(57)【要約】【課題】  スライダに磁気検出部が設けられているスライダが、フレキシャに取り付けられるときに、半田付け時の温度でシールド層の磁区の変化や磁気検出部の性能が劣化するのを防止できる。【解決手段】  ＴＭＲ素子やＣＰＰ型のＧＮＲ素子は、素子本体の上下にシールド層が接しており、シールド層を介して素子本体に検出電流が与えられる。シールド層に接続されたリード層５３は、導電パッド１４の下に位置しており、導電パッド１４とリード層５３の端部５３ａとが、持ち上げ層６１，６２を介して導通されている。リード層５３の端部５３ａの下には導熱層５６が位置しており、この導熱層５６とスライダ本体１１の端面１１ｃとの間に、熱伝達を妨げない厚さの絶縁層５９が設けられている。半田２７の溶融熱がリード層５３に与えられると、この熱が導熱層５６からスライダ本体１１に逃がされ、シールド層が高温になるのを防止できる。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気記録媒体に対向するスライダ本体と、前記スライダ本体の端面に設けられた絶縁部と、前記絶縁部内に設けられて前記磁気記録媒体に対向する磁気検出素子と、前記絶縁部の表面に設けられた導電パッドと、前記絶縁部内に設けられて前記磁気検出素子と前記導電パッドとを導通させるリード層とを有し、前記スライダ本体を支持する支持体の電極部に、前記導電パッドが溶融金属により接合される磁気ヘッド装置において、
前記磁気検出素子は、磁化方向が固定された固定磁性層と、外部からの磁界により磁化の方向が変化する自由磁性層と、前記固定磁性層と前記自由磁性層との間に位置する非磁性層とを有し、
前記磁気検出素子を挟む一対のシールド層に前記リード層が個別に導通されて、前記シールド層を経て前記磁気検出素子に対し検出電流が供給可能とされており、
前記絶縁部内では、前記リード層と前記導電パッドとが直接に重ねられまたは他の導電層を介して重ねられて前記リード層と前記導電パッドとが導通されており、前記リード層と前記スライダ本体の端面との間には、前記溶融金属から前記導電パッドおよび前記リード層に与えられる熱を前記スライダ本体に伝達する導熱層が設けられていることを特徴とする磁気ヘッド装置。
【請求項２】
前記導熱層の熱伝導率が前記リード層と同等であるかまたは前記リード層よりも高い請求項１記載の磁気ヘッド装置。
【請求項３】
前記導熱層の面積は、前記導電パッドの面積と同じかそれよりも広い請求項１または２記載の磁気ヘッド装置。
【請求項４】
前記導熱層は金属製であり、前記導熱層と前記スライダ本体の端面との間には、電気的に絶縁でき且つ熱を通過させることのできる絶縁層が設けられている請求項１ないし３のいずれかに記載の磁気ヘッド装置。
【請求項５】
前記磁気検出素子はＴＭＲ素子であり、前記非磁性層は電気絶縁層である請求項１ないし４のいずれかに記載の磁気ヘッド装置。
【請求項６】
前記磁気検出素子はＧＭＲ素子であり、前記非磁性層は非磁性導電層である請求項１ないし４のいずれかに記載の磁気ヘッド装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＴＭＲ素子やＣＰＰ方式のＧＭＲ素子のようにシールド層から検出電流が与えられる磁気検出素子を用いた磁気ヘッド装置に係り、特に、前記シールド層に導通されている導電パッドが溶融半田で接合される磁気ヘッド装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ハードディスク装置などに使用される磁気ヘッド装置は、スライダに磁気抵抗効果を利用した磁気検出素子が搭載され、このスライダの端面に導電パッドが設けられている。前記スライダは、フレキシャと称される板ばねに支持され、このフレキシャがロードビームと称される支持部材に搭載されている。ハードディスクなどの表面に対向したスライダは、前記フレキシャが変形することで比較的自由に動けるように支持される。
【０００３】
前記ロードビールおよび前記フレキシャの表面には、絶縁層を介して導電パターンが形成されており、前記フレキシャの表面には、前記導電パターンと一体の電極部が形成されている。この電極部がスライダの端面に設けられた前記導電パッドに接近した位置に配置される。
