(57)【要約】【課題】小型かつ高感度な力学量検出センサを提供することができる。【解決手段】  本発明に係る力学量検出センサは、半導体材料からなる第１の層、絶縁材料からなる第２の層、半導体材料からなる第３の層が順に積層されてなる半導体基板と前記半導体基板を挟持して前記半導体基板と接合される一対の支持基板とによって囲まれて形成される密閉室を備えた力学量検出センサにおいて、前記第１の層に開口を有する固定部と、その開口内に配置され、かつ前記固定部に対して変位する変位部と、前記固定部と前記変位部とを接続する接続部を有し、前記第３の層に前記変位部に接合される重量部と、前記重量部を囲んで配置され、前記固定部に接合される枠部を具備し、気体吸収物質が前記密閉室内の側壁上に配設されていることを特徴とする。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体材料からなる第１の層、絶縁材料からなる第２の層、半導体材料からなる第３の層が順に積層されてなる半導体基板と前記半導体基板を挟持して前記半導体基板と接合される一対の支持基板とによって囲まれて形成される密閉室を備えた力学量検出センサにおいて、
前記第１の層に開口を有する固定部と、その開口内に配置され、かつ前記固定部に対して変位する変位部と、前記固定部と前記変位部とを接続する接続部を有し、
前記第３の層に前記変位部に接合される重量部と、前記重量部を囲んで配置され、前記固定部に接合される枠部を具備し、
気体吸収物質が前記密閉室内の側壁上に配設されていること
を特徴とする力学量検出センサ。
【請求項２】
前記気体吸収物質は少なくとも前記重量部または前記枠部の側壁上に配設されていることを特徴とする請求項１記載の力学量検出センサ。
【請求項３】
前記気体吸収物質はゲッター物質であって、前記ゲッター物質が金属Ｚｒ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、これらの金属間の合金または、これらの金属と、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｙ、Ｌａ、および希土類の中から選択される１種以上の元素の合金から選択されることを特徴とする請求項１または２に記載の力学量検出センサ。
【請求項４】
前記ゲッター物質が酸素を吸収することを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の力学量検出センサ。
【請求項５】
前記力学量が、加速度または角速度であることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の力学量検出センサ。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか１項に記載の力学量検出センサを回路基板上に実装して構成されることを特徴とする電子部品。
【請求項７】
前記力学量検出センサと前記回路基板とは、ワイヤボンディング接続またはフリップチップ接続により接続されることを特徴とする請求項６に記載の電子部品。
【請求項８】
半導体材料からなる第１の層、絶縁材料からなる第２の層、半導体材料からなる第３の層が順に積層されてなる半導体基板と前記半導体基板を挟持して前記半導体基板と接合される一対の支持基板とによって囲まれて形成される密閉室を備えた力学量検出センサの製造方法において、
前記第１の層をエッチングして開口を有する固定部と、その開口内に配置され、かつ前記固定部に対して変位する変位部と、前記固定部と前記変位部とを接続する接続部とを形成する工程と、
前記第３の層をエッチングして前記変位部に接合される重量部と、前記重量部を囲んで配置され、前記固定部に接合される枠部とを形成する工程と、
少なくとも前記重量部または前記枠部の側壁上に気体吸収物質を堆積させる工程と、
前記半導体基板と前記支持基板とを接合する工程と
