(57)【要約】【課題】大面積のウェハを複数枚積層接合してから個片にダイシングし、所要箇所にコーティングすることにより量産されるチップ型圧電デバイスの非コーティング部分にチッピングが発生することを確実に防止することができるチップ型圧電振動子、チップ型ＳＡＷデバイス、及び製造方法を提供する。【解決手段】環状の圧電枠体部３の内周適所から枠体部内側へ突出形成された圧電基板部４及び該圧電基板部の両主面に夫々形成された励振電極５を有した圧電素子部６と、を備えた圧電素子ユニット２と、圧電枠体部の上面及び下面に夫々接合されることにより、圧電素子部を収容した気密空間Ｓを形成する上側カバー基板１０及び下側カバー基板１５と、該下側カバー基板の底部に形成され且つ接続導体を介して各励振電極と導通した複数の実装端子１６と、を備えたチップ型圧電振動子であって、下側カバー基板の底面を除いた側面、及び上面を被覆する樹脂層２０を備えた。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電枠体部及び前記圧電枠体部に収容された圧電素子部を備えた圧電素子ユニットと、
前記圧電枠体部の上面に接合された上側カバーと、前記圧電枠体の下面に接合された下側カバーと、
前記下側カバー基板の底部に形成された実装端子と、
を備えたチップ型圧電振動子であって、
前記圧電素子部は、圧電基板と、前記圧電基板に形成された励振電極とを有し、前記励振電極は、接続導体を介して前記実装端子に接続され、
前記チップ型圧電振動子は、前記下側カバー基板の底面を除いた側面、及び上面を被覆する樹脂層を備えたことを特徴とするチップ型圧電振動子。
【請求項２】
前記圧電素子部は、音叉型水晶振動素子、又はＡＴ水晶振動素子であることを特徴とする請求項１に記載のチップ型圧電振動子。
【請求項３】
上側カバー基板、及び下側カバー基板はガラス、又は圧電材料から構成されることを特徴とする請求項１又は２に記載のチップ型圧電振動子。
【請求項４】
圧電枠体部及び前記圧電枠体部に収容された圧電素子部を備えた圧電素子ユニットと、
前記圧電枠体部の上面に接合された上側カバーと、前記圧電枠体の下面に接合された下側カバーと、
前記下側カバー基板の底部に形成された実装端子と、
を備えたチップ型圧電振動子の製造方法であって、
複数の前記圧電素子ユニットを所定幅の境界線を介してシート状に連結した圧電素子ユニットウェハを準備する工程と、
複数の前記上側カバーを前記所定幅の境界線を介してシート状に連結した上側カバー基板ウェハを準備する工程と、
前記実装端子を備えた複数の前記下側カバーを前記所定幅の境界線を介してシート状に連結した下側カバー基板ウェハを準備する工程と、
前記圧電素子ユニットウェハの上下面に夫々前記上側カバー基板ウェハ及び前記下側カバー基板ウェハを接合することにより、前記各圧電素子ユニットの個片と、各前記上側及び前記下側カバー基板の個片とが対応して接合したウェハ接合体を形成する工程と、
前記ウェハ接合体を構成する前記下側カバー基板ウェハの底面をサポート基板面に仮接合する工程と、
前記ウェハ接合体を前記各個片間の前記境界線に沿って前記圧電振動子の個片に完全ダイシングする第１のダイシング工程と、
前記ダイシングにより形成された前記個片間の空隙、及び前記各個片の上面に樹脂層を形成する工程と、
前記空隙に形成された前記樹脂層を前記第１のダイシング工程で使用したダイシングブレードの刃厚よりも薄い刃厚を有したダイシングブレードを用いて分断することにより側面及び上面に樹脂層を備えた圧電振動子を形成する第２のダイシング工程と、
から構成されることを特徴とするチップ型圧電振動子の製造方法。
【請求項５】
底部に実装端子を備えた圧電基板、及び該圧電基板の上面に形成されたＩＤＴ電極を有したＳＡＷチップと、
