(57)【要約】【課題】駆動回路に対し、光電変換素子をその感度特性のばらつきの影響を考慮して配置したカラーイメージセンサを提供することを目的とする。【解決手段】有機化合物層で形成された光電変換層が陽極と陰極の間に狭持され、光電変換する所定の色ごとに列状に配置される光電変換素子３と、光電変換素子３が生成する信号電流による出力を検知し、その信号電荷を読み出すＩＣチップ４と、光電変換素子３とＩＣチップ４とを結ぶ配線５と、を基板上に備えるカラーイメージセンサであって、光電変換素子３は、各色の光電変換素子３に入射される光の最大照度をＩ（ルクス）とし、感度をα［ボルト／（ルクス・時間）］としたときに、各色の光電変換素子３の内、Ｉとαとの積が小さいものほど、ＩＣチップ４から離れた位置に光電変換領域を大きくして設けられる。【選択図】図２
2008072589.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機化合物層で形成された光電変換層が陽極と陰極の間に狭持され、光電変換する所定の色ごとに列状に配置される光電変換素子と、
前記光電変換素子が生成する信号電流による出力を検知し、その信号電荷を読み出す駆動回路と、
前記光電変換素子と前記駆動回路とを結ぶ配線と、
を基板上に備えるカラーイメージセンサであって、
前記光電変換素子は、各色の前記光電変換素子に入射される光の最大照度をＩ（ルクス）とし、感度をα［ボルト／（ルクス・時間）］としたときに、各色の前記光電変換素子の内、Ｉとαとの積が小さいものほど、前記駆動回路から離れた位置に光電変換領域を大きくして設けられることを特徴とするカラーイメージセンサ。
【請求項２】
前記所定の色は、赤、緑、青の３色であり、
この３色の光を光電変換する光電変換素子の内、赤色の光を光電変換する光電変換素子が、前記駆動回路から最も離れた位置に、光電変換領域を他の色の光電変換素子の領域よりも大きくして設けられることを特徴とする請求項１に記載のカラーイメージセンサ。
【請求項３】
前記駆動回路は、単結晶シリコントランジスタによって構成されるＩＣチップ、または前記基板上に形成される多結晶シリコンもしくはアモルファスシリコンの薄膜トランジスタであることを特徴とする請求項１または２に記載のカラーイメージセンサ。
【請求項４】
前記駆動回路は、前記基板上に、列状の前記光電変換素子を挟むように配置される、２つの多結晶シリコンまたはアモルファスシリコンの薄膜トランジスタからなり、
各色の前記光電変換素子の内、Ｉとαの積が最も小さいものを、前記２つの薄膜トランジスタに挟まれる領域中の前記２つの薄膜トランジスタから最も離れた位置に設けることを特徴とする請求項１に記載のカラーイメージセンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、物体の形状や画像などの各種情報を電気信号として取り出すカラーイメージセンサに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ファクシミリやスキャナなどにおけるイメージセンサとして、光学系がロッドレンズだけで済み、小型化が容易な密着型リニアセンサが用いられている。この密着型リニアセンサは原稿と同等サイズのセンサ長を持つものであり、単結晶シリコンで形成されるＣＭＯＳ（Ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ  Ｍｅｔａｌ−Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）センサチップやＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ−Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｄｅｖｉｃｅ）センサチップを複数個並べて構成される。
【０００３】
また、近年、イメージセンサに用いられる光電変換素子に関して、有機材料を用いた非常に簡便な方法で光電変換素子を形成できる技術が開発されている（たとえば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特表２００２−５０２１２０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記従来の技術では、以下のような課題を有していた。
