(57)【要約】【課題】無線通信を利用した大型表示装置の高精細化を実現することを課題とする。また、画像回路部の駆動用電源電圧の生成を安定化させることを課題とする。【解決手段】画素回路部複数個につき１つのアンテナを設け、複数の画素間でアンテナを共有することで、無線通信を利用した大型表示装置の高精細化が可能となる。よって、高画質な表示装置を提供することができる。また、バッテリを内蔵することで、画素回路部に安定した電源電圧を供給できる。よって、表示装置の表示不良を防止することができる。【選択図】図１
2008164855.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
信号を受信するアンテナ回路と、
前記アンテナ回路より受信する信号により制御される複数の画素回路部と、
前記複数の画素回路部の各々により制御される表示素子とを、複数有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
信号を受信するアンテナ回路と、
前記アンテナ回路より受信する信号により制御される複数の画素回路部と、
前記複数の画素回路部の各々により制御される表示素子とを、複数有し、
前記アンテナ回路より受信する信号により前記複数の画素回路部のうちの一が選択され、当該画素回路部に信号が供給されることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
信号を受信するアンテナ回路と、
前記アンテナ回路より受信する信号により制御される複数の画素回路部と、
前記複数の画素回路部の各々により制御される表示素子とを、複数有し、
前記画素回路部はメモリ部を有し、
前記アンテナ回路より受信する信号により前記複数の画素回路部のうちの一が選択され、当該画素回路部の前記メモリ部に格納された階調情報に基づいて前記表示素子が制御されることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記画素回路部は整流回路及び電源電圧生成回路を有し、
前記信号より前記整流回路及び前記電源電圧生成回路を用いて電源電圧が生成されることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項４において、
前記半導体装置は、さらに前記電源電圧を蓄えるバッテリを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項５において、
前記半導体装置は、前記バッテリと電気的に接続される太陽電池を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項６において、
前記バッテリは、フォトセンサによって制御されるスイッチを介して前記太陽電池と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は無線通信を利用した表示装置に関する。特に大型表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電磁界又は電波等の無線通信を利用した個体識別技術が注目を集めている。特に、無線通信により情報伝達を行う半導体装置として、ＲＦＩＤ（Ｒａｄｉｏ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ  Ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）タグを利用した個体識別技術が注目を集めている。ＲＦＩＤタグ（以下、単にＲＦＩＤという）は、ＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）タグ、ＩＣチップ、ＲＦタグ、無線タグ、電子タグとも呼ばれる。ＲＦＩＤを用いた個体識別技術は、個々の対象物の生産、管理等に役立ち始めており、個体認証への応用も期待されている。
【０００３】
ＲＦＩＤには、情報を含んだ電波又は電磁波を送信することが可能な外部からの電波又は電磁波（搬送波）の電力を利用して駆動するパッシブタイプ（受動タイプ）がある（特許文献１を参照）。パッシブタイプは、ＲＦＩＤを駆動するための電源を外部からの電波又は電磁波（搬送波）の電力を利用して作り出すことで、電池を備えることのない構成を実現している。
【０００４】
また、近年表示装置は、持ち運びや設置のしやすさなどの利点から、パッシブタイプのＲＦＩＤの応用として、無線通信によって画像信号を直接表示装置に送信する非接触型表示装置も注目を集めている（特許文献２、特許文献３を参照）。非接触型表示装置は、電波送受信装置との距離によっては電力を受信することができなくなるため、常に無線通信が可能な距離を保つという制限がある。
【０００５】
一方、近年、屋外の広告や看板といった宣伝には、大型の表示装置が用いられており、大型の表示装置の開発が活発に進められている。
【特許文献１】特表２００６−５０３３７６号公報
【特許文献２】特開２００６−０１８１３２号公報
【特許文献３】特開２００４−０８６１７２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、例えば特許文献３に記載の、従来の無線通信を利用した表示装置では、各画素に画像信号として、電波送受信装置によって送信される、変調された搬送波（以下、無線信号とする。）を受信するためのアンテナと、アンテナで受信した無線信号を画素回路部内で解析し、表示素子の発光を制御する画素回路部と、表示素子とを有するため、１画素あたりの面積が大きく高精細化が難しいといった問題があった。
【０００７】
中でもアンテナは、電波送受信装置と非接触型表示装置との距離、受信する無線信号の周波数や周囲の環境、電波送受信装置のアンテナとの相性等により、電波送受信装置に合わせて適宜、形状やサイズの最適値が決定されるため、１画素内のアンテナの占有面積を縮小することは、他の回路部に比べて難しい。
【０００８】
一般的に、アンテナの無線信号の電力受信性能は、アンテナのサイズが最適値より小さいと低下する。回路構成によって、たとえ表示装置内の画素回路部の消費電力がある程度抑えられ、アンテナのサイズを小さく出来たとしても、画素回路部よりもアンテナの占有面積を小さくすることは難しい。そのため、大抵の場合、１画素内で占有するアンテナの面積は、画素回路部より大きくなるか同等である。よって、１画素あたりに１つのアンテナを備える構成では、たとえアンテナ以外の回路部分をいくら小さく出来たとしても、アンテナの性能による限界により高精細化が難しい。
【０００９】
また、無線通信を利用した大型表示装置においては、受信した無線信号から画素回路部を駆動させるのに必要な電源電圧を生成するパッシブタイプの場合、電波送受信装置と非接触型表示装置との距離や周囲の環境によって、電波送受信装置から送信される無線信号の電力が低下することが懸念される。無線信号の電力が低下すると、画素回路部を駆動させるのに必要な電源電圧を安定して生成出来ない。電源電圧の生成における不安定さは、画素回路部の制御がうまく働かず、表示不良の原因となる。
【００１０】
そこで本発明は、大型表示装置の高精細化を実現することを課題とする。また、画像回路部の駆動用電源電圧の生成を安定化させることを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を鑑み、本発明は、無線通信を利用した大型表示装置において、画素回路部複数個につき１つのアンテナを設け、複数の画素間でアンテナを共有することで、従来１画素内で占有面積の大きかったアンテナの占有面積を縮小し、表示装置の高精細化を図ることを特徴とする。また、画素回路部内の電源電圧生成回路にバッテリを設けることで、無線信号が受信しにくい環境であっても、電源電圧生成回路から生成される電源電圧の安定供給化を図ることを特徴とする。
【００１２】
本発明の一は、信号を受信するアンテナ回路と、前記アンテナ回路より受信する信号により制御される複数の画素回路部と、前記複数の画素回路部の各々により制御される表示素子とを、複数有することを特徴とする半導体装置である。
【００１３】
本発明の一は、信号を受信するアンテナ回路と、前記アンテナ回路より受信する信号により制御される複数の画素回路部と、前記複数の画素回路部の各々により制御される表示素子とを、複数有し、前記アンテナ回路より受信する信号により前記複数の画素回路部のうちの一が選択され、当該画素回路部に信号が供給されることを特徴とする半導体装置である。
【００１４】
本発明の一は、信号を受信するアンテナ回路と、前記アンテナ回路より受信する信号により制御される複数の画素回路部と、前記複数の画素回路部の各々により制御される表示素子とを、複数有し、前記画素回路部はメモリ部を有し、前記アンテナ回路より受信する信号により前記複数の画素回路部のうちの一が選択され、当該画素回路部の前記メモリ部に格納された階調情報に基づいて前記表示素子が制御されることを特徴とする半導体装置である。
【００１５】
本発明の一は、信号を受信する複数のアンテナ回路と、複数の画素回路部及び表示素子とを有し、前記画素回路部の各々は前記アンテナ回路より受信する信号により前記表示素子を制御し、前記アンテナ回路の各々は複数の前記画素回路部で共有化されていることを特徴とする半導体装置である。
【００１６】
上記構成において、前記画素回路部は整流回路及び電源電圧生成回路を有し、前記信号より前記整流回路及び前記電源電圧生成回路を用いて電源電圧が生成される。また、上記の半導体装置は、前記電源電圧を蓄えるバッテリを有していても良い。さらに、前記バッテリと電気的に接続される太陽電池を有していても良い。また、前記太陽電池は、フォトセンサによって制御されるスイッチを介して前記バッテリと電気的に接続されていることが好ましい。
【００１７】
なお、本明細書において、表示装置とは表示素子を有する半導体装置を指す。
【００１８】
また、明細書に示すスイッチは、様々な形態のものを用いることができる。例としては、電気的スイッチや機械的なスイッチなどがある。つまり、電流の流れを制御できるものであればよく、特定のものに限定されない。例えば、スイッチとして、トランジスタ（例えば、バイポーラトランジスタ、ＭＯＳトランジスタなど）、ダイオード（例えば、ＰＮダイオード、ＰＩＮダイオード、ショットキーダイオード、ＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ  Ｍｅｔａｌ）ダイオード、ＭＩＳ（Ｍｅｔａｌ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）ダイオード、ダイオード接続のトランジスタなど）、サイリスタなどを用いることが出来る。また、これらを組み合わせた論理回路をスイッチとして用いることも可能である。
【００１９】
また、本発明において、トランジスタは特に限定されない。非晶質シリコンや多結晶シリコンに代表される非単結晶半導体膜を用いた薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、半導体基板やＳＯＩ基板を用いて形成されるトランジスタ、接合型トランジスタ、バイポーラトランジスタ、ＺｎＯやａ−ＩｎＧａＺｎＯなどの化合物半導体を用いたトランジスタ、有機半導体やカーボンナノチューブを用いたトランジスタ等を適用することができる。また、トランジスタが配置されている基板の種類についても特に限定されず、例えば、単結晶基板、ＳＯＩ基板、ガラス基板、プラスチック基板等を用いることができる。
【００２０】
本発明において接続されているとは、電気的に接続されていることと同義である。したがって、本発明が開示する構成において、所定の接続関係、例えば図または文章に示された接続関係に加え、その間に電気的な接続を可能とする他の素子（例えば、スイッチやトランジスタや容量素子やインダクタや抵抗素子やダイオードなど）が配置されていてもよい。もちろん、間に他の素子を介さずに配置されていてもよく、電気的に接続されているとは直接的に接続されている場合を含むものとする。
【００２１】
なお、本発明の表示装置は大型表示装置として用いる方がより効果的ではあるが、表示装置の大きさは特に問わない。
【発明の効果】
【００２２】
本発明により、無線通信を利用した大型表示装置の高精細化が可能となる。よって、高精細化により高画質な表示を実現することができる。また、バッテリを内蔵することで、画素回路部を駆動させるのに必要な電源電圧を安定して供給することができる。よった、表示不良を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下に、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。実施の形態を説明するための全図において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００２４】
（実施の形態１）
本実施の形態では、無線通信を利用した大型表示装置の高精細化を図るため、画素回路部複数個につき１つのアンテナを備えた構成、即ち複数の画素間でアンテナを共有化することで高精細化を図る表示装置の一例について説明する。
【００２５】
