(57)【要約】【課題】研磨された薄膜の厚さ均一度を改善することで、一層平坦な表面トポロジーを有する膜質をウェハー上に実現できる半導体素子の薄膜平坦化方法を提供する。【解決手段】ウェハー上に蒸着される研磨対象膜に対する反射係数と化学機械的研磨過程の除去速度との相関関係を測定する段階と、試験ウェハー上に試験研磨対象膜を蒸着し、該蒸着された試験研磨対象膜の厚さ分布を測定する段階と、前記相関関係及び前記厚さ分布から、化学機械的研磨過程によって前記測定された厚さ分布を補償する反射係数の分布を求める段階と、前記ウェハー上に、前記求められた反射係数分布を有するように前記研磨対象膜を蒸着する段階と、前記研磨対象膜を化学機械的研磨過程によって平坦化する段階と、を含んで半導体素子の薄膜平坦化方法を構成する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウェハー上に蒸着される研磨対象膜に対する反射係数と化学機械的研磨過程の除去速度との相関関係を測定する段階と、
試験ウェハー上に試験研磨対象膜を蒸着し、該蒸着された試験研磨対象膜の厚さ分布を測定する段階と、
前記相関関係及び前記厚さ分布から、化学機械的研磨過程によって前記測定された厚さ分布を補償する反射係数の分布を求める段階と、
前記ウェハー上に、前記求められた反射係数分布を有するように前記研磨対象膜を蒸着する段階と、
前記研磨対象膜を化学機械的研磨過程によって平坦化する段階と、を含むことを特徴とする半導体素子の薄膜平坦化方法。
【請求項２】
前記研磨対象膜は、高密度プラズマ蒸着による酸化膜として蒸着されることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子の薄膜平坦化方法。
【請求項３】
前記高密度プラズマ蒸着酸化膜に対する前記反射係数及び化学機械的研磨過程の除去速度は、
前記反射係数の増加によって前記化学機械的研磨過程の除去速度が増加することを特徴とする請求項２に記載の半導体素子の薄膜平坦化方法。
【請求項４】
前記高密度プラズマ蒸着酸化膜は、前記反射係数と化学機械的研磨過程の除去速度との相関関係によって、
相対的に厚く蒸着された前記ウェハーの位置で反射係数が相対的に高く、
相対的に薄く蒸着された前記ウェハーの位置で反射係数が相対的に小さくなるように前記ウェハー上に蒸着されることを特徴とする請求項３に記載の半導体素子の薄膜平坦化方法。
【請求項５】
前記高密度プラズマ蒸着酸化膜を蒸着する段階は、
前記反射係数が相対的に増加する前記ウェハーの部分上で前記酸化膜のための反応ガスの供給流量を相対的に増加させ、
前記反射係数が相対的に減少する前記ウェハーの他の部分上で前記反応ガスの供給流量を相対的に減少させるように、
前記反応ガスの供給流量を調節する段階をさらに含むことを特徴とする請求項４に記載の半導体素子の薄膜平坦化方法。
【請求項６】
前記高密度プラズマ蒸着酸化膜を蒸着する段階は、
前記酸化膜のための反応ガスを提供する反応ガス供給ノズルを、前記反射係数が相対的に増加するウェハーの部分上に位置させるように調節する段階をさらに含むことを特徴とする請求項４に記載の半導体素子の薄膜平坦化方法。
【請求項７】
前記研磨対象膜は、前記相関関係によって、略１．４乃至１．６の範囲で調節された反射係数分布を有して前記ウェハー上に蒸着されることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子の薄膜平坦化方法。
【請求項８】
ウェハー上に、前記ウェハーの中心領域の反射係数が相対的に低くなるように高密度プラズマ蒸着酸化膜を蒸着する段階と、
前記高密度プラズマ蒸着酸化膜に化学機械的研磨過程を行う段階と、を含むことを特徴とする半導体素子の薄膜平坦化方法。
【請求項９】
前記高密度プラズマ蒸着酸化膜を蒸着する段階は、
前記ウェハーの中心領域での前記酸化膜のための反応ガスの供給流量が相対的に減少するように、前記反応ガスを供給する段階を含むことを特徴とする請求項８に記載の半導体素子の薄膜平坦化方法。
