(57)【要約】【課題】ポリシリコンの形成方法、前記ポリシリコンを備える薄膜トランジスタ、及びその形成方法を提供する。【解決手段】基板１１０上に絶縁層１２０を形成するステップと、絶縁層１２０上に第１電極１３１及び第２電極１３２を形成するステップと、絶縁層１２０上に第１電極１３１と第２電極１３２とを連結するように少なくとも一つのヒーター層１４０を形成するステップと、少なくとも一つのヒーター層１４０上にシリコンを含む非晶質物質層を形成するステップと、絶縁層１２０をエッチングしてヒーター層１４０の下部に貫通孔１２５を形成するステップと、第１電極１３１と第２電極１３２との間に電圧を印加してヒーター層１４０を加熱させることによって非晶質物質層をポリシリコン層１６０に結晶化させるステップと、を含むポリシリコンの形成方法。【選択図】図４Ｂ
2008172245.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に絶縁層を形成するステップと、
前記絶縁層上に第１電極及び第２電極を形成するステップと、
前記絶縁層上に前記第１電極と第２電極とを連結するように少なくとも一つのヒーター層を形成するステップと、
前記少なくとも一つのヒーター層上にシリコンを含む非晶質物質層を形成するステップと、
前記絶縁層をエッチングして前記ヒーター層の下部に貫通孔を形成するステップと、
前記第１電極と前記第２電極との間に電圧を印加して前記ヒーター層を加熱させることによって前記非晶質物質層をポリシリコン層に結晶化させるステップと、
を含むことを特徴とするポリシリコンの形成方法。
【請求項２】
前記ヒーター層は、Ｗ、Ｍｏ、ＳｉＣ、ＺｒＯ２、ＭｏＳｉ２、及びＮｉＣｒからなる群から選択された少なくとも一つの物質からなることを特徴とする請求項１に記載のポリシリコンの形成方法。
【請求項３】
前記非晶質物質層は、非晶質ケイ素または非晶質炭化ケイ素からなることを特徴とする請求項１に記載のポリシリコンの形成方法。
【請求項４】
前記貫通孔は、前記絶縁層を前記基板が露出されるまでウェットエッチングすることによって形成されることを特徴とする請求項１に記載のポリシリコンの形成方法。
【請求項５】
前記ヒーター層は、６００℃以上の温度に加熱されることを特徴とする請求項１に記載のポリシリコンの形成方法。
【請求項６】
基板上に絶縁層を形成するステップと、
前記絶縁層上にシリコンを含む少なくとも一つの非晶質物質層を形成するステップと、
前記少なくとも一つの非晶質物質層上にヒーター層を形成するステップと、
前記ヒーター層の両端にそれぞれ連結される第１電極及び第２電極を前記絶縁層上に形成するステップと、
前記絶縁層をエッチングして前記非晶質物質層の下部に貫通孔を形成するステップと、
前記第１電極と前記第２電極との間に電圧を印加して前記ヒーター層を加熱させることによって、前記非晶質物質層をポリシリコン層に結晶化させるステップと、
を含むことを特徴とするポリシリコンの形成方法。
【請求項７】
前記非晶質物質層は、非晶質ケイ素または非晶質炭化ケイ素からなることを特徴とする請求項６に記載のポリシリコンの形成方法。
【請求項８】
前記ヒーター層は、Ｗ、Ｍｏ、ＳｉＣ、ＺｒＯ２、ＭｏＳｉ２、及びＮｉＣｒからなる群から選択された少なくとも一つの物質からなることを特徴とする請求項６に記載のポリシリコンの形成方法。
【請求項９】
前記貫通孔は、前記絶縁層を前記基板が露出されるまでウェットエッチングすることによって形成されることを特徴とする請求項６に記載のポリシリコンの形成方法。
【請求項１０】
前記ヒーター層は、６００℃以上の温度に加熱されることを特徴とする請求項６に記載のポリシリコンの形成方法。
【請求項１１】
基板上に絶縁層を形成するステップと、
前記絶縁層上に第１電極及び第２電極と、前記第１電極と前記第２電極とを連結するシリコンとを含む少なくとも一つの非晶質物質層を形成するステップと、
前記絶縁層をエッチングして前記非晶質物質層の下部に貫通孔を形成するステップと、
前記第１電極と前記第２電極との間に電圧を印加して前記非晶質物質層を加熱させることによって、前記非晶質物質層をポリシリコン層に結晶化させるステップと、
を含むことを特徴とするポリシリコンの形成方法。
【請求項１２】
前記第１電極及び前記第２電極と、少なくとも一つの非晶質物質層とを形成するステップは、
前記絶縁層上に第１電極及び第２電極を形成するステップと、
前記絶縁層上に前記第１電極と前記第２電極とを連結するように前記少なくとも一つの非晶質物質層を形成するステップと、
を含むことを特徴とする請求項１１に記載のポリシリコンの形成方法。
【請求項１３】
前記第１電極及び前記第２電極と、前記第１電極と前記第２電極とを連結するシリコンとを含む少なくとも一つの非晶質物質層とを形成するステップは、
前記絶縁層上に前記少なくとも一つの非晶質物質層を形成するステップと、
前記非晶質物質層の両端にそれぞれ連結される前記第１電極及び前記第２電極を前記絶縁層上に形成するステップと、
を含むことを特徴とする請求項１１に記載のポリシリコンの形成方法。
【請求項１４】
前記非晶質物質層は、非晶質ケイ素または非晶質炭化ケイ素からなることを特徴とする請求項１１に記載のポリシリコンの形成方法。
【請求項１５】
前記貫通孔は、前記絶縁層を前記基板が露出されるまでウェットエッチングすることによって形成されることを特徴とする請求項１１に記載のポリシリコンの形成方法。
【請求項１６】
前記非晶質物質層は６００℃以上の温度に加熱されることを特徴とする請求項１１に記載のポリシリコンの形成方法。
【請求項１７】
基板上に絶縁層を形成するステップと、
前記絶縁層上に第１電極及び前記第２電極と、前記第１電極と前記第２電極とを連結する少なくとも一つのヒーター層とを形成するステップと、
前記絶縁層をエッチングして前記ヒーター層の下部に貫通孔を形成するステップと、
前記第１電極と前記第２電極との間に電圧を印加して前記ヒーター層を加熱させるステップと、
前記加熱されたヒーター層上にポリシリコン層を蒸着させるステップと、
を含むことを特徴とするポリシリコンの形成方法。
【請求項１８】
前記第１電極及び前記第２電極と、前記第１電極と前記第２電極とを連結する少なくとも一つのヒーター層とを形成するステップは、
前記絶縁層上に前記第１電極及び前記第２電極を形成するステップと、
前記絶縁層上に前記第１電極と前記第２電極とを連結するように前記少なくとも一つのヒーター層を形成するステップと、
を含むことを特徴とする請求項１７に記載のポリシリコンの形成方法。
【請求項１９】
前記第１電極及び前記第２電極と、前記第１電極と前記第２電極とを連結する少なくとも一つのヒーター層とを形成するステップは、
前記絶縁層上に前記少なくとも一つのヒーター層を形成するステップと、
前記ヒーター層の両端にそれぞれ連結される前記第１電極及び前記第２電極を前記絶縁層上に形成するステップと、
を含むことを特徴とする請求項１７に記載のポリシリコンの形成方法。
【請求項２０】
前記ヒーター層は、Ｗ、Ｍｏ、ＳｉＣ、ＺｒＯ２、ＭｏＳｉ２、及びＮｉＣｒからなる群から選択された少なくとも一つの物質からなることを特徴とする請求項１７に記載のポリシリコンの形成方法。
【請求項２１】
前記貫通孔は、前記絶縁層を前記基板が露出されるまでウェットエッチングすることによって形成されることを特徴とする請求項１７に記載のポリシリコンの形成方法。
【請求項２２】
前記ヒーター層は、６００℃以上の温度に加熱されることを特徴とする請求項１７に記載のポリシリコンの形成方法。
【請求項２３】
前記ポリシリコン層の蒸着は、シランガスをソースとして使用して化学気相蒸着法によって行われることを特徴とする請求項１７に記載のポリシリコンの形成方法。
【請求項２４】
基板と、
前記基板上に形成されるゲート電極と、
前記ゲート電極上に突設される絶縁層と、
前記突出した絶縁層の上面に形成されるソース電極及びドレイン電極と、
前記ソース電極と前記ドレイン電極とを連結するようにブリッジ形態に形成される少なくとも一つのポリシリコン層と、
を備えることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項２５】
前記少なくとも一つのポリシリコン層の下部に形成された貫通孔の内壁には酸化膜がさらに形成されることを特徴とする請求項２４に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項２６】
前記少なくとも一つのポリシリコン層の下部に形成された貫通孔を満たすように酸化膜がさらに形成されることを特徴とする請求項２４に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項２７】
前記ゲート電極は、Ｎｉ、Ａｌ、Ｎｄ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｃｏ、Ｉｒ、Ｃｒ、及びＭｏからなる群から選択された少なくとも一つの物質からなることを特徴とする請求項２４に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項２８】
前記ソース電極及びドレイン電極は、Ｃｒ／Ａｌ、非晶質ケイ素／Ａｌ、またはＣｒ／Ｍｏからなることを特徴とする請求項２４に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項２９】
基板上にゲート電極及び絶縁層を順次に形成するステップと、
