(57)【要約】【課題】  有機膜パターンへの２回目以降の現像処理をスムーズに行うことなどを可能とする基板処理方法及びそれに用いる薬液を提供する。【解決手段】  基板１上の有機膜パターン４の表面には、有機膜パターン４の表層部が変質してなる変質層と、該有機膜パターンの表面上に堆積物が堆積してなる堆積層と、のうちの少なくとも一方からなる阻害層が形成されている。この場合に、少なくとも前記阻害層を除去する除去処理に用いられる薬液であって、ヒドロキシルアミン誘導体とヒドラジン誘導体とのうちの少なくとも一方からなる第１の成分と、現像機能液成分と、を含む水溶液である。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に有機膜パターンが形成され、前記有機膜パターンの表面には、該有機膜パターンの表層部が変質してなる変質層と、該有機膜パターンの表面上に堆積物が堆積してなる堆積層と、のうちの少なくとも一方からなる阻害層が形成されている場合に、少なくとも前記阻害層を除去する除去処理に用いられる薬液であって、
ヒドロキシルアミン誘導体及びヒドラジン誘導体の少なくとも何れか一方からなる第１の成分と、
現像機能液成分と、
を含む水溶液であることを特徴とする薬液。
【請求項２】
基板上に有機膜パターンが形成され、前記有機膜パターンの表面には、該有機膜パターンの表層部が変質してなる変質層と、該有機膜パターンの表面上に堆積物が堆積してなる堆積層と、のうちの少なくとも一方からなる阻害層が形成されている場合に、少なくとも前記阻害層を除去する除去処理と、前記有機膜パターンを加工する本処理と、をこの順に行う場合において、前記除去処理に用いられる薬液であって、
ヒドロキシルアミン誘導体及びヒドラジン誘導体の少なくとも何れか一方からなる第１の成分と、
現像機能液成分と、
を含む水溶液であることを特徴とする薬液。
【請求項３】
前記本処理は、前記有機膜パターンの全てを除去する処理であることを特徴とする請求項２に記載の薬液。
【請求項４】
前記有機膜パターンは感光性有機膜であり、
当該薬液は、少なくとも前記有機膜パターンを感光させた後で行われる前記除去処理に用いられる薬液であることを特徴とする請求項３に記載の薬液。
【請求項５】
前記ヒドロキシルアミン誘導体が［（Ｒ１−）（Ｒ２−）］ＮＯＨ（ここで、Ｒ１、Ｒ２は、Ｃ１からＣ４のアルキルまたはヒドロキシアルキル）であることを特徴とする請求項１乃至４の何れか一項に記載の薬液。
【請求項６】
前記ヒドラジン誘導体が［（Ｒ１−）（Ｒ２−）］ＮＮ［（−Ｒ３）（−Ｒ４）］（ここで、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４は、水素、メチル、エチル及びフェニルのうちの何れか）であることを特徴とする請求項１乃至５の何れか一項に記載の薬液。
【請求項７】
前記ヒドロキシルアミン誘導体が、ヒドロキシルアミンと、Ｎ，Ｎ−ジエチルヒドロキシルアミンと、のうちの少なくとも何れか一方を含有することを特徴とする請求項１乃至６の何れか一項に記載の薬液。
【請求項８】
前記ヒドラジン誘導体が、ヒドラジン、メチルヒドラジン、１，１−ジメチルヒドラジン、及び、フェニルヒドラジンのうちの少なくとも何れか１つを含有することを特徴とする請求項１乃至７の何れか一項に記載の薬液。
【請求項９】
前記現像機能液成分が、水酸化テトラアルキルアンモニウム、アルカリ金属水酸化物、及び、アルカリ金属炭酸塩のうちの少なくとも何れか１つを含有することを特徴とする請求項１乃至８の何れか一項に記載の薬液。
【請求項１０】
前記水酸化テトラアルキルアンモニウムが、［（Ｒ１−）（Ｒ２−）（Ｒ３−）（Ｒ４−）］Ｎ＋ＯＨ−（ここで、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４は、Ｃ１からＣ４のアルキルまたはヒドロキシアルキル）であることを特徴とする請求項９に記載の薬液。
【請求項１１】
前記水酸化テトラアルキルアンモニウムが、水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化テトラエチルアンモニウム、コリン、及び、水酸化ジメチルビス（２−ヒドロキシエチル）アンモニウムのうちの少なくとも何れか１つを含有することを特徴とする請求項９に記載の薬液。
【請求項１２】
前記アルカリ金属水酸化物が、水酸化ナトリウムと、水酸化カリウムと、のうちの少なくとも何れか一方を含有することを特徴とする請求項９乃至１１の何れか一項に記載の薬液。
【請求項１３】
前記アルカリ金属炭酸塩が、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸カリウム、及び、炭酸水素カリウムのうちの少なくとも何れか１つを含有することを特徴とする請求項９乃至１１の何れか一項に記載の薬液。
【請求項１４】
当該薬液中における前記第１の成分の含有量が０．５重量％〜３０重量％であることを特徴とする請求項１乃至１３の何れか一項に記載の薬液。
【請求項１５】
当該薬液中における前記現像機能液成分の含有量が０．２重量％〜１０重量％であることを特徴とする請求項１乃至１４の何れか一項に記載の薬液。
【請求項１６】
当該薬液中における前記第１の成分の含有量が０．５重量％〜３０重量％であり、当該薬液中における前記現像機能液成分の含有量が０．２重量％〜１０重量％であることを特徴とする請求項１乃至１３の何れか一項に記載の薬液。
【請求項１７】
前記ヒドロキシルアミン誘導体が、［（Ｒ１−）（Ｒ２−）］ＮＯＨ（ここで、Ｒ１、Ｒ２は、Ｃ１からＣ４のアルキルまたはヒドロキシアルキル）、ヒドロキシルアミン、及び、Ｎ，Ｎ−ジエチルヒドロキシルアミンのうちの少なくとも何れか１つを含有し、
前記ヒドラジン誘導体が、［（Ｒ１−）（Ｒ２−）］ＮＮ［（−Ｒ３）（−Ｒ４）］（ここで、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４は、水素、メチル、エチル及びフェニルのうちの何れか）、ヒドラジン、メチルヒドラジン、１，１−ジメチルヒドラジン、及び、フェニルヒドラジンのうちの少なくとも何れか１つを含有し、
当該薬液中における前記第１の成分の含有量が０．５重量％〜３０重量％であることを特徴とする請求項１乃至１５の何れか一項に記載の薬液。
【請求項１８】
前記現像機能液成分が、水酸化テトラアルキルアンモニウム、アルカリ金属水酸化物、及び、アルカリ金属炭酸塩のうちの少なくとも何れか１つを含有し、
前記水酸化テトラアルキルアンモニウムが、［（Ｒ１−）（Ｒ２−）（Ｒ３−）（Ｒ４−）］Ｎ＋ＯＨ−（ここで、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４は、Ｃ１からＣ４のアルキルまたはヒドロキシアルキル）であるか、又は、水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化テトラエチルアンモニウム、コリン、及び、水酸化ジメチルビス（２−ヒドロキシエチル）アンモニウムのうちの少なくとも何れか１つを含有するものであり、
前記アルカリ金属水酸化物が、水酸化ナトリウムと、水酸化カリウムと、のうちの少なくとも何れか一方を含有するものであり、
前記アルカリ金属炭酸塩が、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸カリウム、及び、炭酸水素カリウムのうちの少なくとも何れか１つを含有するものであり、
当該薬液中における前記現像機能液成分の含有量が０．２重量％〜１０重量％であることを特徴とする請求項１乃至１５の何れか一項に記載の薬液。
【請求項１９】
前記ヒドロキシルアミン誘導体が、［（Ｒ１−）（Ｒ２−）］ＮＯＨ（ここで、Ｒ１、Ｒ２は、Ｃ１からＣ４のアルキルまたはヒドロキシアルキル）、ヒドロキシルアミン、及び、Ｎ，Ｎ−ジエチルヒドロキシルアミンのうちの少なくとも何れか１つを含有し、
前記ヒドラジン誘導体が、［（Ｒ１−）（Ｒ２−）］ＮＮ［（−Ｒ３）（−Ｒ４）］（ここで、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４は、水素、メチル、エチル及びフェニルのうちの何れか）、ヒドラジン、メチルヒドラジン、１，１−ジメチルヒドラジン、及び、フェニルヒドラジンのうちの少なくとも何れか１つを含有し、
当該薬液中における前記第１の成分の含有量が０．５重量％〜３０重量％であり、
前記現像機能液成分が、水酸化テトラアルキルアンモニウム、アルカリ金属水酸化物、及び、アルカリ金属炭酸塩のうちの少なくとも何れか１つを含有し、
前記水酸化テトラアルキルアンモニウムが、［（Ｒ１−）（Ｒ２−）（Ｒ３−）（Ｒ４−）］Ｎ＋ＯＨ−（ここで、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４は、Ｃ１からＣ４のアルキルまたはヒドロキシアルキル）であるか、又は、水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化テトラエチルアンモニウム、コリン、及び、水酸化ジメチルビス（２−ヒドロキシエチル）アンモニウムのうちの少なくとも何れか１つを含有するものであり、
前記アルカリ金属水酸化物が、水酸化ナトリウムと、水酸化カリウムと、のうちの少なくとも何れか一方を含有するものであり、
前記アルカリ金属炭酸塩が、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸カリウム、及び、炭酸水素カリウムのうちの少なくとも何れか１つを含有するものであり、
当該薬液中における前記現像機能液成分の含有量が０．２重量％〜１０重量％であることを特徴とする請求項１乃至１５の何れか一項に記載の薬液。
【請求項２０】
前記有機膜パターンにおける前記変質層以外の部分を溶解させる速度が１０００Å／ｍｉｎ以下であることを特徴とする請求項１乃至１９の何れか一項に記載の薬液。
【請求項２１】
前記有機膜パターンにおける前記変質層以外の部分を溶解させる速度が１００Å／ｍｉｎ以下であることを特徴とする請求項１乃至１９の何れか一項に記載の薬液。
【請求項２２】
前記有機膜パターンにおける前記変質層以外の部分を溶解させる速度が５０Å／ｍｉｎ以下であることを特徴とする請求項１乃至１９の何れか一項に記載の薬液。
【請求項２３】
前記阻害層を溶解させる速度Ｖ１と、前記有機膜パターンにおける前記変質層以外の部分を溶解させる速度Ｖ２と、の比Ｖ１／Ｖ２が０．５以上であることを特徴とする請求項１乃至２２のいずれか一項に記載の薬液。
【請求項２４】
前記変質層は、前記有機膜パターンの表層部が時間放置劣化、熱酸化及び熱硬化のうちの少なくとも何れか１つの要因により変質したものであることを特徴とする請求項１乃至２３の何れか一項に記載の薬液。
【請求項２５】
前記変質層は、前記有機膜パターンの表層部がウェットエッチング液処理により変質したものであることを特徴とする請求項１乃至２３の何れか一項に記載の薬液。
【請求項２６】
前記変質層は、前記有機膜パターンの表層部がドライエッチング又はアッシング処理により変質したものであることを特徴とする請求項１乃至２３の何れか一項に記載の薬液。
【請求項２７】
前記阻害層は、ドライエッチングによるデポジションより堆積した層か、或いはドライエッチングによるデポジションに伴い変質した層であることを特徴とする請求項１乃至２３の何れか一項に記載の薬液。
【請求項２８】
前記堆積層は、ドライエッチングによるデポジションより堆積した層であることを特徴とする請求項１乃至２３の何れか一項に記載の薬液。
【請求項２９】
基板上に形成された当初の有機膜パターンは、印刷法により形成された有機膜パターンであることを特徴とする請求項１乃至２８の何れか一項に記載の薬液。
【請求項３０】
基板上に形成された当初の有機膜パターンは、フォトリソグラフィ法により形成された有機膜パターンであることを特徴とする請求項１乃至２８の何れか一項に記載の薬液。
【請求項３１】
前記有機膜パターンは、光感光性有機膜からなることを特徴とする請求項１乃至２８の何れか一項に記載の薬液。
【請求項３２】
前記光感光性有機膜は、ポジ型光感光性有機膜、又はネガ型光感光性有機膜であることを特徴とする請求項３１に記載の薬液。
【請求項３３】
前記ポジ型光感光性有機膜は、主にノボラック樹脂により構成されているものであることを特徴とする請求項３２に記載の薬液。
【請求項３４】
前記光感光性有機膜は、感光させることによりアルカリ可溶となるものであることを特徴とする請求項３１乃至３３の何れか一項に記載の薬液。
【請求項３５】
当該薬液は、有機膜パターンの現像機能を持つ薬液であることを特徴とする請求項１乃至３４のいずれか一項に記載の薬液。
【請求項３６】
