(57)【要約】【課題】画像の表示品質を向上させた表示パネルが開示される。【解決手段】表示パネルは、第１基板、第２基板、及び液晶層を含む。第１基板は、単位画素を定義する信号線、信号線と電気的に接続された薄膜トランジスタ、及び薄膜トランジスタと電気的に接続され単位画素内に形成された画素電極を含む。第２基板は、光を遮断する遮光膜、及び遮光膜の上部に形成され、画素電極と対応するように形成されたドメイン定義部を有する共通電極を含む。液晶層は、第１基板と第２基板との間に介在される。遮光膜は、信号線及び薄膜トランジスタをカバーするように単位画素のエッジに形成されたメイン遮光部、及びメイン遮光部からドメイン定義部が形成されていない領域に所定の長さに突出されたサブ遮光部を含む。これにより、第１及び第２基板が外部衝撃によって互いにずれても光漏れが発生することを防止して、画像の表示品質をより向上させることができる。【選択図】図１
2008015522.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１方向に形成されたゲート配線、前記第１方向と直交する第２方向に形成されるデータ配線、前記ゲート配線及び前記データ配線と電気的に接続された薄膜トランジスタ、及び前記薄膜トランジスタと電気的に接続され単位画素内に形成された画素電極、を具備する第１基板と、
光を遮断する遮光膜、及び前記遮光膜の上部に前記画素電極と対応するように形成され、前記単位画素を複数のドメインに分割するドメイン定義部を有する共通電極、を具備する第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に介在された液晶層と、を含み、
前記遮光膜は、前記ゲート配線及び前記データ配線をカバーするように前記単位画素のエッジに形成されたメイン遮光部、及び前記メイン遮光部から前記ドメイン定義部が形成されていない領域に所定の長さに突出したサブ遮光部と、を含むことを特徴とする表示パネル。
【請求項２】
前記第２基板は、前記第１基板とのセルギャップを維持し、前記データ配線を基準に一側に形成されたセルギャップ維持部を更に含むことを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。
【請求項３】
前記薄膜トランジスタは、前記データ配線を基準に前記一側と反対方向である他側に形成されることを特徴とする請求項２に記載の表示パネル。
【請求項４】
前記サブ遮光部は、前記メイン遮光部から前記他側に１μｍ〜２μｍの長さに突出されていることを特徴とする請求項３に記載の表示パネル。
【請求項５】
前記メイン遮光部のうち、前記データ配線をカバーする部分の幅は２１μｍ〜２５μｍの長さを有することを特徴とする請求項４に記載の表示パネル。
【請求項６】
前記共通電極のドメイン定義部は、前記第１方向に対して傾くように形成された本体及び前記本体の端部と接続され、前記第２方向に形成された枝部を含み、
前記サブ遮光部は、前記枝部が形成されていない領域に突出することを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。
【請求項７】
前記画素電極は、互いに電気的に分離された第１及び第２画素部を含み、
前記ドメイン定義部は、前記第１画素部と対応する位置に形成された第１ドメイン定義部及び前記第２画素部と対応する位置に形成された第２ドメイン定義部を含むことを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。
【請求項８】
前記第１画素部は、前記第２画素部の外郭を囲む形状を有し、
前記第１及び第２画素部は、前記単位画素の中心を前記第１方向に貫通する仮想の中央線を基準として対称な形状を有することを特徴とする請求項７に記載の表示パネル。
【請求項９】
前記第１画素部は、前記仮想の中央線を基準に前記第１画素部の上側に形成された第１上側画素、及び前記仮想の中央線を基準に前記第１画素部の下側に形成され、前記第１上側画素と電気的に接続された第１下側画素を含み、
前記第２画素部は、前記仮想の中央線を基準に前記第２画素部の上側に形成された第２上側画素、及び前記仮想の中央線を基準に前記第２画素部の下側に形成され、前記第２上側画素と電気的に接続された第２下側画素を含むことを特徴とする請求項８に記載の表示パネル。
【請求項１０】
前記第１及び第２上側画素は、前記第１方向に対して４５°に傾く第３方向に形成され、
前記第１及び第２下側画素は、前記第３方向と直交する第４方向に形成されることを特徴とする請求項９に記載の表示パネル。
【請求項１１】
前記第１ドメイン定義部は、前記第３方向に形成され前記第１上側画素を２等分する第１上側ドメイン定義部、及び前記第４方向に形成され前記第１下側画素を２等分する第１下側ドメイン定義部を含み、
前記第２ドメイン定義部は、前記第３方向に形成され前記第２上側画素を２等分する第２上側ドメイン定義部、及び前記第４方向に形成され前記第２下側画素を２等分する第２下側ドメイン定義部を含むことを特徴とする請求項１０に記載の表示パネル。
【請求項１２】
前記第１ドメイン定義部は、
前記第１上側ドメイン定義部の一端部と接続され、前記データ配線と向い合う前記第１上側画素の一端部の一部をカバーするように形成された第１上側枝部と、
前記第１下側ドメイン定義部の一端部と接続され、前記データ配線と向い合う前記第１下側画素の一端部の一部をカバーするように形成された第１下側枝部と、を更に含むことを特徴とする請求項１１に記載の表示パネル。
【請求項１３】
前記サブ遮光部は、
前記第１上側画素の一端部のうち、前記第１上側枝部が形成されていない部分に突出された第１上側サブ遮光膜と、
前記第１下側画素の一端部のうち、前記第１下側枝部が形成されていない部分に突出された第１下側サブ遮光膜と、を含むことを特徴とする請求項１２に記載の表示パネル。
【請求項１４】
第２ドメイン定義部は、
前記第２上側ドメイン定義部の一端部と接続され、前記データ配線と向い合う前記第２上側画素の一端部の一部をカバーするように形成された第２上側枝部と、
前記第２下側ドメイン定義部の一端部と接続され、前記データ配線と向い合う前記第２下側画素の一端部の一部をカバーするように形成された第２下側枝部と、を更に含むことを特徴とする請求項１１に記載の表示パネル。