前記絶縁層上にソース電極及びドレイン電極を形成するステップと、
前記絶縁層上に前記ソース電極と前記ドレイン電極とを連結するように少なくとも一つのヒーター層を形成するステップと、
前記少なくとも一つのヒーター層上にシリコンを含む非晶質物質層を形成するステップと、
前記絶縁層をエッチングして前記ヒーター層の下部に貫通孔を形成するステップと、
前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に電圧を印加して前記ヒーター層を加熱させることによって、前記非晶質物質層をポリシリコン層に結晶化させるステップと、
前記露出されたヒーター層をエッチングして除去するステップと、
を含むことを特徴とする薄膜トランジスタの形成方法。
【請求項３０】
前記ヒーター層をエッジングして除去した後、前記貫通孔の内壁に酸化膜を形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項２９に記載の薄膜トランジスタの形成方法。
【請求項３１】
前記ヒーター層をエッジングして除去した後、前記貫通孔を満たすように酸化膜を形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項２９に記載の薄膜トランジスタの形成方法。
【請求項３２】
前記ヒーター層は、Ｗ、Ｍｏ、ＳｉＣ、ＺｒＯ２、ＭｏＳｉ２、及びＮｉＣｒからなる群から選択された少なくとも一つの物質からなることを特徴とする請求項２９に記載の薄膜トランジスタの形成方法。
【請求項３３】
前記非晶質物質層は、非晶質ケイ素または非晶質炭化ケイ素からなることを特徴とする請求項２９に記載の薄膜トランジスタの形成方法。
【請求項３４】
前記貫通孔は、前記絶縁層をゲート電極が露出されるまでウェットエッチングすることによって形成されることを特徴とする請求項２９に記載の薄膜トランジスタの形成方法。
【請求項３５】
前記ヒーター層は、６００℃以上の温度に加熱されることを特徴とする請求項２９に記載の薄膜トランジスタの形成方法。
【請求項３６】
基板上にゲート電極及び絶縁層を順次に形成するステップと、
前記絶縁層上にシリコンを含む少なくとも一つの非晶質物質層を形成するステップと、
前記少なくとも一つの非晶質物質層上にヒーター層を形成するステップと、
前記ヒーター層の両端にそれぞれ連結されるソース電極及びドレイン電極を前記絶縁層上に形成するステップと、
前記絶縁層をエッチングして前記非晶質物質層の下部に貫通孔を形成するステップと、
前記ソース電極とドレイン電極との間に電圧を印加して前記ヒーター層を加熱させることによって前記非晶質物質層をポリシリコン層に結晶化させるステップと、
前記露出されたヒーター層をエッチングして除去するステップと、
を含むことを特徴とする薄膜トランジスタの形成方法。
【請求項３７】
前記ヒーター層をエッジングして除去した後、前記貫通孔の内壁に酸化膜を形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項３６に記載の薄膜トランジスタの形成方法。
【請求項３８】
前記ヒーター層をエッジングして除去した後、前記貫通孔を満たすように酸化膜を形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項３６に記載の薄膜トランジスタの形成方法。
【請求項３９】
前記非晶質物質層は、非晶質ケイ素または非晶質炭化ケイ素からなることを特徴とする請求項３６に記載の薄膜トランジスタの形成方法。
【請求項４０】
前記ヒーター層は、Ｗ、Ｍｏ、ＳｉＣ、ＺｒＯ２、ＭｏＳｉ２、及びＮｉＣｒからなる群から選択された少なくとも一つの物質からなることを特徴とする請求項３６に記載の薄膜トランジスタの形成方法。
【請求項４１】
前記貫通孔は、前記絶縁層をゲート電極が露出されるまでウェットエッチングすることによって形成されることを特徴とする請求項３６に記載の薄膜トランジスタの形成方法。
【請求項４２】
前記ヒーター層は、６００℃以上の温度に加熱されることを特徴とする請求項３６に記載の薄膜トランジスタの形成方法。
【請求項４３】
基板上にゲート電極及び絶縁層を順次に形成するステップと、
前記絶縁層上にソース電極及びドレイン電極と、前記ソース電極と前記ドレイン電極とを連結するシリコンとを含む少なくとも一つの非晶質物質層を形成するステップと、
前記絶縁層をエッチングして前記非晶質物質層の下部に貫通孔を形成するステップと、
前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に電圧を印加して前記非晶質物質層を加熱させることによって、前記非晶質物質層をポリシリコン層に結晶化させるステップと、
を含むことを特徴とする薄膜トランジスタの形成方法。
【請求項４４】
前記非晶質物質層を結晶化して前記ポリシリコン層を形成した後、前記貫通孔の内壁に酸化膜を形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項４３に記載の薄膜トランジスタの形成方法。
【請求項４５】
前記非晶質物質層を結晶化して前記ポリシリコン層を形成した後、前記貫通孔を満たすように酸化膜を形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項４３に記載の薄膜トランジスタの形成方法。
【請求項４６】
前記ソース電極及びドレイン電極と、前記ソース電極と前記ドレイン電極とを連結するシリコンとを含む少なくとも一つの非晶質物質層とを形成するステップは、
前記絶縁層上に前記ソース電極及び前記ドレイン電極を形成するステップと、
前記絶縁層上に前記ソース電極と前記ドレイン電極とを連結するように前記少なくとも一つの非晶質物質層を形成するステップと、
を含むことを特徴とする請求項４３に記載の薄膜トランジスタの形成方法。
【請求項４７】
前記ソース電極及び前記ドレイン電極と、前記ソース電極と前記ドレイン電極とを連結するシリコンとを含む少なくとも一つの非晶質物質層とを形成するステップは、
前記絶縁層上に前記少なくとも一つの非晶質物質層を形成するステップと、
前記非晶質物質層の両端にそれぞれ連結される前記ソース電極及び前記ドレイン電極を前記絶縁層上に形成するステップと、
を含むことを特徴とする請求項４３に記載の薄膜トランジスタの形成方法。
【請求項４８】
前記非晶質物質層は、非晶質ケイ素または非晶質炭化ケイ素からなることを特徴とする請求項４３に記載の薄膜トランジスタの形成方法。
【請求項４９】
前記貫通孔は、前記絶縁層をゲート電極が露出されるまでウェットエッチングすることによって形成されることを特徴とする請求項４３に記載の薄膜トランジスタの形成方法。
【請求項５０】
前記非晶質物質層は、６００℃以上の温度に加熱されることを特徴とする請求項４３に記載の薄膜トランジスタの形成方法。
【請求項５１】
基板上にゲート電極及び絶縁層を順次に形成するステップと、
前記絶縁層上にソース電極及びドレイン電極と、前記ソース電極と前記ドレイン電極とを連結する少なくとも一つのヒーター層とを形成するステップと、
前記絶縁層をエッチングして前記ヒーター層の下部に貫通孔を形成するステップと、
前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に電圧を印加して前記ヒーター層を加熱させるステップと、
前記加熱されたヒーター層上にポリシリコン層を蒸着させるステップと、
前記露出されたヒーター層をエッチングして除去するステップと、
を含むことを特徴とする薄膜トランジスタの形成方法。
【請求項５２】
前記ヒーター層をエッジングして除去した後、前記貫通孔の内壁に酸化膜を形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項５１に記載の薄膜トランジスタの形成方法。
【請求項５３】
前記ヒーター層をエッジングして除去した後、前記貫通孔を満たすように酸化膜を形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項５１に記載の薄膜トランジスタの形成方法。
【請求項５４】
前記ソース電極及び前記ドレイン電極と、前記ソース電極と前記ドレイン電極とを連結するシリコンとを含む少なくとも一つのヒーター層とを形成するステップは、
前記絶縁層上に前記ソース電極及び前記ドレイン電極を形成するステップと、
前記絶縁層上に前記ソース電極と前記ドレイン電極とを連結するように前記少なくとも一つのヒーター層を形成するステップと、
を含むことを特徴とする請求項５１に記載の薄膜トランジスタの形成方法。
【請求項５５】
前記ソース電極及び前記ドレイン電極と、前記ソース電極と前記ドレイン電極とを連結するシリコンとを含む少なくとも一つのヒーター層とを形成するステップは、
前記絶縁層上に前記少なくとも一つのヒーター層を形成するステップと、
前記ヒーター層の両端にそれぞれ連結される前記ソース電極及び前記ドレイン電極を前記絶縁層上に形成するステップと、
を含むことを特徴とする請求項５１に記載の薄膜トランジスタの形成方法。
【請求項５６】
前記ヒーター層は、Ｗ、Ｍｏ、ＳｉＣ、ＺｒＯ２、ＭｏＳｉ２、及びＮｉＣｒからなる群から選択された少なくとも一つの物質からなることを特徴とする請求項５１に記載の薄膜トランジスタの形成方法。
【請求項５７】
前記貫通孔は、前記絶縁層をゲート電極が露出されるまでウェットエッチングすることによって形成されることを特徴とする請求項５１に記載の薄膜トランジスタの形成方法。
