(57)【要約】【課題】  特に、密閉空間内での吸湿性を向上させ、前記密閉空間内に配置される櫛歯状電極等の所定の機能部の劣化を抑制することが可能な電子部品及びその製造方法を提供することを目的としている。【解決手段】  実装基板１１とベース基板１２と、その間に密閉された空間Ｓを設けるための封止部材１４と、を有し、前記空間Ｓ内では、前記ベース基板１２の前記実装基板１１と対向する対向面に櫛歯状電極１５が形成され、前記実装基板１１の前記ベース基板１２と対向する対向面の少なくとも一部には吸湿剤２０が設けられている。したがって前記密閉空間Ｓ内での吸湿性を従来よりも効果的に向上させることが可能であり、前記櫛歯状電極１５の酸化を適切に防止できる。また、前記吸湿剤２０を、前記実装基板１１と前記ベース基板１２間の密閉空間Ｓ内に設けることで、弾性表面波デバイス１０の小型化を促進できる。【選択図】図１
2008016909.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の工程を有することを特徴とする電子部品の製造方法。
（ａ）  実装基板のベース基板との対向領域上の少なくとも一部に、ゲル状である吸湿剤の前駆体を印刷形成する工程、
（ｂ）  前記前駆体を加熱して前記実装基板上に前記吸湿剤を形成する工程、
（ｃ）  表面に機能部が形成された前記ベース基板を、前記実装基板の前記吸湿剤上にて、前記機能部を前記実装基板側に向け、且つ前記実装基板との間に空間を空けた状態で対向配置する工程、
（ｄ）  前記空間を密閉する封止部材を設け、前記空間内に前記機能部及び前記吸湿剤を位置させる工程、
【請求項２】
前記（ａ）工程にて、前記吸湿剤の前駆体を、少なくとも、前記機能部と対向する前記実装基板上に印刷形成する請求項１記載の電子部品の製造方法。
【請求項３】
前記（ａ）工程にて、前記吸湿剤の前駆体を、前記機能部及び前記ベース基板の対向面の周囲と対向する前記実装基板上に同時に印刷形成する請求項２記載の電子部品の製造方法。
【請求項４】
前記（ｃ）工程は、前記ベース基板を前記実装基板上に接続導体部を介して導通接続する工程を含み、前記（ａ）及び（ｂ）工程にて、前記吸湿剤を、前記ベース基板と対向する対向領域のうち、前記接続導体部の形成領域を除く領域の少なくとも一部に形成する請求項１ないし３のいずれかに記載の電子部品の製造方法。
【請求項５】
前記（ａ）工程にてシリカゲル前駆体を印刷形成し、前記（ｂ）工程の加熱処理にてシリカゲルを前記実装基板上に形成する請求項１ないし４のいずれかに記載の電子部品の製造方法。
【請求項６】
前記（ａ）工程の前記実装基板を、複数のベース基板を配置可能な大きさで形成し、
前記（ａ）及び（ｂ）工程にて、各ベース基板との対向領域上の少なくとも一部に、前記吸湿剤を設け、
前記（ｃ）工程にて、複数のベース基板を前記実装基板上に対向配置し、
前記（ｄ）工程の前記封止部材にて、各ベース基板と実装基板との間に設けられた各空間を密封して各空間内に前記機能部及び前記吸湿剤を配置し、その後、
（ｅ）  各ベース基板ごとに少なくとも前記実装基板を切断して、複数の電子部品に個片化する工程、
を含む請求項１ないし５のいずれかに記載の電子部品の製造方法。
【請求項７】
前記封止部材を樹脂でモールド形成する請求項１ないし６のいずれかに記載の電子部品の製造方法。
【請求項８】
前記ベース基板を、圧電基板で形成し、前記機能部を、櫛歯状電極で形成する請求項１ないし７のいずれかに記載の電子部品の製造方法。
【請求項９】
実装基板と、前記実装基板と対向するベース基板と、前記実装基板と前記ベース基板との間に密閉された空間を設けるための封止部材と、を有し、
前記空間内では、前記ベース基板の前記実装基板と対向する対向面に機能部が形成され、前記実装基板の前記ベース基板と対向する対向面の少なくとも一部には吸湿剤が設けられていることを特徴とする電子部品。
【請求項１０】
前記吸湿剤は、少なくとも前記機能部の形成領域と対向する箇所に設けられる請求項９記載の電子部品。
【請求項１１】
前記吸湿剤は、前記ベース基板の前記対向面の周囲と対向する箇所にも設けられる請求項１０記載の電子部品。
【請求項１２】
前記吸湿剤は、前記ベース基板と対向する対向領域のうち、前記実装基板と前記ベース基板との接続導体部の形成領域を除く領域の少なくとも一部に形成される請求項９ないし１１のいずれかに記載の電子部品。
【請求項１３】
前記吸湿剤は、前記封止部材に比べて吸湿性に優れる請求項９ないし１２のいずれかに記載の電子部品。
