(57)【要約】【課題】確実に光ファイバの端面を位置決めでき、不良品となることを防いで光デバイスを製造する際の歩留まりを向上できる光デバイスおよび光デバイスの製造方法を提供する。【解決手段】基板１１には、光素子アレイ２０と光ファイバ７０の端面１０Ｔとの間の位置に、光素子アレイ２０に平行になるように先行形成溝４００，７００が設けられ、しかも先行形成溝の一部を含む領域を光素子アレイ２０に平行になるようにスリット３５が設けられることで、基板１１の搭載面２２から下がる傾斜面５００が光素子アレイ２０側から光ファイバ７０の端面１０Ｔ側に形成されており、傾斜面５００に続くスリット３５の内壁３６は、光ファイバ７０の端面１０Ｔを突き当てて位置決めする突き当たり部分６００である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の光ファイバからなる多心光ファイバと、
複数の光素子をアレイ状に配置した光素子アレイと、
前記光素子アレイを搭載している搭載面を有しており、前記搭載面には、前記多心光ファイバの各前記光ファイバの端面を前記各光素子に対応するように位置決めして前記多心光ファイバの各光ファイバの端面と前記各光素子とを光結合するためのＶ溝を有する基板と、を備え、
前記基板には、前記光素子アレイと前記光ファイバの前記端面との間の位置に、前記光素子アレイに平行になるように先行形成溝が設けられ、しかも前記先行形成溝の一部を含む領域を前記光素子アレイに平行になるようにスリットが設けられることで、前記基板の前記搭載面から下がる傾斜面が前記光素子アレイ側から前記光ファイバの端面側に形成されており、
前記傾斜面に続く前記スリットの内壁は、前記光ファイバの前記端面を突き当てて位置決めする突き当たり部分であることを特徴とする光デバイス。
【請求項２】
前記先行形成溝はＶ型の断面を有しており、前記スリットは矩形断面を有していることを特徴とする請求項１に記載の光デバイス。
【請求項３】
前記先行形成溝は台形の断面を有しており、前記スリットは矩形断面を有しており、前記傾斜面に連続して前記基板の前記搭載面と平行な平坦面を有していることを特徴とする請求項１に記載の光デバイス。
【請求項４】
前記突き当たり部分の前記光ファイバの長手方向と直交する方向に沿った高さＧは、６μｍ以上であることを特徴とする請求項２または請求項３に記載の光デバイス。
【請求項５】
前記傾斜面の前記光ファイバの長手方向に沿った距離Ｗは、前記光ファイバの前記端面と前記光素子アレイのレーザ光射出面との間の距離であることを特徴とする請求項４に記載の光デバイス。
【請求項６】
複数の光ファイバからなる多心光ファイバと、
複数の光素子をアレイ状に配置した光素子アレイと、
前記光素子アレイを搭載している搭載面を有しており、前記搭載面には、前記多心光ファイバの各前記光ファイバの端面を前記各光素子に対応するように位置決めして前記多心光ファイバの各光ファイバの端面と前記各光素子とを光結合するためのＶ溝を有する基板と、を備える光デバイスを製造する光デバイスの製造方法において、
前記基板には、前記光素子アレイと前記光ファイバの前記端面との間の位置に、前記光素子アレイに平行になるように先行形成溝を設け、
前記先行形成溝の一部を含む領域を前記光素子アレイに平行になるようにスリットが設けて、
前記基板の前記搭載面から下がる傾斜面を、前記光素子アレイ側から前記光ファイバの端面側に形成し、
前記傾斜面に続く前記スリットの内壁は、前記光ファイバの前記端面を突き当てて位置決めする突き当たり部分として形成することを特徴とする光デバイスの製造方法。
【請求項７】
前記先行形成溝はＶ型の断面を有しており、前記スリットは矩形断面を有していることを特徴とする請求項６に記載の光デバイス。
【請求項８】
前記先行形成溝は台形の断面を有しており、前記スリットは矩形断面を有しており、前記傾斜面に連続して前記基板の前記搭載面と平行な平坦面を有していることを特徴とする請求項７に記載の光デバイスの製造方法。
【請求項９】
