(57)【要約】【課題】原料ガスの中間反応が低減された結晶成長方法及び結晶成長装置を提供する。【解決手段】基板を回転軸のまわりに公転させつつ、前記回転軸の側から前記基板の主面に対して略平行な方向に原料ガスおよびキャリアガスを流し、前記原料ガスの熱分解により形成される半導体膜の成長速度が最大となる位置よりも前記基板の中心が前記回転軸の側となるように配置して前記半導体膜を形成することを特徴とする結晶成長方法が提供される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を回転軸のまわりに公転させつつ、前記回転軸の側から前記基板の主面に対して略平行な方向に原料ガスおよびキャリアガスを流し、前記原料ガスの熱分解により形成される半導体膜の成長速度が最大となる位置よりも前記基板の中心が前記回転軸の側となるように配置して前記半導体膜を形成することを特徴とする結晶成長方法。
【請求項２】
前記基板をそれぞれ自転させることを特徴とする請求項１記載の結晶成長方法。
【請求項３】
回転シャフトと、
前記回転シャフトと連動する基板載置部を有し、前記基板載置部に載置された基板を前記回転シャフトの回転軸のまわりに公転させるサセプタと、
前記サセプタに載置された前記基板を加熱するヒータと、
前記回転軸の側から、前記基板の主面に対して略平行な方向に原料ガスを放出するノズルと、
前記サセプタと前記回転シャフトとの間に設けられた第１の熱遮断手段と、
を備えたことを特徴とする結晶成長装置。
【請求項４】
前記ヒータと前記回転シャフトとの間に設けられた第２の熱遮断手段をさらに備えたことを特徴とする請求項３記載の結晶成長装置。
【請求項５】
前記ノズルは、前記回転シャフトの方向に向けてガスを放出する開口をさらに有することを特徴とする請求項３または４に記載の結晶成長装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、結晶成長方法及び結晶成長装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ：Metal-Organic Chemical Vapor Deposition）は、膜厚や組成の制御性などに優れているために化合物半導体の結晶成長に利用されている。しかし、例えばＧａＮなどの窒化物半導体を成長させる場合、ＡｌＧａＡｓ系やＩｎＡｌＧａＰ系材料と比べて、より高い結晶成長温度が必要とされるため、種々の問題が生じる。
【０００３】
例えば、ウェーハをほぼ水平に保持し、原料ガス及びキャリアガスの流れ方向がウェーハとほぼ平行ないわゆる横フロー方式において、ガスは結晶成長チャンバの中心近傍に設けられるノズルから放出される。この場合、ガスの上流側における温度を十分には低くできないために、ガスの熱分解及びこれに伴う中間反応が生ずる。この結果、ウェーハ近傍では原料元素が不足傾向となり、半導体膜成長速度は最大値より低下することが多い。
【０００４】
特に、トリメチルアルミニウム及びアンモニアの分解に伴う中間反応の結果、下流側においてアルミニウム（Ａｌ）が不足する。この結果、Ａｌ組成比を大きくするのが困難となるなどの問題を生じる。
【０００５】
ウェーハ内における結晶成長膜の均質性や制御性を改善する技術開示例がある（特許文献１）。これは、ＡｌＧａＡｓ系材料などにおいて、サセプタ中心部からウェーハまでの領域温度を基板上より低く制御することにより、電子移動度の均一性を改善しようとするものである。しかしながら、窒化物系材料ではより結晶成長温度が高いので、さらなる改善が必要である。
【特許文献１】特開２００３−２５７８６７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、原料ガスの中間反応が低減された結晶成長方法及び結晶成長装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様によれば、基板を回転軸のまわりに公転させつつ、前記回転軸の側から前記基板の主面に対して略平行な方向に原料ガスおよびキャリアガスを流し、前記原料ガスの熱分解により形成される半導体膜の成長速度が最大となる位置よりも前記基板の中心が前記回転軸の側となるように配置して前記半導体膜を形成することを特徴とする結晶成長方法が提供される。
