(57)【要約】【課題】信頼性の高い電子デバイスを、容易かつ効率よく製造する方法を提供する。【解決手段】電子デバイスの製造方法は、ベース基板１２と、ベース基板１２上に形成された電気的接続部１４とを有する電子モジュール（基板１０）を用意する工程と、電子モジュール上に、電気的接続部１４を覆うように樹脂材料３０を設ける工程と、樹脂材料３０上に、少なくとも一部が電気的接続部１４と重複するように、配線３４を形成する工程と、電気的接続部１４と配線３４との重複領域において、配線３４を電気的接続部１４に向かって押圧し、樹脂材料３０を変形させながら電気的接続部１４と配線３４とを近接させて、電気的接続部１４と配線３４とを接触させて電気的に接続する工程と、を含む。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベース基板と、前記ベース基板上に形成された電気的接続部とを有する電子モジュールを用意する工程と、
前記電子モジュール上に、前記電気的接続部を覆うように樹脂材料を設ける工程と、
前記樹脂材料上に、少なくとも一部が前記電気的接続部と重複するように、配線を形成する工程と、
前記電気的接続部と前記配線との重複領域において、前記配線を前記電気的接続部に向かって押圧し、前記樹脂材料を変形させながら前記電気的接続部と前記配線とを近接させて、前記電気的接続部と前記配線とを接触させて電気的に接続する工程と、
を含む電子デバイスの製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の電子デバイスの製造方法において、
前記配線は、前記電気的接続部の少なくとも一部と重複するランドを含み、
前記電気的接続部と前記配線とを接触させて電気的に接続する工程では、
前記ランドを前記電気的接続部に向かって押圧し、前記ランドと前記電気的接続部とを接触させる電子デバイスの製造方法。
【請求項３】
請求項２記載の電子デバイスの製造方法において、
前記ランドが貫通穴を有するように、前記配線を形成する電子デバイスの製造方法。
【請求項４】
請求項３記載の電子デバイスの製造方法において、
前記電気的接続部と前記配線とを接触させて電気的に接続する工程では、
押圧治具によって前記ランドの押圧領域を押圧し、
前記貫通穴の一部が前記押圧領域の内側に配置されるように、前記配線を形成する電子デバイスの製造方法。
【請求項５】
請求項２記載の電子デバイスの製造方法において、
前記ランドが切り欠きを有するように、前記配線を形成する電子デバイスの製造方法。
【請求項６】
請求項５記載の電子デバイスの製造方法において、
前記電気的接続部と前記配線とを接触させて電気的に接続する工程では、
前記押圧治具によって前記ランドの押圧領域を押圧し、
前記切り欠きが前記押圧領域の内側に至るように、前記配線を形成する電子デバイスの製造方法。
【請求項７】
請求項１から請求項６のいずれかに記載の電子デバイスの製造方法において、
前記配線における前記樹脂材料と対向する面が、少なくとも前記電気的接続部と前記配線との重複領域において凹凸面となるように、前記配線を形成する電子デバイスの製造方法。
【請求項８】
請求項１から請求項７のいずれかに記載の電子デバイスの製造方法において、
前記電子モジュールは、前記ベース基板上に形成された金属層をさらに有し、
前記金属層には、開口と、前記開口から引き出されて前記樹脂材料を設けるための領域の外側に至るように形成された溝とが形成されており、
前記電気的接続部は、前記開口の内側の領域に、前記金属層と接触しないように配置されている電子デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子デバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
配線パターンを複数層に形成することで、配線の引き回しの自由度を高める技術が知られている。この技術では、異なる層に形成された配線パターンを容易かつ確実に電気的に接続することが重要である。
