(57)【要約】【課題】基板の識別を、塵埃を発生することなくかつ安価、簡単に行なう。【解決手段】ステッパで基板に露光されたパターンの複数の所定位置ｘｉの間隔δｉを測定し識別情報として保存する。後に識別が必要になったとき、被識別基板の所定位置ｘｉの間隔δｉを測定し、保存された識別情報と一致する基板と識別される。他の方法として、所与の識別情報とずれ量Δｉとの関係に基づき、所定位置ｘｉの間隔δｉにずれ量Δｉを加えて露光する。後に識別が必要になったとき、所定位置ｘｉの間隔δｉのずれ量Δｉを測定し、このずれ量Δｉに対応する識別情報を識別情報とずれ量Δｉとの関係から求め比較値とする。この比較値と一致する識別情報を有する基板として識別される。【選択図】図１３
2008311440.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ステッパを用いたステップアンドリピート露光により、基板上に複数パターンを露光する露光工程後に、前記基板を識別する工程を有する基板識別方法において、
前記基板上の所定位置を挟み互いに隣接して形成された第１及び第２の前記パターンの間隔の幅を測定し、前記第１及び第２のパターンの間隔の幅の測定値を識別情報として前記基板に関連付けて記憶部に記憶する工程と、
その後、識別されるべき基板における前記所定位置に対応する位置を挟み互いに隣接して形成された第３及び第４の前記パターンの間隔を測定し、前記第３及び第４のパターンの間隔の幅の測定値を比較値として出力する工程と、
前記記憶部を検索して、前記比較値と一致する前記識別情報に関連付けられた基板を抽出する工程とを有することを特徴とする基板識別方法。
【請求項２】
ステッパを用いたステップアンドリピート露光により、基板上に複数パターンを露光する露光工程後に、前記基板を識別する工程を有する基板識別方法において、
前記基板の識別情報を前記基板に関連付けて記憶部に記憶する工程と、
予め作成された識別情報とずれ量の関係に基づき、前記基板の識別情報に対応するずれ量を作成する工程と、
前記基板上の所定位置を挟み互いに隣接して形成されるべき第１及び第２の前記パターンの間の間隔の幅が、前記所与の幅の間隔より前記ずれ量だけずれるように前記第１及び第２のパターンを露光する工程と、
その後、識別すべき基板における前記所定位置に対応する位置を挟み互いに隣接して形成された第３及び第４の前記パターンの間隔の幅の、前記所与の幅からのずれ量を測定する工程と、
識別情報とずれ量の前記関係に基づき、測定された前記所与の幅からのずれ量に対応する識別情報を比較値として作成する工程と、
前記記憶部を検索して、前記比較値と一致する前記識別情報に関連付けられた基板を抽出する工程とを有することを特徴とする基板識別方法。
【請求項３】
前記パターンは行列状に配置され、
前記第１及び第２のパターンは、一つの行又は一つの列内に配列され、
前記一つの行又は一つの列内で互いに隣接する前記パターンの間隔のうちの少なくとも一つを、前記所与の幅の間隔に修正用ずれ量を加えた幅を有する修正用間隔とし、
前記所定のずれ量と前記修正用ずれ量との総和が零になるように、前記修正用間隔の幅を設定したことを特徴とする請求項２記載の基板識別方法。
【請求項４】
基板上に第１チップと第２チップを形成する工程と、
前記基板上における前記第１チップと第２チップの間隔を記憶する工程と、
前記記憶された間隔を前記基板の識別情報として、前記基板の識別を行なう工程とを有することを特徴とする基板識別方法。
【請求項５】
基板の識別情報を生成し、前記基板と関連付けて保持する記憶部と、
前記識別情報に基づき所定のずれ量を作成し、前記所定のずれ量を予め与えられたステップ幅に加えたステップ間隔を作成するステップ間隔作成部と、
前記ステップ間隔で前記パターンをステップアンドリピート露光するステッパとを有することを特徴とする基板識別装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、１枚の基板上に複数チップを形成する際、ステッパを用いたステップアンドリピート露光により基板上にパターンを露光した後、その基板を加工処理する基板処理工程において、基板に識別標識を形成することなく基板の識別を行なうことができる基板識別方法及びかかる基板識別を行なうことができる基板識別装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置又は表示装置等の電子機器関連装置あるいは微小機械関連装置では、微細パターンを基板表面に繰り返し形成するために、一つのパターンをステップアンドリピート露光するステッパが用いられている。
【０００３】
このように、ステッパにより同一パターンが繰り返し露光された基板は、基板処理工程に投入され、そのパターンに従って回路あるいは微小機構が形成される。
【０００４】
近年、ステッパによる露光を用いて製造される装置、とくに半導体装置の製造において、多数の基板を同時に一つの装置で取り扱う工程が増えている。例えば、マルチチャンバを有する処理装置では複数工程の基板処理工程が一つの処理装置で行なわれるため、一つの処理装置内に処理段階が異なる多数の基板が混在する。
【０００５】
また、多品種の半導体装置を少量生産することも多く、この場合、一つの処理装置内に、処理段階及び回路パターンが異なる複数種類の基板が混在する。また、半導体装置の開発では、同一種類の半導体装置、即ち同一回路パターンが形成された基板を、幾つかの異なる処理条件下、例えばイオン注入条件や熱処理条件が異なる数個の条件下で処理することも多い。その結果、回路パターンが同一で、処理条件が異なる複数の基板が同一装置内に混在することになる。
【０００６】
このように処理段階、回路パターンの種類又は処理条件が異なる多数の基板を同時に処理する装置又は処理システムでは、装置又は処理システムがこれらの装置又は処理システムに投入された全ての基板について、現在の工程及び装置内の位置を管理し、全ての基板が正常な工程を経るように基板の搬送、処理、収納を制御している。
【０００７】
しかし、何らかの異常が発生して基板の順序や位置が入れ代わると、装置又は処理システムの管理範囲を逸脱し、基板の識別ができなくなる場合がある。かかる場合、パターンの外観から基板を識別することは非常に難しい。とくに、パターンが同一で処理条件のみ異なる基板、たとえば熱処理条件やイオン注入の濃度又は加速電圧のみが異なる基板では、目視や顕微鏡観察によって基板を識別することは極めて困難になる。また、同一処理工程を終えた基板が複数枚同一処理装置内にあるときは、これらの基板が混じり合うと外観に基づく識別は非常に困難になる。
【０００８】
このような事態に備え、各基板を確実に識別できるようにするため、個々の基板に識別標識を設けることが一般的に行なわれている。以下、かかる従来の基板の識別方法を説明する。
【０００９】
従来の第１の基板識別方法では、レーザアブレーションを用いて、基板表面に記号、バーコード及び図形等からなる識別標識を刻印する（例えば、特許文献１参照。）。しかし、この方法はレーザアブレーション時の発塵や刻印部分からの発塵を回避することが難しく、製造歩留りを低下させるおそれがある。
【００１０】
従来の第２の基板識別方法では、フォトリソグラフィーを用いて基板表面に識別標識を形成する（例えば、特許文献２、３参照。）。これにより、発塵を回避することができる。
【００１１】
しかし、個々の基板を識別するには、個々の基板に対してそれぞれ異なる識別標識を形成しなければならない。それには、識別すべき基板の数だけマスクを用意しなければならずコスト上昇を招く。また、基板上を一つのマスクを移動させ、基板上の異なる位置に識別標識を露光する方法でも、露光を別工程で行なうことによるコスト上昇を免れない。マスクを用いず、光のスキャンにより露光しても、露光を専用の露光装置を用いて別工程で行なわねばならずコスト上昇を招く。
【００１２】
従来の第３の基板識別方法では、基板上面に配線パターンの形成と同時に配線パターンと同じ材料からなる抵抗パターンを形成する（例えば、特許文献４参照）。しかし、この方法は、配線パターンの形成工程より前の工程での識別には利用できない。また、個々の基板を識別するには、リソグラフィやレーザアブレーションを用いた抵抗パターンの再パターニングを行なわねばならず、コスト上昇や発塵を招く。
【００１３】
従来の第４の基板識別方法では、基板上にマスクを載置して選択成長し、選択成長により識別標識を形成する（例えば、特許文献５参照。）。この方法は、マスクが簡単で、しかも露光及び露光後のパターニングを回避できるという利点がある。しかし、選択成長は、それ自体が大きなコスト上昇を招く。
【００１４】
従来の第５の基板の識別方法では、イオン注入により基板表面に識別標識を記入する（例えば、特許文献６参照。）。この方法は、イオンビームのスキャンによりマスクを用いずに識別標識を形成することができ、しかも発塵がないという利点を有する。しかし、イオン注入により形成された識別標識を目視又は顕微鏡により正確に読み取ることは難しく、読み取りに特別な装置を準備しなければならない。さらに、イオン注入工程自体がコスト上昇の要因となる。
