(57)【要約】【課題】液浸リソグラフィ処理用に基板を保持するように構成された基板支持体が開示される。【解決手段】基板支持体は中心部および周囲部を有し、周囲部は基板支持体の上面から液体を抜き取る抜取りダクトを含み、抜取りダクトは液体を基板支持体から導き取る排出ダクトに接続される。基板支持体はさらに、周囲部に配置された、中心部と周囲部の間の熱伝達を減らす熱的デカップラをさらに含む。【選択図】図２
2008172214.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液浸リソグラフィ処理の間に基板を支持するための基板支持体であって、
中心部と、
前記中心部を取り囲んで配置された周囲部とを含み、
前記中心部と前記周囲部の間の熱伝達を減少させる熱的デカップラ（１１、１３、１５）を特徴とする基板支持体。
【請求項２】
前記周囲部は、前記基板支持体の上面から液浸流体を抜き取る抜取り手段（５、６、７）を含む、請求項１に記載の基板支持体。
【請求項３】
前記温度安定器は、前記周囲部を前記中心部から熱的におよび／または機械的に分離するように前記抜取り手段に対して中央に配置されたアイソレータを含む、請求項２に記載の基板支持体。
【請求項４】
前記アイソレータは、ガラス様材料、空気、真空、フォームガラス、および／またはポリマーを含む、請求項３に記載の基板支持体。
【請求項５】
前記周囲部を介して流体媒体を導くように配置され、前記流体媒体の温度を制御する供給システムに接続された周囲ダクトを含む、請求項１から４のいずれかに記載の基板支持体。
【請求項６】
前記供給システムは、前記流体媒体の温度を、基板支持体の前記周囲部の所望の温度とは異なる温度に制御する、請求項５に記載の基板支持体。
【請求項７】
前記供給システムは、前記流体媒体の温度を、前記基板支持体の所望の温度に対して固定された差異で制御する請求項６に記載の基板支持体。
【請求項８】
前記供給システムは、前記流体媒体の温度を、前記基板支持体の前記所望の温度と前記基板支持体に対する予測された熱負荷とに基づいて制御請求項６に記載の基板支持体。
【請求項９】
前記周囲ダクトの入口にて前記流体媒体の温度を測定する縁部温度センサ（２５）と、
前記周囲ダクトの出口にて前記流体媒体の温度を測定する出口温度センサ（２０）と、
前記周囲部を加熱する縁部ヒータと、
前記縁部温度センサおよび前記出口温度センサに接続されたコントローラとを含み、
前記コントローラは、熱出力の量を前記縁部ヒータによって、前記周囲ダクトの前記入口および前記出口での前記流体媒体の前記測定温度の差異に基づいて制御する、請求項５に記載の基板支持体。
【請求項１０】
前記周囲ダクトは、前記中心部を通って蛇行する中心部ダクトを介して前記流体媒体を供給される、請求項５または９に記載の基板支持体。
【請求項１１】
前記コントローラは、前記流体媒体の前記温度を、前記周囲ダクトの前記入口での前記流体媒体の前記測定温度と前記周囲ダクトの前記出口での前記測定温度とに基づいて制御する、請求項９および１０に記載の基板支持体。
【請求項１２】
中心部熱負荷出力を生成するために前記中心部内の中心部熱負荷ジェネレータと、周囲部熱負荷出力を生成するために前記周囲部内の周囲部熱負荷ジェネレータとを含み、前記中心部および周囲部熱負荷ジェネレータが、前記中心部熱負荷出力および前記周囲部熱負荷出力を制御する制御ユニットによって個別に制御される、請求項１から１１のいずれかに記載の基板支持体。
【請求項１３】
請求項１、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２と請求項２のいずれかの組合せによる前記基板支持体を含み、基板のターゲット部上にパターニングされた放射ビームを投影する投影システムを含み、前記基板支持体および前記投影システムの間に液浸流体を与えるリソグラフィ装置。
【請求項１４】
抜取りダクトが環状である、請求項１３に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１５】
基板を支持するための基板支持体を提供するステップと、
リソグラフィプロセスの後続のステップの間に前記基板支持体によって受ける熱負荷を予測するステップと、
前記基板支持体に流体を供給するステップと、
前記基板支持体のダクトを通して前記流体を導くステップと、
前記基板支持体への予測された熱負荷に基づいて、前記基板支持体に供給している前記流体と前記ダクト内の制御位置に沿って導かれている前記流体との間の前記流体の温度変化を推測するステップと、
前記後続のステップの間、前記基板支持体に前記流体を供給する前に、所望の温度に対するオフセットであって前記推測された温度変化に対応する該オフセットを前記流体に与えることによって、前記流体が制御位置にて前記所望の温度を持つように調整するステップと
を含むリソグラフィプロセス。
【請求項１６】
前記後続のステップは、前記基板支持体によって支持された前記基板をパターニングされた放射ビームで照射するステップを含む、請求項１５に記載のリソグラフィプロセス。