【特許文献１】特開２００１−３３９０１０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明の目的は、信頼性の高い電子デバイスを、容易かつ効率よく製造することが可能な電子デバイスの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
（１）本発明に係る電子デバイスの製造方法は、
ベース基板と、前記ベース基板上に形成された電気的接続部とを有する電子モジュールを用意する工程と、
前記電子モジュール上に、前記電気的接続部を覆うように樹脂材料を設ける工程と、
前記樹脂材料上に、少なくとも一部が前記電気的接続部と重複するように、配線を形成する工程と、
前記電気的接続部と前記配線との重複領域において、前記配線を前記電気的接続部に向かって押圧し、前記樹脂材料を変形させながら前記電気的接続部と前記配線とを近接させて、前記電気的接続部と前記配線とを接触させて電気的に接続する工程と、
を含む。
【０００５】
本発明によると、樹脂材料を介して配置された２つの導電体（電気的接続部及び配線）を、効率よく確実に電気的に接続させることができる。そのため、本発明によると、信頼性の高い電子デバイスを、効率よく製造することができる。
【０００６】
なお、本発明では、配線を押圧する動作とともに、あるいは、配線を押圧する動作に代えて、電子モジュールを、ベース基板の裏面側から配線に向かって押圧して、電気的接続部と配線とを電気的に接続してもよい。
【０００７】
また、この電子デバイスの製造方法では、電気的接続部と配線とを電気的に接続する工程の後に、樹脂材料を硬化させて、樹脂層を形成する工程をさらに含んでいてもよい。すなわち、樹脂材料は、硬化反応の中間状態（Ｂ−ステージ）にある材料であってもよい。
【０００８】
本発明に係る電子デバイスの製造方法は、例えば、配線基板の製造方法に適用してもよい。あるいは、本発明に係る電子デバイスの製造方法は、半導体装置の製造方法に適用してもよい。
【０００９】
（２）この電子デバイスの製造方法において、
前記配線は、前記電気的接続部の少なくとも一部と重複するランドを含み、
前記電気的接続部と前記配線とを接触させて電気的に接続する工程では、
前記ランドを前記電気的接続部に向かって押圧し、前記ランドと前記電気的接続部とを接触させてもよい。
【００１０】
（３）この電子デバイスの製造方法において、
前記ランドが貫通穴を有するように、前記配線を形成してもよい。
【００１１】
これによると、樹脂材料を、貫通穴を介して流動させることができるため、樹脂材料が流動しやすくなる。そのため、ランドと電気的接続部との間の樹脂材料を容易に除去することができ、ランドと電気的接続部とを、確実に接触させることができる。そのため、この方法によると、さらに信頼性の高い電子デバイスを製造することができる。
【００１２】
（４）この電子デバイスの製造方法において、
前記電気的接続部と前記配線とを接触させて電気的に接続する工程では、
押圧治具によって前記ランドの押圧領域を押圧し、
前記貫通穴の一部が前記押圧領域の内側に配置されるように、前記配線を形成してもよい。
【００１３】
なお、この電子デバイスの製造方法では、前記貫通穴の一部が前記押圧領域の外側に配置されるように、前記配線を形成してもよい。
【００１４】
（５）この電子デバイスの製造方法において、
前記ランドが切り欠きを有するように、前記配線を形成してもよい。
【００１５】
これによると、樹脂材料を、切り欠きを介して流動させることができるため、樹脂材料が流動しやすくなる。そのため、ランドと電気的接続部との間の樹脂材料を容易に除去することができ、ランドと電気的接続部とを、確実に接触させることができる。そのため、この方法によると、さらに信頼性の高い電子デバイスを製造することができる。
【００１６】
（６）この電子デバイスの製造方法において、
前記電気的接続部と前記配線とを接触させて電気的に接続する工程では、
前記押圧治具によって前記ランドの押圧領域を押圧し、
前記切り欠きが前記押圧領域の内側に至るように、前記配線を形成してもよい。
【００１７】
（７）この電子デバイスの製造方法において、
前記配線における前記樹脂材料と対向する面が、少なくとも前記電気的接続部と前記配線との重複領域において凹凸面となるように、前記配線を形成してもよい。
