(57)【要約】【課題】基板上に基板電極、有機物層、対電極を積層して形成すると共に前記基板上に対電極への給電用の端子電極を形成した面発光体を製造するにあたり、有機物層の形成時のパターンマスクの使用を不要としてこのパターンマスクへの有機物の付着に起因する装置洗浄の負担や素子特性の悪化等の弊害をなくすることができる面発光体の製造方法を提供する。【解決手段】下記工程（Ａ）〜（Ｄ）を含むことを特徴とする。（Ａ）基板１の上面に基板電極２と端子電極３とを形成する工程（Ｂ）前記基板１の上面の前記基板電極２と端子電極３に亘る領域に有機物層４を積層して形成する工程（Ｃ）前記有機物層４のうち端子電極３に積層された部分１３を除去する工程（Ｄ）前記有機物層４の上面から前記端子電極３の上面に亘って対電極５を積層して形成する工程【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上面に基板電極、発光層を含む有機物層、及び対向する対電極がこの順に積層された面発光体を製造する方法であって、下記工程（Ａ）〜（Ｄ）を含むことを特徴とする面発光体の製造方法。
（Ａ）基板の上面に基板電極と端子電極とを形成する工程
（Ｂ）前記基板の上面の前記基板電極と端子電極に亘る領域に有機物層を積層して形成する工程
（Ｃ）前記有機物層のうち端子電極に積層された部分を除去する工程
（Ｄ）前記有機物層の上面から前記端子電極の上面に亘って対電極を積層して形成する工程
【請求項２】
上記工程（Ｂ）の後、工程（Ｃ）の前に、下記工程（Ｅ）を含むことを特徴とする請求項１に記載の面発光体の製造方法。
（Ｅ）上記有機物層の上面の、工程（Ｃ）で除去される部分を除く領域に無機導電体層を積層して形成する工程
【請求項３】
上記工程（Ｃ）における有機物層を除去する手段が、プラズマ照射、レーザ光照射、イオンビーム照射及び電子ビーム照射から選択されるものであることを特徴とする請求項１又は２に記載の面発光体の製造方法。
【請求項４】
上記工程（Ｃ）における有機物層の除去を、不活性ガス雰囲気下で行うことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の面発光体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一対の電極間に発光層を含む有機物層を介装して構成される面発光体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
面発光体、特に有機ＥＬ素子Ａ（有機エレクトロルミネッセンス素子、有機電界発光素子）は、自発光であること、比較的高効率の発光特性を示すこと、各種の色調で発光可能であること等の特長を有し、表示装置、例えばフラットパネルディスプレイ等の発光体として、あるいは光源、例えば液晶表示機用バックライトや照明への活用が期待され、また一部のものはすでに実用化されている。これらの用途に有機ＥＬ素子Ａを応用展開するために、より高効率、長寿命、高輝度等の優れた特性を有する有機ＥＬ素子Ａが望まれている。さらに、有機ＥＬ素子Ａは、その発光が得られる角度が大きいことが知られている。典型的な有機ＥＬ素子Ａにおいては、その発光パターンは完全拡散面からの光に準じるものであり、この性質は、視認性の高いＥＬディスプレイの実現、発光品位の高い発光装置への応用可能性を示唆するものである。
【０００３】
有機ＥＬ素子Ａの一般的な構造として、透明な基板１の表面に形成された透明電極からなる基板電極２（陽極）上に、正孔注入層９、正孔輸送層１０、発光層６、電子輸送層１１等からなる有機物層４が積層され、更に金属膜からなる対電極５（陰極）が積層されたものが知られている。基板電極２と対電極５の間に電圧を印加することによって発光層６で発光した光は、基板電極２、透明な基板１を通して外部に取り出されるものである。
【０００４】
このような有機ＥＬ素子Ａにおいては、図５に示すように透明な基板１上の電極が形成されている面と同一の面に、対電極５への給電のための端子電極３を形成し、有機物層４に積層された対電極５を有機物層４の側面を介して端子電極３に延設して端子電極３と対電極５とを電気的に接続することが行われている。
【０００５】
