(57)【要約】【課題】所定の方向、特には所定の面方位に沿った電気特性を安定して正確に評価することのできる評価方法を提供する。【解決手段】擬似ＭＯＳＦＥＴを用いてＳＯＩウエーハを評価する方法であって、ＳＯＩウエーハのＳＯＩ層を加工し、少なくとも所定の方向に沿ったＭＥＳＡ構造を作製して、該所定の方向に沿ったＭＥＳＡ構造の両端に金属電極を形成し、該金属電極に測定用プローブを接触させ、前記所定の方向に沿ったＭＥＳＡ構造で電流パスを限定することにより、ドレイン電流を所定の方向に沿って流して評価するＳＯＩウエーハの評価方法。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
擬似ＭＯＳＦＥＴを用いてＳＯＩウエーハを評価する方法であって、ＳＯＩウエーハのＳＯＩ層を加工し、少なくとも所定の方向に沿ったＭＥＳＡ構造を作製して、該所定の方向に沿ったＭＥＳＡ構造の両端に金属電極を形成し、該金属電極に測定用プローブを接触させ、前記所定の方向に沿ったＭＥＳＡ構造で電流パスを限定することにより、ドレイン電流を所定の方向に沿って流して評価することを特徴とするＳＯＩウエーハの評価方法。
【請求項２】
前記所定の方向を、ＳＯＩ層の所定の面方位とすることを特徴とする請求項１に記載のＳＯＩウエーハの評価方法。
【請求項３】
前記所定の方向に沿ったＭＥＳＡ構造を、オリフラまたはノッチを基準にして作製することを特徴とする請求項１または請求項２に記載のＳＯＩウエーハの評価方法。
【請求項４】
前記金属電極は、前記ＳＯＩ層とオーミック接触を形成する金属材料からなるものとすることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載のＳＯＩウエーハの評価方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＳＯＩ構造を持つ半導体シリコンウエーハのＳＯＩ層およびＢＯＸ層及びこれらの界面の評価を行うときに適用する技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
最近では、電子デバイスのさらなる微細化、高性能化のため、より高品質なＳＯＩウエーハが求められている。そのため、ＳＯＩウエーハのＳＯＩ層等の品質を評価することが積極的に行われている。ＳＯＩ構造を持つ半導体シリコンウエーハを評価する従来の評価方法として、例えば擬似ＭＯＳＦＥＴ（Ｐｓｅｕｄｏ−ＭＯＳＦＥＴ）法が提案されている（例えば、特許文献１、２及び非特許文献１、２参照）。
【０００３】
この評価方法は、図６に示すように、ＳＯＩ層２１、ＢＯＸ層２２、ベースウエーハ２３からなるＳＯＩウエーハＷの表面すなわちＳＯＩ層２１側にＦＥＴとして評価するための電極として、直接ニードルプローブを接触させるか、または水銀電極を接触させて、これらをソースおよびドレイン電極とする。そして、ウエーハ裏面を電極としても用いられるステージに真空吸着させたり、裏面にニードルプローブを接触させることによりゲート電極２４を形成し、これらの電極間に電圧を印加することで様々な電気特性を得る評価方法である。
【０００４】
一方で、近年ＳＯＩ構造においてＢＯＸ層上にベースウエーハとは異なる面方位のＳＯＩ層を作製し、キャリア移動度（正孔移動度）を向上させる試みがなされているが、上記のように、単にニードルを直接接触させるだけだったり、水銀電極を用いた評価方法では、このような効果をウエーハレベルで評価することができなかった。
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−６０６７６号公報
【特許文献２】特開２００１−２６７３８４号公報
【非特許文献１】Ｓ．  Ｃｒｉｓｔｏｌｅｖｅａｎｕ  ｅｔ  ａｌ．，  “  Ａ  Ｒｅｖｉｅｗ  ｏｆ  ｔｈｅ  Ｐｓｅｕｄｏ−ＭＯＳ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ  ｉｎ  ＳＯＩ  Ｗａｆｅｒｓ：  Ｏｐｅｒａｔｉｏｎ，  Ｐａｒａｍｅｔｅｒ  Ｅｘｔｒａｃｔｉｏｎ，  ａｎｄ  Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ”  ＩＥＥＥ  Ｔｒａｎｓ．  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｄｅｖ，  ４７  １０１８  （２０００）．
