(57)【要約】【課題】無線信号伝送を用いて、所望の映像を表示させる表示装置及び表示システムを提供する。【解決手段】映像データに基づく映像信号を予め記録させ、無線信号伝送を用いて所望の映像を表示させる。表示装置は、映像信号が記録されているメモリ回路と、無線信号を受信するアンテナ回路と、アンテナ回路が受信した無線信号を復調する復調回路と、復調回路で復調された無線信号が入力され、無線信号によりメモリ回路から映像信号の読み出しを命令し、且つ走査線制御信号及び信号線制御信号を出力するコントローラと、信号線制御信号及びメモリ回路から出力される映像信号が入力される信号線駆動回路と、走査線制御信号が入力される走査線駆動回路と、信号線駆動回路及び走査線駆動回路により制御され映像を表示する画素回路と、を有する。【選択図】図４
2008164794.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
映像信号が記録されているメモリ回路と、
無線信号を受信するアンテナ回路と、
前記アンテナ回路が受信した無線信号を復調する復調回路と、
前記復調回路で復調された無線信号が入力され、前記無線信号により前記メモリ回路から映像信号の読み出しを命令し、且つ走査線制御信号及び信号線制御信号を出力するコントローラと、
前記信号線制御信号及び前記メモリ回路から出力される映像信号が入力される信号線駆動回路と、
前記走査線制御信号が入力される走査線駆動回路と、
前記信号線駆動回路及び前記走査線駆動回路により制御され映像を表示する画素回路と、
を有することを特徴とする表示装置。
【請求項２】
映像信号が記録されているメモリ回路と、
無線信号を送受信するアンテナ回路と、
前記アンテナ回路が受信した無線信号を復調する復調回路と、
前記復調回路で復調された無線信号が入力され、前記無線信号により前記メモリ回路から映像信号の読み出しを命令し、且つ走査線制御信号及び信号線制御信号を出力するコントローラと、
前記信号線制御信号及び前記メモリ回路から出力される映像信号が入力される信号線駆動回路と、
前記走査線制御信号が入力される走査線駆動回路と、
前記信号線駆動回路及び前記走査線駆動回路により制御され映像を表示する画素回路と、
前記メモリ回路から出力される無線信号を変調して、前記アンテナ回路に入力する変調回路と、
を有することを特徴とする表示装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記メモリ回路は不揮発性メモリであることを特徴とする表示装置。
【請求項４】
表示装置と、
前記表示装置と無線信号を授受することにより、データの送受信を行う無線通信装置と、
を具備し、
前記表示装置は、映像信号が記録されているメモリ回路と、
無線信号を受信するアンテナ回路と、
前記アンテナ回路が受信した無線信号を復調する復調回路と、
前記復調回路で復調された無線信号が入力され、前記無線信号により前記メモリ回路から映像信号の読み出しを命令し、且つ走査線制御信号及び信号線制御信号を出力するコントローラと、
前記信号線制御信号及び前記メモリ回路から出力される映像信号が入力される信号線駆動回路と、
前記走査線制御信号が入力される走査線駆動回路と、
前記信号線駆動回路及び前記走査線駆動回路により制御され映像を表示する画素回路と、を有し、
前記表示装置は、前記無線通信装置から送信された前記無線信号により映像を表示することを特徴とする表示システム。
【請求項５】
表示装置と、
前記表示装置と無線信号を授受することにより、データの送受信を行う無線通信装置と、
を具備し、
前記表示装置は、映像信号が記録されているメモリ回路と、
無線信号を送受信するアンテナ回路と、
前記アンテナ回路が受信した無線信号を復調する復調回路と、
前記復調回路で復調された無線信号が入力され、前記無線信号により前記メモリ回路から映像信号の読み出しを命令し、且つ走査線制御信号及び信号線制御信号を出力するコントローラと、
前記信号線制御信号及び前記メモリ回路から出力される映像信号が入力される信号線駆動回路と、
前記走査線制御信号が入力される走査線駆動回路と、
前記信号線駆動回路及び前記走査線駆動回路により制御され映像を表示する画素回路と、
前記メモリ回路から出力される無線信号を変調して、前記アンテナ回路に入力する変調回路と、を有し、
前記表示装置は、前記無線通信装置から送信された前記無線信号により映像を表示することを特徴とする表示システム。
【請求項６】
請求項４又は請求項５において、
前記メモリ回路は不揮発性メモリであることを特徴とする表示システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置及び当該表示装置を用いた表示システムに関する。特に、無線信号伝送を行う表示装置及び無線信号伝送による表示システムに関する。また、このような表示装置及び表示システムを用いた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、表示装置は、液晶テレビなどの大型表示装置の増加から、活発に開発が進められている。特に、絶縁基板上に構成されたトランジスタを用いて、画素回路及びシフトレジスタ等を含む駆動回路（以下、内部回路ともいう）を一体形成する技術は、低消費電力化、低コスト化に大きく貢献するため、活発に開発が進められている。絶縁基板上に形成された内部回路は、フレキシブルプリント配線基板（ＦＰＣ；Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）等の入力インターフェイスを介してコントローラＩＣ等（以下、外部回路ともいう）に接続されている。ＦＰＣは、内部回路及び外部回路の電気的接続を行う。外部回路から電源電圧や制御信号、映像データ等が内部回路に供給されることにより、表示装置の動作が制御される（特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開平１１−２８１９９６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかし、従来の表示装置において、内部回路と外部回路をＦＰＣ等の入力インターフェイスで接続する構成にすることにより、様々な課題が生じている。
【０００４】
例えば、ＦＰＣを圧着する時にショートが起きやすく、動作不良が起こりやすい。また、内部回路や外部回路とＦＰＣ等の入力インターフェイスとの接続部は、熱や曲げ応力等に弱く、壊れやすい。また、ＦＰＣ端子から内部回路へ電源電圧や制御信号、映像データ等が内部回路に供給されるため、ＦＰＣ端子と内部回路とを接続する引き回し配線のレイアウトが、ＦＰＣの場所や本数等の制約を受けやすく、引き回し配線のレイアウトの自由度が低くなる。これにより、引き回し配線のレイアウト依存による電圧降下や遅延などの不具合が起こりやすい。さらに、近年、表示装置の大型化に伴い、さらなる低消費電力化が求められている。
【０００５】
ところで、近年、電磁界または電波等の無線通信を利用した個体識別技術が注目を集めている。特に、無線通信によりデータの更新を行う半導体装置として、ＲＦＩＤ（Ｒａｄｉｏ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ  Ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）タグを利用した個体識別技術が注目を集めている。
【０００６】
ＲＦＩＤタグ（以下、単にＲＦＩＤともいう）は、電源を内蔵するか、外部から電源供給を受け取るかの違いにより、ＲＦＩＤの情報を含んだ電波または電磁波を送信することが可能なアクティブタイプ（能動タイプ）のＲＦＩＤと、外部からの電波または電磁波（搬送波）の電力を利用して駆動するパッシブタイプ（受動タイプ）のＲＦＩＤとの２つのタイプに分けることができる。このうち、アクティブタイプのＲＦＩＤにおいては、ＲＦＩＤを駆動するための電源を内蔵しており、電源として電池を備えて構成されている。また、パッシブタイプにおいては、ＲＦＩＤを駆動するための電源を外部からの電波または電磁波（搬送波）の電力を利用して作り出し、電池を備えることのない構成を実現している。
【０００７】
本発明は、従来の表示装置において、内部回路と外部回路をＦＰＣ等の入力インターフェイスで接続する構成にすることにより生じていた問題点を鑑み、無線信号伝送を用いることにより内部回路と外部回路を電気的に接続させ、且つ無線信号伝送を用いて所望の映像を表示する表示装置及び表示システムを提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、無線信号伝送を用いることにより内部回路と外部回路を電気的に接続させた非接触型の表示装置を提供する。さらに、映像データに基づく映像信号を予め記録させ、無線信号伝送を用いて所望の映像を表示させる表示装置を提供する。
【０００９】
具体的な本発明に係る表示装置の構成は、映像信号が記録されているメモリ回路と、無線信号を受信するアンテナ回路と、アンテナ回路が受信した無線信号を復調する復調回路と、復調回路で復調された無線信号が入力され、無線信号によりメモリ回路から映像信号の読み出しを命令し、且つ走査線制御信号及び信号線制御信号を出力するコントローラと、信号線制御信号及びメモリ回路から出力される映像信号が入力される信号線駆動回路と、走査線制御信号が入力される走査線駆動回路と、信号線駆動回路及び走査線駆動回路により制御され映像を表示する画素回路と、を有することを特徴とする。
【００１０】
本発明に係る表示装置の他の構成は、映像信号が記録されているメモリ回路と、無線信号を送受信するアンテナ回路と、アンテナ回路が受信した無線信号を復調する復調回路と、復調回路で復調された無線信号が入力され、無線信号によりメモリ回路から映像信号の読み出しを命令し、且つ走査線制御信号及び信号線制御信号を出力するコントローラと、信号線制御信号及びメモリ回路から出力される映像信号が入力される信号線駆動回路と、走査線制御信号が入力される走査線駆動回路と、信号線駆動回路及び走査線駆動回路により制御され映像を表示する画素回路と、メモリ回路から出力される無線信号を変調して、アンテナ回路に入力する変調回路と、を有することを特徴とする。
【００１１】
また、本発明に係る表示システムの構成は、表示装置と、表示装置と無線信号を授受することにより、データの送受信を行う無線通信装置と、を具備し、表示装置は、映像信号が記録されているメモリ回路と、無線信号を受信するアンテナ回路と、アンテナ回路が受信した無線信号を復調する復調回路と、復調回路で復調された無線信号が入力され、無線信号によりメモリ回路から映像信号の読み出しを命令し、且つ走査線制御信号及び信号線制御信号を出力するコントローラと、信号線制御信号及びメモリ回路から出力される映像信号が入力される信号線駆動回路と、走査線制御信号が入力される走査線駆動回路と、信号線駆動回路及び走査線駆動回路により制御され映像を表示する画素回路と、を有し、表示装置は、無線通信装置から送信された無線信号により映像を表示することを特徴とする。
【００１２】
また、本発明に係る表示システムの他の構成は、表示装置と、表示装置と無線信号を授受することにより、データの送受信を行う無線通信装置と、を具備し、表示装置は、映像信号が記録されているメモリ回路と、無線信号を送受信するアンテナ回路と、アンテナ回路が受信した無線信号を復調する復調回路と、復調回路で復調された無線信号が入力され、無線信号によりメモリ回路から映像信号の読み出しを命令し、且つ走査線制御信号及び信号線制御信号を出力するコントローラと、信号線制御信号及びメモリ回路から出力される映像信号が入力される信号線駆動回路と、走査線制御信号が入力される走査線駆動回路と、信号線駆動回路及び走査線駆動回路により制御され映像を表示する画素回路と、メモリ回路から出力される無線信号を変調して、アンテナ回路に入力する変調回路と、を有し、表示装置は、無線通信装置から送信された無線信号により映像を表示することを特徴とする。
【００１３】
上記構成において、メモリ回路は不揮発性メモリであることが好ましい。
【００１４】
なお、本明細書中において、トランジスタがオンしているとは、トランジスタのゲート及びソース間電圧がその閾値電圧を超え、ソース及びドレイン間に電流が流れる状態を指す。また、トランジスタがオフしているとは、トランジスタのゲート・ソース間電圧がその閾値電圧を下回り、ソース及びドレイン間に電流が流れていない状態を指す。
【００１５】
なお、トランジスタはその構造上、ソースとドレインの区別が困難である。さらに、回路の動作によっては、電位の高低が入れ替わる場合もある。したがって、本明細書中では、ソースとドレインは特に特定せず、第１の電極、第２の電極と記述する。例えば、第１の電極がソースである場合には、第２の電極とはドレインを指し、逆に第１の電極がドレインである場合には、第２の電極とはソースを指すものとする。
【００１６】
なお、本書類（明細書、特許請求の範囲または図面など）においては、１画素とは、１つの色要素を示すものとする。従って、Ｒ（赤）Ｇ（緑）Ｂ（青）の色要素からなるカラー表示装置の場合には、画像の最小単位は、Ｒの画素とＧの画素とＢの画素との３画素から構成されるものとする。なお、色要素は、３色に限定されず、それ以上の数を用いてもよいし、ＲＧＢ以外の色を用いてもよい。例えば、白色（Ｗ）を加えてＲＧＢＷとしてもよい。また、ＲＧＢに、例えば、イエロー、シアン、マゼンダなど１色以上を追加したものでもよい。また、例えば、ＲＧＢの中の少なくとも１色について、類似した色を追加してもよい。例えば、Ｒ、Ｇ、Ｂ１、Ｂ２としてもよい。Ｂ１とＢ２とは、どちらも青色であるが、波長が異なるものを示す。このような色要素を用いることにより、より実物に近い表示を行うことができる。また、消費電力を低減することができる。
【００１７】
また、１つの色要素について、複数の領域を用いて明るさを制御してもよい。この場合は、１つの色要素を１画素とし、その明るさを制御する各領域をサブ画素とする。例えば、面積階調方式を行う場合、１つの色要素につき、明るさを制御する領域が複数あり、その全体で階調を表現する。このとき、明るさを制御する各領域をサブ画素とする。よって、１つの色要素は、複数のサブ画素で構成されることとなる。また、その場合、サブ画素によって、表示に寄与する領域の大きさが異なっている場合がある。また、１つの色要素につき複数ある明るさを制御する領域、つまり、１つの色要素を構成する複数のサブ画素において、各々に供給する信号をわずかに異ならせるようにして、視野角を広げるようにしてもよい。
【００１８】
なお、本書類（明細書、特許請求の範囲または図面など）において、画素は、マトリクス状に配置（配列）されている場合を含む。ここで、画素がマトリクス状に配置（配列）されているとは、縦方向もしくは横方向において、直線状に並んで配置されている場合や、ギザギザな線上に並んでいる場合を含む。よって、例えば、３色の色要素（例えばＲＧＢ）でフルカラー表示を行う場合に、ストライプ配置されている場合や、３つの色要素のドットがいわゆるデルタ配置されている場合も含むものとする。さらに、ベイヤー配置されている場合も含むものとする。なお、色要素のドット毎にその表示領域の大きさが異なっていてもよい。これにより、低消費電力化、または表示素子の長寿命化を図ることができる。
【００１９】
なお、本書類（明細書、特許請求の範囲または図面など）において、表示素子、表示素子を有する装置である表示装置は、様々な形態を用いたり、様々な素子を有することが出来る。例えば、表示素子、表示装置としては、ＥＬ素子（有機物及び無機物を含むＥＬ素子、有機ＥＬ素子、無機ＥＬ素子）、電子放出素子、液晶素子、電子インク、電気泳動素子、グレーティングライトバルブ（ＧＬＶ）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）、圧電セラミックディスプレイ、カーボンナノチューブ、など、電気磁気的作用により、コントラスト、輝度、反射率、透過率などが変化する表示媒体を用いることができる。なお、ＥＬ素子を用いた表示装置としてはＥＬディスプレイ、電子放出素子を用いた表示装置としてはフィールドエミッションディスプレイ（ＦＥＤ）やＳＥＤ方式平面型ディスプレイ（ＳＥＤ：Ｓｕｒｆａｃｅ−ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ−ｅｍｉｔｔｅｒ  Ｄｉｓｐｌａｙ）など、液晶素子を用いた表示装置としては液晶ディスプレイ（透過型液晶ディスプレイ、半透過型液晶ディスプレイ、反射型液晶ディスプレイ、直視型液晶ディスプレイ、投射型液晶ディスプレイ）、電子インクや電気泳動素子を用いた表示装置としては電子ペーパーがある。
【００２０】
なお、本書類（明細書、特許請求の範囲または図面など）に記載されたトランジスタとして、様々な形態のトランジスタを用いることが出来る。よって、用いるトランジスタの種類に限定はない。例えば、非晶質シリコン、多結晶シリコン、微結晶（マイクロクリスタル、セミアモルファスとも言う）シリコンなどに代表される非単結晶半導体膜を有する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）などを用いることが出来る。ＴＦＴを用いる場合、様々なメリットがある。例えば、単結晶シリコンの場合よりも低い温度で製造できるため、製造コストの削減、または製造装置の大型化を図ることができる。また、製造装置を大型化できるため、大型基板を用いて製造することができる。そのため、同時に多くの個数の表示装置を製造でき、低コストで製造できる。さらに、低い温度で製造できるため、耐熱性の弱い基板を用いることができる。よって、透明基板上にトランジスタを製造できる。また、透明な基板上のトランジスタを用いて表示素子での光の透過を制御することが出来る。あるいは、トランジスタの膜厚が薄いため、トランジスタを構成する膜の一部は、光を透過させることが出来る。そのため、開口率を向上させることができる。
【００２１】
なお、多結晶シリコンを製造するときに、触媒元素（ニッケルなど）を用いることにより、結晶性をさらに向上させ、電気特性のよいトランジスタを製造することが可能となる。その結果、ゲートドライバ回路（走査線駆動回路）やソースドライバ回路（信号線駆動回路）、信号処理回路（信号生成回路、ガンマ補正回路、ＤＡ変換回路など）を基板上に一体形成することが出来る。
【００２２】
なお、微結晶シリコンを製造するときに、触媒元素（ニッケルなど）を用いることにより、結晶性をさらに向上させ、電気特性のよいトランジスタを製造することが可能となる。このとき、レーザーを用いず、熱処理を加えるだけで、結晶性を向上させることができる。その結果、ゲートドライバ回路（走査線駆動回路）やソースドライバ回路の一部（アナログスイッチなど）を基板上に一体形成することが出来る。さらに、結晶化のためにレーザーを用いない場合は、シリコンの結晶性のムラを抑えることができる。そのため、綺麗な画像を表示することが出来る。
【００２３】
もちろん、触媒元素（ニッケルなど）を用いずに、多結晶シリコンや微結晶シリコンを製造することは可能である。
【００２４】
または、半導体基板やＳＯＩ基板などを用いてトランジスタを形成することが出来る。これらの基板を用いることにより、特性やサイズや形状などのバラツキが少なく、電流供給能力が高く、サイズの小さいトランジスタを製造することができる。また、これらのトランジスタを用いると、回路の低消費電力化、または回路の高集積化を図ることができる。
【００２５】
または、ＺｎＯ、ａ−ＩｎＧａＺｎＯ、ＳｉＧｅ、ＧａＡｓ、ＩＺＯ、ＩＴＯ、ＳｎＯなどの化合物半導体または酸化物半導体を有するトランジスタや、さらに、これらの化合物半導体または酸化物半導体を薄膜化した薄膜トランジスタなどを用いることが出来る。これらの化合物半導体または酸化物半導体を用いることにより、薄膜トランジスタの製造温度を低くできる。例えば、室温でトランジスタを製造することが可能となる。その結果、耐熱性の低い基板、例えばプラスチック基板やフィルム基板に直接トランジスタを形成することが出来る。なお、これらの化合物半導体または酸化物半導体を、トランジスタのチャネル部分に用いるだけでなく、それ以外の用途で用いることも出来る。例えば、これらの化合物半導体または酸化物半導体を抵抗素子、画素電極、透明電極として用いることができる。さらに、それらをトランジスタと同時に成膜または形成できるため、コストを低減できる。
【００２６】
または、インクジェットや印刷法を用いて形成したトランジスタなどを用いることが出来る。これらにより、室温で製造、低真空度で製造、または大型基板上に製造することができる。また、マスク（レチクル）を用いなくても製造することが可能となるため、トランジスタのレイアウトを容易に変更することが出来る。さらに、レジストを用いる必要がないので、材料費が安くなり、工程数を削減できる。さらに、必要な部分にのみ膜を付けるため、全面に成膜した後でエッチングする、という製法よりも、材料が無駄にならず、低コストにできる。
【００２７】
または、有機半導体やカーボンナノチューブを有するトランジスタ等を用いることができる。これら有機半導体やカーボンナノチューブを用いることにより、曲げることが可能な基板上にトランジスタを形成することが出来る。そのため、衝撃に強くできる。
【００２８】
さらに、様々な構造のトランジスタを用いることができる。例えば、ＭＯＳ型トランジスタ、接合型トランジスタ、バイポーラトランジスタなどを本書類（明細書、特許請求の範囲または図面など）に記載されたトランジスタとして用いることが出来る。ＭＯＳ型トランジスタを用いることにより、トランジスタのサイズを小さくすることが出来る。よって、多数のトランジスタを搭載することができる。また、バイポーラトランジスタを用いることにより、大きな電流を流すことが出来る。よって、高速に回路を動作させることができる。
【００２９】
なお、ＭＯＳ型トランジスタ、バイポーラトランジスタなどを１つの基板に混在させて形成してもよい。これにより、低消費電力、小型化、高速動作などを実現することが出来る。
【００３０】
その他、様々なトランジスタを用いることができる。
【００３１】
なお、トランジスタが形成されている基板の種類は、様々なものを用いることができ、特定のものに限定されることはない。トランジスタが形成される基板としては、例えば、単結晶基板、ＳＯＩ基板、ガラス基板、石英基板、プラスチック基板、紙基板、セロファン基板、石材基板、木材基板、布基板（天然繊維（絹、綿、麻）、合成繊維（ナイロン、ポリウレタン、ポリエステル）若しくは再生繊維（アセテート、キュプラ、レーヨン、再生ポリエステル）などを含む）、皮革基板、ゴム基板、ステンレス・スチル基板、ステンレス・スチル・ホイルを有する基板などを用いることが出来る。あるいは、人などの動物の皮膚（皮表、真皮）または皮下組織を基板として用いてもよい。または、ある基板でトランジスタを形成し、その後、別の基板にトランジスタを転置し、別の基板上にトランジスタを配置してもよい。トランジスタが転置される基板としては、単結晶基板、ＳＯＩ基板、ガラス基板、石英基板、プラスチック基板、紙基板、セロファン基板、石材基板、、木材基板、布基板（天然繊維（絹、綿、麻）、合成繊維（ナイロン、ポリウレタン、ポリエステル）若しくは再生繊維（アセテート、キュプラ、レーヨン、再生ポリエステル）などを含む）、皮革基板、ゴム基板、ステンレス・スチル基板、ステンレス・スチル・ホイルを有する基板などを用いることができる。あるいは、人などの動物の皮膚（皮表、真皮）または皮下組織を基板として用いてもよい。または、ある基板でトランジスタを形成し、その基板を研磨して薄くしてもよい。研磨される基板としては、単結晶基板、ＳＯＩ基板、ガラス基板、石英基板、プラスチック基板、紙基板、セロファン基板、石材基板、木材基板、布基板（天然繊維（絹、綿、麻）、合成繊維（ナイロン、ポリウレタン、ポリエステル）若しくは再生繊維（アセテート、キュプラ、レーヨン、再生ポリエステル）などを含む）、皮革基板、ゴム基板、ステンレス・スチル基板、ステンレス・スチル・ホイルを有する基板などを用いることができる。これらの基板を用いることにより、特性のよいトランジスタの形成、消費電力の小さいトランジスタの形成、壊れにくい装置の製造、耐熱性の付与、軽量化、または薄型化を図ることができる。
