(57)【要約】  【課題】広パワーマージン化を実現できる光記録媒体およびその製造方法を提供する。  【解決手段】  光記録媒体は、無機記録膜を有する光記録媒体であって、無機記録膜上に透明導電膜を備える。無機記録膜は、チタン（Ｔｉ）を含む第１の記録膜と、ゲルマニウム（Ｇｅ）の酸化物を含む第２の記録膜とを備え、透明導電膜は、第２の記録膜の側に設けられている。透明導電膜は、スズ（Ｓｎ）の酸化物を含んでいる。【選択図】図１
2008243241.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無機記録膜を有する光記録媒体であって、
上記無機記録膜に隣接する透明導電膜を備え、
上記無機記録膜は、
チタン（Ｔｉ）を含む第１の記録膜と、
ゲルマニウム（Ｇｅ）の酸化物を含む第２の記録膜と
を備え、
上記透明導電膜は、上記第２の記録膜の側に設けられていることを特徴とする光記録媒体。
【請求項２】
上記透明導電膜は、スズ（Ｓｎ）の酸化物およびインジウム（Ｉｎ）の酸化物の少なくとも１種を含むことを特徴とする請求項１記載の光記録媒体。
【請求項３】
上記第２の記録膜は、スズ（Ｓｎ）をさらに含むことを特徴とする請求項１の光記録媒体。
【請求項４】
上記透明導電膜の膜厚は、１〜５ｎｍであることを特徴とする請求項１記載の光記録媒体。
【請求項５】
無機記録膜を備える光記録媒体の製造方法であって、
チタン（Ｔｉ）を含む第１の記録膜を形成する工程と、
上記第１の記録膜に隣接する、ゲルマニウム（Ｇｅ）の酸化物を含む第２の記録膜を形成する工程と
上記第２の記録膜に隣接する透明導電膜を形成する工程と
を備えることを特徴とする光記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光記録媒体およびその製造方法に関する。詳しくは、無機記録膜を有する光記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、大容量の情報を記録できる高密度記録の光記録媒体が望まれている。例えば、この要求に応えるために、ブルーレイディスク（Blu-ray Disc（登録商標）：ＢＤ、以下ＢＤと称する）の規格が策定され、ハイビジョン画像を光記録媒体に録画、保存することが可能となっている。ハイビジョンの通常再生速度を１倍速とすると、記録型のＢＤでは既に２倍速までの記録に対応している。
【０００３】
例えば、青色レーザ記録に適した光記録媒体として、ゲルマニウム（Ｇｅ）の酸化物を含む第１の記録膜と、それに隣接して設けられた、チタン（Ｔｉ）を含む第２の記録膜とからなる無機記録膜を備えるものが提案されている（例えば特許文献１参照）。この光記録媒体は４層膜で構成されていながら広いパワーマージンと非常に高い耐久性を有し、ＢＤなどへの応用が可能であるが、今後更なる高線速記録対応が望まれている。
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−２８１７５１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
記録特性として高線速記録に対応するためには、高記録感度化する必要がある。ところが、ゲルマニウム（Ｇｅ）酸化物を含む第１の記録膜の酸素組成や膜厚、ならびにチタン（Ｔｉ）を含む第２の記録膜の膜厚などの最適化により高記録感度化すると、記録パワーマージンが狭くなるという問題が生じる。
【０００６】
なお、ゲルマニウム（Ｇｅ）の酸化物を記録材料とする場合、記録原理が基本的に熱記録であるため、記録感度の線速依存性はある一定比であり、パワーマージンなどの記録特性は線速依存性が少ない。したがって、高線速記録時の記録感度を上げるためには低線速でも記録感度を上げることが有効であり、その際にパワーマージンを広く確保するには、低線速でも同様に広くパワーマージンを確保することが全体の特性を向上する指標になる。
【０００７】
したがって、本発明の目的は、広パワーマージン化を実現できる光記録媒体およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上述の課題を解決するために、本発明の第１の発明は、
無機記録膜を有する光記録媒体であって、
無機記録膜に隣接する透明導電膜を備え、
無機記録膜は、
チタン（Ｔｉ）を含む第１の記録膜と、
ゲルマニウム（Ｇｅ）の酸化物を含む第２の記録膜と
を備え、
透明導電膜は、第２の記録膜の側に設けられていることを特徴とする光記録媒体である。
【０００９】
本発明の第２の発明は、
無機記録膜を備える光記録媒体の製造方法であって、
チタン（Ｔｉ）を含む第１の記録膜を形成する工程と、
第１の記録膜に隣接する、ゲルマニウム（Ｇｅ）の酸化物を含む第２の記録膜を形成する工程と
第２の記録膜に隣接する透明導電膜を形成する工程と
を備えることを特徴とする光記録媒体の製造方法である。
【００１０】
