(57)【要約】【課題】特に電子パッケージに適したヘッダーを提供する。【解決手段】本発明は、特に電子パッケージ用に適したヘッダーに関するもので、ガラス材料（７）が充填された中空ヘッド（１）であって、前記ガラス材料は少なくともピン（９．１、９．２、９）を収容し、上記中空ヘッド（１）は、少なくとも中空部（３）とカバー部（５）により構成され、上記中空部と上記カバー部は異なった部品である。【選択図】図２ａ
2008311659.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子パッケージに適したヘッダーであって、
少なくともピン（９．１、９．２、９）を収容するガラス材料によって充填された中空ヘッド（１）を有し、
前記中空ヘッド（１）は、少なくとも中空部（３）とカバー部（５）とによって構成され、さらに前記中空部（３）と前記カバー部（５）は別体である、ことを特徴とするヘッダー。
【請求項２】
前記中空部と前記カバー部は異なった材料からなる、ことを特徴とする請求項１記載のヘッダー。
【請求項３】
前記中空部は銃眼の形をしている、ことを特徴とする前記請求項１又は２のいずれかの１項に記載されたヘッダー。
【請求項４】
前記中空部（３）は金属を含む、ことを特徴とした前記請求項１乃至３のいずれかの１項に記載されたヘッダー。
【請求項５】
前記金属は、鋼、鋼鉄、鉄合金、ニッケル合金、鉄・ニッケル合金のいずれかあるいはその組み合わせからなる、ことを特徴とする請求項４記載のヘッダー。
【請求項６】
前記カバー部（５）はセラミック材料を含む、ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれかの１項に記載されたヘッダー。
【請求項７】
前記セラミック材料は、ＡｌＮ、Ａｌ２Ｏ３又はＢｅＯのいずれかあるいはその組み合わせである、ことを特徴とする請求項６記載のヘッダー。
【請求項８】
前記ヘッダーはＡｌＮ、ＣｕＷ、Ｋｏｖａｒ、ＳｉＣのいずれかあるいはその組み合わせを含むサーマルピン（４３０、５３０、６３０）を有する、ことを特徴とする請求項１乃至７いずれかの１項に記載されたヘッダー。
【請求項９】
前記ピン（９．１、９．２）は多数のピンの一部であり前記多数のピンはグランドピントケースピンを含む、ことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１つに記載されたヘッダー。
【請求項１０】
前記カバー部（５）はパターンを含む、ことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１つに記載されたヘッダー。
【請求項１１】
前記パターンは、金属かペーストを使った回路配置である、ことを特徴とする請求項１０記載のヘッダー。
【請求項１２】
前記カバー部（５）は穴（３２４．１、３２４．２）を含み、前記穴に伝道材料が充填されたときには前記ピンは前記カバー部上に装着された電子部品と電気的に接続されている、ことを特徴とする請求項１乃至１１のいずれかの１項に記載されたヘッダー。
【請求項１３】
前記カバー部（５）は、少なくとも二つの部品（３０５．１、３０５．２）を含む、ことを特徴とする請求項１乃至１２のいずれかの１項に記載されたヘッダー。
【請求項１４】
導電性材料によって充填された穴（３２４．１ａ、３２４．１ｂ）は前記穴の導電性材料により電気的に接続されたピン（３０９．１）とは異なった位置にある、ことを特徴とする請求項１３に記載されたヘッダー。
【請求項１５】
少なくとも請求項１乃至１４のいずれかの１項に記載されたヘッダーを含む電子パッケージ。
【請求項１６】
前記電子パッケージは少なくとも前記ヘッダー（３０００）に相互接続されたキャップ（３１００）を含む、ことを特徴とする請求項１５に記載されたヘッダー。
【請求項１７】
前記キャップと前記ヘッダーは密閉シールハウジングとなるような相互接続がされている、ことを特徴とする請求項１６に記載されたヘッダー。
【請求項１８】
電子パッケージを製造する方法であって、
