(57)【要約】【課題】絶縁体からなる基板の位置ずれをある程度許容しつつ，異常放電の発生を未然に防止する。【解決手段】載置台３００とこの載置台３００の基板保持面に保持された基板Ｇとの間にガスを供給するためのガス流路３５２と，ガス流路からのガスを基板保持面上に案内する複数のガス孔３５４と，基板の周縁よりも外側に所定の位置ずれ許容量ｂだけ離間して周縁に沿って配設され，載置台の基板保持面よりも高くなるように突出した位置ずれ検出用突起３３２と，ガス流路の圧力を測定するマノメータ３６３と，載置台上に基板を保持したときに，圧力測定手段からの検出圧力に基づいてガス孔からのガスの漏れ量を検出し，その検出結果に基づいて所定の位置ずれ許容量以上の基板の位置ずれの有無を検出する制御部４００とを設けた。【選択図】    図３
2008172170.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマが生成される空間内で絶縁体からなる矩形の被処理基板を載置保持する基板保持機構であって，
前記被処理基板を載置保持する矩形の載置台と，
前記載置台とこの載置台の基板保持面に保持された被処理基板との間にガスを供給するためのガス流路と，
前記載置台の基板保持面に形成され，前記ガス流路からのガスを前記基板保持面上に案内する複数のガス孔と，
前記ガス孔が形成される領域が前記基板保持面の内側になるようにして，前記ガス孔形成領域全面にわたって形成される凹部と，
前記基板保持面の前記ガス孔形成領域の外周に形成される枠部と，
前記枠部に形成した複数の基板位置ずれ検出孔と，
前記基板位置ずれ検出孔と前記凹部とを連通する連通路と，
前記ガス流路の圧力を測定する圧力測定手段と，
前記載置台上に被処理基板を保持したときに，前記圧力測定手段からの検出圧力に基づいて前記ガス孔からのガスの漏れ量を検出し，その検出結果に基づいて前記所定の位置ずれ許容量以上の前記被処理基板の位置ずれの有無を検出する位置ずれ検出手段と，
を備えることを特徴とする基板保持機構。
【請求項２】
前記基板位置ずれ検出孔は，前記枠部の４つの角部に形成されることを特徴とする請求項１に記載の基板保持機構。
【請求項３】
前記凹部の下面には，この凹部が形成されている領域内で前記基板を保持する多数の凸部が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の基板保持機構。
【請求項４】
プラズマが生成される空間内で絶縁体からなる被処理基板を載置保持する基板保持機構であって，
前記被処理基板を載置保持する載置台と，
前記載置台とこの載置台の基板保持面に保持された被処理基板との間にガスを供給するためのガス流路と，
前記載置台の基板保持面に形成され，前記ガス流路からのガスを前記基板保持面上に案内する複数のガス孔と，
前記被処理基板が前記載置台の基板保持面の基準位置にあるとしたときのその被処理基板の周縁よりも外側に所定の位置ずれ許容量だけ離間して前記周縁に沿って配設され，前記載置台の基板保持面よりも高くなるように突出した位置ずれ検出用突起と，
前記ガス流路の圧力を測定する圧力測定手段と，
前記載置台上に被処理基板を保持したときに，前記圧力測定手段からの検出圧力に基づいて前記ガス孔からのガスの漏れ量を検出し，その検出結果に基づいて前記所定の位置ずれ許容量以上の前記被処理基板の位置ずれの有無を検出する位置ずれ検出手段と，
を備えることを特徴とする基板保持機構。
【請求項５】
前記位置ずれ許容量は，前記載置台に被処理基板を保持したときに前記載置台の基板保持面が露出しない範囲で設定することを特徴とする請求項４に記載の基板保持機構。
【請求項６】
前記載置台は，サセプタと，前記サセプタ上に設けられ，前記基板保持面で前記被処理基板を保持する基板保持部と，前記サセプタ及び前記基板保持部の周囲を囲むように配設される外枠部とを備え，
前記位置ずれ検出用突起は，前記外枠部の上部に形成されることを特徴とする請求項４に記載の基板保持機構。
【請求項７】
前記基板保持面のサイズは，前記被処理基板のサイズよりも寸法２ａだけ小さいものとし，前記位置ずれ許容量を寸法ｂとすると，各寸法ａ，ｂの関係は，ａ＞ｂであることを特徴とする請求項６に記載の基板保持機構。
【請求項８】
前記外枠部の上部の高さをｈ１とし，前記位置ずれ検出用突起の上部の高さをｈ２とし，前記基板保持面の高さをｈとすると，前記各高さｈ１，ｈ，ｈ２の関係は，ｈ１≦ｈ＜ｈ２であること特徴とする請求項７に記載の基板保持機構。
【請求項９】
前記位置ずれ検出用突起は，前記被処理基板の周縁に沿って枠状に形成されることを特徴とする請求項６に記載の基板保持機構。
【請求項１０】
前記位置ずれ検出用突起は，駒状に形成し，
前記駒状の位置ずれ検出用突起を前記被処理基板の周縁に沿って複数設けたことを特徴とする請求項６に記載の基板保持機構。
【請求項１１】
前記位置ずれ検出用突起は，着脱可能に設けたことを特徴とする請求項４に記載の基板保持機構。
【請求項１２】
前記基板保持部は，下部誘電体層と上部誘電体層との間に電極板を挟んで構成し，前記電極板に所定の電圧を印加することによって発生する静電吸着力によって前記基板保持面に前記被処理基板を吸着保持することを特徴とする請求項６に記載の基板保持機構。
【請求項１３】
処理室内に処理ガスを導入し，前記処理ガスのプラズマを発生させることによって，処理室内の載置台に載置保持された絶縁体からなる被処理基板に所定のプラズマ処理を施すプラズマ処理装置であって，
前記載置台とこの載置台の基板保持面に保持された被処理基板との間にガスを供給するためのガス流路と，
前記載置台の基板保持面に形成され，前記ガス流路からのガスを前記基板保持面上に案内する複数のガス孔と，
前記被処理基板が前記載置台の基板保持面の基準位置にあるとしたときのその被処理基板の周縁よりも外側に所定の位置ずれ許容量だけ離間して前記周縁に沿って配設され，前記載置台の基板保持面よりも高くなるように突出した位置ずれ検出用突起と，
前記ガス流路の圧力を測定する圧力測定手段と，
前記載置台上に被処理基板を保持したときに，前記圧力測定手段からの検出圧力に基づいて前記基板位置ずれ検出孔からのガスの漏れ量を検出し，その検出結果に基づいて前記所定の位置ずれ許容量以上の前記被処理基板の位置ずれの有無を検出する位置ずれ検出手段と，
