(57)【要約】    【課題】  バイパスラインをメインバルブと一体化することで小型化、配管の簡略化でコストの低減を図ると共に、排気能力が経時的に変動しない様にしたものである。    【解決手段】  基板５０を処理する処理室２７と、該処理室にガスを供給するガス供給ライン３４と、前記処理室を排気する排気ライン３７と、該排気ラインに設けられる弁装置３９とを備え、該弁装置は、前記排気ラインを連通する管路と、該管路を開閉する第１の弁体と、該第１の弁体をバイパスするバイパス路と、該バイパス路を開閉する第２の弁体と、前記バイパス路に設けられるオリフィス部材とを具備する。    【選択図】          図１
2008072053.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する処理室と、該処理室にガスを供給するガス供給ラインと、前記処理室を排気する排気ラインと、該排気ラインに設けられる弁装置とを備え、該弁装置は、前記排気ラインを連通する管路と、該管路を開閉する第１の弁体と、該第１の弁体をバイパスするバイパス路と、該バイパス路を開閉する第２の弁体と、前記バイパス路に設けられるオリフィス部材とを具備することを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はシリコンウェーハ等の基板に薄膜の生成、不純物の拡散、アニール処理、エッチング等の処理を行い、半導体装置を製造する基板処理装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
基板処理装置としては、基板を１枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置、或は基板を所定枚数一度に処理するバッチ式の基板処理装置とがあり、更にバッチ式の基板処理装置として縦型処理炉を具備する縦型基板処理装置がある。
【０００３】
縦型基板処理装置では上端が閉塞された反応室に多段に基板を保持した基板保持具（以下ボート）を装入し、反応ガスを供給しつつ排気し、減圧反応ガス雰囲気下で基板に、減圧ＣＶＤ処理等の処理を行う。
【０００４】
又、基板に薄膜の生成を行う場合、反応室壁面、排気系に反応副生成物が付着堆積する。反応副生成物は、ガス流の乱れ等により剥離し、パーティクルとなって浮遊し、ウェーハ汚染の原因となる。従って、反応ガスの給排気、ボートの装入、引出しについては、気流の乱れ、逆流が生じない様に配慮されている。
【０００５】
例えば、反応室の排気を行う場合、排気初期は徐々に排気（スロー排気）し、反応室が所定の圧力に達した状態で本格的な通常排気を行っている。
【０００６】
この為、特許文献１に示す様に、排気系のメインバルブに対してバイパスライン（補助排気管）が設けられ、排気初期はバイパスラインでスロー排気され、次にメインバルブが開かれて通常排気され、排気時にガス流の乱れが生じない様になっている。
【０００７】
図５、図６は、メインバルブとバイパスラインとが一体に構成された弁装置１を示しており、図５中、２は反応室に連通する排気管が接続される入側排気管ポートであり、３は排気装置に連通する排気管が接続される出側排気管ポートを示している。
【０００８】
弁箱４内部には前記入側排気管ポート２と前記出側排気管ポート３とを連通する管路５が形成され、該管路５は上流側管路５ａと下流側管路５ｂによりＬ字状となっており、前記上流側管路５ａと前記下流側管路５ｂとの曲り部には弁座６が設けられ、該弁座６には主弁体７が気密に密着可能となっており、該主弁体７が前記弁座６から離反した状態で前記管路５が開通され、前記主弁体７が前記弁座６に密着した状態で、前記管路５が前記上流側管路５ａと前記下流側管路５ｂとに気密に遮断される様になっている。
【０００９】
