(57)【要約】【課題】シールド特性に優れ、高感度な磁気ヘッド素子の製造方法を提供する。【解決手段】軟磁性層を有する磁気ヘッド素子の製造方法であって、前記軟磁性層のメッキベース層をスパッタリングにより成膜するステップと、前記成膜ステップ中に前記ヘッド素子が形成されるウェハのオリフラと平行な方向に磁場を印加するステップとを有することを特徴とする方法を提供する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
軟磁性層を有する磁気ヘッド素子の製造方法であって、
前記軟磁性層のメッキベース層をスパッタリングにより成膜するステップと、
前記成膜ステップ中に前記ヘッド素子が形成されるウェハのオリフラと平行な方向に磁場を印加するステップとを有することを特徴とする方法。
【請求項２】
前記方向と同一方向の磁場中において前記ウェハを熱処理する有磁場熱処理ステップを更に有することを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記ウェハに前記方向とは異なる方向に常温で磁場を印加するステップを更に有し、
前記常温磁場印加ステップ後に前記有磁場熱処理ステップを行うことを特徴とする請求項２記載の方法。
【請求項４】
前記ウェハを無磁場で熱処理するステップを更に有し、
前記無磁場熱処理ステップ後に前記有磁場熱処理ステップを行うことを特徴とする請求項２記載の方法。
【請求項５】
前記有磁場熱処理ステップを、前記無磁場熱処理ステップの実行毎又は前記無磁場熱処理ステップを複数回実行した後で少なくとも一回実行することを特徴とする請求項４記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般には、磁気ヘッド素子の製造方法に係り、特に、シールド層などの軟磁性層を含む磁気ヘッド素子の製造方法に関する。本発明は、例えば、ハードディスク装置（Ｈａｒｄ Ｄｉｓｃ Ｄｒｉｖｅ：ＨＤＤ）に使用され、磁気抵抗効果素子を有する読み取りヘッドに好適である。
【背景技術】
【０００２】
近年のインターネット等の普及に伴って画像、映像を含む大容量の情報を記録する磁気ディスク装置の需要が増大してきた。大容量化の需要に応えるために面記録密度を増加すると、磁気記録情報の最小単位である１ビットの記録媒体上での面積が縮小し、記録媒体から得られる信号磁界が弱くなる。この微弱な信号磁界を読み取るためには小型で高感度な読み取りヘッドが必要である。
【０００３】
かかる読み取りヘッドとして、磁気抵抗効果素子を用いた読み取りヘッドが従来から知られている。典型的な磁気抵抗効果素子は、一対のシールド層の間に一対のギャップ層を設け、一対のギャップ層の間に磁気抵抗効果膜を設ける。シールド層は、メッキベース層をスパッタリングにより形成した後で電解液中に挿入してメッキベース層に電流を流すことにより、電解メッキによって形成される。
【０００４】
従来技術としては、例えば、特許文献１がある。
【特許文献１】特開平５−７３８４２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
高感度な読み取りヘッドを実現するためには外部磁界をシールドするシールド層の磁気特性を向上して図７に示すような一の還流磁区を形成することが好ましい。その際、長手方向の平行な磁区部分２ａ、２ｂが所定の方向に平行又は反平行になることが必要であり、これが所定の方向に対して傾斜すると異常磁区となって磁気特性が劣化する。
【０００６】
磁気ヘッドの小形化と共にシールド層が薄くなるとシールド層中のメッキベース層の存在比が大きくなり、メッキベース層の磁気特性（磁気異方性）が磁気ヘッドの磁気特性に大きな影響を与えるようになる。これに対して特許文献１は、段落番号００１４において、シールド層の成膜工程を磁場中で行うことにより、磁気特性の向上を図っている。更に、メッキ層形成後に磁場中で熱処理をして磁気異方性を確実に形成することをも提案している。しかし、特許文献１は、成膜工程中の磁場の方向と熱処理中の磁場の方向を規定していないため、必ずしも磁区部分２ａ、２ｂが所定の方向に平行又は反平行にならない。
