(57)【要約】      （修正有）【課題】欠陥画素検査の際に欠陥画素のウェハ上における位置を特定する事ができる固体撮像素子ウェハの検査装置及び方法を提供する。【解決手段】ウェハの欠陥画素検査を行う検査・解析装置３０を、プローバ３２、光源３４、テスタ３６から構成する。テスタ３６は、プローバ３２及び光源３４を制御して、ウェハの各個体撮像素子の欠陥画素検査を行う。テスタ３６は、欠陥画素が検出された欠陥検出素子のウェハ上における素子行列座標と、各欠陥画素の欠陥検出素子上における画素行列座標とを特定する。テスタ３６は、ウェハ設計情報に基づき作成された変換式を用いて、両行列座標を、欠陥画素のウェハ上における画素位置座標に変換する。テスタ３６は、モニタ５８にウェハ平面図を表示するとともに、ウェハ平面図上に欠陥画素を表すマークを表示させる。これにより、欠陥画素のウェハ上における位置を特定することができる。【選択図】図４
2008028176.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の固体撮像素子が行列状に形成された固体撮像素子ウェハの個々の前記固体撮像素子を検査して、前記固体撮像素子に行列配列されている複数の画素の中から欠陥画素を検出する欠陥画素検出手段と、
前記欠陥画素の検出結果に基づき、前記欠陥画素が検出された前記固体撮像素子を欠陥検出撮像素子として、前記固体撮像素子ウェハ上における前記欠陥検出撮像素子の行列座標を表す素子行列座標、及び前記欠陥検出撮像素子上における前記欠陥画素の行列座標を表す画素行列座標を特定する座標特定手段と、
前記固体撮像素子ウェハ上における前記欠陥画素の位置を特定するために、前記素子行列座標及び前記画素行列座標を、前記固体撮像素子ウェハの設計情報に基づき作成された座標変換式を用いて、前記固体撮像素子ウェハ上における前記欠陥画素の画素位置座標に変換する座標変換手段とを備えることを特徴とする固体撮像素子ウェハの検査装置。
【請求項２】
前記固体撮像素子ウェハを前記固体撮像素子の形成面側から見たウェハ平面図を表示する表示手段と、
前記ウェハ平面図上の前記画素位置座標に対応する位置に、前記欠陥画素を表すマークを表示させる表示制御手段とを備えることを特徴とする請求項１記載の固体撮像素子ウェハの検査装置。
【請求項３】
前記欠陥画素の欠陥の種類は複数あり、
前記表示制御手段は、前記ウェハ平面図上に表示される前記マークの色または形状の少なくともいずれか一方を、前記欠陥の種類別に変えることを特徴とする請求項２記載の固体撮像素子ウェハの検査装置。
【請求項４】
前記欠陥画素の欠陥の種類は複数あり、
前記表示制御手段は、表示させる前記欠陥の種類が指定された場合に、指定された前記欠陥の種類に対応する前記マークのみを前記ウェハ平面図上に表示させることを特徴とする請求項２または３記載の固体撮像素子ウェハの検査装置。
【請求項５】
複数の固体撮像素子が行列状に形成された固体撮像素子ウェハの個々の前記固体撮像素子を検査して、前記固体撮像素子に行列配列されている複数の画素の中から欠陥画素を検出する欠陥画素検出ステップと、
前記欠陥画素の検出結果に基づき、前記欠陥画素が検出された前記固体撮像素子を欠陥検出撮像素子として、前記固体撮像素子ウェハ上における前記欠陥検出撮像素子の行列座標を表す素子行列座標、及び前記欠陥検出撮像素子上における前記欠陥画素の行列座標を表す画素行列座標を特定する座標特定ステップと、
前記固体撮像素子ウェハ上における前記欠陥画素の位置を特定するために、前記素子行列座標及び前記画素行列座標を、前記固体撮像素子ウェハの設計情報に基づき作成された座標変換式を用いて、前記固体撮像素子ウェハ上における前記欠陥画素の画素位置座標に変換する座標変換ステップとを備えることを特徴とする固体撮像素子ウェハの検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、固体撮像素子ウェハの各固体撮像素子の欠陥画素を検出する固体撮像素子ウェハの検査装置及び方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＣＣＤイメージセンサ等の固体撮像素子が使用されたデジタルカメラが広く普及している（特許文献１参照）。近年、特にデジタルカメラに使用される固体撮像素子の画素数は、更なる精細な画質の要求と、半導体微細加工技術の発展とにより増加の一途にある。このように画素数が増加すると、微小なゴミや結晶欠陥に起因する欠陥画素が完全に存在しない固体撮像素子を製造することは難しくなりつつある（特許文献２及び３参照）。
