(57)【要約】【課題】厚膜でも一回の露光でパターン形成が可能であり、かつ、焼成前後での寸法変動が小さいことから焼成ムラが著しく小さく、面内均一性も良好で、焼成後の型崩れのない隔壁を製造し得る感光性ペーストを提供する。【解決手段】［１］（Ａ）無機粒子、（Ｂ）アルカリ可溶性樹脂、（Ｃ）架橋剤、（Ｄ）酸発生剤、（Ｅ）有機溶媒および（Ｆ）界面活性剤を含有する感光性ペーストであって、（Ｆ）が、シリコーン系界面活性剤、フッ素系界面活性剤およびフッ素原子を有するシリコーン系界面活性剤からなる群から選ばれる少なくとも１種の界面活性剤である、感光性ペースト。［２］前記（Ｆ）が、感光性ペーストの総重量に対して、０．０００５質量％以上０．２５質量％以下の範囲で含有する、［１］の感光性ペースト。［３］上記いずれかの感光性ペーストを用いてなるプラズマディスプレイ用隔壁。［４］［３］記載の隔壁を備えたプラズマディスプレイ用部材【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）無機粒子
（Ｂ）アルカリ可溶性樹脂
（Ｃ）架橋剤
（Ｄ）酸発生剤
（Ｅ）有機溶媒
（Ｆ）界面活性剤
を含有する感光性ペーストであって、（Ｆ）が、シリコーン系界面活性剤、フッ素系界面活性剤およびフッ素原子を有するシリコーン系界面活性剤からなる群から選ばれる少なくとも１種の界面活性剤である、感光性ペースト。
【請求項２】
前記（Ｆ）が、感光性ペーストの総量に対して、０．０００５質量％以上０．２５質量％以下の範囲で含有する、請求項１に記載の感光性ペースト。
【請求項３】
前記感光性ペーストに対する、前記（Ａ）〜（Ｅ）の含有比率が、それぞれ（Ａ）２０〜９５質量％、（Ｂ）２〜３０質量％、（Ｃ）１〜３０質量％、（Ｄ）０.０１〜２０質量％及び（Ｅ）１〜４０質量％である請求項１または２に記載の感光性ペースト。
【請求項４】
前記（Ｂ）がノボラック樹脂および／またはノボラック樹脂の一部のフェノール性水酸基をＯＲ3基（ここでＲ3は、炭素数１〜２０の一価の有機基を表す。）で置換した樹脂であり、前記（Ｃ）が式（３）で示される含エポキシ基ケイ素化合物である、請求項１〜３のいずれかに記載の感光性ペースト。
2008015144.tif 000011
（式中、Ｑ2、Ｑ3は、それぞれ独立に式（４）で表される基であり、Ｑ1は式（５ａ）または式（５ｂ）で示される基である。）
2008015144.tif 000012
（式中、Ｔ1は炭素数１〜６のアルキレン基、炭素数１〜６のアルキレンオキシアルキレン基又はフェニレン基を表す。ｍは０又は１である。）
2008015144.tif 000013
（式中、Ｔ2〜Ｔ7は、それぞれ独立にメチル基又はフェニル基を表す。Ｔ8は酸素原子、メチレン基、エテニレン基、エチニレン基、フェニレン基、ナフタレンジイル基およびビフェニルジイル基からなる群から選ばれる。）
【請求項５】
前記（Ｅ）が、２５℃における屈折率が１．４０〜１．８０の有機溶媒である、請求項１〜４のいずれかに記載の感光性ペースト。
【請求項６】
前記（Ａ）が、軟化点が４００℃〜６００℃である低融点ガラス粒子を含む無機粒子である、請求項１〜５のいずれかに記載の感光性ペースト。
【請求項７】
下記の工程を備えるプラズマディスプレイパネル用隔壁の製造方法
（ａ） 請求項１〜６のいずれかに記載の感光性ペーストを基板上に塗布して塗膜を
形成する工程
（ｂ） 塗布後の塗膜を加熱する工程
（ｃ） 上記（ｂ）で得られた塗膜を露光する工程
（ｄ） 露光後の塗膜を加熱する工程
（ｅ） 塗膜を現像する工程
（ｆ） 現像後、該基板を４５０℃〜６００℃の温度で焼成する工程
【請求項８】
請求項１〜６のいずれかに記載の感光性ペーストを用いて製造されるプラズマディスプレイパネル用隔壁。
【請求項９】
請求項８記載のプラズマディスプレイパネル用隔壁を備えるプラズマディスプレイ用部材。
【請求項１０】
請求項９記載のプラズマディスプレイ用部材を備えるプラズマディスプレイパネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、感光性ペーストに関する。さらに詳しくは、プラズマディスプレイ背面板における隔壁を形成するのに好適な感光性ペーストに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ディスプレイにおいて小型・高精細化が進んでおり、それに伴ってパターン加工技術の向上が望まれている。パターン加工技術としては、例えば、感光性ペースト法などが知られており、プラズマディスプレイの部材である背面板の隔壁形成などに用いられている。
【０００３】
これまでの隔壁を形成する感光性ペーストとしては、例えば、アクリル酸−スチレン共重合ポリマー、ガラス粉末および光重合開始剤を含有してなる感光性ペーストが挙げられ、該感光性ペーストを基板上に塗布し、露光、現像して隔壁パターンを形成し、焼成せしめて隔壁を形成する方法が知られている（特許文献１参照）。しかしながら、この感光性ペーストでは、バインダーとして用いたアクリル酸−スチレン共重合ポリマーを分解・除去しながら、ガラス粉末を焼結せしめるため、焼成前後での隔壁のパターンサイズの変化が大きく、厚膜に塗布して焼成する場合、焼成にムラが生じる場合があった。
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−２２０６４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、厚膜でも一回の露光でパターン形成が可能であり、かつ、焼成後のムラが小さく、面内均一性も良好で、焼成後の型崩れのない隔壁を製造し得る感光性ペーストを提供することにある。さらに、当該感光性ペーストを用いた隔壁、該隔壁を備えるプラズマディスプレイ用部材及びプラズマディスプレイパネルを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者は、上記課題を解決できる感光性ペーストを見出すべく、鋭意検討を重ねた結果、本発明を完成させるに至った。
【０００７】
即ち、本発明は、［１］（Ａ）無機粒子
（Ｂ）アルカリ可溶性樹脂
（Ｃ）架橋剤
（Ｄ）酸発生剤
（Ｅ）有機溶媒
（Ｆ）界面活性剤
を含有する感光性ペーストであって、（Ｆ）界面活性剤がシリコーン系界面活性剤、フッ素系界面活性剤およびフッ素原子を有するシリコーン系界面活性剤からなる群から選ばれる少なくとも１種であり、前記界面活性剤を感光性ペースト１００質量部中、０．０００５質量部以上０．６質量部以下の量で含有するものを特徴とする感光性ペーストを提供する。
【０００８】
さらに、本発明は上記［１］に係る好適な実施様態として、下記［２］〜［７］を提供する。
［２］前記（Ｆ）が、感光性ペーストの総重量に対して、０．０００５質量％以上０．２５質量％以下の範囲で含有する、［１］記載の感光性ペースト
［３］前記感光性ペーストに対する、前記（Ａ）〜（Ｅ）の含有比率が、それぞれ（Ａ）２０〜９５質量％、（Ｂ）２〜３０質量％、（Ｃ）１〜３０質量％、（Ｄ）０.０１〜２０質量％及び（Ｅ）１〜４０質量％である、［１］または［２］記載の感光性ペースト