【０００８】
また、本発明の他の一態様によれば、回転シャフトと、前記回転シャフトと連動する基板載置部を有し、前記基板載置部に載置された基板を前記回転シャフトの回転軸のまわりに公転させるサセプタと、前記サセプタに載置された前記基板を加熱するヒータと、前記回転軸の側から、前記基板の主面に対して略平行な方向に原料ガスを放出するノズルと、前記サセプタと前記回転シャフトとの間に設けられた第１の熱遮断手段と、を備えたことを特徴とする結晶成長装置が提供される。
【発明の効果】
【０００９】
本発明により、原料ガスの中間反応が低減された結晶成長方法及び結晶成長装置が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について説明する。  
図１は、本発明の実施の形態にかかる結晶成長方法を説明するための模式図である。すなわち、同図（ａ）は結晶成長装置において複数の基板５０が保持されたサセプタ１２の模式平面図であり、同図（ｂ）は、サセプタの中心から半径方向にみた半導体膜の成長速度の分布を表すグラフ図である。
【００１１】
化合物半導体を結晶成長するための横フロー型ＭＯＣＶＤ装置においては、結晶成長膜の均一性を良くするために、複数個の基板５０が配置されたサセプタ１２を回転軸の周りに回転させる。すなわち、図１（ａ）に例示したように、半導体材料などからなる複数の基板５０をサセプタ１２上に載置する。そして、サセプタ１２は、回転中心であるＰ点の周りを矢印Ｋ（あるいはその逆）の向きに回転する。従って、それぞれの基板５０は、Ｐ点を中心として公転する。
【００１２】
一方、ノズル４２は固定されており、原料ガスおよびキャリアガスは半径方向の距離ＲＮに位置するノズル４２の吹き出し口から、基板５０の主面に対してほぼ平行に半径方向Ｒに向かって周囲に吹き出す。なお、図１（ａ）においては、一方向へのガス流のみを表している。
【００１３】
基板５０の公転運動により、ノズル４２からのガス流及びサセプタ１２の温度の円周方向分布を平均化でき、円周方向における膜厚や特性の変動を抑制できる。また、複数の基板５０の上に結晶成長される半導体膜の膜厚や特性を基板間で揃えるために、これら基板５０の中心はＰ点から半径方向にほぼ等距離である位置ＲＷとなるように揃える。またさらに、これら基板５０をそれぞれ矢印Ｇ（あるいはその逆）の方向に自転させることにより、基板内での膜厚や特性を均一にすることができる。
【００１４】
ヒータにより基板５０を加熱すると、横フローにより供給された原料ガスが熱分解され、結晶成長温度以上において半導体膜が成長する。この場合、サセプタ１２の温度分布と、原料ガスの供給量の分布とにより半導体膜の成長速度がほぼ決まる。
【００１５】
図１（ｂ）において成長速度を表す実線は、成長速度が最大となる位置ＲＧよりも回転軸に近い側においては、半径方向距離Ｒの増加とともに成長速度が増大する領域Ａと、位置ＲＧよりも外側において距離Ｒの増加に伴い成長速度が減少する領域Ｂと、を有する。ここで、領域Ａは半径方向に遠ざかるにつれて成長原料の供給が増大する領域であり、領域Ｂは半径方向に遠ざかるにつれて成長原料が枯渇する領域であることを表している。成長速度は、Ｒ１≦Ｒ≦Ｒ２の領域Ｍにおいては概ね直線的に増大し、領域ＱにおけるＲＧで最大となるように飽和し、領域Ｎにおいて成長速度が概ね直線的に低下する。領域Ｍの回転軸側と領域Ｎの外側では、成長速度は相対的に急峻に低下する。本実施形態においては、基板５０の中心ＲＷが、半導体膜の成長速度が最大となる位置ＲＧよりも回転軸の側となるようにして結晶成長を行う。
【００１６】
これとは逆に、成長速度が最大となる位置ＲＧよりも基板５０の中心ＲＷが外側となるように配置して結晶成長を行うと、基板５０からみてガス上流部、すなわちサセプタ１２の回転軸に近い部分においてサセプタ１２や結晶成長装置内への成長膜の堆積物が増加する。この堆積物が分解または脱離し基板５０に再付着すると、成長膜の表面にピット（穴）や荒れなどが生じて成長膜の品質や特性が低下する。
【００１７】
