(57)【要約】【課題】短時間で形成することができると共に、耐熱性が良く、吸水率が低い多層配線基板及び多層配線基板の製造方法を提供する。【解決手段】本発明に係る多層配線基板は、第１の配線パターンを有するコア絶縁層１００と、コア絶縁層１００の軟化温度よりも低い軟化温度を有する第１絶縁層１１０と、第１の配線パターンと電気的に接続する第２の配線パターンを有し、第１絶縁層１１０の軟化温度よりも高い軟化温度を有すると共に、第１絶縁層１１０を介してコア絶縁層１００に積層される第２絶縁層１２０とを備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気導電性を有する第１の配線を有するコア絶縁層と、
前記コア絶縁層の軟化温度よりも低い軟化温度を有する第１絶縁層と、
前記第１の配線と電気的に接続する電気導電性の第２の配線を有し、前記第１絶縁層の軟化温度よりも高い軟化温度を有すると共に、前記第１絶縁層を介して前記コア絶縁層に積層される第２絶縁層とを備える多層配線基板。
【請求項２】
前記第１絶縁層が、液晶ポリマーを主として形成される請求項１に記載の多層配線基板。
【請求項３】
前記コア絶縁層及び前記第２絶縁層が、ポリイミド樹脂又はビスマレイミドトリアジン樹脂を主として形成される請求項１に記載の多層配線基板。
【請求項４】
前記第１の配線と前記第２の配線とは、前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層のそれぞれを厚さ方向に貫通して形成される電気導電性のビアを介して電気的に接続される請求項１に記載の多層配線基板。
【請求項５】
前記第２絶縁層は、前記第１絶縁層の反対側に液晶ポリマーを主として形成される最外絶縁層を有する請求項１に記載の多層配線基板。
【請求項６】
第１絶縁層と、前記第１絶縁層の軟化温度よりも高い軟化温度の第２絶縁層と、電気導電性を有する導電性層とを係る順に配置した積層板を形成する積層板形成段階と、
前記第１絶縁層の軟化温度よりも高い軟化温度の絶縁材量から形成される層の表面に電気導電性の配線を有するコア絶縁層を形成するコア絶縁層形成段階と、
前記積層板形成段階において形成した前記積層板の前記第１絶縁層側を、前記コア絶縁層形成段階において形成した前記コア絶縁層に接触させ、熱及び圧力を加えて前記積層板と前記コア絶縁層とを貼り合わせて複合基板を形成する接着段階と、
前記接着段階において形成した前記複合基板の前記導電性層から前記第１絶縁層までを貫通して、前記コア絶縁層上の前記配線を露出させる貫通孔を形成する貫通孔形成段階と、
前記貫通孔形成段階で形成した前記貫通孔に導電性材料を充填して前記配線と前記導電性層とを電気的に接続する接続段階とを備える多層配線基板の製造方法。
【請求項７】
前記第１絶縁層が、液晶ポリマーを主として形成される請求項６に記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項８】
前記コア絶縁層及び前記第２絶縁層が、ポリイミド樹脂又はビスマレイミドトリアジン樹脂を主として形成される請求項６に記載の多層配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多層配線基板及び多層配線基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１においては、所定の領域に形成されたビアホール内に充填した導電性組成物を有すると共に液晶ポリマーから形成される絶縁層と、パターン形成された導電材料から形成される導体層とが交互に積層される多層配線基板において、絶縁層と導体層との積層方向において同軸上に形成される導電性組成物の数に制限を加え、当該制限を超えた導電性組成物については、同軸上に形成した導電性組成物と重ならない位置に形成する多層配線基板について記載されている。
【０００３】
特許文献１に記載の多層配線基板によれば、絶縁層と導体層とを積層した場合に、同軸上に形成される導電性組成物が所定の制限数を超える場合において、更に導電性組成物を形成する場合には、同軸上に既に形成した導電性組成物と重ならない位置に導電性組成物を形成する。したがって、積層された絶縁層及び導体層に圧力が加えられた場合でも、同軸上に配置された導電性組成物に過大な圧力が加えられることを防止できるので、層間接続の信頼性を確保することができる。
【０００４】
また、特許文献２においては、絶縁体層と、液晶ポリマーから形成される層間絶縁体層の両面に配線パターンを予め有し、絶縁体層の上に設けられる配線板と、絶縁体層の厚さ方向に貫通すると共に、配線板の配線パターン間を接続する層間接続部とを備える多層配線板について記載されている。
【０００５】
特許文献２に記載の多層配線板によれば、絶縁体層と配線板とを接着剤を用いず、液晶ポリマーを用いて接合及び一体化させるので、難燃化剤を含む接着剤の存在による環境問題を解消することができる。
【特許文献１】特開２００３−３４７７３８号公報
