(57)【要約】      （修正有）【課題】外形が小さく、かつ、信頼性の高い半導体装置及びその製造方法、並びに、配線基板を提供する。【解決手段】半導体装置の製造方法は、所定の領域（第１の領域）を区画するように形成された溝１２を有する配線基板１０を用意する工程と、第１の領域に半導体チップ２０を搭載する工程と、第１の領域に樹脂材料３０を設ける工程と、樹脂材料３０を硬化させて樹脂部を形成する工程と、を含む。溝１２の底面は、第１の領域の表面よりも平坦である。樹脂材料３０を設ける工程では、樹脂材料３０を、第１の領域の中央側から溝１２に向かって流動させて、一部を溝１２に流れ込ませる。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の領域と、前記第１の領域を囲む第２の領域と、前記第１の領域と前記第２の領域の間にあって、前記第１の領域を区画するように形成された溝と、を有する配線基板を用意する工程と、
前記第１の領域に半導体チップを搭載する工程と、
前記第１の領域に樹脂材料を設ける工程と、
前記樹脂材料を硬化させて樹脂部を形成する工程と、
を含み、
前記溝の底面は、前記第１の領域の表面よりも平坦であり、
前記樹脂材料を設ける工程では、前記樹脂材料を、前記第１の領域の中央側から前記溝に向かって流動させて、一部を前記溝に流れ込ませる半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記溝の前記底面は、金属で構成されている半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２記載の半導体装置の製造方法において、
前記基板の表面における前記第２の領域は、前記溝の前記底面よりも、前記樹脂材料に対する濡れ性が悪い部分を有する半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記配線基板の前記第１の領域には電気的接続部が形成されており、
前記半導体チップを搭載する工程の後に、前記半導体チップの電極と前記電気的接続部とを電気的に接続するワイヤを設ける工程をさらに含み、
前記樹脂部を、前記半導体チップ、前記電気的接続部、及び、前記ワイヤを封止するように形成する半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記配線基板の前記第１の領域には凹部が形成されており、
前記半導体チップを、前記凹部内に搭載する半導体装置の製造方法。
【請求項６】
樹脂部を形成するための第１の領域と、前記第１の領域を囲む第２の領域と、前記第１の領域と前記第２の領域の間にあって、前記第１の領域を区画する溝を有し、
前記溝の底面は、前記樹脂部を形成するための領域の表面よりも平坦である配線基板。
【請求項７】
請求項６記載の配線基板において、
前記溝の前記底面は、金属で構成されている配線基板。
【請求項８】
請求項６又は請求項７記載の配線基板において、
前記第２の領域は、前記溝の前記底面よりも、樹脂材料に対する濡れ性が悪い部分を有する配線基板。
【請求項９】
第１の領域と、前記第１の領域を囲む第２の領域と、前記第１の領域と前記第２の領域の間にあって、前記第１の領域を区画するように形成された溝を有する配線基板と、
前記所定の領域に搭載された半導体チップと、
前記所定の領域に形成された樹脂部と、
を含み、
前記溝の底面は、前記所定の領域の表面よりも平坦であり、
前記樹脂部は、前記第１の領域の前記表面及び前記溝の前記底面を覆うように形成されている半導体装置。
【請求項１０】
請求項９記載の半導体装置において、
前記溝の前記底面は、金属で構成されている半導体装置。
【請求項１１】
請求項９又は請求項１０記載の半導体装置において、
前記配線基板の前記第１の領域には凹部が形成されており、
前記半導体チップは前記凹部内に搭載されている半導体装置。
【請求項１２】
請求項９から請求項１１のいずれかに記載の半導体装置において、
前記配線基板の表面における前記第２の領域は、前記溝の前記底面よりも、前記樹脂材料に対する濡れ性が悪い部分を有する半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及びその製造方法、並びに、配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
配線基板に半導体チップを搭載して、封止樹脂によって当該半導体チップを封止する半導体装置の製造方法が知られている。封止樹脂の外形を小さくすることができれば、半導体装置の外形を小さくすることができるが、半導体チップなどを確実に封止することが難しくなる。
【０００３】
