(57)【要約】【課題】高い耐食性を有する電磁波シールド成形体およびその製造方法を提供する。【解決手段】銅からなる金属シールド層と、金属シールド層の上の保護層とからなり、保護層は、Ｓｎ−Ｃｕ−Ｃｒ合金からなり、かつ、保護層の厚さは、金属シールド層の厚さの４０％〜１２０％である。Ｓｎ−Ｃｕ−Ｃｒ合金は、Ｓｎに対するＣｕの質量比Ｃｕ／Ｓｎが０．０５〜０．２０であり、かつ、Ｓｎに対するＣｒの質量比Ｃｒ／Ｓｎが０．１５〜０．４０である。金属シールド層および保護層は、真空成膜法により成膜する。好ましくは、金属シールド層の厚さは、０．５μｍ〜１．５μｍとし、保護層の厚さは、０．５μｍ〜１．０μｍとする。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
銅からなる金属シールド層と、該金属シールド層の上の保護層とからなる電磁波シールド膜であり、該保護層は、Ｓｎ−Ｃｕ−Ｃｒ合金からなり、かつ、該保護層の厚さは、前記金属シールド層の厚さの４０％〜１２０％であることを特徴とする電磁波シールド膜。
【請求項２】
前記Ｓｎ−Ｃｕ−Ｃｒ合金は、Ｓｎに対するＣｕの質量比Ｃｕ／Ｓｎが０．０５〜０．２０であり、かつ、Ｓｎに対するＣｒの質量比Ｃｒ／Ｓｎが０．１５〜０．４０であることを特徴とする請求項１に記載の電磁波シールド膜。
【請求項３】
請求項１または２に記載の電磁波シールド膜を成膜する方法であり、前記金属シールド層および前記保護層を、真空成膜法により成膜することを特徴とする電磁波シールド膜の成膜方法。
【請求項４】
請求項１または２に記載の電磁波シールド膜を被覆した電磁波シールド成形体であり、前記金属シールド層の厚さが０．５μｍ〜１．５μｍであり、かつ、前記保護層の厚さが０．５μｍ〜１．０μｍであることを特徴とする電磁波シールド成形体。
【請求項５】
請求項４に記載の電磁波シールド成形体の製造方法であり、前記金属シールド層および前記保護層を、真空成膜法により成膜することを特徴とする電磁波シールド成形体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電磁波シールド成形体に関し、特に、金属シールド層と保護層からなる電磁波シールド膜により被覆され、耐食性に優れた電磁波シールド成形体に関する。
【背景技術】
【０００２】
電気・電子機器や、携帯電話機などのように電波を発信および受信する機器には、機器の誤動作を避けるために、電磁波シールド処理が施されていることが多い。電磁波シールド処理としては、導電性金属を混入したプラスチックを用いて成形品を作製する方法、成形品の表面に導電性塗料を塗布する方法、あるいは、成形品の表面に湿式めっき法や真空成膜法により金属薄膜からなる電磁波シールド膜を形成する方法等が知られている。電気・電子機器や携帯電話機などにおいては、筐体の内側に電磁波シールド膜を形成することが多い。
【０００３】
湿式めっき法としては、無電解めっき法が用いられている。無電解めっき法では、クロム酸エッチングやパラジウム触媒の付加などを行うため、成形品と薄膜との密着は強固である。しかし、廃液の処理を行う必要があり、処理時間が長く、成形品の両面がめっきされてしまうという問題点がある。
【０００４】
一方、真空成膜法による電磁波シールド膜の形成では、成形品の基材に、プライマ層を設けて、その上に電磁波シールド膜として銅層を形成し、保護層としてニッケル層を形成している。または、成形品の基材に、電磁波シールド膜として、厚さが１μｍ〜２μｍであるアルミ膜を形成している。
【０００５】
しかし、海で使用したり、腐食環境下で使用するには、前記電磁波シールド膜の耐食性は不十分で、例えば、塩水噴霧試験では２時間〜６時間で、変色および溶解が始まって、携帯電話機のメーカが要求する「２４ｈの塩水噴霧試験の結果で、変色または溶解がないこと」という規格に、合格することができない。
