(57)【要約】【課題】  堆積膜の膜厚や膜特性の均一性を向上させ、さらに堆積膜の膜特性を向上させることが可能な堆積膜形成装置を提供することを目的とする。【解決手段】  複数の原料ガス導入管からなるガス導入手段と、  円筒状反応容器内の側壁より排気する排気手段と、  放電エネルギーにより原料ガスを励起する手段  を用いプラズマＣＶＤ法により堆積膜を前記円筒状支持体上に形成する装置において、  前記原料ガス導入管と、前記円筒状反応容器内の円周方向における排気方向は、同一の数で、かつ  下記に示す領域Aには、構造物が無いことを特徴とするプラズマＣＶＤ法による堆積膜形成装置。  領域A：円周方向は、下記Ｉ、II、IIIで囲まれ、かつ軸方向は前記円筒状支持体に対応した領域  Ｉ  前記原料ガス導入管の中心から、前記円筒状支持体の中心を結んだ直線  II  前記原料ガス管からみて、最も近い排気口の中心と、前記円筒状支持体の中心を結んだ直線。【選択図】  図１
2008214712.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
減圧可能な円筒状反応容器にて、
前記円筒状反応容器内に円筒状支持体を設置する手段と、
前記円筒状支持体を回転可能にする手段と、
複数の原料ガス導入管からなるガス導入手段と、
前記円筒状反応容器内の側壁より排気する排気手段と、
放電エネルギーにより前記原料ガスを励起する手段
を用いプラズマＣＶＤ法により堆積膜を前記円筒状支持体上に形成する装置において、
前記原料ガス導入管と、前記円筒状反応容器内の円周方向における排気方向は、同一の数で、かつ
下記に示す領域Aには、構造物が無いことを特徴とするプラズマＣＶＤ法による堆積膜形成装置。
領域A：円周方向は、下記Ｉ、II、IIIで囲まれ、かつ軸方向は前記円筒状支持体に対応した領域
Ｉ  前記原料ガス導入管の中心から、前記円筒状支持体の中心を結んだ直線
II  前記原料ガス管からみて、最も近い排気口の中心と、前記円筒状支持体の中心を結んだ直線
III  前記円筒状反応容器の内壁
【請求項２】
前記原料ガス導入管は、隣り合う下記直線Aと直線Bに囲まれた方向に、原料ガスの吹出し孔を有することを特徴とする請求項１に記載の堆積膜形成装置。
直線A：原料ガス導入管の中心から、前記円筒状支持体に接線を引いた、直線
直線B：原料ガス導入管の中心から前記排気方向の中心を結んだ直線
【請求項３】
前記原料ガス導入管と前記排気方向とが、円周方向において交互にかつ等間隔に設けられていることを特徴とする請求項１乃至２に記載のプラズマＣＶＤ法による堆積膜形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被処理基体上に堆積膜、とりわけ機能性堆積膜、例えば半導体デバイス、電子写真用感光体、画像入力用のラインセンサ、撮像デバイス、光起電力素子等に用いられるアモルファス状あるいは多結晶状等の非単結晶状の堆積膜を利用した光受容部材を形成するための堆積膜形成装置に関し、特にプラズマＣＶＤ法によって堆積膜を形成するための堆積膜形成装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、例えば半導体デバイス、電子写真用感光体デバイス、画像入力用ラインセンサ、撮像デバイス、光起電力デバイス、その他各種エレクトロニクス素子、光学素子等に用いる素子部材として、アモルファスシリコン、例えば水素およびハロゲン（例えばフッ素、塩素等）の少なくとも一方で補償されたアモルファスシリコン等のアモルファス材料（本明細書では、アモルファスは非単結晶であることを指す）で構成された半導体等用の堆積膜が提案され、その中のいくつかは実用に付されている。
【０００３】
この種の堆積膜を形成する場合には、堆積膜の膜厚、膜特性の均一化が必要であり、原料ガスの供給方法や、プラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等でプラズマを均一にする手段や、堆積膜が形成される被処理基体を回転させることが、堆積膜の膜厚、膜特性の均一化を図る上で有効である。
【０００４】
また、特許文献１には、原料ガスの利用効率の向上および堆積膜の均一化を目的とし、原料ガスの供給手段と、堆積膜形成用基板の配列と、排気方向を規定した装置が開示されている。
【０００５】
また、特許文献２には、プラズマ処理の均一化を目的とし、原料ガスの供給手段と、原料ガスを吹き出す電極の構成部品の材料と、被処理体の周辺近傍の吸い込み口のコンダクタンスとを規定した装置が開示されている。
【０００６】
ここで、従来の堆積膜形成装置710の一例の模式図を図7に示す。図7（ａ）は縦断面図、図7（ｂ）は横断面図である。
【０００７】
堆積膜形成装置710は、プラズマ処理によって円筒状支持体712に堆積膜を形成するための円筒状反応容器711と、円筒状支持体712を加熱するための加熱用ヒーター713と、円筒状反応容器711内に配置される円筒状支持体712を保持する基体ホルダー717と、円筒状反応容器711内に原料ガスを導入するための原料ガス導入管714とを備えている。
【０００８】
また、堆積膜形成装置710は、原料ガスの流量を調整するためのマスフローコントローラ（不図示）を介在させたミキシング723と、原料ガス導入管714に供給する原料ガスを調整するための原料ガス流入バルブ730と、高周波放電電力が供給される円筒状反応容器711と、この円筒状反応容器711に高周波電力を供給するための高周波電源716および整合回路を有するマッチングボックス715とを備えている。
【０００９】
円筒状反応容器711には、高周波マッチングボックス715を介して高周波電源716が電気的に接続されている。
【００１０】
さらに、円筒状反応容器711の下部には、円筒状支持体712を保持する基体ホルダ717を回転可能に支持する回転支持機構705が設けられている。この回転支持機構705は、基体ホルダ717が載置された回転台721と、この回転台721を回転可能に支持する支軸722と、回転台721を回転させるためのモータ720とを有している。
【００１１】
そして、円筒状支持体712は、基体ホルダ717上に装着されて、回転台721が支軸722の軸回りに回転することによって、基体ホルダ717と共に回転可能にされている。