【請求項５８】
前記ヒーター層は、６００℃以上の温度に加熱されることを特徴とする請求項５１に記載の薄膜トランジスタの形成方法。
【請求項５９】
前記ポリシリコン層の蒸着は、シランガスをソースとして使用して化学気相蒸着法によって行われることを特徴とする請求項５１に記載の薄膜トランジスタの形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ポリシリコンの形成方法、当該ポリシリコンを備える薄膜トランジスタ、及びその形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ；Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）や液晶表示装置（ＬＣＤ；Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ）のような表示装置は、スイッチング素子として薄膜トランジスタ（ＴＦＴ；Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）が使われている。
【０００３】
薄膜トランジスタは、ゲート電極、ソース電極、及びドレイン電極を備え、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間には、半導体からなるチャンネル物質層が形成されている。このようなチャンネル物質層は、非晶質ケイ素またはポリシリコンからなりうるが、ポリシリコンの電子移動度が非晶質ケイ素の電子移動度よりも高いために、近年では、素子の高速動作のために、ＴＦＴのチャンネル物質としてポリシリコンが主に利用されている。
【０００４】
このようなポリシリコンを製造する方法としては、基板上に非晶質ケイ素をプラズマ化学気相蒸着法（ＰＥＣＶＤ；Ｐｌａｓｍａ  Ｅｎｈａｎｃｅｄ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）によって蒸着した後、これを結晶化させる方法が一般的である。ここで、非晶質ケイ素を結晶化させる方法としては、熱処理法またはエキシマレーザー結晶化法（ＥＬＣ；Ｅｘｉｍｅｒ  Ｌａｓｅｒ  Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ）がある。しかしながら、前記熱処理法は、一般的に６００℃以上の温度が要求されるために、ガラス基板を使用するＬＣＤやＯＬＥＤのＴＦＴを製造するには適してはいない。これに対して、前記ＥＬＣは比較的低温で結晶化がなされるという点で長所がある。このように、低温で結晶化されたポリシリコンを低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ；Ｌｏｗ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｐｏｌｙ  Ｓｉｌｉｃｏｎ）という。しかしながら、前記ＥＬＣは、基板のサイズが大型化するほど結晶化の均一度が低下するため、大面積のＬＣＤやＯＬＥＤを具現し難い。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、前記問題点を解決するために成されたものであり、局部的な加熱を通じてポリシリコンを形成する方法、そして、このようなポリシリコンを備えるＴＦＴ、及びその形成方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前記目的を達成するための本発明の具現例によるポリシリコンの形成方法は、基板上に絶縁層を形成するステップと、前記絶縁層上に第１及び第２電極を形成するステップと、前記絶縁層上に前記第１電極と第２電極とを連結するように少なくとも一つのヒーター層を形成するステップと、前記少なくとも一つのヒーター層上にシリコンを含む非晶質物質層を形成するステップと、前記絶縁層をエッチングして前記ヒーター層の下部に貫通孔を形成するステップと、前記第１電極と前記第２電極との間に電圧を印加して前記ヒーター層を加熱させることによって前記非晶質物質層をポリシリコン層に結晶化させるステップと、を含む。
【０００７】
本発明の他の具現例によるポリシリコンの形成方法は、基板上に絶縁層を形成するステップと、前記絶縁層上にシリコンを含む少なくとも一つの非晶質物質層を形成するステップと、前記少なくとも一つの非晶質物質層上にヒーター層を形成するステップと、前記ヒーター層の両端にそれぞれ連結される第１電極及び第２電極を前記絶縁層上に形成するステップと、前記絶縁層をエッチングして前記非晶質物質層の下部に貫通孔を形成するステップと、前記第１電極と前記第２電極との間に電圧を印加して前記ヒーター層を加熱させることによって、前記非晶質物質層をポリシリコン層に結晶化させるステップと、を含む。
【０００８】
本発明のさらに他の具現例によるポリシリコンの形成方法は、基板上に絶縁層を形成するステップと、前記絶縁層上に第１電極及び第２電極と、前記第１電極と前記第２電極とを連結するシリコンとを含む少なくとも一つの非晶質物質層を形成するステップと、前記絶縁層をエッチングして前記非晶質物質層の下部に貫通孔を形成するステップと、前記第１電極と前記第２電極との間に電圧を印加して前記非晶質物質層を加熱させることによって、前記非晶質物質層をポリシリコン層に結晶化させるステップと、を含む。
【０００９】
本発明のさらに他の具現例によるポリシリコンの形成方法は、基板上に絶縁層を形成するステップと、前記絶縁層上に第１電極及び第２電極と、前記第１電極と前記第２電極とを連結する少なくとも一つのヒーター層とを形成するステップと、前記絶縁層をエッチングして前記ヒーター層の下部に貫通孔を形成するステップと、前記第１電極と前記第２電極との間に電圧を印加して前記ヒーター層を加熱させるステップと、前記加熱されたヒーター層上にポリシリコン層を蒸着させるステップと、を含む。
【００１０】
本発明のさらに他の具現例によるＴＦＴは、基板と、前記基板上に形成されるゲート電極と、前記ゲート電極上に突設される絶縁層と、前記突出した絶縁層の上面に形成されるソース電極及びドレイン電極と、前記ソース電極と前記ドレイン電極とを連結するようにブリッジ形態に形成される少なくとも一つのポリシリコン層と、を備える。
【００１１】
本発明のさらに他の具現例によるＴＦＴの形成方法は、基板上にゲート電極及び絶縁層を順次に形成するステップと、前記絶縁層上にソース電極及びドレイン電極を形成するステップと、前記絶縁層上に前記ソース電極と前記ドレイン電極とを連結するように少なくとも一つのヒーター層を形成するステップと、前記少なくとも一つのヒーター層上にシリコンを含む非晶質物質層を形成するステップと、前記絶縁層をエッチングして前記ヒーター層の下部に貫通孔を形成するステップと、前記ソース電極とドレイン電極との間に電圧を印加して前記ヒーター層を加熱させることによって、前記非晶質物質層をポリシリコン層に結晶化させるステップと、前記露出されたヒーター層をエッチングして除去するステップと、を含む。
【００１２】
本発明のさらに他の具現例によるＴＦＴの形成方法は、基板上にゲート電極及び絶縁層を順次に形成するステップと、前記絶縁層上にシリコンを含む少なくとも一つの非晶質物質層を形成するステップと、前記少なくとも一つの非晶質物質層上にヒーター層を形成するステップと、前記ヒーター層の両端にそれぞれ連結されるソース電極及びドレイン電極を前記絶縁層上に形成するステップと、前記絶縁層をエッチングして前記非晶質物質層の下部に貫通孔を形成するステップと、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に電圧を印加して前記ヒーター層を加熱させることによって前記非晶質物質層をポリシリコン層に結晶化させるステップと、前記露出されたヒーター層をエッチングして除去するステップと、を含む。
【００１３】
本発明のさらに他の具現例によるＴＦＴの形成方法は、基板上にゲート電極及び絶縁層を順次に形成するステップと、前記絶縁層上にソース電極及びドレイン電極と、前記ソース電極と前記ドレイン電極とを連結するシリコンとを含む少なくとも一つの非晶質物質層を形成するステップと、前記絶縁層をエッチングして前記非晶質物質層の下部に貫通孔を形成するステップと、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に電圧を印加して前記非晶質物質層を加熱させることによって、前記非晶質物質層をポリシリコン層に結晶化させるステップと、を含む。
【００１４】
本発明のさらに他の具現例によるＴＦＴの形成方法は、基板上にゲート電極及び絶縁層を順次に形成するステップと、前記絶縁層上にソース電極及びドレイン電極と、前記ソース電極と前記ドレイン電極とを連結する少なくとも一つのヒーター層とを形成するステップと、前記絶縁層をエッチングして前記ヒーター層の下部に貫通孔を形成するステップと、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に電圧を印加して前記ヒーター層を加熱させるステップと、前記加熱されたヒーター層上にポリシリコン層を蒸着させるステップと、前記露出されたヒーター層をエッチングして除去するステップと、を含む。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、電極を連結するブリッジ形態のヒーター層及び／または非晶質物質層のみを選択的に加熱してポリシリコンを形成することによって、基板を２００℃以下の低温に維持することができる。したがって、ＬＣＤやＯＬＥＤに一般的に使われるガラス基板上にも、基板の変形なしにＴＦＴを容易に製造することができる。また、ＯＬＥＤ、ＬＣＤのような表示装置を表示画面を大面積化することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、添付された図面を参照して本発明による望ましい一実施形態を詳細に説明する。図面で同じ参照符号は同じ構成要素を示し、図面上で各構成要素の大きさは、本発明の理解を容易なものとするために便宜上、誇張していることがある。
