(57)【要約】【課題】個片化された半導体基板の裏面と側面を保護・補強できるとともに、個片化のときの保護材のはがれや欠けによる問題を回避する。【解決手段】個片化された半導体基板２の一方の面３に電極を備え、該半導体基板２の他方の面４及び側面５には、同一部材からなる保護層６が形成されている半導体装置１とする。このような保護層６は、個片化された半導体基板２を覆うように保護層を構成する材料１６を塗布したのち、個片化された半導体基板２に対応した凹部１８を有するプレス型１７を用いて基台１１上の半導体基板２が凹部１８内に入るように基台１１との間でプレス加工することにより製造することができる。【選択図】図１
2008016606.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
個片化された半導体基板の一方の面に電極を備え、前記半導体基板の他方の面及び側面には、同一部材からなる保護層が形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記保護層は遮光性の材料からなることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
一方の面に電極を備えかつ個片化された半導体基板の電極面と基台とが対向するように基台上に載置された半導体基板を準備する工程と、
前記個片化された半導体基板を覆うように、保護層を構成する材料を塗布する工程と、
個片化された半導体基板に対応した凹部を有するプレス型を、前記基台上の半導体基板が凹部内に入るように前記基台に対してプレスし、前記半導体基板の他方の面及び側面に同一部材からなる保護層を成形する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
一方の面に電極を備えたウエハ状の半導体基板を個片化する工程と、
前記個片化された半導体基板の電極面と基台とが対向するように前記半導体基板を基台上に載置する工程と、
載置後に前記個片化された半導体基板を覆うように、保護層を構成する材料を塗布する工程と、
個片化された半導体基板に対応した凹部を有するプレス型を、前記基台上の半導体基板が凹部内に入るように前記基台に対してプレスし、前記半導体基板の他方の面及び側面に同一部材からなる保護層を成形する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
一方の面に電極を備えたウエハ状の半導体基板を、電極面と基台とが対向するように基台上に載置する工程と、
前記基台上の半導体基板を個片化する工程と、
前記個片化された半導体基板を覆うように、保護層を構成する材料を塗布する工程と、
個片化された半導体基板に対応した凹部を有するプレス型を、前記基台上の半導体基板が凹部内に入るように前記基台に対向させてプレス加工し、前記半導体基板の他方の面及び側面に同一部材からなる保護層を成形する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記プレス加工と同時に前記保護層の硬化を行うことを特徴とする請求項３〜５のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体基板を備える半導体装置に関し、特に基板の裏面及び側面の保護に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、基板にフリップチップ実装された半導体チップの裏面の保護や補強等を目的として、半導体チップの裏面に保護材を形成することがある。例えば、非特許文献１には、フリップチップ実装される半導体チップの裏面を保護・補強すると同時に、光を遮断することで回路面へのダメージを低減する粘着テープが記載されている。また、非特許文献１には、粘着テープをダイシング前にウエハ裏面にラミネートすることによって、ダイシング時のウエハのチッピング（割れ）防止にも役立つとも記載されている。
特許文献１には、絶縁基板上に形成した高分子層に金型を用いたインプリントで凹部を形成し、この凹部に金属材質を満たして回路パターンを形成する半導体チップ搭載用基板の製造方法が記載されている。
特許文献２には、基板上に形成された層間絶縁材を軟化させ、これにモールドを圧入して溝を形成し、この溝に導電材料を充填して配線等を形成する多層プリント配線板の製造方法が記載されている。
特許文献３には、半導体素子の両面に封止樹脂が形成されたパッケージ構造の半導体装置の製造方法に関し、半導体基板の裏面を研磨して厚さの薄い半導体素子を製造する方法が記載されている。