これに対して、本実施形態においては、基板５０の中心ＲＷを位置ＲＧよりも回転軸に近い側に配置することにより、基板５０よりもガス上流側における結晶成長装置内への堆積物を低減できるので、ピットや荒れなどを低減し成長膜の品質及び特性を改善できる。
【００１８】
またさらに、基板５０のほぼ全体を図１（ｂ）に例示される領域Ｍ内に配置して自転させれば、半径方向における成長速度の変動を平均化し成長膜の均一性をさらに高めることができる。すなわち、領域Ｍにおいては、成長速度は概ね直線的に変化する分布を有するので、この領域Ｍにおいて基板５０を自転させると、成長膜の厚みや特性の分布を均一にすることができる。
【００１９】
図１（ｂ）に例示した成長速度曲線の領域Ａ内に基板５０の中心がおさまるように配置して結晶成長を行うための方法としては、原料ガスの総流量を増加する方法を挙げることができる。このようにすると、領域Ａを拡げて、成長速度が最大となる位置ＲＧをガス下流側へ移動させることができる。  
また一方、上流側の温度を下げる方法も挙げることができる。上流側の温度を下げると、上流側において原料ガスの熱分解を抑制できるので、成長速度が最大となる位置ＲＧをガス下流側に移動させ、領域Ａを拡げることが可能となる。
【００２０】
本実施形態によれば、成長膜の品質や均一性を改善させる効果の他にも、原料ガスの低減効果や、混晶比を上げる効果、不純物の高濃度化の効果なども得ることが可能となる。
【００２１】
すなわちまず、基板５０の中心ＲＷを位置ＲＧよりも回転軸に近い側に配置することにより、基板よりも上流側における原料ガスの熱分解や中間反応を抑制できるので、この部分への堆積物の付着を抑制でき、原料ガスの無駄を低減できる。
【００２２】
次に、窒化物系半導体材料を例に挙げ、アルミニウム（Ａｌ）組成比をより高くできる効果について説明する。  
図２は、Ａｌ原料の供給比に対する成長膜のＡｌ組成比の依存性を例示するグラフ図であり、同図（ａ）は成長速度が半径方向距離Ｒに対して低下する領域Ｂで結晶成長した比較例、同図（ｂ）は図１（ｂ）に例示した領域Ａで成長した具体例を表す。
【００２３】
比較例においては、堆積種が基板に到達する前にＡｌ原料と他の原料との中間反応が激しく生じるので基板の近傍ではＡｌ元素が枯渇し、Ａｌ組成比がＡｌ原料供給比に比例せず飽和する。Ａｌは例えばＧａなどと比較して反応性が高いためにこの傾向が顕著に生ずると考えられる。そして、Ａｌ原料供給比をさらに増加するとＡｌ組成比はむしろ低下する。また、チャンバ内の圧力を高くしてもＡｌ組成比が低下する。
【００２４】
これに対して、図１（ｂ）に例示したように領域Ａで成長させると、基板の上流側で中間反応が生ずる領域が大幅に縮小される。つまり、Ａｌ原料元素が枯渇していないので、基板に成長した成長膜のＡｌ組成比をＡｌ原料供給比の増大に応じて高くすることができる。この結果として、ＩｎＧａＡｌＮなどにおいて、Ａｌ組成比をより高くすることが可能となる。なお、中間反応を抑制するには、上流部近傍の温度を概ね５００℃以下とすることがより効果的である。また、材料は窒化物系半導体材料に限定されず、ＩｎＧａＡｌＰ系、ＡｌＧａＡｓ系材料であっても同様の効果が得られる。
【００２５】
次に、同じく窒化物系半導体材料を例に挙げ、ｐ型不純物であるマグネシウム（Ｍｇ）をＩｎＧａＡｌＮなどにドーピングする場合について説明する。  
成長速度が半径方向Ｒに対して低下する領域Ｂで結晶成長した場合には、図２に関して前述した場合と同様に、Ｃｐ２ＭｇなどのＭｇ原料流量に対して、成長膜のＭｇ濃度が比例せずに飽和する。これは、基板の上流側において中間反応によりＭｇが消費され枯渇するからであると考えられる。また、チャンバの圧力を高くしてもＭｇ濃度は大幅に低下する。  
これに対して、図１（ｂ）に例示した領域Ａで成長させると、基板の上流側で中間反応が生ずる領域を大幅に縮小できる。その結果として、Ｍｇが枯渇しないので、成長膜のＭｇ濃度をＭｇ原料ガス流量の増大に伴い高くできる。したがって、ＩｎＧａＡｌＮなどにおいて、Ｍｇ濃度をより高くできる。
【００２６】