【００１２】
堆積膜形成装置710が備える排気系は、円筒状反応容器711の側壁に設けられた排気口726に連通された排気配管728と、この排気配管728の経路に設けられた真空計725と、排気メインバルブ727と、例えばロータリーポンプ、メカニカルブースターポンプ等の真空ポンプ729とを有しており、円筒状反応容器711内を所定の圧力に維持する。
【００１３】
以上のように構成された従来の堆積膜形成装置を用いて堆積膜を形成することによって、ある程度実用的な膜特性と均一性が確保された堆積膜が得られるようになっている。
【００１４】
従来、上述した装置により堆積膜の均一化が図られてきたが、近年、デジタル化、カラー化に伴い、堆積膜の均一性が、従来以上に求められている。また、電子写真特性がより一層向上された堆積膜が要求されるようになり、堆積膜の層構成も多様化してきた結果、堆積膜形成条件も複雑化している。
【特許文献１】特公平５−３２４７２号公報
【特許文献２】特開平８−１５３６７９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
しかしながら、これら上述した従来の堆積膜形成装置では、前述のように電子写真特性向上のために、堆積膜の層構成も多様化してきた結果、堆積膜形成条件も複雑化している。そのため、従来の堆積膜形成装置では、全ての形成条件に対し、原料ガスを均一に、かつ安定的に流すことが困難な場合があった。
【００１６】
例えば前述の図7の装置においては、電子写真用感光体のように比較的大面積で厚い堆積膜が要求される製品を製造する場合、堆積膜形成時に大量に粉状の副生成物が発生する。これら副生成物は、処理条件により、前述の原料ガス導入管の表面に堆積する場合がある。原料ガス導入管の表面に大量に副生成物が堆積すると、例えば、原料ガスの流れを変化させることにより、堆積膜の膜特性に、或いは堆積膜の均一性に影響を及ぼす場合がある。
【００１７】
従来の電子写真装置では、上記のように、堆積膜形成中にガスの流れに変化が生じた状態で形成された堆積膜からなる電子写真用感光体を用いても、実用上問題が無かった。
【００１８】
しかしながら、例えば近年の高画質カラー装置では、階調性が向上されているため、上述のような電子写真用感光体を用いた場合に、電子写真用感光体の電子写真特性のムラが視覚的に顕著になることもある。
【００１９】
さらに、電子写真装置の画像特性向上のために電子写真装置内の光学露光系や、現像装置、転写装置の改良がなされた結果、これまであまり問題とされなかった成膜中、堆積膜形成表面にダストが付着することにより生じる微小な構造欠陥を抑制することが求められている。以下の説明において「構造欠陥」とは、堆積膜形成表面にダスト等の異物が付着し、これを起源として成長した欠陥を指すものとする。
【００２０】
この構造欠陥は、例えば電子写真用感光体の場合、感光体上に半球状の突起（以下「球状突起」と称す）として確認される。このような球状突起が存在すると、感光体を帯電した際に電荷がこの球状突起部から基体上にぬけてしまい、その結果、電子写真画像上に黒点、あるいは白点として現れ、電子写真画像品質を大きく損ねる。また、他の電子デバイスの場合においても、キャリアの動きを妨げ、動作の不良を引き起こしてしまう。
【００２１】
そこで、本発明は、堆積膜の膜厚や膜特性の均一性を向上させ、さらに堆積膜の膜特性を向上させることが可能な堆積膜形成装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２２】
上述した目的を達成するため、本発明に係る堆積膜形成装置は、減圧可能な円筒状反応容器にて、前記円筒状反応容器内に円筒状支持体を設置する手段と、前記円筒状支持体を回転可能にする手段と、複数の原料ガス導入管からなるガス導入手段と、前記円筒状反応容器内の側壁より排気する排気手段と、放電エネルギーにより前記原料ガスを励起する手段を用いプラズマＣＶＤ法により堆積膜を円筒状支持体上に形成する装置において、
前記原料ガス導入管と、前記円筒状反応容器内の円周方向における排気方向は、同一の数で、かつ
下記に示す領域Aには、構造物が無いことを特徴とする。
【００２３】
領域A：円周方向は、下記Ｉ、II、IIIで囲まれ、かつ軸方向は前記円筒状支持体に対応した領域
Ｉ  前記原料ガス導入管の中心から、前記円筒状支持体の中心を結んだ直線
II  前記原料ガス管からみて、最も近い排気口の中心と、前記円筒状支持体の中心を結んだ直線
III  前記円筒状反応容器の内壁
上記の通り本発明の構成とすることで、膜特性の均一性を向上させ、さらに堆積膜の特性を向上させることができる。
【００２４】
この原因に関しては、以下のように推測している。
【００２５】
前述の図7に示す従来の堆積膜形成装置を用い、前述のように、電子写真用感光体のように比較的大面積で厚い堆積膜が要求される製品を製造する場合、堆積膜形成時に大量に粉状の副生成物が発生し、これら副生成物が、処理条件により、前述の原料ガス導入管の表面に堆積する場合がある。この原因は、排気口に向かうガスの流れの中に、原料ガス導入管なる構造物を設置すると、構造物により原料ガスの流れが遮られ、ガスの澱みが生じると考えられる。その結果、気相反応が促進され原料ガス導入管の表面に粉状の副生成物が堆積すると考えられる。
【００２６】
原料ガス導入管の表面に大量に副生成物が堆積すると、
１）原料ガス表面に設けられているガス放出孔近傍にも副生成物が堆積し、ガス放出孔から吹き出される原料ガス量が変化する。
【００２７】
２）原料ガス導入管表面の副生成物の形成に原料ガスが使われ、その位置に対応する円筒状支持体の膜厚が減少する。
【００２８】
以上１）、２）ような状況が発生する場合がある。
【００２９】
その結果、ガスの流れに不均一性が生じ、母線方向の堆積膜の不均一性を生じてしまう。
【００３０】
そこで、原料ガスを排気口と反対側から（例えば、図7の３本の原料ガス導入管を１本にする）供給することで、原料ガス導入管の表面に粉状の副生成物が堆積するのを防止することが可能となるが、円筒状支持体の周方向で形成されるプラズマの不均一性が生じる場合がある。その結果、円筒状支持体の周方向の均一性を損なう場合がある。
