(57)【要約】【課題】露光用マスク上の異物の大きさを精度良く推定することができる露光用マスク、露光用マスクの検査方法、及び露光用マスクの検査装置を提供すること。【解決手段】(a)主面に粒状の基準サンプルS1〜S4が設けられた露光用マスク１０をアーム２１に載せるステップと、(b)基準サンプルS1〜S4からの散乱光の強度を基準電圧Vref(S1)〜(S4)に変換するステップと、(c)露光用マスク１０において露光用パターンが形成されている領域に存在する異物Fからの散乱光の強度を測定電圧Vactに変換するステップと、(d)測定電圧Vactに基づいた異物Fの大きさの推定値が異物Fの実際の大きさに等しくなるように、基準電圧Vref(S1)〜(S4)に基づいて検査装置２０を校正するステップと、(e)異物Fの大きさの推定値を求めるステップとを有する露光用マスクの検査方法による。【選択図】図３
2008040320.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板と、
前記透明基板に形成された露光用パターンと、
主面に設けられ、異物の大きさの基準となる粒状の基準サンプルと、
を有することを特徴とする露光用マスク。
【請求項２】
(a)主面に粒状の基準サンプルが設けられた露光用マスクを、検査装置のアームに載せるステップと、
(b)前記基準サンプルに光を当て、該基準サンプルからの散乱光の強度を、光電変換部において基準電圧に変換するステップと、
(c)前記露光用マスクにおいて露光用パターンが形成されている領域に光を当て、該領域に存在する異物からの散乱光の強度を、前記光電変換部において測定電圧に変換するステップと、
(d)前記測定電圧に基づいた前記異物の大きさの推定値が、該異物の実際の大きさに等しくなるように、前記基準電圧に基づいて検査装置を校正するステップと、
(e)前記異物の大きさの推定値を求めるステップと、
を有することを特徴とする露光用マスクの検査方法。
【請求項３】
前記ステップ(d)は、(d1)前記光電変換部と前記露光用マスクとの間隔が基準間隔の場合に予め求めておいた前記基準電圧に、前記ステップ(b)で得られた前記基準電圧が等しくなるように、前記アームの高さを調節するステップを有し、
前記ステップ(c)は前記ステップ(d1)の後に行われ、
前記ステップ(e)では、前記測定電圧に基づいて、前記異物の大きさの推定値を求めることを特徴とする請求項２に記載の露光用マスクの検査方法。
【請求項４】
前記ステップ(d)は、
(d2)前記光電変換部と前記露光用マスクとの間隔が基準間隔の場合に予め求めておいた前記基準電圧と、前記ステップ(b)で得られた前記基準電圧との差を求めるステップと、
(d3)前記ステップ(c)で得られた前記測定電圧に前記差を加えて校正済電圧を得るステップとを有し、
前記ステップ(e)は、前記校正済電圧に基づいて、前記異物の大きさの推定値を求めることを特徴とする請求項２に記載の露光用マスクの検査方法。
【請求項５】
露光用マスクが載せられるアームと、
前記露光用マスクに光を当てる光源と、
前記光が当てられたときに前記露光用マスクが放つ散乱光を電圧に変換する光電変換部と、
前記アームの高さを調節する高さ調節機構と、
前記アームの水平面からの傾きを調節する傾き調節機構と、
前記光電変換部からの出力電圧が入力されると共に、前記高さ調節機構と前記傾き調節機構とを制御する制御部とを有し、
前記制御部が、
前記アームに載せられ、主面に粒状の基準サンプルが設けられた露光用マスクの該基準サンプルに前記光源の光を当て、該基準サンプルからの散乱光の強度を、前記光電変換部において基準電圧に変換し、
前記露光用マスクにおいて露光用パターンが形成されている領域に前記光源の光を当て、該領域に存在する異物からの散乱光の強度を、前記光電変換部において測定電圧に変換し、
前記測定電圧に基づいて前記異物の大きさの推定値を求め、
前記推定値が前記異物の実際の大きさに等しくなるように、前記基準電圧を用いて校正を行なうことを特徴とする露光用マスクの検査装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、露光用マスク、露光用マスクの検査方法、及び露光用マスクの検査装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
LSI等の半導体装置の製造工程では、フォトレジストを露光するための露光工程が多数行われる。その露光工程では、ステッパ等の露光装置に露光用マスクをセットし、露光用マスクに形成されている露光パターンを半導体ウエハに縮小投影する。ここで、露光用マスク上にパーティクル等の異物が付着していると、そのパーティクルの像も半導体ウエハに投影され、半導体ウエハに形成されるパターンに欠陥が生じてしまう。
【０００３】
このような不都合を無くすため、露光工程では、露光の前に異物検査装置において露光用マスクの表面に異物があるかどうかを確認し、異物が無いと判断された場合に露光用マスクを露光装置にセットし、露光を行う。
【０００４】
図１は、従来例に係る異物検査装置の側面図である。
【０００５】
この異物検査装置２０は、異物Fを捉えるイメージセンサー２３と、異物Fに入射光を照射するための光源２４とを有する。
【０００６】
