(57)【要約】【課題】本発明の課題は、磁気ディスクを起因とした問題点、つまり磁気特性のばらつきに着目し、ヘッドの浮上量をより正確に制御して書き込み性能、読み出し性能を向上させ、より一層の高密度化を図り記憶容量を向上させることのできる磁気ディスク装置を提供することである。【解決手段】本発明によれば、磁気記憶媒体の浮上量の補正を行う単位で、磁気記憶媒体の磁気特性に対応した浮上量制御手段の制御値を格納しておく格納部から、書き込み又は読み出しを行う位置に対応した制御値を得て浮上量制御手段の制御を行いヘッドの浮上量を制御する。そのため、磁気記憶媒体の磁気特性を考慮し、ヘッドの浮上量を正確に制御して書き込み性能、読み出し性能を向上させ、より一層の高密度化を図り記憶容量を向上させることが可能となる。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気記憶媒体に情報の書き込み又は読み出しを行うヘッドと、
前記ヘッドの浮上量を制御する浮上量制御部と、
前記磁気記憶媒体における前記ヘッドの浮上量の補正を行う単位で前記磁気記憶媒体の磁気特性に対応した前記浮上量制御部の制御値を格納しておく格納部と、
書き込み又は読み出しを行う位置に対応した制御値を前記格納部より得て前記浮上量制御部の制御を行い前記ヘッドの浮上量を制御する制御部と、
を有することを特徴とする磁気記憶装置。
【請求項２】
前記磁気特性は、前記ヘッドの前記磁気記憶媒体に対する情報の書き込み特性であることを特徴とする請求項１記載の磁気記憶装置。
【請求項３】
前記磁気特性は、前記ヘッドの前記磁気記憶媒体に対する情報の読み出し特性であることを特徴とする請求項１記載の磁気記憶装置。
【請求項４】
磁気記憶媒体に情報の書き込み又は読み出しを行うヘッドと、
前記ヘッドの前記磁気記憶媒体面側の位置を変えることが可能な位置制御手段と、
前記ヘッドが前記記憶媒体から読み出したエラーレイトの値に基づき、前記位置制御手段を制御し前記ヘッドの浮上量を変更する制御部と、
を有することを特徴とする磁気記憶装置。
【請求項５】
ヘッドの磁気記憶媒体に対する浮上量を浮上量制御部により制御する浮上量制御方法において、
前記磁気記憶媒体における前記ヘッドの浮上量の補正を行う単位で前記記憶媒体の磁気特性に対応した前記浮上量制御部の制御値を格納する格納部より、書き込み又は読み出しを行う位置に対応した制御値を得る第一工程と、
得られた前記制御値により前記浮上量制御部の制御を行い前記ヘッドの浮上量を制御する第二工程と、
を有することを特徴とする浮上量制御方法。
【請求項６】
前記磁気特性は、前記ヘッドの前記磁気記憶媒体に対する情報の書き込み特性であることを特徴とする請求項５記載の浮上量制御方法。
【請求項７】
前記磁気特性は、前記ヘッドの前記磁気記憶媒体に対する情報の読み出し特性であることを特徴とする請求項５記載の浮上量制御方法。
【請求項８】
ヘッドの磁気記憶媒体に対する浮上量を浮上量制御部により制御する制御装置において、
前記磁気記憶媒体における前記浮上量の補正を行う単位で、前記記憶媒体の磁気特性に対応した前記浮上量制御部の制御値を格納する格納部より、書き込み又は読み出しを行う位置に対応した制御値を得て、
得られた前記制御値により前記浮上量制御部の制御を行い前記ヘッドの浮上量を制御することを特徴とする制御装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ヘッドの記憶媒体に対する浮上量の制御に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気ディスク装置（ＨＤＤ：Ｈａｒｄ  Ｄｉｓｋ  Ｄｒｉｖｅ）は、デスクトップ型パーソナルコンピュータ、ノートブック型パーソナルコンピュータ、サーバ、ナビゲーション装置、ＡＶ（Ａｕｄｉｏ  Ｖｉｓｕａｌ）機器等の様々な製品に搭載されている。ＨＤＤの記憶容量の増加の要求に伴い、磁気ディスクの記録密度の増加が求められている。記録密度を高めるためには、磁気ディスクのビット間を狭くして、記録できる信号を増加させる必要がある。
【０００３】
半面、磁気ディスクのビット密度（ＢＰＩ）が高くなると、情報の書き込み又は読み出しを行うためには、よりヘッドの浮上量を下げ、ヘッドを磁気ディスクに近接させる必要がある。
【０００４】
ヘッドの浮上量を制御する技術に関する先行技術文献としては下記のものがある。
【特許文献１】特開平０５‐２０６３５号公報
【特許文献２】特開２００６‐２４２８９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ヘッドの浮上量を低下させ、ヘッドを磁気ディスクに近接させると、磁気ディスクの略円周方向で生じる磁気特性のばらつきが情報の書き込み性能、読み出し性能に与える影響が大きくなる。
【０００６】
具体的には、磁性層に磁気異方性を付与するために磁気ディスクの基板表面に略円周方向に形成されるテクスチャの影響や膜厚分布で、略円周方向に磁気特性のばらつきが生じる。
【０００７】
本発明は、磁気ディスクを起因とした問題点、つまり磁気特性のばらつきに着目し、ヘッドの浮上量をより正確に制御して書き込み性能、読み出し性能を向上させ、よりいっそうの高密度化を図り記憶容量を向上させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、磁気記憶媒体に情報の書き込み又は読み出しを行うヘッドと、前記ヘッドの浮上量を制御する浮上量制御部と、前記磁気記憶媒体における前記ヘッドの浮上量の補正を行う単位で前記磁気記憶媒体の磁気特性に対応した前記浮上量制御部の制御値を格納しておく格納部と、書き込み又は読み出しを行う位置に対応した制御値を前記格納部より得て前記浮上量制御部の制御を行い前記ヘッドの浮上量を制御する制御部とを有することを特徴とする。
