(57)【要約】【課題】簡易な手法で発光寿命の向上を図った、有機ＥＬ装置とその製造方法、さらにこの有機ＥＬ装置を備えた電子機器を提供する。【解決手段】一対の電極１１１、１２間に、正孔注入層６０と発光層７０とを配設してなる有機ＥＬ装置の製造方法である。正孔注入層６０を形成する工程と、正孔注入層６０上に金属を配置して金属膜５０を形成し、この金属膜６０を電気化学的反応によって正孔注入層６０中に拡散させる工程と、を備えている。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の電極間に正孔注入層と発光層とを配設してなる有機ＥＬ装置において、
前記正孔注入層が、金属元素を１原子％以上含有していることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項２】
前記金属元素が、Ｌｉ、Ｃｓ、Ｒｂ、Ｋ、Ｓｒ、Ｎａ、Ｌａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｂｅ、Ｍｎ、Ｖ、Ｚｎ、Ｃｒ、Ｇａ、Ｍｏ、Ｆｅ、Ｃｄ、Ｔａ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｔｅ、Ｓｂ、Ａｓ、Ｂｉ、Ｃｕ、Ｉｎ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｂａのうちの少なくとも一種であることを特徴とする請求項１記載の有機ＥＬ装置。
【請求項３】
一対の電極間に、正孔注入層と発光層とを配設してなる有機ＥＬ装置の製造方法において、
前記正孔注入層を形成する工程と、
前記正孔注入層上に金属を配置し、該金属を電気化学的反応によって正孔注入層中に拡散させる工程と、を備えたことを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項４】
前記正孔注入層上への金属の配置を、該金属を厚さ５ｎｍ以下に成膜することで行うことを特徴とする請求項３記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項５】
前記正孔注入層上に金属を配置した後、大気中に放置することにより、該金属を電気化学的反応によって正孔注入層中に拡散させることを特徴とする請求項３又は４に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１又は２に記載の有機ＥＬ装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ装置とその製造方法、及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、有機蛍光材料等の発光材料を電極間に挟持してなる有機ＥＬ装置が注目されている。このような有機ＥＬ装置としては、発光材料からなる発光層の発光効率を高めるため、この発光層の陽極側に正孔注入層を配置しておくのが一般的である。また、正孔注入層としては、３，４−ポリエチレンジオキシチオフェン−ポリスチレンスルフォン酸［ＰＥＤＯＴ（Polyethylene Dioxythiophene）−ＰＳＳ（Polystyrene Sulphonate）］がよく用いられている（例えば特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００５−１２３０８３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ところで、一般に有機ＥＬ装置は、例えば輝度を高めると発光寿命が短くなるなど、発光特性、特に発光寿命が短いことが大きな課題となっている。このような課題を解決するため、従来では、発光層に対してその陰極側に電子注入層を設けたり、発光層の形成材料を種々選択することで長寿命化を図ったりしている。しかし、発光寿命は当然ながらより長いことが要求されており、さらなる改善が望まれている。
【０００４】
本発明は前記事情に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、簡易な手法で発光寿命の向上を図った、有機ＥＬ装置とその製造方法、さらにこの有機ＥＬ装置を備えた電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
