(57)【要約】【課題】半導体チップをコンデンサに近付けて実装することが可能で、かつ低コストで製造可能な薄膜コンデンサ搭載配線基板及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】金属層Ａと金属層Ｃの間に誘電体層Ｂを少なくとも備える薄膜コンデンサが、前記金属層Ａが外表面となるように接着層を介して配線基板上に積層され、前記薄膜コンデンサおよび前記配線基板の最外層が、接続端子となる箇所を除いてソルダーレジスト層で覆われた薄膜コンデンサ搭載基板であって、前記薄膜コンデンサが、前記金属層Ａおよび前記誘電体層Ｂに前記金属層Ｃを露出させる開口部Ｘを有し、前記ソルダーレジスト層が、前記開口部Ｘの内側面を覆い、前記金属層Ｃの露出面を接続端子となす開口部Ｙを有することを特徴とする、薄膜コンデンサ搭載基板とその製造方法を提供する。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属層Ａと金属層Ｃの間に誘電体層Ｂを少なくとも備える薄膜コンデンサが、前記金属層Ａが外表面となるように接着層を介して配線基板上に積層され、前記薄膜コンデンサおよび前記配線基板の最外層が、接続端子となる箇所を除いてソルダーレジスト層で覆われた薄膜コンデンサ搭載基板であって、前記薄膜コンデンサが、前記金属層Ａおよび前記誘電体層Ｂに前記金属層Ｃを露出させる開口部Ｘを有し、前記ソルダーレジスト層が、前記開口部Ｘの内側面を覆い、前記金属層Ｃの露出面を接続端子となす開口部Ｙを有することを特徴とする、薄膜コンデンサ搭載基板。
【請求項２】
前記ソルダーレジスト層が、前記金属層Ａを露出させる開口部Ｚを有することを特徴とする、請求項１に記載の薄膜コンデンサ搭載基板。
【請求項３】
前記金属層Ａおよび金属層Ｃが前記配線基板の導体パターンから電気的に独立したものであることを特徴とする、請求項１または２に記載の薄膜コンデンサ搭載基板。
【請求項４】
前記配線基板の前記薄膜コンデンサ搭載箇所表面が絶縁層であり、前記接着層が該絶縁層よりも低い弾性率を有する絶縁性樹脂材料からなるものであることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の薄膜コンデンサ搭載基板。
【請求項５】
前記配線基板の前記薄膜コンデンサ搭載箇所表面が金属層であり、前記接着層が導電性樹脂材料からなるものであることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の薄膜コンデンサ搭載基板。
【請求項６】
前記金属層Ａおよび／または前記金属層Ｃの、前記誘電体層Ｂと接する面に、Ｃｒ、Ｎｉ、ＡｕおよびＡｇならびにこれらの合金からなる群から選択される１種類以上の金属を含む金属薄膜層を有し、かつ少なくとも該金属薄膜層を有する金属層がＣｕ又はその合金であることを特徴とする、請求項１〜５のいずれかに記載の薄膜コンデンサ搭載基板。
【請求項７】
前記誘電体層Ｂの片面または両面に、構成元素としてＴｉを含むアモルファス金属酸化物薄膜層、または構成元素としてＢａおよび／またはＳｒとＴｉとを含むアモルファス複合金属酸化物薄膜層、を有することを特徴とする、請求項１〜６のいずれかに記載の薄膜コンデンサ搭載基板。
【請求項８】
前記金属層ＡおよびＣの厚みが１０〜１００μｍであることを特徴とする、請求項１〜７のいずれかに記載の薄膜コンデンサ搭載基板。
【請求項９】
前記誘電体層Ｂの厚みが０．０５〜２μｍであることを特徴とする、請求項１〜８のいずれかに記載の薄膜コンデンサ搭載基板。
【請求項１０】
前記接着層の厚みが５〜２０μｍであることを特徴とする、請求項１〜９のいずれかに記載の薄膜コンデンサ搭載基板。
【請求項１１】
配線基板を作製する工程、
金属層Ａと金属層Ｃの間に誘電体層Ｂを少なくとも備える薄膜コンデンサを作製する工程、
前記薄膜コンデンサを、前記金属層Ａが外表面となるように接着層を介して前記配線基板上に積層する工程、
前記金属層Ａおよび前記誘電体層Ｂの所定箇所を順に除去して、前記金属層Ｃを露出させる開口部Ｘを形成する工程、および
前記薄膜コンデンサおよび前記配線基板の最外層を、接続端子となる箇所を除いてソルダーレジストで覆う工程、
を有し、前記ソルダーレジストで覆う際、前記開口部Ｘの内側面を覆って、前記金属層Ｃの露出面を接続端子となす開口部Ｙを形成することを特徴とする、薄膜コンデンサ搭載基板の製造方法。
【請求項１２】
前記金属層Ａをエッチングすることにより導体パターンを含む電極を形成する工程をさらに有し、かつ該電極形成時のエッチングにより前記金属層Ａの前記開口部Ｘとなる所定箇所の除去を行うことを特徴とする、請求項１１に記載の薄膜コンデンサ搭載基板の製造方法。
【請求項１３】
前記ソルダーレジストで覆う工程の前に前記最外層をブラスト処理する工程をさらに有し、かつ該処理により前記誘電体層Ｂの前記開口部Ｘとなる所定箇所の除去を同時に行うことを特徴とする、請求項１１または１２に記載の薄膜コンデンサ搭載基板の製造方法。
【請求項１４】
請求項１〜１０のいずれかに記載の薄膜コンデンサ搭載基板の所定位置に半導体チップを搭載してなり、少なくとも、前記薄膜コンデンサ搭載基板の開口部Ｙにおける接続端子と前記半導体チップの電極が電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜コンデンサが搭載された配線基板、および該基板の製造方法と該基板を用いてなる半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子装置のノイズ対策として、デカップリングコンデンサやバイパスコンデンサが用いられている。従来は、基板の表面・裏面にコンデンサチップ部品を実装していたが、半導体動作の高速化・装置の小型化に伴って、新しいノイズ低減手法が求められている。そのために、基板に小型のノイズ低減部品をコンパクトに実装する必要性が出てきた。また、ノイズの発生源でもり、その影響を受ける部品でもある半導体チップに近付けて実装することが求められている。
【０００３】
このようにコンデンサ部品を半導体チップに近付けて実装する手法として、基板にコンデンサを内蔵化する技術が公知となっている（例えば、特許文献１、特許文献２、特許文献３、特許文献４）。これらはコンデンサ部品を内蔵または搭載した基板であり、半導体チップに近い部分にコンデンサを配置して、ノイズ低減効果と小型化の両立を図っている。
