(57)【要約】      （修正有）【課題】製造が容易で優れた品質の窒化ガリウム単結晶基板を製造できる表面加工方法、及び窒化ガリウム単結晶基板を提供する。【解決手段】窒化ガリウム単結晶基板１１０の表面加工方法は、支持台上に位置する窒化ガリウム原板の上面及び底面を平坦化する工程、平坦化された窒化ガリウム原板に波長３７０〜８００ｎｍの光を照射する工程、窒化ガリウム原板の透過率を測定する工程、及び透過率が６５〜９０％であるか否かを確認する工程を含む。この表面加工方法において、窒化ガリウム単結晶基板１１０の両面の損傷層の厚さ比率（ＤＬａ／ＤＬｂ）は０．９９〜１．０１である。【選択図】図１４
2008115074.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
両面研磨を通じて提供される窒化ガリウム単結晶基板であって、
波長３７０〜８００ｎｍの光を用いて基板の透過率を測定したときの該透過率が、６５〜９０％である窒化ガリウム単結晶基板。
【請求項２】
透過率測定のために前記単結晶基板に照射する光は、紫外線から赤外線で形成された光である請求項１に記載の窒化ガリウム単結晶基板。
【請求項３】
窒化ガリウム単結晶基板の表面加工方法であって、
支持台上に位置する窒化ガリウム原板の上面及び底面を平坦化する工程と、
平坦化された窒化ガリウム原板に、３７０〜８００ｎｍ範囲の波長の光を照射する工程と、
前記窒化ガリウム原板の透過率を測定する工程と、
前記透過率が６５〜９０％であることを確認する工程と、を含む方法。
【請求項４】
前記透過率が、６５〜９０％の範囲外にある場合、前記窒化ガリウム原板の上面または底面を更に平坦化する請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記平坦化する工程は、前記窒化ガリウム原板の上面及び底面の一方の面を平坦化する工程と、
前記原板を裏返し、平坦化された面を前記支持台に付着する工程と、
前記窒化ガリウム原板の上面及び底面の他方の面を平坦化する工程と、を含む請求項３に記載の方法。
【請求項６】
両面研磨を通じて提供される窒化ガリウム単結晶基板であって、
前記窒化ガリウム単結晶原板の両面の損傷層の厚さ比率（ＤＬａ／ＤＬｂ）が０．９９〜１．０１であり、基板の透過率が６５〜９０％である窒化ガリウム単結晶基板。
【請求項７】
前記透過率が、波長３７０〜８００ｎｍの光を用いて測定されたものである請求項６に記載の窒化ガリウム単結晶基板。
【請求項８】
前記透過率測定のために前記単結晶基板に照射する光は、紫外線から赤外線で形成された光である請求項６に記載の窒化ガリウム単結晶基板。
【請求項９】
窒化ガリウム単結晶基板の表面加工方法であって、
支持台上に位置する窒化ガリウム原板の上面及び底面を平坦化する工程と、
前記窒化ガリウム単結晶原板の両面の損傷層の厚さ比率（ＤＬａ／ＤＬｂ）を測定する工程と、
損傷層の厚さ比率（ＤＬａ／ＤＬｂ）が０．９９〜１．０１であるか否かを確認する工程と、
前記窒化ガリウム原板に波長３７０〜８００ｎｍの光を照射する工程と、
前記窒化ガリウム原板の透過率を測定する工程と、
透過率が６５〜９０％であることを確認する工程と、を含む方法。
【請求項１０】
前記窒化ガリウム単結晶原板の両面の損傷層の厚さを、走査顕微鏡を用いて測定する請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記損傷層の厚さ比率（ＤＬａ／ＤＬｂ）が０．９９〜１．０１の範囲外にある場合、前記窒化ガリウム原板の上面または底面を更に平坦化する請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記平坦化工程は、前記窒化ガリウム原板の上面及び底面の一方の面を平坦化する工程と、