【０００６】
これに対して、特開２００４−１６９０９１号公報には、鋼板表面に、めっき、蒸着または溶射で、厚さが０．２μｍ以上である銅層と、厚さが０．０１μｍ〜０．１５μｍのニッケル層が、順次形成されて、１６ｈの塩水噴霧試験の結果で、腐食しないめっき鋼板が記載されている。しかし、基材が鋼板であり、携帯電話機の筺体のような樹脂基材には、適用することができない。
【０００７】
特開２００３−２９３１９２号公報には、下地鋼板の両面に、第１層として０．０５μｍ以上の厚さのＮｉめっき層と、第２層として両面に０．２μｍ以上の厚さのＣｕめっき層と、第３層として両面にベンゾトリアゾールによる化学処理層と、第４層として両面もしくは片面に、厚さが３μｍ以下の樹脂皮膜層を形成し、耐食性に優れた鋼板が記載されている。しかし、基材が鋼板であり、携帯電話機の筺体のような樹脂基材には、適用することができない。また、化学処理層をめっき層の上に形成することは、工程を煩雑にし、コスト高になるため、一般的な方法ではない。
【０００８】
特開２０００−２００９９０号公報には、５〜３５質量％のＣｒを含むＦｅ基合金からなる軟磁性粉末が、ゴムまたは樹脂に５〜６５体積％の割合で含有された高耐食性の吸収体が記載されている。特開２０００−２００９９０号公報に記載された方法は、基材に耐食性導電粉末を含有させるもので、すでに成形された製品には処理をすることができない。
【０００９】
特開２０００−０５９０８６号公報には、圧延方向に直流磁場８０Ａ／ｍを印加した場合の圧延方向の磁束密度が１．２Ｔの鋼板に、亜鉛を主成分とする皮膜を形成する耐食性に優れた電磁鋼板が記載されている。しかし、基材が鋼板であり、携帯電話機の筺体のような樹脂基材には、適用することができない。
【００１０】
一方、樹脂基材の上に形成された電磁波シールド層の上に、保護層を形成して、電磁波シールド膜を有する成形体を得る方法として、特開平５−３４５９８７号公報に、プラスチックの上に金属層を、蒸着法、スパッタリング法、またはイオンプレーテイング法で成膜し、得られた金属層の上に、無電解銅めっき皮膜を形成し、さらに、得られた無電解銅めっき皮膜の上に、無電解ニッケルめっき皮膜を形成することにより、耐食性に優れた電磁波シールド処理方法が記載されている。しかし、無電解ニッケルめっきは、蒸着ニッケルよりは耐食性が高いものの、２４ｈの塩水噴霧試験の結果で、緑色に変色してしまう。
【００１１】
また、特開２００１−２５１０８４号公報には、プラスチック上に無電解銅めっきと無電解ニッケルめっきを順次形成し、次いで、無電解金めっきおよび無電解銀めっきからなる群から選ばれた少なくとも１種のめっき皮膜を形成することにより、耐食性に優れた電磁波シールド膜を形成する方法が記載されている。しかしながら、無電解ニッケルめっきの上に、さらに無電解金めっき皮膜や無電解銀めっき皮膜を形成する方法であり、工数が増加し、コストも上がり、一般的な方法ではない。
【特許文献１】特開２００４−１６９０９１号公報
【特許文献２】特開２００３−２９３１９２号公報
【特許文献３】特開２０００−２００９９０号公報
【特許文献４】特開２０００−０５９０８６号公報
【特許文献５】特開平５−３４５９８７号公報
【特許文献６】特開２００１−２５１０８４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明は、高い耐食性を有する電磁波シールド成形体およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の電磁波シールド膜は、銅からなる金属シールド層と、該金属シールド層の上の保護層とからなる電磁波シールド膜であり、該保護層は、Ｓｎ−Ｃｕ−Ｃｒ合金からなり、かつ、該保護層の厚さは、前記金属シールド層の厚さの４０％〜１２０％である。
