(57)【要約】【課題】発熱量の多い半導体素子の温度上昇を抑制することができる半導体素子用パッケージを提供する。【解決手段】半導体素子用パッケージ３の基板３１上にダイボンド樹脂２でイメージセンサ１を実装する。イメージセンサ１に生じた熱を吸収し、基板３１外へ放出する熱伝導部材４を基板３１に埋設する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子が配置されるパッケージ基板と、
前記パッケージ基板に設けられ、前記半導体素子に生じた熱の前記パッケージ基板外への移動を促進する熱伝導部材と
を備えていることを特徴とする半導体素子用パッケージ。
【請求項２】
前記熱伝導部材は前記半導体素子の発熱量の多い部分と対向していることを特徴とする請求項１項記載の半導体素子用パッケージ。
【請求項３】
前記パッケージ基板は、少なくとも複数の半導体素子が配置され、複数の前記半導体素子のうちの発熱量の多い半導体素子を配置するための第１の領域と、複数の前記半導体素子のうちの発熱量の少ない半導体素子を配置するための第２の領域とを有し、
前記熱伝導部材は前記第１の領域側に位置している
ことを特徴とする請求項１又は２項記載の半導体素子用パッケージ。
【請求項４】
前記第１の領域側に配置された前記発熱量の多い半導体素子の熱が前記第２の領域側に配置された前記発熱量の少ない半導体素子へ伝わるのを妨げる第１の断熱部材が、前記発熱量の少ない半導体素子と対向するように前記パッケージ基板に埋め込まれていることを特徴とする請求項３記載の半導体素子用パッケージ。
【請求項５】
前記第１の領域側に配置された前記発熱量の多い半導体素子の熱が前記第２の領域側に配置された前記発熱量の少ない半導体素子へ伝わるのを妨げる第２の断熱部材が、前記パッケージ基板の前記第１の領域側部分と前記第２の領域側部分との間に埋め込まれていることを特徴とする請求項３又は４記載の半導体素子用パッケージ。
【請求項６】
前記第１の領域側に配置された前記発熱量の多い半導体素子の熱が前記第２の領域側に配置された前記発熱量の少ない半導体素子へ伝わるのを妨げる第２の断熱部材が、前記第１の断熱部材を包囲するように前記パッケージ基板に埋め込まれていることを特徴とする請求項４記載の半導体素子用パッケージ。
【請求項７】
前記熱伝導部材が前記パッケージ基板に埋め込まれていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項記載の半導体素子用パッケージ。
【請求項８】
前記熱伝導部材の一部が前記パッケージ基板の外部へ突出していることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項記載の半導体素子用パッケージ。
【請求項９】
前記熱伝導部材の熱を前記パッケージ基板の外部へ放出するヒートシンクを備えていることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項記載の半導体素子用パッケージ。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか１項記載の半導体素子用パッケージを備えていることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は半導体素子用パッケージ及びそれを備えた半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、多機能、高性能の電子カメラ、カメラ付き携帯電話等の電子装置が一般に使用されるようになった。これらの電子装置は携帯して使用されるため、小型軽量化が望まれている。そのため、それらの電子装置に搭載される電子部品には限られたスペースに搭載可能なように小型化が要求されている。
【０００３】
この要求に応える従来技術として、複数の半導体素子（半導体チップ）を一つのパッケージに搭載して、パッケージ内の半導体素子の実装密度を高めることができる半導体装置がある。この半導体素子に使用されるパッケージはマルチチップ・パッケージ又はシステム・イン・パッケージ（ＳＩＰ）等と称されている（例えば特許文献１、２参照）。