【０００４】
しかし、特許文献１では、絶縁保護層を基板表面に形成し、かつ誘電体薄膜も電子サイクロトロン共鳴化学気相成長法で形成するため経済性に劣るという問題がある。特許文献２では、誘電体薄膜をＣＶＤ法等により全面に形成するため経済性に劣るという問題がある。特許文献３では、薄膜コンデンサの作製工程が煩雑なため経済性に劣るという問題がある。特許文献４では、誘電体薄膜をスパッタ法等により全面に形成するため経済性に劣るという問題がある。
【特許文献１】特開平５−１９１０５３号公報
【特許文献２】特開平８−１４８７９５号公報
【特許文献３】特開２００１−２２３３０１号公報
【特許文献４】特開２００３−１５８３７８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記を鑑みて、本発明は、半導体チップをコンデンサに近付けて実装することが可能で、かつ低コストで製造可能な薄膜コンデンサ搭載配線基板、および該基板の製造方法と半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、以下（１）〜（１４）に記載の事項をその特徴とするものである。
【０００７】
（１）金属層Ａと金属層Ｃの間に誘電体層Ｂを少なくとも備える薄膜コンデンサが、前記金属層Ａが外表面となるように接着層を介して配線基板上に積層され、前記薄膜コンデンサおよび前記配線基板の最外層が、接続端子となる箇所を除いてソルダーレジスト層で覆われた薄膜コンデンサ搭載基板であって、前記薄膜コンデンサが、前記金属層Ａおよび前記誘電体層Ｂに前記金属層Ｃを露出させる開口部Ｘを有し、前記ソルダーレジスト層が、前記開口部Ｘの内側面を覆い、前記金属層Ｃの露出面を接続端子となす開口部Ｙを有することを特徴とする、薄膜コンデンサ搭載基板。
【０００８】
（２）前記ソルダーレジスト層が、前記金属層Ａを露出させる開口部Ｚを有することを特徴とする、上記（１）に記載の薄膜コンデンサ搭載基板。
【０００９】
（３）前記金属層Ａおよび金属層Ｃが前記配線基板の導体パターンから電気的に独立したものであることを特徴とする、上記（１）または（２）に記載の薄膜コンデンサ搭載基板。
【００１０】
（４）前記配線基板の前記薄膜コンデンサ搭載箇所表面が絶縁層であり、前記接着層が該絶縁層よりも低い弾性率を有する絶縁性樹脂材料からなるものであることを特徴とする、上記（１）〜（３）のいずれかに記載の薄膜コンデンサ搭載基板。
【００１１】
（５）前記配線基板の前記薄膜コンデンサ搭載箇所表面が金属層であり、前記接着層が導電性樹脂材料からなるものであることを特徴とする、上記（１）〜（３）のいずれかに記載の薄膜コンデンサ搭載基板。
【００１２】
（６）前記金属層Ａおよび／または前記金属層Ｃの、前記誘電体層Ｂと接する面に、Ｃｒ、Ｎｉ、ＡｕおよびＡｇならびにこれらの合金からなる群から選択される１種類以上の金属を含む金属薄膜層を有し、かつ少なくとも該金属薄膜層を有する金属層がＣｕ又はその合金であることを特徴とする、上記（１）〜（５）のいずれかに記載の薄膜コンデンサ搭載基板。
【００１３】
（７）前記誘電体層Ｂの片面または両面に、構成元素としてＴｉを含むアモルファス金属酸化物薄膜層、または構成元素としてＢａおよび／またはＳｒとＴｉとを含むアモルファス複合金属酸化物薄膜層、を有することを特徴とする、上記（１）〜（６）のいずれかに記載の薄膜コンデンサ搭載基板。
【００１４】
（８）前記金属層ＡおよびＣの厚みが１０〜１００μｍであることを特徴とする、上記（１）〜（７）のいずれかに記載の薄膜コンデンサ搭載基板。
【００１５】
（９）前記誘電体層Ｂの厚みが０．０５〜２μｍであることを特徴とする、上記（１）〜（８）のいずれかに記載の薄膜コンデンサ搭載基板。
【００１６】
（１０）前記接着層の厚みが５〜２０μｍであることを特徴とする、上記（１）〜（９）のいずれかに記載の薄膜コンデンサ搭載基板。
【００１７】
（１１）配線基板を作製する工程、金属層Ａと金属層Ｃの間に誘電体層Ｂを少なくとも備える薄膜コンデンサを作製する工程、前記薄膜コンデンサを、前記金属層Ａが外表面となるように接着層を介して前記配線基板上に積層する工程、前記金属層Ａおよび前記誘電体層Ｂの所定箇所を順に除去して、前記金属層Ｃを露出させる開口部Ｘを形成する工程、および前記薄膜コンデンサおよび前記配線基板の最外層を、接続端子となる箇所を除いてソルダーレジストで覆う工程、を有し、前記ソルダーレジストで覆う際、前記開口部Ｘの内側面を覆って、前記金属層Ｃの露出面を接続端子となす開口部Ｙを形成することを特徴とする、薄膜コンデンサ搭載基板の製造方法。
【００１８】
（１２）前記金属層Ａをエッチングすることにより導体パターンを含む電極を形成する工程をさらに有し、かつ該電極形成時のエッチングにより前記金属層Ａの前記開口部Ｘとなる所定箇所の除去を行うことを特徴とする、上記（１１）に記載の薄膜コンデンサ搭載基板の製造方法。
【００１９】
（１３）前記ソルダーレジストで覆う工程の前に前記最外層をブラスト処理する工程をさらに有し、かつ該処理により前記誘電体層Ｂの前記開口部Ｘとなる所定箇所の除去を同時に行うことを特徴とする、上記（１１）または（１２）に記載の薄膜コンデンサ搭載基板の製造方法。
【００２０】
（１４）上記（１）〜（１０）のいずれかに記載の薄膜コンデンサ搭載基板の所定位置に半導体チップを搭載してなり、少なくとも、前記薄膜コンデンサ搭載基板の開口部Ｙにおける接続端子と前記半導体チップの電極が電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、半導体チップをコンデンサに近付けて実装することが可能で、かつ低コストで製造可能な薄膜コンデンサ搭載配線基板とその製造方法を提供することが可能となる。
【００２２】
また、本発明によれば、ノイズ低減効果が高く、小型で低コストの半導体装置を提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
本発明の薄膜コンデンサ搭載基板は、図１〜３に示すように、金属層Ａ（コンデンサ電極１）と金属層Ｃ（コンデンサ電極３）の間に誘電体層Ｂ（２）を少なくとも備える薄膜コンデンサが、当該金属層Ａが外表面となるように接着層（４１もしくは４２）を介して配線基板上（絶縁層６上もしくは表面回路５上）に積層され、上記薄膜コンデンサおよび上記配線基板の最外層が、接続端子となる箇所（開口部８等）を除いてソルダーレジスト層７で覆われたものであり、上記薄膜コンデンサが、金属層Ａおよび誘電体層Ｂに金属層Ｃを露出させる開口部Ｘを有し、かつ上記ソルダーレジスト層が、開口部Ｘの内側面を覆い、前記金属層Ｃの露出面を接続端子となす開口部Ｙを有することをその特徴とするものである。
