(57)【要約】【課題】ユーザ端子の配列の変更に対して、比較的低コストにて対応することが可能な汎用性の高い半導体装置を提供する。【解決手段】中継配線基板２０の略中央に形成されたダイパッド２２上には、平面視矩形状を有し各辺近傍に複数の電極パッド１５，１５ａ，１５ｂが配設されたＩＣ１０が接合されている。ダイパッド２２の周辺部には、ＩＣ１０の複数の電極パッド１５，１５ａ，１５ｂとそれぞれ対応するＩＣ接続端子２３，２３ａ，２３ｂが、配設されている。中継配線基板２０の周辺部近傍にはリード接続端子２５，２５ａ，２５ｂが形成されていて、それぞれ対応する端子間配線２４，２４ａ，２４ｂにより接続されている。このうち、ＩＣ接続端子２３ａ，２３ｂとそれぞれ対応するリード接続端子２５ａ，２５ｂとは、端子間配線２４ａ，２４ｂが端子間配線交差部Ｄ１において絶縁膜２９を介して交差されていることにより配列が入れ換えられている。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の電極パッドが形成された半導体素子と、前記複数の電極パッドと対応する接続リードと、前記複数の電極パッドと前記接続リードとの接続を中継する中継配線基板と、を有し、
前記中継配線基板は、前記複数の電極パッドと対応して接続される半導体接続端子と、前記複数の接続リードと対応して接続されるリード接続端子と、前記半導体接続端子と対応するリード接続端子とをそれぞれ接続する端子間配線と、を有し、
前記複数の接続リードは、前記リード接続端子と対応して接続される内部接続端子部と、外部との接続に供する外部接続端子部とを含む半導体装置であって、
前記中継配線基板は、前記端子間配線が絶縁体を介して交差する端子間配線交差部を有していることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記接続リードが形成されたリードフレームが用いられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の半導体装置において、
少なくとも前記半導体素子および前記電極パッドと前記接続リードとが前記中継配線基板を介して接続された各接続部分が、封止樹脂により覆われ且つ前記外部接続端子部が外部に露出された状態で樹脂封止されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
複数の電極パッドが形成された半導体素子と、前記複数の電極パッドと対応する接続リードが形成されたリードフレームと、前記複数の電極パッドと前記接続リードとの接続を中継する中継配線基板と、を有し、前記中継配線基板は、前記複数の電極パッドと対応して接続される半導体接続端子と、前記複数の接続リードと対応して接続されるリード接続端子と、前記半導体接続端子と対応するリード接続端子とをそれぞれ接続する端子間配線と、を有し、前記複数の接続リードは、前記リード接続端子と対応して接続される内部接続端子部と、外部との接続に供する外部接続端子部とを含む半導体装置用の中継配線基板であって、
前記端子間配線が絶縁体を介して交差する端子間配線交差部を有していることを特徴とする半導体装置用の中継配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子と、外部接続端子部を有する複数の接続リードとを中継配線基板を介して接続する構成の半導体装置、およびそれに用いる中継配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の小型化および高機能化がますます進展するのに伴って、電子機器に搭載される半導体装置の小型化および高集積化の要求が高まっている。このような要求に応える半導体装置として、ＳＯＰ（Small Outline Package）やＱＦＰ（Quad Flat Package）などの樹脂封止型半導体装置（ＩＣパッケージ）が例えば特許文献１に記載されている。
【０００３】