【０００９】
また、本発明は、前記磁気特性は、前記ヘッドの前記磁気記憶媒体に対する情報の書き込み特性であることを特徴とする。
【００１０】
また、本発明は、前記磁気特性は、前記ヘッドの前記磁気記憶媒体に対する情報の読み出し特性であることを特徴とする。
【００１１】
また、本発明は、磁気記憶媒体に情報の書き込み又は読み出しを行うヘッドと、前記ヘッドの前記磁気記憶媒体面側の位置を変えることが可能な位置制御手段と、前記ヘッドが前記記憶媒体から読み出したエラーレイトの値に基づき、前記位置制御手段を制御し前記ヘッドの浮上量を変更する制御部とを有することを特徴とする。
【００１２】
また、本発明は、ヘッドの磁気記憶媒体に対する浮上量を浮上量制御部により制御する浮上量制御方法において、前記磁気記憶媒体における前記ヘッドの浮上量の補正を行う単位で前記記憶媒体の磁気特性に対応した前記浮上量制御部の制御値を格納する格納部より、書き込み又は読み出しを行う位置に対応した制御値を得る第一工程と、得られた前記制御値により前記浮上量制御部の制御を行い前記ヘッドの浮上量を制御する第二工程とを有することを特徴とする。
【００１３】
また、本発明は、前記磁気特性は、前記ヘッドの前記磁気記憶媒体に対する情報の書き込み特性であることを特徴とする。
【００１４】
また、本発明は、前記磁気特性は、前記ヘッドの前記磁気記憶媒体に対する情報の読み出し特性であることを特徴とする。
【００１５】
また、本発明は、ヘッドの磁気記憶媒体に対する浮上量を浮上量制御部により制御する制御装置において、前記磁気記憶媒体における前記浮上量の補正を行う単位で、前記記憶媒体の磁気特性に対応した前記浮上量制御部の制御値を格納する格納部より、書き込み又は読み出しを行う位置に対応した制御値を得て、得られた前記制御値により前記浮上量制御部の制御を行い前記ヘッドの浮上量を制御することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、磁気記憶媒体の磁気特性を考慮し、ヘッドの浮上量を正確に制御して書き込み性能、読み出し性能を向上させ、よりいっそうの高密度化を図り記憶容量を向上させることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下に図面を用いて本発明の実施の形態について説明する。
【００１８】
（実施例１）
（ＨＤＤのハードウェア構成図）
図１は、本発明に実施の形態におけるＨＤＤのハードウェア構成の一例を簡略的に示すブロック図である。図１に示すようにＨＤＤ１００は、ＨＤＤ１００全体の制御及びホスト装置（図示せず）とのホストインタフェースを介した送受信を制御するプリント回路部（ＰＣＡ：Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ  Ａｓｓｅｍｂｌｙ）１１と、ディスクエンクロージャ（ＤＥ：Ｄｉｓｋ  Ｅｎｃｌｏｓｕｒｅ）１２とからなる。
【００１９】
ＰＣＡ１１はハードディスクコントローラ（ＨＤＣ：Ｈａｒｄ  Ｄｉｓｋ  Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）１１１、マイクロコントロールユニット（ＭＣＵ：Ｍｉｃｒｏ  Ｃｏｎｔｒｏｌ  Ｕｎｉｔ）１１２、リードチャネル（ＲＤＣ：Ｒｅａｄ  Ｃｈａｎｎｅｌ）１１３、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）１１４、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）１１５及びサーボコンボチップ（ＳＶＣ：Ｓｅｒｖｏ  Ｃｏｍｂｏ  Cｈｉｐ）１１６を有する。ＨＤＣ１１１は、インタフェースプロトコル制御、データバッファ制御、ディスクフォーマット制御等の制御を行う。ＭＣＵ１１２は、演算処理を行ってＨＤＣ１１１、ＲＤＣ１１３及びＳＶＣ１１６の制御と、ＲＡＭ１１４及びＲＯＭ１１５等のＨＤＤ１００内のメモリの管理を行う。ＲＤＣ１１３は、記憶媒体である磁気ディスク１２５に対するデータの書き込みまたは読み出しのための処理である符号化、または復号化などを行う。ＨＤＣ１１１、ＭＣＵ１１２及びＲＤＣ１１３は、制御部１１０を構成する。ＲＡＭ１１４は、ＭＣＵ１１２が行う演算処理の中間データを含む各種データを格納する。ＲＯＭ１１５は、ＭＣＵ１１２が実行するプログラムやデータ等を格納する。ＳＶＣ１１６は、ＭＣＵ１１２からの指示に基づいてＤＥ１２内のボイスコイルモータ（ＶＣＭ：Ｖｏｉｃｅ  Ｃｏｉｌ  Ｍｏｔｏｒ）１２２及びスピンドルモータ（ＳＰＭ：Ｓｐｉｎｄｌｅ  Ｍｏｔｏｒ）１２４に対する駆動電流制御を行う。
【００２０】
ＤＥ１２は、プリアンプＩＣ１２１、ＶＣＭ１２２、アクチュエータ１２３、ＳＰＭ１２４、磁気ディスク１２５、磁気ヘッド１２６及び温度センサ（ＴＳＮＳ：Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｓｅｎｓｏｒ  Ｎｏｄｅｓ）１２７を有する。図１には、２枚の磁気ディスク１２５が設けられ、各磁気ディスク１２５に対して一対の磁気ヘッド１２６が設けられている場合が示されているが、磁気ディスク１２５の数と磁気ヘッド１２６の数は図１の場合に限定されるものではない。プリアンプＩＣ１２１は、ライト信号を増幅して磁気ヘッド１２６に供給するライトドライバ１２１Ｗと、磁気ヘッド１２６からのリード信号を増幅するリードドライバ１２１Ｒと、磁気ヘッド１２６内のヒータ（図示せず）を駆動するヒータドライバ１２１Ｈとを磁気ヘッド１２６の数Ｎに相当するチャネル数Ｎ分有し、それらの動作／非動作を選択的に切り換える。ＶＣＭ１２２は、磁気ヘッド１２６を支えるアクチュエータ１２３を磁気ディスクの略半径方向に駆動する。ＳＰＭ１２４は、磁気ディスク１２５を所定の回転数により回転させる。磁気ヘッド１２６は、図２において後述するが、対応する磁気ディスク１２５に対してライト信号を記録するライトヘッドと、対応する磁気ディスク１２５からリード信号を読み出すリードヘッドとヒータとを有する。温度センサ１２７は、ＤＥ１２内の温度、即ち、ＨＤＤ１００の環境温度を検出するもので、例えばサーミスタである。