【００２４】
つまり、本発明の薄膜コンデンサ搭載基板は、半導体チップと接続可能な端子が、コンデンサ電極と共有化されているため、配線構造に寄生するインダクタンス（ＥＳＬ）が小さく、低インピーダンスを示す周波数範囲が広く、ノイズ低減効果が高い。
【００２５】
上記金属層は、電気的に損失の小さな金属元素を主成分として含む層であればよく、特に限定されないが、金、銀、銅、白金、アルミニウム等を主成分として含む層であることが好ましい。また、上記金属層は、複数層で構成されてもよく、例えば、上記電気的に損失の小さな金属を主成分とする金属層を主たる層とし、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｆｅ、Ｗ等の電気的損失が比較的大きな金属層を従たる層とすることもできる。
【００２６】
また、上記金属層の厚みは、特に限定されないが、部品の強度を保つために１０μｍ以上であることが好ましく、薄型化を図るためには１００μｍ以下であることが好ましい。さらに、経済的に作製するためには、金属層の厚みが１５〜７０μｍであることがより好ましい。
【００２７】
また、上記金属層Ａおよび／または金属層Ｃの、上記誘電体層Ｂと接する面に、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇおよびこれらの合金からなる群から選択される１種類以上の金属を含む金属薄膜層を形成してもよく、コストの点から、Ｃｒおよび／またはＮｉを用いることがより好ましく、環境汚染性の観点から、Ｎｉを用いることが特に好ましい。ＣｒとＮｉはそれら自身が安定な酸化皮膜を形成するために、またＡｕとＡｇはそれら自身が酸化されにくいために、誘電体層Ｂとなる金属酸化物層の形成時における銅箔の酸化を抑制し、コンデンサの絶縁性の確保に寄与する。また、これ以外の金属、例えば、ＳｉＯ２基板において酸化の抑制に多く使われているＰｔ、Ｔｉ、Ｐｄ等は、これを銅箔電極上に形成した場合、上記金属酸化物層に割れが生じやすく、信頼性の高いコンデンサを得ることが難しい。また、上記合金としては、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｕ又はＡｇから選ばれる少なくとも１成分又は複数の成分を合金中に８０重量％以上含有するものが好ましい。このような合金としては、例えば、Ｎｉ−Ｐ合金、Ｎｉ−Ｂ合金、Ｎｉ−Ｐ−Ｂ合金、Ｎｉ−Ｃｏ合金、Ｎｉ−Ｃｒ合金、Ｎｉ−Ｃｒ−Ａｌ合金、Ｎｉ−Ｃｒ−Ｓｉ合金、Ａｇ−Ｎｄ合金等が挙げられる。Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｕ又はＡｇから選ばれる少なくとも１成分又は複数の成分の含有率が８０重量％未満の場合は、コンデンサの絶縁性を確保する効果が低くなる恐れがある。コストの点と形成の容易さの点からＮｉ−Ｐ合金が好ましい。
【００２８】
また、上記金属薄膜層が形成された金属層はＣｕまたはその合金からなるものであることが好ましい。
【００２９】
また、上記金属薄膜層の厚さは、５０ｎｍ〜１μｍの範囲が好ましく、１００ｎｍ〜８００ｎｍの範囲がより好ましい。厚さが５０ｎｍ未満では、絶縁性が低下する傾向があり、１μｍを超えてさらに厚くすることは、コストの面で高価となり好ましくない。金属薄膜層の厚さは当該薄膜層を集束イオンビーム加工装置（ＦＩＢ）で掘削し、得られた断面を走査イオン顕微鏡（ＳＩＭ）で観察して測長することで計測できる。金属層上への金属薄膜層の形成方法には、特に限定されないが、例えば、めっき法、蒸着法、スパッタ法などを好適に用いることができる。
【００３０】
上記誘電体層Ｂは、コンデンサ機能を発現するものであれば良く、特に制限はないが、比誘電率が１０〜２０００の金属酸化物層であることが好ましい。このような金属酸化物としては、例えば、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸マグネシウム、チタン酸鉛、チタン酸ビスマス、二酸化チタン、ジルコン酸バリウム、ジルコン酸カルシウム、ジルコン酸鉛、チタン酸バリウムストロンチウム、チタン酸ジルコン酸鉛、ニオブ酸マグネシウム酸鉛−チタン酸鉛等を挙げることができ、これらを２種以上含む固溶体であってもよい。また、誘電体層Ｂは複数の金属酸化物層からなる積層体であってもよい。
【００３１】
また、誘電体層Ｂは、構成元素としてＢａおよび／またはＳｒとＴｉとを含む結晶性微粒子を分散した複合金属酸化物層であってもよい。また、誘電体層Ｂは、構成元素としてＢａおよび／またはＳｒとＴｉとを含むアモルファス複合金属酸化物の層や構成元素としてＴｉを含むアモルファス金属酸化物の層を含む複数層となっていても良い。構成元素としてＢａおよび／またはＳｒとＴｉとを含む複合金属酸化物は、セラミックスの中でも特に高誘電率（例えば、ＢａＴｉＯ３で１５００程度、ＳｒＴｉＯ３で２００程度）であり、また、構成元素としてＢａおよび／またはＳｒとＴｉとを含む結晶性微粒子を分散した結晶性の複合金属酸化物層は、アモルファス複合金属酸化物層よりも高誘電率であり、コンデンサの材料として好適に用いることができる。もちろんその他の元素や金属酸化物を添加した複合金属酸化物、例えばＢａＴｉＯ３にＬａを添加してさらに高誘電率化を図った複合金属酸化物や、ＢａＴｉＯ３にＣａＴｉＯ３を添加して特性を調整した複合金属酸化物も好適に用いることができる。
【００３２】
さらに、誘電体層Ｂは樹脂中に高誘電率を示す結晶性微粒子（ナノ粒子）を分散させた複合樹脂層であってもよい。用いる樹脂としては、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、エポキシ樹脂、ビスマレイミド−トリアジン樹脂、変性ポリフェニレンエーテル樹脂、変性ポリフェニレンオキシド樹脂、シアネート樹脂などを好適に用いることができる。また、結晶性微粒子の分散性向上や濡れ性の改善を目的に、シランカップリング剤やチタネートカップリング剤などの添加剤を加えてもよい。
【００３３】
