(57)【要約】【課題】デアンテナ端子上に形成されたクリームハンダ層を直接加熱、溶融することにより、デュアルインターフェースモジュールのＲＦ端子とアンテナ内蔵カードのアンテナ端子とのハンダ接合を短時間で、効率良く行えるデュアルインターフェースカードの製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】キャビティー５５が形成されたアンテナ内蔵カード５０のアンテナ端子４１上にクリームハンダ層８１を形成し、デュアルインターフェースモジュール６０ａ装着し、貫通孔９１より熱線ビームをクリームハンダ層８１に照射して、ＲＦ端子６１とアンテナ端子４１とをハンダ８１ａにて接合し、デュアルインターフェースモジュールとアンテナとが電気的に接続されたデュアルインターフェースカード１００を作製する。【選択図】図３
2008071028.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板の一方の面に外部接続端子が、他方の面にＲＦ（Radio Frequency）端子が形成され、ＩＣチップが実装されたデュアルインターフェースモジュールとアンテナコイルとアンテナ端子が内蔵されたアンテナ内蔵カードとを用いて作製されるデュアルインターフェースカードの製造方法において、
少なくとも以下の工程を具備することを特徴とするデュアルインターフェースカードの製造方法。
（ａ）オーバーレイ（１１）の一方の面にデザイン絵柄（３１）を、他方の面に接着樹脂層（２１）を形成した加工シート（１０）を作製する工程
（ｂ）耐熱性シート（１２）の所定位置にアンテナコイル（４２）と、アンテナ端子（４１）とを形成したアンテナシート（２０）を作製する工程。
（ｃ）アンテナシート（２０）の両面に加工シート（１０）を積層し、熱プレス加工してアンテナ内蔵ブロックシート（３０）を作製する工程。
（ｄ）アンテナ内蔵ブロックシート（３０）をカード形状に加工してアンテナ内蔵カード（４０）を作製する工程。
（ｅ）アンテナ内蔵カード（４０）の所定位置をザグリ加工（ミーリング加工）してデュアルインターフェースモジュールを装着するためのキャビティー（５５）を形成し、アンテナ端子（４１）を露出して、キャビティーが形成されたアンテナ内蔵カード（５０）を作製する工程。
（ｆ）絶縁基材（１３）の一方の面に外部接続端子（７１）が、他方の面にＲＦ端子（６１）が形成され、ＩＣチップ（５１）が実装されたデュアルインターフェースモジュール（６０）を作製する工程。
（ｇ）デュアルインターフェースモジュール（６０）の絶縁基材（１３）の所定位置を孔開け加工して、ＲＦ端子（６１）を貫通する貫通孔（９１）を形成し、貫通孔（９１）が形成されたデュアルインターフェースモジュール（６０ａ）を作製する工程。
（ｈ）キャビティーが形成されたアンテナ内蔵カード（５０）のアンテナ端子（４１）上にクリームハンダ層（８１）を形成し、アンテナ端子（４１）上にクリームハンダ層（８１）が形成されたアンテナ内蔵カード（５０ａ）を作製する工程。
（ｉ）アンテナ内蔵カード（５０ｂ）のキャビティー（５５）にデュアルインターフェースモジュール（６０ａ）を位置合わせして装着し、貫通孔（９１）よりソフトビームやレーザー光線等の熱線ビームをクリームハンダ層（８１）に照射してクリームハンダ層（８１）を直接加熱することにより、ＲＦ端子（６１）とアンテナ端子（４１）とをハンダ（８１ａ）にて接合し、デュアルインターフェースモジュールとアンテナとが電気的に接続されたデュアルインターフェースカード（１００）を作製する工程。
【請求項２】
絶縁基板の一方の面に外部接続端子が、他方の面にＲＦ（Radio Frequency）端子が形成され、ＩＣチップが実装されたデュアルインターフェースモジュールとアンテナコイルとアンテナ端子が内蔵されたアンテナ内蔵カードとを用いて作製されるデュアルインターフェースカードの製造方法において、
少なくとも以下の工程を具備することを特徴とするデュアルインターフェースカードの製造方法。
（ａ）オーバーレイ（１１）の一方の面にデザイン絵柄（３１）を、他方の面に接着樹脂層（２１）を形成した加工シート（１０）を作製する工程
（ｂ）耐熱性シート（１２）の所定位置にアンテナコイル（４２）と、アンテナ端子（４１）とを形成したアンテナシート（２０）を作製する工程。
（ｃ）アンテナシート（２０）の両面に加工シート（１０）を積層し、熱プレス加工してアンテナ内蔵ブロックシート（３０）を作製する工程。
（ｄ）アンテナ内蔵ブロックシート（３０）をカード形状に加工してアンテナ内蔵カード（４０）を作製する工程。
（ｅ）アンテナ内蔵カード（４０）の所定位置をザグリ加工（ミーリング加工）してデュアルインターフェースモジュールを装着するためのキャビティー（５５）を形成し、アンテナ端子（４１）を露出して、キャビティーが形成されたアンテナ内蔵カード（５０）を作製する工程。
（ｆ）絶縁基材（１３）の一方の面に外部接続端子（７１）が、他方の面にＲＦ端子（６１）が形成され、ＩＣチップ（５１）が実装されたデュアルインターフェースモジュール（６０）を作製する工程。
（ｇ）デュアルインターフェースモジュール（６０）の絶縁基材（１３）の所定位置を孔開け加工して、ＲＦ端子（６１）上に開口部（９２）を形成し、ＲＦ端子（６１）上に開口部（９２）が形成されたデュアルインターフェースモジュール（６０ｂ）を作製する工程。