【０００４】
スライダがフレキシャに接着されて固定された状態で、フレキシャに設けられた電極と、スライダに設けられた導電パッドとが接続されるが、この接続には、溶融金属が使用される。溶融金属としては、スズ・銀合金の鉛フリー半田が一般に使用されている。
【特許文献１】特開２００４−１５２３９３号公報
【特許文献２】特開２００４−１６４８１３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
前記磁気検出素子が、トンネル効果を利用した磁気抵抗効果素子であるＴＭＲ素子や、検出電流が縦方向に与えられる磁気抵抗効果素子であるＣＰＰ方式のＧＭＲ素子である場合では、磁気検出素子を挟んで設けられた一対のシールド層が、磁気検出素子の下面と上面に接触している。そして、前記リード層がそれぞれのシールド層に接続されており、導電パッドからリード層およびシールド層を介して磁気検出素子に縦方向への検出電流が与えられる。
【０００６】
このような構造の磁気ヘッド装置において、スライダに設けられた導電パッドと、フレキシャの表面に設けられた電極部とが溶融金属で接合されると、その接合作業時に導電パッドが高温となり、その温度は瞬間的に３００℃以上に達することがある。このときの熱はリード層からシールド層に伝達されるために、磁気検出素子を挟んでその両側が高温になる。
【０００７】
さらに一対のシールド層のそれぞれが、磁気検出素子の上面および下面に接触しており、その接触面積は、一般のＣＩＰ型のＧＭＲ素子の両側に位置している電極層の接続面積に比べて広くなっている。そのため、シールド層の熱が磁気検出素子に伝達されやすくなる。磁気検出素子が例えば２３０℃を越える高い温度になると、固定磁性層の磁化が不安定になり、磁気検出能力が低下するおそれがある。また、熱により、シールド層の磁区が変化し、これが原因となってノイズが重畳し、再生出力が不安定になるおそれがある。
【０００８】
本発明は上記従来の課題を解決するものであり、導電パッドを溶融金属で接続する際に、導電パッドに熱が与えられても、シールド層が高温になるのを抑制し、このシールド層に接合されているＴＭＲ素子やＣＰＰ型のＧＭＲ素子が高い温度に加熱されるのを防止しやすい磁気ヘッド装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、磁気記録媒体に対向するスライダ本体と、前記スライダ本体の端面に設けられた絶縁部と、前記絶縁部内に設けられて前記磁気記録媒体に対向する磁気検出素子と、前記絶縁部の表面に設けられた導電パッドと、前記絶縁部内に設けられて前記磁気検出素子と前記導電パッドとを導通させるリード層とを有し、前記スライダ本体を支持する支持体の電極部に、前記導電パッドが溶融金属により接合される磁気ヘッド装置において、
前記磁気検出素子は、磁化方向が固定された固定磁性層と、外部からの磁界により磁化の方向が変化する自由磁性層と、前記固定磁性層と前記自由磁性層との間に位置する非磁性層とを有し、
前記磁気検出素子を挟む一対のシールド層に前記リード層が個別に導通されて、前記シールド層を経て前記磁気検出素子に対し検出電流が供給可能とされており、
前記絶縁部内では、前記リード層と前記導電パッドとが直接に重ねられまたは他の導電層を介して重ねられて前記リード層と前記導電パッドとが導通されており、前記リード層と前記スライダ本体の端面との間には、前記溶融金属から前記導電パッドおよび前記リード層に与えられる熱を前記スライダ本体に伝達する導熱層が設けられていることを特徴とするものである。
【００１０】
本発明の磁気ヘッド装置では、導電パッドと電極部とを溶融金属で接続する際に、導電パッドに熱が与えられたとしても、この熱はリード層の真下に位置する導熱層に伝達され、さらにスライダ本体に伝達される。したがってシールド層が高温になりにくくなり、シールド層に接触しているＴＭＲ素子やＣＰＰ方式のＧＭＲ素子が高温になりにくい。そのために、磁気検出素子の検出機能が熱により低下させられるのを抑制できる。また、シールド層が高温になりにくいため、シールド層の磁区が熱により変化させられることもなく、再生出力へノイズが重畳するのを防止できるようになる。
