(57)【要約】      （修正有）【課題】太陽電池のような装置に対して、比較的薄く、電気的に有効な活性層を形成可能な、十分な高アスペクト比を持つシリコン粒を有する他結晶シリコン膜の提供。【解決手段】電気的に絶縁性の基板上に第１のオーミックコンタクトを形成し、第１のオーミックコンタクト層上に第１の半導体材料ドープ層を形成し、第１の半導体材料ドープ層上に第２の半導体材料ドープ層を形成し、該第２半導体材料ドープ層の上に上記第１のオーミックコンタクト層と物理的に分離された第２のオーミックコンタクト層を形成する。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
請求の範囲第２５項に記載の太陽電池モジュールにおいて、
上記バリア層は、（１）太陽電池モジュールの製造中の上記第１の半導体材料ドープ層からの第１のオーミックコンタクト層の機械的な分離と、（２）太陽電池モジュールの動作中にそれらの間を通る電気的導電性と、を供給するのに十分な厚さである、
ことを特徴とする太陽電池モジュール。
【請求項２】
請求の範囲第２５項に記載の太陽電池モジュールにおいて、
上記バリア層は、酸化ケイ素、二酸化ケイ素、シアロン、窒化ケイ素、シリコン酸化窒化物、炭化ケイ素、シリコン酸化炭化物とからなるグループから選択された１つの材料を含む、
ことを特徴とする太陽電池モジュール。
【請求項３】
請求の範囲第２５項に記載の太陽電池モジュールにおいて、
上記第１のオーミックコンタクト層は、上記第１の半導体材料ドープ層と同様の第１の導電型を有する電気的に高導電性の材料を備えた、
ことを特徴とする太陽電池モジュール。
【請求項４】
請求の範囲第２８項に記載の太陽電池モジュールにおいて、
上記第１のオーミックコンタクト層は、ケイ素と炭素とからなるグループから選択された材料を少なくとも１つ含む、
ことを特徴とする太陽電離モジュール。
【請求項５】
請求の範囲第２８項に記載の太陽電池モジュールにおいて、
上記第１のオーミックコンタクト層は、少なくとも、Ｓｉ、ＳｉＣ、Ｂ４Ｃ、グラファイトとからなるグループから選択された１つの材料を含む、
ことを特徴とする太陽電池モジュール。
【請求項６】
お互いに物理的に分離されている少なくとも２つの太陽電池を有する、太陽電池モジュールを製造する方法であって、
（ａ）電気的に絶縁性の基板上に第１のオーミックコンタクト層を形成し、
（ｂ）上記第１のオーミックコンタクト層上に第１の導電型を有する第１の半導体材料ドープ層を形成し、
（ｃ）上記第１と第２の半導体材料ドープ層の間にｐ−ｎ接合を形成するように第１の半導体材料ドープ層とは逆の導電性を有する、第２の半導体材料ドープ層を、上記第１の半導体材料ドープ層上に形成し、
（ｄ）上記第１のオーミックコンタクト層から物理的に分離して、上記第２の半導体材料ドープ層上に第２のオーミックコンタクト層を形成し、
（ｅ）少なくとも２つの太陽電池を互いに物理的に分離するように形成するために、上記第１のオーミックコンタクト層、上記第１と第２の半導体材料ドープ層、及び上記第２のオーミックコンタクト層を介して、分離領域を形成し、
（ｆ）２つの太陽電池が互いに物理的に分離されている時、一方の太陽電池の第２のオーミックコンタクト層と他方の太陽電池の第１のオーミックコンタクト層との間に導電するように、電気的に導電性の相互接続を供給する、
ことを特徴とする太陽電池モジュールの製造方法。
【請求項７】
（ａ）電気的に絶縁性の基板と、
（ｂ）上記基板上あるいは内に形成された第１のオーミックコンタクトと、
（ｃ）上記第１のオーミックコンタクトに並置するように上記基板上あるいは内に形成された第２のオーミックコンタクトと、
（ｄ）上記第１と第２のオーミックコンタクト上に配置された半導体材料ドープ層と、を備え、
上記半導体材料ドープ層は、（１）上記第１のオーミックコンタクトに隣接した上側ｐ領域及び下側ｎ領域と、（２）上記第２のオーミックコンタクトに隣接した上側ｎ領域及び下側ｐ領域のうちの１つを含み、上記上側領域と上記下側領域との間にｐ−ｎ接合を形成する、
ことを特徴とする太陽電池。
【請求項８】
請求の範囲第３２項に記載の太陽電池において、
上記第１のオーミックコンタクトは、ｎ型導電型の電気的に高導電性の材料を有し、
上記第２のオーミックコンタクトは、ｐ型導電型の電気的に高導電性の材料を有する、
ことを特徴とする太陽電池。
【請求項９】
請求の範囲第３３項に記載の太陽電池において、
上記第１のオーミックコンタクトは、少なくとも、珪素と炭素とからなるグループから選択される、
ことを特徴とする太陽電池。
【請求項１０】
請求の範囲第３３項に記載の太陽電池において、
上記第１のオーミックコンタクト層は、少なくとも、Ｓｉ、ＳｉＣ、Ｂ４Ｃ、グラファイトとからなるグループから選択された１つの材料を含む、
ことを特徴とする太陽電池。
【請求項１１】
請求の範囲第３２項に記載の太陽電池において、
上記第１と第２のオーミックコンタクトと上記半導体材料ドープ層との間にバリア層をさらに備えた、
ことを特徴とする太陽電池。
【請求項１２】
請求の範囲第３６項に記載の太陽電池において、
上記バリア層は、（１）太陽電池の製造中の、第１と第２のオーミックコンタクトの半導体材料ドープ層からの機械的な分離と、（２）太陽電池の動作中の、電子的導通性と、を供給するのに十分な厚さである、
ことを特徴とする太陽電池。
【請求項１３】
請求の範囲第３６項に記載の太陽電池において、
上記バリア層は、酸化ケイ素、二酸化ケイ素、シアロン、窒化ケイ素、シリコン酸化窒化物、炭化ケイ素、シリコン酸化炭化物とからなるグループから選択された１つの材料を含む、
ことを特徴とする太陽電池。
【請求項１４】
請求の範囲第３２項に記載の太陽電池において、
上記第１と第２のオーミックコンタクトのそれぞれは、スパイン要素と上記スパイン要素に対して垂直に十分伸びている複数のフィンガーとからなり、上記第１のオーミックコンタクトのフィンガーは、上記第２のオーミックコンタクトのフィンガーにかみ合わされている、
ことを特徴とする太陽電池。
【発明の詳細な説明】
【発明の詳細な説明】
【０００１】（技術分野）