【非特許文献２】Ｈ．Ｊ．Ｈｏｖｅｌ，  “Ｓｉ  ｆｉｌｍ  ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ  ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｚａｔｉｏｎ  ｉｎ  ＳＯＩ  ｓｕｂｓｔｒａｔｅｓ  ｂｙ  ＨｇＦＥＴ  ｔｅｃｈｎｉｑｕｅ”  Ｓｏｌｉｄ−Ｓｔａｔｅ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ，  ４７，  １３１１  （２００３）．
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、上記問題点を鑑みてなされたもので、本発明は、所定の方向、特には所定の面方位に沿った電気特性を安定して正確に評価することのできる評価方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明は、擬似ＭＯＳＦＥＴを用いてＳＯＩウエーハを評価する方法であって、ＳＯＩウエーハのＳＯＩ層を加工し、少なくとも所定の方向に沿ったＭＥＳＡ構造を作製して、該所定の方向に沿ったＭＥＳＡ構造の両端に金属電極を形成し、該金属電極に測定用プローブを接触させ、前記所定の方向に沿ったＭＥＳＡ構造で電流パスを限定することにより、ドレイン電流を所定の方向に沿って流して評価することを特徴とするＳＯＩウエーハの評価方法を提供する（請求項１）。
【０００８】
このように、ＳＯＩウエーハのＳＯＩ層を加工し、少なくとも所定の方向に沿ったＭＥＳＡ構造を作製して、この両端に金属電極を形成して測定用プローブを接触させ、擬似ＭＯＳＦＥＴにより測定を行えば、所定の方向に沿ったＭＥＳＡ構造により電流パスを限定することができ、ドレイン電流を所定の方向にのみ流すことが可能である。このため、所定の方向に沿った電気特性を直接的に得ることが可能である。
また、従来のような例えば単にニードルプローブをＳＯＩ層に当てただけの方法においては、たとえ所定の方向にソース電極およびドレイン電極を配置することができたとしても、所定の方向以外の余分な方向へも電流が流れてしまうため、測定精度が下がってしまう。一方、本発明の評価方法では、上記ＭＥＳＡ構造により確実に測定したい所定の方向のみに電流を流すことができるので、より精度の高いデータを得ることができる。
【０００９】
なお、この所定の方向は特に限定されるものではなく、測定の目的や条件に応じて適宜決定することができるが、特には、前記所定の方向を、ＳＯＩ層の所定の面方位とするのが望ましい（請求項２）。
このように、所定の方向をＳＯＩ層の所定の面方位、すなわち評価したい面方位とすれば（例えば面方位＜１１０＞）、その面方位に沿って電流を流すことができ、その面方位における電気特性を直接評価することができる。このようにして、所定の面方位の電気特性を精度高く測定することができ、近年の需要に対応して、面方位に応じた正確な評価を提供することができる。
【００１０】
このとき、前記所定の方向に沿ったＭＥＳＡ構造を、オリフラまたはノッチを基準にして作製するのが好ましい（請求項３）。
このように、所定の方向に沿ったＭＥＳＡ構造を、オリフラまたはノッチを基準にして作製すれば、簡便かつ確実に所望の方向に沿うようにしてＭＥＳＡ構造を作製することが可能であり、所定の方向に沿った電気特性を正確に測定することができる。
【００１１】
また、前記金属電極は、前記ＳＯＩ層とオーミック接触を形成する金属材料からなるものとするのが好ましい（請求項４）。
このように、ＭＥＳＡ構造の両端に形成する金属電極を、ＳＯＩ層とオーミック接触を形成する金属材料からなるものとすることによって、より接触抵抗が少なく良好なコンタクトが可能になり、測定誤差を小さくすることができる。したがって、所定の方向に沿った電気特性を安定して正確に得ることが可能である。
【発明の効果】
【００１２】
