(57)【要約】【課題】第三元素を添加しない場合でも飽和磁束密度Ｂsが２４．５ｋＧ以上、異方性磁界Ｈkが１５．５Ｏｅ以上の特性を実現することが可能な軟磁性薄膜の製造方法、軟磁性薄膜、磁気ヘッド、垂直磁気記録媒体を提供する。【解決手段】非磁性基板１１上に非磁性下地膜１２を製膜する下地膜製膜段階と、非磁性下地膜１２上にＦｅ−Ｃｏ磁性膜１３を製膜する磁性膜製膜段階とを含む軟磁性薄膜の製造方法であって、磁性膜製膜段階が、非磁性下地膜１２上にアシストイオンビームＩＢａを照射しながらＦｅ−Ｃｏ磁性膜１３を製膜するイオン照射製膜段階と、イオン照射製膜後のＦｅ−Ｃｏ磁性膜１３に磁界を印加しながら熱処理する熱処理段階を含むことを特徴とするものである。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
非磁性基板上に非磁性下地膜を製膜する下地膜製膜段階と、
前記非磁性下地膜上に鉄コバルト（Ｆｅ−Ｃｏ）磁性膜を製膜する磁性膜製膜段階とを含む軟磁性薄膜の製造方法であって、
前記磁性膜製膜段階が、前記非磁性下地膜上にアシストイオンビームを照射しながら前記Ｆｅ−Ｃｏ磁性膜を製膜するイオン照射製膜段階と、
イオン照射製膜後の前記Ｆｅ−Ｃｏ磁性膜に磁界を印加しながら熱処理する熱処理段階を含むことを特徴とする軟磁性薄膜の製造方法。
【請求項２】
前記アシストイオンビームのビーム電圧が５０〜２５０ボルトである請求項１に記載の軟磁性薄膜の製造方法。
【請求項３】
前記下地膜製膜段階が、前記非磁性下地膜として銅（Ｃｕ）膜を製膜する段階である請求項１または請求項２に記載の軟磁性薄膜の製造方法。
【請求項４】
非磁性基板上に製膜される非磁性下地膜と、
前記非磁性下地膜上に製膜され、体心立方構造を有して、（１１０）面間隔が２．０２８〜２．０３１オングストロームの範囲にあるＦｅ−Ｃｏ磁性膜とを含む軟磁性薄膜。
【請求項５】
請求項４に記載の軟磁性薄膜を含む磁気ヘッド。
【請求項６】
請求項４に記載の軟磁性薄膜を含む垂直磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、軟磁性薄膜の製造方法および軟磁性薄膜、磁気ヘッド、垂直磁気記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、記録装置の小型化、大容量化、またそれらに伴う高転送レート化のために、記録媒体の高保磁力化、高密度化および磁気ヘッドの動作周波数の広帯域化が進められている。
【０００３】
高保磁力媒体を飽和記録するためには、磁気ヘッドの記録磁極に高い飽和磁束密度Ｂsを持つ軟磁性薄膜を適用することが必要である。また、記録媒体として二層垂直磁気記録媒体を採用し、その軟磁性層に高い飽和磁束密度Ｂsを持つ軟磁性薄膜を適用することにより、磁気記録の高密度化が可能となる。
【０００４】
磁気ヘッドの動作周波数の広帯域化に関しては、記録磁極の軟磁性層の強磁性共鳴周波数ｆrを大きくすることが必要である。面内一軸異方性を有する軟磁性薄膜の強磁性共鳴周波数ｆrは、飽和磁束密度Ｂsおよび異方性磁界Ｈkを用いて［数１］のように表される。したがって、飽和磁束密度Ｂsと異方性磁界Ｈkを大きくすることによって、磁気ヘッドの強磁性共鳴周波数ｆrを大きくし、磁気ヘッドの動作周波数を広帯域化することができる。
【数１】
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【０００５】
軟磁性薄膜として一般的なＦｅ−Ｃｏ磁性膜は、Ｃｏの組成比が２５〜３５％のときに２４．５ｋＧという高い飽和磁束密度Ｂsを持つが、磁歪が３〜８×１０-5と大きいため、軟磁性薄膜に求められる保磁力Ｈcが小さく異方性磁界Ｈkが大きいという特性を実現することが容易ではない。