を含むことを特徴とする力学量検出センサの製造方法。
【請求項９】
前記気体吸収物質はゲッター物質であって、前記ゲッター物質が金属Ｚｒ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、これらの金属間の合金または、これらの金属と、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｙ、Ｌａ、および希土類の中から選択される１種以上の元素の合金から選択されることを特徴とする請求項８に記載の力学量検出センサの製造方法。
【請求項１０】
前記ゲッター物質を活性化させる熱処理工程を含むことを特徴とする請求項９に記載の力学量検出センサの製造方法。
【請求項１１】
前記力学量が、加速度または角速度であることを特徴とする請求項８から１０のいずれか１項に記載の力学量検出センサの製造方法。
【請求項１２】
請求項８から１１のいずれか１項に記載された力学量検出センサの製造方法により得られた力学量検出センサを回路基板上に実装する工程を含むことを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項１３】
前記力学量検出センサと前記回路基板とは、ワイヤボンディング接続またはフリップチップ接続により接続されることを特徴とする請求項１２に記載の電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、支持基板と半導体基板とを用いて高真空な密閉室を形成し、該密閉室内に加速度や角速度等の力学量を検出する検出部を収容した力学量検出センサおよびその製造方法に関する。また、該力学量検出センサを用いた電子部品等に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体材料を用いた小型の加速度センサや角速度センサ等の力学量検出センサにおいて（特許文献１参照）、センサの検出感度を向上させるために、センサの検出部を収容する密閉空間内の真空度を向上させる試みが行われてきた。
【０００３】
一般に、ガラス基板とシリコンからなる半導体基板とを接合するには、真空減圧下で陽極接合を行い、両基板の接合を行っている。しかし、陽極接合時に両基板から不純ガス（例えば、酸素）が発生して密閉室内に残存する。その結果、センサの感度の低下を招いていた。
【０００４】
そのため、半導体基板もしくは支持基板（ガラス基板等）の面上に気体吸収物質（ゲッター物質）を配設し、密閉室内の真空度を維持するマイクロマシンデバイスが提案されている（特許文献２参照）。
【特許文献１】特開２００７―３１９２号公報
【特許文献２】特表２００５−５１００４１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
センサの感度を得るために作用体（重量部）をセンサ内で最大限大きく設計すると、ゲッター物質をセンサの面内に配置する場合、センサデバイスが小型化するにつれてゲッター物質の配置に制限が生じる。
【０００６】
ゲッター物質の気体吸収能は、ゲッター物質が気体に曝露する表面積に依存する。しかしながら、従来のように、半導体基板もしくは支持基板（半導体基板、ガラス基板等）の上にゲッター物質を配置し、その配置スペースを確保しようとするとセンサデバイスの小型化を妨げることになる。
【０００７】
