(57)【要約】【課題】基板処理装置が開示される。【解決手段】半導体基板に対するコーティング工程、ベーク工程、現像工程等を行うための基板処理装置において、第１処理ブロックは、コーティング工程及び現像工程を行うために具備され、基板を熱処理するための第２処理ブロックは前記第１処理ブロックと向かい合って配置される。前記第１処理ブロックと第２処理ブロックとの間には基板を移送するためのメイン移送ブロックが配置され、前記第１及び第２処理ブロックの配置方向に対して垂直方向に前記メイン移送ブロックの一側には基板の温度を調節するための第３処理ブロックが配置される。前記第２処理ブロックと前記第３処理ブロックとの間で基板を移送するための補助移送ブロックは、前記第２処理ブロックと前記第３処理ブロックに隣接するように配置される。従って、前記メイン移送ブロックの過負荷が防止されることができる。【選択図】図１
2008311622.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に対するコーティング工程及び現像工程を行うための第１処理ブロックと、
前記第１処理ブロックと向かい合って配置され前記基板を熱処理するための第２処理ブロックと、
前記第１処理ブロックと第２処理ブロックとの間に配置され前記基板を移送するためのメイン移送ブロックと、
前記第１及び第２処理ブロックの配置方向に対して垂直方向に前記メイン移送ブロックの一側に配置され前記基板の温度を調節するための第３処理ブロックと、
前記第２処理ブロックと前記第３処理ブロックに隣接するように配置され前記第２処理ブロックと前記第３処理ブロックとの間で前記基板を移送するための補助移送ブロックと、を含むことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記補助移送ブロックは、垂直方向に延長する垂直ガイドレールと、前記垂直ガイドレールに垂直方向に移動可能に結合され前記基板を移送するために回転可能に、そして伸張及び伸縮可能に構成されたロボットアームを含むことを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記第２処理ブロックは前記第１処理ブロックと向かい合うように水平方向に配置された第１、第２、及び第３単位ブロックを含み、
前記第１及び第３単位ブロックのそれぞれは複層に積層され前記基板を加熱するための多数の加熱ユニットを含み、
前記第２単位ブロックは前記第１及び第３単位ブロックの間で複層に積層され前記基板を熱処理するための多数の熱処理ユニットを含むことを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記補助移送ブロックは、前記第１単位ブロックと前記第３処理ブロックとの間で前記基板を移送することを特徴とする請求項３記載の基板処理装置。
【請求項５】
それぞれの熱処理ユニットは、
前記基板を加熱するための加熱プレートと、
前記第１、第２、及び第３単位ブロックの配置方向と平行な方向に前記加熱プレートの一側に配置され前記基板を冷却させるための冷却プレートと、
前記加熱プレートと前記冷却プレートとを収容し、前記基板を搬入及び搬出するための一対のゲートを有する熱処理チャンバーと、を含むことを特徴とする請求項３記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記それぞれの熱処理ユニットは、
前記熱処理チャンバー内に配置され前記加熱プレートと前記冷却プレートとの間で前記基板を移送するためのチャンバー内側ロボットと、
前記加熱プレート及び冷却プレートを通じて垂直方向に移動可能に配置され前記基板を前記加熱プレート及び冷却プレート上にローディングして前記加熱プレート及び冷却プレートからアンロードするためのリフトピンと、を更に含むことを特徴とする請求項５記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記チャンバー内側ロボットは、
前記加熱プレートと冷却プレートが配列された方向と平行に延長するガイドレールと、
前記ガイドレールに対して垂直方向に延長して前記ガイドレールに移動可能に結合されたロボットアームと、を含むことを特徴とする請求項６記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記第１処理ブロックは、
前記基板上に膜を形成するための少なくとも１つのコーティングユニットと前記基板上のフォトレジスト膜を現像するための少なくとも１つの現像ユニットのうち１つを含む上部単位ブロックと、
前記少なくとも１つのコーティングユニットと前記少なくとも１つの現像ユニットのうち他の１つを含む下部単位ブロックと、
前記上部及び下部単位ブロックの間に分離可能に配置され、コーティングユニットと現像ユニットのうち少なくとも１つを含む中央単位ブロックと、を含むことを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記上部単位ブロックは、ボトム反射防止膜を形成するための第１コーティングユニット、及びフォトレジスト膜を形成するための第２コーティングユニットを含むことを特徴とする請求項８記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記上部単位ブロックは、前記基板上にフォトレジスト膜を形成するための多数のコーティングユニットを含むことを特徴とする請求項８記載の基板処理装置。
【請求項１１】
前記メイン移送ブロックは、前記上部単位ブロック、前記中央単位ブロック、前記第２処理ブロック及び前記第３処理ブロックの間で前記基板を移送するための上部メインロボットと、前記下部単位ブロック、前記中央単位ブロック、前記第２処理ブロック及び前記第３処理ブロックの間で前記基板を移送するための下部メインロボットを含むことを特徴とする請求項８記載の基板処理装置。
【請求項１２】
それぞれの上部及び下部メインロボットは、
垂直方向に延長する一対の垂直ガイドレールと、
前記垂直ガイドレールに垂直方向に移動可能に結合された水平ガイドレールと、
前記水平ガイドレールに水平方向に移動可能に結合され、前記基板を移送するために回転可能に、そして伸張及び伸縮可能に構成されたロボットアームと、を含むことを特徴とする請求項１１記載の基板処理装置。
【請求項１３】
前記上部メインロボットの垂直ガイドレール及び前記下部メインロボットの垂直ガイドレールは、前記第１処理ブロック及び第２処理ブロックにそれぞれ隣接するように配置されることを特徴とする請求項１２記載の基板処理装置。
【請求項１４】
前記上部メインロボットのロボットアームは下方向に向かって配置され、前記下部メインロボットのロボットアームは上方向に向かって配置されることを特徴とする請求項１２記載の基板処理装置。
【請求項１５】
前記上部及び下部メインロボットの垂直ガイドレールは、前記第１又は第２処理ブロックに隣接するように配置されることを特徴とする請求項１４記載の基板処理装置。
【請求項１６】
前記中央単位ブロックと隣接した前記メイン移送ブロックの中央空間内で前記上部及び下部メインロボットが互いに干渉しないように前記上部及び下部メインロボットの動作を制御するロボット制御部を更に含むことを特徴とする請求項１１記載の基板処理装置。
【請求項１７】
前記メイン移送ブロックは、前記上部単位ブロック、前記中央単位ブロック、前記第２処理ブロック及び前記第３処理ブロックの間で前記基板を移送するための上部メインロボットと、前記下部単位ブロック、前記中央単位ブロック、前記第２処理ブロック及び前記第３処理ブロックの間で前記基板を移送するための下部メインロボットを含み、
前記補助移送ブロックは、前記第２処理ブロックと前記第３処理ブロックとの間で前記
基板を移送するための補助移送ロボットを含むことを特徴とする請求項８記載の基板処理装置。
【請求項１８】
前記上部及び下部メインロボットと前記補助移送ロボットが相互補完的に動作するように前記上部及び下部メインロボットと前記補助移送ロボットの動作を制御するロボット制御部を更に含むことを特徴とする請求項１７記載の基板処理装置。