【０００３】
このため、固体撮像素子の製造会社では、シリコンウェハ上に固体撮像素子を略マトリクス状に形成した後に、ウェハ状態で個々の固体撮像素子の欠陥画素検査を行っているのが通常である。そして、個々の固体撮像素子の欠陥画素数をカウントして、欠陥画素の数が許容範囲内であるものについては、ダイシング加工により個片化した後で良品として出荷している。
【特許文献１】特開２００５−２８６８８７号公報
【特許文献２】特開２００２−８４４６３号公報
【特許文献３】特開２００５−１１７３５９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、従来では欠陥画素検査の際に、個々の固体撮像素子の欠陥画素数をカウントして、個々の固体撮像素子のＰＡＳＳ／ＦＡＩＬをマップ化したウェハマップを作成することで、固体撮像素子ウェハの製造不良の解析を行っていた。このため、欠陥画素検査を行っても、個々の欠陥画素の固体撮像素子ウェハ上における位置の特定を行っておらず、欠陥画素の発生位置や欠陥画素の分布などの情報が固体撮像素子ウェハの製造不良の解析に利用されていなかった。
【０００５】
本発明は上記問題を解決するためのものであり、欠陥画素検査の際に欠陥画素のウェハ上における位置を特定することができる固体撮像素子ウェハの検査装置及び方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の固体撮像素子ウェハの検査装置は、複数の固体撮像素子が行列状に形成された固体撮像素子ウェハの個々の前記固体撮像素子を検査して、前記固体撮像素子に行列配列されている複数の画素の中から欠陥画素を検出する欠陥画素検出手段と、前記欠陥画素の検出結果に基づき、前記欠陥画素が検出された前記固体撮像素子を欠陥検出撮像素子として、前記固体撮像素子ウェハ上における前記欠陥検出撮像素子の行列座標を表す素子行列座標、及び前記欠陥検出撮像素子上における前記欠陥画素の行列座標を表す画素行列座標を特定する座標特定手段と、前記固体撮像素子ウェハ上における前記欠陥画素の位置を特定するために、前記素子行列座標及び前記画素行列座標を、前記固体撮像素子ウェハの設計情報に基づき作成された座標変換式を用いて、前記固体撮像素子ウェハ上における前記欠陥画素の画素位置座標に変換する座標変換手段とを備えることを特徴とする。
【０００７】
前記固体撮像素子ウェハを前記固体撮像素子の形成面側から見たウェハ平面図を表示する表示手段と、前記ウェハ平面図上の前記画素位置座標に対応する位置に、前記欠陥画素を表すマークを表示させる表示制御手段とを備えることが好ましい。
【０００８】
前記欠陥画素の欠陥の種類は複数あり、前記表示制御手段は、前記ウェハ平面図上に表示される前記マークの色または形状の少なくともいずれか一方を、前記欠陥の種類別に変えることが好ましい。
【０００９】
前記欠陥画素の欠陥の種類は複数あり、前記表示制御手段は、表示させる前記欠陥の種類が指定された場合に、指定された前記欠陥の種類に対応する前記マークのみを前記ウェハ平面図上に表示させることが好ましい。
【００１０】
