(57)【要約】【課題】ラビングによる不良発生の確率が低く、しかもスプレイ−ベンド転移を誘起させる領域を有する液晶表示装置を提供すること。【解決手段】ＣＦ基板４には、電圧印加時に液晶分子のねじれ配列が互いに異なるねじれ構造を持つ２つの微小領域を形成するような微小構造体３１が形成されている。この微小構造体３１は、１回のラビング処理で少なくとも２方向の配向を形成するものである。すなわち、ラビング方向Ａに沿ってラビング毛が流れて配向形成された領域と、微小構造体３１によりラビング方向が偏向されてラビング方向と異なる方向Ｂにラビング毛が流れて配向形成された領域３２とが形成される。この領域３２において、電圧印加時に液晶分子のねじれ配列が互いに異なるねじれ構造を持つ２つの微小領域が形成される。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極と配向制御層とがそれぞれ配置された一対の基板間に正の誘電異方性を有する液晶層が挟持された液晶表示装置であって、一方の基板の配向制御層は、電圧印加時に液晶分子のねじれ配列が互いに異なるねじれ構造を持つ２つの微小領域を形成するような微小構造体を有し、他方の基板は画素電極を有しており、電圧印加時に前記画素電極に生じる横方向の電界により前記微小領域を基点としてベンド転移が生じることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記横方向の電界は、互いに隣接する画素電極により生じたものであることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記微小構造体は、前記他方の基板における隣接する画素にわたって延在するように、前記一方の基板の配向制御層に形成されていることを特徴とする請求項１又は請求項２記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記微小構造体の高さが１μｍ〜１０μｍであることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記微小構造体は、平面視において、ラビング方向に対して１０°〜８５°の角度を有する辺を持つ形状を有することを特徴とする請求項１から請求項４のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記微小構造体は、略矩形状又は内側に湾曲する形状の断面を有することを特徴とする請求項１から請求項５のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記２つの微小領域は、ホモジニアス−ツイスト領域及びスプレイ−ツイスト領域であることを特徴とする請求項１から請求項６のいずれかに記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、広視角化及び高速応答性を実現するＯＣＢ（Optically Compensated Birefringence 又はOptically Compensated Bend ）モードの液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、液晶表示装置では、ＯＣＢモードと呼ばれる表示方式が注目されている（例えば、非特許文献１，２を参照）。このＯＣＢモードは、一対の基板間に挟み込まれた液晶層をスプレイ配向状態とし、駆動電圧の印加時にベンド配向状態に転移させる液晶パネルと、この液晶パネルの光学補償を行う光学補償フィルムとを組み合わせることで、広視野角化と高速応答性を実現するものである。しかしながら、このＯＣＢモードにおいては、通常の配向処理をした場合には、初期スプレイ配向状態にある液晶層をベンド配向状態に速やかに転移させることは容易ではなく、基板上のプレティルト角を１０°程度に設定した場合であっても、１０Ｖ以上、例えば２０Ｖ程度の高い電圧が必要になる。このような高い電圧を印加することは駆動電圧の制御上から非常に困難である。また、このような液晶層の転移を全ての画素で発生させることも容易ではなく、液晶層が転移しないまま残った一部の画素は欠陥としてパネルの表示品位を大きく低下させることになる。
【０００３】
このような問題を解決するために、例えば、非特許文献３には、配向制御層（配向膜）上にポストスペーサを設け、互いに異なる３方向の３回のラビング処理を施すことにより、左右にツイスト配向を形成して、スプレイ−ベンド転移を誘起させることが開示されている。
