(57)【要約】      （修正有）【課題】駆動効率が低下することを防止するようにしたプラズマディスプレイ装置を提供する。【解決手段】電極を含むプラズマディスプレイパネル１００と、電極に駆動信号を供給する駆動部１１０を含む。プラズマディスプレイパネルは、互いに並置される第１電極と第２電極が形成される前面基板と、第１電極及び第２電極と交差する第３電極とが形成され、前面基板と対向されるように配置される背面基板及び前面基板と背面基板の間で放電セルを区切る隔壁を含む。背面基板には排気ユニット（Ｕｎｉｔ）が省かれる。駆動部１１０は、第１サブフィールドの初期化のためのリセット期間で第１電極に第１リセット信号を供給して、第１サブフィールドと異なる第２サブフィールドのリセット期間では第１リセット信号と電圧の大きさが異なる第２リセット信号を第１電極に供給する。【選択図】図１
2008040458.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極を含むプラズマディスプレイパネルと、
前記電極に駆動信号を供給する駆動部と
を含み、
前記プラズマディスプレイパネルは、
互いに並置される第１電極と第２電極が形成される前面基板と、
前記第１電極及び第２電極と交差する第３電極が形成されて、前記前面基板と対向されるように配置され、排気ユニット（Ｕｎｉｔ）が実質的に省かれた背面基板と、
前記前面基板と背面基板の間で放電セルを区切る隔壁と、
を含み、  
前記駆動部は第１サブフィールドの初期化のためのリセット期間で前記第１電極に第１リセット信号を供給して、前記第１サブフィールドと異なる第２サブフィールドのリセット期間では前記第１リセット信号と電圧の大きさが異なる第２リセット信号を前記第１電極に供給するプラズマディスプレイ装置。
【請求項２】
前記前面基板と背面基板の間には、前記前面基板と背面基板を合着するシール材層（Ｓｅａｌ Ｌａｙｅｒ）が形成されて、
前記シール材層は光硬化性材質を含む請求項１記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項３】
前記光硬化性材質はエポキシ（ｅｐｏｘｙ）材質を含む請求項２記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項４】
前記隔壁は、互いに交差する第１隔壁と第２隔壁を含み、
前記第１隔壁の高さは前記第２隔壁の高さと異なる請求項１記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項５】
前記放電セルは第１放電セルと第２放電セルを含み、
前記第１放電セルには第１蛍光体層が形成されて、第２放電セルには前記第１蛍光体層と異なる色の光を発光する第２蛍光体層が形成されて、
前記第１蛍光体層の厚さは前記第２蛍光体層の厚さと異なる請求項１記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項６】
前記第１電極及び第２電極は単一層（Ｏｎｅ Ｌａｙｅｒ）にて形成される請求項１記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項７】
前記第１電極及び第２電極は透明電極が省かれた（ＩＴＯ−Ｌｅｓｓ）電極である請求項１記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項８】
前記第１サブフィールドの階調加重値は前記第２サブフィールドの階調加重値より小さく、前記第１リセット信号の電圧は前記第２リセット信号の電圧より大きい請求項１記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項９】
前記第１サブフィールドは、複数のサブフィールドの内、時間軸上で最先に配置される請求項１記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１０】
電極を含むプラズマディスプレイパネルと、
前記電極に駆動信号を供給する駆動部を含み、
前記プラズマディスプレイパネルは
互いに並置される第１電極と第２電極が形成される前面基板と、
前記第１電極及び第２電極と交差する第３電極が形成されて、前記前面基板と対向されるように配置され、排気ユニット（Ｕｎｉｔ）が実質的に省かれた背面基板と、
前記前面基板と背面基板の間で放電セルを区切る隔壁と、
を含み、  
前記駆動部は第１サブフィールドの初期化のためのリセット期間で前記第１電極に第１個数のリセット信号を供給して、前記第１サブフィールドと異なる第２サブフィールドのリセット期間では前記第１個数と異なる第２個数のリセット信号を前記第１電極に供給するプラズマディスプレイ装置。
【請求項１１】
前記前面基板と背面基板の間には、前記前面基板と背面基板を合着するシール材層（Ｓｅａｌ Ｌａｙｅｒ）が形成されて、
前記シール材層は光硬化性材質を含む 請求項１０記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１２】
前記光硬化性材質はエポキシ（ｅｐｏｘｙ）材質を含む請求項１１記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１３】
前記隔壁は、互いに交差する第１隔壁と第２隔壁を含み、
前記第１隔壁の高さは前記第２隔壁の高さと異なる請求項１０記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１４】
前記放電セルは第１放電セルと第２放電セルを含み、
前記第１放電セルには第１蛍光体層が形成されて、第２放電セルには前記第１蛍光体層と異なる色の光を発光する第２蛍光体層が形成されて、
前記第１蛍光体層の厚さは前記第２蛍光体層の厚さと異なる請求項１０記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１５】
前記第１電極及び第２電極は単一層（Ｏｎｅ Ｌａｙｅｒ）にて形成される請求項１０記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１６】
前記第１電極及び第２電極は透明電極が省かれた（ＩＴＯ−Ｌｅｓｓ）電極である請求項１０記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１７】
前記第１サブフィールドの階調加重値は前記第２サブフィールドの階調加重値より小さく、前記第１個数は前記第２個数より多い請求項１０記載のプラズマディスプレイ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はプラズマディスプレイ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
プラズマディスプレイ装置は電極が形成されたプラズマディスプレイパネルと、このようなプラズマディスプレイパネルの電極に所定の駆動信号を供給する駆動部とからなる。
【０００３】
一般的にプラズマディスプレイパネルには隔壁に区画された放電セル（Ｃｅｌｌ） 内に蛍光体層が形成されて、同時に複数の電極（Ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）が形成される。そして、駆動部は電極を通じて放電セルに駆動信号を供給する。
【０００４】
放電セル内では供給される駆動信号によって放電が発生する。ここで、放電セル内で駆動信号によって放電される時、放電セル内に充填されている放電ガスが真空紫外線（Ｖａｃｕｕｍ Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ ｒａｙｓ）を発生して、このような真空紫外線が放電セル内に形成された蛍光体を発光させて可視光を発生させる。このような可視光によってプラズマディスプレイパネルの画面上に映像が表示される。