【請求項１９】
前記第３処理ブロックは垂直方向に積層され前記基板を冷却させるための多数の冷却ユニットを含むことを特徴とする請求項８記載の基板処理装置。
【請求項２０】
前記第３処理ブロックは、前記中央単位ブロックと水平方向に隣接するように前記冷却ユニットの間に配置され前記基板を収納するための移送ステージを更に含むことを特徴とする請求項１９記載の基板処理装置。
【請求項２１】
前記メイン移送ブロックを中心に前記第３処理ブロックと向かい合って配置され前記基板の温度を調節するための第４処理ブロックと、
前記第２処理ブロックと前記第４処理ブロックに隣接するように配置され前記第２処理ブロックと前記第４処理ブロックとの間で前記基板を移送するための第２補助移送ブロックと、を更に含むことを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項２２】
第３処理ブロックと連結され、前記基板を収容するための容器と前記第３処理ブロックとの間で前記基板を移送するための基板移送モジュールと、
前記第４処理ブロックと連結され、露光装置と前記第４処理ブロックとの間で前記基板を移送するためのインターフェースモジュールと、を更に含むことを特徴とする請求項２１記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は基板処理装置に関する。より詳細には、シリコンウェーハのような半導体基板に対してコーティング工程、ベーク工程、現像工程等を行うための基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、半導体装置の製造工程でフォトレジストパターンは電気的特性を有する回路パターンを形成するためのエッチング工程のためのエッチングマスクとして使用されることができる。前記フォトレジストパターンは、露光装置と連結された基板処理装置（又は、フォトレジストパターン形成装置）によって形成されることができる。
【０００３】
前記基板処理装置は、半導体基板上にボトム反射防止膜及びフォトレジスト膜を形成するためのコーティングユニット、前記反射防止膜、及びフォトレジスト膜を硬化させるための加熱ユニット、露光処理された半導体基板に対してＰＥＢ（Ｐｏｓｔ  Ｅｘｐｏｓｕｒｅ  Ｂａｋｅ）工程を行うための加熱ユニット、露光処理されたフォトレジスト膜を現像するための現像ユニット、前記半導体基板上に形成されたフォトレジストパターンを硬化させるための加熱ユニット、前記加熱された半導体基板を冷却させるための冷却ユニット、半導体基板を収納する移送ステージを含むことができる。
【０００４】
前記のような工程ユニットの間には基板移送ロボットが配置されることができ、前記基板移送ロボットは予め設定された工程レシピによって半導体基板を前記工程ユニットの間で移送する。
【０００５】
しかし、前記単位工程に所要される時間が互いに異なるので、前記工程ユニット又は移送ステージで半導体基板が待機する時間が増加されることができ、前記基板移送ロボットに過負荷が発生されることができる。
【０００６】
又、工程レシピ、フォトレジスト組成物、目的とするフォトレジストパターンの線幅等によってボトム反射防止膜を形成しなくても良い。従って、前記コーティングユニットの一部を必要としないこともできる。
【０００７】
結果的に、前記基板処理装置のスループットが大幅低下される虞があり、これを改善することができる新しい基板処理装置が要求されている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
前記のような問題点を解決するための本発明の目的は、スループットが向上された基板処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記目的を達成するための本発明の一側面による基板処理装置は、コーティング工程及び現像工程を行うための第１処理ブロックと、前記第１処理ブロックと向かい合って配置され基板を熱処理するための第２処理ブロックと、前記第１処理ブロックと第２処理ブロックとの間に配置され基板を移送するためのメイン移送ブロックと、前記第１及び第２処理ブロックの配置方向に対して垂直方向に前記メイン移送ブロックの一側に配置され基板の温度を調節するための第３処理ブロックと、前記第２処理ブロックと前記第３処理ブロックに隣接するように配置され前記第２処理ブロックと前記第３処理ブロックとの間で基
板を移送するための補助移送ブロックと、を含むことができる。
【００１０】
本発明の実施例によると、前記補助移送ブロック内には、垂直方向に延長する垂直ガイドレールと、前記垂直ガイドレールに垂直方向に移動可能に結合され前記基板を移送するために回転可能に、そして伸張及び伸縮可能に構成されたロボットアームが配置されることができる。
【００１１】
本発明の実施例によると、前記第２処理ブロックは前記第１処理ブロックと向かい合うように水平方向に配置された第１、第２、及び第３単位ブロックを含むことができる。前記第１及び第３単位ブロックのそれぞれは複層に積層され基板を加熱するための多数の加熱ユニットを含むことができ、前記第２単位ブロックは前記第１及び第３単位ブロックの間で複層に積層され基板を熱処理するための多数の熱処理ユニットを含むことができる。
【００１２】
本発明の実施例によると、前記補助移送ブロックは、前記第１単位ブロックと前記第３処理ブロックとの間で基板を移送するように構成されることができる。
【００１３】
本発明の実施例によると、それぞれの熱処理ユニットは、基板を加熱するための加熱プレートと、前記第１、第２、及び第３単位ブロックの配置方向と同じ方向に前記加熱プレートの一側に配置され基板を冷却させるための冷却プレートと、前記加熱プレートと前記冷却プレートを収容し、前記基板を搬入及び搬出するための一対のゲートを有する熱処理チャンバーと、を含むことができる。
【００１４】
本発明の実施例によると、前記それぞれの熱処理ユニットは、前記熱処理チャンバー内に配置され前記加熱プレートと前記冷却プレートとの間で前記基板を移送するためのチャンバー内側ロボットと、前記加熱プレート及び冷却プレートを通じて垂直方向に移動可能に配置され前記基板を前記加熱プレート及び冷却プレート上にローディングして前記加熱プレート及び冷却プレートからアンロードするための多数のリフトピンと、を更に含むことができる。
【００１５】
本発明の実施例によると、前記チャンバー内側ロボットは、前記加熱プレートと冷却プレートが配列された方向と平行に延長するガイドレールと、前記ガイドレールに対して垂直方向に延長して前記ガイドレールに移動可能に結合されたロボットアームと、を含むことができる。
【００１６】
本発明の実施例によると、前記第１処理ブロックは、垂直方向に積層され、基板上に膜を形成するための少なくとも１つのコーティングユニットと基板上のフォトレジスト膜を現像するための少なくとも１つの現像ユニットをそれぞれ含む上部単位ブロック及び下部単位ブロックと、  前記上部及び下部単位ブロックの間に分離可能に配置され、コーティングユニットと現像ユニットのうち少なくとも１つを含む中央単位ブロックと、を含むことができる。
【００１７】
本発明の実施例によると、前記上部単位ブロックは、基板上にボトム反射防止膜を形成するための第１コーティングユニット、及び基板上にフォトレジスト膜を形成するための第２コーティングユニットを含むことができる。
【００１８】
本発明の実施例によると、前記上部単位ブロックは、基板上にフォトレジスト膜を形成するための多数のコーティングユニットを含むことができる。
【００１９】
本発明の実施例によると、前記メイン移送ブロック内には、前記上部単位ブロック、前記中央単位ブロック、前記第２処理ブロック及び前記第３処理ブロックの間で基板を移送
するための上部メインロボットと、前記下部単位ブロック、前記中央単位ブロック、前記第２処理ブロック及び前記第３処理ブロックの間で基板を移送するための下部メインロボットが配置されることができる。
【００２０】
