(57)【要約】【課題】不測の事態が生じても生産性の低下を回避する。【解決手段】物体Ｗに第１処理を行う第１処理装置５０と、第１処理が行われて供給された物体Ｗに第２処理を行う第２処理装置１０とを備える。第１処理装置５０と第２処理装置１０とを接続し、第１処理に関する情報を第２処理装置１０に受信させる通信装置ＣＳと、第１処理装置５０から通信装置ＣＳを介して物体Ｗの供給停止に関する情報が通知されたときに、第２処理装置１０に第２処理とは異なる第３処理に切り換えて行わせる制御装置１２０とを有する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
物体に第１処理を行う第１処理装置と、前記第１処理が行われて供給された前記物体に第２処理を行う第２処理装置とを備えた物体処理システムであって、
前記第１処理装置と前記第２処理装置とを接続し、前記第１処理に関する情報を前記第２処理装置に受信させる通信装置と、
前記第１処理装置から前記通信装置を介して前記物体の供給停止に関する情報が通知されたときに、前記第２処理装置に前記第２処理とは異なる第３処理に切り換えて行わせる制御装置とを有することを特徴とする物体処理システム。
【請求項２】
請求項１記載の物体処理システムにおいて、
前記物体の供給停止に関する情報は、前記第１処理装置でエラーが生じたときに通知されることを特徴とする物体処理システム。
【請求項３】
請求項１または２記載の物体処理システムにおいて、
前記第３処理は、前記第２処理に関連する処理であることを特徴とする物体処理システム。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか一項に記載の物体処理システムにおいて、
前記第１処理装置は複数設けられ、
前記通信装置は、前記複数の第１処理装置と前記第２処理装置とをそれぞれ接続し、
前記制御装置は、前記複数の第１処理装置からそれぞれ通知される前記物体の供給停止に関する情報に基づいて前記第３処理を行わせることを特徴とする物体処理システム。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか一項に記載の物体処理システムにおいて、
前記第１処理装置は、前記物体を前記第２処理装置に搬送処理する搬送装置であることを特徴とする物体処理システム。
【請求項６】
第１処理装置で第１処理が行われた物体が第２処理装置に供給されて第２処理が行われる物体処理方法であって、
前記第１処理が行われた物体の供給停止に関する情報を通知する通知工程と、
前記物体の供給停止に関する情報が通知されたときに、前記第２処理装置に前記第２処理とは異なる第３処理に切り換えて行わせる切換工程を有することを特徴とする物体処理方法。
【請求項７】
請求項６記載の物体処理方法において、
前記物体の供給停止に関する情報は、前記第１処理装置でエラーが生じたときに通知されることを特徴とする物体処理方法。
【請求項８】
請求項６または７記載の物体処理方法において、
前記第３処理は、前記第２処理に関連する処理であることを特徴とする物体処理方法。
【請求項９】
請求項６から８のいずれか一項に記載の物体処理方法において、
前記第１処理装置を複数設け、
前記切換工程では、前記複数の第１処理装置からそれぞれ通知される前記物体の供給停止に関する情報に基づいて前記第３処理を行わせることを特徴とする物体処理方法。
【請求項１０】
請求項６から９のいずれか一項に記載の物体処理方法において、
前記第１処理は、前記物体を前記第２処理装置に搬送する搬送処理を含むことを特徴とする物体処理方法。
【請求項１１】
第１処理が行われて供給された基板に露光処理を行う露光装置であって、
前記基板の供給停止に関する情報が通知されたときに、前記露光処理とは異なる処理に切り換えて行わせる制御装置を有することを特徴とする露光装置。
【請求項１２】
請求項１１記載の露光装置において、
前記基板の供給停止に関する情報は、前記第１処理に関するエラーが生じたときに通知されることを特徴とする露光装置。
【請求項１３】
請求項１１または１２記載の露光装置において、
前記露光処理とは異なる処理は、前記露光処理に関連する処理であることを特徴とする露光装置。
【請求項１４】
請求項１１から１３のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記第１処理は、前記基板を搬送して供給する搬送処理を含むことを特徴とする露光装置。
【請求項１５】
第１処理が行われて供給された基板に露光処理を行う露光方法であって、
前記基板の供給停止に関する情報が通知されたときに、前記露光処理とは異なる処理に切り換えて行わせる切換工程を有することを特徴とする露光方法。
【請求項１６】
請求項１５記載の露光方法において、
前記基板の供給停止に関する情報は、前記第１処理に関するエラーが生じたときに通知されることを特徴とする露光方法。
【請求項１７】
請求項１５または１６記載の露光方法において、
前記露光処理とは異なる処理は、前記露光処理に関連する処理であることを特徴とする露光方法。
【請求項１８】
請求項１５から１７のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記第１処理は、前記基板を搬送して供給する搬送処理を含むことを特徴とする露光方法。
【請求項１９】
請求項６から１０のいずれか一項に記載の物体処理方法を用いることを特徴とするデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、物体処理システム、物体処理方法、露光装置、露光方法及びデバイス製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
電子部品等の物体の製造工程では、複数の処理装置を用いた処理が行われることがある。このような複数の処理装置を用いて処理が行われる電子部品の製造工程の一例として、半導体の露光（リソグラフィ）工程では、例えば基板（物体）上に感光材を塗布する機能と、露光後に基板の現像を行う機能とを有するコータ・デベロッパ装置（以下Ｃ／Ｄ装置）を露光装置にインラインで接続したインライン・リソグラフィシステムを用いることがある。
この種のインライン・リソグラフィシステムでは、Ｃ／Ｄ装置において定期的なメンテナンス、部品交換等、運転を停止した場合に露光装置の運転も停止しなければならないことから、露光装置の稼働率を低下させる要因が露光装置単体の場合に比べて、明らかに多くなる。
