(57)【要約】【課題】遮光膜を有する半導体装置において、遮光性を低下させずに金属原子等の異物の拡散を抑制する技術を提供すること。【解決手段】本発明に係る半導体装置(1)は、基板(10)と、半導体素子(12)と、上記基板と上記半導体素子との間に配置された金属膜(14)と、上記金属膜と上記半導体素子との間に配置された金属酸化膜(16)と、上記金属酸化膜と上記半導体素子との間に配置された絶縁膜(18)と、を含み、上記金属膜は遷移金属又はアルミニウムを含む膜であり、上記第１の金属酸化膜は上記金属膜と同種の金属が酸化した膜である、ことを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
半導体素子と、
前記基板と前記半導体素子との間に配置された金属膜と、
前記金属膜と前記半導体素子との間に配置された第１の金属酸化膜と、
前記第１の金属酸化膜と前記半導体素子との間に配置された絶縁膜と、
を含み、
前記金属膜は遷移金属又はアルミニウムを含む膜であり、前記第１の金属酸化膜は前記金属膜と同種の金属が酸化した膜である、
半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記金属膜は複数種の遷移金属を含む合金膜である、
半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記第１の金属酸化膜は前記金属膜の前記半導体素子と対向した面に接した部位を有する、
半導体装置。
【請求項４】
請求項３において、
前記第１の金属酸化膜は前記金属膜の側面と接した部位を有する、
半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか１項において、
更に、前記金属膜と前記基板との間に配置された第２の金属酸化膜を含み、当該第２の金属酸化膜は前記金属膜と同種の金属が酸化した膜である、
半導体装置。
【請求項６】
請求項５において、
前記第２の金属酸化膜は、前記金属膜の前記基板と対向した面と接している、
半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか１項において、
前記半導体素子は、能動素子又は受動素子を含む、
半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項６のいずれか１項において、
前記絶縁膜は、酸化シリコン膜を含む、
半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項６のいずれか１項において、
前記基板は、石英基板を含む、
半導体装置。
【請求項１０】
基板上に配置された半導体素子を含む半導体装置の製造方法であって、
（ａ）遷移金属又はアルミニウムからなる金属膜を前記基板上に形成すること、
（ｂ）前記金属膜に酸化処理を施すことにより、前記金属膜の上面に金属酸化膜を形成すること、
（ｃ）前記金属膜および前記金属酸化膜を所定形状に整形すること、
（ｄ）前記整形後の前記金属膜および前記金属酸化膜を覆う絶縁膜を前記基板上に形成すること、
（ｅ）前記絶縁膜上に前記半導体素子を形成すること、
を含む、半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
基板上に配置された半導体素子を含む半導体装置の製造方法であって、
（ａ）遷移金属又はアルミニウムからなる金属膜を前記基板上に形成すること、
（ｂ）前記金属膜を所定形状に整形すること、
（ｃ）前記金属膜に酸化処理を施すことにより、前記金属膜の上面および側面に金属酸化膜を形成すること、
（ｄ）前記金属膜および前記金属酸化膜を覆う絶縁膜を前記基板上に形成すること、
（ｅ）前記絶縁膜上に前記半導体素子を形成すること、
を含む、半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
基板上に配置された半導体素子を含む半導体装置の製造方法であって、
（ａ）遷移金属又はアルミニウムからなる第１の金属膜を前記基板上に形成すること、
（ｂ）前記第１の金属膜に酸化処理を施すことにより、前記第１の金属膜を第１の金属酸化膜に変換すること、
（ｃ）遷移金属又はアルミニウムからなり前記第１の金属酸化膜を覆う第２の金属膜を前記基板上に形成すること、
（ｄ）前記第２の金属膜に酸化処理を施すことにより、前記第２の金属膜の上面に第２の金属酸化膜を形成すること、
（ｅ）前記第１の金属酸化膜、前記第２の金属膜および前記第２の金属酸化膜を所定形状に整形すること、
（ｆ）前記整形後の前記第１の金属膜、前記第２の金属膜および前記第２の金属酸化膜を覆う絶縁膜を形成すること、
（ｇ）前記絶縁膜上に前記半導体素子を形成すること、
を含む、半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
基板上に配置された半導体素子を含む半導体装置の製造方法であって、
（ａ）遷移金属又はアルミニウムからなる第１の金属膜を前記基板上に形成すること、
（ｂ）前記第１の金属膜を所定形状に整形すること、
（ｃ）前記整形後の前記第１の金属膜に酸化処理を施すことにより、前記第１の金属膜を第１の金属酸化膜に変換すること、
（ｄ）遷移金属又はアルミニウムからなり前記第１の金属酸化膜を覆う第２の金属膜を前記基板上に形成すること、
（ｅ）前記第２の金属膜を所定形状に整形すること、
（ｆ）前記整形後の前記第２の金属膜に酸化処理を施すことにより、前記第２の金属膜の上面および側面に第２の金属酸化膜を形成すること、
（ｇ）前記第１の金属酸化膜、前記第２の金属膜および前記第２の金属酸化膜を覆う絶縁膜を前記基板上に形成すること、
（ｈ）前記絶縁膜上に前記半導体素子を形成すること、
を含む、半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項９乃至請求項１３のいずれか１項において、
前記酸化処理は、陽極酸化処理を含む、
半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体膜を含んで構成される半導体素子（例えば、薄膜トランジスタ等）を備える半導体装置とその製造方法、並びに当該半導体装置を含んで構成される電気光学装置（例えば、液晶装置等）に関する。
【背景技術】
【０００２】
特開２００３−２７０６６３号公報（特許文献１）には、スイッチング素子としての電界効果型トランジスタへの光入力による電気特性の変動（オフリークの増大等）を抑制するために、電界効果型トランジスタの下方位置および電界効果型トランジスタの上方位置の少なくとも一方に遮光層を配置するとともに、電界効果型トランジスタのゲート配線層とメタル配線層との間に中間遮光膜を配置することが提案されている。
【０００３】
