(57)【要約】      （修正有）【課題】低い放電電圧と短い放電遅れ時間を有する放電特性に優れたプラズマ素子を提供する。【解決手段】波長域３００ｎｍ以下で負極発光ピークを有しなく、３５０〜５００ｎｍの範囲内で負極発光ピークを有し、５５０〜６５０ｎｍと７００〜８００ｎｍとの間に少なくとも一つの負極発光ピークを有する酸化マグネシウムの微粒子層１１を、前面基板１と背面基板８との間の放電空間に含むことを特徴とする本発明のプラズマ素子は、低い放電電圧及び放電ばらつき時間の低減などの向上した放電特性を示す。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
放電空間を介して互いに対向する前面基板及び背面基板、上記基板のそれぞれに内接した電極、及び上記電極のそれぞれを被覆する誘電体層を含むプラズマ素子において、
波長域３００ｎｍ以下で負極発光ピークを有しなく、３５０〜５００ｎｍの範囲内で負極発光ピークを有し、５５０〜６５０ｎｍと７００〜８００ｎｍとの間に少なくとも一つの負極発光ピークを有する酸化マグネシウム微粒子を上記前面基板と背面基板との間の放電空間に含むことを特徴とするプラズマ素子。
【請求項２】
前記酸化マグネシウムの微粒子が５ｎｍ〜５μｍの範囲の粒径を有することを特徴とする請求項１に記載のプラズマ素子。
【請求項３】
前記酸化マグネシウムの微粒子が誘電体層の表面に層状で存在することを特徴とする請求項１に記載のプラズマ素子。
【請求項４】
前記誘電体層のうち前面部の誘電体層の表面にＭｇＯ保護層をさらに含み、前記酸化マグネシウムの微粒子が上記ＭｇＯ保護層の表面に層状で存在することを特徴とする請求項１に記載のプラズマ素子。
【請求項５】
前記放電空間に蛍光体層を含み、前記酸化マグネシウム微粒子が前記蛍光体層の表面に層状で存在することを特徴とする請求項１に記載のプラズマ素子。
【請求項６】
前記放電空間に蛍光体層を含み、前記酸化マグネシウムの微粒子が前記蛍光体層の内部に含まれることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ素子。
【請求項７】
前記酸化マグネシウムの微粒子が、マグネシウム粉末またはその化合物、或いはマンガン粉末またはその化合物とマグネシウム粉末またはその化合物の金属混合物を酸素雰囲気下で燃焼させて得られたことを特徴とする請求項１に記載のプラズマ素子。
【請求項８】
上記酸化マグネシウムの微粒子がマンガン成分１〜１０００ｐｐｍを含むことを特徴とする請求項７に記載のプラズマ素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、特定の負極発光特性を有する酸化マグネシウムの微粒子を含むプラズマ素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
プラズマ素子の一種であるプラズマディスプレイパネル（Ｐｌａｓｍａ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｐａｎｅｌ；ＰＤＰ）は、電極間の電位差を通じて発生するプラズマ放電による紫外線を用いて蛍光体を発光させることを原理とする。
【０００３】
一般的なプラズマディスプレイパネルは、図１に示したように、放電空間を介して互いに対向する前面基板１及び背面基板８；上記前面基板１及び背面基板８のそれぞれに内接して形成された電極２、９；上記電極２、９のそれぞれを被覆する誘電体層３、６；上記前面部の誘電体層３上に取り付けられたＭｇＯ保護層４；上記二つの基板間の放電空間に形成された隔壁５；及び蛍光体層７で構成される。
【０００４】
このようなプラズマディスプレイパネルにおいて、低い放電電圧及び放電遅ればらつきの低減を具現するために様々な研究が進行されてきた。
【０００５】
例えば、日本国特開第２００６−１４７４１７号には、酸化マグネシウム粒子を既存のプラズマディスプレイパネルの素子内に付着させてプラズマディスプレイの性能を向上させる方法として、前面ガラス基板と背面ガラス基板との間の放電空間に面する位置に２００ｎｍ〜３００ｎｍ範囲内の負極発光ピークを有する酸化マグネシウム粉末を付着させたプラズマディスプレイが開示されており、２００ｎｍ〜３００ｎｍ内の発光、即ち紫外線区間における発光がプラズマ放電性能の向上の原因として推定されている。
