(57)【要約】【課題】液晶ディスプレイパネル用の基板に、光反射面を形成する方法を提供する。【解決手段】液晶ディスプレイパネル用の基板に、マスクを配置し、当該マスク上にフォトレジスト層を形成し、当該フォトレジスト層に基板側から光を照射して露光し、露光後のフォトレジスト層を現像し、現像済みフォトレジスト層を変形させ、フォトレジスト層表面に凹凸を備える表面を形成し、当該凹凸を備える表面に光反射層を設けることによって光反射面を形成する工程を含む方法。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶ディスプレイパネル用の基板に光反射面を形成する方法であって、
以下の工程を含むことを特徴とする光反射面の形成方法。
マスク配置工程：  基板上にマスクを配置する工程。
フォトレジスト層形成工程：  マスク配置工程で配置したマスク上にフォトレジスト層を形成する工程。
露光工程：  フォトレジスト層形成工程で形成したフォトレジスト層に基板側から光を照射して露光する工程。
現像工程：  露光工程で形成した露光済みフォトレジスト層を現像する工程。
凹凸表面形成工程：  現像工程で形成した現像済みフォトレジスト層を変形させ、フォトレジスト層表面に凹凸を備える表面を形成する工程。
光反射層形成工程：  凹凸表面形成工程で形成した凹凸を備える表面に光反射層を設け、光反射面を形成する工程。
【請求項２】
前記マスク配置工程では、スリット状及び孔状から選択されるいずれか一方又は両方の形状で構成されるパターンの光透過部を備えるマスクを用いる請求項１に記載の光反射面の形成方法。
【請求項３】
前記マスクは、金属である請求項１又は請求項２に記載の光反射面の形成方法。
【請求項４】
前記マスクと第１中間層とを交互に複数層積層する請求項１〜請求項３のいずれかに記載の光反射面の形成方法。
【請求項５】
前記複数層のマスクは、同一もしくは異なるパターンの前記光透過部を備えるマスクである請求項４に記載の光反射面の形成方法。
【請求項６】
前記フォトレジスト層形成工程では、第２中間層を介してフォトレジスト層を形成する請求項１〜請求項５のいずれかに記載の光反射面の形成方法。
【請求項７】
前記第２中間層は絶縁体である請求項６に記載の光反射面の形成方法。
【請求項８】
前記絶縁体はアモルファスシリコンである請求項７に記載の光反射面の形成方法。
【請求項９】
前記第２中間層は導電体である請求項６に記載の光反射面の形成方法。
【請求項１０】
前記凹凸表面形成工程では、加熱後必要に応じて紫外線を照射する請求項１〜請求項９のいずれかに記載の光反射面の形成方法。
【請求項１１】
半透過型又は反射型の液晶画素であって、請求項１〜請求項１０に記載の光反射面の形成方法を用いて形成した光反射面を備えることを特徴とする液晶画素。
【請求項１２】
液晶画素をマトリックス状に配置した液晶ディスプレイパネルであって、請求項１１に記載の液晶画素を備えることを特徴とする液晶ディスプレイパネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本件発明は、液晶ディスプレイパネル用の基板に光反射面を形成する方法及びその光反射面の形成方法を用いて得られた光反射面を備える液晶画素並びにその液晶素子を備える液晶ディスプレイパネルに関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）は、薄型で低消費電力という特性を備え、例えば、携帯型パソコン、デジタルカメラ、プロジェクター等、多くの電子製品において広く利用されている。この液晶ディスプレイパネルは、一般的には、用いる光源によって透過型、反射型、半透過型に分類される。そして、透過型液晶ディスプレイパネルはバックライトモジュールを光源とし、反射型液晶ディスプレイパネルは環境光を光源とし、半透過型液晶ディスプレイパネルはバックライトモジュールと環境光との両方を光源として用いる液晶ディスプレイパネルである。
【０００３】
図３５に示すように、従来技術におけるカラーディスプレイパネル１０は、二次元に配列された画素１１を備える。そして各々の画素は、通常赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）３原色のフィルターを備える副画素で構成されている。このＲＧＢの３原色は、各色のカラーフィルターを用いることで得られる。
【０００４】