【請求項１５】
前記サブ遮光部は、
前記第２上側画素の一端部のうち、前記第２上側枝部が形成されていない部分に突出した第２上側サブ遮光膜と、
前記第２下側画素の一端部のうち、前記第２下側枝部が形成されていない部分に突出した第２下側サブ遮光膜と、を含むことを特徴とする請求項１４に記載の表示パネル。
【請求項１６】
前記第１基板は、前記画素電極の一部と重なるストレージ配線を更に含み、
前記ストレージ配線は、
前記第１方向に形成されたメインストレージ部と、
前記メインストレージ部から前記第２方向に延長され、前記画素電極の一側部と重なる第１サブストレージ部と、
前記メインストレージ部から前記第２方向に延長され、前記画素電極の前記一側部と対向する他側部と重なる第２サブストレージ部と、を含むことを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。
【請求項１７】
前記ストレージ配線は、前記データ配線を基準に両側に配置された前記第１サブストレージ部と第２サブストレージ部とを互いに接続させる遮光ストレージ部を更に含むことを特徴とする請求項１６に記載の表示パネル。
【請求項１８】
前記遮光ストレージ部は、前記ドメイン定義部が形成されていない領域と対応する位置に形成されることを特徴とする請求項１７に記載の表示パネル。
【請求項１９】
第１方向に形成されたゲート配線、前記第１方向と直交する第２方向に形成されたデータ配線、前記ゲート配線及び前記データ配線と電気的に接続された薄膜トランジスタ、前記薄膜トランジスタと電気的に接続された画素電極、及び前記画素電極の一部と重なるストレージ配線、を具備する第１基板と、
光を遮断する遮光膜、及び前記遮光膜の上部に前記画素電極と対応するように形成され、単位画素を複数のドメインに分割するドメイン定義部を有する共通電極、を具備する第２基板と、
前記第１基板と第２基板との間に介在された液晶層と、を含み、
前記ストレージ配線は、前記ドメイン定義部が形成されていない領域と対応する前記データ配線の一部と重なることを特徴とする表示パネル。
【請求項２０】
前記ストレージ配線は、
前記第１方向に形成されたメインストレージ部と、
前記メインストレージ部から前記第２方向に延長され、前記画素電極の一側部と重なる第１サブストレージ部と、
前記メインストレージ部から前記第２方向に延長され、前記画素電極の前記一側部と対向する他側部と重なる第２サブストレージ部と、
前記第１及び第２サブストレージ部のいずれから前記データ配線側に延長され、前記データ配線の一部と重なる遮光ストレージ部と、を含むことを特徴とする請求項１９に記載の表示パネル。
【請求項２１】
前記第２基板は、前記第１基板とのセルギャップを維持し、前記データ配線を基準に一側に形成されたセルギャップ維持部を更に含み、
前記遮光ストレージ部は、前記一側方向に延長されることを特徴とする請求項２０に記載の表示パネル。
【請求項２２】
前記ドメイン定義部は、前記第１方向に対して傾くように形成された本体、及び前記本体の端部と接続され、前記第２方向に形成される枝部を含み、
前記サブ遮光部は、前記枝部が形成されていない領域に突出することを特徴とする請求項２０に記載の表示パネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は表示パネルにかかわり、より詳細には画像の表示品質を向上させた表示パネルに関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、液晶表示装置（ｌｉｑｕｉｄ  ｃｒｙｓｔａｌ  ｄｉｓｐｌａｙ）は液晶の光透過率を用いて画像を表示する液晶表示パネル（ｌｉｑｕｉｄ  ｃｒｙｓｔａｌ  ｄｉｓｐｌａｙ  ｐａｎｅｌ）及び液晶表示パネルの下部に配置され、液晶表示パネルに光を提供するバックライトアセンブリ（ｂａｃｋｌｉｇｈｔ  ａｓｓｅｍｂｌｙ）を含む。
【０００３】
液晶表示パネルは、第１基板、第１基板と対向する第２基板、及び第１基板と第２基板との間に介在された液晶層を含む。第１基板は、信号線、信号線と電気的に接続された薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタと電気的に接続された画素電極を含む。第２基板は光を遮断させる遮光膜、遮光膜をカバーするように形成されたカラーフィルタ、及びカラーフィルタの上部に形成された共通電極を含む。
【０００４】
一方、液晶表示パネルを製造した後、液晶表示パネルを移送したり用いたりするとき、液晶表示パネルは外部から衝撃を受けるおそれがあり、それによって第１及び第２基板は衝撃によってずれる（ｍｉｓａｌｉｇｎ）可能性がある。即ち、第２基板は衝撃によって第１基板を基準に左側または右側に移動する。
【０００５】
このように、第２基板が第１基板に対して移動すると、第２基板の遮光膜も第１基板に対してずれる。しかし、第２基板の遮光膜が衝撃によって第１基板に対してずれると、光が遮断されるべき領域で光が透過される光漏れ現象が発生するおそれがある。そのため、液晶表示パネルは光漏れ現象によって完全なブラック（ｂｌａｃｋ）画像を表示できないようになり、その結果、画像の表示品質が低下する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
したがって、本発明の技術的な課題はこのような従来の問題点を解決するためのものであって、本発明の目的は、第１及び第２基板のずれ（ｍｉｓａｌｉｇｎｍｅｎｔ）による光漏れ現象を防止して、画像の表示品質を向上させた表示パネルを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記本発明の目的を達成するための本発明の一実施形態による表示パネルは、第１基板、第２基板、及び液晶層を含む。第１基板は、第１方向に形成されたゲート配線、第１方向と直交する第２方向に形成されるデータ配線、ゲート配線及びデータ配線と電気的に接続された薄膜トランジスタ、及び薄膜トランジスタと電気的に接続され単位画素内に形成された画素電極、を含む。
【０００８】
第２基板は、光を遮断する遮光膜、及び遮光膜の上部に画素電極と対応するように形成され、単位画素を複数のドメインに分割するドメイン定義部を有する共通電極、を具備する。