【０００５】
（１）単結晶シリコンで形成されるＣＭＯＳセンサチップやＣＣＤセンサチップを用いた従来の密着型リニアセンサの場合、複数のチップを精度良く配置する必要があり、またチップ間のつなぎ目に相当する箇所の情報を正確に読み取れないという課題を有していた。
【０００６】
（２）（特許文献１）に記載の有機半導体製画像センサのように有機材料を用いて光電変換素子を形成すれば、非常に簡便な方法にて所定のサイズと、所定の解像度を有する光電変換素子アレイを形成できるため、上記（１）の課題を解決することはできる。しかしながら、有機材料を用いた光電変換素子には、各色の感度特性に偏りがあるという課題を有していた。
【０００７】
また、光電変換素子からの信号電荷を検知しこれを読みだす駆動回路は、通常、シリコントランジスタで形成されるが、その製造プロセスは光電変換素子とは異なるため、光電変換素子から所定の距離だけ離れた位置に配置されることになる。その結果、各色毎に同一ライン上に配列した場合、色によって画素サイズや駆動回路との距離が異なることになり、これが性能に影響を及ぼすという課題も有していた。
【０００８】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、トランジスタで形成される駆動回路に対し、光電変換素子をその感度特性のばらつきの影響を考慮して配置することで、高ＳＮ比（Ｓｉｇｎａｌ  ｔｏ  Ｎｏｉｓｅ  ｒａｔｉｏ）で情報を読み取ることができる信頼性に優れたカラーイメージセンサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために本発明は、有機化合物層で形成された光電変換層が陽極と陰極の間に狭持され、光電変換する所定の色ごとに列状に配置される光電変換素子と、前記光電変換素子が生成する信号電流による出力を検知し、その信号電荷を読み出す駆動回路と、前記光電変換素子と前記駆動回路とを結ぶ配線と、を基板上に備えるカラーイメージセンサであって、前記光電変換素子は、各色の前記光電変換素子に入射される光の最大照度をＩ（ルクス）とし、感度をα［ボルト／（ルクス・時間）］としたときに、各色の前記光電変換素子の内、Ｉとαとの積が小さいものほど、前記駆動回路から離れた位置に光電変換領域を大きくして設けられるようにしたものである。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、各色の光電変換素子において、入射される最大照度Ｉ（ルクス）と、感度α［ボルト／（ルクス・時間）］との積が小さいもの程、駆動回路との配線距離が遠くなるように配置するようにしたので、感度特性の悪い色の光電変換素子に対する画素サイズを大きくすることができ、各色の光電変換素子からの信号を高ＳＮ比で確実に検知できる信頼性に優れたカラーイメージセンサを提供することができるという効果を有する。また、各色の光電変換素子において、入射される最大照度Ｉと感度αとの積が小さいもの程、駆動回路との配線距離が遠くなるように配置するようにしたので、配置位置の違いによる画素サイズの違いで各色の光電変換素子間の感度特性のばらつきを吸収することができる。その結果、各色の光電変換素子からの信号電流を短時間で検知できる高品質で高速動作が可能な実用性に優れたカラーイメージセンサを提供することができるという効果も有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
本発明の第１の発明のカラーイメージセンサは、有機化合物層で形成された光電変換層が陽極と陰極の間に狭持され、光電変換する所定の色ごとに列状に配置される光電変換素子と、光電変換素子が生成する信号電流による出力を検知し、その信号電荷を読み出す駆動回路と、光電変換素子と駆動回路とを結ぶ配線と、を基板上に備えるカラーイメージセンサであって、光電変換素子は、各色の光電変換素子に入射される光の最大照度をＩ（ルクス）とし、感度をα［ボルト／（ルクス・時間）］としたときに、各色の光電変換素子の内、Ｉとαとの積が小さいものほど、駆動回路から離れた位置に光電変換領域を大きくして設けられるようにしたものであり、感度特性の悪い色の光電変換素子に対する画素サイズを大きくして、各色の光電変換素子からの信号を高ＳＮ比で確実に検知できるとともに、画素サイズの違いで各色の光電変換素子間の感度特性のばらつきを吸収することができ、各色の光電変換素子からの信号を短時間で検知できるという作用を有する。
