［ｎｍ］の光ビーム４０（以下、これをＤＶＤ用光ビーム４０ｄ）を照射し、さらにＣＤ方式でなる光ディスク１００（以下、これをＣＤ方式ディスク１００ｃと呼ぶ）に対しては波長約７８０［ｎｍ］の光ビーム４０（以下、これをＣＤ用光ビーム４０ｃと呼ぶ）を照射するようになされている。
【００１６】
図２に示すように、光ピックアップ２０のレーザダイオード２１は、システムコントローラ２のレーザ制御部１２から供給される駆動電流に応じた光量で光ディスク１００の各方式に対応したレーザ光でなる光ビーム４０を出射し、ビームスプリッタ２２へ入射する。
【００１７】
ビームスプリッタ２２は、入射された光ビーム４０の大部分をそのまま透過させ、コリメータレンズ２６へ入射する。コリメータレンズ２６は、発散光として入射された光ビーム４０を平行光に変換し、立上プリズム２７へ入射する。
【００１８】
立上プリズム２７は、入射された光ビーム４０を反射してその方向を９０[°]変化させ、回折素子２８へ入射する。回折素子２８は、光ビーム４０の波長に応じて当該光ビーム４０を透過又は回折させることにより、光ディスク１００の保護層の厚みや対物レンズの開口数の差異などによって光ビーム４０に生じる収差を補正し、当該光ビーム４０を対物レンズ３０に入射する。そして対物レンズ３０は、光ビーム４０を集光し光ディスク１００に照射する。
【００１９】
一方、ビームスプリッタ２２は、その偏光面によって光ビーム４０からその一部を所定の光量比で反射させることによって分離し、これをＡＰＣ（Auto Power Control）用レンズ２３により集光してＡＰＣ用光検出器２４により光量を検出し、当該光量に応じた電流値でなるＡＰＣ検出電流を生成してレーザ制御部１２へ供給する。
【００２０】
レーザ制御部１２は、このＡＰＣ検出電流の電流値と設定電流値（詳しくは後述する）とを比較し、当該ＡＰＣ検出電流の電流値と当該設定電流値とが一致するように、レーザダイオード２０に供給する駆動電流を増減することにより、レーザダイオード２１から出射される光ビーム４０の強度（以下、これを出射光強度と呼ぶ）を調整する。
【００２１】
また対物レンズ３０は、光ビーム４０が光ディスク１００によって反射されてなる反射光ビーム５０を受光し、回折素子２８と、立上プリズム２７と、コリメータレンズ２６とを介してビームスプリッタ２２に入射させる。
【００２２】
ビームスプリッタ２２は入射された反射光ビーム５０を偏光面で反射し、その方向を９０[°]変化させ、集光レンズ３４を介して光検出器３５に入射する。そして、光検出器３５は反射光ビーム５０を光電変換して検出信号を生成し、増幅処理部１１に供給する。
【００２３】
増幅処理部１１は、予め設定された設定増幅率で検出信号を増幅し、当該検出信号を信号処理部６（図１）へ供給する。
【００２４】
信号処理部６は、この検出信号から再生ＲＦ信号及び各種サーボ制御信号を生成する。システムコントローラ２は、信号処理部６から供給されるサーボ制御信号に基づいて駆動制御信号を生成し、光ビーム４０を光ディスク１００における所望のトラック上に正確に照射するように対物レンズ３０をフォーカス方向及びトラッキング方向に駆動する。
【００２５】
このように光ディスク装置１は、光ディスク１００に対する再生処理及び記録処理を実行し得るようになされている。
【００２６】
ところで上述した回折素子２８には、図３に示すように、光ビーム４０が入射される入射面２８Ａに階段状のＤＶＤ用回折パターンＰＴｄを有している。このＤＶＤ用回折パターンＰＴｄは、光ビーム４０がＢＤ用光ビーム４０ｂ又はＣＤ用光ビーム４０ｃであった場合には、光ビーム４０を透過させる。
【００２７】
一方、ＤＶＤ用回折パターンＰＴｄは、光ビーム４０がＤＶＤ用光ビーム４０ｄであった場合には、光ビーム４０を回折させることにより当該ＤＶＤ用光ビーム４０ｄに生じる収差を補正する。
【００２８】
ここで、回折素子２８は、所定の基準温度において３種の光ビーム４０（ＢＤ用光ビーム４０ｂ、ＤＶＤ用光ビーム４０ｄ及びＣＤ用光ビーム４０ｃ）のそれぞれに対してできるだけ高い回折効率を得るようにＤＶＤ用回折パターンＰＴｄの最上段部から最下段部までの深さであるパターン深さｄ０が選定されている。
【００２９】
すなわち、図４に示すように、回折素子２８におけるパターン深さｄ０は、３種の光ビーム４０それぞれに対する回折効率が最大値を示すときの最大効率深さＰｂ、Ｐｄ及びＰｃの全てに近い値として、約６１５０［ｎｍ］が選定されている。従って、この６１５０［ｎｍ］における各回折効率Ｅｂ０、Ｅｄ０及びＥｃ０が、回折素子２８におけるＤＶＤ用回折パターンＰＴｄの３種の光ビーム４０に対する回折効率を表している。
【００３０】
このパターン深さｄ０の値は回折パターンとして大きい数値と言え、このような深い回折パターンを有する回折素子では、一般的に温度変化による屈折率や寸法の変化に伴って回折効率が変化すると共に、温度変化に応じた光ビーム４０の波長の変化にも応じて回折効率が変化する。
【００３１】
例えば、ＢＤ用光ビーム４０ｂ、ＤＶＤ用光ビーム４０ｄ及びＣＤ用光ビーム４０ｃの各波長は温度上昇に伴って増大し、図５（Ａ）に示すように、基準温度のときの波長と比較して、光ピックアップ２０内の温度が基準温度から１５［℃］上昇した場合、それぞれ０．７５［ｎｍ］、３［ｎｍ］、５．２５［ｎｍ］程度長くなり、基準温度から３０［℃］上昇した場合には、それぞれ１．５［ｎｍ］、６［ｎｍ］、１０．５［ｎｍ］程度長くなる。