特許文献１に記載の半導体装置は、複数の電極パッドが形成された半導体素子（半導体チップ）と、電極パッドと対応する複数の接続リード（リードフレーム）と、複数の電極パッドと接続リードとの接続を中継する中継配線基板（絶縁基板上に配線層を形成したダイパッド）と、を有している。接続リードは、電極パッドが接合された中継配線基板の配線層と接続される内部接続端子部（インナーリード）と、電子機器のマザーボードなどの外部基板との接続に供するユーザ端子としての外部接続端子部とを含んでいる。半導体素子は、電極パッド形成面を下向きにして中継配線基板上に配置され、各電極パッドが対応する配線層の半導体接続端子にバンプを介して接続される所謂フリップチップ実装法により実装されている。各電極パッドが接合された配線層と、該電極パッドに対応する接続リードの内部接続端子部とはボンディングワイヤにより接続されている。そして、半導体装置は、各接続リードの外部接続端子部を外部に露出させた状態で、封止樹脂（レジン）により封止されている。
【０００４】
【特許文献１】特開平５−２３５１０１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記した構成の半導体装置は、樹脂封止された本体のサイズや接続リードの本数およびユーザ端子となる外部接続端子部の位置などが規格化された汎用の樹脂封止型半導体装置として利用されることが多い。汎用の樹脂封止型半導体装置においては、半導体装置が搭載される電子機器側の外部実装基板の仕様に合わせる必要があるが、中継配線基板は半導体素子の電極パッドと接合された配線層の各々の配線パターンが、配列をそのままにして中継配線基板の外側に広げるように形成され、それぞれが対応する接続リードに接続されている。このため、ユーザ端子が実装される外部実装基板の実装端子の配列が半導体素子の電極パッドの配列と異なった場合に、半導体素子の電極パッドの配列を変更しなければならなくなる。半導体素子の電極パッドの配列を変更するには、半導体用フォトマスクを新規に用意しなければならず、比較的高いコストと時間がかかるという課題があった。
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明では、ユーザ端子の配列の変更に対して、比較的低コストにて対応することが可能な汎用性の高い半導体装置およびそれに用いる中継配線基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明の半導体装置は、複数の電極パッドが形成された半導体素子と、複数の電極パッドと対応する接続リードと、複数の電極パッドと接続リードとの接続を中継する中継配線基板と、を有し、中継配線基板は、複数の電極パッドと対応して接続される半導体接続端子と、複数の接続リードと対応して接続されるリード接続端子と、半導体接続端子と対応するリード接続端子とをそれぞれ接続する端子間配線と、を有し、複数の接続リードは、リード接続端子と対応して接続される内部接続端子部と、外部との接続に供する外部接続端子部とを含む半導体装置であって、中継配線基板は、端子間配線が絶縁体を介して交差する端子間配線交差部を有していることを特徴とする。
【０００８】
この構成によれば、中継配線基板上において、半導体素子の複数の電極パッドに対応する半導体接続端子の配列と複数の接続リードと対応するリード接続端子の配列とを端子間配線交差部により並び換えることができる。これにより、半導体装置のユーザ端子となる接続リードの外部接続端子部の配列を変更する必要が生じた場合に、中継配線基板の端子間配線パターンを変更することにより対応することが可能になるので、半導体素子の電極パッドの配列を変更する必要がない。したがって、ユーザ端子の配列の変更に対して、比較的低コストにて対応することが可能な汎用性の高い半導体装置を提供することができる。
【０００９】
本発明の半導体装置では、接続リードが形成されたリードフレームが用いられていることが好ましい。
【００１０】
この構成によれば、リードフレームに複数の半導体装置に対応する接続リードを形成することにより、複数の半導体装置を一括または連続して効率よく製造することができる。
【００１１】
