(57)【要約】【課題】  低輝度画像表示時における暗所コントラストの低下抑制と階調表現能力の向上とを実現する。【解決手段】  プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）の駆動方法は、映像信号の輝度レベルに応じて第１の駆動シーケンスまたは第２の駆動シーケンスのいずれか一方を選択し、当該選択された駆動シーケンスに従ってＰＤＰを駆動する。第１の駆動シーケンスが選択されたとき、先頭サブフィールドＳＦ1の第１リセット期間Ｔｒ1では、リセット放電を起こすことで放電セルを非発光状態に設定し、次のアドレス期間Ｔｗ1には、初期選択セルのみを発光可能状態に設定し、次の発光期間ＴLLには初期選択セルでのみ列電極と走査電極との間に微少放電を起こし、次の第２リセット期間Ｔｒ2には、リセットパルスを少なくとも走査電極に印加することにより放電セルを非発光状態に設定する。【選択図】    図１０
2008197442.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の行電極対と、放電空間を介して前記行電極対に対向して形成された複数の列電極と、前記複数の行電極対と前記複数の列電極との交差領域にそれぞれ形成された複数の放電セルとを有し、前記各放電セル内に放電ガスが封入され且つ蛍光体層が設けられているプラズマディスプレイパネルの駆動方法であって、
（ａ）入力映像信号の各フィールドを複数のサブフィールドに分解するステップと、
（ｂ）前記入力映像信号の輝度レベルに応じて第１の駆動シーケンスまたは第２の駆動シーケンスのいずれか一方を選択するステップと、
（ｃ）前記ステップ（ｂ）で前記第１の駆動シーケンスが選択されたとき、前記第１の駆動シーケンスに従って、前記各サブフィールドの表示期間にて前記プラズマディスプレイパネルを駆動するステップと、
（ｄ）前記ステップ（ｂ）で前記第２の駆動シーケンスが選択されたとき、前記第２の駆動シーケンスに従って、前記各サブフィールドの表示期間にて前記プラズマディスプレイパネルを駆動するステップと、を有し、
前記ステップ（ｃ）は、
前記サブフィールドのうちの先頭サブフィールドの第１リセット期間にて前記放電セルを非発光状態に設定するステップと、
前記先頭サブフィールドの第１リセット期間後のアドレス期間にて前記放電セルを選択的に発光可能状態に設定するステップと、
前記先頭サブフィールドのアドレス期間後の微少発光期間にて、前記列電極と前記各行電極対を構成する走査電極との間に電圧を印加することにより、前記発光可能状態に設定された放電セルで前記列電極と前記走査電極との間に対向放電を生起させるステップと、
前記先頭サブフィールドの発光期間後の第２リセット期間にて、前記列電極と前記各行電極対を構成する走査電極との間に電圧を印加して前記放電セルを非発光状態に設定するステップと、
を含み、
前記ステップ（ｄ）は、
前記サブフィールドのうちの先頭サブフィールドのリセット期間にて前記放電セルを発光可能状態または非発光状態のいずれか一方の状態に設定するステップと、
前記先頭サブフィールドのリセット期間後のアドレス期間にて、前記放電セルを選択的に発光可能状態または非発光状態のいずれか一方の状態に設定するステップと、
前記先頭サブフィールドのアドレス期間後の発光期間にて、前記各行電極対を構成する走査電極と共通電極間に放電維持パルスを印加することにより、前記発光可能状態に設定された放電セルで前記行電極対をなす走査電極と共通電極間に維持放電を生起させるステップと、
を含むことを特徴とする駆動方法。
【請求項２】
請求項１記載の駆動方法であって、前記微少発光期間では、前記列電極の電位よりも高い電圧レベルのパルスを前記各行電極対を構成する走査電極に印加することにより前記対向放電が生起することを特徴とする駆動方法。
【請求項３】
請求項１または２記載の駆動方法であって、前記ステップ（ｃ）は、前記第２リセット期間にて、前記列電極の電位よりも高い電圧レベルのパルスを前記各行電極対を構成する走査電極に印加することにより前記走査電極と前記列電極との間に放電を生起させるステップを含むことを特徴とする駆動方法。
【請求項４】
請求項１から３のうちのいずれか１項に記載の駆動方法であって、前記入力映像信号の輝度レベルが閾値レベル以下であるときに前記第１の駆動シーケンスが選択され、前記輝度レベルが閾値レベルよりも高いときに前記第２の駆動シーケンスが選択されることを特徴とする駆動方法。
【請求項５】
請求項１から４のうちのいずれか１項に記載の駆動方法であって、前記輝度レベルは、前記入力映像信号の少なくとも１つのフィールドの平均輝度レベル、最大輝度レベルおよび最小輝度レベルの中から選択された１つであることを特徴とする駆動方法。
【請求項６】
請求項１から５のうちのいずれか１項に記載の駆動方法であって、前記ステップ（ｃ）は、前記第１リセット期間にて、前記列電極の電位よりも高い電圧レベルの第１のパルスを前記行電極対に印加することにより前記行電極対と前記列電極との間で放電を生起させるステップを含むことを特徴とする駆動方法。
【請求項７】
請求項６記載の駆動方法であって、前記第１のパルスは、立ち上がり区間において電圧レベルが経過時間とともに漸次上昇する波形を有することを特徴とする駆動方法。
【請求項８】
請求項１から７のうちのいずれか１項に記載の駆動方法であって、
前記ステップ（ｃ）は、
前記微少発光期間にて、前記列電極の電位よりも高い電圧レベルの第２のパルスを前記走査電極に印加することにより前記対向放電を生起させるステップと、
前記第２リセット期間にて、前記列電極の電位よりも高い電圧レベルを有し且つ前記第２のパルスの最大電圧よりも高い最大電圧を有する第３のパルスを前記走査電極に印加することにより前記列電極と前記走査電極との間に放電を生起させるステップと、
を含むことを特徴とする駆動方法。
【請求項９】
請求項１から７のうちのいずれか１項に記載の駆動方法であって、
前記ステップ（ｃ）は、
前記微少発光期間にて、前記列電極の電位よりも高い電圧レベルの第２のパルスを前記走査電極に印加することにより前記対向放電を生起させるステップと、
前記第２リセット期間にて、立ち上がり区間に電圧レベルが経過時間とともに漸次上昇する波形を有する第３のパルスを前記走査電極に印加することにより前記列電極と前記走査電極との間に対向放電を生起させるステップと、を含み、
前記第２のパルスの電圧レベルの立ち上がり区間での時間変化率は、前記第３のパルスの立ち上がり区間での時間変化率よりも大きいことを特徴とする駆動方法。
【請求項１０】
請求項１から７のうちのいずれか１項に記載の駆動方法であって、前記ステップ（ｃ）は、前記微少発光期間にて、前記列電極の電位よりも高い電圧レベルの第２のパルスを前記走査電極に印加することにより前記対向放電を生起させるステップを含み、
前記ステップ（ｃ）は、
前記サブフィールドのうちの先頭から第２番目サブフィールドのアドレス期間にて前記放電セルを選択的に発光可能状態に設定するステップと、
前記第２番目サブフィールドのアドレス期間後の発光期間にて、前記各行電極対を構成する走査電極と共通電極間に放電維持パルスを印加することにより、前記発光可能状態に設定された放電セルで前記行電極対をなす走査電極と共通電極間に維持放電を生起させるステップと、
を含み、前記第２のパルスの最大電圧は、前記放電維持パルスの最大電圧よりも低いことを特徴とする駆動方法。
【請求項１１】
請求項１から５のうちのいずれか１項に記載の駆動方法であって、
前記ステップ（ｃ）は、
前記第１リセット期間にて、前記列電極の電位よりも高い電圧レベルの第１のパルスを前記行電極対に印加することにより前記行電極対と前記列電極との間に放電を生起させるステップと、
前記第２リセット期間にて、前記列電極の電位よりも高い電圧レベルを有し且つ前記第１のパルスの最大電圧よりも高い最大電圧を有する第３のパルスを前記行電極対に印加することにより前記行電極対と前記列電極との間に放電を生起させるステップと、
を含むことを特徴とする駆動方法。
【請求項１２】
請求項１から１１のうちのいずれか１項に記載の駆動方法であって、前記ステップ（ｄ）は、前記リセット期間にて、前記列電極の電位よりも高い電圧レベルのパルスを前記各行電極対に印加することにより前記行電極対と前記列電極との間に放電を生起させるステップを含むことを特徴とする駆動方法。
【請求項１３】
請求項１から１２のうちのいずれか１項に記載の駆動方法であって、前記各放電セルは、イオン照射を受けて二次電子を前記放電空間に放出する電子放出材料を含むことを特徴とする駆動方法。
【請求項１４】
請求項１３記載の駆動方法であって、前記電子放出材料は、電界を受けて電子を前記放電空間に放出する材料を含むことを特徴とする駆動方法。
【請求項１５】
請求項１３または１４記載の駆動方法であって、前記各放電セルは、前記行電極対を被覆する誘電体層と、前記電子放出材料からなり前記誘電体層を被覆する電子放出層と、を含むことを特徴とする駆動方法。
【請求項１６】
請求項１３または１４記載の駆動方法であって、前記各放電セルは、前記電子放出材料からなり前記蛍光体層を被覆する電子放出層を含むことを特徴とする駆動方法。
【請求項１７】
請求項１３または１４記載の駆動方法であって、前記電子放出材料の結晶粒子が、前記放電空間に露出する状態で前記蛍光体層中に散在していることを特徴とする駆動方法。
【請求項１８】
請求項１３から１７のうちのいずれか１項に記載の駆動方法であって、前記電子放出材料は酸化マグネシウムの結晶体からなることを特徴とする駆動方法。
【請求項１９】
請求項１８記載の駆動方法であって、前記酸化マグネシウムの結晶体は、電子線照射により励起されて２００〜３００ナノメートルの波長域内で発光ピークを持つカソード・ルミネッセンス材料である酸化マグネシウムの結晶体を含むことを特徴とする駆動方法。
【請求項２０】
請求項１９記載の駆動方法であって、前記カソード・ルミネッセンス材料の発光ピークは、２３０〜２５０ナノメートルの波長域内に存在することを特徴とする駆動方法。
【請求項２１】
請求項１８から２０のうちのいずれか１項に記載の駆動方法であって、前記酸化マグネシウムの結晶体として、金属マグネシウム蒸気と酸素との気相酸化反応により生成された粒子が使用されることを特徴とする駆動方法。
【請求項２２】
複数の行電極対と、放電空間を介して前記行電極対に対向して形成された複数の列電極と、前記複数の行電極対と前記複数の列電極との交差領域にそれぞれ形成された複数の放電セルとを有し、前記各放電セル内に放電ガスが封入され且つ蛍光体層が設けられているプラズマディスプレイパネルの駆動方法であって、
（ａ）入力映像信号の各フィールドを複数のサブフィールドに分解するステップと、
（ｂ）前記入力映像信号の輝度レベルに応じて第１の駆動シーケンスまたは第２の駆動シーケンスのいずれか一方を選択するステップと、
（ｃ）前記ステップ（ｂ）で前記第１の駆動シーケンスが選択されたとき、前記第１の駆動シーケンスに従って、前記各サブフィールドの表示期間にて前記プラズマディスプレイパネルを駆動するステップと、
（ｄ）前記ステップ（ｂ）で前記第２の駆動シーケンスが選択されたとき、前記第２の駆動シーケンスに従って、前記各サブフィールドの表示期間にて前記プラズマディスプレイパネルを駆動するステップと、を有し、
前記ステップ（ｃ）は、
前記サブフィールドのうち最小の輝度の重みが割り当てられたサブフィールドのアドレス期間にて、前記放電セルを選択的に発光可能状態に設定するステップと、
前記アドレス期間後の微少発光期間にて、前記列電極と前記各行電極対を構成する走査電極との間に電圧を印加することにより、前記発光可能状態に設定された放電セルで前記列電極と前記走査電極との間に対向放電を生起させるステップと、
を含み、
前記ステップ（ｄ）は、
前記サブフィールドのうち最小の輝度の重みが割り当てられたサブフィールドのアドレス期間にて、前記放電セルを選択的に発光可能状態に設定するステップと、
前記アドレス期間後の発光期間にて、前記各行電極対に放電維持パルスを印加することにより、前記発光可能状態に設定された放電セルで前記行電極対をなす走査電極と共通電極間に維持放電を生起させるステップと、
を含むことを特徴とする駆動方法。
【請求項２３】
複数の行電極対と、放電空間を介して前記行電極対に対向して形成された複数の列電極と、前記複数の行電極対と前記複数の列電極との交差領域にそれぞれ形成された複数の放電セルとを有し、前記各放電セル内に放電ガスが封入され且つ蛍光体層が設けられているプラズマディスプレイパネルを有するプラズマディスプレイ装置であって、
入力映像信号の各フィールドを複数のサブフィールドに分解する信号処理部と、
前記プラズマディスプレイパネルを駆動するパネル駆動部と、
前記入力映像信号の輝度レベルに応じて第１の駆動シーケンスまたは第２の駆動シーケンスのいずれか一方を選択し、当該選択された駆動シーケンスに従って前記各サブフィールドの表示期間にて前記パネル駆動部を制御する駆動制御部と、を備え、
前記第１の駆動シーケンスが選択されたとき、前記パネル駆動部は、
前記サブフィールドのうちの先頭サブフィールドの第１リセット期間にて前記放電セルを非発光状態に設定する第１リセット動作と、