【非特許文献１】“半導体チップ裏面保護テープ”、［ｏｎｌｉｎｅ］、リンテック株式会社、ニュースリリース、平成１５年１２月１日、［平成１８年６月９日検索］、インターネット＜ＵＲＬ：  ｈｔｔｐ：／／ｗｗｗ．ｌｉｎｔｅｃ．ｃｏ．ｊｐ／ｎｅｗｓ／２００３１２０１．ｈｔｍｌ＞
【特許文献１】特開２００５−００５７２１号公報
【特許文献２】特開２００５−１０８９２４号公報
【特許文献３】特開２００２−０１６０９２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、図６に示すように、裏面保護材２２を形成した半導体チップ２１をはんだバンプ２３を介して実装基板２４上に実装したとき、裏面保護材２２は、半導体チップ２１の裏面に対しては保護・補強や遮光の効果があるが、光その他の悪影響を与える要因２５が半導体チップ２１の側面に働くときには保護・補強等の効果がない。
また、図７に示すように、半導体ウエハ３１をダイシングテープ３２の上に貼り付けダイシングブレード３３でダイシング（個片化）するときのチッピング３４（図７（ａ）を参照。）を防止する目的で半導体ウエハ３１の裏面に裏面保護材３５（図７（ｂ）を参照。）を設けた場合であっても、図７（ｃ）に示すように、裏面保護材３５自体に、はがれや欠け等３６が生じるおそれがある。
【０００４】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、個片化された半導体基板の裏面と側面を保護・補強できるとともに、個片化の際に保護材のはがれや欠けが生じることがない半導体装置及びその製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
前記課題を解決するため、本発明は、個片化された半導体基板の一方の面に電極を備え、前記半導体基板の他方の面及び側面には、同一部材からなる保護層が形成されていることを特徴とする半導体装置を提供する。
本発明の半導体装置において、前記保護層は遮光性の材料からなることが好ましい。
【０００６】
また、本発明は、一方の面に電極を備えかつ個片化された半導体基板の電極面と基台とが対向するように基台上に載置された半導体基板を準備する工程と、前記個片化された半導体基板を覆うように、保護層を構成する材料を塗布する工程と、個片化された半導体基板に対応した凹部を有するプレス型を、前記基台上の半導体基板が凹部内に入るように前記基台に対してプレスし、前記半導体基板の他方の面及び側面に同一部材からなる保護層を成形する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法を提供する。
また、本発明は、一方の面に電極を備えたウエハ状の半導体基板を個片化する工程と、前記個片化された半導体基板の電極面と基台とが対向するように前記半導体基板を基台上に載置する工程と、載置後に前記個片化された半導体基板を覆うように、保護層を構成する材料を塗布する工程と、個片化された半導体基板に対応した凹部を有するプレス型を、前記基台上の半導体基板が凹部内に入るように前記基台に対してプレスし、前記半導体基板の他方の面及び側面に同一部材からなる保護層を成形する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法を提供する。
また、本発明は、一方の面に電極を備えたウエハ状の半導体基板を、電極面と基台とが対向するように基台上に載置する工程と、前記基台上の半導体基板を個片化する工程と、前記個片化された半導体基板を覆うように、保護層を構成する材料を塗布する工程と、個片化された半導体基板に対応した凹部を有するプレス型を、前記基台上の半導体基板が凹部内に入るように前記基台に対向させてプレス加工し、前記半導体基板の他方の面及び側面に同一部材からなる保護層を成形する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法を提供する。
上述の半導体装置の製造方法において、前記プレス加工と同時に前記保護層の硬化を行うことが好ましい。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、半導体基板を個片化した状態で保護材を形成しているので、個片化された半導体基板の裏面と側面を保護・補強できるとともに、従来技術における個片化での保護材のはがれや欠けの問題を解決することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下、最良の形態に基づき、図面を参照して本発明を説明する。