本発明では、記録光を照射すると第２の記録膜に含まれる酸素が分離し、第１の記録膜と第２の記録膜との界面に酸素含有量の多いＧｅ層が形成される。すなわち、第２の記録膜が光学定数の異なる保存安定性の高い安定な２層に分離する。これにより、再生光を照射した際に、記録光を照射した部分と記録光を照射していない部分との反射光量が変化するので、良好な信号特性が得られる。第１の記録膜は、記録前後でほとんど物理的特性が変化することはなく、第２の記録膜との界面での反応を促進する、いわば触媒的作用を発現する。
【発明の効果】
【００１１】
以上説明したように、本発明によれば、無機記録膜と誘電体膜との間に透明導電膜を設けているので、広パワーマージン化を実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。
【００１３】
（１）第１の実施形態
光記録媒体の構成
図１は、本発明の第１の実施形態に係る光記録媒体の一構成例を示す概略断面図である。この光記録媒体１０は、基板１上に、無機記録膜２、透明導電膜３、誘電体膜４、光透過層５が順次積層された構成を有する。
【００１４】
この第１の実施形態に係る光記録媒体１０では、光透過層５の側からレーザ光を無機記録膜２に照射することにより、情報信号の記録または再生が行われる。例えば、４００ｎｍ以上４１０ｎｍ以下の範囲の波長を有するレーザ光を、０．８４以上０．８６以下の範囲の開口数を有する対物レンズにより集光し、光透過層５の側から無機記録膜２に照射することにより、情報信号の記録および／または再生が行われる。このような光記録媒体１０としては、例えばＢＤ−Ｒが挙げられる。
以下、光記録媒体１０を構成する基板１、無機記録膜２、透明導電膜３、誘電体膜４および光透過層５について順次説明する。
【００１５】
（基板）
基板１は、中央に開口（以下センターホールと称する）が形成された円環形状を有する。この基板１の一主面は、凹凸面１１となっており、この凹凸面１１上に無機記録膜２が成膜される。以下では、凹凸面１１のうち凹部をイングルーブＧin、凸部をオングルーブＧonと称する。
【００１６】
このイングルーブＧinおよびオングルーブＧonの形状としては、例えば、スパイラル状、同心円状などの各種形状が挙げられる。また、イングルーブＧinおよび／またはオングルーブＧinが、アドレス情報を付加するためのウォブル（蛇行）されている。
【００１７】
基板１の径（直径）は、例えば１２０ｍｍに選ばれる。基板１の厚さは、剛性を考慮すると、好ましくは０．３ｍｍ〜１．３ｍｍ、より好ましくは０．６ｍｍ〜１．３ｍｍ、例えば１．１ｍｍに選ばれる。また、センタホールの径（直径）は、例えば１５ｍｍに選ばれる。
【００１８】
基板１の材料としては、例えばプラスチック材料またはガラスを用いることができ、コストの観点から、プラスチック材料を用いることが好ましい。プラスチック材料としては、例えばポリカーボネート系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、アクリル系樹脂などを用いることができる。
【００１９】
（無機記録膜）
無機記録膜２は、基板１の凹凸面１１上に順次積層された第１の記録膜２ａおよび第２の記録膜２ｂからなる。第１の記録膜２ａが基板１の凹凸面１１の側に設けられ、第２の記録膜２ｂが透明導電膜３の側に設けられている。
【００２０】
第１の記録膜２ａは、チタン（Ｔｉ）を主成分として含んでいる。また、第１の記録膜２ａは、パワーマージン改善の観点から、マンガン（Ｍｎ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）などの低熱伝導性金属を添加剤として含むことが好ましい。低熱伝導性金属の含有量は、パワーマージン改善の観点から、好ましくは１〜４０原子％、より好ましくは２〜３０原子％、更により好ましくは５〜２８原子％である。また、第１の記録膜２ａは、記録感度の調整の観点から、微量な窒素（Ｎ）を含むことが好ましい。第１の記録膜２ａの膜厚は、好ましくは１０〜５０ｎｍである。
【００２１】
第２の記録膜２ｂは、ゲルマニウム（Ｇｅ）の酸化物を主成分として含んでいる。第２の記録膜２ｂにおけるゲルマニウム（Ｇｅ）の酸化物の含有量は、好ましくは８８〜９７原子％、より好ましくは９０〜９７原子％、更により好ましくは９０〜９５原子％である。また、第２の記録膜２ｂは、耐久性向上の観点から、スズ（Ｓｎ）を添加剤として含むことが好ましい。第２の記録膜２ｂにおけるスズ（Ｓｎ）の含有量は、好ましくは３〜１２原子％、より好ましくは３〜１０原子％、更により好ましくは５〜１０原子％である。３原子％以上であると優れた耐久性を得ることができ、１２原子％以下であると優れた信号特性を得ることができるからである。なお、第１の記録膜２ａがチタン（Ｔｉ）を主成分とし、第２の記録膜２ｂがゲルマニウム（Ｇｅ）の酸化物を主成分とすれば、基本的に良好な記録特性を得ることができる。
【００２２】
第２の記録膜２ｂの吸収係数ｋは、変調度およびキャリア対ノイズ比（以下Ｃ／Ｎ比と称する）の向上などの観点から、好ましくは０．１５以上０．９０以下、より好ましくは０．２０以上０．７０以下、更により好ましくは０．２５以上０．６０以下である。また、第２の記録膜２ｂの膜厚は、好ましくは１０〜３５ｎｍである。
