(57)【要約】  【課題】  高い効率の発光効果を有する発光ダイオードチップの封止方法およびその封止構造を提供することを課題とする。  【解決手段】本発明に係る高い効率の発光効果を有する発光ダイオードチップの封止構造は、基板ユニットと、発光ユニットと、パッケージコロイドユニットと、を含む。そのうちでは、該基板ユニットは、基板本体と、該基板本体にそれぞれ形成された正極導電トレースおよび負極導電トレースとを有する。該発光ユニットは、該基板本体に設けられた複数の発光ダイオードチップを有し、発光ダイオードチップ毎が、該基板ユニットの正、負極導電トレースにそれぞれ電気的に接続された正極端および負極端を有する。該パッケージコロイドユニットは、これらの発光ダイオードチップの上をそれぞれ覆うパッケージコロイドを備える。  【選択図】図３
2008311506.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板本体と、前記基板本体にそれぞれ形成された正極導電トレースおよび負極導電トレースとを有する基板ユニットを提供する工程と、
前記基板本体にマトリクス方式によって複数の発光ダイオードチップをそれぞれ設置し、発光ダイオードチップ毎が、前記基板ユニットの正、負極導電トレースにそれぞれ電気的に接続された正極端及び負極端を有する複数列の縦方向発光ダイオードチップ列を形成する工程と、
第１のモールドユニットを介して複数の帯形のパッケージコロイドで縦方向発光ダイオードチップ列毎上を覆う工程と、を含む高い効率の発光効果を有する発光ダイオードチップの封止方法。
【請求項２】
前記基板ユニットは、プリント回路基板（ＰＣＢ）、フレキシブル基板、アルミニウム基板、セラミック基板或いはＣｕ基板であることを特徴とする請求項１記載の高い効率の発光効果を有する発光ダイオードチップの封止方法。
【請求項３】
前記正、負極導電トレースは、Ａｌ回路またはＡｇ回路であることを特徴とする請求項１記載の高い効率の発光効果を有する発光ダイオードチップの封止方法。
【請求項４】
前記発光ダイオードチップ毎の正、負極端は、２つの対応しているワイヤを介してワイヤボンディングの方式で前記基板ユニットの正、負極導電トレースに電気的に接続されることを特徴とする請求項１記載の高い効率の発光効果を有する発光ダイオードチップの封止方法。
【請求項５】
前記発光ダイオードチップ毎の正、負極端は、複数の対応の半田ボールＢを介してフリップチップの方式で、前記基板ユニットの正、負極導電トレースに電気的に接続されることを特徴とする請求項１記載の高い効率の発光効果を有する発光ダイオードチップの封止方法。
【請求項６】
前記縦方向発光ダイオードチップ列毎は、直線の配列方式で前記基板ユニットの基板本体に設けられることを特徴とする請求項１記載の高い効率の発光効果を有する発光ダイオードチップの封止方法。
【請求項７】
前記該第１のモールドユニットは、第１のアッパモールドおよび前記基板本体を載置する第１のローモールドからなり、前記第１のアッパモールドは、これらの縦方向発光ダイオードチップ列に対応する複数の第１のチャンネルを備え、
また、これらの第１のチャンネルの高さ及び幅は、これらの帯形のパッケージコロイドの高さ及び幅と同じであることを特徴とする請求項１記載の高い効率の発光効果を有する発光ダイオードチップの封止方法。
【請求項８】
前記帯形のパッケージコロイド毎は、シリコン及び蛍光パウダによりミックスして形成された蛍光樹脂であることを特徴とする請求項１記載の高い効率の発光効果を有する発光ダイオードチップの封止方法。
【請求項９】
前記帯形のパッケージコロイド毎は、エポキシ樹脂及び蛍光パウダによりミックスして形成された蛍光樹脂であることを特徴とする請求項１記載の高い効率の発光効果を有する発光ダイオードチップの封止方法。
【請求項１０】
さらに、２つずつの縦方向発光ダイオードチップの間を沿ってこれらの帯形のパッケージコロイドおよび基板本体を横方向に切断し、複数のライトバーを形成し、ライトバー毎は、発光ダイオードチップ毎の上をそれぞれ分離して覆う複数のパッケージコロイドを有するステップを含むことを特徴とする請求項１記載の高い効率の発光効果を有する発光ダイオードチップの封止方法。
【請求項１１】
さらに、２つずつの縦方向発光ダイオードチップの間を沿ってこれらの帯形のパッケージコロイドを横方向に切断し、発光ダイオードチップ毎の上をそれぞれ分離して覆う複数のパッケージコロイドを形成するステップと、
第２のモールドユニットを介してフレームユニットを前記基板本体上に覆いかつこれらのパッケージコロイドの間に充填するステップと、
