(57)【要約】【課題】幅広い外光環境でも光情報を確実に受光する表示装置を提供することを第１の課題とし、額縁領域の増大を抑制する表示装置を提供することを第２の課題とする。【解決手段】外光に接する表面を有し、画像を表示する表示部６及びこの表示部６を駆動する駆動回路７を裏面に形成したアレイ基板２と、アレイ基板２の裏面に形成され、表面から入力された外光を検出する光センサ９と、を有する表示装置１なので、光センサを形成したアレイ基板をバックライト側に配置した表示装置よりも確実に外光を受光することができる。また、光センサ９が、アレイ基板２と対向基板３とを接合するシール領域に形成されているので、表示装置１における額縁領域の増大を抑制することができる。【選択図】図１
2008224896.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外光に接する表面を有し、画像を表示する表示部及び当該表示部を駆動する駆動回路を裏面に形成したアレイ基板と、
前記表面に設けられた偏光板と、
前記裏面に形成され、前記表面から入力した外光を検出する光センサと、
前記アレイ基板の裏面側に対向配置された対向基板と、
前記対向基板の周縁に沿って、前記アレイ基板と前記対向基板とを接合するシール材と、
前記対向基板に光を照射するバックライトと、
前記対向基板と前記シール材とが接合されたシール領域に形成され、前記バックライトから照射された光を遮光する遮光部と、
を有することを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記光センサは、前記アレイ基板と前記シール材とが接合されたシール領域に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記光センサは、前記表示部と前記駆動回路との間に形成されるものであって、
前記バックライトから照射された光が当該光センサに入力することを防止する遮光層を更に有することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
前記光センサは、前記表示部内に形成されるものであって、
前記バックライトから照射された光が当該光センサに入力することを防止する遮光層を更に有することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項５】
前記偏光板は、前記光センサが形成された範囲に重ならないように設けられていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項６】
前記光センサから出力された光信号に基づいて、前記バックライトの光量を調整するセンサ回路を更に有することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光センサを備えた表示装置の技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、パーソナルコンピュータやワードプロセッサ等の情報機器の表示装置や、テレビ，ビデオムービー，カーナビゲーションシステム等の映像機器の表示装置として、軽量，薄型，低消費電力といった特徴を有する液晶表示装置が多用されている。このような液晶表示装置は、明るい表示画像を実現するために、表示素子の背後から照明光を照射するバックライトを内蔵した構成とするものが多い。
【０００３】
ところで、液晶表示装置の長所の一つは、その低消費電力性にあるが、一般に、液晶パネルよりもバックライトの消費電力の方が大きい。一方、液晶表示装置において、十分な視認性を得るためには、表示輝度をできるだけ高くする必要があり、これに対してバックライトを明るく設定すると、前述の低消費電力性を損なう要因となる。
【０００４】
そこで、環境照度（外光照度）に応じてバックライトの明るさを調整し、消費電力をできる限り抑えることが検討されている。例えば、夜間のように環境照度が低い場合と、晴天時の日中の屋外のように環境照度が高い場合とでは、十分な視認性を得るのに必要な輝度が異なり、これに応じて必要最小限にバックライトの照度を調整することで、消費電力を抑えることができる。
【０００５】
これを実現する為に、薄膜トランジスタを用いた液晶表示装置において、光センサ（フォトセンサ）を基板の表示領域外に設置し、その出力を利用してバックライトの明るさを調整する提案がなされている（特許文献１乃至３参照）
特許文献１には、液晶表示板と、この液晶表示板の裏面側より光を照射するバックライトと、このバックライトの光量を調整するコントローラと、液晶表示板と並べて配置された光検知器とを備え、この光検知器により周囲の明るさを検知し、コントローラを調整することで、バックライトの光量を調整する液晶表示装置が開示されている。