前記突き当たり部分の前記光ファイバの長手方向と直交する方向に沿った高さＧは、６μｍ以上であることを特徴とする請求項７または請求項８に記載の光デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光デバイスおよび光デバイスの製造方法に関し、特に少なくとも多心光ファイバと光素子アレイおよび基板を備える光デバイスおよび光デバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
多心光ファイバと光素子アレイを備える光デバイスが提案されている。この光素子アレイは、基板に搭載されており、多心光ファイバの各光ファイバは、基板に形成されているＶ溝に沿ってそれぞれ位置決めされている。各光ファイバの端面は光素子アレイの光素子に対応してそれぞれ配置されている。（例えば、特許文献１参照）
特許文献１の図２に示す第１実施例の変形例では、基板には、Ｖ溝３１とこのＶ溝３１に比べると小さなマーカ溝３１ａが形成された後に、垂直溝３２がＶ溝３１とマーカ溝３１ａに対して垂直になるようにダイシング加工により形成される。そしてマーカ溝３１ａの周囲部分が、ストッパとして機能する有効領域３３であり、光ファイバの端面は有効領域３３に配置するようになっている。
【特許文献１】特許第３５９２４０６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ところで、特許文献１に開示されている光デバイスでは、垂直溝３２は、Ｖ溝３１の長手形成方向（光ファイバの軸方向））に沿った正確な位置において、マーカ溝３１ａとＶ溝３１を横切るように形成しなければならない。
【０００４】
もし、マーカ溝３１ａとＶ溝３１に対して垂直溝３２が正確な位置に形成できないと、光ファイバの端面を位置決めするストッパとして機能する有効領域３３が確保できなくなる。すなわち、例えば垂直溝３２がレーザダイオードから離れた位置であってマーカ溝３１ａの一部を全く通過せずに形成されてしまうと、有効領域３３が確保できない。また、垂直溝３２がレーザダイオード側に近づきすぎた位置に形成されてしまうと、小さなマーカ溝３１ａ全体がダイシング加工されてしまうので、やはり有効領域３３が確保できない。
【０００５】
光ファイバの端面を有効領域３３に確実に当てて正確に位置決めできないと、光ファイバの端面がレーザダイオード側に持ち上がってしまうおそれがあり、光ファイバの端面が持ち上がってしまうと、レーザダイオードからのレーザ光を光ファイバのコアに導くことができなくなる。
【０００６】
このように垂直溝３２は、Ｖ溝３１の長手形成方向に対して正確な位置に形成しなければならないので、垂直溝３２がずれた位置に形成された光デバイスは不良品となってしまうことから、光デバイスを製造する際の歩留まりが低下してしまう。
【０００７】
そこで、本発明は上記課題を解消するために、確実に光ファイバの端面を位置決めでき、不良品となることを防いで光デバイスを製造する際の歩留まりを向上できる光デバイスおよび光デバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解消するために、本発明の光デバイスは、複数の光ファイバからなる多心光ファイバと、
複数の光素子をアレイ状に配置した光素子アレイと、
前記光素子アレイを搭載している搭載面を有しており、前記搭載面には、前記多心光ファイバの各前記光ファイバの端面を前記各光素子に対応するように位置決めして前記多心光ファイバの各光ファイバの端面と前記各光素子とを光結合するためのＶ溝を有する基板と、を備え、
前記基板には、前記光素子アレイと前記光ファイバの前記端面との間の位置に、前記光素子アレイに平行になるように先行形成溝が設けられ、しかも前記先行形成溝の一部を含む領域を前記光素子アレイに平行になるようにスリットが設けられることで、前記基板の前記搭載面から下がる傾斜面が前記光素子アレイ側から前記光ファイバの端面側に形成されており、
前記傾斜面に続く前記スリットの内壁は、前記光ファイバの前記端面を突き当てて位置決めする突き当たり部分であることを特徴とする。
【０００９】