ところで、本実施形態においては、基板の上流側の温度を下げて、図１（ｂ）に表した領域Ａ内のＲＮ＜Ｒ＜ＲＤなる領域Ｓにおいて成長速度を急峻に低下させると、上述した各種の効果をさらに顕著にすることが可能となる。すなわち、基板の上流側の温度を低く抑えることにより、その部分での原料ガスの分解や中間反応をさらに抑制できる。その結果として、前述した成長膜の品質改善効果や、原料ガスの低減効果や、混晶比の改善、不純物の高濃度化などをさらに顕著にすることが可能となる。
【００２７】
次に、本実施形態にかかる結晶成長方法を実現するための結晶成長装置について説明する。  
図３は、本発明の実施の形態にかかる結晶成長装置の模式断面図である。同図については、図１に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付した。
【００２８】
真空チャンバ６０の内部には、冷却水４６用の通路を有するＳＵＳなどからなるノズル４２、ノズル４２の下部を囲むように配置された円環状の石英などからなる対向板４０、ヒータ２４，カーボンなどからなるヒータカバー２５、反射体２６などが配置されている。また、真空チャンバ６０には排気口４４が設けられており、反応後の原料ガス及びキャリアガスを排気する。なお、ノズル４２は、III族原料ガス、Ｖ族原料ガス、キャリアガス、あるいはこれらの混合ガスなどを吹き出すための複数の吹き出し口を有する。ノズル４２形状については、後に具体例を挙げて説明する。
【００２９】
ノズル４５の上方には回転シャフト１０が設けられ、ディスク状のサセプタ１２が取り付けられている。サセプタ１２は、炭化珪素（ＳｉＣ）が被覆されたカーボンなどからなり、基板の形状に応じた開口部を有する基板載置部を有する。カーボンは加工しやすく、温度範囲も３０００℃までと広いためにサセプタ材料として好適である。サセプタ１２は、断熱部材（第１の熱遮断手段）２０と熱伝導部材２２とを介して回転シャフト１０に連結され、これら部材と連動して回転する。断熱部材２０は、石英などの熱伝導率の低い材料からなる。一方、熱伝導部材２２は、サセプタの材料であるカーボンなどよりも熱伝導率が高い、例えばボロンナイトライド（ＢＮ）などの化合物や、インコネルなどの金属からなる。  
また、回転シャフト１０の内部には、気体や液体などの冷却媒体４８を流す流路（図示せず）が適宜設けられている。なお、回転シャフト１０の中心線である回転軸ＡＡ’は、ノズル４２の中心線とほぼ一致している。
【００３０】
回転軸ＡＡ’の周りにサセプタ１２を回転させることにより、ガス流や温度の分布の円周に沿った変動があっても、均一化できる。さらに、半径方向Ｒにおける成長速度の変動を平均化し均一膜とするために、基板５０を、図１（ａ）において矢印Ｇで表したようにＢＢ’（図３参照）の周りに自転させる。このためには、例えば、ＢＮなどからなる基板ホルダ１６をギア（図示せず）などよって回転させるとよい。また、ＳｉＣコートカーボンなどからなる均熱板２８を、基板５０の上に例えば１ｍｍ未満の間隔を隔てて配置することより、基板温度をより均一にすることができる。なお、図３に例示するように、基板５０を下方向きに配置することにより、真空チャンバ６０内において、基板５０の表面にダストや異物などが落下することを防止できる。
【００３１】
一方、本具体例の結晶成長装置においては、ノズル４２近傍の温度の上昇を抑制できる。すなわち、ノズル４２の上方に設けられた回転シャフト１０には、熱伝導部材２２が取り付けられている。この熱伝導部材２２と基板載置部との間には、断熱部材２０が設けられている。この結果、基板ホルダ１６から熱伝導部材２２への熱の伝達を遮蔽できる。また、回転シャフト１０は、冷却媒体４８により冷却されるので、その先端設けられた熱伝導部材２２の温度も低く維持することができる。また、ガスによる熱伝導及び輻射により、熱伝導部材２２を介してノズル４２も間接的に冷却される。つまり、ノズル４２の吹き出し口から基板５０までの領域の温度プロファイルを急峻にできる。この結果、基板５０の上流側での原料ガスの熱分解や中間反応が効果的に抑制される。すなわち、図１（ｂ）に表した領域Ｓにおけるように位置ＲＤから位置ＲＮに向けて成長速度を急峻に低下させることができる。
【００３２】