【００１１】
本発明では、前記導熱層の熱伝導率が前記リード層と同等であるかまたは前記リード層よりも高いことが好ましい。また、前記導熱層の面積は、前記導電パッドの面積と同じかそれよりも広いことがさらに好ましい。
【００１２】
このように、導熱層を熱伝導率の高い層とし、その面積を導電パッド以上とすることにより、導電パッドに与えられた熱が導熱層を介してスライダ本体に逃げやすくなる。
【００１３】
また、本発明は、前記導熱層は金属製であり、前記導熱層と前記スライダ本体の端面との間には、電気的に絶縁でき且つ熱を通過させることのできる絶縁層が設けられている。前記絶縁層の厚みは０．５μｍ以下である。
【００１４】
導熱層とスライダ本体との間に設けられた絶縁層を薄く構成することにより、この絶縁層により、スライダ本体と導熱層とを絶縁でき、且つ導熱層からスライダ本体へ熱を逃がしやすくなる。
【００１５】
本発明は、前記磁気検出素子はＴＭＲ素子であり、前記非磁性層は電気絶縁層である。あるいは、前記磁気検出素子はＧＭＲ素子であり、前記非磁性層は非磁性導電層である。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の磁気ヘッド装置は、スライダの端面に設けられた導電パッドが溶融金属の熱で加熱されたときに、その熱が、導電パッドの真下に位置する導熱層に伝達されてスライダに逃がされる。そのために、シールド層が高温となるのを抑制でき、シールド層の磁区の安定化と、このシールド層に接している磁気検出素子の性能が熱のために劣化することを防止できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
図１は本発明の磁気ヘッド装置のスライダおよびフレキシャを、ハードディスクなどの磁気記録媒体との対向側を上に向けて示す斜視図、図２はスライダの端面の拡大図、図３は磁気検出素子を磁気記録媒体との対向面から見た図２のＩＩＩ矢視の部分拡大図、図４は図２の磁気ヘッド装置をＩＶ−ＩＶ線で切断した部分断面図、図５は図２の磁気ヘッド装置をＶ−Ｖ線で切断した部分断面図である。
【００１８】
図１に示すように、磁気ヘッド装置１は、スライダ１０を有しており、このスライダ１０は、フレキシャ２０に支持されている。スライダ１０を支持する支持体は、前記フレキシャ２０とこのフレキシャ２０を支持しているロードビームとから構成されている。フレキシャ２０は、前記ロードビームの先部に取り付けられている。ロードビームの基部は回動自在に支持され、ロードビームはアクチュエータにより回動駆動される。この回動動作により、フレキシャ２０に支持されている前記スライダ１０は、磁気記録媒体であるハードディスクの内周側と外周側との間を移動できるようになる。
【００１９】
スライダ１０は、スライダ本体１１と、スライダ本体１１の端面に設けられた絶縁部１２とから構成されている。スライダ本体１１は、アルミナ・チタン・カーバイトなどのセラミック材料で形成されており、それ自体は導電性である。スライダ１０は、取付け面１０ｅがフレキシャ２０に接着されており、取付け面１０ｅと逆側の面がハードディスクに対向する対向面１０ａである。前記対向面１０ａは、ＡＢＳ（Air BearingSurface）面であり、この面にはハードディスクとの間に流れる空気流により正圧を発生する凸面や負圧を発生する凹部が所定のパターンで形成されているが、図１では凹凸面の図示を省略している。
【００２０】
スライダ１０は、絶縁部１２が設けられているのと逆側の端面が、前記空気流が流入する側に向けられたリーディング側端面１０ｂであり、前記絶縁部１２の表面が、前記空気流が流出する側に向けられたトレーリング側端面１０ｃである。また、スライダ１０は、左右両側面１０ｄ，１０ｄを有している。
【００２１】
スライダ１０では、絶縁部１２の内部に磁気ヘッド機能部３０が設けられている。すなわち、磁気ヘッド機能部３０は、スライダ本体１１の端面１１ｃと、絶縁部１２の表面であるトレーリング側端面１０ｃとの中間に位置している。
【００２２】