前記先頭サブフィールドの第１リセット期間後のアドレス期間にて前記放電セルを選択的に発光可能状態に設定するアドレス動作と、
前記先頭サブフィールドのアドレス期間後の微少発光期間にて、前記列電極と前記各行電極対を構成する走査電極との間に電圧を印加することにより、前記発光可能状態に設定された放電セルで前記列電極と前記走査電極との間に対向放電を生起させる微少発光動作と、
前記先頭サブフィールドの発光期間後の第２リセット期間にて、前記列電極と前記各行電極対を構成する走査電極との間に電圧を印加して前記放電セルを非発光状態に設定する第２リセット動作と、
を実行し、
前記第２の駆動シーケンスが選択されたとき、前記パネル駆動部は、
前記サブフィールドのうちの先頭サブフィールドのリセット期間にて前記放電セルを発光可能状態または非発光状態のいずれか一方の状態に設定するリセット動作と、
前記先頭サブフィールドのリセット期間後のアドレス期間にて、前記放電セルを選択的に発光可能状態または非発光状態のいずれか一方の状態に設定するアドレス動作と、
前記先頭サブフィールドのアドレス期間後の発光期間にて、前記各行電極対に放電維持パルスを印加することにより、前記発光可能状態に設定された放電セルで前記行電極対をなす走査電極と共通電極間に維持放電を生起させる発光動作と、
を実行することを特徴とするプラズマディスプレイ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、映像信号の各フィールドを複数のサブフィールドに分解し、サブフィールドの組み合わせで多階調の画像表示を行うプラズマディスプレイパネルの駆動技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
プラズマディスプレイは、各々の内部に蛍光体層が塗布されマトリクス状に配列された複数個の放電セルからなる表示パネルを有している。プラズマディスプレイは、画像を表示するとき、放電セルのうち選択した放電セルにガス放電を起こして紫外線を発生させる。この紫外線は、放電セル内の蛍光体層を励起して当該蛍光体層に光を放出させる。単位時間当たりに放電セルで発生するガス放電の回数を制御することで多階調画像の表示が可能となる。
【０００３】
一般に、プラズマディスプレイの階調制御方式としては、１枚の画像に相当する各フィールドを複数のサブフィールドに分解し、各サブフィールドに対して発光期間に比例する輝度の重みを割り当て、これらサブフィールドの組み合わせで多階調の画像表示を行うというサブフィールド法が採用されている。複数のサブフィールドは時間軸に沿って順次表示されるので、人間の眼は、これら複数のサブフィールドの発光パターンを積分して１枚の画像として視覚することとなる。たとえば、１フィールドを構成する８枚のサブフィールドに割り当てるべき輝度の重みを、それぞれ、２0：２1：２2：２3：２4：２5：２6：２7（＝１：２：４：８：１６：３２：６４：１２８）の比率に設定すれば、サブフィールドの組み合わせで２５６階調の画像表示が可能である。この種のサブフィールド法による階調制御技術は、たとえば、特許文献１（特開２００３−２９６９８号公報）および特許文献２（米国特許出願公開第２００３／０１１５４３号公報）に開示されている。
【０００４】
サブフィールド法に基づく階調制御では、各フィールドを構成するサブフィールドのうち先頭サブフィールドの表示期間において、最初に、全ての放電セル内の電荷分布を初期調整するリセット放電が実行される。しかしながら、このリセット放電により生じた光（背景発光）が表示画像のコントラスト、特に暗室コントラストを低下させて画質を劣化させるという問題がある。ここで、一般に「暗所コントラスト」とは、白レベルの画像表示時における発光輝度（＝Ｌｇ）と、黒レベルの画像表示時における背景発光輝度（＝Ｌｂ）との比率（＝Ｌｇ／Ｌｂ）として定義されている。暗所コントラストは、特に低輝度画像表示時における画質の優劣を決めるパラメータの１つである。
【０００５】
このような暗所コントラストの低下を抑制する階調制御技術として、特許文献３（特開２００２−６８０３号公報）に開示されているプラズマディスプレイパネルの駆動方法が知られている。特許文献３に記載される駆動方法では、リセット放電を起こすために、電圧レベルが緩やかに変化する前縁部（立ち上がり部分）を持つリセットパルスが生成される。また、その前縁部の電圧レベルが所定レベルに到達するまでの時間を表示画像の平均輝度に応じて調整し、これにより、低輝度画像表示時におけるリセット放電による背景発光輝度が低下し、暗所コントラストの低下が抑制される。
【特許文献１】特開２００３−２９６９８号公報
【特許文献２】米国特許出願公開第２００３／０１１５４３号公報（特許文献１に係る特許出願を優先権主張の基礎とする米国特許出願の公開公報）
【特許文献３】特開２００２−６８０３号公報（たとえば、段落「００２９」参照）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
近年、低輝度画像の階調表現能力の向上が要求されているが、低輝度画像表示時において、暗所コントラストの低下を抑制すると同時に階調表現能力を高めることは難しかった。特許文献３に記載される駆動方法は、暗所コントラストの低下を抑制することはできても、低輝度画像の階調表現能力に乏しいために滑らかなグラデーションを持つ低輝度画像を表示することができないという問題がある。
【０００７】
上記に鑑みて本発明の主な目的は、低輝度画像表示時における暗所コントラストの低下抑制と階調表現能力の向上とを実現し得るプラズマディスプレイパネルの駆動方法およびプラズマディスプレイ装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成すべく、請求項１記載の発明は、複数の行電極対と、放電空間を介して前記行電極対に対向して形成された複数の列電極と、前記複数の行電極対と前記複数の列電極との交差領域にそれぞれ形成された複数の放電セルとを有し、前記各放電セル内に放電ガスが封入され且つ蛍光体層が設けられているプラズマディスプレイパネルの駆動方法であって、（ａ）入力映像信号の各フィールドを複数のサブフィールドに分解するステップと、（ｂ）前記入力映像信号の輝度レベルに応じて第１の駆動シーケンスまたは第２の駆動シーケンスのいずれか一方を選択するステップと、（ｃ）前記ステップ（ｂ）で前記第１の駆動シーケンスが選択されたとき、前記第１の駆動シーケンスに従って、前記各サブフィールドの表示期間にて前記プラズマディスプレイパネルを駆動するステップと、（ｄ）前記ステップ（ｂ）で前記第２の駆動シーケンスが選択されたとき、前記第２の駆動シーケンスに従って、前記各サブフィールドの表示期間にて前記プラズマディスプレイパネルを駆動するステップと、を有し、前記ステップ（ｃ）は、前記サブフィールドのうちの先頭サブフィールドの第１リセット期間にて前記放電セルを非発光状態に設定するステップと、前記先頭サブフィールドの第１リセット期間後のアドレス期間にて前記放電セルを選択的に発光可能状態に設定するステップと、前記先頭サブフィールドのアドレス期間後の微少発光期間にて、前記列電極と前記各行電極対を構成する走査電極との間に電圧を印加することにより、前記発光可能状態に設定された放電セルで前記列電極と前記走査電極との間に対向放電を生起させるステップと、前記先頭サブフィールドの発光期間後の第２リセット期間にて、前記列電極と前記各行電極対を構成する走査電極との間に電圧を印加して前記放電セルを非発光状態に設定するステップと、を含み、前記ステップ（ｄ）は、前記サブフィールドのうちの先頭サブフィールドのリセット期間にて前記放電セルを発光可能状態または非発光状態のいずれか一方の状態に設定するステップと、前記先頭サブフィールドのリセット期間後のアドレス期間にて、前記放電セルを選択的に発光可能状態または非発光状態のいずれか一方の状態に設定するステップと、前記先頭サブフィールドのアドレス期間後の発光期間にて、前記各行電極対に放電維持パルスを印加することにより、前記発光可能状態に設定された放電セルで前記行電極対をなす走査電極と共通電極間に維持放電を生起させるステップと、を含むことを特徴としている。
【０００９】
請求項２２記載の発明は、複数の行電極対と、放電空間を介して前記行電極対に対向して形成された複数の列電極と、前記複数の行電極対と前記複数の列電極との交差領域にそれぞれ形成された複数の放電セルとを有し、前記各放電セル内に放電ガスが封入され且つ蛍光体層が設けられているプラズマディスプレイパネルの駆動方法であって、（ａ）入力映像信号の各フィールドを複数のサブフィールドに分解するステップと、（ｂ）前記入力映像信号の輝度レベルに応じて第１の駆動シーケンスまたは第２の駆動シーケンスのいずれか一方を選択するステップと、（ｃ）前記ステップ（ｂ）で前記第１の駆動シーケンスが選択されたとき、前記第１の駆動シーケンスに従って、前記各サブフィールドの表示期間にて前記プラズマディスプレイパネルを駆動するステップと、（ｄ）前記ステップ（ｂ）で前記第２の駆動シーケンスが選択されたとき、前記第２の駆動シーケンスに従って、前記各サブフィールドの表示期間にて前記プラズマディスプレイパネルを駆動するステップと、を有し、前記ステップ（ｃ）は、前記サブフィールドのうち最小の輝度の重みが割り当てられたサブフィールドのアドレス期間にて、前記放電セルを選択的に発光可能状態に設定するステップと、前記アドレス期間後の微少発光期間にて、前記列電極と前記各行電極対を構成する走査電極との間に電圧を印加することにより、前記発光可能状態に設定された放電セルで前記列電極と前記走査電極との間に対向放電を生起させるステップと、を含み、前記ステップ（ｄ）は、前記サブフィールドのうち最小の輝度の重みが割り当てられたサブフィールドのアドレス期間にて、前記放電セルを選択的に発光可能状態に設定するステップと、前記アドレス期間後の発光期間にて、前記各行電極対に放電維持パルスを印加することにより、前記発光可能状態に設定された放電セルで前記行電極対をなす走査電極と共通電極間に維持放電を生起させるステップと、を含むことを特徴としている。
【００１０】
請求項２３記載の発明は、複数の行電極対と、放電空間を介して前記行電極対に対向して形成された複数の列電極と、前記複数の行電極対と前記複数の列電極との交差領域にそれぞれ形成された複数の放電セルとを有し、前記各放電セル内に放電ガスが封入され且つ蛍光体層が設けられているプラズマディスプレイパネルを有するプラズマディスプレイ装置であって、入力映像信号の各フィールドを複数のサブフィールドに分解する信号処理部と、前記プラズマディスプレイパネルを駆動するパネル駆動部と、前記入力映像信号の輝度レベルに応じて第１の駆動シーケンスまたは第２の駆動シーケンスのいずれか一方を選択し、当該選択された駆動シーケンスに従って前記各サブフィールドの表示期間にて前記パネル駆動部を制御する駆動制御部と、を備え、前記第１の駆動シーケンスが選択されたとき、前記パネル駆動部は、前記サブフィールドのうちの先頭サブフィールドの第１リセット期間にて前記放電セルを非発光状態に設定する第１リセット動作と、前記先頭サブフィールドの第１リセット期間後のアドレス期間にて前記放電セルを選択的に発光可能状態に設定するアドレス動作と、前記先頭サブフィールドのアドレス期間後の微少発光期間にて、前記列電極と前記各行電極対を構成する走査電極との間に電圧を印加することにより、前記発光可能状態に設定された放電セルで前記列電極と前記走査電極との間に対向放電を生起させる微少発光動作と、前記先頭サブフィールドの発光期間後の第２リセット期間にて、前記列電極と前記各行電極対を構成する走査電極との間に電圧を印加して前記放電セルを非発光状態に設定する第２リセット動作と、を実行し、前記第２の駆動シーケンスが選択されたとき、前記パネル駆動部は、前記サブフィールドのうちの先頭サブフィールドのリセット期間にて前記放電セルを発光可能状態または非発光状態のいずれか一方の状態に設定するリセット動作と、前記先頭サブフィールドのリセット期間後のアドレス期間にて、前記放電セルを選択的に発光可能状態または非発光状態のいずれか一方の状態に設定するアドレス動作と、前記先頭サブフィールドのアドレス期間後の発光期間にて、前記各行電極対に放電維持パルスを印加することにより、前記発光可能状態に設定された放電セルで前記行電極対をなす走査電極と共通電極間に維持放電を生起させる発光動作と、を実行することを特徴としている。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明に係る種々の実施例について説明する。
【００１２】
図１は、本発明の実施例に係るプラズマディスプレイ装置１の概略構成を示す図である。プラズマディスプレイ装置１は、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）２を有し、さらに、このプラズマディスプレイパネル２内の放電セルＣＬ，…，ＣＬを駆動する列電極駆動部１５、第１行電極駆動部１６Ａおよび第２行電極駆動部１６Ｂを有している。これら列電極駆動部１５、第１行電極駆動部１６Ａおよび第２行電極駆動部１６Ｂによって本発明に係る「パネル駆動部」が構成され得る。
【００１３】