一方、検査対象の露光用マスク１０は、レチクル１１と、その上面と下面に貼られたペリクル１２よりなり、異物検査装置２０に備えられているレチクルアーム２１に支持される。
【０００７】
レチクル１１の上面と下面のいずれか一方に形成された露光パターン（不図示）はペリクル１２により保護される。また、露光装置の焦点は露光パターンに合わせられているため、ペリクル１２の表面に小さな異物が付着しても、半導体ウエハの表面では異物の像がぼけ、フォトレジストにおいて異物は解像しない。
【０００８】
しかし、大きな異物がペリクル１２に付着すると、その像がフォトレジストにおいて解像してしまい、パターン不良を起こしてしまう。
【０００９】
そこで、異物検査装置２０では、レチクルアーム２１を図の横方向に移動させながらイメージセンサー２３でペリクル１２の表面をスキャンすることで、解像しうる程度に大きな異物Fがペリクル１２の表面にあるかどうかが監視される。
【００１０】
異物Fが存在する場合には、光源２４から出た光が異物Fにより散乱し、その散乱光の強度に応じた出力電圧がイメージセンサー２３から出力される。そして、イメージセンサー２３からの出力電圧の大きさに基づいて、不図示の制御部が異物Fの大きさを推定し、異物Fがフォトレジストにおいて解像するかどうかが判断される。
【００１１】
例えば、０．１８μmのゲート長に対応したプロセスでは、５０μm程度以上の大きさの異物がフォトレジストにおいて解像するようになるので、イメージセンサー２３ではおおよそ４０μm以下の大きさの異物を見分けられる必要がある。
【００１２】
ところで、イメージセンサー２３は不図示のレンズ系とフォトダイオードとを有しているが、そのレンズ系の焦点は、ペリクル１２の表面に一致するように設計されている。
【００１３】
しかしながら、レチクル１１の厚さやペリクル１２の高さは製造時の誤差でばらつくのが普通であり、また、露光用マスク１０の自重等によりレチクルアーム２１も撓むことから、イメージセンサー２３とペリクル１２との相対距離は、常に一定というわけではなく、検査の度に変動し、それによってイメージセンサー２３の焦点がペリクル１２の表面から外れることがよくある。
【００１４】
典型的には、レチクル１１の厚さの誤差は約２０μm程度、ペリクル１２の高さの誤差は約１０μm程度であり、これらの値の二乗和の平方根から、露光用マスク１０のトータルの誤差は約２５μm程度になる。
【００１５】
ところが、上記のようにイメージセンサー２３の焦点とペリクル１２の表面とがずれていると、イメージセンサー２３からの出力電圧が正しい値から外れることになる。
【００１６】
例えば、イメージセンサー２３とペリクル１２との相対距離が長くなった場合には、異物Fからイメージセンサー２３に入る光の強度が弱まるため、本来の値よりも小さな出力電圧がイメージセンサー２３から出る。この場合は、異物Fの大きさを実際よりも小さいと誤認する恐れがある。
【００１７】
このような不都合を解消するため、イメージセンサー２３のレンズ系をオートフォーカスにし、レンズ系の焦点がペリクル１２の表面に常に一致するようにすることも考えられるが、これでは異物検査装置２０のサイズが大きくなると共に、異物検査装置２０の装置価格が高くなってしまう。
【００１８】
また、オートフォーカスのイメージセンサー２３では、ペリクル１２に焦点を合わせ難く、異物の大きさの推定値の再現性が悪いという問題もある。例えば、ガラス基板上の異物を測定する場合は、大きさの測定値の誤差は１０μmであるが、ペリクル１２上では２０〜３０μm程度と非常に大きな誤差が出てしまう。
【００１９】
なお、本発明に関連する技術が、下記の特許文献１〜７に開示されている。
【特許文献１】特開平１０−３２５８０７号公報
【特許文献２】特開２００１−１８９２６４号公報
【特許文献３】特開２００４−１８６３１３号公報
【特許文献４】特開平７−３３３１６５号公報
【特許文献５】登録実用新案第２５９９３７８号公報
【特許文献６】特許第３２７５４２５号公報
【特許文献７】特許第３６３４０６８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２０】
本発明の目的は、露光用マスク上の異物の大きさを精度良く推定することができる露光用マスク、露光用マスクの検査方法、及び露光用マスクの検査装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
本発明の一観点によれば、透明基板と、前記透明基板に形成された露光用パターンと、主面に設けられ、異物の大きさの基準となる粒状の基準サンプルとを有する露光用マスクが提供される。
【００２２】
また、本発明の別の観点によれば、(a)主面に粒状の基準サンプルが設けられた露光用マスクを、検査装置のアームに載せるステップと、(b)前記基準サンプルに光を当て、該基準サンプルからの散乱光の強度を、光電変換部において基準電圧に変換するステップと、(c)前記露光用マスクにおいて露光用パターンが形成されている領域に光を当て、該領域に存在する異物からの散乱光の強度を、前記光電変換部において測定電圧に変換するステップと、(d)前記測定電圧に基づいた前記異物の大きさの推定値が、該異物の実際の大きさに等しくなるように、前記基準電圧に基づいて検査装置を校正するステップと、(e)前記異物の大きさの推定値を求めるステップとを有する露光用マスクの検査方法が提供される。
