(57)【要約】【課題】被処理体を処理する処理装置に発生した様々な異常を精度良く検知できる異常検知装置を提供すること。【解決手段】この発明の異常検知装置は、被処理体１０３を処理する処理装置１００に発生した異常を検知する異常検知装置である。処理装置１００は、被処理体１０３を処理するために制御信号１１０を用いて被処理体１０３を或る状態に保つ制御部１０８を少なくとも一つ含む。制御部１０８が用いる制御信号１１０の周波数分布１１２を測定する周波数分布測定部１１１を備える。周波数分布測定部１１１が測定する周波数分布１１２が変化して所定の判定基準から外れたとき、処理装置１００に異常が発生したと判断する異常判定部１０９を備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理体を処理する処理装置に発生した異常を検知する異常検知装置であって、
上記処理装置は、上記被処理体を処理するために制御信号を用いて上記被処理体を或る状態に保つ制御部を少なくとも一つ含み、
上記制御部が用いる上記制御信号の周波数分布を測定する周波数分布測定部と、
上記周波数分布測定部が測定する上記周波数分布が変化して所定の判定基準から外れたとき、上記処理装置に異常が発生したと判断する異常判定部とを備えたことを特徴とする異常検知装置。
【請求項２】
請求項１に記載の異常検知装置において、
上記制御部は、上記被処理体を処理する環境へインピーダンス整合器を介して所定の交流の電力を供給する電力供給部であり、
上記制御信号は上記インピーダンス整合器の整合状態を表す整合状態信号であることを特徴とする異常検知装置。
【請求項３】
請求項１に記載の異常検知装置において、
上記制御部は、上記被処理体を処理する環境へ所定の交流の電力を供給する電力供給部であり、
上記制御信号は上記電力の値を表す電力値信号であることを特徴とする異常検知装置。
【請求項４】
請求項１に記載の異常検知装置において、
上記制御部は、上記被処理体を処理する容器内へガスを導入するガス導入制御部であり、  上記制御信号は上記容器内へのガスの流量を表すガス流量信号であることを特徴とする異常検知装置。
【請求項５】
請求項１に記載の異常検知装置において、
上記制御部は、上記被処理体を処理する容器内の圧力を制御するガス圧力制御部であり、
上記制御信号は上記容器内のガスの圧力を表すガス圧力信号であることを特徴とする異常検知装置。
【請求項６】
請求項１に記載の異常検知装置において、
上記周波数分布測定部は、上記制御信号に対して離散フーリエ変換を行って上記制御信号の周波数分布を得ることを特徴とする異常検知装置。
【請求項７】
被処理体を処理する処理装置に発生した異常を検知する異常検知方法であって、
上記処理装置は、上記被処理体を処理するために制御信号を用いて上記被処理体を或る状態に保つ制御部を少なくとも一つ含み、
上記制御部が用いる上記制御信号の周波数分布を測定し、
上記周波数分布が変化して所定の判定基準から外れたとき、上記処理装置に異常が発生したと判断することを特徴とする異常検知方法。
【請求項８】
被処理体を処理する処理装置であって、
上記被処理体を処理するために制御信号を用いて上記被処理体を或る状態に保つ少なくとも一つの制御部と、
請求項１乃至６のいずれか一つに記載の異常検知装置を備えたことを特徴とする処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は異常検知装置および異常検知方法に関し、より詳しくは、被処理体を処理する処理装置のための異常検知装置および異常検知方法に関する。
【０００２】
また、この発明は、そのような異常検知装置を備えた処理装置、例えば半導体処理装置に関する。
【背景技術】
【０００３】
ＬＳＩ（大規模集積回路）や薄膜トランジスタ等の製造に用いられる半導体処理装置の多くは、複数の制御機器を用いて温度、圧力、ガス流量、電圧などを制御しつつ、ＬＳＩや薄膜トランジスタ等を形成する基板である被処理体に対してエッチング処理や成膜を行っている。制御機器の代表例としては、熱交換器、ポンプ、ガス流量制御機器、高周波電源ユニットなどがある。半導体処理装置のＣＰＵ（中央演算処理装置）により代表される中央制御部は、これらの制御機器を電気的な制御信号によって制御及び監視している。
【０００４】
これらの半導体処理装置において、可動部の磨耗や腐食等の故障より異常が発生した場合、被処理体の処理続行が不可能となる。あるいは、被処理体の処理が正常に行われないため、歩留まりの低下を招くこととなる。これらの理由で、半導体処理装置のための異常検知手段が必要となる。
【０００５】
異常を検知する方法として、半導体処理装置が備える制御機器の制御信号の範囲をあらかじめ設定し、一定時間制御範囲を逸脱した場合に、被処理体の処理を停止し、装置付近あるいは工場の中央監視室に設置された異常停止表示灯を点灯させる方法が現在用いられている。
【０００６】
例えば、半導体処理装置の絶縁膜エッチング装置において、制御機器の１つである高周波電源ユニットでは、入射電力と反射電力が、制御すべき物理量となる。所望の高周波電力が、異常なくグロー放電で消費されているかどうかを判定する手法として、入射電力及び反射電力を検出する手法がある。すなわち、方向性結合器を介して接続されている検波器の出力電圧から想定される入射及び反射電力が、所望の設定範囲内であることを、入射電力及び反射電力の設定値の範囲（判定範囲）と設定値から逸脱している時間（判定時間）との２つの判定基準を設けて、異常検知を行っている。
【０００７】
例として、所望の反射電力が１０Ｗ未満の判定範囲、判定時間を５秒未満と設定する場合を考える。この場合、反射電力が１０Ｗ以上、５秒以上の時間継続して出力したときに、異常が発生したと判定される。
【０００８】
この手法の問題点は、反射電力が１０Ｗと０Ｗと１秒毎に繰り返すような異常は検出が不可能なことである。判定範囲を１０Ｗ未満とし、判定時間を１秒未満に設定することで、前述の繰り返し異常は検知可能となるが、反射電力らの値は、非処理体のエッチング処理が進行につれて変動するため、判定範囲、判定時間を小さくすると、誤検知が発生する可能性が生じる。
【０００９】