【０００９】
液晶層は、第１基板と第２基板との間に介在される。一方、遮光膜は、ゲート配線、データ配線、及び薄膜トランジスタをカバーするように単位画素のエッジに形成されたメイン遮光部、及びメイン遮光部からドメイン定義部が形成されていない領域に所定の長さに突出したサブ遮光部と、を含む。
【００１０】
ドメイン定義部は、第１方向に対して傾くように形成された本体、及び本体の端部と接続され、第２方向に形成された枝部を含み、サブ遮光部は、枝部が形成されていない領域に突出してもよい。
【００１１】
前記本発明の目的を達成するための他の実施形態による表示パネルは、第１基板、第２基板、及び液晶層を含む。第１基板は、第１方向に形成されたゲート配線、第１方向と直交する第２方向に形成されたデータ配線、ゲート配線及びデータ配線と電気的に接続された薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタと電気的に接続された画素電極、及び画素電極の一部と重なるストレージ配線、を含む。
【００１２】
第２基板は、光を遮断する遮光膜、及び遮光膜の上部に画素電極と対応するように形成され、単位画素を複数のドメインに分割するドメイン定義部、を有する共通電極を含む。
【００１３】
液晶層は、第１基板と第２基板との間に介在される。一方、ストレージ配線は、ドメイン定義部が形成されていない領域と対応するデータ配線の一部と重なる。
【００１４】
ストレージ配線は、第１方向に形成されたメインストレージ部、メインストレージ部から第２方向に延長され、画素電極の一側部と重なる第１サブストレージ部、メインストレージ部から第２方向に延長され、画素電極の一側部と対向する他側部と重なる第２サブストレージ部、及び第１及び第２サブストレージ部のいずれからデータ配線側に延長し、データ配線の一部と重なる遮光ストレージ部、を含んでもよい。
【発明の効果】
【００１５】
このような本発明によると、サブ遮光部がメイン遮光部から共通電極のドメイン定義部が形成されていない領域に突出するか、ストレージ配線が共通電極のドメイン定義部が形成されていない領域と対応するデータ配線の一部と重なることによって、第１及び第２基板のずれによる光漏れ現象を防止することで、画像の表示品質をより向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、図面を参照して、本発明の望ましい実施形態をより詳細に説明する。
【００１７】
図１は、本発明の第１実施形態による表示パネルの単位画素を示す平面図であり、図２は、図１の単位画素でのストレージ配線、ゲート配線及びゲート電極を示した平面図であり、図３は、図１の単位画素でのデータ配線、ソース電極、ドレイン電極、連結電極、及びアクティブ層を示す平面図であり、図４は、図１の単位画素で画素電極のみを示す平面図であり、図５は、図１の単位画素で共通電極のみを示す平面図であり、図６は、図１の単位画素で遮光膜のみを示した平面図であり、図７は、図１のＩ−Ｉ’に沿って見た断面図であり、図８は図１のＩＩ−ＩＩ’に沿って見た断面図であり、図９は図１のＩＩＩ−ＩＩＩ’に沿って見た断面図である。
【００１８】
図１乃至図９を参照すると、本実施形態による表示パネルは、第１基板１００、第２基板２００、及び液晶層３００を含む。まず、表示パネルを簡単に説明すると、第１基板１００はマトリクス形状に配置された複数の画素電極（ｐｉｘｅｌ  ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）、各画素電極に駆動電圧を印加する複数の薄膜トランジスタ（ｔｈｉｎ  ｆｉｌｍ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）、各薄膜トランジスタをそれぞれ作動させるための複数の信号線（ｓｉｇｎａｌ  ｌｉｎｅ）を含む。
【００１９】
第２基板２００は、第１基板１００と向い合うように配置される。第２基板２００は、基板の前面に配置され、透明かつ導電性の共通電極及び画素電極と向い合う位置に配置されたカラーフィルタを含む。カラーフィルタには、赤色カラーフィルタ、緑色カラーフィルタ、及び青色カラーフィルタなどがある。
【００２０】
液晶層３００は、第１基板１００と第２基板２００との間に介在され、液晶層３００の配向は、画素電極と共通電極との間に形成される電界によって変わる。配向が変わった液晶層３００は、外部から印加された光の透過率を調節し、光透過率によって調節された光がカラーフィルタを通過することによって画像が表示される。
【００２１】
図１乃至図４、及び図７乃至図９を参照すると、本実施形態による第１基板１００は、第１透明基板１１０、ゲート配線１２０、ストレージ配線１３０、ゲート絶縁膜１４０、データ配線１５０、薄膜トランジスタ１６０、第１連結電極（ＣＥ１）、第２連結電極（ＣＥ２）、保護膜１７０、及び画素電極１８０を含む。
【００２２】
第１透明基板１１０は、プレート形状を有し、透明な物質からなる。第１透明基板１１０は、例えば、ガラス、石英、サファイア、または透明な合成樹脂からなってもよい。
【００２３】
図１及び図２を参照すると、ゲート配線１２０は第１透明基板１１０上に第１方向に複数個が形成され、ストレージ配線１３０は、第１透明基板１１０上に第１方向に複数個が形成される。ストレージ配線１３０についての詳細な説明は後述する。
【００２４】
ゲート絶縁膜１４０は、ゲート配線１２０、及びストレージ配線１３０をカバーするように第１透明基板１１０上に形成される。ゲート絶縁膜１４０は、一例として、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）または酸化シリコン（ＳｉＯｘ）を含んでもよい。
【００２５】
図１及び図３を参照すると、データ配線１５０はゲート絶縁膜１４０上に第１方向とほぼ垂直な第２方向に複数個が形成される。このようにゲート配線１２０とデータ配線１５０とが直交するように交差することによって、長方形の形状を有する複数の単位画素が定義される。ここで、各単位画素は第２方向に長い長方形の形状を有してもよい。
【００２６】