［４］前記（Ｂ）がノボラック樹脂および／またはノボラック樹脂の一部のフェノール性水酸基をＯＲ3基（ここでＲ3は、炭素数１〜２０の一価の有機基を表す。）で置換した樹脂であり、前記（Ｃ）が式（３）で示される含エポキシ基ケイ素化合物である、［１］〜［３］のいずれかに記載の感光性ペースト
2008015144.tif 000002
（式中、Ｑ2、Ｑ3は、それぞれ独立に式（４）で表される基であり、Ｑ1は式（５ａ）または式（５ｂ）で示される基である。）
2008015144.tif 000003
（式中、Ｔ1は炭素数１〜６のアルキレン基、炭素数１〜６のアルキレンオキシアルキレン基又はフェニレン基を表す。ｍは０又は１である。）
2008015144.tif 000004
（式中、Ｔ2〜Ｔ7は、それぞれ独立にメチル基又はフェニル基を表す。Ｔ8は酸素原子、メチレン基、エテニレン基、エチニレン基、フェニレン基、ナフタレンジイル基およびビフェニルジイル基からなる群から選ばれる。）
［５］前記（Ｅ）が、２５℃における屈折率が１．４０〜１．８０の有機溶媒である、［１］〜［４］いずれかに記載の感光性ペースト
［６］前記（Ａ）が、軟化点が４００℃〜６００℃である低融点ガラス粒子を含む無機粒子である、［１］〜［５］いずれかに記載の感光性ペースト
【０００９】
さらに本発明は、上記いずれかに記載の感光性ペーストを用いた下記［８］を提供する。
［７］下記の工程を備えるプラズマディスプレイパネル用隔壁の製造方法
（ａ） 上記いずれかに記載の感光性ペーストを基板上に塗布して塗膜を
形成する工程
（ｂ） 塗布後の塗膜を加熱する工程
（ｃ） 上記（ｂ）で得られた塗膜を露光する工程
（ｄ） 露光後の塗膜を加熱する工程
（ｅ） 塗膜を現像する工程
（ｆ） 現像後、該基板を４５０℃〜６００℃の温度で焼成する工程
【００１０】
上記いずれかに記載の感光性ペーストは、プラズマディスプレイ用隔壁に好適に適用することが可能であり、下記［８］〜［１０］を提供する。
［８］上記のいずれかに記載の感光性ペーストを用いて製造されるプラズマディスプレイパネル用隔壁
［９］［８］のプラズマディスプレイパネル用隔壁を備えるプラズマディスプレイ用部材
［１０］［９］のプラズマディスプレイ用部材を備えるプラズマディスプレイパネル
【発明の効果】
【００１１】
本発明の感光性ペーストによれば、５０μｍを超える厚膜でも一回の露光で、ムラのないパターン形成が可能であり、かつ、焼成前後での寸法変動が小さく（焼成前後でのトップ幅寸法、ボトム幅寸法および高さ寸法それぞれの寸法変動がいずれも±３０％以下）、かつ得られたパターンの高さ寸法のばらつきが面内で著しく小さい、すなわちパターン高さ寸法の面内均一性に優れる隔壁を製造し得る。
また、当該隔壁はプラズマディスプレイ用背面板として、好適に用いることができ、さらに該背面板から、プラズマディスプレイパネルを提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明の好適な実施形態について説明する。
【００１３】
本発明の感光性ペーストは、
（Ａ）無機粒子
（Ｂ）アルカリ可溶性樹脂
（Ｃ）架橋剤
（Ｄ）酸発生剤
（Ｅ）有機溶媒
（Ｆ）界面活性剤
を含有するものであり、前記（Ｆ）がシリコーン系界面活性剤、フッ素系界面活性剤およびフッ素原子を有するシリコーン系界面活性剤からなる群から選ばれる少なくとも１種である界面活性剤を含有する感光性ペーストである。
【００１４】
ここで、「新版界面活性剤ハンドブック」（吉田時行、進藤信一他編，工学図書（株），昭和６２年１０月１日発行）の記載によれば、「フッ素系界面活性剤」の定義は、疎水基であるアルキル基のＣ−Ｈ結合の、水素原子の一部または全部をフッ素原子に置換したフッ素化アルキル基を有する界面活性剤であり、「シリコーン系界面活性剤」とは、いわゆる有機金属界面活性剤の一つであり、分子の一部にケイ素原子を有する界面活性剤である。具体的には、ポリジメチルシロキサン基など、Ｓｉ−Ｏ結合が連なってなる基（疎水性シロキサン基）を疎水基として有する界面活性剤である。かかる界面活性剤は、その疎水基の種類によって分類されるものであり、分子内に該フッ素化アルキル基と疎水性シロキサン基とをともに有する界面活性剤を、「フッ素原子を有するシリコーン系界面活性剤」と定義する。
また、上記の「フッ素系界面活性剤」、「シリコーン系界面活性剤」または「フッ素原子を有するシリコーン系界面活性剤」に係る親水基はア二オン性親水基、カチオン性親水基、両イオン性親水基または非イオン性親水基のいずれでもよい。
これらの界面活性剤は、アルキル基を疎水基とする通常の界面活性剤と比較して、著しい表面張力低下効果を有するものであり、本発明者らは、このような界面活性剤を含む、上記感光性ペーストを用いて得られる隔壁パターンがパターン高さの寸法にムラがなく、面内均一性に優れることを見出した。
【００１５】
具体的に、シリコーン系界面活性剤、フッ素系界面活性剤あるいはフッ素原子を有するシリコーン系界面活性剤を例示すると、市場から容易に入手可能な市販界面活性剤を挙げることができる。
例えば、シリコーン系界面活性剤としては、トーレシリコーンＤＣ３ＰＡ、同ＳＨ７ＰＡ、同ＤＣ１１ＰＡ、同ＳＨ２１ＰＡ、同ＳＨ２８ＰＡ、同２９ＳＨＰＡ、同ＳＨ３０ＰＡ、ポリエーテル変性シリコンオイルＳＨ８４００（商品名：トーレシリコーン（株）製）、ＫＰ３２１、ＫＰ３２２、ＫＰ３２３、ＫＰ３２４、ＫＰ３２６、ＫＰ３４０、ＫＰ３４１（信越シリコーン製）、ＴＳＦ４００、ＴＳＦ４０１、ＴＳＦ４１０、ＴＳＦ４３００、ＴＳＦ４４４０、ＴＳＦ４４４５、ＴＳＦ−４４４６、ＴＳＦ４４５２、ＴＳＦ４４６０（ジーイー東芝シリコーン（株）製）などが挙げられる。
また、フッ素系界面活性剤としてはフロリナート（登録商標）ＦＣ４３０、同ＦＣ４３１（住友スリーエム（株）製）、メガファック（登録商標）Ｆ１４２Ｄ、同Ｆ１７１、同Ｆ１７２、同Ｆ１７３、同Ｆ１７７、同Ｆ１８３、同Ｒ３０（大日本インキ化学工業（株）製）、エフトップ（登録商標）ＥＦ３０１、同ＥＦ３０３、同ＥＦ３５１、同ＥＦ３５２（新秋田化成（株）製）、サーフロン（登録商標）Ｓ３８１、同Ｓ３８２、同ＳＣ１０１、同ＳＣ１０５（旭硝子（株）製）、Ｅ５８４４（（株）ダイキンファインケミカル研究所製）、ＢＭ−１０００、ＢＭ−１１００（いずれも商品名：ＢＭ  Ｃｈｅｍｉｅ社製）などが挙げられる。
また、フッ素原子を有するシリコーン系界面活性剤としては、メガファック（登録商標）Ｒ０８、同ＢＬ２０、同Ｆ４７５、同Ｆ４７７、同Ｆ４４３（大日本インキ化学工業（株）製）などが挙げられる。
これらの中でも、測定温度２３℃、０.１質量％水溶液において、ウィルヘルミー法にて求められる表面張力が３５ｍＮ／ｍ以下の界面活性剤であると、感光性ペーストの塗布性も良好となる傾向があり、好ましい。
これらの界面活性剤は、単独または２種類以上を組み合わせて用いることができる。
これらの界面活性剤は、感光性ペースト１００質量部に対して、好ましくは、０．０００５質量部以上０．２５質量部以下の範囲で使用される。より好ましくは、感光性ペースト１００総量に対して、０．００１質量％以上０．１質量％以下の範囲であると好ましい。これらの界面活性剤に係る含有量が前記の範囲であると、平坦性がよくなりパターン高さ寸法の面内均一性が、より良好となる傾向があり、更には、焼成後の隔壁破壊（型崩れ）を防止する傾向もあり好ましい。