【０００３】
そこで、特許文献１には、露光装置が、Ｃ／Ｄ装置からのメンテナンスに関する情報に基づいて、自装置の動作を決定する動作決定装置としての主制御装置を備え、主制御装置が、Ｃ／Ｄ装置のメンテナンス中、すなわち露光装置の本来の運転も必然的に停止しなければならないときに、これと並行して、自装置の性能維持のために必要な動作であって装置本来の動作の停止が必要となる特定動作を行うことを決定する技術が開示されている。この技術によれば、その特定動作を行うのに必要な露光装置のダウンタイムを全体として減少させることができ、これにより、基板処理装置にインライン接続された露光装置の装置性能を低下させることなく、稼働率を向上させることができる。
【特許文献１】国際公開第０６／０２５３０２号パンフレット
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、複数の処理装置を用いて処理が行われる際には、以下のような問題が存在する。
不測の事態が一方の装置において生じた場合、他方の装置においては、基板が供給されるまで待機状態（基板待ち受け状態）になる可能性があり、この場合、生産性の低下や、ダウンタイムの増加が避けられない。
【０００５】
本発明は、以上のような点を考慮してなされたもので、不測の事態が生じても生産性の低下を回避できる物体処理システム、物体処理方法、露光装置、露光方法及びデバイス製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記の目的を達成するために本発明は、実施の形態を示す図１ないし図６に対応付けした以下の構成を採用している。
本発明の物体処理システムは、物体（Ｗ）に第１処理を行う第１処理装置（５０）と、第１処理が行われて供給された物体に第２処理を行う第２処理装置（１０）とを備えた物体処理システム（１００）であって、第１処理装置と第２処理装置とを接続し、第１処理に関する情報を第２処理装置に受信させる通信装置（ＣＳ）と、第１処理装置から通信装置を介して物体の供給停止に関する情報が通知されたときに、第２処理装置に前記第２処理とは異なる第３処理に切り換えて行わせる制御装置（１２０）とを有することを特徴とするものである。
従って、本発明の物体処理システムでは、第１処理装置（５０）における第１処理で不測の事態が生じた場合、通信装置（ＣＳ）を介して物体（Ｗ）の供給停止に関する情報が通知されると、制御装置（１２０）が第２処理装置（１０）に対して、第２処理から第３処理に切り換えて行わせる。そのため、本発明では、第２処理装置において、物体が供給されるまで第２処理を待機する状態になって生産性が低下することを防止できる。
【０００７】
また、本発明の物体処理方法は、第１処理装置（５０）で第１処理が行われた物体（Ｗ）が第２処理装置（１０）に供給されて第２処理が行われる物体処理方法であって、第１処理が行われた物体の供給停止に関する情報を通知する通知工程と、物体の供給停止に関する情報が通知されたときに、第２処理装置に第２処理とは異なる第３処理に切り換えて行わせる切換工程を有することを特徴とするものである。
従って、本発明の物体処理方法では、第１処理装置（５０）における第１処理で不測の事態が生じた場合、物体（Ｗ）の供給停止に関する情報が通知されると、第２処理装置（１０）に対して、第２処理から第３処理に切り換えて行わせる。そのため、本発明では、第２処理装置において、物体が供給されるまで第２処理を待機する状態になって生産性が低下することを防止できる。
【０００８】
そして、本発明の露光装置は、第１処理が行われて供給された基板（Ｗ）に露光処理を行う露光装置（１０）であって、基板の供給停止に関する情報が通知されたときに、露光処理とは異なる処理に切り換えて行わせる制御装置（１２０）を有することを特徴とするものである。
従って、本発明の露光装置では、基板（Ｗ）の供給停止に関する情報が通知されると、制御装置（１２０）が露光処理から、この露光処理とは異なる処理に切り換えて行わせる。そのため、本発明では、基板が供給されるまで露光処理を待機する状態になって生産性が低下することを防止できる。
【０００９】
また、本発明の露光方法は、第１処理が行われて供給された基板（Ｗ）に露光処理を行う露光方法であって、基板の供給停止に関する情報が通知されたときに、露光処理とは異なる処理に切り換えて行わせる切換工程を有することを特徴とするものである。
従って、本発明の露光方法では、基板（Ｗ）の供給停止に関する情報が通知されると、露光処理から、この露光処理とは異なる処理に切り換えて行わせることができる。そのため、本発明では、基板が供給されるまで露光処理を待機する状態になって生産性が低下したり装置ダウンタイムが増加することを防止できる。
【００１０】
そして、本発明のデバイス製造方法は、先に記載の物体処理方法を用いることを特徴とするを特徴とするものである。
従って、本発明のデバイス製造方法では、物体が供給されるまで第２処理を待機する状態になって生産性が低下することなく、効率的にデバイスを製造できる。
【００１１】
なお、本発明をわかりやすく説明するために、一実施例を示す図面の符号に対応付けて説明したが、本発明が実施例に限定されるものではないことは言うまでもない。
【発明の効果】
【００１２】
本発明では、生産性が低下することを防止できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の物体処理システム、物体処理方法、露光装置、露光方法及びデバイス製造方法の実施の形態を、図１ないし図６を参照して説明する。
ここでは、例えば、第１処理装置として、半導体デバイス製造用の半導体ウエハ（物体、基板）に対する感光材塗布処理を第１処理として行うとともに、露光処理が施されたウエハに現像処理を施すコータデベロッパ装置（以下、Ｃ／Ｄ装置と称する）を用い、第２処理装置として、Ｃ／Ｄ装置から搬送されたウエハに対して、第２処理として露光処理を施す露光装置を用いる場合について説明する。
なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。
【００１４】
（第１実施形態）
図１には、本発明に係る露光装置及びＣ／Ｄ装置を含んで構成された第１実施形態に係るリソグラフィシステムの構成が、平面図にて示されている。