当該薬液中の水酸化テトラアルキルアンモニウムは、有機膜パターンの現像機能を持つ成分を含有していることを特徴とする請求項９乃至１３、１８、１９のいずれか一項に記載の薬液。
【請求項３７】
前記基板は、半導体基板又は表示装置を構成する基板であることを特徴とする請求項１乃至３６の何れか一項に記載の薬液。
【請求項３８】
基板上に有機膜パターンが形成され、前記有機膜パターンの表面には、該有機膜パターンの表層部が変質してなる変質層と、該有機膜パターンの表面上に堆積物が堆積してなる堆積層と、のうちの少なくとも一方からなる阻害層が形成されている場合に、少なくとも前記阻害層を除去する除去処理を行う基板処理方法において、
前記除去処理を、請求項１乃至３７の何れか一項に記載の薬液を用いて行うことを特徴とする基板処理方法。
【請求項３９】
基板上に有機膜パターンが形成され、前記有機膜パターンの表面には、該有機膜パターンの表層部が変質してなる変質層と、該有機膜パターンの表面上に堆積物が堆積してなる堆積層と、のうちの少なくとも一方からなる阻害層が形成されている場合に、少なくとも前記阻害層を除去する除去処理と、前記有機膜パターンを加工する本処理と、をこの順に行う基板処理方法において、
前記除去処理を、請求項１乃至３７の何れか一項に記載の薬液を用いて行うことを特徴とする基板処理方法。
【請求項４０】
前記本処理では、前記有機膜パターンの少なくとも一部を縮小するか、又は前記有機膜パターンの少なくとも一部を除去することを特徴とする請求項３９に記載の基板処理方法。
【請求項４１】
前記本処理では、前記有機膜パターンの全てを縮小するか、又は前記有機膜パターンの全てを除去することを特徴とする請求項３９に記載の基板処理方法。
【請求項４２】
前記本処理は、剥離液、又は現像機能を有する薬液を用いて行うことを特徴とする請求項３９乃至４１の何れか一項に記載の基板処理方法。
【請求項４３】
前記除去処理の前に前記有機膜パターンをマスクとしたエッチングによって該有機膜パターンの下地膜をパターン加工する第１の下地膜加工工程と、
前記第１の下地膜加工工程後の前記有機膜パターン、或いは、前記本処理により加工された後の有機膜パターンをマスクとして、前記下地膜を再度パターン加工する第２の下地膜加工工程と、
を備えることを特徴とする請求項３９乃至４２の何れか一項に記載の基板処理方法。
【請求項４４】
前記第２の下地膜加工処理により、前記下地膜のパターンをテーパー状或いは階段状に加工することを特徴とする請求項４３に記載の基板処理方法。
【請求項４５】
前記除去処理と前記本処理とのうちの少なくとも何れか一方の後に、前記有機膜パターンを加工する有機膜パターン加工処理を更に備え、
前記有機膜パターン加工処理は、前記有機膜パターンを溶解させ変形させる溶解変形処理により行うことを特徴とする請求項３９乃至４４の何れか一項に記載の基板処理方法。
【請求項４６】
前記除去処理と前記本処理とのうちの少なくとも何れか一方の後に、前記有機膜パターンを加工する有機膜パターン加工処理を更に備え、
前記有機膜パターン加工処理では、
前記有機膜パターンを加熱する加熱処理と、
前記有機膜パターンを溶解させ変形させる溶解変形処理と、
をこの順に行うことを特徴とする請求項３９乃至４４の何れか一項に記載の基板処理方法。
【請求項４７】
前記有機膜パターン加工処理の前に、前記有機膜パターンに対し、露光処理、現像処理、ウェットエッチング処理、及び、ドライエッチング処理のうちの少なくとも何れか１つの処理を行うことを特徴とする請求項４５又は４６に記載の基板処理方法。
【請求項４８】
前記溶解変形処理による変形前の有機膜パターンをマスクとして該有機膜パターンの下地膜をパターン加工する下地膜加工工程を備えることを特徴とする請求項４５乃至４７の何れか一項に記載の基板処理方法。
【請求項４９】
前記溶解変形処理による変形後の有機膜パターンをマスクとして該有機膜パターンの下地膜をパターン加工する下地膜加工工程を備えることを特徴とする請求項４５乃至４８の何れか一項に記載の基板処理方法。
【請求項５０】
前記溶解変形処理は、前記有機膜パターンの面積を拡大させる処理であることを特徴とする請求項４５乃至４９の何れか一項に記載の基板処理方法。
【請求項５１】
前記溶解変形処理は、隣設された有機膜パターンを相互に一体化させる処理であることを特徴とする請求項４５乃至５０の何れか一項に記載の基板処理方法。
【請求項５２】
前記溶解変形処理は、前記有機膜パターンを平坦化させる処理であることを特徴とする請求項４５乃至５１の何れか一項に記載の基板処理方法。
【請求項５３】
前記溶解変形処理は、基板上に形成された回路パターンを覆う絶縁膜となるように前記有機膜パターンを変形させる処理であることを特徴とする請求項４５乃至５２の何れか一項に記載の基板処理方法。
【請求項５４】
前記溶解変形処理は、前記有機膜パターンを有機溶液を用いて溶解リフローさせる処理であることを特徴とする請求項４５乃至５３の何れか一項に記載の基板処理方法。
【請求項５５】
前記有機溶液は、以下の（１）〜（５）に示す有機溶剤のうちの少なくとも何れか１つを含む溶液であることを特徴とする請求項５４に記載の基板処理方法。
（１）アルコール類（Ｒ−ＯＨ）
（２）エーテル類（Ｒ−Ｏ−Ｒ、Ａｒ−Ｏ−Ｒ、Ａｒ−Ｏ−Ａｒ）
（３）エステル類
（４）ケトン類
（５）グリコールエーテル類
（但し、（１）、（２）において、Ｒはアルキル基又は置換アルキル基、Ａｒはフェニル基又はフェニル基以外の芳香環を示す）
【請求項５６】
前記溶解リフローは、前記有機膜パターンに前記有機溶液を接触させることにより行うことを特徴とする請求項５４又は５５に記載の基板処理方法。
【請求項５７】
前記溶解リフローは、前記有機膜パターンを前記有機溶液中に浸漬することにより行うことを特徴とする請求項５６に記載の基板処理方法。
【請求項５８】
前記溶解リフローは、前記有機膜パターンを前記有機溶液の蒸気中に曝すことにより行うことを特徴とする請求項５４又は５５に記載の基板処理方法。
【請求項５９】
前記溶解変形処理は、前記有機膜パターンを、前記有機溶液をガス化して得られるガス雰囲気に曝すことにより行うガス雰囲気処理であることを特徴とする請求項５４又は５５に記載の基板処理方法。
【請求項６０】
前記ガス雰囲気は、前記有機溶剤を不活性ガスを用いてバブリングすることにより得られることを特徴とする請求項５９に記載の基板処理方法。
【請求項６１】
前記基板上に形成された前記有機膜パターンは、２段階以上の膜厚を有することを特徴とする請求項３９乃至６０の何れか一項に記載の基板処理方法。
【請求項６２】
前記２段階以上の膜厚を有する有機膜パターンは、有機膜に対する露光量を相互に異ならせることにより得られることを特徴とする請求項６１に記載の基板処理方法。
【請求項６３】
前記有機膜パターンをマスクとして該有機膜パターンの下地膜をパターン加工する下地膜加工工程と、
前記膜厚が相互に異なる複数の有機膜パターンのうち相対的に薄い膜厚の有機膜パターンを除去して、前記相対的に薄い膜厚の有機膜パターンよりも厚い膜厚の有機膜パターンを残す厚膜有機膜パターン残留工程と、
を備えることを特徴とする請求項６１又は６２に記載の基板処理方法。
【請求項６４】
前記厚膜有機膜パターン残留工程後に残留した有機膜パターンをマスクとして、その下地膜をパターン加工する第２の下地膜加工工程を更に備えることを特徴とする請求項６３に記載の基板処理方法。
【請求項６５】
前記除去処理では、前記阻害層を選択的に除去することを特徴とする請求項３９乃至６４の何れか一項に記載の基板処理方法。
【請求項６６】
前記除去処理では、前記阻害層を除去し、前記有機膜パターンにおける変質層以外の部分を露出及び残存させることを特徴とする請求項３９乃至６５の何れか一項に記載の基板処理方法。
【請求項６７】
前記変質層は、前記有機膜パターンの表層部が時間放置劣化、熱酸化及び熱硬化のうちの少なくとも何れか１つの要因により変質したものであることを特徴とする請求項３９乃至６６の何れか一項に記載の基板処理方法。
【請求項６８】
前記変質層は、前記有機膜パターンの表層部がウェットエッチング液処理により変質したものであることを特徴とする請求項３９乃至６６の何れか一項に記載の基板処理方法。
【請求項６９】
前記変質層は、前記有機膜パターンの表層部がドライエッチング又はアッシング処理により変質したものであることを特徴とする請求項３９乃至６６の何れか一項に記載の基板処理方法。
【請求項７０】
前記変質層は、前記有機膜パターンの表層部がドライエッチングによるデポジションに伴い変質したものであることを特徴とする請求項３９乃至６６の何れか一項に記載の基板処理方法。
【請求項７１】
前記堆積層は、前記有機膜パターンの表面上にドライエッチングにより形成されたものであることを特徴とことを特徴とする請求項３９乃至７０の何れか一項に記載の基板処理方法。
【請求項７２】
基板上に形成された当初の有機膜パターンは、印刷法により形成された有機膜パターンであることを特徴とすることを特徴とする請求項３９乃至７１の何れか一項に記載の基板処理方法。
【請求項７３】
基板上に形成された当初の有機膜パターンは、フォトリソグラフィ法により形成された有機膜パターンであることを特徴とする請求項３９乃至７１の何れか一項に記載の基板処理方法。
【請求項７４】
前記除去処理の前に、前記有機膜パターンをマスクとしたエッチングによって該有機膜パターンの下地膜をパターン加工する下地膜加工工程を備えることを特徴とする請求項３９乃至７３に記載の基板処理方法。
【請求項７５】
請求項３９乃至７４の何れか一項に記載の基板処理方法を用いて、基板を有する表示装置、又は、基板を有する半導体装置を製造することを特徴とする基板を有する装置の製造方法。
【請求項７６】
前記表示装置は、液晶表示装置、ＥＬ表示装置、フィールドエミッション表示装置、又は、プラズマ表示装置であることを特徴とする請求項７５に記載の基板を有する装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体基板、液晶基板或はその他基板に対して行う基板処理方法及びそれに用いる薬液に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体ウェハ、液晶基板或いはその他の基板に有機膜パターンを形成後、該有機膜パターンをマスクとしたエッチングによって下地膜すなわち基板をパターン加工（下地膜加工）することにより、配線回路などを形成する技術がある。
【０００３】
なお、下地膜加工の後で、有機膜パターンは剥離処理により除去するのが一般的である。
【０００４】
ただし、例えば、特許文献１に示されるように、基板に有機膜パターン（特許文献１にはレジストパターンと記載）を形成した後、該有機膜パターンをマスクとしたエッチングによって下地膜（１層、又は２層）をパターン加工（下地膜加工）し、再度現像（以下再現像と呼ぶ）することにより、オーバー現像或いは変形され新たなパターンとされた有機膜パターンをマスクとして、再度、下地膜（１層、又は２層）をパターン加工（下地膜再加工）することにより、下地膜パターンをテーパー状或いは階段状に形成し、絶縁破壊耐性の高い配線回路などを形成する技術がある。この場合、有機膜パターンは、下地膜再加工の後で剥離処理により除去する。
【０００５】
この他、同様な有機膜パターンの加工処理を行う基板処理方法としては、特許文献２の技術がある。
【０００６】
更に、有機膜パターンの加工には、特許文献３に示すように、溶解変形処理を追加して行う場合もある。この有機膜パターンの溶解変形処理では、有機膜パターン（特に、ポジ型、レジストパターン）に有機溶剤を接触させ（主に有機溶剤ガス雰囲気に暴露させる処理による）により、有機膜パターンを溶解させリフローさせている。
【０００７】
特許文献１に記載の有機膜パターンの現像と、エッチングによる下地膜加工工程と、前記有機膜パターン（レジストパターン）の再現像と、下地膜再加工工程を行う基板処理方法を、より具体的に図７に示す。
【０００８】
図７に示すように、特許文献１では、導電膜１０２を成膜した基板１０１上に、有機膜（この引例では、フォトレジスト）１０３を塗布した後（図７（Ａ））、通常の露光処理と現像処理とプリベークとしての加熱処理とをこの順に行うことにより、基板１０１上に当初の有機膜パターン１０４を形成する（図７（Ｂ））。続いて、有機膜パターン１０４をマスクとして、基板１０１上の導電膜１０２を対象とするエッチング処理（下地膜加工）を行い、導電膜パターンの一次加工を行う（図７（Ｃ））。この後、更に、同一の有機膜パターンへの再度の現像である再現像処理を行った後、再度のプリベークである加熱処理を行うことにより、有機膜パターン１０４を新たなパターン形状に加工する（図７（Ｄ））。更に、特許文献１には、再度現像された新たな有機膜パターン１０４をマスクとし、導電１０２膜を再度半分程度の膜厚となるようにエッチング（下地膜再加工）することにより、導電膜１０２の断面形状を階段状にし（図７（Ｅ））、断面が垂直化したり逆テーパーになったりすることを防ぐ技術が記載されている。なお、図７（Ｆ）に示すように、有機膜パターン１０４は剥離する。
