(57)【要約】【課題】構造制御が容易で、高周波域で優れた磁気特性を有すると共に長時間に亘って優れた磁気特性の熱的安定性を有する磁性材料を提供する。【解決手段】Ｆｅ，ＣｏおよびＮｉのうち少なくとも１種類を含む磁性元素と難還元性金属酸化物とを含むアモルファス複合酸化物を熱処理して難還元性金属を含む酸化物の内部および表面に磁性元素を含む金属粒子を析出させてなる磁性材料。【選択図】      なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｆｅ，ＣｏおよびＮｉのうち少なくとも１種類を含む磁性元素と難還元性金属とを含むアモルファス複合酸化物を熱処理して難還元性金属を含む酸化物の内部および表面に磁性元素を含む金属粒子を析出させてなることを特徴とする磁性材料。
【請求項２】
前記熱処理後の難還元性金属を含む酸化物は、アモルファスであることを特徴とする請求項１記載の磁性材料。
【請求項３】
前記熱処理後の難還元性金属を含む酸化物は、磁性元素をさらに含有することを特徴とする請求項１または２記載の磁性材料。
【請求項４】
前記磁性元素を含む金属粒子は、１ｎｍ以上，５００ｎｍ以下の平均粒径を有することを特徴とする請求項１から３いずれか記載の磁性材料。
【請求項５】
前記磁性元素を含む金属粒子および前記難還元性金属を含む酸化物に対する前記磁性元素を含む金属粒子の体積率は、２０〜９５％であることを特徴とする請求項１から４いずれか記載の磁性材料。
【請求項６】
基板上にＦｅ，ＣｏおよびＮｉのうち少なくとも１種類を含む磁性元素と難還元性金属とを含むアモルファス複合酸化物層を形成する工程と、
前記アモルファス複合酸化物層を還元性雰囲気で熱処理して難還元性金属を含む酸化物層の内部および表面に磁性元素を含む金属粒子を析出させる工程と
を含むことを特徴とする磁性材料の製造方法。
【請求項７】
前記難還元性金属は、Ｍｇ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｃａ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ｈｆ、希土類元素、ＢａおよびＳｒからなる群から選ばれる少なくとも１つの金属であることを特徴とする請求項６記載の磁性材料の製造方法。
【請求項８】
前記アモルファス複合酸化物層は、磁性元素と難還元性金属とが固溶した酸化物層であることを特徴とする請求項６または７記載の磁性材料の製造方法。
【請求項９】
前記アモルファス複合酸化物層を、薄膜成膜法により前記基板上に形成することを特徴とする請求項６から８のいずれか一項に記載の磁性材料の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁性材料および磁性材料の製造方法に関し、詳しくは１０ＭＨｚ以上、特に１００ＭＨｚ〜ＧＨｚの範囲までの高周波域で用いる磁性部品などに有用な磁性材料および磁性材料の製造方法に係わる。
【背景技術】
【０００２】
近年、磁性材料部品の用途は拡大しており、重要さは年々増している。用途としては、電磁波吸収体、磁性インク、インダクタンス素子などがある。
【０００３】
高周波磁性材料の用途としては例えば電磁波吸収体が挙げられる。電磁波吸収体は、高い透磁率虚部（μ″）を利用して、電子機器の高周波化に伴い発生したノイズを吸収し、電子機器の誤動作などを低減させるものである。電子機器としては、ＩＣチップなど半導体素子や各種通信機器などが挙げられる。このような電子機器は１ＭＨｚから数ＧＨｚ、さらには数十ＧＨｚ以上の高周波域で使用されるものなど様々である。特に、近年は１ＧＨｚ以上の高周波域で使用される電子機器が増加する傾向にある。このような高周波域で使用される電子機器の電磁波吸収体としては、従来、フェライト粒子、カルボニル鉄粒子、ＦｅＡｌＳｉフレーク、ＦｅＣｒＡｌフレークなどを樹脂と混合したものが用いられていた。しかしながら、これらの材料は１ＧＨｚ以上の高周波域において透磁率実部（μ′）および透磁率虚部（μ″）がともに極端に低下し、必ずしも満足する特性が得られていない。
【０００４】