【請求項１０】
前記高密度プラズマ蒸着酸化膜を蒸着する段階は、
前記酸化膜のための反応ガスを供給する反応ガス供給ノズルを前記ウェハーの周縁領域に位置させ、前記ウェハーの周縁領域の前記酸化膜が相対的に高い反射係数を有するように前記ノズルの位置を調節する段階を含むことを特徴とする請求項８に記載の半導体素子の薄膜平坦化方法。
【請求項１１】
前記高密度プラズマ蒸着酸化膜は、
前記ウェハーの中心領域及び前記ウェハーの周縁領域に対し、前記反射係数が１．４乃至１．６の範囲で変化するように蒸着されることを特徴とする請求項８に記載の半導体素子の薄膜平坦化方法。
【請求項１２】
ウェハー上の領域別厚さに依存して、反射係数が領域別に変動するように前記ウェハー上に高密度プラズマ蒸着酸化膜を蒸着する段階と、
前記高密度プラズマ蒸着酸化膜に化学機械的研磨過程を行う段階と、を含むことを特徴とする半導体素子の薄膜平坦化方法。
【請求項１３】
前記高密度プラズマ蒸着酸化膜を蒸着する段階は、
前記ウェハーの中心領域での厚さが相対的に薄く、前記反射係数が相対的に低くなって、前記ウェハーの中心領域での前記酸化膜のための反応ガスの供給流量が相対的に減少するように、前記酸化膜のための反応ガスを供給する段階を含むことを特徴とする請求項１２に記載の半導体素子の薄膜平坦化方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子製造に関するもので、詳しくは、化学機械的研磨（ＣＭＰ）を用いた薄膜平坦化方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
最近、半導体素子の集積度を増加させるために、半導体素子の製造時、薄膜平坦化のための化学機械的研磨（ＣＭＰ）過程が相当頻繁に導入されている。すなわち、ＣＭＰ平坦化は、高集積化された半導体素子の各領域に発生する段差を克服する方法として活発に導入されている。このようなＣＭＰ過程の導入によって、ＣＭＰ過程を行うときの研磨均一度、及び研磨された結果膜質の厚さ均一度の改善が主な事項として認識されている。
【０００３】
典型的なＣＭＰ過程の平坦度または研磨均一度を改善するために、主にＣＭＰ過程の研磨工程変数を考慮し、これら変数を制御する方法が集中的に研究開発されている。研磨工程変数としては、例えば、ウェハーまたは半導体基板上に蒸着された研磨対象膜を研磨するために用いられる研磨スラリーの種類変更、スラリー含量組成の調節、コンディショナーなどのＣＭＰ装備の部品の取替え及び改善、研磨回転数の調節、または、ヘッド加圧圧力の調節などが注目を受けている。これら研磨工程変数を調節することで、研磨された膜質の平坦度または厚さ均一度などを実現しようとする試みがなされている。
【０００４】
ところが、上記のような試みは、研磨対象膜の膜質特性に対する考慮なしに、研磨工程変数を調節するという脆弱点がある。したがって、上記のようなＣＭＰ工程の変数調節のみでは、半導体素子製造に要求される高い水準の薄膜の厚さ均一度または平坦度を実現しにくいと認識されている。
【０００５】
さらに、場合によっては、蒸着後の研磨対象膜の厚さ均一度よりも、ＣＭＰ過程後の薄膜の厚さ均一度が相対的に劣悪になることもある。例えば、高密度プラズマ（Ｈｉｇｈ  Ｄｅｎｓｉｔｙ  Ｐｌａｓｍａ：以下、ＨＤＰという）蒸着によって形成されたＨＤＰ酸化膜の場合、蒸着厚さは、他の領域よりもウェハーの中心領域で相対的に低く示される。
【０００６】
しかしながら、現在、主に用いられるＣＭＰスラリー、例えば、セリア（ｃｅｒｉａ）系列のスラリーの場合、研磨による除去速度は、ウェハーの中心領域で相対的に高く示される。したがって、ＨＤＰ酸化膜の平坦化のために典型的なＣＭＰ過程を導入する場合、研磨後のＨＤＰ酸化膜の厚さ均一度は、蒸着後の研磨対象膜の厚さ均一度よりも相対的に劣悪になる。
【０００７】
【特許文献１】米国特許第６９９７７８８号明細書
