(57)【要約】【課題】基板加熱装置において加熱処理される基板の温度分布を均一化する。【解決手段】基板処理装置１を構成する下部カバー２及び上部カバー３のうち、少なくとも下部カバー２の壁部２ｂに加熱手段１２を設ける。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
上部カバーと下部カバーとからなる処理容器内において加熱体上に載置された基板を加熱処理する基板加熱装置であって、
前記下部カバーは、前記加熱体を保持する底板と、前記底板の周囲に立設され前記加熱体を囲む壁部とからなり、
前記壁部に加熱手段を設けた基板加熱装置。
【請求項２】
前記上部カバーが、天板と、前記天板の周囲に垂設された壁部とからなり、
前記垂設された壁部に加熱手段を設けた請求項１に記載の基板加熱装置。
【請求項３】
前記加熱手段が、金属箔ヒーター又はシーズヒーターである請求項１又は２に記載の基板加熱装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板を加熱処理する基板加熱装置に関し、詳しくは半導体素子や液晶パネルの製造工程における半導体ウェハや液晶用ガラスのフォトリソグラフィにおいて用いられる基板加熱装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子や液晶パネルの製造工程の１つであるフォトリソグラフィにおいては、図４に示すような基板加熱装置１を用いて、半導体ウェハや液晶用ガラスなどの基板６について、フォトレジストの加熱処理（ＰＡＢ：Post-Applied Bake、ＰＥＢ：Post-Exposure Bake）が行われる。
【０００３】
このとき基板表面に正確なパターンを形成するためには基板６の温度分布を均一にする必要があるが、基板６は加熱プレート９を介してヒーター８により下方から加熱されるため、中心部と端縁部の側方への放熱量の差により、基板６に温度ムラが生じてしまうという問題があった。
【０００４】
このような問題を解決するため、特許文献１には、ヒーターを複数の領域に分割して、それぞれの領域の温度を温度センサーに基づき制御する発明が開示されている。
【０００５】
しかし、上記の特許文献１に記載の発明では、ヒーターの各領域間において熱干渉が生じてしまうため、基板の温度分布をより均一化することが困難であるという問題があった。
【特許文献１】特開２００４−１３４７２３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、このような問題点に鑑みてなされたものであり、基板の温度分布をより均一化することができる基板加熱装置を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の目的を達成するため、本発明は、上部カバーと下部カバーとからなる処理容器内において加熱体上に載置された基板を加熱処理する基板加熱装置であって、前記下部カバーは、前記加熱体を保持する底板と、前記底板の周囲に立設され前記加熱体を囲む壁部とからなり、前記壁部に加熱手段を設けたものである。
【０００８】
そして、上記の基板加熱装置における上部カバーが、天板と、前記天板の周囲に垂設された壁部とからなる場合には、前記垂設された壁部にも加熱手段を設けることが望ましい。
【０００９】
また、加熱手段としては、金属箔ヒーター又はシーズヒーターが好ましく用いられる。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、上部カバーと下部カバーとからなる処理容器内において加熱体上に載置された基板を加熱処理する基板加熱装置であって、前記下部カバーは、前記加熱体を保持する底板と、前記底板の周囲に立設され前記加熱体を囲む壁部とからなる基板加熱装置において、前記壁部に加熱手段を設けたため、基板の端縁部からの熱放出が抑制されて熱干渉が低減するので、基板の温度分布をより均一化することができる。
【００１１】
更に、上部カバーが、天板と、前記天板の周囲に垂設された壁部とからなる場合には、前記垂設された壁部にも加熱手段を設けたため、処理容器外部からの熱影響を排除することにより、基板の温度分布を更に均一化することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下に、本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。
【００１３】
本発明の第１の実施形態に係る基板加熱装置を図１に示す。
【００１４】
この基板加熱装置１は、下部カバー２と上部カバー３から構成される処理容器４内において、基板加熱体５上に載置された基板６を加熱処理するものである。
【００１５】
