(57)【要約】【課題】半導体装置の製造歩留まりを向上し、製造コストを低減させる。【解決手段】配線基板３１上に半導体チップ２を搭載し、ボンディングワイヤ４による接続を行ってから、半導体チップ２およびボンディングワイヤ４を覆う封止樹脂５ａを形成し、配線基板３１の下面に半田ボール６を接続する。その後、切断用金型を用いた打抜き加工により、配線基板３１を切断して、個々の半導体装置に分割する。打抜き加工の際には、切断用金型のパンチ４９に超音波振動を印加し、超音波振動を印加したパンチ４９により、配線基板３１を打抜き加工する。【選択図】図１０
2008071873.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）配線基板を準備する工程、
（ｂ）前記配線基板の第１主面上に半導体チップを搭載する工程、
（ｃ）前記（ｂ）工程後、前記配線基板を切断する工程、
を有し、
前記（ｃ）工程では、超音波振動を印加したパンチにより、前記配線基板を打抜くことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｂ）工程後で、前記（ｃ）工程前に、
（ｂ１）前記半導体チップの複数の第１電極を前記配線基板の複数の第２電極に電気的に接続する工程、
を更に有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｂ）工程後で、前記（ｃ）工程前に、
（ｂ２）前記配線基板の前記第１主面上に前記半導体チップを覆うように封止樹脂を形成する工程、
を更に有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項３記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｃ）工程では、前記封止樹脂が形成されていない領域で前記配線基板を打抜くことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項３記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ａ）工程で準備された前記配線基板は、そこからそれぞれ半導体装置が製造される複数の単位基板領域を有し、
前記（ｂ）工程では、前記配線基板の前記第１主面の前記各単位基板領域上に前記半導体チップが搭載され、
前記（ｂ２）工程では、前記配線基板の前記第１主面の前記各単位基板領域上に、前記各単位基板領域の前記半導体チップを覆うように、前記封止樹脂を形成し、
前記（ｃ）工程では、前記各単位基板領域の間の領域に沿って、前記配線基板を切断することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項５記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｂ２）工程では、前記配線基板の前記第１主面の前記各単位基板領域上に前記封止樹脂を形成し、前記配線基板のうち、前記（ｃ）工程で切断される領域上には、前記封止樹脂が形成されないことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記配線基板は、ガラスエポキシ樹脂基板であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記配線基板は、フレキシブル配線基板であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｂ）工程後で、前記（ｃ）工程前に、
（ｂ３）前記配線基板の前記第１主面とは反対側の第２主面に、外部接続用端子を形成する工程、
を更に有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項９記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｂ３）工程で形成される前記外部接続用端子は、半田からなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１０記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｂ３）工程で形成される前記外部接続用端子は、半田ボールであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｂ）工程では、前記配線基板の前記第１主面上に、弾性体を介して前記半導体チップを搭載し、
前記（ｃ）工程では、超音波振動を印加したパンチにより、前記配線基板および前記弾性体を打抜くことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１２記載の半導体装置の製造方法において、
前記弾性体はエラストマであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項１２記載の半導体装置の製造方法において、
前記配線基板は、フレキシブル配線基板であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
請求項１２記載の半導体装置の製造方法において、
前記配線基板は、ポリイミドを主層とするフレキシブル配線基板であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｃ）工程では、前記配線基板を打抜く際の前記パンチの進行方向に平行な方向の超音波振動が、前記パンチに印加されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
（ａ）配線基板を準備する工程、
（ｂ）前記配線基板の第１主面上に半導体チップを搭載する工程、
（ｃ）前記（ｂ）工程後、切断用ダイに前記配線基板を配置してパンチで打抜くことにより前記配線基板を切断する工程、
を有し、
前記（ｃ）工程では、前記切断用ダイまたは前記パンチに超音波振動を印加しながら、前記配線基板の打抜きを行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１８】
請求項１７記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｃ）工程では、前記パンチに超音波振動を印加しながら、前記配線基板の打抜きを行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１９】
（ａ）リードフレームを準備する工程、
（ｂ）前記リードフレームのチップ搭載部上に複数の電極を有する半導体チップを搭載する工程、
（ｃ）前記リードフレームの複数のリード部と前記半導体チップの前記複数の電極とを複数のワイヤを介して電気的に接続する工程、
（ｄ）前記半導体チップ、前記チップ搭載部、前記複数のワイヤおよび前記複数のリード部を封止する封止樹脂部を形成する工程、
を有し、
前記リードフレームは、前記複数のリード部を連結するタイバーを有し、
前記（ｄ）工程後に、
（ｅ）超音波振動を印加したパンチにより、前記リードフレームの前記タイバーを打抜く工程、
を更に有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特に、配線基板に半導体チップを搭載してから配線基板を切断する工程を有する半導体装置の製造方法に適用して有効な技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
配線基板上に半導体チップを搭載し、半導体チップの電極と配線基板の接続端子をボンディングワイヤで電気的に接続し、半導体チップおよびボンディングワイヤを樹脂封止し、配線基板の裏面に半田ボールを接続することで、半導体パッケージ形態の半導体装置が製造される。
【０００３】
特開２００２−１１０８５４号公報（特許文献１）には、半導体基板表面に設けられた電極パッド上にバンプを形成する工程と、前記基板表面に絶縁材を設ける工程と、前記絶縁材表面に前記バンプを露出させる工程と、前記絶縁材表面に導電性箔を設ける工程と、前記導電性箔をパターニングして前記バンプに電気的に接続された配線層を形成する工程とを有する半導体装置の製造方法に関する技術が記載されている。
【特許文献１】特開２００２−１１０８５４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明者の検討によれば、次のことが分かった。
【０００５】
まず、主面に複数のデバイス領域が形成された多数個取り配線基板を準備し、前記複数のデバイス領域それぞれに半導体チップを固定（搭載）し、前記半導体チップ固定（搭載）後、それぞれの半導体チップを個々に樹脂封止し、隣り合う封止体の間の配線基板領域を切断して前記デバイス領域ごとに分割することで得られる半導体装置の製造方法において、樹脂封止後に配線基板を切断する手法として、ダイシングブレードを用いることが考えられる。この場合、樹脂封止した配線基板をパッケージ固定テープ（ダイシングテープ）に貼り付けて固定したり、あるいは固定用治具などで固定した状態で、回転するダイシングブレードを配線基板に接触させて、配線基板を切断する。
【０００６】
しかしながら、配線基板のコア材は、複数のガラス繊維を、例えばＢＴレジン（樹脂）で固定している構造であるため、ダイシングブレードを用いて配線基板を切断しようとした場合、ダイシングブレードの目に配線基板の樹脂が目詰まりしてしまい、切断性が低下する。そのため、ダイシングブレードの洗浄も頻繁に必要となり、半導体装置のスループットが低下してしまう。
【０００７】