図１に、無線通信を利用した大型表示装置の構成を示す。表示装置１０２は、複数の画素回路部１０４と、無線信号を受信可能なアンテナ回路１０３と、各々の画素回路部１０４によって制御される表示素子とを有する。なお、前記アンテナ回路１０３は画素回路部１０４複数個につき１つ設けられ、複数の画素間で共有されている。図１において、無線通信は電波送信装置１０１から送信されている。
【００２６】
表示素子２１０を制御する画素回路部１０４の構成を図２に示す。表示素子２１０を制御する画素回路部１０４の構成は、整流回路２０１と、復調回路２０２と、電源電圧生成回路２０３と、クロック生成回路２０４と、制御部２０５と、メモリ部２０８と、Ｄ／Ａコンバータ２０９とによって構成される。制御部２０５は、受信した無線信号を認識し判定する回路（以下、コード認識・判定回路とする）２０６と、コントローラ２０７によって構成される。
【００２７】
次に、図１における電波送信装置１０１の構成例について、図３を用いて説明する。
【００２８】
電波送信装置１０１は、送信部３０４、制御部３０５、インターフェイス部３０６、処理部３０７、アンテナ回路３０１によって構成されている。制御部３０５は、インターフェイス部３０６を介した処理部３０７の制御により、画像データの処理命令について、送信部３０４を制御する。なお、処理部３０７は電波送信装置１０１の外部に設けられていても良い。送信部３０４は、表示装置１０２に送信する情報として、選択したい画素回路部１０４のＩＤと、画素回路部１０４によって制御される表示素子２１０の階調情報と、画素回路部１０４の制御信号とを変調し、アンテナ回路３０１から電磁波として出力する。
【００２９】
そのため、電波送信装置１０１から送信される無線信号は、選択したい画素回路部１０４のＩＤ、選択したい画素回路部１０４によって制御される表示素子２１０の階調情報、画素回路部１０４の制御信号とを有している。無線信号にのせる情報は、特にこれに限定されるものではなく、必要であれば前述した情報以外の情報を追加してもよい。本実施の形態では、予め各画素回路部１０４にそれぞれＩＤを割当てておき、受信した無線信号と画素回路部１０４が有するＩＤが一致しなければ、図２における画素回路部１０４におけるメモリ部２０８から階調情報を出力しない構成とする。
【００３０】
なお、表示装置１０２と電波送信装置１０１間での送受信に用いられる無線信号の周波数は、１２５ｋＨｚ、１３．５６ＭＨｚ、９１５ＭＨｚ、２．４５ＧＨｚなどがあり、それぞれＩＳＯ規格などで設定される。勿論、画素回路部と電波送信装置間で送受信される無線信号の周波数はこれに限定されず、例えばサブミリ波である３００ＧＨｚ〜３ＴＨｚ、ミリ波である３０ＧＨｚ〜３００ＧＨｚ、マイクロ波である３ＧＨｚ〜３０ＧＨｚ、極超短波である３００ＭＨｚ〜３ＧＨｚ、超短波である３０ＭＨｚ〜３００ＭＨｚ、短波である３ＭＨｚ〜３０ＭＨｚ、中波である３００ｋＨｚ〜３ＭＨｚ、長波である３０ｋＨｚ〜３００ｋＨｚ、及び超長波である３ｋＨｚ〜３０ｋＨｚのいずれの周波数も用いることができる。
【００３１】
搬送波の変調方式は、アナログ変調であってもデジタル変調であってもよく、振幅変調、位相変調、周波数変調、及びスペクトラム拡散のいずれであってもよい。好ましくは、振幅変調又は周波数変調にするとよい。
【００３２】
次に、アンテナ回路１０３の構成例を図４に示す。
【００３３】
アンテナ回路１０３は、ＬＣ並列共振回路を構成するアンテナ４０２及び共振容量４０３によって構成される。電波送信装置１０１から送信される無線信号によって、アンテナ４０２に誘導磁場が生成され、この誘導磁場により、アンテナ４０２に起電力が誘導される。アンテナ回路１０３では、アンテナ４０２に誘導される起電力を電気的信号として受信する。
【００３４】
なお、アンテナ４０２が有するインダクタンスの大きさ及び共振容量４０３の大きさを調節することにより、アンテナ回路１０３での無線信号の受信効率や、アンテナ回路１０３で受信可能な無線信号の周波数帯を調節することができる。
【００３５】
本発明に用いることのできるアンテナの形状については特に限定されない。そのため、伝送方式は、電磁結合方式、電磁誘導方式又は電波方式、光方式等を用いることができる。伝送方式は、実施者が使用用途を考慮して適宜選択すればよく、伝送方式に伴って最適な長さ及び形状を有するアンテナを設ければよい。本発明では信号の伝送方式として、電波方式を用いることができ、更にはマイクロ波方式を用いることができる。
【００３６】
伝送方式として電磁結合方式又は電磁誘導方式（例えば、１３．５６ＭＨｚ帯）を適用する場合には、電界密度の変化による電磁誘導を利用するため、アンテナとして機能する導電膜を輪状（例えば、ループアンテナ）又はらせん状（例えば、スパイラルアンテナ）に形成する。
【００３７】
伝送方式として電波方式の一種であるマイクロ波方式（例えば、ＵＨＦ帯（８６０〜９６０ＭＨｚ帯）又は２．４５ＧＨｚ帯等）を適用する場合には、信号の伝送に用いる電波の波長を考慮してアンテナとして機能する導電膜の長さや形状を適宜設定すればよい。アンテナとして機能する導電膜を例えば、線状（例えば、ダイポールアンテナ）、平坦な形状（例えば、パッチアンテナ）等に形成することができる。また、アンテナとして機能する導電膜の形状は線状に限られず、電磁波の波長を考慮して曲線状や蛇行形状又はこれらを組み合わせた形状で設けてもよい。
【００３８】
なお、ここでは表示装置１０２が有するアンテナ回路１０３の構成について説明したが、電波送信装置１０１が有するアンテナ回路３０１についても同様である。図３に示すようにアンテナ回路３０１は、ＬＣ並列共振回路を構成するアンテナ３０２及び共振容量３０３によって構成されている。
【００３９】
電波送信装置１０１から送信された無線信号は、表示装置１０２内のアンテナ回路１０３で受信される。アンテナ回路１０３は、画素回路部１０４が複数個につき１つ設けられ、複数の画素間でアンテナが共有されている。
【００４０】
図５に、１つのアンテナ回路１０３を、画素回路部１０４が複数個で共有している図を示す。従来、アンテナ回路１０３は画素回路部１０４が１個につき１つ設けられていたが、１画素内でアンテナ回路１０３が画素回路部１０４を占有する面積が大きかった。しかし、図５に示すように、アンテナ回路１０３を画素回路部１０４複数個につき１つ設け、複数の画素間でアンテナ回路１０３を共有することで、アンテナ回路１０３の画素回路部１０４における占有面積を縮小できる。よって、表示装置の高精細化を実現することができる。
【００４１】
図１および図５には、一例として画素回路部１０４が３つにつき１つのアンテナ回路１０３を設け、３つの画素でアンテナを共有しているが、アンテナ回路１０３を共有する画素回路部１０４の個数はこれに限定されるものではなく、適宜最適な形態で共有するように設けてよい。アンテナ回路１０３を共有する画素回路部１０４の個数が多いほど、より高精細化を図れるが、アンテナ回路１０３を共有する画素回路部１０４が２個の場合でも、従来と比較すると高精細な表示装置が実現出来る。このように、アンテナ回路１０３の共有は表示装置の高精細化に効果的である。
【００４２】
次に、図２を用いて本発明の表示装置の動作について説明する。アンテナ回路１０３で受信した無線信号は、画素回路部１０４の整流回路２０１および復調回路２０２に入力される。
【００４３】
整流回路２０１では、アンテナ回路１０３で受信した無線信号が入力されると、半波整流もしくは全波整流を行い直流電圧を得る。
【００４４】
整流された整流後の電圧は、電源電圧生成回路２０３の入力電圧として入力され、電源電圧生成回路２０３にて一定電圧が生成される。電源電圧生成回路２０３にて生成された一定電圧が、制御部２０５の電源電圧となる。
【００４５】
また、回路構成や受信する無線信号の周波数に応じて様々であるが、クロック生成回路２０４に、例えば、制御端子に加える直流電圧によって発振周波数を変化させることができる発振器（ＶＣＯ：Ｖｏｌｔａｇｅ  Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ  Ｏｓｃｉｌｌａｔｏｒｓ）を用いる場合は、クロック生成回路２０４の電源電圧として電源電圧生成回路２０３にて生成された一定電圧を用いる。
【００４６】
復調回路２０２は、アンテナ回路１０３で受信した無線信号が入力されると、命令信号等（以下、復調信号とする。）を取り出し、制御部２０５のコード認識・判定回路２０６へ入力する。
【００４７】
また、回路構成や受信する無線信号の周波数に応じて様々であるが、クロック生成回路２０４に、設定された基準周波数や入力信号に対して、出力信号の周波数を一致させる役割を果たすＰＬＬ（Ｐｈａｓｅ  Ｌｏｃｋｅｄ  Ｌｏｏｐ）を用いる構成のクロック生成回路２０４の場合、復調信号は、クロック生成回路２０４の入力信号として用いる。なお、この場合においても、クロック生成回路２０４の電源電圧として電源電圧生成回路２０３にて生成された一定電圧を用いる。
【００４８】
クロック生成回路２０４の構成は、先に述べたように、回路構成や受信する無線信号の周波数に応じて様々である。例えば、上述の方式以外に、電波送信装置１０１から送信される無線信号を直接用いて、クロックを生成するような回路構成でもよい。
【００４９】
クロック生成回路２０４にて生成されたクロック信号は、制御部２０５のコード認識・判定回路２０６およびコントローラ２０７に入力される。
【００５０】
制御部２０５に、電源電圧生成回路２０３にて生成された電源電圧が供給され、制御部２０５のコード認識・判定回路２０６へ、復調信号およびクロック生成回路２０４により生成されたクロック信号が入力されると、コード認識・判定回路２０６は、復調信号をデコードし、電波送信装置１０１からの命令信号を認識し、命令が適切なものかどうかを判定する。つまり、コントローラ２０７を用いてメモリ部２０８の内容を参照し（言い換えれば、個体識別情報を照会する）、送られた命令を、実行するか否かを判断する。
【００５１】
コントローラ２０７は、クロック生成回路２０４により生成されたクロック信号および、コード認識・判定回路２０６から出力された、メモリ部２０８に記録されている情報を読み出すあるいは聞き込む命令信号が入力されると、メモリ部２０８に記録されている階調情報に対してデータの読み込みを行う。また、コントローラ２０７は、Ｄ／Ａコンバータ２０９の制御信号も生成している。
【００５２】
メモリ部２０８は、コントローラ２０７からのイネーブル信号が入力されると、指定されたアドレスのメモリを選択し、階調情報をＤ／Ａコンバータ２０９へ出力する。
【００５３】
Ｄ／Ａコンバータ２０９は、コントローラ２０７から入力される制御信号に従い、メモリ部２０８から出力された階調情報が入力されると、デジタル信号からアナログ信号に変換し、表示素子２１０へ所望の電位を供給する。このようにして、表示素子２１０の明るさ、色調、偏光などを変化させる。
【００５４】
なお、本発明の表示装置の表示素子には、ＬＥＤ、ＥＬ素子（有機ＥＬ素子、無機ＥＬ素子又は有機物及び無機物を含むＥＬ素子）、液晶素子、電位インクなど、適宜最適なものを選ぶことができる。
【００５５】
以上のように、画素回路部複数個につき１つのアンテナを備え、複数の画素間でアンテナを共有することで、画素回路部の面積を縮小することが可能となり、大型表示装置の高精細化が実現出来る。
【００５６】
（実施の形態２）
本実施の形態では、バッテリを設けることで、画素回路部の駆動に必要な電源電圧を常時安定して供給することが出来る表示装置の構成について説明する。なお、実施の形態１と同様のものについては同じ番号を付し、その詳細な説明は省略する。
【００５７】
バッテリ２５２を有する画素回路部１０４を図６に示す。表示素子２１０を制御する画素回路部１０４は、整流回路２０１と、復調回路２０２と、電源電圧生成回路２０３と、クロック生成回路２０４と、制御部２０５と、メモリ部２０８と、Ｄ／Ａコンバータ２０９と、バッテリ２５２とを有する。制御部２０５はコード認識・判定回路２０６と、コントローラ２０７とを有する。
【００５８】
なお、電源電圧生成回路２０３は、制御部２０５に一定の電源電圧を常時供給している。しかし、無線信号の受信効率が外部要因等により急に低下し、画素回路部１０４の受信電力が下がると、電源電圧生成回路２０３から出力される電圧は所望の電位より低くなる。
【００５９】
このような場合、電源電圧生成回路２０３の出力スイッチ２５４をオフ、バッテリ２５２のスイッチ２５５をオンとすることで、バッテリ２５２に蓄えられているエネルギーを制御部２０５に供給する。このようにして、例え電源電圧生成回路２０３の出力電圧が下がったとしても画素回路部１０４の駆動に必要な電源電圧を安定して供給することができる。なお、スイッチ２５５を設けることで、バッテリ２５２に蓄えられたエネルギーの漏洩を防止することができる。
【００６０】
また、上記方法に限らず、電源電圧生成回路２０３より供給される電源電圧の不足分のみをバッテリ２５２より供給しても良い。
【００６１】
なお、バッテリ２５２に蓄えられるエネルギーは、例えば電源電圧生成回路２０３から出力される電源電圧が画素回路部を駆動させるために必要な電源電圧より十分に大きいときに、電源電圧生成回路２０３から出力される電源電圧のうちの余剰分をバッテリ２５２に充電すれば良い。また、表示装置１０２に複数の画素で共有しているアンテナ回路１０３及び各画素回路部１０４が有する整流回路２０１とは別に、さらにアンテナ回路及び整流回路を設けることにより、無作為に生じている電波等からバッテリ２５２に蓄えるエネルギーを得ても良い。
【００６２】