【００１８】
これによると、電気的接続部と配線とをより確実に接触させることができるため、信頼性の高い電子デバイスを製造することができる。
【００１９】
（８）この電子デバイスの製造方法において、
前記電子モジュールは、前記ベース基板上に形成された金属層をさらに有し、
前記金属層には、開口と、前記開口から引き出されて前記樹脂材料を設けるための領域の外側に至るように形成された溝とが形成されており、
前記電気的接続部は、前記開口の内側の領域に、前記金属層と接触しないように配置されていてもよい。
【００２０】
これによると、電子モジュールの表面の凹凸を小さくすることができるため、樹脂材料と電子モジュールとの間に気泡が発生することを防止することができる。また、金属層には、開口に連通した溝が形成されていることから、開口内の空気を、溝を介して排出することができる。そのため、電子モジュールと樹脂材料との間に気泡が発生することを防止することができ、信頼性の高い電子デバイスを製造することが可能になる。
【００２１】
なお、この電子デバイスの製造方法では、金属層は、電気的接続部と同じ厚みとなるように形成されていてもよい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明を適用した実施の形態について、図面を参照して説明する。ただし、本発明は以下の実施の形態に限られるものではない。また、本発明は、以下の内容を自由に組み合わせたものを含むものとする。
【００２３】
（第１の実施の形態）
以下、本発明を適用した第１の実施の形態に係る電子デバイスの製造方法について説明する。なお、図１（Ａ）〜図６（Ｂ）は、本実施の形態に係る電子デバイスの製造方法について説明するための図である。本実施の形態では、本発明に係る電子デバイスの製造方法を、配線基板の製造方法に適用した場合について説明する。
【００２４】
本実施の形態に係る配線基板の製造方法は、図１（Ａ）及び図１（Ｂ）に示す、基板１０（広義には電子モジュール）を用意することを含む。なお、図１（Ｂ）は、基板１０のIB−IB線断面の一部拡大図である。以下、基板１０の構成について説明する。
【００２５】
基板１０は、図１（Ａ）及び図１（Ｂ）に示すように、ベース基板１２を有する。ベース基板１２の材料は特に限定されるものではない。ベース基板１２は、有機系の材料で構成されていてもよい。ベース基板１２は、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）や、エポキシ系、ポリイミド系の樹脂基板であってもよい。ただし、ベース基板１２として、無機系の材料の基板や、有機無機材料の複合基板を利用してもよい。また、ベース基板１２は、フレキシブル基板であってもよく、リジッド基板であってもよい。ベース基板１２としてFPC(Flexible Printed Circuit)や、TAB(Tape Automated Bonding)技術で使用されるテープを使用してもよい。
【００２６】
基板１０は、図１（Ａ）及び図１（Ｂ）に示すように、ベース基板１２上に形成された電気的接続部１４を有する。電気的接続部１４は、単一の金属材料で構成されていてもよく、複数の金属が積層された構造をなしていてもよい。電気的接続部１４が複数層で構成されている場合、電気的接続部１４は、例えば、銅によって構成された導電パターンにスズめっき層が形成された構造をなしていてもよい。また、電気的接続部１４は、図１（Ｂ）に示すように、ベース基板１２に直接形成されていてもよいが、図示しない接着層を介してベース基板１２に貼り付けられていてもよい。
【００２７】
電気的接続部１４は、ベース基板１２に形成された配線１５（導電パターン）の一部であってもよい。この場合、配線１５は、電気的接続部１４から引き出されたリード１６を有していてもよい。リード１６は、図１（Ａ）及び図１（Ｂ）に示すように、ベース基板１２の表面に形成されていてもよいが、ベース基板１２の内部に形成されていてもよい。そして、電気的接続部１４は、配線１５のうち、後述する配線３４（ランド３６）との電気的な接続に利用される部分である。なお、配線１５は、複数の電気的接続部１４を含んでいてもよいが、電気的接続部１４を１つのみ含んでいてもよい。
