(57)【要約】【課題】  特に電子部品の電極との接続による金属間化合物の生成及び転写を従来に比べて抑制することを可能とした接続装置を提供することを目的としている。【解決手段】  接続部を構成する芯部の表面に、金属層３４と、前記金属層３４中に分散され一部が表面３３ａに露出するフッ素樹脂粒子３５とを有する被覆部３３が形成される。これにより、前記フッ素樹脂粒子３５の金属に対する反発機能や分離・剥離機能（金属に対する非付着性）が適切に作用し、突出電極４２と接続部間の接続による金属間化合物の生成及び転写を従来に比べて抑制することが可能である。【選択図】図６
2008311017.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品の電極と電気的に接続される接続部を備えた接続装置において、
前記接続部には、導電性の芯部の少なくとも前記電極と接触する表面に、金属層と、前記金属層中に分散され一部が表面に露出するフッ素樹脂粒子とを有する被覆部が形成されていることを特徴とする接続装置。
【請求項２】
前記被覆部はメッキ形成されている請求項１記載の接続装置。
【請求項３】
前記被覆部の前記金属層の表面には、前記電極との接触抵抗を低下させるための最表面層が形成されている請求項１又は２に記載の接続装置。
【請求項４】
前記最表面層は、金（Ａｕ）、あるいは白金族元素のうち、少なくとも１種の元素を有して形成される請求項３記載の接続装置。
【請求項５】
前記芯部は、銅（Ｃｕ）または銅合金と、ニッケルまたはニッケル合金の、少なくとも一方で形成されている請求項１ないし４のいずれかに記載の接続装置。
【請求項６】
前記接続部に対して、前記電極を有する前記電子部品の装着と離脱とが繰り返して行われる検査用である請求項１ないし５のいずれかに記載の接続装置。
【請求項７】
前記電極は半田で形成されている請求項１ないし６のいずれかに記載の接続装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＩＣパッケージなどの電子部品が設置される接続装置に係り、特に電子部品の電極との接続による金属間化合物の生成及び転写を従来に比べて抑制することを可能とした接続装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
以下の特許文献１には、複数のスパイラル状の弾性腕を有する接続部を備えた接続装置が開示されている。ＩＣパッケージなどの電子部品の底面には複数の球状の電極が設けられており、それぞれの電極が弾性腕に弾圧されて、電極と接続部とが一対一の関係で個別で接続される。
【０００３】
特許文献１の図４Ｆには、例えば金（Ａｕ）で形成された最表面層（特許文献１では導電性部材４０）を有する接続部の断面形状が示されている。
また前記電子部品の電極は例えば半田で形成される。
【特許文献１】特開２００５−０３２７０８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら従来では以下に説明する問題が生じた。図面を用いて説明する。
図１０（ａ）は、接続部の金（Ａｕ）で形成された最表面層４と、電子部品の半田で形成された電極２とが接触した状態を示す。前記接続部を備えた接続装置は、例えば電子部品に対する検査用として用いられ、前記電子部品は前記接続装置内に永久的に装着されるものでなく、装着と離脱とが繰り返して行われる。よって、前記電極２も、図１０（ａ）に示す接続部の最表面層４に接触した状態から検査終了後、接続部の最表面層４から離されることになる。
【０００５】
金（Ａｕ）は化学的に極めて安定なため、前記最表面層４に酸化層は形成されない。このため、図１０（ｂ）のように最表面層４と半田からなる電極２とが接触すると両者間で金属結合し、このとき、金が前記半田中に拡散し、非常に脆くて硬い金属間化合物３が生成される。前記金属間化合物３は、バーン・イン検査等の加熱下で特に生成されやすい。
【０００６】