本発明の光デバイスは、好ましくは前記先行形成溝はＶ型の断面を有しており、前記スリットは矩形断面を有していることを特徴とする。
【００１０】
本発明の光デバイスは、好ましくは前記先行形成溝は台形の断面を有しており、前記スリットは矩形断面を有しており、前記傾斜面に連続して前記基板の前記搭載面と平行な平坦面を有していることを特徴とする。
【００１１】
本発明の光デバイスは、好ましくは前記突き当たり部分の前記光ファイバの長手方向と直交する方向に沿った高さＧは、６μｍ以上であることを特徴とする。
【００１２】
本発明の光デバイスは、好ましくは前記傾斜面の前記光ファイバの長手方向に沿った距離Ｗは、前記光ファイバの前記端面と前記光素子アレイのレーザ光射出面との間の距離であることを特徴とする。
【００１３】
本発明の光デバイスの製造方法は、複数の光ファイバからなる多心光ファイバと、
複数の光素子をアレイ状に配置した光素子アレイと、
前記光素子アレイを搭載している搭載面を有しており、前記搭載面には、前記多心光ファイバの各前記光ファイバの端面を前記各光素子に対応するように位置決めして前記多心光ファイバの各光ファイバの端面と前記各光素子とを光結合するためのＶ溝を有する基板と、を備える光デバイスを製造する光デバイスの製造方法において、
前記基板には、前記光素子アレイと前記光ファイバの前記端面との間の位置に、前記光素子アレイに平行になるように先行形成溝を設け、
前記先行形成溝の一部を含む領域を前記光素子アレイに平行になるようにスリットが設けて、
前記基板の前記搭載面から下がる傾斜面を、前記光素子アレイ側から前記光ファイバの端面側に形成し、
前記傾斜面に続く前記スリットの内壁は、前記光ファイバの前記端面を突き当てて位置決めする突き当たり部分として形成することを特徴とする。
【００１４】
本発明の光デバイスの製造方法は、好ましくは前記先行形成溝はＶ型の断面を有しており、前記スリットは矩形断面を有していることを特徴とする。
【００１５】
本発明の光デバイスの製造方法は、好ましくは前記先行形成溝は台形の断面を有しており、前記スリットは矩形断面を有しており、前記傾斜面に連続して前記基板の前記搭載面と平行な平坦面を有していることを特徴とする。
【００１６】
本発明の光デバイスの製造方法は、好ましくは前記突き当たり部分の前記光ファイバの長手方向と直交する方向に沿った高さＧは、６μｍ以上であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の光デバイスによれば、確実に光ファイバの端面を位置決めでき、不良品となることを防いで光デバイスを製造する際の歩留まりを向上できる。
【００１８】
本発明の光デバイスの製造方法によれば、Ｖ溝の長手形成方向に対する垂直溝の形成位置が多少ずれても確実に光ファイバの端面を位置決めでき、不良品となることを防いで光デバイスを製造する際の歩留まりを向上できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、図面を参照して、本発明の好ましい実施形態を詳細に説明する。  
【００２０】
図１は、本発明の光デバイスの好ましい実施形態を示す図である。
【００２１】
図１に示す光デバイス１は、少なくとも多心光ファイバと光素子アレイと基板を備え、例えば光通信に用いられる光素子アレイおよび多心光ファイバを実装した実装装置である。    図１に示す光デバイス１は、概略的にはフェルール５と、多心光ファイバ１０と、蓋部材１２と、基板１１と、光素子アレイ２０を有している。
【００２２】
図１のフェルール５は、基板１１を保持するホルダーであり、中央部１３と左右の端部１４，１５を有しており、Ｘ１方向から見るとほぼＵ字型に形成されている。フェルール５は、例えばプラスチックにより作られており、中央部１３と左右の端部１４，１５の間には、基板を挿入して固定するための開口部１６を有している。
【００２３】
図１の基板１１は、例えば板状のシリコン基板であり、基板１１の上には多心光ファイバ１０の固定の対象となる一部分と、蓋部材１２と、光素子アレイ２０が搭載されている。このように搭載された多心光ファイバ１０の一部分と、蓋部材１２と、基板１１と、光素子アレイ２０は、フェルール５の開口部１６内に位置されている。