【特許文献２】特開２０００−２０８９４６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１に記載の多層配線基板においては、複数の絶縁層はそれぞれ同一の液晶ポリマーから形成されており、一の絶縁層と他の絶縁層とを積層して接着する熱処理工程に長時間を要する。また、特許文献２に記載の多層配線板においては、配線板に予め配線パターンが形成された状態で配線板と絶縁体層とを一体化させるので、配線パターンが予め形成された領域についての貼り合わせ強度が十分ではない場合がある。
【０００７】
したがって、本発明の目的は、短時間で形成することができると共に、耐熱性が良く、吸水率が低い多層配線基板及び多層配線基板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために、本発明においては、電気導電性を有する第１の配線を有するコア絶縁層と、コア絶縁層の軟化温度よりも低い軟化温度を有する第１絶縁層と、第１の配線と電気的に接続する電気導電性の第２の配線を有し、第１絶縁層の軟化温度よりも高い軟化温度を有すると共に、第１絶縁層を介してコア絶縁層に積層される第２絶縁層とを備える多層配線基板が提供される。
【０００９】
また、上記多層配線基板において、第１絶縁層が、液晶ポリマーを主として形成されてもよい。また、コア絶縁層及び第２絶縁層が、ポリイミド樹脂又はビスマレイミドトリアジン樹脂を主として形成されてもよい。そして、第１の配線と第２の配線とは、第１絶縁層及び第２絶縁層のそれぞれを厚さ方向に貫通して形成される電気導電性のビアを介して電気的に接続される。更に、第２絶縁層は、第１絶縁層の反対側に液晶ポリマーを主として形成される最外絶縁層を有していてもよい。
【００１０】
また、上記目的を達成するために、本発明においては、第１絶縁層と、第１絶縁層の軟化温度よりも高い軟化温度の第２絶縁層と、電気導電性を有する導電性層とを係る順に配置した積層板を形成する積層板形成段階と、第１絶縁層の軟化温度よりも高い軟化温度の絶縁材量から形成される層の表面に電気導電性の配線を有するコア絶縁層を形成するコア絶縁層形成段階と、積層板形成段階において形成した積層板の第１絶縁層側を、コア絶縁層形成段階において形成したコア絶縁層に接触させ、熱及び圧力を加えて積層板とコア絶縁層とを貼り合わせて複合基板を形成する接着段階と、接着段階において形成した複合基板の導電性層から第１絶縁層までを貫通して、コア絶縁層上の配線を露出させる貫通孔を形成する貫通孔形成段階と、貫通孔形成段階で形成した貫通孔に導電性材料を充填して配線と導電性層とを電気的に接続する接続段階とを備える多層配線基板の製造方法が提供される。
【００１１】
また、上記多層配線基板の製造方法において、第１絶縁層が、液晶ポリマーを主として形成されてもよい。また、上記多層配線基板の製造方法において、コア絶縁層及び第２絶縁層が、ポリイミド樹脂又はビスマレイミドトリアジン樹脂を主として形成されてもよい。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、短時間で形成することができると共に、耐熱性が良く、吸水率が低い多層配線基板及び多層配線基板の製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
［実施の形態］
図１は、本発明の実施の形態に係る多層配線基板の縦断面図を示す。
【００１４】
（多層配線基板の構成）
本実施形態に係る多層配線基板１０は、電気導電性の第１の配線としての配線パターン１５５ａを表面に有するコア絶縁層１００と、配線パターン１５５ａ及びコア絶縁層１００の上に形成される第１絶縁層１１０ａと、第１絶縁層１１０ａの上に形成される第２絶縁層１２０ａと、第２絶縁層１２０ａの上に形成される配線パターン１５５ｂと、配線パターン１５５ｂ及び第２絶縁層１２０ａの上に形成される最外絶縁層１３０ａとを備える。
【００１５】
また、コア絶縁層１００は、配線パターン１５５ａが形成されている面の反対側の面に電気導電性の第２の配線としての配線パターン１５５ｄを更に有する。そして、多層配線基板１０は、コア絶縁層１００の配線パターン１５５ａを有する面の反対側の面及び配線パターン１５５ｄ上に形成される第１絶縁層１１０ｂと、第１絶縁層１１０ｂのコア絶縁層１００と接する面の反対側の面上に形成される第２絶縁層１２０ｂと、第２絶縁層１２０ｂの上に形成される配線パターン１５５ｅと、配線パターン１５５ｅ及び第２絶縁層１２０ｂの上に形成される最外絶縁層１３０ｂとを更に備える。
【００１６】
更に、多層配線基板１０は、最外絶縁層１３０ａの上に形成される配線パターン１５５ｃ及び最外絶縁層１３０ｂの上に形成される配線パターン１５５ｆと、配線パターン１５５ｃ及び配線パターン１５５ｆの周囲を覆って最外絶縁層１３０ａの上及び最外絶縁層１３０ｂの上に形成されるソルダーレジスト１７０ａ及びソルダーレジスト１７０ｂと、配線パターン１５５ｃ及び配線パターン１５５ｆ上のソルダーレジスト１７０ａ及びソルダーレジスト１７０ｂにより被覆されていない領域に形成される金層１６０ａ及び金層１６０ｂとを備える。
【００１７】
また、コア絶縁層１００の配線パターン１５５ａと第２絶縁層１２０ａの上に形成される配線パターン１５５ｂとは、第１絶縁層１００ａ及び第２絶縁層１２０ａを貫通して形成される電気導電性のビアとしてのビアパターン１５０ｂによって電気的に接続される。更に、第２絶縁層１２０ａの上に形成される配線パターン１５５ｂ及びビアパターン１５０ｂは、最外絶縁層１３０ａの上に形成される配線パターン１５５ｃと、最外絶縁層１３０ａを貫通して形成されるビアパターン１５０ｃによって電気的に接続される。