【０００４】
特許文献１には２枚の基板の一方の面にそれぞれ多数の半導体素子を固定し、この２枚の基板の他方の面同士を接合する技術が開示され、特許文献２にはインターポーザーの両面にパッケージ化された半導体素子を固定する技術が開示されている。
【特許文献１】特開平５−２９１４９３号公報（段落０００５〜０００７、図１参照）
【特許文献２】特表２００６−５０２５８７号公報（段落００１３〜００１５、図３参照）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１、２に開示されている技術は半導体素子の高密度化を図るには適している。しかし、高密度に複数の半導体素子をパッケージに実装すると、これらの半導体素子が発生する熱の総量は相当大きなものとなる。
【０００６】
このため、イメージセンサ等のように温度が上昇すると特性が変化する半導体素子では、一つのパッケージに高密度実装して使用するのが困難であった。
【０００７】
この発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、その課題は発熱量の多い半導体素子の温度上昇を抑制することができる半導体素子用パッケージを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前述の課題を解決するため請求項１の発明の半導体素子用パッケージは、半導体素子が配置されるパッケージ基板と、前記パッケージ基板に設けられ、前記半導体素子に生じた熱の前記パッケージ基板外への移動を促進する熱伝導部材とを備えていることを特徴とする。
【０００９】
請求項２の発明は、請求項１項記載の半導体素子用パッケージにおいて、前記熱伝導部材は前記半導体素子の発熱量の多い部分と対向していることを特徴とする。
【００１０】
請求項３の発明は、請求項１又は２項記載の半導体素子用パッケージにおいて、前記パッケージ基板は、少なくとも複数の半導体素子が配置され、複数の前記半導体素子のうちの発熱量の多い半導体素子を配置するための第１の領域と、複数の前記半導体素子のうちの発熱量の少ない半導体素子を配置するための第２の領域とを有し、前記熱伝導部材は前記第１の領域側に位置していることを特徴とする。
【００１１】
請求項４の発明は、請求項３記載の半導体素子用パッケージにおいて、前記第１の領域側に配置された前記発熱量の多い半導体素子の熱が前記第２の領域側に配置された前記発熱量の少ない半導体素子へ伝わるのを妨げる第１の断熱部材が、前記発熱量の少ない半導体素子と対向するように前記パッケージ基板に埋め込まれていることを特徴とする。
【００１２】
請求項５の発明は、請求項３又は４記載の半導体素子用パッケージにおいて、前記第１の領域側に配置された前記発熱量の多い半導体素子の熱が前記第２の領域側に配置された前記発熱量の少ない半導体素子へ伝わるのを妨げる第２の断熱部材が、前記パッケージ基板の前記第１の領域側部分と前記第２の領域側部分との間に埋め込まれていることを特徴とする。
【００１３】
請求項６の発明は、請求項４記載の半導体素子用パッケージにおいて、前記第１の領域側に配置された前記発熱量の多い半導体素子の熱が前記第２の領域側に配置された前記発熱量の少ない半導体素子へ伝わるのを妨げる第２の断熱部材が、前記第１の断熱部材を包囲するように前記パッケージ基板に埋め込まれていることを特徴とする。
【００１４】
請求項７の発明は、請求項１〜６のいずれか１項記載の半導体素子用パッケージにおいて、前記熱伝導部材が前記パッケージ基板に埋め込まれていることを特徴とする。
【００１５】
請求項８の発明は、請求項１〜６のいずれか１項記載の半導体素子用パッケージにおいて、前記熱伝導部材の一部が前記パッケージ基板の外部へ突出していることを特徴とする。
【００１６】
請求項９の発明は、請求項１〜８のいずれか１項記載の半導体素子用パッケージにおいて、前記熱伝導部材の熱を前記パッケージ基板の外部へ放出するヒートシンクを備えていることを特徴とする。