【特許文献１】特開平８−２３１０３号公報
【特許文献２】特開２００５−１５９２９４号公報
【特許文献３】特開２００５−１５９２９２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、特許文献１においては、基板１０１上の導電膜１０２を対象とするエッチング処理（図７（Ｂ）と図７（Ｃ）の間の処理：下地膜加工）にて、当初の有機膜パターンがダメージを受け、該有機膜パターン上に変質層と堆積層の何れか一方又は両方が形成されてしまう事についての記載がない。
【００１０】
このように有機膜パターン表面に形成される変質層或いは堆積層（以下、阻害層と呼ぶ）は、該有機膜パターンへの次回の現像（再現像処理：図７（Ｃ）と図７（Ｄ）の間の現像処理）を阻害する。このため、この再現像処理は、通常の場合、スムーズに行うことができない。
【００１１】
なお、再現像処理の進行は、阻害層の状態によっても異なる。図７（Ｂ）と図７（Ｃ）の間のエッチング処理がウェットエッチングの場合には、使用薬液と処理温度が阻害層の状態に大きく影響する。他方、ドライエッチングの場合には、使用ガス種、処理圧力及び放電方式が影響する。なお、使用ガス種によって有機膜パターンへの化学的ダメージが異なり、処理圧力及び放電方式によってイオン化ガス又はラジカルガスの有機膜パターンへの物理的な衝撃力の大ききが異なる。但し、概してウェットエッチングの方は物理的衝撃力がないためダメージが小さく、阻害層の現像阻害程度も小さい。
【００１２】
このように、阻害層の存在によって再現像処理がスムーズに行うことができないと、有機膜パターンに対する再現像処理が不均一となってしまい、例えば、下地膜に対する再度のパターン加工（下地膜再加工）が不均一になってしまうという問題が生じる。
【００１３】
本発明は、上記のような問題点を解決するためになされたもので、例えば有機膜パターンへの２回目以降の現像処理をスムーズに行うことなどを可能とする基板処理方法及びそれに用いる薬液を提供することを目的とする。
【００１４】
なお、半導体基板、液晶基板或いはその他の基板に有機膜パターンを形成後、有機膜パターンに対する再度の加工のみ行いそのまま利用する場合（下地膜加工を行わない場合）も有り得る。例えば、有機膜パターンが絶縁性材料からなる場合に、該有機膜パターンを絶縁膜パターンとして利用する場合が該当する。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記課題を解決するため、本発明の薬液は、基板上に有機膜パターンが形成され、前記有機膜パターンの表面には、該有機膜パターンの表層部が変質してなる変質層と、該有機膜パターンの表面上に堆積物が堆積してなる堆積層と、のうちの少なくとも一方からなる阻害層が形成されている場合に、少なくとも前記阻害層を除去する除去処理に用いられる薬液であって、ヒドロキシルアミン誘導体及びヒドラジン誘導体の少なくとも何れか一方からなる第１の成分と、現像機能液成分と、を含む水溶液であることを特徴としている。
【００１６】
また、本発明の薬液は、基板上に有機膜パターンが形成され、前記有機膜パターンの表面には、該有機膜パターンの表層部が変質してなる変質層と、該有機膜パターンの表面上に堆積物が堆積してなる堆積層と、のうちの少なくとも一方からなる阻害層が形成されている場合に、少なくとも前記阻害層を除去する除去処理と、前記有機膜パターンを加工する本処理と、をこの順に行う場合において、前記除去処理に用いられる薬液であって、ヒドロキシルアミン誘導体及びヒドラジン誘導体の少なくとも何れか一方からなる第１の成分と、現像機能液成分と、を含む水溶液であることを特徴としている。
【００１７】
本発明の薬液においては、前記本処理は、前記有機膜パターンの全てを除去する処理であることが好ましい。
【００１８】
この場合、前記有機膜パターンは感光性有機膜であり、当該薬液は、少なくとも前記有機膜パターンを感光させた後で行われる前記除去処理に用いられる薬液であることが好ましい。
【００１９】
本発明の薬液中のヒドロキシルアミン誘導体は、［（Ｒ１−）（Ｒ２−）］ＮＯＨ（ここで、Ｒ１、Ｒ２は、Ｃ１からＣ４のアルキルまたはヒドロキシアルキル）で示される化合物であり、特に、ヒドロキシルアミンとＮ，Ｎ−ジエチルヒドロキシルアミンのうちの少なくとも何れか一方であることが好ましい。
【００２０】
また、本発明の薬液中のヒドラジン誘導体は、［（Ｒ１−）（Ｒ２−）］ＮＮ［（−Ｒ３）（−Ｒ４）］（ここで、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４は、水素、メチル、エチル及びフェニルのうちの何れか）で示される化合物であり、特に、ヒドラジン、メチルヒドラジン、１，１−ジメチルヒドラジン、フェニルヒドラジンのうちの少なくとも何れか１つからなることが好ましい。
【００２１】
また、本発明の薬液中の現像機能液成分は、水酸化テトラアルキルアンモニウム、アルカリ金属水酸化物、アルカリ金属炭酸塩のうちの少なくとも何れか１つからなることが好ましい。
【００２２】
現像機能液成分を構成する水酸化テトラアルキルアンモニウムは、［（Ｒ１−）（Ｒ２−）（Ｒ３−）（Ｒ４−）］Ｎ＋ＯＨ−（ここで、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４は、Ｃ１からＣ４のアルキルまたはヒドロキシアルキル）で示される化合物であり、特に、水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化テトラエチルアンモニウム、コリン、水酸化ジメチルビス（２−ヒドロキシエチル）アンモニウムのうちの少なくとも何れか１つからなることが好ましい。
【００２３】
また、現像機能液成分を構成するアルカリ金属水酸化物は、水酸化ナトリウムと水酸化カリウムとのうちの少なくとも何れか一方からなることが好ましい。
【００２４】
また、現像機能液成分を構成するアルカリ金属炭酸塩は、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸水素カリウムのうちの少なくとも何れか１つからなることが好ましい。
【００２５】
本発明の薬液中における前記第１の成分の含有量は０．５重量％〜３０重量％であることが好ましい。第１の成分の含有量が０．５重量％より少ない、もしくは３０重量％より多いと、有機膜パターンにおける変質層以外の部分をも除去してしまう場合がある。
【００２６】
また、本発明の薬液中における前記現像機能液成分の含有量は０．２重量％〜１０重量％であることが好ましい。現像機能液成分の含有量が０．２重量％より少ないと有機膜パターン表面に形成される阻害層を除去する効力を発揮せず、１０重量％より多いと、有機膜パターンにおける変質層以外の部分をも除去してしまう場合がある。
【００２７】
より具体的には、例えば、本発明の薬液においては、前記ヒドロキシルアミン誘導体が、［（Ｒ１−）（Ｒ２−）］ＮＯＨ（ここで、Ｒ１、Ｒ２は、Ｃ１からＣ４のアルキルまたはヒドロキシアルキル）、ヒドロキシルアミン、及び、Ｎ，Ｎ−ジエチルヒドロキシルアミンのうちの少なくとも何れか１つを含有し、前記ヒドラジン誘導体が、［（Ｒ１−）（Ｒ２−）］ＮＮ［（−Ｒ３）（−Ｒ４）］（ここで、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４は、水素、メチル、エチル及びフェニルのうちの何れか）、ヒドラジン、メチルヒドラジン、１，１−ジメチルヒドラジン、及び、フェニルヒドラジンのうちの少なくとも何れか１つを含有し、当該薬液中におけるヒドロキシルアミン誘導体および／またはヒドラジン誘導体の含有量が０．５重量％〜３０重量％であることが好ましい。
【００２８】
或いは、本発明の薬液においては、前記現像機能液成分が、水酸化テトラアルキルアンモニウム、アルカリ金属水酸化物、及び、アルカリ金属炭酸塩のうちの少なくとも何れか１つを含有し、前記水酸化テトラアルキルアンモニウムが、［（Ｒ１−）（Ｒ２−）（Ｒ３−）（Ｒ４−）］Ｎ＋ＯＨ−（ここで、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４は、Ｃ１からＣ４のアルキルまたはヒドロキシアルキル）であるか、又は、水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化テトラエチルアンモニウム、コリン、及び、水酸化ジメチルビス（２−ヒドロキシエチル）アンモニウムのうちの少なくとも何れか１つを含有するものであり、前記アルカリ金属水酸化物が、水酸化ナトリウムと、水酸化カリウムと、のうちの少なくとも何れか一方を含有するものであり、前記アルカリ金属炭酸塩が、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸カリウム、及び、炭酸水素カリウムのうちの少なくとも何れか１つを含有するものであり、当該薬液中における現像機能液成分の含有量が０．２重量％〜１０重量％であることが好ましい。
【００２９】
或いは、本発明の薬液においては、前記ヒドロキシルアミン誘導体が、［（Ｒ１−）（Ｒ２−）］ＮＯＨ（ここで、Ｒ１、Ｒ２は、Ｃ１からＣ４のアルキルまたはヒドロキシアルキル）、ヒドロキシルアミン、及び、Ｎ，Ｎ−ジエチルヒドロキシルアミンのうちの少なくとも何れか１つを含有し、前記ヒドラジン誘導体が、［（Ｒ１−）（Ｒ２−）］ＮＮ［（−Ｒ３）（−Ｒ４）］（ここで、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４は、水素、メチル、エチル及びフェニルのうちの何れか）、ヒドラジン、メチルヒドラジン、１，１−ジメチルヒドラジン、及び、フェニルヒドラジンのうちの少なくとも何れか１つを含有し、当該薬液中におけるヒドロキシルアミン誘導体および／またはヒドラジン誘導体の含有量が０．５重量％〜３０重量％であり、前記現像機能液成分が、水酸化テトラアルキルアンモニウム、アルカリ金属水酸化物、及び、アルカリ金属炭酸塩のうちの少なくとも何れか１つを含有し、前記水酸化テトラアルキルアンモニウムが、［（Ｒ１−）（Ｒ２−）（Ｒ３−）（Ｒ４−）］Ｎ＋ＯＨ−（ここで、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４は、Ｃ１からＣ４のアルキルまたはヒドロキシアルキル）であるか、又は、水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化テトラエチルアンモニウム、コリン、及び、水酸化ジメチルビス（２−ヒドロキシエチル）アンモニウムのうちの少なくとも何れか１つを含有するものであり、前記アルカリ金属水酸化物が、水酸化ナトリウムと、水酸化カリウムと、のうちの少なくとも何れか一方を含有するものであり、前記アルカリ金属炭酸塩が、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸カリウム、及び、炭酸水素カリウムのうちの少なくとも何れか１つを含有するものであり、当該薬液中における現像機能液成分の含有量が０．２重量％〜１０重量％であることが好ましい。
【００３０】
除去処理は、有機膜パターンにおける変質層以外の部分は除去せずに、有機膜パターン表面に形成される阻害層のみを除去する薬液で基板を洗浄する処理であることが好ましい。有機膜パターンにおける変質層以外の部分の溶解速度が１０００Å／ｍｉｎ以下、より好ましくは１００Å／ｍｉｎ以下、さらに好ましくは５０Å／ｍｉｎ以下であれば、除去処理を行った後に、十分な量の有機膜パターンが残存するため、有機膜パターンの再加工を好適に行うことができる。
【００３１】
更に、本発明の薬液により、阻害層を溶解させる速度Ｖ１と、有機膜パターンにおける変質層以外の部分を溶解させる速度Ｖ２と、の比Ｖ１／Ｖ２が、０．５以上（例として、１０００以下）であり、好ましくは５．０以下であると良い。
【００３２】
具体的には、例えば、本発明の薬液により、阻害層を溶解させる速度Ｖ１と、有機膜パターンにおける変質層以外の部分を溶解させる速度Ｖ２と、の比Ｖ１／Ｖ２が、０．５以上（例として、１０００以下）であり、且つ、前記有機膜パターンにおける前記変質層以外の部分を溶解させる速度が１０００Å／ｍｉｎ以下であることが好ましい。
【００３３】
或いは、本発明の薬液により、阻害層を溶解させる速度Ｖ１と、有機膜パターンにおける変質層以外の部分を溶解させる速度Ｖ２と、の比Ｖ１／Ｖ２が、０．５以上（例として、１０００以下）であり、且つ、前記有機膜パターンにおける前記変質層以外の部分を溶解させる速度が１００Å／ｍｉｎ以下であることが更に好ましい。