前記原板を裏返し、平坦化された面を前記支持台に付着する工程と、
前記窒化ガリウム原板の上面及び底面の他方の面を平坦化する工程と、を含む請求項９に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、窒化ガリウム単結晶基板及び表面加工方法に関する。より詳しくは、本発明は、透過率が高く上面及び底面の損傷層の厚さ差が小さい単結晶基板及び窒化ガリウム単結晶原板の表面加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、窒化ガリウム（ＧａＮ）は、広いエネルギーバンドギャップ、大きい原子間結合力、高熱伝導性ゆえに、光素子及び高温高電力素子として適した特性を具備する。したがって、窒化ガリウム系列の半導体化合物は、光電子素子を製造する材料として多様に利用されており、具体的には、窒化ガリウムを利用して製造された青色及び緑色発光素子は、マルチメディア、信号灯、室内照明、高密度光源、高解像度出力システム及び情報通信分野など、広範囲な分野に応用されている。
【０００３】
一般的に、窒化ガリウム（ＧａＮ）基板は、異種のサファイア（Ａｌ２Ｏ３）基板を用いて製造する。しかし、窒化ガリウム及びサファイアでは格子定数及び熱膨脹係数に差があるので、サファイア基板上に窒化ガリウム層を形成すると、高密度の結晶性欠陷が発生し得る。したがって、窒化ガリウム層をサファイア基板から分離すると、窒化ガリウム層に撓みが発生し得る。ひどい場合には、窒化ガリウム層にクラックが発生し得る。
【０００４】
図１は、異種基板及び異種基板上で成長させた窒化ガリウム層の断面図であり、図２は異種基板から分離した窒化ガリウム層の断面図である。
【０００５】
図１及び図２を参照すると、サファイア、シリコンカーバイド、又はシリコンなどの異種基板１０の上に、窒化ガリウム層が成長している。しかし、窒化ガリウムとサファイアとでは、格子定数及び熱膨脹係数の差によって、図１に示されたように撓み現象が発生し得る。また、窒化ガリウム層を異種基板から分離すると、図２に示されるように窒化ガリウム層の成長雰囲気内に結晶学的な傾き（ｃｒｙｓｔａｌｌｏｇｒａｐｈｉｃ  ｔｉｌｔｉｎｇ）などの現象が生じ、薄膜内部に高い密度を有する浸透転移（ｔｈｒｅａｄｉｎｇ  ｄｉｓｌｏｃａｔｉｏｎ）が形成されて、表面の平坦化に悪影響が及ぼされ、撓み現象が現われるようになる。
【０００６】
従来、上述した撓み現象を最小化するために、加工時に使用される研磨剤粒子サイズを工程別に細かくすることで、表面の損傷層を除去している。あるいは、異種基板を用いて撓みがある窒化ガリウム基板の片面または両面を、研磨装備を用いて偏平に加工している。しかし、上述した方法を用いて窒化ガリウム層の表面を研いても、両面の損傷程度が互いに異なるため、両面にひずみ差が発生する。その結果、基板が、損傷程度が少ない側に凹形に反る。このような、窒化ガリウム層の撓みまたは撓みによる窒化ガリウム層のクラック発生は、窒化ガリウムの大量生産及び生産コスト面で不利であり、生産効率を低下させる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、上述した問題点を解決するためのものであり、本発明の目的のひとつは、製造が容易で優れた品質の窒化ガリウム単結晶基板を製造できる表面加工方法、及び窒化ガリウム単結晶基板を提供することである。
【０００８】
本発明の他の目的は、両面研磨を通じて、３７０〜８００ｎｍの波長を有する光を用いて基板の透過率を測定したときの透過率が６５〜９０％である窒化ガリウム単結晶基板の表面加工方法、及び窒化ガリウム単結晶基板を提供することである。
