(57)【要約】【課題】めっき層の形成速度を著しく向上させることができると共に、被めっき材のめっき領域のみに、ムラなく、均一に精度よくめっき層を選択的に形成することができる無電解めっき方法を提供する。【解決手段】被めっき材の非めっき領域に有機錯化剤を付着させ、前記被めっき材に無電解めっき処理を施すことにより前記被めっき材のめっき領域にめっき層を選択的に形成する。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
被めっき材の非めっき領域に有機錯化剤を付着させ、前記被めっき材に無電解めっき処理を施すことにより前記被めっき材の非めっき領域を除くめっき領域にめっき層を選択的に形成することを特徴とする無電解めっき方法。
【請求項２】
前記被めっき材に前記有機錯化剤を付着させ、前記めっき領域を選択的に露光して前記めっき領域に付着した有機錯化剤を分解させることにより前記被めっき材の前記非めっき領域のみに前記有機錯化剤を付着させることを特徴とする請求項１に記載の無電解めっき方法。
【請求項３】
前記被めっき材上に前記非めっき領域が露出するようにパターニングされた保護膜を形成して前記有機錯化剤に浸漬させた後、前記保護膜を除去することにより前記被めっき材の前記非めっき領域のみに前記有機錯化剤を付着させることを特徴とする請求項１に記載の無電解めっき方法。
【請求項４】
前記被めっき材の前記めっき領域には金属層が形成されており、前記被めっき材に前記有機錯化剤を付着させた後、誘導加熱により前記金属層を加熱して前記めっき領域に付着した有機錯化剤を熱分解させることにより前記被めっき材の前記非めっき領域のみに前記有機錯化剤を付着させることを特徴とする請求項１に記載の無電解めっき方法。
【請求項５】
前記被めっき材に前記有機錯化剤を付着させる前に、少なくとも前記被めっき材の非めっき領域に粗面化処理を施すことを特徴とする請求項１〜４の何れか一項に記載の無電解めっき方法。
【請求項６】
前記有機錯化剤は界面活性剤であることを特徴とする請求項１〜５の何れか一項に記載の無電解めっき方法。
【請求項７】
前記有機錯化剤は非イオン界面活性剤であることを特徴とする請求項１〜６の何れか一項に記載の無電解めっき方法。
【請求項８】
前記被めっき材の前記非めっき領域の少なくとも表面はシリコン酸化物からなることを特徴とする請求項１〜７の何れか一項に記載の無電解めっき方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、化学めっき皮膜の選択的形成方法に関し、特にプリント配線板、半導体基板などに用いられて好適な無電解めっき方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウェハの表面に配線を設けるなど、基板の微細な部位へのめっき方法として無電解めっき方法が知られている。そして、無電解めっき方法の一つに無電解金めっき方法がある。
【０００３】
この無電解金めっき方法は、めっきの析出速度が非常に遅いという問題点と、めっき液の温度管理が非常に難しいという問題点があった。実際に、無電解金めっき方法を用いて被めっき材にめっき層を厚付けしても、通常得られる金めっき層の膜厚は０．５μｍ程度である。これ以上の膜厚を得るには、例えば８０℃以上のめっき液に、被めっき材を３〜４時間浸漬させ、且つめっき液の温度管理を高精度に行う方法（高速めっき法）を用いて、被めっき材の表面に厚さが１μｍ程度の金めっき層を析出させていた。そして、このような長時間に亘るめっき液の温度管理を高精度に行うことや被めっき部材の表面近傍のめっき液中のイオン濃度を一定に保持することは非常に困難であり、めっきムラやめっきの異常析出の大きな要因となっていた。したがって、無電解金めっき方法は、電子デバイス部品のような微細な配線が設けられたものに対して実用化されていなかった。また、ベース金属上に設けられてワイヤーボンディングなどが接続される金配線などは、そのベース金属との密着性が不可欠であることから、めっきムラなどによってベース金属とめっき層との密着性が低くなる無電解金めっき方法を高精細な配線の形成や集積回路の実装に適用することができなかった。さらに、このような高精細な配線や集積回路では、サブミクロン単位でめっきの付き回り性が要求されるので、無電解金めっき方法を用いてめっき層を形成すると、めっき層端部でのベース金属との密着性低下、配線間でのめっきの異常析出によるショート不良や電食不良等が発生するという問題があった。