【００１８】
同様にして、配線パターン１５５ｄと配線パターン１５５ｅとは、第１絶縁層１００ｂ及び第２絶縁層１２０ｂを貫通して形成されるビアパターン１５０ｄによって電気的に接続される。更に、配線パターン１５５ｅ及びビアパターン１５０ｅは、最外絶縁層１３０ｂの上に形成される配線パターン１５５ｆと、最外絶縁層１３０ｂを貫通して形成されるビアパターン１５０ｅによって電気的に接続される。
【００１９】
本実施形態に係るコア絶縁層１００は、上面視にて略四角形状を有すると共に、２５μｍから１００μｍの範囲の厚さで形成される。コア絶縁層１００は、電気絶縁性を示す熱硬化性樹脂材料から形成される。コア絶縁層１００は、例えば、軟化温度としてのガラス転移温度が３００℃以上のポリイミド樹脂、又はビスマレイミドトリアジン樹脂等の耐熱特性が高い樹脂から形成することができる。
【００２０】
なお、ビスマレイミドトリアジン樹脂としては、例えば、ＢＴレジン（三菱ガス化学株式会社製）を用いることができる。コア絶縁層１００にＢＴレジンを用いた場合には、寸法安定性を向上させることを目的として、ＢＴレジンにガラスクロス等の添加材を含ませることができる。一方、コア絶縁層１００にフレキシブル性を与えることを目的とする場合、コア絶縁層１００には屈曲性、電気的特性、及び機械的特性に優れたポリイミド樹脂を用いることができる。
【００２１】
コア絶縁層１００の一方の面及び他方の面上にそれぞれ形成される配線パターン１５５ａ及び配線パターン１５５ｄは、導電性金属材料から形成される。例えば、配線パターン１５５ａ及び配線パターン１５５ｄはそれぞれ、銅、金、又はアルミ等の金属箔から形成することができる。例えば、配線パターン１５５ａ及び配線パターン１５５ｄはそれぞれ銅箔である。なお、配線パターン１５５ａ及び配線パターン１５５ｄはそれぞれ、所定の形に形成した導電性ペーストから形成することもできる。
【００２２】
また、配線パターン１５５ａ及び配線パターン１５５ｄは、コア絶縁層１００を貫通して形成されるビアパターン１５０ａにより電気的に接続される。ここで、ビアパターン１５０ａは、コア絶縁層１００の所定の位置にレーザ加工、又はドリル加工により設けたビアホールに、銅メッキ等の加工を施して形成することができる。
【００２３】
第１絶縁層１１０ａ及び第１絶縁層１１０ｂはそれぞれ、上面視にて略四角形状を有すると共に、２５μｍから１００μｍの範囲の厚さで形成される。本実施形態において第１絶縁層１１０ａ及び第１絶縁層１１０ｂはそれぞれ、軟化温度としての液晶転移温度が約２６０℃である熱可塑性の液晶ポリマーから形成することができる。液晶ポリマーは、例えば、芳香族ポリエステル系樹脂を用いることができる。
【００２４】
ここで、第１絶縁層１１０ａ及び第１絶縁層１１０ｂの軟化温度がコア絶縁層１００の軟化温度よりも低くなるべく、第１絶縁層１１０ａ及び第１絶縁層１１０ｂを形成する材料が選択される。また、第１絶縁層１１０ａ及び第１絶縁層１１０ｂを形成する材料の吸水率は、コア絶縁層１００を形成する材料の吸水率よりも低いことが望ましい。
【００２５】
第２絶縁層１２０ａ及び第２絶縁層１２０ｂはそれぞれ、上面視にて略四角形状を有すると共に、２５μｍから１００μｍの範囲の厚さで形成される。本実施形態において第２絶縁層１２０ａ及び第２絶縁層１２０ｂはそれぞれ、コア絶縁層１００と同様の材料から形成される。したがって、第２絶縁層１２０ａ及び第２絶縁層１２０ｂは、第１絶縁層１１０ａ及び第１絶縁層１１０ｂの軟化温度よりも高い軟化温度を有する。
【００２６】
また、最外絶縁層１３０ａ及び最外絶縁層１３０ｂはそれぞれ、上面視にて略四角形状を有すると共に、２５μｍから１００μｍの範囲の厚さで形成される。本実施形態において最外絶縁層１３０ａ及び最外絶縁層１３０ｂはそれぞれ、第１絶縁層１１０ａ及び第１絶縁層１１０ｂと同様の材料から形成される。
【００２７】
ソルダーレジスト１７０ａ及びソルダーレジスト１７０ｂはそれぞれ、最外絶縁層１３０ａ及び最外絶縁層１３０ｂ上に形成される配線パターン１５５ｃ及び配線パターン１５５ｆの外縁に沿って形成される。ソルダーレジスト１７０ａ及びソルダーレジスト１７０ｂはそれぞれ、最外絶縁層１３０ａ及び最外絶縁層１３０ｂ上に形成される複数の配線パターン１５５ｃ及び複数の配線パターン１５５ｆの間の電気絶縁性を確保する。
【００２８】
金層１６０ａ及び金層１６０ｂはそれぞれ、複数の配線パターン１５５ｃ及び複数の配線パターン１５５ｆ上のソルダーレジスト１７０ａ及びソルダーレジスト１７０ｂが形成されていない領域に設けられる。金層１６０ａ及び金層１６０ｂはそれぞれ、例えば、金メッキにより形成することができる。なお、金層１６０ａ及び金層１６０ｂはそれぞれ、電気導電性有する他の材料、例えば、銅、アルミニウム、又は導電性ペーストから形成することもできる。
【００２９】
ここで、導電性ペーストは、金、銀、銅、又はハンダ等の導電性材料、若しくは金、銀、銅、又はハンダ等を含む合金材料と、樹脂から形成されるバインダーとを混合して形成することができる。バインダーは、例えば、ポリカーボネート樹脂、又はポリエステル樹脂等の熱可塑性樹脂を用いることができる。また、バインダーは、エポキシ樹脂、又はポリイミド樹脂等の熱硬化性樹脂を用いることもできる。