【００１２】
第２の発明のカラーイメージセンサは、第１の発明において、所定の色は、赤、緑、青の３色であり、この３色の光を光電変換する光電変換素子の内、赤色の光を光電変換する光電変換素子が、駆動回路から最も離れた位置に、光電変換領域を他の色の光電変換素子の領域よりも大きくして設けられるようにしたものであり、一般的に感度の悪い赤色の光電変換素子と駆動回路との配線距離が最も遠くなるように配置して、画素サイズを大きくし、駆動回路において高いＳＮ比で確実に信号電荷を検知できるという作用を有する。
【００１３】
第３の発明のカラーイメージセンサは、第１または第２の発明において、駆動回路は、単結晶シリコントランジスタによって構成されるＩＣチップ、または基板上に形成される多結晶シリコンもしくはアモルファスシリコンの薄膜トランジスタとしたものであり、単結晶シリコンで作製したトランジスタを駆動回路として用いた場合には、移動度を高くし、閾値のばらつきを低減することができ、多結晶シリコンまたはアモルファスシリコンの薄膜トランジスタを駆動回路として用いた場合には、駆動回路をチップ実装する必要がなく、安価に量産できるという作用を有する。
【００１４】
第４の発明のカラーイメージセンサは、第１の発明において、駆動回路は、基板上に、列状の光電変換素子を挟むように配置される、２つの多結晶シリコンまたはアモルファスシリコンの薄膜トランジスタからなり、各色の光電変換素子の内、Ｉとαの積が最も小さいものを、２つの薄膜トランジスタに挟まれる領域中の２つの薄膜トランジスタから最も離れた位置に設けるようにしたものであり、感度特性の悪い色の光電変換素子に対する画素サイズを大きくして、各色の光電変換素子からの信号を高ＳＮ比で確実に検知できるとともに、画素サイズの違いで各色の光電変換素子間の感度特性のばらつきを吸収することができ、各色の光電変換素子からの信号を短時間で検知できるという作用を有する。
【００１５】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
【００１６】
（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１におけるカラーイメージセンサの平面図であり、図２は本発明の実施の形態１におけるカラーイメージセンサの光電変換素子と駆動回路の配置を示す平面図であり、図３は本発明の実施の形態１におけるカラーイメージセンサの光電変換素子の構成を示す断面図である。
【００１７】
図１において、１は本発明の実施の形態１におけるカラーイメージセンサ、２はカラーイメージセンサ１の基板としてのガラス基板、３は有機材料で形成されたカラーイメージセンサ１の光電変換素子、４は単結晶シリコンで形成された駆動回路を搭載したＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）チップ、５は各光電変換素子３とＩＣチップ４とを接続する配線である。なお、図示しないが、ＩＣチップ４は、光電変換素子３で生成された信号電荷を検知する検知手段と、検知手段で検知した信号電荷を読み出す信号電荷読出手段と、を有する。
【００１８】
また、図２において、赤１、赤２、赤３、・・・、緑１、緑２、緑３、・・・、青１、青２、青３、・・・は各光電変換素子３が、それぞれ赤色光、緑色光、青色光を光電変換することを示しており、赤、緑、青の各色毎に光電変換素子３が一列ずつ配置されている。
【００１９】
ここでは、光電変換素子３のＩＣチップ４の駆動回路の入力端子（図示せず）からの距離を各色毎に変化させるように、光電変換素子３を配置している。図２に示される例では、赤色光を光電変換する光電変換素子３（赤１、赤２、赤３、・・・）とＩＣチップ４の駆動回路の入力端子との間の距離が最も遠く、青色光を光電変換する光電変換素子３（Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３、・・・）とＩＣチップ４の駆動回路の入力端子との間の距離が最も近くなっている。このため青色光を光電変換する光電変換素子３は、赤色および緑色の光電変換素子３とＩＣチップ４とを接続する配線５の配置位置の影響により光電変換素子３のサイズが小さくなる。一方、赤色光を光電変換する光電変換素子３は、緑および青色の光電変換素子３とＩＣチップ４とを接続する配線５の影響を受けないので光電変換素子３のサイズを大きくとることができる。