この図１に示されるリソグラフィシステム（物体処理システム）１００は、クリーンルーム内に設置されている。このリソグラフィシステム１００は、クリーンルームの床面上に設置された露光装置（第２処理装置）１０と、該露光装置１０の−Ｙ側（図１における紙面左側）に、インライン・インタフェース部（以下、「インラインＩ／Ｆ部」と呼ぶ）１１０を介して接続された第１処理装置としてのＣ／Ｄ装置５０とを備えている。
【００１５】
露光装置１０は、図１におけるＹ軸方向の中央やや−Ｙ側寄りの位置に仕切り壁１４が設けられたチャンバ１６と、該チャンバ１６内部の仕切り壁１４によって区画されたＸ軸方向一側（−Ｘ側）の大部屋１２Ａの内部に収容された露光装置本体１０Ａ（図１では、ウエハステージＷＳＴ及び投影光学系ＰＬ以外の部分は図示省略）と、チャンバ１６内部の仕切り壁１４によって区画されたＸ軸方向他側（＋Ｘ側）の小部屋１２Ｂの内部にその大部分が収容された基板搬送系としてのウエハローダ系４０とを備えている。露光装置本体１０Ａには、チャンバ１６の外部に配置された光源としてのレーザ装置１が、引き回し光学系ＢＭＵを介して接続されている。
【００１６】
図２には、露光装置１０の構成が正面図にて概略的に示されている。但し、この図２では、チャンバ１６が仮想線（二点鎖線）にて示されている。この露光装置１０は、ステップ・アンド・スキャン方式の走査型投影露光装置、すなわちいわゆるスキャナ（スキャニング・ステッパとも呼ばれる）である。
【００１７】
前記レーザ装置１としては、ＫｒＦエキシマレーザ（発振波長２４８ｎｍ）あるいはＡｒＦエキシマレーザ（発振波長１９３ｎｍ）などの遠紫外域のパルス光を発振するパルスレーザが用いられている。なお、レーザ装置１として、Ｆ２レーザ（発振波長１５７ｎｍ）等の真空紫外光源を用いても良い。
【００１８】
前記露光装置本体１０Ａは、照明ユニットＩＬＵ、マスクとしてのレチクルＲを保持するレチクルステージＲＳＴ、投影光学系ＰＬ、ウエハＷを保持してＸＹ平面内を自在に移動可能なウエハステージＷＳＴ、前記レチクルステージＲＳＴ及び投影光学系ＰＬなどが搭載されたボディＢＤ、並びに装置全体を統括的に制御する主制御装置１２０等を備えている。
【００１９】
前記照明ユニットＩＬＵは、照明系ハウジング１１１と、該照明系ハウジング１１１内に所定の位置関係で配置されたビーム整形光学系、エネルギ粗調器、オプティカルインテグレータ、照明系開口絞り板、ビームスプリッタ及びリレー光学系等（いずれも図示せず）から成る照明光学系と、を備えている。また、照明光学系のリレー光学系の内部には、不図示の固定ブラインド及び可動ブラインドから成る視野絞り（レチクルブラインド又はマスキングブレードとも呼ばれる）が配置されている。なお、オプティカルインテグレータとしては、フライアイレンズ、ロッド型（内面反射型）インテグレータ、あるいは回折光学素子などが用いられる。
【００２０】
この照明ユニットＩＬＵの入射端部、すなわち照明光学系の入射端部に設けられた上記ビーム整形光学系に、送光光学系ＢＭＵを介してレーザ装置１が接続されている。
この照明ユニットＩＬＵは、レチクルステージＲＳＴ上に保持されたレチクルＲ上でＸ軸方向に細長く延びる矩形（例えば長方形）スリット状の照明領域ＩＡＲ（固定ブラインドの開口で規定される）を均一な照度分布で照明する。本実施形態と同様の照明ユニットの内部構成は、例えば特開平６−３４９７０１号公報などに詳細に開示されている。
【００２１】
前記レチクルステージＲＳＴは、ボディＢＤを構成する第２コラム１３４の天板部であるレチクルベース１３６の上面の上方に設けられている。このレチクルステージＲＳＴ上には、レチクルＲが、例えば真空吸着（又は静電吸着など）により固定されている。レチクルステージＲＳＴは、リニアモータ等を含むレチクルステージ駆動部１１２により、照明光学系の光軸（投影光学系ＰＬの光軸ＡＸに一致）に垂直なＸＹ平面内で２次元的に（Ｘ軸方向、Ｙ軸方向及びＸＹ平面に直交するＺ軸回りの回転方向（θｚ方向）に）微少駆動可能であるとともに、レチクルベース１３６上をＹ軸方向に指定された走査速度で駆動可能となっている。
【００２２】
レチクルステージＲＳＴのＸＹ面内の位置（Ｚ軸回りの回転方向であるθｚ方向の回転を含む）は、移動鏡１５（及びＸ軸方向計測用のＸ移動鏡（不図示））を介してレチクルベース１３６に固定されたレチクルレーザ干渉計（以下、「レチクル干渉計」という）１３によって常時検出されている。
レチクルステージＲＳＴの位置情報（又は速度情報）は、主制御装置１２０に送られ、主制御装置１２０では該位置情報（又は速度情報）に基づいてレチクルステージ駆動部１１２を介してレチクルステージＲＳＴを駆動する。レチクルステージＲＳＴのレチクルＲの載置領域の−Ｙ側の位置には、不図示のレチクルフィデューシャルマーク板（ＲＦＭ板）が設けられている。このＲＦＭ板には、複数種類の計測用マークが形成されている。本実施形態と同様の、ＲＦＭ板については、例えば特開２００２−１９８３０３号公報などに詳細に開示されている。
【００２３】
前記ボディＢＤは、第１コラム１３２と、この第１コラム１３２上に配置された第２コラム１３４とを備えている。第１コラム１３２は、３本の脚部１３７Ａ、１３７Ｂ、１３７Ｃ（但し、図２における紙面奥側の脚部１３７Ｃは図示省略）と、これらの脚部１３７Ａ〜１３７Ｃによって支持され、第１コラム１３２の天板を構成する鏡筒定盤（メインフレームとも呼ばれる）１３８とを備えている。脚部１３７Ａ〜１３７Ｃのそれぞれは、支柱１４０と、該支柱１４０の上部に固定された防振ユニット１３９とを備えている。各防振ユニット１３９によって、床面からの微振動ができるだけ絶縁され、鏡筒定盤１３８に殆ど伝達されないようになっている。鏡筒定盤１３８には、そのほぼ中央部に、不図示の円形開口が形成され、この開口内に投影光学系ＰＬが上方から挿入されている。この投影光学系ＰＬの鏡筒には、フランジＦＬＧが設けられ、該フランジＦＬＧを介して投影光学系ＰＬが鏡筒定盤１３８によって支持されている。前記第２コラム１３４は、鏡筒定盤１３８の上面に、投影光学系ＰＬを取り囲んで設けられ、上下方向にそれぞれ延びる複数本、例えば３本の脚４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃ（但し、図２における紙面奥側の脚４１Ｃは図示省略）と、これらの脚４１Ａ〜４１Ｃの上端面相互間を連結するとともに、これらの脚４１Ａ〜４１Ｃによって支持された前述のレチクルベース１３６とを備えている。