【０００６】
スタンフォード大学のＳ．Ｘ．Ｗａｎｇらは、Ｎｉ−Ｆｅ薄膜を下地膜とし、かつＦｅ−Ｃｏ製膜中に窒素を添加することによって、飽和磁束密度Ｂs＝２４．５ｋＧ、強磁性共鳴周波数ｆr＝１．５ＧＨｚが実現できることを報告している（例えば、非特許文献１参照）。
【０００７】
この報告を契機として、Ｎｉ−Ｆｅ薄膜を下地膜とした高い飽和磁束密度Ｂsを持つＦｅ−Ｃｏ軟磁性薄膜材料の研究が精力的に行われてきた。
【０００８】
秋田県高度技術研究所の新宅らは、Ｆｅ−Ｃｏに微量のＡｌ2Ｏ3を添加し、Ｎｉ−Ｆｅ薄膜あるいはＣｏ−Ｚｒ−Ｎｂ薄膜からなる軟磁性下地膜を用いることによって、飽和磁束密度Ｂsが２４ｋＧと大きく保磁力Ｈcが１Ｏｅ以下の軟磁性薄膜を開発することに成功している（例えば、非特許文献２参照）。
【０００９】
また、Ｆｅ70Ｃｏ30（ａｔ％）合金にＡｌ2Ｏ3を１％追加した母材を用いてイオンビームスパッタ法で堆積したＦｅ−Ｃｏ−Ａｌ−Ｏ膜においては、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、ＡｌあるいはＲｕなどの非磁性下地膜を用いても、飽和磁束密度Ｂsが２３ｋＧ以上、強磁性共鳴周波数ｆrが１ＧＨｚ以上の特性を実現することが可能な軟磁性膜が得られることも報告されている（例えば、非特許文献３参照）。
【非特許文献１】S. X. Wang, N. X. Sun, M. Yamaguchi and S. Yabukami, Nature, Vol.407, p.150-151, 2000
【非特許文献２】新宅、山川、大内著、電子情報通信学会技術研究報告、２００２年、ＭＲ２００２−２０
【非特許文献３】N. Hayashi, Y. Miyamoto, K. Machida, and T. Tamaki, Journal of Magnetism and Magnetic Materials, 287, pp.387-391, 2005
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、このような従来の軟磁性薄膜の製造技術では、第三元素を添加せずに高い飽和磁束密度Ｂsと高い強磁性共鳴周波数ｆrを有するＦｅ−Ｃｏ磁性膜を実現することはできなかった。
【００１１】
本発明は上記の従来の課題を解決するためになされたものであって、第三元素を添加しない場合でも飽和磁束密度Ｂsが２４．５ｋＧ以上、異方性磁界Ｈkが１５．５Ｏｅ以上の特性を実現することが可能な軟磁性薄膜の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
［第１の発明］
本発明の軟磁性薄膜の製造方法は、非磁性基板上に非磁性下地膜を製膜する下地膜製膜段階と、前記非磁性下地膜上に鉄コバルト（Ｆｅ−Ｃｏ）磁性膜を製膜する磁性膜製膜段階とを含む軟磁性薄膜の製造方法であって、前記磁性膜製膜段階が、前記非磁性下地膜上にアシストイオンビームを照射しながら前記Ｆｅ−Ｃｏ磁性膜を製膜するイオン照射製膜段階と、イオン照射製膜後の前記Ｆｅ−Ｃｏ磁性膜に磁界を印加しながら熱処理する熱処理段階を含むことを特徴とするものである。
【００１３】
この製造方法により、第三元素を添加しない場合でも高い飽和磁束密度Ｂsと高い異方性磁界Ｈkを有する軟磁性薄膜を製造できることとなる。
【００１４】
［第２の発明］
本発明の軟磁性薄膜の製造方法は、前記アシストイオンビームのビーム電圧が５０〜２５０ボルトであるものである。
【００１５】
