(57)【要約】【課題】本発明は、ディスプレイデバイスに関し、特に有機ＥＬ素子を用いた表示パネルを提供する。【解決手段】電極が交差する領域に多数の画素が形成されるダブルスキャン構造の有機ＥＬ素子であって、透明基板と、前記透明基板の上に形成されている第１電極と、前記第１電極と連結されて前記第１電極と一部分が重なるように形成される補助電極と、前記画素上に形成されている第１電極の上に形成される有機発光層と、前記有機発光層の上に前記第１電極と交差するように形成される第２電極とからなることを特徴とする。【選択図】  図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素の中に、第１電極、有機発光層及び第２電極を含む有機ＥＬ表示パネルにおいて、
前記第１電極の第１端部の下に位置し前記第１電極の第１端部と電気的に接続される第１補助電極と、
前記第１電極の第２端部と離れて位置し前記第１電極の第２端部から電気的に絶縁される第２補助電極と、
前記第２補助電極上と、前記第１電極の第１及び第２端部に形成される絶縁膜と
を備えることを特徴とする有機ＥＬ表示パネル。
【請求項２】
前記第１補助電極は、列方向に配列された奇数番号の画素に形成された前記第１電極の第１端部に電気的に接続され、前記第２補助電極は、列方向に配列された偶数番号の画素に形成された前記第１電極の第２端部に電気的に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ素子パネル。
【請求項３】
前記第１又は第２補助電極は、少なくともＣｒ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｃｕの中の１つ、またはそれらの１つ以上の合金からなることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ素子パネル。
【請求項４】
前記第１又は第２補助電極は、少なくとも２つの層からなることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ素子パネル。
【請求項５】
前記第１又は第２補助電極は、１〜１００μｍの幅を持つラインを有することを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ素子パネル。
【請求項６】
前記第１又は第２補助電極は、０．０１〜１０μｍの厚さを有することを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ素子パネル。
【請求項７】
前記絶縁膜は、前記第１電極の発光領域に重複しないことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ素子パネル。
【請求項８】
画素の中に、第１電極、有機発光層及び第２電極を含む有機ＥＬ表示パネルにおいて、
前記第１電極の第１端部の下に位置し前記第１電極の第１端部と電気的に接続される第１補助電極と、
前記第１電極の第２端部の下に位置し前記第１電極の第２端部から電気的に絶縁される第２補助電極と、
前記第２補助電極上に形成される第１絶縁膜と、
前記第１電極の第１及び第２端部に形成される第２絶縁膜と
を備えることを特徴とする有機ＥＬ表示パネル。
【請求項９】
画素の中に、第１電極、有機発光層及び第２電極を含む有機ＥＬ表示パネルにおいて、
少なくとも２つの第１電極を備え、
前記第１電極のいくつかは、列方向に配列された奇数番号の画素に形成されて、第１連結ラインによって電気的に接続され、前記第１電極の残りは、列方向に配列された偶数番号の画素に形成されて、第２連結ラインによって電気的に接続され、
さらに、
前記第１連結ラインと電気的に接続された第１補助電極と、
前記第２連結ラインと電気的に接続された第２補助電極と、
前記第１及び第２補助電極の間が絶縁されるように前記第１及び第２補助電極上に形成された絶縁膜と
を備えることを特徴とする有機ＥＬ表示パネル。
【請求項１０】