また、ダイシングブレードを用いて切断する場合、配線基板における封止体が形成された面とは反対側の面には、複数の外部端子（半田ボール）が形成されているため、樹脂封止工程により形成した封止体側をパッケージ固定テープや固定用治具などで固定した状態で行う。そのため、切断領域に封止体が形成されていないと、切断される配線基板の領域がパッケージ固定テープや固定用治具などで固定されない状態（浮いた上体）となっているため、ダイシングブレードの切断応力により配線基板が振動してしまい、安定した状態で切断することが困難である。
【０００８】
そこで、配線基板を切断する別の手法として、金型を用いた打抜き加工を適用することが考えられる。金型を用いた打抜き加工は、切断用ダイとパンチガイドにより被加工物を上下から挟み、パンチと切断用ダイで被加工物を打抜き加工する。しかしながら、金型による切断方式の場合、切断刃は一方向にしか動かないため、打ち抜き時の切断負荷がダイシングブレード方式に比べ高くなる。そのため、個片化された半導体装置にクラックやバリが発生しやすく、半導体装置の製造歩留まりが低下してしまう。また、半導体装置だけでなく、切断刃に対しても負荷が生じ易いため、切断刃は磨耗し易く、切断刃の交換頻度が高い。切断刃の交換を行うためには、切断装置を止めて作業しなければならないため、半導体装置の生産性が低下してしまう。また、被加工物が、例えばポリイミドやエラストマのような軟らかい材料の場合、切断刃を進入させても被加工物が折れ曲がってしまい、うまく打抜き加工できなくなる。
【０００９】
本発明の目的は、半導体装置の製造コストを低減できる技術を提供することにある。
【００１０】
また、本発明の目的は、半導体装置の製造歩留まりを向上させることができる技術を提供することにある。
【００１１】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
【００１３】
本発明は、配線基板に半導体チップを搭載してから配線基板を切断するに際して、超音波振動を印加したパンチにより前記配線基板を打抜くものである。
【００１４】
また、本発明は、配線基板に半導体チップを搭載してから、切断用ダイに前記配線基板を配置してパンチで打抜くことにより前記配線基板を切断するに際して、前記切断用ダイまたは前記パンチに超音波振動を印加しながら前記配線基板の打抜きを行うものである。
【００１５】
また、本発明は、リードフレームのチップ搭載部上に半導体チップし、樹脂封止を行った後、超音波振動を印加したパンチにより、前記リードフレームのタイバーを打抜くものである。
【発明の効果】
【００１６】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。
【００１７】
半導体装置の製造コストを低減することができる。
【００１８】
また、半導体装置の製造歩留まりを向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下の実施の形態においては便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明等の関係にある。また、以下の実施の形態において、要素の数等（個数、数値、量、範囲等を含む）に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも良い。さらに、以下の実施の形態において、その構成要素（要素ステップ等も含む）は、特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。同様に、以下の実施の形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうでないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。このことは、上記数値および範囲についても同様である。
【００２０】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。また、以下の実施の形態では、特に必要なとき以外は同一または同様な部分の説明を原則として繰り返さない。
【００２１】
また、実施の形態で用いる図面においては、断面図であっても図面を見易くするためにハッチングを省略する場合もある。また、平面図であっても図面を見易くするためにハッチングを付す場合もある。
【００２２】
（実施の形態１）
本発明の一実施の形態の半導体装置およびその製造方法（製造工程）を図面を参照して説明する。
【００２３】
図１は、本発明の一実施の形態である半導体装置１の下面図、図２は半導体装置１の要部断面図（部分拡大断面図）、図３は、半導体装置１の断面図（全体断面図、側面断面図）である。図１のＡ−Ａ線の断面が図３にほぼ対応し、図３の端部近傍領域の拡大図が図２にほぼ対応する。
【００２４】
図１〜図３に示される本実施の形態の半導体装置１は、半導体チップ２が配線基板３に搭載（接合、接続、実装）された半導体装置（半導体パッケージ）である。半導体装置１は、例えば、ＢＧＡ（Ball Grid Array）形態の半導体装置や、あるいはチップサイズもしくは半導体チップ２より僅かに大きい程度の小形の半導体パッケージであるＣＳＰ（Chip Size Package）形態の半導体装置である。
【００２５】
本実施の形態の半導体装置１は、半導体チップ２と、半導体チップ２を支持または搭載する配線基板３と、半導体チップ２の表面の複数の電極２ａとこれに対応する配線基板３の複数の接続端子１５とを電気的に接続する複数のボンディングワイヤ４と、半導体チップ２およびボンディングワイヤ４を含む配線基板３の上面３ａを覆う封止樹脂５と、配線基板３の下面３ｂに外部端子として例えばエリアアレイ配置で設けられた複数の半田ボール６とを有している。
【００２６】
半導体チップ２は、その厚さと交差する平面形状が正方形であり、例えば、単結晶シリコンなどからなる半導体基板（半導体ウエハ）の主面に種々の半導体素子または半導体集積回路を形成した後、必要に応じて半導体基板の裏面研削を行ってから、ダイシングなどにより半導体基板を各半導体チップ２に分離したものである。半導体チップ２は、互いに対向する表面（半導体素子形成側の主面、上面）２ｂおよび裏面（半導体素子形成側の主面とは逆側の主面、下面）２ｃを有し、その表面２ｂが上方を向くように配線基板３上面（チップ支持面）３ａ上に搭載（配置）され、半導体チップ２の裏面２ｃが配線基板３の上面３ａに接着材（ダイボンド材、接合材）８を介して接着され固定されている。接着材８は、例えば絶縁性または導電性のペースト材やフィルム状の接着材（ダイボンディングフィルム、ダイアタッチフィルム）などを用いることができる。接着材８の厚みは、例えば２０〜３０μｍ程度とすることができる。半導体チップ２は、その表面２ｂに、複数の電極（ボンディングパッド、パッド電極、端子）２ａを有しており、電極２ａは、半導体チップ２内部または表層部分に形成された半導体素子または半導体集積回路に電気的に接続されている。
【００２７】
配線基板３は、一方の主面である上面（第１主面）３ａと、上面３ａの反対側の主面である下面（第２主面）３ｂと、上面３ａに形成された複数の接続端子１５と、下面３ｂに形成された複数のランド（ランド部）１６とを有している。
【００２８】
配線基板３は、複数のガラス繊維を、例えばＢＴレジン（樹脂）で固定した絶縁性の基材層（ガラスエポキシ系樹脂基板、絶縁基板、コア材）１１と、基材層１１の上面１１ａおよび下面１１ｂ上に形成された導体層（導体パターン、導体膜パターン、配線層）１２と、基材層１１の上面１１ａおよび下面１１ｂ上に導体層１２を覆うように形成された絶縁層（絶縁体層、絶縁膜）としてのソルダレジスト層（絶縁膜、半田レジスト層）１４とを有している。他の形態として、配線基板３を、複数の絶縁層と複数の配線層とを積層した多層配線基板により形成することもできる。
【００２９】
導体層１２はパターン化されており、配線基板３の端子、配線または配線層となる導体パターンである。導体層１２は、導電性材料からなり、例えばめっき法で形成された銅薄膜などにより形成することができる。基材層１１の上面１１ａの導体層１２により、ボンディングワイヤ４を接続するための接続端子（端子、電極、ボンディングパッド、パッド電極）１５が複数形成され、基材層１１の下面１１ｂの導体層１２により、半田ボール６を接続するための導電性のランド（電極、パッド、端子）１６が複数形成されている。また、基材層１１には複数の開口部（スルーホール、ビア、貫通孔）１７が形成されており、各開口部１７の側壁上にも導体層１２が形成されている。基材層１１の上面１１ａの接続端子１５は、基材層１１の上面１１ａの導体層１２（導体層１２からなる引き出し配線）、開口部１７の側壁上の導体層１２、および基材層１１の下面１１ｂの導体層１２を介して、基材層１１の下面１１ｂのランド１６に電気的に接続されている。従って、半導体チップ２の複数の電極２ａは、複数のボンディングワイヤ４を介して配線基板３の複数の接続端子１５に電気的に接続され、更に配線基板３の導体層１２を介して配線基板３の複数のランド１６に電気的に接続されている。ボンディングワイヤ４は、例えば金線などの金属細線からなる。
【００３０】
ソルダレジスト層１４は、導体層１２を保護する絶縁層（絶縁膜）としての機能を有しており、例えば有機系樹脂材料などの絶縁体材料からなる。また、ソルダレジスト層１４は、基材層１１の上面１１ａおよび下面１１ｂ上に導体層１２を覆うように形成されており、ソルダレジスト層１４が基材層１１の開口部１７の内部を埋めている。ソルダレジスト層１４が基材層１１の開口部１７を埋めているので、半導体チップ２を配線基板３に接合するための接着材８が開口部１７から配線基板３の下面３ｂ側に漏れてしまうのを防止することができ、また、開口部１７から半導体チップ２の裏面２ｃが露出してしまうのを防止することができる。また、配線基板３の導体層１２のうち、接続端子１５とランド１６とは、ソルダレジスト層１４の開口部１９ａ，１９ｂから露出されている。また、基材層１１の上面１１ａおよび下面１１ｂ上のソルダレジスト層１４の厚みは、例えば２０〜３０μｍ程度とすることができる。半導体チップ２は、配線基板３の上面３ａ側のソルダレジスト層１４上に、接着材８を介して搭載され接着されている。
