(57)【要約】【課題】固体撮像装置において、光電変換部に入射する光の劣化を生じることなく、白点の発生確率の低減を図る。【解決手段】固体撮像装置１を、光電変換部が、半導体基板の表面側に設けられ、半導体基板内の金属不純物を光電変換部から離隔するゲッタリングサイトが、半導体基板から離れて裏面側に設けられた構成とする。【選択図】図１
2008172005.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に、電荷蓄積領域を含む光電変換部と、該光電変換部で得られた電荷を読み出すトランジスタと、を有する画素が、複数、２次元マトリクス状に配列されて撮像領域を構成する固体撮像装置であって、
前記光電変換部が、前記半導体基板の表面側に設けられ、
前記半導体基板内の金属不純物を、少なくとも前記光電変換部から離隔するゲッタリングサイトが、前記半導体基板から離れて裏面側に設けられている
ことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】
前記光電変換部が、前記半導体基板の表面側に設けられ、
前記トランジスタが、前記半導体基板から離れて裏面側に設けられている
ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記ゲッタリングサイトが、エピタキシャル成長によって形成された
ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項４】
前記ゲッタリングサイト、バイアスが印加されている
ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項５】
前記ゲッタリングサイトが、前記撮像領域の外周部に設けられている
ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項６】
固体撮像装置を備えた電子モジュールであって、
前記固体撮像装置が、
半導体基板上に、電荷蓄積領域を含む光電変換部と、該光電変換部で得られた電荷を読み出すトランジスタと、を有する画素が、複数、２次元マトリクス状に配列されて撮像領域を構成する固体撮像装置であって、
前記光電変換部が、前記半導体基板の表面側に設けられ、
前記半導体基板内の金属不純物を、少なくとも前記光電変換部から離隔するゲッタリングサイトが、前記半導体基板から離れて裏面側に設けられている
ことを特徴とする電子モジュール。
【請求項７】
固体撮像装置を備えた電子機器であって、
前記固体撮像装置が、
半導体基板上に、電荷蓄積領域を含む光電変換部と、該光電変換部で得られた電荷を読み出すトランジスタと、を有する画素が、複数、２次元マトリクス状に配列されて撮像領域を構成する固体撮像装置であって、
前記光電変換部が、前記半導体基板の表面側に設けられ、
前記半導体基板内の金属不純物を、少なくとも前記光電変換部から離隔するゲッタリングサイトが、前記半導体基板から離れて裏面側に設けられている
ことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、固体撮像装置と、この固体撮像装置を有する電子モジュール及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
フォトダイオードを含む光電変換素子を有する画素が、２次元マトリクス状に多数配列された固体撮像装置が知られている。
このような固体撮像装置としては、読み出しや転送の方式に対応して、ＣＭＯＳ(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor)型の固体撮像装置や、ＣＣＤ（Charge-Coupled Device）型の固体撮像装置が挙げられる。
特に、ＣＭＯＳ型の固体撮像装置は、近年の半導体製造プロセスの進歩により、特性の優れた装置が多く開発されるようになったため、注目されている。
【０００３】