本発明の半導体装置は、少なくとも半導体素子および電極パッドと接続リードとが中継配線基板を介して接続された各接続部分が、封止樹脂により覆われ且つ外部接続端子部が外部に露出された状態で樹脂封止されていることを特徴とする。
【００１２】
この構成によれば、ユーザ端子の変更に柔軟に対応できる汎用性の高い樹脂封止型の半導体装置を提供することができる。
【００１３】
本発明の中継配線基板は、複数の電極パッドが形成された半導体素子と、複数の電極パッドと対応する接続リードと、複数の電極パッドと接続リードとの接続を中継する中継配線基板と、を有し、中継配線基板は、複数の電極パッドと対応して接続される半導体接続端子と、複数の接続リードと対応して接続されるリード接続端子と、半導体接続端子と対応するリード接続端子とをそれぞれ接続する端子間配線と、を有し、前記複数の接続リードは、リード接続端子と対応して接続される内部接続端子部と、外部との接続に供する外部接続端子部とを含む半導体装置用の中継配線基板であって、端子間配線が絶縁体を介して交差する端子間配線交差部を有していることを特徴とする。
【００１４】
上記構成の半導体装置用の中継配線基板によれば、半導体素子の複数の電極パッドに対応する半導体接続端子の配列と、複数の接続リードと対応するリード接続端子の配列とを、端子間配線交差部により並び換えることができる。これにより、半導体装置のユーザ端子となる接続リードの外部接続端子部の配列を変更する必要が生じた場合に、半導体素子の電極パッドの配列を変更することなく、中継配線基板の端子間配線パターンを変更することにより対応することが可能になる。したがって、ユーザ端子の配列の変更に対して、比較的低コストにて対応することが可能な汎用性の高い半導体装置の提供に供する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明を樹脂封止型の半導体装置に具体化した実施の形態について図面に従って説明する。
【００１６】
図１は、本実施形態に係る半導体装置１の概略構造を説明する図であり、図１（ａ）は模式平面図、同図（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ線模式断面図である。なお、図１（ａ）では、内部構造を説明する便宜上、半導体装置１を封止する封止樹脂９の上側の一部を切り開いて図示している。図２は、本発明の半導体装置に搭載される中継配線基板２０の概略構成を説明するための図であり、図２（ａ）は模式平面図、同図（ｂ）は図２（ａ）の端子間配線交差部Ｄ１のｂ−ｂ線部分断面図である。なお、図２（ａ）では、図１で説明し切れない細部の構成を説明する便宜上、半導体素子としてのＩＣ１０が搭載されて接続された状態を図示している。
【００１７】
図１において、半導体装置１は、搭載パッド部３と複数の接続リード５および接続リード５ａ，５ｂとを有するリードフレーム２を備えている。搭載パッド部３上には、略中央にＩＣ１０が接合された中継配線基板２０が搭載されている。中継配線基板２０上には、搭載パッド部３を囲むように配設されたＩＣ接続端子２３ａ，２３ｂを含む複数のＩＣ接続端子２３と、中継配線基板２０の周辺部近傍に配設されたリード接続端子２５ａ，２５ｂを含む複数のリード接続端子２５が形成されている。ＩＣ接続端子２３，２３ａ，２３ｂとそれぞれに対応するリード接続端子２５，２５ａ，２５ｂとは、端子間配線２４，２４ａ，２４ｂにより接続されている。
【００１８】
ＩＣ１０上に配設された複数の電極パッド（詳細は後述する）は、対応するＩＣ接続端子２３，２３ａ，２３ｂにボンディングワイヤ９６により接続されている。また、中継配線基板２０の周辺部にはリード接続端子２５，２５ａ，２５ｂが配設されている。ＩＣ接続端子２３，２３ａ，２３ｂと対応するリード接続端子２５，２５ａ，２５ｂとは、端子間配線２４，２４ａ，２４ｂにより接続されている。
【００１９】
ＩＣ１０の各電極パッドと対応して接続された複数のＩＣ接続端子２３と、対応するリード接続端子２５，２５ａ，２５ｂとは、同じ配列にて中継配線基板２０上の中央部分から周辺部分に向けて広がるように配設され、それぞれが端子間配線２４により接続されている。一方、ＩＣ接続端子２３ａ，２３ｂと対応するリード接続端子２５ａ，２５ｂとは、それぞれを接続する端子間配線２４ａ，２４ｂが端子間配線交差部Ｄ１において絶縁された状態で交差している。これにより、ＩＣ接続端子２３ａ，２３ｂと対応するリード接続端子２５ａ，２５ｂとは配列が入れ換えられている。