また、本発明の固体撮像素子の検査方法は、複数の固体撮像素子が行列状に形成された固体撮像素子ウェハの個々の前記固体撮像素子を検査して、前記固体撮像素子に行列配列されている複数の画素の中から欠陥画素を検出する欠陥画素検出ステップと、前記欠陥画素の検出結果に基づき、前記欠陥画素が検出された前記固体撮像素子を欠陥検出撮像素子として、前記固体撮像素子ウェハ上における前記欠陥検出撮像素子の行列座標を表す素子行列座標、及び前記欠陥検出撮像素子上における前記欠陥画素の行列座標を表す画素行列座標を特定する座標特定ステップと、前記固体撮像素子ウェハ上における前記欠陥画素の位置を特定するために、前記素子行列座標及び前記画素行列座標を、前記固体撮像素子ウェハの設計情報に基づき作成された座標変換式を用いて、前記固体撮像素子ウェハ上における前記欠陥画素の画素位置座標に変換する座標変換ステップとを備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の固体撮像素子ウェハの検査装置は、固体撮像素子ウェハの個々の固体撮像素子の欠陥画素を検出する欠陥画素検出手段と、前記固体撮像素子ウェハ上における欠陥検出撮像素子の素子行列座標、及び前記欠陥検出撮像素子上における前記欠陥画素の画素行列座標を特定する座標特定手段と、前記素子行列座標及び前記画素行列座標を、前記固体撮像素子ウェハの設計情報に基づき作成された座標変換式を用いて、前記固体撮像素子ウェハ上における前記欠陥画素の画素位置座標に変換する座標変換手段とを備えるようにしたので、欠陥画素検査時に固体撮像素子ウェハ上における欠陥画素の位置を容易に特定することができる。これにより、欠陥画素の発生位置などの情報を固体撮像素子ウェハの製造不良の解析に利用することができるので、固体撮像素子ウェハの製造不良の原因を突き止め易くなる。
【００１２】
本発明の固体撮像素子ウェハの検査方法は、固体撮像素子ウェハの個々の固体撮像素子の欠陥画素を検出する欠陥画素検出ステップと、前記固体撮像素子ウェハ上における欠陥検出撮像素子の素子行列座標、及び前記欠陥検出撮像素子上における前記欠陥画素の画素行列座標を特定する座標特定ステップと、前記素子行列座標及び前記画素行列座標を、前記固体撮像素子ウェハの設計情報に基づき作成された座標変換式を用いて、前記固体撮像素子ウェハ上における前記欠陥画素の画素位置座標に変換する座標変換ステップとを備えるようにしたので、同様に欠陥画素検査時に固体撮像素子ウェハにおける欠陥画素の位置を容易に特定することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
図１に示すような固体撮像素子ウェハ（以下、単にウェハという）１０は、シリコンウェハ上に複数の固体撮像素子１２を行列状（略２次元マトリクス状）に形成したものである。このウェハ１０の直径、厚さ、材料などは、例えば、ウェハ１０に形成されるデバイスの種類などに応じて決められる。
【００１４】
図２に示すように、固体撮像素子１２は、インターライントランスファ方式のＣＣＤイメージセンサであり、行列状（２次元マトリクス状）に配列された受光素子１４と、受光素子１４の垂直列ごとに設けられた垂直ＣＣＤ（ＶＣＣＤ）１６と、受光素子１４とＶＣＣＤ１６との間に設けられた読み出し転送ゲート（ＴＧ）１８と、各ＶＣＣＤ１６の最終段に共通に接続された水平ＣＣＤ（ＨＣＣＤ）２０と、ＨＣＣＤ２０の最終段に隣接して設けられた出力ゲート（ＯＧ）２２およびフローティングディフュージョン（ＦＤ）２４と、ＦＤ２４に接続されたソースフォロア型のアンプ回路２６とから構成されている。また、図中の符号２８は、信号や電源の入出力端子となる複数の電極パッド（入出力パッド）である。
【００１５】
受光素子１４は、入射光を光電変換し、入射光の光量に応じた信号電荷を生成して蓄積する。ＴＧ１８は、受光素子１４に蓄積された信号電荷をＶＣＣＤ１６へ転送する。ＶＣＣＤ１６は、受光素子１４から転送された信号電荷を受け取り、ＨＣＣＤ２０に向けて１行ずつ垂直転送を行う。ＨＣＣＤ２０は、ＶＣＣＤ１６の最終段から出力される信号電荷を１行ずつ受け取り、１行分（１水平ライン分）の信号電荷を受け取るたびに順にＯＧ２２に向けて水平転送を行う。ＯＧ２２は、ＨＣＣＤ２０から送られた信号電荷を画素ごとに順にＦＤ２４へ転送する。ＦＤ２４は、ＯＧ２２から転送された信号電荷を電圧信号に変換する。アンプ回路２６は、ＦＤ２４が生成した電圧信号を増幅し、撮像信号Ｖｏｕｔとして出力を行う。
【００１６】
