(57)【要約】【課題】低電圧で短時間に初期転移を行うことが可能なＯＣＢモードの液晶装置を提供する。【解決手段】対向して配置された素子基板１０及び対向基板２０に挟持された液晶層５０と、複数の画素領域とを有し、前記液晶層の配向状態をスプレイ配向からベンド配向へと転移させて表示を行う液晶装置において、前記素子基板１０に画素電極１５が形成され、前記第２基板には第１共通電極１２１と第２共通電極１２２とが形成されている構成とした。【選択図】図４
2008129307.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向して配置された第１基板及び第２基板に挟持された液晶層と、複数の画素領域とを有し、前記液晶層の配向状態をスプレイ配向からベンド配向へと転移させて表示を行う液晶装置であって、
前記第１基板に、画素電極が形成され、
前記第２基板には、第１電極と第２電極とが形成されていることを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
前記第２電極が、絶縁層を介して前記第１電極上に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項３】
前記第２電極が、前記第１電極に部分的に重なることを特徴とする請求項２に記載の液晶装置。
【請求項４】
前記第２電極が、ストライプ状に形成されていることを特徴とする請求項２又は３に記載の液晶装置。
【請求項５】
前記第１電極が、当該第１電極に隣り合う２つの第２電極の間に形成されていることを特徴とする請求項４に記載の液晶装置。
【請求項６】
前記第２電極の辺縁の少なくとも一部が、隣り合う画素領域同士の間の画素境界領域と重なって配置されていることを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の液晶装置。
【請求項７】
前記第１基板の前記液晶層側又は前記第２基板の前記液晶層側に、転移核形成手段が設けられており、
前記第２電極の辺縁の少なくとも一部が、前記転移核形成手段と重なって配置されていることを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の液晶装置。
【請求項８】
前記第２電極に、屈曲部が形成されていることを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の液晶装置。
【請求項９】
前記第２電極に沿って形成された前記第１電極に、前記第２電極の屈曲部に対応する屈曲部が形成されていることを特徴とする請求項８に記載の液晶装置。
【請求項１０】
前記転移核形成手段と、前記第２電極の屈曲部とが、少なくとも一部で平面的に重なって配置されていることを特徴とする請求項８又は９に記載の液晶装置。
【請求項１１】
前記画素電極に、前記第１電極と前記第２電極との境界領域の少なくとも一部が重なることを特徴とする請求項１から１０のいずれか１項に記載の液晶装置。
【請求項１２】
請求項１から１１のいずれか１項に記載の液晶装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【請求項１３】
対向して配置された第１基板及び第２基板に挟持された液晶層と、複数の画素領域と、前記第１基板に形成された画素電極と、前記第２基板に形成された第１電極と第２電極とを有し、前記液晶層の配向状態をスプレイ配向からベンド配向へと転移させて表示を行う液晶装置の駆動方法であって、
前記第１電極と前記第２電極との間に生じた電界により、前記液晶層の転移操作を行うことを特徴とする液晶装置の駆動方法。
【請求項１４】
対向して配置された第１基板及び第２基板に挟持された液晶層と、複数の画素領域とを有し、前記液晶層の配向状態をスプレイ配向からベンド配向へと転移させて表示を行う液晶装置の駆動方法であって、
前記第２基板の近傍に位置する前記液晶層に対して基板面方向の成分を含む電界を作用させるとともに、前記第１基板の近傍に位置する前記液晶層に対して前記液晶層の厚さ方向の電界を作用させて、前記液晶層の転移操作を行うことを特徴とする液晶装置の駆動方法。
【請求項１５】
対向して配置された第１基板及び第２基板と、前記第１及び第２基板で挟持された液晶層と、複数の画素領域と、前記第１基板に形成された画素電極と、前記第２基板に形成された第１電極と第２電極とを有し、前記液晶層の配向状態をスプレイ配向からベンド配向へと転移させて表示を行う液晶装置の駆動方法であって、
画像表示を行うに際して、前記第１電極と前記第２電極とに同電位を供給することを特徴とする液晶装置の駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置、液晶装置の駆動方法、及び電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶装置として、応答速度の速いＯＣＢ（Optical Compensated Bend）モードのものが知られている（特許文献１参照）。特許文献１に記載されているように、ＯＣＢモードの液晶装置では電源投入時に液晶層の初期転移操作が必要であり、画像表示領域に形成された配線等を利用して液晶層に高電圧を印加している。
【特許文献１】特開２００１−２９６５１９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
特許文献１記載の構成では、画素電極や配線に凸形状や切欠を設けることで当該箇所に電界の歪みを形成し、初期転移操作における転移核の形成を促進するようになっている。しかしながら、このような構成では、画素電極や配線の所定位置に確実に転移核を形成するために数十Ｖ程度の電圧を印加して高い横電界を形成する必要があり、モバイル機器等に用いられる小容量の電源では電界強度が不足して均一かつ確実な初期転移操作を行えないという問題がある。
【０００４】
本発明は、上記従来技術の問題点に鑑み成されたものであって、低電圧で短時間に初期転移を行うことが可能なＯＣＢモードの液晶装置とその駆動方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の液晶装置は、上記課題を解決するために、対向して配置された第１基板及び第２基板に挟持された液晶層と、複数の画素領域とを有し、前記液晶層の配向状態をスプレイ配向からベンド配向へと転移させて表示を行う液晶装置であって、前記第１基板に、画素電極が形成され、前記第２基板には、第１電極と第２電極とが形成されていることを特徴とする。