【特許文献１】特開２００６−５２７９２２号公報
【特許文献２】特開２００２−４３１９７号公報
【特許文献３】特開２０００−２０８３８４号公報
【特許文献４】特開２００２−８３７５２号公報
【特許文献５】特開平０７−９４６１６号公報
【特許文献６】特開平０５−５５３５４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
上述したように、レーザアブレーションにより基板に識別標識を形成する従来の基板識別方法では、発塵が多く製造歩留りを低下させるという問題がある。
【００１６】
発塵を回避するために、リソグラフィを用いて基板表面に識別標識を形成する従来の方法では、マスク又はリソグラフィの工程を付加しなければならず、コスト上昇を招くという問題がある。
【００１７】
また、配線パターンと同時に識別標識を形成し、その後に個々の基板に対して識別標識を再パターニングする従来の識別方法では、再パターニングによるコスト上昇に加えて、配線パターン形成以前の工程での基板識別ができないという問題がある。
【００１８】
マスクを用いた選択成長により識別標識を形成する従来の基板識別方法では、選択成長のコストが高いという問題がある。
【００１９】
さらに、イオン注入により識別標識を形成する従来の基板識別方法では、イオン注入のコストが高いことに加えて、識別標識が読み取りにくく確実に読み取るためには特別な装置を要するという問題がある。
【００２０】
本発明は、露光されるべきパターンの他に、基板識別のための識別標識を形成することなく個々の基板を識別することができる、低コストの基板識別方法及びその基板識別方法を実施するに適した基板識別装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
上述した課題を解決するために、本発明の第１の構成の基板識別方法では、まず、基板上の所定位置を挟み互いに隣接して形成された第１及び第２のパターンの間隔の幅を測定し、その測定値を識別情報として基板に関連付けて記憶部に記憶する。その後、識別されるべき基板上の上記所定位置を挟み互いに隣接して形成された第３及び第４の前記パターンの間隔の幅を測定し、この測定値を比較値として出力する。次いで、記憶部を検索して、比較値と一致する前記識別情報に関連付けられた基板を抽出する。
【００２２】
即ち、本第１の構成では、管理すべき基板上の所定位置のパターン間隔の幅を測定し、それを管理すべき基板の識別情報として記憶する。その後の工程において、基板の識別が要求されたとき、被識別対象とされた基板上の同じ位置（所定位置）にあるパターン間隔の幅を測定する。そして、被識別対象とされた基板は、その測定値（間隔の幅）と一致する識別情報を有する基板であると認識され識別される。
【００２３】
本第１の構成では、識別のためにパターン間隔（互いに隣接するパターン間の間隔）の幅以外の情報を必要としない。即ち、従来の基板処理工程に、パターン間隔の測定工程及び記憶・検索工程を付加するのみで識別することができる。従って、従来の方法のように基板上に、回路パターンとは別工程で、識別用のパターンや記号を形成する必要がないので、従来の方法に比べて基板識別に必要なコストが大幅に低減される。また、基板を加工することもないので、発塵も回避される。
【００２４】
本明細書において、「パターン」とは一度のショットで露光されるパターンをいい、例えば投影露光に用いられるレチクルのパターンである。かかるパターンには、複数の回路パターン又は複数のその他のパターンが含まれてもよい。
【００２５】
本第１の構成では、パターンはステッパの通常のステップアンドリピート露光により露光される。このとき、パターン間の間隔の幅のばらつきが、ステッパの機械的精度や露光位置制御の限界により自然に発生する露光位置の揺らぎに起因して生ずる。他に、制御又は機械的に意図した揺らぎを与え、間隔の幅のばらつきを大きくすることもできる。このように間隔の幅のばらつきを大きくすることで、間隔の幅の相違が容易に判別されるようになり、識別が容易になる。さらに、後述する第２の構成と同様に、基板の識別情報に対応した間隔を生成させることもできる。この場合、識別をより確実にするために、間隔の幅を離散的にかつ容易に読み取り可能な大きな値に設定することもできる。
【００２６】
本明細書において、パターンの間隔若しくはチップの間隔の幅とは、互いに隣接するパターンの一方のパターンの特定部位と、他方のパターンの他の特定部位との距離をいう。本第１の構成において、この間隔の幅は、パターンが同一のとき、ステップアンドリピート露光のステップ距離により定まる。
【００２７】
かかる間隔の幅として、例えば、露光された２つのパターンのうち、一つのパターンの任意の位置に形成された特定部分と、他のパターンの異なる位置に形成された特定部分との距離をとることができる。
【００２８】
かかる特定部位として、パターンの最外側、例えばパターンに含まれる回路パターンの外周部分を採用し、隣接するパターンに含まれる回路パターンの外周部分間の距離をパターン間隔の幅とすることもできる。また、間隔の幅として、隣接する２つのパターンの同一部分の距離（ステップ距離に相当する。）を採用してもよい。
【００２９】
測定すべき間隔は、予め決定されている所定位置のパターン間隔である。この所定位置は位置情報として予め与えられる。この位置情報は、基板上に配置されたパターン間の位置を示す指標であればよく、例えば、パターンが配置された平面内の位置座標、又は、その所定位置の左右又は上下に位置する一つのパターンを指示する表示を用いてもよい。
【００３０】
この測定すべき間隔は、１個のパターンの周囲に形成された間隔に限られず、複数個のパターンの周囲に形成された複数の間隔を選択することもできる。また、あるパターンの左右上下に形成されるパターンとの間隔のうちから１又は複数の間隔を選択してもよく、左右上下の全ての間隔を選択してもよい。このように測定すべき間隔として複数の間隔を選択する場合、選択される各間隔ごとにその位置を表示する一つの所定位置が予め与えられる。
【００３１】
複数の間隔を選択した場合、基板を特徴づける識別情報は複数の間隔の幅からなる組として記憶部に保持され、基板識別工程で比較値と比較される。この場合、選択する間隔の数が多いほど、識別情報の一組を構成する間隔の幅の個数が多くなるので、多くの異なる識別情報が生成する結果、より多数の基板の識別が可能となる。また、識別情報の冗長度が高くなるので、識別の確実性が向上する。
【００３２】
選択された間隔は、互いに連続するパターン間の間隔であっても、あるいは互いに隣接することなく基板上に分散する間隔であってもよい。連続するパターン間の間隔を選択すると、測定すべき間隔がほぼ等距離のステップ間隔をおいて存在するので、測定の操作が容易になる。他方、分散していると、上下左右の全ての間隔を識別情報として使用できるので、識別情報を多くすることができる。また、分散することで、基板上の一部領域のパターン間隔が読み取り不能となっても、他の領域のパターン間隔の幅を測定することで識別可能になることも多く、基板識別の確実性が高まる。
【００３３】
記憶部に記憶される識別情報を複数の間隔の幅の組として構成し、基板識別工程で測定または比較される間隔（比較値として測定される間隔）の幅の個数を、識別情報の一組に含まれる間隔の幅の個数より少なくすることもできる。即ち、Ｎ個の間隔の幅の組からなる識別情報を記憶し、Ｍ個（Ｎ＞Ｍ）の間隔の幅からなる比較値と比較することで、基板を識別する。例えば、上下左右の４個の間隔の幅を識別情報として記憶し、識別時には左右上下の何れか１個〜３個の間隔の幅を比較値として用いることができる。あるいは、複数のパターンの周囲に形成された間隔の幅を識別情報として記憶し、識別時には、それらのパターンのうちの一部のパターンの周囲の間隔の幅を比較値として用いる。
【００３４】
このようにすると、比較時に最も測定に適した一群のパターン間の間隔を選択して測定することができる。具体的には、基板上の一部に間隔幅の測定が困難な領域、例えばパターンの欠損又は損傷がある領域が発生しても、その領域を避けて測定する。その測定値から識別が可能となることも多いので、これにより基板識別の確実性が向上する。
【００３５】
本発明の第２の構成の基板識別方法では、まず、基板の識別情報を基板に関連付けて記憶部に記憶する。また、予め作成された識別情報とずれ量の関係に基づき、基板の識別情報に対応するずれ量を作成する。次いで、基板上の所定位置を挟み、その両側に形成されたパターン間の間隔が、所与の間隔よりずれ量だけずれた幅となるようにバターンを配置して露光する。
【００３６】
その後、基板識別時に、識別すべき基板上の所定位置のパターンと隣接するパターンとの間隔の、所定の間隔からのずれ量を測定する。そして、この測定された所定の間隔からのずれ量に対応する識別情報を、識別情報とずれ量の関係から求めて比較値とする。その後、記憶部を検索し、比較値と一致する識別情報を有する基板を抽出する。識別すべき基板は、この抽出された基板として識別される。
【００３７】