【０００５】
従来技術では、放電セル内に不純ガスが残存して駆動効率が低下するので、不純ガスが残存するパネルを十分に初期化させるために、リセット信号の電圧の大きさを大きくする、 リセット信号の個数を増加させる、または、リセット信号のパルス幅を増加することが必要である。しかし、このような場合には駆動効率がさらに低下するという問題がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、駆動効率が低下することを防止するようにしたプラズマディスプレイ装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一つの実施形態に係るプラズマディスプレイ装置は、電極を含むプラズマディスプレイパネルと、電極に駆動信号を供給する駆動部を含み、プラズマディスプレイパネルは並ぶ第１電極と第２電極が形成される前面基板と、第１電極及び第２電極と交差する第３電極が形成されて、前面基板と対向されるように配置される背面基板及び前面基板と背面基板の間で放電セルを区切る隔壁を含む。背面基板には排気ユニット（Ｕｎｉｔ）が省かれる。駆動部は第１サブフィールドの初期化のためのリセット期間で第１電極に第１リセット信号を供給して、 第１サブフィールドと異なる第２サブフィールドのリセット期間では第１リセット信号と電圧の大きさが異なる第２リセット信号を第１電極に供給する。
【０００８】
また、本発明の一つの実施形態に係る他のプラズマディスプレイ装置は、電極を含むプラズマディスプレイパネルと、電極に駆動信号を供給する駆動部を含み、プラズマディスプレイパネルはお互いに並ぶ第１電極と第２電極が形成される前面基板と、第１電極及び第２電極と交差する第３電極が形成されて、前面基板と対向されるように配置される背面基板及び前面基板と背面基板の間で放電セルを区切る隔壁を含む。背面基板には排気ユニット（Ｕｎｉｔ）が省かれる。駆動部は第１サブフィールドの初期化のためのリセット期間で第１電極に第１個数のリセット信号を供給して、第１サブフィールドと異なる第２サブフィールドのリセット期間では第１個数と異なる第２個数のリセット信号を第１電極に供給することができる。
【発明の効果】
【０００９】
本発明のプラズマディスプレイ装置によれば、放電が安定するため駆動効率の低下を防止する効果がある。また、排気ユニットが省かれることで製造工程を単純化し、また、製造単価が低下する。さらには、リセット信号の電圧の大きさ、リセット信号の個数またはリセット信号のパルス幅内のいずれか一つ以上を調節することでコントラスト特性を改善する効果もある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、図面を参照して本発明の一実施形態に係るプラズマディスプレイ装置を詳しく説明する。
【００１１】
図１は本発明の一実施形態に係るプラズマディスプレイ装置の構成を説明するための図である。
【００１２】
図１を参照すると、本発明の一実施形態に係るプラズマディスプレイ装置はプラズマディスプレイパネル１００と駆動部１１０を含む。
【００１３】
駆動部１１０はプラズマディスプレイパネル１００の電極に駆動信号を供給する。
【００１４】
ここで、図１では駆動部１１０が一つのボード（Ｂｏａｒｄ）形態からなる場合だけ示しているが、 本発明における駆動部１１０はプラズマディスプレイパネル１００に形成された電極によって複数個のボード形態に分離することも可能である。
【００１５】
例えば、本発明のプラズマディスプレイ装置に含まれるプラズマディスプレイパネル１００が互いに並置される第１電極と第２電極及びこのような第１電極と第２電極に交差する第３電極を含む場合に、駆動部１１０は第１電極を駆動させる第１駆動部（図示せず）と、第２電極を駆動させる第２駆動部（図示せず）と、第３電極を駆動させる第３駆動部（図示せず）とに分離することができる。
【００１６】
このような本発明の一実施形態に係るプラズマディスプレイ装置の駆動部１１０は後述する。
【００１７】
プラズマディスプレイパネル１００は電極を含む。
【００１８】
図２Ａ乃至図２Ｄは本発明の一つの実施形態に係るプラズマディスプレイ装置に含まれるプラズマディスプレイパネルの一例に対して説明するための図である。
【００１９】
先ず、図２Ａを参照すると、本発明の一実施形態に係るプラズマディスプレイパネルは、互いに並ぶ第１電極（１０２、Ｙ）と第２電極（１０３、Ｚ）が形成される前面基板１０１と、前述の第１電極（１０２、Ｙ）及び第２電極（１０３、Ｚ）と交差する第３電極（１１３、Ｘ）が形成される背面基板１１１とが合着されて構成される。
【００２０】
ここで、第１電極（１０２、Ｙ）及び第２電極（１０３、Ｚ）は単一層（Ｏｎｅ Ｌａｙｅｒ）に形成することができる。例えば、第１電極（１０２、Ｙ）及び第２電極（１０３、Ｚ）は、透明電極が省かれた（ＩＴＯ−Ｌｅｓｓ）電極である。
【００２１】
第１電極（１０２、Ｙ）または第２電極（１０３、Ｚ）の内少なくともいずれか一つは、以後に説明される上部誘電体層１０４より色が暗いことがある。
【００２２】
背面基板１１１には排気ユニット（Ｕｎｉｔ）が省略される。また、背面基板１１１及び前面基板１０１に対して、それぞれ排気ユニットを省略することができる。ここで、排気ユニットは、例えば排気孔（Ｈｏｌｅ）、排気チップ（Ｔｉｐ）または排気管の内で少なくとも一つ以上を含む。この点は図３以後でさらに詳しく説明する。
【００２３】
ここで、前面基板１０１上に形成される電極、例えば第１電極（１０２、Ｙ）と第２電極（１０３、Ｚ）は、放電空間、すなわち放電セル（Ｃｅｌｌ）において放電を発生させると同時に、放電セルの放電を維持することができる。
【００２４】
このような第１電極（１０２、Ｙ）と第２電極（１０３、Ｚ）が形成された前面基板１０１の上部には、第１電極（１０２、Ｙ）と第２電極（１０３、Ｚ）を覆うように誘電体層、 例えば上部誘電体層１０４が形成される。
【００２５】
このような上部誘電体層１０４は、第１電極（１０２、Ｙ）及び第２電極（１０３、Ｚ）の放電電流を制限して第１電極（１０２、Ｙ）と第２電極（１０３、Ｚ）の間を絶縁させる。
【００２６】
このような、上部誘電体層１０４上面には、放電条件を容易にするための保護層１０５が形成される。このような保護層１０５は酸化マグネシウム（ＭｇＯ）などの材料を上部誘電体層１０４上部に蒸着する方法などにより形成することができる。
【００２７】
一方、背面基板１１１上には電極、例えば第３電極（１１３、Ｘ）が形成されて、このような第３電極（１１３、Ｘ）が形成された背面基板１１１の上部には、第３電極（１１３、Ｘ）を覆うように誘電体層、例えば下部誘電体層１１５が形成される。
【００２８】
このような下部誘電体層１１５は、第３電極（１１３、Ｘ）を絶縁させる。
【００２９】
このような下部誘電体層１１５の上部には、放電空間、すなわち放電セルを区切るためのストライプタイプ（Ｓｔｒｉｐｅ Ｔｙｐｅ）、ウェルタイプ（Ｗｅｌｌ Ｔｙｐｅ）、デルタタイプ（Ｄｅｌｔａ Ｔｙｐｅ）、蜂の巣タイプなどの隔壁１１２が形成されることができる。これによって、前面基板１０１と背面基板１１１の間で赤色（Ｒｅｄ ： Ｒ）、緑（Ｇｒｅｅｎ ： Ｇ）、青色（Ｂｌｕｅ ： Ｂ） などの放電セルが形成される。
【００３０】
また、前面基板１０１と背面基板１１１の間で赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）放電セル以外に白色（Ｗｈｉｔｅ ： Ｗ）または黄色（Ｙｅｌｌｏｗ ： Ｙ）放電セルがさらに形成されるようにすることも可能である。
【００３１】
