(57)【要約】      （修正有）【課題】本発明は、高密度であり、ジッタが低く、クロスライトを抑制することが可能な光情報記録媒体を提供することを目的とする。【解決手段】光情報記録媒体は、ランド及びグルーブを有する基板上に、相変化材料からなる記録層を少なくとも有し、ランド及び／又はグルーブは、凹形状部を有し、記録層は、少なくとも凹形状部上に形成され、凹形状部上に形成された記録層の底面は、凹形状部の形状が反映されている。【選択図】図１
2008071465.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ランド及びグルーブを有する基板上に、相変化材料からなる記録層を少なくとも有し、
該ランド及び／又はグルーブは、凹形状部を有し、
該記録層は、少なくとも該凹形状部上に形成され、
該凹形状部上に形成された記録層の底面は、該凹形状部の形状が反映されていることを特徴とする光情報記録媒体。
【請求項２】
前記凹形状部は、半球状であることを特徴とする請求項１に記載の光情報記録媒体。
【請求項３】
前記凹形状部は、円柱状の第１の構造及び凹形状の第２の構造からなることを特徴とする請求項１に記載の光情報記録媒体。
【請求項４】
前記第２の構造は、半球状であることを特徴とする請求項３に記載の光情報記録媒体。
【請求項５】
前記凹形状部は、同心円状に形成された溝状構造であることを特徴とする請求項１に記載の光情報記録媒体。
【請求項６】
前記溝状構造は、断面視すると、半円状であることを特徴とする請求項５に記載の光情報記録媒体。
【請求項７】
前記溝状構造は、断面視すると、矩形状の第１の構造及び凹形状の第２の構造からなることを特徴とする請求項５に記載の光情報記録媒体。
【請求項８】
前記第２の構造は、半円状であることを特徴とする請求項７に記載の光情報記録媒体。
【請求項９】
前記記録層は、隣接する前記グルーブ及びランドの間で互いに断絶されていることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載の光情報記録媒体。
【請求項１０】
前記基板及び記録層の間に、無機誘電体からなる層をさらに有することを特徴とする請求項１乃至９のいずれか一項に記載の光情報記録媒体。
【請求項１１】
前記相変化材料は、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｂ及びＴｅを含有する材料又はＧｅ、Ｓｂ及びＴｅを含有する材料であることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の光情報記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光情報記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
可視光の波長以下の大きさである微小構造が周期的に配列された構造は、光記録、磁気記録及びこれらを融合した次世代高密度メモリにおいて、記録マークとして利用されることが期待されている。高密度化は、記録マークの微小化、記録マーク間の距離の狭ピッチ化によって実現するため、数百ギガバイト、テラバイト、さらにはペタバイトの大容量を有する次世代高密度メモリにおいては、数ｎｍ〜数十ｎｍのサイズの記録マークが必要とされる。光の回折限界以下のサイズである記録マークの情報を読み取る超解像の技術は、次世代高密度メモリの技術として有望視されている。記録材料は、結晶−アモルファス間の可逆的な相変化を利用して、情報を記録・消去する相変化記録材料の他、色素材料等が一般に用いられている。光情報記録媒体には、ＣＤ−ＲＷ（Ｃｏｍｐａｃｔ  Ｄｉｓｃ  ＲｅＷｒｉｔａｂｌｅ）、ＤＶＤ−ＲＷ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ  Ｄｉｓｃ  ＲｅＷｒｉｔａｂｌｅ）、ＤＶＤ＋ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＡＭ、ＢＤ（Ｂｌｕ−ｒａｙ  Ｄｉｓｃ）、ＨＤ−ＤＶＤ（Ｈｉｇｈ−Ｄｅｆｉｎｉｔｉｏｎ  Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ  Ｄｉｓｃ）等がある。ＢＤでは、片面単層１５ＧＢ、片面二層３０ＧＢ、ＨＤ−ＤＶＤでは、片面単層２５ＧＢ、片面二層５０ＧＢと記憶容量は大きい。
【０００３】
超解像技術としては、記録マークの読み出しの原理について、いくつか提案されている。その中で、ある一定以上のレーザ出力で読み出す場合に再生が行えることから、記録層が融解していることにより、記録マークの読み出しが可能となっていると考えられている。
【０００４】
また、記録マークが微小になり、ランド・グルーブ間の距離が小さくなる程、記録時に目的の箇所のみの記録が困難になり、隣接するトラックの記録マーク同士が連なるクロスライトが生じたり、記録マークの変形が生じやすくなったりする。
【０００５】
微小構造を転写し、反転構造を形成する方法としては、射出成形をはじめとするエンボス加工が用いられているが、近年では、ナノスケールの構造体でも反転形状を正確に転写される技術が、ナノインプリント技術として知られている。光重合又は熱重合を用いるナノインプリント技術では、元型の反転構造を精度良く作製することができ、量産に適している。
【０００６】
微小構造を作製する技術としては、光リソグラフィを用いた微細加工と比較して、コストが低い熱リソグラフィが知られている。これは、吸熱層（レーザ照射の場合は、光吸収層の役割を果たす）に光を介して熱を与え、熱を与えられた箇所の特性（光透過率、屈折率、電気伝導度、化学耐食性等）が変化することを利用した技術である。光が照射された領域の温度分布は、ガウス分布となり、その中心となる高温部の領域は、スポット径と比較して１０分の１程度であるため、微小パターンの形成が可能となる。特許文献１には、光記録媒体の作製方法として、支持基板上に第１の誘電体層、光吸収層、第２の誘電体層を順次積層する工程、レーザー光を照射し情報を記録する工程、溶液エッチングにより第２の誘電体層の未記録部分を除去し凸状に加工する工程を少なくとも含む方法が開示されている。ここで、凸形状の断面は、垂直又は逆テーパ状となり、ガウス分布からなる熱分布の最大値の近傍でエッチング耐性が向上することから、光の回折限界以下のパターンが作製される。他にも、記録媒体及び記録媒体製造用原盤（特許文献２参照）、微細パターン形成方法（特許文献３参照）、微細加工方法（特許文献４参照）、光記録媒体原盤、光記録媒体用スタンパ、光記録媒体（特許文献５参照）、記録媒体の原盤、記録媒体のスタンパ、記録媒体（特許文献６参照）が開示されている。