（ｈ）キャビティーが形成されたアンテナ内蔵カード（５０）のアンテナ端子（４１）上にクリームハンダ層（８１）を形成し、アンテナ端子（４１）上にクリームハンダ層（８１）が形成されたアンテナ内蔵カード（５０ａ）を作製する工程。
（ｉ）アンテナ内蔵カード（５０ａ）のキャビティー（５５）にデュアルインターフェースモジュール（６０ｂ）を位置合わせして装着し、開口部（９２）よりソフトビームやレーザー光線等の熱線ビームをＲＦ端子（６１）に照射してＲＦ端子（６１）を加熱し、ＲＦ端子（６１）を介してクリームハンダ層（８１）を加熱することにより、ＲＦ端子（６１）とアンテナ端子（４１）とをハンダ（８１ｂ）にて接合し、デュアルインターフェースモジュールとアンテナとが電気的に接続されたデュアルインターフェースカード（２００）を作製する工程。
【請求項３】
絶縁基板の一方の面に外部接続端子が、他方の面にＲＦ（Radio Frequency）端子が形成され、ＩＣチップが実装されたデュアルインターフェースモジュールとアンテナコイルとアンテナ端子が内蔵されたアンテナ内蔵カードとを用いて作製されるデュアルインターフェースカードの製造方法において、
少なくとも以下の工程を具備することを特徴とするデュアルインターフェースカードの製造方法。
（ａ）オーバーレイ（１１）の一方の面にデザイン絵柄（３１）を、他方の面に接着樹脂層（２１）を形成した加工シート（１０）を作製する工程
（ｂ）耐熱性シート（１２）の所定位置にアンテナコイル（４２）と、アンテナ端子（４１）とを形成したアンテナシート（２０）を作製する工程。
（ｃ）アンテナシート（２０）の両側に加工シート（３０）を積層し、熱プレス加工してアンテナ内蔵ブロックシート（３０）を作製する工程。
（ｄ）アンテナ内蔵ブロックシート（３０）をカード形状に加工してアンテナ内蔵カード（４０）を作製する工程。
（ｅ）アンテナ内蔵カード（４０）の所定位置をザグリ加工（ミーリング加工）してデュアルインターフェースモジュールを装着するためのキャビティー（５５）を形成し、アンテナ端子（４１）を露出して、キャビティーが形成されたアンテナ内蔵カード（５０）を作製する工程。
（ｆ）絶縁基材（１３）の一方の面に外部接続端子（７１）が、他方の面にＲＦ端子（６１）が形成され、ＩＣチップ（５１）が実装されたデュアルインターフェースモジュール（６０）を作製する工程。
（ｇ）デュアルインターフェースモジュール（６０）の絶縁基材（１３）の所定位置を孔開け加工してＲＦ端子（６１）を貫通する貫通孔を形成して貫通孔内部に導体めっきを施し、スルーホール（９３）が形成されたデュアルインターフェースモジュール（６０ｃ）を作製する工程。
（ｈ）キャビティーが形成されたアンテナ内蔵カード（５０）のアンテナ端子（４１）上にクリームハンダ層（８１）を形成し、アンテナ端子（４１）上にクリームハンダ層（８１）が形成されたアンテナ内蔵カード（５０ａ）を作製する工程。
（ｉ）アンテナ内蔵カード（５０ａ）のキャビティー（５５）にデュアルインターフェースモジュール（６０ｃ）を位置合わせして装着し、スルーホール（９３）よりソフトビームやレーザー光線等の熱線ビームをクリームハンダ層（８１）に照射してクリームハンダ層（８１）を直接加熱することにより、ＲＦ端子（６１）とアンテナ端子（４１）とをハンダ（８１ｃ）にて接合し、デュアルインターフェースモジュールとアンテナとが電気的に接続されたデュアルインターフェースカード（３００）を作製する工程。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、各種証明証や電子決済システム、ドアの開閉システム等に使用される接触式と非接触式の通信手段を有するデュアルインターフェースカードの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣカードは、外部接続端子を介してデータの通信を行う接触型ＩＣカードと、コイルを通じて電磁誘導により通信を行う非接触型ＩＣカードに分類され、主に、接触型ＩＣカードは、決済用途、非接触型ＩＣカードは、交通システム等のゲートアクセス管理に用いられている。
【０００３】
近年、接触型ＩＣカードの機能と非接触型ＩＣカードの機能とを１つのＩＣチップで併せ持つＩＣモジュール（以下、デュアルインターフェースモジュールと称す）を用いた接触型非接触型共用ＩＣカード（以下、デュアルインターフェースカードと称す）が開発されている。
このようなデュアルインターフェースカードの一例として、ＩＣモジュールのアンテナ接続端子と、カード基体に形成されたアンテナ接続端子とを電気的に接続してなるデュアルインターフェースカードにおいて、カード基体に形成されたアンテナコイル接続端子と、ＩＣモジュールのアンテナコイル接続端子との接合を導電性接着剤、またはクリームハンダとを用いて行っているデュアルインターフェースカードが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
これは、図６（ａ）及び（ｂ）に示すように、コアシート１２１とオーバーシート１２３、１２４とで構成されたカード基体１２０の所定位置にモジュールを装着するための凹部１８が形成され、アンテナコイル接続端子１４４が露出し、アンテナコイル接続端子１４４上に導電性接着剤もしくはクリームハンダが形成されている。
