(57)【要約】【課題】基板内を伝搬するＰＰＭ漏洩波を減衰させて、電力損失の低減と回路動作特性の向上と異常発振の防止を図った高周波回路装置，高周波モジュール及び無線通信装置を提供する。【解決手段】高周波回路装置は、スロット線路１，２とＦＥＴ２００とを誘電体基板１００の表面側に備え、スロット線路１，２と非対称なＰＤＴＬを構成するスロット線路３，４とを裏面側に備える。接地された導体板５−１，５−２が誘電体基板１００の両側面部に取り付けられ、導体板５−１（５−２）の上面部５２が表面側導体１０１に、下面部５３が裏面側導体１０２にそれぞれ接触して、表面側導体１０１と裏面側導体１０２とを導体板５−１（５−２）で短絡している。そして、誘電体基板１００の基板端１００ａ（１００ｂ）と導体板５−１（５−２）の起立部５１との間に空隙５５を画成し、基板端１００ａ（１００ｂ）を開放している。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体基板の表面の導体に形成された第１及び第２のスロット線路と、当該誘電体基板の表面に実装されて、これら第１及び第２のスロット線路との間に介在し、第１のスロット線路内に入力された帯域内信号を増幅して第２のスロット線路内に出力する能動素子と、上記誘電体基板の裏面の導体に形成された第３及び第４のスロット線路とを有し、上記第１及び第２のスロット線路と第３及び第４のスロット線とが非対称のＰＤＴＬである高周波回路装置であって、
上記第１及び第２のスロット線路の両側に位置する上記誘電体基板の両側面部において、表面側の導体と裏面側の導体とを接地した導電部材で短絡し、
この導電部材と当該両側面部の誘電体端面との間に所定幅の空隙を設けて、当該両側面部の端面を開放した、
ことを特徴とする高周波回路装置。
【請求項２】
請求項１に記載の高周波回路装置において、
上記空隙の幅を、当該誘電体基板内に生じるＰＰＭ漏洩波の波長以下に設定した、
ことを特徴とする高周波回路装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の高周波回路装置において、
上記空隙内に、上記誘電体基板の誘電体よりも低誘電率の誘電体を充填した、
ことを特徴とする高周波回路装置。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の高周波回路装置において、
上記導電部材は、導体板であり、この導体板の一方縁部を上記側面部の表面側導体に接続すると共に他方縁部を裏面側導体に接続して、当該表面側導体と裏面側導体とを当該側面部のほぼ全部に亘って短絡した、
ことを特徴とする高周波回路装置。
【請求項５】
請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の高周波回路装置において、
上記導電部材は、線状又は帯状の導体であり、複数の当該導体を上記ＰＰＭ漏洩波の波長の４分の１未満の間隔で上記側面部に配し、各導体を表面側導体と裏面側導体とに接続することで短絡した、
ことを特徴とする高周波回路装置。
【請求項６】
請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の高周波回路装置において、
上記導電部材を、略Ｕ字状のパッケージプレートの接地された導電性の上端面と、起立部とこの起立部上の水平部とで形成されたパッケージサイドカバーの当該起立部の下面と内面と水平部の下面とに亘って設けられた導体とによって構成し、
上記裏面側導体を上記パッケージプレートの上端面に接触させた状態で、誘電体基板を当該パッケージプレート上に載置し、
上記パッケージサイドカバーを、起立部の下面を上記パッケージプレートの上端面に接触させると共に水平部の下面を誘電体基板の表面側導体に接触させ、当該起立部の内面を上記両側面部の端面から上記所定幅だけ離した状態で、誘電体基板の当該両側面部に配した、
ことを特徴とする高周波回路装置。
【請求項７】
請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の高周波回路装置において、
上記導電部材を、略Ｕ字状のパッケージプレートの接地された導電性の上端面と、上記ＰＰＭ漏洩波の波長の４分の１未満の間隔で上記上端面に配され且つ一方端が当該上端面に接続された線状又は帯状の複数の導体とで構成し、
上記裏面側導体を上記パッケージプレートの上端面に接触させた状態で、誘電体基板を当該パッケージプレート上に載置し、
上記導体の他方端を、当該誘電体基板の表面側導体にそれぞれ接続した、
ことを特徴とする高周波回路装置。
【請求項８】
アンテナ部と、このアンテナ部が接続された送信部又は受信部と、これら送信部内又は受信部内のミキサに所定周波数の局所信号を発振する発振部とを備える高周波モジュールであって、
上記送信部又は受信部と発振部とが、請求項１ないし請求項７のいずれかに記載の高周波回路装置である、
ことを特徴とする高周波モジュール。
【請求項９】
請求項８に記載の高周波モジュールを備えた、
ことを特徴とする無線通信装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、ＰＤＴＬ（Planar Dielectric Transmission Line）を基本伝送線路とした高周波回路装置，高周波モジュール及び無線通信装置に関し、特に、非対称型のＰＤＴＬを有した高周波回路装置，高周波モジュール及び無線通信装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
マイクロ波やミリ波等の高周波信号を扱う高周波回路装置では、能動素子実装や特性インピーダンス設計等の容易さから、スロット線路を誘電体基板面に形成した回路を用いることが多い。そして、このようにスロット線路を用いた高周波回路装置において、高周波発振器の高Ｑ値化や高周波増幅器の低損失化等を向上すべく、ＰＤＴＬを基本伝送線路とした高周波回路装置が提案されている（特許文献１ないし特許文献３参照）。
