(57)【要約】【課題】基板下面の汚染および損傷を防止するとともに、基板の面内を均一に熱処理することができる基板処理装置を提供する。【解決手段】基板処理装置１は、基板保持プレート１２上に基板９０を非接触で保持し、基板９０を一方向に移動させつつ加熱処理を行う。このため、基板９０の下面に支持ピン等の部材が当接することはなく、基板９０の損傷や汚染が防止される。また、支持ピン等の部材によって加熱処理が部分的に不均一となることもない。また、基板９０を搬送しつつ加熱処理を行うため、基板９０の下面側における気体の流れに関わらず基板９０の面内を均一に熱処理することができる。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に対して熱処理を行う基板処理装置であって、
上面に形成された複数の吐出孔から気体を吐出することにより前記上面に基板を非接触で保持する基板保持プレートと、
前記基板保持プレートの前記上面に非接触で保持された基板を温調する温調手段と、
前記基板保持プレートの前記上面に非接触で保持された基板を前記上面に沿って搬送する搬送手段と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理装置であって、
前記基板保持プレートの前記上面には、上方の気体を吸引する複数の吸引孔が形成されていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の基板処理装置であって、
前記複数の吐出孔および前記複数の吸引孔は、前記基板保持プレートの前記上面において格子状に配列されたスポット状の穿孔であることを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
請求項１または請求項２に記載の基板処理装置であって、
前記複数の吐出孔および前記複数の吸引孔は、前記基板保持プレートの前記上面において前記搬送手段の搬送方向と直交する方向に形成されたスリット状の穿孔であることを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
請求項４に記載の基板処理装置であって、
前記複数の吐出孔および前記複数の吸引孔は、前記基板保持プレートの前記上面において前記搬送手段の搬送方向に沿って交互に配列されていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項６】
請求項４または請求項５に記載の基板処理装置であって、
前記複数の吐出孔または前記複数の吸引孔のスリット幅を調節するスリット幅調節手段を更に備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項７】
請求項１から請求項６までのいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記搬送手段は、搬送方向の後方側から基板に当接する当接部と、前記当接部を搬送方向に移動させる移動部とを有することを特徴とする基板処理装置。
【請求項８】
請求項１から請求項７までのいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記搬送手段は、基板を揺動させる揺動手段を有することを特徴とする基板処理装置。
【請求項９】
請求項１から請求項８までのいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記温調手段は、前記基板保持プレートと基板との間の熱の輻射により基板を温調する第１の温調手段と、前記複数の吐出孔から吐出される気体と基板との間の熱交換により基板を温調する第２の温調手段とを有することを特徴とする基板処理装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の基板処理装置であって、
前記搬送手段の搬送方向に沿って配列された複数の前記基板保持プレートを備え、
前記第１の温調手段は、複数の前記基板保持プレートを個別に温調することを特徴とする基板処理装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載の基板処理装置であって、
前記第１の温調手段は、複数の前記基板保持プレートのそれぞれを領域ごとに個別に温調することを特徴とする基板処理装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載の基板処理装置であって、
前記第２の温調手段は、前記基板保持プレートの各領域の温度に応じて当該領域に形成されている吐出孔から吐出される気体を温調することを特徴とする基板処理装置。
【請求項１３】
請求項１から請求項１２までのいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記基板保持プレートに対して前記搬送手段の搬送方向上流側に、基板の上面に処理液を塗布する塗布処理部を更に備えることを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、ＰＤＰ用ガラス基板等の基板に対して熱処理を行う基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、基板の製造工程においては、基板の表面にレジスト液を塗布する処理が行われ、その後、基板表面とレジストとの密着性を向上させるために熱処理（加熱処理および冷却処理）が行われる。熱処理を行う従来の基板処理装置は、チャンバ内に配置された基板保持プレート上に基板を載置し、当該基板を加熱または冷却する。
【０００３】
図２０に示したように、従来の基板処理装置１００は、基板保持プレート１０１上にプロキシミティピン等の複数の支持ピン１０２を有し、これらの支持ピン１０２上に基板１０９を載置しつつ基板１０９を加熱または冷却する構成となっていた。このような従来の基板処理装置の構成は、例えば特許文献１に開示されている。
【０００４】
【特許文献１】特開平１１−２８３９０９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、従来の基板処理装置では、基板の下面に部分的に支持ピンが当接しているため、支持ピンにより基板の下面が汚染または損傷する恐れがあった。また、基板の下面に部分的に支持ピンが当接した状態で基板に熱処理を行うため、基板の面内において熱処理の状態が不均一となる恐れがあった。特に、近年では、処理対象となる基板が大型化する傾向があるため、１枚の基板を多数の支持ピンにより保持する必要がある。このような状況の下では、上記の問題はより顕著なものとなっていた。
【０００６】
