(57)【要約】      （修正有）【課題】パッケージオンパッケージのボトム基板及びその製造方法を提供する。【解決手段】ソルダボールによりトップ基板と電気的に繋がるパッケージオンパッケージのボトム基板であって、コア基板１０と、ソルダボールの位置に応じてコア基板１０の表面に形成されるソルダボールパッド１２と、コア基板１０に積層される絶縁層２０と、ソルダボールパッド１２が露出されるように絶縁層２０の一部を除去して形成される貫通ホールと、貫通ホールに充填されてソルダボールと電気的に繋がる金属層２８と、を含むパッケージオンパッケージのボトム基板は、ソルダボールの大きさを増加させなくてもボトム基板に実装されるＩＣの数を増加させることができ、ボトム基板に積層される絶縁層２０の厚みを調節することで、ソルダボールの大きさ及びピッチをさらに小さくすることができ、これによりトップ基板とボトム基板間にさらに多くの信号伝達が可能である。【選択図】図１
2008016819.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ソルダボール（ｓｏｌｄｅｒ ｂａｌｌ）によりトップ（ｔｏｐ）基板と電気的に繋がるパッケージオンパッケージ（ｐａｃｋａｇｅ ｏｎ ｐａｃｋａｇｅ）のボトム（ｂｏｔｔｏｍ）基板であって、
コア基板と、
前記ソルダボールの位置に応じて前記コア基板の表面に形成されるソルダボールパッドと、
前記コア基板に積層される絶縁層と、
前記ソルダボールパッドが露出されるように前記絶縁層の一部を除去して形成される貫通ホールと、
前記貫通ホールに充填されて前記ソルダボールと電気的に繋がる金属層と、
を含むパッケージオンパッケージのボトム基板。
【請求項２】
前記絶縁層は、前記コア基板にフォトレジスト（ｐｈｏｔｏ  ｒｅｓｉｓｔ）を積層し、熱を加えて硬化させることで形成されることを特徴とする請求項１に記載のパッケージオンパッケージのボトム基板。
【請求項３】
前記ボトム基板には電子素子が実装され、
前記コア基板に形成されて、前記電子素子と電気的に繋がるボンディングパッドと、
前記ボンディングパッドが露出されるように前記絶縁層の一部を除去して形成されるキャビティ（ｃａｖｉｔｙ）と、
をさらに含む請求項１に記載のパッケージオンパッケージのボトム基板。
【請求項４】
コア基板と、
前記コア基板の表面に形成されるソルダボールパッド及びボンディングパッドと、
前記コア基板に積層される絶縁層と、
前記ソルダボールパッドが露出されるように前記絶縁層の一部を除去して形成される貫通ホールと、
前記貫通ホールに充填される金属層と、
前記金属層に電気的に繋がるソルダボールと、
前記ボンディングパッドが露出されるように前記絶縁層の一部を除去して形成されるキャビティと、
前記キャビティに実装されて、前記ボンディングパッドと電気的に繋がる電子素子と、
前記電子素子をカバーするように前記コア基板に結合されて、前記ソルダボールと電気的に繋がるトップ基板と、
を含むパッケージオンパッケージ。
【請求項５】
前記絶縁層は、前記コア基板にフォトレジストを積層し、熱を加えて硬化させることで形成されることを特徴とする請求項４に記載のパッケージオンパッケージ。
【請求項６】
ソルダボールによりトップ基板と電気的に繋がるパッケージオンパッケージのボトム基板を製造する方法であって、
（ａ）前記ソルダボールの位置に応じてコア基板の表面にソルダボールパッドを形成する段階と、
（ｂ）前記コア基板に絶縁層を積層する段階と、
（ｃ）前記ソルダボールパッドが露出されるように前記絶縁層の一部を除去して貫通ホールを形成する段階と、及び
（ｄ）前記貫通ホールに金属層を充填する段階と、
を含むパッケージオンパッケージのボトム基板の製造方法。
【請求項７】
前記段階（ａ）は、前記コア基板の表面にソルダレジストを塗布する段階をさらに含むことを特徴とする請求項６に記載のパッケージオンパッケージのボトム基板の製造方法。
【請求項８】
前記ボトム基板には、電子素子が実装されて、
前記段階（ａ）は、
（ａ１）前記コア基板の表面に前記電子素子と電気的に繋がるボンディングパッドを形成する段階を含み、前記段階（ｃ）は、
