(57)【要約】【課題】  液浸露光装置において被処理基板の周囲に配置している液浸補助板のパーティクル増加を防ぐことができ、露光欠陥の低減及び露光精度の向上をはかる。【解決手段】  ステージ上に載置された被処理基板１１を液浸露光する際に用いる該基板１１の周囲に配置される液浸補助板１２を洗浄する方法であって、予め定められた露光領域と露光マップに従い液浸領域を移動させたときに形成される液浸補助板１２上の液浸領域接触部と液浸領域非接触部との液浸境界１５を求めておき、液浸境界１５に沿って洗浄冶具を移動させながら液浸補助板１２を洗浄する。【選択図】      図２
2008071891.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ステージ上に載置された被処理基板を液浸露光する際に用いる該基板の周囲に配置される液浸補助板を洗浄する方法であって、
予め定められた露光領域と露光マップに従い液浸領域を移動させたときに形成される前記液浸補助板上の液浸領域接触部と液浸領域非接触部との液浸境界を求めておき、前記液浸境界に沿って洗浄冶具を移動させながら前記液浸補助板を洗浄することを特徴とする液浸補助板の洗浄方法。
【請求項２】
ステージ上に載置された被処理基板の周りに液浸補助板を配置し、予め定められた露光領域と露光マップに従い液浸領域を移動させることにより被処理基板を露光する液浸露光装置において、前記液浸補助板を定期的に洗浄する方法であって、
前記露光のために前記液浸領域を移動させたときに形成される前記液浸補助板上の液浸領域接触部と液浸領域非接触部との液浸境界を抽出する工程と、
前記抽出した液浸境界に基づき洗浄冶具の移動経路を該境界に沿うように決定する工程と、
前記ステージ上に前記被処理基板又はダミー基板を載置し、該基板の周りに前記液浸補助板を配置した状態で、前記移動経路に基づき洗浄冶具を移動させて前記液浸補助板を洗浄する工程と、
を含むことを特徴とする液浸補助板の洗浄方法。
【請求項３】
前記液浸境界は、既に行った露光で用いた露光領域と露光マップで定まる第１の液浸境界のうち、次に露光予定の露光領域と露光マップで定まる第２の液浸境界より内側に位置する液浸境界であることを特徴とする請求項１又は２記載の液浸補助板の洗浄方法。
【請求項４】
ステージ上に載置された被処理基板を液浸露光する際に用いる該基板の周囲に配置される液浸補助板を洗浄する方法であって、
前記ステージ上に前記被処理基板又はダミー基板を載置し、該基板の周りに前記液浸補助板を配置した状態で、前記基板と前記液浸補助板との境界に沿って洗浄治具を移動させ、且つ前記液浸領域の液回収部を前記基板と前記液浸補助具との境界付近に一致させて、前記液浸補助板を洗浄することを特徴とする液浸補助板の洗浄方法。
【請求項５】
被処理基板上にレジスト膜又はレジスト膜とその上の液浸保護膜を形成する工程と、
前記レジスト膜又はレジスト膜及び液浸保護膜が形成された被処理基板を液浸露光装置のステージ上に載置し、かつ該被処理基板の周りに液浸補助板を配置する工程と、
前記ステージ上に載置された被処理基板に対し、前記レジスト膜又は液浸保護膜上に液浸領域を形成すると共に、予め定められた露光領域と露光マップに従い液浸領域を移動させつつ、該液浸領域を介して液浸露光を行う工程と、
前記露光されたレジスト膜の現像を行ってレジストパターンを形成する工程と、
を含むパターン形成方法であって、
前記液浸露光を行う工程に先立ち、前記液浸補助板を請求項１乃至４の何れかに記載の液浸補助板の洗浄方法により洗浄することを特徴とするパターン形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液浸露光の際に被処理基板の周囲に配置される液浸補助板を洗浄するための液浸補助板の洗浄方法と、この方法により洗浄された液浸補助板を用いて液浸露光によりパターンを形成するためのパターン形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液浸露光技術の一つとして、局所的に液浸領域を形成し、それを被処理基板上で移動させながら液浸領域を介して液浸露光を行う手法がある。この手法では、被処理基板の外周部を露光するために基板を搭載する基板チャックとその周囲に基板と同じ高さに設置された液浸補助板を配置し、被処理基板の周辺に対する露光時も液浸領域を維持できるようにしている。