【非特許文献１】SID 93 Digest p277, Y. Yamaguchi et al.“Wide-Viewing-Angle Display Mode for the Active-Matrix LCD Using Bend-Alignment Liquid Crystal Cell”
【非特許文献２】SID 94 Digest p927 , C-L. Kuo et al.“Improvement of Gray-Scale performance of Optically Compensated Birefringence(OCB)Display Mode for AMLCDs”
【非特許文献３】２００５年日本液晶学会討論会、３Ａ０３  久保木、宮下、石鍋、内田  「スプレイ−ベンド転移のためのツイストディスクリネーションの形成とそのＯＣＢセルへの応用」
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、非特許文献３に開示された方法では、一方の基板の配向膜に対して３回のラビング処理を行わなければならず、複数回のラビングによる不良発生の確率が高くなってしまうと共に、製造工程における効率が悪いという問題がある。
【０００５】
本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、ラビングによる不良発生の確率が低く、しかもスプレイ−ベンド転移を誘起させる領域を有する液晶表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の液晶表示装置は、電極と配向制御層とがそれぞれ配置された一対の基板間に正の誘電異方性を有する液晶層が挟持された液晶表示装置であって、一方の基板の配向制御層は、電圧印加時に液晶分子のねじれ配列が互いに異なるねじれ構造を持つ２つの微小領域を形成するような微小構造体を有し、他方の基板は画素電極を有しており、電圧印加時に前記画素電極に生じる横方向の電界により前記微小領域を基点としてベンド転移が生じることを特徴とする。
【０００７】
この構成によれば、一対の基板のそれぞれについて１回のラビング処理によりスプレイ−ベンド転移を誘起させる領域を形成することができる。ラビング処理が１回で済むので、ラビングによる不良発生の確率を低くすることができる。
【０００８】
本発明の液晶表示装置においては、前記横方向の電界は、互いに隣接する画素により生じたものであることが好ましい。
【０００９】
本発明の液晶表示装置においては、前記微小構造体は、前記他方の基板における隣接する画素電極にわたって延在するように、前記一方の基板の配向制御層に形成されていることが好ましい。
【００１０】
本発明の液晶表示装置においては、前記微小構造体の高さが１μｍ〜１０μｍであることが好ましい。
【００１１】
本発明の液晶表示装置においては、前記微小構造体は、平面視において、ラビング方向に対して１０°〜８５°の角度を有する辺を持つ形状を有することが好ましい。
【００１２】
本発明の液晶表示装置においては、前記微小構造体は、略矩形状又は内側に湾曲する形状の断面を有することが好ましい。
【００１３】
本発明の液晶表示装置においては、前記２つの微小領域は、ホモジニアス−ツイスト領域及びスプレイ−ツイスト領域であることが好ましい。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、電極と配向制御層とがそれぞれ配置された一対の基板間に正の誘電異方性を有する液晶層が挟持された液晶表示装置であって、一方の基板の配向制御層は、電圧印加時に液晶分子のねじれ配列が互いに異なるねじれ構造を持つ２つの微小領域を形成するような微小構造体を有し、他方の基板は画素電極を有しており、電圧印加時に前記画素電極に生じる横方向の電界により前記微小領域を基点としてベンド転移が生じるので、ラビングによる不良発生の確率が低く、しかもスプレイ−ベンド転移を誘起させる領域を有する液晶表示装置を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の実施の形態について添付図面を参照して詳細に説明する。なお、以下の説明で用いる図面では、特徴を分かり易くするために、必要に応じて、特徴となる部分を拡大して示している。