一方、外部接装置続端子１１２の下面にＩＣ側アンテナコイル接続端子１１４が形成されたＩＣモジュールを、カード基体１２０の凹部１８に装着し、加熱プレスすることにより、導電性接着剤もしくはハンダにてＩＣ側アンテナコイル接続端子１１４と基体側アンテナコイル接続端子１４４とを電気的に接続してデュアルインターフェースカードを作製する。
【０００５】
上記デュアルインターフェースカードのＩＣモジュールのＩＣ側アンテナ接続端子１１４とカード基体１２０に形成されたアンテナ接続端子１４４との接続手段として、クリームハンダ１９を使用して接合することが開示されている。
ここで、ＩＣモジュールの外部接続端子１１２側からハンダごて、加熱ヘッド等を用いてクリームハンダ１９を加熱、溶融することで、ＩＣ側アンテナ接続端子１１４とカード基体１２０に形成されたアンテナ接続端子１４４とを接合している。
この場合、ガラスエポキシ等の絶縁基材１１１を介した熱伝導でクリームハンダ１９を加熱するため、熱効率が悪く、充分な加熱温度が得られないで、ハンダ接合の信頼性に問題があった。
また、充分な熱量を与えるような条件にすると、ＩＣモジュール、カードの変形・溶融といった現象が発生し、加工仕上がりに不具合を生じるという問題を有している。
【特許文献１】特開２０００−１８２０１７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は上記問題点に鑑みなされたものであり、ＲＦ端子が形成されたデュアルインターフェースモジュールとアンテナコイルとアンテナ端子が内蔵されたアンテナ内蔵カードとを用いて作製されるデュアルインターフェースカードの製造方法において、アンテナ端子上に形成されたクリームハンダ層を直接加熱、溶融することにより、デュアルインターフェースモジュールのＲＦ端子とアンテナ内蔵カードのアンテナ端子とのハンダ接合を短時間で、効率良く行えるデュアルインターフェースカードの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に於いて上記問題を解決するために、まず請求項１においては、絶縁基板の一方の面に外部接続端子が、他方の面にＲＦ（Radio Frequency）端子が形成され、ＩＣチップが実装されたデュアルインターフェースモジュールとアンテナコイルとアンテナ端子が内蔵されたアンテナ内蔵カードとを用いて作製されるデュアルインターフェースカードの製造方法において、
少なくとも以下の工程を具備することを特徴とするデュアルインターフェースカードの製造方法としたものである。
（ａ）オーバーレイ１１の一方の面にデザイン絵柄３１を、他方の面に接着樹脂層２１を形成した加工シート１０を作製する工程
（ｂ）耐熱性シート１２の所定位置にアンテナコイル４２と、アンテナ端子４１とを形成したアンテナシート２０を作製する工程。
（ｃ）アンテナシート２０の両面に加工シート１０を積層し、熱プレス加工してアンテナ内蔵ブロックシート３０を作製する工程。
（ｄ）アンテナ内蔵ブロックシート３０をカード形状に加工してアンテナ内蔵カード４０を作製する工程。
（ｅ）アンテナ内蔵カード４０の所定位置をザグリ加工（ミーリング加工）してデュアルインターフェースモジュールを装着するためのキャビティー５５を形成し、アンテナ端子４１を露出して、キャビティーが形成されたアンテナ内蔵カード５０を作製する工程。
（ｆ）絶縁基材１３の一方の面に外部接続端子７１が、他方の面にＲＦ端子６１が形成され、ＩＣチップ５１が実装されたデュアルインターフェースモジュール６０を作製する工程。
（ｇ）デュアルインターフェースモジュール６０の絶縁基材１３の所定位置を孔開け加工して、ＲＦ端子６１を貫通する貫通孔９１を形成し、貫通孔９１が形成されたデュアルインターフェースモジュール６０ａを作製する工程。
（ｈ）キャビティーが形成されたアンテナ内蔵カード５０のアンテナ端子４１上にクリームハンダ層８１を形成し、アンテナ端子４１上にクリームハンダ層８１が形成されたアンテナ内蔵カード５０ａを作製する工程。
（ｉ）アンテナ内蔵カード５０ｂのキャビティー５５にデュアルインターフェースモジュール６０ａを位置合わせして装着し、貫通孔９１よりソフトビームやレーザー光線等の熱線ビームをクリームハンダ層８１に照射してクリームハンダ層８１を直接加熱することにより、ＲＦ端子６１とアンテナ端子４１とをハンダ８１ａにて接合し、デュアルインターフェースモジュールとアンテナとが電気的に接続されたデュアルインターフェースカード１００を作製する工程。
【０００８】
また、請求項２においては、絶縁基板の一方の面に外部接続端子が、他方の面にＲＦ（Radio Frequency）端子が形成され、ＩＣチップが実装されたデュアルインターフェースモジュールとアンテナコイルとアンテナ端子が内蔵されたアンテナ内蔵カードとを用いて作製されるデュアルインターフェースカードの製造方法において、
少なくとも以下の工程を具備することを特徴とするデュアルインターフェースカードの製造方法としたものである。
（ａ）オーバーレイ１１の一方の面にデザイン絵柄３１を、他方の面に接着樹脂層２１を形成した加工シート１０を作製する工程
（ｂ）耐熱性シート１２の所定位置にアンテナコイル４２と、アンテナ端子４１とを形成したアンテナシート２０を作製する工程。
（ｃ）アンテナシート２０の両面に加工シート１０を積層し、熱プレス加工してアンテナ内蔵ブロックシート３０を作製する工程。
（ｄ）アンテナ内蔵ブロックシート３０をカード形状に加工してアンテナ内蔵カード４０を作製する工程。