【０００３】
ところで、液浸補助板の洗浄は概ね全面に対して行われていた。しかし、洗浄の仕方によっては異物を広げたり、異物を除去しきれなかったりするなど、パーティクル除去がきちんと行われないという問題があった。また、液浸補助板の全体を洗浄するために、洗浄に多くの時間を要するという問題もあった（例えば、特許文献１，２，３参照）。
【０００４】
なお、液浸領域は露光領域より大きく形成されており、露光動作により液浸領域が通過接触する領域では液浸領域自身でその領域が洗浄されるためパーティクルは生じにくいが、液浸領域が全く接触しない液浸領域の縁ではパーティクルが発生しやすい。液浸領域接触部と液浸領域非接触部の境界である液浸境界は露光領域や露光マップに依存して変化するため、異なる露光領域や露光マップで基板の露光を行う場合、それぞれの境界領域がずれる。そして、既に行った露光による液浸境界（第１の液浸境界）が次に行う露光の際の液浸境界（第２の液浸境界）より内側に来る場合には、次に行う露光の際に第１の液浸境界に残留したパーティクルを巻き込み、露光特性に影響を与えたり、被処理基板上でパーティクルが増加したりするなどの問題が生じていた。
【特許文献１】特開２００５−７９２２２号公報
【特許文献２】特開２００６−４９５７５号公報
【特許文献３】特開２００６−１３４９９９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
このように従来の液浸露光装置においては、被処理基板の周囲に配置している液浸補助板にパーティクルが発生し、これが露光欠陥や露光精度の低下を招く要因となっていた。
【０００６】
本発明は、上記事情を考慮してなされたもので、その目的とするところは、液浸露光装置において被処理基板の周囲に配置している液浸補助板のパーティクル増加を防ぐことができ、露光欠陥の低減及び露光精度の向上をはかり得る液浸補助板の洗浄方法及びパターン形成方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために本発明は、次のような構成を採用している。
【０００８】
即ち、本発明の一態様は、ステージ上に載置された被処理基板を液浸露光する際に用いる該基板の周囲に配置される液浸補助板を洗浄する方法であって、予め定められた露光領域と露光マップに従い液浸領域を移動させたときに形成される前記液浸補助板上の液浸領域接触部と液浸領域非接触部との液浸境界を求めておき、前記液浸境界に沿って洗浄冶具を移動させながら前記液浸補助板を洗浄することを特徴とする。
【０００９】
また、本発明の別の一態様は、ステージ上に載置された被処理基板の周りに液浸補助板を配置し、予め定められた露光領域と露光マップに従い液浸領域を移動させることにより被処理基板を露光する液浸露光装置において、前記液浸補助板を定期的に洗浄する方法であって、前記露光のために前記液浸領域を移動させたときに形成される前記液浸補助板上の液浸領域接触部と液浸領域非接触部との液浸境界を抽出する工程と、前記抽出した液浸境界に基づき洗浄冶具の移動経路を該境界に沿うように決定する工程と、前記ステージ上に前記被処理基板又はダミー基板を載置し、該基板の周りに前記液浸補助板を配置した状態で、前記移動経路に基づき洗浄冶具を移動させて前記液浸補助板を洗浄する工程と、を含むことを特徴とする。
【００１０】
また、本発明の別の一態様は、ステージ上に載置された被処理基板を液浸露光する際に用いる該基板の周囲に配置される液浸補助板を洗浄する方法であって、前記ステージ上に前記被処理基板又はダミー基板を載置し、該基板の周りに前記液浸補助板を配置した状態で、前記基板と前記液浸補助板との境界に沿って洗浄治具を移動させ、且つ前記液浸領域の液回収部を前記基板と前記液浸補助具との境界付近に一致させて、前記液浸補助板を洗浄することを特徴とする。
【００１１】