下部カバー２は底板２ａの周囲に壁部２ｂを立設した構造を、上部カバー３は天板３ａの周囲に壁部３ｂを垂設した構造を、それぞれ有しており、ともに熱伝導性に優れた材料であるアルミニウム又はステンレス鋼から製作されている。これら下部カバー２と上部カバー３を、互いの凹部が対向するようにＯリング７を介して接続することにより処理容器４が構成される。
【００１６】
基板加熱体５は、ヒーター８を上下からそれぞれ加熱プレート９と押え板１０により挟み込んだ構造からなり、下部カバー２の底板２ａ上に同心円状に配設された複数の支持ピン１１により保持され、その側面は壁部２ｂにより一定の間隔をおいて囲まれている。
【００１７】
下部カバー２の壁部２ｂには、加熱手段である加熱ヒーター１２が設置されている。この加熱ヒーター１２は、金属箔ヒーター又はシーズヒーターを壁部２ｂの外周面上に巻き付けたものであり、断熱材１３を介して外側から固定リング１４で締めつけられることにより下部カバー２に固定されている。この断熱材１３の材料としては、例えばフェルト、テフロンシート、石英ウール又はシリカ繊維を用いることができる。なお、加熱ヒーター１２の固定方法は、このような機械的手段に限られるものではなく、壁部２ｂの外周面上に直接に貼付又は溶接してもよく、又はそれらを組み合わせてもよい。
【００１８】
このような構成においては、基板加熱体５上に載置された基板６は、ヒーター８により下方から加熱されるとともに、中央部に比べて放熱が大きくなる端縁部が壁部２ｂを介して側方から加熱ヒーター１２で加熱されることにより、その放熱が抑制されて熱干渉が低減するため、基板６の温度分布をより均一化することができる。
【００１９】
この加熱ヒーター１２については、図２に示すように、周方向に複数に分割してもよく、それぞれの発熱量を調整することにより、基板６の温度分布を高い精度で均一化することができる。なお、図２においては、加熱ヒーター１２を周方向に６つに分割しているが、必ずしもこの分割数に限定されるものではない。
【００２０】
本発明の第２の実施形態に係る基板加熱装置を図３に示す。なお、図１と同じ部分には同一の符号を付し、その説明を省略する。
【００２１】
本実施形態に係る基板加熱装置１は、第１の実施形態における上部カバー３の壁部３ｂに、加熱手段である加熱ヒーター１５を設けたものである。この加熱ヒーター１５は、下部カバー２における加熱ヒーター１２の場合と同じく、金属箔ヒーター又はシーズヒーターを壁部３ｂの外周面上に巻き付けたものであり、断熱材１６を介して外側から固定リング１７で締めつけられることにより上部カバー３に固定されている。なお、加熱ヒーター１５についても、壁部３ｂの外周面上に直接に貼付又は溶接してもよく、又はそれらと固定リング１７との組み合わせにより固定してもよいことはもちろんである。
【００２２】
このような構成においては、２つの加熱ヒーター１２、１５による側方からの加熱により基板６の端縁部からの熱放出が抑制されるとともに、処理容器４の外部からの熱影響を排除することができるため、基板６の温度分布を第１の実施形態の場合よりも更に均一化することができる。
【００２３】
なお、上部カバー３の加熱ヒーター１５についても、図２に示す例のように周方向に複数に分割することができ、同じく分割された加熱ヒーター１２と組み合わせて発熱量を調整することにより、基板６の温度分布を高い精度で均一化することができる。
【００２４】
以上に説明した２つの実施形態においては、基板６として半導体ウェハを例にとると基板加熱装置１の断面は図２のように円形になるが、液晶ガラスを基板とした場合には矩形となることはいうまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る基板加熱装置の断面図である。
【図２】図１に示すＡ−Ａ矢視の断面図である。
【図３】本発明の第２の実施形態に係る基板加熱装置の断面図である。
【図４】従来の基板加熱装置の断面図である。
【符号の説明】
【００２６】
１  基板加熱装置
２  下部カバー
２ａ  底板
２ｂ  壁部
３  上部カバー
３ａ  天板
３ｂ  壁部
４  処理容器
５  基板加熱体      
６  基板
７  Ｏリング
８  ヒーター 
９  加熱プレート
１０  押え板
１１  支持ピン      
１２  下部カバー用加熱ヒーター
１３  下部カバーの断熱材
１４  下部カバーにおける固定リング
１５  上部カバー用加熱ヒーター
１６  上部カバーの断熱材
１７  上部カバーにおける固定リング
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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