例えば、エッチング処理開始時において、グロー放電の有無により、真空容器内の等価インピーダンスやガス圧力の変動が発生する。さらに、エッチング処理中に、真空容器の温度が上昇することによる、等価インピーダンスの変動や、非処理体上の被エッチング物が完全に除去される前後で、等価インピーダンスの変動が発生することがある。
【００１０】
これらの理由で、容易に判定範囲、判定時間を小さくし、前述のような、繰り返し判定範囲を超えるような異常検知を行うことは困難と言える。
【００１１】
この問題点を解決する手法として、特許文献１（特開２００３−２６４１８０号公報）に、タイマ回路を用いた異常検知方法が開示されている。これは、処理開始時のグロー放電開始直後の、制御量が不安定な時間においては異常判定せず、グロー放電開始よりタイマ回路に設定された一定の時間が経過してから、異常検知を開始するものである。
【００１２】
この手法では、タイマ回路にエッチング開始時の、各制御すべき物理量が不安定となる時間を設定しておけば、エッチング開始時を除いた時間においては、判定範囲、判定時間を小さくすることが可能である。したがって、誤検知なく、精度の高い異常検知が可能となる。
【００１３】
しかし、この手法では、エッチング途中や、終点での制御量が変動するような場合においては、異常検知が不可能であり、また、タイマ回路に設定すべき時間は、半導体処理装置及び制御機器の個体差、経時変化及び被処理体の構造及び材料に応じた、設定すべき入射電力、反射電力、ガス流量及び真空容器内部のガス圧力などの条件毎に変化するため、適正時間を容易に決定するのが困難である。
【特許文献１】特開２００３−２６４１８０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
そこで、この発明の課題は、被処理体を処理する処理装置に発生した様々な異常を精度良く検知できる異常検知装置および異常検知方法を提供することにある。
【００１５】
また、この発明は、そのような異常検知装置を備えた処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上記課題を解決するため、この発明の異常検知装置は、
被処理体を処理する処理装置に発生した異常を検知する異常検知装置であって、
上記処理装置は、上記被処理体を処理するために制御信号を用いて上記被処理体を或る状態に保つ制御部を少なくとも一つ含み、
上記制御部が用いる上記制御信号の周波数分布を測定する周波数分布測定部と、
上記周波数分布測定部が測定する上記周波数分布が変化して所定の判定基準から外れたとき、上記処理装置に異常が発生したと判断する異常判定部とを備えたことを特徴とする。
【００１７】
この発明の異常検知装置では、処理装置の制御部が用いる制御信号の周波数分布を、周波数分布測定部が測定する。そして、上記周波数分布測定部が測定する上記周波数分布が変化して所定の判定基準から外れたとき、上記処理装置に異常が発生したと、異常判定部が判断する。このように周波数分布によって判定を行う場合、被処理体の状態やそれを取り巻く環境に一時的な変化が起こっても、その影響を受けることが無い。したがって、様々な異常を精度良く検知できる。この結果、上記処理装置の上記制御部は、上記被処理体を精度良く或る目標の状態に保つことができる。したがって、上記処理装置は、被処理体を精度良く処理でき、高歩留を得ることができる。
【００１８】
なお、上記判定基準としては、予め、被処理体が正常に処理されている時に、上記周波数分布を取得して、範囲と時間を設定しておくのが望ましい。
【００１９】
一実施形態の異常検知装置では、上記制御部は、上記被処理体を処理する環境へインピーダンス整合器を介して所定の交流の電力を供給する電力供給部であり、上記制御信号は上記インピーダンス整合器の整合状態を表す整合状態信号であることを特徴とする。
【００２０】
一実施形態の異常検知装置では、上記制御部は、上記被処理体を処理する環境へ所定の交流の電力を供給する電力供給部であり、上記制御信号は上記電力の値を表す電力値信号であることを特徴とする。
【００２１】
一実施形態の異常検知装置では、上記制御部は、上記被処理体を処理する容器内へガスを導入するガス導入制御部であり、上記制御信号は上記容器内へのガスの流量を表すガス流量信号であることを特徴とする。
【００２２】
一実施形態の異常検知装置では、上記制御部は、上記被処理体を処理する容器内の圧力を制御するガス圧力制御部であり、上記制御信号は上記容器内のガスの圧力を表すガス圧力信号であることを特徴とする。
【００２３】
一実施形態の異常検知装置では、上記周波数分布測定部は、上記制御信号に対して離散フーリエ変換を行って上記制御信号の周波数分布を得ることを特徴とする。
【００２４】
この発明の異常検知方法は、
被処理体を処理する処理装置に発生した異常を検知する異常検知方法であって、
上記処理装置は、上記被処理体を処理するために制御信号を用いて上記被処理体を或る状態に保つ制御部を少なくとも一つ含み、
上記制御部が用いる上記制御信号の周波数分布を測定し、
上記周波数分布が変化して所定の判定基準から外れたとき、上記処理装置に異常が発生したと判断することを特徴とする。
【００２５】
この発明の異常検知方法では、処理装置の制御部が用いる制御信号の周波数分布を測定する。そして、上記周波数分布が変化して所定の判定基準から外れたとき、上記処理装置に異常が発生したと判断する。このように周波数分布によって判定を行う場合、被処理体の状態やそれを取り巻く環境に一時的な変化が起こっても、その影響を受けることが無い。したがって、様々な異常を精度良く検知できる。この結果、上記処理装置の上記制御部は、上記被処理体を精度良く或る目標の状態に保つことができる。したがって、上記処理装置は、被処理体を精度良く処理でき、高歩留を得ることができる。
【００２６】
この発明の処理装置は、
被処理体を処理する処理装置であって、
上記被処理体を処理するために制御信号を用いて上記被処理体を或る状態に保つ少なくとも一つの制御部と、
上述の異常検知装置を備えたことを特徴とする。
【００２７】
この発明の処理装置では、異常検知装置が様々な異常を精度良く検知できる。この結果、上記制御部は、上記被処理体を精度良く或る目標の状態に保つことができる。したがって、上記処理装置は、被処理体を精度良く処理でき、高歩留を得ることができる。
【００２８】