【００１７】
請求項１０の発明の半導体装置は、請求項１〜９のいずれか１項記載の半導体素子用パッケージを備えていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１８】
この発明によれば、発熱量の多い半導体素子の温度上昇を抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、この発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
【００２０】
図１はこの発明の第１実施形態に係る半導体装置を示し、同図（ａ）は断面図、同図（ｂ）は平面図である。
【００２１】
図１に示すように、半導体装置５はイメージセンサ（半導体素子）１とダイボンド樹脂２と半導体素子用パッケージ３と熱伝導部材４とを備える。
【００２２】
イメージセンサ１の出力信号は所定の配線、例えばボンディングワイヤ等を介して外部に引き出される。イメージセンサ１の温度が上昇すると、その特性が変化する。
【００２３】
ダイボンド樹脂２はイメージセンサ１を半導体素子用パッケージ３に固定させる。
【００２４】
半導体素子用パッケージ３はセラミックスで形成されているが、半導体素子用パッケージ３の材料はそれに限られるものではなく、プラスチックでもよい。
【００２５】
半導体素子用パッケージ３は基板（パッケージ基板）３１と枠体３２とを有する。基板３１の底面３１ｂには凹部３１ｃが形成されている。
【００２６】
基板３１の上面３１ａにダイボンド樹脂２でイメージセンサ１を実装した後、枠体３２の上面に接着剤（図示せず）でガラス板（図示せず）が接着される。これにより、基板３１の上面３１ａと枠体３２とで構成されるキャビティティ３１ｄが密閉される。
【００２７】
以上のようにしてイメージセンサ１はキャビティティ３１ｄ内に密封されるが、メモリやロジックＩＣ等の他の半導体素子は、樹脂に埋め込まれたり、缶シールされたりする。
【００２８】
熱伝導部材４は金属板であり、半導体素子用パッケージ３の凹部３１ｃ内に固定されている。熱伝導部材４の熱伝導率は半導体素子用パッケージ３の材料のセラミックスの熱伝導率よりも高い。
【００２９】
第１の実施形態では、熱伝導率の良い熱伝導部材４が半導体素子用パッケージ３内に埋め込まれているので、イメージセンサ１に生じた熱の半導体素子用パッケージ３外への移動が促進される。その結果、発熱によるイメージセンサ１の性能の低下を抑制することができる。
【００３０】
図２はこの発明の第２実施形態に係る半導体装置を示し、同図（ａ）は断面図、同図（ｂ）は平面図である。
【００３１】
上述の第１実施形態と共通する部分については同一符号を付してその説明を省略する。
【００３２】
第１実施形態の半導体装置５では、熱伝導部材４は基板３１の凹部３１ｃに配置されているが、第２実施形態の半導体装置２０５では、熱伝導部材２０４は半導体素子用パッケージ２０３の基板２３１に埋設されている。また、基板２３１の底面３１ｂには接着剤６で放熱板７が取り付けられている。放熱板７は熱伝導部材２０４を介してイメージセンサ１と対向する。放熱板７を熱伝導部材２０４に一体化してもよい。
【００３３】
この実施形態によれば、第１実施形態と同様の作用効果を奏するとともに、放熱板７によってより効率よくイメージセンサ１の熱を外部へ放出することができる。
【００３４】
図３はこの発明の第３実施形態に係る半導体装置を示し、同図（ａ）は断面図、同図（ｂ）は平面図である。
【００３５】
上述の第１実施形態と共通する部分については同一符号を付してその説明を省略する。
【００３６】
第１実施形態の半導体装置５では、熱伝導部材１は半導体素子用パッケージ３の基板３１の凹部３１ｃに固定されているが、第３実施形態の半導体装置３０５では、熱伝導部材３０４は半導体素子用パッケージ３０３の基板３３１に形成された孔３３１ｇ内に固定されている。熱伝導部材３０４の上面３０４ａにはイメージセンサ１がダイボンド樹脂２で接着されている。熱伝導部材３０４の下面３０４ｂには放熱板７が接着剤６で接着されている。