また、１ＭＨｚ以上の高周波で使用するインダクタンス素子用磁性材料としては、主にフェライトやアモルファス合金が挙げられる。これら磁性材料は、１ＭＨｚから１０ＭＨｚ域においては透磁率虚部（μ″）が小さいために損失がなく、高い透磁率実部（μ′）を有するために良好な磁気特性を示す。しかしながら、このような磁性材料は１０MHz以上のさらなる高周波域では透磁率実部（μ′）が低下し必ずしも満足する特性が得られていない。
【０００５】
このようなことから、スパッタ法、めっき法などの薄膜技術を用いてインダクタンス素子を製造するための開発も盛んに行われている。このインダクタンス素子は、高周波域においても優れた特性を示すことが確認されている。特に、同時スパッタによるナノグラニュラ構造を持つ薄膜では高周波域での高い特性が確認されている。しかしながら、従来の薄膜法により作製する場合、異方性の付与やマトリックスと磁性粒子の結晶性や粒子径、粒子数密度などの制御が困難であることから、抵抗率、透磁率および共鳴周波数などの特性の制御が困難であった。また、薄膜技術によるインダクタンス素子は、高温高湿度下での長時間熱安定性に欠けるなどの問題があった。
【０００６】
一方、特許文献１には難還元性金属酸化物とＦｅ，Ｃｏまたはそれらの合金の少なくとも一種以上からなる磁性金属酸化物とを混合した層を還元性雰囲気で加熱して粉末や多結晶構造の焼結体にすると共に、その焼結体中に磁性金属粒子を析出したナノグラニュラー磁性材料を得る方法が開示されている。
【０００７】
しかしながら、特許文献１に開示されたナノグラニュラー磁性材料は多結晶構造の焼結体中に磁性金属粒子を析出させ際に磁性金属粒子の析出を制御することが困難で均一に分散させることができず、さらに密度が劣りそのままで使用することができなかった。このため、粉末を樹脂で固化する必要があり、磁性材料の体積率が低下して磁気特性、熱安定性が共に低下する。
【特許文献１】特開２００４−２８１８４６
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
従来の高周波磁性材料およびナノグラニュラー磁性材料は、抵抗率や透磁率、共鳴周波数などの特性の制御が不十分であった。また、高温高湿度下での長時間熱安定性に欠けるという問題があった。
【０００９】
本発明は、構造制御が容易で、高周波域で優れた磁気特性を有すると共に長時間に亘って優れた磁気特性の熱的安定性を有する磁性材料および磁性材料の製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の第１態様によると、Ｆｅ，ＣｏおよびＮｉのうち少なくとも１種類を含む磁性元素と難還元性金属とを含むアモルファス複合酸化物を熱処理して難還元性金属を含む酸化物の内部および表面に磁性元素を含む金属粒子を析出させてなることを特徴とする磁性材料が提供される。
【００１１】
本発明の第２態様によると、基板上にＦｅ，ＣｏおよびＮｉのうち少なくとも１種類を含む磁性元素と難還元性金属とを含むアモルファス複合酸化物層を形成する工程と、
前記アモルファス複合酸化物層を還元性雰囲気で熱処理して難還元性金属を含む酸化物層の内部および表面に磁性元素を含む金属粒子を析出させる工程と
を含むことを特徴とする磁性材料の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、構造制御が容易で、高周波域で高い透磁率と高い抵抗率を有し、かつ長時間に亘って優れた磁気特性の熱的安定性を有する磁性材料および磁性材料の製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の実施形態に係る磁性材料および磁性材料の製造方法を詳細に説明する。
【００１４】
実施形態に係る磁性材料は、Ｆｅ，ＣｏおよびＮｉのうち少なくとも１種類を含む磁性元素と難還元性金属とを含むアモルファス複合酸化物層に熱処理を施して難還元性金属を含む酸化物の内部および表面に磁性元素を含む金属粒子を析出させてなるものである。
【００１５】
