(57)【要約】【課題】高い誘電率特性を持つゾル―ゲルタイプの第１ゲート絶縁膜と、多少低い誘電率特性を持つ非晶質シリコンまたは有機高分子物質の第２ゲート絶縁膜とを積層して二重層のゲート絶縁膜を形成することによって、高誘電率のゲート絶縁膜を得ることができる薄膜トランジスタ及びその製造方法、並びにディスプレイ素子を提供する。【解決手段】基板上にゲート電極を形成する段階と、前記ゲート電極と絶縁され、前記ゲート電極の一部とオーバーラップする半導体層を形成する段階と、前記ゲート電極と半導体層との間に、シリコンアルコキシド及び金属アルコキシドのゾル化合物を含む第１ゲート絶縁膜と、異なる物質を含む第２ゲート絶縁膜を順に形成する段階と、前記半導体層の両側にソース／ドレイン電極をそれぞれ形成する段階と、を備えてなることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法を提供する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にゲート電極を形成する段階と、
前記ゲート電極と絶縁され、前記ゲート電極の一部とオーバーラップする半導体層を形成する段階と、
前記ゲート電極と半導体層間に形成され、それぞれ異なる物質で形成され、いずれか一層はゾル−ゲル化合物を含む第１及び第２ゲート絶縁膜を形成する段階と、
前記半導体層の両側に、ソース／ドレイン電極をそれぞれ形成する段階と、
を備えたことを特徴とする、薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項２】
前記ゾル−ゲル化合物は、シリコンアルコキシド及び金属アルコキシドを含むことを特徴とする、請求項１に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項３】
前記金属アルコキシドの金属は、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、イットリウム（Ｙ）、アルミニウム（Ａｌ）、ハフニウム（Ｈｆ）、カルシウム（Ｃａ）またはマグネシウム（Ｍｇ）のうち少なくともいずれか一つであることを特徴とする、請求項２に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項４】
前記金属アルコキシドは、７以上の誘電定数を持つ物質で形成することを特徴とする、請求項２に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項５】
前記第１及び第２ゲート絶縁膜のいずれか他層のゲート絶縁膜は、無機絶縁物質で形成することを特徴とする、請求項１に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項６】
前記無機絶縁物質は、シリコン窒化物またはシリコン酸化物で形成することを特徴とする、請求項５に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項７】
前記半導体層は、非晶質シリコンで形成することを特徴とする、請求項５に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項８】
前記第１及び第２ゲート絶縁膜のいずれか他層のゲート絶縁膜は、有機高分子物質で形成することを特徴とする、請求項１に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項９】
前記有機高分子物質は、ＰＶＡ（Poly Vinyl Alcohol）、ＰＶＡｃ（Poly Vinyl Acetate）、ＰＶＰ（Poly Vinyl Phenol）、ＰＭＭＡ（Poly Vinyl Methyl Methacetate）のうち少なくともいずれか一つで形成することを特徴とする、請求項８に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項１０】
前記半導体層は、ペンタセン（pentacene）系またはチオフェン（thiophene）系物質で形成することを特徴とする、請求項８に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項１１】
前記ゾル−ゲル化合物は、前記シリコンアルコキシドと金属アルコキシドの含量比によって誘電率及び透過度が変わることを特徴とする、請求項２に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項１２】
前記第１ゲート絶縁膜は、プリンティング方法、コーティング法または蒸着法のいずれか一方法で形成することを特徴とする、請求項１に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項１３】
前記ゲート電極、半導体層、ゲート絶縁膜及びソース／ドレイン電極を形成する段階は、
前記基板上にゲート電極を形成する段階と、
前記ゲート電極を含めた全面にゲート絶縁膜を形成する段階と、
前記ゲート電極上部の前記ゲート絶縁膜上に半導体層を形成する段階と、
前記半導体層上部の両側にソース／ドレイン電極をそれぞれ形成する段階と、
を備えたことを特徴とする、請求項１に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項１４】
前記ゲート電極、半導体層、ゲート絶縁膜及びソース／ドレイン電極を形成する段階は、
前記基板上にソース／ドレイン電極をそれぞれ形成する段階と、
前記ソース電極とドレイン電極にオーバーラップするように、前記ソース電極とドレイン電極間に半導体層を形成する段階と、
前記半導体層を含めた全面にゲート絶縁膜を形成する段階と、
前記半導体層上部のゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する段階と、
を備えたことを特徴とする、請求項１に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項１５】
ディスプレイパネルと、
前記ディスプレイパネルに形成されて、複数個のピクセルを定義するゲート配線及びデータ配線と、
前記ゲート配線に走査信号を印加するゲートドライバ、及び、前記データ配線にビデオ信号を印加するデータドライバと、