本発明は、モノシリックに集積された太陽電池モジュール、特に、各々高アスペクト比のシリコン粒を有する活性多結晶シリコン層を含む、複数の集積化された太陽電池を有するモジュールに関するものである。
【０００２】（背景技術）
太陽電池としても知られている光電気半導体装置は、太陽を電気に変換する。理論上、太陽電池は再生可能なエネルギーの無限の供給を提供することができた。太陽電池技術における興味は、１９７０年代のオイルショック時におそらくそのピークにあった。その時から、ただ少数の選ばれた会社だけが、太陽電池技術に対して相当な研究開発基金を投資してきた。多くの主な製造会社は、光半導体材料に本質的な変換の非効率性とともに、経済的な考慮から該技術を放棄した。該太陽電池技術に没頭し続けた会社は太陽電池およびモジュール設計において大きな改善をなし、出力効率を向上し、製造コストを低減した。しかしながら、改良すべき余地がある。
【０００３】  典型的な太陽電池は、その中で拡散された上部のｎ型領域を有するｐ型シリコンのウエハから構成される。ｐ型シリコンとｎ型シリコンとの間の界面に隣接している領域は、装置のｐ−ｎ接合を定義するものである。１つの金属電極が、ｐ型シリコンウエハの底面上に堆積形成され、１つのくし形金属電極は、太陽電池が太陽光にさらされている時、ｐ−ｎ接合で生じる変化を集めるためにｎ型シリコン領域の上表面上に堆積形成される。
【０００４】  太陽電池の固有の問題の１つは、個々の太陽電池がかなりの電圧レベルを発生する能力がないことである。例えば、今日、市場に出ているほとんどの個々の太陽電池は、１セルあたり約１／２ボルトを生成する。従って、かなりの電圧値設計の太陽電池モジュールを提供するために、複数の太陽電池を直列接続アレイに配列することは必要である。
【０００５】  別々の、直列接続された太陽電池のモジュールが産業で広く採用された間に、このデザインにおけるいくつかの問題がある。第一に、たとえば１８ボルトに設計された太陽電池モジュールを提供するために、１／２ボルトの太陽電池と連続させた電池とを連続させて、所望の電圧値を設計するために、３６個の素子を個別に製造し、取り扱う必要がある。各太陽電池間の性能変化が、全体的なモジュールの受け入れ難い性能へと導くことができ、さらに、一つの太陽電池の失敗が全部のモジュールの失敗を導くことができる。
【０００６】  第二に、１８ボルトに設計された単一の太陽電池モジュールを構築するために３６個の分離した太陽電池を処理する必要があることは、このようなモジュールの生産にかかる全体的なコストを増加させることになる。
【０００７】  第三に、同時に個々のセルを連続させるために、ともに外部金属化タブが溶接あるいははんだ付けされることが必要である。これらの金属化された相互接続物が、太陽電池モジュールにおけるすべての欠陥の９０パーセント以上を示すと推定される。
【０００８】  太陽電池モジュールのそれらのタイプの全般的な、特に、材料費の点で、コスト削減のために大幅な進歩がなされた。例えば、Ａ．Ｍ．ＢａｒｎｅｔらによってＵ．Ｓ．Ｐａｔｅｎｔ  Ｎｏ．５０５７１６３に開示され、具体化されているＳＩＬＩＣＯＮ−ＦＩＬＭ（商標）の太陽電池のような薄型フィルムの太陽電池を利用することによって、大幅なコスト削減を実現できる。ＳＩＬＩＣＯＮ−ＦＩＬＭ（商標）技術は、独自のミクロ構造の多結晶シリコン薄膜を提供するための独占的の加熱処理を応用したものであり、多結晶シリコン膜などを使って太陽電池の性能を高めることができる。この成長技術は、発展し続け、１９９８年の３月２日に提出され米国特許番号５，３３６，３３５と５，４９６，４１６および米国特許出願シリアル番号０９／０３３，１５５に開示され、それらすべては以下のように具体化されている。
【０００９】  上述したＳＩＬＩＣＯＮ−ＦＩＬＭ（商標）技術や成長技術でさえも、シリコン太陽電池モジュールの製造において、大幅なコストの削減を提供し、問題は、単一のモジュールを製造するために多数の分離電池を取り扱うことに関し、タビング及びストリンギングの操作が不連続な太陽電池を接続させるために必要であり、まだ、高電圧のモジュールの大規模かつ低コストでの製造に重要な問題点がある。
【００１０】  上記の本来の問題点からわかることは、この産業は、複数の分離された太陽電池が単一の基板上に統合化される方法により形成されるモノリシックな設計の提供を試みていることである。例えば、Ｗａｒｎｅｒ  Ｕ．Ｓ．Ｐａｔｅｎｔ  Ｎｏ．３，９９４，０１２には、単一の基板上に各々分離されている複数の太陽電池が備えられたモノリシックな光電池半導体素子が開示されている。しかしながら、そのような装置の製造に使用されていた複雑な製造工程は、大量生産／商業化スケールには非実用的でコストがかかりすぎてしまう。
【００１１】  Ｃｈｉａｎｇ  ｅｔ  ａｌ．Ｕ．Ｓ．Ｐａｔｅｎｔ  Ｎｏ．４，１７３，４９６には、複数の太陽電池が物理的に分離され、単一結晶シリコンの基板上に形成された集積化されたソーラーアレーが開示されている。しかしながら、Ｗａｒｎｅｒの工程のように、Ｃｈｉａｎｇらによって開示されている過程が複雑なので、該装置を大量生産規模で製造するにはコストがあまりにもかかりすぎてしまう。さらに、単結晶シリコンの使用に内在するコスト面での不利な点によって該装置自体が大量生産や商業化実現に不適合になる。
【００１２】  Ｒａｎｄ  ｅｔ  ａｌ．Ｕ．Ｓ．Ｐａｔｅｎｔ  Ｎｏ．５，２２６，１２５には、ＷａｒｎｅｒやＣｈｉａｎｇによって装置と工程を大幅に改良させたものが開示されているが、まだ、装置の製造に比較的複雑なステップを要する。例えば、Ｒａｎｄらの図１に示された装置では、各々の太陽電池を分離するダイス分離されるトレンチに配置される複数の金属相互接続が必要とされる。そのような金属化ストリップを設置することは困難で費用がかかるだけではなく、トレンチ自体の幅が、入射日光との相互作用が可能なモジュールの上表面積を削減する。Ｒａｎｄらの図４に示された装置では、Ｒａｎｄらの図１に示された装置にある金属化ストリップは不要だが、隣接電池の直列接続を提供するサブ基板伝導領域が必要となる。