２つずつの縦方向発光ダイオードチップの間を沿ってこのフレームユニットおよび基板本体を横方向に切断し複数のライトバーを形成し、かつ、当該フレームユニットがライトバー毎の上の全てのパッケージコロイドの周辺をそれぞれ覆う複数のフレーム層になるように切断されるステップと、を含むことを特徴とする請求項１記載の高い効率の発光効果を有する発光ダイオードチップの封止方法。
【請求項１２】
前記第２のモールドユニットは、第２のアッパモールドおよび基板本体を載置する第２のローモールドからなり、
前記第２のアッパモールドは、フレームユニットに対応する１つの第２のチャンネルを備え、
また、前記第２のチャンネルの高さは、これらのパッケージコロイドの高さと同じであり、前記第２のチャンネルの幅は、前記フレームユニットの幅と同じであることを特徴とする請求項１１記載の高い効率の発光効果を有する発光ダイオードチップの封止方法。
【請求項１３】
前記フレーム層は、光透過しないフレーム層であることを特徴とする請求項１１記載の高い効率の発光効果を有する発光ダイオードチップの封止方法。
【請求項１４】
前記光透過しないフレーム層は白色フレーム層であることを特徴とする請求項１３記載の高い効率の発光効果を有する発光ダイオードチップの封止方法。
【請求項１５】
さらに、２つずつの縦方向発光ダイオードチップの間を沿ってこれらの帯形のパッケージコロイドを横方向に切断し、発光ダイオードチップ毎の上をそれぞれ分離して覆う複数のパッケージコロイドを形成するステップと、
第３のモールドユニットを介して複数の帯形フレーム層を前記基板本体上に覆いかつパッケージコロイド毎の間に縦方向に充填するステップと、
２つずつの縦方向発光ダイオードチップの間を沿ってこれらのフレーム層および基板本体を横方向に切断し複数のライトバーを形成し、かつ、当該帯形フレーム層がパッケージコロイド毎の周辺をそれぞれ覆う複数のフレーム本体になるように切断されるステップと、を含むことを特徴とする請求項１記載の高い効率の発光効果を有する発光ダイオードチップの封止方法。
【請求項１６】
前記第３のモールドユニットは、第３のアッパモールドおよび基板本体を載置する第３のローモールドからなり、前記第３のアッパモールドは、これらの縦方向発光ダイオードチップ列に対応する複数の第３のチャンネルを備え、
また、前記第３のチャンネルの高さは、これらのパッケージコロイドの高さと同じであり、前記第３のチャンネルの幅は、該パッケージコロイド毎の幅より大きいことを特徴とする請求項１５記載の高い効率の発光効果を有する発光ダイオードチップの封止方法。
【請求項１７】
前記フレーム本体は、光透過しないフレーム本体であることを特徴とする請求項１５記載の高い効率の発光効果を有する発光ダイオードチップの封止方法。
【請求項１８】
前記光透過しないフレーム本体は白色フレーム本体であることを特徴とする請求項１７記載の高い効率の発光効果を有する発光ダイオードチップの封止方法。
【請求項１９】
基板本体と、前記基板本体にそれぞれ形成された正極導電トレースおよび負極導電トレースとを有する前記基板ユニットと、
前記基板本体に設けられた複数の発光ダイオードチップを有し、ここで、発光ダイオードチップ毎が、前記基板ユニットの正、負極導電トレースにそれぞれ電気的に接続された正極端および負極端を有する発光ユニットと、
これらの発光ダイオードチップの上をそれぞれ覆うパッケージコロイドを備えるパッケージコロイドユニットと、を含む高い効率の発光効果を有する発光ダイオードチップの封止構造。
【請求項２０】
前記基板ユニットは、プリント回路基板（ＰＣＢ）、フレキシブル基板、アルミニウム基板、セラミック基板或いはＣｕ基板であることを特徴とする請求項１９記載の高い効率の発光効果を有する発光ダイオードチップの封止構造。
【請求項２１】
前記正、負極導電トレースは、Ａｌ回路またはＡｇ回路であることを特徴とする請求項１９記載の高い効率の発光効果を有する発光ダイオードチップの封止構造。
【請求項２２】
前記発光ダイオードチップ毎の正、負極端は、２つの対応しているワイヤを介してワイヤボンディングの方式で前記基板ユニットの正、負極導電トレースに電気的に接続されることを特徴とする請求項１９記載の高い効率の発光効果を有する発光ダイオードチップの封止構造。
【請求項２３】
前記発光ダイオードチップ毎の正、負極端は、複数の対応の半田ボールＢを介してフリップチップの方式で、前記基板ユニットの正、負極導電トレースに電気的に接続されることを特徴とする請求項１９記載の高い効率の発光効果を有する発光ダイオードチップの封止構造。