上記のような構造を実現する遮光層としては、特にタンタル膜等の金属膜が好適に用いられる。シリコン膜やシリサイド膜などに比較し、より遮光性に優れるからである。しかしながら、タンタル膜等を遮光層に用いた場合、その後のトランジスタ等の素子製造の過程において高温のプロセス処理を経ると、遮光層の金属原子が拡散してトランジスタ等の素子まで到達し、素子特性に悪影響を及ぼす場合がある。
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−２７０６６３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
そこで本発明は、遮光膜を有する半導体装置において、遮光性を低下させずに金属原子等の異物の拡散を抑制する技術を提供することを１つの目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る半導体装置は、
基板と、
半導体素子と、
上記基板と上記半導体素子との間に配置された金属膜と、
上記金属膜と上記半導体素子との間に配置された第１の金属酸化膜と、
上記第１の金属酸化膜と上記半導体素子との間に配置された絶縁膜と、
を含み、
上記金属膜は遷移金属又はアルミニウムを含む膜であり、上記第１の金属酸化膜は上記金属膜と同種の金属が酸化した膜である、ことを特徴とする。
ここで、上記基板とは、例えば石英基板であり、上記絶縁膜とは、例えば酸化シリコン膜である。また、上記半導体素子とは、例えばトランジスタやダイオード等の能動素子、あるいは抵抗素子や容量素子等の受動素子である。
【０００７】
係る構成によれば、金属膜よりも半導体素子に近い側に金属酸化膜を設けることにより、金属膜からの金属原子の拡散が抑制される。また、相対的に半導体素子から遠い基板側に配置された金属膜により、必要十分な遮光性能が得られる。従って、遮光膜を有する半導体装置において、遮光性を低下させずに金属原子等の異物の拡散を抑制することが可能となる。また、金属酸化膜として金属膜と同種の金属が酸化した膜を採用することにより、例えば陽極酸化法など種々の酸化処理法を用いて、金属膜と強固に接合した金属酸化膜が得られやすい利点が得られる。
【０００８】
前記金属膜は複数種の遷移金属を含む合金膜であってもよい。
【０００９】
金属膜として合金膜を利用することもできる。合金膜は、その組成により融点等の物性を適宜選択することが可能となる利点がある。
【００１０】
上記第１の金属酸化膜は、上記金属膜の上記半導体素子と対向した面（表面）に接した部位を有することが好ましい。
【００１１】
半導体素子と対向した面が金属酸化膜と接し、当該金属酸化膜によって覆われることにより、金属膜からの金属原子等の異物の拡散を相当程度抑制できる。
【００１２】
上記第１の金属酸化膜は、上記金属膜の側面と接した部位を更に有することも好ましい。
【００１３】
これにより、金属膜の側面が金属酸化膜と接し、当該金属酸化膜によって覆われることにより、金属膜からの金属原子等の異物の拡散を一層抑制することが可能となる。
【００１４】
また、上記金属膜と上記基板との間に配置された第２の金属酸化膜を更に含み、この第２の金属酸化膜が上記金属膜と同種の金属が酸化した膜であることも好ましい。
【００１５】
これにより、金属膜からの金属原子等の異物の拡散をより一層抑制することが可能となる。
【００１６】
また、上記第２の金属酸化膜は、上記金属膜の上記基板と対向した面と接していることも好ましい。
【００１７】
金属膜の基板と対向する側の面（裏面）についても金属酸化膜と接し、当該金属酸化膜によって覆われることにより、金属原子等の拡散防止効果をより一層高めることが可能となる。
【００１８】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、基板上に配置された半導体素子を含む半導体装置の製造方法であって、
（ａ）遷移金属又はアルミニウムからなる金属膜を上記基板上に形成すること、
（ｂ）上記金属膜に酸化処理を施すことにより、上記金属膜の上面に金属酸化膜を形成すること、
（ｃ）上記金属膜および上記金属酸化膜を所定形状に整形すること、
（ｄ）上記整形後の上記金属膜および上記金属酸化膜を覆う絶縁膜を上記基板上に形成すること、
（ｅ）上記絶縁膜上に上記半導体素子を形成すること、
を含む。
【００１９】
本発明に係る他の半導体装置の製造方法は、基板上に配置された半導体素子を含む半導体装置の製造方法であって、
（ａ）遷移金属又はアルミニウムからなる金属膜を上記基板上に形成すること、
（ｂ）上記金属膜を所定形状に整形すること、
（ｃ）上記金属膜に酸化処理（例えば、陽極酸化処理）を施すことにより、上記金属膜の上面および側面に金属酸化膜を形成すること、
（ｄ）上記金属膜および上記金属酸化膜を覆う絶縁膜を上記基板上に形成すること、
（ｅ）上記絶縁膜上に上記半導体素子を形成すること、
を含む。
【００２０】
本発明に係る他の半導体装置の製造方法は、基板上に配置された半導体素子を含む半導体装置の製造方法であって、
（ａ）遷移金属又はアルミニウムからなる第１の金属膜を上記基板上に形成すること、
（ｂ）上記第１の金属膜に酸化処理（例えば、陽極酸化処理）を施すことにより、上記第１の金属膜を第１の金属酸化膜に変換すること、
（ｃ）遷移金属又はアルミニウムからなり上記第１の金属酸化膜を覆う第２の金属膜を上記基板上に形成すること、
（ｄ）上記第２の金属膜に酸化処理（例えば、陽極酸化処理）を施すことにより、上記第２の金属膜の上面に第２の金属酸化膜を形成すること、
（ｅ）上記第１の金属酸化膜、上記第２の金属膜および上記第２の金属酸化膜を所定形状に整形すること、
（ｆ）上記整形後の上記第１の金属膜、上記第２の金属膜および上記第２の金属酸化膜を覆う絶縁膜を形成すること、
（ｇ）上記絶縁膜上に上記半導体素子を形成すること、
を含む。
【００２１】
本発明に係る他の半導体装置の製造方法は、基板上に配置された半導体素子を含む半導体装置の製造方法であって、
（ａ）遷移金属又はアルミニウムからなる第１の金属膜を上記基板上に形成すること、
（ｂ）上記第１の金属膜を所定形状に整形すること、
（ｃ）上記整形後の上記第１の金属膜に酸化処理（例えば、陽極酸化処理）を施すことにより、上記第１の金属膜を第１の金属酸化膜に変換すること、
（ｄ）遷移金属又はアルミニウムからなり上記第１の金属酸化膜を覆う第２の金属膜を上記基板上に形成すること、
（ｅ）上記第２の金属膜を所定形状に整形すること、
（ｆ）上記整形後の上記第２の金属膜に酸化処理（例えば、陽極酸化処理）を施すことにより、上記第２の金属膜の上面および側面に第２の金属酸化膜を形成すること、
（ｇ）上記第１の金属酸化膜、上記第２の金属膜および上記第２の金属酸化膜を覆う絶縁膜を上記基板上に形成すること、
（ｈ）上記絶縁膜上に上記半導体素子を形成すること、
を含む。
【００２２】
