(57)【要約】【課題】記憶装置の起動直後などにおける、記憶媒体が停止状態から回転開始した時から装置の環境温度が定常状態となるまでの時間におけるヘッド浮上量を好適な浮上量として書き込み処理の特性を改善する。【解決手段】記憶装置の稼働時間を計測する計測部と、記憶媒体を回転駆動させる駆動部と、前記記憶媒体に対して読み出し処理を行う読み出し素子と該記憶媒体に対して書き込み処理を行う書き込み素子とからなるヘッド素子と該ヘッド素子を該記憶媒体に向けて突出させるヒータとを備えたヘッドスライダと、前記ヘッド素子の突出量を制御する制御部とを備え、前記制御部は、前記計測部によって計測された時間が所定値となるまでは、第１所定値の通電量を前記ヒータへ通電させる指示をおこない、前記時間が所定値を超えると前記第１所定値よりも低い第２所定値の通電量を前記ヒータへ通電させる指示を行う。【選択図】図５
2008243249.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データが記憶される記憶媒体を備えた記憶装置であって、
前記記憶装置の稼働時間を計測する計測部と、
前記記憶媒体を回転駆動させる駆動部と、
前記記憶媒体に対して読み出し処理を行う読み出し素子と該記憶媒体に対して書き込み処理を行う書き込み素子とからなるヘッド素子と該ヘッド素子を該記憶媒体に向けて突出させるヒータとを備えたヘッドスライダと、
前記ヘッド素子の突出量を制御する制御部とを備え、
前記制御部は、前記計測部によって計測された時間が所定値となるまでは、第１所定値の通電量を前記ヒータへ通電させる指示をおこない、前記時間が所定値を超えると前記第１所定値よりも低い第２所定値の通電量を前記ヒータへ通電させる指示を行う事を特徴とする記憶装置。
【請求項２】
データが記憶される記憶媒体を備えた記憶装置であって、
前記記憶装置の稼働時間を計測する計測部と、
前記記憶媒体を回転駆動させる駆動部と、
前記記憶媒体に対して読み出し処理を行う読み出し素子と該記憶媒体に対して書き込み処理を行う書き込み素子とからなるヘッド素子を備えたヘッドスライダと、
前記書き込み素子への通電量を制御する制御部とを備え、
前記制御部は、前記計測部によって計測された時間が所定値となるまでは、第１所定値の通電量を前記書き込み素子へ通電させる指示をおこない、前記時間が所定値を超えると前記第１所定値よりも低い第２所定値の通電量を前記書き込み素子へ通電させる指示を行う事を特徴とする記憶装置。
【請求項３】
前記制御部は、前記書き込み素子への通電量のうちオーバーシュート電流のみを変化させることを特徴とする請求項２に記載の記憶装置。
【請求項４】
記憶媒体に対して読み出し処理を行う読み出し素子と該記憶媒体に対して書き込み処理を行う書き込み素子とからなるヘッド素子と該ヘッド素子を該記憶媒体に向けて突出させるヒータとを備えたヘッドスライダを用いた記憶装置の制御装置であって、
前記記憶装置の稼働時間が所定値となるまでは、第１所定値の通電量を前記ヒータへ通電させる指示をおこない、前記稼働時間が所定値を超えると前記第１所定値よりも低い第２所定値の通電量を前記ヒータへ通電させる指示を行う事を特徴とする記憶装置の制御装置。
【請求項５】
記憶媒体に対して読み出し処理を行う読み出し素子と該記憶媒体に対して書き込み処理を行う書き込み素子とからなるヘッド素子を備えたヘッドスライダを用いた記憶装置の制御部であって、
前記記憶装置の稼働時間が所定値となるまでは、第１所定値の通電量を前記書き込み素子へ通電させる指示をおこない、前記稼働時間が所定値を超えると前記第１所定値よりも低い第２所定値の通電量を前記書き込み素子へ通電させる指示を行う事を特徴とする記憶装置の制御装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回転する記憶媒体上でヘッドを浮上させてデータを読み書きする記憶装置ならびに記憶装置の制御装置に関し、特に、記憶媒体の回転動作開始時から一定時間におけるヘッドの浮上量を、好適な浮上量となるように制御する記憶装置ならびに記憶装置の制御装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、磁気ディスク装置に代表される記憶装置においては、高記録密度を実現するため磁気ディスク等の記憶媒体の記録面に対するヘッドの浮上量を低下させる必要があり、近年にあっては、１０ｎｍ以下という極めて小さいオーダーの浮上量が実現されている。