バッテリーとは、充電することで連続使用時間を回復することができる電池のことをいい、バッテリーとしてはシート状に形成された電池を用いることが好ましく、例えばゲル状電解質を用いるリチウムポリマー電池や、リチウムイオン電池、リチウム２次電池等を用いることで、小型化が可能である。もちろん、充電可能な電池であれば何でもよく、ニッケル水素電池、ニッケルカドミウム電池などであってもよいし、また大容量のコンデンサーなどを用いても良い。
【００６３】
以上のようにして、画素回路部にバッテリを設けることで、画素回路部の駆動に必要な電源電圧を常時安定して供給することができる。
【００６４】
図６では、各画素回路部１０４ごとにバッテリ２５２を設けた例について示しているが、図７に示すように、画素回路部複数個につき１つのバッテリを備えてもよい。例えば、アンテナ回路１０３と同じ数だけ設けてもよいし、アンテナ回路１０３の数より少なく設けることも、多く設けることも可能である。また、このような場合、画素回路部１０４ごとに設けられた整流回路２０１及び電源電圧生成回路２０３も複数の画素間で共有化しても良い。
【００６５】
さらに、大型表示装置の場合、広告や看板といった宣伝に使用されることをが多く、屋外に設置される場面も多い。そのため、図８に示すように画素回路部１０４にさらに太陽電池２５３を設け、太陽光を利用して太陽電池２５３より得られるエネルギーをバッテリ２５２に充電しても良い。
【００６６】
なお、太陽電池２５３は、フォトセンサ２５１によって制御されるスイッチ２５６を介してバッテリ２５２と接続されている。フォトセンサ２５１によって検出した照度がある基準以上の場合はスイッチ２５６がオンとなり、基準以下の場合にはスイッチ２５６がオフとなる。このようにして、光が照射され太陽電池２５３が発電している時のみスイッチ２５６がオンとなり、太陽電池より得られるエネルギーがバッテリ２５２に充電される。一方、太陽電池２５３に発電能力がない場合にはスイッチ２５６はオフとなり、太陽電池２５３とバッテリ２５２との電気的接続が切断される。よって、バッテリ２５２に蓄えられたエネルギーの漏洩を防止することができる。
【００６７】
以上のように、電波等より得られるエネルギーにつけ加え、太陽電池２５３から得られるエネルギーをバッテリ２５２に蓄えることで、画素回路部の駆動に必要な電源電圧をより安定して供給することができる。もちろん、太陽電池２５３から得られるエネルギーのみをバッテリ２５２に蓄えても良い。
【００６８】
図８では、各画素回路部１０４ごとにバッテリ２５２及び太陽電池２５３を設けた例について示しているが、図９に示すように、画素回路部複数個につき１つのバッテリ及び太陽電池を備えてもよい。例えば、アンテナ回路１０３と同じ数だけ設けてもよいし、アンテナ回路１０３の数より少なく設けることも、多く設けることも可能である。また、このような場合、画素回路部ごとに設けられた整流回路２０１及び電源電圧生成回路２０３も画素間で共有化しても良い。また、太陽電池は光が照射される箇所であれば、どこにいくつ設けても良い。
【００６９】
以上より、電源電圧生成回路にバッテリを設けることで、表示装置が無線信号を受信する受信効率が低下した場合でも、常時安定した電源電圧を生成することが出来る。よって、表示装置の表示不良を防止することができる。また、本発明の表示装置は、画素回路部複数個につき１つのアンテナを備え、複数の画素間でアンテナを共有化することで、画素回路部の面積を縮小することができる。よって、大型表示装置の高精細化が実現出来る。
【００７０】
（実施の形態３）
本実施の形態では、上記実施形態で示した表示装置の作製方法の一例に関して、部分断面図を用いて説明する。
【００７１】
まず、図１０（Ａ）に示すように、基板５０１の一表面に下地膜として機能する絶縁膜５０２と半導体膜５０３（例えば、非晶質珪素を含む膜）を積層して形成する。なお、絶縁膜５０２および半導体膜５０３は、連続して形成することができる。
【００７２】
なお、基板５０１は、ガラス基板、石英基板、ステンレス等の金属基板の一表面に絶縁膜を形成したもの、本工程の処理温度に耐えうる耐熱性があるプラスチック基板等を用いるとよい。このような基板５０１であれば、その面積や形状に大きな制限はないため、基板５０１として、例えば、１辺が１メートル以上であって、矩形状のものを用いれば、生産性を格段に向上させることができる。このような利点は、円形のシリコン基板を用いる場合と比較すると、大きな優位点である。
【００７３】
また、絶縁膜５０２は、ＣＶＤ法やスパッタリング法等を用いて、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコン（ＳｉＯｘＮｙ）（ｘ＞ｙ＞０）、窒化酸化シリコン（ＳｉＮｘＯｙ）（ｘ＞ｙ＞０）等の絶縁材料を用いて形成する。例えば、絶縁膜５０２を２層構造とする場合、第１層目の絶縁膜として窒化酸化シリコン膜を形成し、第２層目の絶縁膜として酸化窒化シリコン膜を形成するとよい。また、第１層目の絶縁膜として窒化シリコン膜を形成し、第２層目の絶縁膜として酸化シリコン膜を形成してもよい。絶縁膜５０２は、基板５０１からその上に形成される素子に不純物元素が混入するのを防ぐブロッキング層として機能する。このように、ブロッキング層として機能する絶縁膜５０２を形成することによって、基板５０１からＮａなどのアルカリ金属やアルカリ土類金属がこの上に形成される素子に悪影響を与えることを防ぐことができる。なお、基板５０１として石英を用いるような場合には絶縁膜５０２を省略してもよい。
【００７４】
また、半導体膜５０３は、スパッタリング法、ＬＰＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等により、２５〜２００ｎｍ（好ましくは３０〜１５０ｎｍ）の厚さで形成する。
【００７５】
次に、図１０（Ｂ）に示すように、半導体膜５０３にレーザー光を照射して結晶化を行う。なお、レーザー光の照射と、ＲＴＡ又はファーネスアニール炉を用いる熱結晶化法、結晶化を助長する金属元素を用いる熱結晶化法とを組み合わせた方法等により半導体膜５０３の結晶化を行ってもよい。その後、得られた半導体膜を所望の形状にエッチングして、結晶化した半導体膜５０３ａ〜５０３ｃを形成し、当該半導体膜５０３ａ〜５０３ｃを覆うようにゲート絶縁膜５０４を形成する。
【００７６】
なお、ゲート絶縁膜５０４は、ＣＶＤ法やスパッタリング法等を用いて、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコン（ＳｉＯｘＮｙ）（ｘ＞ｙ＞０）、窒化酸化シリコン（ＳｉＮｘＯｙ）（ｘ＞ｙ＞０）等の絶縁材料を用いて形成する。例えば、ゲート絶縁膜５０４を２層構造とする場合、第１層目の絶縁膜として酸化窒化シリコン膜を形成し、第２層目の絶縁膜として窒化酸化シリコン膜を形成するとよい。また、第１層目の絶縁膜として酸化シリコン膜を形成し、第２層目の絶縁膜として窒化シリコン膜を形成してもよい。
【００７７】
半導体膜５０３ａ〜５０３ｃの作製工程の一例を以下に簡単に説明すると、まず、プラズマＣＶＤ法を用いて、膜厚５０〜６０ｎｍの非晶質半導体膜を形成する。次に、結晶化を助長する金属元素であるニッケルを含む溶液を非晶質半導体膜上に保持させた後、非晶質半導体膜に脱水素化の処理（５００℃、１時間）と、熱結晶化の処理（５５０℃、４時間）を行って結晶質半導体膜を形成する。その後、レーザー光を照射し、フォトリソグラフィ法を用いることよって結晶化された半導体膜５０３ａ〜５０３ｃを形成する。なお、結晶化を助長する金属元素を用いる熱結晶化を行わずに、レーザー光の照射だけで非晶質半導体膜の結晶化を行ってもよい。
【００７８】
なお、結晶化に用いるレーザー発振器としては、連続発振型のレーザービーム（ＣＷレーザービーム）やパルス発振型のレーザービーム（パルスレーザービーム）を用いることができる。ここで用いることができるレーザービームは、Ａｒレーザー、Ｋｒレーザー、エキシマレーザーなどの気体レーザー、単結晶のＹＡＧ、ＹＶＯ４、フォルステライト（Ｍｇ２ＳｉＯ４）、ＹＡｌＯ３、ＧｄＶＯ４、若しくは多結晶（セラミック）のＹＡＧ、Ｙ２Ｏ３、ＹＶＯ４、ＹＡｌＯ３、ＧｄＶＯ４に、ドーパントとしてＮｄ、Ｙｂ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｔａのうち１種または複数種添加されているものを媒質とするレーザー、ガラスレーザー、ルビーレーザー、アレキサンドライトレーザー、Ｔｉ：サファイアレーザー、銅蒸気レーザーまたは金蒸気レーザーのうち一種または複数種から発振されるものを用いることができる。このようなレーザービームの基本波、及びこれらの基本波の第２高調波から第４高調波のレーザービームを照射することで、大粒径の結晶を得ることができる。例えば、Ｎｄ：ＹＶＯ４レーザー（基本波１０６４ｎｍ）の第２高調波（５３２ｎｍ）や第３高調波（３５５ｎｍ）を用いることができる。このときレーザーのパワー密度は０．０１〜１００ＭＷ／ｃｍ２程度（好ましくは０．１〜１０ＭＷ／ｃｍ２）が必要である。そして、走査速度を１０〜２０００ｃｍ／ｓｅｃ程度として照射する。なお、単結晶のＹＡＧ、ＹＶＯ４、フォルステライト（Ｍｇ２ＳｉＯ４）、ＹＡｌＯ３、ＧｄＶＯ４、若しくは多結晶（セラミック）のＹＡＧ、Ｙ２Ｏ３、ＹＶＯ４、ＹＡｌＯ３、ＧｄＶＯ４に、ドーパントとしてＮｄ、Ｙｂ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｔａのうち１種または複数種添加されているものを媒質とするレーザー、Ａｒイオンレーザー、またはＴｉ：サファイアレーザーは、連続発振をさせることが可能であり、Ｑスイッチ動作やモード同期などを行うことによって１０ＭＨｚ以上の発振周波数でパルス発振をさせることも可能である。１０ＭＨｚ以上の発振周波数でレーザービームを発振させると、半導体膜がレーザーによって溶融してから固化するまでの間に、次のパルスが半導体膜に照射される。従って、発振周波数が低いパルスレーザーを用いる場合と異なり、半導体膜中において固液界面を連続的に移動させることができるため、走査方向に向かって連続的に成長した結晶粒を得ることができる。
【００７９】
また、ゲート絶縁膜５０４は、半導体膜５０３ａ〜５０３ｃに対し高密度プラズマ処理を行い、表面を酸化又は窒化することで形成しても良い。例えば、Ｈｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅなどの希ガスと、酸素、酸化窒素（ＮＯ２）、アンモニア、窒素、水素などの混合ガスを導入したプラズマ処理で形成する。この場合のプラズマの励起は、マイクロ波の導入により行うと、低電子温度で高密度のプラズマを生成することができる。この高密度プラズマで生成された酸素ラジカル（ＯＨラジカルを含む場合もある）や窒素ラジカル（ＮＨラジカルを含む場合もある）によって、半導体膜の表面を酸化又は窒化することができる。
【００８０】
このような高密度プラズマを用いた処理により、１〜２０ｎｍ、代表的には５〜１０ｎｍの絶縁膜が半導体膜に形成される。この場合の反応は、固相反応であるため、当該絶縁膜と半導体膜との界面準位密度はきわめて低くすることができる。このような、高密度プラズマ処理は、半導体膜（結晶性シリコン、或いは多結晶シリコン）を直接酸化（若しくは窒化）するため、形成される絶縁膜の厚さは理想的には、ばらつきをきわめて小さくすることができる。加えて、結晶性シリコンの結晶粒界でも酸化が強くされることがないため、非常に好ましい状態となる。すなわち、ここで示す高密度プラズマ処理で半導体膜の表面を固相酸化することにより、結晶粒界において異常に酸化反応をさせることなく、均一性が良く、界面準位密度が低い絶縁膜を形成することができる。
【００８１】
なお、ゲート絶縁膜５０４は、高密度プラズマ処理によって形成される絶縁膜のみを用いても良いし、それにプラズマや熱反応を利用したＣＶＤ法で酸化シリコン、酸窒化シリコン、窒化シリコンなどの絶縁膜を堆積し、積層させても良い。いずれにしても、高密度プラズマで形成した絶縁膜をゲート絶縁膜の一部又は全部に含んで形成されるトランジスタは、特性のばらつきを小さくすることができる。
【００８２】
また、半導体膜に対し、連続発振レーザー若しくは１０ＭＨｚ以上の周波数で発振するレーザービームを照射しながら一方向に走査して結晶化させて得られた半導体膜５０３ａ〜５０３ｃは、そのビームの走査方向に結晶が成長する特性がある。その走査方向をチャネル長方向（チャネル形成領域が形成されたときにキャリアが流れる方向）に合わせてトランジスタを配置し、上記ゲート絶縁層を組み合わせることで、特性ばらつきが小さく、しかも電界効果移動度が高い薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を得ることができる。
【００８３】
次に、ゲート絶縁膜５０４上に、第１の導電膜と第２の導電膜とを積層して形成する。ここでは、第１の導電膜は、ＣＶＤ法やスパッタリング法等により、２０〜１００ｎｍの厚さで形成する。第２の導電膜は、１００〜４００ｎｍの厚さで形成する。第１の導電膜と第２の導電膜は、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）、ニオブ（Ｎｂ）等から選択された元素又はこれらの元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料で形成する。または、リン等の不純物元素をドーピングした多結晶珪素に代表される半導体材料により形成する。第１の導電膜と第２の導電膜の組み合わせの例を挙げると、窒化タンタル膜とタングステン膜、窒化タングステン膜とタングステン膜、窒化モリブデン膜とモリブデン膜等が挙げられる。タングステンや窒化タンタルは、耐熱性が高いため、第１の導電膜と第２の導電膜を形成した後に、熱活性化を目的とした加熱処理を行うことができる。また、２層構造ではなく、３層構造の場合は、モリブデン膜とアルミニウム膜とモリブデン膜の積層構造を採用するとよい。