【００２４】
図２は、基板１１の単体の形状例を示す斜視図である。
【００２５】
図２に示す基板１１の搭載面２２には、光素子アレイ２０がＺ方向に沿って搭載されており、光素子アレイ２０はＺ方向に沿って配列された複数の発光素子２１を有している。発光素子２１は一例としてレーザダイオードである。各発光素子２１は、配線パターン２３にそれぞれ接続されており、外部の回路基板に対して電気的に接続することで各発光素子２１を駆動できる。配線パターン２３は搭載面２２に形成されている。蓋部材１２は例えば正方形あるいは長方形のガラス板であり、基板１１の上に多心光ファイバ１０の固定の対象となる一部分を固定するための部材である。
【００２６】
図２の基板１１の搭載面２２には、複数本のＶ溝３０がＹ方向に沿って並んで形成されている。Ｖ溝３０の内端部３１は、光素子アレイ２０の各発光素子２１に対応した位置にある。Ｖ溝３０の内端部３１と光素子アレイ２０の間の位置には、スリット３５がＺ方向に沿って形成されている。つまり、スリット３５の形成方向と光素子アレイ２０の配置方向は、共にＺ方向に対して平行である。
【００２７】
このスリット３５は断面矩形を有し、内壁３６，３７と底面３８を有している。Ｖ溝３０の内端部３１は、スリット３５の内壁３７に達しており、Ｖ溝３０の外端部３２は、基板１１の端面１１Ｒに達している。スリット３５の内壁３６は、光素子アレイ２０の各発光素子２１のレーザ光射出面２０Ｐ付近に位置している。
【００２８】
次に、図３〜図１０と図１を参照して、図１に示す光デバイス１の組み立て製造手順について説明する。
【００２９】
図３は、組み立て前のフェルール５と多心光ファイバ１０と基板１１を示しており、図４は、多心光ファイバ１０の先端部１０Ｆを基板１１のＶ溝３０に沿って初期の位置合わせをした状態を示している。図５は、多心光ファイバ１０の先端部１０Ｆが光素子アレイ２０の各発光素子に対面する位置に位置決めされた状態を示している。すでに、基板１１には光素子アレイ２０とその配線パターンが搭載されている。
【００３０】
図３に示すように、多心光ファイバ１０はフェルール５の開口部１６に挿入され、多心光ファイバ１０の端部１０Ｄはフェルール５の挿入用の穴に通してある。多心光ファイバ１０の先端部１０Ｆは基板１１のＶ溝３０の上方位置に位置決めする。
【００３１】
図４に示すように、多心光ファイバ１０は基板１１に対して角度θで傾斜して、多心光ファイバ１０の先端部１０Ｆは基板１１の複数のＶ溝３０の途中位置にそれぞれ配置される。
【００３２】
図５に示すように、フェルール５と多心光ファイバ１０は基板１１に対してＹ１方向に沿って移動させて、図７に例示するようにして多心光ファイバ１０の先端部１０Ｆをスリット３５の内壁３６の後で説明する突き当たり部分６００（図２参照）に突き当てることで、多心光ファイバ１０の先端部１０Ｆは、光素子アレイ２０の各発光素子に対面する位置に位置決めされる。
【００３３】
次に、図６に示すように、蓋部材１２が基板１１の搭載面２２の上に搭載される。図７は、図６のＸ１方向から見た基板１１と蓋部材１２と多心光ファイバ１０と光素子アレイ２０を示している。
【００３４】
図８は、基板１１と蓋部材１２の間にトラボンドのような接着剤Ｂを塗布する直前の状態を示している。図９は、接着剤Ｂを塗布し終わった状態を示している。
【００３５】
図８に示すように、接着剤Ｂは、接着剤供給部１００からシリンジ１０１を介して、蓋部材１２の後端部１２Ｄの端面１２Ｇ付近において基板１の搭載面２２に必要量だけ塗布するようになっている。この接着剤Ｂの塗布の際には、シリンジ１０１は図示しない移動手段により、図８と図９に示すようにＺ方向に直線移動することで、多心光ファイバ１０を交差する方向に接着剤Ｂを塗布するようになっている。
【００３６】