【請求項２４】
前記これらの発光ダイオードチップは、直線の配列方式で前記基板ユニットの基板本体に設けられることを特徴とする請求項１９記載の高い効率の発光効果を有する発光ダイオードチップの封止構造。
【請求項２５】
前記これらの発光ダイオードチップは、複数本の直線の配列方式で前記基板ユニットの基板本体に設けられることを特徴とする請求項１９記載の高い効率の発光効果を有する発光ダイオードチップの封止構造。
【請求項２６】
前記パッケージコロイド毎は、シリコン及び蛍光パウダによりミックスして形成された蛍光樹脂であることを特徴とする請求項１９記載の高い効率の発光効果を有する発光ダイオードチップの封止構造。
【請求項２７】
前記パッケージコロイド毎は、エポキシ樹脂及び蛍光パウダによりミックスして形成された蛍光樹脂であることを特徴とする請求項１９記載の高い効率の発光効果を有する発光ダイオードチップの封止構造。
【請求項２８】
さらに、前記基板本体上を覆いかつパッケージコロイド毎の周辺を覆うフレーム層であり、パッケージコロイド毎の上面を露出させるフレームユニットを含むことを特徴とする請求項１９記載の高い効率の発光効果を有する発光ダイオードチップの封止構造。
【請求項２９】
前記フレーム層は、光透過しないフレーム層であることを特徴とする請求項２８記載の高い効率の発光効果を有する発光ダイオードチップの封止構造。
【請求項３０】
前記光透過しないフレーム層は白色フレーム層であることを特徴とする請求項２９記載の高い効率の発光効果を有する発光ダイオードチップの封止構造。
【請求項３１】
さらに、これらのパッケージコロイドをそれぞれ囲む複数のフレーム本体を有し、パッケージコロイド毎の上面を露出させ、これらのフレーム本体は前記基板本体上にそれぞれ分離して設置されているフレームユニットを含むことを特徴とする請求項１９記載の高い効率の発光効果を有する発光ダイオードチップの封止構造。
【請求項３２】
前記フレーム本体は、光透過しないフレーム本体であることを特徴とする請求項３１記載の高い効率の発光効果を有する発光ダイオードチップの封止構造。
【請求項３３】
前記光透過しないフレーム本体は白色フレーム本体であることを特徴とする請求項３２記載の高い効率の発光効果を有する発光ダイオードチップの封止構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光ダイオードチップの封止方法およびその封止構造に係り、特に、高い効率の発光効果を有する発光ダイオードチップの封止方法およびその封止構造を指すものである。
【背景技術】
【０００２】
図１は、従来の発光ダイオードチップの第１の封止方法を示すフローチャートである。このフローチャートから、従来の発光ダイオードチップの第１の封止方法は、先ず、複数のパッケージした発光ダイオードを提供する工程（Ｓ８００）と、次に、その上に正極導電トレース及び負極導電トレースを有する帯形の基板本体を提供する工程（Ｓ８０２）と、最後に、パッケージした発光ダイオード毎がその帯形の基板本体上に順次に設けられ、かつパッケージした発光ダイオード毎の正、負極端をその帯形の基板本体の正、負極導電トレースにそれぞれ電気的に接続させる工程（Ｓ８０４）とを含むことが分かる。
【０００３】
図２は、従来の発光ダイオードチップの第２の封止方法を示すフローチャートである。このフローチャートから、従来の発光ダイオードチップの第２の封止方法は、先ず、その上に正極導電トレース及び負極導電トレースを有する帯形の基板本体を提供する工程（Ｓ９００）と、複数のパッケージした発光ダイオードチップがその帯形の基板本体上に順次に設けられ、かつ、発光ダイオードチップ毎の正、負極端をその帯形の基板本体の正、負極導電トレースにそれぞれ電気的に接続させる工程（Ｓ９０２）と、帯形のパッケージコロイドをその帯形の基板本体およびこれらの発光ダイオードチップ上を覆い、帯形発光領域のあるライトバーを形成する工程（Ｓ９０４）とを含むことが分かる。
【０００４】
しかしながら、上記従来の発光ダイオードチップの第１の封止方法については、パッケージした発光ダイオード毎を発光ダイオードパッケージ全体から切断してから、表面実装技術（ＳＭＴ）でパッケージした発光ダイオードをその帯形の基板本体上に設けなければならないため、製造プロセス時間を有効に低下させることは出来ず、また、発光の際に、これらのパッケージした発光ダイオードの間にダークバンド現象が発生されることもあり、使用者の視線には好ましくない効果が発生してしまう。