【００３１】
以上のように、従来の堆積膜形成装置においては、円筒状支持体の周方向の均一性と、長手方向の均一性を両立するのが困難な場合があった。
【００３２】
本発明によれば、下記に示す領域Aには、構造物が無い構成となる。
【００３３】
領域A：円周方向は、下記Ｉ、II、IIIで囲まれ、かつ軸方向は前記円筒状支持体に対応した領域
Ｉ  前記原料ガス導入管の中心から、前記円筒状支持体の中心を結んだ直線
II  前記原料ガス管からみて、最も近い排気口の中心と、前記円筒状支持体の中心を結んだ直線
III  前記円筒状反応容器の内壁
そのため、前述のように、構造物により原料ガスの流れが遮られることが、低減されるため、原料ガス導入管の表面に副生成物が堆積されるのが抑制され、ガスの流れの均一性が向上する。
【００３４】
これは、少なくとも軸方向においては、円筒状支持体に対応する領域に、構造物が無い構成とすることで、特に円筒状支持体に対しては、ガスの流れの均一性が常に向上可能な構成となる。
【００３５】
その結果、堆積膜の特に、母線方向の均一性が向上する。
【００３６】
さらに、本発明によれば、上記構成に加え、原料ガス導入管と、前記円筒状反応容器内の円周方向における排気方向は、同一の数とすることで、
従来のような原料ガス導入管の表面に副生成物が堆積される状況を、生じさせずに、円筒状支持体を取り囲むように、原料ガス導入管を複数設置可能となり、周方向のプラズマの均一性が向上する。その結果、堆積膜の周方向の均一性が向上可能となった。
【００３７】
さらに、本発明によれば、前述の「球状突起」と称する堆積膜表面に生じる微小な構造欠陥が大幅に低減し、堆積膜の特性が向上可能となった。この原因に関しては以下のように推測される。
【００３８】
前述の様に、球状突起は堆積膜形成中、膜表面にダストが付着することにより生じることが知られている。前記のように本発明により、支持体上の堆積膜の均一性が向上する。一方、円筒状反応容器等の支持体以外に堆積する堆積膜の均一性も向上していると推測される。その結果、従来生じていた堆積膜中の内部応力等の歪が減少したため、堆積膜の密着性が向上し、堆積形成中の膜剥れ等が減少したためと推測される。
【００３９】
また、従来の装置においては、構造物により原料ガスの流れが遮られる、その結果気相反応が促進され、副生成物の生成が促進されていた。この副生成物は粉状であり、比較的容易に放電空間中浮遊すると考えられる。浮遊した副生成物は、在る確率で支持体に到達し、ダスト源になると考えられる。本発明によれば、前述の様に構造物により原料ガスの流れが遮られることが低減される為、副生成物の生成が低減される。
【００４０】
以上のように、支持体以外に堆積する堆積膜の密着性が向上し、さらに副生成物の生成が低減された結果、堆積膜の特性が向上したと考えられる。
【００４１】
本発明の堆積膜形成装置によって、円筒状支持体の周方向の均一性と、長手方向の均一性を両立することが可能となった。
【００４２】
さらに、本発明によれば、堆積膜の特性を向上することが可能となった。
【発明の効果】
【００４３】
本発明によれば、原料ガス導入管と、前記円筒状反応容器内の円周方向における排気方向は、同一の数で、かつ、
下記に示す領域Aには、構造物が無い構成とすることで、膜特性の均一性を向上させ、さらに堆積膜堆積膜の特性を向上することが可能となった。
【００４４】
領域A：円周方向は、下記Ｉ、II、IIIで囲まれ、かつ軸方向は前記円筒状支持体に対応した領域
Ｉ  前記原料ガス導入管の中心から、前記円筒状支持体の中心を結んだ直線
II  前記原料ガス管からみて、最も近い排気口の中心と、前記円筒状支持体の中心を結んだ直線
III  前記円筒状反応容器の内壁
【発明を実施するための最良の形態】
【００４５】
以下、本発明の具体的な実施形態について、図面を参照して説明する。
【００４６】
（第１の実施形態）
図１は、本発明の１３．５６[ＭＨｚ]帯の高周波を利用したＲＦ（Radio Frequency）−ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法によって、電子写真用感光体を製造するための堆積膜形成装置の一例を模式的に示した縦断面図である。図1（a）は縦断面図、図１（ｂ）は横断面図である。
【００４７】
堆積膜形成装置１１０は、プラズマ処理によって円筒状支持体１１２に堆積膜を形成するための円筒状反応容器１１１と、円筒状支持体１１２を加熱するための加熱用ヒーター１１３と、円筒状反応容器１１１内に配置される円筒状支持体１１２を保持する支持体ホルダー１１７と、円筒状反応容器１１１内に原料ガスを導入するための原料ガス導入管１１４-1、114-2とを備えている。
【００４８】
また、堆積膜形成装置１１０は、原料ガスの流量を調整するためのマスフローコントローラー（不図示）を介在させたミキシング１２３と、原料ガス導入管１１４-1、114-2に供給する原料ガスを調整するための原料ガス流入バルブ１３０とを備えている。
【００４９】
また、堆積膜形成装置１１０は、高周波放電電力が供給される円筒状反応容器１１１と、この円筒状反応容器１１１に高周波電力を供給するための高周波電源１１６および整合回路を有するマッチングボックス１１５とを備えている。
【００５０】
円筒状支持体１１２は、使用目的に応じた材質を有するものであればよい。円筒状支持体１１２の材質としては、例えば、銅、アルミニウム、金、銀、白金、鉛、ニッケル、コバルト、鉄、クロム、モリブデン、チタン、ステンレス等が、電気伝導率が良好であるため、好適であるが、加工性や製造コストを考慮して、アルミニウムが最適である。また、円筒状支持体１１２を形成するアルミニウムとしては、例えばＡｌ−Ｍｇ系合金、Ａｌ−Ｍｎ系合金のいずれかを用いることが好ましい。
【００５１】
加熱用ヒーター１１３は、基体ホルダー１１７の内部に設けられている。加熱用ヒーター１１３は、真空中で使用可能である発熱体であればよく、具体的にはシース状ヒーター、板状ヒーター、セラミックヒーター、カーボンヒーター等の電気抵抗発熱体や、ハロゲンランプ、赤外線ランプ等の熱放射ランプ発熱体や、液体、気体等を熱媒とした熱交換手段による発熱体等が対象として挙げられる。加熱用ヒーター１１３の表面材料としては、ステンレス、ニッケル、アルミニウム、銅等の金属類や、セラミック、耐熱性高分子樹脂等を使用することができる。