【００１６】
次に、（Ａ）無機粒子について説明する。
（Ａ）の比誘電率は、測定温度２０℃において、好ましくは４．０以上９．５以下であり、より好ましくは４．０以上９．０以下である。比誘電率が、前記の範囲にあると、プラズマディスプレイパネルとして駆動した際の無効電力が少なくなる隔壁が得られるため好ましい。ここで比誘電率は、市販のブリッジ型誘電率測定装置（例えば、安藤電気社製  型番ＴＲ−１０Ｃを挙げることができる）を用いて測定することができる。
【００１７】
また、（Ａ）の屈折率は、測定温度２５℃において、好ましくは１．４０〜２．５０であり、より好ましくは１．４３〜２．２０であり、とりわけ好ましくは１．４３〜１．８０である。無機粒子の屈折率が前記の範囲にあると、露光時に光の散乱が小さいため良好なパターンを形成することができる傾向があり、好ましい。なお、屈折率は、市販のプリズム屈折率測定装置（例えば、ＯＰＴＥＣ社製  型番ＧＰ１−Ｐを挙げることができる）を用いて測定することができる。
【００１８】
さらに、（Ａ）の体積平均粒径は、測定温度２５℃において、０．０１〜４０μｍの範囲であると好ましく、より好ましくは０．１〜１０μｍの範囲であり、とりわけ好ましくは１〜８μｍの範囲である。該平均粒径が、前記の範囲にあると、感光性ペーストを用いて形成される隔壁中における無機粒子の充填量を増加させることができることから、焼成時の収縮が少ないため好ましく、また露光時の光の散乱が小さいため良好なパターンを形成できる傾向があり、好ましい。なお、体積平均粒径は、市販の光散乱粒径測定装置（例えば大塚電子社製  型番ＤＬＳ−７０００を挙げることができる）を用いて測定することができる。
【００１９】
本発明の感光性ペーストにおいては、体積平均粒径の異なる無機粒子を任意の割合で混合して、（Ａ）として用いてもよい。
【００２０】
無機粒子の形状は特に限定されず、破砕状でも、球状でもよいが、球状であることが特に好ましい。
【００２１】
前記（Ａ）としては、例えば、コロイダルシリカに由来するシリカ粒子、エアロジル、シリカゲルなどのシリカ粒子、軟化点が４００℃〜６００℃である低融点ガラス粒子、軟化温度が６０１℃以上であるガラス粒子、またはこれらの混合物が挙げられる。特に、低融点ガラス粒子を含む無機粒子を（Ａ）として含む感光性ペーストが、後述の方法により得られる隔壁の強度が高いため好ましい。ここで、低融点ガラス粒子としては、例えば、酸化亜鉛系ガラス、酸化錫リン酸系ガラス、酸化ビスマス系ガラス、鉛ガラスなどが挙げられる
【００２２】
本発明の感光性ペーストに用いられる（Ａ）の添加割合は、感光性ペースト総量に対して、好ましくは２０〜９５質量％であり、より好ましくは４０〜９５質量％である。
【００２３】
（Ａ）の添加割合が前記の範囲にあると、焼成時の膜収縮が小さくなり基板から剥離しにくくなる傾向が見られ、また露光時の光の散乱が小さくなり良好なパターンを形成できる傾向があり、好ましい。
【００２４】
次に（Ｂ）アルカリ可溶性樹脂について説明する。
ここで、アルカリ可溶性樹脂において、アルカリ可溶性の表記は、アルカリ水溶液、アルカリ性を示す有機溶剤またはアルカリ性を示す有機溶剤−水混合溶液のいずれかに溶解しうることを表す。かかるアルカリ可溶性を発現するアルカリ可溶性基としては、カルボキシル基（−ＣＯＯＨ）、フェノール性水酸基、ホスホン酸基（−ＰＯ3Ｈ2）、スルホン酸基（−ＳＯ3Ｈ）およびスルホン酸イミド基（−ＳＯ2ＮＨＳＯ2−）からなる群から選ばれる少なくも１種の酸基であるか、無水カルボン酸基や、フェノール性水酸基をエステル化あるいはエーテル化によって保護した基など、加水分解によって容易に酸基に転化する基を挙げることができる。該アルカリ可溶性基を有する樹脂としては、公知の樹脂を用いることができ、例えば、例えば、ノボラック樹脂およびその誘導体、スチレン−無水マレイン酸共重合体、ポリビニルヒドロキシベンゾエートおよびその誘導体、ポリヒドロキシスチレンおよびその誘導体、カルボキシル基含有アクリル樹脂およびその誘導体、ポリスチレンスルホン酸およびその誘導体などを挙げることができる。
【００２５】
とりわけ、前記アルカリ可溶性樹脂の例示の中でも、本発明に適用する（Ｂ）としては、フェノール性水酸基を有するノボラック樹脂、あるいは該ノボラック樹脂のフェノール性水酸基の一部がエーテル化されて保護された変性ノボラック樹脂が好ましい。
具体的には、下記の（ａ）および（ｂ）から選択された１種あるいは２種以上を（Ｂ）として用いることが好ましい。
（ａ）式（１）で表されるフェノール化合物と式（２）で示されるアルデヒド化合物を重縮合させたノボラック樹脂
2008015144.tif 000005
（式中、ｎは０以上２以下の整数を表わす。Ｒ1は炭素数１〜２０の一価の有機基を表し、ｎが２の場合は、２つあるＲ1は同一あるいは異なっていてもよい。）
【００２６】
2008015144.tif 000006
（式中、Ｒ2は、水素原子または炭素数１〜２０の一価の有機基を表す）
（ｂ）ノボラック樹脂（ａ）のフェノール性水酸基の一部をＯＲ3基に置換した樹脂（ここで、Ｒ3は炭素数１〜２０の一価の有機基を表す。）
【００２７】
（ａ）は、上記の式（１）で表されるフェノール化合物と式（２）で示されるアルデヒド化合物を重縮合させたノボラック樹脂であり、ここで、式（１）におけるＲ1は炭素数１〜２０の一価の有機基としては、直鎖、分岐、環状のいずれであってもよく、例えば、炭素数１〜２０の直鎖状脂肪族炭化水素基、炭素数３〜２０の分岐状脂肪族炭化水素基、炭素数３〜２０の環状脂肪族炭化水素基、炭素数６〜２０の芳香族炭化水素基などが挙げられる。炭素数６〜２０の芳香族炭化水素基はアルキル基、アルケニル基等で置換されていてもよい。
【００２８】
これらの中で、炭素数１〜６の直鎖状炭化水素基、炭素数３〜６の分岐状炭化水素基、炭素数３〜６の環状炭化水素基、炭素数６〜２０の芳香族炭化水素基が好ましい。
【００２９】
炭素数１〜２０の直鎖状脂肪族炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ドデシル基、ウンデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、イコシル基などが挙げられ、特に、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基が好ましい。
【００３０】
炭素数３〜２０の分岐状脂肪族炭化水素基としては、例えば、イソプロピル基、イソブチル基、ターシャリーブチル基、ターシャリーオクチル基などが挙げられ、特に、イソプロピル基、イソブチル基が好ましい。
【００３１】
炭素数３〜２０の環状脂肪族炭化水素基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基などが挙げられ、特に、シクロペンチル基、シクロヘキシル基が好ましい。
【００３２】