図３は、前記磁気ヘッド機能部３０が設けられている部分で対向面１０ａを拡大して示す拡大平面図である。磁気ヘッド機能部３０は、磁気読取り部３１と磁気記録部４１とが重ねられた構造である。
【００２３】
図３に示すように、磁気読取り部３１では、スライダ本体１１の端面１１ｃに形成されたＡｌ２Ｏ３やＳｉＯ２などの無機絶縁層３２に下部シールド層３３が重ねられ、この下部シールド層３３と間隔を空けて上部シールド層３４が設けられている。下部シールド層３３と上部シールド層３４は、Ｎｉ−Ｆｅ合金などの比較的透磁率の高い磁性材料で形成されている。
【００２４】
下部シールド層３３と上部シールド層３４との間には、磁気検出素子３５が設けられている。磁気検出素子３５の素子本体３５ａの下面は下部シールド層３３に接触し、素子本体３５ａの上面は上部シールド層３４に接触している。検出電流は、上部シールド層３４から素子本体３５ａを経て下部シールド層３３に流れる。すなわち、磁気検出素子３５は、検出電流が膜面と垂直に与えられるものであり、トンネル効果を利用した磁気抵抗効果素子であるＴＭＲ素子、またはＣＰＰ（CurrentPerpendicular to thePlane）型のＧＭＲ素子（巨大磁気抵抗効果素子）である。
【００２５】
ＴＭＲ素子である素子本体３５ａは、下部シールド層３３に接触している部分がＩｒ−Ｍｎ合金などで形成された反強磁性層であり、この反強磁性層の上にＣｏ−Ｆｅ合金などで形成された固定磁性層が設けられている。反強磁性層と固定磁性層との界面での交換結合により、固定磁性層の磁化の方向が対向面１０ａに対して垂直な向きに固定されている。固定磁性層の上にはＴｉＯなどのトンネル効果を発揮する絶縁層が形成されており、この絶縁層の上にＮｉ−Ｆｅ合金などで形成された自由磁性層が積層されている。この自由磁性層が上部シールド層３４に接合され、または自由磁性層がＴａなどの薄い保護層を介して上部シールド層３４に接合されている。
【００２６】
図３に示すように、反強磁性層から保護層までの積層体である素子本体３５ａの左右両側には縦バイアス層３５ｂ，３５ｂが設けられている。この縦バイアス層３５ｂ，３５ｂは磁石として機能し、その縦バイアス磁界が自由磁性層に対して左方向または右方向に作用し、その結果、自由磁性層が左方向または右方向に向けて単磁区化されている。
【００２７】
上部シールド層３４から下部シールド層３３に向けて、磁気検出素子３５に、縦方向へ電流が流されている状態で、ハードディスクから対向面１０ａに対して垂直な向きに磁界が与えられると、自由磁性層の磁化の向きが変化し、その結果、素子本体２５ａの電気抵抗が変化する。この抵抗変化を検出することにより、ハードディスクからの洩れ磁界を検出することができる。
【００２８】
前記磁気検出素子３５が、ＣＰＰ型のＧＭＲ素子の場合には、ＴＭＲ素子の絶縁層の代わりに、銅などの非磁性導電層が設けられる。その他の構成はＴＭＲ素子と同じである。
【００２９】
磁気記録部４１では、上部シールド層３４の上に無機絶縁層４２が形成されており、この絶縁層４２の上に、Ｎｉ−Ｆｅなどの磁性材料で形成された下部コア層４３が形成されており、この下部コア層４３の上に、非磁性層であるギャップ層４４を介して上部コア層４５の磁極部が接続されている。また、絶縁部１２の内部には、前記上部コア層４５の周囲に位置するコイル層が設けられている。このコイル層に通電すると、下部コア層４３と上部コア層４５との間で磁束が外部に洩れ、この洩れ磁束でハードディスクに磁気信号を記録できる。また、前記上部コア層４５の表面は非磁性材料の保護層４６で覆われている。
【００３０】
図１に示すように、スライダ１０のトレーリング側端面１０ｃには導電パッド１３，１４，１５，１６，１７，１８が設けられている。このうちの導電パッド１４と１５は、磁気読取り部３１を構成している磁気検出素子３５の素子本体３５ａに検出電流を与えるためのものである。他の導電パッドは、磁気記録部４１のコイル層に記録電流を与えるために使用され、また磁気ヘッド機能部１２に設けられたヒータへの通電のためなどに使用される。
【００３１】