このような有機ＥＬ素子Ａを形成するにあたり、有機物層４の形成には真空蒸着法等が採用されており、このとき所定の位置に有機物層４を形成して端子電極３を露出させるために、通常はパターンマスクが使用されている（特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平１０−２２３３７６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、パターンマスクを使用して有機物層４を形成する場合には、このパターンマスクに有機物等が堆積して真空蒸着装置等に著しい汚染をもたらすこととなり、装置洗浄に要する負担が大きくなってしまう。また、このパターンマスクに堆積した有機物等が粉塵となって有機物層４に付着すると、有機物層４には湿式洗浄を施すのが困難であるため、有機物層４と対電極５との間に前記粉塵が介在してしまい、有機ＥＬ素子Ａの素子特性に甚大な悪影響を及ぼすおそれがある。
【０００７】
本発明は上記の点に鑑みて為されたものであり、基板上に基板電極、有機物層、対電極を積層して形成すると共に前記基板上に対電極への給電用の端子電極を形成した面発光体を製造するにあたり、有機物層の形成時のパターンマスクの使用を不要としてこのパターンマスクへの有機物の付着に起因する装置洗浄の負担や素子特性の悪化等の弊害をなくすることができる面発光体の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
請求項１に係る発明は、基板１の上面に基板電極２、発光層６を含む有機物層４、及び対向する対電極５がこの順に積層された面発光体を製造する方法であって、下記工程（Ａ）〜（Ｄ）を含むことを特徴とする。
（Ａ）基板１の上面に基板電極２と端子電極３とを形成する工程。
（Ｂ）前記基板１の上面の前記基板電極２と端子電極３に亘る領域に有機物層４を積層して形成する工程。
（Ｃ）前記有機物層４のうち端子電極３に積層された部分１３を除去する工程。
（Ｄ）前記有機物層４の上面から前記端子電極３の上面に亘って対電極５を積層して形成する工程。
【０００９】
請求項２に係る発明は、請求項１において、上記工程（Ｂ）の後、工程（Ｃ）の前に、下記工程（Ｅ）を含むことを特徴とする。
（Ｅ）上記有機物層４の上面の、工程（Ｃ）で除去される部分１３を除く領域に無機導電体層７を積層して形成する工程。
【００１０】
請求項３に係る発明は、請求項１又は２において、上記工程（Ｃ）における有機物層４を除去する手段が、プラズマ照射、レーザ光照射、イオンビーム照射及び電子ビーム照射から選択されるものであることを特徴とする。
【００１１】
請求項４に係る発明は、請求項１乃至３のいずれか一項において、上記工程（Ｃ）における有機物層４の除去を、不活性ガス雰囲気下で行うことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
請求項１に係る発明によれば、有機物層４の形成時に端子電極３の上面を避けて有機物層４を形成するような必要がなくなって、有機物層４を形成する際にパターンマスクを使用する必要がなくなり、パターンマスクに有機物等が堆積することによる装置洗浄の負担を削減することができると共に、このような有機物等が粉塵となって有機物層４に付着することによる素子性能の悪化を防止することができるものである。
【００１３】
請求項２に係る発明によれば、有機物層４の端子電極３に積層された部分１３を除去する際に有機物層４が無機導電体層７によって保護されることとなり、前記有機物層４の除去により有機物等の飛散が生じて粉塵が発生しても、この粉塵が有機物層４に付着することを防止することができ、素子特性の悪化を更に確実に防止することができるものである。
【００１４】
請求項３に係る発明によれば、有機物層４の局所的な除去を容易に行うことができて、有機物の除去の際にもパターンマスクを使用する必要がなくなり、装置洗浄の負担を更に削減することができる共にに、有機物層４への有機物の粉塵等の付着による素子性能の悪化を更に確実に防止することができるものである。
【００１５】