【０００６】
酸化マグネシウムの２次電子発生率は、プラズマディスプレイパネルの放電電圧と直接的な連関があるので、２次電子発生率が大きいほど放電電圧が低減して性能を向上させることができ（Ｈ．Ｓ．Ｕｈｍ，Ｅ．Ｈ．Ｃｈｏｉ，ａｎｄ Ｊ．Ｙ．Ｌｉｍ（２００１），Ｉｎｆｌｕｅｎｃｅ ｏｆｓｅｃｏｎｄａｒｙ ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｅｍｉｓｓｉｏｎｏｎ ｂｒｅａｋｄｏｗｎ ｖｏｌｔａｇｅ ｉｎ ａ ｐｌａｓｍａ ｄｉｓｐｌａｙ ｐａｎｅｌ，Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ，７８（５），５９２−５９４）、酸化マグネシウム内に存在する欠陥状態、特に酸素欠陥状態が大きいほど２次電子発生に有利であると発表されている（Ｙ．Ｍｏｔｏｙａｍａ，Ｙ．Ｈｉｒａｎｏ，Ｋ．Ｉｓｈｉｉ，Ｙ．Ｍｕｒａｋａｍｉ，ａｎｄ Ｆ．Ｓａｔｏ（２００４），Ｉｎｆｌｕｅｎｃｅ ｏｆ ｄｅｆｅｃｔ ｓｔａｔｅｓ ｏｎ ｔｈｅ ｓｅｃｏｎｄａｒｙ ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｅｍｉｓｓｉｏｎ ｙｉｅｌｄ γ ｆｒｏｍ ＭｇＯ ｓｕｒｆａｃｅ，Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ，８４１９−８４２４）。従って、酸化マグネシウム粒子の製造時に酸素欠陥の状態を増加させることが重要である。
【０００７】
それで、本発明者らは酸化マグネシウム粒子の製造時に、その粒子の紫外線区間における発光よりも酸素欠陥状態を極大化させることが、放電性能の向上において有力な方案であるという事実に鑑み、高い酸素欠陥状態と、これによる独特な負極発光特性を示す酸化マグネシウム微粒子を開発し、これをプラズマ素子に適用することによって、従来に比べて放電特性を一層向上させることができることを見出して本発明を完成するに至った。
【特許文献１】日本国特開２００６−１４７４１７
【非特許文献１】Ｈ．Ｓ．Ｕｈｍ，Ｅ．Ｈ．Ｃｈｏｉ，ａｎｄ Ｊ．Ｙ．Ｌｉｍ，Ｉｎｆｌｕｅｎｃｅ ｏｆ ｓｅｃｏｎｄａｒｙ ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｅｍｉｓｓｉｏｎｏｎ ｂｒｅａｋｄｏｗｎ ｖｏｌｔａｇｅ ｉｎ ａ ｐｌａｓｍａ ｄｉｓｐｌａｙ ｐａｎｅｌ，Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ，７８（５），５９２−５９４，２００１
【非特許文献２】Ｙ．Ｍｏｔｏｙａｍａ，Ｙ．Ｈｉｒａｎｏ，Ｋ．Ｉｓｈｉｉ，Ｙ．Ｍｕｒａｋａｍｉ，ａｎｄ Ｆ．Ｓａｔｏ，Ｉｎｆｌｕｅｎｃｅ ｏｆ ｄｅｆｅｃｔ ｓｔａｔｅｓ ｏｎ ｔｈｅ ｓｅｃｏｎｄａｒｙ ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｅｍｉｓｓｉｏｎ ｙｉｅｌｄ γ ｆｒｏｍ ＭｇＯ ｓｕｒｆａｃｅ，Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ，８４１９−８４２４，２００４
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の目的は、低い放電電圧及び短い放電遅れ時間を有する放電特性に優れたプラズマ素子を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記のような目的を達成するための本発明は、放電空間を介して互いに対向する前面基板及び背面基板と、上記基板のそれぞれに内接した電極、及び上記電極のそれぞれを被覆する誘電体層とを含むプラズマ素子において、波長域３００ｎｍ以下で負極発光ピークを有しなく、３５０〜５００ｎｍの範囲内で負極発光ピークを有し、５５０〜６５０ｎｍと７００〜８００ｎｍとの間に少なくとも一つの負極発光ピークを有する酸化マグネシウムの微粒子を、上記前面基板と背面基板との間の放電空間に含むことを特徴とするプラズマ素子を提供する。
【００１０】
