(57)【要約】【課題】有機発光表示装置及び有機発光表示装置の検査回路駆動方法を提供する。【解決手段】データ信号を印加するデータ駆動部、走査信号を印加する走査駆動部、駆動トランジスタ、駆動トランジスタに前記データ信号を印加するスイッチングトランジスタ、前記駆動トランジスタと電気的に連結される有機電界発光素子及び前記有機電界発光素子と同一基板上に形成されたベアガラス検査回路を含む。ベアガラス検査回路は、３相インバータ回路及び第１トランジスタを含む。これにより、セル間の干渉現象を防止でき、ベアガラス検査時発生する電圧降下を防止でき、走査駆動部の消費電力を測定できる。【選択図】図１
2008040450.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データ信号を印加するデータ駆動部;
走査信号を印加する走査駆動部;
第１電極及び制御電極に印加される電圧に対応する電流が発生する駆動トランジスタ;
前記駆動トランジスタに前記データ信号を印加するスイッチングトランジスタ;
前記駆動トランジスタと電気的に連結される有機電界発光素子;及び
前記有機電界発光素子と同一基板上に形成されたベアガラス検査回路を含み、
前記ベアガラス検査回路は、
３相インバータ回路及び第１トランジスタを含み、前記３相インバータは入力端子及び出力端子を含み、前記入力端子に入力される信号に関係なく出力端子の出力信号が決定される時、前記第１トランジスタは前記出力端子に第１電源電圧を伝達することを特徴とする、有機発光表示装置。
【請求項２】
前記３相インバータ回路は、
前記同一基板上に前記走査駆動部と前記データ駆動部が形成された領域以外の領域で、形成されたことを特徴とする、請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項３】
前記３相インバータ回路は、
前記同一基板上に前記走査駆動部と前記データ駆動部が形成された領域以外の領域で、形成されたことを特徴とする、請求項２に記載の有機発光表示装置。
【請求項４】
前記３相インバータ回路は、相補型半導体を含むことを特徴とする、請求項３に記載の有機発光表示装置。
【請求項５】
前記３相インバータ回路は、
制御電極に入力される第１信号に応答して第１電源電圧を前記相補型半導体の第１電極に伝達する第１トランジスタ、及び
制御電極に入力される第２信号に応答して第２電源電圧を前記相補型半導体の第２電極に伝達する第２トランジスタをさらに含むことを特徴とする、請求項４に記載の有機発光表示装置。
【請求項６】
前記相補型半導体は、
前記第１信号に応答して前記第１電源電圧を前記出力端子に伝達する第３トランジスタ、及び
前記第２信号に応答して前記第２電源電圧を前記出力端子に伝達する第４トランジスタを含むことを特徴とする、請求項５に記載の有機発光表示装置。
【請求項７】
前記第１及び第３トランジスタは、Ｐチャンネルタイプのトランジスタであり、前記第２及び第４トランジスタはＮチャンネルタイプのトランジスタであることを特徴とする、請求項６に記載の有機発光表示装置。
【請求項８】
前記３相インバータ回路は、
第１インバータサブ回路部と第２インバータサブ回路部が直列に連結される第１ノードを含み、前記第１ノードは前記３相インバータ回路の出力端子であることを特徴とする、請求項３に記載の有機発光表示装置
【請求項９】
前記第１インバータサブ回路部は、ｐ型金属酸化膜半導体で構成されて、第２インバータ回路部はｎ型金属酸化膜半導体で構成されることを特徴とする、請求項８に記載の有機発光表示装置。
【請求項１０】
前記ベアガラス検査回路は、
２相インバータ回路をさらに含み、
前記２相インターバー回路の入力端子は、前記３相インバータ回路の出力端子に電気的に連結されることを特徴とする、請求項３乃至請求項９のうち何れか一項に記載の有機発光表示装置。
【請求項１１】
有機発光素子、スイッチングトランジスタ、走査駆動部及びベアガラス検査回路を含み、前記有機発光素子、スイッチングトランジスタ、走査駆動部及びベアガラス検査回路は同一基板上に形成される有機発光表示装置のベアガラス検査回路駆動方法であって、
ベアガラス検査信号発生部から第１制御信号、第２制御信号及び検査信号が前記ベアガラス検査回路に伝達される段階;及び
前記第１制御信号及び第２制御信号に応答して前記検査信号に対応する少なくとも一つの信号を前記走査駆動部に伝達する段階を含むことを特徴とする、有機発光表示装置の検査回路駆動方法。
【請求項１２】
前記走査駆動部が前記少なくとも一つの信号を用いて、ベアガラス検査用走査信号を生成して、前記スイッチングトランジスタの制御電極に前記ベアガラス検査用走査信号を印加する段階をさらに含むことを特徴とする、請求項１１に有機発光表示装置の検査回路駆動方法。