また、本発明の別の一態様は、被処理基板上にレジスト膜又はレジスト膜とその上の液浸保護膜を形成する工程と、前記レジスト膜又はレジスト膜及び液浸保護膜が形成された被処理基板を液浸露光装置のステージ上に載置し、かつ該被処理基板の周りに液浸補助板を配置する工程と、前記ステージ上に載置された被処理基板に対し、前記レジスト膜又は液浸保護膜上に液浸領域を形成すると共に、予め定められた露光領域と露光マップに従い液浸領域を移動させつつ、該液浸領域を介して液浸露光を行う工程と、前記露光されたレジスト膜の現像を行ってレジストパターンを形成する工程と、を含むパターン形成方法であって、前記液浸露光を行う工程に先立ち、前記液浸補助板を請求項１乃至４の何れかに記載の液浸補助板の洗浄方法により洗浄することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、液浸補助板上の液浸領域接触部と液浸領域非接触部との液浸境界に沿って洗浄冶具を移動させながら液浸補助板を洗浄することにより、液浸露光装置において被処理基板の周囲に配置している液浸補助板のパーティクル増加を防ぐことができ、露光欠陥の低減及び露光精度の向上をはかることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の詳細を図示の実施形態によって説明する。
【００１４】
（第１の実施形態）
図１は、液浸露光方法で露光を実施中の被処理基板に対する上面説明図である。液浸露光ステージ上（被処理基板下に設置）には被露光基板としての被処理基板１１が保持されている。被処理基板１１の外周部を露光するときには液浸領域が基板外にはみ出すため、基板外で液浸領域が乱れないように液浸補助板１２が、被処理基板１１の周辺に配置されている。
【００１５】
ここで、露光ステージが処理基板１１よりも大径の場合は、液浸補助板１２を露光ステージ上に配置すればよい。また、露光ステージが被処理基板１１よりも小径の場合は、露光ステージ上ではなく、被処理基板１１及び露光ステージの周囲に液浸補助ステージとして配置すればよい。
【００１６】
図１は、被処理基板１１の外周部露光領域を露光しているときの模式図でもある。図中の円１３で囲まれた斜線領域が液浸領域であり、その中の一点鎖線で囲まれた四角い領域１４が露光領域である。この露光領域１４の露光を行うときに液浸領域１３は被処理基板１１の外側にはみ出すが、液浸補助板１２上にはみ出した液浸領域１３があるため、液浸領域１３から液浸液が流れ出すことはない。
【００１７】
図２は、１枚の被処理基板１１の矩形の露光領域１４を配した露光マップ（一点鎖線）に基づき、円形の液浸領域１３を介して露光したときに、液浸領域１３が少なくとも一度接触する部分を示した図であり、液浸補助板１２上の点線部分１５が液浸領域接触部１６と液浸領域非接触部１７の液浸境界になる。
【００１８】
本実施形態が解決する部位はこの液浸境界１５の領域であり、この領域で液浸液に含まれる微量イオンやパーティクルが析出してダスト源になっていた。
【００１９】
図３は、異なるパターンの液浸露光の際における、それぞれの液浸境界及び洗浄を要する部分を示す図である。
【００２０】
図３中の点線で示した液浸境界２１は前の被処理基板の露光（第１の露光）時のものである。次の被処理基板の露光（第２の露光）では露光マップと露光領域を変更したため一点鎖線で示した液浸境界２２になることが分かっているものとする。ここで、２つの領域を比較すると第２の露光の液浸境界２２が、第１の露光の液浸境界２１より被処理基板１１に対して外側になる部分がある。従って、そのまま第２の露光を行うと、この部分では第１の露光の液浸境界２１に形成されたパーティクルや析出物などを液浸領域１３が巻き込み、露光時の像質を劣化させるという問題があった。
【００２１】
そこで本実施形態では、第２の露光に先立ち、第１の露光が終了した段階で第２の露光の液浸境界２２が、第１の露光の液浸境界２１より被処理基板１１に対して外側になる部分を抽出し、これを洗浄領域２３，２４とした。なお、洗浄領域２３から２４へ移動する経路、２４から２３へ移動する経路は、後述する図５に示すように、第２の露光の液浸境界２２を洗浄する経路として反時計回りで数周洗浄冶具を移動させるように経路を決定した（二点鎖線）。また、これらの経路を移動させることで被処理基板１１と対向した液浸補助板１２のエッジ部分の洗浄も行うことができるように経路の最適化をしている。