前記ＩＤＴ電極を収容する気密空間を前記圧電基板上面との間に形成するように前記圧電基板上面に接合されたカバー基板と、を備えたチップ型ＳＡＷデバイスであって、
前記ＳＡＷチップの底面を除いた側面、及び上面を被覆する樹脂層を備えたことを特徴とするチップ型ＳＡＷデバイス。
【請求項６】
前記カバー基板は、ガラス、又は圧電材料から構成されていることを特徴とする請求項５に記載のチップ型ＳＡＷデバイス。
【請求項７】
請求項５又は６に記載のチップ型ＳＡＷデバイスの製造方法であって、
複数の前記ＳＡＷチップを所定幅の境界線を介してシート状に連結したＳＡＷチップウェハを準備する工程と、
複数の前記カバー基板を前記所定幅の境界線を介してシート状に連結したカバー基板ウェハを準備する工程と、
前記ＳＡＷチップウェハの上面に前記カバー基板ウェハを接合することにより、各ＳＡＷチップ個片と各カバー基板個片とが対応して接合したウェハ接合体を形成する工程と、
前記ウェハ接合体を構成する前記ＳＡＷチップの底面をサポート基板面に仮接合する工程と、
前記ウェハ接合体を前記各個片間の前記境界線に沿って前記ＳＡＷチップの個片に完全ダイシングする第１のダイシング工程と、
前記ダイシングにより形成された前記個片間の空隙、及び前記各個片の上面に樹脂層を形成する工程と、
前記空隙に形成された樹脂層を前記第１のダイシング工程で使用したダイシングブレードの刃厚よりも薄い刃厚を有したダイシングブレードを用いて分断することにより該側面及び上面に樹脂層を備えたＳＡＷデバイスを形成する第２のダイシング工程と、
から構成されることを特徴とするチップ型ＳＡＷデバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はマザーボード上に直接実装されるチップ型電子デバイス、及びその製造方法の改良に関し、特に大面積のウェハを複数枚積層接合してから個片にダイシングすることにより量産される電子デバイスの切断面にチッピングが発生することを確実に防止することができるチップ型圧電振動子、チップ型ＳＡＷデバイス、及び製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
圧電振動子、ＳＡＷデバイス等の圧電デバイスとして、圧電基板上に電極膜を形成した圧電素子部をガラス基板等からなるカバー基板によって気密封止した構造のチップ型圧電デバイスが知られている。この種のチップ型圧電デバイスは、複数の圧電素子部をシート状に連結した圧電ウェハに対して、複数のカバー基板をシート状に連結したカバー基板ウェハを積層接合したウェハ接合体を形成してから、このウェハ接合体を個片に切断するバッチ処理によって製造される。
【０００３】
特許文献１には、複数の水晶基板から成る水晶ウェハの上下面に夫々ガラス基板ウェハを接合したウェハ接合体を個片間の境界線に沿って厚み方向にカットすることによりチップ型電子部品を製造するに際して、ウェハ接合体のカット予定部位にウェハ接合体厚よりも浅いハーフカット溝を形成してから、このハーフカット溝内の底部に所定厚さとなるように樹脂から成るコーティング材を充填塗布し、コーティング材の乾燥固化後に前記カット予定部位を切断するようにしたチップ型部品のコーティング方法が開示されている。この方法では、チップ型部品の厚み方向中央部に位置する水晶基板の切断端面のみにコーティング材が塗布されているに過ぎず切断端部全体を完全に保護することができない。仮に、ハーフカット面全体にコーティング材を塗布したとしてもハーフカットされなかった切断部分と、部品の上面がコーティング材によって保護されない状態となっている。従って、コーティングされていない部分が広い範囲に亘ることとなり、その後の工程において部品同士が接触した時や、ピンセットにより部品を挟んだ際において、非コーティング部分にチッピングが発生し易く、外観不良やリーク不良による歩留まり低下やコストアップをもたらす原因となる。