【０００３】
しかしながら、ヘッドの浮上量が低下すると磁気ディスク面の微小突起との衝突が発生しやすくなり、またヘッドごとのクリアランスのばらつきがメカの公差範囲で存在するため、媒体接触を考慮すると、浮上量を公差範囲を超えて低く設定することができない問題がある。
【０００４】
そこで、ヘッドにヒータを内蔵し、ヒータの通電に伴うヘッド浮上面の熱膨張による突出現象を利用して、ヘッドと磁気ディスクの記録面とのクリアランスをコントロールする特許文献１のような方法が提案されている。
【０００５】
また、特許文献２のように、ヘッド浮上面が磁気ディスク方向に突き出してしまう現象（サーマルプロトリューション：ＴＰＲ）による突出量（ＴＰＲ量）の変化を試験工程などで測定して磁気ディスク上に保持しておき、このデータを用いてヘッドごとに浮上量を管理する方法が提案されている。
【特許文献１】特開２００３−１６８２７４号公報
【特許文献２】特開２００５−０７１５４６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献２に開示されるような試験工程でのヘッド浮上量の調整は、記憶装置の環境温度が定常状態となった状態を基本として調整している。そのため記憶装置の起動直後など、環境温度が定常状態となるまでの過渡期における環境温度においては、必ずしも最適なヘッドの浮上量とはなっていない。
【０００７】
一般的に記憶装置に備えられた記憶媒体が回転動作を開始した直後、例えば記憶装置に電源が投入され動作を開始した場合や、記憶装置の電源は既に投入されているが省電力モード等の記憶媒体の回転動作は停止している状態から復帰した場合には、記憶装置の環境温度は定常状態よりも低温環境となっている。そのため、ヘッドの浮上量は定常状態における浮上量よりも高くなってしまう。例えば図８に示すように記憶装置の起動直後はヘッドの浮上量が定常状態における浮上量よりも０．４〜０．６ｎｍ程度高いことが知られている。また、設計段階や試験工程等で予め設定された値で好適に動作できる状態、すなわち定常状態となるまで、およそ１０分間程度かかることが知られている。
【０００８】
また、ヘッドや磁気ディスク近傍における局所的な環境温度の短時間における変化は、温度センサをヘッド等の近傍に配置することが難しいため、温度センサを用いて浮上量を制御することも難しい。
【０００９】
そのため、記憶装置の起動直後から定常状態となるまでのこの時間内に、記憶装置の定常状態に対して好適に設定された条件で記憶装置を動作させた場合、ヘッドの浮上量が定常状態よりも高いことに起因して、読み出し処理や書き込み処理の特性、特に浮上量の影響を受けやすい書き込み処理の特性が低下してしまう。その結果、書き込み処理に失敗することとなり、その後の読み出し処理でも失敗することとなる。
【００１０】
そこで本発明は、記憶装置の起動直後から装置の環境温度が定常状態となるまでの時間におけるヘッド浮上量を、好適な浮上量とすることを目的とする。更には、前記時間における、読み出し処理ならびに書き込み処理における特性が改善された、信頼性の向上した記憶装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
そこで本発明は上記目的を達成するために、前記記憶装置の稼働時間を計測する計測部と、前記記憶媒体を回転駆動させる駆動部と、前記記憶媒体に対して読み出し処理を行う読み出し素子と該記憶媒体に対して書き込み処理を行う書き込み素子とからなるヘッド素子と該ヘッド素子を該記憶媒体に向けて突出させるヒータとを備えたヘッドスライダと、前記ヘッド素子の突出量を制御する制御部とを備え、前記制御部は、前記計測部によって計測された時間が所定値となるまでは、第１所定値の通電量を前記ヒータへ通電させる指示をおこない、前記時間が所定値を超えると前記第１所定値よりも低い第２所定値の通電量を前記ヒータへ通電させる指示を行う事を特徴とする。
