(57)【要約】【課題】バリア性に優れた欠陥のない無機封止層を長期にわたり付与し、発光不良のない有機ＥＬ素子の製造方法を提供すること。【解決手段】（ａ）基板上に第１電極層を形成する工程、（ｂ）前記第１電極層上に有機発光媒体層を形成する工程、（ｃ）前記有機発光媒体層上に第２電極層を形成する工程（ｄ）前記基板全体をＯ原子を含むガスを用いてプラズマ処理する工程、（ｅ）前記第１電極、有機発光媒体層および第２電極全体を覆う封止層を形成する工程、および（ｆ）前記封止層上をＦ原子を含むガスを用いてプラズマ処理する工程、を含む有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）基板上に第１電極層を形成する工程、
（ｂ）前記第１電極層上に有機発光媒体層を形成する工程、
（ｃ）前記有機発光媒体層上に第２電極層を形成する工程、
（ｄ）前記基板全体をＯ原子を含むガスを用いてプラズマ処理する工程、および
（ｅ）前記第１電極、有機発光媒体層および第２電極全体を覆う封止層を形成する工程、
を含む有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項２】
（ａ）基板上に第１電極層を形成する工程、
（ｂ）前記第１電極層上に有機発光媒体層を形成する工程、
（ｃ）前記有機発光媒体層上に第２電極層を形成する工程、
（ｄ）前記基板全体をＯ原子を含むガスを用いてプラズマ処理する工程、
（ｅ）前記第１電極、有機発光媒体層および第２電極全体を覆う封止層を形成する工程、および
（ｆ）前記封止層上をＦ原子を含むガスを用いてプラズマ処理する工程、
を含む有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項３】
前記有機発光媒体層を形成する工程が、不要な有機発光媒体層を除去する工程をさらに含み、前記不要な有機発光媒体層が、溶剤またはレーザーを用いることにより除去されることを特徴とする請求項１または２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項４】
前記（ｃ）前記有機発光媒体層上に第２電極層を形成する工程において、前記第２電極層が、蒸着法によって形成されたＣａからなる膜およびＡｌからなる膜の積層であり、前記（ｄ）前記基板全体をＯ原子を含むガスを用いてプラズマ処理する工程において、前記Ｏ原子を含むガスが、アルゴンと酸素との混合ガスであり、かつ、前記（ｆ）前記封止層上をＦ原子を含むガスを用いてプラズマ処理する工程において、前記Ｆ原子を含むガスが、アルゴンと三弗化窒素の混合ガスであることを特徴とする請求項２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかに記載の製造方法を用いて製造したことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、テレビ、パソコンモニタ、携帯電話等の携帯端末などに使用されるフラットパネルディスプレイや、面発光光源、照明、発光型広告体などとして、幅広い用途が期待される有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、有機ＥＬ素子という）の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ素子は、広視野角、応答速度が速い、低消費電力などの利点から、ブラウン管や液晶ディスプレイに変わるフラットパネルディスプレイとして期待されている。
【０００３】
有機ＥＬ素子は、少なくともどちらか一方が透光性を有する二枚の電極層（陽極層と陰極層）の間に、有機発光媒体層を挟持した構造であり、両電極間に電圧を印可し電流を流すことにより有機発光媒体層で発光が生じる自発光型の表示素子である。しかし、有機ＥＬ素子は、大気中の水分や酸素の影響により劣化するといった問題があるため、乾燥剤を内包した金属缶やガラスキャップで覆い、大気から遮断する方法が一般的に用いられている。
【０００４】
近年、アクティブマトリクス型有機ＥＬディスプレイの光取出し効率を向上させるために、封止部材側から光を取り出す上面発光素子が提案されており、従来の乾燥剤を内包したガラスキャップ封止に変わり、バリア性を有するパッシベーション膜（封止層）、接着剤、透光性封止基材を、空間を設けずに積層する封止が提案されている（特許文献１）。
