(57)【要約】【課題】トランスと半導体素子とが一体化された電源モジュールにおいて、トランスのコイル部の放熱性を向上させることを目的とする。【解決手段】上記目的を達成するため本発明は、第１の放熱板８と、この第１の放熱板８と一体化された、トランス９および半導体素子１０、１１とを備え、トランス９は、コア部１２と、このコア部１２を軸として磁界を発生させるコイル部１３とを有し、このコイル部１３の一面と第１の放熱板８とが熱的に接合され、コイル部１３の他面には第２の放熱板１７が熱的に接合されているものである。  これにより本発明は、トランス９と半導体素子１０、１１とが一体化された電源モジュール７において、第２の放熱板１７でコイル部１３の熱を効率よく放出することができ、コイル部１３の放熱性を向上させることが出来る。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の放熱板と、
この第１の放熱板と一体化された、トランスおよび半導体素子とを備え、
前記トランスは、
コア部と、
このコア部を軸に磁界を発生させるコイル部とを有し、
このコイル部の一面と前記第１の放熱板とが熱的に接合され、
前記コイル部の他面には第２の放熱板が熱的に接合されている電源モジュール。
【請求項２】
前記コア部は、
中脚と、
この中脚の両端に、それぞれこの中脚と略垂直に形成された背脚とを有し、
前記コイル部は、
前記背脚間であり前記中脚の外周に配置され、
前記第１の放熱板は、
前記背脚の一方と前記コイル部との間に配置され、
前記第２の放熱板は、
前記背脚の他方と前記コイル部との間に配置されている請求項１に記載の電源モジュール。
【請求項３】
前記半導体素子と前記第１の放熱板の間には第１の接着層が形成され、
前記コイル部と前記第１の放熱板の間には第２の接着層が形成され、
この第２の接着層は、前記第１の接着層よりも弾性率が小さいものとした請求項１または２に記載の電源モジュール。
【請求項４】
前記コイル部と前記第１の放熱板の間には第２の接着層が形成され、
前記背脚と前記第１の放熱板との間には第３の接着層が形成され、
前記第２の接着層は、
前記第３の接着層よりも熱伝導率が高いものとした請求項２または３に記載の電源モジュール。
【請求項５】
前記第１の放熱板と、この第１の放熱板と対面する背脚との間の熱伝導率よりも、
前記第２の放熱板と、この第２の放熱板と対面する背脚との間の熱伝導率の方が低いものとした請求項２から４のいずれか一つに記載の電源モジュール。
【請求項６】
前記第１の放熱板上にはシャーシが接合され、
前記第１の放熱板は前記シャーシと面接触するように折り曲げられている請求項１から５のいずれか一つに記載の電源モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、トランスと半導体素子とが一体化された電源モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
図４に示すように、近年のモジュールの標準化の要請に応えるため、放熱板１上にトランス２と半導体素子３とを実装し、一体化した電源モジュール４が考えられる。
【０００３】
この図４の電源モジュール４は、放熱板１と、この放熱板１と一体化された、トランス２および半導体素子３とを備え、トランス２は、コア部５と、このコア部５を軸として磁束を発生させるコイル部６とを有し、コア部５の一面と放熱板１とが接合されることで、この放熱板１とトランス２とが一体化されているものである。
【０００４】
このように出来るだけ電子部品を一体化しておけば、個々の電子部品毎に実装したり、回路配置等を設計したりする必要がなくなるため、設計工数が削減され、生産性向上にも大きく寄与するのである。
【０００５】
なお、この出願の発明に関する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献１が知られている。
【特許文献１】特開２００５−８０３８２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記構成の電源モジュール４では、トランス３のコイル部６の放熱性が低いという問題がある。