上記結晶性微粒子の製造方法としては、例えば、仮焼粉砕法に代表される固相法、ゾル―ゲル法や蓚酸塩法に代表される液相法、炎中噴霧法に代表される気相法のいずれも好適に用いることができる。微粒子の２次凝集を生じにくいという観点から、液相法がより好ましいが、２次凝集を、例えば、剪断型ミルやジェットミル、ビーズミル、超音波ホモジナイザーなどで予め破壊しておくことで、固相法や気相法もまた好ましく適用することができる。また、上記結晶性微粒子の平均粒径は１０〜２００ｎｍの範囲であることが好ましく、１０〜１００ｎｍの範囲がより好ましい。平均粒径が１０ｎｍ未満の場合には、表面積増大による分散性の低下が生じる傾向があり、平均粒径が２００ｎｍを超えると、均一な厚さの薄膜が得られなかったり、欠陥が生じる恐れがある。
【００３４】
また、誘電体層Ｂの厚みは、絶縁性を保つために０．０５μｍ以上であることが好ましく、十分なコンデンサ特性を発現させるために２μｍ以下であることが好ましい。より経済的に作製するためには、誘電体層Ｂの厚みを０．２〜１μｍの範囲とすることが好ましい。
【００３５】
さらに、誘電体層Ｂの一方の面に、コンデンサ素子の絶縁性を高めるために、構成元素としてＢａおよび／またはＳｒとＴｉとを含むアモルファス複合金属酸化物薄膜層を形成してもよく、金属電極との密着性を向上させるために、構成元素としてＴｉを含むアモルファス金属酸化物薄膜層を形成してもよい。また、これら金属酸化物薄膜層を誘電体層Ｂの一方および他方の面にそれぞれ形成してもよく、さらには、上記金属薄膜層と組み合わせて形成してもよい。これら金属酸化物薄膜層の厚さは、１０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲であることが好ましく、２０〜１５０ｎｍの範囲であることがより好ましい。絶縁性を高めるには、金属酸化物層にアモルファス領域が必要となるが、アモルファス領域は結晶領域よりも比誘電率が低く、またデバイスの誘電特性は、誘電体層、すなわち、金属酸化物層の膜厚に反比例するため、必要以上に上記金属酸化物薄膜層が厚くなることはデバイス特性の低下を招き好ましくない。したがって、上限は２００ｎｍを超えないことが望ましい。また、１０ｎｍ未満ではピンホールが発生して所望の絶縁性が得られなくなる恐れがあるだけでなく、均一な表面が得られず、品質がばらつく恐れも生じる。
【００３６】
構成元素としてＢａ及び／又はＳｒとＴｉとを含むアモルファス複合金属酸化物としては、前述した誘電体層Ｂと同様のものを用いることができる。構成元素としてＴｉを含むアモルファス金属酸化物としては、例えば、ＴｉＯ、ＴｉＯ２等を好適に用いることができる。これらは極性基を多分に有するため、シランカップリング剤をより均一に付着させることができるなど、電極となる金属層を形成する際の密着性確保に有利である。また、Ｔｉを含むアモルファス金属酸化物薄膜層は、結晶領域を含んでも構わない。結晶領域を優位にすれば薬液による侵食をより低減することができ、アモルファス領域を優位にすれば金属層との密着性を向上させることができる。
【００３７】
また、上記金属酸化物薄膜層の形成方法としては、例えば、誘電体層表面、または電極もしくは金属箔膜層の、誘電体層と接する表面に、ゾル−ゲル法、スパッタ法、化学的気相堆積法（ＣＶＤ）により金属酸化物を塗工し、加熱することで形成することができ、金属酸化物薄膜層を所望の組成に調整しやすい点でゾル−ゲル法がより好ましい。また、加熱温度は、塗工表面の酸化を抑制するために、４００℃以下であることが好ましく、３５０℃以下であることがより好ましい。特に上記金属薄膜層に接する複合金属酸化物薄膜層を形成する際には、４００℃以下で熱処理することが好ましい。
【００３８】
上記のような金属層Ａおよび金属層Ｃと誘電体層Ｂを少なくとも備える薄膜コンデンサは、金属層／誘電体層／金属層のＭＩＭ構造であることが好ましい。また、薄膜コンデンサの大きさは、実装面積の制約から１ｍｍ２以下であることが好ましく、さらに、高速デバイス実装に際して、効果的なデカップリングコンデンサやバイパスコンデンサを得るために、その容量は１ｎＦ以上であることが好ましい。つまり、本発明のおける薄膜コンデンサは１ｎＦ／ｍｍ２以上の容量密度を有することが好ましく、１〜１０ｎＦ／ｍｍ２の範囲の容量密度を有することがより好ましい。容量密度が大きいコンデンサ素子は高密度実装に適することは明白であり、また、電極形成時の寸法ばらつきに起因する容量ばらつきを低減するために、その実装面積を削減することも可能である。
【００３９】
また、本発明における薄膜コンデンサは、上記金属層Ａおよび上記誘電体層Ｂに、上記金属層Ｃを露出させる開口部Ｘを有する。この開口部Ｘは、例えば、エッチングやブラスト、レーザー等の公知の方法により金属層Ａおよび誘電体層Ｂを順に除去することにより形成することができ、また、予め開口部Ｘとなる箇所を除いて、金属層Ｃ上に誘電体層Ｂおよび金属層Ａを順に形成してもよい。好ましくは、当該金属層Ａをエッチングすることにより導体パターンを含む電極を形成する際に、開口部Ｘとなる箇所の金属層Ａも同時に除去し、その後、当該電極（金属層Ａ）をマスクとして誘電体層Ｂを除去することで開口部Ｘを形成する。誘電体層Ｂを除去は、後述の、ソルダーレジスト層の密着性向上のために適用しうるブラスト処理と同時に行うことが好ましい。このような除去手段によれば、レジスト形成工程や除去工程等の工程数を削減することができ、本発明の薄膜コンデンサ搭載基板の製造効率や経済性を向上させることができる。なお、金属層Ａおよび誘電体層Ｂの除去は、それぞれ単独の工程として、薄膜コンデンサを配線基板に搭載する前に行っても、後に行ってもよく、除去手段により適宜決定すればよい。また、開口部Ｘの形状や大きさ（径）は、搭載される半導体チップや半導体パッケージの接続端子の形状や大きさ等に応じ適宜決定すればよく、特に限定されない。
【００４０】
また、上記薄膜コンデンサが搭載される配線基板は、一般的な配線基板の製造プロセスにより作製されたものを用いることができ、多層配線基板であってもよい。配線基板の絶縁層を構成する樹脂材料も特に制限はなく、例えば、ガラス布、ガラス不織布、アラミド不織布等にエポキシ系樹脂、ビスマレイミド系樹脂、ポリフェニルエーテル系樹脂、ふっ素樹脂系樹脂等を含浸させた複合材やポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、液晶ポリマー等のプラスチックフィルムなどを適宜用いることができる。