接着剤Ｂの塗布が終了すると、接着剤Ｂは図２に示す基板１１のＶ溝３０に沿ってＹ１方向に毛細管現象により、図９に示す蓋部材１２の後端部１２Ｄの端面１２Ｇ側から先端部１２Ｆの端面１２Ｔに向かって、基板１１と蓋部材１２の内面との間を進んで行く。この接着剤ＢがＹ１方向に広がって塗布される様子は、後で詳しく説明する。この接着剤Ｂは蓋部材１２を基板１１の搭載面２２側に固定でき、多心光ファイバ１０の固定しようとする一部分は、蓋部材１２と基板１１の搭載面２２の間において確実に固定される。
【００３７】
その後、図１０に示すように、封止剤としての例えばシリコーン４４が、基板１１の搭載面２２と蓋部材１２の先端部１２Ｆと多心光ファイバ１０の先端部１０Ｆとスリット３５と光素子アレイ２０とリード線３９の領域に塗布される。シリコーン４４は光の屈折率整合剤として機能する。
【００３８】
また、図１０に示すように、フェルール５の中央部１３の端面１３Ｔには多心光ファイバ１０を通している挿入用の貫通穴４９が形成されているが、端面１３Ｔと内面１３Ｇ側に、それぞれ接着剤Ｂを塗布する。そして、基板１１をＹ方向に沿って往復移動させることで、多心光ファイバ１０が、接着剤Ｂによりフェルール５の中央部１３に対して固定される。図１に示すように基板１１をフェルール５の開口部１６内に配置して、基板１１とフェルール５の間にさらに接着剤を塗布して固定することで、光デバイス１の製造が完了する。
【００３９】
次に、図１１は、図７に示す基板１１と蓋部材１２および多心光ファイバ１０のＣ−Ｃ線における断面構造例を示している。
【００４０】
図１１において、基板１１のＶ溝３０はほぼ断面台形状を有している。蓋部材１２は別のＶ溝６０を有しており、Ｖ溝６０はほぼ断面台形状を有している。Ｖ溝３０の深さはＶ溝６０の深さよりも大きい。Ｖ溝３０，６０は、互いに対面した位置においてＹ方向（図１１の紙面垂直方向）に沿って形成されている。多心光ファイバ１０の各光ファイバ７０の外周面は、各組のＶ溝３０，６０内に固定ポイントＰ１，Ｐ２，Ｐ３において３点支持により固定されている。図１０の接着剤Ｂは、光ファイバ７０の外周面と、基板１１のＶ溝３０の内面と、蓋部材１２のＶ溝６０の内面との間に形成されている空間に広がる。また、図１０の接着剤Ｂは、基板１１の搭載面２２と蓋部材１２の内面５９との間にも広がる。
【００４１】
次に、図１２〜図１４を参照して、多心光ファイバ１０の各光ファイバ７０先端部１０Ｆが突き当てて位置決めされる構造部分について説明する。
【００４２】
図１２は、傾斜面５００と、スリット３５と、光素子アレイ２０と、Ｖ溝３０の付近を示す斜視図であり、図１３は、この傾斜面５００とスリット３５の形成工程例を示している。図１４は、図１２のＪ−Ｊ線における断面図である。
【００４３】
図１２に示す傾斜面５００と、スリット３５は、Ｚ方向に形成されており、Ｖ溝３０の形成方向であるＹ方向とは直交する方向である。
【００４４】
図１３（Ａ）に示すように、基板１１の搭載面２２には、Ｖ型の先行形成溝４００が、例えばドライエッチングによりＺ方向（図１３においては紙面垂直方向）に沿って形成される。その後、矩形状のダイシング加工領域４１０が、ダイシング加工によりＺ方向に沿って形成される。このダイシング加工領域４１０は、Ｖ型の先行形成溝４００の一部を含む領域である。
【００４５】
このようにダイシング加工領域４１０を除去することにより、図１３（Ｂ）に示すように、スリット３５と傾斜面５００を形成することができる。スリット３５は、傾斜面５００と、内壁３６，３７と、底面３８から形成されている。
【００４６】
図１４では、傾斜面５００の高さ方向（Ｘ方向）の寸法Ｈと、光ファイバ７０の端面１０Ｔと光素子アレイ２０のレーザ光射出面２０Ｐとの間の距離Ｗと、光ファイバ７０の端面１０Ｔが突き当たる突き当たり部分６００の高さＧを図示している。
【００４７】
図１４の光素子アレイ２０のレーザ光射出面２０Ｐからは、レーザ光Ｌが光ファイバ７０の端面１０Ｔのコア１０Ｋに向けて射出される。各光ファイバ７０は、コア１０Ｋとこのコア１０Ｋの周囲を覆っているクラッド１０Ｌからなる。光ファイバ７０のコア１０Ｋの中心から基板１１の搭載面２２までの距離Ｃ１（コア１０Ｋの中心から光素子アレイ２０が搭載されている面までの距離）は、例えば７μｍである。また、光ファイバ７０のコア１０Ｋの中心からクラッド１０Ｌの外周面までの半径Ｃ２は、例えば６２．５μｍである。従って、この光ファイバ７０の直径は、１２５μｍである。