【００１３】  このように、高圧太陽電池モジュールにはまだ改良の余地がある。電子装置を小型化するには、必然的にそれらの装置のバッテリーの電力供給や再充電に使用される太陽電池モジュールの対応する小型化が必要となる。固定面積の太陽電池は、関連電子装置の電圧要求を満たすために必要なだけの数の分離された太陽電池に分離できるので、モノリシックな太陽電池モジュールの設計はこの点に於いて特に興味深い。しかしながら、現時点では、製造コストを安価に抑えた、高性能モノリシック太陽電池モジュールを誰も提供できていない。
【００１４】  一つの解決手段は、単結晶またはアモルファスシリコンのうちのいずれかと対照的に多結晶シリコンを使用することである。しかしながら、多結晶シリコンの使用の際は、グレイン境界誘起少数キャリア再結合を防ぐのに十分な幅を有するシリコン粒を確立するために、比較的厚い活動層の使用が必要となるだろう。すなわち、上述の成長技術をもってしても、１以上のアスペクト比（ｄ／ｔ）を持つシリコン粒子を形成するのは困難である。従って、例えば、４０ミクロンの直径を有するシリコン粒は、４０ミクロンの厚さの活動層を要する。
【００１５】（発明の開示）
本発明の最初の目的は、太陽電池のような装置に対して、比較的薄く、電気的に有効な活性層を形成可能な、十分な高アスペクト比を持つシリコン粒を有する多結晶シリコン膜を提供することである。
【００１６】  本発明の別の目的は、簡単かつ低コストで大量生産スケールで製造できるモノリシックの集積太陽電池を提供することである。
【００１７】  また、本発明の別の目的は、簡単かつ低コストで大量生産スケールで製造でき、また、より良い信頼性と性能を示すモノリシックに集積された太陽電池モジュールを提供することである。
【００１８】  本発明の第１の側面によれば、多結晶シリコン膜は、ｄは粒径でありｔは粒厚である場合、アスペクト比ｄ／ｔが１：１以上のシリコン粒を備えている。上記シリコン粒のアスペクト比は、好ましくは少なくとも５：１、より好ましくは少なくとも１０：１、最も好ましくは少なくとも２０：１である。これらの高アスペクト比は、上述した成長技術と薄膜形成技術とを結合することによって達成される。このような高アスペクト比は、太陽電池のような電子装置において有効に作用するように十分に広いグレインを持つ比較的薄い活性層の形成を可能とすることにより材料費の節約を提供する。
【００１９】  本発明の第２の側面によれば、モノリシックに集積された太陽電池は、（ａ）電気的に絶縁された基板と、（ｂ）上記基板上あるいは内部に形成された第１のオーミックコンタクト層と、（ｃ）第１のオーミックコンタクト層上に形成された第１の半導体材料ドープ層と、（ｄ）上記第１の半導体材料ドープ層上に形成された第２の半導体材料ドープ層と、（ｅ）上記第１のオーミックコンタクト層から物理的に分離され、上記第２の半導体材料ドープ層上に形成された第２のオーミックコンタクト層と、を備えたものである。上記第１のオーミックコンタクト層は、第１の導電型を持つ電気的に高導電性材料からなり、第１の半導体材料ドープ層は上記第１のオーミックコンタクト層と同様の第１の導電型を有する。上記第２の半導体材料ドープ層は、上記第１の半導体材料ドープ層と逆の導電型を有し、上記第１、第２の半導体材料ドープ層は、太陽電池のｐ−ｎ接合を形成する。
【００２０】  この太陽電池は、電気的に絶縁性の基板上あるいは内に第１のオーミックコンタクトを形成し、上記第１のオーミックコンタクト層上に第１の半導体材料ドープ層を形成し、上記第１の半導体材料ドープ層上に第２の半導体材料ドープ層を形成し、該第２半導体材料ドープ層上に、上記第１のオーミックコンタクト層と物理的に分離された第２のオーミックコンタクト層を形成することによって製造される。
【００２１】  この単純化された構造と方法が大量生産スケールにおける大幅なコスト削減を可能にする。上述した薄膜成長技術を用いて、比較的薄く、電気的に有効な活性層を太陽電池内に形成することにより、製造コストをさらに低減できる。
【００２２】  本発明の第３の側面によれば、モノリシックに集積された太陽電池モジュールは、電気的に絶縁されている基板と、お互いに物理的に分離され、該基板上に配置された、少なくとも２つの太陽電池と、を備えたものである。各太陽電池は、上記基板上あるいは内に形成された第１のオーミックコンタクト層と、上記第１のオーミックコンタクト層上に形成された第１の半導体材料ドープ層と、上記第１の半導体材料ドープ層上に形成された第２の半導体材料ドープ層と、上記第１のオーミックコンタクト層から物理的に分離され、上記第２の半導体材料ドープ層上に形成された第２のオーミックコンタクト層と、を備えたものである。第１の半導体材料ドープ層は、第１の導電型を有し、第２の半導体材料ドープ層は、上記第１の層とは逆の導電型を有し、上記第１、第２の半導体材料ドープ層の間にはｐ−ｎ接合が形成される。電気的に導電性の相互接続は、２つの太陽電池を物理的に分離した状態に維持しながら、１つの太陽電池の上記第２のオーミックコンタクト層と別の太陽電池の第１のオーミックコンタクト層との間に電気的接続を与える。
【００２３】  この太陽電池モジュールの単純化された構造は、比較的低コストで、高い信頼性で製造することが可能である。さらに、物理的に分離されたまま、２つの太陽電池間に電気的通信を与える電子的に導電性の相互接続の利用は、性能利益を与える。特に、物理的に電池を結合する金属相互接続を収容する比較的広い分離溝が必要でないので、基板上の隣接しているセルは、相互に非常に近接して形成可能である。太陽光を受けるようにデザインされている太陽電池モジュールの上表面領域は、隣接する太陽電池間の分離領域のサイズを縮小することにより、増加する。
【００２４】  本発明の第４の側面によれば、モノリシックに集積された太陽電池は、（ａ）電気的に絶縁された基板と、（ｂ）該基板上あるいは内に形成された第１のオーミックコンタクトと、（ｃ）上記第１のオーミックコンタクトに並列に配置され、上記基板上あるいは内に形成された第２のオーミックコンタクトと、（ｄ）上記第１、第２のオーミックコンタクト上に配置された半導体材料ドープ層と、を備えたものである。半導体材料ドープ層は、上記第１のオーミックコンタクトに隣接した上側ｐ領域及び下側ｎ領域と、上記第２のオーミックコンタクトに隣接した上側ｎ領域及び下側ｐ領域のうちのどちらか１つを含み、上記上側領域と上記下側領域との間にｐ−ｎ接合を形成するものである。