【００２４】
前記投影光学系ＰＬとしては、ここでは両側テレセントリックな縮小系であり、共通のＺ軸方向の光軸ＡＸを有する複数枚のレンズエレメントから成る屈折光学系が使用されている。この投影光学系ＰＬとしては投影倍率βが、一例として１／４の縮小光学系が用いられている。このため、照明ユニットＩＬＵ（照明光学系）からの照明光ＩＬによってレチクルＲ上のスリット状照明領域ＩＡＲが照明されると、このレチクルＲを通過した照明光ＩＬにより、そのスリット状照明領域ＩＡＲ内のレチクルＲの回路パターンの投影光学系ＰＬを介した縮小像（部分倒立像）が表面にフォトレジストが塗布されたウエハ（基板、物体）Ｗ上の前記照明領域ＩＡＲに共役な露光領域ＩＡに形成される。
【００２５】
前記ウエハステージＷＳＴは、リニアモータあるいは平面モータ等の不図示の駆動系によってＸＹ２次元面内（θｚ回転を含む）でステージベースＳＢ上面に沿って自在に駆動されるＸＹステージ１４１と、該ＸＹステージ１４１上に搭載されたウエハテーブルＴＢとを含んで構成されている。前記ステージベースＳＢは、定盤とも呼ばれ、本実施形態では、床面上に設置された複数、例えば３つ又は４つの防振ユニット４３を介して支持されている。
【００２６】
前記ウエハステージＷＳＴは、リニアモータあるいは平面モータ等の不図示の駆動系によってＸＹ２次元面内（θｚ回転を含む）でステージベースＳＢ上面に沿って自在に駆動されるＸＹステージ１４１と、該ＸＹステージ１４１上に搭載されたウエハテーブルＴＢとを含んで構成されている。前記ステージベースＳＢは、定盤とも呼ばれ、本実施形態では、床面上に設置された複数、例えば３つ又は４つの防振ユニット４３を介して支持されている。
【００２７】
ウエハテーブルＴＢ上には、ウエハホルダ２５を介してウエハＷが真空吸着（又は静電吸着）によって保持されている。また、ウエハテーブルＴＢ上には、ウエハレーザ干渉計（以下、「ウエハ干渉計」という）３１からのレーザビームを反射する移動鏡２７（及びＸ軸方向計測用のＸ移動鏡（不図示））が固定され、鏡筒定盤１３８から吊り下げ支持されたウエハ干渉計３１により、ウエハテーブルＴＢ（ウエハＷ）のＸＹ面内の位置が常時検出されている。以下の説明ではウエハ干渉計３１によって、ウエハテーブルＴＢのＸ、Ｙ、θｚ、θｙ、θｘの５自由度方向の位置が計測されるものとする。ウエハテーブルＴＢの位置情報（又は速度情報）は主制御装置１２０に送られ、主制御装置１２０では前記位置情報（又は速度情報）に基づいてウエハステージ駆動部１２８を介してウエハテーブルＴＢを制御する。
【００２８】
ウエハステージ駆動部１２８はリニアモータあるいは平面モータ、ボイスコイルモータなどを含んで構成されるが、図２では図示の便宜上から単なるブロックとして示されている。ウエハテーブルＴＢ上には、その表面がウエハＷの表面とほぼ同一の高さとされた基準マーク板ＦＭが固定されている。この基準マーク板ＦＭの表面には、各種の基準マークが形成されている。また、ウエハテーブルＴＢ上には、基準平面板１４３が固定されている。この基準平面板１４３の表面は、上記基準マーク板ＦＭと同様、ウエハＷの表面とほぼ同一の高さとされている。
【００２９】
基準平面板１４３の一部には、スリット開口が形成されており、このスリット開口を除く部分は、反射膜が成膜された反射面とされている。スリット開口下方のウエハテーブルＴＢの内部には、フォトマルチプライヤチューブ（ＰＭＴ）などの不図示の光電変換素子が配置されている。この光電変換素子からの光電変換信号が主制御装置１２０に供給されている。主制御装置１２０は、前述のＲＦＭ板を投影光学系ＰＬの視野内に位置させ、ウエハテーブルＴＢをＹ軸方向又はＸ軸方向に移動しつつ、光電変換素子からの光電変換信号を受信することで、投影光学系ＰＬによって像面に形成された各種計測用マークの空間像をスリットスキャン方式で計測できるようになっている。すなわち、本実施形態では、基準平面板１４３に形成されたスリット開口及びウエハテーブルＴＢ内の光電変換素子等を含んで、前述の特開２００２−１９８３０３号公報などに開示される空間像計測器が構成されている。
【００３０】
さらに、本実施形態の露光装置本体１０Ａには、送光系１６０ａ及び受光系１６０ｂを有し、ウエハＷ表面の光軸ＡＸ方向（Ｚ軸方向）に関する位置及びＸＹ面に対する傾斜を検出する斜入射方式の多点焦点位置検出系（以下、適宜「多点ＡＦ系」と呼ぶ）が設けられている。本実施形態の多点ＡＦ系と同様の多点ＡＦ系は、例えば特開平６−２８３４０３号公報などに詳細に開示されている。主制御装置１２０では、走査露光時等に、多点ＡＦ系１６０ａ，１６０ｂからのフォーカス信号に基づいてウエハステージ駆動部１２８を介してウエハステージＷＳＴのＺ軸方向への移動に加え、２次元的な傾斜（すなわち、θｘ，θｙ方向の回転）をも制御する、すなわち多点ＡＦ系を用いてウエハステージＷＳＴの移動を制御することにより、照明光ＩＬの照射領域（前述の露光領域ＩＡ）内で投影光学系ＰＬの結像面とウエハＷの表面とを実質的に合致させるオートフォーカス（自動焦点合わせ）及びオートレベリングを実行する。
【００３１】
また、露光装置本体１０Ａでは、ウエハＷ上のアライメントマーク、基準マーク板ＦＭ上の基準マークなどを検出するオフアクシス方式のアライメント系ＡＬＧが投影光学系ＰＬの鏡筒の側面に配置されている。このアライメント系ＡＬＧとしては、例えばウエハＷ上のレジストを感光させないブロードバンドな検出光束を対象マークに照射し、その対象マークからの反射光により受光面に結像された対象マークの像と不図示の指標の像とを撮像素子（ＣＣＤ等）を用いて撮像し、それらの撮像信号を出力する画像処理方式のＦＩＡ（Field Image Alignment）系のセンサが用いられる。なお、ＦＩＡ系に限らず、コヒーレントな検出光を対象マークに照射し、その対象マークから発生する散乱光又は回折光を検出したり、その対象マークから発生する２つの回折光（例えば同次数）を干渉させて検出するアライメントセンサを単独であるいは適宜組み合わせてもよい。
【００３２】