図１０（ｃ）に示すように、前記電極２を前記最表面層４から離すと、前記金属間化合物３は金（Ａｕ）からなる最表面層４に転写される。前記接続部に対して電極２を有する電子部品の装着と離脱とが繰り返し行われたり、前記電極が前記接続部の最表面層４上を摺動等すると前記金属間化合物３が前記最表面層４に蓄積されていき、やがて前記電子部品の電極２との間で導通不良を起こすといった問題があった。
【０００７】
上記した問題は、最表面層４がＡｕであると顕著に現れるが、Ａｕでなくても白金族系元素やＮｉ等であっても電極２との異種金属間での接触では上記した金属間化合物が生成されてしまう。
【０００８】
特許文献１に記載された発明には上記した従来技術の課題認識がなく、当然、上記した課題を解決する手段は開示されていない。
【０００９】
そこで本発明は、上記従来の課題を解決するためのものであり、特に電子部品の電極との接続による金属間化合物の生成及び転写を従来に比べて抑制することを可能とした接続装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、電子部品の電極と電気的に接続される接続部を備えた接続装置において、
前記接続部には、導電性の芯部の少なくとも前記電極と接触する表面に、金属層と、前記金属層中に分散され一部が表面に露出するフッ素樹脂粒子とを有する被覆部が形成されていることを特徴とするものである。
【００１１】
このように前記被覆部に前記フッ素樹脂粒子を含有し、しかも前記フッ素樹脂粒子の一部が前記被覆部の表面に露出していることで、前記フッ素樹脂粒子の金属に対する反発機能や分離・剥離機能（金属に対する非付着性）が適切に作用し、前記電極と接続部間の接続による金属間化合物の生成及び転写を従来に比べて抑制することが可能である。
【００１２】
また前記フッ素樹脂粒子の撥水撥油効果による前記金属層への酸化膜の生成を抑制でき接触抵抗の増大を抑制できる。
【００１３】
本発明では、前記被覆部はメッキ形成されていることが、簡単且つ適切に前記芯部の表面に前記被覆部を形成でき好適である。
【００１４】
また本発明では、前記被覆部の前記金属層の表面には、前記電極との接触抵抗を低下させるための最表面層が形成されていることが好ましい。前記最表面層は前記被覆部の金属層表面に形成され、前記フッ素樹脂粒子上を覆っていないため、フッ素樹脂粒子の被覆部表面への露出状態は保たれている。前記接続部の最表面が前記被覆部の表面であってもよいが、前記被覆部の金属層よりも電気伝導性に優れた材質の金属からなる最表面層を設けることで、より効果的に接触抵抗を低減できる。
【００１５】
また本発明では、前記最表面層は、金（Ａｕ）、あるいは白金族元素のうち、少なくとも１種の元素を有して形成されることが好ましい。前記最表面層にＡｕを用いても、本発明では、前記フッ素樹脂粒子の一部が接続部表面に露出しているため、接触抵抗を低減しつつ、前記電極と接続部間の接続による金属間化合物の生成及び転写を従来に比べて適切に抑制することができる。
【００１６】
また本発明では、前記芯部は、銅（Ｃｕ）または銅合金と、ニッケルまたはニッケル合金の、少なくとも一方で形成されていることが好ましい。
【００１７】
また本発明は、前記接続部に対して、前記電極を有する前記電子部品の装着と離脱とが繰り返して行われる検査用である場合に有効である。すなわち、前記電子部品の着脱を繰り返しても、効果的に前記電極と接続部間の接続による金属間化合物の生成及び転写を従来に比べて抑制することが可能である。
【００１８】
また本発明では、前記電極が半田で形成されている場合に有効である。すなわち、前記電極に半田を使用しても、効果的に前記電極と接続部間の接続による金属間化合物の生成及び転写を従来に比べて抑制することが可能である。
【発明の効果】
【００１９】
本発明の接続装置によれば、接続部と電子部品の電極間の接続による金属間化合物の生成及び転写を従来に比べて抑制することが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