前記第１及び第２連結ラインは、ジグザグパターンで作られていることを特徴とする請求項９に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項１１】
前記第１及び第２補助電極は、ジグザグパターンで作られていることを特徴とする請求項９に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項１２】
前記第１及び第２補助電極は、それぞれ前記第１及び第２連結ラインと電気的に接続されるように、前記第１及び第２連結ラインと重複していることを特徴とする請求項９に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項１３】
前記第１及び第２補助電極は、それぞれ前記第１及び第２連結ラインと電気的に接続されるように、前記第１及び第２連結ライン上に形成されていることを特徴とする請求項９に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ディスプレイデバイスに関するもので、特に、有機ＥＬ素子を用いた表示パネルに関する。
【背景技術】
【０００２】
ディスプレイデバイスが更に大型化していくことによって、空間占有率の少ない平板型ディスプレイパネルが注目を浴びている。
特に最近有機ＥＬを用いて平板型ディスプレイパネルを製作する研究が続けられている。
【０００３】
有機ＥＬは駆動方式によってパッシブマトリックスパネルとアクティブマトリックスから分ける。
パッシブマトリックスはスキャン電極ラインとデータ電極ラインとを横縦形態に配置し、行方向と列との交差領域に画素が形成される。
【０００４】
図１は従来技術によるパッシブマトリックス有機ＥＬ構造を示す図である。
図１を参照すると有機ＥＬパネルはスキャン電極とデータ電極が交差する領域に画素が形成される。即ち画素はマトリックス形態に形成されている。
また、スキャン電極とデータ電極が交差する領域に形成される画素で発光するようにスキャン電極に電流を与えるスキャンドライバーとデータ電極に電流を与えるデータドライバーが備えられる。
【０００５】
有機ＥＬパネルを製作する工程を見ると、下側に透明基板を配置し、その透明基板の上に透明電極の第１電極を形成し、その第１電極の上に有機物層を形成し、その有機物層の上に金属化合物を用いる第２電極を形成し、その第２電極の上に保護膜を形成する。
透明基板はガラス素材を用いる。透明基板は伝導性がないのでＩＴＯをその透明基板上にコーティングして伝導性を有する透明電極を形成する。
しかしながら、ＩＴＯは抵抗値が高いので金属補助電極を透明電極の上に形成して用いることが多い。
次に隔壁を形成し、有機ＥＬパネルの全体面に有機物を蒸着して有機物層を形成する。
【０００６】
パッシブマトリックス有機ＥＬ構造では、高解像度のパネルであればあるほど画素数が多くなる。従って、画素を形成するために要求されるスキャン電極のライン数とデータ電極のライン数も多くなる。
ところが、各電極のライン数が多くなると、一つの画素が発光する時間はその分短くなる。
【０００７】
このように各電極のライン数が多くなるほど各画素の単位時間当たり発光時間が短くなるのでこれを克服するためには瞬間輝度をその分高める必要がある。
これを補うための一般的な方法として、二つがあるが、これを図２及び図３に示した。
図２及び図３は従来技術による輝度を高くするように改良したパッシブマトリックス有機ＥＬ構造を示す図である。これらの図は図１のものと９０゜回転させて表示している。したがってデータラインの長手方向が横方向である。
図２は第１電極ストリップを半分に分けた有機ＥＬ構造である。
図２に示すように、第１電極ストリップを二つのストリップに分け、各ストリップを独立に同時にスキャン駆動する。
【０００８】
このように各ストリップ当たりのスキャン数が半減されるのでその分発光時間を長くすることができ発光効率及び素子寿命を良くする。
しかしながら、図２に示す有機ＥＬ構造はデータ電極が図で左右両側に分けられ、データ電極に電流を与えるデータドライバーが両側の全てのストリップに用意しなければならない。従って、コスト増の問題が発する。