【００４１】
また、薄膜コンデンサを配線基板上に貼り付けるための接着層としては、特に限定されないが、熱圧着により上記薄膜コンデンサを固定できる熱硬化性接着フィルムを用いることが好ましい。もちろん、接着フィルムに限らず、同様の樹脂を用いた接着剤ペーストで固定することも可能である。さらに、薄膜コンデンサを回路導体表面上に接着する場合には、５〜２０μｍ厚みのはんだ箔なども用いることができる。また、上記熱圧着は、一般的な貼り付けに用いる熱圧着装置を用いることができ、その条件は特に限定されないが、８０〜１５０℃、０．１〜２ＭＰａで５〜６０秒程度であることが好ましい。
【００４２】
上記接着層として用いる熱硬化性樹脂としては、半硬化状態を工業的に制御可能な樹脂であればよく、特に限定されないが、例えば、汎用的に用いられているエポキシ樹脂、耐熱性に優れたビスマレイミド−トリアジン樹脂、誘電特性に優れた変性ポリフェニレンエーテル樹脂、変性ポリフェニレンオキシド樹脂、シアネート樹脂等を使用できる。また、フィルム化するための高分子量樹脂として、必要に応じて官能基を有するゴム系、イミド系等の樹脂を接着層成分として加えてもよい。
【００４３】
上記エポキシ樹脂としては、硬化して接着作用を呈するものであればよく、特に限定されないが、二官能以上で、好ましくは分子量が５０００未満、より好ましくは３０００未満のエポキシ樹脂を使用できる。二官能エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型又はビスフェノールＦ型樹脂等が例示される。また、高Ｔｇ（ガラス転移温度）化を目的とし、多官能エポキシ樹脂をさらに加えてもよい。多官能エポキシ樹脂としては、例えば、フェノールノボラック型エポキシ樹脂やクレゾールノボラック型エポキシ樹脂等が例示される。
【００４４】
また、エポキシ樹脂の硬化剤は、エポキシ樹脂の硬化剤として通常用いられているものを使用することができ、特に限定されないが、例えば、イミダゾール系、ヒドラジド系、三フッ化ホウ素−アミン錯体、スルホニウム塩、アミンイミド、ポリアミンの塩、ジシアンジアミドアミン、ポリアミド、酸無水物、ポリスルフィッド、フェノール性水酸基を１分子中に２個以上有する化合物であるビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳ、フェノールノボラック樹脂、ビスフェノールノボラック樹脂又はクレゾールノボラック樹脂などのフェノール樹脂が挙げられる、特に、フェノールノボラック樹脂又はクレゾールノボラック樹脂などを用いることが好ましい。また、上記の硬化剤をポリウレタン系やポリエステル系の高分子物質などで被覆してマイクロカプセル化したものは、可使時間が延長されるため、好ましい。さらに、上記硬化剤の他に硬化促進剤や硬化抑制剤等を混合して用いてもよい。
【００４５】
また、接着層をフィルム化する上では、フィルム形成材を配合することが好ましい。フィルム形成材としては、例えば、フェノキシ樹脂、ポリビニルホルマール樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、キシレン樹脂、ポリウレタン樹脂等の高分子量の熱可塑性樹脂を用いることができ、これらの混合物や共重合体でもよい。このようなフィルム形成材は、液状樹脂組成物を固形化し、フィルム形状とした場合に、そのフィルムの取扱いを容易にし、裂け、割れ、べたつきなどが生じることのないよう、その機械特性等を向上させる役割を有するものである。また、フィルム形成材は、その分子量が２０００以上であることが、フィルム形成性の点から好ましい。また、熱硬化性樹脂組成物中の占める割合は好ましくは５０重量％以下である。
【００４６】
また、上記接着層の厚みは、基板表面の粗さを考慮して十分な密着性を得るために、５μｍ以上であることが好ましく、高さの抑制の観点から２０μｍ以下であることが好ましい。より好ましくは、１０〜２０μｍである。
【００４７】
また、薄膜コンデンサの搭載箇所表面が配線基板の絶縁層である場合、上記接着層は硬化後に絶縁性を示す絶縁性樹脂材料からなるものであることが好ましく、また、絶縁層よりも低い弾性率を有する絶縁性樹脂材料からなるものであることがより好ましい。接着層の弾性率を基板の絶縁層よりも低くすることにより、薄膜コンデンサと基板との熱膨張係数の差によってリフロー時に発生する応力を緩和させることができる。なお、弾性率は、動的粘弾性測定装置で測定した貯蔵弾性率を用いることができる。貯蔵弾性率の測定は、接着剤硬化物に引張り荷重をかけて、周波数１０Ｈｚ、昇温速度５〜１０℃／分で、−５０℃〜３００℃まで測定する温度依存性測定モードで行うことが可能である。基板絶縁層の２５℃の弾性率は、ガラス織布と樹脂のコンポジット材料で１０〜４０ＧＰａ、ガラス不織布や無機フィラーと樹脂のコンポジット材料で２〜１０ＧＰａである。したがって、接着層の弾性率は、２０ＭＰａ〜２ＧＰａであることが好ましい。
【００４８】
また、絶縁性を示す上記接着層は、例えば、樹脂のみの接着フィルムを作製しても良いが、取扱い性を上げるために絶縁フィラーを添加しても良い。絶縁フィラーとしては、例えば、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、アルミナ粉末、窒化アルミニウム粉末、ほう酸アルミウイスカ、窒化ホウ素粉末、結晶性シリカ、非晶性シリカ等が挙げられる。絶縁フィラー添加量は、配合の効果、接着剤の貯蔵弾性率の上昇、接着性の低下等を考慮すると、接着層に含まれる樹脂１００体積部に対して１〜５０体積部添加することが好ましい。
【００４９】
また、薄膜コンデンサの搭載箇所表面が配線基板の金属層（回路導体）である場合、上記接着層は硬化後に導電性を示す導電性樹脂材料からなるものであることが好ましく、等方導電性もしくは異方導電性を示す導電性樹脂材料からなるものであることがより好ましい。金属層表面に導電性を有する接着層を介して薄膜コンデンサの電極を接続することで、電極接続のためのプロセスが不要となり、経済性を向上させることが可能となる。
【００５０】