前記各ピクセルに形成され、ゲート電極、二重ゲート絶縁膜、半導体層及びソース／ドレイン電極で構成される薄膜トランジスタと、を備え、
前記二重ゲート絶縁膜は、前記ゲート電極と半導体層との間に介在され、それぞれ異なる物質で形成され、いずれか一層が有／無機ハイブリッドタイプ物質で形成されることを特徴とする、ディスプレイ素子。
【請求項１６】
前記有／無機ハイブリッドタイプ物質は、ゾル−ゲル化合物であることを特徴とする、請求項１５に記載のディスプレイ素子。
【請求項１７】
前記有／無機ハイブリッドタイプ物質は、金属アルコキシドとシリコンアルコキシドを含むことを特徴とする、請求項１５に記載のディスプレイ素子。
【請求項１８】
前記有機／無機ハイブリッドタイプ物質は、前記シリコンアルコキシドと金属アルコキシドの含量比によって誘電率及び透過度が変わることを特徴とする、請求項１７に記載のディスプレイ素子。
【請求項１９】
前記有機／無機ハイブリッドタイプ物質の前記シリコンアルコキシドと金属アルコキシドの量は、同一であることを特徴とする、請求項１７に記載のディスプレイ素子。
【請求項２０】
前記金属アルコキシドの金属は、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、イットリウム（Ｙ）、アルミニウム（Ａｌ）、ハフニウム（Ｈｆ）、カルシウム（Ｃａ）またはマグネシウム（Ｍｇ）のうち少なくともいずれか一つであることを特徴とする、請求項１７に記載のディスプレイ素子。
【請求項２１】
前記金属アルコキシドは、７以上の誘電定数を持つ物質を含むことを特徴とする、請求項１７に記載のディスプレイ素子。
【請求項２２】
前記第１及び第２ゲート絶縁膜のいずれか一層は、無機絶縁物質を含むことを特徴とする、請求項１５に記載のディスプレイ素子。
【請求項２３】
前記無機絶縁物質は、シリコン窒化物またはシリコン酸化物であることを特徴とする、請求項２２に記載のディスプレイ素子。
【請求項２４】
前記半導体層は、非晶質シリコンであることを特徴とする、請求項１５に記載のディスプレイ素子。
【請求項２５】
前記第１及び第２ゲート絶縁膜のいずれか一層は、非晶質シリコンを含む半導体層にコンタクトされる無機絶縁物質を含むことを特徴とする、請求項２４に記載のディスプレイ素子。
【請求項２６】
前記第１及び第２ゲート絶縁膜のいずれか一層は、有機高分子物質を含むことを特徴とする、請求項１５に記載のディスプレイ素子。
【請求項２７】
前記有機高分子物質は、ＰＶＡ、ＰＶＡｃ、ＰＶＰ、ＰＭＭＡのうち少なくともいずれか一つであることを特徴とする、請求項２６に記載のディスプレイ素子。
【請求項２８】
前記半導体層は、ペンタセン（pentacene）系またはチオフェン（thiophene）系物質であることを特徴とする、請求項１５に記載のディスプレイ素子。
【請求項２９】
前記有機／無機ハイブリッド物質は、ペンタセン系またはチオフェン系物質を含む半導体層にコンタクトされることを特徴とする、請求項２８に記載のディスプレイ素子。
【請求項３０】
前記第１及び第２ゲート絶縁膜の厚さは、約２０００Åであることを特徴とする、請求項１５に記載のディスプレイ素子。
【請求項３１】
ゲート電極と、
前記ゲート電極と絶縁され、前記ゲート電極の一部とオーバーラップする半導体層と、
前記ゲート電極と半導体層との間に形成され、それぞれ異なる物質で形成され、いずれか一層はゾル−ゲル化合物を含む第１及び第２ゲート絶縁膜と、
前記半導体層の両側に形成されたソース／ドレイン電極と
を備えたことを特徴とする、薄膜トランジスタ。
【請求項３２】
前記ゾル−ゲル化合物は、金属アルコキシド及びシリコンアルコキシドを含むことを特徴とする、請求項３１に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項３３】
前記金属アルコキシドの金属は、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、イットリウム（Ｙ）、アルミニウム（Ａｌ）、ハフニウム（Ｈｆ）、カルシウム（Ｃａ）またはマグネシウム（Ｍｇ）のうち少なくともいずれか一つであることを特徴とする、請求項３２に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項３４】
前記金属アルコキシドは、７以上の誘電定数を有する物質であることを特徴とする、請求項３２に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項３５】
前記第１及び第２ゲート絶縁膜のいずれか他層は、無機絶縁物質を含むことを特徴とする、請求項３１に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項３６】
前記無機絶縁物質は、シリコン窒化物またはシリコン酸化物であることを特徴とする、請求項３５に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項３７】
前記半導体層は、非晶質シリコンであることを特徴とする、請求項３５に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項３８】
前記第１及び第２ゲート絶縁膜のいずれか他層は、有機高分子物質を含むことを特徴とする、請求項３１に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項３９】
前記有機高分子物質は、ＰＶＡ（Poly Vinyl Alcohol）、ＰＶＡｃ（Poly Vinyl Acetate）、ＰＶＰ（Poly Vinyl Phenol）、ＰＭＭＡ（Poly Vinyl Methyl Methacetate）であることを特徴とする、請求項３８に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項４０】
前記半導体層は、ペンタセン（pentacene）系またはチオフェン（thiophene）系物質であることを特徴とする、請求項３８に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項４１】
