(57)【要約】【課題】断線やパターニングの困難性などの問題がなく、しかも感度や精度の高い熱式センサ（熱式加速度センサ）を提供する。【解決手段】基板２２の上面には薄肉状の絶縁膜２４が形成されている。絶縁膜２４の上には、導体接合ヒータ２６が設けられている。導体接合ヒータ２６においては、Ａｌからなる２本の低抵抗配線２６ａ間にＮ型ポリシリコンからなる高抵抗配線２６ｂが接続されている。高抵抗配線２６ｂは低抵抗配線２６ａよりも抵抗率が大きいので、高抵抗配線２６ｂは低抵抗配線２６ａよりも大きな発熱量で発熱し、導体接合ヒータ２６の一部を大きな発熱量で発熱させる。【選択図】図１０
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に薄肉部が形成され、前記薄肉部の上に発熱構造体と測温体とが形成され、前記発熱構造体と前記側温体とに電気的に接続された電極を有する熱式センサにおいて、
前記発熱構造体は、前記電極に接続された導体からなる低抵抗部と、前記低抵抗部より抵抗率の高い導体からなる高抵抗部とが接合され、低抵抗部と高抵抗部とが直列に接続されていることを特徴とする熱式センサ。
【請求項２】
前記発熱構造体と前記測温体とがいずれも、前記薄肉部に垂直なある軸のまわりに４回回転対称な平面形状を有し、
前記発熱抵抗体における前記低抵抗部と前記高抵抗部との接合部分が前記軸の回りに４階回転対称に配置されていることを特徴とする、請求項１に記載の熱式センサ。
【請求項３】
前記低抵抗部と前記高抵抗部とが接合された接合部分のうち、発熱側の接合部分と吸熱側の接合部分とを互いに近接させて配置したことを特徴とする、請求項２に記載の熱式センサ。
【請求項４】
近接させて配置した前記発熱側の接合部分と前記吸熱側の接合部分とを、連続した金属膜により共に被覆したことを特徴とする、請求項３に記載の熱式センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、熱式センサに関する。具体的には、本発明は抵抗率の異なる金属や半導体などの導体を接合させた導体接合ヒータ（群）を備えた熱式センサに関する。
【背景技術】
【０００２】
図１は、傾斜角を計測するための従来の１軸検出型の熱式加速度センサ１１（熱式傾斜センサ）の構造を示す平面図である。この熱式加速度センサ１１にあっては、上面に空洞１３を形成されたＳｉ基板１２の表面に絶縁膜１４を張り、空洞１３の上方を横断するようにして絶縁膜１４の上にヒータ１５を配線し、ヒータ１５の両端に電極パッド１６を設けている。また、ヒータ１５を挟んでその両側には、温度センサ１７を対称に配置している。温度センサ１７は、例えばサーモパイルであって、両端に電極パッド１８を有している。
【０００３】
図２及び図３は上記熱式加速度センサ１１により傾斜角を計測する原理を説明する図である。熱式加速度センサ１１は、電極パッド１６からヒータ１５に一定電流が供給されており、それによってヒータ１５は一定の熱量を発生し、ヒータ１５で発生した熱は自然対流によって上方へ広がっていく。したがって、ヒータ１５の回りには所定の温度分布が生じている。
【０００４】
図２は熱式加速度センサ１１が水平姿勢を保っている状態を示す。この状態では、ヒータの中心を通り絶縁膜１４に垂直な面Ｋの両側で温度分布が等しくなっており、当該垂直面Ｋに対して温度センサ１７も対称に配置されている。従って、熱式加速度センサ１１が水平姿勢を保っている場合には、両温度センサ１７の検知温度は等しくなっている。
【０００５】
これに対し、図１の矢印方向で熱式加速度センサ１１が傾いた場合には、図３に示すように温度分布は傾かないので、温度分布は垂直面Ｋの両側で非対称となり、両温度センサ１７の検知温度は異なる。例えば、図３のように傾いている場合には、向かって右の温度センサ１７の検知温度が向かって左の温度センサ１７の検知温度よりも高くなる。そして、両温度センサ１７の検知温度の温度差から熱式加速度センサ１１の傾斜角を算出することができる。
【０００６】