【特許文献１】特開２００３−１８８４３６公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記のように圧電基板をガラス基板によりサンドイッチすると共に要所だけを樹脂被覆した構造を有した従来のチップ型圧電デバイスにあっては、樹脂被覆されていない外面部分にチッピングが発生するという不具合があった。
本発明は上記に鑑みてなされたものであり、大面積のウェハを複数枚積層接合してから個片にダイシングし、所要箇所にコーティングすることにより量産されるチップ型圧電デバイスの非コーティング部分にチッピングが発生することを確実に防止することができるチップ型圧電振動子、チップ型ＳＡＷデバイス、及び製造方法に関する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記目的を達成するため、本願第１の発明に係るチップ型圧電振動子は、圧電枠体部及び前記圧電枠体部に収容された圧電素子部を備えた圧電素子ユニットと、前記圧電枠体部の上面に接合された上側カバーと、前記圧電枠体の下面に接合された下側カバーと、前記下側カバー基板の底部に形成された実装端子と、を備えたチップ型圧電振動子であって、前記圧電素子部は、圧電基板と、前記圧電基板に形成された励振電極とを有し、前記励振電極は、接続導体を介して前記実装端子に接続され、前記チップ型圧電振動子は、前記下側カバー基板の底面を除いた側面、及び上面を被覆する樹脂層を備えたことを特徴とする。
この圧電振動子は、実装端子を形成した底面を除いた側面（四側面）、及び上面全体を樹脂層により連続被覆しているので、ガラス、或いは水晶等からなる露出部がほとんどなく、外面がチッピングする虞がない。
【０００６】
本願第２の発明に係るチップ型圧電振動子は、前記圧電素子部は、音叉型水晶振動素子、又はＡＴ水晶振動素子であることを特徴とする。
本願第３の発明に係るチップ型圧電振動子は、上側カバー基板、及び下側カバー基板はガラス、又は圧電材料から構成されることを特徴とする。
【０００７】
本願第４の発明に係るチップ型圧電振動子の製造方法は、圧電枠体部及び前記圧電枠体部に収容された圧電素子部を備えた圧電素子ユニットと、前記圧電枠体部の上面に接合された上側カバーと、前記圧電枠体の下面に接合された下側カバーと、前記下側カバー基板の底部に形成された実装端子と、を備えたチップ型圧電振動子の製造方法であって、複数の前記圧電素子ユニットを所定幅の境界線を介してシート状に連結した圧電素子ユニットウェハを準備する工程と、複数の前記上側カバーを前記所定幅の境界線を介してシート状に連結した上側カバー基板ウェハを準備する工程と、前記実装端子を備えた複数の前記下側カバーを前記所定幅の境界線を介してシート状に連結した下側カバー基板ウェハを準備する工程と、前記圧電素子ユニットウェハの上下面に夫々前記上側カバー基板ウェハ及び前記下側カバー基板ウェハを接合することにより、前記各圧電素子ユニットの個片と、各前記上側及び前記下側カバー基板の個片とが対応して接合したウェハ接合体を形成する工程と、前記ウェハ接合体を構成する前記下側カバー基板ウェハの底面をサポート基板面に仮接合する工程と、前記ウェハ接合体を前記各個片間の前記境界線に沿って前記圧電振動子の個片に完全ダイシングする第１のダイシング工程と、前記ダイシングにより形成された前記個片間の空隙、及び前記各個片の上面に樹脂層を形成する工程と、前記空隙に形成された前記樹脂層を前記第１のダイシング工程で使用したダイシングブレードの刃厚よりも薄い刃厚を有したダイシングブレードを用いて分断することにより側面及び上面に樹脂層を備えた圧電振動子を形成する第２のダイシング工程と、から構成されることを特徴とする。