炭素数６〜２０の芳香族炭化水素基としては、基を構成する芳香環を有する基または芳香環に炭化水素基が置換された基を有する基を表し、基を構成している炭素数の総和が６〜２０のものである。ここで、芳香環の置換基を例示すると、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などのアルキル基、アリル基、ビニル基などのアルケニル基、アリルオキシ基などのアルケニルオキシ基、エチニル基などのアルキニル基、エチニルオキシ基などのアルキニルオキシ基などが挙げられる。
【００３３】
炭素数６〜２０の芳香族炭化水素基を具体的に例示すると、フェニル基、ナフチル基、アンスリル基、トリル基、キシリル基、トリメチルフェニル基、エチルフェニル基、ジエチルフェニル基、トリエチルフェニル基、プロピルフェニル基、ブチルフェニル基、メチルナフチル基、ジメチルナフチル基、トリメチルナフチル基、ビニルナフチル基、メチルアンスリル基、エチルアンスリル基などが挙げられ、特に、フェニル基、トリル基、キシリル基が好ましい。
【００３４】
式(１)におけるＲ1の置換位置は、フェノール水酸基から２位、４位、６位の中で少なくとも２箇所が置換されていないものが好ましく、具体的に例示すると、フェノール（ヒドロキシベンゼン）、ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、ｏ−エチルフェノール、ｍ−エチルフェノール、ｐ−エチルフェノール、ｏ−プロピルフェノール、ｍ−プロピルフェノール、ｐ−プロピルフェノール、ｏ−イソプロピルフェノール、ｍ−イソプロピルフェノール、ｐ−イソプロピルフェノール、ｏ−ターシャリーブチルフェノール、ｍ−ターシャリーブチルフェノール、ｏ−ヘキシルフェノール、ｍ−ヘキシルフェノール、ｏ−デシルフェノール、ｍ−デシルフェノール、ｏ−ドデシルフェノール、ｍ−ドデシルフェノール、ｏ−ヘキサデシルフェノール、ｍ−ヘキサデシルフェノール、ｏ−イコシルフェノール、ｍ−イコシルフェノール、ｏ−シクロペンチルフェノール、ｍ−シクロペンチルフェノール、ｏ−シクロヘキシルフェノール、ｍ−シクロヘキシルフェノール、ｏ−シクロヘプチルフェノール、ｍ−シクロヘプチルフェノール、ｏ−フェニルフェノール、ｍ−フェニルフェノール、ｏ−トルイルフェノール、ｍ−トルイルフェノール、ｏ−ナフチルフェノール、ｍ−ナフチルフェノール、
２，５−キシレノール、２，３−キシレノール、３，５−キシレノール、２−エチル−５−メチルフェノール、２−エチル−３−メチルフェノール、３−エチル−５−メチルフェノール、２−イソプロピル−５−メチルフェノール、２−イソプロピル−３−メチルフェノール、３−イソプロピル−５−メチルフェノール、２−ターシャリーブチル−５−メチルフェノール、２−ターシャリーブチル−３−メチルフェノール、３−ターシャリーブチル−５−メチルフェノール、２−ヘキシル−５−メチルフェノール、２−ヘキシル−３−メチルフェノール、３−ヘキシル−５−メチルフェノール、２−シクロヘキシル−５−メチルフェノール、２−シクロヘキシル−３−メチルフェノール、３−シクロヘキシル−５−メチルフェノール、２−フェニル−５−メチルフェノール、２−フェニル−３−メチルフェノール、３−フェニル−５−メチルフェノール、２−ナフチル−５−メチルフェノール、２−ナフチル−３−メチルフェノール、３−ナフチル−５−メチルフェノール、２，５−ジエチルフェノール、２，３−ジエチルフェノール、３，５−ジエチルフェノール、２，５−ジプロピルフェノール、２，３−ジプロピルフェノール、３，５−ジプロピルフェノール、２，５−ビスシクロヘキシルフェノール、２，３−ビスシクロヘキシルフェノール、３，５−ビスシクロヘキシルフェノール、２，５−ジフェニルフェノール、２，３−ジフェニルフェノール、３，５−ジフェニルフェノールなどが挙げられる。
特に、フェノール（ヒドロキシベンゼン）、ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、２，５−キシレノール、３，５−キシレノール、２，３−キシレノール、２−ブチルフェノール、２−イソブチルフェノール、２−シクロヘキシルフェノール、２−フェニルフェノールが好ましく、とりわけ、フェノール（ヒドロキシベンゼン）、ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾールが好ましい。
【００３５】
式（２）におけるＲ2は水素原子または炭素数１〜２０の１価の有機基であり、該１価の有機基は、前記のＲ1と同等のものが例示できる。式（２）で示されるアルデヒド化合物を具体的に例示すると、ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロパナール、ブタナール、ヘキサナール、オクタナール、デカナール、ドデカナール、ヘキサデカナール、イコサナール、２−メチルプロパナール、２−メチルブタナール、２−エチルブタナール、２，２−ジメチルプロパナール、アクロレイン、２−ブテナール、２−ヘキセナール、２−オクテナール、アセチレンアルデヒド、２−ブチナール、２−ヘキシナール、２−オクチナール、シクロヘプチルカルバルアルデヒド、シクロヘキシルカルバルアルデヒド、ベンズアルデヒド、１−ナフチルアルデヒド、２−ナフチルアルデヒド、スチリルアルデヒド等が挙げられる。また、アルデヒド化合物は、解重合可能な高分子前駆体を使用することもできるし、アルデヒド基をアセタール基又はヘミアセタール基で保護してもよい。
【００３６】
式（２）で示されるアルデヒド化合物の中で、特に、ホルムアルデヒド、アセトアルデヒドが好ましく、とりわけホルムアルデヒドが好ましい。ホルムアルデヒドは、解重合可能な重合体であるパラホルムアルデヒドや、水溶液であるホルマリンを使用することもできる。
【００３７】
式（１）で表される化合物と、式（２）で表されるアルデヒド化合物の重縮合方法は特に限定されないが、例えば、反応溶媒の存在下または不在下、酸触媒またはアルカリ触媒を用いることで達成できる。反応温度としては０〜２００℃、好ましくは５０〜１５０℃であり、反応時間としては、０．１〜３０時間、好ましくは１〜２０時間である。酸触媒としては、硫酸、塩酸、硝酸、燐酸、酢酸、シュウ酸、マロン酸、トルエンスルホン酸などが挙げられ、アルカリ触媒としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化セシウム、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、アンモニア、水酸化テトラメチルアンモニウム、トリエチルアミン、モルホリン、ピリジンなどが挙げられる。
【００３８】