【０００７】
本発明は、シールド特性に優れ、高感度な磁気ヘッド素子の製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一側面としての製造方法は、軟磁性層を有する磁気ヘッド素子の製造方法であって、前記軟磁性層のメッキベース層をスパッタリングにより成膜するステップと、前記成膜ステップ中に前記ヘッド素子が形成されるウェハのオリフラと平行な方向に磁場を印加するステップとを有することを特徴とする。オリフラと平行に磁場を印加することによって、優れた磁気異方性をもつメッキベース層を形成することができる。これにより、軟磁性層が外部磁界をシールドするシールド層であれば、シールド層は製品ごとの磁気特性のばらつきを抑え、熱や外部磁場に対して高い安定性を有する。
【０００９】
前記メッキベース層を利用した電解メッキによって前記軟磁性層を成膜するステップと、前記電解メッキ成膜ステップ中に前記方向に磁場を印加するステップとを更に有してもよい。これにより、優れた磁気異方性をもつメッキ層を形成することができる。また、前記方向と同一方向の磁場中において前記ウェハを熱処理する有磁場熱処理ステップを更に有することが好ましい。後工程の熱処理で成膜時と同じ方向の磁場を維持することによって熱処理による磁気特性の劣化を防止することができる。
【００１０】
前記製造方法は、前記ウェハに前記方向とは異なる方向に常温で磁場を印加するステップを更に有し、前記常温磁場印加ステップ後に前記有磁場熱処理ステップを行うことが好ましい。有磁場熱処理ステップにより、常温磁場印加ステップによる磁気特性の劣化から回復することができる。その場合、前記有磁場熱処理ステップを、前記常温磁場印加ステップの実行毎又は前記常温磁場印加ステップを複数回実行した後で少なくとも一回実行すればよい。
【００１１】
前記製造方法は、前記ウェハを無磁場で熱処理するステップを更に有し、前記無磁場熱処理ステップ後に前記有磁場熱処理ステップを行うことが好ましい。有磁場熱処理ステップにより、無磁場熱処理ステップによる磁気特性の劣化から回復することができる。その場合、前記有磁場熱処理ステップを、前記無磁場熱処理ステップの実行毎又は前記無磁場熱処理ステップを複数回実行した後で少なくとも一回実行すればよい。また、前記有磁場熱処理ステップの温度は前記無磁場熱処理ステップの温度と同一又はそれ以上であることが好ましい。これにより、無磁場熱処理ステップによる磁気特性の劣化から回復することができる。前記磁気ヘッド素子は、例えば、書き込みヘッド素子と読み出しヘッド素子の複合ヘッド素子である
本発明の更なる目的又はその他の特徴は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施例によって明らかにされるであろう。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、シールド特性に優れ、高感度な磁気ヘッド素子の製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、添付図面を参照して、ＨＤＤに使用される磁気ヘッド素子について説明する。磁気ヘッド素子は、例えば、図示しない導電コイルパターンで生起される磁界を利用して磁気ディスクに２値情報を書き込む誘導書き込みヘッド素子（以下、「インダクティブヘッド素子」という。）と、磁気ディスクから作用する磁界に応じて変化する抵抗に基づき２値情報を読み取る磁気抵抗効果（以下、「ＭＲ」という。）ヘッド素子とを有するＭＲインダクティブ複合ヘッドである。
【００１４】
ＭＲヘッド素子は、図１Ａに示すように、センス電流が磁気抵抗効果膜の積層面に平行に流れるタイプと、図１Ｂに示すように、センス電流が磁気抵抗効果膜の積層面に垂直に流れるタイプのいずれにも適用可能である。
【００１５】
インダクティブヘッド素子１３０は、図１Ａ及び図１Ｂに共通に使用される。インダクティブヘッド素子１３０は、非磁性ギャップ層１３２と、上部磁極層１３４と、Ａｌ２Ｏ３からなる絶縁膜１３６と、上部シールド兼上部電極層１３９とを有する。但し、後述するように、上部シールド兼上部電極層１３９はＭＲヘッド素子１４０の一部も構成する。
