(57)【要約】【課題】簡易な構成でデータ線の電圧振幅を抑えとともに、表示品位の低下を防止する。【解決手段】画素１１０は、画素容量と、一端が画素電極に接続され他端が容量線１３２に接続された蓄積容量とを含む。走査線１１２を１、２、３、…、３２０、３２１行目という順番で選択する場合、各行の容量線１３２にＴＦＴ１５２、１５４、１５６、１５８を設ける。１行目のＴＦＴ１５６のソース電極は第１給電線１６５に接続され、そのゲート電極は１行目の走査線１１２に接続され、ＴＦＴ１５８のソース電極は第２給電線１６７に接続され、そのゲート電極は、ＴＦＴ１５２、１５４の共通ドレイン電極に接続され、ＴＦＴ１５６、１５８のドレイン電極同士は、１行目の容量線１３２に接続される。ＴＦＴ１５２のゲート電極は、２行目の走査線１１２に接続される。【選択図】図１
2008015478.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数行の走査線と、
複数列のデータ線と、
前記複数行の走査線に対応して設けられた複数の容量線と、
前記複数行の走査線と前記複数列のデータ線との交差に対応して設けられ、
各々は、
一端が自身に対応するデータ線に接続されるとともに、自身に対応する走査線が選択されたときに導通状態となる画素スイッチング素子と、
前記画素スイッチング素子とコモン電極との間に介挿された画素容量と、
前記画素容量の一端と前記走査線に対応して設けられた容量線との間に介挿された蓄積容量と、
を含む画素と、
を有する電気光学装置の駆動回路であって、
前記走査線を所定の順番で選択する走査線駆動回路と、
一の走査線に対応して設けられた容量線に対し、当該一の走査線が選択されたときに第１給電線を選択し、当該一の走査線から所定行離間した走査線であって当該一の走査線の後に選択される走査線が選択されてから、再び当該一の走査線が選択されるまで第２給電線を選択して、それぞれ選択した給電線の電圧を印加する容量線駆動回路と、
選択された走査線に対応する画素に対し、当該画素の階調に対応したデータ信号を、データ線を介して供給するデータ線駆動回路と、
を具備することを特徴とする電気光学装置の駆動回路。
【請求項２】
一の容量線に対応する走査線から所定行離間した走査線が選択されたときに、当該一の容量線の電圧が変化するように、前記第１および第２給電線の電圧が設定された
ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の駆動回路。
【請求項３】
前記第１給電線の電圧は、異なる２つの電圧が所定の周期で入れ替わり、
前記第２給電線の電圧は一定である
ことを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置の駆動回路。
【請求項４】
前記第２給電線の電圧を、前記第１給電線における２つの電圧の中間値とする
ことを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置の駆動回路。
【請求項５】
前記第１および第２給電線は、異なる２つの電圧が相補的にかつ前記走査線の選択毎に入れ替わる
ことを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置の駆動回路。
【請求項６】
前記容量線駆動回路は、
前記容量線の各々に対応して、第１乃至第４トランジスタを有し、
一の容量線に対応する前記第１トランジスタは、ゲート電極が当該一の容量線に対応する走査線から所定行離間した走査線に接続され、ソース電極が前記第４トランジスタをオンさせるためのオン電圧を給電するオン電圧給電線に接続され、
前記第２トランジスタは、ゲート電極が当該一の容量線に対応する走査線に接続され、ソース電極が前記第４トランジスタをオフさせるためのオフ電圧を給電するオフ電圧給電線に接続され、
前記第３トランジスタは、ゲート電極が当該一の容量線に対応する走査線に接続され、ソース電極が前記第１給電線に接続され、
前記第４トランジスタは、ゲート電極が前記第１および第２トランジスタのドレイン電極に共通接続され、ソース電極が前記第２給電線に接続されて、
前記第３および第４トランジスタのドレイン電極が当該一の容量線に接続された
ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の駆動回路。
【請求項７】
一の容量線に対し、前記第１、第２および第４トランジスタの組を複数有し、
当該一の容量線を前記第２給電線に接続する第４トランジスタを、前記複数の組のなかから、所定の順番で切り替える
ことを特徴とする請求項６に記載の電気光学装置の駆動回路。
【請求項８】
前記容量線の各々に対応して補助容量を有し、
一の容量線に対応する補助容量は、その一端が前記第４トランジスタのゲート電極に接続され、その他端が、少なくとも当該一の容量線に対応する走査線から所定行離間した走査線が選択されてから再び当該一の走査線が選択されるまでの期間において、一定の電位に保たれた
ことを特徴とする請求項６に記載の電気光学装置の駆動回路。
【請求項９】
当該一の容量線に対応する補助容量の他端は、当該一の容量線に対応する走査線に接続された
ことを特徴とする請求項８に記載の電気光学装置の駆動回路。
【請求項１０】
前記第１給電線は、奇数行用と偶数行用とに分かれ、
奇数行に対応する容量線の第３トランジスタのソース電極は、奇数行用の第１給電線に接続され、偶数行に対応する容量線の第３トランジスタのソース電極は、偶数行用の第１給電線に接続され、
異なる２つの電圧のうち一方が奇数行に対応する第１給電線に印加され、前記異なる２つの電圧のうち他方が偶数行に対応する第１給電線に印加されるとともに、前記異なる２つの電圧が相補的にかつ所定の周期で入れ替えられる
ことを特徴とする請求項６に記載の電気光学装置の駆動回路。
【請求項１１】
複数行の走査線と、
複数列のデータ線と、
前記複数行の走査線に対応して設けられた複数の容量線と、
前記複数行の走査線と前記複数列のデータ線との交差に対応して設けられ、各々は、一端が自身に対応するデータ線に接続されるとともに、自身に対応する走査線が選択されたときに導通状態となる画素スイッチング素子と、一端が前記画素スイッチング素子の他端に接続され、他端がコモン電極である画素容量と、前記画素容量の一端と前記走査線に対応して設けられた容量線との間に介挿された蓄積容量と、を含む画素と、
前記走査線を所定の順番で選択する走査線駆動回路と、
一の走査線に対応して設けられた容量線に対し、当該一の走査線が選択されたときに第１給電線を選択し、当該一の走査線から所定行離間した走査線であって当該一の走査線の後に選択される走査線が選択されてから、再び当該一の走査線が選択されるまで第２給電線を選択して、それぞれ選択した給電線の電圧を印加する容量線駆動回路と、
選択された走査線に対応する画素に対し、当該画素の階調に対応したデータ信号を、データ線を介して供給するデータ線駆動回路と、
を具備することを特徴とする電気光学装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載の電気光学装置を有する
ことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶などの電気光学装置において、データ線の電圧振幅を簡易な構成で抑えるとともに表示品位の低下を防止する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶などの電気光学装置では、走査線とデータ線との交差に対応して画素容量（液晶容量）が設けられるが、この画素容量を交流駆動する必要がある場合、データ信号の電圧振幅が正負の両極性となるので、データ線にデータ信号を供給するデータ線駆動回路においては、構成素子に電圧振幅に対応した耐圧が要求される。このため、画素容量に並列して蓄積容量を設けるとともに、各行において蓄積容量を共通接続した容量線を、走査線の選択に同期させて２値で駆動することにより、データ信号の電圧振幅を抑える技術が提案されている（特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００１−８３９４３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ところで、この技術では、容量線を駆動する回路が、走査線を駆動する走査線駆動回路（実質的にはシフトレジスタ）と同等であるので、容量線を駆動するための回路構成が複雑化してしまう。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、データ線の電圧振幅を簡易な構成で抑えることが可能な電気光学装置、その駆動回路および電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