本発明の実施例によると、それぞれの上部及び下部メインロボットは、垂直方向に延長する一対の垂直ガイドレールと、前記垂直ガイドレールに垂直方向に移動可能に結合された水平ガイドレールと、前記水平ガイドレールに水平方向に移動可能に結合され、前記基板を移送するために回転可能に、そして伸張及び伸縮可能に構成されたロボットアームと、を含むことができる。
【００２１】
本発明の実施例によると、前記上部メインロボットの垂直ガイドレール及び前記下部メインロボットの垂直ガイドレールは、前記第１処理ブロック及び第２処理ブロックにそれぞれ隣接するように配置されることができる。
【００２２】
本発明の実施例によると、前記上部メインロボットのロボットアームは下方向に向かって配置され、前記下部メインロボットのロボットアームは上方向に向かって配置されることができる。
【００２３】
本発明の実施例によると、前記上部及び下部メインロボットの垂直ガイドレールは、前記第１又は第２処理ブロックに隣接するように配置されることができる。
【００２４】
本発明の実施例によると、前記基板処理装置は、前記中央単位ブロックと隣接した前記メイン移送ブロックの中央空間内で前記上部及び下部メインロボットが互いに干渉しないように前記上部及び下部メインロボットの動作を制御するロボット制御部を更に含むことができる。
【００２５】
本発明の実施例によると、前記メイン移送ブロック内には、前記上部単位ブロック、前記中央単位ブロック、前記第２処理ブロック及び前記第３処理ブロックの間で基板を移送するための上部メインロボットと、前記下部単位ブロック、前記中央単位ブロック、前記第２処理ブロック及び前記第３処理ブロックの間で基板を移送するための下部メインロボットが配置され、前記補助移送ブロック内には、前記第２処理ブロックと前記第３処理ブロックとの間で基板を移送するための補助移送ロボットが配置されることができる。
【００２６】
本発明の実施例によると、前記基板処理装置は、前記上部及び下部メインロボットと前記補助移送ロボットが相互補完的に動作するように前記上部及び下部メインロボットと前記補助移送ロボットの動作を制御するロボット制御部を更に含むことができる。
【００２７】
本発明の実施例によると、前記第３処理ブロックは垂直方向に積層され基板を冷却させるための多数の冷却ユニットを含むことができる。
【００２８】
本発明の実施例によると、前記第３処理ブロックは、前記中央単位ブロックと水平方向に隣接するように前記冷却ユニットの間に配置され基板を収納するための移送ステージを更に含むことができる。
【００２９】
本発明の実施例によると、前記基板処理装置は、前記メイン移送ブロックを中心に前記第３処理ブロックと向かい合って配置され基板の温度を調節するための第４処理ブロックと、前記第２処理ブロックと前記第４処理ブロックに隣接するように配置され前記第２処理ブロックと前記第４処理ブロックとの間で基板を移送するための第２補助移送ブロックと、を更に含むことができる。
【００３０】
本発明の実施例によると、前記基板処理装置は、前記第３処理ブロックと連結され、多数の基板が収納された容器と前記第３処理ブロックとの間で基板を移送するための基板移送モジュールと、前記第４処理ブロックと連結され、露光装置と前記第４処理ブロックとの間で基板を移送するためのインターフェースモジュールと、を更に含むことができる。
【００３１】
前記のような本発明の実施例によると、前記基板処理装置内で多数の基板に対するコーティング工程、ベーク工程、現像工程、冷却工程等が行われる間、前記上部及び下部メインロボットに印加される負荷は、前記補助移送ブロック及び前記熱処理ユニットのチャンバー内側ロボットによって充分に減少されることができる。又、前記第１処理ブロックの中央単位ブロックの構成は、工程レシピによって多様に変更されることができ、それぞれの熱処理ユニット内で加熱プレートによるベーク工程又はフォトレジストリフロー工程及び冷却プレートによる冷却処理が同時に又は連続的に行われることができる。結果的に、前記基板処理装置のスループットが大幅向上されることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
以下、本発明による実施例を添付図面を参照して詳細に説明する。
【００３３】
図１は、本発明の一実施例による基板処理装置を説明するための概略的な平面図である。図２は、図１に図示された基板処理装置の第１処理ブロックを説明するための概略的な側面図である。図３は、図１に図示された基板処理装置の第２処理ブロックを説明するための概略的な側面図である。
【００３４】
図１乃至図３を参照すると、本発明の一実施例による基板処理装置１０は、シリコンウェーハのような半導体基板を処理するために使用されることができる。例えば、前記半導体基板上にフォトレジスト膜又はボトム反射防止膜を形成するためのコーティング工程、前記フォトレジスト膜に回路パターンを転写するために露光工程を行った後、前記半導体基板上にフォトレジストパターンを形成するための現像工程、前記フォトレジスト膜又は前記フォトレジストパターンを硬化させるためのベーク工程等を行うために使用されることができる。
【００３５】
前記基板処理装置１０は、半導体基板を処理するための基板処理モジュール２０と、半導体基板の移送のための基板移送モジュール３０、及び露光装置２と前記基板処理モジュール２０との間に配置されるインターフェースモジュール４０を含むことができる。
【００３６】
前記基板移送モジュール３０は、多数の半導体基板を収容する容器４を支持する多数のロードポート３２を含むことができ、前記容器４と前記基板処理モジュール２０との間で半導体基板を移送するために具備される。例えば、それぞれのロードポート３２上にはＦＯＵＰ（Ｆｒｏｎｔ  Ｏｐｅｎｉｎｇ  Ｕｎｉｆｉｅｄ  Ｐｏｄ）が置かれることができる。
【００３７】
前記基板処理モジュール２０と連結される基板移送チャンバー３４内には、半導体基板の移送のための基板移送ロボット３６が配置されることができる。前記基板移送ロボット３６は、水平及び垂直方向、例えば、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、及びＺ軸方向に移動可能に構成されることができる。又、前記基板移送ロボット３６のロボットアームは、回転可能に、そして伸張及び伸縮可能に構成されることができる。
【００３８】
前記基板移送チャンバー３４の上部には、浄化された空気を基板移送チャンバー３４の内部に供給するためのパンフィルターユニット３８が配置されることができる。又、前記基板移送モジュール３０は、ロードポート３２に置かれたＦＯＵＰのドアを開放するためのドアオープナー（図示せず）を含むことができる。
【００３９】
前記基板処理モジュール２０は、半導体基板上にフォトレジスト組成物又は反射防止物質を塗布してフォトレジスト膜又はボトム反射防止膜を形成して、露光装置２によって処理された半導体基板上のフォトレジスト膜を現像するための第１処理ブロック１００を含むことができる。
【００４０】
前記第１処理ブロック１００は、垂直方向に積層された上部単位ブロック１１０と下部単位ブロック１３０を含むことができる。前記上部単位ブロック１１０は多数のコーティングユニットを含むことができ、前記下部単位ブロック１３０は多数の現像ユニットを含むことができる。これと異なり、前記上部単位ブロック１１０は多数の現像ユニットを含むことができ、前記下部単位ブロック１３０は多数のコーティングユニットを含むこともできる。
【００４１】
図示されたように、前記第１処理ブロック１００は、２つの上部単位ブロック１１０と２つの下部単位ブロック１３０を含む。しかし、本発明の範囲は前記上部及び下部単位ブロック１１０、１３０の数量によって限定されない。
【００４２】
