(57)【要約】【課題】ソルダーレジスト層からの添加剤の析出、特に高温高湿雰囲気下での添加剤の析出を抑制することのでき、かつソルダーレジスト層の硬化性が向上する配線回路基板の製法を提供する。【解決手段】基材１上に所定の導体回路２パターンを形成した後、この導体回路２パターン形成面に感光性樹脂組成物を用いて感光性樹脂組成物層を形成する。ついで、上記感光性樹脂組成物層面に対して所定パターンのフォトマスクを介して活性光線を照射して露光した後、現像液を用いて所定パターンのソルダーレジスト層３ａを形成する。つぎに、上記形成されたソルダーレジスト層３ａに対して低圧水銀ランプを用いて紫外線光を照射する。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材上に所定の導体回路パターンを形成した後、この導体回路パターン形成面に感光性樹脂組成物を用いて感光性樹脂組成物層を形成する工程と、上記感光性樹脂組成物層面に対して所定パターンのフォトマスクを介して活性光線を照射して露光する工程と、露光後に現像液を用いて所定パターンのソルダーレジスト層を形成する工程を備え、上記ソルダーレジスト層に対して低圧水銀ランプを用いて紫外線光を照射することを特徴とする配線回路基板の製法。
【請求項２】
上記感光性樹脂組成物が、環状ホスファゼン化合物を含有するものである請求項１記載の配線回路基板の製法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ソルダーレジスト層が形成されてなる配線回路基板の製法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、電子部品を実装する配線回路基板には、ソルダーレジストと呼ばれる耐熱性材料をスクリーン印刷法や露光現像法によって必要な部分に設けて、配線回路基板の導体パターン上にソルダーレジスト層を設けることが行われている。
【０００３】
このようなソルダーレジスト層の形成材料には、主成分である高分子材料の他に、難燃剤や顔料等の添加剤が一般的に配合されており、これにより難燃性等の特性が付与されている。ところで、近年、環境問題等の観点から、ハロゲン系難燃剤を用いず、例えば、上記難燃剤として環状ホスファゼン化合物を配合してなる感光性樹脂組成物をレジスト材料として用い、ソルダーレジスト層を形成することが提案されている（特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００５−２６６４９４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記感光性樹脂組成物を用いてソルダーレジスト層が形成されてなる配線回路基板を、高温高湿雰囲気下にて使用あるいは放置すると、ソルダーレジスト層内に含有されている各種添加剤が析出し、結果、製品が汚染されるという問題が生じており、特に、上記環状ホスファゼン化合物が析出しやすい傾向にあり問題となっている。一方、配線回路基板の製造に際しては、通常、検査工程を経由することにより、配線回路基板表面に残存する汚染物等をエタノール等の有機溶剤を染み込ませたもので除去することが行なわれているが、ソルダーレジスト層の硬化が充分なものでない場合、ソルダーレジスト層がエタノール等の有機溶剤に溶出するという問題があった。
【０００５】
本発明は、このような事情に鑑みなされたもので、ソルダーレジスト層からの添加剤の析出、特に高温高湿雰囲気下での添加剤の析出を抑制することができ、かつソルダーレジスト層の硬化性が向上する配線回路基板の製法の提供をその目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記の目的を達成するために、本発明の配線回路基板の製法は、基材上に所定の導体回路パターンを形成した後、この導体回路パターン形成面に感光性樹脂組成物を用いて感光性樹脂組成物層を形成する工程と、上記感光性樹脂組成物層面に対して所定パターンのフォトマスクを介して活性光線を照射して露光する工程と、露光後に現像液を用いて所定パターンのソルダーレジスト層を形成する工程を備え、上記ソルダーレジスト層に対して低圧水銀ランプを用いて紫外線光を照射するという構成をとる。