従来技術における半透過型液晶ディスプレイパネルの画素構造を、図３６に模式的に示す。この図３６に示すように、１つの画素は、１２Ｒ、１２Ｇ、１２Ｂの３つの副画素で構成される。そして、副画素の各々は、透過領域（ＴＡ）と反射領域（ＲＡ）とを備える。
【０００５】
図３７及び図３８は、図３６に示した画素構造において３−３’における切断面を模式的に示した断面図である。この図３７では、透過領域ＴＡにおいて、光源Ｌ（バックライトモジュール）から発せられたバックライト光が下側の基板３０を透過し、液晶層ＬＣ及びカラーフィルターＦを経て、上側の基板２０を透過する様子を示している。また、反射領域ＲＡにおいては、環境光が、上側の基板２０、カラーフィルターＦ、液晶層ＬＣを透過した後、光反射面５２で反射し、再び液晶層ＬＣを透過し、カラーフィルターＦを経て上側の基板２０を透過する。更に、図３８に示すように、反射領域ＲＡの一部に無色フィルター（ＮＣＦ）を設けることもある。
【０００６】
各々の画素には、当技術分野で周知のように、液晶層の光学的な挙動を制御するために更に多くの層が設けられている。そして、これらの層は、素子層の他、１層又は２層の電極層を備える。通常、液晶画素は、下側の基板５０上に形成され、ゲートライン３１、３２と、データライン２１〜２４（図３６に記載）と、トランジスタ（図示せず）、保護層（図示せず）とを備える。
【０００７】
【特許文献１】米国特許  ＵＳ６６５３１７８号公報
【特許文献２】米国特許  ＵＳ２００６０１０８４５号公報
【特許文献３】米国特許  ＵＳ２００４０１７４４８１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本件発明は、液晶ディスプレイパネル用の基板に光反射面を形成する方法及びその光反射面の形成方法を用いて得られた光反射面を備える液晶画素並びにその液晶素子を備える液晶ディスプレイパネルを提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本件発明に係る光反射面の形成方法：  本件発明に係る光反射面の形成方法は、液晶ディスプレイパネル用の基板に、光反射面を形成する方法であって、以下の工程を含むことを特徴としている。
【００１０】
マスク配置工程：  基板上にマスクを配置する工程。
フォトレジスト層形成工程：  マスク配置工程で配置したマスク上にフォトレジスト層を形成する工程。
露光工程：  フォトレジスト層形成工程で形成したフォトレジスト層に基板側から光を照射して露光する工程。
現像工程：  露光工程で形成した露光済みフォトレジスト層を現像する工程。
凹凸表面形成工程：  現像工程で形成した現像済みフォトレジスト層を変形させ、フォトレジスト層表面に凹凸を備える表面を形成する工程。
光反射層形成工程：  凹凸表面形成工程で形成した凹凸を備える表面に光反射層を設け、光反射面を形成する工程。
【００１１】
本件発明に係る光反射面の形成方法においては、前記マスク配置工程では、スリット状及び孔状から選択されるいずれか一方又は両方の形状で構成されるパターンの光透過部を備えるマスクを用いることが好ましい。
【００１２】
本件発明に係る光反射面の形成方法においては、前記マスクは、金属であることも好ましい。
【００１３】
本件発明に係る光反射面の形成方法においては、前記マスクと第１中間層とを交互に複数層積層することも好ましい。
【００１４】
本件発明に係る光反射面の形成方法においては、前記複数層のマスクは、同一もしくは異なるパターンの前記光透過部を備えるマスクであることも好ましい。
【００１５】
本件発明に係る光反射面の形成方法においては、前記フォトレジスト層形成工程では、第２中間層を介してフォトレジスト層を形成することも好ましい。
【００１６】
本件発明に係る光反射面の形成方法においては、前記第２中間層は絶縁体であることも好ましい。
【００１７】
本件発明に係る光反射面の形成方法においては、前記絶縁体はアモルファスシリコンであることも好ましい。
【００１８】
本件発明に係る光反射面の形成方法においては、前記第２中間層は導電体であることも好ましい。
【００１９】
本件発明に係る光反射面の形成方法においては、前記凹凸表面形成工程では、加熱後必要に応じて紫外線を照射することも好ましい。
【００２０】
本件発明に係る液晶画素：  本件発明に係る液晶画素は、半透過型又は反射型の液晶画素であって、前記光反射面の形成方法を用いて形成した光反射面を備えることを特徴としている。
【００２１】
本件発明に係る液晶ディスプレイパネル：  本件発明に係る液晶ディスプレイパネルは、液晶画素をマトリックス状に配置した液晶ディスプレイパネルであって、前記液晶画素を備えることを特徴としている。