【０００５】
また、上記従来の発光ダイオードチップの第２の封止方法については、完成したライトバーが帯形発光領域を有するため、第２の封止方法はダークバンドの問題が発生されない。しかし、この帯形のパッケージコロイドが励起された領域が不均一であるため、ライトバーの光の効率は良くない（発光ダイオードチップに近いパッケージコロイド領域は、比較的に強い励起光源が発生され、発光ダイオードチップに遠いパッケージコロイド領域は、比較的に弱い励起光源が発生される）。
また、特許文献１に示す技術も知られている。
【０００６】
以上のように、従来の発光ダイオードの封止方法およびその封止構造は、不便や欠点が明らかに存在され、改善が期待されていることは分かる。
【０００７】
そのため、本発明者は、前記欠点が改良できるのを感心して、長年以来この領域で積み立てた経験により、専念な観察かつ研究をし、さらに学術理論の運用に合せ、やっと合理な設計且つ前記の欠点を有効に改良できた本発明を提案した。  
【特許文献１】特開平１０−２９４４９８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明が解決しようとする技術問題は、高い効率の発光効果を有する発光ダイオードチップの封止方法およびその封止構造を提供することにある。本発明の発光ダイオード構造は、発光の時に連続の発光領域を形成し、輝度不均一のことが発生されず、かつ本発明は、ＣＯＢ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｂｏａｒｄ）及びダイモールド（ｄｉｅ  ｍｏｌｄ）の方式で、製造プロセス時間を有効に減少し大量生産できる。また、本発明の構造設計は、様々な光源、例えばバックライトモジュールや、飾りランプ、照明用ランプまたはスキャンナー光源などにより適用でき、いずれも本発明が適応する範囲および製品である。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記技術課題を解決するため、本発明による一つの方案は、先ず、基板本体と、前記基板本体にそれぞれ形成された正極導電トレースおよび負極導電トレースとを有する基板ユニットを提供する工程と、前記基板本体にマトリクス方式によって複数の発光ダイオードチップをそれぞれ設置し、発光ダイオードチップ毎が、前記基板ユニットの正、負極導電トレースにそれぞれ電気的に接続された正極端及び負極端を有する複数列の縦方向発光ダイオードチップ列を形成する工程と、第１のモールドユニットを介して複数の帯形のパッケージコロイドで縦方向発光ダイオードチップ列毎上を覆う工程と、を含む高い効率の発光効果を有する発光ダイオードチップの封止方法を提供した。
【００１０】
最後に、本発明は以下の三つの実施態様がある。
【００１１】
第１の態様は、２つずつの縦方向発光ダイオードチップの間を沿ってこれらの帯形のパッケージコロイドおよび基板本体を横方向に切断し、複数のライトバーを形成し、ライトバー毎は、発光ダイオードチップ毎の上をそれぞれ分離して覆う複数のパッケージコロイドを有する。
【００１２】
第２の態様は、２つずつの縦方向発光ダイオードチップの間を沿ってこれらの帯形のパッケージコロイドを横方向に切断し、発光ダイオードチップ毎の上をそれぞれ分離して覆う複数のパッケージコロイドを形成し、その後、第２のモールドユニットを介してフレームユニットを前記基板本体上に覆いかつこれらのパッケージコロイドの間に充填し、最後に、２つずつの縦方向発光ダイオードチップの間を沿ってこのフレームユニットおよび基板本体を横方向に切断し複数のライトバーを形成し、かつ、当該フレームユニットがライトバー毎の上の全てのパッケージコロイドの周辺をそれぞれ覆う複数のフレーム層になるように切断される。
【００１３】
第３の態様は、２つずつの縦方向発光ダイオードチップの間を沿ってこれらの帯形のパッケージコロイドを横方向に切断し、発光ダイオードチップ毎の上をそれぞれ分離して覆う複数のパッケージコロイドを形成し、その後、第３のモールドユニットを介して複数の帯形フレーム層を前記基板本体上に覆いかつパッケージコロイド毎の間に縦方向に充填し、最後に、２つずつの縦方向発光ダイオードチップの間を沿ってこれらのフレーム層および基板本体を横方向に切断し複数のライトバーを形成し、かつ、当該帯形フレーム層がパッケージコロイド毎の周辺をそれぞれ覆う複数のフレーム本体になるように切断される。
【００１４】
