(57)【要約】【課題】熱を効率よく放散することが可能なバリスタ及び発光装置を提供すること。【解決手段】バリスタ素体１２における第１の主面１２ａの中央領域に相当する部分には、バリスタ素体１２を貫通する貫通孔１９が形成されている。バッファ部２１は、第１の主面２１ａと第２の主面２１ｂとを有しており、第１の主面２１ａがバリスタ素体１２の第２の主面１２ｂと接するように配置されている。バッファ部２１における第１の主面２１ａの中央領域に相当する部分には、バリスタ素体１２に形成された貫通孔１９に連続して、バッファ部２１を貫通する貫通孔２３が形成されている。基体部３１は、第１の主面３１ａと第２の主面３１ｂとを有している。基体部３１は、バリスタ素体１２よりも熱伝導率及び光反射率が高い材料からなり、第１の主面３１ａがバッファ部２１の第２の主面２１ｂと接するように配置されている。【選択図】図３
2008028029.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体部と、
前記基体部の一の主面側に配置されると共に、電圧非直線特性を発現するバリスタ素体と少なくとも２つの外部電極とを有するバリスタ部と、を備え、
前記基体部が、前記バリスタ素体よりも熱伝導率及び光反射率が高い材料からなり、
前記バリスタ素体には、前記基体部に達する貫通孔が形成されていることを特徴とするバリスタ。
【請求項２】
前記基体部が、金属からなり、
前記バリスタ部が、電気絶縁性を有する材料からなるバッファ部を介して前記基体部の前記一の主面側に配置されており、
前記バッファ部には、前記バリスタ素体に形成された前記貫通孔に連続し且つ前記基体部に達する貫通孔が形成されていることを特徴とする請求項１に記載のバリスタ。
【請求項３】
前記バリスタ部が、前記バリスタ素体の少なくとも一部を挟むように配置された少なくとも一対の内部電極を更に有し、
前記各内部電極が、前記少なくとも２つの外部電極のうち対応する外部電極に接続されていることを特徴とする請求項１に記載のバリスタ。
【請求項４】
バリスタと、半導体発光素子とを備えた発光装置であって、
前記バリスタが、
基体部と、
前記基体部の一の主面側に配置されると共に、電圧非直線特性を発現するバリスタ素体と少なくとも２つの外部電極とを有するバリスタ部と、を備え、
前記基体部が、前記バリスタ素体よりも熱伝導率及び光反射率が高い材料からなり、
前記バリスタ素体には、前記基体部に達する貫通孔が形成され、
前記半導体発光素子が、前記バリスタに並列接続されるように前記少なくとも２つの外部電極に物理的且つ電気的に接続されていることを特徴とする発光装置。
【請求項５】
前記基体部が、金属からなり、
前記バリスタ部が、絶縁材料からなるバッファ部を介して前記基体部の前記一の主面側に配置されており、
前記バッファ部には、前記バリスタ素体に形成された前記貫通孔に連続し且つ前記基体部に達する貫通孔が形成されていることを特徴とする請求項４に記載の発光装置。
【請求項６】
前記バリスタ部が、前記バリスタ素体の少なくとも一部を挟むように配置された少なくとも一対の内部電極を更に有し、
前記各内部電極が、前記少なくとも２つの外部電極のうち対応する外部電極に接続されていることを特徴とする請求項４に記載の発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、バリスタ、及び、当該バリスタを備える発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