【００２０】
複数のリード接続端子２５およびリード接続端子２５ａ，２５ｂは、複数の接続リード５の内部接続端子部６および接続リード５ａ，５ｂの内部接続端子部６ａ，６ｂとそれぞれ対応させてボンディングワイヤ９８により接続されている。これにより、ＩＣ１０の各電極パッドと対応して接続された複数のＩＣ接続端子２３と対応する接続リード５とは、同じ配列にて接続されている。これに対して、ＩＣ接続端子２３ａ，２３ｂと対応する接続リード５ａ，５ｂは、端子間配線２４ａ，２４ｂが端子間配線交差部Ｄ１において交差していることにより、配列が入れ換えられている。
【００２１】
複数のリード接続端子２５およびリード接続端子２５ａ，２５ｂは、その近傍に配置された対応する接続リード５，５ａ，５ｂの内部接続端子部６，６ａ，６ｂにボンディングワイヤ９８によりそれぞれ接続されている。内部接続端子部６，６ａ，６ｂを一端部分とした各接続リード５，５ａ，５ｂは半導体装置１の外周に向かってそれぞれ延出され、他端部にユーザ端子としての外部接続端子部７，７ａ，７ｂをそれぞれ有している。
【００２２】
半導体装置１は、外部接続端子部７，７ａ，７ｂを外部に露出した状態で封止樹脂９により樹脂封止されている。本実施形態の半導体装置１は、封止樹脂９による外形が平面視で略矩形状を有し、外周の四方向にそれぞれ複数の接続リード５および接続リード５ａ，５ｂが封止樹脂９から露出されて形成された所謂ＱＦＰタイプの半導体装置１となっている。
【００２３】
（リードフレーム）
リードフレーム２は、一枚の合金からなるシート状リードフレームに複数連設されるように形成される。そして、このシート状リードフレーム上に複数個の半導体装置１を連続させて形成したのち、各個片のリードフレーム２の外形位置で切断して分割することにより個片の半導体装置１を複数個一括して得るものである。なお、リードフレーム２に通常用いられる合金素材には、例えば、４２アロイ等のＦｅ（鉄）合金、あるいはＣｕ−Ｓｎ，Ｓｎ−Ｚｎ，Ｃｕ−Ｎｉ等のＣｕ（銅）合金、あるいはこれらに第３の元素を添加した三元合金等がある。
【００２４】
リードフレーム２は、シート状の合金素材にエッチング加工やプレス加工を施すことにより画定されて形成された接続リード５ａ，５ｂを含む複数の接続リード５と、ＩＣ１０が接合された中継配線基板２０が搭載される搭載パッド部３とを有している。本実施形態のリードフレーム２は、略中央に平面視略矩形状の搭載パッド部３が設けられている。搭載パッド部３は、該搭載パッド部３の各コーナー部を基部としてリードフレーム２の周辺側に延出させて形成された複数の支持リード８により支持されている。
【００２５】
また、リードフレーム２には、一端部が搭載パッド部３から所定の隙間を設けて形成され他端がリードフレーム２の外周に向けて延出されて形成された接続リード５ａ，５ｂを含む複数の接続リード５が、搭載パッド部３外周の各辺においてそれぞれ所定の間隔を設けて形成されている。各接続リード５，５ａ，５ｂは、搭載パッド部３側の一端部に中継配線基板２０を介してＩＣ１０に接続される内部接続端子部６，６ａ，６ｂを有し、他端部に半導体装置１の外側に露出して外部実装基板との接続に供する外部接続端子部７，７ａ，７ｂを有している。各接続リード５，５ａ，５ｂは、封止樹脂９内の内部接続端子部６，６ａ，６ｂから封止樹脂９の外側に略水平に延出されてから一旦下方に屈曲され、再び水平方向に屈曲されて外部接続端子部７，７ａ，７ｂが形成されている。
【００２６】
（中継配線基板）
次に、中継配線基板２０について図２に沿って詳細に説明する。
図２において、中継配線基板２０は、ポリイミドやガラスエポキシ樹脂などの絶縁性樹脂からなる絶縁基材２１上に貼り合せた銅などの金属箔を、フォトリソグラフィなどによりパターニングすることにより形成されたパッド部および複数の配線パターンを有している。
【００２７】