【０００７】
本発明者らは、配線回路基板の導体回路パターン上に形成されるソルダーレジスト層からの添加剤の析出を抑制することのできる効果的な手段を見出すべく、製法工程を中心に鋭意検討を重ねた。その結果、感光性樹脂組成物を用いて所定のパターンにソルダーレジスト層を形成した後、さらにこのソルダーレジスト層面に対して低圧水銀ランプを用いて紫外線光を照射すると、高温高湿雰囲気下のような条件であっても添加剤の析出が抑制され、しかも配線回路基板の製造後での配線回路基板表面の汚染物等の除去作業において、ソルダーレジスト層の溶出が抑制されることを突き止めた。すなわち、上記のように、ソルダーレジスト層面に対して低圧水銀ランプを用いて紫外線光を照射することにより、ソルダーレジスト層内の感光性樹脂成分が光硬化反応して硬化性が向上するため、添加剤の析出が抑制されるとともに、ソルダーレジスト層の硬化性の向上に伴い、上記汚染物等の除去作業において、ソルダーレジスト層の溶出が抑制され、所期の目的が達成されることを見出し本発明に到達したのである。
【発明の効果】
【０００８】
このように、本発明の配線回路基板の製法は、基材上に形成された導体回路パターン形成面に感光性樹脂組成物を用いて感光性樹脂組成物層を形成した後、上記感光性樹脂組成物層面に対して所定パターンのフォトマスクを介して活性光線を照射して露光し、つぎに、露光後に現像液を用いて所定パターンのソルダーレジスト層を形成した後、上記形成されたソルダーレジスト層に対して低圧水銀ランプを用いて紫外線光を照射するものである。このため、例えば、高温高湿雰囲気下において使用，保管あるいは放置されても、上記ソルダーレジスト層内からの形成材料である添加剤の析出が抑制され、製品汚染の発生を防止することが可能となる。また、上記低圧水銀ランプを用いて紫外線照射することにより、ソルダーレジスト層表面の硬化性が向上して、前述のように汚染物等の除去作業において、ソルダーレジスト層の溶出が抑制されるという効果も奏するようになる。
【０００９】
そして、上記製法では、ソルダーレジスト層形成材料として難燃剤である環状ホスファゼン化合物を含有するものを用いた場合に、特に効果的である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
本発明の配線回路基板の製法では、例えば、基材上に所定の導体回路パターンを形成する。その後、上記導体回路パターン形成面に、感光性樹脂組成物を用いて感光性樹脂組成物層を形成する。ついで、上記感光性樹脂組成物層面に対して所定パターンのフォトマスクを介して活性光線を照射して露光した後、現像液を用いて現像することにより所定パターンのソルダーレジスト層を形成する。つぎに、上記形成されたソルダーレジスト層に対して低圧水銀ランプを用いて紫外線光を照射する。このようにして配線回路基板を製造するものであり、本発明は、形成されたソルダーレジスト層に対して、さらに低圧水銀ランプを用いて紫外線光を照射することを最大の特徴とする。
【００１１】
上記基材としては、通常、絶縁性を有するものであれば特に限定するものではなく、各種高分子化合物材料からなるものが用いられ、例えば、ポリイミド等があげられる。
【００１２】
上記導体回路パターン形成材料としては、導電性を有するものであれば特に限定するものではなく、通常、銅箔等が用いられる。
【００１３】
上記ソルダーレジスト層形成材料となる感光性樹脂組成物としては、例えば、エチレン性不飽和化合物を付加重合させてなるカルボキシル基含有線状重合体（Ａ成分）と、エチレン性不飽和基含有重合性化合物（Ｂ成分）と、光重合開始剤（Ｃ成分）と、リン含有エポキシ樹脂（Ｄ成分）とを用いて得られるものが用いられる。
【００１４】