【００３１】
複数のランド１６は、配線基板３の下面３ｂにアレイ状に配置されている。各ランド１６の隣または近くに開口部１７が形成されている。また、各ランド１６には半田ボール（ボール電極、突起電極、電極、外部端子、外部接続用端子）６が接続（形成）されている。このため、配線基板３の下面３ｂに複数の半田ボール６がアレイ状に配置されている。半田ボール６は、半導体装置１の外部端子（外部接続用端子）として機能することができる。このため、本実施の形態の半導体装置１は、配線基板３の下面３ｂの複数のランド１６上にそれぞれ形成された複数の外部接続用端子（ここでは半田ボール６）を有している。従って、半導体チップ２の複数の電極２ａは、複数のボンディングワイヤ４を介して配線基板３の複数の接続端子１５に電気的に接続され、更に配線基板３の導体層１２を介して配線基板３の複数のランド１６および複数のランド１６に接続された複数の半田ボール６に電気的に接続されている。また、半導体チップ２の電極２ａと電気的に接続していない半田ボール６は、放熱用に用いることもできる。
【００３２】
配線基板３の上下両面にソルダレジスト層１４が形成されているが、配線基板３の上面３ａに形成されたソルダレジスト層１４は、接続端子１５を露出するための開口部１９ａを有している。ソルダレジスト層１４の開口部１９ａから露出する接続端子１５に、ボンディングワイヤ４が接続されている。接続端子１５へのボンディングワイヤ４の接続を容易または確実にするために、ソルダレジスト層１４の開口部１９ａから露出する接続端子１５の上面（ボンディングワイヤ４の接続面）には金めっき層（またはニッケルめっき層（下層側）と金めっき層（上層側）の積層膜）などが形成されている。配線基板３の下面３ｂに形成されたソルダレジスト層１４は、ランド１６を露出するための開口部１９ｂを有している。ソルダレジスト層１４の開口部１９ｂから露出するランド１６に、半田ボール６が接続されている。
【００３３】
封止樹脂（封止樹脂部、封止部、封止体）５は、例えば熱硬化性樹脂材料などの樹脂材料などからなり、フィラーなどを含むこともできる。例えば、フィラーを含むエポキシ樹脂などを用いて封止樹脂５を形成することもできる。封止樹脂５は、配線基板３の上面３ａ上に半導体チップ２およびボンディングワイヤ４を覆うように形成されている。すなわち、封止樹脂５は、配線基板３の上面３ａ上に形成され、半導体チップ２およびボンディングワイヤ４を封止する。封止樹脂５により、半導体チップ２およびボンディングワイヤ４が封止され、保護される。
【００３４】
次に、本実施の形態の半導体装置の製造方法（製造工程）について説明する。
【００３５】
図４は、本実施の形態の半導体装置の製造工程を示す製造プロセスフロー図である。図５〜図１１は、本実施の形態の半導体装置の製造工程の説明図（断面図）である。なお、図５〜図１１には、同じ領域（２つの半導体装置領域３２ａに跨る領域）の各工程段階の断面が示され、図面を見易くするために、断面図であるがハッチングを省略している。
【００３６】
なお、本実施の形態では、複数の配線基板３（半導体装置領域３２ａ）がアレイ状に繋がって形成された多数個取りの配線基板（配線基板母体）３１を用いて個々の半導体装置１を製造する。この配線基板３１は、上記配線基板３の母体であり、配線基板３１を後述する切断工程で切断し、各半導体装置領域（基板領域、単位基板領域、デバイス領域）３２ａに分離したものが半導体装置１の配線基板３に対応する。配線基板３１は、そこから１つの半導体装置１が形成される領域である半導体装置領域３２ａがマトリクス状に複数配列した構成を有している。
【００３７】
まず、図５に示されるように、ガラスエポキシ系樹脂で構成された配線基板３１を準備する（ステップＳ１）。ステップＳ１では、そこからそれぞれ半導体装置１が製造される単位基板領域である半導体装置領域３２ａを複数の有する配線基板３１であって、上面３１ａ（第１主面）と、上面３１ａの反対側の下面３１ｂ（第２主面）とを有し、各半導体装置領域３２ａの上面３１ａに複数の接続端子１５を、各半導体装置領域３２ａの下面３１ｂに複数のランド１６を有する配線基板３１が準備される。
【００３８】
ステップＳ１で配線基板３１を準備した後、ダイボンディング工程（配線基板３１の上面３１ａ上に半導体チップ２を搭載する工程）を行って、図６に示されるように、配線基板３１の上面３１ａの各半導体装置領域３２ａ上に、半導体チップ２を上記接着材８を介して搭載して接合（ダイボンディング、チップマウント）する（ステップＳ２）。接着材８としては、ペースト状の接着材やフィルム状の接着材などを用いることができる。
【００３９】
次に、図７に示されるように、ワイヤボンディング工程を行って、半導体チップ２の各電極２ａ（第１電極）と、これに対応する配線基板３１に形成された接続端子１５（第２電極）とをボンディングワイヤ４を介して電気的に接続する（ステップＳ３）。すなわち、配線基板３１の上面３１ａの各半導体装置領域３２ａの複数の接続端子１５（第２電極）とその半導体装置領域３２ａ上に接合された半導体チップ２の複数の電極２ａ（第１電極）とを複数のボンディングワイヤ４を介して電気的に接続する。
【００４０】
次に、図８に示されるように、モールド工程（樹脂封止工程、樹脂成形工程、例えばトランスファモールド工程）による樹脂封止を行って、配線基板３１の上面３１ａ上に半導体チップ２およびボンディングワイヤ４を覆うように封止樹脂（封止部、一括封止部）５ａを形成し、半導体チップ２およびボンディングワイヤ４を封止樹脂５ａによって封止する（ステップＳ４）。封止樹脂５ａは、例えば熱硬化性樹脂材料などの樹脂材料などからなり、フィラーなどを含むこともできる。例えば、フィラーを含むエポキシ樹脂などを用いて封止樹脂５ａを形成することができる。
【００４１】
ステップＳ４のモールド工程では、図８に示されるように封止領域を半導体装置領域３２ａ毎に分割して半導体装置領域３２ａ毎に個別に封止樹脂５ａを形成する分割封止（個別封止）を行う。
【００４２】
図８に示されるように、配線基板３１の上面３１ａの各半導体装置領域３２ａ上に、各半導体装置領域３２ａの半導体チップ２およびボンディングワイヤ４を覆うように、封止樹脂５ａを形成する。このため、封止樹脂５ａは、配線基板３１の上面３１ａの個々の半導体装置領域３２ａを覆うように各半導体装置領域３２ａに分割して形成される。このため、半導体装置領域３２ａ上には封止樹脂５ａが形成されるが、各半導体装置領域３２ａ間の切断領域（切断ライン、ダイシング領域、ダイシングライン、各半導体装置領域３２ａの境界部）３２ｂ上には封止樹脂５ａが形成されず、配線基板３１の切断領域３２ｂの上面は、封止樹脂５ａで覆われずに露出された状態となる。
【００４３】
本実施の形態は、分割封止の場合に適用した場合、すなわち、後述する切断工程において、配線基板のみ切断する場合において、効果的である。
【００４４】
配線基板３１および配線基板３１上の封止樹脂５ａ（封止樹脂５ａ内に封止された半導体チップ２およびボンディングワイヤ４も含む）により、封止体（組立体）４１が形成される。すなわち、多数個取りの配線基板３１上に封止樹脂５ａが形成された構造体を封止体４１と呼ぶ。
【００４５】
次に、図９に示されるように、配線基板３１の下面３１ｂのランド１６に半田ボール６を接続（接合、形成）する（ステップＳ５）。ステップＳ５の半田ボール６接続工程では、例えば、配線基板３１の下面３１ｂを上方に向け、配線基板３１の下面３１ｂの各半導体装置領域３２ａの複数のランド１６上にそれぞれ半田ボール６を配置（搭載）してフラックスなどで仮固定し、リフロー処理（半田リフロー処理、熱処理）を行って半田を溶融し、半田ボール６と配線基板３１の下面３１ｂのランド１６とを接合することができる。その後、必要に応じて洗浄工程を行い、半田ボール６の表面に付着したフラックスなどを取り除くこともできる。このようにして、半導体装置１の外部端子（外部接続用端子）としての半田ボール６が接合（形成）される。
【００４６】
なお、本実施の形態では、半導体装置１の外部端子として半田ボール６を接合する場合について説明したが、これに限定されるものではなく、例えば半田ボール６の代わりに印刷法などによりランド１６上に半田を供給して半導体装置１の半田からなる外部端子（バンプ電極、半田バンプ）を形成することもできる。この場合、配線基板３１の下面の各半導体装置領域３２ａの複数のランド１６上にそれぞれ半田を供給してから、半田リフロー処理を行って、複数のランド１６上にそれぞれ半田からなる外部端子（バンプ電極、半田バンプ）を形成することができる。
【００４７】
また、半導体装置１の外部端子（ここでは半田ボール６）の材質は、鉛含有半田や鉛を含有しない鉛フリー半田を用いることができ、また、めっきにより半導体装置１の外部端子（バンプ電極）を形成することもできる。
【００４８】
このように、ステップＳ５では、配線基板３１の下面３１ｂの各半導体装置領域３２ａの複数のランド１６に、それぞれ外部接続用端子（ここでは半田ボール６）を形成する。
【００４９】
次に、必要に応じて、マーキングを行って、封止樹脂５ａの上面（表面）５ｂに製品番号などのマークを付す（ステップＳ６）。ステップＳ６では、例えば、レーザによりマーキングを行うレーザマークを行うことができるが、インクによりマーキングを行うインクマークを行うこともできる。また、ステップＳ５の半田ボール６の接続工程とステップＳ６のマーキング工程の順番を入れ換え、ステップＳ６のマーキング工程を行った後に、ステップＳ５の半田ボール６の接続工程を行うこともできる。また、不要であれば、ステップＳ６のマーキング工程を省略することもできる。
【００５０】