図６は、従来のＣＭＯＳ型固体撮像装置の構成を示す概略構成図である。このＣＭＯＳ型固体撮像装置１０１は、第１導電型、例えばＮ型のシリコン半導体基板１０２に、第２導電型であるＰ型の半導体ウェル領域１０３が形成され、このＰ型半導体ウェル領域１０３の画素分離領域１１０で区画された単位画素領域に、光電変換素子となるフォトダイオード１０５及び複数のＭＯＳトランジスタからなるＭＯＳトランジスタ群１０６を有する。
フォトダイオード１０５は、画素分離領域１１０及びＰ型半導体ウェル領域１０３で囲まれたＮ型半導体領域で形成される。すなわち、表面から深い位置にある低不純物濃度のＮ型半導体領域（Ｎ−半導体領域）１１１と表面側の高不純物濃度のＮ型半導体領域（Ｎ＋半導体領域）１１２により形成される。さらにＮ＋半導体領域１１２の表面側の界面に、暗電流発生を抑制するための高不純物濃度のＰ型半導体領域からなるＰ＋アキュミュレーション層１１３が形成される。このフォトダイオード１０５は、いわゆるＨＡＤ（Hole Accumulation Diode）センサとして構成されている。
【０００４】
ＭＯＳトランジスタ群１０６は、フォトダイオードに接続された読出しトランジスタ１０７と、その他のＭＯＳトランジスタ１０８で構成される。
読出しトランジスタ１０７は、Ｐ型半導体ウェル領域１０３に形成されたＮ＋ソース・ドレイン領域１１４と、フォトダイオード１０５のＮ＋半導体領域１１２と、Ｎ＋ソース・ドレイン領域１１４及びフォトダイオード１０５間の基板表面にゲート絶縁膜を介して形成したゲート電極１１８とにより形成される。
他のＭＯＳトランジスタ１０８は、Ｐ型半導体ウェル領域１０３に形成されたＮ＋ソース・ドレイン領域１１５及び１１６と、両Ｎ＋ソース・ドレイン領域１１５及び１１６間の基板表面にゲート絶縁膜を介して形成したゲート電極１１９とにより形成される。例えば４つのＭＯＳトランジスタで構成される場合には、読出しトランジスタ、リセットトランジスタ、アンプトランジスタ及び垂直選択トランジスタで構成される。さらに、基板表面上には、層間絶縁膜１２３を介して多層の配線層１２５が形成される。また、カラーフィルタ及びオンチップレンズ（図示せず）等も形成される。
【０００５】
フォトダイオード１０５に入射する光は、信号電荷蓄積、読出し動作を行うＭＯＳトランジスタが形成されている基板表面側から照射される。このような表面照射型のＣＭＯＳ型固体撮像装置１０１においては、基板表面側フォトダイオード１０５への集光効率を上げるために反射防止膜１２６が形成される。表面照射型のＣＭＯＳ型固体撮像装置１０１では、フォトダイオード、ＭＯＳトランジスタ群及び配線層などの経時劣化を防止するための保護膜と、その下の層間絶縁膜などにより、通常４層以上のシリコン酸化（ＳｉＯ）膜、シリコン窒化（ＳｉＮ）膜がフォトダイオード１０５上に設けられることになる。
【０００６】
ところで、このような固体撮像装置の製造において、半導体基板の内部に金属、特に重金属等の不純物が混入していると、製造された半導体デバイスの品質や特性が著しく低減してしまう。
不純物混入の原因としては、半導体基板を製造する過程において使用する水や各種ガスに不純物が含まれていたり、或いは使用する装置の構成部材から不純物が発生することによるものであると考えられるが、これらの不純物を完全に除去するには限界があり、不純物が全く混入していない半導体基板を製造することは困難である。
【０００７】
そこで、半導体基板の内部に混入された不純物を捕獲し、固定する機能を有するゲッタリングサイトを半導体基板の内部に形成し、同ゲッタリングサイトで半導体基板の表面近傍の不純物を捕獲し固定することによって、半導体基板の表面近傍から不純物を除去するゲッタリングが行われている（例えば特許文献１参照）。
このようなゲッタリングの例としては、半導体基板の内部に層状にゲッタリングサイトを形成する内部ゲッタリング（ＩＧ：Intrinsic Gettering）や、半導体基板の裏面にゲッタリングサイトを形成する外部ゲッタリング（ＥＧ：Extrinsic Gettering）が挙げられる。
【０００８】
しかしながら、このようなゲッタリングサイトによるのみの従来構成においては、不純物を捕獲し固定するゲッタリング能力が充分とは言い難い。また、いったんゲッタリングサイトで捕獲された不純物が、後になってゲッタリングサイトからフォトダイオードへ流出してしまうおそれもあり、白点の発生確率も高まってしまう。