【００８４】
次に、フォトリソグラフィ法を用いてレジストからなるマスクを形成し、ゲート電極とゲート線を形成するためのエッチング処理を行って、半導体膜５０３ａ〜５０３ｃの上方にゲート電極５０５を形成する。ここでは、ゲート電極５０５として、第１の導電膜５０５ａと第２の導電膜５０５ｂの積層構造で設けた例を示している。
【００８５】
次に、図１０（Ｃ）に示すように、ゲート電極５０５をマスクとして半導体膜５０３ａ〜５０３ｃに、イオンドープ法またはイオン注入法により、ｎ型を付与する不純物元素を低濃度に添加し、その後、フォトリソグラフィ法によりレジストからなるマスクを選択的に形成して、ｐ型を付与する不純物元素を高濃度に添加する。ｎ型を示す不純物元素としては、リン（Ｐ）やヒ素（Ａｓ）等を用いることができる。ｐ型を示す不純物元素としては、ボロン（Ｂ）やアルミニウム（Ａｌ）やガリウム（Ｇａ）等を用いることができる。ここでは、ｎ型を付与する不純物元素としてリン（Ｐ）を用い、１×１０１５〜１×１０１９／ｃｍ３の濃度で含まれるように半導体膜５０３ａ〜５０３ｃに選択的に導入し、ｎ型を示す不純物領域５０６を形成する。また、ｐ型を付与する不純物元素としてボロン（Ｂ）を用い、１×１０１９〜１×１０２０／ｃｍ３の濃度で含まれるように選択的に半導体膜５０３ｂに導入し、ｐ型を示す不純物領域５０７を形成する。
【００８６】
続いて、ゲート絶縁膜５０４とゲート電極５０５を覆うように、絶縁膜を形成する。絶縁膜は、プラズマＣＶＤ法やスパッタリング法等により、珪素、珪素の酸化物又は珪素の窒化物の無機材料を含む膜や、有機樹脂などの有機材料を含む膜を、単層又は積層して形成する。次に、絶縁膜を、垂直方向を主体とした異方性エッチングにより選択的にエッチングして、ゲート電極５０５の側面に接する絶縁膜５０８（サイドウォールともよばれる）を形成する。絶縁膜５０８は、ＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ  Ｄｏｐｅｄ  ｄｒａｉｎ）領域を形成する際のドーピング用のマスクとして用いる。
【００８７】
続いて、フォトリソグラフィ法により形成したレジストからなるマスクと、ゲート電極５０５および絶縁膜５０８をマスクとして用いて、半導体膜５０３ａ、５０３ｃにｎ型を付与する不純物元素を高濃度に添加して、ｎ型を示す不純物領域５０９を形成する。ここでは、ｎ型を付与する不純物元素としてリン（Ｐ）を用い、１×１０１９〜１×１０２０／ｃｍ３の濃度で含まれるように半導体膜５０３ａ、５０３ｃに選択的に導入し、不純物領域５０６より高濃度のｎ型を示す不純物領域５０９を形成する。
【００８８】
以上の工程により、図１０（Ｄ）に示すように、ｎチャネル型薄膜トランジスタ５００ａ、５００ｃとｐチャネル型薄膜トランジスタ５００ｂが形成される。なお、これら薄膜トランジスタ５００ａ〜５００ｃは、本発明の表示装置における画素回路部を構成する薄膜トランジスタである。具体的には、薄膜トランジスタ５００ａは表示素子に接続されるトランジスタである。また、薄膜トランジスタ５００ｂ、５００ｃはアンテナ回路により近いところに設けられているトランジスタであり、薄膜トランジスタ５００ｃはアンテナ回路に接続されるトランジスタである。
【００８９】
なお、ｎチャネル型薄膜トランジスタ５００ａは、ゲート電極５０５と重なる半導体膜５０３ａの領域にチャネル形成領域が形成され、ゲート電極５０５及び絶縁膜５０８と重ならない領域にソース領域又はドレイン領域を形成する不純物領域５０９が形成され、絶縁膜５０８と重なる領域であってチャネル形成領域と不純物領域５０９の間に低濃度不純物領域（ＬＤＤ領域）が形成されている。また、ｎチャネル型薄膜トランジスタ５００ｃも同様にチャネル形成領域、低濃度不純物領域及び不純物領域５０９が形成されている。
【００９０】
また、ｐチャネル型薄膜トランジスタ５００ｂは、ゲート電極５０５と重なる半導体膜５０３ｂの領域にチャネル形成領域が形成され、ゲート電極５０５と重ならない領域にソース領域又はドレイン領域を形成する不純物領域５０７が形成されている。なお、ここでは、ｐチャネル型薄膜トランジスタ５００ｃには、ＬＤＤ領域を設けていないが、ｐチャネル型薄膜トランジスタにＬＤＤ領域を設けてもよいし、ｎチャネル型薄膜トランジスタにＬＤＤ領域を設けない構成としてもよい。
【００９１】
次に、図１０（Ｅ）に示すように、半導体膜５０３ａ〜５０３ｃ、ゲート電極５０５等を覆うように、絶縁膜を単層または積層して形成し、当該絶縁膜上に薄膜トランジスタ５００ａ〜５００ｃのソース領域又はドレイン領域を形成する不純物領域５０７、５０９と電気的に接続する導電膜５１１を形成する。絶縁膜は、ＣＶＤ法、スパッタリング法、ＳＯＧ法、液滴吐出法、スクリーン印刷法等により、珪素の酸化物や珪素の窒化物等の無機材料、ポリイミド、ポリアミド、ベンゾシクロブテン、アクリル、エポキシ等の有機材料やシロキサン材料等により、単層または積層で形成する。ここでは、当該絶縁膜を２層で設け、１層目の絶縁膜５１０ａとして窒化酸化珪素膜で形成し、２層目の絶縁膜５１０ｂとして酸化窒化珪素膜で形成する。また、導電膜５１１は、薄膜トランジスタ５００ａ〜５００ｃのソース電極又はドレイン電極を形成する。
【００９２】
なお、絶縁膜５１０ａ、５１０ｂを形成する前、または絶縁膜５１０ａ、５１０ｂのうちの１つまたは複数の薄膜を形成した後に、半導体膜の結晶性の回復や半導体膜に添加された不純物元素の活性化、半導体膜の水素化を目的とした加熱処理を行うとよい。加熱処理には、熱アニール、レーザーアニール法またはＲＴＡ法などを適用するとよい。
【００９３】
また、導電膜５１１は、ＣＶＤ法やスパッタリング法等により、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、マンガン（Ｍｎ）、ネオジウム（Ｎｄ）、炭素（Ｃ）、シリコン（Ｓｉ）から選択された元素、又はこれらの元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料で、単層又は積層で形成する。アルミニウムを主成分とする合金材料とは、例えば、アルミニウムを主成分としニッケルを含む材料、又は、アルミニウムを主成分とし、ニッケルと、炭素と珪素の一方又は両方とを含む合金材料に相当する。導電膜５１１は、例えば、バリア膜とアルミニウムシリコン（Ａｌ−Ｓｉ）膜とバリア膜の積層構造、バリア膜とアルミニウムシリコン（Ａｌ−Ｓｉ）膜と窒化チタン（ＴｉＮ）膜とバリア膜の積層構造を採用するとよい。なお、バリア膜とは、チタン、チタンの窒化物、モリブデン、又はモリブデンの窒化物からなる薄膜に相当する。アルミニウムやアルミニウムシリコンは抵抗値が低く、安価であるため、導電膜５１１を形成する材料として最適である。また、上層と下層のバリア層を設けると、アルミニウムやアルミニウムシリコンのヒロックの発生を防止することができる。また、還元性の高い元素であるチタンからなるバリア膜を形成すると、半導体膜上に薄い自然酸化膜ができていたとしても、この自然酸化膜を還元し、半導体膜と良好なコンタクトをとることができる。
【００９４】
次に、図１１（Ａ）に示すように、導電膜５１１を覆うように絶縁膜５１２を形成し、当該絶縁膜５１２上に、薄膜トランジスタのソース電極又はドレイン電極を形成する導電膜５１１と電気的に接続する導電膜５１３、５１４を形成する。図１１（Ａ）では、薄膜トランジスタ５００ａのソース電極又はドレイン電極を形成する導電膜５１１と電気的に接続された導電膜として導電膜５１３が、薄膜トランジスタ５００ｃのソース電極又はドレイン電極を形成する導電膜５１１と電気的に接続された導電膜として導電膜５１４が図示されている。この導電膜５１３及び導電膜５１４は、上述した導電膜５１１で示したいずれかの材料を用いて形成することができる。
【００９５】
なお、絶縁膜５１２は、ＣＶＤ法やスパッタ法等により、酸化珪素（ＳｉＯｘ）、窒化珪素（ＳｉＮｘ）、酸化窒化珪素（ＳｉＯｘＮｙ）（ｘ＞ｙ）、窒化酸化珪素（ＳｉＮｘＯｙ）（ｘ＞ｙ）等の酸素または窒素を有する絶縁膜やＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）等の炭素を含む膜、エポキシ、ポリイミド、ポリアミド、ポリビニルフェノール、ベンゾシクロブテン、アクリル等の有機材料またはシロキサン樹脂等のシロキサン材料からなる単層または積層構造で設けることができる。なお、シロキサン材料とは、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を含む材料に相当する。シロキサンは、シリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成される。置換基として、少なくとも水素を含む有機基（例えばアルキル基、芳香族炭化水素）が用いられる。置換基として、フルオロ基を用いることもできる。または置換基として、少なくとも水素を含む有機基と、フルオロ基とを用いてもよい。
【００９６】
続いて、表示素子を形成する。ここでは、表示素子に発光素子を用いた場合について説明する。なお、導電膜５１３は表示素子の第１の電極として機能する。まず、図１１（Ｂ）に示すように各画素が有する第１の電極の間に隔壁（絶縁層）５１５を形成する。なお、隔壁（絶縁層）５１５の断面において、隔壁（絶縁層）５１５の側面は、第１の電極の表面に対して１０度以上６０度未満、好ましくは２５度以上４５度以下の傾斜角度を有することが好ましい。さらには、湾曲していることが好ましい。なお、隔壁（絶縁層）５１５をこのような構造とすることで、後に形成される発光物質を含む層の段切れを防止することができる。
【００９７】
なお、隔壁（絶縁層）５１５には、酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化窒化アルミニウムその他の無機絶縁性材料、又はアクリル酸、メタクリル酸及びこれらの誘導体、又はポリイミド、芳香族ポリアミド、ポリベンゾイミダゾールなどの耐熱性高分子、又はシロキサン材料を用いることができる。また、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラールなどのビニル樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ノボラック樹脂、アクリル樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂等の樹脂材料を用いることもできる。ベンゾシクロブテン、パリレン、ポリイミドなどの有機材料、重合によってできた化合物材料、水溶性ホモポリマーと水溶性共重合体を含む組成物材料等を用いてもよい。なお、作製法としては、ＣＶＤ法、スパッタリング法、液滴吐出法、ディスペンサ法、印刷法等を用いることができる。また、スピンコート法で得られる薄膜なども用いることができる。
【００９８】
次に、薄膜トランジスタ５００ｃのソース電極又はドレイン電極を形成する導電膜５１１と電気的に接続された導電膜５１４と後に形成されるアンテナとを接続する導電膜５１９を形成する。なお、導電膜５１９は上述した導電膜５１１で示したいずれかの材料を用いて形成することができる。
【００９９】
次に、発光素子の第１の電極として機能する導電膜５１３及び隔壁（絶縁層）５１５上に発光物質を含む層５１６及び第２の電極として機能する導電膜５１７を形成する。
【０１００】
なお、導電膜５１３と導電膜５１７に発光物質を含む層５１６が挟まれた領域では発光素子５１８が形成されている。
【０１０１】
次に、発光素子５１８の詳細について図１２を用いて説明する。なお、図１１における導電膜５１３と導電膜５１７は、それぞれ図１２の第１の電極１８０１、第２の電極１８０２に相当する。また、図１２（Ａ）においては、第１の電極を陽極、第２の電極を陰極とする。なお、図１１では発光物質を含む層５１６より得られる発光を第２の電極側より取り出す場合について記載しているが、第１の電極の材料を適宜選択することで、第１の電極側から取り出すことも可能である。よって、以下では発光の取り出す側は限定せずに説明する。
【０１０２】
図１２（Ａ）に示すように、第１の電極１８０１と第２の電極１８０２との間には、発光層１８１３の他、正孔注入層１８１１、正孔輸送層１８１２、電子輸送層１８１４、電子注入層１８１５等も設けられている。これらの層は、第１の電極１８０１の電位が第２の電極１８０２の電位よりも高くなるように電圧を印加したときに、第１の電極１８０１側から正孔が注入され第２の電極１８０２側から電子が注入されるように積層されている。
【０１０３】
このような発光素子において、第１の電極１８０１から注入された正孔と、第２の電極１８０２から注入された電子とは、発光層１８１３において再結合し、発光物質を励起状態にする。そして、励起状態の発光物質が基底状態に戻るときに発光する。なお、発光物質とは、ルミネセンス（エレクトロルミネセンス）が得られる物質であれば良い。