前記目的を達成するため本発明の有機ＥＬ装置は、一対の電極間に正孔注入層と発光層とを配設してなる有機ＥＬ装置において、前記正孔注入層が、金属元素を１原子％以上含有していることを特徴としている。
この有機ＥＬ装置によれば、金属元素が例えば酸化物として正孔注入層中に存在することにより、正孔注入層が安定化し、該正孔注入層中での正孔の流れ方が一定になることで発光効率の低下が抑えられ、結果として発光寿命の向上が図られる。また、例えば正孔注入層の形成材料である３，４−ポリエチレンジオキシチオフェン−ポリスチレンスルフォン酸には、不純物として０．５原子％以下の金属が含まれるが、このような量では正孔の流れ方を安定化する効果が認められない。一方、本発明では金属元素を１原子％以上含有させていることにより、正孔注入層を安定化させる改善効果が顕著になる。
【０００６】
また、前記有機ＥＬ装置においては、前記金属元素が、Ｌｉ、Ｃｓ、Ｒｂ、Ｋ、Ｓｒ、Ｎａ、Ｌａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｂｅ、Ｍｎ、Ｖ、Ｚｎ、Ｃｒ、Ｇａ、Ｍｏ、Ｆｅ、Ｃｄ、Ｔａ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｔｅ、Ｓｂ、Ａｓ、Ｂｉ、Ｃｕ、Ｉｎ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｂａのうちの少なくとも一種であるのが好ましい。
このような金属元素を含有していれば、正孔注入層がより良好に安定化し、これにより発光寿命の向上が一層顕著になる。
【０００７】
本発明の有機ＥＬ装置の製造方法は、一対の電極間に、正孔注入層と発光層とを配設してなる有機ＥＬ装置の製造方法において、前記正孔注入層を形成する工程と、前記正孔注入層上に金属を配し、該金属を電気化学的反応によって正孔注入層中に拡散させる工程と、を備えたことを特徴としている。
この有機ＥＬ装置の製造方法によれば、正孔注入層を形成した後、これの上に金属を配して該金属を正孔注入層中に拡散させるので、正孔注入層中に金属元素を１原子％以上含ませることができ、したがってこの正孔注入層を安定化させ、該正孔注入層中での正孔の流れ方を一定にすることで発光効率の低下を抑え、発光寿命の向上を図ることができる。
【０００８】
また、前記有機ＥＬ装置の製造方法においては、前記正孔注入層上への金属の配置を、該金属を厚さ５ｎｍ以下に成膜することで行うのが好ましい。
このようにすれば、配置した金属を、比較的短時間で全て正孔注入層中に拡散させることができる。
【０００９】
また、前記有機ＥＬ装置の製造方法においては、前記正孔注入層上に金属を配置した後、大気中に放置することにより、該金属を電気化学的反応によって正孔注入層中に拡散させるのが好ましい。
このようにすれば、正孔注入層上に配置した金属が、大気中に放置されることで酸化して金属酸化物となり、これによって正孔注入層中により拡散し易くなる。したがって、複雑でなく簡易な手法により、正孔注入層を安定化し、発光寿命をより向上することができる。
【００１０】
本発明の電子機器は、前記の有機ＥＬ装置を備えたことを特徴としている。
この電子機器によれば、前記したように長寿命化が図られた有機ＥＬ装置を備えているので、この電子機器自体も、前記有機ＥＬ装置からなる表示部が長寿命化したものとなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明を詳しく説明する。
（有機ＥＬ装置）
図１は、本発明の有機ＥＬ装置の一実施形態の配線構造を示す説明図、図２は、図１に示した有機ＥＬ装置の平面模式図、図３は、図１に示した有機ＥＬ装置の要部の断面模式図である。
【００１２】
図１に示すように、本実施形態の有機ＥＬ装置１は、複数の走査線１０１と、走査線１０１に対して交差する方向に延びる複数の信号線１０２と、信号線１０２に並列に延びる複数の電源線１０３とがそれぞれ配線された構成を有するとともに、走査線１０１及び信号線１０２の各交点付近に、画素領域Ａを形成したものである。
【００１３】