重縮合反応に用いる反応溶媒としては、メタノール、エタノール、イソプロパノール、ターシャリーブチルアルコールなどのアルコール類；メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、メチルヘキシルケトン、メチルヘプチルケトン、シクロヘキシルケトンなどのケトン類；酢酸プロピル、酢酸ブチル、酢酸イソブチル、プロピオン酸メチル、乳酸エチル、酢酸プロピレングリコールなどのエステル類；ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、ジオキサンなどのエーテル類；ベンゼン、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素類；ジクロロメタン、クロロホルム、四塩化炭素、ブロモホルムなどのハロゲン化炭化水素類；ヘキサン、ヘプタン、デカン、石油エーテルなどの炭化水素類を用いることができ、これらは１種または２種以上を混合して使用することができる。また、反応系に水を共存させてもよく、水と互いに相溶しない溶媒の場合は２層に分離した反応溶媒を用いてもよい。蒸留脱水などで水を除去してもよい。
【００３９】
前記の重縮合反応の例示において、ケトン類、エステル類、芳香族炭化水素類を反応溶媒として用い、酢酸、シュウ酸、マロン酸、トルエンスルホン酸などの有機酸またはアンモニア、水酸化テトラメチルアンモニウム、トリエチルアミンなどのアルカリを触媒とするのが好ましい。該触媒は、用いた反応溶媒に対し、溶解していてもよいし、溶解しなくてもよい。
【００４０】
前記（ｂ）は、上記のようにして得られるノボラック樹脂（ａ）のフェノール性水酸基の一部をＯＲ3基に転換したものである。ここで、Ｒ3は炭素数１〜２０の一価の有機基であり、前記のＲ1またはＲ2と同等の例示を挙げることができる。
【００４１】
フェノール性水酸基をＯＲ3基に置換する反応としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、金属ナトリウム、金属リチウム、金属カリウム、ｎ−ブチルリチウム、ナトリウムナフタレート、ナトリウムメトキシド等の強アルカリを使用し、前記フェノール性水酸基を金属フェノラート基に変換し、式（６）で示される化合物を反応せしめて得ることができる。
【００４２】
2008015144.tif 000007
（式中、Ｒ3は前記と同等の定義である。Ｔは、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、メシル基およびトシル基からなる群から選ばれる。）
式（６）で示される化合物は、使用するノボラック樹脂（ａ）のフェノール性水酸基１モル当量に対して、０．９９モル当量以下、好ましくは０．８モル当量以下、特に好ましくは０．５モル当量以下を使用する。
ここで、使用するノボラック樹脂（ａ）中のフェノール性水酸基のモル当量は、アルカリ滴定法を用いて求めることができる。
【００４３】
式（６）で示される化合物の具体例は、フッ化メチル、フッ化エチル、フッ化デシル、フッ化ヘキシル、フッ化オクチル、フッ化ドデシル、フッ化ヘキサデシル、フッ化イコシル、塩化メチル、塩化エチル、塩化デシル、塩化ヘキシル、塩化オクチル、塩化ドデシル、塩化ヘキサデシル、塩化イコシル、臭化メチル、臭化エチル、臭化デシル、臭化ヘキシル、臭化オクチル、臭化ドデシル、臭化ヘキサデシル、臭化イコシル、臭化ベンジル、ヨウ化メチル、ヨウ化エチル、ヨウ化デシル、ヨウ化ヘキシル、ヨウ化オクチル、ヨウ化ドデシル、ヨウ化ヘキサデシル、ヨウ化イコシル、ヨウ化ベンジル、エチルスルホン酸メチル、ブチルスルホン酸メチル、オクチルスルホン酸メチル、デシルスルホン酸メチル、エチルスルホン酸トルイル、ブチルスルホン酸トルイル、オクチルスルホン酸トルイル、デシルスルホン酸トルイル等が挙げられ、臭化メチル、臭化エチル、ヨウ化メチル、ヨウ化エチルが好ましい。
【００４４】
反応溶媒としては、メタノール、エタノール、イソプロパノール、ターシャリーブチルアルコールなどのアルコール類；メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、メチルヘキシルケトン、メチルヘプチルケトン、シクロヘキシルケトンなどのケトン類；ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、ジオキサンなどのエーテル類；ベンゼン、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素類；ジクロロメタン、クロロホルム、四塩化炭素、ブロモホルムなどのハロゲン化炭化水素類；ヘキサン、ヘプタン、デカン、石油エーテルなどの炭化水素類を用いることができ、これらは１種または２種以上を混合して使用することができる。とりわけ、エーテル類、芳香族炭化水素類またはハロゲン化炭化水素類が好ましい。また、反応には、使用する反応剤が失活しない限りにおいて、水を共存させてもよいが、水分１００ｐｐｍ以下の脱水された反応溶媒が好ましい。反応温度は、０．１〜２０時間、好ましくは１〜１０時間、反応温度は−６０〜１００℃、好ましくは−２０〜５０℃で行うことができる。
【００４５】
特に、本発明の（Ｂ）としては、式（１）におけるＲ1が水素原子またはメチル基である化合物とホルムアルデヒドを重縮合させたフェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂が特に好ましい。フェノールノボラック樹脂またはクレゾールノボラック樹脂は、溶解コントラストが高いために好ましく用いることができる。また、本発明の感光性ペーストに用いられる（Ｂ）の添加割合は、感光性ペースト総量に対して、好ましくは２〜３０質量％であり、より好ましくは３〜２０質量％である。
【００４６】
上記のようにして得られたアルカリ可溶性樹脂は、前記の重縮合反応あるいは前記の置換反応に使用した触媒あるいは触媒残渣、未反応の式（１）で示されるフェノール化合物、未反応の式（２）で示されるアルデヒド化合物あるいは未反応の式（６）で示される化合物を公知の方法で除去することが好ましい。また、上記の縮合反応あるいは上記の転換反応に使用した反応溶媒も公知の方法に除去することもできるが、後述の（Ｅ）２５℃における屈折率が１．４０〜１．８０の有機溶媒と同じものを使用した場合は、除去せず、アルカリ可溶性樹脂を溶解させた溶液として、本発明の感光性ペーストの調整に使用してもよい。
【００４７】
（Ｂ）のゲルパーミエイションクロマトグラフィー法（以下、「ＧＰＣ法」と呼ぶ）によるポリスチレン換算重量平均分子量は、好ましくは３５０〜３０，０００であり、より好ましくは３５０〜１０，０００である。該重量平均分子量が、前記の範囲にあると、露光部の硬化性が高い傾向があり、また未露光部の溶解性が高く、パターン形成特性が良好になる傾向があり、好ましい。
【００４８】
本発明の感光性ペーストに用いられる（Ｂ）の添加割合は、感光性ペースト総量に対して、好ましくは１〜３０質量％であり、より好ましくは５〜２０質量％である。
【００４９】
次に、架橋剤（Ｃ）について説明する。
（Ｃ）としては、式（３）で示される含エポキシ基ケイ素化合物が好ましく用いられる。
2008015144.tif 000008
（式中、Ｑ2、Ｑ3は、それぞれ独立に式（４）で表される基であり、Ｑ1は式（５ａ）または式（５ｂ）で示される基である。）
【００５０】
2008015144.tif 000009
（式中、Ｔ1は炭素数１〜６のアルキレン基、炭素数１〜６のアルキレンオキシアルキレン基又はフェニレン基を表す。ｍは０または１である。）
【００５１】
2008015144.tif 000010