従来の技術においては、液晶層をスプレイ配向からベンド配向へと初期転移させるきっかけとなる初期転移核を形成するための突起等の初期転移構造を一方の基板に形成したものであった。そのため、この初期転移構造だけでは初期転移核を容易に発生させるには不十分であった。これに対して、本発明は、画素電極が形成された第１基板と対向する第２基板に第１電極と第２電極とを形成しており、これら第１電極と第２電極との間に電界を形成することで初期転移の起点となる転移核を形成するようにした。この構成によれば、第１電極と第２電極との間の広い領域に初期転移の起点が形成されるため、初期転移の伝播が均一かつ高速に行われるようになり、その結果、低電圧で短時間に初期転移を行うことができる。
【０００６】
前記第２電極が、絶縁層を介して前記第１電極上に形成されている構成とすることが好ましい。この構成によれば、第１電極と第２電極との境界領域に、基板厚さ方向と基板面方向の成分を含む電界を形成することができ、当該境界領域で液晶分子をチルトさせて初期転移を促進することができる。これにより初期転移に要する時間を短縮でき、また初期転移操作時に第１電極又は第２電極に印加する電圧を低くすることができる。
【０００７】
前記第２電極が、前記第１電極に部分的に重なる構成とすることが好ましい。このような構成とすることで、第１基板と対向する領域に電極が形成されない領域が存在することがなくなるので、画像表示において不具合を生じることがなくなる。また、平面形状の第１電極上に第２電極が形成されていることから、初期転移の起点となる第１電極と第２電極との境界領域を広く（長く）とることが可能になり、初期転移を円滑に行えるようになる。
【０００８】
前記第２電極が、ストライプ状に形成されている構成とすることが好ましい。このようにストライプ状に形成することで、第１電極と第２電極との境界領域から帯状に初期転移を伝播させることができ、配向むらを生じさせることなく初期転移を進行させることができる。
【０００９】
前記第１電極が、当該第１電極に隣り合う２つの第２電極の間に形成されている構成とすることもできる。このような構成とすれば、第１電極と第２電極との間に基板面方向の電界を生じさせて液晶層に作用させ、初期転移を進行させる構成とすることができる。この場合にも、広い範囲の液晶が初期転移の起点となるため、低電圧で短時間に初期転移を行うことができる。
【００１０】
前記第２電極の辺縁の少なくとも一部が、隣り合う画素領域同士の間の画素境界領域と重なって配置されている構成とすることもできる。この構成によれば、第１電極、又は第１電極上に形成された第２電極のみが、画素電極と対向する構成となるので、第１電極又は第２電極の端縁に段差がある場合にも、かかる段差に起因する液晶の配向乱れによって開口率やコントラストの低下が生じるのを防止でき、高品質の表示を得ることができる。
【００１１】
前記第１基板の前記液晶層側又は前記第２基板の前記液晶層側に、転移核形成手段が設けられており、前記第２電極の辺縁の少なくとも一部が、前記転移核形成手段と重なって配置されている構成とすることもできる。この構成によれば、第１基板と第２基板の双方に転移核形成手段を備えた液晶装置を実現でき、低電圧で短時間に初期転移を行うことができる。
【００１２】
前記第２電極に、屈曲部が形成されている構成とすることもできる。すなわち、第２電極にさらに局所的に初期転移の起点となる転移核を発生させる転移核形成手段を備えた構成としてもよい。これによれば、転移核をより確実に発生させることができ、初期転移の均一性、高速性をさらに高めることができる。
【００１３】
前記第２電極に沿って形成された前記第１電極に、前記第２電極の屈曲部に対応する屈曲部が形成されている構成としてもよい。このように転移核形成手段は第１電極に設けられていてもよい。
【００１４】
前記転移核形成手段と、前記第２電極の屈曲部とが、少なくとも一部で平面的に重なって配置されている構成とすることが好ましい。第２基板側に転移核形成手段たる屈曲部を設けた場合には、第１基板側の転移核形成手段と平面視で重なる位置に配置するのがよい。このような構成とすることで、転移核形成手段（屈曲部）による転移核の発生をさらに確実なものとすることができ、初期転移の均一性、高速性をさらに高めることができる。
【００１５】
前記画素電極に、前記第１電極と前記第２電極との境界領域の少なくとも一部が重なる構成としてもよい。このような構成とすれば、初期転移の起点となる前記境界領域が画素電極上に配置されるので、画素領域内における初期転移の均一性を高めることができる。
【００１６】
本発明の液晶装置の駆動方法は、対向して配置された第１基板及び第２基板に挟持された液晶層と、複数の画素領域と、前記第１基板に形成された画素電極と、前記第２基板に形成された第１電極と第２電極とを有し、前記液晶層の配向状態をスプレイ配向からベンド配向へと転移させて表示を行う液晶装置の駆動方法であって、前記第１電極と前記第２電極との間に生じた電界により、前記液晶層の転移操作を行うことを特徴とする。
この駆動方法によれば、第１電極と第２電極との間の広い領域に初期転移の起点を形成できるので、初期転移の伝播が均一かつ高速に行われるようになり、その結果、低電圧で短時間に初期転移を行うことができる。
【００１７】
本発明の液晶装置の駆動方法は、対向して配置された第１基板及び第２基板に挟持された液晶層と、複数の画素領域とを有し、前記液晶層の配向状態をスプレイ配向からベンド配向へと転移させて表示を行う液晶装置の駆動方法であって、前記第２基板の近傍に位置する前記液晶層に対して基板面方向の成分を含む電界を作用させるとともに、前記第１基板の近傍に位置する前記液晶層に対して前記液晶層の厚さ方向の電界を作用させて、前記液晶層の転移操作を行うことを特徴とする。
このように液晶層の第１基板側と第２基板側とで液晶層に対して異なる向きの電界を作用させることで、初期転移の起点となる液晶の配向乱れが迅速にかつ確実に形成されるので、低電圧で短時間に初期転移を行うことができる。
【００１８】
本発明の液晶装置の駆動方法は、対向して配置された第１基板及び第２基板と、前記第１及び第２基板で挟持された液晶層と、複数の画素領域と、前記第１基板に形成された画素電極と、前記第２基板に形成された第１電極と第２電極とを有し、前記液晶層の配向状態をスプレイ配向からベンド配向へと転移させて表示を行う液晶装置の駆動方法であって、画像表示を行うに際して、前記第１電極と前記第２電極とに同電位を供給することを特徴とする。
このような駆動方法とすれば、画像表示に悪影響を与えることを防止でき、高品質の画像表示を得ることができる。
【００１９】
本発明の電子機器は、先に記載の本発明の液晶装置を備えたことを特徴とする。この構成によれば、高品位かつ高速応答の表示部を備えた電子機器を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