以上のように、本発明によって、所定の方向に沿った電気特性を正確に安定して得ることができる。特には、所定の面方位に沿ったＭＥＳＡ構造を作製することにより、その面方位に沿った電気特性を直接的に得ることができ、正確な評価を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下では、本発明の実施の形態について説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
近年、例えばＳＯＩ構造において、ＢＯＸ層上にベースウエーハとは異なる面方位のＳＯＩ層を作製することでキャリア移動度を向上させる試みがなされている。
しかしながら、ＳＯＩウエーハの評価方法として、例えば上述したように、ソース電極やドレイン電極としてＳＯＩ層に単にニードルプローブを接触させたり、水銀電極を接触させたりして行う評価方法があるが、このような従来方法では、上記のキャリア移動度の向上の効果等を評価することができなかった。
【００１４】
そこで、本発明者らが、ＳＯＩウエーハの評価方法について鋭意研究を重ねた結果、従来の評価方法においては、各電極に電圧を印加してドレイン電流を測定するとき、そのドレイン電流の流れる方向について考慮されておらず、より詳しくは、面方位とドレイン電流の流れる方向との関係を考慮して測定されていないし、例えニードルプローブの接触方向を狭くしたとしても、ドレイン電流を所定方向のみに流すことができず、正確に測定ができないことを見出した。このため、従来の評価方法では面方位の特徴を正確に捉えた評価をすることができない。
【００１５】
本発明者らは、所定の面方位に応じた電気特性を正確に評価するためには、ＳＯＩ層を加工して、その評価したい方向、すなわち上記の所定の面方位に沿ったＭＥＳＡ構造を作製し、そのＭＥＳＡ構造の両端に金属電極を形成して、これらの金属電極をソース電極およびドレイン電極とすれば、上記の所定の面方位に沿ったＭＥＳＡ構造がドレイン電流のパスとなるため、ドレイン電流を所定の面方位のみに流すことが可能であり、その面方位に沿った電気特性を直接的に得て正確に評価をすることができると考えた。
本発明者らはこれらのことを見出し、本発明を完成させた。
【００１６】
以下、本発明のＳＯＩウエーハの評価方法について、図面を参照しながら詳細に説明する。
本発明の評価方法は、例えば図１に示すような評価用素子を作製し、これを用いてＳＯＩウエーハの評価を行う。
図１（Ａ）の断面図に示すように、この評価用素子７は、ＳＯＩ構造を有するＳＯＩウエーハＷを加工して作製したものであり、ＳＯＩ層１を加工したＭＥＳＡ構造８、ＢＯＸ層２、ベースウエーハ３、およびベースウエーハ裏面に形成されたゲート電極４、ＭＥＳＡ構造８上に形成されたドレイン電極およびソース電極（金属電極５）で構成されている。
【００１７】
ここで、図１（Ｂ）の平面図に示すように、ＭＥＳＡ構造８は、評価用素子７を上方から見た場合、例えばＨ型に作製することができる。このＨ型のＭＥＳＡ構造８は、横棒部８ａと、ＭＥＳＡ構造８の両端に位置する縦棒部８ｂとからなっており、横棒部８ａは各電極に電圧を印加して測定するときにドレイン電流のパスとなる部分であり、縦棒部８ｂの上面にはソース電極およびドレイン電極となる金属電極５が形成されている。
【００１８】
そして、この横棒部８ａは測定したい所定の方向に沿って形成されており、したがって、ドレイン電流を所定の方向に沿って流すことができる。例えばＳＯＩ層１のある面方位に沿って流れるドレイン電流を測定する場合、その評価したい面方位に横棒部８ａの向き（すなわち両側の縦棒部８ｂをつなぐ方向）が沿うようにして、上記Ｈ型形状のＭＥＳＡ構造８は作製されている。
【００１９】
さらに具体的に述べると、例えば、図１（Ｃ）の場合、評価したい面方位＜１１０＞に沿って流れるドレイン電流を測定することができるように、横棒部８ａがその面方位＜１１０＞に沿うようにＭＥＳＡ構造８が作製されている。これは、例えば面方位＜１１０＞に平行なオリフラ部９に対し、ＭＥＳＡ構造８の横棒部８ａが所定の角度（この場合、平行）になるようにして作製することでその評価したい面方位＜１１０＞に沿って作製することができる。
【００２０】
また、例えば図１（Ｄ）のように、評価したい方向、すなわち面方位＜１１０＞から４５度の方向に沿って流れるドレイン電流を測定することができるように、横棒部８ａ’がその方向に沿うようにＭＥＳＡ構造８’が作製されている。例えば面方位＜１１０＞に平行なオリフラ部９’に対し、ＭＥＳＡ構造８’の横棒部８ａ’が所定の角度（この場合、４５度）になるようにして作製することでその評価したい方向（面方位＜１１０＞から４５度の方向）に沿って作製することができる。