（式中、Ｔ2〜Ｔ7は、メチル基またはフェニル基を表す。Ｔ8は酸素原子、メチレン基、エテニレン基、エチニレン基、フェニレン基、ナフタレンジイル基およびビフェニルジイル基からなる群から選ばれる。）
【００５２】
ここで、Ｑ2、Ｑ3はそれぞれ独立に、式（４）で示されるエポキシ基またはオキセタン基を有する基を示す。ここで、Ｔ1がアルキレン基の場合は、グリシジル基、１，２−エポキシブチル基、１，２−エポキシヘキシル基などが挙げられ、アルキレンオキシアルキレン基の場合は、グリシジルオキシエチル基、グリシジルオキシプロピル基、グリシジルオキシブチル基、１，３−エポキシブチル基、１，３−エポキシヘキシル基などが挙げられる。Ｔ1がフェニレン基の場合は１，２−エポキシエチルフェニル基、１，３−エポキシプロピルフェニル基などが挙げられる。特に、Ｔ1がアルキレンオキシアルキレン基の場合が、製造上簡便であるため好ましく、とりわけグリシジルオキシプロピル基が好ましい。
Ｑ1は、式（５ａ）または式（５ｂ）で示される、ケイ素原子を１個または２個有する２価の基であり、ジメチルシランジイル基、ジフェニルシランジイル基、１，１，３，３−テトラメチルジシロキサンジイル基、１，１，３，３−テトラフェニルジシロキサンジイル基、１，１，３，３−テトラメチルジシラメチレンジイル基、フェニレンビス（ジメチルシリレン）基などが挙げられ、１，１，３，３−テトラメチルジシロキサンジイル基が特に好ましい。
前記（Ｃ）としては、１，３−ジ（３’−グリシジルオキシプロピル）−１，１，３，３，−テトラメチルジシロキサンが特に好ましい。１，３−ジ（３’−グリシジルオキシプロピル）−１，１，３，３，−テトラメチルジシロキサンは、エポキシ樹脂改質剤用途として、市販されているものであり、容易に入手可能である。
【００５３】
本発明の感光性ペーストに用いられる（Ｃ）の添加割合は、感光性ペースト総量に対して、好ましくは１〜３０質量％であり、より好ましくは１〜２０質量％である。
【００５４】
次に（Ｄ）酸発生剤について説明する。
（Ｄ）としては、例えば、光酸発生剤、光カチオン重合開始剤などが挙げられる。
【００５５】
光酸発生剤としては、例えば、［シクロヘキシル−（２−シクロヘキサノニル）−メチル］スルホニウム  トリフルオロメタンスルフォネート、ビス（ｐ−トリルスルフォニル）ジアゾメタン、ビス（シクロヘキシルスルフォニル）ジアゾメタン、ターシャリーブチルカルボニルメチル−テトラヒドロチオフェニウム  トリフルオロメタンスルフォネートなどが挙げられる。光酸発生剤としては、前記の他に、特開平１１―２０２４９５号公報記載の化合物などを使用することもできる。
【００５６】
光カチオン重合開始剤としては、例えば、ヨードニウム塩、スルホニウム塩、ホスフェート塩、アンチモネート塩などを挙げることができる。具体的には、ロードシルフォトイニシエーター２０７４（ローデル社製）、アデカオプトマーＳＰ−１５０、アデカオプトマーＳＰ−１５２、アデカオプトマーＳＰ−１７０、アデカオプトマーＳＰ−１７２（いずれも旭電化工業（株）製）などが挙げられる。また、前記の他に、特開平９−１１８６６３号公報に記載された化合物も使用することができる。
【００５７】
本発明の感光性ペーストに対する（Ｄ）の含有量は、感光性ペースト総量に対して、好ましくは０．０１〜２０質量％であり、より好ましくは０．０５〜１０質量％である。
【００５８】
（Ｄ）の含有量が、前記の範囲にあると、生産性よくパターンを形成できる傾向があり、好ましい。
【００５９】
次に（Ｅ）について説明する。
（Ｅ）は、２５℃における屈折率が１．４０〜１．８０の有機溶媒であり、さらには、屈折率が１．４１〜１．７０の有機溶媒が好ましく、とりわけ、屈折率が１．４２〜１．６０の有機溶媒が好ましい。（Ｅ）有機溶媒の屈折率が前記の範囲にあると、製膜後の感光性ペーストの透明性が高い傾向があり、好ましい。有機溶媒の屈折率は、測定温度２５℃において、屈折率計（例えば、京都電子工業（株）製  ＲＡ−５２０Ｎを挙げることができる）を用いて測定することができる。また、屈折率は、例えば、改訂４版  化学便覧  基礎編ＩＩ  ５１４−５２０頁（日本化学会編  丸善（株）  平成５年９月３０日  発行）など文献に記載されている。
【００６０】
ここで、２５℃における屈折率が１．４０〜１．８０である有機溶媒としては、例えば、プロピレングリコールモノブチルエーテル（屈折率１．４２）、ポリプロピレングリコールジベンゾエート（屈折率１．５２）、２−ヘプタノン（屈折率１．４１）、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート（屈折率１．４０）、ガンマ−ブチロラクトン（屈折率１．４４）、１，２−プロパンジオールジベンゾエート（屈折率１．５４）、エチレングリコールジアセテート（屈折率１．４２）等が挙げられ、好ましくは屈折率が１．４１〜１．７０、より好ましくは屈折率が１．４２〜１．６０である。
【００６１】
本発明の感光性ペーストにおける（Ｅ）の含有量としては、感光性ペースト総量に対して、通常１〜４０質量％であり、好ましくは３〜３０質量％であり、より好ましくは５〜２０質量％である。
【００６２】
さらに、本発明の感光性ペーストには、必要に応じて、前記の（Ａ）〜（Ｆ）のほかに、光吸収剤、光増感剤、可塑剤、分散剤、沈殿防止剤などの添加剤を、本発明の企図する目的を損なわない範囲で添加してもよい。
【００６３】
次に、本発明の感光性ペーストを用いてパターン加工を行ない、プラズマディスプレイ用隔壁を製造する方法について、一例を挙げて説明するが、本発明は該方法に限定されるものではない。
かかる製造方法における好適な例としては、下記の（ａ）〜（ｅ）に示す工程を有する製造方法が挙げられる。
（ａ） 上記いずれかに記載の感光性ペーストを基板上に塗布して塗膜を形成する工程
（ｂ） 塗布後の塗膜を加熱する工程
（ｃ） 上記（ｂ）で得られた塗膜を露光する工程
（ｄ） 露光後の塗膜を加熱する工程
（ｅ） 塗膜を現像する工程
（ｆ） 現像後、該基板を４５０℃〜６００℃の温度で焼成する工程
【００６４】
まず、（ａ）について説明する。基板上に、感光性ペーストを全面塗布、または、部分的に塗布する。塗布方法としては、例えば、バーコーター、ロールコーター、ダイコーター、スクリーン印刷などの方法を用いることができる。塗布厚みは、塗布回数、ペーストの粘度を選ぶことにより調整することができ、通常５〜５００μｍ程度の塗膜を得る。
【００６５】
感光性ペーストを基板上に塗布する場合、基板と塗布膜との密着性を高めるために基板表面を表面処理液で処理してもよい。
【００６６】
前記の表面処理液としては、例えば、グリシジルオキシプロピルトリエトキシシラン、グリシジルオキシプロピルトリメトキシシシラン、オキセタニルオキシプロピルトリエトキシシランなどのシランカップリング剤が挙げられる。シランカップリング剤は、例えば、エチレングリコールモノメチルエーテル、メチルアルコール、エチルアルコール、プロピルアルコール、ブチルアルコールなどの有機溶媒で０．１〜５％の濃度に希釈したものを用いることが好ましい。
【００６７】