【００１２】
本解決手段によれば、例えば記憶媒体の回転駆動開始時より所定の時間に渡ってヒータへの通電量を増加させることで、ヘッドの浮上量を好適な状態とすることが可能である。
【００１３】
また、別の解決手段として、前記記憶装置の稼働時間を計測する計測部と、前記記憶媒体を回転駆動させる駆動部と、前記記憶媒体に対して読み出し処理を行う読み出し素子と該記憶媒体に対して書き込み処理を行う書き込み素子とからなるヘッド素子を備えたヘッドスライダと、前記書き込み素子への通電量を制御する制御部とを備え、前記制御部は、前記計測部によって計測された時間が所定値となるまでは、第１所定値の通電量を前記書き込み素子へ通電させる指示をおこない、前記時間が所定値を超えると前記第１所定値よりも低い第２所定値の通電量を前記書き込み素子へ通電させる指示を行う事を特徴とする。
【００１４】
本解決手段によれば、例えば記憶媒体の回転駆動開始時より所定の時間に渡って書き込み素子を構成するコイルへの通電量を増加させることで、ヘッドの浮上量を好適な状態とすることが可能である。また、書き込み素子を構成するコイルへ通電されるオーバーシュート電流のみを増加させることを特徴としてもよい。
【発明の効果】
【００１５】
したがって本発明によれば、装置の起動直後の記憶媒体が停止状態から回転開始した時から装置の環境温度が定常状態となるまでの時間におけるヘッド浮上量を好適な浮上量とすることが可能となる。そのため、前記時間における、読み出し処理ならびに書き込み処理の特性が改善された、信頼性の向上した記憶装置を提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
HYPERLINK "http://webpat.lip.fujitsu.com/patimage/hz/d9/hzd9ha3a.tif" 図１は本発明による磁気ディスク装置の制御ブロック図である。 HYPERLINK "http://webpat.lip.fujitsu.com/patimage/hz/d9/hzd9ha3a.tif" 図１において、ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）として知られる磁気ディスク装置１００には、上位装置と接続されるホストインタフェースを制御するホストインタフェース制御部１０２、上位装置から受信したデータを格納するバッファメモリ１０３、前記バッファ１０３を制御するバッファメモリ制御部１０４が設けられている。
【００１７】
また、受信したデータに対してECC計算等を行うフォーマット制御部１０５、読み出したデータの復調ならびに所定の値に増幅処理等を行うリードライトチャネル１０６、ヘッド１１４からの出力を制御するヘッドIC１０７等を備えており、上位装置から受信したデータを記憶媒体１１５に対して書き込み、もしくは読み出し処理を行う。
【００１８】
ＭＰＵ１０８は、バス１１６を介して制御プログラム及び制御データを格納するメモリ１０９や制御プログラム等を格納する不揮発メモリ１１０に接続されている。
【００１９】
またＭＰＵ１０８は、バス１１６を介して前述の、ホストインタフェース制御部１０２、バッファメモリ１０３を制御するバッファメモリ制御部１０４、リードライトチャネル１０６等にも接続されている。サーボ制御部１１１は、ボイスコイルモータ(ＶＣＭ)１１２及びスピンドルモータ(ＳＰＭ)１１３を制御する。
【００２０】
また、ＭＰＵ１０８にはタイマカウンタ１１７が備えられており、磁気ディスク装置の起動時間等を計測する際に用いられる。タイマカウンタは、例えばＭＰＵ１０８上で動作するプログラムの一機能として実現される。なお、タイマカウンタは図示したようにＭＰＵ１０８に備える形態のほかに、バス１１６を介してＭＰＵ１０８に接続される独立した回路としてもよい。また、磁気ディスク装置が接続される上位装置のタイマカウンタを用いることも可能である。すなわち、上位装置から通知されるタイマカウンタの値をＭＰＵ１０８内などに記憶して、タイマカウンタとすることも可能である。