信号線１０２には、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン及びアナログスイッチを備えるデータ側駆動回路１０４が接続されている。走査線１０１には、シフトレジスタ及びレベルシフタを備える走査側駆動回路１０５が接続されている。また、画素領域Ａの各々には、走査線１０１を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用の薄膜トランジスタ１１２と、このスイッチング用の薄膜トランジスタ１１２を介して信号線１０２から供給される画素信号を保持する保持容量ｃａｐと、該保持容量ｃａｐによって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用の薄膜トランジスタ１１３と、この駆動用薄膜トランジスタ１１３を介して電源線１０３に電気的に接続したときに該電源線１０３から駆動電流が流れ込む陽極（画素電極）１１１と、この画素電極１１１と陰極（対向電極）１２との間に挟み込まれた発光機能層１１０とが設けられている。
なお、陽極（画素電極）１１１と陰極（対向電極）１２と発光機能層１１０とを備えてなることにより、有機ＥＬ素子が構成されている。
【００１４】
このような構成によれば、走査線１０１が駆動されてスイッチング用の薄膜トランジスタ１１２がオンになると、そのときの信号線１０２の電位が保持容量ｃａｐに保持され、該保持容量ｃａｐの状態に応じて、駆動用の薄膜トランジスタ１１３のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用の薄膜トランジスタ１１３のチャネルを介して、電源線１０３から画素電極１１１に電流が流れ、さらに発光機能層１１０を介して陰極１２に電流が流れる。すると、発光機能層１１０はこれを流れる電流量に応じて発光する。
【００１５】
また、図２及び図３に示すように本実施形態の有機ＥＬ装置１は、ガラス等からなる透明な基板２と、マトリックス状に配置された有機ＥＬ素子とを具備して構成されている。図３に示すように基板２上に形成される有機ＥＬ素子３は、画素電極１１１と、正孔注入層６０及び発光層７０からなる発光機能層１１０と、陰極１２とによって構成されている。また、基板２の厚さ方向において、前記有機ＥＬ素子３を含むＥＬ素子部１０と基板２との間には、回路素子部１４が形成されている。この回路素子部１４には、前述の走査線、信号線、保持容量、スイッチング用の薄膜トランジスタ、駆動用の薄膜トランジスタ１２３等が形成されている。
【００１６】
また、陰極１２は、その一端が基板２上に形成された陰極用配線（図示略）に接続されており、図２に示すように、この配線の一端部１２ａがフレキシブル基板５上の配線５ａに接続されている。なお、この配線５ａは、フレキシブル基板５上に備えられた駆動ＩＣ６（駆動回路）に接続されている。
【００１７】
また、本実施形態の有機ＥＬ装置１は、発光機能層１１０から基板２側に発した光が、回路素子部１４及び基板２を透過して基板２の外側（観測者側）に出射されるとともに、発光機能層１１０から基板２と反対の側に発した光も、陰極１２に反射されて回路素子部１４及び基板２を透過し、基板２の外側（観測者側）に出射される、いわゆるボトムエミッション型となっている。
【００１８】
図３に示すように回路素子部１４には、基板２上にＳｉＯ２を主体とする下地保護層２８１が下地として形成され、その上にはシリコン層２４１が形成されている。このシリコン層２４１の表面には、ＳｉＯ２及び／又はＳｉＮを主体とするゲート絶縁層２８２が形成されている。
また、前記シリコン層２４１のうち、ゲート絶縁層２８２を挟んでゲート電極２４２と重なる領域が、チャネル領域２４１ａとされている。なお、このゲート電極２４２は、図示しない走査線の一部である。一方、シリコン層２４１を覆い、ゲート電極２４２を形成したゲート絶縁層２８２の表面には、ＳｉＯ２を主体とする第１層間絶縁層２８３が形成されている。
【００１９】
また、シリコン層２４１のうち、チャネル領域２４１ａのソース側には、低濃度ソース領域２４１ｂおよび高濃度ソース領域２４１Ｓが設けられる一方、チャネル領域２４１ａのドレイン側には低濃度ドレイン領域２４１ｃおよび高濃度ドレイン領域２４１Ｄが設けられて、いわゆるＬＤＤ（Light Doped Drain ）構造となっている。これらのうち、高濃度ソース領域２４１Ｓは、ゲート絶縁層２８２と第１層間絶縁層２８３とにわたって開孔するコンタクトホール２４３ａを介して、ソース電極２４３に接続されている。このソース電極２４３は、電源線（図示せず）の一部として構成されている。一方、高濃度ドレイン領域２４１Ｄは、ゲート絶縁層２８２と第１層間絶縁層２８３とにわたって開孔するコンタクトホール２４４ａを介して、ソース電極２４３と同一層からなるドレイン電極２４４に接続されている。
【００２０】