（第１の実施形態）
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しつつ説明する。
なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするために縮尺を適宜変更している。
図１（ａ）は本実施形態の液晶装置を示す平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＨ−Ｈ’線に沿う断面図である。図２は液晶装置を示す等価回路図、図３はサブ画素領域の平面構成図、図４は図３のＡ−Ａ’線に沿う液晶装置の断面図である。図５は液晶分子の配向状態を示す概略図である。
【００２１】
本実施形態の液晶装置１００は、アクティブマトリクス方式の透過型液晶装置であって、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の各色光を出力する３個のサブ画素で１個の画素を構成するものである。ここで、表示を構成する最小単位となる表示領域を「サブ画素領域（画素領域）」と称する。
【００２２】
液晶装置１００は、図１に示すように、素子基板（第１基板）１０と、素子基板１０に対向配置された対向基板（第２基板）２０と、素子基板１０及び対向基板２０に挟持された液晶層５０とを備えている。また、液晶装置１００は、素子基板１０及び対向基板２０をシール材５２によって貼り合わせており、液晶層５０をシール材５２で区画された領域内に封止している。シール材５２の内周に沿って周辺見切５３が形成されており、周辺見切５３で囲まれた平面視（対向基板２０側から素子基板１０を見た状態）で矩形状の領域を画像表示領域１０ａとしている。
また、液晶装置１００は、シール材５２の外側領域に設けられたデータ線駆動回路１０１及び走査線駆動回路１０４と、データ線駆動回路１０１及び走査線駆動回路１０４と導通する接続端子１０２と、走査線駆動回路１０４を接続する配線１０５とを備えている。
【００２３】
液晶装置１００の画像表示領域１０ａには、図２に示すように、複数のサブ画素領域が平面視マトリクス状に配列されている。各々のサブ画素領域に対応して、画素電極１５と、画素電極１５をスイッチング制御するＴＦＴ（Thin Film Transistor：薄膜トランジスタ）３０とが設けられている。画像表示領域１０ａにはまた、複数のデータ線６ａと走査線３ａとが格子状に延びて形成されている。
【００２４】
ＴＦＴ３０のソースにデータ線６ａが接続されており、ゲートには走査線３ａが接続されている。ＴＦＴ３０のドレインは画素電極１５と接続されている。データ線６ａはデータ線駆動回路１０１に接続されており、データ線駆動回路１０１から供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを各サブ画素領域に供給する。走査線３ａは走査線駆動回路１０４に接続されており、走査線駆動回路１０４から供給される走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを各サブ画素領域に供給する。データ線駆動回路１０１からデータ線６ａに供給される画像信号Ｓ１〜Ｓｎは、この順に線順次で供給してもよく、互いに隣接する複数のデータ線６ａ同士に対してグループごとに供給してもよい。走査線駆動回路１０４は、走査線３ａに対して、走査信号Ｇ１〜Ｇｍを所定のタイミングでパルス的に線順次で供給する。
【００２５】
液晶装置１００は、スイッチング素子であるＴＦＴ３０が走査信号Ｇ１〜Ｇｍの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１〜Ｓｎが所定のタイミングで画素電極１５に書き込まれる構成となっている。そして、画素電極１５を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１〜Ｓｎは、画素電極１５と液晶層５０を介して対向配置された後述する共通電極との間で一定期間保持される。
ここで、保持された画像信号Ｓ１〜Ｓｎがリークするのを防止するため、画素電極１５と共通電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量１７が接続されている。蓄積容量１７は、ＴＦＴ３０のドレインと容量線３ｂとの間に設けられている。
【００２６】
次に、液晶装置１００の詳細な構成について、図３及び図４を参照して説明する。図３において、平面視でほぼ矩形状のサブ画素領域の長軸方向、画素電極１５の長軸方向、並びにデータ線６ａの延在方向をＸ軸方向、サブ画素領域の短軸方向や画素電極１５の短軸方向、走査線３ａ及び容量線３ｂの延在方向をＹ軸方向と規定している。
【００２７】
液晶装置１００は、図４に示すように、液晶層５０を挟持して対向する素子基板１０及び対向基板２０と、素子基板１０の外側（液晶層５０と反対側）に配置された位相差板３３及び偏光板３６と、対向基板２０の外側（液晶層５０と反対側）に配置された位相差板３４及び偏光板３７と、偏光板３６の外側に設けられて素子基板１０の外面側から照明光を照射する照明装置とを備えて構成されている。液晶層５０は、ＯＣＢモードで動作する構成となっており、液晶装置１００の動作時に図５（ａ）に示すように液晶分子５１が概略弓形に配向したベンド配向を呈する。
【００２８】
図３に示すように、各々のサブ画素領域には平面視矩形状の画素電極１５が形成されている。画素電極１５の辺端のうちＹ軸方向に延びる長辺に沿ってデータ線６ａが延在しており、画素電極１５の短辺（Ｘ軸方向）に沿って走査線３ａが延在している。走査線３ａの画素電極１５側に、走査線３ａと平行に延びる容量線３ｂが形成されている。
【００２９】
走査線３ａ上に、スイッチング素子であるＴＦＴ３０が形成されている。ＴＦＴ３０は、島状のアモルファスシリコン膜からなる半導体層３５と、半導体層３５と一部平面的に重なるように配置されたソース電極６ｂ及びドレイン電極３２とを備えている。走査線３ａは半導体層３５と平面的に重なる位置でＴＦＴ３０のゲート電極として機能する。
【００３０】
ソース電極６ｂは、半導体層３５と反対側の端部でデータ線６ａと接続されている。ドレイン電極３２は半導体層３５と反対側の端部で平面視略矩形状の容量電極３１と接続されている。容量電極３１は容量線３ｂの平面領域内に配置されており、容量電極３１と容量線３ｂとを電極とする蓄積容量１７を構成している。容量電極３１の平面領域内に形成された画素コンタクトホール２５を介して画素電極１５と容量電極３１とが電気的に接続されることで、ＴＦＴ３０のドレインと画素電極１５とが導通している。図３において、複数のサブ画素領域を覆うようにして、平面ベタ状の第１共通電極（第１電極）１２１と誘電体膜１２３とが形成されている。さらに、走査線３ａと平行に延びる２本の第２共通電極（第２電極）１２２が、画素電極１５の平面領域を横切るように延在している。