【００２５】  この太陽電池の構造は、ただ製造におけるブレークスルーを表すだけではなく、電池の活性層の下の両オーミックコンタクト間の分離をも提供する。特に、この特徴は、入射光を受けるための電池の上表面を全部開放するものである。さらに、環境にさらされることによる損傷からオーミックコンタクトを保護するという極めて必要とされる利益を提供する。
【００２６】  本発明の第５の側面によれば、モノリシックに集積された太陽電池モジュールは、電気的に絶縁性の基板と、該基板上に配置された少なくとも２つの太陽電池と、を備えたものである。各太陽電池は、（ａ）上記基板上あるいは内に形成された第１のオーミックコンタクトと、（ｂ）上記第１のオーミックコンタクトに並列配置され、上記基板上あるいは内に形成された第２のオーミックコンタクトと、（ｃ）上記第１、第２のオーミックコンタクト上に配置された半導体材料ドープ層と、を備えたものである。上記半導体材料ドープ層は、上記第１のオーミックコンタクトに隣接した上側ｐ領域及び下側ｎ領域と、上記第２のオーミックコンタクトに隣接した上側ｎ領域及び下側ｐ領域のうちのどちらか１つを含み、上記上側領域と上記下側領域との間にｐ−ｎ接合を形成するものである。太陽電池は、一方の上記第１のオーミックコンタクト及びもう一方の上記第２のオーミックコンタクトの水平端子端部分のみにおいて物理的かつ電気的に接続されている。さらに、上述した各太陽電池に帰因する利益を示すことに加えて、モジュールの全活性領域はグリッドによる妨害がないため、このモジュールは同じく入射表面領域を示す。
【００２７】  本発明の目的は、好ましくは本発明の実施の形態を図面をとともに、次の詳細な記述を読むことによって、もっと良く理解されるであろう。
【００２８】（発明の詳細な説明）
発明を実施するための最良の形態
図１は、本発明の一実施の形態に係るモノリシックに集積された太陽電池の断面図である。太陽電池は支持基板１上に形成される。基板１は太陽電池の機械的サポートを供給するのに十分な厚さで、太陽電池を形成するのに使用する半導体材料の熱膨張率に適合する、あるいは少なくとも近い適合（例えば、１０％以内）をもち、電気的に絶縁性でなければならない。基板１はまた化学的に不活性であり、光学的に反射するものであることが望ましい。基板１の材料はまた、太陽電池の形成に使用する製造工程の温度レベルに耐えるように、十分な耐熱特性をもつものでなければならない。
【００２９】  図１に示すように、二層の基板構造が使用可能であり、表層基板１ｂは基礎基板１ａ上に形成されている。この場合、表層基板１ｂは、機械的強度以外の上述した評価基準を満足しなければならず、機械的強度は、基礎基板１ａによって満たされるものである。つまり、表層基板１ｂは電気的な絶縁を供給し、表層基板１ｂと上記装置のその他の層との間の化学的な拡散を防げる。望むならば、表層基板１ｂは上記装置の活性層を通して入射光線を反射させることが可能である。
【００３０】  上記基準をすべて満たすことのできる一層基板を使用することが好ましい。好ましい材料はアルミノケイ酸塩のムライト（ｍｕｌｌｉｔｅ）系統であるが、酸化アルミニウムと二酸化ケイ素も利用可能である。そのような一層基板の厚さの範囲は５ｍｉｌｓから５０ｍｉｌｓが望ましく、その特定の厚みは、製造コスト面や装置の重量等のような他の要因と比較し、上記の基準を満たすことに依存する。
【００３１】  二層基板の場合は、基礎基板１ａは一般的に機械的な支持と電気的絶縁の機能を果たす。これには、上述の材料であるムライト系統が望ましい。表面基板１ｂは拡散障壁及び反射板として機能する。適当な材料には、窒化チタン，シリコン酸化窒化物，窒化アルミニウム，窒化けい素が含まれる。
【００３２】  高度なドープがなされた半導体材料の第１のオーミックコンタクト層２は支持基板１の上表面上に形成される。高度のドープがなされた半導体材料は、少なくとも３×１０１８ｃｍ−３のドーパント濃度を有するものである。具体化するために、層２は、高度のドープがなされたｐ型層として説明し、その濃度は”ｐ＋”と記される。なお、高度のドープがなされたｎ＋型材料も同様に使用できる。（この相互交換性は、以下すべての半導体層に適用する。）層２は、太陽電池の活性領域からの電流を流すコンタクトとして有効に機能する。層２は、金属でありえるが、以下に示すような太陽電池の製造に使用される比較的高い温度に耐えるためには、導電性の高い材料が好ましい。その好ましい材料はシリコンであるが、その材料の抵抗率が、図１の紙面内で層２に沿って水平に流れる十分な電気伝導を与えるものであれば、炭化物（例えば、炭化ホウ素，炭化ケイ素）、ケイ化物、導電性窒化物、黒鉛のような他の材料も使用できる。ここでは層２の厚みに対して特定の制限はないが、厚みの範囲は５〜５０ミクロンであるのが望ましい。
【００３３】  参照番号３は特定の層よりむしろ一つの領域について言及している。すなわち、特定の実施の形態において、領域３には、パッシベーション処理層として作用する特定の物質（例えば、二酸化ケイ素）が含まれる。一方、他の実施の形態では、それが部分的に存在するか、全く存在しないかは、意図された機能性に依存する。一実施の形態において、バリア層３は層２の上表面上に形成され、その上に形成される太陽電池の活性層のためのパッシベーション処理層として働く。他の実施の形態における領域３は、層２の材料と太陽電池の上層活性層の材料との混合を防止するための機械的バリアの働きをする。領域３はまた、太陽電池の活性層を通過する入射日光の反射層としての機能ももつ。以下にさらに詳しく説明されている他の層の使用材料及び厚みに応じて、領域３はそれらの機能のいくつか、または全てを実行しえる。