また、本発明によるプラズマ素子、特にプラズマディスプレイパネルは、波長域３００μｍ以下で負極発光ピークを有しなく、３５０〜５００ｎｍの範囲内で負極発光ピークを有し、５５０〜６５０ｎｍと７００〜８００ｎｍとの間に少なくとも一つの負極発光ピークを有する酸化マグネシウムの微粒子を前面基板と背面基板との間の放電空間に含むことを特徴とする。
【００１１】
本発明による特定の負極発光の特性を有する酸化マグネシウムの微粒子は、図５に示したように、マンガン粉末またはその化合物と、マグネシウム粉末またはその化合物の金属混合物、或いはマグネシウム粉末またはその化合物を加熱して自然発火を起こさせた後、酸素雰囲気中で燃焼させることによって得ることができる。例えば、マグネシウムの原料を７００〜２２００℃の火炎で発火させて酸素雰囲気中で燃焼させることができる。この時、製造された酸化マグネシウム粒子は、１〜１０００ｐｐｍのマンガンを含有することができる。本発明に使用可能なマンガンの化合物としては、マンガン塩化物（例えば、塩化マンガン（ＩＩ）、ＭｎＣｌ２）、マンガン有機化合物（例えば、マンガンアセチルアセトネート、Ｍｎ［Ｃ５Ｈ７Ｏ２］２）などが挙げられ、マグネシウムの原料化合物としては、マグネシウム塩化物（例えば、塩化マグネシウム、ＭｇＣｌ２）またはマグネシウム有機化合物（例えば、マグネシウムアセチルアセトネート、Ｍｇ［Ｃ５Ｈ７Ｏ２］２）などが挙げられるが、これら以外の多様なマンガンまたはマグネシウム化合物を用いることができる。上記金属混合物のマンガンの含有量は、混合比を変化させて多様に調節することができる。
【００１２】
このように得られた酸化マグネシウムの微粒子は、マンガンイオン（Ｍｎ２＋）を極微量含有し、立方体結晶構造を有し、数ｎｍ〜数μｍの範囲内のサイズを有するが、好ましくは５ｎｍ〜５μｍのサイズを有し、３５０〜５００ｎｍの間に必須的に負極発光ピークを有し、３００ｎｍ以下では負極発光ピークを有しなく、５５０〜６５０ｎｍと７００〜８００ｎｍとの間に少なくとも一つ以上の負極発光ピークを有する。また、マンガンの含量によりピーク強度の調節が可能であり、酸素の比率を調整して酸素欠陥の状態を変化させることができる。
【００１３】
本発明の一つの実施態様による酸化マグネシウムの微粒子層を含むプラズマディスプレイパネルに対する断面図を図２に示す。具体的に察してみると、本発明の酸化マグネシウムの微粒子層を含むプラズマディスプレイパネルにおいて、図３に示したように、表示面である前面基板１の表面に複数の電極対（Ｘ、Ｙ）２が前面基板１と平行に配列される。上記電極対（Ｘ、Ｙ）２を被覆するように誘電体層３が形成され、該誘電体層３の表面に蒸着法またはスパッタリングによって形成されたＭｇＯ保護層４が形成される。
【００１４】
一方、上記前面基板１と放電空間とを介して平行して離隔された背面基板８の表面にはアドレス電極９が位置し、上記アドレス電極９を被覆する誘電体層６が形成される。上記誘電体層６上には仕切り隔壁５が形成され、上記仕切り壁５の横壁及び縦壁の側面と誘電体層６の表面には、これらの面を全て覆うように蛍光体層７が形成され、該蛍光体層７の色は、各放電セル毎に赤、緑、青の三原色が平行して順次配列される。
【００１５】
電子線により励起されることによって波長域３５０〜５００ｎｍの間に負極発光ピークを有し、５５０〜６５０ｎｍと７００〜８００ｎｍとの間に少なくとも一つの負極発光ピークを有する本発明の酸化マグネシウムの微粒子層１１は、上記前面部の誘電体層３、任意に前面部の誘電体層３を被覆しているＭｇＯ保護層４または蛍光体層７の表面に形成されることができ、または上記蛍光体層７自体が本発明の酸化マグネシウムの微粒子を含むことができる。上記酸化マグネシウムの微粒子層１１は、スプレー法、精電塗布法、スクリーン印刷法、オフセット法、ディスペンサー法、インクジェット法、またはロールコート法などの通常方法により厚さ１００〜２０００ｎｍに塗布または付着させることができる。
【００１６】
このように、本発明によって製作されたプラズマ素子、特にプラズマディスプレイパネルは、従来のプラズマディスプレイパネルに比べて低い放電電圧及び短い放電ばらつきなどの向上した放電特性を示す。
【発明の效果】
【００１７】