一方、本発明の一つの実施形態に係るプラズマディスプレイ装置に含まれるプラズマディスプレイパネルでの赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）及び青色（Ｂ）放電セルのピッチ（Ｐｉｔｃｈ）は実質的に等しいこともあるが、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）及び青色（Ｂ）放電セルでの色温度を合わせるために、図２Ｂのように、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）及び青色（Ｂ）放電セルのピッチを異ならせることもできる。
【００３２】
このような場合、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）及び青色（Ｂ）放電セルごとにピッチをすべて異ならせることもでき、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）及び青色（Ｂ）放電セルの内の一つ以上の放電セルのピッチを他の放電セルのピッチと異ならせることもできる。例えば、図２Ｂのように、赤色（Ｒ）放電セルのピッチ（ａ）が一番小さく、緑色（Ｇ）及び青色（Ｂ）放電セルのピッチ（ｂ、ｃ）を赤色（Ｒ）放電セルのピッチより大きくすることもできる。
【００３３】
ここで、緑色（Ｇ）放電セルのピッチ（ｂ）は、青色（Ｂ）放電セルのピッチ（ｃ）と実質的に等しくするか、または、異ならせることもある。
【００３４】
また、 本発明の一つの実施形態に係るプラズマディスプレイ装置に含まれるプラズマディスプレイパネルは、図２Ａに示された隔壁１１２の構造だけではなく、多様な形態の隔壁の構造とすることも可能である。例えば、隔壁１１２は第１隔壁１１２ｂと第２隔壁１１２ａを含み、ここで、第１隔壁１１２ｂの高さと第２隔壁１１２ａの高さが互いに異なる差等型隔壁構造、第１隔壁１１２ｂまたは第２隔壁１１２ａの内の一つ以上に排気通路で使用可能なチャンネル（Ｃｈａｎｎｅｌ）が形成されたチャンネル型隔壁構造、第１隔壁１１２ｂまたは第２隔壁１１２ａの内の一つ以上に中空（Ｈｏｌｌｏｗ）が形成された中空型隔壁構造などが可能である。
【００３５】
ここで、差等型隔壁構造の場合には、図２Ｃのように、第１隔壁１１２ｂの高さ（ｈ１）が第２隔壁１１２ａの高さ（ｈ２）よりさらに低いことがある。また、チャンネル型隔壁構造や中空型隔壁構造の場合には、それぞれ第１隔壁１１２ｂにチャンネルを形成し、中空を形成してもよい。
【００３６】
一方、 本発明の一実施形態に係るプラズマディスプレイ装置に含まれるプラズマディスプレイパネルでは、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）及び青色（Ｂ）放電セルそれぞれが等しい線上に配列されることで図示及び説明されているが、他の形態に配列されることも可能である。例えば、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）及び青色（Ｂ）放電セルが三角形に配列されるデルタ（Ｄｅｌｔａ）タイプの配列も可能である。また、放電セルの形態も四角形だけではなく五角形、六角形などの多様な多角形とすることも可能である。
【００３７】
ここで、隔壁１１２によって区画された放電セル内には所定の放電ガスが満たされることができる。例えば、アルゴン（Ａｒ）、キセノン（Ｘｅ）などのようなガスを含む放電ガスが満たされる。
【００３８】
同時に、隔壁１１２によって区画された放電セル内には、アドレス放電時に画像表示のための可視光を放出する蛍光体層１１４が形成される。例えば、赤色（Ｒｅｄ ： Ｒ）、 緑色（Ｇｒｅｅｎ ： Ｇ）、青色（Ｂｌｕｅ ： Ｂ） 蛍光体層が形成される。
【００３９】
また、隔壁１１２によって区画された放電セル内には、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ） 蛍光体以外に白色（Ｗｈｉｔｅ ： Ｗ）及び/または黄色（Ｙｅｌｌｏｗ ： Ｙ）蛍光体層がさらに形成されるようにしてもよい。
【００４０】
また、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）放電セルの蛍光体層１１４は、厚さ（Ｗｉｄｔｈ）が実質的に等しいか、または、少なくとも一つの蛍光体層厚さが残り蛍光体層の厚さと相異する。例えば、図２Ｄのように、緑色（Ｇ） または青色（Ｂ）放電セルでの蛍光体層１１４の厚さ（ｔ２、ｔ３）が赤色（Ｒ）放電セルでの蛍光体層１１４の厚さ（ｔ１）より大きいことがある。ここで、緑色（Ｇ）放電セルでの蛍光体層１１４の厚さ（ｔ２）は、青色（Ｂ）放電セルでの蛍光体層１１４の厚さ（ｔ３）と実質的に等しいか、または、相異することもある。
【００４１】
以上では本発明に係るプラズマディスプレイ装置に含まれるプラズマディスプレイパネルの一例のみを示しているのであって、以上で説明した構造のプラズマディスプレイパネルに限定されるのではない。例えば、以上の説明では、上部誘電体層１０４及び下部誘電体層１１５がそれぞれ一つの層（Ｌａｙｅｒ）として形成される場合のみを示しているが、このような上部誘電体層及び下部誘電体層の内の一つ以上は複数の層で成すことも可能である。
【００４２】
同時に、隔壁１１２に対する外部光の反射を防止するために隔壁１１２の上部に外部光を吸収することができるブラック層（図示せず）をさらに形成してもよい。
【００４３】
また、隔壁１１２と対応される前面基板１０１上の特定位置にブラック層（図示せず）をさらに形成してもよい。
【００４４】
また、背面基板１１１上に形成される第３電極１１３は、幅や厚さを実質的に一定にすることもできるが、放電セル内部での幅や厚さが放電セル外部での幅や厚さと異なるようにすることもできる。例えば、第３電極１１３の放電セル内部での幅や厚さが放電セル外部でのそれより大きいことがある。
【００４５】
このように、本発明の一実施形態に係るプラズマディスプレイ装置に含まれるプラズマディスプレイパネルの構造は、多様に改変可能である。
【００４６】
図３は、排気孔が省かれた本発明の一実施形態に係るプラズマディスプレイ装置に含まれるプラズマディスプレイパネルの製造工程の一例を説明するための図である。
【００４７】
図３を参照すると、チャンバ３００には前面基板３２０と背面基板３３０が配置され
、排気部３１０ａはチャンバ３００内のガスを排気させ、ガス注入部３１０ｂはチャンバ３００内に放電ガスを注入し、塑性部３５０はシール材層３４０を塑性させる。
【００４８】
所定の製造工程で製作された前面基板３２０と背面基板３３０がチャンバ（Ｃｈａｍｂｅｒ、３００）内に配置される。
【００４９】
ここで、前面基板３２０及び/または背面基板３３０の一部には、前面基板３２０と背面基板３３０を合着するシール材層３４０が形成される。例えば、このシール材層３４０は、背面基板３３０上に形成される。
【００５０】
排気部３１０ａは、前面基板３２０と背面基板３３０が配置されたチャンバ３００内のガスを排気させる。すなわち、チャンバ３００内の不純ガスを外部に排気させるのである。
【００５１】
ガス注入部３１０ｂは、チャンバ３００内に放電ガスを注入する。例えば、チャンバ３００内の温度が約２００℃以上４００℃以下の雰囲気でチャンバ３００の圧力が約４×１０−２ｔｏｒｒ以上２ｔｏｒｒ以下になるようにキセノン（Ｘｅ）、ネオン（Ｎｅ）、アルゴン（Ａｒ）などの放電ガスを注入する。
【００５２】
そして、所定の合着手段を利用して前面基板３２０と背面基板３３０を合着する。ここで、塑性部３５０は、シール材層３４０に熱または光を加えてシール材層３４０を硬化させることで前面基板３２０と背面基板３３０を十分に強く合着させる。
【００５３】