請求項４に係る発明によれば、活性雰囲気の影響を防ぐことができ、素子性状の劣化を防ぐことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の実施をするための最良の形態について説明する。
【００１７】
本発明で得られる面発光体は、基板１の上面に形成された基板電極２と、この基板電極２に対向する対電極５との間に、発光層６を含む有機物層４が形成されている。尚、本明細書では基板１における基板電極２、有機物層４及び対電極５が形成される側の面を、上面ということとする。以下、面発光体として特に有機ＥＬ素子Ａ（有機エレクトロルミネッセンス素子）の場合を例に挙げて説明する。
【００１８】
有機ＥＬ素子Ａを構成する基板１、基板電極２、有機物層４、対電極５等は、従来から使用されている構成をそのまま使用することができる。
【００１９】
例えば基板１は、この基板１を介して光を出射する場合は光透過性を有する適宜のもの、例えばソーダライムガラスや無アルカリガラスなどの透明ガラス板や、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、エポキシ等の樹脂、フッ素系樹脂等から任意の方法によって作製されたプラスチックフィルムやプラスチック板などを用いることができる。
【００２０】
基板電極２として本実施形態では陽極が設けられる。陽極は有機物層４にホールを注入するための電極であり、仕事関数の大きい（好ましく４ｅＶ以上）金属、合金、電気伝導性化合物、あるいはこれらの混合物からなる電極材料を用いることが好ましい。具体的な材料としては、金などの金属、ＣｕＩ、ＩＴＯ（酸化インジウム錫）、ＳｎＯ2、ＺｎＯ、ＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛）等の導電性透明材料を挙げることができる。特にＩＴＯやＩＺＯが好ましい。このとき陽極を介して光を外部に照射する場合には、陽極の光透過率は１０％以上であることが好ましく、また陽極のシート抵抗は１００Ω／□以下が好ましい。陽極の膜厚は適宜調整されるが、５００ｎｍ以下、好ましくは１０〜２００ｎｍの範囲に設定するのがよい。
【００２１】
また、端子電極３も上記基板電極２と同様に形成することができる。
【００２２】
対電極５として本実施形態では陰極が設けられる。陰極は有機物層４に電子を注入するための電極であり、仕事関数の小さい（好ましくは５ｅＶ以下）金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物からなる電極材料を用いることが好ましい。具体的な電極材料としてはナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、リチウム、マグネシウム、アルミニウム、マグネシウム−銀混合物、マグネシウム−インジウム混合物、アルミニウム−リチウム合金、Ａｌ／Ａｌ2Ｏ3混合物、Ａｌ／ＬｉＦ混合物などを挙げることができる。また、陰極を介して光を外部に照射する場合には、陰極の光透過率は１０％以上であることが好ましい。陰極の膜厚は適宜設定されるが、通常５００ｎｍ以下、好ましくは１００〜２００ｎｍの範囲とするのがよい。
【００２３】
有機物層４中の発光層６に使用できる発光材料またはドーピング材料としては、アントラセン、ナフタレン、ピレン、テトラセン、コロネン、ペリレン、フタロペリレン、ナフタロペリレン、ジフェニルブタジエン、テトラフェニルブタジエン、クマリン、オキサジアゾール、ビスベンゾキサゾリン、ビススチリル、シクロペンタジエン、キノリン金属錯体、トリス（８−ヒドロキシキノリナート）アルミニウム錯体、トリス（４−メチル−８−キノリナート）アルミニウム錯体、トリス（５−フェニル−８−キノリナート）アルミニウム錯体、アミノキノリン金属錯体、ベンゾキノリン金属錯体、トリ−（ｐ−ターフェニル−４−イル）アミン、１−アリール−２，５−ジ（２−チエニル）ピロール誘導体、ピラン、キナクリドン、ルブレン、ジスチリルベンゼン誘導体、ジスチリルアリーレン誘導体、及び各種蛍光色素等があるが、これに限定されるものではない。またこれらの化合物のうちから選択される発光材料を９０〜９９．５質量部、ドーピング材料を０．５〜１０重量部含むようにすることも好ましい。例えばＡｌｑ（アルミニウム錯体）とルブレンとの共蒸着物を挙げることができる。発光層６の厚みは０．５〜５００ｎｍ、更に好ましくは０．５〜２００ｎｍとするものである。