本発明による酸化マグネシウムの微粒子を含むプラズマ素子、特にプラズマディスプレイパネルは、従来のプラズマディスプレイパネルに比べて低い放電電圧及び放電遅ればらつきの低減などの向上した放電特性を示す。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下本発明を、実施例によりさらに詳細に説明する。但し、本発明の範囲がこれらの実施例に限定されるものではない。
【００１９】
＜酸化マグネシウムの微粒子の製造＞
【実施例１】
【００２０】
極微量マンガンを含むマグネシウム金属粉末（平均粒径４５μｍ以下、純度９９．９８％、Ｓａｍｃｈｕｎ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ社製、韓国）を、図５に示したように、ペレット状に圧縮して水素−酸素拡散火炎（７００〜２２００℃）を用いて加熱させてマグネシウム金属を自然発火させた。自然発火が起った後、酸素雰囲気下に自然発火された原料を露出させて酸化を進行させた後、煙状になった酸化マグネシウムの微粒子を火炎の上方に設置された捕集板で捕集した。この場合、製造された酸化マグネシウムの微粒子を誘導結合プラズマ発光分光装置（ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ ｃｏｕｐｌｅｄ ｐｌａｓｍａ ａｔｏｍｉｃ ｅｍｉｓｓｉｏｎ ｓｐｅｃｔｒｏｐｈｏｔｏｍｅｔｅｒ，ＩＣＰ−ＡＥＳ，１３８ Ｕｌｔｒａｃｅ，Ｊｏｂｉｎ Ｙｖｏｎ社製）を用いて確認した結果、マンガンの含量は１４ｐｐｍであった。
【実施例２】
【００２１】
マンガンの含量を高めるために、極微量マンガンを含むマグネシウム金属粉末（平均粒径４５μｍ以下、純度９９．９８％、Ｓａｍｃｈｕｎ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ社製、韓国）にマンガン金属粉末（純度９９．９９％、Ｓｉｇｍａ Ａｌｄｒｉｃｈ社製）を前記マグネシウム粉末の２重量％の量で結合させてペレット状に圧縮して上記実施例１と同一の方法で行って酸化マグネシウム微粒子を得た。誘導結合プラズマ発光分光装置を用いて分析した結果、この粉末はマンガン５１２ｐｐｍを含有していることを確認した。
【００２２】
［試験例１］酸化マグネシウムの微粒子の物性試験
上記実施例１及び２で製造された極微量のマンガンイオンを含む酸化マグネシウムの微粒子に対してＸ線回折分析（ＸＲＤ，Ｍ１８ＸＨＦ−ＳＲＡ，株式会社マックサイエンス製、日本）を行った。図６ａ及び図６ｂのＸＲＤの結果を通じて金属前駆体が存在しない微細サイズの高純度の酸化マグネシウムが形成されたことを確認し、更に酸化マグネシウム粒子のマンガン含有量を５１２ｐｐｍに増加させた場合にも（図６ｂ）、マンガン含有量が１４ｐｐｍである酸化マグネシウム（図６ａ）と同一のピークを有するということを確認することができた。この結果からマンガン含有量をさらに高めた場合も、マンガンが他の酸化物を形成せずに良好な結晶性を有する酸化マグネシウムの微粒子に含まれていることを確認することができた。本発明の酸化マグネシウム粒子に含有されたマンガンの状態は、２価の陽イオン状態であることを電子スピン共鳴分光器（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｓｐｉｎ ｒｅｓｏｎａｎｃｅ ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ,ＥＳＲ,ＪＥＳ−ＴＥ２００,ＪＥＯＬ社製）を通じて確認した。図７ａ及び図７ｂから分かるように、マンガンが１４ｐｐｍ（図７ａ）と５１２ｐｐｍ（図７ｂ）が含まれているいずれの場合にも同一の位置にマンガン２価陽イオンの固有な六対のピークを有している。
【００２３】
また、上記実施例で製造された酸化マグネシウム粒子を、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ,ＦＥＩＸＬ−３０ ＦＥＧ,フィリップス社製、米国）の写真分析及び透過電子顕微鏡（ＴＥＭ,ＬＩＢＲＡ１２０,カールツァイス（Ｃａｒｌ Ｚｅｉｓｓ）社製、ドイツ）写真分析した結果をそれぞれ図８ａと図８ｂ及び図９ａと図９ｂに示した。図８ａ（マンガン含有量１４ｐｐｍ）に示したように実施例１で製造された酸化マグネシウムの微粒子は、完全な立方体形状を示し、実施例２でマンガンの含有量を増加させて得られた酸化マグネシウムの微粒子（マンガン含有量５１２ｐｐｍ）（図８ｂ）も完全な立方体形状であるということが分かる。図９ａ及び図９ｂに示したように、酸化マグネシウムの微粒子が立方体形状であって、マンガン含有量の変化に関係なくサイズ５ｎｍ〜５μｍを有することを確認することができた。
