(57)【要約】【課題】従来の発振装置では、負性抵抗は、比較的小さい値であった。【解決手段】ＰＮＰ型トランジスタと、ＮＰＮ型トランジスタと、水晶振動子と、第１のキャパシタと、第２のキャパシタと、を含み、ＰＮＰ型トランジスタのエミッタが、電源電位に接続されており、ＮＰＮ型トランジスタのエミッタが、接地電位に接続されており、第１のキャパシタの一端が、接地電位に接続されており、第２のキャパシタの一端が、接地電位に接続されており、ＰＮＰ型トランジスタのベース、ＮＰＮ型トランジスタのベース、第１のキャパシタの他端、及び、水晶振動子の一端が相互に接続されており、ＰＮＰ型トランジスタのコレクタ、ＮＰＮ型トランジスタのコレクタ、第２のキャパシタの他端、及び、水晶振動子の他端が相互に接続されている。【選択図】図２
2008072171.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＰＮＰ型トランジスタと、
ＮＰＮ型トランジスタと、
水晶振動子と、
第１のキャパシタと、
第２のキャパシタと、を含み、
前記ＰＮＰ型トランジスタのエミッタが、電源電位に接続されており、
前記ＮＰＮ型トランジスタのエミッタが、接地電位に接続されており、
前記第１のキャパシタの一端が、前記接地電位に接続されており、
前記第２のキャパシタの一端が、前記接地電位に接続されており、
前記ＰＮＰ型トランジスタのベース、前記ＮＰＮ型トランジスタのベース、前記第１のキャパシタの他端、及び、前記水晶振動子の一端が交流的に相互に接続されており、
前記ＰＮＰ型トランジスタのコレクタ、前記ＮＰＮ型トランジスタのコレクタ、前記第２のキャパシタの他端、及び、前記水晶振動子の他端が相互に接続されていることを特徴とする発振装置。
【請求項２】
前記ＰＮＰ型トランジスタのエミッタ及び前記電源電位間に接続された第１の抵抗器と、
前記ＰＮＰ型トランジスタのコレクタ及びベース間に接続された第２の抵抗器と、
前記ＰＮＰ型トランジスタのベースと、前記第１のキャパシタの他端と前記水晶振動子の一端との接続点との間に接続された第３のキャパシタと、
前記ＮＰＮ型トランジスタのエミッタ及び前記接地電位間に接続された第３の抵抗器と、
前記ＮＰＮ型トランジスタのコレクタ及びベース間に接続された第４の抵抗器と、
前記ＮＰＮ型トランジスタのベースと、前記第１のキャパシタの他端と前記水晶振動子の一端との接続点との間に接続された第４のキャパシタとを、更に含むことを特徴とする請求項１記載の発振装置。
【請求項３】
ＮＰＮ型トランジスタと、
ＰＮＰ型トランジスタと、
水晶振動子と、
第１のキャパシタと、
第２のキャパシタと、を含み、
前記ＮＰＮ型トランジスタのコレクタが、電源電位に接続されており、
前記ＰＮＰ型トランジスタのコレクタが、接地電位に接続されており、
前記水晶振動子の一端が、前記接地電位に接続されており、
前記第２のキャパシタの一端が、前記接地電位に接続されており、
前記ＮＰＮ型トランジスタのベース、前記ＰＮＰ型トランジスタのベース、前記水晶振動子の他端、及び、前記第１のキャパシタの一端が交流的に相互に接続されており、
前記ＮＰＮ型トランジスタのエミッタ、前記ＰＮＰ型トランジスタのエミッタ、前記第１のキャパシタの他端、及び、前記第２のキャパシタの他端が相互に接続されていることを特徴とする発振装置。
【請求項４】
前記ＮＰＮ型トランジスタのコレクタ及び前記電源電位間に接続された第１の抵抗器と、
前記ＮＰＮ型トランジスタのコレクタ及びベース間に接続された第２の抵抗器と、
前記ＮＰＮ型トランジスタのベースと、前記水晶振動子の他端と前記第１のキャパシタの一端との接続点との間に接続された第３のキャパシタと、