【発明の効果】
【００２２】
本件発明は、半透過型及び反射型液晶ディスプレイパネルの液晶画素に用いる光反射面の好ましい形成方法を提供する。具体的には、複数のマスクを基板上に配置し、フォトレジスト層をマスクを介して基板側から露光（以下、「背面露光」と称する。）し、現像して、マスク上に設置されたフォトレジスト層に、凹凸形状物を形成する。そして、現像されたフォトレジスト層の凹凸形状物は、加熱によってリフローされて凹凸を備える表面となり、必要に応じて紫外線を照射して固化させる。更に、この凹凸を備える表面に光反射層を形成する。このとき、複数層のマスクを用いてフォトレジスト層を露光すれば、露光領域を小さくすることが出来る。上述のように、本件発明では、背面露光後現像して、フォトレジスト層に突起状或いは棒状の凹凸形状物を形成する。この凹凸形状物は、加熱によって変形し、その後必要に応じて紫外線照射され、連続的な凹凸を備える表面となる。本件発明に係る光反射面の形成方法で用いるマスクは、スリット状及び孔状から選択されるいずれか一方又は両方の形状で構成されるパターンの光透過部を備える。そして、露光及び現像後のフォトレジスト層に形成されるスリット状又は孔状の凹凸形状物は、加熱によって軟化する際、その一部が充填される。また、本件発明に係る光反射面の形成方法において、複数のマスクを用いる場合、マスクとマスクとの間、或いはフォトレジスト層とマスクとの間、或いは基板とマスクとの間に複数の中間層（第１中間層及び／又は第２中間層）を形成してもよい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
本件発明がより明確に理解されるよう、一般的な半透過型及び反射型液晶ディスプレイパネルの反射領域の光反射面を図３７及び図３８に示す。この図３７及び図３８に示すように光反射面５２は、凹凸形状の表面を備える。本件発明は、フォトリソグラフィーとエッチングプロセスを用いて、基板上に上述のような光反射面を容易に形成するための新たな方法を提供する。以下に実施形態を例示し、図面を参照しながら、詳細に説明する。
【００２４】
第１の実施形態：  図１に示すように、ほぼ透明な基板１００上にマスク９０を配置する。このマスク９０は、光遮蔽部９１と光透過部９９とを備える。そして、光透過部９９の配置パターンは、例えば、スリット状及び孔状から選択されるいずれか一方又は両方の形状を備えるものとする。
【００２５】
この工程では、図２に示すように、複数の第１中間層８０をマスク９０上に形成することも出来る。
【００２６】
そして、図３に示すように、第１中間層８０上にフォトレジスト層８２を形成する。本実施形態は、このフォトレジスト層８２の構成材料として、ポジ型のフォトレジスト材を用いている。
【００２７】
続いて、図４に示すように背面露光を行う。このとき、光束１１０の一部がマスク９０の光透過部９９と第１中間層８０とを透過し、フォトレジスト層８２が部分的に露光される。このとき、光遮蔽部９１は照射された光束１１０を部分的に遮蔽し、光束１１０は光透過部９９のみを透過する。
【００２８】
次に、露光後のフォトレジスト層を現像すると、図５に示す形態となる。現像することによりフォトレジスト層の露光された部分は除去され、多数の凹凸形状物６０が形成される。この凹凸形状物６０は、複数の不連続な突起状或いは棒状の形状物で構成される。
【００２９】
そして、この凹凸形状物６０は、凹凸表面形成工程で、部分的に軟化すると同時に部分的に接合し、図６に示すような波状の凹凸表面を備える単一フォトレジスト層７０を形成する。この単一フォトレジスト層７０を形成するためには、凹凸形状物６０は、リフロー工程において粘稠となり、且つ、その後固化しなければならない。従って、凹凸形状物６０は、簡易に形成出来ることが好ましい。本件発明では、凹凸形状物６０をフォトレジスト材料で構成するため、加熱及び紫外線固化プロセスで容易に軟化及び固化することが出来る。
【００３０】
このとき、例えば、フォトレジスト層を構成する材料に応じて、凹凸形状物６０の軟化及び固化方法を選択出来る。本実施形態では、加熱と紫外線照射の手段を用いた。そして、このようにして形成した単一フォトレジスト層７０の凹凸を備える表面に光反射層６２を設け、図７に示すように、光反射面を形成する。
【００３１】
この、単一フォトレジスト層７０に設ける光反射層６２には、例えば、アルミニウム又は銀等の金属を用いることが出来る。
【００３２】