上記目的を達成するために、本発明に係る電気光学装置の駆動回路は、複数行の走査線と、複数列のデータ線と、前記複数行の走査線に対応して設けられた複数の容量線と、前記複数行の走査線と前記複数列のデータ線との交差に対応して設けられ、各々は、一端が自身に対応するデータ線に接続されるとともに、自身に対応する走査線が選択されたときに導通状態となる画素スイッチング素子と、前記画素スイッチング素子とコモン電極との間に介挿された画素容量と、前記画素容量の一端と前記走査線に対応して設けられた容量線との間に介挿された蓄積容量と、を含む画素と、を有する電気光学装置の駆動回路であって、前記走査線を所定の順番で選択する走査線駆動回路と、一の走査線に対応して設けられた容量線に対し、当該一の走査線が選択されたときに第１給電線を選択し、当該一の走査線から所定行離間した走査線であって当該一の走査線の後に選択される走査線が選択されてから、再び当該一の走査線が選択されるまで第２給電線を選択して、それぞれ選択した給電線の電圧を印加する容量線駆動回路と、選択された走査線に対応する画素に対し、当該画素の階調に対応したデータ信号を、データ線を介して供給するデータ線駆動回路と、を具備することを特徴とする。本発明によれば、簡易な構成により、データ線の電圧振幅を抑えるとともに、表示品位の低下を防止することが可能となる。
【０００５】
ここで、本発明に係る電気光学装置の駆動回路において、一の容量線に対応する走査線から所定行離間した走査線が選択されたときに、当該一の容量線の電圧が変化するように、前記第１および第２給電線の電圧が設定された構成とするのが好ましく、前記第１給電線の電圧は、異なる２つの電圧が所定の周期で入れ替わり、前記第２給電線の電圧は一定としても良いし、さらには、前記第２給電線の電圧を、前記第１給電線における２つの電圧の中間値としても良い。また、前記第１および第２給電線は、異なる２つの電圧が相補的にかつ前記走査線の選択毎に入れ替わるようにしても良い。
また、本発明に係る電気光学装置の駆動回路において、前記容量線駆動回路は、前記容量線の各々に対応して、第１乃至第４トランジスタを有し、一の容量線に対応する前記第１トランジスタは、ゲート電極が当該一の容量線に対応する走査線から所定行離間した走査線に接続され、ソース電極が前記第４トランジスタをオンさせるためのオン電圧を給電するオン電圧給電線に接続され、前記第２トランジスタは、ゲート電極が当該一の容量線に対応する走査線に接続され、ソース電極が前記第４トランジスタをオフさせるためのオフ電圧を給電するオフ電圧給電線に接続され、前記第３トランジスタは、ゲート電極が当該一の容量線に対応する走査線に接続され、ソース電極が前記第１給電線に接続され、前記第４トランジスタは、ゲート電極が前記第１および第２トランジスタのドレイン電極に共通接続され、ソース電極が前記第２給電線に接続されて、前記第３および第４トランジスタのドレイン電極が当該一の容量線に接続された構成としても良い。このような構成において、一の容量線に対し、前記第１、第２および第４トランジスタの組を複数有し、当該一の容量線を前記第２給電線に接続する第４トランジスタを、前記複数の組のなかから、所定の順番で切り替えても良い。また、この構成において、前記容量線の各々に対応して補助容量を有し、一の容量線に対応する補助容量は、その一端が前記第４トランジスタのゲート電極に接続され、その他端が、少なくとも当該一の容量線に対応する走査線から所定行離間した走査線が選択されてから再び当該一の走査線が選択されるまでの期間において、一定の電位に保たれた構成としても良い。ここで、当該一の容量線に対応する補助容量の他端は、当該一の容量線に対応する走査線に接続した構成としても良い。
一方、本発明に係る電気光学装置の駆動回路において、前記第１給電線は、奇数行用と偶数行用とに分かれ、奇数行に対応する容量線の第３トランジスタのソース電極は、奇数行用の第１給電線に接続され、偶数行に対応する容量線の第３トランジスタのソース電極は、偶数行用の第１給電線に接続され、異なる２つの電圧のうち一方が奇数行に対応する第１給電線に印加され、前記異なる２つの電圧のうち他方が偶数行に対応する第１給電線に印加されるとともに、前記異なる２つの電圧が相補的にかつ所定の周期で入れ替えられる構成としても良い。
なお、本発明は、電気光学装置の駆動回路のみならず、電気光学装置としても、さらには、当該電気光学装置を有する電子機器としても概念することが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００６】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【０００７】
＜第１実施形態＞
まず、本発明の第１実施形態について説明する。図１は、本発明の第１実施形態に係る電気光学装置の構成を示すブロック図である。
この図に示されるように、電気光学装置１０は、表示領域１００を有し、この表示領域１００の周辺に制御回路２０、走査線駆動回路１４０、容量線駆動回路１５０、データ線駆動回路１９０が配置した構成となっている。このうち、表示領域１００は、画素１１０が配列する領域であり、本実施形態では、３２１行の走査線１１２が行（Ｘ）方向に延在する一方、２４０列のデータ線１１４が列（Ｙ）方向に延在するように、それぞれ設けられ、このうち、最終３２１行目以外の１〜３２０行目の走査線１１２と１〜２４０列目のデータ線１１４との交差に対応して、画素１１０がそれぞれ配列している。したがって、本実施形態では、３２１行目の走査線１１２は、表示領域１００の垂直走査（画素１１０に対する電圧書込のために走査線を順番に選択する動作）には寄与しない。
なお、本実施形態では、画素１１０が表示領域１００において縦３２０行×横２４０列でマトリクス状に配列することになるが、本発明をこの配列に限定する趣旨ではない。
また、１〜３２０行目の走査線１１２に対応して、それぞれ容量線１３２がＸ方向に延在して設けられている。このため、本実施形態において、容量線１３２については、ダミーとなる３２１行目の走査線１１２を除いた１〜３２０行分が設けられる。
【０００８】
ここで、画素１１０の詳細な構成について説明する。
図２は、画素１１０の構成を示す図であり、ｉ行及びこれに隣接する（ｉ＋１）行と、ｊ列及びこれに隣接する（ｊ＋１）列との交差に対応する２×２の計４画素分の構成が示されている。
なお、ｉは、画素１１０が配列する行を一般的に示す場合の記号であって、１以上３２０以下の整数であり、ｊ、（ｊ＋１）は、画素１１０が配列する列を一般的に示す場合の記号であって、１以上２４０以下の整数である。ここで、（ｉ＋１）については、画素１１０が配列する行を一般的に示す場合には、１以上３２０以下の整数であるが、走査線１１２の行を説明する場合には、ダミーである３２１行目を含める必要があるので１以上３２１以下の整数となる。
【０００９】
図２に示されるように、各画素１１０は、画素スイッチング素子として機能するｎチャネル型の薄膜トランジスタ（thin film transistor：以下単に「ＴＦＴ」と略称する）１１６と、画素容量（液晶容量）１２０と、蓄積容量１３０とを有する。各画素１１０については互いに同一構成なので、ｉ行ｊ列に位置するもので代表して説明すると、当該ｉ行ｊ列の画素１１０において、ＴＦＴ１１６のゲート電極はｉ行目の走査線１１２に接続される一方、そのソース電極はｊ列目のデータ線１１４に接続され、そのドレイン電極は画素容量１２０の一端たる画素電極１１８に接続されている。
また、画素容量１２０の他端はコモン電極１０８に接続されている。このコモン電極１０８は、図１に示されるように全ての画素１１０にわたって共通であり、コモン信号Ｖcomが供給される。なお、本実施形態においてコモン信号Ｖcomは、後述するように時間的に電圧ＬＣcomで一定である。
なお、図２において、Ｙｉ、Ｙ（ｉ＋１）は、それぞれｉ、（ｉ＋１）行目の走査線１１２に供給される走査信号を示し、また、Ｃｉ、Ｃ（ｉ＋１）は、それぞれｉ、（ｉ＋１）行目の容量線１３２の電圧を示している。
【００１０】
表示領域１００は、画素電極１１８が形成された素子基板とコモン電極１０８が形成された対向基板との一対の基板同士を、電極形成面が互いに対向するように一定の間隙を保って貼り合わせるとともに、この間隙に液晶１０５を封止した構成となっている。このため、画素容量１２０は、画素電極１１８とコモン電極１０８とで誘電体の一種である液晶１０５を挟持したものとなり、画素電極１１８とコモン電極１０８との差電圧を保持する構成となっている。この構成において、画素容量１２０では、その透過光量が当該保持電圧の実効値に応じて変化する。なお、本実施形態では説明の便宜上、画素容量１２０において保持される電圧実効値がゼロに近ければ、光の透過率が最大となって白色表示になる一方、電圧実効値が大きくなるにつれて透過する光量が減少して、ついには透過率が最小の黒色表示になるノーマリーホワイトモードに設定されている。
【００１１】
また、ｉ行ｊ列の画素１１０における蓄積容量１３０は、一端が画素電極１１８（ＴＦＴ１１６のドレイン電極）に接続されるとともに、他端がｉ行目の容量線１３２に接続されている。ここで、画素容量１２０および蓄積容量１３０における容量値を、それぞれＣpixおよびＣsとする。
【００１２】
説明を再び図１に戻すと、制御回路２０は、各種の制御信号を出力して電気光学装置１０における各部の制御等をするとともに、第１容量信号Ｖc1を第１給電線１６５に、第２容量信号Ｖc2を第２給電線１６７に、それぞれ供給する。また、制御回路２０は、後述するオン電圧Ｖonをオン電圧給電線１６１に供給し、オフ電圧Ｖoffをオフ電圧給電線１６