【００５２】
円筒状反応容器１１１には、高周波マッチングボックス１１５を介して高周波電源１１６が電気的に接続されている。円筒状反応容器１１１は、アース面である円筒状反応容器１１１の下プレート１１８、上蓋１１９とは、セラミックスからなる絶縁体１３１により絶縁されている。
【００５３】
さらに、円筒状反応容器１１１の下部には、円筒状支持体１１２を保持する支持体ホルダー１１７を回転可能に支持する回転支持機構１０５が設けられている。この回転支持機構１０５は、支持体ホルダー１１７が載置された回転台１２１と、この回転台１２１を支持する支軸１２２と、回転台１２１を回転させるためのモーター１２０とを有している。
【００５４】
そして、円筒状支持体１１２は、支持体ホルダー１１７上に装着されて、回転台１２１と共に支軸１２２の軸回りに回転される。
【００５５】
堆積膜形成装置１１０が備える排気系は、円筒状反応容器１１１の側壁に設けられた排気口126A、126Bに連通された排気配管128A、128Bと、排気配管128A、128Bの各々の経路に設けられた真空計125A、125Bと排気メインバルブ127A、127Bと、例えばロータリーポンプ、メカニカルブースターポンプ等の真空ポンプユニット129A、129Bとを有しており、円筒状反応容器１１１内を所定の圧力に維持する。
【００５６】
排気配管128A、128Bは、絶縁体１３１を介して、円筒状反応容器１１１の側面に接続されている。排気口126Aと排気口126Bは、円筒状支持体１１２に対し180°相対する位置に設けられている。この場合、排気方向は、126A方向と126B方向の2方向となる。つまり、本発明での、排気方向とは、円筒状支持体の中心から、排気口に向かう方向を言う。
【００５７】
原料ガス導入管114-1、114-2は、円筒状支持体１１２に対し180°相対する位置に設けられている。更に、原料ガス導入管114-1、114-2は各々、排気口126Aと排気口126Bから、同一の距離に設置されている。
【００５８】
以上のように、原料ガス導入管114-1、114-2および排気口126A、126Bを配置することで、
１：円筒状反応容器１１１内の円周方向における、原料ガス導入管と、排気方向は、同一の数に設定される。
さらに
２：下記に示す領域Aには、構造物が無い構成となる。
領域A：円周方向は、下記Ｉ、II、IIIで囲まれ、かつ軸方向は前記円筒状支持体に対応した領域
Ｉ  前記原料ガス導入管の中心から、前記円筒状支持体の中心を結んだ直線
II  前記原料ガス管からみて、最も近い排気口の中心と、前記円筒状支持体の中心を結んだ直線
III  前記円筒状反応容器の内壁
領域Aに関しては、図２を用いて説明する。図２は、領域Aを説明するために、図１（ｂ）で示した堆積膜形成装置110の横断面図の一部を示したものである。
【００５９】
まず、原料ガス導入管114-2に関して説明する。
【００６０】
図２中、直線Ｉが、原料ガス導入管114-2の中心から、円筒状支持体112の中心を結んだ直線となる。
【００６１】
直線IIは説明の都合上、II-1〜II-2に分けて説明する。図１に示した堆積膜形成装置110においては、原料ガス管114-1及び114-2は、排気口126A、126Bから等距離に設置されている。よって、原料ガス導入管114-2からみて、最も近い排気口は、排気口126Aと、排気口126Bの２箇所となる。まず、図２中、直線II-1が、原料ガス管114-2からみて、最も近い排気口126Bの中心と、円筒状支持体112の中心を結んだ直線となり、原料ガス導入管114-2に関しては、上記直線Ｉと、直線II-1と、III（前記円筒状反応容器の内壁）に囲まれた領域（領域A-1と示す）が、まず領域Aに含まれる。
【００６２】
さらに、前述のように原料ガス導入管114-2に関しては、最も近い排気口として、排気口126Aも含まれる。排気口126Aの中心と、円筒状支持体112の中心を結んだ直線を直線II-2と定義すると、原料ガス導入管114-2に関しては、上記直線Ｉと、直線II-2と、III（前記円筒状反応容器の内壁）に囲まれた領域（領域A-1と示す）も、領域Aに含まれる。
【００６３】
次に、原料ガス導入管114-1に関して説明する。
【００６４】
前述の原料ガス導入管114-2の場合と同様に、原料ガス導入管114-1の中心から、円筒状支持体112の中心を結んだ直線が直線Ｉとなる。
【００６５】
直線IIに関しても同様に説明の都合上、II-3〜II-4に分けて説明する。原料ガス導入管114-2と同様に、最も近い排気口は、排気口126Aと、排気口126Bの２箇所となる。よって、最も近い排気口126Bの中心と、円筒状支持体112の中心を結んだ直線を直線II-3と定義し、さらに、排気口126Aの中心と、円筒状支持体112の中心を結んだ直線を直線II-4と定義すると、原料ガス導入管114-1に関しては、上記直線Ｉと、直線II-3と、III（前記円筒状反応容器の内壁）に囲まれた領域（領域A-3と示す）と、上記直線Ｉと、直線II-4と、III（前記円筒状反応容器の内壁）に囲まれた領域（領域A-4と示す）が、領域Aに含まれる。
【００６６】
さらに、領域Aの軸方向範囲は、前記円筒状支持体112に対応した範囲（範囲A-5と称す。不図示）である。
【００６７】
よって、図１の堆積膜形成装置においては、領域Aは、前述の領域（A-1+A-２+A-3+A-4）×範囲A-5となる。但し、円筒状支持体112と、原料ガス導入管114-1、114-2は領域Aから、除外される。
【００６８】
以上のように構成された堆積膜形成装置１１０を用いて堆積膜を形成する方法の手順の一例について以下説明する。
【００６９】
円筒状反応容器１１１内に円筒状支持体１１２が装着された支持体ホルダー１１７を設置し、真空ポンプユニット129A、129Bにより円筒状反応容器１１１内を排気する。続いて円筒状反応容器１１１内にミキシング１２３および原料ガス導入管114-1、114-2を介して円筒状支持体１１２の加熱に必要な原料ガス、例えばＡｒ，Ｈｅ等のガスを導入し、真空ポンプユニット129A、129Bおよび排気メインバルブ１２７A、127Bを用いて、円筒状反応容器１１１内を所定の圧力になるように真空計125A、125Bを見ながら調整する。このときの調整として、排気メインバルブ１２７A、127Bの開口度、および真空ポンプユニット129A、129Bの回転数等の排気能力は、各々略等しくすることで、排気口126A、126B各々から、排気されるガス量を略等しく成るよう調整する。
