(57)【要約】【課題】本発明は、超音波振動に影響を及ぼさない配線の取り出しを行い、λ／２の周波数で駆動し、高い昇圧比を得ることができる圧電トランスを提供する。【解決手段】信号入力側に用いられ、第１の方向に分極された一次側圧電素子と、信号出力側に用いられ、前記一次側圧電素子と誘電率が異なり、前記第１の方向と直交する方向に分極するように前記一次側圧電素子と接合した二次側圧電素子と、からなる圧電トランスにおいて、前記二次側圧電素子から出力される信号を引き出すための配線が前記一次側圧電素子と前記二次側圧電素子との接合面に形成することにより、上記課題の解決を図る。【選択図】      図１Ａ
2008311590.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
信号入力側に用いられ、第１の方向に分極された一次側圧電素子と、
信号出力側に用いられ、前記一次側圧電素子と誘電率が異なり、分極方向が前記第１の方向と直交するように前記一次側圧電素子と接合した二次側圧電素子と、
からなる圧電トランスであって、
前記二次側圧電素子から出力される信号を引き出すための配線が前記一次側圧電素子と前記二次側圧電素子との接合面に形成されている
ことを特徴とする圧電トランス。
【請求項２】
前記一次側圧電素子と前記二次側圧電素子との接合面において、前記二次側圧電素子の断面積が前記一次側圧電素子の断面積よりも小さい
ことを特徴とする請求項１に記載の圧電トランス。
【請求項３】
前記二次側圧電素子は、分極方向が相反する向きとなる一対の二次側圧電素子からなる
ことを特徴とする請求項２に記載の圧電トランス。
【請求項４】
前記一対の二次側圧電素子は、前記一次側圧電素子と接合していない側の端部同士で導通している
ことを特徴とする請求項３に記載の圧電トランス。
【請求項５】
前記一次側圧電素子は、複数対の前記二次側圧電素子が接合している
ことを特徴とする請求項４に記載の圧電トランス。
【請求項６】
前記圧電トランスは、さらに、
低音響減衰薄板を備え、
前記一次側圧電素子及び前記二次側圧電素子は前記低音響減衰薄板を介して接合され、前記二次側圧電素子が接合している側の前記低音響減衰薄板上に、前記二次側圧電素子から出力される信号を引き出すための配線が形成されている
ことを特徴とする請求項１に記載の圧電トランス。
【請求項７】
前記低音響減衰薄板に対する前記一側圧電素子及び前記二次側圧電素子の接合面において、前記二次側圧電素子の断面積が前記一次側圧電素子の断面積よりも小さい
ことを特徴とする請求項６に記載の圧電トランス。
【請求項８】
前記二次側圧電素子は、分極方向が相反する向きとなる一対の二次側圧電素子である
ことを特徴とする請求項７に記載の圧電トランス。
【請求項９】
前記低音響減衰薄板の面のうち、前記二次側圧電素子と接合されている面側に前記二次側圧電素子の出力を取り出すための配線が形成され、前記一次側圧電素子と接合されている面側に前記一次側圧電素子に対して入力信号を入力するための配線及び接地電極が形成されている
ことを特徴とする請求項８に記載の圧電トランス。
【請求項１０】
前記一対の二次側圧電素子は、前記低音響減衰薄板と接合していない側の端部同士で導通している
ことを特徴とする請求項９に記載の圧電トランス。
【請求項１１】
前記低音響減衰薄板には、複数対の前記二次側圧電素子が接合している
ことを特徴とする請求項１０に記載の圧電トランス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、圧電トランスに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、圧電トランスは、液晶ディスプレイのバックライト用インバータやイオナイザ用インバータなどハイパワーが要求される電気機器等に多く利用されており、Ｒｏｓｅｎ型やその改良型が多く使われている。
【０００３】