【００３２】
また、温度上昇に伴う回折素子２８の寸法変化（膨張）により、ＤＶＤ用回折パターンＰＴｄのパターン深さｄも増大し、図５（Ｂ）に示すように、基準温度のときのパターン深さｄ０と比較して、光ピックアップ２０内の温度が基準温度から１５［℃］上昇したときのパターン深さｄ１５の値は８［ｎｍ］程度大きくなり、基準温度から３０［℃］上昇したときのパターン深さｄ１５の値は１７［ｎｍ］程度大きくなる。
【００３３】
さらに、回折素子２８のＢＤ用光ビーム４０ｂ、ＤＶＤ用光ビーム４０ｄ及びＣＤ用光ビーム４０ｃに対する各屈折率は温度上昇に伴って低下し、図５（Ｃ）に示すように、基準温度のときの各屈折率と比較して、光ピックアップ２０内の温度が基準温度から１５［℃］上昇した場合、それぞれ０．０２ずつ低下し、基準温度から３０［℃］上昇した場合には、それぞれ０．０４ずつ低下する。
【００３４】
なお、図５（Ａ）〜（Ｃ）の数値はいずれも図５（Ｄ）に示した条件でシミュレーションを行った結果である。
【００３５】
この結果、光ピックアップ２０内の温度が基準温度から１５［℃］上昇した場合、光ビーム４０の波長が長くなること及び回折素子２８の屈折率が上昇することにより、３種の光ビーム４０に対する最大効率深さＰｂ、Ｐｄ及びＰｃは増大し、これに伴って図６に示すように、３種の光ビーム４０に対する回折効率の特性曲線が全体的に右方向に移動する。
【００３６】
また、温度上昇に伴う寸法変化により、このときのパターン深さｄ１５（ｄ１５＝６１５８［ｎｍ］）は基準温度のとき（ｄ０＝６１５０［ｎｍ］）よりも増大する。しかしながら、最大効率深さＰｂ、Ｐｄ及びＰｃの増大量と比較してパターン深さｄ１５の増大量は僅かであり、パターン深さｄ１５と最大効率深さＰｂ、Ｐｄ及びＰｃとが離れてしまう。この結果、このパターン深さｄ１５における回折効率Ｅｂ１５、Ｅｄ１５及びＥｃ１５、すなわち光ピックアップ２０内の温度が基準温度から１５［℃］上昇した場合における３種の光ビーム４０に対するＤＶＤ用回折パターンＰＴｄの各回折効率は、基準温度のときと比較して小さくなってしまう。
【００３７】
同様に、図７に示すように、光ピックアップ２０内の温度が基準温度から３０［℃］上昇した場合には、光ビーム４０の波長及び回折素子２８の屈折率の変化はさらに大きくなるため、パターン深さｄ３０（ｄ＝６１６７［ｎｍ］）と最大効率深さＰｂ、Ｐｄ及びＰｃとがさらに離れることになる。この結果、このパターン深さｄ３０における回折効率Ｅｂ３０、Ｅｄ３０及びＥｃ３０、すなわち光ピックアップ２０内の温度が基準温度から３０［℃］上昇した場合における３種の光ビーム４０に対するＤＶＤ用回折パターンＰＴｄとしてのとしての各回折効率は、基準温度から１５［℃］上昇した場合（図６）と比較してさらに小さくなってしまう。
【００３８】
従って、図８に示すように、３種の光ビーム４０それぞれに対するＤＶＤ用回折パターンＰＴｄの回折効率は、基準温度から上昇するにつれて徐々に低下してしまう。
【００３９】
また図示しないが、光ピックアップ２０内の温度が基準温度から低下する場合にも同様であり、３種の光ビーム４０における回折効率は、基準温度から低下するにつれて徐々に低下してしまう。
【００４０】
この結果、例えば基準温度を２５［℃］とし、−５［℃］〜５５［℃］まで光ピックアップ２０内の温度を変化させた場合において、仮に一定の出射光強度でレーザダイオード２１から光ビームを出射したとすると、図９に示すように、光ディスク１００に照射されるときの光ビーム４０の光量（以下、これを照射光量と呼ぶ）は、温度変化に応じて変化してしまうことになる。
【００４１】
従って、本実施の形態における光ピックアップ２０では、後述する温度補償処理により、光ピックアップ２０内の温度変化に応じて、レーザダイオード２１から出射される光ビーム４０の出射光強度を調整するようにする。次に、この出射光強度の調整について説明する。
【００４２】
（２）光ビームの出射光強度の調整
上述したように、光ピックアップ２０は、ＡＰＣ用光検出器２４によって検出された受光量に基づいて生成されるＡＰＣ検出電流の電流値を予め設定された設定電流値と一致させるようにレーザダイオード２１からの光ビーム４０のレーザ光強度を調整する。
【００４３】
本実施の形態では、この設定電流値を光ピックアップ２０の温度変化に応じて補正することにより、温度変化に拘わらず光ビーム４０の光ディスク１００に対する照射光量がほぼ一定になるように、レーザダイオード２１から出射される光ビーム４０の出射光強度を変化させて調整する。
【００４４】
すなわち、光ピックアップ２０では、予め設定された基準電流値に対して光ピックアップ２０内の温度変化に応じて変化する電流値補正係数を乗算することによって設定電流値を算出することにより、設定電流値を温度変化に応じて補正する。
【００４５】
ここでは図示しないＲＯＭに、基準電流値と、電流値補正テーブルに登録された電流値補正係数とが工場出荷時に予め記憶されている。
【００４６】