本発明は、このような事情に鑑みなされたものであり、基板下面の汚染および損傷を防止するとともに、基板の面内を均一に熱処理することができる基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するため、請求項１に係る発明は、基板に対して熱処理を行う基板処理装置であって、上面に形成された複数の吐出孔から気体を吐出することにより前記上面に基板を非接触で保持する基板保持プレートと、前記基板保持プレートの前記上面に非接触で保持された基板を温調する温調手段と、前記基板保持プレートの前記上面に非接触で保持された基板を前記上面に沿って搬送する搬送手段と、を備えることを特徴とする。
【０００８】
請求項２に係る発明は、請求項１に記載の基板処理装置であって、前記基板保持プレートの前記上面には、上方の気体を吸引する複数の吸引孔が形成されていることを特徴とする。
【０００９】
請求項３に係る発明は、請求項１または請求項２に記載の基板処理装置であって、前記複数の吐出孔および前記複数の吸引孔は、前記基板保持プレートの前記上面において格子状に配列されたスポット状の穿孔であることを特徴とする。
【００１０】
請求項４に係る発明は、請求項１または請求項２に記載の基板処理装置であって、前記複数の吐出孔および前記複数の吸引孔は、前記基板保持プレートの前記上面において前記搬送手段の搬送方向と直交する方向に形成されたスリット状の穿孔であることを特徴とする。
【００１１】
請求項５に係る発明は、請求項４に記載の基板処理装置であって、前記複数の吐出孔および前記複数の吸引孔は、前記基板保持プレートの前記上面において前記搬送手段の搬送方向に沿って交互に配列されていることを特徴とする。
【００１２】
請求項６に係る発明は、請求項４または請求項５に記載の基板処理装置であって、前記複数の吐出孔または前記複数の吸引孔のスリット幅を調節するスリット幅調節手段を更に備えることを特徴とする。
【００１３】
請求項７に係る発明は、請求項１から請求項６までのいずれかに記載の基板処理装置であって、前記搬送手段は、搬送方向の後方側から基板に当接する当接部と、前記当接部を搬送方向に移動させる移動部とを有することを特徴とする。
【００１４】
請求項８に係る発明は、請求項１から請求項７までのいずれかに記載の基板処理装置であって、前記搬送手段は、基板を揺動させる揺動手段を有することを特徴とする。
【００１５】
請求項９に係る発明は、請求項１から請求項８までのいずれかに記載の基板処理装置であって、前記温調手段は、前記基板保持プレートと基板との間の熱の輻射により基板を温調する第１の温調手段と、前記複数の吐出孔から吐出される気体と基板との間の熱交換により基板を温調する第２の温調手段とを有することを特徴とする。
【００１６】
請求項１０に係る発明は、請求項９に記載の基板処理装置であって、前記搬送手段の搬送方向に沿って配列された複数の前記基板保持プレートを備え、前記第１の温調手段は、複数の前記基板保持プレートを個別に温調することを特徴とする。
【００１７】
請求項１１に係る発明は、請求項１０に記載の基板処理装置であって、前記第１の温調手段は、複数の前記基板保持プレートのそれぞれを領域ごとに個別に温調することを特徴とする。
【００１８】
請求項１２に係る発明は、請求項１１に記載の基板処理装置であって、前記第２の温調手段は、前記基板保持プレートの各領域の温度に応じて当該領域に形成されている吐出孔から吐出される気体を温調することを特徴とする。
【００１９】
請求項１３に係る発明は、請求項１から請求項１２までのいずれかに記載の基板処理装置であって、前記基板保持プレートに対して前記搬送手段の搬送方向上流側に、基板の上面に処理液を塗布する塗布処理部を更に備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２０】
請求項１〜１３に記載の発明によれば、上面に形成された複数の吐出孔から気体を吐出することにより上面に基板を非接触で保持する基板保持プレートと、基板保持プレートの上面に非接触で保持された基板を温調する温調手段と、基板保持プレートの上面に非接触で保持された基板を上面に沿って搬送する搬送手段と、を備える。このため、基板の下面に支持ピン等の部材が当接することはなく、基板の損傷や汚染が防止される。また、支持ピン等の部材によって加熱処理が部分的に不均一となることもない。また、基板を搬送しつつ加熱処理を行うため、基板の下面側における気体の流れに関わらず、基板の面内を均一に熱処理することができる。
【００２１】
特に、請求項２に記載の発明によれば、基板保持プレートの上面には、上方の気体を吸引する複数の吸引孔が形成されている。このため、基板に対して上方への浮力と基板保持プレートへの吸着力とが作用し、基板は基板保持プレート上に一定の高さで安定して保持される。
【００２２】
特に、請求項３に記載の発明によれば、複数の吐出孔および複数の吸引孔は、基板保持プレートの上面において格子状に配列されたスポット状の穿孔である。このため、基板保持プレート上において複数の吐出孔および複数の吸引孔はいずれも均一に配列され、基板は水平姿勢を保ちつつ安定して基板保持プレート上に保持される。
【００２３】
特に、請求項４に記載の発明によれば、複数の吐出孔および複数の吸引孔は、基板保持プレートの上面において搬送手段の搬送方向と直交する方向に形成されたスリット状の穿孔である。このため、基板の搬送方向と直交する方向に関して基板保持プレート上の気体の流れは均一となる。したがって、基板は、搬送方向および搬送方向に直交する方向のいずれの方向に関しても均一に加熱され、基板の面内全体が極めて均一に加熱される。
【００２４】
特に、請求項５に記載の発明によれば、複数の吐出孔および複数の吸引孔は、基板保持プレートの上面において搬送手段の搬送方向に沿って交互に配列されている。このため、基板保持プレート上において複数の吐出孔および複数の吸引孔はいずれも均一に配列され、基板は水平姿勢を保ちつつ安定して基板保持プレート上に保持される。
【００２５】
特に、請求項６に記載の発明によれば、基板処理装置は、複数の吐出孔または複数の吸引孔のスリット幅を調節するスリット幅調節手段を更に備える。このため、複数の吐出孔からの気体の吐出量または複数の吸引孔への気体の吸引量を任意に調節することができる。
【００２６】
特に、請求項７に記載の発明によれば、搬送手段は、搬送方向の後方側から基板に当接する当接部と、当接部を搬送方向に移動させる移動部とを有する。このため、基板を簡易かつ安定に搬送することができる。
【００２７】
特に、請求項８に記載の発明によれば、搬送手段は、基板を揺動させる揺動手段を有する。このため、狭小なスペースであっても基板を搬送しつつ熱処理することができる。したがって、基板処理装置の占有面積を削減することができる。
【００２８】