前記主弁体７は弁ロッド８に固着され、該弁ロッド８は前記弁箱４を摺動自在に貫通し、又前記弁ロッド８はベローズ９に覆われ、貫通部は気密にシールされている。而して、前記弁ロッド８を図示しないアクチュエータにより、図５中上方に引上げることで、前記主弁体７が前記弁座６より離反する様になっている。
【００１０】
前記弁箱４の前記下流側管路５ｂに臨接する管壁には前記上流側管路５ａに連通するバイパス弁口１１が穿設され、又前記下流側管路５ｂに連通するリーク孔１２が穿設されている。又、前記管壁にはバイパスバルブ１３が気密に取付けられ、該バイパスバルブ１３の弁箱１４は前記弁箱４の一部を構成し、前記弁箱１４の内部は前記バイパス弁口１１、前記リーク孔１２に連通し、前記バイパス弁口１１、前記リーク孔１２、前記弁箱１４内部によってバイパス路１５が構成される。
【００１１】
前記バイパスバルブ１３は、例えばエアシリンダ等のアクチュエータ１６によって駆動される副弁体１７を有し、該副弁体１７にはＯリング１８が設けられ、前記副弁体１７は前記バイパス弁口１１を気密に閉塞可能となっている。又、前記副弁体１７の可動部はベローズ１９によって気密にシールされている。而して、前記アクチュエータ１６によって前記バイパス路１５を連通遮断可能であると共に前記副弁体１７の前記バイパス弁口１１に対する離反位置で開度が設定される。
【００１２】
上記弁装置１に於いて、反応室が排気される場合は、前記主弁体７が閉じられた状態で前記副弁体１７が開かれてスロー排気され、次いで前記主弁体７が開かれ、前記副弁体１７が閉じられて通常排気される。
【００１３】
上記構成の弁装置１では、前記バイパス路１５の流路断面が前記副弁体１７の開度によって決定される構造となっており、又前記副弁体１７には閉時のシール性を確保する為、前記Ｏリング１８が設けられている。
【００１４】
一般に前記Ｏリング１８は、合成ゴム等の弾性材料であり、前記副弁体１７の開閉を繰返すと、弾性力が低下し、前記副弁体１７が開状態となっても、前記Ｏリング１８が完全に復元しない（ヘタリ）様になる。この為、結果的に流路断面が変化し（大きくなり）、流路が広がって排気能力が変動するという問題が生じる。
【００１５】
特に、基板処理装置が基板にシリコン窒化膜を生成する場合には、排気ガスが所定温度以下になると反応副生成物が流路壁面に堆積するので、排気管、弁装置１にヒータを設けて排気管、弁装置１を加熱し所定温度以上に維持する必要がある。
【００１６】
この為、前記Ｏリング１８が熱の影響を受けて劣化し易くなり、ヘタリを生じ易くなっていた。
【００１７】
又、バイパスラインを別系統にして別途設け、流路途中に所定の孔加工をしたオリフィスを設ける場合もあるが、この場合、配管の引回しにスペースが必要となり、又別系統としたバイパスラインにも加熱用のヒータを設けなければならず、配管作業の煩雑化、配管加熱ヒータの設置等による作業性の低下等、コストが掛る要因となっていた。
【００１８】
【特許文献１】特開平７−１４７７３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１９】
本発明は斯かる実情に鑑み、バイパスラインをメインバルブと一体化することで小型化、配管の簡略化でコストの低減を図ると共に、排気能力が経時的に変動しない様にしたものである。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