【００２８】
基板１０は、金属層２０をさらに有していてもよい。金属層２０は、ベース基板１２における電気的接続部１４が形成された面に形成される。金属層２０には、開口２２が形成されている。そして、先述した電気的接続部１４（配線１５）は、開口２２の内側に、金属層２０と接触しないように形成されている。また、金属層２０には、開口２２から引き出された溝２４が形成されている。溝２４は、開口２２に連通している。溝２４は、後述する、樹脂材料３０が形成される領域の外側に至るように形成されている。溝２４は、例えば、ベース基板１２の端部に至るように形成されていてもよい。なお、金属層２０は、電気的接続部１４と同じ材料及び構造をなしていてもよい。
【００２９】
本実施の形態に係る配線基板の製造方法は、図２（Ａ）及び図２（Ｂ）に示すように、基板１０上に樹脂材料３０を設けることを含む。樹脂材料３０は、電気的接続部１４を覆うように設ける。樹脂材料３０の材料は特に限定されるものではなく、既に公知となっているいずれかの材料を適用してもよい。樹脂材料３０は、例えば、接着剤であってもよい。なお、樹脂材料３０は、硬化反応が完全に終了していない状態の材料であってもよい。すなわち、樹脂材料３０は、Ｂ−ステージ樹脂であってもよい。樹脂材料３０は、フィルム状をなしていてもよい。この場合、図３に示すように、ローラー３２を利用して樹脂材料３０を設けてもよい。ただし、樹脂材料３０は、ペースト状の材料を利用してもよい。例えば、基板１０にペースト状の樹脂材料を設ける工程と、これを半硬化させる工程とによって、樹脂材料３０を設けてもよい。
【００３０】
本実施の形態に係る配線基板の製造方法は、図４（Ａ）及び図４（Ｂ）に示すように、樹脂材料３０上に配線３４を形成することを含む。配線３４は、少なくとも一部が、電気的接続部１４と重複するように形成する。配線３４は、ランド３６とリード３８とを含むように形成してもよい。このとき、配線３４を、ランド３６が、電気的接続部１４の少なくとも一部と重複するように形成してもよい。
【００３１】
配線３４を形成する方法は特に限定されるものではない。配線３４は、例えば、樹脂材料３０の全面に金属層を設け、その後、該金属層をパターニングすることによって形成してもよい。配線３４は、少なくとも電気的接続部１４と重複する領域において、樹脂材料３０と対向する面が凹凸面となるように形成してもよい。配線３４は、樹脂材料３０と対向する面がすべて凹凸面となるように形成してもよい（図６（Ａ）及び図６（Ｂ）参照）。表面に凹凸が形成された金属層を樹脂材料３０に貼り付け、該金属層をパターニングすることで、樹脂材料３０と対向する面が凹凸となるように配線３４を形成することができる。なお、当該凹凸は、高低差が樹脂材料の厚みの半分よりも大きくなるように形成してもよい。
【００３２】
本実施の形態に係る配線基板の製造方法は、図５（Ａ）及び図５（Ｂ）に示すように、電気的接続部１４及び配線３４の重複領域において、配線３４を電気的接続部１４に向かって押圧し、樹脂材料３０を変形させながら電気的接続部１４と配線３４とを近接させて、電気的接続部１４と配線３４とを接触させて電気的に接続することを含む。樹脂材料３０として硬化（重合）反応が終了していない状態の材料（Ｂ−ステージ樹脂）を利用することで、樹脂材料３０を容易に変形させることができる。なお、本実施の形態では、図５（Ａ）及び図５（Ｂ）に示すように、ランド３６を押圧して、電気的接続部１４とランド３６とを接触させて電気的に接続してもよい。
【００３３】
本実施の形態では、図５（Ａ）及び図５（Ｂ）に示すように、押圧治具４０によって配線３４（ランド３６）を押圧して、電気的接続部１４と配線３４とを接触させて電気的に接続してもよい。電気的接続部１４の表面にスズ層が形成されている場合、押圧治具４０によって配線３４を電気的接続部１４に押し付けた状態で、加熱し、押圧治具４０に超音波振動を印加してもよい。これにより、電気的接続部１４を配線３４との間に共晶合金が生成され、両者の電気的な接続信頼性を高めることができる。また、押圧治具４０に超音波振動を印加することで、電気的接続部１４と配線３４との間から樹脂材料３０を排除することができるため、両者を確実に電気的に接続することができる。ただし、電気的接続部１４と配線３４とは、押圧する動作のみによって電気的に接続してもよい。