【００３４】
或いは、本発明の薬液により、阻害層を溶解させる速度Ｖ１と、有機膜パターンにおける変質層以外の部分を溶解させる速度Ｖ２と、の比Ｖ１／Ｖ２が、０．５（例として、１０００以下）以上であり、且つ、前記有機膜パターンにおける前記変質層以外の部分を溶解させる速度が５０Å／ｍｉｎ以下であることが更に好ましい。
【００３５】
前記変質層は、例えば、前記有機膜パターンの表層部が時間放置劣化、熱酸化及び熱硬化のうちの少なくとも何れか１つの要因により変質したものである。
【００３６】
或いは、前記変質層は、例えば、前記有機膜パターンの表層部がウェットエッチング液処理により変質したものである。
【００３７】
或いは、前記変質層は、例えば、前記有機膜パターンの表層部がドライエッチング又はアッシング処理により変質したものである。
【００３８】
また、前記堆積層は、例えば、ドライエッチングによるデポジションより有機膜パターンの表面上に堆積した層である。或いは前記変質層は、有機膜パターンの表層部がドライエッチングによるデポジションに伴い変質した層である。
【００３９】
また、基板上に形成された当初の有機膜パターンは、例えば、印刷法により形成された有機膜パターンであっても良いし、或いは、基板上に形成された当初の有機膜パターンは、フォトリソグラフィ法により形成された有機膜パターンであっても良い。
【００４０】
前記有機膜パターンは、例えば、光感光性有機膜からなることが好ましい。
【００４１】
この場合、前記光感光性有機膜は、ポジ型光感光性有機膜、又はネガ型光感光性有機膜である。
【００４２】
前記ポジ型光感光性有機膜は、例えば、主にノボラック樹脂により構成されているものであることが好ましい。
【００４３】
前記光感光性有機膜は、感光させることによりアルカリ可溶となるものであることも好ましい。
【００４４】
本発明の薬液は、有機膜パターンの現像機能を持つ薬液であることが好ましい。
【００４５】
或いは、本発明の薬液中の水酸化テトラアルキルアンモニウムは、例えば、有機膜パターンの現像機能を持つ成分を含有している。
【００４６】
前記基板は、例えば、半導体基板又は表示装置を構成する基板であることが好ましい。
【００４７】
また、本発明の基板処理方法は、基板上に有機膜パターンが形成され、前記有機膜パターンの表面には、該有機膜パターンの表層部が変質してなる変質層と、該有機膜パターンの表面上に堆積物が堆積してなる堆積層と、のうちの少なくとも一方からなる阻害層が形成されている場合に、少なくとも前記阻害層を除去する除去処理を行う基板処理方法において、前記除去処理を、本発明の薬液を用いて行うことを特徴としている。
【００４８】
また、本発明の基板処理方法は、基板上に有機膜パターンが形成され、前記有機膜パターンの表面には、該有機膜パターンの表層部が変質してなる変質層と、該有機膜パターンの表面上に堆積物が堆積してなる堆積層と、のうちの少なくとも一方からなる阻害層が形成されている場合に、少なくとも前記阻害層を除去する除去処理と、前記有機膜パターンを加工する本処理と、をこの順に行う基板処理方法において、前記除去処理を、本発明の薬液を用いて行うことを特徴としている。
【００４９】
前記本処理では、前記有機膜パターンの少なくとも一部を縮小するか、又は前記有機膜パターンの少なくとも一部を除去することが好ましい。
【００５０】
或いは、前記本処理では、前記有機膜パターンの全てを縮小するか、又は前記有機膜パターンの全てを除去することも好ましい。
【００５１】
前記本処理は、剥離液、又は現像機能を有する薬液（市販の現像液でも良い）を用いて行うことが好ましい。
【００５２】
本発明の基板処理方法においては、前記除去処理の前に前記有機膜パターンをマスクとしたエッチングによって該有機膜パターンの下地膜をパターン加工する第１の下地膜加工工程と、前記下地膜加工工程後の前記有機膜パターン、或いは、前記本処理により加工された後の有機膜パターンをマスクとして、前記下地膜を再度パターン加工する第２の下地膜加工工程と、を備えることが好ましい一例である。
【００５３】
この場合、前記第２の下地膜加工工程により、前記下地膜のパターンをテーパー状或いは階段状に加工することが好ましい。
【００５４】
また、本発明の基板処理方法においては、前記除去処理と前記本処理とのうちの少なくとも何れか一方の後に、前記有機膜パターンを加工する有機膜パターン加工処理を更に備え、前記有機膜パターン加工処理は、前記有機膜パターンを溶解させ変形させる溶解変形処理により行うことも好ましい。
【００５５】
また、本発明の基板処理方法においては、前記除去処理と前記本処理とのうちの少なくとも何れか一方の後に、前記有機膜パターンを加工する有機膜パターン加工処理を更に備え、前記有機膜パターン加工処理では、前記有機膜パターンを加熱する加熱処理と、前記有機膜パターンを溶解させ変形させる溶解変形処理と、をこの順に行うことも好ましい。
【００５６】
本発明の基板処理方法においては、前記有機膜パターン加工処理の前に、前記有機膜パターンに対し、露光処理、現像処理、ウェットエッチング処理、及び、ドライエッチング処理のうちの少なくとも何れか１つの処理を行うことが好ましい。
【００５７】
本発明の基板処理方法においては、前記溶解変形処理による変形前の有機膜パターンをマスクとして該有機膜パターンの下地膜をパターン加工する下地膜加工工程を備えることも好ましい。
【００５８】
更に、本発明の基板処理方法においては、前記溶解変形処理による変形後の有機膜パターンをマスクとして該有機膜パターンの下地膜をパターン加工する下地膜加工工程を備えることも好ましい。
【００５９】
前記溶解変形処理は、前記有機膜パターンの面積を拡大させる処理であることが好ましい一例である。
【００６０】
前記溶解変形処理は、隣設された有機膜パターンを相互に一体化させる処理であることも好ましい。
【００６１】
前記溶解変形処理は、前記有機膜パターンを平坦化させる処理であることも好ましい。
【００６２】
前記溶解変形処理は、基板上に形成された回路パターンを覆う絶縁膜となるように前記有機膜パターンを変形させる処理であることも好ましい。
【００６３】
前記溶解変形処理は、前記有機膜パターンを有機溶液を用いて溶解リフローさせる処理であることが好ましい。
【００６４】
この場合、前記有機溶液は、以下の（１）〜（５）に示す有機溶剤のうちの少なくとも何れか１つを含む溶液であることが好ましい。
【００６５】
（１）アルコール類（Ｒ−ＯＨ）
（２）エーテル類（Ｒ−Ｏ−Ｒ、Ａｒ−Ｏ−Ｒ、Ａｒ−Ｏ−Ａｒ）
（３）エステル類
（４）ケトン類
（５）グリコールエーテル類
（但し、（１）、（２）において、Ｒはアルキル基又は置換アルキル基、Ａｒはフェニル基又はフェニル基以外の芳香環を示す）
また、前記溶解リフローは、前記有機膜パターンに前記有機溶液を接触させることにより行うことが好ましい一例である。
【００６６】
この場合、前記溶解リフローは、前記有機膜パターンを前記有機溶液中に浸漬することにより行うことが挙げられる。
【００６７】
或いは、前記溶解リフローは、前記有機膜パターンを前記有機溶液の蒸気中に曝すことにより行うことも好ましい。
【００６８】
或いは、前記溶解変形処理は、前記有機膜パターンを、前記有機溶液をガス化して得られるガス雰囲気に曝すことにより行うガス雰囲気処理であることも好ましい。
【００６９】
この場合、前記ガス雰囲気は、前記有機溶剤を不活性ガスを用いてバブリングすることにより得られることが好ましい。
【００７０】
ここで、基板上に形成された当初の有機膜パターンは、全体が均一な膜厚に形成されたものであっても良いが、少なくとも２段階以上の膜厚に形成された有機膜パターンであっても良い。
【００７１】
２段階以上の膜厚を有する有機膜パターンは、有機膜に対する露光量を相互に異ならせることにより得られる。
【００７２】
すなわち、２段階以上の膜厚を有する有機膜パターンを形成するためには、該有機膜パターンを形成するための初期露光における露光量を、有機膜パターンの面内で２段階以上に制御すると良い。具体的には、例えば、初期露光において、２種類以上の透過光量のレチクルマスクを用いると良い。このように、露光量を２段階以上に制御した後で現像処理（当初の有機膜パターンを形成するための現像処理であり、本処理として行う現像処理とは別）を行うことにより、ポジ型レジストであれば、露光量が多い部分又はネガ型レジストであれば、露光量が少ない部分のみの有機膜が優先的に薄くなるので、２段階以上の膜厚を有する有機膜パターンを形成することができる。
【００７３】
ここで、初期露光による露光の履歴は、その後も残存するため、本処理の現像処理を行うことにより、有機膜パターンにおいて膜厚が薄い薄膜部を選択的に更に薄くしたり、或いは、有機膜パターンにおいて膜厚が薄い薄膜部を選択的に除去したりすることができる。
【００７４】
なお、本処理の現像処理で用いる現像機能液としては、当初の有機膜パターンを形成するための現像処理で用いた現像機能液がポジ用であれば、同じくポジ用の現像機能液を用い、当初の有機膜パターンを形成するための現像処理で用いた現像機能液がネガ用であれば、同じくネガ用の現像機能液を用いると良い。
【００７５】
ここで、薄膜部を選択的に薄くしたり除去したりする本処理は、基板上に当初の有機膜パターンを形成して以後、有機膜パターン加工処理までの間は有機膜パターンを感光させない状態に保つことにより、好適に行うことができる。
【００７６】
これらの場合、前記有機膜パターンをマスクとして該有機膜パターンの下地膜をパターン加工する下地膜加工工程と、前記膜厚が相互に異なる複数の有機膜パターンのうち相対的に薄い膜厚の有機膜パターンを除去して、前記相対的に薄い膜厚の有機膜パターンよりも厚い膜厚の有機膜パターンを残す厚膜有機膜パターン残留工程と、を備えることもできる。
【００７７】
この場合、前記厚膜有機膜パターン残留工程後に残留した有機膜パターンをマスクとして、その下地膜をパターン加工する第２の下地膜加工工程を更に備えることが好ましい一例である。
【００７８】
また、基板上に当初の前記有機膜パターンを形成して以後、前記有機膜パターン加工処理までの間、有機膜パターンを感光させない状態に保つことにより、有機膜パターン加工処理における露光処理による有機膜パターンの新たなパターン形状の決定を好適に行うことができる。
【００７９】
本発明の基板処理方法においては、前記除去処理では、前記阻害層を選択的に除去することが好ましい一例である。
【００８０】
また、本発明の基板処理方法においては、前記除去処理では、前記阻害層を除去し、前記有機膜パターンにおける変質層以外の部分を露出及び残存させることも好ましい。
【００８１】
本発明の基板処理方法においては、前記除去処理の前に、前記有機膜パターンをマスクとしたエッチングによって該有機膜パターンの下地膜をパターン加工する下地膜加工工程を備えることが好ましい。
【００８２】
また、除去処理は、有機膜パターンに対する露光処理（有機膜に対する初期露光とは別の露光処理）に続いて行ったり、該露光処理を除去処理の途中で行ったり、或いは、該露光処理を除去処理と本処理との間に行うことも好ましい。
【００８３】
ここで、この露光処理は、有機膜パターンのうち、基板の所望範囲（前面又は一部）に含まれる有機膜パターンに対してのみ行うことが好ましい。
【００８４】
この露光処理は、基板の全面に対して充分な露光を行うことを目的とした露光処理であっても良いし、露光処理による露光範囲によって有機膜パターンの新たなパターン形状を決定するために行う処理であっても良い。
【００８５】
露光処理による露光範囲によって有機膜パターンの新たなパターン形状を決定する場合、例えば、有機膜パターンの少なくとも何れか１つを複数部分に分離させるように露光範囲を設定して露光処理を行うことが挙げられる。
【００８６】
なお、本発明では、半導体ウェハ、液晶基板或いはその他の基板に有機膜パターンを形成後、有機膜パターンを再度加工のみ行いそのまま利用する場合（下地膜加工を行わない場合）も有り得る。例えば、有機膜パターンが絶縁性材料からなる場合に、該有機膜パターンを絶縁膜パターンとして利用する場合が該当する。
【００８７】
前記薬液には、必要に応じて防食剤、安定化剤などの添加剤を含有することができる。
【００８８】
また、本発明の製造方法は、本発明の基板処理方法を用いて、基板を有する表示装置、又は、基板を有する半導体装置を製造することを特徴としている。
【００８９】
前記表示装置は、液晶表示装置、ＥＬ表示装置、フィールドエミッション表示装置、又は、プラズマ表示装置であることが好ましい例である。
【発明の効果】
【００９０】
