(57)【要約】【課題】信頼性の高い電子デバイスを効率よく製造することが可能な半導体装置、及び、信頼性の高い電子デバイス、並びに、これらを効率よく製造する方法を提供する。【解決手段】半導体装置は、電極１４が形成された半導体チップ１０と、半導体チップにおける電極が形成された面１５に形成された、仮想の直線１００に沿って配列された複数の第１の部分２１と、第１の部分の側方に配置された、第１の部分よりも高さが低い第２の部分２２とを含む樹脂突起２０と、第１の部分に支持された電気的接続部４２を有する、電極と電気的に接続された配線４０と、を有する。第１の部分２１の上面における直線１００方向の幅は、電気的接続部４２の直線１００方向の幅よりも狭い。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極が形成された半導体チップと、
前記半導体チップにおける前記電極が形成された面に形成された、仮想の直線に沿って配列された複数の第１の部分と、前記第１の部分の側方に配置された、前記第１の部分よりも高さが低い第２の部分とを含む樹脂突起と、
前記第１の部分に支持された電気的接続部を有する、前記電極と電気的に接続された配線と、
を有し、
前記第１の部分の上面における前記直線方向の幅は、前記電気的接続部の前記直線方向の幅よりも狭い半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置において、
前記樹脂突起は、前記第１の部分と第２の部分との間に配置された、前記第１の部分に近づくほど厚みが増すテーパー部分をさらに含む半導体装置。
【請求項３】
請求項２記載の半導体装置において、
電気的接続部は、第２の部分と重複する領域に至らないように形成されている半導体装置。
【請求項４】
請求項２記載の半導体装置において、
前記電気的接続部は、前記テーパー部分を超えて、その一部が前記第２の部分と重複するように形成されている半導体装置。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれかに記載の半導体装置において、
前記電気的接続部は、前記第１の部分と重複する重複部と、前記樹脂突起と重複しない突出部とを含み、
前記突出部の前記直線方向の幅は、前記第１及び第２の部分の高さの差よりも広い半導体装置。
【請求項６】
請求項１から請求項４のいずれかに記載の半導体装置において、
前記電気的接続部は、前記第１の部分と重複する重複部と、前記樹脂突起と重複しない突出部とを含み、
前記突出部の前記直線方向の幅は、前記第１及び第２の部分の高さの差よりも狭い半導体装置。
【請求項７】
請求項５又は請求項６記載の半導体装置において、
前記重複部の前記直線方向の幅は、前記電気的接続部の前記直線方向の幅の８０％以上である半導体装置。
【請求項８】
請求項１から請求項７のいずれかに記載の半導体装置において、
前記第２の部分の表面は、粗面になっている半導体装置。
【請求項９】
請求項１から請求項８のいずれかに記載の半導体装置において、
前記樹脂突起は、前記第２の部分の側方に配置された、前記第２の部分よりも高さが低い第３の部分をさらに含む半導体装置。
【請求項１０】
配線パターンを有する配線基板と、
電極が形成された半導体チップと、前記半導体チップにおける前記電極が形成された面に形成された、仮想の直線に沿って配列された複数の第１の部分と、前記第１の部分の側方に配置された、前記第１の部分よりも高さが低い第２の部分とを含む樹脂突起と、前記第１の部分上に配置された電気的接続部を有する、前記電極と電気的に接続された配線と、を有し、前記電気的接続部が前記配線パターンと対向するように前記配線基板に搭載された半導体装置と、
前記配線基板と前記半導体装置とを接着する接着剤と、
を含み、
前記第１の部分は、
前記直線方向の幅が前記電気的接続部よりも狭く、前記半導体チップと前記配線基板とによって押しつぶされて弾性変形している電子デバイス。
【請求項１１】
請求項１０記載の電子デバイスにおいて、
前記電気的接続部は、前記第１の部分と重複する重複部と、前記第１の部分と重複しない突出部とを含み、
前記第突出部は、前記配線パターンと接触している電子デバイス。
【請求項１２】
請求項１０記載の電子デバイスにおいて、
前記電気的接続部は、
前記第１の部分と重複する重複部と、前記第１の部分と重複しない突出部とを含み、
前記突出部が前記配線基板と接触しないように、前記重複部と前記突出部との境界で屈曲している電子デバイス。
【請求項１３】
請求項１２記載の電子デバイスにおいて、
前記接着剤は、前記突出部と前記配線基板との間を含む部分に形成されている電子デバイス。
【請求項１４】
配線パターンを有する配線基板と、
電極が形成された半導体チップと、前記半導体チップにおける前記電極が形成された面に形成された、仮想の直線に沿って延びる形状をなす樹脂突起と、前記樹脂突起上に配置された電気的接続部を有する、前記電極と電気的に接続された配線と、を有し、前記電気的接続部が前記配線パターンと対向するように前記配線基板に搭載された半導体装置と、
前記配線基板と前記半導体装置とを接着する接着剤と、
を含み、
前記樹脂突起は、
前記配線基板と前記半導体チップとによって押しつぶされて弾性変形しており、
前記電気的接続部の中央領域を第１の弾性力で前記配線基板に押し付ける第１の部分と、前記電気的接続部の端部領域を前記第１の弾性力よりも小さい第２の弾性力で前記配線基板に押し付ける第２の部分とを有し、
前記第１及び第２の部分は、前記直線に沿って配置されている電子デバイス。
【請求項１５】
電極が形成された半導体基板を用意する工程と、
前記半導体基板における前記電極が形成された面に樹脂部材を形成する工程と、
前記樹脂部材上に配置された電気的接続部を有する、前記電極と電気的に接続された配線を形成する工程と、
前記樹脂部材の一部を除去して、前記電気的接続部を支持する、仮想の直線に沿って配列される複数の第１の部分と、前記第１の部分の側方に配置された、前記第１の部分よりも高さが低い第２の部分とを有する樹脂突起を形成する工程と、
を含み、
前記樹脂突起を形成する工程では、前記第１の部分の前記直線方向の幅が、前記電気的接続部の前記直線方向の幅よりも狭くなるように、前記樹脂部材の一部を除去する半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
電極が形成された半導体基板を用意する工程と、
前記半導体基板における前記電極が形成された面に樹脂部材を形成する工程と、
前記樹脂部材上に配置された電気的接続部を有する、前記電極と電気的に接続された配線を形成する工程と、
前記樹脂部材の一部を除去して、前記電気的接続部を支持する、仮想の直線に沿って配列される複数の第１の部分と、前記第１の部分の側方に配置された、前記第１の部分よりも高さが低い第２の部分とを有する樹脂突起を形成する工程と、
前記電気的接続部の幅が前記仮想の直線に沿った方向に広くなるように、前記電気的接続部に対してめっき処理を行う工程と、
を含む半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
配線パターンを有する配線基板を用意する工程と、