【０００４】
一方、無電解金めっき処理を施す前に前処理を行なうことによって、金めっき層を高精度に形成する方法がある（例えば特許文献１及び２参照）。無電解金めっきの前処理としては、例えば置換金めっきや、パラジウム又は銀による置換処理が挙げられる。
【０００５】
【特許文献１】特開平１０−３２６３４５号公報
【特許文献２】特開平４−３２５７４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上述したような前処理を行なった後に無電解金めっきを行なうと、ベース金属と金めっき層との間に置換した金属からなる置換層が形成されてしまうために、直接無電解金めっき方法を用いてベース金属上に直接金めっき層を形成した場合と比較して、ベース金属と金めっき層との密着強度が低下したり、置換層に異物析出の要因となる核が発生したり、部分的にめっき層が形成されてめっきムラが発生し易いという問題があった。また、このような前処理を行なうには、たとえ被めっき部分の領域が小さくても、高価な貴金属を含む溶液に基板全体を浸漬しなければならないという問題があった。
【０００７】
本発明は、上述した事情に鑑み、めっき層の形成速度を著しく向上させることができると共に、被めっき材のめっき領域のみに、ムラなく、均一に精度よくめっき層を選択的に形成することができる無電解めっき方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者は、めっき液に不純物を混入させてはならないという概念に捕らわれることなく、被めっき材の一部に有機錯化剤を付着させた後、無電解めっき処理を施したところ、その有機錯化剤を付着させた部分にめっき層が形成されないことの知見を得た。
【０００９】
かかる知見を基礎とする本発明は、被めっき材の非めっき領域に有機錯化剤を付着させ、前記被めっき材に無電解めっき処理を施すことにより前記被めっき材の非めっき領域を除くめっき領域にめっき層を選択的に形成することを特徴とする無電解めっき方法にある。
かかる態様では、有機錯化剤が非めっき領域へのめっき層の形成を防止して、めっき領域のみにめっき層を選択的に形成させることができるので、めっき層の形成速度を著しく向上させることができると共に、被めっき材のめっき領域のみに、ムラなく、均一に精度よくめっき層を形成することができる。
【００１０】
ここで、前記被めっき材に前記有機錯化剤を付着させ、前記めっき領域を選択的に露光して前記めっき領域に付着した有機錯化剤を分解させることにより前記被めっき材の前記非めっき領域のみに前記有機錯化剤を付着させることが好ましい。
これによれば、めっき領域に付着した有機錯化剤を分解させて除去することにより、容易に被めっき材の非めっき領域のみに有機錯化剤を付着させることができる。
【００１１】
また、前記被めっき材上に前記非めっき領域が露出するようにパターニングされた保護膜を形成して前記有機錯化剤に浸漬させた後、前記保護膜を除去することにより前記被めっき材の前記非めっき領域のみに前記有機錯化剤を付着させることが好ましい。
これによれば、容易に被めっき材の非めっき領域のみに有機錯化剤を付着させることができる。
【００１２】
また、前記被めっき材の前記めっき領域には金属層が形成されており、前記被めっき材に前記有機錯化剤を付着させた後、誘導加熱により前記金属層を加熱して前記めっき領域に付着した有機錯化剤を熱分解させることにより前記被めっき材の前記非めっき領域のみに前記有機錯化剤を付着させることが好ましい。
これによれば、めっき領域に付着した有機錯化剤を熱分解させて除去することにより、容易に被めっき材の非めっき領域のみに有機錯化剤を付着させることができる。