この基準電流値としては、再生処理時に使用され、３種類の光ディスク１００（ＢＤ方式ディスク１００ｂ、ＤＶＤ方式ディスク１００ｄ及びＣＤ方式ディスク１００ｃ）に対応する３つの基準電流値が記憶されている。なお、この基準電流値の算出方法については後述する。
【００４７】
また電流値補正テーブルには、光ピックアップ２０が使用されると想定される温度範囲に対応する電流値補正係数が登録されている。ここでは、想定される温度範囲が−５［℃］以上５５［℃］未満（以下、−５〜５５［℃］と表示する）であり、電流値補正係数として、３種類の光ディスク１００それぞれに対して、１０［℃］刻みの６つの温度範囲（−５〜５［℃］、５〜１５［℃］、１５〜２５［℃］、２５〜３５［℃］、３５〜４５［℃］、４５〜５５［℃］）それぞれに対応する合計１８の電流値補正係数が登録されている。なおこの電流値補正係数の算出方法については後述する。
【００４８】
従って、光ピックアップ２０では、温度範囲に応じた電流値補正係数と基準電流値とが乗算されることにより、図１０に示すように、光ピックアップ２０内の温度に応じて補正された設定電流値が設定され、この設定電流値とＡＰＣ検出電流の電流値とが一致するようにレーザダイオード２１を制御することにより光ビーム４０の出射光強度を調整する。
【００４９】
この結果図１１に実線で示すように、光ピックアップ２０では、温度が変化した場合であっても、光ビーム４０の光ディスク１００に対する照射光量をほぼ一定にすることができ、再生ＲＦ信号及び各サーボ制御信号の信号レベルの低下を防止し得るようになされている。
【００５０】
なお便宜上、実際には３種類の光ディスク１００に応じた設定電流値及び出射光強度が存在するが、図１０及び図１１では、１種類の光ディスク１００についての設定電流値及び出射光強度を示している。
【００５１】
（３）検出信号に対する増幅率の調整
上述したように、光ピックアップ２０（図２）では、光ディスク１００に対して照射された光ビーム４０は、光ディスク１００で反射されてなる反射光ビーム５０として再度回折素子２８を通過し、光検出器３５に受光される。
【００５２】
このとき、光検出器３５における受光時の反射光ビーム５０の光量（以下、これを受光量と呼ぶ）は、反射光ビーム５０として回折素子２８を通過する際、光ビーム４０のときと同様に、温度変化に応じて回折素子２８の回折効率が変化することに起因して変化してしまうことになる。
【００５３】
ここで、光ディスク１００に照射される光ビーム４０の照射光量がほぼ一定に制御されている場合における温度変化に対する検出信号の信号レベルの変化を図１２に実線で示す。従来の光ビーム４０の出射光強度が一定となる場合（破線で示す）と比較して温度変化に対する受光量の変化は小さくなるものの、照射光量を一定にした場合であっても、温度変化に応じて検出信号の信号レベルが変化してしまうことがわかる。
【００５４】
この結果、光検出器３５によって生成される検出信号の信号レベルが変化するため、仮にこの検出信号を一定の設定増幅率で増幅検出信号として増幅した場合、この温度変化に応じて増幅検出信号の信号レベルが変化してしまう。
【００５５】
従って、本実施の形態における光ピックアップ２０では、後述する温度補償処理により光ピックアップ２０内の温度変化に応じて、増幅検出信号の信号レベルが温度変化に拘わらずほぼ一定になるように、検出信号に対する設定増幅率を補正する。
【００５６】
すなわち、光ピックアップ２０では、予め設定された基準増幅率に対し、光ピックアップ２０内の温度変化に応じて変化する増幅率補正係数を乗算することによって設定増幅率を算出することにより、設定増幅率を温度変化に応じて補正する。
【００５７】
ここでは上述した照射光量の調整と同様、図示しないＲＯＭに、基準増幅率と、増幅率補正テーブルに登録された増幅率補正係数とが工場出荷時に予め記憶されている。
【００５８】
この基準増幅率として、３種類の光ディスク１００（ＢＤ方式ディスク１００ｂ、ＤＶＤ方式ディスク１００ｄ及びＣＤ方式ディスク１００ｃ）それぞれに対応する合計３つの基準増幅率が設定されている。なお、この基準増幅率の算出方法については後述する。
【００５９】
また増幅率補正テーブルには、電流値補正係数と同様に３種類の光ディスク１００それぞれに対して、１０［℃］刻みの６つの温度範囲（−５〜５［℃］、５〜１５［℃］、１５〜２５［℃］、２５〜３５［℃］、３５〜４５［℃］、４５〜５５［℃］）にそれぞれ対応する合計１８の増幅率補正係数が登録されている。なおこの増幅率補正係数の算出方法については後述する。
【００６０】
従って、光ピックアップ２０では、温度範囲に応じた増幅率補正係数と基準増幅率とが乗算されることにより、光ピックアップ２０内の温度に応じて補正された設定増幅率で検出信号を増幅して増幅検出信号を生成する。
【００６１】
この結果図１３に示すように、光ピックアップ２０では、温度が変化した場合であっても、増幅検出信号の信号レベルをほぼ一定にすることができ、増幅検出信号から生成される再生ＲＦ信号及び各サーボ制御信号の信号レベルの低下を防止し得るようになされている。
【００６２】
（４）温度補償処理の内容
実際上、光ディスク装置１のシステムコントローラ２（図１）は、図示しない操作部への操作により、ユーザから光ディスク１００に対して再生する旨の命令がなされたことを認識すると、上述した再生処理を実行すると共に、レーザ制御部１２及び増幅処理部１１によって温度補償処理を実行する。