【００３２】
なお、本書類（明細書、特許請求の範囲または図面など）に記載されたトランジスタの構造は、様々な形態をとることができる。例えば、ゲート電極が２個以上になっているマルチゲート構造を用いてもよい。マルチゲート構造にすると、チャネル領域が直列に接続されるような構成となるため、複数のトランジスタが直列に接続されたような構成となる。マルチゲート構造にすることにより、オフ電流を低減する、トランジスタの耐圧を向上させて信頼性を良くする、又は飽和領域で動作する時に、ドレイン・ソース間電圧が変化しても、ドレイン・ソース間電流があまり変化せず、フラットな特性にすることができる。また、チャネルの上下にゲート電極が配置されている構造でもよい。チャネルの上下にゲート電極が配置されている構造にすることにより、チャネル領域が増えるため、電流値を大きくする、また空乏層ができやすくなってＳ値をよくすることができる。チャネルの上下にゲート電極が配置されると、複数のトランジスタが並列に接続されたような構成となる。また、ゲート電極はチャネルの上に配置されている構造でもよいし、チャネルの下に配置されている構造でもよい。また、トランジスタの構造は、正スタガ構造であってもよいし、逆スタガ構造でもよい。さらに、チャネル領域は複数の領域に分かれていてもよいし、並列に接続されていてもよいし、直列に接続されていてもよい。また、チャネル（もしくはその一部）にソース電極やドレイン電極が重なっていてもよい。チャネル（もしくはその一部）にソース電極やドレイン電極が重なっている構造にすることにより、チャネルの一部に電荷がたまって、動作が不安定になることを防ぐことができる。また、トランジスタはＬＤＤ領域を有する構造としてもよい。ＬＤＤ領域を設けることにより、オフ電流を低減する、トランジスタの耐圧を向上させて信頼性を良くする、又は飽和領域で動作する時に、ドレイン・ソース間電圧が変化しても、ドレイン・ソース間電流があまり変化せず、フラットな特性にすることができる。
【００３３】
なお、配線、電極、導電層、導電膜、端子、ビア、プラグなどは、アルミニウム（Ａｌ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、ネオジウム（Ｎｄ）、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、マグネシウム（Ｍｇ）、スカンジウム（Ｓｃ）、コバルト（Ｃｏ）、亜鉛（Ｚｎ）、ニオブ（Ｎｂ）、シリコン（Ｓｉ）、リン（Ｐ）、ボロン（Ｂ）、ヒ素（Ａｓ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）、錫（Ｓｎ）、酸素（Ｏ）で構成された群から選ばれた一つもしくは複数の元素、または、前記群から選ばれた一つもしくは複数の元素を成分とする化合物、合金材料（例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化錫（ＳｎＯ）、酸化錫カドミウム（ＣＴＯ）、アルミネオジウム（Ａｌ−Ｎｄ）、マグネシウム銀（Ｍｇ−Ａｇ）、モリブデンニオブ（Ｍｏ−Ｎｂ）など）で形成されることが望ましい。または、配線、電極、導電層、導電膜、端子などは、これらの化合物を組み合わせた物質などを有して形成されることが望ましい。もしくは、前記群から選ばれた一つもしくは複数の元素とシリコンの化合物（シリサイド）（例えば、アルミシリコン、モリブデンシリコン、ニッケルシリサイドなど）、前記群から選ばれた一つもしくは複数の元素と窒素の化合物（例えば、窒化チタン、窒化タンタル、窒化モリブデン等）を有して形成されることが望ましい。
【００３４】
なお、シリコン（Ｓｉ）には、ｎ型不純物元素（リンなど）またはｐ型不純物元素（ボロンなど）を含んでいてもよい。シリコンが不純物元素を含むことにより、導電率が向上する、又は通常の導体と同様な振る舞いをすることが可能となる。従って、配線、電極などとして利用しやすくなる。
【００３５】
なお、シリコンは、単結晶、多結晶（ポリシリコン）、微結晶（マイクロクリスタルシリコン）など、様々な結晶性を有するシリコンを用いることが出来る。あるいは、シリコンは非晶質（アモルファスシリコン）などの結晶性を有さないシリコンを用いることが出来る。単結晶シリコンまたは多結晶シリコンを用いることにより、配線、電極、導電層、導電膜、端子などの抵抗を小さくすることが出来る。非晶質シリコンまたは微結晶シリコンを用いることにより、簡単な工程で配線などを形成することが出来る。
【００３６】
なお、アルミニウムまたは銀は、導電率が高いため、信号遅延を低減することができる。さらに、アルミニウムまたは銀はエッチングしやすいので、パターニングしやすく、微細加工を行うことが出来る。
【００３７】
また、銅は、導電率が高いため、信号遅延を低減することが出来る。銅を用いる場合は、密着性を向上させるため、積層構造にすることが望ましい。
【００３８】
また、モリブデンまたはチタンは、酸化物半導体（ＩＴＯ、ＩＺＯなど）またはシリコンと接触しても、不良を起こさない、エッチングしやすい、耐熱性が高いなどの利点を有するため、望ましい。
【００３９】
また、タングステンは、耐熱性が高いなどの利点を有するため、望ましい。
【００４０】
また、ネオジウムは、耐熱性が高いなどの利点を有するため、望ましい。特に、ネオジウムとアルミニウムとの合金にすると、耐熱性が向上し、アルミニウムがヒロックをおこしにくくなる。
【００４１】
また、シリコンは、トランジスタが有する半導体層と同時に形成できる、耐熱性が高いなどの利点を有するため、望ましい。
【００４２】
また、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＩＴＳＯ、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、シリコン（Ｓｉ）、酸化錫（ＳｎＯ）、酸化錫カドミウム（ＣＴＯ）は、透光性を有しているため、光を透過させる部分に用いることができる。たとえば、画素電極や共通電極として用いることができる。
【００４３】
また、ＩＺＯは、エッチングしやすく、加工しやすいため、望ましい。ＩＺＯは、エッチングしたときに、残渣が残ってしまう問題も起こりにくい。したがって、画素電極としてＩＺＯを用いると、液晶素子や発光素子に不具合（ショート、配向乱れなど）をもたらすことを低減出来る。
【００４４】
なお、配線、電極、導電層、導電膜、端子、ビア、プラグなどは、単層構造でもよいし、多層構造になっていてもよい。単層構造にすることにより、配線、電極、導電層、導電膜、端子などの製造工程を簡略化することができ、工程日数を少なくでき、コストを低減することが出来る。あるいは、多層構造にすることにより、それぞれの材料のメリットを生かしつつ、デメリットを低減させ、性能の良い配線、電極などを形成することが出来る。たとえば、低抵抗材料（アルミニウムなど）を多層構造の中に含むことにより、配線の低抵抗化を図ることができる。また、低耐熱性の材料を、高耐熱性の材料で挟む積層構造にすることにより、低耐熱性の材料の持つメリットを生かしつつ、配線、電極などの耐熱性を高くすることが出来る。例えば、アルミニウムを含む層を、モリブデン、チタン、ネオジウムなどを含む層で挟む積層構造にすると望ましい。
【００４５】
また、配線、電極同士が直接接する場合、お互いに悪影響を及ぼすことがある。例えば、一方の配線、電極などが他方の配線、電極などの材料の中に入っていって、性質を変えてしまい、本来の目的を果たせなくなる。別の例として、高抵抗な部分を形成または製造するときに、問題が生じて、正常に製造できなくなることがある。そのような場合、積層構造により反応しやすい材料を、反応しにくい材料で挟んだり、覆うとよい。例えば、ＩＴＯとアルミニウムとを接続させる場合は、ＩＴＯとアルミニウムとの間に、チタン、モリブデン、ネオジウム合金を挟むことが望ましい。また、シリコンとアルミニウムとを接続させる場合は、ＩＴＯとアルミニウムとの間に、チタン、モリブデン、ネオジウム合金を挟むことが望ましい。
【００４６】
なお、配線とは、導電体が配置されているものを言う。配線は、線状に伸びていても良いし、伸びずに短く配置されていてもよい。したがって、電極は、配線に含まれている。
【００４７】
なお、配線、電極、導電層、導電膜、端子、ビア、プラグなどとして、カーボンナノチューブを用いても良い。さらに、カーボンナノチューブは、透光性を有しているため、光を透過させる部分に用いることができる。たとえば、画素電極や共通電極として用いることができる。
【００４８】
なお、本書類（明細書、特許請求の範囲または図面など）において、接続されているとは、電気的に接続されていることと同義である。したがって、本発明が開示する構成において、所定の接続関係に加え、その間に電気的な接続を可能とする他の素子（例えば、別の素子やスイッチなど）が配置されていてもよい。
【００４９】
なお、本書類（明細書、特許請求の範囲または図面など）に示すスイッチは、様々な形態のものを用いることができる。一例として、電気的スイッチや機械的なスイッチなどがある。つまり、本書類に示すスイッチは電流の流れを制御できるものであればよく、特定のものに限定されず、様々なものを用いることができる。例えば、トランジスタでもよいし、ダイオード（例えば、ＰＮダイオード、ＰＩＮダイオード、ショットキーダイオード、ダイオード接続のトランジスタなど）でもよいし、サイリスタでもよい。または、それらを組み合わせた論理回路でもよい。よって、スイッチとしてトランジスタを用いる場合、そのトランジスタは、単なるスイッチとして動作するため、トランジスタの極性（導電型）は特に限定されない。ただし、オフ電流が少ない方が望ましい場合、オフ電流が少ない方の極性のトランジスタを用いることが望ましい。オフ電流が少ないトランジスタとしては、ＬＤＤ領域を設けているものやマルチゲート構造にしているもの等がある。また、スイッチとして動作させるトランジスタのソース端子の電位が、低電位側電源（ＶＳＳ、ＧＮＤ、０Ｖなど）に近い状態で動作する場合はＮチャネル型を、反対に、ソース端子の電位が、高電位側電源（ＶＤＤなど）に近い状態で動作する場合はＰチャネル型を用いることが望ましい。これは、ゲート・ソース間電圧の絶対値を大きくできるため、スイッチとして、動作しやすいからである。なお、Ｎチャネル型とＰチャネル型の両方を用いて、ＣＭＯＳ型のスイッチにしてもよい。ＣＭＯＳ型のスイッチにすると、Ｐチャネル型かＮチャネル型かのどちらかのスイッチが導通すれば電流を流すことができるため、スイッチとして機能しやすくなる。例えば、スイッチへの入力信号の電圧が高い場合でも、低い場合でも、適切に電圧を出力させることが出来る。また、スイッチをオン・オフさせるための信号の電圧振幅値を小さくすることが出来るので、消費電力を小さくすることも出来る。
【００５０】
なお、本書類（明細書、特許請求の範囲または図面など）において、ある物の上に形成されている、あるいは、〜上に形成されている、というように、〜の上に、あるいは、〜上に、という記載については、ある物の上に直接接していることに限定されない。直接接してはいない場合、つまり、間に別のものが挟まっている場合も含むものとする。従って例えば、層Ａの上に（もしくは層Ａ上に）、層Ｂが形成されている、という場合は、層Ａの上に直接接して層Ｂが形成されている場合と、層Ａの上に直接接して別の層（例えば層Ｃや層Ｄなど）が形成されていて、その上に直接接して層Ｂが形成されている場合とを含むものとする。また、〜の上方に、という記載についても同様であり、ある物の上に直接接していることに限定されず、間に別のものが挟まっている場合も含むものとする。従って例えば、層Ａの上方に、層Ｂが形成されている、という場合は、層Ａの上に直接接して層Ｂが形成されている場合と、層Ａの上に直接接して別の層（例えば層Ｃや層Ｄなど）が形成されていて、その上に直接接して層Ｂが形成されている場合とを含むものとする。なお、〜の下に、あるいは、〜の下方に、の場合についても、同様であり、直接接している場合と、接していない場合とを含むこととする。
【発明の効果】
【００５１】
本発明により、内部回路と外部回路との間の配線を取り除くことができるため、ＦＰＣ等の入力インターフェイスとの接続によって生じる動作不良や表示装置の破損を防ぐことができる。また、無線信号伝送を行うことにより、消費電力を低減させることができる。また、予め映像信号を表示装置に記録させておくことにより、無線で伝送する信号のデータ量を小さくすることができ、無線信号を短時間で処理することができる。これにより、動画を表示させた際の表示不良（ちらつきなど）を低減させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５２】
本発明の実施の形態について、図面を用いて以下に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなく、その形態及び詳細をさまざまに変更しうることは以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する本発明の構成において、同じものを指す符号は異なる図面間で共通して用いる場合がある。
【００５３】
（実施の形態１）
本発明は、無線信号伝送を用いることにより内部回路と外部回路を電気的に接続させ、非接触型の表示装置を可能にする。また、表示装置に予め映像信号を記録しておくことで、無線信号伝送を用いて所望の映像を表示させることを可能とする。なお、本明細書において「非接触型の表示装置」とは、内部回路及び外部回路を直接接続させず、無線信号伝送を用いて電気的に接続させる構成の表示装置を示す。以下、本発明にかかる表示装置及び当該表示装置を用いた表示システムの構成例について、図面を用いて説明する。
【００５４】
図１に示す表示装置及び表示システムは、無線通信装置であるリーダ／ライタ１０１と、表示装置１０２によって構成される。
【００５５】
リーダ／ライタ１０１は、変調された搬送波（以下、無線信号ともいう）を表示装置１０２に送信する。リーダ／ライタ１０１から表示装置１０２に送信される無線信号は、データ処理命令信号、表示装置制御信号、メモリＩＤ、メモリアドレス（ｘアドレス、ｙアドレス）などを含む。また、表示装置制御信号には、クロック生成信号、垂直同期信号、水平同期信号、メモリ回路制御信号などが含まれている。
【００５６】
表示装置１０２は、リーダ／ライタ１０１から送信された無線信号を受信し、予め記録しておいた映像信号に基づく映像を表示させる。表示装置１０２は、アンテナ回路１０３、電源生成部１０４、信号処理部１０５、表示部１０６によって構成される。
【００５７】
アンテナ回路１０３では、リーダ／ライタ１０１から送信された無線信号を受信する。
【００５８】
電源生成部１０４では、アンテナ回路１０３が受信した無線信号を用いて、表示装置１０２を駆動させるのに必要な電源電圧を生成する。
【００５９】
信号処理部１０５では、アンテナ回路１０３が受信した無線信号より、表示部１０６を駆動させるのに必要な制御信号（クロックパルス、スタートパルスなどの走査線制御信号又は信号線制御信号）を出力する。また、所望の映像を表示部１０６に表示させるために、予め記録させた映像信号を読み出して表示部１０６に出力する。本発明は、表示装置に予め映像信号を記録させ、無線信号により映像信号を読み出して、表示部１０６に所望の映像を表示させることを特徴の１つとしている。
【００６０】
表示部１０６では、電源生成部１０４で生成された電源電圧と、信号処理部１０５から出力された走査線制御信号及び信号線制御信号等の制御信号と、を用いて、信号処理部１０５から出力された映像信号に基づく所望の映像を表示する。
【００６１】
なお、リーダ／ライタ１０１から表示装置１０２に送信される無線信号には、データ処理命令信号、表示装置制御信号、メモリＩＤ、メモリアドレス（ｘアドレス、ｙアドレス）などが含まれる。データ処理命令信号は、表示装置に１つの映像を表示させるまでの一連の信号処理を開始するための合図となる信号である。表示装置制御信号は、所望の映像を表示させるための信号であり、クロック生成信号、水平同期信号、垂直同期信号、メモリ回路制御信号などが含まれる。メモリＩＤは、信号処理部に設けられたメモリ回路を識別するためのメモリ回路識別用の番号である。また、メモリアドレス（ｘアドレス、ｙアドレス）は、メモリ回路内のアドレスである。メモリＩＤ及びメモリアドレス（ｘアドレス、ｙアドレス）は、メモリ回路から映像信号を読み出す際に必要となる情報である。
【００６２】
次に、表示装置１０２の各構成要素について、説明する。
【００６３】
まず、アンテナ回路１０３の構成例を図２に示す。
【００６４】
アンテナ回路１０３は、ＬＣ並列共振回路を構成するアンテナ１５０１及び共振容量１５０２によって構成される。リーダ／ライタ１０１から送信される無線信号によって、アンテナ１５０１に誘導磁場が生成され、この誘導磁場により、アンテナ１５０１に起電力が誘導される。アンテナ回路１０３では、アンテナ１５０１に誘導される起電力を電気的信号として受信する。
【００６５】
なお、アンテナ１５０１が有するインダクタンスの大きさ及び共振容量１５０２の大きさを調節することにより、アンテナ回路１０３での無線信号の受信効率や、アンテナ回路１０３で受信可能な無線信号の周波数帯を調節することができる。
【００６６】
次に、電源生成部１０４の構成例を図３に示す。
【００６７】
電源生成部１０４は、整流回路２０１、保持容量２０２、定電圧回路２０３によって構成される。
【００６８】
電源生成部１０４の動作について、以下に説明する。
【００６９】
アンテナ回路１０３により受信された無線信号は、整流回路２０１に入力される。整流回路２０１では、アンテナ回路１０３により受信した無線信号に対して、全波整流、もしくは半波整流を行う。整流回路２０１により整流された電圧は、保持容量２０２で平滑化され、定電圧回路２０３に入力される。定電圧回路２０３は、保持容量２０２で平滑化された電圧を用いて、所定の一定電圧を生成する。定電圧回路２０３で生成された一定電圧は、信号処理部１０５及び表示部１０６に供給され、信号処理部１０５及び表示部１０６を駆動させるための電源電圧として利用される。
【００７０】
なお、信号の伝送方式として電波方式の一種であるマイクロ波方式（例えば、ＵＨＦ帯（８６０〜９６０ＭＨｚ帯）または２．４５ＧＨｚ帯等）を適用する場合、該マイクロ波方式は電磁波エネルギーを直接的に受けて電源電圧を生成するため、リーダ／ライタ１０１と表示装置１０２が近接したときに、整流回路２０１で、信号処理部１０５及び表示部１０６の動作に対して過剰な電源電圧が生成される。そのため、通常、信号処理部１０５及び表示部１０６に過電圧がかからないように、定電圧回路２０３によって、ある一定以上の電圧が信号処理部１０５及び表示部１０６に供給されないように制御される。
【００７１】
次に、信号処理部１０５の構成例を図４に示す。
【００７２】
信号処理部１０５は、復調回路３０１、アンプ３０２、論理回路３０３、メモリコントローラ３０４、ディスプレイコントローラ３０５、メモリ回路３０６によって構成される。本発明は、信号処理部１０５にメモリ回路３０６を設けることを特徴の１つとしている。
【００７３】
信号処理部１０５の動作について、以下に説明する。
【００７４】
アンテナ回路１０３により受信した無線信号は、復調回路３０１に入力される。復調回路３０１では、リーダ／ライタ１０１から送信された変調波である無線信号を復調する。復調回路３０１で復調された無線信号は、アンプ３０２で増幅された後、論理回路３０３に入力される。論理回路３０３では、リーダ／ライタ１０１から送信された無線信号をデータ処理命令信号、表示装置制御信号、メモリＩＤ、メモリアドレスなどに分離し、信号の解析を行う。なお、表示装置制御信号は、さらにクロック生成信号、垂直同期信号、水平同期信号、メモリ回路制御信号などに分離される。ここで、データ処理命令信号は表示装置に１つの映像を表示させるまでの一連の信号処理開始を命令する信号であり、該データ処理命令信号によって論理回路３０３は信号処理を開始する。論理回路３０３で分離された無線信号は、適宜メモリコントローラ３０４及びディスプレイコントローラ３０５に入力される。メモリコントローラ３０４には、メモリ回路３０６を制御する信号（メモリＩＤ、メモリアドレス、メモリ回路制御信号など）を入力し、メモリ回路３０６の動作を制御する。ディスプレイコントローラ３０５には、表示部１０６を駆動させるのに必要な信号（クロック生成信号、垂直同期信号、水平同期信号など）を入力し、表示部１０６の動作を制御する。メモリ回路３０６には、映像信号が記録されている。メモリコントローラ３０４に入力されたメモリＩＤ、メモリアドレス、メモリ回路制御信号などの無線信号によって、メモリ回路３０６から所望の映像信号を読み出し、表示部１０６に所望の映像を表示することができる。
【００７５】
ここで、メモリコントローラ３０４の構成例を図５に示す。
【００７６】
図５において、メモリコントローラ３０４は、メモリＲ／Ｗ回路１２０１、基準発振回路１２０２、可変分周回路１２０３、メモリＩＤカウンタ１２０４ａ、ｘカウンタ１２０４ｂ、ｙカウンタ１２０４ｃ、メモリＩＤデコーダ１２０５ａ、ｘデコーダ１２０５ｂ、ｙデコーダ１２０５ｃによって構成されている。
【００７７】
メモリ回路３０６は、複数の記憶素子によって構成される。それらの記憶素子は、（ｘ、ｙ）のアドレスによって選択されるものとする。メモリ回路３０６は、単数又は複数の記憶素子で、表示部１０６に１つの映像を表示させる映像信号を記録している。よって、単数又は複数の記憶素子を、（ｘ、ｙ）のアドレスによって選択することにより、所望の映像信号を読み出すことができる。
【００７８】
メモリコントローラ３０４において、論理回路３０３で分離されたメモリ回路制御信号が、メモリＲ／Ｗ回路１２０１に入力される。メモリＲ／Ｗ回路１２０１は、論理回路３０３から入力されるメモリ回路制御信号に応じて、メモリ回路３０６に記録された映像信号の読み出しを許可するメモリＲ／Ｗ信号を出力する。
【００７９】