本発明は、基板を処理する処理室と、該処理室にガスを供給するガス供給ラインと、前記処理室を排気する排気ラインと、該排気ラインに設けられる弁装置とを備え、該弁装置は、前記排気ラインを連通する管路と、該管路を開閉する第１の弁体と、該第１の弁体をバイパスするバイパス路と、該バイパス路を開閉する第２の弁体と、前記バイパス路に設けられるオリフィス部材とを具備する基板処理装置に係るものである。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、基板を処理する処理室と、該処理室にガスを供給するガス供給ラインと、前記処理室を排気する排気ラインと、該排気ラインに設けられる弁装置とを備え、該弁装置は、前記排気ラインを連通する管路と、該管路を開閉する第１の弁体と、該第１の弁体をバイパスするバイパス路と、該バイパス路を開閉する第２の弁体と、前記バイパス路に設けられるオリフィス部材とを具備するので、前記バイパス路のコンダクタンスは、前記第２の弁体の開状態に拘らず前記オリフィス部材で決定することができ、長期に亘り安定した排気能力を確保することができるという優れた効果を発揮する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、図面を参照しつつ本発明を実施する為の最良の形態を説明する。
【００２３】
先ず、図１に於いて、基板処理装置に具備される処理炉の一例を説明する。
【００２４】
処理炉２１は加熱機構としてのヒータ２２を有する。該ヒータ２２は円筒形状であり、保持板としてのヒータベース２３に支持されることにより垂直に据付けられている。
【００２５】
前記ヒータ２２の内側には、該ヒータ２２と同心円に反応管としてのプロセスチューブ２４が配設されている。該プロセスチューブ２４は内部反応管としてのインナチューブ２５と、その外側に設けられた外部反応管としてのアウタチューブ２６とから構成されている。前記インナチューブ２５は、例えば石英（ＳｉＯ2 ）又は炭化シリコン（ＳｉＣ）等の耐熱性材料からなり、上端及び下端が開口した円筒形状である。前記インナチューブ２５の内側には処理室２７が画成されており、該処理室２７にボート２８が装入される。
【００２６】
前記アウタチューブ２６は、例えば石英又は炭化シリコン等の耐熱性材料からなり、内径が前記インナチューブ２５の外径よりも大きく上端が閉塞し、下端が開口した円筒形状に形成されており、前記インナチューブ２５と同心円状に設けられている。該インナチューブ２５と前記アウタチューブ２６との間には筒状空間３０が形成される。
【００２７】
前記アウタチューブ２６の下方には、前記アウタチューブ２６と同心円状にマニホールド２９が配設され、該マニホールド２９は、例えばステンレス等からなり、前記インナチューブ２５、前記アウタチューブ２６は前記マニホールド２９によって支持されている。
【００２８】
尚、該マニホールド２９と前記アウタチューブ２６との間にはシール部材としてのＯリング３１が設けられている。前記マニホールド２９が前記ヒータベース２３に支持されることにより、前記プロセスチューブ２４は垂直に据付けられた状態となっている。該プロセスチューブ２４と前記マニホールド２９により反応容器が形成され、該マニホールド２９の下端開口部は炉口部を形成し、該炉口部はシール蓋３２によって気密に閉塞される様になっている。
【００２９】
該シール蓋３２にはガス導入部としてのノズル３３が前記処理室２７内に連通する様に接続されており、該ノズル３３にはガス供給管３４が接続されている。該ガス供給管３４の上流側には、ガス流量調整器（マスフローコントローラ）３５を介して図示しない処理ガス供給源や不活性ガス供給源が接続されている。前記ガス流量調整器３５にはガス流量制御部３６が電気的に接続されており、供給するガスの流量が所望の量となる様所望のタイミングにて制御する様に構成されている。
【００３０】
前記マニホールド２９には、前記処理室２７内の雰囲気を排気する排気管３７が連通されている。該排気管３７は、前記筒状空間３０の下端部に連通している。
【００３１】
前記排気管３７には下流側に向って圧力検出器としての圧力センサ３８及び弁装置３９が設けられ、前記排気管３７は真空ポンプ等の真空排気装置４１に接続されている。
【００３２】
前記弁装置３９及び前記圧力センサ３８には、圧力制御部４２が電気的に接続されており、該圧力制御部４２は前記圧力センサ３８により検出された圧力に基づいて前記弁装置３９により前記処理室２７内の圧力が所望の圧力（真空度）となる様所望のタイミングにて制御する様に構成されている。