（ｃ１）前記ボンディングパッドが露出されるように前記絶縁層の一部を除去してキャビティを形成する段階を含むことを特徴とする請求項６に記載のパッケージオンパッケージのボトム基板の製造方法。
【請求項９】
前記絶縁層はフォトレジストを含み、前記段階（ｃ）は前記絶縁層を選択的に露光及び現像する段階を含むことを特徴とする請求項８に記載のパッケージオンパッケージのボトム基板の製造方法。
【請求項１０】
前記段階（ｃ）と前記段階（ｄ）の間に、
（ｈ）前記絶縁層に熱を加えて硬化させる段階をさらに含む請求項９に記載のパッケージオンパッケージのボトム基板の製造方法。
【請求項１１】
前記段階（ｈ）と前記段階（ｄ）の間に、前記キャビティにフォトレジストを塗布する段階をさらに含む請求項１０に記載のパッケージオンパッケージのボトム基板の製造方法。
【請求項１２】
前記段階（ｄ）は、前記ソルダボールパッドに電源を印加してメッキ層を形成することで行われることを特徴とする請求項１１に記載のパッケージオンパッケージのボトム基板の製造方法。
【請求項１３】
前記段階（ｄ）の以後に、前記キャビティに塗布されたフォトレジストを除去する段階をさらに含む請求項１２に記載のパッケージオンパッケージのボトム基板の製造方法。
【請求項１４】
（ａ）コア基板の表面にソルダボールパッドとボンディングパッドとを形成する段階と、
（ｂ）前記コア基板に絶縁層を積層する段階と、
（ｃ）前記ソルダボールパッドが露出されるように前記絶縁層の一部を除去して貫通ホールを形成し、前記ボンディングパッドが露出されるように前記絶縁層の一部を除去してキャビティを形成する段階と、
（ｄ）前記貫通ホールに金属層を充填する段階と、
（ｅ）前記ボンディングパッドと電気的に繋がるように前記キャビティに電子素子を実装する段階と、
（ｆ）前記金属層にソルダボールを結合する段階と、及び
（ｇ）前記電子素子をカバーして前記ソルダボールと電気的に繋がるように前記コア基板にトップ基板を結合する段階と、
を含むパッケージオンパッケージの製造方法。
【請求項１５】
前記段階（ａ）は、前記コア基板の表面にソルダレジストを塗布する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１４に記載のパッケージオンパッケージの製造方法。
【請求項１６】
前記絶縁層はフォトレジストを含み、前記段階（ｃ）は前記絶縁層を選択的に露光及び現像する段階を含むことを特徴とする請求項１４に記載のパッケージオンパッケージの製造方法。
【請求項１７】
前記段階（ｃ）と前記段階（ｄ）の間に、
（ｈ）前記絶縁層に熱を加えて硬化させる段階をさらに含む請求項１６に記載のパッケージオンパッケージの製造方法。
【請求項１８】
前記段階（ｈ）と前記段階（ｄ）の間に、前記キャビティにフォトレジストを塗布する段階をさらに含む請求項１７に記載のパッケージオンパッケージの製造方法。
【請求項１９】
前記段階（ｄ）は、前記ソルダボールパッドに電源を印加してメッキ層を形成することで行われることを特徴とする請求項１８に記載のパッケージオンパッケージの製造方法。
【請求項２０】
前記段階（ｄ）と前記段階（ｅ）の間に、前記キャビティに塗布されたフォトレジストを除去する段階をさらに含む請求項１９に記載のパッケージオンパッケージの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パッケージオンパッケージのボトム基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子産業の発達により電子部品の高機能化、小型化の要求が急増している。このような高性能、高密度への要求に応えるために印刷回路基板にＩＣなどの電子素子を実装して製造される、いわゆる‘パッケージ（ｐａｃｋａｇｅ）基板’を実現するための方案とそれに対する需要が増加しており、パッケージ基板を具現するさまざまな方法のうち、パッケージ基板の上にまたパッケージ基板を積層する、いわゆる‘パッケージオンパッケージ（ｐａｃｋａｇｅ ｏｎ ｐａｃｋａｇｅ、以下ＰＯＰと言う）’が良い代案として浮び上がっている。