即ち、上記第２の構成は、識別情報とずれ量の所与の関係に従い、パターン間隔のずれ量（所与の間隔とのずれ量）を変えて露光する。一方、識別時には、測定されたずれ量を識別情報からなる比較値に変換する。そして、この比較値と一致する識別情報を有する基板が識別されたと判定する。
【００３８】
なお、識別情報とずれ量の関係は、露光に先立ち予め取得又は生成される。かかる関係は、例えば、数式又は表により与えられる。この識別情報は、識別が必要になる可能性を有する基板の枚数に対して、それぞれ異なる識別情報を割り当てることができる数が作成される。
【００３９】
そして、露光工程前に、上記識別情報とずれ量の関係に基づき、一つの識別情報に対して、それぞれの所定位置の間隔の幅に加算するずれ量が決定される。逆に、基板識別工程では、それぞれの所定位置の間隔について測定されたずれ量から、上記識別情報とずれ量の関係に基づき、その測定されたずれ量を決定した識別情報、即ち特定の基板に付与された識別情報が求められる。これにより、測定された基板と特定の基板との同一性が識別される。
【００４０】
識別情報は、基板を識別し得る表記であればよい。しかし、識別情報の表記からずれ量を容易に導出できるという観点から、複数個の間隔の各指定位置におけるずれ量を表す表記を要素とする数又は記号の組として構成することが好ましい。
【００４１】
この第２の構成では、第１の構成と同様に、識別のためにパターン間の間隔以外の情報を必要としない。また、パターン間隔の測定は高価な装置を用いることなく容易に行なうことができる。このため、識別に要するコストの上昇が抑制される。とくに間隔の測定、比較は異常がないときは行なう必要がないので、基板識別工程が製造工程の大きなコスト増になることは少ない。
【００４２】
また、本第２の構成では、ずれ量を、ステッパのステップ間隔精度よりも十分大きな間隔を有する離散値として設定することが好ましい。例えば、離散値の最小間隔をΔとするとき、ずれ量を０、±Δ、±２Δ、・・・、±ｎΔ（ｎは整数）と設定する。
【００４３】
ずれ量をこのように離散値として設定することで、測定されるずれ量がアナログ値であるにも拘わらず、測定されるずれ量をデジタル値として扱うことができる。通常、識別情報をデジタル情報として取り扱うことが、基板識別の観点から好ましい。このとき、識別情報とずれ量との関係は共にデジタル値間の関係として表される。このため、ずれ量を、識別情報とずれ量の関係に入力して比較値となる識別情報を取得する過程では、全てデジタル値で演算され、デジタル値の比較値が取得される。さらに、記憶部を検索して比較値に一致する識別情報を有する基板の検索・抽出も、デジタル演算でなされる。このように、ずれ量の測定、識別情報とずれ量の関係から比較値（識別情報）を求める過程、及び記憶部に記憶された識別情報の検索が全てデジタル演算でなされるから、これらの工程を迅速かつ正確に実行することができる。
【００４４】
さらに、第２の構成では、ずれ量と識別情報の関係は一対一に対応付けられている。このずれ量と識別情報との対応が、その一部分（ずれ量及び識別情報を表す複数の数字又は記号の組の中の一部の数字又は記号）が一致したとき、残りの部分の一致不一致を調べなくても、基板が特定される場合がある。この場合、ずれ量の測定を、基板の識別に必要な最小限の数の間隔を選択して行なうこともできる。これにより、測定回数を少なくし、識別工程の所要時間を短縮することができる。
【００４５】
上記第２の構成において、行列状に配置されたパターンのうちの一つの行又は列に配列されたパターン間の間隔に、所定のずれ量のずれ及び修正用ずれを付与することができる。このとき、一つの行又は列に付与された所定のずれ量及び修正用ずれ量の総和が零になるように修正用ずれを設定する。なお、修正用ずれは、一つの行又は列の中に１つ又は複数設けることができる。この修正用ずれは、一行又は一列中に一個でも又は複数を設けてもよい。
【００４６】
この修正用ずれを含む構成では、ある行又は列中のずれ量の総和が零に設定されるので、ずれを生じさせるパターンの外側に配置されたパターンは、ずれのない所与の間隔でステップアンドリピート露光される位置に配置される。従って、行列の外側部分、例えば基板上のパターン形成領域の最外側に位置するパターンは、常にずれのない位置に配置される。
【００４７】
基板の外周部はＣＭＰ（化学的機械的研摩）の際にスクラッチが生りやすく、これを防ぐために外周部に位置するパターンを保護する保護膜が形成されることがある。しかし、パターン形成領域の最外側のパターンの位置がずれると、保護膜により保護されずにパターンにスクラッチが入ることがある。本構成では、最外側のパターン位置は所与の位置に固定されるから、かかるパターン位置のずれに起因する基板の損傷は回避される。
【００４８】
上述した本発明の第１又は第２の構成において、間隔測定用のマーカを設けることができる。このマーカは、隣接するパターンの間（間隔の中）に設けられる。
【００４９】
これにより、隣接するパターンの特定部分の間の間隔の測定に代えて、マーカとパターン間の間隔、又はマーカ間の間隔を測定することで、パターン間隔又はずれ量を測定することができる。これらの間隔は、マーカがないパターン間の間隔より大幅に狭くすることができる。このため、容易に精密なずれ量の測定をすることができる。
【００５０】
マーカは、隣接するパターンに設けられたマーカが互いに近接して配置されるように設けることが、測定するマーカ間の間隔を狭くし測定精度を向上するために好ましい。なお、通常、露光位置の位置決めに用いられる位置決め用マーカを上記マーカとして利用することもできる。しかし、隣接パターン間の間隔をより精密に測定するには、それとは別に上述したマーカを形成することが好ましい。
【００５１】
本発明の第３の構成は、上述した第２の構成に係る基板識別方法を実施するに適した基板識別装置に関する。
【００５２】
本発明の第３の構成の基板識別装置は、基板の識別情報を生成し基板と関連付けて保持する記憶部と、識別情報に基づき所定量のずれを作成し、所定量のずれを予め設計値として与えられたステップ幅に加えたステップ間隔を作成するステップ間隔作成部と、そのステップ間隔でパターンをステップアンドリピート露光するステッパとを有する。
【００５３】
この第３の構成のステッパは、基板に関連付けられた識別情報に従い、所定位置に所定量のずれを生ずるように露光する。従って、このステッパを用いて、第２の構成に係るパターン間隔を有するパターンを露光することができる。
【００５４】
このようなずれを有するパターンの露光は、通常のステッパに、外部から与えられるステップ間隔（ずれ量を付加した後の間隔）に従って露光するソフトウエアを組み込むだけで、ステッパの機構の変更、追加をすることなく作製することができる。従って、この構成のステッパは、低コストでかつ容易に製造される。
【発明の効果】
【００５５】
本発明によれば、基板上に配置されるパターンの間隔の幅を基板の識別情報として利用するから、基板に識別標識を形成する必要がないので、低コストでかつ発塵を生じない基板識別方法及び基板識別装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５６】
（第１実施形態）
本発明の第１実施形態はパターン位置の揺らぎを利用した基板識別方法に関する。
【００５７】
図１は本発明の第１実施形態基板識別装置構成図であり、本第１実施形態の基板識別方法に用いられた装置の概要を表している。
【００５８】
図１を参照して、本基板識別装置は、ステッパ２２、基板処理装置２３及びシステムコントローラ２１を含む半導体製造システムと、間隔測定装置２４、記憶部１７及び制御部１０を含む識別システムとから構成されている。
【００５９】
システムコントローラ２１は、ステッパ２２及び基板処理装置２３を制御して、露光から半導体回路の形成にいたる半導体製造システムを制御すると同時に、ステッパ２２、基板処理装置２３及び間隔測定装置２４に供給された基板の位置を、基板の識別情報と関連付けて監視し管理する。さらに、制御部１０を制御することで、識別システムをも管理する。
【００６０】
間隔測定装置２４は、システムコントローラ２１により制御され、基板処理装置２３内で識別が必要になった基板のパターン間隔を測定する。記憶部１７は基板識別に必要な情報を記憶する。制御部１０は、システムコントローラ２１により制御され、間隔測定装置２４及び記憶部１７への基板識別に必要な情報の入出力を制御する。
【００６１】
制御部１０に含まれる位置情報保持部１２は、測定すべき間隔の位置を位置情報として保持する。この位置情報は、制御部１０内で予め作成されるか、又はシステムコントローラ２１から予め送信される。
【００６２】
以下、本第１実施形態の基板識別工程を説明する。
【００６３】
図２は、本発明の第１実施形態工程図であり、半導体基板の露光工程、基板処理工程及び基板識別工程を含む基板識別工程のシーケンスを表している。
【００６４】
図２を参照して、本第１実施形態では、まず、基板の準備工程Ｓ１で、システムコントローラ２１は、基板１を準備すると同時に、その基板に基板番号を付与し、基板番号及びその基板に形成されるべき回路情報を制御部１０に送信する。制御部１０は、基板番号及び回路情報を互いに関連付けて記憶部１７に記憶する。さらに、予め位置情報保持部１２に保持されている位置情報を記憶部１７に記憶する。なお、基板番号及び回路情報は各基板ごとに記憶される。一方、位置情報は最初に記憶された後は変更されず、従って、全ての基板について同一であり、唯一の位置情報が記憶される。