【００２１】
なお、上記例では、評価したい所定の方向（面方位）（ＭＥＳＡ構造８、８’の横棒部８ａ、８ａ’の向き）とオリフラ部９、９’との向き関係を平行、４５度等としているが、この向きに限定されることなく、測定したい方向やＳＯＩウエーハの作製条件等により適宜設定することができる。ＭＥＳＡ構造８、８’が正確にその評価したい所定の方向に沿って形成されていれば良い。
また、所定の面方位に沿うようにオリフラを基準として作製されたものを例に挙げたが、当然他の基準により所定の面方位に沿うように作製することができる。ただし、オリフラまたはノッチ等を基準にすれば、比較的簡便に、かつ正確に所望の向きにＭＥＳＡ構造を作製することができる。
【００２２】
また、図２に横棒部８ａのサイズの一例を示す。この横棒部８ａのサイズは図２に示すようなものに限定されるものではないが、その幅Ｗおよび長さＬは後のＦＥＴ特性解析時に必要となるため、測定ごとにこのサイズが変化しないように管理する必要がある。このように、横棒部８ａのサイズ等を管理しておけば、条件を一定にして評価を行うことができ、安定して正確なデータを提供することができる。
【００２３】
なお、ＭＥＳＡ構造８は図１のようなＨ型の形状に限らない。他の形状としては、図３に示すようなＩ型の形状とすることもできる。このＩ型形状の場合も、ＭＥＳＡ構造８’’の両端部の上面に電極５’’が形成されており、ＭＥＳＡ構造８’’によってドレイン電流のパスが限定され、所定の方向にドレイン電流を流すことができるようになっている。
このように、ＭＥＳＡ構造８の形状は特に限定されず、ドレイン電流を所定の方向にのみ流すことができる形状であれば良い。加工の条件等に応じてその都度自由に決定することができる。
【００２４】
そして、ＭＥＳＡ構造８は、形状や向きが上記のように評価したい所定の方向に応じて作製されたものであれば良く、その作製方法は特に限定されない。例えば、図１の形状の場合、フォトリソグラフィ工程によって、ＳＯＩ層１にＨ型形状のパターンを形成し、エッチングしてＭＥＳＡ構造８を作製することができる。
このように、ＭＥＳＡ構造８の作製方法はコストや工程時間等を考慮して適宜決定することができ、所望の形状、向きに作製することができれば良い。
【００２５】
次に、金属電極５について述べる。
この金属電極５は、上述したように、上記ＳＯＩ層１を加工して作製されたＭＥＳＡ構造８の両端に形成されたものであり、それぞれソース電極、ドレイン電極となる。図１に示すようなＨ型のＭＥＳＡ構造８では、金属電極５は縦棒部８ｂの上面に形成されている。
【００２６】
そして、この金属電極５の材料としては、Ａｌ等が挙げられる。例えばＡｌにより金属電極５を形成すれば、ＳＯＩ層１とオーミック接触を形成することができるし、取り扱いも簡単である。当然、他の金属材料とすることもできるが、ＳＯＩ層１とオーミック接触となるものであればより良好なコンタクトを得られ、安定した測定を行うことが可能である。
【００２７】
このようなＳＯＩ層１、すなわちシリコンにオーミック接触が可能な金属材料の選択にあたっては、例えば非特許文献である、河東田  隆  編著：半導体評価技術（産業図書（株）、１９８９）１４２−１４３頁を参考にすることができる。
また、金属電極５の形成方法は特に限定されるものではなく、例えばスパッタリングや蒸着によって形成することが可能である。コストや工程時間等を考慮してその都度形成方法を決めることができる。
【００２８】
以上のように、金属電極５は、形成に要するコストや工程時間を考慮するとともに、オーミックコンタクトを確保して、より安定して正確な測定データ得られるように、自由に形成方法や材料を選択して作製されたものとすることができる。このような金属電極５とすることで安定して精度の高い測定を行うことが可能になる。
なお、ベースウエーハ裏面に形成するゲート電極４についても上記金属電極５と同様のことが言える。
【００２９】