【００２４】
有機物層４には、発光層６に加えて、正孔注入層９、正孔輸送層１０、電子輸送層１１、電子注入層等を必要に応じて含ませることができる。
【００２５】
正孔注入層９或いは正孔輸送層１０を構成する材料としては、正孔を輸送する能力を有し、陽極からの正孔注入効果を有するとともに、発光層６または発光材料に対して優れた正孔注入効果を有し、また電子の正孔輸送層１０への移動を防止し、かつ薄膜形成能力の優れた化合物を挙げることができる。具体的にはフタロシアニン誘導体、ナフタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、Ｎ，Ｎ’−ビス(３−メチルフェニル）−(１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）や４，４’−ビス［Ｎ−（ナフチル）−Ｎ−フェニル−アミノ］ビフェニル（α−ＮＰＤ）等の芳香族ジアミン化合物、オキサゾール、オキサジアゾール、トリアゾール、イミダゾール、イミダゾロン、スチルベン誘導体、ピラゾリン誘導体、テトラヒドロイミダゾール、ポリアリールアルカン、ブタジエン、４，４’，４”−トリス（Ｎ−（３−メチルフェニル）Ｎ−フェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）、及びポリビニルカルバゾール、ポリシラン、ポリエチレンジオキサイドチオフェン（ＰＥＤＯＴ）等の導電性高分子等の高分子材料が挙げられるが、これらに限定されるものではない。例えば正孔注入層９をＰＥＤＯＴにポリスルホン酸をドーピングしたもの（ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ）で形成し、正孔輸送層１０をα−ＮＰＤで形成することができる。
【００２６】
電子輸送層１１を構成する材料としては、電子を輸送する能力を有し、陰極からの電子注入効果を有するとともに、発光層６または発光材料に対して優れた電子注入効果を有し、さらに正孔の電子輸送層１１への移動を防止し、かつ薄膜形成能力の優れた化合物を挙げることができる。具体的には、フルオレン、バソフェナントロリン、バソクプロイン、アントラキノジメタン、ジフェノキノン、オキサゾール、オキサジアゾール、トリアゾール、イミダゾール、アントラキノジメタン等やそれらの化合物、金属錯体化合物もしくは含窒素五員環誘導体である。具体的には、金属錯体化合物としては、トリス（８−ヒドロキシキノリナート）アルミニウム、トリ（２−メチル−８−ヒドロキシキノリナート）アルミニウム、トリス（８−ヒドロキシキノリナート）ガリウム、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナート）ベリリウム、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナート）亜鉛、ビス（２−メチル−８−キノリナート)（ｏ−クレゾラート）ガリウム、ビス（２−メチル−８−キノリナート)（１−ナフトラート）アルミニウム等があるが、これらに限定されるものではない。また含窒素五員環誘導体としては、オキサゾール、チアゾール、オキサジアゾール、チアジアゾールもしくはトリアゾール誘導体が好ましい。具体的には、２，５−ビス（１−フェニル）−１，３，４−オキサゾール、２，５−ビス（１−フェニル）−１，３，４−チアゾール、２，５−ビス（１−フェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、２−（４’−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−５−（４”−ビフェニル）１，３，４−オキサジアゾール、２，５−ビス（１−ナフチル)−１，３，４−オキサジアゾール、１，４−ビス［２−（５−フェニルチアジアゾリル）］ベンゼン、２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−トリアゾール、３−（４−ビフェニルイル）−４−フェニル−５−（４−ｔ−ブチルフェニル)−１，２，４−トリアゾール等があるが、これらに限定されるものではない。さらに、ポリマー有機エレクトロルミネッセンス素子に使用されるポリマー材料も使用することができる。例えば、ポリパラフェニレン及びその誘導体、フルオレン及びその誘導体等である。