（ｅ）アンテナ内蔵カード４０の所定位置をザグリ加工（ミーリング加工）してデュアルインターフェースモジュールを装着するためのキャビティー５５を形成し、アンテナ端子４１を露出して、キャビティーが形成されたアンテナ内蔵カード５０を作製する工程。
（ｆ）絶縁基材１３の一方の面に外部接続端子７１が、他方の面にＲＦ端子６１が形成され、ＩＣチップ５１が実装されたデュアルインターフェースモジュール６０を作製する工程。
（ｇ）デュアルインターフェースモジュール６０の絶縁基材１３の所定位置を孔開け加工して、ＲＦ端子６１上に開口部９２を形成し、ＲＦ端子６１上に開口部９２が形成されたデュアルインターフェースモジュール６０ｂを作製する工程。
（ｈ）キャビティーが形成されたアンテナ内蔵カード５０のアンテナ端子４１上にクリームハンダ層８１を形成し、アンテナ端子４１上にクリームハンダ層８１が形成されたアンテナ内蔵カード５０ａを作製する工程。
（ｉ）アンテナ内蔵カード５０ａのキャビティー５５にデュアルインターフェースモジュール６０ｂを位置合わせして装着し、開口部９２よりソフトビームやレーザー光線等の熱線ビームをＲＦ端子６１に照射してＲＦ端子６１を加熱し、ＲＦ端子６１を介してクリームハンダ層８１を加熱することにより、ＲＦ端子６１とアンテナ端子４１とをハンダ８１ｂにて接合し、デュアルインターフェースモジュールとアンテナとが電気的に接続されたデュアルインターフェースカード２００を作製する工程。
【０００９】
また、請求項３においては、絶縁基板の一方の面に外部接続端子が、他方の面にＲＦ（Radio Frequency）端子が形成され、ＩＣチップが実装されたデュアルインターフェースモジュールとアンテナコイルとアンテナ端子が内蔵されたアンテナ内蔵カードとを用いて作製されるデュアルインターフェースカードの製造方法において、
少なくとも以下の工程を具備することを特徴とするデュアルインターフェースカードの製造方法としたものである。
（ａ）オーバーレイ１１の一方の面にデザイン絵柄３１を、他方の面に接着樹脂層２１を形成した加工シート１０を作製する工程
（ｂ）耐熱性シート１２の所定位置にアンテナコイル４２と、アンテナ端子４１とを形成したアンテナシート２０を作製する工程。
（ｃ）アンテナシート２０の両面に加工シート１０を積層し、熱プレス加工してアンテナ内蔵ブロックシート３０を作製する工程。
（ｄ）アンテナ内蔵ブロックシート３０をカード形状に加工してアンテナ内蔵カード４０を作製する工程。
（ｅ）アンテナ内蔵カード４０の所定位置をザグリ加工（ミーリング加工）してデュアルインターフェースモジュールを装着するためのキャビティー５５を形成し、アンテナ端子４１を露出して、キャビティーが形成されたアンテナ内蔵カード５０を作製する工程。
（ｆ）絶縁基材１３の一方の面に外部接続端子７１が、他方の面にＲＦ端子６１が形成され、ＩＣチップ５１が実装されたデュアルインターフェースモジュール６０を作製する工程。
（ｇ）デュアルインターフェースモジュール６０の絶縁基材１３の所定位置を孔開け加工してＲＦ端子６１を貫通する貫通孔を形成し貫通孔内部に導体めっきを施し、スルーホール９３が形成されたデュアルインターフェースモジュール６０ｃを作製する工程。
（ｈ）キャビティーが形成されたアンテナ内蔵カード５０のアンテナ端子４１上にクリームハンダ層８１を形成し、アンテナ端子４１上にクリームハンダ層８１が形成されたアンテナ内蔵カード５０ａを作製する工程。
（ｉ）アンテナ内蔵カード５０ａのキャビティー５５にデュアルインターフェースモジュール６０ｃを位置合わせして装着し、スルーホール９３よりソフトビームやレーザー光線等の熱線ビームをクリームハンダ層８１に照射してクリームハンダ層８１を直接加熱することにより、ＲＦ端子６１とアンテナ端子４１とをハンダ８１ｃにて接合し、デュアルインターフェースモジュールとアンテナとが電気的に接続されたデュアルインターフェースカード３００を作製する工程。
【発明の効果】
【００１０】
本発明のデュアルインターフェースカードの製造方法では、絶縁基材の所定位置に貫通孔もしくは開口部を形成したデュアルインターフェースモジュールをアンテナ端子上にクリームハンダ層を形成したアンテナ内蔵カードに装着した後、貫通孔もしくは開口部よりソフトビームやレーザー光線等の熱線ビームをクリームハンダ層もしくはＲＦ端子に局部的に照射することによりクリームハンダ層を加熱するため、短時間でハンダ溶融ができ、ハンダ溶融が確実に行われた状態でＲＦ端子とアンテナ端子とがハンダ接合され、カード基材への熱ダメージ及びカード変形を極力抑えることができ、接合信頼性に優れたデュアルインターフェースカードを得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の実施の形態につき説明する。
本発明のデュアルインターフェースカードの製造方法について説明する。
図１（ａ）〜（ｄ）、図２（ｅ）〜（ｉ）及び図３（ｊ）〜（ｎ）は、本発明の請求項１に係るデュアルインターフェースカードの製造方法の一例を工程順に示す説明図である。まず、ＰＥＴ−Ｇ基材もしくは塩化ビニールシート等からなるオーバーレイ１１の一方の面にオフセット印刷、スクリーン印刷等にてパターン、絵柄を印刷して、デザイン絵柄３１を形成する。さらに、熱可塑性樹脂溶液をグラビア印刷等にて塗工して塗膜を形成し、乾燥して接着樹脂層２１を形成した加工シート１０を作製する（図１（ａ）参照）。
