(57)【要約】【課題】良好な信号伝送特性を有する積層デバイスを提供する。【解決手段】この積層デバイスは、下側基板１の上面に溝３を形成し、上側基板２の下面に溝３に対向する溝７を形成するとともに溝７の底に貫通孔８を形成し、溝３，７および貫通孔８の内壁に導電層４，９を形成し、溝３，７間の空間の長さ方向の中心線に沿って信号線５を設けるとともに貫通孔８の中心線に沿って信号線１０を設け、信号線１０の一方端を信号線５に接続したものである。したがって、積層デバイスの配線を同軸線路で構成できる。【選択図】図１
2008311482.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板の上に第２の基板が積層された積層デバイスであって、
前記第１の基板の上面に第１の溝が形成され、
前記第２の基板の下面に前記第１の溝に対向する第２の溝が形成されるとともに前記第２の溝の底に貫通孔が形成され、
前記第１の溝、前記第２の溝および前記貫通孔の内壁に第１の導電層が形成され、
前記第１および第２の溝間の空間の長さ方向の中心線に沿って第１の信号線が設けられるとともに前記貫通孔の中心線に沿って第２の信号線が設けられ、前記第２の信号線の一方端は前記第１の信号線に接続されている、積層デバイス。
【請求項２】
前記第１の基板の上面と前記第２の基板の下面とはリング状の接合部材によって接合され、
前記接合部材は前記第１および第２の溝を囲むように設けられている、請求項１に記載の積層デバイス。
【請求項３】
前記第２の信号線の他方端と前記第２の基板の上面とを接続する第３の信号線が設けられている、請求項１または請求項２に記載の積層デバイス。
【請求項４】
前記第２の基板の上面に、その一方端が前記貫通孔の開口部に連通する第３の溝が形成され、
前記第３の溝の底に第２の導電層が形成され、
前記第３の溝の開口部の長さ方向の中心線に沿って第３の信号線が設けられ、
前記第３の信号線は、前記第２の信号線の他方端と前記第２の基板の上面との間に接続されている、請求項１または請求項２に記載の積層デバイス。
【請求項５】
請求項１から請求項４までのいずれかに記載の積層デバイスを備えた、電子部品パッケージ。
【請求項６】
第１の基板の上面に第１の溝を形成し、該第１の溝の内壁に第１の導電層を形成し、前記第１の溝に第１の犠牲層を充填し、該第１の犠牲層の表面の長さ方向の中心線に沿って第１の信号線を形成し、
第２の基板の下面に前記第１の溝と同じ幅の第２の溝を形成するとともに前記第２の溝の底に貫通孔を形成し、前記第２の溝および前記貫通孔の内壁に第２の導電層を形成し、
前記第１および第２の溝の開口部を重ねて前記第１の基板の上面と前記第２の基板の下面とを接合し、
前記第２の溝および前記貫通孔に第２の犠牲層を充填し、該第２の犠牲層をパターニングして一方端が前記第１の信号線に接続された第２の信号線を前記貫通孔の中心線に沿って形成し、
前記第１および第２の犠牲層を除去する、積層デバイスの製造方法。
【請求項７】
前記第２の犠牲層の表面に前記第２の信号線と前記第２の基板の上面とを接続する第３の信号線を形成した後に、前記第１および第２の犠牲層を除去する、請求項６に記載の積層デバイスの製造方法。
【請求項８】
前記第２の基板の上面に、その一方端が前記貫通孔の開口部に連通する第３の溝を形成し、該第３の溝の底に第３の導電層を形成し、前記第３の溝にも前記第２の犠牲層を充填し、
前記第２の犠牲層の表面の長さ方向の中心線に沿って、前記第２の信号線の他方端と前記第２の基板の上面とを接続する第３の信号線を形成した後に、前記第１および第２の犠牲層を除去する、請求項６に記載の積層デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は積層デバイスおよびそれを用いた電子部品パッケージと、積層デバイスの製造方法とに関し、特に、複数の基板が積層された積層デバイスと、それを用いた電子部品パッケージと、そのような積層デバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、素子、コプレナー線路などの配線を有する下側基板と、貫通配線により表裏面のコプレナー線路などの信号線を接続した上側基板とを備え、上下の基板の配線をバンプ接合などで電気的に接続した積層デバイスが知られている（たとえば非特許文献１参照）。ここでは、このようなマイクロマシン技術を利用してシリコン基板などに形成された微小な３次元構造体、たとえばスイッチ、伝送線路を有するものを積層デバイスと称して以下説明する。