【請求項１７】
前記オフセットは、前記プロセスの間固定される、請求項１５または１６のいずれかに記載のリソグラフィプロセス。
【請求項１８】
前記推測された温度変化は、前記基板テーブルの温度測定に基づく、請求項１５から１７のいずれかに記載のリソグラフィプロセス。
【請求項１９】
前記基板テーブルの前記温度測定は、さらなる基板を前記プロセスの後続のステップに掛けている間に為される、請求項１８に記載のリソグラフィプロセス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[0001]  本発明は、液浸リソグラフィ処理の間に基板を支持する基板支持体およびリソグラフィプロセスに関する。
【背景技術】
【０００２】
[0002]  リソグラフィ装置は、基板上、通常は基板のターゲット部の上に所望のパターンを与える機械である。リソグラフィ装置は、例えば集積回路（ＩＣ）の製造に使用できる。その場合、ＩＣの個別の層の上に形成されるべき回路パターンを生成するためにマスクまたはレチクルと二者択一的に呼ばれるパターニングデバイスが使用されてよい。このパターンは、基板（例えば、シリコンウェーハ）上のターゲット部（例えば、１つまたは複数のダイの一部を含む）の上に転写することができる。パターンの転写は、通常、基板上に提供された放射感応性材料（レジスト）層の上に結像させることによる。一般に、単一の基板は、順次パターニングされる隣接するターゲット部分のネットワークを含むことになる。既知のリソグラフィ装置には、ターゲット部上に全パターンを一度に露光することによって、各ターゲット部が照射される、いわゆるステッパと、照射ビームを横切って、所与の方向に（「スキャン」方向）にパターンをスキャンし、同時にこれと同期的に基板をこのスキャン方向と平行に、または非平行にスキャンすることによって、各ターゲット部が照射される、いわゆるスキャナとが含まれる。基板上にパターンをインプリントすることによって、パターニングデバイスから基板上にパターンを転写することも可能である。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
特に新しい分野の液浸リソグラフィでは、結像の分解能に向けたいっそう厳しくなる要求のために、基板温度を制御する必要性が増大している。通常、基板は基板支持体によって支持され、液浸液は基板支持体の周辺部を介して除去される。液浸液の除去の間に、熱負荷により基板支持体の周辺部に基板の温度勾配を引き起こし液体の一部が蒸発することがある。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
[0003]  基板の縁部近くで、基板の改善された温度安定性が得られる基板支持体を提供することが望ましい。
本発明の一態様によれば、液浸リソグラフィ処理の間に基板を支持するための基板支持体であって、
中心部と、
中心部を取り囲んで配置された周囲部とを備え、
中心部と周囲部の間の熱伝達を減少させる熱的デカップラを特徴とする基板支持体が提供される。
本発明の一態様によれば、
基板を支持するための基板支持体を提供するステップと、
リソグラフィプロセスの後続のステップの間に基板支持体によって受ける熱負荷を予測するステップと、
基板支持体に流体を供給するステップと、
基板支持体のダクトを通して流体を導くステップと、
基板支持体への予測された熱負荷に基づいて、基板支持体に供給している流体とダクト内の制御位置に沿って導かれている流体との間の流体温度変化を推測するステップと、
後続のステップの間に、基板支持体に流体を供給する前に、所望の温度に対するオフセットであって推測された温度変化に対応する該オフセットを流体に与えることによって、流体が制御位置にて所望の温度を持つように調整するステップと
を含むリソグラフィプロセスが提供される。
【０００５】
[0004]  次に、本発明の実施形態を、対応する参照符号が対応する部分を指す添付の概略図面を参照して、単に一例として説明する。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００６】
[0010]  図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に図示する。この装置は、
【０００７】
[0011]  放射ビームＢ（例えば、ＵＶ放射）を調整するように構成されたイルミネーションシステム（イルミネータ）ＩＬと、
【０００８】
[0012]  パターニングオブジェクト（例えば、マスク）ＭＡを支持するために構成され、一定のパラメータに従ってパターニングオブジェクトを正確に位置決めするために構成されている第１ポジショナＰＭに接続されている支持構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴと、
【０００９】