この処理装置は、例えば半導体処理装置であるのが望ましい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
以下、この発明を図示の実施の形態により詳細に説明する。なお、本発明の範囲は以下の実施形態に限定されるものではない。
【００３０】
（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態の異常検知装置を備えた半導体処理装置１００の構成を示している。この例では、半導体処理装置１００は、被処理体１０３のエッチング加工を行う、エッチング処理装置である。この半導体処理装置１００は、被処理体１０３を処理する環境としての真空容器１０１と、真空容器１０１内の底部に設けられた電極１０２と、真空容器１０１内へガスを導入するガス導入制御部としてのガス導入部１０４と、真空容器１０１内からガスを排出するガス排気部１０５と、真空容器１０１内の圧力を制御するガス圧力制御部１０６と、真空容器１０１の外部から内部の電極１０２へインピーダンス整合器１０８を介して所定の交流の電力を供給する電力供給部としての交流電源ユニット１０７とを備えている。
【００３１】
図２に示すように、インピーダンス整合器１０８は、固定コンデンサ２０１、２０２と、可変インダクタンス素子２０３と、可変キャパシタンス素子２０４とからなっている。可変インダクタンス素子２０３、可変キャパシタンス素子２０４のインダクタンス値、容量値をそれぞれ変化させることで、交流電源ユニット１０７の出力インピーダンス５０Ωと真空容器１０１内の電極１０２の等価インピーダンスとのインピーダンス整合を行う。
【００３２】
この半導体処理装置１００では、インピーダンス整合器１０８の整合状態を表す整合状態信号１１０、つまり、可変キャパシタンス素子２０４のインピーダンス値を容量電圧変換部２０５によって電圧に変換して得られた信号を、制御信号として把握し、異常検知のために用いる。
【００３３】
つまり、この半導体処理装置１００では、異常検知装置として、図２中の容量電圧変換部２０５と、図１中に示す、整合状態信号１１０の周波数分布を測定する周波数分布測定部としての周波数分布測定器１１１と、異常判定部としての中央制御部１０９とを備える。中央制御部１０９は、異常判定のための判定基準を記憶する記憶部１１４と、その判定基準を用いてこの半導体処理装置１００に異常が発生したか否かを判定する比較演算部１１５とを備えている。容量電圧変換部２０５、周波数分布測定器１１１、中央制御部１０９は、この例ではそれぞれ市販のＣ／Ｖコンバータ、スペクトラムアナライザ（ＡＤＶＡＮＴＥＳＴ製、Ｕ３７５１）、汎用コンピュータからなる。
【００３４】
この半導体処理装置１００では、処理動作時に、ガス導入部１０４、ガス排気部１０５及びガス圧力制御部１０６によって、真空容器１０１内を所望のガス組成かつ圧力に設定する。また、インピーダンス整合器１０８によって交流電源ユニット１０７の出力インピーダンスと電極１０２の入力インピーダンスとの整合を行った状態で、交流電源ユニット１０７から真空容器１０１内の電極１０２へ交流の電力を供給して、真空容器１０１の内部でグロー放電を起こす。これにより、電極１０２上に載置された被処理体１０３をエッチング処理する。
【００３５】
具体的には、この半導体処理装置１００は、珪素（Ｓｉ）製の被処理体に形成された二酸化珪素（ＳｉＯ２）膜と多結晶珪素（ｐｏｌｙ−Ｓｉ）膜のエッチングを行う。真空容器１０１はアルミニウム（Ａｌ）製である。本実施形態では、真空容器内１０１はイットリア（Ｙ２Ｏ３）で表面保護したものを用いているが、アルマイト処理、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、石英（ＳｉＯ２）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）あるいは炭化珪素（ＳｉＣ）などのセラミック材料や、Ｓｉなどを真空容器内１０１の内部表面に形成したものを用いても良く、金属汚染や、グロー放電による消耗が少ない材料であることが望ましい。電極１０２はアルミニウムで形成された母材料にＡｌ２Ｏ３セラミックを溶射処理したものを用いたが、これらは、導電性の高い金属と絶縁膜の組み合わせであればよく、銅の母材料にＡｌＮセラミック板を張り合わせたもの等を用いても良いことはいうまでもない。Ｓｉ製の被処理体１０３の被エッチング加工面には、ＳｉＯ２膜３０Åの上に、ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜１６００Åの多層膜と、所望のパターン部が露光及び現像処理された、フォトレジスト膜が形成されている。ガス導入部１０４は、少なくとも１つ以上の所望のガスなどを、それぞれ所望の流量で、真空容器１０１内に導入するための機能を有している。本実施形態においてガス導入部１０４として堀場エステック社ＳＥＣ−Ｚ５００マスフローコントローラを用いた。ガス導入部１０４はガスの流量が制御可能であればよく、マスフローコントローラ以外の浮き子式流量計式の型などを用いてもかまわない。ガス排気部１０５は、本実施形態ではターボ分子ポンプを用いたが、この組み合わせに限定されるものではない。ガス圧力制御部１０６は、ガス導入部１０４でガスが導入された真空容器内１０１内を、ガス排気部１０５の排気口の面積を変化することで、所望の圧力に制御している。交流電源ユニット１０７は、１３．５６ＭＨｚの周波数の交流電力を出力することができ、出力インピーダンス５０Ωであるものを用いた。本実施形態では、１３．５６ＭＨｚの交流電源ユニットを用いたが、３８０ｋＨｚや２７．１２ＭＨｚなどの周波数の交流電源ユニットを用いてもよい。インピーダンス整合器１０８は、交流電源ユニット１０７の周波数である１３．５６ＭＨｚの周波数において、交流電源ユニット１０７の出力インピーダンス５０Ωと真空容器１０１内の等価インピーダンスとの整合を行って、真空容器１０１の内部で生成するグロー放電で消費される電力が最大となるようにしている。
【００３６】