【０００５】
有機ＥＬ素子には、低分子発光媒体材料を真空蒸着法で薄膜形成する低分子EL素子と、高分子発光媒体材料を溶媒に溶かし、薄膜形成する高分子EL素子がある。
有機発光媒体層の薄膜形成の方法としては、印刷法を用いて選択的にパターニングする方法と、スピンコート法やスリットコート法、スプレーコート法などを用いて基板全面に薄膜を均一形成した後に、不要部を除去する方法が用いられる。しかし、この除去工程が不十分であると、封止層の膜剥離が生じたり、封止層上に接着剤を積層し硬化した際に、応力により封止層が部分的に下地から剥離し、有機EL素子の劣化原因となっていた。これは印刷法やインクジェット法など、選択的にインクをパターニングする方法においても、不要部に、インクの試し塗りを行うため、同様の問題が生じる。
さらに、窒化珪素など無機材料からなる封止層とエポキシなど接着性樹脂との熱膨張率の違いから、封止層と接着剤との界面での剥離も劣化原因の一つとなる。
【特許文献１】特開２００２−２３１４４３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、バリア性に優れた欠陥のない無機封止層を長期にわたり付与し、発光不良のない有機ＥＬ素子の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
請求項１に記載の発明は、
（ａ）基板上に第１電極層を形成する工程、
（ｂ）前記第１電極層上に有機発光媒体層を形成する工程、
（ｃ）前記有機発光媒体層上に第２電極層を形成する工程、
（ｄ）前記基板全体をＯ原子を含むガスを用いてプラズマ処理する工程、および
（ｅ）前記第１電極、有機発光媒体層および第２電極全体を覆う封止層を形成する工程、
を含む有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法である。
【０００８】
請求項２に記載の発明は、
（ａ）基板上に第１電極層を形成する工程、
（ｂ）前記第１電極層上に有機発光媒体層を形成する工程、
（ｃ）前記有機発光媒体層上に第２電極層を形成する工程、
（ｄ）前記基板全体をＯ原子を含むガスを用いてプラズマ処理する工程、
（ｅ）前記第１電極、有機発光媒体層および第２電極全体を覆う封止層を形成する工程、および
（ｆ）前記封止層上をＦ原子を含むガスを用いてプラズマ処理する工程、
を含む有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法である。
【０００９】
請求項３に記載の発明は、前記有機発光媒体層を形成する工程が、不要な有機発光媒体層を除去する工程をさらに含み、前記不要な有機発光媒体層が、溶剤またはレーザーを用いることにより除去されることを特徴とする請求項１または２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法である。
【００１０】
請求項４に記載の発明は、前記（ｃ）前記有機発光媒体層上に第２電極層を形成する工程において、前記第２電極層が、蒸着法によって形成されたＣａからなる膜およびＡｌからなる膜の積層であり、前記（ｄ）前記基板全体をＯ原子を含むガスを用いてプラズマ処理する工程において、前記Ｏ原子を含むガスが、アルゴンと酸素との混合ガスであり、かつ、前記（ｆ）前記封止層上をＦ原子を含むガスを用いてプラズマ処理する工程において、前記Ｆ原子を含むガスが、アルゴンと三弗化窒素の混合ガスであることを特徴とする請求項２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法である。
【００１１】
請求項５に記載の発明は、請求項１〜４のいずれかに記載の製造方法を用いて製造したことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子である。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、封止層を形成する前に、基板全体をＯ原子を含むガスを用いてプラズマ処理する工程を有しているので、基板上に残存した有機物を除去することができ、長期にわたり膜剥離が生じない、バリア性に優れた欠陥のない封止層を付与し、発光不良のない有機ＥＬ素子を製造することができる。