少なくとも前記請求項１乃至１７のいずれかの１項に記載されたヘッダーを供給するステップと、
前記ヘッダー（３０００）をキャップにシールするステップとを有する方法。
【請求項１９】
前記ヘッダーは前記キャップに、抵抗溶接、レーザー溶接、プレスフィット溶接、オールド溶接、位相制御溶接、及び容量放射溶接のいずれか１つの方法でシールされている、ことを特徴とする請求項１８に記載された方法。
【請求項２０】
前記電子パッケージは、前記キャップが前記ヘッダーにシールされる前にパターンが付されている、ことを特徴とする請求項１８乃至１９のいずれかの１項に記載された方法。
【請求項２１】
前記パターンはタングステン及びＴｉＷのいずれか１つを含む、ことを特徴とする請求項２０に記載された方法。
【請求項２２】
前記電子パッケージは前記キャップが前記ヘッダーにシールされた後にパターンが付される、ことを特徴とする請求項１８乃至１９のいずれかの１項に記載された方法。
【請求項２３】
前記パターンは、Ａｇ、ＡｇＰｔ、Ａｕ、ＴｉＷを含む、ことを特徴とする請求項２２に記載されたヘッダー。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、特にエレクトロニクスパッケージのためのヘッダー、そのようなヘッダーを有するエレクトロニクスパッケージ、ならびにエレクトロニクスパッケージを製造するプロセスに関する。
【背景技術】
【０００２】
最先端高度技術（Ｓｔａｔｅ  ｏｆ  ｔｈｅ  Ａｒｔ）によるヘッダーは、ＳＣＨＯＴＴ北米社のＳＣＨＯＴＴエレクトロニクスパッケージングのインターネットサイトｗｗｗ．ｕｓ．ｓｃｈｏｔｔ．ｃｏｍから公知である。
このホームページのコンテンツは、その全体が本明細書に含まれる。
【０００３】
このウェブサイトから公知のヘッダーは、例えば、ガラスが充填された中空ヘッドを有するシェルつきヘッダー（例えばＳＣＨＯＴＴエレクトロニクスパッケージングのＳＣＨＯＴＴヘッダーＴＯ５またはＴＯ１８）であり得る。
あるいは、いわゆるスタンプ加工されたヘッダーは、コバールまたは金属合金（例えば合金４２）から一般に製造される中空でないヘッドを有することが公知である。
スタンプ加工されたヘッダーは、隆起したヘッドまたは平坦なヘッドを有し得る。
このタイプのヘッダーは、例えば、ＳＣＨＯＴＴ北米のホームページに示されるＳＣＨＯＴＴエレクトロニクスパッケージングの、ヘッダーＴＯ８、ＴＯ３８、ＴＯ３９、ＴＯ４１、ＴＯ４６、ＴＯ５６である。
【０００４】
上述のようなスタンプ加工されたヘッダーは、一般に３つの構成要素を含む。
スタンプ加工された金属はまた、アイレット、ガラス材料、および少なくともピンとして表される。
これらの３つの構成要素を、様々な組み合わせで組み合わせることによって、例えばトランジスタ引出口（いわゆるＴＯ）のための圧縮封止を作成する。
【０００５】
ヘッダーは、通常丸い形状を有するので、エレクトロニクスパッケージを提供するために、やはり丸い形状のキャップによって容易に相互接続することができる。
【０００６】
そのようなエレクトロニクスパッケージはまた、複数のヘッダーを有する１つのキャップを含み得る。
シェルつきヘッダーならびにスタンプヘッダーは、例えばオプトエレクトロニク素子パッケージングのプロセスにおいて追加されるキャップならびに他の電子部品と類似の熱膨張係数を有する材料から一般に製造される。
【０００７】
スタンプ加工されたヘッダーは、通常、鋼またはコバールなどの金属を含む。
【０００８】
スタンプ加工されたヘッダーの場合、穴は、スタンプ加工プロセスにおいてヘッダーの中に導入される。
スタンプ加工の後、ピンが穴に挿入され、穴は、ガラス材料を用いて公知のガラス封止技術に従って封止される。
【０００９】
スタンプ加工されたヘッダーの短所は、穴同士の間の寸法が限定されているという事実である。
スタンプ加工の後に壁が崩壊することを回避するために、金属アイレットの厚さに依存して、隣接する穴の間の最小間隔が要求される。
この条件は、金属アイレットにスタンプ加工され得る穴の総数を低減する。
【００１０】