前記ゾル−ゲル化合物は、前記シリコンアルコキシドと金属アルコキシドの含量比によって誘電率及び透過度が変わることを特徴とする、請求項３２に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項４２】
前記薄膜トランジスタは、ボトム−ゲート型またはトップ―ゲート型であることを特徴とする、請求項３１に記載の薄膜トランジスタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置（ＬＣＤ；Liquid Crystal Display Device）に用いる薄膜トランジスタに係り、特に、ゾル−ゲルタイプのゲート絶縁膜を備える場合に、コーティング及び乾燥工程後に絶縁膜表面にクラックができるのを防止することができる薄膜トランジスタ及びその製造方法、並びにディスプレイ素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
薄型ディスプレイ装置として最近脚光を浴びている液晶表示装置は、コントラスト（contrast）比が大きく、階調表示や動画像表示に適合しており、且つ、電力消費が小さいというメリットがあり、さかんに研究が行われている。
【０００３】
特に、装置の厚さを薄くして製造可能なため、今後、壁掛けＴＶのような超薄型の表示装置に用いられる他、軽量で、かつ、電力消費もＣＲＴ（ブラウン管）に比べて格段に少ないため、バッテリで動作するノートブックコンピュータのディスプレイ、個人携帯電話端末機、ＴＶ、航空用モニタに用いられる等、次世代表示装置として脚光を浴びている。
【０００４】
この種の液晶表示装置は、一般に、ゲート配線及びデータ配線によって定義された各画素領域に、薄膜トランジスタ、画素電極及びストレージキャパシタが形成されたＴＦＴアレイ基板と、カラーフィルタ層及び共通電極が形成されたカラーフィルタ層アレイ基板と、これら両基板間に介在された液晶層と、で構成され、電極に電圧を印加して液晶層の液晶分子を再配列することによって、透過される光の量を調節し画像を表示する。ここで、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ；Thin Film Transistor）は、画像表示用ディスプレイにおけるスイッチング素子として用いられる。
【０００５】
この薄膜トランジスタは、互いに直交して単位画素領域を定義するゲート配線及びデータ配線の交差地点に形成されて、該当の単位画素領域に対して電流をオン（on）またはオフ（off）させるスイッチングの役割を果たし、オン状態では、電流が流れて特定単位画素領域と関連したキャパシタを所望の電圧まで充電（charge）させ、オフ状態では、単位画素領域が次にアドレシング（addressing）されるまで充電状態を維持するようにする。
【０００６】
この時、電圧レベルは、単位画素領域に相応する液晶を介して透過される光量を定めてグレーレベル（gray level）を決定する。
【０００７】
このような薄膜トランジスタの構造は、ソース電極とゲート電極が一つの平面上に置かれるコプラナー（coplanar）型と、異なる平面上に置かれるスタガード（staggered）型の２種類があり、多結晶シリコンＴＦＴにはコプラナー型構造を適用し、非晶質シリコンＴＦＴにはスタガード型構造を適用する。
【０００８】
スタガード型ＴＦＴは、さらに、ゲート電極がソース電極とドレイン電極の下に置かれた逆スタガード（inverted staggered）型と、ゲート電極がソース電極とドレイン電極よりも上にある正常スタガード（normal staggered）型とに区別でき、前者をボトム−ゲート（bottom-gate）型ＴＦＴ、後者をトップ―ゲート（top-gate）型ＴＦＴという。
【０００９】
一般に、液晶表示素子に備えられる薄膜トランジスタは、ボトム−ゲート型ＴＦＴであり、図１に示すように、ゲート電極１２ａと、該ゲート電極１２ａを含めた基板表面の全面に備えられたゲート絶縁膜１３と、ゲート電極１２ａ上部のゲート絶縁膜１３上に形成された半導体層（ａ−Ｓｉ）１４と、半導体層１４のチャネル領域を除く残りの領域に備えられるオーミックコンタクト層（ｎ＋ａ−Ｓｉ）１４ａと、オーミックコンタクト層１４ａ上に形成されるソース／ドレイン電極１５ａ，１５ｂとで構成される。なお、ソース電極１５ａとドレイン電極１５ｂとは、図１に示すように、互いに離間して設けられている。
【００１０】
ここで、ゲート絶縁膜１３は、誘電率７．５程度のシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）などの無機材料を、通常、プラズマ増強化学蒸着（ＰＥＣＶＤ：plasma enhanced chemical vapor deposition）方法で蒸着して形成する。
【００１１】
しかしながら、上記のような無機材料を蒸着してゲート絶縁膜１３を形成すると、下記の問題につながる。
【００１２】
すなわち、ゲート絶縁膜１３を無機材料で形成する場合、時間を十分取っても１回の蒸着工程だけでは均一な厚さのゲート絶縁膜１３を形成できず、２回に分けて蒸着工程を行わねばならないため面倒だった。なお、蒸着装備はコストがかかるため、装備管理費用及び投資費用が多くかかるという問題点もあった。
【００１３】
そこで、工程が容易で、多少安価の装備を用いて形成可能な誘電率３〜４の有機物質でゲート絶縁膜を形成する技術が提案された。
【００１４】
有機ゲート絶縁膜は、無機ゲート絶縁膜と違い、ＰＥＣＶＤ方法の代わりにスピンコーティング、スリットコーティングなどのコーティング方法によって形成されるため、製造工程がより容易となり、装備費用面でも有利である。なお、ゲート配線及びゲート電極の段差を除去して表面を平坦化できる。
【００１５】
しかしながら、このような有機ゲート絶縁膜は無機ゲート絶縁膜に比べて、同一厚さに対する誘電率数値が小さく、誘電率が小さいと、ゲート配線層とデータ配線層との間に形成される寄生キャパシタンス（Ｃｇｓ）値が小さくなってしまう。これは、通常、対向する電極とそれらの間に備えられている絶縁膜において、そのキャパシタンス値が、絶縁膜の誘電率、絶縁膜の厚さに比例し、対向する電極の面積に反比例するからである。
【００１６】
このように寄生キャパシタンス（Ｃｇｓ）値が小さくなると、下記の数式（１）のように、電圧降下（△Ｖｐ）がより増加し、これによって画面のちらつき（flicker）、イメージ固着（image sticking）、画面明るさのばらつきなどの不具合につながる。