ここで、熱式加速度センサ１１の出力は、センサパッケージの内部の自然対流の強さに比例し、自然対流の強さを表わすグラスホフ数Ｇrはヒータ温度と周囲温度との温度差ΔＴに比例する。従って、熱式加速度センサ１１の出力を向上させるためには、温度センサ１７間の領域ではヒータの発熱を大きくし、温度センサ１７から外れた箇所ではヒータの発熱を小さくすることにより、ヒータ温度と周囲温度との温度差ΔＴを大きくすることが望まれる。
【０００７】
そのための一方法としては、図４に示すように、ヒータ１５のうち発熱させたい箇所は線幅を狭くして高抵抗部１５ａとし、発熱させたくない箇所は線幅を広くして低抵抗部１５ｂとし、発熱による温度分布をヒータ１５の線幅比によってコントロールすることが考えられる。例えば、高抵抗部１５ａの幅を低抵抗部１５ｂの幅の１／３にすれば、高抵抗部１５ａの単位長さ当たりの抵抗値は低抵抗部１５ｂの３倍になるので、その発熱量も３倍になる。
【０００８】
しかし、線幅比を変化させる方法では、高抵抗部１５ａと低抵抗部１５ｂの発熱量の比をかなり大きくしようとすると、高抵抗部１５ａの線幅が非常に狭くなり、高抵抗部１５ａのパターニングが難しくなると共に高抵抗部１５ａにおける断線の恐れも生じる。反対に、低抵抗部１５ｂの線幅は非常に広くなり、小型の熱式加速度センサ１１の限られたスペース内に配線することが難しく、設計が困難になる。
【０００９】
また、２軸検出型の熱式加速度センサとしては、特許文献１や特許文献２に開示されたものがある。しかし、ここに開示されているようなヒータでは、いずれの部分も同一材料でヒータが構成されており、中心部以外の発熱させたくない箇所でも発熱してしまうため、２軸検出型の熱式加速度センサに他軸感度が生じ易かった。
【００１０】
【特許文献１】特開２００５−３２６３２１号公報
【特許文献２】特開平０９−２１０６８４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明は上記のような技術的課題に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、断線やパターニングの困難性などの問題がなく、しかも感度や精度の高い熱式センサを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明にかかる熱式センサは、基板に薄肉部が形成され、前記薄肉部の上に発熱構造体と測温体とが形成され、前記発熱構造体と前記側温体とに電気的に接続された電極を有する熱式センサにおいて、前記発熱構造体は、前記電極に接続された導体からなる低抵抗部と、前記低抵抗部より抵抗率の高い導体からなる高抵抗部とが接合され、低抵抗部と高抵抗部とが直列に接続されていることを特徴としている。ここで、導体は金属でもよく半導体でもよい。例えば、低抵抗率の導体としては、アルミニウム（Ａｌ）などを用いることができ、高抵抗率の導体としては、タングステン（Ｗ）やポリシリコン（PolyＳｉ）などを用いることができる。
【００１３】
本発明の熱式センサにあっては、抵抗率の異なる低抵抗部と高抵抗部とが直列に接続されているので、抵抗率の大きな部分では大きな発熱量を得ることができる。導体の抵抗率は、導体材料の選択、不純物の種類や不純物量などによって変化させることができ、しかも、抵抗率は材料によって非常に広い範囲にわたって変化しているので、抵抗値を大きくして発熱量を大きくしても導体の線幅を狭くする必要がなく設計の自由度も大きくなる。よって、部分的に大きな発熱量を持つヒータを容易に作製することができ、断線の恐れも少なくなる。
【００１４】
本発明にかかる熱式センサのある実施態様は、前記発熱構造体と前記測温体とがいずれも、前記薄肉部に垂直なある軸のまわりに４回回転対称な平面形状を有し、前記発熱抵抗体における前記低抵抗部と前記高抵抗部との接合部分が前記軸の回りに４階回転対称に配置されていることを特徴としている。かかる実施態様によれば、熱式センサに２軸方向で感度を持たせることができると共に他軸感度を小さくすることができる。また、低抵抗部と高抵抗部との接合部分では、ペルチェ効果のために発熱し、あるいは吸熱するが、当該実施態様においては、低抵抗部と高抵抗部の接合部分が４階回転対称に配置されているので、ペルチェ効果を相殺させて熱式センサのオフセットを低減することができる。
【００１５】