【００３０】
なお、第２絶縁層１２０ａ及び第２絶縁層１２０ｂの表面に形成される配線パターン１５５ｂ及び配線パターン１５５ｅ、並びに最外絶縁層１３０ａ及び最外絶縁層１３０ｂの表面に形成される配線パターン１５５ｃ及び配線パターン１５５ｆについても、配線パターン１５５ａ及び配線パターン１５５ｄと同様の材料から形成される。
【００３１】
また、配線パターン１５５ａと配線パターン１５５ｂとは、第１絶縁層１１０ａ及び第２絶縁層１２０ａを貫通して形成されるビアパターン１５０ｂにより電気的に接続される。同様にして、配線パターン１５５ｄと配線パターン１５５ｅとは、第１絶縁層１１０ｂ及び第２絶縁層１２０ｂを貫通して形成されるビアパターン１５０ｄにより電気的に接続される。
【００３２】
更に、配線パターン１５５ｂ及びビアパターン１５０ｂは、最外絶縁層１３０ａを貫通して形成されるビアパターン１５０ｃにより、最外絶縁層１３０ａの表面に形成される配線パターン１５５ｃと電気的に接続される。同様にして、配線パターン１５５ｅ及びビアパターン１５０ｄは、最外絶縁層１３０ｂを貫通して形成されるビアパターン１５０ｅにより、最外絶縁層１３０ｂの表面に形成される配線パターン１５５ｆと電気的に接続される。なお、ビアパターン１５０ｂ、１５０ｃ、１５０ｄ、及び１５０ｅはそれぞれ、ビアパターン１５０ａと同様の材料を用いて、ビアパターン１５０ａを形成する工程と同様の工程により形成することができる。
【００３３】
（多層配線基板の製造方法）
図２Ａから図２Ｄは、本発明の実施の形態に係る多層配線基板の製造工程を示す。
【００３４】
すなわち、図２Ａの（ａ）は、実施の形態に係る積層板の縦断面図であり、（ｂ）は、実施の形態に係る二層配線基板の縦断面図であり、（ｃ）は、実施の形態に係る積層板と二層配線基板との配置を示す図である。
【００３５】
まず、図２Ａの（ａ）に示すように、積層板１ａを形成する。具体的には、第１絶縁層１１０ａの表面に第２絶縁層１２０ａを貼り合せる。更に、第２絶縁層１２０ａの表面に金属層１５２ａを貼り付けることにより、積層板１ａを形成する（積層板形成段階）。ここで、金属層１５２ａは、例えば、銅箔である。本実施形態においては、積層板１ａと同一の構成を有する積層板１ｂも形成する。
【００３６】
次に、図２Ａの（ｂ）に示すように、コア絶縁層１００の一方の面に銅箔を貼り付けた後、エッチング等により配線パターン１５５ｄを形成する。そして、コア絶縁層１００の所定の領域に、レーザ加工により複数のブラインドビアホールを形成する。次に、形成した複数のブラインドビアホールに、銅メッキにより銅を充填する。続いて、コア絶縁層１００の配線パターン１５５ｄが形成されている面の反対側に銅箔を貼り付けた後、エッチング等により配線パターン１５５ａを形成することにより、二層配線基板２を形成する（コア絶縁層形成段階）。
【００３７】
なお、二層配線基板２は、以下のように形成することもできる。すなわち、まず、コア絶縁層１００の両面にそれぞれ銅箔を貼り付ける。そして、銅箔を貼り付けた後のコア絶縁層１００の所定の領域にドリル、又はレーザを用いて複数のビアホールを形成する。続いて、形成した複数のビアホール内を銅メッキにより銅を充填して、二層配線基板２を形成することもできる。
【００３８】
そして、図２Ａの（ｃ）に示すように、二層配線基板２の一方の面側に積層板１ａの第１絶縁層１１０ａが位置するように配置すると共に、二層配線基板２の他方の面側に積層板１ｂの第１絶縁層１１０ｂが位置するように配置する。
【００３９】
図２Ｂの（ｄ）は、実施の形態に係る複合基板としての積層構造の縦断面図であり、（ｅ）は、実施の形態に係るブラインドビアホールを形成した後の積層構造の縦断面図であり、（ｆ）は、実施の形態に係るビアパターンを形成した後の積層構造の縦断面図である。
【００４０】
図２Ｂの（ｄ）に示すように、積層板１ａと積層板１ｂとの間に二層配線基板２を挟んだ状態で、真空雰囲気下、２６０℃、１ＭＰａの圧力で、１分間、ラミネート加工又は熱プレス貼り合わせを実行する。これにより、積層板１ａと積層板１ｂとの間に二層配線基板２が配置された複合基板としての積層構造が形成される（接着段階）。
【００４１】
本実施形態において、第１絶縁層１１０ａ及び第１絶縁層１１０ｂは、コア絶縁層１００を形成する材料より低い軟化温度としての液晶転移温度を有する液晶ポリマーである。そして、第１絶縁層１１０ａ及び第１絶縁層１１０ｂはそれぞれ、第２絶縁層１２０ａ及び第２絶縁層１２０ｂをコア絶縁層１００に固定する接着層としての役割を有する。
【００４２】
ここで、積層板１ａの第１絶縁層１１０ａ、及び積層板１ｂの第１絶縁層１１０ｂが二層配線基板２のコア絶縁層１００の表面、並びに配線パターン１５５ａ及び配線パターン１５５ｄに密着する。したがって、ラミネート加工又は熱プレス貼り合わせ時において第１絶縁層１１０ａは、コア絶縁層１００の表面及び配線パターン１５５ａの表面と強固に密着する。
【００４３】