【００２０】
この配置に関しては、光電変換素子３に入射される最大照度をＩ、感度をαとし、赤、緑、青の各色の光電変換素子３が光電変換する光の色をそれぞれ添字Ｒ，Ｇ，Ｂで表した場合に、各色の最大照度ＩR，ＩG，ＩBと感度αR，αG，αBとの積の大小関係につき、次（数１）の関係が成り立つために、このように配置している。
【００２１】
ＩR×αR≦ＩG×αG≦ＩB×αB  ・・・（数１）
このように、感度の高いものほど面積を小さくし、感度の低いものほど面積を大きくすることで、有機材料で形成された光電変換素子３の感度特性のばらつきを低減できる。また、この（数１）では、最大照度ＩR，ＩG，ＩBが各色とも一定とした場合に、感度αR，αG，αBの悪いもほどＩＣチップ４の駆動回路の入力端子から離れて、感度が良いものほどＩＣチップ４の駆動回路の入力端子の近くに配置することも意味している。
【００２２】
なお、有機材料で形成された光電変換素子３は、一般的には赤色光に対する感度が悪いため、各色の最大照度ＩR，ＩG，ＩBと感度αR，αG，αBが分からない場合でも、図２に示すように赤色光を光電変換する光電変換素子３（赤１、赤２、赤３、・・・）をＩＣチップ４の最も近傍に配置することが望ましい。
【００２３】
つぎに、光電変換素子の構成について説明する。図３において、６はガラス基板２上に形成された光電変換素子３のカラーフィルタ、７は光電変換素子３の第１電極としてのＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）陽極、８は電子供与性材料からなる電子供与性層および電子受容性材料からなる電子受容性層とで形成された光電変換素子３の有機光電変換層、９は光電変換素子３の第２電極としてのアルミニウム陰極（以下、アルミ陰極という）である。この図３に示されるように、ガラス基板２上に、カラーフィルタ６、ＩＴＯ陽極７、有機光電変換層８、アルミ陰極９が順に積層された構成を有する。
【００２４】
以上のように構成されたカラーイメージセンサの製造方法について説明する。まず、ガラス基板２上に顔料を分散した顔料レジストを塗布し、プレベークを行った後、フォトマスクを介して露光を行い、つぎにアルカリ現像液による現像を行って着色パターンを得る。この工程をＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３原色に対応して３回繰り返して、Ｒ，Ｇ，Ｂのカラーフィルタ６を各列毎に形成する。
【００２５】
つぎに、スパッタリング法によりガラス基板２に形成したカラーフィルタ６上に、膜厚１５０ｎｍのＩＴＯ膜を成膜し、このＩＴＯ膜の上部にレジスト材（たとえば、東京応化製、ＯＦＰＲ−８００）をスピンコート法により塗布して厚さ５μｍのレジスト膜を形成する。そして、マスキング、露光、現像を行って、レジストをＩＴＯ陽極７およびその配線５の形状に（図２に示される形状に）パターニングする。
【００２６】
その後、このガラス基板２を６０℃、１８Ｎの塩酸水溶液中に浸潰し、レジスト膜が形成されていない部分のＩＴＯ膜をエッチングした後に水洗し、最後にレジスト膜を除去して、所定のパターン形状のＩＴＯ膜からなるＩＴＯ陽極７および配線５を形成する。これによって、図２に示されるように、ＩＣチップ４の配置位置から離れた場所に配置される有機光電変換層７のＩＴＯ陽極７ほど、その面積が大きくなるように形成される。また、ＩＣチップ４に近くに配置されるＩＴＯ陽極７ほど、このＩＴＯ陽極７よりもＩＣチップ４から離れて配置されるＩＴＯ陽極７に接続する配線５の配置位置を確保しなければならないために、その面積が小さくなるように形成される。このようにＩＴＯ陽極７および配線５は、多層配線の場合に比べて１回の製膜、露光、現像でよいため、工程数の少ないまた信頼性の高いＩＴＯ陽極７および配線５を形成することができる。
【００２７】
ついで、このガラス基板２を洗剤（たとえば、フルウチ化学社製、セミコクリーン）による５分間の超音波洗浄、純水による１０分間の超音波洗浄、アンモニア水（体積比）に対して過酸化水素水と水を１：５で混合した溶液による５分間の超音波洗浄、７０℃の純水による５分間の超音波洗浄の順に洗浄処理する。その後、窒素ブロアでガラス基板２に付着した水分を除去し、さらに２５０℃で加熱して乾燥させる。