３に供給するほか、コモン信号Ｖcomをコモン電極１０８に供給する。
表示領域１００の周辺には、上述したように走査線駆動回路１４０や、容量線駆動回路１５０、データ線駆動回路１９０などの周辺回路が設けられている。このうち、走査線駆動回路１４０は、制御回路２０による制御にしたがって、１フレームの期間にわたって走
査信号Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、…、Ｙ３２０、Ｙ３２１を、それぞれ１、２、３、…、３２０、３２１行目の走査線１１２に供給するものである。すなわち、走査線駆動回路１４０は、走査線を１、２、３、…、３２０、３２１行目という順番で選択するとともに、選択した走査線への走査信号を選択電圧Ｖddに相当するＨレベルとし、それ以外の走査線への走査信号を非選択電圧（接地電位Ｇnd）に相当するＬレベルとする。
【００１３】
なお、詳細には、走査線駆動回路１４０は、図４に示されるように、制御回路２０から供給されるスタートパルスＤyをクロック信号Ｃlyにしたがって順次シフトすること等に
よって、走査信号Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４、…、Ｙ３２０、Ｙ３２１を出力する。
また、本実施形態において１フレームの期間とは、図４に示されるように、走査信号Ｙ１がＨレベルになってから走査信号Ｙ３２０がＬレベルになるまで有効走査期間Ｆaと、
ダミーの走査信号Ｙ３２１がＨレベルとなってから走査信号Ｙ１が再びＨレベルとなるまでの帰線期間Ｆbとを含む。また、１行の走査線１１２が選択される期間が水平走査期間
（Ｈ）である。
【００１４】
容量線駆動回路１５０は、本実施形態では、１〜３２０行目の容量線１３２に対応して設けられたＴＦＴ１５２、１５４、１５６、１５８の組から構成される。ここで、ｉ行目の容量線１３２に対応するＴＦＴ１５２、１５４、１５６、１５８について説明すると、当該ＴＦＴ１５２（第１トランジスタ）のゲート電極は、ｉ行目の次に選択される（ｉ＋１）行目の走査線１１２に接続され、そのソース電極は、オン電圧給電線１６１に接続される。ｉ行目のＴＦＴ１５４（第２トランジスタ）のゲート電極は、ｉ行目の走査線１１２に接続され、そのソース電極は、オフ電圧給電線１６３に接続されるとともに、ｉ行目におけるＴＦＴ１５２および１５４のドレイン電極同士がｉ行目のＴＦＴ１５８のゲート電極に接続されている。
一方、ｉ行目のＴＦＴ１５６（第３トランジスタ）のゲート電極は、ｉ行目の走査線１１２に接続され、そのソース電極は、第１給電線１６５に接続される。ｉ行目のＴＦＴ１５８（第４トランジスタ）のソース電極は、第２給電線１６７に接続されるとともに、ＴＦＴ１５６、１５８のドレイン電極同士がｉ行目の容量線１３２に接続されている。
ここで、オン電圧給電線１６１に供給されるオン電圧Ｖonは、それがＴＦＴ１５８のゲート電極に印加された場合に当該ＴＦＴ１５８をオン状態（ソース・ドレイン電極間が導通状態）にさせる電圧であり、例えば電圧Ｖddである。また、オフ電圧給電線１６３に供給されるオフ電圧Ｖoffは、それがＴＦＴ１５８のゲート電極に印加された場合に当該Ｔ
ＦＴ１５８をオフ状態（ソース・ドレイン電極間が非導通状態）にさせる電圧であり、例えばゼロ電圧（接地電位Ｇnd）である。
【００１５】
データ線駆動回路１９０は、走査線駆動回路１４０により選択される走査線１１２に位置する画素１１０の階調に応じた電圧であって、極性指示信号Ｐolで指定された極性の電圧のデータ信号Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、…、Ｘ２４０を、１、２、３、…、２４０列目のデータ線１１４にそれぞれ供給するものである。
ここで、データ線駆動回路１９０は、縦３２０行×横２４０列のマトリクス配列に対応した記憶領域（図示省略）を有し、各記憶領域には、それぞれ対応する画素１１０の階調値（明るさ）を指定する表示データＤaが記憶される。各記憶領域に記憶される表示デー
タＤaは、表示内容に変更が生じた場合に、制御回路２０によってアドレスとともに変更
後の表示データＤaが供給されて書き換えられる。
データ線駆動回路１９０は、選択される走査線１１２に位置する画素１１０の表示データＤaを記憶領域から読み出すとともに、当該階調値に応じた電圧であって指定された極
性の電圧のデータ信号に変換し、データ線１１４に供給する動作を、選択される走査線１１２に位置する１〜２４０列のそれぞれについて実行する。
【００１６】
ここで、極性指示信号Ｐolは、Ｈレベルであれば正極性書込を指定し、Ｌレベルであれ
ば負極性書込を指定する信号であり、図４に示されるように、本実施形態では、１フレームの期間毎に極性反転する。すなわち、本実施形態では、１フレームの期間において画素に書き込む極性をすべて同一とし、この書込極性を１フレームの期間毎に反転させた面反転方式とする。このように極性反転する理由は、直流成分の印加による液晶の劣化を防止するためである。
また、本実施形態における書込極性については、画素容量１２０に対して階調に応じた電圧を保持させる際に、コモン電極１０８の電圧ＬＣcomよりも画素電極１１８の電位を
高位側とする場合を正極性といい、低位側とする場合を負極性という。一方、電圧については、特に説明のない限り、電源の接地電位Ｇndを基準としている。
【００１７】
なお、制御回路２０は、クロック信号Ｃlyの論理レベルが遷移するタイミングにおいてラッチパルスＬpをデータ線駆動回路１９０に供給する。上述したように、走査線駆動回
路１４０は、スタートパルスＤyをクロック信号Ｃlyにしたがって順次シフトすること等
によって、走査信号Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４、…、Ｙ３２０、Ｙ３２１を出力するので、走査線が選択される期間の開始タイミングは、クロック信号Ｃlyの論理レベルが遷移するタイミングである。したがって、データ線駆動回路１９０は、例えばラッチパルスＬpを
１フレームの期間にわたってカウントし続けることによって何行目の走査線が選択されるのか、および、ラッチパルスＬpの供給タイミングによって、その選択の開始タイミング
を知ることができる。
【００１８】
なお、本実施形態において、素子基板には、表示領域１００における走査線１１２や、データ線１１４、ＴＦＴ１１６、画素電極１１８、蓄積容量１３０に加えて、容量線駆動回路１５０におけるＴＦＴ１５２、１５４、１５６、１５８、オン電圧給電線１６１、オフ電圧給電線１６３、第１給電線１６５、第２給電線１６７なども形成される。
【００１９】
図３は、このような素子基板のうち、容量線駆動回路１５０と表示領域１００との境界付近の構成を示す平面図である。
この図に示されるように、本実施形態では、ＴＦＴ１１６、１５２、１５４、１５６、１５８は、アモルファスシリコン型であって、そのゲート電極が半導体層よりも下側に位置するボトムゲート型である。詳細には、第１導電層となるゲート電極層のパターニングにより、走査線１１２や、容量線１３２、ＴＦＴ１５８のゲート電極が形成され、その上にゲート絶縁膜（図示省略）が形成され、さらにＴＦＴ１１６、１５２、１５４、１５６、１５８の半導体層が島状に形成されている。この半導体層の上には、保護層を介して第２導電層となるＩＴＯ（indium tin oxide）層のパターニングにより、矩形形状の画素電極１１８が形成され、さらに、第３導電層となるアルミニウムなどの金属層のパターニングによって、ＴＦＴ１１６、１５２、１５４、１５６、１５８のソース電極となるデータ線１１４、オン電圧給電線１６１、オフ電圧給電線１６３、第１給電線１６５、第２給電線１６７が形成されるとともに、これらのＴＦＴのドレイン電極が形成されている。
【００２０】
ここで、ＴＦＴ１５４、１５６のゲート電極は、走査線１１２からそれぞれＹ（下）方向にＴ字状に分岐した部分であり、ＴＦＴ１５２のゲート電極は、走査線１１２からＹ（上）方向にＴ字状に分岐した部分である。また、蓄積容量１３０は、画素電極１１８の下層において幅広となるように形成された容量線１３２の部分と当該画素電極１１８とにより上記ゲート絶縁膜を誘電体として挟持した構成である。
また、ＴＦＴ１５２、１５４の共通ドレイン電極とＴＦＴ１５８のゲート電極とは、上記ゲート絶縁膜を貫通するコンタクトホール（図において×印）を介して、電気的な接続が図られている。同様に、ＴＦＴ１５６、１５８の共通ドレイン電極と容量線１３２とは、コンタクトホール（図において×印）を介して、電気的な接続が図られている。
なお、画素電極１１８と対向するコモン電極１０８は、対向基板に形成されるので、素子基板の平面図を示す図３には現れない。
【００２１】
図３においては、あくまでも一例であり、ＴＦＴの型については他の構造、例えばゲート電極の配置でいえばトップゲート型としても良いし、プロセスでいえばポリシリコン型としても良い。また、容量線駆動回路１５０の素子を表示領域１００に造り込むのではなく、ＩＣチップを素子基板側に実装する構成としても良い。
ＩＣチップを素子基板側に実装する場合、走査線駆動回路１４０、容量線駆動回路１５０を、データ線駆動回路１９０とともに半導体チップとしてまとめても良いし、それぞれ別々のチップとしても良い。また、制御回路２０については、ＦＰＣ（flexible printed