前記ＰＮＰ型トランジスタのコレクタ、及び、前記接地電位間に接続された第３の抵抗器と、
前記ＰＮＰ型トランジスタのコレクタ及びベース間に接続された第４の抵抗器と、
前記ＰＮＰ型トランジスタのベースと、前記水晶振動子の他端と前記第１のキャパシタの一端と前記ＰＮＰ型トランジスタのベースとの接続点との間に接続された第４のキャパシタとを、更に含むことを特徴とする請求項３記載の発振装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、水晶振動子等の圧電振動子を有する発振装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
図２１に図示された従来の発振装置ＯＳＣ１００は、発振信号ＯＳ１００を生成すべく、下記の特許文献１に記載されたと同様に、抵抗器Ｒ１００と、インバータＩＮ１００と、水晶振動子Ｘ１００と、第１のキャパシタＣ１００と、第２のキャパシタＣ２００とを含む。インバータＩＮ１００は、図２２に示されるように、ＰＭＯＳトランジスタＰ１００と、ＮＭＯＳトランジスタＮ１００とを有する。
【０００３】
図２２に図示された発振装置ＯＳＣ１００は、図２３の等価回路ＯＳＣ１００（ｅｑ）に示されるように、定電流源ＣＣ１００と、定電流源ＣＣ２００とを有する。定電流源ＣＣ１００はｇｍ１００×ｚ１００×ｉ１００に等しい定電流を供給し、定電流源ＣＣ２００はｇｍ１００×ｚ１００×ｉ１００に等しい定電流を供給する。ここで、ｇｍ１００はＰＭＯＳトランジスタＰ１００の相互コンダクタンス［Ａ／Ｖ］であり、ｚ１００は第１のキャパシタＣ１００のインピーダンスであり、ｉ１００は第１のキャパシタＣ１００及び水晶振動子Ｘ１００に流れる電流であり、また、ｇｍ２００はＮＭＯＳトランジスタＮ１００の相互コンダクタンス［Ａ／Ｖ］である。
【０００４】
等価回路ＯＳＣ１００（ｅｑ）に、キルヒホッフの法則を適用すると、（１）式及び（２）式が得られる。
【０００５】
【数１】
2008072171.tif 000003
【０００６】
【数２】
2008072171.tif 000004
ここで、電流ｉ２００は、第２のキャパシタＣ２００に流れる電流であり、第２のインピーダンスＺ２００は、第２のキャパシタＣ２００のインピーダンスであり、第３のインピーダンスＺ３００は、水晶振動子Ｘ１００（水晶振動子Ｘ１００の容量Ｃｘを含む。）及び抵抗器Ｒ１００のインピーダンスである。
【０００７】
（１）式及び（２）式を整理すると、（３）式が得られる。
【０００８】
【数３】
2008072171.tif 000005
第３のインピーダンスＺ３００は、（４）式により与えられる。
【０００９】
【数４】
2008072171.tif 000006
ここで、ｚｘｔは、水晶振動子Ｘ１００（容量Ｃｘを含む。）のインピーダンスを表わす。
【００１０】
（４）式を（３）式に代入すると、（５）式が得られる。
【００１１】
【数５】
2008072171.tif 000007
（６）式及び（７）式の条件を（５）式に代入すると、（８）式が得られる。
【００１２】
【数６】
2008072171.tif 000008
【００１３】
【数７】
2008072171.tif 000009
【００１４】
【数８】
2008072171.tif 000010
ここで、Ｒｂｃｉは、等価回路ＯＳＣ１００（ｅｑ）における回路側の抵抗、即ち、負性抵抗（等価回路ＯＳＣ１００（ｅｑ）を構成する素子（抵抗器、キャパシタ、水晶振動子等）のうち、水晶振動子Ｘ１００以外の素子により規定される抵抗）であり、Ｃｂｃｉは、等価回路ＯＳＣ１００（ｅｑ）における回路側のリアクタンス（等価回路ＯＳＣ１００（ｅｑ）を構成する素子（抵抗器、キャパシタ、水晶振動子等）のうち、水晶振動子Ｘ１００以外の素子により規定されるリアクタンス）である。