スタンプ加工されたアイレットから製造されるヘッダーの更なる短所は、ピンを封止するために用いるガラスが、ピンを金属の中に封止するために一定の直径を必要とするということである。
この条件は、金属とガラスとピンとの間の密封結合を保証するために必要である。
従って、その外径を有するガラスもまた、アイレットの中にスタンプ加工しなければならない穴のサイズを決定するので、アイレットにおけるスタンプ加工可能な穴の数を低減する。
このことは、一方では、例えばそのヘッダーが使われるエレクトロニクスパッケージの内外に導かれる貫通接続の数を限定する。
【００１１】
更に、電子装置をガラス上に直接に搭載することは通常できないので、ピンの周囲のガラス封止もまた、電子装置をヘッダーのカバー上に搭載するために利用可能な表面積の量を限定する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
従って、本発明の目的は、上述の短所を回避することである。
特に本発明によって、ヘッダー上に電子装置を搭載するために（したがってエレクトロニクスパッケージのために）利用可能な表面積を大きくするヘッダーが提供されるはずである。
更にまた、ヘッダーを通した貫通接続の数は、最先端高度技術によるヘッダーと比較して増えるはずである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の第１態様によると、特にエレクトロニクスパッケージのためヘッダーが提供され、上記ヘッダーは、ガラス材料で充填される中空ヘッドを有し、上記ガラス材料は、少なくともピンを収容し、上記中空ヘッドは、少なくとも中空部分およびカバー部分を含み、上記中空部分および上記カバー部分は、別々の部分である。
更にまた、中空部分に充填されるガラス材料は、好ましくはガラスプリフォームである。
ガラスプリフォームは、別に製造することができる。
ガラスプリフォームは、中空部分に挿入することができ、中空部分は、ピンを収容できる予備成形物においてすでに提供されている一定の幾何学的形状および穴を有する。
【００１４】
ガラスプリフォームが中空部分に挿入された後、カバー部分は中空部分と相互接続する。
また、中空部分をカバー部分と相互接続するときに、少なくともピンは１つのプロセスステップにおいてカバー部分に電気的に接続可能である。
そのような場合、ピンは、好ましくはカバー部分より上に延びる。
カバー部分とピンとの電気的相互接続は、例えば溶接または硬ハンダ付けによって提供できる。
【００１５】
本発明によるヘッダーのカバー部分は、好ましくは中空部分とは異なる材料でできている。
【００１６】
好ましくは、中空部分は、最先端高度技術において使われるアイレット（例えばスタンプ加工されたヘッダーのアイレット）の寸法を有する。
中空部分は、金属、好ましくは、鋼、合金鋼、鉄合金、ニッケル合金、または鉄ニッケル合金から製造される。
前述の金属は、電子部品のための気密形パッケージを可能にし、電子部品は、本発明によるヘッダーと、実際の構成要素を収容するキャップとから成る。
金属材料は、例えば、抵抗溶接、レーザー溶接、プレスばめ溶接、冷間溶接法、表面制御溶接、およびコンデンサ放電溶接によって相互接続されるときに、ヘッダーとキャップとの間の気密性相互接続を可能にする。
【００１７】
ヘッダーのカバー部分は、好ましくはセラミック材料でできている。
例えばエレクトロニクスパッケージにおける電子部品は、セラミック材料のカバー部分の上に配置することができる。
【００１８】
セラミックカバー部分の外面にピンを接続するにあたって、様々な可能性がある。
第１の実施形態において、セラミックは穴を有し、この穴を通して、まさしくピンのみが、カバー部分の下部からカバー部分の上部まで貫通できる。
【００１９】
ピンを囲むのに必要なガラス材料がないので、セラミックカバー部分における対応する穴は、スタンプ加工されたヘッダーの場合よりも小さい。
このことによって、最先端高度技術の場合よりも多くのピンを収容することができる。