この製造方法により製造された圧電振動子は、実装端子を形成した底面を除いた側面（四側面）、及び上面全体を樹脂層により連続被覆しているので、ガラス、或いは水晶等からなる露出部がほとんどなく、外面がチッピングする虞がない。
【０００８】
本願第５の発明に係るチップ型ＳＡＷデバイスは、底部に実装端子を備えた圧電基板、及び該圧電基板の上面に形成されたＩＤＴ電極を有したＳＡＷチップと、前記ＩＤＴ電極を収容する気密空間を前記圧電基板上面との間に形成するように前記圧電基板上面に接合されたカバー基板と、を備えたチップ型ＳＡＷデバイスであって、前記ＳＡＷチップの底面を除いた側面、及び上面を被覆する樹脂層を備えたことを特徴とする。
このＳＡＷデバイスは、実装端子を形成した底面を除いた側面（四側面）、及び上面全体を樹脂層により連続被覆しているので、ガラス、或いは水晶等からなる露出部がほとんどなく、外面がチッピングする虞がない。
【０００９】
本願第６の発明に係るチップ型ＳＡＷデバイスは、前記カバー基板は、ガラス、又は圧電材料から構成されていることを特徴とする。
本願第７の発明に係るチップ型ＳＡＷデバイスの製造方法は、複数の前記ＳＡＷチップを所定幅の境界線を介してシート状に連結したＳＡＷチップウェハを準備する工程と、複数の前記カバー基板を前記所定幅の境界線を介してシート状に連結したカバー基板ウェハを準備する工程と、前記ＳＡＷチップウェハの上面に前記カバー基板ウェハを接合することにより、各ＳＡＷチップ個片と各カバー基板個片とが対応して接合したウェハ接合体を形成する工程と、前記ウェハ接合体を構成する前記ＳＡＷチップの底面をサポート基板面に仮接合する工程と、前記ウェハ接合体を前記各個片間の前記境界線に沿って前記ＳＡＷチップの個片に完全ダイシングする第１のダイシング工程と、前記ダイシングにより形成された前記個片間の空隙、及び前記各個片の上面に樹脂層を形成する工程と、前記空隙に形成された樹脂層を前記第１のダイシング工程で使用したダイシングブレードの刃厚よりも薄い刃厚を有したダイシングブレードを用いて分断することにより該側面及び上面に樹脂層を備えたＳＡＷデバイスを形成する第２のダイシング工程と、から構成されることを特徴とする。
この製造方法により製造されたＳＡＷデバイスは、実装端子を形成した底面を除いた側面（四側面）、及び上面全体を樹脂層により連続被覆しているので、ガラス、或いは水晶等からなる露出部がほとんどなく、外面がチッピングする虞がない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明を図面に示した実施の形態に基づいて詳細に説明する。
図１（ａ）（ｂ）及び（ｃ）は本発明の一実施形態に係るチップ型圧電振動子の外観構成を示す斜視図、底面図、及びＡ−Ａ断面図であり、図２は音叉型圧電振動素子を利用したチップ型圧電振動子の分解斜視図、図３はＡＴ水晶振動素子（短冊型水晶振動素子）を利用したチップ型圧電振動子の分解斜視図である。
【００１１】
図１及び図２に示した圧電振動子１は、水晶板等の圧電板から成る矩形環状の圧電枠体部３と、圧電枠体部３の内周適所（一方の短辺の内周縁））から枠体部内側へ突出形成された薄肉の圧電基板部４及び圧電基板部４の両主面に夫々形成された励振電極５を有した圧電素子部６と、を備えた圧電素子ユニット２と、圧電素子ユニット２を構成する圧電枠体部３の上面及び下面に夫々接合されることにより圧電素子部６を含む気密空間Ｓを形成する上側カバー基板１０及び下側カバー基板１５と、下側カバー基板１５の底部に形成され且つ接続導体１７を介して各励振電極５と導通した複数の実装端子１６と、下側カバー基板１５の底面を除いた側面、及び上面を被覆する樹脂層（コーティング層）２０と、を備えている。
なお、圧電素子部６は、圧電枠体部３により包囲された構造であれば、図示した以外の構造であってもよい。
【００１２】