【０００９】
図３は第１電極ストリップを行方向方向に分けた有機ＥＬ構造である。
図３に示すように、有機ＥＬ構造は、第１電極ストリップを従来の１本の幅を２本のラインとして使用するもので、スキャン電極を従来のスキャン電極の間隔に比べて２倍の広さに形成することでスキャン数を半分に減らす方式がある。すなわち２つの画素を同時にスキャンする。
図３に示すように、有機ＥＬ構造は、スキャン数を半分に減らしてもデータ電極に電流を与えるデータドライバーを更に備える必要がない。しかしながら、かかる構造は第１電極ラインを分割してあるので開口率が相当低いという問題がある。
【００１０】
従って、図３の有機ＥＬ構造で補助電極用絶縁膜を更に用いて開口率を高めるとよい。しかしながら、その方法は、絶縁膜を形成するための工程が更に必要になるので有機ＥＬ素子のパネルを製造するのにかかる費用が上昇する短所と製造効率が低下されるという短所がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明は、上記従来技術の問題点を解決するためのもので、特に工程が追加されることなく、画面の明るさを決定する開口率を高めることができるようにした有機ＥＬ素子のパネルとその製造方法を提供することが目的である。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するための本発明は、電極が交差する領域に画素が形成されるダブルスキャン構造の有機ＥＬ素子であって、透明基板と、透明基板の上に形成されている第１電極と、第１電極と連結されながら第１電極と一部が重なるように形成される補助電極と、画素に対応させて形成されている第１電極の上に形成される有機発光層と、有機発光層の上に第１電極と交差するように形成される第２電極とからなることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の有機ＥＬ素子のパネルとその製造方法によると、次のような効果がある。
透明電極の第１電極のパターンを予め形成して画素領域の面積を増加させることによって開口率を向上させる。
補助電極を第１電極パターンと所定領域だけ重畳してずれるように形成することで、重畳される領域だけ画素領域の面積を増加させることによって有機ＥＬ素子の開口率を向上させることができる。
【００１４】
また、補助電極を第１電極パターンとずれるように形成することで、上の２次絶縁膜が画素を覆う面積を減らすことができる。それによって２次絶縁膜がずれた部分だけ開口率を向上させることができる。
また、本発明は開口率を高めるために絶縁膜を形成する追加工程が不要であるので有機ＥＬ素子のパネルを製造するのにかかる費用上昇がなく、製造効率の点からも有利である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
本発明の説明に先立って、第１電極はアノードやデータ電極と称し、第２電極はカソードやスキャン電極を称することがあることを理解すべきである。
また、以下の有機ＥＬ素子はダブルスキャン構造であり、基本的には第１電極と第２電極とが交差する領域に画素が形成されるパッシブマトリックス有機ＥＬ素子である。
第１電極は透明基板の上に形成され、また、透明基板の上に形成される補助電極が第１電極と一部分が重畳されるように形成する。その第１電極の上に有機発光層が形成され、第１電極と交差するように有機発光層の上に第２電極が形成される。
以下、本発明による有機ＥＬ素子のパネルおよびその製造方法を詳細に説明する。
【００１６】
図４は本発明の第１実施形態によるダブルスキャン構造の有機ＥＬ素子を示す平面図であり、図５ａないし図５ｃは図４においてＩ−Ｉ’断面の製造工程図を示すものである。
図４に示すように、本発明による有機ＥＬ素子は第１電極５と第２電極（図示せず）とが交差する領域に画素が形成される。
その画素は第１電極５の並びと平行な列方向には画素一つひとつが独立に並んでアレイを成している。一方、行方向では列方向で二つの画素が対とされてアレイに配列されている。
