(57)【要約】【課題】本発明は、半導体チップの上に乗り上げないようにアンダーフィル材を供給することを目的とする。【解決手段】配線基板２０にフェースダウンボンディングされた半導体チップ１０の周囲でノズル３２を移動させ、ノズル３２からアンダーフィル材を連続的に供給して、配線基板２０と半導体チップ１０の間にアンダーフィル材を充填する。半導体チップ１０の配線基板２０との対向面の輪郭は複数の辺から構成された多角形である。ノズル３２の移動軌跡は、辺の両端から直角に引いた一対の線分Ｌ，Ｌの範囲内にある直線軌跡４０と、隣同士の直線軌跡４０を接続するために方向を変える方向転換軌跡５０と、が連続する。方向転換軌跡５０では、直線軌跡４０よりも、ノズル３２を速く移動させる。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線基板にフェースダウンボンディングされた半導体チップの周囲でノズルを移動させ、前記ノズルからアンダーフィル材を連続的に供給して、前記配線基板と前記半導体チップの間に前記アンダーフィル材を充填することを含み、
前記半導体チップの前記配線基板との対向面の輪郭は複数の辺から構成された多角形であり、
前記ノズルの移動軌跡は、前記辺の両端から、前記辺となす角が直角となるように引いた一対の線分の範囲内にある直線軌跡と、隣同士の前記直線軌跡を接続する方向転換軌跡と、が連続し、
前記直線軌跡の少なくとも一部分では、前記方向転換軌跡よりも、前記ノズルを遅く移動させる半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載された半導体装置の製造方法において、
前記ノズルの移動方向において前記方向転換軌跡よりも上流に位置する前記直線軌跡は、前記方向転換軌跡に直接接続する接続軌跡と、前記接続軌跡が介在することで下流側の前記方向転換軌跡に直接接続しない非接続軌跡と、を含み、
前記接続軌跡では、前記非接続軌跡よりも、前記ノズルを速く移動させる半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項２に記載された半導体装置の製造方法において、
前記接続軌跡と前記方向転換軌跡では、前記ノズルを同じ速度で移動させる半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１に記載された半導体装置の製造方法において、
前記ノズルの移動方向において前記方向転換軌跡よりも上流に位置する前記直線軌跡は、前記方向転換軌跡に直接接続する接続軌跡と、前記接続軌跡が介在することで下流側の前記方向転換軌跡に直接接続しない非接続軌跡と、を含み、
前記非接続軌跡において、前記方向転換軌跡よりも前記ノズルを遅く移動させる半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体チップを配線基板にフェースダウンボンディングし、半導体チップと配線基板の間にアンダーフィル材を充填することが知られている。従来、アンダーフィル材は、ノズルの先端から供給しており、半導体チップの上に乗り上げないようにアンダーフィル材を供給することが難しかった。
【０００３】
特開平７−１０６３５８号公報には、フェースダウンボンディング及びアンダーフィル材の充填（特に、樹脂流動性の向上）について記載されているが、半導体チップの上に乗り上げないようにアンダーフィル材を供給することは記載されていない。
【特許文献１】特開平７−１０６３５８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、半導体チップの上に乗り上げないようにアンダーフィル材を供給することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
（１）本発明に係る半導体装置の製造方法は、
配線基板にフェースダウンボンディングされた半導体チップの周囲でノズルを移動させ、前記ノズルからアンダーフィル材を連続的に供給して、前記配線基板と前記半導体チップの間に前記アンダーフィル材を充填することを含み、
前記半導体チップの前記配線基板との対向面の輪郭は複数の辺から構成された多角形であり、