各固体撮像素子１２は、ウェハ状態のまま後述する検査装置３０で検査が行われた後に、ダイシング加工により個々の固体撮像素子１２に個片化される。図３に示すように、検査装置３０は、本発明を実施したものであり、プローバ３２と、光源３４と、テスタ３６とから構成される。この検査装置３０は、個々の固体撮像素子１２に対して欠陥画素３７の検査を含む所定の電気的検査を行う。
【００１７】
プローバ３２は、ウェハ１０を保持するウェハテーブル４０と、ウェハ１０を挟むようにウェハテーブル４０と対向して設けられたプローブカード（接続部）４２とを有している。プローブカード４２には、１つの固体撮像素子１２に含まれる各電極パッド２８（図２参照）のそれぞれに対応した複数のプローブピン４４が設けられている。プローブカード４２は、これらの各プローブピン４４を各電極パッド２８に接触させることによって、固体撮像素子１２との導通を得る。
【００１８】
また、プローブカード４２は、テスタ３６と電気的に接続されており、各プローブピン４４を介してテスタ３６からの電力や制御信号などを固体撮像素子１２に供給するとともに、固体撮像素子１２からの出力信号をテスタ３６に送る。
【００１９】
ウェハテーブル４０には、移動機構４６と、昇降機構４８とが接続されている。移動機構４６は、図中左右方向と、紙面に直行する方向との２方向にウェハテーブル４０を水平移動させる。また、移動機構４６は、テスタ３６に電気的に接続されている。テスタ３６は、移動機構４６に駆動信号を送信してウェハテーブル４０を水平移動させることで、ウェハ１０内の所望の固体撮像素子１２とプローブカード４２との位置合わせを行う。
【００２０】
一方、昇降機構４８は、図中上下方向にウェハテーブル４０を昇降移動させる。この昇降機構４８も同様にテスタ３６に接続されており、テスタ３６からの駆動信号に応じて固体撮像素子１２の各電極パッド２８と各プローブピン４４とが接触する検査位置と、各電極パッド２８と各プローブピン４４との接触が解除された退避位置との間でウェハテーブル４０を移動させる。テスタ３６は、例えば、ウェハ１０をウェハテーブル４０にセットする際や、移動機構４６を駆動してウェハ１０の位置を調整する際などにウェハテーブル４０を退避位置に移動させ、プローブピン４４がウェハ１０を傷付けることを防止する。
【００２１】
光源３４は、プローブカード４２の上方位置、つまり、検査対象となる固体撮像素子１２に対向する位置に配置されている。なお、プローブカード４２の中央には開口が形成されており、光源３４から検査対象となる固体撮像素子１２に対して所定光量の平行光が照射される。この光源３４の点灯・消灯や、照射する平行光の光量等もテスタ３６により制御される。
【００２２】
テスタ３６は、検査開始指示がなされたら、移動機構４６と昇降機構４８とを駆動して固体撮像素子１２とプローブカード４２との位置を合わせた後、光源３４を点灯させて照明光Ｌを固体撮像素子に入射させ、固体撮像素子１２からの出力信号を測定することで、欠陥画素３７の検査を含む所定の電気的検査を実施する。なお、欠陥画素３７以外の電気的検査の項目としては、例えば固体撮像素子１２の中心部と周辺部とで出力信号レベルに差が生じるシェーディング特性などがある。
【００２３】
欠陥画素３７とは、入射光量に対して所定レベルの撮像信号（電気信号）を出力しない画素である。この欠陥画素３７としては、入射光量に対して所定の規格値よりも大きい撮像信号を出力する白傷（白点）と、入射光量に対して所定の規格値よりも小さい撮像信号を出力する黒傷（黒点）とが良く知られている。つまり、白傷欠陥は、正常な画素よりも輝度が著しく明るくなり、黒傷欠陥は、正常な画素よりも輝度が著しく暗くなる。このような欠陥画素は、固体撮像素子から全画素について撮像信号の読み出しを行った後に、テスタ３６上で撮像信号の大きさが所定の規格値から外れる画素があるか否かで検出することができる。
【００２４】
図４に示すようにテスタ３６は、メインコントローラ５０、電力供給制御部５１、欠陥画素検出部５２、座標特定部５４、座標変換部５６、モニタ５８、表示制御部６０、ウェハ平面図データベース記憶部（以下、単にＤＢ記憶部という）６２等が設けられている。メインコントローラ５０は、図示しないＲＯＭに記憶された制御プログラムに従って、テスタ３６の各部の他にプローバ３２、光源３４などを制御する。電力供給制御部５１は、プローバ３２への電力供給を制御する。