【００１７】
【数１】
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【００１８】
上記式中、寄生キャパシタンス（Ｃｇｓ）は、ＴＦＴゲート電極とソース電極（または、ドレイン電極）との間に形成される寄生キャパシタンスを表し、Ｃｌｃは、液晶セルに蓄積される静電キャパシタンスを表し、Ｃｓｔは、ストレージキャパシタに形成されるキャパシタンスを表す。そして、△Ｖｐは、ソース電極に印加されるデータ電圧（Ｖｄ）と液晶セルに充電される電圧（Ｖｌｃ）との差電圧を表し、△Ｖｇは、ハイレベルのゲート電圧（Ｖｇｈ）とローレベルのゲート電圧（Ｖｇｌ）の差電圧を表す。
【００１９】
すなわち、寄生キャパシタンス（Ｃｇｓ）は、上記数式（１）に示すように、△Ｖｐに最も大きく影響を及ぼす項目で、パネル特性及び画質特性と非常に密接な関連を持つ。ここで、△Ｖｐを下げるには寄生キャパシタンス（Ｃｇｓ）値を大きくすれば良く、寄生キャパシタンス（Ｃｇｓ）値を上げるには、ゲート絶縁膜の誘電率値を大きくすれば良いので、結局、ゲート絶縁膜は誘電率の大きい物質で形成することが好ましい。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２０】
要するに、上記の従来技術による薄膜トランジスタ及びその製造方法は、下記のような問題点があった。
【００２１】
すなわち、シリコン窒化物などで形成される無機ゲート絶縁膜の場合、ＰＥＣＶＤなどの蒸着工程が難しく、蒸着装備の費用が高いという問題点があり、ＰＶＡ（polyvinyl alcohol）及びＰＶＰ（polyvinyl phenol）などで形成される有機ゲート絶縁膜の場合、誘電率が低いため、△Ｖｐがより増加する、または、ゲート絶縁膜コーティング時に厚さが不均一になるという問題点があった。
【００２２】
本発明は、かかる問題点を解決するためになされたものであり、その目的は、ゾル−ゲルタイプの第１ゲート絶縁膜と非晶質シリコンまたは有機高分子物質の第２ゲート絶縁膜を積層して二重層のゲート絶縁膜を形成することによって、高誘電率のゲート絶縁膜を得ることができる薄膜トランジスタ及びその製造方法、並びに、ディスプレイ素子を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２３】
上記目的を達成する本発明に係る薄膜トランジスタの製造方法は、基板上にゲート電極を形成する段階と、前記ゲート電極と絶縁され、前記ゲート電極の一部とオーバーラップする半導体層を形成する段階と、前記ゲート電極と半導体層との間にシリコンアルコキシド及び金属アルコキシドのゾル化合物を含む第１ゲート絶縁膜と、これと異なる物質を含む第２ゲート絶縁膜とを順に形成する段階と、前記半導体層の両側にソース／ドレイン電極をそれぞれ形成する段階と、を備えたことを特徴とする。
【００２４】
このように高い誘電率特性を持つゾル−ゲルタイプの第１ゲート絶縁膜と、多少低い誘電率特性を持つ非晶質シリコンまたは有機高分子物質の第２ゲート絶縁膜とを積層して二重層のゲート絶縁膜を形成することによって、高誘電率のゲート絶縁膜を得ることができる。
【００２５】
この場合、前記第１ゲート絶縁膜は、シリコンアルコキシドと金属アルコキシドの含量比によって、有無機複合材料の絶縁性、コーティング性、耐熱性、硬度及び透過度を容易に調節できるため、薄膜トランジスタ用ゲート絶縁膜に好適に用いることができる。
【００２６】
一方、上記目的を達成する本発明によるＴＦＴアレイ基板の製造方法は、基板上にゲート電極及びゲート配線を形成する段階と、前記ゲート電極と絶縁され、前記ゲート電極の一部とオーバーラップする半導体層を形成する段階と、前記ゲート電極と半導体層との間に、シリコンアルコキシド及び金属アルコキシドのゾル化合物を含む第１ゲート絶縁膜と、これと異なる物質を含む第２ゲート絶縁膜とを順に形成する段階と、前記半導体層の両側にソース／ドレイン電極をそれぞれ形成し、これと同時に前記ゲート配線に直交するデータ配線を形成する段階と、を備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００２７】
本発明の薄膜トランジスタ及びその製造方法、並びにディスプレイ素子は、下記の効果を有する。
【００２８】
第一に、ゾル−ゲルタイプの第１ゲート絶縁膜と、非晶質シリコンまたは有機高分子物質の第２ゲート絶縁膜とを積層して二重層のゲート絶縁膜を形成するため、高誘電率のゲート絶縁膜を得ることが可能になる。
【００２９】
このようにゲート絶縁膜の誘電率特性を向上させると、ストレージキャパシタンスの値が増加し、ＴＦＴの電圧降下問題を改善させることができ、寄生キャパシタンスによる画質不良を補償することが可能になる。
【００３０】
第二に、本発明のゲート絶縁膜は、シリコンアルコキシドと金属アルコキシドの含量比によって、有無機複合材料の絶縁性、コーティング性、耐熱性、硬度及び透過度を容易に調節できるため、薄膜トランジスタ用ゲート絶縁膜または液晶表示素子のゲート絶縁膜に好適に用いることができる。
【００３１】
第三に、既存のゲート絶縁膜は少なくとも２回の蒸着工程を行わねばならないのに対し、本発明によるゲート絶縁膜は、ゾル−ゲル複合材料をプリンティング方法、コーティング法または蒸着法のいずれか一方法で形成し、無機絶縁物質を蒸着するための工程を行うため、１回の蒸着工程をプリンティング、コーティング、塗布のいずれか一方法に取り替えることと同じ効果を有する。すなわち、ゲート絶縁膜を形成する工程がより容易且つ簡素化する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
以下、添付の図面を参照しつつ、本発明に係る薄膜トランジスタ及びその製造方法、並びにディスプレイ素子の好適な実施例について詳細に説明する。
【００３３】
図２は、本発明によるボトム−ゲート型薄膜トランジスタを示す断面図であり、図３〜図５は、ＳｉＮｘまたはゾル−ゲル化合物で形成されたゲート絶縁膜を含むＴＦＴ特性を示すグラフである。
【００３４】
また、図６は、本発明によるボトム−ゲート型有機薄膜トランジスタを示す断面図であり、図７は、本発明によるＴＦＴアレイ基板を示す断面図である。