【特許文献２】米国特許第６７４９７１４号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、上記の問題点を解決するためのもので、その目的は、研磨された薄膜の厚さ均一度を改善することで、一層平坦な表面トポロジーを有する膜質をウェハー上に実現できる、半導体素子の薄膜平坦化方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の実施形態に係る一観点は、ウェハー上に蒸着される研磨対象膜に対する反射係数と化学機械的研磨過程の除去速度との相関関係を測定する段階と、試験ウェハー上に試験研磨対象膜を蒸着し、該蒸着された試験研磨対象膜の厚さ分布を測定する段階と、前記相関関係及び前記厚さ分布から、化学機械的研磨過程によって前記測定された厚さ分布を補償する反射係数の分布を求める段階と、前記ウェハー上に、前記求められた反射係数分布を有するように前記研磨対象膜を蒸着する段階と、前記研磨対象膜を化学機械的研磨過程によって平坦化する段階と、を含む半導体素子の薄膜平坦化方法を提示する。
【００１０】
前記研磨対象膜は、高密度プラズマ蒸着による酸化膜として蒸着される。
【００１１】
前記高密度プラズマ蒸着酸化膜に対する前記反射係数及び化学機械的研磨過程の除去速度は、前記反射係数の増加によって前記化学機械的研磨過程の除去速度が増加する。
【００１２】
前記高密度プラズマ蒸着酸化膜は、前記反射係数と化学機械的研磨過程の除去速度との相関関係によって、相対的に厚く蒸着された前記ウェハーの位置で反射係数が相対的に高く、相対的に薄く蒸着された前記ウェハーの位置で反射係数が相対的に小さくなるように前記ウェハー上に蒸着される。
【００１３】
前記高密度プラズマ蒸着酸化膜を蒸着する段階は、前記反射係数が相対的に増加する前記ウェハーの位置上で前記酸化膜のための反応ガスの供給流量を相対的に増加させ、前記反射係数が相対的に減少する前記ウェハーの他の位置上で前記反応ガスの供給流量を相対的に減少させるように、前記反応ガスの供給流量を調節する段階をさらに含む。
【００１４】
前記高密度プラズマ蒸着酸化膜を蒸着する段階は、前記酸化膜のための反応ガスを提供する反応ガス供給ノズルを、前記反射係数が相対的に増加するウェハーの位置上に位置させるように調節する段階をさらに含む。
【００１５】
前記研磨対象膜は、前記相関関係によって、略１．４乃至１．６の範囲で調節された反射係数分布を有して前記ウェハー上に蒸着される。
【００１６】
本発明の他の観点は、ウェハー上に、前記ウェハーの中心領域の反射係数が相対的に低くなるように高密度プラズマ蒸着酸化膜を蒸着する段階と、前記高密度プラズマ蒸着酸化膜に化学機械的研磨過程を行う段階と、を含む半導体素子の薄膜平坦化方法を提示する。
【００１７】
前記高密度プラズマ蒸着酸化膜を蒸着する段階は、前記ウェハーの中心領域での前記酸化膜のための反応ガスの供給流量が相対的に減少するように、前記反応ガスを供給する段階を含む。
【００１８】
本発明のさらに他の観点は、ウェハー上の領域別厚さに依存して、反射係数が領域別に変動するように前記ウェハー上に高密度プラズマ蒸着酸化膜を蒸着する段階と、前記高密度プラズマ蒸着酸化膜に化学機械的研磨過程を行う段階と、を含む半導体素子の薄膜平坦化方法を提示する。
【００１９】
前記高密度プラズマ蒸着酸化膜を蒸着する段階は、前記ウェハーの中心領域での厚さが相対的に薄く、前記反射係数が相対的に低くなって、前記ウェハーの中心領域での前記酸化膜のための反応ガスの供給流量が相対的に減少するように、前記酸化膜のための反応ガスを供給する段階を含む。
【発明の効果】
【００２０】
本発明に係る半導体素子の薄膜平坦化方法によると、研磨された薄膜の厚さ均一度を改善することで、一層平坦な表面トポロジーを有する膜質をウェハー上に実現できるという効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明の好ましい実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。本発明の範囲は、後述する実施形態によって限定されるものと解析されてはならず、本発明の各実施形態は、当業界で通常の知識を有する者に、本発明を一層完全に説明するために提供されるものと解析されるべきである。