難還元性金属は、例えばＭｇ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｃａ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ｈｆ、希土類元素、ＢａおよびＳｒからなる群から選ばれる少なくとも１つの金属を用いることができる。
【００１６】
アモルファス複合酸化物は、磁性元素および難還元性金属の酸化物の他に、さらにＢのような元素を含むことを許容する。磁性元素は、通常、アモルファス複合酸化物中に酸化物の形態で含まれるが、元素（金属もしくはイオン）の状態で含まれてもよい。
【００１７】
アモルファス複合酸化物は、X線回折の酸化物ピークの半値幅が０．５°以上、もしくはX線回折ではピークが検出されない、アモルファス状態を示す構造を持つ。
【００１８】
アモルファス複合酸化物は、例えば薄膜またはバルクの形態を有する。
【００１９】
実施形態に係る磁性材料の難還元性金属を含む酸化物は、アモルファスであることが好ましい。難還元性金属を含むアモルファス酸化物は、X線回折の酸化物ピークの半値幅が０．５°以上、もしくはX線回折ではピークが検出されない、アモルファス状態を示す構造を持つ。このような難還元性金属を含むアモルファス酸化物を有する磁性材料は、軟磁気特性が向上し、高周波において高い透磁率を得られる。
【００２０】
実施形態に係る磁性材料の難還元性金属を含む酸化物は、難還元性金属酸化物の他に、磁性元素が含まれることが好ましい。この磁性元素をさらに含む酸化物は、例えば磁性元素と難還元性金属との複合酸化物の形態もしくは難還元性金属酸化物と磁性元素酸化物が混在した形態が挙げられる。このような難還元性金属を含む酸化物中への磁性元素の残留は、得られた磁性材料の磁気特性を向上させることが可能になる。難還元性金属を含む酸化物中の磁性元素は、熱処理前の全ての磁性元素に対して０．５〜３０原子％であることが好ましい。
【００２１】
析出された磁性元素を含む金属粒子は、Ｆｅ，ＣｏおよびＮｉから選ばれる少なくとも１種類を含む金属もしくは２種類以上を含む金属合金粒子であり、さらにＢなどの添加元素を含むことが好ましい。金属合金粒子は、Ｆｅ，ＣｏおよびＮｉの一部がこれらの金属以外の元素で置換された合金でもよいが、Ｆｅ，ＣｏおよびＮｉの総量が合金全体の５０原子%以上含むことが好ましい。磁性元素を含む金属粒子は、全て同組成または異なる組成の形態をとることができる。
【００２２】
磁性元素を含む金属粒子は、難還元性金属を含む酸化物内に粒子同士が数ナノメートルのギャップで密に充填されていることが好ましい。ただし、難還元性金属を含む酸化物内に部分的に結合してドメインを組んだり、数ナノメートル以上のギャップで分散したりしてもよい。磁性元素を含む金属粒子のギャップの間には、難還元性金属を含む酸化物が存在していることが好ましい。その結果、金属粒子の内部における磁性金属の濃度は、外側における磁性金属の濃度に比べて高く、金属粒子の内部から外側に向けて磁性金属の濃度勾配が形成されていることが好ましい。
【００２３】
磁性元素を含む金属粒子は、１ｎｍ以上，５００ｎｍ以下の平均粒径を有することが好ましい。特に、磁性元素を含む金属粒子の平均粒径を１ｎｍ以上、５０ｎｍ以下にすることによって、金属粒子を難還元性金属を含む酸化物に透磁率の高周波特性を向上させることが可能な単磁区状態で存在させることが可能になる。
【００２４】
磁性元素を含む金属粒子は、透磁率の高周波特性を向上させる観点から、金属粒子および難還元性金属を含む酸化物に対して２０〜９５％の体積率で存在することが好ましい。
【００２５】
次に、実施形態に係る磁性材料の製造方法を詳細に説明する。
【００２６】
まず、基板上にＦｅ，ＣｏおよびＮｉのうち少なくとも１種類を含む磁性元素と難還元性金属とを含むアモルファス複合酸化物層を形成する。
【００２７】
磁性元素は、前述したようにＦｅ，ＣｏおよびＮｉから選ばれる１種の金属または２種類以上の金属が用いられる。
【００２８】
難還元性金属は、室温から１５００℃の水素雰囲気下で金属に還元され難い金属であればいずれでもよく、例えばＭｇ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｃａ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ｈｆ、希土類元素、ＢａおよびＳｒからなる群から選ばれる少なくとも１つの金属を用いることができる。