【００１４】
前記Ｓｎ−Ｃｕ−Ｃｒ合金は、Ｓｎに対するＣｕの質量比Ｃｕ／Ｓｎが０．０５〜０．２０であり、かつ、Ｓｎに対するＣｒの質量比Ｃｒ／Ｓｎが０．１５〜０．４０であることが望ましい。
【００１５】
本発明の電磁波シールド成形体は、前記電磁波シールド膜を被覆した電磁波シールド成形体であり、前記金属シールド層の厚さが０．５μｍ〜１．５μｍであり、かつ、前記保護層の厚さが０．５μｍ〜１．０μｍである。
【００１６】
本発明に係る電磁波シールド膜および電磁波シールド成形体を製造する際には、前記金属シールド層および前記保護層を、真空成膜法により成膜する。
【発明の効果】
【００１７】
本発明により、高い耐食性を有し、かつ、生産性が高く、低コストに、電磁波シールド成形体を提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
電磁波シールド膜を成膜する基材として現在用いられているものは、ＡＢＳ樹脂（アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合樹脂）、ＰＣ樹脂（ポリカーボネート樹脂）、および、ＡＢＳ樹脂とＰＣ樹脂との混合樹脂で作られた成形品が一般的である。
【００１９】
近年、特に携帯電話機においては、軽量化と薄肉化の要請を満たすため、薄くて強度が出る熱可塑性樹脂、例えば、ＡＢＳ／ＰＣ（ＡＢＳ樹脂とＰＣ樹脂との混合樹脂）、ポリアミド樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、フッ素樹脂、液晶ポリマー、または、それらにガラス繊維が含有された樹脂などのエンジニアリングプラスチックが、基材として多く用いられている。
【００２０】
これらからなる成型体は、溶剤性が高く、また、表面官能基がほとんどないため、湿式めっき法または真空成膜法を単に用いた成膜では、基材の表面に電磁波シールド膜を成膜することは困難である。
【００２１】
したがって、この場合には、基材と銅からなる金属シールド層との密着を得るため、成形体の上にアンダコートを塗布したり、酸素イオンで基材に官能基を付加した上で、金属シールド層を０．５μｍ〜１．５μｍ成膜する。
【００２２】
該金属シールド層の形成は、均一に形成させることができ、かつ、耐環境性に優れた膜とすることができる真空成膜法により行うことが好ましい。真空成膜法としては、真空蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング成膜法などがあげられる。
【００２３】
成膜材料としての銅は、抵抗加熱、誘導加熱、電子ビーム照射、ホロカソード放電等の手段で蒸発させることができる。これらの手段で得た蒸発粒子を、高周波励起し、イオン化することにより、プラスチック成形品の表面に付着成膜させることもできる。
【００２４】
特に、電子銃で高融点ターゲットを溶解し、金属を蒸発させ、基板に膜を形成するイオンプレーティング法が好ましく、広い面積に対して、速い成膜速度で、良質な膜を形成することができる。
【００２５】
金属シールド層の厚さが０．５μｍ未満では、充分な電磁波シールド特性が発現しない。また、膜本来の構造が粗になり耐食性が著しく低下する。一方、金属シールド層の厚さを１．５μｍより厚くしても、電磁波シールド特性はほとんど変化しない。逆に、膜応力が強くなり、基材との密着力が低下したり、２層目との密着力が低下し、成膜後に自然剥離しやすくなる。
【００２６】
本発明では、電磁波シールド特性が得られる金属シールド層の上に、Ｓｎ−Ｃｕ−Ｃｒ合金からなる保護層を成膜する。該金属シールド層の形成も、均一に形成させることができ、かつ、耐環境性に優れた膜とすることができる真空成膜法により行うことが好ましい。また、同様に、真空成膜法としては、イオンプレーティング法を用いることが好ましい。