特に、請求項９に記載の発明によれば、温調手段は、基板保持プレートと基板との間の熱の輻射により基板を温調する第１の温調手段と、複数の吐出孔から吐出される気体と基板との間の熱交換により基板を温調する第２の温調手段とを有する。このため、基板の面内をより均一に熱処理することができる。
【００２９】
特に、請求項１０に記載の発明によれば、基板処理装置は、搬送手段の搬送方向に沿って配列された複数の基板保持プレートを備え、第１の温調手段は、複数の基板保持プレートを個別に温調する。このため、搬送手段によって基板を連続的に搬送しつつ、基板に熱処理を行うことができる。また、基板の急激な温度変化を防止することができるため、基板をムラなく熱処理することができる。
【００３０】
特に、請求項１１に記載の発明によれば、第１の温調手段は、複数の基板保持プレートのそれぞれを領域ごとに個別に温調する。このため、基板をより緩やかに温度変化させることができる。
【００３１】
特に、請求項１２に記載の発明によれば、第２の温調手段は、基板保持プレートの各領域の温度に応じて当該領域に形成されている吐出孔から吐出される気体を温調する。このため、基板保持プレート上の基板をよりムラなく熱処理することができる。
【００３２】
特に、請求項１３に記載の発明によれば、基板処理装置は、基板保持プレートに対して搬送手段の搬送方向上流側に、基板の上面に処理液を塗布する塗布処理部を更に備える。このため、基板の上面に処理液を塗布し、その後の基板をムラなく熱処理することができる。したがって、処理液塗布後の乾燥処理を省略することができ、基板処理装置の構成を簡易化することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
以下、本発明の好適な実施形態について、図面を参照しつつ説明する。
【００３４】
＜１．第１実施形態＞
図１は、本発明の第１実施形態に係る基板処理装置１の構成を示した平面図である。また、図２は、図１の基板処理装置１をＩＩ−ＩＩ線で切断したときの縦断面図である。図２には、基板処理装置１に対する給排気系の構成も示されている。なお、図１，図２および以下の各図には、各部位の位置関係を明確に示すために、ｘｙｚ直交座標系が付されている。
【００３５】
この基板処理装置１は、液晶表示装置用の角形ガラス基板（以下、単に「基板」という）９０の表面を選択的にエッチングするフォトリソグラフィ工程において、レジスト塗布後の基板９０に加熱処理を行うための装置である。図１および図２に示したように、基板処理装置１は、主としてチャンバ１１と、基板保持プレート１２と、基板搬送機構１３とを備えている。
【００３６】
チャンバ１１は、基板９０に対して加熱処理を行うための空間を内部に有する筐体である。基板保持プレート１２および基板搬送機構１３は、チャンバ１１の内部に収容されている。また、チャンバ１１の側面の一部には、チャンバ１１に対して基板９０を搬出入するための搬出入口１１ａと、搬出入口１１ａを開閉するための開閉扉１１ｂとが設けられている。基板９０をチャンバ１１内に搬入するとき、および基板９０をチャンバ１１外へ搬出するときには、開閉扉１１ｂが開放され、搬出入口１１ａを介して基板９０が搬送される。また、チャンバ１１内において基板９０に加熱処理を行うときには、開閉扉１１ｂが閉鎖され、チャンバ１１の内部は気密状態とされる。
【００３７】
基板保持プレート１２は、上面に基板９０を非接触に保持し、保持された基板９０を加熱するためのプレートである。基板保持プレート１２は、平板状の外形を有しており、水平姿勢でチャンバ１１内に設置されている。基板保持プレート１２には、上方へ向けて窒素ガスを吐出するための複数の吐出孔１２ａと、プレート上部の気体を吸引するための複数の吸引孔１２ｂとが形成されている。
【００３８】
複数の吐出孔１２ａは、基板保持プレート１２を上下に貫通する穿孔であり、上面視においてスポット（斑点）状に形成されている。各吐出孔１２ａは、基板保持プレート１２の下面側において給気配管１４ａと接続されている。給気配管１４ａの上流側には窒素ガス供給源１４ｂが接続されており、給気配管１４ａの経路途中には開閉弁１４ｃとヒータ１４ｄとが介挿されている。このため、開閉弁１４ｃを開放するとともにヒータ１４ｄを動作させると、窒素ガス供給源１４ｂから窒素ガスが供給され、ヒータ１４ｄにより加熱された窒素ガスが吐出孔１２ａから基板保持プレート１２の上部へ向けて吐出される。
【００３９】
一方、複数の吸引孔１２ｂは、基板保持プレート１２を上下に貫通する穿孔であり、上面視においてスポット（斑点）状に形成されている。各吸引孔１２ｂは、基板保持プレート１２の下面側において排気配管１４ｅと接続されている。排気配管１４ｅの下流側には、真空ポンプ等により強制排気を行う排気部１４ｆが接続されており、排気配管１４ｅの経路途中には開閉弁１４ｇが介挿されている。このため、開閉弁１４ｇを開放すると、基板保持プレート１２上部の気体が吸引孔１２ｂへ吸引され、排気配管１４ｅを経由して排気部１４ｆへ排気される。
【００４０】
基板保持プレート１２上に基板９０を載置し、上記の開閉弁１４ｃおよび開閉弁１４ｇを開放すると、複数の吐出孔１２ａから基板９０の下面へ窒素ガスが吹き付けられるとともに、基板保持プレート１２と基板９０との間の気体が複数の吸引孔１２ｂへ吸引される。これにより、基板９０に対して上方への浮力と基板保持プレート１２への吸着力とが作用し、基板９０は基板保持プレート１２上に一定の高さで非接触に保持される。
【００４１】
なお、複数の吐出孔１２ａおよび複数の吸引孔１２ｂは、図１に示したように、上面視において格子状に交互に配置されている。すなわち、基板保持プレート１２上において、複数の吐出孔１２ａおよび複数の吸引孔１２ｂはいずれも均一に配列されている。このため、基板９０に対する浮力と吸着力とはいずれも基板９０の面内に均一に作用し、基板９０は水平姿勢を保ちつつ安定して基板保持プレート１２上に保持される。
【００４２】
また、基板保持プレート１２の内部にはヒータ１２ｃが埋設されている。ヒータ１２ｃを動作させると、基板保持プレート１２は加熱されて所定の温度に昇温する。このため、基板保持プレート１２上に保持された基板９０は、基板保持プレート１２からの輻射熱を受けて加熱される。また、基板保持プレート１２上に保持された基板９０の下面には、ヒータ１４ｄにより加熱されて複数の吐出孔１２ａから吐出された窒素ガスが吹き付けられる。このため、基板９０は窒素ガスからも熱を受けて加熱される。すなわち、この基板処理装置１は、ヒータ１２ｃから発生した熱を基板保持プレート１２を介して基板９０に与える第１の加熱手段と、ヒータ１４ｄから発生した熱を複数の吐出孔１２ａから吐出する窒素ガスを介して基板９０に与える第２の加熱手段とを有している。
【００４３】