を備えることを特徴とするプラズマ処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は，液晶ディスプレイ（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ）やエレクトロルミネセンスディスプレイ（Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ  Ｄｉｓｐｌａｙ）などのフラットパネルディスプレイ（Ｆｌａｔ  Ｐａｎｅｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ）用基板を保持する基板保持機構及びプラズマ処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
フラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）のパネル製造においては，一般にガラスなどの絶縁体からなる基板上に画素のデバイスまたは電極や配線等が形成される。このようなパネル製造の様々な工程のうち，エッチング，ＣＶＤ，アッシング，スパッタリング等の微細加工は，プラズマ処理装置によって行われる。プラズマ処理装置は，例えば減圧可能な処理容器内で基板を下部電極を構成するサセプタを備える載置台の上に載置し，サセプタに高周波電力を供給することによって，基板上に処理ガスのプラズマを形成し，このプラズマによって基板上にエッチングなどの所定の処理を行うようになっている。
【０００３】
この場合，プラズマ処理中の発熱による温度上昇を抑えて基板の温度を一定に制御する必要がある。このため，チラー装置より温調された冷媒を載置台内の冷媒通路に循環供給すると同時に，Ｈｅガスなどの伝熱性の良いガス（伝熱ガス）を載置台の中を通して基板の裏面に供給して，基板を間接的に冷却する方式がよく用いられている。この冷却方式は，Ｈｅガスの供給圧力に抗して基板を載置台上に固定保持する必要があるため，載置台上に基板保持部を設け，例えば静電吸着力より基板保持部の基板保持面に基板を吸着保持するようになっている。
【０００４】
載置台上の基板保持面に対して基板が位置ずれしていると，サセプタ上で基板保持面が露出するので，この状態でサセプタに高周波電力を印加してプラズマを発生させると，異常放電が発生してサセプタを損傷させる虞がある。従って，このような基板の位置ずれをプラズマを発生させる前に検出することができれば，異常放電の発生を未然に防ぐことができる。
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−１１６６４５号公報
【特許文献２】特開平１１−１８６３７０号公報
【特許文献３】特開平４−３５９５３９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで，近年ではＦＰＤ用の絶縁基板は益々大型化の要求が高まっている。このようなＦＰＤ用基板は，半導体ウエハに比べてはるかにサイズが大きいため，搬送アームなどの搬送機構を使っても載置台上に正確に基板を載置させるのは極めて困難となる。従って，ＦＰＤ用基板の場合には，基板の位置ずれを異常放電が発生しない範囲である程度許容できるようにすることが必要となる。
【０００７】
このような位置ずれに対する対策方法として，半導体ウエハの技術では，例えば特許文献１，２に記載のものが知られている。これらの技術は，エッジリングに傾斜面を形成したり，傾斜する突起を半導体ウエハの載置される領域の外側に設けることによって，半導体ウエハが位置ずれしてその端部がエッジリングや突起の斜面に引っかかっても，傾斜面を滑り落ちて位置ずれを修正することができるようにしたものである。
【０００８】
しかしながら，このような技術を半導体ウエハに比べてはるかにサイズが大きいＦＰＤ用基板ではその重量も半導体ウエハに比べて大きいため，ＦＰＤ用基板の端部がエッジリングや突起の斜面に引っかかっても，傾斜面を滑り落ち難く，乗り上げたままになってしまって位置ずれが修正できない蓋然性が高い。
【０００９】
また，例えば特許文献３に記載の技術のように，載置台の上部に圧力測定孔を設け，圧力測定孔を介して圧力測定ガスを載置台と半導体ウエハとの間に供給して圧力測定ガスの圧力を監視するものがある。この方法では，例えば半導体ウエハがない場合や静電保持力が小さい場合には，圧力測定孔から圧力測定ガスが漏れて圧力が低下するため，その圧力を監視することによって，載置台上の半導体ウエハの有無と保持状態を検出する。しかしながら，この方法では半導体ウエハの位置ずれまでは検出できない。
【００１０】
そこで，本発明は，このような問題に鑑みてなされたもので，その目的とするところは，被処理基板の位置ずれをある程度許容しつつ，異常放電の発生を未然に防止できる基板保持機構及びプラズマ処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するために，本発明のある観点によれば，プラズマが生成される空間内で絶縁体からなる矩形の被処理基板を載置保持する基板保持機構であって，前記被処理基板を載置保持する矩形の載置台と，前記載置台とこの載置台の基板保持面に保持された被処理基板との間にガスを供給するためのガス流路と，前記載置台の基板保持面に形成され，前記ガス流路からのガスを前記基板保持面上に案内する複数のガス孔と，前記ガス孔が形成される領域が前記基板保持面の内側になるようにして，前記ガス孔形成領域全面にわたって形成される凹部と，前記基板保持面の前記ガス孔形成領域の外周に形成される枠部と，前記枠部に形成した複数の基板位置ずれ検出孔と，前記基板位置ずれ検出孔と前記凹部とを連通する連通路と，前記ガス流路の圧力を測定する圧力測定手段と，前記載置台上に被処理基板を保持したときに，前記圧力測定手段からの検出圧力に基づいて前記ガス孔からのガスの漏れ量を検出し，その検出結果に基づいて前記所定の位置ずれ許容量以上の前記被処理基板の位置ずれの有無を検出する位置ずれ検出手段とを備えることを特徴とする基板保持機構が提供される。
【００１２】
このような構成の本発明によれば，基板位置ずれ検出孔には，連通路を介して伝熱ガス（例えばＨｅガス）が流れる。このため，被処理基板が位置ずれしていない場合には，基板位置ずれ検出孔は被処理基板で塞がれるのでガスが漏れないのに対して，被処理基板が基板保持面の一部が露出するほどの位置ずれしている場合には，基板位置ずれ検出孔からのガスの漏れ量が増大するので，位置ずれを検出することができる。これにより，被処理基板の位置ずれをある程度許容しつつ，被処理基板の位置ずれによる異常放電の発生を未然に防ぐことができる。