また、好適な形態において、本発明は、封止層上をＦ原子を含むガスを用いてプラズマ処理する工程を有しているので、封止層表面を適度に粗面化することができ、長期にわたり、封止層とその上の接着剤との接着性を確保できるために、長寿命の有機ＥＬ素子を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の有機ＥＬ素子の製造方法の一例を説明するが、本発明は下記例に限定されるものではない。
【００１４】
本発明により製造される有機ＥＬ素子は、基板上に、第１電極層、有機発光媒体層および第２電極層がこの順に設けられ、これら部材全体を封止する封止層と、該封止層上の接着剤層を介して設けられた封止基材を少なくとも有する構成である。上面発光パネルは、少なくとも陽極と陰極のどちらか一方が透光性であれば、上面発光側の電極層としては第１電極でも第２電極でも良い。
【００１５】
基板の材料としては、発光の取り出し方向に応じて選択することが好ましく、例えば、光を取り出したい場合にはガラス、石英、ポリプロピレン、ポリエーテルサルフォン、ポリカーボネート、シクロオレフィンポリマー、ポリアリレート、ポリアミド、ポリメチルメタクリレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のプラスチックフィルムやシート、または、これらプラスチックフィルムやシートに酸化珪素、酸化アルミニウム等の金属酸化物や、弗化アルミニウム、弗化マグネシウム等の金属弗化物や、窒化珪素、窒化アルミニウムなどの金属窒化物や、酸窒化珪素などの金属酸窒化物や、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリエステル樹脂などの高分子樹脂膜を単層もしくは積層させた透光性基材を用いることができる。光を取り出さない場合には、上記透光性基材の他に、アルミニウムやステンレスなどの金属箔、シート、シリコン基板、前記プラスチックフィルムやシートにアルミニウム、銅、ニッケル、ステンレスなどの金属膜を積層させた非透光性基材などを用いることができる。
また、これら基板は、必要に応じて、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を形成し、駆動用基板として用いても良い。薄膜トランジスタとしては、公知の薄膜トランジスタを用いることができる。具体的には、主として、ソース／ドレイン領域及びチャネル領域が形成される活性層、ゲート絶縁膜及びゲート電極から構成される薄膜トランジスタが挙げられる。薄膜トランジスタの構造としては、特に限定されるものではなく、例えば、スタガ型、逆スタガ型、トップゲート型、コプレーナ型等が挙げられる。活性層は、特に限定されるものではなく、例えば、非晶質シリコン、多結晶シリコン、微結晶シリコン、セレン化カドミウム等の無機半導体材料又はチオフエンオリゴマー、ポリ（ｐ-フェリレンビニレン）等の有機半導体材料により形成することができる。これらの活性層は、例えば、アモルファスシリコンをプラズマＣＶＤ法により積層し、イオンドーピングする方法、ＳｉＨ４ガスを用いてＬＰＣＶＤ法によりアモルファスシリコンを形成し、固相成長法によりアモルファスシリコンを結晶化してポリシリコンを得た後、イオン打ち込み法によりイオンドーピングする方法、Ｓｉ２Ｈ６ガスを用いてＬＰＣＶＤ法により、また、ＳｉＨ４ガスを用いてＰＥＣＶＤ法によりアモルファスシリコンを形成し、エキシマレーザー等のレーザーによりアニールし、アモルファスシリコンを結晶化してポリシリコンを得た後、イオンドーピング法によりイオンドーピングする方法（低温プロセス）、減圧ＣＶＤ法又はＬＰＣＶＤ法によりポリシリコンを積層し、１０００℃以上で熱酸化してゲート絶縁膜を形成し、その上にｎ＋ポリシリコンのゲート電極を形成し、その後、イオン打ち込み法によりイオンドーピングする方法（高温プロセス）等が挙げられる。ゲート絶縁膜としては、通常、ゲート絶縁膜として使用されているものを用いることができ、例えば、ＰＥＣＶＤ法、ＬＰＣＶＤ法等により形成されたＳｉＯ２；ポリシリコン膜を熱酸化して得られるＳｉＯ２等を用いることができる。