【請求項１４】
前記吸湿剤は、多孔質物質で形成される請求項９ないし１３のいずれかに記載の電子部品。
【請求項１５】
前記吸湿剤は、シリカゲルで形成される請求項１４記載の電子部品。
【請求項１６】
前記ベース基板は、圧電基板で形成され、前記機能部は、櫛歯状電極で形成される請求項９ないし１５のいずれかに記載の電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば弾性表面波デバイス等の電子部品に係わり、特に、密閉空間内での吸湿性を向上させ、前記密閉空間内に配置される櫛歯状電極等の機能部の劣化を抑制することが可能な電子部品の製造方法及び、電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
以下の特許文献１には弾性波装置に関する発明が記載されている。例えば特許文献１では、筐体６上に圧電基板１が振動空間Ｐを空けて対向配置されている。前記圧電基板１の下面には櫛歯状の励振電極５が配置され、前記励振電極５は、前記振動空間Ｐ内に設けられる。
【０００３】
特許文献１では、前記振動空間Ｐが設けられている側とは逆側にあたる前記圧電基板１の上面と蓋体７の下面間に、吸湿材を含む第２接着剤９を介在させている。
【特許文献１】特開２００２−２６１５７８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１では上記構成により、長期気密性が良好であり、湿度雰囲気にも励振電極の金属が酸化されにくい等と記載されている（例えば特許文献１の［発明の効果］欄を参照されたい）。
【０００５】
しかし特許文献１に記載された発明には以下の問題点であった。
まず第一に、前記振動空間Ｐに流入した水分を適切に前記第２接着剤９で吸湿できず、前記励振電極５の酸化を適切に保護できない。たしかに、前記第２接着剤９を設けたことで、前記筐体６と前記蓋体７との間に設けられた密閉空間（振動空間Ｐのみならず、第２接着剤９の周囲に設けられた空間等も全て含む）内に流入した前記水分は、前記第２接着剤９に吸湿され、前記密閉空間内での水分量を従来に比べて減らすことが可能であるが、特許文献１に記載された形態では、水分がいったん前記励振電極５が設けられている前記振動空間Ｐ内に入ってしまうと、前記振動空間Ｐから離れた位置にある第２接着剤９では十分に水分を吸湿できず、前記励振電極５の酸化を適切に防止できない。
【０００６】
第二に、前記弾性波装置の小型化を促進できない。特許文献１の図１に示す形態では、前記弾性波装置の薄型化を促進できない。また特許文献１の図２に示す形態では、前記弾性波装置の平面形状の大きさを小さくできない。
【０００７】
第三に、特許文献１に記載された発明では、第２接着剤９を加熱処理する際の熱的影響が前記圧電基板１及び励振電極５に及ぼされ、特性劣化が生じやすい。
【０００８】
そこで本発明は上記従来の課題を解決するためのものであり、特に、密閉空間内での吸湿性を向上させ、前記密閉空間内に配置される櫛歯状電極等の機能部の劣化を抑制することが可能な電子部品の製造方法、及び電子部品を提供することを目的としている。
【０００９】
また本発明は、簡単な方法で吸湿剤を薄く形成でき、電子部品の薄型化を促進できるとともに、前記吸湿剤の形成の際の熱的影響がベース基板及び機能部に及ぼされることがない電子部品の製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明における電子部品の製造方法は、以下の工程を有することを特徴とするものである。
【００１１】
（ａ）  実装基板のベース基板との対向領域上の少なくとも一部に、ゲル状である吸湿剤の前駆体を印刷形成する工程、
（ｂ）  前記前駆体を加熱して前記実装基板上に前記吸湿剤を形成する工程、
（ｃ）  表面に機能部が形成された前記ベース基板を、前記実装基板の前記吸湿剤上にて、前記機能部を前記実装基板側に向け、且つ前記実装基板との間に空間を空けた状態で対向配置する工程、
（ｄ）  前記空間を密閉する封止部材を設け、前記空間内に前記機能部及び前記吸湿剤を位置させる工程、
本発明では、上記工程により、前記実装基板側に吸湿剤を適切且つ容易に形成でき、最終的には密閉空間内に前記吸湿剤を配置できる。よって前記密閉空間内にて吸湿性に優れた電子部品を適切且つ容易に形成できるとともに、前記電子部品を小型に形成できる。
【００１２】