また、プラズマディスプレイ装置１は、プラズマディスプレイパネル２に表示すべき映像信号を処理する信号処理部として、コントローラ１０、階調調整部１２、駆動データ生成部１３およびメモリ回路１４を有している。これら処理ブロック１０〜１３の全部または一部は、ハードウェアの回路構成で実現されてもよいし、あるいは、不揮発性メモリや光ディスクなどの記録媒体に記録されたプログラムまたはプログラムコードで実現されてもよい。そのようなプログラムまたはプログラムコードは、ＣＰＵなどのプロセッサに上記処理ブロック１０〜１３の全部または一部の処理を実行させるものである。
【００１４】
コントローラ１０は、デジタル信号である入力映像信号ＶＳｉに信号処理を施して映像信号ＶＳａを生成し、この映像信号ＶＳａを階調調整部１２に転送する。また、コントローラ１０は、外部信号源（図示せず）から供給される同期信号（水平同期信号と垂直同期信号含む。）およびクロック信号を用いて、駆動制御部１１の動作を制御する機能をも有する。
【００１５】
さらにコントローラ１０は、重み割り当て部１０Ａおよび輝度検出部１０Ｂを処理ブロックとして含む。輝度検出部１０Ｂは、入力映像信号ＶＳｉの少なくとも１フィールドの平均輝度レベル（すなわち、ＡＰＬ：Average Picture Level）、最大輝度レベルおよび最小輝度レベルを検出する。重み割り当て部１０Ａは、輝度検出部１０Ｂで検出された平均輝度レベルに応じた輝度の重みを、入力映像信号ＶＳｉの各フィールドを構成するサブフィールドにそれぞれ割り当てる機能を有する。
【００１６】
階調調整部１２は、コントローラ１０から入力された映像信号ＶＳａに誤差拡散処理およびディザ処理を施して階調調整信号ＶＳｂを生成する。階調調整部１２は、たとえば、８ビットの映像信号ＶＳａの画素データの下位２ビットを周辺画素データの上位６ビットに拡散する誤差拡散を実行して６ビット信号を得ることができる。また階調調整部１２は、たとえば、誤差拡散により得られた６ビット信号にディザマトリクスの要素を加算した後にビットシフトを施すことで上位４ビットの階調調整信号ＶＳｂを得ることが可能である。
【００１７】
駆動データ生成部１３は、サブフィールド法の駆動シーケンスに対応する変換テーブルに従って、階調調整信号ＶＳｂを駆動データ信号ＤＤに変換する機能を有する。メモリ回路１４は、駆動データ生成部１３の出力である駆動データ信号ＤＤを一時的に記憶する。同時にメモリ回路１４は、駆動制御部１１による制御に従って、記憶データをサブフィールド単位で読み出し、当該読み出されたデータ信号ＤＤａを列電極駆動部１５に転送する。このように駆動データ生成部１３とメモリ回路１４は協働して、階調調整信号ＶＳｂの各フィールドを複数のサブフィールドに分解し、これらサブフィールドを表すデータ信号ＤＤａを生成する機能を発揮する。
【００１８】
列電極駆動部１５は、メモリ回路１４から転送されたデータ信号ＤＤａに基づいてアドレスパルスを発生し、これらアドレスパルスを所定のタイミングでプラズマディスプレイパネル２の列電極Ｄ1，…，Ｄm（ｍは２以上の整数）に印加することとなる。
【００１９】
プラズマディスプレイパネル２は、面状に且つマトリクス状に配列されている複数の放電セルＣＬ，…，ＣＬと、列電極駆動部１５から列方向に伸長するｍ本の列電極（すなわち、アドレス電極）Ｄ1，…，Ｄmと、第１行電極駆動部１６Ａから行方向に伸長するｎ本（ｎは２以上の整数）の共通電極Ｘ1，…，Ｘnと、第２行電極駆動部１６Ｂから行方向に伸長するｎ本の走査電極Ｙ1，…，Ｙnと、を有する。共通電極Ｘj（ｊは正整数）とこれに対応する走査電極Ｙjとで１つの行電極対が構成される。行電極対Ｘj，Ｙjと列電極Ｄk（ｋは正整数）との交差領域、言い換えれば、行電極対Ｘj，Ｙjと列電極Ｄkとの交差点に対応する領域に放電セルＣＬが形成されている。電極対Ｘj，Ｙjと列電極Ｄkとは、プラズマディスプレイパネル２の基板の厚み方向に離間しており、各放電セルＣＬ内の放電空間は、これら電極対Ｘj，Ｙjと列電極Ｄkとの間に形成されている。
【００２０】
図２は、プラズマディスプレイパネル２の構成の一例を示す平面図である。図３は、図２に示されるプラズマディスプレイパネル２のＶ３−Ｖ３切断線での断面図であり、図４は、図２に示されるプラズマディスプレイパネル２のＷ２−Ｗ２切断線での断面図である。
【００２１】
図３および図４に示されるように、プラズマディスプレイパネル２は、透明基板（前面基板）２２と背面基板２４とを有する。透明基板２２の内面には、行電極対Ｘj，ＹjおよびＸj+1，Ｙj+1が形成されている。各共通電極Ｘjは、第１透明電極Ｘａと当該第１透明電極Ｘａに接続する第１バス電極Ｘｂとからなり、各走査電極Ｙjは、第２透明電極Ｙａと当該第２透明電極Ｙａに接続する第２バス電極Ｙｂとからなる。第１および第２透明電極Ｘａ，Ｙａは、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）やＳｎＯ2などの透明電極材料からなり、第１および第２バス電極Ｘｂ，Ｙｂは、行電極対Ｘj，ＹjおよびＸj+1，Ｙj+1のインピーダンス低減のため、Ｃｒ（クロム）やＣｕ（銅）などの比較的低い電気抵抗を持つ導電材料からなる。また、行電極対Ｘj，Ｙjと行電極対Ｘj+1，Ｙj+1との間には、透明基板２２の内面に黒色または暗色の光吸収層（ブラックストライプ）２１が形成されている。
【００２２】
共通電極Ｘj，Ｘj+1と走査電極Ｙj，Ｙj+1と光吸収層２１とを被覆する保護層として誘電体層２３が形成されている。誘電体層２３は、たとえばガラス材料からなる単層または複数層の誘電体膜と、この誘電体膜を被覆する保護膜とで構成されればよい。保護膜としては、たとえばアルカリ土類金属の酸化物膜（たとえば、ＭｇＯ膜）が挙げられる。図２に示されるように、共通電極Ｘj，Ｘj+1の第１バス電極Ｘｂは行方向に伸長し、第１透明電極Ｘａは、第１バス電極Ｘｂから列方向に突出し且つＴ字状の先端部を有する。同様に、走査電極Ｙj，Ｙj+1の第２バス電極Ｙｂは行方向に伸長し、第２透明電極Ｙａは、第２バス電極Ｙｂから列方向に突出し、且つ第１透明電極ＸａのＴ字状先端部に対向するＴ字状の先端部を有している。そして、行電極対Ｘj，Ｙjと行電極対Ｘj+1，Ｙj+1との間に介在する光吸収層２１は、行方向に伸長しており、外光反射率を低下させてコントラストを改善する機能を発揮する。
【００２３】
一方、図２〜図４に示されるように、背面基板２４の対向面には、列方向に伸長する列電極Ｄk，Ｄk+1，Ｄk+2が形成されている。これら列電極Ｄk，Ｄk+1，Ｄk+2を被覆する白色誘電体からなる保護層２５が成膜されている。保護層２５の上には、各放電セルＣＬが有する放電空間ＤＳを形成する隔壁２０が設けられている。各隔壁２０は、図２に示されるように、行方向に伸長する一対の隔壁２０Ａ，２０Ａと、前記一対の隔壁２０Ａ，２０Ａを接続するように列方向に伸長する複数の隔壁２０Ｂ，２０Ｂ，…とで構成されている。図３および図４に示されるように、電極対Ｘj，ＹjおよびＸj+1，Ｙj+1の下方において隔壁２０の側壁と保護層２５の上面とに蛍光体層２６が塗布されている。これら隔壁２０と蛍光体層２６と誘電体層２３とで囲まれる領域各々が各放電空間ＤＳを形成することとなる。放電空間ＤＳには、キセノンなどの放電ガスが封入されており、この放電ガスは、共通電極Ｘjと走査電極Ｙjとの間の電位差、あるいは共通電極Ｘjおよび走査電極Ｙjのいずれか一方と列電極Ｄk+1との間の電位差が放電空間ＤＳ内に形成する電界によりガス放電を起こし、紫外線を発生させる。この紫外線は、蛍光体層２６の励起子（たとえば、電子やホール）を励起させ、蛍光体層２６に当該蛍光体層２６の発光色（赤色、緑色または青色）の可視光を放出させる。
【００２４】
なお、１個の画素セルは複数個の表示セルＣＬ，…，ＣＬで構成される。たとえば、赤色発光の表示セルＣＬ，緑色発光の表示セルＣＬおよび青色発光の表示セルＣＬで１個の画素セルを構成すればよい。
【００２５】
図５および図６は、プラズマディスプレイパネル２の構成の他の例を示す断面図である。図５は、図２に示されるプラズマディスプレイパネル２のＶ３−Ｖ３切断線での断面図であり、図６は、図２に示されるプラズマディスプレイパネル２のＷ２−Ｗ２切断線での断面図である。図５および図６のプラズマディスプレイパネル２では、誘電体層２３を被覆するように電子放出層３０が形成されている。電子放出層３０を除く構成は、図３および図４の構成と略同じである。電子放出層３０は、電子ビーム蒸着法またはスパッタリング法により成膜することができる。
【００２６】
電子放出層３０は、イオン（電子を含む。）の照射を受けて二次電子（Ion-Induced Secondary Electron）を高い二次電子放出率（γ値）をもって放出し、且つ電界を受けて電子（以下、「初期電子」という。）を放出する電子放出材料を含むものである。プラズマディスプレイ装置１の高精細化を実現するために放電セルＣＬが微細化されると、発光効率の低下とともに放電遅れの増大が問題となる。二次電子や初期電子は、放電開始電圧を低下させるプライミング効果を起こして放電遅れを改善させるものである。特に電子放出材料として酸化マグネシウムの結晶体を使用すると、放電遅れを改善することができる。この酸化マグネシウムの結晶体は、酸化マグネシウム蒸気と酸素とを気相酸化反応させて結晶核を生成し、当該生成された結晶核を成長させるプロセスにより得ることが可能である。
【００２７】
放電遅れを大幅に改善する観点からは、酸化マグネシウムの結晶体として、電子線照射により励起されて２００〜３００ナノメートルの波長域内で発光ピークを持つカソード・ルミネッセンス材料を含む結晶材料を使用することが好ましく、特に２３０〜２５０ナノメートルの波長域内に発光ピークを持つカソード・ルミネッセンス材料を含む結晶材料を使用することが好ましい。このような酸化マグネシウムの結晶体は、高い二次電子放出率（γ値）だけでなく高い初期電子放出率を有するので、プライミング効果を増大させる効果を奏する。
【００２８】
酸化マグネシウムの結晶体は、互いに嵌り込む立方体結晶からなる多重結晶構造、あるいは立方体形の単結晶構造を有することが望ましく、特に、２０００オングストローム以上の平均粒径を有する結晶体であることが望ましい。結晶体の平均粒径は、試料へのガス吸着量の測定の測定結果に基づいてＢＥＴ法（Brunauer-Emmette-Teller Method）を用いて測定することができる。２０００オングストローム以上の平均粒径を持つ酸化マグネシウムの結晶体を生成するためには、気相酸化反応に必要な加熱温度を高くする必要がある。かかる加熱温度を生成する火炎の長さを長くし且つ当該火炎の温度と周囲の温度との差を大きくすることによって、単位時間当たりに蒸発させるマグネシウムの量を増加させ、マグネシウム蒸気と酸素との反応領域を増大させて、前述の波長域内の発光ピークを有する大きな粒径の結晶体を多数得ることができる。
【００２９】
さらなる放電遅れの改善のために、上記電子放出材料からなる薄膜を蛍光体層２６上に成膜してもよいし、あるいは、上記電子放出材料からなる結晶体粒子を放電空間ＤＳに露出する状態で蛍光体層２６に混在させてもよい。図７は、蛍光体層２６上に成膜された電子放出膜２６ａを概略的に示す図であり、図８は、蛍光体層２６内に散在する電子放出材料の結晶体粒子２６ｅ，２６ｅ，…を概略的に示す図である。図８に示されるように、結晶体粒子２６ｅ，…は、放電空間ＤＳに露出した状態で蛍光体粒子２６ｐ，２６ｐ，…とともに蛍光体層２６を構成している。図７の電子放出膜２６ａと図８の電子放出材料の結晶体粒子２６ｅとを使用すると、列電極Ｄkに負の電圧極性のパルスを印加し共通電極Ｘjまたは走査電極Ｙjに正の電圧極性のパルスを印加することにより放電空間ＤＳに対向放電を起こす場合に、電子放出膜２６ａと結晶体粒子２６ｅとから二次電子および初期電子（プライミング粒子）が放出され、プライミング効果を起こして放電遅れを改善させる。このプライミング効果については後述する。
【００３０】
以上の構成を有するプラズマディスプレイ装置１の種々の動作を以下に説明する。
【００３１】
図１に示される駆動制御部１１は、輝度検出部１０Ｂで検出された輝度レベルに応じて、２種類の駆動シーケンスのいずれか一方を選択し、当該選択された駆動シーケンスに従った制御を実行する機能を有する。駆動制御部１１は、当該検出された輝度レベルが所定の閾値レベル以下であるときは入力映像信号ＶＳｉの画像が低輝度画像であると判定して一方の駆動シーケンス（以下、第１駆動シーケンスと呼ぶ。）を選択することができる。他方、駆動制御部１１は、当該検出された輝度レベルが前記閾値レベルよりも高いときには入力映像信号ＶＳｉの画像が低輝度画像ではないと判定して他方の駆動シーケンス（以下、第２駆動シーケンスと呼ぶ。）を選択することができる。輝度レベルとしては、上述の平均輝度レベル、最大輝度レベルあるいは最小輝度レベルを選択的に使用すればよい。
【００３２】
図９は、本実施例に係る第１駆動シーケンスの例を概略的に示す図である。この第１駆動シーケンスでは、映像信号の１フィールドは、表示順に連続的に配列されるＮ個（Ｎは２以上の整数）のサブフィールドＳＦ1，…，ＳＦNに分解されている。プラズマディスプレイ装置１は、これらサブフィールドＳＦ1，…，ＳＦNをプラズマディスプレイパネル２に順次表示することにより人間の眼に１枚の多階調画像を視覚させることができる。図１０は、図９の第１駆動シーケンスによる駆動信号の波形を概略的に例示するタイミングチャートである。図１０には、列電極Ｄ1〜Ｄnに印加される信号波形、共通電極Ｘ1〜Ｘnに印加される信号波形、並びに、走査電極Ｙ1，…，Ｙnにそれぞれ印加される信号波形が示されている。