【０００７】
以上のように、光情報記録媒体の高密度化は、記録マークの微小化、記録マーク間距離の狭ピッチ化によって実現する。しかしながら、記録マークの大きさが再生レーザ波長以下の微小なサイズになり、隣接するランド・グルーブの間隔も狭くなることにより、目的の箇所のみの記録が困難になる。このため、記録マークが隣接するトラックにも生じるクロスライトや、記録マークの変形が生じやすくなる。また、相変化材料からなる記録層の溶融を利用した、超解像現象による記録再生においては、溶融による媒体の劣化も生じる。
【特許文献１】特開２００５−１５８１９１号公報
【特許文献２】特開２００１−２５０２８０号公報
【特許文献３】特開２００２−３６５８０６号公報
【特許文献４】特開２００３−１４５９４１号公報
【特許文献５】特開２００５−７１５６４号公報
【特許文献６】特開２００５−１００６０２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、上記の従来技術が有する問題に鑑み、高密度であり、ジッタが低く、クロスライトを抑制することが可能な光情報記録媒体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
請求項１に記載の発明は、光情報記録媒体において、ランド及びグルーブを有する基板上に、相変化材料からなる記録層を少なくとも有し、該ランド及び／又はグルーブは、凹形状部を有し、該記録層は、少なくとも該凹形状部上に形成され、該凹形状部上に形成された記録層の底面は、該凹形状部の形状が反映されていることを特徴とする。
【００１０】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の光情報記録媒体において、前記凹形状部は、半球状であることを特徴とする。
【００１１】
請求項３に記載の発明は、請求項１に記載の光情報記録媒体において、前記凹形状部は、円柱状の第１の構造及び凹形状の第２の構造からなることを特徴とする。
【００１２】
請求項４に記載の発明は、請求項３に記載の光情報記録媒体において、前記第２の構造は、半球状であることを特徴とする。
【００１３】
請求項５に記載の発明は、請求項１に記載の光情報記録媒体において、前記凹形状部は、同心円状に形成された溝状構造であることを特徴とする。
【００１４】
請求項６に記載の発明は、請求項５に記載の光情報記録媒体において、前記溝状構造は、断面視すると、半円状であることを特徴とする。
【００１５】
請求項７に記載の発明は、請求項５に記載の光情報記録媒体において、前記溝状構造は、断面視すると、矩形状の第１の構造及び凹形状の第２の構造からなることを特徴とする。
【００１６】
請求項８に記載の発明は、請求項７に記載の光情報記録媒体において、前記第２の構造は、半円状であることを特徴とする。
【００１７】
請求項９に記載の発明は、請求項１乃至８のいずれか一項に記載の光情報記録媒体において、前記記録層は、隣接する前記グルーブ及びランドの間で互いに断絶されていることを特徴とする。
【００１８】
請求項１０に記載の発明は、請求項１乃至９のいずれか一項に記載の光情報記録媒体において、前記基板及び記録層の間に、無機誘電体からなる層をさらに有することを特徴とする。
【００１９】
請求項１１に記載の発明は、請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の光情報記録媒体において、前記相変化材料は、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｂ及びＴｅを含有する材料又はＧｅ、Ｓｂ及びＴｅを含有する材料であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、高密度であり、ジッタが低く、クロスライトを抑制することが可能な光情報記録媒体を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
次に、本発明を実施するための最良の形態を図面と共に説明する。
【実施例１】
【００２２】
図１に、実施例１の光情報記録媒体を示す。なお、図１（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ半径方向及びトラック方向の断面図である。図１に示す光情報記録媒体は、ランドとグルーブの両方に記録する際のトラックピッチが３７０ｎｍ、グルーブ記録のトラックピッチが７４０ｎｍのランド・グルーブを有する直径１２ｃｍのプラスチック基板１上に、厚さ５０ｎｍのＺｎＳ・ＳｉＯ２からなる下部保護層２、厚さ２０ｎｍのＡｇ３．８Ｉｎ７Ｓｂ６１Ｔｅ２８．２（相変化材料）からなる記録層３、厚さ６０ｎｍのＺｎＳ・ＳｉＯ２からなる上部保護層４、厚さ１００ｎｍのＡｇ−Ｉｎからなる反射膜５及び保護樹脂膜６が形成されている。この光情報記録媒体を一定速度で回転させ、対物レンズにより集光されたレーザを照射し、トラッキング、フォーカシングを行うことにより、情報の記録及び再生を行うことができる。利用方法は、従来の光情報記録媒体と同様であるが、図１に示す光情報記録媒体は、ジッタが低いため、信頼性が高い。
【００２３】
図１に示す光情報記録媒体は、ランド上の記録層３とグルーブ上の記録層３が分離され、記録及び再生におけるレーザ照射の際の影響を互いに受けにくく、クロスライト（隣接トラック間の記録マークの重なり）を抑制することができる。また、プラスチック基板１のランド及びグルーブには、後述する微小構造体の形状が反映されている半球状の構造が形成され、その形状が記録層３にも反映されているため、レーザ照射による記録時に、図１中、上側への記録層３の変形を抑制することができる。このため、記録、再生時におけるエラーを低減することができる。
【００２４】