すなわち、仮に第１絶縁層１１０ａの表面に予め配線パターンが形成されている場合を考える。係る場合において、ラミネート加工又は熱プレス貼り合わせ時に軟化温度に達した場合であっても、予め配線パターンが形成されている領域の第１絶縁層１１０ａは配線パターンによって表面が覆われているので、コア絶縁層１００と積層板１ａとの間における貼り合わせの強度の向上に影響を与えない。
【００４４】
一方、本実施形態においては、ラミネート加工又は熱プレス貼り合わせ時に第１絶縁層１１０ａの軟化温度に達した場合、コア絶縁層１００と接触している第１絶縁層１１０ａの表面の領域がコア絶縁層１００と一体化すると共に、配線パターン１５５ａと接触している第１絶縁層１１０ａの表面の領域は、配線パターン１５５ａの表面と密着する。したがって、本実施形態に係る第１絶縁層１１０ａの表面全体が、コア絶縁層１００と積層板１ａとの貼り合わせの強度の向上に寄与することとなる。なお、積層板１ｂについても積層板１ａと同様に、第１絶縁層１１０ｂの表面全体が、コア絶縁層１００と積層板１ｂとの貼り合わせの強度に寄与する。
【００４５】
次に、図２Ｂの（ｅ）に示すように、金属層１５２ａ及び金属層１５２ｂの所定の領域が配線パターン１５５ｂ及び配線パターン１５５ｅとして残るように、金属層１５２ａ及び金属層１５２ｂにエッチング処理を施す。更に、レーザを用いて、配線パターン１５５ｂ、第２絶縁層１２０ａ、及び第１絶縁層１１０ａを貫通して配線パターン１５５ａを露出させる複数の貫通孔としてのブラインドビアホール１５１を形成する（貫通孔形成段階）。同様にして、配線パターン１５５ｅ、第２絶縁層１２０ｂ、及び第１絶縁層１１０ｂを貫通して配線パターン１５５ｄを露出させる複数のブラインドビアホール１５１を形成する。
【００４６】
続いて、図２Ｂの（ｆ）に示すように、上記（ｅ）において形成した複数のブラインドビアホール１５１のそれぞれに銅メッキを施して形成されたビアパターン１５０ｂ及びビアパターン１５０ｄを有する積層構造を形成する。これにより、配線パターン１５５ａと配線パターン１５５ｂとが、導電性材料としての銅から形成されるビアパターン１５０ｂで電気的に接続される（接続段階）。同様に、配線パターン１５５ｄと配線パターン１５５ｅとが、ビアパターン１５０ｄで電気的に接続される。
【００４７】
図２Ｃの（ｇ）は、実施の形態に係る最外絶縁層及び金属層を図２Ｂの（ｆ）に示した積層構造に貼り合せた後の縦断面図であり、（ｈ）は、図２Ｃの（ｇ）に示した積層構造にブラインドビアホールを形成した後の縦断面図である。
【００４８】
図２Ｃの（ｇ）に示すように、金属層１５２ｃが貼り付けられている最外絶縁層１３０ａを、金属層１５２ｃが外部に露出されるように第２絶縁層１２０ａの上に配置する。同様にして、金属層１５２ｄが貼り付けられている最外絶縁層１３０ｂを、金属層１５２ｄが外部に露出されるように第２絶縁層１２０ｂの上に配置する。
【００４９】
そして、最外絶縁層１３０ｂと最外絶縁層１３０ａとの間に、上述した（ｆ）の工程を経て得られた積層構造を挟んだ状態で、真空雰囲気下、２６０℃、１ＭＰａの圧力で、１分間、ラミネート加工又は熱プレス貼り合わせを実行する。これにより、最外絶縁層１３０ｂと最外絶縁層１３０ａとの間に、上述した（ｆ）の工程を経て得られた積層構造が配置された構造が形成される。
【００５０】
次に、図２Ｃの（ｈ）に示すように、金属層１５２ｃ及び金属層１５２ｄの所定の領域が配線パターン１５５ｃ及び配線パターン１５５ｆとして残るように、金属層１５２ｃ及び金属層１５２ｄにエッチング処理を施す。更に、レーザを用いて、配線パターン１５５ｃ及び最外絶縁層１３０ａを貫通して配線パターン１５５ｂを露出させる複数のブラインドビアホール１５１を形成する。同様にして、配線パターン１５５ｆ及び最外絶縁層１３０ｂを貫通して配線パターン１５５ｅを露出させる複数のブラインドビアホール１５１を形成する。
【００５１】
図２Ｄの（ｉ）は、図２Ｃの（ｈ）で形成したブラインドビアホールにビアパターンを形成した後の縦断面図であり、（ｊ）は、実施の形態に係る多層配線基板の縦断面図である。
【００５２】
図２Ｄの（ｉ）に示すように、上記図２Ｃの（ｈ）において形成した複数のブラインドビアホール１５１のそれぞれに銅メッキを施して形成されたビアパターン１５０ｃ及びビアパターン１５０ｅを有する積層構造を形成する。これにより、配線パターン１５５ｂと配線パターン１５５ｃとが、ビアパターン１５０ｃで電気的に接続される。同様に、配線パターン１５５ｅと配線パターン１５５ｆとが、ビアパターン１５０ｅで電気的に接続される。
【００５３】
続いて、図２Ｄの（ｊ）に示すように、最外絶縁層１３０ａ及び配線パターン１５５ｃの外縁、並びに最外絶縁層１３０ｂ及び配線パターン１５５ｆの外縁を含む所定の領域に、ソルダーレジスト１７０ａ及びソルダーレジスト１７０ｂをそれぞれ形成する。そして、配線パターン１５５ｃ及びビアパターン１５０ｃ上ソルダーレジスト１７０ａが形成されていない領域に、金層１６０ａを形成する。同様にして、配線パターン１５５ｆ及びビアパターン１５０ｅ上ソルダーレジスト１７０ｂが形成されていない領域に、金層１６０ｂを形成する。金層１６０ａ及び金層１６０ｂはそれぞれ、例えば金メッキにより形成できる。これにより、本実施形態に係る多層配線基板１０が形成される。
【００５４】