【００２８】
続いて、このＩＴＯ陽極７が形成されたガラス基板２上に、ポリ（３，４）エチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルフオネート（ＰＥＤＴ／ＰＳＳ）を０．４５μｍのフィルタを通して滴下し、スピンコート法によって均一に塗布する。その後、これを２００℃のクリーンオーブン中で１０分間加熱することで厚さ６０ｎｍの電荷輸送層（図示せず）を形成する。
【００２９】
ついで、電子供与性有機材料として機能するポリ（２−メトキシ−５−（２’一エチルヘキシルオキシ）−１，４−フェニレンビニレン）（ＭＥＨ−ＰＰＶ）および電子受容性材料として機能する［５，６］−フェニルＣ６１ブチリックアシッドメチルエステル（［５，６］−ＰＣＢＭ）とが重量比１：４からなるクロロベンゼン溶液をスピンコートした後、１００℃のクリーンオーブン中で３０分間加熱処理し、約１００ｎｍの有機光電変換層８を形成する。ここで、有機光電変換層８の製造方法としては、均質で平滑性の高い薄膜を安定して形成できるものであればどのようなものであってもよく、真空蒸着法、スパッタリング法などの各種真空プロセスや、スピンコート、ディッピング法、インクジェット法などのウェットプロセスなどを好適に用いることができる。使用する材料や構成などに応じて任意のプロセスを選択することが可能であるが、特に大掛かりな製造装置が不要なウェットプロセスで有機光電変換層８を形成した場合、量産性、低コスト性に優れ好ましい。
【００３０】
最後に、この有機光電変換層８の上部に０．２７ｍＰａ（＝２×１０-6Ｔｏｒｒ）以下の真空度まで減圧した抵抗加熱蒸着装置内にて、ＬｉＦを約１ｎｍ、続いてアルミニウムを約１０ｎｍの膜厚で成膜してアルミ陰極９を形成する。このようにして、各色に対応した光電変換素子３を各列毎に形成することができる。
【００３１】
なお、ＭＥＨ−ＰＰＶはｐ型有機半導体であり、［５，６］−ＰＣＢＭはｎ型有機半導体で、光吸収により発生した励起子の電子はコンダクションバンドを拡散して［５，６］−ＰＣＢＭに、またホールはバレンスバンドを拡散してＭＥＨ−ＰＰＶに供与されて、これらのバンドを伝導して、それぞれアルミ陰極９およびＩＴＯ陽極７に伝導する。
【００３２】
この［５，６］−ＰＣＢＭは、修飾されたフラーレン類であり、電子移動度が非常に大きく、加えて電子供与材料であるＭＥＨ−ＰＰＶとの混合物が利用できることから、電子−ホール対の分離搬送を効率的に行うことができ、光電効率が高くなると共に低コストの作製が可能となるという利点がある。
【００３３】
以上のように構成されたカラーイメージセンサの動作について図４を用いて説明する。
【００３４】
図４は、本実施の形態１におけるカラーイメージセンサの一画素の構成を示す回路図である。図４において、１０はオペアンプ、１１は蓄積コンデンサ、１２は蓄積コンデンサ１１に蓄積された電荷をリセットするリセットスイッチ、１３は蓄積した電圧値を読み出すための読み出し用スイッチである。ここで、蓄積コンデンサ１１は、オペアンプ１０の反転入力端子と出力端子との間に配置され、積分回路を構成している。また、光電変換素子３のアルミ陰極９の電位がＶｒｅｆ１レベルとなるように、そしてオペアンプ１０の非反転力入力端子の電位がＶｒｅｆレベル（ただし、Ｖｒｅｆ１＞Ｖｒｅｆ）となるように接続される。また、光電変換素子３のＩＴＯ陽極７はオペアンプ１０の反転入力端子と配線５を介して接続される。なお、この図４では、ＩＣチップ４の駆動回路の検知手段の部分のみを示しており、信号電荷読出手段の部分は、従来公知の回路を使用することができるので、その図示を省略している。
【００３５】
図４において、まずリセットスイッチ１２を制御して、ＯＮ状態にすることで蓄積コンデンサ１１をリセットする。このとき、オペアンプ１０の出力電圧はＶｒｅｆレベルとなる。
【００３６】
ついで、リセットスイッチ１２を制御してＯＦＦ状態にする。このとき、有機材料で形成された光電変換素子３に入射光が入ると、光電流に光電変換され、この光電流はＩＴＯ陽極７および配線５を介して駆動回路を搭載したＩＣチップ４に流れ込む。ＩＣチップ４では、オペアンプ１０の作用により、その２つの入力端子の両端の電位差が０になるように蓄積コンデンサ１１を介してフィードバックがかかり、蓄積コンデンサ１１にはこの光電流が蓄積される。これにより、オペアンプ１０の出力レベルは流れ込んだ光電流量および蓄積コンデンサ１１の容量、およびその蓄積時間に応じてＶｒｅｆレベルから変化する。