例えば粘度の高い（流動性の低い）樹脂材料を利用すると、樹脂材料の供給領域を制御すること、及び、封止樹脂によって半導体チップを封止することが容易になるが、封止樹脂の高さを低くすることが難しくなる。逆に、粘度の低い（流動性の高い）樹脂材料を利用すると、封止樹脂の高さを低くすることは容易になるが、樹脂材料の供給領域を制御すること、及び、半導体チップなどを完全に封止することが難しくなる。
【特許文献１】特開平４−１４６６５４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の目的は、外形が小さく、かつ、信頼性の高い半導体装置及びその製造方法、並びに、配線基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
（１）本発明に係る半導体装置の製造方法は、
第１の領域と、前記第１の領域を囲む第２の領域と、前記第１の領域と前記第２の領域の間にあって、前記第１の領域を区画するように形成された溝と、を有する配線基板を用意する工程と、
前記第１の領域に半導体チップを搭載する工程と、
前記第１の領域に樹脂材料を設ける工程と、
前記樹脂材料を硬化させて樹脂部を形成する工程と、
を含み、
前記溝の底面は、前記第１の領域の表面よりも平坦であり、
前記樹脂材料を設ける工程では、前記樹脂材料を、前記第１の領域の中央側から前記溝に向かって流動させて、一部を前記溝に流れ込ませる。
【０００６】
本発明によると、樹脂材料は、溝によって区画された領域（第１の領域）の表面を、当該領域の周縁側に向かって流動し、溝に流入する。
【０００７】
この発明で利用される配線基板では、溝の底面が第１の領域の表面よりも平坦になっていることから、溝の内側では、第１の領域の表面に較べて、樹脂材料が受ける毛管現象の影響が小さくなる。そのため、溝の内側では樹脂材料が流動しにくくなり、樹脂材料が溝に流れ込む速度が遅くなる。そのため、樹脂材料が溝の内側を充填する前に、樹脂材料を、第１の領域の表面を覆うように流動させることができる。
【０００８】
そのため、この発明によると、溝よりも外側の領域（第２の領域）に樹脂材料が流出することを防止することができるため、所望の領域のみに樹脂材料を設けることができる。
【０００９】
そして、樹脂材料を硬化させることによって樹脂部が形成されることから、本発明によると、設計通りの形状に樹脂部を形成することが可能になる。
【００１０】
（２）この半導体装置の製造方法において、
前記溝の前記底面は、金属で構成されていてもよい。
【００１１】
（３）この半導体装置の製造方法において、
前記基板の表面における前記第２の領域は、前記溝の前記底面よりも、前記樹脂材料に対する濡れ性が悪くなっていてもよい。
【００１２】
これによると、溝に流入した樹脂材料が、溝を越えて溝の外側に流れ出すことを防止することができる。そのため、さらに容易かつ確実に、設計通りの樹脂部を形成することが可能になる。
【００１３】
また、この半導体装置の製造方法では、
前記溝の外側面は、前記溝の底面よりも、前記樹脂材料に対する濡れ性が悪くなっていてもよい。
【００１４】
これによっても、同様の効果を得ることができ、容易かつ確実に、設計通りの樹脂部を形成することが可能になる。
【００１５】
（４）この半導体装置の製造方法において、
前記配線基板の前記第１の領域には電気的接続部が形成されており、
前記半導体チップを搭載する工程の後に、前記半導体チップの電極と前記電気的接続部とを電気的に接続するワイヤを設ける工程をさらに含み、
前記樹脂部を、前記半導体チップ、前記電気的接続部、及び、前記ワイヤを封止するように形成してもよい。
【００１６】
この半導体装置の製造方法では、半導体チップの電極が形成された面とは反対側の面が配線基板と対向するように、半導体チップを配線基板に搭載する。ただし、変形例として、半導体チップの電極が形成された面が配線基板に対向するように、半導体チップを配線基板に搭載してもよい。
【００１７】
（５）この半導体装置の製造方法において、
前記配線基板の前記第１の領域には凹部が形成されており、
前記半導体チップを、前記凹部内に搭載してもよい。
【００１８】
これにより、厚みの薄い半導体装置を製造することができる。
【００１９】
（６）本発明に係る配線基板は、
樹脂部を形成するための第１の領域と、前記第１の領域を囲む第２の領域と、前記第１の領域と前記第２の領域の間にあって、前記第１の領域を区画する溝を有し、
前記溝の底面は、前記樹脂部を形成するための領域の表面よりも平坦である。
【００２０】
本発明の配線基板によると、設計通りの樹脂部を形成することが可能になる。すなわち、本発明によると、外形が小さく、かつ、信頼性の高い半導体装置を製造することを可能にする配線基板を提供することができる。
【００２１】
（７）この配線基板において、