【００３３】
また、図１１は、図９の第１駆動シーケンスを選択した場合に実現され得る放電セルＣＬの発光パターンと第１変換テーブルとを例示する図である。図１１には、映像信号の各フィールドを１４個のサブフィールドＳＦ1〜ＳＦ14に分解した場合の映像信号の階調レベルとこれに対応する発光パターンとの関係が示されている。第１変換テーブルには、階調調整信号ＶＳｂの４ビット値と駆動データ信号ＤＤの１４ビット値とが示されている。駆動データ生成部１３は、この第１変換テーブルに従って階調調整信号ＶＳｂを駆動データ信号ＤＤに変換する。
【００３４】
一方、図１２は、本実施例に係る第２駆動シーケンスの例を概略的に示す図である。この第２駆動シーケンスでは、映像信号の１フィールドは、表示順に連続的に配列されるＭ個（Ｍは２以上の整数）のサブフィールドＳＦ1〜ＳＦMに分解されている。図１３は、図１２の第２駆動シーケンスによる駆動信号の波形を概略的に例示するタイミングチャートである。図１３には、列電極Ｄ1〜Ｄnに印加される信号波形、共通電極Ｘ1〜Ｘnに印加される信号波形、並びに、走査電極Ｙ1，…，Ｙnにそれぞれ印加される信号波形が示されている。
【００３５】
また、図１４は、図１２の第２駆動シーケンスを選択した場合に実現され得る放電セルＣＬの発光パターンと第２変換テーブルとを例示する図である。図１４には、映像信号の各フィールドを１４個のサブフィールドＳＦ1〜ＳＦ14に分解した場合の映像信号の階調レベルとこれに対応する発光パターンとの関係が示されている。第２変換テーブルには、階調調整信号ＶＳｂの４ビット値と駆動データ信号ＤＤの１４ビット値とが示されている。駆動データ生成部１３は、この第２変換テーブルに従って階調調整信号ＶＳｂを駆動データ信号ＤＤに変換する。
【００３６】
最初に、第１駆動シーケンスによるプラズマディスプレイ装置１の動作を説明する。図９に示される通り、先頭サブフィールドＳＦ1の表示期間は、第１リセット期間Ｔｒ1、第１選択書込期間（アドレス期間）Ｔｗ1、微少発光期間ＴLLおよび第２リセット期間Ｔｒ2に分割されている。第２番目サブフィールドＳＦ2の表示期間は、選択書込期間（アドレス期間）Ｔｗ2および発光期間Ｔ2に分割されている。第２番目サブフィールドＳＦ2に続く各後続サブフィールドＳＦqの表示期間（ｑは３〜Ｎ−１の整数）は、選択消去期間Ｔｅおよび発光期間Ｔqに分割されている。そして、最終サブフィールドＳＦNの表示期間は、選択消去期間Ｔｅ、発光期間ＴNおよび消去期間Ｔｂに分割されている。
【００３７】
図１の重み割り当て部１０Ａは、先頭サブフィールドＳＦ1を除く後続サブフィールドＳＦ2〜ＳＦNにそれぞれ輝度の重みを割り当てる。後続サブフィールドＳＦ2，…，ＳＦNの発光期間Ｔ2，…，ＴNの長さは、それぞれ、輝度の重みに比例する時間長を有するように制御される。本実施例では、輝度の重みは、それぞれ、後続サブフィールドＳＦ2，…，ＳＦNの発光期間Ｔ2，…，ＴNに印加されるべき放電維持パルスの個数あるいはこれに略比例する値を有する。
【００３８】
図１０を参照すると、先頭サブフィールドＳＦ1の表示期間における第１リセット期間Ｔｒ1では、図１の列電極駆動部１５は、列電極Ｄ1〜ＤmにＧＮＤレベル（接地レベル）の電圧を印加する。このとき、図１の第２行電極駆動部１６Ｂは、電圧レベルが経過時間とともに所定レベルから漸次緩やかに上昇する波形を有する正極性のリセットパルスＰｙａ，…，Ｐｙａを、それぞれ、走査電極Ｙ1，…，Ｙnに印加する。同時に、図１の第１行電極駆動部１６Ａは、共通電極Ｘjと走査電極Ｙjとの間での放電（面放電）の発生を防止するために、電圧レベルが経過時間とともに所定レベルから漸次緩やかに上昇する波形を有する正極性のリセットパルスＰｘａを共通電極Ｘ1〜Ｘnに印加する。これにより、陽極である走査電極Ｙjと陰極である列電極Ｄkとの間の電位差に起因して放電セルＣＬの放電空間ＤＳにリセット放電が発生し、これによりイオン粒子が生成される。当該生成されたイオン粒子のうち正イオン粒子は陰極Ｄkに近い壁面に誘引され、負イオン粒子は陽極Ｙkに近い壁面に誘引されるので、陽極Ｙjから陰極Ｄkに向けて電流が流れてリセット放電は停止する。この結果、走査電極Ｙ1〜Ｙnに近い誘電体層２３の壁面には負イオン粒子が蓄積され、列電極Ｄ1〜Ｄmに近い蛍光体層２６（図３）の壁面には正イオン粒子が蓄積される。
【００３９】
これらリセットパルスＰｘａ，Ｐｙａの立ち上がり時の電圧レベルの時間変化率は、後述する放電維持パルスＰ+の立ち上がり時の電圧レベルの時間変化率よりも低く且つ緩やかである。よって、リセット放電は維持放電よりも微弱であり、リセット放電により発生する光の背景発光輝度への寄与は無視できる程度に小さい。なお、これらリセットパルスＰｘａ，Ｐｙａの最大ピーク電圧は、放電維持パルスＰ+の最大ピーク電圧よりも低いが、これに限らず、放電維持パルスＰ+の最大ピーク電圧と同一またはそれ以上であってもよい。
【００４０】
なお、第１行電極駆動部１６Ａは、リセットパルスＰｘａを印加しなくても共通電極Ｘjと走査電極Ｙjとの間に面放電が起きない場合には、リセットパルスＰｘａを印加せずに共通電極Ｘ1〜Ｘnに、たとえばＧＮＤレベルの一定電圧を印加してもよい。
【００４１】
次にリセット期間Ｔｒ1の残存部分では、第２行電極駆動部１６Ｂは、電圧レベルが経過時間とともに漸次低下する波形を持つ負極性の調整パルスＰｙｃ，…，Ｐｙｃを、それぞれ、走査電極Ｙ1，…，Ｙnに印加する。同時に、第１行電極駆動部１６Ａおよび列電極駆動部１５は、調整パルスＰｙｃの電圧レベルよりも高い略一定の電圧（本実施例では、ＧＮＤ電圧）を共通電極Ｘ1〜Ｘnと列電極Ｄ1〜Ｄmとに印加する。調整パルスＰｙｃ，…，Ｐｙｃの最小ピーク電圧は、後述する走査パルスＰｓの最小ピーク電圧よりも高く且つＧＮＤレベルに近いレベルになるように調整されており、また、調整パルスＰｙｃ，…，Ｐｙｃの電圧振幅は走査パルスＰｓの電圧振幅よりも小さい。これにより、放電セルＣＬ内でイオン粒子の移動、あるいは走査電極Ｙjと列電極Ｄkとの間に微弱放電が生起されて壁電荷分布が調整される。この結果、全ての放電セルＣＬは、非発光状態（消灯モード）に設定され、後述する第１選択書込期間Ｔｗ1で誤りなくアドレス放電を起こし得る壁電荷分布を有することとなる。
【００４２】
次に、先頭サブフィールドＳＦ1の第１選択書込期間Ｔｗ1では、第２行電極駆動部１６Ｂは、ＧＮＤレベルよりも低い電圧を持つ負極性のオフセットパルスＰｏｍを走査電極Ｙ1，…，Ｙnに印加し、これらオフセットパルスＰｏｍに重畳する負極性の走査パルスＰｓを走査電極Ｙ1，…，Ｙnに順次印加する。このとき、共通電極Ｘ1〜ＸnにはＧＮＤ電圧が印加される。列電極駆動部１５は、正極性の書込パルス群Ｄｗ1，…，Ｄｗnの各々を各走査パルスＰｓに同期させて列電極Ｄ1，…，Ｄmに印加する。たとえば、１番目の走査電極Ｙ1に走査パルスＰｓが印加されている間に、この走査パルスＰｓに同期した書込パルス群Ｄｗ1が列電極Ｄ1，…，Ｄmに印加される。続いて２番目の走査電極Ｙ2に走査パルスＰｓが印加されている間に、この走査パルスＰｓに同期した書込パルス群Ｄｗ2が列電極Ｄ1，…，Ｄmに印加される。一般に、ｊ番目の走査電極Ｙjに走査パルスＰｓが印加されている間に、この走査パルスＰｓに同期した書込パルス群Ｄｗjが列電極Ｄ1，…，Ｄmに印加される。これにより、表示パネル２の放電セルＣＬ，…，ＣＬに選択的に書込放電が生起されて、放電セルＣＬのうちの初期選択セルＣＬのみが発光可能状態（点灯モード）に設定される。
【００４３】
より具体的には、走査電極Ｙjに負極性の走査パルスＰｓが印加されている間に当該走査パルスＰｓに同期した書込パルス群Ｄｗjの正極性パルスが選択的に列電極Ｄkに印加されたとき、陰極である走査電極Ｙjと陽極である列電極Ｄk間の電位差に起因して放電空間ＤＳにガス放電（すなわち書込放電）が発生し、これによりイオン粒子が生成される。当該生成されたイオン粒子のうち、正イオン粒子は陰極Ｙjに近い誘電体層２３の壁面に誘引され、負イオン粒子は陽極Ｄkに近い蛍光体層２６の壁面に誘引されて書込放電は停止する。結果として、共通電極Ｘjに近い壁面と走査電極Ｙjに近い壁面とに、互いに電荷極性の異なるイオン粒子すなわち壁電荷が蓄積される。このような壁電荷分布を有する放電セルＣＬは発光可能状態（点灯モード）に設定されている。
【００４４】
一方、走査電極Ｙjに負極性の走査パルスＰｓが印加されている間に当該走査パルスＰｓに同期した書込パルスが列電極Ｄkに印加されない放電セルＣＬには、ガス放電は発生しない。このような放電セルＣＬは非発光状態に設定されたままである。
【００４５】
次に、先頭サブフィールドＳＦ1の微少発光期間ＴLLでは、第２行電極駆動部１６Ｂは、図１０に示されるが如き急峻に立ち上がる電圧パルスＰＬ，…，ＰＬを、それぞれ、走査電極Ｙ1，…，Ｙnに印加する。列電極Ｄ1〜ＤmにはＧＮＤ電圧が印加されており、パルスＰＬ，…，ＰＬの最大電圧は、列電極Ｄ1〜Ｄmの電位よりも高いものとなる。このとき、列電極Ｄ1〜Ｄmは陰極であり、走査電極Ｙ1〜Ｙnは陽極である。前記第１選択書込期間Ｔｗ1で初期選択セルＣＬ内に蓄積された壁電荷は、放電空間ＤＳ内に弱電界を形成している。パルスＰＬの印加により放電空間ＤＳ内に形成された電界は既存の弱電界に重畳される。当該重畳電界は、走査電極Ｙjと列電極Ｄkとの間に微少放電を起こし、この微少放電により発生した紫外線は、蛍光体層２６の励起子を励起して可視光を放出させる。
【００４６】
図１０に示されるように、パルスＰＬの最大電圧は、後述するサブフィールドＳＦ2〜ＳＦNの表示期間での放電維持パルスＰ+の最大ピーク電圧よりも低く、当該パルスＰＬの最大電圧を、後述する選択消去期間Ｔｅで印加されるオフセットパルスＰｏｐの電圧と略同一レベルに設定することができる。これにより、放電維持パルスＰ+に伴う維持放電の強度よりも低い強度を持つ微少放電が生起され得る。放電維持パルスＰ+により生起される維持放電は、共通電極Ｘjと走査電極Ｙjとの間の面放電であるのに対し、パルスＰＬにより生起される微少放電は、列電極Ｄkと走査電極Ｙjとの間の放電である。したがって、かかる微少放電に伴う発光輝度は、維持放電に伴う発光輝度と比べると低いものとなる。
【００４７】
また、パルスＰＬの電圧レベルは、第１リセット期間Ｔｒ1に印加されるリセットパルスＰｙａの緩やかに電圧レベルが上昇する波形と比べて急峻に立ち上がる。換言すれば、パルスＰＬの電圧レベルの立ち上がり区間での時間変化率は、リセットパルスＰｙａの電圧レベルが緩やかに上昇する立ち上がり区間での時間変化率よりも大きい。これにより、第１リセット期間Ｔｒ1で生起されるリセット放電の強度よりも大きな強度を持つ微少放電が生起される。
【００４８】
上記の選択書込期間Ｔｗ1と第１リセット期間Ｔｒ1とを通じて、初期選択セルＣＬではアドレス放電と微少放電とが生起され、初期選択セルＣＬ以外の放電セルＣＬでは何らガス放電は生起されない。このアドレス放電により発生した紫外線が蛍光体層２６を励起して光を放出させることが起こり得る。かかる場合にはアドレス放電により放出された光も表示輝度に寄与する。
【００４９】
次に、先頭サブフィールドＳＦ1の第２リセット期間Ｔｒ2では、第２行電極駆動部１６Ｂは、電圧レベルが所定レベル（本実施例では、パルスＰＬの最大電圧）から漸次緩やかに上昇する波形を持つリセットパルスＰｙｂ，…，Ｐｙｂを、それぞれ、走査電極Ｙ1，…，Ｙnを印加する。リセットパルスＰｙｂの最大ピーク電圧は、上記第１リセット期間Ｔｒ1でのリセットパルスＰｙａの最大ピーク電圧よりも高い。同時に、第１行電極駆動部１６Ａは、電圧レベルが所定レベルから漸次緩やかに上昇する波形を持つリセットパルスＰｘａを共通電極Ｘ1〜Ｘnに印加する。このとき、列電極Ｄ1〜ＤmにはＧＮＤ電圧が印加されている。これにより、放電セルＣＬ内の列電極Ｄkと走査電極Ｙjとの間にリセット放電が生起される。この結果、走査電極Ｙ1〜Ｙnに近い誘電体層２３の壁面には負イオン粒子が蓄積され、列電極Ｄ1〜Ｄmに近い蛍光体層２６（図３）の壁面には正イオン粒子が蓄積される。
【００５０】
また、第２リセット期間Ｔｒ2に印加されるリセットパルスＰｙｂは、立ち上がり時に電圧レベルが急峻に上昇するパルスＰＬの波形と比べて、電圧レベルが緩やかに上昇する波形を有している。換言すれば、リセットパルスＰｙｂの電圧レベルの立ち上がり区間での時間変化率は、パルスＰＬの電圧レベルの立ち上がり区間での時間変化率よりも小さい。これにより、第２リセット期間Ｔｒ2で生起されるリセット放電の強度は、パルスＰＬにより生起される微少放電の強度よりも小さい。また、においては、初期選択セルＣＬにおいては微少発光期間ＴLLで微少放電が生起される一方で、初期選択セルＣＬ以外の放電セルＣＬにおいては、微少発光期間ＴLLで放電が生起されないが、その直後の第２リセット期間Ｔｒ2で放電が生起され得ることとなる。すなわち、第２リセット期間Ｔｒ2が終了すると、全ての放電セルＣＬにて列電極Ｄkと走査電極Ｙjとの間で放電が生起された結果となる。