ソース電極２４３およびドレイン電極２４４が形成された第１層間絶縁層２８３の上層には、平坦化膜２８４が形成されている。この平坦化膜２８４は、アクリル系やポリイミド系等の、耐熱性絶縁性樹脂などによって形成されたもので、駆動用ＴＦＴ１２３やソース電極２４３、ドレイン電極２４４などによる表面の凹凸をなくすために形成された公知のものである。
【００２１】
そして、この平坦化膜２８４の表面上には画素電極（陽極）１１１が形成されており、この画素電極１１１は、前記平坦化膜２８４に設けられたコンタクトホール１１１ａを介してドレイン電極２４４に接続されている。すなわち、画素電極１１１は、ドレイン電極２４４を介して、シリコン層２４１の高濃度ドレイン領域２４１Ｄに接続されている。なお、画素電極１１１は、ボトムエミッション型である本実施形態では、透明導電材料によって形成され、具体的にはＩＴＯが好適に用いられている。
【００２２】
画素電極１１１が形成された平坦化膜２８４の表面上には、画素電極１１１と、これの周縁部を覆う無機隔壁２５とが形成されており、さらにこの無機隔壁２５上には、有機隔壁２２１が形成されている。ここで、無機隔壁２５はＳｉＯ２からなっており、有機隔壁２２１はアクリル系やポリイミド系等の耐熱性絶縁性樹脂からなっている。
そして、画素電極１１１上には、無機隔壁２５に形成された開口２５ａと、有機隔壁２２１に形成された開口２２１ａとの内部、すなわち画素領域に、前記した正孔注入層６０と発光層７０とが、画素電極（陽極）１１１側からこの順で積層され、これによって発光機能層１１０が形成されている。
【００２３】
正孔注入層６０は、その形成材料として、特に３，４−ポリエチレンジオキシチオフェン−ポリスチレンスルフォン酸（ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ）の分散液、すなわち、分散媒としてのポリスチレンスルフォン酸に３，４−ポリエチレンジオキシチオフェンを分散させ、さらにこれを水に分散させた分散液が好適に用いられている。
【００２４】
また、この正孔注入層６０には、本発明では金属元素が１原子％以上含有させられている。この金属元素は、後述するように、主に金属酸化物として正孔注入層６０中に拡散させられたもので、Ｌｉ、Ｃｓ、Ｒｂ、Ｋ、Ｓｒ、Ｎａ、Ｌａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｂｅ、Ｍｎ、Ｖ、Ｚｎ、Ｃｒ、Ｇａ、Ｍｏ、Ｆｅ、Ｃｄ、Ｔａ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｔｅ、Ｓｂ、Ａｓ、Ｂｉ、Ｃｕ、Ｉｎ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｂａのうちの少なくとも一種からなるものである。中でも、Ｉｎ（インジウム）が好適とされる。Ｉｎは、正孔注入層６０の下地である、ＩＴＯ製の画素電極１１１中に含有される金属であり、したがって正孔注入層６０中には、もともと、僅かながらもＩｎが含まれるようになっているからである。
【００２５】
すなわち、正孔注入層６０は画素電極１１１に直接接して形成されることで、例えばその製造時などにおいて、画素電極１１１から正孔注入層６０へのＩｎの拡散（あるいは酸化物として溶出）が僅かながら起こっている。このように、僅かながらもＩｎを含有している正孔注入層６０に、後述するような処理によってさらにＩｎを加えることにより、異なる金属元素が複数種含まれる場合に比べ、同一の金属が含有されることで正孔注入層６０がより安定し、該正孔注入層中６０での正孔の流れ方がより一定になるからである。
【００２６】
また、このような金属元素の濃度としては、１原子％以上であれば、その上限は特に限定されないものの、特に酸化物として正孔注入層６０中に含有される場合には、この酸化物が正孔注入層６０の電気抵抗上昇、導電性の低下をもたらすため、数原子％以下（例えば５原子％以下）にしておくのが好ましい。
【００２７】