【００２３】
なお、本明細書における吸収係数ｋは波長４１０ｎｍにおけるものである。この吸収係数ｋは、エリプソメータ（ルドルフ社製、商品名：Auto EL-462P17）を用いて以下のようにして求めることができる。エリプソメータにて楕円偏光の位相角Δと楕円の振幅強度比から求められる正接Ψを測定し、段差計（Tencor社製、商品名：P15）で求めた膜厚から、複素屈折率Ｎと吸収系数ｋを求める。なお、市販のエリプソメータの付属解析ソフトではこの作業を最小２乗法などを用いて行っている。
【００２４】
（透明導電膜）
透明導電膜３は、第２の記録膜２ｂに隣接して設けられている。透明導電膜３は、ＳｎＯ2およびＩｎ2Ｏ3の少なくとも１種を主成分として含んでいることが好ましい。また、透明導電膜３の膜厚は、好ましくは１〜５ｎｍである。１ｎｍ以上であるとパワーマージンを広くすることができ、５ｎｍ以下であると優れた記録感度を得ることができる。
【００２５】
（誘電体膜）
誘電体膜４は、透明導電膜３に隣接して設けられ、無機記録膜２の光学的および機械的保護、すなわち耐久性の向上、ならびに記録時の無機記録膜２の変形、すなわちふくらみの抑制などを行うためのものである。この誘電体膜４の材料としては、例えばＳｉＮ、ＺｎＳ−ＳｉＯ2、ＡｌＮ、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＳｉＯ2−Ｃｒ2Ｏ3−ＺｒＯ2（以下ＳＣＺと称する）などを用いることができ、ＺｎＳ−ＳｉＯ2を用いることが好ましい。記録信号のＳ／Ｎを向上し、良好な信号特性を得ることができるからである。誘電体膜４の厚さは、好ましくは１０〜１００ｎｍである。
【００２６】
（光透過層）
光透過層５は、例えば、レジンコート型またはシート貼り合わせ型の光透過層５である。ここで、レジンコート型の貼り合わせ層４とは、レジンコート法により形成された光透過層５を示し、シート貼り合わせ型の光透過層５とは、シート貼り合わせ法により形成された光透過層５を示す。なお、レジンコート法およびシート貼り合わせ法については後述する。
【００２７】
光透過層５の厚さは、好ましくは１０〜１７７μｍの範囲内から選ばれ、例えば１００μｍに選ばれる。このような薄い光透過層５と、例えば０．８５程度の高ＮＡ(numerical aperture)化された対物レンズとを組み合わせることによって、高密度記録を実現することができる。また、光透過層５の内径（直径）は、例えば２２．７ｍｍに選ばれる。
【００２８】
レジンコート型の光透過層５は、ＵＶレジンなどの感光性樹脂を硬化してなるレジンカバーである。シート貼り合わせ型の光透過層は、例えば、円環形状を有する光透過性シート（フィルム）と、この光透過性シートを基板１に対して貼り合わせるための接着層とから構成される。接着層は、例えばＵＶレジンまたは感圧性粘着剤（Pressure Sensitive Adhesive：ＰＳＡ、以下ＰＳＡと称する）からなる。
【００２９】
光透過性シートおよびレジンカバーは、記録および再生に用いられるレーザ光に対して、吸収能が低い材料からなることが好ましく、具体的には透過率９０パーセント以上の材料からなることが好ましい。光透過性シートの材料としては、例えばポリカーボネート樹脂、ポリオレフィン系樹脂（例えばゼオネックス（登録商標））などが挙げられる。レジンカバーの材料としては、例えば紫外線硬化型のアクリル系樹脂が挙げられる。また、光透過性シートの厚さは、好ましくは０．３ｍｍ以下に選ばれ、より好ましくは３〜１７７μｍの範囲内から選ばれる。
【００３０】
上述のように、チタン（Ｔｉ）を含む第１の記録膜２ａとゲルマニウム（Ｇｅ）の酸化物を含む第２の記録膜２ｂとを無機記録膜２として備える光記録媒体１０では、記録時に第２の記録膜２ｂが酸素含有量の異なる２層に分離することが記録のメカニズムとなっている。第１の記録膜２ａと第２の記録膜２ｂとが隣接していることでこのような第２の記録膜２ｂの分離が発生する。その酸素分離には第１の記録膜２ａの表面が重要な役割を担っており、第１の記録膜２ａの表面のＴｉ酸化物が記録光である青色光などを吸収し、光触媒効果が発現することが記録原理になっていると考えられる。これは、チタン（Ｔｉ）を含まない材料、例えばアルミニウム（Ａｌ）や銀（Ａｇ）を主成分とする合金を用いたり、第１記録膜２ａと第２の記録膜２ｂの間にわずか数ｎｍのＳｉＮやＺｎＳ−ＳｉＯ2などの不活性な絶縁誘電体膜を形成した場合、第２の記録膜２ｂがきれいに分離せず、極端に変調度が低下する、という実験結果が得られていることから間接的に実証される。
【００３１】
また、このような記録メカニズムであるために、第２の記録膜２ｂへの添加剤の添加がゲルマニウム（Ｇｅ）と酸素（Ｏ）の分離に与える影響が大きい。また、第１の記録膜２ａへの添加剤の添加により光触媒効果が変わるので、第１の記録膜２ａへの添加剤の添加が記録特性に与える影響は大きい。更に、透明導電膜３を第２の記録膜２ｂのどちらかの主面に隣接して形成することにより、パワーマージンなどの記録特性に影響が生じる。