なお、臭化水素（ＨＢｒ）、塩素（Ｃｌ２）及び酸素（Ｏ２）の混合ガスをそれぞれ、ガス導入部１０４により、それぞれ１２０ｓｃｃｍ，３０ｓｃｃｍ，５ｓｃｃｍ導入し、ガス排気部１０５及び圧力制御部１０６を用いて、真空容器１０１の内部を３０ｍＴｏｒｒに設定し、高周波電源ユニット１０７は３００Ｗに設定し、真空容器１０１の内部にグロー放電を行い、ＳｉＯ２膜３０Åの上に、多結晶Ｓｉ膜１６００Åの多層膜と、所望エッチングのためのパターン部が露光及び現像処理が行われている、フォトレジスト膜が形成された被処理体１０３のエッチング処理を行った。この組み合わせに限定されるわけではなく、他の条件を用いても問題ない。
【００３７】
処理動作中、異常検知のために、周波数分布測定器１１１が、整合状態信号１１０の周波数分布を測定して周波数分布信号１１２として出力する。比較演算部１１５は、この周波数分布信号１１２を受けて、記憶部１１４に予め記憶されている判定基準を用いて、この半導体処理装置１００に異常が発生したか否かを判定する。つまり、周波数分布信号１１２が表す周波数分布が変化して判定基準から外れたとき、この半導体処理装置１００に異常が発生したと判断する。このように周波数分布によって判定を行う場合、被処理体１０３の状態やそれを取り巻く環境に一時的な変化が起こっても、その影響を受けることが無い。したがって、様々な異常を精度良く検知できる。この結果、この半導体処理装置１００は、被処理体１０３を精度良く或る目標の状態に保つことができる。したがって、この半導体処理装置１００は、被処理体１０３を精度良くエッチング処理でき、高歩留を得ることができる。なお、異常が発生したときは、比較演算部１１５は交流電源ユニット１０７へ停止信号１１３を出力して、交流電源ユニット１０６を停止する。
【００３８】
異常検知のための他の手法としては、整合状態信号１１０として、上述の可変キャパシタンス素子２０４のインピーダンス値に代えて、可変インダクタンス素子２０３のインピーダンス値を用いても良い。また、インピーダンス整合器１０８の回路構成は、本例に限定されるわけではなく、可変インダクタンス素子の代りに、可変キャパシタンス素子を２つ備えた整合器を用いても良いし、使用する周波数、電力及び真空容器内部の等価インピーダンスに応じて最適な構成とすればよい。
【００３９】
図１中に示した中央制御部１０９は、本実施形態では記憶部（メモリ）１１４と比較演算部１１５を備えた汎用コンピュータを用いたが、専用シーケンサ等でも良いことはいうまでもない。
【００４０】
また、この半導体処理装置１００の近辺に表示器を設けて、異常が検知されたとき、表示器を点灯させて、周囲の作業員に報知しても良いし、半導体処理装置１００が設置されている工場の中央制御室に表示機を設置して、監視員らに報知させても良い。また、本実施形態では周波数分布測定器１１１に市販のスペクトラムアナライザ（ＡＤＶＡＮＴＥＳＴ製、Ｕ３７５１）を用いたが、周波数分析が可能な機器であれば、スペクトラムアナライザに限定されるものではなく、周波数分布信号を得るために中央制御部１０９内部で高速フーリエ変換などを演算させてもなんら問題はない。
【００４１】
図３はエッチング処理中の整合状態信号１１０の信号波形３０１、３０２を示している。信号波形３０１はインピーダンス整合器１０８が正常である場合の整合状態信号の波形を示している。整合状態信号１１０は、既述のように、インピーダンス整合器１０８内部の可変キャパシタンス素子のインピーダンス値を電圧に変換して得られた値である。信号波形３０１において、グロー放電開始時と安定時では整合位置が異なっている。グロー放電開始より、約３秒後まで、約０ｍＶ〜−５０００ｍＶの電圧変化が見られる。これは、グロー放電開始時と、グロー放電維持中との間で、真空容器１０１内部の等価インピーダンスが異なるためである。よって、整合位置の異常検知をするためには、約３秒以上の判定時間を設定し、正常の場合でも起こる、グロー放電開始直後のインピーダンスの変化の影響を受けないようにしなければならない。
【００４２】
図３中の信号波形３０２は、インピーダンス整合器１０８が異常である場合の整合状態信号１１１の波形を示している。信号波形３０２において、グロー放電を開始してから、約５秒経過した後に整合状態信号が発振しており、制御異常となっている。これは、整合器１０８内部の可変キャパシタンス素子２０４の動作不良が発生している状態を示している。通常の判定範囲と判定時間の異常検知方法では、約３秒以上の判定時間設定とする必要があるため、信号波形３０２のような約３秒以下の発振現象は検出不可能である。
【００４３】
図４は、図３中に示した信号波形３０１、３０２をもつ整合状態信号１１０について、それぞれ周波数分布測定器１１１によって得られた周波数分布信号１１２の周波数分布４０１、４０２を示している。正常な信号波形３０１をもつ整合状態信号１１０の周波数分布４０１では、大きなスペクトルのピークは見られないが、異常な信号波形３０２をもつ整合状態信号１１０の周波数分布４０２においては、４Ｈｚ〜１０Ｈｚ付近にピークが見られる。
【００４４】
図４の結果から、異常判定のために、次のような判定手法を採用すれば良いことが分かる。すなわち、例えば、測定すべき周波数を上述の４Ｈｚ〜１０Ｈｚの中央付近の７Ｈｚとする。そして、予めインピーダンス整合器１０８の正常時に、その７Ｈｚにおけるスペクトル強度（正常時のスペクトル強度）を測定しておく。そして、本番の処理動作時に、７Ｈｚにおけるスペクトル強度を測定して、測定されたスペクトル強度が正常時のスペクトル強度に対して例えば３×１０５以上の比率になったときに、異常が発生したと判定する。この場合、中央制御部１０９が有する記憶部１１４に、判定基準として異常時／正常時のスペクトル強度の比率３×１０５を予め記憶させておき、判定基準として用いることができる。
【００４５】
異常判定のための判定基準は、上述の数値に限定されるわけではなく、半導体処理装置の形態、処理する非処理体及び電力、周波数、ガス種類、流量、圧力などで最適な判定幅、結果を用いればよいことは言うまでもない。
【００４６】
（第２実施形態）