また、超解像再生技術としては、再生レーザ光により、相変化材料を溶融させながら再生を行うモデルが提案されているが、ＤＶＤ−ＲＷをはじめとする従来の光情報記録媒体の構成では、平坦に形成された相変化材料が溶融するため、隣接するトラック等に溶融した相変化材料が漏れ出し、偏析する。しかしながら、図１に示す光記録媒体は、ランド・グルーブに、後述する微小構造体の形状が反映されている凹形状部が形成されているため、溶融した記録層３が漏れにくく、信頼性が高い。
【００２５】
図２に、実施例１の光情報記録媒体の作製方法を示す。ランドとグルーブの両方に記録する際のトラックピッチが３７０ｎｍ、グルーブ記録のトラックピッチが７４０ｎｍのランド・グルーブを有する直径１２ｃｍ、厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート基板７上に、厚さ４０ｎｍのＺｎＳ・ＳｉＯ２からなる保護層８、厚さ１０ｎｍのＧｅからなる光吸収層９、厚さ２０ｎｍのＺｎＳ層１０及び高さ１６０ｎｍのＺｎＳ・ＳｉＯ２（モル比８：２）からなる微小構造体１１が形成されている母型を作製する（図２（ａ）参照）。微小構造体１１は、直径３５０ｎｍの円柱状の構造体１１ａの上に、直径１２０ｎｍの半球状の構造体１１ｂが形成されている。次に、母型と、ポリカーボネート基板を平行に配置して、その間に光硬化性樹脂を充填する。その後、紫外線照射により樹脂を光硬化させ、硬化樹脂層が形成されたポリカーボネート基板（プラスチック基板１）を母型から剥離することにより、反転構造を形成する（図２（ｂ）参照）。次に、プラスチック基板１上に、下部保護層２、記録層３、上部保護層４及び反射膜５をスパッタリング装置ＣＦＳ−８ＥＰ（芝浦メカトロニクス社製）を用いて形成し、その後、保護樹脂膜６をスピンコートにより形成する（図２（ｃ）参照）。
【００２６】
微小構造体１１の作製方法は、以下の通りである。まず、ポリカーボネート基板７上に、保護層８、光吸収層９、ＺｎＳ層１０及び高さ１６０ｎｍのＺｎＳ・ＳｉＯ２（モル比８：２）からなる層を順に、スパッタリング装置ＣＦＳ−８ＥＰ（芝浦メカトロニクス社製）を用いて成膜する。このような構成とするのは、光吸収層９は、光吸収により発熱し、光吸収層９以外の層は、光学的に透明であり、ＺｎＳ層１０は、膜質を向上させ、最上層のＺｎＳ・ＳｉＯ２からなる層にパターニングを施し、微小構造体１１を形成するためである。パターンを形成するにあたり、まず、成膜されたポリカーボネート基板７を、光ディスク評価装置ＬＭ３３０（シバソク社製）（レーザ波長４０５ｎｍ、レンズＮＡ０．８５）を用いて、線速度４．５ｍ／秒で回転させながら、マークピッチ４００ｎｍで、レーザ照射（レーザ出力６．４ｍＷ）を行う。その後、５重量％フッ化水素酸水溶液を用いて１０秒間エッチングすることにより、レーザ照射が施されていない箇所の最上層のＺｎＳ・ＳｉＯ２を除去した。エッチング耐性の変化については、ＳｉＯ２は、エッチングされるが、ある一定出力以上のレーザ光を照射された箇所の最上層のＺｎＳ・ＳｉＯ２は、エッチング耐性が向上するという現象が生じる。この現象は、数百℃のアニールを施したＺｎＳ・ＳｉＯ２についても生じる現象である。したがって、レーザ照射後にエッチングすると、レーザ照射を行った箇所のみが残存し、レーザ照射が行われていない箇所は、ＳｉＯ２がエッチング除去されることにより、最上層のＺｎＳ・ＳｉＯ２が除去され、微小構造体の作製が可能になる。なお、最上層のＺｎＳ・ＳｉＯ２は、光学的にほぼ透明であるため、光吸収層９が光を吸収して発熱していると考えられ、その発熱に伴って、最上層のＺｎＳ・ＳｉＯ２が緻密化して、エッチング耐性が変化し、微小構造体１１が残ると考えられる。
【００２７】
図３に、電界放射形走査電子顕微鏡ＦＥ−ＳＥＭ  Ｓ−４１００（日立製作所社製）による微小構造体１１の電子顕微鏡写真を示す。なお、図３（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ上面及び斜めからの電子顕微鏡写真である。ここでは、図２とは異なり、ポリカーボネート基板の凸部（グルーブ）のみに微小構造体１１が形成されているが、ランド及び／又はグルーブに微小構造体１１を形成することが可能である。このように、プラスチック基板１の凹形状部の形成箇所も選択できる。
【００２８】
さらに、図１に示す光情報記録媒体に、図２と同様のプロセスを繰り返す、又は、２つの光情報記録媒体を貼り合わせることにより、１０μｍ間隔で記録層が二層積層され、その間に樹脂による中間層が形成された三次元積層構造体も作製することができる。このような三次元積層構造体では、積層数分だけ記録容量を増加させることができる。なお、記録層間の間隔は、作製精度の上で、数μｍ〜１００μｍ程度であることが好ましい。
【００２９】
本実施例では、図２（ａ）及び図３に示す形状を有する微小構造体１１を利用した場合を示しているが、直方体状等の他の形状を有する微小構造体も同様に凹形状部を形成する元型として利用できる。また、図２に示すプロセスの途中において、母型（マスター）を導電化させてＮｉメッキを行い、反転構造を得るＮｉ電気鋳造や、母型から樹脂を用いてスタンパを作製する工程を加えて、最終的に射出成形によりプラスチック基板を作製し、その後、記録層を成膜する方法等、生産性に重点をおいたプロセスにおいても、本実施例と同様の光情報記録媒体が得られる。
【００３０】
以上のように、ランド及び／又はグルーブに凹形状部が形成され、記録層の底面にもその形状が反映されているため、クロスライトを抑制することができ、超解像を用いた再生にも耐えうる高密度な光情報記録媒体を作製することができる。また、凹形状部が円柱状の第１の構造及び半球状の第２の構造からなるため、レーザ照射による記録時の記録層の上側への膨張の影響を低減することができる。さらに、隣接するランド・グルーブ間の記録層をほぼ完全に断絶することができ、記録や再生の際のレーザ照射において、他の記録マークまで相変化が及ぶことを抑制することができる。また、プラスチック基板、無機誘電体からなる下部保護層及び記録層が積層されているため、実用的な光情報記録媒体の作製を可能にする。なお、相変化材料としては、高速記録に対応できるように結晶化及び非晶質化を短時間で行うことが可能な材料を選択する必要がある。本実施例では、記録層は、ＡｇＩｎＳｂＴｅを主成分とするため、高速及び低速記録を１００００回以上行うことができる信頼性の高い光情報記録媒体を作製することができる。