一方、最近ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍｓ）デバイス（例えば、センサー、アクチュエータ、トランスデューサ等）が様々な用途に用いられているが、その多くがサイズ効果で有利な静電効果を利用したものとなっている。ＭＥＭＳデバイスには、大きな駆動電圧及び大きなＤＣバイアスが必要であり、デバイスとしてのインピーダンスが高いという特徴がある。このような特徴は、医療用ＭＥＭＳトランスデューサでも持っており、これらの特徴に配慮したＭＥＭＳトランスデューサ装置とする必要がある。
【０００４】
内視鏡にＭＥＭＳデバイスを用いる場合、ＭＥＭＳデバイスを長いケーブルを介して体内に挿入することになる。伝送ケーブルには、大きな駆動電圧と大きなＤＣバイアスを伝送することは好ましくなく、低電圧を伝送することが好ましい。
【０００５】
そこで、内視鏡の先端部に圧電トランスを設けることが考えられる。圧電トランスに求められる条件としては、小型であること、静電型ＭＥＭＳデバイスのインピーダンスとマッチングすること、必要な昇圧比が得られること、である。
【０００６】
圧電トランスとして基本的で最もよく研究されているものとして、Ｒｏｓｅｎ型圧電トランスがある。Ｒｏｓｅｎ型圧電トランスは、板状の圧電素子の長さ方向の半分の対向面に入力電極を形成し、この入力電極の反対側の端面に出力電極を形成した構造を有する。
【０００７】
この圧電トランスにおいて、一次側入力電圧として入力電極−接地電極間に出力側機械的振動の共振周波数に合わせた電圧Ｖinが印加されると、逆圧電効果により電気エネルギーが機械エネルギー変換され、長さＬの方向の縦振動が励振される。駆動周波数が長さ方向の縦振動の一次モードや二次モードの共振周波数にほぼ一致する時、出力電極では圧電効果により機械エネルギーが電気エネルギーに変換され、出力電圧Ｖoutが発生する。このとき出力電極では分極方向が長さ方向であり、その長さは厚みに比べて大きいので出力電極からは高電圧を容易に得られる。
【０００８】
なお、本願に関係する文献として以下のものがある。
【特許文献１】特開平９−２１４０１０号公報
【特許文献２】特開２０００−１８３４１８号公報
【特許文献３】特開２００３−１９７９９６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
従来、圧電トランスは、λ／２モードと呼ばれる振動モードにて、端部を腹とし、圧電素子上において入力電極が形成された部分と形成されていない部分との境界を節とする機械的振動を行う。
【００１０】
しかしながら、従来方式においては、出力端子は圧電トランスの端部に接続する必要があった。出力側の電極へ配線を接続すると、出力側の縦振動に対して重量負荷を与えることになるので、圧電素子の特性の劣化を誘起してしまう。すなわち、出力端子が機械的な振動の妨げとなることで振動の振幅が小さくなり、その結果、圧電トランスの昇圧比を小さくする要因となっていた。
【００１１】
そのため、材料減衰による影響が少なく高い昇圧比が期待されるλ／２モードの駆動時に、電極の引き出し構造による減衰の影響を受けて、十分に大きな昇圧を得ることができなかった。
【００１２】
上記課題に鑑み、本発明は、超音波振動に影響を及ぼさない配線の取り出しを行い、λ／２の周波数で駆動し、高い昇圧比を得ることができる圧電トランスを提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明にかかる圧電トランスは、信号入力側に用いられ、第１の方向に分極された一次側圧電素子と、信号出力側に用いられ、前記一次側圧電素子と誘電率が異なり、分極方向が前記第１の方向と直交するように前記一次側圧電素子と接合した二次側圧電素子と、からなり、前記二次側圧電素子から出力される信号を引き出すための配線が前記一次側圧電素子と前記二次側圧電素子との接合面に形成されていることを特徴とする。
【００１４】
前記圧電トランスは、前記一次側圧電素子と前記二次側圧電素子との接合面において、前記二次側圧電素子の断面積が前記一次側圧電素子の断面積よりも小さいことを特徴とする。
【００１５】
前記二次側圧電素子は、分極方向が相反する向きとなる一対の二次側圧電素子からなることを特徴とする。
前記圧電トランスにおいて、前記一対の二次側圧電素子は、前記一次側圧電素子と接合していない側の端部同士で導通していることを特徴とする。