【００７０】
次に、所定の圧力になった後、加熱用ヒーター１１３により円筒状支持体１１２の温度を２００[℃]〜４５０[℃]程度、より好ましくは２５０[℃]〜３５０[℃]程度の所望の温度に制御する。
【００７１】
以上の手順によって堆積膜を形成する準備が完了した後、円筒状支持体１１２上に堆積膜の形成を行う。
【００７２】
すなわち、加熱用の原料ガスと堆積膜形成用の原料ガスとをミキシング１２３を介して混合して導入させて、原料ガスが所望の流量になるように調整する。その際、円筒状反応容器１１１内が１３．３[ｍＰａ]〜１３３０[Ｐａ]程度の所望の圧力になるように、真空計125A、125Bを確認しながら真空ポンプユニット129A、129Bのメカニカルブースターポンプの回転周波数を調整する。このとき、排気メインバルブ１２７A、127Bの開口度、および真空ポンプユニット129A、129Bのメカニカルブースターポンプの回転周波数は、各々略等しくすることで、排気口126A、126B各々から、排気されるガス量を略等しく成るよう調整する。
【００７３】
円筒状反応容器１１１内の圧力が安定した後、高周波電源１１６を所望の電力に設定して、例えば、１３．５６[ＭＨｚ]〜４５[ＭＨｚ]程度、例えば周波数１３．５６[ＭＨｚ]のＲＦ電源を用いて、高周波電力を高周波マッチングボックス１１５を介して円筒状反応容器１１１に供給することで、高周波グロー放電を生起させる。
【００７４】
この放電エネルギーによって、円筒状反応容器１１１内に導入された原料ガスが分解され、円筒状支持体１１２上に所望のシリコン原子を主成分とする堆積膜が形成される。
【００７５】
均一な堆積膜を形成するために、堆積膜を形成するのと同時期、あるいは円筒状支持体１１２を加熱する段階で、円筒状支持体１１２を回転させる。モーター１２０を回転させ、１[ｒｐｍ]〜３０[ｒｐｍ]程度、例えば１[ｒｐｍ]の回転速度で回転させる。こうすることで、円筒状支持体１１２の周方向に均一な堆積膜が形成される。
【００７６】
以上の様な堆積膜の形成を繰り返し行うことで、所望の堆積膜を有する、例えば、多層構成の電子写真用感光体が、円筒状支持体１１２の外周面上に形成される。
【００７７】
次に、堆積膜が形成された後、原料ガスおよび高周波電力の供給を停止し、円筒状反応容器１１１内を排気する。その後、円筒状反応容器１１１および原料ガス導入管１１４-1、114-2内をパージガス、例えばＡｒ等の不活性ガスおよびＮ2の少なくとも一方を用いてパージ処理を行う。パージ処理完了後、円筒状反応容器１１１内をＡｒ等の不活性ガスおよびＮ2ガスの少なくとも一方を用いて、大気圧まで戻し、円筒状基体１１２を円筒状反応容器１１１内から取り出す。
【００７８】
その後に、堆積したポリシラン等の副生成物をクリーニング処理を行う。その時の手順としては、円筒状基体１１２の替わりに同一形状をしたクリーニング用のダミー基体（不図示）を、円筒状反応容器１１１内に設置し、真空ポンプユニット129A、129Bにより円筒状反応容器１１１内を排気する。続いて円筒状反応容器１１１内にミキシング１２3および原料ガス導入管114-1、114-2を介してクリーニング処理に必要なガス、例えばＡｒとＣｌＦ3の混合ガス等を導入し、真空ポンプユニット129A、129Bおよび排気メインバルブ１２７A、127Bを用いて、円筒状反応容器１１１内を所定の圧力になるように真空計125A、125Bを見ながら調整する。
【００７９】
円筒状反応容器１１１内の圧力が安定した後、高周波電源１１６を所望の電力に設定して、例えば、１３．５６[ＭＨｚ]〜４５[ＭＨｚ]程度、例えば周波数１３．５６[ＭＨｚ]のＲＦ電源を用いて、高周波電力を高周波マッチングボックス１１５を介して円筒状反応容器１１１に供給することで、高周波グロー放電を生起させる。この放電エネルギーによって、円筒状反応容器１１１内に導入されたクリーニング用のガスが分解され、円筒状反応容器１１１内がクリーニング処理される。
【００８０】
次に、クリーニング処理後に高周波電力の供給を停止し、円筒状反応容器１１１内を排気する。その後、円筒状反応容器１１１および原料ガス導入管導入管114-1、114-2内をパージガス、例えばＡｒ等の不活性ガスおよびＮ2の少なくとも一方を用いてパージ処理を行う。パージ処理完了後、円筒状反応容器１１１内をＡｒ等の不活性ガスおよびＮ2ガスの少なくとも一方を用いて、大気圧まで戻しクリーニング用のダミー基体（不図示）を円筒状反応容器１１１内から取り出す。
【００８１】
本発明の原料ガス導入管114-1、114-2の材質については真空中で使用可能で、放電を乱さず、実用強度を備え、また放電空間を汚染しない材質であればいずれも使用可能であるが、好適なものとしては、ガラス、セラミックス等が挙げられる。特にアルミナセラミックスは本発明に適している。
【００８２】
また、本発明の原料ガス導入管114の本数は、排気方向と同一の本数であれば特に制限はないが、2〜8本が適している。
【００８３】
また原料ガス導入管114に設けられている、ガス放出孔の大きさについては特に制限はないが、大きすぎても小さすぎてもプラズマが不均一になる可能性があるため好ましくは直径０．１〜３ｍｍの範囲、最適には０．２ｍｍ〜２ｍｍが本発明には適している。
【００８４】
ガス放出孔の数についても特に制限はないが、多すぎても少なすぎてもプラズマが不均一になる可能性があるため好ましくは原料ガス導入管１ｍあたり２０個〜１５０個の範囲、最適には３０個〜１００個の範囲が本発明には適している。
【００８５】
ガス放出孔を設ける間隔（原料ガス導入管長手方向のガス放出孔間隔）については、等間隔か不均一な間隔で設けるかについても特に制限はなく、形成する堆積膜に求める特性に応じて適宜設けることが望ましい。
【００８６】