上記いずれかの製造方法によれば、本発明に係る半導体装置を効率よく製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
【００２４】
（実施形態１）
図１は、本実施形態に係る半導体装置の構造を示す模式断面図である。図１に示す本実施形態の半導体装置１は、基板１０と、この基板１０上に配置された半導体素子としての薄膜トランジスタ１２と、金属膜１４と、金属酸化膜１６と、絶縁膜１８と、を含むものである。基板１０は、例えば石英基板である。なお、ここでは半導体素子１２の一例として能動素子の１つである薄膜トランジスタを例示しているが、半導体素子はこれに限定されるものではない。半導体素子１２は、半導体膜を用いて構成されるものであれば、他の能動素子（薄膜ダイオード等）であってもよく、抵抗素子や容量素子等の受動素子であってもよい。
【００２５】
薄膜トランジスタ１２は、半導体膜（半導体層）２０と、絶縁膜（ゲート絶縁膜）２２と、ゲート電極２４と、を含んで構成されている。半導体膜２０は、ゲート電極２４と重畳して配置される活性層（活性領域）２６と、この活性層２６の両側に配置されるイオン注入層（ソース／ドレイン領域）２８、３０と、を含む。半導体膜２０は、例えばアモルファスシリコン膜或いは多結晶シリコン膜（ポリシリコン膜）である。ＳＯＩ技術を用いて、単結晶シリコン膜を利用することもできる。イオン注入層２８、３０は、この半導体膜２０に対して不純物イオン（不純物元素）を注入することによって形成される。活性層２６は、ゲート電極２４に対する電圧の印加により、チャネル領域が形成されるものである。
【００２６】
金属膜１４は、基板１０と薄膜トランジスタ１２との間に配置されている。より詳細には、金属膜１４は、基板１０の表面に接して形成され、かつ所定形状にパターニングされている。金属膜１４の厚みは適宜決定されるものであり、例えば１００ｎｍ程度である。この金属膜１４として、本実施形態では遷移金属あるいはアルミニウム（Ａｌ）膜など、陽極酸化（あるいは熱酸化）を行うことが可能な材料からなる膜が用いられる。ここで、遷移金属（遷移元素）とは上記したように元素周期律表において３族〜１１族の間に属するものをいい、代表的なものとしてはＴｉ（チタン）、Ｔａ（タンタル）などが挙げられる。なお、他の遷移金属としては、Ｓｃ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｈｆ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、ランタノイド、アクチノイドがある。また、金属膜１４として、上記の遷移金属を複数種含んだ合金膜を利用してもよい。
【００２７】
金属酸化膜（第１の金属酸化膜）１６は、金属膜１４と薄膜トランジスタ１２との間に配置されている。より詳細には、金属酸化膜１６は、金属膜１４の薄膜トランジスタ１２と対向した面に接して形成され、当該対向面を覆っている。金属酸化膜１６の厚みは適宜決定されるものであり、例えば１００ｎｍ程度である。この金属酸化膜１６は、金属膜１４と同種の金属が酸化した膜である。この金属酸化膜１６は、例えば金属膜１４の表層部を陽極酸化させることによって形成される。この場合、金属膜１４が遷移金属の１つであるタンタル膜であれば金属酸化膜１６はタンタル酸化膜（Ｔａ2Ｏ5膜）となり、金属膜１４がアルミニウム膜であれば金属酸化膜１６は酸化アルミニウム膜となる。
【００２８】
絶縁膜１８は、例えば酸化シリコン膜である。この絶縁膜１８は、図示のように金属膜１４および金属酸化膜１６と薄膜トランジスタ１２との間に配置される。絶縁膜１８の厚みは適宜決定されるものであり、例えば３００ｎｍ程度である。
【００２９】
上記構成の半導体装置１においては、金属膜１４により十分な遮光性が得られ、薄膜トランジスタ１２への光入射を防ぐことができる。また、この金属膜１４と薄膜トランジスタ１２との間に配置された金属酸化膜１６による拡散防止効果により、金属膜１４から金属元素が拡散し、薄膜トランジスタ１２へ悪影響を及ぼすことを抑制できる。すなわち、本実施形態の構成によれば、遮光性と拡散防止効果とを両立できる。
【００３０】
図２は、半導体装置の他の構成例を示す模式断面図である。図２に示す半導体装置１ａは上記図１に示した半導体装置１に対して、更に絶縁膜３２、３８、金属膜３４および金属酸化膜３６を付加したものである。これら以外の両者に共通する構成要素については相互に同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。絶縁膜３２および絶縁膜３８は、それぞれ、例えば酸化シリコン膜である。また、金属膜３４は上記の金属膜１４と同様のものである。金属酸化膜３６は上記の金属酸化膜１６と同様のものである。図２に示す半導体装置１ａのように、半導体素子１２の上方にも金属膜３４および金属酸化膜３６からなる遮光膜を配置することにより、遮光性を更に向上させることができる。
【００３１】
本実施形態に係る半導体装置は上記のような構成を有しており、次に、この半導体装置を製造する方法の好適な一例について説明する。図３および図４は、本実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す模式断面図である。
【００３２】
まず、基板１０上に金属膜５０を形成する（図３（Ａ））。ここで金属膜とは、上記のように遷移金属又はアルミニウムからなる膜とする。例えば本実施形態では、金属膜５０としてタンタル膜を形成する。タンタル膜は、例えばＤＣスパッタ装置を用いて形成できる。このときのプロセス条件は適宜設定される。例えば、基板温度を４００℃、ＤＣ電力を７ｋＷ、キセノン（Ｘｅ）流量を５０ｓｃｃｍ、圧力（真空度）を１Ｐａと設定することができる。
【００３３】
次に、基板１０上の金属膜５０に対して酸化処理を施すことにより、この金属膜５０の上面（表層部）に金属酸化膜５２を形成する（図３（Ｂ））。酸化処理とは、例えば陽極酸化を施すことをいう。その場合、陽極化成装置を用いて金属膜５０に陽極酸化を行う。このときのプロセス条件は適宜設定される。例えば、化成液としてクエン酸０．１％溶液を用い、電流密度を０．１ｍＡ／ｃｍ2とする。処理時間を適宜コントロールすることにより、金属膜５０の全量は酸化せず、表層部が所定厚さ（本例では１００ｎｍ程度）だけ酸化するまで陽極酸化を行う。それにより、非常に緻密であり、金属膜５０と強固に結合した金属酸化膜５２が得られる。よって、金属膜５０を構成する原子が拡散するおそれは非常に小さくなる。また、酸素原子も内部に拡散しにくいので、金属膜５０が酸素原子と反応してその厚みが薄くなり遮光能力が低下することもほとんどない。このため、この金属膜５０を整形して得られる金属膜１４を遮光膜として薄膜トランジスタ１２のごく近傍に配置することにより当該遮光膜による遮光効果を向上させても、後述する薄膜トランジスタ１２の形成工程において悪影響が生じることが極めて少ない。従来、一般的に使われていたシリサイドの遮光膜に比べて十分な遮光性を安定的に維持可能となる。