また、論理回路３０３で分離されたメモリ回路制御信号は、基準発振回路１２０２を介して可変分周回路１２０３に入力され、適当な周波数の信号に変換される。可変分周回路１２０３で適当な周波数に変換されたメモリ回路制御信号は、メモリＩＤカウンタ１２０４ａを介してメモリＩＤデコーダ１２０５ａに入力される。また、アンテナ回路１０３により受信された無線信号に含まれ、論理回路３０３で分離されたメモリＩＤが、メモリＩＤデコーダ１２０５ａに入力される。これにより、特定のメモリＩＤが割り振られたメモリ回路を選択することができる。メモリＩＤは、各メモリ回路を識別するために割り振られたメモリ回路識別用の番号であるため、特定のメモリＩＤを選択することで、特定のメモリ回路を選択することが可能である。ここでは、メモリ回路３０６に割り振られたメモリ回路識別用のメモリＩＤを選択することにより、メモリ回路３０６を選択する。
【００８０】
また、可変分周回路１２０３で適当な周波数に変換されたメモリ回路制御信号は、ｘカウンタ１２０４ｂを介してｘデコーダ１２０５ｂに入力されるとともに、アンテナ回路１０３により受信された無線信号に含まれ、論理回路３０３で分離されたメモリアドレス（ｘアドレス）が、ｘデコーダ１２０５ｂに入力される。これにより、メモリ回路３０６のｘアドレスを選択することができる。同様に、可変分周回路１２０３で適当な周波数に変換されたメモリ回路制御信号は、ｙカウンタ１２０４ｃを介してｙデコーダ１２０４ｃに入力されるとともに、アンテナ回路１０３により受信された無線信号に含まれ、論理回路３０３で分離されたメモリアドレス（ｙアドレス）が、ｙデコーダ１２０５ｃに入力される。これにより、メモリ回路３０６のｙアドレスを選択することができる。メモリ回路３０６のｘアドレスとｙアドレスを選択することで、メモリ回路３０６を構成する複数の記憶素子のうち特定の記憶素子を選択することができる。所望の映像信号を記録した単数又は複数の記憶素子を、（ｘ、ｙ）アドレスによって選択することで、所望の映像を表示部１０６に表示させることが可能になる。
【００８１】
なお、入力されたメモリＩＤ及びメモリアドレス（ｘアドレス、ｙアドレス）は、メモリＲ／Ｗ信号によってメモリ回路３０６からの映像信号の読み出しが許可された場合に、メモリ回路３０６に出力される。
【００８２】
次に、メモリ回路３０６の構成例を図２２に示す。なお、本発明に係るメモリ回路は、不揮発性メモリであることが望ましい。メモリ回路を不揮発性メモリにすることにより、電源が落ちた場合に映像信号が消失されるのを防ぐことができる。ここでは、図２２にメモリ回路３０６として、読み出し専用メモリ（ＲＯＭ）を用いた場合の構成例を示している。
【００８３】
図２２に示したメモリ回路３０６は、複数の記憶素子２２０１がマトリクス状に配置された構成となっている。各記憶素子２２０１は、複数のワード線２２０２、複数のビット線２２０３を有している。ワード線２２０２及びビット線２２０３を制御することにより、各記憶素子からの映像信号の読み出しを行う。また、メモリ回路３０６には、各ビット線２２０３にそれぞれスイッチ２２０４が設けられている。
【００８４】
次に、記憶素子２２０１の構成例を図２３に示す。記憶素子２２０１は、トランジスタ２３０１、ワード線２２０２、ビット線２２０３、高電位側電源線２３０２（電源電位：ＶＤＤ）、低電位側電源線２３０３（電源電位：ＶＳＳ）によって構成される。トランジスタ２３０１は、ゲート電極がワード線２２０２に接続され、第１の電極がビット線２２０３に接続され、第２の電極が高電位側電源線２３０２もしくは低電位側電源線２３０３のいずれか一方と接続される。トランジスタ２３０１の第２の電極と高電位側電源線２３０２もしくは低電位側電源線２３０３との接続は、記録する映像信号に応じて、メモリ回路作製時に決定される。例えば、図２３（Ａ）に示すように、トランジスタ２３０１の第２の電極を高電位側電源線２３０２と接続した場合は、記憶素子２２０１には”１”が保持される。また、図２３（Ｂ）に示すように、トランジスタ２３０１の第２の電極を低電位側電源線２３０３と接続した場合は、記憶素子２２０１には”０”が保持される。
【００８５】
次に、メモリ回路３０６での映像信号の読み出し方法について、図５、図２２を用いて説明する。
【００８６】
メモリコントローラ３０４によって選択されたメモリ回路３０６は、メモリＲ／Ｗ信号によってメモリ回路３０６からの映像信号の読み出しが許可された場合に、ｘデコーダ１２０５ｂからメモリコントローラ３０４によって選択されたｘアドレスが入力される。また、ｙデコーダ１２０５ｃからメモリコントローラ３０４によって選択されたｙアドレスが入力される。そして、選択されたｙアドレスに対応するワード線２２０２が選択される。また、選択されたｘアドレスに対応するビット線２２０３に接続されたスイッチ２２０４がオンされ、対応するビット線２２０３が選択される。以上の動作により、選択されたワード線及びビット線に接続された記憶素子２２０１に記録された映像信号が読み出されて表示部１０６に出力される。
【００８７】
なお、本実施の形態では、メモリ回路３０６として、ＲＯＭを用いた場合の構成を説明したが、本発明は特に限定されない。例えば、フラッシュメモリ等を用いてメモリ回路を構成することもできる。
【００８８】
次に、ディスプレイコントローラ３０５の構成例を図６に示す。
【００８９】
ディスプレイコントローラ３０５は、基準クロック発生回路１１０１、可変分周回路１１０２、水平クロック発生回路１１０３、垂直クロック発生回路１１０４、によって構成されている。
【００９０】
ディスプレイコントローラ３０５において、論理回路３０３で分離されたクロック生成信号は、基準クロック発生回路１１０１に入力され、基準クロックが生成される。この基準クロックは、可変分周回路１１０２を介して、水平クロック発生回路１１０３及び垂直クロック発生回路１１０４に入力される。
【００９１】
水平クロック発生回路１１０３には、論理回路３０３で分離された水平同期信号が入力され、信号線駆動回路用のクロックパルスＳ＿ＣＬＫ及びスタートパルスＳ＿ＳＰなどの信号線制御信号が出力される。また、垂直クロック発生回路１１０４には、論理回路３０３で分離された垂直同期信号が入力され、走査線駆動回路用のクロックパルスＧ＿ＣＬＫ及びスタートパルスＧ＿ＳＰなどの走査線制御信号が出力される。
【００９２】
なお、図４では、信号処理部１０５が有するメモリ回路の個数をメモリ回路３０６の１個としているが、本発明は特に限定されず、信号処理部１０５にメモリ回路を複数設けてもよい。
【００９３】
例えば、メモリ回路を３個設けた場合の信号処理部１０５の構成例を図７に示す。図７では、メモリ回路として、第１のメモリ回路７０１、第２のメモリ回路７０２、第３のメモリ回路７０３を有する。
【００９４】
第１のメモリ回路７０１〜第３のメモリ回路７０３には、それぞれ異なる映像を表示させる映像信号を記録しておく。次に、アンテナ回路１０３により受信された無線信号に含まれるメモリＩＤ及びメモリアドレスに基づいて、メモリコントローラ３０４で第１のメモリ回路７０１〜第３のメモリ回路７０３のうち１個のメモリ回路を選択し、該選択した１個のメモリ回路からメモリアドレスを選択する。そして、選択したメモリ回路及びメモリアドレスによって選択された記憶素子に記録されている映像信号を読み出し、表示部１０６に出力する。
【００９５】
このように、メモリ回路を複数設けることにより、より多くの映像信号を記録することができる。その結果、多様な映像を表示させることができるようになる。
【００９６】
なお、メモリ回路３０６は、表示装置と同じ基板上に一体形成してもよいし、携帯型の記憶媒体を外部から接続してもよい。メモリ回路を表示装置と同じ基板上に一体形成する場合は、部品点数を減らしてコストを低減することができる。また、回路部品との接続点数を減らして信頼性を向上させることができる。一方、携帯型の記憶媒体を外部から接続する場合は、メモリ回路に記録する映像信号を書き換えることができるため、より汎用性の高い表示装置として利用できる。また、メモリ回路として携帯型の記憶媒体を利用することにより、メモリ回路が有する記憶容量をより大きくすることができ、より多くの映像信号を記録することができる。よって、多様な映像を表示させることができるようになる。
【００９７】
次に、表示部１０６の構成例を図８に示す。なお、本実施形態では、表示部１０６の駆動方式として、アクティブマトリクス型を用いた例を示す。
【００９８】
表示部１０６は、画素回路４０１、信号線駆動回路４０２、走査線駆動回路４０３によって構成される。画素回路４０１は、画素がマトリクス状に配置されている構成となっており、各画素には、トランジスタが配置されている。ここで、画素の回路構成例を図９に示す。
【００９９】
図９では、各画素に２個のトランジスタを配置した構成を示す。画素は、信号線１４０１、走査線１４０２、電源線１４０３、第１のトランジスタ１４０４、第２のトランジスタ１４０５、容量素子１４０６、表示素子１４０７によって構成されている。なお、図９では、表示素子１４０７として発光素子を用いた例について説明する。
【０１００】
第１のトランジスタ１４０４は、ゲート電極が走査線１４０２に接続され、第１の電極が信号線１４０１に接続され、第２の電極が第２のトランジスタ１４０５のゲート電極と、容量素子１４０６の第１の電極に接続されている。第２のトランジスタ１４０５は、第１の電極が電源線１４０３に接続され、第２の電極が表示素子１４０７の第１の電極に接続されている。容量素子１４０６は、第２の電極が電源線１４０３に接続されている。
【０１０１】
なお、第１のトランジスタ１４０４及び第２のトランジスタ１４０５は、Ｐチャネル型でもＮチャネル型でもよい。
【０１０２】
また、容量素子１４０６は、設けなくてもよい。例えば、第２のトランジスタ１４０５としてＮチャネル型トランジスタを適用し、当該Ｎチャネル型トランジスタが、ゲート絶縁膜を介してゲート電極に重なるように設けられたＬＤＤ領域を有している場合、この重なり合った領域には一般的にゲート容量と呼ばれる寄生容量が形成される。この寄生容量を、第２のトランジスタ１４０５のゲート電極にかかる電圧を保持するための容量素子として積極的に用いることも可能である。
【０１０３】
次に、映像を表示する際の表示部の動作を以下に説明する。（図８、図９参照）。
【０１０４】
信号線駆動回路４０２には、ディスプレイコントローラ３０５から出力された信号線制御信号及びメモリ回路３０６から出力された映像信号が入力される。信号線駆動回路４０２は、信号線制御信号に基づいて信号線１４０１を選択し、選択された信号線１４０１に映像信号を入力する。
【０１０５】
走査線駆動回路４０３には、ディスプレイコントローラ３０５から出力された走査線制御信号が入力される。走査線駆動回路４０３は、走査線制御信号に基づいて、走査線１４０２を順次選択する。
【０１０６】
画素の動作について説明する。走査線駆動回路４０３によって走査線１４０２が選択されることにより、第１のトランジスタ１４０４のゲート電極の電位が変化する。こうして導通状態となった第１のトランジスタ１４０４のソース領域とドレイン領域の間を介して、信号線１４０１より第２のトランジスタ１４０５のゲート電極に映像信号が入力される。また、容量素子１４０６に映像信号が保持される。第２のトランジスタ１４０５のゲート電極に入力された映像信号によって、第２のトランジスタ１４０５のゲート電圧が変化し、ソース領域とドレイン領域の間が導通状態となる。電源線１４０３の電位が、第２のトランジスタ１４０５を介して、表示素子１４０７の第１の電極に与えられる。これにより、表示素子１４０７が発光し、所望の映像が表示される。
【０１０７】
なお、本実施形態では、表示部１０６の駆動方式としてアクティブマトリクス型を用いた例を示したが、パッシブマトリクス型を用いてもよい。
【０１０８】
なお、信号線駆動回路４０２の駆動方式として、線順次駆動を用いてもよいし、点順次駆動を用いてもよい。
【０１０９】
また、本実施の形態では表示素子として発光素子を用いた表示装置の例を示したが、本発明は特に限定されない。例えば、表示素子としては、電子放出素子、液晶素子、電子インク、電気泳動素子、グレーティングライトバルブ（ＧＬＶ）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）、圧電セラミックディスプレイ、カーボンナノチューブ、など、電気磁気的作用により、コントラスト、輝度、反射率、透過率などが変化する表示媒体を用いることができる。また、発光素子としても有機物及び無機物を含むＥＬ素子、有機ＥＬ素子、無機ＥＬ素子を用いることができる。また、ＥＬ素子を用いた表示装置としてはＥＬディスプレイ、電子放出素子を用いた表示装置としてはフィールドエミッションディスプレイ（ＦＥＤ）やＳＥＤ方式平面型ディスプレイ（ＳＥＤ：Ｓｕｒｆａｃｅ−ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ−ｅｍｉｔｔｅｒ  Ｄｉｓｐｌａｙ）など、液晶素子を用いた表示装置としては液晶ディスプレイ（透過型液晶ディスプレイ、半透過型液晶ディスプレイ、反射型液晶ディスプレイ、直視型液晶ディスプレイ、投射型液晶ディスプレイ）、電子インクや電気泳動素子を用いた表示装置としては電子ペーパーがある。
【０１１０】
次に、図１におけるリーダ／ライタ１０１の構成例について、図１０を用いて説明する。
【０１１１】
リーダ／ライタ１０１は、送信部９０２、制御部９０３、インターフェイス部９０４、アンテナ回路９０５によって構成されている。制御部９０３は、インターフェイス部９０４を介した上位装置９０６の制御により、送信部９０２を制御する。送信部９０２は表示装置１０２に送信するデータ処理命令信号、表示装置制御信号、メモリＩＤ、メモリアドレス（ｘアドレス、ｙアドレス）などの無線信号を変調し、アンテナ回路９０５から電磁波（無線信号）として出力する。
【０１１２】
本実施形態において、図１０に示すリーダ／ライタ１０１のアンテナ回路９０５は、ＬＣ並列共振回路を構成するアンテナ９０７及び共振容量９０８を有し、送信部９０２に接続される。送信部９０２は、表示装置１０２へ無線信号を送信するときには、アンテナ回路９０５に誘導電流を供給し、アンテナ回路９０５から表示装置１０２に無線信号を送信する。
【０１１３】
なお、すでに説明したように、リーダ／ライタ１０１は、複数の無線信号（例えば、データ処理命令信号、表示装置制御信号、メモリＩＤ、メモリアドレス（ｘアドレス、ｙアドレス）など）を表示装置１０２に送信するが、リーダ／ライタ１０１に送信する複数の無線信号を、ある周波数を有する１つの搬送波に多重化して送信してもよい。
【０１１４】
また、リーダ／ライタ１０１が送信する複数の無線信号を、少なくとも２種類以上の異なる周波数を有する複数の搬送波を用いて送信してもよい。この場合、周波数が異なる搬送波をそれぞれ受信できるように、表示装置１０２にアンテナ回路を複数個設けてもよい。
【０１１５】
例えば、表示装置１０２にアンテナ回路を２個設けた場合について、図１１に示す。図１１では、アンテナ回路として、第１のアンテナ回路１３０１、第２のアンテナ回路１３０２を有し、これら２個のアンテナ回路を用いて、２種類の周波数を有する搬送波をそれぞれ受信する。つまり、異なる周波数を有する搬送波を、異なるアンテナ回路で受信する。これにより、無線信号が混線するのを防ぐことができるため、無線信号をより正確に送信することができ、表示装置の誤動作を防ぐことができる。
【０１１６】
なお、図１に示すようなアンテナ回路１０３、或いは図１１に示すような第１のアンテナ回路１３０１及び第２のアンテナ回路１３０２等のアンテナ回路とリーダ／ライタ１０１間で伝送される搬送波の周波数は、１２５ｋＨｚ、１３．５６ＭＨｚ、９１５ＭＨｚ、２．４５ＧＨｚなどがあり、それぞれＩＳＯ規格などで設定される。勿論、アンテナ回路とリーダ／ライタ１０１間で伝送される搬送波の周波数はこれに限定されず、例えばサブミリ波である３００ＧＨｚ〜３ＴＨｚ、ミリ波である３０ＧＨｚ〜３００ＧＨｚ、マイクロ波である３ＧＨｚ〜３０ＧＨｚ、極超短波である３００ＭＨｚ〜３ＧＨｚ、超短波である３０ＭＨｚ〜３００ＭＨｚ、短波である３ＭＨｚ〜３０ＭＨｚ、中波である３００ｋＨｚ〜３ＭＨｚ、長波である３０ｋＨｚ〜３００ｋＨｚ、及び超長波である３ｋＨｚ〜３０ｋＨｚのいずれの周波数も用いることができる。
【０１１７】
なお、搬送波の変調方式は、アナログ変調であってもデジタル変調であってもよく、振幅変調、位相変調、周波数変調、及びスペクトラム拡散のいずれであってもよい。好ましくは、振幅変調または周波数変調にするとよい。
【０１１８】
なお、図１に示した表示装置１０２では、電源生成部１０４及び信号処理部１０５で共通のアンテナ回路１０３を用いていたが、電源生成部１０４と信号処理部１０５で、別々のアンテナ回路を用いてもよい。この場合の表示システムの構成例を図１２に示す。
【０１１９】
図１２に示した表示装置１０２は、アンテナ回路として、第１のアンテナ回路８０１、第２のアンテナ回路８０２を有する。第１のアンテナ回路８０１は、電源生成部１０４に接続され、第２のアンテナ回路８０２は、信号処理部１０５に接続される。そして、第１のアンテナ回路８０１は、外部に無作為に生じている無線信号（電磁波）を受信する。電源生成部１０４では、第１のアンテナ回路８０１によって受信した無線信号（を用いて、電源電圧を生成する。一方、第２のアンテナ回路８０２は、リーダ／ライタ１０１から送信された特定の周波数を有する無線信号（搬送波）を受信する。信号処理部１０５では、第２のアンテナ回路８０２が受信した無線信号を用いて、表示部１０６を駆動させるのに必要な制御信号を出力する。ここで、図１１に示す表示装置１０２との違いは、図１２に示す第１のアンテナ回路８０１及び第２のアンテナ回路８０２の２個のアンテナ回路は、それぞれ電源生成部１０４、信号処理部１０５に接続されていることである。図１１に示す表示装置では、第１のアンテナ回路１３０１及び第２のアンテナ回路１３０２ともに信号処理部１０５に接続されている。
【０１２０】
図１２に示すように、電源生成部１０４と信号処理部１０５で、別々に接続されるアンテナ回路を設けることにより、電源生成部１０４と信号処理部１０５とで受信する無線信号の周波数を別々にすることができる。特に、電源生成部１０４において、外部に無作為に生じている無線信号（電磁波）を受信することにより、常に一定の電源電圧を生成し、表示部１０６に供給することができる。よって、表示装置を利用している最中に電源電圧の変動によって表示装置が動作しなくなることを防ぐことができる。
【０１２１】
なお、本発明に用いることのできるアンテナの形状については特に限定されない。そのため、伝送方式は、電磁結合方式、電磁誘導方式または電波方式、光方式等を用いることができる。伝送方式は、実施者が使用用途を考慮して適宜選択すればよく、伝送方式に伴って最適な長さ及び形状を有するアンテナを設ければよい。本発明では無線信号の伝送方式として、電波方式を用いることができ、更にはマイクロ波方式を用いることができる。
【０１２２】
伝送方式として電磁結合方式または電磁誘導方式（例えば、１３．５６ＭＨｚ帯）を適用する場合には、電界密度の変化による電磁誘導を利用するため、アンテナとして機能する導電膜を輪状（例えば、ループアンテナ）またはらせん状（例えば、スパイラルアンテナ）に形成する。ここで、伝送方式として電磁結合方式または電磁誘導方式を用いる場合の表示装置の構成例を、図１３（Ａ）に示す。
【０１２３】
図１３（Ａ）に示した表示装置１０２は、基板１７０１上に電源生成部１０４、信号処理部１０５、表示部１０６、スパイラルアンテナ１７０２が配置されている。なお、表示部１０６は、画素回路４０１、信号線駆動回路４０２、走査線駆動回路４０３によって構成されている。
【０１２４】
伝送方式として電波方式の一種であるマイクロ波方式（例えば、ＵＨＦ帯（８６０〜９６０ＭＨｚ帯）または２．４５ＧＨｚ帯等）を適用する場合には、無線信号の伝送に用いる電波の波長を考慮してアンテナとして機能する導電膜の長さや形状を適宜設定すればよい。アンテナとして機能する導電膜は、例えば、線状（例えば、ダイポールアンテナ）、平坦な形状（例えば、パッチアンテナ）等に形成することができる。また、アンテナとして機能する導電膜の形状は線状に限られず、電磁波の波長を考慮して曲線状や蛇行形状またはこれらを組み合わせた形状で設けてもよい。
【０１２５】
また、伝送方式として電磁結合方式または電磁誘導方式を用いる場合の表示装置の構成例を、図１３（Ｂ）に示す。
【０１２６】
図１３（Ｂ）に示した表示装置１０２は、基板１７０１上に電源生成部１０４、信号処理部１０５、表示部１０６、ダイポールアンテナ１７０３が配置されている。なお、表示部１０６は、画素回路４０１、信号線駆動回路４０２、走査線駆動回路４０３によって構成されている。
【０１２７】
なお、例えば、画素回路４０１と電源生成部１０４と信号処理部１０５とを薄膜トランジスタ等の素子で形成する場合、画素回路４０１を構成するトランジスタと電源生成部１０４を構成するトランジスタと信号処理部１０５を構成するトランジスタとを同時に作り込むことで、それぞれの素子により形成される回路を任意に配置することができる。したがって、駆動するために高電圧が必要である信号処理部１０５、信号線駆動回路４０２、走査線駆動回路４０３等を電源生成部１０４に近接して配置することによって、無線信号（電磁波）で与えられる電力の損失を最低限に抑えることができる。なぜなら、画素回路４０１と電源生成部１０４と信号処理部１０８とを別々に貼り合わせ等により設ける場合には、それぞれの回路を接続配線により接続するため電力を損失してしまうからである。
【０１２８】
本発明に係る表示装置及び表示システムは、無線信号伝送を利用することにより、内部回路と外部回路との間の配線を取り除くことができる。その結果、ＦＰＣ等の入力インターフェイスとの接続によって生じた動作不良や表示装置の破損を防ぐことができる。また、無線信号伝送を行うことにより、消費電力を低減させることができる。
【０１２９】
また、本実施形態のように、表示装置に予め映像信号を記録することで、無線信号伝送を利用して所望の映像を表示させることができる。また、表示装置に、無線信号伝送を利用してメモリＩＤ及びメモリアドレスを送信してメモリ回路から映像信号を読み出すという方法をとることにより、所望の映像を表示するための信号の送信及び表示装置内での信号処理にかかる時間を短縮することができる。
【０１３０】
例えば、画像のサイズが大きい映像や階調数や色数が多い映像など、データ容量の大きい映像を、無線信号を用いて伝送すると、所望の映像を表示するための信号の送信及び表示装置内での信号処理にかかる時間が長くなる。これにより、映像の表示にかかる時間が長くなり、例えば動画を表示する場合には、１フレーム期間内に１画面分の映像を書き込みきれなくなる場合が生じる。また、１画面分の映像を全て書き込めるように１フレーム期間を合わせると、フレーム周波数が小さくなるため、ちらつきなどの表示不良が起こってしまう。
【０１３１】
しかし、本実施の形態で説明した、予め表示装置に記録させた映像信号を、無線信号を利用して読み出す方法をとることにより、リーダ／ライタから送信する無線信号のデータ量を小さくすることができ、無線信号の送信及び表示装置内での信号処理にかかる時間を短縮することができる。また、映像の表示にかかる時間を短縮することができるため、１フレーム期間内に１画面分の映像信号を全て書き込むことができるようになり、動画表示で生じるちらつきなどの表示不良を低減させることができる。さらに、所望の映像を表示させるための無線信号の構成を簡潔な構成にすることができるため、無線信号の煩雑化や、表示装置を構成する回路の煩雑化を防ぐことができる。