【００３４】
なお、図６（Ａ）及び図６（Ｂ）に示すように、配線３４における樹脂材料３０と対向する面に凹凸が形成されている場合、配線３４を、電気的接続部１４に接触させやすくなる。そのため、容易に両者を電気的に接続することができ、信頼性の高い配線基板を効率よく製造することが可能になる。
【００３５】
そして、本実施の形態では、樹脂材料３０を硬化させる工程や、検査工程などをさらに経て、配線基板（広義には電子デバイス）を製造してもよい。
【００３６】
先に説明したように、本発明では、樹脂材料を介して電気的接続部１４と配線３４とを形成し、配線３４を電気的接続部１４に向かって押圧し、両者を接触させて電気的に接続する。
【００３７】
この配線基板の製造方法によると、電気的接続部１４と配線３４とを確実に電気的に接続させることができるので、信頼性の高い配線基板（広義には電子デバイス）を製造することができる。また、この配線基板の製造方法によると、電気的接続部１４と配線３４とを、容易に電気的に接続することができる。
【００３８】
すなわち、この配線基板の製造方法によると、信頼性の高い配線基板を効率よく製造することができる。
【００３９】
なお、基板１０（電子モジュール）が、ベース基板１２に形成された金属層２０を有する場合、基板１０の表面の凹凸を小さくすることができるため、基板１０と樹脂材料３０との間に気泡が発生しにくい、信頼性の高い電子デバイスを製造することができる。また、金属層２０に溝２４が形成されている場合、溝２４を介して、ベース基板１２と開口２２と樹脂材料３０とによって構成される空間の空気を排出することができる。そのため、基板１０と樹脂材料３０との間に気泡が発生しにくくなり、さらに信頼性の高い配線基板を製造することができる。
【００４０】
（変形例）
以下、本実施の形態の変形例に係る電子デバイスの製造方法について説明する。
【００４１】
図７（Ａ）〜図８は、第１の変形例に係る電子デバイスの製造方法について説明するための図である。
【００４２】
本変形例では、樹脂材料３０に、図７（Ａ）で示す配線５２を形成する。なお、図７（Ａ）は、配線５２の上視図である。配線５２は、ランド５３を含む。ランド５３には、貫通穴５４が形成される。すなわち、本変形例では、ランド５３が貫通穴５４を有するように、配線５２を形成する。そして、図７（Ｂ）に示すように、ランド５３を電気的接続部１４に向かって押圧して、ランド５３と電気的接続部１４とを接触させて両者を電気的に接続する。
【００４３】
この変形例によると、ランド５３を電気的接続部１４に向かって押圧する際に、貫通穴を通じて樹脂材料３０を流動させることができるため、樹脂材料３０の流動性を高めることができる（図７（Ｂ）参照）。そのため、ランド５３と電気的接続部１４との間に樹脂材料が残りにくくなり、ランド５３と電気的接続部１４とを確実に電気的に接続することが可能になり、信頼性の高い電子デバイスを製造することができる。
【００４４】
なお、本変形例では、貫通穴５４の一部が、ランド５３における押圧治具４０で押圧される領域（押圧領域４５）の内側に配置されるように、配線５２を形成してもよい。配線５２は、貫通穴５４の一部が、押圧領域４５の外側に配置されるように形成してもよい。これによると、ランド５３を押圧する工程で、貫通穴５４が押圧治具４０によって塞がれることを防止することができるため、樹脂材料３０の流動性が確保され、より信頼性の高い電子デバイスを製造することができる。
【００４５】
なお、ランド５３に形成される貫通穴の形状は特に限定されるものではない。貫通穴は、例えば図７（Ａ）に示すように、十字型であってもよい。ただし、貫通穴は、図８に示すように、スリット形状をなしていてもよい。スリット形状の貫通穴５８は、１つのランドに１つのみ形成されていてもよいが、２つ以上形成されていてもよい。あるいは、ランド５３に形成される貫通穴は、切れ目（あるいは裂け目）であってもよい。これらの場合にも、樹脂材料３０が流動しやすくなり、信頼性の高い電子デバイスを製造することができる。