【００３１】
図４に示すように、素子基板１０は、例えばガラスや石英、プラスチックなどの透光性材料で構成された基板本体１１を基体として備える。基板本体１１の内側（液晶層５０側）には、走査線３ａ及び容量線３ｂと、走査線３ａ及び容量線３ｂを覆うゲート絶縁膜１２と、ゲート絶縁膜１２を介して走査線３ａと対向する半導体層３５と、半導体層３５と接続されたソース電極６ｂ（データ線６ａ）、及びドレイン電極３２と、ドレイン電極３２と接続されるとともにゲート絶縁膜１２を介して容量線３ｂと対向する容量電極３１とが形成されている。すなわち、ＴＦＴ３０とこれに接続された蓄積容量１７とが形成されている。
【００３２】
ＴＦＴ３０を覆って、ＴＦＴ３０等に起因する基板上の凹凸を平坦化する平坦化膜１３が形成されている。平坦化膜１３を貫通して容量電極３１に達する画素コンタクトホール２５を介して、平坦化膜１３上に形成された画素電極１５と容量電極３１とが電気的に接続されている。画素電極１５を覆って配向膜１８が形成されている。配向膜１８は、例えばポリイミドからなるものであり、サブ画素領域の長軸方向（図３に示す矢印Ｒ１方向）にラビング処理を施されている。
【００３３】
対向基板２０は、例えばガラスや石英、プラスチックなどの透光性材料で構成され基板本体２１を基体として備える。基板本体２１の内側（液晶層５０側）には、各々のサブ画素領域に対応する色種の色材層からなるカラーフィルタ２２と、第１共通電極１２１と、誘電体膜１２３と、第２共通電極１２２と、配向膜２９とが積層形成されている。
【００３４】
第１共通電極１２１は、ＩＴＯ等の透明導電材料からなり、図３に示したように、複数のサブ画素領域を覆う平面ベタ状である。誘電体膜１２３は、シリコン酸化物膜やシリコン窒化物膜等からなる透明絶縁膜であり、第１共通電極１２１を覆って形成されている。そして、第２共通電極１２２は、ＩＴＯ等の透明導電材料からなり、図３に示したように、第１共通電極１２１の平面領域内で部分的に形成されている。第２共通電極１２２は、画像表示領域１０ａにおいて平面視ストライプ状に配列されており、サブ画素領域の画素電極１５上を２本の第２共通電極１２２が横切るように配置されている。なお、第１共通電極１２１とカラーフィルタ２２との間に、カラーフィルタ２２上の凹凸を平坦化するための平坦化膜が形成されていてもよい。
【００３５】
配向膜２９は、例えばポリイミドからなるものであり、第２共通電極１２２と誘電体膜１２３とを覆って形成されている。配向膜２９の表面には、配向膜１８の配向方向Ｒ１と平行な方向（図３に示す矢印Ｒ２方向）のラビング処理が施されている。
【００３６】
次に、ＯＣＢモードの液晶装置１００の初期転移操作を図面に基づいて説明する。ここで、図５は、ＯＣＢモードの液晶分子の配向状態を示す説明図である。
ＯＣＢモードの液晶装置では、その初期状態（非動作時）において、図５（ｂ）に示すように液晶分子５１がスプレイ状に開いた配向状態（スプレイ配向）になっており、表示動作時には、図５（ａ）に示すように液晶分子５１が弓なりに曲がった配向状態（ベンド配向）になっている。そして、液晶装置１００は、表示動作時にベンド配向の曲がり度合いで透過率を変調することで、表示動作の高速応答性を実現する構成となっている。
【００３７】
ＯＣＢモードの液晶装置１００の場合、電源遮断時における液晶分子の配向状態が図５（ｂ）に示すスプレイ配向であるため、電源投入時にある閾値以上の電圧を液晶分子５１に印加することで、図５（ｂ）に示す初期のスプレイ配向から、図５（ａ）に示す表示動作時のベンド配向に液晶分子の配向状態を転移させる、いわゆる初期転移操作が必要となる。ここで、初期転移が十分に行われないことで、表示不良や所望の高速応答性が得られないことが発生する。
【００３８】
本実施形態の液晶装置１００では、対向基板２０側に形成された第１共通電極１２１と第２共通電極１２２とを備えているので、これらの電極間に電圧を印加することで、液晶層５０の初期転移操作を実施することができる。ここで図６は、初期転移操作時及び表示動作時における各々の電極に対する電圧印加形態を説明するための液晶装置１００の概略構成図である。
【００３９】
図６に示すように、液晶装置１００は、液晶パネルの駆動制御を行う制御部２００を備えており、制御部２００は、第１共通電極１２１及び第２共通電極１２２の電位を制御する共通電極制御部２０１と、ＴＦＴ３０を介して画素電極１５の電位を制御する画素電極制御部２０２とを含んで構成されている。
共通電極制御部２０１は、第１共通電極１２１及び第２共通電極１２２と電気的に接続されており、液晶装置１００の作動状態に応じて第１共通電極１２１及び第２共通電極１２２にそれぞれ駆動信号Ｖｃ１及びＶｃ２を供給する。
なお、共通電極制御部２０１は、少なくとも第１共通電極１２１と第２共通電極１２２との電位差を制御可能であればよく、したがって第１共通電極１２１と第２共通電極１２２の少なくとも一方の電位を制御可能に構成されていればよい。本実施形態のように第１共通電極１２１と第２共通電極１２２とを互いに独立に電位制御可能とすれば、初期転移操作時及び画像表示時の双方で詳細な電位制御が可能になる。
【００４０】
上記構成を備えた液晶装置１００における液晶層５０の初期転移操作としては、各々のサブ画素領域に対応して設けられた第２共通電極１２２に対して直流あるいは交流電圧を印加することで、図４に示すように、第１共通電極１２１と第２共通電極１２２との間に斜め方向の電界Ｅ２を発生させ、基板法線方向の電界成分と基板面方向の電界成分をと含む電界Ｅ２を液晶層５０に対して作用させる。
そうすると、第１共通電極１２１と第２共通電極１２２との境界領域では、斜め方向の電界Ｅ２によって液晶分子５１がチルトするので、対向基板２０近傍の液晶層５０において配向状態の異なる複数の液晶領域が形成される。そして、液晶層５０の初期転移は、このような液晶領域の境界が核となって周囲に伝播する。本実施形態では、図３に示したように、複数のサブ画素領域にわたって第２共通電極１２２が延在しており、かかる第２共通電極１２２の端部から帯状に初期転移が伝播するので、局所的に初期転移を促進する構造（電極屈曲部や突起物等）が設けられている場合に比して短時間にかつ均一に初期転移を進行させることができる。
このように本実施形態の液晶装置では、初期転移操作に際してバルクの液晶により配向転移が進行するため、従来に比して低電圧で初期転移操作を実施することができ、例えば第１共通電極１２１を０Ｖ、第２共通電極１２２を１０Ｖとして、第２共通電極１２２と第１共通電極１２１との電位差を１０Ｖ程度とすれば、十分に短時間で均一な初期転移を進行させることができる。