正孔注入層６０の上には、発光層７０が形成されている。この発光層７０を形成するための材料としては、蛍光あるいは燐光を発光することが可能な公知の発光材料が用いられる。発光層７０の形成材料として具体的には、（ポリ）フルオレン誘導体（ＰＦ）、（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体（ＰＰＶ）、ポリフェニレン誘導体（ＰＰ）、ポリパラフェニレン誘導体（ＰＰＰ）、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、ポリチオフェン誘導体、ポリメチルフェニルシラン（ＰＭＰＳ）などのポリシラン系などが好適に用いられる。また、これらの高分子材料に、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素などの高分子系材料や、ルブレン、ペリレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等の低分子材料をドープして用いることもできる。
なお、このような発光層７０を形成する材料としては、特にフルカラー表示をなす場合、赤色、緑色、青色の各波長域に対応する光を発光する材料が用いられ、それぞれが予め設定された状態に形成配置される。
【００２８】
陰極１２は、前記発光層７０を覆って形成されたもので、例えばＣａが厚さ５ｎｍ程度に形成され、その上にＡｌが厚さ３００ｎｍ程度に形成されて構成されたものである。このような積層構造の電極とされたことにより、特にＡｌは反射層としても機能するものとなっている。なお、陰極１２についても透明な材料を用いれば、発光した光を陰極側からも出射させることができる。透明な材料としては、ＩＴＯ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｎｉ、もしくはＰｄを用いることができる。膜厚としては、透明性を確保するうえで、７５ｎｍ程度とするのが好ましく、さらにこの膜厚より薄くするのがより好ましい。
また、この陰極１２上には、接着層５１を介して封止基板（図示せず）が貼着されている。
【００２９】
なお、前記発光機能層１１０において正孔注入層６０は、正孔を発光層７０に注入する機能を有するとともに、正孔を正孔注入層６０内部において輸送する機能をも有している。このような正孔注入層６０を画素電極１１１と発光層７０の間に設けることにより、発光層７０の発光効率、寿命等の素子特性を向上させることができる。発光層７０では、正孔注入層６０から注入された正孔と、陰極１２から注入される電子とが再結合し、発光をなすようになっている。
【００３０】
（有機ＥＬ装置の製造方法）
このような構成の有機ＥＬ装置１を製造するには、従来と同様にして基板２上に回路素子部１４を形成する。そして、基板２の全面を覆うように画素電極１１１となる透明導電膜を、ＩＴＯによって形成する。次いで、この導電膜をパターニングすることにより、図４（ａ）に示すように平坦化膜２８４のコンタクトホール１１１ａを介してドレイン電極２４４と導通する画素電極１１１を形成する。
【００３１】
次いで、画素電極１１１上および平坦化膜２８４上に、ＳｉＯ２等の無機絶縁材料をＣＶＤ法等で成膜して隔壁層（図示せず）を形成し、続いて、公知のホトリソグラフィー技術、エッチング技術を用いて隔壁層をパターニングする。これにより、図４（ｂ）に示すように、形成する各有機ＥＬ素子３の画素領域毎に開口２５ａ（図示略）を形成すると同時に、無機隔壁２５を形成する。
【００３２】
次いで、図４（ｃ）に示すように、無機隔壁２５の所定位置、詳しくは画素領域を囲む位置に樹脂等によって有機隔壁２２１を形成する。
次いで、このようにして画素電極１１１と無機隔壁２５と有機隔壁２２１とを形成した側の面を酸素プラズマ処理し、その表面に付着した有機物等の汚染物を除去して濡れ性を向上させる。具体的には、基板２を所定温度、例えば７０〜８０℃程度に加熱し、続いて大気圧下で酸素を反応ガスとするプラズマ処理（Ｏ２プラズマ処理）を行う。
【００３３】
次いで、撥液化処理を行うことにより、特に有機隔壁２２１の上面及び側面の濡れ性を低下させる。具体的には、大気圧下で４フッ化メタンを反応ガスとするプラズマ処理（ＣＦ４プラズマ処理）を行い、その後、プラズマ処理のために加熱された基板２を室温まで冷却することで、有機隔壁２２１の上面及び側面を撥液化し、その濡れ性を低下させる。
なお、このＣＦ４プラズマ処理においては、画素電極１１１の露出面および無機隔壁２５についても多少の影響を受けるが、画素電極１１１の材料であるＩＴＯおよび無機隔壁２５の構成材料であるＳｉＯ２などはフッ素に対する親和性に乏しいため、酸素プラズマ処理で濡れ性が向上した面は濡れ性がそのままに保持される。
【００３４】