【０１０４】
発光層１８１３を形成する物質について特に限定はなく、発光物質のみから形成された層であっても良いが、濃度消光を生じる場合には発光物質が有するエネルギーギャップよりも大きいエネルギーギャップを有する物質（ホスト）からなる層中に発光物質が分散するように混合された層であることが好ましい。これによって、発光物質の濃度消光を防ぐことができる。なお、エネルギーギャップとは最低空分子軌道（ＬＵＭＯ：Ｌｏｗｅｓｔ  Ｕｎｏｃｃｕｐｉｅｄ  Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  Ｏｒｂｉｔａｌ）準位と最高被占分子軌道（ＨＯＭＯ：Ｈｉｇｈｅｓｔ  Ｏｃｃｕｐｉｅｄ  Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  Ｏｒｂｉｔａｌ）準位とのエネルギー差をいう。
【０１０５】
また、発光物質についても特に限定はなく、所望の発光波長の発光をし得る物質を用いればよい。例えば、赤色系の発光を得たいときには、４−ジシアノメチレン−２−イソプロピル−６−［２−（１，１，７，７−テトラメチルジュロリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン（略称：ＤＣＪＴＩ）、４−ジシアノメチレン−２−メチル−６−［２−（１，１，７，７−テトラメチルジュロリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン（略称：ＤＣＪＴ）、４−ジシアノメチレン−２−ｔｅｒｔ−ブチル−６−［２−（１，１，７，７−テトラメチルジュロリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン（略称：ＤＣＪＴＢ）やペリフランテン、２，５−ジシアノ−１，４−ビス［２−（１０−メトキシ−１，１，７，７−テトラメチルジュロリジン−９−イル）エテニル］ベンゼン等、６００ｎｍから６８０ｎｍに発光スペクトルのピークを有する発光を呈する物質を用いることができる。また、緑色系の発光を得たいときは、Ｎ，Ｎ’−ジメチルキナクリドン（略称：ＤＭＱｄ）、クマリン６やクマリン５４５Ｔ、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ）、Ｎ，Ｎ’−ジフェニルキナクリドン（略称：ＤＰＱｄ）等、５００ｎｍから５５０ｎｍに発光スペクトルのピークを有する発光を呈する物質を用いることができる。また、青色系の発光を得たいときは、９，１０−ビス（２−ナフチル）−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）、９，９’−ビアントリル、９，１０−ジフェニルアントラセン（略称：ＤＰＡ）や９，１０−ビス（２−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）−４−フェニルフェノラト−ガリウム（ＢＧａｑ）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）−４−フェニルフェノラト−アルミニウム（ＢＡｌｑ）等、４２０ｎｍから５００ｎｍに発光スペクトルのピークを有する発光を呈する物質を用いることができる。
【０１０６】
発光物質を分散状態にするために用いる物質についても特に限定はなく、例えば、９，１０−ジ（２−ナフチル）−２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）等のアントラセン誘導体、または４，４’−ビス（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）等のカルバゾール誘導体の他、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ピリジナト］亜鉛（略称：Ｚｎｐｐ２）、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾオキサゾラト］亜鉛（略称：ＺｎＢＯＸ）等の金属錯体等を用いることができる。
【０１０７】
第１の電極１８０１を形成する陽極材料は特に限定はされないが、仕事関数の大きい（仕事関数４．０ｅＶ以上）金属、合金、電気伝導性化合物、及びこれらの混合物などを用いることが好ましい。このような陽極材料の具体例としては、金属材料の酸化物として、インジウム錫酸化物（略称：ＩＴＯ）、酸化珪素を含有するインジウム錫酸化物（略称：ＩＴＳＯ）、酸化インジウムに２〜２０［ｗｔ％］の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合したターゲットを用いて形成されるインジウム亜鉛酸化物（略称：ＩＺＯ）の他、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、または金属材料の窒化物（例えば、ＴｉＮ）等を挙げることができる。
【０１０８】
一方、第２の電極１８０２を形成する物質としては、仕事関数の小さい（仕事関数３．８ｅＶ以下）金属、合金、電気伝導性化合物、及びこれらの混合物などを用いることができる。このような陰極材料の具体例としては、周期表の１族または２族に属する元素、すなわちリチウム（Ｌｉ）やセシウム（Ｃｓ）等のアルカリ金属またはマグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）等のアルカリ土類金属、及びこれらを含む合金（Ｍｇ：Ａｇ、Ａｌ：Ｌｉ）が挙げられる。また、第２の電極１８０２と発光層１８１３との間に、電子注入性に優れた層を当該第２の電極と積層して設けることにより、仕事関数の大小に関わらず、Ａｌ、Ａｇ、ＩＴＯや酸化珪素を含有するＩＴＯ等の第１の電極１８０１の材料として挙げた材料も含めた様々な導電性材料を第２の電極１８０２として用いることができる。また、後述する電子注入層１８１５に、特に電子を注入する機能に優れた材料を用いることにより同様の効果を得ることができる。
【０１０９】
なお、発光した光を外部に取り出すために、第１の電極１８０１と第２の電極１８０２のいずれか一方または両方がＩＴＯ等の透明電極、または可視光が透過出来るような数〜数十ｎｍの厚さで形成された電極であることが好ましい。
【０１１０】
第１の電極１８０１と発光層１８１３との間には、図１２（Ａ）に示すように正孔輸送層１８１２を有する。正孔輸送層とは、第１の電極１８０１から注入された正孔を発光層１８１３へ輸送する機能を有する層である。このように、正孔輸送層１８１２を設け、第１の電極１８０１と発光層１８１３とを離すことによって、発光が金属に起因して消光することを防ぐことができる。
【０１１１】
なお、正孔輸送層１８１２には、正孔輸送性の高い物質を用いて形成することが好ましく、特に１×１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質を用いて形成することが好ましい。なお、正孔輸送性の高い物質とは、電子よりも正孔の移動度が高い物質をいう。正孔輸送層１８１２を形成するのに用いることができる物質の具体例としては、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ）、４，４’−ビス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＴＰＤ）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’−ビス｛Ｎ−［４−（Ｎ，Ｎ−ジ−ｍ−トリルアミノ）フェニル］−Ｎ−フェニルアミノ｝ビフェニル（略称：ＤＮＴＰＤ）、１，３，５−トリス［Ｎ，Ｎ−ジ（ｍ−トリル）アミノ］ベンゼン（略称：ｍ−ＭＴＤＡＢ）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ−カルバゾリル）トリフェニルアミン（略称：ＴＣＴＡ）、フタロシアニン（略称：Ｈ２Ｐｃ）、銅フタロシアニン（略称：ＣｕＰｃ）、バナジルフタロシアニン（略称：ＶＯＰｃ）等が挙げられる。また、正孔輸送層１８１２は、以上に述べた物質から成る層を二以上組み合わせて形成した多層構造の層であってもよい。
【０１１２】
また、第２の電極１８０２と発光層１８１３との間には、図１２（Ａ）に示すように電子輸送層１８１４を有していてもよい。ここで、電子輸送層とは、第２の電極１８０２から注入された電子を発光層１８１３へ輸送する機能を有する層である。このように、電子輸送層１８１４を設け、第２の電極１８０２と発光層１８１３とを離すことによって、発光が金属に起因して消光することを防ぐことができる。
【０１１３】
電子輸送層１８１４について特に限定はなく、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ）、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｍｑ３）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］−キノリナト）ベリリウム（略称：ＢｅＢｑ２）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）−４−フェニルフェノラト−アルミニウム（略称：ＢＡｌｑ）など、キノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体等によって形成されたものを用いることができる。この他、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）−ベンゾオキサゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＯＸ）２）、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）−ベンゾチアゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＴＺ）２）などのオキサゾール系、チアゾール系配位子を有する金属錯体等によって形成されたものであってもよい。また、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）や、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、３−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−フェニル−５−（４−ビフェニリル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、３−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−（４−エチルフェニル）−５−（４−ビフェニリル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ｐ−ＥｔＴＡＺ）、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）等を用いて形成されたものであってもよい。電子輸送層１８１４は、以上に記載したような正孔の移動度よりも電子の移動度が高い物質を用いて形成することが好ましい。また、電子輸送層１８１４は、１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質を用いて形成することがより好ましい。なお、電子輸送層１８１４は、以上に述べた物質から成る層を二以上組み合わせて形成した多層構造であってもよい。
【０１１４】
さらに、第１の電極１８０１と正孔輸送層１８１２との間には、図１２（Ａ）に示すように、正孔注入層１８１１を有していてもよい。ここで、正孔注入層とは、陽極として機能する電極から正孔輸送層１８１２へ正孔の注入を促す機能を有する層である。
【０１１５】
正孔注入層１８１１について特に限定はなく、モリブデン酸化物（ＭｏＯｘ）やバナジウム酸化物（ＶＯｘ）、ルテニウム酸化物（ＲｕＯｘ）、タングステン酸化物（ＷＯｘ）、マンガン酸化物（ＭｎＯｘ）等の金属酸化物によって形成されたものを用いることができる。この他、フタロシアニン（略称：Ｈ２Ｐｃ）や銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）等のフタロシアニン系の化合物、４，４−ビス（Ｎ−（４−（Ｎ，Ｎ−ジ−ｍ−トリルアミノ）フェニル）−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル（略称：ＤＮＴＰＤ）等の芳香族アミン系の化合物、或いはポリ（エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）水溶液（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）等の高分子等によっても正孔注入層１８１１を形成することができる。
【０１１６】
また、前記金属酸化物と、正孔輸送性の高い物質とを混合したものを、第１の電極１８０１と正孔輸送層１８１２との間に設けても良い。このような層は、厚膜化しても駆動電圧の上昇を伴わないため、層の膜厚を調整することでマイクロキャビティ効果や光の干渉効果を利用した光学設計を行うことができる。そのため、色純度に優れ、視野角に依存する色変化などが小さい高品質な発光素子を作製することができる。また、第１の電極１８０１の表面に成膜時に発生する凹凸や電極表面に残った微少な残渣の影響で第１の電極１８０１と第２の電極１８０２がショートすることを防ぐ膜厚を選ぶことができる。
