(57)【要約】      （修正有）【課題】可撓性が乏しい無機半導体装置と、可撓性がある有機半導体装置とを組み合わせ、曲面や形状の変化する用途、製品に用いることの出来る半導体装置を提供する。【解決手段】有機半導体装置１１と、小型の無機半導体装置１２を組み合わせて用い、相互を電気的に接続し、かつ可撓性のある有機材料体１３に包含させる構成とした。この結果、有機半導体装置１１と無機半導体装置１２の長所を併せ持ち、かつ可撓性があって、曲面や形状の変化する用途、製品に用いことのできる半導体装置が具現化した。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機材料から構成される有機半導体装置と、
無機材料から構成される無機半導体装置と、
可撓性の有機材料体と、を有し、
前記有機半導体装置の一本以上の信号線もしくは電源線と前記無機半導体装置の一本以上の信号線もしくは電源線が電気的に接続され、かつ前記有機半導体装置と無機半導体装置はともに前記可撓性の有機材料体により包含されていることを特徴とする有機無機融合半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記無機半導体装置は１ｍｍ角未満の形状であることを特徴とする有機無機融合半導体装置。
【請求項３】
請求項１もしくは請求項２において、
前記無機半導体装置を形成する材料としてシリコンが用いられていることを特徴とする有機無機融合半導体装置。
【請求項４】
請求項１もしくは請求項３において、
前記無機半導体装置が絶縁ゲート電界効果型トランジスタを含むことを特徴とする有機無機融合半導体装置。
【請求項５】
請求項１において、
前記可撓性の有機材料体の有機材料と、前記有機半導体装置の有機材料の一部が共通の素材であることを特徴とする有機無機融合半導体装置。
【請求項６】
請求項１において、
前記有機半導体装置、前記無機半導体装置、前記可撓性の有機材料体とに加え、更に
有機材料からなる光導波路装置を有し、前記可撓性の有機材料体のなかに前記有機材料からなる光導波路装置が包含されていることを特徴とする有機無機融合半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は可撓性を有する半導体装置の機能を高める手法と構成に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体装置を用いた分野において、様々な機能が要求され、かつ応用範囲が拡大するなかで、無機の半導体装置が更に改良されるとともに、有機半導体装置も盛んに用いられるようになってきた。
【０００３】
例えば特許文献１は強誘電体メモリ装置であるが、従来の絶縁ゲート電界効果型トランジスタ（以下ＭＯＳＦＥＴと略す場合もある。なお、ＭＯＳＦＥＴとはＭｅｔａｌ−Ｏｘｉｄｅ−Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ−Ｆｉｅｌｄ−Ｅｆｆｅｃｔ−Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒの頭文字をとっている。）とともに、無機の強誘電体を用いたコンデンサを用いて高速応答性と低電圧動作の不揮発性メモリを構成している。
【０００４】
なお、図６、図７は特許文献１におけるメモリセルを図示したものである。
図６は強誘電体コンデンサの構造を示す断面図である。図６において、６０は無機の強誘電体からなる強誘電体薄膜であり、６１と６２は金属からなる電極である。金属電極６１と６２によって強誘電体薄膜６０を挟む構造により破線６３で示した中の強誘電体コンデンサが構成されている。
【０００５】