ＰＤＴＬのスロット線路とは、誘電体基板の両面のスロット線路を同形に設定して互いに対向させた線路をいう。例えば、図１９に示すように、誘電体基板１００の表面の導体１０１に形成された第１及び第２のスロット線路１１１，１１２と、裏面の導体１０２に形成された第３及び第４のスロット線路１２１，１２２とは同形をなし且つ互いに対向している場合に、これら第１及び第２のスロット線路１１１，１１２と第３及び第４のスロット線１２１，１２２とはＰＤＴＬであるという。より詳細には、第１のスロット線路１１１と第３のスロット線１２１とがＰＤＴＬであり、第２のスロット線路１１２と第４のスロット線１２２とがＰＤＴＬである。
図１９に示すように、誘電体基板１００を挟んで対向するスロット線路１１１，１２１（１１２，１２２）が同形の場合には、特に、この線路を対称なＰＤＴＬを呼んでいる。
スロット線路をこのようなＰＤＴＬ構造にすることで、高周波信号Ｍ１，Ｍ１′（Ｍ２，Ｍ２′）を、誘電体基板１００両側のスロット線路１１１，１２１（１１２，１２２）内を互いに同位相で伝搬させ、電磁界エネルギを、両スロット線路１１１，１２１（１１２，１２２）内と誘電体基板１００内に集中させることができる。
【０００３】
このような対称なＰＤＴＬは、高周波回路装置におけるフィルタ等の受動回路部分に用いられる。しかし、増幅器等の能動回路部分では、ＦＥＴ等の能動素子を誘電体基板の片面にのみ設置し、誘電体基板の両面のスロット線路パターンを一部異ならしめた構造のＰＤＴＬが用いられる。例えば、図２０に示すような能動回路では、二点鎖線で示すＦＥＴ２００を表面の第１及び第２のスロット線路１１１，１１２間に介在させ、第１のスロット線路１１１から入力した高周波信号Ｍ１をＦＥＴ２００で増幅し、その増幅した高周波信号Ｍ２を第２のスロット線路１１２に出力する。このような能動回路では、ＦＥＴ２００の入出力部に近い第１及び第２のスロット線路１１１，１１２のスロット線路パターン１１１ａ，１１２ａの幅を、第３及び第４のスロット線路１２１，１２２のスロット線路パターン１２１ａ，１２２ａの幅よりも狭くして、電磁界エネルギをＦＥＴ２００側に集中させ、電力を効率よくＦＥＴ２００に供給するようにしている。
このように、誘電体基板を挟んで対向する同形のスロット線路の内、一方のスロット線路の少なくとも一部の線路幅を他方のスロット線路の対応部の線路幅よりも狭く設定したＰＤＴＬを、非対称なＰＤＴＬという。したがって、図２０において、誘電体基板１００を挟んで対向する第１及び第２のスロット線路１１１，１１２と第３及び第４のスロット線１２１，１２２との幅を異ならしめた場合に、第１及び第２のスロット線路１１１，１１２と第３及び第４のスロット線路１２１，１２２とは非対称なＰＤＴＬであるという。より詳細には、第１のスロット線路１１１と第３のスロット線１２１とが非対称なＰＤＴＬであり、第２のスロット線路１１２と第４のスロット線１２２とが非対称なＰＤＴＬである。
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−０４８１０６号公報
【特許文献２】特開２００３−３０９４０５号公報
【特許文献３】特開平１０−３４１１０８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、上記した従来の技術では、次のような問題がある。
非対称なＰＤＴＬを基本伝送線路とする高周波回路装置においては、図２０で示したように、ＦＥＴ２００の入出力部を形成するスロット線路パターン１１１ａ，１１２ａの幅を、誘電体基板１００裏面のスロット線路パターン１２１ａ，１２２ａの幅よりも狭くして、電磁界エネルギをＦＥＴ２００側に集中させる構成を採るため、誘電体基板１００の表面側導体１０１と裏面側導体１０２との間に、電界が生じる。そして、この電界に起因する電磁波Ｎが、破線で示すように、誘電体基板１００内部を本来の高周波信号Ｍ１，Ｍ２の伝搬モードとは異なるモードで伝搬する。
すなわち、ＤＣから全ての周波数範囲で伝搬可能な平衡平板モード(Parallel  Plate  Mode ;ＰＰＭ)の電磁放射が、誘電体基板１００内部で行われ、この電磁波Ｎがオープン状態の基板端１００ａ，１００ｂで反射を繰り返しながら誘電体基板１００内を伝搬するのである。
このようなＰＰＭの電磁波（以下、「ＰＰＭ漏洩波」と記す。）Ｎは、ＦＥＴ２００等の能動素子を有した高周波回路装置にとって損失となるばかりでなく、反射を繰り返している間に、スロット線路１１１，１１２を伝送する本来の高周波信号Ｍ１，Ｍ２と再結合して、高周波回路装置の動作特性に重大な影響を与えるおそれがある。例えば、ＰＰＭ漏洩波Ｎがかかる再結合を行うことによって、本来の高周波信号Ｍ１，Ｍ２と相殺したり強調したりする。この結果、当該高周波回路装置の出力特性に大きなリプルを生じさせる。また、反射を繰り返すＰＰＭ漏洩波ＮがＦＥＴ２００等の能動素子の入力部にフィードバックされて、異常発振を起こす原因ともなる。
【０００６】
この発明は、上述した課題を解決するためになされたもので、基板内を伝搬するＰＰＭ漏洩波を減衰させて、電力損失の低減と回路動作特性の向上と異常発振の防止を図った高周波回路装置，高周波モジュール及び無線通信装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、請求項１の発明は、誘電体基板の表面の導体に形成された第１及び第２のスロット線路と、誘電体基板の表面に実装されて、これら第１及び第２のスロット線路との間に介在し、第１のスロット線路内に入力された帯域内信号を増幅して第２のスロット線路内に出力する能動素子と、誘電体基板の裏面の導体に形成された第３及び第４のスロット線路とを有し、第１及び第２のスロット線路と第３及び第４のスロット線とが非対称のＰＤＴＬである高周波回路装置であって、第１及び第２のスロット線路の両側に位置する誘電体基板の両側面部において、表面側の導体と裏面側の導体とを接地した導電部材で短絡し、この導電部材と両側面部の誘電体端面との間に所定幅の空隙を設けて、両側面部の端面を開放した構成とする。