【００２４】
また、実施例で製造された酸化マグネシウムの微粒子をペレット状に圧縮した後、常温で環境制御型電子走査顕微鏡（ＥＳＥＭ,ＦＥＩＸＬ−３０ ＦＥＧ,フィリップス社製、米国）のチャンバ内に入れて、他の金属でコートされていない状態で負極発光測定器（Ｍｏｎｏ−ＣＬ,ガタン（Ｇａｔａｎ）社製、英国）を用いて負極が発光するか否かを試験し、その結果を図１０ａ及び図１０ｂに示した。図１０ａから分かるように、本発明による極微量マンガンが含まれているマグネシウム粉末を用いて得た１４ｐｐｍのマンガンを含有した酸化マグネシウムの微粒子は、波長域４２０ｎｍ及び７５０ｎｍの付近でピークを有することを確認することができた。また、図１０ｂから分かるように、酸化マグネシウム粒子のマンガンの含有量を５１２ｐｐｍに増加させた場合、波長域６１０ｎｍ及び７５０ｎｍにおけるピークの強度が大きく向上し、図１０ａ及び図１０ｂのいずれも３００ｎｍ以下の波長域では、ピークを有しなかった。
【００２５】
図１１は、実施例で製造されたマンガンを含む酸化マグネシウムの微粒子のマンガン含有量によるエネルギー分散型Ｘ線分光分析（Ｅｎｅｒｇｙ−ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ Ｘ−ｒａｙ ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ,ＥＤＸ或いはＥＤＳ,フィリップス社製、米国）の結果である。図１１から分かるように、マンガンの含有量が増加するほど酸素の割合が減少することを確認することができ、これによって酸素欠陥がさらに発生することを推測することができる。
【００２６】
［試験例２］酸化マグネシウムの微粒子層を含む放電セルの性能試験
図３に示したように、通常的な方法で前面ガラス基板１の背面に電極対（Ｘ、Ｙ）２を前面ガラス基板１と平行に配列させた。上記電極対（Ｘ、Ｙ）２を被覆するように誘電体層３を形成した後、該誘電体層３の表面に蒸着法またはスパッタリングによって薄膜のＭｇＯ保護層４を形成させ、上記ＭｇＯ保護層４上に実施例で製造された酸化マグネシウム粒子を約５００〜７００ｎｍの厚さで均一にコートした。これの走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）の写真を図４に示した。対向放電セルの性能テスト装置のアドレス電極に電圧を加えてプラズマ放電の放電開始電圧を測定し、放電電圧以上を加えた後、実際に安定した放電が形成されるまでの時間、即ち放電遅れ時間を測定した。その結果を酸化マグネシウム粒子が含まれない従来の放電セルの放電特性と比較して表１に示した（試料Ａ：実施例１の粉末を使用；試料Ｂ：実施例２の粉末を使用）。
【表１】
2008311203.tif 000003
【００２７】
上記表１から分かるように、本発明の特定の負極発光特性の酸化マグネシウムの微粒子がコートされた対向放電セルの遅れ時間ｔｄが、酸化マグネシウムの微粒子が含まれない従来の放電セルの遅れ時間ｔｐに比べて大幅に減少したことが分かる。試料Ａは、マンガンが１４ｐｐｍ含まれた立方体の酸化マグネシウムを約５００〜７００ｎｍ程度の厚さでコートした放電セルであり、試料Ｂは、マンガンが５１２ｐｐｍ含まれた酸化マグネシウム粒子で塗布した放電セルである。コートされた厚さや均一の程度によって、その性能の差があり得るが、遅れ時間の減少は明確に現われた。放電遅れのばらつきは放電が開始される時までの遅れ時間、即ち放電形成の遅れ時間と、放電が安定するまで所要される放電統計的遅れ時間とからなるが、本発明による特定の負極発光特性を有する酸化マグネシウム粒子が適用された放電セルにおいては、特に放電統計的遅れ時間が大幅に減少した。放電電圧の場合にも、試料Ａと試料Ｂの両方とも酸化マグネシウム粒子が適用されない従来の放電セルに比べて約３〜２５％減少した。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】一般的なプラズマディスプレイパネルの概路図である。