【００３２】
光記録媒体の製造方法
次に、本発明の第１の実施形態に係る光記録媒体の製造方法について説明する。
（基板の成形工程）
まず、一主面に凹凸面１１が形成された基板１を成形する。基板１の成形の方法としては、例えば射出成形（インジェクション）法、フォトポリマー法（２Ｐ法：Photo Polymerization）などを用いることができる。
【００３３】
（第１の記録膜の成膜工程）
次に、基板１を、例えばチタン（Ｔｉ）を主成分とするターゲットが備えられた真空チャンバ内に搬送し、真空チャンバ内を所定の圧力になるまで真空引きする。その後、真空チャンバ内にプロセスガスを導入しながら、ターゲットをスパッタリングして、基板１上に第１の記録膜２ａを成膜する。
この成膜工程における成膜条件の一例を以下に示す。
到達真空度：５．０×１０-5Ｐａ
雰囲気：０．１〜０．６Ｐａ
投入電力：１〜３ｋＷ
ガス種：ＡｒガスおよびＮ2ガス
Ａｒガス流量：１０〜４０ｓｃｃｍ
Ｎ2ガス流量：１〜１０ｓｃｃｍ
【００３４】
（第２の記録膜の成膜工程）
次に、基板１を、例えばゲルマニウム（Ｇｅ）を主成分とするターゲットが備えられた真空チャンバ内に搬送し、真空チャンバ内を所定の圧力になるまで真空引きする。その後、真空チャンバ内にプロセスガスを導入しながら、ターゲットをスパッタリングして、第１の記録膜２ａ上に第２の記録膜２ｂを成膜する。
この成膜工程における成膜条件の一例を以下に示す。
到達真空度：５．０×１０-5Ｐａ
雰囲気：０．１〜０．６Ｐａ
投入電力：１〜３ｋＷ
ガス種：ＡｒガスおよびＯ2ガス
Ａｒガス流量：２４ｓｃｃｍ
Ｏ2ガス流量：９ｓｃｃｍ
【００３５】
（透明導電膜の成膜工程）
次に、基板１を、例えばＳｎＯ2およびＩｎＯ2の少なくとも１種を主成分とするターゲットが備えられた真空チャンバ内に搬送し、真空チャンバ内を所定の圧力になるまで真空引きする。その後、真空チャンバ内にプロセスガスを導入しながら、ターゲットをスパッタリングして、第２の記録膜２ｂ上に透明導電膜３を成膜する。
この成膜工程における成膜条件の一例を以下に示す。
到達真空度：５．０×１０-5Ｐａ
雰囲気：０．１〜０．６Ｐａ
投入電力：１〜３ｋＷ
ガス種：Ａｒガス
Ａｒガス流量：２４ｓｃｃｍ
【００３６】
（誘電体膜の成膜工程）
次に、基板１を、例えばＺｎＳ−ＳｉＯ2からなるターゲットが備えられた真空チャンバ内に搬送し、真空チャンバ内を所定の圧力になるまで真空引きする。その後、真空チャンバ内にプロセスガスを導入しながら、ターゲットをスパッタリングして、透明導電膜３上に誘電体膜４を成膜する。
この成膜工程における成膜条件の一例を以下に示す。
到達真空度：５．０×１０-5Ｐａ
雰囲気：０．１〜０．６Ｐａ
投入電力：１〜４ｋＷ
ガス種：Ａｒガス
Ａｒガス流量：６ｓｃｃｍ
【００３７】
（光透過層の形成工程）
次に、光透過層５を誘電体膜４上に形成する。光透過層５の形成方法としては、例えばレジンコート法、シート接着法などを用いることができ、コスト低減の観点からすると、レジンコート法が好ましい。レジンコート法とは、ＵＶレジンなどの感光性樹脂を誘電体膜４上にスピンコートし、ＵＶ光などの光を感光性樹脂に照射することにより、レジンカバーとしての光透過層５を形成するものである。シート接着法とは、光透過性シートを接着剤を用いて、基板１上の凹凸面１１側に貼り合わせることにより、光透過層５を形成するものである。
【００３８】
また、シート接着法としては、例えばシートレジン接着法、シートＰＳＡ接着法などを用いることができる。シートレジン接着法とは、誘電体膜４上に塗布されたＵＶレジンなどの感光性樹脂を用いて、光透過性シートを基板１上の凹凸面１１側に貼り合わせることにより、光透過層５を形成するものである。シートＰＳＡ接着法は、光透過性シートを、このシートの一主面に予め均一に塗布された感圧性粘着剤（ＰＳＡ）を用いて、基板１上の凹凸面１１側に貼り合わせることにより、光透過層５を形成するものである。
以上の工程により、図１に示す光記録媒体１０が得られる。
【００３９】
上述したように、本発明の第１の実施形態によれば、無機記録膜２と誘電体膜４との間に透明導電膜３を設けているので、膜総数３〜５層程度で、パワーマージンなどの記録特性を向上することができる。また、膜厚や添加剤を適宜調整することで、パワーマージン、２Ｔの振幅、反射率などの基本的な記録再生特性を低線速記録から高線速記録まで最適化することが可能となる。
【００４０】
また、第１の記録膜２ａ、第２の記録膜２ｂ、透明導電膜３、誘電体膜４、光透過層５を基板１上に順次積層するだけで光記録媒体１０を形成できるので、単純な膜構成を有した高記録密度の光記録媒体１０を実現できる。すなわち、低廉な高記録密度の光記録媒体１０を提供することができる。
【００４１】
（２）第２の実施形態
図２は、本発明の第２の実施形態に係る光記録媒体の一構成例を示す概略断面図である。第２の実施形態は、上述の第１の実施形態において、誘電体膜４を第１の誘電体膜４ａおよび第２の誘電体膜４ｂにより構成したものである。なお、上述の第１の実施形態と同様の部分には同一の符号を付してその説明を省略する。