【０１３２】
なお、本実施の形態は、他の実施の形態で述べた内容（一部でもよい）を、具現化した場合の一例、少し変形した場合の一例、一部を変更した場合の一例、改良した場合の一例、詳細に述べた場合の一例、応用した場合の一例、関連がある部分についての一例などを示している。したがって、他の実施の形態で述べた内容は、本実施の形態への適用、組み合わせ、または置き換えを自由に行うことができる。
【０１３３】
なお、本実施の形態において、様々な図を用いて述べてきたが、各々の図で述べた内容（一部でもよい）は、別の図で述べた内容（一部でもよい）に対して、適用、組み合わせ、または置き換えなどを自由に行うことが出来る。さらに、これまでに述べた図において、各々の部分に関して、別の部分を組み合わせることにより、さらに多くの図を構成させることが出来る。
【０１３４】
同様に、本実施の形態の各々の図で述べた内容（一部でもよい）は、別の実施の形態の図で述べた内容（一部でもよい）対して、適用、組み合わせ、または置き換えなどを自由に行うことが出来る。さらに、本実施の形態の図において、各々の部分に関して、別の実施の形態の部分を組み合わせることにより、さらに多くの図を構成させることが出来る。
【０１３５】
（実施の形態２）
本実施形態では、表示装置から無線通信装置であるリーダ／ライタへ無線信号を送信する機構を設けた表示装置及び表示システム、つまり表示装置とリーダ／ライタ間で無線信号を授受する構成とした例について説明する。
【０１３６】
ここで、本実施形態における表示装置及び表示システムの構成例について、図１４に示す。なお、上述した実施の形態１に示す表示システムと同じ構成のものは、同じ符号で示している。本実施の形態では、上記実施の形態１と異なる構成の信号処理部６０５及びリーダ／ライタ６０１を具備する。具体的には、図１４に示す表示装置及び表示システムでは、表示装置６０２が有する信号処理部６０５に、表示装置６０２からリーダ／ライタ６０１へ無線信号を送信する機構を設けている。また、リーダ／ライタ６０１に、表示装置６０２から送信される無線信号を受信する機構を設けている。
【０１３７】
次に、本実施形態における信号処理部６０５の構成例を図１５に示す。
【０１３８】
信号処理部６０５は、復調回路３０１、第１のアンプ５０１、第１の論理回路５０２、メモリコントローラ３０４、ディスプレイコントローラ３０５、メモリ回路３０６、第２の論理回路５０３、第２のアンプ５０４、変調回路５０５によって構成される。
【０１３９】
なお、実施の形態１で示した信号処理部１０５（図４）と本実施の形態で示す信号処理部６０５の相違点は、変調回路５０５が追加された点と、第１の論理回路５０２及び第２の論理回路５０３の２個の論理回路、並びに第１のアンプ５０１及び第２のアンプ５０４の２個のアンプを有する点である。
【０１４０】
なお、図１５における第１のアンプ５０１は、図４におけるアンプ３０２に対応している。また、図１５における第１の論理回路５０２は、図４における論理回路３０３に対応している。そのため、図１５における第１のアンプ５０１及び第１の論理回路５０２が有する機能は、図４におけるアンプ３０２及び論理回路３０３と同様である。
【０１４１】
本実施形態における信号処理部６０５の動作について、以下に説明する（図１４、図１５参照）。
【０１４２】
アンテナ回路１０３で無線信号が受信されてから、メモリ回路３０６から映像信号が読み出されるまでの動作は、実施の形態１で示した信号処理部１０５（図４）と同様であるため、ここでは説明を割愛する。
【０１４３】
メモリコントローラ３０４によって選択されたメモリ回路３０６は、記録された映像信号のうち所望の映像信号を読み出して表示部１０６に出力するとともに、メモリ回路出力信号を第２の論理回路５０３に出力する。なお、メモリ回路出力信号には、選択したメモリ回路に割り振られたメモリＩＤ及びメモリアドレス（ｘアドレス、ｙアドレス）、所望の映像信号を読み出して表示部１０６に出力したことを示すデータ出力信号などが含まれる。つまり、メモリ回路出力信号は、所望の映像を表示させる映像信号を読み出したことを示す信号である。第２の論理回路５０３では、入力されたメモリ回路出力信号に対して、符号化処理を行う。第２の論理回路５０３で符号化処理されたメモリ回路出力信号は、第２のアンプ５０４で増幅され、変調回路５０５で変調される。変調回路５０５で変調されたメモリ回路出力信号を含む無線信号は、アンテナ回路１０３からリーダ／ライタ６０１へ送信される。リーダ／ライタ６０１では、受信したメモリ回路出力信号を解析し、再び表示装置６０２に無線信号を送信する。
【０１４４】
次に、図１４におけるリーダ／ライタ６０１の構成例について、図２４を用いて説明する。なお、上述した実施の形態１に示すリーダ／ライタ１０１（図１０）と同じ構成のものは、同じ符号で示している。
【０１４５】
リーダ／ライタ６０１は、受信部２４０１、送信部９０２、制御部９０３、インターフェイス部９０４、アンテナ回路９０５、アンテナ回路２４０２によって構成されている。制御部９０３は、インターフェイス部９０４を介した上位装置９０６の制御により、受信部２４０１、送信部９０２を制御する。送信部９０２は表示装置６０２に送信するデータ処理命令信号、表示装置制御信号、メモリＩＤ、メモリアドレス（ｘアドレス、ｙアドレス）などの無線信号を変調し、アンテナ回路９０５から電磁波として出力する。また受信部２４０１は、アンテナ回路２４０２が受信した無線信号を復調し、データ処理結果として制御部９０３に出力する。
【０１４６】
本実施形態において、図２４に示すリーダ／ライタ６０１のアンテナ回路９０５、アンテナ回路２４０２は、それぞれＬＣ並列共振回路を構成するアンテナ９０７、アンテナ２４０３及び共振容量９０８、共振容量２４０４を有し、受信部２４０１及び送信部９０２に接続される。アンテナ回路２４０２は、表示装置６０２からの無線信号を受信するときに、表示装置６０２から出力された無線信号によってアンテナ回路２４０２に誘導される起電力を電気的信号として受信する。また、表示装置６０２へ無線信号を送信するときには、アンテナ回路９０５に誘導電流を供給し、アンテナ回路９０５から表示装置６０２に無線信号を送信する。
【０１４７】
本実施形態に示したように、信号処理部６０５からアンテナ回路１０３を介して出力される無線信号をリーダ／ライタ６０１へ送信する機構を設けることにより、連続した映像表示を行うことができる。その方法を以下に説明する（図１４、図１５参照）。
【０１４８】
リーダ／ライタ６０１では、表示装置６０２から送信されるメモリ回路出力信号に含まれるデータ出力信号を解析する。データ出力信号は、メモリ回路３０６が映像信号を出力したことを示す信号である。そのため、リーダ／ライタ６０１でデータ出力信号を解析することによって、表示装置６０２が映像を表示したという情報がリーダ／ライタ６０１に伝送される。その後、リーダ／ライタ６０１では、データ出力信号の解析結果を受けて、次に表示させたい映像を表示させる映像信号が記録されたメモリ回路のメモリＩＤ及びメモリアドレスを選択し、再び表示装置６０２に無線信号を送信する。表示装置６０２では、受信した無線信号を基に、指示されたメモリ回路（ここではメモリ回路３０６）を選択し、次の映像を表示させる映像信号を読み出す。
【０１４９】
このように、リーダ／ライタ６０１と表示装置６０２との間で無線信号の送受信を繰り返すことにより、連続した映像表示を行うことができる。また、本実施形態で示した方法により、１画面分の映像を表示するのにかかる時間を短縮することができるため、よりスムーズな映像表示を行うことができる。
【０１５０】
なお、リーダ／ライタ６０１が表示装置６０２に無線信号を送信し、表示装置６０２がアンテナ回路で受信した無線信号により信号処理部６０５で所望の映像信号を読み出して表示部１０６に出力するまでの間に、ノイズ等が発生して正確な信号が伝送されない場合がある。このような場合に、例えば、第２の論理回路５０３に、誤り符号を検出する機構を追加することにより、リーダ／ライタ６０１が送信した無線信号が途中で誤って伝送されていないかを検出することができる。その方法を以下に説明する（図１４、図１５、図１６参照）。
【０１５１】
まず、メモリ回路３０６から出力されるメモリ回路出力信号の１つとして、例えば、巡回符号（Ｃｙｃｌｉｃ  Ｒｅｄｕｎｄｕｎｃｙ  Ｃｏｄｅ：ＣＲＣ）を設ける。次に、メモリ回路出力信号を第２の論理回路５０３に入力する。
【０１５２】
ここで、誤り符号を検出する機構を設けた場合の第２の論理回路５０３の構成例を図１６に示す。図１６に示した第２の論理回路５０３は、誤り符号検出回路１６０１、符号化回路１６０２によって構成されている。
【０１５３】
メモリ回路出力信号は誤り符号検出回路１６０１に入力される。誤り符号検出回路１６０１では、メモリ回路出力信号に含まれる巡回符号に対して、誤り符号検出処理を行う。その後、誤り符号検出回路１６０１での処理結果とその他のメモリ回路出力信号は、符号化回路１６０２に入力され、符号化処理が行われる。
【０１５４】
ここで、メモリ回路出力信号に含まれる巡回符号に対して誤り符号検出処理を行い、メモリ回路出力信号に誤りがないと判定された場合は、リーダ／ライタ６０１に「メモリ回路出力信号に誤りがない」という誤り符号検出処理の結果を無線信号を用いて送信する。その結果、リーダ／ライタ６０１は、次に表示させたい映像信号が記録されたメモリ回路の新たなメモリＩＤ及びメモリアドレスを選択し、表示装置６０２に無線信号を送信する。
【０１５５】
一方、メモリ回路出力信号に誤りがあると判定された場合は、リーダ／ライタ６０１に「メモリ回路出力信号に誤りがある」という誤り符号検出処理の結果を無線信号を用いて送信する。その結果、リーダ／ライタ６０１が、一度送信したメモリ回路３０６のメモリＩＤ及びメモリアドレスを再度選択し、無線信号を表示装置６０２に再送信する。
【０１５６】
このように、誤り符号検出回路を設け、リーダ／ライタ６０１と表示装置６０２との間で無線信号の送受信を繰り返すことにより、リーダ／ライタ６０１から無線信号が正しく送信されたかを確認することができる。その結果、無線信号の誤送信やそれに伴う映像の誤表示を防ぐことができる。
【０１５７】
なお、リーダ／ライタ６０１と表示装置６０２との無線信号の送受信を開始する合図となる信号は、リーダ／ライタ６０１から表示装置６０２へ送信してもよいし、表示装置６０２からリーダ／ライタ６０１へ送信してもよい。
【０１５８】
なお、図１５では、信号処理部６０５が有するメモリ回路の個数をメモリ回路３０６の１個としているが、メモリ回路を複数設けてもよい。
【０１５９】
例えば、メモリ回路を３個設けた場合の信号処理部６０５の構成例を図１７に示す。図１７では、メモリ回路として、第１のメモリ回路１００１、第２のメモリ回路１００２、第３のメモリ回路１００３を有する。
【０１６０】
第１のメモリ回路１００１〜第３のメモリ回路１００３には、それぞれ異なる映像信号を記録しておく。次に、アンテナ回路１０３により受信された無線信号に含まれるメモリＩＤ及びメモリアドレスに基づいて、メモリコントローラ３０４で第１のメモリ回路１００１〜第３のメモリ回路１００３のうち１個のメモリ回路を選択し、該選択したメモリ回路からメモリアドレスを選択する。そして、選択したメモリ回路及びメモリアドレスによって選択された記憶素子に記録されている映像信号を読み出し、表示部に出力する。また、選択されたメモリ回路は、記録された映像信号を読み出して表示部１０６に出力するとともに、メモリ回路出力信号を第２の論理回路５０３に出力する。第２の論理回路５０３では、入力されたメモリ回路出力信号に対して、符号化処理を行う。第２の論理回路５０３で符号化処理されたメモリ回路出力信号は、第２のアンプ５０４で増幅され、変調回路５０５で変調される。変調回路５０５で変調されたメモリ回路出力信号を含む無線信号は、アンテナ回路１０３からリーダ／ライタ６０１へ送信される。リーダ／ライタ６０１では、受信したメモリ回路出力信号を解析し、再び表示装置６０２に無線信号を送信する。
【０１６１】
このように、メモリ回路を複数設けることにより、より多くの映像信号を記録することができる。その結果、多様な映像を表示させることができる。
【０１６２】
また、図１６に示したように、第２の論理回路５０３に誤り符号検出回路１６０１を設ける場合は、複数のメモリ回路に、それぞれ異なる巡回符号を割り当てておく。これにより、メモリ回路ごとにリーダ／ライタ６０１から無線信号が正しく送信されたかを確認することができるようになる。
【０１６３】
本実施形態に示したように、信号処理部に、表示装置からリーダ／ライタへ無線信号を送信する機構を設けることにより、映像の連続表示をよりスムーズに行うことができる。その結果、動画を表示された場合に生じるちらつきなどの表示不良を防ぐことができる。また、リーダ／ライタから無線信号が正しく送信されたかを確認することができ、無線信号の誤送信やそれに伴う映像の誤表示を防ぐことができる。
【０１６４】
なお、本実施の形態は、他の実施の形態で述べた内容（一部でもよい）を、具現化した場合の一例、少し変形した場合の一例、一部を変更した場合の一例、改良した場合の一例、詳細に述べた場合の一例、応用した場合の一例、関連がある部分についての一例などを示している。したがって、他の実施の形態で述べた内容は、本実施の形態への適用、組み合わせ、または置き換えを自由に行うことができる。
【０１６５】
なお、本実施の形態において、様々な図を用いて述べてきたが、各々の図で述べた内容（一部でもよい）は、別の図で述べた内容（一部でもよい）に対して、適用、組み合わせ、または置き換えなどを自由に行うことが出来る。さらに、これまでに述べた図において、各々の部分に関して、別の部分を組み合わせることにより、さらに多くの図を構成させることが出来る。
【０１６６】
同様に、本実施の形態の各々の図で述べた内容（一部でもよい）は、別の実施の形態の図で述べた内容（一部でもよい）対して、適用、組み合わせ、または置き換えなどを自由に行うことが出来る。さらに、本実施の形態の図において、各々の部分に関して、別の実施の形態の部分を組み合わせることにより、さらに多くの図を構成させることが出来る。
【０１６７】
（実施の形態３）
本実施形態では、電源生成部に含まれる定電圧回路を、電磁波を用いて充電を行うバッテリーとした場合について説明する。ここで、本実施形態における表示装置及び表示システムの構成例を図１８に示す。なお、上述した実施の形態１、２に示す表示装置及び表示システムと同じ構成のものは、同じ符号で示している。本実施の形態では、上記実施の形態１と異なる構成の電源生成部１９０４及び信号処理部１９０５を具備する。具体的には、図１８に示す表示装置及び表示システムでは、表示装置１９０２が有する電源生成部１９０４に、無線信号を用いて充電を行うバッテリーを設けている。また、バッテリーを制御する回路を制御する信号が、信号処理部１９０５から入力される。
【０１６８】
次に、本実施形態における電源生成部１９０４の構成例を図１９に示す。
【０１６９】
電源生成部１９０４は、整流回路１８０１、定電圧回路１８０２によって構成される。また、定電圧回路１８０２は、充電制御回路１８０３、充放電管理回路１８０４、バッテリー１８０５、放電制御回路１８０６によって構成される。
【０１７０】
充電制御回路１８０３は、バッテリー１８０５に充電を行うか否かを制御する。
【０１７１】
放電制御回路１８０６は、バッテリー１８０５に充電された電圧を、信号処理部１９０５及び表示部１０６に供給する。
【０１７２】
充放電管理回路１８０４は、バッテリー１８０５の充電状況を監視し、充電制御回路１８０３及び放電制御回路１８０６の動作を制御することにより、バッテリー１８０５の過充電を防止する。
【０１７３】
次に、アンテナ回路１０３がリーダ／ライタ１０１からの無線信号を受信した場合の動作の一例について、図１８〜図２０を用いて説明する。なお、ここでは、充電制御回路１８０３に第１のスイッチが設けられ、放電制御回路１８０６に第２のスイッチが設けられている例を示す。
【０１７４】
まず、リーダ／ライタ１０１から表示装置１９０２へ無線信号が送信されると（ｓ２００１）、アンテナ回路１０３がリーダ／ライタ１０１から送信された無線信号の受信を開始する（ｓ２００２）。次に、充放電管理回路１８０４は、バッテリー１８０５の電圧Ｖｙが所定の電圧値（例えば、Ｖｘ）以上か否かを確認する（ｓ２００３）。そして、バッテリー１８０５の電圧ＶｙがＶｘより低い場合（Ｎｏの場合）には、バッテリー１８０５の電力を他の回路へ供給しないように放電制御回路１８０６に設けられた第２のスイッチをオフにする（ｓ２００４）。
【０１７５】
次に、第１のスイッチがオンして（ｓ２００５）、バッテリー１８０５の充電が開始される（ｓ２００６）。充電中はバッテリー１８０５の充電状況を充放電管理回路１８０４により監視し、バッテリー１８０５の電圧値をモニタリングする。そして、バッテリー１８０５の電圧Ｖｙが所定の電圧値Ｖｘ以上になった場合（ＹＥＳの場合）に、充電制御回路１８０３に設けられた第１のスイッチをオフし（ｓ２００８）、充電を停止する（ｓ２００９）。
【０１７６】
次に、第１のスイッチのオフと同時またはその後に第２のスイッチをオンして（ｓ２００７）、放電制御回路１８０６を介して信号処理部１９０５に設けられた回路に電力を供給する。そして、表示装置１９０２は、通信を開始する信号が含まれた無線信号をリーダ／ライタ１０１に送信する（ｓ２０１０）。リーダ／ライタ１０１は通信を開始する信号が含まれた無線信号を受信した後（ｓ２０１１）、必要な情報を含ませた無線信号を、表示装置１９０２に送信する（ｓ２０１２）。表示装置１９０２は、リーダ／ライタ１０１から送信された無線信号を受信し（ｓ２０１３）、受信した無線信号を処理して（ｓ２０１４）、返信信号である無線信号を送信する（ｓ２０１５）。そして、リーダ／ライタ１０１は、表示装置１９０２から発信された無線信号を受信した後（ｓ２０１６）、通信を終了する（ｓ２０１７）。
【０１７７】
なお、図１８に示した構成では、電源生成部１９０４と信号処理部１９０５にアンテナ回路１０３を共有させて設けた場合を示したが、電源生成部１９０４と信号処理部１９０５にそれぞれアンテナ回路を設けた構成としてもよい。
【０１７８】
なお、図２１に示すように、放電制御回路１８０６と信号処理部１９０５及び表示部１０６の間にスイッチ回路２１０１を設け、バッテリー１８０５に充電させる過程とバッテリー１８０５から信号処理部１９０５及び表示部１０６へ電力を供給する過程とを制御してもよい。例えば、スイッチ回路２１０１を間欠的にオン・オフさせ、バッテリー１８０５から信号処理部１９０５及び表示部１０６へ電力を供給して、信号処理部１９０５及び表示部１０６を動作させる構成としてもよい。なお、スイッチ回路２１０１は、信号処理部１９０５から出力される信号によって制御される。
【０１７９】
以上のように、定電圧回路として、電磁波を用いて充電を行うことができるバッテリーを用いることによって、表示装置に安定した電力を供給することができる。また、一定の時間をかけて電磁波（無線信号）を受信してバッテリーの充電を行い、蓄電された電力をパルス的に放電することによって、バッテリーの充電に利用する電磁波（無線信号）が微弱な場合であっても、バッテリーから信号処理部及び表示部に大きい電力を供給することが可能となる。特に、外部に無作為に生じている微弱な電磁波（無線信号）をアンテナ回路で受信してバッテリーの充電を行う場合には、本実施形態に示した定電圧回路の構成は非常に有効となる。
【０１８０】
なお、バッテリー１８０５には、二次電池を用いてもよいし、電気二重層コンデンサを用いてもよい。
【０１８１】
なお、本実施の形態は、他の実施の形態で述べた内容（一部でもよい）を、具現化した場合の一例、少し変形した場合の一例、一部を変更した場合の一例、改良した場合の一例、詳細に述べた場合の一例、応用した場合の一例、関連がある部分についての一例などを示している。したがって、他の実施の形態で述べた内容は、本実施の形態への適用、組み合わせ、または置き換えを自由に行うことができる。
【０１８２】
なお、本実施の形態において、様々な図を用いて述べてきたが、各々の図で述べた内容（一部でもよい）は、別の図で述べた内容（一部でもよい）に対して、適用、組み合わせ、または置き換えなどを自由に行うことが出来る。さらに、これまでに述べた図において、各々の部分に関して、別の部分を組み合わせることにより、さらに多くの図を構成させることが出来る。
【０１８３】
同様に、本実施の形態の各々の図で述べた内容（一部でもよい）は、別の実施の形態の図で述べた内容（一部でもよい）対して、適用、組み合わせ、または置き換えなどを自由に行うことが出来る。さらに、本実施の形態の図において、各々の部分に関して、別の実施の形態の部分を組み合わせることにより、さらに多くの図を構成させることが出来る。
【実施例１】
【０１８４】
本実施例では、本発明に係る表示装置７５００の構成の一例に関して図２７〜図３０を用いて説明する。なお、本実施例では、図１３（Ａ）に示した模式図における線分Ｘ−Ｙの断面の模式図を示すものとする。
【０１８５】
本実施例で説明する表示装置は、アンテナ回路７１００、メモリ回路７２００、ロジック回路７３００、画素回路７４００を具備する。ロジック回路７３００は、表示装置に設けられる信号線駆動回路や走査線駆動回路、その他各種の集積回路に相当する。本実施例ではアンテナ回路７１００にｎチャネルトランジスタ、メモリ回路７２００にｎチャネルトランジスタ、ロジック回路７３００にｎチャネルトランジスタ及びｐチャネルトランジスタが電気的に接続されたＣＭＯＳトランジスタ、画素回路７４００にｎチャネルトランジスタを設ける構成を示す。なお、メモリ回路７２００はＲＯＭの場合を説明する。なお、メモリ回路７２００に設けられるトランジスタと接続するワード線は該トランジスタのゲート電極層と同じ層で形成され、ビット線、ＶＤＤ、ＶＳＳはトランジスタのソース電極又はドレイン電極として機能する導電層と同じ層で形成されるものとする。
【０１８６】
以下、具体的な作製方法について説明する。
【０１８７】
まず、基板７０００の一表面に下地絶縁層として機能する絶縁層７００２を形成し、当該絶縁層７００２を介して島状の半導体層７００４、半導体層７００６、半導体層７００８、半導体層７０１０、半導体層７０１２を形成する（図２７（Ａ）参照）。
【０１８８】
基板７０００は、絶縁表面を有する基板を用いることができる。例えば、ガラス基板、石英基板、金属基板（例えばセラミック基板またはステンレス基板など）、Ｓｉ基板等の半導体基板などから選択することができる。他にもポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルサルフィン（ＰＥＳ）、アクリルなどのプラスチック基板を選択することもできる。
【０１８９】