基板搬送機構１３は、基板保持プレート１２上に非接触で保持された基板９０を搬送するための機構である。基板搬送機構１３は、基板保持プレート１２の左右（＋ｙ側および−ｙ側）に基板保持プレート１２に沿って敷設された一対のレール部１３ａと、レール部１３ａに沿って移動する一対の移動部１３ｂとを有している。レール部１３ａおよび移動部１３ｂは、公知の種々の移動機構により構成することができるが、例えば、モータの回転駆動をボールネジや搬送ベルトを介して直動運動に変換する機構や、リニアモータを用いた機構により構成することができる。
【００４４】
基板搬送機構１３を動作させると、一対の移動部１３ｂはレール部１３ａに沿ってｘ軸方向に並進する。また、各移動部１３ｂには、基板９０の−ｘ側の端面に当接するための当接部１３ｃが固設されている。このため、一対の移動部１３ｂを＋ｘ方向に移動させると、基板保持プレート１２上に非接触で保持された基板９０の端面に当接部１３ｃが当接し、当接部１３ｃとともに基板９０が＋ｘ方向に移動する。
【００４５】
また、この基板処理装置１は、上記の構成に加えて制御部１５を備えている。図３は、基板処理装置１内の上記各部と制御部１５との間の接続構成を示したブロック図である。図３に示したように、制御部１５は、開閉扉１１ｂ、基板搬送機構１３、開閉弁１４ｃ，１４ｇ、ヒータ１２ｃ，１４ｄと電気的に接続されており、これらの動作を制御する。なお、制御部１５は、具体的にはＣＰＵやメモリを有するコンピュータにより構成されており、コンピュータにインストールされたプログラムに従ってコンピュータが動作することにより、上記の制御動作を行う。
【００４６】
図４〜図７は、上記の基板処理装置１において基板９０を処理するときの各段階の処理の状態を示した図である。図４〜図７を参照しつつ、基板処理装置１の処理の流れについて、以下に説明する。
【００４７】
レジスト塗布後の基板９０が所定の搬送ロボットＲにより搬送されてくると、まず、基板処理装置１は、開閉扉１１ｂを開放し、搬出入口１１ａを介して基板９０をチャンバ１１内に搬入する（図４の状態）。チャンバ１１内の基板保持プレート１２上では、複数の吐出孔１２ａからの窒素ガスの吐出と、複数の吸引孔１２ｂへの気体の吸引とが開始されている。また、一対の移動部１３ｂは、チャンバ１１の最も奥側（−ｘ側）の移動開始位置で待機している。チャンバ１１内に搬入された基板９０は、基板保持プレート１２上の移動部１３ｂの手前に非接触で載置される。
【００４８】
基板９０が基板保持プレート１２上に載置されると、搬送ロボットＲはチャンバ１１の外部へ退避し、開閉扉１１ｂが閉鎖される（図５の状態）。その後、一対の移動部１３ｂ（図１参照）はレール部１３ａ（図１参照）に沿って＋ｘ方向にゆっくりと移動する。これにより、当接部１３ｃが基板９０の−ｘ側の端面に当接し、基板９０は＋ｘ方向にゆっくりと搬送される（図６の状態）。基板９０は、基板保持プレート１２上において搬送されつつ、基板保持プレート１２からの輻射熱と複数の吐出孔１２ａからの窒素ガスとを受け、加熱される。
【００４９】
所定時間の加熱処理が終了し、基板９０が搬送終了位置まで搬送されると、基板処理装置１は、開閉扉１１ｂを開放し、搬送ロボットＲにより基板９０をチャンバ１１の外部へ搬出する（図７の状態）。ここで、基板９０は基板保持プレート１２上に非接触で保持されていたため、基板保持プレート１２から基板９０を引き離すときに基板９０に剥離帯電が生じることはない。したがって、静電的作用により基板９０の表面にパーティクルが付着することはない。
【００５０】
以上のように、本実施形態の基板処理装置１は、基板保持プレート１２上に基板９０を非接触で保持し、基板９０を一方向に移動させつつ加熱処理を行う。このため、基板９０の下面に支持ピン等の部材が当接することはなく、基板９０の損傷や汚染が防止される。また、支持ピン等の部材によって加熱処理が部分的に不均一となることもない。また、基板９０を搬送しつつ加熱処理を行うため、基板９０の下面側における気体の流れに関わらず、基板９０の面内を均一に熱処理することができる。
【００５１】
＜２．第２実施形態＞
図８は、本発明の第２実施形態に係る基板処理装置２の構成を示した平面図である。また、図９は、図８の基板処理装置２をＩＸ−ＩＸ線で切断したときの縦断面図である。この基板処理装置２は、基板保持プレート１２に形成される吐出孔および吸引孔を除いて、第１実施形態の基板処理装置１と同等の構成を有する。このため、第１実施形態の基板処理装置１と共通する部分については図８および図９中に図１および図２と同一の符号を付し、以下では重複説明を省略する。
【００５２】
基板処理装置２の基板保持プレート２２には、上方へ向けて窒素ガスを吐出するための複数の吐出孔２２ａと、プレート上部の気体を吸引するための複数の吸引孔２２ｂとが形成されている。複数の吐出孔２２ａは、基板保持プレート１２の上面側に形成されたスリット状の穿孔である。各吐出孔２２ａは、基板９０の搬送方向に直行する方向（ｙ軸方向）に形成され、基板９０の搬送方向（ｘ軸方向）に沿って配列されている。第１実施形態の基板処理装置１と同じように、各吐出孔２２ａには給気配管１４ａが接続されている。給気配管１４ａの上流側には窒素ガス供給源１４ｂが接続されており、給気配管１４ａの経路途中には開閉弁１４ｃとヒータ１４ｄとが介挿されている。このため、開閉弁１４ｃを開放するとともにヒータ１４ｄを動作させると、窒素ガス供給源１４ｂから窒素ガスが供給され、ヒータ１４ｄにより加熱された窒素ガスが吐出孔２２ａから基板保持プレート１２の上部へ向けて吐出される。
【００５３】
一方、複数の吸引孔２２ｂは、基板保持プレート１２の上面側に形成されたスリット状の穿孔である。各吸引孔２２ｂは、基板９０の搬送方向に直交する方向（ｙ軸方向）に形成され、基板９０の搬送方向（ｘ軸方向）に沿って配列されている。第１実施形態の基板処理装置１と同じように、各吸引孔２２ｂには排気配管１４ｅが接続されている。排気配管１４ｅの下流側には、真空ポンプ等により強制排気を行う排気部１４ｆが接続されており、排気配管１４ｅの経路途中には開閉弁１４ｇが介挿されている。このため、開閉弁１４ｇを開放すると、基板保持プレート１２上部の気体が吸引孔２２ｂへ吸引され、排気配管１４ｅを経由して排気部１４ｆへ排気される。
【００５４】
基板保持プレート１２上に基板９０を載置し、上記の開閉弁１４ｃおよび開閉弁１４ｇを開放すると、複数の吐出孔２２ａから基板９０の下面へ窒素ガスが吹き付けられるとともに、基板保持プレート１２と基板９０との間の気体が複数の吸引孔２２ｂへ吸引される。これにより、基板９０に対して上方への浮力と基板保持プレート１２への吸着力とが作用し、基板９０は基板保持プレート１２上に一定の高さで非接触に保持される。
【００５５】