【００２３】
そして、本発明の他の観点によれば、露光用マスクが載せられるアームと、前記露光用マスクに光を当てる光源と、前記光が当てられたときに前記露光用マスクが放つ散乱光を電圧に変換する光電変換部と、前記アームの高さを調節する高さ調節機構と、前記アームの水平面からの傾きを調節する傾き調節機構と、前記光電変換部からの出力電圧が入力されると共に、前記高さ調節機構と前記傾き調節機構とを制御する制御部とを有し、前記制御部が、前記アームに載せられ、主面に粒状の基準サンプルが設けられた露光用マスクの該基準サンプルに前記光源の光を当て、該基準サンプルからの散乱光の強度を、前記光電変換部において基準電圧に変換し、前記露光用マスクにおいて露光用パターンが形成されている領域に前記光源の光を当て、該領域に存在する異物からの散乱光の強度を、前記光電変換部において測定電圧に変換し、前記測定電圧に基づいて前記異物の大きさの推定値を求め、前記推定値が前記異物の実際の大きさに等しくなるように、前記基準電圧を用いて校正を行う露光用マスクの検査装置が提供される。
【００２４】
次に、本発明の作用について説明する。
【００２５】
本発明に係る露光用マスクの検査方法によれば、露光用マスクの主面に設けられた基準サンプルに光を当て、その散乱光の強度を光電変換部において基準電圧に変換する。そして、異物からの散乱光を測定電圧に変換し、この測定電圧に基づいた異物の大きさの推定値が、該異物の実際の大きさに等しくなるように、基準電圧に基づいて検査装置を校正する。
【００２６】
検査装置に固定されている光電変換部は、露光用マスクの厚さの製造誤差等により、露光用マスクとの距離が変動する。従って、光電変換部から見た基準サンプルからの散乱光の強度も変動するので、基準サンプルの基準電圧は上記の製造誤差を反映したものとなる。本発明では、このように製造誤差を反映した基準電圧を用いて検査装置を校正するので、露光用マスクに製造誤差があっても、露光用マスク上の異物の大きさを精度良く推定することができる。
【発明の効果】
【００２７】
本発明によれば、露光用マスクに設けられた基準サンプルの散乱光を基準電圧に変換し、この基準電圧に基づいて露光用マスクの検査装置を校正するので、露光用マスク上の異物の大きさを精度良く推定することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
次に、本発明の実施の形態について、添付図面を参照しながら詳細に説明する。
【００２９】
図２は、本実施形態で使用される露光装置の構成図である。
【００３０】
その露光装置３０は、半導体ウエハに対して露光を行う露光部の他に、露光用マスクの表面に付着した異物の大きさを測るための異物検査装置２０を備える。
【００３１】
図３は、その異物検査装置２０と露光用マスク１０の斜視図である。
【００３２】
異物検査装置２０は、露光用マスク１０を搬送するためのレチクルアーム２１を有し、レチクルアーム２１の水平移動機構（不図示）によって、図の矢印の方向に露光用マスク１０を移動しながら、異物検査装置２０において露光用マスク１０に付着した異物Fの大きさが測定される。
【００３３】
異物Fは、半導体ウエハ（不図示）において解像しない程度に小さいものであれば問題ないが、解像する程度に大きいときには、半導体ウエハに形成されるパターンに欠陥が入る恐れがあるので、露光の前に予め除去しておく必要がある。オペレータは、異物検査装置２０で得られた異物Fの大きさに基づいて、異物Fを除去する必要があるかどうかを判断する。
【００３４】
一方、露光用マスク１０は、レチクル１１とペリクル１２とで構成される。レチクル１１は、ガラス基板（透明基板）１１ａと、この基板１１ａに形成されたクロム膜等よりなる露光用パターン１１ｂとで構成される。
【００３５】
次に、本実施形態で使用される露光用マスク１０の例について更に詳細に説明する。
【００３６】
図４は、両面ペリクルタイプの露光用マスク１０の全体斜視図である。
【００３７】
このタイプの露光用マスク１０では、レチクル１１の両面にペリクル１２が設けられる。ペリクル１２は、ペリクルフレーム１２ａと透明な防塵膜１２ｂとで構成されており、露光用パターン１１ｂを覆うように形成される。
【００３８】
本実施形態では、この露光用マスク１０の主面、すなわちペリクル１２の主面の四隅に、異物の大きさの基準となる基準サンプルS1〜S4を設ける。なお、四隅のうちの一箇所のみ、又は二箇所のみ、若しくは三箇所のみに基準サンプルを設けてもよい。
【００３９】
基準サンプルS1〜S4としては、例えば、直径が３０μmの球形のラテックス粒子よりなるJSR株式会社製の商品名DYNOSPHERESが用いられる。この基準サンプルS1〜S4をペリクル１２に付着するには、複数個の上記の球体を純水中に分散させ、それをペリクル１２の四隅に霧状に吹き付けていけばよい。１回の吹き付けで複数個の粒子がペリクル１２に付着するが、各粒子が隣り合うのは確率的に極めて稀であり、二つの粒子が合体して６０μmの粒子になることは無い。
【００４０】
なお、図４では、基準サンプルS1〜S4の大きさを誇張して描いてある。
【００４１】
図５は、片面ペリクルタイプの露光用マスク１０の全体斜視図である。
【００４２】