【０００６】
また、特許文献２には、バックライトを持つ液晶表示装置のバックライト駆動回路に輝度調光電圧を供給するためのバックライト調光回路であって、液晶表示パネルの表面側の周囲の明るさを検出して外光照度信号を出力するための複数の光センサと、これらの光センサから出力される外光照度信号の全て又は一部の平均値を算出する平均値算出手段と、平均値算出手段に基づいてバックライト駆動回路の輝度調整を行う輝度調整回路とを備えた液晶表示装置のバックライト調光回路が開示されている。
【０００７】
更に、特許文献３には、対向基板の表示領域外の額縁部の開口部下部に光センサを配置し、周囲光を受光する構造が開示されている。
【０００８】
続いて、従来の表示装置について簡単に説明する。図８は、従来の表示装置の構造を示す構造図である。図８（ａ）は、表示装置の断面を示した断面図であり、図８（ｂ）は、図８（ａ）で示す断面図に対応させて示した表示装置の正面図である。
【０００９】
従来の表示装置１は、図８（ａ）に示すように、表示装置１の周縁である額縁領域においてシール材４を用いてアレイ基板２と対向基板３とを接合し、その間隙に液晶を封入した構成を備えている。アレイ基板２の額縁領域には、外光を検出する光センサ９や表示部６を駆動する駆動回路７等が形成され、対向基板３の額縁領域には、バックライト１３からの光が観察者側へ透過することを防ぐ遮光部１１が設けられている。更に、アレイ基板２の背面には、表示装置１の光源としてのバックライト１３が離間して設けられ、バックライト１３から照射された光が光センサ９に入力されることを防ぐ遮光部材１４をバックライト１３上に設けている。
【特許文献１】特開平４−１７４８１９号公報
【特許文献２】特開平９−１４６０７３号公報
【特許文献３】特開２００５−３４５２８６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、アレイ基板２をバックライト１３側に配置した場合には、対向基板３を通過した外光を光センサ９で受光するための開口部１５を遮光部１１に設ける必要があり、より効率的に外光を受光するには開口部１５をより大きくする必要があるので、表示装置の外観から受ける印象や見栄えを悪くするという問題があった。
【００１１】
また、アレイ基板２とシール材４とが接合されたシール領域以外に光センサ９を設ける必要があるので、額縁領域の増大や表示部の縮小に繋がるという問題があった。
【００１２】
更に、外光に接する対向基板３上に偏光板１２や円偏光板等が配置されているので、その外光は偏光板により吸収され、光センサに到達する光量が半分以下に低下し、低照度光を確実に受光できないという問題があった。
【００１３】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであり、幅広い外光環境でも光情報を確実に受光する表示装置を提供することを第１の課題とし、額縁領域の増大を抑制する表示装置を提供することを第２の課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
請求項１に記載の本発明は、外光に接する表面を有し、画像を表示する表示部及び当該表示部を駆動する駆動回路を裏面に形成したアレイ基板と、前記表面に設けられた偏光板と、前記裏面に形成され、前記表面から入力した外光を検出する光センサと、前記アレイ基板の裏面側に対向配置された対向基板と、前記対向基板の周縁に沿って、前記アレイ基板と前記対向基板とを接合するシール材と、前記対向基板に光を照射するバックライトと、前記対向基板と前記シール材とが接合されたシール領域に形成され、前記バックライトから照射された光を遮光する遮光部と、を有することを要旨とする。
【００１５】
本発明にあっては、外光に接する表面を有し、画像を表示する表示部及びこの表示部を駆動する駆動回路を裏面に形成したアレイ基板と、アレイ基板の裏面に形成され、表面から入力された外光を検出する光センサと、を有する表示装置であるため、光センサを形成したアレイ基板をバックライト側に配置した表示装置よりも確実に外光を受光することができる。また、外光を検知する場合に、遮光部に開口部を設ける必要がないので、表示装置の外観から受ける印象や見栄えの低下を防止することができる。
【００１６】
請求項２に記載の本発明は、請求項１に記載の発明において、前記光センサが、前記アレイ基板と前記シール材とが接合されたシール領域に形成されていることを要旨とする。
【００１７】
本発明にあっては、光センサが、アレイ基板と対向基板とを接合するシール領域に形成されているため、表示装置における額縁領域の増大を抑制することができる。
【００１８】
請求項３に記載の本発明は、請求項１に記載の発明において、前記光センサは、前記表示部と前記駆動回路との間に形成されるものであって、前記バックライトから照射された光が当該光センサに入力することを防止する遮光層を更に有することを要旨とする。