【００３４】
次に、金属膜５０および金属酸化膜５２を所定形状に整形する（図３（Ｃ））。それにより、図示のように金属膜１４および金属酸化膜１６が得られる。このときの形状は任意に決めることができるが、後に形成される薄膜トランジスタ１２の形成領域と重畳することが望ましい。特に、少なくとも後述する半導体膜２０の全体と重畳するように形状を設定することが望ましい。整形（パターニング）の具体的手段としては、例えばＣＦ4ガスを用いたドライエッチングを用いることができる。
【００３５】
次に、整形後に得られた金属膜１４および金属酸化膜１６を覆う絶縁膜１８を基板１０上に形成する（図３（Ｄ））。絶縁膜１８としては、上記の酸化シリコン膜や、それ以外にも窒化シリコン膜や酸化窒化シリコン膜など適宜採用することができる。一例として、本実施形態では絶縁膜１８として酸化シリコン膜を形成する。このときのプロセス条件は適宜設置される。例えば、プラズマ励起化学気相堆積法（ＰＥＣＶＤ法）によって酸化シリコン膜を形成することができる。膜厚は上記のように例えば３００ｎｍ程度とする。上記のように金属膜１４と強固に結合した金属酸化膜１６を設けることにより、金属膜１４からの金属原子の拡散が抑制されるので、遮光膜としての金属膜１４と半導体素子としての薄膜トランジスタ１２とを隔離する絶縁膜１８の厚みを従来に比較してより薄くすることが可能になる。なお、絶縁膜を上記のＰＥＣＶＤ法などによって適宜成膜した後に、酸化膜ＣＭＰ（化学的機械的研磨）装置によって研磨し、平坦化することも好ましい。それにより、絶縁膜を一旦厚く形成した後にその厚みを調整することができるので、より良好な絶縁膜が得られる。また、絶縁膜の表面の平坦性が向上することにより、後の工程において半導体素子を形成する際に都合がよい。
【００３６】
次に、絶縁膜１８上に半導体膜２０を形成し（図４（Ａ））、更に絶縁膜２２、ゲート電極２４を形成し、かつ半導体膜２０に対してゲート電極２４を介してイオン打ち込みを行うことにより、自己整合的に活性層２６および各イオン注入層２８、３０を形成する。それにより、半導体素子としての薄膜トランジスタ１２が形成される（図４（Ｂ））。これらの工程におけるより具体的なプロセス条件等については広く一般的に知られた技術を適宜採用することが可能であり（例えば上記の特許文献１参照）、ここではより詳細な説明については割愛する。以上により、本実施形態に係る半導体装置１が得られる。
【００３７】
また、薄膜トランジスタ１２を覆う絶縁膜３２を形成し、その後に当該絶縁膜３２上に金属膜３４、金属酸化膜３６を形成し、更にこれらの金属膜３４、金属酸化膜３６を覆う絶縁膜３８を絶縁膜３２上に形成することにより、薄膜トランジスタ１２の上下（積層方向）のそれぞれに遮光膜が配置された半導体装置１ａが得られる（図４（Ｃ））。絶縁膜３２、３８の各々の形成方法は上記絶縁膜１８の場合と同様であるので、ここでは詳細な説明を割愛する。また、金属膜３４、金属酸化膜３６の各々の形成方法は上記の金属膜１４、金属酸化膜１６の場合と同様であるので、ここでは詳細な説明を割愛する。
【００３８】
（実施形態２）
図５は、本実施形態に係る半導体装置の構造を示す模式断面図である。図５に示す本実施形態の半導体装置１ｂは、上述した実施形態１に係る半導体装置１（図１参照）とほぼ同様の構成を有しており、金属膜１４を覆って配置される金属酸化膜１６ｂの形状に相違点がある。実施形態１に係る半導体装置１と本実施形態の半導体装置１ｂの両者に共通する構成要素については相互に同一の符号を付したうえ、それらの詳細な説明については省略する。
【００３９】
金属酸化膜（第１の金属酸化膜）１６ｂは、上記の金属酸化膜１６と同様に、金属膜１４と薄膜トランジスタ１２との間に配置されている。本実施形態の金属酸化膜１６ｂは、金属膜１４の薄膜トランジスタ１２と対向した面に接して形成されて当該対向面を覆う部位と、金属膜１４の側面と接して形成されて当該側面を覆う部位とを有する。金属酸化膜１６ｂの厚み、材料等は上記の金属酸化膜１６と同様である。係る構成によれば、金属膜１４の側面についても金属酸化膜１６ｂによって覆われるので、金属膜１４からの金属原子の拡散による薄膜トランジスタ１２への悪影響をより効果的に抑制することが可能になる。
【００４０】
図６は、半導体装置の他の構成例を示す模式断面図である。図６に示す半導体装置１ｃは上記図５に示した半導体装置１ｂに対して、更に絶縁膜３２、３８、金属膜３４および金属酸化膜３６ｂを付加したものである。これら以外の両者に共通する構成要素については相互に同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。金属酸化膜３６ｂは上記の金属酸化膜１６ｂと同様のものである。図６に示す半導体装置１ｃのように、半導体素子１２の上方にも金属膜３４および金属酸化膜３６ｂからなる遮光膜を配置することにより、遮光性を更に向上させることができる。
【００４１】
本実施形態に係る半導体装置は上記のような構成を有しており、次に、この半導体装置を製造する方法の好適な一例について説明する。図７および図８は、本実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す模式断面図である。なお、上記実施形態１における製造方法と共通する内容については適宜説明を省略する。
【００４２】
まず、上記した実施形態１と同様に、基板１０上に金属膜５０を形成する（図７（Ａ））。次に、この金属膜５０を所定形状に整形することにより、金属膜５１を形成する（図７（Ｂ））。このときの形状は任意に決めることができるが、後に形成される薄膜トランジスタ１２と重畳することが望ましい。特に、少なくとも後述の半導体膜２０の全体と重畳するように形状を設定することが望ましい。整形（パターニング）の具体的手段としては、例えばＣＦ4ガスを用いたドライエッチングを用いることができる。
【００４３】
次に、金属膜５１に対して酸化処理を施すことにより、この金属膜５１の上面および側面を覆う金属酸化膜１６ｂを形成する（図７（Ｃ））。ここでの酸化処理とは、例えば陽極酸化を施すことをいい、詳細条件については実施形態１の場合と同様である。本実施形態では、整形後の金属膜５１に対して酸化処理を行っているので、金属膜５１の各面のうち、上面と側面に渡って金属酸化膜１６ｂが形成される。処理時間を適宜コントロールすることにより、金属膜５１の全量は酸化せず、上面と側面の所定厚さ（例えば１００ｎｍ程度）だけ酸化させる。
【００４４】
次に、金属膜１４および金属酸化膜１６ｂを覆う絶縁膜１８を基板１０上に形成する（図７（Ｄ））。具体的な方法は上記した実施形態１の場合と同様である。
【００４５】