【００３４】  層３の材料はとくに限定されないが、要求されるパッシベーション処理、反射および他の基準を満たしていなければならない。適切な材料には、酸化ケイ素、二酸化ケイ素、シアロン、窒化ケイ素、シリコン酸化窒化物、炭化ケイ素、シリコン酸化炭化物などが挙げられる。それらの材料は、シリコンでできている場合に、全ての周知の堆積技術、あるいは、下にある層の化学処理によって堆積される。領域３の材料に関する主な制限は、隣接する半導体層の材料において、溶けやすいものであってはならない。具体的に言うと、半導体層は以下で詳細に示すように、太陽電池の製造中に溶融状態になりうるものであり、層３の材料は、隣接半導体層を構成する溶融材料に溶出しやすいものであってはならない。
【００３５】  意図される機能に応じて、領域３の厚みは実施の形態ごとに変化する。太陽電池の活性層から領域３下に配置された層２への電気的導電性を与えなければならない。いくつかの材料を非常に薄い層として用いることができ、バイアスを使用せずに必要な導電を実現することが可能であることも考えられるが、そのような導電を可能とするために領域３を介してのバイアスを使用することが好ましい。しかしながら、同時に、領域３の厚さは、少なくとも、上記したパッシベーション処理および機械的支持の基準を満たすのに十分でなければならない。領域／層３の厚みは、好ましくは２００オングストロームから２ミクロンまでの範囲であり、さらに好ましくは１ミクロンから２ミクロンの範囲である。
【００３６】  層２の材料が高度にドープされたｐ＋型半導体材料である場合、層４の材料はドープされたｐ型半導体物質（１０１４ｃｍ−３から１０１７ｃｍ−３までのドーパント濃度を持つ）でなければならない。層４の厚さは、特定の制限するものではないが、５ミクロンから１５０ミクロンの範囲が理想とされている。薄い層（コストを削減するため）と厚い層（吸収を最大にするため）との競争する利益は、周知のことなので、ここでは言及しない。さらに、層２及び４の厚さは、使用される材料と求められる最高の形状とに基づいて変化するものである。例えば、
（１）層２及び４が、ともにプラズマスプレイされる場合、領域３は２つの材料の混合を防止するため不連続層として必要とされる。
（２）溶融および再成長工程が層２の形成に使用された場合、それはグレインにとって理想とされるアスペクト比を実現し、層４はＣＶＤによりその後堆積される。
（ａ）層４が比較的薄い（例えば、およそ３０ミクロン）場合、次の溶融再成長が所望のアスペクト比を実現するために望まれるとしたら、領域３での不連続層が必要になる。つまり、層４が層２を種としてエピタキシャル成長されるのであれば、層３は不要となる。あるいは、
（ｂ）層４が比較的厚い（例えば、およそ１５０ミクロン）場合、材料は、光トラップなしに光を集めるのに十分な厚みを有するので、層３での不連続層は不要である。
（４）層２が不連続層として形成された場合、下にある基板１の構成に依存して領域３での不連続材料は必要か、必要ではない。
【００３７】  薄い領域４ａは層４の上表面への拡散によって作り出される。層４の下層領域４ｂがドープされたｐ型半導体材料である場合、上層領域４ａはｐ−ｎ接合７を供給するためにドープされたｎ型半導体材料であろう。上層領域４ａの厚さは０．０３ミクロンから２．０ミクロンの範囲でなければならない。
【００３８】  第２のオーミックコンタクト層８は上層領域４ａの上表面上に形成され、太陽電池が負荷に接続されたとき、領域４ａからの電流を流す働きをする。層８は、図１の紙面内に太陽電池と交差して水平に伸びるくし型電極を形成する。電極は、図１の紙面内に伸びるスパイン（ｓｐｉｎｅ；背骨）８ａと、スパイン８ａに垂直に伸びる複数のフィンガー８ｂとを含む。
【００３９】  図２Ａ−２Ｆはモノリシックに集積された太陽電池モジュール３１の形で図１に示された複数の太陽電池を形成するための最良の実施の形態を表す透視図である。
【００４０】  適切な材料が支持基板１として機能するよう設けられる。図面に示されているのは単層基板であるが、上述のような二層基板も使用可能である。高度にドープされたｐ＋型シリコンの層２１は、基板１の上表面２０上に配置されている（図２Ｂ）。層２１は、好ましくはマスクを通してプラズマスプレイされ、基板１の第１の側面２３に近接した層２１の主要部分から外方に水平に伸びる複数のタブ２２を有する、パターン化された層を形成する。電子ビーム蒸着およびスパッタリングなどのＰＶＤ薄膜技術や、ＣＶＤ技術を用いて、層２が形成される。
【００４１】  必要とされるときは、バリア領域（図１の参照番号３）の形成に適した材料が、層２１の主要な領域上に連続層２４として堆積され、タブ部２２は露出したままとされる（図２Ｃ）。次に、ｐ型シリコン層２５は、層２４の上に堆積され（図２Ｄ）、タブ部２２は再び露出したままとされ、その後、その層の上表面は、熱／化学処理が行なわれ、上側ｎ型領域をその中に形成する。
【００４２】  複数の分離領域２６は、その後、基板１の第１の側面２３から、逆側の第２側面に向かって装置を横切って形成され、複数の物理的に分離された太陽電池３０（図２Ｅ）を形成する。くし型電極８が、その後、各太陽電池の横方向に沿って堆積、例えば、スクリーン印刷され、個々の太陽電池の直列相互接続を提供する相互接続伸張部２７が隣接するターミナルタブ２２上に形成される（図２Ｆ）。その結果、複数のモノリシックに集積された太陽電池３０を有するモノリシックに集積された太陽電池モジュール３１が形成される。
【００４３】  本発明の一実施の形態によれば、層２５が層２４上に形成された後、そして、上層ｎ型領域が層２５内に拡散される前に、モジュールサブアセンブリは、上記した特許に開示されている成長過程の変化を受ける。具体的に言うと、本発明の発明者は、これらの先行する特許から、成長プロセスの利用は、もし初期のシリコン層がプラズマスプレイのような薄膜技術により堆積されると、結果として生じる、シリコングレインのアスペクト比が不所望に増大することを発見した。しかしながら、成長技術を利用するためには、シリコン酸化窒化物やシリコンニトリドなどのキャップ層を、まず、層２５の上面上に形成しなければならない。このキャップ層は成長過程の間、層２１、２４、２５の形を保持する。そうしなければ、これらの層の厚みは比較的薄いので、成長過程の間に破壊される。層２５の上表面にｎ型領域が拡散される前に、キャップ層をはがす必要がある。