図７は１個のトランジスタと１個の強誘電体コンデンサを用いて１ビットの不揮発性データを記憶する強誘電体メモリ装置の単位メモリセルの構造を示す回路図である。図７において７１は強誘電体コンデンサ、７２はＮ型の絶縁ゲート電界効果型トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）である。また、７３はワード線であり、前記ＭＯＳＦＥＴ７２のゲート電極に接続されている。また、７４はビット線であり、前記ＭＯＳＦＥＴ７２のソース・もしくはドレインとなる電極に接続されている。また、７５はプレート線で前記強誘電体コンデンサ７１の一端に接続されている。強誘電体コンデンサ７１の他端は前記ＭＯＳＦＥＴ７２のドレイン・もしくはソースとなる電極に接続されている。以上の回路によって、ビット線７４とプレート線７５に強誘電体コンデンサ７１にかける電位を供給し、ワード線７３によってＭＯＳＦＥＴ７２をオン（ＯＮ）、オフ（ＯＦＦ）することにより、前述した電荷の書き込み動作と読み出し動作を行う。以上のような構成の為に強誘電体とＭＯＳＦＥＴが接近して混在している。
【０００６】
また、非特許文献１は有機半導体装置のメモリであるが、有機材料からなる電界効果型トランジスタ（以下ＯＦＥＴと略す場合もある。なおＯＦＥＴとはＯｒｇａｎｉｃ  ＦＥＴの頭文字をとっている。）によってＳＲＡＭ（Ｓｔａｔｉｃ  Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）を構成している。なお、１メモリセルの読み出しや書き込みに要する時間は約４０ｍｓである。
【０００７】
また、非特許文献２は無機材料であるシリコン（Ｓｉ）基板を用いたＭＯＳＦＥＴによってＤＲＡＭ（Ｄｙｎａｍｉｃ  Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）を構成している。なお、半導体装置としてのチップの形状は１１．４ｍｍ×９．９ｍｍである。
【０００８】
【特許文献１】特開平１１−３９８８２号公報
【非特許文献１】ＩＳＳＣＣ２００６  Ｄｉｇｅｓｔ  ｏｆ  Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ  Ｐａｐｐｅｒｓ（２００６  ＩＥＥＥ  Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ  Ｓｏｌｉｄ−Ｓｔａｔｅ  Ｃｉｒｃｕｉｔｓ  Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ  予稿集）／（章）ＳＥＳＳＩＯＮ１５／（テーマ番号）１５．４  （テーマ名）  Ａｎ  Ｏｒｇａｎｉｃ  ＦＥＴ  ＳＲＡＭ  ｆｏｒ  Ｂｒａｉｌｌｅ  Ｓｈｅｅｔ  Ｄｉｓｐｌａｙ  ｗｉｔｈ  Ｂａｃｋ  Ｇａｔｅ  ｔｏ  Ｉｎｃｒｅａｓｅ  Ｓｔａｔｉｃ  Ｎｏｉｓｅ  Ｍａｒｇｉｎ／（頁）  ｐ．２７６−２７７，６５３
【非特許文献２】ＩＳＳＣＣ２００６  Ｄｉｇｅｓｔ  ｏｆ  Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ  Ｐａｐｐｅｒｓ（２００６  ＩＥＥＥ  Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ  Ｓｏｌｉｄ−Ｓｔａｔｅ  Ｃｉｒｃｕｉｔｓ  Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ  予稿集）／（章）ＳＥＳＳＩＯＮ８／（テーマ番号）８．２  （テーマ名）  Ａ  ２Ｇｂ／ｓ／ｐｉｎ  ５１２Ｍｂ  Ｇｒａｐｈｉｃｓ  ＤＲＡＭ  ｗｉｔｈ  Ｎｏｉｓｅ  Ｒｅｄｕｃｔｉｏｎ  Ｔｅｃｈｎｉｑｕｅｓ／（頁）  ｐ．１５８−１５９，６４５
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、上記従来の無機半導体装置あるいは有機半導体装置では以下に述べる問題点を有していた。
【００１０】
例えば特許文献１に示した無機の強誘電体メモリ装置ではシリコン（Ｓｉ）基板を用いたＭＯＳＦＥＴの集積回路（以下ＩＣと略す場合もある。なお、ＩＣとはＩｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔｓの頭文字をとっている。）の部分と不揮発性メモリを構成するＰＺＴ、ＰＴＺＮ等のＰｂを含むペロブスカイト型強誘電体や、ＳＢＴ、ＢｉＴ等のＢｉ層状ペロブスカイト型強誘電体に代表される無機強誘電体の材料を含んでいる。
【００１１】