【００１３】
また、前記被めっき材に前記有機錯化剤を付着させる前に、少なくとも前記被めっき材の非めっき領域に粗面化処理を施すことが好ましい。
これによれば、非めっき領域が粗面化されているので、非めっき領域に有機錯化剤を容易に付着させることができる。
【００１４】
また、前記有機錯化剤は界面活性剤であることが好ましい。
これによれば、洗浄工程において界面活性剤が分解され難いので、被めっき材の非めっき領域へのめっき層の形成を確実に防止することができる。
【００１５】
また、前記有機錯化剤は非イオン界面活性剤であることが好ましい。
これによれば、洗浄工程において非イオン界面活性剤がより分解され難いので、被めっき材の非めっき領域へのめっき層の形成をより確実に防止することができる共に例えめっき液に非イオン界面活性剤が溶解したとしてもめっき処理に影響を与えないという効果を奏する。
【００１６】
また、前記被めっき材の前記非めっき領域の少なくとも表面はシリコン酸化物からなることが好ましい。
これによれば、被めっき材の非めっき領域の少なくとも表面がシリコン酸化物で構成されているので、有機錯化剤を容易に付着させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
本発明は、被めっき材の非めっき領域に有機錯化剤を付着させることにより、有機錯化剤が付着した領域にはめっき層が形成されないという性質を利用して、被めっき材に無電解めっき処理を施して被めっき材の非めっき領域を除くめっき領域に選択的にめっき層を形成するというものである。すなわち、被めっき材の非めっき領域に有機錯化剤を付着させることによって、被めっき材の無電解めっき処理において非めっき領域にめっき層を形成するのを防止して、有機錯化剤が付着していないめっき領域のみにめっき層を選択的に形成するというものである。
【００１８】
ここで、本発明で用いられる有機錯化剤は、溶液中で他物質と錯化合物を形成する有機化合物であれば特に限定されないが、界面活性剤が好ましく、陽イオン界面活性剤及び非イオン界面活性剤（ノニオン界面活性剤）がより好ましく、特に非イオン界面活性剤が好ましい。有機錯化剤として界面活性剤を用いると、後述する洗浄工程において界面活性剤が分解され難いので、被めっき材の非めっき領域へのめっき層の形成を確実に防止することができる。そして、有機錯化剤として非イオン界面活性剤を用いると、後述する洗浄工程において界面活性剤がより分解され難いので、被めっき材の非めっき領域へのめっき層の形成をより確実に防止することができると共にたとえめっき液に非イオン界面活性剤が溶解したとしてもめっき処理に影響を与えないという効果を奏する。
【００１９】
界面活性剤としては、分子内に親水性の部分と疎水性の部分とを合せ持つ物質であれば特に限定されず、イオン界面活性剤（陰イオン界面活性剤・陽イオン界面活性剤・両性界面活性剤）及び非イオン界面活性剤が存在するが、例えばアルコキシレート、アルコールエトキシレート（オレイルアルコールエトキシレートなど）、ラウリルアルコール、ラウリルアミドプロピルベタイン、ラウリルアミノ酢酸ベタイン、エチレンジアミン酸化プロピレン−酸化エチレン縮合物（エチレンジアミンＰＯ−ＥＯ縮合物）、エーテルサルフェート、オクタンジオール、ソルビタン脂肪酸エステル、ヒンダート型エステル（アリール多塩基脂肪酸、アルキルエステル、ネオペンチルポリオールの不飽和長鎖脂肪酸エステル、ネオペンチルポリオールの飽和中鎖脂肪酸エステル）、フェノールエトキシレート、ポリアルキレングリコール型油剤、ポリエチレングリコール、ポリエチレングリコールオレート、ポリエーテル型第４級アンモニウム塩、ポリオキシアルキレンタロエート、ヤシエタノールアマイド、酸化プロピレン−酸化エチレン縮合物（ＰＯ−ＥＯ縮合物）、第４級アンモニウム塩型ポリマー、ジメチコンンコポリオール、ショ糖脂肪酸エステル、ベミュレン、ポリ（オキシレンエチレン・オキシプロピレン）メチルポリシロキサン共重合体、ポリオキシエチレンオクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレン硬化ヒマシ油、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリン酸アミド、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレングリコール、モノステアリン酸エチレングリコール、モノステアリン酸プロピレングリコール、モノラウリン酸ポリオキシエチレンソルビット、ラウリン酸ジエタノールアミド、テトラオレイン酸ポリオキシエチレンソルビット（テトラオレイン酸ポリオキシエチレンソルビトール）、親油性ポリグリセリン脂肪酸エステル系混合乳化剤、モノオレイン酸ポリオキシエチレン、ソルビタンモノオレイン酸などが挙げられる。
【００２０】
陽イオン界面活性剤としては、水に溶解したときに解離して陽イオンとなる界面活性剤であれば特に限定されず、例えばテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドなどが挙げられる。
【００２１】
非イオン界面活性剤としては、水に溶解したときにイオン化しない親水基を持つ界面活性剤であれば特に限定されず、エステル型、エーテル型、エステル・エーテル型のものや、脂肪酸アルカノールアミド、アルキルポリグルコキシドなどが存在するが、例えば、ジメチコンコポリオール、ショ糖脂肪酸エステル、ベミュレン、ポリ（オキシレンエチレン・オキシプロピレン）メチルポリシロキサン共重合体、ポリオキシエチレンオクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレン硬化ヒマシ油、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリン酸アミド、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレングリコール、モノステアリン酸エチレングリコール、モノステアリン酸プロピレングリコール、モノラウリン酸ポリオキシエチレンソルビット、ラウリン酸ジエタノールアミド、テトラオレイン酸ポリオキシエチレンソルビット（テトラオレイン酸ポリオキシエチレンソルビトール）、親油性ポリグリセリン脂肪酸エステル系混合乳化剤、モノオレイン酸ポリオキシエチレン、ソルビタンモノオレイン酸などが挙げられる。
【００２２】
以下、有機錯化剤として非イオン界面活性剤を用いた際の本発明を実施するための最良の形態について説明する。なお、本実施形態の説明は例示であり、本発明は以下の説明に限定されない。
【００２３】
（実施形態１）
図１は、実施形態１に係る無電解めっき方法により形成した配線の概略断面図である。図１に示すように、被めっき材であるシリコン基板１０の配線面上には配線３０が複数形成されている。各配線３０は、ＮｉやＮｉＣｒからなる下地層１６と、金からなるスパッタ金属層１８と、金からなるめっき層２０とがシリコン基板１０上に順次積層して形成されている。そして、めっき層２０が本実施形態に係る無電解めっき方法により形成されたものである。
【００２４】
図２〜図４は上記配線の形成工程を示す図である。図２〜４を用いて、本実施形態の無電解めっき方法を説明する。
【００２５】
まず、図２（ａ）に示すように、シリコン基板１０上に、例えばスパッタリング法やめっき処理によって下地層１６となる厚さ２０ｎｍ程度のＮｉＣｒ層１５を形成する。
【００２６】
次に、図２（ｂ）に示すように、ＮｉＣｒ層１５上に、例えばスパッタリング法によってスパッタ金属層１８となる厚さ２００ｎｍ程度のＡｕ層１７を形成する。
【００２７】
そして、図２（ｃ）に示すように、形成されたＮｉＣｒ層１５及びＡｕ層１７をフォトリソグラフィ法により所定形状にパターニングすることで、下地層１６及びスパッタ金属層１８を形成する。ここで、下地層１６及びスパッタ金属層１８が形成されている領域をめっき領域５０とし、それ以外のシリコン基板１０上の領域を非めっき領域６０とする。
【００２８】