【０００７】
それは、一般的にトランス２のコア部５はコイル部６よりも熱伝導性が低いため、図４のようにコア部５と放熱板１とを接合すると、コイル部６の熱が効率よく放熱板１へ伝わらないためである。そしてこのようにコイル部６の放熱性が低いと、コイル部６の温度上昇により電気抵抗が増大する上に、モジュール全体の温度が上昇することで小型化や高密度実装が困難になるなど、種々の課題が発生するのである。
【０００８】
そこで本発明は、トランスと半導体素子とが一体化された電源モジュールにおいて、トランスのコイル部の放熱性を向上させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
この目的を達成するため本発明は、第１の放熱板と、この第１の放熱板と一体化された、トランスおよび半導体素子とを備え、トランスは、コア部と、このコア部を軸に磁界を発生させるコイル部とを有し、このコイル部の一面と第１の放熱板とが熱的に接合され、前記コイル部の他面には第２の放熱板が熱的に接合されているものとした。
【発明の効果】
【００１０】
これにより本発明は、トランスと半導体素子とが一体化された電源モジュールにおいて、トランスのコイル部の放熱性を向上させることが出来る。
【００１１】
それは発熱性の高い半導体素子とコイル部とが第１の放熱板と熱的に接合されていることから、速やかに熱が伝導し、電源モジュール全体の均熱性が向上するとともに、コイル部に接合された第２の放熱板でコイル部からの熱を効率よく放出することができるためである。そしてその結果、トランスと半導体素子とが一体化された電源モジュールにおいて、トランスのコイル部の放熱性を向上させることが出来るのである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明の実施の形態におけるトランスと半導体素子とが一体化された電源モジュールについて説明する。
【００１３】
（実施の形態１）
はじめに、本実施の形態における構造を説明する。
【００１４】
図１に示す電源モジュール７は、第１の放熱板８と、この第１の放熱板８と一体化された、トランス９およびＦＥＴ１０（半導体素子）、ダイオード１１（半導体素子）とを備え、トランス９は、コア部１２Ａ、１２Ｂ（以下まとめてコア部１２とする。）と、コイル部１３とを有している。
【００１５】
なお、本実施の形態では、コア部１２は、中脚１４Ａ、１４Ｂ（以下まとめて中脚１４とする。）と、この中脚１４に略垂直となるように、中脚１４の上下の両端にそれぞれ形成された背脚１５Ａ、１５Ｂ（以下まとめて背脚１５とする）とを有している。コイル部１３は、中脚１４を軸に閉磁状の磁界を発生させるものであり、この中脚１４の外周であって上下の背脚１５間に配置されているものである。なお、図１では、コイル部１３の外側面にコア部１２は配置されておらず、開放系となっているが、このコイル部１３の外側面を覆い、中脚１４と略平行な外脚（図示せず）を設ければ、磁束をよりスムーズに流すことができる。
【００１６】
また本実施形態では、コア部１２として中脚１４の両端に背脚１５が形成されたものを用いたため、磁束が閉路状をなすコア部１２を形成することができる。背脚１５は中脚１４とコイル部１３とを覆うように形成し、他方の背脚１５と対向させている。さらに本実施の形態のコア部１２は、上方のコア部１２と下方のコア部１２とに分割したものを用いている。
【００１７】
以下、上方のコア部１２をコア部１２Ａとし、下方のコア部１２をコア部１２Ｂとして詳細に説明すると、本実施の形態の上方のコア部１２Ａは中脚１４Ａと、この中脚１４Ａの上端部に中脚１４Ａと略垂直な背脚１５Ａとを有し、下方のコア部１２Ｂも同様に、中脚１４Ｂと、この中脚１４Ｂの下端部に中脚１４Ｂと略垂直な背脚１５Ｂとを有し、中脚１４Ａと中脚１４Ｂとは磁気的に接合されたものである。このようにコア部１２を分割すると、コイル部１３の挿入が容易となる。
【００１８】