【００２２】
図４は、本実施形態に用いた液浸露光装置の詳細を説明するためのもので、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ｂ断面図である。液浸領域は、露光レンズ４１を囲むように配置された液浸領域形成治具４２で液浸液４３を保持して形成されている。液浸液４３は液浸領域形成冶具４２の図示されない液浸液供給部から供給され、液浸領域形成冶具４２の下部に設けた液浸液吸引排水部４４から排水されている。なお、ここで用いた液浸領域の基板表面での液浸液の流れは、液浸領域の概ね中心から外周に向けた流れに調整している。
【００２３】
図５は、この液浸露光装置を用いた液浸境界の洗浄方法について示したものである。液浸領域は、図４で示した液浸領域形成冶具４２を用いて形成している。
【００２４】
洗浄のための液浸領域５１の中心が、図５中の二点鎖線５２を矢印で示す方向に反時計回りに移動するように制御する。これにより、第１の露光の液浸境界２１に残留しているパーティクルや析出物を液浸領域５１の排水口から廃棄すると共に、なお残留するパーティクルや析出物を第２の露光の液浸境界２２よりも外側に輸送することができた。また、両領域間の移動においても第１の露光の液浸境界２１のパーティクルや析出物が第２の露光の液浸領域２２に侵入しないよう液浸領域の液流れを意識した移動を行った。
【００２５】
なお、本実施形態では液浸露光装置自体を洗浄冶具として用いたが、これに限らず、専用の洗浄冶具を用意して同様の処理を行っても以下に記すような同等の効果を得ることができた。また、移動経路もこれに限るものではなく本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更して用いることができる。
【００２６】
これらの処理を行わない液浸補助板１２を用いた場合には、被処理基板１１上のパーティクルは１２０〜２５０個／ｗａｆで、パーティクルのサイズも大きいものが多く、特に外周部分に多く観察されていた。しかし、本実施形態により２０個／ｗａｆ以下で、パーティクルサイズも小さいものに抑えることができ、特異的な分布もなくなった。本手法で洗浄した液浸補助板１２を用いて液浸露光して作製したレジストパターンの欠陥評価においても、パターン揺らぎやパターン変形などのパーティクル起因の欠陥が大幅に減少し、処理をしない場合と比べて１／１０から１／５０程度まで低減できた。
【００２７】
本実施形態では、液浸領域として円形のものを用いたがこれに限らず、矩形、楕円形など他の形状のものであってもよい。液の流れが液浸領域中心から外周に向けたものを用いたがこれに限らず、一方向の流れをもったものでもよい。パーティクルの排出方向に応じて流れの変更を適宜行えばよい。液浸領域の大きさもこれに限るものではない。
【００２８】
液浸補助板の洗浄で用いる液浸液は、汚染物が水溶性のものである場合は純水、酸に溶解するものであれば酸性溶液、アルカリに溶解するものであればアルカリ溶液、有機物である場合はオゾン水、電荷を有するパーティクルである場合は炭酸水又は水素水などが好ましい。これらを混合して用いても良い。例えば、酸に溶解する物質と電荷を有するパーティクルが存在する場合には、酸性溶液と水素水を混合して用いてもよい。また、例えばアルカリに溶解するものと有機物が混在する場合であれば、アルカリ溶液とオゾン水を混合してもよい。薬液が互いに反応する場合には順次供給しても良い。例えば、電荷を有するパーティクルと有機物が混在する場合には、オゾン水で洗浄した後、水素水で洗浄する若しくは水素水で洗浄した後オゾン水で洗浄すればよい。これらの何れの手法においても、パーティクルや異物が減少するという効果が確認された。
【００２９】