【００５１】
なお、リセットパルスＰｘａを印加しなくても共通電極Ｘjと走査電極Ｙjとの間に面放電が起きない場合には、リセットパルスＰｘａを印加せずに共通電極Ｘ1〜Ｘnに、たとえばＧＮＤレベルの一定電圧を印加してもよい。
【００５２】
次に第２リセット期間Ｔｒ2の残存部分では、第２行電極駆動部１６Ｂは、電圧レベルが経過時間とともに漸次低下する波形を持つ負極性の調整パルスＰｙｄ，…，Ｐｙｄを、それぞれ、走査電極Ｙ1，…，Ｙnに印加する。同時に、第１行電極駆動部１６Ａは、調整パルスＰｙｄの電圧レベルよりも高い略一定電圧のオフセットパルスＰｏｐを共通電極Ｘ1〜Ｘnに印加し、列電極駆動部１５は、調整パルスＰｙｄの電圧レベルよりも高い略一定電圧（本実施例ではＧＮＤ電圧）を列電極Ｄ1〜Ｄmに印加する。調整パルスＰｙｄ，…，Ｐｙｄの最小ピーク電圧は、後述する走査パルスＰｓの最小ピーク電圧よりも高く且つＧＮＤレベルに近いレベルになるように調整されており、また、調整パルスＰｙｄ，…，Ｐｙｄの電圧振幅は走査パルスＰｓの電圧振幅よりも小さい。これにより、当該放電セルＣＬ内でイオン粒子の移動、あるいは走査電極Ｙjと列電極Ｄkとの間での微弱放電が発生して壁電荷分布が調整される。この結果、全ての放電セルＣＬは、非発光状態（消灯モード）に設定され、後述する第２選択書込期間Ｔｗ2で誤りなく選択書込放電（アドレス放電）を起こし得る壁電荷分布を有することとなる。
【００５３】
次に、サブフィールドＳＦ2の第２選択書込期間Ｔｗ2では、第２行電極駆動部１６Ｂは、ＧＮＤレベルよりも低い電圧を持つ負極性のオフセットパルスＰｏｍを走査電極Ｙ1，…，Ｙnに印加し、これらオフセットパルスＰｏｍに重畳する負極性の走査パルスＰｓを走査電極Ｙ1，…，Ｙnに順次印加する。このとき、共通電極Ｘ1〜Ｘnには、ＧＮＤレベルよりも高い電圧を持つ正極性のオフセットパルスＰｏｐが印加される。また列電極駆動部１５は、正極性の書込パルス群Ｄｗ1，…，Ｄｗnの各々を各走査パルスＰｓに同期させて列電極Ｄ1，…，Ｄmに印加する。すなわち、ｊ番目の走査電極Ｙjに走査パルスＰｓが印加されている間に、この走査パルスＰｓに同期した書込パルス群Ｄｗjが列電極Ｄ1，…，Ｄmに印加される。これにより、表示パネル２の放電セルＣＬ，…，ＣＬに選択的に書込放電が生起されて、放電セルＣＬのうちの選択セルＣＬのみが発光可能状態に設定される。すなわち、共通電極Ｘjに近い壁面に負イオン粒子が蓄積され、走査電極Ｙjに近い壁面には正イオン粒子が蓄積される。
【００５４】
より具体的には、走査電極Ｙjに負極性の走査パルスＰｓが印加されている間に当該走査パルスＰｓに同期した書込パルス群Ｄｗjの正極性パルスが選択的に列電極Ｄkに印加されたとき、陰極Ｙjと陽極Ｄk間の電位差に起因して放電空間ＤＳにガス放電（すなわち選択書込放電）が発生し、これによりイオン粒子が生成される。当該生成されたイオン粒子のうち、正イオン粒子は陰極Ｙjに近い誘電体層２３の壁面に誘引され、負イオン粒子は陽極Ｄkに近い蛍光体層２６の壁面に誘引されてガス放電は停止する。また、第２選択書込期間Ｔｗ2では、走査電極Ｙ1〜Ｙnには負極性のオフセットパルスＰｏｍが印加され、共通電極Ｘ1〜Ｘnには正極性のオフセットパルスＰｏｐが印加されているので、走査パルスＰｓの印加時に生じる選択書込放電に誘発されて、選択セルＣＬでのみ放電空間ＤＳ内で共通電極Ｘjと走査電極Ｙjとの間に放電が生起され得る。このような放電は、走査電極Ｙ1〜Ｙnに負極性のオフセットパルスＰｏｍが印加されない第１選択書込期間Ｔｗ1では生起されないものである。以上の結果、第２選択書込期間Ｔｗ2の終了後、選択セルＣＬでは、共通電極Ｘjに近い壁面と走査電極Ｙjに近い壁面とに、互いに電荷極性の異なるイオン粒子（壁電荷）が蓄積される。
【００５５】
次に、サブフィールドＳＦ2の発光期間Ｔ2では、図１０に示されるように、第２行電極駆動部１６Ｂは、正極性の電圧パルスを放電維持パルスＰ+として各行電極対に印加する。このとき、走査電極Ｙ1〜Ｙnの各々に１個の正極性の放電維持パルスＰ+が印加され、同時に、共通電極Ｘ1〜Ｘnの各々にはＧＮＤレベルの電圧パルスＰ-が印加される。また列電極Ｄ1〜ＤmにはＧＮＤ電圧が印加されている。放電維持パルスＰ+の印加直前には、発光可能状態の選択セルＣＬでは、共通電極Ｘjに近い壁面に蓄積された負イオン粒子と、走査電極Ｙjに近い壁面に蓄積された正イオン粒子と、列電極Ｄkに近い壁面に蓄積された負イオン粒子とが放電空間ＤＳ内に弱電界を形成している。この状態で、走査電極Ｙjに放電維持パルスＰ+を印加し且つ共通電極Ｘjに電圧パルスＰ-を印加すれば、これらパルスＰ+，Ｐ-により放電空間ＤＳ内に形成された電界が既存の弱電界に重畳される。当該重畳電界は、選択セルＣＬの放電空間ＤＳ内で共通電極Ｘjと走査電極Ｙjとの間、並びに走査電極Ｙjと列電極Ｄkとの間に強いガス放電（すなわち維持放電）を引き起こし、これによりイオン粒子が生成される。当該生成されたイオン粒子のうち、負イオン粒子は走査電極Ｙjに誘引され、正イオン粒子は共通電極Ｘjに誘引されるので、共通電極Ｘjに近い壁面の電荷極性と走査電極Ｙjに近い壁面の電荷極性とは反転する。また維持放電により発生した紫外線は、蛍光体層２６の励起子を励起して可視光を放出させる。
【００５６】
さらに、発光期間Ｔ2の残存期間では、第２行電極駆動部１６Ｂは、電圧レベルが経過時間とともに漸次低下する負極性の電荷調整パルスＰｃ，…，Ｐｃを、それぞれ、走査電極Ｙ1，…，Ｙnに印加する。かかる電荷調整パルスＰｃの印加により、選択セルＣＬ内のイオン粒子が移動し、あるいは微弱放電が生起されて壁電荷の一部が消滅するので、後述の選択消去期間Ｔｅで選択消去放電が誤りなく生起されるように選択セルＣＬ内の壁電荷分布が調整される。
【００５７】
なお、発光期間Ｔ2では、低輝度画像の階調表現能力の向上のために、走査電極Ｙ1〜Ｙnの各々に１個の放電維持パルスＰ+を印加したが、これに限定されるものではない。各行電極対の走査電極Ｙjおよび共通電極Ｘjに交互に奇数個の放電維持パルスＰ+を印加してもよい。
【００５８】
次に、サブフィールドＳＦ3〜ＳＦNの各々の選択消去期間Ｔｅでは、第２行電極駆動部１６Ｂは、ＧＮＤレベルよりも高い電圧を持つ正極性のオフセットパルスＰｏｐを走査電極Ｙ1，…，Ｙnに印加し、オフセットパルスＰｏｐに重畳する負極性の走査パルスＰｓを走査電極Ｙ1，…，Ｙnに順次印加する。このとき、共通電極Ｘ1〜ＸnにはＧＮＤ電圧が印加される。また列電極駆動部１５は、正極性の消去パルス群Ｄｅ1，…，Ｄｅnの各々を各走査パルスＰｓに同期させて列電極Ｄ1，…，Ｄmに印加する。すなわち、ｊ番目の走査電極Ｙjに走査パルスＰｓが印加されている間に、この走査パルスＰｓに同期した消去パルス群Ｄｅjが列電極Ｄ1，…，Ｄmに印加される。これにより、表示パネル２の選択セルＣＬ，…，ＣＬに選択的に消去放電（選択消去放電）が生起されて、共通電極Ｘjに近い壁面と走査電極Ｙjに近い壁面とに同一電荷極性のイオン粒子が蓄積される。この結果、選択消去放電が発生した選択セルＣＬは発光可能状態から非発光状態に設定される。
【００５９】
一方、選択消去放電が発生しない選択セルＣＬでは、共通電極Ｘjに近い壁面と走査電極Ｙjに近い壁面とに、互いに異なる電荷極性のイオン粒子が蓄積されたままである。このような選択セルＣＬの状態は発光可能状態に維持されている。
【００６０】
次に、サブフィールドＳＦ3〜ＳＦNの発光期間Ｔ3〜ＴNでは、それぞれ、正極性の放電維持パルスＰ+が各行電極対の走査電極Ｙjおよび共通電極Ｘjに交互に印加される。ここで、各行電極対の走査電極Ｙjに放電維持パルスＰ+が印加されているときは、対応する共通電極ＸjにはＧＮＤレベルの電圧パルスＰ-が印加され、各行電極対の共通電極Ｘjに放電維持パルスＰ+が印加されているときは、対応する走査電極ＹjにＧＮＤレベルの電圧パルスＰ-が印加される。また、各発光期間に各行電極対の走査電極Ｙjに印加される放電維持パルスＰ+の個数と、対応する共通電極Ｘjに印加される放電維持パルスＰ+の個数との合計は、放電セルＣＬ内の壁電荷分布が各発光期間の前後で略変化しないように偶数個となるように設定される。最終サブフィールドＳＦNを除くサブフィールドＳＦ3〜ＳＦN-1の発光期間Ｔ3〜ＴN-1の残存期間には、発光期間Ｔ2の残存期間と同様に電荷調整パルスＰｃが走査電極Ｙ1〜Ｙnに印加される。
【００６１】
図１０を参照すると、発光期間Ｔ3には、列電極Ｄ1〜ＤmにＧＮＤレベルの電圧が印加されている。このとき、各行電極対の走査電極Ｙjとこれに対応する共通電極Ｘjとに交互に放電維持パルスＰ+が印加される。このようにして各行電極対Ｘj，Ｙj間に電位差を与える電圧パルスＰ+，Ｐ-が印加されることにより、発光可能状態の放電セルＣＬの放電空間ＤＳでは、共通電極Ｘjと走査電極Ｙjとの間に維持放電が繰り返し発生する。この維持放電により発生した紫外線は、蛍光体層２６の励起子を励起して可視光を放出させる。
【００６２】
そして、最終サブフィールドＳＦNの発光期間ＴNの終了後、第２行電極駆動部１６Ｂは、負極性の最小ピーク電圧を持つ消去パルスＰｅを全ての走査電極Ｙ1〜Ｙnに印加する。かかる消去パルスＰｅの印加に応じて、発光可能状態の放電セルＣＬのみに消去放電が生起される。この消去放電により、発光可能状態の放電セルＣＬは非発光状態に遷移する。
【００６３】
上記第１駆動シーケンスにより図１１に示される発光パターンを実現することが可能である。図１１において、記号「□」は、先頭サブフィールドＳＦ1の表示期間で選択書込放電と微少放電とが発生することを意味し、記号「◎」は、第２番目サブフィールドＳＦ2の表示期間で選択書込放電と維持放電とが発生することを意味し、記号「○」は、サブフィールドＳＦ3〜ＳＦ14の発光期間Ｔ3〜Ｔ14のいずれかで維持放電が発生することを意味し、記号「●」は、サブフィールドＳＦ3〜ＳＦ14の選択消去期間Ｔｅのいずれかで選択消去放電が発生することを意味する。
【００６４】
映像信号の階調レベルｇの表示輝度をＬ１（ｇ）で表すとき、表示輝度Ｌ１（ｇ）は次式で与えられる。
【００６５】
【数１】
2008197442.tif 000003
ここで、Ｎは、サブフィールドＳＦ1〜ＳＦNの総数であり、図１１の場合は、Ｎ＝１４となる。Ｂ（ｇ；ｉ）は、階調レベルｇについてｉ番目サブフィールドＳＦiで放電セルＣＬが発光可能状態に設定されるときは値「１」をとり、放電セルＣＬが非発光状態に設定されるときは値「０」をとる。αは、先頭サブフィールドＳＦ1に割り当てられた輝度の重みであり、Ｗ（ｉ）は、ｉ番目サブフィールドＳＦiに割り当てられた輝度の重みである。たとえば、Ｗ（２）＝１、Ｗ（３）＝２、Ｗ（４）＝６、Ｗ（５）＝８、Ｗ（６）＝１０、Ｗ（７）＝１２、Ｗ（８）＝１６、Ｗ（９）＝２２、Ｗ（１０）＝２６、Ｗ（１１）＝３０、Ｗ（１２）＝３６、Ｗ（１３）＝４０、Ｗ（１４）＝４６、のように輝度の重みが設定されれば、図１１のテーブルに示される表示輝度Ｌ（ｇ）が実現される。
【００６６】
先頭サブフィールドＳＦ1に割り当てられた輝度の重みαは、微少放電により得られるものなので、第２番目サブフィールドＳＦ2に割り当てられた輝度の重み（＝１）よりも小さい値を持つ。よって、第２階調レベルを表す表示輝度（＝α）は、黒レベル（＝０）を表す第１階調レベルよりも高く、且つ第３階調レベルの表示輝度（＝１）よりも低い。また、図１０に示されるようにサブフィールドＳＦ2の発光期間Ｔ2に各走査電極Ｙjに印加される放電維持パルスＰ+の個数は、１個のみであり、２番目サブフィールドＳＦ2に割り当てられた輝度の重み（＝１）に対応している。したがって、第１駆動シーケンスが選択されたとき、低輝度画像表示時の階調表現力が向上し、滑らかなグラデーションを持つ低輝度画像を表示することができる。さらに、図１１に示される発光パターンでは、第４階調レベル〜第１６階調レベルで発光する放電セルＣＬの発光可能状態は１フィールドの表示期間において連続的であり、且つ放電セルＣＬが一度非発光状態に設定された後は再び発光可能状態に設定されないため、動画像疑似輪郭（dynamic pseudo contour）の発生が抑制される。
【００６７】
上記第１駆動シーケンスは、図３および図４に示される構造を有する表示パネル２に適用されてもよいし、あるいは図５および図６に示される構造を有する表示パネル２に適用されてもよい。さらには、図７および図８に示される構造を有する表示パネル２に適用することも可能である。上述の通り、図５および図６のパネル構造は、プライミング効果により放電遅れを改善するので、駆動電圧の広いマージン（余裕度）を確保することができる。図５および図６の構造と図７および図８の構造とを併用すれば、さらなる放電遅れの改善と広い駆動電圧マージンとを実現できる。
【００６８】
上述の通り、図１０の第１リセット期間Ｔｒ1では、リセットパルスＰｙａの印加により陰極である列電極Ｄkと陽極である走査電極Ｙjとの間にリセット放電が生起され、その後、調整パルスＰｙｃの印加により微弱放電が生起されて壁電荷分布が初期化される。また、図１０の第２リセット期間Ｔｒ2では、リセットパルスＰｙｂの印加により陰極である列電極Ｄkと陽極である走査電極Ｙjとの間にリセット放電が生起され、その後、調整パルスＰｙｄの印加により微弱放電が生起されて壁電荷分布が初期化される。図７または図８の構造を使用すれば、そのようなリセット放電が起きたとき、正イオン粒子が陽極Ｙjから陰極Ｄkに移動して図７または図８に示される電子放出膜２６ａまたは結晶体粒子２６ｅに衝突し、これにより、電子放出膜２６ａまたは結晶体粒子２６ｅから二次電子（プライミング粒子）が放出されて放電開始電圧を低下させる。このため、比較的弱いリセット放電を生起させることが可能である。よって、リセット放電の微弱化によりその放電に伴う背景発光輝度が低下するので、低輝度画像表示時における暗所コントラストを向上させることができる。