【００２９】
アモルファス複合酸化物層は、磁性元素および難還元性金属の他に、さらにＢのような金属を含むことを許容する。磁性元素は、通常、アモルファス複合酸化物中に酸化物の形態で含まれるが、元素（金属）の状態で含まれてもよい。
【００３０】
アモルファス複合酸化物層は、X線回折の酸化物ピークの半値幅が０．５°以上、もしくはX線回折ではピークが検出されない、アモルファス状態を示す構造を持つ。
【００３１】
アモルファス複合酸化物層は、組成の自由度から考慮すると磁性元素と難還元性金属とが固溶した酸化物層、特に磁性元素と難還元性金属とが全率固溶した酸化物層であることが好ましい。ただし、アモルファス複合酸化物層中には磁性元素や難還元性金属が固溶せずに残存していてもよい。また、アモルファス複合酸化物層中には磁性元素を含む金属微粒子が含まれていることが好ましい。
【００３２】
アモルファス複合酸化物層は、基板上に薄膜成膜法により作製される。薄膜成膜法としては、例えばスパッタ、レーザーアブレーション法、ＥＶ−ＰＶＤ法、ＣＶＤ法または溶射法等を用いることができる。
【００３３】
次いで、前記アモルファス複合酸化物層を還元性雰囲気で熱処理を施す。
【００３４】
このような還元性雰囲気での熱処理において、難還元性金属を含む酸化物層の内部および表面に磁性元素を含む金属粒子を析出した磁性材料が製造される。このとき、熱処理前の複合酸化物の結晶状態をアモルファスにすることによって、金属粒子の析出性の制御が容易になると共に、内部析出を優先的に生じさせることが可能になる。
【００３５】
還元性雰囲気での熱処理において、熱処理前の複合酸化物の結晶状態をアモルファスにすることによって、得られた磁性材料中の難還元性金属を含む酸化物の結晶状態をアモルファスにすることが可能になる。また、熱処理によって難還元性金属を含む酸化物層の内部および表面に磁性元素の全てを金属粒子として析出せずに残留させる、すなわち難還元性金属と共に複合酸化物の形態もしくは難還元性金属酸化物と共に磁性元素酸化物を混在させた形態で含ませる、ことが可能になり、磁気特性がより向上された磁性材料を製造することができる。このような磁性元素の残留は、水素中などの還元雰囲気中において１００〜８５０℃の範囲の熱処理条件によって実現することが可能である。
【００３６】
アモルファス複合酸化物層の組成を固溶体、特に全率固溶体にすることによって、熱処理時の金属粒子の析出性の制御を一層容易に行うことが可能になると共に、金属粒子をより優先的に内部に析出することが可能になる。
【００３７】
なお、熱処理前の複合酸化物が結晶である場合には熱処理により粒界などの欠陥に選択的に磁性元素を含む金属粒子が析出するため、磁性材料中に磁性元素を含む金属粒子を均一状態で分散させることが困難になる。また、熱処理前の複合酸化物が結晶である場合には熱処理により空孔が生じ易く、密度の向上が困難である。その上、熱処理により複合酸化物中の磁性元素が全て金属粒子として析出し、難還元性金属を含む酸化物内に残留しない。
【００３８】
還元性雰囲気は、水素を含む雰囲気であることが好ましい。この雰囲気は、気流により形成することが好ましく、例えば１０ｍＬ／分以上の水素気流にすればよい。
【００３９】
熱処理は、水素を含む雰囲気で酸化物の一部が還元される温度で行えばよく、特にその温度は限定されない。この熱処理において、温度と時間を調節することによって析出する磁性金属を含む金属粒子の粒径および析出密度などを制御することが可能になり、例えば２００℃以上、１５００℃以下で行うことが好ましい。熱処理を２００℃未満にすると、還元反応の進行速度が遅くなり過ぎる虞がある。一方、熱処理温度が１５００℃を超えると、析出した金属粒子の粒成長が起こって、初期目的の平均粒径（例えば１ｎｍ以上，５００ｎｍ以下の平均粒径）を有する磁性金属を含む金属粒子を析出することが困難になる。なお、熱処理時間はアモルファス複合酸化物層の大きさとの兼ね合いで適宜決定され、例えば１分間以上、１００時間以下の範囲にすることが好ましい。