本発明によれば、有機膜パターンを溶解させることなく、有機膜パターンの表面に形成された阻害層を除去する除去処理を備えるので、例えば有機膜パターンへの２回目以降の現像処理をスムーズに行うことを可能としたり、或いは、除去処理後の有機膜パターンを加工する本処理をスムーズに行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００９１】
以下、図面を参照して、本発明に係る実施形態について説明する。
【００９２】
〔第１の実施形態〕
図１は第１の実施形態に係る基板処理方法における一連の工程を示す図である。
【００９３】
図７に示す従来技術では図７（Ｃ）と図７（Ｄ）の間に再現像処理を行うが、本実施形態に係る基板処理方法では図１（Ｃ）と図１（Ｄ）の間に除去処理と再現像処理とを行う点が、図７に示す従来技術と相違する。
【００９４】
以下、詳細に説明する。
【００９５】
先ず、図１（Ａ）に示すように、導電膜２を成膜した基板１上に、有機膜３を塗布する。
【００９６】
次に、通常の露光処理と、現像処理と、プリベークとしての加熱処理と、をこの順に行うことにより、基板１上に当初の有機膜パターン４を形成する（図１（Ｂ））。
【００９７】
続いて、この当初の有機膜パターン４をマスクとして、基板１上の導電膜２を対象とするエッチング処理を行うことにより、導電膜２を一次的にパターン加工する（下地膜加工工程、第１の下地膜加工工程）。すなわち、導電膜２において、有機膜パターン４に覆われていない部分をエッチング（ウェットエッチング又はドライエッチング）により除去することにより、図１（Ｃ）に示す状態とする。
【００９８】
ここで、有機膜パターン４の表面には、該有機膜パターン４の表層部が変質してなる変質層と、該有機膜パターンの表面上に堆積物が堆積してなる堆積層と、のうちの少なくとも一方からなる阻害層が形成されている。
【００９９】
続いて、有機膜パターン４に対し、本実施形態に係る薬液を用いた除去処理を行うことにより上記阻害層を選択的に除去することによって、有機膜パターン４における変質層以外の部分を露出及び残存させた後で、再現像処理を行い、更に、その後、再度のプリベークである加熱処理を行うことにより、当初の有機膜パターン４を新たなパターン形状の有機膜パターン５に加工する本処理を行う。すなわち、有機膜パターン４を、導電膜２上における平面的な存在範囲が縮小するように加工することにより、有機膜パターン５とする（図１（Ｄ））。
【０１００】
このように、本処理では、例えば、有機膜パターン４の一部を除去する（或いは、有機膜パターン４の全てを縮小するとも言える）。
【０１０１】
更に、新たな有機膜パターン５をマスクとして、導電膜２において有機膜パターン５に覆われていない部分を薄くなるように（例えば、半分程度の膜厚となるように）エッチング（ウェットエッチング又はドライエッチング）することにより、導電膜２の断面形状を階段状にする（第２の下地膜加工工程）（図１（Ｅ））。
【０１０２】
その後、有機膜パターン５を剥離除去する（図１（Ｆ））。
【０１０３】
このように、導電膜２の断面形状を階段状にすることにより、導電膜２の断面が垂直化したり逆テーパーになったりすることが防止される。
【０１０４】
次に、除去処理に用いられる薬液について説明する。
【０１０５】
除去処理に用いられる本実施形態に係る薬液は、ヒドロキシルアミン誘導体及びヒドラジン誘導体の少なくとも何れか一方からなる第１の成分と、現像機能液成分と、を含む水溶液である。
【０１０６】
本実施形態に係る薬液中のヒドロキシルアミン誘導体は、［（Ｒ１−）（Ｒ２−）］ＮＯＨ（ここで、Ｒ１、Ｒ２は、Ｃ１からＣ４のアルキルまたはヒドロキシアルキル）で示される化合物であり、特に、ヒドロキシルアミンとＮ，Ｎ−ジエチルヒドロキシルアミンのうちの少なくとも何れか一方であることが好ましい。
【０１０７】
また、本実施形態に係る薬液中のヒドラジン誘導体は、［（Ｒ１−）（Ｒ２−）］ＮＮ［（−Ｒ３）（−Ｒ４）］（ここで、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４は、水素、メチル、エチル及びフェニルのうちの何れか）で示される化合物であり、特に、ヒドラジン、メチルヒドラジン、１，１−ジメチルヒドラジン、フェニルヒドラジンのうちの少なくとも何れか１つからなることが好ましい。
【０１０８】
また、本実施形態に係る薬液中の現像機能液成分は、水酸化テトラアルキルアンモニウム、アルカリ金属水酸化物、アルカリ金属炭酸塩のうちの少なくとも何れか１つからなることが好ましい。
【０１０９】
現像機能液成分を構成する水酸化テトラアルキルアンモニウムは、［（Ｒ１−）（Ｒ２−）（Ｒ３−）（Ｒ４−）］Ｎ＋ＯＨ−（ここで、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４は、Ｃ１からＣ４のアルキルまたはヒドロキシアルキル）で示される化合物であり、特に、水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化テトラエチルアンモニウム、コリン、水酸化ジメチルビス（２−ヒドロキシエチル）アンモニウムのうちの少なくとも何れか１つからなることが好ましい。
【０１１０】
また、現像機能液成分を構成するアルカリ金属水酸化物は、水酸化ナトリウムと水酸化カリウムとのうちの少なくとも何れか一方からなることが好ましい。
【０１１１】
また、現像機能液成分を構成するアルカリ金属炭酸塩は、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸水素カリウムのうちの少なくとも何れか１つからなることが好ましい。
【０１１２】
本実施形態に係る薬液中における前記第１の成分の含有量は０．５重量％〜３０重量％であることが好ましい。第１の成分の含有量が０．５重量％より少ない、もしくは３０重量％より多いと、有機膜パターンにおける変質層以外の部分をも除去してしまう場合がある。
【０１１３】
また、本実施形態に係る薬液中における前記現像機能液成分の含有量は０．２重量％〜１０重量％であることが好ましい。現像機能液成分の含有量が０．２重量％より少ないと有機膜パターン表面に形成される阻害層を除去する効力を発揮せず、１０重量％より多いと、有機膜パターンにおける変質層以外の部分をも除去してしまう場合がある。
【０１１４】
より具体的には、例えば、本実施形態に係る薬液においては、前記ヒドロキシルアミン誘導体が、［（Ｒ１−）（Ｒ２−）］ＮＯＨ（ここで、Ｒ１、Ｒ２は、Ｃ１からＣ４のアルキルまたはヒドロキシアルキル）、ヒドロキシルアミン、及び、Ｎ，Ｎ−ジエチルヒドロキシルアミンのうちの少なくとも何れか１つを含有し、前記ヒドラジン誘導体が、［（Ｒ１−）（Ｒ２−）］ＮＮ［（−Ｒ３）（−Ｒ４）］（ここで、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４は、水素、メチル、エチル及びフェニルのうちの何れか）、ヒドラジン、メチルヒドラジン、１，１−ジメチルヒドラジン、及び、フェニルヒドラジンのうちの少なくとも何れか１つを含有し、当該薬液中におけるヒドロキシルアミン誘導体および／またはヒドラジン誘導体の含有量が０．５重量％〜３０重量％であることが好ましい。
【０１１５】
或いは、本実施形態に係る薬液においては、前記現像機能液成分が、水酸化テトラアルキルアンモニウム、アルカリ金属水酸化物、及び、アルカリ金属炭酸塩のうちの少なくとも何れか１つを含有し、前記水酸化テトラアルキルアンモニウムが、［（Ｒ１−）（Ｒ２−）（Ｒ３−）（Ｒ４−）］Ｎ＋ＯＨ−（ここで、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４は、Ｃ１からＣ４のアルキルまたはヒドロキシアルキル）であるか、又は、水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化テトラエチルアンモニウム、コリン、及び、水酸化ジメチルビス（２−ヒドロキシエチル）アンモニウムのうちの少なくとも何れか１つを含有するものであり、前記アルカリ金属水酸化物が、水酸化ナトリウムと、水酸化カリウムと、のうちの少なくとも何れか一方を含有するものであり、前記アルカリ金属炭酸塩が、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸カリウム、及び、炭酸水素カリウムのうちの少なくとも何れか１つを含有するものであり、当該薬液中における現像機能液成分の含有量が０．２重量％〜１０重量％であることが好ましい。
【０１１６】
或いは、本実施形態に係る薬液においては、前記ヒドロキシルアミン誘導体が、［（Ｒ１−）（Ｒ２−）］ＮＯＨ（ここで、Ｒ１、Ｒ２は、Ｃ１からＣ４のアルキルまたはヒドロキシアルキル）、ヒドロキシルアミン、及び、Ｎ，Ｎ−ジエチルヒドロキシルアミンのうちの少なくとも何れか１つを含有し、前記ヒドラジン誘導体が、［（Ｒ１−）（Ｒ２−）］ＮＮ［（−Ｒ３）（−Ｒ４）］（ここで、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４は、水素、メチル、エチル及びフェニルのうちの何れか）、ヒドラジン、メチルヒドラジン、１，１−ジメチルヒドラジン、及び、フェニルヒドラジンのうちの少なくとも何れか１つを含有し、当該薬液中におけるヒドロキシルアミン誘導体および／またはヒドラジン誘導体の含有量が０．５重量％〜３０重量％であり、前記現像機能液成分が、水酸化テトラアルキルアンモニウム、アルカリ金属水酸化物、及び、アルカリ金属炭酸塩のうちの少なくとも何れか１つを含有し、前記水酸化テトラアルキルアンモニウムが、［（Ｒ１−）（Ｒ２−）（Ｒ３−）（Ｒ４−）］Ｎ＋ＯＨ−（ここで、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４は、Ｃ１からＣ４のアルキルまたはヒドロキシアルキル）であるか、又は、水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化テトラエチルアンモニウム、コリン、及び、水酸化ジメチルビス（２−ヒドロキシエチル）アンモニウムのうちの少なくとも何れか１つを含有するものであり、前記アルカリ金属水酸化物が、水酸化ナトリウムと、水酸化カリウムと、のうちの少なくとも何れか一方を含有するものであり、前記アルカリ金属炭酸塩が、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸カリウム、及び、炭酸水素カリウムのうちの少なくとも何れか１つを含有するものであり、当該薬液中における現像機能液成分の含有量が０．２重量％〜１０重量％であることが好ましい。
【０１１７】
有機膜パターン４における変質層以外の部分の溶解速度が１０００Å／ｍｉｎ以下、より好ましくは１００Å／ｍｉｎ以下、さらに好ましくは５０Å／ｍｉｎ以下であれば、除去処理を行った後に、十分な量の有機膜パターン４が残存するため、有機膜パターン４の再加工を好適に行うことができる。
【０１１８】
更に、本実施形態に係る薬液により、有機膜パターン４における変質層（或いは阻害層）を溶解させる速度Ｖ１と変質層以外の部分を溶解させる速度Ｖ２との比Ｖ１／Ｖ２が、０．５以上（例として、１０００以下）であり、好ましくは５．０以下であると良い。
【０１１９】
具体的には、例えば、本実施形態に係る薬液により、阻害層を溶解させる速度Ｖ１と、有機膜パターンにおける変質層以外の部分を溶解させる速度Ｖ２と、の比Ｖ１／Ｖ２が、０．５以上（例として、１０００以下）であり、且つ、前記有機膜パターンにおける前記変質層以外の部分を溶解させる速度が１０００Å／ｍｉｎ以下であることが好ましい。
【０１２０】
或いは、本実施形態に係る薬液により、阻害層を溶解させる速度Ｖ１と、有機膜パターンにおける変質層以外の部分を溶解させる速度Ｖ２と、の比Ｖ１／Ｖ２が、０．５以上（例として、１０００以下）であり、且つ、前記有機膜パターンにおける前記変質層以外の部分を溶解させる速度が１００Å／ｍｉｎ以下であることが更に好ましい。
【０１２１】
或いは、本実施形態に係る薬液により、阻害層を溶解させる速度Ｖ１と、有機膜パターンにおける変質層以外の部分を溶解させる速度Ｖ２と、の比Ｖ１／Ｖ２が、０．５（例として、１０００以下）以上であり、且つ、前記有機膜パターンにおける前記変質層以外の部分を溶解させる速度が５０Å／ｍｉｎ以下であることが更に好ましい。
【０１２２】
また、本実施形態に係る薬液は、有機膜パターン４の現像機能を持つことが好ましい。
【０１２３】
また、本実施形態に係る薬液中の水酸化テトラアルキルアンモニウムは、有機膜パターン４の現像機能を持つ成分を含有していることも好ましい。
【０１２４】
次に、図１（Ｃ）の段階で、有機膜パターン４の表面に形成された阻害層について詳述する。
【０１２５】