【００６３】
すなわち、システムコントローラ２のレーザ制御部１２は、光ディスク１００の種類に応じた基準電流値を電流値補正テーブルから選択する。
【００６４】
さらに、レーザ制御部１２は、光ピックアップ２０の温度センサ３９（図２）から所定供給時間ごとに随時供給される光ピックアップ２０内の温度情報によって光ピックアップ２０内の温度を認識し、光ピックアップ２０内の温度及び光ディスク１００の種類に応じた電流値補正係数を選択すると共に、電流値補正係数が選択された温度範囲をＲＡＭに一時記憶する。
【００６５】
レーザ制御部１２は、選択された基準電流値及び電流値補正係数を乗算することにより設定電流値を決定すると、ＡＰＣ用光検出器２４から供給されるＡＰＣ検出電流の電流値がこの設定電流値と一致するようにレーザダイオード２１へ供給する駆動電流を調整し、光ビーム４０の出射光強度を制御する。
【００６６】
さらにレーザ制御部１２は、温度センサ３９から供給時間ごとに供給される光ピックアップ２０内の温度情報を所定監視時間ごとに確認し、光ピックアップ２０内の温度がＲＡＭに記憶された現在設定されている設定電流値の基となる電流値補正係数の温度範囲内にない場合には、電流値補正テーブルから当該光ピックアップ２０内の温度に応じた電流値補正係数を新たに選択し、このとき選択された電流値補正係数の温度範囲をＲＡＭに一時記憶すると共に、新たに選択された当該電流値補正係数と現在選択中の基準電流値とを乗算して設定電流値とすることにより、設定電流値を変更する。
【００６７】
このように、レーザ制御部１２は、電流値補正テーブルから光ディスク１００の種類及び処理内容に応じて選択された基準電流値に対し、光ディスク１００の種類及び光ピックアップ２０内の温度に応じた電流値補正係数を乗算した設定電流値に基づいて光ビーム４０の出射光強度を調整するようにしたことにより、温度変化に応じて光ビーム４０の出射光強度を変化させることができ、温度変化に拘わらず光ビーム４０の光ディスク１００に対する照射光量をほぼ一定にすることができるようになされている。
【００６８】
また、光ピックアップ２０は、各光ディスク１００に対して初めて記録処理が実行される際には、光ビーム４０の出射光強度を変更して光ディスク１００に対する試書きを実行し、再生したときに最適とされた再生ＲＦ信号を試書きしたときに対応するＡＰＣ検出電流値を各光ディスク１００に対する基準電流値として各光ディスク１００に記憶させる、いわゆるＯＰＣ（Optimum Power Control）処理を実行するようになされている。
【００６９】
この場合、ＯＰＣ処理が基準温度もしくは基準温度付近で実行されるとは限らないため、光ピックアップ２０は、最適とされたＡＰＣ検出電流値に対して光ピックアップ２０内の温度に応じた電流値補正係数を除算し、この除算値を基準電流値として設定することにより、測定時の光ピックアップ２０内の温度の影響を小さくすることができる。
【００７０】
そして記録処理時において、光ピックアップ２０は、このＯＰＣ処理に基づく基準電流値に対して、再生処理時と同様に光ディスク１００の種類及び温度変化に対応する電流値補正係数を乗算して設定電流値とすればよい。このため、光ピックアップ２０は、光ピックアップ２０内の温度が変化した場合に再度ＯＰＣ処理をしなくても、温度変化に拘わらず光ディスク１００に対する光ビーム４０の照射光量をほぼ一定にすることが可能となる。
【００７１】
一方、システムコントローラ２の増幅処理部１１は、光ディスク１００の種類に応じた基準増幅率を増幅率補正テーブルから選択する。
【００７２】
さらに、増幅処理部１１は、光ピックアップ２０の温度センサ３９（図２）から所定供給時間ごとに随時供給される光ピックアップ２０内の温度情報によって光ピックアップ２０内の温度を認識し、光ピックアップ２０内の温度及び光ディスク１００の種類に応じた増幅率補正係数を選択すると共に、増幅率補正係数が選択されたときの温度範囲をＲＡＭに一時記憶する。
【００７３】
増幅処理部１１は、選択された基準増幅率及び増幅率補正係数を乗算することにより設定増幅率を算出すると、光検出器３５から供給される検出信号に対して当該設定増幅率を乗算して増幅検出信号を生成し、これを信号処理部６へ供給する。
【００７４】
さらに増幅処理部１１は、温度センサ３９から供給時間ごとに供給される光ピックアップ２０内の温度情報を所定監視時間ごとに確認し、光ピックアップ２０内の温度が現在設定されている設定増幅率の基となる増幅率補正係数の温度範囲内から外れた場合には、増幅率補正テーブルから当該光ピックアップ２０内の温度に応じた増幅率補正係数を新たに選択し、新たに選択された当該増幅率補正係数と現在選択中の基準増幅率とを乗算して設定増幅率とすることにより、設定増幅率を変更する。
【００７５】
このように、増幅処理部１１は、増幅率補正テーブルから光ディスク１００の種類に応じて選択された基準増幅率に対し、光ディスク１００の種類及び光ピックアップ２０内の温度に応じた増幅率補正係数を乗算した設定増幅率に基づいて検出信号を増幅するようにしたことにより、温度変化に応じて検出信号の設定増幅率を変化させることができ、温度変化に拘わらず増幅検出信号の信号レベルをほぼ一定にすることができるようになされている。