電極が形成された半導体チップと、前記半導体チップにおける前記電極が形成された面に形成された、仮想の直線に沿って配列された複数の第１の部分と、前記第１の部分の側方に配置された、前記第１の部分よりも高さが低い第２の部分とを含む樹脂突起と、前記第１の部分によって支持された電気的接続部を有する、前記電極と電気的に接続された配線と、を有する半導体装置を用意する工程と、
前記配線基板に前記半導体装置を搭載して、前記電気的接続部を前記配線パターンに対向させて電気的に接続させる工程と、
前記配線基板と前記半導体装置とを接着する接着剤を形成する工程と、
を含み、
前記第１の部分の上面における前記直線方向の幅は、前記電気的接続部における前記直線方向の幅よりも狭く、
前記配線基板に前記半導体装置を搭載する工程では、前記配線基板と前記半導体チップとによって前記樹脂突起を弾性変形させて、前記第１の部分の弾性力によって前記電気的接続部の中央領域を前記配線基板に押し付けて、前記第２の部分の弾性力によって前記電気的接続部の端部領域を前記配線基板に押し付ける電子デバイスの製造方法。
【請求項１８】
配線パターンを有する配線基板を用意する工程と、
電極が形成された半導体チップと、前記半導体チップにおける前記電極が形成された面に形成された、仮想の直線に沿って配列された複数の第１の部分と、前記第１の部分の側方に配置された、前記第１の部分よりも高さが低い第２の部分とを含む樹脂突起と、前記第１の部分によって支持された電気的接続部を有する、前記電極と電気的に接続された配線と、を有する半導体装置を用意する工程と、
前記配線基板に前記半導体装置を搭載して、前記電気的接続部を前記配線パターンに対向させて電気的に接続させる工程と、
前記配線基板と前記半導体装置とを接着する接着剤を形成する工程と、
を含み、
前記第１の部分の上面における前記直線方向の幅は、前記電気的接続部における前記直線方向の幅よりも狭く
前記配線基板に前記半導体装置を搭載する工程では、前記配線基板と前記半導体チップとによって前記樹脂突起を弾性変形させて、前記第１の部分の弾性力のみによって、前記電気的接続部を前記配線パターンに押し付ける電子デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及び電子デバイス、並びに、それらの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子デバイスを小型化するためには、半導体装置の外形は小さい方が好ましい。しかし、半導体装置の役割が多様化するにつれ、半導体チップに形成される集積回路の高集積化が進み、これに伴って、半導体チップのピン数の増加が進んでいる。すなわち、現在では、半導体装置の小型化と、集積回路の高集積化及び電極の増加という要求を同時に満たすことが可能な半導体装置の開発が進んでいる。
【０００３】
この要求に応えることができる半導体装置として、半導体チップ上に配線が形成されたタイプの半導体装置が注目を集めている。このタイプの半導体装置では、半導体装置の外形を半導体チップの外形とほぼ同じにすることができるため、半導体装置の小型化が可能である。
【特許文献１】特開平2-272737号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
半導体装置が小型化すれば、これを配線基板等に実装することが困難になる。しかし、電子デバイスの信頼性を確保するためには、実装後においても、半導体装置の信頼性を維持することが重要である。また、半導体装置の実装性が高ければ、電子デバイスを効率よく製造することが可能になる。
【０００５】
本発明の目的は、信頼性の高い電子デバイスを効率よく製造することが可能な半導体装置、及び、信頼性の高い電子デバイス、並びに、これらを効率よく製造する方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
（１）本発明に係る半導体装置は、
電極が形成された半導体チップと、
前記半導体チップにおける前記電極が形成された面に形成された、仮想の直線に沿って配列された複数の第１の部分と、前記第１の部分の側方に配置された、前記第１の部分よりも高さが低い第２の部分とを含む樹脂突起と、
前記第１の部分に支持された電気的接続部を有する、前記電極と電気的に接続された配線と、
を有し、
前記第１の部分の上面における前記直線方向の幅は、前記電気的接続部の前記直線方向の幅よりも狭い。
【０００７】
本発明によると、第１の部分の幅が、電気的接続部の幅よりも狭くなっている。そのため、第１の部分の幅が電気的接続部の幅と同じ場合と比較して、第１の部分（樹脂突起）を容易に変形（弾性変形）させることができ、実装工程を容易に行うことができる。
【０００８】
すなわち、本発明によると、容易に実装することが可能な、実装性に優れた半導体装置を提供することができる。
【０００９】
（２）この半導体装置において、
前記樹脂突起は、前記第１の部分と第２の部分との間に配置された、前記第１の部分に近づくほど厚みが増すテーパー部分をさらに含んでもよい。
【００１０】
（３）この半導体装置において、
電気的接続部は、第２の部分と重複する領域に至らないように形成されていてもよい。
【００１１】
（４）この半導体装置において、
前記電気的接続部は、前記テーパー部分を超えて、その一部が前記第２の部分と重複するように形成されていてもよい。
【００１２】
（５）この半導体装置において、
前記電気的接続部は、前記第１の部分と重複する重複部と、前記樹脂突起と重複しない突出部とを含み、
前記突出部の前記直線方向の幅は、前記第１及び第２の部分の高さの差よりも広くてもよい。
【００１３】
（６）この半導体装置において、
前記電気的接続部は、前記第１の部分と重複する重複部と、前記樹脂突起と重複しない突出部とを含み、
前記突出部の前記直線方向の幅は、前記第１及び第２の部分の高さの差よりも狭くてもよい。
【００１４】
（７）この半導体装置において、
前記重複部の前記直線方向の幅は、前記電気的接続部の前記直線方向の幅の８０％以上であってもよい。
【００１５】
（８）この半導体装置において、
前記第２の部分の表面は、粗面になっていてもよい。
【００１６】
なお、第２の部分の表面は、第１の部分の表面よりも粗くなっていてもよい。
【００１７】
（９）この半導体装置において、
前記樹脂突起は、前記第２の部分の側方に配置された、前記第２の部分よりも高さが低い第３の部分をさらに含んでもよい。
【００１８】
（１０）本発明に係る電子デバイスは、
配線パターンを有する配線基板と、
電極が形成された半導体チップと、前記半導体チップにおける前記電極が形成された面に形成された、仮想の直線に沿って配列された複数の第１の部分と、前記第１の部分の側方に配置された、前記第１の部分よりも高さが低い第２の部分とを含む樹脂突起と、前記第１の部分上に配置された電気的接続部を有する、前記電極と電気的に接続された配線と、を有し、前記電気的接続部が前記配線パターンと対向するように前記配線基板に搭載された半導体装置と、
前記配線基板と前記半導体装置とを接着する接着剤と、
を含み、
前記第１の部分は、
前記直線方向の幅が前記電気的接続部よりも狭く、前記半導体チップと前記配線基板とによって押しつぶされて弾性変形している。