【０００３】
また、上下の基板を電気的に接続する方法としては、上側基板の貫通配線部と下側基板の電極とを金スタッドバンプを介して超音波接合する方法がある（たとえば特許文献１参照）。また、下側基板の半田突起と上側基板の貫通孔とを嵌合させた後、半田を溶融させて上下の基板を電気的に接続する方法もある（たとえば特許文献２参照）。
【０００４】
また、基板表面上に犠牲層の作成、メッキ、金属の充填、成膜を繰り返して同軸線路を形成する方法が知られている（たとえば特許文献３参照）。また、犠牲層と金属層を交互に成膜し、最終的に犠牲層をすべて除去して同軸線路を形成する方法もある（たとえば非特許文献２参照）。
【特許文献１】特開２００４−２０９５８５号公報
【特許文献２】特開２００４−１６０６５４号公報
【特許文献３】特表２００４−５３０２９７号公報
【非特許文献１】A. Margomenos, et al, “Ultra-Wideband Three Dimensional Transitions for On-Wafer Packages”, 2004 34th European Microwave Conference pp. 645-648
【非特許文献２】J. R. Reid, et al, “Micromachined Rectangular-Coaxial Transmission Lines”, IEEE TRANSACTIONS ON MICROWAVE THEORY AND TECHNIQUES, VOL. 54, NO. 8, AUGUST 2006
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、従来の積層デバイスでは、基板上の配線が基板に接しているので、基板材料に起因する損失が発生する。同様に、貫通配線でも充填材料あるいは貫通孔側壁の導電性材料が基板に接しているので、基板材料に起因する損失が発生する。このような損失は、発熱や電力損失を引き起こし、信号伝送性能を大幅に劣化させる。
【０００６】
そこで、基板上の配線として上記同軸線路を使用することが考えられるが、上記犠牲層を繰り返し用いて同軸線路を製造する方法では、積層境界で凹凸が発生する。このような構造ゆらぎは、特に高周波伝送において伝送特性を悪化させる原因となる。また、積層回数だけ同じ製造工程を繰り返さなければならないため、複雑な構造物を製造する場合は工程が非常に多くなるという課題がある。
【０００７】
また、従来の製造方法では、同軸線路の信号線が基板表面よりも高い位置に形成されるので、基板表面に垂直に設けた支柱で信号線を支持する必要があり、同軸線路に構造上の不連続点が生じる。このような不連続点ではインピーダンスの不整合が発生して信号の反射が大きくなるので、信号伝送特性が悪化してしまう。
【０００８】
それゆえに、この発明の主たる目的は、良好な信号伝送特性を有する積層デバイスと、それを用いた電子部品パッケージと、そのような積層デバイスの製造方法とを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
この発明に係る積層デバイスは、第１の基板の上に第２の基板が積層された積層デバイスであって、第１の基板の上面に第１の溝が形成され、第２の基板の下面に第１の溝に対向する第２の溝が形成されるとともに第２の溝の底に貫通孔が形成されている。また、第１の溝、第２の溝および貫通孔の内壁に第１の導電層が形成され、第１および第２の溝間の空間の長さ方向の中心線に沿って第１の信号線が設けられるとともに貫通孔の中心線に沿って第２の信号線が設けられ、第２の信号線の一方端は第１の信号線に接続されている。
【００１０】
また、この発明に係る積層デバイスの製造方法は、第１の基板の上面に第１の溝を形成し、該第１の溝の内壁に第１の導電層を形成し、第１の溝に第１の犠牲層を充填し、該第１の犠牲層の表面の長さ方向の中心線に沿って第１の信号線を形成する。また、第２の基板の下面に第１の溝と同じ幅の第２の溝を形成するとともに第２の溝の底に貫通孔を形成し、第２の溝および貫通孔の内壁に第２の導電層を形成する。さらに、第１および第２の溝の開口部を重ねて第１の基板の上面と第２の基板の下面とを接合し、第２の溝および貫通孔に第２の犠牲層を充填し、該第２の犠牲層をパターニングして一方端が第１の信号線に接続された第２の信号線を貫通孔の中心線に沿って形成し、第１および第２の犠牲層を除去する。