【００３７】
上述のように発熱源であるイメージセンサ１と放熱板７とが直接熱伝導部材３０４に接着されているので、この第３実施形態によれば、第１実施形態と同様の作用効果を奏するとともに、より放熱性を向上させることができる。
【００３８】
第３実施形態では熱伝導部材３０４の上面３０４ａが基板３３１の上面３１ａから突出し、下面３０４ｂが基板３３１の底面３１ｂから突出しているが、熱伝導部材３０４の上面３０４ａと下面３０４ｂとのいずれか一方だけを突出させ、イメージセンサ１と放熱板７とのいずれか一方だけを直接熱伝導部材３０４に接着するようにしてもよい。また、放熱板７は必ずしも設ける必要はない。
【００３９】
なお、放熱板７は放熱性を向上させるものであるが、放熱板７がなくとも従来技術に較べて高い放熱性を期待できるので、必ずしも不可避な部品ではない。
【００４０】
図４はこの発明の第４実施形態に係る半導体装置を示し、同図（ａ）は断面図、同図（ｂ）は平面図である。
【００４１】
上述の第１実施形態と共通する部分については同一符号を付してその説明を省略する。
【００４２】
第４実施形態の半導体装置４０５では、熱伝導部材４０４は半導体素子用パッケージ４０３の基板４３１に形成された孔４３１ｈに挿入され、熱伝導部材４０４の両端部は半導体素子用パッケージ４０３の両側面４３１ｅ，４３１ｆから突出している。
【００４３】
上述のように熱伝導部材４０４の両端部が半導体素子用パッケージ４０３両側面４３１ｅ，４３１ｆから突出しているので、この実施形態によれば、図２の第２実施形態と同様の作用効果を奏するとともに、より放熱性を向上させることができる。
【００４４】
なお、例えば何等かの理由により、半導体素子用パッケージ４０３の厚さ方向のスペースを十分に用いることができず、放熱板７を配置できない場合、半導体素子用パッケージ４０３の側面４３１ｅ，４３１ｆから突出した熱伝導部材４０４の両端部に放熱板７を取り付けることもできる。
【００４５】
図５はこの発明の第５実施形態に係る半導体装置を示し、同図（ａ）は断面図、同図（ｂ）は平面図である。
【００４６】
上述の第１実施形態と共通する部分については同一符号を付してその説明を省略する。
【００４７】
第５実施形態は第３実施形態と第４実施形態とを組み合わせたものである。
【００４８】
第５実施形態の半導体装置５０５の熱伝導部材５０４は厚肉部５０４ａとその両側面から突出した薄肉部５０４ｂとを有する。厚肉部５０４ａの上部は半導体素子用パッケージ５０３の基板５３１に形成された孔５３１ｇに固定されている。厚肉部５０４ａの上面５０４ｃは基板５３１の上面３１ａから突出し、厚肉部５０４ａの下面５０４ｄは基板５３１の底面３１ｂから突出している。厚肉部５０４ａの上面５０４ｃには直接イメージセンサ１がダイボンド樹脂２で接着され、厚肉部５０４ａの下面５０４ｄには直接放熱板７が接着剤６で接着されている。薄肉部５０４ｂは基板５３１の両側部に形成された溝５３１ｉに収容され、その先端部は半導体素子用パッケージ５０３の側面から突出している。
【００４９】
第５実施形態によれば、厚肉部５０４ａに直接イメージセンサ１及び放熱板７が設けられ、しかも薄肉部５０４ｂの先端部が半導体素子用パッケージ５０３の側面から突出するので、第３、第４実施形態よりも放熱性を向上させることができる。
【００５０】
なお、第５実施形態の変形例として、薄肉部５０４ｂの先端部に放熱板を取り付けたものが考えられる。この変形例では、イメージセンサ１に生じた熱を更に効率よく放熱することができ、熱による素子特性の劣化を更に抑制することができる。
【００５１】
図６はこの発明の第６実施形態に係る半導体装置を示し、同図（ａ）は断面図、同図（ｂ）は平面図である。
【００５２】
上述の第２実施形態と共通する部分については同一符号を付してその説明を省略する。
【００５３】
第２実施形態の半導体装置２０５では、１つの熱伝導部材２０４が用いられているが、第６実施形態の半導体装置６０５では、２つの熱伝導部材６０４Ａ，６０４Ｂが用いられている。熱伝導部材６０４Ａはイメージセンサ１の発熱量の多い領域１ａ（例えば電力消費量が多い部分）に対向している。同様に、熱伝導部材６０４Ｂもイメージセンサ１の発熱量の多い領域１ｂに対向している。