ここで、シール材層３４０は光硬化性材質を含むことができる。光硬化性材質は紫外線により硬化されることができるエポキシ（ｅｐｏｘｙ）材質を含む。これにより、塑性部３５０は、前面基板３２０と背面基板３３０の合着時に、シール材層３４０に所定の光たとえば紫外線を加えてシール材層３４０を硬化させて塑性させることができる。このように、シール材層３４０に所定の光を加えてシール材層３４０を塑性させれば不純ガスの発生を防止することができる。
【００５４】
以上で説明した方法で前面基板３２０と背面基板３３０を合着してプラズマディスプレイパネルを形成すると、合着工程時に放電セル内に放電ガスを一緒に注入できるようになることで前面基板３２０及び背面基板３３０に排気孔を形成する必要がない。これにより排気孔を省くことができる。
【００５５】
このように、排気孔が省かれるによって排気孔を通じて放電ガスを注入するガス注入部を連結するための従来の排気チップ（Ｔｉｐ）の形成も省略される。ここで排気チップは排気管としての機能を有している。
【００５６】
従来技術によって、排気チップを利用してプラズマディスプレイパネルの内部の不純ガスを排気させて放電ガスを注入する場合には、排気チップがプラズマディスプレイパネル上の特定位置にだけ形成されると同時に、前面基板と背面基板が合着された後に排気及びガス注入工程が実施されるため、プラズマディスプレイパネル内部に、すなわち放電セル内に不純ガスが残存する可能性が相対的に大きい。これによって、従来の排気チップが含まれた構造では不純ガスが放電を妨げることで放電電圧が上昇することもあり、また、排気の偏差によって放電が不安定になるので、駆動効率が低減することがある。
【００５７】
一方、本実施形態では、図３で説明したように、合着工程時に排気及びガス注入を同時に実施するため、 不純ガスが十分に除去されるとともに、放電ガスが十分に均等に注入される。
【００５８】
これによって、従来の排気チップを含む構造に比べて、図３のように排気チップが省かれた構造、すなわちＴｉｐ−Ｌｅｓｓ構造のプラズマディスプレイパネルでは、放電電圧、すなわち駆動電圧を相対的に低くしても十分に安定した放電を発生させることができる。
【００５９】
また、従来の排気チップを含む構造の製造では、合着工程、排気チップの結合工程、排気工程、ガス注入工程などの工程を順次に含まなければならない。
【００６０】
一方、Ｔｉｐ−Ｌｅｓｓ構造のプラズマディスプレイパネルの製造では、合着工程時に排気工程とガス注入工程が同時に実施されるため、製造工程数及び工程時間を短縮することができる。 これによって製造単価を低減することができる。
【００６１】
図４は、本発明の一実施形態に係るプラズマディスプレイ装置で映像の階調を具現するためのフレーム（Ｆｒａｍｅ）に対して説明するための図である。
【００６２】
また、図５は本発明の一実施形態に係るプラズマディスプレイ装置の動作の一例を説明するための図である。
【００６３】
先ず図４を参照すると、本発明の一つの実施形態に係るプラズマディスプレイ装置で映像の階調（Ｇｒａｙ Ｌｅｖｅｌ）を具現するためのフレームは発光回数が異なる多くのサブフィールドで分けられる。
【００６４】
また、図示していないが、少なくともいずれか一つのサブフィールドは、すべての放電セルを初期化させるためのリセット期間（Ｒｅｓｅｔ Ｐｅｒｉｏｄ）、放電すべき放電セルを選択するためのアドレス期間（Ａｄｄｒｅｓｓ Ｐｅｒｉｏｄ）及び放電回数によって階調を具現するサステイン期間（Ｓｕｓｔａｉｎ Ｐｅｒｉｏｄ）を含む。
【００６５】
例えば、２５６階調で映像を表示しようとする場合に、一つのフレームは例えば、図４のように８個のサブフィールド（ＳＦ１乃至ＳＦ８）で分けられて、８個のサブフィールド（ＳＦ１乃至ＳＦ８）の内少なくともいずれか一つはリセット期間、アドレス期間及びサステイン期間を含む。
【００６６】
一方、サステイン期間に供給されるサステイン信号の個数を調節して該当のサブフィールドの階調加重値を設定することができる。すなわち、サステイン期間を利用してそれぞれのサブフィールドに所定の階調加重値を付与することができる。例えば、第１サブフィールドの階調加重値を２０で設定し、第２サブフィールドの階調加重値を２１で設定するというような方法で各サブフィールドの階調加重値が２ｎ（但し、ｎ＝０、１、２、３、４、５、６、７）の割合で増加されるように各サブフィールドの階調加重値を決める。このように各サブフィールドに対する階調加重値によって各サブフィールドのサステイン期間で供給されるサステイン信号の個数を調節することで、多様な映像の階調を具現するようになる。
【００６７】
本発明の一実施形態に係るプラズマディスプレイ装置は、映像を具現するため、例えば１秒の映像を表示するために複数のフレームを使う。例えば、１秒の映像を表示するために６０個のフレームを使うのである。このような場合に一つのフレームの長さ（Ｔ）は １／６０秒、すなわち１６．６７ｍｓである。
【００６８】
図４では一つのフレームが８個のサブフィールドからなる場合のみを示しているが、これに限られず、一つのフレームを成すサブフィールドの個数は多様に変更することができる。例えば、第１サブフィールドから第１２サブフィールドまでの１２個のサブフィールドで一つのフレームを構成することもでき、１０個のサブフィールドで一つのフレームを構成することもできる。
【００６９】
また、図４では一つのフレームで階調加重値の大きさが増加するような手順によってサブフィールドが配列されているが、これに限られず、一つのフレームでサブフィールドが階調加重値が減少するような手順によって配列することもでき、または階調加重値とは無関係にサブフィールドを配列することもできる。
【００７０】
次に、 図５を参照すると、図４のようなフレームに含まれた複数のサブフィールド何れか一つのサブフィールド（Ｓｕｂｆｉｅｌｄ）における本発明の一つの実施形態に係るプラズマディスプレイ装置の動作の一例が示されている。
【００７１】
先ず、リセット期間以前のプレ（Ｐｒｅ）リセット期間で、図１の駆動部１１０によって第１電極（Ｙ）に第１下降ランプ（Ｒａｍｐ−Ｄｏｗｎ）信号が供給される。以下で説明される多様な駆動信号は、図１の駆動部１１０によって供給される。
【００７２】
第１電極（Ｙ）に第１下降ランプ信号が供給される期間において、第１下降ランプ信号と反対極性方向のプレ（Ｐｒｅ）サステイン信号が第２電極（Ｚ）に供給される。
【００７３】
ここで、第１電極（Ｙ）に供給される第１下降ランプ信号は第１０電圧（Ｖ１０）まで徐々に立ち下がる。
【００７４】
プレサステイン信号はプレサステイン電圧（Ｖｐｚ）を実質的に一定に維持する。ここで、プレサステイン電圧（Ｖｐｚ）は以後のサステイン期間で供給されるサステイン信号（ＳＵＳ）の電圧、すなわちサステイン電圧（Ｖｓ）と略等しい電圧である。
【００７５】
このように、プレリセット期間で第１電極（Ｙ）に第１下降ランプ信号が供給されると共に第２電極（Ｚ）にプレサステイン信号が供給されると、第１電極（Ｙ）上に所定極性の壁電荷（Ｗａｌｌ Ｃｈａｒｇｅ）が蓄積し、第２電極（Ｚ）上には第１電極（Ｙ）と反対極性の壁電荷が蓄積する。例えば、第１電極（Ｙ） 上には陽（＋）の壁電荷（Ｗａｌｌ Ｃｈａｒｇｅ）が蓄積し、 第２電極（Ｚ）上には陰（−）の壁電荷が蓄積するようになる。
【００７６】
これによって、以後のリセット期間で十分な強さのセットアップ放電を発生させることができるようになり、その結果、初期化を十分安定的に行うことができるようになる。
【００７７】
また、リセット期間で第１電極（Ｙ）に供給される上昇ランプ信号（Ｒａｍｐ−Ｕｐ）の電圧がさらに低くなっても十分な強さのセットアップ放電を発生させることができるようになる。
【００７８】
駆動時間を確保する観点でフレームのサブフィールドの内で時間軸上最先に配列されるサブフィールドでのリセット期間以前にプレリセット期間が含まれるようにすること、フレームのサブフィールドの内で２個または３個のサブフィールドでリセット期間以前にプレリセット期間が含まれるようにすることも可能である。
【００７９】