【００４６】
図９（Ａ）及び図９（Ｂ）は、第２の変形例に係る電子デバイスの製造方法について説明するための図である。
【００４７】
本変形例では、樹脂材料３０に、図９（Ａ）で示す配線６２を形成する。なお、図９（Ａ）は、配線６２の上視図である。配線６２は、ランド６３を含む。ランド６３には、切り欠き６４が形成される。すなわち、本変形例では、ランド６３が切り欠き６４を有するように、配線６２を形成する。そして、図９（Ｂ）に示すように、ランド６３を電気的接続部１４に向かって押圧して、ランド６３と電気的接続部１４とを接触させて両者を電気的に接続する。
【００４８】
なお、本変形例では、切り欠き６４が押圧領域４５の内側に至るように、配線６２を形成してもよい。これによると、ランド６３を押圧する工程で、樹脂材料３０を流動させやすくなるため、より信頼性の高い電子デバイスを製造することができる。
【００４９】
（第２の実施の形態）
以下、本発明を適用した第２の実施の形態に係る電子デバイスの製造方法について説明する。なお、図１０（Ａ）〜図１７は、本実施の形態に係る電子デバイスの製造方法について説明するための図である。本実施の形態では、本発明に係る電子デバイスの製造方法を、半導体装置の製造方法に適用した場合について説明する。
【００５０】
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、図１０（Ａ）及び図１０（Ｂ）に示す半導体基板７０を用意することを含む。本実施の形態では、半導体基板７０を電子モジュール（あるいはベース基板）と称してもよい。半導体基板７０は、例えばシリコン基板であってもよい。半導体基板７０は、ウエハ状をなしていてもよい（図１０（Ａ）参照）。ウエハ状の半導体基板７０は、複数の半導体装置となる領域７１を含んでいてもよい。ただし、半導体基板７０は、チップ状をなしていてもよい。半導体基板７０には、１つ又は複数の（半導体チップには１つの、半導体ウエハには複数の）集積回路７２が形成されている。集積回路７２は、領域７１毎に形成されていてもよい。集積回路７２の構成は特に限定されないが、例えば、トランジスタ等の能動素子や、抵抗、コイル、コンデンサ等の受動素子を含んでいてもよい。また、半導体基板７０は複数の電気的接続部７４を有する。電気的接続部７４は、半導体基板７０の内部と電気的に接続されていてもよい。電気的接続部７４は、集積回路７２と電気的に接続されていてもよい。あるいは、集積回路７２に電気的に接続されていない電気的接続部を含めて、電気的接続部７４と称してもよい。電気的接続部７４は、アルミニウム又は銅等の金属で形成されていてもよい。電気的接続部７４は、半導体基板に形成された電極であってもよい。さらに、半導体基板７０は、図示しないパッシベーション膜を有してもよい。パッシベーション膜は、例えば、ＳｉＯ２、ＳｉＮ、ポリイミド樹脂等で形成してもよい。
【００５１】
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、図１１に示すように、半導体基板７０に樹脂材料８０を設けることを含む。樹脂材料８０は、電気的接続部７４を覆うように形成する。樹脂材料８０の材料は限定されず、ポリイミド樹脂、シリコン変性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコン変性エポキシ樹脂、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ；benzocyclobutene）、ポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ；polybenzoxazole）等の樹脂を利用してもよい。
【００５２】
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、図１２に示すように、樹脂材料８０上に配線８２を形成することを含む。配線８２は、少なくとも一部が電気的接続部７４と重複するように形成する。配線８２は、ランド８４を有するように形成してもよい。このとき、ランド８４は、少なくとも一部が電気的接続部７４と重複するように配置される。