【００４４】  テストランによると、層２５がプラズマスプレイされ、その後成長がなされると、活性ｐ型層２５の粒子のアスペクト比は、５：１（直径：厚み）を上回ることができる。このような高いアスペクト比は、グレイン境界誘起少数キャリア再結合を防止するのに必要な、非常に大きなグレインを有する非常に薄い活性ｐ層の形成を可能とする。このような薄い層によって、電気的に有効な太陽電池を形成するために必要な多結晶シリコンの生の材料を大幅に削減できる。
【００４５】  ここで使用される成長プロセスの詳細は、シリアル番号０９／０３３，１５５の出願中の出願において記述されており、ここでは繰り返されない。
【００４６】  図３は、本発明のもうひとつの実施の形態に従った、モノリシックに集積された太陽電池の断面図である。上記太陽電池は、支持基板５１上に形成されている。図１に示される太陽電池の場合においては、基板５１は、備えられた基板の評価基準がすべて、以上に説明したようにそれぞれの層によって満たされるとして、一層あるいは二層構造であり得るものである。領域５１ａと領域５１ｂとからなる基板５１の詳細は、図１の基板１に関して上述したものと同様である。
【００４７】  高ドープ半導体材料（例えば、ｐ＋型材料）からなる第１のコンタクト５２は、支持基板５１の上表面上に形成されており、対極に帯電された高ドープ半導体材料（例えば、ｎ＋型材料）からなる第２のコンタクト５８もまた、ｐ＋型コンタクト５２に並置して支持基板５１の上表面上に形成されている。なお、コンタクト５２がｎ＋型材料で、コンタクト５８がｐ＋型材料であっても良い。コンタクト５２とコンタクト５８の詳細は、図１のコンタクト２に関して上述したものと同様である。さらに、コンタクト５２及びコンタクト５８は、どのような形もとりうるものであり、より好ましくは、相互にかみ合わされた（ｉｎｔｅｒｄｉｇｉｔａｔｅｄ）電極として形成されるとよく、以下、より詳細に説明する。
【００４８】  領域５３は、基板５１の上表面上にコンタクト５２とコンタクト５８とを覆うように形成され、その他の層に使用された（上述した）その形状、材料、及び処理技術に依存する。バリア領域５３は、図１のバリア領域３と同様の機能を持つものであり、従って、バリア領域５３の詳細は、図１のバリア領域３に関して上述したものと同様である。
【００４９】  ｐ−ｎ接合を形成する上記太陽電池の活性領域は、バリア層５３上に半導体材料の層５４を堆積することによって形成される。その層５４の材料は、その装置がｐ型装置であるか、ｎ型装置であるかどうかによって、ドープされたｐ型あるいはｎ型半導体材料（１０１４ｃｍ−３から１０１７ｃｍ−３までのドーパント濃度）である。一致のために、層５４をｐ型材料であるとし、装置をｐ型装置とするものとして説明する。
【００５０】  層５４はｐ型材料として堆積され、薄いｎ型領域５４ａは、後の熱処理の間にｎ＋コンタクト５８に隣接して形成される。これについては以下でより詳細に述べる。層５４の領域５４ａと残りのｐ型領域５４ｂとは、その装置のｐ−ｎ接合を形成している。ｎ型装置においては、層５４はｎ型材料として堆積され、薄いｐ型領域が後の熱処理の間にｐ＋コンタクト５２に隣接して、形成される。層５４の詳細は、以下に詳細に述べる、領域５６を形成する方法は除いて、図１の層４に関して上述したものと同様である。
【００５１】  薄い領域６０は、層５４の上表面への拡散によって生成され、該装置の活性層のためのパッシベーション層として機能する。上層領域６０の薄さは、０．１から１．０ミクロンの範囲であるべきである。
【００５２】  図３に示す太陽電池は、とりわけ、そのコンタクトの位置において、図１の太陽電池と異なる。つまり、図１の太陽電池においては、２つのコンタクトのうちの一方が、該装置の活性層の下に形成されるが、一方、図３の太陽電池においては、両方のコンタクトが、該装置の活性層の下に形成される。これは、従来の太陽電池設計における２つの欠点であった、グリッド妨害をゼロに減少し、かつ、コンタクトの環境への露出を最小化するものである。
【００５３】  図４Ａから図４Ｅは、図３に示される複数の太陽電池を、モノリシックに集積された太陽電池モジュール８１の形に形成する、より好ましい実施の形態を示す透視図である。
【００５４】  適当な材料からなる基板は、支持基板５１として備えられている。図には一層基板について示されているが、上述したように二層基板でもよい。複数あるかみ合わされた電極７１ａ、７１ｂのセットは、基板５１の上表面７０上に形成される。上記電極は基板５１の第１側面７３からそれに対面する面まで水平に伸びるスパイン８５と、該スパイン８５に対して垂直に伸びる複数のフィンガー８６を有するくし型を取りうる。各電極の最終タブ７２は、第１側面７３のふちの延長上にある。
【００５５】  電極７１ａは、例えば、高ドープｐ＋型シリコンで形成されており、電極７１ｂは、例えば、高ドープｎ＋型シリコンで形成されている。電極７１ａのフィンガー８６は、電極７１ｂのフィンガー８６にかみ合わさって並置されている。少なくとも第１の電極対セットにおける電極７１ｂの終端タブ７２は、隣接した太陽電池の直列相互接続をえるために、第２の電極対セットにおける電極７１ａの終端タブに接している。そして、上記電極は、より好ましくは図２Ｂに関して上述したのと同じ方法で形成されるとよい。
【００５６】  そして、バリア層５３の形成に適当な材料は、電極７１ａ，７１ｂの主な領域上に連続層７４として堆積され、終端タブ７２は露出したままとする（図４Ｃ）。そして、ｐ＋型シリコンからなる層７５は、層７４を覆うように堆積され（図４Ｄ）、終端タブ７２は露出したままとする。サブアセンブリーは、その後熱処理が施され、層７５内にｎ＋電極／コンタクト７１ｂに隣接してｎ型材料からなる薄い領域（図３の領域５６）を形成する。より好ましくは領域５６が、図２Ａから図２Ｆにおいて上述した、シリコン粒の成長段階の間に、形成されるとよい。
【００５７】  そして、層７５の上表面には、その後熱処理または化学処理が施され、図２Ａから図２Ｆの処理の間に形成された上側ｎ型領域を形成するのと同じ方法で、その層７５内に上側ｎ型パッシベーション領域を形成する。