【００２１】
（磁気ヘッドの内部構造）
図２は、ＲＤＣ１１３及びプリアンプＩＣ１２１を磁気ヘッド１２６の内部構造と共に示す図である。図２に示すように、プリアンプＩＣ１２１内にはヒータ制御回路１２１Ａが設けられており、磁気ヘッド１２６にはリードヘッド１２６Ｒ、ライトヘッド１２６Ｗ及びコイルで構成されたヒータ１２６Ｈを有する。リードヘッド１２６Ｒが磁気ディスク１２５から読み込んだリード信号は、リードプリアンプ１２１で増幅されてＲＤＣ１１３へ供給される。ライトヘッド１２６は、ＲＤＣ１１３からのライト信号をライトドライバ１２１Ｗを介して受信し、磁気ディスク１２５に書き込む。ヒータ１２６Ｈは、ヒータ制御回路１２１Ａによりヒータドライバ１２１Ｈを介してその発熱量が制御される。なお、ヒータ１２６Ｈをコイルで構成することにより、薄膜磁気ヘッドの工程においてヒータを製造することができるという利点がある。また、コイルは電流が流れてから発熱するまでにかかる時間が短く、応答特性が良いという利点がある。
【００２２】
（磁気ヘッドの断面図）
図３は、磁気ヘッド１２６の要部を示す断面図である。図２に示したライトヘッド１２６Ｗは、例えば図３に示すように、上部磁極１２６１と下部磁極１２６２にコイル１２６３が巻かれた構造を有する。コイル１２６３に電流が供給されると磁界がライトギャップに発生し、磁気ディスク１２５へのライト信号の書き込みが行われる。リードヘッド１２６Ｒは、例えば図３に示すように、アルミナとして知られた酸化アルミニウムＡｌ2Ｏ3を用いた絶縁層の中に上部シールド兼電極１２６５、下部シールド兼電極１２６６を形成し、媒体相対面１２６８のリードギャップとなる位置にリード素子１２６７を配置した構造を有している。上部シールド兼電極１２６５、下部シールド兼電極１２６６はリード素子１２６７に流入させるべき磁束以外の磁束を吸収する。リード素子１２６７は、磁束の流入に基づいて抵抗値が変化する。この抵抗値の変化を利用してリードヘッド１２６Ｒは信号を読み取っている。ヒータ１２６Ｈは、供給されるヒータ電流によって発熱量が制御され、その発熱量に応じてヒータ周囲の絶縁材（セラミック材など）磁気ヘッド樹脂部１２６４を含む磁気ヘッド１２６の各部が図３において点線で示した膨張部１２６９のように熱膨張する。この熱膨張は、磁気ヘッド１２６の浮上面、即ち、磁気ディスク１２５に向かう方向に発生する。この熱膨張した部分の値は磁気ヘッド膨張量（突出量）と呼ばれる。通常は磁気ヘッド１２６の浮上量はＦ１で保たれている。ヒータ電流を供給することで、ヒータ電力に応じた熱膨張が図３において、点線で示したように発生し、ヒータ電力に応じて膨張量ＰＱが変化する。従って、磁気ヘッド１２６の媒体側の先端部１２６０と媒体とのスペーシングは、この磁気ヘッド膨張量ＰＱ分だけ低下し、図３に示したＦ２となる。なお、スペーシングについては、図９を用いて後述する。
【００２３】
（対応関係を表す図）
以下に、各種対応関係を示した図について説明する。各図は、後述する磁気ディスクのトラックの円周方向に所定数に分割された各セクタと各セクタにおけるヒータ電流との対応関係を作成する処理において使用される。
【００２４】
図４にヒータ１２６Ｈの抵抗値が１００［Ω］の場合のヒータ電流とヒータ電力との対応関係を示す。
【００２５】
図５にヒータ電力と磁気ヘッド膨張量との対応関係を示す。図５で、四角でプロットされた点は、磁気ヘッドにおいてリード動作が行われている場合の、ヒータ電力と磁気ヘッド膨張量との関係を示す。一方、図５で、三角でプロットされた点は、磁気ヘッドにおいてライト動作が行われている場合の、ヒータ電力と磁気ヘッド膨張量との関係を示す。このように、リード動作が行われている場合と、ライト動作が行われている場合で、対応関係が異なるのは、ライト動作が行われている場合、ライト用コイルに電流を供給しているため、ライト用コイルからの発熱とヒータの発熱の両者によって磁気ヘッドが膨張するからである。
【００２６】
図６に、磁気ヘッド浮上量が変化した場合の磁気ヘッド浮上量とリードヘッド１２６Ｒから読み出されるリード信号のＳＮ比（Ｓｉｇｎａｌ  ｔｏ  Ｎｏｉｓｅ  ｒａｔｉｏ）との対応関係を示す。図６から分かるように、磁気ヘッド浮上量が高くなるとＳＮ比は低下し、磁気ヘッド浮上量が下がるとＳＮ比は向上して信号品質が向上する。
【００２７】
図７に、ＳＮ比とエラーレイトとの対応関係を示す。エラーレイトとは、テストデータを磁気ディスクに書き込んでから、当該テストデータを読み込んだ場合に、書き込んだ回数に対して正常に読み込めなかった回数の割合である。図７から分かるように、ＳＮ比が高くなると、即ち、磁気ヘッド浮上量が下がるとエラーレイトは低くなる。その結果、リード信号の誤り率が低下し、信号品質が向上する。一方、ＳＮ比が低くなると、即ち、磁気ヘッド浮上量が高くなると、エラーレイトが高くなる。その結果、リード信号の誤り率が増大して信号品質が低下する。
【００２８】