本発明の一実施例によると、それぞれの上部単位ブロック１１０は、ボトム反射防止膜を形成するための第１コーティングユニット１１２とフォトレジスト膜を形成するための第２コーティングユニット１１４を含むことができる。詳細に図示されてはいないが、前記第１コーティングユニット１１２の内部には半導体基板を支持して回転させるための回転チャックと反射防止物質を前記半導体基板上に提供するためのノズルが配置されることができ、前記第２コーティングユニット１１４の内部には半導体基板を支持して回転させるための多数の回転チャックとフォトレジスト物質を前記半導体基板上に提供するための多数のノズルが配置されることができる。一方、前記第１コーティングユニット１１２と第２コーティングユニット１１４はＸ軸方向に配置されることができる。
【００４３】
本発明の他の実施例によると、それぞれの上部単位ブロック１１０は、水平方向に配列された多数のコーティングユニットを含むことができる。それぞれのコーティングユニットは、半導体基板上にフォトレジスト膜を形成するために提供される。詳細に図示されてはいないが、それぞれのコーティングユニットはコーティング工程が行われるコーティングチャンバー、半導体基板上にフォトレジスト組成物を提供するためのノズル及び前記半導体基板を支持して回転させるための回転チャックを含むことができる。しかし、１つのコーティングチャンバー内に多数の回転チャックと多数のノズルが配置されることもできる。
【００４４】
それぞれの下部単位ブロック１３０は、Ｘ軸方向に配列された多数の現像ユニット１３２を含むことができる。それぞれの現像ユニットは、露光装置２によって処理された半導体基板上のフォトレジスト膜を現像するために提供される。詳細に図示されてはいないが、それぞれの現像ユニット１３２は、現像工程が行われる現像チャンバー、半導体基板上に現像液を提供するためのノズル及び前記半導体基板を支持して回転させるための回転チャックを含むことができる。しかし、１つの現像チャンバー内に多数の回転チャックと多数のノズルが配置されることもできる。又、それぞれの現像ユニット１３２は、現像液による処理以後に半導体基板を洗浄するための洗浄液を供給する洗浄ノズルを更に含むことができる。
【００４５】
本発明の一実施例によると、前記上部単位ブロック１１０と下部単位ブロック１３０との間には中央単位ブロック１５０が配置されることができる。前記中央単位ブロック１５０は、コーティングユニットと現像ユニットを選択的に含むことができる。例えば、前記中央単位ブロック１５０はコーティングユニットのみを含むこともでき、現像ユニットの
みを含むこともできる。これとは異なり、前記中央単位ブロック１５０は、１つのコーティングユニットと多数の現像ブロックを含むこともできる。又、前記中央単位ブロック１５０は多数のコーティングユニットと１つの現像ブロックを含むこともできる。追加的に、前記中央単位ブロック１５０は、多数のコーティングユニットと多数の現像ユニットを含むこともできる。
【００４６】
図示されたように、前記中央単位ブロック１５０が１つのコーティングユニット１５２と２つの現像ユニット１５４を含んでいるが、前記中央単位ブロック１５０を構成するコーティングユニットと現像ユニットの数量は本発明の範囲を限定しない。
【００４７】
特に、前記中央単位ブロック１５０を構成するコーティングユニットと現像ユニットは、前記上部単位ブロック１１０と下部単位ブロック１３０との間で分離可能に配置されることができる。即ち、前記中央単位ブロック１５０は、予め設定された工程レシピによって構成が変化されることができ、これにより、前記基板処理装置１０のスループットが大幅向上されることができる。
【００４８】
前記基板処理モジュール２０は、前記第１処理ブロック１００と向かい合って配置される第２処理ブロック２００を更に含むことができる。前記第２処理ブロック２００は、Ｘ軸方向に配列される多数の単位ブロックを含むことができ、半導体基板の熱処理のために具備されることができる。特に、前記第２処理ブロック２００は、ベーク工程、フォトレジストリフロー工程、冷却工程等を行うことができる。前記ベーク工程は、半導体基板上に形成されたフォトレジスト膜、ボトム反射防止膜、フォトレジストパターン等を硬化させるために行われることができる。
【００４９】
例えば、前記第２処理ブロック２００は、第１、第２、及び第３単位ブロック２１０、２３０、２５０を含むことができ、前記第２単位ブロック２３０は、前記第１及び第３単位ブロック２１０、２５０間に配置されることができる。前記第１及び第３単位ブロック２１０、２５０は、半導体基板を加熱するための多数の加熱ユニット２１２、２１４、２５２、２５４を含むことができ、前記第２単位ブロック２３０は、半導体基板を加熱して冷却させるための多数の熱処理ユニット２３２、２３４を含むことができる。前記加熱ユニット２１２、２１４、２５２、２５４と前記熱処理ユニット２３２、２３４は垂直方向に積層されることができる。
【００５０】
それぞれの加熱ユニット２１２、２１４、２５２、２５４は、半導体基板を支持して加熱するための加熱プレートと前記加熱プレートを収容する加熱チャンバーを含むことができる。詳細に図示されてはいないが、前記それぞれの加熱ユニット２１２、２１４、２５２、２５４は、前記半導体基板をローディング及びアンロードするために、前記加熱プレートを通じて垂直方向に移動可能に配置されたリフトピンを更に含むことができる。前記加熱プレートの下部には前記リフトピンと連結され前記リフトピンを垂直方向に移動させるための駆動部が配置されることができる。
【００５１】
前記加熱ユニット２１２、２１４、２５２、２５４は、疎水化処理、ソフトベーク工程、ＰＥＢ（Ｐｏｓｔ  Ｅｘｐｏｓｕｒｅ  Ｂａｋｅ）工程、ハードベーク工程等を行うために使用されることができる。
【００５２】
前記疎水化処理は、半導体基板の表面特性を疎水性に変化させるために行われることができる。例えば、前記加熱ユニット２１２、２１４、２５２、２５４のうち一部は前記半導体基板上にＨＭＤＳ（ｈｅｘａｍｅｔｈｙｌｄｉｓｉｌａｚａｎｅ）ガスを供給するためのノズルをそれぞれ含むことができる。
【００５３】
前記ソフトベーク工程は、フォトレジストコーティング工程によって半導体基板上に形成されたフォトレジスト膜を硬化させるために、即ち、フォトレジスト膜内の溶剤を除去するために行われることができる。
【００５４】
前記ＰＥＢ工程は、露光工程後、フォトレジストパターンの側面プロファイルを改善するために行われることができ、前記ハードベーク工程は現像工程後、フォトレジストパターンを硬化させるために行われることができる。
【００５５】
例えば、前記第１単位ブロック２１０は、疎水化処理（又は、ＨＭＤＳ処理）のための第１加熱ユニット２１２とハードベーク工程のための第２加熱ユニット２１４を含むことができ、第３単位ブロック２５０はソフトベーク工程のための第３加熱ユニット２５２とＰＥＢ工程のための第４加熱ユニット２５４を含むことができる。
【００５６】
又、前記第１加熱ユニット２１２は、第１単位ブロック２１０の上部に配置されることができ、第２加熱ユニット２１４は第１単位ブロック２１０の下部に配置されることができる。そして、前記第３加熱ユニット２５２は、前記第３単位ブロック２５０の上部に配置されることができ、前記第４加熱ユニット２５４は前記第３単位ブロック２５０の下部に配置されることができる。これは、前記疎水化処理及びソフトベーク工程のための第１及び第３加熱ユニット２１２、２５２をコーティングユニット１１２、１１４と隣接するように配置し、前記ハードベーク工程及びＰＥＢ工程のための第２及び第４加熱ユニット２１４、２５４を前記現像ユニット１３２と隣接するように配置するためである。しかし、本発明の範囲は前記加熱ユニット２１２、２１４、２５２、２５４の位置によって限定されない。
【００５７】
図４は、図３に図示された熱処理ユニットを説明するための概略的な平面図で、図５は、図３に図示された熱処理ユニットを説明するための概略的な側面図である。
【００５８】
図４及び図５を参照すると、それぞれの熱処理ユニット２３２、２３４は、半導体基板を加熱するための加熱プレート２４０と、Ｘ軸方向に前記加熱プレート２４０の一側に配置され半導体基板を冷却させるための冷却プレート２４２と、前記加熱プレート２４０と前記冷却プレート２４２を収容して前記半導体基板の移送のための一対のゲート２４４ａ、２４４ｂを有する熱処理チャンバー２４４を含むことができる。