[0013]  基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するために構成され、一定のパラメータに従って正確に基板を位置決めするように構成された第２ポジショナＰＷに接続されている基板テーブル（例えば、ウェーハテーブル）ＷＴと、
【００１０】
[0014]  基板Ｗのターゲット部Ｃ（例えば、１つ、または複数のダイを含む）の上に、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに与えられたパターンを投影するように構成された投影システム（例えば、屈折投影レンズシステム）ＰＳとを備える。
【００１１】
[0015]  イルミネーションシステムは、放射を誘導し、整形し、または制御する屈折、反射、磁気、電磁気、静電気、または他の種類の光学コンポーネント、またはそれらの任意の組合せなどの様々な種類の光学コンポーネントを含んでよい。
【００１２】
[0016]  支持構造は、パターニングデバイスの方向、リソグラフィ装置の設計および、例えばパターニングデバイスが真空環境中に保持されるか否かなどの他の条件により決まるやり方でパターニングデバイスを保持する。支持構造は、パターニングデバイスを保持するために機械、真空、静電気、または他のクランプ技法を使用できる。支持構造は、例えば、必要に応じて固定することも動かすこともできるフレームまたはテーブルであってよい。支持体構造は、パターニングデバイスが、例えば投影システムに関して確実に所望の位置にくるようにすることができる。本明細書で用語「レチクル」または「マスク」を用いる場合はどれも、より一般的な用語「パターニングデバイス」と同義と見なされてよい。
【００１３】
[0017]  本明細書で用いられる用語「パターニングデバイス」は、基板のターゲット部にパターンを生成するためにその断面内にパターンを有する放射ビームを与えるために使用できる任意のデバイスを指すものと広く解釈されるべきである。放射ビームに与えられたパターンは、例えば、パターンが位相シフトフィーチャ、つまりいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部内の所望のパターンに正確に一致しない場合があることに留意されたい。一般に、放射ビームに与えられたパターンは、集積回路などのターゲット部内に生成されるデバイス中の特定の機能層に一致することになる。 
【００１４】
[0018]  パターニングデバイスは、透過型でも反射型でもよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルＬＣＤパネルを含む。マスクはリソグラフィにおいて周知であり、バイナリ、レベンソン型(alternating)位相シフト、およびハーフトーン型(attenuated)位相シフトなどの種類のマスクならびに様々な種類のハイブリッドマスクを含む。プログラマブルミラーアレイの例は、それぞれが入射してくる放射ビームを別の方向に反射するように個々に傾斜可能である小さなミラーのマトリックス配列を使用する。この傾斜したミラーが、ミラーマトリックスによって反射された放射ビーム内にパターンを与える。
【００１５】
[0019]  本明細書で使用される用語「投影システム」は、使用される露光放射に適した、または液浸液（または液浸流体）を使用するのか、真空を使用するのかなど他の要因に適した、屈折、反射、反射屈折、磁気、電磁気、および静電気光学システム、あるいはそれらの任意の組合せを含む、どんな種類の投影システムをも包含するものと広く解釈されるべきである。本明細書で、用語「投影レンズ」を用いる場合はどれも、より一般的な用語「投影システム」と同義と見なされてよい。
【００１６】
[0020]  本明細書に図示したように、装置は透過型（例えば、透過マスクを使用する）である。代替的に装置は反射型（例えば、上で参照したプログラマブルミラーアレイ型を使用するか、反射マスクを使用する）でもよい。
【００１７】
[0021]  リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）、または、それより多い基板テーブル（および／または、２つ以上の基板構造）を有する形式でもよい。このような「マルチステージ」の機械では、追加のテーブルおよび／または支持構造を並行して使用されてよく、または、予備的なステップが１つまたは複数のテーブルおよび／または支持構造上で実行される一方で、他の１つまたは複数のテーブルおよび／または支持構造が露光のために使用されてよい。
【００１８】
[0022]  リソグラフィ装置は、投影システムと基板の間の空間を満たすために、少なくとも基板の一部が相対的に高い屈折率を有する液体、例えば水によって覆われることがある形式のものでもよい。液浸液は、リソグラフィ装置内の他の空間、例えばマスクと投影システムの間に与えられてもよい。液浸技法は、投影システムの開口数を増加させるために当技術分野では周知である。本明細書で使用される用語「液浸」は、一構成、例えば基板が、液体中に浸漬されなければならないことを意味するのでなく、むしろ露光の間に投影システムと基板の間に液体が配置されることだけを意味する。