図１は、本発明の実施の形態である接続装置の部分断面図、図２は、図１に示す接続装置の接続部付近を示す拡大断面図、図３は、本実施形態の接続部の平面図、図４は、前記接続部の弾性腕の部分を膜厚方向から切断した切断面を示す断面図、図５は、図４の前記弾性腕を構成する被覆部と電子部品の電極との接触状態を示す部分拡大断面図、図６は、図５をさらに拡大した前記被覆部と前記電極との接触状態を示す部分拡大断面図、である。
【００２１】
図１に示す接続装置１は、基台１０を有している。基台１０の平面形状は例えば四角形状であり、基台１０の４辺のそれぞれにはほぼ垂直に立ち上がる側壁部１０ａが形成されている。４辺の側壁部１０ａで囲まれた領域は凹部であり、その底部１０ｂの上面が支持面１２である。前記支持面１２の上には、接続シート１５が設置されている。接続シート１５は、可撓性の基材シート１６の表面に複数の接続部２０が設けられている。
【００２２】
図２に示すように、前記基材シート１６には、多数のスルーホール１６ａが形成され、それぞれのスルーホール１６ａの内周面には導電層１７がメッキなどの手段で形成されている。基材シート１６の表面には、前記導電層１７に導通する表側の接続ランド１７ａが形成され、基材シート１６の裏面には、前記導電層１７に導通する裏側の接続ランド１７ｂが形成されている。
【００２３】
前記接続部２０は、薄い導電性金属板を打ち抜いて形成されさらにメッキ処理されたものであり、個々の接続部２０が、前記接続ランド１７ａの表面に導電性接着剤などで接合されている。あるいは、接続部２０は、銅やニッケルなどの導電性材料を使用してメッキ工程で形成される。例えば、基材シート１６とは別個のシートの表面に複数の接続部２０がメッキ工程で形成され、前記シートが、基材シート１６に重ね合わされて、それぞれの接続部２０が、導電性接着剤などで前記接続ランド１７ａに接合される。
【００２４】
それぞれの接続部２０は、基材シート１６に設置された後に、外力が与えられて立体形状に形成される。このとき、加熱処理で内部の残留応力が除去され、接続部２０は立体形状で弾性力を発揮できるようになる。
【００２５】
図２に示すように、基材シート１６の裏面側では、前記接続ランド１７ｂに個別に接続する導電性材料のバンプ電極１８が形成されている。図１に示すように、接続シート１５が基台１０の底部１０ｂの表面である支持面１２に設置されると、前記バンプ電極１８が、前記支持面１２に設けられた導電部に接続される。
【００２６】
前記支持面１２上での接続部２０の配列ピッチは、例えば２ｍｍ以下であり、あるいは１ｍｍ以下である。接続部２０の外形寸法の最大値も２ｍｍ以下であり、あるいは１ｍｍ以下である。
【００２７】
図２と図３に示すように、接続部２０は、支持部２１と弾性腕２２が一体に連続して形成されている。弾性腕２２は螺旋形状に形成されており、弾性腕２２の巻き始端である基部２２ａが、支持部２１と一体化されている。弾性腕２２の巻き終端である先端部２２ｂは、螺旋のほぼ中心部に位置している。図２に示すように、接続部２０を構成している支持部２１が前記接続ランド１７ａに接続され、弾性腕２２は、先端部２２ｂが支持面１２から離れるように立体成形されている。
【００２８】
図４に断面図で示すように、弾性腕２２は、芯部３０と、この芯部３０の表面の全周を覆う被覆部３３を有している。芯部３０は、導電層３１の周囲の全周が弾性層３２で覆われたものである。導電層３１は、銅（Ｃｕ）または銅を含む合金の単層である。銅合金は、高い電気導電度と高い機械的強度を有するＣｕ，Ｓｉ，Ｎｉを有するコルソン合金が好ましく使用される。コルソン合金は、例えばＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ−Ｍｇで、Ｃｕが９６．２質量％、Ｎｉが３．０質量％、Ｓｉが０．６５質量％、Ｍｇが０．１５質量％のものが使用される。
【００２９】