絶縁層７００２は、ＣＶＤ法やスパッタリング法等を用いて、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、酸化窒化シリコン（ＳｉＯｘＮｙ）（ｘ＞ｙ＞０）、窒化酸化シリコン（ＳｉＮｘＯｙ）（ｘ＞ｙ＞０）等の絶縁材料を用いて形成する。例えば、絶縁層７００２を２層構造とする場合、第１層目の絶縁層として窒化酸化シリコン層を形成し、第２層目の絶縁層として酸化窒化シリコン層を形成するとよい。また、第１層目の絶縁層として窒化シリコン層を形成し、第２層目の絶縁層として酸化シリコン層を形成してもよい。絶縁層７００２は基板７０００上に形成される素子に不純物元素が混入するのを防ぐブロッキング層として機能する。このように、ブロッキング層として機能する絶縁層７００２を形成することによって、基板７０００からＮａなどのアルカリ金属やアルカリ土類金属が、基板７０００上方に形成される素子に悪影響を与えることを防ぐことができる。なお、基板７０００として石英を用いるような場合には絶縁層７００２を省略してもよい。
【０１９０】
島状の半導体層７００４、７００６、７００８、７０１０、７０１２は、基板７０００上に絶縁層７００２を介して非晶質半導体層を形成し、当該非晶質半導体層を結晶化させた後に選択的にエッチングして形成することができる。
【０１９１】
例えば、非晶質半導体層を、スパッタリング法、ＬＰＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等により、２５ｎｍ〜２００ｎｍ（好ましくは３０ｎｍ〜１５０ｎｍ）の厚さで形成する。次に、非晶質半導体層にレーザビームを照射して結晶化を行う。なお、非晶質半導体層の結晶化は、レーザビームの照射によるレーザ結晶化の他、ＲＴＡ又はファーネスアニール炉を用いる熱結晶化法、結晶化を助長する金属元素を用いる熱結晶化法、又はレーザ結晶化や各種熱結晶化法を組み合わせた方法等により行うことができる。また、レーザビームの照射により結晶化する場合は、レーザビームを照射する前に脱水素化処理（例えば、窒素雰囲気下で熱処理５００℃１時間）を行ってもよい。
【０１９２】
次に、得られた結晶性半導体層を選択的にエッチングして、島状の半導体層７００４、半導体層７００６、半導体層７００８、半導体層７０１０、半導体層７０１２を形成する（図２７（Ａ）参照）。
【０１９３】
次に、半導体層７００４、７００６、７００８、７０１０、７０１２を覆うように第１の絶縁層７０３０を形成する（図２７（Ｂ）参照）。
【０１９４】
第１の絶縁層７０３０は、ＣＶＤ法やスパッタリング法、又はそれらの成膜方法にＡＬＤ法を組み合わせた方法を用いて、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコン（ＳｉＯｘＮｙ）（ｘ＞ｙ＞０）、窒化酸化シリコン（ＳｉＮｘＯｙ）（ｘ＞ｙ＞０）等の絶縁材料を用いて、単層構造又は積層構造で形成する。例えば、第１の絶縁層７０３０を単層で設ける場合には、ＣＶＤ法により酸化窒化シリコン層又は窒化酸化シリコン層を５ｎｍ〜５０ｎｍの膜厚で形成する。また、第１の絶縁層７０３０を３層構造で設ける場合には、第１層目の絶縁層として酸化窒化シリコン層を形成し、第２の絶縁層として窒化シリコン層を形成し、第３の絶縁層として酸化窒化シリコン層を形成する。なお、第１の絶縁層７０３０は、後に完成する薄膜トランジスタにおいて、ゲート絶縁層として機能する。
【０１９５】
また、第１の絶縁層７０３０は、半導体層７００４、７００６、７００８、７０１０、７０１２に熱処理又はプラズマ処理等を行うことによって形成することができる。例えば、電子密度が１×１０１１ｃｍ−３以上、且つ電子温度が１．５ｅＶ以下のプラズマ処理（以下、高密度プラズマ処理ともいう）により、半導体層７００４、７００６、７００８、７０１０、７０１２に酸化処理、窒化処理又は酸窒化処理を行うことによって、当該半導体層７００４、７００６、７００８、７０１０、７０１２上にそれぞれ酸化膜、窒化膜又は酸窒化膜となる第１の絶縁層７０３０を形成することができる。好ましくは、電子密度が１×１０１１ｃｍ−３以上１×１０１３ｃｍ−３以下で、プラズマの電子温度が０．５ｅＶ以上１．５ｅＶ以下のプラズマを利用するのが望ましい。高密度プラズマ処理時間は、特に限定されないが、６０秒以上が好ましい。また、高密度プラズマ処理に用いるガスは、例えば、Ｈｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅなどの希ガスと、酸素、酸化窒素（ＮＯ２）、アンモニア、窒素、水素などの混合ガスを用いることができる。なお、高密度プラズマ処理に希ガスを用いた場合は、形成される絶縁層に該希ガスが含まれる場合がある。
【０１９６】
ここで行う高密度プラズマ処理は、プラズマの電子密度が１×１０１１ｃｍ−３以上と高密度であり、被処理物である半導体層付近の電子温度が低いため、半導体層がプラズマにより損傷することを防止することができる。また、プラズマの電子密度が１×１０１１ｃｍ−３以上と高密度であるため、形成される絶縁層は、ＣＶＤ法やスパッタ法等により形成された絶縁層と比較して緻密で高耐圧な層を形成することができる。また、プラズマの電子温度が１．５ｅＶ以下と低いため、従来のプラズマ処理や熱酸化法と比較して低温度で、絶縁層を形成することができる。例えば、ガラス基板の歪点よりも１００℃以上低い、５００℃〜６００℃程度の温度でプラズマ酸化を行っても十分に酸化処理を行うことができる。
【０１９７】
また、第１の絶縁層７０３０は、ＣＶＤ法やスパッタ法により形成した絶縁層に高密度プラズマ処理を行って形成してもよい。
【０１９８】
例えば、半導体層７００４、７００６、７００８、７０１０、７０１２としてＳｉを主成分とする半導体層を用いて高密度プラズマ処理により酸化処理又は窒化処理を行った場合、第１の絶縁層７０３０として酸化シリコン（ＳｉＯｘ）層又は窒化シリコン（ＳｉＮｘ）層が形成される。また、高密度プラズマ処理により半導体層７００４、７００６、７００８、７０１０、７０１２に酸化処理を行った後に、再度高密度プラズマ処理を行うことによって窒化処理を行ってもよい。この場合、半導体層７００４、７００６、７００８、７０１０、７０１２に接して酸化シリコン層が形成され、当該酸化シリコン層の表面又は表面近傍に窒素濃度の高い窒素プラズマ処理層が設けられる。
【０１９９】
このような高密度プラズマ処理により、１ｎｍ〜２０ｎｍ、具体的には５ｎｍ〜１０ｎｍの絶縁層を半導体層上に形成することができる。この場合の反応は、固相反応であるため、当該絶縁層と半導体層との界面準位密度はきわめて低くすることができる。このような、高密度プラズマ処理は、半導体層（結晶性シリコン、或いは多結晶シリコン）を直接酸化（若しくは窒化）するため、形成される絶縁層の厚さは理想的には、ばらつきをきわめて小さくすることができる。加えて、結晶性シリコンの結晶粒界でも酸化が強くされることがないため、非常に好ましい状態となる。すなわち、ここで示す高密度プラズマ処理で半導体層の表面を固相酸化することにより、結晶粒界において異常に酸化反応をさせることなく、均一性が良く、界面準位密度が低い絶縁層を形成することができる。
【０２００】
なお、高密度プラズマ処理により半導体層７００４、７００６、７００８、７０１０、７０１２上に絶縁層を形成する場合、さらにプラズマや熱反応を利用したＣＶＤ法で酸化シリコン、酸窒化シリコン、窒化シリコンなどの絶縁層を堆積し、積層させて第１の絶縁層７０３０を形成しても良い。いずれにしても、高密度プラズマで形成した絶縁層をゲート絶縁層として機能する絶縁層の一部又は全部に含んで形成されるトランジスタは、特性のばらつきを小さくすることができる。
【０２０１】
次に、第１の絶縁層７０３０上に、第１の導電層７０３２と第２の導電層７０３４とを積層して形成する。ここでは、第１の導電層７０３２は、ＣＶＤ法やスパッタリング法等により、２０ｎｍ〜１００ｎｍの厚さで形成する。第２の導電層７０３４は、１００ｎｍ〜４００ｎｍの厚さで形成する。第１の導電層７０３２と第２の導電層７０３４は、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）、ニオブ（Ｎｂ）等から選択された元素、又はこれらの元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料で形成する。または、リン等の不純物元素をドーピングした多結晶シリコンに代表される半導体材料により形成する。第１の導電層７０３２と第２の導電層７０３４の組み合わせの例を挙げると、窒化タンタル膜とタングステン膜、窒化タングステン膜とタングステン膜、窒化モリブデン膜とモリブデン膜等が挙げられる。タングステンや窒化タンタルは、耐熱性が高いため、第１の導電層７０３２と第２の導電層７０３４を形成した後に、熱活性化を目的とした加熱処理を行うことができる。なお、ここでは導電層として第１の導電層及び第２の導電層の２層の積層構造とする例を示したが、本発明は特に限定されず、単層構造又は３層以上の積層構造としてもよい。３層構造の場合は、モリブデン層とアルミニウム層とモリブデン層の積層構造を採用するとよい。ここでは、第１の導電層７０３２として窒化タンタル層を形成し、第２の導電層７０３４としてタングステン層を形成する。
【０２０２】
次に、第１の導電層７０３２及び第２の導電層７０３４を選択的にエッチングして、当該第１の導電層７０３２及び第２の導電層７０３４を含む積層構造の一部を残存させ、ゲート電極７０３６、ゲート電極７０３８、ゲート電極７０４２、ゲート電極７０４４、ゲート電極７０４６を形成する（図２８（Ａ）参照）。
【０２０３】
次に、半導体層７００８上を覆うように選択的にレジストマスクを形成し、ゲート電極７０３６、７０３８、７０４４、７０４６をマスクとして、半導体層７００４、７００６、７０１０、７０１２に、イオン注入法によりｎ型を付与する不純物元素を低濃度に添加し、不純物領域７０４８、不純物領域７０５０、不純物領域７０５４、不純物領域７０５６を形成する。ｎ型を付与する不純物元素としては、リン（Ｐ）やヒ素（Ａｓ）等を用いることができる。ここでは、ｎ型を付与する不純物元素としてリン（Ｐ）を用い、当該リンが５×１０１７〜１×１０１９／ｃｍ３の濃度で含まれるよう、半導体層７００４、７００６、７０１０、７０１２に添加する。（図２８（Ａ）参照）。
【０２０４】
次に、半導体層７００４、７００６、７０１０、７０１２上を覆うように選択的にレジストマスクを形成し、ゲート電極７０４２をマスクとして、半導体層７００８にｐ型を付与する不純物元素を高濃度に添加し、ソース領域又はドレイン領域として機能する不純物領域７０５２を形成する。ｐ型を示す不純物元素としては、ボロン（Ｂ）やアルミニウム（Ａｌ）やガリウム（Ｇａ）等を用いることができる。ここでは、ｐ型を付与する不純物元素としてボロン（Ｂ）を用い、当該ボロンが１×１０１７〜１×１０１９／ｃｍ３の濃度で含まれるように、半導体層７００８に添加する。（図２８（Ａ）参照）。
【０２０５】
次に、第１の絶縁層７０３０とゲート電極７０３６、７０３８、７０４２、７０４４、７０４６を覆うように、絶縁層を形成する。絶縁層は、プラズマＣＶＤ法やスパッタリング法等により、シリコン、シリコンの酸化物又はシリコンの窒化物の無機材料を含む絶縁層や、有機樹脂などの有機材料を含む絶縁層を、単層構造又は積層構造で形成する。次に、絶縁層を、垂直方向を主体とした異方性エッチングにより選択的にエッチングして、ゲート電極７０３６、７０３８、７０４２、７０４４、７０４６の側面に接する絶縁層７０５８、絶縁層７０６０、絶縁層７０６２、絶縁層７０６４、絶縁層７０６６を形成する。絶縁層７０５８、７０６０、７０６２、７０６４、７０６６はサイドウォールともよばれる。また、ＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ  Ｄｏｐｅｄ  ｄｒａｉｎ）領域を形成する際のドーピング用のマスクとして機能する。
【０２０６】
次に、半導体層７００８上を覆うように選択的にレジストマスクを形成し、ゲート電極７０３６、７０３８、７０４４、７０４６および絶縁層７０５８、７０６０、７０６４、７０６６をマスクとして、半導体層７００４、７００６、７０１０、７０１２にｎ型を付与する不純物元素を高濃度に添加する。半導体層７００４には、ソース領域又はドレイン領域として機能する不純物領域７０６８と、ＬＤＤ領域領域を形成する低濃度不純物領域７０７０と、チャネル形成領域７０７２、が形成される。同様に、半導体層７００６、７０１０、７０１２には、それぞれソース領域又はドレイン領域として機能する不純物領域７０７４、７０８６、７０９２と、ＬＤＤ領域領域を形成する低濃度不純物領域７０７６、７０８８、７０９４と、チャネル形成領域７０７８、７０９０、７０９６が形成される。ここでは、ｎ型を付与する不純物元素としてリン（Ｐ）を用い、当該リンが１×１０２０〜５×１０２１／ｃｍ３の濃度で含まれるよう、半導体層７００４、７００６、７０１０、７０１２に添加する。（図２８（Ｂ）参照）。
【０２０７】
次に、半導体層７００４、７００６、７０１０、７０１２上を覆うように選択的にレジストマスクを形成し、ゲート電極７０４２および絶縁層７０６２をマスクとして、半導体層７００８にｐ型を付与する不純物元素を高濃度に添加する。半導体層７００８には、ソース領域又はドレイン領域として機能する不純物領域７０８０と、ＬＤＤ領域領域を形成する低濃度不純物領域７０８２と、チャネル形成領域７０８４が形成される。ここでは、ｐ型を付与する不純物元素としてボロン（Ｂ）を用い、当該ボロンが１×１０１９〜１×１０２１／ｃｍ３の濃度で含まれるように、半導体層７００４、７００６、７０１０、７０１２に添加する。（図２８（Ｂ）参照）。
【０２０８】
以上の工程により、アンテナ回路７１００にトランジスタ７１２０、メモリ回路７２００にトランジスタ７１３０、ロジック回路７３００にＣＭＯＳトランジスタ７１４０、画素回路７４００にトランジスタ７１５０を設けることができる。
【０２０９】
トランジスタ７１２０、トランジスタ７１３０、トランジスタ７１５０はｎチャネルトランジスタである。これらのトランジスタは、ゲート電極と重なる半導体層の領域にチャネル形成領域が形成され、ゲート電極及び当該ゲート電極の側面に形成された絶縁層（サイドウォール）と重ならない領域にソース領域又はドレイン領域を形成する不純物領域が形成され、絶縁層（サイドウォール）と重なる領域であってチャネル形成領域とソース領域又はドレイン領域を形成する不純物領域の間にＬＤＤ領域を形成する低濃度不純物領域が形成されている。また、ここではＣＭＯＳトランジスタ７１４０も、他のトランジスタ７１２０、７１３０、７１５０と同様の構成となっている。なお、本発明は特に限定されず、ＬＤＤ領域は形成されなくともよい。
【０２１０】
次に、第１の絶縁層７０３０、ゲート電極７０３６、７０３８、７０４２、７０４４、７０４６等を覆うように、絶縁層を単層構造または積層構造で形成する。絶縁層は、ＣＶＤ法、スパッタ法、ＳＯＧ法、液滴吐出法、スクリーン印刷法等により、シリコンの酸化物やシリコンの窒化物等の無機材料、ポリイミド、ポリアミド、ベンゾシクロブテン、アクリル、エポキシ等の有機材料やシロキサン材料等により形成する。ここでは、絶縁層７０９８、絶縁層７１０２の積層構造を形成する。
【０２１１】
なお、半導体層上に絶縁層を形成する前、又は本実施例のように半導体層上に絶縁層７０９８、７１０２の積層構造を形成する場合においては１層若しくは複数層形成した後に、半導体層の結晶性の回復や半導体層に添加された不純物元素の活性化、半導体層の水素化を目的とした加熱処理を行うとよい。加熱処理には、熱アニール、レーザーアニール法またはＲＴＡ法などを適用するとよい。
【０２１２】
次に、絶縁層７０９８、７１０２に開口部を形成し、当該開口部及び絶縁層７１０２上に導電層７１０４、導電層７１０６、導電層７１０８、導電層７１１０を形成する。導電層７１０４、７１０６、７１１０は、半導体層７００４、７００６、７０１２に形成された不純物領域７０６８、７０７４、７０９２とそれぞれ電気的に接続する。また、導電層７１０８は半導体層７００８、７０１０に形成された不純物領域７０５２、７０５４と電気的に接続し、且つ導電層７１０８により不純物領域７０５２、７０５４とを電気的に接続させる。導電層７１０４、７１０６、７１０８、７１１０は、トランジスタのソース電極又はドレイン電極として機能する。（図２９（Ａ）参照）。
【０２１３】
導電層７１０４、７１０６、７１０８、７１１０は、ＣＶＤ法やスパッタリング法等により、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、マンガン（Ｍｎ）、ネオジウム（Ｎｄ）、炭素（Ｃ）、シリコン（Ｓｉ）から選択された元素、又はこれらの元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料で、単層又は積層で形成する。アルミニウムを主成分とする合金材料とは、例えば、アルミニウムを主成分としニッケルを含む材料、又は、アルミニウムを主成分とし、ニッケルと、炭素とシリコンの一方又は両方とを含む合金材料に相当する。導電層７１０４、７１０６、７１０８、７１１０は、例えば、バリア膜とアルミニウムシリコン（Ａｌ−Ｓｉ）膜とバリア膜の積層構造、バリア膜とアルミニウムシリコン（Ａｌ−Ｓｉ）膜と窒化チタン（ＴｉＮ）膜とバリア膜の積層構造を採用するとよい。なお、バリア膜とは、チタン、チタンの窒化物、モリブデン、又はモリブデンの窒化物からなる薄膜に相当する。アルミニウムやアルミニウムシリコンは抵抗値が低く、安価であるため、導電層７１０４、７１０６、７１０８、７１１０を形成する材料として最適である。また、上層と下層のバリア層を設けると、アルミニウムやアルミニウムシリコンのヒロックの発生を防止することができる。また、還元性の高い元素であるチタンからなるバリア膜を形成すると、結晶性半導体層上に薄い自然酸化膜ができていたとしても、この自然酸化膜を還元し、結晶性半導体層と良好なコンタクトをとることができる。
【０２１４】
次に、導電層７１０４、７１０６、７１０８、７１１０を覆うように絶縁層７２０２を形成する。そして、絶縁層７２０２上に導電層７２０３、導電層７２０６を形成する。導電層７２０３は、アンテナ回路７１００に設けられたトランジスタ７１２０と、後に形成されるアンテナとを電気的に接続する接続端子として機能する。導電層７２０６は、画素回路７４００に設けられたトランジスタと、後に形成される発光素子の画素電極とを電気的に接続する接続端子として機能する。導電層７２０３、導電層７２０６は、上述したゲート電極、或いはソース電極又はドレイン電極を形成する導電層と同様の材料を用いて形成することができる。
【０２１５】
絶縁層７２０２は、ＣＶＤ法やスパッタ法、又はそれらの成膜方法とＡＬＤ法を組み合わせた方法等により、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、酸化窒化シリコン（ＳｉＯｘＮｙ）（ｘ＞ｙ）、窒化酸化シリコン（ＳｉＮｘＯｙ）（ｘ＞ｙ）等の酸素または窒素を有する絶縁層やＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）等の炭素を含む膜、エポキシ、ポリイミド、ポリアミド、ポリビニルフェノール、ベンゾシクロブテン、アクリル等の有機材料またはシロキサン樹脂等のシロキサン材料からなる単層または積層構造で設けることができる。なお、シロキサン材料とは、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を含む材料に相当する。シロキサンは、シリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成される。置換基として、少なくとも水素を含む有機基（例えばアルキル基、芳香族炭化水素）が用いられる。置換基として、フルオロ基を用いることもできる。または置換基として、少なくとも水素を含む有機基と、フルオロ基とを用いてもよい。
【０２１６】
次に、接続端子である導電層７２０３上にアンテナとして機能する導電層７２０８を形成する。導電層７２０８は、ＣＶＤ法、スパッタリング法、スクリーン印刷やグラビア印刷等の印刷法、液滴吐出法、ディスペンサ法、メッキ法等を用いて、導電性材料により形成する。導電性材料は、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）ニッケル（Ｎｉ）、パラジウム（Ｐｄ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）から選択された元素、又はこれらの元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料で、単層構造又は積層構造で形成する。
【０２１７】
例えば、スクリーン印刷法を用いて導電層７２０８を形成する場合には、粒径が数ｎｍから数十μｍの導電体粒子を有機樹脂に溶解または分散させた導電性のペーストを選択的に印刷することによって設けることができる。導電体粒子としては、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）およびチタン（Ｔｉ）等のいずれか一つ以上の金属粒子やハロゲン化銀の微粒子、または分散性ナノ粒子を用いることができる。また、導電性ペーストに含まれる有機樹脂は、金属粒子のバインダー、溶媒、分散剤および被覆材として機能する有機樹脂から選ばれた一つまたは複数を用いることができる。代表的には、エポキシ樹脂、シリコン樹脂等の有機樹脂が挙げられる。また、導電層の形成にあたり、導電性のペーストを押し出した後に焼成することが好ましい。例えば、導電性のペーストの材料として、銀を主成分とする微粒子（例えば粒径１ｎｍ以上１００ｎｍ以下）を用いる場合、１５０〜３００℃の温度範囲で焼成することにより硬化させて導電層を得ることができる。また、はんだや鉛フリーのはんだを主成分とする微粒子を用いてもよく、この場合は粒径２０μｍ以下の微粒子を用いることが好ましい。はんだや鉛フリーのはんだは、低コストであるといった利点を有している。なお、図３０（Ａ）に示す導電層７２０８は、上面から見るとコイル状になっているものとする。
【０２１８】
また、画素回路７４００に発光素子７２２０を形成する。発光素子７２２０は、接続端子である導電層７２０６を覆うように第１の電極７２０９を形成する。そして、第１の電極７２０９の端部を覆うように隔壁層７２１０を形成した後、少なくとも発光層を含む層７２１２と、第２の電極７２１４を積層して形成する。
【０２１９】
隔壁層７２１０は、無機絶縁材料や有機絶縁材料を用いて形成し、所望の形状に加工する。隔壁層７２１０は、少なくとも第１の電極７２０９の一部が露出するように開口を有するものとする。また、隔壁層７２１０の側面は、曲率半径が連続的に変化する形状とするのが好ましい。
【０２２０】
第１の電極７２０９及び第２の電極のいずれか一方は、一方は発光素子７２２０の陽極として機能し、他方は陰極として機能する。第１の電極７２０９及び第２の電極７２１４は、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、酸化シリコンを含むインジウム錫酸化物、２ｗｔ％乃至２０ｗｔ％の酸化亜鉛を含む酸化インジウムの他、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）等を用いて形成することができる。また、アルミニウムの他、マグネシウムと銀との合金、アルミニウムとリチウムとの合金等も用いることができる。なお、接続端子として形成した導電層７２０６と第１の電極７２０９を同一の材料を用いて形成することができる場合は、第１の電極７２０９の形成を省略し、導電層７２０６を第１の電極として機能させることができる。