また、導電性を示す上記接着層は、金属フィラーが含まれることが好ましい。金属フィラーとしては、例えば、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｒｕ等の金属又はこれらを含む合金などが挙げられるが、電気導電度と経済性を考慮すると、Ａｇ、Ｃｕが優れている。また、金属フィラーの含有量は、導電性の効果、接着剤の貯蔵弾性率の上昇、接着性の低下等を考慮すると、当該接着層に含まれる樹脂１００体積部に対して０．１〜５０体積部であることが好ましく、等方導電性接着層の場合には２０〜５０体積部、異方導電性接着層の場合には０．１〜２０体積部であることがより好ましい。また、異方導電性接着層の場合には、非導電性のガラス、セラミック、プラスチック等に、上記金属フィラーとして用いる金属を被覆することにより、その最外層を導電化した金属被覆フィラーを用いてもよい。この場合、金属被覆層の厚みは良好な抵抗を得るために、１００オングストローム以上であることが好ましい。
【００５１】
また、配線基板に搭載された上記薄膜コンデンサおよび配線基板の最外層を覆うためのソルダーレジストは、はんだ実装工程で膨れや剥がれを生じないものであれば制限はなく、例えば、エポキシ樹脂系、オキセタン樹脂系、フェノール樹脂系、メラミン樹脂系、ビスマレイミド樹脂系等を用いることができる。また、ソルダーレジストを所望形状にパターニングする手法としては、熱硬化系樹脂を必要な箇所に印刷する手法や、感光性樹脂を露光・現像してパターニングする手法など、公知の手法を適宜用いることができる。また、ソルダーレジスト層の厚みは、回路導体をはんだから保護できればよく、特に限定されないが、仕上がり後の最低厚みとして、１０〜５０μｍを確保できることが好ましい。また、最外層を覆う前に、当該層表面をブラスト処理等により粗化処理してソルダーレジスト層の密着性を向上させておくことが好ましい。
【００５２】
また、上記ソルダーレジスト層は、接続端子となる箇所を開口部として除いて上記薄膜コンデンサおよび配線基板の最外層を覆うものであるが、本発明では、当該開口部として、上記薄膜コンデンサにおける開口部Ｘの内側面を覆い、上記金属層Ｃの露出面を接続端子となす開口部Ｙを少なくとも有する。これにより、開口部Ｘにおける金属層Ｃの露出面の一部を接続端子として利用することが可能となる。なお、この開口部Ｙの形状や大きさ（径）は、開口部Ｘの内側面を覆い、金属層Ｃを露出させるような形状や大きさであればよく、特に限定されない。
【００５３】
さらに、本発明では、上記ソルダーレジスト層に、上記金属層Ｃの接続端子（開口部Ｙにおける露出面）に隣接するように、金属層Ａを露出させる開口部Ｚを設け、これを接続端子とすることが好ましい。このように、金属層Ａの接続端子と金属層Ｃの接続端子が隣接することにより、コンデンサに寄生するインダクタンス（ＥＳＬ）が小さくなり、高周波のアプリケーションへの適用が容易になる。
【００５４】
さらに、本発明では、金属層Ａ及び金属層Ｃが配線基板の導体パターンから電気的に独立した構造を有することが好ましく、これにより、電気的な接続部の形成を略することができるため、経済性に優れた薄膜コンデンサ搭載配線基板を提供することが可能となる。
【００５５】
また、本発明の薄膜コンデンサ搭載基板は、その電極（金属層）が接続端子を介して半導体チップや半導体パッケージの電極と電気的に接続されることで、電子回路の中で低ＥＳＬなコンデンサの機能を発現することが可能となり、その結果、ノイズ低減効果が高く、小型で、絶縁信頼性に優れた半導体装置を提供することが可能となる。すなわち、本発明の半導体装置は、本発明の薄膜コンデンサ搭載基板の所定位置に半導体チップを搭載してなり、少なくとも、薄膜コンデンサ搭載基板の開口部Ｙにおける接続端子（金属層Ｃの露出面）と半導体チップの電極が電気的に接続されていることを特徴とするものである。このような本発明の半導体装置は、薄膜コンデンサを配線基板内部に配置したものと比較して、ノイズ低減効果が高く、また、基板上で薄膜コンデンサを形成して製造されるものではないため、従来技術と比較して配線基板の製造工程を簡略化することができ、経済性に優れる。また、ソルダーレジストにより開口部Ｘの内側面が覆われているため、絶縁信頼性にも優れる。
【実施例】
【００５６】
以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに制限するものではない。
【００５７】
（実施例１）
＜接着フィルム付き薄膜コンデンサの作製＞
テトラエトキシシラン０．５ｇおよび塩酸２ｇを、エタノール（９９．５％）９７．５ｇに溶解し、２０℃で６０時間放置してシリカゾルを液中で合成し、シリカゾルのエタノール分散液１００ｇを得た。これにチタン酸バリウム（以下ＢＴＯ）ナノ粒子（戸田工業株式会社製、平均粒径３０ｎｍ）３ｇを加え、超音波を用いて分散し、２０℃で２４時間放置して、シリカゾルをＢＴＯナノ粒子の表面に吸着させた。なお、ＢＴＯナノ粒子は、水を媒体とするスラリーを遠心分離し、沈降させた粒子を回収してエタノール中に分散し、再度遠心分離して沈降させ回収したものを用いた。吸着後、遠心分離し、未吸着のシリカゾルを含む上澄み液を除去した後、再度エタノールを加えて分散することでナノ粒子を洗浄した。洗浄後、遠心分離し、シリカゾル吸着ＢＴＯナノ粒子を得た（平均粒径３０ｎｍの結晶性微粒子）。
【００５８】
また、バリウム５．４ｇを、２−メトキシエタノール１５７ｇと酢酸２５ｇの混合液に完全に溶解した後、さらにテトラエトキシチタン９ｇを加えて撹拌し、０．２ＭのＢＴＯ前駆体溶液２００ｍｌを得た。
【００５９】
次に、上記シリカゾル吸着ＢＴＯナノ粒子３ｇを、上記０．２ＭのＢＴＯ前駆体溶液４３．５ｇと２―メトキシエタノール５６．１ｇとＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド５．４ｇの混合液に加え、超音波を用いて分散し、ＢＴＯ濃度０．２Ｍの、ナノ粒子を添加した前駆体溶液Ａを得た。
【００６０】
また、イソプロポキシチタン５．７ｇを２−メトキシエタノール１４０ｇと酢酸５１ｇの混合液に完全に溶解して、０．１Ｍのチタニア前駆体溶液１００ｍｌを得た。
【００６１】
一方、１０ｃｍ×１０ｃｍ×厚さ２０μｍの銅箔（三井金属鉱業株式会社製、３ＥＣ−ＶＬＰ）の光沢面側に、スパッタ法により厚さ０．８μｍのＮｉ薄膜を形成して、Ｎｉ薄膜付の銅箔（金属層Ｃ）を得た。
【００６２】