【００１３】
この場合，上記基板位置ずれ検出孔は，前記枠部の４つの角部に形成されることが好ましい。この４つの基板位置ずれ検出孔だけで，被処理基板が基板保持面に対して平行に位置ずれしている場合のみならず，被処理基板が基板保持面に対して斜行して位置ずれしている場合についても，被処理基板の位置ずれを検出することができる。また，上記凹部の下面には，この凹部が形成されている領域内で基板を保持する多数の凸部を設けるようにしてもよい。
【００１４】
上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，プラズマが生成される空間内で絶縁体からなる被処理基板を載置保持する基板保持機構であって，前記被処理基板を載置保持する載置台と，前記載置台とこの載置台の基板保持面に保持された被処理基板との間にガスを供給するためのガス流路と，前記載置台の基板保持面に形成され，前記ガス流路からのガスを前記基板保持面上に案内する複数のガス孔と，前記被処理基板が前記載置台の基板保持面の基準位置にあるとしたときのその被処理基板の周縁よりも外側に所定の位置ずれ許容量だけ離間して前記周縁に沿って配設され，前記載置台の基板保持面よりも高くなるように突出した位置ずれ検出用突起と，前記ガス流路の圧力を測定する圧力測定手段と，前記載置台上に被処理基板を保持したときに，前記圧力測定手段からの検出圧力に基づいて前記ガス孔からのガスの漏れ量を検出し，その検出結果に基づいて前記所定の位置ずれ許容量以上の前記被処理基板の位置ずれの有無を検出する位置ずれ検出手段と，を備えることを特徴とする基板保持機構が提供される。
【００１５】
上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，処理室内に処理ガスを導入し，前記処理ガスのプラズマを発生させることによって，処理室内の載置台に載置保持された絶縁体からなる被処理基板に所定のプラズマ処理を施すプラズマ処理装置であって，前記載置台とこの載置台の基板保持面に保持された被処理基板との間にガスを供給するためのガス流路と，前記載置台の基板保持面に形成され，前記ガス流路からのガスを前記基板保持面上に案内する複数のガス孔と，前記被処理基板が前記載置台の基板保持面の基準位置にあるとしたときのその被処理基板の周縁よりも外側に所定の位置ずれ許容量だけ離間して前記周縁に沿って配設され，前記載置台の基板保持面よりも高くなるように突出した位置ずれ検出用突起と，前記ガス流路の圧力を測定する圧力測定手段と，前記載置台上に被処理基板を保持したときに，前記圧力測定手段からの検出圧力に基づいて前記基板位置ずれ検出孔からのガスの漏れ量を検出し，その検出結果に基づいて前記所定の位置ずれ許容量以上の前記被処理基板の位置ずれの有無を検出する位置ずれ検出手段とを備えることを特徴とするプラズマ処理装置が提供される。
【００１６】
このような構成の本発明によれば，被処理基板の基準位置から所定の位置ずれ許容量だけ離間して位置ずれ検出用突起を形成することにより，被処理基板が所定の位置ずれ許容量を超えて位置ずれしている場合には，被処理基板の一部が位置ずれ検出用突起に乗り上げてガス孔からのガスの漏れ量が増大するので，被処理基板の位置ずれを検出することができる。これにより，被処理基板上にプラズマを形成する前に位置ずれを検出することができるので，被処理基板の位置ずれをある程度許容しつつ，被処理基板の位置ずれによる異常放電の発生を未然に防ぐことができる。
【００１７】
この場合，上記位置ずれ許容量は，前記載置台に被処理基板を保持したときに前記載置台の基板保持面が露出しない範囲で設定することが好ましい。これにより，例えば基板が伝熱ガスのガス孔形成領域を外れる程度に大きく位置ずれしている場合はもちろん，基板保持面の一部が露出する程度の微小な位置ずれしている場合にも，伝熱ガスがガス孔からの漏れ量が増大するので，位置ずれを検出することができる。これにより，被処理基板の位置ずれをある程度許容しつつ，被処理基板の位置ずれによる異常放電の発生を未然に防ぐことができる。
【００１８】
また，上記載置台は，例えばサセプタと，前記サセプタ上に設けられ，前記基板保持面で前記被処理基板を保持する基板保持部と，前記サセプタ及び前記基板保持部の周囲を囲むように配設される外枠部とを備え，前記位置ずれ検出用突起は，例えば前記外枠部の上部に形成される。これによれば，位置ずれ検出用突起を外枠部の上部に形成するという簡単な構成で被処理基板の位置ずれを検出することができ，異常放電の発生を未然に防ぐことができる。
【００１９】
また，上記基板保持面のサイズは，前記被処理基板のサイズよりも寸法２ａだけ小さいものとし，前記位置ずれ許容量を寸法ｂとすると，各寸法ａ，ｂの関係は，ａ＞ｂであることが好ましい。このような位置に位置ずれ検出用突起を配置することによって，例えば被処理基板が基準位置から位置ずれしていても，被処理基板が位置ずれ検出用突起に乗り上げない位置では，基板保持面の一部が露出することはないので位置ずれを許容できる。これに対して，基板保持面の一部が露出するほど被処理基板が位置ずれしている場合には，被処理基板が位置ずれ検出用突起に乗り上げるため，ガス孔からのガスの漏れ量が増大するので，これらの位置ずれを検出することができる。これにより，被処理基板の位置ずれをある程度許容しつつ，被処理基板の位置ずれによる異常放電の発生を未然に防ぐことができる。
【００２０】
また，上記外枠部の上部の高さをｈ１とし，前記位置ずれ検出用突起の上部の高さをｈ２とし，前記基板保持面の高さをｈとすると，前記各高さｈ１，ｈ，ｈ２の関係は，ｈ１≦ｈ＜ｈ２であることが好ましい。このような位置に位置ずれ検出用突起を配置することによって，被処理基板が位置ずれ検出用突起に乗り上げたときに，基板保持面から被処理基板を持ち上げることができるのでガス孔からのガスの漏れ量が増大させることができる。
【００２１】