上記に鑑み、本発明は半導体からなる力学量検出センサ、特に角速度センサ、加速度センサに関するものであって、その小型化を妨げることなく、ゲッター物質を配設した力学量検出センサを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る力学量検出センサは、半導体材料からなる第１の層、絶縁材料からなる第２の層、半導体材料からなる第３の層が順に積層されてなる半導体基板と前記半導体基板を挟持して前記半導体基板と接合される一対の支持基板とによって囲まれて形成される密閉室を備えた力学量検出センサにおいて、前記第１の層に開口を有する固定部と、その開口内に配置され、かつ前記固定部に対して変位する変位部と、前記固定部と前記変位部とを接続する接続部を有し、前記第３の層に前記変位部に接合される重量部と、前記重量部を囲んで配置され、前記固定部に接合される枠部を具備し、気体吸収物質が前記密閉室内の側壁上に配設されていることを特徴とする。したがって、ゲッター物質をセンサ（デバイス）の厚み方向に配置することでセンサの小型化を妨げることなく、検出感度の高い力学量検出センサを提供できる。
【０００９】
本発明に係る力学量検出センサの製造方法は、半導体材料からなる第１の層、絶縁材料からなる第２の層、半導体材料からなる第３の層が順に積層されてなる半導体基板と前記半導体基板を挟持して前記半導体基板と接合される一対の支持基板とによって囲まれて形成される密閉室を備えた力学量検出センサの製造方法において、前記第１の層をエッチングして開口を有する固定部と、その開口内に配置され、かつ前記固定部に対して変位する変位部と、前記固定部と前記変位部とを接続する接続部とを形成する工程と、前記第３の層をエッチングして前記変位部に接合される重量部と、前記重量部を囲んで配置され、前記固定部に接合される枠部とを形成する工程と、少なくとも前記重量部または前記枠部の側壁上に気体吸収物質を堆積させる工程と、前記半導体基板と前記支持基板とを接合する工程とを含むことを特徴とする。したがって、センサ（デバイス）の厚み方向に配置することでセンサの小型化を妨げることなく、ゲッター物質を配設した検出感度の高い力学量検出センサの製造方法を提供できる。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、小型かつ高感度な力学量検出センサを提供できる。また、該力学量検出センサを用いた高感度な電子部品を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態を詳細に説明する。
＜実施例＞
本発明に係る力学量検出センサ１００としてその構成等及び製造方法について述べる。
【００１２】
図１は力学量検出センサ１００を分解した状態を示す分解斜視図である。図２は、図１の力学量検出センサにおける半導体基板を分解した分解斜視図である（図の見易さのため第２の層は図示せず）。
【００１３】
力学量検出センサ１００は、一対の支持基板（ガラス基板）と、該一対のガラス基板の間に挟持された状態で陽極接合により接合された半導体基板より構成される。半導体基板は、例えば、ＳＯＩ（Silicon  On  Insulator）基板１である。その場合、第１、第２、第３の層はそれぞれ、活性層、ＢＯＸ（埋め込み酸化膜）層、支持層である。力学量検出センサ１００はその外形が、例えば、３〜５ｍｍ辺の略正方形状である。
【００１４】
ＳＯＩ基板１は、シリコンからなる支持層５に二酸化珪素からなるＢＯＸ層４、シリコンからなる活性層３が順に積層されてなる。活性層３、ＢＯＸ層４、支持層５、ガラス基板２はそれぞれ、例えば、５〜１００μｍ、１〜５μｍ、３００〜８００μｍ、３００〜６００μｍの厚みを有する。
【００１５】
活性層３は、開口部３ｄを有する固定部３ｃと、その開口部３ｄ内に配置され、かつ固定部３ｃに対して変位する変位部３ａと、固定部３ｃと変位部３ａとを接続する接続部（梁部）３ｂと、ブロック上層部３ｅを有する。支持層５は、変位部３ａに接合される重量部５ａと、重量部５ａを囲んで配置され、固定部３ｃに接合される枠部５ｂと、ブロック下層部５ｃを有する。ＢＯＸ層４は固定部３ｄと枠部５ｂ、変位部３ａと重量部５ａ、ブロック上層部３ｅとブロック下層部５ｃとをそれぞれ接合する接合部４ａを有する（図１の見易さのため図示せず）。
【００１６】