また前記（ａ）、（ｂ）工程で、前記吸湿剤を前記実装基板上に形成した後、前記（ｃ）工程で、機能部を有するベース基板を前記実装基板上に対向配置するので、例えば前記吸湿剤の形成に関し熱処理が必要な場合、その熱的影響は前記ベース基板及び機能部に及ぼされることがなく、前記ベース基板及び機能部の特性を劣化させることなく前記電子部品を製造することが可能である。
【００１３】
しかも、上記のように吸湿剤をまずゲル状の前駆体の状態にて実装基板上に印刷し、その後、加熱処理を行って前記前駆体を吸湿剤に形成することで、前記吸湿剤を簡単な方法で所定位置に形成できるとともに、前記吸湿剤を薄い膜厚で形成でき、さらに前記吸湿剤の前記実装基板上での密着性を適切に向上させることが可能である。
【００１４】
また本発明では、前記（ａ）工程にて、前記吸湿剤の前駆体を、少なくとも、前記機能部と対向する前記実装基板上に印刷形成することが好ましい。
【００１５】
また本発明では、前記（ａ）工程にて、前記吸湿剤の前駆体を、前記機能部及び前記ベース基板の対向面の周囲と対向する前記実装基板上に同時に印刷形成することが好ましい。これにより、前記密閉空間内での吸湿性を適切に向上させることが出来るとともに、前記（ｄ）工程で設けられる封止部材が前記密閉空間内に流入するのを防止できる電子部品を簡単に製造できる。
【００１６】
また本発明では、前記（ｃ）工程は、前記ベース基板を前記実装基板上に接続導体部を介して導通接続する工程を含み、前記（ａ）及び（ｂ）工程にて、前記吸湿剤を、前記ベース基板と対向する対向領域のうち、前記接続導体部の形成領域を除く領域の少なくとも一部に形成することが好ましい。
【００１７】
本発明では、前記（ａ）工程にてシリカゲル前駆体を印刷形成し、前記（ｂ）工程の加熱処理にてシリカゲルを前記実装基板上に形成することが好ましい。これにより、簡単に薄い膜厚の吸湿剤を形成できるとともに前記実装基板間との密着性を良好な状態にできる。
【００１８】
また本発明では、前記（ａ）工程の前記実装基板を、複数のベース基板を配置可能な大きさで形成し、
前記（ａ）及び（ｂ）工程にて、各ベース基板との対向領域上の少なくとも一部に、前記吸湿剤を設け、
前記（ｃ）工程にて、複数のベース基板を前記実装基板上に対向配置し、
前記（ｄ）工程の前記封止部材にて、各ベース基板と実装基板との間に設けられた各空間を密封して各空間内に前記機能部及び前記吸湿剤を配置し、その後、
（ｅ）  各ベース基板ごとに少なくとも前記実装基板を切断して、複数の電子部品に個片化する工程、
を含むことが、一度に複数の電子部品を製造できて好ましい。
【００１９】
また本発明では、前記封止部材を樹脂でモールド形成することが、簡単且つ適切に前記実装基板とベース基板間を封止できて好ましい。
【００２０】
また本発明では、前記ベース基板を、圧電基板で形成し、前記機能部を、櫛歯状電極で形成することが好ましい。
【００２１】
本発明における電子部品は、実装基板と、前記実装基板と対向するベース基板と、前記実装基板と前記ベース基板との間に密閉された空間を設けるための封止部材と、を有し、
前記空間内では、前記ベース基板の前記実装基板と対向する対向面に所定の機能部が形成され、前記実装基板の前記ベース基板と対向する対向面の少なくとも一部には吸湿剤が設けられていることを特徴とするものである。
【００２２】
本発明では、前記吸湿剤を密閉空間内であって、しかも実装基板側に設けている。したがって前記密閉空間内での吸湿性を従来よりも効果的に向上させることが可能であり、前記機能部の酸化を適切に防止できる。
【００２３】
また、前記吸湿剤を、前記実装基板と前記ベース基板間の密閉空間内に設けることで、前記電子部品の小型化を促進できる。
【００２４】
本発明では、前記吸湿剤は、少なくとも前記機能部の形成領域と対向する箇所に設けられることが、より効果的に吸湿性を高めて、前記機能部の酸化をより適切に防止できて好ましい。
【００２５】
このとき、前記吸湿剤は、前記ベース基板の前記対向面の周囲と対向する箇所にも設けられることが、前記封止部材の前記密閉空間内への流入を防ぐことができ、より好ましい。
【００２６】
あるいは、本発明では、前記吸湿剤は、前記ベース基板と対向する対向領域のうち、前記実装基板と前記ベース基板との接続導体部の形成領域を除く領域の少なくとも一部に形成されることが好ましい。
【００２７】
また本発明では、前記吸湿剤は、前記封止部材に比べて吸湿性に優れることが好ましい。
【００２８】