【特許文献１】特開２００６−９３１７５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明はこのような問題に鑑みてなされたものであって、その目的は、不純物に対するゲッタリング能力の高いゲッタリングサイトを有する固体撮像装置と、この固体撮像装置を有する電子機器とを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明に係る固体撮像装置は、半導体基板上に、電荷蓄積領域を含む光電変換部と、この光電変換部で得られた電荷を読み出すトランジスタと、を有する画素が、複数、２次元マトリクス状に配列されて撮像領域を構成する固体撮像装置であって、前記光電変換部が、前記半導体基板の表面側に設けられ、前記半導体基板内の金属不純物を、少なくとも前記光電変換部から離隔するゲッタリングサイトが、前記半導体基板から離れて裏面側に設けられていることを特徴とする。
【００１１】
本発明に係る電子モジュールは、固体撮像装置を備えた電子モジュールであって、前記固体撮像装置が、半導体基板上に、電荷蓄積領域を含む光電変換部と、光電変換部で得られた電荷を読み出すトランジスタと、を有する画素が、複数、２次元マトリクス状に配列されて撮像領域を構成する固体撮像装置であって、前記光電変換部が、前記半導体基板の表面側に設けられ、前記半導体基板内の金属不純物を、少なくとも前記光電変換部から離隔するゲッタリングサイトが、前記半導体基板から離れて裏面側に設けられていることを特徴とする。
【００１２】
本発明に係る電子機器は、固体撮像装置を備えた電子機器であって、前記固体撮像装置が、半導体基板上に、電荷蓄積領域を含む光電変換部と、光電変換部で得られた電荷を読み出すトランジスタと、を有する画素が、複数、２次元マトリクス状に配列されて撮像領域を構成する固体撮像装置であって、前記光電変換部が、前記半導体基板の表面側に設けられ、前記半導体基板内の金属不純物を、少なくとも前記光電変換部から離隔するゲッタリングサイトが、前記半導体基板から離れて裏面側に設けられていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明に係る固体撮像装置によれば、光電変換部が、半導体基板の表面側に設けられ、半導体基板内の金属不純物を光電変換部から離隔するゲッタリングサイトが半導体基板から離れて裏面側に設けられている。したがって、光電変換部に入射する光がゲッタリングサイトに影響されることを回避できるとともに、白点の発生確率の低減が図られる。
【００１４】
本発明に係る電子モジュールによれば、この電子モジュールを構成する固体撮像装置において、光電変換部が、半導体基板の表面側に設けられ、半導体基板内の金属不純物を光電変換部から離隔するゲッタリングサイトが半導体基板から離れて裏面側に設けられている。したがって、優れた特性を有する電子モジュールを得ることができる。
【００１５】
本発明に係る電子機器によれば、この電子機器を構成する固体撮像装置において、光電変換部が、半導体基板の表面側に設けられ、半導体基板内の金属不純物を光電変換部から離隔するゲッタリングサイトが半導体基板から離れて裏面側に設けられている。したがって、優れた特性を有する電子機器を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。
本実施形態においては、裏面側（配線部とは反対側）から光電変換部への光照射がなされる構成を有する、所謂裏面照射型のＣＭＯＳ型固体撮像装置における場合を例として説明を行う。
【００１７】
図１Ａは、本実施形態に係る固体撮像装置１の、２次元マトリクス状に配列されて撮像領域を構成する画素２のうちの１つを示す、上面図である。なお、この上面図では、便宜のために、半導体基板２１を露出させ、裏面側から示している。
この固体撮像装置１において、画素２は、電荷蓄積領域を含む光電変換部３と、この光電変換部２で得られた電荷を読み出すトランジスタなどが設けられた配線部４とを有する。本実施形態において、配線部４は、図中にゲート電極で模式的に示すように、読み出しトランジスタ５と、リセットトランジスタ６と、増幅トランジスタ７とを有する。