【００１６】
前記圧電トランスにおいて、前記一次側圧電素子は、複数対の前記二次側圧電素子が接合していることを特徴とする。
前記圧電トランスは、さらに、低音響減衰薄板を備え、前記一次側圧電素子及び前記二次側圧電素子は前記低音響減衰薄板を介して接合され、前記二次側圧電素子が接合している側の前記低音響減衰薄板上に、前記二次側圧電素子から出力される信号を引き出すための配線が形成されていることを特徴とする。
【００１７】
前記低音響減衰薄板に対する前記一側圧電素子及び前記二次側圧電素子の接合面において、前記二次側圧電素子の断面積が前記一次側圧電素子の断面積よりも小さいことを特徴とする。
【００１８】
前記二次側圧電素子は、分極方向が相反する向きとなる一対の二次側圧電素子であることを特徴とする。
前記圧電トランスにおいて、前記低音響減衰薄板の面のうち、前記二次側圧電素子と接合されている面側に前記二次側圧電素子の出力を取り出すための配線が形成され、前記一次側圧電素子と接合されている面側に前記一次側圧電素子に対して入力信号を入力するための配線及び接地電極が形成されていることを特徴とする。
【００１９】
前記圧電トランスにおいて、前記一対の二次側圧電素子は、前記低音響減衰薄板と接合していない側の端部同士で導通していることを特徴とする。
前記低音響減衰薄板には、複数対の前記二次側圧電素子が接合していることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２０】
本発明を用いることにより、超音波振動に影響を及ぼさない配線の取り出しを行い、λ／２の周波数で駆動し、高い昇圧比を得ることができる。さらに、この構造は必然的に、出力側振動子の断面積よりも小さくすることになるので、このことによっても昇圧比を増加させることが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
＜第１の実施形態＞
本実施形態では、誘電率の異なる２つの圧電素子を分極方向が直交するように接合させて形成した圧電トランスにおいて、圧電信号の取出しがその２つの圧電素子の接合面で行われる圧電トランスについて説明する。
【００２２】
図１Ａは、本実施形態における圧電トランスの斜視図である。図１Ｂは、その左側面図である。図１Ｃは、その右側面図である。図１Ｄは、その上面図である。圧電トランス１は、一次側電極２ａ，２ｂ、一次側圧電素子３、２つの二次側圧電素子４、導通部材５、二次側電極６、引き出し配線７から構成される。図中の白向きの矢印は分極方向を表す。
【００２３】
まず、予め、一次側圧電素子３は板厚方向に分極させておき、各二次側圧電素子４は長さ方向に分極させておく。一次側圧電素子３と、各二次側圧電素子４とを分極方向が直交するように接合させる。このとき、２つの二次側圧電素子４は相互に、図１Ｄに示すように分極方向が相反する向きになっている。
【００２４】
一次側圧電素子３の上面全体には、一次側電極２ａが形成されている。一次側圧電素子３の下面全体には、一次側電極２ｂが形成されている。二次側圧電素子４の端部側面において、２つの二次側圧電素子４の端部が導通部材（ブリッジ）５により導通している。
【００２５】
二次側電極６は、一次側圧電素子３と二次側圧電素子４の接合面との間に形成されている。二次側電極６は、一次側圧電素子３の一次側電極２ａと一次側電極２ｂとを短絡させない寸法、配置であればよい。引き出し配線７は、二次側電極６から圧電信号を取り出すための配線である。
【００２６】
本実施形態の圧電トランス１において、一次側圧電素子３は二次側圧電素子４よりも比誘電率が高くなるように、すなわち一次側圧電素子３の静電容量が二次側圧電素子４の静電容量よりも相対的に大きくなるように構成されている。
【００２７】
そこで、圧電素子の材質としては、例えば、ジルコンチタン酸鉛セラミクス、チタン酸鉛セラミクス、ニオブ酸リチウム単結晶、ニオブ酸カリウム単結晶、タンタル酸リチウム単結晶、水晶単結晶、チタン酸バリウム、ビスマス層状構造強誘電体をそれぞれ低誘電率と高誘電率の組み合わせとなるように選んで用いればよい。例えば、高誘電率圧素子（一次側圧電素子３）がジルコンチタン酸鉛セラミクスであり、低誘電率圧電素子（二次側圧電素子４）がチタン酸鉛セラミクスという組み合わせがある。