【００５８】  その後、複数の分離領域７６は基板５１の第１側面７３から、それに対面する第２側面まで、その装置を横切って水平に形成され、これにより、物理的に絶縁された複数の太陽電池８０を形成する（図４Ｅ）。その分離領域７６は、隣接する太陽電池の直列相互接続を維持するために、終端タブ７２に達しないところでとめる。その結果、直列に接続された複数のモノリシックに集積された太陽電池８０を有する、モノリシックに集積された太陽電池モジュール８１が得られる。
【００５９】  図２Ａから図２Ｆと、図４Ａから図４Ｅとを比較すると、後者の方法では、前者の電極金属化のステップと、相互接続のステップとを不要にする。このため、後者の方法は、前者の方法より簡単で且つよりコスト効果がある。さらに、上述したように、図４Ａから図４Ｅの方法で得られる太陽電池モジュールは、グリッド妨害をゼロに減少し、かつ両コンタクトを環境への直接の露出からシールドするものである。
【００６０】  本発明に基づいて組立てられた太陽電池は、Ａｓｔｒｏ  Ｐｏｗｅｒ  ａｎｄ  ｔｈｅ  Ｎａｔｉｏｎａｌ  Ｒｅｎｅｗａｂｌｅ  Ｅｎｅｒｇｙ研究所で、太陽模擬実験装置において試験された。その結果、２５．８ｍＡ／ｃｍ２という高い短絡電流が得られ、それは異なる基板上に堆積されたミクロレベルの厚さのシリコン層について今までに得られたもっとも高い電流であろう。この電流密度は、６％の金属カバレッジを含む装置の全体面積に基づくものである。量子効率の測定がなされ、その結果は、装置がスペクトルの赤外線端まで強い応答をもつことを示すものであった。この反応は、装置がよい少数キャリア特性と、表面パッシベーションと、光トラッピングとを持つことを示している。
【００６１】  外部量子効率データは、図５に示されている。これらの実験データの他に、ＰＣ−ＩＤ［３］で生成した曲線が記されている。曲線１は、すぐれた少数キャリア特性（寿命＝３．５μｓ、拡散長＝１００μｍ）をもつが、裏面で高いレベルの再結合（Ｓｂ＝１０６ｃｍ／ｓ）を有し、内部反射がない薄いシリコン層の応答モデルを示している。曲線２は、その同じ装置で、すぐれた裏面パッシベーション（Ｓｂ＝０ｃｍ／ｓ）を持つものを示している。曲線３は、さらに光トラップ特性を装置に加えたものである。表面と裏面の両方は、９０％拡散反射を持つものがモデルとされている。これらの装置特徴を使用して、上記モデルは、上記装置の厚みの三倍以上の有効拡張長を有することを予告している。曲線３と実験データとを比較すると、上記装置は高い寿命と、高いレベルの表面パッシベーションと、よい光トラップ特性を持つことが示される。つまり、これらの特性は、テストされた長い波長応答と高電流とをうみだすものである。
【００６２】  本発明においては、特定の好ましい実施の形態に関して記述したが、以下に示されたクレームに定義されるように発明の精神や範囲から離れることなく、それに対して種々の修正等がなされうるものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の一実施の形態に係るモノリシックに集積された太陽電池の断面図である。
【図２】  図２Ａ−図２Ｆは、図１の太陽電池の好ましい製造方法を描写している図であり、図２Ｆは、本発明のもう１つの好ましい実施の形態に係るモノリシックに集積された太陽電池モジュールを示す図である。
【図３】  本発明のさらに他の実施の形態に係るモノリシックに集積された太陽電池の断面図である。
【図４】  図４Ａ−図４Ｅは、図３の太陽電池の好ましい製造方法を描写している図であり、図４Ｅは、本発明のもう１つの好ましい実施の形態に係るモノリシックに集積された太陽電池モジュールを示す図である。
【図５】  波長の関数としての外部量子効率を示すグラフである。
【図１】
2008243830.tif 000002
【図２】
2008243830.tif 000003
2008243830.tif 000004
【図３】
2008243830.tif 000005
【図４】
2008243830.tif 000006
【図５】
2008243830.tif 000007
【手続補正書】
【提出日】平成18年7月3日(2006.7.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
(ａ)電気的に絶縁性の基板と、
(ｂ)上記基板上あるいは内に形成された第１のオーミックコンタクトと、
(ｃ)上記第１のオーミックコンタクトに並置するように上記基板上あるいは内に形成された第２のオーミックコンタクトと、
(ｄ)上記第１と第２のオーミックコンタクト上に配置された半導体材料ドープ層と、を備え、
上記半導体材料ドープ層は、(１)上記第１のオーミックコンタクトに隣接した上側ｐ領域及び下側ｎ領域と、(２)上記第２のオーミックコンタクトに隣接した上側ｎ領域及び下側ｐ領域と、のうちの１つを含み、上記上側領域と上記下側領域との間にｐ-ｎ接合を形成する、
ことを特徴とする太陽電池。
【請求項２】
請求項１に記載の太陽電池において、
上記第１のオーミックコンタクトは、ｎ型導電型の電気的に高導電性の材料を有し、
上記第２のオーミックコンタクトは、ｐ型導電型の電気的に高導電性の材料を有する、
ことを特徴とする太陽電池。
【請求項３】
請求項２に記載の太陽電池において、
上記第１のオーミックコンタクトは、珪素と炭素とからなるグループから選択される、
ことを特徴とする太陽電池。
【請求項４】
請求項２に記載の太陽電池において、
上記第１のオーミックコンタクト層は、少なくとも、Ｓｉ、ＳｉＣ、Ｂ4Ｃ、グラファイトとからなるグループから選択された１つの材料を含む、
ことを特徴とする太陽電池。
【請求項５】
請求項１に記載の太陽電池において、
上記第１、第２のオーミックコンタクトと上記半導体材料ドープ層との間にバリア層をさらに備えた、
ことを特徴とする太陽電池。
【請求項６】
請求項５に記載の太陽電池において、
上記バリア層は、(１)太陽電池の製造中の、第１、第２のオーミックコンタクトの、半導体材料ドープ層からの機械的な分離と、(２)太陽電池の動作中の、それらの間の電気的導通性と、を供給するのに十分な厚さである、