【００２７】
これらの金属の融点や沸点の違いから、真空中では、主にＳｎ、Ｃｕ、Ｃｒの順番で成膜されていく。
【００２８】
これらの金属のうち、Ｓｎは、保護層の主成分となる金属であり、低融点であり、比較的耐食性が高いという特性を有する。
【００２９】
Ｃｕは、抵抗値が低く、下地のＣｕと同じ金属であることから、金属シールド層との密着性を向上させる機能を有する。
【００３０】
Ｃｒは、Ｓｎ合金の上に緻密な酸化膜を形成し、これにより保護層の耐食性を高める機能を有する。
【００３１】
本発明の電磁波シールド膜においては、Ｓｎ−Ｃｕ−Ｃｒ合金からなる保護層は、Ｓｎに対するＣｕの質量比Ｃｕ／Ｓｎを０．０５〜０．２０とし、Ｓｎに対するＣｒの質量比Ｃｒ／Ｓｎを０．１５〜０．４０とする。
【００３２】
Ｃｕは、導電性と密着性の向上のほかに、結晶粒を小さくする役目があり、Ｓｎ膜で発生しやすいウイスカの発生を防止する。これらの効果を得るには、Ｓｎに対するＣｕの質量比Ｃｕ／Ｓｎを０．０５以上とする必要がある。一方、０．２０を超えると、ウイスカの発生を防止する効果は変わらず、成膜時間が伸び、また、若干、膜の色が赤みを帯びてしまうという問題が生ずる。
【００３３】
Ｃｒは、膜中に取り込むことにより、Ｃｒ酸化膜を形成し、保護層の耐食性を向上させる。Ｓｎに対するＣｒの質量比Ｃｒ／Ｓｎが０．１５未満では、２４ｈの塩水噴霧試験の結果、変色を生じてしまう。一方、０．４０を超えると、真空成膜法において、Ｃｒが完全に飛びきらず、ターゲットに残留し、その後の成膜に影響を及ぼす。
【００３４】
Ｓｎ−Ｃｕ−Ｃｒ合金からなる保護層の厚さは、金属シールド層の厚さの４０％〜１２０％とする。本発明で使用するＳｎ−Ｃｕ−Ｃｒ合金は、前述のように、Ｓｎが主成分であることから、柔軟な膜で、保護層を厚くしても、クラックが入りにくい。
【００３５】
製品の角や立壁に成膜された下地の金属シールド層を保護層が覆うため、および、ピンホールを減らすためには、保護層の厚さは、最低でも金属シールド層の厚さの４０％が必要である。したがって、成膜される金属シールド層の厚さに比例させて、保護層の厚さを決定する。
【００３６】
また、ピンホールをなくすには、保護層は厚い方が望ましいが、保護層の厚さが、金属シールド層の厚さの１２０％を超えると、生産性低下およびコスト高になり、また、膜応力で金属シールド層との間で層間剥離が起きる可能性がある。
【００３７】
具体的には、金属シールド層の厚さが０．５μｍの場合、保護層の厚さは、４０％〜１２０％の厚さである０．２μｍ〜０．６μｍとし、ピンホールをなくすという観点から０．４μｍ〜０．６μｍが望ましい。また、金属シールド層の厚さが１μｍの場合、保護層の厚さは、４０％〜１２０％の厚さである０．４μｍ〜１．２μｍとし、生産性の観点から０．４μｍ〜１．０μｍが望ましい。金属シールド層の厚さが１．５μｍの場合、保護層の厚さは、４０％〜１２０％の厚さである０．６μｍ〜１．８μｍとし、生産性の観点から０．６μｍ〜１．０μｍが望ましい。
【実施例】
【００３８】
（実施例１）
基材として、ポリアミド樹脂とガラス繊維とが５０質量％ずつ配合されたレニー（登録商標）１０２２Ｈ（三菱エンジニアリングプラスチックス株式会社製）からなる大きさ５０ｍｍ×５０ｍｍ、厚さ２ｍｍの基板を用いた。
【００３９】
基板に、エポキシとウレタンからなるアンダコートを０．５μｍ塗布し、８５℃、３０分、乾燥した。
【００４０】
その後、イオンプレーティング装置（神港精機株式会社製、ＡＡＩＨ−Ｗ３６２００ＳＢＴ）に取り付け、１×１０-2Ｐａまで真空排気後、まず、アルゴンガスを１５０ｃｃ／分、流し、高周波出力１ｋＷをかけて、アルゴンイオンで基板洗浄と活性化を、５分間行った。