【０１１７】
また、第２の電極１８０２と電子輸送層１８１４との間には、図１２（Ａ）に示すように、電子注入層１８１５を有していてもよい。ここで、電子注入層とは、陰極として機能する電極から電子輸送層１８１４へ電子の注入を促す機能を有する層である。なお、電子輸送層を特に設けない場合は、陰極として機能する電極と発光層との間に電子注入層を設け、発光層への電子の注入を補助してもよい。
【０１１８】
電子注入層１８１５について特に限定はなく、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）等のようなアルカリ金属又はアルカリ土類金属の化合物を用いて形成されたものを用いることができる。この他、Ａｌｑまたは４，４−ビス（５−メチルベンズオキサゾル−２−イル）スチルベン（ＢｚＯｓ）等のように電子輸送性の高い物質と、マグネシウムまたはリチウム等のようにアルカリ金属又はアルカリ土類金属とを混合したものも、電子注入層１８１５として用いることができる。
【０１１９】
なお、正孔注入層１８１１、正孔輸送層１８１２、発光層１８１３、電子輸送層１８１４、電子注入層１８１５は、それぞれ、蒸着法、インクジェット法、または塗布法等、いずれの方法で形成しても構わない。また、第１の電極１８０１または第２の電極１８０２についても、スパッタ法または蒸着法等、いずれの方法を用いて形成しても構わない。
【０１２０】
また、発光素子の層構造は、図１２（Ａ）に記載したものに限定されず、図１２（Ｂ）に示すように陰極として機能する電極から順に作製してもよい。つまり、第１の電極１８０１を陰極とし、第１の電極１８０１上に電子注入層１８１５、電子輸送層１８１４、発光層１８１３、正孔輸送層１８１２、正孔注入層１８１１、第２の電極１８０２の順で積層しても良い。なお、第２の電極１８０２は陽極として機能する。
【０１２１】
なお、発光素子は、発光層が一層のものについて記載したが、複数の発光層を有するものであってもよい。複数の発光層を設け、それぞれの発光層からの発光を混合することで、白色光を得ることができる。たとえば２層の発光層を有する発光素子の場合、第１の発光層と第２の発光層との間には、間隔層や、正孔を発生する層及び電子を発生する層を設けることが好ましい。このような構成により、外部に射出したそれぞれの発光は、視覚的に混合され、白色光として視認される。よって、白色光を得ることができる。
【０１２２】
図１１における発光物質を含む層５１６は、少なくとも発光層を有していれば良い。また、図１１では発光を第２の電極側から取り出すため、導電膜５１７は透光性を有する物質から形成すれば良い。
【０１２３】
次に、導電膜５１７、隔壁（絶縁層）５１５及び導電膜５１９を覆うように絶縁膜５２０が形成されている。この絶縁膜５２０は保護膜として機能し、発光物質を含む層５１６の劣化を促進させる原因となる水分や酸素等の物質の透過を防ぐ役割を果たしている。
【０１２４】
ただし、絶縁膜５２０は導電膜５１９上に開口部を有し、図１１（Ｃ）に示すようにこの開口部において基板５２１上に設けられたアンテナとして機能する導電層５２２と導電膜５１９とが樹脂５２４中に含まれる導電性粒子５２３により接続されている。なお、トランジスタを有する層５２５と、アンテナとして機能する導電層５２２が設けられた基板５２１とは、接着性を有する樹脂５２４により貼り合わされている。
【０１２５】
また、銀ペースト、銅ペースト、カーボンペースト等の導電性接着剤や半田接合を行う方法を用いてアンテナとして機能する導電層５２２と導電膜５１９とを接続してもよい。
【０１２６】
なお、アンテナとして機能する導電膜５１９は、ＣＶＤ法、スパッタリング法、スクリーン印刷やグラビア印刷等の印刷法、液滴吐出法、ディスペンサ法、メッキ法等を用いて、導電性材料により形成する。導電性材料は、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）ニッケル（Ｎｉ）、パラジウム（Ｐｄ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）から選択された元素、又はこれらの元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料で、単層構造又は積層構造で形成する。
【０１２７】
例えば、スクリーン印刷法を用いてアンテナとして機能する導電膜５１９を形成する場合には、粒径が数ｎｍから数十μｍの導電体粒子を有機樹脂に溶解または分散させた導電性のペーストを選択的に印刷することによって設けることができる。導電体粒子としては、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）およびチタン（Ｔｉ）等のいずれか一つ以上の金属粒子やハロゲン化銀の微粒子、または分散性ナノ粒子を用いることができる。また、導電性ペーストに含まれる有機樹脂は、金属粒子のバインダー、溶媒、分散剤および被覆材として機能する有機樹脂から選ばれた一つまたは複数を用いることができる。代表的には、エポキシ樹脂、珪素樹脂等の有機樹脂が挙げられる。また、導電膜の形成にあたり、導電性のペーストを押し出した後に焼成することが好ましい。例えば、導電性のペーストの材料として、銀を主成分とする微粒子（例えば粒径１ｎｍ以上１００ｎｍ以下）を用いる場合、１５０〜３００℃の温度範囲で焼成することにより硬化させて導電膜を得ることができる。また、はんだや鉛フリーのはんだを主成分とする微粒子を用いてもよく、この場合は粒径２０μｍ以下の微粒子を用いることが好ましい。はんだや鉛フリーはんだは、低コストであるといった利点を有している。
【０１２８】
また、基板５２１には、上述した基板５０１で示したいずれかの材料を用いて形成することができる。
【０１２９】
以上の工程により、本発明の表示装置を作製することができる。なお、本実施の形態では、薄膜トランジスタを有する層が形成される第１の基板と、アンテナとして機能する導電膜が形成される第２の基板とを導電性粒子を含む樹脂により貼り合わせる例について説明したが、アンテナを薄膜トランジスタと同じ基板上に形成してもよい。
【０１３０】
また、基板上に薄膜トランジスタを有する層やアンテナを形成した後に前記基板を剥離により除去しても良い。また、ガラス基板上に薄膜トランジスタを有する層を設けた後に、当該ガラス基板をトランジスタが設けられた面と反対側から研磨することにより表示装置の薄膜化、小型化を行っても良い。このように、本発明の表示装置の作製方法は上記に限られるものではない。
【０１３１】
また、本実施形態は本明細書中の他の実施の形態の記載と適宜組み合わせることが可能である。
【０１３２】
（実施の形態４）
本実施形態では、上記実施形態とは異なる本発明の表示装置が有するトランジスタの作製方法について説明する。本発明の表示装置が有するトランジスタは、上記実施形態で説明した絶縁基板上の薄膜トランジスタの他、単結晶基板上のＭＯＳトランジスタで構成することもできる。
【０１３３】
本実施形態では、本発明の表示装置が有するトランジスタの作製方法の一例に関して、図１３乃至図１５に示す部分断面図を用いて説明する。
【０１３４】
まず、半導体基板９００に素子を分離した領域９０２、９０３（以下、領域９０２、９０３とも記す）を形成する（図１３（Ａ）参照）。半導体基板９００に設けられた領域９０２、９０３は、それぞれ絶縁膜９０１（フィールド酸化膜ともいう）によって分離されている。なお、ここでは、半導体基板９００としてｎ型の導電型を有する単結晶Ｓｉ基板を用い、半導体基板９００の領域９０３にｐウェル９０４を設けた例を示している。
【０１３５】
基板９００は、半導体基板であれば特に限定されず用いることができる。例えば、ｎ型又はｐ型の導電型を有する単結晶Ｓｉ基板、化合物半導体基板（ＧａＡｓ基板、ＩｎＰ基板、ＧａＮ基板、ＳｉＣ基板、サファイア基板、ＺｎＳｅ基板等）、貼り合わせ法またはＳＩＭＯＸ（Ｓｅｐａｒａｔｉｏｎ  ｂｙ  Ｉｍｐｌａｎｔｅｄ  Ｏｘｙｇｅｎ）法を用いて作製されたＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板等を用いることができる。
【０１３６】
素子分離領域９０２、９０３は、選択酸化法（ＬＯＣＯＳ（Ｌｏｃａｌ  Ｏｘｉｄａｔｉｏｎ  ｏｆ  Ｓｉｌｉｃｏｎ）法）又はトレンチ分離法等を適宜用いることができる。
【０１３７】
また、半導体基板９００の領域９０３に形成されたｐウェルは、半導体基板９００にｐ型の導電型を有する不純物元素を選択的に導入することによって形成することができる。ｐ型を示す不純物元素としては、ボロン（Ｂ）やアルミニウム（Ａｌ）やガリウム（Ｇａ）等を用いることができる。
【０１３８】
なお、本実施形態では、半導体基板９００としてｎ型の導電型を有する半導体基板を用いているため、領域９０２には不純物元素の導入を行っていないが、ｎ型を示す不純物元素を導入することにより領域９０２にｎウェルを形成してもよい。ｎ型を示す不純物元素としては、リン（Ｐ）やヒ素（Ａｓ）等を用いることができる。一方、ｐ型の導電型を有する半導体基板を用いる場合には、領域９０２にｎ型を示す不純物元素を導入してｎウェルを形成し、領域９０３には不純物元素の導入を行わない構成としてもよい。
【０１３９】
次に、図１３（Ｂ）に示すように領域９０２、９０３を覆うように絶縁膜９０５、９０６をそれぞれ形成する。
【０１４０】
絶縁膜９０５、９０６は、例えば、熱処理を行い半導体基板９００に設けられた領域９０２、９０３の表面を酸化させることにより酸化珪素膜で形成することができる。また、熱酸化法により酸化珪素膜を形成した後に、窒化処理を行うことによって酸化珪素膜の表面を窒化させることにより、酸化珪素膜と酸素と窒素を有する膜（酸窒化珪素膜）との積層構造で形成してもよい。
【０１４１】
他にも、上述したように、プラズマ処理を用いて絶縁膜９０５、９０６を形成してもよい。例えば、半導体基板９００に設けられた領域９０２、９０３の表面に高密度プラズマ処理により酸化処理又は窒化処理を行うことにより、絶縁膜９０５、９０６として酸化珪素（ＳｉＯｘ）膜又は窒化珪素（ＳｉＮｘ）膜で形成することができる。また、高密度プラズマ処理により領域９０２、９０３の表面に酸化処理を行った後に、再度高密度プラズマ処理を行うことによって窒化処理を行ってもよい。この場合、領域９０２、９０３の表面に接して酸化珪素膜が形成され、当該酸化珪素膜上に（酸窒化珪素膜）が形成され、絶縁膜９０５、９０６は酸化珪素膜と酸窒化珪素膜とが積層された膜となる。また、熱酸化法により領域９０２、９０３の表面に酸化珪素膜を形成した後に高密度プラズマ処理により酸化処理又は窒化処理を行ってもよい。
【０１４２】
なお、絶縁膜９０５、９０６は、後に完成されるトランジスタにおいてゲート絶縁膜として機能する。
【０１４３】
次に、図１３（Ｃ）に示すように領域９０２、９０３の上方に形成された絶縁膜９０５、９０６を覆うように導電膜を形成する。ここでは、導電膜として、導電膜９０７と導電膜９０８を順に積層して形成した例を示している。もちろん、導電膜は、単層又は３層以上の積層構造で形成してもよい。
【０１４４】
導電膜９０７、９０８としては、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）、ニオブ（Ｎｂ）等から選択された元素またはこれらの元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料で形成することができる。また、これらの元素を窒化した金属窒化膜で形成することもできる。他にも、リン等の不純物元素をドーピングした多結晶珪素に代表される半導体材料により形成することもできる。
【０１４５】
ここでは、導電膜９０７として窒化タンタルを用いて形成し、その上に導電膜９０８としてタングステンを用いて積層構造で設ける。また、他にも、導電膜９０７として、窒化タングステン、窒化モリブデン又は窒化チタンから選ばれた単層又は積層膜を用い、導電膜９０８として、タンタル、モリブデン、チタンから選ばれた単層又は積層膜を用いることができる。
【０１４６】
次に、積層して設けられた導電膜９０７、９０８を選択的にエッチングして除去することによって、領域９０２、９０３の上方の一部に導電膜９０７、９０８を残存させ、図１４（Ａ）に示すようにそれぞれゲート電極９０９、９１０を形成する。
【０１４７】
次に、領域９０２を覆うようにレジストマスク９１１を選択的に形成し、当該レジストマスク９１１、ゲート電極９１０をマスクとして領域９０３に不純物元素を導入することによって不純物領域を形成する（図１４（Ｂ）参照）。不純物元素としては、ｎ型を付与する不純物元素又はｐ型を付与する不純物元素を用いる。ｎ型を示す不純物元素としては、リン（Ｐ）やヒ素（Ａｓ）等を用いることができる。ｐ型を示す不純物元素としては、ボロン（Ｂ）やアルミニウム（Ａｌ）やガリウム（Ｇａ）等を用いることができる。ここでは、不純物元素として、リン（Ｐ）を用いる。
【０１４８】
不純物元素を導入することによって、図１４（Ｂ）に示すように領域９０３にソース領域又はドレイン領域を形成する不純物領域９１２とチャネル形成領域９１３が形成される。