circuit）基板等を介して接続しても良いし、半導体チップとして素子基板に実装する構成としても良い。
また、本実施形態を透過型ではなく反射型とする場合には、画素電極１１８について反射性の導電層をパターニングしたものとしても良いし、別途の反射性金属層を持たせても良い。さらに、透過型および反射型の両者を組み合わせた、いわゆる半透過半反射型としても良い。
【００２２】
次に、本実施形態に係る電気光学装置１０の動作について説明する。
上述したように本実施形態では、面反転方式としている。このため、制御回路２０は、極性指示信号Ｐolについて、図４に示されるように、あるフレーム（「ｎフレーム」と表記している）の期間においてＨレベルとして正極性書込を指定し、次の（ｎ＋１）フレームの期間においてＬレベルとして負極性書込を指定して、以下同様に１フレームの期間毎に書込極性を反転させる。
また、制御回路２０は、ｎフレームにおいて、第１容量信号Ｖc1および第２容量信号Ｖc2を互いに同電位とする一方、（ｎ＋１）フレームにおいて、第１容量信号Ｖc1を、第２容量信号Ｖc2よりも電圧ΔＶだけ相対的に上昇させる。このため、図４に示されるように、第２容量信号Ｖc2が電圧Ｖslで書込極性に拘わらずに一定であれば、第１容量信号Ｖc1は、ｎフレームにおいて同じ電圧Ｖslであり、（ｎ＋１）フレームにおいて電圧ＶslよりもΔＶだけ高い電圧Ｖshとなる。
【００２３】
さて、ｎフレームにおいては、走査線駆動回路１４０によって最初に走査信号Ｙ１がＨレベルになる。
一方、走査信号Ｙ１がＨレベルになるタイミングにおいてラッチパルスＬpが出力され
ると、データ線駆動回路１９０は、１行目であって、１、２、３、…、２４０列目の画素の表示データＤaを読み出すとともに、当該表示データＤaで指定された電圧だけ、電圧ＬＣcomを基準に高位側とした電圧のデータ信号Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、…、Ｘ２４０に変換し
、それぞれ１、２、３、…、２４０列のデータ線１１４に供給する。
これにより例えば、ｊ列目のデータ線１１４には、１行ｊ列の画素１１０の表示データＤaで指定された電圧だけ電圧ＬＣcomよりも高位側とした正極性電圧がデータ信号Ｘｊとして印加される。
さて、走査信号Ｙ１がＨレベルになると、１行１列〜１行２４０列の画素におけるＴＦＴ１１６がオンするので、これらの画素電極１１８には、データ信号Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、…、Ｘ２４０が印加される。このため、１行１列〜１行２４０列の画素容量１２０には、それぞれ階調に応じた正極性の電圧が書き込まれることになる。
一方、走査信号Ｙ１がＨレベルであれば、容量線駆動回路１５０では、１行目の容量線１３２に対応するＴＦＴ１５４、１５６がオンするが、ＴＦＴ１５２がオフであるので（走査信号Ｙ２はＬレベルであるので）、ＴＦＴ１５８のゲート電極にはオフ電圧Ｖoffが
印加されて当該ＴＦＴ１５８がオフする結果、当該１行目の容量線１３２は、第１給電線１６５に接続された状態となって電圧Ｖslとなる。このため、１行１列〜１行２４０列の蓄積容量１３０には、それぞれ階調に応じた正極性の電圧と電圧Ｖslとの差電圧が書き込まれることになる。
【００２４】
次に走査信号Ｙ１がＬレベルになるとともに、走査信号Ｙ２がＨレベルになる。
走査信号Ｙ１がＬレベルになると、１行１列〜１行２４０列の画素におけるＴＦＴ１１６がオフする。また、走査信号Ｙ１がＬレベル、走査信号Ｙ２がＨレベルであれば、容量線駆動回路１５０では、１行目の容量線１３２に対応するＴＦＴ１５４、１５６がオフし、１行目のＴＦＴ１５２がオンするので、１行目のＴＦＴ１５８のゲート電極にはオン電圧Ｖonが印加されて当該ＴＦＴ１５８がオンする結果、当該１行目の容量線１３２は、第２給電線１６７に接続された状態となるが、正極性書込を指定するｎフレームにおいて、当該第２給電線１６７は第１給電線１６５と同じ電圧Ｖslであるために電位変動しない。
このため、極性指示信号ＰolがＨレベルあって正極性書込が指示されていれば、走査信号Ｙ２がＨレベルになっても、１行１列〜１行２４０列の画素容量１２０および蓄積容量１３０においてそれぞれ保持された電圧に変化は生じない。
【００２５】
一方、走査信号Ｙ２がＨレベルになるタイミングにおいてラッチパルスＬpが出力され
ると、データ線駆動回路１９０は、２行目であって１、２、３、…、２４０列目の画素の階調に応じた正極性電圧のデータ信号Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、…、Ｘ２４０を、それぞれ１、２、３、…、２４０列のデータ線１１４に供給する。走査信号Ｙ２がＨレベルになると、２行１列〜２行２４０列の画素におけるＴＦＴ１１６がオンするので、これらの画素電極１１８には、データ信号Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、…、Ｘ２４０が印加される結果、１行１列〜１行２４０列の画素容量１２０には、それぞれ階調に応じた正極性電圧が書き込まれることになる。
なお、走査信号Ｙ２がＨレベルであれば、容量線駆動回路１５０では、２行目の容量線１３２に対応するＴＦＴ１５４、１５６がオンするが、２行目のＴＦＴ１５２がオフであるので（走査信号Ｙ３はＬレベルであるので）、２行目のＴＦＴ１５８もオフである。このため、２行目の容量線１３２は電圧Ｖslとなるので、２行１列〜２行２４０列の蓄積容量１３０には、それぞれ階調に応じた正極性電圧と電圧Ｖslとの差電圧が書き込まれることになる。
【００２６】
次に走査信号Ｙ２がＬレベルになるとともに、走査信号Ｙ３がＨレベルになる。
走査信号Ｙ２がＬレベルになると、容量線駆動回路１５０では、１行目の容量線１３２に対応するＴＦＴ１５２がオフする。このため、当該１行目の容量線１３２に対応するＴＦＴ１５８のゲート電極は、電気的にどこにも接続されないハイ・インピーダンス状態となるが、このゲート電極自体に寄生する容量のために、１行目のＴＦＴ１５２がオフする直前の状態であるオン電圧Ｖonに保たれる。このため、当該１行目の容量線１３２に対応するＴＦＴ１５８はオン状態を継続するので、当該１行目の容量線１３２は電圧Ｖslを維持することになる。なお、この１行目の容量線１３２が電圧Ｖslを維持する動作は、走査信号Ｙ１が再びＨレベルとなるまで継続することになる。
当該１行目の容量線１３２は電圧Ｖslに維持されるため、１行１列〜１行２４０列の画素容量１２０および蓄積容量１３０において保持された電圧は再び走査信号Ｙ１がＨレベルとなるまで変化が生じないことになる。結局、１行１列〜１行２４０列の画素容量１２０は、それぞれ走査信号Ｙ１がＨレベルとなったときに画素電極１１８に印加されたデータ信号の電圧とコモン電極１０８の電圧ＬＣcomとの差電圧、すなわち、階調に応じた電
圧を保持し続けることになる。
また、走査信号Ｙ３がＨレベルになるタイミングにおいてラッチパルスＬpが出力され
ると、データ線駆動回路１９０は、３行目であって１、２、３、…、２４０列目の画素の階調に応じた正極性電圧のデータ信号Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、…、Ｘ２４０を、それぞれ１、２、３、…、２４０列のデータ線１１４に供給し、これにより、３行１列〜３行２４０列の画素容量１２０には、それぞれ階調に応じた正極性の電圧が書き込まれることになる。
なお、走査信号Ｙ３がＨレベルであれば、容量線駆動回路１５０では、３行目の容量線１３２に対応するＴＦＴ１５４、１５６がオンするが、３行目のＴＦＴ１５２がオフであるので（走査信号Ｙ４はＬレベルであるので）、３行目のＴＦＴ１５８もオフする。この
ため、当該３行目の容量線１３２は電圧Ｖslとなるので、３行１列〜３行２４０列の蓄積容量１３０には、それぞれ階調に応じた正極性電圧と電圧Ｖslとの差電圧が書き込まれることになる。
【００２７】
極性指示信号ＰolがＨレベルとなるｎフレームの期間では、以下同様な動作が、走査信号Ｙ３２１がＨレベルとなるまで繰り返される。これにより、すべての画素容量１２０にで、画素電極１１８に印加されたデータ信号の電圧、すなわち、階調に応じた正極性電圧とコモン電極１０８の電圧ＬＣcomとの差電圧が保持され、また、すべての蓄積容量１３
０には、階調に応じた正極性電圧と電圧Ｖslとの差電圧が保持されることになる。
【００２８】
次に、制御回路２０は、極性信号ＰolがＬレベルとなる（ｎ＋１）フレームの動作について説明する。
この（ｎ＋１）フレームの動作は、主に次の２点においてｎフレームの動作と相違する。すなわち、第１に、制御回路２０は、第１容量信号Ｖc1を、図４に示されるように、電圧ＶslよりもΔＶだけ高い電圧Ｖshとする点と、第２に、走査信号ＹｉがＨレベルになるタイミングにおいてラッチパルスＬpが出力されると、データ線駆動回路１９０は、ｉ行
目であって、１、２、３、…、２４０列目の画素の表示データＤaを読み出す点までｎフ
レームと一緒であるが、データ信号Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、…、Ｘ２４０として、当該表示データＤaに対応し、かつ、負極性に対応した電圧（この意味については後述する）とする