【００３５】
薄膜トランジスタの製造方法
図２を参照すると、まず、基板１１１上に、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム合金（ＡｌＮｄ：Aluminum Neodymium）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン−タングステン（ＭｏＷ）などの抵抗値の低い金属を、高温のスパッタリング技術によって蒸着した後、フォトエッチング技術でパターニングして、ゲート電極１１２ａを形成する。
【００３６】
その後、ゲート電極１１２ａを含めた全面に、シリコンと金属を含む有機／無機ハイブリッド物質で第１ゲート絶縁膜１１３ａを形成する。有機／無機ハイブリッド物質は、シリコンアルコキシドと金属アルコキシドのゾル−ゲル化合物を含む複合材料である。ここで、アルコキシドとは、アルコールのヒドロキシ基の水素原子を金属原子で置換した化合物のことを総称する。
【００３７】
具体的に、シリコンアルコキシドと金属アルコキシドをゾル形態で反応させて、ゾル−ゲル複合材料を形成する。このような複合材料は有機／無機ハイブリッドタイプの材料であり、シリコンアルコキシドと金属アルコキシドの含量比によって複合材料の誘電率、透過度が変わる。シリコンアルコキシドと金属アルコキシドを１：１の割合に混合することが、誘電率及び透過度の面で有利となる。このような有機無機複合材料は、絶縁性、コーティング性、耐熱性、硬度及び透過度に優れており、誘電定数の調節が容易なため、薄膜トランジスタ用ゲート絶縁膜に好適に用いることができる。
【００３８】
この時、金属アルコキシドの金属粒子は、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、イットリウム（Ｙ）、アルミニウム（Ａｌ）、ハフニウム（Ｈｆ）、カルシウム（Ｃａ）またはマグネシウム（Ｍｇ）のうち少なくともいずれか一つを選んで使用し、７以上の誘電定数を持つ物質で形成して、ゲート絶縁膜が高誘電率を持つようにする。
【００３９】
また、シリコンアルコキシド及び金属アルコキシドから製造されるゾル化合物は、加水分解及び縮合反応によって製造し、反応促進のために水またはアルコールを触媒とすることができる。
【００４０】
また、本発明による有機無機複合材料は、プリンティング方法、コーティング法または蒸着法のいずれか一方法で形成できるため、その工程が容易で、平坦性にも優れている。
【００４１】
このようなゾル−ゲル化合物で第１ゲート絶縁膜１１３ａを形成した後には、第１ゲート絶縁膜を含めた全面に、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）またはシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）などの無機絶縁物質を、通常、プラズマ増加化学蒸着（ＰＥＣＶＤ：plasma enhanced chemical vapor deposition）方法で蒸着して、第２ゲート絶縁膜１１３ｂを形成する。
【００４２】
この時、第２ゲート絶縁膜１１３ｂは、誘電率が４〜６程度と多少低い特性を表すが、ゾル−ゲル化合物の第１ゲート絶縁膜１１３ａの誘電率が高い値を持つため、ゲート絶縁膜全体の誘電率が上昇するようになる。この時、第１ゲート絶縁膜１１３ａは誘電率７以上の金属アルコキシドによって高い誘電率特性を表す。
【００４３】
このようにゲート絶縁膜の誘電率特性を向上させると、ストレージキャパシタンス（Ｃｓｔ）の値が増加し、結局、上記数式（１）におけるようなＴＦＴの電圧降下（△Ｖｐ）問題を改善でき、寄生キャパシタンスによる画質不良を補償することが可能になる。
【００４４】
また、７以上の高い誘電率を持つ第１ゲート絶縁膜（Ｓｉ−ゾル／Ｍｅ−ゾル）１１３ａと、ＳｉＮｘなどの無機物で第２ゲート絶縁膜１１３ｂとを形成することによって、移動度（mobility）値が、既存の０．４から１．０以上と高まり、ＴＦＴの特性が向上する。これで、第１及び第２ゲート絶縁膜１１３ａ，１１３ｂを含む二重ゲート絶縁膜が完成する。この場合、ＳｉＮｘ、ＳｉＯｘで第１ゲート絶縁膜１１３ａを形成し、有機／無機ハイブリッド物質で第２ゲート絶縁膜１１３ｂを形成しても良い。
【００４５】
一方、シリコン窒化物でゲート絶縁膜を形成する従来とゾル−ゲル化合物で二重ゲート絶縁膜のいずれか１層を形成する本発明におけるそれぞれのトランジスタ特性を互いに比較すると、下記の通りである。
【００４６】
まず、図３は、４０００Å以下の厚さでシリコン窒化物を蒸着してゲート絶縁膜を形成し、トランジスタのチャネル層の幅／長さの比を２５/５とした時のトランジスタ特性を示すグラフで、横軸（ＶＧ）は、ゲート電極に印加される電圧値を表し、縦軸（ＩＤ）は、ソース／ドレイン電極に流れる電流値を表している。ここで、それぞれのグラフは、ソース／ドレイン電極に０．１Ｖと１０Ｖをそれぞれ印加した時に、ゲート電極に印加される電圧値とソース／ドレイン電極に流れる電流値との関係を表すもので、ソース／ドレイン電極に０．１Ｖを印加した時よりも１０Ｖを印加した時におけるソース／ドレイン電極に流れる電流値がより高いことが確認できる。この場合、トランジスタの移動度数値は、０．４１１ｃｍ２／Ｖｓと計算された。
【００４７】
このような結果は、二重ゲート絶縁膜のいずれかの層に複合材料を用いた時にも略同様に現れた。図４は、ＳｉＮｘを２０００Å以下の厚さで蒸着して第１ゲート絶縁膜を形成し、複合材料を２０００Å以下の厚さで塗布して第２ゲート絶縁膜を形成し、トランジスタのチャネル層の幅／長さを２５／５とした時におけるトランジスタ特性を示すグラフで、ソース／ドレイン電極に０．１Ｖを印加した時よりも１０Ｖを印加した時に、ソース／ドレイン電極に流れる電流値（ＩＤ）がより高いことがわかり、より重要なことは、二重ゲート絶縁膜のいずれかの層を複合材料で形成しても、トランジスタのオン／オフ特性が明確に現れるという事実である。この場合、トランジスタの移動度数値は１．０８５ｃｍ２／Ｖｓと計算され、シリコン窒化物でゲート絶縁膜を形成した場合に比べて、トランジスタの移動度数値が大きくなる効果があった。
【００４８】