前記技術課題を解決するため、本発明による他の方案は、基板ユニットと、発光ユニットと、パッケージコロイドユニットと、を含む高い効率の発光効果を有する発光ダイオードチップの封止構造を提供した。
【００１５】
そのうちでは、前記基板ユニットは、基板本体と、前記基板本体にそれぞれ形成された正極導電トレースおよび負極導電トレースとを有する。前記発光ユニットは、前記基板本体に設けられた複数の発光ダイオードチップを有し、発光ダイオードチップ毎が、前記基板ユニットの正、負極導電トレースにそれぞれ電気的に接続された正極端および負極端を有する。前記パッケージコロイドユニットは、これらの発光ダイオードチップの上をそれぞれ覆うパッケージコロイドを備える。
【００１６】
また、本発明の発光ダイオードチップの封止構造は、さらに、以下の２つの構造を含む。
【００１７】
（一）、フレームユニットは、前記基板本体上を覆いかつパッケージコロイド毎の周辺を覆うフレーム層であり、パッケージコロイド毎の上面を露出させる。
【００１８】
（二）、フレームユニットは、これらのパッケージコロイドをそれぞれ囲む複数のフレーム本体を有し、パッケージコロイド毎の上面を露出させ、これらのフレーム本体は前記基板本体上にそれぞれ分離して設置されている。
【００１９】
そのため、本発明の発光ダイオード構造は、発光の時に連続の発光領域を形成し、輝度不均一のことが発生されない。しかも、本発明は、ＣＯＢ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｂｏａｒｄ）及びダイモールド（ｄｉｅ  ｍｏｌｄ）の方式で、製造プロセス時間を有効に減少し大量生産できる。
【００２０】
本発明が所定の目的を達成するために採用する技術、手段及びその効果をさらに詳細的で具体的に説明するために、以下に本発明に関わる詳しい説明及び添付図面を参照することにより、深く且つ具体的な理解を得られるが、それらの添付図面が参考及び説明のみに使われ、本発明の主張範囲を狭義的に局限するものではないことは言うまでもないことである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
図３、図３ａ〜３ｄおよび図３Ａ〜３Ｄを参照する。図３は、本発明に係る封止方法の第１の実施例を示すフローチャートであり、図３ａ〜３ｄは、それぞれ本発明に係る封止構造の第１の実施例のパッケージフローを示す図であり、図３Ａ〜３Ｄは、それぞれ本発明に係る封止構造の第１の実施例のパッケージフローを示す断面図である。図３のフローチャートから分かるように、本発明に係る第１の実施例は、以下のステップを含む高い効率の発光効果を有する発光ダイオードチップの封止方法を提供した。
【００２２】
先ずは、図３ａおよび図３Ａに示すように、基板本体１０と、該基板本体１０にそれぞれ形成された複数の正極導電トレース１１および複数の負極導電トレース１２を有する基板ユニット１を提供する（Ｓ１００）。そのうちでは、異なる設計要求に応じて、該基板本体１０は、プリント回路基板（ＰＣＢ）や、フレキシブル基板、アルミニウム基板、セラミック基板或いはＣｕ基板である。また、該正、負極導電トレース１１、１２は、Ａｌ回路またはＡｇ回路を採用し、且つ、該正、負極導電トレース１１、１２のレイアウトは、異なる要求に応じて多少変えることができる。
【００２３】
次に、図３ｂおよび図３Ｂに示すように、該基板本体１０上にマトリクス方式により複数の発光ダイオードチップ２０をそれぞれ設置し、複数列の縦方向発光ダイオードチップ列２を形成し、そのうちては、発光ダイオードチップ２毎は、基板ユニットの正、負極導電トレース１１、１２にそれぞれ電気的に接続された正極端２０１及び負極端２０２を有する（Ｓ１０２）。
【００２４】
また、本発明に係る第１の実施例については、発光ダイオードチップ２０毎の正極端２０１及び負極端２０２は、２つの対応しているワイヤＷを介してワイヤボンディングの方式で該基板ユニット１の正、負極導電トレース１１、１２に電気的に接続される。また、縦方向発光ダイオードチップ列２毎は、直線の配列方式で該基板ユニット１の基板本体１０に設けられ、かつ、発光ダイオードチップ２０毎は、青色発光ダイオードチップであれば良い（ここで、本発明のうち一実施態様のみについての説明であり、特許請求範囲にはあらゆる影響をしないため、説明した方が良いと推薦する）。
【００２５】