上記カルボキシル基含有線状重合体（Ａ成分）としては、エチレン性不飽和化合物を付加重合させて得られるものであって、（メタ）アクリル酸やカルボキシル含有スチレン誘導体、無水マレイン酸等を共重合して得ることができる。この方法により得られる線状重合体は、酸当量を任意に制御できることや、原料モノマー種が豊富にあることに起因して、ガラス転移温度（Ｔｇ）等の物性設計が容易である。
【００１５】
上記カルボキシル基含有線状重合体（Ａ成分）の重量平均分子量は、５０００〜１０００００の範囲であることが好ましく、より好ましくは６０００〜８００００、特に好ましくは７０００〜６００００の範囲である。すなわち、重量平均分子量が５０００未満では半田耐熱性等の物性が悪くなる傾向がみられ、１０００００を超えるとアルカリ現像性が悪くなる傾向がみられるからである。
【００１６】
また、上記カルボキシル基含有線状重合体（Ａ成分）の酸当量は、２００〜９００の範囲であることが好ましく、より好ましくは２５０〜８５０、さらに好ましくは３００〜８００の範囲である。すなわち、酸当量が２００未満では高温高湿下での銅の酸化を促進するため好ましいものではなく、９００を超えるとアルカリ現像性が悪くなる傾向がみられるからである。
【００１７】
さらに、上記カルボキシル基含有線状重合体（Ａ成分）として、耐熱性と反りの抑制効果を付与するために、例えば、フェノキシエチル（メタ）アクリレートを共重合成分として含有することが好ましい。
【００１８】
したがって、上記カルボキシル基含有線状重合体（Ａ成分）としては、例えば、フェノキシエチル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリル酸およびその他のビニルモノマーとを共重合して得られる重合体があげられる。
【００１９】
上記その他のビニルモノマーとしては、例えば、（メタ）アクリル酸メチルエステル、（メタ）アクリル酸エチルエステル、（メタ）アクリル酸ブチルエステル等の（メタ）アクリル酸のアルキルエステル、（メタ）アクリル酸２−エチルヘキシルエステル、（メタ）アクリル酸テトラヒドロフルフリルエステル、（メタ）アクリル酸ジメチルアミノエチルエステル、（メタ）アクリル酸ジエチルアミノエチルエステル、スチレン、α−スチレン、ビニルトルエン、Ｎ−ビニルピロリドン、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、アクリルアミド、アクリロニトリル、メタクリロニトリル、Ｎ−フェニルマレイミド、シクロヘキシルマレイミド等があげられる。これらは単独でもしくは２種以上併せて用いられる。
【００２０】
また、上記共重合成分である（メタ）アクリル酸の共重合量は、共重合成分の総量中、８〜４０重量％に設定することが好ましく、より好ましくは１０〜３５重量％の範囲である。すなわち、共重合量が８重量％未満では、現像時間が長くなり作業性が低下する傾向がみられ、４０重量％を超えると、高温高湿下での銅の酸化を促進する傾向がみられるからである。
【００２１】
なお、上記カルボキシル基含有線状重合体（Ａ成分）に、重合後、高分子反応によってエチレン性不飽和基等を導入することができる。また、上記各モノマー成分を用いて得られる共重合体のカルボキシル基に、重合後、グリシジルアクリレート等との反応によってエチレン性不飽和基を導入する場合には、導入後の反応によって消失するカルボキシル基の量を考慮して、上記（メタ）アクリル酸の共重合量を増加させることが好ましい。エチレン性不飽和化合物の線状重合物にカルボキシル基を導入することのできるエチレン性不飽和化合物としては、前述の（メタ）アクリル酸に限定されるものではなく、例えば、スチレン誘導体、無水マレイン酸誘導体等を用いることができる。
【００２２】
上記Ａ成分とともに用いられるエチレン性不飽和基含有重合性化合物（Ｂ成分）は、特に限定するものではないが、下記の一般式（１）で表されるビスフェノールＡ系（メタ）アクリレート化合物であることが、半田耐熱性、耐折性、アルカリ現像性等の特性バランスに優れる点から好ましい。
【００２３】
【化１】
2008243957.tif 000003
【００２４】