【発明の効果】
【００１１】
この発明に係る積層デバイスでは、第１の基板の上面に第１の溝が形成され、第２の基板の下面に第１の溝に対向する第２の溝が形成されるとともに第２の溝の底に貫通孔が形成されている。また、第１の溝、第２の溝および貫通孔の内壁に第１の導電層が形成され、第１および第２の溝間の空間の長さ方向の中心線に沿って第１の信号線が設けられるとともに貫通孔の中心線に沿って第２の信号線が設けられ、第２の信号線の一方端は第１の信号線に接続されている。したがって、積層デバイスの配線を同軸線路で構成することができ、良好な信号伝送特性を得ることができる。
【００１２】
また、この発明に係る積層デバイスの製造方法では、第１の基板の上面に第１の溝を形成し、該第１の溝の内壁に第１の導電層を形成し、第１の溝に第１の犠牲層を充填し、該第１の犠牲層の表面の長さ方向の中心線に沿って第１の信号線を形成する。また、第２の基板の下面に第１の溝と同じ幅の第２の溝を形成するとともに第２の溝の底に貫通孔を形成し、第２の溝および貫通孔の内壁に第２の導電層を形成する。さらに、第１および第２の溝の開口部を重ねて第１の基板の上面と第２の基板の下面とを接合し、第２の溝および貫通孔に第２の犠牲層を充填し、該第２の犠牲層をパターニングして一方端が第１の信号線に接続された第２の信号線を貫通孔の中心線に沿って形成し、第１および第２の犠牲層を除去する。したがって、犠牲層のエッチングが１回で済むので、構造揺らぎを小さくすることができ、良好な信号伝送特性を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
[実施の形態１]
図１は本発明の実施の形態１による積層デバイスの構成を示す断面図であり、図２は図１に示した積層デバイスの他の断面図であり、図１の断面と図２の断面は互いに直交している。図１および図２において、この積層デバイスは、下側基板１と、その上に積層された上側基板２とを備える。
【００１４】
下側基板１の上面には、所定の幅、深さおよび長さの溝３が形成され、溝３の内壁（底および側壁）には導電層４が形成されている。また、下側基板１の上面には、溝３よりも長い信号線５が設けられている。信号線５の中央部は溝３の開口部の長さ方向の中心線に沿って配置され、信号線５の両端部は下側基板１の上面に乗り上げてコプレナー線路など平面線路を構成するとともに信号線５を支持している。また、下側基板１の上面には、溝３を囲むようにしてリング状の接続用金属パッド６が設けられている。
【００１５】
一方、上側基板２の下面には、溝３に対向して溝７が形成されており、溝３と７の間には直方体状の空間が形成されている。溝７の幅および深さは溝３と略等しく、溝７の長さは信号線５よりも長い。溝７の底には上側基板２を厚さ方向に貫通する貫通孔８が形成され、溝７の内壁（底および側壁）と貫通孔８の内壁には導電層９が形成されている。また、貫通孔８の中心線に沿って信号線１０が設けられ、信号線１０の下端は信号線５に垂直に接続されている。また、上側基板２の下面には、溝７を囲むようにして接続用金属パッド６と同形上の接続用金属パッド１１が設けられている。接続用金属パッド６と１１は接合材１２によって接合されている。
【００１６】
信号線５、溝３，７、および導電層４，９は同軸線路を構成し、信号線１０、貫通孔８、および導電層９は同軸線路を構成している。したがって、この積層デバイスでは、基板１，２に対して平行な配線と垂直な配線の両方が同軸構造にされている。
【００１７】
次に、この積層デバイスの製造方法について説明する。本実施の形態１では、基板１，２として、不純物が少なく比抵抗が１００Ωｃｍ以上のシリコン基板を用いた。なお、基板１，２の材料として、シリコン以外に、ガリウムヒ素等の半導体、アルミナ等のセラミック、またはホウ珪酸ガラス等のガラスを使用することも可能である。
【００１８】
まず下側基板１の上面に、ドライエッチングやウェットエッチングなどによって溝３を形成する。ここでエッチングがＩＣＰ−ＲＩＥなど等方性エッチングでは溝３の側壁は垂直面となり、ＴＭＡＨやＫＯＨなどの異方性エッチングである場合、傾斜面となる。本実施の形態１では、溝３の側壁の形状は問わない。
【００１９】