【００４８】
図１２と図１４に示す傾斜面５００はテラスとも言い、この傾斜面５００の角度θは、例えば５４．７４°である。この傾斜面５００が、レーザ光射出面２０Ｐと光ファイバ７０の端面１０Ｔの間に形成されることにより、レーザ光射出面２０Ｐからのレーザ光Ｌが基板１１に対して照射されたり、反射を起こすことを回避することができるメリットがある。
【００４９】
図１４に示す傾斜面５００の高さ方向（Ｘ方向）の寸法Ｈは、例えば２８．３μｍであり、光ファイバ７０の端面１０Ｔと光素子アレイ２０のレーザ光射出面２０Ｐとの間の距離Ｗは、例えば２０μｍであり、光ファイバ７０の端面１０Ｔが突き当たる突き当たり部分６００の高さＧは、好ましくは６μｍ以上であり、例えば２７．２μｍである。
【００５０】
もし、光ファイバ７０の端面１０Ｔが突き当たる突き当たり部分６００の高さＧは、６μｍ未満であると、光ファイバ７０の端面１０Ｔが突き当たり部分６００に突き当てられることで光ファイバ７０のＹ方向（光ファイバの軸方向）に沿って位置決めされる際に、光ファイバ７０の端面１０Ｔが傾斜面５００に沿ってＸ２方向に簡単に持ち上がるおそれがあるので好ましくない。高さＧが６μｍ以上であると、光ファイバ７０の端面１０ＴがＸ２方向に持ち上がることのない光デバイス１が得られることから、確実に光ファイバ７０の端面１０Ｔを突き当たり部分６００を確実に位置決めでき、光デバイス１が不良品となることを防げる。突き当たり部分６００の高さＧの値の上限は、光ファイバ７０の直径の大きさと、コア１０Ｋの直径の大きさに関係してくるが、突き当たり部分６００コア１０Ｋの部分に当たらないようにする。
【００５１】
次に、図１５〜図１８を参照して、本発明の別の実施形態を説明する。
【００５２】
図１５は、台形の先行形成溝７００と、光素子アレイ２０と、Ｖ溝３０の付近を示す斜視図であり、図１６は、台形の先行形成溝７００に対してダイシング加工領域４１０を形成した後の状態を示す斜視図である。図１７は、傾斜面５００を含む先行形成溝７００とスリット３５の形成工程例を示している。図１８は、図１６のＦ−Ｆ線における断面図である。
【００５３】
図１５と図１７（Ａ）に示すように、基板１１の搭載面２２には、断面が台形の先行形成溝７００が例えばドライエッチングによりＺ方向に沿って（図１７の紙面垂直方向）形成される。
【００５４】
その後、矩形状のダイシング加工領域４１０が、ダイシング加工によりＺ方向に沿って形成される。このダイシング加工領域４１０は、台形の先行形成溝７００の一部を含む領域である。このようにダイシング加工領域４１０を除去することにより、図１７（Ｂ）に示すように、スリット３５と傾斜面５００と平坦面７１０を形成することができる。スリット３５は、傾斜面５００と、平坦面７１０と、内壁３６，３７と、底面３８から形成されている。
【００５５】
図１８では、傾斜面５００の高さ方向（Ｘ方向）の寸法Ｈと、光ファイバ７０の端面１０Ｔと光素子アレイ２０のレーザ光射出面２０Ｐとの間の距離Ｗと、光ファイバ７０の端面１０Ｔが突き当たる突き当たり部分６００の高さＧを示している。これらの寸法Ｈと、距離Ｗと、高さＧは、図１３の実施形態と同じに設定できる。
【００５６】
また、光ファイバ７０のコア１０Ｋの中心から基板１１の搭載面２２までの距離Ｃ１と光ファイバ７０のコア１０Ｋの中心からクラッド１０Ｌの外周面までの半径Ｃ２は、図１３の実施形態と同じである。
【００５７】
傾斜面５００はテラスとも言い、この傾斜面５００の角度θは、例えば５４．７４°である。この傾斜面５００が、レーザ光射出面２０Ｐと光ファイバ７０の端面１０Ｔの間に形成されることにより、レーザ光射出面２０Ｐからのレーザ光Ｌが基板１１に対して照射されたり、反射を起こすことを回避することができるメリットがある。
【００５８】
傾斜面５００の高さ方向（Ｘ方向）の寸法Ｈは、例えば２８．３μｍであり、光ファイバ７０の端面１０Ｔと光素子アレイ２０のレーザ光射出面２０Ｐとの間の距離Ｗは、例えば２０μｍであり、光ファイバ７０の端面１０Ｔが突き当たる突き当たり部分６００の高さＧは、６μｍ以上であり、例えば２７．２μｍである。