かかる構成により、帯域内信号が第１のスロット線路に入力されると、第３のスロット線路にも同位相の帯域内信号が入力される。そして、第１のスロット線路内に入力された帯域内信号が、能動素子によって増幅され、第２のスロット線路内に出力される。第２のスロット線路に出力された信号と同位相の信号が第４のスロットからも出力される。このとき、第１及び第２のスロット線路と第３及び第４のスロット線とが非対称のＰＤＴＬ構造を成しているので、電磁エネルギが第１のスロット内側に集中し、帯域信号が能動素子によって効率的に増幅されて、第２のスロット線路に出力されることとなる。ところが、第１及び第２のスロット線路と第３及び第４のスロット線とが非対称のＰＤＴＬであるため、誘電体基板の表面側導体と裏面側導体との間に電界が生じ、この電界に起因するＰＰＭ漏洩波が、第１及び第２のスロット線路の両側に位置する誘電体基板の両側面部で反射を繰り返しながら誘電体基板内を伝搬するおそれがある。しかしながら、この発明では、第１及び第２のスロット線路の両側に位置する誘電体基板の両側面部において、表面側の導体と裏面側の導体とを接地した導電部材で短絡し、しかも、この導電部材と両側面部の誘電体端面との間に所定幅の空隙を設けて、両側面部の端面を開放した構成を採っているので、両側面部の導電部材で反射したＰＰＭ漏洩波が位相を反転させて戻り、両側面部の誘電体端面で反射したＰＰＭ漏洩波が同位相で戻る。この結果、導電部材で反射したＰＰＭ漏洩波と誘電体端面で反射したＰＰＭ漏洩波とが互いに相殺して減衰する。
【０００８】
請求項２の発明は、請求項１に記載の高周波回路装置において、空隙の幅を、誘電体基板内に生じるＰＰＭ漏洩波の波長以下に設定した構成とする。
【０００９】
請求項３の発明は、請求項１又は請求項２に記載の高周波回路装置において、空隙内に、誘電体基板の誘電体よりも低誘電率の誘電体を充填した構成とする。
【００１０】
請求項４の発明は、請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の高周波回路装置において、導電部材は、導体板であり、この導体板の一方縁部を側面部の表面側導体に接続すると共に他方縁部を裏面側導体に接続して、当該表面側導体と裏面側導体とを側面部のほぼ全部に亘って短絡した構成とする。
かかる構成により、ＰＰＭ漏洩波は、側面部のほぼ全部を短絡した導体板で反射し、位相を反転させて戻る。そして、当該側面部の誘電体端面で反射したＰＰＭ漏洩波が同位相で戻るので、導体板で反射したＰＰＭ漏洩波と誘電体端面で反射したＰＰＭ漏洩波とが互いに相殺して減衰する。
【００１１】
請求項５の発明は、請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の高周波回路装置において、導電部材は、線状又は帯状の導体であり、複数の導体をＰＰＭ漏洩波の波長の４分の１未満の間隔で側面部に配し、各導体を表面側導体と裏面側導体とに接続することで短絡した構成とする。
かかる構成により、ＰＰＭ漏洩波は、側面部を短絡した線状又は帯状の複数の導体で反射し、位相を反転させて戻る。そして、当該側面部の誘電体端面で反射したＰＰＭ漏洩波が同位相で戻るので、導体で反射したＰＰＭ漏洩波と誘電体端面で反射したＰＰＭ漏洩波とが互いに相殺して減衰する。しかも、複数の導体がＰＰＭ漏洩波の波長の４分の１未満の間隔で側面部に配されているので、当該ＰＰＭ漏洩波が複数の導体によって共振して異常発振を起こすこともない。
【００１２】
請求項６の発明は、請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の高周波回路装置において、導電部材を、略Ｕ字状のパッケージプレートの接地された導電性の上端面と、起立部とこの起立部上の水平部とで形成されたパッケージサイドカバーの起立部の下面と内面と水平部の下面とに亘って設けられた導体とによって構成し、裏面側導体をパッケージプレートの上端面に接触させた状態で、誘電体基板をパッケージプレート上に載置し、パッケージサイドカバーを、起立部の下面をパッケージプレートの上端面に接触させると共に水平部の下面を誘電体基板の表面側導体に接触させ、起立部の内面を両側面部の端面から所定幅だけ離した状態で、誘電体基板の両側面部に配した構成とする。
かかる構成により、ＰＰＭ漏洩波は、パッケージサイドカバーの起立部の下面と内面と水平部の下面とに亘って設けられた導体で反射し、位相を反転させて戻る。そして、パッケージサイドカバーが配された誘電体基板の側面部の誘電体端面で反射したＰＰＭ漏洩波が同位相で戻る。この結果、導体で反射したＰＰＭ漏洩波と誘電体端面で反射したＰＰＭ漏洩波とが互いに相殺して減衰する。
【００１３】
請求項７の発明は、請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の高周波回路装置において、導電部材を、略Ｕ字状のパッケージプレートの接地された導電性の上端面と、ＰＰＭ漏洩波の波長の４分の１未満の間隔で上端面に配され且つ一方端が上端面に接続された線状又は帯状の複数の導体とで構成し、裏面側導体をパッケージプレートの上端面に接触させた状態で、誘電体基板をパッケージプレート上に載置し、導体の他方端を、誘電体基板の表面側導体にそれぞれ接続した構成とする。
かかる構成により、ＰＰＭ漏洩波は、パッケージプレートの上端面と誘電体基板の表面側導体とに接続された複数の線状又は帯状の複数の導体で反射し、位相を反転させて戻る。そして、誘電体端面で反射したＰＰＭ漏洩波が同位相で戻るので、導体で反射したＰＰＭ漏洩波と誘電体端面で反射したＰＰＭ漏洩波とが互いに相殺して減衰する。しかも、複数の導体がＰＰＭ漏洩波の波長の４分の１未満の間隔で配されているので、当該ＰＰＭ漏洩波が複数の導体によって共振して異常発振を起こすこともない。
【００１４】
請求項８の発明に係る高周波モジュールは、アンテナ部と、このアンテナ部が接続された送信部又は受信部と、これら送信部内又は受信部内のミキサに所定周波数の局所信号を発振する発振部とを備える高周波モジュールであって、送信部又は受信部と発振部とが、請求項１ないし請求項７のいずれかに記載の高周波回路装置である構成とした。
【００１５】
請求項９の発明に係る無線通信装置は、請求項８に記載の高周波モジュールを備えた構成とする。
【発明の効果】
【００１６】