ゲート電極としては、通常、ゲート電極として使用されているものを用いることができ、例えば、アルミ、銅等の金属、チタン、タンタル、タングステン等の高融点金属、ポリシリコン、高融点金属のシリサイド、ポリサイド等が挙げられる。また、薄膜トランジスタは、シングルゲート構造、ダブルゲート構造、ゲート電極が３つ以上のマルチゲート構造であってもよい。また、ＬＤＤ構造、オフセット構造を有していてもよい。さらに、１つの画素中に２つ以上の薄膜トランジスタが配置されていてもよい。本発明の有機ＥＬ素子は薄膜トランジスタが有機ＥＬ素子のスイッチング素子として機能するように接続されていることができ、トランジスタのドレイン電極と有機ＥＬ素子の第１電極が電気的に接続されている。薄膜トランジスタとドレイン電極と有機ＥＬ素子の第１電極との接続は、平坦化膜を貫通するコンタクトホール内に形成された接続配線を介して行われる。
【００１６】
はじめに、基板上に第１電極層として陽極を設ける。陽極の材料としては、後述の有機発光媒体層への正孔注入性を損なわず、低抵抗な材料であれば、特に制限はなく、金属酸化物等からなる透過膜を用いて透過型有機ＥＬ素子としてもよく、金属材料からなる非透過膜を用いて上面発光型有機ＥＬ素子としてもよく、酸化インジウムや酸化すずなどの金属酸化物や、ＩＴＯ（インジウムスズ複合酸化物）やインジウム亜鉛複合酸化物、亜鉛アルミニウム複合酸化物などの金属複合酸化物や、金、白金などの金属材料や、これら金属酸化物や金属材料の微粒子をエポキシ樹脂やアクリル樹脂などに分散した微粒子分散膜を、単層もしくは積層したものをいずれも使用することができる。また、必要に応じて、陽極の配線抵抗を低くするために、銅やアルミニウムなどの金属材料を補助電極として併設してもよい。陽極材料の形成方法としては、材料に応じて、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、反応性蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法などの乾式成膜法や、グラビア印刷法、スクリーン印刷法などの湿式成膜法などを用いることができる。パターニング方法としては、材料や成膜方法に応じて、マスク蒸着法、フォトリソグラフィー法、ウェットエッチング法、ドライエッチング法などの既存のパターニング法を用いることができる。
【００１７】
必要に応じて、第１電極層端部を覆い、また複数の有機EL素子を区画するような隔壁を形成することが好ましい。隔壁は、絶縁性を有する必要があり、感光性材料等を用いることができる。感光性材料としては、ポジ型であってもネガ型であってもよく、光ラジカル重合系、光カチオン重合系の光硬化性樹脂、あるいはアクリロニトリル成分を含有する共重合体、ポリビニルフェノール、ポリビニルアルコール、ノボラック樹脂、ポリイミド樹脂、およびシアノエチルプルランや、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２等を用いることもできる。隔壁形成材料が感光性材料の場合、形成材料溶液をスリットコート法やスピンコート法により全面コーティングしたあと、露光、現像といったフォトリソ法によりパターニングがおこなわれる。また、凹版印刷法、凸版印刷法、平版印刷法を用いて、パターン形成してもよい。また、隔壁形成材料がＳｉＯ２、ＴｉＯ２の場合、スパッタリング法、ＣＶＤ法といった乾式成膜法で形成可能であり、隔壁のパターニングはマスクやフォトリソ法により行うことができる。
【００１８】
次に、隔壁の内部に、有機発光媒体層を形成する。本発明における有機発光媒体層としては、発光物質を含む単層膜、あるいは多層膜で形成することができる。多層膜で形成する場合の構成例としては、正孔輸送層、電子輸送性発光層または正孔輸送性発光層、電子輸送層からなる２層構成や正孔輸送層、発光層、電子輸送層からなる３層構成、さらには、必要に応じて正孔（電子）注入機能と正孔（電子）輸送機能を分けたり、正孔（電子）の輸送をプロックする層などを挿入することにより、さらに多層形成することがより好ましい。