また、複数の吐出孔２２ａおよび複数の吸引孔２２ｂは、図１に示したように、ｘ軸方向に沿って交互に配列されている。すなわち、基板保持プレート１２上において、複数の吐出孔２２ａおよび複数の吸引孔２２ｂはいずれも均一に配列されている。このため、基板９０に対する浮力および吸着力はいずれも基板９０の面内に均一に作用し、基板９０は水平姿勢を保ちつつ安定して基板保持プレート１２上に保持される。
【００５６】
この基板処理装置２において基板９０に熱処理を行うときには、図４〜図７に示した第１実施形態の処理手順と同様の手順で処理を行う。すなわち、基板処理装置２は、搬出入口１１ａを介して基板９０をチャンバ１１内に搬入し（図４参照）、基板保持プレート１２上に基板９０を非接触で保持する（図５参照）。そして、当接部１３ｃにより基板９０を＋ｘ方向に搬送しつつ基板９０を加熱し（図６参照）、再び搬出入口１１ａを介して基板９０をチャンバ１１の外部へ搬出する（図７参照）。
【００５７】
本実施形態の基板処理装置２も、基板保持プレート１２上に基板９０を非接触で保持し、基板９０を一方向に移動させつつ加熱処理を行う。このため、基板９０の下面に支持ピン等の部材が当接することはなく、基板９０の損傷や汚染が防止される。また、支持ピン等の部材によって加熱処理が部分的に不均一となることもない。また、基板９０を搬送しつつ加熱処理を行うため、基板９０の下面側における気体の流れに関わらず、基板９０の面内を均一に熱処理することができる。
【００５８】
更に、本実施形態の吐出孔２２ａおよび吸引孔２２ｂは、基板９０の搬送方向と直交する方向にスリット状に形成されている。このため、基板９０の搬送方向と直交する方向に関して基板保持プレート１２上の気体の流れは均一となる。したがって、基板９０は、搬送方向および搬送方向に直交する方向のいずれの方向に関しても均一に加熱され、基板９０の面内全体が極めて均一に加熱される。
【００５９】
＜３．第１実施形態および第２実施形態の変形例＞
上記の基板処理装置１，２は、基板９０を加熱するための装置であったが、本発明の基板処理装置は、基板９０を冷却するための装置であってもよい。基板９０を冷却する場合には、上記の基板処理装置１，２のヒータ１２ｃおよびヒータ１４ｄを、それぞれ冷却機構に置き換えればよい。冷却機構は種々の公知の機構により実現することができるが、例えば、冷却水を通した水冷管によって基板保持プレート１２又は給気配管１４ａ内の窒素ガスを冷却する構成とすればよい。
【００６０】
また、上記の基板搬送機構１３は、基板９０の搬送方向後方側から基板９０に推力を与える機構であったが、本発明における基板搬送手段は上記の機構に限定されるものではない。例えば、基板９０の左右（＋ｙ側および−ｙ側）から基板９０を挟持しつつ基板９０をｘ軸方向に搬送する機構であってもよく、基板９０の搬送方向前方側から基板９０を引っ張る機構であってもよい。
【００６１】
また、上記の基板搬送機構１３は、基板９０を一方向（＋ｘ方向）にのみ搬送するものであったが、本発明における基板搬送手段は、基板９０を２以上の方向に搬送するものであってもよい。例えば、図１０のように、基板９０を＋ｘ方向および−ｘ方向に交互に搬送する揺動機構１６であってもよい。図８の揺動機構１６は、基板９０の−ｘ側に設けられた第１の移動部１６ｂと、基板９０の＋ｘ側に設けられた第２の移動部１６ｄとを有する。第１の移動部１６ｂおよび第２の移動部１６ｄは、基板保持プレート１２の側部に沿って敷設されたレール部１６ａに沿ってｘ軸方向に移動し、各移動部の上部には基板９０の端面に当接する当接部１６ｃ，１６ｅが設けられている。揺動機構１６は、第１の移動部１６ｂおよび第２の移動部１６ｄを＋ｘ方向と−ｘ方向とに交互に移動させることにより、当接部１６ｃ，１６ｅで基板９０を＋ｘ方向と−ｘ方向とに交互に搬送する。このようにすれば、狭小なスペースであっても基板９０を搬送しつつ加熱することができる。したがって、基板処理装置１（または２）の占有面積を削減することができる。
【００６２】
また、上記の基板処理装置２では、吐出孔２２ａおよび吸引孔２２ｂのスリット幅は一定であったが、基板９０の処理条件に応じてこれらのスリット幅を調整できるようにしてもよい。例えば、図１１および図１２に示したように、吐出孔２２ａの上部に一対のスリット幅調整用プレート２２ｃを取り付けてもよい。一対のスリット幅調整用プレート２２ｃは、吐出孔２２ａに沿って基板保持プレート１２の上面に取り付けられ、その取り付け位置を吐出孔２２ａの幅方向に調整することができる。このようにすれば、各スリット幅調整用プレート２２ｃの取り付け位置を調整することにより、吐出孔２２ａのスリット幅を調整することができる。吸引孔２２ｂの上部にも、同様のスリット幅調整用プレート２２ｃを取り付けてもよい。
【００６３】
あるいは、図１３および図１４に示したように、所定幅のスリットＳＬが貫通形成された１枚のスリット幅調整用プレート２２ｄを吐出孔２２ａの上部に取り付けてもよい。スリット幅調整用プレート２２ｄは、基板保持プレート１２の吐出孔２２ａの上部に取り付けられる。スリットＳＬの幅が異なるスリット幅調整用プレート２２ｄを複数用意しておけば、吐出孔２２ａ上のスリット幅調整用プレート２２ｄを交換することにより、吐出孔２２ａのスリット幅を調整することができる。吸引孔２２ｂの上部にも、同様のスリット幅調整用プレート２２ｄを取り付けてもよい。
【００６４】
また、上記の基板処理装置１，２は、ヒータ１２ｃからの熱を基板保持プレート１２を介して基板９０に与える第１の加熱手段と、ヒータ１４ｄからの熱を窒素ガスを介して基板９０に与える第２の加熱手段とを有していたが、これらの加熱手段はいずれか一方のみでもよい。ただし、これらの２通りの加熱手段を利用すれば、基板保持プレート１２上の基板９０をより均一に加熱することができる。
【００６５】
また、上記の基板処理装置１，２は、液晶表示装置用の角形ガラス基板に対して処理を行う装置であったが、本発明の基板処理装置は、半導体ウエハやＰＤＰ用ガラス基板等の他の基板を処理対象とするものであってもよい。
【００６６】
＜４．第３実施形態＞
図１５は、本発明の第３実施形態に係る基板処理装置３の構成を示した平面図である。この基板処理装置３は、基板９０の表面を選択的にエッチングするフォトリソグラフィ工程において、基板９０に対してレジスト塗布処理、加熱処理、および冷却処理を行うための装置である。基板処理装置３は、主としてレジスト塗布処理部４と、複数の熱処理部５〜９と、基板搬送機構３１とを備えている。
【００６７】
図１６は、レジスト塗布処理部４の縦断面図である。まず、図１５および図１６を参照しつつレジスト塗布処理部４の構成について説明する。レジスト塗布処理部４は、基板９０の上面にレジスト液を塗布してレジスト膜を形成するための処理部である。図１５および図１６に示したように、レジスト塗布処理部４は、主としてチャンバ４１と、基板保持プレート４２と、ノズル部４３と、を備えている。
【００６８】