バリスタとして、電圧非直線特性を発現するバリスタ素体と該バリスタ素体の一部を挟んで該バリスタ素体の内部に配置される一対の内部電極とを有する素体と、該素体の外表面に形成されて対応する内部電極にそれぞれ接続される一対の端子電極と、を備えるものが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００２−２４６２０７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ところで、バリスタは、半導体発光素子に並列接続されることにより、半導体発光素子をＥＳＤ（Electrostatic Discharge：静電気放電）サージから保護することができる。この半導体発光素子は、動作中に熱を発する。半導体発光素子が高温になると、その発光動作に影響が出る。このため、発生した熱を効率よく放散させる必要がある。
【０００４】
そこで本発明は、熱を効率よく放散することが可能なバリスタ及び発光装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明に係るバリスタは、基体部と、基体部の一の主面側に配置されると共に、電圧非直線特性を発現するバリスタ素体と少なくとも２つの外部電極とを有するバリスタ部と、を備え、基体部が、バリスタ素体よりも熱伝導率及び光反射率が高い材料からなり、バリスタ素体には、基体部に達する貫通孔が形成されていることを特徴とする。
【０００６】
本発明に係るバリスタでは、基体部がバリスタ素体よりも熱伝導率が高い材料からなるので、バリスタ部に伝えられた熱を基体部から効率よく放散することができる。
【０００７】
ところで、バリスタと当該バリスタに並列接続された半導体発光素子とを備える発光装置の発光効率を高める手法として、半導体発光素子の周囲に、光反射板を配置することが考えられる。しかしながら、この場合には、光反射板を配置するためのスペースを確保しなければならず、発光装置全体の小型化を図ることが難しい。そこで、本発明者等は、バリスタ自体の光反射性を高めることができれば、発光装置全体の小型化を図った上で、発光装置の発光効率を高めることができると考えた。
【０００８】
本発明に係るバリスタでは、基体部がバリスタ素体よりも光反射率が高い材料からなり、バリスタ素体に基体部に達する貫通孔が形成されている。これにより、基体部の一の主面が光反射面として機能することとなり、バリスタの光反射性を高めることができる。
【０００９】
一方、本発明に係る発光装置は、バリスタと、半導体発光素子とを備えた発光装置であって、バリスタが、基体部と、基体部の一の主面側に配置されると共に、電圧非直線特性を発現するバリスタ素体と少なくとも２つの外部電極とを有するバリスタ部と、を備え、基体部が、バリスタ素体よりも熱伝導率及び光反射率が高い材料からなり、バリスタ素体には、基体部に達する貫通孔が形成され、半導体発光素子が、バリスタに並列接続されるように少なくとも２つの外部電極に物理的且つ電気的に接続されていることを特徴とする。
【００１０】
本発明に係る発光装置では、半導体発光素子がバリスタの上記外部電極に物理的に接続されているので、半導体発光素子において発生した熱が上記外部電極を介してバリスタのバリスタ部に伝わることとなる。バリスタ部に伝えられた熱は基体部に伝わることとなるが、基体部がバリスタ素体よりも熱伝導率が高い材料からなるので、基体部に伝えられた熱を当該基体部から効率よく放散することができる。
【００１１】
また、本発明に係る発光装置では、基体部がバリスタ素体よりも光反射率が高い材料からなり、バリスタ素体に基体部に達する貫通孔が形成されている。これにより、基体部の一の主面が光反射面として機能することとなり、この基体部の一の主面が、半導体発光素子が発生した光のうちバリスタに向かって進む光を反射する。この結果、発光装置の発光効率を高めることができる。
【００１２】
好ましくは、基体部が、金属からなり、バリスタ部が、電気絶縁性を有する材料からなるバッファ部を介して基体部の一の主面側に配置されており、バッファ部には、バリスタ素体に形成された貫通孔に連続し且つ基体部に達する貫通孔が形成されている。この場合、基体部が熱伝導率の比較的高い金属からなるので、バリスタ部に伝えられた熱を基体部からより一層効率よく放散することができる。また、バッファ部が電気絶縁性を有する材料からなるので、バッファ部及び基体部がバリスタ部の電気的特性に悪影響を及ぼすのを防ぐことができる。もちろん、バッファ部にも、上記貫通孔が形成されているので、バリスタの光反射性が低下することはない。