【００１９】
[0023]  図１を参照すると、イルミネータＩＬは、放射源ＳＯから放射ビームを受け取る。光源およびリソグラフィ装置は、例えば光源がエキシマレーザである場合は、別々の要素であってよい。そのような場合は、光源が、リソグラフィ装置の部を形成すると見なされず、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムＢＤを使って光源ＳＯから照明装置ＩＬへ送達される。他の場合では、例えば、光源が水銀ランプである場合、光源は、一体型リソグラフィ装置の一部であってよい。光源ＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要に応じてビームデリバリシステムＢＤと共に、放射システムと呼ばれてよい。
【００２０】
[0024]  イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調整するアジャスタＡＤを含むことができる。一般に、イルミネータの瞳面内での強度分布の少なくとも外側および／または内側半径範囲（通常、それぞれσ-outer、およびσ-innerと呼ばれる）が調整されてよい。さらに、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮおよびコンデンサＣＯなどの種々の他のコンポーネントを含んでよい。イルミネータは、その断面内に所望の均一性と強度分布を有するように放射ビームを調整するのに使用できる。
【００２１】
[0025]  放射ビームＢは、支持構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ上に保持されるパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ上に入射し、パターニングデバイスによってパターニングされる。パターニングデバイスＭＡを通った放射ビームＢは、基板Ｗのターゲット部Ｃの上にビームを焦点合わせする投影システムＰＳを通過する。第２ポジショナＰＷおよび位置センサＩＦ（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または容量センサ）を使って、基板テーブルＷＴが、例えば放射ビームＢの経路内に別のターゲット部Ｃを位置決めするために、正確に移動されてよい。同様に、第１ポジショナＰＭおよび別の位置センサ（図１には明示されてない）が、例えばマスクライブラリから機械的に検索した後、またはスキャンの間に、パターニングデバイスＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置決めするために使用されてよい。一般に、支持構造ＭＴの移動は、第１ポジショナＰＭの部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）を使って実現することができる。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、第２ポジショナＰＷの部を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを用いて実現することができる。ステッパの場合には（スキャナとは違って）支持構造ＭＴは、ショートストロークアクチュエータだけに接続され、あるいは固定されてもよい。パターニングデバイスＭＡと基板Ｗは、パターニングデバイスアライメントマークＭ１、Ｍ２と基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を用いて位置合わせ可能である。図示したように基板アライメントマークは、専用のターゲット部を占めているが、それらはターゲット部の間のスペースに配置されてもよい（これらは、スクライブレーンアライメントマークとして既知である）。同様に、パターニングデバイスＭＡ上に複数のダイが提供される場合には、パターニングデバイスアライメントマークがダイの間に配置されてよい。
【００２２】
[0026]  図示した装置は以下のモードの少なくとも１つで使用されてよい。
【００２３】
[0027]  １．ステップモードでは、支持構造ＭＴおよび基板テーブルＷＴは本質的に静止状態に維持され、一方、放射ビームに与えられた全パターンが一挙にターゲット部Ｃ上に投影（すなわち、単一静止露光）される。次いで、基板テーブルＷＴが、別のターゲット部Ｃが露光可能となるようにＸおよび／またはＹ方向に位置を変えられる。ステップモードでは、露光フィールドの最大寸法が、単一静止露光で結像されるターゲット部Ｃの寸法を制限する。
【００２４】