上記式（１）中、炭素数２〜６のアルキレン基としては、例えば、エチレン基、プロピレン基、イソプロピレン基、ブチレン基、イソブチレン基、ペンチレン基、ネオペンチレン基、ヘキシレン基等があげられる。特にエチレン基であることが好ましい。
【００２５】
上記イソプロピレン基は、−ＣＨ（ＣＨ3 ）ＣＨ2 −で表される基であり、上記一般式（１）中の−（Ｏ−Ｙ1 ）−および−（Ｙ2 −Ｏ）−において結合方向は、メチレン基が酸素と結合している場合とメチレン基が酸素に結合していない場合の２種類があり、１種類の結合方向でもよいし、２種類の結合方向が混在していてもよい。
【００２６】
上記−（Ｏ−Ｙ1 ）−および−（Ｙ2 −Ｏ）−の繰り返し単位がそれぞれ２以上のとき、２以上のＹ1 および２以上のＹ2 は、互いに同一であってもよく異なっていてもよい。そして、Ｙ1 およびＹ2 が２種以上のアルキレン基で構成される場合、２種以上の−（Ｏ−Ｙ1 ）−および−（Ｙ2 −Ｏ）−は、ランダムに存在してもよいし、ブロック的に存在してもよい。
【００２７】
また、上記一般式（１）中の、２個のベンゼン環の置換可能な位置には、１個以上の置換基を有していてもよく、２個以上の置換基を有する場合には、それら置換基は互いに同じであっても異なっていてもよい。このような置換基としては、例えば、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数３〜１０のシクロアルキル基、炭素数６〜１４のアリール基、アミノ基、ニトロ基、シアノ基、メルカプト基、アリル基、炭素数１〜１０のアルキルメルカプト基、炭素数１〜２０のヒドロキシアルキル基、アルキル基の炭素数が１〜１０のカルボキシアルキル基、アルキル基の炭素数が１〜１０のアシル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基または複素環を含む基等があげられる。
【００２８】
上記一般式（１）中の、繰り返し数ｐ，ｑは、ｐ＋ｑが４〜４０となるよう選ばれる正の整数であり、より好ましくはｐ＋ｑが４〜１５となるよう選ばれる正の整数であり、特に好ましくはｐ＋ｑが５〜１３となるよう選ばれる正の整数である。すなわち、ｐ＋ｑが４未満では、反りが増加するほか、耐折性が増加する傾向がみられ、ｐ＋ｑが４０を超えると、感光性樹脂組成物全体の系が親水性を示し、高温高湿下での絶縁信頼性に劣る傾向がみられるからである。
【００２９】
上記一般式（１）で表されるビスフェノールＡ系（メタ）アクリレート化合物としては、具体的には、２，２′−ビス〔４−（メタ）アクリロキシジエトキシフェニル〕プロパン、２，２′−ビス〔４−（メタ）アクリロキシテトラエトキシフェニル〕プロパン、２，２′−ビス〔４−（メタ）アクリロキシペンタエトキシフェニル〕プロパン、２，２′−ビス〔４−（メタ）アクリロキシジエトキシオクタプロポキシフェニル〕プロパン、２，２′−ビス〔４−（メタ）アクリロキシトリエトキシオクタプロポキシフェニル〕プロパン等があげられる。これらは単独でもしくは２種以上併せて用いられる。
【００３０】
上記ＡおよびＢ成分とともに用いられる光重合開始剤（Ｃ成分）としては、例えば、置換または非置換の多核キノン類（２−エチルアントラキノン、２−ｔ−ブチルアントラキノン、オクタメチルアントラキノン、１，２−ベンズアントラキノン、２，３−ジフェニルアントラキノン等）、α−ケタルドニルアルコール類（ベンゾイン、ピバロン等）、エーテル類、α−炭化水素置換芳香族アシロイン類（α−フェニル−ベンゾイン、α，α−ジエトキシアセトフェノン類等）、芳香族ケトン類（ベンゾフェノン、Ｎ，Ｎ′−テトラエチル−４，４′−ジアミノベンゾフェノン等の４，４′−ビスジアルキルアミノベンゾフェノン等）、チオキサントン類（２−メチルチオキサントン、２，４−ジエチルチオキサントン、２−クロルチオキサントン、２−イソプロピルチオキサントン、２−エチルチオキサントン等）、２−メチル−１−〔４−（メチルチオ）フェニル〕−モルホリノプロパン−１−オン等があげられる。これらは単独でもしくは２種以上併せて用いられる。
【００３１】