【００５９】
前記熱処理ユニット２３２、２３４は、半導体基板に対するベーク工程又はフォトレジストリフロー工程を行うために具備されることができる。例えば、前記第２単位ブロック２３０は、ボトム反射防止膜を硬化させるためのベーク工程及び冷却工程を行うための上部熱処理ユニット２３２とフォトレジストリフロー工程及び冷却工程を行うための下部熱処理ユニット２３４を含むことができる。
【００６０】
又、前記それぞれの熱処理ユニット２３２、２３４は、前記熱処理チャンバー２４４内で前記加熱プレート２４０と冷却プレート２４２との間で半導体基板を移送するためのチャンバー内側ロボット２４６を含むことができる。
【００６１】
前記チャンバー内側ロボット２４６は、Ｘ軸方向ロボットアーム２４６ｂを移動させるためのガイドレール２４６ａを含むことができる。前記ロボットアーム２４６ｂは、前記ガイドレール２４６ａにＸ軸方向に移動可能に結合されることができ、前記加熱プレート２４０と冷却プレート２４２に向かってＹ軸方向に延長することができる。
【００６２】
詳細に図示されてはいないが、前記それぞれの熱処理ユニット２３２、２３４は、前記加熱プレート２４０と冷却プレート２４２を通じて垂直方向に移動可能に配置されたリフ
トピン２４８ａ、２４８ｂを更に含むことができる。前記加熱プレート２４０及び冷却プレート２４２の下部には、前記リフトピン２４８ａ、２４８ｂと連結され前記リフトピン２４８ａ、２４８ｂを垂直方向に移動させるための駆動部２４９がそれぞれ配置されることができる。
【００６３】
前記加熱プレート２４０は、前記半導体基板を加熱するためのヒーターと連結されることができ、前記冷却プレート２４２は、前記半導体基板を冷却させるための冷却ラインを有することができる。特に、前記加熱プレート２４０内には電気抵抗熱線が内蔵されることができ、前記冷却プレート２４２内には冷媒を循環させるための循環流路が形成されることができる。
【００６４】
又、前記加熱プレート２４０と冷却プレート２４２のそれぞれは、半導体基板を約０．１乃至０．３ｍｍ程度の高さに浮上させた状態で前記半導体基板を支持するための多数の突起を有することができる。
【００６５】
図１乃至図３を更に参照すると、前記第１処理ブロック１００と第２処理ブロック２００との間には半導体基板の移送のためのメイン移送ブロック３００が配置されることができる。前記メイン移送ブロック３００内には半導体基板を移送するための移送ロボット３１０、３２０が配置されることができる。例えば、メイン移送ブロック３００内には、上部メインロボット３１０と下部メインロボット３２０が配置されることができる。
【００６６】
図６は、図１に図示された上部及び下部メインロボットを説明するための概略的な正面図で、図７は、図６に図示された上部及び下部メインロボットを説明するための概略的な側面図である。図８は、図６に図示された上部及び下部メインロボットの他の例を説明するための概略的な正面図である。
【００６７】
図６及び図７を参照すると、前記上部メインロボット３１０は、一対の上部垂直ガイドレール３１２と、前記上部垂直ガイドレール３１２に垂直方向に移動可能に結合された上部水平ガイドレール３１４と、前記上部水平ガイドレール３１４に水平方向に移動可能に結合され回転可能に、そして伸張及び伸縮可能に構成された上部ロボットアーム３１６を含むことができる。
【００６８】
前記下部メインロボット３２０は、一対の下部垂直ガイドレール３２２と、前記下部垂直ガイドレール３２２に垂直方向に移動可能に結合された下部水平ガイドレール３２４と、前記下部水平ガイドレール３２４に水平方向に移動可能に結合され、回転可能に、そして伸張及び伸縮可能に構成された下部ロボットアーム３２６を含むことができる。
【００６９】
一方、前記基板処理モジュール２０は、半導体基板の温度調節のための第３処理ブロック４００及び第４処理ブロック５００を更に含むことができる。前記第３及び第４処理ブロック４００、５００は、前記第１及び第２処理ブロック１００、２００が配列された方向に対して垂直する方向、即ち、Ｘ方向に前記メイン移送ブロック３００の両側部位に配置されることができる。具体的に、前記第３及び第４処理ブロック４００、５００は、基板移送モジュール３０とメイン移送ブロック３００及びインターフェースモジュール４０の間にそれぞれ配置されることができる。
【００７０】
前記上部メインロボット３１０は、露光工程以前に前記第１、第２、第３、及び第４処理ブロック１００、２００、４００、５００の間で半導体基板を移送するために使用されることができる。特に、前記上部メインロボット３１０は、上部単位ブロック１１０、中央単位ブロック１５０、第１及び第３加熱ユニット２１２、２５２、上部熱処理ユニット２３２、そして第３及び第４処理ブロック４００、５００間で半導体基板を移送するよう
に構成されることができる。
【００７１】
前記下部メインロボット３２０は、露光工程以後に前記第１、第２、第３、及び第４処理ブロック１００、２００、４００、５００間で半導体基板を移送するために使用されることができる。特に、前記下部メインロボット３２０は、下部単位ブロック１３０、中央単位ブロック１５０、第２及び第４加熱ユニット２１４、２５４、下部熱処理ユニット２３４、そして、第３及び第４処理ブロック４００、５００間で半導体基板を移送するように構成されることができる。
【００７２】
前記上部垂直ガイドレール３１２は、前記第１処理ブロック１００に隣接して配置されることができ、前記下部垂直ガイドレール３２２は、前記第２処理ブロック２００に隣接して配置されることができる。これは、前記上部メインロボット３１０と下部メインロボット３２０が前記中央単位ブロック１５０に対して半導体基板をローディング又はアンロード可能にするためである。前記上部メインロボット３１０と下部メインロボット３２０が前記中央単位ブロック１５０と隣接した領域、例えば、メイン移送ブロック３００の中央空間で動作する場合、前記上部及び下部メインロボット３１０、３２０の動作は互いに干渉されないようにロボット制御部３３０によって制御されることができる。
【００７３】
本発明の他の実施例によると、図８に示すように、上部ロボットアーム３４６は、下方向に向かうように上部水平ガイドレール３４４に結合されることができ、下部ロボットアーム３５６は上方向に向かうように下部水平ガイドレール３５４に結合されることができる。この場合、上部垂直ガイドレール３４２と下部垂直ガイドレール３５２は、前記第１処理ブロック１００又は第２処理ブロック２００に隣接して配置されることができる。
【００７４】
図４及び図５を更に参照すると、半導体基板は、前記熱処理チャンバー２４４の第１ゲート２４４ａを通じて熱処理チャンバー２４４の内部に搬入されることができ、その後、前記加熱プレート２４０を通じて配置されたリフトピン２４８ａによって前記加熱プレート２４０上にローディングされることができる。前記加熱プレート２４０上でベーク工程又はフォトレジストリフロー工程が行われた半導体基板は、前記リフトピン２４８ａによって前記加熱プレート２４０から持ち上げられる。前記チャンバー内側ロボット２４６のロボットアーム２４６ｂは前記持ち上げられた半導体基板の下に移動し、前記リフトピン２４８ａの下降によって前記半導体基板は前記ロボットアーム２４６ｂによって支持される。前記ロボットアーム２４６ｂによって支持された半導体基板はロボットアーム２４６ｂの移動によって前記冷却プレート２４２の上に移動し、前記冷却プレート２４２を通じて上昇するリフトピン２４８ｂによって前記ロボットアーム２４６ｂから持ち上げられる。前記リフトピン２４８ｂの下降によって前記半導体基板は前記冷却プレート２４２上に置かれることができる。前記冷却プレート２４２上で所定の温度、例えば、約３０乃至５０℃程度の温度に冷却された半導体基板は、前記熱処理チャンバー２４４の第２ゲート２４４ｂを通じて搬出されることができる。
【００７５】