【０００３】
また、ＰＯＰにおいても高性能、高密度の要求に応えて基板に一つの電子素子が実装される趨勢から一つの基板に多数の電子素子が重ねて実装される、いわゆる‘スタック（Ｓｔａｃｋ）パッケージ’が登場した。
【０００４】
すなわち、ＰＯＰを具現する過程においては、パッケージ全体の厚みが核心であるが、ＰＯＰをさらに高性能に製作するために、基板に一つのＩＣを実装する状況から２個以上のＩＣの実装への要求が発生して、基板に２個以上のＩＣを実装する場合、パッケージの全体の厚みが増加してＰＯＰを具現することにおいて限界に到逹することになった。
【０００５】
従来のＰＯＰの構造によれば、下側に位置したボトム（ｂｏｔｔｏｍ）基板の表面にＩＣが実装されている。ボトム基板は、一般的な印刷回路基板の製造工法により製造される。上述したように、高密度のために２個以上のＩＣを実装するマルチスタック（ｍｕｌｔｉ-Ｓｔａｃｋ）が要求されるが、従来の製造方法によっては、ＰＯＰの全体の高さを維持しながらボトム基板に実装されるＩＣの数を増やすことは難しい実情である。
【０００６】
これに対して、ＩＣチップの必要である部分を除いた部分を切削して厚みを減らす、いわゆる‘Ｄｉｅ Ｔｈｉｎｎｉｎｇ’工法を適用して上述の問題を解決するために努力しているが、この工法が適用されたＩＣチップを長期間作動する際に発生する機能誤り（Ｆｕｎｃｔｉｏｎ-ｅｒｒｏｒ）が問題になり、かえって基板の厚みを減してＰＯＰの実装能力を向上させマルチスタックを具現するために試みている。
【０００７】
一方、従来のＰＯＰにおいてボトム基板に２個以上のＩＣを積層するためにＩＣをより薄く製造する場合には、取扱（ｈａｎｄｌｉｎｇ）上の問題、または反り（ｗａｒｐａｇｅ）問題などが惹起される。
【０００８】
また、ＩＣを薄くしないで、上部パッケージと下部パッケージとを電気的に連結するソルダボール（ｓｏｌｄｅｒ ｂａｌｌ）の大きさを大きくすることにより、パッケージ間のギャップ（Ｇａｐ）を増加させることができる。しかし、積層されるＩＣの数の増加に応じてソルダボールを大きくすることは、ソルダボールパッドの数及び間隔などにおいて設計上の制約が発生する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、ＰＯＰ具現において全体パッケージの厚みの増加なしでボトム基板に２個以上の電子素子を実装することができるようにパッケージ間の間隔を確保することができるＰＯＰのボトム基板及びその製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一実施形態によれば、ソルダボール（ｓｏｌｄｅｒ ｂａｌｌ）によりトップ（ｔｏｐ）基板と電気的に繋がるパッケージオンパッケージ（ｐａｃｋａｇｅ ｏｎ ｐａｃｋａｇｅ）のボトム（ｂｏｔｔｏｍ）基板であって、コア基板と、ソルダボールの位置に応じてコア基板の表面に形成されるソルダボールパッドと、コア基板に積層される絶縁層と、ソルダボールパッドが露出されるように絶縁層の一部を除去して形成される貫通ホールと、貫通ホールに充填されてソルダボールと電気的に繋がる金属層と、を含むパッケージオンパッケージのボトム基板が提供される。
【００１１】
パッケージオンパッケージのボトム基板には電子素子が実装されるが、本発明の一実施形態によるボトム基板は、コア基板に形成されて電子素子と電気的に繋がるボンディングパッドと、ボンディングパッドが露出されるように絶縁層の一部を除去して形成されるキャビティ（ｃａｖｉｔｙ）をさらに含むことができる。
【００１２】
このような本発明の一実施形態によればボトム基板を用いてパッケージオンパッケージを製造することができる。すなわち、本発明の別の実施形態によれば、コア基板と、コア基板の表面に形成されるソルダボールパッド及びボンディングパッドと、コア基板に積層される絶縁層と、ソルダボールパッドが露出されるように絶縁層の一部を除去して形成される貫通ホールと、貫通ホールに充填される金属層と、金属層と電気的に繋がるソルダボールと、ボンディングパッドが露出されるように絶縁層の一部を除去して形成されるキャビティと、キャビティに実装されてボンディングパッドと電気的に繋がる電子素子と、電子素子をカバーするようにコア基板と結合されて、ソルダボールと電気的に繋がるトップ基板と、を含むパッケージオンパッケージが提供される。