【００３７】
その後、所定時間に達すると、読み出し用スイッチ１３を制御して、ＩＣチップ４の信号電荷検出手段によって、このオペアンプ１０の出力が順次読み出される。これらの動作は、図示しないシフトレジスタなどでタイミング制御される。
【００３８】
以上のようなリセット、蓄積、読み出し動作を繰り返すことで、各画素（画素内の各色）の情報を取り込むことができる。この方式によれば、常に光電流の流れる配線５のラインは、オペアンプ１０の作用によってＶｒｅ  ｆに保たれるため、配線５に伴う容量が増えたとしても、その出力電位は影響を受けない。
【００３９】
ここで、オペアンプ１０の出力電位の変化量は、蓄積コンデンサ１１の容量と蓄積時間を一定とすると、光電流量で決定されることになる。そのため、最大照度Ｉと感度αとの積が小さな光電変換素子３は、元々、光電変換されて流れる光電流が小さいため、配線５の配置の影響を受けないようにＩＣチップ４の駆動回路の入力端子から遠く離れた位置に配置することで、光電変領域を大きくしている。その結果、出力電位の変化量を大きくすることができる。そして、このように配置することにより、蓄積時間が短くても信号電荷による変化量を確保できるので、高速動作にも有利となる。
【００４０】
本実施の形態１では、この画素の光電流を検出する回路を単結晶シリコン上に形成してチップを作製し、さらにベアチップＩＣに金バンプを付け、ワイヤ接続をしないで、ガラス基板２と直接接合する実装方法で光電変換素子３と接続するようにしている。
【００４１】
このように、光電変換されて発生する光電流の小さいものほど、駆動回路の入力端子から遠く離れた位置に配置するようにしたので、変化量の小さい光電変換素子３の変化量の減少を抑えることができ、カラーイメージセンサ１全体として高いＳＮ比で検知できる。
【００４２】
なお、本実施の形態１においては、リニアセンサに適用した場合について説明したが、本発明のカラーイメージセンサ１はリニアセンサへ適用するものに限定されるものではなく、エリアセンサにも同様に適用し得るものである。この場合には、信号の読出しを２個のスイッチング用トランジスタによるＸ−Ｙアドレス型とすればよい。
【００４３】
さらに、本実施の形態１では、基板としてガラス基板２を用いていたが、第１電極（ＩＴＯ陽極７）、有機光電変換層８および第２電極（アルミ陰極９）を支持できるものであればどのようなものであってもよく、上記ガラス基板２のほかに、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート、ポリエーテルスルフォン、ポリフッ化ビニル、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリアクリレート、非晶質ポリオレフィン、フッ素系樹脂などの各種高分子材料、さらにはシリコンウエハをはじめとする各種金属材料などを用いることができる。
【００４４】
また、有機光電変換層８を形成する電子供与性材料としては、フェニレンビニレンおよびその誘導体、フルオレンおよびその誘導体、特に骨格にキノリン基またはピリジン基を有するフルオレン系コポリマー（Ｐ０Ｆ６６、Ｐ１Ｆ６６、ＰＦＰＶ）、フルオレン含有アリールアミンポリマー、カルバゾールおよびその誘導体、インドールおよびその誘導体、ピレンおよびその誘導体、ピロールおよびその誘導体、ピコリンおよびその誘導体、チオフェンおよびその誘導体、アセチレンおよびその誘導体、ジアセチレンおよびその誘導体を繰り返し単位として有する重合体および他のモノマーとの共重合体、またデンドリマーとして総称される一群の高分子材料が用いられる。
【００４５】