また本実施の形態では、コイル部１３としては巻線コイルを用い、この巻線コイルはボビン１６内で巻き回している。そしてこのコイル部１３の下面と第１の放熱板８の上面とが接合されることで、この第１の放熱板８とトランス９とが一体化されているとともに、コイル部１３の上面には第２の放熱板１７が配置されている。すなわち第１の放熱板８は、下方の背脚１５Ｂとコイル部１３との間に配置され、第２の放熱板１７は、上方の背脚１５Ａとコイル部１３との間に配置されている。この第２の放熱板１７は折り曲げ、伸ばしが可能である。
【００１９】
また本実施の形態では、第１の放熱板８の中央にトランス９が接合されており、その外周にはＦＥＴ１０やダイオード１１などの半導体素子などが実装されている。なおこれらのＦＥＴ１０やダイオード１１は、第１の接着層１８を介して第１の放熱板８上に形成されたリードフレーム１９上に半田付けされ、実装されている。
【００２０】
またコイル部１３と第１の放熱板８の間は、第２の接着層２０で接着されている。そして本実施の形態では、この第２の接着層２０は、第１の接着層１８よりも弾性率が小さい（軟らかい）ものとした。さらにコア部１２Ｂの背脚１５Ｂと第１の放熱板８との間は、第３の接着層２１で接着され、第２の接着層２０は、第３の接着層２１よりも熱伝導率が高いものとした。
【００２１】
また本実施の形態では、第１の放熱板８と、この第１の放熱板８と対面する下方の背脚１５Ｂとは第３の接着層２１で接着したが、第２の放熱板１７と、この第２の放熱板１７と対面する上方の背脚１５Ａとの間は、接着層を形成せず、空間を設け、熱伝導率を小さくしている。
【００２２】
さらに本実施の形態では、第１の放熱板８は、ＦＥＴ１０やダイオード１１などの半導体素子が接合されている部分において、その下面（ＦＥＴ１０やダイオード１１を実装する側と反対側の面）とシャーシ２２とが面接触するように、コイル部１３と面接触させた部分とＦＥＴ１０やダイオード１１などが接合されている部分との間で折り曲げられている。
【００２３】
このように形成された電源モジュール７は、上方に配置されたメイン基板２３にリードフレーム１９を挿入し、このメイン基板２３に設けられた貫通孔２４にトランス９を配置することで実装される。そしてこのトランス９は、１次側のコイル部１３に電流が流されると、コア部１２に磁束を誘起し、その磁束の変化を２次側のコイル部１３で受けて電圧に変えるものである。
【００２４】
以下に本実施の形態で用いた部材の材料について説明する。
【００２５】
第１の放熱板８および第２の放熱板１７としては、厚みが１．０ｍｍ〜５．０ｍｍ程度のアルミ板または銅板などを用いた。また本実施の形態では、コイル部１３の巻線としては銅線に絶縁層を被覆したものを用いたが、その他、銅板などで形成してもよい。またコア部１２（１２Ａおよび１２Ｂ）は鉄、マンガンなどの金属酸化物を焼結させた軟磁性体のフェライトを用いた。なおこのコア部１２は磁性体であればフェライト以外でもよい。
【００２６】
またリードフレーム１９を形成するための金属板としては、厚みが０．５ｍｍのタフピッチ銅を用いた。なお、この金属板の厚みは、リードフレーム１９からの熱拡散性および放熱性を十分大きくするためには０．１ｍｍ以上が好ましい。
【００２７】
また、第１の接着層１８としては、エポキシ樹脂にＡｌ2Ｏ3からなるフィラを７０〜９５重量％充填させたものを用いた。エポキシ樹脂を用いたのは、耐熱性や電気絶縁性に優れているためである。エポキシ樹脂以外では、フェノール樹脂やシアネート樹脂などの絶縁性を有する熱硬化性樹脂や、液晶ポリマーやＰＰＳ（ポリフェニレンスルファイド）などの熱可塑性樹脂を用いてもよい。
【００２８】
また本実施形態では、このフィラ入りエポキシ樹脂に予め熱可塑性樹脂粉末からなるプレゲル材を添加した。このプレゲル材は、未硬化の熱硬化性樹脂の液状成分を吸収して膨張し、素早くゲル化させるため、第１の接着層１８のエポキシ樹脂が重合する前段階で固体化することができ、金型から容易に取り出すことが出来る。
【００２９】