【００７６】
また、光ピックアップ２０は、各光ディスク１００に対して初めて記録処理が実行される際には、ＯＰＣ処理を実行して各光ディスク１００に対する基準電流値を設定すると共に、当該基準電流値で光ビーム４０を出射したときに得られた検出信号を最適な信号レベルに増幅するときの増幅率を基準増幅率として設定し、これらを各光ディスク１００に記録するようになされている。
【００７７】
この場合も光ピックアップ２０は、電流値補正係数のときと同様、最適とされた増幅率に対して光ピックアップ２０内の温度に応じた増幅率補正係数を除算し、この除算値を基準増幅率として設定することにより、測定時の光ピックアップ２０内の温度の影響を小さくすることができる。
【００７８】
そして記録処理時において、光ピックアップ２０は、ＯＰＣ処理に基づく基準増幅率に対して再生処理時と同様に光ディスク１００の種類及び温度変化に対応する増幅率補正係数を乗算して設定増幅率とすればよい。このため、光ピックアップ２０は、光ピックアップ２０内の温度が変化した場合に再度ＯＰＣ処理をしなくても、温度変化に拘わらず各光ディスク１００に対する増幅検出信号の信号レベルをほぼ一定にすることができるようになされている。
【００７９】
（５）電流値補正係数及び増幅率補正係数の算出
光ピックアップ２０では、まず基準電流値が算出され、この基準電流値が設定電流値として設定された状態で電流値補正係数及び基準増幅率が算出された後、この基準電流値、電流値補正係数及び基準増幅率が設定された状態で増幅率補正係数が算出されるようになされている。
【００８０】
（５−１）基準電流値及び基準増幅率の算出
この基準電流値及び基準増幅率は、レーザダイオード２１における出射光強度のばらつきが大きいため光ピックアップ２０ごとに測定される。
【００８１】
基準温度である２５［℃］において、光ディスク１００の代わりに測定用の測定用光検出器を載置し、この状態で所定の照射光量でレーザダイオード２１から光ビーム４０を出射し、このときのＡＰＣ検出電流の電流値と測定用光検出器から検出される測定用検出電流の電流値との比を表すカップリング効率を算出する。そしてこのカップリング効率から光ビーム４０の当該測定用光検出器に対する照射光量が所定の目標照射光量になるときのＡＰＣ検出電流値を算出し、これを基準電流値とする。
【００８２】
一方、基準増幅率は、例えば基準温度である２５［℃］において、設定電流値を基準電流値に固定した状態で光検出器３５に対する受光量に応じた検出信号を測定し、この検出信号の信号レベルが所定の目標信号レベルになる増幅率を算出し、これを基準増幅率とする。
【００８３】
（５−２）電流値補正係数及び増幅率補正係数の算出
個々の回折素子２８における回折効率のばらつきが小さいことから、電流値補正係数及び増幅率補正係数は光ピックアップ２０ごとに算出される必要はなく、例えば代表する一の光ピックアップ２０において実際に測定されることにより算出された電流値補正係数及び増幅率補正係数を同一構成でなる回折素子２８を有する光ピックアップ２０に共通の電流値補正係数として使用することができる。
【００８４】
すなわち、基準電流値と同様に光ディスク１００の代わりに測定用の測定用光検出器を載置し、設定電流値を予め測定した基準電流値に固定した状態で光ピックアップ２０内の温度を変化させた場合の照射光量を測定し、例えば図１４に示すような温度変化と照射光量との関係を得る。
【００８５】
次に、電流値補正係数が設定される各温度範囲の中心温度（０［℃］、１０［℃］、２０［℃］、３０［℃］、４０［℃］及び５０［℃］）における目標照射光量に対する照射光量の割合を算出し、この割合の逆数を各温度範囲における電流値補正係数とする。
【００８６】
これにより、各温度範囲の中心温度における照射光量を目標照射光量とすることができるため、各温度範囲内における照射光量の最小値及び最大値から目標照射光量までの変化量をほぼ最小限にすることができ、温度変化に拘わらず光ビーム４０の光ディスク１００に対する照射光量をほぼ一定にすることができる。
【００８７】
次いで、レーザ制御部１２に電流値補正テーブルが設定され、かつ設定増幅率が基準増幅率に固定された状態で光ピックアップ２０の温度を変化させ、このときの増幅検出信号を測定し、温度変化と増幅検出信号との関係を得る。
【００８８】
次に、電流値補正係数のときと同様に、設定される各温度範囲の中心温度における目標検出信号レベルに対する増幅検出信号の信号レベルの割合を算出し、この逆数を各温度範囲における増幅率補正係数とする。
【００８９】
この場合であっても、電流値補正係数のときと同様に、各温度範囲内における増幅検出信号における最小値及び最大値から目標信号レベルまでの変化量をほぼ最小限にすることができ、温度変化に拘わらず増幅検出信号の信号レベルをほぼ一定にすることができる。
【００９０】
（６）温度変化に対する温度補償処理手順
次に、上述した設定値の温度補償処理について、図１５のフローチャートを用いて説明する。
【００９１】
ユーザから光ディスク１００に対する処理（再生処理又は記録処理）を実行する旨の命令を認識すると、システムコントローラ２は、温度補償処理手順ＲＴ１を開始し、ステップＳＰ１へ移る。
【００９２】
