(57)【要約】【課題】ＳＥＬＡＸ法による帯状シリコン結晶を形成する際のシリコン溶融時間を短縮して結晶性を向上させ、シリコン膜を用いた薄膜トランジスタの動作特性を改善して高精細な表示装置を得る。【解決手段】薄膜トランジスタを構成するための半導体膜を成膜した絶縁基板５０５を冷却しながら、この半導体膜に連続発振レーザ５０１を走査しながら照射し、結晶粒の長手方向が走査方向に長い帯状半導体結晶５０３に成長させる。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板上に形成された薄膜トランジスタ回路を有する表示装置の製造方法であって、
前記薄膜トランジスタ回路の薄膜トランジスタを構成するための半導体膜を成膜した前記絶縁基板を冷却しながら、前記半導体膜に連続発振レーザを走査しながら照射し、結晶粒の長手方向が前記走査方向に長い帯状半導体結晶に成長させることを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項２】
絶縁基板上に形成された薄膜トランジスタ回路を有する表示装置の製造方法であって、
前記薄膜トランジスタ回路の薄膜トランジスタを構成するための半導体膜を成膜した前記絶縁基板の、前記半導体膜を成膜した面に対して反対側の面に、前記絶縁基板よりも熱伝導率の大きい膜を有した状態で、前記半導体膜に連続発振レーザを走査しながら照射し、結晶粒の長手方向が前記走査方向に長い帯状半導体結晶を成長させることを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項３】
請求項２において、
前記絶縁基板よりも熱伝導率の大きい前記膜は、金属膜であることを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項４】
請求項２又は３において、
前記絶縁基板を前記絶縁基板よりも熱伝導率の大きい前記膜を形成した面が接する向きで処理ステージに載置し、
前記処理ステージを冷却して前記絶縁基板を冷却しながら、前記半導体膜に前記連続発振レーザを走査しながら照射し、前記結晶粒の前記長手方向が前記走査方向に長い前記帯状半導体結晶を成長させることを特徴とする表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置に係り、アクティブ・マトリクス方式のフラット・パネル型表示装置の製造に好適なものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置や有機ＥＬ表示装置などのアクティブ・マトリクス方式のフラット・パネル型表示装置では、二次元マトリクス状に画素を配置したガラス等の絶縁基板の主面に該画素をオン・オフするための薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を用いた駆動回路や付帯回路を作り込むことで、高精細かつ高速表示を実現できる。
【０００３】
特に、低温ポリシリコンＴＦＴの能動層であるポリシリコン部分は現在、エキシマレーザアニール（ＥＬＡ）法にて粒状結晶化している。さらに、シリコン膜の結晶性を向上させ、オン電流やＴＦＴの立ち上がり特性を良好にする技術の一つとして、連続発振レーザを用いて所望の部分を選択的に走査しながら照射して当該走査方向に長い帯状シリコン結晶を成長させる選択的成長レーザアニール法（以下、これをＳＥＬＡＸ(Selectively Enlarging LAser X'tallization)法と称する）がある(特許文献１、２)。このＳＥＬＡＸ法を用いたシリコン結晶膜は、帯状シリコン結晶膜、擬似単結晶シリコン膜とも称する。
【０００４】