【００６９】
図１５（Ａ）および（Ｂ）は、第１リセット期間Ｔｒ1にリセットパルスＰｙａが印加されたときに走査電極Ｙjと列電極Ｄkとの間に発生したガス放電の強度の測定値を表すグラフである。図１５（Ａ）は、図５および図６の構造を有するプラズマディスプレイ装置１を使用した場合のグラフ、図１５（Ｂ）は、図５および図６の構造に加えて、図８に示されるような結晶体粒子２６ｅを含む蛍光体層２６を使用した場合のグラフである。図１５（Ａ）のグラフによれば、リセットパルスＰｙａの印加に応じて比較的強いリセット放電が約１ミリ秒以上に亘って継続的に発生している。一方、図１５（Ｂ）のグラフによれば、リセットパルスＰｙａの印加に応じて比較的微弱なリセット放電が発生してから約０．０４ミリ秒以内に終息する。したがって、図５および図６の構造に加えて図８に示されるような結晶体粒子２６ｅを含む蛍光体層２６を使用することにより、放電遅れを大幅に改善することが可能である。また、リセット放電を微弱放電にすることができるので、暗所コントラストを大幅に向上できることが分かる。
【００７０】
また、前記リセット放電は、陽極Ｙjと陰極Ｄk間で起こるものであるから、列電極Ｄkよりも前面基板２２側に形成されている共通電極Ｘjと走査電極Ｙjとの間にリセット放電を起こす場合と比べると、前面基板２２から外部に放出される光量が少なくなるので、さらなる暗所コントラストの向上を図ることができる。
【００７１】
図１０に示される通り、１フィールドの表示期間において第１階調レベル（黒レベル）を表示する放電セルＣＬで生起される放電は、第１リセット期間Ｔｒ1でのリセット放電のみである。また、図１０に示されるように、先頭サブフィールドＳＦ1の表示期間では、第１リセット期間Ｔｒ1に印加されるリセットパルスＰｙａの最大ピーク電圧は、第２リセット期間Ｔｒ2に印加されるリセットパルスＰｙｂの最大ピーク電圧よりも低い。それゆえ、第１リセット期間Ｔｒ1に全ての放電セルＣＬで一斉にリセット放電を起こしたときでも、当該リセット放電により発生する光量を微弱にすることができる。したがって、当該リセット放電に起因する背景発光輝度は無視できる程度に小さく、暗所コントラストの向上を実現できる。
【００７２】
サブフィールドＳＦ2の発光期間Ｔ2では、共通電極Ｘjと走査電極Ｙjとの間の面放電だけでなく、陽極である走査電極Ｙjと陰極である列電極Ｄkとの間にも放電が生起される。この結果、走査電極Ｙjに近い壁面には負極性の壁電荷が蓄積され、列電極Ｄkに近い壁面には正極性の壁電荷が蓄積される。これにより、次のサブフィールドＳＦ3の選択消去期間Ｔｅでは、陰極である走査電極Ｙjと陽極である列電極Ｄkとの間に選択消去放電を容易に起こすことができる。また、サブフィールドＳＦ3〜ＳＦN-1の発光期間Ｔ3〜ＴN-1では、各行電極対に印加する放電維持パルスＰ+の個数が偶数個に設定されている。このため、サブフィールドＳＦ3〜ＳＦN-1の各発光期間の終了直後は、走査電極Ｙjに近い壁面に負極性の壁電荷が蓄積され、列電極Ｄkに近い壁面には正極性の壁電荷が蓄積される。これにより、サブフィールドＳＦ3〜ＳＦN-1の各発光期間に続く選択消去期間Ｔｅでは、陰極である走査電極Ｙjと陽極である列電極Ｄkとの間に選択消去放電を容易に起こすことができる。したがって、１フィールドの表示期間に亘って列電極Ｄkには正極性のパルスのみを印加すれば足りるので、列電極駆動部１５の回路構成を簡略化でき、製造コストを抑制できる。
【００７３】
次に、第２駆動シーケンスによるプラズマディスプレイ装置１の動作を説明する。図１２に示される通り、先頭サブフィールドＳＦ1の表示期間は、リセット期間Ｔｒ、選択書込期間（アドレス期間）Ｔｓｗおよび発光期間Ｔ1に分割されている。先頭サブフィールドＳＦ1に続く各後続サブフィールドＳＦq（ｑは１〜Ｍ−１）の表示期間は、選択消去期間（アドレス期間）Ｔｅおよび発光期間Ｔqに分割されている。そして、最終サブフィールドＳＦMの表示期間は、選択消去期間（アドレス期間）Ｔｅ、発光期間ＴMおよび消去期間Ｔｂに分割されている。図１の重み割り当て部１０Ａは、サブフィールドＳＦ1〜ＳＦMにそれぞれ輝度の重みを割り当てる。サブフィールドＳＦ1，…，ＳＦMの発光期間Ｔ1，…，ＴMの長さは、それぞれ、輝度の重みに比例する時間長を有するように制御される。
【００７４】
図１３の信号波形を参照すると、先頭サブフィールドＳＦ1の表示期間におけるリセット期間Ｔｒでは、図１の列電極駆動部１５は、列電極Ｄ1〜ＤmにはＧＮＤレベル（接地レベル）の電圧を印加する。このとき、図１の第２行電極駆動部１６Ｂは、電圧レベルが経過時間とともに所定レベルから漸次緩やかに上昇する波形を有する正極性のリセットパルスＰｙｒ，…，Ｐｙｒを、それぞれ、走査電極Ｙ1，…，Ｙnに印加する。これらリセットパルスＰｙｒの最大ピーク電圧は、後述する発光期間Ｔ1に印加される放電維持パルスＰ+の最大ピーク電圧よりも大きい。同時に、図１の第１行電極駆動部１６Ａは、共通電極Ｘjと走査電極Ｙjとの間での放電（面放電）の発生を防止するために、電圧レベルが経過時間とともに所定レベルから漸次緩やかに上昇する波形を有する正極性のリセットパルスＰｘｒを共通電極Ｘ1〜Ｘnに印加する。これにより、陽極である走査電極Ｙjと陰極である列電極Ｄkとの間の電位差に起因して放電セルＣＬの放電空間ＤＳにリセット放電が発生し、これによりイオン粒子が生成される。当該生成されたイオン粒子のうち正イオン粒子は陰極Ｄkに近い壁面に誘引され、負イオン粒子は陽極Ｙkに近い壁面に誘引されるので、陽極Ｙjから陰極Ｄkに向けて電流が流れてリセット放電は停止する。この結果、走査電極Ｙ1〜Ｙnに近い誘電体層２３の壁面には負イオン粒子が蓄積され、列電極Ｄ1〜Ｄmに近い蛍光体層２６（図３）の壁面には正イオン粒子が蓄積される。
【００７５】
次にリセット期間Ｔｒの残存部分では、第２行電極駆動部１６Ｂは、電圧レベルが経過時間とともに漸次低下する波形を持つ負極性の調整パルスＰｙｃ，…，Ｐｙｃを、それぞれ、走査電極Ｙ1，…，Ｙnに印加する。同時に、第１行電極駆動部１６Ａは、ＧＮＤレベルよりも高い電圧を持つオフセットパルスＰｏｐを共通電極Ｘ1〜Ｘnに印加する。このとき、列電極Ｄ1〜ＤmにはＧＮＤ電圧が印加されている。調整パルスＰｙｃ，…，Ｐｙｃの最小ピーク電圧は、後述する走査パルスＰｓの最小ピーク電圧よりも高く且つＧＮＤレベルに近いレベルになるように調整されており、また、調整パルスＰｙｃ，…，Ｐｙｃの電圧振幅は走査パルスＰｓの電圧振幅よりも小さい。これにより、当該放電セルＣＬ内でイオン粒子の移動、あるいは走査電極Ｙjと列電極Ｄkとの間でのガス放電が発生して壁電荷分布が調整される。この結果、全ての放電セルＣＬは、非発光状態（消灯モード）に設定され、後述する選択書込期間Ｔｓｗで誤りなくアドレス放電を起こし得る壁電荷分布を有することとなる。
【００７６】
次に、先頭サブフィールドＳＦ1の選択書込期間Ｔｓｗでは、第２行電極駆動部１６Ｂは、ＧＮＤレベルよりも低い電圧を持つ負極性のオフセットパルスＰｏｍを走査電極Ｙ1，…，Ｙnに印加し、オフセットパルスＰｏｍに重畳する負極性の走査パルスＰｓを走査電極Ｙ1，…，Ｙnに順次印加する。このとき、共通電極Ｘ1〜ＸnにはＧＮＤレベルよりも高い電圧を持つ正極性のオフセットパルスＰｏｐが印加される。列電極駆動部１５は、正極性の書込パルス群Ｄｗ1，…，Ｄｗnの各々を各走査パルスＰｓに同期させて列電極Ｄ1，…，Ｄmに印加する。すなわち、ｊ番目の走査電極Ｙjに走査パルスＰｓが印加されている間に、この走査パルスＰｓに同期した書込パルス群Ｄｗjが列電極Ｄ1，…，Ｄmに印加される。これにより、表示パネル２の放電セルＣＬ，…，ＣＬに選択的に書込放電が生起されて、放電セルＣＬのうちの選択セルＣＬのみが発光可能状態（点灯モード）に設定される。
【００７７】
より具体的には、走査電極Ｙjに負極性の走査パルスＰｓが印加されている間に当該走査パルスＰｓに同期した書込パルス群Ｄｗjの正極性パルスが選択的に列電極Ｄkに印加されたとき、陰極である走査電極Ｙjと陽極である列電極Ｄk間の電位差に起因して放電空間ＤＳにガス放電（すなわち書込放電）が発生し、これによりイオン粒子が生成される。当該生成されたイオン粒子のうち、正イオン粒子は陰極Ｙjに近い誘電体層２３の壁面に誘引され、負イオン粒子は陽極Ｄkに近い蛍光体層２６の壁面に誘引されて書込放電は停止する。また、選択書込期間Ｔｓｗでは、走査電極Ｙ1〜Ｙnには負極性のオフセットパルスＰｏｍが印加され、共通電極Ｘ1〜Ｘnには正極性のオフセットパルスＰｏｐが印加されているので、走査パルスＰｓの印加時に生じる選択書込放電に誘発されて、選択セルＣＬでのみ放電空間ＤＳ内で共通電極Ｘjと走査電極Ｙjとの間に微弱放電が生起され得る。以上の結果、選択書込期間Ｔｓｗの終了後、選択セルＣＬでは、共通電極Ｘjに近い壁面と走査電極Ｙjに近い壁面とに、互いに電荷極性の異なるイオン粒子すなわち壁電荷が蓄積される。このような壁電荷分布を有する選択セルＣＬは発光可能状態（点灯モード）に設定されている。
【００７８】
一方、走査電極Ｙjに負極性の走査パルスＰｓが印加されている間に当該走査パルスＰｓに同期した書込パルスが列電極Ｄkに印加されない放電セルＣＬには、ガス放電は発生しない。このような放電セルＣＬは非発光状態に設定されたままである。
【００７９】
次に、先頭サブフィールドＳＦ1の発光期間Ｔ1では、列電極Ｄ1〜ＤmにＧＮＤ電圧が印加されている。また、第２行電極駆動部１６Ｂは、走査電極Ｙ1〜Ｙnの各々に１個の正極性の放電維持パルスＰ+を印加する。同時に、第１行電極駆動部１６Ａは、共通電極Ｘ1〜Ｘnの各々にＧＮＤレベルの電圧パルスＰ-を印加する。これにより、選択セルＣＬの放電空間ＤＳ内で共通電極Ｘjと走査電極Ｙjとの間、並びに走査電極Ｙjと列電極Ｄkとの間に強いガス放電（すなわち維持放電）が生起され、これによりイオン粒子が生成される。当該生成されたイオン粒子のうち、負イオン粒子は走査電極Ｙjに誘引され、正イオン粒子は共通電極Ｘjに誘引されるので、共通電極Ｘjに近い壁面の電荷極性と走査電極Ｙjに近い壁面の電荷極性とは反転する。また維持放電により発生した紫外線は、蛍光体層２６の励起子を励起して可視光を放出させる。
【００８０】
さらに、発光期間Ｔ1の残存期間では、第２行電極駆動部１６Ｂは、電圧レベルが経過時間とともに漸次低下する負極性の電荷調整パルスＰｃ，…，Ｐｃを、それぞれ、走査電極Ｙ1，…，Ｙnに印加する。かかる電荷調整パルスＰｃの印加により、選択セルＣＬ内のイオン粒子が移動し、あるいは微弱放電が生起されて壁電荷の一部が消滅するので、後述の選択消去期間Ｔｅで選択消去放電が誤りなく生起されるように選択セルＣＬ内の壁電荷分布が調整される。
【００８１】
次に、サブフィールドＳＦ3〜ＳＦMの各々の選択消去期間Ｔｅでは、第２行電極駆動部１６Ｂは、ＧＮＤレベルよりも高い電圧を持つ正極性のオフセットパルスＰｏｐを走査電極Ｙ1，…，Ｙnに印加し、オフセットパルスＰｏｐに重畳する負極性の走査パルスＰｓを走査電極Ｙ1，…，Ｙnに順次印加する。このとき、共通電極Ｘ1〜ＸnにはＧＮＤ電圧が印加される。また列電極駆動部１５は、正極性の消去パルス群Ｄｅ1，…，Ｄｅnの各々を各走査パルスＰｓに同期させて列電極Ｄ1，…，Ｄmに印加する。すなわち、ｊ番目の走査電極Ｙjに走査パルスＰｓが印加されている間に、この走査パルスＰｓに同期した消去パルス群Ｄｅjが列電極Ｄ1，…，Ｄmに印加される。これにより、表示パネル２の選択セルＣＬ，…，ＣＬに選択的に消去放電（選択消去放電）が生起されて、共通電極Ｘjに近い壁面と走査電極Ｙjに近い壁面とに同一電荷極性のイオン粒子が蓄積される。この結果、選択消去放電が発生した選択セルＣＬは発光可能状態から非発光状態に設定される。
【００８２】
一方、選択消去放電が発生しない選択セルＣＬでは、共通電極Ｘjに近い壁面と走査電極Ｙjに近い壁面とに、互いに異なる電荷極性のイオン粒子が蓄積されたままである。このような選択セルＣＬの状態は発光可能状態に維持されている。
【００８３】
次に、サブフィールドＳＦ2〜ＳＦMの発光期間Ｔ2〜ＴMでは、それぞれ、正極性の放電維持パルスＰ+を各行電極対の走査電極Ｙjおよび共通電極Ｘjに交互に印加する。ここで、各行電極対の走査電極Ｙjに放電維持パルスＰ+が印加されているときは、対応する共通電極ＸjにはＧＮＤレベルの電圧パルスＰ-が印加され、各行電極対の共通電極Ｘjに放電維持パルスＰ+が印加されているときは、対応する走査電極ＹjにＧＮＤレベルの電圧パルスＰ-が印加される。また、各発光期間に各行電極対の走査電極Ｙjに印加される放電維持パルスＰ+の個数と、対応する共通電極Ｘjに印加される放電維持パルスＰ+の個数との合計は、放電セルＣＬ内の壁電荷分布が各発光期間の前後で略変化しないように偶数個となるように設定される。最終サブフィールドＳＦMを除くサブフィールドＳＦ2〜ＳＦM-1の発光期間Ｔ2〜ＴM-1の残存期間には、発光期間Ｔ1の残存期間と同様に電荷調整パルスＰｃが走査電極Ｙ1〜Ｙnに印加される。