次に、図１０に示されるように、後述する切断用金型４２を用い、各半導体装置領域３２ａ間の切断領域３２ｂに沿って、封止体４１（配線基板３１）の切断（打抜き、パンチング、分割）を行う（ステップＳ７）。すなわち、ステップＳ７では、後述する切断用金型４２により、各半導体装置領域３２ａ間の切断領域３２ｂに沿って、封止体４１（配線基板３１）を打抜き加工（切断）するが、この際、パンチ４９に超音波振動を印加し、超音波振動を印加したパンチ４９により、封止体４１（配線基板３１）を打抜く（打抜き加工する）。なお、図１０は、ステップＳ４のモールド工程で上記図８のように分割封止を行った場合のステップ７の切断工程を示す説明図である。
【００５１】
ステップＳ７の切断工程により、図１１に示されるように、封止体４１（配線基板３１または配線基板３１および封止樹脂５ａ）が切断領域３２ｂに沿って切断されて、それぞれの半導体装置領域３２ａ（ＣＳＰ領域）が個々の（個片化された）半導体装置１に切断分離（個片化）される。すなわち、封止体４１（配線基板３１または配線基板３１および封止樹脂５ａ）が各半導体装置領域３２ａに切断されて分割され、各半導体装置領域３２ａから半導体装置１が形成される。なお、図１１は、ステップＳ４のモールド工程で上記図８のように分割封止を行った場合に、ステップ７の切断工程により半導体装置１に個片化された状態を示す説明図である。
【００５２】
図１２および図１３は、ステップＳ４のモールド工程で上記図８のように分割封止を行った場合のステップＳ７の切断工程前およびステップＳ７の切断工程中の要部断面図であり、半導体装置領域３２ａ間のダイシング領域３２ｂの近傍領域の断面（部分拡大断面図）が示されている。図１２には、ステップＳ１〜Ｓ６を行った後、ステップＳ７の切断工程を行う前の状態が示され、図１３には、ステップＳ７の切断工程中にパンチ４９で封止体４１を打抜く様子が示されている。従って、図１３は、図１０の切断領域３２ｂの近傍領域の部分拡大図に対応する。
【００５３】
ステップＳ４のモールド工程で上記図８のように分割封止を行った場合は、ステップ７では、図１２および図１３に示されるように、超音波振動を印加したパンチ４９により、切断領域３２ｂに沿って配線基板３１を打抜いて切断する。すなわち、分割封止を行った場合は、上記のように、ステップＳ４のモールド工程では、配線基板３１の上面３１ａの各半導体装置領域３２ａ上に封止樹脂５ａが形成され、配線基板３１のうち、ステップＳ７の切断工程で切断される領域（すなわち切断領域３２ｂ）上には、封止樹脂５ａが形成されない。このため、分割封止を行った場合は、配線基板３１の切断領域３２ｂ上には封止樹脂５ａが形成されないので、ステップＳ７では、封止樹脂５ａが形成されていない領域（切断領域３２ｂ）で配線基板３１を切断する（打抜く）ことになり、封止樹脂５ａは打抜かず、配線基板３１だけをパンチ４９により打抜く。
【００５４】
従って、ステップＳ７では、超音波振動を印加したパンチ４９により、少なくとも配線基板３１を打抜く（切断する）。このため、ステップＳ７は、配線基板３１を切断する工程（あるいは配線基板３１を打抜く工程）とみなすことができる。
【００５５】
このように、ステップＳ７で切断・個片化を行って、上記図１〜図３に示されるような半導体装置１を製造することができる。ステップＳ７の切断工程によって各半導体装置領域３２に切断され分離（分割）された配線基板３１が配線基板３に対応する。また、ステップＳ４のモールド工程で上記図８のように分割封止を行った場合は、各半導体装置領域３２ａ上に形成された封止樹脂５ａが、その半導体装置領域３２ａから製造された半導体装置１の封止樹脂５となる。
【００５６】
次に、本実施の形態の半導体装置の製造工程のうち、上記ステップＳ７の切断工程について、より詳細に説明する。
【００５７】
図１４は、ステップＳ７の切断工程で用いられる切断用金型４２の概念的な構造を示す説明図（要部断面図）である。図１５は、切断用金型４２による封止体４１の切断動作を説明するための説明図（断面図）である。
【００５８】
図１４に示されるように、切断用金型（打抜金型）４２は、台座（下金型、支持台）４３、天板（上金型）４４および支柱（ガイドポスト）４５を有し、台座４３の上方に天板４４が支柱４５によって同じ位置関係（平面位置）で上下動可能に支持されている。台座４３には、切断用ダイ（ダイ、切断ダイ、金型ダイ）４６が取り付けられて保持（固定）されている。天板４４と台座４３（切断用ダイ４６）との間にはパンチガイド（ストリッパ）４７が配置され、このパンチガイド４７は、天板４４に吊り下げられた状態で取り付けられており、パンチガイド４７と天板４４との間にはバネ（コイルバネ）４８が介在して作用している。また、天板４４にはパンチ（切断パンチ、切断用パンチ）４９が取り付けられている。切断用ダイ４６、パンチガイド４７およびパンチ４９は、パンチ４９が、パンチガイド４７のパンチ穴（開口部）４７ａを通って切断用ダイ４６のダイ穴（開口部、溝）４６ａ内に下降できるように位置決めされている。また、天板４４には、パンチ４９に接するように振動子（ホーン、超音波振動子）５１が取り付けられ、更に振動発信器５２が取り付けられている。
【００５９】
ステップＳ７において切断用金型４２によって封止体４１を切断するには、まず、台座４３上（切断用ダイ４６上）に封止体４１を配置してから、台座４３に対して天板４４を下降させる。これにより、図１５に示されるように、切断用ダイ４６とパンチガイド４７により封止体４１を上下から挟み、パンチ４９をパンチガイド４７のパンチ穴４７ａを通って切断用ダイ４６のダイ穴４６ａ内に下降させることで、封止体４１をパンチ４９で打抜く（打抜き加工する）ことができ、それによって、封止体４１が切断される。封止体４１においてパンチ４９が打抜く位置は、配線基板３１の切断領域３２ｂである。
【００６０】
本実施の形態では、ステップＳ７の切断工程においては、パンチ４９に超音波振動を印加しながら、超音波振動が印加されたパンチ４９により封止体４１を打抜いて切断する。
【００６１】
図１６は、切断用金型４２のうち、パンチ４９、振動子５１および振動発信器５２を示す斜視図であり、パンチ４９、振動子５１および振動発信器５２以外の構成要素は図示を省略してある。また、図１７は、パンチ４９を示す斜視図である。
【００６２】
振動発信器５２は、振動子５１に電気信号を供給して振動子５１に超音波振動を発生させるものである。振動子５１は、例えば圧電素子などであり、発生すべき超音波振動数に応じた固有振動数を有しており、この固有振動数に応じた形状や材質で構成されている。振動子５１は、例えばパンチ４９の上部に接触するように配置されており、振動発信器５２によって振動子５１に超音波振動を発生させ、振動子５１の振動をパンチ４９に伝達（伝導、供給）させて、パンチ４９を超音波振動させ、パンチ４９を微振動させることができる。また、図１６には、３つのパンチ４９が振動子５１に接するように設けられているが、切断用金型４２におけるパンチ４９の数は、３つに限定されるものではなく、必要に応じて変更可能である。また、パンチ４９の形状も、図１７の形状に限定されるものではなく、必要に応じて変更可能である。また、図１７に示されるパンチ４９の先端部（打抜き時に被加工物に接する部分）４９ａにテーパを設けるなどして、パンチ４９の先端部４９ａを尖らせることもでき、これにより、パンチ４９による封止体４１の打抜きを、より容易にすることができる。
【００６３】
図１８は、超音波振動を印加したパンチ４９による被加工物５３の切断メカニズムを説明するための説明図（要部断面図）であり、図１９は、図１８の領域５４の部分拡大図である。なお、被加工物５３は、上記封止体４１または配線基板３１に対応する。また、図１８および図１９は、図面を見易くするために、断面図であるがハッチングを省略してある。また図１９では、パンチ４９と被加工物５３における超音波振動を波線で模式的に示してある。
【００６４】
パンチ４９に超音波振動を印加することで、パンチ４９に上下方向（図１６〜図１８に示される方向５５ａに対応）または横方向（例えば図１７に示される方向５５ｂに対応）の微振動が発生する。このため、ステップＳ７の切断工程において、超音波振動が印加されたパンチ４９の先端（刃先端面）が図１８および図１９に示されるように被加工物５３（封止体４１）に押し付けられた際に、超音波振動によるパンチ４９の先端の微振動により、被加工物５３の被加工部５３ａ（パンチ４９が打抜く部分、ここでは切断領域３２ｂに対応）に微小歪が発生して局所的に疲労破壊が生じ、超音波振動が疲労破壊を加速させる。これにより、切断負荷が小さくかつ被加工部５３ａ（すなわち切断領域３２ｂ）以外の領域でのダメージが少ない状態で、被加工物５３の被加工部５３ａ（すなわち封止体４１の切断領域３２ｂ）をパンチ４９によって的確に打抜いて切断することができる。このため、被加工物５３が打抜き加工しにくいものであったとしても、超音波振動を印加したパンチ４９を用いることで、被加工物５３の被加工部５３ａ（すなわち封止体４１の切断領域３２ｂ）を的確に打抜いて切断することができる。また、超音波振動を印加したパンチ４９により被加工物５３（封止体４１）を打抜くと、切断負荷が小さいことから、打抜き（切断）に伴うクラックやバリの発生を抑制または防止でき、それによって、切断により個片化された半導体装置１におけるクラックやバリを抑制または防止できる。従って、半導体装置の製造歩留まりを向上することができる。このため、半導体装置の製造コストを低減することができる。
【００６５】
また、パンチ４９に印加する超音波振動の振動方向は、例えば、パンチ４９の上下方向（配線基板３１を切断する際のパンチ４９の進行方向に平行な方向、すなわち図１６〜図１８の方向５５ａ）またはパンチ４９の横方向（配線基板３１を切断する際のパンチ４９の進行方向に垂直な方向、例えば図１７の方向５５ｂ）などとすることができる。パンチ４９に印加する超音波振動の振動方向を、パンチ４９の上下方向とする場合は、パンチ４９の上部に振動子５１を配置すればよく、パンチ４９に印加する超音波振動の振動方向を、パンチ４９の横方向とする場合は、パンチ４９の横に振動子５１を配置すればよい。また、振動子５１をパンチ４９の上部と横に配置するなどして、パンチ４９に対して、上下方向および横方向の両方の超音波振動を印加することもできる。