第２の実施形態：  本件発明に係る光反射面の形成方法の第２の実施形態を図８〜図１４に示す。本実施形態は、マスク９０と第１中間層８０の形成の順序を入れ替えている点が上述の第１の実施形態と相違する。
【００３３】
まず、図８に示すように、複数の第１中間層８０を基板１００上に形成する。そして、図９に示すように、マスク９０を第１中間層８０上に配置する。このマスク９０は、光遮蔽部９１と光透過部９９とで構成されるパターンを備える。光透過部９９のパターンは、例えば、スリット状及び孔状から選択されるいずれか一方又は両方の形状を備える。図１１に示す背面露光を行う際、この光遮蔽部９１は照射された光束１１０を遮蔽し、光束１１０は光透過部９９を透過する。
【００３４】
そして、図１０に示すように、第１中間層８０上にフォトレジスト層８２を形成する。本実施形態では、フォトレジスト層８２の構成材料としてポジ型のフォトレジスト材を用いている。
【００３５】
続いて、図１１に示すように背面露光を行う。このとき、光束１１０の一部が第１中間層８０とマスク９０の光透過部９３を透過することによって、フォトレジスト層の一部分が露光される。
【００３６】
次に、図１２に示すように、露光後のフォトレジスト層を現像すると、露光した部分が除去され、多数の凹凸形状物６０が形成される。この凹凸形状物６０は、複数の不連続な突起状或いは棒状の形状物で構成される。
【００３７】
更に、この凹凸形状物６０は、凹凸表面形成工程で部分的に軟化して部分的に接合し、図１３に示すような波状の凹凸表面を備える単一フォトレジスト層７０を形成する。このように単一フォトレジスト層７０を形成するためには、凹凸形状物６０は、リフロー工程において粘稠となり、且つ、その後固化しなければならない。このため、凹凸形状物６０は、単純な形状に形成出来ることが望ましい。本件発明によれば、凹凸形状物６０はフォトレジスト材料で構成するため、加熱後必要に応じて紫外線照射を行えば、凹凸形状物６０を容易に軟化して固化することが出来る。
【００３８】
このとき、例えば、フォトレジスト層を構成する材料に応じて、凹凸形状物６０の軟化及び固化方法を選択出来る。本実施形態では、加熱と紫外線照射手段を用いた。そして、このように形成した単一フォトレジスト層７０の凹凸を備える表面には、図１４に示すように、光反射層６２を設け、光反射面を形成する。
【００３９】
この、単一フォトレジスト層７０に設ける光反射層６２には、例えば、アルミニウム又は銀等の金属を用いることが出来る。
【００４０】
第３の実施形態：  図１５〜図２２に示すように、本実施形態では、第１マスク９２と第２マスク９６との２層のマスクを配置する場合を例に説明する。
【００４１】
図１５に示すように、第１マスク９２を基板１００上に配置する。このマスク９２は、光遮蔽部９３と光透過部９４とを備える。光透過部９４のパターンは、例えば、スリット状及び孔状から選択されるいずれか一方又は両方の形状を備える。図１９に示す背面露光を行う際、この光遮蔽部９３は照射された光束１１０を部分的に遮蔽し、光透過部９４を光束１１０が透過する。
【００４２】
次に、図１６に示すように、複数の第１中間層８０を第１マスク９２上に形成する。
【００４３】
そして、図１７に示すように、第２マスク９６を第１中間層８０上に形成する。第２マスク９６も光遮蔽部９７と、光透過部９８とを含むパターンを備える。この光遮蔽部９７は、図１９に示す背面露光の際、照射される光束１１０を部分的に遮蔽する。この第２マスク９６のマスクパターンは、第１マスク９２のマスクパターンと同一であっても、一部が異なっていてもよい。
【００４４】
ここで、複数層のマスク（本実施形態では２層のマスク）を用いる場合に、マスクの光透過部のパターンについて図２３〜図３２を参照しながら更に詳細に説明する。
【００４５】
図２３は第１マスク９２及び第２マスク９６を模式的に示す断面図である。この図２３に示すように、第１マスク９２は、光遮蔽部９３と光透過部９４とを備える。同様に、第２マスク９６も、光遮蔽部９７と光透過部９８とを備える。このとき、第１マスク９２の光透過部９４と、第２マスク９６の光透過部９８とが、重複する光透過領域を備えるように、第１マスクの光透過部のパターンと第２マスクの光透過部のパターンとを配置する。各々のマスクがこのような光透過部のパターンを備えることで、光束１１０はその一部が第１マスク９２と第２マスク９６を経て、フォトレジスト層８２に到達する。
【００４６】