図１乃至図３を参照すると、薄膜トランジスタ１６０は、ゲート電極（Ｇ）、アクティブ層（Ａ）、ソース電極（Ｓ）、及びドレイン電極（Ｄ）を含む。本実施形態による薄膜トランジスタ１６０は、データ配線１５０を基準として一側に形成される。
【００２７】
ゲート電極（Ｇ）は、データ配線１５０を基準に前記一側に形成されたゲート配線１２０の一部分である。アクティブ層（Ａ）は、ゲート電極（Ｇ）と対応するようにゲート絶縁膜１４０上に形成される。ソース電極（Ｓ）はデータ配線１５０から前記一側方向に延長され、アクティブ層（Ａ）の一部と重なり、一例として、Ｌ字形状を有してもよい。ドレイン電極（Ｄ）はソース電極（Ｓ）と所定距離に離隔され第２方向に延長され、アクティブ層（Ａ）の一部と重なる。
【００２８】
図３を参照すると、第１連結電極（ＣＥ１）及び第２連結電極（ＣＥ２）はゲート絶縁膜１４０上に形成され、各単位画素内に形成される。第１連結電極（ＣＥ１）及び第２連結電極（ＣＥ２）は、薄膜トランジスタ１６０のドレイン電極（Ｄ）とそれぞれ電気的に接続される。
【００２９】
保護膜１７０は、データ配線１５０、薄膜トランジスタ１６０、第１連結電極（ＣＥ１）及び第２連結電極（ＣＥ２）をカバーするようにゲート絶縁膜１４０上に形成される。保護膜１７０は、一例として、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）または酸化シリコン（ＳｉＯｘ）を含んでもよい。一方、保護膜１７０には第１連結電極（ＣＥ１）に対応する位置にコンタクトホール１７２が形成される。
【００３０】
図１及び図４を参照すると、画素電極１８０は保護膜１７０上に形成され、各単位画素内に形成される。画素電極１８０は、透明かつ導電性の物質からなり、一例として酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、アモルファス酸化インジウムスズ（ａ−ＩＴＯ）などからなってもよい。画素電極１８０は、互いに電気的に分離された第１画素部１８２及び第２画素部１８４を含む。
【００３１】
第１画素部１８２は、第２画素部１８４の外郭を囲む形状を有する。即ち、第２画素部１８４は、各単位画素内の中央部に形成され、第１画素部１８２は、各単位画素内の上側部及び下側部に形成され、第２画素部１８４の外郭を囲む。望ましくは、第１画素部１８２及び第２画素部１８４は、各単位画素の中心を第１方向に貫通する仮想の中央線(図示せず)を基準に対称な形状を有する。
【００３２】
第１画素部１８２は、前記仮想の中央線を基準に上側に形成された第１上側画素（ＵＰ１）、及び前記仮想の中央線を基準に下側に形成され、第１上側画素（ＵＰ１）と電気的に接続された第１下側画素（ＬＰ１）を含む。
【００３３】
第２画素部１８４は、前記仮想の中央線を基準に上側に形成された第２上側画素（ＵＰ２）、及び前記仮想の中央線を基準に下側に形成され、第２上側画素（ＵＰ２）と電気的に接続された第２下側画素（ＬＰ２）を含む。
【００３４】
第１上側画素（ＵＰ１）及び第２上側画素（ＵＰ２）は互いに所定距離に離隔され、第１方向に対して４５°に傾いた第４方向に形成され、第１下側画素（ＬＰ１）及び第２下側画素（ＬＰ２）は互いに所定距離に離隔され、第４方向と直交する第３方向に形成される。
【００３５】
一方、第１画素部１８２は、保護膜１７０に形成されたコンタクトホール１７２を通じて第１連結電極（ＣＥ１）と電気的に接続される。具体的に、第１画素部１８２のうち、第１下側画素（ＬＰ１）が第１連結電極（ＣＥ１）と電気的に直接接続される。
【００３６】
第２画素部１８４は、保護膜１７０によって第２連結電極（ＣＥ２）と所定距離に離隔され、電圧減少キャパシタを形成する。具体的に、第２連結電極（ＣＥ２）は、第２画素部１８４と重なるように第２画素部１８４の中心と対応する位置に形成される。
【００３７】
このように、第１画素部１８２は、第１連結電極（ＣＥ１）と電気的に接続され、薄膜トランジスタ１６０のドレイン電極（Ｄ）から第１駆動電圧の印加を直接受ける。反面、第２画素部１８４は、ドレイン電極（Ｄ）から第１駆動電圧の印加を直接受けた第２連結電極（ＣＥ２）から間接的に第２駆動電圧の印加を受ける。ここで、第２駆動電圧は電圧減少キャパシタによって第１駆動電圧より低いレベルの電圧である。
【００３８】
図１及び図２を参照すると、ストレージ配線１３０はメインストレージ部１３２、第１サブストレージ部１３４、及び第２サブストレージ部１３６を含む。
【００３９】
メインストレージ部１３２は、ゲート配線１２０と平行に第１方向に形成される。その結果、メインストレージ部１３２は、データ配線１５０と交差する。望ましくは、メインストレージ部１３２は、各単位画素の上端部、即ち隣接する単位画素のゲート配線１２０の下側に形成される。
【００４０】
第１サブストレージ部１３４は、メインストレージ部１３２から第２方向に延長され、画素電極１８０の一側部と重なる。即ち、第１サブストレージ部１３４は、それと隣接するデータ配線１５０の右側から所定距離に離隔され、データ配線１５０と平行に形成される。
【００４１】
第２サブストレージ部１３６は、メインストレージ部１３２から第２方向に延長され、画素電極１８０の一側部に対向する他側部と重なる。即ち、第２サブストレージ部１３６は、それと隣接するデータ配線１５０の左側から所定距離に離隔され、データ配線１５０と平行に形成される。
【００４２】
このように、一本のデータ配線１５０を基準に右側に第１サブストレージ部１３４が形成され、左側に第２サブストレージ部１３６が形成される。
【００４３】
図１、図５、図６乃至図９を参照すると、本実施形態による第２基板２００は、第２透明基板２１０、遮光膜２２０、カラーフィルタ２３０、平坦化膜２４０、共通電極２５０、及びセルギャップ維持部２６０を含む。
【００４４】
第２透明基板２１０はプレート形状を有し、透明な物質からなり、第１透明基板１１０と対向するように配置される。遮光膜２２０は、第２透明基板２１０上に形成され、光を遮断する。遮光膜２２０についてのより詳細な説明は後述する。
【００４５】
カラーフィルタ２３０は、遮光膜２２０をカバーするように第２透明基板２１０上に形成される。カラーフィルタ２３０は、各単位画素内に形成された画素電極１８０と対応する位置に形成される。カラーフィルタ２３０は、一例として、赤色カラーフィルタ、緑色カラーフィルタ、及び青色カラーフィルタを含んでもよい。