【００１６】
図１に示すように、本発明に係る液晶表示装置１は、ＯＣＢモードの液晶パネル２を備えている。この液晶パネル２は、例えばアクティブマトリクス駆動方式を採用した透過型のカラー液晶パネルであり、赤、緑、青の３原色に対応した３つのドット（サブピクセル）によって１つの単位画素（ピクセル）が構成されるとともに、ドット１つ１つにアクティブ駆動素子を設けて各画素の点灯状態を制御することによりカラー表示が行われる。なお、図１では、各赤、緑、青の各サブピクセルがストライプ状に並んだ例について説明しているが、サブピクセルが斜めに配列されたり、トライアングル状に配列されていても良い。
【００１７】
この液晶パネル２は、互いに対向配置された一対の基板３，４と、これら一対の基板３，４の間に挟まれた光変調層としての液晶層５と、背面側基板（目視側とは反対側の基板：ＴＦＴ基板）３の下方に配置された光源６と、さらに前面側基板（目視側の基板：ＣＦ（カラーフィルタ）基板）４上に配置された偏光板７と、少なくとも１枚の位相差板８と、下側基板３の下方に配置された偏光板９と、少なくとも１枚の位相差板１０などを備えている。また、一対の基板３，４は、ガラスやプラスチックなどの矩形状の透過基板であり、液晶層５内に分散又は所定の場所に固着された球形などのスペーサ（図示せず）によって、互いの対向間隔が均一に保持されるとともに、その周辺部がエポキシ系樹脂などによるシール剤（図示せず）により封止されて接合一体化されている。なお、図示されていないが、上記前面側基板４には、全面に透明電極が設けられており、基板３，４における液晶層５に面する表面には、それぞれ所定の液晶配向状態を制御する配向制御層２３，２４（図２参照）が設けられている。
【００１８】
一対の基板３，４のうち、一方（背面側）の基板３は、図２及び図３に示すように、いわゆるアクティブマトリクス基板であり、その液晶層５と対向する面には、スイッチング素子であるＴＦＴ（Thin Film Transistor）１１がマトリックス状に複数配列して形成されている。このＴＦＴ１１は、基板３側から順に、ゲート電極１２及びゲート絶縁膜１３と、半導体層１４と、ソース電極１５及びドレイン電極１６とが積層された逆スタガー型の構造を有している。すなわち、この構造においては、最下層のゲート電極１２を覆うゲート絶縁層１３上には、島状の半導体層１４がゲート電極１２を遮るように形成されるとともに、この半導体層１４の一端側には、半導体層１４を介してソース電極１５が形成され、この半導体層１４の他端側には、半導体層１４を介してドレイン電極１６が形成されている。なお、半導体層１４上には、島状の絶縁層１７が形成されており、この絶縁層１７によってソース電極１５とドレイン電極１６との間が絶縁されている。この絶縁層１７は、半導体層１４を形成する際に、この半導体層１４を保護するエッチングストッパとしての機能を有している。
【００１９】
基板３の液晶層５と対向する面には、各ＴＦＴ１１のゲート電極１２と電気的に接続された配線である走査線１８が、図３中矢印Ｘ方向（行方向）に互いに平行に複数並んで形成されるとともに、各ＴＦＴ１１のソース電極１５と電気的に接続された配線である信号線１９が、図３中矢印Ｙ方向（列方向）に複数並んで形成されており、これら走査線１８と信号線１９との交差位置の近傍に上記ＴＦＴ１１が形成されている。なお、これら走査線１８と信号線１９とによって升目状に区画された１つ１つの矩形状の領域が、各ドットに対応した基板３側のドット対応領域を形成しており、これらのドット対応領域がマトリクス状に複数配列されることで、全体として液晶パネル２の表示領域が形成されている。また、この表示領域の外側の部分には、図示を省略するが、各走査線１８に選択パルスを印加する走査ドライバと、各信号線１９に信号電圧を印加する信号ドライバとが設けられている。
【００２０】
そして、この基板３の液晶層５と対向する面には、上述したＴＦＴ１１、走査線１８及び信号線１９を被覆する絶縁膜２０が形成されている。また、この絶縁膜２０には、上記各ＴＦＴ１１のドレイン電極１６に臨むコンタクトホール２１が形成されている。そして、この絶縁膜２０上には、コンタクトホール２１を介して各ＴＦＴ１１のドレイン電極１６と電気的に接続された画素電極２２が、各ドットに対応してマトリクス状に複数配列して形成されている。この画素電極２２は、ＩＴＯ（Indium-Tin Oxide）などの透明な導電材料で構成され、上記各ドット対応領域のほぼ全域を覆うように矩形状に形成されている。そして、この画素電極２２が形成された基板３上には、後述する処理がなされた配向制御層２３が形成されている。