【００２１】
ＭＰＵ１０８、メモリ１０９、ホストインタフェース制御部１０２、バッファメモリ制御部１０４、リードライトチャネル１０６等は、１つの制御装置、たとえばＬＳＩ装置として構成することも可能である。
【００２２】
上位装置からのライトコマンドとライトデータをホストインタフェース制御部１０２で受けると、ＭＰＵ１０８はライトコマンドの内容を解析し必要に応じてバッファメモリ１０３にライトデータを格納する。その後、ライトデータは、フォーマット制御部で所定のデータ形式に変換されると共にＥＣＣ処理によりＥＣＣ符号を付加される。さらに、リードライトチャネル１０６において、スクランブル、ＲＬＬ符号変換、更に書込補償が行われた後、ライトデータはヘッドＩＣ１０７を介してヘッド１１４の書込素子から磁気ディスク１１５に書き込まれる。
【００２３】
このときＭＰＵ１０８からサーボ制御部１１１にヘッド位置決め信号が与えられており、ボイスコイルモータ１１２によりヘッド１１４をコマンドで指示された目標トラックにシークした後にオントラックしてトラック追従制御を行っている。
【００２４】
一方、ホストからのリードコマンドをホストインタフェース制御部１０２で受けると、ＭＰＵ１０８はリードコマンドを解読する。その後、解読結果に基づいてヘッドＩＣ１０７を介してヘッド１１４の読出素子により信号が読み出される。さらに読み出された信号は、読出信号をプリアンプで増幅された後に、リードライトチャネル１０６のリード復調系に入力され、パーシャルレスポンス最尤検出（ＰＲＭＬ）などによりリードデータとして復調される。さらに、フォーマット制御部１０５でＥＣＣ処理等を行ってエラーを検出訂正した後、バッフメモリ１０３にバッファリングされる。その後リードデータは、ホストインタフェース制御部１０２によってホストに転送される。
【００２５】
HYPERLINK "http://webpat.lip.fujitsu.com/patimage/hz/d9/hzd9ha3b.tif" 図２は HYPERLINK "http://webpat.lip.fujitsu.com/patimage/hz/d9/hzd9ha3a.tif" 図１の磁気ディスク装置１００の筐体内部構造を示している。 HYPERLINK "http://webpat.lip.fujitsu.com/patimage/hz/d9/hzd9ha3b.tif" 図２において、磁気ディスク装置１００には、スピンドルモータ２０１により回転される磁気ディスク２０２が組み込まれており、磁気ディスク２０２に対しボイスコイルモータ２０３により駆動されるヘッドアクチュエータ２０４が設けられ、ヘッドアクチュエータ２０４の先端にはヘッドスライダ２０５が装着されている。
【００２６】
HYPERLINK "http://webpat.lip.fujitsu.com/patimage/hz/d9/hzd9ha3c.tif" 図３は本実施形態のヘッドスライダの断面図である。ヘッドスライダ３００は、アルチック等のセラミック材料などで作られるヘッドスライダ本体３０１と、アルミナ等で形成される素子成形部３０２とから構成されている。素子成形部３０２には、記録コイル３０３と記録コア３０４とからなる書込素子３０６が設けられる。この書込素子に隣接して読出素子３０５が設けられる。読出素子３０５としては、ＧＭＲ素子（Ｇｉａｎｔ  Ｍａｇｎｅｔｏ  Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ素子）やＴＭＲ素子（Ｔｕｎｎｅｌｉｎｇ  Ｍａｇｎｅｔｏ  Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ素子）が用いられる。
【００２７】