本実施形態の中継配線基板２０は、略中央に、ＩＣ１０よりも大きく形成された矩形状のダイパッド２２を有している。本実施形態においてダイパッド２２上に搭載される矩形状のＩＣ１０の各辺近傍には、電極パッド１５ａ，１５ｂを含む複数の電極パッド１５がそれぞれ配設されている。
【００２８】
ダイパッド２２の周辺部には、ＩＣ１０の複数の電極パッド１５および電極パッド１５ａ，１５ｂとそれぞれに対応する複数のＩＣ接続端子２３およびＩＣ接続端子２３ａ，２３ｂが、ダイパッド２２から所定の間隔を設けた位置に配設されている。また、中継配線基板２０の周辺部近傍には、複数のＩＣ接続端子２３およびＩＣ接続端子２３ａ，２３ｂとそれぞれに対応するリード接続端子２５およびリード接続端子２５ａ，２５ｂが形成されている。
【００２９】
ＩＣ接続端子２３およびＩＣ接続端子２３ａ，２３ｂとそれぞれに対応するリード接続端子２５およびリード接続端子２５ａ，２５ｂとは、複数の端子間配線２４および端子間配線２４ａ，２４ｂによりそれぞれ接続されている。このうち、ＩＣ１０の複数の電極パッド１５とそれぞれ対応するＩＣ接続端子２３およびリード接続端子２５は、ＩＣ１０の電極パッド１５の配列をそのまま周辺部に広げるように配置されて形成されている。一方、ＩＣ１０の電極パッド１５ａ，１５ｂに接続されるＩＣ接続端子２３ａ，２３ｂとそれぞれ対応するリード接続端子２５ａ，２５ｂとは、端子間配線２４ａ，２４ｂが端子間配線交差部Ｄ１で交差されていることにより配列が入れ換えられて配設されている。
【００３０】
図２（ａ）に楕円形の想像線にて囲まれた領域として図示する端子間配線交差部Ｄ１は、図中矢印の方向からみた模式断面図である図２（ｂ）に示す断面構造を有している。電極パッド１５ｂと接続されるＩＣ接続端子２３ｂから、隣接するＩＣ接続端子２３ａが配置された方向と略直交する方向に向かって形成された端子間配線２４ｂは、端子間配線交差部Ｄ１を通過した位置でＩＣ接続端子２３ａ側の方向に略直角に曲げられ、さらに中継配線基板２０の周辺部に向かって略直角に曲げられて形成されて、リード接続端子２５ｂに接続されている。また、端子間配線交差部Ｄ１の端子間配線２４ｂ上には、絶縁性樹脂からなるソルダーレジスト膜などの絶縁膜２９が形成されている。
【００３１】
一方、電極パッド１５ａに接続されるＩＣ接続端子２３ａから端子間配線交差部Ｄ１に向かって形成された端子間配線２４ａは、絶縁膜２９に覆われた端子間配線２４ｂと交差しない位置を終端として形成されている。端子間配線２４ｂを挟んだ端子間配線２４ａの反対側の位置からは端子間配線２４’ａが形成されていて、中継配線基板２０の周辺部に配設されたリード接続端子２５ａに接続されている。
【００３２】
端子間配線交差部Ｄ１において、端子間配線２４ａと端子間配線２４’ａとは、導電性ペーストなどを絶縁膜２９上にのり上げるように塗布して固化させることにより形成された端子間配線膜２８によって接続されている。端子間配線膜２８の形成には、導電性ペーストをスクリーン印刷法やディスペンサにより塗布する方法、あるいは微小液滴化した導電性ペーストをインクジェット方式などの液滴吐出法により塗布する方法などを用いることができる。以上説明した構成により、端子間配線２４ａと端子間配線膜２８および端子間配線２４’ａにより形成された一つの端子間配線は、絶縁膜２９により絶縁された状態で端子間配線２４ｂ上を交差し、ＩＣ接続端子２３ａとリード接続端子２５ａとを接続している。
【００３３】
以下、上記の実施形態の効果を記載する。
【００３４】
（１）上記実施形態では、中継配線基板２０に、端子間配線２４ａと端子間配線２４ｂを絶縁膜２９を介して交差させる端子間配線交差部Ｄ１を形成した。これにより、ＩＣ１０の電極パッド１５ａ，１５ｂのそれぞれと同じ配列にて接続されたＩＣ接続端子２３ａ，２３ｂと、外部接続端子部７ａ，７ｂを有する接続リード５ａ，５ｂにそれぞれ接続されるリード接続端子２５ａ，２５ｂとの配列を入れ換える構成とした。
【００３５】