【００２１】
これに対して、他方（前面側）の基板４の液晶層５と対向する面には、後述する処理がなされた配向制御層２４と、ＩＴＯ（Indium-Tin Oxide）などの透明な導電材料で構成された対向電極２７と、各ドットに対応したドット対応領域を区画する遮光性のブラックマトリクス層２５と、このブラックマトリクス層２５によって区画された、例えば赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のカラーフィルタ層２６Ｒ，２６Ｇ（２６Ｂは図示せず）とが順に形成されている。具体的には、矩形のブラックマトリクス層２５によって升目状に区画された１つ１つの矩形領域が、各ドットに対応した基板４側のドット対応領域を形成している。このブラックマトリクス層２５は、各カラーフィルタ間における光の混色を防ぐための遮光壁であり、前記赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各色のうちいずれか１つの色のドットが埋め込み形成された形となっている。カラーフィルタ層２６Ｒ，２６Ｇ（２６Ｂは図示せず）は、これら異なる色の層がストライプ状、斜め状、トライアングル状などのモザイク状に周期的に配列された構造を有している。したがって、各画素の赤、緑、青に対応した３つのドット対応領域毎に、画素電極２２と対向電極２７との間に印加される駆動電圧を制御することにより、各画素の表示色が制御され、これにより所望の画像が表示可能となる。
【００２２】
液晶層５は、一方の基板３の配向制御層２３と、対向基板４の配向制御層２４との間に封入された正の誘電異方性を有するネマティック液晶組成物を含む。さらに、液晶層５は、初期（電圧無印加状態又は配向状態の変化を起こさない低電圧状態）で、それぞれの基板３，４上において、互いに液晶分子のプレティルト角が逆となったスプレイ配列になるように配向制御されている。
【００２３】
本発明の液晶表示装置においては、後述するような液晶分子配向を与えたパネルに対して、液晶駆動電圧に応じて適正な光学補償条件を満たすように、複数の位相差板および偏光板などの光学フィルムが配置される。
【００２４】
例えば、透過型ノーマリブラックモードで表示を行う場合には、パネル（２枚の基板間に正の誘電異方性のネマティック液晶組成物を挟持してなる）に対して、パネル内の液晶層と合わせて複屈折位相差がトータルでゼロとなるように、また、その光学軸がラビング方向とそれぞれ直交する向きに設定された２軸性光学補償フィルム（ｎｘ＞ｎｙ＞ｎｚ、ここでｘ，ｙはパネル面内の方向を表し、ｚはパネルの厚み方向を表す）をパネル上下に配置する。特に、ベンド配列状態を保持する最も低い電圧（ＯＦＦ電圧）で黒表示になるように、ベンド配列から十分に液晶分子が立ち上がる電圧（ＯＮ電圧）で白表示になるように、上記の光学フィルム類の条件（相互の光学軸方向、位相差値など）を設定する。例えば、パネルの電圧無印加状態（スプレイ配向状態）における位相差が９６０ｎｍであり、ＯＮ電圧を５．０Ｖとした場合、二軸性光学補償フィルムの位相差を５０ｎｍ、Ｎｚ係数を７．５にすると、パネルの液晶層と二軸性光学補償フィルムの複屈折位相差がトータルでゼロとなる。ここで、Ｎｚ係数とは、位相差板の遅相軸方向の屈折率、進相軸方向の屈折率、厚さ方向の屈折率をそれぞれｎｘ、ｎｙ、ｎｚとしたとき、Ｎｚ＝（ｎｘ−ｎｚ）／（ｎｘ−ｎｙ）で定義される値である。なお、いわゆるノーマリホワイトの場合に、上記の黒表示と白表示になる条件を逆にして設定することはいうまでもない。さらに、偏光板と１／４波長板（１／４λ板）とを、両者の光学軸が約４５°となるように設定して円偏光板を形成した積層体を、上記の外側に上下共配置する。
【００２５】