本実施形態における圧電素子ユニット２、上下カバー基板１０、１５の各縦横寸法は、例えば１．６ｍｍ×１．２ｍｍであり、圧電素子ユニット２の圧電枠体部３の厚さは０．１ｍｍ、上下カバー基板１０、１５の各厚さは０．２ｍｍである。
圧電素子部６は、図２の実施形態に示した音叉型振動素子であってもよいし、図３の実施形態に示したＡＴ水晶振動素子であってもよい。気密空間Ｓ内では励振電極５を形成した圧電素子部６の主要な振動部分が、各カバー基板１０、１５の内壁と非接触となるように保持されている。
上下のカバー基板１０、１５は、例えばガラス基板から構成し、圧電枠体部３の上面及び下面に対して各カバー基板１０、１５を接着剤、陽極接合、直接接合、プラズマ接合等々の任意の接合方法によって接合することにより気密空間Ｓを形成する。
なお、少なくとも何れか一方のカバー基板１０又は１５の材質を、圧電素子ユニット２と同材質の圧電材料によって構成することにより、両者の線膨張係数を一致させることが可能となり、熱応力による歪みが圧電素子部６に発生することによる共振周波数の変動を防止することが可能となる。
この実施形態に係る圧電振動子１は、実装端子１６を形成した底面を除いた側面（四側面）、及び上面全体を樹脂層２０により連続被覆しているので、ガラス、或いは水晶等からなる露出部がほとんどなく、外面がチッピングする虞がない。
【００１３】
次に、図４（ａ）乃至（ｅ）は上記チップ型圧電振動子の製造方法を示す工程図である。
この製造方法においては、複数の圧電素子ユニット２を所定幅の境界線Ｌ（切断線）を介してシート状に連結した圧電素子ユニットウェハ３０と、複数の上側カバー基板１０を所定幅の境界線Ｌを介してシート状に連結した上側カバー基板ウェハ３５と、複数の下側カバー１５を所定幅の境界線Ｌを介してシート状に連結した下側カバー基板ウェハ４０と、を用いたバッチ処理を実施する。圧電素子ユニット２、各カバー基板１０、１５の各個片は、各ウェハ３０、３５、４０上において、縦横に交差する境界線Ｌを介してマトリクス状に配列された状態にある。
なお、圧電素子ユニットウェハ３０を構成する個々の圧電素子部６の共振周波数調整は、例えば何れか一方のカバー基板ウェハ３５、４０を接合した段階で実施する。
【００１４】
まず、図４（ａ）に示すように圧電素子ユニットウェハ３０の上下面に夫々上側カバー基板ウェハ３５及び下側カバー基板ウェハ４０を任意の手法により接合することにより、各圧電素子ユニット個片と各上・下カバー基板個片とが整合状態で、或いは対応した状態で接合したウェハ接合体４５を形成する工程を実施し、次いで、ウェハ接合体４５を構成する下側カバー基板ウェハ４０の底面を上面が平坦なガラス板等から成るサポート基板５０の上面にろう材（接合材）５５を用いて仮接合する。なお、ろう材に代えて紫外線硬化型樹脂等を接合材として使用することもできる。
図４（ｂ）では、ウェハ接合体４５を各個片間の境界線Ｌに沿って圧電振動子の個片に完全ダイシングする第１のダイシング工程を実施する。この工程では、境界線Ｌの全幅に亘って切断するのに適した刃幅を有したダイシングブレードを使用する。ダイシング深さＤは、図示のようにサポート基板５０の上面に達するようにウェハ接合体４５の全厚に亘って切断してもよいし、サポート基板５０の上面の一部を僅かに切除することは差し支えない。或いは図５において説明するように下側カバー基板ウェハ４０の下部が僅かに残る程度に浅く切断してもよい。
【００１５】
図４（ｃ）では、第１のダイシング工程により形成された個片間の空隙、及び各個片の上面に樹脂層６０を充填、塗布するコーティング工程を実施する。
図４（ｄ）では、空隙に充填された樹脂層６０を乾燥させた後で、第１のダイシング工程で使用したダイシングブレードの刃厚よりも薄い刃厚を有した他のダイシングブレードを用いて分断することにより樹脂層６０を側面及び上面に備えた圧電振動子を完成する第２のダイシング工程を実施する。