【００１９】
本発明によると、効率よく製造することが可能な、信頼性の高い電子デバイスを提供することができる。
【００２０】
（１１）この電子デバイスにおいて、
前記電気的接続部は、前記第１の部分と重複する重複部と、前記第１の部分と重複しない突出部とを含み、
前記第突出部は、前記配線パターンと接触していてもよい。
【００２１】
（１２）この電子デバイスにおいて、
前記電気的接続部は、
前記第１の部分と重複する重複部と、前記第１の部分と重複しない突出部とを含み、
前記突出部が前記配線基板と接触しないように、前記重複部と前記突出部との境界で屈曲していてもよい。
【００２２】
（１３）この電子デバイスにおいて、
前記接着剤は、前記突出部と前記配線基板との間を含む部分に形成されていてもよい。
【００２３】
（１４）本発明に係る電子デバイスは、
配線パターンを有する配線基板と、
電極が形成された半導体チップと、前記半導体チップにおける前記電極が形成された面に形成された、仮想の直線に沿って延びる形状をなす樹脂突起と、前記樹脂突起上に配置された電気的接続部を有する、前記電極と電気的に接続された配線と、を有し、前記電気的接続部が前記配線パターンと対向するように前記配線基板に搭載された半導体装置と、
前記配線基板と前記半導体装置とを接着する接着剤と、
を含み、
前記樹脂突起は、
前記配線基板と前記半導体チップとによって押しつぶされて弾性変形しており、
前記電気的接続部の中央領域を第１の弾性力で前記配線基板に押し付ける第１の部分と、前記電気的接続部の端部領域を前記第１の弾性力よりも小さい第２の弾性力で前記配線基板に押し付ける第２の部分とを有し、
前記第１及び第２の部分は、前記直線に沿って配置されている。
【００２４】
本発明によると、効率よく製造することが可能な、信頼性の高い電子デバイスを提供することができる。
【００２５】
（１５）本発明に係る半導体装置の製造方法は、
電極が形成された半導体基板を用意する工程と、
前記半導体基板における前記電極が形成された面に樹脂部材を形成する工程と、
前記樹脂部材上に配置された電気的接続部を有する、前記電極と電気的に接続された配線を形成する工程と、
前記樹脂部材の一部を除去して、前記電気的接続部を支持する、仮想の直線に沿って配列される複数の第１の部分と、前記第１の部分の側方に配置された、前記第１の部分よりも高さが低い第２の部分とを有する樹脂突起を形成する工程と、
を含み、
前記樹脂突起を形成する工程では、前記第１の部分の前記直線方向の幅が、前記電気的接続部の前記直線方向の幅よりも狭くなるように、前記樹脂部材の一部を除去する。
【００２６】
本発明によると、実装性に優れた半導体装置を製造することができる。
【００２７】
（１６）本発明に係る半導体装置の製造方法は、
電極が形成された半導体基板を用意する工程と、
前記半導体基板における前記電極が形成された面に樹脂部材を形成する工程と、
前記樹脂部材上に配置された電気的接続部を有する、前記電極と電気的に接続された配線を形成する工程と、
前記樹脂部材の一部を除去して、前記電気的接続部を支持する、仮想の直線に沿って配列される複数の第１の部分と、前記第１の部分の側方に配置された、前記第１の部分よりも高さが低い第２の部分とを有する樹脂突起を形成する工程と、
前記電気的接続部の幅が前記仮想の直線に沿った方向に広くなるように、前記電気的接続部に対してめっき処理を行う工程と、
を含む。
【００２８】
本発明によると、実装性に優れた半導体装置を製造することができる。
【００２９】
（１７）本発明に係る電子デバイスの製造方法は、
配線パターンを有する配線基板を用意する工程と、
電極が形成された半導体チップと、前記半導体チップにおける前記電極が形成された面に形成された、仮想の直線に沿って配列された複数の第１の部分と、前記第１の部分の側方に配置された、前記第１の部分よりも高さが低い第２の部分とを含む樹脂突起と、前記第１の部分によって支持された電気的接続部を有する、前記電極と電気的に接続された配線と、を有する半導体装置を用意する工程と、
前記配線基板に前記半導体装置を搭載して、前記電気的接続部を前記配線パターンに対向させて電気的に接続させる工程と、
前記配線基板と前記半導体装置とを接着する接着剤を形成する工程と、
を含み、
前記第１の部分の上面における前記直線方向の幅は、前記電気的接続部における前記直線方向の幅よりも狭く、
前記配線基板に前記半導体装置を搭載する工程では、前記配線基板と前記半導体チップとによって前記樹脂突起を弾性変形させて、前記第１の部分の弾性力によって前記電気的接続部の中央領域を前記配線基板に押し付けて、前記第２の部分の弾性力によって前記電気的接続部の端部領域を前記配線基板に押し付ける。
【００３０】
本発明によると、信頼性の高い電子デバイスを、効率よく製造することが可能になる。
【００３１】
（１８）本発明に係る電子デバイスの製造方法は、
配線パターンを有する配線基板を用意する工程と、
電極が形成された半導体チップと、前記半導体チップにおける前記電極が形成された面に形成された、仮想の直線に沿って配列された複数の第１の部分と、前記第１の部分の側方に配置された、前記第１の部分よりも高さが低い第２の部分とを含む樹脂突起と、前記第１の部分によって支持された電気的接続部を有する、前記電極と電気的に接続された配線と、を有する半導体装置を用意する工程と、
前記配線基板に前記半導体装置を搭載して、前記電気的接続部を前記配線パターンに対向させて電気的に接続させる工程と、
前記配線基板と前記半導体装置とを接着する接着剤を形成する工程と、
を含み、
前記第１の部分の上面における前記直線方向の幅は、前記電気的接続部における前記直線方向の幅よりも狭く
前記配線基板に前記半導体装置を搭載する工程では、前記配線基板と前記半導体チップとによって前記樹脂突起を弾性変形させて、前記第１の部分の弾性力のみによって、前記電気的接続部を前記配線パターンに押し付ける。
【００３２】
本発明によると、信頼性の高い電子デバイスを、効率よく製造することが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
以下、本発明を適用した実施の形態について説明する。なお、本発明は、以下の実施の形態に限られるものではない。
【００３４】
（第１の実施の形態）
１．半導体装置
以下、本発明を適用した第１の実施の形態に係る半導体装置について説明する。図１〜図９は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置及びその製造方法について説明するための図である。
【００３５】
本実施の形態に係る半導体装置１は、半導体チップ１０を有する。半導体チップ１０は、例えばシリコンチップであってもよい。半導体チップ１０には、集積回路１２が形成されていてもよい（図１（Ｃ）参照）。集積回路１２の構成は特に限定されないが、例えば、トランジスタ等の能動素子や、抵抗、コイル、コンデンサ等の受動素子を含んでいてもよい。
【００３６】