一方、ゲート絶縁膜をシリコン窒化物単一層で形成する時と、二重ゲート絶縁膜のいずれかの層を複合材料で形成する時のグラフを互いに比較するために、図３及び図４の縦軸数値を各トランジスタのＷ／Ｌ数値で除算したものを新しい縦軸（ＩＤ／（Ｗ／Ｌ））として図５を示した。すなわち、図５は、ソース／ドレイン電極に１０Ｖの電圧（ＶＤ）を印加した状態で、ゲート電極に印加される電圧値（ＶＧ）を変化させながらＩＤ／（Ｗ／Ｌ）数値を測定したグラフで、ゲート絶縁膜をシリコン窒化物単一層で形成した場合よりも、二重ゲート絶縁膜のいずれかの層を複合材料（sol-gel compound）で形成した場合のＩＤ／（Ｗ／Ｌ）数値が高いことから、複合材料で形成したゲート絶縁膜を含むトランジスタ特性がより優れていることがわかる。上記のようにして第１及び第２ゲート絶縁膜を形成した後には、基板全面に非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）を高温で５００Å以下の薄い厚さに蒸着して半導体層１１４を形成した後、ｎ型不純物を注入すると同時に非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）を高温で３００〜７００Å程度の厚さに蒸着してｎ＋ａ−Ｓｉのオーミックコンタクト層１１４ａを形成する。この場合、ａ−Ｓｉ蒸着とｎ＋ａ−Ｓｉ蒸着は、同一工程チャンバー内で連続して行われるが、別の工程チャンバー内でそれぞれ行われても良い。
【００４９】
その後、オーミックコンタクト層１１４ａを含めた全面に、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム合金（ＡｌＮｄ：Aluminum Neodymium）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン−タングステン（ＭｏＷ）などの比抵抗の低い金属を、高温のスパッタリング技術によって蒸着したのちフォトエッチング技術でパターニングして、半導体層の両側にソース／ドレイン電極１１５ａ，１１５ｂをそれぞれ形成する。
【００５０】
これで、ゲート電極１１２ａ、ゲート絶縁膜１１３、半導体層１１４、オーミックコンタクト層１１４ａ及びソース／ドレイン電極１１５ａ，１１５ｂからなる薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が完成する。
【００５１】
一方、上記ではゲート電極がソース／ドレイン電極下部に位置するボトム−ゲート型薄膜トランジスタに限定して説明したが、トップ―ゲート型薄膜トランジスタにも本発明は適用可能である。
【００５２】
すなわち、まず、基板上にソース電極とドレイン電極を形成し、該ソース電極とドレイン電極にオーバーラップすると同時に、ソース電極とドレイン電極間に配置されるように半導体層を形成した後、該半導体層を含めた全面に、７以上の高い誘電率を持つ第１ゲート絶縁膜（Ｓｉ−ゾル／Ｍｅ−ゾル）とＳｉＮｘなどの無機物で第２ゲート絶縁膜を順に形成し、最後に、半導体層上部のゲート絶縁膜上にゲート電極を形成すれば良い。
【００５３】
この時、ソース／ドレイン電極及びゲート電極は、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム合金（ＡｌＮｄ：Aluminum Neodymium）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン−タングステン（ＭｏＷ）などの比抵抗の低い金属を、高温のスパッタリング技術によって蒸着したのちフォトエッチング技術でパターニングして形成し、半導体層は、非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）を高温で蒸着しパターニングして形成する。
【００５４】
また、第１ゲート絶縁膜は、シリコンアルコキシドと金属アルコキシドをゾル形態で反応させて形成されたゾル−ゲル複合材料（Ｓｉ−ゾル／Ｍｅ−ゾル）を、プリンティング方法、コーティング法または蒸着法のいずれか一方法で形成し、第２ゲート絶縁膜は、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）またはシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）等の無機絶縁物質を、通常、プラズマ増強化学蒸着方法で蒸着して形成する。
【００５５】
有機薄膜トランジスタの製造方法
本発明による有機薄膜トランジスタの製造方法は、前述した薄膜トランジスタの製造方法と同一または類似である。したがって、同一または類似のパターンについては同じ図面符号を共通使用するものとする。
【００５６】
図６を参照すると、まず、基板１１１上に、ｎ＋ａ−Ｓｉ、ＩＴＯ、Ａｌなどを蒸着したのちフォトエッチング技術でパターニングして、ゲート電極１１２ａを形成する。この時、ゲート電極１１２ａは、上記の金属層の外、導電性ある有機高分子系物質であるＰＥＤＯＴ（Polyethylene-dioxythiophene）をコーティング方法で塗布する、または、インジェックト−プリンティング方法で印刷して形成しても良い。
【００５７】
その後、ゲート電極１１２ａを含めた全面に、シリコンアルコキシドと金属アルコキシドのゾル化合物を含む複合材料（Ｓｉ−ゾル／Ｍｅ−ゾル)で第１ゲート絶縁膜１１３ａを形成する。
【００５８】
具体的に、シリコンアルコキシドと金属アルコキシドをゾル形態で反応させて、ゾル−ゲル複合材料を形成する。このような複合材料は、有／無機ハイブリッドタイプの材料であり、シリコンアルコキシドと金属アルコキシドの含量比によって、複合材料の誘電率、透過度が変わる。シリコンアルコキシドと金属アルコキシドを１：１の割合に混合することが、誘電率及び透過度の面で有利となる。このような有無機複合材料は、絶縁性、コーティング性、耐熱性、硬度及び透過度に優れており、誘電定数の調節が容易なめ、薄膜トランジスタ用ゲート絶縁膜に好適に用いることができる。
【００５９】
また、金属アルコキシドの金属粒子は、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、イットリウム（Ｙ）、アルミニウム（Ａｌ）、ハフニウム（Ｈｆ）、カルシウム（Ｃａ）またはマグネシウム（Ｍｇ）のうち少なくともいずれか一つを選んで使用し、７以上の誘電定数を持つ物質で形成して、第１ゲート絶縁膜が高誘電率を持つようにする。