そして、本発明の評価方法では、上記のような評価用素子７を作製し、この評価用素子７の各電極部４、５に測定用プローブを接触させて、擬似ＭＯＳＦＥＴ法によりＭＥＳＡ構造８（特に図１では横棒部８ａ）を流れるドレイン電流の測定を行い、ＳＯＩ層１の評価したい所定の方向における電気特性を評価する。
例えばドレイン電圧を０．２Ｖとし、ゲート電圧を０Ｖから−２０Ｖと変化させて、ドレイン電流をモニタリングする。このＩｄ−Ｖｇ特性の測定は、従来と同様の方法で行うことができる。
そして、測定によって得られたＩｄ−Ｖｇ特性から、例えば非特許文献１や非特許文献２に示されている数式を用いることによって、ＳＯＩ層１の正孔移動度や電子移動度等を求めて評価することができる。
【００３０】
このように、本発明ではＩｄ−Ｖｇ特性の測定を行う前に、予めＳＯＩ層１を加工してＭＥＳＡ構造８を作製しておくため、ドレイン電流のパスを限定することができる。例えば図１に示す例では、Ｈ型の横棒部８ａを評価したい所定の方向に沿うようにしてＭＥＳＡ構造８を作製するので、ドレイン電流をその評価したい所定の方向にのみ限定して流すことが可能である。したがって、所定の方向の電気特性を直接的かつ高精度で評価することができる。
【００３１】
一方、ＳＯＩ層にドレイン電極およびソース電極として単にニードルプローブを接触させたり、水銀電極を用いた従来の評価方法の場合では、上記のようなＭＥＳＡ構造８によって電流パスを限定することができないので、所定の方向に応じた電気特性を直接的に得ることはできない。また、例えドレインおよびソースとなるニードルプローブの接触位置を結ぶ方向が所定の方向に沿ったとしても、実際に電圧を印加して測定を行う際、電流が所定の方向以外の余分な方向にも流れてしまい、所定の方向へのみ流れる電流を正確に測定することはできない。したがって測定精度が下がり、正確な評価結果を得られない。
【００３２】
これに対して本発明の評価方法では、例えばＨ型のＭＥＳＡ構造８を作製することにより、確実に所定の方向へのみドレイン電流を流すことができるので、所定の方向における電気特性を正確に得ることができる。特には所定の面方位におけるデータを得ることができて好ましい。
上述のように、キャリア移動度を向上させる手法として、ベースウエーハとは異なる面方位のＳＯＩ層を作製する方法が近年行われているが、従来法ではその効果を評価できなかった。しかしながら本発明では、所定の面方位に沿った電気特性を正確に評価することができ、すなわち面方位の特徴を捉えることができ、上記のような効果を十分に評価することが可能である。
【実施例】
【００３３】
（実施例１、実施例２）
サンプルウエーハとして、Ｐ型、直径２００ｍｍで、ＳＯＩ層の面方位が同じ２枚のシリコンＳＯＩウエーハを用意した。なお、このＰ型ウエーハのドーパントはボロンである。また、ＳＯＩ層／ＢＯＸ層の厚さは、それぞれ１００ｎｍ／１４５ｎｍ程度のものである。
【００３４】
これらの２種類のサンプルウエーハを本発明の方法で評価を行った。
以下のような処理を施してそれぞれＩｄ−Ｖｇ特性を測定する。
まず、フォトリソグラフィを行い、オリフラを基準にして、ＳＯＩ層の評価したい所定の面方位、方向に沿うようにして、すなわち、それぞれ、実施例１では＜１１０＞に平行に、また、実施例２では＜１１０＞に４５度オフセットしてＨ型形状のレジストパターンを作製した後、ＴＭＡＨを使用してＨ型のＭＥＳＡ構造を作製した。なお、Ｈ型のサイズは図２の通りである。また、オリフラとＭＥＳＡ構造の向きの関係や各面方位等は、実施例１では図１（Ｃ）、実施例２では（Ｄ）に示す通りである。
この後、蒸着法にてＡｌを蒸着し、Ｈ型ＭＥＳＡ構造の両端部および裏面の電極部のみにＡｌ層が残るようにパターニング後、４００℃で３０分間、水素を含むガスでシンター処理を行った。
【００３５】
このようにして形成したＨ型ＭＥＳＡ構造の両端の電極を、テスタのソースおよびドレイン側にそれぞれ接続した。また、同様にして形成したサンプルウエーハ裏面の電極を、テスタのゲート側へ接続した。
そして、この状態でドレイン電圧を０．２Ｖとして、ゲート電圧を０Ｖから−２０Ｖと負方向へスキャンしたときのドレイン電圧をモニタリングした。こうして得られたＩｄ−Ｖｇ特性の測定結果を図４に示す。
【００３６】
図４に示すように、Ｉｄ１（実施例１）、Ｉｄ２（実施例２）のように異なるＩｄ−Ｖｇカーブが得られる。