また、高分子材料以外にも、たとえばポルフィン、テトラフェニルポルフィン銅、フタロシアニン、銅フタロシアニン、チタニウムフタロシアニンオキサイドなどのポリフィリン化合物や、１，１−ビス｛４−（ジ−Ｐ−トリルアミノ）フェニル｝シクロヘキサン、４，４’，４’’−トリメチルトリフェニルアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（Ｐ−トリル）−Ｐ−フェニレンジアミン、１−（Ｎ，Ｎ−ジ−Ｐ−トリルアミノ）ナフタレン、４，４’−ビス（ジメチルアミノ）−２−２’−ジメチルトリフェニルメタン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニル−４，４’−ジアミノビフェニル、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ−ｍ−トリル−４，４’−ジアミノビフェニル、Ｎ−フェニルカルバゾールなどの芳香族第三級アミンや、４−ジ−Ｐ−トリルアミノスチルベン、４−（ジ−Ｐ−トリルアミノ）−４’−〔４−（ジ−Ｐ−トリルアミノ）スチリル〕スチルベンなどのスチルベン化合物や、トリアゾールおよびその誘導体、オキサジザゾールおよびその誘導体、イミダゾールおよびその誘導体、ポリアリールアルカンおよびその誘導体、ピラゾリンおよびその誘導体、ピラゾロンおよびその誘導体、フェニレンジアミンおよびその誘導体、アニールアミンおよびその誘導体、アミノ置換カルコンおよびその誘導体、オキサゾールおよびその誘導体、スチリルアントラセンおよびその誘導体、フルオレノンおよびその誘導体、ヒドラゾンおよびその誘導体、シラザンおよびその誘導体、ポリシラン系アニリン系共重合体、高分子オリゴマー、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、ポリ３−メチルチオフェンなども用いることができる。
【００４６】
また、有機光電変換層８を形成する電子受容性材料としては１，３−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル−１，３，４−オキサジアゾリル）フェニレン（ＯＸＤ−７）などのオキサジアゾールおよびその誘導体、アントラキノジメタンおよびその誘導体、ジフェニルキノンおよびその誘導体、フラーレンおよびその誘導体、特にＰＣＢＭ（［６，６］−ｐｈｅｎｙｌ  Ｃ６１  ｂｕｔｙｒｉｃ  ａｃｉｄ  ｍｅｔｈｙｌ  ｅｓｔｅｒ）カーボンナノチューブおよびその誘導体などが用いられる。
【００４７】
有機光電変換層８の下に設けられる第１電極（陽極）として、本実施の形態１で用いたＩＴＯのほかに、ＡＴＯ（ＳｂをドープしたＳｎＯ2）、ＡＺＯ（ＡｌをドープしたＺｎＯ）などの透明電極を用いることができる。さらには、Ａｌ，Ａｇ，Ａｕなどの金属薄膜といった光透過性の材料で構成することによって、光透過性を付与することも可能となる。これによって、光透過性の受光部を提供することもできる。
【００４８】
また、有機光電変換層８の上に設ける第２電極（陰極）として、本実施の形態１で用いたＡｌのほかに、Ａｇ，Ａｕ，Ｃｒ，Ｃｕ，Ｉｎ，Ｍｇ，Ｎｉ，Ｓｉ，Ｔｉなどの金属や、Ｍｇ−Ａｇ合金、Ｍｇ−Ｉｎ合金などのＭｇ合金や、Ａｌ−Ｌｉ合金、Ａｌ−Ｓｒ合金、Ａｌ−Ｂａ合金などのＡｌ合金などの薄膜を用いることができる。さらに、短絡電流の改善を図るために、有機光電変換層８と第２電極との間に金属酸化物、ＬｉＦをはじめとする金属弗化物などの薄膜を導入する手法も好適に用いられる。さらには、第２電極（陰極）としてＩＴＯ、ＡＴＯ、ＡＺＯなどを使用することも可能である。
【００４９】
また、必要に応じて第１電極（陽極）または第２電極（陰極）と有機光電変換層８との間に、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ（ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸の混合物）などの高分子材料をバッファ層として導入する素子構成、あるいはシリコン、チタニア、アルミナ、カーボン、ジルコニアなどの無機物を漏れ電流のブロック層として導入する素子構成も好適に用いることができる。
【００５０】
さらに、本実施の形態１では、各色を色分解する手段としてカラーフィルタ６を用いた例を示したが、カラーフィルタ６を用いずに、有機材料の分光特性を利用してもよい。
【００５１】
本発明の実施の形態１によれば、各色の光電変換素子３において、入射される最大照度Ｉ（ルクス）と、感度α［ボルト／（ルクス・時間）］との積が小さいもの程、駆動回路の入力端子から遠くに離れて配置するようにしたので、感度特性の悪い色の光電変換素子３に対する光電変換領域を大きくすることができる。その結果、所期の信号電流の変化量を確保することができるので、各色の光電変換素子３からの信号電荷を高ＳＮ比で確実に検知することができるという効果を有する。