【００４１】
１層目に、銅を０．８μｍ成膜し、２層目に、質量比Ｓｎ：Ｃｕ：Ｃｒ＝１：０．１５：０．３０のＳｎ−Ｃｕ−Ｃｒ合金を、アルゴン中で、０．６μｍ成膜することにより、電磁波シールド膜を被覆した電磁波シールド成形体を得た。
【００４２】
得られた電磁波シールド成形体に、以下の試験をそれぞれ実施した。
【００４３】
［初期付着の確認試験］
碁盤目テープ試験により、初期付着を確認した。具体的には、電磁波シールド成形体に形成された電磁波シールド膜の面に、ナイフで１ｍｍ×１ｍｍの切れ目を入れることにより得られた１００マスに対して、セロファンテープ（ニチバン株式会社製、ＣＴ１８３５）を貼り付けた後、セロファンテープをひきはがした時に、基材との間で剥離が生じるか否かを調べることで、基材との密着性について評価した。
【００４４】
その結果、１００マス中、１マスも、剥離は生じなかった。
【００４５】
［耐湿試験］
基材との密着性に対する湿度の影響を調べた。具体的には、温度６０℃、湿度９５％の環境に、２４０時間および６００時間、保持した後、外観の変化を観察し、それぞれについて、前述と同じ碁盤目テープ試験を実施した。
【００４６】
その結果、いずれも外観に変化はなく、１００マス中、１マスも、剥離は生じなかった。
【００４７】
［耐熱試験］
基材との密着性に対する温度の影響を調べた。具体的には、温度８５℃、湿度０％の環境に、２４０時間、保持した後、外観の変化を観察し、前述と同じ碁盤目テープ試験を実施した。
【００４８】
その結果、外観に変化はなく、１００マス中、１マスも、剥離は生じなかった。
【００４９】
［シート抵抗の測定］
シート抵抗を測定することにより、電磁波シールド特性について評価を行った。具体的には、基材上に形成した金属シールド層のシート抵抗を、表面抵抗計（三菱化学株式会社製、Ｌｏｒｅｓｔａ、ＭＰ、ＭＣＰ−Ｔ３５０）を用い、４端子測定法の原理で測定した。
【００５０】
その結果、シート抵抗は０．３０×１０-2Ω／□以下であった。この値のシート抵抗では、電磁波シールド特性が３０ｄＢ、得られることを確認した。
【００５１】
［耐食性試験］
温度３５℃、２４ｈの塩水噴霧試験（ＪＩＳ−Ｚ−２３７１）を行った後、外観の変化を観察し、それぞれについて、前述と同じ碁盤目テープ試験を実施した。
【００５２】
その結果、外観に変化はなく、１００マス中、１マスも、剥離は生じなかった。
【００５３】
（実施例２）
１層目に、銅を０．５μｍ成膜したこと以外は、実施例１と同様にして、電磁波シールド成形体を得た。
【００５４】
得られた電磁波シールド成形体について、実施例１と同様の試験を実施した。その結果、実施例１と同様の結果が得られた。
【００５５】
（実施例３）
１層目に、銅を１．０μｍ、成膜し、２層目に、質量比Ｓｎ：Ｃｕ：Ｃｒ＝１：０．１５：０．３０のＳｎ−Ｃｕ−Ｃｒ合金を、アルゴン中で、１．０μｍ成膜したこと以外は、実施例１と同様にして、電磁波シールド成形体を得た。
【００５６】
得られた電磁波シールド成形体について、実施例１と同様の試験を実施した。その結果、実施例１と同様の結果が得られた。
【００５７】
（実施例４）
１層目に、銅を１．５μｍ、成膜し、２層目に、質量比Ｓｎ：Ｃｕ：Ｃｒ＝１：０．１５：０．３０のＳｎ−Ｃｕ−Ｃｒ合金を、アルゴン中で、１．０μｍ成膜したこと以外は、実施例１と同様にして、電磁波シールド成形体を得た。
【００５８】
得られた電磁波シールド成形体について、実施例１と同様の試験を実施した。その結果、実施例１と同様の結果が得られた。
【００５９】
（実施例５）
１層目に、銅を１．０μｍ、成膜し、２層目に、質量比Ｓｎ：Ｃｕ：Ｃｒ＝１：０．２０：０．４０のＳｎ−Ｃｕ−Ｃｒ合金を、アルゴン中で、１．０μｍ成膜したこと以外は、実施例１と同様にして、電磁波シールド成形体を得た。