表面処理の方法は、例えば、表面処理液をスピナーなどで基板上に均一に塗布した後、８０〜１４０℃で５〜６０分間乾燥するなどを挙げることができる。乾燥方法としては、ホットプレート、遠赤外線オーブン等が好ましい。
【００６８】
上記のように、必要に応じて、表面処理を施した基板に、感光性ペーストを塗布し、（ｂ）遠赤外線オーブン等を用いて、通常８０〜１３０℃で、５〜１００分間乾燥させる。
【００６９】
乾燥後、（ｃ）露光装置を用いて露光を行なう。露光装置としては、例えば、プロキシミティ露光機などが挙げられる。
【００７０】
大面積の露光を行なう場合には、基板上に感光性ペーストを塗布した後に、移動させながら露光を行なうことによって、小さな露光面積の露光機で、大きな面積を露光することができる。露光とは、作成するマスクパターンを、感光性ペーストから得られた塗膜に電離放射線で描画するものである。電離放射線としては、例えば、紫外線、電子線、Ｘ線、可視光、近赤外光などを使用することができる。
【００７１】
前記露光における照射量としては、使用する露光源あるいは感光性ペーストに使用した（Ｃ）の種類により適宜最適化できるが、（Ｃ）が酸を発生する量以上であれば、本発明の効果を阻害しない範囲内で、差し支えない。
【００７２】
特に、好ましくは、露光源として高圧水銀灯を使用した波長３６５ｎｍの光源を使用し、温度は室温（２５±５℃）下で、露光量１００ｍJ/cm2〜２０００ｍJ/cm2で達成される。
【００７３】
露光後、（ｄ）遠赤外線オーブン等を用いて、通常８０〜１５０℃で、３〜６０分間乾燥を行うことが好ましい。次いで、（ｅ）現像を行なう。現像は、通常、浸漬法、スプレー法、ブラシ法などで行われる。
【００７４】
現像液としては、例えば、水酸化テトラメチルアンモニウム、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、水酸化ナトリウム、炭酸ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸カリウムなどのアルカリの水溶液が挙げられる。
【００７５】
水溶液中のアルカリ濃度は、好ましくは０．０５〜５質量％であり、より好ましくは０．１〜５質量％である。アルカリ濃度が前記の範囲にあると、現像除去するべき部分の除去性が良好であり、また残存すべきパターンが剥離したり侵食されたりする傾向が小さく、好ましい。
【００７６】
現像時の温度は、その工程管理上、好ましくは１５〜５０℃である。
【００７７】
上記のようにしてパターンを形成後、（ｆ）焼成炉にて焼成を行なうことにより隔壁を形成することができる。焼成雰囲気や焼成温度は、感光性ペーストや基板の種類によって異なるが、空気、窒素などの雰囲気中で、通常、４５０〜６００℃で焼成することができる。焼成炉は、バッチ式の焼成炉やベルト式の連続型焼成炉を用いることができる。
【００７８】
特に、ガラス基板上にパターン加工する場合は、通常、４５０〜６００℃の温度で１０〜６０分間焼成が行なわれる。
【００７９】
上記のようにして得られた隔壁の表面にはコート層を形成してもよい。コート層は、低融点ガラス粒子とバインダー樹脂からなるペースト剤やセラミックコーティング剤などのコート剤を塗布・乾燥し、焼成して隔壁の表面に形成するか、または前記のパターン形成後、該コート剤を塗布した後、焼成を行なうことにより、隔壁の形成と同時に隔壁の表面に形成してもよい。
【００８０】
前記コート剤を構成する低融点ガラス粒子としては、前記と同等の例示が挙げられる。
【００８１】
また、バインダー樹脂としては、例えば、ブチラール樹脂、ポリビニルアルコール、アクリル樹脂、ポリα-メチルスチレンなどが挙げられる。
【００８２】
前記のセラミックコート剤としては、水性金属塩系コート剤、アルコキシ金属塩系コート剤などを用いることができ、具体的には、水性金属塩系コート剤としてはＭＳ−１７００、アルコキシ金属塩系コート剤としてはＧ−３０１、Ｇ−４０１（いずれも、（株）日本セラミック製）などを挙げることができる。
【００８３】
コート層の焼成温度は、低融点ガラス粒子とバインダー樹脂よりなるペースト剤を用いる場合、通常、２５０〜６００℃程度であり、セラミックコート剤を用いる場合、通常、室温〜５００℃である。
【００８４】
上記の露光、現像を含むパターン加工を行なう方法により、焼成前後の寸法変動、特にパターン高さの寸法変動が非常に小さく面内均一性に優れ、焼成ムラのない隔壁を得ることができる。
本発明の感光性ペーストは、焼成前後でのトップ幅寸法、ボトム幅寸法および高さ寸法のそれぞれの変化量が±３０％以内、より好ましくは±１０％以内の寸法変動が非常に低い隔壁を得ることができる。
【００８５】
上記のようにして得られる隔壁は、プラズマディスプレイ用部材である背面板の隔壁として好適に使用することができる。背面板の製造方法は、前記の隔壁を形成した基板に、蛍光層形成等の公知の処理を施すことにより、達成される。
また、このようにして製造された背面板は、公知の方法により製造されたプラズマディスプレイ用の前面板と封着し、前面板と背面板の間隔に形成された空間に放電ガスを封入して、プラズマディスプレイパネルを得ることができる。
【実施例】
【００８６】
以下、実施例によって本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例によって限定されるものではない。
【００８７】
また、下記の実施例、比較例において感光性ペースト調製に使用した原料は下記のとおりであり、それぞれの例においては、原料を略号で表す。
（Ａ−１）球状シリカ（（株）アドマテックス製；ＳＯ−Ｃ６）
（Ａ−２）低融点無鉛ガラス粒子（ヤマト電子（株）製、ＹＥＢ２−６７０１）
（Ｂ−１）フェノールノボラック樹脂のガンマ−ブチロラクトン５０重量％溶液
（群栄化学工業（株）製、ＰＳＭ−４３２６）
（Ｂ−２）ポリアクリル酸（アルドリッチ製  Ｍｗ：１２５０）のガンマ−ブチロラクトン５０重量％溶液
（群栄化学工業（株）製、ＰＳＭ−４３２６）
（Ｃ−１）１，３−ジ（３’−グリシジルオキシプロピル）−１，１，３，３，−テトラメチル−ジシロキサン（ローデル社製、ＳＩＬＣＯＬＥＡＳＥ  ＰＣ−６０６ＰＥＸ）
（Ｄ−１）ロードシルフォトイニシエーター（ローデル社製、ＰＩ−２０７４）
（Ｇ−１）増感剤（川崎化成工業（株）製、ＤＢＡ）
（Ｅ−１）１，２−プロパンジオールジベンゾエート（アルドリッチ製）
（Ｅ−２）ガンマ−ブチロラクトン
（Ｆ−１）Ｆ４７０（大日本インキ化学工業（株）製）のガンマ−ブチロラクトン１重量％溶液
（Ｆ−２）Ｆ４７０（大日本インキ化学工業（株）製）
（Ｈ−１）酸化チタン粒子（石原産業（株）製、ＣＲ−ＥＬ）
【００８８】
実施例１
（Ａ−１）    ２７３．０質量部
（Ａ−２）    ４０９．６質量部
（Ｂ−１）    ２０４．８質量部
（Ｂ−２）      １７．１質量部
（Ｃ−１）      ３８．４質量部
（Ｄ−１）        ９．８質量部
（Ｇ−１）        ２．１質量部
（Ｅ−１）      ２１．３質量部
（Ｅ−２）      ２１．３質量部
（Ｆ−２）        ０．４質量部
（Ｈ−１）        ２．１質量部