点とにおいてｎフレームの動作と相違する。
そこで、（ｎ＋１）フレームにおける動作については、この相違点を中心にして、走査信号ＹｉがＨレベルとなったときにｉ行ｊ列の画素容量１２０に書き込んだ電圧が、走査信号Ｙ（ｉ＋１)がＨレベルとなったときにどのように変化するのか、という観点で説明
することにする。
【００２９】
図５は、（ｎ＋１）フレームにおけるｉ行ｊ列の画素容量１２０の電圧変化を説明するための図である。
まず、走査信号ＹｉがＨレベルになると、図５（ａ）に示されるように、ｉ行ｊ列のＴＦＴ１１６がオンするので、データ信号Ｘｊが画素容量１２０の一端（画素電極１１８）と蓄積容量１３０の一端とにそれぞれ印加される。一方、走査信号ＹｉがＨレベルであれば、容量線駆動回路１５０においてｉ行目の容量線１３２に対応するＴＦＴ１５４、１５６がオンし、ＴＦＴ１５２、１５８がオフするので、ｉ行目の容量線１３２の電圧Ｃｉは、第１給電線１６５の電圧Ｖshとなる。なお、コモン電極１０８は電圧ＬＣcomで一定で
ある。
したがって、このときのデータ信号Ｘｊの電圧をＶｊとすれば、ｉ行ｊ列における画素容量１２０には電圧（Ｖｊ−ＬＣcom）が充電され、蓄積容量１３０には電圧（Ｖｊ−Ｖsh）が充電される。
【００３０】
次に、走査信号ＹｉがＬレベルになると、図５（ｂ）に示されるように、ｉ行ｊ列のＴＦＴ１１６がオフする。また、走査信号ＹｉがＬレベルになると、次の走査信号Ｙ（ｉ＋１）がＨレベルになるので（図５（ｂ）においては（ｉ＋１）行を図示省略）、容量線駆動回路１５０においてｉ行目の容量線１３２に対応するＴＦＴ１５４、１５６がオフし、ｉ行目のＴＦＴ１５２がオンして、ｉ行目のＴＦＴ１５８のゲート電極にオン電圧Ｖonを印加する。このため、ｉ行目のＴＦＴ１５８がオンするので、ｉ行目の容量線１３２の電圧Ｃｉは、第２給電線１６７の電圧Ｖslとなり、走査信号ＹｉがＨレベルであったときと比較すると、電圧ΔＶだけ低下する。これに対し、コモン電極１０８は電圧ＬＣcomで一
定である。したがって、画素容量１２０に蓄えられた電荷は、蓄積容量１３０に移動するので、画素電極１１８の電圧が低下する。
詳細には、画素容量１２０と蓄積容量１３０との直列接続において、画素容量１２０の他端（コモン電極）が電圧一定に保たれたまま、蓄積容量１３０の他端が電圧ΔＶだけ低
下するので、画素電極１１８の電圧も低下する。
このため、当該直列の接続点である画素電極１１８の電圧は、
Ｖｊ−｛Ｃs／（Ｃs＋Ｃpix）｝・ΔＶ
となり、走査信号ＹｉがＨレベルであったときのデータ信号の電圧Ｖｊよりも、ｉ行目の容量線１３２の電圧変化分ΔＶに、画素容量１２０および蓄積容量１３０の容量比｛Ｃs／（Ｃs＋Ｃpix）｝を乗じた値だけ低下することになる。すなわち、ｉ行目の容量線１
３２の電圧ＣｉがΔＶだけ低下すると、画素電極１１８の電圧は、走査信号ＹｉがＨレベルであったときのデータ信号の電圧Ｖｊよりも、｛Ｃs／（Ｃs＋Ｃpix）｝・ΔＶ（＝Δ
Ｖpixとする）だけ低下することになる。ただし、各部の寄生容量は無視している。
【００３１】
ここで、走査信号ＹｉがＨレベルのときのデータ信号Ｘｊは、画素電極１１８が電圧ΔＶpixだけ低下することを見越した電圧Ｖｊに設定される。すなわち、低下した後の画素
電極１１８の電圧がコモン電極１０８の電圧ＬＣcomよりも低位であって両者の差電圧が
ｉ行ｊ列の階調に応じた値となるように設定される。
詳細には、本実施形態では、図７に示されるように、正極性書込となるｎフレームにおいて、データ信号が白色ｗに相当する電圧Ｖw(+)から黒色ｂに相当する電圧Ｖb(+)までの範囲であって、階調が低く（暗く）なるにつれて電圧ＬＣcomよりも高位側の電圧となる
場合に、負極性書込となる（ｎ＋１）フレームにおいて画素を白色ｗするときには電圧Ｖb(+)とし、画素を黒色ｂとする場合には電圧Ｖw(+)となるように設定して、正極性の電圧範囲と同一であって、その階調関係を逆転させた設定とする。第２に、（ｎ＋１）フレームにおいてデータ信号の電圧を書き込んだ後に、画素電極１１８が電圧ΔＶpixだけ低下
したとき、当該画素電極１１８の電圧が負極性の白色に相当する電圧Ｖw(-)から黒色に相当する電圧Ｖw(-)までの範囲であって、電圧ＬＣcomを基準にして正極性の電圧と対称と
なるように、容量線１３２の電圧ΔＶの低下分（Ｖsh−Ｖsl）を設定する。
これにより、負極性書込を指定する（ｎ＋１）フレームにおいて、電圧ΔＶpixだけ低
下したときの画素電極１１８の電圧は、階調に応じた負極性の電圧、すなわち、白色ｗに相当する電圧Ｖw(-)から黒色ｂに相当する電圧Ｖb(-)までの範囲であって、階調が低く（暗く）なるにつれて電圧ＬＣcomよりも低位側の電圧にシフトする。
なお、図５では、ｉ行ｊ列の画素容量１２０および蓄積容量１３０について説明するが、同様な動作は、走査線１１２および容量線１３２を兼用するｉ行について同様に実行される。また、（ｎ＋１）フレームにおいては、ｎフレームと同様に、走査信号Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、…、Ｙ３２０、Ｙ３２１が順番にＨレベルとなるので、各行における動作は、１、２、３、…、３２０行の画素についても順番に実行される。
【００３２】
このように、本実施形態では、負極性書込を指定する（ｎ＋１）フレームにおけるデータ線の電圧範囲ａは、正極性書込を指定するｎフレームと同じであるが、シフト後における画素電極１１８の電圧が、階調に応じた負極性電圧となる。これにより、本実施形態によれば、データ線駆動回路１９０を構成する素子の耐圧が狭くて済むだけでなく、容量が寄生するデータ線１１４における電圧振幅も狭くなるので、その寄生容量により無駄に電力が消費されることもなくなる。
すなわち、コモン電極１０８が電圧ＬＣcomに保たれるとともに、容量線１３２の電圧
を、各フレームにわたって一定とした構成において、画素容量１２０を交流駆動する場合、画素電極１１８に、あるフレームにおいて階調に応じて正極性の電圧Ｖw(+)から電圧Ｖb(+)までの範囲の電圧で書き込んだときには、階調に変化がなければ、次のフレームにおいて負極性に対応した電圧Ｖw(-)から電圧Ｖb(-)までの範囲であって、電圧ＬＣcomを基
準に反転させた電圧を書き込まなければならない。このため、コモン電極１０８の電圧が一定である構成において、容量線１３２の電圧一定としたとき、データ信号の電圧が図において範囲ｂにわたるので、データ線駆動回路１９０を構成する素子の耐圧も範囲ｂに対応させる必要があるだけでなく、容量が寄生するデータ線１１４において範囲ｂで電圧が変化すると、その寄生容量により無駄に電力が消費される、という不都合が発生してしま
うのである。これに対して、本実施形態では、データ線の電圧範囲ａは、範囲ｂに比べておおよそ半減するので、このような不都合が解消されるのである。
【００３３】
さらに、本実施形態によれば、図６に示されるように、正極性書込を指示するフレームにおいてｉ行目の容量線１３２の電圧Ｃｉは、走査信号ＹｉがＨレベルになったときに第１給電線１６５の電圧Ｖslとなり、その次の走査信号Ｙ（ｉ＋１）がＨレベルになったときに第２給電線１６７の電圧Ｖslとなる。このため、ｉ行目の容量線１３２の電圧Ｃｉは、正極性書込を指示するフレームにおいて走査信号Ｙ（ｉ＋１）がＨレベルになったタイミングでは電圧変化しない。
一方、負極性書込を指示するフレームにおいてｉ行目の容量線１３２の電圧Ｃｉは、走査信号ＹｉがＨレベルになったときに電圧Ｖshとなり、その次の走査信号Ｙ（ｉ＋１）がＨレベルになったときに第２給電線１６７の電圧Ｖslとなる。このため、ｉ行目の容量線１３２の電圧Ｃｉは、負極性書込を指示するフレームにおいて走査信号Ｙ（ｉ＋１）がＨレベルになったタイミングにて電圧ΔＶだけ低下する。
本実施形態では、このように１行分の容量線１３２を駆動するのに、４つのＴＦＴ１５２、１５４、１５６、１５８で足り、さらに、別途の制御信号や制御電圧も不要である。このため、各行に対応した容量線１３２を駆動する容量線駆動回路１５０の構成が複雑化を回避することも可能である。
なお、図６は、走査信号と容量線と画素電極との電圧関係を示す図であり、ｉ行ｊ列の画素電極１１８の電圧変化をＰix（i,j)で示している。
【００３４】
くわえて、本実施形態によれば、走査信号Ｙ（ｉ＋１）がＬレベルに変化した後であっても、ｉ行目の容量線１３２に対応するＴＦＴ１５８のゲート電極がその寄生容量によってオン電圧Ｖonに維持されるので、当該ＴＦＴ１５８がオンし続ける結果、ｉ行目の容量線１３２は、ハイ・インピーダンス状態になることなく、第２容量信号Ｖc2の電圧で安定化する。容量線１３２は、１〜２４０列のデータ線１１４と交差するので、データ信号Ｘ１〜Ｘ２４０の電圧変化による影響を受けやすいだけでなく、走査線１１２とも平行しているので、走査信号の電圧変化による影響も受けやすい。仮に、容量線１３２が、第２容量信号Ｖc2の電圧で安定化しない構成であれば、これらの電圧変化の影響を受けて、電圧変動してしまう。容量線１３２が電圧変動すると、画素容量１２０に保持される電圧が目標とする階調値に応じた電圧からズレてしまうので、表示品位に悪影響を与えてしまうが、本実施形態によれば、容量線１３２が電圧変動しないので、このような表示品位に影響をほとんど与えないことになる。