【００６５】
基板番号は、少なくとも基板の混合を生ずるおそれがある基板処理工程に、同時に投入される予定の基板の枚数以上の番号、例えば同時に投入される予定の基板の枚数より多い周期で循環する通し番号が用いられる。また、回路情報は、その基板１に形成される回路に従って分類される半導体装置の種類を表している。
【００６６】
次いで、基板１は露光工程Ｓ２に投入され、ステッパ２２により基板１上に回路パターン３がステップアンドリピートで露光される。
【００６７】
図３は本発明の第１実施形態パターン配置図であり、円板状の半導体基板１に最初に露光されるパターンの配置を表している。なお、図３（ａ）は基板１全面に配置されたパターン３を、図３（ｂ）は図３（ａ）の部分拡大図であり、隣接する２個のパターン３、３’を表している。
【００６８】
図３（ａ）を参照して、本発明の第１実施形態では、直径３００ｍｍの半導体基板１に、１辺が１０ｍｍの正方形の回路パターン２をステッパを用いて露光した。なお、回路パターン２は、一つの半導体チップに形成される回路のパターンである。露光は、回路パターン２を縦３行、横２列の行列状に配置したレチクルを用い、基板１上に行列状にパターン３（レチクルのパターン）を配置し露光した。従って、図３（ｂ）を参照して、パターン３は、３行２列に配置された回路パターン２から構成される。以後、本明細書では説明を簡明にするため、行方向（図２の紙面内の左右方向）をｘ軸方向、列方向（図２の紙面内の上下方向）をｙ軸方向ともいう。
【００６９】
回路パターン２間の間隔の設計値は９０μｍである。また、隣接するレチクル間の回路パターン２、２’間の間隔５も９０μｍである。即ち、図３（ｂ）を参照して、互いに隣接するパターン３、３’（ステップアンドリピート露光により隣接して配置されたパターン３、３’）内に含まれる回路パターン２、２’間の間隔も設計値として９０μｍに設定されている。従って、全ての回路パターン２は、基板１上に９０μｍの間隔を設けて行列状に配置される。なお、図３（ｂ）には、ｙ軸方向の間隔５を図示していないが、ｙ軸方向の間隔５もｘ軸方向の間隔５と同じく９０μｍに設定した。
【００７０】
図４は本発明の第１実施形態パターン平面図であり、図３に示す基板１上に露光されたパターンを拡大して表している。
【００７１】
図４を参照して、一回のショットで露光されたパターン３は、３行２列に配列された回路パターン２−１〜２−６を含む。さらに、パターン３には、回路パターン２−１〜２−６の形成領域の外側でかつパターン３の左右及び上下に、それぞれｙ軸及びｘ軸に平行な線状のマーカ４Ｌ、４Ｒ、４Ｕ、４Ｄが設けられる。
【００７２】
パターン３の左右には、それぞれパターン３’及びパターン３”’が露光される。また、パターン３の上下には、それぞれパターン３”及びパターン３””が露光される。従って、これらのパターン３’、３”、３”’、３””に含まれる回路パターン２’−４〜２’−６、２”−３、２”−６、２”’−１〜２”’−３、２””−１、２””−４は、パターン３に含まれる回路パターン２−１〜２−６に隣接して配置される。
【００７３】
また、パターン３に含まれるマーカ４Ｌ、４Ｒ、４Ｕ、４Ｄはそれぞれ、パターン３に隣接するパターン３’〜３””に含まれるマーカ４’Ｒ、４”’Ｌ、４”Ｄ、４””Ｕに近接して対向するように設けられる。これらのマーカ４は、パターン３と、パターン３に隣接するパターン３’〜３””との間の間隔を測定するために用いられる。
【００７４】
具体的には、近接して対向配置された２個のマーカからなるマーカの組（マーカ４Ｌとマーカ４’Ｒ、マーカ４Ｒとマーカ４”’Ｌ、マーカ４Ｕとマーカ４”Ｄ及びマーカ４Ｄとマーカ４””Ｕの組）のマーカ４間の距離（例えばマーカ４Ｌとマーカ４’Ｒ間の距離）を測定し、この距離をパターン間隔の幅δ１、δ２、δ’１、δ’２として採用する。（後述するように、本実施形態ではマーカ間距離に定数を加算した値を用いた。）。なお、幅δ１、δ２、δ’１、δ’２は、それぞれパターン３の左、右、上及び下に位置するパターン間隔の幅を表している。
【００７５】
隣接するマーカの間隔は、回路パターン２の間隔に比べて狭いから、マーカ４間隔をパターン間隔とすることで、パターン３間隔の相違（即ち、ステップ間隔の変動）を精密に評価することができる。なお、マーカ４を用いずに、回路パターン３間隔を測定することもできる。あるいは、通常、パターン３に含まれる露光の位置合せマークと隣接するパターン３’に含まれる回路パターン２’との距離を測定してもよい。
【００７６】
次いで、露光された基板１は、基板処理工程に投入される。
【００７７】
再び図２を参照して、露光された基板１は、先ず、パターン形成工程Ｓ３において基板処理装置２３に搬入され、現像、エッチングを経て、基板１上面にパターン３が形成される。基板処理装置に搬入された基板１は、その基板番号に基づきシステムコントローラ２１により管理される。
【００７８】
次いで、間隔の測定工程Ｓ４では、基板１を間隔測定装置２４に搬送し、基板１上に形成されたパターン３の間隔の幅を測定する。間隔測定では、マーカ４間の距離を測定し、その測定値に定数を加えてパターン間隔とした。この定数は、測定されたパターン間隔の平均値が設計値のほぼ９０μｍになるように加算するもので、予め実験的に又はレチクル設計の際に与えられる。もちろん、直接にマーカ４間の距離をパターン間隔の幅として用いても差し支えない。間隔測定装置は、例えば通常のパターン間隔を測定する装置あるいは顕微鏡が用いられる。
【００７９】
この工程Ｓ４で測定されるパターン３は、基板１に最も早く形成されるパターン３とすることが、それより早い工程であるために本発明による基板１の識別をすることができなくなるという事態を回避する点で望ましい。半導体装置の製造では、通常は素子分離帯の形成工程が最も早いので、本第１実施形態では、素子分離帯の回路パターン２の形成の後に、パターン３間隔の測定工程Ｓ４を行なった。
【００８０】
また、この間隔の測定工程Ｓ４は、レジストパターンが現像された直後でも良いが、後の変形が少ないという観点から、基板１上にパターンが形成されたとき、例えば基板にトレンチ又はフィールド酸化膜が形成されたときに行なうことが好ましい。マーカ４は、基板１にパターンを形成するとき、同時に同一工程で形成される。
【００８１】
間隔の幅の測定は、位置情報保持部１２から送信された位置情報に基づき、その位置情報が指示する場所ｘ１〜ｘｎに位置する間隔５を選びだし、その選出された間隔５内に形成されたマーカ４間の間隔を測定した。その測定結果は記憶部１７に記憶される。
【００８２】
ここでは位置情報を、パターン３により特定した。この特定されたパターンの位置（例えば中心位置）に、パターン内のその位置（例えば中心位置）からマーカの位置に至るベクトルを加えて、具体的な所定位置の位置座標を算出する。この特定方法では、例えば選択されたパターンの番号と１個のマーカ位置を表す座標とを記憶すれば足り、複数のマーカ又は間隔のｘ及びｙ座標を記憶する方法に比べ取り扱いが簡便である。もちろん、位置情報として所定位置の座標（ｘ、ｙ）を用いてもよい。
【００８３】
図５は本発明の第１実施形態記憶データ構造図であり、図５（ａ）は記憶部１７に記憶された各基板ごとのデータ構造を、図５（ｂ）は位置情報のデータ構造を、図５（ｃ）は図５（ａ）のデータ構造にさらにｙ軸方向のパターン間隔に関するデータを付加したデータ構造を表している。
【００８４】
図５（ａ）を参照して、記憶部１７には、基板番号、ｎ個のパターン間隔の幅δ１〜δ、プロセス情報及び回路情報が一組のデータとして、互いに関連づけられて記憶されている。なお、パターン間隔の幅δ１〜δｎは、それぞれ位置情報により示されるｎ個の所定位置ｘ１〜ｘｎのパターン間隔の幅を表す。
【００８５】
図５（ｂ）を参照して、記憶部１７には、位置情報として、パターン間隔の位置ｘ１〜ｘｎを表すｎ個の表記が記憶されている。なお、表記は、上述したように、ｎ個のパターン３を特定するｎ個の表示と、マーカ位置を表すベクトルとから構成される。なお、このベクトルは、マーカの数だけ用意される。
【００８６】
本第１実施形態では、図３（ａ）を参照して、６個のパターンＡ〜Ｆが選択されて特定されている。このとき所定位置は、特定されたパターンＡ〜ＦとパターンＡ〜Ｆの左に隣接するパターン３との間である。位置情報はパターンＡ〜Ｆの中の一点の座標とその座標位置からパターン３内の左右に設けられたマーカ４Ｒ、４Ｌまでの２個の距離とから構成される。そして、所定位置ｘ１〜ｘｎ（ｎ＝６）は、パターンＡ〜Ｆの座標位置とマーカ４までのベクトルの和として算出され、そこに設けられた対向する一対のマーカ４Ｌ、４’Ｒ間の距離が測定される。かかる測定は、パターンＡ〜Ｆについて順次実行される。
【００８７】