【００１３】
好ましくは、バリスタ部が、バリスタ素体の少なくとも一部を挟むように配置された少なくとも一対の内部電極を更に有し、各内部電極が、少なくとも２つの外部電極のうち対応する外部電極に接続されている。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、熱を効率よく放散することが可能なバリスタ及び発光装置を提供することができる。
【００１５】
また、本発明によれば、光反射性に優れたバリスタ、あるいは、発光効率にすぐれた発光装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。
【００１７】
図１〜図４を参照して、本実施形態に係る発光装置Ｌの構成を説明する。図１は、本実施形態に係る発光装置を示す概略斜視図である。図２は、図１におけるII−II線に沿った概略断面図である。図３は、図１におけるIII−III線に沿った概略断面図である。図４は、図１におけるIV−IV線に沿った概略断面図である。
【００１８】
発光装置Ｌは、半導体発光素子１と、バリスタ１０とを備えている。半導体発光素子１は、バリスタ１０上に配置されている。
【００１９】
まず、バリスタ１０の構成について説明する。バリスタ１０は、バリスタ部１１と、バッファ部２１と、基体部３１とを備えている。バリスタ部１１は、略直方体形状を呈しており、バリスタ素体１２と、第１の外部電極１３と、第２の外部電極１４と、第１の内部電極１５と、第２の内部電極１６とを有している。
【００２０】
バリスタ素体１２は、電圧非直線特性（バリスタ特性）を有する材料からなり、第１の主面１２ａと第２の主面１２ｂとを有している。第１の主面１２ａと第２の主面１２ｂとは、バリスタ部１１の主面を構成することとなる。バリスタ素体１２は、バリスタ特性を有する材料からなるバリスタ層が複数積層された積層体として構成されている。実際には、各バリスタ層は、バリスタ層の間の境界が視認できない程度に一体化されている。
【００２１】
各バリスタ層は、ＺｎＯを主成分とするセラミック材料（半導体セラミック）を含むセラミックグリーンシートの焼結体から構成される。上記セラミック材料は、副成分として希土類元素、Ｃｏ、IIIｂ族元素（Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、アルカリ金属元素（Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ）及びアルカリ土類金属元素（Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ）等の金属単体やこれらの酸化物を含んでいる。本実施形態において、バリスタ層は、副成分としてＰｒ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｃａ、Ｓｉ、Ｋ、Ａｌ等を含んでいる。上記セラミック材料は、希土類元素の代わりに、Ｂｉを含んでいてもよい。
【００２２】
バリスタ素体１２の、第１の主面１２ａの中央領域に相当する部分には、バリスタ素体１２を第１の主面１２ａから第２の主面１２ｂに貫通する貫通孔１９が形成されている。
【００２３】
第１の外部電極１３と第２の外部電極１４とは、略直方体形状を呈しており、一部がバリスタ素体１２の第１の主面１２ａ及び第２の主面１２ｂから露出するようにバリスタ素体１２を貫通して配置されている。第１の外部電極１３は、第１の主面１２ａに垂直な方向から見て、貫通孔１９が形成された領域と縁１２ｃとの間の領域に位置している。第２の外部電極１４は、第１の主面１２ａに垂直な方向から見て、貫通孔１９が形成された領域と縁１２ｄとの間の領域に位置している。第１の外部電極１３と第２の外部電極１４とは、貫通孔１９が形成された領域を挟んで対向するように配置されている。