【００６６】
但し、ステップＳ７においては、パンチ４９の上下方向（すなわちステップＳ７で配線基板３１（封止体４１）を打抜く際のパンチ４９の進行方向に平行な方向）の超音波振動をパンチ４９に対して印加しながらパンチ４９で被加工物５３（封止体４１、配線基板３１）を打抜くことが、より好ましい。これにより、被加工物５３（配線基板３１）の被加工部５３ａ（切断領域３２ｂ）においてパンチ４９の進行方向に平行な方向に微小歪が発生しやすくなるので、パンチ４９により被加工物５３（封止体４１）をより的確に打抜いて切断することが可能になる。
【００６７】
また、ステップＳ７の切断工程において、パンチ４９に印加する超音波振動の振動数は、例えば２０〜２００ｋＨｚを例示できる。これにより、パンチ４９により被加工物５３（封止体４１）を的確に打抜いて切断することができる。
【００６８】
また、ステップＳ７の切断工程において、パンチ４９だけでなく、切断用ダイ４６にも超音波振動を印加し、超音波振動を印加したパンチ４９と、超音波振動を印加した切断用ダイ４６とにより、封止体４１を打抜くこともできる。この場合、台座４３において、切断用ダイ４６に接する位置に振動子（切断用ダイ４６に超音波振動を供給する振動子）を設け、更にこの振動子に超音波振動を発生させる振動発信器を設ければよい。
【００６９】
また、ステップＳ７の切断工程において、パンチ４９に超音波振動を印加せず、切断用ダイ４６に超音波振動を印加して、超音波振動を印加しないパンチ４９と、超音波振動を印加した切断用ダイ４６とにより、封止体４１を打抜くこともでき、この場合も、パンチ４９および切断用ダイ４６の両者に超音波振動を印加しない場合に比べると、打抜き加工時の切断負荷を低減することができ、打ち抜きに伴うクラックやバリを抑制できる。従って、ステップＳ７において、切断用金型４２の切断用ダイ４６に封止体４１（配線基板３１）を配置してパンチ４９で打抜くことにより封止体４１（配線基板３１）を切断するに際して、切断用ダイ４６またはパンチ４９に超音波振動を印加しながら、封止体４１（配線基板３１）の打抜きを行うことができ、それにより、打抜き加工時の切断負荷を低減することができ、クラックやバリを抑制できる。
【００７０】
但し、打抜き加工時の切断負荷を低減するには、切断用ダイ４６よりもパンチ４９に超音波振動を印加することが、より有効である。このため、ステップＳ７の切断工程においては、少なくともパンチ４９に超音波振動を印加し、超音波振動を印加したパンチ４９により封止体４１を打抜き加工することが好ましい。すなわち、ステップＳ７では、パンチ４９に超音波振動を印加しながら、封止体４１（配線基板３１）の打抜きを行うことが好ましい。これにより、被加工物５３（封止体４１）において、超音波振動に起因した微小歪が、パンチ４９の進行方向に沿って発生しやすくなるので、打抜き加工時の切断負荷をより的確に減少させることができ、打抜き加工に伴うクラックやバリの発生をより的確に防止できるようになる。
【００７１】
また、上記図８のようにステップＳ４のモールド工程で分割封止を行った場合には、ステップ７の切断工程では、上記図１０および図１３に示されるように、超音波振動を印加したパンチ４９によって、切断領域３２ｂに沿って配線基板３１を切断する。この場合、封止樹脂５ａが形成されていない領域（切断領域３２ｂ）で配線基板３１を打抜くことになるので、封止樹脂５ａは打抜かず、パンチ４９により打抜くのは薄い配線基板３１だけとなり、配線基板３１が、パンチ４９によって打抜き加工される上記被加工物５３に対応することになる。従って、図１０および図１３の場合は、パンチ４９によって打抜き加工される被加工物５３の厚み（図１０の場合は配線基板３１のみの厚みに対応する）が、封止樹脂５ａと同時に切断する場合よりも薄くなる。
【００７２】
打抜き加工は、打抜き対象の被加工物５３の厚みがある程度厚い方が行い易く、被加工物５３の厚みが薄い場合には、打抜き加工の際に、被加工物５３にクラックが発生しやすくなったり、あるいは被加工物５３が切断用ダイ４６のダイ穴４６ａで折れ曲がって上手く打抜き加工できなくなったりする可能性がある。このため、上記図１０および図１３のように封止樹脂５ａは打抜かず、配線基板３１だけをパンチ４９で打抜く場合（図８のようにステップＳ４のモールド工程で分割封止を行った場合）は、パンチ４９に超音波を印加していないと、打抜き加工する被加工物５３の厚みが薄いことから、パンチ４９による打抜きの際に、配線基板３１にクラックが発生しやすくなったり、あるいは配線基板３１を上手く打抜き加工できない可能性がある。
【００７３】
それに対して、本実施の形態では、超音波振動を印加したパンチ４９によって打抜き加工を行うので、図１０および図１３のように封止樹脂５ａは打抜かず、配線基板３１だけをパンチ４９で打抜く場合でも、上記のように超音波振動による疲労破壊の作用などにより、配線基板３１でのクラックの発生を防止しながら配線基板３１を切断（打抜き加工）でき、また、配線基板３１を上手く（的確に）打抜き加工することができる。これにより、半導体装置１の製造歩留まりを向上することができる。このため、半導体装置１の製造コストを低減することができる。
【００７４】
従って、図１０および図１３のように封止樹脂５ａは打抜かずに配線基板３１をパンチ４９で打抜く場合は、超音波振動の印加がないと、打抜き加工自体が困難となりやすい。このため、配線基板３１および封止樹脂５ａを打抜き加工する場合よりも、図１０および図１３のように封止樹脂５ａは打抜かずに配線基板３１をパンチ４９で打抜く場合の方が、本実施の形態を適用し、パンチ４９に超音波振動を印加する効果は大きい。
【００７５】
また、上記図１０および図１３のように封止樹脂５ａは打抜かずに配線基板３１をパンチ４９で打抜く場合には、配線基板３１が硬いと、配線基板３１にクラックが発生しやすくなる。このため、配線基板３１がガラスエポキシ樹脂基板のような硬い配線基板の場合には、超音波振動を印加したパンチ４９によって打抜きを行うことにより、配線基板３１のクラックの発生を防止できる。
【００７６】
また、上記図１０および図１３のように封止樹脂５ａは打抜かずに配線基板３１をパンチ４９で打抜く場合には、配線基板３１が軟らかいと、配線基板３１が切断用ダイ４６のダイ穴４６ａで折れ曲がって上手く打抜き加工できなくなり、金型による打抜き加工自体が困難になりやすい。このため、配線基板３１がフレキシブル配線基板（テープ基板）、特にポリイミド（ポリイミド層）を主層（基材層１１）とするフレキシブル配線基板（テープ基板）のような軟らかい配線基板の場合には、超音波振動を印加したパンチ４９によって打抜き加工を行うことにより、配線基板（超音波印加しない場合には上手く打抜き加工できなかった配線基板）を的確に打抜き加工できるようになる。
【００７７】
このように、超音波振動を印加しない場合には上手く打抜き加工できなかった軟らかい配線基板（フレキシブル配線基板）を、超音波振動を印加したパンチ４９によって打抜き加工することにより、的確に打抜き加工できるようになる。このため、配線基板３１がフレキシブル配線基板（テープ基板）の場合、特にポリイミドを主層（基材層１１）とするフレキシブル配線基板（テープ基板）のような軟らかい配線基板の場合に本実施の形態を適用し、パンチ４９に超音波振動を印加する効果は、極めて大きい。
【００７８】
また、配線基板３１に外部端子（ここでは半田ボール６）を形成していない場合（例えばＬＧＡ（Land Grid Array）形態の半導体装置を製造する場合）には、配線基板３１に半田ボール６などの外部端子が形成されていないので、切断用ダイ４６の上面に配線基板３１の下面３１ｂのほぼ全体を接触させることができ、配線基板３１が安定した状態でパンチ４９により配線基板３１を打抜き加工することができる。それに対して、図９〜図１０などのように配線基板３１に半田ボール６などの外部端子を形成している場合、半田ボール６があるので配線基板３１の下面３１ｂ全体を切断用ダイ４６の上面に接触察せることができず、図１５のように配線基板３１の安定性が低い状態（配線基板３１が浮いた状態）でパンチ４９により配線基板３１を打抜き加工する必要がある。このため、本実施の形態とは異なり、超音波振動を印加しない場合には、配線基板３１に半田ボール６などの外部端子が形成されていない場合よりも、配線基板３１に半田ボール６などの外部端子が形成されている場合の方が、配線基板３１の打抜き加工が困難となり易い。
【００７９】
このため、本実施の形態は、配線基板３１に半田ボール６などの外部端子が形成されていない場合と、配線基板３１に半田ボール６などの外部端子が形成されている場合のいずれにも適用できるが、図９〜図１０などのように配線基板３１に半田ボール６などの外部端子が形成されている場合の方が、本実施の形態を適用し、パンチ４９に超音波振動を印加する効果は大きい。配線基板３１に半田ボール６などの外部端子を形成したことで図１５のように配線基板３１（封止体４１）の安定性が低い状態（配線基板３１が浮いた状態）で打抜き加工する場合であっても、本実施の形態のようにパンチ４９に超音波振動を印加することにより、的確に打抜き加工できるようになる。
【００８０】
また、本実施の形態では、ステップＳ７の切断工程を切断用金型による打抜き加工により行うので、回転するダイシングブレードにより配線基板を切断する場合に必要なパッケージ固定テープまたは固定用治具を用いなくて済み、また、パッケージ固定テープまたは固定用治具による固定工程が不要となる。このため、ダイシングブレードを用いる場合に比べて、切断加工プロセスの工程数が少なくてすみ、必要な人手も少なくてすむ。従って、切断工程に要する費用を低減することができる。