【００１７】
図１Ａ〜図４Ｂは、本発明の実施形態によるポリシリコンの形成方法を説明するための図面である。
【００１８】
図１Ａは、基板上に絶縁層を形成して、前記絶縁層上に第１電極及び第２電極を形成した状態を示す平面図であり、図１Ｂは、図１ＡのＩ−Ｉ’線の断面図である。図１Ａ及び図１Ｂに示すように、先ず基板１１０を用意した後、基板１１０の上面に絶縁層１２０を形成する。ここで、基板１１０としては、例えば、ガラス基板、プラスチック基板、またはシリコン基板を用いることができる。そして、絶縁層１２０は、例えば、シリコン酸化物からなりうる。そして、絶縁層１２０の上面に第１電極１３１及び第２電極１３２を互いに離隔するように形成する。第１電極１３１及び第２電極１３２は、絶縁層１２０の上面に導電性金属物質を蒸着した後、これを所定の形態でパターニングすることで形成されうる。
【００１９】
図２Ａは、絶縁層１２０上にヒーター層１４０を形成し、このヒーター層１４０上に、シリコンを含む非晶質物質層１５０を形成した状態を示す平面図であり、図２Ｂは、図２ＡのＩＩ−ＩＩ’線の断面図である。図２Ａ及び図２Ｂに示すように、第１電極１３１及び第２電極１３２が形成された絶縁層１２０の上面に、第１電極１３１と第２電極１３２とを連結するようにヒーター層１４０を形成する。ここで、ヒーター層１４０は、Ｗ、Ｍｏ、ＳｉＣ、ＺｒＯ２、ＭｏＳｉ２、及びＮｉＣｒからなる群から選択された少なくとも一つの物質からなりうる。
【００２０】
なお、図にはヒーター層１４０が一つである場合が図示されているが、本実施形態はこれに限定されず、二つ以上のヒーター層１４０が第１電極１３１と第２電極１３２とを連結するように形成されうる。そして、ヒーター層１４０の上面にシリコンを含む非晶質物質層１５０を形成する。ここで、非晶質物質層１５０は、非晶質ケイ素または非晶質炭化ケイ素からなりうる。したヒーター層１４０及び非晶質物質層１５０は、第１電極１３１及び第２電極１３２が形成された絶縁層上にヒーター物質及びシリコンを含む非晶質物質を順次に蒸着した後、これを所定の形態にパターニングすることによって形成されうる。
【００２１】
図３Ａは、絶縁層１２０を基板１１０が露出されるまでエッチングした状態を示す平面図であり、図３Ｂは、図３ＡのIII−III’線の断面図である。図３Ａ及び図３Ｂに示すように、絶縁層１２０を基板１１０が露出されるまでウェットエッチングすれば、絶縁層１２０は第１電極１３１及び第２電極１３２の下部のみに残り、ヒーター層１４０の下部には貫通孔１２５が形成される。これにより、ヒーター層１４０及び非晶質物質層１５０は、第１電極１３１と第２電極１３２とを連結するブリッジ形態を有する。
【００２２】
図４Ａ及び図４Ｂに示すように、第１電極１３１と第２電極１３２との間に所定の電圧を印加することによってヒーター層１４０を所定の温度に加熱させれば、ヒーター層１４０上に形成された非晶質物質層１５０は結晶化されてポリシリコン層１６０に変化する。ここで、ヒーター層１４０は概略６００℃以上の温度に加熱されうる。この過程で、ヒーター層１４０上に形成された非晶質物質層１５０のみ加熱されるので、基板１１０は２００℃以下の温度に維持される。なお、図では、第１電極１３１と第２電極１３２との間に直流電圧が印加される場合を示しているが、本実施形態はこれに限定されず、第１電極１３１と第２電極１３２との間に交流電圧またはパルス電圧が印加されることもある。
【００２３】
図５Ａ〜図８Ｂは、本発明の他の実施形態によるポリシリコンの形成方法を説明するための図面である。
【００２４】
図５Ａ及び図５Ｂは、基板２１０上に絶縁層２２０を形成し、絶縁層２２０上に非晶質物質層２５０及びヒーター層２４０を順次に形成した状態を示す平面図及び断面図である。図５Ａ及び図５Ｂに示すように、まず基板２１０を用意した後、基板２１０の上面に絶縁層２２０を形成する。ここで、基板２１０としては、例えば、ガラス基板、プラスチック基板またはシリコン基板が使われうる。そして、絶縁層２２０は、例えば、シリコン酸化物からなりうる。次いで、絶縁層２２０の上面にシリコンを含む非晶質物質層２５０を形成する。非晶質物質層２５０は、非晶質ケイ素または非晶質炭化ケイ素からなりうる。なお、図では絶縁層２２０の上面に一つの非晶質ケイ素層２５０が形成された場合を示しているが、本実施形態はこれに限定されずに二つ以上の非晶質ケイ素層２５０が形成されることもある。そして、非晶質物質層２５０の上面にヒーター層２４０を形成する。ヒーター層２４０は、Ｗ、Ｍｏ、ＳｉＣ、ＺｒＯ２、ＭｏＳｉ２、及びＮｉＣｒからなる群から選択された少なくとも一つの物質からなりうる。の非晶質物質層２５０及びヒーター層２４０は、絶縁層２２０上にシリコンを含む非晶質物質及びヒーター物質を順次に蒸着した後、これを所定の形態にパターニングすることで形成される。
【００２５】
図６Ａは、第１電極２３１及び第２電極２３２がヒーター層２４０の両端に連結されるように形成された状態を示す平面図であり、図６Ｂは、図６ＡのＩＶ−ＩＶ‘線の断面図である。図６Ａ及び図６Ｂに示すように、第１及び第２電極２３１、２３２は、非晶質物質層２５０及びヒーター層２４０が形成された絶縁層２２０上に導電性金属物質を蒸着した後、これを所定形態にパターニングすることで形成されうる。これにより、第１電極２３１及び第２電極２３２は、ヒーター層２４０の両端上面にそれぞれ連結される。
【００２６】
図７Ａは、絶縁層２２０を基板２１０が露出されるまでエッチングした状態を示す平面図であり、図７Ｂは、図７ＡのＶ−Ｖ’線の断面図である。図７Ａ及び図７Ｂに示すように、絶縁層２２０を基板２１０が露出されるまでウェットエッチングすれば、絶縁層２２０は、第１及び第２電極２３１、２３２の下部のみに残り、非晶質物質層２５０の下部には貫通孔２２５が形成される。これにより、非晶質物質層２５０及びヒーター層２４０は、第１電極２３１と第２電極２３２とを連結するブリッジ形態を持つ。
【００２７】
図８Ａ及び図８Ｂに示すように、第１電極２３１と第２電極２３２との間に所定の電圧を印加することによって、ヒーター層２４０を所定の温度に加熱させれば、ヒーター層２４０の下面に形成された非晶質物質層２５０は結晶化されてポリシリコン層２６０に変化する。ここで、ヒーター層２４０は、概略６００℃以上の温度に加熱されうる。この過程で、ヒーター層２４０上に形成された非晶質物質層２５０のみ加熱されるので、基板２１０は２００℃以下の温度に維持される。なお、図では第１電極２３１と第２電極２３２との間に直流電圧が印加される場合を示しているが、本実施形態はこれに限定されず、第１電極２３１と第２電極２３２との間に交流電圧またはパルス電圧が印加されることもある。
【００２８】
図９Ａ〜図１０Ｂは、本発明のさらに他の実施形態によるポリシリコンの形成方法を説明するための図面である。
【００２９】
図９Ａ及び図９Ｂに示すように、まず、基板３１０を用意した後、基板３１０の上面に絶縁層３２０を形成する。ここで、基板３１０としては、例えば、ガラス基板、プラスチック基板またはシリコン基板が使われうる。そして、絶縁層３２０は、例えば、シリコン酸化物からなりうる。そして、絶縁層３２０の上面に第１電極３３１及び第２電極３３２を互いに離隔するように形成する。
【００３０】
次いで、絶縁層３２０の上面に第１電極３３１と第２電極３３２とを連結するシリコンを含む非晶質物質層３５０を形成する。非晶質物質層３５０は、非晶質ケイ素または非晶質炭化ケイ素からなりうる。このような非晶質物質層３５０は、第１電極３３１及び第２電極３３２が形成された絶縁層３２０の上面にシリコンを含む非晶質物質を蒸着した後、これを所定の形態にパターニングすることで形成されうる。なお、図では一つの非晶質物質層３５０が形成された場合を示しているが、本実施形態はこれに限定されず、第１電極３３１と第２電極３３２とを連結する複数の非晶質物質層３５０が形成されることもある。
【００３１】
図１０Ａ及び図１０Ｂ（図１０ＡのＶＩ−ＶＩ’線の断面図）に示すように、絶縁層３２０を基板３１０が露出されるまでウェットエッチングすれば、絶縁層３２０は、第１電極３３１及び第２電極３３２の下部のみに残り、非晶質物質層３５０の下部には貫通孔３２５が形成される。これにより、非晶質物質層３５０は、第１電極３３１と第２電極３３２とを連結するブリッジ形態を持つようになる。
【００３２】
次いで、第１電極３３１と第２電極３３２との間に所定の電圧を印加すれば、非晶質物質層３５０は所定の温度に加熱され、これにより、非晶質物質層３５０は結晶化されてポリシリコン層３６０に変化する。ここで、非晶質物質層３５０は、概略６００℃以上の温度に加熱されうる。この過程で、非晶質物質層３５０のみ加熱されるので、基板は２００℃以下の温度に維持される。なお、図では第１電極３３１と第２電極３３２との間に直流電圧が印加される場合を示しているが、本実施形態はこれに限定されず、第１電極３３１と第２電極３３２との間に交流電圧またはパルス電圧が印加されることもある。