【００１７】
列方向で対とされた二つの画素が行方向に並んだ画素アレイは同時にスキャン駆動される。即ち、一方向に配列された画素アレイにおいて、列方向において奇数番目の画素（基準となるアレイの一つの画素）３ａと偶数番目の画素（その偶数番目の画素と対を成している奇数番目の画素）３ｂが同時にスキャン駆動される。
【００１８】
図示の有機ＥＬ素子は透明基板１の上に一方向で対とされた画素アレイが２本のラインとして配列される。前記したように一方向に一つの画素アレイが配列され、その画素アレイに対して平行に他の画素アレイが配列されて双方のアレイの画素で対とされている。
補助電極２ａ、２ｂは配列された画素アレイに垂直方向に形成される。その際、補助電極２ａ、２ｂは画素アレイの各画素の両側にラインとして形成される。しかしながら、一つの画素は補助電極２ａ、２ｂの両ラインのうちいずれか一つに連結される。
【００１９】
例えば、列方向に奇数番目の画素３ａが一つの補助電極２ａと連結され、その奇数番目の画素３ａと対を成している偶数番目の画素３ｂが他の一つの補助電極２ｂに連結される。
行方向に配列される第１電極５は偶数番目の画素３ａと奇数番目の画素３ｂに対応させてパターニングされ、同時に補助電極２ａ、２ｂのいずれかと連結されるように形成される。
第１電極５の上には有機発光層（図示せず）が形成され、その有機発光層の上に第２電極（図示せず）が形成される。
【００２０】
また、第１電極５のエッジ部分をカバーするように透明基板１の上に絶縁膜４−２が形成される。
第２電極を分離する隔壁６は一方向に配列された各対の画素アレイごとに形成され、対を成している両画素が同時にスキャン駆動されるように対画素アレイを一つの単位として第２電極（図示せず）を電気的に隔離させる。
図４に示す有機ＥＬ素子の製造方法に対して図５ａないし図５ｃを参照して以下説明する。
【００２１】
図５ａに示すように、先ず透明基板１の上に２本のラインで一つのセットとされる補助電極２ａ、２ｂが形成される。その補助電極２ａ、２ｂは行方向に配列された画素アレイに対して垂直な列方向に形成され、対画素アレイの各画素対それぞれの画素に対するラインとなる補助電極２ａ、２ｂが形成される。
列方向に奇数番目の画素３ａの第１電極は一つの補助電極２ａに連結され、その奇数番目の画素３ａと対を成す偶数番目の画素３ｂの第１電極は他の一つの補助電極２ｂに連結される。
【００２２】
図５ｂに示すように、補助電極２ａ、２ｂと電気的に連結されるようにそれぞれの画素に第１電極５を形成する。この時第１電極５は特定の画素に対応しており、一方の補助電極と連結され、他方の補助電極と電気的に絶縁されるように、その補助電極と所定距離（Ａ）の間隔を有して形成される。例えば、図５ｂに示すように、奇数番目の画素アレイの断面で見ると、奇数番目の画素３ａを駆動するための補助電極２ａでない他の補助電極２ｂとは電気的に絶縁されるように‘Ａ’の間隔をおいて第１電極５が形成されている。
また、図５ｃに示すように、第１電極５のエッジ部分をカバーするように透明基板１の上に絶縁膜４−２が形成されている。
【００２３】
次に本発明では透明基板１の上に一方向に対を成して２本のラインとして配列された画素アレイ対が外部のスキャン電極（第２電極）と連結され同時にスキャン駆動されるように各画素アレイごとに隔壁６が一つずつ形成されている。
即ち、画素アレイ対当たり一つずつ隔壁６が形成される。それによって以後形成される第２電極が画素アレイ対単位に電気的に隔離される。
隔壁６が形成された後には第１電極５の上に有機発光層（図示せず）を形成する。
更に最後に第２電極（図示せず）を形成した後、保護膜を形成するためのパシベーション、インキャップシュレーションを経ると素子が完成される。
ここで画素が対を成している画素アレイ対が同時にスキャン駆動されるように、補助電極２ａ、２ｂと交差する方向に画素アレイ（画素アレイ対）ごとに一つの第２電極（図示せず）が連結される。
【００２４】