また原料ガス導入管114に設けられている、ガス放出孔の向きに関しては、図3を用いて説明する。図3は、図１で示した、堆積膜形成装置110の横断面図の一部と、原料ガス導入管114-2の拡大図である。
【００８７】
原料ガス導入管114に設けられている、ガス放出孔の向きに関しても、特に制限が無いが、原料ガスの利用効率及び堆積膜の均一性の面から、隣り合う下記直線Aと直線Bに囲まれた方向に、向けるほうが好ましい。
【００８８】
直線A：原料ガス導入管の中心から、前記円筒状支持体に接線を引いた、直線
直線B：原料ガス導入管の中心から前記排気方向の中心を結んだ直線結んだ直線
直線Aは、図3に示すように、原料ガス導入管114-2の中心から、円筒状支持体112に接線を引いた直線である。
【００８９】
直線Bは、図3に示すように、原料ガス導入管114-2の中心から、排気方向（126A及び126B方向）の中心を結んだ直線結んだ直線となる。この時、排気方向の中心とは、円筒状反応容器１１１の内面上で、排気口126A及び126Bの中心となる点である。
【００９０】
これら、隣り合う直線Aと直線Bにより囲まれた、原料ガス導入管114-2上に（拡大図の太線部）ガス放出孔を設けることが、原料ガスの利用効率及び堆積膜の均一性の面から、好ましい。
【００９１】
直線Aより、円筒状支持体側にガス放出孔を向けると、堆積膜形成条件により、ガス放出孔のピッチに対応した微小な不均一性が生じる場合がある。直線Bより、円筒状反応容器側にガス放出孔を向けると、円筒状反応容器の壁面に堆積する原料ガスの量が増加し、円筒状支持体表面に堆積する原料ガスの割合が相対的に低下する。その結果原料ガスの利用効率が低下する場合が生じる。
【００９２】
これら、直線A、直線Bは原料ガス導入管114-2に関して説明をしたが、原料ガス導入管114-1にも、同様に直線A、直線Bは存在する。
【００９３】
原料ガス導入管114の設置位置に関しては、原料ガス導入管114からみて、最も近い排気方向には、円筒状反応容器１１１内には、構造物は無いように設置されていれば、特に制限は無いが、原料ガス導入管114と排気方向とが、円周方向において交互にかつ等間隔に設けられている方が、堆積膜の特性向上および、周方向の均一性の面で好ましい。
【００９４】
本発明において堆積膜形成時に使用される原料ガスとしては、シラン（ＳｉＨ4）、ジシラン（Ｓｉ2Ｈ6）、四フッ化珪素（ＳｉＦ4）、六フッ化二珪素（Ｓｉ2Ｆ6）等のアモルファスシリコン形成用の原料ガス、またはそれらの混合ガスを用いても有効である。希釈ガスとしては、水素（Ｈ2）、アルゴン（Ａｒ）、ヘリウム（Ｈｅ）等を用いても有効である。また、堆積膜のバンドギャップ幅を変化させる等の特性改善ガスとして、窒素（Ｎ2）、アンモニア（ＮＨ3）等の窒素原子を含むもの、酸素（Ｏ2）、一酸化窒素（ＮＯ）、二酸化窒素（ＮＯ2）、酸化二窒素（Ｎ2Ｏ）、一酸化炭素（ＣＯ）、二酸化炭素（ＣＯ2）等酸素原子を含むもの、メタン（ＣＨ4）、エタン（Ｃ2Ｈ6）、エチレン（Ｃ2Ｈ4）、アセチレン（Ｃ2Ｈ2）、プロパン（Ｃ3Ｈ8）等の炭化水素、四フッ化ゲルマニウム（ＧｅＦ4）、フッ化窒素（ＮＦ3）等のフッ素化合物またはこれらの混合ガスを併用しても有効である。
【００９５】
また、ドーピング処理を目的として、ジボラン（Ｂ2Ｈ6）、フッ化硼素（ＢＦ3）、ホスフィン（ＰＨ3）等のドーパントガスを同時に放電空間に導入しても同様に有効である。
【００９６】
クリーニング処理時に使用するクリーニング性ガスとしては、例えばＣＦ4、ＣＦ4／Ｏ2、ＳＦ6、ＣｌＦ3（三フッ化塩素）等が挙げられるが、本実施形態では、クリーニング時間を短縮する面から有効であるＣｌＦ3（三フッ化塩素）が用いられている。また、本実施形態においては、クリーニング性ガスの濃度を調整するためにも、希釈用の不活性ガスを用いて濃度の調整を行うことが有効であり、導入される不活性ガスとして、例えばＨｅ、Ｎｅ、Ａｒが挙げられるが、Ａｒを用いることが好ましい。
【００９７】
以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらによって何ら限定されるものではない。
【実施例１】
【００９８】
図１に示す堆積膜形成装置を用いて、アルミニウムよりなる直径80ｍｍ、長さ358ｍｍ、肉厚3ｍｍの円筒状支持体112上に、表1に示す条件で図4に示す層構成のアモルファスシリコン堆積膜の形成を行った（以下、電子写真感光体と略記する）。なお、図4中の符号401は円筒状支持体を示し、符号402は下部阻止層、符号403は光導電層、符号404は中間層１、符号405は上部阻止層、符号406は中間層2、符号407は表面層をそれぞれ示す。
【００９９】
本実施例においては、原料ガス導入管114上に設けられた原料ガスの吹出し孔の位置を以下表2の様に変化させた。
【０１００】
（電子写真特性の評価方法）
図５に電子写真感光体特性を評価する複写機の概略図を示した。図５において時計周りに回転する電子写真感光体501の周辺には、主帯電器502、電位センサー503、現像器504、転写帯電器505(a)、分離帯電器505(b)、クリーニングローラー506及びクリーニングブレード507を具備したクリーナー510、前露光508などが配設されている。潜像形成用露光509としては主帯電器502、電位センサー503間に設けられている。
【０１０１】
電子写真感光体特性を測定する際には、現像器504及びクリーナー510を取り外し、現像器504の代わりに電子写真感光体の軸方向の電子写真特性を測定できる電位プローブ（不図示）を装着し電子写真感光体の電子写真特性を測定する。
【０１０２】
この様に構成された電子写真プロセスを用い電子写真特性の評価を下記に示す基準で行った。
【０１０３】
作成された電子写真感光体に関して「Ｖｄ母線むら」「Ｖｄ周ムラ」「白ポチ」「堆積速度」「総合評価」の評価を以下のように実施した。
・「Ｖｄ母線むら」
プロセススピード265ｍｍ／ｓｅｃ、前露光（波長660ｎｍのＬＥＤ）光量4μJ/ｃｍ2とし、電子写真感光体の母線方向の中位置の表面電位が、現像器位置にセットした表面電位計（ＴＲＥＫ社Ｍｏｄｅｌ３４４）の電位センサーで450Ｖ（暗電位）になるように帯電器の電流値を調整する。その後、測定プローブを電子写真感光体の端部より軸方向に関して12点測定し、その12点の最大値−最小値の値をＶｄ母線むらとして評価した。そして、以下の比較例1の結果を100とした相対評価を行い、以下の様に、評価した。