【００３３】
以上では絶縁層３２０の上面に第１電極３３１及び第２電極３３２を先ず形成した後、第１電極３３１及び第２電極３３２を連結する非晶質物質層３５０を形成する場合について説明したが、絶縁層３２０の上面に非晶質物質層３５０を先ず形成した後、非晶質物質層３５０の両端にそれぞれ連結される第１電極３３１及び第２電極３３２を形成することもある。
【００３４】
図１１Ａ〜図１３Ｂは、本発明のさらに他の実施形態によるポリシリコンの形成方法を説明するための図面である。
【００３５】
図１１Ａ及び図１１Ｂに示すように、まず基板４１０を用意した後、基板４１０の上面に絶縁層４２０を形成する。ここで、基板４１０としては、例えば、ガラス基板、プラスチック基板またはシリコン基板が使われうる。そして、絶縁層４２０は、例えば、シリコン酸化物からなりうる。そして、絶縁層４２０の上面に第１及び第２電極４３１、４３２を形成する。
【００３６】
次いで、絶縁層４２０の上面に第１電極４３１と第２電極４３２とを連結するようにヒーター層４４０を形成する。ヒーター層４４０は、Ｗ、Ｍｏ、ＳｉＣ、ＺｒＯ２、ＭｏＳｉ２、及びＮｉＣｒからなる群から選択された少なくとも一つの物質からなりうる。このようなヒーター層４４０は、第１電極４３１及び第２電極４３２が形成された絶縁層４２０の上面にヒーター物質を蒸着した後、これを所定形態にパターニングすることで形成されうる。なお、図ではヒーター層４４０が一つである場合を示しているが、本実施形態はこれに限定されず、二つ以上のヒーター層４４０が第１電極４３１と第２電極４３２とを連結するように形成されうる。
【００３７】
図１２Ａ及び図１２Ｂに示すように、絶縁層４２０を基板４１０が露出されるまでウェットエッチングすれば、絶縁層４２０は第１電極４３１及び第２電極４３２の下部のみに残り、ヒーター層４４０の下部には貫通孔４２５が形成される。これにより、ヒーター層４４０は、第１電極４３１と第２電極４３２とを連結するブリッジ形態を有するようになる。
【００３８】
次いで、第１電極４３１と第２電極４３２との間に所定の電圧を印加してヒーター層４４０を所定の温度に加熱させる。ここで、ヒーター層４４０は、概略６００℃以上の温度に加熱されうる。なお、図では第１電極４３１と第２電極４３２との間に直流電圧が印加される場合を示しているが、本実施形態はこれに限定されず、第１電極４３１と第２電極４３２との間に交流電圧またはパルス電圧が印加されることもある。そして、ヒーター層４４０が加熱された状態でシランガスをソースとして使用して、化学気相蒸着法（ＣＶＤ；Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、具体的に低圧化学気相蒸着法（ＬＰＣＶＤ：Ｌｏｗ  Ｐｒｅｓｓｕｒｅ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）によってヒーター層４４０上にシリコンを蒸着させれば、図１３Ａ及び図１３Ｂに示したように、ヒーター層４４０上にポリシリコン層４６０が形成される。
【００３９】
以上では、絶縁層４２０の上面に第１電極４３１及び第２電極４３２を先ず形成した後、第１電極４３１と第２電極４３２とを連結するヒーター層４４０を形成する場合について説明したが、絶縁層４２０の上面にヒーター層４４０を先ず形成した後、ヒーター層４４０の両端にそれぞれ連結される第１電極４３１及び第２電極４３２を形成することもある。
【００４０】
以上の実施形態で説明したように、第１電極と第２電極とを連結するヒーター層及び／または非晶質ケイ素層のみを選択的に加熱してポリシリコン層を形成することにより、熱に弱い基板、例えば、ガラス基板が使われる場合にも基板が温度によって変形する恐れがなくなる。
【００４１】
以下では、前述したポリシリコンの形成方法によって形成されたポリシリコンを備えたＴＦＴについて説明する。
【００４２】
図１４Ａは、本発明のさらに他の実施形態によるＴＦＴを示す平面図であり、図１４Ｂは、図１４ＡのＶＩＩ−ＶＩＩ’線の断面図である。図１４Ａ及び図１４Ｂに示すように、基板５１０の上面にゲート電極５７０が形成されている。ここで、基板５１０としては、例えば、ガラス基板、プラスチック基板またはシリコン基板が使われうる。ゲート電極５７０は、例えば、Ｎｉ、Ａｌ、Ｎｄ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｃｏ、Ｉｒ、Ｃｒ、及びＭｏからなる群から選択された少なくとも一つの物質からなりうる。ゲート電極５７０の上面には絶縁層５２０が突出した形態に形成されている。このような絶縁層５２０は、例えば、シリコン酸化物からなりうる。そして、突出した絶縁層５２０の上面には、それぞれソース電極５３１及びドレイン電極５３２が形成されている。このようなソース電極５３１及びドレイン電極５３２は、例えば、Ｃｒ／Ａｌ、非晶質ケイ素／Ａｌ、またはＣｒ／Ｍｏからなりうる。ソース電極５３１とドレイン電極５３２との間には、ポリシリコン層５６０がソース電極５３１とドレイン電極５３２とを連結するように形成されている。具体的には、ポリシリコン層５６０は、その両端の下面がそれぞれソース電極５３１及びドレイン電極５３２の上面に連結されるように形成されている。これにより、ポリシリコン層５６０は、ソース電極５３１とドレイン電極５３２とを連結するブリッジ形態を有するようになり、ポリシリコン層５６０の下部には貫通孔５２５が形成される。上記のようなＴＦＴでは、貫通孔５２５内に存在する空気がゲート絶縁膜を構成する。なお、図では一つのポリシリコン層５６０がソース電極５３１とドレイン電極５３２とを連結するように形成されている場合を示しているが、本実施形態はこれに限定されず、複数のポリシリコン層５６０がソース電極５３１とドレイン電極５３２とを連結するように形成されることもある。
【００４３】
図１５は、図１４Ａ及び図１４Ｂに示したＴＦＴの変形例を示すものである。図１５に示すように、図１４Ａ及び図１４Ｂに示したＴＦＴの全面には酸化膜５８０が形成されている。酸化膜５８０は、例えば、シリコン酸化物からなりうる。これにより、ポリシリコン層５６０の下部の貫通孔（図１４Ｂの５２５）の内壁にも酸化膜５８０が形成され、この酸化膜５８０及び酸化膜５８０の内側に存在する空気がゲート絶縁膜を構成する。一方、酸化膜５８０は、ポリシリコン層５８０の下部の貫通孔５２５を満たすように形成されることもある。この場合、貫通孔５２５を満たす酸化膜５８０がゲート絶縁膜を構成する。
【００４４】
図１６Ａは、本発明のさらに他の実施形態によるＴＦＴを示す平面図であり、図１６Ｂは、図１６ＡのＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ‘線の断面図である。以下では、前述した実施形態と異なる点を中心に説明する。図１６Ａ及び図１６Ｂに示すように、基板６１０にゲート電極６７０が形成されており、ゲート電極６７０の上面には絶縁層６２０が突出した形態に形成されている。そして、突出した絶縁層６２０の上面には、それぞれソース電極６３１及びドレイン電極６３２が形成されている。ソース電極６３１とドレイン電極６３２との間には、ポリシリコン層６６０がソース電極６３１とドレイン電極６３２とを連結するように形成されている。ここで、ポリシリコン層６６０は、前述した実施形態とは異なってその両端の上面がそれぞれソース電極６３１及びドレイン電極６３２の下面に連結されるように形成されている。これにより、ポリシリコン層６６０は、ソース電極６３１とドレイン電極６３２とを連結するブリッジ形態を持つようになり、ポリシリコン層６６０の下部には貫通孔６２５が形成される。本実施形態によるＴＦＴでは、貫通孔６２５内に存在する空気がゲート絶縁膜を構成する。なお、図では一つのポリシリコン層６６０がソース電極６３１とドレイン電極６３２とを連結するように形成されている場合を示しているが、本実施形態にはこれに限定されず、複数のポリシリコン層６６０がソース電極６３１とドレイン電極６３２とを連結するように形成されることもある。
【００４５】
図１７は、図１６Ａ及び図１６Ｂに示したＴＦＴの変形例を示すものである。図１７に示すように、図１６Ａ及び図１６Ｂに示したＴＦＴの全面には酸化膜６８０が形成されている。これにより、ポリシリコン層６６０の下部の貫通孔（図１６Ｂの６２５）の内壁にも酸化膜６８０が形成され、この酸化膜６８０及び酸化膜６８０の内側に存在する空気がゲート絶縁膜を構成する。一方、酸化膜６８０は、ポリシリコン層６６０の下部の貫通孔６２５を満たすように形成されることもある。この場合、貫通孔６２５を満たす酸化膜６８０がゲート絶縁膜を構成する。
【００４６】
以下では、前述したＴＦＴを製造する方法について説明する。
【００４７】
図１８Ａ〜図２２は、本発明のさらに他の実施形態によるＴＦＴの形成方法を説明するための図である。
【００４８】
図１８Ａ及び図１８Ｂに示すように、まず基板７１０を用意する。基板７１０としては、例えば、ガラス基板、プラスチック基板またはシリコン基板が使われうる。そして、基板７１０の上面にゲート電極７７０を形成する。ゲート電極７７０は、例えば、Ｎｉ、Ａｌ、Ｎｄ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｃｏ、Ｉｒ、Ｃｒ、及びＭｏからなる群から選択された少なくとも一つの物質からなりうる。このようなゲート電極７７０は、基板７１０の上面に前述した物質を蒸着した後、これを所定の形態にパターニングすることで形成されうる。