【００４６】
平坦化膜２４０は、カラーフィルタ２３０及び遮光膜２２０をカバーするように形成され、第２基板２００の表面を平坦化する。平坦化膜２４０は一例として、有機絶縁膜であってもよい。
【００４７】
共通電極２５０は、平坦化膜２４０上に形成される。共通電極２５０は透明かつ導電性物質からなり、一例として、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、アモルファス酸化インジウムスズ（ａ−ＩＴＯ）などからなってもよい。共通電極２５０には画素電極１８０と対応する位置に形成され、各単位画素を複数のドメインに分割するドメイン定義部２５２が形成される。
【００４８】
具体的に、図５を参照すると、ドメイン定義部２５２は第１画素部１８２と対応する位置に形成された第１ドメイン定義部（ＯＰ１）及び第２画素部１８４と対応する位置に形成された第２ドメイン定義部（ＯＰ２）を含む。第１ドメイン定義部（ＯＰ１）及び第２ドメイン定義部（ＯＰ２）は、各単位画素の第１方向の中央線を基準に対称な形状を有することが望ましい。
【００４９】
第１ドメイン定義部（ＯＰ１）は、第４方向に形成され、第１上側画素（ＵＰ１）を２等分する第１上側ドメイン定義部（ＵＭＰ１）、及び第３方向に形成され、第１下側画素（ＬＰ１）を２等分する第１下側ドメイン定義部（ＬＭＰ１）を含む。
【００５０】
なお、第１ドメイン定義部（ＯＰ１）は、第１上側ドメイン定義部（ＵＭＰ１）の一端部と電気的に接続され、第１上側画素（ＵＰ１）のうち、データ配線１５０と向い合う一端部の一部をカバーするように形成された第１上側枝部（ＵＳＰ１）、及び第１下側ドメイン定義部（ＬＭＰ１）の一端部と電気的に接続され、第１下側画素（ＬＰ１）のうち、データ配線１５０と向い合う一端部の一部をカバーするように形成された第１下側枝部（ＬＳＰ１）を更に含んでもよい。
【００５１】
具体的に、第１上側枝部（ＵＳＰ１）は、第１上側ドメイン定義部（ＵＭＰ１）の一端部からデータ配線１５０と平行に下向きに所定距離に延長され、第１上側画素（ＵＰ１）の一端部をカバーする。第１下側枝部（ＬＳＰ１）は、第１下側ドメイン定義部（ＬＭＰ１）の一端からデータ配線１５０と平行に上向きに所定距離に延長され、第１下側画素（ＬＰ１）の一端部をカバーする。
【００５２】
第２ドメイン定義部（ＯＰ２）は、第４方向に形成され第２上側画素（ＵＰ２）を２等分する第２上側ドメイン定義部（ＵＭＰ２）、及び第３方向に形成され第２下側画素（ＬＰ２）を２等分する第２下側ドメイン定義部（ＬＭＰ２）を含む。一例として、第２上側ドメイン定義部（ＵＭＰ２）及び第２下側ドメイン定義部（ＬＭＰ２）は互いに電気的に接続される。
【００５３】
なお、第２ドメイン定義部（ＯＰ２）は、第２上側ドメイン定義部（ＵＭＰ２）の一端部と電気的に接続され、第２上側画素（ＵＰ２）のうち、データ配線１５０と向い合う一端部の一部をカバーするように形成された第２上側枝部（ＵＳＰ２）、及び第２下側ドメイン定義部（ＬＭＰ２）の一端部と電気的に接続され、第２下側画素（ＬＰ２）のうち、データ配線１５０と向い合う一端部の一部をカバーするように形成された第２下側枝部（ＬＳＰ２）を更に含んでもよい。
【００５４】
具体的に、第２上側枝部（ＵＳＰ２）は、第２上側ドメイン定義部（ＵＭＰ２）の一端部からデータ配線１５０と平行に上向きに所定距離に延長され、第２上側画素（ＵＰ２）の一端部をカバーする。第２下側枝部（ＬＳＰ２）は、第２下側ドメイン定義部（ＬＭＰ２）の一端部からデータ配線１５０と平行に下向きに所定距離に延長され、第２下側画素（ＬＰ２）の一端部をカバーする。
【００５５】
図１及び図７を参照すると、セルギャップ維持部２６０は、共通電極２５０上に形成され、第１基板１００と接触し、第１基板１００と第２基板２００とのセルギャップを維持する。セルギャップ維持部２６０は有機物からなることが望ましく、一例としてフォトリソグラフィ工程によってパターニングされて形成されてもよい。
【００５６】
セルギャップ維持部２６０は、データ配線１５０を基準に一側に形成される。反面、薄膜トランジスタ１６０は、データ配線１５０を基準に前記一側と反対方向である他側に形成される。一例として本実施形態では、セルギャップ維持部２６０がデータ配線１５０を基準に右側に形成され、薄膜トランジスタ１６０はデータ配線１５０を基準に左側に形成される。
【００５７】
図１、図６、図８、及び図９を参照すると、本実施形態による遮光膜２２０は、メイン遮光部２２２及びサブ遮光部２２４を含む。遮光膜２２０は光を遮断する有機物または無機物からなってもよい。
【００５８】
メイン遮光部２２２は、各単位画素のエッジに沿って形成され、ゲート配線１２０、データ配線１５０、及び薄膜トランジスタ１６０をカバーする。ここで、メイン遮光部２２２のうち、データ配線１５０をカバーする部分の幅、即ち、第１方向への幅（Ｌ１）は２１μｍ〜２５μｍの間であってもよい。
【００５９】
サブ遮光部２２４は、メイン遮光部２２２からドメイン定義部材２５２が形成されていない領域に所定長さに突出される。ここで、セルギャップ維持部２６０が、データ配線１５０を基準に一側に形成されるとするとき、サブ遮光部２２４はメイン遮光部２２２から前記一側と反対方向である他側に突出してもよい。一例として、本実施形態では、セルギャップ維持部２６０がデータ配線１５０を基準に右側に形成されるので、サブ遮光部２２４はメイン遮光部２２２から左側に突出する。ここで、サブ遮光部２２４の突出長さ（Ｌ２）は１μｍ〜２μｍの範囲を有してもよい。
【００６０】
より具体的に説明すると、サブ遮光部２２４は、上側サブ遮光膜（ＵＢＭ）及び下側遮光膜（ＬＢＭ）を含む。上側サブ遮光膜（ＵＢＭ）は第２上側画素（ＵＰ２）の一端部のうち、第２上側枝部（ＵＳＰ２）が形成されていない部分に突出する。また、下側サブ遮光膜（ＬＢＭ）は第２下側枝部（ＬＳＰ２）が形成されていない部分に突出する。
【００６１】
図１０は、図９でサブ遮光膜が省略され、第１及び第２基板がずれた状態を示す断面図である。図１１は、図９で第１及び第２基板がずれた状態を示す断面図である。
【００６２】
図１０及び図１１を参照して本実施形態による効果を説明する。まず、図１０に示した遮光膜２２０は、メイン遮光部２２２のみを含む反面、図１１に示した遮光膜２２０はメイン遮光部２２２及びサブ遮光部２２４を含む。