次に、溝３の内壁（底および側壁）に導電層４を形成する。導電層４は、たとえば金などの金属膜を真空蒸着法、スパッタ法またはメッキで形成し、その金属膜をパターン加工したものである。パターン加工には、写真製版とエッチングとを組み合わせた方法や、また真空蒸着時ではメタルマスクを用いた方法を使用することができる。導電層４の厚さは、信号周波数における表皮効果以上の厚さにすることが望ましく、その最適値は信号周波数に応じて変化する。たとえば、８０ＧＨｚでは導電層４の厚さを０．５μｍ以上にすることが望ましい。また、導電層４の材料は、金など導電率の高い金属にすることが望ましい。導電層９に関しても同じである。
【００２０】
また、図３に示すように、下側基板１の上面に溝３および信号線５を囲むようにしてリング状の接続用金属パッド６を形成する。上述のように、接合材１２は、基板１，２を接合するとともに、基板１，２の接合後に注入される犠牲層を溝７および貫通孔８内に留めるために、基板１，２および溝３，７と閉空間を構成する。接合材１２としては、このように基板１，２を接合し、犠牲層が漏れないように閉空間を構成でき、犠牲層除去時に影響を受けないものであれば、半田、樹脂、接着剤などを用いてもよい。接合材１２が基板１，２の表面に濡れ広がらない材料である場合は、接続用金属パッド６，１１は不要である。
【００２１】
たとえば、接合材１２として半田を使用する場合は、接続用金属パッド６として、たとえば、クロム、ニッケル、金などの金属膜を順に真空蒸着法、スパッタ法またはメッキで形成し、その金属膜をパターン加工したものを使用する。パターン加工には、写真製版とエッチングとを組み合わせた方法や、また真空蒸着時ではメタルマスクを用いた方法を使用することができる。導電層４の最表面が金など半田が濡れやすい材料である場合、接続用金属パッド６の表面を導電層４の最表面と同時に形成してもよい。
【００２２】
次に、溝３を犠牲層１３で充填する。犠牲層１３としては、フォトレジストなどの感光性あるいは非感光性樹脂を使用する。犠牲層１３の最上面が下側基板１の上面に揃うように、研磨などによって平坦化を行なう。犠牲層１３として感光性樹脂を使用した場合、フォトリソグラフィを併用して溝３以外の部分に付着した不要な樹脂を除去してもよい。
【００２３】
次いで、信号線５を、金などの金属膜を真空蒸着法、スパッタ法またはメッキで形成し、その金属膜をパターン加工することによって形成する。信号線５の厚さは、信号周波数における表皮効果以上の厚さにすることが望ましく、その最適値は信号周波数に応じて変化する。たとえば、８０ＧＨｚでは信号線５の厚さを０．５μｍ以上にすることが望ましい。
【００２４】
次に、上側基板２について説明する。まず、上側基板２の下面に、溝７を形成する。溝７の形成方法は溝３と同じである。次に、上側基板２の上面から溝７の底に貫通する貫通孔８を形成する。貫通孔８は、ＩＣＰ−ＲＩＥなどのドライエッチングによって形成してもよいし、ウエットエッチングによって形成してもよい。ただし、貫通孔８は同軸線路を構成するので、貫通孔８の形状は直方体もしくは、円柱形とすることが望ましい。したがて、貫通孔８は、ＩＣＰ−ＲＩＥによって形成することが望ましい。なお、貫通孔８を先に形成して、その後に所望の深さまで溝７を形成してもよい。
【００２５】
次に、溝７と貫通孔８の内壁に導電層９を形成する。導電層９は、たとえば金などの金属膜を真空蒸着法、スパッタ法またはメッキで形成し、その金属膜をパターン加工したものである。パターン加工には、写真製版とエッチングとを組み合わせた方法や、また真空蒸着時ではメタルマスクを用いた方法を使用することができる。接続用金属パッド１１の形成については、接続用金属パッド６と同じである。
【００２６】
次いで、接続用金属パッド６，１１のいずれか一方または両方に、接合材１２を搭載する。下側基板１と上側基板２の位置合わせをボンドアライナ等の基板接合装置で行ない、両基板１，２の位置を固定してから両基板１，２を接合する。
【００２７】
次に、信号線１０を形成する。まず図４（ａ）に示すように、フォトレジストや他の感光性樹脂等、溝３を埋めている犠牲層１３と同種の材料を貫通孔８から注入し、溝７と貫通孔８に犠牲層１４を充填する。
【００２８】
次いで、図４（ｂ）に示すように、信号線５との接続点を中心に、貫通孔８内の犠牲層１４に信号線１０に相当する形状の孔１４ａを開ける。犠牲層１４の加工は、犠牲層１４の種類によるが、たとえばフォトレジストで犠牲層１４を形成した場合は、フォトリソグラフィによって行なう。孔１４ａが信号線５に達する露光強度で犠牲層１４を露光し、次に現像を行なうことで孔１４ａを形成する。犠牲層１３は、信号線５がマスクになるので、露光の影響を受けない。