図３は、本実施形態に対する比較例を示す。すなわち、図３（ａ）は、比較例に係る多層配線基板の縦断面図であり、図３（ｂ）は、他の比較例に係る多層配線基板の縦断面図である。
【００５５】
なお、図３（ａ）及び（ｂ）において図１から図２の上記説明における符号と同一の符号を付した部材は、図１から図２の説明における多層配線基板１０の各部材と略同一の作用及び機能を奏するので、詳細な説明は省略する。
【００５６】
図３（ａ）は、本実施形態に係る多層配線基板１０の第１絶縁層１１０ａ及び第１絶縁層１１０ｂがそれぞれ、接着層１４０ａ及び接着層１４０ｄに置き換わると共に、最外絶縁層１３０ａ及び最外絶縁層１３０ｂを有さない多層配線基板１３の縦断面図である。なお、比較例に係る多層配線基板１３の外層絶縁層１３１ａ及び外層絶縁層１３１ｂはそれぞれ、本実施形態に係る第２絶縁層１２０ａ及び第２絶縁層１２０ｂと同様の材料から形成される。
【００５７】
図３（ａ）の比較例に係る多層配線基板１３は、コア絶縁層１００と外層絶縁層１３１ａ及び外層絶縁層１３１ｂとがそれぞれ、接着層１４０ａ及び接着層１４０ｂによりコア絶縁層１００に貼り付けられる。本比較例において、接着層１４０ａ及び接着層１４０ｂは、例えば、熱硬化性の接着剤としてのエポキシ樹脂又はアクリル樹脂等、若しくは、熱可塑性の接着剤としてのポリイミド樹脂等から形成される。
【００５８】
コア絶縁層１００に、接着層１４０ａ及び接着層１４０ｂを用いて外層絶縁層１３１ａ及び外層絶縁層１３１ｂを貼り付ける場合、外層絶縁層１３１ａ、接着層１４０ａ、コア絶縁層１００、接着層１４０ｂ、及び外層絶縁層１３１ｂを係る順に積層した状態で、約１時間、１８０℃で、２ＭＰａの圧力を加圧する熱処理工程を経なければならない。接着層１４０ａ及び接着層１４０ｂはエポキシ樹脂、又はアクリル樹脂等であるので、熱硬化時間としての熱処理工程に要する時間が長くなる。
【００５９】
一方、本実施形態に係る多層配線基板１０においては、図３（ａ）の比較例の接着層１４０ａ及び接着層１４０ｂに該当する部分である第１絶縁層１１０ａ及び第１絶縁層１１０ｂが、熱可塑性の液晶ポリマーから形成される。そして、本実施形態に係るコア絶縁層１００は、ポリイミド樹脂、又はビスマレイミドトリアジン樹脂から形成される。液晶ポリマーの軟化温度としての液晶転移温度は約２６０℃であり、ポリイミド樹脂又はビスマレイミドトリアジン樹脂の軟化温度としてのガラス転移温度は３００℃以上である。
【００６０】
すなわち、本実施形態に係る液晶ポリマーの軟化温度とポリイミド樹脂又はビスマレイミドトリアジン樹脂の軟化温度との差は約４０℃以上と大きな差であるので、コア絶縁層１００と第２絶縁層１２０ａ及び第２絶縁層１２０ｂとは、コア絶縁層１００が軟化しない温度において、第１絶縁層１１０ａ及び第１絶縁層１１０ｂを介して張り合わせることができる。
【００６１】
そして、本実施形態においては、約１時間以上の熱硬化時間を要する熱硬化性のエポキシ樹脂又はアクリル樹脂よりも高温で軟化する液晶ポリマーを、コア絶縁層１００と第２絶縁層１２０ａ及び第２絶縁層１２０ｂとを接着する機能を有する第１絶縁層１１０ａ及び第１絶縁層１１０ｂに用いるので、これら材料の溶融温度差に基づいて、図３（ａ）の比較例と比べて高い温度、かつ短い時間（例えば、１分間）でコア絶縁層１００と第２絶縁層１２０ａ及び第２絶縁層１２０ｂとを貼り合せることができる
【００６２】
ポリイミド樹脂には、熱硬化性と熱可塑性とが存在する。例えば、熱硬化性のポリイミド樹脂を、本実施形態で説明した第１絶縁層１１０ａ及び第１絶縁層１１０ｂとして用いると、熱硬化工程での高温処理のイミド化で、化学反応により内部に水分が発生し気泡となる等の問題があり、接着材として適さない、一方それらの問題を解決した熱可塑性のポリイミド樹脂を、本実施形態で説明した第１絶縁層１１０ａ及び第１絶縁層１１０ｂとして用いると、熱処理時間は１分以内と短時間で行えるものの、熱処理温度が約３５０℃〜４００℃と高温になる。また、熱硬化性樹脂を接着材として用いる場合、エポキシ系樹脂を使用することが多いが、熱硬化性のエポキシ系樹脂を、本実施形態で説明した第１絶縁層１１０ａ及び第１絶縁層１１０ｂとして用いると、熱処理温度は１８０℃と低くなるものの、硬化反応させる熱処理時間に約１時間を要する。
【００６３】
このことから、多層配線基板の積層構造を低温かつ短時間で形成するには、上記した液晶ポリマーを用いた接着が有効である。また、ポリイミド樹脂からなる絶縁層のガラス転移温度を超えないことによる熱収縮の影響が小である点からも望ましい。
【００６４】
また、本実施形態に係る多層配線基板１０の第１絶縁層１１０ａ及び第１絶縁層１１０ｂを形成する液晶ポリマーの線熱膨張係数は、図３（ａ）の比較例に用いる熱硬化性の接着層の線熱膨張係数に比べて小さい。したがって、本実施形態に係る多層配線基板１０は、図３（ａ）の比較例に係る多層配線基板１３よりも熱処理工程時における熱膨張収縮が小さいこととなる。
【００６５】
更に、図３（ａ）の比較例に係る多層配線基板１３においては、外部と接する外層絶縁層１３１ａ及び外層絶縁層１３１ｂはそれぞれ、ポリイミド樹脂から形成される。ポリイミド樹脂は吸水率が高いので、ポリイミド樹脂が吸湿した水分が熱処理工程時において蒸発することにより、ソルダーレジスト１７０ａ及びソルダーレジスト１７０ｂの発泡、及びソルダーレジスト１７０ａ及びソルダーレジスト１７０ｂの剥離現象が発生する。