【００４２】
第１の誘電体膜４ａは透明導電膜３の側に設けられ、第２の誘電体膜４ｂは光透過層５の側に設けられている。第１の誘電体膜４ａおよび第２の誘電体膜４ｂは、例えば互いに異なる材料および／または組成の誘電体からなる。
【００４３】
第１の誘電体膜４ａの材料としては、成膜速度などの観点から、ＺｎＳ−ＳｉＯ2を用いることが好ましい。第１の誘電体膜４ａの膜厚は、例えば１０〜１００ｎｍである。第２の誘電体膜４ｂの材料としては、ＳｉＮ、ＳＣＺなどの安定な誘電体を用いることが好ましい。このような安定な誘電体を用いると、光透過層５として貼り合わせ型のものを用いた場合に、第１の誘電体膜４ａに含まれる硫黄（Ｓ）などの成分が光透過層５のＰＳＡなどと反応し光透過層５が劣化し、耐久性が低下することを抑制することができる。また、光透過層５としてレジンコート型のものを用いた場合に、レジン硬化時の収縮による耐久性の低下を抑制することができる。第２の誘電体膜４ｂの膜厚は、例えば１〜１０ｎｍである。
【００４４】
次に、本発明の第２の実施形態に係る光記録媒体の製造方法の一例について説明する。この光記録媒体の製造方法は、上述の第１の実施形態において、誘電体膜の成膜工程に代えて第１の誘電体膜および第２の誘電体膜の成膜工程を備えるものである。
以下に、第１の誘電体膜および第２の誘電体膜の成膜条件の一例を示す。
【００４５】
（第１の誘電体膜の成膜工程）
基板１を、例えばＺｎＳ−ＳｉＯ2からなるターゲットが備えられた真空チャンバ内に搬送し、真空チャンバ内を所定の圧力になるまで真空引きする。その後、真空チャンバ内にプロセスガスを導入しながら、ターゲットをスパッタリングして、透明導電膜３上に第１の誘電体膜４ａを成膜する。
この成膜工程における成膜条件の一例を以下に示す。
到達真空度：５．０×１０-5Ｐａ
雰囲気：０．１〜０．６Ｐａ
投入電力：１〜４ｋＷ
ガス種：Ａｒガス
Ａｒガス流量：６ｓｃｃｍ
【００４６】
（第２の誘電体膜の成膜工程）
次に、基板１を、例えばＳＣＺからなるターゲットが備えられた真空チャンバ内に搬送し、真空チャンバ内を所定の圧力になるまで真空引きする。その後、真空チャンバ内にプロセスガスを導入しながら、ターゲットをスパッタリングして、第１の誘電体膜４ａ上に第２の誘電体膜４ｂを成膜する。
この成膜工程における成膜条件の一例を以下に示す。
真空到達度：５．０×１０-5Ｐａ
雰囲気：０．１〜０．６Ｐａ
投入電力：１〜３ｋＷ
ガス種：Ａｒガス
Ａｒガス流量：１５ｓｃｃｍ
【００４７】
上述したように、本発明の第２の実施形態によれば、無機記録膜２と誘電体膜４との間に透明導電膜３を設け、誘電体膜４を第１の誘電体膜４ａと第２の誘電体膜４ｂとから構成しているので、第１の実施形態に比べて耐久性をより向上することができる。
【実施例】
【００４８】
以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例のみに限定されるものではない。なお、以下の実施例においては、上述の実施形態と対応する部分には同一の符号を付す。
【００４９】
本実施例の光記録媒体１０は、ＢＤの光学系に対応させて設計した光記録媒体、具体的には、開口数０．８５の２群対物レンズと波長４０５ｎｍの青紫色半導体レーザ光源とを用いた光ディスク記録再生装置に合わせて設計した光記録媒体である。
【００５０】
本実施例では、光記録媒体の評価装置として、ＢＤディスク検査機（パルステック工業株式会社製、商品名：ＯＤＵ−１０００）を用いた。光源の波長は４０５．２ｎｍとした。記録時の線速度は１９．６７ｍ／ｓ(４倍速：４ｘ)もしくは９．８３ｍ／ｓ（２倍速：２ｘ）、再生時の線速度は４．９２ｍ／ｓ(１倍速：１ｘ)、チャンネルビット長は７４．５０ｎｍ(直径１２ｃｍの光ディスクに２５ＧＢの記録密度)とした。変調方式は１７ＰＰとし、最短マークである２Ｔマークのマーク長は０．１４９μｍ、８Ｔマークのマーク長は０．５９６μｍとし、トラックピッチは０．３２μｍとした。
また、ジッター測定はパルステック工業株式会社製のイコライザーボードを通して、横河電機株式会社製のタイムインターバルアナライザー、ＴＡ７２０を用いて行った。イコライザーは規格準拠とし、リミットイコライザーを通した後の信号のジッターを測定した。
記録感度Ｐｗｏの測定は、低パワーから高パワー側にパワースイープを行い、システムが許容できるオーバーパワー側とアンダーパワー側の記録パワー値の中心をＰｗｏとした。  パワーマージンの測定についてはいくつか規定の方法があるが、本実施例では、リミットイコライザーを通した後のジッター値が８．５％以下である範囲を記録感度のマージンとし、そのパワー範囲を最適パワーで割ったものをパワーマージンと定義した。
その他、振幅、変調度などの測定にはテクトロニクス社製のデジタルオシロスコープ、ＴＤＳ７１０４を用いた。
【００５１】