前記ノズルの移動軌跡は、前記辺の両端から、前記辺となす角が直角となるように引いた一対の線分の範囲内にある直線軌跡と、隣同士の前記直線軌跡を接続する方向転換軌跡と、が連続し、
前記直線軌跡の少なくとも一部分では、前記方向転換軌跡よりも、前記ノズルを遅く移動させる。本発明によれば、前記直線軌跡の少なくとも一部分では、前記方向転換軌跡よりも、前記ノズルを遅く移動させる、言い換えると方向転換軌跡でノズルを速く移動させるので、方向転換軌跡ではアンダーフィル材の供給量を減らすことができる。方向転換軌跡は、半導体チップの角部に対応しており、従来、角部で最もアンダーフィル材が半導体チップに乗り上げることが多かったが、本発明によって、半導体チップの上に乗り上げないようにアンダーフィル材を供給することができる。
（２）この半導体装置の製造方法において、
前記ノズルの移動方向において前記方向転換軌跡よりも上流に位置する前記直線軌跡は、前記方向転換軌跡に直接接続する接続軌跡と、前記接続軌跡が介在することで下流側の前記方向転換軌跡に直接接続しない非接続軌跡と、を含み、
前記接続軌跡では、前記非接続軌跡よりも、前記ノズルを速く移動させてもよい。
（３）この半導体装置の製造方法において、
前記接続軌跡と前記方向転換軌跡では、前記ノズルを同じ速度で移動させてもよい。
（４）この半導体装置の製造方法において、
前記ノズルの移動方向において前記方向転換軌跡よりも上流に位置する前記直線軌跡は、前記方向転換軌跡に直接接続する接続軌跡と、前記接続軌跡が介在することで下流側の前記方向転換軌跡に直接接続しない非接続軌跡と、を含み、
前記非接続軌跡において、前記方向転換軌跡よりも前記ノズルを遅く移動させてもよい。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００６】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【０００７】
図１は、本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す図である。本実施の形態では、半導体チップ１０及び配線基板２０を使用する。半導体チップ１０は、複数の電極１２を有する。電極１２は、アルミニウム等からなるパッドと、その上に配置された金等からなるバンプから構成されている。電極１２は、半導体チップ１０に作り込まれた、図示しない集積回路に電気的に接続されている。半導体チップ１０の電極１２が形成された面（配線基板２０との対向面）の輪郭は複数の辺から構成された多角形（例えば矩形）である。
【０００８】
配線基板２０は、樹脂等からなる基板（例えばフレキシブル基板）２２と、基板２２の一方の面に形成された銅などの金属からなる配線パターン２４と、を有する。基板２２には、その一部を除いて、樹脂からなる保護層（ソルダレジスト等）２６が形成されている。保護層２６は、配線パターン２４を、その一部を除いて覆っている。基板２２の保護層２６からの露出領域に、配線パターン２４の保護層２６からの露出部が位置している。基板２２の、保護層２６からの露出領域であって配線パターン２４が保護層２６から露出している領域には、貫通穴は形成されていない。
【０００９】
本実施の形態では、半導体チップ１０を配線基板２０にフェースダウンボンディングする。そして、電極１２及び配線パターン２４を接合する。接合は、金属接合（ろう接・固相拡散接合）によって行ってもよい。基板２２の半導体チップ１０と対向する領域には貫通穴が形成されていない。フェースダウンボンディングされた半導体チップ１０と基板２２との間には隙間があいている。この隙間にアンダーフィル材３０を充填する。
【００１０】
アンダーフィル材３０は、ノズル３２から供給する。半導体チップ１０の周囲でノズル３２を移動させ、ノズル３２からアンダーフィル材３０を連続的に供給する。ノズル３２は、半導体チップ１０から間隔をあけて移動させる。ノズル３２は、半導体チップ１０の平面形状が矩形である場合、少なくともその二辺以上（二辺、三辺又は四辺）の周囲を移動させる。つまり、ノズル３２は、Ｌ字状、コ字状、ロ字状を描くように移動させる。ノズル３２からのアンダーフィル材３０の供給速度は一定である。こうして、配線基板２０と半導体チップ１０の間にアンダーフィル材３０を充填する。