【０１４９】
次に、図１４（Ｃ）に示すように領域９０３を覆うようにレジストマスク９１４を選択的に形成し、当該レジストマスク９１４、ゲート電極９０９をマスクとして領域９０２に不純物元素を導入することによって不純物領域を形成する。不純物元素としては、ｎ型を付与する不純物元素又はｐ型を付与する不純物元素を用いる。ｎ型を示す不純物元素としては、リン（Ｐ）やヒ素（Ａｓ）等を用いることができる。ｐ型を示す不純物元素としては、ボロン（Ｂ）やアルミニウム（Ａｌ）やガリウム（Ｇａ）等を用いることができる。ここでは、図１４（Ｃ）で領域９０３に導入した不純物元素と異なる導電型を有する不純物元素（例えば、ボロン（Ｂ））を導入する。その結果、領域９０２にソース領域又はドレイン領域を形成する不純物領域９１５とチャネル形成領域９１６を形成される。
【０１５０】
次に、図１５に示すように絶縁膜９０５、９０６、ゲート電極９０９、９１０を覆うように第２の絶縁膜９１７を形成し、当該第２の絶縁膜９１７上に領域９０２、９０３にそれぞれ形成された不純物領域９１２、９１５と電気的に接続する配線９１８を形成する。
【０１５１】
第２の絶縁膜９１７は、ＣＶＤ法やスパッタ法等により、酸化珪素（ＳｉＯｘ）、窒化珪素（ＳｉＮｘ）、酸化窒化珪素（ＳｉＯｘＮｙ）（ｘ＞ｙ）、窒化酸化珪素（ＳｉＮｘＯｙ）（ｘ＞ｙ）等の酸素または窒素を有する絶縁膜やＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）等の炭素を含む膜、エポキシ、ポリイミド、ポリアミド、ポリビニルフェノール、ベンゾシクロブテン、アクリル等の有機材料またはシロキサン樹脂等のシロキサン材料からなる単層または積層構造で設けることができる。なお、シロキサン材料とは、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を含む材料に相当する。シロキサンは、シリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成される。置換基として、少なくとも水素を含む有機基（例えばアルキル基、芳香族炭化水素）が用いられる。置換基として、フルオロ基を用いることもできる。または置換基として、少なくとも水素を含む有機基と、フルオロ基とを用いてもよい。
【０１５２】
配線９１８は、ＣＶＤ法やスパッタリング法等により、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、マンガン（Ｍｎ）、ネオジウム（Ｎｄ）、炭素（Ｃ）、シリコン（Ｓｉ）から選択された元素、又はこれらの元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料で、単層又は積層で形成する。アルミニウムを主成分とする合金材料とは、例えば、アルミニウムを主成分としニッケルを含む材料、又は、アルミニウムを主成分とし、ニッケルと、炭素と珪素の一方又は両方とを含む合金材料に相当する。配線９１８は、例えば、バリア膜とアルミニウムシリコン（Ａｌ−Ｓｉ）膜とバリア膜の積層構造、バリア膜とアルミニウムシリコン（Ａｌ−Ｓｉ）膜と窒化チタン（ＴｉＮ）膜とバリア膜の積層構造を採用するとよい。なお、バリア膜とは、チタン、チタンの窒化物、モリブデン、又はモリブデンの窒化物からなる薄膜に相当する。アルミニウムやアルミニウムシリコンは抵抗値が低く、安価であるため、配線９１８を形成する材料として最適である。また、上層と下層のバリア層を設けると、アルミニウムやアルミニウムシリコンのヒロックの発生を防止することができる。また、還元性の高い元素であるチタンからなるバリア膜を形成すると、結晶質半導体膜上に薄い自然酸化膜ができていたとしても、この自然酸化膜を還元し、結晶質半導体膜と良好なコンタクトをとることができる。
【０１５３】
以上のようにして、単結晶基板を用いてＭＯＳトランジスタを作製することができる。なお、トランジスタの構造は上記の構造に限定されるものではく、例えば、逆スタガ構造、フィンＦＥＴ構造等でも良い。なお、フィンＦＥＴ構造では、トランジスタサイズの微細化に伴う短チャネル効果を抑制することができる。
【０１５４】
また、本実施形態は本明細書中の他の実施の形態の記載と適宜組み合わせることが可能である。
【０１５５】
（実施の形態５）
本実施形態では、上記実施形態とは異なる本発明の表示装置が有するトランジスタの作製方法について説明する。本発明の表示装置におけるトランジスタは、上記実施形態で説明した単結晶基板上のＭＯＳトランジスタとは異なる作製方法で設けられたＭＯＳトランジスタで構成することもできる。
【０１５６】
本実施形態では、本発明の表示装置が有するトランジスタの作製方法の一例に関して、図１６乃至図１９に示す部分断面図を用いて説明する。
【０１５７】
まず、図１６（Ａ）に示すように基板１２００上に絶縁膜を形成する。ここでは、ｎ型の導電型を有する単結晶Ｓｉを基板１２００として用い、当該基板１２００上に絶縁膜１２０１と絶縁膜１２０２を形成する。例えば、基板１２００に熱処理を行うことにより絶縁膜１２０１として酸化珪素（ＳｉＯｘ）を形成し、当該絶縁膜１２０１上にＣＶＤ法を用いて窒化珪素（ＳｉＮｘ）を成膜する。
【０１５８】
また、基板１２００は、半導体基板であれば特に限定されず用いることができる。例えば、ｎ型又はｐ型の導電型を有する単結晶Ｓｉ基板、化合物半導体基板（ＧａＡｓ基板、ＩｎＰ基板、ＧａＮ基板、ＳｉＣ基板、サファイア基板、ＺｎＳｅ基板等）、貼り合わせ法またはＳＩＭＯＸ（Ｓｅｐａｒａｔｉｏｎ  ｂｙ  ＩＭｐｌａｎｔｅｄ  ＯＸｙｇｅｎ）法を用いて作製されたＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板等を用いることができる。
【０１５９】
また、絶縁膜１２０２は、絶縁膜１２０１を形成した後に高密度プラズマ処理により当該絶縁膜１２０１を窒化することにより設けてもよい。なお、基板１２００上に設ける絶縁膜は単層又は３層以上の積層構造で設けてもよい。
【０１６０】
次に、図１６（Ｂ）に示すように絶縁膜１２０２上に選択的にレジストマスク１２０３のパターンを形成し、当該レジストマスク１２０３をマスクとして選択的にエッチングを行うことによって、基板１２００に選択的に凹部１２０４を形成する。基板１２００、絶縁膜１２０１、１２０２のエッチングとしては、プラズマを利用したドライエッチングにより行うことができる。
【０１６１】
次に、図１６（Ｃ）に示すようにレジストマスク１２０３のパターンを除去した後、基板１２００に形成された凹部１２０４を充填するように絶縁膜１２０５を形成する。
【０１６２】
絶縁膜１２０５は、ＣＶＤ法やスパッタリング法等を用いて、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコン（ＳｉＯｘＮｙ）（ｘ＞ｙ＞０）、窒化酸化シリコン（ＳｉＮｘＯｙ）（ｘ＞ｙ＞０）等の絶縁材料を用いて形成する。ここでは、絶縁膜１２０５として、常圧ＣＶＤ法または減圧ＣＶＤ法によりＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）ガスを用いて酸化珪素膜を形成する。
【０１６３】
次に、図１７（Ａ）に示すように研削処理、研磨処理又はＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）処理を行うことによって、基板１２００の表面を露出させる。ここでは、基板１２００の表面を露出させることにより、基板１２００の凹部１２０４に形成された絶縁膜１２０６間に領域１２０７、１２０８が設けられる。なお、絶縁膜１２０６は、基板１２００の表面に形成された絶縁膜１２０５が研削処理、研磨処理又はＣＭＰ処理により除去されることにより得られたものである。続いて、ｐ型の導電型を有する不純物元素を選択的に導入することによって、領域１２０８にｐウェル１２０９を形成する。
【０１６４】
ｐ型を示す不純物元素としては、ボロン（Ｂ）やアルミニウム（Ａｌ）やガリウム（Ｇａ）等を用いることができる。ここでは、不純物元素として、ボロン（Ｂ）を領域１２０８に導入する。
【０１６５】
なお、本実施形態では、基板１２００としてｎ型の導電型を有する半導体基板を用いているため、領域１２０７には不純物元素の導入を行っていないが、ｎ型を示す不純物元素を導入することにより領域１２０７にｎウェルを形成してもよい。ｎ型を示す不純物元素としては、リン（Ｐ）やヒ素（Ａｓ）等を用いることができる。
【０１６６】
一方、ｐ型の導電型を有する半導体基板を用いる場合には、領域１２０７にｎ型を示す不純物元素を導入してｎウェルを形成し、領域１２０８には不純物元素の導入を行わない構成としてもよい。
【０１６７】
次に、図１７（Ｂ）に示すように基板１２００の領域１２０７、１２０８の表面上に絶縁膜１２１０、１２１１をそれぞれ形成する。
【０１６８】
絶縁膜１２１０、１２１１は、例えば、熱処理を行い基板１２００に設けられた領域１２０７、１２０８の表面を酸化させることにより酸化珪素膜で絶縁膜１２１０、１２１１を形成することができる。また、熱酸化法により酸化珪素膜を形成した後に、窒化処理を行うことによって酸化珪素膜の表面を窒化させることにより、酸化珪素膜と酸素と窒素を有する膜（酸窒化珪素膜）との積層構造で形成してもよい。
【０１６９】
他にも、上述したように、プラズマ処理を用いて絶縁膜１２１０、１２１１を形成してもよい。例えば、基板１２００に設けられた領域１２０７、１２０８の表面に高密度プラズマ処理により酸化処理又は窒化処理を行うことにより、絶縁膜１２１０、１２１１として酸化珪素（ＳｉＯｘ）膜又は窒化珪素（ＳｉＮｘ）膜で形成することができる。また、高密度プラズマ処理により領域１２０７、１２０８の表面に酸化処理を行った後に、再度高密度プラズマ処理を行うことによって窒化処理を行ってもよい。この場合、領域１２０７、１２０８の表面に接して酸化珪素膜が形成され、当該酸化珪素膜上に（酸窒化珪素膜）が形成され、絶縁膜１２１０、１２１１は酸化珪素膜と酸窒化珪素膜とが積層された膜となる。また、熱酸化法により領域１２０７、１２０８の表面に酸化珪素膜を形成した後に高密度プラズマ処理により酸化処理又は窒化処理を行ってもよい。
【０１７０】
なお、基板１２００の領域１２０７、１２０８に形成された絶縁膜１２１０、１２１１は、後に完成されるトランジスタにおいてゲート絶縁膜として機能する。
【０１７１】
次に、図１７（Ｃ）に示すように基板１２００に設けられた領域１２０７、１２０８の上方に形成された絶縁膜１２１０、１２１１を覆うように導電膜を形成する。ここでは、導電膜として、導電膜１２１２と導電膜１２１３を順に積層して形成した例を示している。もちろん、導電膜は、単層又は３層以上の積層構造で形成してもよい。
【０１７２】
導電膜１２１２、１２１３としては、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）、ニオブ（Ｎｂ）等から選択された元素またはこれらの元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料で形成することができる。また、これらの元素を窒化した金属窒化膜で形成することもできる。他にも、リン等の不純物元素をドーピングした多結晶珪素に代表される半導体材料により形成することもできる。
【０１７３】
ここでは、導電膜１２１２として窒化タンタルを用いて形成し、その上に導電膜１２１３としてタングステンを用いて積層構造で設ける。また、他にも、導電膜１２１２として、窒化タンタル、窒化タングステン、窒化モリブデン又は窒化チタンから選ばれた単層又は積層膜を用い、導電膜１２１３として、タングステン、タンタル、モリブデン、チタンから選ばれた単層又は積層膜を用いることができる。
【０１７４】
次に、図１８（Ａ）に示すように積層して設けられた導電膜１２１２、１２１３を選択的にエッチングして除去することによって、基板１２００の領域１２０７、１２０８の上方の一部に導電膜１２１２、１２１３を残存させ、それぞれゲート電極として機能する導電膜１２１４、１２１５を形成する。また、ここでは、基板１２００において、導電膜１２１４、１２１５と重ならない領域１２０７、１２０８の表面が露出するようにする。
【０１７５】
具体的には、基板１２００の領域１２０７において、導電膜１２１４の下方に形成された絶縁膜１２１０のうち当該導電膜１２１４と重ならない部分を選択的に除去し、導電膜１２１４と絶縁膜１２１０の端部が概略一致するように形成する。また、領域１２０８において、導電膜１２１５の下方に形成された絶縁膜１２１１のうち当該導電膜１２１５と重ならない部分を選択的に除去し、導電膜１２１５と絶縁膜１２１１の端部が概略一致するように形成する。
【０１７６】
この場合、導電膜１２１４、１２１５の形成と同時に重ならない部分の絶縁膜等を除去してもよいし、導電膜１２１４、１２１５を形成後残存したレジストマスク又は当該導電膜１２１４、１２１５をマスクとして重ならない部分の絶縁膜等を除去してもよい。
【０１７７】
次に、図１８（Ｂ）に示すように基板１２００の領域１２０７、１２０８に不純物元素を選択的に導入する。ここでは、領域１２０８に導電膜１２１５をマスクとしてｎ型を付与する低濃度の不純物元素を選択的に導入し、不純物領域１２１７を形成する。一方、領域１２０７には導電膜１２１４をマスクとしてｐ型を付与する低濃度の不純物元素を選択的に導入し、不純物領域１２１６を形成する。ｎ型を付与する不純物元素としては、リン（Ｐ）やヒ素（Ａｓ）等を用いることができる。ｐ型を付与する不純物元素としては、ボロン（Ｂ）やアルミニウム（Ａｌ）やガリウム（Ｇａ）等を用いることができる。