図５は、本発明の第２実施形態の異常検知装置を備えた半導体処理装置５００の構成を示している。この例では、半導体処理装置５００は、被処理体５０３の表面にグロー放電を用いた、化学気層成長（ＰＥＣＶＤ）膜の形成を行う、ＰＥＣＶＤ処理装置である。この半導体処理装置５００は、被処理体５０３を処理する環境としての真空容器５０１と、真空容器５０１内の底部に設けられた第１の電極５０２と、真空容器５０１の上壁の上に設けられた第２の電極５１９と、真空容器５０１内へガスを導入するガス導入制御部としてのガス導入部５０４と、真空容器５０１内からガスを排出するガス排気部５０５と、真空容器５０１内の圧力を制御するガス圧力制御部５０６と、真空容器５０１の外部から内部の第１の電極５０２へ第１のインピーダンス整合器５０８を介して所定の交流の電力を供給する電力供給部としての第１の交流電源ユニット５０７と、真空容器５０１の外部の第２の電極５１９へ第２のインピーダンス整合器５１８を介して所定の交流の電力を供給する第２の交流電源ユニット５１７とを備えている。第１のインピーダンス整合器５０８は、第１の交流電源ユニット５０７の出力インピーダンスと真空容器５０１内の第１の電極５０２の等価インピーダンスとのインピーダンス整合を行う。また、第２のインピーダンス整合器５１８は、第２の交流電源ユニット５１７の出力インピーダンスと第２の電極５１９の等価インピーダンスとのインピーダンス整合を行う。
【００４７】
真空容器５０１の外部で、第１のインピーダンス整合器５０８と第１の電極５０２との間の配線経路に、その配線経路を介して供給される交流電力の値を測定する市販の電力測定器５１６が介挿されている。この半導体処理装置５００では、電力測定器５１６が出力する電力値信号５１０を、制御信号として把握し、異常検知のために用いる。電力値信号５１０は、電極５０２に発生する電力を、直流電圧に変換した信号である。
【００４８】
つまり、この半導体処理装置５００では、異常検知装置として、電力測定器５１６と、電力値信号５１０の周波数分布を測定する周波数分布測定部としての周波数分布測定器５１１と、異常判定部としての中央制御部５０９とを備える。中央制御部５０９は、異常判定のための判定基準を記憶する記憶部５１４と、その判定基準を用いてこの半導体処理装置５００に異常が発生したか否かを判定する比較演算部５１５とを備えている。周波数分布測定器５１１、中央制御部５０９は、この例ではそれぞれ市販のＣ／Ｖコンバータモジュール、スペクトラムアナライザ（ＡＤＶＡＮＴＥＳＴ製、Ｕ３７５１）、汎用コンピュータからなる。
【００４９】
この半導体処理装置５００では、処理動作時に、ガス導入部５０４、ガス排気部５０５及びガス圧力制御部５０６によって、真空容器５０１内を所望のガス組成かつ圧力に設定する。また、第１のインピーダンス整合器５０８によって第１の交流電源ユニット５０７の出力インピーダンスと第１の電極５０２の入力インピーダンスとの整合を行い、かつ、第２のインピーダンス整合器５１８によって第２の交流電源ユニット５１７の出力インピーダンスと第２の電極５１９の等価インピーダンスとのインピーダンス整合を行った状態で、第１の交流電源ユニット５０７、第２の交流電源ユニット５１７から真空容器５０１内の第１の電極５０２、真空容器５０１上の第２の電極５１９へそれぞれ交流の電力を供給して、真空容器５０１の内部でグロー放電を起こす。これにより、第１の電極５０２上に載置された被処理体５０３上にＰＥＣＶＤ膜を形成する処理を行う。
【００５０】
具体的には、この半導体処理装置５００では、真空容器５０１はアルミニウム（Ａｌ）製である。本実施形態では、真空容器内５０１はアルマイト処理で表面保護したものを用いているが、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、石英（ＳｉＯ２）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）あるいは炭化珪素（ＳｉＣ）などのセラミック材料や、Ｓｉなどを真空容器内５０１の内部表面に形成したものを用いても良く、金属汚染や、グロー放電による消耗が少ない材料であることが望ましい。第１の電極５０２はアルミニウムで形成された母材料にＡｌ２Ｏ３セラミックを溶射処理したものを用いたが、これらは、導電性の高い金属と絶縁膜の組み合わせであればよく、銅の母材料にＡｌＮセラミック板を張り合わせたもの等を用いても良いことはいうまでもない。被処理体５０３はＳｉ製である。ガス導入部５０４は、少なくとも１つ以上の所望のガスなどを、それぞれ所望の流量で、真空容器５０１内に導入するための機能を有している。本実施形態においてガス導入部５０４として堀場エステック社ＳＥＣ−Ｚ５００マスフローコントローラを用いた。ガス導入部５０４はガスの流量が制御可能であればよく、マスフローコントローラ以外の浮き子式流量計式の型などを用いてもかまわない。排気部５０５は、本実施形態ではターボ分子ポンプを用いたが、この組み合わせに限定されるものではない。ガス圧力制御部５０６は、ガス導入部５０４でガスが導入された真空容器内５０１内を、ガス排気部５０５の排気口の面積を変化することで、所望の圧力に制御している。第１の交流電源ユニット５０７は、１３．５６ＭＨｚの周波数の交流電力を出力することができ、出力インピーダンス５０Ωであるものを用いた。本実施形態では第１の交流電源ユニット５０７として１３．５６ＭＨｚの交流電源ユニットを用いたが、３８０ｋＨｚや２７．１２ＭＨｚなどの周波数の交流電源ユニットを用いてもよい。第１のインピーダンス整合器５０８は、第１の交流電源ユニット５０７の周波数である１３．５６ＭＨｚの周波数において、第１の交流電源ユニット５０７の出力インピーダンス５０Ωと真空容器５０１内の等価インピーダンスとの整合を行って、真空容器５０１の内部で生成するグロー放電で消費される電力が最大となるようにしている。第２の交流電源ユニット５１７は、３８０ｋＨｚの周波数の交流電力を出力することができ、出力インピーダンス５０Ωであるものを用いた。本実施形態では第２の交流電源ユニット５１７として３８０ｋＨｚの交流電源ユニットを用いたが、１３．５６ＭＨｚや２７．１２ＭＨｚなどの周波数の交流電源ユニットを用いてもよい。第２のインピーダンス整合器５１８は、交流電源ユニット５１７の周波数である３８０ｋＨｚの周波数において、第２の交流電源ユニット５１７の出力インピーダンス５０Ωと真空容器５０１内の等価インピーダンスとの整合を行って、真空容器５０１の内部で生成するグロー放電で消費される電力が最大となるようにしている。第２の電極５１９は、第２の交流電源ユニット５１７で発生した交流電力を真空容器５０１内部に放射するためのアンテナであり、真空容器５０１内部にグロー放電を形成する。
【００５１】