【００２８】
このように構成するのは、Ｒｏｓｅｎ型圧電トランスでは昇圧比Ｖout／Ｖinが以下の式（１）に従うためである。
Ｖout／Ｖin  ∝  ｋ31ｋ33Ｑm(Ｃin／Ｃout)          （１）
但し、Ｖout：出力電圧、Ｖin：入力電圧、ｋ31：一次側の横効果電気機械結合定数、ｋ33：二次側の縦効果電気機械結合定数、Ｑm：機械的先鋭度、Ｃin：一次側の電気容量、Ｃout：二次側の電気容量
また、一次側圧電素子３の断面積に比べ、二次側圧電素子４の断面積を小さくすることにより、さらに、Ｃin／Ｃoutの比を大きくすることができる。図１Ａ〜図１Ｄでは、一次側圧電素子３の断面積に対して、各二次側圧電素子４の断面積が小さくなっている。
【００２９】
次に、圧電トランスの動作について説明する。一次入力電極側である一次側電極２ａと一次側電極２ｂ間に電流電圧Ｖinが印加されると、圧電トランス１は所定の共振周波数で振動する振動子として動作し、引き出し配線７より昇圧された高電圧Ｖoutが出力される。Ｖoutは、分極方向が相反する向きにして配設した２つの二次側圧電素子４からの出力電圧の電位差をとっている。そのため、１つの二次側圧電素子を用いる場合に比べて、最大で２倍の電圧を得ることができる。
【００３０】
上記において、一次側圧電素子３と二次側圧電素子４を接合したが、この手法について簡単に説明する。接合方法は各種の方法を利用することができる。例えば、エポキシ系の接着剤を用いる場合には、接合面となる表面に接着剤を塗布後、加圧・過熱して接着し、極力薄い接着層を形成するができる。
【００３１】
他の接合方法の一例として、表面活性化常温接合（Ｓｕｒｆａｃｅ−ａｃｔｉｖａｔｅｄ  Ｒｏｏｍ−ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）を用いてもよい。表面活性化常温接合法は、接合面を真空中で表面処理することにより、表面の原子を化学結合の形成しやすい活性な状態とし室温での接合もしくは熱処理温度を大幅に下げることができる。
【００３２】
本実施形態によれば、出力端子をλ／２の振動モードの節部である接合面側に設けることにより、機械的な振動を妨げることなく電気的な出力を取り出すことができる。また、一次側圧電素子の断面積に比べ、二次側圧電素子の断面積を小さくすることにより、Ｃin／Ｃoutの比を大きくすることができる。さらに、二次側圧電素子を相反する向きにして配設することで、最大で約２倍の出力電圧を得ることができる。したがって、昇圧効果を向上させることができる。
【００３３】
＜第２の実施形態＞
本実施形態では、相反する分極方向となる向きになるように配設した一対の二次側圧電素子を複数接合させた圧電トランスについて説明する。なお、本実施形態については、上記の実施形態と同様の部分は説明を省略し、異なる部分についてのみ説明する。
【００３４】
図２Ａは、本実施形態における圧電トランスの斜視図である。図２Ｂは、その左側面図である。図２Ｃは、その右側面図である。図２Ｄは、その上面図である。
圧電トランス１１は、第１の実施形態の圧電トランス１において、相反する分極方向となる向きになるように配設した複数対の二次側圧電素子４を、一次側圧電素子３の端面に接合させたものである。
【００３５】
本実施形態では、図２Ａ−図２Ｄに示すように、一例として３対の二次側圧電素子４を接合させた圧電トランスを用いる。同図において、３対の二次側圧電素子を４ａ（４ａ1，４ａ2），４ｂ（４ｂ1，４ｂ2），４ｃ（４ｃ1，４ｃ2）と表す。
【００３６】
二次側圧電素子４ａ1，４ａ2は、相反する分極方向となる向きで一次側圧電素子と接合され、端部側は導通部材５ａが形成されている。また接合面には、二次側電極６ａ1，６ａ2が形成されている。
【００３７】
二次側圧電素子４ｂ1，４ｂ2は、相反する分極方向となる向きで一次側圧電素子３と接合され、端部側は導通部材５ｂが形成されている。また接合面には、二次側電極６ｂ1，６ｂ2が形成されている。