【００２５】
欠陥画素検出部５２は、プローバ３２、光源３４、及び電力供給制御部５１と共に、本発明の欠陥画素検出手段を構成するものである。この欠陥画素検出部５２は、欠陥画素検査の際にプローバ３２を介して読み出された固体撮像素子１２の全画素の撮像信号Ｖｏｕｔの中で、所定の上限規格値Ｖｔｈｕ〜下限規格値Ｖｔｈｌの範囲から外れるものを検出することにより、欠陥画素の検出を行う。また、欠陥画素検出部５２は、欠陥画素３７を検出する際にその欠陥の種類を判別する。例えば、上述したように、欠陥画素検出部５２は、Ｖｏｕｔ＞Ｖｔｈｕとなる画素を白傷と判定し、Ｖｏｕｔ＜Ｖｔｈｌとなる画素を黒傷と判定する。
【００２６】
座標特定部５４は、本発明の座標特定手段に相当するものである。この座標特定部５４は、欠陥画素検出部５２での欠陥画素３７の検出結果に基づき、欠陥画素が検出された固体撮像素子１２（以下、欠陥検出撮像素子１２ａという）のウェハ１０上における行列座標（以下、単に素子行列座標という）Ｐ１（Ｘ１，Ｙ１）を特定するとともに、検出された全ての欠陥画素３７の欠陥検出撮像素子１２ａ上における行列座標（以下、単に画素行列座標という）Ｐ２（Ｘ２，Ｙ２）を特定する。
【００２７】
図５に示すように、素子行列座標Ｐ１（Ｘ１，Ｙ１）は、ウェハ１０上に行列状に形成されている各固体撮像素子１２の行列座標（１，２）〜（５，６）の中から特定される。電気的特性検査時（欠陥画素検査）には、固体撮像素子１２の検査順序は予め決められている。例えば、行列座標（２，１）〜（５，１）の順に固体撮像素子１２の検査を行ったら、行列座標（１，２）〜（６，２）、（１，３）・・・の順に固体撮像素子の検査を行う。従って、固体撮像素子１２の検査順序に基づき、欠陥画素３７がどの固体撮像素子１２より検出されたかということが判るので、座標特定部５４は、欠陥検出撮像素子１２ａの素子行列座標Ｐ１（Ｘ１，Ｙ１）を特定することができる。
【００２８】
図６に示すように、画素行列座標Ｐ１（Ｘ２，Ｙ２）は、ウェハ１０上に行列状に形成されている画素（各受光素子１４）の行列座標（１，１）〜（ｎ，ｍ）の中から特定される。上述の素子行列座標Ｐ１の特定時と同様に、欠陥画素検出部５２で検出された欠陥画素３７がどの画素であるかという情報に基づき、座標特定部５４は、欠陥画素３７の画素行列座標Ｐ２（Ｘ２，Ｙ２）を特定することができる。
【００２９】
ウェハ１０の全固体撮像素子１２の電気的特性検査（欠陥画素検査）が完了したら、ウェハ１０内の全欠陥検出撮像素子１２ａの素子行列座標Ｐ１（Ｘ１，Ｙ１）と、各欠陥検出撮像素子１２ａ内の全欠陥画素の画素行列座標Ｐ２（Ｘ２，Ｙ２）とが特定される。以下同様にして、順次ウェハ１０がテスタ３６にセットされて電気的特性検査が行われ、行列座標Ｐ１，Ｐ２が特定される。下記表１は、各ウェハ１０の座標特定結果をまとめたものである。
【００３０】
【表１】
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【００３１】
上記表１の「ウェハ番号欄」には、検査が行われた順にウェハ１０に付されたウェハ番号が記入されている。なお、本実施形態では、表１の煩雑化を防ぐために、ウェハ番号「Ｎ」のウェハ１０の検出結果のみを表している。また、「素子番号」欄には、検査が行われた順に欠陥検出撮像素子１２ａに付された素子番号が記入されている。
【００３２】
「欠陥番号」欄には、検査で検出された順に欠陥画素３７に付された欠陥番号が付されている。つまり、素子番号「１」の欠陥検出撮像素子１２ａでは、欠陥画素３７がｊ個検出され、素子番号「Ｍ」の欠陥検出撮像素子１２ａでは、欠陥画素３７がｋ個検出されている。
【００３３】
「素子行列座標」欄には、欠陥検出撮像素子１２ａのＸ１座標とＹ１座標とが記入される。ここで「＿１」〜「＿Ｍ」は、素子番号を示している。例えば、素子番号「１」の欠陥検出撮像素子１２ａが行列座標（２，１）の固体撮像素子１２である場合には、「Ｘ１＿１」は「２」であり、「Ｙ１＿１」は「１」である（図５参照）。