図１および図２では、固定部３ｃより４本の接続部が伸び、固定部３ｃと変位部３ａとを接続する。変位部３ａの周囲には４つの開口部３ｄが存在し、この開口部３ｄ内にブロック上層部３ｅが配置されている。
【００１７】
図３は、図１に示す力学量検出センサ１００をＡ−Ａに沿って切断した状態を示す断面図である。上下ガラス基板２と、固定部３ｃ、接合部４ａ、枠部５ｂにより密閉室６が形成され、外部から作用した力学量（角速度又は加速度）を検出する検出部を密閉室６内に備えている。
【００１８】
変位部３ａは密閉室６内において、接続部３ｂによりガラス基板２に接触しないように中空状態で存在している。重量部５ａは変位部３ａに接合されており、質量を有し、角速度に起因するコリオリ力および加速度に起因する慣性力を受ける重錘、あるいは作用体として機能する。重量部５ａは図２に示すように、例えば、鉛直視クローバー形状をしており、質量を分散配置することでセンサの小型化と高感度化の両立を図っている。重量部５ａおよび枠部５ｂの側壁上にゲッター１０が配設されている。ゲッター１０は、密閉室６内の真空度を高める目的で残留気体を吸着するもので、金属Ｚｒ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、これらの金属間の合金または、これらの金属と、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｙ、Ｌａ、および希土類の中から選択される１種以上の元素の合金等で構成されている。
【００１９】
固定部３ｃと接合されたガラス基板２上であって、変位部３ａと対向する位置には駆動用電極Ｅ１ａ、検出用電極Ｅ２ａが設けられている。同様に、枠部５ｂと接合されたガラス基板２上であって、質量部５ａと対向する位置には駆動用電極Ｅ１ｂ、検出電極Ｅ２ｂが設けられている。なお、図示しないが変位部５ａの上面および重量部５ａの下面にはＥ（駆動電極および検出電極）が設けられている。駆動用電極Ｅ１とＥは容量結合しており、この間に電圧が印加されると変位部３ａ上部および質量部５ａの下部には静電引力が作用し、変位部３ａ（重量部５ａも）をＺ軸方向に振動させることができる。
【００２０】
変位部３ａをＺ軸方向に振動させた状態で、Ｘ軸又はＹ軸方向の角速度ωｘ、ωｙによるＹ軸又はＸ軸のコリオリ力Ｆｙ、Ｆｘによる変位部３ａの変位を検出することで角速度ωｘ、ωｙを測定できる。このように角速度センサ１００は、２軸の角速度ωｘ、ωｙを測定できる。なお、検出方法等に関しては後述する。
【００２１】
活性層３および支持層５に設けられたブロック上層部３ｅおよびブロック下層部５ｅは、それぞれ配線用途で用いられる。駆動電極Ｅ１ａは、図示しない配線とブロック下層部５ｅ、導通部１１、ブロック上層部３ｅにより配線用端子１２ａと電気的に接続され、配線用端子１２ａに電圧が印加されると変位部３ａの上面に静電引力が作用する。同様に、駆動電極Ｅ１ｂは、図示しない配線とブロック下層部５ｅにより配線端子１２ｂと電気的に接続され、配線用端子１２ｂに電圧が印加されると重量部５ａの下面に静電引力が作用する。なお、変位部３ａと重量部５ａとは導通部１１により、電気的に接続されている。
【００２２】
力学量検出センサ１００による力学量の検出の原理を述べる。
（１）変位部３ａの振動
駆動用電極Ｅ１ａ、変位部３ａ上面の駆動電極Ｅ（図示せず）に電圧を印加すると、静電引力によって互いに引合い、変位部３ａ（重量部５ａも）はＺ軸正方向に変位する。同様に、駆動用電極Ｅ１ｂ、重量部５ａ下面の駆動電極Ｅ（図示せず）に電圧を印加すると、静電引力によって互いに引合い、変位部３ａ（重量部５ａも）はＺ軸負方向に変位する。即ち、電圧印加を交互に行うことで、変位部３ａ（重量部５ａも）はＺ軸方向に振動する。この電圧の印加は正又は負の直流波形（非印加時も考慮するとパルス波形）、半波波形等を用いることができる。
【００２３】