【００１８】
図１Ｂに、図１Ａにおけるａ−ａ´面での断面図を示す。
本実施形態に係る固体撮像装置１においては、光電変換部３の要部となるフォトダイオードが、この固体撮像装置１の半導体基板（シリコン層）２１に対して表面側（図１Ａにおいては紙面に対して奥側；破線図示）に設けられているのに対し、配線部４を構成する読み出しトランジスタのゲート電極５、リセットトランジスタのゲート電極６、増幅トランジスタのゲート電極７は、半導体基板に対して裏面側（図１Ａでは紙面に対して手前側）に設けられている。すなわち、本実施形態に係る固体撮像装置１は、裏面照射型の固体撮像装置である。
そして、本実施形態に係る固体撮像装置１においては更に、例えば後述するようにエピタキシャル成長とイオン注入によって形成されるゲッタリング積層部８が、各トランジスタのゲート電極５〜７と同様に、裏面側に形成されている。
【００１９】
本実施形態において、ゲッタリング積層部８は、後述するように、半導体基板（シリコン層）２１の内部に、炭素または炭素とリンを含有する、ゲッタリングサイト８ａを有している。
このゲッタリングサイト８ａの位置は、光電変換部３との距離、つまり深さ（垂直距離）とズレ（水平距離）の和が、０．２μｍ以上、可能であれば０．３μｍ以上、離れた位置とされることが好ましい。このように離して配置することにより、ゲッタリングした不純物が光電変換部３に流入することをより確実に回避でき、白点の発生確率も低減できる。なお、後述する製造過程における配線層等の形成を容易に行うために、ゲッタリング積層部８は、半導体基板（シリコン層）２１から１μｍ以下の高さとされることが好ましいため、この高さを考慮してゲッタリングサイト８ａの位置を選定することが、特に好ましいと考えられる。
また、このゲッタリング積層部８には、バイアスが印加されていることが好ましい。暗電流の発生を抑制できるためである。
【００２０】
図１Ｃに、図１Ａにおけるｂ−ｂ´面での断面図を示す。
本実施形態に係る固体撮像装置１は、ゲッタリング積層部８を含まないｂ−ｂ´断面において、表面側（図中では下側）から順に、層間絶縁膜１１中に設けられた複数層の配線層１２と、Ｐ型やＮ型の不純物領域を内包する半導体基板（シリコン層）２１と、反射防止膜２８と、カラーフィルタ９と、オンチップレンズ１０とが形成されて構成されている。
層間絶縁膜１１と半導体基板２１との間には、ゲート絶縁膜となる薄い絶縁膜（図示せず）が形成され、この絶縁膜の表面側に、電荷を読み出すためのゲート電極５が設けられている。
【００２１】
半導体基板（シリコン層）２１内には、光電変換部３のフォトダイオードを構成するＮ型領域１７が厚さ方向に厚く形成されており、Ｎ型領域１７の表面側に正電荷蓄積領域（Ｐ＋領域）１６が形成されている。また、ゲート電極５の下の読み出し領域を介して、Ｎ型のフローティングディフュージョン（ＦＤ）１５が形成されている。
これら、ゲート電極５と、Ｎ型領域１７の先端部と、フローティングディフュージョン１５とにより、読み出しトランジスタが構成される。動作時には、ゲート電極５をオン状態にすることにより、電荷ｅ−がフローティングディフュージョン１５に読み出される。
【００２２】
本実施形態に係る固体撮像装置１の構成によれば、裏面照射型の固体撮像装置であることから、オンチップレンズ１０と半導体基板（シリコン層）２１との間に配線層１２がなく、ゲッタリング積層部８も配線層１２と同じ側に設けられている。
したがって、ゲッタリングサイトを有するにもかかわらず、入射光のケラレを生じることなく、入射光量を増すことができる。また、光電変換部３の面積を増やしたりＮ型領域１７のパターン形状を光が入射し易いように設定したりすることや、感度の向上を図ることができる。また、周辺画素におけるシェーディングの発生を抑制することが可能となる。
【００２３】
また、本実施形態に係る固体撮像装置１においては、隣接する画素の光電変換部３のＮ型領域１７の間に、画素分離領域として、Ｐ＋領域（高濃度のＰ型領域）１８が深さ方向の全体にわたって形成されている。これにより、各画素のＮ型領域１７を電気的に分離して、隣接する画素間における電気的混色を防止することができる。