半導体チップ１０には、電極１４が形成されている。電極１４は、半導体チップ１０の内部と電気的に接続されていてもよい。電極１４は、集積回路１２と電気的に接続されていてもよい。あるいは、集積回路１２に電気的に接続されていない導電体（導電パッド）を含めて、電極１４と称してもよい。電極１４は、半導体チップ１０の内部配線の一部であってもよい。このとき、電極１４は、半導体チップ１０の内部配線のうち、外部との電気的な接続に利用される部分であってもよい。電極１４は、アルミニウム又は銅等の金属で形成されていてもよい。また、電極１４の表面には、ＴｉＮやＮｉ等のキャップ層を有してもよい。なお、半導体チップ１０における電極１４が形成された面１５は、矩形（長方形又は正方形）をなしていてもよい。
【００３７】
半導体チップ１０は、図１（Ｃ）及び図１（Ｄ）に示すように、パッシベーション膜１６を有していてもよい。パッシベーション膜１６は、電極１４を露出させるように形成される。パッシベーション膜１６には、電極１４を露出させる開口が形成されていてもよい。なお、パッシベーション膜１６は、電極１４を部分的に覆うように形成されていてもよい。パッシベーション膜１６は、図１（Ｃ）に示すように、電極１４の周囲を覆うように形成されていてもよい。パッシベーション膜は、例えば、ＳｉＯ２やＳｉＮ等の無機絶縁膜であってもよい。あるいは、パッシベーション膜１６は、ポリイミド樹脂などの有機絶縁膜であってもよい。
【００３８】
本実施の形態に係る半導体装置は、図１（Ａ）〜図１（Ｄ）に示すように、樹脂突起２０を含む。樹脂突起２０は、半導体チップ１０の電極１４が形成された面１５上に形成されている。樹脂突起２０は、図１（Ｃ）及び図１（Ｄ）に示すように、パッシベーション膜１６上に形成されていてもよい。樹脂突起２０は、集積回路１４（特にトランジスタ等の能動素子）と重複しないように配置されていてもよい。
【００３９】
樹脂突起２０は、図１（Ａ）に示すように、仮想の直線１００に沿って延びる形状をなしていてもよい。なお、直線１００は、半導体チップ１０の面１５のいずれかの辺と平行な直線であってもよい。例えば、直線１００は、面１５の長辺１７と平行な直線であってもよい。そして、樹脂突起２０は、面１５における、長辺１７の周辺領域に配置されていてもよい。ただし、仮想の直線は、面１５の短辺と平行な直線であってもよい。
【００４０】
樹脂突起２０は、直線１００に沿って配列された複数の第１の部分２１と、第１の部分２１の側方に配置された第２の部分２２とを含む（図１（Ｂ）及び図１（Ｄ）参照）。樹脂突起２０は、図１（Ｄ）に示すように、第１の部分２１の高さｈ１が、第２の部分２２の高さｈ２よりも高くなっている。なお、ここで言う高さとは、樹脂突起２０の、半導体チップ１０の厚み方向（面１５と直交する方向）の幅であってもよい。そして、第１の部分２１の高さとは、面１５（パッシベーション膜１６）から第１の部分２１の頂点までの距離であってもよい。また、第２の部分２２の高さとは、面１５（パッシベーション膜１６）から第２の部分２２の頂点までの距離であってもよい。第１の部分２１の高さｈ１と、第２の部分２２の高さｈ２とは、ｈ１−ｈ２≦５μｍの関係を満たしていてもよい。
【００４１】
なお、本実施の形態では、第１の部分２１は、高さｈ１と、底面の幅Ｗとが、ｈ１＜Ｗ／２の関係を満たす形状をなしていてもよい（図２参照）。なお、ここでいう底面の幅Ｗとは、底面における直線１００と直交する方向の長さである。本実施の形態では、第１の部分２１の上面は、凸曲面をなしていてもよい。第１の部分２１の上面は、円弧の一部であってもよい。あるいは、第１の部分２１の上面は、楕円弧の一部であってもよい。
【００４２】
本実施の形態では、第２の部分２２の底面における直線１００と直交する方向の幅は、図１（Ａ）及び図１（Ｂ）に示すように、第１の部分２１の底面における直線１００と直交する方向の幅よりも狭くなっていてもよい。そして、第２の部分２２を直線１００と直交する平面で切断した断面形状は、第１の部分２１を直線１００と直交する平面で切断した断面形状と、相似形をなしていてもよい。なお、第２の部分２２の表面は粗面になっていてもよい。例えば、第２の部分２２の表面は、第１の部分２１の表面よりも粗くなっていてもよい。
【００４３】
樹脂突起２０は、また、第２の部分２２の側方に配置された第３の部分２３をさらに含んでいてもよい。第３の部分２３は、第２の部分２２よりも高さが低い。すなわち、第３の部分２３の高さをｈ３とすれば、ｈ２＞ｈ３の関係を満たす。また、第３の部分２３の底面における直線１００と直交する方向の幅は、図１（Ｂ）に示すように、第２の部分２２の底面における直線１００と直交する方向の幅よりも狭くなっていてもよい。そして、第２の部分２２と第３の部分２３とは、直線１００と直交する平面で切断した断面の形状が相似形となっていてもよい。ただし、本発明はこれに限られるものではなく、樹脂突起２０は、第３の部分２３を有しない構造をなしていてもよい（図示せず）。
【００４４】
樹脂突起２０の材料は特に限定されず、既に公知となっているいずれかの材料を適用してもよい。例えば、樹脂突起２０は、ポリイミド樹脂、シリコーン変性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、シリコーン樹脂、変性ポリイミド樹脂、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ；benzocyclobutene）、ポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ；polybenzoxazole）等の樹脂で形成してもよい。
【００４５】
本実施の形態に係る半導体装置は、図１（Ａ）〜図２に示すように、配線４０を含む。配線４０は、電極１４と電気的に接続されている。配線４０は、電極１４上から樹脂突起２０を越えて、パッシベーション膜１６上に至るように形成されていてもよい。すなわち、配線４０は、樹脂突起２０の両側で、パッシベーション膜１６（面１５）と接触するように形成されていてもよい。そして、樹脂突起２０のうち、配線４０を支持する部分が、第１の部分２１である。なお、配線４０は、直線１００と交差（直交）する方向に延びる配線であってもよい。
【００４６】
配線４０は、電気的接続部４２を含む。ここで、電気的接続部４２とは、配線４０における樹脂突起２０（第１の部分２１）によって支持される部分である。また、電気的接続部４２とは、配線４０のうち、他の電子部品の導電部（配線基板の配線パターンなど）との電気的な接続に利用される部分である。本実施の形態では、配線４０のうち、第２の部分２２よりも高い位置に配置された領域（第２の部分２２から突出した領域）を指して、電気的接続部４２と称してもよい。
【００４７】
本実施の形態に係る半導体装置では、図１（Ｂ）及び図１（Ｄ）に示すように、電気的接続部４２の直線１００方向の幅は、第１の部分２１の上面における直線１００方向の幅よりも広くなっている。すなわち、電気的接続部４２は、第１の部分２１と重複する重複部４４と、第１の部分２１と重複しない突出部４６とを含んで構成される。そして、重複部４４と突出部４６とは、直線１００に沿って配置されている。突出部４６は、重複部４４の両側に配置されていてもよい。突出部４６は、第２の部分２２と重複するように配置されていてもよい。なお、本実施の形態では、重複部４４（第１の部分２１の上面）の直線１００方向の幅は、電気的接続部４２の直線１００方向の幅の５０％以下であってもよい。ただし、本実施の形態はこれに限られるものではない。突出部４６の幅は、樹脂突起２０の第１及び第２の部分２１，２２の高さの差よりも大きくてもよい。あるいは、突出部４６の幅は、第１及び第２の部分２１，２２の高さの差よりも小さくてもよい。