断熱部材２０の半径方向Ｒに沿った距離を長くすると断熱効果を大きくできるので、サセプタ１２の外径を考慮して形状を適正に決めることができる。また、ノズル４２は冷却水４６及びキャリアガスにより冷却できるので、ノズル４２とサセプタ１２との間隔を、例えば１ｍｍ程度と小さくすると基板の上流側の領域の冷却効果をより大きくできる。なお、ノズル４２と対向板４０の下部の冷却系統は独立とし、それぞれの領域において温度制御を行うことができる。
【００３３】
一方、ヒータ２４は、基板５０を結晶成長温度まで昇温させるために発熱量を大きくすることが必要である。これによる放射熱を遮断するために、反射体（第２の熱遮断手段）２６をヒータ２４と回転シャフト１０及び熱伝導部材２２との間に配置することがより好ましい。この反射体２６は、インコネルなどの合金材料の上に低熱伝導率部材をコートし、さらにその表面に金メッキ層などを設けることにより構成できる。金メッキ層は波長１０００ｎｍの赤外線に対する反射率が９８．２％と高く、かつ高温において化学的に安定である点で好ましい。
【００３４】
図４は、比較例の結晶成長装置の模式断面図である。なお、図３と同様の構成要素には同一番号を付して詳細な説明は省略する。  
本比較例においても、真空チャンバ６０には、基板５０を取り付けるための基板ホルダ１６が配置されたＳｉＣコートカーボンからなるサセプタ１３が回転シャフト１０へ連結されており回転可能となっている。ただし、本比較例においては、図３に関して前述した断熱部材２０、熱伝導部材２２、反射体２６などが設けられていない。
【００３５】
本比較例においては、ヒータ２４から放射された熱は、カーボンからなるサセプタ１３の中央部へと伝導され、ガスを吹き出すノズル４３の近傍における温度を上昇させる。また、回転シャフト１０及びサセプタ１３の中央部は、ヒータ２４からの放射熱を直接受けることによっても温度が上昇する。
【００３６】
この結果、ノズル４３の吹き出し口であるＲＮ（図１（ｂ））と、中心線ＡＡ’側の基板５０の端部との間の領域において温度が上昇し、この部分においてIII族元素を含む有機金属ガス及びＶ族元素を含むアンモニアガスの分解や中間反応が開始する。このために、結晶成長速度が最大となる位置ＲＧは、回転軸（中心線ＡＡ’）に近くなる。
【００３７】
これに対して、図３に表した具体例においては、基板５０の上流側の部分の温度の上昇を抑えることにより、この部分での原料ガスの熱分解や中間反応を抑制し、結晶成長速度が最大となる位置ＲＧを、回転軸（中心線ＡＡ’）から遠ざけることができる。その結果として、基板５０の中心ＲＷを位置ＲＧよりも回転軸に近い側に配置することができ、前述したように、成長膜の品質改善効果や、原料ガスの低減効果や、混晶比の改善、不純物の高濃度化などの効果を得ることができる。
【００３８】
次に、図３に戻って、対向板４０近傍の冷却構造について説明する。ノズル４２を含む結晶成長装置の固定部は、冷却水４６により冷却されている。サセプタ１２と対向する対向板４０の冷却が強すぎると、成長温度との差が大きくなり対向板４０への堆積物が増え、アンモニア反応種が枯渇する。  
従って、例えば、対向板４０の下方に間隙７２または断熱材を設けるか、または半径方向距離Ｒに沿って適正な長さを有する円環状モリブデン板７４などをはさみ、対向板４０への堆積部を低減しアンモニア反応種の枯渇を抑制することが好ましい。
【００３９】
次に、本実施形態の結晶成長装置に設けることができるノズル４２について説明する。  図５（ａ）は、ノズル４２の模式斜視図であり、同図（ｂ）はその模式断面図である。
【００４０】
ノズル４２には、キャリアガス、III族ガスとキャリアガスとの混合ガス、Ｖ族ガスとキャリアガスとの混合ガスのための通路が設けられ、Ｒ＝ＲＮの位置にそれぞれ吹き出し口を有する。また、ノズル４２には、図３に例示したように、冷却水４６のための流路が設けられている。ノズル４２の上面と熱伝導部材２２下面との間隙Ｄを例えば１ｍｍと近接させることにより、熱伝導部材２２への放射や熱伝導を利用してノズル吹き出し口近傍の温度をさらに低下させることができる。
【００４１】