もちろん、上記の発光ダイオードチップ２０の電気接続方式は、本発明を限らず、例えば、図４に示すように（本発明の発光ダイオードチップがフリップチップの方式によって電気的に接続することを示す図である）、発光ダイオードチップ２０'毎の正、負極端２０１'、２０２'は、複数の対応の半田ボールＢを介してフリップチップの方式で、該基板ユニット１'の正、負極導電トレース１１'、１２'に電気的に接続される。また、異なる設計要求に応じて、これらの発光ダイオードチップ（図示せず）の正、負極端は、直列接続や、並列接続または直列／並列の方式で該基板ユニット（図示せず）の正、負極導電トレースに電気的に接続される。
【００２６】
その後、図３ｃおよび図３Ｃに示すように、第１のモールドユニットＭ１を介して複数の帯形のパッケージコロイド３で縦方向発光ダイオードチップ列２毎上を覆う（Ｓ１０４）。
【００２７】
そのうちでは、該第１のモールドユニットＭ１は、第１のアッパモールドＭ１１および該基板本体１０を載置する第１のローモールドＭ１２からなり、該第１のアッパモールドＭ１１は、これらの縦方向発光ダイオードチップ列２に対応する複数の第１のチャンネルＭ１１０を備える。
【００２８】
また、これらの第１のチャンネルＭ１１０の高さ及び幅は、これらの帯形のパッケージコロイド３の高さ及び幅と同じである。さらに、帯形のパッケージコロイド３毎は、異なる使用要求に応じて、シリコン及び蛍光パウダによりミックスして形成された蛍光樹脂、或いは、エポキシ樹脂及び蛍光パウダによりミックスして形成された蛍光樹脂を選択できる。
【００２９】
最後に、図３ｄおよび図３Ｄを合せて図３ｃを参照すると、２つずつの縦方向発光ダイオードチップ２０の間を沿ってこれらの帯形のパッケージコロイド３および基板本体１０を横方向に切断し、複数のライトバーＬ１を形成し、ライトバーＬ１毎は、発光ダイオードチップ２０毎の上をそれぞれ分離して覆う複数のパッケージコロイド３０を有する（Ｓ１０６）。
【００３０】
図５、図５ａ〜５ｃおよび図５Ａ〜５Ｃを参照する。図５は、本発明に係る封止方法の第２の実施例を示すフローチャートであり、図５ａ〜５ｃは、それぞれ本発明に係る封止構造の第２の実施例の一部のパッケージフローを示す図であり、図５Ａ〜５Ｃは、それぞれ本発明に係る封止構造の第２の実施例の一部のパッケージフローを示す断面図である。図５のフローチャートから分かるように、第２の実施例のステップＳ２００〜Ｓ２０４は、それぞれ第１の実施例のステップＳ１００〜Ｓ１０４と同じである。すなわち、ステップＳ２００は、第１の実施例の図３ａおよび図３Ａに示される説明に該当し、ステップＳ２０２は、第１の実施例の図３ｂおよび図３Ｂに示される説明に該当し、ステップＳ２０４は、第１の実施例の図３ｃおよび図３Ｃに示される説明に該当する。
【００３１】
また、ステップＳ２０４の後には、本発明の第２の実施例は、さらに、以下のステップを含み、先ず、図５ａおよび図５Ａに示すように、２つずつの縦方向発光ダイオードチップ２０の間を沿ってこれらの帯形のパッケージコロイド３を横方向に切断し、発光ダイオードチップ２０毎の上をそれぞれ分離して覆う複数のパッケージコロイド３０'を形成する（Ｓ２０６）。
【００３２】
次に、図５ｂおよび図５Ｂに示すように、第２のモールドユニットＭ２を介してフレームユニット４を該基板本体１０上に覆いかつこれらのパッケージコロイド３０'の間に充填する（Ｓ２０８）。そのうちでは、該第２のモールドユニットＭ２は、第２のアッパモールドＭ２１および該基板本体１０を載置する第２のローモールドＭ２２からなり、該第２のアッパモールドＭ２１は、フレームユニット４に対応する１つの第２のチャンネルＭ２１０を備え、また、該第２のチャンネルＭ２１０の高さは、これらのパッケージコロイド３０'の高さと同じであり、該第２のチャンネルＭ２１０の幅は、該フレームユニット４の幅と同じである。
【００３３】
最後に、図５ｃおよび図５Ｃを合せて図５ｂを参照すると、２つずつの縦方向発光ダイオードチップ２０の間を沿ってこのフレームユニット４および基板本体１０を横方向に切断し複数のライトバーＬ２を形成し、かつ、当該フレームユニット４がライトバーＬ２毎の上の全てのパッケージコロイド３０'の周辺をそれぞれ覆う複数のフレーム層４０になるように切断される（Ｓ２１０）。そのうちでは、これらのフレーム層４０は、光透過しないフレーム層、例えば、白色フレーム層である。
【００３４】