【００４８】
配線４０に適用可能な材料は特に限定されるものではない。配線４０は、例えば、Ａｕ、ＴｉＷ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｗ、ＮｉＶ、Ａｇ、鉛フリーはんだなどによって構成されていてもよい。また、配線４０の構造も特に限定されるものではない。例えば、配線４０は複数層で形成されていてもよい。このとき、配線４０は、チタンタングステンによって形成された第１の層と、金によって形成された第２の層とを含んでいてもよい（図示せず）。あるいは、配線４０は、単層で形成されていてもよい。
【００４９】
半導体装置１は、以上の構成をなしていてもよい。
【００５０】
次に、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。
【００５１】
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、図３（Ａ）〜図３（Ｃ）に示す半導体基板１１を用意することを含む。なお、図３（Ａ）は半導体基板１１の概略図であり、図３（Ｂ）は半導体基板１１の断面図の一部拡大図である。また、図３（Ｃ）は、半導体基板１１の上視図（平面図）の一部拡大図である。
【００５２】
半導体基板１１は、図３（Ａ）に示すように、ウエハ状をなす。そして、ウエハ状の半導体基板１１は、複数の半導体チップ（半導体チップ１０）となる領域２００を有する。ただし、半導体基板として半導体チップ（図１（Ａ）参照）を用意して以下の各工程を行ってもよい。
【００５３】
半導体基板１１には、図３（Ｂ）及び図３（Ｃ）に示すように、電極１４が形成されている。半導体基板１１は、電極１４を露出させるパッシベーション膜１６を有していてもよい。
【００５４】
次に、半導体基板１１に樹脂部材２７を形成する。樹脂部材２７を形成する方法は特に限られるものではないが、その一例を、図４（Ａ）〜図４（Ｄ）を参照して説明する。
【００５５】
はじめに、半導体基板１１に樹脂材料２５を設け（図４（Ａ）参照）、樹脂材料２５をパターニングし（図４（Ｂ）参照）、これを硬化（例えば熱硬化）させることによって樹脂部材２７を形成する（図４（Ｃ）及び図４（Ｄ）参照）。なお、樹脂部材２７とは、後述するエッチング工程を経て、樹脂突起２０となる部材である。樹脂部材２７の底面及び高さは、樹脂材料２５の高さや幅、硬化条件などを調整することで制御することができる。
【００５６】
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、配線４０を形成するとともに、樹脂材料２５をパターニングして樹脂突起２０を形成することを含む。図５（Ａ）〜図９（Ｂ）は、これらの工程について説明するための図である。
【００５７】
はじめに、図５（Ａ）〜図５（Ｃ）に示すように、半導体基板１１上に金属層８２を形成する。金属層８２は、電極１４、パッシベーション膜１６、及び、樹脂部材２７を覆うように形成してもよい。金属層８２は、電極１４と電気的に接続されるように形成してもよい。金属層８２は、例えばスパッタリングによって形成することができる。金属層８２は、単層の金属層であってもよく、複数層の金属層であってもよい。
【００５８】
そして、図６（Ａ）及び図６（Ｂ）に示すように、金属層８２の一部を除去して、金属層８２に、樹脂部材２７の一部を露出させる開口８４を形成する。本工程では、樹脂部材２７における第３の部分２３となる領域を露出させるように（重複するように）、開口８４を形成する。なお、金属層８２に開口８４を形成する方法は特に限られるものではなく、既に公知となっているいずれかの方法を適用してもよい。例えば、金属層８２に開口を有するマスクを形成し、金属層８２におけるマスクからの露出部を除去することによって、金属層８２に開口８４を形成してもよい。
【００５９】
そして、図７（Ａ）及び図７（Ｂ）に示すように、樹脂部材２７における開口８４からの露出領域をエッチングして、その一部を除去する。本工程では、樹脂部材２７の露出部の一部を除去して、図７（Ａ）及び図７（Ｂ）に示すように、露出部の高さを低くするとともに、露出部の幅を狭くしてもよい。等方性のエッチングを行うことにより、かかる処理が可能になる。
【００６０】
そして、図８（Ａ）及び図８（Ｂ）に示すように、金属層８２をパターニングして、導電パターン４１を形成する。金属層８２をパターニングする方法は特に限られず、既に公知となっているいずれかの方法を適用してもよい。例えば、金属層８２上にマスクを形成し、金属層８２をパターニングすることにより、導電パターン４１を形成してもよい。この場合、マスクの形状を調整することにより、導電パターン４１の形状を制御することができる。
【００６１】
そして、図９（Ａ）及び図９（Ｂ）に示すように、樹脂部材２７における導電パターン４１からの露出部をエッチングしてその一部を除去する。本工程では、樹脂部材２７における導電パターン４１からの露出部をエッチングすることによって、該露出部の高さを低くするとともに、その幅を狭くしてもよい。
【００６２】
なお、第２の部分２２及び第３の部分２３の幅や高さは、エッチング液やエッチング時間、あるいは、プラズマエッチング条件やプラズマエッチング時間を調整することで制御することができる。そして、樹脂部材２７のエッチング条件を調整することによって、樹脂突起２０を、第１〜第３の部分２１，２２，２３の断面が相似形状になるように形成することができる。
【００６３】
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、導電パターン４１の幅が直線１００に沿った方向に広くなるように、導電パターン４１にめっき処理を行うことを含んでいてもよい。めっき処理は、電解メッキ処理であってもよく、無電解めっき処理であってもよい。これにより、直線１００方向の幅が第１の部分よりも広い電気的接続部４２を有する配線４０を形成することができる（図１（Ａ）〜図１（Ｄ）参照）。
【００６４】
ただし、本発明では、導電パターン４１にめっき処理を行うことなく、半導体装置を製造してもよい。この場合、樹脂部材２７における導電パターン４１からの露出部をエッチングする工程で、樹脂部材２７における導電パターン４１と重複する領域を部分的に除去することによって、第１の部分２１の上面における直線１００方向の幅を、導電パターン４１の直線１００方向の幅よりも狭くしてもよい。例えば、エッチャントを導電パターン４１と重複する領域に回りこませることによって、樹脂部材２７における導電パターン４１と重複する領域の一部を除去することができる。例えば、エッチャントの供給方向の制御や、エッチャントの種類を選択することによって、エッチャントを、導電パターン４１と重複する領域に回りこませることができる。また、かかる手順で半導体装置を製造する場合には、当該導電パターン４１を、配線４０と称してもよい。