そしてフィラとしては、Ａｌ2Ｏ3の他に、ＭｇＯ、ＳｉＯ2、ＢＮ及びＡｌＮの少なくとも何れか一つからなる無機粉末や、金属酸化物からなる粉末を充填させたものを用いてもよい。これらのフィラによって熱伝導率を高めることができる。また特にＭｇＯを用いると線熱膨張係数を大きくすることができ、ＢＮを用いると線熱膨張係数を小さくできる。このように、充填するフィラの種類で樹脂の熱膨張係数を調整することによって、リードフレーム１９や第１の放熱板８に用いる金属と第１の接着層１８との熱膨張係数を近似させ、モジュール全体の熱信頼性を向上させることが出来る。
【００３０】
また本実施の形態で用いたＡｌ2Ｏ3からなるフィラは、平均粒径３ミクロンと平均粒径１２ミクロンの２種類のＡｌ2Ｏ3を混合したものである。この大小２種類の粒径のＡｌ2Ｏ3を用いることによって、大きな粒径のＡｌ2Ｏ3の隙間に小さな粒径のＡｌ2Ｏ3を充填でき、Ａｌ2Ｏ3を９５重量％程度にまで高濃度に充填できる。この結果、第１の接着層１８の熱伝導率は５Ｗ／ｍ・Ｋ程度となる。
【００３１】
そして、このフィラは、直径が０．１〜１００μｍの範囲のできるだけ小さいものを用い、７０〜９５重量％程度に高濃度に充填すれば、熱伝導率を上げることができる。なお、フィラの充填率が９５重量％を超えると成形し難くなり、第１の接着層１８とリードフレーム１９や第１の放熱板８となる金属板との接着性も低下するため、９５重量%以下に抑える方がよい。第１の接着層１８としては、熱伝導性の高い液晶ポリマー、ＰＰＳなどの熱可塑性樹脂を用いる場合もある。
【００３２】
また本実施形態では、この第１の接着層１８の厚さは、絶縁耐圧と熱抵抗を考慮し、最大０．６ｍｍとなるように形成した。
【００３３】
また本実施の形態では、第２の接着層２０は第１の接着層１８よりもフィラの含有率を小さくして、熱伝導率および弾性率ともに小さくなる構成とした。
【００３４】
さらに第３の接着層２１は第２の接着層２０よりもさらにフィラの含有率を小さくして、熱伝導率がより小さくなる構成とした。
【００３５】
そして本実施の形態におけるシャーシ２２は、厚み２．０ｍｍ程度のアルミ板を用いた。このシャーシ２２のかわりにフィンを配置すれば、表面積が広がり、より放熱性を高めることができる。
【００３６】
次に、本実施の形態における電源モジュール７の製造方法について説明する。
【００３７】
まずフィラ入り樹脂の塊を、中央が凸になるように丸型（あるいは蒲鉾型、台形、円柱、球状）にまとめ、図１に示す第１の放熱板８の両脇上に置く。そしてこのフィラ入り樹脂を加熱プレス、あるいは真空加熱プレス等によってシート状となるように延伸する。
【００３８】
次にこの第１の放熱板８を１００℃で１〜２分間加熱し、第１の接着層１８を固体化させ、金型から取り外す。そしてその後２００℃の炉に数時間入れ、第１の接着層１８のエポキシ樹脂を重合させて本硬化させる。本実施の形態では、この第１の接着層１８を硬化させる前に、第１の接着層１８上に予めリードフレーム１９を配置し、一体化させてから硬化させた。ここでリードフレーム１９にパターンを形成している場合、リードフレーム１９を第１の接着層１８と略面一となるまで埋め込むと、パターン間にもフィラ入り樹脂が入り込み、電気的絶縁性を向上させることができるとともに、リードフレーム１９上に電子部品が実装しやすくなる。なお、リードフレーム１９は、第１の接着層１８を硬化させた後、高熱伝導性の接着剤などで第１の接着層１８上に配置してもよい。
【００３９】
またリードフレーム１９の上面には、電気メッキで半田層あるいは錫層（図示せず）を形成してもよい。このようにして、放熱板の中央部分を除き、第１の接着層１８を形成することができる。
【００４０】
次に、第１の放熱板８を、中央部分が凸状になるように折り曲げる。なお、図２に示すように、第１の放熱板８の中央には貫通孔２５と、この貫通孔２５から第１の放熱板８の外側面に向けてスリット２６を設けておく。このスリット２６は、１次巻線に電流が流れることで発生する磁束により、第１の放熱板８に短絡電流が発生し、この短絡電流の発生による逆方向の磁束の発生を防ぐためである。
【００４１】
その後トランス９のコア部１２の中脚１４Ｂの外周に、ボビン１６内で巻き回したコイル部１３を配置する。ここで、このボビン１６の下側には切欠き部２７を設けておく。この切欠き部２７から露出させたコイル部１３と、第１の放熱板８とを第２の接着層２０により接着させるためである。