図８は、磁気記憶媒体における保磁力のばらつきを示している。同一の保磁力の値を等高線模様に示している。一点鎖線または点線が同一の保磁力の値の分布を示している。このように保磁力にばらつきがある場合は、同一円周上でのＳＮ比に影響が生じる。また、保磁力のばらつきは、磁気記憶媒体を製造する際の膜厚のばらつきにも起因している。磁気記憶媒体は、ガラスやアルミなどの基板の上に、下地膜、磁性膜（記録膜）、保護膜及び潤滑膜が順次積層されて構成される。磁気ディスクの膜厚のばらつきは、磁気ヘッドの浮上量が下がることで、無視できなくなっており、特に、保護膜及び潤滑膜の膜厚のばらつきに大きく依存する。保護膜の厚さは、例えば、４．０ｎｍとなっており、また、潤滑膜の厚さは、例えば、１．０ｎｍとなっている。潤滑膜、保護膜の膜厚にばらつきがあることで、磁気記憶媒体の記録膜と磁気ヘッドとの間隔が変化し、上述したＳＮ比に影響する。例えば、保護膜の厚さが±０．５ｎｍの範囲で変動すると、ＳＮ比は±０．３ｄＢの範囲で変動する。
【００２９】
図９は、磁気ヘッド１２６及び磁気ディスク１２５の一部分を拡大して示した図である。図９に示すように、磁気ディスク１２５は、テクスチャ加工されたアルミニウムなどからなる基板の上の下地膜に重ねて形成された単層もしくは多層で構成された記録膜１２５ａの表面に保護膜１２５ｂが積層され、さらに、保護膜１２５ｂの表面に潤滑膜１２５ｃを含む。基板がテクスチャ加工されているために、各層の境界も完全に平滑ではなく、図９に示すように、磁気ディスク１２５の表面にも微小な凹凸が見られる。ここで、図３において説明した先端部１２６０と磁気ディスク１２５の表面との距離Ｆ２をスペーシングと定義したのに対して、先端部１２６０と記録膜１２５ａの表面との距離ＰＱ´を磁気スペーシングと定義する。図８において説明したように、保磁力等の磁気特性が近似的に円周方向にばらつく原因として、基板の略円周方向に形成されたテクスチャが影響していると考えられる。
【００３０】
（テーブルの作成処理の全体フロー）
以下に、図１０を用いてトラックのセクタとヒータ電流とを対応付けたテーブルの作成処理について説明する。テーブルは、例えば、ＨＤＤの内部温度が、低温（０℃）、常温（４０度）、高温（６０度）の時のものが作成される。ＨＤＤが使用される環境によって、磁気ヘッドの特性に影響が出るからである。なお、テーブルは、磁気ディスク装置が有する各磁気ヘッドと各磁気ヘッドに対応した記憶媒体のトラック単位で作成される。このテーブル作成処理は、例えば、製造工程で行われる。
【００３１】
ステップＳ００１において、全ての磁気ヘッドが測定されたか否かを判定する。全ての磁気ヘッドが測定されていない場合は、処理はステップＳ００２へ移行する。
【００３２】
ステップＳ００２において、測定すべき磁気ヘッドが選択される。処理はステップＳ００３へ移行する。
【００３３】
ステップＳ００３において、磁気ディスク１２５上の全てのトラックにおいてテーブルが作成されたか否かを判定する。全てのトラックでテーブルが作成されていない場合は、処理はステップＳ００４へ移行する。
【００３４】
ステップＳ００４において、測定すべきトラックが選択される。処理はステップＳ００５へ移行する。
【００３５】
ステップＳ００５において、ステップＳ００４で選択されたトラックにおける全てのセクタについてリードチェックが行われたか否かが判定される。全てのセクタについてリードチェックが行われた場合は、処理はステップＳ００７へ移行する。一方、全てのセクタについてリードチェックが行われていない場合は、処理はステップＳ００６へ移行する。
【００３６】
ステップＳ００６において、リードチェックが行われる。リードチェックは、磁気ヘッド１２６のライトヘッドが、テストデータを磁気ディスクに書き込み、磁気ヘッド１２６のリードヘッドが、書き込まれたテストデータを読み出すことで行う。このリードチェックを各トラックの各セクタで行う。全てのセクタについてリードチェックが行われると処理はステップＳ００７へ移行し、あるトラックにおけるセクタとエラーレイトとの対応情報が作成される。図１１に、あるトラックのエラーレイトとセクタとの対応情報を示す。処理はステップＳ００８へ移行する。
【００３７】
ステップＳ００８において、ステップＳ００７で作成された対応情報に基づいて、ある磁気ヘッドのあるトラックにおけるセクタとヒータ電力とを表したテーブルを作成する。以下、図１２を用いてステップＳ００８における処理を詳細に説明する。
【００３８】
（テーブルの作成処理の詳細なフロー（その１））
ステップＳＡ０１において、ステップＳ００７において作成された対応情報からエラーレイトの最小値が求められる。なお、エラーレイトの最小値における磁気ヘッドの浮上量が基準浮上量となる。処理はステップＳＡ０２へ移行する。
【００３９】
ステップＳＡ０２において、全てのセクタにおけるエラーレイトの値とステップＳＡ０１において求められたエラーレイトの最小値との差分値が算出されたか否かが判定される。全てのセクタについて該差分値が算出された場合は、処理は図１０のステップＳ００３へ移行する。一方、全てのセクタについて該差分値が算出されていない場合は、処理はステップＳＡ０３へ移行する。
【００４０】
ステップＳＡ０３において、あるセクタのエラーレイトとステップＳＡ０１において求められたエラーレイトの最小値との差分値が算出される。なお、該差分値の算出は、セクタの番号が若い順から行われれば良い。処理はステップＳＡ０４へ移行する。
【００４１】
ステップＳＡ０４において、ステップＳＡ０１で算出されたエラーレイトの差分値と、図７を用いて説明したエラーレイトとＳＮ比との対応関係から、あるセクタにおける所要のＳＮ比が求められる。例えば、図１１において、エラーレイトの最小値は「３．２」である。ここで、エラーレイトが「３．４」のセクタとの差分を算出することを考える。図７において、エラーレイトが「３．２」と「３．４」に対応するＳＮ比はそれぞれ、「１６．５」、「１３．７」となる。処理はステップＳＡ０５へ移行する。