【０１７８】
次に、導電膜１２１４、１２１５の側面に接するサイドウォール１２１８を形成する。具体的には、プラズマＣＶＤ法やスパッタリング法等により、珪素、珪素の酸化物又は珪素の窒化物の無機材料を含む膜や、有機樹脂などの有機材料を含む膜を、単層又は積層して形成する。そして、当該絶縁膜を、垂直方向を主体とした異方性エッチングにより選択的にエッチングして、導電膜１２１４、１２１５の側面に接するように形成することができる。なお、サイドウォール１２１８は、ＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ  Ｄｏｐｅｄ  ｄｒａｉｎ）領域を形成する際のドーピング用のマスクとして用いる。また、ここでは、サイドウォール１２１８は、導電膜１２１４、１２１５の下方に形成された絶縁膜や浮遊ゲート電極の側面にも接するように形成されている。
【０１７９】
続いて、当該サイドウォール１２１８、導電膜１２１４、１２１５をマスクとして基板１２００の領域１２０７、１２０８に不純物元素を導入することによって、ソース領域又はドレイン領域として機能する不純物領域を形成する（図１８（Ｃ）参照）。ここでは、基板１２００の領域１２０８にサイドウォール１２１８と導電膜１２１５をマスクとして高濃度のｎ型を付与する不純物元素を導入し、領域１２０７にサイドウォール１２１８と導電膜１２１４をマスクとして高濃度のｐ型を付与する不純物元素を導入する。
【０１８０】
その結果、基板１２００の領域１２０７には、ソース領域又はドレイン領域を形成する不純物領域１２２０と、ＬＤＤ領域を形成する低濃度不純物領域１２２１と、チャネル形成領域１２２２が形成される。また、基板１２００の領域１２０８には、ソース領域又はドレイン領域を形成する不純物領域１２２３と、ＬＤＤ領域を形成する低濃度不純物領域１２２４と、チャネル形成領域１２２５が形成される。
【０１８１】
なお、本実施形態では、導電膜１２１４、１２１５と重ならない基板１２００の領域１２０７、１２０８を露出させた状態で不純物元素の導入を行っている。従って、基板１２００の領域１２０７、１２０８にそれぞれ形成されるチャネル形成領域１２２２、１２２５は導電膜１２１４、１２１５と自己整合的に形成することができる。
【０１８２】
次に、図１９（Ａ）に示すように基板１２００の領域１２０７、１２０８上に設けられた絶縁膜や導電膜等を覆うように第２の絶縁膜１２２６を形成し、当該絶縁膜１２２６に開口部１２２７を形成する。
【０１８３】
第２の絶縁膜１２２６は、ＣＶＤ法やスパッタ法等により、酸化珪素（ＳｉＯｘ）、窒化珪素（ＳｉＮｘ）、酸化窒化珪素（ＳｉＯｘＮｙ）（ｘ＞ｙ）、窒化酸化珪素（ＳｉＮｘＯｙ）（ｘ＞ｙ）等の酸素または窒素を有する絶縁膜やＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）等の炭素を含む膜、エポキシ、ポリイミド、ポリアミド、ポリビニルフェノール、ベンゾシクロブテン、アクリル等の有機材料またはシロキサン樹脂等のシロキサン材料からなる単層または積層構造で設けることができる。なお、シロキサン材料とは、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を含む材料に相当する。シロキサンは、シリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成される。置換基として、少なくとも水素を含む有機基（例えばアルキル基、芳香族炭化水素）が用いられる。置換基として、フルオロ基を用いることもできる。または置換基として、少なくとも水素を含む有機基と、フルオロ基とを用いてもよい。
【０１８４】
次に、図１９（Ｂ）に示すようにＣＶＤ法を用いて開口部１２２７に導電膜１２２８を形成し、当該導電膜１２２８と電気的に接続するように絶縁膜１２２６上に導電膜１２２９ａ〜１２２９ｄを選択的に形成する。
【０１８５】
導電膜１２２８、１２２９ａ〜１２２９ｄは、ＣＶＤ法やスパッタリング法等により、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、マンガン（Ｍｎ）、ネオジウム（Ｎｄ）、炭素（Ｃ）、シリコン（Ｓｉ）から選択された元素、又はこれらの元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料で、単層又は積層で形成する。アルミニウムを主成分とする合金材料とは、例えば、アルミニウムを主成分としニッケルを含む材料、又は、アルミニウムを主成分とし、ニッケルと、炭素と珪素の一方又は両方とを含む合金材料に相当する。導電膜１２２８、１２２９ａ〜１２２９ｄは、例えば、バリア膜とアルミニウムシリコン（Ａｌ−Ｓｉ）膜とバリア膜の積層構造、バリア膜とアルミニウムシリコン（Ａｌ−Ｓｉ）膜と窒化チタン（ＴｉＮ）膜とバリア膜の積層構造を採用するとよい。なお、バリア膜とは、チタン、チタンの窒化物、モリブデン、又はモリブデンの窒化物からなる薄膜に相当する。アルミニウムやアルミニウムシリコンは抵抗値が低く、安価であるため、導電膜１２２８を形成する材料として最適である。また、上層と下層のバリア層を設けると、アルミニウムやアルミニウムシリコンのヒロックの発生を防止することができる。また、還元性の高い元素であるチタンからなるバリア膜を形成すると、結晶質半導体膜上に薄い自然酸化膜ができていたとしても、この自然酸化膜を還元し、結晶質半導体膜と良好なコンタクトをとることができる。ここでは、導電膜１２２８はＣＶＤ法によりタングステン（Ｗ）を選択成長することにより形成することができる。
【０１８６】
以上の工程により、基板１２００の領域１２０７に形成されたｐ型のトランジスタと、領域１２０８に形成されたｎ型のトランジスタとを具備する表示装置を得ることができる。
【０１８７】
なお、トランジスタの構造は上記の構造に限定されるものではく、例えば、逆スタガ構造、フィンＦＥＴ構造等でも良い。なお、フィンＦＥＴ構造では、トランジスタサイズの微細化に伴う短チャネル効果を抑制することができる。
【０１８８】
また、本実施形態は本明細書中の他の実施の形態の記載と適宜組み合わることができる。
【０１８９】
（実施の形態６）
本実施形態では、本発明の表示装置の応用例について説明する。
【０１９０】
図２０に、本発明に係る表示装置を、建造物に設けた例について示す。図２０において、表示パネル２００２は柱状体２００１の曲面に合わせて湾曲されている。なお、このような場合における表示装置には、プラスチック基板等の可撓性を有する基板上に設けられた本発明の表示装置を用いれば良い。ここでは、柱状体２００１を電柱として説明する。
【０１９１】
図２０に示す表示パネル２００２は、本発明の表示装置であり、人間の視点より高い位置に設けられている。電柱のように屋外で繰り返し林立している建造物に表示パネル２００２を設置することで、不特定多数の視認者に対し表示パネル２００２を介して情報を提供することができる。そのため、表示パネルを広告として利用することが適している。また、本発明の表示装置は、外部通信を利用して画像を表示させるため、外部からの制御により同じ画像を表示させること、瞬時に画像を切替えることなどが容易である。また、高精細化が可能であるため、様々な位置から画像を認識することが容易となる。よって、極めて効率的な情報表示及び広告効果が期待できる。
【０１９２】
図２１は、本発明に係る表示装置を列車車両に設けた例について示した図である。
【０１９３】
図２１（ａ）は、列車車両のドア２１０１のガラスに表示パネル２１０２を設けた例について示した図である。表示パネル２１０２は本発明の表示装置であり、無線通信により画像を表示させるため、従来の紙による広告に比べ広告を切替る際に必要となる人件費がかからないという利点がある。また、表示パネル２１０２は、外部からの信号により表示される画像の切り替えを瞬時に行なうことが可能であるため、たとえば電車の乗降客の客層が入れ替わる時間帯ごとに表示パネルの画像を切り替えることができる。また、高精細化が可能であるため、様々な位置から画像を認識することが容易となる。よって、極めて効率的な情報表示及び広告効果が期待できる。
【０１９４】
図２１（ｂ）は、列車車両のドア２１０１のガラスの他に、ガラス窓２１０３及び天井２１０４に表示パネル２１０２を設けた例について示した図である。このように、本発明に係る表示装置は、従来では設置が困難であった場所に容易に設けることが可能であるため、効果的な広告効果を得ることができる。また、本発明に係る表示装置は、外部からの信号により表示部で表示される画像の切り替えを瞬時に行なうことが可能であるため、広告切替え時に生じていたコストや時間を削減でき、より柔軟な広告の運用および情報伝達が可能となる。
【０１９５】
上記に限らず、本発明に係る表示装置は、様々な場所に設けることができる。また、本発明の表示装置は大型表示装置として用いる方がより効果的ではあるが、表示装置の大きさは特に問わない。例えば、紙幣、硬貨、有価証券類、無記名債券類、証書類（運転免許証や住民票等）、包装用容器類（包装紙やボトル等）、記録媒体（ＤＶＤソフトやビデオテープ等）、乗物類（自転車等）、身の回り品（鞄や眼鏡等）、食品類、植物類、動物類、人体、衣類、生活用品類、電子機器等の商品や荷物の荷札等のあらゆる物品の表示部として設けることも可能である。なお、電子機器とは、液晶表示装置、ＥＬ表示装置、テレビジョン装置（単にテレビ、テレビ受像機、テレビジョン受像機とも呼ぶ）及び携帯電話等を指す。
【０１９６】
また、本実施形態は本明細書中の他の実施の形態の記載と適宜組み合わることができる。
【図面の簡単な説明】
【０１９７】
【図１】本発明の表示装置を説明する図。
【図２】本発明の表示装置を説明する図。
【図３】本発明の表示装置を説明する図。
【図４】本発明の表示装置を説明する図。
【図５】本発明の表示装置を説明する図。
【図６】本発明の表示装置を説明する図。
【図７】本発明の表示装置を説明する図。
【図８】本発明の表示装置を説明する図。
【図９】本発明の表示装置を説明する図。
【図１０】本発明の表示装置の部分断面図。
【図１１】本発明の表示装置の部分断面図。
【図１２】本発明の表示装置が有する表示素子の一例を説明する図。
【図１３】本発明の半導体装置が有するトランジスタの部分断面図。
【図１４】本発明の半導体装置が有するトランジスタの部分断面図。
【図１５】本発明の半導体装置が有するトランジスタの部分断面図。
【図１６】本発明の半導体装置が有するトランジスタの部分断面図。
【図１７】本発明の半導体装置が有するトランジスタの部分断面図。
【図１８】本発明の半導体装置が有するトランジスタの部分断面図。
【図１９】本発明の半導体装置が有するトランジスタの部分断面図。
【図２０】本発明の表示装置の応用例を示す図。
【図２１】本発明の表示装置の応用例を示す図。
【符号の説明】
【０１９８】
１０１    電波送信装置
１０２    表示装置
１０３    アンテナ回路
１０４    画素回路部
２０１    整流回路
２０２    復調回路
２０３    電源電圧生成回路
２０４    クロック生成回路
２０５    制御部
２０６    コード認識・判定回路
２０７    コントローラ
２０８    メモリ部
２０９    Ｄ／Ａコンバータ
２１０    表示素子
２５１    フォトセンサ
２５２      バッテリ
２５３    太陽電池
２５４    出力スイッチ
２５５    スイッチ
２５６    スイッチ
３０１    アンテナ回路
３０２    アンテナ
３０３    共振容量
３０４    送信部
３０５    制御部
３０６    インターフェイス部
３０７    処理部
４０２    アンテナ
４０３    共振容量
【図１】
2008164855.tif 000003
【図２】
2008164855.tif 000004
【図３】
2008164855.tif 000005
【図４】
2008164855.tif 000006
【図５】
2008164855.tif 000007
【図６】
2008164855.tif 000008
【図７】
2008164855.tif 000009
【図８】
2008164855.tif 000010
【図９】
2008164855.tif 000011
【図１０】
2008164855.tif 000012
【図１１】
2008164855.tif 000013
【図１２】
2008164855.tif 000014
【図１３】
2008164855.tif 000015
【図１４】
2008164855.tif 000016
【図１５】
2008164855.tif 000017
【図１６】
2008164855.tif 000018
【図１７】
2008164855.tif 000019
【図１８】
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【図１９】
2008164855.tif 000021
【図２０】
2008164855.tif 000022
【図２１】
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