【００３３】
前記炉口部を開閉する前記シール蓋３２は、例えばステンレス等の金属からなり、円盤状に形成されている。前記シール蓋３２の上面には前記マニホールド２９の下端と当接するシール部材としてのＯリング４３が設けられる。
【００３４】
前記シール蓋３２の下側には前記ボート２８を回転させる回転機構４４が設置されている。該回転機構４４の回転軸４５は前記シール蓋３２を貫通して、前記ボート２８に接続されており、該ボート２８を回転可能となっている。
【００３５】
前記シール蓋３２はボートエレベータ４６に昇降可能に支持され、該ボートエレベータ４６により前記ボート２８は前記処理室２７に装入、装脱可能となっている。前記回転機構４４及び前記ボートエレベータ４６には駆動制御部４７が電気的に接続されており、所望の動作をする様、所望のタイミングにて制御する様に構成されている。
【００３６】
前記ボート２８は、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料からなり、複数枚のウェーハ５０を水平姿勢で且つ互いに中心を揃えた状態で整列させて多段に保持する様に構成されている。尚、前記ボート２８の下部には、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料からなる円板形状をした断熱部材としての断熱板４８が水平姿勢で多段に複数枚配置された断熱部４９を構成し、前記ヒータ２２からの熱が前記マニホールド２９側に伝わり難くなる様になっている。
【００３７】
前記プロセスチューブ２４内には、温度センサ５１が設置され、該温度センサ５１及び前記ヒータ２２には、温度制御部５２が電気的に接続されており、前記温度センサ５１により検出された温度情報に基づき前記ヒータ２２への通電具合を調整することにより前記処理室２７の温度が所望の温度分布となる様所望のタイミングにて制御する様に構成されている。
【００３８】
前記ガス流量制御部３６、前記圧力制御部４２、前記駆動制御部４７、前記温度制御部５２及び図示しない操作部、入出力部は、基板処理装置全体を制御する主制御装置５３に電気的に接続されている。
【００３９】
次に、上記構成に係る前記処理炉２１を用いて、半導体デバイスの製造工程の１工程として、ＣＶＤ法によりウェーハ５０上に薄膜を形成する方法について説明する。尚、以下の説明に於いて、基板処理装置を構成する各部の動作は前記主制御装置５３により制御される。
【００４０】
所定枚数のウェーハ５０が前記ボート２８に装填されると、該ボート２８は、前記ボートエレベータ４６によって前記処理室２７に装入（ボートローディング）される。この状態では、前記シール蓋３２は前記Ｏリング４３を介して炉口部を気密に閉塞する。
【００４１】
前記処理室２７が所望の圧力（真空度）となる様に前記真空排気装置４１によって真空排気される。
【００４２】
真空排気は、先ずスロー排気され、次いで、通常排気がなされる。
【００４３】
この際、前記処理室２７の圧力は、前記圧力センサ３８で測定され、この測定された圧力に基づき前記圧力制御部４２が、前記弁装置３９をフィードバック制御し、スロー排気から通常排気への切換え、弁開度の調整等の制御がなされる。
【００４４】
又、前記処理室２７が所望の温度となる様に前記ヒータ２２によって加熱される。この際、前記処理室２７が所望の温度分布となる様に前記温度センサ５１が検出した温度情報に基づき前記ヒータ２２への通電具合がフィードバック制御される。続いて、前記回転機構４４により、前記ボート２８が回転され、同時にウェーハ５０が回転される。
【００４５】