【００２９】
次に、図４（ｃ）に示すように、メッキによって金などを孔１４ａに充填して信号線１０を形成する。または、導電性ペーストや溶融半田で孔１４ａを埋めて信号線１０を形成してもよい。最後に、犠牲層１３，１４を除去する。犠牲層１３，１４をフォトレジストで形成した場合は、アセトンやレジストリムーバ等により犠牲層１３，１４を溶解して除去する。アセトンやレジストリムーバ等の注入は、貫通孔８から行なう。また、酸素プラズマ等によるプラズマアッシングによって犠牲層１３，１４を除去してもよい。
【００３０】
本実施の形態１では、溝３，７、貫通孔８、信号線５，１０、および導電層４，９により立体的な同軸線路を構成している。コプレナー線路などの平面配線では信号が擬ＴＥＭ(Transverse Electromagnetic Mode)で伝播するのに対し、同軸線路では信号がＴＥＭモードで伝播する。したがって、分散の影響が少なく、ＤＣから２００ＧＨｚ程度までの広帯域で使用可能である。よって信号伝送路としては最も理想的な伝送特性が得られる。
【００３１】
また、基板１，２に平行な信号線５と垂直な信号線１０とを直接接続しているので、線路長を最短にすることができ、線路長に起因する伝送損失を最小に抑制することができる。これにより、たとえば、ウエハレベルパッケージや、チップパッケージにおいて電力損失に起因する発熱が抑制され、デバイス特性の向上を図ることができる。また、線路長を長くすることが可能となり、微小サイズアンテナの分配器等にも応用が可能である。
【００３２】
また、基板１の表面を掘り込んだ溝３を設け、基板１の表面と同一平面上に信号線５を形成することにより、基板１の表面上の信号線と同一平面で接続することができる。したがって、基板の表面上に浮かして同軸線路を形成する構造で必要となる同軸線路を支持する柱が不要である。よって、信号線路長を短縮でき、また構造の不連続によるインピーダンスの不整合も少なくなる。
【００３３】
また、犠牲層エッチングの回数は一回で済むので、繰り返し工程による凹凸が生じず、作製精度が向上し、構造ゆらぎによる伝送特性の劣化を防止することができる。
【００３４】
また、本実施の形態１で形成された立体同軸線路は、これまでのコプレナー線路やマイクロストリップ線路などの平面配線と比較して基板、信号線支持膜の損失が無視できるため高品質な高周波伝送が実現できる。
【００３５】
また、電磁場が接地導体で完全に遮蔽されているので、信号線路間隔を短くでき、交差する構造も容易に作製が可能である。つまり集積化に有利な構造を実現できる。
【００３６】
[実施の形態２]
図５は、本発明の実施の形態２による積層デバイスの構成を示す断面図であって、図２と対比される図である。図５において、この積層デバイスが実施の形態１の積層デバイスと異なる点は、信号線１０の上端部と上側基板２の上面との間に接続された信号線１５が追加されている点である。
【００３７】
この信号線１５により、下側基板１上の信号を上側基板２上に取り出すことが可能となる。また、上側基板１上にも配線がある場合、その配線と信号線５，１０を電気的に接続することができる。また、信号線１５は、信号線５，１０の支持部材も兼ねており、信号線５，１０の強度を補強している。この場合、信号線１５と導電層９の短絡を防ぐために、導電層９のうちの信号線１５の直下の部分は除去される。
【００３８】
図６は、信号線１５の製造方法を示す図であって、図４（ｃ）と対比される図である。実施の形態１と同じ方法で信号線１０を形成した後、犠牲層１４および上側基板２の上面に金などの金属膜を真空蒸着法、スパッタ法またはメッキで形成し、その金属膜をパターン加工して信号線１５を形成する。最後に、実施の形態１と同様に犠牲層１３，１４を除去する。
【００３９】
実施の形態１において、信号線１０から信号を取り出す場合、ボンディングワイヤを用いるのが一般的である。しかし、ミリ波などの高い周波数の信号を伝送する場合、ボンディングワイヤを用いると、構造的にインピーダンス整合を取ることが困難であり、損失が増加する。これに対して本実施の形態２のように、信号線１０と上側基板２の上面と間を信号線１５で接続した場合、変成器などを用いることによってインピーダンスの不整合を抑制することができ、信号の取り出し効率が向上する。
【００４０】