図２と図４に示すように、磁気検出素子３５の素子本体３５ａの上面が接続されている上部シールド層３４の下面３４ａの後端部には、後方に延びる引き出し電極５１が接続されている。絶縁部１２内では、前記引き出し電極５１に、導電性材料で形成された持ち上げ層５２が積層され、この持ち上げ層５２の上に第１のリード層５３が接続されている。また、素子本体３５ａの下面が接続されている下部シールド層３３の上面３３ａの後端部には、後方に延びる引き出し電極５４が形成され、この引き出し電極５４に持ち上げ層が接続されて、持ち上げ層に第２のリード層５５が接続されている。前記引き出し電極５１，５４と第１のリード層５３および第２のリード層５５は、銅などの低抵抗の金属材料で形成されている。
【００３２】
図５に示すように、前記第１のリード層５３の通電側の端部５３ａは、前記導電パッド１４の真下まで延びている。第１のリード層５３の端部５３ａは、導電パッド１４と同じ形状で同じ面積となるように形成されており、前記端部５３ａは矩形状である。前記第１のリード層５３の端部５３ａの表面には持ち上げ層６１と６２が形成されており、上側の持ち上げ層６２の表面に、前記導電パッド１４が形成されている。下側の持ち上げ層６１は、上側シールド層３４などと一緒にＮｉ−Ｆｅ合金などで形成されている。また、上側の持ち上げ層６２は、銅メッキなどで形成されている。さらに、前記導電パッド１４も銅メッキで形成され、その表面に金メッキなどが施されている。
【００３３】
図５に示すように、第１のリード層５３の端部５３ａの下には、導熱層５６が設けられている。この導熱層５６は、熱伝導率が高い金属材料で形成されており、好ましくは、導熱層５６は、導電パッド１４と同じ熱伝導率の金属材料、または導電パッド１４よりも熱伝導率が高い金属材料で形成されている。さらに、導熱層５６は、第１のリード層５３と同じ熱伝導率または第１のリード層５３よりも熱伝導率の高い金属材料で形成されている。例えば、導熱層５６は銅、銅合金、アルミニウム、アルミニウム合金のいずれかで形成されている。
【００３４】
導熱層５６の熱伝導率が、導電パッド１４や第１のリード層５３と同じかそれよりも高いと、導電パッド１４から第１のリード層５３に与えられた熱が、導熱層５６に引き込まれて、スライダ本体１１に伝達される。
【００３５】
また、導熱層５６は、導電パッド１４と同じ面積か、または導電パッド１４よりも大きな面積で形成されていることが好ましい。さらに、導熱層５６は、前記第１のリード層５３の矩形状の端部５３ａと同じ面積か、それよりも大きい面積で形成されていることが好ましい。
【００３６】
図５に示すように、金属製の導電層５６と導電性のスライダ本体１１との間には、Ａｌ２Ｏ３やＳｉＯ２などの無機酸化物で形成された絶縁層５９が形成されている。この絶縁層５９は、０．５μｍ以下で０．０５μｍ以上の膜厚ｔで形成されている。絶縁層５９の膜厚ｔが前記範囲であると、導熱層５６とスライダ本体１１との間を電気的に絶縁でき、しかも導熱層５６からスライダ本体１１への熱の伝達抵抗を小さくできる。
【００３７】
上記と同様に、第２のリード層５５の端部は、導電パッド１５の真下まで延びており、さらに第２のリード層５５の端部とスライダ本体１１との間にも、導熱層５８が設けられている。この導熱層５８は、第１のリード層５３の端部５３ａの真下に設けられた前記導熱層５６と同じ材質で形成され、形状などの好ましい数値範囲も同じである。
【００３８】
導熱層５６，５８が設けられているのは、磁気検出素子３５に導通される導電パッド１４，１５のみであり、他の導電パッド１４，１６，１７，１８とスライダ本体１１との間には、導熱層が設けられていない。
【００３９】
図１に示すように、フレキシャ２０の表面には、絶縁層を挟んで導電パターン２１，２２，２３，２４，２５，２６が形成されている。導電パターン２１，２２，２３，２４，２５，２６は、前記フレキシャ２０の表面からロードビームの表面へと延びている。それぞれの導電パターン２１，２２，２３，２４，２５，２６には、面積が広くなった電極部２１ａ，２２ａ，２３ａ，２４ａ，２５ａ，２６ａが一体に形成されている。スライダ１０がフレキシャ２０に接着されて固定された状態で、電極部２１ａが導電パッド１３に接近した位置にあり、同様に電極部２２ａ，２３ａ，２４ａ，２５ａ，２６ａが、それぞれ導電パッド１４，１５，１６，１７，１８に、個別に接近して位置している。