ことを特徴とする太陽電池。
【請求項７】
請求項５に記載の太陽電池において、
上記バリア層は、酸化ケイ素、二酸化ケイ素、サイアロン、窒化ケイ素、シリコン酸化窒化物、炭化ケイ素、シリコン酸化炭化物とからなるグループから選択された１つの材料を含む、
ことを特徴とする太陽電池。
【請求項８】
請求項１に記載の太陽電池において、
上記第１と第２のオーミックコンタクトの各々は、スパイン要素と上記スパイン要素に対して垂直に十分伸びている複数のフィンガーとからなり、
上記第１のオーミックコンタクトのフィンガーは、上記第２のオーミックコンタクトのフィンガーにかみ合わされている、
ことを特徴とする太陽電池。
【請求項９】
請求項１に記載の太陽電池において、
上記半導体材料ドープ層に、上記上側領域と逆の導電型を有する表面領域をさらに備えた、
ことを特徴とする太陽電池。
【請求項１０】
請求項１に記載の太陽電池の製造方法であって、
(ａ)電気的に絶縁性の基板上あるいは内に、第１のオーミックコンタクトを形成し、
(ｂ)第２のオーミックコンタクトを、上記基板内あるいは上に、上記第１のオーミックコンタクトと並置させて形成し、
(ｃ)上記第１と第２のオーミックコンタクト上に半導体材料ドープ層を形成し、該層は、(１)第１のオーミックコンタクトに隣接した上側ｐ領域及び下側ｎ領域と、(２)第２のオーミックコンタクトに隣接した上側ｎ領域及び下側ｐ領域と、のうち一方を含み、上記上側領域と下側領域との間にｐ-ｎ接合が形成されている、
ことを特徴とする太陽電池の製造方法。
【請求項１１】
(ａ)電気的に絶縁性の基板と、
(ｂ)上記基板に配置された少なくとも２つの太陽電池と、からなり、
各太陽電池は、
(１)上記基板上あるいは内に形成された第１のオーミックコンタクトと、
(２)上記基板上あるいは内に、上記第１のオーミックコンタクトに並置するようにして形成された第２のオーミックコンタクトと、
(３)上記第１と第２のオーミックコンタクト上に配置された半導体材料ドープ層と、からなり、該層は、(１)上記第１のオーミックコンタクトに隣接した上側ｐ領域及び下側ｎ領域と、(２)上記第２のオーミックコンタクトに隣接した上側ｎ領域及び下側ｐ領域と、のうちの一方を含み、上記上側領域と下側領域の間にｐ-ｎ接合が形成されているものであり、
上記太陽電池は、一方の太陽電池の上記第１のオーミックコンタクト及びもう一方の太陽電池の上記第２のオーミックコンタクトの水平端子端部分のみにおいて物理的且つ電気的に接続されている、
ことを特徴とする太陽電池モジュール。
【請求項１２】
請求項１１に記載の太陽電池モジュールの製造方法であって、
(ａ)電気的に絶縁性の基板上あるいは内に、少なくとも２つの第１のオーミックコンタクトを形成し、
(ｂ)上記絶縁基板上あるいは内に、各第１のオーミックコンタクト毎に並置するように第２のオーミックコンタクトを形成し、
(ｃ)上記第１と第２のオーミックコンタクト上に、半導体材料ドープ層を形成し、該層は、(１)上記第１のオーミックコンタクトに隣接した上側ｐ領域及び下側ｎ領域と、(２)上記第２のオーミックコンタクトに隣接した上側ｎ領域及び下側ｐ領域と、のうちの一方を含み、上記上側領域と下側領域との間にｐ-ｎ接合が形成されているものであり、
(ｄ)少なくとも半導体材料ドープ層を介して、一方の太陽電池の上記第１のオーミックコンタクトと、もう一方の太陽電池の上記第２のオーミックコンタクトと、の水平端子端部分のみにおいて物理的且つ電気的に接続された、少なくとも２つの太陽電池が形成されるように、分離領域を形成する、
ことを特徴とする太陽電池モジュール製造方法。
【請求項１３】
(ａ)電気的に絶縁性の基板と、
(ｂ)上記基板上に配置された少なくとも２つの太陽電池と、からなり、
上記各太陽電池は、
(１)上記基板上あるいは内に形成された、くし型ｎ＋コンタクトと、
(２)上記ｎ＋コンタクトとかみ合わされた上記基板上あるいは内に形成された、くし型ｐ＋コンタクトと、
(３)上記ｎ＋コンタクト及びｐ＋コンタクト上に形成されたバリア層と、
(４)上記バリア層上に配置された上記半導体材料ドープ層とからなり、上記半導体材料ドープ層は、(１)上記ｎ＋コンタクトに隣接した上側ｐ領域及び下側ｎ領域と、(２)上記ｐ＋コンタクトに隣接した上側ｎ領域及び下側ｐ領域と、のうちの一方を含み、上記上側領域と下側領域の間にｐ-ｎ接合が形成されているものであり、
上記太陽電池は、一方の太陽電池の上記ｐ＋コンタクトと、もう一方の太陽電池の上記ｎ＋コンタクトと、の水平端子端部分のみにおいて物理的且つ電気的に接続されている、
ことを特徴とする太陽電池モジュール。
【請求項１４】
請求項１３に記載の太陽電池モジュールを製造する方法であって、
(ａ)電気的に絶縁性の基板上に、少なくとも２つのくし型ｎ＋コンタクトを形成し、
(ｂ)上記基板上に各ｎ＋コンタクト毎にかみ合わされた、くし型ｐ＋コンタクトを形成し、
(ｃ)上記ｎ＋コンタクト及びｐ＋コンタクト上にバリア層を形成し、
(ｄ)上記バリア層上に半導体材料ドープ層を形成し、該層は、(１)各ｎ＋コンタクトに隣接した上側ｐ領域及び下側ｎ領域と、(２)各ｐ＋コンタクトに隣接した上側ｎ領域及び下側ｐ領域と、のうちの一方を含み、上記上側領域と下側領域の間にｐ-ｎ接合が形成されているものであり、
(ｅ)少なくとも半導体材料ドープ層及びバリア層を介して、一方の太陽電池のｐ＋コンタクト及びもう一方の太陽電池のｎ＋コンタクトとの水平端子端部分のみにおいて物理的且つ電気的に接続された、少なくとも２つの太陽電池が形成されるように、分離領域を形成する、
ことを特徴とする太陽電池モジュール製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月22日(2008.8.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2008243830.tif 000008
【図２】
2008243830.tif 000009
【図３】
2008243830.tif 000010
【図４】
2008243830.tif 000011
【図５】
2008243830.tif 000012