本発明にかかる熱式センサの別な実施態様は、前記低抵抗部と前記高抵抗部とが接合された接合部分のうち、発熱側の接合部分と吸熱側の接合部分とを互いに近接させて配置したことを特徴としている。低抵抗部と高抵抗部との接合部分では、ペルチェ効果のため、発熱により温度上昇したり、あるいは吸熱により温度低下したりするが、当該実施態様においては、発熱側の接合部分と吸熱側の接合部分を近接配置しているので、発熱側の接合部と急熱側の接合部とで互いに温度変化を緩和させることができ、ペルチェ効果による温度分布のムラを小さくできる。
【００１６】
本発明にかかる熱式センサのさらに別な実施態様は、近接させて配置した前記発熱側の接合部分と前記吸熱側の接合部分とを、連続した金属膜により共に被覆したことを特徴としている。かかる実施態様によれば、金属膜を介して発熱側の接合部と吸熱側の接合部の間で効率よく熱交換させることができるので、ペルチェ効果による温度分布のムラをより一層小さくできる。
【００１７】
なお、本発明の以上説明した構成要素は、可能な限り任意に組み合わせることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の熱式センサを、熱式加速度センサを各実施例としつつ、図面に従って詳細に説明する。
【実施例１】
【００１９】
図５は、本発明の一実施例による１軸検出型の熱式加速度センサ２１の構造を示す平面図、図６はその導体接合ヒータ２６に沿った断面の断面図である。この熱式加速度センサ２１は、Ｓｉ基板等の半導体からなる基板２２の上面に構成されており、基板２２の上面にはエッチングによって空洞２３が凹設されている。また、基板２２の上面には、空洞２３を覆うようにしてＳｉＯ２やＳｉＮ等からなる絶縁膜２４（薄肉部）が成膜されている。従って、絶縁膜２４のうち、基板２２の上面に接している周囲領域は比熱が大きくて温度が変化しにくい領域となっており、空洞２３の上で宙空に張られている領域は比熱が小さくて熱によって温度が変化し易い領域となっている。
【００２０】
絶縁膜２４の上面には、空洞２３の上方でその中央を横断するようにして導体接合ヒータ２６を配線してあり、導体接合ヒータ２６の両端には金属製の電極パッド２５を設けている。導体接合ヒータ２６は、図６に示すように、Ａｌ等の低抵抗率の金属から成る２つの低抵抗配線２６ａと、Ｗやポリシリコン等の高抵抗率の金属や半導体から成る高抵抗配線２６ｂとからなり、低抵抗配線２６ａと高抵抗配線２６ｂとはほぼ等しい線幅と断面積を有している。低抵抗配線２６ａは、絶縁膜２４が基板２２の上面に接している領域に形成されており、高抵抗配線２６ｂは、絶縁膜２４が空洞２３の上に位置している領域に形成されている。
【００２１】
低抵抗配線２６ａと高抵抗配線２６ｂとは、その長さ方向の端部どうしを接合されている。低抵抗配線２６ａと高抵抗配線２６ｂの接合部分では、一方の配線２６ａ又は２６ｂの表面に絶縁層２９を形成してあり、絶縁層２９に明けたコンタクトホール３０を通して低抵抗配線２６ａと高抵抗配線２６ｂとを接合させている。なお、絶縁層２９を設けることなく、直接に低抵抗配線２６ａと高抵抗配線２６ｂとを接合させても差し支えない。
【００２２】
絶縁膜２４の上面において、導体接合ヒータ２６の両側には２つの温度センサ２８を、導体接合ヒータ２６に対して線対称に配置してあり、温度センサ２８の両端には電極パッド２７を設けている。温度センサ２８は、Ａｌとポリシリコンの線材を交互に繋いだサーモパイル（熱電対）によって構成されている。両温度センサ２８は、空洞２３の上の領域と空洞２３の外側の領域を跨ぐようにして絶縁膜２４の上に配置されている。温度センサ２８の冷接点２８ａ（定温点）は導体接合ヒータ２６から遠い側の端に位置しており、かつ、比熱の大きな基板２２の上方で絶縁膜２４上に配置されており、導体接合ヒータ２６の熱によって温度が変化しにくくなっており、一定の基準温度（室温）に保たれている。また、温度センサ２８の温接点２８ｂ（測温点）は、導体接合ヒータ２６に近い側の端に位置しており、かつ、比熱の小さな空洞２３の上方の絶縁膜２４上に位置しており、導体接合ヒータ２６の熱で敏感に温度が変化する。すなわち、感度の良好な温度センサ２８が形成されている。
【００２３】