変位部３ａの振動の周期は電圧を切り換える周期できまってくる。この切換の周期は変位部３ａの固有振動数にある程度近接していることが好ましい。変位部３ａの固有振動数は、接続部３ｂの弾性力や重量部５ａの質量等で決定される。変位部３ａに加えられる振動の周期が固有振動数に対応しないと、変位部３ａに加えられた振動のエネルギーが発散されてエネルギー効率が低下する。
【００２４】
なお、駆動用電極Ｅ１ａ、Ｅ（図示せず）間、又は駆動用電極Ｅ１ｂ、Ｅ（図示せず）間のいずれか一方のみに、変位部３ａの固有振動の１／２の周波数の交流電圧を印加してもよい。
（２）力学量の発生
重量部５ａ（変位部３ａ）がＺ軸方向に速度ｖｚで移動しているときに角速度ωが印加されると重量部５ａにコリオリ力Ｆが作用する。具体的には、Ｘ軸方向の角速度ωｘおよびＹ軸方向の角速度ωｙそれぞれに応じて、Ｙ軸方向のコリオリ力Ｆｙ（＝２・ｍ・ｖｚ・ωｘ）およびＸ軸方向のコリオリ力Ｆｘ（＝２・ｍ・ｖｚ・ωｙ）が重量部５ａに作用する（ｍは、重量部５ａの質量）。
【００２５】
Ｘ軸方向の角速度ωｘによるコリオリ力Ｆｙが印加されると、変位部３ａにＹ方向への傾きが生じる。このように、角速度ωｘ、ωｙに起因するコリオリ力Ｆｙ、Ｆｘによって変位部３ａにＹ方向、Ｘ方向の傾き（変位）が生じる。
（３）変位部３ａの変位の検出
変位部３ａの傾きは、検出用電極Ｅ２ａ、Ｅ２ｂによって検出できる。変位部３ａにコリオリ力が印加されると、検出用電極Ｅ２ａと変位部３ａ上面に設けられた検出用電極Ｅ（図示せず）との距離、および検出用電極Ｅ２ｂと重量部５ａの下面に設けられた検出用電極Ｅ（図示せず）との距離が変化し、その結果、両電極の容量は変化することになる。即ち、この容量変化（具体的には、両電極間の容量差）に基づいて変位部３ａの傾きの変化を検出し、検出信号として取り出すことができる。
【００２６】
以上のように、駆動用電極によって変位部３ａをＺ軸方向に振動させ、検出用電極によって変位部３ａのＸ、Ｙ方向の傾きを検出する。この結果、力学量検出センサ１００によるＸ、Ｙ方向（２軸）の角速度ωｙ、ωｘの測定が可能となる。
（４）検出信号の分離
検出用電極から出力される信号は、重量部５ａに印加される角速度ωｙ、ωｘに起因する成分のみではない。この信号には重量部５ａに印加されるＸ軸、Ｙ軸方向の加速度αｘ、αｙに起因する成分も含まれる。加速度αｘ、αｙによっても変位部５ａの変位が生じうるからである。
【００２７】
検出信号の直流成分、交流成分を図示しない外部電気回路により分離して検出することで、加速度成分と角速度成分をそれぞれ独立に測定することが可能である。これにより力学量（加速度、角速度）を検出することができる。
【００２８】
力学量検出センサ１００の製造方法について述べる。
【００２９】
図４は、力学量検出センサ１００の作成手順の一例を表すフロー図である。また図５は、図３の作成手順における力学量検出センサ１００の状態を表す断面図である（図１においてＡ−Ａで切断した断面図に相当する）。
（１）ＳＯＩ基板１の準備（ステップＳ１０、および図５（ａ））
図５（ａ）に示すように、支持層５にＢＯＸ層４、活性層３を積層してなるＳＯＩ基板１を用意する。当該ＳＯＩ基板１は、ＳＩＭＯＸないし、貼り合せ法等により作成される。
【００３０】
活性層３および支持層５には不純物が含まれている。不純物としては、例えば、ボロン等を挙げることができる。ボロンが含まれるシリコンとしては、例えば、高濃度のボロンを含み、抵抗率が０．００１〜０．０１Ω・ｃｍのものを使用できる。不純物が含まれるシリコンは、例えば、チョクラルスキー法によるシリコン単結晶の製造において、ボロンをドープすることにより製造できる。
（２）活性層３の加工（ステップＳ１１、および図５（ｂ））