以上詳しく説明したように、この発明の高周波回路装置によれば、第１及び第２のスロット線路の両側に位置する誘電体基板の両側面部において、表面側の導体と裏面側の導体とを接地した導電部材で短絡すると共に、この導電部材と両側面部の誘電体端面との間に所定幅の空隙を設けて、両側面部の端面を開放し、誘電体基板の両側面部で反射するＰＰＭ漏洩波を減衰させるようにしたので、電力の損失を低減することができる。また、ＰＰＭ漏洩波が、第１及び第２のスロット線路を伝搬する帯域内信号と再結合することがないので、装置の動作特性の向上を図ることができる。さらに、ＰＰＭ漏洩波が能動素子によって増幅されて、異常発振の原因となることを防止することができるという優れた効果がある。
【００１７】
また、請求項３の発明に係る高周波回路装置によれば、誘電体を充填することにより、空隙を所望の大きさに調整することができる。
【００１８】
また、請求項８及び請求項９の発明によれば、低電力損失で動作特性に優れ、しかも異常発振が生じない高周波モジュール及び無線通信装置を提供することができるという効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、この発明の最良の形態について図面を参照して説明する。
【実施例１】
【００２０】
図１は、この発明の第１実施例に係る高周波回路装置を示す分解斜視視図であり、図２は、図１に示す高周波回路装置の表面図であり、図３は、高周波回路装置の裏面図である。
【００２１】
図１及び図２に示すように、この実施例の高周波回路装置は、誘電体基板１００の表面側に、第１のスロット線路としてのスロット線路１と第２のスロット線路としてのスロット線路２とこれらスロット線路１，２との間に実装された能動素子としてのＦＥＴ２００とを備えている。さらに、高周波回路装置は、図３に示すように、誘電体基板１００の裏面側に、第３のスロット線路としてのスロット線路３と第４のスロット線路としてのスロット線路４とを備えている。そして、図１〜図３に示すように、この実施例の特徴である導電部材としての導体板５−１，５−２が誘電体基板１００の両側面部に取り付けられている。
【００２２】
スロット線路１は、伝送する高周波信号Ｍ１をＦＥＴ２００に入力するための線路であり、誘電体基板１００の表面側導体１０１を所定パターンの形状に削除することで形成される。
具体的には、図２に示すように、スロット線路１は、誘電体基板１００の縁部で開口した長尺状のパターン１０とこのパターン１０から延出した幅狭のパターン１１とで構成されている。また、パターン１１の先端１１ａはショート状態にされており、この先端１１ａの前段には、湾曲部１１ｂが形成されている。そして、この湾曲部１１ｂの頂部が、高周波信号Ｍ１の波長の４分の１だけ先端１１ａから離れた位置に設定されている。また、このパターン１１からは、一対のＤＣ（直流）カット線路１２，１３が分岐され、ゲート電極部１０１Ｇが、これらＤＣカット線路１２，１３とスロット線路１とによって画成されている。
【００２３】
スロット線路２は、増幅された高周波信号Ｍ２をＦＥＴ２００から出力するための線路であり、スロット線路１と誘電体基板１００の中心点Ｐに対して１８０°回転対称の形状を成している。
すなわち、スロット線路２は、誘電体基板１００の縁部で開口した長尺状のパターン２０と、このパターン２０から誘電体基板１００の中央側に延出した幅狭のパターン２１とで構成されている。そして、ショート状態のパターン２１の先端２１ａの後段に、湾曲部２１ｂが形成されている。この湾曲部２１ｂの頂部も、出力される高周波信号Ｍ２の波長の４分の１だけ先端２１ａから離れた位置に設定されている。また、このスロット線路２からも、一対のＤＣカット線路２２，２３が分岐され、ドレイン電極部１０１Ｄが、これらＤＣカット線路２２，２３とスロット線路２とによって画成されている。
したがって、ゲート電極部１０１Ｇ，ドレイン電極部１０１Ｄ以外の表面側導体１０１の部分がソース電極部１０１Ｓをなす。
【００２４】
ＦＥＴ２００は、スロット線路１からの高周波信号Ｍ１を増幅し、その増幅した高周波信号Ｍ２をスロット線路２に出力するための素子であり、端子がコプレーナ型に配列されている。すわなち、図１に示すように、ゲート端子Ｇとドレイン端子Ｄとを直列に配され、ソース端子Ｓがこれらゲート端子Ｇ，ドレイン端子Ｄの両側に平行に配されている。かかるＦＥＴ２００では、バンプ２０１を介して、ゲート端子Ｇが表面側導体１０１のゲート電極部１０１Ｇに、ドレイン端子Ｄがドレイン電極部１０１Ｄに、ソース端子Ｓがソース電極部１０１Ｓにフリップチップ実装されている。
【００２５】
スロット線路３は、図３に示すように、誘電体基板１００の裏面側導体１０２に形成され、スロット線路１と非対称のＰＤＴＬを構成する。
すなわち、スロット線路３とスロット線路１とは、誘電体基板１００を挟んで対向しており、スロット線路１のパターン１０と同幅のパターン３０と、パターン１０，１１よりも幅広のパターン３１とを有している。
また、スロット線路４もスロット線路２と非対称なＰＤＴＬを構成している。すなわち、スロット線路４とスロット線路２とは、誘電体基板１００を挟んで対向しており、スロット線路２のパターン２０と同幅のパターン４０と、パターン２０，２１よりも幅広のパターン４１とを有している。
【００２６】
導体板５−１，５−２は、誘電体基板１００内に生じるＰＰＭ漏洩波を減衰するための部材であり、図１の二点鎖線で示すように、スロット線路１，２の両側に位置する両側面部（基板端１００ａ，１００ｂ側の部分）に取り付けられている。
図４は、図２の矢視Ａ−Ａ断面図である。
図４及び図１に示すように、導体板５−１（５−２）は、断面コ字状に形成されており、その長さは、誘電体基板１００の側面部の長さとほぼ等しく設定されている。そして、導体板５−１（５−２）の中途部には、ゲート電極部１０１Ｇ（ドレイン電極部１０１Ｄ）との干渉を避けるための切り欠き部５０が形成されている。
このような導体板５−１（５−２）は、接地されており、一方縁部としての上面部５２を表面側導体１０１に接触させると共に、他方縁部としての下面部５３を裏面側導体１０２に接触させた状態で、誘電体基板１００の側面部に取り付けられている。これにより、誘電体基板１００の表面側導体１０１と裏面側導体１０２とが、側面部で短絡された状態になっている。