【００４２】
ステップＳＡ０５において、ステップＳＡ０４で求められた所要のＳＮ比と、図６を用いて説明したＳＮ比と磁気ヘッド浮上量との対応関係から所要の浮上量が求められる。所要のＳＮ比は、「２．８」となる。図６において、ＳＮ比が「１６．５」と「１３．７」に対応する浮上量はそれぞれ、「７．２」、「９．２」となり、磁気ヘッドの浮上量をさらに「２．０」下げれば良い。処理はステップＳＡ０６へ移行する。
【００４３】
ステップＳＡ０６において、ステップＳＡ０５で求められた所要の浮上量の差分と、図５を用いて説明した磁気ヘッドの膨張量とヒータ電力との対応関係から所要のヒータ電力が求められる。ここで、膨張させるべき磁気ヘッドの膨張量は「２．０」なので、図５から磁気ヘッドを「２．０」膨張させるのに必要なヒータ電力は、３０［ｍＷ］と求まる。なお、ステップＳＡ０６においては、図５において説明したように、磁気ヘッドにライト電流が供給されている場合における所要のヒータ電力も求められる。処理はステップＳＡ０７へ移行する。
【００４４】
ステップＳＡ０７において、ステップＳＡ０６で求められた所要のヒータ電力と、図４を用いて説明したヒータ電力とヒータ電流との対応関係から所要のヒータ電流が求められる。必要なヒータ電力は３０［ｍＷ］なので、ヒータ電流は、０．６５［ｍＡ］となる。処理はステップＳＡ０８へ移行する。
【００４５】
ステップＳＡ０８において、ステップＳＡ０７で求められたヒータ電流とセクタが対応付けられたテーブルが作成される。図１３に、ヒータ電流とセクタが対応付けられたテーブルを示す。テーブルからは、例えば、トラック２のセクタ２では、ヒータに電流Ｉ（２、２）を供給して、電力Ｗ（２、２）とすれば良いことが分かる。処理はステップＳＡ０２へ戻る。このように、あるトラックの各セクタと、各セクタにおけるヒータ電力とが対応付けられたテーブルが作成される。なお、ステップＳＡ０５において説明したように、テーブルはライト時とリード時の両方について作成される。あるトラックについてセクタとエラーレイトとのテーブルが作成されると、次のトラックにおけるテーブルを作成するために、処理はステップＳ００３に戻る。
【００４６】
ステップＳ００３において、磁気ディスク１２５上の全てのトラックでテーブルが作成されたと判定すると、処理はステップＳ００１へ戻り、残りの磁気ヘッドについて上述した処理がなされ、テーブルが作成される。
【００４７】
以上説明したように、磁気ディスク装置の各ヘッドについて、磁気ディスクの全てのトラックについて、ヒータ電流とセクタとが対応付けられたテーブルが作成される。そして、これらテーブルはＲＯＭや磁気ディスクなどの格納部に格納しておけば良い。
【００４８】
（浮上量制御処理の全体フロー）
以下に図１４を用いて、上述した処理で作成されたテーブルの制御値に基づいて磁気ヘッドの磁気ディスクに対する浮上量を制御する処理について説明する。本実施例では、磁気ヘッドの浮上量の補正を行う単位としてセクタを用いる。
【００４９】
ステップＳ１０１において、制御部１１０はホストインタフェースを介してホスト装置からリードまたはライトの要求があったか否かを判定する。なお、制御部１１０はホスト装置からの要求があると、当該要求をＲＡＭ１１４に格納する。ホスト装置からの要求があった場合、処理はステップＳ１０２へ移行する。
【００５０】
ステップＳ１０２において、制御部１１０はホスト装置からの要求がリード要求であるかライト要求であるかを判定する。上述したように、ライト要求の場合は、電流がコイルに供給されることで磁気ヘッドが膨張するため、後述するステップＳ１０６においてライト時におけるテーブルが選択される。処理はステップＳ１０３へ移行する。
【００５１】
ステップＳ１０３において、制御部１１０は、温度センサ１２７を介して磁気ディスク装置内の温度を取得する。磁気ディスク装置内の温度によって、ヒータ電力と熱膨張量との関係は異なるからである。処理はステップＳ１０４へ移行する。
【００５２】
ステップＳ１０４において、制御部１１０は、ホスト装置からの要求に基づいて、磁気ヘッドを選択する。そして、制御部１１０は、選択した磁気ヘッドの情報をＳＶＣ１１６へ渡す。さらに、ＳＶＣ１１６は、受け取った磁気ヘッドの情報に基づいてＶＣＭ１２３を制御する。処理はステップＳ１０５へ移行する。
【００５３】
ステップＳ１０５において、制御部１１０は、ホスト装置からの要求に基づいて、トラックを選択する。そして、制御部１１０は、選択したトラックの情報をＳＶＣ１１６へ渡す。さらに、ＳＶＣ１１６は、受け取ったトラックの情報に基づいてＶＣＭ１２３及びＳＰＭ１２４を制御する。処理はステップＳ１０６へ移行する。
【００５４】
ステップＳ１０６において、制御部１１０はステップＳ１０２からステップＳ１０５に基づいて、ＲＡＭ１１４からテーブルを選択する。テーブルは、磁気ディスクに格納されており、磁気ディスク装置が起動された時に、制御部１１０がＲＡＭ１１４に読み出す。処理はステップＳ１０７へ移行する。
【００５５】
ステップＳ１０７において、制御部１１０は、磁気ヘッドが目標セクタから一定数手前のセクタに到達した否かを判定する。ヒータに電流を供給しても、磁気ヘッドが膨張するまでには時間を要する。そのため、制御部１１０は、リード又はライトを行うべき目標セクタから一定数手前のセクタに到達した時に、ヒータに電流を供給する。当該一定数はパラメータとして磁気ディスクに格納されており、磁気ディスク装置が起動された時に、制御部１１０がＲＡＭ１１４に読み出す。なお、制御部１１０は、磁気ヘッドの位置に関する情報をＳＶＣ１１６から取得することで、磁気ヘッドが目標セクタから一定数手前のセクタに到達したか否かを判定している。処理はステップＳ１０８へ移行する。