図７は、実施の形態２の変更例を示す断面図であって、図１と対比される図である。図７において、この積層デバイスが図５の積層デバイスと異なる点は、信号線１５が信号線５と直交する方向に延在している点である。図５の積層デバイスでは、信号線１５は信号線５と同じ方向に延在している。これ以外にも、任意の方向に信号線１５を延在させることが可能である。
【００４１】
[実施の形態３]
図８は、本発明の実施の形態３による積層デバイスの構成を示す断面図であって、図５と対比される図である。図８において、この積層デバイスが実施の形態２の積層デバイスと異なる点は、信号線１５が溝１６、導電層１７および信号線１８からなる中空線路で置換されている点である。
【００４２】
溝１６は、上側基板２の上面に形成され、その一方端は貫通孔８の開口部に連通している。導電層１７は、溝１６の底面に形成され、溝７および貫通孔８の内壁の導電層９に接続されている。信号線１８の一方端は、信号線１０の上端部に接続され、その中央部は溝１６の開口部の長さ方向の中心線に沿って配置され、その他方端は上側基板２の上面に乗り上げてコプレナー線路など平面線路を構成するとともに信号線５，１０，１８を支持している。
【００４３】
図９は、信号線１０，１８の製造方法を示す図であって、図４（ａ）と対比される図である。溝７および貫通孔８に加え、溝１６内にも犠牲層１４が充填される。犠牲層１４の表面を上方基板２の上面に揃え、図４（ｂ）（ｃ）で示した方法で貫通孔８の中心に信号線１０を形成した後、犠牲層１４および上側基板２の上面に金などの金属膜を真空蒸着法、スパッタ法またはメッキで形成し、その金属膜をパターン加工して信号線１８を形成する。最後に、実施の形態１と同様に犠牲層１３，１４を除去する。
【００４４】
実施の形態２のように信号線１５を設けた場合、信号線１５のうちの貫通孔８上にない部分において基板２の材料に起因する損失が発生する。これに対して本実施の形態３のように、信号線１８を溝１６の上に形成すると、基板２の材料に起因する損失を軽減することができる。また、本実施の形態３の製造方法では、一回の犠牲層１４の注入によって、貫通孔８部分に同軸線路を形成すると同時に、低損失の信号取り出し構造を形成できる。
【００４５】
なお、上記積層デバイスは、伝送線路のみを含む回路素子でもよいし、さらに半導体素子などの電子部品を含む半導体装置でもよいし、他の部品とともに電子部品パッケージに内包されていてもよい。
【００４６】
また、本発明は、高周波デバイスを実装するウエハレベルパッケージ、チップレベルパッケージ、積層デバイスの基板間の配線、または分配器などのデバイスに適用可能である。
【００４７】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】この発明の実施の形態１による積層デバイスの構成を示す断面図である。
【図２】図１に示した積層デバイスの構成を示す他の断面図である。
【図３】図１および図２に示した積層デバイスの製造方法を示す図である。
【図４】図１および図２に示した積層デバイスの製造方法を示す他の図である。
【図５】この発明の実施の形態２による積層デバイスの構成を示す断面図である。
【図６】図５に示した積層デバイスの製造方法を示す断面図である。
【図７】実施の形態２の変更例を示す断面図である。
【図８】この発明の実施の形態３による積層デバイスの構成を示す断面図である。
【図９】図８に示した積層デバイスの製造方法を示す断面図である。
【符号の説明】
【００４９】
１  下側基板、２  上側基板、３，７，１６  溝、４，９，１７  導電層、５，１０，１５，１８  信号線、６，１１  接続用金属パッド、８  貫通孔、１２  接合材、１３，１４  犠牲層、１４ａ  孔。
【図１】
2008311482.tif 000003
【図２】
2008311482.tif 000004
【図３】
2008311482.tif 000005
【図４】
2008311482.tif 000006
【図５】
2008311482.tif 000007
【図６】
2008311482.tif 000008
【図７】
2008311482.tif 000009
【図８】
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【図９】
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