また，上記位置ずれ検出用突起は，例えば前記被処理基板の周縁に沿って枠状に形成してもよく，また，上記位置ずれ検出用突起は，駒状に形成して，その駒状の位置ずれ検出用突起を前記被処理基板の周縁に沿って複数設けるようにしてもよい。このような位置ずれ検出用突起によれば，位置ずれ検出用突起を必要な位置に取付けるだけという極めて簡単な構成で被処理基板の位置ずれを検出することができる。さらに，上記位置ずれ検出用突起は，着脱可能に設けるようにしてもよい。これにより，位置ずれ検出用突起３３２の交換が容易となる。また，基板の形状等に応じて適切な位置に配置を変えることができるとともに，適切な形状のものに交換することもできる。
【００２２】
なお，上記基板保持部は，例えば下部誘電体層と上部誘電体層との間に電極板を挟んで構成し，前記電極板に所定の電圧を印加することによって発生する静電吸着力によって前記基板保持面に前記被処理基板を吸着保持するようにしてもよい。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば，被処理基板の位置ずれをある程度許容しつつ，異常放電の発生を未然に防止できる基板保持機構及びプラズマ処理装置を提供できるものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下に添付図面を参照しながら，本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお，本明細書及び図面において，実質的に同一の機能構成を有する構成要素については，同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００２５】
（プラズマ処理装置の構成例）
先ず，本発明を複数のプラズマ処理装置を備えるマルチチャンバータイプの処理装置に適用した場合の実施形態について図面を参照しながら説明する。図１は，本実施形態にかかる処理装置１００の外観斜視図である。同図に示す処理装置１００は，フラットパネルディスプレイ用基板（ＦＰＤ用基板）Ｇに対してプラズマ処理を施すための３つのプラズマ処理装置を備える。プラズマ処理装置はそれぞれ処理室２００を備える。
【００２６】
処理室２００内には，例えばＦＰＤ用基板Ｇを載置する載置台が設けられており，この載置台の上方に処理ガス（例えばプロセスガス）を導入するためのシャワーヘッドが設けられている。載置台は下部電極を構成するサセプタを備え，これと平行に対向して設けられるシャワーヘッドは上部電極としての機能も兼ねる。各処理室２００では同一の処理（例えばエッチング処理等）を行っても良いし，互いに異なった処理（例えばエッチング処理とアッシング処理等）を行うようにしても良い。なお，処理室２００内の具体的構成例については後述する。
【００２７】
各処理室２００はそれぞれ，断面多角形状（例えば断面矩形状）の搬送室１１０の側面にゲートバルブ１０２を介して連結されている。搬送室１１０にはさらに，ロードロック室１２０がゲートバルブ１０４を介して連結されている。ロードロック室１２０には，基板搬出入機構１３０がゲートバルブ１０６を介して隣設されている。
【００２８】
基板搬出入機構１３０にそれぞれ２つのインデクサ１４０が隣設されている。インデクサ１４０には，ＦＰＤ用基板Ｇを収納するカセット１４２が載置される。カセット１４２は複数枚（例えば２５枚）のＦＰＤ用基板Ｇが収納可能に構成されている。
【００２９】
このようなプラズマ処理装置によってＦＰＤ用基板Ｇに対してプラズマ処理を行う際には，先ず基板搬出入機構１３０によりカセット１４２内のＦＰＤ用基板Ｇをロードロック室１２０内へ搬入する。このとき，ロードロック室１２０内に処理済みのＦＰＤ用基板Ｇがあれば，その処理済みのＦＰＤ用基板Ｇをロードロック室１２０内から搬出し，未処理のＦＰＤ用基板Ｇと置き換える。ロードロック室１２０内へＦＰＤ用基板Ｇが搬入されると，ゲートバルブ１０６を閉じる。
【００３０】
次いで，ロードロック室１２０内を所定の真空度まで減圧した後，搬送室１１０とロードロック室１２０間のゲートバルブ１０４を開く。そして，ロードロック室１２０内のＦＰＤ用基板Ｇを搬送室１１０内の搬送機構（図示せず）により搬送室１１０内へ搬入した後，ゲートバルブ１０４を閉じる。
【００３１】
搬送室１１０と処理室２００との間のゲートバルブ１０２を開き，上記搬送機構により処理室２００内の載置台に未処理のＦＰＤ用基板Ｇを搬入する。このとき，処理済みのＦＰＤ用基板Ｇがあれば，その処理済みのＦＰＤ用基板Ｇを搬出し，未処理のＦＰＤ用基板Ｇと置換える。
【００３２】
処理室２００内では，処理ガスをシャワーヘッドを介して処理室内に導入し，下部電極或は上部電極，又は上部電極と下部電極の両方に高周波電力を供給することによって，下部電極と上部電極との間に処理ガスのプラズマを発生させることによって，載置台上に保持されたＦＰＤ用基板Ｇに対して所定のプラズマ処理を行う。
【００３３】
（処理室の構成例）
【００３４】
次に，処理室２００の具体的構成例について図面を参照しながら説明する。ここでは，本発明のプラズマ処理装置を，例えばガラス基板などのＦＰＤ用の絶縁基板（以下，単に「基板」とも称する）Ｇをエッチングする容量結合型プラズマ（ＣＣＰ）エッチング装置に適用した場合の処理室の構成例について説明する。図２は，処理室２００の概略構成を示す断面図である。
【００３５】
図２に示す処理室２００は，例えば表面が陽極酸化処理（アルマイト処理）されたアルミニウムからなる略角筒形状の処理容器２０２を備える。処理容器２０２はグランドに接地されている。処理室２００内の底部には，下部電極を構成するサセプタ３１０を有する載置台３００が配設されている。載置台３００は，矩形の基板Ｇを固定保持する基板保持機構として機能し，矩形の基板Ｇに対応した矩形形状に形成される。この載置台の具体的構成例は後述する。
【００３６】
載置台３００の上方には，サセプタ３１０と平行に対向するように，上部電極として機能するシャワーヘッド２１０が対向配置されている。シャワーヘッド２１０は処理容器２０２の上部に支持されており，内部にバッファ室２２２を有するとともに、サセプタ３１０と対向する下面には処理ガスを吐出する多数の吐出孔２２４が形成されている。このシャワーヘッド２１０はグランドに接地されており，サセプタ３１０とともに一対の平行平板電極を構成している。
【００３７】
シャワーヘッド２１０の上面にはガス導入口２２６が設けられ，ガス導入口２２６にはガス導入管２２８が接続されている。ガス導入管２２８には，開閉バルブ２３０，マスフローコントローラ（ＭＦＣ）２３２を介して処理ガス供給源２３４が接続されている。