【００６３】
一方、第１基板１００及び第２基板２００は、外部の衝撃によって互いにずれが発生するおそれがある。特に、本実施形態において、セルギャップ維持部２６０がデータ配線１５０を基準に右側に形成されるので、外部から衝撃が加えられた場合、第２基板２００は、第１基板１００に対して右側にずれる。具体的に説明すると、第１基板１００の表面がデータ配線１５０によって所定高さに突出しているので、セルギャップ維持部２６０が形成された第２基板２００は、衝撃が加えられても前記突出された表面によって左側に移動せず、右側に移動する。その結果、図１０及び図１１でのように、第２基板２００は外部の衝撃によって第１基板１００に対して右側にずれる。
【００６４】
したがって、図１０のように、遮光膜２２０がメイン遮光部２２２のみを含む場合、第２基板２００は、第１基板１００に対して右側にずれたとき、第１基板１００の下部から発生され、データ配線１５０と第２サブストレージ部１３６との間に進行する光がメイン遮光部２２２によって遮断されず、外部に出射され光漏れ現象が発生する。特に、データ配線１５０と第２サブストレージ部１３６との間に進行する光が、画素電極１８０の一端部のうち、共通電極２５０のドメイン定義部２５２によってカバーされない領域を通じて透過される場合、光漏れ現象が更に増加するおそれがある。
【００６５】
反面、図１１のように遮光膜２２０がメイン遮光部２２２のみならず、サブ遮光部２２４を含む場合、第２基板２００が第１基板１００に対して右側にずれても、データ配線１５０と第２サブストレージ部１３６との間に進行する光をサブ遮光部によって遮断することができる。ここで、全体的な輝度の減少が増加することを防止するために、サブ遮光部２２４がメイン遮光部２２２から共通電極２５０のドメイン定義部２５２が形成されていない領域に突出され、データ配線１５０及び第２サブストレージ部１３６との間に進行する光を遮断することが望ましい。
【００６６】
このように、サブ遮光部２２４が共通電極２５０のドメイン定義部２５２が形成されていない領域に突出し、第１基板１００と第２基板２００とのずれによる光漏れ現象を防止することで、画素の表示品質をより向上させることができる。
【００６７】
図１２は、本発明の第２実施形態による表示パネルの単位画素のうち、遮光膜を示す平面図である。本実施形態による表示パネルは、遮光膜を除いては、前述した第１実施形態の表示パネルと同一の構成を有するので、それと重複した説明は省略し、同一の構成要素に対しては同一の参照符号及び名称を付与する。
【００６８】
図１２を参照すると、本実施形態による遮光膜２２０は、メイン遮光部２２２及びサブ遮光部２２４を含む。メイン遮光部２２２は各単位画素のエッジに沿って形成され、ゲート配線１２０、データ配線１５０、及び薄膜トランジスタ１６０をカバーする。ここで、メイン遮光部２２２のうち、データ配線１５０をカバーする部分の幅は２１μｍ〜２５μｍの長さを有することが望ましい。
【００６９】
サブ遮光部２２４は、メイン遮光部２２２からドメイン定義部２５２が形成されていない領域に所定の長さに突出する。ここで、セルギャップ維持部２６０は、データ配線１５０を基準に一側に形成されるとするとき、サブ遮光部２２４は、メイン遮光部２２２から前記一側と反対方向である他側に突出することが望ましい。
【００７０】
例えば、本実施形態では、セルギャップ維持部２６０がデータ配線１５０を基準として右側に形成されるので、サブ遮光部２２４はメイン遮光部２２２から左側に突出する。ここで、サブ遮光部２２４はメイン遮光部２２２から左側に１μｍ〜２μｍの長さに突出することが望ましい。
【００７１】
本実施形態によるサブ遮光部２２４は、メイン遮光部２２２から第２ドメイン定義部（ＯＰ２）が形成されていない領域に突出する。具体的に、サブ遮光部２２４は第２上側画素（ＵＰ２）の一端部のうち、第２上側枝部（ＵＳＰ２）が形成されていない部分、第２下側画素（ＬＰ２）の一端部のうち、第２下側枝部（ＬＳＰ２）が形成されていない部分、及び第２上側画素（ＵＰ２）と第２下側画素（ＬＰ２）との間に形成された領域の一端部をカバーするように形成される。即ち、サブ遮光部２２４は、第２上側枝部（ＵＳＰ２）と第２下側枝部（ＬＳＰ２）との間に、データ配線１５０と平行に第２方向に沿って一直線に形成される。
【００７２】
図１３は、本発明の第３実施形態による表示パネルの単位画素のうち、遮光膜を示す平面図である。本実施形態による表示パネルは、遮光膜を除くと、前述した第１実施形態の表示パネルと同一の構成を有するので、それと重複した説明は省略し、同一の構成要素については同一の参照符号及び名称を付与する。
【００７３】
図１３を参照すると、本実施形態による遮光膜２２０は、メイン遮光部２２２及びサブ遮光部２２４を含む。メイン遮光部２２２は、各単位画素のエッジに沿って形成され、ゲート配線１２０、データ配線１５０、及び薄膜トランジスタ１６０をカバーする。ここで、メイン遮光部２２２のうち、データ配線１５０をカバーする部分の幅、即ち、第１方向への幅は２１μｍ〜２５μｍの長さを有することが望ましい。
【００７４】
サブ遮光部２２４は、メイン遮光部２２２からドメイン定義部２５２が形成されていない領域に所定の長さに突出する。ここで、サブ遮光部２２４は、メイン遮光部２２２から左側に１μｍ〜２μｍの長さに突出することが望ましい。
【００７５】
具体的に、サブ遮光部２２４は、第１上側サブ遮光膜（ＵＢＭ１）、第１下側遮光膜（ＬＢＭ１）、第２上側サブ遮光膜（ＵＢＭ２）、及び第２下側サブ遮光膜（ＬＢＭ２）を含む。
【００７６】
第１上側サブ遮光膜（ＵＢＭ１）は、第１上側画素（ＵＰ１）の一端部のうち、第１上側枝部（ＵＳＰ１）が形成されていない部分に突出する。即ち、第１上側サブ遮光膜（ＵＢＭ１）は、それと隣接するデータ配線１５０を基準に右側に突出し、第１上側画素（ＵＰ１）の一端部の一部をカバーする。
【００７７】
第１下側サブ遮光膜（ＬＢＭ１）は、第１下側画素（ＬＰ１）の一端部のうち、第１下側枝部（ＬＳＰ１）が形成されていない部分に突出する。即ち、第１下側サブ遮光膜（ＬＢＭ１）は、それと隣接するデータ配線１５０を基準に右側に突出し、第１下側画素（ＬＰ１）の一端部の一部をカバーする。