次いで、図示しない処理ガス供給源から処理ガスが供給され、前記ガス流量調整器３５にて所望の流量となる様に制御されたガスは、前記ガス供給管３４を流通して前記ノズル３３から前記処理室２７に導入される。導入されたガスは前記処理室２７を上昇し、前記インナチューブ２５の上端開口を折返し、前記筒状空間３０を流下して前記排気管３７から排気される。ガスは前記処理室２７を通過する際にウェーハ５０の表面と接触し、この際に熱ＣＶＤ反応によってウェーハ５０の表面上に薄膜が堆積される。
【００４６】
予め設定された処理時間が経過すると、図示しない不活性ガス供給源から不活性ガスが供給され、前記処理室２７が不活性ガスに置換されると、前記弁装置３９が閉塞され、前記処理室２７の圧力が常圧に復帰される。
【００４７】
その後、前記ボートエレベータ４６により前記シール蓋３２が降下され、炉口部が開口されると共に、処理済ウェーハ５０が前記ボート２８に保持された状態で前記処理室２７から引出される。その後、処理済ウェーハ５０は図示しない基板移載装置によって前記ボート２８から払出される。
【００４８】
尚、一例迄、本実施の形態の処理炉にてウェーハを処理する際の処理条件としては、例えば、Ｓｉ3 Ｎ4 膜の成膜に於いては、処理温度６００〜８００℃、処理圧力３０〜５００Ｐａ、ガス種、ガス供給流量ＳｉＨ2 Ｃｌ2   ０．０５〜０．２ｓｌｍ、ＮＨ3   ０．５〜２ｓｌｍが例示され、それぞれの処理条件を、それぞれの範囲内のある値で一定に維持することでウェーハに処理がなされる。
【００４９】
次に、図２〜図４により、本実施の形態に用いられる弁装置３９について説明する。
【００５０】
尚、図２〜図４中、図５、図６中で示したものと同等のものには同符号を付し、説明の詳細を省略する。
【００５１】
弁箱４内部には上流側管路５ａと下流側管路５ｂによりＬ字状に構成される管路５が形成され、前記上流側管路５ａと前記下流側管路５ｂとの曲り部には弁座６が設けられ、該弁座６には主弁体７がＯリング５５を介して気密に密着可能となっており、前記主弁体７が前記弁座６から離反した状態で前記管路５が開通され、前記主弁体７が前記弁座６に前記Ｏリング５５を介して密着した状態で、前記管路５が前記上流側管路５ａと前記下流側管路５ｂとに気密に遮断される様になっている。
【００５２】
前記主弁体７はベローズ９によってシールされた弁ロッド８を介してエアシリンダ等のアクチュエータ（図示せず）に連結され、該アクチュエータによって開閉動される様になっている。
【００５３】
前記下流側管路５ｂに臨接する前記弁箱４の管壁の外面には、バイパスバルブ取付け面５６が形成され、該バイパスバルブ取付け面５６に開口し、前記上流側管路５ａに連通するバイパス弁口１１が穿設され、又前記バイパスバルブ取付け面５６に開口し、前記下流側管路５ｂに連通するリーク孔１２が穿設されている。
【００５４】
前記バイパスバルブ取付け面５６にはＯリング５７を介してバイパスバルブ１３が気密に取付けられている。
【００５５】
該バイパスバルブ１３の弁箱５８の内部は中空となっていると共に先端にはフランジ５９が形成されており、該フランジ５９には前記バイパス弁口１１と連通する弁孔６１、前記リーク孔１２と連通するバイパス孔６２が穿設されている。
【００５６】
前記弁箱５８の内部に副弁体１７が収納され、該副弁体１７はベローズ１９で気密にシールされた弁ロッド（図示せず）を介してエアシリンダ等のアクチュエータ１６によって開閉動される様になっている。前記フランジ５９の前記弁孔６１の周囲は前記副弁体１７に対する弁座となっており、前記副弁体１７はＯリング１８を介して前記フランジ５９に押圧され、前記弁孔６１を気密に閉塞する。
【００５７】
又、前記バイパスバルブ取付け面５６と前記フランジ５９間にはオリフィスプレート６４が気密に挾設され、該オリフィスプレート６４に穿設されたオリフィス孔６５は前記弁孔６１と同心となっている。尚、前記オリフィス孔６５が形成する流路断面に対し、開放状態の前記副弁体１７と前記フランジ５９間がなす流路断面を充分大きくする。例えば、前記Ｏリング１８が変形を生じたことによる、前記副弁体１７と前記フランジ５９間がなす流路断面の変動が前記オリフィス孔６５の絞り効果（コンダクタンス）に変動を与えない様にする。