チャンバ４１は、互いに対向するチャンバ上部４１ａとチャンバ下部４１ｂとを有している。チャンバ上部４１ａは上下に昇降可能な構成となっており、チャンバ上部４１ａが下降したときには、チャンバ上部４１ａとチャンバ下部４１ｂとが当接して気密なチャンバ４１が形成される。また、チャンバ上部４１ａが上昇したときには、チャンバ上部４１ａとチャンバ下部４１ｂとの間に隙間が生じ、チャンバ４１の内部と外部との間で基板９０を搬送できる状態となる（図１６の状態）。
【００６９】
基板保持プレート４２は、チャンバ４１の内部において基板９０を保持するためのプレートである。基板保持プレート４２は、平板状の外形を有しており、その上面に基板９０を水平に載置する。基板保持プレート４２には、上方へ向けて窒素ガスを吐出するための複数の吐出孔４２ａと、プレート上部の気体を吸引するための複数の吸引孔４２ｂとが形成されている。
【００７０】
複数の吐出孔４２ａは、基板保持プレート４２を上下に貫通する穿孔であり、上面視においてスポット（斑点）状に形成されている。各吐出孔４２ａは、基板保持プレート４２の下面側において給気配管４４ａと接続されている。給気配管４４ａの上流側には窒素ガス供給源４４ｂが接続されており、給気配管４４ａの経路途中には開閉弁４４ｃが介挿されている。このため、開閉弁４４ｃを開放すると、窒素ガス供給源４４ｂから窒素ガスが供給され、吐出孔４２ａから基板保持プレート１２の上部へ向けて窒素ガスが吐出される。
【００７１】
一方、複数の吸引孔４２ｂは、基板保持プレート４２を上下に貫通する穿孔であり、上面視においてスポット（斑点）状に形成されている。各吸引孔４２ｂは、基板保持プレート４２の下面側において排気配管４４ｅと接続されている。排気配管４４ｅの下流側には、真空ポンプ等により強制排気を行う排気部４４ｆが接続されており、排気配管４４ｅの経路途中には開閉弁４４ｇが介挿されている。このため、開閉弁４４ｇを開放すると、基板保持プレート４２上部の気体が吸引孔４２ｂへ吸引され、排気配管４４ｅを経由して排気部４４ｆへ排気される。
【００７２】
基板保持プレート４２上に基板９０を載置し、上記の開閉弁４４ｃおよび開閉弁４４ｇを開放すると、複数の吐出孔４２ａから基板９０の下面へ窒素ガスが吹き付けられるとともに、基板保持プレート４２と基板９０との間の気体が複数の吸引孔４２ｂへ吸引される。これにより、基板９０に対して上方への浮力と基板保持プレート４２への吸着力とが作用し、基板９０は基板保持プレート４２上に一定の高さで非接触に保持される。
【００７３】
なお、複数の吐出孔４２ａおよび複数の吸引孔４２ｂは、上面視において格子状に交互に配置されている。すなわち、基板保持プレート４２上において、複数の吐出孔４２ａおよび複数の吸引孔４２ｂはいずれも均一に配列されている。このため、基板９０に対する浮力と吸着力とはいずれも基板９０の面内に均一に作用し、基板９０は水平姿勢を保ちつつ安定して基板保持プレート１２上に保持される。
【００７４】
ノズル部４３は、基板保持プレート４２上に保持された基板９０の上面にレジスト液を吐出するための吐出機構である。ノズル部４３は図示しないレジスト液供給源と接続されており、また、ノズル部４３の下部にはｙ軸方向に穿設されたスリット状の吐出口が形成されている。また、ノズル部４３は、基板保持プレート４２上の基板９０の表面に沿ってｘ軸方向に移動可能な構成となっている。このため、ノズル部４３は、基板保持プレート４２上に保持された基板９０の上面を走査しつつ、レジスト液供給源から供給されるレジスト液を基板９０の上面に塗布することができる。
【００７５】
熱処理部５〜９はいずれも同等の構成を有しており、図１７はその縦断面図である。以下では図１５および図１７を参照しつつ、熱処理部５〜９の構成について説明する。図１５および図１７に示したように、熱処理部５〜９のそれぞれは、チャンバ５１と基板保持プレート５２とを備えている。
【００７６】
チャンバ５１は、互いに対向するチャンバ上部５１ａとチャンバ下部５１ｂとを有している。チャンバ上部５１ａは上下に昇降可能な構成となっており、チャンバ上部５１ａが下降したときには、チャンバ上部５１ａとチャンバ下部５１ｂとが当接して気密なチャンバ５１が形成される。また、チャンバ上部５１ａが上昇したときには、チャンバ上部５１ａとチャンバ下部５１ｂとの間に隙間が生じ、チャンバ５１の内部と外部との間で基板９０を搬送できる状態となる（図１７の状態）。
【００７７】
基板保持プレート５２は、チャンバ５１の内部において基板９０を非接触に保持し、保持された基板９０を加熱するためのプレートである。基板保持プレート５２は、平板状の外形を有しており、水平姿勢でチャンバ５１内に設置されている。基板保持プレート５２には、上方へ向けて窒素ガスを吐出するための複数の吐出孔５２ａと、プレート上部の気体を吸引するための複数の吸引孔５２ｂとが形成されている。
【００７８】
複数の吐出孔５２ａは、基板保持プレート５２の上面側に形成されたスリット状の穿孔である。各吐出孔５２ａは、基板９０の搬送方向に直行する方向（ｙ軸方向）に形成され、基板９０の搬送方向（ｘ軸方向）に沿って配列されている。各吐出孔５２ａには給気配管５４ａが接続されている。給気配管５４ａの上流側には窒素ガス供給源５４ｂが接続されており、給気配管５４ａの経路途中には開閉弁５４ｃが介挿されている。また、給気配管５４ａには、吐出孔５２ａごとに個別制御可能な複数の温調部５４ｄが設けられている。各温調部５４ｄは、給気配管５４ａ内の窒素ガスを加熱するヒータまたは給気配管５４ａ内の窒素ガスを冷却する水冷管により構成されている。このため、開閉弁５４ｃを開放するとともに各温調部５４ｄを動作させると、窒素ガス供給源５４ｂから供給され各温調部５４ｄにより加熱または冷却された窒素ガスが、各吐出孔５２ａから基板保持プレート５２の上部へ向けて吐出される。
【００７９】
一方、複数の吸引孔５２ｂは、基板保持プレート５２の上面側に形成されたスリット状の穿孔である。各吸引孔５２ｂは、基板９０の搬送方向に直交する方向（ｙ軸方向）に形成され、基板９０の搬送方向（ｘ軸方向）に沿って配列されている。各吸引孔５２ｂには排気配管５４ｅが接続されている。排気配管５４ｅの下流側には、真空ポンプ等により強制排気を行う排気部５４ｆが接続されており、排気配管５４ｅの経路途中には開閉弁５４ｇが介挿されている。このため、開閉弁５４ｇを開放すると、基板保持プレート５２上部の気体が吸引孔５２ｂへ吸引され、排気配管５４ｅを経由して排気部５４ｆへ排気される。
【００８０】
基板保持プレート５２上に基板９０を載置し、上記の開閉弁５４ｃおよび開閉弁５４ｇを開放すると、複数の吐出孔５２ａから基板９０の下面へ窒素ガスが吹き付けられるとともに、基板保持プレート５２と基板９０との間の気体が複数の吸引孔５２ｂへ吸引される。これにより、基板９０に対して上方への浮力と基板保持プレート５２への吸着力とが作用し、基板９０は基板保持プレート５２上に一定の高さで非接触に保持される。