【００１６】
非磁性ギャップ層１３２は、上部シールド兼上部電極層１３９の表面に沿って広がり、例えば、Ａｌ２Ｏ３から構成される。上部磁極層１３４は、非磁性ギャップ層１３２に関して上部シールド兼上部電極層１３９と反対側に設けられ、例えば、ＮｉＦｅから構成される。絶縁膜１３６は、非磁性ギャップ層１３２の表面に沿って広がって上部磁極層１３４を覆い、ヘッド素子内蔵膜１２３を構成する。絶縁膜１３６は、例えば、Ａｌ２Ｏ３から構成される。上部磁極層１３４及び上部シールド兼上部電極層１３９は協働してインダクティブヘッド素子１３０の磁性コアを構成する。インダクティブヘッド素子１３０の下部磁極層はＭＲヘッド素子１４０の上部シールド層１３９として機能する。導電コイルパターンで磁界が生起されると、非磁性ギャップ層１３２の働きで、上部磁極層１３４と上部シールド兼上部電極層１３９とを行き交う磁束流は浮上面１２５から漏れ出る。こうして漏れ出る磁束流によって記録磁界（ギャップ磁界）は形成される。
【００１７】
図１Ａに示すＭＲヘッド素子１４０は、上部シールド層１３９と、下部シールド層１４２と、上部ギャップ層１４４と、下部ギャップ層１４６と、スピンバルブ膜１５０と、リード端子部１６０とを有する。
【００１８】
シールド層１３９及び１４２は、例えば、ＮｉＦｅから構成される。ギャップ層１４４及び１４６は、例えば、Ａｌ２Ｏ３などの絶縁材料から構成される。１３９ａ及び１４２ａは、シールド層１３９及び１４２におけるメッキベース層である。メッキベース層１３９ａ及び１４２ａ上にはメッキ層が形成されてシールド層１３９及び１４２となる。メッキ層は、メッキベース層をスパッタリングにより形成した後で電解液中に挿入してメッキベース層に電流を流すことにより成膜される。
【００１９】
スピンバルブ膜１５０は、フリー強磁性層１５２と、非磁性中間層１５４と、ピン磁性層１５６と、交換結合層１５８とを有し、ＧＭＲセンサを構成する。なお、スピンバルブ膜１５０は、トップ型スピンバルブ、ボトム型スピンバルブ、デュアルスピンバルブ構造など種類を問わない。
【００２０】
リード端子部１６０は、バイアス磁界を発生させるハードバイアス層１６２と、センス電流を印加するとともに素子幅ＷＥを規定する端子層１６６とを有する。このように、図１Ａに示すＭＲヘッド素子１４０は、センス電流はスピンバルブ膜１５０の積層面に平行に又は積層方向に垂直に印加されるＣＩＰ構造を有する（ＣＩＰ−ＧＭＲ素子）。ハードバイアス層１６２は、例えば、ＣｒやＣｒＴｉ合金、ＴｉＷ合金などからなる下地層１６３と、ＣｏＰｔ合金やＣｏＣｒＰｔ合金などの磁性材料からなるハード層１６４とを有する。端子層１６６は、例えば、Ｔａ等の非磁性層からなる下地層１６７と、金からなる電極層１６７と、Ｔａからなるキャップ層１６９とを有する。
【００２１】
一方、図１Ｂに示すＭＲヘッド素子１４０Ａは、上部シールド層１３９と、下部シールド層１４２と、上部ギャップ層１４４と、下部ギャップ層１４６と、磁気抵抗効果膜１５０Ａと、磁気抵抗効果膜１５０Ａの両側に配置された一対のハードバイアス膜１６０Ａとを有する。
【００２２】
磁気抵抗効果膜１５０Ａは、例えば、ＴＭＲ膜から構成される。この場合、図１Ｂに示す下から順に、フリー（強磁性）層１５２Ａ、（非磁性）絶縁層１５４Ａ、ピンド（磁性）層１５６Ａ、反強磁性層１５８Ａを有する。ＴＭＲ膜は、絶縁層１５４を２つの強磁性層で挟んだ構造を持つ強磁性トンネル接合を有し、２つの強磁性層間に電圧を印加した場合に−側の強磁性層中の電子が絶縁層をくぐり抜けて＋側の強磁性層にトンネルする現象を利用する。絶縁層１５４Ａには、例えば、Ａｌ２Ｏ３膜を使用する。
【００２３】
磁気抵抗効果膜１５０Ａはスピンバルブ膜であってもよい。この場合、ＭＲ素子はＣＰＰ−ＧＭＲ素子となる。この場合のスピンバルブ膜は、図１Ｂに示す下から順に、フリー層１５２Ａと、非磁性中間層１５４Ａと、ピンド磁性層１５６Ａと、交換結合層（反強磁性層）１５８Ａとを有する。