【００６０】
また、シリコンアルコキシド及び金属アルコキシドから製造されるゾル化合物は、加水分解及び縮合反応によって製造し、この際、反応促進のために水またはアルコールを触媒とすることができる。
【００６１】
上記のような有機無機複合材料で第１ゲート絶縁膜１１３ａを形成した後には、該第１ゲート絶縁膜を含めた全面に、下記化学式に示すようなＰＶＡ（Poly Vinyl Alcohol）、ＰＶＡｃ（Poly Vinyl Acetate）、ＰＶＰ（Poly Vinyl Phenol）、ＰＭＭＡ（Poly Vinyl Methyl Methacetate）などの有機高分子層を形成して、第２ゲート絶縁膜１１３ｂを形成する。
【００６２】
【数２】
2008016807.tif 000004
【００６３】
上記第１及び第１２ゲート絶縁膜は、プリンティング方法、コーティング法または蒸着法のいずれか一方法で形成できるため、その工程は容易であり、かつ、平坦性も蒸着工程に比べて向上する。
【００６４】
この時、第２ゲート絶縁膜は有機材料からなり、多少低い誘電率特性を表すが、ゾル-化合物で形成される第１ゲート絶縁膜の誘電率が高い値を有するため、ゲート絶縁膜全体の誘電率は上昇するようになる。この時、第１ゲート絶縁膜は、誘電率７以上の金属アルコキシドによって高い誘電率特性を表す。
【００６５】
このようにゲート絶縁膜の誘電率特性を向上させると、ストレージキャパシタンス（Ｃｓｔ）の値が増加するので、その結果、上記式（１）におけるようなＴＦＴの電圧降下（△Ｖｐ）問題を解消することができ、寄生キャパシタンスによる画質不良を補償することが可能になる。
【００６６】
これで、第１及び第２ゲート絶縁膜を含む二重ゲート絶縁膜が完成する。この場合、第１ゲート絶縁膜をＰＶＡ、ＰＶＡｃ、ＰＶＰ、ＰＭＭＡなどの有機高分子層で形成し、第２ゲート絶縁膜を有機／無機ハイブリッドタイプ物質で形成しても良い。
【００６７】
上記のようにして第１及び第２ゲート絶縁膜を形成した後には、ゲート電極１１２ａ上部のゲート絶縁膜１１３上に、ペンタセン（pentacene）系またはチオフェン（thiophene）系誘導体などの低分子やポリチオフェン（polythiophene）のような高分子物質で有機半導体層１１４を形成する。
【００６８】
その後、有機半導体層１１４を含めた全面に、銀（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）などの金属を高温のスパッタリング技術によって蒸着したのちフォトエッチング技術でパターニングして、半導体層の両側にソース／ドレイン電極１１５ａ，１１５ｂをそれぞれ形成する。
【００６９】
これで、ゲート電極１１２ａ、ゲート絶縁膜１１３、有機半導体層１１４及びソース／ドレイン電極１１５ａ，１１５ｂからなる有機薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が完成する。
【００７０】
一方、上記ではゲート電極がソース／ドレイン電極下部に位置するボトム−ゲート型有機薄膜トランジスタに限定して説明したが、トップ―ゲート型有機薄膜トランジスタにも本発明は適用可能である。
【００７１】
この時、有機ＴＦＴの場合には低温工程が可能なため、基板１１１はフレキシブルな特性のプラスチック基板またはフィルムに代替可能である。
【００７２】
ＴＦＴアレイ基板の製造方法
本発明による液晶表示素子のＴＦＴアレイ基板の製造方法は、前述した薄膜トランジスタの製造方法と同一または類似である。したがって、同一または類似のパターンについては同じ図面符号を共通使用するものとする。
【００７３】
図７を参照すると、まず、基板１１１上に、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム合金（ＡｌＮｄ：Aluminum Neodymium）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン−タングステン（ＭｏＷ）などの比抵抗の低い金属を、高温のスパッタリング技術によって蒸着したのちフォトエッチング技術でパターニングして、ゲート配線１１２及びゲート電極１１２ａを形成する。
【００７４】
その後、ゲート電極１１２ａを含めた全面に、シリコンアルコキシドと金属アルコキシドのゾル化合物を含む複合材料（Ｓｉ−ゾル／Ｍｅ−ゾル)で第１ゲート絶縁膜１１３ａを形成する。
【００７５】
具体的に、シリコンアルコキシドと金属アルコキシドをゾル形態で反応させて、ゾル−ゲル複合材料を形成する。このような複合材料は、有／無機ハイブリッドタイプの材料であり、シリコンアルコキシドと金属アルコキシドの含量比によって、複合材料の誘電率、透過度が変わる。シリコンアルコキシドと金属アルコキシドを１：１の割合に混合することが、誘電率及び透過度の面で有利となる。このような有無機複合材料は、絶縁性、コーティング性、耐熱性、硬度及び透過度に優れており、誘電定数の調節が容易なため、薄膜トランジスタ用ゲート絶縁膜に好適に用いることができる。
【００７６】
この時、金属アルコキシドの金属粒子は、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、イットリウム（Ｙ）、アルミニウム（Ａｌ）、ハフニウム（Ｈｆ）、カルシウム（Ｃａ）またはマグネシウム（Ｍｇ）のうち少なくともいずれか一つを選んで使用し、７以上の誘電定数を持つ物質で形成して、ゲート絶縁膜が高誘電率を持つようにする。
【００７７】
また、シリコンアルコキシドと金属アルコキシドから製造されるゾル化合物は、加水分解及び縮合反応によって製造し、この際、反応促進のために水またはアルコールを触媒とすることができる。
【００７８】
また、本発明による有無機複合材料は、プリンティング方法、コーティング法または蒸着法のいずれか一方法で形成できるため、その工程が容易で、平坦性にも優れている。
【００７９】
上記のようなゾル−ゲル化合物で第１ゲート絶縁膜１１３ａを形成した後には、第１ゲート絶縁膜を含めた全面に、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）またはシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）等の無機絶縁物質を、通常、プラズマ増強化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）方法で蒸着して、第２ゲート絶縁膜１１３ｂを形成する。