次に、絶縁膜１８上に半導体膜２０を形成し（図８（Ａ））、更に絶縁膜２２、ゲート電極２４を形成し、かつ半導体膜２０に対してゲート電極２４を介してイオン打ち込みを行うことにより、自己整合的に活性層２６および各イオン注入層２８、３０を形成する。それにより、半導体素子としての薄膜トランジスタ１２が形成される（図８（Ｂ））。以上により、本実施形態に係る半導体装置１ｂが得られる。
【００４６】
また、薄膜トランジスタ１２を覆う絶縁膜３２を形成し、その後に当該絶縁膜３２上に金属膜３４、金属酸化膜３６ｂを形成し、更にこれらの金属膜３４、金属酸化膜３６ｂを覆う絶縁膜３８を絶縁膜３２上に形成することにより、薄膜トランジスタ１２の上下（積層方向）のそれぞれに遮光膜が配置された半導体装置１ｃが得られる（図８（Ｃ））。絶縁膜３２、３８の各々の形成方法は上記絶縁膜１８の場合と同様である。また、金属膜３４、金属酸化膜３６ｂの各々の形成方法は上記の金属膜１４、金属酸化膜１６ｂの場合と同様である。
【００４７】
（実施形態３）
図９は、本実施形態に係る半導体装置の構造を示す模式断面図である。図９に示す本実施形態の半導体装置１ｄは、上述した実施形態１に係る半導体装置１（図１参照）とほぼ同様の構成を有しており、金属膜１４を覆って配置される金属酸化膜１６に加え、更に金属膜１４と基板１０との間に配置された金属酸化膜（第２の金属酸化膜）１７を備えることに相違点がある。実施形態１に係る半導体装置１と本実施形態の半導体装置１ｄの両者に共通する構成要素については相互に同一の符号を付したうえ、それらの詳細な説明については省略する。
【００４８】
金属酸化膜１７は、金属膜１４と基板１０との間に配置されている。本実施形態の金属酸化膜１７は、金属膜１４の基板１０と対向した面に接し、かつ基板１０と接して形成されている。金属酸化膜１７の厚み、材料等は上記の金属酸化膜１６と同様である。係る構成によれば、金属膜１４の基板１０と対向する側の面についても金属酸化膜１７によって覆われるので、金属膜１４からの金属原子の拡散による薄膜トランジスタ１２への悪影響をより効果的に抑制することが可能になる。
【００４９】
図１０は、半導体装置の他の構成例を示す模式断面図である。図１０に示す半導体装置１ｅは上記図９に示した半導体装置１ｄに対して、更に絶縁膜３２、３８、金属膜３４および金属酸化膜３６、３７を付加したものである。これら以外の両者に共通する構成要素については相互に同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。金属酸化膜３６、３７は上記の金属酸化膜１６、１７と同様のものである。図１０に示す半導体装置１ｅのように、半導体素子１２の上方にも金属膜３４および金属酸化膜３６、３７からなる遮光膜を配置することにより、遮光性を更に向上させることができる。
【００５０】
本実施形態に係る半導体装置は上記のような構成を有しており、次に、この半導体装置を製造する方法の好適な一例について説明する。図１１〜図１３は、本実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す模式断面図である。なお、上記実施形態１における製造方法と共通する内容については適宜説明を省略する。
【００５１】
まず、上記した実施形態１と同様に、基板１０上に金属膜（第１の金属膜）６０を形成する（図１１（Ａ））。金属膜６０の厚みは例えば１００ｎｍ程度である。
【００５２】
次に、金属膜６０に対して酸化処理を施すことにより、この金属膜６０を金属酸化膜（第１の金属酸化膜）６２に変換する（図１１（Ｂ））。ここでの酸化処理は、上記実施形態と同様に例えば陽極酸化を施すことである。本実施形態では、金属膜６０の全体が金属酸化膜６２に変換するように適宜条件（処理時間等）を設定して陽極酸化を施す。
【００５３】
次に、遷移金属又はアルミニウムからなり金属酸化膜６２を覆う金属膜（第２の金属膜）６４を基板１０上に形成する（図１１（Ｃ））。具体的な形成方法については上記実施形態の場合と同様である。
【００５４】
次に、金属膜６４に酸化処理を施すことにより、この金属膜６４の上面に金属酸化膜（第２の金属酸化膜）６６を形成する（図１１（Ｄ））。ここでの酸化処理とは例えば陽極酸化を施すことをいい、詳細条件については実施形態１の場合と同様である。本実施形態では、処理時間を適宜コントロールすることにより、金属膜６４の全量は酸化せず、上面の所定厚さ（例えば１００ｎｍ程度）だけ酸化させる。
【００５５】
次に、金属酸化膜６２、金属膜６４および金属酸化膜６６を所定形状に整形する（図１２（Ａ））。それにより、図示のように金属酸化膜１７、金属膜１４および金属酸化膜１６が形成される。このときの各膜の形状は任意に決めることができるが、後に形成される薄膜トランジスタ１２と重畳することが望ましい。特に、少なくとも後述の半導体膜２０の全体と重畳するように形状を設定することが望ましい。整形（パターニング）の具体的手段としては、例えばＣＦ4ガスを用いたドライエッチングを用いることができる。
【００５６】
次に、整形後の金属酸化膜１７、金属膜１４および金属酸化膜１６を覆う絶縁膜１８を基板１０上に形成する（図１２（Ｂ））。具体的な方法は上記した実施形態１の場合と同様である。
【００５７】
次に、絶縁膜１８上に半導体膜２０を形成し（図１２（Ｃ））、更に絶縁膜２２、ゲート電極２４を形成し、かつ半導体膜２０に対してゲート電極２４を介してイオン打ち込みを行うことにより、自己整合的に活性層２６および各イオン注入層２８、３０を形成する。それにより、半導体素子としての薄膜トランジスタ１２が形成される（図１３（Ａ））。以上により、本実施形態に係る半導体装置１ｄが得られる。
【００５８】
また、薄膜トランジスタ１２を覆う絶縁膜３２を形成し、その後に当該絶縁膜３２上に金属酸化膜３７、金属膜３４および金属酸化膜３６を形成し、更にこれらの金属酸化膜３７、金属膜３４および金属酸化膜３６を覆う絶縁膜３８を絶縁膜３２上に形成することにより、薄膜トランジスタ１２の上下（積層方向）のそれぞれに遮光膜が配置された半導体装置１ｅが得られる（図１３（Ｂ））。絶縁膜３２、３８の各々の形成方法は上記絶縁膜１８の場合と同様である。また、金属酸化膜３７、金属膜３４および金属酸化膜３６の各々の形成方法は上記の金属酸化膜１７、金属膜１４および金属酸化膜１６の場合と同様である。
【００５９】
図１４および図１５は、本実施形態に係る半導体装置の製造方法の他の一例を示す模式断面図である。なお、上記実施形態１における製造方法と共通する内容については適宜説明を省略する。
【００６０】
まず、上記と同様に、基板１０上に金属膜（第１の金属膜）６０を形成し（図１４（Ａ））、更にこの金属膜６０に対して酸化処理を施すことにより、金属膜６０を金属酸化膜（第１の金属酸化膜）６２に変換する（図１４（Ｂ））。
【００６１】