【請求項１３】
前記第１制御信号及び第２制御信号に応答して、前記ベアガラス検査用走査信号を受信して、受信された走査信号を反転させて出力させる段階をさらに含むことを特徴とする、請求項１２に有機発光表示装置の検査回路駆動方法。
【請求項１４】
前記第１制御信号及び第２制御信号がそれぞれハイレベル及びローレベルである時、前記ベアガラス検査用走査信号を受信して、受信された走査信号を反転させて、出力させることを特徴とする、請求項１３に有機発光表示装置の検査回路駆動方法。
【請求項１５】
前記第１制御信号及び第２制御信号がそれぞれハイレベル及びローレベルである時、前記ベアガラス検査用走査信号が前記スイッチングトランジスタに印加されることを特徴とする、請求項１２に有機発光表示装置の検査回路駆動方法。
【請求項１６】
前記第１制御信号及び第２制御信号がそれぞれローレベル及びハイレベルである時、前記ベアガラス検査用走査信号が遮断されることを特徴とする、請求項１２に有機発光表示装置の検査回路駆動方法。
【請求項１７】
ベアガラス検査用電源電圧を印加するベアガラス検査用電源電圧線、有機発光素子、駆動トランジスタ、走査駆動部及び検査回路を含み、前記ベアガラス検査用電源電圧線、有機発光素子、駆動トランジスタ、走査駆動部及び検査回路は同一基板上に形成されている有機発光表示装置の検査回路駆動方法であって、
ベアガラス検査信号発生部から検査信号、制御信号及び逆相制御信号が前記検査回路に伝達される段階;
前記制御信号及び逆相制御信号に応答して、前記検査信号に対応する少なくとも一つの信号を生成して、前記走査駆動部に伝達する段階;
前記少なくとも一つの信号を用いて、走査信号を生成する段階;及び
前記走査信号に対応して、前記ベアガラス検査用電源電圧を前記駆動トランジスタの第１電極に印加する段階を含むことを特徴とする、有機発光表示装置の検査回路駆動方法。
【請求項１８】
前記制御信号及び逆相制御信号がそれぞれハイレベル及びローレベルである時、前記ベアガラス検査用電源電圧を前記駆動トランジスタの第１電極に印加することを特徴とする、請求項１７に有機発光表示装置の検査回路駆動方法。
【請求項１９】
前記制御信号及び逆相制御信号がそれぞれハイレベル及びローレベルである時、前記ベアガラス検査用電源電圧を前記駆動トランジスタの第１電極と遮断することを特徴とする、請求項１７に有機発光表示装置の検査回路駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機発光表示装置及び有機発光表示装置のベアガラス検査回路及びそれの駆動方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
最近、電子産業の発達と情報量の増加によって大画面ディスプレイ素子の研究開発が活発に進行されており、電力消耗が小さくて大画面の実現が可能なＬＣＤ、ＰＤＰまたは有機発光表示装置などの平板ディスプレイが開発された。特に、多くのディスプレイ素子のうちで超薄型が可能であり、色再現能力に優れた平板表示装置として有機電界発光（ｏｒｇａｎｉｃ  ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ；以下、有機電界発光素子という。）表示素子を用いたディスプレイ装置が注目を浴びている。このような有機電界発光装置は、ＬＣＤのような液晶表示装置に比べて応答速度が早く、自己発光形態であるため輝度に優れ、構造が簡単であって、生産が容易であり、軽量薄形の長所を持っていて、バックライト、携帯用端末機、自動航法システム、ノートパソコン、大型ＴＶなど多様な分野に用いられることができる。
【０００３】
通常有機発光表示装置は、有機電界発光素子周辺部に走査信号、発光制御信号などのような各種信号が印加される第１方向、データ信号を印加する第２方向の配線が交差する形状に配置され、この二つの配線が交差する地点に画素が形成される。このような有機発光表示装置は多数の製造過程を経て製造されるので、各製造過程中に発生する欠陥によりコスト上昇及び信頼性に問題を招来する可能性がある。
【０００４】
また、従来複数のセルを含むベアガラスを検査する方法は隣接セル間の干渉現象によって、走査配線に欠陥が発生し、漏洩電流による電圧降下で隣接セルに点灯異常が発生する。また、スクライビング前は、ベアガラス単位で走査駆動部の消費電力を測定することが不可能である。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