上記Ａ〜Ｃ成分とともに用いられるリン含有エポキシ樹脂（Ｄ成分）としては、例えば、リン原子を分子量全体の２重量％以上含有してなるエポキシ樹脂が用いられる。上記Ｄ成分は、難燃剤として作用するものであって、ハロゲン元素を含有しないため、ノンハロゲン化による環境面の配慮されたものが得られる。しかも、絶縁信頼性および現像性等の物性を損なうことなく難燃性を付与することが可能となり好ましいものである。
【００３２】
上記Ｄ成分において、リン原子の含有量が分子量の２重量％未満のように少なくなると、充分な難燃性を付与することが困難となる。なお、上記リン原子の含有量に特に制限はないが、５重量％以上ではエポキシ樹脂との相溶性が悪くなる場合がある。
【００３３】
そして、上記Ｄ成分としては、例えば、Journal of Applied Polymer Science73,353(1999)で紹介されている、窒素原子とリン原子を同時に含む難燃性エポキシ樹脂のほか、下記の一般式（２）で表されるビスフェニルホスフェート骨格構造を含むリン含有エポキシ樹脂があげられる。
【００３４】
【化２】
2008243957.tif 000004
【００３５】
上記式（２）中、Ｘに関して、末端にエポキシ基を少なくとも２つ有する芳香族基としては、例えば、ノボラック樹脂の誘導体、ビスフェノール誘導体等をあげることができ、さらに１分子中に、複数のビスフェニルホスフェート骨格構造が含まれていてもよい。
【００３６】
このような一般式（２）で表されるビスフェニルホスフェート骨格構造を含むリン含有エポキシ樹脂としては、具体的には、特許第３６１３７２４号公報や、特許第３５３３９７３号公報で提供されるエポキシ樹脂、Journal of Applied Polymer Science73,1231(1999) で提供されるような下記の構造式（２ａ）で表されるエポキシ樹脂等があげられる。
【００３７】
【化３】
2008243957.tif 000005
【００３８】
そして、上記リン含有エポキシ樹脂（Ｄ成分）としては、そのエポキシ当量が３００〜５００の範囲であることが、硬化収縮により発生する反りと、耐半田性の点から好ましい。また、重量平均分子量１０００以下のものを用いることが好ましい。
【００３９】
本発明においては、上記Ａ〜Ｄ成分に加えて、さらに難燃性と反りの抑制、耐半田性の両立等を目的に、環状ホスファゼン化合物（Ｅ成分）を用いることができる。上記環状ホスファゼン化合物（Ｅ成分）としては、具体的には、下記の一般式（３）で表される環状フェノキシホスファゼン化合物等があげられる。
【００４０】
【化４】
2008243957.tif 000006
【００４１】
上記式（３）中、繰り返し数ｎは３〜１０であり、より好ましくは３〜５である。
【００４２】
このような一般式（３）で表される環状フェノキシホスファゼン化合物は、例えば、大塚化学社製のＳＰＥ−１００等として入手可能である。
【００４３】
本発明のソルダーレジスト層形成材料として用いられる上記感光性樹脂組成物において、上記Ａ〜Ｄ成分を用いる場合、加えてさらにＥ成分を用いる場合の各含有量は、好適にはつぎのように設定される。まず、上記Ａ成分の含有量は、感光性樹脂組成物全体の２０〜６０重量％の範囲に設定することが好ましい。すなわち、２０重量％未満では現像速度が遅くなる場合があり、６０重量％を超えると難燃性が不充分となる傾向がみられるからである。
【００４４】
上記Ｂ成分の含有量は、感光性樹脂組成物全体の５〜４０重量％の範囲に設定することが好ましく、より好ましくは８〜３０重量％である。すなわち、５重量％未満では感光性樹脂組成物への露光の際の感度が悪くなる傾向がみられ、４０重量％を超えるとアルカリ現像性が低下する傾向がみられるからである。
【００４５】
上記Ｃ成分の含有量は、感光性樹脂組成物全体の０．２〜１０重量％の範囲に設定することが好ましく、より好ましくは０．３〜８重量％である。すなわち、０．２重量％未満では感度が不充分となる傾向があり、１０重量％を超えるとアルカリ現像性が低下する傾向がみられるからである。
【００４６】