ここで、シリコン基板によるＭＯＳＦＥＴの製造工程は主として還元工程であり、無機強誘電体であるＰＺＴの製造工程は主として酸化工程であるので、互いに相反する工程を同じＩＣ製造工程に含み、両立させるのは本質的に難しい。両者の製造工程を必要とする無機の強誘電体メモリ装置は製造上の困難と、信頼性やコストの課題を常に抱えている。なお、以上において、ＰＺＴとはＰｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3の総称であり、またＰＺＴＮとはＰＺＴにＮｂを添加したものの総称であり、またＳＢＴとはＳｒＢｉ2Ｔａ2Ｏ9もしくはそれに近い組成の総称である。
【００１２】
また、非特許文献１に示した有機半導体装置のＳＲＡＭのメモリは、前述したように有機材料からなる電界効果型トランジスタ（ＯＦＥＴ）を用いているので、前述した無機強誘電体メモリにあげたような製造上の課題は軽減されるものの、有機材料からなるトランジスタの応答（４０ｍｓ）は非常に遅く、一般的な無機強誘電体メモリや無機半導体装置の応答特性（ｎｓあるいはｐｓ単位）には到底およばないという課題がある。
【００１３】
また、非特許文献２に示したようなシリコン基板を用いたＭＯＳＦＥＴによるＤＲＡＭは高性能ではあるが、無機材料であるということと、チップの形状は１１．４ｍｍ×９．９ｍｍと大きいので可撓性が期待できない。したがって、可撓性が要求される製品分野においては無機半導体装置が一般的に使用できないという課題がある。
【００１４】
さて、以上において、特許文献１は無機強誘電体を用いた強誘電体メモリ、非特許文献１は有機電界効果型トランジスタを用いたＳＲＡＭ、非特許文献２はシリコンによるＭＯＳＦＥＴを用いたＤＲＡＭといったメモリを例にあげたが、前述した課題はメモリに限らず、一般の無機半導体装置、有機半導体装置に共通の特徴であり、共通の課題である。
【００１５】
そこで本発明はこのような問題点を解決するもので、その目的とするところは、無機半導体の高性能を維持しつつ、有機半導体の可撓性や無機半導体にはない別の特性を併せ持つ、いわば無機半導体と有機半導体を融合させた半導体装置を提供することにある。
【００１６】
そして更には無機半導体と有機半導体の特徴を併せ持ち、かつ可撓性のある半導体装置を、曲面や形状の変化する製品、用途にも適用することにより、前記半導体装置の応用範囲を広げ、市場を拡大することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
上記の課題を解決して、本発明の目的を達成するために、各発明は以下のように構成した。
すなわち第１の発明は、有機材料から構成される有機半導体装置と、無機材料から構成される無機半導体装置と、可撓性の有機材料体と、を有し、前記有機半導体装置と前記無機半導体装置を少なくとも１本以上の信号線もしくは電源線を相互に接続し、かつ前記有機半導体装置と前記無機半導体装置とを前記可撓性の有機材料体によって包含したものである。
【００１８】
第２の発明は第１の発明において、前記無機半導体装置を１ｍｍ角未満の形状としたものである。
【００１９】
第３の発明は第１の発明もしくは第２の発明において、前記無機半導体装置を形成する材料のひとつとしてシリコンを用いたものである。
【００２０】
第４の発明は第１の発明もしくは第３の発明において、前記無機半導体装置が絶縁ゲート電界効果型トランジスタを用いたものである。
【００２１】
第５の発明は第１の発明において、前記可撓性の有機材料体の有機材料と、前記有機半導体装置の有機材料の少なくとも一部を共通の素材としたものである。
【００２２】
第６の発明は第１の発明において、前記有機半導体装置、前記無機半導体装置、前記可撓性の有機材料体とに加え、更に有機材料からなる光導波路装置を有し、前記可撓性の有機材料体の中に前記有機材料からなる光導波路装置を包含したものである。
【００２３】
以上のように上記の構成からなる本発明によれば、有機材料からなる前記有機半導体装置と、１ｍｍ角未満の小さな前記無機半導体装置と、を電気的に接続し、かつ可撓性のある前記有機材料体に包含する構成とした。
【００２４】
また、前記有機半導体装置と、前記有機材料体の少なくとも一部の素材を共通とする構成とした。
【００２５】