【００４２】
そしてトランス９のコイル部１３の上面に、第２の放熱板１７を接着剤などで接着する。このとき、第２の放熱板１７は折り曲げておく。なお、第２の放熱板１７にも第１の放熱板８の貫通孔２５と同様の貫通孔を設けておく。
【００４３】
次に図１に示すように、第１の放熱板８の貫通孔２５の下方から下側のコア部１２Ｂの中脚１４Ｂを挿入し、第３の接着層２１で接着させる。
【００４４】
その後、下側のコア部１２Ｂと対向するように上側のコア部１２Ａを配置する。
【００４５】
そして最後に、リードフレーム１９上にＦＥＴ１０やダイオード１１などの半導体部品を実装し、リードフレーム１９の外側部分を折り曲げる。
【００４６】
このように形成された電源モジュール７は、リードフレーム１９をメイン基板２３に挿入することで実装される。
【００４７】
なお、このメイン基板２３には、トランス９部分に貫通孔２４を設けておき、この貫通孔２４部分にトランス９をはめ込む。このようにはめ込むことで、モジュール全体の低背化につながる。なお、この時、第２の放熱板１７は、放熱面積を大きくするため、貫通孔２４を通らない場合がある。この場合は第２の放熱板１７を予め折り曲げておくと、メイン基板２３の貫通孔２４にトランス９をはめ込みやすくなる。そしてこの第２の放熱板１７は、メイン基板２３を配置した後伸ばせば低背化を阻害しない。
【００４８】
なお、リードフレーム１９の一端をコイル部１３の引出端子と電気的に接続し、他端をメイン基板２３に挿入すれば、コイル部１３の電極を実装基板表面まで引き出すことができる。
【００４９】
本実施の形態における効果を以下に説明する。
【００５０】
トランス９と半導体素子（ＦＥＴ１０、ダイオード１１）とが一体化された電源モジュール７において、トランス９のコイル部１３の放熱性を向上させることが出来る。
【００５１】
それは発熱性の高い半導体素子（ＦＥＴ１０、ダイオード１１）とコイル部１３とが第１、第２の接着層１８、２０を介して第１の放熱板８と熱的に接合されていることから、効率よく熱が伝導し、電源モジュール７全体の均熱性が向上するとともに、コイル部１３に接合された第２の放熱板１７でコイル部１３の熱を効率よく放出することができるためである。
【００５２】
すなわち、トランス９の発熱部位は主にコイル部１３であるが、図４に示すように、トランス９のコア部１２を第１の放熱板８に接合してしまうと、コイル部１３の熱を効率よく逃がすことが出来ない上に、コア部１２の熱伝導率はコイル部１３の熱伝導率よりも小さいため、コイル部１３の熱を、コア部１２に拡散させることも困難である。また、図３に示すように、トランス９のコイル部１３を第１の放熱板８に接合するのみでは、発熱性の非常に高いＦＥＴ１０やダイオード１１からの熱が、第１の放熱板８を介してコイル部１３に伝わり、かえってコイル部１３の温度を上昇させてしまうという問題が発生する。
【００５３】
一方本実施の形態では、図１に示すように、コイル部１３の一面を第１の放熱板８に接合するとともに、この接合した面と対向する面に第２の放熱板１７を配置している。したがって、コイル部１３よりもＦＥＴ１０やダイオード１１が高温となった場合、コイル部１３に伝わった熱を第２の放熱板１７から放出することができ、また仮にコイル部１３がＦＥＴ１０やダイオード１１よりも高温となった場合は、第２の放熱板１７から速やかにコイル部１３の熱を放出することができ、ＦＥＴ１０やダイオード１１へと熱が伝わるのを抑制することができる。このように本実施の形態ではコイル部１３の放熱性を向上させることができるのである。
【００５４】
さらに本実施の形態では、発熱性の高いコイル部１３とＦＥＴ１０やダイオード１１とを第１の放熱板８を共有することで一体化しているため、モジュール内部の均熱性が向上し、モジュール全体の熱信頼性を向上させることができる。
【００５５】
また一般に銅を主成分とするコイル部１３（巻線）は、プラスチック素材でパッケージングされる半導体素子（ＦＥＴ１０やダイオード１１）よりも熱伝導率が高いため、この第２の放熱板１７を半導体素子上に配置するよりも、本実施の形態のようにコイル部１３上に配置する方がより効率よく放熱させることができる。