【００６５】
そして、半導体基板１１を切断して個片に分割する工程や、検査工程などをさらに経て、図１（Ａ）〜図１（Ｄ）に示す、半導体装置１を製造することができる。
【００６６】
２．電子デバイス
以下、本発明を適用した実施の形態に係る電子デバイス２について説明する。図１０（Ａ）〜図１１（Ｄ）は、本実施の形態に係る電子デバイス２について説明するための図である。
【００６７】
本実施の形態に係る電子デバイス２の製造方法は、半導体装置１を配線基板５０に実装する工程を含む。以下、半導体装置１を配線基板５０に実装する工程について説明する。図１０（Ａ）〜図１１（Ｄ）は、半導体装置１を配線基板５０に実装する工程について説明するための図である。
【００６８】
はじめに、配線基板５０の構成について説明する。配線基板５０は、ベース基板５２と、配線パターン５４とを含む。ベース基板５２（配線基板５０）は、電気光学パネル（液晶パネル・エレクトロルミネッセンスパネル等）の一部であってもよい。このとき、ベース基板５２は、例えば、セラミック基板やガラス基板であってもよい。また、配線パターン５４の材料についても特に限定されるものではないが、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、Ｃｒ、Ａｌなどの金属膜、金属化合物膜、又は、これらの複合膜によって形成されていてもよい。なお、配線パターン５４は、液晶を駆動する電極（走査電極、信号電極、対向電極等）に電気的に接続されていてもよい。ただし、配線基板５０は、樹脂基板であってもよい。
【００６９】
半導体装置１を配線基板５０に実装する工程では、はじめに、図１０（Ａ）及び図１１（Ａ）に示すように、半導体装置１と配線基板５０とを間隔をあけて対向させる。ここでは、半導体装置１を、半導体チップ１０の面１５が配線基板５０を向くように配置する。また、半導体装置１の電気的接続部４２（樹脂突起２０の第１の部分２１）と配線基板５０の配線パターン５４とが対向（重複）するように、半導体装置１と配線基板５０との位置合わせをする。例えば、図示しない治具（ボンディングツール）によって、半導体装置１を保持し、半導体装置１と配線基板５０との位置合わせを行ってもよい。このとき、半導体装置１を、面１５が配線基板５０と平行になるように保持してもよい。なお、治具にはヒータが内蔵されていてもよく、これにより、半導体装置１を加熱してもよい。半導体装置１を加熱することによって、電気的接続部４２が加熱され、電気的接続部４２と配線パターン５４とを確実に電気的に接続することができる。
【００７０】
なお、半導体装置１と配線基板５０との間には、図１０（Ａ）及び図１１（Ａ）に示すように、予め、接着材料７２を設けておいてもよい。接着材料７２は、ペースト状あるいはフィルム状で設けてもよい。接着材料７２は、導電粒子などを含まない絶縁性の材料（ＮＣＰ，ＮＣＦ）であってもよい。接着材料７２は、例えば、配線基板５０上に設けてもよい。
【００７１】
その後、図１０（Ｂ）及び図１０（Ｃ）、あるいは、図１１（Ｂ）及び図１１（Ｃ）に示すように、半導体装置１と配線基板５０とを近接させて電気的接続部４２と配線パターン５４とを接触させて、両者を電気的に接続する。本工程では、半導体チップ１０と配線基板５０とによって樹脂突起２０を押しつぶして、樹脂突起２０（第１の部分２１）を弾性変形させてもよい（図１０（Ｃ）及び図１１（Ｃ））。これによると、樹脂突起２０の弾性力によって、電気的接続部４２と配線パターン５４とを押し付けることができるため、電気的な接続信頼性の高い電子機器を製造することができる。
【００７２】
また、本工程では、図１０（Ｂ）に示すように電気的接続部４２と配線パターン５４とを接触させた後に、第２の部分２２を配線基板５０に接触させてもよい（図１０（Ｃ）参照）。すなわち、本工程では、第２の部分２２が配線基板５０に接触するまで、半導体装置１（半導体チップ１０）と配線基板５０とを近接させてもよい。なお、半導体装置１によると、電気的接続部４２は、第１の部分２１と重複しない突出部４６を有し、突出部４６の少なくとも一部は第２の部分２２と重複している。そのため、第２の部分２２を配線基板５０に接触させることによって、第２の部分２２で、突出部４６を配線基板５０に押し付けることができる。なお、第２の部分２２は、突出部４６を、配線パターン５４に押し付けてもよい。これにより、配線４０と配線パターン５４との接触面積を大きくすることができる。
【００７３】
本工程では、半導体装置１と配線基板５０とによって、接着材料７２を流動させてもよい。これにより、半導体装置１（半導体チップ１０）と配線基板５０との間に、接着材料７２を充填させてもよい（図１０（Ｃ）及び図１１（Ｃ）参照）。このとき、本工程では、第３の部分２３が配線基板５０に接触しないように、半導体装置１と配線基板５０との間隔を制御してもよい（図１０（Ｃ）参照）。これにより、半導体装置１を配線基板５０に搭載する工程で、接着材料７２の流動性を高めることができる。
【００７４】
そして、図１０（Ｄ）及び図１１（Ｄ）に示すように、接着剤７０を形成する。接着剤７０は、接着材料７２を硬化させることによって形成することができる。接着剤７０によって、半導体装置１と配線基板５０とを接着（固着）する。接着剤７０によって、半導体チップ１０と配線基板５０との間隔を維持してもよい。すなわち、接着剤７０によって、樹脂突起２０が弾性変形した状態を維持してもよい。例えば、樹脂突起２０が弾性変形した状態で接着剤７０を形成することで、樹脂突起２０が弾性変形した状態を維持することができる。
【００７５】
以上の工程によって、図１０（Ｄ）、又は、図１１（Ｄ）に示す、電子デバイス２を製造してもよい。
【００７６】
電子デバイス２は、半導体装置１と、配線基板５０を有する。半導体装置１は配線基板５０に実装されており、両者は接着剤７０によって接着されている。そして、半導体装置１は、電気的接続部４２の中央領域（重複部４４）を第１の弾性力で配線基板５０（配線パターン５４）に押し付ける第１の部分２１と、電気的接続部４２の端部領域（突出部４６）を第１の弾性力よりも弱い第２の弾性力で配線基板５０（配線パターン５４）に押し付ける第２の部分２２とを含む。
【００７７】
なお、電子デバイス２は、表示デバイス（パネルモジュール）であってもよい。図１２には、表示デバイスとしての電子デバイス２の概略図を示す。表示デバイスは、例えば液晶表示デバイスやＥＬ（Electrical Luminescence）表示デバイスであってもよい。そして、半導体装置１（半導体チップ）は、表示デバイスを制御するドライバＩＣであってもよい。
【００７８】
また、図１３及び図１４には、電子デバイス２を有する電子機器の一例として、ノート型パーソナルコンピュータ１０００及び携帯電話２０００を示す。
【００７９】
３．効果
以下、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置１が奏する作用効果について説明する。
【００８０】
先に説明したように、半導体装置１の樹脂突起２０は、配線基板５０に実装される際に、半導体チップ１０と配線基板５０とによって押しつぶされて、弾性変形する。そして、電子デバイス２によると、樹脂突起２０の弾性力によって電気的接続部４２が配線パターン５４に押し付けられて、電気的接続部４２と配線パターン５４との電気的な接続信頼性が維持される。