前記のように熱処理チャンバー２４２内で加熱プレート２４０と冷却プレート２４２との間の半導体基板移送が前記チャンバー内側ロボット２４６によって行われるので、前記メイン移送ブロック３００の上部及び下部メインロボット３１０、３２０の負荷を減少させることができる。又、前記冷却プレート２４２によって半導体基板が冷却される間、他の半導体基板に対するベーク工程又はフォトレジストリフロー工程が前記加熱プレート２４０によって同時に又は連続的に行われることができる。これにより、前記基板処理装置１０のスループットが大幅向上されることができる。
【００７６】
図１乃至図３を更に参照すると、前記第３及び第４処理ブロック４００、５００は、前記第２処理ブロック２００によって加熱された半導体基板を冷却させるために具備される
ことができる。例えば、前記第３及び第４処理ブロック４００、５００のそれぞれは、半導体基板を所定の温度、例えば、約２３℃の温度に冷却させるための多数の冷却ユニット４１０、５１０を含むことができる。前記冷却ユニット４１０、５１０は垂直方向に積層されることができる。
【００７７】
又、前記第３及び第４処理ブロック４００、５００は、前記上部又は下部熱処理ユニット（２３２又は２３４）の冷却プレート２４２によって１次冷却された半導体基板を約２３℃の温度に２次冷却させるために使用されることができる。前記熱処理ユニット（２３２又は２３４）の冷却プレート２４２は半導体基板を約３０乃至５０℃程度の温度に１次冷却させることができる。
【００７８】
それぞれの冷却ユニット４１０、５１０は、冷却チャンバーとその内部に配置された冷却プレートを含むことができる。詳細に図示されてはいないが、前記冷却プレートの内部には冷却水の循環のための流路が具備されることができ、前記冷却水の循環によって前記冷却プレートは約２３℃程度の温度に維持されることができる。
【００７９】
前記冷却ユニット４１０、５１０のそれぞれは、冷却プレートを通じて垂直方向に移動可能に配置され、半導体基板のローディング及びアンロード動作を行う多数のリフトピンを含むことができる。前記冷却プレートの下部には、前記リフトピンと連結され前記リフトピンを垂直方向に移動させるための駆動部が配置されることができる。
【００８０】
又、前記第３及び第４処理ブロック４００、５００は、半導体基板を積載するための第１移送ステージ４２０及び第２移送ステージ５２０をそれぞれ更に含むことができる。前記第１及び第２移送ステージ４２０、５２０は、前記冷却ユニット４１０、５１０間に配置されることができる。例えば、前記第１及び第２移送ステージ４２０、５２０は、前記第１処理ブロック１００の中央単位ブロック１５０と水平方向に隣接することができる。これは、前記上部及び下部メインロボット３１０、３２０が前記第１及び第２移送ステージ４２０、５２０を経由して半導体基板を移送することができるようにするためである。
【００８１】
図９は、図１に図示された第１及び第２補助移送ロボットを説明するための概略的な側面図である。
【００８２】
図１及び図９を参照すると、前記基板処理モジュール２０は、第１補助移送ブロック６００及び第２補助移送ブロック７００を更に含むことができる。前記第１補助移送ブロック６００は、前記第３処理ブロック４００と前記第２処理ブロック２００の第１単位ブロック２１０との間で半導体基板を移送するために提供され、第２補助移送ブロック７００は、前記第４処理ブロック５００と前記第２処理ブロック２００の第３単位ブロック２５０との間で半導体基板を移送するために提供される。
【００８３】
前記第１補助移送ブロック６００は、前記第３処理ブロック４００、第１単位ブロック２１０、及び基板移送モジュール３０の間に配置され、垂直方向に移動可能に配置された第１補助移送ロボット６１０を含むことができる。前記第１補助移送ロボット６１０は、前記第１補助移送ブロック６００内で垂直方向に延長する第１垂直ガイドレール６１２と、前記第１垂直ガイドレール６１２に垂直方向に移動可能に結合された第１ロボットアーム６１４を含むことができる。前記第１ロボットアーム６１４は回転可能に、そして、伸張及び伸縮可能に構成されることができる。
【００８４】
前記第１補助移送ブロック６００は、前記第１単位ブロック２１０の加熱ユニット、即ち、前記第１加熱ユニット２１２と第２加熱ユニット２１４によって処理された半導体基板を前記第３処理ブロック４００の冷却ユニット４１０に移送するために具備される。
【００８５】
前記第１及び第２加熱ユニット２１２、２１４のそれぞれは、前記メイン移送ブロック３００と隣接する前面ゲート２２０と前記第１補助移送ブロック６００と隣接する側面ゲート２２２を有することができる。又、前記第３処理ブロック４００の冷却ユニット４１０のそれぞれは、前記メイン移送ブロック３００と隣接する前面ゲート４１２と前記第１補助移送ブロック６００と隣接する側面ゲート４１４を有することができる。
【００８６】
半導体基板は、前記上部又は下部メインロボット３１０、３２０によって第１単位ブロック２１０の前面ゲート２２０を通じて第１単位ブロック２１０に搬入されることができ、第１補助移送ロボット６１０によって第１単位ブロック２１０の側面ゲート２２２を通じて第１単位ブロック２１０から搬出されることができる。又、第１補助移送ロボット６１０によって第３処理ブロック４００の側面ゲート４１４を通じて第３処理ブロック４００に移送されることができる。従って、前記上部及び下部メインロボット３１０、３２０の負荷が大幅減少されることができ、これにより基板処理装置１０のスループットが向上されることができる。
【００８７】
前記第２補助移送ブロック７００は、前記第４処理ブロック５００、第３単位ブロック２５０、及びインターフェースモジュール４０間に配置され、垂直方向に移動可能に配置された第２補助移送ロボット７１０を含むことができる。前記第２補助移送ロボット７１０は、前記第２補助移送ブロック７００内で垂直方向に延長する第２垂直ガイドレール７１２と、前記第２垂直ガイドレール７１２に垂直方向に移動可能に結合された第２ロボットアーム７１２を含むことができる。前記第２ロボットアーム７１２は回転可能に、そして、伸張及び伸縮可能に構成されることができる。
【００８８】
前記第２補助移送ブロック７００は、前記第３単位ブロック２５０の加熱ユニット、即ち、前記第３加熱ユニット２５２と第４加熱ユニット２５４によって処理された半導体基板を前記第４処理ブロック５００の冷却ユニット５１０に移送するために具備される。
【００８９】
前記第３及び第４加熱ユニット２５２、２５４のそれぞれは、前記メイン移送ブロック３００と隣接する前面ゲート２６０と前記第２補助移送ブロック７００と隣接する側面ゲート２６２を有することができる。又、前記第４処理ブロック５００の冷却ユニット５１０のそれぞれは、前記メイン移送ブロック３００と隣接する前面ゲート５１２と前記第２補助移送ブロック７００と隣接する側面ゲート５１４を有することができる。
【００９０】
半導体基板は、前記上部又は下部メインロボット３１０、３２０によって第３単位ブロック２５０の前面ゲート２６０を通じて第３単位ブロック２５０に搬入されることができ、第２補助移送ロボット７１０によって第３単位ブロック２５０の側面ゲート２６２を通じて第３単位ブロック２５０から搬出されることができる。又、第２補助移送ロボット７１０によって第４処理ブロック５００の側面ゲート５１４を通じて第４処理ブロック５００に移送されることができる。従って、前記上部及び下部メインロボット３１０、３２０の負荷が大幅減少されることができ、これにより基板処理装置１０のスループットが向上されることができる。
【００９１】
本発明の他の実施例によると、半導体基板は前記上部又は下部メインロボット（３１０又は３２０）によって前記第１単位ブロック２１０から前記第３処理ブロック４００に移送されることができる。又、半導体基板は、前記上部又は下部メインロボット（３１０又は３２０）によって前記第３単位ブロック２５０から前記第４処理ブロック５００に移送されることができる。即ち、半導体基板は前記上部メインロボット３１０、下部メインロボット３２０、第１補助移送ロボット６１０、及び第２補助移送ロボット７１０によって選択的に移送されることができ、これにより半導体基板を移送するのに所要される時間が
短縮されることができる。