次に、図３（ａ）に示すように、処理液槽１００に満たされた処理液１１０にシリコン基板１０を常温で５分間浸漬させる。この処理液１１０には、非イオン界面活性剤（ノニオン界面活性剤）が含まれており、この処理液１１０にシリコン基板１０の配線面を浸漬させることによって、シリコン基板１０の配線面に非イオン界面活性剤を付着させることができるようになっている。ここで、処理液１１０としては、非イオン界面活性剤を含み、後述する工程に影響を与えないものであれば特に限定されないが、例えば０．１％の非イオン性界面活性剤と０．８％のアルコール（アセチレンアルコール又はブチルアルコールなど）とを含む水溶液などが挙げられる。本実施形態では、処理液１１０として、０．１％の非イオン性界面活性剤と０．８％のアルコール（アセチレンアルコール又はブチルアルコール）とを含む水溶液を用いた。なお、本実施形態では、シリコン基板１０全体を処理液１１０に浸漬させるようにしたが、シリコン基板１０の配線面のみを処理液１１０に浸漬させてもよい。また、本実施形態では、シリコン基板１０を処理液１１０に浸漬させることによって、シリコン基板１０の配線面に非イオン界面活性剤を付着させたが、ハケやスプレーを用いてシリコン基板１０の配線面に非イオン界面活性剤を付着させてもよい。
【００２９】
そして、図３（ｂ）に示すように、処理液１１０が付着したシリコン基板１０の配線面上に、めっき領域５０に対応するような貫通孔１５１が設けられたマスク１５０を配置すると共に、図示しないが、マスク１５０の上方に紫外線ランプなどの紫外線源を配置して、シリコン基板１０に紫外線（ＵＶ）を照射する。すなわち、紫外線源から照射された紫外線（ＵＶ）が貫通孔１５１を通ってめっき領域５０のみに照射されるように、シリコン基板１０に紫外線（ＵＶ）を選択的に照射する。その結果、その紫外線（ＵＶ）によって、シリコン基板１０のめっき領域５０に付着した処理液１１０に含まれる非イオン界面活性剤が分解される。ここで、マスク１５０として、上述したフォトリソグラフィ法により下地層１６及びスパッタ金属層１８をパターニングする際に用いた配線マスクをそのまま用いてもよい。マスク１５０と配線マスクとを共用することで、配線のパターン密度を向上させることができるので、設計マージンが広くなり、高密度配線による高密度実装が可能となる。
【００３０】
その後、シリコン基板１０を硫酸等の酸でアッシングすると（洗浄工程）、図３（ｃ）に示すように、処理液１１０は除去されるが、シリコン基板１０の非めっき領域６０に付着した非イオン界面活性剤は除去されることなく、非めっき領域６０の表面に残留する。すなわち、シリコン基板１０の非めっき領域６０の表面のみに非イオン界面活性剤が残留することになる。なお、本実施形態では、１０ｗｔ％の硫酸を用いてアッシングを行なった。
【００３１】
次に、図４（ａ）に示すように、シリコン基板１０をめっき槽２００に満たされためっき液２１０に浸漬させてシリコン基板１０の配線面に対して無電解金めっき処理を行なう。なお、本実施形態では、めっき液２１０としてノーシアン系無電解金めっき液を用いた。その結果、図４（ｂ）に示すように、シリコン基板１０の非めっき領域６０にはめっき層は形成されないが、めっき領域６０には厚さ１μｍ程度のめっき層２０が形成される。すなわち、非イオン界面活性剤が付着していないシリコン基板１０のめっき領域５０のみに選択的にめっき層２０が形成される。このめっき層２０は、端部が非常にシャープなものとなっている。なお、シリコン基板１０をめっき液２１０に浸漬させた際に、シリコン基板１０に付着していた非イオン界面活性剤の一部がめっき液２１０に溶解する可能性があるが、無電解金めっき処理に影響を与えることはない。
【００３２】