【００１９】
本発明にあっては、光センサが、表示部と駆動回路との間に形成されている場合であっても、バックライトから照射された光がこの光センサに入力することを防止する遮光層を更に有するため、外光の受光効率を高めると共に、額縁領域の増大を抑制することができる。
【００２０】
請求項４に記載の本発明は、請求項１に記載の発明において、前記光センサは、前記表示部内に形成されるものであって、前記バックライトから照射された光が当該光センサに入力することを防止する遮光層を更に有することを要旨とする。
【００２１】
本発明にあっては、光センサが、表示部内に形成されている場合であっても、バックライトから照射された光がこの光センサに入力することを防止する遮光層を更に有するため、外光の受光効率を高めると共に、額縁領域の増大を抑制することができる。
【００２２】
請求項５に記載の本発明は、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の発明において、前記偏光板は、前記光センサが形成された範囲に重ならないように設けられていることを要旨とする。
【００２３】
本発明にあっては、偏光板が、光センサが形成された範囲に重ならないように設けられているため、偏光板による外光の吸収を防止し、低照度光であっても確実に受光することができる。
【００２４】
請求項６に記載の本発明は、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の発明において、前記光センサから出力された光信号に基づいて、前記バックライトの光量を調整するセンサ回路を更に有することを要旨とする。
【００２５】
本発明にあっては、光センサから出力された光信号に基づいて、バックライトの光量を調整する制御回路を更に有するため、外光変化のみに基づく正確な照度計算を可能とし、バックライトの光量を適正に調整することができる。また、幅広い環境下で視認性に優れ、且つ低消費電力な表示装置を実現する。
【発明の効果】
【００２６】
本発明によれば、幅広い外光環境でも光情報を確実に受光すると共に、額縁領域の増大を抑制する表示装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、本実施の形態について図面を用いて説明する。
【００２８】
図１は、本実施の形態における表示装置の構造を示す構造図である。図１（ａ）は、表示装置の断面を示した断面図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）で示す断面図に対応させて示した表示装置の正面図である。本実施の形態における表示装置１においては、対向して配置された一対の光透過性絶縁基板で液晶セルを構成し、その間隙に液晶材料を封入した液晶層が形成されている。具体的には、アレイ基板２と対向基板３とは、表示装置１の周縁である額縁領域においてシール材４を用いて接合され、アレイ基板２と対向基板３とシール材４とで囲まれ領域に液晶層５が形成されている。
【００２９】
アレイ基板２は、外光に接する表面を有し、画像を表示する表示部６及び表示部６を駆動する駆動回路（Ｙドライバ）７を裏面に形成している。更に、アレイ基板２の表面には偏光板８が設けられ、裏面には表面から入力した外光を検出する光センサ９が形成されている。また、アレイ基板２の裏面で対向基板３より突出した部分には、表示部６を駆動する駆動ＩＣ（Ｘドライバ）５０が実装されている。
【００３０】
より具体的には、アレイ基板２は、例えば、ガラス等からなる光透過性絶縁基板を支持基盤とし、この光透過性絶縁基板の裏面に形成された表示部６は、互いにほぼ平行且つ等間隔に配列される走査線や、これら走査線とほぼ直交して配列された信号線、走査線と信号線との間に介在されこれらを電気的に絶縁する層間絶縁膜（透明絶縁膜）、走査線と信号線との交差近傍に配置されたスイッチング素子としての薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transister）等で構成されている。
【００３１】
また、表示部６には、層間絶縁膜に形成されたスルーホールを介してスイッチング素子に電気的に接続された画素電極がマトリクス状に配列形成されている。なお、アレイ基板２の光透過性絶縁基板と画素電極との間には、前述の通り信号線や走査線、薄膜トランジスタ等のスイッチング素子、層間絶縁膜等が配置されているが、図１においては、これらの図示は省略する。更に、アレイ基板２の画素電極が設けられた面のほぼ全体に配向膜が設けられているが、これについても、ここでは図示は省略する。
【００３２】