【００５６】
ステップＳ１０８において、制御部１１０は、テーブルに基づいて磁気ヘッドのヒータ１２６Ｈに電流を供給する。具体的には、まず、制御部１１０がヒータ制御回路１２１Ａに供給すべき電流の情報を渡す。次に、ヒータ制御回路１２１Ａが、当該情報に基づいてヒータドライバ１２１Ｈを介してヒータ１２６Ｈに電流を供給する。処理はステップＳ１０９へ移行する。
【００５７】
ステップＳ１０９において、制御部１１０は、ＲＡＭ１１４に格納されているホストからの要求に関する情報とＳＶＣ１１６から取得する磁気ヘッドの位置に関する情報とを比較することにより、磁気ヘッドが目標セクタに到達したか否かを判定する。磁気ヘッドが目標セクタに到達した場合は、処理はステップＳ１１０へ移行する。
【００５８】
ステップＳ１１０において、制御部１１０は、ＲＡＭ１１４に格納されているホストからの要求に関する情報に基づいて、リードまたはライトを実行する。処理は終了する。
【００５９】
これによれば、同一トラック上において、エラーレイトが高いセクタで、磁気ヘッドを膨張させることができる。そのため、エラーレイトが高いセクタでは、磁気ヘッドの浮上量を下げることができ、ＳＮ比を向上させることができる。
【００６０】
（実施例２）
実施例１では、磁気ヘッド１２６のライトヘッドが、テストデータを磁気ディスクに書き込み、磁気ヘッド１２６のリードヘッドが書き込まれたデータを読み出すことによって算出されたエラーレイトに基づいて浮上量を制御した。そのため、算出されたエラーレイトは、ライト性能及びリード性能が総合的に評価されたものであった。実施例２では、ライト時には、ライト性能を評価するオーバライト特性に基づいて浮上量を制御する例について説明する。
【００６１】
（テーブルの作成処理の全体のフロー（その２））
以下に、図１５を用いてトラックのセクタとヒータ電流とを対応付けたテーブルの作成処理について説明する。
【００６２】
ステップＳ２０１において、全ての磁気ヘッドが測定されたか否かを判定する。全ての磁気ヘッドが測定されていない場合は、処理はステップＳ２０２へ移行する。
【００６３】
ステップＳ２０２において、測定すべき磁気ヘッドが選択される。処理はステップＳ２０３へ移行する。
【００６４】
ステップＳ２０３において、磁気ディスク１２５上の全てのトラックにおいてテーブルが作成されたか否かを判定する。全てのトラックでテーブルが作成されていない場合は、処理はステップＳ２０４へ移行する。
【００６５】
ステップＳ２０４において、測定すべきトラックが選択される。処理はステップＳ２０５へ移行する。
【００６６】
ステップＳ２０５において、ステップＳ２０４で選択されたトラックにおける全てのセクタについてライトチェックが行われたか否かが判定される。全てのセクタについてライトチェックが行われた場合は、処理はステップＳ２０７へ移行する。一方、全てのセクタについてライトチェックが行われていない場合は、処理はステップＳ２０６へ移行する。
【００６７】
ステップＳ２０６において、ライトチェックが行われる。ライトチェックは、まず、磁気ヘッド１２６のライトヘッドが、ある周波数ｆａのデータを磁気ディスクに書き込む。次に、例えば、ＲＤＣ１１３のハーモニクスセンサで周波数ｆａのデータのレベルＶｆａを測定する。さらに、周波数ｆａのデータが書き込まれている状態から異なる周波数ｆｂのデータを書き込む。次に、周波数ｆａのデータのレベルＶｆａ´を測定する。最後に、ＶｆａとＶｆａ´との比率をオーバライト特性として算出する。オーバライト特性は、磁気ヘッドの浮上量と相関がある。図１８に、オーバライト特性と浮上量との対応関係を示す。このライトチェックを各トラックの各セクタで行う。全てのセクタについてライトチェックが行われると処理はステップＳ２０７へ移行し、あるトラックにおけるセクタとオーバライト特性との対応情報が作成される。図１６に、あるトラックのオーバライト特性とセクタとの対応情報を示す。処理はステップＳ２０８へ移行する。以下、図１７を用いてステップＳ００８における処理を詳細に説明する。
【００６８】
（テーブルの作成処理の詳細なフロー（その２））
ステップＳＢ０１において、ステップＳ２０７において作成された対応情報からオーバライト特性の最小値が求められる。なお、オーバライト特性の最小値における磁気ヘッドの浮上量が基準浮上量となる。処理はステップＳＢ０２へ移行する。
【００６９】
ステップＳＢ０２において、全てのセクタにおけるオーバライト特性の値とステップＳＢ０１において求められたオーバライト特性の最小値との差分値が算出されたか否かが判定される。全てのセクタについて該差分値が算出された場合は、処理は図１５のステップＳ２０３へ移行する。一方、全てのセクタについて該差分値が算出されていない場合は、処理はステップＳＢ０３へ移行する。
【００７０】
ステップＳＢ０３において、あるセクタのオーバライト特性とステップＳＢ０１において求められたオーバライト特性の最小値との差分値が算出される。なお、該差分値の算出は、セクタの番号が若い順から行われれば良い。処理はステップＳＢ０４へ移行する。
【００７１】
ステップＳＢ０４において、ステップＳＢ０１で算出されたオーバライト特性の差分値と、図１８に示すオーバライト特性と浮上量との対応関係から、あるセクタにおける所要の浮上量が求められる。例えば、図１６において、オーバライト特性の最小値は「−３３」である。ここで、オーバライト特性が「−３０」のセクタとの差分を算出することを考える。図１８において、オーバライト特性が「−３３」と「−３０」に対応する浮上量はそれぞれ、「８．０」、「１２．０」となる。所要の浮上量の差分は「４．０」となる。処理はステップＳＢ０５へ移行する。