【００２２】
本発明の実施形態では、ＤＲＡＭなどのメモリ半導体素子の浅い素子分離（Ｓｈａｌｌｏｗ  Ｔｒｅｎｃｈ  Ｉｓｏｌａｔｉｏｎ：ＳＴＩ）工程や層間絶縁膜（ＩＬＤ）工程で主に用いられる酸化膜をＣＭＰなどで平坦化するとき、研磨不均一現象を、酸化膜の蒸着特性を用いて補償する方法を提示する。例えば、ＨＤＰ酸化膜を蒸着するとき、ＨＤＰ酸化膜内の反射係数（Ｒｅｆｒａｃｔｉｖｅ  Ｉｎｄｅｘ：以下、ＲＩという）の分布を調節し、後続するＨＤＰ酸化膜の平坦化過程、例えば、ＣＭＰ過程において研磨不均一を補償する方法を提示する。よって、上記の方法によると、研磨されたＨＤＰ酸化膜の厚さ均一度を改善できる。
【００２３】
ＨＤＰ酸化膜は、蒸着時、薄膜の厚さ分布が、ウェハーの中心領域で相対的に低い分布を示す蒸着特性を有する。ところが、この厚さ分布は、後続するＣＭＰ過程によって単純に補償されにくい。むしろ、ＣＭＰ過程を行うとき、ＨＤＰ酸化膜は、ウェハーの中心領域がウェハーの周縁領域に比べて相対的に速く研磨される。その結果、研磨後、厚さ分布がウェハーの中心領域で相対的に小さく実現される、所望でない厚さ不均一分布現象が発生している。
【００２４】
本発明の実施形態では、ＨＤＰ酸化膜の蒸着時、蒸着されるＨＤＰ酸化膜のＲＩ分布を制御し、この厚さ不均一を補償することで、研磨された最終酸化膜の厚さ均一度を改善する。
【００２５】
例えば、ＨＤＰ酸化膜のＲＩは、ウェハーの中心領域で相対的に小さく誘導し、ウェハーの周縁領域で相対的に大きく誘導する。その結果、ＨＤＰ酸化膜のＲＩによってＣＭＰ過程の除去速度が変わる特性を用いて、研磨後のＨＤＰ酸化膜の厚さ均一度が、蒸着後のＨＤＰ酸化膜の厚さ均一度よりも改善される。
【００２６】
ＨＤＰ酸化膜などの酸化物薄膜を蒸着するとき、チェンバー内の反応ガス供給ポート（またはノズル）のウェハーの領域に対する相対的な位置を変更したり、または、供給ガス量の分布をウェハーの領域別に変化させることで、ウェハーの領域内でのＨＤＰ酸化膜のＲＩ分布が領域別に変化されるように制御できる。
【００２７】
ＨＤＰ酸化膜などの蒸着薄膜の場合、ＲＩが大きいほどＣＭＰ過程の除去速度が増加し、ＲＩが小さいほどＣＭＰ過程の除去速度が減少するという測定結果を得られる。このとき、ＣＭＰ過程は、セリア系列のスラリーやアルミナ系列のスラリーを用いて行える。このとき、ＲＩの制御は、ＨＤＰ酸化膜などの薄膜の光学的物性変化を意味するもので、薄膜自体の厚さ変化を意味するものではない。したがって、ＲＩの変化は、実質的に厚さ変化を伴わないものと解析されることが好ましい。
【００２８】
ＨＤＰ酸化膜などの薄膜を蒸着するとき、相対的に蒸着厚さが低いウェハーの中心領域にはＲＩが相対的に小さく誘導され、相対的に蒸着厚さが高いウェハーの周縁領域にはＲＩが相対的に大きく誘導される。よって、研磨後のウェハー全体領域における薄膜の厚さ均一度は、蒸着後の薄膜の厚さ均一度よりも改善される。このとき、測定結果によると、ＲＩは、１．４乃至１．６、好ましくは１．４７乃至１．５２の範囲で制御されることが有利である。
【００２９】
図１に示すように、本発明の実施形態に係る薄膜平坦化方法によると、ＨＤＰ酸化膜などの薄膜を蒸着するとき、厚さ分布が不均一に表れる現象と、ＣＭＰ過程を行った後、薄膜の厚さ分布不均一度が一層深化される現象を解消できる。
【００３０】
具体的に、まず、ウェハー上に蒸着される研磨対象膜に対するＲＩと化学機械的研磨過程の除去速度（Ｒｅｍｏｖａｌ  Ｒａｔｅ：以下、Ｒ／Ｒという）との相関関係を測定する（図１の１０１）。
【００３１】