上記Ｄ成分の含有量は、感光性樹脂組成物の不揮発成分全体中の５〜４０重量％に設定することが好ましく、より好ましくは７〜３５重量％の範囲である。すなわち、５重量％未満では難燃性が不充分となる傾向がみられ、４０重量％を超えると配線回路基板に反りが生じ、これが大きくなる傾向がみられるからである。
【００４７】
上記Ｅ成分の含有量は、感光性樹脂組成物全体の２０重量％以下に設定することが好ましく、より好ましくは５〜２０重量％である。すなわち、２０重量％を超えると、Ｅ成分が析出する傾向がみられるからである。
【００４８】
上記感光性樹脂組成物には、上記各成分以外に必要に応じて、他の添加剤、すなわち、フタロシアニングリーン，フタロシアニンブルー等の顔料、シリカ，硫酸バリウム，タルク等の充填剤、消泡剤、レベリング剤、上記Ｅ成分以外の難燃剤、安定剤、２−アミノ−５−メルカプト−１，３，４−チアジアゾールや５−アミノ−１−Ｈ−テトラゾール等の密着性付与剤、ベンゾトリアゾール等の防錆剤、上記Ｄ成分以外のエポキシ樹脂、ブロックイソシアネート等の熱架橋剤等を適宜配合することができる。これらは単独でもしくは２種以上併せて用いられる。そして、これら他の添加剤は、感光性樹脂組成物全体の０．０１〜４０重量％の範囲内で用いることが好ましい。
【００４９】
上記感光性樹脂組成物は、上記各成分を所定の含有量となるように配合し混合することにより得られる。そして、必要に応じて有機溶剤と混合して用いることができる。上記有機溶剤としては、特に限定されるものではないが、例えば、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ソルベントナフサ、Ｎ−メチルピロリドン、γ−ブチロラクトン、ブチルセロソルブ、エチルセロソルブ、メチルセロソルブ、トルエン、キシレン、メシチレン、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等の溶剤またはこれらの混合溶剤を用いることができる。
【００５０】
上記有機溶剤を用いる場合の使用量は、特に限定されるものではないが、感光性樹脂組成物１００重量部に対して０〜２００重量部程度混合して用いることができる。
【００５１】
上記感光性樹脂組成物を配線回路基板用のソルダーレジスト層形成材料として用いる場合の製造工程を、先に述べた配線回路基板の製造工程に加えて詳しく説明する。
【００５２】
まず、図１に示すように、従来公知の方法により、基材１上に所定パターンの導体回路２を形成する。つぎに、図２に示すように、上記導体回路２形成面に、スクリーン印刷法、スプレー法、ロールコート法、静電塗装法等の塗布方法により、乾燥後の厚みが５〜５０μｍとなるように感光性樹脂組成物を塗布し、５〜１２０℃で３〜６０分間程度乾燥させることにより、感光性樹脂組成物層３を形成する。
【００５３】
上記感光性樹脂組成物層３の形成方法としては、特に限定するものではなく、感光性樹脂組成物を塗布する以外に、例えば、感光性樹脂組成物のドライフィルムを作製し、これを導体回路２形成面に貼付して感光性樹脂組成物層３を形成してもよい。上記ドライフィルムは、例えば、支持フィルム上に上記と同様にして所定の厚みとなるよう感光性樹脂組成物を塗布し、ついで、所定の条件（５〜１２０℃で３〜６０分間程度）で乾燥させた後、支持フィルムから感光性樹脂組成物層を剥離することによりドライフィルムを得ることができる。
【００５４】
つぎに、図３に示すように、ネガ型（またはポジ型）のパターンマスク４を感光性樹脂組成物層３に直接接触させ、あるいは接触させずに設置した後、活性光線を照射する。
【００５５】
上記活性光線の光源としては、公知の各種光源、例えば、カーボンアーク灯、水銀蒸気アーク灯、超高圧水銀灯、高圧水銀灯、キセノンランプ、メタルハイドライドランプ等の紫外線を有効に照射するものが用いられる。また、写真用フラッド電球、太陽ランプ等の可視光を有効に照射するものも用いられる。なお、上記活性光線の照射強度としては、２０〜２０００ｍＪ／ｃｍ2 の範囲内に設定することが好ましい。
【００５６】