また、本実施例の吸収係数ｋは、エリプソメータ（ルドルフ社製、商品名：Auto EL-462P17）を用いて以下のようにして求めた。エリプソメータにて楕円偏光の位相角Δと楕円の振幅強度比から求められる正接Ψを測定し、段差計（Tencor社製、商品名：P15）で求めた膜厚から、複素屈折率Ｎと吸収系数ｋを求めた。なお、吸収係数ｋは波長４１０ｎｍにおけるものである。
【００５２】
実施例１−１〜１−６、比較例１−１
実施例1−１〜１−６、比較例１−１では、膜厚の異なる透明導電膜３を無機記録膜２と誘電体膜４との間に設けることにより光記録媒体１０を作製し、その特性を評価した。
【００５３】
まず、射出成形により、厚さ１．１ｍｍのポリカーボネート基板（以下ＰＣ基板と称する）１を作製した。なお、このＰＣ基板１上には、イングルーブＧinおよびオングルーブＧonを有する凹凸面１１を形成した。このイングルーブＧinの深さは２０ｎｍとし、トラックピッチは０．３２μｍとした。
【００５４】
次に、成膜装置（Unaxis社製、商品名：Sprinter）を用いて、膜厚２２ｎｍのＴｉＭｎＮ膜２ａ、膜厚２５ｎｍのＧｅ酸化物膜２ｂ、膜厚０〜６ｎｍのＳｎＯ2膜３、膜厚５２ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ2膜４ａ、膜厚４ｎｍのＳｉ3Ｎ4膜４ｂを基板１上に順次成膜した。なお、これらの成膜は大気暴露せずに行った。その後、ＵＶレジンをＳｉ3Ｎ4膜４ｂ上にスピンコートし、ＵＶ光照射により硬化させ、光透過層５を形成した。この光透過層５の厚さは、１００μｍとした。以上により、目的とする光記録媒体１０を得た。
具体的な成膜手順は以下の通りである。
【００５５】
（ＴｉＭｎＮ膜の成膜工程）
まず、真空チャンバ内を真空引きした後、真空チャンバ内にＡｒガスおよびＮ2ガスを導入しながら、ＴｉＭｎターゲットをスパッタリングして、膜厚２２ｎｍのＴｉＭｎＮ膜２aを基板１上に成膜した。このＴｉＭｎターゲット中のマンガン（Ｍｎ）の含有量を２０原子％とした。
この成膜工程における成膜条件を以下に示す。
到達真空度：５．０×１０-5Ｐａ
雰囲気：０．２Ｐａ
投入電力：３ｋＷ
Ａｒガス流量：３０ｓｃｃｍ
Ｎ2ガス流量：６ｓｃｃｍ
【００５６】
（Ｇｅ酸化物膜の成膜工程）
次に、真空チャンバ内を真空引きした後、真空チャンバ内にＡｒガスおよびＯ2ガスを導入しながら、Ｇｅターゲットを反応性スパッタリングによりコスパッタして、膜厚２５ｎｍのＧｅ酸化物膜２ｂをＴｉＭｎＮ膜２a上に成膜した。なお、Ｇｅ酸化物膜２ｂの酸素（Ｏ）の含有量は、吸収係数ｋが０．６となるように調製した。
この成膜工程における成膜条件を以下に示す。
到達真空度：５．０×１０-5Ｐａ
雰囲気：０．２Ｐａ
投入電力：Ｇｅターゲット（ターゲット２つ）  ０．４ｋＷ
Ａｒガス流量：３０ｓｃｃｍ
Ｏ2ガス：３０〜４０ｓｃｃｍ
【００５７】
（ＳｎＯ2膜の成膜工程）
次に、真空チャンバ内を真空引きした後、真空チャンバ内にＡｒガスを導入しながら、ＳｎＯ2ターゲットをスパッタリングして、膜厚０〜６ｎｍのＳｎＯ2膜３をＧｅ酸化物膜２ｂ上に成膜した。
この成膜工程における成膜条件を以下に示す。
到達真空度：５．０×１０-5Ｐａ
雰囲気：０．２Ｐａ
投入電力：ＳｎＯ2ターゲット  ０．４ｋＷ
Ａｒガス流量：１０ｓｃｃｍ
なお、膜厚はスパッタ時間により調製した。
【００５８】
（ＺｎＳ−ＳｉＯ2膜の成膜工程）
次に、真空チャンバ内を真空引きした後、真空チャンバ内にＡｒガスを導入しながら、ＺｎＳ−ＳｉＯ2ターゲットをスパッタリングして、膜厚５２ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ2膜４ａをＧｅ酸化物膜２ｂ上に成膜した。なお、ＺｎＳ−ＳｉＯ2膜４ａの組成比(原子比)ＺｎＳ：ＳｉＯ2を８０：２０に調製した。
この成膜工程における成膜条件を以下に示す。
到達真空度：５．０×１０-5Ｐａ
雰囲気：０．１Ｐａ
投入電力：１ｋＷ
Ａｒガス流量：６ｓｃｃｍ
【００５９】
（Ｓｉ3Ｎ4膜の成膜工程）
次に、真空チャンバ内を真空引きした後、真空チャンバ内にＡｒガスおよびＮ2ガスを導入しながら、Ｓｉターゲットをスパッタリングして、膜厚４ｎｍのＳｉ3Ｎ4膜４ｂを基板１上に成膜した。
この成膜工程における成膜条件を以下に示す。
到達真空度：５．０×１０-5Ｐａ
雰囲気：０．３Ｐａ
投入電力：４ｋＷ
Ａｒガス流量：５０ｓｃｃｍ
Ｎ2ガス流量：３７ｓｃｃｍ
【００６０】
＜パワーマージンの評価＞
上述のようにして得られた光記録媒体１０に対して４ｘ記録、１ｘ再生を行い、パワーマージンを求めた。その結果を表１および図３に示す。表１および図３から、ＳｎＯ2膜３の膜厚が厚いほどパワーマージンは広がる傾向が見られることがわかる。
【００６１】
＜記録感度の評価＞
また、上述のようにして得られた光記録媒体１０に対して２ｘ記録、１ｘ再生を行い、記録感度Ｐｗｏを求めた。その結果、ＳｎＯ2膜３の膜厚が５ｎｍ以下であると２倍速（２ｘ）規格の記録感度７ｍＷを満たすことができることが分かった。
【００６２】