なお、ＥＬＡ法にてシリコン結晶粒径のバラツキを減少させると共に粒径の周期性を向上させる非単結晶シリコン膜の製造方法として特許文献３は、基板を冷却した状態でのレーザ照射を行う技術を開示する。
【特許文献１】特開２００２−２２２９５９号公報
【特許文献２】特開２００３−１２４１３６号公報
【特許文献３】特開２００１−３０８００９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ＳＥＬＡＸ法による結晶であっても、欠陥が発生すると移動度が低下してしまうという問題がある。尚、特許文献３では、シリコン結晶がＥＬＡ法により生成された粒状の多結晶であり、結晶粒は小さい。また、ＥＬＡ法の場合、結晶化時間がｎＳ（ナノ秒）であり、ＳＥＬＡＸ法のμＳ（マイクロ秒）よりも２桁以上早く、元々結晶粒内の結晶性は優れており、基板冷却による効果は希薄であると考えられる。
【０００６】
本発明の目的は、ＳＥＬＡＸ法による帯状シリコン結晶を形成する際のシリコン溶融時間を短縮して結晶性を向上させ、シリコン膜に作り込む薄膜トランジスタの動作特性を改善して高精細な表示装置を得ることにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために本発明は、ＳＥＬＡＸ法による半導体（例えば、シリコン）膜の帯状結晶化（擬似単結晶化）の際、レーザの照射で溶融した半導体（例えば、シリコン）の溶融時間を短縮化する。詳しくは、ガラス基板を好適とする絶縁基板を冷却して、溶融した半導体（例えば、シリコン）の熱を積極的に下地の絶縁基板側に逃がすことを特徴とする。絶縁基板を冷却する方法としては、当該絶縁基板を載せるステージを冷却する方法、あるいは絶縁基板の裏面に絶縁基板よりも熱伝導率の大きい膜（例えば、金属膜）を形成して溶融半導体（例えば、シリコン）の熱を吸収しやすくする（最終的には金属膜を除去してもよい）。さらに、ステージの冷却とガラス基板の裏面に形成した熱伝導率の大きい金属膜とを組み合わせてもよい。
【発明の効果】
【０００８】
（１）溶融したシリコンの溶融時間を短縮化することで、生成されるシリコン結晶内の擬似単結晶の結晶性が改善（改質）され、ＴＦＴ特性の電界効果移動度（キャリア移動度）あるいは立ち上がり特性等が向上する。（２）絶縁基板の裏面に金属膜を形成したままＴＦＴ工程処理を行なうことで、プロセス処理中に発生する静電破壊（プロセス中に絶縁基板に溜まった電荷の逃げ場がなく、放電が起きやすい）を抑制できると共に、ＴＦＴのＶｔｈ変動を小さくすることができる。（３）ＳＥＬＡＸ法で改質したシリコン膜に作り込んだ薄膜トランジスタ（ＳＥＬＡＸ−ＴＦＴ）の特性が向上することで、駆動回路部のＳＥＬＡＸ−ＴＦＴの駆動電圧が下る。そして、結晶性が改善されるので、歩留りが向上する。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、本発明の実施形態について、実施例の図面を参照して詳細に説明する。以下では、絶縁基板としてガラス基板を用いた場合を例として説明するが、絶縁基板に石英などの他の基板を用いることもできる。
【実施例１】
【００１０】
図１は、ガラス基板の上に形成したトップゲート型薄膜トランジスタの断面図である。ｎチャネル型ＴＦＴの場合、ガラス基板１０１上の粒状多結晶シリコン膜（ポリシリコン膜）にソース・ドレイン層１０２以外に電界緩和のためＬＤＤ層１０３を設ける。なお、ｐチャネル型ＴＦＴの場合、通常このＬＤＤ層１０３は形成しない。この上にゲート絶縁膜層１０５、ゲートメタル層１０６を形成する。このガラス基板１０１上の多結晶シリコン膜（ポリシリコン膜）は、通常ＣＶＤにより成膜したアモルファスシリコンをＥＬＡ法により粒状の多結晶シリコン膜化したものである。ガラス基板１０１とシリコン膜の間の下地膜（絶縁膜）は図示を省略した。