本発明の半導体装置は、図１（ｈ）や図５（ｅ）等に模式図を示すように、個片化された半導体基板２の一方の面３に電極（図示略）を備えるとともに、該半導体基板２の他方の面４及び側面５には、同一部材からなる保護層６が形成されていることを特徴とする。
【０００９】
ここで、個片化された半導体基板２としては、例えばシリコンウェハ等のウエハ状半導体基板（半導体ウエハ）をダイシング（個片化）してなる半導体チップを用いることができる。半導体チップには、集積回路（ＩＣ）や誘導素子（インダクタ）等の素子を設けることができ、このような素子を外部と電気的に接続するために、一方の面３に電極が設けられる。また、半導体基板２として、半導体ウエハ自体の厚さよりも薄い半導体チップ、すなわち基板の裏面を研磨して厚さを低減したものを用いても良い。
【００１０】
個片化された半導体基板（以下、半導体チップともいう。）２の裏面や側面が外部に露呈していると、外部からの汚染等の悪影響を受けやすい。そこで、本発明では、電極を備える一方の面（以下、電極面ともいう。）３とは反対側の面（以下、裏面ともいう。）４及び側面５に、同一部材からなる保護層６を形成したものとする。これにより、半導体チップ２が外部からの影響を受け難くし、裏面４及び側面５が保護・補強された構造とすることができる。
【００１１】
保護層６を構成する材料は、その目的に適したものを適宜選択して用いることができるが、例えば、光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂などの硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などの樹脂が挙げられる。なかでも、紫外線硬化性樹脂や熱硬化性樹脂は、それぞれ紫外線（ＵＶ）や加熱キュアなどによって硬化させることができ、成形が容易であるので、好ましい。
さらに光による影響やダメージを抑制するため、保護層６は遮光性の材料からなることが好ましい。遮光性の材料は、樹脂自体が遮光性を有するものであれば、それを用いても良く、また、保護材に遮光性を付与するため、着色剤、光吸収剤などを添加した材料を用いることもできる。保護層６は遮光性の材料からなる場合、基板の裏面のみならず、側面についても遮光の効果が得られる。
【００１２】
以下、図１〜図５を参照して、本発明の半導体装置の製造方法を説明する。
同一部材からなる保護層６を、個片化された半導体基板２の裏面４及び側面５に形成する方法としては、図５に示すように、半導体基板を基台１１上に載置して保護層６を成形する方法がある。
【００１３】
まず、図５（ａ）に示すように、電極面となる一方の面３に電極を備えかつ個片化された半導体基板２の電極面３と基台１１とが対向するように基台１１上に載置された半導体基板２を準備する。詳しくは後述するが、半導体基板の個片化は基台１１の上で行うこともでき、あるいは、個片化済みの半導体チップを基台１１に載置して図５（ａ）の状態としても良い。基台１１としては、表面に粘着性を有し、その上に載置された半導体チップ２に対して付着力が生じるものが好ましい。具体的には、粘着テープ、感圧テープなどが挙げられる。保護層６を成形した後の半導体装置１を基台１１から取り外す作業を容易にするため、当初は半導体基板２に対して十分な粘着力を有し、後で紫外線照射をすると粘着力が低下して容易に剥離可能となるＵＶテープを用いることもできる。
【００１４】
次に、図５（ｂ）に示すように、基台１１上に載置された半導体チップ２を覆うように、保護層を構成する材料１６を塗布する。材料１６の塗布は、スピンコート、スキージ、スプレーコート、ディスペンス等、種々の手法によって行うことができる。保護層６を硬化性樹脂で構成する場合、ここで塗布する材料１６として液状（未硬化）の樹脂を用い、成形後に硬化する方法とすることもできる。
【００１５】
次に、図５（ｃ）に示すように、半導体チップ２に対応した凹部１８を有するプレス型１７を基台１１に対してプレスし、基台１１上の半導体チップ２が凹部１８内に入るようにすることで、プレス型１７の凹部１８と基台１１との間で保護層６を成形する。これにより、半導体チップ２の裏面４及び側面５に、同一部材からなる保護層６を成形することができる。このプレス加工の工程において、プレス型１７をプレスしている最中に、凹部１８内で保護層を構成する材料１６の硬化を行うようにすると、保護層６の形状が凹部１８の内面による形状をより忠実に再現することができ、所望の形状に保護層を確実に成形することができる。