変位部３ａ、接続部３ｂ、固定部３ｃ、ブロック上層部３ｅに対応するパターンのレジストマスクを活性層３上面に設け、活性層３を厚み方向にエッチングすることにより、開口部３ｄを形成し、変位部３ａ、接続部３ｂ、固定部３ｃを形成する。例えば、このようなエッチングとして活性層３に対して侵食性を有し、ＢＯＸ層４に対して侵食性を有しない（もしくは活性層３の侵食性に比して低い）エッチング方法を用いることにより可能である。これにより、開口部３ｄに対してＢＯＸ層４の上面が露出するまで厚み方向にエッチングする（図５（ｂ））。
【００３１】
上述のエッチング方法として、例えば、ＣＦ4ガスとＯ2ガスとの混合ガスを用いたＲＩＥ（Reactive  Ion  Etching）法によるドライエッチングを用いることができる。
【００３２】
また、活性層３の所定の箇所をエッチングし、ＢＯＸ層４まで貫通するような貫通孔１１（後述する導通部１１）を形成する。エッチング方法としては、例えば、２０％ＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）を用いることができ、ＢＯＸ層のエッチングでは、例えば、バッファド弗酸（例えば、ＨＦ＝５．５ｗｔ％、ＮＨ4Ｆ＝２０ｗｔ％の混合水溶液）を用いることができる。
（３）支持層５の加工（ステップＳ１２、および図５（ｃ））
重量部５ａ、枠部５ｂ、ブロック下層部５ｅに対応するパターンのレジストマスクを支持層５下面に設け、支持層５を厚み方向にエッチングすることにより、重量部５ａ、枠部５ｂ、ブロック下層部５ｅを形成する。例えば、このようなエッチングとして支持層５に対して侵食性を有し、ＢＯＸ層４に対して侵食性を有しない（もしくは支持層５の侵食性に比して低い）エッチング方法を用いることにより可能である。これにより、ＢＯＸ層４の下面が露出するまで厚み方向にエッチングする（図５（ｃ））。
【００３３】
上述のエッチング方法として、例えば、ＤＲＩＥ（Deep Reactive Ion Etching）が挙げられる。この方法では材料層を厚み方向に侵食しながら掘り進むエッチングステップと、彫った穴の側壁にポリマーの壁を形成するデポジションステップと、を交互に繰り返す。掘り進んだ穴の側壁は、順次ポリマーの壁が形成されて保護されるため、ほぼ厚み方向にのみ侵食を進ませることが可能であり、エッチングガスとしてＳＦ6等のイオン・ラジカル供給ガスを用い、デポジションガスとしてＣ4Ｆ8等を用いることができる。
【００３４】
なお、ステップＳ１１は、ステップＳ１２の後、もしくは後述するステップＳ１３の後に行ってもよいものとし、本発明の力学量検出センサ１００の製造方法は、本明細書記載の順序、方法に限られない。
（４）ゲッター１０の配設（ステップＳ１３、および図５（ｄ））
ゲッター１０を重量部５ａ、枠部５ｂ、ブロック下層部５ｅの側壁上に堆積させる。ゲッター１０の堆積はプラズマＣＶＤ（Chemical  Vapor  Deposition：化学気層成長）法により、反応性ガスを利用して行う。例えば、Ｔｉ（チタン）を含む非蒸発型の酸素吸収ゲッターを堆積させる。ＣＶＤ法では、重量部５ａ、枠部５ｂ、ブロック下層部５ｅ等により形成された溝内に反応性ガスが侵入できるため、溝内にゲッター１０を堆積させることができる。力学量検出センサ１００の厚み方向にゲッター１０を配設することで、センサの体格の小型化を妨げるなくゲッター物質の配置スペースを確保できる。また、ゲッター配置用のスペースを必要しないため、小型化した際の設計の自由度を向上させることができる。
（５）電極の形成（ステップＳ１４、および図５（ｄ））
活性層３およびＢＯＸ層４内に形成した貫通孔１１および、変位部３ａ上面、重量部５ａ下面に、例えば、スパッタ法や蒸着法により、導通部１１および、駆動用電極Ｅ（図示せず）、検出用電極Ｅ（図示せず）を形成する。電極および配線の材料としては、例えば、Ａｌ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｌ−Ｎｄからなる合金等を用いることができる。
【００３５】