【００２７】
有機ＥＬ素子Ａの具体的な構成の一例としては、基板１をガラス基板１で、陽極（基板電極２）及び端子電極３をＩＴＯで、正孔注入層９をＰＤＯＴ：ＰＳＳで、正孔輸送層１０をα−ＮＰＤで、発光層６をＡｌｑ：ルブレンで、電子輸送層１１をＡｌｑで、陰極（対電極５）をアルミニウムで、順次形成したものを挙げることができる。
【００２８】
上記の基板電極２、有機物層４及び対電極５は、真空蒸着法やスパッタリング法等の蒸着法や、塗布法などといった適宜の手法で形成することができる。
【００２９】
以下、本発明における有機ＥＬ素子Ａを製造する手順を説明する。
【００３０】
［第一の実施形態］
本実施形態の一例を図１に示す。
【００３１】
（工程（Ａ））
まず、基板１の上面に基板電極２と端子電極３とを形成する。この基板電極２と端子電極３とは基板１上の同一面上に間隔をあけて形成される。このとき例えば基板１上にパターンマスク等を用いて蒸着法や塗布法等により互いに分離した基板電極２と端子電極３とを形成することができる。またＩＴＯ等の導電性金属膜が予め形成された基板１における前記導電性金属膜の一部をエッチング処理等で除去することで基板電極２と端子電極３とを形成することもできる。
【００３２】
（工程（Ｂ））
次に、図１（ａ）に示すように、基板１上の基板電極２の上面から端子電極３の上面に亘る領域に有機物層４を積層して形成する。図示の例では、正孔注入層９、正孔輸送層１０、発光層６、電子輸送層１１を、順次積層して形成している。このとき、基板１上の基板電極２及び端子電極３が形成されている面の全面に亘って有機物層４を形成することができる。有機物層４は既述のように塗布法や蒸着法等の適宜の手法で形成することができるが、このとき有機物層４は基板１上の全面に形成することができるので、パターンマスクを使用する必要はない。このため、パターンマスクを使用する場合の弊害、すなわちパターンマスクに堆積した有機物による装置内の汚染やこの有機物等の粉塵が有機物層４に付着することによる素子特性への悪影響の発生を、防止することができるようになる。
【００３３】
（工程（Ｃ））
次に、図１（ｂ）のように、有機物層４のうち端子電極３に積層された部分１３を除去する。これにより端子電極３の上面を露出させる。このとき有機物層４の端子電極３上にある領域を全部除去しても良く、また当該領域の一部を除去せずに残存させても良い。また基板電極２上では有機物層４を除去せずに残存させるものであるが、基板電極２上で有機物層４を一部除去することで、例えば基板電極２の一部を接続用の端子として外部に露出させるようにしても良い。
【００３４】
この有機物層４の除去は、エッチング、スパッタリング等の適宜の手法で行うことができるが、特にプラズマ照射、レーザ光照射、イオンビーム照射及び電子ビーム照射から選択される手段を採用することが好ましい。この場合、プラズマ照射については分解による生成物が水や二酸化炭素等のような素子への影響が比較的少ないものとなるため、素子性能の劣化を特に防ぐことができる。このプラズマ照射としては、大気圧プラズマで行うことが特に好ましく、また、ノズルからの局所的な照射が可能である。また、レーザ光照射についてはレーザ発振器からの局所的な照射が可能であり、イオンビーム照射及び電子ビーム照射についてもそれぞれイオンビームや電子ビームを照射する照射装置からの局所的な照射が可能となる。このため、有機物層４の所望な領域への局所的な照射が可能となり、有機物層４における所望の部分１３を容易に除去することができるようになる。このため、有機物を除去するにあたっても、パターンマスクを使用する必要をなくすることができる。
【００３５】