導体接合ヒータ２６には、電極パッド２５に接続された電源（図示せず）によって一定電流値の電流が流れており、それによって発熱している。熱式加速度センサ２１が水平状態にある場合には、温度センサ２８間においては、導体接合ヒータ２６に沿って立てられた熱式加速度センサ２１に垂直な面の両側で温度分布（温度勾配）が対称となっている。そして、温度センサ２８は、冷接点２８ａの温度を基準として導体接合ヒータ２６近傍の定点（温接点２８ｂ）の温度を計測しており、それによって熱式加速度センサ２１若しくは熱式加速度センサ２１を取付けられた計測対象物の傾斜角を動的に検出する。なお、この熱式加速度センサ２１が傾斜角を検知する原理については、従来例において説明したので、ここでは省略する。
【００２４】
しかも、実施例１の導体接合ヒータ２６にあっては、基板２２の上面に接した絶縁膜２４上に位置している低抵抗配線２６ａでは単位長さ当たりの発熱量が小さくなっているので、導体接合ヒータ２６の熱で基板２２を温めにくく、温度センサ２８の冷接点２８ａの温度（基準温度）に影響を与えにくくなっている。また、温度センサ２８の温接点２８ｂ間に位置する高抵抗配線２６ｂでは単位長さ当たりの発熱量が大きくて、その回りに急な温度分布を生じさせる。従って、実施例１の導体接合ヒータ２６では、必要な部分では大きな発熱量で発熱させ、不要な部分では発熱量を抑えることができ、それによって発熱効率を向上させることができ、傾斜角の測定感度を高くすることができる。
【００２５】
また、この導体接合ヒータ２６では、抵抗率の異なる導体を接続することによって発熱量を変化させているので、ヒータの線幅を変化させて発熱量を変化させる従来例のように一部の線幅が非常に狭くなったり広くなったりすることがなく、導体接合ヒータ２６が断線する恐れもなく、また導体接合ヒータ２６のパターン設計も容易に行える。
【実施例２】
【００２６】
次に、実施例１と同様の導体接合ヒータ２６を用いた２軸検出型加速度センサの構成について述べる。
【００２７】
（比較例）
実施例２の熱式加速度センサを説明する前に、まず比較例を説明する。図７は比較例の熱式加速度センサを示す平面図である。この熱式加速度センサ３１にあっては、絶縁膜２４の上面に４つの温度センサ２８と導体接合ヒータ２６が設けられている。導体接合ヒータ２６の高抵抗配線２６ｂは均一な太さで角枠状に形成されており、空洞２３の上方の中央部に配置されている。４つの温度センサ２８は、空洞２３の上方の領域と空洞２３の外の領域とを跨ぐようにして、かつ、高抵抗配線２６ｂの各辺に対向させるようにして配置されている。２本の低抵抗配線２６ａは、一直線状となるようにして高抵抗配線２６ｂに接続されており、低抵抗配線２６ａの一方端部が高抵抗配線２６ｂの２箇所の角部に接合されている。低抵抗配線２６ａは対角方向へ導かれており、空洞２３の外側の領域で他端に電極パッド２５a、２５ｂを設けられている。
【００２８】
この熱式加速度センサ３１は、導体接合ヒータ２６に通電すると、低抵抗配線２６ａとの接合部で２つの経路に分かれた高抵抗配線２６ｂには同量の電流が流れて発熱する。よって、角枠状の高抵抗配線２６ｂの対向する辺には等しい電流が流れるため、対向する温度センサ２８どうしの検知温度を比較することにより、図７に示したｘ方向及びｙ方向の２軸で傾斜角を計測することができる。このとき、熱式加速度センサ３１では、実施例１と同様に、導体接合ヒータ２６のうち高抵抗配線２６ｂでは大きな発熱量で発熱させ、低抵抗配線２６ａでは発熱量を抑えることができるため、発熱効率を向上させることができ、傾斜角の測定感度を高くすることができる。
【００２９】
しかしながら、比較例の熱式加速度センサ３１では、次に述べるペルチェ効果により、角枠状の高抵抗配線２６ｂの対向する辺どうしの発熱量が等しくならず、初期オフセット量が大きくなってしまうという問題があることが分かった。
【００３０】