図１に戻り、前記ウエハローダ系４０は、Ｙ軸方向に延びるＹガイド１８と、該Ｙガイド１８の上方（図１における紙面手前側）に位置し、Ｘ軸方向に延びるＸガイド２０とを搬送ガイドとして備えている。Ｙガイド１８上には、Ｙガイド１８に沿って移動する水平多関節型のロボット２６が設けられている。また、Ｘガイド２０には、Ｘガイド２０に沿って移動するロードアーム２８とアンロードアーム３０とが設けられている。なお、仕切り壁１４には、これらロードアーム２８、アンロードアーム３０がそれぞれ通過可能な開口が形成されている。さらに、Ｘガイド２０の＋Ｘ側端部近傍の−Ｙ側の位置には、近傍に不図示のウエハエッジセンサが配置されたターンテーブル３２が設けられている。また、ローダ室１２Ｂ内には、ウエハローダ系４０の各部を制御するとともに、後述するＣ／Ｄ側の制御装置との間で通信回線を介して搬送中のウエハに関する情報の交換、すなわち通信を行うローダ制御装置３４が設けられている。
【００３３】
インラインＩ／Ｆ部１１０は、インライン受け渡し部１１４、キャリア台１１８及び水平多関節型ロボット１１６等を備えている。
【００３４】
前記Ｃ／Ｄ装置５０は、Ｃ／Ｄ装置５０の構成各部を統括的に制御する制御用コンピュータとしての塗布・現像制御装置６２、ウエハ受け渡し部６４、Ｙ軸方向に延びるＹガイド６６、Ｙガイド６６に沿って移動する水平多関節型のロボット６８、Ｙガイド６６に対向配置された第１現像部７０、第２現像部７２、及びベーク部７４、第１塗布部７６、第２塗布部７８、冷却部８０を有している。塗布・現像制御装置６２は、Ｃ／Ｄ装置５０内のウエハの搬送系等の他、前述したインラインＩ／Ｆ部１１０内のスカラーロボット１１６等をも制御する。Ｙガイド６６の端部近傍には、インラインＩ／Ｆ部１１０との境界部分にウエハ受け渡し部８２が設けられている。
【００３５】
本実施形態では、露光装置１０側のローダ制御装置３４とＣ／Ｄ装置５０の塗布・現像制御装置６２との間、及び主制御装置１２０と塗布・現像制御装置６２との間で、それぞれに接続された通信装置ＣＳを介してそれぞれデータ通信が可能な構成となっている。この場合、ローダ制御装置３４と塗布・現像制御装置６２との間では、主として搬送中のウエハに関する情報のやり取りが行われる。また、主制御装置１２０と塗布・現像制御装置６２との間では、露光装置１０とＣ／Ｄ装置５０との間のウエハＷの供給に関する情報等の種々の情報のやり取りが行われる。
【００３６】
次に、リソグラフィシステム１００によるウエハの処理動作について説明する。
ここでは、基板（物体）としての第１枚目のウエハＷ（以下、便宜上「ウエハＷ１」と記述する）がウエハ受け渡し部６４上に載置されているものとする。そこで、スカラーロボット６８は、ウエハ受け渡し部６４上からウエハＷを例えば第１塗布部７６内に搬入する。これにより、ウエハＷは、第１塗布部７６内でレジスト（感光材）の塗布が開始される。そして、ウエハＷのレジスト塗布が終了すると、ロボット６８は、ウエハＷを第１塗布部７６からベーク部７４に搬入する。これにより、ウエハＷは、ベーク部７４内で加熱処理（ＰＢ）される。
【００３７】
そして、加熱処理されたウエハＷは、冷却部８０内に搬入されて、露光室１２Ａ内に搬入された際に、その露光室１２Ａ内の各部に影響を与えない温度、例えば２０〜２５℃の範囲で定められた温度に冷却される。そして、冷却部８０内での冷却が終了すると、ウエハＷは、ロボット６８によりウエハ受け渡し部８２上に載置された後、ロボット１１６によってインライン受け渡し部１１４上に載置される。
【００３８】
一方、露光装置１０側では、まず、ロボット２６が、インライン受け渡し部１１４からウエハＷを受け取り、ターンテーブル３２上に載置する。ここでウエハエッジセンサによってウエハエッジの検出が行われ、その検出信号に基づいてローダ制御装置３４によってターンテーブル３２を回転させてウエハＷのノッチ部の方向を所定方向に合わせる。その後、ロードアーム２８がターンテーブル３２上のウエハＷを受け取り、Ｘガイド２０に沿って移動してウエハステージＷＳＴに搬送する。
【００３９】
ウエハステージＷＳＴ上に搬送されたウエハＷに対しては、レチクルＲ（レチクルステージＲＳＴ）とウエハＷ（ウエハステージＷＳＴ）とを各ショット領域の露光のための走査開始位置へ位置決めする動作と、レチクルＲとウエハＷとを同期移動しつつレチクルＲ上のスリット状の照明領域を露光用照明光により照明して、レチクルＲのパターンを投影光学系ＰＬを介してウエハＷ上の各ショット領域に逐次転写する走査露光動作とを、繰り返すことにより露光処理が行われる。上記の露光処理が終了すると、アンロードアーム３０が、露光済みのウエハＷを受け取り、ロボット２６に渡す。そして、ロボット２６により、ウエハＷが搬送され、インライン受け渡し部１１４に渡される。
【００４０】
この後、露光済みのウエハＷは、ロボット１１６によりインライン受け渡し部１１４からウエハ受け渡し部８２上に搬送され、さらにロボット６８によりベーク部７４内に搬入され、該ベーク部７４内でＰＥＢ（ポストベーク）が行われる。
一方、ＰＥＢが終了したウエハＷは、ロボット６８によりベーク部７４から取り出され、例えば第１現像部７０内に搬入され、現像処理される。現像が終了したウエハＷは、ロボット６８によりウエハ受け渡し部６４上に載置される。
かくして、リソグラフィシステム１００における一連の処理が完了する。
【００４１】
ところで、上述したＣ／Ｄ装置５０においては、レジスト塗布処理について何らかのエラーが生じることがある。このレジスト塗布処理に関するエラーとしては、例えば第１塗布部７６、第２塗布部７８、冷却部８０の作動不良や作動不能、あるいはロボット６８の作動不良や作動不能等が挙げられる。このようなエラーが生じたことを塗布・現像制御装置６２が検知すると、塗布・現像制御装置６２は、露光装置１０に対するウエハＷの供給が停止する旨の信号を通信装置ＣＳを介して主制御装置１２０に送信する（通知工程）。
【００４２】
塗布・現像制御装置６２からウエハＷの供給停止信号を受信した主制御装置１２０は、露光装置１０において塗布・現像制御装置６２からのウエハＷの供給が滞る、すなわち空き時間が生じると判断し、ターンテーブル３２や露光装置本体１０Ａに対して、既に供給されたウエハＷへの露光処理、及び露光に関連する処理（ターンテーブル３２でのプリアライメント処理）等の通常処理が終了した後に、これら通常処理から切り換えて露光関連処理（第３処理）を実行させる（切換工程）。
なお、露光処理、及び露光に関連する処理等の通常処理が終了しない状態であっても、主制御装置１２０が、塗布・現像制御装置６２からのウエハＷの供給停止信号を受信次第、通常処理から露光関連処理（第３処理）に切り換えて実行させることもできる。
【００４３】