【００８４】
図１３を参照すると、発光期間Ｔ2には、列電極Ｄ1〜ＤmにＧＮＤレベルの電圧が印加されている。このとき、各行電極対の走査電極Ｙjとこれに対応する共通電極Ｘjとに交互に放電維持パルスＰ+が印加される。このようにして各行電極対Ｘj，Ｙj間に電位差を与える電圧パルスＰ+，Ｐ-が印加されることにより、発光可能状態の放電セルＣＬの放電空間ＤＳ内では、共通電極Ｘjと走査電極Ｙjとの間に維持放電が繰り返し発生する。この維持放電により発生した紫外線は、蛍光体層２６の励起子を励起して可視光を放出させる。
【００８５】
そして、最終サブフィールドＳＦMの発光期間ＴMの終了後、第２行電極駆動部１６Ｂは、負極性の最小ピーク電圧を持つ消去パルスＰｅを全ての走査電極Ｙ1〜Ｙnに印加する。かかる消去パルスＰｅの印加に応じて、発光可能状態の放電セルＣＬのみに消去放電が生起される。この消去放電により、発光可能状態の放電セルＣＬは非発光状態に遷移する。
【００８６】
上記第２駆動シーケンスにより図１４に示される発光パターンを実現することが可能である。図１４において、記号「◎」は、先頭サブフィールドＳＦ1の表示期間で選択書込放電と維持放電とが発生することを意味し、記号「○」は、サブフィールドＳＦ2〜ＳＦ14の発光期間Ｔ2〜Ｔ14のいずれかで維持放電が発生することを意味し、記号「●」は、サブフィールドＳＦ2〜ＳＦ14の選択消去期間Ｔｅのいずれかで選択消去放電が発生することを意味する。
【００８７】
映像信号の階調レベルｇの表示輝度をＬ２（ｇ）で表すとき、表示輝度Ｌ２（ｇ）は次式で与えられる。
【００８８】
【数２】
2008197442.tif 000004
ここで、Ｍは、サブフィールドＳＦ1〜ＳＦMの総数であり、図１４の場合は、Ｍ＝１４となる。Ｂ（ｇ；ｉ）は、階調レベルｇについてｉ番目サブフィールドＳＦiで放電セルＣＬが発光可能状態に設定されるときは値「１」をとり、放電セルＣＬが非発光状態に設定されるときは値「０」をとる。Ｗ（ｉ）は、ｉ番目サブフィールドＳＦiに割り当てられた輝度の重みである。たとえば、Ｗ（１）＝１、Ｗ（２）＝２、Ｗ（３）＝６、Ｗ（４）＝８、Ｗ（５）＝１０、Ｗ（６）＝１２、Ｗ（７）＝１６、Ｗ（８）＝１８、Ｗ（９）＝２２、Ｗ（１０）＝２４、Ｗ（１１）＝２８、Ｗ（１２）＝３２、Ｗ（１３）＝３６、Ｗ（１４）＝４０、のように輝度の重みが設定されれば、図１４のテーブルに示される表示輝度Ｌ２（ｇ）が実現される。図１４に示される発光パターンでは、第２階調レベル〜第１５階調レベルで発光する放電セルＣＬの発光可能状態は１フィールドの表示期間において連続的であり、且つ放電セルＣＬが一度非発光状態に設定された後は再び発光可能状態に設定されないため、動画像疑似輪郭は発生しない。
【００８９】
上記第２駆動シーケンスは、図３および図４に示される構造を有する表示パネル２に適用されてもよいし、あるいは図５および図６に示される構造を有する表示パネル２に適用されてもよい。さらには、図７および図８に示される構造を有する表示パネル２に適用することも可能である。上述の通り、図５および図６のパネル構造は、初期電子および二次電子によるプライミング効果を向上させて放電遅れを改善するので、駆動電圧の広いマージン（余裕度）を確保することができる。図５および図６の構造と図７および図８の構造とを併用すれば、さらなる放電遅れの改善と広い駆動電圧マージンとを実現できる。
【００９０】
図１３のリセット期間Ｔｒにおいては、リセットパルスＰｙｒの印加により陰極である列電極Ｄkと陽極である走査電極Ｙjとの間にリセット放電が生起され、その後の調整パルスＰｙｃの印加により微弱放電が生起されて壁電荷分布が初期化される。図７または図８の構造を使用すれば、リセット放電が起きたとき、正イオン粒子が陽極Ｙjから陰極Ｄkに移動して図７または図８に示される電子放出膜２６ａまたは結晶体粒子２６ｅに衝突し、これにより、電子放出膜２６ａまたは結晶体粒子２６ｅから二次電子（プライミング粒子）が放出されて放電開始電圧を低下させる。このため、比較的弱いリセット放電を生起させることが可能である。よって、リセット放電の微弱化によりその放電に伴う背景発光輝度が低下するので、低輝度画像表示時における暗所コントラストの低下を抑制することができる。
【００９１】
また、前記リセット放電は、陽極Ｙjと陰極Ｄk間で起こるものであるから、列電極Ｄkよりも前面基板２２側に形成されている共通電極Ｘjと走査電極Ｙjとの間にリセット放電を起こす場合と比べると、前面基板２２から外部に放出される光量が少なくなるので、さらなる暗所コントラストの低下抑制を図ることができる。
【００９２】
図１３に示されるように、第２駆動シーケンスに従って黒レベルを表す第１階調レベルを表示する放電セルＣＬでは、１フィールドの表示期間を通して生起される放電は、先頭サブフィールドＳＦ1でのリセット放電のみである。また先頭サブフィールドＳＦ1の選択書込期間Ｔｓｗでは、黒レベル以上の階調レベルで発光する放電セルＣＬでのみ選択書込放電が生起される。したがって、第２駆動シーケンスによる駆動制御は、背景発光輝度の発生を極力を抑制し、暗所コントラストの低下を抑制するものである。
【００９３】
また、上記第１駆動シーケンスによる駆動制御の場合と同様に、図１３に示されるように１フィールドの表示期間に亘って列電極Ｄkには正極性のパルスのみを印加すれば足りるので、列電極駆動部１５の回路構成を簡略化でき、製造コストを抑制できる。
【００９４】
上記の如く、本実施例に係るプラズマディスプレイ装置１は、輝度検出部１０Ｂで検出された輝度レベルに応じて、第１駆動シーケンスまたは第２駆動シーケンスを選択し、当該選択された駆動シーケンスに従って駆動制御を実行する。よって、プラズマディスプレイ装置１は、入力映像信号ＶＳｉの画像が低輝度画像であるときには第１駆動シーケンスを選択して、滑らかなグラデーションを持つ低輝度画像を表示し、低輝度領域で豊かな階調表現力を発揮することができる。他方、入力映像信号ＶＳｉの画像が低輝度画像でないときは第２駆動シーケンスを選択して、中輝度画像あるいは高輝度画像に適した表示を行うことができる。たとえば、表示輝度が「１０」未満の低輝度領域において、第１駆動シーケンスによる発光パターン（図１１）は６階調を実現できるが、第２駆動シーケンスによる発光パターン（図１４）は４階調しか実現できないので、第２駆動シーケンスよりも第１駆動シーケンスの方が高い階調表現能力を有する。ところが、表示輝度が「１１０」以上の高輝度領域においては、第２駆動シーケンスによる発光パターン（図１４）は５階調を実現できるが、第１駆動シーケンスによる発光パターン（図１１）は４階調しか実現できないので、第１駆動シーケンスよりも第２駆動シーケンスの方が高い階調表現能力を有する。
【００９５】
以上により、本実施例に係るプラズマディスプレイ装置１は、低輝度画像表示時における暗所コントラストの低下の抑制と階調表現能力の向上とを実現するものである。
【００９６】
なお、上記の通り、上記第２駆動シーケンスでは、図１３に示したように先頭サブフィールドＳＦ1の表示期間にのみリセット期間Ｔｒが設けられていたが、放電の安定化のために、先頭サブフィールドＳＦ1に限らず、サブフィールドＳＦ1〜ＳＦNのうちの２以上のサブフィールドの表示期間でリセット期間Ｔｒを設けてもよい。これは、第２駆動シーケンスは、表示画像が比較的明るい場合に選択されるので、かかる場合にはリセット放電に伴う背景発光輝度が目立たないからである。
【００９７】
また、本実施例に係るプラズマディスプレイ装置１は上記第２駆動シーケンスを好ましいものとして採用した。上記第２駆動シーケンスは、先頭サブフィールドＳＦ1の表示期間で放電セルＣＬを選択的に発光可能状態に設定した後、後続サブフィールドＳＦ2〜ＳＦNのいずれかの表示期間で放電セルＣＬを発光可能状態から非発光状態に遷移させるという、いわゆる選択消去法に基づいてプラズマディスプレイパネル２を駆動制御するものであるが、これに限る必要はない。この第２駆動シーケンスの代わりに、たとえば、サブフィールドＳＦ2〜ＳＦNの各々の表示期間で放電セルＣＬを選択的に非発光状態から発光可能状態に遷移させるという、いわゆる選択書込法に基づく駆動シーケンスを採用してもよい。
【００９８】
また、図１１に示したように、第１および第３階調レベルを除く全ての階調レベルに対して先頭サブフィールドＳＦ1の表示期間に微少放電を生起しているが、この代わりに、第４階調レベル以上の階調レベルに対しては先頭サブフィールドＳＦ1の表示期間に微少放電を生起させなくてもよい。これは、第４階調レベル以上の階調レベルで放電セルＣＬが発光するとき、微少放電に伴う輝度（＝α）は極めて低いため、微少放電に伴う輝度の表示輝度に占める割合が低くなり、人間の眼に殆ど視覚されないからである。
【００９９】
上記第１駆動シーケンスは、発光可能状態の放電セルＣＬに選択的にアドレス放電（選択消去放電）を起こして放電セルＣＬの状態を発光可能状態から非発光状態に遷移させるという、いわゆる選択消去法に基づいてプラズマディスプレイパネル２を駆動制御するものであるが、この第１駆動シーケンスの代わりに、以下に説明する選択書込法に基づく第３駆動シーケンスを使用してもよい。
【０１００】
図１６は、第３駆動シーケンスの例を概略的に示す図である。この第３駆動シーケンスでは、映像信号の１フィールドは、表示順に連続的に配列されるＮ個（Ｎは２以上の整数）のサブフィールドＳＦ1，…，ＳＦNに分解されている。図１７は、図１６の第３駆動シーケンスによる駆動信号の波形を概略的に例示するタイミングチャートである。図１７には、列電極Ｄ1〜Ｄnに印加される信号波形、共通電極Ｘ1〜Ｘnに印加される信号波形、並びに、走査電極Ｙ1，…，Ｙnにそれぞれ印加される信号波形が示されている。図１７に示される先頭サブフィールドＳＦ1の表示期間の駆動信号は、図１０に示した先頭サブフィールドＳＦ1の表示期間の駆動信号と同一であるので、その詳細な説明を省略する。また、図１７に示されるサブフィールドＳＦ2〜ＳＦNの選択書込期間Ｔｗの駆動信号も、図１０に示した第２選択書込期間Ｔｗ2の駆動信号と同一であるので、その詳細な説明を省略する。
【０１０１】
図１７を参照すると、サブフィールドＳＦ2〜ＳＦNの各選択書込期間Ｔｗの直後には、点灯すべき選択セルＣＬのみが発光可能状態に設定されている。すなわち、選択セルＣＬでは、列電極Ｄkに近い壁面に負イオン粒子が蓄積され、走査電極Ｙjに近い壁面に正イオン粒子が蓄積され、共通電極Ｘjに近い壁面に負イオン粒子が蓄積されている。
【０１０２】
サブフィールドＳＦ2〜ＳＦNの発光期間Ｔ2〜ＴNでは、それぞれ、第２行電極駆動部１６Ｂは、正極性の電圧パルスを放電維持パルスＰ+として各行電極対に印加する。同時に、第１行電極駆動部１６Ａは、共通電極Ｘ1〜Ｘnの各々にはＧＮＤレベルの電圧パルスＰ-を印加し、列電極駆動部１５は、列電極Ｄ1〜ＤmにＧＮＤ電圧を印加する。サブフィールドＳＦ2の発光期間Ｔ2に印加される放電維持パルスＰ+の個数は１個のみである。他のサブフィールドＳＦ3〜ＳＦNの発光期間Ｔ3〜ＴNでは、放電維持パルスＰ+が各行電極対の走査電極Ｙjおよび共通電極Ｘjに交互に印加され、各行電極対に印加される放電維持パルスＰ+の総数は奇数個である。放電維持パルスＰ+が印加されると、選択セルＣＬの放電空間ＤＳ内で共通電極Ｘjと走査電極Ｙjとの間、並びに走査電極Ｙjと列電極Ｄkとの間に強いガス放電（すなわち維持放電）が生起され、これによりイオン粒子が生成される。当該生成されたイオン粒子のうち、負イオン粒子は走査電極Ｙjに誘引され、正イオン粒子は共通電極Ｘjに誘引されるので、共通電極Ｘjに近い壁面の電荷極性と走査電極Ｙjに近い壁面の電荷極性とは反転する。また維持放電により発生した紫外線は、蛍光体層２６の励起子を励起して可視光を放出させる。
【０１０３】
次に、サブフィールドＳＦ2〜ＳＦNの各消去期間Ｔｄでは、第２行電極駆動部１６Ｂは、電圧レベルが経過時間とともに漸次低下する波形を持つ負極性の消去パルスＰｄ，…，Ｐｄを、それぞれ、走査電極Ｙ1，…，Ｙnに印加する。このとき、第１行電極駆動部１６Ａは、消去パルスＰｄの電圧レベルよりも高い略一定電圧を持つ正極性のオフセットパルスＰｏｐを共通電極Ｘ1〜Ｘnに印加し、列電極駆動部１５は、消去パルスＰｄの電圧レベルよりも高い略一定電圧（本実施例ではＧＮＤ電圧）を列電極Ｄ1〜Ｄmに印加する。これにより、発光可能状態の放電セルＣＬで消去放電が生起され、発光可能状態の全ての放電セルＣＬが非発光状態に遷移する。このとき、放電セルＣＬの列電極Ｄkと走査電極Ｙjとの間に微弱な放電が生起され、かかる放電により、次の選択書込期間Ｔｗにおいて誤りなく安定してアドレス放電（選択書込放電）を起こすように壁電荷分布が調整される。
【０１０４】