[0028]  ２．スキャンモードでは、支持構造ＭＴおよび基板テーブルＷＴは、同期してスキャンされ、一方、放射ビームに与えられたパターンがターゲット部Ｃ上に投影される（すなわち、単一動的露光）。支持構造ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）率およびイメージ反転特性によって決定されてよい。スキャンモードでは、露光フィールドの最大寸法が、単一動的露光内のターゲット部の幅（非スキャン方向の）を制限し、一方、スキャン動作の長さが、ターゲット部の高さ（スキャン方向の）を決定する。
【００２５】
[0029]  ３．別のモードでは、支持構造ＭＴが、プログラマブルパターニングデバイスを本質的に静止状態に保持し続け、基板テーブルＷＴが移動され、またはスキャンされ、一方、放射ビームに与えられたパターンがターゲット部Ｃの上に投影される。このモードでは、一般にパルス放射源が使用され、基板テーブルＷＴの各移動後、あるいはスキャンの間の連続する放射パルスの合間に、必要に応じてプログラマブルパターニングデバイスが更新される。この動作モードは、上述した形式のプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に利用可能である。
【００２６】
[0030]  前述の使用モードについての組合せ、および／または変形形態、あるいは全く異なる使用モードが利用されてもよい。
【００２７】
[0031]  本発明の一実施形態（図２）では、基板支持体、ここでは基板テーブルが、液浸リソグラフィ処理用途に向けて基板を支持するよう構成されている。図２は、本発明のこの実施形態による、部分的に示した中心部に取り付けられた基板テーブル１の周辺部を示している。さらに、線ＩおよびＩＩに沿う基板テーブル１の周囲全体にわたる断面図が、概略的に図２Ｉおよび図２ＩＩに示されている。ピース２（例えば、環状の）が、基板３の周囲に沿って配置され、かつ周囲に沿って延在するように設けられている。ピース２は、基板３の縁部と一緒に空隙４を形成する。空隙４を通り、規則的な間隔を離して抜取りダクト５の周囲長さ全体にわたって設けられた図２Ｉに図示した垂直チャネル６を介して、液浸液が抜取りダクト５に入り込むことになる。
【００２８】
[0032]  抜取りダクト５は、図２ＩＩに概略的に図示した出口チャネルシステム７に接続されている。強力なガス流８を与えることによって、基板３の上または近傍の液浸液による飛沫や汚染を防ぐことができる。しかし、ガス流８により誘発された液浸液の相転移によって、通常、ガス流８は、基板３および基板テーブル１の周囲部９に対し、かなりの熱負荷ΔＱを与える場合がある。その上、出口チャネルシステム７は、基板テーブル１の対称性を破る可能性があり、原則的に基板３の周囲部全体にわたって液浸液が抜取りダクト５に取り込まれてよい（図２Ｉを参照のこと）。出口チャネルシステム７を介する液浸液の排出は、基板３の周囲近くに液浸フード（図示してない）が局所的にあるため、その結果一様でないことがある。さらに、垂直な接続内の出口チャネルシステム７は、だいたい、周囲全体にわたり１個から６個の位置の限られた数の箇所だけで排出する。これが、抜取りダクト５中にある不均一の流れを介する局所的な熱負荷ΔＱの量になる。この述べた局所的熱負荷が、基板３の周囲近傍に局所的な熱歪みを生じさせることがある。これを防ぎ、または減らすために本発明の一態様による絶縁体縁部(insulator edge)１１の形の熱的デカップラが基板テーブル１の周囲部９に配置される。
【００２９】
[0033]  したがって周囲の熱負荷ΔＱは周囲部９に局在して維持され、基板テーブル１の中心部１２への影響は制限される。絶縁ピース１１に加えて、別の分離ピースが、図２に図示したような、基板テーブル１の中心から測定された異なる半径距離に存在することもある。ここでは、中心部１２から空隙４を熱的に分離する第１絶縁体縁部１１が図示されている。第２絶縁体縁部１３（例えば、環状）が、テーブルの中心部にさらに近づいた所に示され、基板支持層１４によって覆われている。この第２縁部１３は、基板テーブル１の周囲部９内に設けることができる周囲ダクト１５に従う。これは、図３〜５を参照してさらに説明されることになる。縁部ヒータ１６がある場合があり、基板テーブル１の周囲部９に熱エネルギーを供給するために、例えば電気配線によって形成される。好ましくは、絶縁体１１および／または１３は、ガラス様材料、空気、真空、フォームガラスおよび／またはポリマーで形成される。一実施形態では、代替的、または追加的に、この絶縁体は、周囲部９を中心部１２から機械的に分離するために相対的に低い剛性を有する材料から形成される。これは、周囲部９の機械的な変形が基板テーブル１の中心部１２に伝達されるのを実質的に防ぎ、したがって基板３がリソグラフィプロセスで処理される場合に、よりよい結像品質を達成できるので、さらに基板テーブル１の中心部１２の機械的安定性を高める。
【００３０】