をポリプロピレン製密閉容器に入れ、攪拌脱泡機（（株）キーエンス社製；ＨＭ−５００）を用いて攪拌して均一な感光性ペーストを調製した。
得られた感光性ペーストの組成重量比は（Ａ）６８．２６％、（Ｂ）１１．０９％、（Ｃ）３．８４％、（Ｄ）０．９８％、（Ｅ）１５．３６％、（Ｆ）０．０４％である。
【００８９】
調製した感光性ペーストを２００μｍギャップのアプリケーターを用いて、誘電体付きガラス基板上に１回塗布した。塗布後９０℃のオーブンで４０分乾燥して塗膜を調製した。
【００９０】
次いで、乾燥後の塗膜を、４５μｍライン、２４０μｍピッチのマスクを用いて、プロキシミティ露光機（大日本スクリーン製造（株）製；ＭＡＰ−１３００）で露光した。照射露光量は、４００ｍＪ／ｃｍ2であった。露光後、１４０℃で１０分間ベークした後、０．４質量％水酸化ナトリウム水溶液で現像して、パターン上部幅４４μｍ、パターン下部幅８８μｍ、高さ９２μｍのパターンが得られた。面内の高さ変動も、±３％以内で良好であった。更に、未露光部の残渣も見られず、基板への密着性が良好であった。
【００９１】
その後、マッフル炉（（株）いすゞ製作所  EPTS-312K）中、５８０℃で３０分焼成することにより、パターン上部幅４３μｍ、パターン下部幅８７μｍ、高さ９０μｍのパターンが剥離せずに得られた。
【００９２】
焼成後のパターンサイズの変化は、焼成前に較べて、±１０％以内であり、焼成前後のパターンサイズの変化が小さい隔壁を得ることが判明した。
【００９３】
実施例２
（Ａ−１）    ２７３．２質量部
（Ａ−２）    ４０９．７質量部
（Ｂ−１）    ２０４．９質量部
（Ｂ−２）      １７．１質量部
（Ｃ−１）      ３８．４質量部
（Ｄ−１）        ９．８質量部
（Ｇ−１）        ２．１質量部
（Ｅ−１）      ２１．３質量部
（Ｅ−２）      ２１．３質量部
（Ｆ−１）        ０．５質量部
（Ｈ−１）        ２．１質量部
をポリプロピレン製密閉容器に入れ、攪拌脱泡機（（株）キーエンス社製；ＨＭ−５００）を用いて攪拌して均一な感光性ペーストを調製した。
得られた感光性ペーストの組成重量比は（Ａ）６８．２９％、（Ｂ）１１．１０％、（Ｃ）３．８４％、（Ｄ）０．９８％、（Ｅ）１５．３６％、（Ｆ）０．０００５％である。
【００９４】
調製した感光性ペーストを２００μｍギャップのアプリケーターを用いて、誘電体付きガラス基板上に１回塗布した。塗布後９０℃のオーブンで４０分乾燥して塗膜を調製した。
【００９５】
次いで、乾燥後の塗膜を、４５μｍライン、２４０μｍピッチのマスクを用いて、プロキシミティ露光機（大日本スクリーン製造（株）製；ＭＡＰ−１３００）で露光した。照射露光量は、４００ｍＪ／ｃｍ2であった。露光後、１４０℃で１０分間ベークした後、０．４質量％水酸化ナトリウム水溶液で現像して、パターン上部幅４６μｍ、パターン下部幅９０μｍ、高さ９３μｍのパターンが得られた。面内の高さ変動も、±３％以内で良好であった。更に、未露光部の残渣も見られず、基板への密着性が良好であった。
【００９６】
その後、マッフル炉（（株）いすゞ製作所  EPTS-312K）中、５８０℃で３０分焼成することにより、パターン上部幅４５μｍ、パターン下部幅８９μｍ、高さ９０μｍのパターンが剥離せずに得られた。
【００９７】
焼成後のパターンサイズの変化は、焼成前に較べて、±１０％以内であり、焼成前後のパターンサイズの変化が小さい隔壁を得ることが判明した。
【００９８】
実施例３
（Ａ−１）    ２７２．６質量部
（Ａ−２）    ４０８．９質量部
（Ｂ−１）    ２０４．４質量部
（Ｂ−２）      １７．０質量部
（Ｃ−１）      ３８．３質量部
（Ｄ−１）        ９．８質量部
（Ｇ−１）        ２．１質量部
（Ｅ−１）      ２１．３質量部
（Ｅ−２）      ２１．３質量部
（Ｆ−２）        ２．１質量部
（Ｈ−１）        ２．１質量部
をポリプロピレン製密閉容器に入れ、攪拌脱泡機（（株）キーエンス社製；ＨＭ−５００）を用いて攪拌して均一な感光性ペーストを調製した。
得られた感光性ペーストの組成重量比は（Ａ）６８．１４％、（Ｂ）１１．０７％、（Ｃ）３．８３％、（Ｄ）０．９８％、（Ｅ）１５．３３％、（Ｆ）０．２１％である。
【００９９】
調製した感光性ペーストを２００μｍギャップのアプリケーターを用いて、誘電体付きガラス基板上に１回塗布した。塗布後９０℃のオーブンで４０分乾燥して塗膜を調製した。
【０１００】
次いで、乾燥後の塗膜を、４５μｍライン、２４０μｍピッチのマスクを用いて、プロキシミティ露光機（大日本スクリーン製造（株）製；ＭＡＰ−１３００）で露光した。照射露光量は、４００ｍＪ／ｃｍ2であった。露光後、１４０℃で１０分間ベークした後、０．４質量％水酸化ナトリウム水溶液で現像して、パターン上部幅４２μｍ、パターン下部幅８６μｍ、高さ８９μｍのパターンが得られた。面内の高さ変動も、±３％以内で良好であった。更に、未露光部の残渣も見られず、基板への密着性が良好であった。
【０１０１】
その後、マッフル炉（（株）いすゞ製作所  EPTS-312K）中、５８０℃で３０分焼成することにより、パターン上部幅４０μｍ、パターン下部幅８５μｍ、高さ８８μｍのパターンが剥離せずに得られた。
【０１０２】
焼成後のパターンサイズの変化は、焼成前に較べて、±１０％以内であり、焼成前後のパターンサイズの変化が小さい隔壁を得ることが判明した。
【０１０３】
比較例１
（Ａ−１）    ２７３．２質量部
（Ａ−２）    ４０９．７質量部
（Ｂ−１）    ２０４．９質量部
（Ｂ−２）      １７．１質量部
（Ｃ−１）      ３８．４質量部
（Ｄ−１）        ９．８質量部
（Ｇ−１）        ２．１質量部
（Ｅ−１）      ２１．３質量部
（Ｅ−２）      ２１．３質量部
（Ｈ−１）        ２．１質量部
をポリプロピレン製密閉容器に入れ、攪拌脱泡機（（株）キーエンス社製；ＨＭ−５００）を用いて攪拌して均一な感光性ペーストを調製した。
得られた感光性ペーストの組成重量比は（Ａ）６８．２９％、（Ｂ）１１．１０％、（Ｃ）３．８４％、（Ｄ）０．９８％、（Ｅ）１５．３６％である。
【０１０４】
調製した感光性ペーストを２００μｍギャップのアプリケーターを用いて、誘電体付きガラス基板上に１回塗布した。塗布後９０℃のオーブンで４０分乾燥して塗膜を調製した。
【０１０５】
次いで、乾燥後の塗膜を、４５μｍライン、２４０μｍピッチのマスクを用いて、プロキシミティ露光機（大日本スクリーン製造（株）製；ＭＡＰ−１３００）で露光した。照射露光量は、４００ｍＪ／ｃｍ2であった。露光後、１４０℃で１０分間ベークした後、０．４質量％水酸化ナトリウム水溶液で現像して、パターン上部幅４６μｍ、パターン下部幅９１μｍ、高さ９３μｍのパターンが得られた。面内の高さ変動は、４．５％あり、ムラが観察された。
【０１０６】
その後、マッフル炉（（株）いすゞ製作所  EPTS-312K）中、５８０℃で３０分焼成することにより、パターン上部幅４５μｍ、パターン下部幅８９μｍ、高さ９１μｍのパターンが得られたが、クラックが観察された。