(57)【要約】【課題】高価な銀めっきの使用量を極限まで減らし、低コストなリードフレームを提供する。【解決手段】発光素子７とリードフレーム１を金属ワイヤ８で接続して、これらが透明樹脂９で封止される、光半導体装置用リードフレーム。リードフレーム１に形成されたワイヤボンディング領域２には２μｍ厚以上の銀めっきが施され、それ以外のめっきが必要な領域には０．３μｍ厚以上で、かつワイヤボンディング領域２に形成された銀めっき厚より薄い銀めっきが施されている。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子とリードフレームを金属ワイヤで接続して、これらが透明樹脂で封止される、光半導体装置用リードフレームにおいて、該リードフレームに形成されたワイヤボンディング領域に２μｍ厚以上の銀めっきが形成され、ワイヤボンディング領域以外のめっきが必要な領域に０．３μｍ厚以上で、かつワイヤボンディング領域に形成された銀めっき厚より薄い銀めっきが形成されていることを特徴とする光半導体装置用リードフレーム。
【請求項２】
前記ワイヤボンディング領域以外のめっきが必要な領域が、光半導体素子搭載領域、樹脂封止領域、はんだ接合領域であることを特徴とする請求項１に記載の光半導体装置用リードフレーム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）や半導体レーザ等の光半導体装置用リードフレームに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ＬＥＤや半導体レーザ等の光半導体装置に用いられるリードフレームは、エッチングや打ち抜き加工より所望のリードフレーム形状に加工された銅素材に、半導体素子搭載領域、ワイヤボンディング領域、基板への実装領域などの銀めっきが必要な部分のみならず、フレーム全体をワイヤボンディングに必要な２μｍ〜７μｍ厚の銀めっきで被覆するいわゆる全面めっきが採用されていた。この場合、全面に同じ膜厚の銀めっきが施されていたため、銀の使用量がリードフレームのコスト高の原因となっていた。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
上記問題を解決するために、従来、例えば特許文献１に記載されているように、銀めっきが必要な部分にのみ銀めっきを施したいわゆる部分めっきにより、銀使用量の低減が図られていた。
【０００４】
しかしながら、めっき材料である銀は高価な金属であるため、依然として銀めっきの使用量はリードフレームのコスト高に対する大きな問題となっていた。
【特許文献１】特開昭６０−１７９３９号公報
【０００５】
本発明は、上記の問題点を解決するためになされたもので、銀めっきの使用量を極限まで減らし、低コストなリードフレームを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するため、本発明による光半導体装置用リードフレームは、発光素子とリードフレームを金属ワイヤで接続して、これらが透明樹脂で封止される、光半導体装置用リードフレームにおいて、リードフレームに形成されたワイヤボンディング領域に２μｍ厚以上の銀めっきが形成され、ワイヤボンディング領域以外のめっきが必要な領域に０．３μｍ厚以上で、かつワイヤボンディング領域に形成された銀めっき厚より薄い銀めっきが形成されていることを特徴とする。
【０００７】
本発明によれば、前記ワイヤボンディング領域以外のめっきが必要な領域が、好ましくは、光半導体素子搭載領域、樹脂封止領域、及びはんだ接合領域であることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、銀めっきを施した従来のリードフレームに比べて、所用の銀めっき量を従来の２０％程度に削減することができ、低価格なリードフレームを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、本発明の実施の形態を図示した実施例に基づき説明する。
図１は本発明に係る光半導体装置用リードフレームの一実施例を示す説明図で、（ａ）はその平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’線に沿う断面図である。図１において、１はリードフレーム、２はリードフレーム１のワイヤボンディング用リードの先端部であるワイヤボンディング領域、３はリードフレーム１の半導体発光素子搭載用リードの先端部である光半導体素子搭載領域、４はワイヤボンディング領域２と光半導体素子搭載領域３の基板への半田接合領域、５は第１の銀めっき部、６は第２の銀めっき部である。
【００１０】
次に、本発明に係る光半導体装置用リードフレームの製作工程を説明する。まず、銅等の金属板をプレス加工やエッチングにより所望のリードフレーム形状に加工し、次に、めっきが必要な領域に第１の銀めっきを施して第１の銀めっき部５を形成する。この場合、めっきを必要とする領域は、光半導体素子搭載領域３、樹脂封止領域、及び半田接合領域４等である。
【００１１】
次に、ワイヤボンディング領域２に第２の銀めっきを施して第２の銀めっき部６を形成する。ワイヤボンディング領域２は、第２の銀めっきの際にめっきを施すため、必ずしも第１の銀めっきを施す必要はないが、図１（ｂ）に示すように、めっき工程の都合上第１の銀めっきを施しても良い。
【００１２】
第１の銀めっき部５の厚みは０．３μｍ以上で、かつワイヤボンディング領域２に形成される銀めっき厚より薄くすることが望ましい。第１の銀めっき部５の厚みが０．３μｍより薄いと、半導体装置を基板にはんだ接合する際に、下地の銅が銀めっきの表面に拡散してきてしまい、はんだ濡れ性を確保できず、基板への接合不良を起こす要因になってしまう。また、第１の銀めっき部５の厚みが、ワイヤボンディング領域２に形成される銀めっき以上の厚みであると、銀めっきの使用量を低減するという効果がなくなってしまう。
はんだ接合は２００℃程度の温度で行われるため、第１の銀めっき部５の厚みは０．５μｍ〜１．０μｍの範囲とすることがさらに望ましい。
【００１３】
第２の銀めっき部６の厚みは、ワイヤボンディング領域２の銀めっき厚みと併せて２〜７μｍの範囲となるようにすることが望ましい。ワイヤボンディング領域２の銀めっき厚が２μｍより薄いとワイヤとの接続信頼性が低下し、７μｍを超えると効果は変わらずいたずらに銀の使用量が増えるだけになる。
【００１４】
以上説明したような所望の部分にめっきを施す方法は、従来のめっきマスク法による部分めっき方法を適用することができる。
【００１５】
リードフレーム１に第２の銀めっき部６を形成した後は、図２（ａ）及び（ｂ）に示すように光半導体素子搭載領域３に光半導体素子７を搭載し、第２の銀めっき部６を介して、ワイヤ８により光半導体素子７とワイヤボンディング領域２を接続した後、封止樹脂９により所望の領域を被覆する。その後、図２（ｃ）に示すようにはんだ接合領域４と基板１０をはんだにて接合する。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明に係る光半導体装置用リードフレームの一実施例を示す説明図で、（ａ）はその平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’線に沿う断面図である。
【図２】本発明に係る光半導体装置用リードフレームを用いた光半導体装置の一実施例を示す説明図で、（ａ）はその平面図、（ｂ）は光半導体装置の正面断面図であり、（ｃ）は光半導体装置を基板に実装した際の正面断面図である。
【符号の説明】
【００１７】
１    リードフレーム
２    ワイヤボンディング領域
３    光半導体素子搭載領域
４    はんだ接合領域
５    第１の銀めっき部
６    第２の銀めっき部
７    光半導体素子
８    ワイヤ
９    封止樹脂
１０  基板
１１  はんだ
【図１】
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【図２】
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