【００３４】
「画素行列座標」欄には、欠陥画素３７のＸ２座標とＹ２座標とが記入される。ここで、「＿１１」〜「＿１ｊ」や「＿Ｍ１」〜「＿Ｍｋ」は、「＿（素子番号）（欠陥番号）」を示している。例えば、欠陥番号「１」の欠陥画素３７が行列座標（２，１）の画素である場合には、「Ｘ２＿１１」は「２」であり、「Ｙ２＿１１」は「１」である。
【００３５】
座標変換部５６は、欠陥検出撮像素子１２ａの素子行列座標Ｐ１（Ｘ１，Ｙ１）と、この欠陥検出撮像素子１２ａ内の欠陥画素３７の画素行列座標Ｐ２（Ｘ２，Ｙ２）とを、欠陥画素３７のウェハ上における画素位置座標Ｐ３（Ｘ３，Ｙ３）に変換する。ここで、画素位置座標Ｐ３（Ｘ３，Ｙ３）は、ウェハ１０上の所定の点を原点とする位置座標である。
【００３６】
座標変換は、座標変換式データベース（ＤＢ）５６ａに記憶されている座標変換式Ｆｘ（Ｘ１，Ｙ１，Ｘ２，Ｙ２）及びＦｙ（Ｘ１，Ｙ１，Ｘ２，Ｙ２）を用いて行われる。座標変換式Ｆｘ（Ｘ１，Ｙ１，Ｘ２，Ｙ２）は、素子行列座標Ｐ１（Ｘ１，Ｙ１）と画素行列座標Ｐ２（Ｘ２，Ｙ２）との入力で、画素位置座標Ｐ３のＸ３座標を得る変換式である。また、座標変換式Ｆｙ（Ｘ１，Ｙ１，Ｘ２，Ｙ２）は、同じく素子行列座標Ｐ１（Ｘ１，Ｙ１）と画素行列座標Ｐ２（Ｘ２，Ｙ２）との入力で、画素位置座標Ｐ３のＹ３座標を得る変換式である。これら両変換式Ｆｘ，Ｆｙは、ウェハ１０の設計情報に基づき作成される。そして、座標変換式ＤＢ５６ａには、ウェハ１０の品種別に作成された複数の座標変換式Ｆｘ，Ｆｙが記憶されている。
【００３７】
座標変換部５６は、検査対象となる全てのウェハ１０の電気的特性検査が終了したら、座標変換式ＤＢ５６ａよりウェハ番号「１」のウェハ１０の品種に対応する座標変換式Ｆｘ，Ｆｙを読み出す。次いで、座標変換部５６は、ウェハ番号「１」のウェハ１０の欠陥検出撮像素子１２ａの素子行列座標Ｐ１（Ｘ１，Ｙ１）と、欠陥画素３７の画素行列座標Ｐ２（Ｘ２，Ｙ２）とを座標変換式Ｆｘ，Ｆｙに順次入力して、ウェハ番号「１」のウェハ１０の欠陥画素３７の画素位置座標Ｐ３（Ｘ３，Ｙ３）を求める。以下、同様にして、ウェハ番号「２」以降のウェハ１０についても欠陥画素３７の画素位置座標Ｐ３を求める。下記表２は、各ウェハ１０の欠陥画素３７の画素位置座標Ｐ３の算出結果をまとめたものである。
【００３８】
【表２】
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【００３９】
表２は、「画素位置座標」欄以外は上述の表１と同じである。この「画素位置座標」欄には、欠陥画素３７のＸ３座標とＹ３座標とが記入される。ここで、「＿１１」〜「＿１ｊ」や「＿Ｍ１」〜「＿Ｍｋ」は、上述したように、「＿（素子番号）（欠陥番号）」を示している。以上で、各ウェハ１０の全ての欠陥画素３７の画素位置座標Ｐ３（Ｘ３，Ｙ３）が得られる。
【００４０】
モニタ５８は、本発明の表示手段に相当するものであり、ウェハ１０を固体撮像素子１２の形成面側から見たウェハ平面図６４（図７参照）の表示に用いられる。このモニタ５８の表示は、本発明の表示制御手段に相当する表示制御部６０により制御される。表示制御部６０は、上述の座標変換部５６で各ウェハ１０の欠陥画素３７の画素位置座標Ｐ３（Ｘ３，Ｙ３）が算出されたら、ウェハ平面図ＤＢ記憶部６２にアクセスする。このウェハ平面図ＤＢ記憶部６２には、ウェハ１０の設計情報に基づき作成されたウェハ平面図データがウェハ１０の品種別に記憶されている。
【００４１】
図７に示すように、表示制御部６０は、ウェハ平面図ＤＢ記憶部６２からウェハ番号「１」のウェハ１０の品種に対応するウェハ平面図データを読み出して、ウェハ平面図６４をモニタ５８の表示画面５８ａに表示する。また、これと同時に、表示制御部６０は、上述の画素位置座標Ｐ３（Ｘ３，Ｙ３）の全算出結果（表２参照）から、対応するウェハ１０の全欠陥画素３７の画素位置座標Ｐ３（Ｘ３，Ｙ３）を読み出す。次いで、表示制御部６０は、各画素位置座標Ｐ３をウェハ平面図６４上における位置座標に変換して、ウェハ平面図６４上の各画素位置座標Ｐ３に対応する位置に、欠陥画素３７を表す「×」マークを表示させる。