【００５４】
上述のように、イメージセンサ１の発熱量の多い領域１ａ，１ｂにだけ熱伝導部材６０４Ａ，６０４Ｂを対向配置したので、例えば半導体素子用パッケージ６０３がインナーリード（図示せず）とアウターリード（図示せず）とを導通させる配線（図示せず）を有する積層セラミック構造のパッケージである場合、パッケージ内部で配線を引き回せる領域を広げることができるし、スルーホール（図示せず）等を形成できる領域を広げることもできる。
【００５５】
第６実施形態は半導体素子用パッケージ６０３の内部に配線が形成される高性能なパッケージに最適な構造である。
【００５６】
図７はこの発明の第７実施形態に係る半導体装置を示し、同図（ａ）は断面図、同図（ｂ）は平面図である。
【００５７】
第７実施形態の半導体装置７０５では、第６実施形態の半導体装置６０５と同様に、熱伝導部材７０４Ａ，７０４Ｂがイメージセンサ１の発熱量の多い領域だけに配置されているが、第６実施形態の半導体装置６０５と異なり、熱伝導部材７０４Ａ，７０４Ｂの一部分が半導体素子用パッケージ７０３から突出している。熱伝導部材７０４Ａは半導体素子用パッケージ７０３の基板７３１に形成された穴７３１ｈに固定され、熱伝導部材７０４Ａの先端部は基板７３１の側面から突出している。熱伝導部材７０４Ｂは厚肉部７０４Ｂａと薄肉部７０４Ｂｂとを有する。厚肉部７０４Ｂａは基板７３１に形成された孔７３１ｇに固定され、厚肉部７０４Ｂａの上面は基板７３１の上面３１ａから突出し、厚肉部７０４Ｂｂの下面は基板７３１の底面３１ｂから突出している。厚肉部７０４Ｂａの上面には直接イメージセンサ１がダイボンド樹脂２で接着され、厚肉部７０４Ｂａの下面には直接放熱板７が接着剤６で接着されている。薄肉部７０４Ｂｂは基板７３１に形成された溝７３１ｉに配置されている。薄肉部７０４Ｂｂの先端部は基板７３１の側面から突出している。
【００５８】
第７実施形態によれば、例えばイメージセンサ１に２つの発熱部１ａ，１ｂがあり、発熱部１ｂの発熱量が多く、それが発熱部１ｂに隣接する部分の特性劣化の主原因となっている場合、好適である。イメージセンサ１及び放熱板７に直接接触している熱伝導部材７０４Ｂによって発熱部１ｂで生じる熱を効率良く放熱できるし、熱伝導部材７０４Ａによって発熱部１ａで生じる熱を効率良く放熱することができるので、発熱部１ｂに隣接する部分の特性変化の主原因を除去することができる。第６実施形態と同様にパッケージ内の内部配の線引き回しを行う高性能パッケージに第７実施形態を適用可能であり、パッケージの放熱性と高機能性を両立し、実装された半導体素子の特性の低下を抑制することができる。
【００５９】
図８はこの発明の第８実施形態に係る半導体装置の断面図である。
【００６０】
第８実施形態では、熱による特性劣化が著しいイメージセンサ８２と駆動素子８１とが平面方向へ配置されている。この実施形態は例えばＡＦＥ（ＡＤ変換素子）等のように駆動素子８１が、消費電力が大きい場合に好適な実施形態である。
【００６１】
半導体装置８０５の半導体素子用パッケージ８０３の基板８３１の上面３１ａに仕切り３３が設けられており、仕切り３３によって上面３１ａが第１の領域８３１ｊと第２の領域８３１ｋとに仕切られている。第１の領域８３１ｊには発熱量の多い駆動素子８１が接着剤８３で接着され、第２の領域８３１ｋには駆動素子８１よりも発熱量の少ないイメージセンサ８２が接着剤８４で接着されている。
【００６２】
基板８３１の駆動素子８１に対向する部分には熱伝導部材８０４が埋設されている。また、基板８３１の底面３１ｂには熱伝導部材８０４に対向するように放熱板７が接着剤６で接着されている。
【００６３】
この第８実施形態によれば、発熱量の多い駆動素子８１の直下に熱伝導部材８０４を配置し、更に熱伝導部材８０４の直下に放熱板７を配置したので、駆動素子８１で生じた熱を効率よく放熱でき、イメージセンサ８２への熱の影響を抑制し、イメージセンサ８２の特性劣化を抑えることができる。