このような大気圧プラズマ、レーザ光、イオンビーム、電子ビーム等を照射するにあたっては、図４に示すように照射装置１２にて基板１上を走査し、このとき照射装置１２による照射位置と有機物層４における除去すべき部分１３とが合致したときに照射を行うようにすることができる。照射装置１２による走査にあたっては、基板１を固定して照射装置１２側を移動させて照射位置を照射方向と直交する水平方向に移動させても良く、また基板１をＮＣテーブル上に配置するなどして基板１側を照射方向と直交する水平方向に移動させても良い。これにより正確な位置制御にて有機物層４の端子電極３に積層された部分１３を除去することができる。
【００３６】
また、このような有機物層４の除去は窒素雰囲気、アルゴン雰囲気等の不活性雰囲気で行うことが好ましい。この場合、有機物層４の成膜途中の活性雰囲気への曝露は素子性能を著しく劣化させるが、不活性雰囲気で有機物層４の除去を行うことにより、このような劣化を防ぐことができる。
【００３７】
（工程（Ｄ））
次に、図１（ｄ）に示すように、有機物層４の上面から端子電極３の表面に亘って対電極５を積層して形成し、有機ＥＬ素子Ａを得ることができる。このとき対電極５は有機物層４の上面から、この有機物層４の側面を介して端子電極３の上記露出した上面に至るように形成される。対電極５は既述のように塗布法や蒸着法等の適宜の手法で形成することができる。
【００３８】
［第二の実施形態］
本実施形態の一例を図２に示す。
【００３９】
（工程（Ａ），（Ｂ））
本実施形態における工程（Ａ）及び工程（Ｂ）は、図２（ａ）に示すように第一の実施形態と同様である。
【００４０】
（工程（Ｅ））
本実施形態では、工程（Ｂ）の後（基板１上の基板電極２の上面から端子電極３の上面に亘る領域に有機物層４を積層して形成した後）、工程（Ｃ）の前（有機物層４のうち端子電極３に積層された部分１３を除去する前）に、図２（ｂ）に示すように有機物層４の上面の、工程（Ｃ）で除去される部分１３を除く領域に無機導電体層７を積層して形成する工程（Ｅ）を追加する。
【００４１】
この工程（Ｅ）において形成する無機導電体層７は、金属や導電性無機物にて形成することができ、具体的には対電極５を形成する場合と同じ材料を用い、塗布法、蒸着法等を用いて形成することもできる。このとき、有機物層４の上面の、工程（Ｃ）で除去される部分１３を除く領域にのみ無機導電体層７を形成するためには、必要に応じてパターンマスクを使用することができる。
【００４２】
（工程（Ｃ））
次に、第一の実施形態の場合と同様に、図２（ｃ）に示すように有機物層４のうち端子電極３に積層された部分１３を除去する。このとき有機物層４における前記除去すべき部分１３以外の領域は、工程（Ｅ）において無機導電体にて覆われて保護されている。このため、有機物層４を除去する際に有機物等の粉塵が飛散しても、この粉塵が有機物層４の上面に付着することがなくなる。
【００４３】
（工程（Ｄ））
次に、第一の実施形態の場合と同様に、図４（ｄ）に示すように有機物層４の上面から端子電極３の表面に亘って対電極５を積層して形成することで、有機ＥＬ素子Ａが得られる。このとき、有機物層４の上面に予め形成されている無機導電体層７は、対電極５の一部となる。従って、工程（Ｃ）において無機導電体層７に有機物等の粉塵が付着しても、この粉塵は対電極５内に混入された状態になるだけで、有機ＥＬ素子Ａの素子特性に悪影響を及ぼすようなことはない。
【００４４】
［第三の実施形態］
上記第一及び第二の実施形態では、基板電極２と対電極５との間に一層の有機物層４を設けているが、複数層の有機物層４を形成する場合にも、本発明は適用し得る。その一例を図３に示す。
【００４５】
（工程（Ａ））
本実施形態における工程（Ａ）は、第一及び第二の実施形態と同様である。
【００４６】
（工程（Ｂ））
次に、図３（ａ）〜（ｃ）に示すように、基板１の表面の基板電極２と端子電極３に亘る領域に有機物層４を積層して形成する。このとき、二層の有機物層４ａ，４ｂを順次積層して形成するものであり、且つ一層目の有機物層４ａを形成した後、二層目の有機物層４ｂを形成する前に、この二つの有機物層４の間に介在する中間層８を形成する。
【００４７】
一層目の有機物層４ａの形成にあたっては、第一の実施形態や第二の実施形態の場合のように、例えばＰＤＯＴ：ＰＳＳ等からなる正孔注入層９、α−ＮＰＤ等からなる正孔輸送層１０、Ａｌｑ：ルブレン等からなる発光層６、Ａｌｑ等からなる電子輸送層１１を、順次形成する。