【図２】本発明の一実施態様による酸化マグネシウムの微粒子層を含むプラズマディスプレイパネルの概路図である。
【図３】図２のプラズマディスプレイパネルにおける酸化マグネシウムの微粒子層が形成された前面部のみを示した断面図である。
【図４】試験例２において、ＭｇＯの保護層上にコートされた厚さ５００〜７００ｎｍの酸化マグネシウムの微粒子層の走査電子顕微鏡（ｓｃａｎｎｉｎｇ ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ,ＳＥＭ）の写真である。
【図５】本発明の一実施態様による酸化マグネシウムの微粒子の製造工程に対する概路図である。
【図６】（ａ）および（ｂ）は実施例で製造された極微量のマンガンを含む酸化マグネシウムの微粒子のＸ線回折分析（Ｘ−ｒａｙ ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ,ＸＲＤ）を通じた結果を示す図である。
【図７】（ａ）および（ｂ）は実施例で製造された極微量のマンガンを含む酸化マグネシウムの微粒子の電子スピン共鳴分光器（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｓｐｉｎ ｒｅｓｏｎａｎｃｅ ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ,ＥＳＲ）による結果である。
【図８】（ａ）および（ｂ）は実施例で製造された極微量のマンガンを含む酸化マグネシウムの微粒子の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）の写真である。
【図９】（ａ）および（ｂ）は実施例で製造された極微量のマンガンを含む酸化マグネシウムの微粒子の透過電子顕微鏡（ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ,ＴＥＭ）の写真である。
【図１０】（ａ）および（ｂ）は実施例で製造された極微量のマンガンを含む酸化マグネシウムの微粒子の負極発光（ｃａｔｈｏｄｅ ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ,ＣＬ）スペクトラムの結果である。
【図１１】実施例で製造された極微量のマンガンを含む酸化マグネシウムの微粒子のマンガン含有量によるエネルギー分散型Ｘ線分光分析（ｅｎｅｒｇｙ−ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅＸ−ｒａｙｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ,ＥＤＸ或いはＥＤＳ）の結果である。
【符号の説明】
【００２９】
１    前面基板                                ２    Ｘ、Ｙ電極
３、６    誘電体層                            ４    ＭｇＯ保護層
５    隔壁                                    ７    蛍光体層
８    背面基板                                ９    アドレス電極
１０    プラズマ
１１    特定の負極発光の特性を有する酸化マグネシウムの微粒子層
【図１】
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【図２】
2008311203.tif 000005
【図３】
2008311203.tif 000006
【図４】
2008311203.tif 000007
【図５】
2008311203.tif 000008
【図６】
2008311203.tif 000009
【図７】
2008311203.tif 000010
【図８】
2008311203.tif 000011
【図９】
2008311203.tif 000012
【図１０】
2008311203.tif 000013
【図１１】
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