【００１３】
絶縁層は、露光、現像の可能な感光性物質を含むフォトレジスト（ｐｈｏｔｏ  ｒｅｓｉｓｔ）をコア基板に積層し、熱を加えて硬化させることで形成されることが好ましい。
【００１４】
このような一般的であり具体的な実施形態が、システム、方法、 コンピュータプログラム、またはこれらの組合を用いて実施されることができる。
【００１５】
すなわち、本発明の別の実施形態によれば、ソルダボールによりトップ基板と電気的に繋がるパッケージオンパッケージのボトム基板を製造する方法であって、（ａ）ソルダボールの位置に応じてコア基板の表面にソルダボールパッドを形成する段階と、（ｂ）コア基板に絶縁層を積層する段階と、（ｃ）ソルダボールパッドが露出されるように絶縁層の一部を除去して貫通ホールを形成する段階と、及び（ｄ）貫通ホールに金属層を充填する段階と、を含むパッケージオンパッケージのボトム基板の製造方法が提供される。
【００１６】
ボトム基板には電子素子が実装されるが、段階（ａ）は、（ａ１）コア基板の表面に電子素子と電気的に繋がるボンディングパッドを形成する段階を含み、段階（ｃ）は、（ｃ１）ボンディングパッドが露出されるように絶縁層の一部を除去してキャビティを形成する段階を含むことができる。
【００１７】
このような本発明の別の実施形態によるボトム基板の製造方法は、パッケージオンパッケージを製造方法に適用することができる。すなわち、本発明の別の実施形態によれば、（ａ）コア基板の表面にソルダボールパッドとボンディングパッドを形成する段階と、（ｂ）コア基板に絶縁層を積層する段階と、（ｃ）ソルダボールパッドが露出されるように絶縁層の一部を除去して貫通ホールを形成し、ボンディングパッドが露出されるように絶縁層の一部を除去してキャビティを形成する段階と、（ｄ）貫通ホールに金属層を充填する段階と、（ｅ）ボンディングパッドと電気的に繋がるようにキャビティに電子素子を実装する段階と、（ｆ）金属層にソルダボールを結合する段階と、及び（ｇ）電子素子をカバーしながらソルダボールと電気的に繋がるようにコア基板にトップ基板を結合する段階と、を含むパッケージオンパッケージの製造方法が提供される。
【００１８】
段階（ａ）は、コア基板の表面にソルダレジストを塗布する段階をさらに含むことができる。
【００１９】
絶縁層はフォトレジストを含み、段階（ｃ）は絶縁層を選択的に露光及び現像する段階を含むことができる。段階（ｃ）と段階（ｄ）の間に、（ｈ）絶縁層に熱を加えて硬化させる段階をさらに含むことができ、段階（ｈ）と段階（ｄ）の間に、キャビティにフォトレジストを塗布する段階をさらに含むことができる。
【００２０】
段階（ｄ）は、ソルダボールパッドに電源を印加してメッキ層を形成することで行われることができ、段階（ｄ）の以後に、キャビティに塗布されたフォトレジストを除去する段階をさらに含むことができる。
【００２１】
上述した以外の別の実施形態、特徴、利点が以下の図面、特許請求の範囲及び発明の詳細な説明より明確になるだろう。
【発明の効果】
【００２２】
本発明の好ましい実施例によれば、ソルダボールの大きさを増加させなくとも、ボトム基板に実装されるＩＣの数を増加させることができ、ボトム基板に積層される絶縁層の厚みを調節することで、ソルダボールの大きさ及びピッチをより小さくすることができて、これによりトップ基板とボトム基板間にさらに多くの信号伝達が可能になる。
【００２３】
また、ボトム基板に積層される絶縁材であるフォトレジストの厚みを調節することで、パッケージ間の間隔を容易く調節することができ、これによりボトム基板により多い数の電子素子を積層して実装することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明によるパッケージオンパッケージのボトム基板及びその製造方法の好ましい実施例を添付図面を参照して詳しく説明するが、添付図面を参照して説明することにおいて、同一であるかまたは対応する構成要素は同一な図面番号を付与し、これに対する重複される説明は略する。