【０１０４】
100以下95以上      △
94以下85以上       ○
84以下             ◎
・「Ｖｄ周むら」
上記Ｖｄ母線むらにおいて、軸方向の各点測定時の、表面電位の振れを測定し、12点分の振れの最大値をもって、Ｖｄ周むらとして評価した。そして、以下の比較例１の結果を１００とした相対評価を行い、以下の様に、評価した。
【０１０５】
100以下95以上      △
94以下85以上       ○
84以下             ◎
・「黒ポチ」
帯電電圧、現像バイアス等を調整し、透過濃度1.8の画像を作成し、作成された画像に於いて画像の一定面積内にある直径0.2ｍｍ以上の白ポチ数を評価した。そして、以下の比較例１の結果を100とした相対評価を行い、以下の様に、評価した。
【０１０６】
100以下80以上      △
79以下60以上       ○
59以下             ◎
・「堆積速度」
表１に示す条件で示す層構成の電子写真感光体の総膜厚（全ての層の膜厚を、積算）が、23.6μになるのに、必要な堆積膜形成時間を持って、堆積速度とする。
【０１０７】
総膜厚の測定方法は以下のように行った。
【０１０８】
渦電流式膜厚計（Ｋｅｔｔ科学研究所製）を使用して、電子写真感光体の端部より軸方向に関して１２点膜厚を測定し、その平均値をもって総膜厚とした。そして、以下の比較例１の結果を１００とした相対評価を行い、以下の様に、評価した。
【０１０９】
100以下96以上      △
95以下86以上       ○
85以下             ◎
・「総合評価」
上記「Ｖｄ母線むら」「Ｖｄ周ムラ」「白ポチ」「堆積速度」の各評価において、
全て◎              ◎
◎と〇混在          〇
全て△              △
得られた結果を表３に示す。
【０１１０】
（比較例１）
図7に示す堆積膜形成装置を用いて、アルミニウムよりなる直径80ｍｍ、長さ358ｍｍ、肉厚3ｍｍの円筒状支持体712上に、表１に示す条件で図4に示す層構成の電子写真感光体を作製した。
【０１１１】
作成された電子写真感光体に関して実施例１と同様の評価を行い、得られた結果を表３に示す。
【０１１２】
【表１】
2008214712.tif 000003
【０１１３】
【表２】
2008214712.tif 000004
【０１１４】
【表３】
2008214712.tif 000005
表３の結果から、原料ガス導入管と、前記円筒状反応容器内の円周方向における排気方向は、同一の数で、かつ下記に示す領域Aには、構造物が無い構成の堆積膜形成装置により、堆積膜を形成することで、堆積膜の均一性、堆積膜の膜特性が向上し、かつ堆積速度が向上することが判った。
【０１１５】
領域A：円周方向は、下記I、II、IIIで囲まれ、かつ軸方向は前記円筒状支持体に対応した領域
Ｉ  前記原料ガス導入管の中心から、前記円筒状支持体の中心を結んだ直線
II  前記原料ガス管からみて、最も近い排気口の中心と、前記円筒状支持体の中心を結んだ直線
III  前記円筒状反応容器の内壁
更に、原料ガス導入管として、隣接する直線A（原料ガス導入管の中心から、前記円筒状支持体に接線を引いた、直線）と直線B（原料ガス導入管の中心から前記排気方向の中心を結んだ直線結んだ直線）に囲まれた方向に、原料ガスの吹出し孔を有するものを用いることで、さらに、堆積膜の膜特性の均一性および堆積速度が向上することが判った。
【０１１６】
この理由に関して以下のように推測される。
【０１１７】
条件４（原料ガスの吹出し孔が、原料ガス導入管上で、前記直線Aより、円筒状支持体側に、吹出し孔の中心が位置する）で作成した電子写真感光体のVd母線むらを詳細に見ると、原料ガスの吹出し孔の位置に対応し、表面電位が変化していることが判った。この結果から推測すると、原料ガスの吹出し孔が、直線Aより、円筒状支持体側に向くことで、原料ガスの母線方向への拡散が充分行われていない状態で、円筒状支持体上に膜の堆積が行われる。その結果、僅かに原料ガスの吹出し孔の位置に対応した、ムラが生じていると考えられる。
【０１１８】
また、条件５（原料ガスの吹出し孔が、原料ガス導入管上で、前記直線Bより、円筒状反応容器側に、吹出し孔の中心が位置する）にすることで、僅かに堆積速度の低下が見られる。これは、円筒状反応容器の内壁面に堆積する副生成物の量が増加し、その結果、円筒状支持体上に膜の堆積に寄与する原料ガスの割合が低下したためと考えられる。
【実施例２】
【０１１９】
図6に示す堆積膜形成装置を用いて、実施例１と同様に電子写真感光体を作成した。
【０１２０】
図6の堆積膜形成装置に関して説明する。
【０１２１】
図6は、本発明の１３．５６[ＭＨｚ]帯の高周波を利用したＲＦ（Radio Frequency）−ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法によって、電子写真用感光体を製造するための堆積膜形成装置の一例を模式的に示した縦断面図である。図6（a）は縦断面図、図6（ｂ）は横断面図である。
【０１２２】
堆積膜形成装置610は、プラズマ処理によって円筒状支持体612に堆積膜を形成するための円筒状反応容器611と、円筒状支持体612を加熱するための加熱用ヒーター613と、円筒状反応容器611内に配置される円筒状支持体612を保持する支持体ホルダー617と、円筒状反応容器611内に原料ガスを導入するための原料ガス導入管614-1、614-2、614-3、614-4とを備えている。
【０１２３】
また、堆積膜形成装置610は、原料ガスの流量を調整するためのマスフローコントローラー（不図示）を介在させたミキシング623と、原料ガス導入管614-1、614-2、614-3、614-4に供給する原料ガスを調整するための原料ガス流入バルブ630とを備えている。
【０１２４】
また、堆積膜形成装置610は、高周波放電電力が供給される円筒状反応容器611と、この円筒状反応容器511に高周波電力を供給するための高周波電源616および整合回路を有するマッチングボックス615とを備えている。