低抵抗配線をＡｌとし、高抵抗配線をＮ型ポリシリコンとした場合を例に挙げてペルチェ効果による発熱と吸熱について説明する。図１０（ａ）に示すように、Ｖ＋側からＶ−側へ導体接合ヒータ２６に電流が流れている場合には、電子の移動方向は図１０（ｂ）に示すように電流とは逆向きになる。高抵抗配線２６ｂにおける電子のエネルギー準位は、低抵抗配線２６ａにおける電子のエネルギー準位よりも高いので、低抵抗配線２６ａから高抵抗配線２６ｂへ移動する電子は、周囲から吸熱して不足分の運動エネルギーを得る。そして、高抵抗配線２６ｂを通過して高抵抗配線２６ｂから低抵抗配線２６ａへ移動する電子は、余分な運動エネルギーを周囲へ放熱する。よって、導体接合ヒータ２６に電流を流したとき、低抵抗配線２６ａと高抵抗配線２６ｂとの接合部分において、一方（吸熱接合部分Ｃ）では吸熱し、他方（発熱接合部分Ｈ）では発熱することになる（ペルチェ効果）。この発熱量及び吸熱量は、いずれも低抵抗配線２６ａと高抵抗配線２６ｂの材料によって決まる固有定数（ペルチェ係数）と導体接合ヒータ２６に流れる電流との積で表わされる。このような発熱や吸熱が存在すると、ヒータの周囲における温度分布が不均一になり、熱式加速度センサの初期オフセットや他軸感度が大きくなる恐れがある。
【００３１】
比較例の熱式加速度センサ３１では、電極パッド２５ａをＶ＋側、２５ｂをＶ−側とすると、角枠状の高抵抗配線２６ｂの左上角が発熱接合部分Ｈ、右下角が吸熱接合部分Ｃとなり、図７における対向する辺のうち上側及び左側辺が、下側及び右側辺よりも温度が高くなってしまっていた。
【００３２】
（実施例２）
図８は本発明の実施例２による２軸検出型の熱式加速度センサ４１の構造を示す平面図である。この熱式加速度センサ４１にあっては、絶縁膜２４の上面に４つの導体接合ヒータ２６から成る導体接合ヒータ群が配置されている。
【００３３】
各導体接合ヒータ２６は、高抵抗配線２６ｂの両端にそれぞれ低抵抗配線２６ａを接合させたものであり、４つの導体接合ヒータ２６は直列に接続されている。各低抵抗配線２６ａはＡｌ等の抵抗率の小さな材料で形成されており、各高抵抗配線２６ｂはポリシリコンやＷ等抵抗率の大きな材料で形成されており、低抵抗配線２６ａと高抵抗配線２６ｂはほぼ同じ線幅と断面積を有している。
【００３４】
各導体接合ヒータ２６の高抵抗配線２６ｂは、空洞２３の上方の領域の中央を中心として点対称（４回回転対称）に配置されている。高抵抗配線２６ｂに接続された各低抵抗配線２６ａは、空洞２３の外側の領域へ向けて対角方向に配線されており、これらもほぼ点対称（４回回転対称）に配置されている。また、両端の低抵抗配線２６ａには、電極パッド２５が設けられている。
【００３５】
なお、上記導体接合ヒータ群は、５本の低抵抗配線２６ａと４本の高抵抗配線２６ｂを交互に接続した１つの導体接合ヒータ２６であるということもできる。
【００３６】
４つの温度センサ２８は、空洞２３の上方の領域と空洞２３の外の領域とを跨ぐようにして、かつ、高抵抗配線２６ｂに対向させるようにして絶縁膜２４の上面に配置されている。温度センサ２８の温接点２８ｂは空洞２３の上方で高抵抗配線２６ｂに対向しており、冷接点２８ａは空洞２３の外側で基板２２の上面の上方に位置している。
【００３７】
しかして、この熱式加速度センサ４１にあっては、導体接合ヒータ群に電流を流すと、主として抵抗値の大きな高抵抗配線２６ｂの部分で発熱する。すなわち、空洞２３の上方に位置する領域の中心部で大きな発熱量を得ることができ、周辺部における発熱量を小さくすることができるので、熱式加速度センサ４１による傾斜角の測定精度を向上させることができる。
【００３８】
さらに、各高抵抗配線２６ｂは、中心軸の回りに点対称に配線されており、しかも、同じ材料によって同じ線幅、同じ断面積、同じ長さとなるように形成されているので、熱式加速度センサ４１が水平状態にある場合には、中心軸の回りにおいて２軸方向で同じ温度分布で発熱させることができ、熱式加速度センサ４１の測定精度をより向上させることができる。また、中心軸の回りで４回回転対称な温度分布を得ることができるので、熱式加速度センサ４１の他軸感度を小さくでき、熱式加速度センサ４１の測定精度をより向上させることができる。
【００３９】