また本発明では、前記吸湿剤は、多孔質物質で形成されることが好ましい。これにより、前記密閉空間内での吸湿性をより効果的に高めることが出来る。具体的には、前記吸湿剤は、シリカゲルで形成されることが好ましい。本発明における製造方法では、前記シリカゲルを薄い膜厚で形成できるので、前記密閉空間の間隔を広げることなく、前記密閉空間内に前記シリカゲルを配置でき、前記電子部品の小型化を促進できる。
【００２９】
本発明では例えば、前記ベース基板は、圧電基板で形成され、前記機能部は、櫛歯状電極で形成される。すなわち本発明の電子部品は弾性表面波デバイスである。弾性表面波デバイスでは、前記櫛歯状電極に弾性表面波を伝播させるために、圧電基板と実装基板間に密閉空間が形成されるが、本発明では前記密閉空間内であって前記実装基板の前記圧電基板との対向面に吸湿剤を設けることで、前記密閉空間内での吸湿性を向上でき、前記櫛歯状電極の酸化を適切に防止できる。また前記弾性表面波デバイスの小型化を適切に促進できる。
【発明の効果】
【００３０】
本発明の製造方法では、実装基板側に吸湿剤を適切且つ容易に形成でき、最終的には密閉空間内にベース基板に配置された機能部及び前記吸湿剤を配置できる。よって前記密閉空間内にて吸湿性に優れた電子部品を適切且つ容易に形成できるとともに、前記電子部品を小型に形成できる。
【００３１】
また本発明では、前記吸湿剤を前記実装基板上に形成した後、機能部を有するベース基板を前記実装基板上に対向配置するので、例えば前記吸湿剤の形成に関し熱処理が必要な場合、その熱的影響は前記ベース基板及び機能部に及ぼされることがなく、前記ベース基板及び機能部の特性を劣化させることなく前記電子部品を製造することが可能である。
【００３２】
特に本発明では、シリカゲル前駆体を、実装基板上に形成した後、加熱して吸湿剤であるシリカゲルを形成する方法とすることで、前記吸湿剤をより適切に薄い膜厚で所定領域上に形成できる。また前記シリカゲルを前記実装基板上に密着性に優れた状態で配置できる。
【００３３】
本発明における電子部品は、実装基板と、前記実装基板と対向するベース基板と、前記実装基板と前記ベース基板との間に密閉された空間を設けるための封止部材と、を有し、前記空間内では、前記ベース基板の前記実装基板と対向する対向面に所定の機能部が形成され、前記実装基板の前記ベース基板と対向する対向面の少なくとも一部には吸湿剤が設けられていることを特徴とするものである。
【００３４】
本発明では、前記吸湿剤を密閉空間内であって、しかも実装基板側に設けている。したがって前記密閉空間内での吸湿性を従来よりも効果的に向上させることが可能であり、前記機能部の酸化を適切に防止できる。
【００３５】
また、前記吸湿剤を、前記実装基板と前記ベース基板間の密閉空間内に設けることで、前記電子部品の小型化を促進できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３６】
図１は本実施形態の電子部品を厚さ方向から切断した部分断面図である。
図１に示す電子部品１０は、弾性表面波デバイス（以下、弾性表面波デバイス１０と称する）である。前記弾性表面波デバイス１０は、例えば移動体通信端末に実装されるフィルタ、共振器またはデュプレクサを小型化するために非常に適した素子として利用される。
【００３７】
図１に示すように、前記弾性表面波デバイス１０は、実装基板１１と前記実装基板１１上に対向対置された圧電材料で形成されたベース基板１２と、前記ベース基板１２の上面１２ｂから側方に向けて形成され前記実装基板１１と前記ベース基板１２との間に密閉された空間Ｓを形成するための封止部材１４とを有して構成される。前記実装基板１１は、前記ベース基板１２よりも平面形状において一回り大きい大きさで形成されており、図２に示すように、前記実装基板１１には前記ベース基板１２よりも幅方向（図示Ｘ方向）及び長さ方向（幅方向と直交する方向、図示Ｙ方向）に延出する延出部１１ｃが設けられている。
【００３８】
前記ベース基板１２の下面（実装基板１１との対向面）１２ａには、導電性の材料で形成された少なくとも一対の櫛歯状電極（ＩＤＴ（インタディジタルトランスデューサ）電極）１５が形成されている。前記櫛歯状電極１５の端部には端子電極１６，１６が形成される。また図示していないが、前記一対の櫛歯状電極１５の両側には反射電極が設けられている。ここで本実施形態における「機能部」は、所定の回路パターンで形成された少なくとも櫛歯状電極１５と定義される。なお、前記「機能部」に、前記櫛歯状電極１５のほか、反射電極、あるいは、端子電極１６、又は、前記反射電極及び端子電極１６の双方を含めることを除外しない。
【００３９】