次に、金属酸化膜６２を所定形状に整形する（図１４（Ｃ））。それにより、図示のように金属酸化膜１７が形成される。整形の具体的手段等は上記と同様である。なお、上記の酸化処理工程（図１４（Ｂ））と本工程（図１４（Ｃ））との順序を入れ替えてもよい。
【００６２】
次に、遷移金属又はアルミニウムからなり金属酸化膜１７を覆う金属膜（第２の金属膜）６３を基板１０上に形成する（図１４（Ｄ））。具体的な形成方法については上記実施形態の場合と同様である。
【００６３】
次に、金属膜６３に酸化処理を施すことにより、この金属膜６３の上面（表層部）に金属酸化膜（第２の金属酸化膜）６５を形成する（図１５（Ａ））。ここでの酸化処理とは例えば陽極酸化を施すことをいい、詳細条件については実施形態１の場合と同様である。本実施形態では、処理時間を適宜コントロールすることにより、金属膜６３の全量は酸化せず、上面の所定厚さ（例えば１００ｎｍ程度）だけ酸化させる。
【００６４】
次に、金属酸化膜６５および金属膜６３を所定形状に整形する（図１５（Ｂ））。それにより、図示のように金属酸化膜１７上に積層された金属膜１４および金属酸化膜１６が形成される。整形の具体的手段等は上記と同様である。
【００６５】
その後は、上記図１２（Ｂ）〜図１３（Ａ）に沿って説明した製造方法と同様の各工程を経ることにより、本実施形態に係る半導体装置１ｄが得られる。また、更に図１３（Ｂ）に沿って説明した製造方法と同様の工程を経ることにより、本実施形態に係る半導体装置１ｅが得られる。よって、ここでは各工程の説明および図示は省略する。
【００６６】
（実施形態４）
図１６は、本実施形態に係る半導体装置の構造を示す模式断面図である。図１６に示す本実施形態の半導体装置１ｆは、上述した実施形態２に係る半導体装置１ｂ（図５参照）と実施形態３に係る半導体装置１ｄ（図９参照）の各々の特徴を併せもった構成を有している。なお、実施形態２に係る半導体装置１ｂ及び実施形態３に係る半導体装置１ｄと本実施形態に係る半導体装置１ｆとの両者に共通する構成要素については相互に同一の符号を付したうえ、それらの詳細な説明については省略する。
【００６７】
金属膜１４を覆って配置される金属酸化膜（第１の金属酸化膜）１６ｂは、金属膜１４の薄膜トランジスタ１２と対向した面に接して形成されて当該対向面を覆う部位と、金属膜１４の側面と接して形成されて当該側面を覆う部位とを有する。また、金属膜１４と基板１０との間に配置された金属酸化膜１７は、金属膜１４の基板１０と対向した面に接し、かつ基板１０と接して形成されている。係る構成によれば、金属膜１４の上面、側面、下面（基板１０と対向する面）の全てが金属酸化膜によって覆われるので、金属膜１４からの金属原子の拡散による薄膜トランジスタ１２への悪影響をより一層効果的に抑制することが可能になる。
【００６８】
図１７は、半導体装置の他の構成例を示す模式断面図である。図１７に示す半導体装置１ｇは上記図１６に示した半導体装置１ｆに対して、更に絶縁膜３２、３８、金属膜３４および金属酸化膜３６ｂ、３７を付加したものである。これら以外の両者に共通する構成要素については相互に同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。金属酸化膜３６ｂ、３７は上記の金属酸化膜１６ｂ、１７と同様のものである。図１０に示す半導体装置１ｇのように、半導体素子１２の上方にも金属膜３４および金属酸化膜３６ｂ、３７からなる遮光膜を配置することにより、遮光性を更に向上させることができる。
【００６９】
本実施形態に係る半導体装置は上記のような構成を有しており、次に、この半導体装置を製造する方法の好適な一例について説明する。図１８〜図２０は、本実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す模式断面図である。なお、上記実施形態１〜実施形態３における製造方法と共通する内容については適宜説明を省略する。
【００７０】
まず、上記と同様に、基板１０上に遷移金属又はアルミニウムからなる金属膜（第１の金属膜）を形成し、これを所定形状に整形する（図１８（Ａ））。それにより、所定形状にパターニングされた金属膜７０が得られる。整形の具体的手段等は上記と同様である。
【００７１】
次に、整形後の金属膜７０に対して酸化処理を施すことにより、この金属膜７０を金属酸化膜（第１の金属酸化膜）１７に変換する（図１８（Ｂ））。ここでは、金属膜７０の全量が酸化されるように、処理時間等が適宜制御される。なお、上記の整形工程（図１８（Ａ））と本工程（図１８（Ｂ））との順序を入れ替えてもよい。
【００７２】
次に、遷移金属又はアルミニウムからなる金属膜（第２の金属膜）７２を、金属酸化膜１７を覆うように基板１０上に形成し（図１８（Ｃ））、これを所定形状に整形する（図１８（Ｄ））。具体的な形成方法については上記実施形態の場合と同様である。ここでは、金属酸化膜１７と同形状であり当該金属酸化膜１７上に重畳して配置された金属膜７４が得られる。
【００７３】
次に、金属膜７４に酸化処理を施すことにより、この金属膜７４の上面および側面に接する金属酸化膜（第２の金属酸化膜）１６ｂを形成する（図１９（Ａ））。ここでの酸化処理とは例えば陽極酸化を施すことをいい、詳細条件については実施形態１の場合と同様である。本実施形態では、処理時間を適宜コントロールすることにより、金属膜７４の全量は酸化せず、上面の所定厚さ（例えば１００ｎｍ程度）だけ酸化させる。それにより、図示のように、金属酸化膜１７および金属酸化膜１６ｂによって覆われた（囲まれた）金属膜１４が形成される。
【００７４】
次に、金属酸化膜１７、金属膜１４および金属酸化膜１６ｂを覆う絶縁膜１８を基板１０上に形成する（図１９（Ｂ））。具体的な方法は上記した実施形態１等の場合と同様である。
【００７５】
次に、絶縁膜１８上に半導体膜２０を形成し（図１９（Ｃ））、更に絶縁膜２２、ゲート電極２４を形成し、かつ半導体膜２０に対してゲート電極２４を介してイオン打ち込みを行うことにより、自己整合的に活性層２６および各イオン注入層２８、３０を形成する。それにより、半導体素子としての薄膜トランジスタ１２が形成される（図２０（Ａ））。以上により、本実施形態に係る半導体装置１ｆが得られる。
【００７６】
また、薄膜トランジスタ１２を覆う絶縁膜３２を形成し、その後に当該絶縁膜３２上に金属酸化膜３７、金属膜３４および金属酸化膜３６ｂを形成し、更にこれらの金属酸化膜３７、金属膜３４および金属酸化膜３６ｂを覆う絶縁膜３８を絶縁膜３２上に形成することにより、薄膜トランジスタ１２の上下（積層方向）のそれぞれに遮光膜が配置された半導体装置１ｇが得られる（図２０（Ｂ））。絶縁膜３２、３８の各々の形成方法は上記絶縁膜１８の場合と同様である。また、金属酸化膜３７、金属膜３４および金属酸化膜３６ｂの各々の形成方法は上記の金属酸化膜１７、金属膜１４および金属酸化膜１６ｂの場合と同様である。
【００７７】