【０２２１】
層７２１２は、少なくとも所望の発光波長を得ることができる発光材料を含む層を形成する。なお、層７２１２は、有機物、無機物、又は有機物及び無機物を含む層を形成し、発光素子７２２０として有機ＥＬ素子、無機ＥＬ素子、又は有機物又は無機物を含むＥＬ素子を形成する。
【０２２２】
また、絶縁層７２２２を設けず、アンテナ回路７１００に設けられたトランジスタ７１２０のソース電極又はドレイン電極として機能する導電層上にアンテナとして機能する導電層を設け、画素回路７４００に設けられたトランジスタ７１５０のソース電極又はドレン電極として機能する導電層の一部を画素電極として用いてもよい。
【０２２３】
次に、導電層７２０８及び発光素子７２２０を覆うように絶縁層７２２２を形成する（図３０（Ｂ）参照）。絶縁層７２２２は、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、酸化窒化シリコン（ＳｉＯｘＮｙ）（ｘ＞ｙ）、窒化酸化シリコン（ＳｉＮｘＯｙ）（ｘ＞ｙ）等の酸素または窒素を有する絶縁層やＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）等の炭素を含む層、エポキシ、ポリイミド、ポリアミド、ポリビニルフェノール、ベンゾシクロブテン、アクリル等の有機材料またはシロキサン樹脂等のシロキサン材料からなる層を、単層構造または積層構造で設けることができる。また絶縁層７２２２はその材料に応じて、ＣＶＤ法、スパッタ法、液滴吐出法、塗布法または印刷法でなどで形成することが出来る。
【０２２４】
次に、対向基板７２２４を貼り合わせて圧着する。対向基板７２２４は、基板７０００と同様の基板を用いることができる。また、対向基板７２２４として、静電気等を防止する帯電防止対策を施したフィルム（以下、帯電防止フィルムと記す）を用いることもできる。帯電防止フィルムとしては、帯電防止可能な材料を樹脂中に分散させたフィルム、及び帯電防止可能な材料が貼り付けられたフィルム等が挙げられる。帯電防止可能な材料が設けられたフィルムは、片面に帯電防止可能な材料を設けたフィルムであってもよいし、両面に帯電防止可能な材料を設けたフィルムであってもよい。なお、基板７０００及び対向基板７２２４は、発光素子７２２０からの光を取り出す側を透光性と有する基板とする。つまり、発光素子７２２０からの光を基板７０００側から取り出す場合には基板７０００を透光性を有する基板とし、発光素子７２２０からの光を対向基板７２２４側から取り出す場合には対向基板７２２４を透光性を有する基板とする。また、発光素子７２２０からの光を基板７０００及び対向基板７２２４の両側から取り出す場合には、両方の基板とも透光性を有する基板とする。
【０２２５】
なお、図２７〜図３０では、表示素子として発光素子を用いる例を示したが本発明は特に限定されない。例えば、液晶表示素子を用いることもできるし、電気泳動素子を用いることも可能である。図３１に液晶表示素子を用いた液晶表示装置の例を示し、図３２に電気泳動素子を用いて電子ペーパーの例を示す。なお、表示素子以外の構成は、図２７〜図３０で示したものと同様であるため、説明は割愛する。
【０２２６】
図３１では、発光素子７２２０の代わりに、液晶表示素子を用いていた液晶表示装置７３５０を示している。図３１では、アンテナ回路７１００、メモリ回路７２００、ロジック回路７３００上には絶縁層７２２２が形成され、画素回路７４００ではスペーサーが設けられる。スペーサーは、絶縁層７２２２と同じ材料を用いて同時に形成してもよい。
【０２２７】
次に、導電層７３５１上に配向膜７３５３を形成した後、液晶材料７３５４を表示部が設けられる画素回路７４００の領域に滴下し、対向電極７３５２が設けられた対向基板７３２４を貼り合わせて圧着する。対向基板７３２４は、透明導電層からなる対向電極７３５２と、ラビング処理が施された配向膜７３５５が形成されている。なお、これらに加えて、カラーフィルタ等が形成されていてもよい。また、偏光板を対向基板７３２４の対向電極７３５２が形成されている面の反対側の面に貼り合わせておく。導電層７３５１、対向電極７３５２は、発光素子７２２０の第１の電極７２０９及び第２の電極７２１４と同様の材料を用いて形成することができる。なお、反射型液晶表示装置とする場合は、導電層７３５１としては遮光性を有する導電材料を用いて反射電極を形成する。対向基板７３２４は、ガラス基板、石英基板またはプラスチック等の透光性を有する基板を用いることができる。
【０２２８】
図３２では、発光素子７２２０の代わりに、透明な液体と、正に帯電した白い微粒子と負に帯電した黒い微粒子とを封入した直径１０μｍ〜２００μｍ程度のマイクロカプセル７５５２を用いた電子ペーパー７５５０を示している。当該マイクロカプセル７５５２は、導電層７５５１と導電層７５５４によって、電場が与えられると、白い微粒子と、黒い微粒子が逆の方向に移動し、白または黒を表示することができる。この原理を応用した表示素子が電気泳動表示素子である。電気泳動表示素子は、液晶表示素子に比べて反射率が高いため、補助ライトは不要であり、また消費電力が小さく、薄暗い場所でも表示部を認識することが可能である。また、表示部に電源が供給されない場合であっても、一度表示した像を保持することが可能である。
【０２２９】
なお、図２７〜図３２では、アンテナとして機能する導電層７２０８を導電層７２０３と電気的に接続するように作り込んで形成した例を示したが、本発明は特に限定されない。例えば、別途アンテナとして機能する導電層が形成された基板を貼り合わせることによって設けてもよい。例えば、図３３（Ａ）に示すように、導電層７２０３上にバンプとして機能する導電層７６０２を設け、当該導電層７６０２とアンテナとして機能する導電層７６０４とが電気的に接続されるように貼り合わせる。なお、アンテナとして機能する導電層７６０４は、あらかじめ基板７６１０上に設けられている。アンテナとして機能する導電層７６０４は、前述の導電層７２０８と同様に形成すればよい。また、基板７６１０も、前述の対向基板７２２４と同様の基板を用いればよい。
【０２３０】
また、導電層７２０３とアンテナとして機能する導電層７６０４は、接着性を有する樹脂７６０８中に含まれた導電性粒子７６０６によって電気的に接続されている。なお、図３３（Ａ）は、メモリ回路７２００を省略している。
【０２３１】
他にも、図３３（Ｂ）に示すように、アンテナとして機能する導電層７６５４を対向基板７６７４に設けた後に、貼り合わせてもよい。この場合、対向基板７６７４にアンテナとして機能する導電層７６５４が設けられいる。また、図３３（Ａ）と同様に、導電層７２０３上にバンプとして機能する導電層７６５２を設け、当該導電層７６５２とアンテナとして機能する導電層７６５４とが電気的に接続されるように貼り合わせている。また、導電層７２０３とアンテナとして機能する導電層７６５４は、接着性を有する樹脂７６５８中に含まれた導電性粒子７６５６によって電気的に接続されている。
【０２３２】
また、薄膜トランジスタ等の素子を一旦ガラス基板、石英基板等の支持基板上に形成した後に、当該耐熱性を有する基板から剥離してプラスチック等の可撓性を有する基板上に転置してもよい。支持基板は、耐熱性を有する基板であることが好ましい。薄膜トランジスタ等の素子を転置する場合には、最初に薄膜トランジスタ等を形成する耐熱性を有する基板上に剥離層を設けておく。薄膜トランジスタ等の素子は剥離層上に形成する。剥離層としては、金属層、金属酸化物層、又は金属層及び金属酸化物層の積層構造等を用いることができる。例えば、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、亜鉛（Ｚｎ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）から選択された元素またはこれらの元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料からなる層や、これらの金属元素の酸化物層を単層構造又は積層構造で用いる。
【０２３３】
耐熱性を有する基板上に薄膜トランジスタ、表示素子等の所望の素子を形成した後、支持基板から素子を有する層を剥離する。例えば、レーザビーム（例えば、ＵＶ光）を照射することによって素子が形成された領域を避けた領域に開口部を形成した後、物理的な力を用いて支持基板から素子を有する層を剥離することができる。また、支持基板から素子を有する層を剥離する前に、形成した開口部にエッチング剤を導入して、剥離層を選択的に除去してもよい。エッチング剤は、フッ化ハロゲンまたはハロゲン間化合物を含む気体又は液体を使用することができる。例えば、フッ化ハロゲンを含む気体として三フッ化塩素（ＣｌＦ３）を使用する。そうすると、素子を有する層は、支持基板から剥離された状態となる。なお、剥離層は、全て除去せず一部分を残存させてもよい。こうすることによって、エッチング剤の消費量を抑え剥離層の除去に要する処理時間を短縮することが可能となる。また、剥離層の除去を行った後にも、支持基板上に素子を有する層を保持しておくことが可能となる。また、素子を有する層が剥離された支持基板を再利用することによって、コストを削減することができる。
【０２３４】
次に、支持基板が剥離された面に可撓性を有する基板を貼り合わせて設ける。このように剥離法を用いることで、可撓性を有する基板上に薄膜トランジスタ等の素子を設けることが可能となる。なお、可撓性を有する基板としては、静電気等を防止する帯電防止対策を施したフィルム（以下、帯電防止フィルムと記す）を用いることもできる。帯電防止フィルムとしては、帯電防止可能な材料を樹脂中に分散させたフィルム、及び帯電防止可能な材料が貼り付けられたフィルム等が挙げられる。帯電防止可能な材料が設けられたフィルムは、片面に帯電防止可能な材料を設けたフィルムであってもよいし、両面に帯電防止可能な材料を設けたフィルムであってもよい。帯電防止フィルムを用いることによって、商品として取り扱う際に、外部からの静電気等によって薄膜トランジスタ等の素子に悪影響が及ぶことを抑制することができる。
【０２３５】
以上により、無線信号電送を利用して所望の映像を表示させることができる表示装置を得ることができる。なお、本実施例は、本明細書で示す他の実施の形態又は他の実施例と適宜組み合わせることができる。
【実施例２】
【０２３６】
本実施例では、上記実施例とは異なるトランジスタの作製方法の一例について、図３４、図３５を用いて説明する。具体的には、単結晶基板上にＭＯＳトランジスタを形成する例について説明する。
【０２３７】
なお、本実施例では、無線信号を制御する回路や表示パネルを制御する駆動回路を構成するトランジスタ部を代表的に示す。ここでは、Ｐチャネルトランジスタ及びＮチャネルトランジスタの作製方法について説明する。
【０２３８】
まず、半導体基板２３００に素子を分離した領域２３０４、領域２３０６（以下、領域２３０４、２３０６とも記す）を形成する（図３４（Ａ）参照）。半導体基板２３００に設けられた領域２３０４、２３０６は、それぞれ絶縁層２３１２（フィールド酸化膜ともいう）によって分離されている。また、ここでは、半導体基板２３００としてｎ型の導電型を有する単結晶Ｓｉ基板を用い、半導体基板２３００の領域２３０６にｐウェル２３０７を設けた例を示している。
【０２３９】
また、基板２３００は、半導体基板であれば特に限定されず用いることができる。例えば、ｎ型又はｐ型の導電型を有する単結晶Ｓｉ基板、化合物半導体基板（ＧａＡｓ基板、ＩｎＰ基板、ＧａＮ基板、ＳｉＣ基板、サファイア基板、ＺｎＳｅ基板等）等を用いることができる。また、貼り合わせ法またはＳＩＭＯＸ（Ｓｅｐａｒａｔｉｏｎ  ｂｙ  Ｉｍｐｌａｎｔｅｄ  Ｏｘｙｇｅｎ）法を用いて作製されたＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板等を用いることもできる。
【０２４０】
素子分離領域２３０４、２３０６は、選択酸化法（ＬＯＣＯＳ（Ｌｏｃａｌ  Ｏｘｉｄａｔｉｏｎ  ｏｆ  Ｓｉｌｉｃｏｎ）法）又はトレンチ分離法等を適宜用いることができる。
【０２４１】
また、半導体基板２３００の領域２３０６に形成されたｐウェル２３０７は、半導体基板２３００にｐ型の導電型を有する不純物元素を選択的に導入することによって形成することができる。ｐ型を示す不純物元素としては、ボロン（Ｂ）やアルミニウム（Ａｌ）やガリウム（Ｇａ）等を用いることができる。
【０２４２】
なお、本実施例では、半導体基板２３００としてｎ型の導電型を有する半導体基板を用いているため、領域２３０４には不純物元素の導入を行っていないが、ｎ型を示す不純物元素を導入することにより領域２３０４にｎウェルを形成してもよい。ｎ型を示す不純物元素としては、リン（Ｐ）やヒ素（Ａｓ）等を用いることができる。一方、ｐ型の導電型を有する半導体基板を用いる場合には、領域２３０４にｎ型を示す不純物元素を導入してｎウェルを形成し、領域２３０６には不純物元素の導入を行わない構成としてもよい。
【０２４３】
次に、領域２３０４、２３０６を覆うように絶縁層２３３２、２３３４をそれぞれ形成する（図３４（Ｂ）参照）。
【０２４４】
絶縁層２３３２、２３３４は、例えば、熱処理を行い半導体基板２３００に設けられた領域２３０４、２３０６の表面を酸化させることにより酸化シリコン層で絶縁層２３３２、２３３４を形成することができる。また、熱酸化法により酸化シリコン層を形成した後に、窒化処理を行うことによって酸化シリコン層の表面を窒化させることにより、酸化シリコン層と酸素と窒素を有する膜（以下、酸窒化シリコン層ともいう）との積層構造で形成してもよい。
【０２４５】
他にも、上述したように、プラズマ処理を用いて絶縁層２３３２、２３３４を形成してもよい。例えば、半導体基板２３００に設けられた領域２３０４、２３０６の表面に高密度プラズマ処理により酸化処理又は窒化処理を行うことにより、絶縁層２３３２、２３３４として酸化シリコン（ＳｉＯｘ）膜又は窒化シリコン（ＳｉＮｘ）膜を形成することができる。また、高密度プラズマ処理により領域２３０４、２３０６の表面に酸化処理を行った後に、再度高密度プラズマ処理を行うことによって窒化処理を行ってもよい。この場合、領域２３０４、２３０６の表面に接して酸化シリコン層が形成され、当該酸化シリコン層上に酸窒化シリコン層が形成され、絶縁層２３３２、２３３４は酸化シリコン層と酸窒化シリコン層とが積層された膜となる。また、熱酸化法により領域２３０４、２３０６の表面に酸化シリコン層を形成した後に高密度プラズマ処理により酸化処理又は窒化処理を行ってもよい。
【０２４６】
また、半導体基板２３００の領域２３０４、２３０６に形成された絶縁層２３３２、２３３４は、後に完成するトランジスタにおいてゲート絶縁層として機能する。
【０２４７】
次に、領域２３０４、２３０６の上方に形成された絶縁層２３３２、２３３４を覆うように導電層を形成する（図３４（Ｃ）参照）。ここでは、導電層として、導電層２３３６と導電層２３３８を順に積層して形成した例を示している。もちろん、導電層は、単層又は３層以上の積層構造で形成してもよい。
【０２４８】
導電層２３３６、２３３８としては、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）、ニオブ（Ｎｂ）等から選択された元素、またはこれらの元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料で形成することができる。また、これらの元素を窒化した金属窒化膜で形成することもできる。他にも、リン等の不純物元素をドーピングした多結晶シリコンに代表される半導体材料により形成することもできる。
【０２４９】
ここでは、導電層２３３６として窒化タンタルを用いて形成し、その上に導電層２３３８としてタングステンを用いて積層構造で設ける。また、他にも、導電層２３３６として、窒化タングステン、窒化モリブデン又は窒化チタンから選ばれた単層又は積層膜を用い、導電層２３３８として、タンタル、モリブデン、チタンから選ばれた単層又は積層膜を用いることができる。
【０２５０】
次に、積層して設けられた導電層２３３６、２３３８を選択的にエッチングして除去することによって、領域２３０４、２３０６の上方の一部に導電層２３３６、２３３８を残存させ、それぞれゲート電極２３４０、２３４２を形成する（図３５（Ａ）参照）。
【０２５１】
次に、領域２３０４を覆うようにレジストマスク２３４８を選択的に形成し、当該レジストマスク２３４８、ゲート電極２３４２をマスクとして領域２３０６に不純物元素を導入することによって不純物領域を形成する（図３５（Ｂ）参照）。不純物元素としては、ｎ型を付与する不純物元素又はｐ型を付与する不純物元素を用いる。ｎ型を示す不純物元素としては、リン（Ｐ）やヒ素（Ａｓ）等を用いることができる。ｐ型を示す不純物元素としては、ボロン（Ｂ）やアルミニウム（Ａｌ）やガリウム（Ｇａ）等を用いることができる。ここでは、不純物元素として、リン（Ｐ）を用いる。
【０２５２】
図３５（Ｂ）においては、不純物元素を導入することによって、領域２３０６にソース領域又はドレイン領域を形成する不純物領域２３５２とチャネル形成領域２３５０が形成される。
【０２５３】
次に、領域２３０６を覆うようにレジストマスク２３６６を選択的に形成し、当該レジストマスク２３６６、ゲート電極２３４０をマスクとして領域２３０４に不純物元素を導入することによって不純物領域を形成する（図３５（Ｃ）参照）。不純物元素としては、ｎ型を付与する不純物元素又はｐ型を付与する不純物元素を用いる。ｎ型を示す不純物元素としては、リン（Ｐ）やヒ素（Ａｓ）等を用いることができる。ｐ型を示す不純物元素としては、ボロン（Ｂ）やアルミニウム（Ａｌ）やガリウム（Ｇａ）等を用いることができる。ここでは、図３５（Ｂ）で領域２３０６に導入した不純物元素と異なる導電型を有する不純物元素（例えば、ボロン（Ｂ））を導入する。その結果、領域２３０４にソース領域又はドレイン領域を形成する不純物領域２３７０とチャネル形成領域２３６８を形成される。
【０２５４】
次に、絶縁層２３３２、２３３４、ゲート電極２３４０、２３４２を覆うように絶縁層２３７２を形成し、当該絶縁層２３７２上に領域２３０４、２３０６にそれぞれ形成された不純物領域２３５２、２３７０と電気的に接続する導電層２３７４を形成する（図３５（Ｄ）参照）。
【０２５５】
絶縁層２３７２は、ＣＶＤ法やスパッタ法等により、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、酸化窒化シリコン（ＳｉＯｘＮｙ）（ｘ＞ｙ）、窒化酸化シリコン（ＳｉＮｘＯｙ）（ｘ＞ｙ）等の酸素または窒素を有する絶縁層やＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）等の炭素を含む膜、エポキシ、ポリイミド、ポリアミド、ポリビニルフェノール、ベンゾシクロブテン、アクリル等の有機材料またはシロキサン樹脂等のシロキサン材料からなる単層または積層構造で設けることができる。なお、シロキサン材料とは、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を含む材料に相当する。シロキサンは、シリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成される。置換基として、少なくとも水素を含む有機基（例えばアルキル基、芳香族炭化水素）が用いられる。置換基として、フルオロ基を用いることもできる。または置換基として、少なくとも水素を含む有機基と、フルオロ基とを用いてもよい。
【０２５６】
導電層２３７４は、ＣＶＤ法やスパッタリング法等により、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、マンガン（Ｍｎ）、ネオジウム（Ｎｄ）、炭素（Ｃ）、シリコン（Ｓｉ）から選択された元素、又はこれらの元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料で、単層又は積層で形成する。アルミニウムを主成分とする合金材料とは、例えば、アルミニウムを主成分としニッケルを含む材料、又は、アルミニウムを主成分とし、ニッケルと、炭素とシリコンの一方又は両方とを含む合金材料に相当する。導電層２３７４は、例えば、バリア膜とアルミニウムシリコン（Ａｌ−Ｓｉ）膜とバリア膜の積層構造、バリア膜とアルミニウムシリコン（Ａｌ−Ｓｉ）膜と窒化チタン（ＴｉＮ）膜とバリア膜の積層構造を採用するとよい。なお、バリア膜とは、チタン、チタンの窒化物、モリブデン、又はモリブデンの窒化物からなる薄膜に相当する。アルミニウムやアルミニウムシリコンは抵抗値が低く、安価であるため、導電層２３７４を形成する材料として最適である。また、上層と下層のバリア層を設けると、アルミニウムやアルミニウムシリコンのヒロックの発生を防止することができる。また、還元性の高い元素であるチタンからなるバリア膜を形成すると、結晶性半導体層上に薄い自然酸化膜ができていたとしても、この自然酸化膜を還元し、結晶性半導体層と良好なコンタクトをとることができる。
【０２５７】
以上により、無線信号電送を利用して所望の映像を表示させることができる表示装置の回路の一部を構成するトランジスタを得ることができる。なお、本実施例は、本明細書で示す他の実施の形態又は他の実施例と適宜組み合わせることができる。
【０２５８】
また、本発明に係る表示装置を構成するトランジスタの構造は図示した構造に限定されるものではないことを付記する。例えば、逆スタガ構造、フィンＦＥＴ構造等の構造のトランジスタの構造を取り得る。フィンＦＥＴ構造であることでトランジスタサイズの微細化に伴う短チャネル効果を抑制することができるため好適である。
【実施例３】
【０２５９】
本実施例では、上記実施例とは異なるトランジスタの作製方法について、図３６〜図３９を用いて説明する。具体的には、上記実施例２と異なる作製方法でＭＯＳトランジスタを形成する例について説明する。
【０２６０】
まず、基板２６００上に絶縁層を形成する。ここでは、ｎ型の導電型を有する単結晶Ｓｉ基板を基板２６００として用い、当該基板２６００上に絶縁層２６０２と絶縁層２６０４を形成する（図３６（Ａ）参照）。例えば、基板２６００に熱処理を行うことにより絶縁層２６０２として酸化シリコン（ＳｉＯｘ）を形成し、当該絶縁層２６０２上にＣＶＤ法を用いて窒化シリコン（ＳｉＮｘ）を形成する。
【０２６１】
また、基板２６００は、半導体基板であれば特に限定されず用いることができる。例えば、ｎ型又はｐ型の導電型を有する単結晶Ｓｉ基板、化合物半導体基板（ＧａＡｓ基板、ＩｎＰ基板、ＧａＮ基板、ＳｉＣ基板、サファイア基板、ＺｎＳｅ基板等）、貼り合わせ法またはＳＩＭＯＸ（Ｓｅｐａｒａｔｉｏｎ  ｂｙ  ＩＭｐｌａｎｔｅｄ  ＯＸｙｇｅｎ）法を用いて作製されたＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板等を用いることができる。