【００８１】
また、本実施の形態では、ステップＳ７の切断工程を切断用金型による打抜き加工により行うので、切断加工に要する時間を短縮することができる。例えば、回転するダイシングブレードによるダイシングを行う場合に比べて、切断用金型による打抜き加工を行う本実施の形態は、切断工程全体の時間を１／５程度に短縮することができる。このため、半導体装置の製造時間を短縮でき、半導体装置のスループットを向上することができる。従って、半導体装置の製造コストを低減することができる。
【００８２】
（実施の形態２）
図２０は、本実施の形態の半導体装置の製造工程を示す製造プロセスフロー図である。図２１〜図２８は、本実施の形態の半導体装置の製造工程の説明図（断面図）である。
【００８３】
まず、図２１に示されるように、配線基板としてフレキシブル配線基板（配線基板、テープ基板、ＴＡＢ基板、ＴＣＰ基板、）６１を準備する（ステップＳ１１）。フレキシブル配線基板６１は、例えばポリイミド樹脂などからなる絶縁性の基材層６２と、基材層６２の上面（主面）６２ａ上に接着材（図示せず）などを介して貼り付けられた銅箔などからなる配線（導体パターン）６３とを有している。従って、フレキシブル配線基板６１は、例えばポリイミドを主層（基材層６２）とするフレキシブル配線基板である。
【００８４】
フレキシブル配線基板６１において、基材層６２には、開口部６４，６５が設けられており、各配線６３の一方の端部であるリード部６３ａが、基材層６２の開口部６４から、開口部６４の内側に向かって突出して露出し、各配線６３の他方の端部であるランド部６３ｂが、基材層６２の開口部６５から露出されている。すなわち、基材層６２の複数の開口部６５は、それぞれ、配線６３のランド部６３ｂに平面的に重なる位置に形成されており、基材層６２の下面（上面６２ａとは反対側の主面）６２ｂからみると、基材層６２の各開口部６５から配線６３の各ランド部６３ｂが露出されている。各リード部６３ａと各ランド部６３ｂとは、基材層６２の上面６２ａに形成された配線６３の配線部を介して電気的に接続されている。
【００８５】
次に、図２２に示されるように、フレキシブル配線基板６１上にエラストマ（弾性体、弾性構造体、接着材）７１を形成する（ステップＳ１２）。この際、エラストマ７１として、フィルム状エラストマを用い、このフィルム状エラストマを打抜き、熱圧着または接着などによりフレキシブル配線基板６１に貼り付けることにより、フレキシブル配線基板６１上にエラストマ７１を形成することができる。また、印刷法などによりフレキシブル配線基板６１上にエラストマ７１を形成することもできる。
【００８６】
エラストマ７１は、例えばシリコーン樹脂または低弾性率のエポキシ樹脂などの弾性材料（弾性体）から構成されている。
【００８７】
次に、図２３に示されるように、フレキシブル配線基板６１の配線６３のリード部６３ａと半導体チップ７２の電極（ボンディングパッド、パッド電極）７２ａとの相対位置が一致するように位置合わせをして、半導体チップ７２をフレキシブル配線基板６１上のエラストマ７１上に搭載する（ステップＳ１３）。すなわち、フレキシブル配線基板７１の上面上に、弾性体であるエラストマ７１を介して半導体チップ７２を搭載する。この際、半導体チップ７２の表面（半導体素子形成側の主面、上面）７２ｂ側がエラストマ７１（フレキシブル配線基板６１）に対向する向きで、半導体チップ７２がフレキシブル配線基板６１上のエラストマ７１上に搭載される。それから、熱硬化処理などを行って、エラストマ７１を硬化させることで、エラストマ７１を介して半導体チップ７２をフレキシブル配線基板６１上に接合（搭載、接着）する。従って、エラストマ７１は、半導体チップ７２をフレキシブル配線基板６１に接合するための接着材としての機能を有している。また、エラストマ７１は、硬化処理（熱硬化処理）の後も弾性体としての機能を保持または有しており、半導体チップ７２と、製造された半導体パッケージを実装する実装基板との熱膨張係数が異なることに起因する応力を緩和する機能を有している。
【００８８】
また、本実施の形態で用いる半導体チップ７２は、上記実施の形態１の半導体チップ２とほぼ同様のものであるが、上記電極２ａに相当する電極（ボンディングパッド、パッド電極）７２ａの配置位置が異なっている。すなわち、本実施の形態で用いる半導体チップ７２は、センターパッド構造とされており、半導体チップ７２の表面７２ｂにおいて、長手方向の中央部に一列状に並んで複数の電極７２ａが形成されている。また、エラストマ７１は、エラストマ７１上に半導体チップ７２を搭載した際に、半導体チップ７２の表面７２ｂの中央部（電極７２ａが形成されている領域）以外の領域はエラストマ７１と接するが、半導体チップ７２の表面７２ｂの中央部（電極７２ａが形成されている領域）はエラストマ７１に接しない（エラストマ７１が形成されていない）ような形状を有している。
【００８９】
次に、図２４に示されるように、フレキシブル配線基板６１の各配線６３のリード部６３ａと、半導体チップ７２の各電極７２ａとを、接合して電気的に接続する（ステップＳ１４）。この際、例えば、ボンディングツール（図示せず）などを用いて、熱超音波圧着法などを用いて、フレキシブル配線基板６１の各配線６３のリード部６３ａと、半導体チップ７２の各電極７２ａとを、接合することができる。
【００９０】
次に、図２５に示されるように、フレキシブル配線基板６１の各配線６３のリード部６３ａと半導体チップ７２の各電極７２ａとの接合部分を封止する封止樹脂７５を形成する（ステップＳ１５）。例えば、エラストマ７１の側面と半導体チップ７２の表面７２ｂとによって形成される溝内に封止用の樹脂材料を流し込み、これを硬化することで、封止樹脂７５を形成することができる。フレキシブル配線基板６１のリード部６３ａと半導体チップ７２の表面７２ｂの電極７２ａとを覆うように封止樹脂７５を形成することで、フレキシブル配線基板６１の配線６３のリード部６３ａと半導体チップ７２の電極７２ａとの接合部分を保護し、前記接合部分の電気的接続の信頼性を高めることができる。封止樹脂７５は、例えば熱硬化性樹脂材料などの樹脂材料などからなり、フィラーなどを含むこともできる。例えば、フィラーを含むエポキシ樹脂などを用いて封止樹脂７５を形成することができる。
【００９１】
次に、図２５に示されるように、フレキシブル配線基板６１上（エラストマ７１上）に、半導体チップ７２を覆うように、封止樹脂７６を形成する（ステップＳ１６）。例えば、モールド工程（樹脂成形工程、例えばトランスファモールド工程）による樹脂封止を行って、フレキシブル配線基板６１上（エラストマ７１上）に、半導体チップ７２を覆うように、封止樹脂７６を形成し、半導体チップ７２を封止樹脂７６によって封止する。封止樹脂７６は、例えば熱硬化性樹脂材料などの樹脂材料などからなり、フィラーなどを含むこともできる。例えば、フィラーを含むエポキシ樹脂などを用いて封止樹脂７６を形成することができる。
【００９２】
封止樹脂７６は、半導体チップ７２の保護機能を有している。ステップＳ１５の封止樹脂７６の形成工程は、省略することもでき、この場合、封止樹脂７６は形成されないが、フレキシブル配線基板６１の配線６３のリード部６３ａと半導体チップ７２の電極７２ａとの接合部分は上記封止樹脂７５によって保護される。
【００９３】
次に、図２６に示されるように、フレキシブル配線基板６１の下面のランド部６３ｂ（基材層６２の開口部６５から露出するランド部６３ｂ）に半田ボール７７を接続（接合、形成）する（ステップＳ１７）。ステップＳ１７の半田ボール７７の接続工程は、上記実施の形態１のステップＳ５の半田ボール６接続工程とほぼ同様にして行うことができ、また半田ボール７７の材質などについても、上記半田ボール６とほぼ同様である。
【００９４】
なお、本実施の形態においても、半導体装置の外部端子として半田ボール７７を接合する場合について説明したが、これに限定されるものではなく、例えば半田ボール７７の代わりに印刷法などによりランド６３ｂ上に半田を供給してから半田リフロー処理を行うなどして半導体装置の半田からなる外部端子（バンプ電極、半田バンプ）を形成することもできる。
【００９５】
このように、ステップＳ１７では、フレキシブル配線基板６１の下面の複数のランド６３ｂに、それぞれ外部接続用端子（ここでは半田ボール７７）を形成する。
【００９６】
次に、図２７に示されるように、半導体チップ７２の外周（端部）よりもやや外側の位置で、フレキシブル配線基板６１を切断する（ステップＳ１８）。このステップＳ１８の切断工程により、フレキシブル配線基板６１およびフレキシブル配線基板６１上のエラストマ７１が切断されて、図２８に示されるように、個片化された本実施の形態の半導体装置（半導体パッケージ）１ａが製造される。
【００９７】
なお、ステップＳ１７の半田ボール７７の接続工程は、ステップＳ１８のフレキシブル配線基板６１の切断工程の後に行うこともできる。
【００９８】
本実施の形態においても、ステップＳ１８のフレキシブル配線基板６１の切断工程は、上記実施の形態１のステップＳ７の切断工程と同様にして行う。
【００９９】
すなわち、ステップＳ１８のフレキシブル配線基板６１の切断工程では、上記のような切断用金型４２を用い、パンチ４９に超音波振動を印加しながら、図２７に示されるように、超音波振動が印加されたパンチ４９によりフレキシブル配線基板６１を打抜いて切断する。なお、ステップＳ１８の切断工程におけるパンチ４９への超音波振動の印加の仕方などについては、上記実施の形態１のステップＳ７の切断工程におけるパンチ４９への超音波の印加とほぼ同様にして行うことができるので、ここではその説明は省略する。
【０１００】