【００８１】
また、複数の吐出孔５２ａおよび複数の吸引孔５２ｂは、ｘ軸方向に沿って交互に配列されている。すなわち、基板保持プレート５２上において、複数の吐出孔５２ａおよび複数の吸引孔５２ｂはいずれも均一に配列されている。このため、基板９０に対する浮力および吸着力はいずれも基板９０の面内に均一に作用し、基板９０は水平姿勢を保ちつつ安定して基板保持プレート５２上に保持される。
【００８２】
また、基板保持プレート５２の底部には、基板保持プレート５２を加熱するヒータまたは基板保持プレートを冷却する水冷管により構成された複数の温調部５２ｃが取り付けられている。複数の温調部５２ｃは、基板９０の搬送方向に配列され、各温調部５２ｃの出力（加熱力または冷却力）は個別に制御可能となっている。このため、各温調部５２ｃを動作させると、基板保持プレート５２の各位置は個別に温度制御される。例えば、各温調部５２を異なる出力で動作させると、基板保持プレート５２上にはｘ軸方向の温度勾配が形成される。基板保持プレート５２上に保持された基板９０は、その保持位置における基板保持プレート５２の温度に応じて加熱または冷却されることとなる。
【００８３】
また、基板保持プレート１２上に保持された基板９０の下面には、温調部５４ｄにより加熱または冷却された窒素ガスが吹き付けられている。このため、基板９０と窒素ガスとの間でも熱の交換が行われ、基板９０は加熱または冷却される。複数の温調部５４ｄの出力は、複数の温調部５２ｃの出力に応じて個別に制御される。このため、各吐出孔５２ａから吐出される窒素ガスの温度も、基板保持プレート５２上の温度勾配に応じて制御されたものとなっており、基板９０はその温度に応じて加熱または冷却される。このように、熱処理部５〜９は、複数の温調部５２ｃにより構成される第１の温調手段と、複数の温調部５４ｄにより構成される第２の温調手段とを有している。
【００８４】
基板搬送機構３１は、レジスト塗布処理部４から熱処理部９まで基板９０を水平に搬送するための機構である。図１５に示したように、基板搬送機構３１は、レジスト塗布処理部４および熱処理部５〜９の左右の側部に沿って敷設された一対のレール部３１ａと、レール部３１ａに沿って移動する一対の移動部３１ｂとを有している。レール部３１ａおよび移動部３１ｂは、公知の種々の移動機構により構成することができるが、例えば、モータの回転駆動をボールネジや搬送ベルトを介して直動運動に変換する機構や、リニアモータを用いた機構により構成することができる。
【００８５】
基板搬送機構３１を動作させると、一対の移動部３１ｂはレール部３１ａに沿ってｘ軸方向に並進する。また、各移動部３１ｂには、基板９０の−ｘ側の端面に当接するための当接部３１ｃが固設されている。このため、一対の移動部１３ｂを＋ｘ方向に移動させると、各処理部の基板保持プレート４２，５２上に非接触で保持された基板９０の端面に当接部３１ｃが当接し、当接部３１ｃとともに基板９０が＋ｘ方向に移動する。なお、当接部３１ｃは移動部３１ｂ上において回動可能となっており、各処理部のチャンバ４１，５１が閉鎖されているときには、当接部３１ｃはチャンバ４１，５１の側方回動して退避する（図１５の仮想線の状態）。
【００８６】
また、この基板処理装置３は、上記の構成に加えて制御部３２を備えている。図１８は、基板処理装置１内の上記各部と制御部３２との間の接続構成を示したブロック図である。図１８に示したように、制御部３２は、チャンバ上部４１ａ，５１ａ、開閉弁４４ｃ，４４ｇ，５４ｃ，５４ｇ、温調部５２ｃ，５４ｄ，基板搬送機構３１と電気的に接続されており、これらの動作を制御する。なお、制御部３２は、具体的にはＣＰＵやメモリを有するコンピュータにより構成されており、コンピュータにインストールされたプログラムに従ってコンピュータが動作することにより、上記の制御動作を行う。
【００８７】
基板処理装置３において基板９０の処理を行うときには、まず、レジスト塗布処理部４のチャンバ４１内に基板９０が搬入される。基板９０は、チャンバ４１内において基板保持プレート４２上に非接触で保持される。ノズル部４３は、基板保持プレート４２上に保持された基板９０の上部を−ｘ方向に移動しつつ、基板９０の上面にレジスト液を塗布する。なお、レジスト塗布の段階では基板保持プレート４２上に基板９０を接触保持し、レジスト塗布後に複数の吐出孔４２ａから窒素ガスを吐出して基板９０を浮上させるようにしてもよい。
【００８８】
次に、基板搬送機構３１は、当接部３１ｃを基板９０の−ｘ側の端部に当接させ、＋ｘ方向に移動することにより基板９０を＋ｘ方向に搬送する。基板９０は、レジスト塗布処理部４から搬出され、熱処理部５〜９の各基板保持プレート５２上をゆっくりと搬送される。各基板保持プレート５２は複数の温調部５２ｃにより温調され、複数の吐出孔５２ａから吐出される窒素ガスは複数の温調部５４ｄにより温調されている。このため、基板９０は＋ｘ方向に搬送されつつ、各基板保持プレート５２上において温調される。
【００８９】
図１９は、熱処理部５〜９における各基板保持プレート５２の温度分布の例を示した図である。図１９において、横軸は各基板保持プレート５２のｘ軸方向の位置を示しており、縦軸は設定温度を示している。図１９の例では、熱処理部５の基板保持プレート５２には、常温Ｔ０から最高温度Ｔ１まで＋ｘ方向に徐々に温度が上昇するように温度勾配が形成されており、熱処理部６，７の基板保持プレート５２は全体が最高温度Ｔ１となるように設定されている。また、熱処理部８の基板保持プレート５２には、最高温度Ｔ１から常温Ｔ０まで＋ｘ方向に徐々に温度が下降するように温度勾配が形成されており、熱処理部９の基板保持プレート５２は全体が常温Ｔ０となるように設定されている。また、基板保持プレート５２上の各吐出孔５２ａから吐出される窒素ガスの温度も、そのｘ軸方向の位置に応じて、図１９の温度分布に対応する温度に設定されている。
【００９０】
このような熱処理部５〜９において基板９０が搬送されると、まず、基板９０は、熱処理部５において、基板保持プレート５２の温度勾配に従って常温Ｔ０から最高温度Ｔ１までゆっくりと加熱される。そして、基板９０は、熱処理部６〜７を通過する間最高温度Ｔ１に維持される。また、基板９０は熱処理部８において、基板保持プレート５２の温度勾配に従って最高温度Ｔ１から常温Ｔ０までゆっくりと冷却され、熱処理部９を通過する間常温Ｔ０に維持される。このため、基板９０の温度が急激に上昇または下降することはなく、基板９０はムラなく熱処理される。基板９０の急激な温度上昇を防止するために、熱処理部５の先頭部分の温度Ｔ２は、例えば常温＋３０℃以下となるように設定することが望ましい。また、基板９０の急激な温度低下を防止するために、熱処理部８の先頭部分の温度Ｔ３は、例えば最高温度Ｔ１−３０℃以上なるように設定することが望ましい。