なお、図５（ｃ）を参照して、位置ｘ１〜ｘｎのｘ軸方向の間隔の幅δ１〜δｎに加えて、ｙ軸方向のパターン間隔、例えばパターン３の上下にそれぞれ形成されたマーカ４Ｕ及びマーカ４Ｄに近接して形成されるマーカ４”Ｄ及びマーカ４””Ｕの間隔の上下何れか一方を測定し、その測定されたパターン間隔の幅δ’１〜δ’ｎを識別情報に追加することもできる。さらに、分散して配置されたｎ個のパターン３の左右及び上下の間隔の幅を測定し、この幅を識別情報とすることもできる。
【００８８】
図６は本発明の第１実施形態記憶データ構成図であり、記憶部１７に記憶されている複数枚の基板のデータ構成を表している。
【００８９】
図６を参照して、記憶部１７に、位置情報により指定されたパターンＡ〜Ｆ（図３参照）の左側に位置するパターン３間の間隔の幅δ１〜δ６（図５（ａ）においてｎ＝６の場合）の測定値が、各基板１を表示する基板番号に関連付けられ、識別情報として記憶される。さらに、各基板１のプロセス段階及び形成されるべき回路の種類が、それぞれプロセス情報及び回路情報として基板番号に関連付けられて記憶される。
【００９０】
間隔δ１〜δ６のばらつきは、ステッパ及びその後のパターン形成の工程で生じる。その大きさは、９０μｍを中心に±０．２μｍの範囲でばらついていた。ここでは、測定値を０．１μｍ単位で分離する離散値に丸めた。この０．１μｍの値は、間隔測定装置２４の分解能より十分に大きい。必要ならば、間隔測定装置２４の分解能より大きな範囲で、より小さい分離単位とすることもできる。
【００９１】
離散値の最小分離値は０．１μｍであるから、各間隔の幅δ１〜δ６について、−０．２μｍ〜０．２μｍの間に５個の離散値を採り得る。従って、５6 個の異なる間隔の幅δ１〜δ６の組が生じ得る。しかし、この間隔δ１〜δ６のばらつきは、単なるステッパ及びパターン形成工程でのばらつきに起因するものであるから、任意に制御されていない。このため、間隔の組（δ１〜δ６）には重複するものも多く、現実に識別に利用し得る間隔の組（δ１〜δ６）はこれよりかなり少ない。それにも拘わらず、通常の処理装置又は処理システムに投入され、識別が必要となる基板１を識別するには通常は十分な組が存在する。もし、必要ならば、ｙ軸方向の間隔の幅δ’１〜δ’ｎを加え、さらにより多数のパターン３を指定して所定位置の間隔の個数を増やすこともできる。
【００９２】
この工程Ｓ４で、同一の識別情報（間隔の幅δ１〜δ６の測定値が同一のもの）を有する基板１が複数存在し、かつそれらが他の情報、例えば回路情報及びプロセス情報等からも識別不能となる場合もある。この場合、工程への投入時期を変える、あるいは１枚の基板の処理終了後に次の基板を投入する等の処置をとることで、基板の識別が不能になる事態を回避することができる。
【００９３】
次いで、通常の基板処理工程（露光工程を含んでいても差し支えない）を進めて、半導体装置を製造する。その途中で、何らかの異常が発生し、基板の識別が必要になったとシステムコントローラ２１が判断したとき、システムコントローラ２１は、基板処理工程を中断し、基板識別工程に入る。
【００９４】
基板識別工程では、まず、システムコントローラによる管理が不能となったために、システムコントローラにより識別が必要と判断された基板１を基板処理工程から搬出し、回路識別工程Ｓ５に供給する。
【００９５】
回路識別工程Ｓ５では、識別すべき基板１に形成されている回路パターン２の外観を観察して、基板１上に形成しつつある半導体装置の種類を判定する。観測は目視でもよく、その他の簡便な識別方法、例えばパターン比較装置を用いてもよい。
【００９６】
次いで、判定された半導体装置の種類に一致する回路情報を有する基板１の基板番号を、記憶部１７を検索して抽出する。抽出された基板番号が一つの場合、被識別基板はこの基板番号を有する基板１であると識別される。同じ回路情報を有する基板が複数抽出されても、関連付けられたプロセス情報により識別される場合もある。
【００９７】
種類が判定できなかった場合、又は回路情報（種類）及びプロセス情報からでは識別できなかった場合は、以下に説明する間隔の測定工程Ｓ６を行なう。
【００９８】
パターン間隔の測定工程Ｓ６では、まず、記憶部１７又は位置情報保持部１２から間隔測定装置２４へ位置情報が送信される。間隔測定装置２４は、位置情報が指示する所定位置ｘ１〜ｘ６のパターン間隔の幅δ１〜δ６を測定し、その測定値を制御部１０の検索抽出部１６に送信する。例えば、測定されたパターン間隔の幅δ１〜δ６が、δ１＝８９．９μｍ、δ２＝９０．１μｍ、δ３＝８９．９μｍ、δ４＝８９．８μｍ、δ５＝８９．９μｍ、δ６＝９０．１μｍであるとき、間隔の幅を表す数字の組（８９．９、９０．１、８９．９、８９．８、８９．９、９０．１）が送信される。
【００９９】
次いで、検索・抽出工程Ｓ７で、検索抽出部１６が、図６を参照して、記憶部１７に記憶されているパターン間隔の幅δ１〜δ６の組（識別情報）の中から、受信したパターン間隔の幅δ１〜δ６と一致するパターン間隔の幅δ１〜δ６の組（識別情報）を検索し、その組に関連付けられている基板番号を抽出する。例えば上記の数字の組（８９．９、９０．１、８９．９、８９．８、８９．９、９０．１）が送信されると、図６に示すパターン間隔の幅δ１〜δ６の組のなかから、上記の数字の組と一致する基板番号４のパターン間隔の幅δ１〜δ６の組（識別情報）が検索され、その基板番号４が抽出される。
【０１００】
そして、測定工程Ｓ６で測定された基板は、抽出工程７で抽出された基板番号４が付与された基板であると識別され、その旨を例えば基板番号を表示して通知する。
【０１０１】
次いで、次の基板について、間隔測定工程Ｓ６及び検索・抽出工程Ｓ７がなされる。この間隔測定工程Ｓ６及び検索・抽出工程Ｓ７は、識別が必要とされた全ての基板について順次行なわれる。
【０１０２】
上記の間隔測定工程Ｓ６及び検索・抽出工程Ｓ７において、識別情報として記憶されている所定位置ｘ１〜ｘ６の間隔δ１〜δ６の一部の間隔についてのみ、測定し、検索することもできる。
【０１０３】
例えば、図６を参照して、基板番号が１〜４の基板の識別が必要になり、これらはプロセス情報及び回路情報によっては識別不能である場合であっても、これらの基板の間隔の幅δ１〜δ３の組が互いに重複しない。このため、所定位置ｘ１〜ｘ３の間隔の幅δ１〜δ３のみを測定し、この間隔の幅δ１〜δ３のみで検索しても正しく基板を識別することができる。この所定位置ｘ１〜ｘ３の間隔は、図３を参照して、同一行に隣接するパターンＡ、Ｂ、Ｃの（左側の）間隔であり、間隔測定装置２４での測定位置の設定が基板のｘ軸方向の移動のみでなされ、ｙ軸方向の移動がない。このため、設定が容易かつ迅速に行なわれる。
【０１０４】
また、パターンＤ、Ｅ、Ｆの形状が不明瞭で間隔の幅δ４〜δ６の精密な測定が困難である場合、上記と同様に明瞭なパターンＡ、Ｂ、Ｃの間隔の幅δ１〜δ３のみを測定し、検索することで基板の識別を行なうことができる。このため、識別の確実性が向上する。（第２実施形態）
本発明の第２実施形態は、ステップ間隔に予め所与のずれを付与してパターンを露光し、そのパターン間隔のずれ量を基板識別情報とする基板識別方法に関する。
【０１０５】
図７は本発明の第２実施形態基板識別装置構成図であり、本第２実施形態の基板識別方法に用いられた装置の概要を表している。
【０１０６】
図７を参照して、本基板識別装置は、第１実施形態の基板識別装置と同様に、ステッパ２２、基板処理装置２３及びシステムコントローラ２１を含む半導体製造システムと、間隔測定装置２４、記憶部１７及び制御部３０を含む識別システムとから構成される。これら各装置及びその動作は、以下の点を除き第１実施形態の基板識別装置と同様である。
【０１０７】
本第２実施形態の基板識別装置の制御装置３０は、位置情報保持部１２及び検索・抽出部１６に加えて、識別情報とずれ量の関係表１１、識別情報作成部１３、ずれ量作成部１４及び比較値作成部１５を有する。
【０１０８】
識別情報作成部１３は、予め準備された識別情報の中から、システムコントローラ２１から送信される各基板番号ごとに一つの識別情報を選択し、付与する。ずれ量作成部１４は、予めパターン間隔のずれ量の組を複数組作成し、一つの識別情報に対して一組のパターン間隔のずれ量を割り振る。そして、識別情報とずれ量の関係表１１は、生成されたずれ量の組と識別情報とを対応させて保持する。本第２実施形態では、識別情報とずれ量の関係表１１には、１個の識別情報（Ｒ１、・・・、Ｒｎ）と１組のずれ量（Δ１、・・・、Δｎ）とが一対一に対応付けられている。ここでΔ１、・・・、Δｎは、後述するように、位置ｘ１、・・・、ｘｎにおけるパターン間隔のずれ量を表している。即ち、位置ｘｉの間隔ｘｉのずれ量はΔｉである。
【０１０９】
比較値作成部１５は、測定された一組のパターン間隔のずれ量（１枚の被識別基板内で測定された一組のずれ量）に基づき、被識別基板の識別情報を再現し、これを比較値として出力する。この再現は、測定された一組のずれ量（Δ１、・・・、Δｎ）を、識別情報とずれ量の関係表１１と照合して一致する識別情報（Ｒ１、・・・、Ｒｎ）を比較値として抽出することでなされる。
【０１１０】
検索・抽出部１６は、比較値と一致する識別情報を記憶部１７から検索し、検索された識別番号を有する基板番号を抽出する。
【０１１１】