【００２４】
ハードバイアス膜１６０Ａは、ノイズを抑えるバイアス磁界を発生させる。ハードバイアス膜１６０Ａは、例えば、ＣｏＰｔ合金やＣｏＣｒＰｔ合金などの磁性材料から構成される。
【００２５】
以下、図２及び図３を参照して、磁気ヘッド素子の製造方法について説明する。ここで、図２は、磁気ヘッド素子の製造方法を説明するためのフローチャートであり、ここでは、上部シールド層１３９以降の製造を中心に説明する。但し、本実施例の製造方法はメッキベース層を使用する端子層など他の軟磁性層にも適用可能である。まず、メッキベース層をスパッタリングによりＮｉＦｅにより形成する（ステップ１００２）。この際、図３に示すように、スパッタリング中に磁気ヘッド素子が形成されるウェハＷのオリフラＯＦと平行な方向に磁場を印加する。磁場はウェハＷを保持する保持部に磁石を組み合わせたマグネットホルダを通じて印加する。本発明者は、後述する実施例に示すように、オリフラと平行に磁場を印加することによって、優れた磁気異方性をもつメッキベース層を形成することができることを発見した。これにより、シールド層１３９及び１４２は製品ごとの磁気特性のばらつきを抑え、熱や外部磁場に対して高い安定性を有する。
【００２６】
次に、図３に示すオリフラＯＦと平行な方向に磁場を印加しながら電解メッキによってシールド層を成膜する(ステップ１００４)。これによって磁気異方性をもつメッキ層を形成することができる。次に、オリフラＯＦと垂直な方向に磁場を印加しながらウェハＷに常温で磁場を印加する（ρ−Ｈ）（ステップ１００６）。ステップ１００６は磁気特性試験であり、本来の方向とは垂直な方向に磁場を印加する。その後、オリフラＯＦと平行な方向に磁場を印加しながらウェハＷの着磁を行う（ステップ１００８）。その後、磁気特性を確認をするためにオリフラＯＦと垂直な方向に磁場を印加しながらウェハＷの着磁を行う（ステップ１０１０）。その後、オリフラＯＦと平行な方向に磁場を印加しながらウェハＷの熱処理を行う（ステップ１０１２）。
【００２７】
次に、レジストコート、アライメント、現像を行い（ステップ１０１４）、その後、ウェハＷの磁場中における熱処理（ハードベーク）を行う（ステップ１０１６）。その後、スパッタ、レジストコート、アライメント、現像を行い（ステップ１０１８）、その後、オリフラＯＦと平行な方向に磁場を印加しながらウェハＷを熱処理（ハードベーク）を行う（ステップ１０２０）。次に、スパッタ、レジストコート、アライメント、現像を行い（ステップ１０２２）、その後、オリフラＯＦと平行な方向に磁場を印加しながらウェハＷを熱処理（ハードベーク）を行う（ステップ１０２４）。
【００２８】
次に、レジストコート、アライメント、現像を行い（ステップ１０２６）、その後、オリフラＯＦと平行な方向に磁場を印加しながらウェハＷを熱処理（ハードベーク）を行う（ステップ１０２８）。次に、レジストコートを行う（ステップ１０３０）。次に、磁気特性試験のためにオリフラＯＦと垂直な方向に磁場を印加しながらウェハＷに常温で磁場を印加する（ρ−Ｈ）（ステップ１０３２）。その後、オリフラＯＦと平行な方向に磁場を印加しながらウェハＷの熱処理を行う（ステップ１０３４）。その後、選別、出荷を行う（ステップ１０３４）。
【００２９】
ステップ１００６、１０１０、及び、１０３２はウェハＷにスパッタ時の磁場方向とは異なる方向に常温で磁場を印加する工程であり、シールド特性の劣化が懸念される工程である。ステップ１０１４移行はインダクティブヘッド素子１３０の各層の成膜工程である。ステップ１０１２及び１０３４は新たに追加された工程である。ステップ１０１６、１０２０、１０２４、及び、１０２８は従来のシールド特性の劣化が懸念される無磁場熱処理工程を有磁場で行うことにした熱処理工程である。
【００３０】