前記溝の前記底面は、金属で構成されていてもよい。
【００２２】
（８）この配線基板において、
前記第２の領域は、前記溝の前記底面よりも、樹脂材料に対する濡れ性が悪くてもよい。
【００２３】
（９）本発明に係る半導体装置は、
第１の領域と、前記第１の領域を囲む第２の領域と、前記第１の領域と前記第２の領域の間にあって、前記第１の領域を区画するように形成された溝を有する配線基板と、
前記所定の領域に搭載された半導体チップと、
前記所定の領域に形成された樹脂部と、
を含み、
前記溝の底面は、前記所定の領域の表面よりも平坦であり、
前記樹脂部は、前記第１の領域の前記表面及び前記溝の前記底面を覆うように形成されている。
【００２４】
（１０）この半導体装置において、
前記溝の前記底面は、金属で構成されていてもよい。
【００２５】
（１１）この半導体装置において、
前記配線基板の前記第１の領域には凹部が形成されており、
前記半導体チップは前記凹部内に搭載されていてもよい。
【００２６】
（１２）この半導体装置において、
前記配線基板の表面における前記第２の領域は、前記溝の前記底面よりも、前記樹脂材料に対する濡れ性が悪い部分を有してもよい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、本発明を適用した実施の形態について、図面を参照して説明する。ただし、本発明は以下の実施の形態に限られるものではない。また、本発明は、以下の内容を自由に組み合わせたものを含むものとする。
【００２８】
図１（Ａ）〜図５は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するための図である。
【００２９】
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、図１（Ａ）及び図１（Ｂ）に示す、配線基板１０を用意することを含む。なお、図１（Ａ）は配線基板１０の上視図であり、図１（Ｂ）は、図１（Ａ）のIB−IB線断面図である。以下、配線基板１０の構成について説明する。
【００３０】
配線基板１０は、溝１２を有する。溝１２は、所定の領域１００を区画するように形成されている。すなわち、溝１２によって区画された領域を、領域１００と称してもよい。なお、領域１００とは、後述する半導体チップ２０が搭載され、樹脂部４０が形成される領域である。そして、本実施の形態では、領域１００を第１の領域と、溝１２の外側の領域を第２の領域と、それぞれ称してもよい。
【００３１】
溝１２は、図１（Ａ）に示すように、領域１００を囲むように形成されていてもよい。このとき、溝１２（領域１００）の外形は、矩形をなしていてもよい。ただし、溝１２の外形はこれに限られるものではない。例えば、溝１２は円形（楕円形）をなしていてもよい。あるいは、溝１２の外形は、多角形をなしていてもよい。また、溝１２の幅や深さについても特に限定されるものではない。溝１２は、例えば、底面１４の幅が、溝１２の深さよりも広くなっていてもよい。あるいは、溝１２は、底面１４の幅が、溝１２の深さよりも狭くなっていてもよい。
【００３２】
本実施の形態では、溝１２の底面１４は、領域１００の表面よりも平坦になっている。すなわち、溝１２の底面１４は、領域１００の表面よりも凹凸が小さい（少ない）面になっている。溝１２の底面１４は、溝１２の側面（内側面１３及び外側面１５）よりも平坦になっていてもよい。
【００３３】
本実施の形態では、溝１２の底面１４は、金属によって構成されていてもよい。例えば配線基板１０は、図１（Ｂ）に示すように、内部に配置された金属層１６を有し、溝１２が、金属層１６を露出させるように構成されていてもよい。この場合、金属層１６の表面が、溝１２の底面１４となる。なお、金属層１６は、他の導電部材と電気的に接続されていてもよく、あるいは、他の導電部材と電気的に接続されていなくてもよい。金属層１６は、例えば、グランド線に接続されていてもよい。ただし、溝１２の底面１４は、配線基板１０の領域１００と同じ材料（例えば樹脂）であってもよい。この場合、溝１２の底面１４は、平坦化処理がなされていてもよい。また、領域１００の表面は、粗面加工されていてもよい。
【００３４】
配線基板１０は、さらに、電気的接続部１８を有していてもよい。電気的接続部１８は、溝１２によって区画された領域内（領域１００内）に配置される。電気的接続部１８は、後述する半導体チップ２０が搭載される領域よりも外側に配置されていてもよい。なお、電気的接続部１８は、配線基板１０内に形成された内部配線（図示せず）を介して、領域１００よりも外側に配置された他の導電部材（図示せず）、又は配線基板１０の電気的接続部１８が形成された表面とは反対側の面に配置された他の導電部材（図示せず）と電気的に接続されていてもよい。
【００３５】