この製造方法により、体心立方構造を有し、（１１０）面間隔が２．０２８〜２．０３１オングストロームのＦｅ−Ｃｏ磁性膜を製造できることとなる。
【００１６】
［第３の発明］
本発明の軟磁性薄膜の製造方法は、前記下地膜製膜段階が、前記非磁性下地膜として銅（Ｃｕ）膜を製膜するものである。
【００１７】
この製造方法により、体心立方構造を有し、（１１０）面間隔が２．０２８〜２．０３１オングストロームのＦｅ−Ｃｏ磁性膜を製造できることとなる。
【００１８】
［第４の発明］
本発明の軟磁性薄膜は、非磁性基板上に製膜される非磁性下地膜と、前記非磁性下地膜上に製膜され、体心立方構造を有して、（１１０）面間隔が２．０２８〜２．０３１オングストロームの範囲にあるＦｅ−Ｃｏ磁性膜とを含む構成を有している。
【００１９】
この構成により、第三元素を添加しない場合でも飽和磁束密度Ｂsが２４．５ｋＧ以上、異方性磁界Ｈkが１５．５Ｏｅ以上となる特性を実現することができることとなる。
【００２０】
［第５の発明］
本発明の磁気ヘッドは、第４の発明に記載の軟磁性薄膜を含む構成を有している。
【００２１】
この構成により、第三元素を添加しない場合でも飽和磁束密度Ｂsが２４．５ｋＧ以上、異方性磁界Ｈkが１５．５Ｏｅ以上となる特性を実現することができることとなる。
【００２２】
［第６の発明］
本発明の垂直磁気記録媒体は、第４の発明に記載の軟磁性薄膜を含む構成を有している。
【００２３】
この構成により、第三元素を添加しない場合でも飽和磁束密度Ｂsが２４．５ｋＧ以上、異方性磁界Ｈkが１５．５Ｏｅ以上の特性を実現することができることとなる。
【発明の効果】
【００２４】
本発明は、非磁性下地膜上にビーム電圧５０〜２５０ボルトのアシストイオンビームを照射しながらＦｅ−Ｃｏ磁性膜を製膜することにより、第三元素を添加しない場合でも飽和磁束密度Ｂsが２４．５ｋＧ以上、異方性磁界Ｈkが１５．５Ｏｅ以上の特性を実現することが可能な軟磁性薄膜の製造方法を提供することができるものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下に、本発明に係る軟磁性薄膜の製造方法によって製造される軟磁性薄膜１について、図面を用いて説明する。図１は、軟磁性薄膜１の構造を示すブロック図である。
【００２６】
本発明に係る軟磁性薄膜の製造方法は、非磁性基板１１上に非磁性下地膜１２を製膜する下地膜製膜段階と、非磁性下地膜１２上にＦｅ−Ｃｏ磁性膜１３を製膜する磁性膜製膜段階とを含む軟磁性薄膜の製造方法であって、磁性膜製膜段階が、非磁性下地膜１２上にアシストイオンビームＩＢａを照射しながらＦｅ−Ｃｏ磁性膜１３を製膜するイオン照射製膜段階と、イオン照射製膜後のＦｅ−Ｃｏ磁性膜１３に磁界を印加しながら熱処理する熱処理段階を含むことを特徴とするものである。
【００２７】
そして、アシストイオンビームＩＢａのビーム電圧は５０〜２５０ボルトである。また、下地膜製膜段階は、非磁性下地膜１２としてＣｕ膜を製膜する段階である。
【００２８】
即ち、本発明に係る製造方法で製造した軟磁性薄膜１は、非磁性基板１１上に製膜される非磁性下地膜１２と、非磁性下地膜１２上に製膜され、体心立方構造を有して、（１１０）面間隔が２．０２８〜２．０３１オングストローム（Å）の範囲にあるＦｅ−Ｃｏ磁性膜１３とを含む。
【００２９】
図２は、本発明に係る軟磁性薄膜１の製膜装置２の構成を示す模式図である。
【００３０】
即ち、製膜装置２は、製膜イオンビームＩＢを放射する製膜用イオンソース２１と、製膜イオンビームＩＢによりスパッタ粒子Ｓが叩き出されるターゲットを保持する回転可能なターゲット回転機構２２と、マグネット２３１を有し、非磁性基板１１を保持する回転可能な基板回転機構２３と、アシストイオンビームＩＢａを放射するアシスト用イオンソース２４と、粗引き用のロータリーポンプ（不図示）と、超高真空用のクライオポンプ（不図示）とを含む。