プレス型１７を構成する材質は、目的が達成できる限り特に限定されないが、例えば石英ガラス、金属等が挙げられる。保護層を紫外線硬化性樹脂から構成する場合は、紫外線を透過する材質のプレス型１７を用いると、プレス型１７をプレスしたまま紫外線を照射して凹部１８内で保護層６を硬化させることができるので、好ましい。
【００１６】
保護層６の成形後、図５（ｄ）に示すように、プレス型１７を離型することで、基台１１の上に、基板の裏面４及び側面５に同一部材からなる保護層６が設けられた半導体装置１が完成する。得られた半導体装置１は、必要なときに、図５（ｅ）に示すように基台１１から剥離して用いることができる。
【００１７】
本形態例では、半導体基板を個片化した半導体チップ２の状態で保護層６を形成しているので、半導体チップ２からのはがれや欠けのない保護層６を容易に形成でき、保護・補強等の機能を向上することができる。すなわち、従来技術における個片化（チップと一緒に裏面保護材もダイシングされる。）での裏面保護材のはがれや欠けの問題を解決することができる。
【００１８】
また、本発明の半導体装置の製造方法では、１つの半導体ウエハから個片化された複数の半導体チップについて、保護層６を一括して形成することも可能である。
例えば、１つの半導体ウエハから個片化された複数の半導体チップを一度に基台上に載置する方法の一例として、図１に示す方法を用いることができる。この製造方法では、まず、図１（ａ）に示すように、一方の面１３に電極（図示略）を備えた半導体ウエハ１２を用意し、該ウエハの他方の面（裏面）１４が個片化用の基台１０とが対向するように、半導体ウエハ１２を個片化用基台１０上に載置し、図１（ｂ）に示すように、個片化用基台１０上で不図示のダイシングブレード等を用いて半導体ウエハ１２を複数の半導体チップ２に個片化する。ここで、個片化用基台１０としては、例えばＵＶテープや感圧テープ等、ダイシングテープとして用いられるテープ類を用いることができる。
【００１９】
半導体ウエハ１２を例えばダイシングブレードで個片化した場合、個片化後の半導体チップ２の側面５の間隔はダイシングブレードの厚さと同程度となる。本形態例の製造方法では各半導体チップ２の側面５に保護層６を設けるので、互いに隣接する半導体チップ２の側面５同士の間隔として、各半導体チップ２の側面５に設けられる保護層６の厚さと、該保護層６を成形するプレス型１７が入るための隙間との和が必要となる。個片化した半導体チップ２の側面５の間隔が、保護層６を成形する工程で必要な分より小さい場合、必要な間隔が確保されるように各半導体チップ２を並べ直す方法、個片化用基台１０から１つおきに半導体チップ２を取り外す方法なども可能であるが、図１（ｃ）に示すように、個片化用基台１０を引き伸ばす手法（エキスパンド）を採用すると、半導体チップ２を無駄にすることなく簡単に半導体チップ２の間隔を拡大することができるので好ましい。
【００２０】
次に、図１（ｄ）に示すように、個片化された半導体チップ２の電極面３と基台１１とが対向するように半導体チップ２を基台１１上に載置する。個片化用基台１０上の複数の半導体チップ２を一度に基台１１に載置するには、個片化用基台１０上の複数の半導体チップ２の電極面３を基台１１に付着させたのち、該個片化用基台１０を剥離する方法を用いることができる。
【００２１】
次に、図１（ｅ）に示すように、基台１１上に載置された半導体チップ２を覆うように、保護層を構成する材料１６を塗布する。材料の塗布は、スピンコート、スキージ、スプレーコート、ディスペンス等、種々の手法によって行うことができる。保護層６を硬化性樹脂で構成する場合、ここで塗布する材料１６として液状（未硬化）の樹脂を用い、成形時に硬化する方法とすることもできる。
【００２２】
次に、図１（ｆ）に示すように、半導体チップ２に対応した凹部１８を有するプレス型１７を基台１１に対してプレスし、基台１１上の半導体チップ２が凹部１８内に入るようにすることで、プレス型１７の凹部１８と基台１１との間で保護層６を成形する。これにより、半導体チップ２の裏面４及び側面５に、同一部材からなる保護層６を成形することができる。このプレス加工の工程において、プレス型１７をプレスしている最中に、凹部１８内で保護層を構成する材料１６の硬化を行うようにすると、保護層６の形状が凹部１８の内面による形状をより忠実に再現することができ、所望の形状に保護層を確実に成形することができる。ここでは、基台１１上の複数の半導体チップ２に対応した複数の凹部１８を有するプレス型１７を用いており、複数の半導体チップ２に対して保護層６の成形を一度に行うことができる。
【００２３】