【００１１】
さらに、より高いＴＦＴ特性を要求する回路を必要とする場合、ＳＥＬＡＸ法による擬似単結晶化を行なう。図２は、ＳＥＬＡＸ法による擬似単結晶化を説明する模式図である。図２（ａ）はＥＬＡ法により多結晶化されたシリコン膜（ＥＬＡシリコン膜）からのＳＥＬＡＸ法による擬似単結晶化を説明する模式図、図２（ｂ）は非晶質シリコン膜（アモルファスシリコン膜）からのＳＥＬＡＸ法による擬似単結晶化を説明する模式図である。
【００１２】
図２（ａ）では、ガラス基板２０１上にＥＬＡ法により多結晶化されたシリコン膜２０３が形成されている。このシリコン膜２０３に連続発振レーザ（ＳＥＬＡＸレーザ）２０５を走査しながら照射するＳＥＬＡＸ法を施す。これにより、横方向すなわち基板２０１の移動方向（ＳＥＬＡＸレーザ２０５の走査方向）２０２に沿った方向に長い帯状の擬似単結晶（ＳＥＬＡＸ結晶化シリコン膜）２０４が得られる。この帯状の擬似単結晶の粒界は基板２０１の移動方向に対してほぼ平行な方向に延びる。この粒界と平行にチャネルを形成すれば、チャネル内をソース・ドレイン方向に進むキャリアの横切る粒界の数を減らすことができ、薄膜トランジスタの動作特性が向上して高精細な表示装置を得ることができる。
【００１３】
通常、上記のように、ＥＬＡ法による多結晶化シリコン膜の領域２０３にＳＥＬＡＸ結晶化を行うが、ＳＥＬＡＸ結晶に改質される下地シリコン膜であるプリカーサ膜としては、ＣＶＤで成膜したアモルファスシリコンあるいは、ＲＴＡ（Rapid Thermal Anneal）等他の方法で結晶化したポリシリコン膜でも構わない。図２（ｂ）では、ガラス基板２０１上にアモルファスシリコン２０６を成膜し、これに図２（ａ）で説明した連続発振レーザ（ＳＥＬＡＸレーザ）２０５を走査しながら照射するＳＥＬＡＸ法を施す。この方法でも擬似単結晶を得ることができる。
【００１４】
図３は、ＳＥＬＡＸ結晶の形状例を説明する模式図である。ＳＥＬＡＸ結晶３０１は図３（ａ）に示すように、横方向（図２の基板走査方向２０２）に延びた結晶粒の集合体となり、隣接する擬似単結晶粒は粒界３０２で区切られ、その一つの擬似単結晶粒の中は単結晶３０３である。図３（ｂ）に示すように、この擬似単結晶粒内に積層欠陥３０４や点欠陥、転位といった様々な結晶の乱れが存在するようになると、その影響で薄膜トランジスタ特性のオン電流や移動度が低減する。
【００１５】
図４は、ガラス基板上のＳＥＬＡＸシリコン結晶と石英基板上のＳＥＬＡＸシリコン結晶のそれぞれを用いて作製した薄膜トランジスタの電界効果移動度の一例を示す図である。図４において、横軸は基板（Substrate）の種類で、石英基板（ｑｕａｒｔｚ）とガラス基板（ｇｌａｓｓ）を示し、縦軸は移動度μ（ｃｍ2／Ｖｓ）を示す。測定した試料はｎ−ＭＯＳ−ＴＦＴで、チャネル幅Ｗ、チャネル長Ｌとしたとき、Ｗ／Ｌ＝４μｍ／４μｍのシングルドレインである。石英基板上のＳＥＬＡＸ−ＴＦＴの移動度は３００〜５００ｃｍ2／Ｖｓとガラス基板上のそれよりも凡そ５０ｃｍ2／Ｖｓ移動度が大きい。
【００１６】
これは、石英基板上のＳＥＬＡＸシリコン結晶粒内は図３（ａ）に示すような極めて質の良い単結晶であるのに対し、ガラス基板上のＳＥＬＡＸシリコン結晶粒内は、図３（ｂ）に示すように、欠陥を多く含むためと考えられる。
【００１７】
このように欠陥密度に差が生じる原因としては、基板の熱伝導率の違いが挙げられる。石英基板の熱伝導率１．９Ｗ／ｍ／Ｋ（Ｔ＝１００℃）に対し、ガラス基板の熱伝導率はおよそその半分の１．０Ｗ／ｍ／Ｋ（Ｔ＝１００℃）である。この差が、レーザによって溶融したシリコンの冷却速度に違いをもたらす。すなわち、冷却速度の大きい石英基板上の溶融シリコンの方が、ガラス基板上溶融シリコンより、短時間で再結晶化し、欠陥密度の小さいＳＥＬＡＸシリコン結晶膜が生成される。