正孔輸送材料の例としては、銅フタロシアニン、テトラ（ｔ−ブチル）銅フタロシアニン等の金属フタロシアニン類及び無金属フタロシアニン類、キナクリドン化合物、１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）シクロヘキサン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジ（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン等の芳香族アミン系低分子正孔注入輸送材料や、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリビニルカルバゾール、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）とポリスチレンスルホン酸との混合物などの高分子正孔輸送材料、ポリチオフェンオリゴマー材料、その他既存の正孔輸送材料の中から選ぶことができる。
発光材料としては、９，１０−ジアリールアントラセン誘導体、ピレン、コロネン、ペリレン、ルブレン、１，１，４，４−テトラフェニルブタジエン、トリス（８−キノリノラート）アルミニウム錯体、トリス（４−メチル−８−キノリノラート）アルミニウム錯体、ビス（８−キノリノラート）亜鉛錯体、トリス（４−メチル−５−トリフルオロメチル−８−キノリノラート）アルミニウム錯体、トリス（４−メチル−５−シアノ−８−キノリノラート）アルミニウム錯体、ビス（２−メチル−５−トリフルオロメチル−８−キノリノラート）［４−（４−シアノフェニル）フェノラート］アルミニウム錯体、ビス（２−メチル−５−シアノ−８−キノリノラート）［４−（４−シアノフェニル）フェノラート］アルミニウム錯体、トリス（８−キノリノラート）スカンジウム錯体、ビス〔８−（パラ−トシル）アミノキノリン〕亜鉛錯体及びカドミウム錯体、１，２，３，４−テトラフェニルシクロペンタジエン、ペンタフェニルシクロペンタジエン、ポリ−２，５−ジヘプチルオキシ−パラ−フェニレンビニレン、クマリン系蛍光体、ペリレン系蛍光体、ピラン系蛍光体、アンスロン系蛍光体、ポルフィリン系蛍光体、キナクリドン系蛍光体、Ｎ，Ｎ’−ジアルキル置換キナクリドン系蛍光体、ナフタルイミド系蛍光体、Ｎ，Ｎ’−ジアリール置換ピロロピロール系蛍光体等、Ｉｒ錯体等の燐光性発光体などの低分子系発光材料や、ポリフルオレン、ポリパラフェニレンビニレン、ポリチオフェン、ポリスピロなどの高分子材料や、これら高分子材料に前記低分子材料の分散または共重合した材料や、その他既存の発光材料を用いることができる。
電子輸送材料の例としては、２−（４−ビフェニルイル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール、オキサジアゾール誘導体やビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリノラート）ベリリウム錯体、トリアゾール化合物等を用いることができる。
有機発光媒体層の膜厚は、単層または積層により形成する場合においても１０００ｎｍ以下であり、好ましくは５０〜１５０ｎｍである。特に、高分子ＥＬ素子の正孔輸送材料は、基材や陽極層の表面突起を覆う効果が大きく、５０〜１００ｎｍ程度厚い膜を成膜することがより好ましい。
有機発光媒体層の形成方法としては、材料に応じて、真空蒸着法や、スリットコート、スピンコート、スプレーコート、ノズルコート、フレキソ、グラビア、マイクログラビア、凹版オフセットなどのコーティング法や印刷法、インクジェット法などを用いることができる。
ここで、スピンコート法、スプレーコート法、マイクログラビア法やスリットコート法などの塗布法を用いる場合、隔壁内に選択的に膜を形成することはできず、例えば、基板全面に膜を形成した後に、可溶な溶剤で拭き取ったり、レーザー照射などにより、不要部に形成した膜を取り除く必要がある。
【００１９】