プラズマディスプレイ装置１が第３駆動シーケンスに従って多階調画像を表示する場合、黒レベル（第１階調レベル）より１段階明るい第２階調レベルで発光すべき放電セルＣＬには、先頭サブフィールドＳＦ1の表示期間のみに選択書込放電とこれに伴う微少放電とを生起すればよい。第３階調レベルで発光すべき放電セルＣＬには、サブフィールドＳＦ2の表示期間のみに選択書込放電とこれに伴う維持放電とを生起すればよい。そして、第４階調レベル以上の階調レベルで発光すべき放電セルＣＬには、サブフィールドＳＦ1，ＳＦ2の各々の表示期間で選択書込放電とこれに伴う維持放電とを生起し、さらに単数または複数のサブフィールド各々の表示期間で選択書込放電とこれに伴う維持放電とを生起すればよい。ここで、複数のサブフィールドの表示期間に亘って選択書込放電を生起する場合には、動画像疑似輪郭の発生を抑制するために連続的に表示されるサブフィールドを選択する。このような駆動制御により、上記第１駆動シーケンスと同様に（Ｎ＋１）階調を実現できる。
【０１０５】
図１７の消去期間Ｔｄに印加される消去パルスＰｄの波形は、調整パルスＰｙｃまたはＰｙｄの波形と同一にすることができる。この場合、消去パルスＰｄと調整パルスＰｙｃまたはＰｙｄとを共通の駆動回路で生成することができる。また、上記第１駆動シーケンスでは、選択書込放電と選択消去放電を起こす駆動信号を生成するために２系統の回路構成を必要とするが、第３駆動シーケンスでは、選択書込放電を起こす駆動信号を生成するための１系統の回路構成で足りるという利点がある。したがって、第３駆動シーケンスを採用した場合、第１駆動シーケンスを採用した場合よりも、プラズマディスプレイ装置１の駆動回路の製造コストを低減させることができる。
【０１０６】
次に、上記第２駆動シーケンスも、選択消去法に基づいてプラズマディスプレイパネル２を駆動制御するものであるが、この第２駆動シーケンスの代わりに、以下に説明する選択書込法に基づく第４駆動シーケンスを使用してもよい。
【０１０７】
図１８は、第４駆動シーケンスの例を概略的に示す図である。この第４駆動シーケンスでは、映像信号の１フィールドは、表示順に連続的に配列されるＭ個（Ｍは２以上の整数）のサブフィールドＳＦ1，…，ＳＦMに分解されている。図１９は、図１８の第４駆動シーケンスによる駆動信号の波形を概略的に例示するタイミングチャートである。図１９には、列電極Ｄ1〜Ｄnに印加される信号波形、共通電極Ｘ1〜Ｘnに印加される信号波形、並びに、走査電極Ｙ1，…，Ｙnにそれぞれ印加される信号波形が示されている。図１９に示される先頭サブフィールドＳＦ1のリセット期間Ｔｒの駆動信号は、図１３に示した先頭サブフィールドＳＦ1のリセット期間Ｔｒの駆動信号と同一であるので、その詳細な説明を省略する。また、図１９に示されるサブフィールドＳＦ1〜ＳＦMの各選択書込期間Ｔｗの駆動信号は、図１３に示したサブフィールドＳＦ1の選択書込期間Ｔｓｗの駆動信号と同じであるので、その詳細な説明を省略する。
【０１０８】
図１９を参照すると、サブフィールドＳＦ1〜ＳＦMの各選択書込期間Ｔｗの直後には、点灯すべき選択セルＣＬのみが発光可能状態に設定されている。すなわち、選択セルＣＬでは、列電極Ｄkに近い壁面に負イオン粒子が蓄積され、走査電極Ｙjに近い壁面に正イオン粒子が蓄積され、共通電極Ｘjに近い壁面に負イオン粒子が蓄積されている。
【０１０９】
サブフィールドＳＦ1〜ＳＦMの発光期間Ｔ1〜ＴMでは、それぞれ、第２行電極駆動部１６Ｂは、正極性の電圧パルスを放電維持パルスＰ+として各行電極対に印加する。同時に、第１行電極駆動部１６Ａは、共通電極Ｘ1〜Ｘnの各々にはＧＮＤレベルの電圧パルスＰ-を印加し、列電極駆動部１５は、列電極Ｄ1〜ＤmにＧＮＤ電圧を印加する。先頭サブフィールドＳＦ1の発光期間Ｔ1に印加される放電維持パルスＰ+の個数は１個のみである。他のサブフィールドＳＦ2〜ＳＦMの発光期間Ｔ3〜ＴMでは、放電維持パルスＰ+が各行電極対の走査電極Ｙjおよび共通電極Ｘjに交互に印加され、各行電極対に印加される放電維持パルスＰ+の総数は奇数個である。放電維持パルスＰ+が印加されると、選択セルＣＬの放電空間ＤＳ内で共通電極Ｘjと走査電極Ｙjとの間、並びに走査電極Ｙjと列電極Ｄkとの間に強いガス放電（すなわち維持放電）が生起され、これによりイオン粒子が生成される。当該生成されたイオン粒子のうち、負イオン粒子は走査電極Ｙjに誘引され、正イオン粒子は共通電極Ｘjに誘引されるので、共通電極Ｘjに近い壁面の電荷極性と走査電極Ｙjに近い壁面の電荷極性とは反転する。また維持放電により発生した紫外線は、蛍光体層２６の励起子を励起して可視光を放出させる。
【０１１０】
次に、サブフィールドＳＦ1〜ＳＦMの各消去期間Ｔｄでは、第２行電極駆動部１６Ｂは、電圧レベルが経過時間とともに漸次低下する波形を持つ負極性の消去パルスＰｄ，…，Ｐｄを、それぞれ、走査電極Ｙ1，…，Ｙnに印加する。このとき、第１行電極駆動部１６Ａは、消去パルスＰｄの電圧レベルよりも高い略一定電圧を持つ正極性のオフセットパルスＰｏｐを共通電極Ｘ1〜Ｘnに印加し、列電極駆動部１５は、消去パルスＰｄの電圧レベルよりも高い略一定電圧（本実施例ではＧＮＤ電圧）を列電極Ｄ1〜Ｄmに印加する。これにより、発光可能状態の放電セルＣＬで消去放電が生起され、発光可能状態の放電セルＣＬが非発光状態に遷移する。このとき、放電セルＣＬの列電極Ｄkと走査電極Ｙjとの間に微弱な放電が生起され、かかる放電により、次の選択書込期間Ｔｗにおいて誤りなく安定してアドレス放電（選択書込放電）を起こすように壁電荷分布が調整される。
【０１１１】
プラズマディスプレイ装置１が第４駆動シーケンスに従って多階調画像を表示する場合、黒レベル（第１階調レベル）より１段階明るい第２階調レベルで発光すべき放電セルＣＬには、先頭サブフィールドＳＦ1の表示期間のみに選択書込放電とこれに伴う維持放電とを生起すればよい。また、第３階調レベル以上の階調レベルで発光すべき放電セルＣＬには、動画像疑似輪郭の発生を抑制するために、各フィールドの表示期間の先頭から連続的に表示されるサブフィールドの各々の表示期間にて選択書込放電とこれに伴う維持放電とを生起すればよい。このような駆動制御により、上記第１駆動シーケンスと同様に（Ｍ＋１）階調を実現できる。たとえば、第５階調レベルの輝度で発光すべき放電セルＣＬには、サブフィールドＳＦ1〜ＳＦ4の各々の表示期間に選択書込放電とこれに伴う維持放電とを生起すればよい。
【０１１２】
図１９の消去期間Ｔｄに印加される消去パルスＰｄの波形は、調整パルスＰｙｃの波形と同一にすることができる。この場合、消去パルスＰｄと調整パルスＰｙｃとを共通の駆動回路で生成することができる。また、上記第２駆動シーケンスでは、選択書込放電と選択消去放電を起こす駆動信号を生成するために２系統の回路構成を必要とするが、第４駆動シーケンスでは、選択書込放電を起こす駆動信号を生成するための１系統の回路構成で足りるという利点がある。したがって、第４駆動シーケンスを採用した場合、第２駆動シーケンスを採用した場合よりも、プラズマディスプレイ装置１の駆動回路の製造コストを低減させることができる。
【０１１３】
以上、本発明に係る種々の実施例を説明した。上記実施例のリセット期間Ｔｒ1，Ｔｒ2，Ｔｒでは、全ての放電セルＣＬに一斉にリセット放電を生起していたが、この代わりに、所定数の放電セルＣＬからなるブロック毎にリセット放電を時間的に分散させて生起してもよい。
【０１１４】
上記第１駆動シーケンスと第３駆動シーケンスでは、図２０（Ａ）に示されるように、微少発光期間ＴLLに印加されるパルスＰＬの電圧レベルは、第２リセット期間Ｔｒ2に印加されるリセットパルスＰｙｂの立ち上がり部分と連続しているが、この代わりに、図２０（Ｂ）に示されるように、パルスＰＬの電圧レベルが一度立ち下がった後、リセットパルスＰｙｂの電圧レベルを立ち上げてもよい。
【０１１５】
また、上記第１駆動シーケンスによる図１０の駆動信号波形を参照すると、先頭サブフィールドＳＦ1の第１リセット期間Ｔｒ1にて正極性のリセットパルスＰｘａ，Ｐｙａが印加されている。上記第３駆動シーケンスによる図１７の駆動信号波形でも同様である。リセットパルスＰｘａ，Ｐｙａを印加する目的は、リセット放電を生起して壁電荷分布を最適化し、これにより図１０または図１７の第１選択書込期間Ｔｗ1で書込放電を誤り無く安定して生起させることにある。他の目的は、プライミング粒子（二次電子および初期電子）を電子放出材料から放出させて放電遅れを低下させることである。
【０１１６】
上述した通り、図５および図６に示した電子放出層３０が放電空間ＤＳに面する構成が採用された場合、特に、図７に示した電子放出膜２６ａあるいは図８に示した結晶体粒子２６ｅが放電空間ＤＳに面する構成が採用された場合には、放電開始電圧が低下するので広い駆動電圧マージンを確保できる。十分に広い駆動電圧マージンが確保できれば、リセットパルスＰｘａ，Ｐｙａを印加せずとも、図１０または図１７の第１選択書込期間Ｔｗ1での書込放電を安定して生起させることが可能である。かかる場合には、リセットパルスＰｘａ，Ｐｙａの代わりに、たとえばＧＮＤレベルの一定電圧を印加してもよい。図２１は、図１０の駆動信号波形のリセットパルスＰｘａ，Ｐｙａの代わりにＧＮＤ電圧を印加した場合の信号波形を示す図である。図２１の駆動信号波形によれば、現フィールドに対して１サイクル前のフィールドの最終サブフィールドＳＦNの消去期間Ｔｂにて消去パルスＰｅが印加され、現フィールドの先頭フィールドＳＦ1の第１リセット期間Ｔｒ1にて調整パルスＰｙｃが印加される。これらのパルスＰｅ，Ｐｙｃだけで全ての放電セルＣＬは、最適な壁電荷分布を持つ非発光状態に設定される。このため、リセットパルスＰｘａ，Ｐｙａを印加せずとも、図１０の第１選択書込期間Ｔｗ1で書込放電を安定して生起させることが可能である。
【０１１７】
なお、かかる場合であっても、図１０および図１７に示した第２リセット期間Ｔｒ2にてリセットパルスＰｘｂ，Ｐｙｂの代わりに一定電圧を印加することは避けるのが好ましい。リセットパルスＰｘｂ，Ｐｙｂを印加する目的は、第２リセット期間Ｔｒ2の後の選択書込期間Ｔｗ2で書込放電を安定して生起させることである。リセットパルスＰｘｂ，Ｐｙｂの印加に応じて放出されるプライミング粒子（二次電子および初期電子）は、選択書込期間Ｔｗ2での書込放電を安定化させるために作用するので、リセットパルスＰｘｂ，Ｐｙｂを印加しなければ、当該書込放電が安定して生起されず、所望の放電セルＣＬが非発光状態から発光可能状態に遷移しない可能性がある。この場合、後続サブフィールドＳＦ2〜ＳＦNの表示期間で、本来維持放電が発生すべき放電セルＣＬで維持放電が発生しない結果となる。図１３のリセット期間Ｔｒにて印加されるリセットパルスＰｘｒ，Ｐｙｒ、並びに図１９のリセット期間Ｔｒにて印加されるリセットパルスＰｘｒ，Ｐｙｒについても同様である。
【図面の簡単な説明】
【０１１８】
【図１】本発明の実施例に係るプラズマディスプレイ装置の概略構成を示す図である。
【図２】プラズマディスプレイ装置のプラズマディスプレイパネルの構成を示す平面図である。
【図３】図２に示されるプラズマディスプレイパネルのＶ３−Ｖ３切断線での断面の一例を示す図である。
【図４】図２に示されるプラズマディスプレイパネルのＷ２−Ｗ２切断線での断面の一例を示す図である。
【図５】図２に示されるプラズマディスプレイパネルのＶ３−Ｖ３切断線での断面の他の例を示す図である。
【図６】図２に示されるプラズマディスプレイパネルのＷ２−Ｗ２切断線での断面の他の例を示す図である。
【図７】放電セルの蛍光体層上に成膜された電子放出膜を概略的に示す図である。
【図８】放電セルの蛍光体層内に散在する電子放出材料の結晶体粒子を概略的に示す図である。
【図９】本発明の実施例に係る第１駆動シーケンスの例を概略的に示す図である。
【図１０】図９の第１駆動シーケンスによる駆動信号の波形を概略的に例示するタイミングチャートである。
【図１１】図９の第１駆動シーケンスを選択した場合に実現され得る放電セルＣＬの発光パターンと第１変換テーブルとを例示する図である。
【図１２】本発明の実施例に係る第２駆動シーケンスの例を概略的に示す図である。
【図１３】図１２の第２駆動シーケンスによる駆動信号の波形を概略的に例示するタイミングチャートである。
【図１４】図１２の第２駆動シーケンスを選択した場合に実現され得る放電セルＣＬの発光パターンと第２変換テーブルとを例示する図である。
【図１５】放電強度の測定値を示すグラフである。
【図１６】本発明の実施例に係る第３駆動シーケンスの例を概略的に示す図である。
【図１７】図１６の第３駆動シーケンスによる駆動信号の波形を概略的に例示するタイミングチャートである。
【図１８】本発明の実施例に係る第４駆動シーケンスの例を概略的に示す図である。
【図１９】図１８の第４駆動シーケンスによる駆動信号の波形を概略的に例示するタイミングチャートである。
【図２０】変形例を説明するためのタイミングチャートである。
【図２１】第１駆動シーケンスの変形例に係る駆動信号の波形を概略的に示す図である。
【符号の説明】
【０１１９】
１  プラズマディスプレイ装置
２  プラズマディスプレイパネル
１０  コントローラ
１０Ａ  重み割り当て部
１０Ｂ  輝度検出部
１１  駆動制御部
１２  階調調整部
１３  駆動データ生成部
１４  メモリ回路
１５  列電極駆動部
１６Ａ  第１行電極駆動部
１６Ｂ  第２行電極駆動部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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