ガラス基板２上、かつ、変位部３ａの上面、重量部５ａの下面に対向する主面に、駆動用電極Ｅ１ａ、Ｅ１ｂ、検出用電極Ｅ２ａ、Ｅ２ｂを、上述の方法により、Ａｌ等を用いて形成する。
【００３６】
また変位部３ａの上面と対向するガラス基板２には、変位部３ａがガラス基板２に接触することを防ぐために、エッチングにより凹部（ギャップ）形成しておき、駆動用電極Ｅ１ａ、検出電極Ｅ２ａおよび図示しない配線を形成する。
（６）ガラス基板２の接合（ステップＳ１５、および図５（ｅ）〜（ｆ））
ＳＯＩ基板１と２枚のガラス基板２とを、例えば、陽極接合により接合する。
【００３７】
ガラス基板２は、可動イオンを多く含むガラス基板であることが好ましい。例えば、Ｎａイオンを多く含むパイレックス（登録商標）ガラスを用いることができる。
【００３８】
図５（ｅ）〜（ｆ）は、ＳＯＩ基板１とガラス基板２とを接合した状態を示す。接合する順序は上述の記載に限定されることはなく、例えば、支持層５とガラス基板２の接合を行った後、活性層３とガラス基板２の接合を行ってもよい。
【００３９】
陽極接合は、例えば、ガラス基板２に含まれる可動イオンの移動を容易にするために３００〜５００℃に加熱した状態で、ガラス基板２およびＳＯＩ基板１の間に数千Ｖの電圧を印加し、それによって生じた静電引力によりガラスとシリコンの接合を行う。ゲッター１０は、陽極接合時に活性化される（もしくは別に熱処理工程（〜４５０℃）を行ってもよい）。ゲッター材料の活性化とは、ゲッター材料の表面に付着した分子（吸着すべきガス分子を含む）が内部へ拡散して、ガス吸着能力をもつ新たな表面が生成されることをいう。
（７）ダイシング（ステップＳ１６、および図５（ｆ））
一対のガラス基板２と、該一対のガラス基板２の間に挟持された状態で陽極接合により接合されたＳＯＩ基板１とから構成される力学量検出センサ１００をダイシングソー等でダイシングし、個別の力学量検出センサに分離する。
【００４０】
以上により、ゲッター物質を力学量検出センサの厚み方向に対して配設することで、小型化を妨げるなくゲッター物質の配置スペースを確保し、小型かつ高感度な力学量検出センサを提供することができる。
＜力学量検出センサを用いた電子部品について＞
本発明に係る力学量検出センサは、例えば、ＩＣ等の能動素子を搭載する回路基板上に実装される。ワイヤボンディング接続や、金属バンプを介して接続するフリップチップ接続等の周知の方法および材料によって配線用端子１２と、電子回路基板もしくはIC等の能動素子とを接続し、一つの電子部品として機能する。該電子部品は、例えば、携帯電話等のモバイル端末機に搭載されて市場に流通する。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明に係る力学量検出センサを表す分解斜視図である。
【図２】図１の力学量検出センサにおける半導体基板を分解した分解斜視図である。
【図３】図１の力学量検出センサの構造を示す図であって、図１におけるＡ−Ａに沿って切断した断面図である。
【図４】図１の力学量検出センサの作製手順をフローチャートで表したフロー図である。
【図５】図１の力学量検出センサの製造方法の一例を表す断面図である。
【符号の説明】
【００４２】
１００：力学量検出センサ
１：ＳＯＩ基板
２：ガラス基板（支持基板）
３：第１の層（活性層）
３ａ：変位部
３ｂ：接続部
３ｃ：固定部
３ｄ：開口部
３ｅ：ブロック上層部
４：第２の層（ＢＯＸ層）
４ａ：接合部
５：第３の層（支持層）
５ａ：重量部
５ｂ：枠部
５ｅ：ブロック下層部
６：密閉室
１０：ゲッター
１１：導通部
１２：配線用端子
Ｅ：駆動電極、検出電極
Ｅ１ａ、Ｅ１ｂ：駆動用電極
Ｅ２ａ、Ｅ２ｂ：検出用電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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