さらに、本実施の形態の固体撮像装置１においては、Ｎ型領域１７の裏面側、即ちカラーフィルタ９側にも、Ｐ＋領域１９が形成されている。これにより、界面準位に起因する暗電流も低減することができる。
【００２４】
次に、本実施形態に係る固体撮像装置の、製造方法の一例について説明する。
【００２５】
まず、図２Ａに示すように、シリコン基板２３の表面側に、ＳｉＯ２による中間層２２を介してシリコン層２１が所定の厚さで形成されている、ＳＯＩ基板２４を用意する。
このＳＯＩ基板２４のシリコン層２１内に、フォトダイオードを構成するＮ型領域１７と、裏面側のＰ＋領域１９と、表面側のＰ＋領域１６と、フローティングディフュージョン１５となるＮ型領域を、それぞれイオン注入により形成する。また、併せてカラーフィルタやオンチップレンズの位置合わせのための合わせマーク２６も形成する。なお、Ｎ型領域１７は、上部と下部のパターンが異なるので、例えば下部を形成するイオン注入と上部を形成するイオン注入との２回に分けて形成する。
このとき、シリコン層２１の厚さが５μｍ以下である場合には、図示しないフォトレジストをマスクとして用いてイオン注入を行うことができるが、シリコン層２１の厚さが５μｍを超える場合には、酸化膜等によるハードマスクを用いて比較的高いエネルギーでイオン注入を行う必要がある。
【００２６】
ここで、最終的にゲッタリング積層部８が形成される箇所（図１Ｂ参照）において、図３Ａに示すように、例えばＣａｐ膜３１を形成して所定位置に開口を形成した後、エピタキシャル成長によってゲッタリング積層部８を形成する。
続いて、イオン注入により、ゲッタリング積層部８及びＣａｐ膜３１の所定の深さに、炭素または炭素及びリンを打ち込んで、図３Ｂに示すように、ゲッタリング積層部８内に、ゲッタリングサイト８ａを形成する。
続いて、図３Ｃに示すように、Ｃａｐ膜３１を除去する。
【００２７】
このようにしてゲッタリング積層部８を形成した後、図２Ｂに示すように、シリコン層２１の上に前面的に、層間絶縁膜１１を介して多層の配線層１２が形成されて成る配線部４を形成する。更に、図示しないが、配線部４の上面に保護膜を形成する。この保護膜は、配線部４が吸湿して配線層１２に悪影響を及ぼさないようにするためのものであり、例えばプラズマＣＶＤ法でシリコン窒化膜を形成する。
【００２８】
続いて、図２Ｃに示すように、支持基板３２を用意してその一面に接着層３３を形成し、この接着層３３を介して、支持基板３２を配線部１２を内包する層間絶縁膜１１の上に接着する。そして、４００℃以下の熱処理を施すことにより、接着を行う。この熱処理は、配線層１２を形成した後であるため、配線層１２に影響しないよう、４００℃以下の低温で行う。この場合の接着層３３としては、ＳＯＧ（スピン・オン・グラス）や、金属接合が可能な金属層を用いることができる。
【００２９】
続いて、図４Ａに示すように、ウエハを反転させ、例えば、バックグラインド法や、ＣＭＰ法や、ウエットエッチング等により、裏面側をエッチングして、ＳＯＩ基板２４のシリコン基板２３と中間層（ＳｉＯ２膜）２２を除去し、図４Ｂに示すように、シリコン層２１を露出させる。
【００３０】
続いて、図示しないがシリコン層２１の上面を酸化して酸化膜を形成する。
その後、図４Ｃに示すように、シリコン層２１の上に反射防止膜２８を形成し、その上にカラーフィルタ９及びオンチップレンズ１０を順次形成する。なお、図示しないが、外部端子接続用等のパッド電極の形成も行う。
このようにして、本実施形態に係る裏面照射型の固体撮像装置１を製造する。
【００３１】
次に、本発明に係る電子モジュール及び本発明に係る電子機器の、実施の形態を説明する。
【００３２】
図５は、本実施形態に係る電子モジュール及び電子機器の模式図である。