このように本実施形態によれば、第１の露光による液浸境界２１において、第２の露光による液浸境界２２よりも被処理基板１１に対して内側に位置する部分を洗浄することにより、第１の露光において液浸補助板１２に発生したパーティクルや析出物が第２の露光において悪影響を及ぼすことを未然に防止できる。また、第１の露光による液浸境界２１に対し洗浄液の移動方向を処理基板１１に対して外側方向としているので、第１の露光の液浸境界２１のパーティクルや析出物が第２の露光の液浸領域２２に侵入するのを確実に防止することができる。また、本実施形態によれば第２の露光においてパーティクルや析出物を巻き込む可能性のある領域を抽出して洗浄することから、補助板全面を洗浄する場合と比べて短時間で、かつ精度良く洗浄を行うことができる。
【００３０】
従って本実施形態によれば、液浸露光装置において被処理基板の周囲に配置している液浸補助板のパーティクル増加を防ぐことができ、露光欠陥の低減及び露光精度の向上をはかることができる。
【００３１】
（第２の実施形態）
本実施形態は、液浸補助板のエッジ部分の汚れを洗浄する手法に関する。図６に示すように露光ステージ上に被処理基板１１の代わりに洗浄用基板（ダミー基板）６１を配置したのち、液浸領域５１を形成している洗浄治具の液排水部を洗浄用基板６１と液浸補助板１２との境界に概ね一致させるように洗浄治具をセットする。なお、洗浄治具は液浸露光装置自体であってもよい、専用の治具であってもよい。
【００３２】
洗浄治具を、位置Ａ→Ｂ→Ｃ→Ｄの順に反時計回りに連続的に移動させる。洗浄液の流れは液浸領域５１の中心から外周に向けたものである。そして、洗浄液を洗浄用基板６１と液浸補助板１２との境界を通しながら液浸補助板１２の縁とその近傍の洗浄を行う。
【００３３】
境界を通過した洗浄液は、図７（ａ）の断面図に示すように、境界の下に配置した排水溝６２から排水される。また、図７（ｂ）に示すように、液浸領域形成治具４２の液浸液吸引排水部４４から排水するようにしてもよい。これにより、液浸補助板１２の洗浄を行うことができる。特に、液浸補助板１２のエッジ部分の汚れ（パーティクルや析出物）１８を効率良く除去することができる。そして、液浸領域５１を境界に沿って少なくとも一周分移動させることで、液浸補助板１２のエッジ部分全体を洗浄することができる。
【００３４】
ここで、洗浄治具の液排水部４４を洗浄用基板６１と液浸補助板１２との境界に概ね一致させるように配置することで、エッジ部の汚染物質が液浸補助板１２のエッジ周辺部、液浸領域５１を形成している冶具の何れも汚染させることなく効率良く廃棄できる。
【００３５】
本実施形態では、液浸領域５１を洗浄用基板６１上に配置して洗浄を行ったがこれに限るものではない。液浸補助板１２上に液浸領域５１を配置し、液浸領域５１の排水部を洗浄用基板と液浸補助板の境界に概ね一致させるように配置して、同様の洗浄を行っても良い。
【００３６】
これらの処理を行わない液浸補助板１２を用いた場合には外周部分に多くのパーティクルが観察されていたが、本実施形態のようにすることで特異的な分布もなくなった。本実施形態で洗浄した液浸補助板１２を用いて液浸露光して作製したレジストパターンの欠陥評価においても、パターン揺らぎやパターン変形などのパーティクル起因の欠陥が大幅に減少し、処理をしない場合と比べて低減できた。
【００３７】
本実施形態では、液浸領域として円形のものを用いたがこれに限らず、矩形、楕円形など他の形状のものであってもよい。液の流れが液浸領域中心から外周にむけたものを用いたがこれに限らず、一方向の流れをもったものでもよい。要は、液浸領域の洗浄液が洗浄用基板と液浸補助板１２との境界に向けて流れるようにすればよい。また、洗浄液に関しては先の第１の実施形態で説明したのと同様の変形が可能である。
【００３８】
このように本実施形態によれば、洗浄のための液浸領域５１の排水部を、洗浄用基板６１と液浸補助板１２との境界に概ね一致させるように洗浄治具をセットし、洗浄液の流れが境界に向かい、洗浄液がこの境界部分から排水されるようにしているので、液浸補助板１２のエッジ部分の汚れ１８を効果的に洗浄することができる。このため、液浸露光装置において被処理基板の周囲に配置している液浸補助板のパーティクル増加を防ぐことができ、露光欠陥の低減及び露光精度の向上をはかることができる。
【００３９】
（変形例）