また、素子成形部３０２には各素子に近接してヒータ３０７が設けられている。ＭＰＵ１０８からの指示に基づいて予め定められている通電量をヒータ３０７に通電して加熱することで、書込素子３０６と読出素子３０５とからなる素子部を磁気ディスク３０８側に膨張突出することが可能である。ここで、素子部と磁気ディスク３０８の間の浮上量３０９は、書込素子３０６の下端から磁気ディスク３０８までの間隔と定義される。
【００２８】
つづいてヘッドスライダの素子部の突出状態を図４を用いて説明する。ヒータ４０７に通電すると、図4(a)に示すように、ヒータ４０７の発熱作用によって素子形成部４０２が熱膨張する。そのため、ヒータ４０７より磁気ディスク４０８側に配置されている読出素子４０５ならびに書込素子４０６は、磁気ディスク４０８に向けて突出する。その結果浮上量４０９は低下するために、磁気ディスク４０８に対する書き込み処理並びに読み出し処理の特性が改善されてエラーの発生が低減する。
【００２９】
また、記録コイル４０３に通電されてもコイルからの発熱作用によって素子成形部は熱膨張をすることとなる。そのため、図4(b)に示すように、書込素子４０６は磁気ディスク４０８に向けて突出することとなる。その結果図4(a)に示した場合と同様に、浮上量４０９は低下するために磁気ディスク４０８に対する書き込み処理の特性が改善されエラー発生が低減する。
【００３０】
ここで、書込素子４０６への通電処理には大別して２種類ある。一つは、書き込み処理に必要な磁界を生じるために書き込み処理時に通電される書き込み処理電流であり、この通電によって磁気ディスク４０８に対して書き込み処理が実施される。なお、書き込み処理電流の値は、書き込み処理時において一定値である。この値はあらかじめ設計段階や、工場での試験段階での試験結果などに基づいて、その記憶装置で定常状態において書き込み処理を行う際に最適となるように設定された値であり、記憶装置内の不揮発メモリやレジスタ等に格納されている値である。
【００３１】
もう一つは、書き込み処理電流の通電に先立って、書き込み処理電流として通電される電流値よりも高い電流値を、一時的に通電するオーバーシュート電流の通電処理である。これは、記録コイル４０３に通電開始してから書き込み処理に必要な強度の磁界が生じるまでには、若干の時間的猶予を必要とすることに鑑み、書き込み特性を改善するために実施されるものである。これらいずれの記録コイル４０３への通電においても、図4(b)に示すような書込素子４０６の突出が生じる。
【００３２】
本発明の実施例について、図５に示す加算処理の起動処理フローチャート並びに、図６に示す加算処理のフローチャートに基づいて説明を行う。
【００３３】
磁気ディスク装置１００に備えられた磁気ディスクが回転動作を開始する状態になったとき、例えば記憶装置に電源が投入された場合や、省電力モード等の記憶媒体の回転動作が停止している状態からの復帰が指示された場合には、ＭＰＵ１０８はスピンドルモータの動作状態を確認する(Ｓ５０１)。ＭＰＵ１０８は、スピンドルモータが停止状態であった場合には(Ｓ５０１ Ｎｏ)、スピンドルモータが回転開始したかを判断し、回転が開始したと判断した場合は(Ｓ５０２ Ｙｅｓ)、後述の加算処理を開始する(Ｓ５０３)。
【００３４】
なお、磁気ディスク装置がＳＣＳＩ(Ｓｍａｌｌ Ｃｏｍｐｕｔｅｒ Ｓｙｓｔｅｍ Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ)インタフェースを介して上位装置と接続されている場合には、上位装置よりＳｔａｒｔ Ｕｎｉｔコマンドを受信するので、本コマンドの受信を契機として加算処理を開始することも可能である。同様に、ＳＡＳ(Ｓｅｒｉａｌ Ａｔｔａｃｈｅｄ ＳＣＳＩ) インタフェースを介して上位装置と接続されている場合には、上記コマンドに加えてＳｔａｒｔ Ｕｎｉｔ Ｎｏｔｉｆｙコマンドを受信することもあるので、これらのコマンドを契機として加算処理を開始することも可能である。このようにスピンドルモータ回転開始処理と同時期に発行される上位装置からのコマンドに基づいて加算処理を開始してもよい。
【００３５】