保護層６の成形後、図１（ｇ）に示すように、プレス型１７を離型することで、基板の裏面４及び側面５に同一部材からなる保護層６が設けられた半導体装置１が完成する。得られた半導体装置１は、必要なときに、図１（ｈ）に示すように基台１１から剥離して用いることができる。
【００２４】
以上のように、１つの半導体ウエハ１２から個片化された複数の半導体チップ２，２，…を一度に基台１１上に載置したのち、各半導体チップ２に保護層６を成形する方法によると、該保護層６が設けられた半導体装置１を多数同時に製造することができ、生産性に優れた方法となる。また、個片化に用いる基台１０と成形に用いる基台１１を別々のものとして、個片化した半導体チップ２を成形の前に個片化用基台１０から成形用基台１１へと転写することにより、個片化に適した基台と成形に適した基台をそれぞれ独立して選択することができ、基台の選択が容易になる。
【００２５】
本形態例に係る半導体装置の製造方法において、個片化用基台１０の上に載置される半導体ウエハとしては、図２に示すように、半導体ウエハ１２（図２（ａ）を参照。）の電極面１３とは反対側の面である裏面１４を研磨して薄くした半導体ウエハ１２Ａ（図２（ｂ）を参照。）を用いることも可能である。裏面１４が研磨された半導体ウエハ１２Ａを図２（ｃ）に示すように個片化用基台１０の上に載置したのち、図２（ｄ）に示すように個片化することにより、裏面４を研磨した半導体チップ２Ａが多数、基台１０上に載置された状態を得ることができる。これらの半導体チップ２Ａの裏面４及び側面５に保護層６を形成するには、上述した図１に示すのと同様な方法によって行うことができる。裏面を研磨して厚さを低減した半導体基板を用いることにより、より薄型の半導体装置を製造することができる。
【００２６】
また、本発明の半導体装置の製造方法において、１つの半導体ウエハから個片化された複数の半導体チップについて保護層を一括して形成するとき、例えば図３に示すように、基台の上で保護層を成形する前に、同じ基台の上で半導体ウエハの個片化を行う方法を用いることも可能である。この場合は、半導体ウエハ１２を個片化用基台１０の上に載置するとき、図３（ａ）に示すように、電極（図示略）を備えた一方の面１３が個片化用の基台１０と対向するように載置する。
【００２７】
載置後、図３（ｂ）に示すように、個片化用基台１０上で不図示のダイシングブレード等を用いて半導体ウエハ１２を複数の半導体チップ２に個片化する。上述したように、個片化用基台１０上で個片化した半導体チップ２の側面５の間隔が、保護層６を成形する工程で必要な分より小さい場合には、図３（ｃ）に示すように個片化用基台１０を引き伸ばすなどの方法によって、半導体チップ２の間に必要な間隔を確保する。
【００２８】
次に、図３（ｄ）に示すように、基台１０上に載置された半導体チップ２を覆うように、保護層を構成する材料１６を塗布する。材料の塗布は、スピンコート、スキージ、スプレーコート、ディスペンス等、種々の手法によって行うことができる。保護層６を硬化性樹脂で構成する場合、ここで塗布する材料１６として液状（未硬化）の樹脂を用い、成形後に硬化する方法とすることもできる。
【００２９】
次に、図３（ｅ）に示すように、半導体チップ２に対応した凹部１８を有するプレス型１７を基台１０に対してプレスし、基台１０上の半導体チップ２が凹部１８内に入るようにすることで、プレス型１７の凹部１８と基台１０との間で保護層６を成形する。これにより、半導体チップ２の裏面４及び側面５に、同一部材からなる保護層６を成形することができる。このプレス加工の工程において、プレス型１７をプレスしている最中に、凹部１８内で保護層を構成する材料１６の硬化を行うようにすると、保護層６の形状が凹部１８の内面による形状をより忠実に再現することができ、所望の形状に保護層を確実に成形することができる。ここでは、基台１０上の複数の半導体チップ２に対応した複数の凹部１８を有するプレス型１７を用いており、複数の半導体チップ２に対して保護層６の成形を一度に行うことができる。
【００３０】
保護層６の成形後、図３（ｆ）に示すように、プレス型１７を離型することで、基板の裏面４及び側面５に同一部材からなる保護層６が設けられた半導体装置１が完成する。得られた半導体装置１は、必要なときに基台１０から剥離して（図３（ｇ）を参照。）用いることができる。
【００３１】
以上のように、基台１０上に半導体ウエハ１２を載置して個片化により複数の半導体チップ２，２，…を形成したのち、各半導体チップ２に保護層６を成形する方法によると、該保護層６が設けられた半導体装置１を多数同時に製造することができ、生産性に優れた方法となる。また、個片化に用いる基台と成形に用いる基台を共通のものとすることにより、基台からべつの基台へと半導体チップを転写する工程を省いて工数の削減を図ることができる。