また、更に有機材料からなる光導波路装置を加え、前記可撓性の有機材料体の中に包含する構成とした。
【００２６】
したがって、上記の構成によれば、前記無機半導体装置は１ｍｍ角未満の形状とし、かつ可撓性のある前記有機材料体に包含しているので、無機ＩＣを使用していながら可撓性のある半導体装置となる効果がある。
【００２７】
また、前記無機半導体装置は前記有機材料体に包含されているので雑音や電源系を隔離できて性能が向上するという効果がある。
【００２８】
また、異なる製造工程の無機半導体装置や有機半導体装置を組み合わせることができるので様々な特性や特徴を合わせ持つという効果がある。
【００２９】
また、有機材料からなる光導波路を持つことも可能となるので、太陽電池を含む光素子も取り込むことが可能となる効果がある。
【００３０】
以上より、無機半導体の高速の応答性を含む高機能と、有機半導体装置の独自の特性と、更には可撓性を合わせて持つという半導体装置が具現化するという効果がある。
【００３１】
また、更に有機材料からなる光導波路装置を含むことにより、太陽電池の機能や光素子としての機能を持った、可撓性の半導体装置が具現化するという効果がある。
【００３２】
したがって、無機、有機を含む可撓性の半導体装置が具現化することにより、半導体装置の応用、展開する製品群が多種多様となる効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。
（本発明の有機無機融合半導体装置の実施例１）
図１は本発明の有機無機融合半導体装置の第１例を示す模式的な断面図である。
図１において、１１は無機半導体装置であり、１２は有機半導体装置である。１３は可撓性のある有機材料体である。１４は前記無機半導体装置１１と前記有機半導体装置１２の間において、電気的に信号を接続する信号線である。また、破線１０の内部に示したものが本発明の有機無機融合半導体装置である。
【００３４】
無機半導体装置１１はシリコン基板を用いてＭＯＳＦＥＴを主体とする集積回路である。シリコン基板によるＭＯＳＦＥＴの集積回路であるので、高速の応答性を含めた機能を有している。
【００３５】
また、１２は有機強誘電体を含む有機半導体装置である。近年、有機材料においても優れた特性の強誘電体材料が強誘電体メモリとしての保持特性は無機強誘電体メモリに比較しても遜色のないものが得られている。前記有機強誘電体の材料としてはＰＶＤＦ（ｐｏｌｙ（ｖｉｎｙｌｉｄｅｎｅ  ｆｌｕｏｒｉｄｅ））、Ｐ（ＶＤＦ／ＴｒＦＥ）（ｐｏｌｙ（ｖｉｎｙｌｉｄｅｎｅ  ｆｌｕｏｒｉｄｅ−ｔｒｉｆｌｕｏｒｏｅｔｈｙｌｅｎｅ）、もしくはナイロン７、ナイロン１１等の奇数ナイロンが適している。また、有機強誘電体は無機強誘電体に比べ低温で形成されるため、他の製造工程に影響が少ないという特徴もある。
【００３６】
また、可撓性のある有機材料体１３は前記無機半導体装置１１と前記有機半導体装置１２、及び信号線１４を包含して本発明の有機無機融合半導体装置１０を形成している。なお、可撓性のある有機材料体１３は前記無機半導体装置１１と前記有機半導体装置１２、及び信号線１４を保持するとともに外部からの不純物の侵入や損傷を防ぐ役目をしている。
【００３７】
さて、有機半導体装置１２は有機材料を主体として形成されている為、可撓性を有している。また、無機半導体装置１１は１ｍｍ角未満で形成されている。製品、あるいは部品となる有機無機融合半導体装置が通常の一般的な製品の範囲であれば、無機半導体装置１１には可撓性がなくとも、１ｍｍ角未満であれば有機無機融合半導体装置１０としての可撓性を妨げない。また、信号線１４も無機、有機にかかわらず可撓性のある素材を用いて形成すれば有機無機融合半導体装置１０は全体としても可撓性を有する。
【００３８】
以上の構成であれば低速でよい不揮発性メモリの部分は有機半導体装置１２の機能を用い、高速性を必要とする機能は無機半導体装置１１で演算を行えば、有機無機融合半導体装置１０としては高速で多機能、かつ可撓性を有する製品もしくは部品となる。
【００３９】
（本発明の有機無機融合半導体装置の実施例２）
図２は本発明の有機無機融合半導体装置の第２例を示す模式的な断面図である。