【０００９】
本発明のまた他の目的は、両面研磨を通じて、窒化ガリウム単結晶原板の両面の損傷層の厚さ比率（ＤＬａ／ＤＬｂ）が０．９９〜１．０１であり、透過率が６５〜９０％である窒化ガリウム単結晶基板の表面加工方法、及び窒化ガリウム単結晶基板を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上述した本発明の目的を達成するための本発明の好ましい形態によれば、本発明は、両面研磨を通じて提供される窒化ガリウム単結晶基板を提供する。この基板は両面が研磨されているので、透過率を測定できる。３７０〜８００ｎｍの波長を有する光を用いて基板の透過率を測定した場合、透過率は６５〜９０％である。ここで、単結晶基板に照射する光は、紫外線から赤外線で形成された光を使用する。
【００１１】
本発明の好ましい形態によれば、窒化ガリウム単結晶基板を提供するための窒化ガリウム単結晶基板の表面加工方法は、支持台上に位置する窒化ガリウム原板の上面及び底面を平坦化する工程と、平坦化された窒化ガリウム原板に、３７０〜８００ｎｍ範囲の波長の光を照射する工程と、窒化ガリウム原板の透過率を測定する工程と、透過率が６５〜９０％であることを確認する工程と、を含む。
【００１２】
窒化ガリウム単結晶基板の透過率を６５〜９０％に調節するため、６５〜９０％の範囲外にある場合、前記窒化ガリウム原板の上面または底面を更に平坦化してよい。ここで、平坦化する工程は、窒化ガリウム原板の上面及び底面の一方の面を平坦化する工程と、原板を裏返し、平坦化された面を前記支持台に付着する工程と、窒化ガリウム原板の上面及び底面の他方の面を平坦化する工程と、を含んでよい。
【００１３】
本発明の別の好ましい形態によれば、本発明は、窒化ガリウム単結晶原板の両面の損傷層の厚さ比率（ＤＬａ／ＤＬｂ）が０．９９〜１．０１であり、基板の透過率が６５〜９０％である窒化ガリウム単結晶基板を提供する。ここで、測定される透過率は、３７０〜８００ｎｍの波長を有する光を用いて測定でき、透過率測定のために単結晶基板に照射する光は紫外線から赤外線で形成できる。
【００１４】
両面研磨を通じて提供される窒化ガリウム単結晶基板は、３７０〜８００ｎｍの波長を有する光を用いて透過率が６５〜９０％になるように両面研磨されると、上面及び底面がすべて均一に研磨されてスクラッチなしに製造でき、底面に電極を形成する場合にも優れた極コンタクト効果を得ることができる。
【００１５】
本発明の別の好ましい形態によれば、本発明は、支持台上に位置する窒化ガリウム原板の上面及び底面を平坦化する工程と、窒化ガリウム単結晶原板の両面の損傷層の厚さ比率（ＤＬａ／ＤＬｂ）を測定する工程と、損傷層の厚さ比率（ＤＬａ／ＤＬｂ）が０．９９〜１．０１であるか否かを確認する工程と、窒化ガリウム原板に波長３７０〜８００ｎｍの光を照射する工程と、窒化ガリウム原板の透過率を測定する工程と、透過率が６５〜９０％であることを確認する工程と、を含む基板の表面加工方法を提供する。
【００１６】
窒化ガリウム単結晶原板の両面の損傷層の厚さは、電子透過顕微鏡などを用いて測定でき、測定された損傷層の厚さ比率（ＤＬａ／ＤＬｂ）が０．９９〜１．０１の範囲外にある場合、窒化ガリウム原板の上面または底面を更に平坦化してよい。
【００１７】
平坦化する工程は、窒化ガリウム原板の上面及び底面の一方の面を平坦化する工程と、原板を裏返し、平坦化された面を前記支持台に付着する工程と、窒化ガリウム原板の上面及び底面の他方の面を平坦化する工程と、を含んでよい。
【００１８】
一般的に化合物半導体基板は、単結晶基板を用いて製造でき、成長させるべき化合物半導体基板と同じ材料の同種単結晶基板、又は異種単結晶基板を用いてよい。
【発明の効果】
【００１９】