このように、本実施例では、ステップ１００２のスパッタ時の磁場方向と同一方向の磁場中においてウェハＷを熱処理する有磁場熱処理ステップ（即ち、ステップ１０１２、１０１６、１０２０、１０２４、１０２８、及び１０３４）を有する。その際の熱処理は通常の熱処理の温度又はそれ以上（例えば、２２０℃以上）で行うことが好ましい。「通常の熱処理の温度」とは、本実施例では、従来無磁場で行っていた上述のハードベークの温度であり、ハードベークにはかかる温度が必要だからである。加熱により磁区制御が容易になる。従来無磁場であった熱処理を有磁場で磁場の方向をウェハＷのオリフラＯＦに合わせることによって熱処理によるシールド層の磁気特性の劣化を防止することができる。
【００３１】
また、本実施例では、有磁場熱処理ステップ１０１２を、常温磁場印加ステップ１００６及び１０１０を実行した後で一度行っているが、常温磁場印加ステップ１００６及び１０１０の各工程後に一度実行してもよい。また、本実施例では、有磁場熱処理ステップ１０１２と１０３４を常温磁場印加ステップ１００６、１０１０、及び、１０３２に対して行っているが、有磁場熱処理ステップをステップ１０３４だけにしてもよい。即ち、複数回の常温磁場印加ステップに対して常温磁場印加ステップを少なくとも一回実行すれば足りる。この場合、上述のように、温度を通常の熱処理の温度以上にしたり、熱処理時間を通常の熱処理の時間よりも長くしたりすることによって磁気特性の劣化から回復することができる。
【００３２】
以下、図４を参照して、図２に示す製造方法の変形例について説明する。ここで、図４は、図２に示す製造方法の変形例のフローチャートである。図４において、図２と同一工程については同一の参照符号を付してその説明を省略する。
【００３３】
本実施例では、図２に示すステップ１０１６、１０２０、１０２４、及び、１０２８を従来の無磁場熱処理（ハードベーク）工程（即ち、ステップ１０４０、１０４４、１０４８、１０５２）のままとし、その後に有磁場熱処理工程（即ち、ステップ１０４２、１０４６、１０５０、１０５４）を追加している。その際の熱処理は通常の熱処理の温度又はそれ以上（例えば、２２０℃以上）で行うことが好ましい。「通常の熱処理の温度」とは、本実施例では、上述の無磁場熱処理工程（即ち、ステップ１０４０、１０４４、１０４８、１０５２）の温度である。これは、無磁場熱処理工程によって劣化した磁気特性から回復するには同一又はそれ以上の温度が効果的だからである。また、有磁場熱処理工程の磁場の方向をウェハＷのオリフラＯＦに合わせることによって熱処理におけるシールド層の磁気特性の劣化を防止することができる。
【００３４】
また、本実施例では、無磁場熱処理ステップを実行した後で一度有磁場熱処理ステップを行っているが、複数回の無磁場熱処理ステップに対して有磁場熱処理ステップを少なくとも一回実行すれば足りる。従って、ステップ１０５４のみが設けられてもよい。この場合、上述のように、温度を通常の熱処理の温度以上にしたり、熱処理時間を通常の熱処理の時間よりも長くしたりすることによって磁気特性の劣化から回復することができる。
【実施例１】
【００３５】
本実施例の製造方法に従って、２本磁区（理想磁区）と３本磁区と異常磁区をオリフラＯＦに平行に磁場を印加した状態でメッキベース層をスパッタした後、磁場中熱処理後、無磁場熱処理後、再磁場熱処理後に観察した。即ち、これらは、図６Ｂに示すステップ１００２、１０１２、１０４０、１０４２の各工程後の観察に対応する。一般には、｛１００％−（２本磁区の割合（％））＋（３本磁区の割合（％））｝＝（異常磁区の割合（％））となるが、４本磁区以上も存在する。図７に示すように、還流磁区において長手方向の平行な磁区部分２ａ、２ｂが２本である状態を意味する。これに対して、３本磁区とはこれが３本である状態を意味する。異常磁区とは長手方向の平行な磁区部分２ａ、２ｂがオリフラＯＦに平行ではなく傾斜している磁区をいう。結果を図５Ａ及び図５Ｂに示す。異常磁区は各段階で０％であることが理解される。また、理想磁区である２本磁区は磁場中熱処理によって改善し、無磁場熱処理後に劣化するが、再磁場熱処理後に９７％にまで回復することが理解される。
（比較例）