【０２６２】
また、絶縁層２６０４は、絶縁層２６０２を形成した後に上述した高密度プラズマ処理により当該絶縁層２６０２を窒化することにより設けてもよい。なお、基板２６００上に設ける絶縁層は単層又は３層以上の積層構造で設けてもよい。
【０２６３】
次に、絶縁層２６０４上に選択的にレジストマスク２６０６のパターンを形成し、当該レジストマスク２６０６をマスクとして選択的にエッチングを行うことによって、基板２６００に選択的に凹部２６０８を形成する（図３６（Ｂ）参照）。基板２６００、絶縁層２６０２、２６０４のエッチングとしては、プラズマを利用したドライエッチングにより行うことができる。
【０２６４】
次に、レジストマスク２６０６のパターンを除去した後、基板２６００に形成された凹部２６０８を充填するように絶縁層２６１０を形成する（図３６（Ｃ）参照）。
【０２６５】
絶縁層２６１０は、ＣＶＤ法やスパッタリング法等を用いて、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコン（ＳｉＯｘＮｙ）（ｘ＞ｙ＞０）、窒化酸化シリコン（ＳｉＮｘＯｙ）（ｘ＞ｙ＞０）等の絶縁材料を用いて形成する。ここでは、絶縁層２６１０として、常圧ＣＶＤ法または減圧ＣＶＤ法によりＴＥＯＳ（テトラエチルオルソシリケート）ガスを用いて酸化シリコン層を形成する。
【０２６６】
次に、研削処理、研磨処理又はＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）処理を行うことによって、基板２６００の表面を露出させる。ここでは、基板２６００の表面を露出させることにより、基板２６００の凹部２６０８に形成された絶縁層２６１１間に領域２６１２、領域２６１３が設けられる。なお、絶縁層２６１１は、基板２６００の表面に形成された絶縁層２６１０が研削処理、研磨処理又はＣＭＰ処理により除去されることにより得られたものである。続いて、ｐ型の導電型を有する不純物元素を選択的に導入することによって、基板２６００の領域２６１３、２６１４にｐウェル２６１５を形成する（図３７（Ａ）参照）。
【０２６７】
ｐ型を示す不純物元素としては、ボロン（Ｂ）やアルミニウム（Ａｌ）やガリウム（Ｇａ）等を用いることができる。ここでは、不純物元素として、ボロン（Ｂ）を領域２６１３、２６１４に導入する。
【０２６８】
なお、本実施例では、基板２６００としてｎ型の導電型を有する半導体基板を用いているため、領域２６１２には不純物元素の導入を行っていないが、ｎ型を示す不純物元素を導入することにより領域２６１２にｎウェルを形成してもよい。ｎ型を示す不純物元素としては、リン（Ｐ）やヒ素（Ａｓ）等を用いることができる。
【０２６９】
一方、ｐ型の導電型を有する半導体基板を用いる場合には、領域２６１２にｎ型を示す不純物元素を導入してｎウェルを形成し、領域２６１３には不純物元素の導入を行わない構成としてもよい。
【０２７０】
次に、基板２６００の領域２６１２、２６１３の表面上に絶縁層２６３２、絶縁層２６３４をそれぞれ形成する（図３７（Ｂ）参照）。
【０２７１】
絶縁層２６３２、２６３４は、例えば、熱処理を行い基板２６００に設けられた領域２６１２、２６１３の表面を酸化させることにより酸化シリコン層で形成することができる。また、絶縁層２６３２、２６３４は、熱酸化法により酸化シリコン層を形成した後に、窒化処理を行うことによって酸化シリコン層の表面を窒化させることにより、酸窒化シリコン層との積層構造で形成してもよい。
【０２７２】
他にも、上述したように、プラズマ処理を用いて絶縁層２６３２、２６３４を形成してもよい。例えば、基板２６００に設けられた領域２６１２、２６１３の表面に、上述した高密度プラズマ処理により酸化処理又は窒化処理を行うことにより、絶縁層２６３２、２６３４として酸化シリコン（ＳｉＯｘ）膜又は窒化シリコン（ＳｉＮｘ）膜で形成することができる。また、高密度プラズマ処理により領域２６１２、２６１３の表面に酸化処理を行った後に、再度高密度プラズマ処理を行うことによって窒化処理を行ってもよい。この場合、領域２６１２、２６１３の表面に接して酸化シリコン層が形成され、当該酸化シリコン層上に（酸窒化シリコン層）が形成され、絶縁層２６３２、２６３４は酸化シリコン層と酸窒化シリコン層とが積層された膜となる。また、熱酸化法により領域２６１２、２６１３の表面に酸化シリコン層を形成した後に高密度プラズマ処理により酸化処理又は窒化処理を行ってもよい。
【０２７３】
なお、基板２６００の領域２６１２、２６１３に形成された絶縁層２６３２、２６３４は、後に完成するトランジスタにおいてゲート絶縁層として機能する。
【０２７４】
次に、基板２６００に設けられた領域２６１２、２６１３の上方に形成された絶縁層２６３２、２６３４を覆うように導電層を形成する（図３７（Ｃ）参照）。ここでは、導電層として、導電層２６３６と導電層２６３８を順に積層して形成した例を示している。もちろん、導電層は、単層又は３層以上の積層構造で形成してもよい。
【０２７５】
導電層２６３６、２６３８としては、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）、ニオブ（Ｎｂ）等から選択された元素またはこれらの元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料で形成することができる。また、これらの元素を窒化した金属窒化膜で形成することもできる。他にも、リン等の不純物元素をドーピングした多結晶シリコンに代表される半導体材料により形成することもできる。
【０２７６】
ここでは、導電層２６３６として窒化タンタルを用いて形成し、その上に導電層２６３８としてタングステンを用いて積層構造で設ける。また、他にも、導電層２６３６として、窒化タンタル、窒化タングステン、窒化モリブデン又は窒化チタンから選ばれた単層又は積層膜を用い、導電層２６３８として、タングステン、タンタル、モリブデン、チタンから選ばれた単層又は積層膜を用いることができる。
【０２７７】
次に、積層して設けられた導電層２６３６、２６３８を選択的にエッチングして除去することによって、基板２６００の領域２６１２、２６１３の上方の一部に導電層２６３６、２６３８を残存させ、それぞれゲート電極として機能する導電層２６４０、導電層２６４２を形成する（図３８（Ａ）参照）。また、ここでは、基板２６００において、導電層２６４０、２６４２と重ならない領域２６１２、２６１３の表面が露出するようにする。
【０２７８】
具体的には、基板２６００の領域２６１２において、導電層２６４０の下方に形成された絶縁層２６３２のうち当該導電層２６４０と重ならない部分を選択的に除去し、導電層２６４０と絶縁層２６３２の端部が概略一致するように形成する。また、基板２６００の領域２６１３において、導電層２６４２の下方に形成された絶縁層２６３４のうち当該導電層２６４２と重ならない部分を選択的に除去し、導電層２６４２と絶縁層２６３４の端部が概略一致するように形成する。
【０２７９】
この場合、導電層２６４０、２６４２の形成と同時に重ならない部分の絶縁層等を除去してもよいし、導電層２６４０、２６４２を形成後残存したレジストマスク又は当該導電層２６４０、２６４２をマスクとして重ならない部分の絶縁層等を除去してもよい。
【０２８０】
次に、基板２６００の領域２６１２、２６１３に不純物元素を選択的に導入し、不純物領域２６４８、不純物領域２６５０を形成する（図３８（Ｂ）参照）。ここでは、領域２６１３に導電層２６４２をマスクとしてｎ型を付与する低濃度の不純物元素を選択的に導入して不純物領域２６５０を形成し、領域２６１２に導電層２６４０をマスクとしてｐ型を付与する低濃度の不純物元素を選択的に導入して不純物領域２６４８を形成する。ｎ型を付与する不純物元素としては、リン（Ｐ）やヒ素（Ａｓ）等を用いることができる。ｐ型を付与する不純物元素としては、ボロン（Ｂ）やアルミニウム（Ａｌ）やガリウム（Ｇａ）等を用いることができる。ここで形成される不純物領域２６４８、２６５０の一部は、後に形成されるＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ  Ｄｏｐｅｄ  ｄｒａｉｎ）領域を構成する。
【０２８１】
次に、導電層２６４０、２６４２の側面に接する絶縁層２６５４を形成する。絶縁層２６５４は、サイドウォールともいわれる。絶縁層２６５４は、プラズマＣＶＤ法やスパッタリング法等により、シリコン、シリコンの酸化物又はシリコンの窒化物の無機材料を含む膜や、有機樹脂などの有機材料を含む膜を、単層又は積層して形成する。そして、当該絶縁層を、垂直方向を主体とした異方性エッチングにより選択的にエッチングして、導電層２６４０、２６４２の側面に接するように形成することができる。なお、絶縁層２６５４は、ＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ  Ｄｏｐｅｄ  ｄｒａｉｎ）領域を形成する際のドーピング用のマスクとして用いる。また、ここでは、絶縁層２６５４は、導電層２６４０、２６４２の下方に形成された絶縁層の側面にも接するように形成されている。
【０２８２】
続いて、当該絶縁層２６５４、導電層２６４０、２６４２をマスクとして基板２６００の領域２６１２、２６１３に不純物元素を導入することによって、ソース領域又はドレイン領域として機能する不純物領域を形成する（図３８（Ｃ）参照）。ここでは、基板２６００の領域２６１３に絶縁層２６５４と導電層２６４２をマスクとして高濃度のｎ型を付与する不純物元素を導入し、領域２６１２に絶縁層２６５４と導電層２６４０をマスクとして高濃度のｐ型を付与する不純物元素を導入する。
【０２８３】
その結果、基板２６００の領域２６１２には、ソース領域又はドレイン領域を形成する不純物領域２６５８と、ＬＤＤ領域を形成する低濃度不純物領域２６６０と、チャネル形成領域２６５６が形成される。また、基板２６００の領域２６１３には、ソース領域又はドレイン領域を形成する不純物領域２６６４と、ＬＤＤ領域を形成する低濃度不純物領域２６６６と、チャネル形成領域２６６２が形成される。
【０２８４】
なお、本実施例では、導電層２６４０、２６４２と重ならない基板２６００の領域２６１２、２６１３を露出させた状態で不純物元素の導入を行っている。従って、基板２６００の領域２６１２、２６１３にそれぞれ形成されるチャネル形成領域２６５６、チャネル形成領域２６６２は導電層２６４０、２６４２と自己整合的に形成することができる。
【０２８５】
次に、基板２６００の領域２６１２、２６１３上に設けられた絶縁層や導電層等を覆うように絶縁層２６７７を形成し、当該絶縁層２６７７に開口部２６７８を形成する（図３９（Ａ）参照）。
【０２８６】
絶縁層２６７７は、ＣＶＤ法やスパッタ法等により、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、酸化窒化シリコン（ＳｉＯｘＮｙ）（ｘ＞ｙ）、窒化酸化シリコン（ＳｉＮｘＯｙ）（ｘ＞ｙ）等の酸素または窒素を有する絶縁層やＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）等の炭素を含む膜、エポキシ、ポリイミド、ポリアミド、ポリビニルフェノール、ベンゾシクロブテン、アクリル等の有機材料またはシロキサン樹脂等のシロキサン材料からなる単層または積層構造で設けることができる。なお、シロキサン材料とは、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を含む材料に相当する。シロキサンは、シリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成される。置換基として、少なくとも水素を含む有機基（例えばアルキル基、芳香族炭化水素）が用いられる。置換基として、フルオロ基を用いることもできる。または置換基として、少なくとも水素を含む有機基と、フルオロ基とを用いてもよい。
【０２８７】
次に、ＣＶＤ法を用いて開口部２６７８に導電層２６８０を形成し、当該導電層２６８０と電気的に接続するように絶縁層２６７７上に導電層２６８２ａ、導電層２６８２ｂ、導電層２６８２ｃ、導電層２６８２ｄを選択的に形成する（図３９（Ｂ）参照）。
【０２８８】
導電層２６８０、２６８２ａ〜２６８２ｄは、ＣＶＤ法やスパッタリング法等により、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、マンガン（Ｍｎ）、ネオジウム（Ｎｄ）、炭素（Ｃ）、シリコン（Ｓｉ）から選択された元素、又はこれらの元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料で、単層又は積層で形成する。アルミニウムを主成分とする合金材料とは、例えば、アルミニウムを主成分としニッケルを含む材料、又は、アルミニウムを主成分とし、ニッケルと、炭素とシリコンの一方又は両方とを含む合金材料に相当する。導電層２６８０、２６８２ａ〜２６８２ｄは、例えば、バリア膜とアルミニウムシリコン（Ａｌ−Ｓｉ）膜とバリア膜の積層構造、バリア膜とアルミニウムシリコン（Ａｌ−Ｓｉ）膜と窒化チタン（ＴｉＮ）膜とバリア膜の積層構造を採用するとよい。なお、バリア膜とは、チタン、チタンの窒化物、モリブデン、又はモリブデンの窒化物からなる薄膜に相当する。アルミニウムやアルミニウムシリコンは抵抗値が低く、安価であるため、導電層を形成する材料として最適である。また、上層と下層のバリア層を設けると、アルミニウムやアルミニウムシリコンのヒロックの発生を防止することができる。また、還元性の高い元素であるチタンからなるバリア膜を形成すると、結晶性半導体層上に薄い自然酸化膜ができていたとしても、この自然酸化膜を還元し、結晶性半導体層と良好なコンタクトをとることができる。ここでは、導電層２６８０はＣＶＤ法によりタングステン（Ｗ）を選択成長することにより形成することができる。
【０２８９】
以上により、無線信号電送を利用して所望の映像を表示させることができる表示装置の回路の一部を構成するトランジスタを得ることができる。なお、本実施例は、本明細書で示す他の実施の形態又は他の実施例と適宜組み合わせることができる。
【０２９０】
なお本発明の半導体装置を構成するトランジスタの構造は図示した構造に限定されるものではないことを付記する。例えば、逆スタガ構造、フィンＦＥＴ構造等の構造のトランジスタの構造を取り得る。フィンＦＥＴ構造であることでトランジスタサイズの微細化に伴う短チャネル効果を抑制することができるため好適である。
【実施例４】
【０２９１】
本実施例では、メモリ回路がフラッシュメモリの場合の一例について、図を用いて説明する。ここでは、メモリ回路に設けられるメモリトランジスタを説明する。
【０２９２】
本実施例で示すメモリトランジスタは、ＭＯＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｆｉｅｌｄ  ｅｆｆｅｃｔ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）と類似の構造を有し、電荷を長期間蓄積することのできる領域がチャネル形成領域上に設けられている。この電荷蓄積領域は絶縁層上に形成され、周囲と絶縁分離されていることから浮遊ゲート電極とも呼ばれる。浮遊ゲート電極上には、絶縁層を介して制御ゲート電極を備えている。
【０２９３】
上記のような構造を有するメモリトランジスタは、制御ゲート電極に印加する電圧により、浮遊ゲート電極に電荷を蓄積させ、また放出させる動作が行われる。すなわち浮遊ゲート電極に保持させる電荷の出し入れにより、データを記憶する仕組みになっている。浮遊ゲート電極への電荷の注入や引き抜きは、チャネル形成領域が形成される半導体膜と、制御ゲート電極の間に高電圧を印加する。このときチャネル形成領域上の絶縁層には、ファウラー−ノルドハイム（Ｆｏｗｌｅｒ−Ｎｏｒｄｈｅｉｍ）型（Ｆ−Ｎ型）トンネル電流（ＮＡＮＤ型）や、熱電子（ＮＯＲ型）が流れると言われている。チャネル形成領域上に設けられる絶縁層は、トンネル絶縁層とも呼ばれている。
【０２９４】
まず、図４０（Ａ）に示すように、基板５００上に下地膜となる絶縁層５０７を形成する。絶縁層５０７上に、上記実施例１と同様の結晶化方法を用いて、島状の半導体層５１０を形成する。
【０２９５】
図４０（Ｂ）に示すように、半導体層５１０上に第１の絶縁層５１１を形成する。第１の絶縁層５１１は、ＣＶＤ法やスパッタ法、又はそれらの成膜方法にＡＬＤ法を組み合わせた方法等を用いて、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコン（ＳｉＯｘＮｙ）（ｘ＞ｙ＞０）、窒化酸化シリコン（ＳｉＮｘＯｙ）（ｘ＞ｙ＞０）等の絶縁材料を用いて、単層構造又は積層構造で形成する。
【０２９６】
次に、第１の絶縁層５１１に対して高密度プラズマ処理を行い、第２の絶縁層５１２を形成する。第２の絶縁層５１２上に電荷蓄積層５１３を形成する。第２の絶縁層５１２はトンネル絶縁層として機能し、電荷蓄積層５１３は浮遊ゲート電極として機能する。
【０２９７】
なお、第１の絶縁層５１１に高密度プラズマ処理をせず、そのままトンネル絶縁層として機能させてもよい。または、第１の絶縁層５１１を、半導体層５１０を高密度プラズマ処理することで形成してもよい。高密度プラズマ処理は、上記実施例１と同様の処理を行えばよい。
【０２９８】
第１の絶縁層５１１に対して高密度プラズマ処理することにより形成された第２の絶縁層５１２は、メモリトランジスタのトンネル絶縁層として機能する。従って、第２の絶縁層５１２が薄いほどトンネル電流が流れやすくなる。また、第２の絶縁層５１２が薄いほど、後に形成される浮遊ゲート電極に低電圧で電荷を蓄積させることが可能となる。
【０２９９】
一般的に、半導体層上に絶縁層を薄く形成する方法として熱酸化法があるが、基板５００に、ガラス基板のような歪み点が７００℃未満の基板を用いる場合には、半導体層を熱酸化して、トンネル絶縁層を形成することは非常に困難である。また、ＣＶＤ法やスパッタ法により形成した絶縁層は、膜の内部に欠陥を含んでいるため耐圧が十分でない。さらに、ＣＶＤ法やスパッタ法により膜厚の薄い絶縁層を形成した場合には絶縁耐圧が低く、かつピンホール等の欠陥が生じやすい問題がある。したがって、ＣＶＤ法やスパッタ法により形成した第１の絶縁層５１１をそのままトンネル絶縁層として用いると、不良が生じる場合がある。
【０３００】
そこで、本実施例で示すように、第１の絶縁層５１１を高密度プラズマ処理して第２の絶縁層５１２を形成することで、ＣＶＤ法やスパッタ法等により形成した絶縁層よりも緻密で高耐圧な絶縁層を形成することができる。また、第１の絶縁層５１１形成時に半導体層５１０の端部を十分に被覆できなかった場合でも、高密度プラズマ処理することで、半導体層を十分に被覆する第２の絶縁層５１２を形成することができる。
【０３０１】
本実施例のメモリトランジスタは、トンネル絶縁層を介して電子を注入することによって情報を記憶する。このとき、トンネル絶縁層に電子トラップの要因となる水素が存在すると、書き込みおよび消去を繰り返すうちに電圧が変動してしまい、メモリが劣化する原因となる。したがって、電子トラップの要因となるトンネル絶縁層中の水素含有量は少ない方が好ましい。第１の絶縁層５１１を高密度プラズマ処理して第２の絶縁層５１２を形成することで、ＣＶＤ法やスパッタ法等により形成した絶縁層より膜中の水素含有量を低減することができる。
【０３０２】
以上のように、チャネル形成領域が形成される半導体層上に、高密度プラズマ処理を利用してトンネル絶縁層を形成することで、高速動作可能なメモリトランジスタを形成することができる。
【０３０３】
電荷蓄積層５１３は、単層構造または２層以上の積層構造で形成することができる。例えば、電荷蓄積層５１３を構成する層は、シリコン（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）などの半導体材料、シリコンを主成分とする化合物、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）等から選ばれた金属、これら金属を主成分とする合金、およびこれら金属を主成分とする金属化合物（金属窒化物、金属酸化物等）から選ばれた材料を用いて形成することができる。
【０３０４】
例えば、シリコンを主成分とする化合物として、窒化シリコン、窒化酸化シリコン、炭化シリコン、およびシリサイド（タングステンシリサイド、チタンシリサイド、ニッケルシリサイド）などがある。半導体材料として、ｎ型またはｐ型のシリコン、およびゲルマニウムを１０原子％未満の濃度で含むシリコンゲルマニウムなどがある。金属の化合物として、窒化タンタル、酸化タンタル、窒化タングステン、窒化チタン、酸化チタンおよび酸化スズなどがある。また、シリコンを用いる場合は、リンやボロンなどの導電性を付与する不純物を添加してもよい。
【０３０５】
図４０（Ｄ）に示すように、電荷蓄積層５１３上に第３の絶縁層５１４を形成する。第３の絶縁層５１４は、酸化シリコン、酸化窒化シリコン等のシリコンを主成分とする絶縁材料、または、酸化アルミニウム（ＡｌｘＯｙ）、酸化タンタル（ＴａｘＯｙ）、酸化ハフニウム（ＨｆＯｘ）等の金属酸化物で形成する。これらの膜は、ＣＶＤ法やスパッタ法、又はそれらの成膜方法とＡＬＤ法を組み合わせた方法等を用いて形成する。
【０３０６】
第１の絶縁層５１１の高密度プラズマ処理と同様に、第３の絶縁層５１４に対して高密度プラズマ処理を行う。図４１（Ａ）に示すように、第３の絶縁層５１４に対して高密度プラズマ処理を行うことにより第４の絶縁層５１５を形成する。次に、第４の絶縁層５１５上に導電層５１６、導電層５１７を順に積層する。なお、第３の絶縁層５１４に高密度プラズマ処理をせず、そのまま用いてもよい。
【０３０７】
導電層５１６、５１７は、ゲート電極（制御ゲート電極）を構成する導電層である。２層の導電層でゲート電極を形成する例を示したが、単層でも３層以上でもよい。制御ゲート電極を構成する導電層は、ｎ型またはｐ型のシリコン、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）、ニオブ（Ｎｂ）等の金属、これらの金属を主成分とする合金、およびこれら金属を主成分とする金属化合物（金属窒化物、金属酸化物等）から選択された材料で形成することができる。
【０３０８】
導電層５１６、５１７を選択的にエッチングし、図４１（Ｂ）に示すように、半導体層５１０上にゲート電極５２０を形成する。さらに、ゲート電極５２０をマスクにして、第４の絶縁層５１５および電荷蓄積層５１３をエッチングする。その結果、ゲート電極５２０、第４の絶縁層５１５、電荷蓄積層５１３の側面が概略一致するように形成される。電荷蓄積層５１３は浮遊ゲート電極として機能し、第４の絶縁層５１５はコントロール絶縁層として機能し、ゲート電極５２０は制御ゲート電極として機能する。
【０３０９】
次に、ゲート電極５２０をマスクとして、ｎ型またはｐ型を付与する低濃度の不純物元素を添加し、一対の低濃度不純物領域を形成する。ｎ型を付与する不純物元素にはリン（Ｐ）やヒ素（Ａｓ）等を用い、ｐ型を示す不純物元素にはボロン（Ｂ）等を用いることができる。ここで形成される低濃度不純物領域の一部は、ＬＤＤ領域を形成する。
【０３１０】