次いで、前記有機隔壁２２１に囲まれた領域内に正孔注入層６０を形成する。この正孔注入層６０の形成工程では、スピンコート法や液滴吐出法が採用されるが、本実施形態では、有機隔壁２２１に囲まれた領域に正孔注入層６０の形成材料を選択的に配する必要上、特に液滴吐出法であるインクジェット法が好適に採用される。このインクジェット法により、正孔注入層６０の形成材料であるＰＥＤＯＴ−ＰＳＳの分散液を前記画素電極１１１の露出面上に配し、その後、熱処理（乾燥処理）を行うことにより、厚さ５０ｎｍの正孔注入層６０を形成する。なお、ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳの分散液としては、例えばＰＥＤＯＴ：ＰＳＳが１：１０（重量比）であり、固形分濃度が０．５重量％、ジエチレングリコール５０重量％、残量が純水であるものが用いられる。
【００３５】
次いで、この正孔注入層６０上に、金属、本実施形態ではＩｎを、例えば蒸着法で堆積し、図５（ａ）に示すように厚さ５ｎｍ以下程度の金属膜５０を形成する。そして、このように金属膜５０を形成した後、基板２を大気中に例えば１時間程度放置する。すると、金属膜５０を構成するＩｎは大気中の酸素によって酸化され、酸化物となって正孔注入層６０中に拡散する。すなわち、このＩｎ酸化物（Ｉｎ２Ｏ３）は、電気化学的反応（電池反応）によって正孔注入層６０中にほぼ均一に拡散する。このようにして金属膜５０を拡散させると、この金属膜５０は５ｎｍ以下程度の薄膜であることから、その全量が酸化物となって正孔注入層６０中に容易に拡散し、図５（ｂ）に示すように正孔注入層６０上から金属膜５０がなくなる。
【００３６】
なお、金属（Ｉｎ）を蒸着させて金属膜５０を形成した際、部分的には有機隔壁２２１上にも金属が付着するものの、前記したように有機隔壁２２１は濡れ性が低下していることから、ここに付着する金属は十分に少なく、またこのように付着した金属も例えば有機隔壁２２中に拡散することなどにより、有機隔壁２２１上には金属が実質的に残らなくなる。また、有機隔壁２２１中に拡散した金属も酸化物として拡散することなどにより、有機隔壁２２１の絶縁性が損なわれることもない。
このようにして正孔注入層６０中に金属（Ｉｎ）を拡散させたら、これ以降では、各種の形成材料や形成した要素の酸化・吸湿を防止すべく、窒素雰囲気、アルゴン雰囲気などの不活性ガス雰囲気で行うことが好ましい。
【００３７】
次いで、図５（ｃ）に示すように、前記正孔注入層６０の上に発光層７０を形成する。この発光層７０の形成工程では、前記の正孔注入層６０の形成と同様に、液滴吐出法であるインクジェット法が好適に採用される。すなわち、インクジェット法により、発光層の形成材料を正孔注入層６０上に吐出し、その後、窒素雰囲気中にて１００℃で１時間程度熱処理を行い、有機隔壁２２１に形成された開口２２１ａ内、すなわち画素領域上に発光層７０を形成する。なお、発光層の形成材料中に用いる溶媒としては、前記正孔注入層６０を再溶解させないもの、例えばキシレンなどが好適に用いられる。また、この発光層７０の形成方法については、特に無機隔壁２５や有機隔壁２２１によって画素領域を区画しない場合、正孔注入層６０の形成の場合と同様に、スピンコート法を採用することもできる。
【００３８】
次いで、図５（ｄ）に示すように、前記発光層７０及び有機隔壁２２１を覆って例えばカルシウムを厚さ５ｎｍ程度、アルミニウムを厚さ３００ｎｍ程度に積層し、陰極１２を形成する。この陰極１２の形成に際しては、有機ＥＬ素子３を効率よく発光させるため、例えば電子注入層としてフッ化リチウムを発光層７０側に形成してもよい。また、この陰極１２の形成では、前記正孔注入層６０や発光層７０の形成とは異なり、蒸着法やスパッタ法等で行うことにより、画素領域にのみ選択的に形成するのでなく、基板２のほぼ全面に陰極１２を形成する。
その後、前記陰極１２上に接着層５１を形成し、さらにこの接着層５１によって封止基板３０を接着し、封止を行う。これにより、本実施形態の有機ＥＬ装置１を得る。
【００３９】
このような有機ＥＬ装置１にあっては、Ｉｎ（金属）が酸化物（Ｉｎ２Ｏ３）として正孔注入層６０中に存在することにより、正孔注入層６０が安定化し、該正孔注入層６０での正孔の流れ方が一定になる。その結果、発光効率の低下が抑えられ、発光寿命が向上する。また、特にＩｎを１原子％以上含有させていることにより、単に金属を不純物として含有している場合に比べ、正孔注入層６０を安定化させる改善効果を顕著にすることができる。
【００４０】