【００９１】
また、この基板処理装置３では、熱処理部５〜９における基板９０の急激な温度変化を防止することができるため、レジスト塗布後に基板９０を完全に乾燥させなくても、熱処理時に基板９０の表面の状態にムラが生じることはない。したがって、レジスト塗布後の減圧乾燥処理を省略することができ、基板処理装置３の構成を簡易化することができる。
【００９２】
また、本実施形態の基板処理装置３も、第１実施形態の基板処理装置１や第２実施形態の基板処理装置２と同じように、基板保持プレート５２上に基板９０を非接触で保持し、基板９０を一方向に移動させつつ加熱処理または冷却処理を行う。このため、基板９０の下面に支持ピン等の部材が当接することはなく、基板９０の損傷や汚染が防止される。また、支持ピン等の部材によって加熱処理が部分的に不均一となることもない。また、基板９０を搬送しつつ加熱処理を行うため、基板９０の下面側における気体の流れに関わらず、基板９０の面内を均一に熱処理することができる。
【００９３】
また、本実施形態の吐出孔５２ａおよび吸引孔５２ｂは、基板９０の搬送方向と直交する方向にスリット状に形成されている。このため、基板９０の搬送方向と直交する方向に関して基板保持プレート１２上の気体の流れは均一となる。したがって、基板９０は、搬送方向および搬送方向に直交する方向のいずれの方向に関しても均一に加熱され、基板９０の面内全体が極めて均一に熱処理される。
【００９４】
＜５．第３実施形態の変形例＞
第３実施形態の基板搬送機構３１は、基板９０の搬送方向後方側から基板９０に推力を与える機構であったが、本発明における基板搬送手段は上記の機構に限定されるものではない。例えば、基板９０の左右（＋ｙ側および−ｙ側）から基板９０を挟持しつつ基板９０をｘ軸方向に搬送する機構であってもよく、基板９０の搬送方向前方側から基板９０を引っ張る機構であってもよい。
【００９５】
また、上記の基板搬送機構１３は、基板９０を一方向（＋ｘ方向）にのみ搬送するものであったが、本発明における基板搬送手段は、基板９０を２以上の方向に搬送するものであってもよい。例えば、図１０のような揺動機構１６を基板処理装置３に適用し、基板保持プレート５２の温度が一定となる部分においては、基板９０を＋ｘ方向と−ｘ方向とに交互に搬送するようにしてもよい。このようにすれば、基板９０の搬送スペースを狭小化することができるため、基板処理装置３の占有面積を削減することができる。
【００９６】
また、上記の基板処理装置３では、吐出孔５２ａおよび吸引孔５２ｂのスリット幅は一定であったが、基板９０の処理条件に応じてこれらのスリット幅を調整できるようにしてもよい。例えば、図１１および図１２に示したようなスリット幅調整用プレート２２ｃや、図１３および図１４に示したようなスリット幅調整用プレート２２ｄを利用して、吐出孔５２ａおよび吸引孔５２ｂのスリット幅を調整するようにしてもよい。また、吐出孔５２ａおよび吸引孔１２ｂは、第１実施形態の吐出孔１２ａおよび吸引孔１２ｂようなスポット状の穿孔であってもよい。
【００９７】
上記の基板処理装置３は、複数の温調部５２ｃにより構成された第１の温調手段と、複数の温調部５４ｄにより構成された第２の温調手段とを有していたが、これらの温調手段はいずれか一方のみでもよい。ただし、これらの２通りの温調手段を利用すれば、基板保持プレート５２上の基板９０をよりムラなく温調することができる。
【００９８】
また、上記の例では、熱処理部５〜９における基板保持プレート５２の設定温度の例として図１８を示したが、基板保持プレート５２の設定温度は図１８の例に限定されるものではない。例えば、１つの基板保持プレート５２内には温度勾配を作らず、熱処理部ごとに各基板保持プレート５２の温度に差を付けるようにしてもよい。
【００９９】
また、上記の例では、熱処理部５〜９に対して基板の搬送方向上流側にレジスト塗布処理部４が配置されていたが、基板の上面に他の処理液を塗布する塗布処理部がレジスト塗布処理部４の代わりに配置されていてもよい。
【０１００】
また、上記の基板処理装置３は、液晶表示装置用の角形ガラス基板に対して処理を行う装置であったが、本発明の基板処理装置は、半導体ウエハやＰＤＰ用ガラス基板等の他の基板を処理対象とするものであってもよい。
【図面の簡単な説明】
【０１０１】
【図１】第１実施形態における基板処理装置の平面図である。
【図２】第１実施形態における基板処理装置の縦断面図である。
【図３】第１実施形態における制御部と各部との間の接続構成を示したブロック図である。
【図４】第１実施形態における基板処理の状態を示した図である。
【図５】基板処理装置における基板処理の状態を示した図である。
【図６】基板処理装置における基板処理の状態を示した図である。
【図７】基板処理装置における基板処理の状態を示した図である。
【図８】第２実施形態における基板処理装置の平面図である。
【図９】第２実施形態における基板処理装置の縦断面図である。
【図１０】揺動機構を備えた基板処理装置の平面図である。
【図１１】スリット幅調整用プレートの上面図である。
【図１２】スリット幅調整用プレートの縦断面図である。
【図１３】スリット幅調整用プレートの上面図である。
【図１４】スリット幅調整用プレートの縦断面図である。
【図１５】第３実施形態における基板処理装置の平面図である。
【図１６】第３実施形態におけるレジスト塗布処理部の縦断面図である。
【図１７】第３実施形態における熱処理部の縦断面図である。
【図１８】第３実施形態における制御部と各部との間の接続構成を示したブロック図である。
【図１９】第３実施形態における熱処理部の温度分布の例を示した図である。
【図２０】従来の基板処理装置の構成を示した図である。
【符号の説明】
【０１０２】
１，２，３  基板処理装置
４  レジスト塗布処理部
５〜９  熱処理部
１０  基板保持プレート
１１，４１，５１  チャンバ
１２，２２，４２，５２  基板保持プレート
１２ａ，２２ａ，４２ａ，５２ａ  吐出孔
１２ｂ，２２ｂ，４２ｂ，５２ｂ  吸引孔
１２ｃ  ヒータ
１３，３１  基板搬送機構
１３ａ，３１ａ  レール部
１３ｂ，３１ｂ  移動部
１３ｃ，３１ｃ  当接部
１４ｄ  ヒータ
１５，３２  制御部
１６  揺動機構
２２ｃ  スリット幅調整用プレート
２２ｄ  スリット幅調整用プレート
５２ｃ  温調部
５４ｄ  温調部
９０  基板
【図１】
2008016543.tif 000003
【図２】
2008016543.tif 000004
【図３】
2008016543.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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