代替実施形態において、ピン用のコンタクトパッドは、セラミックカバー部分のピンよりも非常に小さい直径を有する穴において提供され得る。
【００２０】
一般に、セラミック上の穴同士の間の位置づけにおけるピンの数は、金属スタンプ加工の場合およびガラスにおける穴同士の位置づけの場合よりも、非常に多い。
更に、セラミックの全表面は、電子装置を収容するために好都合に準備することができる。
【００２１】
カバー部分のための材料として、例えばセラミック材料を使用することにより、例えばスタンプ加工されたヘッダーにおいて、ピンの各々を囲むためのガラス材料は必要ない。
従って、ピンの数は増加し得るが、プラトー直径は一定のままである。
このことを、以下に説明する。
【００２２】
スタンプ加工されたヘッダーは、例えば、ｗｗｗ．ｕｓ．ｓｃｈｏｔｔ．ｃｏｍ／ｅｐａｃｋａｇｉｎｇ／のホームページに開示されるヘッダーＴＯ４６（トランジスタ引出口）である。
スタンプ加工されたヘッダーＴＯ４６は、カバー部分のプラトー直径が４．２ｍｍであり、合計６本のピンを含む。
カバー部分のプラトー直径４．２ｍｍを有する本発明に係るヘッダーは、約８つのピンを含む。
本発明に係るコンセプトによって、ピンの数は８つのピンに至るまで増加し得るが、プラトー直径は４．２ｍｍの値のままである。
最先端高度技術においては、隣接するピンの間の距離は約１．２ｍｍであったが、本発明に係るヘッダーにおいては、隣接するピンの間の距離は約０．７ｍｍである。
【００２３】
本発明のさらなる態様によると、ガラス材料およびカバー部分を有する中空部分を含むヘッダーは、カバー部分および中空部分が別々の部分であり、エレクトロニクスパッケージ（例えばオプトエレクトロニク装置）に使用することができる。
本発明に係るヘッダーにおけるピンの数は、最先端高度技術よりも多いので、その入出力装置用のカバー部分における使用領域は、大幅に増加し得る。
最先端高度技術によると、入出力装置用にカバー部分の表面の約６０％しか使用できないのに対して、本発明によると、表面の約９０％を使用することができる。
【００２４】
エレクトロニクスパッケージは、ヘッダーに相互接続されるキャップを含む。
キャップは、電子部品を含み、電子部品は、キャップの範囲内、およびヘッダーのカバー部分の上に位置し得る。
キャップおよびヘッダーは、結果として気密封止されたハウジングになるような方法で相互接続される。
好ましい実施形態において、好ましくはセラミックから成るカバー部分は、印刷レイアウトにパターン化され得る。
電子部品は、印刷レイアウト上に搭載することができる。
パターンまたは印刷レイアウトは、導電ペーストまたは金属から成り得る。
例えば、セラミックカバー部分の上に回路をパターン化するステップは、エレクトロニクスパッケージのカップにヘッダーを封止する前に、またはエレクトロニクスパッケージにカップを封止した後に、行うことができる。
封止プロセスの後にパターンを作ることは、異なる用途でカバー部分の最上部の異なる設計およびレイアウトのためにヘッダーを使用できるという効果がある。
【００２５】
例えば、ヘッダーにキャップを封止する前に回路図形をパターン化するための材料としては、タングステンまたはＴｉＷを含み得る。
エレクトロニクスパッケージにヘッダーを封止した後に、セラミック部分の最上部をパターン化するために、厚膜技術または薄膜技術を用いることができる。
厚膜技術のための可能な材料は、Ａｇ、ＡｇＰｔまたはＡｕのペーストである。
薄膜技術によると、例えば薄いＴｉＷフィルムは、カバー部分の最上部をパターン化するために提供され得る。
上記のように、封止した後にパターン化することは、顧客の要求に従ってカスタマイズしたスクリーン印刷法設計を有するユニバーサルデザインの可能性につながる。
【００２６】
エレクトロニクスパッケージにおけるヘッダーの他、本発明はさらに、本発明によるヘッダーを用いてエレクトロニクスパッケージを製造するプロセスについても開示する。
【００２７】
すでに指摘したように、本発明に係るヘッダーは、最先端高度技術によるスタンプ加工されたヘッダーよりも多数のピンを実現できるという利点がある。