上記のような相関関係は、試験ウェハー上にＨＤＰ酸化膜を研磨対象膜として蒸着し、反射係数を測定した後、ＣＭＰ過程の除去速度を測定することで得られる。このような相関関係は、図２に示した実験結果で得られる。このとき、ＲＩが増加すると、Ｒ／Ｒも増加し、増加程度は、ｙ（Ｒ／Ｒ）＝１４８．６５ｘ（ＲＩ）−１７８．９８の式で得られる。
【００３２】
その後、他の試験ウェハー上に試験研磨対象膜を蒸着し、この蒸着された研磨蒸着膜の厚さ分布を測定する（図１の１０３）。このように測定されたＨＤＰ酸化膜に対する厚さ分布は、図３のウェハーマップに示すように測定される。図３を参照すると、ＨＤＰ酸化膜は、ウェハーの周縁領域よりもウェハーの中心領域での厚さが一層薄く蒸着される特性を示す。
【００３３】
その後、図２に示したＲ／ＲとＲＩとの相関関係と、図３に示した厚さ分布ウェハーマップを考慮して、実際にＣＭＰ過程を行うとき、図３の厚さ分布を補償して薄膜の平坦化を実現するために反射係数の分布マップを求める（図１の１０５）。図２のＲ／ＲとＲＩとの相関関係によると、ＲＩが増加するほどＲ／Ｒも増加するので、この相関関係を用いて厚さ偏差を補償できるＲＩ値の分布を計算する。これらＲＩ値の分布は、図４のウェハーマップに示すとおりである。
【００３４】
図４に示すように、図３の厚さ偏差を補償するようにＲＩ分布を求めると、ウェハーの周縁領域が相対的に厚く蒸着されるので、ウェハーの中心領域には相対的に低いＲＩが分布され、ウェハーの周縁領域には相対的に高いＲＩが分布されることが好ましい。
【００３５】
その後、研磨対象膜が上記のように求められた反射係数分布を有するように、ウェハー上に研磨対象膜を蒸着する（図１の１０７）。図２のＲ／ＲとＲＩとの相関関係によると、ＲＩが増加するほどＲ／Ｒが増加するので、この相関関係を用いて相対的に厚さが厚い部分には相対的に高いＲＩが実現され、相対的に厚さが薄い部分には相対的に低いＲＩが実現されるように蒸着過程を調節及び制御する。
【００３６】
上記のように、不均一なＲＩ分布の誘導は、ウェハー領域別に異なる蒸着環境を有するように蒸着過程を調節して実現される。例えば、図６に示したＨＤＰ蒸着装備で蒸着及びエッチング過程が繰り返して行われる工程チェンバー６１０内に、ウェハー６３０をチャック６５０などのウェハー支持部上に装着してＨＤＰ蒸着過程を行う。
【００３７】
このとき、ＨＤＰ蒸着過程は、ガス供給ノズル６７０を通して反応ガス、例えば、シリコンソースであるＳｉＨ4ガスを供給し、シリコンソースガスの供給流量をウェハー６３０領域別に異ならせることで、ウェハー６３０の領域別にＨＤＰ酸化膜が異なったＲＩを有するように蒸着を行える。
【００３８】
例えば、ガス供給ノズル６７０のウェハー６３０領域に対する相対的な位置を調節または移動させることで、ウェハー６３０領域別に異なったシリコンソース反応ガスの供給流量を誘導できる。
【００３９】
すなわち、ノズル６７０がウェハー６３０の周縁領域の上側に位置するように、ノズル６７０の長さを短くすると、ウェハー６３０の中心領域で蒸着されたＨＤＰ酸化膜のＲＩは、ウェハー６３０の周縁領域で蒸着されたＨＤＰ酸化膜のＲＩよりも減少する。これは、シリコンソースの供給流量が、ウェハーの周縁領域よりもウェハー６３０の中心領域で相対的に減少することに起因する。
【００４０】
これに反して、ノズル６７１がウェハー６３０の中心領域の上側に位置するように、ノズル６７１の長さを長くすると、ウェハー６３０の中心領域で蒸着されたＨＤＰ酸化膜のＲＩは、ウェハー６３０の周縁領域で蒸着されたＨＤＰ酸化膜のＲＩよりも増加する。これは、シリコンソースの供給流量が、ウェハー６３０の周縁領域よりもウェハー６３０の中心領域で相対的に増加することに起因する。上記のような蒸着装備の反応ガス供給方式は、チャックの周囲に多数個のノズルが導入され、ウェハー上に反応ガスが提供されるチェンバー構成に基づいている。
【００４１】