【００３８】
処理ガス供給源２３４からの処理ガスは，マスフローコントローラ（ＭＦＣ）２３２によって所定の流量に制御され，ガス導入口２２６を通ってシャワーヘッド２１０のバッファ室２２２に導入される。処理ガス（エッチングガス）としては，例えばハロゲン系のガス，Ｏ２ガス，Ａｒガスなど，通常この分野で用いられるガスを用いることができる。
【００３９】
処理室２００の側壁には基板搬入出口２０４を開閉するためのゲートバルブ１０２が設けられている。また，処理室２００の側壁の下方には排気口が設けられ，排気口には排気管２０８を介して真空ポンプ（図示せず）を含む排気装置２０９が接続される。この排気装置２０９により処理室２００の室内を排気することによって，プラズマ処理中に処理室２００内を所定の真空雰囲気（たとえば１０ｍＴｏｒｒ＝約１．３３Ｐａ）に維持することができる。
【００４０】
（基板保持機構を適用した載置台の構成例）
ここで，本発明にかかる基板保持機構を適用した載置台３００の具体的な構成例について図２，図３を参照しながら説明する。図３は，載置台３００の伝熱ガス供給機構の構成例を説明する図である。図３は，図２に示す載置台３００の上部分の断面を簡略化して示したものである。図３では，説明を簡単にするために図２に示す静電保持部３２０を省略している。
【００４１】
図２に示すように，載置台３００は，絶縁性のベース部材３０２と，このベース部材３０２上に設けられる導電体（例えばアルミニウム）からなる矩形ブロック状のサセプタ３１０とを備える。なお，サセプタ３１０の側面は，図２に示すように絶縁被膜３１１で覆われている。
【００４２】
サセプタ３１０上には，基板Ｇを基板保持面で保持する基板保持部の１例としての静電保持部３２０が設けられる。静電保持部３２０は，例えば下部誘電体層と上部誘電体層との間に電極板３２２を挟んで構成される。載置台３００の外枠を構成し，上記ベース部材３０２，サセプタ３１０，静電保持部３２０の周りを囲むように，例えばセラミックや石英の絶縁部材からなる矩形枠状の外枠部３３０が配設される。
【００４３】
なお，静電保持部３２０の下部誘電体層および上部誘電体層は，その体積固有抵抗値が１×１０１４Ω・ｃｍ以上の絶縁体，例えばアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）およびジルコニア（ＺｒＯ２）の少なくとも一方を主成分とするセラミックスにより構成することが好ましい。電極板３２２は，任意の導電体材でよく，たとえばタングステンからなる。公知のプラズマ溶射法により，サセプタ３１０上に下部誘電体層，電極板３２２，上部誘電体層の三層を順次重ねて形成することができる。
【００４４】
静電保持部３２０の電極板３２２には，直流（ＤＣ）電源３１５がスイッチ３１６を介して電気的に接続されている。スイッチ３１６は，例えば電極板３２２に対してＤＣ電源３１５とグランド電位とを切り換えられるようになっている。なお，電極板３２２と直流（ＤＣ）電源３１５との間に，サセプタ３１０側からの高周波を遮断して，サセプタ３１０側の高周波がＤＣ電源３１５側に漏洩するのを阻止する高周波遮断部（図示しない）を設けてもよい。高周波遮断部は，１ＭΩ以上の高い抵抗値を有する抵抗器または直流を通すローパスフィルタで構成するのが好ましい。
【００４５】
スイッチ３１６がＤＣ電源３１５側に切り換えられると，ＤＣ電源３１５からのＤＣ電圧が電極板３２２に印加される。このＤＣ電圧が正極性の電圧である場合，基板Ｇの上面には負の電荷（電子、負イオン）が引き付けられるようにして蓄積する。これにより，基板Ｇ上面の負の面電荷と電極板３２２との間に基板Ｇおよび上部誘電体層を挟んで互いに引き合う静電吸着力つまりクーロン力が働き，この静電吸着力で基板Ｇは載置台３００上に吸着保持される。スイッチ３１６がグランド側に切り換えられると，電極板３２２が除電され，これに伴って基板Ｇも除電され，上記クーロン力つまり静電吸着力が解除される。
【００４６】
サセプタ３１０には，整合器３１２を介して高周波電源３１４の出力端子が電気的に接続されている。高周波電源３１４の出力周波数は，比較的高い周波数たとえば１３．５６ＭＨｚに選ばれる。高周波電源３１４からの高周波電力は，プラズマ発生用とバイアス用とに兼用される。すなわち，プラズマ処理中にサセプタ３１０に印加される高周波電源３１４からの高周波電力によって，基板Ｇの上には処理ガスのプラズマＰＺが生成されるとともに，プラズマＰＺ中のイオンが基板Ｇの上面（被処理面）に引き込まれる。これにより，基板Ｇ上に所定のプラズマエッチング処理が施される。
【００４７】
サセプタ３１０の内部には冷媒流路３４０が設けられており，チラー装置（図示せず）から所定の温度に調整された冷媒が冷媒流路３４０を流れるようになっている。この冷媒によって，サセプタ３１０の温度を所定の温度に調整することができる。
【００４８】
載置台３００は，静電保持部３２０の基板保持面と基板Ｇの裏面との間に伝熱ガス（例えばＨｅガス）を所定の圧力で供給する伝熱ガス供給機構を備える。伝熱ガス供給機構は，伝熱ガスをサセプタ３１０内部のガス流路３５２を介して基板Ｇの裏面に所定の圧力で供給するようになっている。
【００４９】
伝熱ガス供給機構は，具体的には例えば図３に示すように構成される。すなわち，サセプタ３１０の上面及び静電保持部３２０にはガス孔３５４が多数設けられており，これらのガス孔３５４は上記ガス流路３５２に連通している。ガス孔３５４は，例えば図１５Ａ，図１５Ｂに示すように，基板保持面外周から例えば寸法ｃだけ内側のガス孔形成領域Ｒに所定間隔で多数配列されている。
【００５０】
ガス流路３５２には，例えば伝熱ガスとしてＨｅガスを供給するＨｅガス供給源３６４が圧力調整バルブ（ＰＣＶ：Ｐｒｅｓｓｕｒｅ  Ｃｏｎｔｒｏｌ  Ｖａｌｖｅ）３６２を介して接続されている。圧力制御バルブ（ＰＣＶ）３６２は，ガス孔３５４側へ供給されるＨｅガスの圧力が所定の圧力になるように流量を調整するものである。
【００５１】
圧力制御バルブ（ＰＣＶ）３６２は，例えばガス流路３５２を通流する伝熱ガスの圧力を測定する圧力測定手段の１例としてのマノメータ（例えばキャパシタンスマノメータ（ＣＭ））３６３を備えるとともに，図示しない流量調節バルブ（例えばピエゾバルブ），フローメータ，流量調節バルブであるピエゾバルブを制御するコントローラとが一体化されて構成されている。そして，マノメータ３６３で測定されたＨｅガスの圧力に基づいて，コントローラが例えばＰＩＤ制御によりガス圧が一定になるようにピエゾバルブを制御してＨｅガス流量を制御する。