（実施形態５）
上記した実施形態１〜実施形態４の何れかの半導体装置は、例えば液晶装置などの電気光学装置へ適用することが可能である。以下、液晶装置の構成例を説明する。
【００７８】
図２１は、液晶装置の等価回路を示す図である。液晶装置１００は、マトリクス状に配置された複数の画素部１００ａを有する。各画素部１００ａは、それぞれ、画素電極１０９ａと、この画素電極１０９ａと接続された画素スイッチング用の薄膜トランジスタ１３０と、薄膜トランジスタ１３０と接続された容量素子１７０と、を含んで構成されている。また、複数のデータ線１０６ａと、複数の走査線１０３ａ及び複数の容量線１０３ｂと、が相互に交差して配置されている。各薄膜トランジスタ１３０のソースは、上記した複数のデータ線１０６ａのうちの何れか１つと接続されている。当該データ線１０６ａを通じて画素信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎのいずれかが供給される。各薄膜トランジスタ１３０のゲートは、上記した複数の走査線１０３ａのうちの何れか１つと接続されている。当該走査線１０３ａを通じて走査信号Ｇ１、Ｇ２、・・・Ｇｍのいずれかが供給される。各画素電極１０９ａは、複数の薄膜トランジスタ１３０のうちの何れか１つのドレインと接続されている。所定電位の走査信号を供給することによってスイッチング素子としての薄膜トランジスタ１３０を一定期間だけオン状態とし、データ線１０６ａを介して供給される画素信号が画素電極１０９ａに書き込まれる。このようにして書き込まれた所定電位の画素信号は、後述する対向基板に形成された対向電極との間で一定期間保持される。この保持された画素信号のリークを抑制するために、上記の容量素子１７０が付加されている。
【００７９】
図２２は、液晶装置の構造を示す模式断面図である。回路基板（第１基板）１１０と対向基板（第２基板）１２０とは互いに対向配置されており、これらの間に液晶層１５０が配置されている。対向基板１２０には、対向電極（共通電極）１２１が形成されている。この対向電極１２１は、複数の画素電極１０９ａの各々と対向配置され、これらに共有されている。対向電極１２１、画素電極１０９ａともに、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）膜などの透明導電膜からなる。このような構成の液晶装置１００においては、対向基板１２０側から入射した光は液晶層１５０において適宜、光変調された後、回路基板１１０側から出射する。対向基板１２０には、各画素部１００ａの開口領域以外における光の通過を遮蔽する遮光膜（ブラックマトリクス）１２３が形成されている。なお、開口領域とは、入射した光が液晶層１５０において変調を受けた後、回路基板１１０側において出射可能な領域をいう。このような液晶装置１００において、上記実施形態１〜実施形態４の何れかの半導体装置を適用して回路基板１１０が構成されている。具体的には、回路基板１１０は、透明基板１１２上の所定位置、具体的には薄膜トランジスタ１３０の配置に対応した位置に設けられた遮光膜１１４と、この遮光膜１１４を覆って透明基板１１２上に配置された絶縁膜１１６と、この絶縁膜１１６上の所定位置に形成された半導体素子としての薄膜トランジスタ１３０と、を備えている。遮光膜１１４は、上記実施形態１〜実施形態４の何れかにおいて説明したように金属膜と金属酸化膜とを適宜組み合わせて構成されている。図２２では実施形態１に係る構成、すなわち、透明基板１１２上に配置された金属膜１１７と、この金属膜１１７上に配置された金属酸化膜１１８とを含む構成の遮光膜１１４が例示されているが、他の実施形態を適用することも可能である。
【００８０】
図２３は、液晶装置の構造を示す模式平面図である。なお上記図２２の断面図は、図２３に示すＡ−Ａ’線に沿った断面に対応している。図２３では、いくつかの画素部１００ａを含む部分的な平面図が示されている。なお、説明の便宜上、主として走査線１０３ａ、容量線１０３ｂ、遮光膜１１４、半導体膜１３２を図示し、それ以外の構成要素については省略して（なおデータ線１０６ａについては簡略化して）示している。図示のように、各走査線１０３ａおよび各容量線１０３ｂは図中の左右方向（第１方向）に延在している。走査線１０３ａと半導体膜１３２とが交差（重畳）する位置に薄膜トランジスタ１３０の活性層が構成される。また、半導体膜１３２と容量線１０３ｂとが重畳する位置に容量素子１７０が構成される。また、これらの走査線１０３ａおよび容量線１０３ｂの延在方向に沿って、当該走査線１０３ａおよび容量線１０３の下側に遮光膜１１４が配置されている。この遮光膜１１４により、走査線１０３ａ、容量線１０３ｂ、あるいは薄膜トランジスタ１３０や容量素子１７０への光入射が妨げられる。すなわち、本実施形態では、遮光膜１１４は、走査線１０３ａの延在方向に沿った複数の画素部１００ａに渡って配置され、これらによって共有されている。このように共有することで、遮光膜１１４は走査線方向に沿って帯状に形成することが可能となる。このような形状にすることで、陽極酸化処理を施すことが容易となる。基板１１２の端部側において金属膜との電気的接続を図ることができるからである。なお、遮光膜１１４は各画素部１００ａの薄膜トランジスタ１３０ごとに設けられていてもよい。その場合には、例えば基板１１２上の全体に金属膜を形成し、陽極酸化を施した後にパターニングをすればよい。あるいは、遮光膜の形成時には、各画素部１００ａごとの金属膜を相互に接続する配線を設けておき、陽極酸化を施した後に、その配線を除去すればよい。
【００８１】
（実施形態６）
次に、上述した液晶装置を備えた電子機器の一例について説明する。
【００８２】
図２４は、液晶装置を含んで構成される電子機器の構成例を示すブロック図である。図２４に示す電子機器は、上記の液晶装置（液晶パネル）１００と、表示情報出力源１０００、表示情報処理回路１００２、駆動回路１００４、クロック発生回路１００８、電源回路１０１０を含んで構成されている。表示情報出力源１０００は、ＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）、光ディスクなどのメモリ（記憶手段）、画像信号を同調して出力する同調回路などを含んで構成され、クロック発生回路１００８からのクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号を処理して表示情報処理回路１００２へ出力する。この表示情報処理回路１００２は、例えば増幅・極性反転回路、相展開回路、ローテーション回路、ガンマ補正回路、あるいはクランプ回路等の周知の各種処理回路を含んで構成され、クロック信号に基づいて入力された表示情報からデジタル信号を順次生成し、クロック信号ＣＬＫとともに駆動回路１００４へ出力する。駆動回路１００４は、液晶装置１００を駆動する。電源回路１０１０は、上述の各回路へ電力を供給する。なお、液晶装置１００に表示情報処理回路１００２や駆動回路１００４を一体に形成してもよい。このような構成を備える電子機器としては、例えば投写型液晶表示装置（液晶プロジェクタ）、パーソナルコンピュータ、ワークステーション、携帯型電話機、テレビジョン受像機、電子手帳、カーナビゲーション装置など種々のものが挙げられる。