なお、正極性書込が指定されたときのデータ信号の電圧範囲と、負極性書込が指定されたときのデータ信号の電圧範囲とを一致させたが、完全に一致させなくもても、容量線１３２の電圧変化によりデータ信号の電圧振幅を抑えることはできる。
【００３５】
なお、この説明では、第２容量信号Ｖc2を電圧Ｖslで一定とすることによって、正極性書込を指定するｎフレームにおいて走査信号Ｙ（ｉ＋１）がＨレベルになったときに、ｉ行目の容量線１３２の電圧を変化させない一方、負極性書込を指定する（ｎ＋１）フレームにおいて走査信号Ｙ（ｉ＋１）がＨレベルになったときに、ｉ行目の容量線１３２を電圧ΔＶだけ低下させて、走査信号ＹｉがＨレベルであったときに書き込んだ画素電極１１８を電圧ΔＶpixだけ低下させたが、これとは反対としても良い。
すなわち、図８に示されるように、第２容量信号を電圧Ｖshで一定とすることによって、負極性書込を指定するフレームにおいて走査信号Ｙ（ｉ＋１）がＨレベルになったときに、ｉ行目の容量線１３２の電圧を変化させない一方、正極性書込を指定するフレームにおいて走査信号Ｙ（ｉ＋１）がＨレベルになったときに、ｉ行目の容量線１３２を電圧ΔＶだけ上昇させて、走査信号ＹｉがＨレベルであったときに書き込んだ画素電極１１８を電圧ΔＶpixだけ上昇させる構成としても良い。
この構成において、データ信号の電圧関係は、図７（ａ）および図７（ｂ）を、電圧Ｌ
Ｃcomを基準に反転させるとともに、正極性書込を負極性書込に、負極性書込を正極性書
込に、それぞれ読み替えれば良い。
【００３６】
さらに、この説明では、１フレームの期間において画素に書き込む極性をすべて同一とし、この書込極性を１フレームの期間毎に反転させた面反転方式としたが、１行毎に書込極性を反転する走査線（ライン）反転方式としても良い。
走査線反転方式とする場合、極性指示信号Ｐo lは、図９に示されるように、水平走査
期間（Ｈ）毎に反転するとともに、隣接するフレーム同士において、同一の走査信号がＨレベルとなる（同一の走査線が選択される）期間でみたときにも反転した関係となる。
また、第１容量信号Ｖc1は、極性指示信号ＰolがＨレベルであるときに電圧Ｖslとなり、極性指示信号ＰolがＬレベルであるときに電圧Ｖshとなる。
これにより、図９のｎフレームにおいて、奇数（１、３、５、…、３１９）行の容量線１３２は、次の偶数（２、４、６、…、３２０）行の走査線１１２への走査信号がＨレベルになっても電圧変化しないが、偶数行の容量線１３２は、次の奇数行の走査線１１２への走査信号がＨレベルになったときに、電圧ΔＶだけ低下する。したがって、図９のｎフレームにおいて奇数行では図７（ａ）と同様な正極性書込が実行される一方、偶数行では図７（ｂ）と同様な負極性書込が実行される。
一方、図９の（ｎ＋１）フレームにおいて、奇数行の容量線１３２は、次の偶数行の走査線１１２への走査信号がＨレベルになったときに、電圧ΔＶだけ低下するが、偶数行の容量線１３２は、次の奇数行の走査線１１２への走査信号がＨレベルになっても電圧変化しない。したがって、図９の（ｎ＋１）フレームにおいて奇数行では図７（ｂ）と同様な負極性書込が実行される一方、偶数行では図７（ａ）と同様な正極性書込が実行される。
なお、図９においては、第２容量信号Ｖc2を電圧Ｖslとしたが、電圧Ｖshとして、容量線１３２の電圧をΔＶだけ上昇させる構成としても良い。
【００３７】
また、このように走査線反転方式とする場合に、図１０に示されるように、第２容量信号Ｖc2を電圧ＬＣcomで一定としても良い。
第２容量信号Ｖc2を電圧ＬＣcomで一定とした場合、図１０のｎフレームにおいて、奇
数行の容量線１３２は、次の偶数行の走査線１１２への走査信号がＨレベルになったときに、電圧Ｖslから電圧ＬＣcomに上昇し、偶数行の容量線１３２は、次の奇数行の走査線
１１２への走査信号がＨレベルになったときに、電圧Ｖshから電圧ＬＣcomに下降する一
方、（ｎ＋１）フレームにおいて、奇数行の容量線１３２は、次の偶数行の走査線１１２への走査信号がＨレベルになったときに、電圧Ｖshから電圧ＬＣcomに下降し、偶数行の
容量線１３２は、次の奇数行の走査線１１２への走査信号がＨレベルになったときに、電圧Ｖslから電圧ＬＣcomに上昇する。
ここで、電圧Ｖslから電圧ＬＣcomへの上昇分と、電圧ＬＣcomから電圧Ｖslへの変化分を等しくΔＶとしたとき、図１１に示されるように、ｉ行目の画素電極では、走査信号ＹｉがＨレベルになったときに書き込んだ電圧を、走査信号Ｙ（ｉ＋１）がＨレベルになったときにｉ行目の容量線１３２を電圧ΔＶだけ変化させることによって、電圧ΔＶpixだ
けシフトさせる動作が、正極性書込と負極性書込とで１フレームの期間毎に交互に実行される。
【００３８】
データ信号は、正極性書込が指定されたときの電圧範囲ａに、負極性書込が指定されたときの電圧範囲を一致させれば、図４と同様な効果を奏する。すなわち、図１２に示されるように、正極性書込となるｎフレームにおいて、電圧範囲ａの中心が電圧ＬＣcomに一
致するように設定するとともに、電圧ΔＶpixだけ上昇したときに、電圧Ｖw(+)から電圧
Ｖb(+)までの範囲にシフトし、電圧ΔＶpixだけ下降したときに、電圧Ｖw(-)から電圧Ｖb(-)までの範囲にシフトするように電圧ΔＶ（＝Ｖsh−ＬＣcom＝ＬＣcom−Ｖsl）を設定
すれば良い。ただし、図１２における電圧範囲ａは、正極性書込が指定される場合、白色ｗ側が低位となり黒色ｂ側が高位となるが、負極性書込が指定される場合、白色ｗ側が高
位となり黒色ｂ側が低位となり、階調の関係が逆転する。
なお、正極性書込が指定されたときのデータ信号の電圧範囲と、負極性書込が指定されたときのデータ信号の電圧範囲とを一致させなくても、容量線１３２の電圧変化によりデータ信号の電圧振幅を抑えることはできる。
【００３９】
＜第１実施形態の応用例＞
上記容量線駆動回路１５０のｉ行目において、ＴＦＴ１５２、１５４、１５６がオンする期間はたかだか水平走査期間（Ｈ）であるが、ＴＦＴ１５８がオンする期間は、ｉ行目の非選択期間（走査信号ＹｉがＬレベルとなる期間）の全域にわたる。このため、ＴＦＴ１５８については、ＴＦＴ１５２、１５４、１５６と比較すると、オン状態となる期間が著しく長いので、トランジスタ特性が変化しやすい環境にある。なお、ここでいうトランジスタ特性の変化とは、スイッチとしてオンするためのゲート電圧（しきい値電圧）が、時間経過とともに高くなることをいう。このため、長期使用するにつれて、ＴＦＴ１５８が非選択期間でオンしなくなる、という誤動作の可能性が高くなる。
そこで、このような誤動作の可能性を低く抑えることを目的とした応用例について説明する。
【００４０】
図１３は、この応用例に係る電気光学装置の構成を示すブロック図である。
この図に示されるように、応用例では、ＴＦＴ１５８がＴＦＴ１５８ａ、１５８ｂの２系統に分かれて、交互に用いる構成となっている。
詳細には、応用例に係る容量線駆動回路１５０では、各行においてａ系統とｂ系統とに分かれており、このうち、ａ系統は、ＴＦＴ１５２ａ、１５４ａ、１５８ａを有し、ＴＦＴ１５２ａのソース電極が給電線１６１ａに接続され、また、ｂ系統は、ＴＦＴ１５２ｂ、１５４ｂ、１５８ｂを有し、ＴＦＴ１５２ｂのソース電極が給電線１６１ｂに接続されている。
この応用例において制御回路２０は、信号Ｖon-aを給電線１６１ａに、信号Ｖon-bを給電線１６１ｂに、それぞれ供給する。この信号Ｖon-a、Ｖon-bの電圧波形の一例としては、例えば図１５に示されるように、ｎフレームにおいて信号Ｖon-aはオン電圧Ｖonとなり、信号Ｖon-bはオフ電圧Ｖoffとなり、次の（ｎ＋１）フレームにおいて信号Ｖon-aはオ
フ電圧Ｖoffとなり、信号Ｖon-bはオン電圧Ｖonとなる。
【００４１】
この応用例において、選択後に容量線１３２を第２給電線１６７に接続するのは、信号Ｖon-aがオン電圧ＶonとなるｎフレームではＴＦＴ１５２ａであり、信号Ｖon-bがオン電圧Ｖonとなる（ｎ＋１）フレームではＴＦＴ１５２ｂである。このため、応用例によれば、ＴＦＴ１５２ａ、１５２ｂがオンする期間は、第１実施形態と比較して半分になるので、長期使用による誤動作の可能性を低く抑えることが可能となる。
なお、応用例にあっては、第１容量信号Ｖc1、第２容量信号Ｖc2、極性指示信号Ｐolとして、図４、図８、図９、図１０のいずれも適用可能である。
【００４２】
図１４は、応用例において、素子基板のうち、容量線駆動回路１５０と表示領域１００との境界付近の構成を示す平面図であり、上述したように、ＴＦＴ１５２とＴＦＴ１５４とＴＦＴ１５８とが、それぞれＴＦＴ１５２ａ、１５２ｂと、ＴＦＴ１５４ａ、１５４ｂと、ＴＦＴ１５８ａ、１５８ｂとに分かれている。
【００４３】
なお、この図において、ｉ行目のＴＦＴ１５４ａのゲート電極は、ｉ行目の走査線１１２からＹ（下）方向にＴ字状に分岐した部分であるが、ｉ行目のＴＦＴ１５４ｂのゲート電極は、ｉ行目のＴＦＴ１５６のゲート電極から枝分かれした部分である。
この応用例では、信号Ｖon-a、Ｖon-bの電圧を１フレームの期間毎に切り替える構成としたが、これに限られない。また、信号Ｖon-a、Ｖon-bの電圧を周期的に切り替える必要はなく、例えば電源オン（オフ）する毎に切り替える構成としても良い。