【００５６】
また本実施の形態では、第２の接着層２０の弾性率を第１の接着層１８の弾性率よりも小さく（軟らかく）したことにより、コイル部１３が振動しても第２の接着層２０を弾性変形させることにより吸収することができ、モジュール全体の振動に対する信頼性を向上させることができる。なお、弾性率を小さくすると一般的に熱伝導率も小さくなるため、本実施の形態では、第１の接着層１８の方が第２の接着層２０よりも熱伝導率が大きくなる。ここで、ＦＥＴ１０やダイオード１１などの半導体素子は、熱により破損してしまうため、熱をリードフレーム１９および第１の接着層１８を介して出来るだけ速やかに第１の放熱板８へと放出する必要がある。したがって本実施の形態のように第１の接着層１８の熱伝導率を向上させることは非常に有効である。
【００５７】
また本実施の形態では、第２の接着層２０の熱伝導率を第３の接着層２１の熱伝導率よりも高くしたことにより、第１の放熱板８からコイル部１３への熱抵抗が小さくなり、第１の放熱板８からコイル部１３を経由して第２の放熱板１７へと繋がる一連の熱の伝達経路を形成することができる。
【００５８】
すなわち、本実施の形態は、できるだけコイル部１３やＦＥＴ１０、ダイオード１１からの熱が熱伝導率の低いコア部１２へ伝わるのを抑制し、第１の放熱板８で発熱部の均熱を図り、第２の放熱板１７からコイル部１３の熱を放出することによって、電源モジュール７全体を効率よく放熱することができるのである。
【００５９】
そして本実施の形態では、第１の放熱板８とトランス９とを一体化させるため、この第１の放熱板８と背脚１５Ｂとの間は第３の接着層２１で接着しているが、第２の放熱板１７と、この第２の放熱板１７と対面する背脚１５Ａとの間は空間を設けている。これにより第２の放熱板１７の熱がコア部１２へと伝わるのを抑制し、モジュール外部へと効率よく放熱させることができる。なお、第２の放熱板１７は背脚１５Ａと接着剤で接着しても良いが、熱の伝導を抑制するため、できるだけ熱伝導率の低い接着剤を用いることが望ましい。
【００６０】
なお、本実施の形態では、コイル部１３には巻線コイルを用いたが、コイル部１３と第１、第２の放熱板８、１７とを直接的に接合させるものであれば、偏平形でもコア部に組み込まれる形態でもよいものとする。またコア部１２の形状も、いわゆるＥ型とＥ型とを組み合わせた分割型（ＥＥ型）、ＥＩ型、ＵＵ型でもよく、非分割型のいわゆるトロイダルコアでもよいものとする。
【産業上の利用可能性】
【００６１】
本発明はトランスと半導体素子とを一体化した電源モジュールであって、コイル部の放熱性を向上させることができるため、ＰＤＰ用や車載用など、大電流対応の電源モジュールに大いに利用できる。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】本発明の一実施の形態における電源モジュールの断面図
【図２】同一実施の形態における電源モジュールの製造工程を示す上面図
【図３】本発明の一実施の形態との対比のための電源モジュールの断面図
【図４】同対比のための電源モジュールの断面図
【符号の説明】
【００６３】
７  電源モジュール
８  第１の放熱板
９  トランス
１０  ＦＥＴ（半導体素子）
１１  ダイオード（半導体素子）
１２、１２Ａ、１２Ｂ  コア部
１３  コイル部
１４、１４Ａ、１４Ｂ  中脚
１５、１５Ａ、１５Ｂ  背脚
１６  ボビン
１７  第２の放熱板
１８  第１の接着層
１９  リードフレーム
２０  第２の接着層
２１  第３の接着層
２２  シャーシ
２３  メイン基板
２４  貫通孔
２５  貫通孔
２６  スリット
２７  切り欠き部
【図１】
2008199720.tif 000003
【図２】
2008199720.tif 000004
【図３】
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【図４】
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