【００２４】
第１の外部電極１３と第２の外部電極１４とは、例えば、導電性ペーストの焼結体から構成される。導電性ペーストとしては、金属粒子（例えば、Ａｕ粒子又はＰｔ粒子等）を主成分とする金属粉末に、有機バインダ及び有機溶剤を混合したものを用いることができる。第１の外部電極１３と第２の外部電極１４とは、入出力端子電極及び半導体発光素子１に電気的に接続されるパッド電極として機能する。外部電極１３，１４の数は、半導体発光素子１の電極に対応させて、それぞれ複数としてもよい。
【００２５】
第１の内部電極１５と第２の内部電極１６とは、第１の主面１２ａに垂直な方向から見て、略長方形状を呈すると共に、貫通孔１９が形成された領域と縁１２ｅ，１２ｆとの間の領域に位置している。第１の内部電極１５と第２の内部電極１６とは、バリスタ素体１２の少なくとも一部（少なくとも一層のバリスタ層）を挟むように配置されている。バリスタ素体１２（バリスタ層）における第１の内部電極１５と第２の内部電極１６に重なる領域が、バリスタ特性を発現する領域として機能する。
【００２６】
第１の内部電極１５は、その端部において第１の外部電極１３と電気的且つ物理的に接続されている。第２の内部電極１６は、その端部において第２の外部電極１４と電気的且つ物理的に接続されている。第１の内部電極１５及び第２の内部電極１６は、例えば、導電性ペーストの焼結体から構成される。導電性ペーストとしては、金属粒子（例えば、Ｐｄ粒子又はＡｇ−Ｐｄ合金粒子等）を主成分とする金属粉末に、有機バインダ及び有機溶剤を混合したものを用いることができる。
【００２７】
本実施形態では、一つの第１の内部電極１５と一つの第２の内部電極１６とで構成される内部電極対が、貫通孔１９が形成された領域を挟んで複数配置されているが、いずれか一方の内部電極対だけが配置されていてもよい。また、第１の内部電極１５と第２の内部電極１６とは、それぞれ複数配置されていてもよい。
【００２８】
バッファ部２１は、第１の主面２１ａと第２の主面２１ｂとを有しており、第１の主面２１ａがバリスタ素体１２の第２の主面１２ｂと接するように配置されている。バッファ部２１は、電気絶縁性を有する材料（例えば、ガラスを主成分として含む材料）からなる。バッファ部２１の材料がガラスである場合、バッファ部２１は、ガラス粉末、有機バインダ及び有機溶剤を混合したガラスペーストの焼結体から構成されることとなる。バッファ部２１に用いられるガラスは、酸化ビスマス系、酸化亜鉛系、リン酸系、又は、ホウケイ酸系等が挙げられる。バッファ部２１の厚みは、例えば１〜１０００μｍ程度である。
【００２９】
バッファ部２１における第１の主面２１ａの中央領域に相当する部分には、バリスタ素体１２に形成された貫通孔１９に連続して、バッファ部２１を第１の主面２１ａから第２の主面２１ｂに貫通する貫通孔２３が形成されている。貫通孔１９の内径形状と貫通孔２３の内径形状とは、略同じである。
【００３０】
基体部３１は、第１の主面３１ａと第２の主面３１ｂとを有しており、略直方体形状を呈している。基体部３１は、第１の主面３１ａがバッファ部２１の第２の主面２１ｂと接するように配置されている。これにより、バリスタ部１１は、バッファ部２１を介して、基体部３１の第１の主面３１ａ側に配置されることとなる。基体部３１は、バリスタ素体１２よりも熱伝導率及び光反射率が高い金属、例えば、Ａｇ又はＣｕ等からなる。Ａｇは、可視光全域にわたって９０％以上の反射率を有することから、基体部３１の材料として、特に好ましい。
【００３１】
貫通孔１９は、基体部３１の第１の主面３１ａに達しており、バリスタ素体１２の第１の主面１２ａ側から見て、第１の主面３１ａにおける貫通孔１９，２３に対応する領域が露出することとなる。貫通孔１９，２３には、半導体発光素子から出射される光に対して光学的に透明な材料が充填されていてもよい。
【００３２】