図６、図６ａ〜６ｂおよび図６Ａ〜６Ｂを参照する。図６は、本発明に係る封止方法の第３の実施例を示すフローチャートであり、図６ａ〜６ｂは、それぞれ本発明に係る封止構造の第３の実施例の一部のパッケージフローを示す図であり、図６Ａ〜６Ｂは、それぞれ本発明に係る封止構造の第３の実施例の一部のパッケージフローを示す断面図である。図６のフローチャートから分かるように、第３の実施例のステップＳ３００〜Ｓ３０４は、それぞれ第１の実施例のステップＳ１００〜Ｓ１０４と同じであり、かつ、第３の実施例のステップＳ３０６は、第２の実施例のステップＳ２０６と同じである。すなわち、ステップＳ３００は、第１の実施例の図３ａおよび図３Ａに示される説明に該当し、ステップＳ３０２は、第１の実施例の図３ｂおよび図３Ｂに示される説明に該当し、ステップＳ３０４は、第１の実施例の図３ｃおよび図３Ｃに示される説明に該当し、ステップＳ３０６は、第２の実施例の図５ａおよび図５Ａに示される説明に該当する。
【００３５】
また、ステップＳ３０６の後には、本発明の第３の実施例は、さらに、以下のステップを含み、先ず、図６ａおよび図６Ａに示すように、第３のモールドユニットＭ３を介して複数の帯形フレーム層４'を該基板本体１０上に覆いかつパッケージコロイド３０'毎の間に縦方向に充填する（Ｓ３０８）。
【００３６】
そのうちでは、該第３のモールドユニットＭ３は、第３のアッパモールドＭ３１および該基板本体１０を載置する第３のローモールドＭ３２からなり、該第３のアッパモールドＭ３１は、これらの縦方向発光ダイオードチップ列２に対応する複数の第３のチャンネルＭ３１０を備え、また、該第３のチャンネルＭ３１０の高さは、これらのパッケージコロイド３０'の高さと同じであり、該第３のチャンネルＭ３１０の幅は、該パッケージコロイド３０'毎の幅より大きい。
【００３７】
最後に、図６ｂおよび図６Ｂを合せて図６ａを参照すると、２つずつの縦方向発光ダイオードチップ２０の間を沿ってこれらのフレーム層４'および基板本体１０を横方向に切断し複数のライトバーｌ３を形成し、かつ、これらの帯形フレーム層４'がパッケージコロイド３０'毎の周辺をそれぞれ覆う複数のフレーム本体４０'になるように切断される（Ｓ３１０）。そのうちでは、これらのフレーム本体４０'は、光透過しないフレーム本体、例えば、白色フレーム本体である。
【００３８】
以上のように、本発明の発光ダイオード構造は、発光の時に連続の発光領域を形成し、輝度不均一のことが発生されず、かつ本発明は、ＣＯＢ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｂｏａｒｄ）及びダイモールド（ｄｉｅ  ｍｏｌｄ）の方式で、製造プロセス時間を有効に減少し大量生産でき、また、本発明の構造設計は、様々な光源、例えばバックライトモジュールや、飾りランプ、照明用ランプまたはスキャンナー光源などにより適用でき、いずれも本発明が適応する範囲および製品である。
【００３９】
しかし、前記の説明は、単に本発明の好ましい具体的な実施例の詳細説明及び図面に過ぎなく、本発明の特許請求の範囲を局限するものではなく、本発明の主張する範囲は、下記の特許請求の範囲に基づくべき、いずれの当該分野における通常の知識を有する専門家が本発明の分野の中で、適当に変更や修飾などを実施できるが、それらの実施のことが本発明の主張範囲内に納入されるべきことは言うまでもないことである。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】図１は、従来の発光ダイオードチップの第１の封止方法を示すフローチャートである。
【図２】図２は、従来の発光ダイオードチップの第２の封止方法を示すフローチャートである。
【図３】図３は、本発明に係る封止方法の第１の実施例を示すフローチャートである。
【図３ａ】本発明に係る封止構造の第１の実施例のパッケージフローを示す図。
【図３ｂ】本発明に係る封止構造の第１の実施例のパッケージフローを示す図。
【図３ｃ】本発明に係る封止構造の第１の実施例のパッケージフローを示す図。
【図３ｄ】本発明に係る封止構造の第１の実施例のパッケージフローを示す図。
【図３Ａ】本発明に係る封止構造の第１の実施例のパッケージフローを示す断面図。
【図３Ｂ】本発明に係る封止構造の第１の実施例のパッケージフローを示す断面図。
【図３Ｃ】本発明に係る封止構造の第１の実施例のパッケージフローを示す断面図。
【図３Ｄ】本発明に係る封止構造の第１の実施例のパッケージフローを示す断面図。
【図４】図４は、本発明の発光ダイオードチップがフリップチップの方式によって電気的に接続することを示す図である。
【図５】図５は、本発明に係る封止方法の第２の実施例を示すフローチャートである。
【図５ａ】本発明に係る封止構造の第２の実施例の一部のパッケージフローを示す図。
【図５ｂ】本発明に係る封止構造の第２の実施例の一部のパッケージフローを示す図。
【図５ｃ】本発明に係る封止構造の第２の実施例の一部のパッケージフローを示す図。