そこで、本発明の目的は、有機発光表示装置を含むベアガラスを検査する時のセル間干渉現象を防止でき、電圧降下を防止できる有機発光表示装置及び有機発光表示装置の検査回路の駆動方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一特徴による有機発光表示装置は、データ信号を印加するデータ駆動部、走査信号を印加する走査駆動部、第１電極及び制御電極に印加される電圧に対応する電流が発生する駆動トランジスタ、前記駆動トランジスタに前記データ信号を印加するスイッチングトランジスタ、前記駆動トランジスタと電気的に連結される有機電界発光素子、及び前記有機電界発光素子と同一基板上に形成されたベアガラス検査回路を含み、前記ベアガラス検査回路は、３相インバータ回路及び第１トランジスタを含み、前記３相インバータ回路は、制御電極に入力される第１信号に応答して第１電源電圧を前記相補型半導体の第１電極に伝達する第１トランジスタ、及び制御電極に入力される第２信号に応答して第２電源電圧を前記相補型半導体の第２電極に伝達する第２トランジスタをさらに含む。そして前記相補型半導体は、前記第１信号に応答して前記第１電源電圧を前記出力端子に伝達する第３トランジスタ、及び前記第２信号に応答して前記第２電源電圧を前記出力端子に伝達する第４トランジスタを含む。また、前記第１及び第３トランジスタはＰチャンネルタイプのトランジスタであり、前記第２及び第４トランジスタはＮチャンネルタイプのトランジスタである。更に、前記３相インバータは入力端子及び出力端子を含み、前記入力端子に入力される信号に関係なく出力が決定されれば、第１トランジスタは前記出力端子に第１電源電圧を伝達する。この時、前記３相インバータ回路は、前記同一基板上に前記走査駆動部と前記データ駆動部が形成された領域以外の領域に形成されることを特徴とする。そして前記３相インバータ回路はＣＭＯＳを含み、第１インバータサブ回路部と第２インバータサブ回路部が直列に連結される第１ノードを含む。この時、前記第１インバータサブ回路部はＰＭＯＳで構成されて、第２インバータ回路部はＮＭＯＳで構成されることを特徴とする。そして前記ベアガラス検査回路は、２相インバータ回路をさらに含み、前記第１ノードは２相インターバー回路の出力端子と電気的に連結されることを特徴とする。
【０００７】
本発明の他の特徴による有機発光表示装置のベアガラス検査回路駆動方法であって、有機発光素子、スイッチングトランジスタ、走査駆動部及びベアガラス検査回路を含み、前記有機発光素子、スイッチングトランジスタ、走査駆動部及びベアガラス検査回路は同一基板上に形成されており、ベアガラス検査信号発生部から第１制御信号、第２制御信号及び検査信号が前記ベアガラス検査回路に伝達される段階及び前記第１制御信号及び第２制御信号に応答して前記検査信号に対応する少なくとも一つの信号を前記走査駆動部に伝達する段階を含む。そして、前記走査駆動部は前記少なくとも一つの信号を用いて、ベアガラス検査用走査信号を生成して、前記スイッチングトランジスタの制御電極に前記ベアガラス検査用走査信号を印加する段階をさらに含む。また、前記第１制御信号及び第２制御信号に応答して、前記ベアガラス検査用走査信号を受信して、受信された走査信号を反転させて出力させる段階をさらに含む。この時、前記第１制御信号及び第２制御信号がそれぞれハイレベル及びローレベルである時、前記ベアガラス検査用走査信号を受信して、受信された走査信号を反転させて出力させる。そして前記第１制御信号及び第２制御信号がそれぞれハイレベル及びローレベルである時、前記ベアガラス検査用走査信号が前記スイッチングトランジスタに印加されることを特徴とする。また、前記第１制御信号及び第２制御信号がそれぞれローレベル及びハイレベルである時、前記ベアガラス検査用走査信号が遮断されることを特徴とする。
【０００８】
本発明のまた他の特徴による有機発光表示装置の検査回路駆動方法であって、ベアガラス検査用電源電圧を印加するベアガラス検査用電源電圧線、有機発光素子、駆動トランジスタ、走査駆動部及び検査回路を含み、前記ベアガラス検査用電源電圧線、有機発光素子、駆動トランジスタ、走査駆動部及び検査回路は同一基板上に形成されており、ベアガラス検査信号発生部から検査信号、制御信号及び逆相制御信号が前記検査回路に伝達される段階、前記制御信号及び逆相制御信号に応答して、前記検査信号に対応する少なくとも一つの信号を生成して、前記走査駆動部に伝達する段階、前記少なくとも一つの信号を用いて、走査信号を生成する段階、及び前記走査信号に対応して、前記ベアガラス検査用電源電圧を前記駆動トランジスタの第１電極に印加する段階を含む。この時、前記制御信号及び逆相制御信号がそれぞれハイレベル及びローレベルの時、前記ベアガラス検査用電源電圧を前記駆動トランジスタの第１電極に印加する。反面、前記制御信号及び逆相制御信号がそれぞれハイレベル及びローレベルである時、前記ベアガラス検査用電源電圧を前記駆動トランジスタの第１電極から遮断する。
【０００９】