ここで、接着樹脂層２１としては、エチレンビニルアルコール（ＥＶＡ）、ポリエステル、ポリウレタン、アクリル系の単体若しくは混合によるホットメルト型シート形態の接着剤、２液反応型エポキシ樹脂、ウレタン系樹脂、ＵＶ及びカチオン重合、嫌気、湿気等の併用硬化により完全硬化する樹脂の単独、或いは混合物を用いることが出来る。
【００１２】
ＰＥＴ−Ｇシート等からなるコアシート１２の所定位置にアンテナコイル４２及びアンテナ接続端子４１を形成したアンテナシート２０を作製する（図１（ｂ）及び（ｃ）参照）。
ここで、図１（ｂ）は、アンテナシート２０の模式平面図を、図１（ｃ）は、図１（ｂ）をＡ−Ａ’線で切断したアンテナシート２０の模式構成断面図を示す。
アンテナコイル４２及びアンテナ接続端子４１は、コアシート１２に銅箔が積層された両面銅箔付きコアシートの銅箔をフォトエッチングプロセス等でパターニング処理して形成するか、コアシート１２上に導電ペーストをスクリーン印刷等でパターン印刷して、乾燥硬化して形成する等の方法で形成する。
アンテナコイル４２が交差する部分は図１（ｂ）に示すように、アンテナコイルが交差する部分の配線４５をコアシート１２の裏面に形成して、配線４５の両端とアンテナコイル４２の端子部４３とをスルーホール等で電気的に接続している。
【００１３】
次に、アンテナシート２０の両面に、オーバーレイ１１の一方の面にデザイン絵柄３１が、他方の面に接着樹脂層２１が形成された加工シート１０を積層し(図１（ｄ）参照)、所定の温度、圧力で熱プレス加工することにより、アンテナコイル４２及びアンテナ接続
端子４１が多面付けされたアンテナ内蔵ブロックシート３０を作製する（図２（ｅ）参照）。
【００１４】
次に、上記アンテナ内蔵ブロックシート３０を所定のカード寸法にパンチャーで打ち抜き加工し、アンテナ内蔵カード４０を作製する（図２（ｆ）参照）。
【００１５】
次に、アンテナ内蔵カード４０の所定位置をザグリ加工（ミーリング加工）してデュアルインターフェースモジュールを装着するためのキャビティー５５を形成し、アンテナ端子４１を露出して、キャビティー５５が形成されたアンテナ内蔵カード５０を作製する（図２（ｇ）参照）。
【００１６】
次に、ガラスエポキシ、ポリイミド等の絶縁基材１３の両面に銅箔が積層された両面銅貼り積層板の銅箔をフォトエッチングプロセス等でパターニング処理し、ビア加工処理して、絶縁基材１３の一方の面に外部接続端子７１を、他方の面にＩＣチップ接続バンプ（特に、図示せず）及びＲＦ端子６１を形成し、ＩＣチップ接続バンプ、外部接続端子７１及び外部接続端子７１にはニッケル、金メッキを施す。
さらに、ＩＣチップ５１をフェースダウンボンディング等で実装して、ＩＣチップ５１が実装されたデュアルインターフェースモジュール６０を作製する（図２（ｈ）及び（ｉ）参照）。
ここで、図２（ｈ）はデュアルインターフェースモジュール６０の模式上面図を、図２（ｉ）は、デュアルインターフェースモジュール６０をＡ−Ａ’線で切断した模式構成断面図をそれぞれ示す。
外部接続端子７１とＩＣチップ接続バンプとＲＦ端子６１とはフィルドビア及び配線層（特に、図示せず）にてＩＣチップ５１とそれぞれ電気的に接続されている。
さらに、必要に応じてＩＣチップ５１周辺部をエポキシ系樹脂等にて樹脂封止する。
【００１７】
次に、デュアルインターフェースモジュール６０のＲＦ端子６１上の絶縁基材１３の所定位置をレーザー加工等により孔開け加工し、ＲＦ端子６１を貫通する貫通孔９１を形成し、絶縁基材１３の所定位置に貫通孔９１が形成されたデュアルインターフェースモジュール６０ａを作製する（図３（ｊ）及び（ｋ）参照）。
貫通孔９１は、開孔径が大きいほどエネルギー照射が容易になるが、外部接続端子７１の機能を損なわないように、０．５ｍｍφ程度が好ましい。
ここで、図３（ｊ）は貫通孔９１が形成されたデュアルインターフェースモジュール６０ａの模式上面図を、図３（ｋ）は、デュアルインターフェースモジュール６０ａをＡ−Ａ’線で切断した模式構成断面図をそれぞれ示す。
【００１８】
次に、キャビティー５５が形成されたアンテナ内蔵カード５０のアンテナ端子４１上にクリームハンダを塗布してクリームハンダ層８１を形成し、アンテナ端子４１上にクリームハンダ層８１が形成されたアンテナ内蔵カード５０ａを作製する（図３（ｌ）参照）。
【００１９】
次に、アンテナ内蔵カード５０ａのキャビティー５５内のクリームハンダ層８１とデュアルインターフェースモジュール６０ａのＲＦ端子６１とを位置合わせして装着し（図３（ｌ）参照）、貫通孔９１よりキセノンランプの光線をレンズで集光したソフトビームやレーザー光線等の熱線ビームをクリームハンダ層８１に照射してクリームハンダ層８１を直接加熱することによりハンダ溶融を行い、ＲＦ端子６１とアンテナ端子４１とをハンダ８１ａにて接合し、デュアルインターフェースモジュールとアンテナとが電気的に接続されたデュアルインターフェースカード１００を作製する（図３（ｍ）及び（ｎ）参照）。ここで、図３（ｍ）はデュアルインターフェースカード１００の模式構成断面図を、図３（ｎ）は、デュアルインターフェースカード１００のＢ部を拡大した部分模式構成断面図をそれぞれ示す。
【００２０】
図３（ｎ）からも分かるように、ＲＦ端子６１とアンテナ端子４１とはハンダ８１ａにて確実に接合されており、貫通孔９１よりの局部的な熱線ビームの加熱により、カード基材への熱ダメージ及びカード変形を極力抑えることができ、接合信頼性に優れたデュアルインターフェースカードを得ることができる。
【００２１】