【００５２】
これら圧力調整バルブ（ＰＣＶ）３６２，Ｈｅガス供給源３６４はそれぞれ，処理装置１００の各部を制御する制御部４００に接続されている。制御部４００は，Ｈｅガス供給源３６４を制御してＨｅガスを流出させて，圧力調整バルブ（ＰＣＶ）３６２によってＨｅガスを所定の流量に調整してガス流路３５２に供給する。これにより，Ｈｅガスは，ガス流路３５２及びガス孔３５４を通って基板Ｇの裏面に所定の圧力で供給される。このとき，制御部４００は，ガス流路３５２の圧力を圧力調整バルブ（ＰＣＶ）３６２のマノメータ３６３によって測定し，測定した圧力に基づいて例えば基板Ｇを静電吸着する際におけるＨｅガスの漏れ量をモニタリングすることができる。
【００５３】
なお，上記ではガス流路３５２にマノメータ３６３と流量調整バルブとが一体化された圧力調整バルブ（ＰＣＶ）３６２を用いたが，これに限らず，ガス流路３５２にこれらマノメータ３６３と流量調整バルブとを別個に設けるようにしてもよい。また，マノメータとしてもキャパシタンスマノメータに限らず種々のマノメータを用いることができ，流量調節バルブとしてもピエゾバルブに限らず，例えばソレノイドバルブであってもよい。
【００５４】
このような伝熱ガス（例えばＨｅガス）の漏れ量は，基板が位置ずれしていると変化するので，本発明者らは，伝熱ガスの漏れ量の変化によって基板の位置ずれを検出できないかを検討した。ところが，半導体ウエハに比べて極めてサイズの大きいＦＰＤ用基板については独自の問題がある。
【００５５】
ＦＰＤ用基板のように極めて大きいサイズの基板Ｇでは，ＦＰＤ用基板よりもはるかに小さいサイズの半導体ウエハに比べて，搬送アームなどの搬送機構を使っても載置台上に正確に載置させるのは極めて困難である。従って，従来は，ある程度の基板Ｇの位置ずれを許容できるようにするために，例えば図４，図５に示すように外枠部３３３の上面と載置台３０１の載置面（静電保持部の基板保持面）とをほぼ同じ高さにして，外枠部３３３の上面が載置台３０１の載置面から突出しないようにしていた。
【００５６】
このような構成では，例えば図４に示すように基板ＧがＨｅガスのガス孔３５４の形成領域Ｒから外れるほど大きく位置ずれしている場合には，ガス孔３５４の形成領域Ｒ上の基板Ｇがない部分からＨｅガスが漏洩するので，Ｈｅガスの漏れ量が大きくなる。従って，この場合には，Ｈｅガスの漏れ量をモニタリングすることによって基板Ｇが位置ずれていることを検出できるものと考えられる。
【００５７】
これに対して，図５に示すように基板ＧがＨｅガスのガス孔３５４の形成領域Ｒを外れない程度の微小な位置ずれの場合は，ガス孔３５４の形成領域Ｒ上に基板ＧがあるのでＨｅガスの漏れ量はほとんど変化しないため，基板Ｇの位置ずれを検出できない。
【００５８】
しかしながら，基板Ｇの位置ずれがガス孔３５４の形成領域Ｒを外れない程度であっても，サセプタ３１０上の一部（基板保持面の一部）が露出してしまうと，図５に示すように基板Ｇ上にプラズマＰＺを形成した際に異常放電が発生してサセプタ３１０を損傷させる虞がある。
【００５９】
そこで，本実施形態では，外枠部の上部に基板の基準位置から所定の基板位置ずれ許容量だけ離間して位置ずれ検出用突起を形成することにより，基板が所定の基板位置ずれ許容量を超えて位置ずれしている場合には，基板の一部が位置ずれ検出用突起に乗り上げてガス孔からの伝熱ガスの漏れ量が増大することを利用して，基板の位置ずれを検出することができるようにした。
【００６０】
これによれば，例えば基板が伝熱ガスのガス孔形成領域を外れる程度に大きく位置ずれしている場合はもちろん，サセプタ上の一部（基板保持面の一部）が露出する程度の微小な位置ずれしている場合にも，伝熱ガスがガス孔からの漏れ量が増大するので，位置ずれを検出することができる。例えば制御部４００により圧力調整バルブ（ＰＣＶ）３６２のマノメータ３６３で検出された圧力からガス流路３５２を通流する伝熱ガスの圧力に基づいて伝熱ガスの漏れ量をモニタリングし，漏れ量が予め設定値を超える場合には，基板Ｇが位置ずれしていると判断することができる。このように，制御部４００は基板Ｇの位置ずれ検出手段を構成する。これにより，基板Ｇ上にプラズマＰＺを形成する前に位置ずれを検出することができるので，基板の位置ずれによる異常放電の発生を未然に防ぐことができる。
【００６１】
このような本実施形態にかかる位置ずれ検出用突起の構成例について図面を参照しながら説明する。図３は，外枠部３３０の上部に段部を形成し，この段部を位置ずれ検出用突起３３２とした場合の具体例である。
【００６２】
図３を例に挙げて，位置ずれ検出用突起３３２の配置例を説明する。図３に示すように，基板ＧのサイズをＬＧとし，載置台３００の基板保持面，すなわち静電保持部３２０の基板保持面のサイズをＬＳとする。なお，ここでのサイズは，基板Ｇなどの矩形形状のいずれか一辺の長さを示す。
【００６３】
この場合，基板保持面のサイズＬＳは，基板ＧのサイズＬＧよりも寸法２ａだけ小さいものとする。すなわち，基板保持面と基板Ｇの中心が一致し，基板Ｇの各辺が基板保持面の各辺と平行になるような基板Ｇの位置を基準位置とすれば，基板Ｇが基準位置にあるときには，基板保持面から基板Ｇの周端部が全周にわたって寸法ａだけ張り出すことになる。
【００６４】
また，基板Ｇが基準位置にあるとしたときの基板Ｇの周縁から寸法ｂだけ離れた位置に位置ずれ検出用突起３３２を形成したとすると，上記の各寸法ａ，ｂの関係は，ａ＞ｂであることが好ましい。このような位置に位置ずれ検出用突起３３２を配置することによって，例えば図６に示すように，基板Ｇが基準位置から位置ずれしていても，基板Ｇが位置ずれ検出用突起３３２に乗り上げない位置では，サセプタ３１０上の一部（基板保持面の一部）が露出することはない。この寸法ｂは位置ずれ許容量であり，基板Ｇの周縁から寸法ｂまでの範囲は，サセプタ３１０上の一部（基板保持面の一部）が露出しない範囲であり，この範囲では異常放電が発生しないので，基板Ｇの位置ずれを許容できる範囲となる。
【００６５】