ベース基板に同種単結晶基板を使用する場合には、ベース基板及び成長させるべき化合物半導体基板（つまり成長層）の間に格子定数及び熱膨脹係数の差がないので、成長過程及び分離過程で成長層に発生する撓みまたはクラックを低減できる。しかし、ベース基板として用いた単結晶基板と、ベース基板から成長した化合物半導体とが同じ材料で形成されている場合には、相互分離が難しいだけではなく、互いに異なる波長帯の光を吸収させて界面部分を分解するレーザーリフトオフ法を利用できない。また、ベース基板及び化合物半導体の原料が高価な場合、多量のベース基板を含めることも困難である。
【００２０】
したがって、高出力の青色発光ダイオードの材料である窒化ガリウム（ＧａＮ）を製造する工程では、ベース基板に比較的安価であり、窒化ガリウム（ＧａＮ）と光の吸収波長領域が異なるサファイアを使用する。ただし、ベース基板に異種のサファイアを使用するので、窒化ガリウム及びサファイアは、格子定数及び熱膨脹係数について差を有し、撓み現象が発生し得、ひどい場合には成長した窒化ガリウム層がクラックによって破損することもある。
【００２１】
このような、窒化ガリウム層の撓みまたは撓みによる窒化ガリウム層のクラック発生は、窒化ガリウムの大量生産及び生産コストの面で不利であり、生産効率を低下させる。
【００２２】
しかし、本発明に係る窒化ガリウム単結晶基板及び表面加工方法を用いることで、透過率が６５〜９０％であり、窒化ガリウム単結晶原板の両面の損傷層の厚さ比率（ＤＬａ／ＤＬｂ）が０．９９〜１．０１である窒化ガリウム単結晶基板を製造できる。したがって、窒化ガリウム層の撓みが抑制されるので窒化ガリウムの大量生産が可能であり、生産コスト面で非常に有利である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、添付図面を参照して本発明の好ましい形態を詳細に説明するが、本発明がそれらの実施形態によって制限又は限定されるものではない。
【００２４】
＜第１実施形態＞
図３は、本発明の第１実施形態に係る窒化ガリウム単結晶基板の断面図である。窒化ガリウム単結晶基板１１０は、両面がすべて研磨されて均一な表面調度を有し、３７０〜８００ｎｍの波長を有する光（紫外線、可視光線、または赤外線）を用いて測定したとき、窒化ガリウム単結晶基板１１０の透過率は６５〜９０％である。
【００２５】
図４は、ベース基板上に窒化ガリウム単結晶基板を成長させた断面図であり、図５はベース基板から窒化ガリウム単結晶基板を分離した窒化ガリウム単結晶基板の断面図である。
【００２６】
まず、図４に示されるように、ベース基板１００の上に窒化ガリウム単結晶基板１１０を成長させる。ベース基板１００には、サファイア、シリコンカーバイド（Ｓｉｃ）、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）などを使用でき、本実施形態ではサファイアを用いている。サファイア基板を使用することで、互いに異なる波長帯の光を吸収して、ベース基板及び窒化ガリウム基板の界面を部分的に分解させるレーザーリフトオフ工程を実施できる。
【００２７】
次に、図５に示されるように、ベース基板１００に形成された窒化ガリウム単結晶基板１１０をベース基板１００から分離する。分離方法としては、レーザーリフトオフ方法を適用できる。
【００２８】
具体的に、ベース基板１００であるサファイア基板上に窒化ガリウム層を成長させた後、透明なサファイア基板にレーザーを照射することで、窒化ガリウム層及びサファイア基板の界面近傍にて窒化ガリウム層の一部を分解し、サファイア基板から成長した窒化ガリウム層を分離できる。ベース基板１００から分離した窒化ガリウム単結晶基板１１０は、ベース基板１００との格子定数及び熱膨脹係数の差によって撓みが発生するようになる。