【実施例２】
【００３１】
図４に、実施例２の光情報記録媒体を示す。なお、図４（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ半径方向及びトラック方向の断面図である。図４に示す光情報記録媒体は、ランドとグルーブの両方に記録する際のトラックピッチが３７０ｎｍ、グルーブ記録のトラックピッチが７４０ｎｍのランド・グルーブを有する直径１２ｃｍのプラスチック基板１上に、厚さ３０ｎｍのＺｎＳ・ＳｉＯ２からなる下部保護層２、厚さ２０ｎｍのＡｇ３．８Ｉｎ７Ｓｂ６１Ｔｅ２８．２（相変化材料）からなる記録層３、厚さ６０ｎｍのＺｎＳ・ＳｉＯ２からなる上部保護層４、厚さ５０ｎｍのＡｇ−Ｉｎからなる反射膜５及び保護樹脂膜６が形成されている。なお、図４（ｂ）において、凹形状部は、間隔を隔てて形成されているが、隣接して形成されている場合も同様の効果を有する。この光情報記録媒体を一定速度で回転させ、対物レンズにより集光されたレーザを照射し、トラッキング、フォーカシングを行うことにより、情報の記録及び再生を行うことができる。利用方法は、従来の光情報記録媒体と同様であるが、図４に示す光情報記録媒体は、ジッタが低いため、信頼性が高い。
【００３２】
図４に示す光情報記録媒体は、ランド上の記録層３とグルーブ上の記録層３が分離され、記録及び再生におけるレーザ照射の際の影響を互いに受けにくく、クロスライトを抑制することができる。また、プラスチック基板１のランド及びグルーブには、後述する微小構造体の形状が反映されている半球状の構造が形成され、その形状が記録層３にも反映されているため、レーザ照射による記録時に、図４中、上側への記録層３の変形を抑制することができる。このため、記録、再生時におけるエラーを低減することができる。
【００３３】
また、超解像再生技術としては、再生レーザ光により相変化材料を溶融させながら再生を行うモデルが提案されているが、ＤＶＤ−ＲＷをはじめとする従来の光情報記録媒体の構成では、平坦に形成された相変化材料が溶融するため、隣接するトラック等に溶融した相変化材料が漏れ出し、偏析する。しかしながら、図４に示す光記録媒体は、ランド・グルーブに、後述する微小構造体の形状が反映されている凹形状部が形成されているため、溶融した記録層３が漏れにくく、信頼性が高い。
【００３４】
図５に、実施例２の光情報記録媒体の作製方法を示す。レーザ出力を５．０ｍＷとした以外は、実施例１と同様に、半球状の微小構造体１１を作製する。すなわち、ランドとグルーブの両方に記録する際のトラックピッチが３７０ｎｍ、グルーブ記録のトラックピッチが７４０ｎｍのランド・グルーブを有する直径１２ｃｍ、厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート基板７上に、厚さ４０ｎｍのＺｎＳ・ＳｉＯ２からなる保護層８、厚さ１０ｎｍのＧｅからなる光吸収層９、厚さ２０ｎｍのＺｎＳ層１０及び直径２８０ｎｍ、高さ５０ｎｍのＺｎＳ・ＳｉＯ２（モル比８：２）からなる微小構造体１１が形成されている母型を作製する（図５（ａ）参照）。次に、母型と、ポリカーボネート基板を平行に配置して、その間に光硬化性樹脂を充填する。その後、紫外線照射により樹脂を光硬化させ、硬化樹脂層が形成されたポリカーボネート基板（プラスチック基板１）を母型から剥離することにより、反転構造を形成する（図５（ｂ）参照）。次に、プラスチック基板１上に、下部保護層２、記録層３、上部保護層４及び反射膜５をスパッタリング装置ＣＦＳ−８ＥＰ（芝浦メカトロニクス社製）を用いて形成し、その後、保護樹脂膜６をスピンコートにより形成する（図５（ｃ）参照）。
【００３５】
図６に、電界放射形走査電子顕微鏡ＦＥ−ＳＥＭ  Ｓ−４１００（日立製作所社製）による微小構造体１１の電子顕微鏡写真を示す。なお、図６（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ上面及び斜めからの電子顕微鏡写真である。ここでは、図５（ａ）とは異なり、ポリカーボネート基板の凸部（グルーブ）のみに微小構造体１１が形成されているが、ランド及び／又はグルーブに微小構造体１１を形成することが可能である。このように、プラスチック基板１の凹形状部の形成箇所も選択できる。
【００３６】
さらに、図４に示す光情報記録媒体に、図５と同様のプロセスを繰り返す、又は、２つの光情報記録媒体を貼り合わせることにより、１０μｍ間隔で記録層が二層積層され、その間に樹脂による中間層が形成された三次元積層構造体も作製することができる。このような三次元積層構造体では、積層数分だけ記録容量を増加させることができる。記録層間の間隔は、作製精度の上で、数μｍ〜１００μｍ程度であることが好ましい。
【００３７】
本実施例では、図５（ａ）及び図６に示す形状を有する微小構造体１１を利用した場合を示しているが、直方体状等の他の形状を有する微小構造体も同様に凹形状を形成する元型として利用できる。また、図５に示すプロセスの途中において、母型（マスター）を導電化させてＮｉメッキを行い、反転構造を得るＮｉ電気鋳造や、母型から樹脂を用いてスタンパを作製する工程を加えて、最終的に射出成形により基板を作製し、その後、記録層を成膜する方法等、生産性に重点をおいたプロセスにおいても、本実施例と同様の光情報記録媒体が得られる。
【００３８】
以上のように、ランド及び／又はグルーブに凹形状部が形成され、記録層の底面にもその形状が反映されているため、クロスライトを抑制することができ、超解像を用いた再生にも耐えうる高密度な光情報記録媒体を作製することができる。また、凹形状部が半球状であるため、レーザ照射による記録時の記録層の上側への膨張の影響を低減することができる。なお、半球状の形状は、他の基板に転写する際に歩留まりの良い簡易な構造である。さらに、隣接するランド・グルーブ間の記録層を互いに断絶することができ、記録や再生の際のレーザ照射において、他の記録マークまで相変化が及ぶことを抑制することができる。また、プラスチック基板、無機誘電体からなる下部保護層及び記録層が積層されているため、実用的な光情報記録媒体の作製を可能にする。なお、相変化材料としては、高速記録に対応できるように結晶化及び非晶質化を短時間で行うことが可能な材料を選択する必要がある。本実施例では、記録層は、ＡｇＩｎＳｂＴｅを主成分とするため、高速及び低速記録を１００００回以上行うことができる信頼性の高い光情報記録媒体を作製することができる。