次に、第２電極層として陰極を形成する。陰極の材料としては、Ｍｇ，Ａｌ, Ｙｂ等の金属単体を用いたり、有機発光媒体層と接する界面にＬｉや酸化Ｌｉ，ＬｉＦ等の化合物を１ｎｍ程度挟んで、安定性・導電性の高いＡｌやＣｕを積層して用いてもよい。または電子注入効率と安定性を両立させるため、仕事関数が低いＬｉ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｅｒ，Ｅｕ，Ｓｃ，Ｙ，Ｙｂ等の金属１種以上と、安定なＡｇ，Ａｌ，Ｃｕ等の金属元素との合金系を用いてもよい。具体的にはＭｇＡｇ，ＡｌＬｉ，ＣｕＬｉ等の合金が使用できる。さらには、これら仕事関数が低いＬｉやＣｓなどの材料を有機発光媒体層中に少量ドーピングして使用することもできる。また、透光性電子注入電極層として利用する場合には、仕事関数が低いＬｉ，Ｃａを薄く設けた後に、ＩＴＯ（インジウムスズ複合酸化物）やインジウム亜鉛複合酸化物、亜鉛アルミニウム複合酸化物などの金属複合酸化物を積層してもよく、前記有機発光媒体層に、仕事関数が低いＬｉ，Ｃａなどの金属を少量ドーピングして、ＩＴＯなどの金属酸化物を積層してもよい。陰極の形成方法としては、材料に応じて、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、反応性蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法を用いることができる。陰極の厚さに特に制限はないが、１０ｎｍ〜１０００ｎｍ程度が望ましい。また、透光性電子注入電極層として利用する場合に、ＣａやＬｉなどの金属材料を用いる場合の膜厚は０．１〜１０ｎｍ程度が望ましい。
【００２０】
次に、封止層を積層する。ここで、前記有機発光媒体層の除去残りなどが、第１電極層上にあると、封止層の密着性が局所的に低下し、膜剥離や亀裂を生じ、有機ＥＬ素子の劣化原因となる。そこで、封止層を形成する前に、プラズマ照射することが好ましい。プラズマ照射をする工程に特に制限はないが、封止層の形成方法に合わせて、成膜チャンバ内で行うと、処理後にすぐ封止膜を形成することができるため、好ましい。プラズマのガスとしては、Ｏ原子を含むガスであり、酸素とアルゴン、窒素、水素またはヘリウムとを混合したガスや、亜酸化窒素ガスなどの酸素原子を含むガスや、それら混合ガスを必要に応じて用いることができるが、特に、有機物の除去としては、亜酸化窒素や酸素とアルゴンとの混合ガスなどを用いることがより好ましい。
【００２１】
封止層としては、酸化珪素、酸化アルミニウム等の金属酸化物、弗化アルミニウム、弗化マグネシウム等の金属弗化物、窒化珪素、窒化アルミニウム、窒化炭素などの金属窒化物、酸窒化珪素などの金属酸窒化物、炭化ケイ素などの金属炭化物などを用いることができる。特に、バリア性に優れた窒化ケイ素、酸化ケイ素、酸窒化ケイ素を用いることが好ましい。また、これら封止層として、必要に応じて、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリエステル樹脂などの高分子樹脂膜との積層膜を用いることもでき、さらには、上方から光を取り出さない場合には、アルミニウム、チタン、金などの金属膜を積層してもよい。封止層の形成方法としては、材料に応じて、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、反応性蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法、ＣＶＤ法を用いることができるが、特に、バリア性や透光性の面でＣＶＤ法を用いることが好ましい。ＣＶＤ法としては、熱ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、触媒ＣＶＤ法、ＶＵＶ−ＣＶＤ法などを用いることができる。また、ＣＶＤ法における反応ガスとしては、モノシランや、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）やテトラエトキシシランなどの有機シリコン化合物に、Ｎ２、Ｏ２、ＮＨ３、Ｈ２、Ｎ２Ｏなどのガスを必要に応じて添加することができる。また、これらの膜には、使用する反応性ガスに応じて、膜中に水素や炭素が含有されていても良い。封止層の膜厚としては、有機ＥＬ素子の電極段差や基板の隔壁高さ、要求されるバリア特性などにより異なるが、１０ｎｍ〜１００００ｎｍ程度であることが好ましく、さらには、１００ｎｍ〜１０００ｎｍ程度が好ましい。
【００２２】