以上、説明したように、本実施形態に係る無電解めっき方法を用いることにより、シリコン基板１０のめっき領域５０のみにめっき層２０を選択的に形成することができる。また、この無電解めっき方法では、シリコン基板１０の非めっき領域６０に非イオン界面活性剤が付着することになる。すなわち、スパッタ金属層１８の表面以外の図示しない凹凸部や穴部に非イオン界面活性剤が付着することになる。したがって、そのような部分で発生するめっきの異常析出を防止して、ムラなく、均一に精度よくめっき層２０を形成することができ、結果としてめっきの異常析出（膜残り）等による異常リークを防止すると共に歩留まりの向上による製造コストを低減させることができる。さらに、この無電解めっき方法では、めっき領域５０にめっき層２０を選択的に形成し、非めっき領域６０にめっき層を形成しないので、シリコン基板１０の全面に亘ってめっき層を形成する場合と比較して、めっき層２０の形成速度を著しく向上させることができると共に、めっき液２１０中のめっき成分の消耗を抑えてめっき液２１０の劣化を防止することできる。また、本実施形態では、有機錯化剤として非イオン界面活性剤を用いており、特殊な物質を用いていないので、外部環境に影響を与えることがなく、環境に優しいという効果を奏する。さらに、本実施形態では、有機錯化剤として非イオン界面活性剤を用いているので、めっき液２１０の濃度を容易に管理することができる。
【００３３】
また、本実施形態に係る無電解めっき方法では、金からなるスパッタ金属層１８上にのみめっき層２０を選択的に形成しているので、安定しためっき層２０を均一に形成することができる。加えて、この無電解めっき方法では、シリコン基板１０に荷重をかける工程が存在しないので、シリコン基板１０の配線面に形成された配線等に内部応力等が発生することがないという効果を奏する。
【００３４】
（実施形態２）
実施形態１では、上述したように、シリコン基板１０に紫外線（ＵＶ）を選択的に照射することによってシリコン基板１０のめっき領域５０に付着した処理液１１０に含まれる非イオン界面活性剤を分解するようにしたが、シリコン基板１０を処理液１１０に浸漬する前に、非めっき領域６０が露出するようにパターニングされた保護膜をシリコン基板１０上に形成し、そのシリコン基板１０を処理液１１０に浸漬させた後、その保護膜を除去することによって非めっき領域６０のみに非イオン界面活性剤を付着させるようにしてもよい。このようにしても実施形態１と同様の効果が得られる。
【００３５】
図５は、シリコン基板上に保護膜を形成した際の概略図である。図５に示すように、保護膜１８０はシリコン基板１０を覆うように形成されている。そして、保護膜１８０には、非めっき領域６０に対応するような貫通孔１８１が設けられている。すなわち、保護膜１８０には、非めっき領域６０が露出するように貫通孔１８１が設けられている。したがって、このシリコン基板１０を処理液１１０に浸漬させると、保護膜１８０の表面と非めっき領域６０とに処理液１１０が付着する。そして、シリコン基板１０を処理液１１０から取出した後、シリコン基板１０から保護膜１８０を除去することによって、シリコン基板１０の非めっき領域６０のみに非イオン界面活性剤を含んだ処理液１１０を付着させることができる。
【００３６】
そして、実施形態１と同様の処理を行なうことによって、非イオン界面活性剤が付着していないシリコン基板１０のめっき領域５０のみに選択的にめっき層２０を形成することができる。その他の工程については、実施形態１と同様であるので、説明を省略する。
【００３７】
（実施形態３）
実施形態１では、上述したように、シリコン基板１０に紫外線（ＵＶ）を選択的に照射することによってシリコン基板１０のめっき領域５０に付着した処理液１１０に含まれる非イオン界面活性剤を分解するようにしたが、めっき領域５０を選択的に加熱することによってめっき領域５０に付着した処理液１１０に含まれる非イオン界面活性剤を熱分解するようにしてもよい。
【００３８】
具体的には、本実施形態のシリコン基板１０のめっき領域５０には下地層１６及びスパッタ金属層１８が設けられているので、下地層１６及びスパッタ金属層１８を誘導加熱することによって、スパッタ金属層１８の表面、すなわちめっき領域５０を選択的に加熱させてめっき領域５０に付着した処理液１１０に含まれる非イオン界面活性剤を熱分解させてもよい。このようにしても、実施形態１と同様の効果が得られる。
【００３９】