ここで加算処理とは、前述の要因を契機として所定の時間に渡って、ヒータ４０７や記録コイル４０３に通電される通電量を、定常状態で好適となるように設定された通電量よりも高く設定する処理いう。すなわち、磁気ディスク装置の起動直後のヘッドの浮上量と、定常状態でのヘッドの浮上量との差分に相当する、ヘッドの突き出し量を生じさせる通電量を定常状態の通電量に対して加算する。
【００３６】
また、具体的な加算方法としては、上述の加算量を定常状態の電流値に加算して用いても良いし、定常状態で用いられる値に上述の値を加算した値を予め磁気ディスク装置内に記憶させておき、その値を選択して用いるようにしてもよい。なお、この加算処理は、ＭＰＵ１０８からの指示に基づいて、ヒータの電流値が設定されるレジスタ等の値を変更することによって実施される。
【００３７】
この加算処理に伴ってＭＰＵ１０８は、この処理時点におけるタイマカウンタ１１７が示すタイマカウンタ値をメモリ上に保持するか、または、タイマカウンタ１１７を一旦初期化してから再度タイマカウンタ１１７を起動する初期化処理を行う(Ｓ６０１)。
【００３８】
つづいて、ヒータに通電されるヒータ電流の値として定常状態における通電量に前述の所定の値を加算した値を設定する。(Ｓ６０２)。
【００３９】
このようにヒータ４０７に対する通電量を加算することで、書込素子４０６と読出素子４０５とが磁気ディスク４０８に向けて突出するため、書き込み処理特性ならびに読み出し処理特性について改善することができる。
【００４０】
ここで、ヒータ４０７への通電量に対して加算処理を行う代わりに、記録コイル４０３に対する通電量に対して加算処理を行ってもよい。加算処理の仕方は、ヒータ４０７への通電量への加算処理と同様である。
【００４１】
すなわち、磁気ディスク装置の起動直後のヘッドの浮上量と定常状態でのヘッドの浮上量との差分に相当するヘッドの突き出し量を生じさせる通電量を加算量として、定常状態の記録コイル４０３に通電される電流値に加算すればよい。ここで、定常状態の電流値に上述の加算量を加算して用いても良いし、定常状態で用いられる値に上述の加算量を加算した値を予め磁気ディスク装置内に記憶させておき、その値を選択して用いるようにしてもよい。なお、この加算処理は、ＭＰＵ１０８からの指示に基づいて、記録コイル４０３の電流値が設定されるレジスタ等の値を変更することによって実施される。
【００４２】
また、この際の記録コイル４０３に対する通電量の加算の仕方としては、書き込み処理時に通電される書き込み電流値に対して加算処理をしてもよく、書き込み処理に先立って通電されるオーバーシュート電流値に対して加算処理をしても良い。
【００４３】
このように、記録コイル４０３に対する通電量に対して加算処理をすることで、書込素子４０６を中心として突出することとなるため、主として書き込み処理の特性が向上することとなる。
【００４４】
ここで、記録コイル４０３に対する通電のうち、オーバーシュート電流を増加させた場合には、オーバーシュート電流によって書込素子が突出した状態で書き込み処理を実施することが可能である。そのため、定常状態での書き込み電流値で書き込み処理を行うことが可能となるために、より少ない消費電力で環境温度が定常状態となるまでの期間の書き込み処理特性を改善することが可能である。もちろん、上記の方法を組み合わせて用いることも可能である。
【００４５】
つづいて、ＭＰＵ１０８は、磁気ディスク装置のスピンドルモータの回転開始処理が実施されてから、または上位装置からの動作開始時に発行される特定のコマンドを受信してから、ヘッド浮上量が定常状態での通電量で書き込み処理ができるようになるまでの時間、例えば１０分間が経過したのか確認を行う(Ｓ６０３)。
【００４６】
この確認方法については、一定の時間間隔ごとに定期的にタイマカウンタ値を確認して、タイマカウンタ値が前述の時間が経過したことを示す値になっているか、または、タイマカウンタ値とメモリ上に保持した値との差が、同様に前述の時間が経過したことを示す値となっているかを確認するようにすればよい。なお、タイマカウンタ値を確認する時間間隔は、磁気ディスク装置の動作状態や負荷状態に応じて適宜変更することも可能である。また、一定時間の経過を契機として、ＭＰＵ１０８に対して割り込み通知が上がるようにしてもよい。