なお、上記工程中においては、ダイシングに伴う摩擦熱対策として冷却水を切断箇所等に供給しながらの作業が行われるので、ダイシングに伴って生成された切断屑は常に外部に流出する。
その後、工程（ｅ）において、サポート基板５０と圧電振動子を加熱してろう材５５を溶融させることにより各圧電振動子をサポート基板面から剥離し、その後付着したろう材を洗浄することにより圧電振動子１を得ることができる。
この製造方法により製造された圧電振動子は、底面を除いた外面の大半を樹脂により被覆しているので、後段のハンドリングにおけるチッピングの発生を防止することができる。
【００１６】
次に、図５（ａ）乃至（ｅ）は、図４（ｂ）の工程においてウェハ接合体を完全に分断せずに境界線Ｌの下部に位置する下側カバー基板ウェハ部分を薄層状に残留させた場合の工程を示している。この製造方法によれば、最終的に得られる圧電振動子の裾部には下側カバー基板１５の裾部から水平に張り出した薄層部分１５ａがあり、樹脂層の下部が薄層部分１５ａの上面で終端しているが、この薄層部分１５ａは樹脂層６０と一体化されるため、圧電振動子の特性上の問題は発生しない。
なお、上記の如き各製造方法によって製造される圧電振動子は底面を除いた外面を樹脂により被覆されているため、その方向性を外観から判断しにくい。そこで、外観から方向性を認識できるような目印を形成しておくことが好ましい。目印としては、例えば上側カバー基板ウェハ３５をフォトリソグラフィ技術によって製造する際に個々の個片領域の一つの端縁、或いは一つの角隅部となる箇所に段差部や面取り部を形成することにより、この段差部等の上を樹脂層により被覆した際にその部分の形状が樹脂層上から認識できるようにすればよい。
【００１７】
次に、図６（ａ）はチップ型ＳＡＷチップ上にカバー基板を接合した構成を備えたチップ型ＳＡＷデバイスの分解斜視図、（ｂ）はチップ型ＳＡＷデバイスの縦断面図であり、図７（ａ）乃至（ｅ）はこのチップ型ＳＡＷデバイスの製造手順の一例を示す工程図である。
このチップ型ＳＡＷデバイス７０は、底部に実装端子７３を備えた圧電基板７２、及び圧電基板７２の上面に形成されたＩＤＴ（インター・ディジタル・トランスジューサ）電極７４を有したＳＡＷチップ７１と、ＩＤＴ電極７４を含む気密空間Ｓを圧電基板上面との間に形成するように圧電基板上面に接合されたカバー基板８０と、ＳＡＷチップ７１の底面を除いた側面、及び上面を被覆する樹脂層８２を備えている。
この実施形態では、カバー基板８０の底面中央部に凹所８１を形成することにより、ＩＤＴ電極７４を形成した圧電基板７２の上面との間に気密空間Ｓを形成している。或いは、カバー基板８０の底面を平坦な面とし、環状のスペーサを用いて圧電基板７２との間に気密空間Ｓを形成するようにしてもよい。
この実施形態に係るチップ型ＳＡＷデバイス７０は、実装端子７３を形成した底面を除いた側面、及び上面全体を樹脂層８２により被覆しているので、ガラス、或いは水晶等からなる部分の外面がチッピングする虞がない。
【００１８】
次に、図７（ａ）乃至（ｅ）はこのチップ型ＳＡＷデバイスの製造方法を示す工程図である。
この製造方法においては、複数のＳＡＷチップ７１を所定幅の境界線Ｌを介してシート状に連結したＳＡＷチップウェハ８５と、複数のカバー基板８０を所定幅の境界線Ｌを介してシート状に連結したカバー基板ウェハ９０と、を用いたバッチ処理を実施する。
なお、ＳＡＷチップウェハ８５を構成する個々のＳＡＷチップ７１の周波数調整は、カバー基板ウェハ９０を接合する前に実施する。
まず、図７（ａ）に示すように、ＳＡＷチップウェハ８５の上面にカバー基板ウェハ９０を接合することにより、各ＳＡＷチップ個片と各カバー基板個片とが整合状態で、或いは対応して接合したウェハ接合体９５を形成すると共に、このウェハ接合体９５を構成するＳＡＷチップ７１の底面をサポート基板１００の平坦な上面にろう材１０５、紫外線硬化型接着剤等の接合材を用いて仮接合する。