バッファ部２１は、副成分として、バリスタ素体１２に含まれている物質と化合物又は合金を生成すると共に、基体部３１に含まれている物質と化合物又は合金を生成する物質を含むことが好ましい。これにより、バッファ部２１と、バリスタ素体１２及び基体部３１とを強固に接合することができる。例えば、バリスタ素体１２がＰｒを含み、基体部３１がＡｇを含む場合、副成分としてＰｄを用いることができる。この場合、バリスタ素体１２とバッファ部２１との界面並びに界面近傍にはＰｒ−Ｐｄ合金が形成され、基体部３１とバッファ部２１との界面並びに界面近傍にはＡｇ−Ｐｄ合金が形成されることとなる。
【００３３】
次に、半導体発光素子１の構成について説明する。
【００３４】
半導体発光素子１は、バリスタ素体１２の貫通孔１９が形成された領域を覆うように、バリスタ部１１（バリスタ素体１２）上に配置されている。
【００３５】
半導体発光素子１は、ＧａＮ（窒化ガリウム）系半導体の発光ダイオード（ＬＥＤ：Light-Emitting Diode）であり、基板２と、当該基板２上に形成された層構造体とを備えている。ＧａＮ系の半導体ＬＥＤは、周知であり、その説明を簡略化する。基板２は、サファイアからなる光学的に透明且つ電気絶縁性を有する基板である。層構造体は、積層された、ｎ型（第１導電型）の半導体領域３と、発光層４と、ｐ型（第２導電型）の半導体領域５とを含んでいる。半導体発光素子１は、ｎ型の半導体領域３とｐ型の半導体領域５との間に印加される電圧に応じて発光する。
【００３６】
ｎ型の半導体領域３は、ｎ型の窒化物半導体を含んで構成されている。本実施形態では、ｎ型の半導体領域３は、基板２上にＧａＮがエピタキシャル成長されて成り、例えばＳｉといったｎ型ドーパントが添加されてｎ型の導電性を有している。また、ｎ型の半導体領域３は、発光層４よりも屈折率が小さく且つバンドギャップが大きくなるような組成を有していてもよい。この場合、ｎ型の半導体領域３は、発光層４に対して下部クラッドとしての役割を果たす。
【００３７】
発光層４は、ｎ型の半導体領域３上に形成され、ｎ型の半導体領域３及びｐ型の半導体領域５から供給されたキャリア（電子及び正孔）が再結合することにより発光領域において光を発生する。発光層４は、例えば、障壁層と井戸層とが複数周期にわたって交互に積層された多重量子井戸（ＭＱＷ：Multiple Quantum Well）構造とすることができる。この場合、障壁層及び井戸層がＩｎＧａＮからなり、Ｉｎ（インジウム）の組成を適宜選択することによって障壁層のバンドギャップが井戸層のバンドギャップより大きくなるように構成される。発光領域は、発光層４において、キャリアが注入される領域に生じる。
【００３８】
ｐ型の半導体領域５は、ｐ型の窒化物半導体を含んで構成されている。本実施形態では、ｐ型の半導体領域５は、発光層４上にＡｌＧａＮがエピタキシャル成長されて成り、例えばＭｇといったｐ型ドーパントが添加されてｐ型の導電性を有している。また、ｐ型の半導体領域５は、発光層４よりも屈折率が小さく且つバンドギャップが大きくなるような組成を有していてもよい。この場合、ｐ型の半導体領域５は、発光層４に対して上部クラッドとしての役割を果たす。
【００３９】
ｎ型の半導体領域３上には、カソード電極６が形成されている。カソード電極６は、導電性材料からなり、ｎ型の半導体領域３との間にオーミック接触が実現されている。ｐ型の半導体領域５上には、アノード電極７が形成されている。アノード電極７は、導電性材料からなり、ｐ型の半導体領域５との間にオーミック接触が実現されている。カソード電極６及びアノード電極７には、バンプ電極８が形成されている。
【００４０】
上述した構成の半導体発光素子１では、アノード電極７（バンプ電極８）とカソード電極６（バンプ電極８）との間に所定の電圧が印加されて電流が流れると、発光層４の発光領域において発光が生じることとなる。
【００４１】