処理動作中、異常検知のために、周波数分布測定器５１１が、電力値信号５１０の周波数分布を測定して周波数分布信号５１２として出力する。比較演算部５１５は、この周波数分布信号５１２を受けて、記憶部５１４に予め記憶されている判定基準を用いて、この半導体処理装置５００に異常が発生したか否かを判定する。つまり、周波数分布信号５１２が表す周波数分布が変化して判定基準から外れたとき、この半導体処理装置５００に異常が発生したと判断する。このように周波数分布によって判定を行う場合、被処理体５０３の状態やそれを取り巻く環境に一時的な変化が起こっても、その影響を受けることが無い。したがって、様々な異常を精度良く検知できる。この結果、この半導体処理装置５００は、被処理体５０３を精度良く或る目標の状態に保つことができる。したがって、この半導体処理装置５００は、被処理体５０３上にＰＥＣＶＤ膜を精度良く形成でき、高歩留を得ることができる。なお、異常が発生したときは、比較演算部５１５は第１の交流電源ユニット５０７と第２の交流電源ユニット５１７へ停止信号５１３を出力して、第１の交流電源ユニット５０７と第２の交流電源ユニット５１７を停止する。
【００５２】
異常検知のために、本実施形態においては、電力測定器５１６を第１のインピーダンス整合器５０８と第１の電極５０２との間に介挿し、第１の電極５０２に供給される交流電力を測定したが、それに限られるものではなく、交流電圧や電流を測定してもよい。
【００５３】
図５中に示した中央制御部５０９は、本実施形態では記憶部（メモリ）５１４と比較演算部５１５を備えた汎用コンピュータを用いたが、専用シーケンサ等でも良いことはいうまでもない。
【００５４】
また、この半導体処理装置５００の近辺に表示器を設けて、異常が検知されたとき、表示器を点灯させて、周囲の作業員に報知しても良いし、半導体処理装置５００が設置されている工場の中央制御室に表示機を設置して、監視員らに報知させても良い。また、本実施形態では周波数分布測定器５１１に市販のスペクトラムアナライザ（ＡＤＶＡＮＴＥＳＴ製、Ｕ３７５１）を用いたが、周波数分析が可能な機器であれば、スペクトラムアナライザに限定されるものではなく、周波数分布信号を得るために中央制御部５０９内部で高速フーリエ変換などを演算させてもなんら問題はない。
【００５５】
（第３実施形態）
図６は、本発明の第３実施形態の異常検知装置を備えた半導体処理装置６００の構成を示している。この例では、半導体処理装置６００は、被処理体６０３の表面に、グロー放電を用いてスパッタリング成膜を行う、スパッタ処理装置である。この半導体処理装置６００は、被処理体６０３を処理する環境としての真空容器６０１と、真空容器６０１内の底部に設けられた第１の電極６０２と、真空容器６０１内の上部に設けられた第２の電極６０６と、真空容器６０１の外部の上壁の上に設けられた磁場導入部６０８と、真空容器６０１内へガスを導入するガス導入制御部としてのガス導入部６０４と、真空容器６０１内からガスを排出するガス排気部６０５と、真空容器６０１の外部から内部の第２の電極６０６へ所定の直流の電力を供給する直流電源ユニット６０７とを備えている。第１の電極６０２は、真空容器６０１を貫通する配線によって真空容器６０１の外部で接地されている。ガス導入部６０４は、市販のマスフローコントローラ（堀場エステック社ＳＥＣ−Ｚ５００）からなっている。
【００５６】
この半導体処理装置では、ガス導入部６０４を構成するマスフローコントローラがガス流量の制御に用いるガス流量信号（ガス流量値に対応する電圧信号）６０９を、制御信号として把握し、異常検知のために用いる。
【００５７】
つまり、この半導体処理装置６００では、異常検知装置として、ガス導入部６０４と、ガス流量信号６０９の周波数分布を測定する周波数分布測定部としての周波数分布測定器６１３と、異常判定部としての中央制御部６１０とを備える。中央制御部６１０は、異常判定のための判定基準を記憶する記憶部６１１と、その判定基準を用いてこの半導体処理装置６００に異常が発生したか否かを判定する比較演算部６１２とを備えている。周波数分布測定器６１３、中央制御部６１０は、この例ではそれぞれ市販のＣ／Ｖコンバータモジュール、スペクトラムアナライザ（ＡＤＶＡＮＴＥＳＴ製、Ｕ３７５１）、汎用コンピュータからなる。
【００５８】
この半導体処理装置６００では、処理動作時に、ガス導入部６０４によって真空容器６０１内にアルゴン（Ａｒ）ガスを導入し、ガス排気部６０５によって真空容器６０１内を排気して、真空容器６０１内を所望のガス組成かつ圧力に設定する。また、第２の電極６０６に接続された直流電源６０７に直流電圧を供給するとともに、磁場導入部６０８によって磁界を印加して、真空容器６０１内部でグロー放電を起こす。これにより、第１の電極６０２上に載置された被処理体６０３上にスパッタ膜を形成する処理を行う。
【００５９】
具体的には、この半導体処理装置６００では、真空容器６０１はアルミニウム（Ａｌ）製である。本実施形態では、真空容器内６０１はアルマイト処理で表面保護したものを用いているが、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、石英（ＳｉＯ２）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）あるいは炭化珪素（ＳｉＣ）などのセラミック材料や、Ｓｉなどを真空容器内６０１の内部表面に形成したものを用いても良く、金属汚染や、グロー放電による消耗が少ない材料であることが望ましい。第１の電極６０２はアルミニウムで形成された母材料にＡｌ２Ｏ３セラミックを溶射処理したものを用いたが、これらは、導電性の高い金属と絶縁膜の組み合わせであればよく、銅の母材料にＡｌＮセラミック板を張り合わせたもの等を用いても良いことはいうまでもない。６０３はＳｉ製の被処理体であり、７０００ÅのＳｉＯ２膜が表面に形成されている。ガス導入部６０４は、少なくとも１つ以上の所望のガスなどを、それぞれ所望の流量で、真空容器６０１内に導入するための機能を有している。本実施形態において、既述のように、ガス導入部６０４として堀場エステック社ＳＥＣ−Ｚ５００マスフローコントローラを用いて、真空容器６０１内にアルゴン（Ａｒ）ガスを導入した。ガス導入部６０４は、ガス流量信号（ガス流量値に対応する電圧信号）６０９によってガスの流量が制御可能であればよく、マスフローコントローラ以外の浮き子式流量計式の型などを用いてもかまわない。