次に、上記で得たＮｉ薄膜層付の銅箔のＮｉ薄膜側に、上記ＢＴＯ前駆体溶液をスピンコートし、３５０℃のホットプレート上で４分間乾燥した後、再びＢＴＯ前駆体溶液をスピンコートし、同様に乾燥して、構成元素としてＢａとＴｉとを含むアモルファス複合金属酸化物薄膜層Ｄ（厚さ１００ｎｍ）を形成した。次いで、当該薄膜層Ｄ上に、上記前駆体溶液Ａをスピンコートし、３５０℃のホットプレート上で４分乾燥する操作を８回繰り返して、結晶性微粒子が分散されたアモルファス複合金属酸化物層Ｅ（厚さ４００ｎｍ）を形成した。さらに、当該複合金属酸化物層上に、上記チタニア前駆体溶液をスピンコートし、３５０℃のホットプレート上で４分乾燥する操作を２回繰り返して、構成元素としてＴｉを含むアモルファス金属酸化物薄膜層Ｆ（厚さ１００ｎｍ）を形成した。最後に３５０℃のホットプレート上で２時間熱処理して、薄膜層Ｄと複合金属酸化物層Ｅと薄膜層Ｆとをそれぞれ熟成し、誘電体層Ｂとした。
【００６３】
次に、上記誘電体層Ｂ（薄膜層Ｆ）上に、スパッタ法により厚さ０．８μｍのＮｉ薄膜を形成した後、さらに当該Ｎｉ薄膜上に電解銅めっきにより厚さ２０μｍのＣｕからなる金属層Ａを形成した。次いで、当該金属層Ａ上にドライフィルムタイプのフォトレジストをラミネートし、パターンを焼付けし、現像・エッチング・レジスト除去を行うことにより、金属層Ａに電極を形成すると同時に、上記薄膜層Ｆが露出する開口部（薄膜層Ｆの露出面（円）の直径１５０μｍ）を形成した。
【００６４】
次に、上記金属層Ｃの、Ｎｉ薄膜側と反対の面に、絶縁性を示す厚み１５μｍの接着フィルム（日立化成工業（株）製、商品名：ＨＳ−２３０、熱硬化性接着フィルム）と厚み２５μｍのＰＥＴフィルムとを順次積層し、１００℃、１ＭＰａ、１０秒の条件でラミネートした後、これを２．２ｍｍ×２．２ｍｍの大きさにカッターナイフで切断し、接着フィルム付き薄膜コンデンサを作製した。
【００６５】
＜薄膜コンデンサ搭載基板の作製＞
上記で得た絶縁性を示す接着フィルム付き薄膜コンデンサを用い、図４に示す工程で、これを多層配線基板表面に配置した。
【００６６】
まず、ガラスエポキシ積層板ＭＣＬ−Ｅ−６７９Ｆ〔日立化成工業（株）製、商品名〕、ガラスエポキシプリプレグＧＥＡ−６７９Ｆ〔日立化成工業（株）製、商品名〕及び銅箔Ｆ３−ＷＳ〔古河サーキットフォイル（株）製、商品名〕を用いて任意の回路を有する板厚０．４ｍｍの４層樹脂基板を作製した（図４（ａ））。
【００６７】
次に、４層樹脂基板の、表面回路５が形成されていない絶縁層６表面に、ＰＥＴフィルムを剥離した上記薄膜コンデンサを、接着フィルム４１面を基板面にして配置し、１００℃、１ＭＰａ、６０秒の熱圧着条件で接着した（図４（ｂ））。
【００６８】
次に、薄膜コンデンサが接着された上記基板の最外表面に対し、ソルダーレジストの密着性向上と薄膜コンデンサの金属層Ａに形成されたクリアランス部分の誘電体層Ｂ（薄膜層Ｄと複合金属酸化物層Ｅと薄膜層Ｆ）の除去を目的に、平均粒径３０μｍのアルミナを含む水系処理液を用いた高圧水洗処理（ブラスト処理、水圧０．３ＭＰａ）を施した。その結果、最外表面の粗化と同時に、金属層Ｃが露出する開口部Ｘ（金属層Ｃの露出面（円）の直径１５０μｍ）を形成することができた。
【００６９】
基板を乾燥後、ソルダーレジストＰＳＲ−４０００  ＡＵＳ５（太陽インキ製造（株）製、商品名）をロールコーターで基板表面が覆われるように塗布し、乾燥後に露光・現像・硬化（１７０℃、６０分）して、所望箇所に開口部８を有するソルダーレジスト層７を形成した（図４（ｃ））。このとき、薄膜コンデンサに形成された開口部Ｘは、金属層Ｃが露出するように形成されたソルダーレジスト層の開口部Ｙ（金属層Ｃの露出面（円）の直径１００μｍ）により、その内側面が覆われている。また、当該開口部Ｙに隣接して、金属層Ａを露出させる開口部Ｚも形成されている。
【００７０】
その後、厚み３μｍの無電解ニッケルめっきと厚み０．１μｍの無電解金めっき（Ｎｉ／Ａｕめっき９）を外層回路パターン露出部（接続端子）表面層に形成して、薄膜コンデンサ搭載基板を得た（図４（ｄ））。
【００７１】
（実施例２）
＜接着フィルム付き薄膜コンデンサの作製＞
絶縁性を示す厚み１５μｍの接着フィルムに代えて、下記の等方導電性を示す接着フィルムを用いた以外は、実施例１と同様にして接着フィルム付き薄膜コンデンサを作製した。
【００７２】
（等方導電性を示す接着フィルム）
まず、エポキシ樹脂としてビスフェノールＡ型エポキシ樹脂〔エポキシ当量１９０、ジャパンエポキシレジン（株）製、商品名：エピコート８２８を使用〕３０重量部、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂〔エポキシ当量２１０、東都化成（株）製、商品名：ＹＤＣＮ−７０３を使用〕３０重量部、エポキシ樹脂の硬化剤としてフェノールノボラック樹脂〔大日本インキ化学工業（株）製、商品名：プライオーフェンＬＦ２８８２を使用〕４０重量部、フェノキシ樹脂〔分子量５万、東都化成（株）製、商品名：フェノトートＹＰ−５０を使用〕３０重量部、硬化促進剤として硬化促進剤１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール（キュアゾール２ＰＺ−ＣＮを使用）０．５重量部及び金属フィラーとして銀粉〔石福金属興業（株）製のＲＨタイプを使用〕６００重量部からなる組成物に、メチルエチルケトンを加えて撹拌混合し、さらにビーズミルを用いて混練し、真空脱気して接着剤ワニスを作製した。
【００７３】
次に、上記接着剤ワニスを、厚さ２５μｍの離型処理したポリエチレンテレフタレートフィルム上に塗布し、１４０℃で５分間加熱乾燥して、膜厚が２０μｍのＢステージ状態の塗膜を形成し、キャリアフィルムを備えた接着フィルムを作製した。
【００７４】
＜薄膜コンデンサ搭載基板の作製＞
等方導電性を示す接着フィルム付き薄膜コンデンサを用い、図５に示す工程で、これを多層配線基板表面に配置した。
【００７５】
まず、ガラスエポキシ積層板ＭＣＬ−Ｅ−６７９Ｆ〔日立化成工業（株）製、商品名〕、ガラスエポキシプリプレグＧＥＡ−６７９Ｆ〔日立化成工業（株）製、商品名〕及び銅箔Ｆ３−ＷＳ〔古河サーキットフォイル（株）製、商品名〕を用いて任意の回路を有する板厚０．４ｍｍの４層樹脂基板を作製した（図５（ａ））。
【００７６】
次に、４層樹脂基板の表面回路５表面に、ＰＥＴフィルムを剥離した上記薄膜コンデンサを、接着フィルム４２面を基板面にして配置し、１００℃、１ＭＰａ、６０秒の熱圧着条件で接着した（図５（ｂ））。
【００７７】