【００２９】
以下、本発明に係る窒化ガリウム単結晶基板の平坦化のための表面加工方法を説明する。
【００３０】
図６〜図１１は、本発明に係る窒化ガリウム単結晶基板の表面加工方法を示した断面図で、図１２は本発明の第１実施形態に係る窒化ガリウム単結晶基板の表面加工方法を説明するためのフローチャートである。
【００３１】
まず、図６に示されるように、表面加工のために支持台２００上に窒化ガリウム単結晶基板１１０を位置する。支持台２００の材質としては、金属材またはアルミニウム、ガラス基板を使用できる。窒化ガリウム単結晶基板１１０は、上下面をそれぞれ第１面（Ｎ−ｆａｃｅ）１１１、第２面（Ｇａ−ｆａｃｅ）１１２とし、まず、第２面１１２を支持台２００にワックスを用いて付着する。
【００３２】
そして、図７に示されるように、窒化ガリウム単結晶基板１１０の第２面１１２を支持台２００に付着させた状態で、第１面１１１を平坦化させる。平坦化の手段としては、ダイヤモンドホイールを利用した機械的装置、ダイヤモンド定盤、スラリーを用いた研磨用定盤などを使用できる。窒化ガリウム単結晶基板１１０の撓みがある状態が維持されるよう荷重の少ない手段を用いて、基板１１０を変化させることなく、第１面１１１の撓みがある部分を研いて平坦化する。
【００３３】
続いて、第１面１１１の表面にレーザー光を照射して、平坦度及び表面の損傷層が所定基準に適合しているか否かを判断する。表面調度が基準に適合していない場合、再び研磨してよい。
【００３４】
第１面１１１の表面調度が標準仕様を満足する場合、図８及び図９に示されるように、支持台２００から窒化ガリウム単結晶基板１１０を離脱させて、平坦化された第１面１１１を支持台２００の表面にワックスを介して付着して、窒化ガリウム単結晶基板１１０の第２面１１２が上方を向くように配置する。
【００３５】
次に、図１０に示されるように、窒化ガリウム単結晶基板１１０の第１面１１１を付着させた状態で、第２面１１２を平坦化する。第２面１１２の平坦化も第１面１１１の平坦化と同じ平坦化手段を使用できる。この場合もやはり、窒化ガリウム単結晶基板１１０の撓みがある状態がそのまま維持されるように、荷重の少ない手段を用い、基板１１０を変化させることなく、第２面１１２を撓み部分がなくなるまで平坦化する。
【００３６】
平坦化後、第２面１１２の表面にレーザー光を照射して平坦度及び表面の損傷層が標準仕様に適合しているか否かを判断する。表面調度が仕様に適合しない場合、再び研磨工程を行う。
【００３７】
次に、第２面１１２の平坦化が完了した窒化ガリウム単結晶基板１１０を支持台２００から離脱させることで、図１１に示されるような窒化ガリウム単結晶基板１１０が完成する。
【００３８】
図１２は、本発明の第１実施形態に係る窒化ガリウム単結晶基板の表面加工方法を説明するフローチャートである。
【００３９】
窒化ガリウム単結晶基板の表面加工方法は、支持台上に位置する窒化ガリウム原板の上面及び底面を平坦化する工程（Ｓ３１０）、平坦化された窒化ガリウム原板に３７０〜８００ｎｍの波長の光を照射する工程（Ｓ３２０）、窒化ガリウム原板の透過率を測定する工程（Ｓ３３０）、及び透過率が６５〜９０％であるか否かを確認する工程（Ｓ３４０）を含む。
【００４０】
支持台上に位置する窒化ガリウム原板の上面及び底面を平坦化する工程（Ｓ３１０）については、図４〜図１１で説明した内容を参照できる。
【００４１】
窒化ガリウム単結晶基板の透過率を６５〜９０％に調節するため、透過率が６５〜９０％の範囲外にある場合、窒化ガリウム原板の上面または底面を更に平坦化できる。ここで、平坦化する工程（Ｓ３１０）は、窒化ガリウム原板の上面及び底面の一方の面を平坦化する工程、原板を裏返して平坦化された面を支持台に付着する工程、及び窒化ガリウム原板の他方の面を平坦化する工程を含んでよい。