図６は本発明の第２実施形態によるダブルスキャン構造の有機ＥＬ素子を示す平面図であり、図７ａないし図７ｃは図６においてII−II’断面の製造工程図を示すものである。
図６に示すように、有機ＥＬ素子は図４と同じ構成を有しており、図４の構成と異なる点は２本のラインとして形成される補助電極２ａ、２ｂが列方向の各奇数番目の画素３ａと偶数番目の画素３ｂを独立に制御するように、その補助電極２ａ、２ｂのうち、任意の補助電極２ａ、又は補助電極２ｂの上に絶縁膜４−１を形成する。すなわち、第１電極を大きくし、駆動されることがない他方の補助電極の上まで広がるようにしている。
更に詳細には図７ａないし図７ｃに示すように、奇数番目の画素アレイの断面で見ると、奇数番目の画素３ａの第１電極に連結された補助電極２ａではない他の補助電極２ｂの上に絶縁膜４−１を形成する。
【００２５】
それによって、第１電極５が絶縁膜４−１と所定間隔をおいて形成されても、また、第１電極５が絶縁膜４−１と一部分重畳されて形成されても、図７ｃに示すように、第１電極５が絶縁膜４−１と全部重畳して形成されても、形成された絶縁膜４−１によって第１電極５と補助電極２ｂとは確実に絶縁される。
【００２６】
従って、特定の画素には連結されずに隣接している補助電極２ｂと電気的に絶縁されるように、第１電極５をその補助電極２ｂと所定距離Ａだけ間隔を持たせて形成しなくても良い。
これによって第１電極５が形成される領域を広げることによって画素の開口率を増加させることができる。
図８ａないし図８ｃは本発明のダブルスキャン構造を有する有機ＥＬ素子の他の製造工程度を示したものであり、図９ａないし図９ｃは図８ａないし図８ｃでIII−III’断面の製造工程図を示したものである。
【００２７】
図８ｃに示すように、対として配列された画素アレイで互いに対を成している画素が同時にスキャン駆動されるように形成されると共に、第１電極の部分（５ａ、５ｂ、５ｃ、５ｄ）は一つおきに画素を駆動できるように画素アレイごとに画素の連結部位に形成される。すなわち、第１電極部分５ａと５ｃが一つのラインとされ、第１電極部分５ｂと５ｄが他のラインとなるように、第１電極自体が列方向に分離された２本のラインとして形成される。見方を変えれば、部分５ａ、５ｂが凹凸状、すなわちジグザクのラインに形成され、それらに画素に対応する部分５ｃ、５ｄが交互に連結されているとも言える（図８ａ参照）。
一つの画素アレイ対の図面上上下の画素を構成する部分への連結部位に形成された第１電極部分５ａ、５ｂの上にその第１電極部分５ａ、５ｂと一部分が重畳されるように補助電極２ａ、２ｂが形成される。
また、互いに対を成している画素が同時にスキャン駆動されるように各画素に形成された第１電極部分５ｃ、５ｄの上に有機発光層（図示せず）が形成されている。その有機発光層の上に第１電極と交差するように第２電極（図示せず）が形成される。
【００２８】
一つの画素で画素への連結部位にラインとして形成された第１電極部分５ａ、５ｂは凹凸の形態を有している。すなわち、駆動される画素でない部分では第１電極部分５ａは電極部分５ｃから離れている。それによってラインとして形成させた第１電極分５ａと５ｂは凹凸状態、ジグザクとなっている。
ここで第１電極を幅方向（行方向方向）で二つに分ける時、画素への連結部位に形成される第１電極部分５ａ、５ｂを直線状のストライプパターンに形成すると、隣接する画素対の隔離のために各画素に対応させて形成される第１電極５ｃ、５ｄの面積が減少することによって画素３ａ、３ｂの開口率が劣る。しかしながら、本発明のように一つの画素アレイごとに画素への連結部位に形成された第１電極部分５ａ、５ｂを凹凸形態に形成すると、隣接する画素対の隔離のために各画素に対応させて形成される第１電極部分５ｃ、５ｄの面積を増加させることができる。
【００２９】
また、補助電極２ａ、２ｂは前記で一つの画素毎にラインとして画素への連結部位に形成されている第１電極部分５ａ、５ｂの逆パターンを有する凹凸形態にして、第１電極部分５ａ、５ｂと一部重畳ようにずらして形成する。それにより２次絶縁膜４−２が画素を覆う面積を減らすことができ、開口率を向上させることができる。