本発明の実施形態によるベアガラス検査方法では、スクライビングなしにベアガラス状態でセル単位評価をする。ベアガラス状態でセル単位評価をするためには、走査信号がセル単位評価の対象になる一つのセルにだけ供給されなければならない。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の一つの特徴によれば、セル間の干渉現象を防止できる有機発光表示装置及び有機発光表示装置の検査回路の駆動方法を提供する。
【００１１】
また、本発明の他の特徴によれば、ベアガラス検査時発生する電圧降下を防止できる有機発光表示装置及び有機発光表示装置の検査回路の駆動方法を提供する。
【００１２】
また、本発明の更に他の特徴によれば、走査駆動部の消費電力を測定できる有機発光表示装置及び有機発光表示装置の検査回路の駆動方法を提供する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、添付した図面を参照して、本発明の好ましい実施形態について当業者が容易に実施することができるように詳細に説明する。しかしながら、本発明は多様に異なる形態で実現できるので、ここで説明する実施形態に限定されるものではない。そして、図面で本発明を明確に説明するために説明と関係ない部分は省略し、明細書全体を通じて類似した部分については類似した参照符号で示すものとする。
【００１４】
明細書全体で、どんな部分が他の部分と“連結”されているという時、これは“直接的に連結”されている場合だけでなく、その中間に他の素子を間において“電気的に連結”されている場合も含む。また、どんな部分がどんな構成要素を“含む”とする時、これは特に反対になる記載がない限り他の構成要素を除くものではなく、他の構成要素をさらに含むことができることを意味する。
【００１５】
図１は、本発明の実施形態によるベアガラス検査方法の対象になるベアガラスの一つのセルを示す図面である。
【００１６】
図１に示すように、一枚のベアガラス（原基板）に形成された複数セルのうちの一つのセル１０００は有機発光表示装置の走査駆動部１００、データ駆動部２００、表示部３００及びベアガラス検査回路４００を含む。また、各セル毎に電源（ＶＶＤＤ）を供給する第１電源配線、電源（ＶＶＳＳ）を供給する第２電源配線、第１及び第２検査信号（ＤＳ１、ＤＳ２）を伝達する第１及び第２検査信号伝達配線、走査信号（Ｓｎ）に対応する出力信号（ＯＳ）を伝達する走査信号伝達配線、第１制御信号及び第２制御信号をそれぞれ伝達する第１制御信号線（ＳＣＴＬ）及び第２制御信号線（ＳＣＴＬＢ）に連結されている。
【００１７】
走査駆動部１００は、フレームパルス（ＦＬＭ）、第１シフトクロック信号（ＳＦＴＣＬＫ）、第２シフトクロック信号（ＳＦＴＣＬＫＢ）、第１クロック信号（ＳＣＬＫ１）及び第２クロック信号（ＳＣＬＫ２）を受信して、走査信号を生成して走査線に伝達する。
【００１８】
データ駆動部２００は、外部から入力される映像入力信号に対応するデータ信号を生成してデータ線に伝達する。
【００１９】
表示部３００は有機発光素子、スイッチング素子、キャパシタ及び駆動トランジスタを含む複数の画素回路を含み、画素回路３１０は走査線及びデータ線が交差する領域に位置し、走査線及びデータ線に連結されて、走査線に応答して入力されるデータ信号に対応する電流が発生する。この電流は、有機発光素子に伝達され、有機発光素子はこの電流に対応して発光する。
【００２０】
ベアガラス検査回路４００は、第１制御信号（ＳＣＴＬ）、第２制御信号（ＳＣＴＬＢ）及び第１及び第２検査信号（ＤＳ１、ＤＳ２）を受信して、フレームパルス（ＦＬＭ）、第１シフトクロック信号（ＳＦＴＣＬＫ）、第２シフトクロック信号（ＳＦＴＣＬＫＢ）、第１クロック信号（ＳＣＬＫ１）及び第２クロック信号（ＳＣＬＫ２）を生成して走査駆動部１００に伝達する。第１制御信号（ＳＣＴＬ）及び第２制御信号（ＳＣＴＬＢ）は互いに反転した位相（逆相）を有する信号でありうる。
【００２１】
ベアガラス検査回路４００は、第１信号入力部４１０、第２信号入力部４２０及び信号受信部４３０を含む。第１信号入力部４１０は、フレームパルス（ＦＬＭ）、第１シフトクロック信号（ＳＦＴＣＬＫ）及び第２シフトクロック信号（ＳＦＴＣＬＫＢ）を生成して走査駆動部１００に伝達する。第２信号入力部４２０及び第１クロック信号（ＳＣＬＫ１）及び第２クロック信号（ＳＣＬＫ２）を生成して走査駆動部１００に伝達する。信号受信部４３０は、表示部３００の走査線から出力される走査信号が伝達され、伝達された走査信号に対応する出力信号（ＯＳ）を生成して出力する。信号受信部４３０から出力される信号を用いて走査波形を測定でき、走査駆動部の消費電力を測定できる。本発明の実施形態による図１ではベアガラス検査回路４００が第１信号入力部及び第２信号入力部だけ示したが、フレームパルス（ＦＬＭ）、第１シフトクロック信号（ＳＦＴＣＬＫ）、第２シフトクロック信号（ＳＦＴＣＬＫＢ）、第１クロック信号（ＳＣＬＫ１）及び第２クロック信号（ＳＣＬＫ２）を別途の信号入力部で生成できる。但し、フレームパルス（ＦＬＭ）、第１シフトクロック信号（ＳＦＴＣＬＫ）及び第２シフトクロック信号（ＳＦＴＣＬＫＢ）は同一な構造を有する第１信号入力部４１０で生成するので、説明の便宜上一つの第１信号入力部４１０だけ示し、第１クロック信号（ＳＣＬＫ１）及び第２クロック信号（ＳＣＬＫ２）も同一な構造を有する第２信号入力部で生成するので、説明の便宜上一つの第２信号入力部４２０だけ示した。