このように、第１マスク９２と第２マスク９６とを同時に用いれば、図２３に示す光透過領域１９４を備える複合マスク１９０として用いることが可能である。このように、２層のマスクを配置することによって、複合マスク１９０の光遮蔽部１９４は、第１マスク９２の光透過部９４及び第２マスク９６の光透過部９８より小さくなる。このように、マスクをを組み合わせて用いる場合の例を図２４〜図２９を参照しつつ以下説明する。
【００４７】
図２４及び図２５は、それぞれ異なるパターンの光透過部を備えるマスクを模式的に表す平面図である。図２４に示す第１マスク２９２は、複数の光透過部２９４を含む光透過部のパターンを備える。また、図２５に示す第２マスク２９６も同様に、複数の光透過部２９８を含む光透過部のパターンを備える。この図２５の第２マスクが備える光透過部のパターンは、図２４の第１マスクが備える光透過部のパターンをシフトさせたものである。そして、第１マスク２９２と第２マスク２９６とを同時に用いることにより、図２６に示す複合マスク２９０のように、光透過部２９５を小さくすることが出来る。
【００４８】
また、図２７及び図２８に示す２枚のマスクも、２層のマスクを同時に用いることによって光透過部を小さくすることが出来る。図２７に示す第１マスク３９２と図２８に示す第２マスク３９６は、それぞれ互いに異なる光透過部のパターンを備える。そして、第１マスク３９２と第２マスク３９６とを同時に用いれば、第２マスク３９６の光遮蔽部３９７が第１マスク３９２の光透過部３９４に部分的に重なる。従って、図２９に示す複合マスク３９０の光透過部３９５のように光透過部を小さくすることが出来る。
【００４９】
更に、図３０及び図３１に示す２枚のマスクも、同様に２層のマスクとして同時に用いることによって光透過部を小さくすることが出来る。図３１に示す第２マスク４９６に備える光遮蔽部４９７は、図３０に示す第１マスク４９２の光遮蔽部４９３をシフトさせたものである。そして、第１マスク４９２と第２マスク４９６とを同時に用いることにより、図３２に示す複合マスク４９０の光透過部４９５のように光透過部を小さくすることが出来る。
【００５０】
続いて、図１８に示すように、第２マスク９６の上にフォトレジスト層８２を形成する。本実施形態では、フォトレジスト層８２の構成材料としてポジ型のフォトレジスト材を用いている。また、フォトレジスト層８２と第２マスクとの間に複数の第２中間層を形成してもよい。
【００５１】
更に、図１９に示すように、光束１１０を用いて背面露光を行う。第１マスク９２の光透過部９４を透過し、更に第２マスク９６の光透過部９８を透過した光束１１０がフォトレジスト層８２に到達し、フォトレジスト層が露光される。
【００５２】
そして、図２０に示すように、フォトレジスト層を現像すると、露光した部分は除去され、複数の不連続な突起状或いは棒状の凹凸形状物６０を備えるフォトレジスト層が残る。
【００５３】
このとき、例えば、フォトレジスト層を構成する材料に応じて、凹凸形状物６０の軟化及び固化方法を選択出来る。本実施形態では、加熱と紫外線照射手段を用いた。そして、図２１に示す単一フォトレジスト層７０の凹凸を備える表面には、図２２に示すように、光反射層６２を設け、光反射面を形成する。
【００５４】
この、単一フォトレジスト層７０設ける光反射層６２には、例えば、アルミニウム又は銀等の金属を用いることが出来る。
【００５５】
本件発明に係る光反射面を備える液晶画素の形態：  本件発明に係る光反射面を備える液晶画素は、上述してきた光反射面の形成方法を用いて形成した光反射面を備えることを特徴としている。以下、本件発明に係る光反射面を備える液晶画素について説明する。また、重複する記載は極力避けるものとする。
【００５６】
本件発明に係る光反射面を備える液晶画素は、絶縁層、半導体層、又は透明導電層を上述の中間層として用いることが出来る。ここで図３３を参照しながら本件発明に係る光反射面を備える液晶画素を説明する。
【００５７】
この図３３に示すように、本件発明に係る光反射面を備える液晶画素においては、ゲートライン１０２、反射パターン２０２と共通電極（図示していない）とを形成する金属層を図７に示すマスク９２として用いることが出来る。また、絶縁層１０４、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）層１０６、２０６とドープアモルファスシリコン（Ｎ＋ａ−Ｓｉ）層１０８、２０８も中間層８０として用いることが出来る。更に、ソース−ドレイン金属層１１０、１１２、２１０も第２マスク９６として用いることが出来る。また、酸化ケイ素又は窒化ケイ素を用いる保護層１１６やインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）層１１４等の基板１００上に形成するいろいろな層も、中間層として用いることが出来る。