【００３８】
二次側圧電素子４ｃ1，４ｃ2は、相反する分極方向となる向きで一次側圧電素子と接合され、端部側は導通部材５ｃが形成されている。また接合面には、二次側電極６ｃ1，６ｃ2が形成されている。
【００３９】
一次側圧電素子３との接合面において、二次側圧電素子４ａ，４ｂ間は、二次側電極６ａ2と６ｂ1とが接続配線８ａで導通し、二次側圧電素子４ｂ，４ｂ間は、６ｂ2と６ｃ1とが接続配線８ｂで導通している。
【００４０】
また、一次側圧電素子３との接合面において、二次側圧電素子４ａ1，４ｃ2からはそれぞれ二次側電極として引き出し配線７ａ，７ｂが延出している。
本実施形態によれば、一次側圧電素子に複数対の二次側圧電素子を接合させることにより、より昇圧効果を向上させることができる。
【００４１】
＜第３の実施形態＞
本実施形態では、低音響減衰薄板を介して一次側圧電素子と二次側圧電素子が接合され、入力端子及び出力端子が低音響減衰薄板上に形成された圧電トランスについて説明する。なお、本実施形態については、上記の実施形態と同様の部分は説明を省略し、異なる部分についてのみ説明する。
【００４２】
図３Ａは、本実施形態における圧電トランスの斜視図である。図３Ｂは、その左側面図である。図３Ｃは、その右側面図である。図３Ｄは、その上面図である。圧電トランス２１は、一次側電極２ａ，２ｂ、一次側圧電素子３、２つの二次側圧電素子４、導通部材５、二次側電極６、一次側引き出し配線２３ａ，２３ｂ、二次側引き出し配線７、低音響減衰薄板２２から構成される。低音響減衰薄板２２の一方の面には一次側圧電素子３が接合し、他方の面には二次側圧電素子４が接合している。
【００４３】
第１の実施形態における圧電トランス１と異なり、本実施形態では、一次側圧電素子３と二次側圧電素子４との間に低音響減衰薄板２２を挟んだ構造となっている。同図において、低音響減衰薄板２２の面方向の面積は、一次側圧電素子３と二次側圧電素子４の断面積よりも大きくなっている。
【００４４】
低音響減衰薄板２２は、低音響減衰率を有する電気的絶縁材料であり、例えば、アルミナ、ジルコニア、シリコン、または窒化珪素、ＳｉＯ2等の絶縁材料で構成されている。
図３Ｂにおいて、低音響減衰薄板２２の表面には、一次側電極２ａ，２ｂの引き出し配線２３ａ，２３ｂが設けられている。引き出し配線２３ａ，２３ｂは低音響減衰薄板２２の外縁部まで配されている。
【００４５】
第１の実施形態では出力端子のみをλ／２の振動モードの節部である接合面に設けたが、本実施形態では、さらに入力端子も接合面に設けたので、圧電トランスが超音波振動するときの振動の減衰を抑制することができる。したがって、第１の実施形態に比べて、さらに、振動の損失が軽減し、効率のよく昇圧された出力電圧を得ることができる。
【００４６】
なお、第２の実施形態と同様に、本実施形態にかかる圧電トランスに対しても、複数対の二次側圧電素子を接合させることができる。
＜第４の実施形態＞
本実施形態では、第３の実施形態の圧電トランスにおいて、入力側及び出力側の引き出し配線を低音響減衰薄板の同じ辺縁部まで引き回してリード接続された構造を有する圧電トランスについて説明する。
【００４７】
図４Ａは、本実施形態における圧電トランスの斜視図である。図４Ｂは、その左側面図である。図４Ｃは、その右側面図である。図４Ｄは、その上面図である。
圧電トランス３１は、第３の実施形態の圧電トランス２１において、二次側電極２ａ，２ｂ引き出し配線２３ａ，２３ｂ及び二次側電極６の引き出し配線７を低音響減衰薄板２２の同一の辺縁部まで引き回したものである。
【００４８】
本実施形態によれば、圧電トランスを回路基板等に組み込む際に、回路基板と電気的に接続させる電極配線が低音響減衰薄板の一つの辺に統合されているので、組み込むのが容易になる。この場合、圧電トランスは一箇所で支持されることになるので、振動の損失を軽減させることができ、効率のよい昇圧を得ることができる。
【００４９】
なお、第２の実施形態と同様に、本実施形態にかかる圧電トランスに対しても、複数対の二次側圧電素子を接合させることができる。