ステップＳＰ１において、システムコントローラ２は、温度センサ３９から供給される温度情報によって光ピックアップ２０内の温度を認識すると、次のステップＳＰ２へ移る。
【００９３】
ステップＳＰ２において、システムコントローラ２は、光ディスク１００の種類及び処理に応じて基準電流値を選択すると共に、当該光ディスク１００の種類及び光ピックアップ２０内の温度に応じて電流値補正係数を選択し、基準電流値及び電流値補正係数を乗算した乗算値を設定電流値として設定すると、次のステップＳＰ３へ移る。
【００９４】
ステップＳＰ３において、システムコントローラ２は、光ディスク１００の種類及び光ディスク１００に対する処理に応じて基準増幅率を選択すると共に、当該光ディスク１００の種類及び光ピックアップ２０内の温度に応じて増幅率補正係数を選択し、基準増幅率及び増幅率補正係数を乗算した乗算値を設定増幅率として設定すると、次のステップＳＰ４へ移る。
【００９５】
ステップＳＰ４において、システムコントローラ２は、ユーザの命令に応じて再生又は記録処理を開始し、次のステップＳＰ５へ移る。
【００９６】
ステップＳＰ５において、システムコントローラ２は、所定の監視時間ごとに光ピックアップ２０内の温度を確認すると、次のステップＳＰ６へ移り、現在の光ピックアップ２０内の温度が、現在設定されている設定電流値及び設定増幅率の基となる電流値補正係数及び増幅率補正係数を選択したときの温度範囲内であるか否かについて判別する。
【００９７】
ここで、現在の光ピックアップ２０内の温度が電流値補正係数及び増幅率補正係数を選択したときの温度範囲内であると判別した場合、このことは光ビーム４０の出射光強度を変更する必要がないことを表しており、このときシステムコントローラ２は、次のステップＳＰ９へ移る。
【００９８】
これに対してステップＳＰ６において、現在の光ピックアップ２０内の温度が電流値補正係数及び増幅率補正係数を選択したときの温度範囲内でないと判別した場合、このことは光ディスク１００に対する照射光量が目標照射光量から大きく変化してしまっていることを表しており、このときシステムコントローラ２は、次のステップＳＰ７へ移る。
【００９９】
ステップＳＰ７において、システムコントローラ２は、光ピックアップ２０内の温度に応じて電流値補正係数を新たに選択し、現在の設定電流値の基となる基準電流値及び新たに選択された電流値補正係数を乗算した乗算値を設定電流値として設定することにより、設定電流値を変更すると、次のステップＳＰ８へ移る。
【０１００】
ステップＳＰ８において、システムコントローラ２は、光ピックアップ２０内の温度に応じて増幅率補正係数を新たに選択し、現在の設定増幅率の基となる基準増幅率及び新たに選択された増幅率補正係数を乗算した乗算値を設定増幅率として設定することにより、設定増幅率を変更すると、次のステップＳＰ９へ移る。
【０１０１】
ステップＳＰ９において、システムコントローラ２は、ユーザから処理の終了命令なされたか否かについて確認し、終了命令がなされていない場合には、ステップＳＰ５へ戻って光ピックアップ２０内の温度の監視を継続する一方、終了命令がなされていた場合には、次のステップＳＰ１０へ移り、光ディスク１００に対する処理を終了して温度補償処理手順ＲＴ１を終了する。
【０１０２】
なお、ステップＳＰ３及びステップＳＰ４については、その順序が入れ替わっても良く、また、同時に実行されるようにしても良い。ステップＳＰ７及びステップＳＰ８についても同様である。
【０１０３】
（７）動作及び効果
以上の構成において、光ディスク装置１におけるシステムコントローラ２のレーザ制御部１２は、予め記憶している第１の補正テーブルである電流値補正テーブルに基づいて設定され、光ピックアップ２０内の温度を表す温度情報に応じて変化する設定電流値と、光源であるレーザダイオード２１からの光ビーム４０の出射光強度を表すＡＰＣ検出電流の電流値とが一致するように光ビーム４０の出射光強度を調整することにより、光ディスク１００に照射される光ビーム４０の照射光量をほぼ一定にするようにした。
【０１０４】
これにより、光ピックアップ２０内の温度を補償することができ、例えば温度変化によって光ビーム４０の照射光量が大きくなってしまい、再生処理時に光ディスク１００の信号記録層からデータを消去してしまったり、記録処理時における照射光量が不足してデータが適切に書き込まれなかったりなどの温度変化に応じた照射光量の変化による各種エラーを防止でき、光ディスク装置１の動作を安定させることができる。
【０１０５】
また、光ディスク装置１におけるシステムコントローラ２の増幅処理部１１は、光ビーム４０が光ディスク１００で反射されてなる反射光ビーム５０の光検出器３５における受光量に応じて生成される検出信号に対する設定増幅率を、第２の補正テーブルである増幅率補正テーブルに基づいて温度変化に応じて変化させることにより、検出信号が増幅されることによって生成される増幅検出信号の信号レベルをほぼ一定にするようにした。
【０１０６】
これにより、光ピックアップ２０内の温度を補償することができ、増幅検出信号が大きくなって適切な再生ＲＦ信号が生成されなくなってしまったり、増幅検出信号が小さくなってサーボ制御信号が検出できなくなってしまうなど、温度変化に応じた受光量の変化による各種エラーを防止でき、信号レベルの変化による再生ＲＦ信号や各種サーボ信号の品質の低下を防止できる。