【００５３】
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、図１３に示すように、電気的接続部７４と配線８２との重複領域において、押圧治具４０によって配線８２を電気的接続部７４に向かって押圧し、樹脂材料８０を変形させながら電気的接続部７４と配線８２とを近接させて、両者を接触させて電気的に接続することを含む。本工程では、図１３に示すように、ランド８４を押圧して、電気的接続部７４とランド８４とを接触させて電気的に接続してもよい。
【００５４】
そして、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、樹脂材料８０を硬化させて応力緩和層を形成する工程や、レジスト層８６を形成する工程や、配線８２と電気的に接続された外部端子８８を形成する工程や、外部端子８８の根元を補強する根元補強樹脂９０を形成する工程をさらに経て、図１４に示す、半導体装置１（広義には電子デバイス）を製造してもよい。図１５には、半導体装置１が実装された回路基板１０００を示す。また、図１６、図１７には、それぞれ、半導体装置１を有する電子機器として、ノート型パーソナルコンピュータ２０００と携帯電話３０００を示す。
【００５５】
この半導体装置の製造方法によると、電気的接続部７４と配線８２とを確実に電気的に接続することができるため、信頼性の高い半導体装置を、効率よく製造することが可能になる。
【００５６】
なお、本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び効果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】第１の実施の形態に係る電子デバイスの製造方法を説明するための図。
【図２】第１の実施の形態に係る電子デバイスの製造方法を説明するための図。
【図３】第１の実施の形態に係る電子デバイスの製造方法を説明するための図。
【図４】第１の実施の形態に係る電子デバイスの製造方法を説明するための図。
【図５】第１の実施の形態に係る電子デバイスの製造方法を説明するための図。
【図６】第１の実施の形態に係る電子デバイスの製造方法を説明するための図。
【図７】第１の変形例に係る電子デバイスの製造方法を説明するための図。
【図８】第１の変形例に係る電子デバイスの製造方法を説明するための図。
【図９】第２の変形例に係る電子デバイスの製造方法を説明するための図。
【図１０】第２の実施の形態に係る電子デバイスの製造方法を説明するための図。
【図１１】第２の実施の形態に係る電子デバイスの製造方法を説明するための図。
【図１２】第２の実施の形態に係る電子デバイスの製造方法を説明するための図。
【図１３】第２の実施の形態に係る電子デバイスの製造方法を説明するための図。
【図１４】第２の実施の形態に係る電子デバイスの製造方法を説明するための図。
【図１５】第２の実施の形態に係る電子デバイスの製造方法を説明するための図。
【図１６】第２の実施の形態に係る電子デバイスの製造方法を説明するための図。
【図１７】第２の実施の形態に係る電子デバイスの製造方法を説明するための図。
【符号の説明】
【００５８】
１…半導体装置、  １０…基板、  １２…ベース基板、  １４…電気的接続部、  １５…配線、  １６…リード、  ２０…金属層、  ２２…開口、  ３０…樹脂材料、  ３２…ローラー、  ３４…配線、  ３６…ランド、  ３８…リード、  ４０…押圧治具、  ４５…押圧領域、  ５２…配線、  ５３…ランド、  ５４…貫通穴、  ５８…貫通穴、  ６２…配線、  ６３…ランド、  ６４…切り欠き、  ７０…半導体基板、  ７２…集積回路、  ７４…電気的接続部、  ８０…樹脂材料、  ８２…配線、  ８４…ランド、  ８６…レジスト層、  ８８…外部端子、  ９０…根元補強樹脂
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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