前記端子電極１６と前記実装基板１１のランド部３０（図２を参照）とはバンプ状の接続導体部２２を介して電気的に接続されている。前記接続導体部２２は例えば半田で形成される。
【００４０】
前記ベース基板１２は、ＬｉＴａＯ３又は、ＬｉＮｂＯ３等の圧電セラミック材料で形成される。
【００４１】
前記櫛歯状電極１５は、例えばＡｌ層又はＡｌ合金層で形成される。前記櫛歯状電極１５の材質及び構造は上記のものに限定されない。
【００４２】
図３（櫛歯状電極１５の部分拡大断面図）に示すように、前記櫛歯状電極１５の表面は、絶縁保護層２３によって覆われている。前記絶縁保護層２３は例えばＳｉＯ２である。前記絶縁保護層２３は例えばスパッタ法等で前記櫛歯状電極１５の表面から各櫛歯状電極１５間に露出するベース基板１２表面にかけて形成される。前記絶縁保護層２３の形成は本形態において必須ではない。すなわち前記絶縁保護層２３は形成されなくてもよい。特に本形態では前記絶縁保護層２３を設けなくても、適切に前記櫛歯状電極１５の劣化を抑制することが可能である。
【００４３】
図１に示す実装基板１１は、絶縁基板であり、例えば積層セラミック基板である。前記実装基板１１の上面１１ａ（前記ベース基板１２との対向面）は前記ベース基板１２の実装面であり、前記実装基板１１には、前記上面１１ａから下面１１ｂに通じるビアホール１７が形成され、前記ビアホール１７内に導通部１８が充填されている。前記実装基板１１の下面１１ｂには前記導通部１８と電気的に接続された接点１９が設けられ、前記接点１９と前記ベース基板１２の下面１２ａに設けられた端子電極１６間が前記導通部１８，接続導体部２２を介して電気的に接続されている。
【００４４】
前記封止部材１４は樹脂で形成されることが好適である。樹脂は熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂の別を問わない。前記封止部材１４は例えばエポキシ樹脂やポリイミド樹脂である。前記封止部材１４は前記ベース基板１２の上面１２ｂから側面に密着して形成されるとともに、さらに、前記実装基板１１の延出部１１ｃ上に密着して形成されている。
【００４５】
図１に示す形態では、前記ベース基板１２の下面１２ａと前記実装基板１１の上面１１ａとの間に密閉された空間Ｓ（以下、密閉空間Ｓと称する場合がある）が設けられ、前記密閉空間Ｓ内は、前記櫛歯状電極１５の振動空間である。そして、この密閉空間Ｓ内であって、前記実装基板１１の上面１１ａには吸湿剤２０が設けられている。前記吸湿剤２０は、前記櫛歯状電極１５と接触しない厚さで形成されている。すなわち前記密閉空間Ｓの間隔がＨ１で、前記櫛歯状電極１５の厚さがＨ２（なお図３における絶縁保護層２３が設けられている形態では前記絶縁保護層２３の膜厚も含む。図３も参照）である場合には、前記吸湿剤２０の厚さＨ３は、Ｈ１−Ｈ２よりも小さい値である。前記密閉空間Ｓの間隔Ｈ１は２０〜７０μｍ程度で形成され、前記櫛歯状電極１５の厚さＨ２は０．０５〜１μｍ程度で形成され、前記吸湿剤２０の厚さＨ３は１５〜６０μｍ程度で形成される。
【００４６】
前記吸湿剤２０の物性について説明する。前記吸湿剤２０は、前記封止部材１４に比べて吸湿性に優れることが好ましい。例えば吸湿性は吸湿による重量変化率で評価される。
【００４７】
上記したように封止部材１４は例えば樹脂で形成されるが、前記封止部材１４による気密性は、長期間の使用によって、さらには高湿度環境下により低くなり、空気中の水分が、前記封止部材１４を介して前記密閉空間Ｓ内に流入する場合でも、本形態では、前記封止部材１４よりも吸湿性に優れた前記吸湿剤２０が密閉空間Ｓに設けられているので、前記水分は前記吸湿剤２０に適切に吸湿される。
【００４８】
前記吸湿剤２０は、無機絶縁材料であることが好ましい。また潮解しないことが必要である。特に多孔質物質であることが表面積が広く高い吸湿性を得ることができ好適である。前記吸湿剤２０には例えばシリカゲル、ゼオライト、活性炭、酸化カルシウム等が挙げられるが、このうち特にシリカゲルを吸湿剤２０として用いることが好ましい。前記シリカゲルは、ＳｉＯ２・ｎＨ２Ｏの化学式で示され、ガラス状であり多孔質の固体である。前記吸湿剤２０にシリカゲルを用いることで、前記吸湿剤２０の厚さＨ３を薄い膜厚で形成でき、よって前記吸湿剤２０の形成によって前記密閉空間Ｓの間隔Ｈ１を広げる必要性がない。したがって前記弾性表面波デバイス１０の薄型化を促進できる。前記吸湿剤２０が薄い膜厚であっても多孔質であることにより上記したように表面積は大きく、よって吸湿性に優れている。また前記吸湿剤２０と実装基板１１間の密着性を良好に出来る。