次に、ソルダーレジストの密着性向上と薄膜コンデンサの金属層Ａに形成されたクリアランス部分の薄膜除去を目的に、平均粒径３０μｍのアルミナを含む水系処理液を用いて、０．３ＭＰａの水圧で高圧水洗処理を行った。
【００７８】
基板を乾燥後、ソルダーレジストＰＳＲ−４０００  ＡＵＳ５〔太陽インキ製造（株）製、商品名〕をロールコーターで基板表面が覆われるように塗布し、乾燥後に露光・現像・硬化（１７０℃、６０分）して、所望箇所に開口部８を有するソルダーレジスト層７を形成した（図５（ｃ））。このとき、薄膜コンデンサに形成された開口部Ｘは、金属層Ｃが露出するように形成されたソルダーレジスト層の開口部Ｙにより、その内側面が覆われている。また、当該開口部Ｙに隣接して、金属層Ａを露出させる開口部Ｚも形成されている。
【００７９】
その後、厚み３μｍの無電解ニッケルめっきと厚み０．１μｍの無電解金めっき（Ｎｉ／Ａｕめっき９）を外層回路パターン露出部（接続端子）表面層に形成して、薄膜コンデンサ搭載基板を得た（図５（ｄ））。
【００８０】
（実施例３）
＜接着フィルム付き薄膜コンデンサの作製＞
絶縁性を示す厚み１５μｍの接着フィルムに代えて、厚み２０μｍの異方導電性を示す接着フィルム〔日立化成工業（株）製、商品名：ＡＣ−２０５６、熱硬化性接着フィルムＥ〕を用いた以外は、実施例１と同様にして接着フィルム付き薄膜コンデンサ作製した。
【００８１】
＜薄膜コンデンサ搭載基板の作製＞
等方導電性を示す接着フィルム付き薄膜コンデンサの代わりに、上記異方導電性を示す接着フィルム付き薄膜コンデンサを用いた以外は、実施例２と同様にして薄膜コンデンサ搭載基板を得た。
【００８２】
（実施例４）
＜薄膜コンデンサ搭載基板の作製＞
絶縁性を示す接着フィルムとＰＥＴフィルムを備えない薄膜コンデンサを用い、これを４層樹脂基板の表面回路５表面に、薄膜コンデンサの金属層Ｃが基板に面するように２０μｍのはんだ箔〔福田金属箔粉工業（株）製〕を介して配置し、２３０℃で加熱してはんだを溶融させ接続した以外は、実施例１と同様にして、薄膜コンデンサ搭載基板を得た。
【００８３】
（比較例１）
実施例１の接着フィルム付き薄膜コンデンサの代わりに、０６０３サイズのチップコンデンサ部品ＧＲＭ０３３Ｒ７１Ｃ１０２〔（株）村田製作所製、商品名〕を、はんだを用いて、４層樹脂基板の表面回路に配置、接続した以外は、実施例１と同様にして、コンデンサ搭載基板を作製した（図６参照）。
【００８４】
（比較例２）
ソルダーレジストの開口部Ｙを、金属層Ａおよび誘電体層Ｂに設けられた開口部Ｘよりも大きい径とした、すなわち、開口部Ｘの内側面をソルダーレジストにより覆わなかった以外は、実施例１と同様にして、薄膜コンデンサ搭載基板を作製した（図７参照）。
【００８５】
＜薄膜コンデンサ搭載基板の評価＞
実施例１〜４、比較例１及び２で作製した薄膜コンデンサ搭載基板について、下記に示す方法により、それぞれの基板厚み、接続端子間のインピーダンス特性および絶縁性を評価した。結果を表１に示す。
【００８６】
（基板厚み）
マイクロメータ〔（株）ミツトヨ製、製品名：ＭＤＣ−２５Ｍ〕を用いて測定した。
【００８７】
（接続端子間のインピーダンス特性）
ベクトルネットワークアナライザ〔アジレント・テクノロジー（株）製、製品名：８７５３ＥＳ〕を用いて、開口部ＹとＺにおける接続端子間（コンデンサの電極間）のＳパラメータを測定し、高周波特性計算ソフトウェア〔アジレント・テクノロジー（株）製、製品名：ＡＤＳ〕を用いてインピーダンスを計算し、インピーダンスの共振周波数を求めた。図８に、実施例１と比較例１のインピーダンス特性の測定データを示す。
【００８８】
（接続端子間の絶縁性）
導通チェッカー〔三和電気計器（株）製、製品名：ＣＤ７８２Ｃ〕を用いて開口部ＹとＺにおける接続端子間（コンデンサの電極間）の絶縁性を評価した。
【００８９】
【表１】
2008172182.tif 000002
【００９０】
表１に示されるように、実施例１〜４で作製した薄膜コンデンサ搭載基板は、いずれも基板厚みが０．５０ｍｍを超えず、薄型化に有効であり、インピーダンスの共振周波数も高く、ノイズ抑制効果が高い。また、接続端子間の絶縁性が良好であることも明らかである。これに対し、比較例１で作製した基板は、チップ部品を用いたため、高さが０．８０ｍｍと大きな値を示し、インピーダンスの共振周波数も低い値を示した。また、比較例２で作製した基板は、基板厚みが０．５０ｍｍであったが、絶縁性が不良であった。また、従来技術で示した薄膜コンデンサ搭載基板との比較は出来なかったが、本発明の薄膜コンデンサ搭載基板は簡易なプロセスで作製できるため、経済性に優れることは明らかである。
【図面の簡単な説明】
【００９１】
【図１】本発明の薄膜コンデンサ搭載基板の一実施形態を示す断面図である。
【図２】本発明の薄膜コンデンサ搭載基板の一実施形態を示す投射図である。
【図３】本発明の薄膜コンデンサ搭載基板の一実施形態を示す断面図である。
【図４】本発明の薄膜コンデンサ搭載基板の製造方法の一実施形態を示す工程図である。
【図５】本発明の薄膜コンデンサ搭載基板の製造方法の他の実施形態を示す工程図である。
【図６】比較例１のコンデンサ搭載基板の製造方法の一例を示す工程図である。
【図７】比較例２の薄膜コンデンサ搭載基板の一例を示す断面図である。
【図８】実施例１と比較例１のインピーダンス特性の測定データである。
【符号の説明】
【００９２】
１  コンデンサ電極（金属層Ａ）
２  誘電体層Ｂ
３  コンデンサ電極（金属層Ｃ）
４１  絶縁性を示す接着層
４２  導電性を示す接着層
５  配線基板の表面回路
６  配線基板の絶縁層
７  ソルダーレジスト層
８  開口部
９  Ｎｉ／Ａｕめっき層
１０  チップコンデンサ部品
１１  はんだ
【図１】
2008172182.tif 000003
【図２】
2008172182.tif 000004
【図３】
2008172182.tif 000005
【図４】
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【図５】
2008172182.tif 000007
【図６】
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【図７】
2008172182.tif 000009
【図８】
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