以上の評価結果によると、パワーマージンの観点から、無機記録膜２と誘電体膜４との間に透明導電膜３を設けることが好ましい。また、パワーマージンおよび記録感度の観点から、無機記録膜２と誘電体膜４との間に透明導電膜３を設けると共に、その膜厚を１〜５ｎｍの範囲内にすることが好ましい。
【００６３】
【表１】
2008243241.tif 000003
【００６４】
実施例２−１〜実施例２−５、比較例２−１
実施例２−１〜実施例２−５、比較例２−１では、膜厚の異なる透明導電膜３を無機記録膜２と誘電体膜４との間に設けると共に、第２の記録膜２ｂにスズ（Ｓｎ）を添加することにより光記録媒体１０を作製し、その特性を評価した。
【００６５】
成膜装置（Unaxis社製、商品名：Sprinter）を用いて、膜厚２５ｎｍのＧｅＳｎＯ膜２ｂ、膜厚０〜５ｎｍのＳｎＯ2膜３をＴｉＭｎＮ膜２ａ上に順次成膜する以外のことは、比較例１−１、実施例１−１〜１−５と同様にして光記録媒体１０を得た。
ＧｅＳｎＯ膜およびＳｎＯ2膜の成膜工程を以下に示す。
【００６６】
（ＧｅＳｎＯ膜の成膜工程）
真空チャンバ内を真空引きした後、真空チャンバ内にＡｒガスおよびＯ2ガスを導入しながら、ＧｅターゲットおよびＳｎターゲットを反応性スパッタリングによりコスパッタして、膜厚２５ｎｍのＧｅＯＳｎ膜２ｂをＴｉＭｎＮ膜２ａ上に成膜した。なお、ＧｅＯＳｎ膜２ｂにおける酸素（Ｏ）の含有量をＧｅＯＳｎ膜２ｂの吸収係数ｋが０．６７となるように調製した。また、ＧｅＯＳｎ膜２ｂにおけるスズ（Ｓｎ）の含有量が１０原子％となり、ＧｅＯＳｎ膜２ｂにおけるＧｅＯｘ（０＜ｘ＜２）の含有量が９０原子％となるように、ＧｅＯＳｎ膜２ｂの組成を調製した。
この成膜工程における成膜条件は以下の通りである。
到達真空度：５．０×１０-5Ｐａ
雰囲気：０．２Ｐａ
投入電力：Ｇｅターゲット（ターゲット２つ）  ０．４ｋＷ、Ｓｎターゲット  ０．１〜０．５ｋＷ
Ａｒガス流量：３０ｓｃｃｍ
酸素ガス：３０〜４０ｓｃｃｍ
【００６７】
（ＳｎＯ2膜の成膜工程）
次に、真空チャンバ内を真空引きした後、真空チャンバ内にＡｒガスを導入しながら、ＳｎＯ2ターゲットをスパッタリングして、膜厚０〜５ｎｍのＳｎＯ2膜３をＧｅ酸化物膜２ｂ上に成膜した。
この成膜工程における成膜条件を以下に示す。
到達真空度：５．０×１０-5Ｐａ
雰囲気：０．２Ｐａ
投入電力：ＳｎＯ2ターゲット  ０．４ｋＷ
Ａｒガス流量：１０ｓｃｃｍ
なお、膜厚はスパッタ時間により調製した。
【００６８】
＜パワーマージンの評価＞
上述のようにして得られた光記録媒体１０に対して４ｘ記録、１ｘ再生を行い、パワーマージンを求めた。その結果を表２および図４に示す。表２および図４から、ＳｎＯ2膜３の膜厚が厚いほどパワーマージンは広がる傾向が見られることがわかる。
【００６９】
＜記録感度の評価＞
上述のようにして得られた光記録媒体１０に対して２ｘ記録、１ｘ再生を行い、記録感度Ｐｗｏを求めた。その結果、ＳｎＯ2膜３の膜厚が５ｎｍ以下であると２ｘ規格の記録感度７ｍＷを満たすことができることが分かった。また、ＳｎＯ2膜の膜厚が６ｎｍ以上である光記録媒体１０に対して２ｘ記録、１ｘ再生を行い、同様に記録感度Ｐｗｏを求めたところ、ＳｎＯ2膜の膜厚が６ｎｍ以上であると、２ｘ規格の記録感度７ｍＷを満たすことができないことが確認できた。
【００７０】
＜耐久性の評価＞
実施例１−１〜１−６、比較例１−１、実施例２−１〜２−５、比較例２−１の光記録媒体１０に対して耐久性試験を以下のようにして行った。まず、恒温槽にて、８０℃８５％ＲＨ（相対湿度）下に４００時間、光記録媒体１０を保持し、その後、ＳＥＲ（Symbol Error Rate）の測定および顕微鏡観察を行った。その結果、スズ（Ｓｎ）を第２の記録膜２ｂに含有させていない実施例１−１〜１−６、比較例１−１では、ＳＥＲの上昇が大きく、顕微鏡観察により多数の１０μｍ大の白点が観測された。また、スズ（Ｓｎ）を第２の記録膜２ｂに含有させた実施例２−１〜２−５、比較例２−１では、顕微鏡観察により白点は観測されず、ＳＥＲの上昇が抑制された。したがって、スズ（Ｓｎ）の添加は耐久性向上に有効である。
【００７１】
以上の評価結果によると、パワーマージンおよび耐久性の観点から、無機記録膜２と誘電体膜４との間に透明導電膜３を設けると共に、第２の記録膜２ｂにスズ（Ｓｎ）を添加することが好ましい。また、パワーマージン、記録感度および耐久性の観点から、無機記録膜２と誘電体膜４との間に透明導電膜３を設け、その膜厚を１〜５ｎｍの範囲内にすると共に、第２の記録膜２ｂにスズ（Ｓｎ）を添加することが好ましい。
【００７２】
【表２】
2008243241.tif 000004
【００７３】
実施例３−１〜３−５、比較例３−１
実施例３−１〜３−５、比較例３−１では、膜厚の異なる透明導電膜３を無機記録膜２と誘電体膜４との間に設けると共に、光透過層５に隣接してＳＣＺからなる第２の誘電体膜４ｂを設けることにより光記録媒体１０作製し、その特性を評価した。
【００７４】