ガス排気部６０５は、本実施形態ではクライオポンプを用いたが、この組み合わせに限定されるものではない。真空容器６０１内のガス圧力は、ガス排気部６０５のガス排気速度を一定とし、ガス導入部６０４のガス流量を変化させることで行った。第２の電極６０６は、スパッタリング材料である、アルミニウム−珪素−銅（Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ）合金を使用した。直流電源６０７は、第２の電極６０６の表面にグロー放電を形成し、スパッタリング処理を行うための電源である。本実施形態ではスパッタリング材料である第２の電極６０６が導電性であるため、直流電源ユニット６０７によって直流電圧を供給した。第２の電極６０６の材質が絶縁体である場合は、交流電源ユニットを使用する必要がある。磁場導入部６０８は、第２の電極６０６表面のグロー放電を磁場で閉じ込めることで、直流電源ユニット６０７の電力が最大効率となるようにした。本実施形態では磁場導入部６０８としてサマリウムーコバルト合金の永久磁石を設置したが、他の材質の永久磁石及び電磁磁石等を用いても構わない。
【００６０】
処理動作中、異常検知のために、周波数分布測定器６１３が、ガス流量信号６０９の周波数分布を測定して周波数分布信号６１４として出力する。比較演算部６１２は、この周波数分布信号６１４を受けて、記憶部６１１に予め記憶されている判定基準を用いて、この半導体処理装置６００に異常が発生したか否かを判定する。つまり、周波数分布信号６１４が表す周波数分布が変化して判定基準から外れたとき、この半導体処理装置６００に異常が発生したと判断する。このように周波数分布によって判定を行う場合、被処理体６０３の状態やそれを取り巻く環境に一時的な変化が起こっても、その影響を受けることが無い。したがって、様々な異常を精度良く検知できる。この結果、この半導体処理装置６００は、被処理体６０３を精度良く或る目標の状態に保つことができる。したがって、この半導体処理装置は、被処理体６０３上にスパッタ膜を精度良く形成でき、高歩留を得ることができる。なお、異常が発生したときは、比較演算部６１２は直流電源ユニット６０７へ停止信号６１５を出力して、直流電源ユニット６０７を停止する。
【００６１】
図６中に示した中央制御部６１０は、本実施形態では記憶部（メモリ）６１１と比較演算部６１２を備えた汎用コンピュータを用いたが、専用シーケンサ等でも良いことはいうまでもない。
【００６２】
また、この半導体処理装置の近辺に表示器を設けて、異常が検知されたとき、表示器を点灯させて、周囲の作業員に報知しても良いし、半導体処理装置が設置されている工場の中央制御室に表示機を設置して、監視員らに報知させても良い。また、本実施形態では周波数分布測定器６１３に市販のスペクトラムアナライザ（ＡＤＶＡＮＴＥＳＴ製、Ｕ３７５１）を用いたが、周波数分析が可能な機器であれば、スペクトラムアナライザに限定されるものではなく、周波数分布信号を得るために中央制御部６１０内部で高速フーリエ変換などを演算させてもなんら問題はない。
【００６３】
（第４実施形態）
図７は、本発明の第４実施形態の異常検知装置を備えた半導体処理装置７００の構成を示している。この半導体処理装置７００は、被処理体７０３の表面に、熱反応を用いて化学気層成長（熱ＣＶＤ）成膜を行う、熱ＣＶＤ成膜装置である。この例では、半導体処理装置７００は、被処理体７０３を処理する環境としての真空容器７０１と、真空容器７０１内の底部に設けられた電極７０２と、真空容器７０１内へガスを導入するガス導入制御部としてのガス導入部７０４と、真空容器７０１内からガスを排出するガス排気部７０５と、真空容器７０１内の圧力を制御するガス圧力制御部７０６とを備えている。電極７０２内には、電極７０２とともに被処理体７０３を加熱する加熱部７０７が設けられている。本実施形態では、ガス圧力制御部７０６は、ガス圧力信号（ガス圧力値に対応する電圧信号）７０８を用いて、ガス排気部７０５の排気口の面積を可変するバルブ機構（図示せず）を有する。
【００６４】
この半導体処理装置７００では、ガス圧力制御部７０６がガス圧力の制御に用いるガス圧力信号（ガス圧力値に対応する電圧信号）７０８を、制御信号として把握し、異常検知のために用いる。
【００６５】
つまり、この半導体処理装置７００では、異常検知装置として、ガス圧力制御部７０６と、ガス圧力信号７０８の周波数分布を測定する周波数分布測定部としての周波数分布測定器７１２と、異常判定部としての中央制御部７０９とを備える。中央制御部７０９は、異常判定のための判定基準を記憶する記憶部７１０と、その判定基準を用いてこの半導体処理装置７００に異常が発生したか否かを判定する比較演算部７１１とを備えている。周波数分布測定器７１２、中央制御部７０９は、この例ではそれぞれ市販のＣ／Ｖコンバータモジュール、スペクトラムアナライザ（ＡＤＶＡＮＴＥＳＴ製、Ｕ３７５１）、汎用コンピュータからなる。
【００６６】
この半導体処理装置７００では、処理動作時に、ガス導入部７０４、ガス排気部７０５及びガス圧力制御部７０６によって、真空容器７０１内を所望のガス組成かつ圧力に設定する。また、加熱部７０７によって、電極７０２とともに被処理体７０３を所望の温度に加熱する。これにより、電極７０２上に載置された被処理体７０３上に熱ＣＶＤ膜を形成する処理を行う。
【００６７】
具体的には、この半導体処理装置７００では、真空容器７０１は石英（ＳｉＯ２）製であるが、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）あるいは炭化珪素（ＳｉＣ）などのセラミック材料や、Ｓｉなどを真空容器内７０１の内部表面に形成したものを用いても良く、金属汚染が少ない材料であることが望ましい。電極７０２はアルミニウムで形成された母材料にＡｌＮセラミックを溶射処理したものを用いたが、これらは、熱伝導性の高い金属と絶縁膜の組み合わせであればよく、銅の母材料にＡｌ２Ｏ３セラミック板を張り合わせたもの等を用いても良いことはいうまでもない。Ｓｉ製の被処理体７０３は、７０００ÅのＳｉＯ２膜が表面に形成されている。ガス導入部７０４は、少なくとも１つ以上の所望のガスなどを、それぞれ所望の流量で、真空容器７０１内に導入するための機能を有している。本実施形態においてガス導入部７０４として堀場エステック社ＳＥＣ−Ｚ５００マスフローコントローラを用いて、真空容器７０１内にシラン（ＳｉＨ４）ガスを導入した。ガス導入部７０４はガスの流量が制御可能であればよく、マスフローコントローラ以外の浮き子式流量計式の型などを用いてもかまわない。ガス排気部７０５はであり、本実施形態ではルーツ型ドライポンプを用いたが、この組み合わせに限定されるものではない。ガス圧力制御部７０６は、ガス導入部７０４でガスが導入された真空容器内７０１内を、既述のように排気部７０５の排気面積を可変させることで、所望のガス圧力に制御している。加熱部７０７は、電極７０２を加熱し、被処理体７０３の表面温度を所望の温度とするためのものである。本実施形態では、加熱部７０７に電熱線式ヒータを用いたが、ランプ加熱式を用いて加熱しても構わない。