【００４９】
またシリカゲルを吸湿剤２０として用いると後述する製造方法で説明するように前記吸湿剤２０を印刷工程及び焼成工程により所定領域に容易且つ適切に密着性良く形成できる。例えばＳｉＯ２等の無機絶縁材料を、前記実装基板１１の上面１１ａにスパッタ法等で形成する形態では、エッチング工程等が必要になり製造工程が煩雑化すること、また実装基板１１の上面１１ａがエッチングの影響等により劣化しやすくなるが、本形態ではそのような問題が生じない。
【００５０】
前記吸湿剤２０の形成領域について説明する。図１に示す形態では、前記櫛歯状電極１５の形成領域と対向する箇所に吸湿剤２０ａが設けられている。これにより、前記櫛歯状電極１５に最も近い箇所に前記吸湿剤２０を設けることができ、前記櫛歯状電極１５の酸化による劣化をより効果的に防止することが出来る。さらに図１に示す形態では、前記ベース基板１２の下面１２ａの周囲と対向する箇所に囲み形状の吸湿剤２０ｂが設けられている。前記吸湿剤２０ｂは、製造過程において、前記封止部材１４が前記密閉空間Ｓ内に入り込むのを防ぐ塞き止め部（ダム）としても機能している。
【００５１】
図２は、本形態の実装基板１１の平面図（図１は図２に示すＡ−Ａ線を厚さ方向に切断し矢印方向から見た断面図である）である。図２に示す点線の櫛歯状電極１５は、前記実装基板１１上における対向位置を示している。
【００５２】
図２に示すように実装基板１１の上面１１ａには、導電性のランド部３０が設けられ、各ランド部３０上に前記ベース基板１２と電気的に接続される接続導体部２２が形成される。図２に示すように、前記接続導体部２２の形成領域及びその周辺部を除く領域２２ａに前記吸湿剤２０が形成されている。少なくとも前記接続導体部２２の形成領域を除いて前記吸湿剤２０を形成すればよいが、前記接続導体部２２の形成時の位置ずれ等も加味して、前記接続導体部２２の形成領域の周辺部を含めた領域２２ａを除いて前記吸湿剤２０を形成することが好ましい。
【００５３】
図２に示す形態では、前記吸湿剤２０は、前記領域２２ａ及び延出部１１ｃ上を除く全領域に形成されている。したがって前記吸湿剤２０の一部は、前記ランド部３０上にも設けられる。このようにランド部３０上にも前記吸湿剤２０を重ねて形成する場合には前記吸湿剤２０は絶縁性であることが必要である。また前記ベース基板１２との対向領域の周囲に広がる前記延出部１１ｃ上にも前記吸湿剤２０が設けられてもよい。すなわち延出部１１ｃ上では吸湿剤２０を介して前記封止部材１４が設けられる構造となる。このような構成とすることで、前記封止部材１４と前記実装基板１１間の接続界面近傍での吸湿性を向上できる。
【００５４】
図２に示す形態では、少なくとも、前記櫛歯状電極１５の形成領域と対向する領域、及びベース基板１２の下面１２ａの周囲と対向する領域３１の双方を含む領域に前記吸湿剤２０が設けられているので、吸湿効果と封止部材１４に対する塞き止め効果の双方を兼ね備えている。
【００５５】
なお前記櫛歯状電極１５の「形成領域」とは、一対の前記櫛歯状電極１５の最外周によって囲まれた内部領域であると定義される。
【００５６】
本形態では、前記櫛歯状電極１５が設けられる前記密閉空間Ｓ内であって、実装基板１１側に吸湿剤２０が設けられている。前記吸湿剤２０を前記櫛歯状電極１５に接して形成すると弾性表面波特性が劣化するので実装基板１１側に設ける。本形態では、前記密閉空間Ｓの吸湿性を効果的に向上でき、前記櫛歯状電極１５の酸化による劣化を適切に防止できる。
【００５７】
また本形態では前記吸湿剤２０を前記密閉空間Ｓに設けることで、前記弾性表面波デバイス１０の薄型化を促進できる。また、図３に示す絶縁保護層２３を形成しなくても前記吸湿剤２０を設けたことで、前記櫛歯状電極１５の酸化を抑制でき、よって絶縁保護層２３の膜厚分だけ前記弾性表面波デバイス１０を薄型化できる。また、前記絶縁保護層２３を設けないことで、弾性表面波特性を向上させることが出来る。
【００５８】
また特許文献１に記載された発明では、吸湿剤を含む接着剤を設けているが、接着剤中に吸湿剤が埋没してしまうため、吸湿剤の吸湿効果が低下すること、また接着剤の厚さが厚くなり、前記弾性表面波デバイス１０の薄型化を促進できないといった問題等があったが、本形態では、特許文献１に比べて吸湿効果が高く、しかも前記弾性表面波デバイス１０の薄型化を促進できる形態となっている。
【００５９】