この露光関連処理とは、ウエハに対する処理動作を長期間に亘り円滑に行うために、リソグラフィシステム１００を構成する露光装置１０の構成各部のメンテナンスなど、装置の性能維持のために、露光処理に関連して行うものであり、メンテナンス（定期メンテナンス、その他のメンテナンスの他、部品交換なども含む）、及び自己キャリブレーションなどの、装置の性能維持のために必要な動作であって装置の本来の動作を停止することが必要となる動作の全てを含む。
なお、露光装置１０は、塗布・現像制御装置６２からのエラー復帰情報を待ちながら露光関連処理（第３処理）を実行する。
また、露光装置１０は、塗布・現像制御装置６２からのエラー復帰情報を待たずに、スタンドアローン状態に切り換えて露光関連処理（第３処理）を実行することもできる。
【００４４】
露光関連処理の具体例としては、投影光学系ＰＬの結像特性調整（レンズキャリブレーション、フォーカスキャリブレーション）、照度調整（照度キャリブレーション）、レチクルＲの中心（投影光学系ＰＬの光軸）とアライメント系ＡＬＧの計測中心（視野中心）との距離であるベースラインの計測、レーザ装置１のレーザの材料であるガスの交換、露光装置本体１０Ａが光学系と液体を介してパターンを形成する液浸露光を行う場合には液体の交換等が挙げられ、これら露光関連処理がＣ／Ｄ装置５０からのウエハ供給停止に伴う空き時間に適宜実行される。
【００４５】
このように、本実施形態では、Ｃ／Ｄ装置５０において何らかの不測の事態によりエラーが生じて、ウエハの供給が滞る場合でも、塗布・現像制御装置６２から通信装置ＣＳを介して主制御装置１２０にウエハＷの供給停止に関する信号が送信され、露光装置１０においては露光処理から露光関連処理に切り換えて実施するため、ウエハＷの供給を待ち受ける状態を継続して、生産性が低下することを防止できる。
特に、本実施形態では、ウエハ供給停止により露光関連処理に切り換えるため、後に露光処理を再開する場合でも、当該露光関連処理が完了した状態であるため、より迅速、且つ高精度で露光処理を実施することが可能になる。
【００４６】
（第２実施形態）
続いて、リソグラフィシステムの第２実施形態について、図３を参照して説明する。この図において、図１及び図２に示す第１実施形態の構成要素と同一の要素については同一符号を付し、その説明を省略する。また、図３においては、露光装置１０及びＣ／Ｄ装置５０を簡略化して図示している。
上記第１実施形態では、第１処理装置がＣ／Ｄ装置５０であるとして説明したが、本実施形態では、第１処理装置がＣ／Ｄ装置装置５０との間でウエハの搬送処理を行う搬送装置として説明する。
【００４７】
図３に示すリソグラフィシステム１００は、露光装置１０、インラインＩ／Ｆ部１１０、Ｃ／Ｄ装置５０、及びＣ／Ｄ装置５０との間でウエハを搬送する搬送装置９０を備えている。
搬送装置９０は、天井部に直線状に配置されたレール９１と、レール９１に沿って移動する搬送部９２とを備えている。搬送部９２の駆動は、ホストコンピュータＨＰによって制御されている。
【００４８】
また、Ｃ／Ｄ装置５０におけるウエハ受け渡し部６４は、ここでは２つのロード部６４Ａと２つのアンロード部６４Ｂとから構成されている。これらロード部６４Ａ及びアンロード部６４Ｂは、レール９１の直下に当該レール９１に沿って順次配置されている。
各ロード部６４Ａには未処理のウエハが複数（例えば２５枚）収容されたカセット（ポッド）が搬送部９２によって搬送され、各カセットからロボット６８（図１参照）によって取り出されたウエハに対しては、Ｃ／Ｄ装置５０における感光材塗布処理及び現像処理、露光装置１０における露光処理等が施される。そして、処理済みのウエハはロボット６８によってアンロード部６４Ｂのカセットに収容された後に、搬送部９２によって排出される。
【００４９】
また、上記ホストコンピュータＨＰは、既述の搬送部９２の駆動の他、露光装置１０の主制御装置１２０、ローダ制御装置３４、塗布・現像制御装置６２と接続され、各制御装置との間で通信装置ＣＳを介して、各種制御信号の通信が行われる。
【００５０】
上記の構成のリソグラフィシステム１００においては、第１処理としてのウエハの搬送処理を行う搬送装置９０（搬送部９２）に何らかのエラーが生じた場合、エラー信号（すなわちウエハの供給停止信号）が搬送部９２からホストコンピュータＨＰを介してＣ／Ｄ装置５０の塗布・現像制御装置６２及び露光装置１０の主制御装置１２０にそれぞれ送信される。このウエハ供給停止信号を受信した塗布・現像制御装置６２は、Ｃ／Ｄ装置５０において空き時間が生じると判断し、既に供給されたウエハＷへの感光材塗布処理及び現像処理等の通常処理が終了した後に、これら通常処理から切り換えて感光材塗布関連処理（第３処理）及び現像関連処理を実行させる。
また、ウエハ供給停止信号を受信した主制御装置１２０は、上述したように、通常の露光処理から切り換えて露光関連処理（第３処理）を実行させる。
なお、Ｃ／Ｄ装置５０における通常処理が終了しない状態であっても、塗布・現像制御装置６２が搬送部９２からのエラー信号（ウエハ供給停止信号）を受信次第、Ｃ／Ｄ装置５０における通常処理を露光関連処理（第３処理）に切り換えて実行させることもできる。
【００５１】
このように、本実施形態では、ウエハの搬送処理においてエラーが生じてウエハ供給が停止される場合でも、Ｃ／Ｄ装置５０及び露光装置１０の双方で、通常処理から各関連処理に切り換えて実施するため、ウエハＷの供給を待ち受ける状態を継続して、生産性が低下することを防止できる。
【００５２】
（第３実施形態）
続いて、リソグラフィシステムの第３実施形態について、図４を参照して説明する。この図において、図３に示す第２実施形態の構成要素と同一の要素については同一符号を付し、その説明を省略する。また、図４においても、露光装置１０及びＣ／Ｄ装置５０を簡略化して図示している。
本実施形態では、露光装置１０（及びインラインＩ／Ｆ部１１０）とＣ／Ｄ装置５０とが互いに独立して設けられ、Ｃ／Ｄ装置５０が複数設けられている。
【００５３】
各Ｃ／Ｄ装置５０は、ウエハ受け渡し部６４がレール９１の直下に、当該レール９１に沿って順次配置されている。
また、露光装置１０（インラインＩ／Ｆ部１１０）におけるウエハ受け渡し部８２は、ここでは２つのロード部８２Ａと２つのアンロード部８２Ｂとから構成されている。これらロード部８２Ａ及びアンロード部８２Ｂは、レール９１の直下に当該レール９１に沿って順次配置されている。