対向基板３は、アレイ基板２の裏面側に対向して配置されており、アレイ基板２と同様に、例えば、ガラス等からなる光透過性絶縁基板を支持基盤とするものである。液晶層５側の面には、各画素に対応するカラーフィルター層１０が形成されると共に、その表面を覆ってＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明導電材料からなる透明対向電極が全面に形成されている。カラーフィルター層１０は、顔料や染料によって各色に着色された樹脂層であり、例えば、Ｒ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）の各色のフィルタ層が組み合わされて構成されている。また、図示は省略するが、各カラーフィルター層の画素境界部分には、コントラスト向上等を目的として、いわゆるブラックマトリクス層が形成されている。更に、液晶層５側の面には、バックライト１３から照射された光が光センサ９に入力することを防止する遮光部１１が、対向基板３とシール材４とが接合されたシール領域に配置されている。また、液晶層５側でない他方の面には、偏光板１２が設けられている。
【００３３】
以上の構成を有する表示装置１では、対向基板３に離間して配されたバックライト１３を光源として、画像表示が行われる。
【００３４】
図１において、光センサ９は、受光光量に応じた信号を出力する。この光センサ９は、図１に示すように、アレイ基板２とシール材４とが接合されたシール領域に形成されている。ここで、光センサ９を形成したアレイ基板２が、観察者側に配置されているので、図８で示すような、アレイ基板２がバックライト１３側に配置された表示装置よりも、アレイ基板２を透過した外光をより効率よく受光することができる。また、光センサ９は、シール領域に形成されているので、額縁領域を狭くすることができる。更に、偏光板８は、図１に示すように、光センサ９が形成された範囲に重ならないように設けられているので、偏光板８による透過率ロスを低減し、アレイ基板２へ到達する外光を全て受光することができる。
【００３５】
図２は、アレイ基板に形成される薄膜トランジスタ及び光センサの構成の一例を示す構成図である。図２（ａ）は、ｎ−チャンネル薄膜トランジスタの構成、図２（ｂ）は、ｐ−チャンネル薄膜トランジスタの構成、図２（ｃ）は、光センサとして用いられるＰＩＮ（p-intrisic-n）ダイオードの構成を示している。
【００３６】
まず、図２（ａ）及び図２（ｂ）を用いて、本実施の形態における薄膜トランジスタについて説明する。ｎ−チャンネル薄膜トランジスタ及びｐ−チャンネル薄膜トランジスタは、アレイ基板２上にアンダーコート層２０を介して多結晶半導体層（ポリシリコン層）２１Ａ，２１Ｂを形成し、この多結晶半導体層２１Ａ，２１Ｂをチャンネル層とするものである。
【００３７】
アレイ基板２上には、前述の通りアンダーコート層２０が形成されるが、これはアレイ基板２の表面の傷や穴等を塞いで平坦化すること、また、アレイ基板２に含まれる不純物の多結晶半導体層２１Ａ，２１Ｂへの拡散を防止すること等を目的に形成されている。このアンダーコート層２０は、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜等を成膜することにより形成されるが、例えば、熱処理により流動化する流動化樹脂からなる平坦化層と、不純物の拡散を防止する被覆層とからなる積層構造とすることも可能である。或いは、アレイ基板２が平坦化に優れ、含まれる不純物も少ない場合には、アンダーコート層２０を省略することも可能である。
【００３８】
アンダーコート層２０上に形成される多結晶半導体層２１Ａ，２１Ｂは、例えば、プラズマＣＶＤ法により成膜された非結晶シリコン（ａ−Ｓｉ）をアニールした後に、レーザ照射等によって多結晶化することにより形成されるものである。この多結晶半導体層２１Ａ，２１Ｂは、エッチングにより島状に素子分離され、マトリクス状に配列されている。
【００３９】
多結晶半導体層２１Ａは、ｎチャンネル薄膜トランジスタに対応するものであり、多結晶半導体層２１Ｂは、ｐチャンネル薄膜トランジスタに対応するものである。多結晶半導体層２１Ａ，２１Ｂには、不純物注入によりソース領域２１Ａａ，２１Ｂａ及びドレイン領域２１Ａｂ，２１Ｂｂが形成されており、更に、ｎチャンネル薄膜トランジスタにおいては、ソース領域２１Ａａとドレイン領域２１Ａｂとの内側に、ＬＤＤ領域（低濃度不純物拡散領域）２１Ａｃ，２１Ａｄが形成されている。
【００４０】
また、いずれの薄膜トランジスタにおいても、多結晶半導体層２１Ａ，２１Ｂ上に、第１絶縁層２２や第２絶縁層２３を介して、ゲート電極としての第１メタル２４やソース電極又はドレイン電極としての第２メタル２５が形成されている。
【００４１】