【００４９】
次いで、ゲート電極７７０の上面に絶縁層７２０を形成する。絶縁層７２０は、例えば、シリコン酸化物からなりうる。
【００５０】
次いで、絶縁層７２０の上面にソース電極７３１及びドレイン電極７３２を形成する。ソース電極７３１及びドレイン電極７３２は、例えば、Ｃｒ／Ａｌ、非晶質ケイ素／Ａｌ、またはＣｒ／Ｍｏからなりうる。このようなソース電極７３２及びドレイン電極７３２は絶縁層７２０の上面に前述した物質を蒸着した後、これを所定の形態にパターニングすることで形成されうる。
【００５１】
次いで、ソース電極７３１及びドレイン電極７３２が形成された絶縁層７２０の上面に、ソース電極７３１とドレイン電極７３２とを連結するようにヒーター層７４０を形成する。ここで、ヒーター層７４０は、後述するヒーター層７４０のエッチングステップで所定のエッチング液によってヒーター層７４０のみ選択的にエッチングされる物質からなりうる。例えば、ヒーター層７４０は、Ｗ、Ｍｏ、ＳｉＣ、ＺｒＯ２、ＭｏＳｉ２、及びＮｉＣｒからなる群から選択された少なくとも一つの物質からなりうる。なお、図ではヒーター層７４０が一つである場合を図示しているが、本実施形態はこれに限定されず、二つ以上のヒーター層７４０がソース電極７３１とドレイン電極７３２とを連結するように形成されうる。そして、ヒーター層７４０の上面にシリコンを含む非晶質物質層７５０を形成する。ここで、非晶質物質層７５０は、非晶質ケイ素または非晶質炭化ケイ素からなりうる。したヒーター層７４０及び非晶質物質層７５０は、ソース電極７３１及びドレイン電極７３２が形成された絶縁層７２０上にヒーター物質及びシリコンを含む非晶質物質を順次に蒸着した後、これを所定の形態にパターニングすることで形成されうる。
【００５２】
図１９Ａは、絶縁層７２０をゲート電極７７０が露出されるまでエッチングした状態を示す平面図であり、図１９Ｂは、図１９ＡのＩＸ−ＩＸ’線の断面図である。図１９Ａ及び図１９Ｂに示すように、絶縁層７２０をゲート電極７７０が露出されるまでウェットエッチングすれば、絶縁層７２０はソース電極７３１及びドレイン電極７３２の下部のみに残り、ヒーター層７４０の下部には貫通孔７２５が形成される。これにより、ヒーター層７４０及び非晶質物質層７５０は、ソース電極７３１とドレイン電極７３２とを連結するブリッジ形態を持つようになる。
【００５３】
図２０Ａ及び図２０Ｂに示すように、ソース電極７３１とドレイン電極７３２との間に所定の電圧を印加することによってヒーター層７４０を所定の温度に加熱させれば、ヒーター層７４０上に形成された非晶質物質層７５０は結晶化されてポリシリコン層７６０に変化する。ここで、ヒーター層７４０は、概略６００℃以上の温度に加熱されうる。この過程で、ヒーター層７４０上に形成された非晶質物質層７５０のみ加熱されるので、基板７１０は２００℃以下の温度に維持される。なお、図ではソース電極７３１とドレイン電極７３２との間に直流電圧が印加される場合を示しているが、本実施形態はこれに限定されず、ソース電極７３１とドレイン電極７３２との間に交流電圧またはパルス電圧が印加されることもある。
【００５４】
図２１Ａ及び図２１Ｂに示すように、外部に露出されたヒーター層７４０をエッチングして除去する。このようなヒーター層７４０のエッチングステップで、ヒーター層７４０はエッチング選択性を有する物質からなっており、ヒーター層７４０のみ所定のエッチング液によって選択的にエッチングされうる。上記のようなステップを通じてＴＦＴが完成される。ここで、貫通孔７２５内に存在する空気がゲート絶縁膜を構成する。なお、本実施形態では図２２に示したステップがさらに含まれうる。すなわち、図２２に示すように、図２１Ａ及び図２１Ｂに示した構造物の全面に酸化膜７８０を形成する。これにより、ポリシリコン層７６０下部の貫通孔７２５の内壁にも酸化膜７８０が形成され、この酸化膜７８０及び酸化膜７８０の内側に存在する空気がゲート絶縁膜を構成する。また、酸化膜７８０は、ポリシリコン層７６０下部の貫通孔７２５を満たすように形成されることもある。この場合、貫通孔７２５を満たす酸化膜７８０がゲート絶縁膜を構成する。
【００５５】
図２３Ａ〜図２８は、本発明のさらに他の実施形態によるＴＦＴの形成方法を説明するための図面である。
【００５６】
図２３Ａ及び図２３Ｂに示すように、まず基板８１０を用意した後、基板８１０の上面にゲート電極８７０を形成する。そして、ゲート電極８７０の上面に絶縁層８２０を形成する。基板、ゲート電極８７０及び絶縁層８２０は前述したので、これについての詳細な説明は省略する。
【００５７】
次いで、絶縁層８２０の上面にシリコンを含む非晶質物質層８５０を形成する。非晶質物質層８５０は、非晶質ケイ素または非晶質炭化ケイ素からなりうる。なお、図では絶縁層８２０の上面に一つの非晶質ケイ素層８５０が形成された場合を示しているが、本実施形態はこれに限定されず、二つ以上の非晶質ケイ素層８５０が形成されることもある。そして、非晶質物質層８５０の上面にヒーター層８４０を形成する。ヒーター層８４０は、後述するヒーター層８４０のエッチングステップで所定のエッチング液によってヒーター層８４０のみ選択的にエッチングされる物質からなりうる。例えば、ヒーター層８４０は、Ｗ、Ｍｏ、ＳｉＣ、ＺｒＯ２、ＭｏＳｉ２、及びＮｉＣｒからなる群から選択された少なくとも一つの物質からなりうる。の非晶質物質層８５０及びヒーター層８４０は、絶縁層８２０上にシリコンを含む非晶質物質及びヒーター物質を順次に蒸着した後、これを所定の形態にパターニングすることで形成されうる。
【００５８】
図２４Ａ及び図２４Ｂに示すように、絶縁層８２０上にソース電極８３１とドレイン電極８３２とをヒーター層８４０の両端にそれぞれ連結されるように形成する。ソース電極８３１及びドレイン電極８３２は、非晶質物質層８５０及びヒーター層８４０が形成された絶縁層８２０上に導電性金属物質を蒸着した後、これを所定形態にパターニングすることで形成されうる。これにより、ソース電極８３１及びドレイン電極８３２は、ヒーター層８４０の両端上面にそれぞれ連結される。
【００５９】
図２５Ａは、絶縁層８２０をゲート電極８７０が露出されるまでエッチングした状態を示す平面図であり、図２５Ｂは、図２５ＡのＸ−Ｘ’線の断面図である。図２５Ａ及び図２５Ｂに示すように、絶縁層８２０をゲート電極８７０が露出されるまでウェットエッチングすれば、絶縁層８２０はソース電極８３１及びドレイン電極８３２の下部のみに残り、非晶質物質層８５０の下部には貫通孔８２５が形成される。これにより、非晶質物質層８５０及びヒーター層８４０は、ソース電極８３１とドレイン電極８３２とを連結するブリッジ形態を有するようになる。
【００６０】
図２６Ａ及び図２６Ｂに示すように、ソース電極８３１とドレイン電極８３２との間に所定の電圧を印加することによってヒーター層８４０を所定の温度に加熱させれば、ヒーター層８４０の下面に形成された非晶質物質層８５０は結晶化されてポリシリコン層８６０に変化する。ここで、ヒーター層８４０は概略６００℃以上の温度に加熱されうる。この過程で、ヒーター層８４０上に形成された非晶質物質層８５０のみ加熱されるので、基板８１０は２００℃以下の温度に維持される。なお、図ではソース電極８３１とドレイン電極８３２との間に直流電圧が印加される場合を示しているが、本実施形態はこれに限定されず、ソース電極８３１とドレイン電極８３２との間に交流電圧またはパルス電圧が印加されることもある。
【００６１】
図２７Ａ及び図２７Ｂに示すように、外部に露出されたヒーター層８４０をエッチングして除去する。このようなヒーター層８４０のエッチングステップで、ヒーター層８４０はエッチング選択性を持つ物質からなっており、ヒーター層８４０のみ所定のエッチング液によって選択的にエッチングされうる。上記のようなステップを通じてＴＦＴが完成される。ここで、貫通孔８２５内に存在する空気がゲート絶縁膜を構成する。
【００６２】
一方、本実施形態では図２８に示したステップがさらに含まれうる。すなわち、図２８に示すように、図２７Ａ及び図２７Ｂに示した構造物の全面に酸化膜８８０を形成する。これにより、ポリシリコン層８６０の下部の貫通孔８２５の内壁にも酸化膜８８０が形成され、この酸化膜８８０及び酸化膜８８０の内側に存在する空気がゲート絶縁膜を構成する。なお、酸化膜８８０は、ポリシリコン層８６０の下部の貫通孔８２５を満たすように形成されることもある。この場合、貫通孔８２５を満たす酸化膜８８０がゲート絶縁膜を構成する。
【００６３】
図２９Ａ〜図３１は、本発明のさらに他の実施形態によるＴＦＴの形成方法を説明するための図面である。
【００６４】
図２９Ａ及び図２９Ｂに示すように、まず基板９１０を用意した後、基板９１０の上面にゲート電極９７０を形成する。そして、ゲート電極９７０の上面に絶縁層９２０を形成した後、絶縁層９２０の上面にソース電極９３１とドレイン電極９３２とを形成する。基板９１０、ゲート電極９７０、絶縁層９２０、ソース電極９３１及びドレイン電極９３２は前述したのでこれについての詳細な説明は省略する。
【００６５】
次いで、絶縁層９２０の上面に、ソース電極９３１とドレイン電極９３２とを連結するシリコンを含む非晶質物質層９５０を形成する。非晶質物質層９５０は、非晶質ケイ素または非晶質炭化ケイ素からなりうる。このような非晶質物質層９５０は、ソース電極９３１及びドレイン電極９３２が形成された絶縁層９２０の上面にシリコンを含む非晶質物質を蒸着した後、これを所定の形態にパターニングすることで形成されうる。なお、図では一つの非晶質物質層９５０が形成された場合を示しているが、本実施形態はこれに限定されず、ソース電極９３１とドレイン電極９３２とを連結する複数の非晶質物質層９５０が形成されることもある。