【００７２】
ステップＳＢ０５において、ステップＳＢ０４で求められた所要の浮上量と、図５を用いて説明した磁気ヘッドの膨張量とヒータ電力との対応関係から所要のヒータ電力が求められる。ここで、所要の浮上量の差分は「４．０」なので、膨張させるべき膨張量は「４．０」と求まる。さらに、図５からライト時に磁気ヘッドを「４．０」膨張させるのに必要なヒータ電力は、２５［ｍＷ］と求まる。処理はステップＳＢ０６へ移行する。
【００７３】
ステップＳＢ０６において、ステップＳＢ０５で求められた所要のヒータ電力と、図４を用いて説明したヒータ電力とヒータ電流との対応関係から所要のヒータ電流が求められる。必要なヒータ電力は２５［ｍＷ］なので、ヒータ電流は、０．４５［ｍＡ］となる。処理はステップＳＢ０７へ移行する。
【００７４】
ステップＳＢ０７において、ステップＳＢ０６で求められたヒータ電流とセクタが対応付けられたテーブルが作成される。図１９に、ヒータ電流とセクタが対応付けられたテーブルを示す。図１９から、例えばトラック１のセクタｎで、ヒータに供給すべき電流は、ＩＷ（１、ｎ）で、電力はＷＷ（１、ｎ）となることが分かる。処理はステップＳＢ０２へ戻る。このように、あるトラックの各セクタと、各セクタにおけるヒータ電流とが対応付けられたテーブルが作成される。あるトラックについてセクタとオーバライト特性とのテーブルが作成されると、次のトラックにおけるテーブルを作成するために、処理はステップＳ２０３に戻る。
【００７５】
実施例１において図１４を用いて説明したステップＳ１０６において、ホスト装置からライトの要求があったと判定した場合は、オーバライト特性に基づいて作成されたテーブルに基づいて、ヒータに供給する電流を制御する。これによれば、ライト時には、磁気ヘッドの磁気ディスクに対する情報の書き込み特性に対応して浮上量を制御することができる。
【００７６】
（実施例３）
実施例３では、リード時にはリード性能が評価されたエラーレイトに基づいて、浮上量を制御する例について説明する。
【００７７】
実施例３では、実施例１において、図１０のステップＳ００６において説明したリードチェックが異なり、その他の処理は同様なので、その説明を省略する。
【００７８】
本実施例におけるリードチェックでは、磁気ヘッドのリードヘッドが、磁気ディスクに予め書き込まれているサーボフレームを読み出す。このリードチェックを各トラックのサーボフレームが書き込まれているセクタで行う。サーボフレームが書き込まれている全てのセクタについてリードチェックが行われると、あるトラックのサーボフレームが書き込まれているセクタとエラーレイトとの対応情報が作成される。図２０に、あるトラックのサーボフレームが書き込まれているセクタとエラーレイトとの対応情報を示す。図２０に示したように、２０セクタおきにエラーレイトがプロットされているのは、サーボフレームが、例えば、２０セクタおきに形成されているからである。そして、サーボフレーム間のセクタのエラーレイトは、線形近似することで、あるトラックにおけるセクタとエラーレイトとの対応情報を作成する。このように作成された対応情報に基づいて、図１０を用いて説明した処理が行われることで、サーボフレームを読み出すことによって算出されたエラーレイトに基づいたテーブルが作成される。図２１にテーブルを示す。図２１からは、例えば、トラックＮ−１のセクタ１において、ヒータに供給する電流は、ＩＲ（Ｎ−１、１）で、電力はＷＲ（Ｎ−１、１）になることが分かる。
【００７９】
実施例１において、図１４を用いて説明したステップＳ１０６において、ホスト装置からリードの要求があったと判定した場合は、サーボフレームを読み出すことによって算出されたエラーレイトに基づいて作成されたテーブルに基づいて、ヒータに供給する電流を制御する。これによれば、リード時には、磁気ヘッドの磁気ディスクに対する情報の読み出し特性に対応して浮上量を制御することができる。
【００８０】
以上の実施の形態は、本発明をより良く理解させるために具体的に説明したものであって、別形態を制限するものではない。従って、発明の趣旨を変更しない範囲で変更可能である。本実施例では、浮上量制御部としてヒータを用いたが、圧電素子を用いても良い。また、本実施例においては、磁気ディスクの全てのトラックについてヒータ電流とセクタとが対応付けられたテーブルを作成したが、トラックの集合体であるゾーンについてヒータ電流とセクタとが対応付けられたテーブルを作成しても良い。また、例えば、ヒータ電流と連続するセクタ３つとが対応付けられたテーブルを作成するなど、ヒータ電流と任意の数のセクタとが対応付けられたテーブルを作成しても良い。
【００８１】
次に、以上に述べた実施形態から生成される技術的思想を請求項の記載形式に準じて付記として列挙する。本発明に係る技術的思想は上位概念から下位概念まで、様々なレベルやバリエーションにより把握できるものであり、以下の付記に本発明が限定されるものではない。
（付記１）
磁気記憶媒体に情報の書き込み又は読み出しを行うヘッドと、
前記ヘッドの浮上量を制御する浮上量制御部と、
前記磁気記憶媒体における前記ヘッドの浮上量の補正を行う単位で前記磁気記憶媒体の磁気特性に対応した前記浮上量制御部の制御値を格納しておく格納部と、
書き込み又は読み出しを行う位置に対応した制御値を前記格納部より得て前記浮上量制御部の制御を行い前記ヘッドの浮上量を制御する制御部と、
を有することを特徴とする磁気記憶装置。
（付記２）
前記磁気特性は、前記ヘッドの前記磁気記憶媒体に対する情報の書き込み特性であることを特徴とする付記１記載の磁気記憶装置。
（付記３）
前記磁気特性は、前記ヘッドの前記磁気記憶媒体に対する情報の読み出し特性であることを特徴とする付記１記載の磁気記憶装置。