また、この応用例では、ＴＦＴ１５８を２つのＴＦＴ１５８ａ、１５８ｂに分けた構成を示したが、３つ以上として、所定の順番で切り替えながら用いる構成としても良い。
すなわち、応用例の目的は、いずれかのＴＦＴ１５８をオンさせる期間を短くして（オフさせる期間を長くして）、トランジスタ特性の変化を少なくすることであるから、非選択期間において、複数あるＴＦＴ１５８のうち、少なくとも１個以上がオフし、１個以上がオンしている構成であれば良い。
【００４４】
＜第２実施形態＞
次に、本発明の第２実施形態について説明する。図１６は、本発明の第２実施形態に係る電気光学装置の構成を示すブロック図である。
この図に示される構成が第１実施形態（図１参照）と相違する部分は、１〜３２０行の容量線１３２に対応して補助容量１８４が設けられている点にある。そこでこの点について説明すると、ｉ行目の容量線１３２に対応する補助容量１８４は、その一端がｉ行目の容量線１３２に対応するＴＦＴ１５８のゲート電極に接続され、その他端がｉ行目の走査線１１２に接続されている。
【００４５】
図１７は、第２実施形態において、素子基板のうち、容量線駆動回路１５０と表示領域１００との境界付近の構成を示す平面図である。
この図において第１実施形態（図３参照）と相違する部分は、走査線１１２が、Ｙ（下）方向に向かった幅広部分を有し、この幅広部分と重なるように、第３導電層となる金属層のパターニングした電極部分が設けられている点にある。したがって、補助容量１８４は、走査線１１２の幅広部分と、この幅広部分と重なるようにパターニングされた電極部分とにより、ゲート絶縁膜を誘電体として挟持した構成となる。
なお、この電極部分は、ＴＦＴ１５８のゲート電極とコンタクトホールを介して接続されている。
【００４６】
このように補助容量１８４を設けると、ＴＦＴ１５８のゲート電極を、より安定して保持することができるので、表示品位の低下をさらに抑えることが可能となる。
なお、補助容量１８４の目的は、ｉ行目でいえば、走査信号Ｙｉ、Ｙ（ｉ＋１）がいずれもＬレベルであっても、ｉ行目の容量線１３２に対応するＴＦＴ１５８のゲート電極を、寄生容量に頼らなくてもＴＦＴ１５８のオフ直前の状態に維持することであるから、補助容量１８４の他端を、例えば電位Ｇndに接地しても良い。
【００４７】
＜第３実施形態＞
ところで、走査線反転方式とする場合（図９、図１０参照）、第１容量信号Ｖc1を水平走査期間（Ｈ）毎に電圧Ｖsl、Ｖshで切り替える必要がある。このため、第１容量信号Ｖc1を供給する第１給電線１６５に容量が寄生していると、この電圧切り替えにより電力が無駄に消費されてしまうことになる。そこで、この点を解消した第３実施形態について説明する。
【００４８】
図１８は、本発明の第３実施形態に係る電気光学装置の構成を示すブロック図である。この図に示される構成が第１実施形態（図１参照）と相違する部分は、第１に、制御回路２０が２種類の第１容量信号を出力する点、および、第２に、容量線駆動回路１５０において、奇数行の容量線１３２に対応するＴＦＴ１５６のソース電極が２種類の第１容量信号のうち一方を供給する給電線に接続される一方、偶数行の容量線１３２に対応するＴＦＴ１５６のソース電極が他方を供給する給電線に接続された点にある。
他については同一であるので、その説明を省略し、以下においては、この相違点を中心に説明することにする。
【００４９】
詳細には、制御回路２０は、第１容量信号Ｖc1の代わりに、第１容量信号Ｖc1a、Ｖc1b
を、それぞれ第１給電線１６５ａ、１６５ｂに供給する。
ここで、図２０に示されるように、第１容量信号Ｖc1aは、各フレームにわたって電圧
一定であってｎフレームにおいて電圧Ｖslであり、次の（ｎ＋１）フレームにおいて電圧Ｖshに切り替わる。すなわち、第１容量信号Ｖc1aでは、電圧Ｖsl、Ｖshが１フレームの
期間毎に交互に切り替わる。
一方、第１容量信号Ｖc1bは、第１容量信号Ｖc1aに対して、電圧Ｖsl、Ｖshを入れ替えた関係にある。すなわち、第１容量信号Ｖc1bは、ｎフレームにおいて第１容量信号Ｖc1aが電圧Ｖslであるときに電圧Ｖshとなり、（ｎ＋１）フレームにおいて第１容量信号Ｖc1aが電圧Ｖshであるときに電圧Ｖslとなる。第２容量信号Ｖc2は、電圧ＬＣcomで一定である。
そして、容量線駆動回路１５０において、奇数行の容量線１３２に対応するＴＦＴ１５６のソース電極は第１給電線１６５ａに接続され、偶数行の容量線１３２に対応するＴＦＴ１５６のソース電極は第１給電線１６５ｂに接続されている。
【００５０】
図１９は、第３実施形態において、素子基板のうち、容量線駆動回路１５０と表示領域１００との境界付近の構成を示す平面図である。
この図に示されるように、第２給電線１６７は、第１給電線１６５ａ、１６５ｂの間において奇数のｉ行では第１給電線１６５ｂ寄りに位置し、偶数の（ｉ＋１）行では第１給電線１６５ａ寄りに位置するように、行毎に折り返される。
そして、ＴＦＴ１５６、１５８の共通半導体層は、奇数のｉ行では、Ｘ方向に対し第２給電線１６７から第１給電線１６５ａまでの領域にわたって、偶数の（ｉ＋１）行では、Ｘ方向に対し第１給電線１６５ｂから第２給電線１６７までの領域にわたって設けられている。このため、奇数のｉ行目に対応するＴＦＴ１５６、１５８と、偶数の（ｉ＋１）行目に対応するＴＦＴ１５６、１５８とは互いに逆向きの関係にある。
なお、第３実施形態では、便宜的にｉを奇数とし、（ｉ＋１）を偶数としている。
【００５１】
第３実施形態ではｎフレームにおいて、奇数行目に対応する容量線１３２は、同じ行の走査信号がＨレベルになったときに第１容量信号Ｖc1aの電圧Ｖslとなり、次行の走査信
号がＨレベルになったときに第２容量信号Ｖc2の電圧ＬＣcomとなるので、電圧（ＬＣcom−Ｖsl）だけ上昇する一方、偶数行目に対応する容量線１３２は、同じ行の走査信号がＨレベルになったときに第１容量信号Ｖc1bの電圧Ｖshとなり、次行の走査信号がＨレベル
になったときに第２容量信号Ｖc2の電圧ＬＣcomとなるので、電圧（Ｖsh−ＬＣcom）だけ下降する。
反対に、次の（ｎ＋１）フレームでは、奇数行目の容量線１３２は、次行の走査信号がＨレベルになったときに電圧（Ｖsh−ＬＣcom）だけ下降し、偶数行目の容量線１３２は
、次行の走査信号がＨレベルになったときに電圧（ＬＣcom−Ｖsl）だけ上昇する。
したがって、第３実施形態では、図９および図１０に示した例と同じように各行の容量線１３２が電圧変化するので、データ信号を図１２に示されるような電圧範囲で供給することにより、画素への電圧を走査線反転方式で書き込むことが可能となる。
特に、第３実施形態によれば、第１容量信号Ｖc1a、Ｖc1bの２つが必要となるが、この２つの第１容量信号Ｖc1a、Ｖc1bの電圧切り替わりは、水平走査期間（Ｈ）ではなく、フレームの期間となるので、電圧切り替わりにより寄生容量で無駄に消費される電力を抑えることが可能となる。
【００５２】
上述した実施形態では、データ線１１４に、選択走査線に位置する画素の階調に応じた電圧のデータ信号を供給する構成としたが、本発明は、これに限られない。例えば、図２１に示されるように、選択走査線に位置する画素の階調に応じたパルス幅のデータ信号Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、…、Ｘ２４０を、１、２、３、…、２４０列目のデータ線に供給する構成としても良い。
この構成では、図２１に示されるように、１、２、３、…、２４０列目のデータ線１１
４のそれぞれに対応してスイッチ１９２が設けられ、各スイッチ１９２は、それぞれデータ信号Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、…、Ｘ２４０がＨレベルである場合（パルスが出力されている期間）にオンする。各スイッチ１９２の一端は、自身に対応するデータ線１１４に接続され、他端は、コモン電極１０８に共通接続されている。
ここで、データ線駆動回路１９０は、選択された走査線に位置する画素の階調に応じた（Ｈレベルの）パルス幅のデータ信号を、そのパルスの始端が走査線の選択開始タイミングとなるように出力する。このため、データ信号Ｘｊは、ｉ行目の走査線１１２が選択された期間において、ｉ行ｊ列の画素の階調を明るくすべきほどにパルス幅（Ｈレベル）が走査線の選択開始タイミングから長くなる（ノーマリーホワイトモードの場合）。
また、第１容量信号Ｖc1は、図２２に示されるように、極性指示信号ＰolがＨレベルであって正極性書込が指定されている場合には、走査線の選択開始タイミングにて電圧ＬＣcomから選択終了タイミングにて電圧Ｖslまで低下する一方、極性指示信号ＰolがＬレベ
ルであって負極性書込が指定されている場合には、走査線の選択開始タイミングに電圧ＬＣcomから選択終了タイミングにて電圧Ｖshまで上昇するようなランプ信号として制御回
路２０から供給される。
【００５３】
ｉ行目の走査線１１２が選択された期間において、ｊ列目のデータ線１１４に対応するスイッチ１９２は、当該ｉ行目の走査線の選択開始タイミングからｉ行ｊ列の画素の階調に応じた期間だけオンする。このオン期間では、データ線１１４は、コモン電極１０８と同じ電圧ＬＣcomとなるので、ｉ行ｊ列の画素容量１２０には電圧が充電されないが、ｉ