比較例に対し、実施例２の熱式加速度センサ４１では、図９に示すように、隣り合った導体接合ヒータ２６の発熱接合部分Ｈと吸熱接合部分Ｃとを近接させて配置している。さらに、図１１に示すように、隣り合った発熱接合部分Ｈと吸熱接合部分Ｃの表面に絶縁被膜４３を形成したうえで金属製の熱結合部４２で覆っている。従って、発熱接合部分Ｈで発生した熱は、熱結合部４２を伝導して速やかに吸熱接合部分Ｃへ移動し、吸熱接合部分Ｃで吸熱される。こうして発熱接合部分Ｈと吸熱接合部分Ｃとで熱交換させることにより、発熱接合部分Ｈや吸熱接合部分Ｃにおける温度分布を均して中心軸の回りにおける温度分布の変化を小さくすることができる。よって、ペルチェ効果による発熱と吸熱を均して理想的な温度分布に近づけることができ、熱式加速度センサ４１の２方向におけるオフセットをほぼゼロにすることができる。
【００４０】
比較例の熱式加速度センサ３１の試作品と実施例２の熱式加速度センサ４１の試作品を製作し、両者を比較して評価した。その結果、比較例の熱式加速度センサ３１では、初期オフセット量が約９ｍＶであったのに対し、実施例２の熱式加速度センサ４１では、初期オフセット量が約３０μＶしかなく、初期オフセット量が約１／３００となった。また、比較例の熱式加速度センサ３１では、他軸感度が約９％ＦＳあったのに対し、実施例２の熱式加速度センサ４１では、他軸感度が約３％ＦＳしかなく、他軸感度が約１／３となった。よって、実施例２によれば、熱式加速度センサの精度をより向上させることができると共に、導体接合ヒータ２６の中心軸の回りにおける温度分布がより精度良く点対称となっていることが推測される。
【００４１】
上記実施例２では、４つの導体接合ヒータ２６を直列に接続して導体接合ヒータ群を構成したが、図１２に示すように、４つの導体接合ヒータ２６を並列に配置して導体接合ヒータ群を構成し、各導体接合ヒータ２６にそれぞれ別々に電流を流すようにしてもよい。
【００４２】
なお、本発明の導体接合ヒータ（群）は、上記のような傾斜角計測用の熱式加速度センサ３のみならず、フローセンサやガスセンサ、その他ヒータ機能を有する熱式センサに用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】図１は、従来の１軸検出型の熱式加速度センサ（熱式傾斜センサ）の構造を示す平面図である。
【図２】図２は、熱式加速度センサにより傾斜角を計測する原理を説明する図であって、水平状態の熱式加速度センサを表わしている。
【図３】図３は、熱式加速度センサにより傾斜角を計測する原理を説明する図であって、傾いた状態の熱式加速度センサを表わしている。
【図４】ヒータにおける発熱量の大きさを変化させるための方法を説明する図である。
【図５】図５は、本発明の一実施例による１軸検出型の熱式加速度センサの構造を示す平面図である。
【図６】図６は、同上の熱式加速度センサの断面図である。
【図７】図７は、比較例による２軸検出型の熱式加速度センサの構造を示す平面図である。
【図８】図８は、本発明の実施例２による２軸検出型の熱式加速度センサの構造を示す平面図である。
【図９】図９は、同上の熱式加速度センサのヒーター部分を示す平面図である。
【図１０】図１０（ａ）は導体接合ヒータにおける電流の方向と発熱接合部分及び吸熱接合部分を示す模式図、図１０（ｂ）は導体接合ヒータに沿った電子エネルギー準位と電子の移動方向を表わしたエネルギー準位図である。
【図１１】図１１は、熱結合部により覆われた導体接合ヒータの発熱接合部分と吸熱接合部分を示す断面図である。
【図１２】図１２は、４つの導体接合ヒータを並列に配置した導体接合ヒータ群を示す平面図である。
【符号の説明】
【００４４】
２１      熱式加速度センサ
２２      基板
２３      空洞
２４      絶縁膜
２６      導体接合ヒータ
２６ａ      低抵抗配線
２６ｂ      高抵抗配線
２８      温度センサ
２８ａ      冷接点
２８ｂ      温接点
４１      熱式加速度センサ
４２      熱結合部
４３      絶縁被膜
Ｃ      吸熱接合部分
Ｈ      発熱接合部分
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2008224354.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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