また、ノズル４２の中心線ＡＡ’に沿ったガス通路から上方に向けてキャリアガス６１を放出させることにより、熱伝導部材２２がより冷却される。さらに、サセプタ１２に最も近いノズル４２の上方部分には縦に切り込まれたスリット７０がほぼ等角度間隔で設けられており、アンモニアであるＶ族ガスとキャリアガスとの混合ガスを横方向へ吹き出させる。さらに、ノズル４２の上面と熱伝導部材２２の下面との間隙Ｄを近接させることにより、Ｖ族ガスの吹き出し流速を適正に制御でき、Ｖ族とIII族の原料ガスをより均一に混合できる。なお、Ｖ族ガスであるアンモニアを上側から吹き出させることによりアンモニアが分解しやすく、アンモニア反応種が基板へ到達するのを容易にすることができる。
【００４２】
図６は、変型例としてのノズル４３を表し、同図（ａ）はその模式斜視図、同図（ｂ）はその模式断面図である。  
本変型例においては、スリット７０は設けられていない。このようなノズル４３を用いることも可能である。
【００４３】
図７は、第２の変型例としてのノズル４２を表し、同図（ａ）はその模式斜視図、同図（ｂ）はその模式断面図である。  
この変形例においては、スリット７０はノズル４２側面に向いた開口を有しているので、Ｖ族ガスは高温である熱伝導部材２２と直接接触しない。従って、原料ガスの分解を低減できる。また、ノズル４２から熱伝導部材２２に向かって上方へ水素などのキャリアガス６０を吹き出させることにより熱伝導部材２２をさらに冷却できる。
【００４４】
以上説明したように、本実施形態の結晶成長方法および結晶成長装置においては、主として成長速度が増大する領域Ａにおいて成長を行う。この結果として、チャンバ内の堆積物が低減できて、堆積物の再付着による成長膜品質及び特性の低下を抑制できる。また、さらに、基板の上流側での原料ガスの分解や中間反応を抑制することにより、原料元素の枯渇を抑制でき、例えば、Ａｌ組成比をより高めたＡｌ混晶や、Ｍｇドーピング濃度をより高めた窒化物系半導体素子などが得られる。また、結晶成長に寄与しない原料ガス熱分解を低減できるので、材料の利用効率を改善できる。
【００４５】
以上、具体例を参照しつつ本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これら具体例に限定されない。例えば、結晶成長装置を構成するサセプタ、基板ホルダ、対向板、反射体、断熱部材、熱伝導部材、均熱板などの各種の要素に関して、当業者が各種設計変更を行ったものであっても本発明の要旨を含む限り、本発明の範囲に包含される。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明の実施の形態にかかる結晶成長方法を説明する模式図であり、（ａ）はサセプタの模式平面図、（ｂ）は成長速度の半径方向距離依存性のグラフ図である。
【図２】Ａｌ組成比のＡｌ原料供給比依存性を表すグラフ図であり、同図（ａ）は比較例、同図（ｂ）は本実施形態に対応する。
【図３】本発明の実施の形態にかかる結晶成長装置の模式断面図である。
【図４】比較例の結晶成長装置の模式断面図である。
【図５】本実施形態の結晶成長装置に用いることができるノズルを表し、（ａ）はその模式斜視図、（ｂ）はその模式断面図である。
【図６】本実施形態の結晶成長装置に用いることができるノズルの変型例を表し、（ａ）はその模式斜視図、（ｂ）はその模式断面図である。
【図７】本実施形態の結晶成長装置に用いることができるノズルの第２の変形例を表し、（ａ）はその模式斜視図、（ｂ）はその模式断面図である。
【符号の説明】
【００４７】
１０・・・回転シャフト、１２・・・サセプタ、２０・・・断熱部材、２２・・・熱伝導部材、２４・・・ヒータ、２６・・・反射体、４２・・・ノズル、５０・・・基板、６０・・・キャリアガス、７０・・・スリット
【図１】
2008028270.tif 000003
【図２】
2008028270.tif 000004
【図３】
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【図４】
2008028270.tif 000006
【図５】
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【図６】
2008028270.tif 000008
【図７】
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