この構成によれば、中継配線基板２０の端子間配線交差部Ｄ１により、ＩＣ１０の電極パッド１５ａ，１５ｂの配列に対して、半導体装置１のユーザ端子となる接続リード５ａ，５ｂの外部接続端子部７ａ，７ｂの配列の並び替えを行なうことができる。これにより、半導体装置１のユーザ端子の配列をＩＣ１０の複数の電極パッドの配列と異なる配列に変更する必要が生じた場合に、ＩＣ１０の電極パッドの配列を変更する必要がなくなる。したがって、ユーザ端子の配列の変更に対して比較的低コストにて対応することが可能な、汎用性の高い半導体装置１を提供することができる。
【００３６】
（２）本発明の半導体装置１では、ＩＣ１０の各電極パッド１５，１５ａ，１５ｂとユーザ端子である外部接続端子部７，７ａ，７ｂとの電気信号の入出力に供する複数の接続リード５，５ａ，５ｂが形成されたリードフレーム２を用いた。
【００３７】
この構成によれば、リードフレーム２に複数の半導体装置１に対応する接続リードを形成することにより、複数の半導体装置１を一括または連続して効率よく製造することができる。
【００３８】
本発明の半導体装置１は、ユーザ端子となる複数の接続リード５，５ａ，５ｂの外部接続端子部７，７ａ，７ｂを外部に露出させた状態で封止樹脂９により樹脂封止した樹脂封止型の半導体パッケージとして構成した。そして、上記した構成の中継配線基板２０の端子間配線交差部Ｄ１により、ＩＣ１０の電極パッド１５ａ，１５ｂの配列に対して、それぞれに接続されるユーザ端子である外部接続端子部７ａ，７ｂの配列を入れ換えられるようにした。
【００３９】
この構成により、半導体装置１のユーザごとのユーザ端子の配列の要求に対して柔軟に且つ比較的容易に対応できるので、汎用性の高い樹脂封止型の半導体装置１を提供することができる。
【００４０】
（変形例１）
上記実施形態の中継配線基板２０は片面配線基板であり、端子間配線交差部Ｄ１において、端子間配線２４ｂと、該端子間配線２４ｂを挟んで接触しない位置にそれぞれ設けられた端子間配線２４ａおよび端子間配線２４’ａとを基材２１上に予めパターニングした。そして、端子間配線２４ｂ上に絶縁膜２９を形成し、該絶縁膜２９上に形成された端子間配線膜２８により端子間配線２４ａと端子間配線２４’ａとを接続して端子間配線２４ｂとの端子間配線交差部Ｄ１を形成したが、これに限らない。中継配線基板に多層配線基板を用いて、層内配線および層間配線により端子間配線交差部を形成する構成としてもよい。
【００４１】
図３は、二層構造の中継配線基板４０を説明する図であり、図３（ａ）は模式平面図、同図（ｂ）は図３（ａ）の端子間配線交差部Ｄ２のｄ−ｄ線部分断面図である。なお、図３（ａ）では、説明の便宜上ＩＣ１０が搭載されて接続された状態を図示している。
【００４２】
図３において、中継配線基板４０は、絶縁性樹脂からなる基材５１ａ上に金属配線パターンが形成された第１層基板５１と、基材５２ａ上に金属配線パターンが形成された第２層基板５２とがこの順に積層された多層配線基板４１により構成されている。
【００４３】
第２層基板５２上の略中央に形成されたダイパッド４２の周辺部には、ＩＣ１０の複数の電極パッド１５および電極パッド１５ａ，１５ｂと同じ配列にて配設された複数のＩＣ接続端子４３およびＩＣ接続端子４３ａ，４３ｂが、ダイパッド４２から所定の間隔を設けて形成されている。また、第２層基板５２の周辺部近傍には、複数のＩＣ接続端子４３およびＩＣ接続端子４３ａ，４３ｂとそれぞれ対応するリード接続端子４５，４５ａ，４５ｂが形成されている。ＩＣ１０の複数の電極パッド１５とそれぞれ対応するＩＣ接続端子４３およびリード接続端子４５は、ＩＣ１０の電極パッド１５の配列をそのまま周辺部に広げるように配置されて形成されている。
【００４４】
電極パッド１５ｂと接続されるＩＣ接続端子４３ｂから、隣接するＩＣ接続端子４３ａが配置された方向と略直交する方向に向かって形成された端子間配線４４ｂは、図中ｄ−ｄ線で示す端子間配線交差部Ｄ２を通過した位置でＩＣ接続端子４３ａ側の方向に略直角に曲げられ、さらに中継配線基板４０の周辺部に向かって略直角に曲げられて形成され、リード接続端子４５ｂに接続されている。
【００４５】