次に、封止層上に接着層を介して封止基材を積層する。このとき、封止層と接着層との密着性を向上させるために、封止層の表面を、Ｆ原子を含むガスでプラズマ照射する。プラズマガスに特に制約はないが、ＣＦ４やＣ２Ｆ６などのパーフルオロカーボン、ＣＦ３ＣＨＦ２などのハイドロフルオロカーボン、ＣＯＦ２やＣＦ３ＣＮなどの含炭素弗化物や、Ｆ２、ＮＦ３、ＳＦ６といった非炭素系弗化物を用いることが好ましい。特に、封止層の表面に微小な凹凸を形成するために、アルゴンガス、窒素ガスなどの不活性ガスに１０％以下、好ましくは５％以下に希釈して用いることにより、封止層のバリア性を損なうことなく、接着層との密着性を向上させることができる。
【００２３】
接着層の材料としては、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂などからなる光硬化型接着性樹脂、熱硬化型接着性樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレンなどの酸変性物からなる熱可塑性接着性樹脂などを使用することができる。接着層の形成方法としては、材料やパターンに応じて、スピンコート、スプレーコート、フレキソ、グラビア、マイクログラビア、凹版オフセットなどのコーティング法、印刷法や、インクジェット法、転写法、ラミネート法などを用いることができる。接着層の厚みには特に制限はないが、なるべく薄い方が水分の透過量をが少なくできるため、５〜５０μｍ程度が好ましい。
封止基材の材料としては、前述の基板と同様に、光の取り出し方向に応じて最適な基材を選択することが望ましく、ガラス、石英、バリアフィルム、金属箔などを用いることが可能である。また必要に応じて、円偏向機能やカラーフィルター機能、反射防止機能などを付与することが好ましい。
【実施例】
【００２４】
以下、本発明を実施例１及び比較例によりさらに説明するが、本発明は下記例に制限されるものではない。
【００２５】
＜実施例1＞
基板としてガラスを用い、基板上にスパッタリング法で第１電極層としてＩＴＯ膜(１５０ｎｍ)をパターン形成した。
次に、隔壁として、ポジ型感光性のポリイミド樹脂(１μm)を、フォトリソ法を用いて、パターン膜形成した。
次に、有機発光媒体層として、正孔輸送層にポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）とポリスチレンスルホン酸との混合物（２０ｎｍ）、発光層にポリ［２−メトキシ−５−（２'−エチル−ヘキシロキシ）−１，４−フェニレン ビニレン］（ＭＥＨＰＰＶ）（１００ｎｍ）をそれぞれスピンコート法により成膜した後に、正孔輸送層はメタノール、発光層はトルエンを用いて不要部を除去して、パターン形成した。
次に、第２電極層として、 Cａ膜（５ｎｍ）とAl膜（１５０ｎｍ）を蒸着法を用いて積層した。
次に、封止層を形成する前に、アルゴンと酸素の混合ガス（ガス流量比２：１）を用いてプラズマ照射を行い、封止層として窒化珪素膜（１０００ｎｍ）をプラズマＣＶＤ法で成膜した。
次に、封止層の表面を、アルゴンと三弗化窒素の混合ガス（ガス流量比１００：５）でプラズマ照射し、接着層として熱硬化型エポキシ接着剤、封止基材としてガラスを貼り合わせた。
作製した有機ＥＬパネルは、８５℃９０％ＲＨ下に３０００Ｈｒ保存しても発光面積の減少は見られなかった。
【００２６】
＜比較例１＞
実施例１に記載した有機ＥＬ素子において、封止層形成前のプラズマ照射を行わないで有機ＥＬ素子を作製した。
作製した有機ＥＬパネルを８５℃９０％ＲＨ下に３０００Ｈｒ保存した結果、部分的に封止層の剥離が生じ、端部から侵入した水分により有機ＥＬ素子の画素面積は７０％以下に低下した。
【００２７】
＜比較例２＞
実施例１に記載した有機ＥＬ素子において、封止層形成後のプラズマ照射を行わないで有機ＥＬ素子を作製した。
作製した有機ＥＬパネルを８５℃９０％ＲＨ下に３０００Ｈｒ保存した結果、封止層と接着層との剥離が生じ、端部から侵入した水分により、有機ＥＬ素子の画素面積は７０％以下に低下した。
【産業上の利用可能性】
【００２８】
本発明により製造された有機ＥＬ素子は、テレビ、パソコンモニタ、携帯電話等の携帯端末などに使用されるフラットパネルディスプレイ、面発光光源、照明、発光型広告体等に好適に利用され得る。