【実施例３】
【００３９】
図７に、実施例３の光情報記録媒体を示す。なお、図７（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ半径方向及びトラック方向の断面図である。図７に示す光情報記録媒体は、ランドとグルーブの両方に記録する際のトラックピッチが３７０ｎｍ、グルーブ記録のトラックピッチが７４０ｎｍのランド・グルーブを有する直径１２ｃｍのプラスチック基板１上に、厚さ３０ｎｍのＺｎＳ・ＳｉＯ２からなる下部保護層２、厚さ１５ｎｍのＡｇ３．８Ｉｎ７Ｓｂ６１Ｔｅ２８．２（相変化材料）からなる記録層３、厚さ６０ｎｍのＺｎＳ・ＳｉＯ２からなる上部保護層４、厚さ１００ｎｍのＡｇ−Ｉｎからなる反射膜５及び保護樹脂膜６が形成されている。この光情報記録媒体を一定速度で回転させ、対物レンズにより集光されたレーザを照射し、トラッキング、フォーカシングを行うことにより、情報の記録及び再生を行うことができる。利用方法は、従来の光情報記録媒体と同様であるが、図７に示す光情報記録媒体は、ジッタが低いため、信頼性が高い。
【００４０】
図７に示す光情報記録媒体は、ランド上の記録層３とグルーブ上の記録層３が分離され、記録及び再生におけるレーザ照射の際の影響を互いに受けにくく、クロスライトを抑制することができる。また、プラスチック基板１のランド及びグルーブには、後述する微小構造体の形状が反映されている半球状の構造が形成され、その形状が記録層３にも反映されているため、レーザ照射による記録時に、図７中、上側への記録層３の変形を抑制することができる。このため、記録、再生時におけるエラーを低減することができる。
【００４１】
また、超解像再生技術としては、再生レーザ光により相変化材料を溶融させながら再生を行うモデルが提案されているが、ＤＶＤ−ＲＷをはじめとする従来の光情報記録媒体の構成では、平坦に形成された相変化材料が溶融するため、隣接するトラック等に溶融した相変化材料が漏れ出し、偏析する。しかしながら、図７に示す光情報記録媒体は、ランド・グルーブに、後述する微小構造体の形状が反映されている凹形状部が形成されているため、溶融した記録層３が漏れにくく、信頼性が高い。
【００４２】
図７に示す光情報記録媒体は、図４に示す光情報記録媒体とほぼ同様の構成であるが、作製方法が若干異なるため、隣接する記録層３が互いに大きく分離されている。このため、クロスライトをさらに抑制することができる。
【００４３】
図８に、実施例３の光情報記録媒体の作製方法を示す。図５（ａ）と同様に、半球状の微小構造体１１を作製する。すなわち、ランドとグルーブの両方に記録する際のトラックピッチが３７０ｎｍ、グルーブ記録のトラックピッチが７４０ｎｍのランド・グルーブを有する直径１２ｃｍ、厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート基板７上に、厚さ４０ｎｍのＺｎＳ・ＳｉＯ２からなる保護層８、厚さ１０ｎｍのＧｅからなる光吸収層９、厚さ２０ｎｍのＺｎＳ層１０及び直径２８０ｎｍ、高さ５０ｎｍのＺｎＳ・ＳｉＯ２（モル比８：２）からなる微小構造体１１が形成されている母型を作製する。次に、母型と、ポリカーボネート基板を平行に配置して、その間に光硬化性樹脂を充填する。その後、紫外線照射により樹脂を光硬化させ、硬化樹脂層が形成されたポリカーボネート基板（プラスチック基板１）を母型から剥離することにより、反転構造を形成する（図８（ａ）参照）。次に、プラスチック基板１上に、下部保護層２及び記録層３をスパッタリング装置ＣＦＳ−８ＥＰ（芝浦メカトロニクス社製）を用いて形成する（図８（ｂ）参照）。下部保護層２及び記録層３が形成されたプラスチック基板１を１８００ｒｐｍで回転させながら、初期化を行うのと同様にレーザ照射を行い、記録層３を瞬時に溶融させる。その結果、トラック方向の各記録層３の端部が内側に移動する（図８（ｃ）参照）。このとき、レーザ照射は、半導体レーザ（波長８３０ｎｍ）を用いて、レーザ出力１２ｍＷで２００回照射した後、レーザ出力７ｍＷで５回照射することにより行う。なお、各回の照射時間は、約０．１μ秒である。このような記録層３の溶融を伴うレーザ照射により、隣接するランド・グルーブに存在する記録層同士を均一に、また、完全に断絶することができる。その結果、クロスライトをさらに抑制することができ、相変化材料の溶融による超解像現象による記録再生においても信頼性が高い。なお、記録層３同士が断絶する条件であれば、照射回数を少なくしても問題はなく、連続照射してもよい。次に、図８（ｂ）と同様に、上部保護層４及び反射膜５を形成し、その後、保護樹脂膜６をスピンコートにより形成する（図８（ｄ）参照）。
【００４４】
さらに、図７に示す光情報記録媒体に、図８と同様のプロセスを繰り返す、又は、２つの光情報記録媒体を貼り合わせることにより、１０μｍ間隔で記録層が二層積層され、その間に樹脂による中間層が形成された三次元積層構造体も作製することができる。このような三次元積層構造体では、積層数分だけ記録容量を増加させることができる。記録層間の間隔は、作製精度の上で、数μｍ〜１００μｍ程度であることが好ましい。
【００４５】
本実施例では、図８（ａ）に示す形状を有する微小構造体１１を利用した場合を示しているが、他の形状を有する微小構造体も同様に凹形状を形成する元型として利用できる。また、図８に示すプロセスの途中において、母型（マスター）を導電化させてＮｉメッキを行い、反転構造を得るＮｉ電気鋳造や、母型から樹脂を用いてスタンパを作製する工程を加えて、最終的に射出成形により基板を作製し、その後、記録層を成膜する方法等、生産性に重点をおいたプロセスにおいても、本実施例と同様の光情報記録媒体が得られる。
【００４６】