【００３２】
本形態例に係る半導体装置の製造方法において、基台１０の上に載置される半導体ウエハとしては、半導体ウエハ１２の電極面１３とは反対側の面である裏面１４を研磨して薄くした半導体ウエハ１２Ａ（図２（ｂ）を参照。）を用い、研磨後に基台１０上に載置する手順とすることも可能である。
【００３３】
また、図４（ｂ）に示すように、個片化する位置に電極面１３側からハーフカット溝１５を設けた半導体ウエハ１２を用い、図４（ｃ）に示すように電極面１３が基台１０と対向するように載置したのち、図４（ｄ）に示すように該基台１０上で、研磨面がハーフカット溝１５に到達するまで半導体ウエハ１２の裏面１４を研磨することにより、裏面４を研磨した半導体チップ２Ａが多数、基台１０上に載置された状態を得ることができる。これらの半導体チップ２Ａの裏面４及び側面５に保護層６を形成するには、上述した図３に示すのと同様な方法によって行うことができる。裏面を研磨して厚さを低減した半導体基板を用いることにより、より薄型の半導体装置を製造することができる。ハーフカット溝１５は、例えばダイシングブレード等を用いて深さを制御しながら加工することにより形成することができる。この方法によれば、基台１０上で基台１０に向けてダイシングブレードを使用することがなく、また、裏面１４の研磨のときにハーフカット溝１５の底部が除去されるので、よりチッピングを低減させた状態で保護層６を形成することができる。
【００３４】
以上説明したように、本発明によれば、半導体基板を個片化した状態で裏面及び側面に同一部材からなる保護層を形成しているので、電極を有する面を除いては保護層によって隙間無く保護・補強することができ、外部からの汚染や悪影響を防ぐことができる。
保護層が遮光性を有する材料からなる場合には、基板の裏面のみならず側面についても、光による影響を防ぐことができる。
本発明は、裏面が研磨された半導体基板にも適用が可能であり、薄型の半導体装置の製造にも利用することができる。
本発明は、先にダイシングを行った半導体チップにも適用が可能であり、少数の生産にも利用することができる。
【産業上の利用可能性】
【００３５】
本発明は、基板にフリップチップ実装されるウエハレベルパッケージ（ＷＬＰ）やその他の半導体装置及びその製造方法として利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】（ａ）〜（ｈ）は本発明の半導体装置の製造方法の一形態例を工程順に示す説明図である。
【図２】（ａ）〜（ｄ）は裏面を研磨して厚さを低減した半導体基板を用いる方法の一例を説明する図面である。
【図３】（ａ）〜（ｇ）は本発明の半導体装置の製造方法の他の形態例を工程順に示す説明図である。
【図４】（ａ）〜（ｅ）は基板の裏面を研磨して厚さを低減する方法の他の形態例を説明する図面である。
【図５】（ａ）〜（ｅ）は本発明の半導体装置の製造方法のさらに他の形態例を工程順に示す説明図である。
【図６】従来技術を説明する図であって、（ａ）は裏面保護材を設けた基板の裏面に光等が作用する場合を、また（ｂ）は裏面保護材を設けた基板の側面に光等が作用する場合を示す概念図である。
【図７】（ａ）は裏面保護材を設けずにダイシングしてチッピングが生じた場合を説明する説明図であり、（ｂ）は裏面保護材を設けてチッピングを低減することを説明する説明図であり、（ｃ）はダイシング時に裏面保護材のはがれなどが生じた場合を説明する説明図である。
【符号の説明】
【００３７】
１…半導体装置、２…個片化された半導体基板（半導体チップ）、２Ａ…裏面が研磨された半導体基板（半導体チップ）、３…一方の面（電極面）、４…他方の面（裏面）、５…側面、６…保護層、１０…基台（ダイシングテープ）、１１…基台（転写テープ）、１２…ウエハ状の半導体基板（半導体ウエハ）、１２Ａ…裏面が研磨された半導体基板（半導体ウエハ）、１３…一方の面（電極面）、１４…他方の面（裏面）、１５…ハーフカット溝、１６…保護層を構成する材料、１７…プレス型、１８…凹部。
【図１】
2008016606.tif 000003
【図２】
2008016606.tif 000004
【図３】
2008016606.tif 000005
【図４】
2008016606.tif 000006
【図５】
2008016606.tif 000007
【図６】
2008016606.tif 000008
【図７】
2008016606.tif 000009