【００１１】
図２は、ノズルの移動軌跡を説明する図である。ノズル３２の移動軌跡は、半導体チップ１０の平面形状の相似形状の少なくとも一部を描く。ノズル３２の移動軌跡は、半導体チップ１０の角部に隣接する領域も通る。ノズルの移動軌跡は、半導体チップ１０の辺の両端から、この辺に対して直角となるように引いた一対の線分Ｌ，Ｌの範囲内にある直線軌跡４０と、隣同士の直線軌跡４０を接続するために方向を変える方向転換軌跡５０と、が連続している。直線軌跡４０は、半導体チップ１０の辺と平行であってもよい。
【００１２】
アンダーフィル材３０の供給は、直線軌跡４０から開始する。最初の直線軌跡４０は、図２に示すように線分Ｌ，Ｌの範囲内の途中を始点としてもよいし、変形例として、線分Ｌ上の点から開始してもよい。また、アンダーフィル材３０の供給は、直線軌跡４０で終了する。最後の直線軌跡４０は、図２に示すように線分Ｌ上の点で終わってもよいし、変形例として、線分Ｌ，Ｌの範囲内の途中を終点としてもよい。
【００１３】
直線軌跡４０は、ノズル３２の移動方向において下流側の方向転換軌跡５０に直接接続する接続軌跡４２と、接続軌跡４２が介在することで下流側の方向転換軌跡５０に直接接続しない非接続軌跡４４と、を含む。ただし、図２に示すように、最後の直線軌跡４０は、それよりも下流に方向転換軌跡５０がないので、接続軌跡４２を有しない。
【００１４】
本実施の形態では、方向転換軌跡５０では、直線軌跡４０の少なくとも方向転換軌跡５０の手前（例えば接続軌跡４２）を除く部分（例えば非接続軌跡４４）よりも、ノズル３２を速く移動させる（Ｖ１＜Ｖ３）。例えば、方向転換軌跡５０での速度Ｖ３は、非接続軌跡４４での速度Ｖ１の１．３〜２倍である。あるいは、方向転換軌跡５０では、直線軌跡４０の全体よりも、ノズル３２を速く移動させてもよい（Ｖ１＜Ｖ３，Ｖ２＜Ｖ３）。
【００１５】
こうすることで、方向転換軌跡５０ではアンダーフィル材３０の供給量を減らすことができる。方向転換軌跡５０は、半導体チップ１０の角部に対応しており、この角部で最もアンダーフィル材３０が半導体チップ１０に乗り上げることが多かったが、本実施の形態によれば、半導体チップ１０の上に乗り上げないようにアンダーフィル材３０を供給することができる。なお、アンダーフィル材３０は、半導体チップ１０上に乗り上げなければ、半導体チップ１０の側面に接触してその上面よりも盛り上がって設けてもよい。
【００１６】
なお、接続軌跡４２及び非接続軌跡４４でのノズル３２の速度は同じであってもよい（Ｖ１＝Ｖ２）が、接続軌跡４２では、非接続軌跡４４よりも、ノズル３２を速く移動させてもよい（Ｖ１＜Ｖ２）。接続軌跡４２及び方向転換軌跡５０でのノズル３２の移動速度を同じにしてもよい（Ｖ２＝Ｖ３）。方向転換軌跡５０では、接続軌跡４２よりも、ノズル３２を速く移動させてもよい（Ｖ２＜Ｖ３）。
【００１７】
保護層２６のアンダーフィル材３０に対する親和性を低くすることで、保護層２６がアンダーフィル材を弾いて、半導体チップ１０と配線基板２０との隙間にアンダーフィル材３０を流入させやすい。以上のプロセスを含む方法によって、半導体装置を製造することができる。
【００１８】
本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び結果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】図１は、本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
【図２】図２は、ノズルの移動軌跡を説明する図である。
【符号の説明】
【００２０】
１０…半導体チップ、  １２…電極、  ２０…配線基板、  ２２…基板、  ２４…配線パターン、  ２６…保護層、  ３０…アンダーフィル材、  ３２…ノズル、  ４０…直線軌跡、  ４２…接続軌跡、  ４４…非接続軌跡、  ５０…方向転換軌跡
【図１】
2008071883.tif 000003
【図２】
2008071883.tif 000004