本実施形態に係る電子機器（例えばカメラ）４０は、固体撮像装置１、光学レンズ系４１、入出力部４２、信号処理装置（Digital Signal Processors）４３、光学レンズ系制御用の中央演算装置（ＣＰＵ）４４を有する。なお、固体撮像装置１、光学レンズ系４１及び入出力部４２のみで電子モジュール（例えばカメラモジュール）４５を形成することもできるし、固体撮像装置１、光学レンズ系４１、入出力部４２及び信号処理装置（Digital Signal Processors）４３をのみで電子モジュール（例えばカメラモジュール）４６を構成することもできる。
【００３３】
以上の実施の形態及び実施例で説明したように、本実施形態に係る固体撮像装置によれば、光電変換部が、半導体基板の表面側に設けられ、半導体基板内の金属不純物を光電変換部から離隔するゲッタリングサイトが半導体基板から離れて裏面側に設けられている。したがって、光電変換部に入射する光がゲッタリングサイトに影響されることを回避できるとともに、白点の発生確率の低減が図られる。
また、本実施形態に係る電子モジュールによれば、この電子モジュールを構成する固体撮像装置において、光電変換部が、半導体基板の表面側に設けられ、半導体基板内の金属不純物を光電変換部から離隔するゲッタリングサイトが半導体基板から離れて裏面側に設けられている。したがって、優れた特性を有する電子モジュールを得ることができる。
また、本実施形態に係る電子機器によれば、この電子機器を構成する固体撮像装置において、光電変換部が、半導体基板の表面側に設けられ、半導体基板内の金属不純物を光電変換部から離隔するゲッタリングサイトが半導体基板から離れて裏面側に設けられている。したがって、優れた特性を有する電子機器を得ることができる。
【００３４】
また、従来の裏面照射型のＣＭＯＳ型固体撮像装置においては、光が入射する側にゲッタリングサイトが設けられていると、入射光のケラレを生じるために特性の低下を招くおそれがあったが、本実施形態に係る固体撮像装置においては、ゲッタリングサイトによる入射光のケラレ等を抑制できる。したがって、本発明構成は、特に裏面照射型の固体撮像装置において優れた固体撮像装置を構成することができると考えられる。
なお、裏面照射型のＣＭＯＳ型固体撮像装置によれば、表面照射型の装置で生じるような、配線層等の障害物により入射光のケラレを生じるなどの問題を回避することもできる。したがって、本実施形態に係る固体撮像装置においては、ゲッタリングサイトによるケラレの回避と併せて、感度の向上やシェーディングの抑制も図られる。
【００３５】
すなわち、このような裏面照射型のＣＭＯＳ固体撮像装置は、光が配線層等の障害物の影響を受けないため、実効開口率の向上などによる感度の改善を図ることができる。
また、配線層を光電変換部上に形成しても入射光が遮られないため、配線層のレイアウトの自由度が高くなる。これにより、配線層を多層に形成して画素の面積を縮小することにより、素子の高集積化を図ることができる。
【００３６】
また、図示しないが、本実施形態に係る固体撮像装置において、ゲッタリング積層部８は、複数の画素が２次元マトリクス状に配列されて構成される撮像領域の、内部ではなく外周部に設けられることが好ましい。
撮像領域の内部（例えば各画素の分離領域）に設けられる場合に比べ、各画素における面積の一部をゲッタリング積層部８が占有することを回避でき、画素の微細化を図ることも可能となるためである。
【００３７】
なお、以上の実施の形態の説明で挙げた使用材料及びその量、処理時間及び寸法などの数値的条件は好適例に過ぎず、説明に用いた各図における寸法形状及び配置関係も概略的なものである。すなわち、本発明は、この実施の形態に限られるものではない。
【００３８】
例えば、前述の実施の形態では、ゲッタリング積層部８の形成後に配線層１２の形成を行う例を説明したが、予め配線層１２及び層間絶縁膜１１を形成した後、層間絶縁膜１１の所定箇所に開口を形成した後、ゲッタリング積層部８の形成を行っても良い。
また、例えば、前述の実施形態における製造方法の例では説明及び図示を省略したが、光電変換部を構成する半導体領域の形成を行う際に、周辺回路部の半導体領域（例えばトランジスタを構成する半導体領域など）や配線などを同時に形成することも可能であるなど、本発明は、種々の変更及び変形をなされうる。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】Ａ〜Ｃ  それぞれ、本発明に係る固体撮像装置の一例における、画素の概略構成を示す上面図と、ａ−ａ´面での断面図と、ｂ−ｂ´面での断面図である。