または、このようなプレリセット期間はすべてのサブフィールドで省略することも可能である。
【００８０】
プレリセット期間以後、初期化のためのリセット期間では第１電極（Ｙ）でリセット信号が供給される。このようなリセット信号は上昇ランプ（Ｒａｍｐ−Ｕｐ）信号と下降ランプ（Ｒａｍｐ−Ｄｏｗｎ）信号を含む。
【００８１】
例えば、セットアップ（Ｓｅｔ−Ｕｐ）期間では第１電極（Ｙ）で第１下降ランプ信号と反対極性方向の上昇ランプ（Ｒａｍｐ−Ｕｐ）信号が供給される。
【００８２】
ここで、上昇ランプ信号は、第２０電圧（Ｖ２０）から第３０電圧（Ｖ３０）まで第１勾配で上昇する第１上昇ランプ信号と、第３０電圧（Ｖ３０）から第４０電圧（Ｖ４０）まで第２勾配で上昇する第２上昇ランプ信号とを含む。
【００８３】
このようなセットアップ期間では上昇ランプ信号によって放電セル内には弱い暗放電（Ｄａｒｋ Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ）、すなわちセットアップ放電が起きる。このセットアップ放電によって放電セル内には壁電荷（Ｗａｌｌ Ｃｈａｒｇｅ）が蓄積するようになる。
【００８４】
ここで、第２上昇ランプ信号の第２勾配は、第１勾配よりさらに緩いことがある。このように、第２勾配を第１勾配よりさらに緩くするようにすれば、セットアップ放電が発生する以前までは電圧を相対的に早く上昇させて、セットアップ放電が発生する間には電圧を相対的に遅く上昇させることになり、セットアップ放電によって発生する光の量を低減させることができる。
【００８５】
これによって、コントラスト（Ｃｏｎｔｒａｓｔ）特性を改善することができる。
【００８６】
セットアップ期間以後のセットダウン（Ｓｅｔ−Ｄｏｗｎ）期間では上昇ランプ信号以後にこのような上昇ランプ信号と反対極性方向の第２下降ランプ（Ｒａｍｐ−Ｄｏｗｎ）信号が第１電極（Ｙ）に供給される。
【００８７】
ここで、第２下降ランプ信号は第２０電圧（Ｖ２０）から第５０電圧（Ｖ５０）まで徐々に立ち下がる。
【００８８】
これによって、放電セル内で微弱な消去放電（Ｅｒａｓｅ Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ）、すなわちセットダウン放電が発生する。このセットダウン放電によって放電セル内にはアドレス放電が安定に起きることが程度の壁電荷が均一に残留する。
【００８９】
図６Ａ乃至図６Ｂは、それぞれ上昇ランプ信号および第２下降ランプ信号の他の形態に対して説明するための図である。
【００９０】
先ず、図６Ａを参照すると、上昇ランプ信号は第３０電圧（Ｖ３０）までは急激に上昇した以後に第３０電圧（Ｖ３０）から第４０電圧（Ｖ４０）まで徐々に上昇する形態である。
【００９１】
このように、 上昇ランプ信号は、図５のように二つの段階にわたって互いに異なる勾配で上昇することも可能であり、この図６Ａのように一つの段階で徐々に上昇することもできる。すなわち、上昇ランプ信号は多様な形態に変更されることが可能である。
【００９２】
次に、図６Ｂを参照すると、第２下降ランプ信号は第３０電圧（Ｖ３０）から電圧が徐々に立ち下がる形態である。
【００９３】
このように、第２下降ランプ信号は電圧が立ち下がる時点が異なるように変更することもできる。すなわち、第２下降ランプ信号は多様な形態に変更されることが可能である。
【００９４】
一方、 以上のように本発明の一つの実施形態に係るプラズマディスプレイ装置に含まれるプラズマディスプレイパネルは、排気チップが省かれた構造であるためパネル内での放電ガスの分布が均一になり、駆動電圧の大きさが従来の排気チップを含む構造に比べてさらに低くすることができる。
【００９５】
例えば、従来の排気チップを含む構造のプラズマディスプレイパネルでは放電セル内の放電ガスに不純ガスが含まれる可能性が大きく、この不純ガスによって駆動電圧が上昇する。
【００９６】
一方、本発明のように排気チップが省かれた構造のプラズマディスプレイパネルでは、放電セル内で放電ガスが均一に分布すると同時に、不純ガスが従来の排気チップを含む構造に比べてさらに少なくなるため、相対的にさらに低い電圧でも十分に放電を発生させることができるのである。
【００９７】
すなわち、本発明の一実施形態ではリセット信号の電圧が従来の排気チップを含む構造に比べてさらに低くすることができる。したがって、本発明の一実施形態では、複数のサブフィールドの内で少なくともいずれか一つのサブフィールドでのリセット信号の電圧を他のサブフィールドでのリセット信号の電圧より低く設定することができる。
【００９８】
同様に、本発明の一実施形態では、上述した理由によって複数のサブフィールドの内で少なくともいずれか一つのサブフィールドでのリセット信号の個数を他のサブフィールドでのリセット信号の個数より少なく設定することができる。
【００９９】
同様に、本発明の一実施形態では、上述した理由によって複数のサブフィールドの内で少なくともいずれか一つのサブフィールドでのリセット信号の幅を他のサブフィールドでのリセット信号の幅より少なく設定することができる。
【０１００】
同様に、本発明の一実施形態では、上述した理由によって複数のサブフィールドの内で少なくともいずれか一つのサブフィールドでのリセット期間でリセット信号を供給しないか、または、リセット期間を略することができる。
【０１０１】
上記観点に関連して、図７Ａ乃至図７Ｆ、図８Ａ乃至図８Ｃ、図９及び図１０Ａ乃至図１０Ｂを参照して、以下説明する。
【０１０２】
図７Ａ乃至図７Ｆはリセット信号の電圧の大きさに対して説明するための図である。
【０１０３】
また、図８Ａ乃至図８Ｃはリセット信号の個数に対して説明するための図である。
【０１０４】
また、図９はリセット信号の幅に対して説明するための図である。
【０１０５】
また、図１０Ａ乃至図１０Ｂはリセット信号の省略またはリセット期間の省略に対して説明するための図である。
【０１０６】
先ず、図７Ａを参照すると、第１サブフィールドの初期化のためのリセット期間で第１電極に供給される第１リセット信号の電圧の大きさ（ΔＶ１）は、第１サブフィールドと異なる第２サブフィールドのリセット期間で第１電極に供給される第２リセット信号の電圧の大きさ（ΔＶ２）と異なる場合が示される。
【０１０７】
ここで、第１サブフィールドの階調加重値が第２サブフィールドの階調加重値より小さな場合に、第１リセット信号の電圧の大きさ（ΔＶ１）は第２リセット信号の電圧の大きさ（ΔＶ２）より大きくなる。
【０１０８】
このように、複数のサブフィールドの内で少なくともいずれか一つのサブフィールドにおいて、リセット信号の電圧の大きさを他のサブフィールドより小さくしても、本発明のように排気チップが省かれた構造ではリセット放電を十分に安定的に発生することができる。 同時に、階調加重値が相対的に大きいサブフィールドではサステイン期間で供給されるサステイン信号の個数が相対的に多いので、階調加重値が相対的に大きいサブフィールドでのリセット信号の電圧の大きさを階調加重値が相対的に小さなサブフィールドでよりさらに小さくしてもリセット放電を十分に安定させることができるのである。
【０１０９】
また、 複数のサブフィールドの内で少なくともいずれか一つのサブフィールドにおいて、リセット信号の電圧の大きさを他のサブフィールドよりさらに小さくすればリセット期間で発生する光の量を低減させることができ、これによってコントラスト特性を向上させることができる。
【０１１０】
次に、図７Ｂにはサブフィールドの階調加重値に応じてリセット信号の電圧の大きさを調節する他の方法が示されている。
【０１１１】