【００２２】
そして、図１に示すように、ベアガラス検査信号発生部５００はベアガラスで第１及び第２検査信号（ＤＳ１、ＤＳ２）、第１電源（ＶＶＤＤ）の電圧、第２電源（ＶＶＳＳ）の電圧、第１及び第２制御信号（ＳＣＴＬ、ＳＣＴＬＢ）を生成して伝送し、検査対象であるセルから出力される信号（ＯＳ）を受信する。受信した信号に応じて走査駆動部の消費電力などを測定できる。図１では、走査線（Ｓｎ）から出力される走査信号を受信する信号受信部４３０を示したが、本発明はこれに限定されず、二つ以上の走査信号を受信して、各走査信号の波形を測定し、測定された走査信号の波形により走査駆動部の消費電力を測定できる。
【００２３】
図２は、本発明の実施形態による第１信号入力部４１０を示す図面である。
【００２４】
本発明の実施形態による第１信号入力部４１０は、第１電源（ＶＶＤＤ）または第２電源（ＶＶＳＳ）の電圧を有するフレームパルス（ＦＬＭ）、第１シフトクロック信号（ＳＦＴＣＬＫ）、及び第２シフトクロック信号（ＳＦＴＣＬＫＢ）を生成する。
【００２５】
図２に示すように、第１信号入力部は３相インバータ４１１、第１インバータ４１２、及び第１トランジスタ（Ｔ１）を含む。以下、本発明の実施形態によるトランジスタは第１電極、第２電極及び制御電極としてソース電極、ドレーン電極及びゲート電極を含む。また、ＣＭＯＳは相補型半導体である。
【００２６】
３相インバータ４１１は、二つのＰＭＯＳトランジスタ（Ｐ１、Ｐ２）及び二つのＮＭＯＳトランジスタ（Ｎ１、Ｎ２）を含む。二つのＰＭＯＳトランジスタ（Ｐ１、Ｐ２）は３相インバータの第１インバータサブ回路部を構成して、二つのＮＭＯＳトランジスタ（Ｎ１、Ｎ２）は３相インバータの第２インバータサブ回路部を構成する。そして、ＰＭＯＳトランジスタ（Ｐ２）及びＮＭＯＳトランジスタ（Ｎ２）は一つのＣＭＯＳを構成する。第１インバータサブ回路部と第２インバータサブ回路部に会うノードが出力端子になる。第２制御信号（ＳＣＴＬＢ）は、ＰＭＯＳトランジスタ（Ｐ１）のゲート電極に印加され、第１制御信号（ＳＣＴＬ）はＮＭＯＳトランジスタ（Ｎ１）のゲート電極に印加される。この時、第１及び第２制御信号がそれぞれハイレベル及びローレベルである場合、ＰＭＯＳトランジスタ（Ｐ１）及びＮＭＯＳトランジスタ（Ｎ１）は導通して、第１検査信号（ＤＳ１）に応じて出力が決定される。第１検査信号（ＤＳ１）がハイレベルであれば、ＮＭＯＳトランジスタ（Ｎ２）が導通して、この時第１制御信号（ＳＣＴＬ）がハイレベルであれば、第２電源（ＶＶＳＳ）の電圧が３相インバータの出力端子に出力される。そして第１検査信号（ＤＳ１）がローレベルであれば、ＰＭＯＳトランジスタ（Ｐ２）が導通して、この時第２制御信号（ＳＣＴＬＢ）がローレベルであれば、第１電源（ＶＶＤＤ）の電圧が３相インバータの出力端子に出力される。また、第１トランジスタ（Ｔ１）は第２制御信号がゲート電極に印加され、３相インバータの４１１出力端子にドレーン電極が連結され、第２電源（ＶＶＳＳ）にソース電極が連結されている。また、第１インバータ４１２は３相インバータ４１１の出力端子及び第１トランジスタ（Ｔ１）のドレーンに入力端子が連結されており、出力端子は走査駆動部１００に連結されている。第１トランジスタ（Ｔ１）は第１及び第２制御信号（ＳＣＴＬ、ＳＣＴＬＢ）によって３相インバータ４１１の出力が入力信号に関係なく決定される時導通して、第１インバータ４１２に第２電源（ＶＶＳＳ）の電圧を伝達する。第１及び第２制御信号（ＳＣＴＬ、ＳＣＴＬＢ）それぞれがローレベル及びハイレベルであれば、ＰＭＯＳトランジスタ（Ｐ１）及びＮＭＯＳトランジスタ（Ｎ１）が全て遮断されて入力信号に関係なく出力が決定される。この時、第１トランジスタ（Ｔ１）は導通して、第１インバータ４１２の入力端子に第２電源（ＶＶＳＳ）の電圧を伝達する。
【００２７】
第１インバータ４１２は、ＰＭＯＳトランジスタ（Ｐ３）及びＮＭＯＳトランジスタ（Ｎ３）で構成されるＣＭＯＳトランジスタを含む。入力される電圧が第１電源（ＶＶＤＤ）の電圧であれば、第２電源（ＶＶＳＳ）の電圧を出力し、入力される電圧が第２電源（ＶＶＳＳ）の電圧であれば、第１電源（ＶＶＤＤ）の電圧を出力する。本発明の実施形態による第１電源（ＶＶＤＤ）の電圧はハイレベルの電圧であり、第２電源（ＶＶＳＳ）の電圧はローレベルの電圧である。