図１（ａ）〜（ｄ）、図２（ｅ）〜（ｉ）及び図４（ｊ）〜（ｎ）は、本発明の請求項２に係るデュアルインターフェースカードの製造方法の一例を工程順に示す説明図である。
まず、上記と同じ製造工程にて、加工シート１０（図１（ａ）参照）、アンテナシート２０（図１（ｂ）及び（ｃ）参照）、アンテナ内蔵ブロックシート３０（図２（ｅ）参照）、アンテナ内蔵カード４０（図２（ｆ）参照）、キャビティーが形成されたアンテナ内蔵カード５０（図２（ｇ）参照）、デュアルインターフェースモジュール６０（図２（ｈ）及び（ｉ）参照）をそれぞれ作製する。
【００２２】
次に、デュアルインターフェースモジュール６０のＲＦ端子６１上の絶縁基材１３をレーザー加工等により孔開け加工し、ＲＦ端子６１上に開口部９２を形成し、ＲＦ端子６１上の絶縁基材１３に開口部９２が形成されたデュアルインターフェースモジュール６０ｂを作製する（図４（ｊ）及び（ｋ）参照）。
開口部９２は、開孔径が大きいほどエネルギー照射が容易になるが、外部接続端子７１の機能を損なわないように、０．５ｍｍφ程度が好ましい。
ここで、図４（ｊ）はデュアルインターフェースモジュール６０ｂの模式上面図を、図４（ｋ）は、デュアルインターフェースモジュール６０ａをＡ−Ａ’線で切断した模式構成断面図をそれぞれ示す。
【００２３】
次に、キャビティー５５が形成されたアンテナ内蔵カード５０のアンテナ端子４１上にクリームハンダを塗布してクリームハンダ層８１を形成し、アンテナ端子４１上にクリームハンダ層８１が形成されたアンテナ内蔵カード５０ａを作製する（図４（ｌ）参照）。
【００２４】
次に、アンテナ内蔵カード５０ａのキャビティー５５内のクリームハンダ層８１とデュアルインターフェースモジュール６０ｂのＲＦ端子６１とを位置合わせして装着し（図４（ｌ）参照）、開口部９２よりキセノンランプの光線をレンズで集光したソフトビームやレーザー光線等の熱線ビームをＲＦ端子６１に照射してＲＦ端子６１を加熱し、ＲＦ端子６１を介してクリームハンダ層８１所定の温度に加熱することによりハンダ溶融を行い、ＲＦ端子６１とアンテナ端子４１とをハンダ８１ｂにて接合し、デュアルインターフェースモジュールとアンテナとが電気的に接続されたデュアルインターフェースカード２００を作製する（図４（ｍ）及び（ｎ）参照）。
ここで、図４（ｍ）はデュアルインターフェースカード２００の模式構成断面図を、図４（ｎ）は、デュアルインターフェースカード２００のＢ部を拡大した部分模式構成断面図をそれぞれ示す。
【００２５】
図４（ｎ）からも分かるように、ＲＦ端子６１とアンテナ端子４１とはハンダ８１ｂにて確実に接合されており、開口部９２よりの局部的な熱線ビームの加熱により、カード基材への熱ダメージ及びカード変形を極力抑えることができ、接合信頼性に優れたデュアルインターフェースカードを得ることができる。
【００２６】
図１（ａ）〜（ｄ）、図２（ｅ）〜（ｉ）及び図５（ｊ）〜（ｎ）は、本発明の請求項３に係るデュアルインターフェースカードの製造方法の一例を工程順に示す説明図である。
まず、上記と同じ製造工程にて、加工シート１０（図１（ａ）参照）、アンテナシート２
０（図１（ｂ）及び（ｃ）参照）、アンテナ内蔵ブロックシート３０（図２（ｅ）参照）、アンテナ内蔵カード４０（図２（ｆ）参照）、キャビティーが形成されたアンテナ内蔵カード５０（図２（ｇ）参照）、デュアルインターフェースモジュール６０（図２（ｈ）及び（ｉ）参照）をそれぞれ作製する。
【００２７】
次に、デュアルインターフェースモジュール６０の絶縁基材１３の所定位置を孔開け加工してＲＦ端子６１を貫通する貫通孔を形成し、さらに貫通孔内部に導体めっきを施してスルーホール９３を形成し、絶縁基材１３の所定位置にスルーホール９３が形成されたデュアルインターフェースモジュール６０ｃを作製する（図５（ｊ）及び（ｋ）参照）。
スルーホール９３は、開孔径が大きいほどエネルギー照射が容易になるが、外部接続端子７１の機能を損なわないように、０．５ｍｍφ程度が好ましい。
ここで、貫通孔内部の導体めっきは、無電解銅めっきまたは電解銅めっきにて形成した銅めっき層が好ましい。
また、銅めっき層はＲＦ端子６１と物理的、電気的に接続されており、銅めっき層の上部は庇状に形成することが好ましい。
【００２８】
次に、アンテナ内蔵カード５０ａのキャビティー５５内のクリームハンダ層８１とデュアルインターフェースモジュール６０ｃのＲＦ端子６１とを位置合わせして装着し（図５（ｌ）参照）、スルーホール９３よりキセノンランプの光線をレンズで集光したソフトビームやレーザー光線等の熱線ビームをクリームハンダ層８１に照射してクリームハンダ層８１を直接加熱することによりハンダ溶融を行い、ＲＦ端子６１とアンテナ端子４１とをハンダ８１ｃにて接合し、デュアルインターフェースモジュールとアンテナとが電気的に接続されたデュアルインターフェースカード３００を作製する（図５（ｍ）及び（ｎ）参照）。
ここで、図５（ｍ）はデュアルインターフェースカード３００の模式構成断面図を、図５（ｎ）は、デュアルインターフェースカード３００のＢ部を拡大した部分模式構成断面図をそれぞれ示す。
【００２９】
図５（ｎ）からも分かるように、ＲＦ端子６１とアンテナ端子４１とはハンダ８１ｃにて確実に接合されており、スルーホール９３よりの局部的な熱線ビームの加熱により、カード基材への熱ダメージ及びカード変形を極力抑えることができ、接合信頼性に優れたデュアルインターフェースカードを得ることができる。