更に、ヘッダーのカバー部分の最上部の搭載可能な表面積が、より大きくなる。
配線を用いてセラミックカバー部分をパターン化することができるので、ボンドワイヤは従来技術に関して短くなり得る。従って、高周波適用に関連する誘電率を低減することができる。
【００２８】
好ましくは、エレクトロニクスパッケージは、オプトエレクトロニク装置において用いられる。
【００２９】
ここで、限定することなく、図面に関して本発明を説明する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
本発明によるヘッダーを、図１に示す。
本発明によるヘッダーは、中空ヘッド１を備え、中空ヘッド１は、中空部分３とカバー部分５とを備える。
カバー部分５は、セラミック材料でできている。
中空部分３は、金属（好ましくは鋼、合金鋼、鉄合金、ニッケル合金、または鉄ニッケル合金）でできている。
【００３１】
中空部分は、中空部分とは異なる材料からなるカバー部分によって覆われる。
【００３２】
中空部分は、ガラス部分７をさらに収容する。
中空部分を充填するガラス部分７は、ガラス部分７に供給されるピン９．１、９．２を収容する。
ガラス部分７は、好ましくは、ピン９．１、９．２が供給される穴１１．１、１１．２を有する予備成形物である。
図に示す実施形態においてセラミック材料でできているカバー部分もまた、中空１３．１、１３．２を備え、それらを通して、ピン９．１、９．２が、セラミック材料でできているカバー部分の上側１５に供給される。
【００３３】
全体の直径は、実質的に、ガラスプリフォームおよびカバー部分を通して供給されるピンの直径である。
【００３４】
カバー部分５は、本発明に係るヘッダーの中空部分３を覆う。
【００３５】
ガラスプリフォームは、好ましくは、周囲の中空部分の金属およびカバー部分のセラミック材料と実質的に同一の膨張係数を有するガラス材料から成る。
【００３６】
好ましくは、ガラスプリフォームは、ＳＣＨＯＴＴ北米のホームページ（材料データ表におけるＳＣＨＯＴＴエレクトロニクスパッケージング）に記載されているガラス材料から成る。
そのようなガラス材料は、ガラス番号８２５０、ガラス材料８３５０、ガラス材料８４２１、ガラス材料８４２２、ガラス材料８５３７、ガラス材料８６２９、またはガラス材料８６３０であり得る。
これらの材料の膨張係数は、９．６ｘ１０―６１／Ｋ〜５．０ｘ１０―６１／Ｋの間で変化する。
【００３７】
ＤＩＮ５２３２８に従って、２０℃〜３００℃の温度比率に関する膨張係数が与えられる。
【００３８】
カバー部分を作るセラミック材料は、好ましくは、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、または酸化ベリリウム（ＢｅＯ）であり、貫通するピン９．１、９．２に対応する穴１３．１、１３．２を有する。
窒化アルミニウム（ＡｌＮ）または酸化アルミニウムを含むカバー部分は、非常に良好な熱伝導度の効果を有する。
【００３９】
ピンは、好ましくは高い電気伝導率を有する材料で製造され、熱膨張係数は、ひび割れを回避するために、使用するガラスに適合される。
代表的な材料は、コバール合金（ＡＳＴＭ―Ｆ１５あたり）、合金４２（ＡＳＴＭ―Ｆ３０あたり）である。
【００４０】
好ましくは、中空部分３およびカバー部分５は、カバー部分５が底になり、残りの材料（例えば中空部分３）がその上にあるように組み立てられる。
中空部分３、カバー部分５、ガラスプリフォーム７、およびピン９．１、９．２が共に組み立てられた後、これらの部分は、ガラスプリフォームのガラス封止温度で封止される。
ガラスとセラミックとの間の封止は、共に組立てを保持し、ガラス材料とピン間との封止は、貫通接続の気密性を提供する。
更にまた、高いガラス封止温度で部分を共に封止する際に、例えば信号ケースを提供する中空部分の金属にピンをハンダ付けすることが可能であり、あるいはヘッダーのカバー部分の上に提供されるそれぞれの入出力装置（図示せず）にピンをハンダ付けすることが可能である。