[0034]  一実施形態（図２と共に特に図３）では、複数の中心部のダクト１７を介して熱緩衝液体（通常１つまたは複数の添加物を伴う水）を循環させることによって熱的調整が与えられる。より一般的に熱緩衝液体(thermal buffering liquid)は、液体媒体として機能し、流体媒体でもよい。複数の中心部ダクト１７は、通常、図示したパターンで基板テーブル１をくまなく巡るが、別のパターンも可能である。周囲部９は、周囲ダクト１５を介して熱的に調整される。ダクト１５、１７中の液体は、測定された入口および出口温度の関数として液体に熱を供給できる熱エネルギーコントローラ１８によって、加熱可能である。一実施形態では、この熱エネルギーコントローラは、特に能動的に制御される場合、必要に応じて液体から熱を取り出す冷却器として機能できる。この目的のために、入口温度センサ１９と出口温度センサ２０を含むこの実施形態では、温度センサの配置が、液体の流路内に設けられる。一般的に液体は中心１２および周囲部９を含む基板テーブル１全体をくまなく循環する。したがって、温度センサ１９および２０により、液体に入力されるべきエネルギーの全量が制御され、これが熱エネルギーコントローラ１８によって実行される。縁部９をさらに制御するために、やはり図２を参照して説明したように、追加的に縁部ヒータ１６が提供されてよい。縁部ヒータ１６は通常、基板テーブルの縁部９内にて所定の場所の縁部９内に取り付けられた縁部温度センサ２１、２１’、２１”に応答して制御される。
【００３１】
[0035]  図３における実施形態では、縁部温度センサ２１、２１’、２１”が直接基板テーブル１に取り付けられているので、周囲部９に供給されるべき熱の補正量を決定するのに問題がある場合がある。したがって、温度センサの近傍に液滴が在るなどの熱的効果を生じる局所的現象が、１つまたは複数のセンサによって測定された温度値に有意に影響する場合がある。したがって、基板テーブル１の周囲を円く取り囲む縁部熱バランサとして設計されている縁部ヒータ１６を使用して熱の補正量を供給することが難しい場合がある。さらに入口および出口温度センサ１９、２０によって測定された液体の測定温度が、基板テーブル９の縁部での熱的効果によってかなり影響される場合がある。その結果、縁部効果と基板テーブル１の中心部１２の効果を区別することが難しいことがある。
【００３２】
[0036]  代替的（図４）に本発明の一実施形態による温度センサ配置が、熱エネルギーコントローラ１８によって与えられるべきエネルギー量を計算するために周囲ダクト１５内または近傍に設けられる。温度センサ配置は、望ましくは所定の場所に互いに間隔をへだてた少なくとも２つのセンサを含む。図示した実施形態では、所定の場所は、ダクト１５の入口２２および出口２３近くに配置されている。一実施形態では、温度制御は、ダクト１５と基板テーブルの中心部をくまなく蛇行する中心部ダクト２４を接続することによって実行できる。図示した実施形態では、中心部ダクト２４に対し温度制御を与えるために中心部ダクト２４は、熱エネルギーコントローラ１８と熱的に接続している。供給システムと受容システムは図示されてないが暗黙のうちに存在する。
【００３３】
[0037]  この実施形態（図４）では、温度制御は、中心部１２に導かれる単一ダクト２４中に設けられた３つのセンサ１９、２０、２５を用いて実行でき、また中心部ダクトは周囲ダクト１５に接続されている。この実施形態では、流体媒体として液体媒体が用いられるが、媒体と同様にガスが与られてよい。このダクトでは、全体としての入口温度が、入口温度センサ１９によって測定でき、出口温度が出口センサ２０によって測定できる。このようにして、基板テーブル１の中心部１２を安定化するために、液体媒体に与えられるべき全熱エネルギーが、入口センサ１９および出口センサ２０からの温度信号に基づいて熱エネルギーコントローラ１８（加熱および／または冷却のいずれも提供する）によって制御できる。ダクト１５内に投入された液体媒体の温度は単一の縁部温度センサ２５によって測定できる。一例では液体媒体（例えば水）の平均温度は、例えば２２℃、すなわち1/2(Tliquid,in+Tliquid,out)の一定の平均温度に維持できる。例えば異なる露光レシピ（液浸フードの負荷変動）による基板テーブルのコアへの負荷の変動に対しスケーリングの変化を最小化する。
【００３４】
[0038]  ダクト１５の入口内または近傍に設けられた縁部温度センサ２５を用いて、縁部ヒータ１６は、縁部温度センサ２５および出口温度センサ２０からの温度信号によって制御できる。望ましくは、縁部における温度差が最小に維持され、したがって、全体の縁部負荷を補償するには制御目標が(Tliquid,out=Tliquid,edge)となるようにすることが好ましいことになる。
【００３５】
[0039]  一実施形態では、制御ユニットは、基板支持体の中心部が第１温度を有し、周囲部が第２温度を有するように流体媒体の温度を制御するよう構成されている。この実施形態では、外向きの方向で、基板支持体１内に２つの異なる温度勾配が予測されている。外向きの方向は、基板支持体の中心部の中間から基板支持体の周囲部へ進む向きと一致する。この実施形態では、温度は、中心部で外向きの方向に上昇し、周囲部で外向きの方向に下降すると予測されている。中心部と周囲部が接続される場合、温度は熱伝達を最小化するために等しくなろうとする。しかし、中心部と周囲部はリソグラフィ処理のため異なる熱負荷にさらされるので、中心部の平均温度は周囲部の平均温度と異なる。