次に、ゲート電極５２０、第４の絶縁層５１５および電荷蓄積層５１３の側面に接する絶縁層５１８を形成する。絶縁層５１８は、サイドウォールともいわれる。絶縁層５１８は、第２の絶縁層５１２とゲート電極５２０とを覆うように絶縁層を形成した後に、垂直方向を主体とした異方性エッチングにより選択的にエッチングして形成することができる。絶縁層５１８は、ＣＶＤ法やスパッタ法により、酸化シリコン、酸化窒化シリコン等の材料を用いた単層構造又は積層構造で形成することができる。なお、絶縁層５１８は、ＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ  Ｄｏｐｅｄ  ｄｒａｉｎ）領域を形成する際のドーピング用のマスクとして用いる。
【０３１１】
次に、ゲート電極５２０及び絶縁層５１８をマスクとして、ｎ型またはｐ型を付与する高濃度の不純物元素を添加して、ソース領域又はドレイン領域として機能する不純物領域５２２を形成する。ｎ型を付与する不純物元素にはリン（Ｐ）やヒ素（Ａｓ）等を用い、ｐ型を示す不純物元素にはボロン（Ｂ）等を用いることができる。以上で、半導体層５１０に、ソース領域又はドレイン領域を形成する不純物領域５２２と、ＬＤＤ領域を形成する低濃度不純物領域５２１と、チャネル形成領域５２３が形成されるなお、チャネル形成領域５２３は、絶縁層等を介してゲート電極５２０と略重なる位置に形成される。ＬＤＤ領域として機能する低濃度不純物領域５２１は、第２の絶縁層５１２を介して絶縁層５１８と略重なる位置に形成される。なお、ｎ型またはｐ型を付与する不純物元素を添加した後、この不純物元素を活性化する熱処理を行うことが好ましい（図４１（Ｃ）参照）
【０３１２】
図４１（Ｄ）に示すように、ゲート電極５２０等を覆うように第５の絶縁層５２４を形成する。第５の絶縁層５２４および第２の絶縁層５１２に、不純物領域５２２に達する開口を形成する。第５の絶縁層５２４上に、不純物領域５２２に電気的に接続される導電層５２５を形成する。
【０３１３】
以上の工程で、半導体素子であるメモリトランジスタを作製することができる。なお、本実施例で示したメモリトランジスタの構造は一例であり、他の構造のメモリトランジスタを用いることも可能である。また、本実施例は、本明細書で示す他の実施の形態又は他の実施例と適宜組み合わせることができる。
【実施例５】
【０３１４】
本発明に係る表示装置及び表示システムは、様々な電子機器に適用することができる。具体的には、表示部を有する電子機器に適用することができる。そのような電子機器として、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ、ナビゲーションシステム、音響再生装置（カーオーディオ、オーディオコンポ等）、コンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機又は電子書籍等）、記録媒体を備えた画像再生装置（具体的にはＤｉｇｉｔａｌ  Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ  Ｄｉｓｃ（ＤＶＤ）等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうる表示装置を備えた装置）などが挙げられる。
【０３１５】
図２５（Ａ）はディスプレイであり、筐体２６００１、支持台２６００２、表示部２６００３、スピーカー部２６００４、ビデオ入力端子２６００５等を含む。本発明の表示装置は、表示部２６００３や筐体２６００１等に組み込むことができる。なお、ディスプレイは、パーソナルコンピュータ用、広告表示用などの全ての情報表示用表示装置が含まれる。本発明の表示装置を組み込むことで、無線信号の伝送により、予め記録させた映像信号に基づく映像を表示させることができるため、低消費電力化並びに処理時間の短縮化を図ることができる。
【０３１６】
図２５（Ｂ）はカメラであり、本体２６１０１、表示部２６１０２、受像部２６１０３、操作キー２６１０４、外部接続ポート２６１０５、シャッター２６１０６等を含む。本発明の表示装置は、表示部２６１０２や本体２６１０１等に組み込むことができる。本発明の表示装置を組み込むことで、無線信号の伝送により、予め記録させた映像信号に基づく映像（ここでは撮影データを含む）を表示させることができるため、低消費電力化並びに処理時間の短縮化を図ることができる。
【０３１７】
図２５（Ｃ）はコンピュータであり、本体２６２０１、筐体２６２０２、表示部２６２０３、キーボード２６２０４、外部接続ポート２６２０５、ポインティングマウス２６２０６等を含む。本発明の表示装置は、表示部２６２０３や本体２６２０１等に組み込むことができる。本発明の表示装置を組み込むことで、無線信号の伝送により、予め記録させた映像信号に基づく映像を表示させることができるため、低消費電力化並びに処理時間の短縮化を図ることができる。
【０３１８】
図２５（Ｄ）はモバイルコンピュータであり、本体２６３０１、表示部２６３０２、スイッチ２６３０３、操作キー２６３０４、赤外線ポート２６３０５等を含む。本発明の表示装置は、表示部２６３０２や本体２６３０１等に組み込むことができる。本発明の表示装置を組み込むことで、無線信号の伝送により、予め記録させた映像信号に基づく映像を表示させることができるため、低消費電力化並びに処理時間の短縮化を図ることができる。
【０３１９】
図２５（Ｅ）は記録媒体を備えた携帯型の画像再生装置（具体的にはＤＶＤ再生装置）であり、本体２６４０１、筐体２６４０２、表示部Ａ２６４０３、表示部Ｂ２６４０４、記録媒体（ＤＶＤ等）読み込み部２６４０５、操作キー２６４０６、スピーカー部２６４０７等を含む。表示部Ａ２６４０３は主として画像情報を表示し、表示部Ｂ２６４０４は主として文字情報を表示することができる。本発明の表示装置は、表示部Ａ２６４０３、表示部Ｂ２６４０４、本体２６４０１等に組み込むことができる。本発明の表示装置を組み込むことで、無線信号の伝送により、予め記録させた映像信号に基づく映像を表示させることができるため、低消費電力化並びに処理時間の短縮化を図ることができる。
【０３２０】
図２５（Ｆ）はゴーグル型ディスプレイであり、本体２６５０１、表示部２６５０２、アーム部２６５０３を含む。本発明の表示装置は、本体２６５０１、表示部２６５０２等に組み込むことができる。本発明の表示装置を組み込むことで、無線信号の伝送により、予め記録させた映像信号に基づく映像を表示させることができるため、低消費電力化並びに処理時間の短縮化を図ることができる。
【０３２１】
図２５（Ｇ）はビデオカメラであり、本体２６６０１、表示部２６６０２、筐体２６６０３、外部接続ポート２６６０４、リモコン受信部２６６０５、受像部２６６０６、バッテリー２６６０７、音声入力部２６６０８、操作キー２６６０９等を含む。本発明の表示装置は、本体２６６０１、表示部２６６０２、バッテリー２６６０７等に適用することができる。本発明の表示装置を適用することで、無線信号の伝送により、予め記録させた映像信号に基づく映像を表示させることができるため、低消費電力化並びに処理時間の短縮化を図ることができる。
【０３２２】
図２５（Ｈ）は携帯電話機であり、本体２６７０１、筐体２６７０２、表示部２６７０３、音声入力部２６７０４、音声出力部２６７０５、操作キー２６７０６、外部接続ポート２６７０７、アンテナ２６７０８等を含む。本発明の表示装置は、本体２６７０１、表示部２６７０３等に組み込むことができる。本発明の表示装置を組み込むことで、無線信号の伝送により、予め格納させた所望の画像データを表示させることができるため、低消費電力化並びに処理時間の短縮化を図ることができる。
【０３２３】
このように本発明は、あらゆる電子機器に適用することが可能である。
【０３２４】
また図２６（Ａ）に、ワイヤレスでディスプレイのみを持ち運び可能なテレビ受像器を示す。筐体２７０１、表示部２７０２、操作キー２７０５、スピーカー部２７０３等で構成されるディスプレイ２７１０には本発明の表示装置が組み込まれている。外部装置２７０４には本発明に係る無線通信装置が組み込まれている。外部装置２７０４に組み込まれた無線通信装置と、ディスプレイ２７１０に組み込まれた表示装置と、は、本発明に係る表示システムを構成している。具体的には、外部装置２７０４に設けられたアンテナ２７０６Ｂと、ディスプレイ２７１０に設けられたアンテナ２７０６Ａとの間で無線信号が送受信される。ディスプレイ２７１０に設けられたアンテナ２７０６Ａで受信した無線信号により、予めディスプレイ２７１０に記録された映像信号に基づく映像を、を表示部２７０２に表示させることが可能である。また、ディスプレイ２７１０に無線信号により充電を行うことができるバッテリーを搭載する場合は、アンテナ２７０６Ａ及びアンテナ２７０６Ｂで送受信される無線信号により、バッテリーを充電することが可能である。
【０３２５】
なお、本実施例は、本明細書で示す他の実施の形態又は他の実施例と適宜組み合わせることができる。
【図面の簡単な説明】
【０３２６】
【図１】本発明の表示システムの構成の一例を示す図。
【図２】本発明の表示装置の構成の一例を示す図。
【図３】本発明の表示装置の構成の一例を示す図。
【図４】本発明の表示装置の構成の一例を示す図。
【図５】本発明の表示装置の構成の一例を示す図。
【図６】本発明の表示装置の構成の一例を示す図。
【図７】本発明の表示装置の構成の一例を示す図。
【図８】本発明の表示装置の構成の一例を示す図。
【図９】本発明の表示装置の構成の一例を示す図。
【図１０】本発明のリーダ／ライタの構成の一例を示す図。
【図１１】本発明の表示装置の構成の一例を示す図。
【図１２】本発明の表示装置の構成の一例を示す図。
【図１３】本発明の表示装置の構成の一例を示す図。
【図１４】本発明の表示システムの構成の一例を示す図。
【図１５】本発明の表示装置の構成の一例を示す図。
【図１６】本発明の表示装置の構成の一例を示す図。
【図１７】本発明の表示装置の構成の一例を示す図。
【図１８】本発明の表示システムの構成の一例を示す図。
【図１９】本発明の表示装置の構成の一例を示す図。
【図２０】本発明の表示装置の動作の一例を示す図。
【図２１】本発明の表示装置の動作の一例を示す図。
【図２２】本発明の表示装置の動作の一例を示す図。
【図２３】本発明の表示装置の動作の一例を示す図。
【図２４】本発明のリーダ／ライタの構成の一例を示す図。
【図２５】本発明の表示装置を適用した電子機器の例を示す図。
【図２６】本発明の表示システムを適用した電子機器の例を示す図。
【図２７】本発明の表示装置の作製方法の例を示す図。
【図２８】本発明の表示装置の作製方法の例を示す図。
【図２９】本発明の表示装置の作製方法の例を示す図。
【図３０】本発明の表示装置の作製方法の例を示す図。
【図３１】本発明の表示装置の例を示す図。
【図３２】本発明の表示装置の例を示す図。
【図３３】本発明の表示装置の例を示す図。
【図３４】本発明の表示装置の作製方法の例を示す図。
【図３５】本発明の表示装置の作製方法の例を示す図。
【図３６】本発明の表示装置の作製方法の例を示す図。
【図３７】本発明の表示装置の作製方法の例を示す図。
【図３８】本発明の表示装置の作製方法の例を示す図。
【図３９】本発明の表示装置の作製方法の例を示す図。
【図４０】本発明の表示装置の作製方法の例を示す図。
【図４１】本発明の表示装置の作製方法の例を示す図。
【符号の説明】
【０３２７】
１０１    リーダ／ライタ
１０２    表示装置
１０３    アンテナ回路
１０４    電源生成部
１０５    信号処理部
１０６    表示部
１０８    信号処理部
２０１    整流回路
２０２    保持容量
２０３    定電圧回路
３０１    復調回路
３０２    アンプ
３０３    論理回路
３０４    メモリコントローラ
３０５    ディスプレイコントローラ
３０６    メモリ回路
４０１    画素回路
４０２    信号線駆動回路
４０３    走査線駆動回路
５００    基板
５０１    第１のアンプ
５０２    第１の論理回路
５０３    第２の論理回路
５０４    第２のアンプ
５０５    変調回路
５０７    絶縁層
５１０    半導体層
５１１    第１の絶縁層
５１２    第２の絶縁層
５１３    電荷蓄積層
５１４    第３の絶縁層
５１５    第４の絶縁層
５１６    導電層
５１７    導電層
５１８    絶縁層
５２０    ゲート電極
５２１    低濃度不純物領域
５２２    不純物領域
５２３    チャネル形成領域
５２４    第６の絶縁層
５２５    導電層
６０１    リーダ／ライタ
６０２    表示装置
６０５    信号処理部
７０１    第１のメモリ回路
７０２    第２のメモリ回路
７０３    第３のメモリ回路
８０１    第１のアンテナ回路
８０１    電源生成部
８０２    第２のアンテナ回路
２４０１    受信部
９０２    送信部
９０３    制御部
９０４    インターフェイス部
９０５    アンテナ回路
９０６    上位装置
９０７    アンテナ
９０８    共振容量
１００１    第１のメモリ回路
１００２    第２のメモリ回路
１００３    第３のメモリ回路
１１０１    基準クロック発生回路
１１０２    可変分周回路
１１０３    水平クロック発生回路
１１０４    垂直クロック発生回路
１２０１    メモリＲ／Ｗ回路
１２０２    基準発振回路
１２０３    可変分周回路
１３０１    第１のアンテナ回路
１３０２    第２のアンテナ回路
１４０１    信号線
１４０２    走査線
１４０３    電源線
１４０４    トランジスタ
１４０５    トランジスタ
１４０６    容量素子
１４０７    表示素子
１５０１    アンテナ
１５０２    共振容量
１６０１    符号検出回路
１６０２    符号化回路
１７０１    基板
１７０２    スパイラルアンテナ
１７０３    ダイポールアンテナ
１８０１    整流回路
１８０２    定電圧回路
１８０３    充電制御回路
１８０４    充放電管理回路
１８０５    バッテリー
１８０６    放電制御回路
１９０２    表示装置
１９０４    電源生成部
１９０５    信号処理部
２１０１    スイッチ回路
２２０１    記憶素子
２２０２    ワード線
２２０３    ビット線
２２０４    スイッチ
２３００    基板
２３０１    トランジスタ
２３０２    高電位側電源線
２３０３    低電位側電源線
２３０４    領域
２３０６    領域
２３０７    ｐウェル
２３１２    絶縁層
２３３２    絶縁層
２３３６    導電層
２３３８    導電層
２３４０    ゲート電極
２３４２    ゲート電極
２３４８    レジストマスク
２３５０    チャネル形成領域
２３５２    不純物領域
２３６６    レジストマスク
２３６８    チャネル形成領域
２３７０    不純物領域
２３７２    絶縁層
２３７４    導電層
２４０１    受信部
２４０２    アンテナ回路
２４０３    アンテナ
２４０４    共振容量
２６００    基板
２７０１    筐体
２６０２    絶縁層
２７０３    スピーカー部
２６０４    絶縁層
２７０５    操作キー
２６０６    レジストマスク
２７０２    表示部
２６０８    凹部
２７０４    外部装置
２６１０    絶縁層
２７１０    ディスプレイ
２６１１    絶縁層
２６１２    領域
２６１３    領域
２６１５    ｐウェル
２６３２    絶縁層
２６３４    絶縁層
２６３６    導電層
２６３８    導電層
２６４０    導電層
２６４２    導電層
２６４８    不純物領域
２６５０    不純物領域
２６５４    絶縁層
２６５６    チャネル形成領域
２６５８    不純物領域
２６６０    低濃度不純物領域
２６６２    チャネル形成領域
２６６４    不純物領域
２６６６    低濃度不純物領域
２６７７    絶縁層
２６７８    開口部
２６８０    導電層
７０００    基板
７００２    絶縁層
７００４    半導体層
７００６    半導体層
７００８    半導体層
７０１０    半導体層
７０１２    半導体層
７０１２    絶縁層
７０３０    絶縁層
７０３２    導電層
７０３４    導電層
７０３６    ゲート電極
７０３８    ゲート電極
７０４２    ゲート電極
７０４４    ゲート電極
７０４６    ゲート電極
７０４８    不純物領域
７０５０    不純物領域
７０５２    不純物領域
７０５４    不純物領域
７０５６    不純物領域
７０５８    絶縁層
７０６０    絶縁層
７０６２    絶縁層
７０６４    絶縁層
７０６６    絶縁層
７０６８    不純物領域
７０７０    低濃度不純物領域
７０７２    チャネル形成領域
７０７４    不純物領域
７０７６    低濃度不純物領域
７０７８    チャネル形成領域
７０８０    不純物領域
７０８２    低濃度不純物領域
７０８４    チャネル形成領域
７１００    アンテナ回路
７１０４    導電層
７１０６    導電層
７１０８    導電層
７１１０    導電層
７１２０    トランジスタ
７１３０    トランジスタ
７１４０    ＣＭＯＳトランジスタ
７１５０    トランジスタ
７２００    メモリ回路
７２０２    絶縁層
７２０３    導電層
７２０６    導電層
７２０８    導電層
７２０９    第１の電極
７２１０    隔壁層
７２１２    層
７２１４    第２の電極
７２２０    発光素子
７２２２    絶縁層
７２２４    対向基板
７３００    ロジック回路
７３２４    対向基板
７３５０    液晶表示装置
７３５１    導電層
７３５２    対向電極
７３５３    配向膜
７３５４    液晶材料
７３５５    配向膜
７４００    画素回路
７５００    表示装置
７５５０    電子ペーパー
７５５１    導電層
７５５２    マイクロカプセル
７５５４    導電層
７６０２    導電層
７６０４    導電層
７６０６    導電性粒子
７６０８    樹脂
７６１０    基板
７６５２    導電層
７６５２    層
７６５４    導電層
７６５６    導電性粒子
７６５８    樹脂
７６７４    対向基板
１２０４ａ    メモリＩＤカウンタ
１２０４ｂ    ｘカウンタ
１２０４ｃ    ｙカウンタ
１２０４ｃ    ｙデコーダ
１２０５ａ    メモリＩＤデコーダ
１２０５ｂ    ｘデコーダ
１２０５ｃ    ｙデコーダ
２６００１    筐体
２６００２    支持台
２６００３    表示部
２６００４    スピーカー部
２６００５    ビデオ入力端子
２７０６Ａ    アンテナ
２７０６Ｂ    アンテナ
２６１０１    本体
２６１０２    表示部
２６１０３    受像部
２６１０４    操作キー
２６１０５    外部接続ポート
２６１０６    シャッター
２６２０１    本体
２６２０２    筐体
２６２０２    表示部
２６２０３    表示部
２６２０３    筐体
２６２０４    キーボード
２６２０４    外部接続ポート
２６２０５    外部接続ポート
２６２０５    リモコン受信部
２６２０６    ポインティングマウス
２６２０６    受像部
２６２０７    バッテリー
２６２０８    音声入力部
２６２０９    操作キー
２６３０１    本体
２６３０２    表示部
２６３０３    スイッチ
２６３０４    操作キー
２６３０５    赤外線ポート
２６４０１    本体
２６４０２    筐体
２６４０３    表示部Ａ
２６４０４    表示部Ｂ
２６４０５    部
２６４０６    操作キー
２６４０７    スピーカー部
２６５０１    本体
２６５０２    表示部
２６５０３    アーム部
２６７０１    本体
２６７０２    筐体
２６７０３    表示部
２６７０４    音声入力部
２６７０５    音声出力部
２６７０６    操作キー
２６７０７    外部接続ポート
２６７０８    アンテナ
２６８２ａ    導電層
２６８２ｂ    導電層
２６８２ｃ    導電層
２６８２ｄ    導電層
【図１】
2008164794.tif 000003
【図２】
2008164794.tif 000004
【図３】
2008164794.tif 000005
【図４】
2008164794.tif 000006
【図５】
2008164794.tif 000007
【図６】
2008164794.tif 000008
【図７】
2008164794.tif 000009
【図８】
2008164794.tif 000010
【図９】
2008164794.tif 000011
【図１０】
2008164794.tif 000012
【図１１】
2008164794.tif 000013
【図１２】
2008164794.tif 000014
【図１３】
2008164794.tif 000015
【図１４】
2008164794.tif 000016
【図１５】
2008164794.tif 000017
【図１６】
2008164794.tif 000018
【図１７】
2008164794.tif 000019
【図１８】
2008164794.tif 000020
【図１９】
2008164794.tif 000021
【図２０】
2008164794.tif 000022
【図２１】
2008164794.tif 000023
【図２２】
2008164794.tif 000024
【図２３】
2008164794.tif 000025
【図２４】
2008164794.tif 000026
【図２５】
2008164794.tif 000027
【図２６】
2008164794.tif 000028
【図２７】
2008164794.tif 000029
【図２８】
2008164794.tif 000030
【図２９】
2008164794.tif 000031
【図３０】
2008164794.tif 000032
【図３１】
2008164794.tif 000033
【図３２】
2008164794.tif 000034
【図３３】
2008164794.tif 000035
【図３４】
2008164794.tif 000036
【図３５】
2008164794.tif 000037
【図３６】
2008164794.tif 000038
【図３７】
2008164794.tif 000039
【図３８】
2008164794.tif 000040
【図３９】
2008164794.tif 000041
【図４０】
2008164794.tif 000042
【図４１】
2008164794.tif 000043