阻害層は、再現像処理を阻害するものであり、上記のように、有機膜パターン４の表層部が変質してなる変質層と、該有機膜パターンの表面上に堆積物が堆積してなる堆積層と、のうちの少なくとも一方からなる。
【０１２６】
阻害層に変質層が含まれる場合、その変質層は、例えば、有機膜パターン４の表層部が時間放置劣化、熱酸化及び熱硬化のうちの少なくとも何れか１つの要因により変質したものであるか、或いは、有機膜パターン４の表層部がウェットエッチング液処理により変質したものであるか、或いは、有機膜パターン４の表層部がドライエッチング又はアッシング処理により変質したものであることが挙げられる。また、阻害層に堆積層が含まれる場合、その堆積層は、例えば、ドライエッチングによるデポジションより有機膜パターン４の表面上に堆積した層であることが挙げられる。
【０１２７】
以上のような第１の実施形態によれば、除去処理を行うことにより、その後の本処理における再現像処理において現像機能液の有機膜パターン４への浸透を容易にさせ、該現像処理の効果を均一化させることができる。また、本処理を、有機膜パターン４の現像機能を持たず、有機膜パターン４を溶解除去する機能を持つ薬液を用いた薬液処理により行う場合にも、同様の効果が得られる。
【０１２８】
〔第２の実施形態〕
図２は第２の実施形態に係る基板処理方法における一連の工程を示す図である。
【０１２９】
第２の実施形態では、複数段階（例えば、２段階）の膜厚を有するように当初の有機膜パターン４をフォトリソグラフィー法により形成する例を説明する。
【０１３０】
先ず、図２（Ａ）に示すように、導電膜２を成膜した基板１上に、有機膜３を塗布する。
【０１３１】
次に、２段階以上に露光量を制御した露光処理（すなはち、２回連続露光や、２段階以上の透過率を有する膜で形成されたパターンによるハーフトーンマスク露光や、通常パターンと露光限度以下の微細パターンによるグレートーンマスクを用いた露光処理）と、現像処理と、プリベークとしての加熱処理と、をこの順に行うことにより、２段階の膜厚を有する当初の有機膜パターン４を基板１上に形成する。すなわち、具体的には、例えば、図２（Ｂ）に示すように、中央部の膜厚が厚く、周縁部の膜厚が薄いような有機膜パターン４を形成する。
【０１３２】
続いて、この当初の有機膜パターン４をマスクとして、基板１上の導電膜２を対象とするエッチング処理を行うことにより、導電膜２を一次的にパターン加工する（下地膜加工工程、第１の下地膜加工工程）。すなわち、導電膜２において、有機膜パターン４に覆われていない部分をエッチング（ウェットエッチング又はドライエッチング）により除去することにより、図２（Ｃ）に示す状態とする。
【０１３３】
続いて、有機膜パターン４に対し、上記の第１の実施形態と同様の薬液を用いた除去処理を行うことにより上記阻害層を選択的に除去することによって、有機膜パターン４における変質層以外の部分を露出及び残存させた後で、再現像処理を行い、更に、その後、再度のプリベークである加熱処理を行うことにより、当初の有機膜パターン４を新たなパターン形状の有機膜パターン５に加工する本処理を行う。すなわち、有機膜パターン４における周縁部の膜厚が薄い部分を除去して、１段階のみの膜厚のパターン形状の有機膜パターン５に加工する（図２（Ｄ））。
【０１３４】
このように、本処理では、例えば、有機膜パターン４の一部を除去する（或いは、有機膜パターン４の全てを縮小する結果、有機膜パターン４の一部が除去される場合もある）。
【０１３５】
更に、この新たな１段階のみの膜厚の有機膜パターン５をマスクとして、導電膜２において有機膜パターン５に覆われていない部分を半分程度の膜厚となるようにエッチング（ウェットエッチング又はドライエッチング）することにより、導電膜２の断面形状を階段状にする（第２の下地膜加工工程）（図２（Ｅ）。
【０１３６】
その後、有機膜パターン５を剥離除去する（図２（Ｆ））。
【０１３７】
このように、導電膜２の断面形状を階段状にすることにより、導電膜２の断面が垂直化したり逆テーパーになったりすることが防止される。
【０１３８】
以上のような第２の実施形態によれば、第１の実施形態と同様の効果が得られる。
【０１３９】
〔第３の実施形態〕
図３は第３の実施形態に係る基板処理方法における一連の工程を示す図である。
【０１４０】
第３の実施形態でも、複数段階（例えば、２段階）の膜厚を有するように当初の有機膜パターン４をフォトリソグラフィー法により形成する例を説明する。
【０１４１】
先ず、図３（Ａ）に示すように、半導体膜６と導電膜２とをこの順に成膜した基板１上に、有機膜３を塗布する。
【０１４２】
次に、２段階以上に露光量を制御した露光処理（すなはち、２回連続露光や、２段階以上の透過率を有する膜で形成されたパターンによるハーフトーンマスク露光や、通常パターンと露光限度以下の微細パターンによるグレートーンマスクを用いた露光処理）と、現像処理と、プリベークとしての加熱処理と、をこの順に行うことにより、２段階の膜厚を有する当初の有機膜パターン４を基板１上に形成する。すなわち、具体的には、例えば、図３（Ｂ）に示すように、中央部の膜厚が薄く、その両側の膜厚が薄いような有機膜パターン４を形成する。
【０１４３】
続いて、この当初の有機膜パターン４をマスクとして、基板１上の導電膜２及び半導体膜６を対象とするエッチング処理（ウェットエッチング又はドライエッチング）を行うことにより、導電膜２を一次的にパターン加工するとともに、半導体膜６をパターン加工する（下地膜加工工程、第１の下地膜加工工程）（図３（Ｃ））。すなわち、導電膜２及び半導体膜６において、有機膜パターン４に覆われていない部分を除去する。ここで、導電膜２のエッチング処理は、ウェットエッチング又はドライエッチングにより行うことができ、半導体膜６のエッチング処理は、導電膜２のエッチングに引き続き、ドライエッチングにより行われる。
【０１４４】
続いて、有機膜パターン４に対し、上記の第１の実施形態と同様の薬液を用いた除去処理を行うことにより上記阻害層を選択的に除去することによって、有機膜パターン４における変質層以外の部分を露出及び残存させた後で、再現像処理を行い、更に、その後、再度のプリベークである加熱処理を行うことにより、当初の有機膜パターン４を新たなパターン形状の有機膜パターン５に加工する本処理を行う。すなわち、有機膜パターン４における中央部の膜厚が薄い部分を除去して、１段階のみの膜厚のパターン形状で、相互に分離された有機膜パターン５に加工する（図３（Ｄ））。このように、本処理では、例えば、有機膜パターン４の一部を除去する（或いは、有機膜パターン４の全てを縮小する結果、有機膜パターン４の一部が除去される場合もある）。なお、本実施形態では、この工程は、厚膜有機膜パターン残留工程にも相当する。
【０１４５】
更に、この新たな１段階のみの膜厚の有機膜パターン５をマスクとして、導電膜２に対して２回目のエッチング（ウェットエッチング又はドライエッチング）を行うことにより、導電膜２において、有機膜パターン５に覆われていない部分が除去され、導電膜２も相互に分離されたパターン形状に加工される（第２の下地膜加工工程）。すなわち、導電膜２は、その一部が半導体膜６とは異なるパターン形状に加工される（図３（Ｅ））。
【０１４６】
その後、有機膜パターン５を剥離除去する（図３（Ｆ））。
【０１４７】
第３の実施形態は、例えば、半導体膜６が、ｎ＋ａ−Ｓｉ（オーミック接続用高濃度半導体膜）、或いは、ａ−Ｓｉ（アモルファスシリコン膜）である場合に、ＴＦＴ基板におけるソースドレイン電極、配線及びチャネル部の形成に利用出来る加工方法である。
【０１４８】
以上のような第３の実施形態によれば、例えば、半導体膜６が、ｎ＋ａ−Ｓｉ或いはａ−Ｓｉである場合に、ＴＦＴ基板におけるソースドレイン電極、配線及びチャネル部を形成するに際して、上記の第１の実施形態と同様の効果が得られる。
【０１４９】
〔第４の実施形態〕
図４は第４の実施形態に係る基板処理方法における一連の工程を示す図である。
【０１５０】
第４の実施形態でも、複数段階（例えば、２段階）の膜厚を有するように当初の有機膜パターン４をフォトリソグラフィー法により形成する例を説明する。
【０１５１】
先ず、図４（Ａ）に示すように、半導体膜６と導電膜２とをこの順に成膜した基板１上に、有機膜３を塗布する。
【０１５２】
次に、２段階以上に露光量を制御した露光処理（すなはち、２回連続露光や、２段階以上の透過率を有する膜で形成されたパターンによるハーフトーンマスク露光や、通常パターンと露光限度以下の微細パターンによるグレートーンマスクを用いた露光処理）と、現像処理と、プリベークとしての加熱処理と、をこの順に行うことにより、２段階の膜厚を有し、相互に分離された当初の有機膜パターン４を基板１上に形成する。すなわち、具体的には、例えば、図４（Ｂ）に示すように、互いに隣接する一対の有機膜パターン４の各々において、他方の有機膜パターン４に近い部分は膜厚が厚く、他方の有機膜パターン４から遠い部分は膜厚が薄いような、互いに分離された有機膜パターン４を形成する。
【０１５３】
続いて、この当初の有機膜パターン４をマスクとして、基板１上の導電膜２を対象とするエッチング処理（ウェットエッチング又はドライエッチング）を行うことにより、導電膜２を一次的にパターン加工する（下地膜加工工程、第１の下地膜加工工程）。すなわち、導電膜２において、有機膜パターン４に覆われていない部分を除去する（図４（Ｃ））。
【０１５４】
続いて、有機膜パターン４に対し、上記の第１の実施形態と同様の薬液を用いた除去処理を行うことにより上記阻害層を選択的に除去することによって、有機膜パターン４における変質層以外の部分を露出及び残存させた後で、再現像処理を行い、更に、その後、再度のプリベークである加熱処理を行うことにより、当初の有機膜パターン４を新たなパターン形状の有機膜パターン５に加工する本処理を行う。すなわち、互いに隣接する一対の有機膜パターン４の各々において、他方の有機膜パターン４から遠く膜厚が薄い部分を除去することにより、１段階のみの膜厚のパターン形状の有機膜パターン５に加工する（図４（Ｄ））。このように、本処理では、例えば、有機膜パターン４の一部を除去する（或いは、有機膜パターン４の全てを縮小する結果、有機膜パターン４の一部が除去される場合もある）。なお、本実施形態では、この工程は、厚膜有機膜パターン残留工程にも相当する。
【０１５５】
更に、この新たな１段階のみの膜厚の有機膜パターン５をリフロー処理（加熱処理、又は有機溶剤蒸気などに暴露することによる溶解リフロー処理）することにより、隣接する有機膜パターン５を相互に一体化させて１つの新たな有機膜パターン７に加工する。これにより、半導体膜６において、互いに隣接する一対の導電膜２の間に位置する部分が、有機膜パターン７により覆われた状態となる（図４（Ｅ）参照）。
【０１５６】
続いて、新たな有機膜パターン７及びその下の導電膜２をマスクとして、半導体膜６をエッチング（ドライエッチング）することにより、半導体膜６のパターン形状を、導電膜２のパターン（この場合、隣接された導電膜２が分離した分離パターン）とは異なるパターン形状（この場合、一体的なパターン）に形成する（第２の下地膜加工工程、下地膜加工工程）（図４（Ｅ））。
【０１５７】
その後、有機膜パターン７を剥離除去する（図４（Ｆ））。
【０１５８】
以上のような第４の実施形態によれば、上記の第３の実施形態と同様の効果が得られる。
【０１５９】
なお、上記の各実施形態では、有機膜パターンの再現像を行なうためには、再現像処理前に有機膜パターンに対して行なわれる処理、すなわちベーク、エッチングなどの再現像処理前の全ての処理において、有機膜パターン対する熱的なダメージを抑制し、現像機能が残存するように注意する必要がある。具体的には、有機膜の架橋反応が促進される１５０℃以上を避けて、これ未満の温度以下に保たなければならない。最適には１４０℃以下に抑えることが重要である。
【０１６０】
但し、架橋が促進される温度が、これと異なる材料の場合には、その温度以下にすれば良い。
【０１６１】
また、基板１上に形成された当初の有機膜パターン４は、フォトリソグラフィ法により形成されたものに限らず、印刷法により形成されたものであっても良い。
【０１６２】
また、有機膜パターン４は、例えば、光感光性有機膜からなることが好ましい。この場合、光感光性有機膜は、ポジ型光感光性有機膜、又はネガ型光感光性有機膜である。ポジ型光感光性有機膜により有機膜パターン４を形成する場合、例えば、主にノボラック樹脂により構成されているものであることが好ましい。また、光感光性有機膜は、感光させることによりアルカリ可溶となるものであることも好ましい。
【０１６３】