成膜装置（Unaxis社製、商品名：Sprinter）を用いて、ＺｎＳ−ＳｉＯ2膜４ａの成膜後、大気暴露せずに、Ｓｉ3Ｎ4膜４ｂに代えて膜厚４ｎｍのＳＣＺ膜４ｂを成膜する以外のことは、実施例２−１〜２−５、比較例２−１と同様にして光記録媒体１０を得た。
ＳＣＺ膜の成膜工程を以下に示す。
【００７５】
（ＳＣＺ膜の成膜工程）
真空チャンバ内を真空引きした後、真空チャンバ内にＡｒガスを導入しながら、ＳＣＺターゲットをスパッタリングして、膜厚４ｎｍのＳＣＺ膜４ｂをＺｎＳ−ＳｉＯ2膜４ａ上に成膜した。
この成膜工程における成膜条件を以下に示す。
到達真空度：５．０×１０-5Ｐａ
雰囲気：０．２Ｐａ
投入電力：ＳＣＺターゲット  ２．０ｋＷ
Ａｒガス流量：１５ｓｃｃｍ
なお、膜厚はスパッタ時間により調製した。
【００７６】
＜パワーマージンの評価＞
上述のようにして得られた光記録媒体１０に対して、４ｘ記録、１ｘ再生を行い、パワーマージンを求めた。その結果を表３および図５に示す。表３および図５から、ＳｎＯ2膜３の膜厚が厚いほどパワーマージンは広がる傾向が見られることがわかる。また、光透過層５に隣接して設けられた誘電体層４の種類に依らず、実施例２とほぼ同様の効果が得られることがわかる。
【００７７】
＜記録感度の評価＞
上述のようにして得られた光記録媒体１０に対して２ｘ記録、１ｘ再生を行い、記録感度Ｐｗｏを求めた。その結果、ＳｎＯ2膜３の膜厚が５ｎｍ以下であると２ｘ規格の記録感度７ｍＷを満たすことができることが分かった。また、ＳｎＯ2膜の膜厚が６ｎｍ以上である光記録媒体１０に対して２ｘ記録、１ｘ再生を行い、同様に記録感度Ｐｗｏを求めたところ、ＳｎＯ2膜の膜厚が６ｎｍ以上であると、２ｘ規格の記録感度７ｍＷを満たすことができないことが確認できた。
【００７８】
以上の評価結果によると、パワーマージンの観点から、無機記録膜２と誘電体膜４との間に透明導電膜３を設けることが好ましい。また、パワーマージンおよび記録感度の観点から、無機記録膜２と誘電体膜４との間に透明導電膜３を設けると共に、その膜厚を１〜５ｎｍの範囲内にすることが好ましい。
【００７９】
【表３】
2008243241.tif 000005
【００８０】
以上、本発明の実施形態および実施例について具体的に説明したが、本発明は、上述の実施形態および実施例に限定されるものではなく、本発明の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
【００８１】
例えば、上述の実施形態および実施例において挙げた数値はあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる数値を用いてもよい。
【００８２】
また、上述の実施形態および実施例の各構成は、本発明の主旨を逸脱しない限り、互いに組み合わせることが可能である。
【００８３】
また、上述の実施形態および実施例では、単層の無機記録膜を有する光記録媒体に対して本発明を適用した例について説明したが、本発明は２層以上の無機記録膜を有する光記録媒体に対しても適用可能である。
【００８４】
また、上述の実施形態および実施例では、無機記録膜上に光透過層を有し、この光透過層側からレーザ光を無機記録膜に照射することにより情報信号の記録または再生が行われる光記録媒体に対して本発明を適用した場合を例として説明したが、本発明はこの例に限定されるものではない。例えば、基板上に無機記録膜を有し、基板側からレーザ光を無機記録膜に照射することにより情報信号の記録または再生が行われる光記録媒体、または２枚の基板を貼り合わせてなり、一方の基板の側からレーザ光を基板間の無機記録膜に照射することにより情報信号の記録または再生が行われる光記録媒体に対しても本発明は適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００８５】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る光記録媒体の一構成例を示す概略断面図である。
【図２】本発明の第２の実施形態に係る光記録媒体の一構成例を示す概略断面図である。
【図３】実施例１−１〜１−６、比較例１−１のＳｎＯ2膜厚とパワーマージンとの関係を示すグラフである。
【図４】実施例２−１〜２−５、比較例２−１のＳｎＯ2膜厚とパワーマージンとの関係を示すグラフである。
【図５】実施例３−１〜３−５、比較例３−１のＳｎＯ2膜厚とパワーマージンとの関係を示すグラフである。
【符号の説明】
【００８６】
１    基板
２    無機記録膜
２ａ    第１の記録膜
２ｂ    第２の記録膜
３    透明導電膜
４    誘電体膜
４ａ    第１の誘電体膜
４ｂ    第２の誘電体膜
５    光透過層
１０    光記録媒体
１１    凹凸面
Ｇin    イングルーブ
Ｇon    オングルーブ
【図１】
2008243241.tif 000006
【図２】
2008243241.tif 000007
【図３】
2008243241.tif 000008
【図４】
2008243241.tif 000009
【図５】
2008243241.tif 000010