一方、反射型（ノーマリブラック）表示の場合には、パネル（２枚の基板間に正の誘電異方性のネマティック液晶組成物を挟持してなる）の観察側と反対側の基板内面（液晶層と接する側の面）又は基板外面に反射層を形成するとともに、パネル内の液晶層とその複屈折位相差がトータルでゼロとなるような二軸性光学補償フィルム（ｎｘ＞ｎｙ＞ｎｚ，ここでｘ、ｙはパネル面を表し、ｚはパネルの厚み方向を表す）を設ける。例えば、パネルの電圧無印加状態（スプレイ配向状態）における位相差が４８０ｎｍ、ＯＮ電圧を５．０Ｖとした場合、二軸性光学補償フィルムの位相差を５０ｎｍ、Ｎｚ係数を７．５にすると、パネルの液晶層と二軸性光学補償フィルムの複屈折位相差がトータルでゼロとなる。そしてさらに、その上面（観察側に近い面）には、偏光板と１／４波長板（１／４λ板）とを、両者の光学軸が約４５°となるように設定して円偏光板を形成した積層体を、配置する。なお、ノーマリホワイトの場合に、前述の黒表示と白表示の関係を逆にすることも上記と同様である。
【００２６】
本発明者らは、ＯＣＢ型液晶表示装置におけるスプレイ−ベンド転移を安定に行わせるための微小領域、すなわち、電圧印加時に液晶分子のねじれ配列が互いに異なるねじれ構造を持つ２つの微小領域（安定なホモジニアス−ツイスト領域（ツイスト角＞９０°）及び不安定なスプレイ−ツイスト領域（ツイスト角＜９０°））に着目し、ラビング処理の効果をラビング方向に対して偏向せしめる微小構造体を設けることにより、上記２つの微小領域を１回のラビング処理で実現できることを見出し本発明をするに至った。
【００２７】
すなわち、本発明の骨子は、電極と配向制御層とがそれぞれ配置された一対の基板の一方の基板の配向制御層に、電圧印加時に液晶分子のねじれ配列が互いに異なるねじれ構造を持つ２つの微小領域を形成するような微小構造体を設け、画素電極間の横電界を利用することにより、ラビングによる不良発生の確率を低くし、しかもスプレイ−ベンド転移を誘起させることである。
【００２８】
図４は、本発明の実施の形態に係る液晶表示装置のＣＦ基板４に設けられた微小構造体を説明するための図である。なお、図４は、配向制御層２４を設けた面が紙面裏にある、いわゆる膜下図である。
【００２９】
ＣＦ基板４には、電圧印加時に液晶分子のねじれ配列が互いに異なるねじれ構造を持つ２つの微小領域を形成するような微小構造体３１が形成されている。この微小構造体３１は、ラビング処理の際にラビング毛の流れをラビング方向と異なる方向に向ける機能を果たし、１回のラビング処理で少なくとも２方向の配向を形成するものである。すなわち、ラビング方向Ａに沿ってラビング毛が流れて配向形成された領域と、微小構造体３１によりラビング方向が偏向されてラビング方向と異なる方向Ｂにラビング毛が流れて配向形成された領域３２とが形成される。この領域３２において、電圧印加時に液晶分子のねじれ配列が互いに異なるねじれ構造を持つ２つの微小領域が形成される。
【００３０】
微小構造体３１は、ＣＦ基板４における隣接する画素４１にわたって延在するように形成されていることが好ましい。また、微小構造体３１の高さは、ラビング毛が微小構造体３１を乗り越えてしまわないことや、ラビング毛が微小構造体３１に引っ掛からないことを考慮して、１μｍ〜１０μｍであることが好ましく、特に２μｍ〜６μｍであることが好ましい。
【００３１】
微小構造体３１は、ラビング毛が微小構造体３１を乗り越えてしまわないことを考慮して、略矩形状又は内側に湾曲する形状の断面を有することが好ましい。すなわち、微小構造体３１の断面形状は、図５（ａ）に示すように、ＣＦ基板４の表面に対して略鉛直に立設された略矩形状や、図５（ｂ）に示すように、内側に湾曲する湾曲面３１ａを持つ形状であることが好ましい。また、ＣＦ基板４側の幅が大きく、頂部に向けて幅が狭くなるようなテーパを持つ断面を有する形状であっても良い。
【００３２】
微小構造体３１は、ＣＦ基板４の配向制御層２４に対するラビング処理の効果をラビング方向に対して所定の角度偏向させることが好ましい。この場合において、微小構造体３１は、平面視において、ラビング毛が微小構造体３１の側面に沿って流れることや、ラビング方向の偏向効果などを考慮して、ラビング方向に対して１０°〜８５°の角度（ラビング方向と微小構造体３１の軸方向との間のなす角）を有する辺を持つ形状を有することが好ましい。
【００３３】
本発明において、ラビング処理においては、ラビング毛の配向制御層２４への押し込み量を制御することが好ましい。ラビング毛の配向制御層２４への押し込み量は、十分に大きな配向が得られることや、微小領域を十分に確保することなどを考慮して、０．０５ｍｍ〜０．５ｍｍであることが好ましく、特に０．１ｍｍ〜０．３ｍｍであることが好ましい。
【００３４】