【００３１】
製膜用イオンソース２１およびアシスト用イオンソース２４として、ホローカソード型イオンソースを用いた。なお、製膜イオンビームＩＢおよびアシストイオンビームＩＢａのイオンガスとしてクリプトンガスを用いた。
【００３２】
ターゲット回転機構２２は、４面に異なる４種類の材料を保持することができるものであり、非磁性下地膜１２用の材料としてＣｕ、Ａｕ、Ａｌ、Ａｇ、ＴｉあるいはＴａ、Ｆｅ−Ｃｏ磁性膜１３用の材料として純度９９．９９％のＦｅ70Ｃｏ30を備えている。ターゲット回転機構２２を回転することにより、製膜に用いる材料を適宜選択することができる。
【００３３】
製膜に用いる非磁性基板１１をターゲットと平行に設置し、基板回転機構２３により毎分５回転で回転させた。非磁性基板１１としては、表面酸化膜付きのシリコンウェハーとバリウム硼珪酸ガラス（コーニング７０５９（商標））あるいはアルミナチタンカーバイトなどを用いた。
【００３４】
非磁性下地膜１２については、ロータリーポンプおよびクライオポンプを使用して製膜装置内を２×１０-8Ｔｏｒｒ以下まで真空排気した後、製膜用イオンソース２１のビーム電圧を８５０Ｖ、ビーム電流を１００ｍＡ（電流密度５０Ａ／ｍ2、ただし電流密度とは、アノードとグランド間に流れるビーム電流をイオンソースから放出される面積で除したものである。）に設定し、クリプトンガス圧２×１０-4Ｔｏｒｒで製膜し、膜厚を５ｎｍとした。
【００３５】
Ｆｅ−Ｃｏ磁性膜１３については、ロータリーポンプおよびクライオポンプを使用して製膜装置内を２×１０-8Ｔｏｒｒ以下まで真空排気した後、製膜用イオンソース２１のビーム電圧を１２００Ｖ、ビーム電流を１００ｍＡ（電流密度５０Ａ／ｍ2）に設定した。マグネット２３１によって１５０Ｏｅの磁界を非磁性基板１１に印加しながらクリプトンガス圧２×１０-4Ｔｏｒｒで製膜し、膜厚を１００ｎｍとした。
【００３６】
なお、Ｆｅ−Ｃｏ磁性膜１３の製膜時にアシスト用イオンソース２４からビーム電圧５０〜３００Ｖ、ビーム電流１０〜４０ｍＡ（電流密度５〜２０Ａ／ｍ2）でクリプトンガスによりアシストイオンビームＩＢａを発生し、アシストイオンビームＩＢａを入射角度４５度で非磁性基板１１上に形成された非磁性下地膜１２に照射した。
【００３７】
製膜後、５×１０-7Ｔｏｒｒ以下の真空中において１ｋＯｅの磁界を印加しながらＦｅ−Ｃｏ磁性膜１３を３２５℃で１時間熱処理した。上記の熱処理を行うことにより、軟磁気特性が改善される。また、軟磁性薄膜１を磁気ヘッドに適用する場合には、磁気ヘッド作製プロセス時の処理温度（例えば２８０℃）に対する耐熱性を有することとなる。
【００３８】
作製した軟磁性薄膜１の飽和磁束密度Ｂs、保磁力Ｈc、異方性磁界Ｈkとを振動試料型磁力計を使用して測定した磁化特性から決定した。なお、本実施形態では飽和磁束密度Ｂsを１００Ｏｅの磁界における磁束密度Ｂ100で評価した。
【００３９】
図３は、本発明に係る軟磁性薄膜１の磁化特性の一例を示すグラフである。試料は後述する実施例３で用いているものである。図３中、ＨＡ（実線）およびＥＡ（点線）はそれぞれ磁化困難軸方向および磁化容易軸方向の磁化特性を示す。図３から磁化困難軸方向についてはＨc＝２．５Ｏｅ、Ｈk＝１８．３Ｏｅ、Ｂ100＝２４．５ｋＧであり、磁化容易軸方向についてはＨc＝９．５Ｏｅ、Ｂ100＝２４．５ｋＧであることがわかる。
【００４０】