また、かかる導体板５−１（５−２）は、その起立部５１を誘電体基板１００の基板端１００ａ（１００ｂ）から距離ｄだけ離した状態で、取り付けられており、これにより、誘電体基板１００の基板端１００ａ（１００ｂ）と起立部５１との間に距離ｄの空隙５５が画成され、基板端１００ａ（１００ｂ）が開放された状態になっている。この実施例では、この空隙５５の距離ｄを後述するＰＰＭ漏洩波の波長以下に設定している。
このように、導体板５−１（５−２）を誘電体基板１００の側面部に取り付けることで、起立部５１のショート状態と基板端１００ａ（１００ｂ）のオープン状態との２種類の境界条件が近接した状態になる。
【００２７】
次に、この実施例の高周波回路装置が示す作用及び効果について説明する。
図２及び図３に示すように、ゲート電圧，ドレイン電圧をゲート電極部１０１Ｇ，ドレイン電極部１０１Ｄを通じてＦＥＴ２００に印加し、ＦＥＴ２００の動作状態時において、帯域内の高周波信号Ｍ１をＴＥ１０モードでスロット線路１に入力すると、表面側の高周波信号Ｍ１が、スロット線路１のパターン１０から幅狭のパターン１１に入力され、ＦＥＴ２００で増幅されて、その増幅された高周波信号Ｍ２がスロット線路２のパターン２１に出力され、パターン２０側に送られる。このとき、誘電体基板１００の裏面側では、高周波信号Ｍ１と同位相の高周波信号Ｍ１′が、パターン３０から幅広のパターン３１に入力され、高周波信号Ｍ２と同位相の高周波信号Ｍ２′がパターン４１からパターン４０に出力される。
すなわち、スロット線路１，３とスロット線路２，４とがそれぞれ非対称なＰＤＴＬであり、スロット線路１のパターン１１がスロット線路３のパターン３１よりも幅狭に設定され、スロット線路２のパターン２１がスロット線路４のパターン４１よりも幅狭に設定されていることので、電磁界エネルギがスロット線路３，４よりもスロット線路１，２側に集中し、高周波信号Ｍ１，Ｍ２の電磁界エネルギが強くなる。
また、ＦＥＴ２００のゲート端子Ｇ，ドレイン端子Ｄがパターン１１，２１の先端１１ａ，２１ａから高周波信号Ｍ１，Ｍ２の波長の４分の１の箇所に接続されているので、高周波信号Ｍ１の最大電圧値がゲート端子Ｇに印加し、ドレイン端子Ｄから高周波信号Ｍ２の最大電圧値が出力されることとなる。
さらに、ＦＥＴ２００のゲート端子Ｇ，ドレイン端子Ｄ，ソース端子Ｓがコプレーナ型に配列されているので、電界がスロット線路１の線幅方向を向くＴＥ１０モードの高周波信号Ｍ１は、これらの端子Ｇ，Ｓを通じてスムーズにＦＥＴ２００に入力し、ＴＥ１０モードの高周波信号Ｍ２が、これらの端子Ｄ，Ｓを通じてスムーズにＦＥＴ２００から出力されることとなる。
このように、この実施例の高周波回路装置によれば、高周波信号Ｍ１，Ｍ２をＦＥＴ２００に対して効率よく入出力することができる。
【００２８】
ところが、スロット線路１，２とスロット線路３，４が非対称のＰＤＴＬであるため、誘電体基板１００の表面側導体１０１と裏面側導体１０２との間に電界が生じ、この電界によって、ＰＰＭ漏洩波が誘電体基板１００内に発生し、スロット線路１，２の両側に位置する両側面部（基板端１００ａ，１００ｂ側の部分）で反射を繰り返しながら誘電体基板１００内を伝搬するおそれがある。
図５は、ＰＰＭ漏洩波の発生メカニズムを説明するための部分拡大断面図である。
スロット線路１（２）とスロット線路３（４）が非対称のＰＤＴＬであるため、図５に示すように、パターン１１（２１）の線幅がパターン３１（４１）の線幅よりも狭く設定されている。このため、パターン１１（２１）の幅方向に生じる高周波信号Ｍ１（Ｍ２）の電界成分Ｅ１は、パターン３１（４１）に幅方向に生じる高周波信号Ｍ１′（Ｍ２′）の電界成分Ｅ２よりも強い。この結果、この電界成分Ｅ１が図のようにソース電極部１０１Ｓ（ドレイン電極部１０１Ｄ）からゲート電極部１０１Ｇ（ソース電極部１０１Ｓ）側を向いている場合には、電界成分Ｅ２も同方向を向き、ソース電極部１０１Ｓ（ドレイン電極部１０１Ｄ）から導体１０２側を向く電界成分Ｅ３と、導体１０２からゲート電極部１０１Ｇ（ソース電極部１０１Ｓ）側を向く電界成分Ｅ４とが、誘電体基板１００内に生成されることとなる。そして、これら電界成分Ｅ３，Ｅ４とこれらの電界成分の周りを回転する磁界成分とで成るＰＰＭ漏洩波Ｎ，Ｎが誘電体基板１００の両側面部に向かって伝搬し、両側面部で反射を繰り返して異常発振等の原因となるおそれがある。
【００２９】
しかしながら、この実施例の高周波回路装置は、図４に示したように、接地された導体板５−１，５−２をスロット線路１，２の両側に位置する両側面部（基板端１００ａ，１００ｂ側の部分）に取り付けて、誘電体基板１００の表面側導体１０１と裏面側導体１０２とを短絡すると共に、基板端１００ａ（１００ｂ）を開放した構成となっているので、誘電体基板１００内に発生したＰＰＭ漏洩波Ｎを減衰させることができる。
図６は、導体板５−１，５−２によるＰＰＭ漏洩波Ｎの減衰作用を説明するための概略断面図である。
図６の（ａ）に示すように、パターン１１（２１）に高周波信号Ｍ１（Ｍ２）の強い電界成分Ｅ１が生じ、パターン３１（４１）に高周波信号Ｍ１′（Ｍ２′）の弱い電界成分Ｅ２が生じると、破線で示すように、表面側導体１０１から裏面側導体１０２側を向く電界成分Ｅ３と裏面側導体１０２から表面側導体１０１側を向く電界成分Ｅ４とが発生し、これらの電界成分Ｅ３，Ｅ４によるＰＰＭ漏洩波Ｎ，Ｎが誘電体基板１００内を基板端１００ｂ，１００ａ側に向かって伝搬する。
そして、これらＰＰＭ漏洩波Ｎ，Ｎが、基板端１００ａ，１００ｂに至ると、図６の（ｂ）に示すように、ＰＰＭ漏洩波Ｎ，Ｎが基板端１００ａ，１００ｂによってそれぞれ反射される。このとき、これらの基板端１００ａ，１００ｂが開放端（オープン）であるので、基板端１００ａ，１００ｂからの反射ＰＰＭ漏洩波Ｎ１，Ｎ１は入射ＰＰＭ漏洩波Ｎ，Ｎとは同位相となる。
また、基板端１００ａ，１００ｂで反射されずに通過したＰＰＭ漏洩波Ｎ，Ｎが導体板５−１，５−２の起立部５１，５１に至ると、図６の（ｃ）に示すように、起立部５１，５１によって反射されるが、導体板５−１，５−２の起立部５１，５１が短絡端（ショート）であるので、起立部５１，５１からの反射ＰＰＭ漏洩波Ｎ２，Ｎ２は、入射ＰＰＭ漏洩波Ｎ，Ｎと逆位相になる。
したがって、パターン１１（２１）及びパターン３１（４１）の部位で発生したＰＰＭ漏洩波Ｎ，Ｎがオープンの基板端１００ａ，１００ｂで反射して生じた反射ＰＰＭ漏洩波Ｎ１，Ｎ１とショートの起立部５１，５１で反射した反射ＰＰＭ漏洩波Ｎ２，Ｎ２とが、互いに相殺し、図６の（ｄ）に示すように、結果的にＰＰＭ漏洩波Ｎ，Ｎが減衰することとなる。