従来の製造方法に従って、２本磁区（理想磁区）と３本磁区と異常磁区をスパッタ後、磁場中熱処理後、無磁場熱処理後、再磁場熱処理後に観察した。比較例では無磁場でスパッタし、従来の製造方法には本来存在しない磁場中熱処理、再磁場熱処理を加えた。結果を図６Ａ及び図６Ｂに示す。異常磁区は各段階でそれぞれ１００％、５８％、４４％、６１％であることが理解される。即ち、無磁場でスパッタするとその後に有磁場熱処理を行っても異常磁区は完全に除去されないことが理解される。
【００３６】
以上、本発明の好ましい実施例を説明したが、本発明はこれらの実施例に限定されず、その要旨の範囲内で様々な変形及び変更が可能である。
【００３７】
本発明は更に以下の事項を開示する。
【００３８】
（付記１）  軟磁性層を有する磁気ヘッド素子の製造方法であって、
前記軟磁性層のメッキベース層をスパッタリングにより成膜するステップと、
前記成膜ステップ中に前記ヘッド素子が形成されるウェハのオリフラと平行な方向に磁場を印加するステップとを有することを特徴とする方法。（１）
（付記２）  前記軟磁性層は外部磁界をシールドするシールド層であることを特徴とする付記１記載の方法。
【００３９】
（付記３）  前記メッキベース層を利用した電解メッキによって前記軟磁性層を成膜するステップと、
前記電解メッキ成膜ステップ中に前記方向に磁場を印加するステップとを更に有することを特徴とする付記１記載の方法。
【００４０】
（付記４）  前記方向と同一方向の磁場中において前記ウェハを熱処理する有磁場熱処理ステップを更に有することを特徴とする付記１記載の方法。（２）
（付記５）  前記ウェハに前記方向とは異なる方向に常温で磁場を印加するステップを更に有し、
前記常温磁場印加ステップ後に前記有磁場熱処理ステップを行うことを特徴とする付記４記載の方法。（３）
（付記６）  前記有磁場熱処理ステップを、前記常温磁場印加ステップの実行毎又は前記常温磁場印加ステップを複数回実行した後で少なくとも一回実行することを特徴とする付記５記載の方法。
【００４１】
（付記７）  前記ウェハを無磁場で熱処理するステップを更に有し、
前記無磁場熱処理ステップ後に前記有磁場熱処理ステップを行うことを特徴とする付記４記載の方法。（４）
（付記８）  前記有磁場熱処理ステップを、前記無磁場熱処理ステップの実行毎又は前記無磁場熱処理ステップを複数回実行した後で少なくとも一回実行することを特徴とする付記７記載の方法。（５）
（付記９）  前記有磁場熱処理ステップの温度は前記無磁場熱処理ステップの温度と同一又はそれ以上であることを特徴とする付記７記載の方法。
【００４２】
（付記１０）  前記磁気ヘッド素子は、書き込みヘッド素子と読み出しヘッド素子の複合ヘッド素子であることを特徴とする付記１記載の方法。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１Ａ】磁気ヘッド素子の構成を示す拡大断面図である。
【図１Ｂ】別の磁気ヘッド素子の構成を示す拡大断面図である。
【図２】本発明の一実施例の磁気ヘッド素子の製造方法を説明するためのフローチャートである。
【図３】磁場の印加方向を説明するための平面図である。
【図４】図２の変形例としてのフローチャートである。
【図５Ａ】本実施例の製造方法によって製造された磁気ヘッド素子の磁区状態を示す表である。
【図５Ｂ】図５Ａのグラフである。
【図６Ａ】従来の製造方法によって製造された磁気ヘッド素子の磁区状態を示す表である。
【図６Ｂ】図６Ａのグラフである。
【図７】還流磁区の概略平面図である。
【符号の説明】
【００４４】
１３９、１４２            シールド層
１３９ａ、１４２ａ        メッキベース層
【図１Ａ】
2008071379.tif 000003
【図１Ｂ】
2008071379.tif 000004
【図２】
2008071379.tif 000005
【図３】
2008071379.tif 000006
【図４】
2008071379.tif 000007
【図５Ａ】
2008071379.tif 000008
【図５Ｂ】
2008071379.tif 000009
【図６Ａ】
2008071379.tif 000010
【図６Ｂ】
2008071379.tif 000011
【図７】
2008071379.tif 000012