図４（ａ）〜（ｄ）は、図１に示す弾性表面波デバイス１０の製造方法を示す。各図は製造工程中に示す図１と同じ方向からの弾性表面波デバイス１０の部分断面図である。
【００６０】
図４Ａに示す工程では、実装基板４０上にゲル状のシリカゲル前駆体４１をスクリーン印刷にて所定領域上に形成する。
【００６１】
前記実装基板４０は、次工程で設けられる複数のベース基板１２を配置可能な大きさである。前記実装基板４０は絶縁性であり、各ベース基板１２を実装する領域ごとに例えば図２に示すランド部３０が表面に現れている。
【００６２】
前記シリカゲル前駆体４１は、金属アルコキシド、例えばオルトケイ酸テトラエチル（ＴＥＯＳ，Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）４）を出発原料とし、ＴＥＯＳを加水分解し（化１）、析出したＳｉ（ＯＨ）４どうしを脱水縮合する（化２）ことで得られたゲル状物である。
【００６３】
【化１】
2008016909.tif 000003
【００６４】
【化２】
2008016909.tif 000004
【００６５】
あるいは、前記シリカゲル前駆体４１は、二酸化珪素に強塩基を反応させて得られた珪酸ナトリウム（化３）に水を加え「水ガラス」と呼ばれる高粘度の液体とし、さらにこれを塩酸で処理したゲル状物（珪酸）（化４）である。
【００６６】
【化３】
2008016909.tif 000005
【００６７】
【化４】
2008016909.tif 000006
【００６８】
図４Ａ工程では、上記したシリカゲル前駆体４１を前記実装基板４０上にスクリーン印刷する。このとき、前記シリカゲル前駆体４１を、次の工程で配置されるベース基板１２の下面１２ａと対向する領域の少なくとも一部に形成するが、前記シリカゲル前駆体４１を前記ベース基板１２に形成される櫛歯状電極１５の形成領域と対向する領域上に形成することが好ましい。また、前記シリカゲル前駆体４１を前記櫛歯状電極１５の形成領域と対向する領域上及び、前記ベース基板１２の下面１２ａの周囲と対向する領域上の双方に、同時に、形成することがより好ましい。あるいは前記接続導体部２２の形成領域（好ましくは、さらにその周辺部を含めた領域２２ａ）を除く領域（このとき絶縁基板１１の延出部１１ｃ上に前記シリカゲル前駆体４１を形成するか否かは任意である）上に形成することがさらに好ましい。
【００６９】
前記シリカゲル前駆体４１はゲル状であるから粘性が高く、印刷形成した場所に適切に留まる。
【００７０】
次に、図４Ａの工程では、前記シリカゲル前駆体４１を６０〜８０℃程度で乾燥し、さらに１８０〜４００℃程度で焼成する。これにより前記シリカゲル前駆体４１はシリカゲル（吸湿剤）４２と成る。
【００７１】
次に図４Ｂの工程では、ベース基板１２の櫛歯状電極１５が形成されている面側を前記実装基板４０の上面４０ａと対向させバンプ状の接続導体部２２を介して前記ベース基板１２を前記実装基板４０上に実装する（フリップチップ実装）。
【００７２】
前記接続導体部２２は例えば半田であり、前記接続導体部２２を介して前記ベース基板１２側に設けられた端子電極１６と実装基板４０側に設けられたランド部（図示しない）間が電気的に接続される。
【００７３】
図４Ｂの工程では、前記ベース基板１２を前記実装基板４０上に実装するとき、前記ベース基板１２と前記実装基板４０間に空間Ｓが形成されるとともに、前記櫛歯状電極１５と前記シリカゲル４２とが接触しないように、前記接続導体部２２の高さ寸法が調整される。
【００７４】
次に図４Ｃの工程では、前記ベース基板１２の上面１２ｂから側方、及び各ベース基板１２間に現れる実装基板４０上にかけて、エポキシやポリイミドなどからなる樹脂４３をトランスファーモールド法やインサート成形など各種の手段を用いてモールド形成する。
【００７５】
溶融状態にある前記樹脂４３は、前記実装基板４０と前記ベース基板１２間に形成された空間Ｓ内に入り込む可能性があるが、本形態では、前記ベース基板１２の下面１２ａの周囲と対向する前記実装基板４０上に囲み形状のシリカゲル４２ａを配置することにより、前記シリカゲル４２ａは、前記樹脂４３が前記空間Ｓ内に入り込むのを塞き止めるダムとしての機能も有し、これにより前記樹脂４３は容易に前記空間Ｓ内に入り込めない。
【００７６】
前記樹脂４３を充填後、硬化させる。前記樹脂４３の形成により、前記実装基板４０と前記ベース基板１２間に形成された空間Ｓは密閉された空間となる。
【００７７】