【００４１】
また、上記第２共通電極１２２への電圧印加によって第２共通電極１２２と画素電極１５との間に電位差が生じていると、図４に示すように、液晶層５０に対して層厚方向の電界Ｅ１も作用することとなる。そうすると、第２共通電極１２２と画素電極１５とが重なる領域に位置する液晶分子５１が層厚方向にチルトするので、第２共通電極１２２の形成領域に位置する液晶の初期転移が促進される。これにより、液晶層５０に印加する電圧を低くしても均一な初期転移を短時間に進行させることができる。
【００４２】
さらに本実施形態において、初期転移操作時に、走査線３ａを線順次にＯＮしつつデータ線６ａに信号を入力して、画素電極１５に電圧を印加し、第１共通電極１２１又は第２共通電極と画素電極１５との間にパルス電圧を印加してもよい。例えば、初期転移操作時に画素電極１５を５Ｖ程度の電位に保持しておくことで、画素電極１５（５Ｖ）と第２共通電極１２２（１０Ｖ）との間、及び画素電極１５と第１共通電極１２１（０Ｖ）との間に電位差を生じさせることができ、これらの電極間に生じる電界によって液晶が駆動され、これにより初期転移の伝播を促進して短時間に初期転移を進行させることができる。
【００４３】
また上記の場合において、走査線３ａへの信号入力を行わず、データ線６ａにのみ信号を供給してもよい。
このような駆動方法とすれば、図３に示すように、データ線６ａと画素電極１５の端縁部との間に、走査線３ａ延在方向（Ｘ軸方向）の電界Ｅ３を生じさせることができ、液晶の初期配向方向（Ｒ１，Ｒ２）と異なる方向に液晶分子５１を配向させることができる。またこれにより、画素電極１５のデータ線６ａに沿った方向の辺端部から初期転移を伝播させることができる。
また、対向基板２０側では、データ線６ａに沿う方向（Ｙ軸方向）の電界Ｅ２によって液晶分子５１が駆動されるため、素子基板１０側と対向基板２０側とで液晶分子５１の配向方向が異なる方向となって液晶分子５１がツイストするため、さらに円滑に初期転移が進行する。
【００４４】
ところで、本実施形態の液晶装置１００における画像表示時には、第１共通電極１２１と第２共通電極１２２との間に電位差があると、第２共通電極１２２の端部で液晶分子５１がチルトして配向乱れとなる。したがって、液晶装置１００において画像表示を行う場合には、共通電極制御部２０１は第１共通電極１２１及び第２共通電極１２２に対して印加する電圧Ｖｃ１、Ｖｃ２を同一電圧として共通電極を駆動する。画素電極１５と対向する共通電極の電位を一定に保持することができ、画像表示に不都合を生じることがなくなる。
【００４５】
なお、本実施形態では、配向膜１８，２９のラビング方向を画素電極１５の長辺方向（Ｙ軸方向）としたが、かかるラビング方向（液晶の初期配向方向）については、図３に示した方向に限定されるものではない。例えば、配向膜のラビング方向を画素電極１５の短辺方向（Ｘ軸方向；走査線３ａの延在方向）としてもよく、データ線６ａ及び走査線３ａの延在方向に対して斜めになる方向としてもよい。
【００４６】
初期転移操作時に素子基板１０側のデータ線６ａや走査線３ａに電圧を印加する場合、画素電極１５との電圧を印加された配線との間に形成される電界の向きがラビング方向（初期配向方向）と交差する方向となるように配線を選択する。例えば、図３に示す構成では、データ線６ａに初期転移操作用の電圧を印加することとなる。そして、対向基板２０側の第２共通電極１２２は、データ線６ａと画素電極１５との間に形成される電界Ｅ３と交差する方向の電界Ｅ２を形成できるよう、走査線３ａに沿った方向に延びて形成されている。したがって、上述したようにラビング方向を変更する場合には、かかるラビング方向に対して交差する（好ましくは直交する）方向となるように、第２共通電極１２２の延在方向を変更することが好ましい。
【００４７】
［共通電極の構成例］
次に、図７から図１０を参照して、上記実施形態の液晶装置１００における対向基板２０の電極構造の構成例について説明する。図７及び図８は、第１共通電極１２１及び第２共通電極１２２の複数の構成例を、画素電極１５の配列構造とともに示す平面構成図である。図９は、第１共通電極１２１及び第２共通電極１２２の構成例を、画素電極１５の配列構造とともに示す平面構成図及び断面構成図である。
【００４８】
図７（ａ）に示す第１構成例は、図１から図４に示した液晶装置１００における第１共通電極１２１及び第２共通電極１２２の平面構成をさらに多数のサブ画素領域について示したものである。図７（ａ）に示すように、第１実施形態の液晶装置では、平面視マトリクス状に配列された画素電極１５の全体を覆うようにして平面ベタ状の第１共通電極１２１が形成されており、画素電極１５のそれぞれの平面領域に、画素電極１５の短辺方向（Ｘ軸方向）に延びる帯状の第２共通電極が２本ずつ配置されている。このように各々の画素電極１５に対応させて第２共通電極１２２を配置することで、各サブ画素領域における初期転移を円滑にかつ均一に進行させることができ、サブ画素間でベンド配向状態の不均一が生じるのを効果的に防止することができる。
【００４９】
図７（ｂ）に示す第２構成例は、第１構成例に比して幅の広い第２共通電極１２２を画像表示領域に配置した構成である。平面視マトリクス状に配列された画素電極１５の全体を覆って第１共通電極１２１が形成されており、画素電極１５の短辺方向に沿って延びる帯状の第２共通電極１２２が平面視ストライプ状に配列されている点で第１構成例と共通する。第２構成例に係る第２共通電極１２２は、画素電極１５の長辺方向（Ｙ軸方向）に関して隣接配置された２つの画素電極１５に跨るようにして配置されている。
そして、隣接する第２共通電極１２２間の領域に位置する第１共通電極１２１が、各々の画素電極１５の平面領域内に配置されている。このような構成とした場合にも、各々のサブ画素領域に対応して第１共通電極１２１と第２共通電極１２２の境界領域が配置されている。第１構成例に比して画素電極１５の平面積が狭い場合には、このような構成でも初期転移を十分に円滑に進行させることができる。
【００５０】
図７（ｃ）に示す第３構成例は、画素電極１５の短辺方向に沿って延びる帯状の第２共通電極１２２が平面視ストライプ状に配列されている点では第１構成例と同様であるが、隣接する第２共通電極１２２間の領域が、画素電極１５の長辺方向（Ｙ軸方向）で隣接する画素電極１５間の領域（非画素領域）に配置されている。第１及び第２構成例に比して画素電極１５の平面積が狭い場合には、このように第２共通電極１２２の端部が画素電極１５の外側に配置されている構成であっても、初期転移を十分に円滑に進行させることができる。
【００５１】