第１電極５のエッジ部分をカバーするように透明基板１の上に２次絶縁膜４−２が形成される。
隔壁６は一方向に配列された各画素アレイ対に対して形成され、対を成す画素アレイが同時にスキャン駆動されるように画素アレイ対を一つの単位にして第２電極（図示せず）を電気的に隔離させる。
【００３０】
以上説明したように、本発明では画素アレイ毎に第１電極が一方向に配列された２本のラインに分けて形成されるが、他の実施例として画素アレイ毎に２本のライン以上に分けて形成することもできる。
前記のように構成された有機ＥＬ素子の製造方法に対して以下説明する。
先ず、図８ａ及び図９に示すように、透明基板１の上に第１電極部分５ａ、５ｂ、５ｃ、５ｄを形成する。より詳細には第１電極部分５ａ、５ｂは対に配列される画素アレイで相互に対を成している画素３ａ、３ｂにそれぞれ連結するように、その対を成している画素３ａ、３ｂへの連結部位が凹凸形態を有するように形成し、また、第１電極部分５ｃ、５ｄは対として配列される両画素アレイで相互に対を成す画素３ａ、３ｂが同時にスキャン駆動されるように各画素に形成する。
【００３１】
ラインとして形成されている第１電極の部分５ａが列方向の各奇数番目の画素３ａを制御し、第１電極の部分５ｂが偶数番目の画素３ｂを制御するように透明導電性物質をパターニングして第１電極を形成する。
形成された第１電極のパターン間の間隔ａと第１電極部分５ｂのパターンの幅ｂは工程条件や素子特性に依存することになるので最小の幅と最小の間隔が存在し、普通１０μｍ内外である。
【００３２】
また、８ｂ及び図９ｂに示すように、対に配列される画素アレイで相互に対を成す画素３ａ、３ｂへの連結部位が凹凸形態を有するように形成された第１電極の部分５ａ、５ｂの上に補助電極２ａ、２ｂを形成する。
この時補助電極２ａ、２ｂのパターン幅は抵抗を考慮して１〜１００μｍ程度に形成する。また、補助電極２ａ、２ｂは画素に対応させて形成される第１電極部分５ｃのパターンとの所定間隔ｃと、画素３ａ、３ｂの連結部位に対して凹凸形態を有するように形成された第１電極部分５ａ、５ｂのパターンと一部重なる部分ｄが生成されるようにずれて形成する。
【００３３】
間隔‘ｃ’と重なる部分の‘ｄ’とは装置のアライン公差に依存し、通常１〜２μｍとして第１電極のパターン間の間隔ａと第１電極部分のパターンの幅ｂに比べて遙かに小さい。
次に図８ｃ及び図９ｃに示すように、第１電極５のエッジ部分をカバーするように透明基板１の上に２次絶縁膜４−２を形成する。
【００３４】
図１０は従来技術によるダブルスキャン構造を有する有機ＥＬ素子の製造工程図であって、本発明による図９ｃと比較するとき、画素の開口率が遙かに小さいことが分かる。
図１０に示した従来技術では第１電極の部分５ａ、５ｂのパターンの上に補助電極２ａ、２ｂを形成しており、図９ｃに示す本発明では第１電極の部分５ａ、５ｂのパターンとずれるように補助電極２ａ、２ｂを形成したことが異なる。
本発明のように補助電極２ａ、２ｂを第１電極パターンとずれるように形成することで２次絶縁膜４−２が画素を覆う面積が減って２次絶縁膜がずれるその分開口率を向上させることができる。
【００３５】
図１１ａ及び図１１ｂは本発明による有機ＥＬ素子の製造工程図であり、図１２ａ、図１２ｃは図１１ａ及び図１１ｂでIV−IV’断面の製造工程図を示すものである。
図１１ｂに示すように、本発明による有機ＥＬ素子は第１電極５と第２電極（図示せず）が交差する領域に多数の画素が形成される。
第１電極５は透明基板１の上に多数形成される。
補助電極２は形成された第１電極５に連結されるように、その第１電極５と一部分が重なるように透明基板１の上に形成される。
【００３６】
互いに対を成している画素が同時にスキャン駆動されるように各画素に形成された第１電極５の上に有機発光層（図示せず）が形成される。次にその有機発光層の上に第１電極５と交差するように第２電極（図示せず）が形成される。
また、第１電極５のエッジ部分をカバーするように透明基板１の上に絶縁膜４−２が形成されている。