このＩｄ−Ｖｇ特性より、非特許文献１に示す解析を行うことで、ＳＯＩ層／ＢＯＸ層界面の電子移動度や、界面準位を評価することができる。正孔移動度はＩｄ１：１２０（実施例１）、Ｉｄ２：１５０（実施例２）（ｃｍ２Ｖ−１ｓ−１）である。
このように、本発明の評価方法によって、確実に面方位の特徴を捉え、所定の面方位に応じた電気特性を評価することができた。
【００３７】
（実施例３、比較例１）
サンプルウエーハとして、実施例２と同様のシリコンＳＯＩウエーハを用意した。また、このＰ型ウエーハのドーパントはボロンであり、ＳＯＩ層／ＢＯＸ層の厚さは、それぞれ１００ｎｍ／１４５ｎｍ程度のものである。
【００３８】
これらのサンプルウエーハを、本発明の評価方法（実施例３：実施例２と同様に、Ｈ型ＭＥＳＡ構造を評価したい所定の方向に沿うようにして、すなわち面方位＜１１０＞に４５度オフセットして作製する）と、単に円形状にＭＥＳＡ構造を作製し、すなわち電流パスを限定することなく、金属プローブを接触させただけの擬似ＭＯＳＦＥＴによる従来の評価方法（比較例１）により、それぞれ評価を行った。
Ｉｄ−Ｖｇ特性の測定はドレイン電圧を０．２Ｖとして、ゲート電圧を０Ｖから−２０Ｖと負方向へスキャンしたときのドレイン電圧をモニタリングした。こうして得られたＩｄ−Ｖｇ特性の測定結果を図５に示す。
【００３９】
図５に示すように、Ｉｄ３（比較例１）、Ｉｄ４（実施例３）のように異なるＩｄ−Ｖｇカーブが得られる。
このＩｄ−Ｖｇ特性より、非特許文献１に示す解析を行うことで、ＳＯＩ層／ＢＯＸ層界面の電子移動度や、界面準位が評価できる。正孔移動度はＩｄ３：１２５（比較例１）、Ｉｄ４：１５０（実施例３）（ｃｍ２Ｖ−１ｓ−１）である。
【００４０】
このように、実施例２と同様のサンプルウエーハを本発明の評価方法で同様にして評価した実施例３では、同じ面方向の特徴を確実に捉えられているために、実施例２と正孔移動度が同じ値であり、本発明の評価方法によって、極めて正確に安定して所定の面方位の電気特性を得ることができることが判る。
一方、比較例１は、円形状に形成したＭＥＳＡ構造に単に２本のプローブを接触させただけであり、面方位を考慮せずに測定されており、また、２本のプローブを直線的に結ぶ方向以外への方向にも電流が流れてしまっているため測定誤差も生じやすく、実施例２や実施例３とは異なった値となっている。このような従来の測定方法では、面方位の特徴を捉えられず、面方位に応じた安定した評価を得ることができない。
【００４１】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明のＳＯＩウエーハの評価方法で用いる評価用素子の一例を示す概略構成図である。  （Ａ）断面図である。  （Ｂ）平面図である。  （Ｃ）面方位＜１１０＞に沿った方向に流れるドレイン電流を測定するときのＭＥＳＡ構造とオリフラとの関係の一例を示す斜視図である。  （Ｄ）面方位＜１１０＞から４５度の方向に流れるドレイン電流を測定するときのＭＥＳＡ構造とオリフラとの関係の一例を示す斜視図である。
【図２】Ｈ型ＭＥＳＡ構造のサイズの一例を示す平面図である。
【図３】本発明のＳＯＩウエーハの評価方法で用いる評価用素子の他の一例（Ｉ型形状）を示す概略構成図である。  （Ａ）断面図である。  （Ｂ）平面図である。。
【図４】実施例１および実施例２におけるＩｄ−Ｖｇ特性を示すグラフである。
【図５】実施例３および比較例１におけるＩｄ−Ｖｇ特性を示すグラフである。
【図６】従来のＳＯＩウエーハの評価方法を説明する説明図である。
【符号の説明】
【００４３】
１、２１…ＳＯＩ層、  ２、２２…ＢＯＸ層、  ３、２３…ベースウエーハ、
４、２４…ゲート電極、  ５、５’’…金属電極（ドレイン電極、ソース電極）、
７…評価用素子、  ８、８’、８’’…ＭＥＳＡ構造、
８ａ、８ａ’…Ｈ型の横棒部、  ８ｂ…Ｈ型の縦棒部、  ９、９’…オリフラ、
Ｗ…ＳＯＩウエーハ。
【図１】
2008016773.tif 000003
【図２】
2008016773.tif 000004
【図３】
2008016773.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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