このタイプの露光用マスク１０では、ガラス基板１１ａの二つの主面のうち、露光用パターン１１ｂが形成されている方の主面１１ｃにのみペリクル１２が設けられる。
【００４３】
また、基準サンプルS1〜S4は、上記の主面１１ｃにおいて、露光用パターン１１ｂが形成されていない領域に設けられる。その基準サンプルS1〜S4の付着方法は、両面ペリクルタイプと同じであるため、その説明は省略する。
【００４４】
なお、片側ペリクルタイプの露光用マスクでも、ペリクル１２はペリクルフレームと透明な防塵膜とで構成されるが、図５ではこれらを省略してある。
【００４５】
本実施形態では、両面ペリクルタイプ（図４）と片面ペリクルタイプ（図５）のどちらの露光用マスク１０を用いてもよい。以下では、両面ペリクルタイプの露光用マスク１０に対する検査方法について説明する。
【００４６】
図６は、本実施形態に係る露光用マスクの検査方法のフローチャートである。また、図７は、検査の最中の露光用マスク１０と検査装置２０の側面図である。
【００４７】
図６の最初のステップＰ１では、図７に示すように、上記の露光用マスク１０を検査装置２０のレチクルアーム２１に載せる。
【００４８】
次いで、ステップＰ２に移行し、水平移動機構２８によりレチクルアーム２１を図７の右方向に移動させる。そして、露光用マスク１０が移動している途中に、検査装置２０に付属の光源２４とイメージセンサー（光電変換部）２３とを用い、基準サンプルS1〜S4に光を当て、各基準サンプルS1〜S4からの散乱光の強度をイメージセンサー２３においてそれぞれ基準電圧Vref(S1)〜(S4)に変換する。
【００４９】
ここで、光源２４はレーザ素子により構成される。また、イメージセンサー２３は、固定焦点のレンズ系とフォトダイオードとにより構成される。検査装置２０の制御部２９は、露光用マスク１０における基準サンプルS1〜S4の位置が記憶された記憶部（不図示）を備えており、この位置に基づいてイメージセンサー２３が各基準サンプルS1〜S4からの散乱光を捉える。
【００５０】
また、上記の基準電圧Vref(S1)〜(S4)は、検査装置２０に付属の制御部２９に入力された後、平均化されて平均化基準電圧Vref（＝(Vref(S1)+Vref(S2)+Vref(S3)+Vref(S4))／4）とされる。なお、基準サンプルS1〜S4を一つのみ、例えばサンプルS1のみを設けた場合は、平均化基準電圧VrefをVref(S1)の値で代用する。また、制御部２９は、制御信号SG1、SG2に基づいて、水平移動機構２８と光源２４とを制御する。
【００５１】
次に、ステップＰ３に移行し、図７の右方向に露光用マスク１０を移動させながら、露光用マスク１０において露光用パターン１１ｂが形成されている領域に光を当て、該領域に存在する異物Fからの散乱光の強度を、イメージセンサー２３において測定電圧Vactに変換する。
【００５２】
ここで、測定電圧Vactの大きさは異物Fからの散乱光の強度に略比例し、また、散乱光の強度は異物Fの大きさに略比例するので、測定電圧Vactから異物Fの大きさを推定することができる。
【００５３】
但し、露光用マスク１０の厚みは、レチクル１１やペリクル１２の製造誤差によってばらつきがあるので、このばらつきに起因して露光用マスク１０とイメージセンサー２３との距離が測定する露光用マスク１０毎に変動し、測定電圧Vactの再現性が悪くなる。
【００５４】
例えば、露光用マスク１０とイメージセンサー２３との距離が長くなると、異物Fからの散乱光がイメージセンサー２３に至るまでに弱まるので、測定電圧Vactが本来の値よりも小さくなってしまう。
【００５５】
また、同一の露光用マスク１０を検査する場合であっても、レチクルアーム２１の撓みによって露光用マスク１０とイメージセンサー２３との距離が変動するため、やはり測定電圧Vactの再現性が悪くなる。
【００５６】
このように測定電圧Vactか正確に測れないと、異物Fの大きさを誤って測定することになり、例えば、実際には半導体ウエハで解像する程度に大きな異物Fを、解像しない大きさであると判断する恐れがある。
【００５７】
そこで、本実施形態では、次のステップＰ４において検査装置２０を校正し、測定電圧Vactに基づいて得られる異物Fの大きさが実際の大きさに等しくなるようにする。この校正は、制御部２９において行われる。
【００５８】
また、このステップＰ４の処理手順としては幾つかの例があり、例によってはステップＰ４を行った後にステップＰ３を行うものもある。これについては後で詳述する。
【００５９】
次に、ステップＰ５に移行し、測定電圧Vactに基づいて異物Fの大きさを推定する。
【００６０】
図８は、ステップＰ５において使用される「測定電圧−異物大きさテーブル」の模式図である。
【００６１】
この「測定電圧−異物大きさテーブル」は、イメージセンサー２３と露光用マスク１０との間隔が基準間隔D0の場合に、異物Fからの散乱光をイメージセンサー２３で電圧に変換して得られた測定電圧と、異物Fの実際の大きさとを対にして得られたものである。
【００６２】
なお、「測定電圧−異物大きさテーブル」は、制御部２９内の記憶部に格納されている。
【００６３】
ステップＰ５では、この「測定電圧−異物大きさテーブル」を参照して、ステップＰ３で得られた測定電圧Vactに対応する異物Fの大きさの推定値Pを求める。オペレータは、その推定値Pに基づいて、異物Fが半導体ウエハにおいて解像し得る大きさであるかを判断し、解像し得ると判断した場合には、露光用マスク１０の表面を洗浄することになる。