【００２５】
図１は、本発明の好ましい一実施例によるパッケージオンパッケージのボトム基板を示す断面図である。図１を参照すると、コア基板１０、ソルダボールパッド１２、ボンディングパッド１４、絶縁層２０、キャビティ２４、金属層２８が示されている。
【００２６】
本実施例は、既存の印刷回路基板の製造方法で一層または多層の回路パターン層の形成されたボトム基板のコア基板１０を製作した後、フォトレジスト（ｐｈｏｔｏ  ｒｅｓｉｓｔ）を硬化させて形成された絶縁層２０とソルダボールパッド１２部分とをメッキして形成された金属層２８を、パッケージの間に介在させてパッケージ間の間隔（Ｇａｐ）を確保することにより、ボトム基板により多い数の電子素子を実装できるようにしたことを特徴とする。
【００２７】
本実施例によるＰＯＰのボトム基板は、ソルダボールでトップ基板と電気的に繋がるＰＯＰに使用される基板であって、以下では下部パッケージに使用される基板を‘ボトム基板’と言い、上部パッケージに使用される基板を‘トップ基板’と言って説明するが、‘ボトム基板’及び‘トップ基板’の名称が必ず上部または下部の位置に限定されることではないし、本実施例と同一な構造で製作される範囲内で上部にボトム基板が位置して下部にトップ基板が位置することができるなど、‘ボトム基板’及び‘トップ基板’の名称が位置に限定されることではない。
【００２８】
本実施例によるボトム基板は、トップ基板との間隔をより大きく確保するために、コア基板１０に絶縁層２０を積層して形成される。絶縁層２０は、ボトム基板に実装される電子素子の高さをカバーできる程度の厚みで積層される。上述したように、ボトム基板に実装される電子素子の高さをソルダボールの大きさだけでカバーすると、実装される電子素子の数が増加することによりソルダボールの大きさもともに増加されて設計上の制約が大きくなる。
【００２９】
本実施例によれば、パッケージ間の電気的連結のためのソルダボールが絶縁層２０に結合されるので、ソルダボールの位置に応じてコア基板１０の表面に形成されたソルダボールパッド１２は、積層された絶縁層２０の該当部分を除去して貫通ホールを形成することにより露出される。貫通ホールには、後述のように、メッキを介して金属層２８が充填されることでソルダボールとの電気的連結が具現される。
【００３０】
一方、ボトム基板には、電子素子を実装するために電子素子と電気的に繋がるボンディングパッド１４が形成される。上述のソルダボールパッド１２及びボンディングパッド１４は、別途の工程によりそれぞれ形成されることができ、コア基板１０に回路パターンを形成する過程中での回路パターンの一部として形成されることもできる。
【００３１】
電子素子を実装するためには、コア基板１０に積層された絶縁層２０での電子素子が実装される部分、すなわち、ボンディングパッド１４の形成された部分が露出されるように絶縁層２０の該当部分を除去してキャビティ（ｃａｖｉｔｙ）２４を形成する。ボトム基板上に電子素子を実装し、ソルダボールを用いてトップ基板と電気的に連結することに比して、絶縁層２０にキャビティ２４を形成して電子素子を実装すれば、絶縁層２０の厚み程度、すなわち、キャビティ２４の深み程度の空間がさらに確保されるので、より多い数の電子素子を実装することができる。これでソルダボールの大きさを増加させなくとも絶縁層２０の厚みを調節することでボトム基板とトップ基板との間隔を充分に確保することができる。
【００３２】
絶縁層２０は、コア基板１０に積層された後、ソルダボールパッド１２及びボンディングパッド１４部分を選択的に除去できなくてはならないので、露光、現像、エッチング工程が適用されることができる感光性物質を含むことが良い。一方、必要な部分が選択的に除去された後の絶縁層２０は、以後のエッチング工程で除去されないようにその性質が変わることのできる材質を含むことが良い。例えば、絶縁層２０の材料として、フォトレジスト（ｐｈｏｔｏ  ｒｅｓｉｓｔ）をコア基板１０に積層した場合、露光、現像及びエッチングを介して貫通ホール及びキャビティ２４を形成した後、赤外線または熱を加えて絶縁層２０が硬化されるようにして以後のエッチング工程により絶縁層２０が除去されないようにすることができる。