以上のように、ランド及び／又はグルーブに凹形状部が形成され、記録層の底面にもその形状が反映されているため、クロスライトを抑制することができ、超解像を用いた再生にも耐えうる高密度な光情報記録媒体を作製することができる。また、凹形状部が半球状であるため、レーザ照射による記録時の記録層の上側への膨張の影響を低減することができる。なお、半球状の形状は、他の基板に転写する際に歩留まりの良い簡易な構造である。さらに、隣接するランド・グルーブ間の記録層を互いに断絶することができ、記録や再生の際のレーザ照射において、他の記録マークまで相変化が及ぶことを抑制することができる。また、プラスチック基板、無機誘電体からなる下部保護層及び記録層が積層されているため、実用的な光情報記録媒体の作製を可能にする。なお、相変化材料としては、高速記録に対応できるように結晶化及び非晶質化を短時間で行うことが可能な材料を選択する必要がある。本実施例では、記録層は、ＡｇＩｎＳｂＴｅを主成分とするため、高速及び低速記録を１００００回以上行うことができる信頼性の高い光情報記録媒体を作製することができる。
【実施例４】
【００４７】
図９に、実施例４の光情報記録媒体を示す。なお、図９（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ半径方向及びトラック方向の断面図である。図９に示す光情報記録媒体は、ランドとグルーブの両方に記録する際のトラックピッチが３７０ｎｍ、グルーブ記録のトラックピッチが７４０ｎｍのランド・グルーブを有する直径１２ｃｍのプラスチック基板１上に、厚さ３０ｎｍのＺｎＳ・ＳｉＯ２からなる下部保護層２、厚さ２０ｎｍのＡｇ３．８Ｉｎ７Ｓｂ６１Ｔｅ２８．２（相変化材料）からなる記録層３、厚さ６０ｎｍのＺｎＳ・ＳｉＯ２からなる上部保護層４、厚さ１００ｎｍのＡｇ−Ｉｎからなる反射膜５及び保護樹脂膜６が形成されている。この光情報記録媒体を一定速度で回転させ、対物レンズにより集光されたレーザを照射し、トラッキング、フォーカシングを行うことにより、情報の記録及び再生を行うことができる。利用方法は、従来の光情報記録媒体と同様であるが、図９に示す光情報記録媒体は、ジッタが低いため、信頼性が高い。
【００４８】
図９に示す光情報記録媒体は、ランド上の記録層３とグルーブ上の記録層３が分離され、記録及び再生におけるレーザ照射の際の影響を互いに受けにくく、クロスライトを抑制することができる。また、プラスチック基板１のランド及びグルーブには、後述する微小構造体の形状が反映されている溝状構造が形成され、その形状が記録層３にも反映されているため、レーザ照射による記録時に、図９中、上側への記録層３の変形を抑制することができる。このため、記録、再生時におけるエラーを低減することができる。さらに、転写工程を容易にし、歩留まり良く、光情報記録媒体を作製することができる。
【００４９】
また、超解像再生技術としては、再生レーザ光により相変化材料を溶融させながら再生を行うモデルが提案されているが、ＤＶＤ−ＲＷをはじめとする従来の光情報記録媒体の構成では、平坦に形成された相変化材料が溶融するため、隣接するトラック等に溶融した相変化材料が漏れ出し、偏析する。しかしながら、図９に示す光情報記録媒体は、ランド・グルーブに、後述する微小構造体の形状が反映されている凹形状部が形成されているため、溶融した記録層３が漏れにくく、信頼性が高い。
【００５０】
図１０に、実施例４の光情報記録媒体の作製方法を示す。ランドとグルーブの両方に記録する際のトラックピッチが３７０ｎｍ、グルーブ記録のトラックピッチが７４０ｎｍのランド・グルーブを有する直径１２ｃｍ、厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート基板７上に、厚さ１６０ｎｍのＺｎＳ・ＳｉＯ２からなる保護層８、厚さ１０ｎｍのＧｅからなる光吸収層９、厚さ２０ｎｍのＺｎＳ層１０及び横幅３６０ｎｍ、高さ１６０ｎｍのＺｎＳ・ＳｉＯ２（モル比８：２）からなる微小構造体１２が同心円状に形成されている母型を作製する（図１０（ａ）参照）。微小構造体１２の断面は、矩形状の構造体１２ａの上に、半円状の構造体１２ｂが形成されている。次に、母型と、ポリカーボネート基板を平行に配置して、その間に光硬化性樹脂を充填する。その後、紫外線照射により樹脂を光硬化させ、硬化樹脂層が形成されたポリカーボネート基板（プラスチック基板１）を母型から剥離することにより、反転構造を形成する（図１０（ｂ）参照）。プラスチック基板１上に、下部保護層２、記録層３、上部保護層４及び反射膜５をスパッタリング装置ＣＦＳ−８ＥＰ（芝浦メカトロニクス社製）を用いて形成し、その後、保護樹脂膜６をスピンコートにより形成する（図１０（ｃ）参照）。
【００５１】
微小構造体１２の作製方法は、以下の通りである。まず、ポリカーボネート基板７上に、保護層８、光吸収層９、ＺｎＳ層１０及び高さ１６０ｎｍのＺｎＳ・ＳｉＯ２（モル比８：２）からなる層を順に、スパッタリング装置ＣＦＳ−８ＥＰ（芝浦メカトロニクス社製）を用いて成膜する。成膜されたポリカーボネート基板７を、光ディスク評価装置ＬＭ３３０（シバソク社製）（レーザ波長４０５ｎｍ、レンズＮＡ０．８５）を用いて、線速度４．５ｍ／秒で回転させながら、一定のレーザ出力３．６ｍＷでレーザ照射を行う。その後、５重量％フッ化水素酸水溶液を用いて１０秒間エッチングすることにより、レーザ照射が施されていない箇所の最上層のＺｎＳ・ＳｉＯ２を除去する。
【００５２】
図１１に、電界放射形走査電子顕微鏡ＦＥ−ＳＥＭ  Ｓ−４１００（日立製作所社製）による微小構造体１２の電子顕微鏡写真を示す。なお、図１１（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ上面及び斜めからの電子顕微鏡写真である。図１１に示す微小構造体１２は、逆テーパ状の断面を有し、上面に突起したラインが見られる。この突起したラインの反転構造が図９における第２の構造となる。
【００５３】
さらに、図９に示す光情報記録媒体に、図１０と同様のプロセスを繰り返す、又は、２つの光情報記録媒体を貼り合わせることにより、１０μｍ間隔で記録層が二層積層され、その間に樹脂による中間層が形成された三次元積層構造体も作製することができる。このような三次元積層構造体では、積層数分だけ記録容量を増加させることができる。記録層間の間隔は、作製精度の上で、数μｍ〜１００μｍ程度であることが好ましい。
【００５４】