フレキシブル配線基板６１の切断予定領域上にエラストマ７１が形成されていない場合には、ステップＳ１８の切断工程では、超音波振動が印加されたパンチ４９によりフレキシブル配線基板６１を打抜き加工して切断する。この場合、フレキシブル配線基板６１が上記実施の形態１で説明した被加工物５３に対応する。フレキシブル配線基板６１の切断予定領域上にエラストマ７１が形成されている場合には、ステップＳ１８の切断工程では、超音波振動が印加されたパンチ４９によりフレキシブル配線基板６１とエラストマ７１を打抜き加工して切断する。この場合、フレキシブル配線基板６１とエラストマ７１との積層体が上記実施の形態１で説明した被加工物５３に対応する。
【０１０１】
フレキシブル配線基板６１は、可撓性を有しているため、軟らかい。更に、エラストマ７１は、弾性体（弾性材料）により構成されているので、軟らかい。上記実施の形態１で説明したように、打抜き加工を行う場合、被加工物が軟らかいと、金型による打抜き加工自体が困難になりやすいため、ステップＳ１８で被加工物となるフレキシブル配線基板６１およびエラストマ７１は、打抜き加工が難しいものである。
【０１０２】
しかしながら、上記実施の形態１のステップＳ７と同様に、本実施の形態のステップＳ１８においても、超音波振動を印加したパンチ４９によって打抜き加工を行うことにより、金型による打抜き加工自体が困難であったフレキシブル配線基板６１およびエラストマ７１を的確に打抜き加工できるようになる。本実施の形態では切断対象（被加工物）となるフレキシブル配線基板６１およびエラストマ７１は、いずれも軟らかいものであるため、パンチ４９に超音波振動を印加し、超音波振動が印加されたパンチ４９によりフレキシブル配線基板６１およびエラストマ７１を打抜き加工（切断）する効果は、極めて大きい。
【０１０３】
また、上記実施の形態１と同様に、本実施の形態においても、超音波振動を印加したパンチ４９によって打抜き加工を行うことにより、切断に伴うクラックやバリの発生を抑制または防止でき、それによって、切断により個片化された半導体装置１ａにおけるクラックやバリを抑制または防止できる。このため、半導体装置の製造歩留まりを向上することができる。従って、半導体装置の製造コストを低減できる。
【０１０４】
また、上記実施の形態１と同様に、本実施の形態においても、ステップＳ１８の切断工程を切断用金型による打抜き加工により行うので、切断加工に要する時間を短縮することができる。例えば、回転するダイシングブレードなどによるダイシングを行う場合に比べて、切断用金型による打抜き加工を行う本実施の形態は、切断工程全体の時間を１／５程度に短縮することができる。このため、半導体装置の製造時間を短縮でき、半導体装置のスループットを向上することができる。従って、半導体装置の製造コストを低減することができる。
【０１０５】
（実施の形態３）
図２９は、本実施の形態の半導体装置の製造工程を示す製造プロセスフロー図である。図３０〜図３７は、本実施の形態の半導体装置の製造工程の説明図（断面図）である。図３０〜図３７のうち、図３０、図３２、図３４および図３６は要部平面図、図３１、図３３、図３５および図３７は要部断面図である。図３０（要部平面図）と図３１（要部断面図）とは同じ工程段階に対応し、図３２（要部平面図）と図３３（要部断面図）とは同じ工程段階に対応し、図３４（要部平面図）と図３５（要部断面図）とは同じ工程段階に対応する。
【０１０６】
本実施の形態は、リードフレームを用いて半導体装置（半導体パッケージ）を製造する場合である。
【０１０７】
まず、図３０および図３１に示されるように、リードフレーム８１を準備する（ステップＳ２１）。リードフレーム８１は、例えば、銅または銅合金、あるいは４２−アロイなどの導電体材料からなる。リードフレーム８１は、半導体チップを搭載するためのタブ（チップ搭載部、ダイパッド部、アイランド）８２と、複数のリード部８３とを有している。各リード部８３は、一端がタブ８２と離間して対向するように配置され、他端がリードフレーム８１のフレーム枠（図示せず）と接続している。また、タブ８２は、タブ８２の四隅に接続された吊りリード（図示せず）によって、リードフレーム８１のフレーム枠（図示せず）に支持されている。各リード部８３は、後で封止樹脂（後述する封止樹脂８８）を形成した際に封止樹脂内に位置するインナリード部８３ａと、後で封止樹脂（後述する封止樹脂８８）を形成した際に封止樹脂の外部に位置するアウタリード部８３ｂとを有している。リードフレーム８１は、更に、複数のリード部８３を連結するタイバー（ダムバー、連結部）８６を有しており、隣り合うリード部８３のアウタリード部８３ｂ同士は、タイバー８６で連結されている。
【０１０８】
次に、ダイボンディング工程を行って、図３２および図３３に示されるように、リードフレーム８１のタブ８２（チップ搭載部）上に半導体チップ２を銀ペーストまたは絶縁ペーストなどの接合材（図示せず）を介して搭載して接合（ダイボンディング、チップマウント）する（ステップＳ２２）。本実施の形態で用いる半導体チップ２は、上記実施の形態１の半導体チップ２とほぼ同様のものであるので、ここではその説明は省略する。
【０１０９】
次に、ワイヤボンディング工程を行って、半導体チップ２の複数の電極２ａとリードフレーム８１の複数のリード部８３のインナリード部８３ａの上面とを、複数のボンディングワイヤ（ワイヤ、導電性ワイヤ、導電性接続部材）８７を介してそれぞれ電気的に接続する（ステップＳ２３）。
【０１１０】
次に、図３４および図３５に示されるように、モールド工程（樹脂成形工程、例えばトランスファモールド工程）による樹脂封止を行って、半導体チップ２およびそれに接続された複数のボンディングワイヤ８７を封止樹脂（封止樹脂部、封止部、封止体）８８によって封止する（ステップＳ２４）。この際、リード部８３のインナリード部８３ａとタブ８２も封止樹脂８８によって封止される。すなわち、ステップＳ２４のモールド工程によって、半導体チップ２、タブ８２、複数のリード部８３のインナリード部８３ａ、および複数のワイヤ８７を封止する封止樹脂８８が形成される。封止樹脂８８は、例えば熱硬化性樹脂材料などの樹脂材料などからなり、フィラーなどを含むこともできる。例えば、フィラーを含むエポキシ樹脂などを用いて封止樹脂８８を形成することができる。
【０１１１】
次に、図３６に示されるように、リードフレーム８１のタイバー８６を切断する（ステップＳ２５）。
【０１１２】
上記図３０、図３２および図３４に示されるように、隣り合うリード部８３のアウタリード部８３ｂ同士は、タイバー８６で連結されている。タイバー８６を設けたことにより、製造工程中にリード部８３が個別に動いて隣り合うリード部８３同士が近接してしまうのを防止できるので、封止樹脂８８を形成した際に、封止樹脂８８内で隣り合うリード部８３のインナリード部８３ａ同士が接触して短絡するのを防止できる。また、タイバー８６は、封止樹脂８８を形成する際に樹脂流出防止機能も有している。
【０１１３】
しかしながら、製造された半導体装置においては、リード部８３同士は電気的に分離されている必要があるので、ステップＳ２４で封止樹脂８８を形成した後に、封止樹脂８８の外部に位置するリード部８３のアウタリード部８３ｂ同士を連結するタイバー８６を切断する必要がある。このため、リードフレーム８１を切断するに際して、まずステップＳ２５の切断工程で、リードフレーム８１のタイバー８６の切断を行う。
【０１１４】
ステップＳ２５のリードフレーム８１のタイバー８６の切断（打抜き）工程により、図３６に示されるように、隣り合うリード部８３同士は分離された状態となる。
【０１１５】
その後、リードフレーム８１のリード部８３を所定の位置で切断してリードフレーム８１のフレーム枠（図示せず）から分離し、封止樹脂８８から突出するリード部８３（アウタリード部８３ｂ）を折り曲げ加工（リード加工）する（ステップＳ２６）。これにより、図３７に示されるような個片化された本実施の形態の半導体装置（半導体パッケージ）１ｂが得られる（製造される）。
【０１１６】
図３８は、ステップＳ２４の封止樹脂８８の形成工程後で、ステップＳ２５のタイバー８６の切断工程前の状態を示す要部断面図であり、図３４のＢ−Ｂ線の断面に対応するものである。図３９は、ステップＳ２５の切断工程中の要部断面図であり、図３８と同じ断面領域が示され、パンチ４９でタイバー８６を打抜く様子が示されている。
【０１１７】
本実施の形態においても、ステップＳ２５のリードフレーム８１のタイバー８６の切断工程は、上記実施の形態１のステップＳ７の切断工程と同様にして行う。
【０１１８】
すなわち、ステップＳ２５のリードフレーム８１のタイバー８６の切断工程では、上記のような切断用金型４２を用い、パンチ４９に超音波振動を印加しながら、図３８および図３９に示されるように、超音波振動が印加されたパンチ４９によりリードフレーム８１のタイバー８６を打抜いて切断する。なお、ステップＳ２５の切断工程におけるパンチ４９への超音波振動の印加の仕方などについては、上記実施の形態１のステップＳ７の切断工程におけるパンチ４９への超音波の印加とほぼ同様にして行うことができるので、ここではその説明は省略する。
【０１１９】
ステップＳ２５の切断工程では、リードフレーム８１のタイバー８６を打抜く。この際、タイバー８６の切断面（すなわちタイバー８６切断後のアウタリード部８３ｂの側面）で、バリやクラックが発生する可能性がある。
【０１２０】
しかしながら、上記実施の形態１のステップＳ７と同様に、本実施の形態のステップＳ２５においても、超音波振動を印加したパンチ４９によってリードフレーム８１のタイバー８６を打抜くことにより、リードフレーム８１のタイバー８６の切断に伴うクラックやバリの発生を抑制または防止でき、それによって、製造後の半導体装置１ｂのアウタリード部８３ｂにおけるバリやクラックを抑制または防止できる。このため、半導体装置の製造歩留まりを向上することができる。従って、半導体装置の製造コストを低減できる。
【０１２１】