また、本実施形態に係る薬液は、上記のような除去処理に限らず、基板１上の有機膜パターン４の全てを除去する処理にも適用可能である。この場合、基板１上の有機膜パターン４は感光性有機膜であり、除去処理用の薬液は、少なくとも有機膜パターン４を感光させた後で行われる除去処理に用いられる薬液であることが好ましい。
【０１６４】
また、除去処理の後で行われる本処理では、基板１上の有機膜パターンの全てを除去することとしても良い。
【０１６５】
本処理に用いられる薬液は、現像機能を有する薬液であることが好ましいが、剥離液であっても良い。
【０１６６】
また、本処理は、有機膜パターン４の少なくとも一部を縮小する処理であっても良い。
【実施例】
【０１６７】
次に、上記の各実施形態に係る基板処理方法の除去処理において用いられる薬液の具体的な実施例について説明する。
【０１６８】
なお、以下に説明する薬液は、上記の実施形態に係る基板処理方法に限らず、その他の基板処理方法にも用いることが可能である。
【０１６９】
本実施例では、以下に説明するような実験を行うことにより、有機膜パターン４における阻害層の除去性能、並びに、有機膜パターン４における変質層以外の部分の残留性能を確認し、除去処理に用いられる薬液の好適な具体例を導いた。
【０１７０】
先ず、硝酸アンモニウム７％、硝酸第二セリウムアンモニウム１８％、水７５％を含有するエッチング液を調製した。
【０１７１】
また、基板１としては、表面に厚さ２００ｎｍのＣｒ膜を導電膜２として有するガラス基板を準備した。
【０１７２】
この基板１上に有機膜３  （ノボラック樹脂レジスト）を形成し（例えば、図１（Ａ）に相当する状態）、露光・現像・プリベークにより有機膜パターン４を形成した（例えば、図１（Ｂ）に相当する状態）。
【０１７３】
次に、上記のように有機膜パターン４が形成された基板１を上記のエッチング液に４０℃でジャストエッチングする時間（有機膜パターン４に覆われていないＣｒ膜（導電膜２）が消失する時間）浸漬してエッチングを行った（例えば、図１（Ｃ）に相当する状態）。更に、この基板１を水洗・乾燥した。
【０１７４】
この基板１を、本実施例で説明する実験の処理対象物とした。すなわち、当初の有機膜パターン４の表面に阻害層が形成された状態の基板１を、実験の処理対象物とした。
【０１７５】
次に、上記基板１を図６の「実施例１〜８」、並びに、「比較例１〜１１」の各欄に示す組成（図６中の略号については後述）の薬液中に、それぞれ３０℃で６０秒間浸漬することにより、実施例１〜８並びに比較例１〜１１の除去処理をそれぞれ行った。
【０１７６】
ここで、図６における下記の略称は、各々の略称の右に示す化合物を意味する。
【０１７７】
ＨＡ：ヒドロキシルアミン
ＴＭＡＨ：水酸化テトラメチルアンモニウム
ＴＥＡＨ：水酸化テトラエチルアンモニウム
ＤＥＨＡ：Ｎ，Ｎ−ジエチルヒドロキシルアミン
ＭＥＡ：モノエタノールアミン
ＢＤＧ：ジエチレングリコール、モノブチルエーテル
ＰＷ：水
すなわち、実施例１の薬液は、５重量％のヒドロキシルアミンと、２重量％の水酸化テトラメチルアンモニウムと、９３重量％の水と、からなる水溶液である。
【０１７８】
実施例２の薬液は、０．５重量％のヒドロキシルアミンと、２重量％の水酸化テトラメチルアンモニウムと、９７．５重量％（図６では四捨五入して９８と表記）の水と、からなる水溶液である。
【０１７９】
実施例３の薬液は、３０重量％のヒドロキシルアミンと、１０重量％の水酸化テトラメチルアンモニウムと、６０重量％の水と、からなる水溶液である。
【０１８０】
実施例４の薬液は、５重量％のヒドロキシルアミンと、０．５重量％の水酸化テトラメチルアンモニウムと、９４．５重量％（図６では四捨五入して９５と表記）の水と、からなる水溶液である。
【０１８１】
実施例５の薬液は、５重量％のヒドロキシルアミンと、２重量％の水酸化テトラメチルアンモニウムと、９３重量％の水と、からなる水溶液である。
【０１８２】
実施例６の薬液は、５重量％のヒドロキシルアミンと、２重量％のコリンと、９３重量％の水と、からなる水溶液である。
【０１８３】
実施例７の薬液は、５重量％のＮ，Ｎ−ジエチルヒドロキシルアミンと、２重量％の水酸化テトラメチルアンモニウムと、９３重量％の水と、からなる水溶液である。
【０１８４】
実施例８の薬液は、５重量％のヒドラジンと、２重量％の水酸化テトラメチルアンモニウムと、９３重量％の水と、からなる水溶液である。
【０１８５】
また、比較例１の薬液は、２．３８重量％（図６では四捨五入して２．４と表記）の水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液である。
【０１８６】
比較例２の薬液は、２０重量％の水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液である。
【０１８７】
比較例３の薬液は、５重量％のヒドロキシルアミン水溶液である。
【０１８８】
比較例４の薬液は、２０重量％のモノエタノールアミンと、６０重量％の有機溶剤（ジエチレングリコール及びモノブチルエーテル）と、２０重量％の水と、からなる。
【０１８９】
比較例５の薬液は、４０重量％のモノエタノールアミンと、６０重量％の有機溶剤（ジエチレングリコール及びモノブチルエーテル）と、からなる。
【０１９０】
比較例６の薬液は、有機溶剤（ジエチレングリコール及びモノブチルエーテル）のみからなる。
【０１９１】
比較例７の薬液は、５重量％のヒドロキシルアミンと、５重量％の有機溶剤（ジエチレングリコール及びモノブチルエーテル）と、９０重量％の水と、からなる。
【０１９２】
比較例８の薬液は、５重量％のヒドロキシルアミンと、１５重量％の水酸化テトラメチルアンモニウムと、８０重量％の水と、からなる。
【０１９３】
比較例９の薬液は、５重量％のヒドロキシルアミンと、０．１重量％の水酸化テトラメチルアンモニウムと、９４．９重量％（図６では四捨五入して９５と表記）の水と、からなる。
【０１９４】
比較例１０の薬液は、４０重量％のヒドロキシルアミンと、２重量％の水酸化テトラメチルアンモニウムと、５８重量％の水と、からなる。
【０１９５】
比較例１１の薬液は、０．２重量％のヒドロキシルアミンと、２重量％の水酸化テトラメチルアンモニウムと、９７．８重量％（図６では四捨五入して９８と表記）の水と、からなる。
【０１９６】
このような実施例１〜８並びに比較例１〜１１の薬液を各々対象の基板１に用いて、除去処理を行った後は、各基板１を純水で洗浄し、Ｎ２ガスを吹き出すエアーガンにより基板１から純水を吹き飛ばし、自然乾燥させた。
【０１９７】
この段階で、各基板１上の有機膜パターン４の残存具合を光学顕微鏡にて観察し、有機膜パターン４の変化を調べた。
【０１９８】
その結果を図６の「薬液処理後」の欄に示す。判定の基準は以下の通りである。
【０１９９】
○：有機膜パターンはほぼ変化なし。
【０２００】
△：有機膜パターンにおける変質層以外の部分は除去されるが、変質層は残る。又は、有機膜パターンが不均一に溶解する。
【０２０１】
×：有機膜パターンが変質層も含め、完全溶解する。
【０２０２】
なお、「○：有機膜パターンはほぼ変化なし。」となる場合は、有機膜パターン４における変質層以外の部分は除去されず、阻害層（例えば、Ｃｒエッチングにより生じた変質層或いは堆積層）のみが除去されたことを示す。Ｃｒエッチングによる変質層は非常に薄いため、顕微鏡画像にほとんど変化は現れない。ただし、除去処理により、有機膜パターン４における変質層以外の部分およびＣｒエッチングによる変質層を除去できていない場合も顕微鏡画像に変化は現れないことになる。
【０２０３】
次に、上記の除去処理の前後で有機膜パターンがほぼ変化しなかった基板１（薬液処理後の欄が○の各基板１）を、２．３８％の水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液からなる現像液中に室温で６０秒浸漬することにより、再現像処理した。
【０２０４】
次に、この基板１を純水で洗浄し、Ｎ２ガスを吹き出すエアーガンにより純水を吹き飛ばし、自然乾燥させた。
【０２０５】
基板１上の有機膜パターン４の残存具合を光学顕微鏡にて観察し、有機膜パターン４の変化を調べた。
【０２０６】
その結果を図６の「現像液処理後」の欄に示す。判定の基準は以下の通りである。
【０２０７】
○：有機膜パターンが均一に溶解する。
【０２０８】
×：有機膜パターンが不均一に溶解する。
【０２０９】
−：現像液処理を行っていない。
【０２１０】
Ｃｒエッチングを行うことにより、有機膜パターン４の表面には変質層が形成される。図６に示す組成の薬液を用いた除去処理により有機膜パターン４が完全除去される場合、その薬液はＣｒエッチングによる変質層を除去する能力を有しているものの、除去能力が強すぎ、有機膜パターン４における変質層以外の部分までを除去してしまう。そのため、本来の目的である有機膜パターン４の再加工を行うことができず不適当である。
【０２１１】
図６に示す組成の薬液を用いた除去処理により、有機膜パターン４における変質層以外の部分は除去されるが、Ｃｒエッチングによる変質層は残る場合、変質層の弱い部分から薬液が浸透し、有機膜パターン４における変質層以外の部分を溶解したと考えられる。この場合も有機膜パターン４の再加工を行えないため不適当である。
【０２１２】
図６に示す組成の薬液を用いた除去処理により、有機膜パターンが不均一に、一部分のみ溶解する場合、薬液は変質層を除去する能力は有していないものの、Ｃｒエッチングにより生じた変質層の弱い箇所から内部に浸透し、その箇所において、有機膜パターン４における変質層以外の部分のみを溶解させたと考えられる。この場合も、変質層が残存しているため、有機膜パターン４の再加工する本処理を行えず、不適当である。
【０２１３】
図６に示す組成の薬液を用いた除去処理により、有機膜パターン４はほぼ変化ない場合、これは有機膜パターン４を除去せずにＣｒエッチングによる変質層のみ除去されたことを示す。Ｃｒエッチングによる変質層は非常に薄いため、顕微鏡画像にほとんど変化は現れない。ただし、薬液処理により有機膜パターン４における変質層以外の部分およびＣｒエッチングによる変質層を除去できていない場合も、顕微鏡画像に変化は現れないことになる。
【０２１４】
そこで、Ｃｒエッチングによる変質層が除去されたか否かを現像液処理により判定する。上記現像液はＣｒエッチングによる変質層を除去できない。したがって、Ｃｒエッチングによる変質層が存在する有機膜パターン４に対して現像液処理を行うと、有機膜パターンは不均一に、一部分のみ溶解する。一方、変質層が存在しない有機膜パターン４に対して現像液処理を行うと、上記現像液が有機膜パターンへ浸透するのを阻害するＣｒエッチングによる変質層がないため、有機膜パターンは均一に溶解する。
【０２１５】
図６から、各実施例１〜８に係る薬液を除去処理に用いると、有機膜パターン４における変質層以外の部分は除去することなく、阻害層のみを除去できることがわかる。
【０２１６】
これに対して、２．３８％（図６では四捨五入して２．４と表記）水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液（比較例１）、５％ヒドロキシルアミン水溶液（比較例３）、モノエタノールアミン及び有機溶剤（ジエチレングリコール及びモノブチルエーテル）からなる薬液（比較例５）、有機溶剤のみからなる薬液（比較例６）、ヒドロキシルアミンとモノエタノールアミンを含有する水溶液（比較例７）、ヒドロキシルアミン濃度は適正であるが水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液濃度が不足している薬液（比較例９）では、変質層を除去する能力が不足していることがわかる。一方、２０％水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液（比較例２）、モノエタノールアミンと有機溶剤と水を含有する薬液（比較例４）、ヒドロキシルアミン濃度は適正であるが水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液濃度が過剰である液（比較例８）、水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液濃度は適正であるがヒドロキシルアミン濃度が過剰である液（比較例１０）、水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液濃度は適正であるがヒドロキシルアミン濃度が不足している液（比較例１１）では、変質層を除去できるものの、変質していない有機膜パターンまで完全に除去してしまうため、不適当である。
【０２１７】
これらのことから、上記の実施形態に係る薬液中における第１の成分（ヒドロキシルアミン誘導体及びヒドラジン誘導体の少なくとも何れか一方からなる）の含有量は、０．５重量％〜３０重量％であることが好ましい。また、上記の実施形態に係る薬液中における現像機能液成分の含有量は、０．２重量％〜１０重量％（更に好ましくは０．５重量％〜１０重量％）であることが好ましい。