【００４０】
以下、本発明の実施例を説明する。なお、以下に説明する実施例１〜６ではスパッタ法により成膜したが、成膜法としてスパッタ法に限定するものではない。
【００４１】
（実施例１）
基板ホルダおよびこのホルダに対向してＣｏＯ：ＭｇＯのモル比が４：１のＣｏＯ−ＭｇＯ（４ＣｏＯ−ＭｇＯ）からなるターゲットを配置したチャンバと、ターゲットに接続された高周波電源と、チャンバに接続されたアルゴン（Ａｒ）の導入管と、チャンバに接続された排気管とを備えたスパッタ成膜装置を用意した。チャンバの基板ホルダに洗浄した石英基板を保持させ、排気管からチャンバ内のガスを排気しながら、Ａｒを導入管を通して３０ｓｃｃｍの流量でチャンバ内に導入した。チャンバ内の圧力が２ｍＴｏｒｒに安定したときに高周波電源からターゲットに１３．５６ＭＨｚの高周波電力を印加してチャンバ内にプラズマを発生させ、ターゲットをスパッタリングすることにより石英基板上に厚さ１μｍの複合酸化物層を成膜した。この成膜において、石英基板の加熱は施さなかった。
【００４２】
次いで、チャンバ内から石英基板を取り出し、熱処理炉内に移した。つづいて、炉内に水素気流を２００ｍＬ／分の速度で流通させ、１０℃／分の速度で５５０℃まで昇温し、その温度１０分間保持することにより、石英基板上の複合酸化物層を還元雰囲気で熱処理した。炉冷した後に磁性材料層が表面に形成された石英基板を取り出した。
【００４３】
（実施例２〜６）
ターゲットとしてそれぞれ下記表１に示すＣｏＯ：ＭｇＯのモル比が４：１のＣｏＯ−ＭｇＯ（４ＣｏＯ−ＭｇＯ）、ＣｏＯ：ＭｇＯのモル比が１：１のＣｏＯ−ＭｇＯ（ＣｏＯ−ＭｇＯ）、ＣｏＯ：ＭｇＯのモル比が４：１のＣｏＯ−ＭｇＯ（４ＣｏＯ−ＭｇＯ）、ＣｏＯ：ＭｇＯのモル比が４：１でＣｏを５重量％含むＣｏＯ−ＭｇＯ（４ＣｏＯ−ＭｇＯ，Ｃｏ）およびＦｅ3Ｏ4：ＳｉＯ2のモル比が１：１のＦｅ3Ｏ4−ＳｉＯ2（Ｆｅ3Ｏ4−ＳｉＯ2）を用い、かつ下記表１に示す条件で還元雰囲気での熱処理を行った以外、実施例１と同様な方法により石英基板上に磁性材料層を形成した。
【００４４】
なお、各実施例の成膜直後のアモルファス複合酸化物についてＥＳＣＡの測定を行ったところ、実施例１〜４、６には金属元素は含まれていなかったが、実施例５では金属Ｃｏが検出された。
【００４５】
（比較例１）
平均粒径１μｍのＦｅＡｌＳｉ粒子とエポキシ樹脂とを３：１の重量比で混合し固化することにより磁性材料を製造した。
【００４６】
（比較例２）
平均粒径１μｍのカルボニル鉄粒子とエポキシ樹脂とを３：１の重量比で混合し固化することにより磁性材料を製造した。
【００４７】
（比較英３）
ＮｉＺｎフェライトの焼結体から磁性材料を製造した。
【００４８】
（比較例４）
ＣｏＯとＭｇＯを２：１のモル比の組成（２Ｃｏ，ＭｇＯ）で秤量、混合した後、ボールミルにて粉砕して平均粒径１μｍの混合粉末を調製した。つづいて、この混合粉末を１０００ｋｇ／ｃｍ2の圧力でプレス成型し、ペレットを作製した。このペレットを大気中、５００℃で１時間脱脂し、１３００℃で７時間焼結することにより結晶性複合酸化物を得た。ひきつづき、この結晶性複合酸化物を粉砕し、熱処理炉で水素雰囲気中、８５０℃にて１時間還元処理した後、炉冷し、結晶性粉末を取り出した。この粉末とエポキシ樹脂とを４：１の重量比で混合し固化することにより磁性材料を製造した。
【００４９】
（比較例５）
結晶性複合酸化物の粉砕物を熱処理炉で水素雰囲気中、１２００℃にて１時間還元処理した以外、比較例４と同様な方法により磁性材料を製造した。
【００５０】
得られた実施例１〜６の磁性材料層および比較例１〜５の磁性材料について、析出した金属粒子の平均粒径、金属粒子の体積率、磁性材料の難還元性金属酸化物内の残留磁性元素量、アモルファスか否か、抵抗率、透磁率実部μ′および高温高湿下に１０００時間放置後の透磁率実部μ′の経時変化を以下の方法により測定した。
【００５１】
１）析出金属粒子の平均粒径および体積率の測定