半導体発光素子１は、各外部電極１３，１４にバンプ接続されている。すなわち、アノード電極７は、バンプ電極８を介して第１の外部電極１３に電気的且つ物理的に接続されている。カソード電極６は、バンプ電極８を介して第２の外部電極１４に電気的且つ物理的に接続されている。これにより、バリスタ（第１の内部電極１５と、第２の内部電極１６と、バリスタ素体１２における各内部電極１５，１６に重なる領域とにより構成される部分）が半導体発光素子１に並列接続されることとなる。
【００４２】
以上のように、本実施形態によれば、バリスタ１０が半導体発光素子１に並列接続されるので、半導体発光素子１をＥＳＤサージから保護することができる。
【００４３】
本実施形態においては、半導体発光素子１がバリスタ１０の各外部電極１３，１４に物理的に接続されているので、半導体発光素子１において発生した熱が各外部電極１３，１４を介してバリスタ１０のバリスタ部１１に伝わることとなる。バリスタ部１１に伝えられた熱は基体部３１に伝わることとなるが、基体部３１がバリスタ素体１２よりも熱伝導率が高い材料からなるので、基体部３１に伝えられた熱を当該基体部３１から効率よく放散することができる。特に、基体部３１が熱伝導率の比較的高い金属からなるので、バリスタ部１１に伝えられた熱を基体部３１からより一層効率よく放散することができる。また、第１の外部電極１３及び第２の外部電極１４は、略直方体形状を呈していることから、半導体発光素子１から基体部３１に向かう熱伝達路が比較的大きくなり、効率よく熱を伝達することができる。
【００４４】
各外部電極１３，１４に伝わった熱は、対応する内部電極１５，１６に伝わることによっても、放散されることとなる。これにより、半導体発光素子１において発生した熱の放熱パスが拡がり、半導体発光素子１において発生した熱を効率よく放散することができる。ところで、バリスタ素体１２（バリスタ層）は、ＺｎＯを主成分としている。ＺｎＯは、放熱基板として通常用いられるアルミナ等と同等程度の熱伝導率を有しており、比較的良好な熱伝導率を有する。したがって、各内部電極１５，１６からの熱の放散がバリスタ素体１２により阻害されるのを抑制することができる。
【００４５】
本実施形態においては、基体部３１がバリスタ素体１２よりも光反射率が高い金属からなり、バリスタ素体１２及びバッファ部２１には基体部３１に達する貫通孔１９，２３が形成されている。このため、基体部３１の第１の主面３１ａが光反射面として機能することとなり、半導体発光素子１が発生した光のうちバリスタ１０に向かって進む光は、バリスタ素体１２及びバッファ部２１に形成された貫通孔１９，２３内を通って、基体部３１の第１の主面３１ａに入射し、反射される。したがって、バリスタ１０の光反射性を高めることができ、発光装置Ｌの発光効率を高めることができる。
【００４６】
本実施形態においては、バッファ部２１が電気絶縁性を有する材料からなるので、バッファ部２１及び基体部３１がバリスタ部１１の電気的特性に悪影響を及ぼすのを防ぐことができる。
【００４７】
続いて、図５〜図１４を参照して、バリスタの第１〜第３の変形例の構成について説明する。
【００４８】
図５〜図７に示された第１の変形例では、バリスタ部１１がスルーホール導体４１を更に有しており、第１の外部電極１３及び第２の外部電極１４がバリスタ素体１２の第１の主面１２ａ上に配置されている。図５に示す概略断面図は、図１に示されたII−II線に対応する線にて変形例に係るバリスタ１０を切断した際の概略断面図である。図６に示す断面図は、図１に示されたIII−III線に対応する線にて変形例に係るバリスタ１０を切断した際の概略断面図である。図７に示す断面図は、図１に示されたIV−IV線に対応する線にて変形例に係るバリスタ１０を切断した際の概略断面図である。
【００４９】