【００４２】
ウェハ平面図６４上に表示される「×」マークを確認することで、ウェハ番号「１」のウェハ１０上における各欠陥画素３７の位置を容易に特定することができる。そして、テスタ３６の図示しない操作部を操作することで、同様にしてウェハ番号「２」以降のウェハ１０上における欠陥画素３７の位置がモニタ５８に表示される。なお、操作部（図示せず）よりウェハ番号を入力することで、所望のウェハ番号のウェハ１０上における欠陥画素３７の位置を表示することもできる。
【００４３】
次に、図８のフローチャートを用いて、電気特性検査（欠陥画素検査）の手順について説明を行う。ウェハ１０をウェハテーブル４０にセットしたら、図示しない操作部を介してテスタ３６に検査の実行を指示する。テスタ３６は、移動機構４６と昇降機構４８とを駆動して固体撮像素子１２とプローブカード４２との位置を合わせる。次いで、テスタ３６は、光源３４を点灯させて照明光Ｌを受光面１４に入射させた後、固体撮像素子１２からの出力信号を測定することで、欠陥画素３７の検査を含む所定の電気的検査を実施する。
【００４４】
テスタ３６の欠陥画素検出部５２は、全ての固体撮像素子１２の電気的特性検査が終了した後、各固体撮像素子１２の全画素の中から欠陥画素３７を検出する。次いで、テスタ３６の座標特定部５４は、欠陥検出撮像素子１２ａの素子行列座標Ｐ１（Ｘ１，Ｙ１）と、この欠陥検出撮像素子１２ａ内の各欠陥画素３７の画素行列座標Ｐ２（Ｘ２，Ｙ２）とを特定する。以下同様にして、検査対象となる全てのウェハ１０について、素子行列座標Ｐ１及び画素行列座標Ｐ２を特定する（表１参照）。
【００４５】
両位置座標Ｐ１，Ｐ２の特定が完了したら、座標変換部５６は、座標変換式ＤＢ５６ａよりウェハ番号「１」のウェハ１０の品種に対応する座標変換式Ｆｘ，Ｆｙを読み出す。そして、座標変換部５６は、対応する素子行列座標Ｐ１と、画素行列座標Ｐ２とを座標変換式Ｆｘ，Ｆｙに入力する。これにより、ウェハ番号「１」のウェハ１０について、各欠陥画素３７の画素位置座標Ｐ３（Ｘ３，Ｙ３）を求めることができる。以下同様にして、ウェハ番号「２」以降のウェハ１０についても欠陥画素３７の画素位置座標Ｐ３を求める（表２参照）。
【００４６】
全てのウェハ１０について欠陥画素３７の画素位置座標Ｐ３が求められたら、表示制御部６０は、ウェハ番号「１」のウェハ１０の品種に対応するウェハ平面図６４をモニタ５８の表示画面５８ａに表示する。また、表示制御部６０は、ウェハ番号「１」のウェハ１０の全画素位置座標Ｐ３に基づき、ウェハ平面図６４上の各画素位置座標Ｐ３（Ｘ３，Ｙ３）に対応する位置に「×」マークを表示させる。以下同様にして、テスタ３６の図示しない操作部を操作して、ウェハ番号「２」以降のウェハ１０上における各欠陥画素３７の位置もモニタ５８に表示する。
【００４７】
以上のように本実施形態では、ウェハ平面図６４上に欠陥画素３７を表す「×」マークを表示させることで、欠陥画素検査（電気的特性検査）が行われた全てのウェハ１０上における欠陥画素３７の位置を容易に特定することができる。これにより、欠陥画素３７の発生位置や分布などの情報をウェハ１０の製造不良の解析に利用することができる。例えば、複数枚のウェハ１０上の同一箇所で欠陥画素３７が発生している場合には、欠陥画素３７の発生原因が、フォトマスク等に付いた傷やゴミ等ではないかと推定することができる。また、ウェハ１０上における欠陥画素３７の分布が、特定のウェハ製造工程で不具合が発生したときの分布に近似していれば、不具合が発生している工程を容易に特定することができる。
【００４８】
なお、上記実施形態では、欠陥画素３７をウェハ平面図６４上に表示する際に、白傷（白点）や黒傷（黒点）等の欠陥画素３７の種類に関係なく、一律に「×」マークで表示するようにしているが、本発明はこれに限定されるものではなく、欠陥画素３７の種類に応じてマークの色や形状を変えるようにしてもよい。
【００４９】