【００６４】
以上により、本実施形態の主要ステップが終了する。
【００６５】
以下に、検査装置２０を校正するステップＰ４の例について説明する。
【００６６】
第１例
図９は、本例で使用される「基準電圧−高さ補正量テーブル」の模式図である。
【００６７】
この「基準電圧−高さ補正量テーブル」において、横軸は、ステップＰ２で求めた平均化基準電圧Vrefである。また、縦軸は、レチクルアーム２１の高さ補正量ΔZ（μm）である。
【００６８】
その補正量ΔZは、イメージセンサー２３と露光用マスク１０との間隔が基準間隔D0の場合に予め求めておいた平均化基準電圧Vrefに、ステップＰ２で得られた平均化基準電圧Vrefが等しくなるのに必要なレチクルアーム２１の高さ方向(Z方向)の移動量である。なお、基準間隔D0は任意の値に設定し得る。
【００６９】
また、「基準電圧−高さ補正量テーブル」は、制御部２９に付属の記憶部に格納されている。
【００７０】
本例では、ステップＰ４においてこの「基準電圧−高さ補正量テーブル」を用い、ステップＰ２で求めた平均化基準電圧Vrefに対応する高さ補正量ΔZを読み、この補正量ΔZだけレチクルアーム２１の高さを調節する。この高さの調節は、制御部２９からの制御信号SG3（図７参照）に基づいて、検査装置２０に付属の高さ調節機構２７により行われる。
【００７１】
このようにレチクルアーム２１の高さを調節することで、イメージセンサー２３と露光用マスク１０との間隔は、上記の基準間隔D0に等しくなる。
【００７２】
以上により、本例に係るステップＰ４の主要ステップが終了した。
【００７３】
この後は、既述のステップＰ３を行って測定電圧Vactを求めた後、ステップＰ５に移行し、測定電圧Vactに基づいて異物Fの大きさを推定する。
【００７４】
以上説明した本例によれば、基準サンプルS1〜S4の平均化基準電圧Vrefから高さ補正量ΔZを読み、この補正量ΔZだけレチクルアーム２１の高さを調節することにより検査装置２０を校正する。これにより、露光用マスク１０の厚みの製造誤差や、レチクルアーム２１の撓みによって、イメージセンサー２３と露光用マスク１０の主面との距離が変動しても、異物Fの大きさの推定値Pを精度良く求めることができる。
【００７５】
例えば、従来例では、露光用マスク１０の全体の厚みの製造誤差が約２５μm程度の場合、異物Fの大きさの推定値の誤差は１０μm程度と大きなものであったが、本例によれば、このように露光用マスク１０の厚みに誤差があっても、異物Fの大きさの推定値の誤差を５μm程度に抑えることが可能となった。
【００７６】
第２例
図１０は、本例に係るステップＰ４の詳細を示すフローチャートである。図１０に示されるように、ステップＰ４は、サブステップＰ７とサブステップＰ８とで構成される。
【００７７】
そのサブステップＰ７では、イメージセンサー２３と露光用マスク１０との間隔が基準間隔D0の場合に予め求めておいた平均化基準電圧Vrefと、ステップＰ２で得られた平均化基準電圧Vrefとの差ΔVを求める。
【００７８】
次いで、サブステップＰ８に移行し、ステップＰ３で得られた測定電圧Vactに差ΔVを加えて校正済電圧Vcor（＝Vref＋ΔV）を得る。
【００７９】
例えば、イメージセンサー２３と露光用マスク１０との間隔が基準間隔D0のときの平均化基準電圧Vrefが２０mVであって、ステップＰ２で得られた平均化基準電圧Vrefが１５mVの場合は、上記の差ΔVは５mV（＝２０mV−１５mV）となる。よって、ステップＰ３で異物Fの測定電圧Vactが２５mVとなった場合は、校正済電圧Vcorは３０mV（＝２５mV＋５mV）となる。
【００８０】
この後に、既述のステップＰ５（図６参照）に移行し、校正済電圧Vcorに基づいて異物Fの大きさの推定値Pを求める。そのステップＰ５では、図８に示した「測定電圧−異物大きさテーブル」を参照し、校正済電圧Vcorに対応する異物の大きさを読むことで、その大きさの推定値Pを求める。
【００８１】
以上により本例の主要ステップを終了する。
【００８２】
第１例と同様に、本例においても、露光用マスク１０の厚みの製造誤差やレチクルアーム２１の撓みによってイメージセンサー２３と露光用マスク１０との距離が変動しても、異物Fの大きさの推定値Pを精度良く求めることができる。例えば、本例で得られる異物Fの大きさの推定値の誤差は５μm程度に抑えられる。
【００８３】
更に、本例では、第１例のようにレチクルアーム２１の高さを機械的に補正せず、ソフト的に検査装置２０を校正するので、第１例と比較して校正に要する時間が短縮化される。
【００８４】
第３例
本例では、ステップＰ４において、露光用マスク１０の水平面からの傾きを補正する。図１１は、このステップＰ４について説明するための斜視図であり、図１２はステップＰ４の詳細を示すフローチャートである。
【００８５】
図１１に示されるように、本例では、基準サンプルS3とS4との間隔をLS1とし、基準サンプルS3とS1との間隔をLS2とする。また、XYZ直交座標系を同図の向きに設定する。そして、露光用マスク１０のX軸まわりの回転角をθX、Y軸まわりの回転角をθYとする。なお、各回転角θX、θYは、露光用マスク１０が水平面（X-Y平面）内にある場合に０とし、図の矢印の方向を正の向きとする。