【０１０７】
以上の構成によれば、レーザ制御部１２は、光ビーム４０の出射光強度を表す検出電流としてのＡＰＣ検出電流の電流値が、予め記憶された電流値補正テーブルに基づく設定電流値と一致するようにレーザダイオード２１を制御すると共に、光ピックアップ２０内の温度変化に応じて当該設定電流値を変化させるようにしたため、光ディスク１００に照射される光ビーム４０の照射光量をほぼ一定にして再生ＲＦ信号や各種サーボ信号の品質を向上することができ、かくして光ピックアップ内の温度変化に対する動作の安定性を向上する光ピックアップ及び光ディスク装置を実現することができる。
【０１０８】
（８）他の実施の形態
なお上述の実施の形態においては、代表する一の光ピックアップ２０に対して実際に測定された温度特性から電流値補正係数及び増幅率補正係数を算出するようにした場合について述べたが、本発明はこれに限らず、シミュレーションによって算出された温度特性から算出するようにしても良い。
【０１０９】
また上述の実施の形態においては、各温度範囲の中心温度が表す照射光量が基準温度（２５［℃］）における照射光量と一致するように電流値補正係数を算出するようにした場合について述べたが、本発明はこれに限らず、例えば温度範囲における両端の温度と基準温度との中間（図１１では１０［℃］及び４０［℃］）におけるＡＰＣ検出電流を基準検出電流にしても上述した実施の形態と同様の効果を得ることができる。また、同様の処理によって基準増幅率補正係数を設定しても良い。
【０１１０】
さらに上述の実施の形態においては、各温度範囲の中心温度が表す照射光量が基準温度（２５［℃］）における照射光量と一致するように電流値補正係数を算出するようにした場合について述べたが、本発明はこれに限らず、各温度範囲における照射光量の最小値及び最大値の中心値を算出し、当該中心値における照射光量が基準温度における照射光量と一致するようにしても良い。また、同様の処理によって増幅率補正係数の温度範囲を決定しても良い。これにより、各温度範囲における照射光量の変化量を一段と小さくすることができる。
【０１１１】
さらに上述の実施の形態においては、予め定められた温度範囲ごとに電流値補正係数を設定するようにした場合について述べたが、本発明はこれに限らず、例えば測定によって得られた温度に対する照射光量の値に対して、照射光量の変化量が均一になるように等分し、このときの温度を基準に電流値補正係数の温度範囲を決定するようにしても良い。また、同様の処理によって増幅率補正係数の温度範囲を決定しても良い。これにより、各温度範囲内における照射光量の変化量を一段と小さくすることができる。
【０１１２】
さらに上述の実施の形態においては、光ディスク１００の種類に応じた電流値補正係数及び増幅率補正係数を選定するようにした場合について述べたが、本発明はこれに限らず、種類の異なる光ディスク１００に対して同一の電流値補正係数を使用するようにしても良い。
【０１１３】
この場合、許容される照射光量の変化量は光ディスク１００の種類によって異なるため、許容される照射光量の変化量が最も少ない光ディスク１００における電流値補正係数を共通の電流値補正係数として使用する。これにより、温度のみに応じて電流値補正係数を選定すればよいため、レーザ制御部１２の処理負荷を軽減することができる。また、増幅率補正係数についても同様に、種類の異なる光ディスク１００に対して同一の増幅率補正係数を使用することができる。
【０１１４】
さらに上述の実施の形態においては、レーザ制御部１２は分離部であるビームスプリッタ２２によって分離された光ビーム４０の一部をＡＰＣ用検出器２４で受光し、このときの受光量に応じたＡＰＣ検出電流値が設定電流値になるようにレーザダイオード２１に供給する駆動電流を生成することにより、光ビーム４０の出射光量を温度変化に応じて変化させるようにした場合について述べたが、本発明はこれに限らず、例えば単に温度変化に応じてレーザダイオード２１に供給する駆動電流を変化するようにしても良い。
【０１１５】
さらに上述の実施の形態においては、基準電流値に対して電流値補正係数を乗算することにより、設定電流値を算出するようにした場合について述べたが、本発明はこれに限らず、例えば予め温度変化に応じた検出電流値を電流値補正テーブルに登録しておき、当該電流値補正テーブルから温度に応じて選定された検出電流値を設定電流値としても上述した実施の形態と同様の効果を得ることができる。また、増幅率補正係数についても同様に、増幅率補正テーブルから温度に応じて選定された増幅率を設定増幅率とすることができる。
【０１１６】
さらに上述の実施の形態においては、電流値補正係数の温度範囲と増幅率補正係数の温度範囲とを１０［℃］刻みの同一範囲に設定するにようにした場合について述べたが、本発明はこれに限らず、例えば増幅率補正係数の温度範囲を電流値補正係数の１／２（５［℃］刻み）にすることにより、回折素子２８を２度通過することにより、温度変化に対する変化幅が一段と大きくなる増幅検出信号における信号レベルの変化を一段と小さくすることができる。
【０１１７】