【図５Ａ】本発明に係る封止構造の第２の実施例の一部のパッケージフローを示す断面図。
【図５Ｂ】本発明に係る封止構造の第２の実施例の一部のパッケージフローを示す断面図。
【図５Ｃ】本発明に係る封止構造の第２の実施例の一部のパッケージフローを示す断面図。
【図６】図６は、本発明に係る封止方法の第３の実施例を示すフローチャートである。
【図６ａ】本発明に係る封止構造の第３の実施例の一部のパッケージフローを示す図。
【図６ｂ】本発明に係る封止構造の第３の実施例の一部のパッケージフローを示す図。
【図６Ａ】本発明に係る封止構造の第３の実施例の一部のパッケージフローを示す断面図。
【図６Ｂ】本発明に係る封止構造の第３の実施例の一部のパッケージフローを示す断面図。
【符号の説明】
【００４１】
１基板ユニット
１０基板本体
１１正極導電トレース
１２負極導電トレース
１'基板ユニット
１０'基板本体
１１'正極導電トレース
２縦方向発光ダイオードチップ列
２０発光ダイオードチップ
２０１正極端
２０２負極端
２０'発光ダイオードチップ
２０１'正極端
２０２'負極端
３パッケージコロイド
３０パッケージコロイド
３０'パッケージコロイド
Ｍ１第１のモールドユニット
Ｍ１１第１のアッパモールド
Ｍ１２第１のローモールド
Ｍ１１０第１のチャンネル
Ｍ２第２のモールドユニット
Ｍ２１第２のアッパモールド
Ｍ２２第２のローモールド
Ｍ２１０第２のチャンネル
Ｍ３第３のモールドユニット
Ｍ３１第３のアッパモールド
Ｍ３２第２のローモールド
Ｍ３１０第３のチャンネル
Ｌ１ライトバー
Ｌ２ライトバー
Ｌ３ライトバー
【図１】
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【図２】
2008311506.tif 000004
【図３】
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【図３ａ】
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【図３Ａ】
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【図３ｂ】
2008311506.tif 000008
【図３Ｂ】
2008311506.tif 000009
【図３ｃ】
2008311506.tif 000010
【図３Ｃ】
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【図３ｄ】
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【図３Ｄ】
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【図４】
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【図５】
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【図５ａ】
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【図５Ａ】
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【図５ｂ】
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【図５Ｂ】
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【図５ｃ】
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【図５Ｃ】
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【図６】
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【図６ａ】
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【図６Ａ】
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【図６ｂ】
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【図６Ｂ】
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