【００２８】
図３は、本発明の実施形態による第２信号入力部４２０を示す図面である。
本発明の実施形態による第２信号入力部４１０は第１電源（ＶＶＤＤ）または第２電源（ＶＶＳＳ）の電圧を有する第１クロック信号（ＳＣＬＫ１）及び第２クロック信号（ＳＣＬＫ２）を生成する。
【００２９】
図３に示すように、第２信号入力部は３相インバータ４２１、第２インバータ４２２、及び第２トランジスタ（Ｔ２））を含む。
【００３０】
３相インバータ４２１は、二つのＰＭＯＳトランジスタ（Ｐ４）、Ｐ５）及び二つのＮＭＯＳトランジスタ（Ｎ４）、Ｎ５）を含む。二つのＰＭＯＳトランジスタ（Ｐ４）、Ｐ５）は３相インバータ４２１の第３インバータサブ回路部を構成して、二つのＮＭＯＳトランジスタ（Ｎ４）、Ｎ５）は３相インバータ４２１の第４インバータサブ回路部を構成する。そして、ＰＭＯＳトランジスタ（Ｐ５）及びＮＭＯＳトランジスタ（Ｎ５）は一つのＣＭＯＳを構成する。第３インバータサブ回路部と第４インバータサブ回路部に会うノードが出力端子になる。第２制御信号（ＳＣＴＬＢ）は、ＰＭＯＳトランジスタ（Ｐ４））のゲート電極に印加されて、第１制御信号（ＳＣＴＬ）はＮＭＯＳトランジスタ（Ｎ４））のゲート電極に印加される。この時、第１及び第２制御信号（ＳＣＴＬ、ＳＣＴＬＢ）がそれぞれハイレベル及びローレベルである場合、ＰＭＯＳトランジスタ（Ｐ４））及びＮＭＯＳトランジスタ（Ｎ４））は導通して、第２検査信号（ＤＳ２）に応じて出力が決定される。第２検査信号（ＤＳ２）がハイレベルであれば、ＮＭＯＳトランジスタ（Ｎ５）が導通して、この時第１制御信号（ＳＣＴＬ）がハイレベルであれば、第２電源（ＶＶＳＳ）の電圧が３相インバータ４２１の出力端子に出力される。そして第２検査信号（ＤＳ２）がローレベルであれば、ＰＭＯＳトランジスタ（Ｐ５）がターンオンされ、この時第２制御信号（ＳＣＴＬＢ）がローレベルであれば、第１電源（ＶＶＤＤ）の電圧が３相インバータ４２１の出力端子に出力される。また、第２トランジスタ（Ｔ２））は第１制御信号（ＳＣＴＬ）がゲート電極に印加され、３相インバータ４２１の出力端子にドレーン電極が連結され、第１電源（ＶＶＤＤ）にソース電極が連結されている。また、第２インバータ４２２は３相インバータの出力端子及び第２トランジスタ（Ｔ２））のドレーンに入力端子が連結されており、出力端子は走査駆動部１００に連結されている。第２トランジスタ（Ｔ２）は第１及び第２制御信号（ＳＣＴＬ、ＳＣＴＬＢ）によって３相インバータ４２１の出力が入力信号に関係なく決定される時導通して、第２インバータ４２２に第１電源（ＶＶＤＤ）の電圧を伝達する。第１及び第２制御信号（ＳＣＴＬ、ＳＣＴＬＢ）それぞれがローレベル及びハイレベルであれば、ＰＭＯＳトランジスタ（Ｐ４）及びＮＭＯＳトランジスタ（Ｎ４）が全て遮断されて、入力信号に関係なく出力が決定される。この時、第２トランジスタ（Ｔ２）は導通して、第２インバータ４２２に第１電源（ＶＶＤＤ）の電圧を伝達する。
【００３１】
第２インバータ４２２は、入力される電圧が第１電源（ＶＶＤＤ）の電圧であれば、第２電源（ＶＶＳＳ）の電圧を出力し、入力される電圧が第２電源（ＶＶＳＳ）の電圧であれば、第１電源（ＶＶＤＤ）の電圧を出力する。本発明の実施形態による第１電源（ＶＶＤＤ）の電圧はハイレベルの電圧であり、第２電源（ＶＶＳＳ）の電圧はローレベルの電圧である。
【００３２】
図４は、本発明の実施形態による信号受信部４３０を示す図面である。
【００３３】
信号受信部４３０は、走査線に入力端子が連結して、走査線に印加された走査信号を受信して、走査信号に対応する信号（ＯＳ）を生成して出力する。本発明の実施形態による信号受信部４３０は３相インバータ４３１を含む。
【００３４】
図４に示すように、３相インバータ４３１は第１制御信号（ＳＣＴＬ）及び第２制御信号（ＳＣＴＬＢ）がそれぞれハイレベル及びローレベルである時、走査信号に対応して、第１電源（ＶＶＤＤ）の電圧または第２電源（ＶＶＳＳ）の電圧を出力する。走査信号がローレベルであれば、ＰＭＯＳトランジスタ（Ｐ７）は導通して、この時第２制御信号がローレベルであれば、ノード（Ａ３）には第１電源（ＶＶＤＤ）の電圧が印加される。そうすれば、信号受信部４３０から出力される信号（ＯＳ）は第１電源（ＶＶＤＤ）の電圧になり、ベアガラス検査電源電圧発生部５００に伝達される。この時、この結果に基づいてローレベルの走査信号が印加され、正常に有機発光表示装置が作動することが分かる。反対に、走査信号がハイレベルであり、第１制御信号（ＳＣＴＬ）がハイレベルであれば、ＮＭＯＳトランジスタ（Ｎ７、Ｎ８）は導通して、信号受信部４３０から出力される信号（ＯＳ）は第２電源（ＶＶＳＳ）の電圧になり、ベアガラス検査電源電圧発生部５００に伝達される。そうすれば、ハイレベルの走査信号が印加され、正常に走査駆動部１００から走査信号が出力されることが分かる。また、信号受信部４３０から出力される信号波形を測定して、走査信号の波形を推定でき、推定された波形を用いて、走査駆動部の消費電力を測定できる。