【００９２】
又、前記第３処理ブロック４００の冷却ユニット４１０によって処理された半導体基板は、前記上部又は下部メインロボット（３１０又は３２０）又は第１補助移送ロボット６１０によって第１移送ステージ４２０に移送されることができ、前記第４処理ブロック５００の冷却ユニット５１０によって処理された半導体基板は、前記上部又は下部メインロボット（３１０又は３２０）又は第２補助移送ロボット７１０によって第２移送ステージ５２０に移送されることができる。
【００９３】
追加的に、前記第１移送ステージ４２０に収納された半導体基板は、前記第１補助移送ロボット６１０によって第１単位ブロック２１０又は第３処理ブロック４００の冷却ユニット４１０に移送されることができ、前記第２移送ステージ５２０に収納された半導体基板は前記第２補助移送ロボット７１０によって第３単位ブロック２５０又は第４処理ブロック５００の冷却ユニット５１０に移送されることができる。
【００９４】
前記ロボット制御部３３０は、前記第１及び第２補助移送ロボット６１０、７１０の動作を制御することができる。例えば、前記ロボット制御部３３０は、前記上部及び下部メインロボット３１０、３２０、そして、前記第１及び第２補助移送ロボット６１０、７１０が相互補完的に動作できるようにこれらの動作を制御することができる。従って、前記上部及び下部メインロボット３１０、３２０の過負荷が防止されることができる。
【００９５】
前記インターフェースモジュール４０は、前記第４処理ブロック５００と露光装置２との間に配置されることができる。前記インターフェースモジュール４０内には前記基板処理モジュール２０と露光装置２との間で半導体基板を移送するためのインターフェースロボット４２が配置されることができる。前記インターフェースロボット４２は垂直方向に移動可能に構成されることができ、前記インターフェースロボット４２のロボットアームは回転可能に、そして、伸張及び伸縮が可能に構成されることができる。
【００９６】
又、インターフェースモジュール４０内にはエッジ露光ユニット４４と保管ステージ４６が配置されることができる。前記エッジ露光ユニット４４は、半導体基板のエッジ部位からフォトレジスト膜のエッジ部位を除去するために具備されることができ、前記保管ステージ４６は、露光工程の前又は後、半導体基板の待機のために具備されることができる。前記エッジ露光ユニット４４と保管ステージ４６は、前記インターフェースロボット４２を中心にＹ軸方向に互いに向かい合って配置されることができる。
【００９７】
前記エッジ露光ユニット４４は、半導体基板を支持して回転させるための回転チャックと、前記回転チャック上に支持された半導体基板のエッジ部位に光ビームを照射するための光源を含むことができる。
【００９８】
一方、前記基板処理モジュール２０内で前記上部及び下部メインロボット３１０、３２０の動作は、前記ロボット制御部３３０によって制御されることができる。特に、前記ロボット制御部３３０は、前記上部及び下部メインロボット３１０、３２０が前記メイン移送ブロック３００の中央空間、即ち、前記中央単位ブロック１５０と隣接した空間で互いに干渉されないように前記上部及び下部メインロボット３１０、３２０の動作を制御することができる。
【００９９】
例えば、前記基板移送モジュール３０の基板移送ロボット３６によって前記第１移送ステージ４２０に積載された半導体基板は前記メイン移送ブロック３００の上部メインロボット３１０によって疎水化処理のために第１加熱ユニット２１２のうち１つに移送されることができる。前記半導体基板は、前記第１加熱ユニット２１２の加熱プレートによって
約８５乃至１２０℃程度の温度に加熱されることができ、前記半導体基板上にＨＭＤＳガスが供給されることができる。
【０１００】
前記第１加熱ユニット２１２によって処理された半導体基板は、前記上部メインロボット３１０によって第３又は第４処理ブロック（４００又は５００）に移送されることができ、その後、約２３℃程度の温度に冷却されることができる。これとは異なり、前記第１加熱ユニット２１２によって処理された半導体基板は、前記第１補助移送ロボット６１０に第３処理ブロック４００に移送されることができ、その後、約２３℃程度の温度に冷却されることができる。
【０１０１】
前記上部メインロボット３１０は、前記第３又は第４処理ブロック（４００又は５００）から上部単位ブロック１１０の第１コーティングユニット１１２および中央単位ブロック１５０のコーティングユニット１５２のうち１つに半導体基板を移送することができ、前記第１コーティングユニット１１２又は前記コーティングユニット１５２によって前記半導体基板上にはボトム反射防止膜がコーティングされることができる。
【０１０２】
前記上部メインロボット３１０は、ボトム反射防止膜が形成された半導体基板を第２単位ブロック２３０の上部熱処理ユニット２３２のうち１つに移送することができ、前記上部熱処理ユニット２３２によって前記ボトム反射防止膜を硬化させるためのベーク工程（以下、「ＢＡＲＣベーク工程」という）及び冷却工程が行われることができる。特に、前記上部熱処理ユニット２３２で約１２０乃至１８０℃程度の温度で１次ＢＡＲＣベーク工程が行われることができ、その後、前記１次ＢＡＲＣベーク工程温度より高い温度、例えば、約１５０乃至２５０℃で２次ＢＡＲＣベーク工程が行われることができる。前記ＢＡＲＣベーク工程が終了されると、前記半導体基板は、チャンバー内側ロボット２４６によって前記上部熱処理ユニット２３２の内部で加熱プレート２４０から冷却プレート２４２上に移送されることができ、前記冷却プレート２４２によって約３０乃至５０℃程度の温度に１次冷却されることができる。
【０１０３】
前記上部熱処理ユニット２３２によって処理された半導体基板は、前記上部メインロボット３１０によって第３又は第４処理ブロック（４００又は５００）に移送されることができ、その後、約２３℃程度の温度に冷却されることができる。
【０１０４】
前記上部メインロボット３１０は、前記第３又は第４処理ブロック（４００又は５００）から前記上部単位ブロック１１０の第２コーティングユニット１１４及び中央単位ブロック１５０のコーティングユニット１５２のうち１つに半導体基板を移送することができ、前記第２コーティングユニット１１４又はコーティングユニット１５２によって前記半導体基板上にフォトレジスト膜がコーティングされることができる。
【０１０５】
前記フォトレジスト膜が形成された半導体基板は、上部メインロボット３１０によって第３単位ブロック２５０の第３加熱ユニット２５２のうち１つに移送されることができ、前記第３加熱ユニット２５２によって前記半導体基板に対するソフトベーク工程が行われることができる。例えば、前記半導体基板は、前記第３加熱ユニット２５２によって約７０乃至１２０℃程度の温度に加熱されることができる。
【０１０６】
前記ソフトベーク工程が行われた半導体基板は、前記上部メインロボット３１０又は前記第２補助移送ロボット７１０によって第４処理ブロック５００に移送されることができ、前記第４処理ブロック５００の冷却ユニット５１０のうち１つによって約２３℃程度の温度に冷却されることができる。
【０１０７】
前記第４処理ブロック５００の冷却ユニット５１０によって冷却された半導体基板は、
前記上部メインロボット３１０又は前記第２補助移送ロボット７１０によって第２移送ステージ５２０に移送されることができ、その後、前記インターフェースロボット４２によって露光装置２又はエッジ露光ユニット４４に移送されることができる。
【０１０８】
前記露光装置２によって処理された半導体基板は、インターフェースロボット４２によって前記第２移送ステージ５２０に移送されることができ、前記下部メインロボット３２０又は前記第２補助移送ロボット７１０によって前記第４加熱ユニット２５４のうち１つに移送されることができる。
【０１０９】
前記第４加熱ユニット２５４によって前記半導体基板に対するＰＥＢ工程が行われることができる。前記半導体基板は、前記第４加熱ユニット２５４によって約９０乃至１５０℃程度の温度に加熱されることができる。
【０１１０】