さらに、ハンダ８１ｃはスルーホール９３内にも一部入り込んだ状態でハンダ接合されており、より強固なハンダ接合形態となっている。
【００３０】
本発明のデュアルインターフェースカードの製造方法では、貫通孔もしくは開口部よりソフトビームやレーザー光線等の熱線ビームをクリームハンダ層もしくはＲＦ端子に局部的に照射することによりクリームハンダ層を加熱するため、短時間でハンダ溶融ができ、ハンダ溶融が確実に行われた状態でＲＦ端子とアンテナ端子とがハンダ接合され、カード基材への熱ダメージ及びカード変形を極力抑えることができ、接合信頼性に優れたデュアルインターフェースカードを得ることができる。
【実施例１】
【００３１】
以下実施例により本発明を詳細に説明する。
まず、０．３ｍｍ厚のＰＥＴ−Ｇ基材からなるオーバーレイ１１の一方の面にオフセット印刷、スクリーン印刷等にてパターン、絵柄を印刷して、デザイン絵柄３１を形成した。さらに、オーバーレイ１１の他方の面にポリエステル樹脂溶液をグラビアコーターにて塗工して塗膜を形成し、乾燥して２〜３μｍ厚の接着樹脂層２１を形成した加工シート１０を作製した（図１（ａ）参照）。
【００３２】
次に、０．２ｍｍ厚のＰＥＴ−Ｇ基材からなるコアシート１２の一方の面に銅箔が積層された片面銅張り積層板の銅箔をフォトエッチングプロセスにてパターニング処理し、コアシート１２の所定位置にアンテナコイル４２及びアンテナ接続端子４１を形成したアンテナシート２０を作製した（図１（ｂ）及び（ｃ）参照）
次に、アンテナシート２０の両面に、オーバーレイ１１の一方の面にデザイン絵柄３１が、他方の面に接着樹脂層２１が形成された加工シート１０を積層し(図１（ｄ）参照)、温度１２０℃、圧力１５ｋｇ／ｃｍ2で２０分間熱プレス加工することにより、アンテナコイル４２及びアンテナ接続端子４１が多面付けされたアンテナ内蔵ブロックシート３０を作製した（図２（ｅ）参照）。
【００３３】
次に、上記アンテナ内蔵ブロックシート３０を所定のカード寸法にパンチャーで打ち抜き加工し、アンテナ内蔵カード４０を作製した（図２（ｆ）参照）。
【００３４】
次に、アンテナ内蔵カード４０の所定位置をザグリ加工（ミーリング加工）してデュアルインターフェースモジュールを装着するための開口部を形成し、アンテナ端子４１を露出したキャビティー５５を形成し、キャビティー５５が形成されたアンテナ内蔵カード５０を作製した（図２（ｇ）参照）。
【００３５】
次に、ガラスエポキシ樹脂からなる絶縁基材１３の両面に銅箔を積層した両面銅貼り積層板の銅箔をフォトエッチングプロセス等でパターニング処理、ビア加工処理して、外部接続端子７１、ＲＦ端子６１、配線層、ＩＣチップ接続バンプ及びフィルドビア（特に、図示せず）を形成し、ＩＣチップ接続バンプ、外部接続端子７１及びＲＦ端子６１上に２μｍ厚のニッケル層及び０．３μｍ厚の金層（特に、図示せず）を形成した。
さらに、ＩＣチップ５１をフェースダウンボンディングで実装して、絶縁基材１３の一方の面に外部接続端子７１が、他方の面にＲＦ端子６１が形成されたデュアルインターフェースモジュール６０を作製した（図２（ｈ）参照）。
【００３６】
次に、デュアルインターフェースモジュール６０のＲＦ端子６１上の絶縁基材１３の所定位置をレーザー加工にて孔開け加工し、ＲＦ端子６１を貫通する０．５ｍｍφの貫通孔９１を形成し、絶縁基材１３の所定位置に貫通孔９１が形成されたデュアルインターフェースモジュール６０ａを作製した（図３（ｊ）及び（ｋ）参照）。
【００３７】
次に、アンテナ内蔵カード５０のキャビティー５５内のアンテナ端子４１上にクリームハンダ（エコソルダーペースト（商品名））を塗布して０．１ｍｍ厚のクリームハンダ層８１を形成し、アンテナ端子４１上にクリームハンダ層８１が形成されたアンテナ内蔵カード５０ａを作製した（図３（ｌ）参照）。
【００３８】
次に、アンテナ内蔵カード５０ａのキャビティー５５にデュアルインターフェースモジュール６０ａを位置合わせして装着し（図３（ｌ）参照）、貫通孔９１より出力１５〜３０ｗのキセノンランプの光線をレンズで集光したソフトビームをクリームハンダ層８１に２秒程照射してクリームハンダ層８１を直接加熱することによりハンダ溶融を行い、ＲＦ端子６１とアンテナ端子４１とをハンダ８１ａにて接合し、デュアルインターフェースモジュールとアンテナとが電気的に接続されたデュアルインターフェースカード１００を作製した（図３（ｍ）及び（ｎ）参照）。
【実施例２】
【００３９】
まず、実施例１と同様な工程で、加工シート１０（図１（ａ）参照）、アンテナシート２０（図１（ｂ）及び（ｃ）参照）、アンテナ内蔵ブロックシート３０（図２（ｅ）参照）、アンテナ内蔵カード４０（図２（ｆ）参照）、キャビティーが形成されたアンテナ内蔵カード５０（図２（ｇ）参照）、デュアルインターフェースモジュール６０（図２（ｈ）及び（ｉ）参照）をそれぞれ作製した。
【００４０】
次に、デュアルインターフェースモジュール６０のＲＦ端子６１上の絶縁基材１３をレーザー加工にて孔開け加工し、ＲＦ端子６１上に０．５ｍｍφの開口部９２を形成し、ＲＦ端子６１上の絶縁基材１３に開口部９２が形成されたデュアルインターフェースモジュール６０ｂを作製した（図４（ｊ）及び（ｋ）参照）。
【００４１】
次に、キャビティー５５が形成されたアンテナ内蔵カード５０のアンテナ端子４１上にクリームハンダを塗布してクリームハンダ層８１を形成し、アンテナ端子４１上にクリームハンダ層８１が形成されたアンテナ内蔵カード５０ａを作製した（図４（ｌ）参照）。
【００４２】