図４および図５は、本発明に係る軟磁性薄膜１の実施例１〜１０および比較例１１〜２８の製造条件およびその諸特性を示す表である。なお、図５中の「熱処理温度」の欄における記号「−」は、熱処理を行っていないことを示す。また、図４から図９に示すＨc、Ｈk、Ｂsの値は全て磁化困難軸方向の磁化特性から決定したものである。
【００４１】
図５の比較例１３〜１６より、アシストイオンビームＩＢａのビーム電圧（以下、アシスト電圧と記す）Ｖaが０で、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌを非磁性下地膜１２に用い、３２５℃の熱処理を行った場合にはＨc≦４．４Ｏｅの特性が得られるが、Ｈk≦８．２Ｏｅであることがわかる。また、図４および図５から第三元素を添加しなくても、Ｂ100＝２４．５ｋＧは達成可能であることがわかる。
【００４２】
図６は、本発明に係る軟磁性薄膜１の保磁力Ｈcと（１１０）面間隔ｄ(110)の関係を示すグラフであり、実施例１〜１０および比較例１１〜２８の全ての試料についてプロットしたものである。このグラフから、（１１０）面間隔ｄ(110)が２．０２８〜２．０３１Åの範囲にある実施例１〜１０および比較例１３〜１６、１８の試料が、Ｈc≦５．２Ｏｅの特性を示すことがわかる。
【００４３】
図７は、本発明に係る軟磁性薄膜１の異方性磁界Ｈkと（１１０）面間隔ｄ(110)の関係を示すグラフであり、実施例１〜１０および比較例１１〜２８の全ての試料についてプロットしたものである。このグラフから、（１１０）面間隔ｄ(110)が２．０２８〜２．０３１Åの範囲にある実施例１〜１０の試料が、Ｈk≧１５．５Ｏｅの特性を示すことがわかる。
【００４４】
図８は、本発明に係る軟磁性薄膜１の保磁力Ｈcとアシスト電圧Ｖaの関係を示すグラフであり、図６および図７においてＨc≦５．２ＯｅかつＨk≧１５．５Ｏｅとなる実施例１〜１０の試料（熱処理温度が３２５℃、非磁性下地膜１２がＣｕ膜）に加えて、熱処理温度が３２５℃、非磁性下地膜１２がＣｕ膜である比較例１３および１８の試料のデータをプロットしたものである。このグラフから、熱処理温度が３２５℃、非磁性下地膜１２がＣｕ膜であり、アシスト電圧Ｖaが５０〜２５０Ｖの範囲のとき（実施例１〜１０）、Ｈc≦２．５Ｏｅの特性が得られることがわかる。
【００４５】
図９は、本発明に係る軟磁性薄膜１の異方性磁界Ｈkとアシスト電圧Ｖaの関係を示すグラフであり、図８と同様に図４および図５において、熱処理温度が３２５℃、非磁性下地膜１２がＣｕ膜である試料（実施例１〜１０、比較例１３、１８）についてプロットしたものである。このグラフから、熱処理温度が３２５℃、非磁性下地膜１２がＣｕ膜であり、アシスト電圧Ｖaが５０〜２５０Ｖの範囲のとき（実施例１〜１０）、Ｈk≧１５．５Ｏｅの特性が得られることがわかる。
【００４６】
したがって、製膜中にアシスト電圧Ｖaが５０〜２５０Ｖの範囲であるアシストイオンビームＩＢaを照射することにより、非磁性下地膜１２がＣｕ膜である軟磁性薄膜１は、（１１０）面間隔ｄ(110)が２．０３０Å程度、Ｂ100＝２４．５ｋＧ、Ｈc≦２．５Ｏｅ、Ｈk≧１５．５Ｏｅとなる特性を有することがわかる。なお、このときの強磁性共鳴周波数ｆrの値は１．８ＧＨｚ程度である。
【００４７】
軟磁性薄膜１の磁化容易軸方向は、製膜時の磁界印加方向あるいは熱処理時の磁界印加方向となるため、所望の方向に磁化容易軸方向を設定することができる。この特徴は磁気ヘッドあるいは垂直磁気記録媒体へ適用する際に有用なものである。
【００４８】
図１０に示す磁気ヘッド３は、リターンヨーク３１と、本発明に係る軟磁性薄膜１で構成された記録磁極３２とを備えている。そして、リターンヨーク３１と、記録磁極３２と、垂直磁気記録媒体Ｄとから磁気回路が構成され、垂直磁気記録媒体Ｄを磁化することによりデータが記録されるようになっている。なお、図１０および以降に示す図１１では再生ヘッドの記載を省略している。