１つ以上のピンを信号用接地に接続することも可能である。
【００４１】
図２ａおよび図２ｂは、本発明によるヘッダーの立体図である。
【００４２】
図２ａは、カバー部分５、ならびに外フランジ２０を有する中空部分３、ならびにカバー部分を通して供給される８本のピン９を示す上面図である。
図２ａに示す実施形態から明らかなように、８つのピンが提供されるが、最先端高度技術によるヘッダーは、カバー部分５のプラトー直径Ｄの同一直径内に６つのピンのみを含む。
【００４３】
図１と同一の部分は、同一の参照番号で示す。
【００４４】
図２ｂは、図２ａに示す部分の断面立体図である。
図２ｂに示すように、中空ヘッド１は、カバー部分５および中空部分３という２つの別々の部分から成る。
【００４５】
中空部分３は、ガラスプリフォーム７を含む。
カバー部分は、好ましくはセラミック材料でできている。
【００４６】
また、以前の図と同一の参照番号は、類似の部分を表す。
【００４７】
図３ａは、本発明の第１の実施形態の断面図を示し、ガラスピン１０９．１、１０９．２は、ガラスプリフォーム１０７を通して、ならびにセラミックから成るカバー部分１０５を通して供給される。
カバー部分１０５は、中空部分１０３を覆い、中空部分１０３は、好ましくはフランジ１２０を有する金属でできている。
【００４８】
図３ａは、本発明の第１の実施形態の断面図を示し、８つピンのうち、図示する２つのピン１０９．１、１０９．２は、ガラスプリフォーム１０７を通して、ならびにセラミックから成るカバー部分１０５を通して供給される。
カバー部分１０５は、中空部分１０３を覆い、中空部分１０３は、好ましくはフランジ１２０を有する金属でできている。
図３ａの実施形態の場合、カバー部分を通して供給されるピン１０９．１、１０９．２は、例えば、カバー部分の上に提供される入出力装置に、ハンダ付けによって接続することができる。
【００４９】
図３ｂは、代替的実施形態を示し、ピン２０９．１、２０９．２は、ガラスプリフォーム２０７を通して供給されるが、カバー部分２０５を通して完全には供給されない。
ピン２０９．１、２０９．２を部分的に通して供給するカバー部分２０５の２つの穴２１３．１、２１３．２は、それぞれピン２０９．１、２０９．２と同一の寸法、同一の直径を有する。
ピン２０９．１、２０９．２の上端は、例えば導電金属または導電ペースト２２２．１、２２２．２によって覆われる。
ピンの上端は、例えば上述のようなハンダ付けによって、導電ペーストを介して、ヘッダーのカバー部分の上に提供される電気装置に接続することができる。
【００５０】
図３ｃ．１は、全く異なる実施形態を示し、ピン３０９．１、３０９．２は、中空部分に挿入されるガラスプリフォーム３０７を通してのみ供給され、中空部分を覆うカバー部分を通しては供給されない。
ピン３０９．１、３０９．２は、カバー部分に固定され、カバー部分が含む領域において、ピンはカバー部分３０５に固定され、ピンより小さな直径を有する穴が提供される。
カバー部分３０５の上部３２６とピン３０９．１、３０９．２との間の導電接続を提供するために、ピン３０９．１、３０９．２より小さな直径を有する２つの穴３２４．１、３２４．２は、導電材料（例えばペースト）で充填される。
カバー部分の最上部の上にパックされる電子装置の電気は、導電材料を介してピンに向かって運ばれる。
図３ｃ．１に示す実施形態において、セラミック材料は、１つの層から成り、この層は、ピンがある位置においてセラミック材料全体を貫通する穴３２４．１、３２４．２を有する。
図３ｃ．２に示すさらに柔軟な実施形態において、セラミック材料は、複数の層（例えば図示するように２つの層３０５．１、３０５．２）から成る。
このことは、例えば、導電材料で充填される穴３２４．１が、２つの部分（第１部分３２４．１．ａおよび第２部分３２４．１．ｂ）から成り得るという効果がある。
第１部分３２４．１．ａは、導電的に第２部分３２４．２．ｂに接続するが、図示するように第１部分３２４．１．ａとは離れている。
このことは、電子装置（例えばヘッダーのカバー部分に搭載される入出力装置）を、装置が接続されるピンとは異なる位置に配置できるという利点を提供する。