図６は、本実施形態に係るシリコン基板に電磁誘導加熱を行なう際の概略図である。図６に示すように、配線面の全面に亘って処理液１１０が付着したシリコン基板１０の上方には電磁誘導加熱器４００が配置されている。電磁誘導加熱器４００は、シリコン基板１０の配線面に対向するように配置されたコイル４１０と、そのコイル４１０に接続された交流電源４２０とからなっている。そして、コイル４１０に交流電流が流れると、電磁誘導によってシリコン基板１０上に設けられた下地層１６及びスパッタ金属層１８に電流が流れ、下地層１６及びスパッタ金属層１８が発熱する。その結果、スパッタ金属層１８の表面、すなわちめっき領域５０に付着した処理液１１０に含まれる非イオン界面活性剤が熱分解され、除去されることになる。
【００４０】
そして、実施形態１と同様の処理を行なうことによって、非イオン界面活性剤が付着していないシリコン基板１０のめっき領域５０のみに選択的にめっき層２０を形成することができる。その他の工程については、実施形態１と同様であるので、説明を省略する。
【００４１】
（他の実施形態）
実施形態１では、シリコン基板１０に紫外線（ＵＶ）を選択的に照射することによってシリコン基板１０のめっき領域５０に付着した処理液１１０に含まれる非イオン界面活性剤を分解するようにしたが、紫外線ではなく赤外線などを用いてシリコン基板１０のめっき領域５０に付着した処理液１１０に含まれる非イオン界面活性剤を分解させてもよい。このようにしても、実施形態１と同様の効果が得られる。
【００４２】
また、実施形態１及び２では、下地層１６及びスパッタ金属層１８が設けられたシリコン基板１０をそのまま処理液１１０に浸漬させたが、下地層１６及びスパッタ金属層１８をパターニングする際にシリコン基板１０の非めっき領域６０を同時に粗面化させてもよいし、下地層１６及びスパッタ金属層１８をパターニングした後でシリコン基板１０の非めっき領域６０を粗面化させてもよい。シリコン基板１０の配線面を粗面化することによって、シリコン基板１０の非めっき領域６０に処理液１１０を容易に付着させることができる。
【００４３】
さらに、実施形態１及び２では、被めっき材としてシリコン基板１０を用いており、非めっき領域の表面はシリコン酸化物で形成されているので、非イオン界面活性剤を容易に付着させることができる。また、実施形態１及び２では、スパッタ金属層１８はＡｕで形成されているので、スパッタ金属層１８の表面に付着した非イオン界面活性剤を水洗によって容易に除去することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】実施形態１に係る無電解めっき方法により形成した配線の概略図。
【図２】実施形態１に係る配線の形成工程を示す概略断面図。
【図３】実施形態１に係る配線の形成工程を示す概略断面図。
【図４】実施形態１に係る配線の形成工程を示す概略断面図。
【図５】実施形態２に係るシリコン基板に保護膜を形成した際の概略断面図。
【図６】実施形態３に係るシリコン基板に電磁誘導加熱を行なう際の概略断面図。
【符号の説明】
【００４５】
１０  シリコン基板、  １６  下地層、  １８  スパッタ金属層、  ２０  めっき層、  ３０  配線、  ５０  めっき領域、  ６０  非めっき領域、  １００  処理液槽、  １１０  処理液、  １５０  マスク、  １５１  貫通孔、  １８０  保護膜、  １８１  貫通孔、  ２００  めっき槽、  ２１０  めっき液、  ４００  電磁誘導加熱器、  ４１０  コイル、  ４２０  交流電源
【図１】
2008115448.tif 000002
【図２】
2008115448.tif 000003
【図３】
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【図４】
2008115448.tif 000005
【図５】
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【図６】
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