【００５９】
もし、光ファイバ７０の端面１０Ｔが突き当たる突き当たり部分６００の高さＧは、６μｍ未満であると、光ファイバ７０の端面１０Ｔが突き当たり部分６００に突き当てられることで光ファイバ７０のＹ方向に沿って位置決めされる際に、光ファイバ７０の端面１０Ｔが傾斜面５００に沿って、Ｘ２方向に簡単に持ち上がるおそれがあるので好ましくない。高さＧが６μｍ以上であると、光ファイバ７０の端面１０ＴがＸ２方向に持ち上がることのない光デバイス１が得られることから、確実に光ファイバ７０の端面１０Ｔを突き当たり部分６００に対してＹ方向に関して確実に位置決めでき、光デバイス１が不良品となることを防げる。
【００６０】
図１７に示す実施形態が、図１３の実施形態によりも次に示すようなさらに優れた特徴を有している。すなわち、図１７（Ａ）に示すように、ダイシング加工領域４１０は、Ｙ方向にそって多少ずれたとしても、図１７（Ｂ）と図１８に示す光ファイバ７０の端面１０Ｔが突き当たる突き当たり部分６００の高さＧが変化しないことである。
【００６１】
これにより、ダイシング加工領域４１０を加工する際に多少ダイシング加工領域４１０に形成位置に誤差があっても、突き当たり部分６００の高さＧを一定に保つことができる。これは、断面が台形の先行形成溝７００を基板１１の搭載面２２に対して形成して、傾斜面５００に連続するように平坦面７１０が得られるようにしているからである。
【００６２】
本発明の実施形態の光デバイス１は、複数の光ファイバ７０からなる多心光ファイバ１０と、複数の光素子２１をアレイ状に配置した光素子アレイ２０と、光素子アレイ２０を搭載している搭載面２２を有している。光デバイス１は、搭載面２２には、多心光ファイバ１０の各光ファイバ７０の端面１０Ｔを各光素子２１に対応するように位置決めして多心光ファイバ１０の各光ファイバ７０の端面と各光素子２１とを光結合するためのＶ溝３０を有する基板１１を備える。
【００６３】
そして、基板１１には、光素子アレイ２０と光ファイバ７０の端面１０Ｔとの間の位置に、光素子アレイ２０に平行になるように先行形成溝４００，７００が設けられ、しかも先行形成溝４００，７００の一部を含む領域を光素子アレイ２０に平行になるようにスリット３５が設けられることで、基板１１の搭載面２２から下がる傾斜面５００が光素子アレイ２０側から光ファイバ７０の端面１０Ｔ側に形成されており、傾斜面５００に続くスリット３５の内壁３６は、光ファイバ７０の端面１０Ｔを突き当てて位置決めする突き当たり部分６００を有している。
【００６４】
これにより、接着剤Ｂが光ファイバ７０の端面と光素子アレイ２０に付着してしまうのを確実に防止して、多心光ファイバ１０を基板１１側に確実に固定することで、光コネクタ１を製造する際の歩留まりを向上でき、コストダウンが図れる。
【００６５】
また、本発明の実施形態の光デバイス１では、蓋部材１２は、板状部材であり、蓋部材１２の内面５９には、基板１１のＶ溝３０に対応する位置に蓋部材Ｖ溝６０が形成されており、多心光ファイバ１０の各光ファイバ７０は基板１１のＶ溝３０と蓋部材Ｖ溝６０内に収容されて固定されている。これにより、多心光ファイバ１０の各光ファイバ７０は、基板１１の搭載面２２において蓋部材１２を用いて確実に固定することができる。
【００６６】
本発明の実施形態の光デバイス１では、光素子アレイ２０の複数の光素子２１は、発光素子である。これにより、発光素子が発光する光は、対応する光ファイバ７０の端面を通じて光伝送することができる。
【００６７】
本発明の実施形態の光デバイス１を製造する方法では、複数の光素子２１をアレイ状に配置した光素子アレイ２０を搭載している基板１１の搭載面２２には、搭載面２２に形成されているＶ溝３０により多心光ファイバ１０の各光ファイバ７０の端面１０Ｔを各光素子２１に対応するように位置決めする。
【００６８】