【００６４】
なお、駆動素子８１とイメージセンサ８２とを半導体素子用パッケージ８０１の表面と裏面とに積層する半導体装置に第９実施形態を適用することができる。
【００６５】
図９はこの発明の第９実施形態に係る半導体装置の断面図である。
【００６６】
第８実施形態と共通する部分については同一符号を付してその説明を省略する。
【００６７】
第９実施形態の半導体装置９０５では、半導体素子用パッケージ９０３の基板９３１に形成された穴９３１ｈに熱伝導部材９０４を固定してあり、熱伝導部材９０４の一端部は基板９３１の側面から突出している。
【００６８】
第９実施形態は第８実施形態と同様の作用効果を奏する。
【００６９】
なお、熱伝導部材９０４の基板９３１の側面から突出した部分には放熱板を接着してもよい。
【００７０】
図１０はこの発明の第１０実施形態に係る半導体装置の断面図である。
【００７１】
第８実施形態と共通する部分については同一符号を付してその説明を省略する。
【００７２】
第１０実施形態では、半導体装置１００５の半導体素子用パッケージ１００３の基板１０３１にイメージセンサ８２と対向する空気層（第１の断熱部材）１３が形成されている。
【００７３】
第１０実施形態は、イメージセンサ８２と駆動素子８１とが平面方向に配置されており、ＡＦＥ等のように駆動素子８１が、消費電力が大きく、ＳＩＰ（システムインパッケージ）化されている場合に好適な実施形態である。発熱の量の多い駆動素子８１の直下に熱伝導性のよい熱伝導部材８０４を配置して効率的に放熱し、イメージセンサ８２への熱の伝達を抑制し、更に、イメージセンサ８２の直下に空気層１３を形成することにより、駆動素子８１からの熱を空気層１３により効果的に遮断するとともに、駆動素子８１で生じた熱を効率的に放熱してイメージセンサ８２への熱の伝達を抑制し、イメージセンサ８２の特性の劣化を抑えることができる。
【００７４】
図１１はこの発明の第１１実施形態に係る半導体装置の断面図である。
【００７５】
第１０実施形態と共通する部分については同一符号を付してその説明を省略する。
【００７６】
第１１実施形態の半導体装置１１０５では、半導体素子用パッケージ１１０３の基板１１３１に形成された穴１１３１ｈに熱伝導部材１１０４を固定してあり、熱伝導部材１１０４の一端部は基板１１３１の側面から突出している。
【００７７】
第１１実施形態は第１０実施形態と同様の作用効果を奏する。
【００７８】
なお、熱伝導部材１１０４の基板１１３１の側面から突出した部分には放熱板を接着してもよい。
【００７９】
図１２はこの発明の第１２実施形態に係る半導体装置の断面図である。
【００８０】
第１０実施形態と共通する部分については同一符号を付してその説明を省略する。
【００８１】
半導体装置１２０５の熱伝導部材１２０４は厚肉部１２０４ａと薄肉部１２０４ｂとを有する。厚肉部１２０４ａは半導体素子用パッケージ１２０３の基板１２１３に形成された孔１２３１ｇに固定されている。厚肉部１２０４の上面は基板１２３１の上面３１ａから突出し、この上面３１ａには駆動素子８１が直接接着剤８３で接着されている。厚肉部１２０４の下面は基板１２１３の底面３１ｂから突出し、この下面には放熱板７が直接接着剤６で接着されている。薄肉部１２０４ｂは基板１２３１に形成された溝１２３１ｉに配置され、その先端部は基板１２３１の側面から突出している。
【００８２】
第１２実施形態は第１０実施形態と同様の作用効果を奏する。
【００８３】
なお、この薄肉部１２０４の先端部には放熱板を接着してもよい。
【００８４】
図１３はこの発明の第１３実施形態に係る半導体装置を示し、同図（ａ）は断面図、同図（ｂ）は平面図である。同図（ｂ）中、枠体３２、仕切り３３は図示省略されている。
【００８５】
第１１実施形態と共通する部分については同一符号を付してその説明を省略する。
【００８６】
第１３実施形態の半導体装置１３０５では、半導体素子用パッケージ１３０３の第１の領域８３１ｊから第２の領域８３１ｋへの熱の伝導を阻止するために、半導体素子用パッケージ１３０３の基板１３３１に空気層１３に加えて断熱部材（第２の断熱部材）１４が埋設されている。断熱部材１４は仕切り３３とほぼ平行に配置されている。