【００８０】
この時、第２ゲート絶縁膜は、誘電率が４〜６程度と多少低い特性を表すが、ゾル-化合物で形成される第１ゲート絶縁膜の誘電率が高い値を有するため、ゲート絶縁膜全体の誘電率は上昇する。この時、第１ゲート絶縁膜は、誘電率７以上の金属アルコキシドによって高い誘電率特性を表す。
【００８１】
このようにゲート絶縁膜の誘電率特性を向上させると、ストレージキャパシタンス（Ｃｓｔ）の値が増加し、結局、上記数学式１におけるようなＴＦＴの電圧降下（△Ｖｐ）問題を改善させることができ、寄生キャパシタンスによる画質不良を補償することが可能になる。
【００８２】
また、７以上の高い誘電率を持つ第１ゲート絶縁膜（Ｓｉ−ゾル／Ｍｅ−ゾル）とＳｉＮｘなどの無機物からなる第２ゲート絶縁膜を順に形成することによって、移動度（mobility）値が既存の０．４から１．０以上と高まり、ＴＦＴの特性を向上させることができる。この時、第１ゲート絶縁膜を無機物で形成し、第２ゲート絶縁膜を有／無機ハイブリッドタイプ物質で形成しても良い。
【００８３】
上記のようにして第１及び第２ゲート絶縁膜を形成した後には、基板全面に非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）を蒸着しパターニングして半導体層１１４を形成した後、ｎ型不純物を注入すると同時に、非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）を蒸着しパターニングして、ｎ＋ａ−Ｓｉのオーミックコンタクト層１１４ａを形成する。
【００８４】
続いて、オーミックコンタクト層１１４ａを含めた全面に、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム合金（ＡｌＮｄ：Aluminum Neodymium）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン−タングステン（ＭｏＷ）などの比抵抗の低い金属を、高温のスパッタリング技術によって蒸着したのちフォトエッチング技術でパターニングして、半導体層の両側にソース／ドレイン電極１１５ａ，１１５ｂをそれぞれ形成し、同時にソース電極１１５ａと一体型に連結されるデータ配線１１５を形成する。
【００８５】
この時、ゲート配線及びデータ配線は直交して単位画素を定義し、これらの交差地点に、ゲート電極１１２ａ、ゲート絶縁膜１１３、半導体層１１４、オーミックコンタクト層１１４ａ及びソース／ドレイン電極１１５ａ，１１５ｂからなる薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が位置する。この場合、薄膜トランジスタは、ゲート電極がソース／ドレイン電極の上部に位置するトップ―ゲート型薄膜トランジスタであっても良く、有機薄膜トランジスタであっても良い。
【００８６】
続いて、薄膜トランジスタを含めた全面に保護膜を形成する。この時、ＢＣＢ（Benzocyclobutene）、アクリル系物質のような有機材料を塗布する、または、ＳｉＮｘ、ＳｉＯｘのような無機材料を蒸着して保護膜１１６を形成することができる。
【００８７】
最後に、ドレイン電極１１５ｂの一部が露出されるように保護膜１１６を除去してコンタクトホールを形成し、このコンタクトホールを含めた保護膜１１６の全面に、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）またはＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）の透明導電物質を蒸着しパターニングして、ドレイン電極１１５ｂにコンタクトされる画素電極１１７を形成する。
【００８８】
上記のようにして形成されたＴＦＴアレイ基板は、図示してはいないが、対向基板と対向合着され、これら両基板間に液晶層が備えられる。なお、対向基板には、光の漏れを防止するブラックマトリクスと、該ブラックマトリクス間にＲ、Ｇ、Ｂのカラーレジストが一定順番に形成されたカラーフィルタ層と、該カラーフィルタ層の上部でカラーフィルタ層を保護し、カラーフィルタ層の表面を平坦化するためのオーバーコート層と、該オーバーコート層上に形成され、ＴＦＴアレイ基板の画素電極とともに電界を形成する共通電極と、が形成されている。
【００８９】
一方、以上説明した本発明は、上記の実施の形態及び添付の図面に限定されるものではなく、本発明の技術的思想から逸脱しない範囲内で様々な置換、変形及び変更が可能であるということは、当該技術分野における通常の知識を持つ者にとっては明らかである。
【図面の簡単な説明】
【００９０】
【図１】従来技術によるボトム−ゲート型薄膜トランジスタを示す断面図である。
【図２】本発明によるボトム−ゲート型薄膜トランジスタを示す断面図である。
【図３】ＳｉＮｘで形成されたゲート絶縁膜を含むＴＦＴ特性を示すグラフである。
【図４】ゾル−ゲル化合物で形成されたゲート絶縁膜を含むＴＦＴ特性を示すグラフである。
【図５】ＳｉＮｘ及びゾル−ゲル化合物で形成されたゲート絶縁膜を含むＴＦＴ特性を同時に比較したグラフである。
【図６】本発明によるボトム−ゲート型有機薄膜トランジスタを示す断面図である。
【図７】本発明によるＴＦＴアレイ基板を示す断面図である。
【符号の説明】
【００９１】
１１１  基板、１１２  ゲート配線、１１２ａ  ゲート電極、１１３ａ  第１ゲート絶縁膜、１１３ｂ  第２ゲート絶縁膜、１１４ａ  オーミックコンタクト層、１１４  半導体層、１１５  データ配線、１１５ａ  ソース電極、１１５ｂ  ドレイン電極、１１６  保護膜、１１７  画素電極。
【図１】
2008016807.tif 000005
【図２】
2008016807.tif 000006
【図３】
2008016807.tif 000007
【図４】
2008016807.tif 000008
【図５】
2008016807.tif 000009
【図６】
2008016807.tif 000010
【図７】
2008016807.tif 000011