【００５８】
更に、前記オリフィス孔６５について、所要のコンダクタンスが得られる径を、実験等によって確認して設定する。
【００５９】
前記上流側管路５ａと前記下流側管路５ｂとは前記バイパス弁口１１、前記オリフィス孔６５、前記弁箱５８内部、前記リーク孔１２を介して連通され、前記バイパス弁口１１、前記オリフィス孔６５、前記弁箱５８内部、前記リーク孔１２は、前記主弁体７を迂回して前記上流側管路５ａ、前記下流側管路５ｂを連通するバイパス路１５を形成し、前記オリフィスプレート６４、前記オリフィス孔６５は前記バイパス路１５に設けられたオリフィスを構成する。
【００６０】
前記オリフィスプレート６４を気密に挾設する方法としては、Ｏリング等のシール部材を用いてシールする方法の他、図３、図４に見られる様に、前記オリフィスプレート６４自体を変形させてシールする方法もある。
【００６１】
該オリフィスプレート６４を前記弁箱４、前記弁箱５８に対して軟質材料とし、前記バイパスバルブ取付け面５６に前記バイパス弁口１１と同心に環状Ｖ溝６６、環状ナイフエッジ６７を形成し、同様に前記フランジ５９の取付け面に対しても、前記環状Ｖ溝６６、前記環状ナイフエッジ６７を形成する。
【００６２】
前記オリフィスプレート６４を前記バイパスバルブ取付け面５６、前記フランジ５９間に挾設した場合に、前記環状ナイフエッジ６７が前記オリフィスプレート６４に食込んで接合面がシールされる。
【００６３】
該オリフィスプレート６４の材質としては、金属材料としては軟質で塑性変形可能なＡｌ、Ｎｉが用いられる。
【００６４】
前記弁箱４、前記弁箱５８を覆う様に弁加熱装置６８を設ける。尚、前記弁箱４、前記弁箱５８は、一体的に構成されているので、前記弁加熱装置６８は前記弁箱４と前記弁箱５８を一体物として加熱する様に構成されればよい。
【００６５】
前記弁加熱装置６８としては、例えば、前記弁箱４、前記弁箱５８の表面に発熱線を巻設し、更に断熱材を被覆したものであり、前記弁箱４、前記弁箱５８の表面の適宜位置、少なくとも前記弁箱４について前記主弁体７と対向する部位、或は前記弁箱５８について前記副弁体１７に対向する位置に熱電対等の温度検出器が設けられ、該温度検出器からの温度検出信号は、前記温度制御部５２乃至別途独立して設けられる温度制御器（図示せず）に送出され、該温度制御部５２乃至前記温度制御器は温度検出信号に基づき前記弁箱４、前記弁箱５８の内面が所定温度以上に保持される様に前記弁加熱装置６８を制御する。
【００６６】
基板処理に対応し、前記弁装置３９の作動を説明すると、前記処理室２７が真空引される場合は、前記主弁体７が閉塞された状態で、先ず前記アクチュエータ１６によって前記副弁体１７が開放され、前記バイパス路１５が開通して、スロー排気が行われる。
【００６７】
前記圧力センサ３８によって検出される前記処理室２７の圧力が所定値以下となった場合に、前記主弁体７が開放され、前記管路５が開通し、通常排気が行われる。通常排気の開始に伴い、前記副弁体１７によって前記バイパス路１５は閉塞されるが必要に応じ、前記副弁体１７が開放され、前記バイパス路１５が開通し、該バイパス路１５からの排気が行われる。
【００６８】
基板処理が終了し、前記処理室２７が不活性ガスによってガスパージされる場合は、前記主弁体７が開放状態で、不活性ガスが前記処理室２７に供給されつつ排気され、所定時間後該処理室２７がガスパージされた後は、前記主弁体７が閉塞され、不活性ガスによって前記処理室２７が大気圧迄復圧される。又、必要に応じ、前記副弁体１７が開放され、前記バイパス路１５が開通し、該バイパス路１５からの排気が行われる。
【００６９】