【００３３】
露光、現像が可能であり、硬化される絶縁材として使用されることができる材料は、一般的に使用される絶縁材である‘ＦＲ-４’、‘ＢＴ ｒｅｓｉｎ’などのような材料が用いられるし、以外にも下記の（化１）のような２重結合構造を有する材料が使用されることができる。 
【化１】
2008016819.tif 000003
【００３４】
図２は、本発明の好ましい一実施例によるパッケージオンパッケージのボトム基板の製造方法を示す順序図であり、図３は、本発明の好ましい一実施例によるパッケージオンパッケージのボトム基板の製造工程を示す流れ図である。図３を参照すると、コア基板１０、ソルダボールパッド１２、ボンディングパッド１４、絶縁層２０、貫通ホール２２、キャビティ２４、フォトレジスト２６、金属層２８が示されている。
【００３５】
本実施例によりソルダボールでトップ基板と電気的に繋がるＰＯＰのボトム基板を製造するためには、段階１００で、図３の（ａ）のようにコア基板１０の表面にソルダボールパッド１２及びボンディングパッド１４を形成する。ソルダボールパッド１２とボンディングパッド１４は、上述したように、コア基板１０の表面に回路パターンを形成する過程での回路パターンの一部として形成されることができる。
【００３６】
ソルダボールパッド１２は、トップ基板との電気的連結のためのソルダボールが結合される部分であり、ボンディングパッド１４は、ボトム基板に実装される電子素子と電気的に繋がる部分である。ソルダボールパッド１２及びボンディングパッド１４を含む回路パターンが形成された後コア基板１０の表面にソルダレジスト（ｓｏｌｄｅｒ ｒｅｓｉｓｔ）を塗布し、基板の表面処理工程を行う。
【００３７】
段階１０２で、図３の（ｂ）のようにコア基板１０に絶縁層２０を積層する。絶縁層２０の材料としては、上述したようにフォトレジストなど露光、現像を介する選択的エッチングが可能であり、硬化されてその性質が変わる材料であれば使用されることができる。
【００３８】
絶縁層２０の積層は、フィルム形象の絶縁材を積層したり、液状の絶縁材を塗布するなどの方法で行われることができる。絶縁層２０は、ＰＯＰでのパッケージとパッケージ、すなわち、ボトム基板とトップ基板間の間隔を維持する役目及びパッケージ間の電気的信号を連結する金属層２８が安定的に形成されるように保護する役目をする。
【００３９】
段階１０４で、図３の（ｃ）のように、ソルダボールパッド１２及びボンディングパッド１４が露出されるように、アートワークフィルム（Ａｒｔ ｗｏｒｋ ｆｉｌｍ）などを用いて、絶縁層２０を選択的に露光、現像、エッチングしてその一部を除去する。これで、ソルダボールパッド１２の形成された部分には貫通ホール２２が、ボンディングパッド１４の形成された部分にはキャビティ２４が形成される。
【００４０】
段階１０６で、絶縁層２０の一部を除去して貫通ホール２２及びキャビティ２４を形成した後には、絶縁層２０に赤外線または熱を加えて絶縁層２０が硬化されるようにする。これは、以後のエッチング工程で絶縁層２０が除去されないようにするためである。
【００４１】
段階１０８で、図３の（ｄ）のように、ボンディングパッド１４が露出されているキャビティ２４の空間にフォトレジスト２６を塗布する。ボンディングパッド１４をフォトレジスト２６に被覆することで、以後メッキ工程でボンディングパッド１４部分に不要なメッキ層が電着されないようレジスト（ｒｅｓｉｓｔ）の役目をすることができる。
【００４２】
段階１１０で、図３の（ｄ）のようにソルダボールパッド１２などのコア基板１０の回路パターンに電源を印加して電気メッキを実施することによりソルダボールパッド１２部分にメッキ層が電着される。これで、絶縁層２０を選択的に除去して形成された貫通ホール２２の内部にメッキ層である金属層２８が充填される。メッキにより電着される金属としては、錫、銅などを使用することができる。このように貫通ホール２２の内部に充填された金属層２８は、コア基板１０のソルダボールパッド１２とソルダボール間の電気的導通を可能にする通路の役目をする。