【図２】Ａ〜Ｃ  本発明に係る固体撮像装置の、製造方法の一例の説明に供する工程図である。
【図３】Ａ〜Ｃ  本発明に係る固体撮像装置の、製造方法の一例の説明に供する工程図である。
【図４】Ａ〜Ｃ  本発明に係る固体撮像装置の、製造方法の一例の説明に供する工程図である。
【図５】本発明に係る電子モジュール及び電子機器の、一例の構成を示す模式図である。
【図６】従来の固体撮像装置の構成を示す概略断面図である。
【符号の説明】
【００４０】
１・・・固体撮像装置、２・・・画素、３・・・光電変換部、４・・・配線部、５・・・読み出しトランジスタ（ゲート）、６・・・リセットトランジスタ（ゲート）、７・・・増幅トランジスタ（ゲート）、８・・・ゲッタリング積層部、８ａ・・・ゲッタリングサイト、９・・・カラーフィルタ、１０・・・オンチップレンズ、１１・・・層間絶縁膜、１２・・・配線層、１４・・・ゲート電極、１５・・・フローティングディフュージョン、１６，１８，１９・・・Ｐ＋領域、１７・・・Ｎ型領域、２１シリコン層、２２・・・中間層、２３・・・シリコン基板、２４・・・ＳＯＩ基板、２６・・・合わせマーク、２８・・・反射防止膜、３１・・・Ｃａｐ膜、３２・・・支持基板、３３・・・接着層、４０・・・電子機器、４１・・・光学レンズ系、４２・・・入出力部、４３・・・信号処理装置、４４・・・中央演算装置、４５，４６・・・電子モジュール
【図１】
2008172005.tif 000003
【図２】
2008172005.tif 000004
【図３】
2008172005.tif 000005
【図４】
2008172005.tif 000006
【図５】
2008172005.tif 000007
【図６】
2008172005.tif 000008
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月14日(2008.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
図１Ａは、本実施形態に係る固体撮像装置１の、２次元マトリクス状に配列されて撮像領域を構成する画素２のうちの１つを示す、上面図である。なお、この上面図では、便宜のために、半導体基板２１を露出させ、裏面側から示している。
この固体撮像装置１において、画素２は、電荷蓄積領域を含む光電変換部３と、この光電変換部３で得られた電荷を読み出すトランジスタなどが設けられた配線部４とを有する。本実施形態において、配線部４は、図中にゲート電極で模式的に示すように、読み出しトランジスタ５と、リセットトランジスタ６と、増幅トランジスタ７とを有する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
図１Ｃに、図１Ａにおけるｂ−ｂ´面での断面図を示す。
本実施形態に係る固体撮像装置１は、ゲッタリング積層部８を含まないｂ−ｂ´断面において、Ｐ型やＮ型の不純物領域を内包する半導体基板（シリコン層）２１の表面側に、層間絶縁膜１１中に設けられた複数層の配線層１２が形成され、半導体基板２１の裏面側に、順に反射防止膜２８と、カラーフィルタ９と、オンチップレンズ１０とが形成されて構成されている。
層間絶縁膜１１と半導体基板２１との間には、ゲート絶縁膜となる薄い絶縁膜（図示せず）が形成され、この絶縁膜の表面側に、電荷を読み出すためのゲート電極５が設けられている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
このようにしてゲッタリング積層部８を形成した後、図２Ｂに示すように、シリコン層２１の上に全面的に、層間絶縁膜１１を介して多層の配線層１２が形成されて成る配線部４を形成する。更に、図示しないが、配線部４の上面に保護膜を形成する。この保護膜は、配線部４が吸湿して配線層１２に悪影響を及ぼさないようにするためのものであり、例えばプラズマＣＶＤ法でシリコン窒化膜を形成する。