図７Ｂにおいて、例えば、階調加重値が一番小さなサブフィールドである（ａ）の場合にはリセット信号の電圧の大きさがΔＶ１であり、（ａ）より階調加重値がさらに大きい（ｂ）の場合はリセット信号の電圧の大きさがΔＶ１より小さいΔＶ２であり、(b)より階調加重値がさらに大きい（ｃ）の場合はリセット信号の電圧の大きさがΔＶ２より小さいΔＶ３である。同様に、リセット信号の電圧の大きさは（ｄ）の場合はΔＶ３より小さいΔＶ４であり、（ｅ）の場合はΔＶ４より小さいΔＶ５である。
【０１１２】
次に、図７Ｃを参照すると、上昇ランプ信号の開始時点または終了時点を調節することで、リセット信号の電圧の大きさが異なるように調節される場合が示される。
【０１１３】
図７Ｃにおいて、例えば、（ａ）の場合では第１上昇ランプ信号が第１電圧（Ｖ１）まで第１勾配で上昇して、以後第２上昇ランプ信号が第１電圧（Ｖ１）から第２電圧（Ｖ２）まで第１勾配と異なる第２勾配で上昇する。これによって、リセット信号の電圧の大きさがΔＶ１に設定される。
【０１１４】
一方、（ａ）の場合より階調加重値がさらに大きい（ｂ）の場合では、第１上昇ランプ信号が第１電圧（Ｖ１）より低い第１’電圧（Ｖ１’）まで第１’勾配で上昇して、以後第２上昇ランプ信号が第１’電圧（Ｖ１’）から第２電圧（Ｖ２）より低い第２’電圧（Ｖ２’）まで第１’勾配と異なる第２’勾配で上昇する。これによって、リセット信号の電圧の大きさが ΔＶ１より小さいΔＶ２に設定される。
【０１１５】
このような方法により、階調加重値が（ａ）に比べて相対的に大きい（ｂ）の場合でのリセット信号の電圧の大きさを、（ａ）の場合に比べてさらに小さく設定される。
【０１１６】
次に、図７Ｄを参照すると、上昇ランプ信号の勾配が調節することで、リセット信号の電圧の大きさが異なるように調節される場合が示される。
【０１１７】
図７Ｄにおいて、例えば、（ａ）の場合では第１上昇ランプ信号が第１電圧（Ｖ１）まで第１勾配で上昇して、以後第２上昇ランプ信号が第１電圧（Ｖ１）から第２電圧（Ｖ２）まで第１勾配と異なる第２勾配で上昇する。 これによって、 リセット信号の電圧の大きさが ΔＶ１に設定される。
【０１１８】
一方、（ａ）の場合より階調加重値がさらに大きい（ｂ）の場合では第１上昇ランプ信号が第１電圧（Ｖ１）まで第１勾配で上昇して、以後第２上昇ランプ信号が第１電圧（Ｖ１）から第２電圧（Ｖ２）より低い第２’電圧（Ｖ２’）まで第２勾配よりさらに緩い第２’勾配で上昇する。これによって、リセット信号の電圧の大きさがΔＶ１より小さいΔＶ２に設定される。
【０１１９】
次に、図７Ｅを参照すると、上昇ランプ信号を選択的に省略することで、リセット信号の電圧の大きさを異なるように調節される場合が示される。
【０１２０】
図７Ｅにおいて、例えば、階調加重値が相対的に低い第１サブフィールドの場合では、リセット信号が上昇ランプ信号と下降ランプ信号を含み、このような第１サブフィールドより階調加重値がさらに大きい第２、３サブフィールドでは、リセット信号の上昇ランプ信号が省略され、第１電圧（Ｖ１）まで電圧が急激に上昇した以後にまた徐々に立ち下がる形態である。
【０１２１】
次に、図７Ｆを参照すると、下降ランプ信号のみを使って信号の電圧の大きさを異なるように調節される場合が示される。
【０１２２】
図７Ｆにおいて、例えば、階調加重値が相対的に低い第１サブフィールドの場合ではリセット信号が上昇ランプ信号と下降ランプ信号を含み、このような第１サブフィールドより階調加重値がさらに大きい第２、３サブフィールドでは、リセット信号の上昇ランプ信号を省略して下降ランプ信号のみを含む。
【０１２３】
以上の図７Ａ乃至図７Ｆに示したように多様な方法でリセット信号の電圧の大きさを調節することができる。
【０１２４】
次に、図８Ａを参照すると、第１サブフィールドの初期化のためのリセット期間で第１電極に供給されるリセット信号の個数は、第１サブフィールドと異なる第２サブフィールドのリセット期間で第１電極に供給されるリセット信号の個数と異なる場合が示される。以下、 図８Ａ乃至図８Ｃでは、すでに詳述した内容についての重複説明を省略する。
【０１２５】
ここで、第１サブフィールドの階調加重値が第２サブフィールドの階調加重値よりさらに小さな場合に、第１サブフィールドでのリセット信号の個数は第２サブフィールドでのリセット信号の個数よりさらに多い。例えば、図８Ａにおいて、第１サブフィールドでのリセット信号の個数は２個であり、第２サブフィールドでのリセット信号の個数は１個である。
【０１２６】
次に、図８Ｂを参照すると、階調加重値が相対的に低いサブフィールドである（ａ）の場合にはリセット期間で第１、２、３リセット信号、すなわち３個のリセット信号が第１電極に供給され、（ａ）の場合より階調加重値がさらに大きい（ｂ）の場合にはリセット信号の個数が（ａ）の場合よりさらに少ない２個のリセット信号が第１電極に供給され、（ｂ）の場合より階調加重値がさらに大きい（ｃ）の場合にはリセット信号の個数が（ａ）及び（ｂ）の場合よりさらに少ない １個のリセット信号が第１電極に供給される場合が示される。
【０１２７】
次に、図８Ｃを参照すると、階調加重値が相対的に低いサブフィールドである（ａ）の場合にはリセット期間で第１、２リセット信号、すなわち２個のリセット信号が第１電極に供給されて、（ａ）の場合より階調加重値がさらに大きい（ｂ）の場合にはリセット信号の個数が（ａ）の場合よりさらに少ない１個のリセット信号が第１電極に供給される場合が示される。ここで、図８Ｃに示すように、第１リセット信号と第２リセット信号の形態が異なることがある。
【０１２８】
例えば、第１リセット信号は上昇ランプ信号が省かれた形態で、第２リセット信号は上昇ランプ信号と下降ランプ信号を共に含む形態である。
【０１２９】
以上の図８Ａ乃至図８Ｃに示したように、リセット信号の個数は多様に変更することができる。
【０１３０】
次に、図９を参照すると、第１サブフィールドの初期化のためのリセット期間で第１電極に供給されるリセット信号のパルス幅（Ｗ１）は、第１サブフィールドと異なる第２サブフィールドのリセット期間で第１電極に供給されるリセット信号のパルス幅（Ｗ２）と異なる場合が示される。以下、図９では、すでに詳述した内容についての重複説明を省略する。
【０１３１】
ここで、 第１サブフィールドの階調加重値が第２サブフィールドの階調加重値よりさらに小さな場合に、第１サブフィールドでのリセット信号のパルス幅（Ｗ１）は、第２サブフィールドでのリセット信号のパルス幅（Ｗ２）よりさらに大きくなる。
【０１３２】
このように、複数のサブフィールドの内で少なくともいずれか一つのサブフィールドのリセット期間で供給されるリセット信号のパルス幅が他のサブフィールドよりさらに小さい場合でも、本発明のように排気チップが省かれた構造では不純ガスの含有量が少ないと同時に放電ガスが均一であるため、十分に安定したリセット放電を発生させることができる。また、リセット期間で発生する光が低減されて、これによってコントラスト特性が改善される。
【０１３３】
次に、図１０Ａを参照すると、階調加重値が相対的に低い第１サブフィールドの場合にはリセット期間にリセット信号が第１電極に供給されて、このような第１サブフィールドより階調加重値がさらに大きい第２、３サブフィールドではリセット期間でリセット信号が供給されない場合が示される。
【０１３４】
次、図１０Ｂを参照すると、階調加重値が相対的に低い第１サブフィールドの場合にはリセット期間にリセット信号が第１電極に供給されて、このような第１サブフィールドより階調加重値がさらに大きい第２、３サブフィールドではリセット期間が省略される場合が示される。
【０１３５】
このように、複数のサブフィールドの内で少なくともいずれか一つのサブフィールドのリセット期間でリセット信号が供給されないか、または、リセット期間が省略されたとしても、本発明のように排気チップが省かれた構造では、不純ガスの含有量が少ないと同時に放電ガスが均一であるため、十分に安定したリセット放電を発生させることができる。また、リセット期間で発生する光が低減されてコントラスト特性が改善される。
【０１３６】