【００６６】
図３０Ａ及び図３０Ｂ（図３０ＡのＸＩ−ＸＩ’線の断面図）に示すように、絶縁層９２０をゲート電極９７０が露出されるまでウェットエッチングすれば、絶縁層９２０は、ソース電極９３１及びドレイン電極９３２の下部のみに残り、非晶質物質層９５０の下部には貫通孔９２５が形成される。これにより、非晶質物質層９５０は、ソース電極９３１とドレイン電極９３２とを連結するブリッジ形態を有するようになる。
【００６７】
次いで、ソース電極９３１とドレイン電極９３２との間に所定の電圧を印加すれば、非晶質物質層９５０は所定の温度に加熱され、これにより、非晶質物質層９５０は結晶化されてポリシリコン層９６０に変化する。ここで、非晶質物質層９５０は概略６００℃以上の温度に加熱されうる。この過程で、非晶質物質層９５０のみ加熱されるので、基板９１０は、２００℃以下の温度に維持される。なお、図ではソース電極９３１とドレイン電極９３２との間に直流電圧が印加される場合を示しているが、本実施形態はこれに限定されず、ソース電極９３１とドレイン電極９３２との間に交流電圧またはパルス電圧が印加されることもある。
【００６８】
以上では、絶縁層９２０の上面にソース電極９３１及びドレイン電極９３２を先ず形成した後、ソース電極９３１とドレイン電極９３２とを連結する非晶質物質層９５０を形成する場合について説明したが、絶縁層９２０の上面に非晶質物質層９５０を先ず形成した後、非晶質物質層９５０の両端にそれぞれ連結されるソース電極９３１及びドレイン電極９３２を形成することもある。上記のようなステップを通じてＴＦＴが完成される。ここで、貫通孔９２５内に存在する空気がゲート絶縁膜を構成する。
【００６９】
なお、本実施形態では、図３１に示したステップがさらに含まれうる。すなわち、図３１に示すように、図３０Ａ及び図３０Ｂに示した構造物の全面に酸化膜９８０を形成する。これにより、ポリシリコン層９６０の下部の貫通孔９２５内壁にも酸化膜９８０が形成され、この酸化膜９８０及び酸化膜９８０の内側に存在する空気がゲート絶縁膜を構成する。また、酸化膜９８０は、ポリシリコン層９６０の下部の貫通孔９２５を満たすように形成されることもある。この場合、貫通孔９２５を満たす酸化膜９８０がゲート絶縁膜を構成する。
【００７０】
図３２Ａ〜図３６は、本発明のさらに他の実施形態によるＴＦＴの形成方法を説明するための図面である。
【００７１】
図３２Ａ及び図３２Ｂに示すように、まず基板１０１０を用意した後、基板１０１０の上面にゲート電極１０７０を形成する。そして、ゲート電極１０７０の上面に絶縁層１０２０を形成した後、絶縁層１０２０の上面にソース電極１０３１とドレイン電極１０３２を形成する。基板１０１０、ゲート電極１０７０、絶縁層１０２０、ソース電極１０３１、及びドレイン電極１０３２については前述したものと同様であるので、これについての詳細な説明は省略する。
【００７２】
次いで、絶縁層１０２０の上面に、ソース電極１０３１とドレイン電極１０３２とを連結するようにヒーター層１０４０を形成する。ヒーター層１０４０は、後述するヒーター層１０４０のエッチングステップで所定のエッチング液によってヒーター層１０４０のみ選択的にエッチングされる物質からなりうる。例えば、ヒーター層１０４０は、Ｗ、Ｍｏ、ＳｉＣ、ＺｒＯ２、ＭｏＳｉ２、及びＮｉＣｒからなる群から選択された少なくとも一つの物質からなりうる。このようなヒーター層１０４０は、ソース電極１０３１及びドレイン電極１０３２が形成された絶縁層１０２０の上面にヒーター物質を蒸着した後、これを所定形態にパターニングすることで形成されうる。なお、図ではヒーター層１０４０が一つである場合が示しているが、本実施形態はこれに限定されず、二つ以上のヒーター層１０４０がソース電極１０３１とドレイン電極１０３２とを連結するように形成されうる。
【００７３】
図３３Ａ及び図３３Ｂ（図３３ＡのＸII−ＸII’線の断面図）に示すように、絶縁層１０２０をゲート電極１０７０が露出されるまでウェットエッチングすれば、絶縁層１０２０は、ソース電極１０３１及びドレイン電極１０３２の下部のみに残り、ヒーター層１０４０の下部には貫通孔１０２５が形成される。これにより、ヒーター層１０４０は、ソース電極１０３１とドレイン電極１０３２とを連結するブリッジ形態を有するようになる。
【００７４】
次いで、ソース電極１０３１とドレイン電極１０３２との間に所定の電圧を印加してヒーター層１０４０を所定温度に加熱させる。ここで、ヒーター層１０４０は概略６００℃以上の温度に加熱されうる。なお、図ではソース電極１０３１とドレイン電極１０３２との間に直流電圧が印加される場合を示しているが、本実施形態はこれに限定されず、ソース電極１０３１とドレイン電極１０３２との間に交流電圧またはパルス電圧が印加されることもある。そして、ヒーター層１０４０が加熱された状態でシランガスをソースとして使用して、ＣＶＤ、具体的には、ＬＰＣＶＤによってヒーター層１０４０上にシリコンを蒸着させれば、図３４Ａ及び図３４Ｂに示したようにヒーター層１０４０上にポリシリコン層１０６０が形成される。
【００７５】
次いで、図３５Ａ及び図３５Ｂに示すように、外部に露出されたヒーター層１０４０をエッチングして除去する。このようなヒーター層１０４０のエッチングステップで、ヒーター層１０４０はエッチング選択性を有する物質からなっており、ヒーター層１０４０のみ所定のエッチング液によって選択的にエッチングされうる。
【００７６】
以上では絶縁層１０２０の上面にソース電極１０３１及びドレイン電極１０３２を先ず形成した後、ソース電極１０３１とドレイン電極１０３２とを連結するヒーター層１０４０を形成する場合について説明したが、絶縁層１０２０の上面にヒーター層１０４０を先ず形成した後、ヒーター層１０４０の両端にそれぞれ連結されるソース電極１０３１及びドレイン電極１０３２を形成することもある。上記のようなステップを通じてＴＦＴが完成される。ここで、貫通孔１０２５内に存在する空気がゲート絶縁膜を構成する。
【００７７】
一方、本実施形態では図３６に示したステップがさらに含まれうる。すなわち、図３６に示すように、図３５Ａ及び図３５Ｂに示した構造物の全面に酸化膜１０８０を形成する。これにより、ポリシリコン層１０６０下部の貫通孔１０２５の内壁にも酸化膜１０８０が形成され、この酸化膜１０８０及び酸化膜１０８０の内側に存在する空気がゲート絶縁膜を構成する。なお、酸化膜１０８０は、ポリシリコン層１０６０下部の貫通孔１０２５を満たすように形成されることもある。この場合、貫通孔１０２５を満たす酸化膜１０８０がゲート絶縁膜を構成する。
【００７８】
以上の実施形態で説明したように、ソース電極とドレイン電極とを連結するヒーター層及び／または非晶質ケイ素層のみ選択的に加熱されてポリシリコン層を形成することによって、熱に弱い基板、例えば、ガラス基板が使われる場合にも基板が温度によって変形される恐れがなくなる。
【００７９】
以上、本発明による望ましい実施形態を説明したが、これは例示的なものに過ぎず、当業者ならばこれより均等な他の実施形態が可能であるという点を理解できるであろう。したがって、本発明の真の技術的保護範囲は特許請求の範囲によって決定されなければならない。
【産業上の利用可能性】
【００８０】
本発明は、ポリシリコンの形成方法、当該ポリシリコンを備えるＴＦＴ、及びその形成方法関連の技術分野に好適に用いられる。
【図面の簡単な説明】
【００８１】
【図１Ａ】本発明の実施形態によるポリシリコンの形成方法を説明するための図面である。
【図１Ｂ】本発明の実施形態によるポリシリコンの形成方法を説明するための図面である。
【図２Ａ】本発明の実施形態によるポリシリコンの形成方法を説明するための図面である。
【図２Ｂ】本発明の実施形態によるポリシリコンの形成方法を説明するための図面である。
【図３Ａ】本発明の実施形態によるポリシリコンの形成方法を説明するための図面である。
【図３Ｂ】本発明の実施形態によるポリシリコンの形成方法を説明するための図面である。
【図４Ａ】本発明の実施形態によるポリシリコンの形成方法を説明するための図面である。
【図４Ｂ】本発明の実施形態によるポリシリコンの形成方法を説明するための図面である。
【図５Ａ】本発明の他の実施形態によるポリシリコンの形成方法を説明するための図面である。
【図５Ｂ】本発明の他の実施形態によるポリシリコンの形成方法を説明するための図面である。
【図６Ａ】本発明の他の実施形態によるポリシリコンの形成方法を説明するための図面である。
【図６Ｂ】本発明の他の実施形態によるポリシリコンの形成方法を説明するための図面である。
【図７Ａ】本発明の他の実施形態によるポリシリコンの形成方法を説明するための図面である。
【図７Ｂ】本発明の他の実施形態によるポリシリコンの形成方法を説明するための図面である。
【図８Ａ】本発明の他の実施形態によるポリシリコンの形成方法を説明するための図面である。
【図８Ｂ】本発明の他の実施形態によるポリシリコンの形成方法を説明するための図面である。
【図９Ａ】本発明のさらに他の実施形態によるポリシリコンの形成方法を説明するための図面である。
【図９Ｂ】本発明のさらに他の実施形態によるポリシリコンの形成方法を説明するための図面である。