【０１２５】
円筒状反応容器611には、高周波マッチングボックス615を介して高周波電源616が電気的に接続されている。円筒状反応容器611は、アース面である円筒状反応容器611の下プレート618、上蓋619とは、セラミックスからなる絶縁体631により絶縁されている。
【０１２６】
さらに、円筒状反応容器611の下部には、円筒状支持体612を保持する支持体ホルダー617を回転可能に支持する回転支持機構605が設けられている。この回転支持機構605は、支持体ホルダー617が載置された回転台621と、この回転台621を支持する支軸622と、回転台621を回転させるためのモーター620とを有している。
そして、円筒状支持体612は、支持体ホルダー617上に装着されて、回転台621と共に支軸622の軸回りに回転される。
【０１２７】
堆積膜形成装置610が備える排気系は、円筒状反応容器611の側壁に設けられた排気口626A、626B、626C、626Dに連通された排気配管628A、628B、628C、628Dと、排気配管628A、628B、628C、628Dの各々の経路に設けられた真空計625A、625B、625C、625Dと排気メインバルブ627A、627B、627C、627Dと、例えばロータリーポンプ、メカニカルブースターポンプ等の真空ポンプユニット629とを有しており、円筒状反応容器611内を所定の圧力に維持する。
【０１２８】
排気配管628A、628B、628C、628Dは、絶縁体631を介して、円筒状反応容器611の側面に接続されている。排気口626A、626B、626C、626Dは、90°ずれた位置に設けられている。この場合、排気方向は、626A方向、626B方向、626C方向、626D方向の4方向となる。
【０１２９】
原料ガス導入管614-1、614-2、614-3、614-4は、90°ずれた位置に設けられている。更に、原料ガス導入管614-1は、排気口626Dと626Aから同一の距離に設置されている。原料ガス導入管614-2は、排気口626Aと626Bから同一の距離に設置されている。原料ガス導入管614-3は、排気口626Bと626Cから同一の距離に設置されている。原料ガス導入管。614-4は、排気口626Cと626Dから同一の距離に設置されている。
【０１３０】
以上のように、原料ガス導入管614-1、614-2、614-3、614-4および排気口626A、626B、626C、626Dを配置することで、
1：円筒状反応容器１１１内の円周方向における、原料ガス導入管と、排気方向は、同一の数に設定される。
さらに
2：原料ガス導入管からみて、最も近い排気方向には、円筒状反応容器１１１内には、構造物は無いように設定される。
【０１３１】
3：原料ガス導入管と前記排気方向とが、円周方向において交互にかつ等間隔に設けられている
原料ガスの吹出し孔に関しては、断面方向位置は、下記直線Aと直線Bに囲まれた領域の中央に、吹出し孔の中心が位置する。
【０１３２】
直線A：原料ガス導入管の中心から、前記円筒状支持体に接線を引いた、直線
直線B：原料ガス導入管の中心から前記排気方向の中心を結んだ直線
原料ガス導入管上での、軸方向位置は、20ｍｍピッチで、上下端の吹出し孔間隔440ｍｍとした。また、穴径は、0.5ｍｍとした。
【０１３３】
以上のように構成された堆積膜形成装置610を用いて堆積膜を形成する方法は、前述の堆積膜形成装置110の場合と同様である。
【０１３４】
作成された電子写真感光体に関して実施例１と同様の評価を行った。
【０１３５】
得られた結果を、表3に示す。
【０１３６】
表3の結果から、原料ガス導入管と、円筒状反応容器内の円周方向における排気方向は、同一の数で、かつ、原料ガス管からみて、最も近い前記排気方向には、少なくとも、円筒状支持体に対応する領域に、円筒状反応容器内には構造物が無い構成の堆積膜形成装置により、堆積膜を形成することで、堆積膜の均一性、堆積膜の膜特性が向上し、かつ堆積速度が向上することが判った。また、円筒状支持体を取り囲むように原料ガス導入管を配置しても、母線方向の均一性を向上したまま、更に周方向の均一性が向上可能であることが判った。
【図面の簡単な説明】
【０１３７】
【図１】本発明の堆積膜形成装置の一例を示す模式的断面図。
【図２】本発明の堆積膜形成装置の一例を示す模式的断面図。
【図３】本発明の堆積膜形成装置の一例を示す模式的断面図。
【図４】ａ−Ｓｉ電子写真感光体の層構成の一例を示す模式図。
【図５】電子写真感光体特性を評価する複写機の概略図である。
【図６】本発明の堆積膜形成装置の一例を示す模式的断面図。
【図７】従来の堆積膜形成装置の一例を示す模式的断面図。
【符号の説明】
【０１３８】
110、610、710  堆積膜形成装置
111、611、711  円筒状反応容器
112、612、712  円筒状支持体
113、613、713  支持体加熱用ヒーター
114-1〜114-2、614-1〜614-4、714  原料ガス導入管
115、615、715  高周波マッチングボックス
116、616、716  高周波電源
117、617、717  支持体ホルダー
118、618、718  ベースプレート
120、620、720  モーター
121、621、721  受け台
122、622、722  回転軸
123、623、723  ミキシング
125A〜125B、625A〜625D、725  真空計
127A〜127B、627A〜627D、727  排気バルブ
128A〜128B、628A〜628D、728  排気配管
129A〜129B、629、729  真空ポンプユニット
131、631、731  絶縁物
401  円筒状支持体
402  下部阻止層
403  光導電層
404  中間層１
405  上部阻止層
406  中間層2
407  表面層
【図１】
2008214712.tif 000006
【図２】
2008214712.tif 000007
【図３】
2008214712.tif 000008
【図４】
2008214712.tif 000009
【図５】
2008214712.tif 000010
【図６】
2008214712.tif 000011
【図７】
2008214712.tif 000012