【００５８】
背面露光の際、照射された光が上述の各層を含む中間層を透過するが、これらの層は、ほぼ透明であるため、フォトレジスト層の部分的な露光に重大な影響を及ぼすことはないからである。従って、図３３のフォトレジスト層１１８、２１８は、金属層１０２、１１０、１１２、２０２、２１０を光遮蔽部として露光可能である。そして、フォトレジスト層の現像後に残されたフォトレジスト層１１８や多数の不連続な突起状或いは棒状で構成される凹凸形状物２１８は、金属層１０２、１１０、１１２、２０２、２１０のほぼ上部に位置することになる。そして、この凹凸形状物に対し、加熱と紫外線照射とを行えば、凹凸形状物は軟化して部分的に接合し、図３４に示すように、フォトレジスト層１１８ａ、２１８ｂの幅は部分的に広がる。
【００５９】
本件発明に係る光反射面を備える液晶画素を含む液晶ディスプレイパネルの形態：  本件発明に係る光反射面を備える液晶画素を含む液晶ディスプレイパネルは、上記光反射面の形成方法を用いて形成された光反射面を備える液晶画素を含む液晶ディスプレイパネルである。以下、図３３と図３４とを参照しつつ説明する。
【００６０】
半透過型液晶パネルの形成においては、図３４に示すフォトレジスト層１１８ａと２１８ｂとをマスクとして用いて保護層部分１１６ａと２１６ｂとを残し、透過領域３００のインジウムスズ酸化物層の一部分に露光を行うために、予め形成した保護層１１６（図３３に示す）を部分的にエッチングする。
【００６１】
また、図３４には、半透過型液晶パネルの反射領域に光反射面を形成するために、フォトレジスト層１１８ａ、２１８ｂ上に、その形状に沿って形成したアルミニウムと銀等の光反射層１２０（凹凸を備える反射領域の光反射層２２０ｂを含む）を示す。半透過型液晶ディスプレイパネルにおいては、露光されたインジウムスズ酸化物層の領域は透過領域３００として用いることが出来る。
【００６２】
本実施形態では、１つ又は２層のマスクを用いてフォトレジスト層を露光する例を説明してきたが、３層以上のマスクも用いることも出来る。また、本実施形態では、現像したフォトレジスト層に凹凸を備える表面を形成するために、加熱と紫外線照射を行ったが、フォトレジスト層の構成材料によっては、異なる方法を用いることも出来る。
【００６３】
以上、本件発明の好適な実施形態を例示したが、これは本件発明を限定するものではなく、本件発明の趣旨及び範囲を逸脱しない限りにおいては、当業者であれば行い得る変更を加えることは可能である。従って、本件発明が保護を請求する範囲は、特許請求の範囲を基準とする。
【産業上の利用可能性】
【００６４】
本件発明に係る光反射面の形成方法を用いれば、液晶画素内に光反射面を形成することが容易になる。その結果、反射型或いは半透過型の液晶ディスプレイパネルの生産性向上に寄与する。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】本件発明による第１の実施形態を示す断面模式図である。
【図２】本件発明による第１の実施形態を示す断面模式図である。
【図３】本件発明による第１の実施形態を示す断面模式図である。
【図４】本件発明による第１の実施形態を示す断面模式図である。
【図５】本件発明による第１の実施形態を示す断面模式図である。
【図６】本件発明による第１の実施形態を示す断面模式図である。
【図７】本件発明による第１の実施形態を示す断面模式図である。
【図８】本件発明による第２の実施形態を示す断面模式図である。
【図９】本件発明による第２の実施形態を示す断面模式図である。
【図１０】本件発明による第２の実施形態を示す断面模式図である。
【図１１】本件発明による第２の実施形態を示す断面模式図である。
【図１２】本件発明による第２の実施形態を示す断面模式図である。
【図１３】本件発明による第２の実施形態を示す断面模式図である。
【図１４】本件発明による第２の実施形態を示す断面模式図である。
【図１５】本件発明による第３の実施形態を示す断面模式図である。
【図１６】本件発明による第３の実施形態を示す断面模式図である。
【図１７】本件発明による第３の実施形態を示す断面模式図である。
【図１８】本件発明による第３の実施形態を示す断面模式図である。
【図１９】本件発明による第３の実施形態を示す断面模式図である。
【図２０】本件発明による第３の実施形態を示す断面模式図である。
【図２１】本件発明による第３の実施形態を示す断面模式図である。