【００８３】
図２５は、電子機器の一例としての液晶プロジェクタの構成を示すブロック図である。図２５に示す液晶プロジェクタ１１００は、上記の駆動回路１００４が一体形成された液晶装置１００を含む液晶モジュールを３個備える。便宜上、以下の説明ではＲＧＢ各色に対応する各液晶装置１００をそれぞれ、ライトバルブ１００Ｒ、ライトバルブ１００Ｇ、ライトバルブ１００Ｂと呼ぶ。この液晶プロジェクタ１１００では、メタルハライドランプなどの白色光源のランプユニット１１０２から光が出射されると、３枚のミラー１１０６および２枚のダイクロイックミラー１１０８によって、Ｒ（赤色）、Ｇ（緑色）、Ｂ（青色）の３原色に対応する光成分Ｒ、Ｇ、Ｂに分離され（光分離手段）、対応するライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂに各々導かれる。この際に、光成分Ｂは、光路が長いので、光損失を防ぐために入射レンズ１１２２、リレーレンズ１１２３、および出射レンズ１１２４からなるリレーレンズ系１１２０を介して導かれる。そして、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂによって各々変調された３原色に対応する光成分Ｒ、Ｇ、Ｂは、ダイクロイックプリズム１１１２（光合成手段）に３方向から入射され、再度合成された後、投射レンズ１１１４を介してスクリーン１１２０などにカラー画像として投射される。
【００８４】
（他の実施形態）
なお、本発明は上述した実施形態の内容に限定されるものではなく、本発明の要旨の範囲内において種々に変形して実施することが可能である。例えば、上述した実施形態においては、酸化処理の代表的な例として陽極酸化処理を説明していたが、金属膜を酸化して金属酸化膜を形成し得るものであれば、他の処理方法（例えば熱酸化処理等）についても採用し得る。
【００８５】
また、上述した各実施形態において、半導体素子の上下それぞれに金属膜と金属酸化膜からなる遮光膜を配置する場合に、半導体素子の下側に配置される遮光膜と半導体素子の上側に配置される遮光膜とは必ずしも同構造である必要はなく、各実施形態の構造を適宜組み合わせることが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００８６】
【図１】実施形態１に係る半導体装置の構造を示す模式断面図である。
【図２】半導体装置の他の構成例を示す模式断面図である。
【図３】実施形態１に係る半導体装置の製造方法を示す模式断面図である。
【図４】実施形態１に係る半導体装置の製造方法を示す模式断面図である。
【図５】実施形態２に係る半導体装置の構造を示す模式断面図である。
【図６】半導体装置の他の構成例を示す模式断面図である。
【図７】実施形態２に係る半導体装置の製造方法を示す模式断面図である。
【図８】実施形態２に係る半導体装置の製造方法を示す模式断面図である。
【図９】実施形態３に係る半導体装置の構造を示す模式断面図である。
【図１０】半導体装置の他の構成例を示す模式断面図である。
【図１１】実施形態３に係る半導体装置の製造方法を示す模式断面図である。
【図１２】実施形態３に係る半導体装置の製造方法を示す模式断面図である。
【図１３】実施形態３に係る半導体装置の製造方法を示す模式断面図である。
【図１４】実施形態３に係る半導体装置の製造方法を示す模式断面図である。
【図１５】実施形態３に係る半導体装置の製造方法を示す模式断面図である。
【図１６】実施形態４に係る半導体装置の構造を示す模式断面図である。
【図１７】半導体装置の他の構成例を示す模式断面図である。
【図１８】実施形態４に係る半導体装置の製造方法を示す模式断面図である。
【図１９】実施形態４に係る半導体装置の製造方法を示す模式断面図である。
【図２０】実施形態４に係る半導体装置の製造方法を示す模式断面図である。
【図２１】液晶装置の等価回路を示す図である。
【図２２】液晶装置の構造を示す模式断面図である。
【図２３】液晶装置の構造を示す模式平面図である。
【図２４】液晶装置を含んで構成される電子機器の構成例を示すブロック図である。
【図２５】電子機器の一例としての液晶プロジェクタの構成を示すブロック図である。
【符号の説明】
【００８７】
１、１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄ、１ｅ、１ｆ、１ｇ…半導体装置、  １０…基板、  １２…薄膜トランジスタ（半導体素子）、  １４…金属膜、  １６、１６ｂ…金属酸化膜、  １７…金属酸化膜、  １８…絶縁膜、  ２０…半導体膜、  ２２…絶縁膜、  ２４…ゲート電極、  ２６…活性層、  ２８、３０…イオン注入層、  ３２…絶縁膜、  ３４…金属膜、  ３６、３６ｂ…金属酸化膜、  ３７…金属酸化膜、  ３８…絶縁膜、  １００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂ…ライトバルブ、  １００…液晶装置、  １００ａ…画素部、  １０３ａ…走査線、  １０３ｂ…容量線、  １０６ａ…データ線、  １０９ａ…画素電極、  １１０…回路基板、  １１２…基板、  １１２…透明基板、  １１４…遮光膜、  １１６…絶縁膜、  １１７…金属膜、  １１８…金属酸化膜、  １２０…対向基板、  １２１…対向電極、  １３０…薄膜トランジスタ、  １３２…半導体膜、  １５０…液晶層、  １７０…容量素子、  １０００…表示情報出力源、  １００２…表示情報処理回路、  １００４…駆動回路、  １００８…クロック発生回路、  １０１０…電源回路、  １１００…液晶プロジェクタ、  １１０２…ランプユニット、  １１０６…ミラー、  １１０８…ダイクロイックミラー、  １１１２…ダイクロイックプリズム、  １１１４…投射レンズ、  １１２０…スクリーン、  １１２０…リレーレンズ系、  １１２２…入射レンズ、  １１２３…リレーレンズ、  １１２４…出射レンズ
【図１】
2008224978.tif 000003
【図２】
2008224978.tif 000004
【図３】
2008224978.tif 000005
【図４】
2008224978.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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