本実施例では、図１０（ａ）及び図１１に示す形状を有する微小構造体１２を利用した場合を示しているが、半円状、三角形状等の他の断面形状を有する微小構造体も同様に凹形状部を形成する元型として利用できる。また、図１０に示すプロセスの途中において、母型（マスター）を導電化させてＮｉメッキを行い、反転構造を得るＮｉ電気鋳造や、母型から樹脂を用いてスタンパを作製する工程を加えて、最終的に射出成形により基板を作製し、その後、記録層を成膜する方法等、生産性に重点をおいたプロセスにおいても、本実施例と同様の光情報記録媒体が得られる。
【００５５】
以上のように、ランド及び／又はグルーブに凹形状部が形成され、記録層の底面にもその形状が反映されているため、クロスライトを抑制することができ、超解像を用いた再生にも耐えうる高密度な光情報記録媒体を作製することができる。また、凹形状部の断面が矩形状の第１の構造及び半円状の第２の構造からなるため、レーザ照射による記録時の記録層の上側への膨張の影響を低減することができる。さらに、隣接するランド・グルーブ間の記録層を互いに断絶することができ、記録や再生の際のレーザ照射において、他の記録マークまで相変化が及ぶことを抑制することができる。また、プラスチック基板、無機誘電体からなる下部保護層及び記録層が積層されているため、実用的な光情報記録媒体の作製を可能にする。なお、相変化材料としては、高速記録に対応できるように結晶化及び非晶質化を短時間で行うことが可能な材料を選択する必要がある。本実施例では、記録層は、ＡｇＩｎＳｂＴｅを主成分とするため、高速及び低速記録を１００００回以上行うことができる信頼性の高い光情報記録媒体を作製することができる。
【実施例５】
【００５６】
図１２に、実施例５の光情報記録媒体を示す。図１２に示す光情報記録媒体は、ランドとグルーブの両方に記録する際のトラックピッチが３７０ｎｍ、グルーブ記録のトラックピッチが７４０ｎｍのランド・グルーブを有する直径１２ｃｍのプラスチック基板１上に、厚さ３０ｎｍのＺｎＳ・ＳｉＯ２からなる下部保護層２、厚さ２０ｎｍのＧｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５（相変化材料）からなる記録層３、厚さ６０ｎｍのＺｎＳ・ＳｉＯ２からなる上部保護層４、厚さ１００ｎｍのＡｇ−Ｉｎからなる反射膜５及び保護樹脂膜６が形成されている。この光情報記録媒体を一定速度で回転させ、対物レンズにより集光されたレーザを照射し、トラッキング、フォーカシングを行うことにより、情報の記録及び再生を行うことができる。利用方法は、従来の光情報記録媒体と同様であるが、図１２に示す光情報記録媒体は、ジッタが低いため、信頼性が高い。
【００５７】
図１２に示す光情報記録媒体は、ランド上の記録層３とグルーブ上の記録層３が分離され、記録及び再生におけるレーザ照射の際の影響を互いに受けにくく、クロスライトを抑制することができる。また、プラスチック基板１のランド及びグルーブには、後述する微小構造体の形状が反映されている溝状構造が形成され、その形状が記録層３にも反映されているため、レーザ照射による記録時に、図１２中、上側への記録層３の変形を抑制することができる。このため、記録、再生時におけるエラーを低減することができる。さらに、転写工程を容易にし、歩留まり良く、光情報記録媒体を作製することができる。
【００５８】
また、超解像再生技術としては、再生レーザ光により相変化材料を溶融させながら再生を行うモデルが提案されているが、ＤＶＤ−ＲＷをはじめとする従来の光情報記録媒体の構成では、平坦に形成された相変化材料が溶融するため、隣接するトラック等に溶融した相変化材料が漏れ出し、偏析する。しかしながら、図１２に示す光情報記録媒体は、ランド・グルーブに、後述する微小構造体の形状が反映されている凹形状部が形成されているため、溶融した記録層３が漏れにくく、信頼性が高い。
【００５９】
以下に、実施例５の光情報記録媒体の作製方法を示す。レーザ出力を２．８ｍＷとする以外は、実施例４と同様に、微小構造体１２を作製する。すなわち、ランドとグルーブの両方に記録する際のトラックピッチが３７０ｎｍ、グルーブ記録のトラックピッチが７４０ｎｍのランド・グルーブを有する直径１２ｃｍ、厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート基板７上に、厚さ１６０ｎｍのＺｎＳ・ＳｉＯ２からなる保護層８、厚さ１０ｎｍのＧｅからなる光吸収層９、厚さ２０ｎｍのＺｎＳ層１０及び横幅１８０ｎｍ、高さ６０ｎｍのＺｎＳ・ＳｉＯ２（モル比８：２）からなる微小構造体１２が同心円状に形成されている母型を作製する。なお、微小構造体１２の断面は、半円状である。次に、母型と、ポリカーボネート基板を平行に配置して、その間に光硬化性樹脂を充填する。その後、紫外線照射により樹脂を光硬化させ、硬化樹脂層が形成されたポリカーボネート基板（プラスチック基板１）を母型から剥離することにより、反転構造を形成する（図１４参照）。次に、プラスチック基板１上に、下部保護層２、記録層３、上部保護層４及び反射膜５をスパッタリング装置ＣＦＳ−８ＥＰ（芝浦メカトロニクス社製）を用いて形成し、その後、保護樹脂膜６をスピンコートにより形成する。
【００６０】
さらに、図１２に示す光情報記録媒体に、上記と同様のプロセスを繰り返す、又は、２つの光情報記録媒体を貼り合わせることにより、１０μｍ間隔で記録層が二層積層され、その間に樹脂による中間層が形成された三次元積層構造体も作製することができる。このような三次元積層構造体では、積層数分だけ記録容量を増加させることができる。記録層間の間隔は、作製精度の上で、数μｍ〜１００μｍ程度であることが好ましい。
【００６１】
本実施例では、半円状の断面を有する微小構造体１２を利用した場合を示しているが、三角形状等の他の断面形状を有する微小構造体も同様に凹形状部を形成する元型として利用できる。また、上記のプロセスの途中において、母型（マスター）を導電化させてＮｉメッキを行い、反転構造を得るＮｉ電気鋳造や、母型から樹脂を用いてスタンパを作製する工程を加えて、最終的に射出成形により基板を作製し、その後、記録層を成膜する方法等、生産性に重点をおいたプロセスにおいても、本実施例と同様の光情報記録媒体が得られる。
【００６２】