ついで、アルカリ性水溶液等の現像液を用いて、例えば、スプレー，揺動浸漬，ブラッシング，スクラッピング等の公知の方法により、ネガ型パターンマスク使用では未露光部を、またはポジ型パターンマスク使用では露光部を除去して現像し、図４に示すように、ソルダーレジスト層３ａを作製する。
【００５７】
上記現像に用いるアルカリ性水溶液としては、０．１〜５重量％炭酸ナトリウムの希薄溶液、０．１〜５重量％炭酸カリウムの希薄溶液、０．１〜５重量％水酸化ナトリウムの希薄溶液、０．１〜５重量％四ホウ酸ナトリウムの希薄溶液等を用いることができる。
【００５８】
つぎに、上記ソルダーレジスト層３ａに対して、低圧水銀ランプを用いて紫外線光を照射する。この低圧水銀ランプの発光波長の特徴として、通常、波長２５４ｎｍ付近に最大ピーク（大きいピーク）を有し、さらに波長１８５ｎｍに小さいピークを有するものであり、このような特徴を有する紫外線光を照射する装置（低圧水銀ランプ）を用いることを特徴とする。
【００５９】
上記低圧水銀ランプを用いた紫外線の露光量としては、１００〜５０００ｍＪ／ｃｍ2 の範囲に設定することが好ましい。特に好ましくは２００〜３０００ｍＪ／ｃｍ2 である。すなわち、好ましくは上記紫外線光の露光量にて低圧水銀ランプによる照射を行うことにより、ソルダーレジスト層３ａのさらなる光硬化反応が促進され、結果、耐薬品性が向上し、高温高湿雰囲気下において、配合された添加剤（特に環状ホスファゼン化合物）の析出が抑制されることとなる。
【００６０】
さらに、上記低圧水銀ランプによる紫外線照射の後、半田耐熱性，耐薬品性等を向上させる目的で、必要に応じて高圧水銀ランプによる紫外線照射や加熱を行うことができる。この場合の紫外線照射の露光量は、０．２〜１０Ｊ／ｃｍ2 程度に設定することが好ましく、また上記加熱に関しては１００〜１８０℃程度の範囲で１５〜１２０分間行うことが好ましい。この紫外線照射と加熱の順序はいずれが先であってもよいし、紫外線照射および加熱のいずれか一方のみの処理であってもよい。
【００６１】
このようにして、ソルダーレジスト層３ａが形成された配線回路基板を製造することができる。そして、本発明により製造された配線回路基板は、その後、半田付け等によって、ＬＳＩ、ダイオード、トランジスタ、コンデンサ等の電子部品を実装して実装基板とし、各種電気・電子機器等に装着されることになる。
【００６２】
つぎに、実施例について比較例と併せて説明する。ただし、本発明は、これら実施例に限定されるものではない。
【実施例】
【００６３】
〔アルカリ可溶性ポリマーの合成〕
まず、溶媒としてのエチルジグリコールアセテート２５０ｇ（１回目の投入）を窒素雰囲気下で１リットルのセパラブルフラスコに投入し、攪拌しながら１００℃に加温した。３０分保温後、モノマーとしての、フェノキシエチルアクリレート２５０ｇ、メタクリル酸１００ｇ、メタクリル酸メチル１５０ｇ、触媒としてのアゾビスイソブチロニトリル８．０ｇおよび溶媒としてのエチルジグリコールアセテート１０５ｇ（２回目の投入）を混合溶解した溶液を、３時間かけてセパラブルフラスコ内に滴下し反応させた。さらに、１００℃で２時間攪拌した後、冷却して、アルカリ可溶性ポリマー溶液（固形分濃度５８．５重量％）を得た。
【００６４】
つぎに、下記に示す各成分を準備し、下記に示す配合量にて混合することにより感光性樹脂組成物溶液を調製した。
【００６５】
ａ：上記アルカリ可溶性ポリマー溶液                              ６８．４重量部
ｂ：エチレン性不飽和基含有重合性化合物（ビスフェノールＡ型エチレンオキサイド変性ジメタクリレート；新中村化学社製、ＢＰＥ５００）                    １８重量部
ｃ：難燃剤（芳香族リン酸エステル；大八化学社製、ＣＲ７４７）          ９重量部
ｄ：難燃剤（環状ホスファゼン化合物；大塚化学社製、ＳＰＥ−１００）    ９重量部
ｅ：光重合開始剤（チバガイギー社製、Irgacure907 ）                ２．７重量部
ｆ：光重合開始剤（日本化薬社製、ＫＡＹＡＣＵＲＥ  ＤＥＴＳ−Ｘ）  ２．７重量部