【００４３】
段階１１２で、図３の（ｆ）のように、ボンディングパッド１４を被覆するために、キャビティ２４部分に塗布されているフォトレジスト２６を剥離して除去することで本実施例によるＰＯＰ用ボトム基板の製造が完了される。これで、キャビティ２４の空間に電子素子が実装されるようにボンディングパッド１４が露出される。
【００４４】
上述したように、熱または赤外線などを用いて絶縁層２０を硬化させたので、キャビティ２４の空間に塗布されていたフォトレジスト２６を除去する過程で硬化された絶縁層２０は剥離されないで残っている。
【００４５】
図４は、本発明の好ましい一実施例によるパッケージオンパッケージの製造方法を示す順序図である。
【００４６】
上述のＰＯＰ用ボトム基板の製造方法は、ＰＯＰ製造工程に適用されることができる。すなわち、上述の実施例に応じてボトム基板を製造した後、電子素子を実装しソルダボールを介在してトップ基板を結合することでマルチスタックＰＯＰを製造することができる。
【００４７】
先ず、段階２００で、コア基板１０の表面にソルダボールパッド１２及びボンディングパッド１４を形成する。ソルダボールパッド１２とボンディングパッド１４は、コア基板１０の表面に回路パターンを形成する過程より回路パターンの一部として形成されることができることは上述のとおりである。ソルダボールパッド１２とボンディングパッド１４を含む回路パターンが形成された後コア基板１０の表面にソルダレジストを塗布し、基板の表面処理工程を行う。
【００４８】
次に、段階２０２で、コア基板１０に絶縁層２０を積層する。絶縁層２０の材料としては、フォトレジストなどの露光、現像を介する選択的エッチングが可能であり、硬化されてその性質が変わる材料であれば使用されることができることは上述のとおりである。絶縁層２０は、ＰＯＰでのパッケージとパッケージ、すなわち、ボトム基板とトップ基板の間の間隔を維持する役目及びパッケージ間の電気的信号を連結する金属層２８が安定的に形成されるように保護する役目をする。
【００４９】
段階２０４で、ソルダボールパッド１２及びボンディングパッド１４が露出されるように、絶縁層２０を選択的に露光、現像、エッチングしてその一部を除去する。これで、ソルダボールパッド１２の形成された部分には貫通ホール２２が、ボンディングパッド１４の形成された部分にはキャビティ２４が形成される。
【００５０】
絶縁層２０の一部を除去して貫通ホール２２及びキャビティ２４を形成した後には、段階２０６で、絶縁層２０に赤外線または熱を加えて絶縁層２０が硬化されるようにする。これは、以後のエッチング工程で絶縁層２０が除去されないようにするためである。
【００５１】
段階２０８で、ボンディングパッド１４が露出されているキャビティ２４の空間にフォトレジスト２６を塗布する。ボンディングパッド１４をフォトレジスト２６で被覆することで、以後メッキ工程でボンディングパッド１４部分に不要なメッキ層が電着されないようにレジストの役目をすることができる。
【００５２】
段階２１０で、ソルダボールパッド１２などのコア基板１０の回路パターンに電源を印加し、電気メッキを実施してソルダボールパッド１２部分にメッキ層が電着されるようにする。これで、絶縁層２０を選択的に除去して形成された貫通ホール２２の内部にメッキ層である金属層２８が充填される。貫通ホール２２の内部に充填された金属層２８は、コア基板１０のソルダボールパッド１２とソルダボールとの電気的導通を可能にする通路の役目をする。
【００５３】
段階２１２で、ボンディングパッド１４を被覆するためにキャビティ２４部分に塗布されているフォトレジスト２６を剥離して除去することでボトム基板を製造する。これでキャビティ２４の空間に電子素子が実装されることができるようにボンディングパッド１４が露出される。絶縁層２０は、熱または赤外線を加えて硬化させたので、キャビティ２４の空間に塗布されていたフォトレジスト２６を除去する過程で硬化された絶縁層２０は剥離されないで残る。