また、ラビング処理において、図６に示すように、ラビングローラー５１の回転方向（図６における破線矢印）と、ＣＦ基板４の基板送り方向とが１８０°以外の角度であることが好ましい。ラビング毛が主にローラー回転方向に沿って植えられているので、このような方法でラビングを行うと、ラビング毛がＣＦ基板４に対してある角度をもって斜めに当接する。そして、ラビング毛がＣＦ基板４に対して斜めに当接することにより、必然的にラビング毛が倒れる方向が一意的に決まるので、微小構造体３１に沿った配向制御を容易に行うことができる。
【００３５】
上述したような微小構造体３１を利用したラビング処理により、電圧印加時に液晶分子のねじれ配列が互いに異なるねじれ構造を持つ２つの微小領域を含む領域３２が形成され、電圧印加時に画素電極２２に生じる横方向の電界により微小領域を基点としてベンド転移が生じる。図７に示すように、ＴＦＴ基板３には、互いに隣接する画素電極２２の間に数μｍ程度のスペース２２ａがある。図４における矢印Ａ方向にラビング処理を行ったＴＦＴ基板３、ＣＦ基板４を用いて液晶セルを構成し、この液晶セルに電圧を印加すると、このスペース２２ａにより横電界（図７の矢印）が発生する。この場合においては、液晶分子に対する影響はラビングよりも電界の方が大きいので、液晶分子は画素電極２２間で発生する横電界に沿って配向する。この配向の方向は、ラビングによる配向の方向と異なるので、上述した微小構造体３１によるラビング処理と、この配向方向の違いとを利用して、微小領域を基点としてベンド転移を発生させることが可能となる。
【００３６】
横電界による配向を効率良く起こさせるためには、画素電極２２間のスペース、印加電圧、及びソース電極１５と画素電極２２との間の絶縁層１７を調整することが好ましい。画素電極２２間のスペースは、隣接画素電極間の導通の防止や横電界の液晶分子への影響を確保することを考慮して、１μｍ〜１０μｍ程度が好ましく、特に２μｍ〜８μｍであることが好ましい。また、印加電圧は０．５Ｖ〜１０Ｖが好ましい。この場合において、隣接する画素電極２２にそれぞれ印加する電圧は同じでも良く、異なっていても良い。さらに、ソース電極１５と画素電極２２との間の絶縁層１７の厚さは、０．０５μｍ〜１μｍであることが好ましく、特に０．１μｍ〜１μｍであることが好ましい。絶縁層１７の材料としては、ソース電極１５の横電界への影響を小さくするために、絶縁性の高い材料であることが好ましく、例えばＳｉＮ系材料が挙げられる。
【００３７】
なお、この横電界を利用できるスペース２２ａは、図８に示すゲート電極ラインを挟んだ部分（ａ−ａ断面）及びソース電極ラインを挟んだ部分（ｂ−ｂ断面）である。図８は、配向制御層２３を設けた面が紙面表にある、いわゆる膜上図である。
【００３８】
ＴＦＴ基板３に対して、上述したようにラビングローラーの回転方向と、基板送り方向との間に約３０°の角度を設けて１回のラビング処理を施すと図８に示すような配向が形成される。すなわち、横電界による配向Ｃと、ソース電極１５の軸方向に対して約３０°の角度を持つラビングによる配向Ｄとが形成される。また、微小構造体３１を設けたＣＦ基板４に対して、上述したようにラビングローラーの回転方向と、基板送り方向との間に約３０°の角度を設けて１回のラビング処理を施すと図９に示すような配向が形成される。すなわち、ソース電極１５の軸方向に対して約３０°の角度を持つラビングによる配向Ｅが形成される。
【００３９】
図８に示すＴＦＴ基板３と図９に示すＣＦ基板４とを重ね合わせると、図１０に示すような配向状態となる。なお、図１０は、微小構造体３１近傍を示す拡大図である。図１０に示すように、上述したようなラビング処理を施したＴＦＴ基板３とＣＦ基板４とから構成される液晶セルにおいては、領域３２において、安定なホモジニアス−ツイスト領域（左ねじれホモジニアス配向領域）６１及び不安定なスプレイ−ツイスト領域（右ねじれスプレイ配向領域）６２が隣接して形成される。
【００４０】
このように、本実施の形態に係る液晶表示装置は、ＴＦＴ基板３及びＣＦ基板４のそれぞれについて１回のラビング処理によりスプレイ−ベンド転移を誘起させる領域を形成することができる。ラビング処理が１回で済むので、ラビングによる不良発生の確率を低くすることができる。
【００４１】
次に、本発明の効果を明確にするために行った実施例について説明する。