【００８１】
ここで、半導体装置１（電子デバイス２）によると、樹脂突起２０の弾性力によって、電気的接続部４２と配線パターン５４との電気的な接続信頼性が確保されるため、電子デバイス２の信頼性を高めるためには、樹脂突起２０の弾性力は大きい方が好ましい。しかし、樹脂突起２０の弾性力が大きいと、樹脂突起２０を変形させるために大きな力が必要になることから、電子デバイス２を効率よく製造することが困難になるおそれがある。
【００８２】
ところで、本発明によると、樹脂突起２０は、電気的接続部４２を支持する第１の部分２１を有し、第１の部分２１の上面の直線１００方向の幅は、電気的接続部４２の直線１００方向の幅よりも細くなっている。そのため、第１の部分２１が電気的接続部４２と同じ幅をなしている場合に比べ、第１の部分２１を変形（弾性変形）させやすくなり、半導体装置１を配線基板５０に実装する工程を、効率よく行うことができる。すなわち、本発明によると、効率よく配線基板５０に実装することが可能な、実装性の高い半導体装置を提供することができる。
【００８３】
なお、半導体装置１を配線基板５０に実装する工程では、電気的接続部４２の幅が大きくなる程、電気的接続部４２が受ける接着材料７２の流動抵抗が大きくなる。また、第１の部分２１の幅が小さくなる程、第１の部分２１の強度は低下し、第１の部分２１が変形しやすくなる。このことから、第１の部分２１の幅と電気的接続部４２の幅とが所定の関係を満たしている場合には、半導体装置を配線基板５０に実装する工程で、第１の部分２１を容易に弾性変形させることが可能になる。例えば、第１の部分２１の幅を電気的接続部４２の幅の５０％以下とすることで、実装工程で第１の部分２１を容易に弾性変形させることが可能な、実装性の高い半導体装置を提供することができる。
【００８４】
なお、半導体装置１を配線基板５０に実装する工程で、第２の部分２２によって電気的接続部４２（突出部４６）を配線パターン５４に向かって押し付ければ、電気的接続部４２と配線パターン５４との接触面積が大きくなるため、電気的な接続信頼性を高めることができる。すなわち、本発明によると、信頼性の高い電子デバイスを効率よく製造することが可能な半導体装置と、信頼性の高い電子デバイスを効率よく製造する方法を提供することができる。
【００８５】
特に、第１の部分２１の幅が電気的接続部４２の幅の半分以下である場合でも、第２の部分２２によって、電気的接続部４２の突出部４６を配線パターン５４に向かって押し付けることができるため、信頼性の高い電子デバイスを製造することが可能になる。
【００８６】
また、第２の部分２２の底面における直線１００と直交する方向の幅が、第１の部分２１の底面における直線１００と直交する方向の幅よりも狭い場合には、両者の幅が同じ場合に比べて、樹脂突起２０の表面積が大きくなる。そのため、本発明によると、樹脂突起２０と接着剤７０との接触面積が広くなり、樹脂突起２０と接着剤７０との密着性が高い、信頼性の高い電子デバイスを製造することが可能になる。また、本発明によると、隣り合う配線４０（電気的接続部４２）の間で樹脂突起の表面距離が長くなるため、マイグレーションを防止することが可能な、信頼性の高い電子デバイスを製造することが可能になる。
【００８７】
また、樹脂突起２０が第３の部分２３を有する場合、第２の部分２２が配線基板５０に接触した後にも、第３の部分２３と配線基板５０との間を介して、接着材料７２を流動させることができる。そのため、内部に気泡が発生しないように、接着剤７０を形成することができる。
【００８８】
また、樹脂突起２０の第２の部分２２（第３の部分２３）の表面が粗面になっている場合、樹脂突起２０と接着剤７０との密着性が高くなり、信頼性の高い電子デバイスを製造することが可能になる。
【００８９】
また、樹脂突起２０（第１〜第３の部分２１，２２，２３）が、直線１００に直交する平面で切断したときの断面が相似形となる形状をなす場合、半導体装置１を配線基板に実装する工程で、接着材料７２が流動しやすくなる。そのため、接着剤７０の内部に気泡ができにくくなり、信頼性の高い電子デバイスを効率よく製造することが可能になる。
【００９０】
さらに、半導体装置１を配線基板５０に実装するときに、第２の部分２２が配線基板５０に接触すると、樹脂突起２０はそれ以上変形しにくくなる。このことから、半導体装置１によると、第２の部分２２によって、半導体チップ１０（半導体装置１）と配線基板５０との間隔を規制することができる。そのため、半導体装置１によると、半導体チップ１０と配線基板５０とが設計通りの間隔をあけて配置された電子デバイスを製造することが可能になる。すなわち、本発明によると、電気的接続部４２と配線パターン５４とが設計通りの荷重で押し付けられた信頼性の高い電子デバイスを効率よく製造することが可能な半導体装置を提供することができる。
【００９１】
なお、半導体装置１では、第１の部分２１の幅（直線１００方向の幅）は、第１及び第２の部分２１，２２の高さの差よりも広くなっていてもよい。これによると、半導体装置１を配線基板５０に実装する際に、第１の部分２１が倒れにくくなる。すなわち、容易に配線基板５０に実装することが可能な半導体装置を提供することができる。
【００９２】
４．変形例
本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び効果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【００９３】
以下、本発明を適用した実施の形態の具体的な変形例について説明する。
【００９４】
図１５は、第１の変形例に係る半導体装置３について説明するための図である。
【００９５】
半導体装置３は、樹脂突起３０を有する。樹脂突起３０は、電気的接続部４２を支持する第１の部分３１と、第１の部分３１の側方に配置された、第１の部分３１よりも高さが低い第２の部分３２とを有する。そして、樹脂突起３０は、図１５に示すように、第１及び第２の部分３１，３２の間に配置された、第１の部分３１に向かって厚みが増すテーパー領域３４を含む。
【００９６】
なお、半導体装置３では、電気的接続部４２は、突出部４６が第２の部分３２と重複する領域に至るように形成されていてもよい。ただし、電気的接続部４２は、突出部４６が、第２の部分３２と重複する領域に至らないように形成されていてもよい。半導体装置３では、突出部４６の直線１００方向の幅が、電気的接続部４２の直線１００方向の幅の８０％以上であってもよい。
【００９７】
この半導体装置３によると、第２の部分３２が配線基板５０に接触しないように配線基板５０に実装した場合でも、テーパー領域３４によって、突出部４６を配線パターン５４に押し付けることができる。そのため、電気的な接続信頼性の高い電子デバイスを効率よく製造することが可能になる。
【００９８】
図１６は、第２の変形例に係る半導体装置４について説明するための図である。
【００９９】