【００７８】
第２上側サブ遮光膜（ＵＢＭ２）は、第２上側画素（ＵＰ２）の一端部のうち、第２上側枝部（ＵＳＰ２）が形成されていない部分に突出する。即ち、第２上側サブ遮光膜（ＵＢＭ２）は、それと隣接するデータ配線１５０を基準に左側に突出し、第２上側画素（ＵＰ２）の一端部の一部をカバーする。
【００７９】
第２下側サブ遮光膜（ＬＢＭ２）は、第２下側画素（ＬＰ２）の一端部のうち、第２下側枝部（ＬＳＰ２）が形成されていない部分に突出する。即ち、第２下側サブ遮光膜（ＬＢＭ２）は、それと隣接するデータ配線１５０を基準に左側に突出し、第２下側画素（ＬＰ２）の一端部の一部をカバーする。
【００８０】
ここで、図面には示していないが、第２上側サブ遮光膜（ＵＢＭ２）及び第２下側サブ遮光膜（ＬＢＭ２）は互いに電気的に接続されて一体化されてもよい。一方、一般的に表示パネルが外部の衝撃を受けるとき、第２基板２００が第１基板１００に対して左側あるいは右側に移動するおそれがある。特に、セルギャップ維持部２６０がデータ配線１５０を基準に左側または右側に形成されず、互いに隣接するデータ配線１５０の間の中央に形成される場合、第２基板２００は、第１基板１００に対して左側または右側にずれるおそれがある。
【００８１】
したがって、本実施形態によると、第１上側サブ遮光膜（ＵＢＭ１）及び第１下側サブ遮光膜（ＬＢＭ１）がメイン遮光膜２２２から右側に突出して形成されることによって、第２基板２００が第１基板１００に対して左側に移動したときに発生する光漏れ現象を防止することができ、さらに第２上側サブ遮光膜（ＵＢＭ２）及び第２下側サブ遮光膜（ＬＢＭ２）がメイン遮光膜２２２から左側に突出して形成されることによって、第２基板２００が第１基板１００に対して右側に移動したときに発生する光漏れ現象を防止することができる。
【００８２】
図１４は、本発明の第４実施形態による表示パネルの単位画素を示した平面図である。本実施形態による表示パネルは遮光膜及びストレージ配線を除くと、前述した第１実施形態の表示パネルと同一の構成を有するので、それと重複した説明は省略し、同一の構成要素に対しては同一の参照符号及び名称を付与する。
【００８３】
図１５は、図１４の単位画素において遮光膜を示す平面図である。まず、図１４及び図１５を参照すると、本実施形態において遮光膜２２０は各単位画素のエッジに沿って形成され、ゲート配線１２０、データ配線１５０、及び薄膜トランジスタ１６０をカバーする。一方、示していないが、遮光膜２２０はドメイン定義部２５２が形成されていない領域に更に延長されてもよい。
【００８４】
図１６は、図１４の単位画素におけるストレージ配線を示した平面図であり、図１７は、図１４のＩＶ−ＩＶ’に沿って見た断面図であり、図１８は、図１４のＶ−Ｖ’に沿って見た断面図である。
【００８５】
図１４、図１６乃至図１８を参照すると、ストレージ配線１３０はメインストレージ部１３２、第１サブストレージ部１３４、第２サブストレージ部１３６、及び遮光ストレージ部１３８を含む。
【００８６】
メインストレージ部１３２は、ゲート配線１２０と平行に第１方向に形成される。望ましくは、メインストレージ部１３２は、各単位画素の上端部、即ち隣接する単位画素のゲート配線１２０の下側に形成される。
【００８７】
第１サブストレージ部１３４は、メインストレージ部１３２から第２方向に延長され、画素電極１８０の一側部と重なる。即ち、第１サブストレージ部１３４は、それと隣接するデータ配線１５０から右側に所定距離に離隔され、データ配線１５０とほぼ平行に形成される。
【００８８】
第２サブストレージ部１３６は、メインストレージ部１３２から第２方向に延長され、画素電極１８０の一側部に対向する他側部と重なる。すなわち、第２サブストレージ部１３６は、それと隣接するデータ配線１５０の左側から所定距離に離隔され、データ配線１５０とほぼ平行に形成される。
【００８９】
このように、一本のデータ配線１５０を基準に右側に第１サブストレージ部１３４が形成され、左側に第２サブストレージ部１２６が形成される。
【００９０】
遮光ストレージ部１３８は、データ配線１５０を基準に両側に配置された第１サブストレージ部１３４と第２サブストレージ部１３８とを互いに電気的に接続させ、その結果、データ配線１５０の一部と重なる。望ましくは、遮光ストレージ部１３８は、データ配線１５０と向い合う領域のうち、ドメイン定義部２５２が形成されていない部分と対応する位置に形成される。
【００９１】
具体的に、遮光ストレージ部１３８は、第１遮光電極（ＳＴ１）及び第２遮光電極（ＳＴ２）を含む。第１遮光電極（ＳＴ１）は第２上側画素（ＵＰ２）の一端部のうち、第２上側ドメイン定義部（ＵＭＰ２）が形成されていない部分と対応する位置に形成され、第２遮光電極（ＳＴ２）は第２下側画素（ＬＰ２）の一端部のうち、第２下側ドメイン定義部（ＬＭＰ２）が形成されていない部分と対応する位置に形成される。
【００９２】
本実施形態によると、遮光ストレージ部１３８がデータ配線１５０の一部と重なるように形成されて光を遮断することで、第１基板１００と第２基板２００とのずれによって発生する光漏れ現象を防止することができる。
【００９３】
より具体的に説明すると、従来には第１基板１００の下部で発生した光がデータ配線１５０と第１サブストレージ部１３４との間、またはデータ配線１５０と第２サブストレージ部１３６との間に進行することによって、外部からの衝撃により第１基板１００と第２基板２００とが互いにずれたときに光漏れ現象が発生した。
【００９４】
しかし、本実施形態のようにデータ配線１５０と第１サブストレージ部１３４との間、またはデータ配線１５０と第２サブストレージ部１３６との間に進行する光が遮光ストレージ部１３８によって完全に遮断されることによって、第１基板１００と第２基板２００とのずれによって発生する光漏れ現象を防止することができる。
【００９５】
図１９は、本発明の第５実施形態による表示パネルの単位画素のうち、一部を切断した断面図である。本実施形態による表示パネルは、ストレージ配線のうち、遮光ストレージ部を除くと、前述した第４実施形態の表示パネルと同一の構成を有するので、それと重複した説明は省略し、同一の構成要素に対しては同一の参照符号及び名称を付与する。
【００９６】