さらに上述の実施の形態においては、レーザ制御部１２及び増幅処理部１１をシステムコントローラ２の一部に設けるようにした場合について述べたが、本発明はこれに限らず、光ピックアップ２０内に設けるようにしても良い。この場合、レーザ制御部１２及び増幅処理部１１とシステムコントローラ２とが接続されるようにする。
【０１１８】
さらに上述の実施の形態においては、温度センサ３９は光ピックアップ２０内に設置され、その設置場所については限定しないようにした場合について述べたが、本発明はこれに限らず、照射光量及び検出信号の信号レベルの変化を引き起こす回折素子２８の近傍、好ましくは回折素子２８及びレーザダイオード２１の近傍に温度センサ３９を設置することにより、精度高く温度補償処理を実行することができる。
【０１１９】
さらに上述の実施の形態においては、回折素子２８によって光ビーム４０の一部を分離し、ＡＰＣ用光検出器２４によってその光量を検出するようにした場合について述べたが、本発明はこれに限らず、レーザダイオード２１からその背面へ漏れる光量を所定の第１の光検出器によって検出する、いわゆるリアモニターを使用するようにしても良い。この場合であっても上述した実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【０１２０】
さらに上述の実施の形態においては、回折素子としての回折素子２８と、対物レンズとしての対物レンズ３０と、分離部としてのビームスプリッタ２２と、第１の光検出部としてのＡＰＣ用光検出器２４と、光ビーム制御部としてのレーザ制御部１２と、温度センサ部としての温度センサ３９と、記憶部としてのＲＯＭとによって光ディスク装置としての光ディスク装置１を構成するようにした場合について述べたが、本発明はこれに限らず、その他種々の構成でなる回折素子と、対物レンズと、分離部と、第１の光検出部と、温度センサ部と、記憶部とによって本発明の光ディスク装置を構成するようにしても良い。
【０１２１】
さらに上述の実施の形態においては、回折素子２８と、対物レンズ３０と、ビームスプリッタ２２と、ＡＰＣ用光検出器２４と、レーザ制御部１２と、温度センサ３９と、ＲＯＭと、第２の光検出部としての光検出器３５と、増幅処理部としての増幅処理部１１とによって光ディスク装置１を構成するようにした場合について述べたが、本発明はこれに限らず、その他種々の構成でなる回折素子と、対物レンズと、分離部と、第１の光検出部と、温度センサ部と、記憶部と、第２の光検出部と、増幅処理部とによって本発明の光ディスク装置を構成するようにしても良い。
【産業上の利用可能性】
【０１２２】
本発明の光ピックアップ及び光ディスク装置は、例えば各種電子機器に搭載される各種方式に対応する光ディスクドライブに利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１２３】
【図１】光ディスク装置の全体構成を示す略線図である。
【図２】光ピックアップの構成を示す略線図である。
【図３】回折素子の構成を示す略線図である。
【図４】基準温度における回折効率を示す略線的グラフである。
【図５】レーザダイオード及び回折素子の温度特性を示すテーブルである。
【図６】１５℃上昇時の回折効率を示す略線的グラフである。
【図７】３０℃上昇時の回折効率を示す略線的グラフである。
【図８】基準温度からの温度変化に対する回折効率を示す略線的グラフである。
【図９】出射光量を一定にした場合の温度と照射光量の関係を示す略線的グラフである。
【図１０】設定電流値を示す略線図である。
【図１１】本発明における温度変化と照射光量との関係を示す略線的グラフである。
【図１２】設定増幅率を一定にした場合の温度と検出信号との関係を示す略線的グラフである。
【図１３】本発明における温度と検出信号との関係を示す略線的グラフである。
【図１４】電流値補正係数の算出の説明に供する略線図である。
【図１５】温度補償処理手順を示す略線図である。
【符号の説明】
【０１２４】
１……光ディスク装置、２……システムコントローラ、３……サーボ制御回路、４……スピンドルモータ、５……送りモータ、６……信号制御部、１１……増幅処理部、１２……レーザ制御部、２０……光ピックアップ、２１……レーザダイオード、２２……ビームスプリッタ、２４……ＡＰＣ用光検出器、２８……回折素子、３０……対物レンズ、３５……光検出器、３９……温度センサ、１００……光ディスク。
【図１】
2008016124.tif 000003
【図２】
2008016124.tif 000004
【図３】
2008016124.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2008016124.tif 000009
【図８】
2008016124.tif 000010
【図９】
2008016124.tif 000011
【図１０】
2008016124.tif 000012
【図１１】
2008016124.tif 000013
【図１２】
2008016124.tif 000014
【図１３】
2008016124.tif 000015
【図１４】
2008016124.tif 000016
【図１５】
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