ＴＥＭ(Transmission Electron Microscopy)観察により測定した。具体的には、磁性材料のＴＥＭ観察で示された個々の金属粒子の最も長い対角線をその粒子径とし、かつＴＥＭ写真を単位面積１０μｍ×１０μｍ中の粒子を三箇所撮ってその平均値から求めた。
【００５２】
２）難還元性金属酸化物内の残留磁性元素量
ＥＤＸの分析によって難還元性金属酸化物内の残留磁性元素量を測定した。
【００５３】
３）アモルファスか否かの判定
２ｃｍ角以上の磁性材料の試料を用いてX線回折（ＸＤＲ）により測定し、そのメインピークの半値幅から判断した。半値幅が０．０５°未満であれば難還元性金属酸化物が結晶相、０．５°以上であれば難還元性金属酸化物がアモルファスとした判定した。
【００５４】
４）抵抗率
van der Pauw法により抵抗率を測定した。
【００５５】
５）透磁率実部μ′の測定
磁性材料の試料の透磁率実部μ′は、凌和電子製超高周波透磁率測定装置ＰＭＭ−９Ｇ１を用い、１ＭＨｚから９ＧＨｚの範囲で、面内困難軸方向に励磁して測定を行った。具体的には、試料容易軸方向に２ｋＯｅの直流磁場を印加した時（バックグラウンド測定に相当）と印加しない時とのそれぞれの状態において、面内困難軸方向に励磁して測定を行い、両者の誘起電圧、インピーダンス測定値から透磁率実部μ′を評価した。
【００５６】
６）透磁率実部μ′の経時変化
磁性材料の試料を温度６０℃、湿度９０％の高温恒湿槽内に１０００時間放置した後、前述した方法により透磁率実部μ′を測定し、初期値との比較をした。経時変化は、（１０００時間放置後の透磁率実部μ′）／（放置前の透磁率実部μ′）から求めた。数値が小さいほど経時変化、つまり熱的安定性が高いことを意味する。
【００５７】
測定した金属粒子の平均粒径、金属粒子の体積率、磁性材料の難還元性金属酸化物内の残留磁性元素量およびＸＤＲにより測定したメインピークの半値幅を下記表１に示す。また、抵抗率、透磁率実部μ′および高温高湿下に１０００時間放置後の透磁率実部μ′の経時変化を下記表２に示す。
【表１】
2008243995.tif 000002
【００５８】
【表２】
2008243995.tif 000003
【００５９】
前記表１および表２から明らかなように比較例１〜３の方法で得られた磁性材料は、磁性粒子が均一に分散されず、磁性粒子の体積分率を向上させられないことから、結果として磁気特性である透磁率実部μ′の低下が著しく、さらに樹脂を用いる必要があることから高温高湿下に１０００時間放置後の透磁率実部μ′の経時変化が大きく熱安定性も低いことがわかる。
【００６０】
比較例４，５の粉末法で得られた磁性材料は、磁性粒子の体積率、磁気特性である透磁率実部μ′が低く、さらに高温高湿下に１０００時間放置後の透磁率実部μ′の経時変化が大きく熱安定性も低いことがわかる。これは、結晶性の複合酸化物から磁性粒子を析出させる際に熱処理条件による磁性粒子の析出を制御することが困難で、ナノ微粒子を均一に分散析出できなかったこと、金属微粒子析出後の結晶性粉末は密度が低く、そのままでは磁気特性評価用試料として用いることができず、樹脂で固化する必要があること、に起因する。
【００６１】
これに対し、実施例１〜６の方法で得られた磁性材料層は、高い透磁率実部μ′を有すると共に、および高温高湿下に１０００時間放置後の透磁率実部μ′の経時変化が小さく長時間に亘って優れた磁気特性（透磁率実部μ′）の熱的安定性を有することがわかる。これは、得られた磁性材料層はアモルファス複合酸化物層の成膜、還元熱処理後において磁性体微粒子が絶縁性酸化物中に均一に分散している構造を有し、磁性金属粒子の体積率を高めることができること、磁気特性評価用試料として樹脂との固化が不要であるためである。
【００６２】
また、還元熱処理条件、ターゲット組成などを変化させることで、析出磁性金属粒子の径を容易に制御でき、それに伴って磁気特性の制御を行えることがわかった。
【００６３】
さらに、実施例１〜５の方法で得られた磁性材料層はアモルファスの難還元性酸化物内に磁性体元素が適当量残留しているため、軟磁気特性が向上し、結果として高周波で高い透磁率実部μ′を示した。
【００６４】
なお、実施例１〜６の磁性材料層は１ＧＨｚの高周波のみならず、１００ＭＨｚでも同程度の透磁率実部μ′の値を示した。