スルーホール導体４１は、一端がバリスタ素体１２の第１の主面１２ａから露出するようにバリスタ素体１２に配置されている。スルーホール導体４１は、第１の主面１２ａに露出する一端において、対応する外部電極１３，１４と電気的且つ物理的に接続されている。スルーホール導体４１は、その途中部分において対応する内部電極１５，１６と電気的且つ物理的に接続されている。これにより、各外部電極１３，１４と対応する内部電極１５，１６とは、スルーホール導体４１を通して電気的に接続されることとなる。スルーホール導体４１は、上述した導電性ペーストの焼結体により構成することができる。
【００５０】
図８〜図１１に示された第２の変形例では、バリスタ部１１は、第１の内部電極１５及び第２の内部電極１６の代わりに、対向電極４３を有している。図８は、バリスタの第２の変形例を示す概略斜視図である。図９は、図８におけるIX−IX線に沿った概略断面図である。図１０は、図８におけるX−X線に沿った概略断面図である。図１１は、図８におけるXI−XI線に沿った概略断面図である。
【００５１】
対向電極４３は、バリスタ素体１２の第１の主面１２ａ上に配置された第１の外部電極１３及び第２の外部電極１４に、バリスタ素体１２の少なくとも一部（少なくとも一層のバリスタ層）を挟んで、対向している。対向電極４３は、第１の内部電極１５及び第２の内部電極１６と同様に、第１の主面１２ａに垂直な方向から見て、略長方形状を呈すると共に、貫通孔１９が形成された領域と縁１２ｅ，１２ｆとの間の領域に位置している。対向電極４３は、バリスタ素体１２の第２の主面１２ｂに露出するように配置されているが、第２の主面１２ｂに露出することなく、バリスタ素体１２内に配置されていてもよい。対向電極４３は、上述した導電性ペーストの焼結体により構成することができる。
【００５２】
バリスタ素体１２（バリスタ層）における対向電極４３と各外部電極１３，１４とに重なる領域が、バリスタ特性を発現する領域として機能する。すなわち、対向電極４３と、第１の外部電極１３と、バリスタ素体１２における対向電極４３と第１の外部電極１３とに重なる領域とにより構成されてバリスタ機能を有する第１の部分と、対向電極４３と、第２の外部電極１４と、バリスタ素体１２における対向電極４３と第２の外部電極１４とに重なる領域とにより構成されてバリスタ機能を有する第２の部分とが、第１の外部電極１３と第２の外部電極１４との間に電気的に直列接続されることとなる。
【００５３】
図１２〜図１４に示された第３の変形例では、バリスタ部１１は、内部電極１５，１６及び対向電極４３に相当する電極を有していない。この場合、バリスタ素体１２における第１の外部電極１３と第２の外部電極１４との間に位置する領域が、バリスタ特性を発現する領域として機能する。図１２に示す概略断面図は、図８に示されたIX−IX線に対応する線にて変形例に係るバリスタ１０を切断した際の概略断面図である。図１３に示す概略断面図は、図８に示されたX−X線に対応する線にて変形例に係るバリスタ１０を切断した際の概略断面図である。図１４に示す概略断面図は、図８に示されたXI−XI線に対応する線にて変形例に係るバリスタ１０を切断した際の概略断面図である。
【００５４】
以上、本発明の好適な実施形態について説明してきたが、本発明は必ずしも上述した実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変更が可能である。
【００５５】
例えば、バリスタ１０を構成するバリスタ部１１、バッファ部２１、及び基体部３１の形状は図示されたものに限られない。同様に、バリスタ部１１が有するバリスタ素体１２、第１の外部電極１３、第２の外部電極１４、第１の内部電極１５、及び第２の内部電極１６の形状、並びに、貫通孔１９，２３の形状も図示されたものに限られない。
【００５６】
基体部３１は、バリスタ素体１２よりも熱伝導率及び光反射率が高い材料であれば、金属でなくてもよい。基体部３１は、例えば、ＡｌＮやＳｉＣ等により構成することができる。
【００５７】
基体部３１が、更に電気絶縁性を有する材料である場合、バッファ部２１は必ずしも必要ではない。この場合、バリスタ部１１は、第２の主面１２ｂが基体部３１の第１の主面３１ａに接するように配置されることとなる。