図７（ｂ）では、ウェハ接合体９５を各個片間の境界線Ｌに沿ってＳＡＷチップの個片に完全ダイシングする第１のダイシング工程を行う。
【００１９】
図７（ｃ）では第１のダイシング工程により形成された個片間の空隙、及び各個片の上面に樹脂層８２を形成する。
図７（ｄ）では、空隙に充填された樹脂層８２を第１のダイシング工程で使用したダイシングブレードの刃厚よりも薄い刃厚を有したダイシングブレードを用いて分断することにより樹脂層８２を側面及び上面に備えたＳＡＷデバイス７０を形成する。
なお、上記工程中においては、ダイシングに伴う摩擦熱対策として冷却水を切断箇所等に供給しながらの作業が行われるので、ダイシングに伴って生成された切断屑は常に外部に流出する。
その後、工程（ｅ）において、サポート基板１００とＳＡＷデバイス７０を加熱してろう材１０５を溶融させることにより各ＳＡＷデバイス７０をサポート基板面から剥離し、その後付着したろう材を洗浄することによりＳＡＷデバイスを得ることができる。
この製造方法により製造されたＳＡＷチップは、底面を除いた外面の大半を樹脂により被覆しているので、後段のハンドリングにおけるチッピングの発生を防止することができる。
【００２０】
なお、図７のＳＡＷデバイスの製造方法においても、図５に示した圧電振動子の製造方法と同様にＳＡＷチップ７１の裾部に薄板状の張出し部を残した構成としてもよい。
上記の各実施形態では水晶材料から成る圧電素子を使用した圧電デバイスを例示して説明したが、本発明は、水晶以外の圧電材料、例えばタンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム等々を使用したチップ型圧電振動子、チップ型ＳＡＷデバイスにも適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】（ａ）（ｂ）及び（ｃ）は本発明の一実施形態に係るチップ型圧電振動子の外観構成を示す斜視図、底面図、及びＡ−Ａ断面図である。
【図２】音叉型圧電振動素子を利用したチップ型圧電振動子の分解斜視図である。
【図３】ＡＴ水晶振動素子（短冊型水晶振動素子）を利用したチップ型圧電振動子の分解斜視図である。
【図４】（ａ）乃至（ｅ）は上記チップ型圧電振動子の製造方法を示す工程図である。
【図５】（ａ）乃至（ｅ）は、図４（ｂ）の工程においてウェハ接合体を完全に分断せずに境界線の下部に位置する下側カバー基板ウェハ部分を薄層状に残留させた場合の製造工程を示す図である。
【図６】（ａ）はチップ型ＳＡＷチップ上にカバー基板を接合した構成を備えたチップ型ＳＡＷデバイスの分解斜視図、（ｂ）はチップ型ＳＡＷデバイスの縦断面図である。
【図７】（ａ）乃至（ｅ）は本発明のチップ型ＳＡＷデバイスの製造方法を示す工程図である。
【符号の説明】
【００２２】
１…圧電振動子、２…圧電素子ユニット、３…圧電枠体部、４…圧電基板部、５…励振電極、６…圧電素子部、１０…上側カバー基板、１５…下側カバー基板、１５ａ…薄層部分、１６…実装端子、１７…接続導体、２０…樹脂層、３０…圧電素子ユニットウェハ、３５…上側カバー基板ウェハ、４０…下側カバー基板ウェハ、４５…ウェハ接合体、５０…サポート基板、６０…樹脂層、７０…チップ型ＳＡＷデバイス、７２…圧電基板、７３…実装端子、７４…ＩＤＴ電極、８０…カバー基板、８１…凹所、８２…樹脂層、９０…カバー基板ウェハ、９５…ウェハ接合体、１００…サポート基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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