【００４２】
本発明に係る窒化ガリウム単結晶基板は、波長３７０〜８００ｎｍの光を用いて透過率が６５〜９０％になるように両面を研磨することで、上面及び下面すべてに欠陥がなく均一な表面調度が得られ、基板表面に電極を形成するときの電極密着性に優れる。
【００４３】
＜第２実施形態＞
図１３は、本発明の第２実施形態に係る窒化ガリウム単結晶基板及び表面加工方法を説明するためのフローチャートである。
【００４４】
第２実施形態に係る窒化ガリウム単結晶基板及び表面加工方法は、第１実施形態で説明した窒化ガリウム単結晶基板１１０及び表面加工方法と同様である。但し、本発明の第２実施形態では、窒化ガリウム単結晶基板の透過率を測定する代わりに、窒化ガリウム単結晶原板の両面の損傷層の厚さ比率（ＤＬａ／ＤＬｂ）を測定する工程を含む。
【００４５】
つまり、第１実施形態では、窒化ガリウム単結晶基板を平坦化した後に、平坦化された窒化ガリウム原板に波長３７０〜８００ｎｍの光を照射する工程、窒化ガリウム原板の透過率を測定する工程、及び透過率が６５〜９０％であるか否かを確認する工程を含んでいたが、本発明の第２実施形態では、窒化ガリウム単結晶基板を平坦化した後に、窒化ガリウム単結晶原板の両面の損傷層の厚さ比率（ＤＬａ／ＤＬｂ）を測定する工程（Ｓ４２０）、及び損傷層の厚さ比率（ＤＬａ／ＤＬｂ）が０．９９〜１．０１であるか否かを確認する工程（Ｓ４３０）を含む。
【００４６】
窒化ガリウム単結晶原板の両面の損傷層の厚さは、電子透過顕微鏡などを用いて測定でき、損傷層の厚さ比率（ＤＬａ／ＤＬｂ）が０．９９〜１．０１の範囲外にある場合、窒化ガリウム原板の上面または底面を更に平坦化してよい。
【００４７】
所望する損傷層の厚さ比率（ＤＬａ／ＤＬｂ）を得ると、窒化ガリウム原板に３７０〜８００ｎｍの波長の光を照射する工程、窒化ガリウム原板の透過率を測定する工程、及び透過率が６５〜９０％であるか否かを確認する工程をさらに実施してよい。
【００４８】
図１４は、本発明の第２実施形態に係る窒化ガリウム単結晶基板の損傷層厚さ測定を説明する断面図である。
【００４９】
図に示されるように、窒化ガリウム単結晶基板の上面すなわち第１面１１１の損傷層厚さがＤＬａであり、下面すなわち第２面１１２の損傷層厚さがＤＬｂである。よって、損傷層の厚さ比率（ＤＬａ／ＤＬｂ）は、窒化ガリウム単結晶基板の両面の平坦化過程で発生する損傷層の厚さの比を意味する。
【００５０】
窒化ガリウム単結晶基板両面の損傷層の厚さ比率が１に近接すると、基板の撓み発生を最小化できる。両面研磨後、損傷層が除去される前の窒化ガリウム単結晶基板の第１面（Ｎ−ｆａｃｅ）１１１と第２面（Ｇａ−ｆａｃｅ）１１２を示す図１５ａ及び図１５ｂを参照すると、第１面の損傷層の厚みは２１１ｎｍであり、第２面の損傷層の厚みは２０９ｎｍであった。両面の損傷層の厚さ比率は１．０１であり、１に近接した非常に良好な状態であることが分かる。上記損傷層は、窒化ガリウム基板の両面研磨後に反応性イオンエッチングなどの別工程を経ることで除去できる。
【００５１】
本発明に係る窒化ガリウム単結晶基板に対して透過率を測定した結果を表１及び図１６に示した。
【００５２】
両面研磨した基板（ａ，ｂ）の場合、波長３７０ｎｍから急激に透過率が増加して、大部分の波長範囲で６５％以上の高い透過率を示した。一方、基板の片面だけ研磨した場合（ｃ，ｄ）には、波長範囲の全体で６５％未満という低い透過率を示していることが分かる。
【００５３】
【表１】
2008115074.tif 000003
【００５４】
このように、窒化ガリウム単結晶基板の両面研磨を実施した後、透過率及び損傷層の厚さ比率を測定することで、欠陷がなく優れた品質の窒化ガリウム単結晶基板を確認できた。