【０２１８】
次に、図５について説明する。
【０２１９】
図５は、除去処理に用いられる薬品中におけるヒドロキシルアミン誘導体と現像機能液成分（例えば、水酸化テトラアルキルアンモニウム）との混合比率を変化させた場合に、当初の有機膜パターン４における阻害層の除去レート（除去速度：Å／ｍｉｎ）と、当初の有機膜パターン４における変質層以外の部分の除去レート（除去速度：Å／ｍｉｎ）と、がどのように変化するかを示すグラフである。
【０２２０】
図５に示すように、阻害層の除去レートは、ヒドロキシルアミン誘導体の混合比率が高くなるほど（水酸化テトラアルキルアンモニウムの混合比率が低くなるほど）、大きくなる。
【０２２１】
また、有機膜パターン４における変質層以外の部分の除去レートは、ヒドロキシルアミン誘導体の混合比率が０（水酸化テトラアルキルアンモニウムの混合比率が１）の場合に高く、ヒドロキシルアミン誘導体の混合比率が０〜０．３へと上昇するにつれて（水酸化テトラアルキルアンモニウムの混合比率が１〜０．７へと下降するにつれて）小さくなり、ヒドロキシルアミン誘導体の混合比率が０．３〜０．７の間（水酸化テトラアルキルアンモニウムの混合比率が０．７〜０．３の間）では小さく（ほぼ除去されず）、ヒドロキシルアミン誘導体の混合比率が０．７〜１へと上昇するにつれて（水酸化テトラアルキルアンモニウムの混合比率が０．３〜０へと下降するにつれて）再び高くなる。
【０２２２】
このため、有機膜パターン４における変質層以外の部分が除去されないようにするためには、除去処理に用いられる薬品中におけるヒドロキシルアミン誘導体と水酸化テトラアルキルアンモニウムとの混合比率が約０．３〜０．７の範囲が好ましく、この範囲内で、阻害層の除去レートが高くなるほど、すなわち、ヒドロキシルアミン誘導体の混合比率を高めるほど、除去処理の処理時間を短縮できると言える。
【０２２３】
ただし、除去処理の実施時間を適宜に調整することとすれば、阻害層の除去レートの方が、有機膜パターン４における変質層以外の部分の除去レートよりも小さくても、除去処理を好適に実行可能である。
【０２２４】
このため、有機膜パターン４における阻害層（変質層）を溶解させる速度Ｖ１と、有機膜パターン４における変質層以外の部分を溶解させる速度Ｖ２との比Ｖ１／Ｖ２が０．５以上であれば、すなわち、図５の例では、例えば、除去処理に用いられる薬品中におけるヒドロキシルアミン誘導体と水酸化テトラアルキルアンモニウムとの混合比率が約０．２３以上であれば、除去処理を好適に実行可能である。
【０２２５】
但し、有機膜パターン４における変質層以外の部分を溶解させる速度は遅い方が、除去処理の実行時間の調整が容易である。このため、有機膜パターン４における阻害層（変質層）以外の部分を溶解させる速度は、例えば、１０００Å／ｍｉｎ以下であることが好ましく、１００Å／ｍｉｎ以下であることがより好ましく、５０Å／ｍｉｎ以下であることが一層好ましい。
【０２２６】
ここで、上記の第４の実施形態としては、１）有機膜パターン４を再加工する本処理に引き続いて以下の溶解変形処理を行う場合、２）有機膜パターン４の表面に形成された阻害層の除去処理を行った後、且つ、有機膜パターン４を再加工する本処理の前に、以下の溶解変形処理を追加して行う場合、３）有機膜パターン４の表面に形成された阻害層の除去処理を行う前に溶解変形処理を行う場合がある。
【０２２７】
上記の第４の実施形態における溶解変形処理に関する具体例を、以下に説明する。
【０２２８】
有機膜パターンの溶解変形処理では、有機膜パターン（特に、ポジ型、レジストパターン）に有機溶剤を接触させ（主に有機溶剤ガス雰囲気に暴露させる処理による）により、有機膜パターンを溶解させリフローさせる。
【０２２９】
溶解変形処理は、例えば、基板１を有機溶液中に浸漬することにより、基板１上に形成された有機膜パターン４に有機溶液（主に有機溶剤）を浸透させ変形（主に溶解リフロー変形）させることにより行う。
【０２３０】
或いは、溶解変形処理は、例えば、有機溶液（主に有機溶剤）を不活性ガスを用いたバブリング（例えば、Ｎ２バブリング）によりガス化し、その雰囲気に基板を暴露させるガス雰囲気処理により行う。
【０２３１】
基板上に形成された有機膜パターンを溶解させ変形させる溶解変形処理を行うに際し、その前処理として、有機膜パターンの表面の阻害層を除去する除去処理の少なくとも一部をウエット処理である薬液処理により行うことによって、基板や有機膜パターンにダメージを与えずに阻害層を除去することができ、その後の溶解変形処理において均一な処理を実現することができる。
【０２３２】
溶解変形処理は、具体的には、例えば、有機膜パターンの面積を拡大させたり、隣設された有機膜パターンを相互に一体化させたり、有機膜パターンを平坦化させたり、基板上に形成された回路パターンを覆う絶縁膜となるように有機膜パターンを変形させたりする目的で行うことが挙げられる。
【０２３３】
なお、溶解変形処理（有機膜パターン加工処理）の前に、有機膜パターン４に対し、適宜、露光処理、現像処理、ウェットエッチング処理、及び、ドライエッチング処理のうちの少なくとも１つの処理を行うようにしても良い。
【０２３４】
ガス雰囲気処理では、基板に対し各種ガス（主に、有機溶剤を原料として気化させて生成する）を暴露することにより、基板上の有機膜パターンを溶解させ変形させる（溶解変形処理）。つまり、ガス雰囲気処理は、例えば、有機溶剤のガス雰囲気中で行う。
【０２３５】
ここで、ガス雰囲気処理に用いて好適な有機溶剤を、上位概念としての有機溶剤と、それを具体化した下位概念の有機溶剤とに分けて、以下に示す。なお、Ｒはアルキル基又は置換アルキル基、Ａｒはフェニル基又はフェニル基以外の芳香環を示すものとする。
上位概念としての有機溶剤：
・アルコール類（Ｒ−ＯＨ）
・アルコキシアルコール類
・エーテル類（Ｒ−Ｏ−Ｒ、Ａｒ−Ｏ−Ｒ、Ａｒ−Ｏ−Ａｒ）
・エステル類
・ケトン類
・グリコール類
・アルキレングリコール類
・グリコールエーテル類
下位概念の有機溶剤：
・ＣＨ３ＯＨ、Ｃ２Ｈ５ＯＨ、ＣＨ３（ＣＨ２）ＸＯＨ
・イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）
・エトキシエタノール
・メトキシアルコール
・長鎖アルキルエステル
・モノエタノールアミン（ＭＥＡ）
・モノエチルアミン
・ジエチルアミン
・トリエチルアミン
・モノイソピルアミン
・ジイソピルアミン
・トリイソピルアミン
・モノブチルアミン
・ジブチルアミン
・トリブチルアミン
・ヒドロキシルアミン
・ジエチルヒドロキシルアミン
・無水ジエチルヒドロキシルアミン
・ピリジン
・ピコリン
・アセトン
・アセチルアセトン
・ジオキサン
・酢酸エチル
・酢酸ブチル
・トルエン
・メチルエチルケトン（ＭＥＫ）
・ジエチルケトン
・ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）
・メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）
・ブチルカルビトール
・ｎ−ブチルアセテート（ｎＢＡ）
・ガンマーブチロラクトン
・エチルセロソルブアセテート（ＥＣＡ）
・乳酸エチル
・ピルビン酸エチル
・２−ヘプタノン（ＭＡＫ）
・３−メトキシブチルアセテート
・エチレングリコール
・プロピレングリコール
・ブチレングリコール
・エチレングリコールモノエチルエーテル
・ジエチレングリコールモノエチルエーテル
・エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート
・エチレングリコールモノメチルエーテル
・エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート
・エチレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテル
・ポリエチレングリコール
・ポリプロレングリコール
・ポリブチレングリコール
・ポリエチレングリコールモノエチルエーテル
・ポリジエチレングリコールモノエチルエーテル
・ポリエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート
・ポリエチレングリコールモノメチルエーテル
・ポリエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート
・ポリエチレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテル
・メチル−３−メトキシプロピオネート（ＭＭＰ）
・プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）
・プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）
・プロピレングリコールモノプロピルエーテル（ＰＧＰ）
・プロピレングリコールモノエチルエーテル（ＰＧＥＥ）
・エチル−３−エトキシプロピオネート（ＦＥＰ）
・ジプロピレングリコールモノエチルエーテル
・トリプロピレングリコールモノエチルエーテル
・ポリプロピレングリコールモノエチルエーテル
・プロピレングリコールモノメチルエーテルプロピオネート
・３−メトキシプロピオン酸メチル
・３−エトキシプロピオン酸エチル
・Ｎ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）
なお、有機溶剤を原料として生成したガスを用いてガス雰囲気処理を行うのは、有機膜パターンが有機溶剤の浸透により溶解する場合である。例えば、有機膜パターンが水溶性、酸溶解性、アルカリ溶解性の場合は、水溶液、酸溶液或いはアルカリ溶液を原料として生成したガスを用いてガス雰囲気処理を行う場合も有り得る。
【０２３６】
上記においては、有機膜全体を除去する前、又は有機膜全体を除去する場合の処理に、本発明に係る薬液を用いた例を説明したが、これに限らず、有機膜が存在しないか基板表面の洗浄か、または有機膜全体を除去した後の残渣などを除去する洗浄にも上記の薬液を用いることができる。
【０２３７】
更には、上記の基板処理方法のいずれかの段階で基板表面の残渣の除去、または洗浄にも、本発明に係る薬液を用いることができる。
【０２３８】
上記の基板処理方法及び薬液、並びに、基板表面の洗浄方法、有機膜全体を除去した後の残渣などを除去する洗浄方法は、全ての液晶表示装置（ＬＣＤ）表示装置、すなわち縦電界型液晶表示装置（ＬＣＤ）表示装置、横電界型液晶表示装置（ＬＣＤ）表示装置、反射型液晶表示装置（ＬＣＤ）表示装置、半透過型液晶表示装置（ＬＣＤ）表示装置の他に、ＥＬ表示装置、その他の表示装置、或いは半導体装置、例えば、フラットディスプレイパネルの液晶表示装置（ＬＣＤ），エレクトロルミネッセンス表示装置（ＥＬ），フィールドエミッションディスプレイ（ＦＥＤ），蛍光表示装置，プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）のアクティブ素子などの製造方法、または、その集積回路を備えた基板の製造に適用できるものである。
【図面の簡単な説明】
【０２３９】
【図１】第１の実施形態に係る基板処理方法を示す一連の工程図である。
【図２】第２の実施形態に係る基板処理方法を示す一連の工程図である。
【図３】第３の実施形態に係る基板処理方法を示す一連の工程図である。
【図４】第４の実施形態に係る基板処理方法を示す一連の工程図である。
【図５】除去処理に用いられる薬品中におけるヒドロキシルアミン誘導体と現像機能液成分（例えば、水酸化テトラアルキルアンモニウム）との混合比率を変化させた場合に、当初の有機膜パターンにおける阻害層の除去レートと、変質層以外の部分の除去レートと、がどのように変化するかを示すグラフである。
【図６】除去処理に用いられる薬液の組成の実施例を示す図である。
【図７】従来の基板処理方法を示す一連の工程図である。
【符号の説明】
【０２４０】
１    基板
２    導電膜（下地膜）
４    有機膜パターン
５    有機膜パターン
６    半導体膜（下地膜）
７    有機膜パターン
【図１】
2008072059.tif 000003
【図２】
2008072059.tif 000004
【図３】
2008072059.tif 000005
【図４】
2008072059.tif 000006
【図５】
2008072059.tif 000007
【図６】
2008072059.tif 000008
【図７】
2008072059.tif 000009