【００４７】
ＭＰＵ１０８は、上述の方法で所定の時間が経過したことを認識すると(Ｓ６０３  Ｙｅｓ)、ヒータ４０７または記録コイル４０３への通電量を定常状態における通電量へと変更する(Ｓ６０４)。この変更処理においても、前述のＳ６０１の場合と同様に、変更後の値をレジスタ等に設定することによって変更される。
【００４８】
また、本実施例においては、経過時間に応じた設定値として、定常状態において最適に設定された値と、それに対して一定値を加算して高く設定された値との２つの値を用いて説明してきたが、経過時間に応じた設定値を３つ以上用意しておき、より細かく制御することも可能である。
【００４９】
以上の方法によって、磁気ディスク装置の起動直後など、環境温度が定常状態と異なる期間であってもヘッドスライダの浮上量を好適な値とすることができ、かつ定常状態においてもなんら特別な動作をさせることなく、ヘッドスライダの浮上量を好適な値とできる。そのため、磁気ディスクに対するデータの書き込み処理等におけるエラー発生を容易に抑止することが可能となり、その結果、記憶装置の信頼性を向上させることが可能となる。
(付記１)
データが記憶される記憶媒体を備えた記憶装置であって、
前記記憶装置の稼働時間を計測する計測部と、
前記記憶媒体を回転駆動させる駆動部と、
前記記憶媒体に対して読み出し処理を行う読み出し素子と該記憶媒体に対して書き込み処理を行う書き込み素子とからなるヘッド素子と該ヘッド素子を該記憶媒体に向けて突出させるヒータとを備えたヘッドスライダと、
前記ヘッド素子の突出量を制御する制御部を備え、
前記制御部は、前記計測部によって計測された時間が所定値となるまでは、第１所定値の通電量を前記ヒータへ通電させる指示をおこない、前記時間が所定値を超えると前記第１所定値よりも低い第２所定値の通電量を前記ヒータへ通電させる指示を行う事を特徴とする記憶装置。
(付記２)
データが記憶される記憶媒体を備えた記憶装置であって、
前記記憶装置の稼働時間を計測する計測部と、
前記記憶媒体を回転駆動させる駆動部と、
前記記憶媒体に対して読み出し処理を行う読み出し素子と該記憶媒体に対して書き込み処理を行う書き込み素子とからなるヘッド素子を備えたヘッドスライダと、
前記書き込み素子への通電量を制御する制御部を備え、
前記制御部は、前記計測部によって計測された時間が所定値となるまでは、第１所定値の通電量を前記書き込み素子へ通電させる指示をおこない、前記時間が所定値を超えると前記第１所定値よりも低い第２所定値の通電量を前記書き込み素子へ通電させる指示を行う事を特徴とする記憶装置。
(付記３)
前記制御部は、前記書き込み素子への通電量のうちオーバーシュート電流のみを変更することを特徴とする付記２に記載の記憶装置。
(付記４)
前記制御部は、前記記憶媒体を回転駆動させる駆動部の動作開始時からの経過時間に基づいて指示をおこなう事を特徴とする付記１〜２に記載の記憶装置。
(付記５)
前記記憶装置が接続される上位装置からのコマンドを受信する受信部をさらに備え、
前記制御部は、前記上位装置から受信した所定のコマンドの受信時からの経過時間に基づいて指示をおこなう事を特徴とする付記１〜２に記載の記憶装置。
(付記６)
記憶媒体に対して読み出し処理を行う読み出し素子と該記憶媒体に対して書き込み処理を行う書き込み素子とからなるヘッド素子と該ヘッド素子を該記憶媒体に向けて突出させるヒータとを備えたヘッドスライダを用いた記憶装置の制御装置であって、
通知される前記記憶装置の稼働時間が所定値となるまでは、第１所定値の通電量を前記ヒータへ通電させる指示をおこない、前記稼働時間が所定値を超えると前記第１所定値よりも低い第２所定値の通電量を前記ヒータへ通電させる指示を行う事を特徴とする記憶装置の制御装置
(付記７)
記憶媒体に対して読み出し処理を行う読み出し素子と該記憶媒体に対して書き込み処理を行う書き込み素子とからなるヘッド素子を備えたヘッドスライダを用いた記憶装置の制御部であって、