行ｊ列の蓄積容量１３０の他端である容量線１３２にはランプ信号が供給されるので、当該蓄積容量１３０には、ランプ信号の電圧と電圧ＬＣcomとの差電圧が充電される。
当該ｉ行目の走査線の選択開始タイミングからｉ行ｊ列の画素の階調に応じた期間が経過すると、データ信号Ｘｊのパルス出力が終了してスイッチ１９２がオフするので、ｊ列目のデータ線１１４は、電気的にどこにも接続されないハイ・インピーダンス状態となるが、ランプ信号の電圧は変化し続けるので、画素容量１２０と蓄積容量１３０との直列接続の接続点である画素電極１１８は、スイッチ１９２がオフした時点からランプ信号の電圧変化に追従することになる。
したがって、ｉ行目の走査線の選択終了タイミングでは、ｉ行ｊ列の画素容量１２０には、スイッチ１９２のオン期間が長いほど絶対値でみて高くなる電圧が充電されることになる。
次の（ｉ＋１）行目の走査線の選択開始タイミングになると、ｉ行目の容量線１３２は電圧ＬＣcomになるので、走査信号ＹｉがＨレベルであったときに正極性書込が指定され
ていれば電圧（ＬＣcom−Ｖsl）だけ上昇し、負極性書込が指定されていれば電圧（Ｖsh
−ＬＣcom）だけ下降する。このため、図１０で示した例と同様に、画素電極１１８の電
圧がシフトするので、これにより、画素容量１２０の保持電圧を、階調に応じた電圧とさせることができる。
【００５４】
なお、上述した各実施形態では、容量線駆動回路１５０において、ｉ行目の容量線１３２に対応するＴＦＴ１５２のゲート電極を、次の（ｉ＋１）行の走査線１１２に接続したが、一定の行数ｍ（ｍは２以上の整数）だけ離間した走査線１１２に接続する構成であれば足りる。ただし、ｍが多くなると、ｉ行目の容量線１３２に対応するＴＦＴ１５２のゲート電極を、（ｉ＋ｍ）行目の走査線１１２に接続する必要があり、配線が複雑化する。
また、最終の３２０行目の容量線１３２に対応するＴＦＴ１５２まで駆動するために、ダミーの走査線１１２がｍ行必要となる。ただし、各実施形態のようにｍが「１」であれば、帰線期間Ｆbをなくして、３２０行目の容量線１３２に対応するＴＦＴ１５２のゲー
ト電極を、１行目の走査線１１２に接続する構成とすれば、また、例えばｍが「２」であれば、やはり帰線期間Ｆbをなくして、３１９、３２０行目の容量線１３２に対応するＴ
ＦＴ１５２のゲート電極を、それぞれ１、２行目の走査線１１２に接続する構成とすれば、あえてダミーの走査線を設ける必要もない。
さらに、コモン電極１０８の電圧Ｖcomを、正極性書込が指定されたときに低位とし、
負極性書込が指定されたときに高位として切り替える構成でも良い。
【００５５】
また、各実施形態では、画素容量１２０として画素電極１１８とコモン電極１０８とで液晶１０５を挟持して、液晶にかかる電界方向を基板面垂直方向とした構成としたが、画素電極、絶縁層およびコモン電極とを積層して、液晶にかかる電界方向を基板面水平方向とした構成としても良い。
一方、各実施形態では、垂直走査方向を図１において上から下方向に向かった方向としているので、ｉ行目の容量線１３２に対応するＴＦＴ１５２のゲート電極を、（ｉ＋１）行目の走査線１１２に接続したが、垂直走査方向を下から上方向に向かった方向とした場合には、（ｉ−１）行目の走査線１１２に接続すれば良い。すなわち、ｉ行目の容量線１３２に対応するＴＦＴ１５２のゲート電極については、ｉ行目の走査線以外の走査線であって、ｉ行目の走査線が選択された後に選択される走査線１１２に接続される構成であれば良い。
【００５６】
また、上述した各実施形態では、画素容量１２０を単位としてみたときに、１フレームの期間毎に書込極性を反転したが、その理由は、画素容量１２０を交流駆動するために過ぎないので、その反転周期は２フレームの期間以上の周期であっても良い。
さらに、画素容量１２０はノーマリーホワイトモードとしたが、電圧無印加状態において暗い状態となるノーマリーブラックモードとしても良い。また、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３画素で１ドットを構成して、カラー表示を行うとしても良いし、さらに、別の１色（例えばシアン（Ｃ））を追加し、これらの４色の画素で１ドットを構成して、色再現性を向上させる構成としても良い。
【００５７】
上述した説明では、書込極性の基準をコモン電極１０８に印加される電圧ＬＣcomとし
ているが、これは、画素１１０におけるＴＦＴ１１６が理想的なスイッチとして機能する場合であり、実際には、ＴＦＴ１１６のゲート・ドレイン間の寄生容量に起因して、オンからオフに状態変化するときにドレイン（画素電極１１８）の電位が低下する現象（プッシュダウン、突き抜け、フィールドスルーなどと呼ばれる）が発生する。液晶の劣化を防止するため、画素容量１２０については交流駆動としなければならないが、コモン電極１０８への印加電圧ＬＣcomを書込極性の基準として交流駆動すると、プッシュダウンのた
めに、負極性書込による画素容量１２０の電圧実効値が、正極性書込による実効値よりも若干大きくなってしまう（ＴＦＴ１１６がｎチャネルの場合）。このため、実際には、書込極性の基準電圧とコモン電極１０８の電圧ＬＣcomとを別々とし、詳細には、書込極性
の基準電圧を、プッシュダウンの影響が相殺されるように、電圧ＬＣcomよりも高位側に
オフセットして設定するようにしても良い。
さらに、蓄積容量１３０は、直流的には絶縁されているので、第１給電線１６５と第２給電線１６７に印加されている電位差だけが上述の関係となっていればよく、例えば電圧ＬＣcomとの電位差は何ボルトであっても構わない。 
【００５８】
＜電子機器＞
次に、上述した実施形態に係る電気光学装置１０を表示装置として有する電子機器について説明する。図２３は、いずれかの実施形態に係る電気光学装置１０を用いた携帯電話１２００の構成を示す図である。
この図に示されるように、携帯電話１２００は、複数の操作ボタン１２０２のほか、受話口１２０４、送話口１２０６とともに、上述した電気光学装置１０を備えるものである。なお、電気光学装置１０のうち、表示領域１００に相当する部分の構成要素については外観としては現れない。
【００５９】
なお、電気光学装置１０が適用される電子機器としては、図２３に示される携帯電話の
他にも、デジタルスチルカメラや、ノートパソコン、液晶テレビ、ビューファインダ型（またはモニタ直視型）のビデオレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。そして、これらの各種電子機器の表示装置として、上述した電気光学装置１０が適用可能であることは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】本発明の第１実施形態に係る電気光学装置の構成を示す図である。
【図２】同電気光学装置における画素の構成を示す図である。
【図３】同電気光学装置の表示領域と容量線駆動回路との境の構成を示す図である。
【図４】同電気光学装置の動作を説明するための図である。
【図５】同電気光学装置の負極性書込を示す図である。
【図６】同電気光学装置の動作を説明するための電圧波形図である。
【図７】同電気光学装置のデータ信号と保持電圧との関係を示す図である。
【図８】同電気光学装置の別動作（その１）を説明するための図である。
【図９】同電気光学装置の別動作（その２）を説明するための図である。
【図１０】同電気光学装置の別動作（その３）を説明するための図である。
【図１１】別動作（その３）を説明するための電圧波形図である。
【図１２】別動作（その３）におけるデータ信号と保持電圧との関係を示す図である。
【図１３】同電気光学装置の応用例を示す図である。
【図１４】同応用例において表示領域と容量線駆動回路との境の構成を示す図である。
【図１５】同応用例における信号Ｖon-a、Ｖon-bの波形の一例を示す図である。
【図１６】本発明の第２実施形態に係る電気光学装置の構成を示す図である。
【図１７】同電気光学装置の表示領域と容量線駆動回路との境の構成を示す図である。
【図１８】本発明の第３実施形態に係る電気光学装置の構成を示す図である。
【図１９】同電気光学装置の表示領域と容量線駆動回路との境の構成を示す図である。
【図２０】同電気光学装置の動作を説明するための図である。
【図２１】本発明の変形例に係る電気光学装置の構成を示す図である。
【図２２】同変形例に係る電気光学装置の動作を説明するための図である。
【図２３】実施形態に係る電気光学装置を用いた携帯電話の構成を示す図である。
【符号の説明】
【００６１】
１０…電気光学装置、２０…制御回路、１００…表示領域、１０８…コモン電極、１１０…画素、１１２…走査線、１１４…データ線、１１６…ＴＦＴ、１２０…画素容量、１３０…蓄積容量、１３２…容量線、１４０…走査線駆動回路、１５０…容量線駆動回路、１５６、１５８…ＴＦＴ、１６１…オン電圧給電線、１６３…オフ電圧給電線、１６５、１６５ａ、１６５ｂ…第１給電線、１６７…第２給電線、１８４…補助容量、１２００…携帯電話
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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