【００６６】
一方、本実施形態に係る多層配線基板１０によれば、外部と接する最外絶縁層１３０ａ及び最外絶縁層１３０ｂはそれぞれ、液晶ポリマーから形成される。液晶ポリマーの吸水率はポリイミドに比べて低いので、熱処理工程時におけるポリイミド樹脂が吸湿した水分の蒸発を抑制できる。したがって、本実施形態に係る多層配線基板１０によれば、ソルダーレジスト１７０ａ及びソルダーレジスト１７０ｂの発泡、及びソルダーレジスト１７０ａ及びソルダーレジスト１７０ｂの剥離現象を抑制できる。
【００６７】
また、図３（ｂ）は、本実施形態に係る多層配線基板１０の第１絶縁層１１０ａ及び第１絶縁層１１０ｂがそれぞれ、外層絶縁層１３２ａ及び外層絶縁層１３２ｂに置き換わると共に、最外絶縁層１３０ａ及び最外絶縁層１３０ｂを有さない多層配線基板１４の縦断面図である。なお、本比較例に係る多層配線基板１４の外層絶縁層１３２ａ及び外層絶縁層１３２ｂはそれぞれ、本実施形態に係る第１絶縁層１１０ａ及び第１絶縁層１１０ｂと同様の材料から形成される。
【００６８】
図３（ｂ）の比較例に係る多層配線基板１４のコア絶縁層１０１、外層絶縁層１３２ａ、及び外層絶縁層１３２ｂはそれぞれ同一の材料から形成され、例えば、液晶ポリマーから形成される。したがって、コア絶縁層１０１、外層絶縁層１３２ａ、及び外層絶縁層１３２ｂそれぞれの軟化温度は同一であるので、コア絶縁層１０１の軟化温度と、外層絶縁層１３２ａ及び外層絶縁層１３２ｂの軟化温度とに差が生じない。したがって、コア絶縁層１０１に外層絶縁層１３２ａ及び外層絶縁層１３２ｂを貼り付ける場合には、熱処理工程には、約１時間程度を要する。
【００６９】
一方、本実施形態に係る多層配線基板１０を製造する場合においては、コア絶縁層１００がポリイミド樹脂又はビスマレイミドトリアジン樹脂から形成され、コア絶縁層１００と第２絶縁層１２０ａ及び第２絶縁層１２０ｂとを貼り付ける第１絶縁層１１０ａ及び第１絶縁層１１０ｂは液晶ポリマーから形成される。
【００７０】
ここで、本実施形態に係る液晶ポリマーの軟化温度とポリイミド樹脂又はビスマレイミドトリアジン樹脂の軟化温度との差は約４０℃以上と大きな差であるので、コア絶縁層１００が軟化しない温度であって、図３（ｂ）に示す比較例に係る多層配線基板１４を形成する場合に比べて短時間で、コア絶縁層１００と第２絶縁層１２０ａ及び第２絶縁層１２０ｂとを、第１絶縁層１１０ａ及び第１絶縁層１１０ｂを介して張り合わせることができる。
【００７１】
なお、本実施形態に係る多層配線基板１０を構成するコア絶縁層１００、第１絶縁層１１０ａ、第２絶縁層１２０ａ、最外絶縁層１３０ａ、第１絶縁層１１０ｂ、第２絶縁層１２０ｂ、及び最外絶縁層１３０ｂを形成する材料に、電気特性が優れた材料を用いることにより、高周波特性に優れた多層配線基板１０を形成することもできる。
【００７２】
（実施の形態の効果）
本実施形態によれば、コア絶縁層１００と第２絶縁層１２０ａ及び第２絶縁層１２０ｂとを、吸湿特性に優れた液晶ポリマーから形成される第１絶縁層１１０ａ及び第１絶縁層１１０ｂを用いて貼り合せることができる。これにより、コア絶縁層１００を形成するポリイミド樹脂の耐熱性、電気的特性、及び機械的特性を活かしつつ、液晶ポリマーの低吸水率を活かして、全体として吸水率が低い多層配線基板１０を提供できる。
【００７３】
また、本実施形態によれば、コア絶縁層１００、並びに第２絶縁層１２０ａ及び第２絶縁層１２０ｂの線膨張係数よりも大きな線膨張係数を示す熱硬化性の接着層を有さないので、多層配線基板１０の縦方向及び横方向の熱膨張収縮が、熱硬化性の接着層を有する場合に比べて低減する多層配線基板１０を提供できる。本実施形態に係る熱膨張収縮の度合いが小さい多層配線基板１０によれば、例えば、鉛フリーハンダを用いてＬＳＩ等の電子部品を多層配線基板１０に実装する場合、熱硬化性の接着層を用いた多層配線基板に比べて、電子部品の実装時（例えば、リフロー時）に発生する熱応力を低減することができる。
【００７４】
また、本実施形態に係る多層配線基板１０の製造方法によれば、コア絶縁層１００の軟化温度とコア絶縁層１００と第２絶縁層１２０とを接着する第１絶縁層の軟化温度に大きな差があるので、短時間のラミネート加工又は熱プレス加工で多層配線基板１０を形成することができる。
【００７５】
（変形例）
図４（ａ）は、実施の形態の変形例に係る多層配線基板の縦断面図であり、図４（ｂ）は、実施の形態の他の変形例に係る多層配線基板の縦断面図を示す。
【００７６】
図４（ａ）に示す多層配線基板１１は、本発明の実施の形態に係る多層配線基板１０から、最外絶縁層１３０ａ及び最外絶縁層１３０ｂを除いた点を除き、多層配線基板１０と同一の構成を備える。すなわち、多層配線基板１１は、第２絶縁層１２０ａ及び第２絶縁層１２０ｂが外部に接する部分に配置されて形成される。
【００７７】
図４（ｂ）に示す多層配線基板１２は、本発明の実施の形態に係る多層配線基板１０の最外絶縁層１３０ａと第２絶縁層１２０ａとの間に第１絶縁層１１０ｃと第２絶縁層１２０ｃとを形成すると共に、最外絶縁層１３０ｂと第２絶縁層１２０ｂとの間に第１絶縁層１１０ｄと第２絶縁層１２０ｄとを更に形成した構造を有する。係る構成により、更に複数の配線パターン１５５ｃ及び配線パターン１５５ｆを内部に有した多層配線基板１２を提供することができる。