このことは、顧客のニーズに適合されるカバー部分の表面における電子装置の任意の分布を可能にする。
【００５１】
図３ｂ、図３ｅ、図３ｆ．１および図３ｆ．２は、原則として、図３ａ、図３ｂ、図３ｃ．１および図３ｃ．２と同一の実施形態を示すが、相違点として、図３ｄ、図３ｅ、図３ｆに示す実施形態は、８つの導電ピン、ならびに熱ピン４３０、５３０、６３０を含み、これらは、ガラスプリフォーム４０７、５０７、６０７を通して供給されるが、カバー部分を通して供給されない。
熱ピン４３０、５３０、６３０は、ガラスプリフォーム４０７、５０７および６０７を通して良好な熱伝導性を提供する。
熱ピン４３０、５３０、６３０は、カバー部分のセラミック材料に、熱的に接続される。
好ましくは、熱ピンは、以下の材料でできている。
ＡｌＮ、
ＣｕＷ
コバール、または
ＳｉＣ。
【００５２】
最も好ましくは、熱ピンは、カバー部分自体と同一の材料でできている。
熱ピンによって、熱を取り除くことができる。
【００５３】
図３ｄ〜図３ｆ．２による実施形態が熱ピンを含むという相違点は別として、図３ｄは図３ａに一致し、図３ｅは図３ｂに一致し、図３ｆ．１は図３ｃ．１に一致し、図３ｆ．２は図３ｃ．２に一致する。
【００５４】
これらの図において同一の部分は、同一の参照番号によって表される。
本発明の最も好ましい実施形態は、実施形態３ｃ．１、３ｃ．２、３ｆ．１および３ｆ．２である。
これは、ピンのサイズが、カバー部分に搭載される電子装置への接続のサイズを決定しないという事実による。
例えば、導電材料で充填される穴の直径は、約２００μｍであり得るが、電気伝導ピンの直径は、約４００μｍである。
このことは、導電材料で充填される穴の直径が、ピンの直径のおおよそ半分であることを意味する。
これによって、カバー部分に搭載される計測電気部品を、より高密度にパックすることができる。
【００５５】
図４ａおよび図４ｂに、最先端高度技術によるヘッダーを示す。
図４ａは、いわゆるシェルつきヘッダー１０００を示す。
シェルつきヘッダー１０００は、中空体１００３を含む単一の金属部分である中空ヘッド部分、ならびにカバー本体１００５を含む。
最先端高度技術によるシェルつきヘッダーが１つの部分のみを含むという事実は別として、このヘッダーは、ガラスプリフォームを含まず、ガラス材料１００７によって完全に充填される。
更に、ガラス材料はまた、ヘッダーの最上部１０２４を通して供給されるピン１００９を囲む。
【００５６】
前に指摘したように、図４ａに従う実施形態においてカバーを通して供給されるピン１００９は、ガラス材料によって囲まれる。
前述のように、ガラス材料がピンを囲む領域において、ヘッダーの最上部１０２４上に任意の電子装置を搭載することは不可能である。
【００５７】
図４ｂに、最先端高度技術によってスタンプ加工されたヘッダー２０００を示す。
スタンプ加工されたヘッダーは、一般にコバール（ＡＳＴＭ  Ｆ１５）または合金４２（ＡＳＴＭ  Ｆ３０）から製造される固体２００２を有する。
スタンプ加工されたヘッダーは、スタンプ加工された穴２０１０を有するヘッドを有し、穴２０１０を通してピン２００９が供給される。
穴２０１０の中で、ピン２００９がガラス材料２００７によって囲まれており、このことは、シェルつきヘッダーについて前述したものと同一の短所をもたらす。
【００５８】
図５は、ヘッダーが電子部品用の気密形パッケージの部分になる方法を示す。
エレクトロニクスパッケージは、ヘッダーを含み、このヘッダーは、図４ａおよび図４ｂによる従来のヘッダー、または図１〜図３ｆ．２に示す本発明のヘッダーであり得る。
【００５９】
ヘッダーは、エレクトロニクスパッケージのいわゆるベースプレート３０００である。
構成要素（図示せず）は、ベースプレート３０００に搭載される。
更にまた、エレクトロニクスパッケージは、電子部品を収容するいわゆるキャップ３１００を含む。
キャップ３１００およびヘッダー３０００は、密封して相互接続され、さらにまた、相互接続も厳重な真空である。