【００５４】
各ロード部８２Ａには感光材塗布処理が行われたウエハが複数（例えば２５枚）収容されたカセット（ポッド）が搬送部９２によって搬送され、各カセットからロボット１１６（図１参照）によって取り出されたウエハに対しては、露光装置１０における露光処理等が施される。そして、処理済みのウエハはロボット１１６によってアンロード部８２Ｂのカセットに収容された後に、搬送部９２によって排出される。
【００５５】
上記の構成のリソグラフィシステム１００においては、第１処理としてのウエハの搬送処理を行う搬送装置９０（搬送部９２）に何らかのエラーが生じた場合、エラー信号（すなわちウエハの供給停止信号）が搬送部９２からホストコンピュータＨＰを介してＣ／Ｄ装置５０の塗布・現像制御装置６２及び露光装置１０の主制御装置１２０にそれぞれ送信される。このウエハ供給停止信号を受信した塗布・現像制御装置６２は、Ｃ／Ｄ装置５０において空き時間が生じると判断し、既に供給されたウエハＷへの感光材塗布処理及び現像処理等の通常処理が終了した後に、これら通常処理から切り換えて感光材塗布関連処理（第３処理）及び現像関連処理を実行させる。
【００５６】
また、搬送装置９０の他に、第１処理としての感光材塗布処理を行うＣ／Ｄ装置５０に何らかのエラーが生じた場合、エラー信号（すなわち露光処理済みウエハの供給停止信号）が塗布・現像制御装置６２からホストコンピュータＨＰを介して露光装置１０の主制御装置１２０に送信される。ウエハ供給停止信号を受信した主制御装置１２０は、上述したように、通常の露光処理（第２処理）から切り換えて露光関連処理（第３処理）を実行させる。この場合、複数のＣ／Ｄ装置５０のうち、一つでもエラーが生じていないＣ／Ｄ装置５０があれば、露光装置１０へのウエハ供給は可能であるため、主制御装置１２０は露光処理を継続させるが、複数の塗布・現像制御装置６２の全てからエラー信号が送信された場合には、主制御装置１２０は通常の露光処理から切り換えて露光関連処理を実行させることになる。
【００５７】
さらに、第１処理としての露光処理を行う露光装置１０に何らかのエラーが生じた場合、エラー信号（すなわち露光処理済みウエハの供給停止信号）が搬送部９２からホストコンピュータＨＰを介してＣ／Ｄ装置５０の塗布・現像制御装置６２に送信される。そして、このウエハ供給停止信号を受信した塗布・現像制御装置６２は、露光処理済みのウエハの供給が滞るため、Ｃ／Ｄ装置５０において空き時間が生じると判断し、既に供給されたウエハＷへの現像処理等の通常処理（第２処理）が終了した後に、これら通常処理から切り換えて感光材塗布関連処理（第３処理）及び現像関連処理（第３処理）を実行させる。
なお、Ｃ／Ｄ装置５０において空き時間が生じると判断した場合、ウエハＷへの通常処理が終了した後だけに限られず、ウエハ供給停止信号を受信次第、適当なタイミングで感光材塗布関連処理（第３処理）及び現像関連処理（第３処理）を実行するように切り換えることも可能である。
【００５８】
このように、複数の処理装置１０、５０、９０が通信装置ＣＳで接続されたリソグラフィシステム１００においては、少なくとも一つの処理装置にエラーが生じた場合、この処理装置で所定の処理が施されて供給されたウエハに対する他の処理を行う処理装置では、空き時間が生じると判断し、第２処理である通常処理から切り換えて関連処理（第３処理）を実行させることにより、ウエハＷの供給を待ち受ける状態を継続して、生産性が低下することを防止できる。すなわち、本実施形態における第２処理装置としては、露光装置１０の他に、Ｃ／Ｄ装置５０や搬送装置９０にも適用可能である。
【００５９】
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。
【００６０】
例えば、上記実施形態では、第１処理装置からのウエハ（物体）の供給が停止したときに第２処理に関連した第３処理を行う構成としたが、これに限定されるものではなく、第２処理には関連しない処理を実施する構成としてもよい。
【００６１】
なお、上記各実施形態の基板（物体）としては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板や、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）等が適用される。
【００６２】
露光装置１０としては、レチクルＲとウエハＷとを同期移動してレチクルＲのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニングステッパ）の他に、レチクルＲとウエハＷとを静止した状態でレチクルＲのパターンを一括露光し、ウエハＷを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ）にも適用することができる。また、本発明はウエハＷ上で少なくとも２つのパターンを部分的に重ねて転写するステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。
【００６３】
露光装置１０の種類としては、ウエハＷに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。
【００６４】
また、本発明が適用される露光装置の光源には、ＫｒＦエキシマレーザ（２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ（１９３ｎｍ）、Ｆ２レーザ（１５７ｎｍ）等のみならず、ｇ線（４３６ｎｍ）及びｉ線（３６５ｎｍ）を用いることができる。さらに、投影光学系の倍率は縮小系のみならず等倍および拡大系のいずれでもよい。また、上記実施形態では、反射屈折型の投影光学系を例示したが、これに限定されるものではなく、投影光学系の光軸（レチクル中心）と投影領域の中心とが異なる位置に設定される屈折型の投影光学系にも適用可能である。
【００６５】
また、本発明は、投影光学系と基板との間に局所的に液体を満たし、該液体を介して基板を露光する、所謂液浸露光装置に適用したが、液浸露光装置については、国際公開第９９／４９５０４号パンフレットに開示されている。さらに、本発明は、特開平６−１２４８７３号公報、特開平１０−３０３１１４号公報、米国特許第５，８２５，０４３号などに開示されているような露光対象の基板の表面全体が液体中に浸かっている状態で露光を行う液浸露光装置にも適用可能である。