弾性層３２は、導電性であり且つ高い機械的強度と高い曲げ弾性係数を発揮する金属材料であり、ニッケル（Ｎｉ）層またはＮｉを含む合金層である。Ｎｉ合金は、Ｎｉ−Ｘ合金（ただしＸは、Ｐ、Ｗ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｂｅのいずれか一種以上）が使用される。弾性層３２は、導電層３１の周囲に電解メッキまたは無電解メッキを施すことで形成される。弾性層３２は、好ましくは無電解メッキで形成されたＮｉ−Ｐ合金である。Ｎｉ−Ｐ合金では、リン（Ｐ）の濃度を１０ａｔ％以上で３０ａｔ％以下とすることにより、少なくとも一部が非晶質となり、高い弾性係数と高い引っ張り強度を得ることができる。あるいは、弾性層３２はＮｉ−Ｗ合金で形成される。この場合もタングステン（Ｗ）の濃度を１０ａｔ％以上で３０ａｔ％以下とすることにより、少なくとも一部が非晶質となり、高い弾性係数と高い引っ張り強度を得ることができる。
【００３０】
図４において、前記弾性層３２の断面積は、芯部３０の断面積の２０％以上で８０％以下であることが好ましい。前記範囲であると、芯部３０が導電性とばね性の双方の機能を発揮できる。また図４の断面図において、芯部３０の厚さ寸法および幅寸法は、共に１０μｍ以上で１００μｍ以下である。
【００３１】
被覆部３３は、前記弾性腕２２と電子部品の突出電極との接触による金属間化合物の生成及び転写を従来に比べて抑制するために設けられたものである。
【００３２】
図５に示すように前記被覆部３３は、金属層３４と、前記金属層３４中に分散された多数のフッ素樹脂粒子３５を有して構成される。
【００３３】
前記金属層３４は、例えば、ニッケル（Ｎｉ）またはＮｉ合金で形成される。Ｎｉ合金は、Ｎｉ−Ｘ合金（ただしＸは、Ｐ、Ｗ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｂｅのいずれか一種以上）が好ましく使用される。前記金属層３４をＮｉ合金で形成する場合、前記弾性層３２と同様にＮｉ−Ｐ合金やＮｉ−Ｗ合金で形成することが好適である。前記金属層３４中に占めるＮｉ−Ｐ合金及びＮｉ−Ｗ合金のＰ及びＷの濃度を１０ａｔ％以上で３０ａｔ％以下の範囲内にて調整する。
【００３４】
前記フッ素樹脂粒子３５は、例えばポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）で形成される。
【００３５】
前記フッ素樹脂粒子３５は、図６に示すように、被覆部３３の表面３３ａに露出している。被覆部３３の表面３３ａに露出しているのは一部のフッ素樹脂粒子３５であり、図５のように被覆部３３の内部に完全に埋もれているフッ素樹脂粒子３５があってもよい。
【００３６】
また前記フッ素樹脂粒子３５は前記被覆部３３の表面３３ａに露出していればよく、前記フッ素樹脂粒子３５の前記表面３３ａからの突出量が大きくなると、電子部品４０の突出電極４２と前記被覆部３３の金属層３４間の接触面積が小さくなって導通性が低下するので（最悪、導通不良となる）、前記被覆部３３の平均膜厚は前記フッ素樹脂粒子３５の平均粒径以上であることが好適である。前記被覆部３３の平均膜厚とは、前記被覆部３３の全域（金属層３４が存在するかフッ素樹脂粒子３５が存在するかは問わない）での膜厚を平均化したものであるが、実際には任意に定めた複数の測定点での膜厚を平均化して前記被覆部３３の平均膜厚を求める。前記フッ素樹脂粒子３５間を埋める金属層３４の膜厚が前記フッ素樹脂粒子３５の平均粒径より薄いと、前記被覆部３３の平均膜厚は、前記フッ素樹脂粒子３５の平均粒径より薄くなり、前記フッ素樹脂粒子３５の表面３３ａからの突出量が大きくなるので、前記フッ素樹脂粒子３５間を埋める金属層３４の膜厚を前記フッ素樹脂粒子３５の平均粒径以上に厚くして、前記被覆部３３の平均膜厚を、前記フッ素樹脂粒子３５の平均粒径以上にすることで、前記フッ素樹脂粒子３５の表面３３ａからの突出量を小さくできる。
【００３７】
ただし上記のように被覆部３３の平均膜厚がフッ素樹脂粒子３５の平均粒径より小さくなる場合であっても後述する図７のように前記金属層３４上に最表面層５０を形成する形態では、被覆部３３の平均膜厚がフッ素樹脂粒子３５の平均粒径より小さくなっても前記フッ素樹脂粒子３５の突出量を小さくすることができる。
【００３８】