上記した様に、基板処理に伴い、前記Ｏリング１８が加熱された状態で、前記副弁体１７が開閉され、前記Ｏリング１８は経時変形を生じると思われるが、前記バイパス路１５のコンダクタンスは前記オリフィス孔６５によって決定され、前記副弁体１７と前記フランジ５９間がなす流路断面の変動は排気能力に変動を与えない。而も、前記弁箱５８内部より上流側に、前記オリフィス孔６５を設けているので、前記弁箱５８内での余計な排気ガスの淀みや対流による反応副生成物の流路壁面への堆積を防ぐことができる。
【００７０】
従って、長期に亘り安定した排気能力が得られ、又前記Ｏリング１８の交換時期が長くなる。
【００７１】
尚、コンダクタンスの変更を行う場合は、前記オリフィス孔６５の径が異なるオリフィスプレート６４に交換すればよい。
【００７２】
上記した様に、本発明によれば、一定したバイパス路１５の流路が確保でき、安定した排気能力を得ることができる。
【００７３】
又、バイパスラインと、メインバルブとを一体構造とすることにより、省スペース、配管の引回し、作業が改善され、配管費、及び弁加熱装置の設置に伴う費用が低減し、又弁加熱装置を小型化でき、配管加熱時でのランニングコストが低減する。
【００７４】
尚、上記実施の形態では、前記オリフィスプレート６４は、バイパス弁口１１側に設ける様に説明したが、前記リーク孔１２側に設けても良い。
【００７５】
（付記）
又、本発明は以下の実施の態様を含む。
【００７６】
（付記１）基板を処理する処理室と、該処理室にガスを供給するガス供給ラインと、前記処理室を排気する排気ラインと、該排気ラインに設けられる弁装置とを備え、該弁装置は、弁箱と、前記排気ラインを連通する管路と、該管路を開閉する第１の弁体と、該第１の弁体をバイパスするバイパス路と、該バイパス路を開閉する第２の弁体と、前記バイパス路に設けられるオリフィス部材とを具備することを特徴とする基板処理装置。
【００７７】
（付記２）前記弁箱の外側には弁加熱装置が設けられた付記１の基板処理装置。
【００７８】
（付記３）基板処理装置の基板を処理する処理室を排気する排気ラインに設けられる弁装置であって、弁箱と、前記排気ラインを連通する管路と、該管路を開閉する第１の弁体と、該第１の弁体をバイパスするバイパス路と、該バイパス路を開閉する第２の弁体と、前記バイパス路に設けられるオリフィス部材とを具備することを特徴とする弁装置。
【図面の簡単な説明】
【００７９】
【図１】本発明の実施の形態に係る基板処理装置に用いられる処理炉の一例を示す断面図である。
【図２】本発明の実施の形態に係る基板処理装置に用いられる弁装置の断面図である。
【図３】該弁装置に於けるバイパス路部分の拡大断面図である。
【図４】該弁装置に於けるバイパス路部分の分解図である。
【図５】従来の基板処理装置に於ける弁装置の断面図である。
【図６】該弁装置のバイパス路部分の拡大図である。
【符号の説明】
【００８０】
２              入側排気管ポート
３              出側排気管ポート
４              弁箱
５              管路
７              主弁体
１４            弁箱
１５            バイパス路
１７            副弁体
２７            処理室
３４            ガス供給管
３７            排気管
３９            弁装置
６４            オリフィスプレート
６５            オリフィス孔
６８            弁加熱装置
【図１】
2008072053.tif 000003
【図２】
2008072053.tif 000004
【図３】
2008072053.tif 000005
【図４】
2008072053.tif 000006
【図５】
2008072053.tif 000007
【図６】
2008072053.tif 000008