配線基板１０の材料や構成は特に限定されるものではなく、既に公知となっているいずれかの配線基板を利用してもよい。配線基板１０は、有機系の材料で構成されていてもよい。配線基板１０は、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）や、エポキシ系、ポリイミド系等の樹脂を含む基板であってもよい。ただし、配線基板１０として、無機系の材料の基板や、有機無機材料の複合基板を利用してもよい。また、配線基板１０は、リジッド基板であってもよく、フレキシブル基板であってもよい。フレキシブル基板としてFPC(Flexible Printed Circuit)や、TAB(Tape Automated Bonding)技術で使用されるテープを使用してもよい。
【００３６】
また、配線基板１０を形成する方法についても特に限定されるものではない。例えば、予め内部に金属層１６が形成された配線基板に、金属層１６を露出させる溝１２を形成することによって、配線基板１０を形成してもよい。あるいは、配線基板に溝１２を形成した後に溝１２の底面に金属層を形成することによって、配線基板１０を形成してもよい。このとき、該金属層は、例えば、スパッタリングやめっき法によって形成することができる。
【００３７】
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、図２に示すように、配線基板１０に半導体チップ２０を搭載することを含む。以下、本工程について説明する。
【００３８】
はじめに、半導体チップ２０の構成について説明する。半導体チップ２０は、例えばシリコンチップであってもよい。半導体チップ２０は、集積回路２２を有する。集積回路２２の構成は特に限定されないが、例えば、トランジスタ等の能動素子や、抵抗、コイル、コンデンサ等の受動素子を含んでいてもよい。また、半導体チップ２０は電極２４を有する。電極２４は、半導体チップ２０の内部と電気的に接続されていてもよい。電極２４は、集積回路２２と電気的に接続されていてもよい。あるいは、集積回路２２に電気的に接続されていない電極を含めて、電極２４と称してもよい。電極２４は、アルミニウム又は銅等の金属で形成されていてもよい。半導体チップ２０は、さらに、図示しないパッシベーション膜を有してもよい。パッシベーション膜は、例えば、ＳｉＯ２、ＳｉＮ、ポリイミド樹脂等で形成されていてもよい。なお、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法では、半導体チップ２０の外形は、領域１００よりも小さくてもよい。
【００３９】
本実施の形態では、図２に示すように、半導体チップ２０を、集積回路２２及び電極２４が形成された面とは反対側の面が配線基板１０に対向するように搭載する。半導体チップ２０は、配線基板１０の、溝１２によって区画された領域（領域１００）の内側に搭載する。半導体チップ２０は、図示しない接着剤によって、配線基板１０に接着してもよい。
【００４０】
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、図３に示すように、半導体チップ２０の電極２４と、配線基板１０の電気的接続部１８とを電気的に接続するワイヤ２５を設けることを含む。すなわち本工程では、電気的接続部１８と電極２４とを、ワイヤ２５によって電気的に接続する。ワイヤ２５の材料は特に限定されるものではないが、例えば金ワイヤを利用してもよい。また、ワイヤ２５を設ける具体的な方法についても特に限定されず、既に公知となっているいずれかの方法を採用することができる。
【００４１】
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、図４（Ａ）及び図４（Ｂ）に示すように、樹脂材料３０を設けることを含む。樹脂材料３０は、図４（Ａ）に示すように、ディスペンサ３２を利用して供給してもよい。本工程では、樹脂材料３０を、領域１００の中央側から、領域１００の周縁側に向かって流動させる。言い換えると、領域１００の中央側から、溝１２に向かって流動させる。本工程では、また、樹脂材料３０を、溝１２に至るように流動させる。そして、本実施の形態では、樹脂材料３０の一部を、溝１２に流れ込ませる（図４（Ｂ）参照）。
【００４２】
本実施の形態では、樹脂材料３０を、例えば半導体チップ２０と重複する領域内のみに供給して、領域１００の周縁に向かって流動させてもよい。あるいは、樹脂材料３０を電気的接続部１８よりも内側の領域のみに供給して、領域１００の周縁に向かって流動させてもよい。
【００４３】