図８（ａ）に示す第４構成例では、第３構成例よりもさらに第２共通電極１２２の幅を広くしている。第４構成例に係る第２共通電極１２２は、画素電極１５の長辺方向に沿って配列された３つの画素電極１５に跨るようにして形成されている。したがって、第２共通電極１２２と第１共通電極１２１との境界領域は、各々の画素電極１５に対応して配置されるのではなく、画素電極１５の長辺方向に配列された画素電極１５に関して１つおきに配置されている。先の構成例よりもさらに画素電極１５の平面積が狭い場合、例えばプロジェクタのライトバルブとして用いられる液晶装置を構成する場合には、このように第２共通電極１２２と第１共通電極１２１との境界領域が、複数のサブ画素ごとに配置されている構成であっても、初期転移を十分に円滑に進行させることができる。
なお、本例では第２共通電極１２２が３つのサブ画素領域に跨る幅を有して形成されている場合を例示して説明したが、初期転移を十分に円滑に進行させることができる限りにおいて、第２共通電極１２２の幅をさらに広くしてもよいのは勿論である。
【００５２】
図８（ｂ）に示す第５構成例では、画素電極１５に対する第２共通電極１２２の延在方向が異なる場合の電極構造を示している。すなわち、第２共通電極１２２が、画素電極１５の長辺方向（Ｙ軸方向）に沿って延びる帯状を成して平面視ストライプ状に配列されている。そして、各々の画素電極１５に対応して１本の第２共通電極１２２がそれらの平面領域を横切るように配置されている。
このような構成とした場合にも、初期転移の起点となる第１共通電極１２１と第２共通電極１２２との境界領域が画素電極１５の平面領域内に位置しているので、各々のサブ画素領域において初期転移を均一かつ高速に進行させることができる。
なお、本例のように第２共通電極１２２を配置する場合には、初期転移操作時に、データ線６ａではなく走査線３ａにパルスを入力し、走査線３ａと画素電極１５との間に電界を形成して初期転移の起点を生じさせることが好ましい。このような構成とすることで、素子基板１０側における液晶分子５１の配向方向と、対向基板２０側における液晶分子５１の配向方向とが互いに交差する方向となるので、初期転移の伝播をさらに円滑なものとすることができる。
【００５３】
図８（ｃ）に示す第６構成例は、第５構成例における第２共通電極１２２の幅を広くしたものである。第６構成例に係る第２共通電極１２２は、画素電極１５の短辺方向（Ｘ軸方向）に沿って連続する３つの画素電極１５に跨るようにして配置されている。すなわち、第１共通電極１２１と第２共通電極１２２との境界領域が、画素電極１５の短辺方向に関して、１つおきの画素電極１５上に配置されている構成である。第５構成例に比して画素電極１５の平面積が狭い場合には、このように第２共通電極１２２の端部が全ての画素電極１５上に配置されていなくても、初期転移を十分に円滑に進行させることができる。
なお、第４構成例と同様に、画素電極１５の平面積によっては、さらに画素電極１５に対する第２共通電極１２２の幅を広くしてもよいのは勿論である。
【００５４】
図９に示す第７構成例は、第１共通電極１２１を平面ベタ状ではなく帯状（配線状）に形成した例である。すなわち、図９（ａ）に示すように、画素電極１５の長辺方向（Ｙ軸方向）に延びる帯状の第１共通電極１２１と第２共通電極１２２とが、画素電極１５の短辺方向（Ｘ軸方向）に関して、交互に配列された構成である。そして本構成例の場合には、画素電極１５を平面視で覆う領域に第２共通電極１２２が形成されており、第１共通電極１２１は画素電極１５の短辺方向における画素電極１５間の領域に形成されている。
【００５５】
この構成の場合、図９（ｂ）に示すように、対向基板２０のカラーフィルタ２２上に、第１共通電極１２１及び第２共通電極１２２が形成されており、誘電体膜は設けられていない。そして、これら対向基板２０上の同じ層に形成された第１共通電極１２１と第２共通電極１２２との間に電位差を生じさせることで、液晶層５０に対して略基板面方向の電界（横電界）を作用させ、第１共通電極１２１と第２共通電極１２２との間の領域に、初期転移の起点を形成することができる。
なお、第１共通電極１２１と第２共通電極１２２とを基板厚さ方向で離間する誘電体膜を形成することもできる。具体的には、カラーフィルタ２２上に第１共通電極１２１を形成した後、第１共通電極１２１を覆う誘電体膜を形成し、かかる誘電体膜上に第２共通電極１２２を形成することもできる。
【００５６】
図９に示す第７構成例において、初期転移操作時に、データ線６ａではなく走査線３ａにパルスを入力し、走査線３ａと画素電極１５との間に電界を形成して初期転移の起点を生じさせることが好ましい。このような構成とすることで、素子基板１０側における液晶分子５１の配向方向と、対向基板２０側における液晶分子５１の配向方向とが互いに交差する方向となるので、初期転移の伝播をさらに円滑なものとすることができる。
【００５７】
また、第７構成例では、図９に示すように、第１共通電極１２１と第２共通電極１２２との間の電極が設けられていない領域を、画素電極１５の外側の領域に配置することが好ましい。このような構成とすることで、画素電極１５の平面領域内に、対向基板２０側の電極が形成されない領域が配置されないようにすることができ、開口率やコントラストが低下するのを防止できる。
【００５８】
上記第７構成例では、第１共通電極１２１が、画素電極１５の長辺方向（Ｙ軸方向；データ線６ａ方向）に沿って延びる配線状である場合について説明したが、第１共通電極１２１は走査線３ａと平面視で重なる領域に形成してもよい。すなわち、画素電極１５の短辺方向に沿って延びる配線形状の第１共通電極１２１を、画素電極１５の長辺方向における画素電極１５間の領域に配置してもよい。またこのとき、第２共通電極１２２は画素電極１５の長辺に対応する幅を有して画素電極１５の短辺方向（Ｘ軸方向）に延びる帯状に形成される。
このような構成とした場合にも、図９に示した構成と同様の作用効果を得ることができる。初期転移操作においては、走査線３ａではなくデータ線６ａに対して電圧を印加することが好ましい。
【００５９】
（第２の実施形態）
次に、図１０から図１３を参照して、本発明の第２の実施形態について説明する。図１０は、本実施形態に係る液晶装置の画像表示領域を示す平面構成図である。図１１は共通電極の第２構成例を示す平面構成図である。
本実施形態の液晶装置は、第１実施形態の液晶装置１００と同様、ＴＦＴアクティブマトリクス方式の透過型液晶装置であり、その特徴とするところは、第２共通電極１２２の形状にある。したがって本実施形態の液晶装置の基本構成は第１実施形態の液晶装置と同様であるから、共通の構成要素には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００６０】