半導体装置４は、樹脂突起３５を有する。樹脂突起３５は、電気的接続部４２を支持する第１の部分３６と、第１の部分３６の側方に配置された、第１の部分３６よりも高さが低い第２の部分３８とを有する。そして、第２の部分３８は、図１６に示すように、底面における直線１００と直交する方向の幅が、第１の部分３６の底面における直線１００と直交する方向の幅と（ほぼ）同じ幅になっている。また、第２の部分３８の上面は、平坦面（面１５と平行な面）となっていてもよい。
【０１００】
この半導体装置４によると、第２の部分３８の上面における直線１００と直交する方向の幅が広くなる。そのため、第２の部分３８が押圧する電気的接続部４２の面積が広くなり、電気的接続部４２と配線パターン５４との電気的な接続信頼性の高い電子デバイスを製造することが可能になる。
【０１０１】
（第２の実施の形態）
以下、本発明の第２の実施の形態について説明する。図１７（Ａ）〜図１８（Ｃ）は、本実施の形態に係る半導体装置及び電子デバイス、並びに、電子デバイスの製造方法について説明するための図である。
【０１０２】
本実施の形態に係る電子デバイスの製造方法は、半導体装置５を配線基板５０に搭載することを含む。
【０１０３】
はじめに、図１７（Ａ）〜図１７（Ｃ）を参照して、半導体装置５について説明する。半導体装置５は、樹脂突起６０を有する。樹脂突起６０は、電気的接続部４２を支持する第１の部分６１と、第１の部分６１よりも高さが低い第２の部分６２とを有する。樹脂突起６０は直線１００に沿って延びる形状をなし、図１７（Ｂ）及び図１７（Ｃ）に示すように、第１の部分６１の直線１００方向の幅が、電気的接続部４２の直線１００方向の幅よりも狭くなっている。ここで、第１の部分６１の幅は、電気的接続部４２の幅の８０％以上になっていてもよい。なお、電気的接続部４２は、直線１００と交差する方向に延びる配線（配線４０）の一部である。
【０１０４】
本実施の形態に係る電子デバイスの製造方法は、半導体装置５を配線基板５０に実装する工程を含む。図１８（Ａ）〜図１８（Ｃ）は、本工程について説明するための図である。
【０１０５】
はじめに、図１８（Ａ）に示すように、半導体装置５を配線基板５０上に配置して、電気的接続部４２と配線パターン５４とが対向するように、半導体装置５と配線基板５０との位置合わせを行う。
【０１０６】
そして、図１８（Ｂ）に示すように、半導体装置５と配線基板５０とを近接させて、電気的接続部４２と配線パターン５４とを接触させる。本実施の形態では、図１８（Ｂ）に示すように、第２の部分６２が配線基板５０に接触しないように、半導体装置５と配線基板５０とを近接させる。
【０１０７】
本実施の形態では、電気的接続部４２を屈曲させる（図１８（Ｂ）参照）。このとき、重複部４４と突出部４６との間で、電気的接続部４２を屈曲させてもよい。本実施の形態では、半導体装置５を配線基板５０に実装する工程で、電気的接続部４２を屈曲させてもよい。この場合、接着材料７２の流動抵抗を利用して、電気的接続部４２を屈曲させてもよい。例えば、電気的接続部４２における重複部４４と突出部４６との間の強度を弱くしておくことによって、半導体装置５を配線基板５０に実装する工程で、電気的接続部４２を屈曲させてもよい。なお、重複部４４と突出部４６との間の強度は、電気的接続部４２を一旦屈曲させることによって低下させてもよい。また、本実施の形態では、流動抵抗の高い接着材料を選択してもよい。ただし、本実施の形態はこれに限られるものではなく、半導体装置５の電気的接続部４２は、予め屈曲していてもよい。
【０１０８】
そして、接着材料７２を硬化させて半導体装置５と配線基板５０とを接着する接着剤７０を形成し、図１８（Ｃ）に示す電子デバイス６を形成する。
【０１０９】
電子デバイス６によると、電気的接続部４２が屈曲しているため、電気的接続部４２の直線１００方向の幅（直線１００と平行な平面で切断したときの断面積）を狭くすることなく、隣り合う２つの電気的接続部４２の間隔を広くすることができる。また、電子デバイス６によると、電気的接続部４２の突出部４６の端部は、配線基板５０と接着剤７０との界面を避けて、接着剤７０内部に配置される。そのため、電子デバイス６によると、配線基板５０と接着剤７０との界面に配置される配線４０の間隔が第１の部分６１の間隔と（ほぼ）等しくなり、該間隔を、隣り合う２つの電気的接続部４２の間隔よりも広くすることができる。このことから、電子デバイス６によると、２つの樹脂部材の界面を進行する水分を原因とする電気的なショートの発生を防止することが可能になる。
【０１１０】
また、半導体装置５における第１の部分６１の幅が電気的接続部４２の幅の８０％以上である場合には、電気的接続部４２の充分広い領域を配線パターン５４に押し付けることができるため、電気的接続部４２と配線パターン５４とを、確実に電気的に接続することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【０１１１】
【図１】半導体装置の構成について説明するための図。
【図２】半導体装置の構成について説明するための図。
【図３】半導体装置の製造方法について説明するための図。
【図４】半導体装置の製造方法について説明するための図。
【図５】半導体装置の製造方法について説明するための図。
【図６】半導体装置の製造方法について説明するための図。
【図７】半導体装置の製造方法について説明するための図。
【図８】半導体装置の製造方法について説明するための図。
【図９】半導体装置の製造方法について説明するための図。
【図１０】電子デバイスの製造方法について説明するための図。
【図１１】電子デバイスの製造方法について説明するための図。
【図１２】電子デバイスの一例としての表示デバイスを示す図。
【図１３】電子機器の一例を示す図。
【図１４】電子機器の一例を示す図。
【図１５】第１の変形例に係る半導体装置の構成について説明するための図。
【図１６】第１の変形例に係る半導体装置の構成について説明するための図。
【図１７】半導体装置の構成について説明するための図。
【図１８】電子デバイスの製造方法について説明するための図。
【符号の説明】
【０１１２】
１…半導体装置、  ２…電子デバイス、  ３…半導体装置、  ４…半導体装置、  ５…半導体装置、  ６…電子デバイス、  １０…半導体チップ、  １１…半導体基板、  １２…集積回路、  １４…電極、  １６…パッシベーション膜、  １７…長辺、  ２０…樹脂突起、  ２１…第１の部分、  ２２…第２の部分、  ２３…第３の部分、  ２５…樹脂材料、  ２７…樹脂部材、  ３０…樹脂突起、  ３１…第１の部分、  ３２…第２の部分、  ３４…テーパー領域、  ３５…樹脂突起、  ３６…第１の部分、  ３８…第２の部分、  ４０…配線、  ４１…導電パターン、  ４２…電気的接続部、  ４４…重複部、  ４６…突出部、  ５０…配線基板、  ５２…ベース基板、  ５４…配線パターン、  ６０…樹脂突起、  ６１…第１の部分、  ６２…第２の部分、  ７０…接着剤、  ７２…接着材料、  ８２…金属層、  ８４…開口、  １００…直線、  ２００…領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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