本実施の形態では、図４（Ｂ）に示すように、樹脂材料３０を、半導体チップ２０及びワイヤ２５、並びに、電気的接続部１８を覆うように設ける。本実施の形態では、また、樹脂材料３０を、領域１００及び溝１２の底面１４をすべて覆うように設けてもよい。樹脂材料３０の供給量や粘度を調整することによって、樹脂材料３０を設ける領域を制御することができる。
【００４４】
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、図５に示すように、樹脂材料３０を硬化させて樹脂部４０を形成することを含む。樹脂部４０は、図５に示すように、半導体チップ２０、電気的接続部１８、及び、ワイヤ２５を封止するように形成する。これにより、信頼性の高い半導体装置を製造することができる。なお、樹脂材料３０を硬化させる方法は特に限定されず、樹脂材料３０に適したいずれかの処理（例えば加熱処理や紫外線照射処理など）を行ってもよい。
【００４５】
以上の工程によって、図５に示す、半導体装置１を製造してもよい。半導体装置１は、所定の領域１００（第１の領域）を区画するように形成された溝１２を有する配線基板１０と、領域１００に搭載された半導体チップ２０と、領域１００に形成された樹脂部４０と、を含む。溝１２の底面１４は、領域１００の表面よりも平坦である。そして、樹脂部４０は、領域１００の表面及び溝１２の底面１４を覆うように形成されている。半導体装置１を有する電子機器の例として、図６にノート型パーソナルコンピュータ１０００を、図７に携帯電話２０００を、それぞれ示す。
【００４６】
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法によると、樹脂部４０の形状を容易に制御することが可能になり、外形が小さく、かつ、信頼性の高い半導体装置を効率よく製造することができる。以下、その効果について説明する。
【００４７】
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法では、樹脂材料３０を、領域１００の中央側から周縁側に向かって流動させる。樹脂材料３０が配線基板１０上（領域１００内）を流動する場合、その挙動を決定する要因には様々なものがあるが、その一つに、領域１００の表面の凹凸が引き起こす毛管現象があげられる。すなわち、領域１００の凹凸によって引き起こされる毛管現象の影響を受けて、樹脂材料３０が流動することがある。
【００４８】
ところで、配線基板１０によると、溝１２の底面１４は、領域１００の表面よりも平坦になっている。そのため、溝１２の底面１４では、領域１００の表面に較べて、樹脂材料３０が受ける毛管現象の影響が小さくなる。そのため、毛管現象に起因する樹脂材料３０を流動させる力は、樹脂材料３０が領域１００から溝１２に流れ込んだ後に小さくなり、樹脂材料３０の流動速度は、溝１２に流れ込んだ後に遅くなる。そのため、樹脂材料３０の、溝１２に流れ込む流入速度が遅くなり、樹脂材料３０が溝１２を充填する前に、領域１００を覆うように樹脂材料３０を流動させることができる。そのため、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法によると、樹脂材料３０が溝１２の外側に流れ出すことを防止することができ、設計通りの位置（領域１００及び溝１２の内側のみ）に樹脂材料３０を設けることができる。そして、樹脂材料３０が配置される領域を制御することができれば、樹脂材料３０の粘度や供給量を調整することで樹脂材料３０の高さを調整することができるため、半導体チップ２０、ワイヤ２５を確実に覆うように、樹脂材料３０を設けることができる。
【００４９】
そして、これを硬化させることによって、樹脂部４０を、設計通りの外形とすることができる。すなわち、この方法によると、半導体チップ２０等を確実に封止することができ、かつ、外形が小さい樹脂部４０を形成することができる。このことから、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法によると、信頼性が高く、かつ、外形が小さい半導体装置を製造することができる。
【００５０】
なお、溝１２の外側面１５は、溝１２の底面１４よりも、樹脂材料３０に対する濡れ性が悪くなっていてもよい。これによると、溝１２に流れ込んだ樹脂材料３０が、溝１２の外側面１５と濡れにくくなる。そのため、樹脂材料３０が、溝１２を越えて溝１２の外側に流れ出すことを防止することができ、設計通りに樹脂部４０を形成することが可能になる。あるいは、配線基板１０の表面における溝１２の外側の領域（第２の領域）は、溝１２の底面１４よりも、樹脂材料３０に対する濡れ性が悪くなっていてもよい。これによっても同様の効果を得られるため、信頼性の高い半導体装置を製造することができる。
【００５１】