なお、本発明は上述した各実施形態に限定されるものではない。洗浄治具の構造は前記図５に示したものに何ら限定されるものではなく、仕様に応じて適宜変更可能である。また、洗浄の時期としては通常は、複数枚の被処理基板に対する第１の露光が終了し、複数枚の被処理基板に対する第２の露光を開始する前に行えばよい。但し、これに限らず、液浸補助板上のパーティクルや析出物が露光に影響を及ぼすと考えられる場合に適宜洗浄を行うようにしてもよい。
【００４０】
また、洗浄液の種類や流量等の条件は、仕様に応じて適宜変更可能である。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施することができる。
【００４１】
（まとめ）
以上説明したように本発明は、請求項１〜５に記載したことを特徴とするが、それ以外に次の点を特徴としている。
【００４２】
（１）  請求項１において、液浸領域接触部は、１枚の基板を露光する際に少なくとも一度液浸領域が接触する領域である
（２）  請求項１において、液浸領域接触部は、複数の基板を露光する際に少なくとも一度液が接触する領域である。
【００４３】
（３）  請求項１において、液浸境界の洗浄と同時に基板に隣接する液浸補助板のエッジの洗浄を行う。
【００４４】
（４）  （３）において、洗浄は、液浸境界と、基板に隣接する液浸補助板のエッジを跨ぐように液浸冶具を配置して行う
（５）  （３）において、洗浄は、液浸領域接触部から液浸補助板のエッジにむけて洗浄液を流して行う。
【００４５】
（６）  請求項１において、洗浄は、液浸領域接触部から液浸領域非接触部にむけて洗浄液を流して行う。
【００４６】
（７）  請求項１において、液浸冶具は、液浸領域を形成するのに用いる冶具と同じ冶具である。
【００４７】
（８）  請求項２において、移動経路決定工程における洗浄冶具の移動経路は、少なくとも洗浄冶具の移動前方の液浸境界において、液浸領域接触領域から液浸領域非接触領域にむけて洗浄液が流れるように決定される。
【００４８】
（９）  請求項２において、移動経路決定工程における洗浄冶具の移動経路は、少なくとも洗浄冶具の移動前方の液浸境界において、液浸領域接触領域から液浸領域非接触領域にむけて洗浄液が流れ、且つ液浸補助板エッジ部分で液浸領域接触領域から液浸補助板エッジに向けて洗浄液が流れるように決定される。
【００４９】
（10）  請求項２において、洗浄工程では、洗浄冶具の移動前方の液浸境界において、液浸領域接触領域から液浸領域非接触領域にむけて洗浄液が流れるよう洗浄冶具の洗浄液制御が行われる。
【００５０】
（11）  請求項２において、移動経路で洗浄冶具を移動させたときに、洗浄冶具が液浸補助板から露光ステージ側にはみ出すかどうかを判断する工程と、この判断ではみ出すと判断した場合に、露光ステージに前記洗浄に先立ち基板を露光ステージに保持させる。
【００５１】
（12）  請求項４において、洗浄は液浸領域の基板と液浸補助板の隙間に対して液浸領域から液を供給して行う。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】液浸露光方法で露光を実施中の被処理基板、液浸補助板、露光領域、及び液浸領域の関係を示す平面図。
【図２】露光領域と露光マップに従い露光したときに予測される液浸領域境界の様子を示す平面図。
【図３】異なるパターンの液浸露光の際における、それぞれの液浸境界及び洗浄を要する部分を示す平面図。
【図４】第１の実施形態に使用した液浸露光装置（洗浄装置）の概略構成を示す断面図。
【図５】第１の実施形態を説明するためのもので、洗浄経路と液浸領域境界を示す平面図。
【図６】第２の実施形態を説明するためのもので、洗浄用基板上に液浸領域（洗浄冶具）を配置して液浸補助板のエッジ部の洗浄を行う様子を示す平面図。
【図７】第２の実施形態を説明するためのもので、洗浄液の排出機構を示す断面図。
【符号の説明】
【００５３】
１１…被処理基板（被処理基板）
１２…液浸補助板
１３…露光のための液浸領域
１４…露光領域
１５…液浸境界
１６…液浸領域接触部
１７…液浸領域非接触部
１８…液浸補助板のエッジ部分の汚れ
２１…第１の液浸境界
２２…第２の液浸境界
２３，２４…洗浄領域
４１…露光レンズ
４２…液浸領域形成治具