通知される前記記憶装置の稼働時間が所定値となるまでは、第１所定値の通電量を前記書き込み素子へ通電させる指示をおこない、前記稼働時間が所定値を超えると前記第１所定値よりも低い第２所定値の通電量を前記書き込み素子へ通電させる指示を行う事を特徴とする記憶装置の制御装置。
【００５０】
(付記８)
前記制御装置は、前記書き込み素子への通電量のうちオーバーシュート電流のみを増減させることを特徴とする付記６〜７に記載の記憶装置の制御装置。
(付記９)
前記制御装置は、前記記憶媒体を回転駆動させる駆動部の動作開始時からの経過時間に基づいて指示をおこなう事を特徴とする付記６〜７に記載の記憶装置の制御装置。
(付記１０)
前記制御装置は、上位装置から受信した所定のコマンドの受信時からの経過時間に基づいて指示をおこなう事を特徴とする付記６〜７に記載の記憶装置の制御装置。
(付記１１)
記憶媒体に対して読み出し処理を行う読み出し素子と該記憶媒体に対して書き込み処理を行う書き込み素子とからなるヘッド素子と該ヘッド素子を該記憶媒体に向けて突出させるヒータとを備えたヘッドスライダを有する記憶装置の制御方法であって、
前記記憶装置が起動されると第１所定値の通電量を前記ヒータへ通電させる指示をおこなうステップと、
前記記憶装置の稼働時間が所定値を超えると前記第１所定値よりも低い第２所定値の通電量を前記ヒータへ通電させる指示を行うステップとを備えた事を特徴とする記憶装置の制御方法。
【００５１】
(付記１２)
記憶媒体に対して読み出し処理を行う読み出し素子と該記憶媒体に対して書き込み処理を行う書き込み素子とからなるヘッド素子を備えたヘッドスライダを有する記憶装置の制御方法であって、
前記記憶装置が起動されると第１所定値の通電量を前記書き込み素子へ通電させる指示をおこなうステップと、
前記記憶装置の稼働時間が所定値を超えると前記第１所定値よりも低い第２所定値の通電量を前記書き込み素子へ通電させる指示を行うステップとを備えた事を特徴とする記憶装置の制御方法。
【００５２】
(付記１３)
前記書き込み素子への通電量のうちオーバーシュート電流のみを増減させることを特徴とする付記１２に記載の記憶装置の制御方法。
(付記１４)
前記稼働時間は、前記記憶媒体を回転駆動させる駆動部の動作開始時からの時間である事を特徴とする付記１１〜１２に記載の記憶装置の制御方法。
(付記１５)
前記稼働時間は、上位装置から受信した所定のコマンドの受信時からの時間である事を特徴とする付記１１〜１２に記載の記憶装置の制御方法。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】磁気ディスク装置のブロック図である
【図２】磁気ディスク装置の筐体内の概略図である
【図３】ヘッドスライダの断面図である
【図４】4(a)  ヒータへの通電時のヘッドスライダの断面変化図である      4(b)  記録コイルへの通電時のヘッドスライダの断面変化図である
【図５】加算処理の起動処理フローチャートである
【図６】加算処理のフローチャートである
【図７】時間経過に伴うヘッドの浮上量変化を示す図である
【符号の説明】
【００５４】
１００  磁気ディスク装置
１０８  ＭＰＵ
１１４  ヘッド
１１１  サーボ制御部
１１５  磁気ディスク
２０１  スピンドルモータ
２０２  磁気ディスク
２０３  ボイスコイルモータ
２０４  ヘッドアクチュエータ
２０５  ヘッドスライダ
３００  ヘッドスライダ
３０２  素子成形部
３０５  読出素子
３０６  書込素子
３０７  ヒータ
３０８  磁気ディスク
３０９  浮上量
４０２  素子形成部
４０３  記録コイル
４０５  読出素子
４０６  書込素子
４０７  ヒータ
４０８  磁気ディスク
４０９  浮上量
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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