【００５２】
また、感度の悪い色のものほど光電変換領域を大きくし、感度の良い色のものほど光電変換領域を小さくすることで、光電変換領域の違いで各色の光電変換素子３間の感度特性のばらつきが吸収される。その結果、各色の光電変換素子３からの信号電荷を短時間で検知することができるという効果を有する。さらに、駆動回路を単結晶シリコンのトランジスタで形成するようにしているので、移動度が高く高速動作が可能であるとともに、閾値のばらつきを低減することができる。その結果、感度特性の均一性に優れたカラーイメージセンサ１を得ることができるという効果を有する。
【００５３】
（実施の形態２）
図５は、本発明の実施の形態２におけるカラーイメージセンサの光電変換素子と駆動回路の配置を示す平面図である。図５において、４ａは、青色光を光電変換する光電変換素子３の駆動回路であり、４ｂは、緑色光と赤色光を光電変換する光電変換素子３の駆動回路である。なお、その他の構成は、実施の形態１の図２と基本的に同一であるので、その説明を省略する。
【００５４】
本実施の形態２のカラーイメージセンサ１ａが実施の形態１と異なるのは、駆動回路４ａ，４ｂを、ガラス基板２上に多結晶シリコンやアモルファスシリコンからなる薄膜トランジスタによって一括して形成した点である。
【００５５】
このような構成によれば、実施の形態１のように、単結晶シリコンで形成された駆動回路４ａ，４ｂを搭載したＩＣチップ４をベア実装する必要がないので、信頼性が高いカラーイメージセンサ１ａをさらに安価に生産することができる。
【００５６】
また、光電変換素子３を挟むようにその両側に駆動回路４ａ，４ｂを配置することができるので、最大照度Ｉと感度αとの積の最も大きい色に対応した光電変換素子３を上下のいずれかの端の列（駆動回路４ａ，４ｂに近い位置）に配置し、最大照度Ｉと感度αとの積の最も小さい色に対応した光電変換素子３を中央の列（駆動回路４ａ，４ｂからともに離れた位置）に配置すればよい。
【００５７】
本実施の形態２によれば、実施の形態１の効果に加え、駆動回路４ａ，４ｂを構成するシリコントランジスタを、多結晶シリコンまたはアモルファスシリコンの薄膜トランジスタで形成するようにしたので、ガラス基板２上にチップ実装する必要がなく、安価で量産性に優れるカラーイメージセンサ１ａを得ることができるという効果を有する。
【００５８】
また、光電変換素子３を挟むようにその両側に駆動回路４ａ，４ｂを配置した場合に、光電変換素子３の配線５を両側に引出すことができるので、配線距離を短くして外部からのノイズの影響を抑えることが可能となり、高ＳＮ比での信号電荷の検知、蓄積時間の短縮を行うことができるという効果を有する。
【産業上の利用可能性】
【００５９】
以上のように、本発明にかかるカラーイメージセンサは、物体の形状や画像などの各種情報を電気信号として取り出すスキャナ、ファックスなどに有用である。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】本発明の実施の形態１におけるカラーイメージセンサの平面図
【図２】本発明の実施の形態１におけるカラーイメージセンサの光電変換素子と駆動回路の配置を示す平面図
【図３】本発明の実施の形態１におけるカラーイメージセンサの光電変換素子の構成を模式的に示す断面図
【図４】本発明の実施の形態１におけるカラーイメージセンサの一画素の構成を示す回路図
【図５】本発明の実施の形態２におけるカラーイメージセンサの光電変換素子と駆動回路の配置を示す平面図
【符号の説明】
【００６１】
１，１ａ    カラーイメージセンサ
２    ガラス基板
３    光電変換素子
４    ＩＣチップ
４ａ，４ｂ    駆動回路
５    配線
６    カラーフィルタ
７    ＩＴＯ陽極
８    有機光電変換層
９    アルミ陰極
１０    オペアンプ
１１    蓄積コンデンサ
１２    リセットスイッチ
１３    読み出し用スイッチ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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