【００８６】
本例のステップＰ４は、図１２に示すようにサブステップＰ１１〜Ｐ１５を有する。
【００８７】
最初のサブステップＰ１１では、図９で説明した「基準電圧−高さ補正量テーブル」を参照して、基準サンプルS1〜S4のそれぞれの基準電圧Vref(S1)〜Vref(S4)に対応する高さ補正量ΔZ(S1)〜ΔZ(S4)を求める。そして、次の式（１）、（２）を用いて、回転角θX、θYを算出する。
【００８８】
【数１】
2008040320.tif 000003
なお、次の式（１）、（２）は、回転角θX、θYを算出するための近似式であって、これらの回転角の厳密解を与える式ではないことに注意されたい。
【００８９】
次いで、サブステップＰ１２に移行し、上記の回転角θX、θYが０になるように、X軸とY軸を中心にして露光用マスク１０を回転させ、露光用マスク１０が水平面内に収まるようにする。なお、露光用マスク１０の回転は、制御部２９からの制御信号SG4（図７参照）に基づいて、検査装置２０に付属の傾き調節機構２６により行われる。
【００９０】
次に、サブステップＰ１３に移行し、レチクルアーム１２を移動させながら基準サンプルS1〜S4のそれぞれに再び光を照射することにより、各サンプルS1〜S4のそれぞれの基準電圧Vref(S1)〜Vref(S4)を再度求め、それらを平均化して得られる平均化基準電圧Vrefを算出する。
【００９１】
次いで、サブステップＰ１４に移行し、図９に示した「基準電圧−高さ補正量テーブル」を参照して、ステップＰ１３で求めた平均化基準電圧Vrefに対応する高さ補正量ΔZを求める。
【００９２】
その後に、サブステップＰ１５に移行し、サブステップＰ１４で求めた補正量ΔZだけレチクルアーム２１の高さを調節し、本例に係るステップＰ４を終える。
【００９３】
本例では、この後に既述のステップＰ３を行って測定電圧Vactを求め、その後にステップＰ５（図６参照）に移行する。
【００９４】
そのステップＰ５では、ステップＰ３で得られた測定電圧Vactに基づいて、異物Fの大きさの推定値Pを求める。
【００９５】
なお、このステップＰ５については既に詳述したので、その説明は省略する。
【００９６】
以上説明した本例では、マスク１０の高さだけでなく、その傾きをも補正するので、既述の第２例や第３例よりも検査装置２０の細かな校正をすることができる。
【００９７】
しかも、上記のようにレチクルアーム１２を機械的に回転させることで補正を行うため、補正の精度を向上させることができる。
【００９８】
第４例
第３例では露光用マスク１０の傾きを機械的に補正したが、本例ではそれをソフト的に補正する。
【００９９】
図１３は、本例におけるステップＰ４の詳細を示すフローチャートである。また、図１４及び図１５は、本例のステップＰ４について説明するための斜視図である。
【０１００】
図１３に示すように、本例では、第３例のサブステップＰ１１と、サブステップＰ１７によりステップＰ４が構成される。
【０１０１】
本例では、まず、図１４のように露光用マスク１０がY軸を中心にして角度θYだけ水平面PLから傾いている場合を想定する。以下では、このような場合に、ステップＰ３で求めておいた異物Fの大きさの推定値Pを補正する。なお、座標系の原点はマスク１０内のどこにあってもよく、この例では異物FのX座標はX1であるとする。
【０１０２】
その補正を行うには、まず、既述のステップＰ１１を行い、傾きθYを算出する。
【０１０３】
次に、ステップＰ１７に移行し、この傾きθYと大きさの推定値Pとを用い、次の式（３）に基づいて、推定値Pの補正値Pcorを算出する。
【０１０４】
【数２】
2008040320.tif 000004
なお、式（３）は、補正値Pcorを算出するための近似式であって、推定値Pに対する厳密な補正をするための式ではないことに注意されたい。また、この式（３）では、傾きθY、座標X1、及び高さ補正量ΔZ(S1)、ΔZ(S3)とで決まるサイズ補正量（右辺第２項）を推定値Pから減じることで補正値Pcorを算出している。
【０１０５】
以上により、推定値Pに対する補正が終了する。
【０１０６】
上記では露光用マスク１０がY軸を中心にして傾いている場合を想定したが、図１５のようにX軸を中心にして水平面PLから角度θXだけ傾いている場合もある。その場合は、ステップＰ１７において、次の式（４）に従って推定値Pの補正値Pcorを算出する。
【０１０７】
【数３】
2008040320.tif 000005
なお、式（４）においてY2は異物FのY座標である。
【０１０８】
また、露光用マスク１０が、X軸を中心にして傾き且つY軸を中心にして傾いている場合は、式（３）及び（４）を組み合わせることで補正値Pcorを算出すればよい。
【０１０９】
以上により、本例における主要ステップが終了する。
【０１１０】
本例においても、第３例と同様に露光用マスク１０の傾きを補正するので、第１例や第２例よりも更に細かな検査装置２０の校正をすることができる。
【０１１１】
更に、本例では、第４例のようなレチクルアーム２１の機械的な補正を伴わず、ソフト的に補正を行うので、第４例と比較して校正に要する時間を短くすることができる。
【０１１２】
以下に、本発明の特徴を付記する。