（付記４）
ヘッドの磁気記憶媒体に対する浮上量を浮上量制御部により制御する浮上量制御方法において、
前記磁気記憶媒体における前記ヘッドの浮上量の補正を行う単位で前記記憶媒体の磁気特性に対応した前記浮上量制御部の制御値を格納する格納部より、書き込み又は読み出しを行う位置に対応した制御値を得る第一工程と、
得られた前記制御値により前記浮上量制御部の制御を行い前記ヘッドの浮上量を制御する第二工程と、
を有することを特徴とする浮上量制御方法。
（付記５）
前記磁気特性は、前記ヘッドの前記磁気記憶媒体に対する情報の書き込み特性であることを特徴とする付記４記載の浮上量制御方法。
（付記６）
前記磁気特性は、前記ヘッドの前記磁気記憶媒体に対する情報の読み出し特性であることを特徴とする付記４記載の浮上量制御方法。
（付記７）
ヘッドの磁気記憶媒体に対する浮上量を浮上量制御部により制御する制御装置において、
前記磁気記憶媒体における前記浮上量の補正を行う単位で、前記記憶媒体の磁気特性に対応した前記浮上量制御部の制御値を格納する格納部より、書き込み又は読み出しを行う位置に対応した制御値を得て、
得られた前記制御値により前記浮上量制御部の制御を行い前記ヘッドの浮上量を制御することを特徴とする制御装置。
（付記８）
前記磁気特性は、前記ヘッドの前記磁気記憶媒体に対する情報の書き込み特性であることを特徴とする付記７記載の制御装置。
（付記９）
前記磁気特性は、前記ヘッドの前記磁気記憶媒体に対する情報の読み出し特性であることを特徴とする付記７記載の制御装置。
【図面の簡単な説明】
【００８２】
【図１】本発明の記憶装置の一実施例の基本構成を示すブロック図である。
【図２】ＲＤＣ及びプリアンプＩＣを磁気ヘッドの内部構造と共に示す図である。
【図３】磁気ヘッドの断面図である。
【図４】ヒータの抵抗値が１００Ωの場合のヒータ電流とヒータ電力との関係を表す図である。
【図５】ヒータ電流と磁気ヘッドの膨張量との関係を表す図である。
【図６】磁気ヘッドの浮上量とＳＮ比との関係を表す図である。
【図７】ＳＮ比とエラーレイトとの関係を表す図である。
【図８】磁気記憶媒体の保磁力のばらつきを表した図である。
【図９】磁気ヘッド及び磁気ディスクの一部分を拡大して示した図である。
【図１０】円周方向の各セクタとヒータ電流との関係を表すテーブルを作成する処理のフローチャート（その１）である。
【図１１】円周方向の各セクタとエラーレイトとの対応情報を表す図（その１）である。
【図１２】円周方向の各セクタにおける所要のヒータ電流を算出する処理の詳細なフローチャートである。
【図１３】円周方向の各セクタとヒータ電流との関係を表すテーブル（その１）である。
【図１４】実施例の動作を説明するフローチャートである。
【図１５】円周方向の各セクタとヒータ電流との関係を表すテーブルを作成する処理の詳細なフローチャート（その２）である。
【図１６】円周方向の各セクタとオーバライト特性との対応情報を表す図である。
【図１７】円周方向の各セクタにおける所要のヒータ電流を算出する処理の詳細なフローチャート（その２）である。
【図１８】磁気ヘッドの浮上量とオーバライト特性との関係を表す図である。
【図１９】円周方向の各セクタとヒータ電流との関係を表すテーブル（その２）である。
【図２０】円周方向の各セクタとエラーレイトとの対応情報を表す図（その２）である。
【図２１】円周方向の各セクタとヒータ電流との関係を表すテーブル（その３）である。
【符号の説明】
【００８３】
１１  ＰＣＡ
１２  ＤＥ
１００  ＨＤＤ
１１０  制御部
１１１  ＨＤＣ
１１２  ＭＣＵ
１１３  ＲＤＣ
１１４  ＲＡＭ
１１５  ＲＯＭ
１１６  ＳＶＣ
１２１  プリアンプ
１２１Ａ  ヒータ制御回路
１２１Ｈ  ヒータドライバ
１２１Ｒ  リードドライバ
１２１Ｗ  ライトドライバ
１２２  ＶＣＭ
１２３  アクチュエータ
１２４  ＳＰＭ
１２５  磁気ディスク
１２５ａ  記録膜
１２５ｂ  保護膜
１２５ｃ  潤滑膜
１２６  磁気ヘッド
１２６０  先端部
１２６１  上部磁極
１２６２  下部磁極
１２６３  コイル
１２６４  磁気ヘッド樹脂部
１２６５  上部シールド兼電極
１２６６  下部シールド兼電極
１２６７  リード素子
１２６８  媒体相対面
１２６９  膨張部
１２６Ｈ  ヒータ
１２６Ｒ  リードヘッド
１２６Ｗ  ライトヘッド
１２７  ＴＳＮＳ
【図１】
2008243288.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
2008243288.tif 000010
【図９】
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【図１０】
2008243288.tif 000012
【図１１】
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【図１２】
2008243288.tif 000014
【図１３】
2008243288.tif 000015
【図１４】
2008243288.tif 000016
【図１５】
2008243288.tif 000017
【図１６】
2008243288.tif 000018
【図１７】
2008243288.tif 000019
【図１８】
2008243288.tif 000020
【図１９】
2008243288.tif 000021
【図２０】
2008243288.tif 000022
【図２１】
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