前記フッ素樹脂粒子３５の平均粒径は０．１〜５μｍ程度であることが好ましい。前記フッ素樹脂粒子３５は、球状、半楕円球状、鱗片状等、特に限定しないが、前記フッ素樹脂粒子３５が球状以外の形態である場合には、長径、長辺の長さの平均を、「平均粒径」と設定する。前記フッ素樹脂粒子３５の平均粒径は、例えば、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）にて複数個のフッ素樹脂粒子３５の粒径を測定し、その平均を算出して特定したものである。
【００３９】
また前記被覆部３３の平均膜厚は、０．５〜６μｍ程度であることが好適である。
また前記フッ素樹脂粒子３５は、前記被覆部３３中に１０〜５０ｖｏｌ％含まれることが好適である。これにより、前記被覆部３３を設けた効果（従来に比べて金属間化合物の生成及び転写を抑制する効果）を大きくでき、しかも、前記被覆部３３と電子部品の突出電極４２間の導通性を適切に確保できる。
【００４０】
図１に示すように、接続装置１には、電子部品４０が設置される。電子部品４０は、ＩＣパッケージなどであり、ＩＣベアチップなどの各種電子素子が本体部４１内に密閉されている。本体部４１の底面４１ａには、複数の突出電極４２が設けられており、それぞれの突出電極４２が本体部４１内の回路に導通している。この実施の形態の電子部品４０は、前記突出電極４２が球形状である。また、突出電極４２は裁頭円錐形状などであってもよい。
【００４１】
前記突出電極４２は、スズを含む導電性の合金で形成されている。すなわち、鉛を含まない半田で形成されており、例えばスズ・ビスマス合金や、スズ・銀合金である。
【００４２】
実施の形態の接続装置１は、電子部品４０の検査用であり、図１に示すように、被検査物である電子部品４０が、基台１０の凹部内に装着される。このとき、電子部品４０は、本体部４１の底面４１ａに設けられた個々の突出電極４２が前記接続部２０の上に設置されるように位置決めされる。基台１０の上には図示しない押圧用の蓋体が設けられており、この蓋体を基台１０上に被せると、この蓋体により電子部品４０が矢印Ｆ方向へ押圧される。この押圧力により、それぞれの突出電極４２が弾性腕２２に押し付けられ、立体形状の弾性腕２２が押しつぶされて、突出電極４２と弾性腕２２とが個別に導通させられる。
【００４３】
接続装置１がいわゆるバーン・イン検査に使用される場合には、周囲の温度が１５０℃程度に設定された状態で、外部の検査用の回路から接続部２０を経て突出電極４２に電流が与えられて、電子部品４０の本体部４１内の回路が断線しているか否かの検査が行われる。あるいは、接続部２０から突出電極４２に所定の信号が与えられて、本体部４１内の回路の動作試験が行われる。
【００４４】
検査が完了した電子部品４０は、接続装置１から取り出され、次に検査すべき電子部品４０が接続装置１内に設置されて、同様にして検査が行われる。この検査が繰り返される。そのため、接続部２０の弾性腕２２には、新たな電子部品４０の突出電極４２が次々に接触することになる。
【００４５】
本実施形態では図４で説明したように、弾性腕２２は、導電性の金属で形成された芯部３０の表面に被覆部３３が形成されており、この被覆部３３は、金属層３４と、前記金属層３４中に分散され一部が表面に露出するフッ素樹脂粒子３５とを有して構成される。
【００４６】
上記した被覆部３３を形成することで、前記フッ素樹脂粒子３５の金属に対する反発機能や分離・剥離機能（金属に対する非付着性）が適切に作用し、前記突出電極４２と弾性腕２２間の接続による金属間化合物の生成及び転写を従来に比べて抑制することが可能である。
【００４７】
また前記フッ素樹脂粒子３５の撥水撥油効果により、前記金属層３４に対する酸化膜の生成を適切に抑制することが可能である。したがって前記突出電極４２との接触抵抗の増大を適切に抑制することが可能である。また換言すれば、このような撥水撥油効果により、前記金属層３４に酸化しやすい材質を用いても、酸化膜の形成を抑制できるため前記金属層３４の材質の選択性が広がる。すなわち金属単独では酸化膜が形成されやすくても、フッ素樹脂粒子３５を含有することで酸化膜の形成を抑制でき、突出電極４２との接触抵抗の増大を抑制できるから前記被覆部３３の表面を最表面として使用することが可能である。
【００４８】