隔壁６は一方向に配列された各画素アレイ対ごとに形成され、対を成している両画素が同時にスキャン駆動されるように画素アレイ対を単位にして第２電極（図示せず）を電気的に隔離させる。
【００３７】
本発明では補助電極２を、第１電極５パターンと一部重なるように透明基板１の上に形成させることによって、絶縁膜４−２が画素を覆う面積が減って開口率を向上させることができる。
補助電極の材料は導電性の物質を用いて、特にＣｒ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｃｕやこれらの合金及び二つ以上を同時に用いるのも可能である。補助電極の厚さは０．０１〜１０μｍであり、線幅は素子によって異なり形成することができる。
【００３８】
絶縁膜の材料としては無機及び有機絶縁膜のいずれも使用可能であり、無機絶縁膜には酸化系絶縁膜（ｏｘｉｄｅ類、ＳｉＯ２）と窒化系絶縁膜（ｎｉｔｒｉｄｅ類、ＳｉＮｘ）が用いられる。
有機絶縁膜はポリマー（特に、ポリアクリル類、polyimidefb、novolac、polyphenyl、polystylene）が用いられる。また、絶縁膜の厚さは０．０１〜１０μｍであり、可視光線に対して吸光度の低い物質が良い。
また、発光領域内の第１電極の一部分は絶縁膜で覆うべきである。即ち、絶縁膜は第１電極と第２電極の短絡を防止するために工程中にエッジ部分が損傷され易い第１電極のエッジ部分をカバーするように形成する。
最後に第１電極は透明電極であり、第２電極は金属電極である。
【００３９】
以上本発明の好適な一実施形態に対して説明したが、前記実施形態のものに限定されるわけではなく、本発明の技術思想に基づいて種々の変形可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】従来技術によるパッシブマトリックス有機ＥＬ構造を示す図である。
【図２】従来技術によるより補完されたパッシブマトリックス有機ＥＬ構造を示す図である。
【図３】従来技術によるより補完されたパッシブマトリックス有機ＥＬ構造を示す図である。
【図４】本発明の第１実施形態によるダブルスキャン構造の有機ＥＬ素子を示す平面図である。
【図５】図４においてＩ−Ｉ’断面の製造工程図である。
【図６】本発明の第２実施形態によるダブルスキャン構造の有機ＥＬ素子を示す平面図である。
【図７】図６においてII−II’断面の製造工程図である。
【図８ａ】本発明のダブルスキャン構造を有する有機ＥＬ素子の更に他の製造工程図である。
【図８ｂ】本発明のダブルスキャン構造を有する有機ＥＬ素子の更に他の製造工程図である。
【図８ｃ】本発明のダブルスキャン構造を有する有機ＥＬ素子の更に他の製造工程図である。
【図９】図８ａ〜図８ｃにおいてIII−III’断面の製造工程図である。
【図１０】従来技術によるダブルスキャン構造を有する有機ＥＬ素子の製造工程図である。
【図１１】本発明による有機ＥＬ素子の製造工程図である。
【図１２】図１１におけるIV−IV’断面の製造工程図である。
【符号の説明】
【００４１】
１…透明基板、２ａ，２ｂ…補助電極、３ａ…奇数番目の画素、３ｂ…偶数番目の画素、５…第１電極、６…隔壁。
【図１】
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【図２】
2008071770.tif 000004
【図３】
2008071770.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８ａ】
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【図８ｂ】
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【図８ｃ】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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