【００４９】
ここで、図１０においてＷで示されたトラック幅方向と軟磁性薄膜の磁化容易軸を平行とすることによって、記録磁極３２からの磁界強度を大きくでき、垂直磁気記録媒体Ｄへの記録感度を向上することが可能となる。
【００５０】
図１１は本発明に係る軟磁性薄膜１が磁気ヘッド３に適用される例を示す断面図である。図１１（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示すように、リターンヨーク３１および記録磁極３２の一部あるいは全部に本発明の軟磁性薄膜１を適用することが可能である。
【００５１】
また、図１２に示す垂直磁気記録媒体である二層垂直磁気ディスク４は、非磁性基板４１と、本発明に係る軟磁性薄膜１と、中間層４２と、垂直磁気記録層４３と、保護膜層４４とを含んでおり、軟磁性薄膜１のＦｅ−Ｃｏ磁性膜１３の磁化容易軸４５の方向を半径方向とすることにより、Ｆｅ−Ｃｏ磁性膜の磁壁移動に伴うノイズを抑圧することができる。さらに、二層垂直磁気ディスク４は、軟磁性薄膜１が高い飽和磁束密度Ｂsを有するため、高密度の磁気記録を行うことが可能である。
【００５２】
以上説明したように、本発明の実施形態の軟磁性薄膜の製造方法によれば、第三元素を添加しない場合でも飽和磁束密度Ｂsが２４．５ｋＧ以上、異方性磁界Ｈkが１５．５Ｏｅ以上の特性を有する軟磁性薄膜を実現することが可能であり、磁気ヘッドおよび垂直磁気記録媒体に適用することが可能である。
【産業上の利用可能性】
【００５３】
以上のように、本発明に係る軟磁性薄膜の製造方法は、非磁性下地膜上にビーム電圧５０〜２５０ボルトのアシストイオンビームを照射しながらＦｅ−Ｃｏ磁性膜を製膜することにより、第三元素を添加しない場合でも飽和磁束密度Ｂsが２４．５ｋＧ以上、異方性磁界Ｈkが１５．５Ｏｅ以上の特性を実現することができるという効果を有し、軟磁性薄膜を有する磁気ヘッド、垂直磁気記録媒体等に有効である。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本発明に係る軟磁性薄膜の構造を示すブロック図
【図２】本発明に係る軟磁性薄膜の製膜装置の構成を示す模式図
【図３】本発明に係る軟磁性薄膜の磁化特性の一例を示すグラフ
【図４】本発明に係る軟磁性薄膜の実施例１〜１０の製造情報およびその諸特性を示す表
【図５】本発明に係る軟磁性薄膜の比較例１１〜２８の製造情報およびその諸特性を示す表
【図６】本発明に係る軟磁性薄膜の保磁力と（１１０）面間隔の関係を示すグラフ
【図７】本発明に係る軟磁性薄膜の異方性磁界と（１１０）面間隔の関係を示すグラフ
【図８】本発明に係る軟磁性薄膜の保磁力とアシスト電圧の関係を示すグラフ
【図９】本発明に係る軟磁性薄膜の異方性磁界とアシスト電圧の関係を示すグラフ
【図１０】本発明に係る軟磁性薄膜を適用した磁気ヘッドの構成を示す模式図
【図１１】本発明に係る軟磁性薄膜が磁気ヘッドに適用される例を示す断面図
【図１２】本発明に係る軟磁性薄膜を適用した二層垂直磁気ディスクの構成を示す模式図
【符号の説明】
【００５５】
１  軟磁性薄膜
３  磁気ヘッド
４  二層垂直磁気ディスク
１１  非磁性基板
１２  非磁性下地膜
１３  Ｆｅ−Ｃｏ磁性膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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