本第２実施形態のステッパは、ずれ量が入力され、所与のステップ間隔（予め定められた一定間隔）にずれ量を加えたステップ間隔でステップアンドリピート露光を行なう。
【０１１２】
以下本第２実施形態例の基板識別工程を説明する。
【０１１３】
図８は本発明の第２実施形態工程図であり、露光工程、基板処理工程及び基板識別工程を含む基板識別工程のシーケンスを表している。
【０１１４】
先ず、基板の準備工程Ｓ２１では、基板処理に投入される半導体基板１を準備する。システムコントローラ２１は、第１実施形態と同様に、基板１ごとに基板番号を付与し、その基板１の回路情報及びプロセス情報を制御部１０へ送信する。制御部１０は、回路情報及びプロセス情報を基板番号に関連付けて記憶部１７へ記憶する。
【０１１５】
次いで、識別情報作成工程Ｓ４１では、識別情報作成部１３が、予め必要な個数の識別情報を作成しておき、その中から識別情報を選択して各基板番号に割り振る。この基板番号と識別情報は記憶部１７に送信され、記憶部１７に基板番号に対応した識別情報が、回路情報及びプロセス情報とともに記憶される。
【０１１６】
上述した基板の準備工程Ｓ２１に先立ち、ずれ量作成部１４は、ずれ量の組を複数組作成する。このずれ量の組の一組を構成するずれ量の個数は、位置情報保持部１２に保持されている位置情報が表示するパターン間隔の個数と同じか、又はそれより小さい個数とする。
【０１１７】
そして、ずれ量作成部１４は、識別情報作成部１３が作成した識別情報の一つに一つのずれ量の組を割り振り、その結果を、識別情報とずれ量の関係表１１として保持する。
【０１１８】
位置情報は、第１実施形態と同様に、予め定められた所定のパターン間隔の位置を表しており、例えば、基板１上に配置されたパターン群の中の位置座標として表示される。本第２実施形態では、第１実施形態と同様に、位置情報としてパターンを特定する表示を用いた。所定位置の座標位置は、この特定されたパターンの位置と、パターン内に形成されたマーカの位置とから算出される。即ち、パターンを特定する表示から導出されるパターンの位置ベクトルに、パターンからマーカに至る位置ベクトル（このベクトルは予め与えられた１個の一定のベクトルである）を加えてパターン間隔の位置ベクトルとする。この位置情報は、露光工程Ｓ２２及びずれ量作成工程Ｓ４３に先立ち、予め位置情報保持部１２に保持され、さらに、記憶部に記憶される。
【０１１９】
以下に、上述した識別情報、ずれ量及び基板番号の関係を詳細に説明する。なお以下、説明を明確にするため、所定位置ｘｉのパターン間隔を間隔ｘｉと表記し、間隔ｘｉの幅を幅δｉ、幅δｉの所与の幅からのずれ量をずれ量Δｉと表記する。なお、ｉは自然数を表す。
【０１２０】
図９は本発明の第２実施形態の識別情報と基板番号の割り振りを説明する図であり、２個のずれ量Δ１、Δ２と、基板番号１〜２５との関係を表している。
【０１２１】
本第２実施形態では、離散値からなるずれ量Δｉの最小離散間隔Δを０．５μｍ、ずれ量Δｉの最大値を±２μｍとし、２個のずれ量Δ１、Δ２のそれぞれが５レベルの離散値を採り得るように設定した。即ち、ずれ量Δ１、Δ２は、２Δ＝１．０μｍ、Δ＝０．５μｍ、０μｍ、−Δ＝−０．５μｍ、−２Δ＝−１．０μｍからなる５レベルの離散値の何れかをとる。
【０１２２】
識別情報は、離散値からなる２個のずれ量Δ１、Δ２の組（Δ１、Δ２）ごとに一つの識別情報が付与される。なお、識別情報が付与されないずれ量Δ１、Δ２の組があっても差し支えない。この識別情報は、重複しなければいかなる形式の情報であっても差し支えない。例えば、識別情報として、ずれ量Δ１、Δ２の組を最小離散間隔Δで規格化した値を用いることができる。即ち、ずれ量Δ１、Δ２の組が（ｉΔ、ｊΔ）と表わされる（単位はμｍ）とき、識別情報を（ｉ、ｊ）と表現する（ｉ、ｊは整数）。この表現は、識別情報からずれ量Δ１、Δ２を、式や図表を用いることなく、容易に算出することができるという利点がある。
【０１２３】
本第２実施形態では、ずれ量の組（Δ１、Δ２）ごとに、１つの基板番号と１つの識別情報が対応付けられる。例えば、図９において、ずれ量の組（２Δ、−２Δ）、即ち識別情報（２、−２）に対して基板番号１が割り振られ、ずれ量の組（Δ、２Δ）、即ち識別情報（１、２）に対して基板番号２４が割り振られる。なお、このようにして作成された識別情報（ｉ、ｊ）とずれ量（ｉΔ、ｊΔ）は、上述したように、識別情報とずれ量との関係表１１に送信され、保持される。
【０１２４】
なお、ずれ量の組（ｘ１、ｘ２）をそのまま識別情報として用いてもよい。この場合、識別情報とずれ量の関係表３１は不要である。さらに、基板番号を識別情報として用いてもよい。この場合、識別情報の作成は不要である。
【０１２５】
このようにｎ個の間隔ｘ１〜ｘｎのずれ量Δ１〜Δｎからなる組において、ずれ量Δ１〜Δｎがα個のレベルの離散値をとり得るとき、これらの組はαn 個の組合せをとることができる。従って、αn 個の基板に対して異なる識別情報を割り振ることができる。例えば２個のずれ量Δ１、Δ２からなり、５個の離散レベルを有する本第２の実施形態例では、ｎ＝２、α＝５であり、５2 ＝２５個の識別情報が作成でき、その結果２５枚の基板１に対応させることができる。より多数の基板の識別が必要ならば、ずれ量の個数ｎ又は離散レベルαを増やすことで容易に対処することができる。
【０１２６】
次いで、記憶部に記憶する工程Ｓ４２では、記憶部１７に送信された位置情報を基板番号に関連付けて記憶する。さらに、基板番号に関連付けて識別情報、回路情報及びプロセス情報を記憶する。
【０１２７】
図１０は本発明の第２実施形態記憶データ構造図であり、記憶部１７に記憶された基板番号に関連するデータ及び位置情報のデータの構造を表している。なお、図１０（ａ）は基板番号に関連するデータの構造を、図１０（ａ）は位置情報のデータを表している。
【０１２８】
図１０（ａ）を参照して、記憶部１７には、１つの基板番号に対して、識別情報Ｒ１〜Ｒｎ、プロセス情報及び回路情報が関連する一連のデータとして基板番号ごとに記憶される。この識別情報Ｒ１〜Ｒｎは、パターン間隔位置ｘ１〜ｘｎのずれ量Δ１〜Δｎにそれぞれ対応している。一方、位置情報は、ｎ個のパターン間隔位置ｘ１〜ｘｎのそれぞれの右に位置するｎ個のパターンの表示と、これとは別に、パターンからマーカに至る１個のベクトル（図示していない。）とから構成される。
【０１２９】
図１１は本発明の第２実施形態記憶データ構成図であり、２個の間隔ｘ１、ｘ２の幅δ１、δ２を用いたとき（ｎ＝２の場合）の、記憶部１７に記憶された全ての基板番号についてのデータを表している。なお、図１１は、図９に示す割り振りに従って作成されたデータを表している。
【０１３０】
図１１を参照して、記憶部１７には、基板処理工程に投入された基板の基板番号と、その記憶番号に対応付けられた識別情報（Ｒ１、Ｒ２）とが配置されて記憶されている。さらに、その基板のプロセス情報及び回路情報が基板番号に関連付けて配置されている。なお、回路情報ＰＡ、ＰＢ、ＰＣはそれぞれ異なる回路からなる半導体装置の種類を表している。これらのうち、プロセス情報は、後述する基板処理工程のなかでその基板が処理されている工程を表し、システムコントローラにより工程の進行とともに順次書き換えられる。
【０１３１】
次いで、再び図８を参照して、基板１は露光工程Ｓ２２に送られる。
【０１３２】
露光工程Ｓ２２では、まず、ずれ量作成工程Ｓ４３でパターン間隔のずれ量を作成する。ずれ量作成工程Ｓ４３では、露光される基板の基板番号及び位置情報を取得し、図１０を参照して、その基板番号に対応する識別情報（Ｒ１、・・・、Ｒｎ）を取得する。
【０１３３】
次いで、識別情報（Ｒ１、・・・、Ｒｎ）を識別情報とずれ量の関係表３１に照合して、識別情報（Ｒ１、・・・、Ｒｎ）に対応するずれ量の組（Δ１、・・・、Δｎ）を読み出す。次いで、ずれ量の組（Δ１、・・・、Δｎ）の各要素Δｉが、位置情報が表示する所定位置ｘｉのパターン間隔のずれ量Δｉであるとして、所定位置ｘｉ及びずれ量Δｉをステッパ２２へ送信する。なお、位置情報に表示されていないパターン間隔のずれ量は零とされる。
【０１３４】
露光工程Ｓ２２では、基板１はステッパ２２に搬送され露光される。ステッパ２２は、ずれ量作成工程Ｓ４３で作成されたずれ量を、予めシステムコンローラが設定した所与のステップ間隔（一定値である。）に加算したステップ間隔でパターン３を露光する。
【０１３５】
図１２は本発明の第２実施形態パターン配置図であり、半導体基板１上に露光されたパターン配置を表している。図１３は本発明の第２実施形態パターン平面図であり、図１２のパターンＡ、Ｂ、Ｘを含む行の一部を拡大して表している。
【０１３６】
図１２を参照して、直径３００ｍｍの半導体基板１上に、矩形のパターン３を９０μｍの間隔５を設けて行列状に露光した。パターン３は、第１実施形態と同様に、１パターン３内に３行２列に配置された６個の１０ｍｍ角の正方形の回路パターン２を含み、さらにパターン３の左右に、図４を参照して、間隔測定用のマーカ４Ｒ、４Ｌを有する。
【０１３７】