サブ画素に赤、緑、青のフィルタを形成した一般的なＣＦ基板を作製し、隣接する画素間スペース（ソース電極ラインを挟む）毎に、画素間スペースを挟んで隣接する画素に延在するように微小構造体（ポストスペーサ）を形成した。ポストスペーサの寸法は４μｍ×８μｍで高さが４μｍであり、画素の配列方向に対して３０°回転させて設けた（図４においてθ＝３０°）。また、ポストスペーサの断面形状は、図５（ａ）に示す形状とした。このポストスペーサは、透明ネガレジストＣＬ−０１６Ｓ（ＴＯＫ製）を１００ｍＪ/ｃｍ2で露光し、ＣＦＰＲ現像液Ｎ−Ａ３Ｋ（東京応化工業社製、商品名）の０．５％水溶液で６０秒現像し、その後３００ｍＪ/ｃｍ2でポスト露光し、２２０℃で１時間のポストベークを行うことにより形成した。
【００４２】
次いで、ソース電極、ゲート電極、画素電極、ＴＦＴ素子などを形成したＴＦＴ基板を通常の手法により作製した。画素間スペースの幅を５μｍとし、ソース電極ラインと画素電極との間にある絶縁膜の厚さを約２μｍとした。
【００４３】
次いで、ポストスペーサの軸方向とラビング方向との間のなす角度が６０°（図１０）になるように、ＣＦ基板及びＴＦＴ基板に対して同一方向にラビング処理を施した。このときのラビング条件は、押し込み量を０．２ｍｍとし、ラビングローラーの回転数を５００ｒｐｍとし、基板送り速度を２５ｍｍ／秒とした。次いで、ＣＦ基板に形成したポストスペーサを基板間のギャップ材としてＣＦ基板と、ＴＦＴ基板とを重ね合わせた。次いで、重ね合わせた基板をパネル単位にカットした後、両基板間に液晶材料（チッソ（株）製）を真空注入法により注入してＯＣＢ液晶パネルを作製した。
【００４４】
また、ポストスペーサの高さを１μｍ、３μｍ、５μｍ、７μｍ、１０μｍとしたこと以外上記と同様にして５つのＯＣＢ液晶パネルを作製した。さらに、図４におけるθを１０°、３０°、５０°、８５°としたこと以外上記と同様にして４つのＯＣＢ液晶パネルを作製した。
【００４５】
このようにして得られた１０個のＯＣＢ液晶パネルについて、それぞれの画素電極、ソース電極ラインに５Ｖの電圧を印加してスプレイ−ベンド転移が誘起されるかどうかを調べた。その結果、すべてのＯＣＢ液晶パネルにおいて、電圧印加直後に、ＣＦ基板のポストスペーサ形成領域と画素電極スペースが交差する箇所からスプレイ−ベンド転移が発生し、約１秒でパネル全画素がベンド配向へと転移した。
【００４６】
本発明は上記実施の形態に限定されず、種々変更して実施することが可能である。例えば、上記実施の形態で説明した数値や材質、液晶表示装置の構成などについては特に制限はない。その他、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】本発明の実施の形態に係る液晶表示装置の概略構成を示す分解斜視図である。
【図２】図１に示す液晶表示装置の断面図である。
【図３】図１に示す液晶表示装置のアクティブマトリクス基板を示す拡大図である。
【図４】本発明の実施の形態に係る液晶表示装置のＣＦ基板の微小構造体を説明するための図である。
【図５】（ａ），（ｂ）は、図４に示す微小構造体の断面形状を説明するための図である。
【図６】本発明の実施の形態に係る液晶表示装置におけるラビング処理を説明するための図である。
【図７】本発明の実施の形態に係る液晶表示装置のＴＦＴ基板の横電界を説明するための図である。
【図８】本発明の実施の形態に係る液晶表示装置のＴＦＴ基板の配向状態を説明するための図である。
【図９】本発明の実施の形態に係る液晶表示装置のＣＦ基板の配向状態を説明するための図である。
【図１０】本発明の実施の形態に係る液晶表示装置においてＣＦ基板とＴＦＴ基板とを重ね合わせた際の配向状態を説明するための図である。
【符号の説明】
【００４８】
３，４  基板
５  液晶層
１１  ＴＦＴ
１２  ゲート電極
１３  ゲート絶縁膜
１４  半導体層
１５  ソース電極
１６  ドレイン電極
１７  絶縁層
１８  走査線
１９  信号線
２２  画素電極
２３，２４  配向制御層
２５  ブラックマトリクス層
２６Ｒ，２６Ｇ  カラーフィルタ層
２７  対向電極
３１  微小構造体
６１  ホモジニアス−ツイスト領域
６２  スプレイ−ツイスト領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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