図１０に示すように、第２実施形態の第１構成例では、画素電極１５の平面領域内に２本の帯状の第２共通電極１２２が形成されている。各々の第２共通電極１２２の辺端は、部分的に屈曲した形状をなして形成されている。すなわち、第２共通電極１２２の幅方向外側に突出する平面視三角形状の屈曲部を成す凸部１２２ａと、幅方向内側に凹んだ形状の屈曲部を成す凹部１２２ｂとが形成されている。
第２共通電極１２２の一方の辺縁には、データ線６ａと画素電極１５との間の領域に対応して配置された複数の凸部１２２ａが形成されており、他方の辺縁には、同じくデータ線６ａと画素電極１５との間の領域に対応して配置された複数の凹部１２２ｂが形成されている。データ線６ａの延在方向においては、２本の第２共通電極１２２の凸部１２２ａと凹部１２２ｂとが交互に配列されている。さらに詳細には、画素電極１５とこの画素電極１５にＴＦＴ３０を介して接続されたデータ線６ａとの間の領域に、三角形状の凸部１２２ａ、凹部１２２ｂの頂点が配置されている。
【００６１】
上記構成を備えた本実施形態の液晶装置では、第１実施形態の液晶装置１００と同様、例えば第２共通電極１２２に電圧を印加して第１共通電極１２１と第２共通電極１２２との間に形成された電界を液晶層５０に作用させることで、初期転移操作を実施することができる。そして、第２共通電極１２２に形成された凸部１２２ａ及び凹部１２２ｂの辺端においては、第２共通電極１２２の他の部位と異なる方向の電界が形成されて液晶分子の配向が乱れるため、凸部１２２ａ及び凹部１２２ｂの形成位置に初期転移の起点となる転移核を発生させることができる。すなわち、凸部１２２ａ及び凹部１２２ｂは、当該液晶装置の転移核形成手段として機能する。
【００６２】
さらに、本実施形態にあっては、データ線６ａに電圧を印加した場合に、データ線６ａと画素電極１５との間に電界が形成される領域に凸部１２２ａ及び凹部１２２ｂの頂点が配置されているので、データ線６ａと画素電極１５との間に形成される電界と、凸部１２２ａ及び凹部１２２ｂの近傍に形成される電界との作用によって画素電極１５の近傍に確実に初期転移の起点を発生させることができる。また、凸部１２２ａ及び凹部１２２ｂの形成位置に形成される電界と、データ線６ａと画素電極１５との間に形成される電界とは、互いに交差する方向であるため、かかる領域の液晶層５０では液晶分子がツイストして配向する。したがって、本実施形態によれば、第１実施形態に比しても効率的に初期転移を伝播させることができ、短時間に均一な初期転移を進行させることができる。
【００６３】
次に、図１１に示す第２構成例は、図１０に示した第１構成例の凸部１２２ａ及び凸部１２２ｂに代えて、平面視矩形状の屈曲部を成す凸部１２２ｃ及び凹部１２２ｄを有する第２共通電極１２２を備えた構成である。矩形状の凸部１２２ｃ及び凹部１２２ｄは、図１１に示すように、データ線６ａの形成領域に対応して設けられている。具体的には、凸部１２２ｃ及び凹部１２２ｄは、画素電極１５の短辺方向（Ｘ軸方向）の幅が、データ線６ａを挟んで隣接する画素電極１５同士の間隔よりも若干大きく形成されており、凸部１２２ｃ及び凹部１２２ｄの画素電極１５短辺方向（Ｘ軸方向）の端部は、それぞれ異なる画素電極１５上に位置している。
【００６４】
上記構成を備えた第２構成例の液晶装置では、データ線６ａ上に、データ線６ａの延在方向とほぼ直交する方向に延びる辺端を有する凸部１２２ｃ及び凹部１２２ｄが配置されている。したがって初期転移操作時に、第２共通電極１２２及びデータ線６ａに電圧を印加した場合に、液晶層５０の素子基板１０側と対向基板２０側とで異なる方向に液晶分子を配向させることができ、初期転移に有利な配向状態を生じさせることができる。
また、画素電極１５上に第２共通電極１２２の辺端が屈曲した部位が配置されているので、当該屈曲部位において生じる配向乱れを起点として初期転移を伝播させることができる。したがって本構成例においても、効率的に初期転移を伝播させることができ、短時間に均一な初期転移を進行させることができる。
【００６５】
次に、図１２から図１４を参照して、第２の実施形態の第３〜第５構成例について説明する。図１２から図１４に示す構成例は、図１０及び図１１に示した構成例において、素子基板１０側に転移核形成手段を配置した構成である。
なお、図１２から図１４では、説明に必要な構成要素のみを示しており、実際には図１０に示した画素領域と同様に、ＴＦＴ３０、第１共通電極１２１、誘電体膜１２３等が形成されている。
【００６６】
図１２に示す第３構成例では、画素電極１５の長辺方向の中央部に、画素電極１５の短辺方向（Ｘ軸方向）に複数の画素電極１５にわたって延びる帯状の第２共通電極１２２が配置されている。第２共通電極１２２の両側の辺端には、第１構成例と同様の凸部１２２ａと凹部１２２ｂとが形成されている。
【００６７】
そして、第３構成例では、データ線６ａに複数の屈曲部１６ａが形成されており、さらに画素電極１５には、近傍に位置するデータ線６ａの屈曲部１６ａと対応する凹凸形状の凸部１５ａと凹部１５ｂとが形成されている。すなわち、データ線６ａの屈曲部１６ａがデータ線の幅方向で画素電極１５側へ突出している部位と対向する位置に画素電極１５を一部切り欠いてなる凹部１５ｂが形成されており、屈曲部１６ａがデータ線の幅方向で内側に凹んでいる部位と対向する位置に画素電極１５を外側に突出させてなる凸部１５ａが形成されている。
さらに本例では、データ線６ａの屈曲部１６ａの頂点と平面視でほぼ重なる位置に、第２共通電極１２２の凸部１２２ａの頂点、及び凹部１２２ｂの頂点が配置されている。
【００６８】
上記構成を備えた第３構成例の液晶装置では、素子基板１０上のデータ線６ａに形成された屈曲部１６ａ、及び画素電極１５に形成された凸部１５ａ、凹部１５ｂが、初期転移操作時にデータ線６ａ又は画素電極１５に電圧を印加した際に初期転移の起点となる転移核を発生させる転移核形成手段として機能する。したがって本構成例によれば、初期転移操作によって、液晶層５０の対向基板２０側と素子基板１０側のそれぞれに初期転移の起点が形成されるので、短時間に均一な初期転移を進行させることが可能である。さらに本構成例では、素子基板１０側の転移核形成手段である屈曲部１６ａと平面視でほぼ重なる位置に対向基板２０側の転移核形成手段である凸部１２２ａ及び凹部１２２ｂが配置されているので、初期転移の起点を確実にサブ画素領域の複数箇所に形成することができ、初期転移の進行を一層円滑なものとすることができる。
【００６９】