【００５８】
ところで、バリスタ部１１を第２の主面１２ｂが基体部３１の第１の主面３１ａに接するように配置する場合、バリスタ部１１と基体部３１とを同時焼成により形成すると、バリスタ部１１と基体部３１との収縮率との格差により、バリスタが変形したり、クラックが生じたりする懼れがある。特に、バリスタ素体１２がセラミック材料からなり、基体部３１が金属からなると、焼成時の収縮率の格差は大きくなり、上述した問題が顕著となる。このため、バリスタ部１１と基体部３１との間にバッファ部２１を位置させ、バッファ部２１の材料を、バリスタ素体１２を構成する材料の収縮率と、基体部３１を構成する材料の収縮率との中間の収縮率を有する材料であることが好ましい。
【００５９】
本実施形態では、半導体発光素子１としてＧａＮ系の半導体ＬＥＤの発光ダイオードを用いているが、これに限られない。半導体発光素子１として、例えば、ＧａＮ系以外の窒化物系半導体ＬＥＤ（例えば、ＩｎＧａＮＡｓ系の半導体ＬＥＤ等）や窒化物系以外の化合物半導体ＬＥＤやレーザーダイオード（ＬＤ：Laser Diode）を用いてもよい。
【００６０】
本実施形態では、半導体発光素子１がバリスタ上にフリップチップボンディングにより搭載されてバリスタ１０と電気的に接続されているが、これに限られるものではない。例えば、半導体発光素子１を、金錫合金（Ａｕ−Ｓｎ）はんだや接着剤等により貫通孔１９，２３を覆うようにバリスタ１０上に固定し、ワイヤボンディングによりバリスタ１０と電気的に接続してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】本実施形態に係る発光装置を示す斜視図である。
【図２】図１におけるII−II線に沿った概略断面図である。
【図３】図１におけるIII−III線に沿った概略断面図である。
【図４】図１におけるIV−IV線に沿った概略断面図である。
【図５】バリスタの第１の変形例を示す概略断面図である。
【図６】バリスタの第１の変形例を示す概略断面図である。
【図７】バリスタの第１の変形例を示す概略断面図である。
【図８】バリスタの第２の変形例を示す概略斜視図である。
【図９】図８におけるIX−IX線に沿った概略断面図である。
【図１０】図８におけるX−X線に沿った概略断面図である。
【図１１】図８におけるXI−XI線に沿った概略断面図である。
【図１２】バリスタの第３の変形例を示す概略断面図である。
【図１３】バリスタの第３の変形例を示す概略断面図である。
【図１４】バリスタの第３の変形例を示す概略断面図である。
【符号の説明】
【００６２】
１…半導体発光素子、１０…バリスタ、１１…バリスタ部、１２…バリスタ素体、１２ａ…第１の主面、１２ｂ…第２の主面、１３…第１の外部電極、１４…第２の外部電極、１５…第１の内部電極、１６…第２の内部電極、１９…貫通孔、２１…バッファ部、２１ａ…第１の主面、２１ｂ…第２の主面、２３…貫通孔、３１…基体部、３１ａ…第１の主面、３１ｂ…第２の主面、Ｌ…発光装置。
【図１】
2008028029.tif 000003
【図２】
2008028029.tif 000004
【図３】
2008028029.tif 000005
【図４】
2008028029.tif 000006
【図５】
2008028029.tif 000007
【図６】
2008028029.tif 000008
【図７】
2008028029.tif 000009
【図８】
2008028029.tif 000010
【図９】
2008028029.tif 000011
【図１０】
2008028029.tif 000012
【図１１】
2008028029.tif 000013
【図１２】
2008028029.tif 000014
【図１３】
2008028029.tif 000015
【図１４】
2008028029.tif 000016