【００３０】
このように、この実施例によれば、ＰＰＭ漏洩波Ｎ，Ｎを導体板５−１，５−２によって減衰させることができるので、電力の損失を低減することができる。また、ＰＰＭ漏洩波Ｎ，Ｎが、スロット線路１，２を伝搬する高周波信号Ｍ１，Ｍ２と再結合することがないので、装置の動作特性の向上を図ることができる。さらに、ＰＰＭ漏洩波Ｎ，ＮがＦＥＴ２００によって増幅されて、異常発振の原因となることもない。
【実施例２】
【００３１】
次に、この発明の第２実施例について説明する。
図７は、この発明の第２実施例に係る高周波回路装置を示す断面図である。
図４に示したように、上記第１実施例では、誘電体基板１００の基板端１００ａ（１００ｂ）と導体板５−１（５−２）との間を距離ｄの空隙５５とした。
これに対して、この実施例では、図７に示すように、幅ｄの誘電体６０を基板端１００ａ（１００ｂ）に貼り付けることにより、誘電体６０を空隙５５内に充填した状態にした。
この誘電体６０の誘電率は、誘電体基板１００の誘電率よりも極めて低く設定されている。例えば、誘電率が「２４」の誘電体基板１００に対して、誘電率が「１０」の誘電体６０を貼り付ける。
かかる構成により、誘電体６０の幅を適宜設定することで、導体板５−１（５−２）の起立部５１と基板端１００ａ（１００ｂ）との距離ｄを正確に設定することができる。すなわち、空気層の空隙５５に比べて、固体の誘電体６０の幅の方が管理し易く、この結果、距離ｄの正確な設定が可能となる。
その他の構成、作用及び効果は、上記第１実施例と同様であるので、その記載は省略する。
【実施例３】
【００３２】
次に、この発明の第３実施例について説明する。
図８は、この発明の第３実施例に係る高周波回路装置を示す分解斜視図である。
この実施例は、導電部材の形状が、上記第１及び第２実施例の導体板の形状と異なる。
図８に示すように、この実施例の導電部材５′−１，５′−２は、複数の帯状導体５６で構成されている。具体的には、起立部５７と上面部５８と下面部５９とで形成される断面コ字状の帯状導体５６を複数、間隔ｗで並べ、下面部５９を連結部５４に連結した構成になっている。かかる導電部材５′−１（５′−２）においても、ゲート電極部１０１Ｇ（ドレイン電極部１０１Ｄ）との干渉を避けるための切り欠き部５０が設けられている。
この導電部材５′−１（５′−２）も接地されており、破線で示すように、ゲート電極部１０１Ｇ（ドレイン電極部１０１Ｄ）を切り欠き部５０の間に位置させた状態で、上面部５８を表面側導体１０１に接触させると共に、下面部５９を裏面側導体１０２に接触させている。これにより、誘電体基板１００の両側面部が起立部５７で短絡される。また、この起立部５７も、第１及び第２実施例における起立部５１と同様に、誘電体基板１００の基板端１００ａ（１００ｂ）から距離ｄだけ離した状態で、取り付けられており、これにより、誘電体基板１００の基板端１００ａ（１００ｂ）と起立部５７との間に上記距離ｄの空隙５５が画成され、基板端１００ａ（１００ｂ）が開放された状態になっている。この実施例においても、この空隙５５の距離ｄを後述するＰＰＭ漏洩波の波長以下に設定している。また、帯状導体５６間の間隔ｗは、ＰＰＭ漏洩波の波長の４分の１未満の間隔に設定されている。
【００３３】
かかる構成により、誘電体基板１００内部を基板端１００ａ（１００ｂ）側に伝搬するＰＰＭ漏洩波は、基板端１００ａ（１００ｂ）で反射し、入射ＰＰＭ漏洩波と同位相の状態で戻る。また、基板端１００ａ（１００ｂ）を通って導電部材５′−１（５′−２）側に至ったＰＰＭ漏洩波は、帯状導体５６の起立部５７で反射し、入射ＰＰＭ漏洩波と逆位相の状態で戻り、基板端１００ａ（１００ｂ）で反射した同位相のＰＰＭ漏洩波と相殺される。
なお、この実施例において、誘電体６０を空隙５５内に充填することもできる。
その他の構成、作用及び効果は、上記第１及び第２実施例と同様であるので、その記載は省略する。
【実施例４】
【００３４】
次に、この発明の第４実施例について説明する。
図９は、この発明の第４実施例に係る高周波回路装置の外観図であり、図１０は、高周波回路装置の分解斜視図であり、図１１は、導体を示すパッケージサイドカバーの斜視図である。
この実施例の高周波回路装置は、図９に示すように、上記第１ないし第３実施例と同構造の誘電体基板１００をパッケージに収納し、パッケージプレート６とパッケージサイドカバー７−１，７−２とでＰＰＭ漏洩波の減衰部分を構成した点が、上記第１ないし第３実施例と異なる。
【００３５】
すなわち、上記第１ないし第３実施例と同様に、スロット線路１，２とＦＥＴ２００とスロット線路３，４とゲート電極部１０１Ｇとドレイン電極部１０１Ｄとソース電極部１０１Ｓとを有した誘電体基板１００をパッケージプレート６の上端面に載せ、パッケージサイドカバー７−１，７−２を誘電体基板１００の両側部を覆うようにしてパッケージプレート６の両上端面に載置した。
【００３６】
パッケージプレート６は、図１０に示すように、両側壁部６１，６２と底壁部６３とを有した略Ｕ字状の絶縁体であり、接地された導体６５が、側壁部６１（６２）の外面６１ａ（６２ａ）と上端面６１ｂ（６２ｂ）と内面６１ｃ（６２ｃ）と底壁部６３の内面６３ａとに亘って設けられている。側壁部６１（６２）を覆う導体６５の途中には、切り欠き部６５ａが設けられ、誘電体基板１００のゲート電極部１０１Ｇ（ドレイン電極部１０１Ｄ）に所定の直流電圧を印加するための端子部６６（６７）が、導体６５と分離された状態で切り欠き部６５ａ内に形成されている。
【００３７】
パッケージサイドカバー７−１（７−２）は、起立部７１とこの起立部７１上の水平部７２とを有した略Ｌ字状の絶縁体であり、導体７３が、内面に設けられている。
具体的には、図１１に示すように、導体７３が起立部７１の下端面７１ａ及び内面７１ｂと水平部７２の内面７２ａとに亘って設けられている。そして、導体７３の途中には、切り欠き部７３ａが設けられ、ゲート電極部１０１Ｇ（ドレイン電極部１０１Ｄ）と端子部６６（６７）とに接触可能な中継部７４（７５）がこの切り欠き部７３ａ内に形成されている。
【００３８】