４３…液浸液
４４…液浸液排水部
５１…洗浄のための液浸領域
６１…洗浄用基板（ダミー基板）
【図１】
2008071891.tif 000003
【図２】
2008071891.tif 000004
【図３】
2008071891.tif 000005
【図４】
2008071891.tif 000006
【図５】
2008071891.tif 000007
【図６】
2008071891.tif 000008
【図７】
2008071891.tif 000009
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月27日(2007.11.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液浸露光に供される被処理基板の周囲に配置される液浸補助板を洗浄する液浸補助板を洗浄する方法であって、
予め定められた露光領域と露光マップに従い液浸領域を移動させたときに形成される前記液浸補助板上の液浸領域接触部と液浸領域非接触部との液浸境界を求めておき、前記求めた前記液浸境界に沿って洗浄冶具を移動させながら前記液浸補助板上の前記液浸境界の少なくとも一部を洗浄することを特徴とする液浸補助板の洗浄方法。
【請求項２】
ステージ上に載置された被処理基板の周りに液浸補助板を配置し、予め定められた露光領域と露光マップに従い液浸領域を移動させることにより被処理基板を露光する液浸露光装置において、前記液浸補助板を定期的に洗浄する方法であって、
前記露光のために前記液浸領域を移動させたときに形成される前記液浸補助板上の液浸領域接触部と液浸領域非接触部との液浸境界を抽出する工程と、
前記抽出した液浸境界に基づき洗浄冶具の移動経路を該境界に沿うように決定する工程と、
前記ステージ上に前記被処理基板又はダミー基板を載置し、該基板の周りに前記液浸補助板を配置した状態で、前記移動経路に基づき洗浄冶具を移動させて前記液浸補助板を洗浄する工程と、
を含むことを特徴とする液浸補助板の洗浄方法。
【請求項３】
ステージ上に載置された被処理基板の周りに液浸補助板を配置し、予め定められた露光領域と露光マップに従い液浸領域を移動させることにより被処理基板を露光する液浸露光方法であって、
前記液浸補助板を定期的に洗浄するために、
前記露光のために前記液浸領域を移動させたときに形成される前記液浸補助板上の液浸領域接触部と液浸領域非接触部との液浸境界を抽出する工程と、
前記抽出した液浸境界に基づき洗浄冶具の移動経路を該境界に沿うように決定する工程と、
前記ステージ上に前記被処理基板又はダミー基板を載置し、該基板の周りに前記液浸補助板を配置した状態で、前記移動経路に基づき洗浄冶具を移動させて前記液浸補助板上の前記液浸境界の少なくとも一部を洗浄する工程と、
を含むことを特徴とする液浸露光方法。
【請求項４】
ステージ上に載置され液浸露光に供される被処理基板の周りに配置される液浸補助板を洗浄する方法であって、
前記ステージ上に前記被処理基板又はダミー基板を載置し、前記被処理基板又はダミー基板の周りに前記液浸補助板を配置した状態で、前記被処理基板又はダミー基板と前記液浸補助板との境界に沿って洗浄治具を移動させつつ前記境界を含む領域に洗浄液を流し、且つ前記洗浄治具の洗浄液回収部を前記被処理基板又はダミー基板と前記液浸補助板との境界付近に一致させて、前記液浸補助板を洗浄することを特徴とする液浸補助板の洗浄方法。
【請求項５】
被処理基板上に、レジスト膜又はレジスト膜とその上の液浸保護膜からなるレジスト層を形成する工程と、
前記レジスト層が形成された被処理基板を液浸露光装置のステージ上に載置し、かつ該被処理基板の周りに液浸補助板を配置する工程と、
予め定められた露光領域と露光マップに従い液浸領域を移動させたときに形成される、前記液浸補助板上の液浸領域接触部と液浸領域非接触部との液浸境界を求める工程と、
前記求めた前記液浸境界に沿って洗浄冶具を移動させながら、前記液浸補助板上の前記液浸境界の少なくとも一部を洗浄する工程と、
前記液浸補助板の洗浄後に、前記ステージ上に載置された被処理基板に対し、前記レジスト層上に液浸領域を形成すると共に、予め定められた露光領域と露光マップに従い液浸領域を移動させつつ、該液浸領域を介して液浸露光を行う工程と、