【００３５】
本発明の実施形態によれば、ベアガラスで検査対象になるセルに含まれている有機発光表示装置は正常駆動される。ベアガラスで検査対象以外のセルの有機発光表示装置は正常駆動されず、各有機発光表示装置の画素回路はバイアスならない。したがって外部ではブラック映像を表示することと見える。有機発光表示装置が正常駆動しないためには走査駆動部に入力されるフレームパルス（ＦＬＭ）、第１シフトクロック信号（ＳＦＴＣＬＫ）、第２シフトクロック信号（ＳＦＴＣＬＫＢ）、第１クロック信号（ＳＣＬＫ１）及び第２クロック信号（ＳＣＬＫ２）は以下のような条件を満足しなければならない。フレームパルス（ＦＬＭ）、第１シフトクロック信号（ＳＦＴＣＬＫ）、第２シフトクロック信号（ＳＦＴＣＬＫＢ）は第１電源（ＶＶＤＤ）の電圧であり、第１クロック信号（ＳＣＬＫ１）及び第２クロック信号（ＳＣＬＫ２）は第２電源（ＶＶＳＳ）の電圧である。
【００３６】
ベアガラス検査回路４００は、第１制御信号及び第２制御信号がそれぞれハイレベル及びローレベルであれば、検査信号（ＤＳ）によりフレームパルス（ＦＬＭ）、第１シフトクロック信号（ＳＦＴＣＬＫ）、第２シフトクロック信号（ＳＦＴＣＬＫＢ）、第１クロック信号（ＳＣＬＫ１）及び第２クロック信号（ＳＣＬＫ２）が生成して、走査駆動部１００に伝達する。
【００３７】
しかしながら、ベアガラス検査回路４００は第１制御信号及び第２制御信号がそれぞれローレベル及びハイレベルであれば、検査信号（ＤＳ）に関係なく、フレームパルス（ＦＬＭ）、第１シフトクロック信号（ＳＦＴＣＬＫ）、第２シフトクロック信号（ＳＦＴＣＬＫＢ）は第１電源（ＶＶＤＤ）の電圧で、第１クロック信号（ＳＣＬＫ１）及び第２クロック信号（ＳＣＬＫ２）は第２電源（ＶＶＤＤ）の電圧で生成して、走査駆動部１００に伝達する。
【００３８】
このように、本発明の実施形態による有機発光表示装置は、ベアガラス単位でスクライビングなしに所望のセルだけを検査できる。
【００３９】
また、ベアガラスで各セルを切り取れば、各セルにはベアガラス検査回路４００が残っている。つまり、本発明の実施形態によるベアガラス検査回路４００はベアガラスで各セルを面取リする時、面取リマージンに相当する領域に位置するので、面取リ後にも有機発光表示装置が形成されている基板にベアガラス検査回路４００は残っている。しかしながら、ベアガラス検査を終えて、実際有機発光表示装置が完成されれば、走査駆動部１００及びデータ駆動部２００は信号制御部（図示せず）と連結される。信号制御部は垂直同期信号、水平同期信号、クロック信号及び外部映像データなどを受信して、走査駆動部及びデータ駆動部に走査信号データ信号を生成して伝達する。
【００４０】
以下、本発明の実施形態による有機発光表示装置が含まれるセルが検査対象になる場合、画素回路の動作を図５及び図６を参照して説明する。
【００４１】
図５は、本発明の実施形態による画素回路を示す図面である。図６は、本発明の実施形態によるベアガラス検査用直前走査信号、現在走査信号及び発光制御信号を示す図面である。
【００４２】
図５に示すように、画素回路は第１乃至第６トランジスタ（Ｔ１１〜Ｔ１６）、有機発光素子（ＯＬＥＤ）及びキャパシタ（Ｃ）を含む。本発明の実施形態による画素回路で発光制御信号（ＥＭ[ｎ]）は走査駆動部１００で生成する。
【００４３】
第２トランジスタ（Ｔ１２）は、現在走査信号（ｓｃａｎ[ｎ]）に応答して導通し、第２トランジスタ（Ｔ１２）が導通すれば、データ電圧（ＶＤＡＴＡ）が第１トランジスタ（Ｔ１１）の第１電極に伝達される。第１トランジスタ（Ｔ１１）は駆動トランジスタであり、ゲート電極はキャパシタ（Ｃ）の片端に連結されており、ソース電極は第３トランジスタ（Ｔ１３）のドレーン電極に連結されている。第３トランジスタ（Ｔ１３）は走査信号（ｓｃａｎ[ｎ]）に応答して導通し、導通した第３トランジスタ（Ｔ１３）は第１トランジスタ（Ｔ１１）をダイオード連結させる。第４トランジスタ（Ｔ１４）は、直前走査信号（ｓｃａｎ[ｎ−１]）に応答して導通し、導通した第４トランジスタ（Ｔ１４）を通じて、キャパシタ（Ｃ）の片端に初期化電圧（ＶＩＮＩＴ）が印加される。第５トランジスタ（Ｔ１５）及び第６トランジスタ（Ｔ１６）は発光制御信号（ＥＭ[ｎ]）に応答して導通し、導通した第５トランジスタ（Ｔ１５）を通じて、第１トランジスタ（Ｔ１１）の第２電極に電源（ＥＬＶＤＤ）が伝達される。第６トランジスタ（Ｔ１６）が導通すれば、第１トランジスタ（Ｔ１１）のドレーン電流が有機発光素子（ＯＬＥＤ）に伝達される。有機発光素子（ＯＬＥＤ）は、第１トランジスタ（Ｔ１１）のドレーン電流に対応して発光する。