電極パッド１５ａに接続されるＩＣ接続端子４３ａから図中の端子間配線交差部Ｄ２に向かって形成された端子間配線４４ａは、端子間配線４４ｂと交差しない位置に形成された第１の上側導通端子４６ａに接続されている。また、端子間配線４４ｂを挟んだ第１の上側導通端子４６ａの反対側の位置には第２の上側導通端子４７ａが形成されている。第２の上側導通端子４７ａの端子間配線４４ｂの反対側の端部からは端子間配線４４’ａが形成されていて、中継配線基板４０の周辺部に配設されたリード接続端子４５ａに接続されている。
【００４６】
図３（ｂ）に示すように、第１の上側導通端子４６ａの直下の第１層基板５１上には、第１の下側接続端子５６ａが形成されている。第１の上側導通端子４６ａと第１の下側接続端子５６ａは、第１の上側導通端子４６ａ直下の基材５２ａに貫設されたビア孔内に金属ビアが埋設されて形成された層間配線であるビア５８ａにより接続されている。また、第２の上側導通端子４７ａの直下の第１層基板５１上には第２の下側接続端子５７ａが形成されている。第２の上側導通端子４７ａと第２の下側接続端子５７ａは、第２の上側導通端子４７ａ直下の基材５２ａに貫設されたビア孔内に金属ビアが埋設されて形成されたビア５８ａにより接続されている。第１の下側接続端子５６ａと第２の下側接続端子５７ａとは、基材５１ａ上に設けられた端子間配線５４ａにより接続されている。以上述べた構成により、図中の端子間配線交差部Ｄ２が形成されている。
【００４７】
この構成によれば、第２層基板５２の絶縁性樹脂からなる基材５２ａにより、端子間配線交差部Ｄ２において交差する端子間配線４４ｂと端子間配線５４ａとが確実に絶縁される。これにより、端子間配線交差部Ｄ２で交差する端子間配線が短絡することのない中継配線基板４０が提供できるので、高信頼性を有する半導体装置の提供に供する。
【００４８】
以上、発明者によってなされた本発明の実施の形態について具体的に説明したが、本発明は上記した実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の変更を加えることが可能である。
【００４９】
例えば、上記実施形態では、ＩＣ１０の電極パッド１５，１５ａ，１５ｂとそれぞれ対応する中継配線基板２０のＩＣ接続端子２３，２３ａ，２３ｂとを、ワイヤボンディング法を用いてボンディングワイヤ９８により接続する構成とした。これに限らず、ＩＣの電極パッドに金バンプなどの突起状電極を形成し、中継配線基板上のＩＣ接続端子とフリップチップ実装する方法や、中継配線基板としてＴＡＢ用配線基板を用いて所謂ＴＡＢ実装方式によりＩＣを実装する方法などを採用することもできる。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】（ａ）は、本実施形態に係る半導体装置の概略構造を説明する模式平面図、（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ線模式断面図。
【図２】（ａ）は、本発明の半導体装置に搭載される中継配線基板の概略構成を説明する模式平面図、（ｂ）は同図（ａ）のｂ−ｂ線部分断面図である。
【図３】図３は、中継配線基板の変形例を説明する模式平面図、（ｂ）は、同図（ａ）のｄ−ｄ線部分断面図。
【符号の説明】
【００５１】
１…半導体装置、２…リードフレーム、３…搭載パッド部、５，５ａ，５ｂ…接続リード、６，６ａ，６ｂ…内部接続端子部、７，７ａ，７ｂ…外部接続端子部、９…封止樹脂、２０，４０…中継配線基板、２１…絶縁基材、２３，２３ａ，２３ｂ，４３，４３ａ，４３ｂ…半導体接続端子としてのＩＣ接続端子、２４，２４ａ，２４ｂ，２４’ａ，４４ａ，４４ｂ…端子間配線、２５，２５ａ，２５ｂ，４５，４５ａ，４５ｂ…リード接続端子、２８…端子間配線の一部としての端子間配線膜、２９…絶縁体としての絶縁膜、４６ａ…端子間配線の一部としての第１の上側導通端子、４７ａ…端子間配線の一部としての第２の上側導通端子、５２ａ…絶縁体としての基材、５８ａ…端子間配線の一部としてのビア、９６，９８…ボンディングワイヤ、Ｄ１，Ｄ２…端子間配線交差部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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