上述したように、欠陥画素検出部５２では、欠陥画素を検出する際にその種類（白傷、黒傷等）を判別している。このため、図９に示すように、表示制御部６０が欠陥画素３７をウェハ平面図６４上に表示する際に、例えば白傷欠陥画素３７ａを上記実施形態と同様に「×」マークで表示し、黒傷欠陥画素３７ｂを「＋」マークで表示するようにしてもよい。また、他の種類の欠陥画素３７がある場合には、この画素を「△」、「○」、「□」、「◇」等の任意の形状のマークで表示すればよい。また、モニタ５８がカラー表示可能であれば、欠陥画素３７の種類に応じてマークの形状を変える代わりに、マークの色を変えても良い。また、欠陥画素３７の種類に応じて、マークの形状及び色の両方を変えてもよい。
【００５０】
このように、欠陥画素３７の種類に応じてウェハ平面図６４上に表示されるマークの形状または色の少なくとも一方を変えることで、ウェハ１０上における欠陥画素３７の種類別の発生位置及び分布を把握することができる。
【００５１】
また、上述の図９を用いて説明した実施形態では、ウェハ平面図６４上に全ての種類の欠陥画素３７を表示するようにしているが、本発明はこれに限定されるものではなく、指定された種類の欠陥画素３７のみを表示するようにしてもよい。
【００５２】
例えば、検査員等により操作部（図示せず）を介して白傷欠陥画素３７ａのみの表示が指定された場合には、図１０に示すように、表示制御部６０はウェハ平面図６４上に白傷欠陥画素３７ａに対応する「×」マークのみを表示させる。この際に、欠陥画素３７の種類がＮ（≧３）種類以上ある場合には、（Ｎ−１）種類以下の欠陥画素３７の表示を指定できるようにしてもよい。この場合も同様に、ウェハ１０上における欠陥画素３７の種類別の発生位置及び分布を把握することができる。
【００５３】
なお、上記実施形態では、検査対象となる全てのウェハ１０の欠陥画素検査（電気特性検査）が完了してから、欠陥画素の検出、行列座標の特定、欠陥座標の変換、欠陥画素の表示からなる一連の処理を行うようにしているが、本発明はこれに限定されるものではく、１枚のウェハ１０の検査が完了する度に、上記の一連の処理を行うようにしてもよい。
【００５４】
また、上記実施形態では、ウェハ１０上に固体撮像素子１２が略２次元マトリクス状に形成されているが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば千鳥状やハニカム状に形成されていてもよい。また、固体撮像素子１２の受光素子１４も同様に千鳥状やハニカム状に配列されていてもよい。また、上述の固体撮像素子１２は、ＣＭＯＳセンサであってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】固体撮像素子ウェハの正面図である。
【図２】固体撮像素子の構成を示すブロック図である。
【図３】検査装置の概略図である。
【図４】検査装置の電気的構成を示したブロック図である。
【図５】固体撮像素子の行列座標を説明するための説明図である。
【図６】画素の行列座標を説明するための説明図である。
【図７】モニタに表示されるウェハ平面図を説明するための説明図である。
【図８】電気特性検査（欠陥画素検査）の手順を説明するためのフローチャートである。
【図９】欠陥画素の種類別にマークの形状を変えた他の実施形態のウェハ平面図を説明するための説明図である。
【図１０】指定された種類の欠陥画素に対応するマークのみを表示する他の実施形態のウェハ平面図を説明するための説明図である。
【符号の説明】
【００５６】
１０  固体撮像素子ウェハ
１２  固体撮像素子
１２ａ  欠陥検出撮像素子
３０  検査装置
３２  プローバ
３４  光源
３６  テスタ
３７  欠陥画素
５２  欠陥画素検出部
５４  座標特定部
５６  座標変換部
５６ａ  座標変換式データベース
５８  モニタ
６０  表示制御部
６４  ウェハ平面図
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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