そして図４Ｄ工程では、実装基板４０及び樹脂（封止部材）４３をダイシング加工などで切断することにより、複数の弾性表面波デバイス１０に個片化する。
【００７８】
なお図４Ｃにおいて、前記樹脂４３を、各ベース基板１２間に現れる実装基板４０上の全面に形成せず、ダイシングの箇所に前記樹脂４３を設けない場合（すなわち個々のベース基板１２ごとに樹脂４３を分離して設ける場合）、図４Ｄ工程では、実装基板４０だけをダイシング加工などで分離すれば、個々の弾性表面波デバイス１０が完成する。
【００７９】
なお、前記切断方法としては、ダイシング加工以外に、レーザー加工、エンドミルによるミーリング加工、あるいはドライエッチング法、ウエットエッチング法など各種の方法を用いることが可能である。
【００８０】
上記した弾性表面波デバイス１０の製造方法では、実装基板４０側に吸湿剤（シリカゲル４２）を形成でき、最終的には密閉空間Ｓ内に前記吸湿剤（シリカゲル）を簡単且つ適切に配置できる。よって前記密閉空間Ｓ内にて吸湿性に優れた弾性表面波デバイス１０を適切且つ容易に形成できるとともに、前記弾性表面波デバイス１０を小型に形成できる。
【００８１】
また上記した製造方法では、一度に複数の弾性表面波デバイス１０を形成することが出来る。
【００８２】
特に上記した製造方法では、図４Ａ工程で、前記実装基板４０上の所定領域にゲル状のシリカゲル前駆体４１をスクリーン印刷し、その後、加熱して、シリカゲル４２を前記実装基板４０上に形成している。ゲル状であるためシリカゲル前駆体４１の流動を抑制でき、前記シリカゲル４２を所定領域上に適切且つ容易に形成できる。またシリカゲル前駆体４１を焼成することで溶媒等のゲル以外の成分はほとんど除去され、前記シリカゲル前駆体４１をスクリーン印刷したときの厚さよりも焼成により前記シリカゲル４２を薄く形成することができ、弾性表面波デバイス１０の薄型化を促進できる。
【００８３】
また上記したようにゲル状のシリカゲル前駆体４１を前記実装基板４０上に印刷形成しその後、加熱処理する方法では、シリカゲル４２を適切に実装基板４０上に密着させることができ、前記シリカゲル４２が前記実装基板４０上から剥がれることがない。
【００８４】
また、前記シリカゲル前駆体４１を加熱する焼成工程を、前記ベース基板１２を取り付ける前に行うことが出来るから、前記シリカゲル前駆体４１を加熱した際の熱的影響は、前記ベース基板１２や櫛歯状電極１５に及ぼされることはなく、前記熱的影響による特性劣化を抑制できる。
【００８５】
図４では吸湿剤としてシリカゲル４２を用いたが、前記シリカゲル４２に限定するものではない。図１で説明したように封止部材１４（樹脂４３）よりも吸湿性に優れる等の物性を有すれば、吸湿剤として用いることは可能である。
【００８６】
ただしシリカゲル４２を用いることが製造の容易さや薄膜化の点で好適である。また、シリカゲル４２のようにゲル状の前駆体を焼成して吸湿剤となる物質では、前記前駆体を実装基板４０上にスクリーン印刷等で形成して、その後焼成する工程を施すことが、所定領域に容易に且つ適切に吸湿剤を形成でき好ましい。
【００８７】
また上記形態では、電子部品の一例として弾性表面波デバイス１０を用いて説明したが、本形態はこれに限られるものではない。すなわち、前記ベース基板１２と実装基板１１間に密閉空間Ｓが設けられ、前記密閉空間Ｓ内では前記ベース基板１２側に所定の機能部が形成され、この機能部の酸化による劣化を防止する必要のある電子部品であれば、その他どのような電子部品であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００８８】
【図１】本実施形態の弾性表面波デバイスを厚さ方向から切断した部分断面図、
【図２】実装基板の平面図、
【図３】櫛歯状電極の部分拡大断面図、
【図４】Ａ〜Ｄは、本実施形態の弾性表面波デバイスを示す工程図（各図は、製造工程中における弾性表面波デバイスを、厚さ方向から切断した部分断面図である）、
【符号の説明】
【００８９】
１０  電子部品（弾性表面波デバイス）
１１、４０  実装基板
１２  ベース基板
１４  封止部材
１５  櫛歯状電極
２０、２０ａ、２０ｂ  吸湿剤
２２  接続導体部
２３  絶縁保護層
３０  ランド部
４１  シリカゲル前駆体
４２  シリカゲル
４３  樹脂
Ｓ  密閉空間
【図１】
2008016909.tif 000007
【図２】
2008016909.tif 000008
【図３】
2008016909.tif 000009
【図４】
2008016909.tif 000010