続いて、図２（ｃ）を用いて、本実施の形態における光センサについて説明する。本実施の形態における光センサは、横型のＰＩＮフォトダイオードで形成されている。ｉ（intrisic）領域を形成するのに、レジストマスクを用いてもよいが、同時に形成するｎ−チャンネル薄膜トランジスタ及びｐ−チャンネル薄膜トランジスタのゲート電極の形成工程を用いて形成してもよく、図２（ｃ）は、ゲート電極付きのＰＩＮフォトダイオードを示している。ここで、ゲート電極は、例えば、グランド電位に接地されるか、若しくは、所望の特性を得るために電位制御するようにしてもよい。
【００４２】
ゲート電極付きのＰＩＮフォトダイオードを用いた場合、アレイ基板２が観察者側に配置されている方が、バックライト側に配置されているよりも、外光を受光しやすい構造であることは言うまでもない。即ち、ｉ領域に光が照射されることで光電流が発生するため、図８に示す従来の表示装置ように、アレイ基板２をバックライト１３側に配置した場合には、バックライト１３から照射された光を遮光するために遮光部材１４をバックライト１３側に配置すると共に、受光した外光がゲート電極によって遮光されるのを補うために、遮光部材１４からの反射光をｉ領域で取り込む工夫が必要であったが、アレイ基板２を観察者側に配置することで、効率良く外光を受光することができる。
【００４３】
また、図示は省略するが、ＰＩＮフォトダイオードの上層である第１絶縁層２２に、ｐ＋領域２１Ｃａ，ｐ−領域２１Ｃｂ，ｎ−領域２１Ｃｃ，及びｎ＋領域２１Ｃｄで形成されたチャネル領域を覆うように、金属配線材料等を用いてバックライト１３から照射された光が光センサに入力することを防ぐ遮光層を形成することも可能である。勿論、他の層に遮光層を設けることも可能であり、前述したように、この遮光層に代えて、対向基板３に設けられた遮光部１１を利用することも可能である。
【００４４】
なお、前述したｉ領域とは、図２（ｃ）で示すｐ−領域２１Ｃｂ、及びｎ−領域２１Ｃｃの領域を意味するものである。
【００４５】
続いて、光センサ９で検知した外光照度の強度の計測法について説明する。図３は、光センサの回路構成を示す構成図である。光センサ９は、ｐ領域側が接地されたフォトダイオード３０と、このフォトダイオード３０に並列接続されたキャパシタ素子３１とで構成されており、所定のタイミングでキャパシタ素子３１に所定の電圧Ｖｐｒｃがプリチャージされ、外光照度に応じた光電流がフォトダイオード３０に流れる。また、図４は、センサ回路の回路構成を示す回路ブロック図である。センサ回路は、表示装置１の内部に形成された増幅器４０及びＡ／Ｄ変換器４１と、表示装置１の外部に形成されたＬＳＩ（Large Scale Integration）４２とで構成されている。センサ回路は、光センサ９から出力された光電流を増幅器４０で増幅し、増幅された光電流をＡ／Ｄ変換器４１でデジタル値に変換した後、変換されたデジタル値に基づいて、ＬＳＩ４２により、バックライト１３の光量を調整する。なお、ＬＳＩ４２には、変換後のデジタル値に基づいて照度計算する照度計算回路４２ａや、所定の制御信号を発生する制御信号発生回路４２ｂ等が配置されている。
【００４６】
図５は、光センサから出力された電圧電流が時間的に変化する様子を示す図である。外光が光センサ９に照射された場合、フォトダイオード３０に電流が流れ、次第に初期のプリチャージ電圧ＶｐｒｃからＧＮＤ電圧に低下する。これを所定のタイミングでＡ／Ｄ変換器４１でデジタル信号に変換すると共に、所定のタイミングでＬＳＩ４２に出力する。図５に示す傾きの絶対値が大きければ外光照度が強く、小さければ外光照度が弱いと判断することができる。
【００４７】
例えば、ＬＳＩ４２は、時刻ｔのタイミングで受信する電圧電流値Ａと、時刻ｔ＋１のタイミングで受信する電圧電流値Ｂと、時刻ｔ＋２のタイミングで受信する電圧電流値Ｃとを受信する。そして、照度計算回路４２ａは、電圧電流値Ａと電圧電流値Ｂとの差分Ｓ１と、電圧電流値Ｂと電圧電流値Ｃとの差分Ｓ２とを比較する。差分Ｓ１が差分Ｓ２より大きい場合には、図５に示す傾きが小さくなり、外光照度が弱くなったと判断できるので、制御信号発生回路４２ｂは、光量を多くするようにバックライト１３を調整する。
【００４８】
なお、複数の光センサ９を配置するような場合には、それぞれの光センサ９の出力を、例えば、ソースドライバを経由して外部に出力するようにすることが望ましい。また、一部の光センサ９が人、物、指等に遮光され、影部分の外光を受光するような場合には、他の光センサ９の出力と比較から除去するような処理を実施することが望ましい。更に、携帯電話等では、表示装置の向きを回転させて使用することが増えているので、光センサを複数設け、前述のように影などの影響を抑制するようにすることが望ましく、これをデバイス本体で行ってもよいが、アレイ基板上に多数決回路を設けるようにしても良い。
【００４９】