【００４０】
そして、電極部２１ａと導電パッド１３は、スズ・銀合金の溶融金属である半田２７を介して接続され、同様に、電極部２２ａと導電パッド１４、電極部２３ａと導電パッド１５のように、電極部と導電パッドとが個別に半田２７で接続されている。
【００４１】
図３に示すように、磁気読取り部３１に設けられている磁気検出素子３５は、ＴＭＲ素子またはＣＰＰ型のＧＭＲ素子であり、素子本体３５ａの下面に下部シールド層３３が接触し、上面に上部シールド層３４が接触している。そして、上部シールド層３４に接続された第１のリード層５３が、導電パッド１４の下まで延び、下部シールド層３３に接続された第２のリード層５５が、導電パッド１５の下まで延びている。よって、導電パッド１４，１５から、第１のリード層５３および第２のリード層５５に熱が伝達され、下部シールド層３３と上部シールド層３４が高温になると、その熱が素子本体３５ａに伝達されやすく、素子本体３５ａが高温になりやすい。例えば、素子本体３５ａが２３０℃以上さらには３００℃以上に加熱されると、素子本体３５ａ内の固定磁性層の磁化が不安定になり、その結果、磁気の読取り時のノイズ成分が多くなるなど、読取り精度に問題が生じる。また、下部シールド層３３と上部シールド層３４が高温になると、シールド層３３，３４内の磁区が変化し、これが原因となって再生出力にノイズが重畳するおそれがある。
【００４２】
この実施の形態の磁気ヘッド装置１では、図１および図５に示すように、スライダ１０のトレーリング側端面１０ｃに設けられた導電パッド１４，１５が電極部２１ａ，２２ａに半田付けされるときに、溶融した半田２７から導電パッド１４，１５に熱が与えられる。この熱はその下に位置している持ち上げ層を介して第１のリード層５３の端部５３ａと第２のリード層５５の端部に与えられる。第１のリード層５３の端部５３ａおよび第２のリード層５５の端部は、リード層５３，５５の他の部分よりも幅広で大きな面積を有しており、さらにその下に、リード層の端部５３ａと同じ面積はそれよりも大きい面積の導熱層５６，５８が位置しており、導熱層５６，５８の熱伝導率は、リード層５３，５５と同等かそれよりも高くなっている。したがって、熱は導熱層５６，５８を経てスライダ本体１１に逃がされ、下部シールド層３３と上部シールド層３４が、高温になるのを防止できる。よって、素子本体３５ａの温度が上昇しすぎるのを防止しやすくなる。
【００４３】
なお、前記実施の形態では、図５に示すように、導熱層５６とスライダ本体１１の端面１１ｃとの間に、熱の伝達を妨げずに電気的絶縁を確保する厚さｔの絶縁層５９が形成されている。ただし、導熱層５６と第１のリード層５３の端部５３ａとの間に、熱の伝達を妨げずに電気的絶縁を確保する厚さの絶縁層が設けられていてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本発明の磁気ヘッド装置の実施の形態を示すものであり、スライダの対向面を上に向けて示す部分斜視図、
【図２】図１に示すスライダのトレーリング側端面の一部を拡大して示す正面図、
【図３】図２のスライダの一部を対向面側から見たＩＩＩ矢視の拡大平面図、
【図４】図２に示すＩＶ−ＩＶ線で切断した拡大断面図、
【図５】図２に示すＶ−Ｖ線で切断した拡大断面図、
【符号の説明】
【００４５】
１  磁気ヘッド装置
１０  スライダ
１０ａ  対向面
１０ｂ  リーディング側端面
１０ｃ  トレーリング側端面
１１  スライダ本体
１１ｃ  端面
１２  絶縁部
２０  フレキシャ
２１，２２，２３，２４，２５，２６  導電パターン
２１ａ，２２ａ，２３ａ，２４ａ，２５ａ，２６ａ  電極部
３０  磁気ヘッド機能部
３１  磁気読取り部
３３  下部シールド層
３４  上部シールド層
３５  磁気検出部
３５ａ  素子本体
４１  磁気記録部
５１，５４  引き出し電極
５３  第１のリード層
５５  第２のリード層
５６，５８  導熱層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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