【００１８】
図５は、プリカーサシリコン膜を改質してＳＥＬＡＸシリコン結晶膜とする方法の一例を説明する断面図である。ステージ５０４の上にガラス基板５０５を載置する。ガラス基板５０５の上面にはガラスからのＮａ不純物の湧き上がりを防御する為のシリコンナイトライド膜（ＳｉＮ）５０６およびシリコン酸化膜(ＳｉＯ2)５０７が成膜されている。さらにその上に、アモルファスシリコン膜を成膜し、エキシマレーザアニール（ＥＬＡ）により粒状のポリシリコン膜５０８とする。なお、アモルファスシリコン膜の状態としておいても良い。次いで、ＳＥＬＡＸ装置の連続発振レーザ５０１の照射５０２および走査によりプリカーサシリコン膜にレーザ照射５０２を行ない、ＳＥＬＡＸシリコン膜５０３に改質する。走査は、基板又はレーザ光スポットの少なくとも一方を動かす。
【００１９】
図６は、図５におけるステージの冷却方法を説明する図で、図６の（ａ）はステージの平面を、（ｂ）は断面を示す。ステージ５０４としては通常、石定盤を使用し、表面はレーザ照射による熱的ダメージを防止する為、耐熱性材料、例えばホワイトアルミナを熔射処理してある。このステージ５０４の内部に空洞処理を施し、そこに冷却管６０１を通し、水冷もしくは、さらに熱伝導率の高い冷媒６０２を流すことでステージ５０４全体を冷却する。
【００２０】
図７は、図５に示したＳＥＬＡＸシリコン結晶膜とする方法の一例を説明する断面図における深さ方向の温度分布を説明する図である。図７の（ａ）は深さ方向（Ｄｅｐｔｈ）の温度（Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ）分布を、（b）は図５に示した断面を示す。ステージ５０４を冷却した場合の温度分布曲線７０２は冷却してない場合の温度分布曲線７０１と比較して温度低下が大きい。そのため、溶融シリコンが急冷され、欠陥の少ないＳＥＬＡＸシリコン結晶膜が生成される。このＳＥＬＡＸシリコン結晶膜を用いて薄膜トランジスタを作ることで、薄膜トランジスタの動作特性が向上して高精細な表示装置を得ることができる。
【実施例２】
【００２１】
図８は、本発明の実施例２を説明するガラス基板の断面図とステージに載置したガラス基板に対するＳＥＬＡＸシリコン結晶膜とする方法の一例を説明する断面図である。図８における（ａ）はガラス基板の裏面構造、（ｂ）は（ａ）のガラス基板をステージに載置した状態図、（c）はＳＥＬＡＸシリコン結晶膜とする方法のプロセスの説明図である。
【００２２】
ガラス基板５０５の裏面に最初に金属薄膜８０１として、例えばＭｏＷやＴｉといった金属をスパッタ等で成膜する。その後の工程は実施例１と同様な成膜過程を経て、結晶化を行なう。薄膜トランジスタＴＦＴの全製造プロセスを終了したところで、この金属薄膜８０１をエッチングにより剥離する。
【００２３】
金属の熱伝導率がガラスのそれより２，３桁大きい。ガラス基板５０５の裏面に金属薄膜８０１を成膜し、この金属薄膜８０１をステージに密着させることで、熱の逃げを促進することができる。さらに、伝導体である金属薄膜８０１をガラス裏面に成膜することで、薄膜トランジスタＴＦＴの製造プロセス中に溜まった電荷を、この金属薄膜８０１を通してステージ上に逃がすことができ、プロセス起因のＴＦＴの静電破壊を抑制する効果が得られる。尚、熱を逃がすという効果だけを得られれば十分な場合は、熱伝導率が基板よりも大きい膜であれば、金属膜でなくとも良い。
【００２４】
図９Ａおよび図９Ｂは、上記したＥＬＡおよびＳＥＬＡＸ結晶化による擬似単結晶シリコン膜を用いて形成したトップゲートｎチャネル型（Ｎ−ＭＯＳ）およびｐチャネル型（Ｐ−ＭＯＳ）ＴＦＴの製造プロセスフローを説明する図である。図９Ａおよび図９Ｂにおいて、左側にＮ−ＭＯＳ、右側にＰ−ＭＯＳの製造プロセスを断面で示す。