【産業上の利用可能性】
【００５５】
本発明に係る表面加工方法で得られる窒化ガリウム単結晶基板は、３７０〜８００ｎｍの波長を有する光を用いて基板の透過率を測定した場合、透過率が６５〜９０％である。
【００５６】
本発明に係る表面加工方法で得られる窒化ガリウム単結晶基板は、両面の損傷層の厚さ比率（ＤＬａ／ＤＬｂ）が０．９９〜１．０１であり、透過率が６５〜９０％である。
【００５７】
本発明に係る表面加工方法で得られる窒化ガリウム単結晶基板は、撓みが発生しないので、大量生産及び生産コスト面で有利であり、生産効率を大きく向上できる。
【００５８】
本発明に係る表面加工方法で得られ、透過率が優れ且つ損傷層の厚さ比率が１に近い窒化ガリウム単結晶基板を使用することで、各種用途において高い収率及び性能を得ることができる。また、基板の上面及び底面を均一に研磨することによって、表面に電極を形成する場合に好適な電極密着効果を得ることができる。
【００５９】
上述したように、本発明の好ましい形態を参照して説明したが、当該技術分野の熟練した当業者であれば、特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想及び技術的範囲から逸脱しない範囲内で、本発明を多様に修正及び変更させ得ることを理解できるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】異種基板及び異種基板上に成長した窒化ガリウム層の断面図である。
【図２】異種基板から分離した窒化ガリウム層の断面図である。
【図３】本発明の第１実施形態に係る窒化ガリウム単結晶基板の断面図である。
【図４】ベース基板上に成長した窒化ガリウム単結晶基板の断面図である。
【図５】ベース基板から分離した窒化ガリウム単結晶基板の断面図である。
【図６】本発明に係る窒化ガリウム単結晶基板の表面加工方法を示す断面図である。
【図７】本発明に係る窒化ガリウム単結晶基板の表面加工方法を示す断面図である。
【図８】本発明に係る窒化ガリウム単結晶基板の表面加工方法を示す断面図である。
【図９】本発明に係る窒化ガリウム単結晶基板の表面加工方法を示す断面図である。
【図１０】本発明に係る窒化ガリウム単結晶基板の表面加工方法を示す断面図である。
【図１１】本発明に係る窒化ガリウム単結晶基板の表面加工方法を示す断面図である。
【図１２】本発明の第１実施形態に係る窒化ガリウム単結晶基板の表面加工方法を説明するフローチャートである。
【図１３】本発明の第２実施形態に係る窒化ガリウム単結晶基板及び表面加工方法を説明するフローチャートである。
【図１４】本発明の第２実施形態に係る窒化ガリウム単結晶基板の損傷層厚さを説明する断面図である。
【図１５ａ】窒化ガリウム単結晶基板の上面及び底面の損傷層を示す写真である。
【図１５ｂ】窒化ガリウム単結晶基板の上面及び底面の損傷層を示す写真である。
【図１６】研磨された窒化ガリウム単結晶基板の透過率の測定結果を示すグラフである。
【符号の説明】
【００６１】
１００  ベース基板
１１０  窒化ガリウム単結晶基板
１１１  第１面
１１２  第２面
２００  支持台
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５ａ】
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【図１５ｂ】
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【図１６】
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