【００３６】
[0040]  この実施形態では、中心部は、中央の熱負荷ジェネレータ、つまり中心部ダクト２４によって出力熱負荷を受ける。周囲部は、周囲熱負荷ジェネレータ、つまり縁部ヒータ１６によって出力熱負荷を受ける。これが、中心部と基板支持体の周囲部の間の熱伝達に高レベルの制御を提供し、それによって熱絶縁縁部１１、１３に対する必要性を低下させているというオプションをもたらす。
【００３７】
[0041]  この実施形態は、中心ダクト２４からの流体媒体が周囲ダクト１５に供給される状況を包含する。この実施形態は、やはり流体媒体および縁部ヒータによる熱負荷が、予測された最小および最大のリソグラフィ処理の熱負荷によって、または基板支持体内の異なる位置で測定することによって決定される状況を包含する。
【００３８】
[0042]  図４は単一の縁部センサ２５だけを用いるセンサ配置を示すが、特に、基板テーブルの縁部近傍に局所的に在るときの液浸フードの非対称負荷に対処するために、ダクト１５内に多数センサが提供されてよい。一般的に、そのような場合、局所加熱が提供されてもよい。図２の実施形態と同様に、この実施形態は、高度な制御を提供する利点をもつ。これは、与えられた熱と熱的効果が絶縁体１１により周囲部９に限られ、したがってより正確に温度センサ１９、２０および２５によって測定可能であることになるからである。したがって、より敏感な温度制御システムが与えられてよい。これは、図３に図示した実施形態に対しても当てはまる。さらに、図４は中心部ダクトおよび周囲部ダクトが単一の接続されたダクトを形成する基板テーブルを示すが、一分岐が縁部９に対し温度バランスを与えるように配置され、他の分岐が中心部１２に対して温度バランスを与えるように配置されることになる多数の並行なダクトが、やはりまたは代替的に与えられてよい。
【００３９】
[0043]  さらに従来通り液体は、特に約２２℃（＝所望の投影システムの温度に基づく最適のシステム温度）の基板支持体１の設定温度と等しい事前設定の供給温度に調整される。したがって、供給媒体の温度設定値は、従来通り、液体に対する予側された熱負荷に基づかない。その結果、戻りの液体の温度は最適のシステム温度より高くなる傾向がある。その結果、戻りの液体の温度は最適のシステム温度より高くなる傾向がある。さらに、平均のツール温度および平均のコンポーネントの温度はリソグラフィシステムの異なる動作モードと共に変わる可能性がある。両方の影響は結果として機械性能のロスになることがある。本発明の態様によれば、流体媒体の供給温度は、設定温度より低い温度であり、そのようにすることで、平均の流体媒体の温度（供給対戻り）は、特に約２２℃の設定温度になることになる。このようにして、（ａ）流体ラインおよび／または（ｂ）コンポーネントからの熱入力が、減少または最小化できる。一態様によれば、この原則を実施する２つの方法が、予見できる。すなわち、１）供給および戻りの流体媒体の平均温度が、設定値の２２℃により近づくように、例えば流体媒体システムに（の一部に）対し最大の熱負荷に基づいて、流体媒体の供給温度を一定の設定値温度とすること、および／または、２）流体媒体の供給温度を能動的に制御する。このようにして、電力消費／熱負荷の変動による変化は処置可能である。
【００４０】
[0044]  これらの態様は、図示した流体媒体の流れを逆転させることによって、図４に図示した実施形態に組み込むことができ、したがって流体媒体の供給温度が熱エネルギーコントローラ１８（加熱および／または冷却機能を有してよい）によって、ある温度に制御され、その温度はコントローラ１８によって縁部温度センサ２５により測定された事前設定温度に能動的に制御され、予測または基板支持体１の測定された熱負荷に従い中心部１２の設定温度未満の事前設定温度に制御される。
【００４１】
[0045]  図５は温度センサ２５を備えるダクト１５の実施形態を概略的に示す。通常、ダクト１５は、流体媒体２６中へ熱伝達可能なように伝導壁を備える。センサ２５は、好ましくは熱伝導性シール２７中に密閉され、それがセンサ２５および配線２８を液体２６から保護する。好ましくは流体媒体と熱接触しないセンサ２５の下方側面も、絶縁材料２９によって熱的に分離される。
【００４２】
[0046]  図示した実施形態はパターンビームのターゲットになる基板を保持するために使用される基板支持体について言及するが、その構造はパターニングデバイス支持構造または熱的安定性を必要とする他の任意の支持体にも非常にうまく適用することができる。
【００４３】