図１９を参照すると、本実施形態による遮光ストレージ部１３８は、第１サブストレージ１３４及び第２サブストレージ１３６のいずれからデータ配線１５０側に延長され、データ配線１５０の一部と重なる。
【００９７】
一方、セルギャップ維持部２６０がデータ配線１５０を基準に一側に形成されるとするとき、遮光ストレージ部１３８は、前記一側に延長されてデータ配線１５０の一部と重なることが望ましい。
【００９８】
具体的に説明すると、セルギャップ維持部２６０がデータ配線１５０を基準に右側に形成されるとするとき、遮光ストレージ部１３８は、第２サブストレージ部１３６から右側に延長されてデータ配線１５０の一部と重なってもよい。
【００９９】
反面、セルギャップ維持部２６０がデータ配線１５０を基準に左側に形成されるとするとき、遮光ストレージ部１３８は第１サブストレージ部１３４から左側に延長されてデータ配線１５０の一部と重なってもよい。
【０１００】
遮光ストレージ部１３８は、データ配線１５０と向い合う領域のうち、ドメイン定義部２５２が形成されていない部分と対応する位置に形成される。具体的に、遮光ストレージ部１３８は、第１遮光電極及び第２遮光電極を含んでもよい。第１遮光電極は、第２上側画素（ＵＰ２）の一端部のうち、第２上側ドメイン定義部（ＵＭＰ２）が形成されていない部分と対応する位置に形成され、第２遮光電極は第２下側画素（ＬＰ２）の一端部のうち、第２下側ドメイン定義部（ＬＭＰ２）が形成されていない部分と対応する位置に形成される。
【０１０１】
本実施形態によると、遮光ストレージ部１３８がデータ配線１５０の一部と重なるように形成され、データ配線１５０と第１サブストレージ部１３４との間、またはデータ配線１５０と第２サブストレージ部１３６との間を進行する光を遮断することで、第１基板１００と第２基板２００とのずれによって発生する光漏れ現象を防止することができる。
【０１０２】
また、遮光ストレージ部１３８がデータ配線１５０と重なる領域を最小化することで、遮光ストレージ部１３８がデータ配線１５０のデータ信号に悪影響を与えることを最小化してもよい。
【０１０３】
このような本発明によると、サブ遮光部がメイン遮光部から共通電極のドメイン定義部が形成されていない領域に突出されるか、遮光ストレージ部が第１または第２サブストレージ部から共通電極のドメイン定義部が形成されていない領域と対応するように延長されてデータ配線の一部と重なることによって、第１及び第２基板のずれによる光漏れ現象を防止することができ、その結果、画像の表示品質をより向上させることができる。
【０１０４】
以上、本発明の実施形態を詳細に説明したが、本発明はこれに限定されず、本発明が属する技術分野において通常の知識を有するものであれば本発明の思想と精神を離脱することなく、本発明を修正または変更できる。
【図面の簡単な説明】
【０１０５】
【図１】本発明の第１実施形態による表示パネルの単位画素を示す平面図である。
【図２】図１の単位画素におけるストレージ配線、ゲート配線、及びゲート電極を示す平面図である。
【図３】図１の単位画素におけるデータ配線、ソース電極、ドレイン電極、連結電極、及びアクティブ電極を示す平面図である。
【図４】図１の単位画素における画素電極を示す平面図である。
【図５】図１の単位画素における共通電極を示す平面図である。
【図６】図１の単位画素における遮光膜を示す平面図である。
【図７】図１のＩ−Ｉ’に沿って見た断面図である。
【図８】図１のＩＩ−ＩＩ’に沿って見た断面図である。
【図９】図１のＩＩＩ−ＩＩＩ’に沿って見た断面図である。
【図１０】図９におけるサブ遮光膜が省略され、第１及び第２基板がずれた状態を示す断面図である。
【図１１】図９における第１及び第２基板がずれた状態を示す断面図である。
【図１２】本発明の第２実施形態による表示パネルの単位画素のうち、遮光膜を示す平面図である。
【図１３】本発明の第３実施形態による表示パネルの単位画素のうち、遮光膜を示す平面図である。
【図１４】本発明の第４実施形態による表示パネルの単位画素を示す平面図である。
【図１５】図１４の単位画素における遮光膜を示す平面図である。
【図１６】図１４の単位画素におけるストレージ配線を示す平面図である。
【図１７】図１４のＩＶ−ＩＶ’に沿って見た断面図である。
【図１８】図１４のＶ−Ｖ’に沿って見た断面図である。
【図１９】本発明の第５実施形態による表示パネルの単位画素の一部を切断した断面図である。
【符号の説明】
【０１０６】
１００    第１基板
１２０    ゲート配線
１３０    ストレージ配線
１３２    メインストレージ部
１３４    第１サブストレージ部
１３６    第２サブストレージ部
１３８    遮光ストレージ部
１５０    データ配線
１６０    薄膜トランジスタ
１８０    画素電極
１８２    第１画素部
１８４    第２画素部
２００    第２基板
２２０    遮光膜
２２２    メイン遮光部
２２４    サブ遮光部
２３０    カラーフィルタ
２５０    共通電極
２５２    ドメイン定義部
２６０    セルギャップ維持部
３００    液晶層
【図１】
2008015522.tif 000003
【図２】
2008015522.tif 000004
【図３】
2008015522.tif 000005
【図４】
2008015522.tif 000006
【図５】
2008015522.tif 000007
【図６】
2008015522.tif 000008
【図７】
2008015522.tif 000009
【図８】
2008015522.tif 000010
【図９】
2008015522.tif 000011
【図１０】
2008015522.tif 000012
【図１１】
2008015522.tif 000013
【図１２】
2008015522.tif 000014
【図１３】
2008015522.tif 000015
【図１４】
2008015522.tif 000016
【図１５】
2008015522.tif 000017
【図１６】
2008015522.tif 000018
【図１７】
2008015522.tif 000019
【図１８】
2008015522.tif 000020
【図１９】
2008015522.tif 000021