図１３に示す第４構成例は、図１２に示した第３構成例の第２共通電極１２２に代えて、第２構成例と同様の矩形状の凸部１２２ｃ及び凹部１２２ｄを有する第２共通電極１２２を備えたものである。そして、本構成例においても、対向基板２０側の転移核形成手段である第２共通電極１２２の凸部１２２ｃ及び凹部１２２ｄと、素子基板１０側の転移核形成手段である屈曲部１６ａ、及び画素電極１５の凸部１５ａ、凹部１５ｂとが平面視でほぼ重なるように配置されている。詳細には、凸部１２２ｃの先端と、屈曲部１６ａ、凸部１５ａ、及び凹部１５ｂの頂点とが、平面視で重なるよう配置されている。
【００７０】
上記構成を備えた第４構成例の液晶装置でも、素子基板１０側に転移核形成手段である屈曲部１６ａ、凸部１５ａ、及び凹部１５ｂが形成されており、さらにこれらと平面視でほぼ重なる位置に対向基板２０側の転移核形成手段である凸部１２２ｃあるいは凹部１２２ｄが配置されているので、図１２に示した第３構成例と同様に、短時間に均一な初期転移を進行させることができる。
【００７１】
次に、図１４に示す第５構成例は、図１２及び図１３に示した第３及び第４構成例のように画素電極１５やデータ線６ａの形状を変更するのに代えて、素子基板１０上に、転移核形成手段としての突起物１９を設けた構成である。かかる突起物は、例えば絶縁性の樹脂材料をパターニングすることで形成できる。突起物１９は、素子基板１０の表面から液晶層５０側へ突出するものであれば、基板本体１１上の任意の層に形成することができる。典型的には、画素電極１５が形成された基板本体１１上に、感光性樹脂材料を用いて形成する。
【００７２】
突起物１９は、初期転移操作時に、その周囲の液晶分子に配向乱れを生じさせるため、転移核形成手段として機能する。そして、かかる構成を備えた第５構成例の液晶装置でも、素子基板１０側に転移核形成手段である突起物１９が形成されており、さらにこれらと平面視でほぼ重なる位置に対向基板２０側の転移核形成手段である凸部１２２ｃあるいは凹部１２２ｄが配置されているので、図１３に示した第４構成例と同様に、短時間に均一な初期転移を進行させることができる。
なお、平面視三角形状の凸部１２２ａ及び凹部１２２ｂに代えて、図１４に示した矩形状の凸部１２２ｃ及び凹部１２２ｄを第２共通電極１２２に形成してもよいのは勿論である。
【００７３】
（電子機器）
図１５は、本発明に係る電子機器の一例を示す斜視図である。図１５に示す携帯電話１１００は、上記実施形態の液晶装置を小サイズの表示部１１０１として備え、複数の操作ボタン１１０２、受話口１１０３、及び送話口１１０４を備えて構成されている。
図１６は、本発明に係る電子機器の一例である車載用のナビゲーション装置を示す図である。ナビゲーション装置１２００は、上記実施形態の液晶装置を用いた表示部（表示手段）１２０１を備えている。
上記実施形態の液晶装置は、表示品質の低下を最小限に抑えつつ、ＯＣＢモードの初期転移動作を円滑に行うことができるので、表示品質に優れた液晶表示部を備えた携帯電話１１００あるいはナビゲーション装置１２００を提供することができる。
【００７４】
図１７は、本発明に係る電子機器の一例であるリアプロジェクタの概略構成を示す正面図（ａ）、及び側断面図（ｂ）である。リアプロジェクタ１３００は、筐体１３０２と、スクリーン１３０３とを備えている。筐体１３０２の前面のスクリーン１３０３の下方にはフロントパネル１３０４が設けられ、フロントパネル１３０４の左右側にはスピーカ１３０５が設けられている。筐体１３０２内部の下方には、液晶ライトバルブにより変調した光を投射する投射エンジン１３０７が配設されている。投射エンジン１３０７とスクリーン１３０３との間の光路上には、反射ミラー１３０８、反射ミラー１３０９が設置されている。
上記実施形態の液晶装置は、表示品質の低下を最小限に抑えつつ、ＯＣＢモードの初期転移動作を円滑に行うことができるので、表示品質に優れた液晶ライトバルブを投射エンジン１３０７の光変調手段として備えたリアプロジェクタ１３００を提供することができる。
【００７５】
上記各実施形態の液晶装置は、上記した電子機器に限らず、電子ブック、パーソナルコンピュータ、ディジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型あるいはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等々の画像表示手段として好適に用いることができ、いずれの電子機器においても明るく、高コントラストの表示が可能になっている。
【００７６】
なお、本発明の技術範囲は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。本発明は、半透過反射型／透過型／反射型、アクティブマトリクス型／パッシブマトリクス型等を問わず、種々のタイプの液晶装置に適用が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００７７】
【図１】図１は、第１実施形態の液晶装置の全体構成図。
【図２】図２は、第１実施形態の液晶装置の等価回路図。
【図３】図３は、第１実施形態の液晶装置の画素構成を示す図。
【図４】図４は、図３のＡ−Ａ’線に沿う断面構成図。
【図５】図５は、液晶分子の配向状態を示す説明図。
【図６】図６は、制御部を含む液晶装置の概略構成図。
【図７】図７は、共通電極構造の複数の構成例を示す図。
【図８】図８は、共通電極構造の複数の構成例を示す図。
【図９】図９は、共通電極構造の複数の構成例を示す図。
【図１０】図１０は、第２実施形態の液晶装置の画素構成を示す図。
【図１１】図１１は、第２実施形態の液晶装置の画素構成を示す図。
【図１２】図１２は、第２実施形態の液晶装置の画素構成を示す図。
【図１３】図１３は、第２実施形態の液晶装置の画素構成を示す図。
【図１４】図１４は、第２実施形態の液晶装置の画素構成を示す図。
【図１５】図１５は、電子機器の一例である携帯電話。
【図１６】図１６は、電子機器の一例である車載用ナビゲーション装置。
【図１７】図１７は、電子機器の一例であるリアプロジェクタ。
【符号の説明】
【００７８】
１００  液晶装置、２００  制御部、２０１  共通電極制御部、２０２  画素電極制御部、１０  素子基板（第１基板）、１０ａ  画像表示領域、１５  画素電極、１５ａ  凸部（転移核形成手段）、１５ｂ  凹部（転移核形成手段）、１６ａ  屈曲部（転移核形成手段）、２０  対向基板（第２基板）、５０  液晶層、５１  液晶分子、１２１  第１共通電極（第１電極）、１２２  第２共通電極（第２電極）、１２３  誘電体膜、１２２ａ，１２２ｃ  凸部（屈曲部）、１２２ｂ，１２２ｄ  凹部（屈曲部）、２００  制御部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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