【００６０】
得られた電磁波シールド成形体について、実施例１と同様の試験を実施した。その結果、実施例１と同様の結果が得られた。
【００６１】
（実施例６）
１層目に、銅を１．０μｍ、成膜し、２層目に、質量比Ｓｎ：Ｃｕ：Ｃｒ＝１：０．０５：０．１５のＳｎ−Ｃｕ−Ｃｒ合金を、アルゴン中で、１．０μｍ成膜したこと以外は、実施例１と同様にして、電磁波シールド成形体を得た。
【００６２】
得られた電磁波シールド成形体について、実施例１と同様の試験を実施した。その結果、実施例１と同様の結果が得られた。
【００６３】
（実施例７）
基材として、ＡＢＳ／ＰＣ樹脂（東洋紡績株式会社製）を使用し、ゴム系のボンド（コニシ株式会社製、Ｇ１０３）とＭＥＫとキシレンからなるアンダコートを０．５μｍ塗布し、６０℃、３０分、乾燥したこと以外は、実施例１と同様にして、電磁波シールド成形体を得た。
【００６４】
得られた電磁波シールド成形体について、実施例１と同様の試験を実施した。その結果、実施例１と同様の結果が得られた。
【００６５】
（比較例１）
１層目に、銅を１．０μｍ成膜し、２層目に、質量比Ｓｎ：Ｃｕ：Ｃｒ＝１：０．１５：０．３０のＳｎ−Ｃｕ−Ｃｒ合金を、アルゴン中で、０．３μｍ（１層目に対して３０％）成膜したこと以外は、実施例１と同様にして、電磁波シールド成形体を得た。
【００６６】
得られた電磁波シールド成形体について、実施例１と同様の試験を実施した。温度３５℃、２４ｈの塩水噴霧試験（ＪＩＳ−Ｚ−２３７１）の結果、膜の一部が溶解していた。
【００６７】
（比較例２）
１層目に、銅を１．０μｍ、成膜し、２層目に、質量比Ｓｎ：Ｃｕ：Ｃｒ＝１：０．０５：０．１２５のＳｎ−Ｃｕ−Ｃｒ合金を、アルゴン中で、１．０μｍ成膜したこと以外は、実施例１と同様にして、電磁波シールド成形体を得た。
【００６８】
得られた電磁波シールド成形体について、実施例１と同様の試験を実施した。温度３５℃、２４ｈの塩水噴霧試験（ＪＩＳ−Ｚ−２３７１）の結果、膜の一部が溶解していた。
【００６９】
（比較例３）
１層目に、銅を１．５μｍ成膜し、２層目に、質量比Ｓｎ：Ｃｕ：Ｃｒ＝１：０．１５：０．４５のＳｎ−Ｃｕ−Ｃｒ合金を、アルゴン中で、１．０μｍ成膜したこと以外は、実施例１と同様にして、電磁波シールド成形体を得た。
【００７０】
得られた電磁波シールド成形体について、実施例１と同様の試験を実施した。その結果、実施例１と同様の結果が得られた。しかしながら、Ｃｒのターゲット粒が、３ｇ蒸発せず、残留した。
【００７１】
(比較例４)
１層目に、銅を１．５μｍ成膜し、２層目に、質量比Ｓｎ：Ｃｕ：Ｃｒ＝１：０．２５：０．１５のＳｎ−Ｃｕ−Ｃｒ合金を、アルゴン中で、１．０μｍ成膜したこと以外は、実施例１と同様にして、電磁波シールド成型体を得た。
【００７２】
得られた電磁波シールド成形体について、実施例１と同様の試験を実施した。
【００７３】
その結果、実施例１と同様の結果が得られた。しかしながら、膜を良く観察すると、膜厚が厚い個所は少し赤みを帯びていた。
【００７４】
（従来例）
１層目に、銅を１．５μｍ成膜し、２層目にＮｉを保護膜として成膜したこと以外は、実施例１と同様にして、電磁波シールド成型体を得ようとしたが、Ｎｉ膜は応力が高く、０．３μｍ以上成膜するとクラックが発生した。また、クラックの発生が目視で分からない場合でも、８０℃耐熱試験４８ｈで、大きな割れが入った。
【００７５】
一方、クラックが入らないＮｉ膜が０．２μｍの場合に得られた電磁波シールド成形体について、実施例１と同様の試験を実施した。
【００７６】
その結果、耐食性試験において、塩水噴霧試験の１６ｈ後に、下地の銅の腐食が始まり、緑色に変色してきた。表面を１００倍に拡大した結果、マイクロクラックが発生していた。