【００７８】
なお、多層配線基板１０の最外絶縁層１３０ａと第２絶縁層１２０ａとの間に第１絶縁層１１０ｃと第２絶縁層１２０ｃとから構成される複数の積層ペアを形成すると共に、最外絶縁層１３０ｂと第２絶縁層１２０ｂとの間に第１絶縁層１１０ｄと第２絶縁層１２０ｄとから構成される複数の積層ペアを更に形成して、更に多層化した多層配線基板を構成することもできる。
【００７９】
以上、本発明の実施の形態を説明したが、上記に記載した実施の形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。また、実施の形態の中で説明した特徴の組合せの全てが発明の課題を解決するための手段に必須であるとは限らない点に留意すべきである。
【図面の簡単な説明】
【００８０】
【図１】実施の形態に係る多層配線基板の縦断面図である。
【図２Ａ】（ａ）は、実施の形態に係る積層板の縦断面図であり、（ｂ）は、実施の形態に係る二層配線基板の縦断面図であり、（ｃ）は、実施の形態に係る積層板と二層配線基板との配置を示す図である。
【図２Ｂ】（ｄ）は、実施の形態に係る複合基板としての積層構造の縦断面図であり、（ｅ）は、実施の形態に係るブラインドビアホールを形成した後の積層構造の縦断面図であり、（ｆ）は、実施の形態に係るビアパターンを形成した後の積層構造の縦断面図である。
【図２Ｃ】（ｇ）は、実施の形態に係る最外絶縁層及び金属層を図２Ｂの（ｆ）に示した積層構造に張り合わせた後の縦断面図であり、（ｈ）は、（ｇ）に示した積層構造にブラインドビアホールを形成した後の縦断面図である。
【図２Ｄ】（ｉ）は、図２Ｃの（ｈ）で形成したブラインドビアホールにビアパターンを形成した後の縦断面図であり、（ｊ）は、実施の形態に係る多層配線基板の縦断面図である。
【図３】（ａ）は、比較例に係る多層配線基板の縦断面図であり、（ｂ）は、他の比較例に係る多層配線基板の縦断面図である。
【図４】（ａ）は、実施の形態の変形例に係る多層配線基板の縦断面図であり、（ｂ）は、実施の形態の他の変形例に係る多層配線基板の縦断面図である。
【符号の説明】
【００８１】
１ａ、１ｂ  積層板
２  二層配線基板
１０、１１、１２  多層配線基板
１００、１０１  コア絶縁層
１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃ  第１絶縁層
１２０ａ、１２０ｂ、１２０ｃ  第２絶縁層
１３０ａ、１３０ｂ  最外絶縁層
１３１ａ、１３１ｂ  外層絶縁層
１３２ａ、１３２ｂ  外層絶縁層
１４０ａ、１４０ｂ  接着層
１５０ａ、１５０ｂ、１５０ｃ、１５０ｄ  ビアパターン
１５０ｅ、１５０ｆ、１５０ｇ  ビアパターン
１５１  ブラインドビアホール
１５２ａ、１５２ｂ、１５２ｃ、１５２ｄ  金属層
１５５ａ、１５５ｂ、１５５ｃ、１５５ｄ  配線パターン
１５５ｅ、１５５ｆ、１５５ｇ、１５５ｈ  配線パターン
１６０ａ、１６０ｂ  金層
１７０ａ、１７０ｂ  ソルダーレジスト
【図１】
2008311426.tif 000003
【図２Ａ】
2008311426.tif 000004
【図２Ｂ】
2008311426.tif 000005
【図２Ｃ】
2008311426.tif 000006
【図２Ｄ】
2008311426.tif 000007
【図３】
2008311426.tif 000008
【図４】
2008311426.tif 000009
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月13日(2008.6.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
また、コア絶縁層１００の配線パターン１５５ａと第２絶縁層１２０ａの上に形成される配線パターン１５５ｂとは、第１絶縁層１１０ａ及び第２絶縁層１２０ａを貫通して形成される電気導電性のビアとしてのビアパターン１５０ｂによって電気的に接続される。更に、第２絶縁層１２０ａの上に形成される配線パターン１５５ｂ及びビアパターン１５０ｂは、最外絶縁層１３０ａの上に形成される配線パターン１５５ｃと、最外絶縁層１３０ａを貫通して形成されるビアパターン１５０ｃによって電気的に接続される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
同様にして、配線パターン１５５ｄと配線パターン１５５ｅとは、第１絶縁層１１０ｂ及び第２絶縁層１２０ｂを貫通して形成されるビアパターン１５０ｄによって電気的に接続される。更に、配線パターン１５５ｅ及びビアパターン１５０ｄは、最外絶縁層１３０ｂの上に形成される配線パターン１５５ｆと、最外絶縁層１３０ｂを貫通して形成されるビアパターン１５０ｅによって電気的に接続される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２Ｃ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２Ｃ】
2008311426.tif 000010