前記ＰＥＢ工程が行われた半導体基板は、前記下部メインロボット３２０によって前記第４加熱ユニット２５４から第３及び第４処理ブロック４００、５００の冷却ユニット４１０、５１０のうち１つに移送されることができ、前記冷却ユニット（４１０又は５１０）によって約２３℃程度の温度に冷却されることができる。これとは異なり、前記ＰＥＢ工程が行われた半導体基板は、前記第２補助移送ロボット７１０によって前記第４加熱ユニット２５４から前記第４処理ブロック５００の冷却ユニット５１０のうち１つに移送されることができ、前記冷却ユニット５１０によって約２３℃程度の温度に冷却されることができる。
【０１１１】
前記下部メインロボット３２０は、前記第３又は第４処理ブロック（４００又は５００）から下部単位ブロック１３０及び中央単位ブロック１５０の現像ユニット１３２、１５４のうち１つに半導体基板を移送することができ、前記半導体基板上にフォトレジストパターンを形成するために前記現像ユニット（１３２又は１５４）による現像工程が行われることができる。
【０１１２】
前記現像工程が行われた半導体基板は、前記下部メインロボット３２０によって第１単位ブロック２１０の第２加熱ユニット２１４のうち１つに移送されることができ、前記第２加熱ユニット２１４によるハードベーク工程が行われることができる。特に、前記半導体基板は、前記第２加熱ユニット２１４によって約１１０乃至１５０℃程度の温度に加熱されることができる。
【０１１３】
これとは異なり、前記現像工程が行われた半導体基板は、前記下部メインロボット３２０によって前記下部熱処理ユニット２３４のうち１つに移送されることができ、前記下部熱処理ユニット２３４によるフォトレジストリフロー工程が行われることもできる。例えば、前記半導体基板は、前記下部熱処理ユニット２３４の加熱プレート２４０によって約１５０乃至１８０℃程度の温度に加熱されることができる。前記フォトレジストリフロー工程が行われた半導体基板は、前記下部熱処理ユニット２３４のチャンバー内側ロボット２４６によって前記下部熱処理ユニット２３４内で加熱プレート２４０から冷却プレート２４２に移送されることができる。その後、前記半導体基板は、前記冷却プレート２４２によって約３０乃至５０℃程度の温度に冷却されることができる。
【０１１４】
前記ハードベーク工程又はフォトレジストリフロー工程が行われた半導体基板は、前記下部メインロボット３２０又は前記第１補助移送ロボット６１０によって第３処理ブロック４００の冷却ユニット４１０のうち１つに移送されることができ、その後、約２３℃程度の温度に冷却されることができる。
【０１１５】
前記半導体基板は、前記下部メインロボット３２０又は前記第１補助移送ロボット６１
０によって前記第３処理ブロック４００の冷却ユニット４１０から前記第１移送ステージ４２０に移送されることができ、その後、前記基板移送ロボット３６によって前記基板処理装置１０から搬出されることができる。
【０１１６】
前記で説明されたベーク工程及びフォトレジストリフロー工程の温度範囲は、使用されたフォトレジスト組成物及び反射防止物質、そして目的とするフォトレジストパターンの線幅等によって多様に変更されることができ、前記温度範囲によって本発明の範囲が制限されない。
【０１１７】
前記で説明された単位工程は、１つの半導体基板に対して順次に行われることができ、多数の半導体基板に対して同時に行われることができる。前記工程が行われる間、前記上部及び下部メインロボット３１０、３２０の動作は、ロボット制御部３３０によって互いに干渉されないように制御されることができ、前記熱処理ユニット２３２、２３４のチャンバー内側ロボット２４６は、前記上部及び下部メインロボット３１０、３２０の負荷を減少させることができる。又、前記上部及び下部メインロボット３１０、３２０の負荷は、前記第１及び第２補助移送ロボット６１０、７１０によってより減少されることができる。
【産業上の利用可能性】
【０１１８】
前記のような本発明によると、前記基板処理装置内で多数の半導体基板に対するコーティング工程、ベーク工程、現像工程、冷却工程等が行われる間、前記上部及び下部メインロボットに対する負荷は、前記第１及び第２補助移送ロボット及び前記熱処理ユニットのチャンバー内側ロボットによって減少されることができる。
【０１１９】
又、前記第１処理ブロックの中央単位ブロックの構成は工程レシピによって多様に変更されることができ、それぞれの熱処理ユニット内で加熱プレートによるベーク工程又はフォトレジストリフロー工程及び冷却プレートによる冷却処理が同時に又は連続的に行われることができる。
【０１２０】
結果的に、前記基板処理装置のスループットは、前記上部及び下部メインロボットの負荷減少及び前記中央単位ブロックの構成によって大幅向上されることができる。
【０１２１】
以上、本発明の実施例によって詳細に説明したが、本発明はこれに限定されず、本発明が属する技術分野において通常の知識を有するものであれば本発明の思想と精神を離れることなく、本発明を修正または変更できる。
【図面の簡単な説明】
【０１２２】
【図１】本発明の一実施例による基板処理装置を説明するための概略的な平面図である。
【図２】図１に図示された基板処理装置の第１処理ブロックを説明するための概略的な側面図である。
【図３】図１に図示された基板処理装置の第２処理ブロックを説明するための概略的な側面図である。
【図４】図３に図示された熱処理ユニットを説明するための概略的な平面図である。
【図５】図３に図示された熱処理ユニットを説明するための概略的な側面図である。
【図６】図１に図示された上部及び下部移送ロボットを説明するための概略的な正面図である。
【図７】図６に図示された上部及び下部移送ロボットを説明するための概略的な側面図である。
【図８】図６に図示された上部及び下部移送ロボットの他の例を説明するための概略的な正面図である。
【図９】図１に図示された第１及び第２補助移送ロボットを説明するための概略的な側面図である。
【符号の説明】
【０１２３】
２    露光装置
１０    基板処理装置
２０    基板処理モジュール
３０    基板移送モジュール
３２    ロードポート
３４    基板移送チャンバー
３６    基板移送ロボット
４０    インターフェースモジュール
４２    インターフェースロボット
４４    エッジ露光ユニット
４６    保管ステージ
１００    第１処理ブロック
１１０    上部単位ブロック
１１２    第１コーティングユニット
１１４    第２コーティングユニット
１３０    下部単位ブロック
１３２    現像ユニット
１５０    中央単位ブロック
１５２    コーティングユニット
１５４    現像ユニット
２００    第２処理ブロック
２１０    第１単位ブロック
２３０    第２単位ブロック
２４０    加熱プレート
２４２    冷却プレート
２４４    熱処理チャンバー
２４４ａ、２４４ｂ    ゲート
２４６    チャンバー内側ロボット
２５０    第３単位ブロック
３００    メイン移送ブロック
３１０    上部移送ロボット
３２０    下部移送ロボット
３３０    ロボット制御部
４００    第３処理ブロック
４１０    冷却ユニット
４２０    第１移送ステージ
５００    第４処理ブロック
５１０    冷却ユニット
５２０    第２移送ステージ
６００    第１補助移送ブロック
６１０    第１補助移送ロボット
７００    第２補助移送ブロック
７１０    第２補助移送ロボット
【図１】
2008311622.tif 000003
【図２】
2008311622.tif 000004
【図３】
2008311622.tif 000005
【図４】
2008311622.tif 000006
【図５】
2008311622.tif 000007
【図６】
2008311622.tif 000008
【図７】
2008311622.tif 000009
【図８】
2008311622.tif 000010
【図９】
2008311622.tif 000011