前記露光されたレジスト層の現像を行ってレジストパターンを形成する工程と、
を含むことを特徴とするパターン形成方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、液浸露光の際に被処理基板の周囲に配置される液浸補助板を洗浄するための液浸補助板の洗浄方法と、この方法により洗浄された液浸補助板を用いて液浸露光を行う液浸露光方法、更には液浸露光によりパターンを形成するためのパターン形成方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は、上記事情を考慮してなされたもので、その目的とするところは、液浸露光装置において被処理基板の周囲に配置している液浸補助板のパーティクル増加を防ぐことができ、露光欠陥の低減及び露光精度の向上をはかり得る液浸補助板の洗浄方法と液浸露光方法及びパターン形成方法を提供することにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
即ち、本発明の一態様は、液浸露光に供される被処理基板の周囲に配置される液浸補助板を洗浄する方法であって、予め定められた露光領域と露光マップに従い液浸領域を移動させたときに形成される前記液浸補助板上の液浸領域接触部と液浸領域非接触部との液浸境界を求めておき、前記求めた前記液浸境界に沿って洗浄冶具を移動させながら前記液浸補助板上の前記液浸境界の少なくとも一部をを洗浄することを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、本発明の別の一態様は、ステージ上に載置された被処理基板の周りに液浸補助板を配置し、予め定められた露光領域と露光マップに従い液浸領域を移動させることにより被処理基板を露光する液浸露光方法であって、
前記液浸補助板を定期的に洗浄するために、
前記露光のために前記液浸領域を移動させたときに形成される前記液浸補助板上の液浸領域接触部と液浸領域非接触部との液浸境界を抽出する工程と、
前記抽出した液浸境界に基づき洗浄冶具の移動経路を該境界に沿うように決定する工程と、
前記ステージ上に前記被処理基板又はダミー基板を載置し、該基板の周りに前記液浸補助板を配置した状態で、前記移動経路に基づき洗浄冶具を移動させて前記液浸補助板上の前記液浸境界の少なくとも一部を洗浄する工程と、
を含むことを特徴とする液浸露光方法。
また、本発明の別の一態様は、ステージ上に載置され液浸露光に供される被処理基板の周りに配置される液浸補助板を洗浄する方法であって、前記ステージ上に前記被処理基板又はダミー基板を載置し、前記被処理基板又はダミー基板の周りに前記液浸補助板を配置した状態で、前記被処理基板又はダミー基板と前記液浸補助板との境界に沿って洗浄治具を移動させつつ前記境界を含む領域に洗浄液を流し、且つ前記洗浄治具の洗浄液液回収部を前記被処理基板又はダミー基板と前記液浸補助具との境界付近に一致させて、前記液浸補助板を洗浄することを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、本発明の別の一態様は、被処理基板上にレジスト膜又はレジスト膜とその上の液浸保護膜からなるレジスト層を形成する工程と、前記レジスト層が形成された被処理基板を液浸露光装置のステージ上に載置し、かつ該被処理基板の周りに液浸補助板を配置する工程と、予め定められた露光領域と露光マップに従い液浸領域を移動させたときに形成される、前記液浸補助板上の液浸領域接触部と液浸領域非接触部との液浸境界を求める工程と、前記求めた前記液浸境界に沿って洗浄冶具を移動させながら、前記液浸補助板上の前記液浸境界の少なくとも一部を洗浄する工程と、前記液浸補助板の洗浄後に、前記ステージ上に載置された被処理基板に対し、前記レジスト層上に液浸領域を形成すると共に、予め定められた露光領域と露光マップに従い液浸領域を移動させつつ、該液浸領域を介して液浸露光を行う工程と、前記露光されたレジスト層の現像を行ってレジストパターンを形成する工程と、を含むことを特徴とする。