【００４８】
中間層８は隣り合う有機物層４の間に介在してこの有機物層４間を電気的に接続する機能を有する。この中間層８としては公知の適宜のものを形成することができるが、例えば、（１）ＢＣＰ:Ｃｓ／Ｖ2Ｏ5、（２）ＢＣＰ:Ｃｓ／ＮＰＤ:Ｖ2Ｏ5、（３）Ｌｉ錯体とＡｌのその場反応生成物、（４）Ａｌｑ:Ｌｉ／ＩＴＯ／ホール輸送材料等が挙げられる（「：」は２種の材料の混合を、「／」は前後の組成物の積層を表す）。これらの中間層８はその組成等に応じ、塗布、蒸着等の適宜の手法で形成することができる。
【００４９】
中間層８は、有機物層４の上面における、下記工程（Ｃ）で除去される部分１３を除く領域にのみ形成するものであり、そのため必要に応じてパターンマスクを使用して中間層８を形成する。
【００５０】
二層目の有機物層４ｂの形成にあたっては、例えばα−ＮＰＤ等からなる正孔輸送層１０、Ａｌｑ：ルブレン等からなる発光層６、Ａｌｑ等からなる電子輸送層１１を、順次形成する。
【００５１】
（工程（Ｃ））
次に、第一の実施形態，２の場合と同様に、図３（ｄ）に示すように有機物層４のうち端子電極３に積層された部分１３を除去する。このとき有機物層４における前記除去すべき部分１３以外の領域には、一層目の有機物層４ａと二層目の有機物層４ｂとの間に中間層８が介在しているが、有機物層４における前記除去すべき部分１３には、中間層８が介在していない。このため、有機物層４のみが除去されることとなる。
【００５２】
（工程（Ｄ））
次に、第一の実施形態の場合と同様に、図３（ｅ）に示すように有機物層４の上面から端子電極３の表面に亘って対電極５を積層して形成する。
【００５３】
本実施形態によれば、多層の有機物層４を積層して形成する場合であっても、第一の実施形態及び第二の実施形態の場合と同様に、基板１上の同一面に基板電極２と、対電極５に接続された端子電極３とが形成されることとなり、この基板１上の同一面において面発光体（有機ＥＬ素子Ａ）への給電を行うことができるようになる。また、このように形成するにもかかわらず、有機物層４の形成時にはパターンマスクを使用する必要がなくなるものである。
【００５４】
また、工程（Ｃ）において有機物層４の端子電極３に積層された部分１３を除去する際に、この有機物層４の除去すべき部分１３には隣り合う有機物層４の間に中間層８が介在していないため、前記プラズマ照射、レーザ光照射、イオンビーム照射及び電子ビーム照射等でも有機物層４の除去が阻害されることが無く、有機物層４を容易に除去することが可能となる。仮にこの部分１３に中間層８が介在すると、中間層８は無機物を含むためプラズマ照射、レーザ光照射、イオンビーム照射及び電子ビーム照射等では除去することは困難なものとなる。
【００５５】
尚、上記各実施形態の説明では、面発光体の製造方法を説明したが、同様の方法は有機太陽電池等のように、基板電極と対電極の間に有機物層を備えた薄膜型素子を製造する場合にも利用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】本発明の第一の実施形態を示すものであり、（ａ）乃至（ｃ）は断面図である。
【図２】本発明の第二の実施形態を示すものであり、（ａ）乃至（ｄ）は断面図である。
【図３】本発明の第三の実施形態を示すものであり、（ａ）乃至（ｅ）は断面図である。
【図４】同上の各実施形態における有機物層の端子電極に積層された部分を除去するための工程の一例を示す概略の斜視図である。
【図５】従来技術の一例を示す断面図である。
【符号の説明】
【００５７】
Ａ    有機ＥＬ素子（面発光体）
１    基板
２    基板電極
３    端子電極
４    有機物層
５    対電極
６    発光層
７    無機導電体層
８    中間層
１３  部分
【図１】
2008311037.tif 000003
【図２】
2008311037.tif 000004
【図３】
2008311037.tif 000005
【図４】
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【図５】
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