以上のように、ランド及び／又はグルーブに凹形状部が形成され、記録層の底面にもその形状が反映されているため、クロスライトを抑制することができ、超解像を用いた再生にも耐えうる高密度な光情報記録媒体を作製することができる。また、凹形状部の断面が半円状であるため、レーザ照射による記録時の記録層の上側への膨張の影響を低減することができる。さらに、隣接するランド・グルーブ間の記録層を互いに断絶することができ、記録や再生の際のレーザ照射において、他の記録マークまで相変化が及ぶことを抑制することができる。また、プラスチック基板、無機誘電体からなる下部保護層及び記録層が積層されているため、実用的な光情報記録媒体の作製を可能にする。なお、相変化材料としては、高速記録に対応できるように結晶化及び非晶質化を短時間で行うことが可能な材料を選択する必要がある。本実施例では、相変化材料は、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅを主成分とするため、高速及び低速記録を１００００回以上行うことができる信頼性の高い光情報記録媒体を作製することができる。
【００６３】
なお、上記実施例における光情報記録媒体では、ランド・グルーブを有する透明なプラスチック基板上に、薄膜を形成するが、基板に用いられるプラスチック材料は、主にポリカーボネートであり、ランド・グルーブの形成には、射出成形法が用いられる。プラスチック基板上に形成される積層構造は、基板側から順に、下部保護層、記録層、上部保護層及び反射層の構成が基本的なものである。下部保護層及び上部保護層には、酸化物、窒化物、硫化物等が用いられるが、ＺｎＳ・ＳｉＯ２（モル比８：２）がよく用いられる。記録層には、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｓｎ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｔｅ、Ｉｎ−Ｓｂ、Ｇａ−Ｓｂ、Ｇｅ−Ｓｂ等のカルコゲン系化合物が主に用いられる。反射層には、金属材料が用いられるが、光学特性、熱伝導率等から、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ等の金属材料及びこれらの合金材料、Ａｌ−Ｎｄ、Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ、Ａｇ−Ｂｉ、Ａｇ−Ｃｕ、Ａｇ−Ｉｎがよく用いられる。成膜方法としては、量産性に優れている点から、スパッタリング法がよく用いられるが、抵抗線加熱法、電子ビーム蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法等を用いてもよい。なお、相変化材料は、アモルファスであるため、初期化を施すためにレーザ照射を行うことが好ましい。また、光情報記録媒体は、任意の形状の発光パターンをプログラムしてレーザ照射することにより、特定箇所にアモルファスマークを形成して情報記録を行うことができる。
【００６４】
また、上記実施例において、微小構造体を作製する際に、光吸収層として利用される材料は、特に限定されない。具体的には、Ｇｅの他、Ｓｉ、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体、４元混晶化合物等が挙げられる。
【００６５】
また、上記実施例において、走査型電子顕微鏡の観察分解能の関係から、ＺｎＳ・ＳｉＯ２（モル比８：２）からなる微小構造体を比較的大きいサイズで作製しているが、光情報記録媒体を高密度化するためには、トラックピッチの狭ピッチ化や、記録マークの縮小化が必須である。なお、微小構造体は、数十ｎｍのサイズにすることも可能である。また、ランド・グルーブのピッチ間隔や、光吸収層の材質、膜厚、ＺｎＳ・ＳｉＯ２の組成比を変えることにより、形状は、若干変化するが、ほぼ同様である。さらに、ＺｎＳ・ＳｉＯ２以外の材料を用いたり、ＺｎＳ・ＳｉＯ２にＴｅＳ、ＳｒＳ、ＺｎＯ等の他の物質を混合したりして、微小構造体を作製してもよい。このような場合には、屈折率等の光学定数の調整を容易にする。また、ＺｎＳ・ＳｉＯ２のモル比を９：１等、若干異なるようにしても、微小構造体の作製は可能である。さらに、熱リソグラフィの方法としては、レーザ照射の他に、局所的に熱を加える方法も可能である。しかしながら、指向性、安定性の点で優れ、微小構造体の作製精度が高いことから、レーザ照射が好ましい。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】実施例１の光情報記録媒体を示す断面図である。
【図２】実施例１の光情報記録媒体の作製方法を示す図である。
【図３】図２の微小構造体の電子顕微鏡写真である。
【図４】実施例２の光情報記録媒体を示す断面図である。
【図５】実施例２の光情報記録媒体の作製方法を示す図である。
【図６】図５の微小構造体の電子顕微鏡写真である。
【図７】実施例３の光情報記録媒体を示す断面図である。
【図８】実施例３の光情報記録媒体の作製方法を示す図である。
【図９】実施例４の光情報記録媒体を示す断面図である。
【図１０】実施例４の光情報記録媒体の作製方法を示す図である。
【図１１】図１０の微小構造体の電子顕微鏡写真である。
【図１２】実施例５の光情報記録媒体を示す断面図である。
【図１３】実施例５のプラスチック基板を示す断面図である。
【符号の説明】
【００６７】
１    プラスチック基板
２    下部保護層
３    記録層
４    上部保護層
５    反射層
６    保護樹脂膜
７    ポリカーボネート基板
８    保護層
９    光吸収層
１０    ＺｎＳ層
１１、１２    微小構造体
【図１】
2008071465.tif 000003
【図２】
2008071465.tif 000004
【図４】
2008071465.tif 000005
【図５】
2008071465.tif 000006
【図７】
2008071465.tif 000007
【図８】
2008071465.tif 000008
【図９】
2008071465.tif 000009
【図１０】
2008071465.tif 000010
【図１２】
2008071465.tif 000011
【図１３】
2008071465.tif 000012
【図３】
2008071465.tif 000013
【図６】
2008071465.tif 000014
【図１１】
2008071465.tif 000015