そして、基板１１には、光素子アレイ２０と光ファイバ７０の端面１０Ｔとの間の位置に、光素子アレイ２０に平行になるように先行形成溝４００，７００を設けて、しかも先行形成溝４００，７００の一部を含む領域が光素子アレイ２０に平行になるようにスリット３５を設けることで、基板１１の搭載面２２から下がる傾斜面５００が光素子アレイ２０側から光ファイバ７０の端面１０Ｔ側に形成され、傾斜面５００に続くスリット３５の内壁３６は、光ファイバ７０の端面１０Ｔを突き当てて位置決めする突き当たり部分６００としている。
【００６９】
これにより、接着剤Ｂが光ファイバ７０の端面と光素子アレイ２０に付着してしまうのを確実に防止して、多心光ファイバ１０を基板１１側に確実に固定することで、光コネクタ１を製造する際の歩留まりを向上でき、コストダウンが図れる。
【００７０】
ところで、本発明は、上記実施形態に限定されず種々の変形例を採用できる。
【００７１】
例えば、光素子アレイ２０の複数の発光素子２１は一例としてレーザダイオードであるが、発光素子に代えて受光素子である例えばフォトダイオードであっても良い。
【００７２】
図１１に示す基板１１のＶ溝３０と蓋部材１２のＶ溝６０は、断面台形形状に限らず他の形状を採用しても良い。
【００７３】
また、蓋部材１２は板状部材でなく、直方体のようなブロック体であっても良い。先行形成溝４００，７００は、スリット３５の断面形状は矩形断面形状に限らず、傾斜面５００と突き当たる部分６００を形成できれば、他の形状であっても良い。
【図面の簡単な説明】
【００７４】
【図１】本発明の好ましい実施形態を示す斜視図である。
【図２】基板の単体の形状例を示す図である。
【図３】組み立て前のフェルールと多心光ファイバと基板を示す図である。
【図４】多心光ファイバの先端部を基板のＶ溝に沿って初期の位置合わせした状態を示す図である。
【図５】多心光ファイバの先端部が光素子アレイの各発光素子に対面する位置に位置決めされた状態を示す図である。
【図６】基板に蓋部材が搭載された状態を示す図である。
【図７】図６のＸ１方向から見た基板と蓋部材と多心光ファイバと光素子アレイを示す図である。
【図８】基板と蓋部材の間に接着剤Ｂを塗布する直前の状態を示す図である。
【図９】接着剤Ｂを塗布し終わった状態を示す図である。
【図１０】屈折率整合剤を塗布した状態を示す図である。
【図１１】図７に示す基板と蓋部材および多心光ファイバのＣ−Ｃ線における断面構造例を示す図である。
【図１２】傾斜面と、スリットと、光素子アレイと、Ｖ溝の付近を示す斜視図である。
【図１３】傾斜面とスリットの形成工程例を示す図である。
【図１４】図１２のＪ−Ｊ線における断面図である。
【図１５】台形の先行形成溝と、光素子アレイと、Ｖ溝の付近を示す斜視図である。
【図１６】台形の先行形成溝に対してダイシング加工領域を形成した後の状態を示す斜視図である。
【図１７】傾斜面を含む先行形成溝とスリットの形成工程例を示す図である。
【図１８】図１６のＦ−Ｆ線における断面図である。
【符号の説明】
【００７５】
１      光デバイス
５      フェルール
１０    多心光ファイバ
１０Ｔ  光ファイバの端面
１２    蓋部材
１６    フェルールの開口部
２０    光素子アレイ
２０Ｐ  光素子アレイの光射出端面
２２    基板の搭載面
３０    基板のＶ溝
３５    スリット
３６，３７  スリットの内壁
４４    封止剤
５９    蓋部材の内面
６０    蓋部材のＶ溝
７０    多心光ファイバの各光ファイバ
４００  Ｖ型の先行形成溝
４１０  ダイシング加工領域
５００  傾斜面
６００  突き当たり部分
７００  台形の先行形成溝
７１０  平坦面
Ｗ      光ファイバ７０の端面１０Ｔと光素子アレイ２０のレーザ光射出面２０Ｐとの間の距離
Ｈ      傾斜面５００の高さ方向（Ｘ方向）の寸法
Ｇ      突き当たり部分６００の高さ
Ｂ      接着剤
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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