また、タイバー８６は、封止樹脂８８を形成する際の樹脂流出防止機能も有しているため、ステップＳ２４で封止樹脂８８を形成した際には、封止樹脂８８形成用の樹脂がタイバー８６近辺まで流出した状態となる。このため、ステップＳ２５のタイバー８６の切断工程では、タイバー８６近辺まで流出した樹脂も一緒にパンチ４９によって打抜かれることになる。樹脂は、リードフレーム８１を構成する金属に比べて軟らかい材料であるため、パンチ４９によって打抜かれた樹脂が、除去されずに、パンチ４９や切断用ダイ４６に付着した状態になりやすい。パンチ４９によって打抜かれた樹脂がパンチ４９や切断用ダイ４６に付着したままタイバー８６の打抜き加工を繰り返すと、パンチ４９や切断用ダイ４６が磨耗しやすくなり、パンチ４９や切断用ダイ４６の寿命が短くなる可能性がある。これは、パンチ４９や切断用ダイ４６の交換サイクルを早め、半導体装置の製造コストを増大させてしまう。
【０１２２】
それに対して、本実施の形態では、ステップＳ２５において、パンチ４９に超音波振動を印加しながらタイバー８６の打抜きを行うので、パンチ４９によって打抜かれた樹脂は、超音波振動の作用によってパンチ４９や切断用ダイ４６から速やかに除去される。このため、パンチ４９によって打抜かれた樹脂がパンチ４９や切断用ダイ４６に付着しなくなるので、パンチ４９や切断用ダイ４６の磨耗を抑制でき、パンチ４９や切断用ダイ４６の寿命を長くすることができる。従って、パンチ４９や切断用ダイ４６の交換サイクルを長くでき、半導体装置の製造コストを低減することができる。
【０１２３】
以上、本発明者によってなされた発明をその実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。
【産業上の利用可能性】
【０１２４】
本発明は、配線基板に半導体チップを搭載した半導体パッケージ形態の半導体装置の製造方法に適用して有効である。
【図面の簡単な説明】
【０１２５】
【図１】本発明の一実施の形態である半導体装置の下面図である。
【図２】本発明の一実施の形態である半導体装置の要部断面図である。
【図３】本発明の一実施の形態である半導体装置の断面図である。
【図４】本発明の一実施の形態である半導体装置の製造工程を示す製造プロセスフロー図である。
【図５】本発明の一実施の形態の半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
【図６】図５に続く半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
【図７】図６に続く半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
【図８】図７に続く半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
【図９】図８に続く半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
【図１０】図９に続く半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
【図１１】図１０に続く半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
【図１２】分割封止を行った場合の切断工程前の要部断面図である。
【図１３】分割封止を行った場合の切断工程中の要部断面図である。
【図１４】本発明の一実施の形態の半導体装置の製造工程で用いられる切断用金型の概念的な構造を示す説明図である。
【図１５】図１４の切断用金型による封止体の切断動作の説明図である。
【図１６】図１４の切断用金型のうち、パンチ、振動子および振動発信器を示す斜視図である。
【図１７】図１４の切断用金型のうちのパンチを示す斜視図である。
【図１８】超音波振動を印加したパンチによる被加工物の切断メカニズムの説明図である。
【図１９】図１８の部分拡大図である。
【図２０】本発明の他の実施の形態の半導体装置の製造工程を示す製造プロセスフロー図である。
【図２１】本発明の他の実施の形態の半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図２２】図２１に続く半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
【図２３】図２２に続く半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
【図２４】図２３に続く半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
【図２５】図２４に続く半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
【図２６】図２５に続く半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
【図２７】図２６に続く半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
【図２８】図２７に続く半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
【図２９】本発明の他の実施の形態の半導体装置の製造工程を示す製造プロセスフロー図である。
【図３０】本発明の他の実施の形態の半導体装置の製造工程中の要部平面図である。
【図３１】図３０と同じ半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
【図３２】図３０に続く半導体装置の製造工程中の要部平面図である。
【図３３】図３２と同じ半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
【図３４】図３２に続く半導体装置の製造工程中の要部平面図である。
【図３５】図３４と同じ半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
【図３６】図３４に続く半導体装置の製造工程中の要部平面図である。
【図３７】図３６に続く半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
【図３８】封止樹脂の形成工程後で、タイバー切断工程前の状態を示す要部断面図である。
【図３９】タイバー切断工程中の要部断面図である。
【符号の説明】
【０１２６】
１，１ａ，１ｂ  半導体装置
２  半導体チップ
２ａ  電極
２ｂ  表面
２ｃ  裏面
３  配線基板
３ａ  上面
３ｂ  下面
４  ボンディングワイヤ
５，５ａ  封止樹脂
５ｂ  上面
６  半田ボール
８  接着材
１１  基材層
１１ａ  上面
１１ｂ  下面
１２  導体層
１４  ソルダレジスト層
１５  接続端子
１６  ランド
１９ａ，１９ｂ  開口部
３１  配線基板
３１ａ  上面
３１ｂ  下面
３２ａ  半導体装置領域
３２ｂ  切断領域
４１  封止体
４２  切断用金型
４３  台座
４４  天板
４５  支柱
４６  切断用ダイ
４６ａ  ダイ穴
４７  パンチガイド
４７ａ  パンチ穴
４８  バネ
４９  パンチ
５１  振動子
５２  振動発信器
５３  被加工物
５３ａ  被加工部
５４  領域
５５ａ，５５ｂ  方向
６１  フレキシブル配線基板
６２  基材層
６２ａ  上面
６３  配線
６３ａ  リード部
６３ｂ  ランド部
６４，６５  開口部
７１  エラストマ
７２  半導体チップ
７２ａ  電極
７２ｂ  表面
７５  封止樹脂
７６  封止樹脂
７７  半田ボール
８１  リードフレーム
８２  タブ
８３  リード部
８３ａ  インナリード部
８３ｂ  アウタリード部
８６  タイバー
８７  ボンディングワイヤ
８８  封止樹脂
【図１】
2008071873.tif 000003
【図２】
2008071873.tif 000004
【図３】
2008071873.tif 000005
【図４】
2008071873.tif 000006
【図５】
2008071873.tif 000007
【図６】
2008071873.tif 000008
【図７】
2008071873.tif 000009
【図８】
2008071873.tif 000010
【図９】
2008071873.tif 000011
【図１０】
2008071873.tif 000012
【図１１】
2008071873.tif 000013
【図１２】
2008071873.tif 000014
【図１３】
2008071873.tif 000015
【図１４】
2008071873.tif 000016
【図１５】
2008071873.tif 000017
【図１６】
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【図１７】
2008071873.tif 000019
【図１８】
2008071873.tif 000020
【図１９】
2008071873.tif 000021
【図２０】
2008071873.tif 000022
【図２１】
2008071873.tif 000023
【図２２】
2008071873.tif 000024
【図２３】
2008071873.tif 000025
【図２４】
2008071873.tif 000026
【図２５】
2008071873.tif 000027
【図２６】
2008071873.tif 000028
【図２７】
2008071873.tif 000029
【図２８】
2008071873.tif 000030
【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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