また、この有機ＥＬ装置１の製造方法によれば、正孔注入層６０を形成した後、これの上に金属膜５０（Ｉｎ膜）を形成し、該金属を酸化物として正孔注入層６０中に拡散させるので、簡易な手法によって正孔注入層６０中に金属元素を１原子％以上含ませることができる。そして、これにより正孔注入層６０を安定化させ、該正孔注入層６０中での正孔の流れ方を一定にすることによって発光効率の低下を抑え、発光寿命の向上を図ることができる。
【００４１】
（実験例）
正孔注入層６０の成膜方法としてスピンコート法を用い、さらに発光層７０の形成材料として蛍光材料を用いてこれをスピンコート法で成膜した。これ以外は、前記した製造方法とほぼ同様にして、本発明品としての有機ＥＬ装置を作製した。
また、比較品として、スピンコート法で形成した正孔注入層６０上に金属膜（Ｉｎ膜）を形成することなく、この正孔注入層６０上にスピンコート法で直接発光層７０を形成し、これ以外は前記した本発明品としての有機ＥＬ装置と同様にして、比較品としての有機ＥＬ装置を作製した。
このようにして作製した有機ＥＬ装置をそれぞれ発光させ、発光特性を調べたところ、本発明品の有機ＥＬ装置は、比較品の有機ＥＬ装置に比べ、定電流発光による輝度の発光寿命が約２倍になっていた。したがって、本発明品は、従来品（比較品）に比べ発光寿命が向上していることが確認された。
【００４２】
（電子機器）
次に、本実施形態の有機ＥＬ装置１を備えた電子機器の具体例について説明する。
図６（ａ）は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図６（ａ）において、符号１０００は携帯電話本体を示し、符号１００１は前記有機ＥＬ装置１からなる表示部を示している。
図６（ｂ）は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図６（ｂ）において、符号１１００は時計本体を示し、符号１１０１は前記有機ＥＬ装置１からなる表示部を示している。
図６（ｃ）は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図６（ｃ）において、符号１２００は情報処理装置、符号１２０２はキーボードなどの入力部、符号１２０４は情報処理装置本体、符号１２０６は前記有機ＥＬ装置１からなる表示部を示している。
図６（ｄ）は、薄型大画面テレビの一例を示した斜視図である。図６（ｄ）において、薄型大画面テレビ１３００は、薄型大画面テレビ本体（筐体）１３０２、スピーカーなどの音声出力部１３０４、前記有機ＥＬ装置１からなる表示部１３０６を備える。
【００４３】
図６（ａ）〜（ｄ）に示す電子機器１０００，１１００，１２００，１３００は、前記有機ＥＬ装置１を備えているので、この有機ＥＬ装置１からなる表示部１００１，１１０１，１２０６，１３０６の発光効率の低下が防止され、長寿命化していることにより、これら電子機器１０００，１１００，１２００，１３００自体も、表示部１００１，１１０１，１２０６，１３０６が長寿命化したものとなる。
【００４４】
なお、本発明は前記実施形態に限られることなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。
例えば、前記実施形態では、発光層７０で発光した光を基板２側から出射させる、いわゆるボトムエミッション型の有機ＥＬ装置に本発明を適用した例を示したが、基板２と反対側の、封止基板側から光を出射させる、いわゆるトップエミッション型の有機ＥＬ装置にも本発明を適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】実施形態の有機ＥＬ装置の配線構造を示す説明図である。
【図２】図１の有機ＥＬ装置の平面模式図である。
【図３】図１の有機ＥＬ装置の要部断面模式図である。
【図４】（ａ）〜（ｃ）は図１の有機ＥＬ装置の製造方法を説明する工程図である。
【図５】（ａ）〜（ｄ）は図４に続く製造方法を説明する工程図である。
【図６】（ａ）〜（ｄ）は本発明の電子機器の実施形態を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００４６】
１…有機ＥＬ装置、２…基板、１２…陰極、５０…金属膜、６０…正孔注入層、７０…発光層、１１０…発光機能層、１１１…画素電極（陽極）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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