以上でリセット期間に対する説明を終了する。
【０１３７】
リセット期間以後のアドレス期間では、図５のように第２下降ランプ信号の第５０電圧（Ｖ５０）より高い電圧を実質的に維持するスキャンバイアス信号が第１電極（Ｙ）に供給される。
【０１３８】
同時に、スキャンバイアス信号からスキャン電圧（ΔＶｙ）に立ち下がるスキャン信号（Ｓｃａｎ）がすべての第１電極（Ｙ１〜Ｙｎ）に供給される。
【０１３９】
例えば、複数の第１電極（Ｙ）の内一番目の第１電極（Ｙ１）に一番目のスキャン信号（Ｓｃａｎ１）が供給されて、その後に二番目の第１電極（Ｙ２）に二番目のスキャン信号（Ｓｃａｎ２）が供給されて、ｎ番目の第１電極（Ｙｎ）にはｎ番目のスキャン信号（Ｓｃａｎｎ）が供給される。
【０１４０】
一方、サブフィールド単位でスキャン信号（Ｓｃａｎ）の幅は可変であることがある。すなわち、少なくとも一つのサブフィールドでスキャン信号（Ｓｃａｎ）の幅は他のサブフィールドでのスキャン信号（Ｓｃａｎ）の幅と異なることがある。例えば、時間軸で後に位置するサブフィールドでのスキャン信号（Ｓｃａｎ）の幅が時間軸上で前に位置するサブフィールドでのスキャン信号（Ｓｃａｎ）の幅より小さいことがある。また、サブフィールドの配列手順において、スキャン信号（Ｓｃａｎ）の幅の減少は２．６μｓ（マイクロ秒）、２．３μｓ（マイクロ秒）、２．１μｓ（マイクロ秒）、１．９μｓ（マイクロ秒）…のように漸減させてもよいし、２．６μｓ（マイクロ秒）、２．３μｓ（マイクロ秒）、２．３μｓ（マイクロ秒）、 ２．１μｓ（マイクロ秒）．．．．．１．９μｓ（マイクロ秒）、１．９μｓ（マイクロ秒）…のように階段状に低下させてもよい。
【０１４１】
このようにスキャン信号（Ｓｃａｎ）が第１電極（Ｙ）に供給される時、スキャン信号に対応するように第３電極（Ｘ）にデータ電圧の大きさ（ΔＶｄ）まで上昇するデータ信号が第３電極（Ｘ）に供給される。
【０１４２】
スキャン信号（Ｓｃａｎ）とデータ信号（Ｄａｔａ）信号が供給されるによって、スキャン信号（Ｓｃａｎ）の電圧とデータ信号のデータ電圧（Ｖｄ）の間の電圧差とリセット期間に生成された壁電荷による壁電圧とが印加され、データ信号の電圧（Ｖｄ）が供給される放電セル内にはアドレス放電が発生する。
【０１４３】
ここで、アドレス期間で第２電極（Ｚ）の干渉によってアドレス放電が不安定になることを防止するために第２電極（Ｚ）にサステインバイアス信号が供給される。
【０１４４】
ここで、サステインバイアス信号はサステイン期間で供給されるサステイン信号の電圧よりは小さくグラウンドレベル（ＧＮＤ）の電圧よりは大きいサステインバイアス電圧（Ｖｚ）を実質的に一定に維持する。
【０１４５】
以後、映像表示のためのサステイン期間では第１電極（Ｙ）及び/または第２電極（Ｚ）にサステイン信号（ＳＵＳ）が交互的に供給される。このようなサステイン信号（ＳＵＳ）はΔＶｓ位の電圧の大きさを持つ。
【０１４６】
このようなサステイン信号（ＳＵＳ）が供給されると、アドレス放電によって選択された放電セルは、放電セル内の壁電圧とサステイン信号（ＳＵＳ）のサステイン電圧（ΔＶｓ）とが印加されることで、サステイン信号（ＳＵＳ）が供給される時第１電極（Ｙ）と第２電極（Ｚ） の間にサステイン放電すなわち、表示放電が起きるようになる。
【０１４７】
図１1はサステイン信号の他の形態に対して説明するための図である。
【０１４８】
図１1を参照すると、第１電極（Ｙ）または第２電極（Ｚ）の内何れか一つの電極、 例えば第１電極に量（＋）のサステイン信号と負（−）のサステイン信号が交互に供給される場合が示される。
【０１４９】
このように何れか一つの電極に陽のサステイン信号と負のサステイン信号が供給され、他方の電極、例えば第２電極（Ｚ）にはバイアス信号が供給される。
【０１５０】
ここで、バイアス信号はグラウンドレベル（ＧＮＤ）の電圧を実質的に一定に維持する。
【０１５１】
この図１1のように第１電極（Ｙ）または第２電極（Ｚ）の内何れか一つの電極にのみサステイン信号が供給される場合には、第１電極（Ｙ）または第２電極（Ｚ）の内何れか一つの電極にサステイン信号を供給するための回路が配置される単一の駆動ボードのみを設ければよい。
【０１５２】
これによって、駆動部の全体の規模が小さくなり、これによって製造単価が低減される。
【０１５３】
次に、図１２は、排気チップが省かれた構造において第１電極と第２電極が単一層構造を持つ理由を説明するための図である。
【０１５４】
図１２を参照すると、本発明とは異なり前面基板１０１上に形成された第１電極１２００と第２電極１２１０が複数の層（Ｌａｙｅｒ）で構成される場合の一例が示されている。
【０１５５】
例えば、第１電極１２００と第２電極１２１０は透明電極（１２００ａ、１２１０ａ）とバス電極（１２００ｂ、１２１０ｂ）を含む。
【０１５６】
一方、図１２の場合では第１電極１２００と第２電極１２１０の形成工程時に透明電極（１２００ａ、１２１０ａ）を形成した後にバス電極（１２００ｂ、１２１０ｂ）を再び形成しなければならない。
【０１５７】
これによって、図１２に示す構造は、本発明のように第１電極と第２電極を単一層で形成する構造に比べて製造工程の数が多くなるので、製造単価が上昇する。
【０１５８】
また、 図１２の場合は相対的に高価であるインジウム-ティン-オキサイド（ＩＴＯ）等の材料を使うため製造単価がさらに上昇する可能性がある。
【０１５９】
一方、本発明のように第１電極と第２電極を単一層で形成する場合には、製造工程が簡単になると同時に相対的に高価であるインジウム-ティン-オキサイド（ＩＴＯ）などの材料を使わなくてもよいので製造単価が低減される。
【０１６０】
一方、 第１電極と第２電極を単一層で形成する場合には、実質的に透明な材質を使わないため、前面基板上に形成される上部誘電体層より暗い色を有し、これにより開口率が低くなり得る。なお、開口率を高めるために第１電極と第２電極の幅を減少させるようにすれば放電電圧が上昇するようになって駆動効率が低下する。
【０１６１】
本発明のように排気チップが省かれた構造では、前述したように、パネル内で放電ガスの分布が均一になることで放電電圧が低くなり得るため、第１電極と第２電極を単一層で形成し、第１電極と第２電極の幅を減少させても放電電圧が急激に上昇することを防止することができる。結果として、製造単価を低減させることができ、かつ、開口率の低減及び駆動効率の低減を防止することができる。
【０１６２】
このような単一層構造の第１電極と第２電極は実質的に不透明な電気伝導性の金属材質を含むことができる。例えば、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）などのような、電気伝導性に優れ、インジウム-ティン-オキサイド（ＩＴＯ）に比べて低価格の材質を含むことができる。
【０１６３】
図１３は第１電極及び第２電極と前面基板の間にブラック層がさらに追加された構造の一例を説明するための図である。
【０１６４】
図１３を参照すると、前面基板１０１上に形成される電極、すなわち第１電極１０２及び第２電極１０３と前面基板１０１との間には、前面基板１０１の変色を防止し、第１電極１０２および第２電極１０３よりさらに暗い色を持つブラック層（Ｂｌａｃｋ Ｌａｙｅｒ ： １３００ａ、１３００ｂ）が設けられる。すなわち、前面基板１０１と第１電極１０２または第２電極１０３が直接接触する場合には第１電極１０２または第２電極１０３と直接接触する前面基板１０１の一定領域が黄色系列に変色されるマイグレイション（Ｍｉｇｒａｔｉｏｎ）現象が発生するが、ブラック層（１３００ａ、１３００ｂ）はこのようなマイクレーション現象を防止することで前面基板１０１の変色を防止することができるのである。
【０１６５】
このようなブラック層（１３００ａ、１３００ｂ）は実質的に暗い系列の色を持つブラック材質、例えばルテニウム（Ｒｂ）を含む。