[0047]  本明細書では、ＩＣ製造でのリソグラフィ装置の使用に対し特定の参照が為されてよいが、本明細書で説明したリソグラフィ装置は、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスおよびディテクションパターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造など、他の適用例も有してよいことを理解されたい。そのような代替の適用例の文脈においては、本明細書で用語「ウェーハ」または「ダイ」を使用する場合はいずれもより一般的な用語「基板」または「ターゲット部」とそれぞれ同義と見なされてよいことを当業者は理解されたい。本明細書で言う「基板」は、露光前にまたはその後に、例えばトラック（一般的に基板にレジスト層を設け、露光したレジストを現像するツール）、メトロロジーツールおよび／またはインスペクションツール内で処理されてよい。適用可能である場合には、本発明の開示は、そのようなおよび他の基板処理ツールに適用されてよい。さらに、基板は２回以上、例えば多層ＩＣを生成するために処理されてよく、したがって本明細書で使用される用語、基板は、既に複数の処理された層を含む基板を指すこともある。 
【００４４】
[0048]  特定の参照が、光リソグラフィの文脈で、本発明の実施形態の使用について上で為されたかもしれないが、本発明は他の適用例、例えばインプリントリソグラフィに使用されることがあり、また文脈が許せば光リソグラフィに限られていないことも理解されるであろう。インプリントリソグラフィに対する実施形態では、パターニングデバイス上にあるトポグラフィが、基板に供給したレジスト層中に押し付けられ、基板上のレジストは熱を加えることによって硬化させられる。パターニングデバイスは、レジストが硬化した後、そこにパターンを残してレジストから取り外される。
【００４５】
[0049]  本明細書で使用される用語「放射」および「ビーム」は、紫外（ＵＶ）放射（例えば、それぞれ３６５ｎｍ、３５５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、または１２６ｎｍの波長、あるいはこれらの辺りの波長を有する）および極端紫外（ＥＵＶ）放射（例えば、５ｎｍ〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）ならびにイオンビームまたは電子ビームなどの粒子ビームを含むあらゆる種類の電磁放射を包含する。
【００４６】
[0050]  用語「レンズ」は、文脈が許せば、屈折、反射、磁気、電磁気および静電気式の光学コンポーネントを含む任意の１つまたは様々な種類の光学コンポーネントの組合せを指すことがある。
【００４７】
[0051]  本発明の１つまたは複数の実施形態は、任意の液浸リソグラフィ装置、特に、限定でないが、前述したおよび、液浸液がバスの形で、または基板の局在した表面領域上だけに提供されるそれらの種類に適用可能である。本明細書で、液体供給システムは広義に解釈するものとする。特定の実施形態では、それは、投影システムならびに基板および／または基板テーブルの間の空間に、液体を提供するメカニズムまたは構造の組合せであってよい。それは、１つまたは複数の構造、１つまたは複数の液体入口、１つまたは複数のガス入口、１つまたは複数のガス出口、および／または空間に液体を提供する１つまたは複数の液体出口であるこれら全ての組合せを含む。一実施形態では、空間の表面は、基板の一部および／または基板テーブルの一部でよいか、あるいは空間の表面は、基板の表面および／または基板テーブルの表面を完全に覆うことがあり、あるいはその空間は基板および／または基板テーブルを包むことがある。液体供給システムは、液体の位置、量、質、形状、流量または液体の任意の別の特徴を制御するために１つまたは複数の要素をさらに任意に含むことがある。
【００４８】
[0052]  本発明の特定の実施形態が前述されてきたが、本発明は説明したのとは別の方法で実施できることを理解されるであろう。前述の説明は、例示を意図したものであって、限定するものでない。したがって、別に詳述される特許請求の範囲を逸脱することなく、説明した本発明に対して変更が為され得ることは当業者には明らかであろう。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】[0005]本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置の図である。
【図２】[0006]一実施形態による基板テーブルの一部分の図である。
【図３】[0007]一実施形態による基板テーブルの一部分の平面図である。
【図４】[0008]一実施形態による基板テーブルの一部分の平面図である。
【図５】[0009]一実施形態による基板テーブル用のダクト構成の図である。
【図１】
2008172214.tif 000003
【図２】
2008172214.tif 000004
【図３】
2008172214.tif 000005
【図４】
2008172214.tif 000006
【図５】
2008172214.tif 000007
【外国語明細書】
2008172214000001.pdf