【００２５】
まず、ガラス基板９０１上にガラスからのＮａ不純物の湧き上がりを防御する為のシリコンナイトライド膜９０２およびシリコン酸化膜９０３を形成する（ａ）。さらにその上にアモルファスシリコン膜を成膜し、上記したエキシマレーザアニール（ＥＬＡ）装置およびＳＥＬＡＸ装置により擬似単結晶シリコン層９０４を形成した後、ホト・エッチングにより島状に加工する（ｂ）。その上にゲート絶縁膜９０５を成膜する（ｃ）。
【００２６】
自己整合ＬＤＤ層形成プロセスとして、ゲート電極９０６成膜後、Ｎ−ＭＯＳ側のみ、レジスト９０７を残したまま１μｍ程度サイドエッチする。この状態で高濃度ｎ型不純物のインプラ９０８を実施することで、シリコン層にソース・ドレイン領域９０９を形成する。一方、Ｐ−ＭＯＳの方はレジスト９０７が塗布されているため、シリコン層にイオンは打ち込まれない（ｄ）。
【００２７】
レジスト除去後、サイドエッチの入ったゲート電極９０６を介して低濃度ｎ型不純物のインプラ９１０することにより、ソース・ドレイン領域９０９よりも低濃度のＬＤＤ(Lightly Ｄｏｐｅｄ Ｄｒａｉｎ)領域９１１を形成する。一方、Ｐ−ＭＯＳの方はゲート電極９０６で覆われているため、シリコン層にイオンは打ち込まれない（ｅ）。
【００２８】
次に、Ｐ−ＭＯＳ形成のため、レジスト９０７を塗布後、Ｐ−ＭＯＳのみエッチングしてゲート電極９０６を形成する。この状態で高濃度ｐ型不純物のインプラ９１２を実施することで、シリコン層にソース・ドレイン領域９０９を形成する。一方、Ｎ−ＭＯＳの方はレジスト９０７が塗布されているため、シリコン層にイオンは打ち込まれない（ｆ）。
【００２９】
図９の(ｇ)に層間絶縁膜および配線形成前までのＮ−ＭＯＳおよびＰ−ＭＯＳ ＴＦＴの断面図を示す。
【００３０】
さらに、層間絶縁膜９１３成膜後(ｈ)、ソース・ドレイン層へのコンタクトホールをホト・エッチングにて加工し、ソース・ドレイン電極９１４を形成する(ｉ)。
【００３１】
上記した一連のプロセスにて表示装置の画素部および周辺回路部にＴＦＴを形成する。そのトランジスタ回路構成は、図９(ｇ)に示したＮ−ＭＯＳ ＬＤＤ ＴＦＴ単体、あるいはＰ−ＭＯＳ シングルドレインＴＦＴ単体、あるいは図１０に完成図を示したＮ−ＭＯＳシングルドレインＴＦＴ単体、あるいはＰ−ＭＯＳ ＬＤＤ ＴＦＴ単体、あるいは上記Ｎ−ＭＯＳとＰ−ＭＯＳの組み合わせによるＣ−ＭＯＳとする。
【００３２】
図１１は、本発明の製造方法で製造した表示装置の構成例を説明する平面図である。この表示装置は、そのパネル回路１１０１のうちのＴＦＴを画素部１１０２、ゲートドライバ１１０３とドレインドライバ１１０４で作り分ける例である。通常、画素部１１０２、ゲートドライバ１１０３およびドレインドライバ１１０４は、図９(ｇ)に示すようにＮ−ＭＯＳ ＬＤＤ ＴＦＴ単体、あるいはＰ−ＭＯＳシングルドレイン ＴＦＴ単体、あるいは図１０に完成図を示したＮ−ＭＯＳシングルドレインＴＦＴ単体、あるいはＰ−ＭＯＳ ＬＤＤ ＴＦＴ単体、あるいはこれらを組み合わせたＣ−ＭＯＳで全回路構成される。
【００３３】
さらに、ＳＥＬＡＸ結晶化を行う場合は、どこの回路をＳＥＬＡＸシリコン膜にするかで、組み合わせは広がる。図１１は作り分けの一例である。画素部およびゲートドライバ部は液晶駆動させねばならないので、駆動電圧は１２Ｖ程度必要である。したがって、ＴＦＴのドレイン端での電界が大きく、シングルドレインのＴＦＴは使い難く、ＬＤＤが通常用いられる。
【００３４】
その中で、画素部のＴＦＴ特性はそれ程高速動作が要求されないので、ＥＬＡ結晶化ポリシリコン膜を用いたＮ−ＭＯＳ ＬＤＤ ＴＦＴとし、ゲートドライバ回路部は本発明を適用して結晶化したＳＥＬＡＸ結晶化シリコン膜を用いたＮ−ＭＯＳ ＬＤＤ ＴＦＴとする。一方、ドレインドライバ回路部のＴＦＴは高速動作特性が要求されるため、ＳＥＬＡＸ結晶化シリコン膜を用いたＮ−ＭＯＳシングルドレインＴＦＴとする。