上記したように前記金属層３４は、例えばＮｉ又はＮｉ合金で形成される。後述する実験に示すように、これにより、前記突出電極４２と弾性腕２２間の接続による金属間化合物の生成及び転写を従来に比べて抑制することが可能である。
【００４９】
また前記金属層３４は、金（Ａｕ）、あるいは白金族元素のうち、少なくとも１種の元素を有して形成されてもよい。例えば前記金属層３４はＡｕあるいはＰｄで形成される。前記金属層３４がＡｕで形成されるとき、従来技術でも説明したようにＡｕは化学的に極めて安定であるため、Ａｕのみで前記被覆部３３を構成すると、半田との接触により容易に金属結合してしまい金属間化合物が生成され、その金属間化合物がＡｕ側に転写されるといった問題が発生したが、本実施形態では前記被覆部３３中にフッ素樹脂粒子３５を含有したことで、従来に比べて金属間化合物の生成及び前記弾性腕２２側への転写を従来に比べて抑制することが可能である。
【００５０】
前記被覆部３３は、電解メッキあるいは無電解メッキにより形成されることが好適である。金属層３４を構成する金属イオンと、フッ素樹脂粒子とを含有したメッキ液を用いて前記被覆部３３を前記芯部３０の表面にメッキ形成する。
【００５１】
なお、めっきにより共析させるためには、フッ素樹脂をめっき液中に安定に分散させる必要がある。その為、分散させるための分散剤として、界面活性剤が使用されている。
図４に示すように前記被覆部３３は前記芯部３０の全周にわたって形成されているが、少なくとも前記突出電極４２と接触する表面にのみ形成すれば足りる。
【００５２】
ただし図４のように前記被覆部３３を前記芯部３０の全周に形成することが前記被覆部３３の形成を容易化できるし、また図１、図２に示した接続装置１では、前記突出電極４２の形状や大きさ等によって弾性変形する前記弾性腕２２と前記突出電極４２との接触範囲が変動しやすいので、図４のように前記被覆部３３を前記芯部３０の全周に形成することが、金属間化合物の生成及び前記弾性腕２２側への転写を効果的に抑制することが可能であり好適である。
【００５３】
また図７に示す実施形態に示すように、前記被覆部３３の金属層３４の表面に、前記突出電極４２との接触抵抗を低下させる最表面層５０が形成されていてもよい。
【００５４】
前記最表面層５０は、前記金属層３４よりも比抵抗が低い金属材料で形成される。前記最表面層５０は、金（Ａｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、イリジウム（Ｉｒ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、オスミウム（Ｏｓ）の少なくとも１種から形成される。前記最表面層５０をＡｕあるいは白金族金属元素で形成することで、前記突出電極４２との接触抵抗を適切に低下させることが可能である。
【００５５】
前記被覆部３３を構成する金属層３４が例えばＮｉで形成され、前記最表面層５０が例えばＡｕあるいはＰｄで形成される。
【００５６】
前記最表面層５０は電解メッキあるいは無電解メッキで形成される。このとき前記最表面層５０は、図７に示すように前記被覆部３３の金属層３４の表面に電着し、前記フッ素樹脂粒子３５の表面には電着しない。よって前記フッ素樹脂粒子３５は弾性腕２２の表面に露出した状態を維持するため、接触抵抗の低下とともに金属間化合物の生成及び転写の抑制効果を適切に発揮させることが可能である。
【００５７】
本実施形態での弾性腕２２は図２及び図３に示すように上方に向けて立体成形された螺旋形状であったが、立体成形されていなくてもよく、また螺旋形状以外であってもよい。また、弾性変形しない接続部の表面に本実施形態の被覆部３３を適用してもよい。
【００５８】
また実施形態では前記電子部品４０の突出電極４２は半田であったが、半田でなくても、接続部２０との接触（特に異種金属間で起こりやすい）が繰り返されたり摺動動作が加わると、金属間化合物が生成されやすくなり、特に前記金属間化合物は加熱工程が加わるとより形成されやすいため、前記突出電極４２が半田でなくても、本実施形態の被覆部３３を形成したほうが効果的である。