【図２２】本件発明による第３の実施形態を示す断面模式図である。
【図２３】本件発明による第３の実施形態を示す断面模式図である。
【図２４】２層のマスクを用いて反射層を形成する場合のそれぞれのマスクと複合マスクとを示す平面模式図である。
【図２５】２層のマスクを用いて反射層を形成する場合のそれぞれのマスクと複合マスクとを示す平面模式図である。
【図２６】２層のマスクを用いて反射層を形成する場合のそれぞれのマスクと複合マスクとを示す平面模式図である。
【図２７】２層のマスクを用いて反射層を形成する場合のそれぞれのマスクと複合マスクとを示す平面模式図である。
【図２８】２層のマスクを用いて反射層を形成する場合のそれぞれのマスクと複合マスクとを示す平面模式図である。
【図２９】２層のマスクを用いて反射層を形成する場合のそれぞれのマスクと複合マスクとを示す平面模式図である。
【図３０】２層のマスクを用いて反射層を形成する場合のそれぞれのマスクと複合マスクとを示す平面模式図である。
【図３１】２層のマスクを用いて反射層を形成する場合のそれぞれのマスクと複合マスクとを示す平面模式図である。
【図３２】２層のマスクを用いて反射層を形成する場合のそれぞれのマスクと複合マスクとを示す平面模式図である。
【図３３】本件発明に係る光反射面を備える液晶画素を含むＬＣＤパネルの製造過程の一例を示す断面模式図である。
【図３４】本件発明に係る光反射面を備える液晶画素を含むＬＣＤパネルにおいて光反射層を形成した一例を示す断面模式図である。
【図３５】従来のＬＣＤパネルの構成を示す平面模式図である。
【図３６】従来のＬＣＤパネルの構成を示す平面模式図である。
【図３７】半透過型液晶ディスプレイパネルの液晶画素構造を示す断面模式図である。
【図３８】半透過型液晶ディスプレイパネルの液晶画素構造を示す断面模式図である。
【符号の説明】
【００６６】
５２                                              光反射面
６０、２１８                                      凹凸形状物
６２、１２０、２２０ｂ                            光反射層
８０                                              中間層
９０、９２、９６、１９０、２９０、
２９２、２９６、３９０、３９２、                  マスク
３９６、４９０、４９２、、４９６                  （含：第１、第２、複合）
９１、９３、９７、３９７、４９３、４９７          光遮蔽部
９４、９８、９９、１９４、２９４、２９５、
２９８、３９４、３９５、４９５、                  光透過部
１００                                            基板
１１０                                            光束
１０２                                            ゲートライン
１０４                                            絶縁層
１１０、１１２、２１０                            ソース−ドレイン金属層
１１４、３００                              インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）層
１１６                                            保護層
７０、８２、１１８、１１８ａ、
２１８、２１８ｂ                      フォトレジスト層（単一フォトレジスト層）
１０６、２０６                            アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）層
１０８、２０８                  ドープアモルファスシリコン（Ｎ＋ａ−Ｓｉ）層
２０２                                            反射パターン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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