【００３５】
ＳＥＬＡＸ結晶化シリコン膜を用いたＴＦＴの場合、結晶粒径が大きいのでＴＦＴの移動度が向上する。つまり、チャネルに流れる電流が増加するが、それに伴いＤＡＨＣ（ドレインアバランシェホットキャリア）による劣化モードの影響も大きくなる。本発明を適用して結晶化したＳＥＬＡＸ結晶化シリコン膜の場合は、従来のＳＥＬＡＸ結晶化シリコン膜より結晶性が優れている為、より一層劣化も大きい。
【００３６】
そこで、ゲート絶縁膜成膜中の炭素濃度分布を制御することにより、ＴＦＴの信頼性を向上させる方法との組み合わせは有効である。その他、信頼性向上の方法としてＧａｔｅ Ｏｖｅｒｌａｐｐｅｄ ＬＤＤ(ＧＯＬＤ)がある。これはゲートを２層にしてＬＤＤとオーバーラップさせることにより電界緩和させ、劣化を抑制する方法であるが、このＧＯＬＤ−ＴＦＴとの組み合わせも非常に有効である。なお、シリコンに限らず、他の半導体膜でも可である。また、石英基板に適用しても、冷却しないときに比べて欠陥を少なくできる。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】ガラス基板の上に形成したトップゲート型薄膜トランジスタの断面図である。
【図２】ＳＥＬＡＸ法による擬似単結晶化を説明する模式図である。
【図３】ＳＥＬＡＸシリコン結晶の形状例を説明する模式図である。
【図４】ガラス基板上のＳＥＬＡＸシリコン結晶と石英基板上のＳＥＬＡＸシリコン結晶のそれぞれを用いて作製した薄膜トランジスタの電界効果移動度の一例を示す図である。
【図５】プリカーサシリコン膜を改質してＳＥＬＡＸシリコン結晶膜とする方法の一例を説明する断面図である。
【図６】図５におけるステージの冷却方法を説明する図である。
【図７】図５に示したＳＥＬＡＸシリコン結晶膜とする方法の一例を説明する断面図における深さ方向の温度分布を説明する図である。
【図８】本発明の実施例２を説明するガラス基板の断面図とステージに載置したガラス基板に対するＳＥＬＡＸシリコン結晶膜とする方法の一例を説明する断面図である。
【図９Ａ】ＥＬＡおよびＳＥＬＡＸ結晶化による擬似単結晶シリコン膜を用いて形成したトップゲートｎチャネル型（Ｎ−ＭＯＳ）およびｐチャネル型（Ｐ−ＭＯＳ）ＴＦＴの製造プロセスフローを説明する図である。
【図９Ｂ】ＥＬＡおよびＳＥＬＡＸ結晶化による擬似単結晶シリコン膜を用いて形成したトップゲートｎチャネル型（Ｎ−ＭＯＳ）およびｐチャネル型（Ｐ−ＭＯＳ）ＴＦＴの製造プロセスフローを説明する図９Ａに続く図である。
【図１０】完成したＮ−ＭＯＳシングルドレインＴＦＴ単体、あるいはＰ−ＭＯＳ ＬＤＤ ＴＦＴ単体、あるいは上記Ｎ−ＭＯＳとＰ−ＭＯＳの組み合わせによるＣ−ＭＯＳとする断面図である。
【図１１】本発明の製造方法で製造した表示装置の構成例を説明する平面図である。
【符号の説明】
【００３８】
１０１・・・ガラス基板、１０２・・・ソース・ドレイン層、１０３・・・ＬＤＤ層、１０４・・・ポリシリコン膜、１０５・・・ゲート絶縁膜層、１０６・・・ゲートメタル層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図１０】
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【図１１】
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【図８】
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