誘電体基板１００は、このようなパッケージプレート６とパッケージサイドカバー７−１，７−２とによって構成されるパッケージ内に収納されている。
図１２は、図９の矢視Ｂ−Ｂ断面図であり、図１３は、図９の矢視Ｃ−Ｃ断面図である。
すなわち、図１２に示すように、誘電体基板１００は、パッケージプレート６の側壁部６１，６２上に載置され、裏面側導体１０２が側壁部６１，６２の上端面６１ｂ，６２ｂ上の導体６５と接触している。
そして、パッケージサイドカバー７−１，７−２が、側壁部６１，６２の上端面６１ｂ，６２ｂ上に載置され、起立部７１，７１の下端面７１ａ下の導体７３と側壁部６１，６２の上端面６１ｂ，６２ｂ上の導体６５とが接触している。そして、起立部７１の内面７１ｂと水平部７２の内面７２ａが、誘電体基板１００の側面部側に向けられ、水平部７２の内面７２ａ下の導体７３が表面側導体１０１に接触している。これにより、誘電体基板１００の表面側導体１０１と裏面側導体１０２とがパッケージサイドカバー７−１（７−２）の導体７３とパッケージプレート６の導体６５とによって短絡されている。また、起立部７１の内面７１ｂは、基板端１００ａ（１００ｂ）から距離ｄだけ離され、内面７１ｂ上の導体７３と基板端１００ａ（１００ｂ）との間に空隙５５が形成されている。
なお、パッケージサイドカバー７−１（７−２）の導体７３の切り欠き部７３ａ内に配された中継部７４（７５）は、ゲート電極部１０１Ｇ（ドレイン電極部１０１Ｄ）に接触している。具体的には、図１３に示すように、中継部７４（７５）の上面部７４ａ（７５ａ）をゲート電極部１０１Ｇ（ドレイン電極部１０１Ｄ）に接触させ、下面部７４ｂ（７５ｂ）を端子部６６（６７）に接触させている。
【００３９】
かかる構成により、端子部６６，６７にゲート電圧，ドレイン電圧を印加すると、これらの直流電圧は、中継部７４，７５を介してゲート電極部１０１Ｇ，ドレイン電極部１０１Ｄに入力し、ＦＥＴ２００のゲート端子Ｇ，ドレイン端子Ｄにそれぞれ印加される。
そして、誘電体基板１００内部を基板端１００ａ（１００ｂ）側に伝搬するＰＰＭ漏洩波は、基板端１００ａ（１００ｂ）で反射し、入射ＰＰＭ漏洩波と同位相の状態で戻る。また、基板端１００ａ（１００ｂ）と通ってパッケージサイドカバー７−１（７−２）側に至ったＰＰＭ漏洩波は、起立部７１の内面７１ｂに位置する導体７３で反射し、入射ＰＰＭ漏洩波と逆位相の状態で戻り、基板端１００ａ（１００ｂ）で反射した同位相のＰＰＭ漏洩波と相殺される。
【００４０】
このように、この実施例の高周波回路装置によれば、誘電体基板１００全体をカバーで覆わずに、誘電体基板１００の表面側をパッケージサイドカバー７−１，７−２の間から露出させた構造になっているので、ＦＥＴ２００の動作状態時にその特性変化をモニタしながら微調整することができる。
なお、この実施例では、絶縁体であるパッケージプレート６の表面に接地された導体６５を設けた構成としたが、パッケージプレート６の材質を金属で形成しても良い。
その他の構成、作用及び効果は、上記第１ないし第３実施例と同様であるので、その記載は省略する。
【実施例５】
【００４１】
次に、この発明の第５実施例について説明する。
図１４は、この発明の第５実施例に係る高周波回路装置を示す斜視図である。
図１４に示すように、この実施例は、パッケージサイドカバー７−１，７−２の代わりに、線状の導体であるワイヤ８１，８２を用いて導電部材８−１，８−２を構成した点が、上記第４実施例と異なる。
すなわち、複数のワイヤ８１をパッケージプレート６の側壁部６１（６２）の上端面６１ｂ（６２ｂ）上の導体６５上に間隔ｗで列設し、各ワイヤ８１の一方端としての基端部８１ａをパッケージプレート６の導体６５に接続すると共に、他方端としての先端部８１ｂをパッケージプレート６上に載置された誘電体基板１００の表面側導体１０１に接続した。これにより、複数のワイヤ８１と導体６５とによって導電部材８−１（８−２）を構成して、誘電体基板１００の両側面部を短絡させた。また、ワイヤ８２は、ゲート電極部１０１Ｇ（ドレイン電極部１０１Ｄ）と端子部６６（６７）との間に接続した。また、複数のワイヤ８１も、第３実施例における帯状導体５６と同様に、誘電体基板１００の基板端１００ａ（１００ｂ）から距離ｄだけ離した状態で、取り付けられており、これにより、誘電体基板１００の基板端１００ａ（１００ｂ）とワイヤ８１との間に上記距離ｄの空隙５５が画成され、基板端１００ａ（１００ｂ）が開放された状態になっている。また、ワイヤ８１間の間隔ｗは、第３実施例と同様に、ＰＰＭ漏洩波の波長の４分の１未満の間隔に設定されている。
その他の構成、作用及び効果は、上記第３及び第４実施例と同様であるので、その記載は省略する。
【実施例６】
【００４２】
次に、この発明の第６実施例について説明する。
図１５は、この発明の第６実施例に係る無線通信装置のブロックであり、図１６は、ＲＦ部のブロック図である。
この実施例の無線通信装置はレーダー装置であり、ミリ波帯の高周波を送信する送信機９−１と、ミリ波帯の高周波を受信する受信機９−２とで構成される。
図１５に示すように、送信機９−１は、送信用のＲＦ（高周波）部９ＴとＢＢ（ベースバンド）部９Ｂとを有し、受信機９−２は、受信用のＲＦ部９ＲとＢＢ部９Ｂとを有する。
ＲＦ部９Ｔは、図１６に示すように、発振器９１とミキサ９２と帯域フィルタ９３と第１増幅器９４と第２増幅器９５とアンテナ９６とを有している。
これにより、ミキサ９２において、ＢＢ部９Ｂから入力した中間周波数のＢＢ信号Ｓ１を発振器９１からの例えば３０ＧＨｚの局所信号でアップコンバートして、ＲＦ信号Ｓ２を生成し、帯域フィルタ９３で帯域外のノイズを除去する。しかる後、このＲＦ信号Ｓ２を第１及び第２増幅器９４，９５でパワーアップして、アンテナ９６から電波として送信することができる。
【００４３】
このようなＲＦ部９Ｔは、高周波モジュールとして形成されている。
図１７は、モジュール化されたＲＦ部の平面図であり、図１８は、図１７に示すＲＦ部の正面図である。
図１７及び図１８に示すように、発振器９１〜アンテナ９６は、それぞれ分割された誘電体基板１００上に形成されており、これら６枚の誘電体基板１００が直列にパッケージプレート６′上に載置され、パッケージサイドカバー７′−１，７′−２が６枚全ての誘電体基板１００の両側面部を覆うように配されている。