【０１６６】
このように、前面基板１０１と第１電極１０２及び第２電極１０３の間にブラック層（１３００ａ、１３００ｂ）を備えると、第１電極１０２と第２電極１０３を反射率の高い材質で構成したとしても反射光の発生を防止することができる。
【０１６７】
図１４は本発明の一実施形態に係るプラズマディスプレイパネルの第１電極及び第２電極の一例に対して説明するための図である。
【０１６８】
図１４を参照すると、第１電極１４４０及び第２電極１４８０は一つ以上のライン部（１４３０ａ、１４３０ｂ、１４７０ａ、１４７０ｂ）を含む。
【０１６９】
このようなライン部（１４３０ａ、１４３０ｂ、１４７０ａ、１４７０ｂ）は隔壁１４００によって区画された放電セル内で第３電極１４９０と交差するように形成される。
【０１７０】
このようなライン部（１４３０ａ、１４３０ｂ、１４７０ａ、１４７０ｂ）は放電セル内でそれぞれ所定距離離隔される。
【０１７１】
図１４において、例えば、第１電極１４４０の第１ライン部１４３０ａと第２ライン部１４３０ｂはｄ１の間隔を置いて離隔されて、第２電極１４８０の第１ライン部１４７０ａと第２ライン部１４７０ｂはｄ２の間隔を置いて離隔される。ここで、間隔ｄ１とｄ２は同一でもよいし、互いに異なっていてもよい。
【０１７２】
また、二つ以上のライン部が互いに隣接してもよい。
【０１７３】
このようなライン部（１４３０ａ、１４３０ｂ、１４７０ａ、１４７０ｂ）は所定の幅を持つ。
【０１７４】
図１４において、例えば、第１電極１４４０の第１ライン部１４３０ａはＷ１の幅を持って、第２ライン部１４３０ｂはＷ２の幅を持つ。ここでＷ１、Ｗ２は同一でもよいし、互いに異なっていてもよい。
【０１７５】
ここで、第１電極１４４０と第２電極１４８０の形態は放電セル内で互いに対称である。
【０１７６】
また、第１電極１４４０と第２電極１４８０は第３電極１４９０と並ぶ一つ以上の突出部（１４１０ａ、１４１０ｂ、１４１０ｃ、１４５０ａ、１４５０ｂ、１４５０ｃ）を含む。
【０１７７】
このような突出部（１４１０ａ、１４１０ｂ、１４１０ｃ、１４５０ａ、１４５０ｂ、１４５０ｃ）は複数のライン部（１４３０ａ、１４３０ｂ、１４７０ａ、１４７０ｂ）の内一つ以上から突出して形成される。例えば、第１電極１４４０の第 1 突出部（１４１０ａ、１４１０ｂ）は第１ライン部１４３０ａから突出し、第２突出部１４１０ｃは第２ライン部１４３０ｂから突出している。
【０１７８】
このような突出部（１４１０ａ、１４１０ｂ、１４１０ｃ、１４５０ａ、１４５０ｂ、１４５０ｃ）は隔壁１４００によって区画された放電セル内で突出部（１４１０ａ、１４１０ｂ、１４１０ｃ、１４５０ａ、１４５０ｂ、１４５０ｃ）が形成された部分での第１電極１４４０と第２電極１４８０の間の間隔（ｇ１）を他の部分での間隔（ｇ２）よりさらに短くすることが好ましい。これによって、第１電極１４４０と第２電極１４８０の間に発生する放電の開始電圧、すなわち放電電圧が低下することができる。
【０１７９】
また、このような突出部（１４１０ａ、１４１０ｂ、１４１０ｃ、１４５０ａ、１４５０ｂ、１４５０ｃ）は放電セル内で第３電極１４９０と重畳（Ｏｖｅｒｌａｐ）することが好ましい。このように形成すれば、第１電極１４４０と第３電極１４９０の間の放電電圧及び第２電極１４８０と第３電極１４９０の間の放電電圧を低下することができる。
【０１８０】
第１電極１４４０と第２電極１４８０は複数のライン部（１４３０ａ、１４３０ｂ、１４７０ａ、１４７０ｂ）の内二つ以上を連結する連結部（１４２０、１４６０）を含む。
【０１８１】
例えば、第１電極１４４０から連結部１４２０は第１ライン部１４３０ａと第２ライン部１４３０ｂを連結して、 第２電極１４８０から連結部１４６０は第１ライン部１４７０ａと第２ライン部１４７０ｂを連結する。
【０１８２】
このような連結部（１４２０、１４６０）により、放電を放電セル全体で均等に拡散させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【０１８３】
【図１】本発明の一実施形態に係るプラズマディスプレイ装置の構成を説明するための図。
【図２Ａ】本発明の一実施形態に係るプラズマディスプレイ装置に含まれるプラズマディスプレイパネルの一例に対して説明するための図。
【図２Ｂ】本発明の一実施形態に係るプラズマディスプレイ装置に含まれるプラズマディスプレイパネルの一例に対して説明するための図。
【図２Ｃ】本発明の一実施形態に係るプラズマディスプレイ装置に含まれるプラズマディスプレイパネルの一例に対して説明するための図。
【図２Ｄ】本発明の一実施形態に係るプラズマディスプレイ装置に含まれるプラズマディスプレイパネルの一例に対して説明するための図。
【図３】排気孔が省かれた本発明の一実施形態に係るプラズマディスプレイ装置に含まれるプラズマディスプレイパネルの製造工程の一例を説明するための図。
【図４】本発明の一実施形態に係るプラズマディスプレイ装置で映像の階調を具現するためのフレーム（Ｆｒａｍｅ）に対して説明するための図。
【図５】本発明の一実施形態に係るプラズマディスプレイ装置の動作の一例を説明するための図。
【図６Ａ】上昇ランプ信号または第２下降ランプ信号の他の形態を説明するための図。
【図６Ｂ】上昇ランプ信号または第２下降ランプ信号の他の形態を説明するための図。
【図７Ａ】リセット信号の電圧の大きさに対して説明するための図。
【図７Ｂ】リセット信号の電圧の大きさに対して説明するための図。
【図７Ｃ】リセット信号の電圧の大きさに対して説明するための図。
【図７Ｄ】リセット信号の電圧の大きさに対して説明するための図。
【図７Ｅ】リセット信号の電圧の大きさに対して説明するための図。
【図７Ｆ】リセット信号の電圧の大きさに対して説明するための図。
【図８Ａ】リセット信号の個数に対して説明するための図。
【図８Ｂ】リセット信号の個数に対して説明するための図。
【図８Ｃ】リセット信号の個数に対して説明するための図。
【図９】リセット信号の幅に対して説明するための図。
【図１０Ａ】リセット信号の省略またはリセット期間の省略に対して説明するための図。
【図１０Ｂ】リセット信号の省略またはリセット期間の省略に対して説明するための図。
【図１１】サステイン信号のまた他のタイプに対して説明するための図。
【図１２】排気チップが省かれた構造で第１電極と第２電極が単一層構造を持つ理由に対して説明するための図。
【図１３】第１電極及び第２電極と前面基板の間にブラック層がさらに追加された構造の一例を説明するための図。
【図１４】本発明の一つの実施形態に係るプラズマディスプレイパネルの第１電極及び第２電極の一例に対して説明するための図。
【図１】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図２Ｄ】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図７Ｃ】
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【図７Ｄ】
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【図７Ｅ】
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【図７Ｆ】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図８Ｃ】
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【図９】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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