【００６８】
処理動作中、異常検知のために、周波数分布測定器７１２が、ガス圧力信号７０８の周波数分布を測定して周波数分布信号７１３として出力する。比較演算部７１１は、この周波数分布信号７１３を受けて、記憶部７１０に予め記憶されている判定基準を用いて、この半導体処理装置７００に異常が発生したか否かを判定する。つまり、周波数分布信号７１３が表す周波数分布が変化して判定基準から外れたとき、この半導体処理装置７００に異常が発生したと判断する。このように周波数分布によって判定を行う場合、被処理体７０３の状態やそれを取り巻く環境に一時的な変化が起こっても、その影響を受けることが無い。したがって、様々な異常を精度良く検知できる。この結果、この半導体処理装置７００は、被処理体７０３を精度良く或る目標の状態に保つことができる。したがって、この半導体処理装置７００は、被処理体７０３上に熱ＣＶＤ膜を精度良く形成でき、高歩留を得ることができる。なお、異常が発生したときは、比較演算部７１１はガス導入部７０４へ停止信号７１５を出力して、ガス導入部７０４を停止する。
【００６９】
図７中に示した中央制御部７０９は、本実施形態では記憶部（メモリ）７１０と比較演算部７１１を備えた汎用コンピュータを用いたが、専用シーケンサ等でも良いことはいうまでもない。
【００７０】
また、この半導体処理装置７００の近辺に表示器を設けて、異常が検知されたとき、表示器を点灯させて、周囲の作業員に報知しても良いし、半導体処理装置７００が設置されている工場の中央制御室に表示機を設置して、監視員らに報知させても良い。また、本実施形態では周波数分布測定器７１２に市販のスペクトラムアナライザ（ＡＤＶＡＮＴＥＳＴ製、Ｕ３７５１）を用いたが、周波数分析が可能な機器であれば、スペクトラムアナライザに限定されるものではなく、周波数分布信号を得るために中央制御部７０９内部で高速フーリエ変換などを演算させてもなんら問題はない。
【００７１】
（第５実施形態）
図８は、本発明の第５実施形態の異常検知装置を備えた半導体処理装置８００の構成を示している。この半導体処理装置８００は、図１に示した半導体処理装置１００の変形例であり、半導体処理装置１００と同様に被処理体１０３のエッチング加工を行う、エッチング処理装置である。なお、図１中の構成要素と同じ構成要素については同じ符号を付して、重複する説明を省略する。
【００７２】
図８に示す半導体処理装置８００では、図１中の周波数分布測定器１１１に代えて、中央制御部８０３の内部に周波数分布演算部８０４を備えている。この周波数分布演算部８０４は、インピーダンス整合器１０８からの整合状態信号１１０に対して離散フーリエ変換演算を施して、第１実施形態におけるのと同じ周波数分布信号１１２を出力する。比較演算部１１５は、この周波数分布信号１１２を受けて、記憶部１１４に予め記憶されている判定基準を用いて、この半導体処理装置１００に異常が発生したか否かを判定する。つまり、周波数分布信号１１２が表す周波数分布が変化して判定基準から外れたとき、この半導体処理装置１００に異常が発生したと判断する。
【００７３】
このように構成した場合、スペクトルアナライザのような特別な機器を追加することなく、異常が発生したことを検知できる。
【００７４】
なお、離散フーリエ変換手法として、周波数分布演算部８０４の演算速度を向上させるために、離散フーリエ変換演算の代りに、高速フーリエ変換演算アルゴリズムを用いた方がより望ましい。その際のアルゴリズムとしてクーリー・テューキー（Cooley-Tukey）型、プライム・ファクタ（Prime Factor）型、ブルン（Bruun）型、レイダー（Rader）型及びブルースタイン（Bluestein）型などの演算アルゴリズムを用いればよい。
【００７５】
以上では、本発明の異常検知装置を半導体処理装置に適用した例について説明した。しかしながら、本発明は、半導体処理装置に限られず、他の様々な処理装置に広く適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００７６】
【図１】第１実施形態の異常検知装置を備えた半導体処理装置の構成を示す図である。
【図２】図１中の整合器の回路構成を示す図である。
【図３】図１中の整合器からの整合状態信号を測定して得られたグラフを示す図である。
【図４】図１中の整合器からの整合状態信号の周波数分布を測定して得られたグラフを示す図である。
【図５】第２実施形態の異常検知装置を備えた半導体処理装置の構成を示す図である。
【図６】第３実施形態の異常検知装置を備えた半導体処理装置の構成を示す図である。
【図７】第４実施形態の異常検知装置を備えた半導体処理装置の構成を示す図である。
【図８】第５実施形態の異常検知装置を備えた半導体処理装置の構成を示す図である。
【符号の説明】
【００７７】
１０１、５０１、６０１、７０１  真空容器
１０３、５０３、６０３、７０３  被処理体
１０４、５０４、６０４、７０４  ガス導入部
１０５、５０５、６０５、７０５  ガス排気部
１０６、５０５、７０６  ガス圧力制御部、
１１１、５１１、６１３、７１２  周波数分布測定器、
８１１  周波数分布演算部
【図１】
2008197876.tif 000003
【図２】
2008197876.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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