図１２を参照して、パターン３の中から位置情報によりパターンＡ、Ｂ、Ｘが指定される。このとき、図１３を参照して、パターンＡ、Ｂ、Ｘの左のパターン間隔５−１、５−２、５−３の幅は、予め定められた所与の間隔の幅９０μｍにずれ量を加算した間隔δ１、δ２、δａｄ距離とされ、その他のパターン間隔３は所与の間隔の幅９０μｍとされる。
【０１３８】
図１３を参照して、パターンＡ、Ｂの左の間隔５−１、５−２は、９０μｍの一定のパターン間隔に、それぞれ図９に示す間隔ｘ１、ｘ２のずれ量Δ１、Δ２を加算した値、例えば基板番号１７の基板では間隔ｘ１のずれ量Δ１＝−Δ及び間隔ｘ２のずれ量Δ２＝＋Δを加算した値となる。即ち、基板番号１７の基板のパターン間隔５−１、５−２の距離（幅）δ１及びδ２は、δ１＝所定間隔−Δ及びδ２＝所定間隔＋Δである。ここで、所定間隔は９０μｍである。
【０１３９】
パターンＸは、修正用ずれ量を有する修正用間隔５−３を形成するために設けられる。この修正用間隔の距離（幅）δａｄは修正用ずれ量Δａｄを有す。そして、この修正用ずれ量Δａｄ及びパターン間隔５−１、５−２のずれ量の総和、Δａｄ＋Δ１＋Δ２が０となるように修正用ずれ量Δａｄは設定される。
【０１４０】
このように修正用ずれ量Δａｄを設定すると、パターンＸは、ずれ量が零のパターン位置、即ち所定の位置に配置される。従って、パターンＡ、Ｂ以外の全てのパターン３は、ずれ量がない所定位置に配置される。これにより、基板１外周の近傍に配置されるパターン３は常に所定位置に配置され、パターンＡ、Ｂの移動があっても移動しない。このため、基板外周のパターンの移動に起因して、このパターンから生じた欠陥が基板上に延在するという問題は回避される。
【０１４１】
このパターンＸを複数配置し、複数の修正用間隔を設けてもよい。このとき、修正用間隔の修正用ずれ量の総和とパターン間隔５−１、５−２のずれ量の総和との和が零になるように設定する。なお、パターンＸは離れていても、パターンＡ、Ｂの間に設けてもよい。なお、修正用間隔の位置を表示する修正用間隔の位置情報は、位置情報と同様のデータ構造を有し、位置情報とともに位置情報保持部３２に保持される。
【０１４２】
次いで、図８を参照して、基板１はパターン形成工程Ｓ２３へ送られ、基板処理工程が開始する。この基板処理工程はいわゆるウエーハ工程であり、基板処理装置２３内部で行なわれる。システムコントローラ２１は、各基板１の処理工程を管理し、その収容位置を監視する。そして、ある基板１の各処理工程が開始されると同時に、記憶部１７にアクセスし、その基板１の基板番号に対応するプロセス情報を書き換える。
【０１４３】
基板処理工程に異常が発生しないときは、このまま基板処理が進行して半導体装置が形成された基板が製造される。そして、基板１が処理装置２３から搬出されると、システムコントローラ２１は、その基板１の基板番号及びそれに関連する情報を消去する。
【０１４４】
次に、基板処理工程で異常が発生した場合を説明する。
【０１４５】
図８を参照して、システルコントローラ２１は、異常発生を認知すると、まず、基板１の現在置かれている場所、処理工程及び回路情報等を調査し、管理を逸脱した基板１を抽出し、抽出した基板１に対して基板識別工程を開始する。
【０１４６】
基板識別工程では、まず、回路識別工程２４で、基板１に形成されつつある回路の種類を調べ、これを回路情報と比較する。この工程２４は、目視あるいは通常のパターン識別装置、その他の識別装置を用いてなされる。その結果、識別された基板１を除き、残りの回路情報からは識別不能な基板１について、次の間隔の測定工程Ｓ２５を行なう。
【０１４７】
次いでなされる間隔の測定工程Ｓ２５では、位置情報が指示する間隔５−１、５−２及び修正用間隔５−３の位置情報が指示するパターン間隔５−１〜５−３の幅を測定する。測定された間隔の幅の組（δ１、δ２、δａｄ）は、比較値作成部１５に送信される。このパターン間隔の測定は、第１実施形態と同様の装置により、間隔測定用のマーカ４を用いて測定された。
【０１４８】
次いで、比較値作成工程Ｓ４４では、比較値作成部１５が受信した測定値、即ちパターン間隔の幅の組（δ１、δ２、δａｄ）から、所定間隔９０μｍを減算して間隔５−１〜５−３それぞれのずれ量Δ１、Δ２、Δ３を算出する。これらのずれ量は、必ず離散距離の最小値Δの整数倍となっているから、多少の誤差が生じても容易にΔの整数倍の値に丸めることで誤差が修正される。
【０１４９】
次いで、比較値作成部３５は、算出されたずれ量Δ１、Δ２を、識別情報とずれ量の関係表１１に照合して、一致するずれ量の組（Δ１、Δ２）に対応する識別情報を抽出する。例えば、ずれ量の組（Δ１、Δ２）が（−Δ、＋Δ）であると、（−１、＋１）と表示される識別情報（Ｒ１、Ｒ２）が抽出される。比較値作成部１５は、この抽出された識別情報（Ｒ１、Ｒ２）を比較値として検索・抽出部１６へ送信する。
【０１５０】
次いで、検索・抽出工程Ｓ４５では、検索・抽出部１６、記憶部１７を検索して、送信された比較値と一致する識別情報を検索する。次いで、この識別情報に対応する基板番号が抽出される。そして、この基板識別工程で識別中の基板は、その基板番号を有する基板１であると識別される。
【０１５１】
例えば、比較値が（−１、＋１）であるとき、これと同一表記がされる識別情報（−１、＋１）が記憶部１７中から検索され、図１１を参照して、対応する基板番号７が抽出される。このように、記憶部１７を検索するキーが、識別情報と同一表示のデジタル値からなる比較値であるため、検索、抽出は確実かつ容易である。
【０１５２】
上述した第２実施形態では、２箇所の間隔ｘ１、ｘ２にずれ量を付加したが、これを一般にｎ個の間隔ｘ１〜ｘｎに拡張して、適用することができる。
【０１５３】
図１４は本発明の第２実施形態第１変形例パターン平面図であり、一行に含まれ、互いに隣接するｎ個のパターン３間の間隔５−１、・・・、５−ｎにずれ量を付加した場合のパターンを表している。
【０１５４】
図１４を参照して、一般に、位置情報が示す所定位置ｘ１、・・・、ｘｎの間隔ｘ１、・・・、ｘｎの幅δ１、・・・、δｎは、第２実施形態と同様に、δｉ＝所定間隔＋Δｉ（ｉは自然数）と表される。そして、修正用ずれ量δａｄを有する修正用間隔５ａｄを、同一行のパターン３行の中に設ける。
【０１５５】
この第１変形例は、間隔ｘ１、・・・、ｘｎがｎ個ある他は、第２実施形態と同様である。例えはデータ構造は図５（ａ）及び図５（ｂ）に示す第２実施形態のデータ構造と同様である。また、ずれ量はΔ１〜Δｎの組からなり、比較値も識別情報と同じくｎ個の数の組（Ｒ１、・・・、Ｒｎ）からなる。従って、比較値をキーとする識別情報の検索では、ｎ個の数の組が一致する識別情報が検索される。
（第３実施形態）
本発明の第３実施形態は、第２実施形態における間隔の幅として、ｘ軸方向の間隔の幅に加えてｙ軸方向の間隔の幅をも識別用として用いる基板識別方法に関する。
【０１５６】
図１５は本発明の第３実施形態パターン配置図であり、基板上のパターン配置を表している。図１６は本発明の第３実施形態パターン平面図であり、図１６の一部を拡大したものである。
【０１５７】
図１５を参照して、本第３実施形態では、半導体基板１上にパターン３を行列状に露光する。パターン間隔は、ずれ量が零のときは行及び列方向の間隔はともに同一幅、例えば９０μｍである。これらは、第２実施形態と同様である。
【０１５８】
上記パターン３から、複数の行、例えはパターンＡ、Ｂを含む行及びパターンＣ、Ｄを含む行を選択し、これらの行の紙面上側のパターン間隔ｙ１、ｙ２の幅δ’１、δ’２にそれぞれずれ量Δ’１、Δ’２を付与する。ここで、間隔ｙ１、ｙ２は、位置情報ｙ１、ｙ２により指定される所定の行間隔である。
【０１５９】
図１６を参照して、パターンＡ、Ｂは、第２実施形態と同様に、その左側のパターン間隔δ１、δ２が、その基板の識別情報に従い定められるずれ量分増減するように露光される。また、パターンＣ、Ｄも同様に配置される。従って、パターンＡ〜Ｄの左側のパターン間隔の幅の組（δ１、δ２、δ３、δ４）は、識別情報の一部を表現している。
【０１６０】
本第３実施形態では、さらに、パターンＡ、Ｂを含む行の上側のパターン間隔５−１１の幅δ’１、及びパターンＣ、Ｄを含む行の上側のパターン間隔５−１２の幅δ’２を、上記パターンＡ〜Ｄの左側のパターン間隔の幅δ１、δ２、δ３、δ４と同様に、識別情報に従い定められるずれ量分増減して露光する。従って、識別情報を、６個の数からなるパターン間隔の幅の組（δ１、δ２、δ３、δ４、δ’１、δ’２）のそれぞれに対応させることができる。パターン間隔の幅δ１〜δ’２は、それぞれ＋２Δ〜−２Δまでの５個の離散値を採り得るから、この６個の数からなる組により、５6 個の基板に異なる識別情報を付与することができる。
【０１６１】
パターンＸ及びパターンＸ’は、その左側のパターン間隔５−３及びその上側のパターン間隔５−１３が、それぞれ行方向（ｘ軸方向）及び列方向（ｙ軸方向）のずれ量を補正する修正用ずれを与えるように配置される。即ち、行方向の修正用間隔の幅δａｄ１、δａｄ２を、−δａｄ１＝δ１＋δ２、−δａｄ２＝δ３＋δ４とし、列方向の修正用間隔の幅δ’ａｄ１を、−δ’ａｄ１＝δ’１＋δ’２とする。これにより、パターンＡ〜Ｄ以外のパターン３は、全てずれ量が零の所定の位置に配列される。
【０１６２】