【００５４】
段階２１４で、電子素子がボンディングパッド１４と電気的に繋がるようにキャビティ２４に電子素子を実装し、段階２１６で、貫通ホール２２に充填された金属層２８にソルダボールを結合した後、段階２１８で、ソルダボールと電気的に繋がるようにトップ基板を積層する。トップ基板にも電子素子が実装されることができるし、こうして、ボトム基板に電子素子が実装されたパッケージに、トップ基板に電子素子が実装されたパッケージが積層されてＰＯＰの製造が完了される。
【００５５】
図５は、本発明の好ましい一実施例によるパッケージオンパッケージを示す断面図である。図５を参照すると、コア基板１０、ソルダボールパッド１２、ボンディングパッド１４、絶縁層２０、金属層２８、ソルダボール３０、電子素子３２、ボトム基板４０、トップ基板５０が示されている。
【００５６】
上述のＰＯＰ製造方法により製造されたＰＯＰは、ボトム基板４０に絶縁層２０が積層されて貫通ホール２２及びキャビティ２４が形成されることで、ソルダボール３０の大きさを増加させなくともパッケージ間の間隔を充分に確保してマルチスタックを具現することができる構造で形成される。
【００５７】
すなわち、本実施例によるＰＯＰは、図１で説明したボトム基板４０のキャビティ２４に電子素子３２を実装してボンディングパッド１４と電気的に繋がるようにし、貫通ホール２２に充填された金属層２８にソルダボール３０を結合した後、電子素子３２が実装されたトップ基板５０を積層してソルダボール３０と電気的に連結させた構造で形成される。
【００５８】
ボトム基板４０は、上述したように、コア基板１０の表面にソルダボールパッド１２及びボンディングパッド１４を含む回路パターンを形成し、絶縁層２０を積層した後、ソルダボールパッド１２とボンディングパッド１４が露出されるように絶縁層２０の一部を除去して貫通ホール２２及びキャビティ２４を形成し、貫通ホール２２にメッキ層を充填してソルダボール３０とソルダボールパッド１２との間の電気的通路を具現した構造で形成される。
【００５９】
ＰＯＰのパッケージ間、すなわち、ボトム基板４０とトップ基板５０との間の間隔を確保するための絶縁層２０は、貫通ホール２２とキャビティ２４を形成するために選択的な除去が可能であり、キャビティ２４に塗布されたフォトレジスト２６を除去する過程で除去されない材質を使用することが良い。
【００６０】
例えば、本実施例による絶縁層２０として、フォトレジストをコア基板１０に積層した場合には、露光、現像及びエッチングを介して貫通ホール２２及びキャビティ２４を形成した後、熱または赤外線などを加えて硬化させることで、以後のエッチング工程で除去されないようにすることができる。
【００６１】
上述した実施例の以外の多くの実施例が本発明の特許請求の範囲内に存在する。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】本発明の好ましい一実施例によるパッケージオンパッケージのボトム基板を示す断面図である。
【図２】本発明の好ましい一実施例によるパッケージオンパッケージのボトム基板の製造方法を示す順序図である。
【図３】本発明の好ましい一実施例によるパッケージオンパッケージのボトム基板の製造工程を示す流れ図である。
【図４】本発明の好ましい一実施例によるパッケージオンパッケージの製造方法を示す順序図である。
【図５】本発明の好ましい一実施例によるパッケージオンパッケージを示す断面図である。
【符号の説明】
【００６３】
１０  コア基板
１２  ソルダボールパッド
１４  ボンディングパッド
２０  絶縁層
２２  貫通ホール
２４  キャビティ
２６  フォトレジスト
２８  金属層
３０  ソルダボール
３２  電子素子
４０  ボトム基板
５０  トップ基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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