【０１１３】
（付記１）  透明基板と、
前記透明基板に形成された露光用パターンと、
主面に設けられ、異物の大きさの基準となる粒状の基準サンプルと、
を有することを特徴とする露光用マスク。
【０１１４】
（付記２）  前記主面は、前記透明基板の主面であることを特徴とする付記１に記載の露光用マスク。
【０１１５】
（付記３）  前記基準サンプルは、前記透明基板の主面において、前記露光用パターンが形成されていない領域に設けられたことを特徴とする付記１に記載の露光用マスク。
【０１１６】
（付記４）  前記透明基板に前記露光用パターンを覆う防塵膜が固着され、
前記主面は、前記防塵膜の主面であることを特徴とする付記１に記載の露光用マスク。
【０１１７】
（付記５）  (a)主面に粒状の基準サンプルが設けられた露光用マスクを、検査装置のアームに載せるステップと、
(b)前記基準サンプルに光を当て、該基準サンプルからの散乱光の強度を、光電変換部において基準電圧に変換するステップと、
(c)前記露光用マスクにおいて露光用パターンが形成されている領域に光を当て、該領域に存在する異物からの散乱光の強度を、前記光電変換部において測定電圧に変換するステップと、
(d)前記測定電圧に基づいた前記異物の大きさの推定値が、該異物の実際の大きさに等しくなるように、前記基準電圧に基づいて検査装置を校正するステップと、
(e)前記異物の大きさの推定値を求めるステップと、
を有することを特徴とする露光用マスクの検査方法。
【０１１８】
（付記６）  前記ステップ(d)は、(d1)前記光電変換部と前記露光用マスクとの間隔が基準間隔の場合に予め求めておいた前記基準電圧に、前記ステップ(b)で得られた前記基準電圧が等しくなるように、前記アームの高さを調節するステップを有し、
前記ステップ(c)は前記ステップ(d1)の後に行われ、
前記ステップ(e)では、前記測定電圧に基づいて、前記異物の大きさの推定値を求めることを特徴とする付記５に記載の露光用マスクの検査方法。
【０１１９】
（付記７）  前記ステップ(e)では、測定電圧−異物大きさテーブルを参照することにより、前記測定電圧に対応する異物の大きさを求め、該異物の大きさを前記推定値とすることを特徴とする付記６に記載の露光用マスクの検査方法。
【０１２０】
（付記８）  前記ステップ(d)は、
(d2)前記光電変換部と前記露光用マスクとの間隔が基準間隔の場合に予め求めておいた前記基準電圧と、前記ステップ(b)で得られた前記基準電圧との差を求めるステップと、
(d3)前記ステップ(c)で得られた前記測定電圧に前記差を加えて校正済電圧を得るステップとを有し、
前記ステップ(e)は、前記校正済電圧に基づいて、前記異物の大きさの推定値を求めることを特徴とする付記５に記載の露光用マスクの検査方法。
【０１２１】
（付記９）  前記ステップ(e)では、測定電圧−異物大きさテーブルを参照することにより、前記校正済電圧に対応する異物大きさを求め、該異物大きさを前記推定値とすることを特徴とする付記８に記載の露光用マスクの検査方法。
【０１２２】
（付記１０）  前記ステップ(d)は、
(d4)前記主面の四隅に設けられた前記基準サンプルのそれぞれの前記基準電圧に基づいて、前記露光用マスクの水平面からの傾きを求めるステップと、
(d5)前記傾きが無くなるように前記アームを調節することにより、前記露光用マスクを水平にするステップとを有し、
前記ステップ(c)は前記ステップ(d5)の後に行われ、
前記ステップ(e)では、前記測定電圧に基づいて、前記異物の大きさの推定値を求めることを特徴とする付記５に記載の露光用マスクの検査方法。
【０１２３】
（付記１１）  前記ステップ(d4)は、
前記光電変換部と前記露光用マスクとの間隔が基準間隔の場合に予め求めておいた前記基準電圧に、前記ステップ(b)で得られた前記基準電圧が等しくなるために必要な前記アームの高さの補正量を求め、
前記補正量から前記傾きを算出して行われることを特徴とする付記１０に記載の露光用マスクの検査方法。
【０１２４】
（付記１２）  前記ステップ(d)は、
(d6)前記主面の四隅に設けられた前記基準サンプルのそれぞれの前記基準電圧に基づいて、前記露光用マスクの水平面からの傾きを求めるステップと、
(d7)前記傾きに基づいて、前記異物の大きさの前記推定値を補正するステップとを有することを特徴とする付記５に記載の露光用マスクの検査方法。
【０１２５】
（付記１３）  前記ステップ(d6)は、
前記光電変換部と前記露光用マスクとの間隔が基準間隔の場合に予め求めておいた前記基準電圧に、前記ステップ(b)で得られた前記基準電圧が等しくなるために必要な前記アームの高さ補正量を求め、
前記高さ補正量から前記傾きを算出して行われることを特徴とする付記１２に記載の露光用マスクの検査方法。
【０１２６】
（付記１４）  前記ステップ(d7)は、前記異物の大きさの前記推定値から、前記傾き、前記露光用マスクにおける前記異物の座標、及び前記高さ補正量とで決まるサイズ補正量を減じることで行われることを特徴とする付記１３に記載の露光用マスクの製造方法。
【０１２７】
（付記１５）  露光用マスクが載せられるアームと、
前記露光用マスクに光を当てる光源と、
前記光が当てられたときに前記露光用マスクが放つ散乱光を電圧に変換する光電変換部と、
前記アームの高さを調節する高さ調節機構と、