次に、アンテナ内蔵カード５０ａのキャビティー５５内のクリームハンダ層８１とデュアルインターフェースモジュール６０ｂのＲＦ端子６１とを位置合わせして装着し（図４（ｌ）参照）、開口部９２より出力１５〜３０ｗのキセノンランプの光線をレンズで集光したソフトビームをＲＦ端子６１に２秒程照射してＲＦ端子６１を加熱し、ＲＦ端子６１を介してクリームハンダ層８１を所定の温度に加熱することによりハンダ溶融を行い、ＲＦ端子６１とアンテナ端子４１とをハンダ８１ｂにて接合し、デュアルインターフェースモジュールとアンテナとが電気的に接続されたデュアルインターフェースカード２００を作製した（図４（ｍ）及び（ｎ）参照）。
【実施例３】
【００４３】
まず、実施例１と同様な工程で、加工シート１０（図１（ａ）参照）、アンテナシート２０（図１（ｂ）及び（ｃ）参照）、アンテナ内蔵ブロックシート３０（図２（ｅ）参照）、アンテナ内蔵カード４０（図２（ｆ）参照）、キャビティーが形成されたアンテナ内蔵カード５０（図２（ｇ）参照）、デュアルインターフェースモジュール６０（図２（ｈ）及び（ｉ）参照）をそれぞれ作製した。
【００４４】
次に、デュアルインターフェースモジュール６０の絶縁基材１３の所定位置を孔開け加工してＲＦ端子６１を貫通する貫通孔を形成し、さらに貫通孔内部に電解銅めっきにより３５μｍ厚の銅めっき層を形成して０．５ｍｍφのスルーホール９３を形成し、絶縁基材１３の所定位置にスルーホール９３が形成されたデュアルインターフェースモジュール６０ｃを作製した（図５（ｊ）及び（ｋ）参照）。
【００４５】
次に、キャビティー５５が形成されたアンテナ内蔵カード５０のアンテナ端子４１上にクリームハンダを塗布してクリームハンダ層８１を形成し、アンテナ端子４１上にクリームハンダ層８１が形成されたアンテナ内蔵カード５０ａを作製した（図５（ｌ）参照）。
【００４６】
次に、アンテナ内蔵カード５０ａのキャビティー５５内のクリームハンダ層８１とデュアルインターフェースモジュール６０ｂのＲＦ端子６１とを位置合わせして装着し（図５（ｌ）参照）、スルーホール９３より出力１５〜３０ｗのキセノンランプの光線をレンズで集光したソフトビームをクリームハンダ層８１に２秒程照射してクリームハンダ層８１を直接加熱することによりハンダ溶融を行い、ＲＦ端子６１とアンテナ端子４１とをハンダ８１ｃにて接合し、デュアルインターフェースモジュールとアンテナとが電気的に接続されたデュアルインターフェースカード３００を作製した（図５（ｍ）及び（ｎ）参照）。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】（ａ）〜（ｄ）は、本発明のデュアルインターフェースカードの製造方法の製造工程の一部を示す説明図である。
【図２】（ｅ）〜（ｉ）は、本発明のデュアルインターフェースカードの製造方法の製造工程の一部を示す説明図である。
【図３】（ｊ）〜（ｍ）は、本発明のデュアルインターフェースカードの請求項１に係わる製造方法の製造工程の一部を示す説明図である。（ｎ）は、（ｍ）のデュアルインターフェースカード１００のＢ部を拡大した模式構成断面図である。
【図４】（ｊ）〜（ｍ）は、本発明のデュアルインターフェースカードの請求項２に係わる製造方法の製造工程の一部を示す説明図である。（ｎ）は、（ｍ）のデュアルインターフェースカード２００のＢ部を拡大した模式構成断面図である。
【図５】（ｊ）〜（ｍ）は、本発明のデュアルインターフェースカードの請求項３に係わる製造方法の製造工程の一部を示す説明図である。（ｎ）は、（ｍ）のデュアルインターフェースカード３００のＢ部を拡大した模式構成断面図である。
【図６】（ａ）〜（ｂ）は、デュアルインターフェースカードの構成の一例を示す説明図である。
【符号の説明】
【００４８】
１０……加工シート
１１……オーバーレイ
１２……コアシート
１３……絶縁基材
１８……凹部
１９……クリームハンダ
２０……アンテナシート
２１……接着樹脂層
３３……アンテナ内蔵ブロックシート
３１……デザイン絵柄
４０……アンテナ内蔵カード
４１……アンテナ接続端子
４２……アンテナコイル
４３……端子部
４５……配線
５０……キャビティーが形成されたアンテナ内蔵カード
５０ａ……アンテナ端子上にクリームハンダ層が形成されたアンテナ内蔵カード
５１……ＩＣチップ
５５……キャビティー
６０……デュアルインターフェースモジュール
６０ａ……貫通孔９１が形成されたデュアルインターフェースモジュール
６０ｂ……ＲＦ端子上に開口部９２が形成されたデュアルインターフェースモジュール
６０ｃ……スルーホール９３が形成されたデュアルインターフェースモジュール
６１……ＲＦ端子
７１……外部接続端子
８１……クリームハンダ層
８１ａ、８１ｂ、８１ｃ……ハンダ
９１……貫通孔
９２……開口部
９３……スルーホール
１１２……外部装置接続端子
１１４……ＩＣ側アンテナコイル端子
１１５……モールド樹脂
１２０……カード基体
１２１……コアシート
１２３、１２４……オーバーシート
１４３……アンテナコイル
１４４……アンテナコイル接続端子
【図１】
2008071028.tif 000003
【図２】
2008071028.tif 000004
【図３】
2008071028.tif 000005
【図４】
2008071028.tif 000006
【図５】
2008071028.tif 000007
【図６】
2008071028.tif 000008