これに対して，図７に示すようにサセプタ３１０上の一部（基板保持面の一部）が露出するほど基板Ｇが位置ずれしている場合には，基板Ｇが位置ずれ検出用突起３３２に乗り上げるため，ガス孔３５４からのＨｅガスの漏れ量が増大するので，これらの位置ずれを検出することができる。これにより，基板Ｇの位置ずれをある程度許容しつつ，基板Ｇの位置ずれによる異常放電の発生を未然に防ぐことができる。
【００６６】
さらに，外枠部３３０の上部（位置ずれ検出用突起３３２よりも内側の低い部分）の高さをｈ１とし，位置ずれ検出用突起３３２の上部の高さをｈ２とし，基板保持面の高さをｈとすると，各高さｈ１，ｈ，ｈ２の関係は，ｈ１≦ｈ＜ｈ２であることが好ましい。このような位置に位置ずれ検出用突起３３２を配置することによって，基板Ｇが位置ずれ検出用突起３３２に乗り上げたときに，基板保持面から基板Ｇを持ち上げることができるのでＨｅガスのガス孔３５４からの漏れ量が増大させることができる。
【００６７】
また，位置ずれ検出用突起３３２を外枠部３３０の上部に形成するという簡単な構成で，基板Ｇの位置ずれを検出することができ，基板Ｇの位置ずれによる異常放電の発生を未然に防ぐことができる。このような位置ずれ検出用突起３３２は，基板Ｇが基板保持面の基準位置にあるとした場合の基板Ｇの外周に沿って形成される。例えば図８に示すように位置ずれ検出用突起３３２は，外枠部３３０上に，点線で示す基板保持面の基準位置にある基板Ｇから上記位置ずれ許容量に相当する寸法ｂだけ離れた位置から外側に外枠部３３０の全周にわたって形成される。なお，外枠部３３０は，必ずしも一体で構成しなくてもよく，例えば複数に分割された枠部材を組み合わせた分割構造で構成してもよい。また，位置ずれ検出用突起３３２についても，一体で構成してもよく，分割構造で構成してもよい。
【００６８】
また，図９に示すように，駒状に形成した位置ずれ検出用突起３３２を，基板Ｇの外周に沿って複数配置してもよい。この場合，例えば基板Ｇの短い方の辺に沿って１つずつ配置し，長い方の辺に沿って２つずつ等間隔に配置するようにする。なお，位置ずれ検出用突起３３２の数はこれに限定されるものではない。例えば，位置ずれ検出用突起３３２を基板Ｇの各辺に沿って２つ或は３つ以上設けてもよく，また基板Ｇの各辺に設ける位置ずれ検出用突起３３２を同数にしてもよく，また異なる数にしてもよい。
【００６９】
このような駒状の位置ずれ検出用突起３３２としては，図１０に示すように外枠部３３０の上に外枠部３３０と一体に構成してもよく，また図１１，図１２に示すように外枠部３３０とは別体で着脱可能に構成してもよい。図１１は，位置ずれ検出用突起３３２の下側にネジ部を設け，外枠部３３０にネジ止して固定した場合の例である。また，図１２は，位置ずれ検出用突起３３２にねじ穴を設け，このねじ穴にネジを通してネジ止した場合の例である。このように，検出用突起３３２を外枠部３３０に着脱可能に設けることによって，位置ずれ検出用突起３３２の交換が容易となる。また，基板Ｇの形状等に応じて適切な位置に配置を変えることができるとともに，適切な形状のものに交換することもできる。
【００７０】
また，位置ずれ検出用突起３３２は，図１３に示すように基板Ｇが基板保持面の基準位置にあるとした場合の基板Ｇの外周に沿って枠状に形成してもよく，また，図１４に示すようにＬ字状の位置ずれ検出用突起３３２をそれぞれ４つの角部にネジなどで固定するようにしてもよい。このような駒状の位置ずれ検出用突起３３２であれば，外枠部の上部にねじで取付けるという極めて簡単な構成で，基板Ｇの位置ずれを検出することができる。なお，外枠部３３０は，必ずしも一体で構成しなくてもよく，例えば複数に分割された枠部材を組み合わせた分割構造で構成してもよい。また，図１３に示す位置ずれ検出用突起３３２についても，一体で構成してもよく，また分割構造で構成してもよい。
【００７１】
なお，上記載置台３００の基板保持面の構成は，図３に示すものに限られるものではない。例えば図１５Ａ，図１５Ｂに示すように基板保持面にガス孔３５４の形成領域Ｒ全体にわたって極浅い凹部３５６を設けるようにしてもよい。この凹部３５６により，ガス孔形成領域Ｒと基板Ｇとの間に空間ができ，各ガス孔３５４から噴出するＨｅガスは，凹部３５６により形成された空間内に入り込むので，Ｈｅガスにより基板Ｇの面内をより均一に温度調整することができる。また，上記凹部３５６の下面には，この凹部３５６が形成されている領域内で基板Ｇを保持する多数の凸部３５５が格子状に設けられている。
【００７２】
この場合でも，図１５Ａ，図１５Ｂに示すようにガス孔形成領域Ｒに凹部３５６を設けることによって，その外周にわたって寸法ｃの幅で枠部３５８が形成される。このため，基板Ｇが静電吸着力により基板保持面に保持されることによって，基板Ｇは枠部３５８に所定の圧力で押しつけられるので，Ｈｅガスがシールされる。
【００７３】
なお，この枠部３５８には，図１６Ａ，図１６Ｂに示すような基板位置ずれ検出孔３１７を形成し，この基板位置ずれ検出孔３１７を凹部３５６と基板Ｇとの間に形成される空間に連通させるための連通路３１８を形成するようにしてもよい。なお，この場合，基板位置ずれ検出孔３１７は，図１６Ａに示すように，例えば枠部３５８の４つの角部に設けることが好ましい。
【００７４】
このような基板位置ずれ検出孔３１７には，連通路３１８を介してＨｅガスが流れる。このため，例えば図１６Ａに示すように，基板Ｇが位置ずれしていない場合には，基板位置ずれ検出孔３１７は基板Ｇで塞がれるのでＨｅガスが漏れないのに対して，例えば図１７，図１８に示すように基板Ｇがサセプタ３１０上の一部（基板保持面の一部）が露出するほど位置ずれしている場合には，基板位置ずれ検出孔３１７からのＨｅガスの漏れ量が増大するので，位置ずれを検出することができる。これにより，基板Ｇの位置ずれをある程度許容しつつ，基板Ｇの位置ずれによる異常放電の発生を未然に防ぐことができる。
【００７５】
また，基板位置ずれ検出孔３１７を枠部３５８の４つの角部に設けるので，この４つの基板位置ずれ検出孔３１７だけで，例えば図１７のように基板Ｇが基板保持面に対して平行に位置ずれしている場合のみならず，図１８に示すように基板Ｇが基板保持面に対して斜行して位置ずれしている場合についても，基板Ｇの位置ずれを検出することができる。
【００７６】