前記アームの水平面からの傾きを調節する傾き調節機構と、
前記光電変換部からの出力電圧が入力されると共に、前記高さ調節機構と前記傾き調節機構とを制御する制御部とを有し、
前記制御部が、
前記アームに載せられ、主面に粒状の基準サンプルが設けられた露光用マスクの該基準サンプルに前記光源の光を当て、該基準サンプルからの散乱光の強度を、前記光電変換部において基準電圧に変換し、
前記露光用マスクにおいて露光用パターンが形成されている領域に前記光源の光を当て、該領域に存在する異物からの散乱光の強度を、前記光電変換部において測定電圧に変換し、
前記測定電圧に基づいて前記異物の大きさの推定値を求め、
前記推定値が前記異物の実際の大きさに等しくなるように、前記基準電圧を用いて校正を行なうことを特徴とする露光用マスクの検査装置。
【０１２８】
（付記１６）  前記校正は、前記光電変換部と前記露光用マスクとの間隔が基準間隔の場合に予め求めておいた前記基準電圧に、前記基準サンプルの基準電圧が等しくなるように、前記制御部が前記高さ調節機構を制御することにより前記アームの高さを調節して行われることを特徴とする付記１５に記載の露光用マスクの検査装置。
【０１２９】
（付記１７）  前記校正は、前記光電変換部と前記露光用マスクとの間隔が基準間隔の場合に予め求めておいた前記基準電圧と、前記基準サンプルの前記基準電圧との差を求め、前記測定電圧に前記差を加えて校正済電圧を得ることにより行われ、
前記異物の大きさの推定値を、前記校正済電圧に基づいて求めることを特徴とする付記１５に記載の露光用マスクの検査装置。
【０１３０】
（付記１８）  前記校正は、前記主面の四隅に設けられた前記基準サンプルのそれぞれの前記基準電圧に基づいて前記露光用マスクの水平面からの傾きを求め、前記傾きが無くなるように、前記制御部が前記傾き調節機構を制御することにより前記アームの傾きを調節し、前記露光用マスクを水平にすることにより行われることを特徴とする付記１５に記載の露光用マスクの検査装置。
【０１３１】
（付記１９）  前記校正は、前記主面の四隅に設けられた前記基準サンプルのそれぞれの前記基準電圧に基づいて、前記露光用マスクの水平面からの傾きを求め、該傾きに基づいて前記異物の大きさの前記推定値を補正して行われることを特徴とする付記１５に記載の露光用マスクの検査装置。
【図面の簡単な説明】
【０１３２】
【図１】図１は、従来例に係る異物検査装置の側面図である。
【図２】図２は、本発明の実施の形態で使用される露光装置の構成図である。
【図３】図３は、本発明の実施の形態に係る異物検査装置と露光用マスクの斜視図である。
【図４】図４は、本発明の実施の形態で使用される両面ペリクルタイプの露光用マスクの全体斜視図である。
【図５】図５は、本発明の実施の形態で使用される片面ペリクルタイプの露光用マスクの全体斜視図である。
【図６】図６は、本発明の実施の形態に係る露光用マスクの検査方法のフローチャートである。
【図７】図７は、本発明の実施の形態において、検査の最中の露光用マスクと検査装置の側面図である。
【図８】図８は、本発明の実施の形態において使用される「測定電圧−異物大きさテーブル」の模式図である。
【図９】図９は、本発明の実施の形態の第１例で使用される「基準電圧−高さ補正量テーブル」の模式図である。
【図１０】図１０は、本発明の実施の形態の第２例におけるステップＰ４の詳細を示すフローチャートである。
【図１１】図１１は、本発明の実施の形態の第３例におけるステップＰ４を説明するための斜視図である。
【図１２】図１２は、本発明の実施の形態の第３例におけるステップＰ４の詳細を示すフローチャートである。
【図１３】図１３は、本発明の実施の形態の第４例におけるステップＰ４の詳細を示すフローチャートである。
【図１４】図１４は、本発明の実施の形態の第４例におけるステップＰ４を説明するための斜視図（その１）である。
【図１５】図１５は、本発明の実施の形態の第４例におけるステップＰ４を説明するための斜視図（その２）である。
【符号の説明】
【０１３３】
１０…露光用マスク、１１…レチクル、１１ａ…ガラス基板、１１ｂ…露光用パターン、１２…ペリクル、１２ａ…ペリクルフレーム。１２ｂ…防塵膜１２ｂ、２０…異物検査装置、２１…レチクルアーム、２３…イメージセンサー、２４…光源、２６…傾き調節機構、２８…水平移動機構、２９…制御部、３０…露光装置。
【図１】
2008040320.tif 000006
【図２】
2008040320.tif 000007
【図３】
2008040320.tif 000008
【図４】
2008040320.tif 000009
【図５】
2008040320.tif 000010
【図６】
2008040320.tif 000011
【図７】
2008040320.tif 000012
【図８】
2008040320.tif 000013
【図９】
2008040320.tif 000014
【図１０】
2008040320.tif 000015
【図１１】
2008040320.tif 000016
【図１２】
2008040320.tif 000017
【図１３】
2008040320.tif 000018
【図１４】
2008040320.tif 000019
【図１５】
2008040320.tif 000020