ｇ：リン含有エポキシ樹脂（東都化成社製、ＦＸ−３０５）              １７重量部
ｈ：顔料（フタロシアニンブルー）                                  ０．２重量部
ｉ：密着性付与剤・防錆剤（５−アミノ−１−Ｈ−テトラゾール）      ０．４重量部
ｊ：消泡剤（アクリル系コポリマー；ＣＢＣマテリアルズ社製、モダフロー）
１重量部
【００６６】
〔配線回路基板の作製〕
ポリイミドからなる絶縁膜（厚み２５μｍ）上に、銅製の配線パターンが形成された基板を準備した。つぎに、上記基板上の銅製配線パターン面に、上記調製した感光性樹脂組成物溶液を、乾燥後の厚みが２０μｍとなるようにスクリーン印刷法により塗布し、乾燥（８０℃×３０分間）させることにより感光性樹脂組成物層を形成した。
【００６７】
ついで、上記感光性樹脂組成物層上に、厚み３８μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）製カバーフィルムを密着させ、高圧水銀灯を用いて３００ｍＪ／ｃｍ2 の露光量にて所定パターンのネガ型マスクを介して紫外線照射を行った。
【００６８】
つぎに、上記カバーフィルムを剥離した後、２５℃の１重量％炭酸ナトリウム水溶液を用いて圧力０．２ＭＰａで９０秒間現像し、さらにイオン交換水にて３０秒間洗浄することにより、感光性樹脂組成物を用いてなる所定パターンのソルダーレジスト層を形成した。
【００６９】
その後、さらに、低圧水銀ランプ（２５４ｎｍ付近に最大ピークを有する：オーク製作所社製、ＵＶ照射装置：ＶＵＭ−３１６４−Ｄ、ランプ型式：ＶＵＶ−４０５１Ｂ−０５Ｕ）を用い、２０００ｍＪ／ｃｍ2 の露光量にて紫外線照射を行った。つづいて、これを、熱風循環乾燥機中で１５０℃×３０分間の加熱処理を行なった。このようにして、目的とする、所定パターンのソルダーレジスト層が形成された配線回路基板を作製した。
【００７０】
なお、上記紫外線の照射量は、光量計（オーク社製、ＵＶ−３５１−２５）を用いて測定した。
【００７１】
〔比較例〕
低圧水銀ランプによる紫外線照射を行わなかった。それ以外は実施例と同様にして所定パターンのソルダーレジスト層が形成された配線回路基板を作製した。
【００７２】
上記のようにして作製された各配線回路基板を、８０℃×９５％ＲＨの恒温恒湿層に投入し、２５０時間経過した後、配線回路基板を取り出して、上記配線回路基板のソルダーレジスト層表面を倍率５０倍の顕微鏡にて観察し、析出物の有無を目視により確認した。その結果、実施例品では、析出物は全く確認されなかった。これに対して、比較例品では、析出物が確認された。この析出物を、ＦＴＩＲ（μ-FT-IR、Thermo electron 社製、NICOLET 4700＋Continuum)を用いて分析したところ、析出物の主成分は環状ホスファゼン化合物であることが確認された。
【００７３】
また、得られた各配線回路基板のソルダーレジスト層表面をエタノールを含浸させた綿棒を用いて、１００往復軽く擦った後、綿棒表面を目視にて観察した。その結果、実施例品は、ソルダーレジスト層中の顔料成分である青色の付着が認められなかったが、比較例品では青色の付着が認められた。
【図面の簡単な説明】
【００７４】
【図１】本発明の配線回路基板の製造工程を模式的に示す説明図である。
【図２】本発明の配線回路基板の製造工程を模式的に示す説明図である。
【図３】本発明の配線回路基板の製造工程を模式的に示す説明図である。
【図４】本発明の配線回路基板の製造工程を模式的に示す説明図である。
【符号の説明】
【００７５】
１  基材
２  導体回路
３  感光性樹脂組成物層
３ａ  ソルダーレジスト層
４  パターンマスク
【図１】
2008243957.tif 000007
【図２】
2008243957.tif 000008
【図３】
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【図４】
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