以上より、本発明によれば、超音波振動に影響を及ぼさない配線の取り出しを行い、λ／２の周波数で駆動し、高い昇圧比を得ることができる。よって、大きなインピーダンスを持つ静電型ＭＥＭＳデバイスを駆動させることができる。
【００５０】
また、一次側圧電素子と二次側圧電素子との接合面において、二次側圧電素子の断面積を前記一次側圧電素子の断面積よりも小さくすることにより、昇圧比Ｖout／Ｖinを向上させることができる。
【００５１】
また、一対の二次側圧電素子のそれぞれが相互に、分極方向が相反する向きとなるように一次側圧電素子と接合させることにより、１つの二次側圧電素子を接合する場合に比べて最大で約２倍の出力電圧を得ることができる。
【００５２】
また、前記一対の二次側圧電素子を、前記一次側圧電素子と接合していない側の端部同士で導通させることにより、一対の二次側圧電素子間の電位差を取得することができる。
また、複数対の二次側圧電素子を一次側圧電素子に接合させることにより、より昇圧効果を向上させることができる。
【００５３】
さらに、低音響減衰薄板を介して一次側圧電素子と二次側圧電素子を接合して、低音響減衰薄板上に二次側圧電素子から出力される信号を引き出すための配線を形成することにより、より圧電トランスが超音波振動するときの振動の減衰を抑制することができる。
【００５４】
なお、本発明において説明したいずれの実施形態においても、その趣旨を逸脱しない限り種々の変形が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１Ａ】第１の実施形態における圧電トランスの斜視図である。
【図１Ｂ】第１の実施形態における圧電トランスの左側面図である。
【図１Ｃ】第１の実施形態における圧電トランスの右側面図である。
【図１Ｄ】第１の実施形態における圧電トランスの上面図である。
【図２Ａ】第２の実施形態における圧電トランスの斜視図である。
【図２Ｂ】第２の実施形態における圧電トランスの左側面図である。
【図２Ｃ】第２の実施形態における圧電トランスの右側面図である。
【図２Ｄ】第２の実施形態における圧電トランスの上面図である。
【図３Ａ】第３の実施形態における圧電トランスの斜視図である。
【図３Ｂ】第３の実施形態における圧電トランスの左側面図である。
【図３Ｃ】第３の実施形態における圧電トランスの右側面図である。
【図３Ｄ】第３の実施形態における圧電トランスの上面図である。
【図４Ａ】第４の実施形態における圧電トランスの斜視図である。
【図４Ｂ】第４の実施形態における圧電トランスの左側面図である。
【図４Ｃ】第４の実施形態における圧電トランスの右側面図である。
【図４Ｄ】第４の実施形態における圧電トランスの上面図である。
【符号の説明】
【００５６】
１，１１，２１，３１  圧電トランス
２ａ，２ｂ  一次側電極
３      一次側圧電素子
４，４ａ（４ａ1，４ａ2），４ｂ（４ｂ1，４ｂ2），４ｃ（４ｃ1，４ｃ2）  二次側圧電素子
５      導通部材
６，６ａ1，６ａ2，６ｂ1，６ｂ2，６ｃ1，６ｃ2  二次側電極
７      引き出し配線（二次側）
２２    低音響減衰薄板
２３ａ，２３ｂ  引き出し配線（一次側）
【図１Ｂ】
2008311590.tif 000003
【図２Ｂ】
2008311590.tif 000004
【図３Ｂ】
2008311590.tif 000005
【図４Ｂ】
2008311590.tif 000006
【図４Ｄ】
2008311590.tif 000007
【図１Ａ】
2008311590.tif 000008
【図１Ｃ】
2008311590.tif 000009
【図１Ｄ】
2008311590.tif 000010
【図２Ａ】
2008311590.tif 000011
【図２Ｃ】
2008311590.tif 000012
【図２Ｄ】
2008311590.tif 000013
【図３Ａ】
2008311590.tif 000014
【図３Ｃ】
2008311590.tif 000015
【図３Ｄ】
2008311590.tif 000016
【図４Ａ】
2008311590.tif 000017
【図４Ｃ】
2008311590.tif 000018