本実施例によれば、外光に接する表面を有し、画像を表示する表示部６及びこの表示部６を駆動する駆動回路７を裏面に形成したアレイ基板２と、アレイ基板２の裏面に形成され、表面から入力された外光を検出する光センサ９と、を有する表示装置１なので、光センサを形成したアレイ基板をバックライト側に配置した表示装置よりも確実に外光を受光することができる。また、外光を検知する場合に、遮光部１１に開口部を設ける必要がないので、表示装置１の外観から受ける印象や見栄えの低下を防止することができる。
【００５０】
本実施例によれば、光センサ９が、アレイ基板２と対向基板３とを接合するシール領域に形成されているので、表示装置１における額縁領域の増大を抑制することができる。
【００５１】
本実施例によれば、偏光板８が、光センサ９が形成された範囲に重ならないように設けられているので、偏光板８による外光の吸収を防止し、低照度光であっても確実に受光することができる。
【００５２】
本実施例によれば、光センサ９から出力された光信号に基づいて、バックライトの光量を調整する制御回路を更に有するので、外光変化のみに基づく正確な照度計算を可能とし、バックライト１３の光量を適正に調整することができる。また、幅広い環境下で視認性に優れ、且つ低消費電力な表示装置を実現する。
【００５３】
（変形例１）
図６は、本実施の形態における表示装置の構造の変形例１を示す構造図である。図６（ａ）は、表示装置の変形例１の断面を示した断面図であり、図６（ｂ）は、図６（ａ）で示す断面図に対応させて示した表示装置の正面図である。
【００５４】
本変形例では、光センサ９は、表示部６と駆動回路７との間に形成されている。また、光センサ９には、前述の遮光層が形成されている。その他の構成については、図１を用いて説明した表示装置の構成と同様なので、ここでは重複説明は省略する。
【００５５】
本実施例によれば、光センサ９が、表示部６と駆動回路７との間に形成されている場合であっても、バックライト１３から照射された光がこの光センサ９に入力することを防止する遮光層を更に有するので、外光の受光効率を高めると共に、額縁領域の増大を抑制することができる。
【００５６】
（変形例２）
図７は、本実施の形態における表示装置の構造の変形例２を示す構造図である。図７（ａ）は、表示装置の変形例２の断面を示した断面図であり、図７（ｂ）は、図７（ａ）で示す断面図に対応させて示した表示装置の正面図である。
【００５７】
本変形例では、光センサ９は、表示部６内に形成されている。また、光センサ９には、前述の遮光層が形成されている。その他の構成については、図１を用いて説明した表示装置の構成と同様なので、ここでは重複説明は省略する。
【００５８】
本実施例によれば、光センサ９が、表示部６内に形成されている場合であっても、バックライト１３から照射された光がこの光センサ９に入力することを防止する遮光層を更に有するので、外光の受光効率を高めると共に、額縁領域の増大を抑制することができる。
【００５９】
なお、本実施の形態では、アレイ基板２と対向基板３との間隙において、液晶を封入することを前提に説明したが、液晶に限られるものではなく、例えば、有機ＥＬ（Electroluminescence Display）に代えても、同様の効果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】本実施の形態における表示装置の構造を示す構造図である。
【図２】アレイ基板に形成される薄膜トランジスタ及び光センサの構成の一例を示す構成図である。
【図３】光センサの回路構成を示す構成図である。
【図４】センサ回路の回路構成を示す回路ブロック図である。
【図５】光センサから出力された電圧電流が時間的に変化する様子を示す図である。
【図６】本実施の形態における表示装置の構造の変形例１を示す構造図である。
【図７】本実施の形態における表示装置の構造の変形例２を示す構造図である。
【図８】従来の表示装置の構造を示す構造図である。
【符号の説明】
【００６１】
１…表示装置
２…アレイ基板
３…対向基板
４…シール材
５…液晶層
６…表示部
７…駆動回路（Ｙドライバ）
８…偏光板
９…光センサ
１０…カラーフィルター層
１１…遮光部
１２…偏光板
１３…バックライト
１４…遮光部材
１５…開口部
２０…アンダーコート層
２１Ａ〜２１Ｃ…多結晶半導体層
２２…第１絶縁層
２３…第２絶縁層
２４…第１メタル
２５…第２メタル
３０…フォトダイオード
３１…キャパシタ素子
４０…増幅器
４１…変換器
４２…ＬＳＩ
４２ａ…照度計算回路
４２ｂ…制御信号発生回路
５０…駆動ＩＣ（Ｘドライバ）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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