すなわち、ＲＩを増加させる場合、シリコンソースガスの供給流量を相対的に局部的に増加させ、ＲＩを減少させる場合、シリコンソースガスの供給流量を相対的に局部的に減少させることで、ウェハー６３０の領域別に研磨対象膜の厚さが実質的に変動しない状態でＲＩ値の分布を変動させることができる。このとき、ＲＩ値は、図２に示した相関関係によって、略１．４乃至１．５の範囲内で変動させることが好ましい。
【００４２】
上記のように、研磨対象膜であるＨＤＰ酸化膜の図３に示した厚さ分布を、後続するＣＭＰ過程の領域別に異なるＲ／Ｒを用いて補償するために、ＨＤＰ酸化膜がＲＩ分布を有するように誘導しながら、ＨＤＰ酸化膜を蒸着（エッチング段階を含む）する。その結果、図４に示すように、ＲＩ分布を有するＨＤＰ酸化膜が蒸着される。
【００４３】
その後、研磨対象膜にＣＭＰ過程を行い、図５に示すように、改善された厚さ均一度を有する平坦化されたＨＤＰ酸化膜を得る（図１の１０９）。このとき、ＣＭＰ過程では、アルミナ系列またはセリア系列の研磨剤が用いられるが、シリコン窒化膜との高選択比を実現するためにセリア系列の研磨剤を用いることが好ましい。また、ＣＭＰ過程は、一般的に酸化膜の研磨に用いられる研磨パッド及び研磨装置を用いて行われる。
【００４４】
上記のように、研磨対象膜であるＨＤＰ酸化膜は、厚さ分布を補償できるＲＩ分布を有して蒸着される。よって、ＨＤＰ酸化膜にＣＭＰ過程を行うとき、ＲＩ分布によってウェハーの領域別に異なったＣＭＰ過程の除去速度を誘導できる。その結果、研磨された研磨対象膜は、蒸着時に誘発された厚さ不均一に比べると、ＣＭＰ過程後に一層改善された厚さ分布を有する。すなわち、研磨対象膜の蒸着過程における工程変数を制御し、反射係数分布などの研磨対象膜の特性を制御することで、研磨された研磨対象膜の厚さ均一度を改善できる。
【００４５】
本発明は、研磨後に研磨対象膜に行われる工程、例えば、マスク形成工程及び選択的エッチング工程などの工程マージンを改善でき、工程ロット別に各ウェハー間の素子特性が変動することを効果的に防止できる。よって、素子の収率及び特性を改善できる。
【００４６】
以上、本発明を具体的な実施形態に基づいて詳細に説明してきたが、本発明は、上記の実施形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想内で、当分野における通常の知識を有する者によって変形または改良可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】本発明の実施形態に係る半導体素子の薄膜平坦化方法を説明するために概略的に示した工程フローチャートである。
【図２】本発明の実施形態に係る高密度プラズマ蒸着酸化膜に対する反射係数とＣＭＰ過程の除去速度との相関関係を示したグラフである。
【図３】本発明の実施形態に係るウェハーに蒸着された高密度プラズマ蒸着酸化膜の厚さ分布を説明するためのウェハーマップである。
【図４】本発明の実施形態に係る高密度プラズマ蒸着酸化膜の反射係数分布を制御し、ウェハーに蒸着された高密度プラズマ蒸着酸化膜の厚さ分布を説明するためのウェハーマップである。
【図５】本発明の実施形態に係る半導体素子の薄膜平坦化方法の効果を説明するために、研磨後の高密度プラズマ蒸着酸化膜の厚さ分布を示したウェハーマップである。
【図６】本発明の実施形態に係る高密度プラズマ蒸着酸化膜の反射係数分布を制御しながら、高密度プラズマ蒸着酸化膜を蒸着する過程を説明するための概略図である。
【符号の説明】
【００４８】
６１０  工程チェンバー、６３０  ウェハー、６５０  チャック、６７０  ガス供給ノズル、６７１  ノズル。
【図１】
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【図２】
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【図６】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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