なお，上述したように，図１６Ａ，図１６Ｂに示すような基板位置ずれ検出孔３１７を形成する場合には，基板位置ずれ検出孔３１７によって基板Ｇの位置ずれを検出できるので，必ずしも図３に示すような位置ずれ検出用突起３３２を設ける必要はない。具体的には例えば図４に示す載置台３０１の基板保持面に図１６Ａ，図１６Ｂに示すような基板位置ずれ検出孔３１７を形成することもできる。
【００７７】
以上，添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが，本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された範疇内において，各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【００７８】
例えば上記実施形態では，本発明を適用可能なプラズマ処理装置として，容量結合型プラズマ（ＣＣＰ）処理装置を例に挙げて説明したが，必ずしもこれに限定されるものではなく，低圧で高密度のプラズマ生成を可能な誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）処理装置に本発明を適用してもよい。
【００７９】
また，その他，プラズマ生成としてヘリコン波プラズマ生成、ＥＣＲ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ  Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）プラズマ生成を用いたプラズマ処理装置等にも本発明を適用可能である。
【産業上の利用可能性】
【００８０】
本発明は，基板保持機構及びプラズマ処理装置に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００８１】
【図１】本発明の実施形態にかかる処理装置の外観斜視図である。
【図２】同実施形態におけるプラズマ処理装置を構成する処理室の断面図である。
【図３】載置台の伝熱ガス供給機構の構成例を説明するための図である。
【図４】従来の載置台の作用を説明するための図であって，基板がガス孔形成領域Ｒから外れるほど大きく位置ずれしている場合である。
【図５】従来の載置台の作用を説明するための図であって，基板がガス孔形成領域Ｒから外れない程度に微小に位置ずれしている場合である。
【図６】同実施形態にかかる載置台の作用を説明するための図であって，基板の位置ずれを許容できる場合である。
【図７】従来の載置台を説明するための図であって，基板の位置ずれを許容できない場合である。
【図８】同実施形態における位置ずれ検出用突起の構成例を説明するための斜視図である。
【図９】同実施形態における位置ずれ検出用突起の他の構成例を説明するための斜視図である。
【図１０】図９に示す位置ずれ検出用突起の具体例を説明するための断面図である。
【図１１】図９に示す位置ずれ検出用突起の変形例を説明するための断面図である。
【図１２】図９に示す位置ずれ検出用突起の他の変形例を説明するための断面図である。
【図１３】同実施形態における位置ずれ検出用突起の他の構成例を説明するための斜視図である。
【図１４】同実施形態における位置ずれ検出用突起の他の構成例を説明するための斜視図である。
【図１５Ａ】同実施形態にかかる載置台の基板保持面の他の構成例を説明するための図であって，載置台を上方から見た場合の平面図である。
【図１５Ｂ】図１５ＡのＰ１−Ｐ１′断面図である。
【図１６Ａ】同実施形態にかかる載置台の基板保持面の他の構成例を説明するための図であって，載置台を上方から見た場合の平面図である。
【図１６Ｂ】図１６ＡのＰ２−Ｐ２′断面図である。
【図１７】図１６Ａに示す載置台の基板保持面に対して基板が平行に位置ずれしている場合を示す図である。
【図１８】図１６Ａに示す載置台の基板保持面に対して基板が斜行して位置ずれしている場合を示す図である。
【符号の説明】
【００８２】
１００      処理装置
１０２，１０４，１０６      ゲートバルブ
１１０      搬送室
１２０      ロードロック室
１３０      基板搬出入機構
１４０      インデクサ
１４２      カセット
２００      処理室
２０２      処理容器
２０４      基板搬入出口
２０８      排気管
２０９      排気装置
２１０      シャワーヘッド
２２２      バッファ室
２２４      吐出孔
２２６      ガス導入口
２２８      ガス導入管
２３０      開閉バルブ
２３２      マスフローコントローラ
２３４      処理ガス供給源
３００      載置台
３０２      ベース部材
３１０      サセプタ
３１１      絶縁被膜
３１２      整合器
３１４      高周波電源
３１５      ＤＣ電源
３１６      スイッチ
３１７      基板位置ずれ検出孔
３１８      連通路
３２０      静電保持部
３２２      電極板
３３０      外枠部
３３２      位置ずれ検出用突起
３３３      外枠部
３４０      冷媒流路
３５２      ガス流路
３５４      ガス孔
３５６      凹部
３５８      枠部
３６２      圧力調整バルブ（ＰＣＶ）
３６３      マノメータ
３６４      ガス供給源
４００      制御部
Ｇ        基板
【図１】
2008172170.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５Ａ】
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【図１５Ｂ】
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【図１６Ａ】
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【図１６Ｂ】
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【図１７】
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【図１８】
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