ヘッダー３０００がキャップ３１００と相互接続される領域において、ヘッダーは金属を含む。
キャップは、以下のような様々なプロセスによってヘッダーと相互接続できる。
抵抗溶接
レーザー溶接
締り嵌溶接
冷間溶接
ハンダ付け
【００６０】
キャップをヘッダーと相互接続する最も一般的な技術は、位相制御溶接またはコンデンサ放電溶接として使用できる抵抗溶接技術である。
【００６１】
従って、本発明によるヘッダーは、エレクトロニクスパッケージにおいて使用する際に、カバー部分の同一のプラトー直径を有する最先端高度技術のヘッダーよりも大きい取り付け可能な表面積を電子部品に提供する。
更にまた、プラトー直径が変化しないので、すべての処理ステップ（例えばエレクトロニクスパッケージを製造するためのキャップ溶接など）は残るが、より大量の電子装置をカバー部分に搭載することができる。
更にまた、本発明の一部の実施形態は、電子部品が関連づけられる電気伝導ピンの位置から独立して、カバー部分の上の電子部品または装置の位置を自由に分布させることを可能にする。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】本発明に係るヘッダーの断面図である。
【図２ａ】本発明にかかるヘッダーの立体図である。
【図２ｂ】本発明にかかるヘッダーの立体図である。
【図３ａ】本発明に係るヘッダーの他の実施例の断面図である。
【図３ｂ】本発明に係るヘッダーの他の実施例の断面図である。
【図３ｃ．１】本発明に係るヘッダーの他の実施例の断面図である。
【図３ｃ．２】本発明に係るヘッダーの他の実施例の断面図である。
【図３ｄ】本発明に係るヘッダーの他の実施例の断面図である。
【図３ｅ】本発明に係るヘッダーの他の実施例の断面図である。
【図３ｆ．１】本発明に係るヘッダーの他の実施例の断面図である。
【図３ｆ．２】本発明に係るヘッダーの他の実施例の断面図である。
【図４ａ】最先端高度技術におけるヘッダーの断面図である。
【図４ｂ】最先端高度技術におけるヘッダーの断面図である。
【図５】キャップによりシールされた最先端高度技術におけるヘッダーの詳細な断面図である。
【図１】
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【図２ａ】
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【図２ｂ】
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【図３ａ】
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【図３ｂ】
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【図３ｃ．１】
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【図３ｃ．２】
2008311659.tif 000009
【図３ｄ】
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【図３ｅ】
2008311659.tif 000011
【図３ｆ．１】
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【図３ｆ．２】
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【図４ａ】
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【図４ｂ】
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【図５】
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【外国語明細書】
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