【００４４】
まず、直前走査信号（ｓｃａｎ[ｎ−１]）がローレベルであるＰ１１区間の間の、第４トランジスタ（Ｔ１４）が導通して、キャパシタの片端に初期化電圧が印加される。そして、現在走査信号（Ｓ[ｎ]）がローレベルであるＰ１２区間の間の、第３トランジスタ（Ｔ１３）が導通して、第１トランジスタ（Ｔ１１）はダイオード連結され、導通した第２トランジスタ（Ｔ１２）を通じて、データ電圧（ＶＤＡＴＡ[ｎ]）が第１トランジスタ（Ｔ１１）の第２電極に印加される。そうすれば、第１トランジスタ（Ｔ１１）のゲート電極、第１電極及びキャパシタ（Ｃ）の片端の電圧は電圧（ＶＤＡＴＡ＋ＶＴＨ）になる。
【００４５】
そして、発光制御信号（ＥＭ[ｎ]）がローレベルのＰ１３区間の間の、第５トランジスタ（Ｔ１５）及び第６トランジスタ（Ｔ１６）が導通し、第１トランジスタ（Ｔ１１）の第１電極に電源（ＥＬＶＤＤ）の電圧が印加されれば、第１トランジスタ（Ｔ１１）のゲート電極と第１電極の電圧差（ＶＧＳ）に対応する電流が数式１のように発生する。ゲートの電圧は電圧（ＶＤＡＴＡ＋ＶＴＨ）であり、第１電極がソース電極になって、電圧（ＶＧＳ）は電圧（ＶＤＡＴＡ＋ＶＴＨ−ＥＬＶＤＤ）になる。この時、電圧（ＶＤＡＴＡ）はデータ電圧（ＶＤＡＴＡ[ｎ]）であり、電圧（ＶＴＨ）は第１トランジスタ（Ｔ１１）のスレッショルド電圧である。そうすれば、数式２のような大きさの電流が発生し、これは駆動トランジスタである第１トランジスタ（Ｔ１１）のスレッショルド電圧が補償された電圧に対応する電流が発生する。また本発明の実施形態による電圧（ＥＬＶＤＤ）は第１電源（ＶＶＤＤ）の電圧であることができ、または第１電源（ＶＶＤＤ）の電圧に対応する電圧でありうる。
【００４６】
【数１】
2008040450.tif 000003
【数２】
2008040450.tif 000004
【００４７】
数式１、数式２で、βはトランジスタの特性により決定される定数である。
【００４８】
このようにベアガラスで検査対象になるセルの有機発光表示装置はデータ電圧に対応する電流が発生して有機発光素子が発光し、検査対象にならないセルの有機発光表示装置は発光しない。そうしれば、隣接セル間の干渉現象を防止でき、選択されないセルの駆動トランジスタに電源（ＥＬＶＤＤ）の電圧が印加されなくて電圧降下を防止できる。
【００４９】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されるものではなく、特許請求の範囲と発明の詳細な説明及び添付した図面の範囲内で多様に変形して実施するのが可能であり、これもまた本発明の範囲に属することは当然である。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明の実施形態による有機発光表示装置を示す図面である。
【図２】本発明の実施形態による第１信号入力部を示す図面である。
【図３】本発明の実施形態による第２信号入力部を示す図面である。
【図４】本発明の実施形態による信号受信部を示す図面である。
【図５】本発明の実施形態による画素回路を示す図面である。
【図６】本発明の実施形態によるベアガラス検査用直前走査信号、現在走査信号及び発光制御信号を示す図面である。
【符号の説明】
【００５１】
１００    一つのセルの走査駆動部
２００    一つのセルのデータ駆動部
３００    一つのセルの表示部
３１０    前記表示部の画素回路
４００    一つのセルのベアガラス検査回路
４１０、４２０  前記ベアガラス検査回路の第１及び第２信号入力部
４３０    前記ベアガラス検査回路の信号受信部
５００    ベアガラス全体のための検査信号発生部
１０００  ベアガラス上の一つのセル
ＤＳ１、ＤＳ２  第１及び第２検査信号
ＦＬＭ  フレームパルス
ＯＳ  出力信号
ＳＣＬＫ１、ＳＣＬＫ２  第１及び第２クロック信号
ＳＣＴＬ、ＳＣＴＬＢ    第１及び第２制御信号線
ＳＦＴＣＬＫ、ＳＦＴＣＬＫＢ  第１及び第２シフトクロック信号
Ｓｎ                    走査信号
ＶＶＤＤ、ＶＶＳＳ      第１及び第２電源
【図１】
2008040450.tif 000005
【図２】
2008040450.tif 000006
【図３】
2008040450.tif 000007
【図４】
2008040450.tif 000008
【図５】
2008040450.tif 000009
【図６】
2008040450.tif 000010