図１７は本発明の第３実施記憶データ構造図であり、記憶部１７に記憶された識別情報のデータ構造を表している。
【０１６３】
図１７を参照して、識別情報は行方向のｎ個のずれ量に関連する数値Ｒ１〜Ｒｎと、列方向のｍ個のずれ量（即ちｍ個の行のずれ量）に関連する数値Ｒ’１〜Ｒ’ｍとから構成され、一つの基板番号に対応して記憶さている。さらに、位置情報保持部３２には、位置情報として、これらの各座標位置を表すデータが、識別情報の各数値Ｒ１〜Ｒｎ、Ｒ’１〜Ｒ’ｍに対応させて保持される。これらのデータは、列方向の間隔、即ち隣接する行の間隔が加わる他は、第２実施形態と同様にして利用される。
【０１６４】
本第三実施形態の識別情報、ずれ量及び比較値は、これらの間の関係及びデータ表現は全て第２実施形態と同様である。
【０１６５】
上述した数値Ｒ１〜Ｒｎ、Ｒ’１〜Ｒ’ｍからなる識別情報は、各ずれ量がα段階の離散値をとる場合、αn+m 個の値を採り得る。この値は、ｎ、ｍが２〜３としても、通常の処理装置に投入される基板の数に比べて十分大きく、通常の管理には十分である。さらに、多量の識別情報を必要とする場合は、列方向のずれ量を、各パターンごとに識別情報に従って与えることもできる。例えば、図１５に示すパターンＡ〜Ｄのそれぞれのパターン位置を識別情報に基づいて独立して左右及び上下に移動する。これにより、ｎ個のパターン３を移動させる場合、α2N個の異なる識別情報に対応することができる。
【０１６６】
上記の本明細書には、以下の付記記載の発明が開示されている。
（付記１）ステッパを用いたステップアンドリピート露光により、基板上に複数パターンを配置し露光する露光工程後になされる基板処理工程の開始後に、前記基板を識別する工程を有する基板識別方法において、
前記基板上の所定位置を挟み互いに隣接して形成された第１及び第２の前記パターンの間隔の幅を測定し、前記第１及び第２のパターンの間隔の幅の測定値を識別情報として前記基板に関連付けて記憶部に記憶する工程と、
その後、識別されるべき基板上に、前記所定位置を挟み互いに隣接して形成された第３及び第４の前記パターンの間隔を測定し、前記第３及び第４のパターンの間隔の幅の測定値を比較値として出力する工程と、
前記記憶部を検索して、前記比較値と一致する前記識別情報に関連付けられた基板を抽出する工程とを有することを特徴とする基板識別方法。
（付記２）前記ステッパを用いたステップアンドリピート露光は、ステップ間隔に予め作定された揺らぎを加えて露光することを特徴とする付記１記載の基板識別方法。
（付記３）ステッパを用いたステップアンドリピート露光により、基板上に複数パターンを所与の幅の間隔を設けて配置するように露光する露光工程後になされる基板処理工程の開始後に、前記基板を識別する工程を有する基板識別方法において、
前記基板の識別情報を前記基板に関連付けて記憶部に記憶する工程と、
予め作成された識別情報とずれ量の関係に基づき、前記基板の識別情報に対応するずれ量を作成する工程と、
前記基板上の所定位置を挟み互いに隣接して形成されるべき第１及び第２の前記パターンの間の間隔の幅が、前記所与の幅の間隔より前記ずれ量だけずれるように前記第１及び第２のバターンを露光する工程と、
その後、識別すべき基板上の前記所定位置を挟み互いに隣接して形成された第３及び第４の前記パターンの間隔の幅の、前記所与の幅からのずれ量を測定する工程と、
識別情報とずれ量の前記関係に基づき、測定された前記所与の幅からのずれ量に対応する識別情報を比較値として作成する工程と、
前記記憶部を検索して、前記比較値と一致する前記識別情報に関連付けられた基板を抽出する工程とを有することを特徴とする基板識別方法。
（付記４）前記パターンは行列状に配置されることを特徴とする付記１〜３の何れかに記載の基板識別方法。
（付記５）前記第１パターンは前記基板上に散点状に配置されることを特徴とする付記１〜４の何れかに記載の基板識別方法。
（付記６）前記パターンは行列状に配置され、
前記第１及び第２のパターンは、一つの行又は一つの列内に配列され、
前記一つの行又は一つの列内で互いに隣接する前記パターンの間隔のうちの少なくとも一つを、前記所与の幅の間隔に修正用ずれ量を加えた幅を有する修正用間隔とし、
前記所定のずれ量と前記修正用ずれ量との総和が零になるように、前記修正用間隔の幅を設定したことを特徴とする付記３記載の基板識別方法。
（付記７）前記第２のパターンは、前記第１のパターンの左又は右に位置することを特徴とする付記１〜６の何れかに記載の基板識別方法。
（付記８）前記第２のパターンは、前記第１のパターンの上又は下、及び左又は右に位置することを特徴とする付記１〜６の何れかに記載の基板識別方法。
（付記９）互いに隣接する前記パターンの間に、前記パターンと同時に露光される前記パターン間の間隔測定用のマーカを有することを特徴とする付記１〜８の何れかに記載の基板識別方法。
（付記１０）前記ずれ量は、離散値からなることを特徴とする付記３、６又は９記載の基板識別方法。
（付記１１）前記識別情報は、前記ずれ量を前記離散値の最小間隔で規格化した数値から構成されることを特徴とする付記１０記載の基板識別方法。
（付記１２）基板の識別情報を生成し、前記基板と関連付けて保持する記憶部と、
前記識別情報に基づき所定のずれ量を作成し、前記所定のずれ量を予め与えられたステップ幅に加えたステップ間隔を作成するステップ間隔作成部と、
前記ステップ間隔で前記パターンをステップアンドリピート露光するステッパとを有することを特徴とする基板識別装置。
（付記１３）前記識別情報は、離散値からなる前記ずれ量を前記離散値の最小間隔で規格化した数値として作成する識別情報作成部を備えたことを特徴とする付記１３記載の基板識別装置。
（付記１４）基板上に第１チップと第２チップを形成する工程と、
前記基板上における前記第１チップと第２チップの間隔を記憶する工程と、
前記記憶された間隔を前記基板の識別情報として、前記基板の識別を行なう工程とを有することを特徴とする基板識別方法。                                              
【産業上の利用可能性】
【０１６７】
本発明を、同一装置又は同一システムに複数の基板が投入される半導体装置又は液晶パネルの基板処理工程に適用することで、基板が混在した場合でも確実に基板識別をすることができるので、半導体装置又は液晶パネルの製造コストを削減することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１６８】
【図１】本発明の第１実施形態基板識別装置構成図
【図２】本発明の第１実施形態工程図
【図３】本発明の第１実施形態パターン配置図
【図４】本発明の第１実施形態パターン平面図
【図５】本発明の第１実施形態記憶データ構造図
【図６】本発明の第１実施形態記憶データ構成図
【図７】本発明の第２実施形態基板識別装置構成図
【図８】本発明の第２実施形態工程図
【図９】本発明の第２実施形態の識別情報と基板番号の割り振りを説明する図
【図１０】本発明の第２実施形態記憶データ構造図
【図１１】本発明の第２実施形態記憶データ構成図
【図１２】本発明の第２実施形態パターン配置図
【図１３】本発明の第２実施形態パターン平面図
【図１４】本発明の第２実施形態第１変形例パターン平面図
【図１５】本発明の第３実施形態パターン配置図
【図１６】本発明の第３実施形態パターン平面図
【図１７】本発明の第３実施記憶データ構造図
【符号の説明】
【０１６９】
１  基板
２、２’、２’−４〜２’−６、２”−３、２”−６、２”’−１〜２”’−３、２””−１、２””−４  回路パターン
３、３’、３”、３”’、３””  バターン
４、４Ｌ、４Ｒ、４Ｕ、４’Ｄ、４’Ｒ、４”’Ｌ、４”Ｄ、４””Ｕ  マーカ
５、５−１〜５−ｎ、５ａｄ  間隔
１０、３０  制御部
１１  識別情報とずれ量の関係表
１２  位置情報保持部
１３  識別情報作成部
１４  ずれ量作成部
１５  比較値作成部
１６  検索・抽出部
１７  記憶部
２１  システムコントローラ２１
２２  ステッパ
２３  基板処理装置
２４  間隔測定装置
２５、３８  バス
【図１】
2008311440.tif 000003
【図２】
2008311440.tif 000004
【図３】
2008311440.tif 000005
【図４】
2008311440.tif 000006
【図５】
2008311440.tif 000007
【図６】
2008311440.tif 000008
【図７】
2008311440.tif 000009
【図８】
2008311440.tif 000010
【図９】
2008311440.tif 000011
【図１０】
2008311440.tif 000012
【図１１】
2008311440.tif 000013
【図１２】
2008311440.tif 000014
【図１３】
2008311440.tif 000015
【図１４】
2008311440.tif 000016
【図１５】
2008311440.tif 000017
【図１６】
2008311440.tif 000018
【図１７】
2008311440.tif 000019