発振器９１，ミキサ９２，第１及び第２増幅器９４，９５は、ＦＥＴ２００−１〜２００−７を有した能動回路である。したがって、ＦＥＴ２００−１〜２００−７の入出力部分の表面側スロット線路とこれらのスロット線路に対応する裏面側スロット線路とは非対称なＰＤＴＬに形成されている。このため、ＲＦ信号Ｓ２の伝送方向（図１７の上から下への方向）の両側にパッケージサイドカバー７′−１，７′−２を配した。
【００４４】
パッケージプレート６′は、図１８に示すように、上記第４実施例で適用されたパッケージプレート６とほぼ同構造の絶縁体であり、接地された導体６５が、側壁部６１，６２と底壁部６３とに亘って設けられている。
また、パッケージサイドカバー７′−１，７′−２も上記第４実施例のパッケージサイドカバー７−１，７−２とほぼ同構造の絶縁体であり、導体７３が、起立部７１と水平部７２との内面に設けられている。
また、図示しないが、上記第４実施例と同様に、ＦＥＴ２００−１〜２００−７に直流電圧を印加するための端子部６６（６７）や中継部７４（７５）がパッケージプレート６′やパッケージサイドカバー７′−１，７′−２に設けられ、ＢＢ信号Ｓ１を外部からミキサ９２に入力するための端子部や中継部がパッケージプレート６′やパッケージサイドカバー７′−１，７′−２に設けられていることは勿論である。
【００４５】
一方、受信機９−２のＲＦ部９Ｒも、図示しないがＲＦ部９Ｔとほぼ同構造を成し、アンテナ９６で受信したＲＦ信号Ｓ２を第１及び第２増幅器９４，９５で増幅した後、必要な帯域内のＲＦ信号Ｓ２のみを帯域フィルタ９３で抽出する。そして、帯域内のＲＦ信号Ｓ２がミキサ９２において発振器９１からの３０ＧＨｚの局所信号で中間数端数のＢＢ信号Ｓ１にダウンコンバートして、ＢＢ部９Ｂに出力することができる。かかるＲＦ部９ＲもＲＦ部９Ｔと同様にモジュール化されている。
【００４６】
かかる構成により、低電力損失で動作特性に優れ、しかも異常発振が生じない高周波モジュール及び無線通信装置を提供することができる。
尚、この実施例では、発振器９１という発振部を含んだＲＦ部９ＴやＲＦ部９Ｒをモジュール化した高周波モジュールを備えた無線通信装置を例示したが、高周波モジュールとしては、これに限定されるものではなく、発振部と送信部と受信部のいずれか又は全てをモジュール化した高周波モジュールを適用することができる。
その他の構成、作用及び効果は、上記第１ないし第５実施例と同様であるので、その記載は省略する。
【００４７】
なお、この発明は、上記実施例に限定されるものではなく、発明の要旨の範囲内において種々の変形や変更が可能である。
例えば、上記第実施例では、能動素子として、ＦＥＴ２００を例示したが、これに限定されるものでなく、ＦＥＴ以外のトランジスタやＩＣ等、あらゆる能動素子をこの発明の範囲に含む。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】この発明の第１実施例に係る高周波回路装置を示す分解斜視視図である。
【図２】図１に示す高周波回路装置の表面図である。
【図３】高周波回路装置の裏面図である。
【図４】図２の矢視Ａ−Ａ断面図である。
【図５】ＰＰＭ漏洩波の発生メカニズムを説明するための部分拡大断面図である。
【図６】導体板によるＰＰＭ漏洩波の減衰作用を説明するための概略断面図である。
【図７】この発明の第２実施例に係る高周波回路装置を示す断面図である。
【図８】この発明の第３実施例に係る高周波回路装置を示す分解斜視図である。
【図９】この発明の第４実施例に係る高周波回路装置の外観図である。
【図１０】高周波回路装置の分解斜視図である。
【図１１】導体を示すパッケージサイドカバーの斜視図である。
【図１２】図９の矢視Ｂ−Ｂ断面図である。
【図１３】図９の矢視Ｃ−Ｃ断面図である。
【図１４】この発明の第５実施例に係る高周波回路装置を示す斜視図である。
【図１５】この発明の第６実施例に係る無線通信装置のブロック図である。
【図１６】ＲＦ部のブロック図である。
【図１７】モジュール化されたＲＦ部の平面図である。
【図１８】図１７に示すＲＦ部の正面図である。
【図１９】スロット線路が対称なＰＤＴＬの構成を成す誘電体基板の斜視図である。
【図２０】スロット線路が非対称なＰＤＴＬの構成を成す誘電体基板の斜視図である。
【符号の説明】
【００４９】
１，２，３，４…スロット線路、  ５−１，５−２…導体板、  ５′−１，５′−２，８−１，８−２…導電部材、  ６，６′…パッケージプレート、  ７−１，７−２，７′−１，７′−２…パッケージサイドカバー、  ９−１…送信機、  ９−２…受信機、  ９Ｔ，９Ｒ…ＲＦ部、  ９Ｂ…ＢＢ部、  １０，１１，２０，２１，３０，３１，４０，４１…パターン、  １１ａ，２１ａ…先端、  １１ｂ，２１ｂ…湾曲部、  １２，１３，２２，２３…ＤＣカット線路、  ５０，６５ａ，７３ａ…切り欠き部、  ５１，５７，７１…起立部、  ５２，５８，７４ａ，７５ａ…上面部、  ５３，５９，７４ｂ，７５ｂ…下面部、  ５４…連結部、  ５５…空隙、  ５６…帯状導体、  ６０…誘電体、  ６１，６２…側壁部、  ６１ａ，６２ａ…外面、  ６１ｂ，６２ｂ…上端面、  ６１ｃ，６２ｃ，６３ａ，７１ｂ，７２ａ…内面、  ６３…底壁部、  ６５，７３…導体、  ６６，６７…端子部、  ７１ａ…下端面、  ７２…水平部、  ７４，７５…中継部、  ８１，８２…ワイヤ、  ８１ａ…基端部、  ８１ｂ…先端部、  ９１…発振器、  ９２…ミキサ、  ９３…帯域フィルタ、  ９４…第１増幅器、  ９５…第２増幅器、  ９６…アンテナ、  １００…誘電体基板、  １００ａ，１００ｂ…基板端、  １０１…表面側導体、  １０１Ｄ…ドレイン電極部、  １０１Ｇ…ゲート電極部、  １０１Ｓ…ソース電極部、  １０２…裏面側導体、  ２００…ＦＥＴ、  ２０１…バンプ、  Ｅ１，Ｅ２，Ｅ３，Ｅ４…電界成分、  Ｍ１，Ｍ２…高周波信号、  Ｎ，Ｎ１，Ｎ２…ＰＰＭ漏洩波。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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