【００８７】
第１３実施形態では、熱による特性変化が著しいイメージセンサ８２と駆動素子８１とが平面方向へ配置されている。第１３実施形態は、例えばＡＦＥ等のように駆動素子８１が、消費電力が大きく、ＳＩＰ化されている場合に好適な実施形態である。発熱量の多い駆動素子８１の直下に熱伝導率の良い熱伝導部材１１０４を配置して効率的に放熱し、イメージセンサ８２への熱の伝達を抑制し、更に、駆動素子８１とイメージセンサ８２との中間部分に断熱部材１４を埋設することにより、駆動素子８１で生じた熱を効率よく放熱し、更には、駆動素子８１で生じた熱を空気層１３と断熱部材１４とで効率的に遮断し、イメージセンサ８２への熱の伝達を抑制し、イメージセンサ８２の特性の劣化を更に抑えることが可能となる。
【００８８】
図１４はこの発明の第１４実施形態に係る半導体装置を示し、同図（ａ）は断面図、同図（ｂ）は平面図である。
【００８９】
第１３実施形態と共通する部分については同一符号を付してその説明を省略する。
【００９０】
第１３実施形態の半導体装置１３０５では、駆動素子８１とイメージセンサ８２との中間部分に角柱状の断熱部材１４を配置したが、第１４実施形態では空気層１３を取り囲むフレーム状の断熱部材（第２の断熱部材）１５が基板１３０３に埋設されている。
【００９１】
第１４実施形態では、断絶部材１５が空気層１３を取り囲んでいるので、よりイメージセンサ８２への熱の伝達を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００９２】
【図１】図１はこの発明の第１実施形態に係る半導体装置を示す図である。
【図２】図２はこの発明の第２実施形態に係る半導体装置を示す図である。
【図３】図３はこの発明の第３実施形態に係る半導体装置を示す図である。
【図４】図４はこの発明の第４実施形態に係る半導体装置を示す図である。
【図５】図５はこの発明の第５実施形態に係る半導体装置を示す図である。
【図６】図６はこの発明の第６実施形態に係る半導体装置を示す図である。
【図７】図７はこの発明の第７実施形態に係る半導体装置を示す図である。
【図８】図８はこの発明の第８実施形態に係る半導体装置の断面図である。
【図９】図９はこの発明の第９実施形態に係る半導体装置の断面図である。
【図１０】図１０はこの発明の第１０実施形態に係る半導体装置の断面図である。
【図１１】図１１はこの発明の第１１実施形態に係る半導体装置の断面図である。
【図１２】図１２はこの発明の第１２実施形態に係る半導体装置の断面図である。
【図１３】図１３はこの発明の第１３実施形態に係る半導体装置を示す図である。
【図１４】図１４はこの発明の第１４実施形態に係る半導体装置を示す図である。
【符号の説明】
【００９３】
１：イメージセンサ（半導体素子）、３、２０３、３０３、４０３、５０３、６０３、７０３、８０３、９０３、１００３、１１０３、１２０３、１３０３、１４０３：半導体素子用パッケージ、３１、２３１、３３１、４３１、５３１、６３１、７３１、８３１、９３１、１０３１、１１３１、１２３１、１３３１、１４３１：基板（パッケージ基板）、４、２０４、３０４、４０４、５０４、６０４Ａ、６０４Ｂ、７０４Ａ、７０４Ｂ、８０４、９０４、１００４、１１０４、１２０４、１３０４：熱伝導部材、５，２０５，３０５、４０５、５０５、６０５、７０５、８０５、９０５、１００５、１１０５、１２０５、１３０５、１４０５：半導体装置、１３：空気層（第１の断熱部材）、１４：断熱部材（第２の断熱部材）、１５：断熱部材（第２の断熱部材）、８１：駆動素子（発熱量の多い半導体素子）、８２：イメージセンサ（発熱量の少ない半導体素子）８３１ｊ：第１の領域、８３１ｋ：第２の領域。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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