図２において、１１は第１の無機半導体装置であり、２６は第２の無機半導体装置であり、１２は有機半導体装置である。１３は可撓性のある有機材料体である。１４は前記無機半導体装置１１と前記有機半導体装置１２の間において、電気的に信号を接続する信号線である。２５は前記無機半導体装置１１と前記無機半導体装置２６の間において、電気的に接続する信号線、もしくは電源線である。
【００４０】
図２において、第１の無機半導体装置１１と有機半導体装置１２と信号線１４は図１の構成をほぼ継承している。図２において新たに加わったのは第２の無機半導体装置２６と信号線、もしくは電源線２５である。また、可撓性のある有機材料体１３は第１の無機半導体装置１１、第２の無機半導体装置２６、有機半導体装置１２、信号線１４、信号線、もしくは電源線２５を包含している。以上から、有機無機融合半導体装置が構成されている。
【００４１】
さて、第２の無機半導体装置２６はシリコン基板の上に形成された不純物原子によるＰ拡散とＮ拡散によるＰＮ接合面を持つ太陽電池である。第２の無機半導体装置である太陽電池２６は外部からの光を電気的エネルギーに変換して電源線２５を経由して第１の無機半導体装置１１、有機半導体装置１２に電源として電気的エネルギーを供給している。ただし、可撓性の制約から第２の無機半導体装置である太陽電池２６は１ｍｍ角未満で形成される。
【００４２】
以上の構成により、有機無機融合半導体装置としては高速で多機能、かつ可撓性を有するとともに、電源を内蔵した製品もしくは部品となる。
【００４３】
なお、以上に述べたように無機半導体装置は複数個であってもよい。前述したように可撓性のない太陽電池２６は１ｍｍ角未満の制約があるが、これでエネルギー的に不足であれば、更に１ｍｍ角未満の太陽電池を複数個並べることもある。
【００４４】
（本発明の有機無機融合半導体装置の実施例３）
図３は本発明の有機無機融合半導体装置の第３例を示す模式的な断面図である。
図３において、１１は第１の無機半導体装置であり、２６は第２の無機半導体装置であり、１２は有機半導体装置である。１３、３７、３８はそれぞれ可撓性のある第１、第２、第３の有機材料体である。また、１４は前記無機半導体装置１１と前記有機半導体装置１２の間において、電気的に信号を接続する信号線である。２５は前記無機半導体装置１１と前記無機半導体装置２６の間において、電気的に接続する信号線、もしくは電源線である。
【００４５】
図３において、第１の無機半導体装置１１、第２の無機半導体装置２６、有機半導体装置１２、信号線１４、電源線２５は図２の構成をほぼ継承している。図３において新たに加わったのは第２の有機材料体３７と第３の有機材料体３８である。また、可撓性のある有機材料体１３は第１の無機半導体装置１１、第２の無機半導体装置２６、有機半導体装置１２、信号線１４、信号線、もしくは電源線２５、第２の有機材料体３７、第３の有機材料体３８を包含している。以上から、有機無機融合半導体装置が構成されている。
【００４６】
さて、第２の有機材料体３７は外部からの光エネルギーを集める集光装置である。集光装置３７は有機材料で構成されているので可撓性を有しており、面積を大きくとっても可撓性に障害を与えない。また可撓性のある第３の有機材料体３８は第１の有機材料体１３とは異なった屈折率の材料で形成され光導波路の役目をする。
【００４７】
集光装置３７によって集められた光は光導波路３８を通り、太陽電池２６に光を集める。太陽電池２６に達した光は太陽電池２６によって電気エネルギーに変換される。
【００４８】
さて、太陽電池２６は可撓性のない無機半導体装置であるので、可撓性に支障のない１ｍｍ角未満の制約があり、これだけの面積では充分な光エネルギーが確保できず、充分な電気エネルギーを発生できない場合がある。また、１ｍｍ角未満といえども無機半導体装置の個数をむやみに増やすと全体としての可撓性に支障を与えかねない。一方、図３のように有機材料体３７は可撓性のある素材であるので大きな面積を確保でき、集光装置３７として多大な光を集めることができ、光導波路３８を経由して太陽電池２６に供給できる。これにより、全体としての可撓性に支障を与えずに太陽電池２６に大きな電気エネルギーを発生させることが出来るようになる。
【００４９】
（本発明の有機無機融合半導体装置の実施例４）