通常、樹脂材料の樹脂に対する濡れ性は、金属に対する濡れ性よりも悪い。そのため、基板１０として樹脂基板を利用する場合、溝１２の底面１４を金属で形成することで、溝１２の外側の領域及び溝１２の外側面１５の濡れ性を、溝１２の底面１４に対する濡れ性よりも悪くすることができる。ただし、溝１２の外側の領域及び溝１２の外側面１５に、樹脂材料３０に対する濡れ性が悪くなるような処理（例えば撥液処理）を行ってもよい。
【００５２】
（変形例）
本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び効果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【００５３】
以下、具体的ないくつかの変形例について説明する。
【００５４】
本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置の製造方法では、配線基板には、図８に示す、溝５２が形成されていてもよい。溝５２は、所定の領域１０１を区画するように形成されている。ただし、溝５２は、領域１０１を完全に囲むようには形成されていない。なお、溝５２の底面は、領域１０１の表面よりも平坦になっている。
【００５５】
そして、この配線基板は、領域１０１と溝５２の外側の領域１０２（第２の領域）とを連接する連接部５４を有する。配線基板は、図８に示すように、１つの連接部５４を有していてもよいが、複数の連接部５４を有していてもよい。なお、領域１０１及び領域１０２、連接部５４は、面一に形成されていてもよい。そして、この配線基板は、連接部５４を通って、領域１０１から領域１０２に引き出される配線５６を有していてもよい。
【００５６】
あるいは、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置の製造方法では、配線基板には、図９に示すように、複数の溝６２が形成されていてもよい。そして、複数の溝６２は、所定の領域１０３を区画するように形成されている。複数の溝６２は、図９に示すように、矩形の領域１０３の角部を避けて、矩形の領域１０３の各辺に沿って延びる形状をなしていてもよい。そして、それぞれの溝６２の底面は、領域１０３の表面よりも平坦になっている。
【００５７】
これらの配線基板を利用した場合にも、上述した効果と同様の効果を得ることができるため、信頼性が高く、かつ、外形が小さい半導体装置を製造することができる。
【００５８】
あるいは、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置の製造方法では、図１０（Ａ）及び図１０（Ｂ）に示すように、配線基板には、凹部７０が形成されていてもよい。凹部７０は、溝１２によって区画された領域１００の内側に形成されている。凹部７０は、半導体チップ２０を搭載するための領域に形成されている。
【００５９】
そして、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法では、凹部７０の内側に半導体チップ２０を搭載し、樹脂材料を設け、該樹脂材料を硬化させることによって樹脂部４２を形成して、図１０（Ｂ）に示す半導体装置２を製造してもよい。
【００６０】
この変形例によると、厚みの薄い半導体装置を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】半導体装置の製造方法について説明するための図である。
【図２】半導体装置の製造方法について説明するための図である。
【図３】半導体装置の製造方法について説明するための図である。
【図４】半導体装置の製造方法について説明するための図である。
【図５】半導体装置の製造方法について説明するための図である。
【図６】本発明に係る半導体装置を有する電子機器の一例を示す図である。
【図７】本発明に係る半導体装置を有する電子機器の一例を示す図である。
【図８】変形例に係る半導体装置の製造方法について説明するための図である。
【図９】変形例に係る半導体装置の製造方法について説明するための図である。
【図１０】変形例に係る半導体装置の製造方法について説明するための図である。
【符号の説明】
【００６２】
１０…配線基板、  １２…溝、  １３…内側面、  １４…底面、  １５…外側面、  １６…金属層、  １８…電気的接続部、  ２０…半導体チップ、  ２２…集積回路、  ２４…電極、  ２５…ワイヤ、  ３０…樹脂材料、  ３２…ディスペンサ、  ４０…樹脂部、  ４２…樹脂部、  ５４…連接部、  ５６…配線、  ７０…凹部、  １００…領域、  １０１…領域、  １０２…領域、  １０３…領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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