【００６６】
また、本発明は、基板ステージ（ウエハステージ）が複数設けられるツインステージ型の露光装置にも適用できる。ツインステージ型の露光装置の構造及び露光動作は、例えば特開平１０−１６３０９９号公報及び特開平１０−２１４７８３号公報（対応米国特許６，３４１，００７号、６，４００，４４１号、６，５４９，２６９号及び６，５９０，６３４号）、特表２０００−５０５９５８号（対応米国特許５，９６９，４４１号）或いは米国特許６，２０８，４０７号に開示されている。更に、本発明を本願出願人が先に出願した特願２００４−１６８４８１号のウエハステージに適用してもよい。
【００６７】
また、本発明が適用される露光装置は、本願特許請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
【００６８】
次に、本発明の実施形態による露光装置及び露光方法をリソグラフィ工程で使用したマイクロデバイスの製造方法の実施形態について説明する。図５は、マイクロデバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の製造例のフローチャートを示す図である。
まず、ステップＳ１０（設計ステップ）において、マイクロデバイスの機能・性能設計（例えば、半導体デバイスの回路設計等）を行い、その機能を実現するためのパターン設計を行う。引き続き、ステップＳ１１（マスク製作ステップ）において、設計した回路パターンを形成したマスク（レチクル）を製作する。一方、ステップＳ１２（ウエハ製造ステップ）において、シリコン等の材料を用いてウエハを製造する。
次に、ステップＳ１３（ウエハ処理ステップ）において、ステップＳ１０〜ステップＳ１２で用意したマスクとウエハを使用して、後述するように、リソグラフィ技術等によってウエハ上に実際の回路等を形成する。次いで、ステップＳ１４（デバイス組立ステップ）において、ステップＳ１３で処理されたウエハを用いてデバイス組立を行う。このステップＳ１４には、ダイシング工程、ボンティング工程、及びパッケージング工程（チップ封入）等の工程が必要に応じて含まれる。最後に、ステップＳ１５（検査ステップ）において、ステップＳ１４で作製されたマイクロデバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経た後にマイクロデバイスが完成し、これが出荷される。
【００６９】
図６は、半導体デバイスの場合におけるステップＳ１３の詳細工程の一例を示す図である。
ステップＳ２１（酸化ステップ）おいては、ウエハの表面を酸化させる。ステップＳ２２（ＣＶＤステップ）においては、ウエハ表面に絶縁膜を形成する。ステップＳ２３（電極形成ステップ）においては、ウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップＳ２４（イオン打込みステップ）においては、ウエハにイオンを打ち込む。以上のステップＳ２１〜ステップＳ２４のそれぞれは、ウエハ処理の各段階の前処理工程を構成しており、各段階において必要な処理に応じて選択されて実行される。
ウエハプロセスの各段階において、上述の前処理工程が終了すると、以下のようにして後処理工程が実行される。この後処理工程では、まず、ステップＳ２５（レジスト形成ステップ）において、ウエハに感光剤を塗布する。引き続き、ステップＳ２６（露光ステップ）において、上で説明したリソグラフィシステム（露光装置）及び露光方法によってマスクの回路パターンをウエハに転写する。次に、ステップＳ２７（現像ステップ）においては露光されたウエハを現像し、ステップＳ２８（エッチングステップ）において、レジストが残存している部分以外の部分の露出部材をエッチングにより取り去る。そして、ステップＳ２９（レジスト除去ステップ）において、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらの前処理工程と後処理工程とを繰り返し行うことによって、ウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
【００７０】
また、半導体素子等のマイクロデバイスだけではなく、光露光装置、ＥＵＶ露光装置、Ｘ線露光装置、及び電子線露光装置等で使用されるレチクル又はマスクを製造するために、マザーレチクルからガラス基板やシリコンウエハ等ヘ回路パターンを転写する露光装置にも本発明を適用できる。ここで、ＤＵＶ（深紫外）やＶＵＶ（真空紫外）光等を用いる露光装置では、一般的に透過型レチクルが用いられ、レチクル基板としては石英ガラス、フッ素がドープされた石英ガラス、蛍石、フッ化マグネシウム、又は水晶等が用いられる。また、プロキシミティ方式のＸ線露光装置や電子線露光装置等では、透過型マスク（ステンシルマスク、メンブレンマスク）が用いられ、マスク基板としてはシリコンウエハ等が用いられる。なお、このような露光装置は、ＷＯ９９／３４２５５号、ＷＯ９９／５０７１２号、ＷＯ９９／６６３７０号、特開平１１−１９４４７９号、特開２０００−１２４５３号、特開２０００−２９２０２号等に開示されている。
【図面の簡単な説明】
【００７１】
【図１】本発明の第１実施形態に係るリソグラフィシステムの構成を概略的に示す平面図である。
【図２】図１の露光装置の構成を示す図である。
【図３】本発明の第２実施形態に係るリソグラフィシステムの構成を概略的に示す平面図である。
【図４】本発明の第３実施形態に係るリソグラフィシステムの構成を概略的に示す平面図である。
【図５】マイクロデバイスの製造工程の一例を示すフローチャート図である。
【図６】図５におけるステップＳ１３の詳細工程の一例を示す図である。
【符号の説明】
【００７２】
１０…露光装置（第２処理装置）、  ５０…Ｃ／Ｄ装置（第１処理装置）、  ９０…搬送装置、  １００…リソグラフィシステム（物体処理システム）、  １２０…主制御装置（制御装置）、  ＣＳ…通信装置、  Ｗ…ウエハ（基板、物体）
【図１】
2008311479.tif 000003
【図２】
2008311479.tif 000004
【図３】
2008311479.tif 000005
【図４】
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【図５】
2008311479.tif 000007
【図６】
2008311479.tif 000008