図４は本発明の有機無機融合半導体装置の第４例を示す模式的な断面図である。
図４において、１１は第１の無機半導体装置であり、４４、４５、４６、４７もそれぞれ第２から第５の無機半導体装置である。１２は第１の有機半導体装置であり、４８は第２の有機半導体装置である。１３は可撓性のある有機材料体であって、以上の複数個の前記無機半導体装置と前記有機半導体装置を包含している。なお、信号線、電源線は図４での表現を省略している。
【００５０】
さて、図４の実施例は複数個の無機半導体装置と複数個の有機半導体装置の組み合わせも可能であり、かつ歪んだ形状でも可能であることを示している。これは一時的な撓みのみならず、恒久的に歪んだ形状、撓んだ形状の有機無機融合半導体装置が実現することを示している。
【００５１】
（本発明の有機無機融合半導体装置の実施例５）
図５は本発明の有機無機融合半導体装置の第５例を示す模式的な断面図である。
図５において、１１、４４、４５、４６、４７はそれぞれ無機半導体装置である。また、１２、５４、５５、５６、５７は有機半導体装置である。１３は可撓性のある有機材料体であって、以上の複数個の前記無機半導体装置と前記有機半導体装置を包含している。なお、信号線、電源線は図５での表現を省略している。
【００５２】
さて、図５の実施例は複数個の無機半導体装置と複数個の有機半導体装置をリング状に構成した例であり、腕や指などにつける製品例においても可能であり、恒久的に歪んだ形状の有機無機融合半導体装置が実現することを示している。
【００５３】
（その他の実施形態）
本発明は上記の実施形態に限定されるものではない。以下に例をあげる。
以上の実施例としてはシリコン基板によるＭＯＳＦＥＴを前記無機半導体装置の例としてあげたが、ＧａＡｓ、ＳｉＧｅであってもよく、またバイポーラ素子として構成しても同様である。またこれらの異なった製造方法の無機半導体装置を複数個、混載させてもよい。
【００５４】
また、有機半導体装置も可撓性を有するならば様々な組成、機能のものを混載させてもよい。
【００５５】
また、有機半導体装置が充分な可撓性を持たない場合には１ｍｍ角未満で用いることも可能である。
【００５６】
また、可撓性を持たない無機半導体装置は１ｍｍ角未満という制限を設けたが、撓みの少ない製品例においては前記形状の制約を緩和することは可能である。あるいは、撓みの方向が限定されていて、ある方向には撓まないという条件が確定していれば、その方向において、前記形状の制約を緩和することは可能である。
【００５７】
また、第３実施例にもあげたように、有機であっても有機半導体ではない有機材料体が可撓性を持ち、かつ格別な装置としての機能を有する場合には半導体ではなくとも、組み合わせて用いてもよい。
【００５８】
また、有機半導体装置の一部の材料と可撓性のある有機材料体が同一の素材である場合には共通の製造工程をとることによって、コストダウンや品質の向上が可能となる場合がある。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】本発明の第１の実施例を示す模式的な断面図。
【図２】本発明の第２の実施例を示す模式的な断面図。
【図３】本発明の第３の実施例を示す模式的な断面図。
【図４】本発明の第４の実施例を示す模式的な断面図。
【図５】本発明の第５の実施例を示す模式的な断面図。
【図６】従来の強誘電体メモリ装置に用いる強誘電体コンデンサの構造例を示す断面図。
【図７】従来の強誘電体メモリ装置に用いるメモリセルの構造例を示す回路図。
【符号の説明】
【００６０】
１０…有機無機融合半導体装置、１１，２６，４４，４５，４６，４７…無機半導体装置、１２，４８，５４，５５，５６，５７…有機半導体装置、１３，３７，３８…有機材料体、１４，２５…信号線もしくは電源線、６０…強誘電体薄膜、６１，６２…コンデンサ電極、６３，７１…強誘電体コンデンサ、７２…Ｎ型ＭＯＳＦＥＴ、７３…ワード線、７４…ビット線、７５…プレート線。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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