【実施例】
【００５９】
図８に示すプローブ５１と基板５２を用意し、以下に説明する摺動試験を行った。図８は、実験に使用されるプローブ５１及び基板５２の模式図である。
【００６０】
実施例では、快削黄銅上にＮｉの金属層とフッ素樹脂粒子とから成る被覆部を厚さ１．５μｍにてメッキ形成し、さらに前記金属層上にＰｄを厚さ０．２μｍにて電解メッキして前記プローブ５１を形成した。
【００６１】
また比較例では、快削黄銅上にＮｉから成る被覆部を厚さ５μｍにて無電解メッキ形成し、さらに前記被覆部上にＡｕを厚さ０．５μｍにて電解メッキして前記プローブ５１を形成した。
【００６２】
実施例及び比較例におけるプローブ５１の先端の半径Ｒはいずれも１００μｍであった。
【００６３】
また黄銅板の表面に厚さ１０μｍにて半田（Ｓｎ−Ｂｉ）をメッキしてなる前記基板５２を形成した。
【００６４】
実験では前記プローブ５１を前記基板５２の表面に荷重２０ｇｆにて押し当て、その状態にて前記プローブ５１を前記基板５２上で２５往復（距離にすると２０ｍｍ）摺動させて、前記プローブ５１先端の状態を観察した。
【００６５】
図９（ａ）が実施例のプローブ先端の写真で、図９（ｂ）が比較例のプローブ先端の写真である。
【００６６】
図９（ａ）中及び図９（ｂ）中に示される拡大写真はいずれも走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真である。
【００６７】
図９（ａ）に示す実施例では、前記プローブ５１の先端を基板５２表面の半田上にて摺動させることで生成される金属間化合物が前記プローブ５１先端にあまり付着していなかったのに対し、図９（ｂ）に示す比較例では、前記金属間化合物が前記プローブ５１先端に実施例に比べて多く付着していることがわかった。
【００６８】
図１０は、上記の実施例及び比較例における接点圧力と接触抵抗との関係を示すグラフであるが、図１０に示すように、接点圧力が０．０１（ｇｆ／μｍ２）より大きい範囲では、実施例及び比較例ともに前記接点圧力に対する接触抵抗はさほど変わらなかった。一方、前記接点圧力が０．０１（ｇｆ／μｍ２）以下になると、実施例のほうが比較例に比べて前記接点圧力に対する接触抵抗を小さくできることがわかった。
【図面の簡単な説明】
【００６９】
【図１】本発明の実施の形態である接続装置の部分断面図、
【図２】図１に示す接続装置の接続部付近を示す拡大断面図、
【図３】本実施形態の接続部の平面図、
【図４】接続部の弾性腕の部分を膜厚方向から切断した切断面を示す断面図、
【図５】図４の前記弾性腕を構成する被覆部と電子部品の電極との接触状態を示す部分拡大断面図、
【図６】図５をさらに拡大した被覆部と電極との接触状態を示す部分拡大断面図、
【図７】図６とは別の構成の本実施形態における被覆部と電極との接触状態を示す部分拡大断面図、
【図８】摺動実験で使用したプローブと基板との模式図、
【図９】快削黄銅上に被覆部を形成し、さらに前記被覆部上に最表面層を形成したプローブを基板上にて摺動させた後の前記プローブ先端の写真であり、（ａ）は、前記被覆部をＮｉとフッ素樹脂粒子とで形成し、前記最表面層をＰｄで形成した実施例のプローブ先端の写真、（ｂ）は、前記被覆部をＮｉで形成し、前記最表面層をＡｕで形成した比較例のプローブ先端の写真、
【図１０】実施例、及び比較例の接点圧力と接触抵抗の関係を示すグラフ、
【図１１】従来の問題点を説明するための接続装置の接続部の表面部分と電子部品の電極との拡大図、
【符号の説明】
【００７０】
１  接続装置
１０  基台
１２  支持面
１５  接続シート
１６  基材シート
２０  接続部
２１  支持部
２２  弾性腕
３０  芯部
３１  導電層
３２  弾性層
３３  被覆部
４０  電子部品
４２  突出電極
５０  最表面層
５１  プローブ
５２  基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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