【図１０Ａ】本発明のさらに他の実施形態によるポリシリコンの形成方法を説明するための図面である。
【図１０Ｂ】本発明のさらに他の実施形態によるポリシリコンの形成方法を説明するための図面である。
【図１１Ａ】本発明のさらに他の実施形態によるポリシリコンの形成方法を説明するための図面である。
【図１１Ｂ】本発明のさらに他の実施形態によるポリシリコンの形成方法を説明するための図面である。
【図１２Ａ】本発明のさらに他の実施形態によるポリシリコンの形成方法を説明するための図面である。
【図１２Ｂ】本発明のさらに他の実施形態によるポリシリコンの形成方法を説明するための図面である。
【図１３Ａ】本発明のさらに他の実施形態によるポリシリコンの形成方法を説明するための図面である。
【図１３Ｂ】本発明のさらに他の実施形態によるポリシリコンの形成方法を説明するための図面である。
【図１４Ａ】本発明のさらに他の実施形態によるＴＦＴを示す平面図である。
【図１４Ｂ】本発明のさらに他の実施形態によるＴＦＴを示す断面図である。
【図１５】図１４Ａ及び図１４Ｂに示した本発明のさらに他の実施形態によるＴＦＴの変形例を示す断面図である。
【図１６Ａ】本発明のさらに他の実施形態によるＴＦＴを示す平面図である。
【図１６Ｂ】本発明のさらに他の実施形態によるＴＦＴを示す断面図である。
【図１７】図１６Ａ及び図１６Ｂに示した本発明のさらに他の実施形態によるＴＦＴの変形例を示す断面図である。
【図１８Ａ】本発明のさらに他の実施形態によるＴＦＴの形成方法を説明するための図面である。
【図１８Ｂ】本発明のさらに他の実施形態によるＴＦＴの形成方法を説明するための図面である。
【図１９Ａ】本発明のさらに他の実施形態によるＴＦＴの形成方法を説明するための図面である。
【図１９Ｂ】本発明のさらに他の実施形態によるＴＦＴの形成方法を説明するための図面である。
【図２０Ａ】本発明のさらに他の実施形態によるＴＦＴの形成方法を説明するための図面である。
【図２０Ｂ】本発明のさらに他の実施形態によるＴＦＴの形成方法を説明するための図面である。
【図２１Ａ】本発明のさらに他の実施形態によるＴＦＴの形成方法を説明するための図面である。
【図２１Ｂ】本発明のさらに他の実施形態によるＴＦＴの形成方法を説明するための図面である。
【図２２】本発明のさらに他の実施形態によるＴＦＴの形成方法を説明するための図面である。
【図２３Ａ】本発明のさらに他の実施形態によるＴＦＴの形成方法を説明するための図面である。
【図２３Ｂ】本発明のさらに他の実施形態によるＴＦＴの形成方法を説明するための図面である。
【図２４Ａ】本発明のさらに他の実施形態によるＴＦＴの形成方法を説明するための図面である。
【図２４Ｂ】本発明のさらに他の実施形態によるＴＦＴの形成方法を説明するための図面である。
【図２５Ａ】本発明のさらに他の実施形態によるＴＦＴの形成方法を説明するための図面である。
【図２５Ｂ】本発明のさらに他の実施形態によるＴＦＴの形成方法を説明するための図面である。
【図２６Ａ】本発明のさらに他の実施形態によるＴＦＴの形成方法を説明するための図面である。
【図２６Ｂ】本発明のさらに他の実施形態によるＴＦＴの形成方法を説明するための図面である。
【図２７Ａ】本発明のさらに他の実施形態によるＴＦＴの形成方法を説明するための図面である。
【図２７Ｂ】本発明のさらに他の実施形態によるＴＦＴの形成方法を説明するための図面である。
【図２８】本発明のさらに他の実施形態によるＴＦＴの形成方法を説明するための図面である。
【図２９Ａ】本発明のさらに他の実施形態によるＴＦＴの形成方法を説明するための図面である。
【図２９Ｂ】本発明のさらに他の実施形態によるＴＦＴの形成方法を説明するための図面である。
【図３０Ａ】本発明のさらに他の実施形態によるＴＦＴの形成方法を説明するための図面である。
【図３０Ｂ】本発明のさらに他の実施形態によるＴＦＴの形成方法を説明するための図面である。
【図３１】本発明のさらに他の実施形態によるＴＦＴの形成方法を説明するための図面である。
【図３２Ａ】本発明のさらに他の実施形態によるＴＦＴの形成方法を説明するための図面である。
【図３２Ｂ】本発明のさらに他の実施形態によるＴＦＴの形成方法を説明するための図面である。
【図３３Ａ】本発明のさらに他の実施形態によるＴＦＴの形成方法を説明するための図面である。
【図３３Ｂ】本発明のさらに他の実施形態によるＴＦＴの形成方法を説明するための図面である。
【図３４Ａ】本発明のさらに他の実施形態によるＴＦＴの形成方法を説明するための図面である。
【図３４Ｂ】本発明のさらに他の実施形態によるＴＦＴの形成方法を説明するための図面である。
【図３５Ａ】本発明のさらに他の実施形態によるＴＦＴの形成方法を説明するための図面である。
【図３５Ｂ】本発明のさらに他の実施形態によるＴＦＴの形成方法を説明するための図面である。
【図３６】本発明のさらに他の実施形態によるＴＦＴの形成方法を説明するための図面である。
【符号の説明】
【００８２】
１１０    基板、
１２０    絶縁層、
１２５    貫通孔、
１３１    第１電極、
１３２    第２電極、
１４０    ヒーター層、
１６０    ポリシリコン層。
【図１Ａ】
2008172245.tif 000003
【図１Ｂ】
2008172245.tif 000004
【図２Ａ】
2008172245.tif 000005
【図２Ｂ】
2008172245.tif 000006
【図３Ａ】
2008172245.tif 000007
【図３Ｂ】
2008172245.tif 000008
【図４Ａ】
2008172245.tif 000009
【図４Ｂ】
2008172245.tif 000010
【図５Ａ】
2008172245.tif 000011
【図５Ｂ】
2008172245.tif 000012
【図６Ａ】
2008172245.tif 000013
【図６Ｂ】
2008172245.tif 000014
【図７Ａ】
2008172245.tif 000015
【図７Ｂ】
2008172245.tif 000016
【図８Ａ】
2008172245.tif 000017
【図８Ｂ】
2008172245.tif 000018
【図９Ａ】
2008172245.tif 000019
【図９Ｂ】
2008172245.tif 000020
【図１０Ａ】
2008172245.tif 000021
【図１０Ｂ】
2008172245.tif 000022
【図１１Ａ】
2008172245.tif 000023
【図１１Ｂ】
2008172245.tif 000024
【図１２Ａ】
2008172245.tif 000025
【図１２Ｂ】
2008172245.tif 000026
【図１３Ａ】
2008172245.tif 000027
【図１３Ｂ】
2008172245.tif 000028
【図１４Ａ】
2008172245.tif 000029
【図１４Ｂ】
2008172245.tif 000030
【図１５】
2008172245.tif 000031
【図１６Ａ】
2008172245.tif 000032
【図１６Ｂ】
2008172245.tif 000033
【図１７】
2008172245.tif 000034
【図１８Ａ】
2008172245.tif 000035
【図１８Ｂ】
2008172245.tif 000036
【図１９Ａ】
2008172245.tif 000037
【図１９Ｂ】
2008172245.tif 000038
【図２０Ａ】
2008172245.tif 000039
【図２０Ｂ】
2008172245.tif 000040
【図２１Ａ】
2008172245.tif 000041
【図２１Ｂ】
2008172245.tif 000042
【図２２】
2008172245.tif 000043
【図２３Ａ】
2008172245.tif 000044
【図２３Ｂ】
2008172245.tif 000045
【図２４Ａ】
2008172245.tif 000046
【図２４Ｂ】
2008172245.tif 000047
【図２５Ａ】
2008172245.tif 000048
【図２５Ｂ】
2008172245.tif 000049
【図２６Ａ】
2008172245.tif 000050
【図２６Ｂ】
2008172245.tif 000051
【図２７Ａ】
2008172245.tif 000052
【図２７Ｂ】
2008172245.tif 000053
【図２８】
2008172245.tif 000054
【図２９Ａ】
2008172245.tif 000055
【図２９Ｂ】
2008172245.tif 000056
【図３０Ａ】
2008172245.tif 000057
【図３０Ｂ】
2008172245.tif 000058
【図３１】
2008172245.tif 000059
【図３２Ａ】
2008172245.tif 000060
【図３２Ｂ】
2008172245.tif 000061
【図３３Ａ】
2008172245.tif 000062
【図３３Ｂ】
2008172245.tif 000063
【図３４Ａ】
2008172245.tif 000064
【図３４Ｂ】
2008172245.tif 000065
【図３５Ａ】
2008172245.tif 000066
【図３５Ｂ】
2008172245.tif 000067
【図３６】
2008172245.tif 000068