【００１５】
【特許文献１】特開平５−２６７９３５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
図２４は上述した等価回路ＯＳＣ１００（ｅｑ）の負性抵抗Ｒｂｃｉをシミュレーションしたものである。図２４に示すように、等価回路ＯＳＣ１００（ｅｑ）の負性抵抗Ｒｂｃｉはｇｍ＝０．５のとき、周波数ｆ＝３ＭＨｚで０．１ｋΩ（絶対値）であり、また、ｇｍ＝１．０のとき、周波数ｆ＝２．５ＭＨｚで１．６ｋΩ（絶対値）である。一方、発振の安定性を十分に確保するためには負性抵抗値（絶対値）を極力大きくすることが好ましい。しかしながら、従来の発振装置の負性抵抗は上述したように比較的小さい値であり、発振の安定性を十分に確保できないという問題があった。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明に係る第１の発振装置は、上記した課題を解決すべく、
ＰＮＰ型トランジスタと、
ＮＰＮ型トランジスタと、
水晶振動子と、
第１のキャパシタと、
第２のキャパシタと、を含み、
前記ＰＮＰ型トランジスタのエミッタが、電源電位に接続されており、
前記ＮＰＮ型トランジスタのエミッタが、接地電位に接続されており、
前記第１のキャパシタの一端が、前記接地電位に接続されており、
前記第２のキャパシタの一端が、前記接地電位に接続されており、
前記ＰＮＰ型トランジスタのベース、前記ＮＰＮ型トランジスタのベース、前記第１のキャパシタの他端、及び、前記水晶振動子の一端が交流的に相互に接続されており、
前記ＰＮＰ型トランジスタのコレクタ、前記ＮＰＮ型トランジスタのコレクタ、前記第２のキャパシタの他端、及び、前記水晶振動子の他端が相互に接続されている。
【００１８】
上記した本発明に係る第１の発振装置は、
前記ＰＮＰ型トランジスタのエミッタ及び前記電源電位間に接続された第１の抵抗器と、
前記ＰＮＰ型トランジスタのコレクタ及びベース間に接続された第２の抵抗器と、
前記ＰＮＰ型トランジスタのベースと、前記第１のキャパシタの他端と前記水晶振動子の一端との接続点との間に接続された第３のキャパシタと、
前記ＮＰＮ型トランジスタのエミッタ及び前記接地電位間に接続された第３の抵抗器と、
前記ＮＰＮ型トランジスタのコレクタ及びベース間に接続された第４の抵抗器と、
前記ＮＰＮ型トランジスタのベースと、前記第１のキャパシタの他端と前記水晶振動子の一端との接続点との間に接続された第４のキャパシタとを、更に含む。
【００１９】
本発明に係る第２の発振装置は、
ＮＰＮ型トランジスタと、
ＰＮＰ型トランジスタと、
水晶振動子と、
第１のキャパシタと、
第２のキャパシタと、を含み、
前記ＮＰＮ型トランジスタのコレクタが、電源電位に接続されており、
前記ＰＮＰ型トランジスタのコレクタが、接地電位に接続されており、
前記水晶振動子の一端が、前記接地電位に接続されており、
前記第２のキャパシタの一端が、前記接地電位に接続されており、
前記ＮＰＮ型トランジスタのベース、前記ＰＮＰ型トランジスタのベース、前記水晶振動子の他端、及び、前記第１のキャパシタの一端が交流的に相互に接続されており、
前記ＮＰＮ型トランジスタのエミッタ、前記ＰＮＰ型トランジスタのエミッタ、前記第１のキャパシタの他端、及び、前記第２のキャパシタの他端が相互に接続されている。
【００２０】
上記した本発明に係る第２の発振装置は、
前記ＮＰＮ型トランジスタのコレクタ及び前記電源電位間に接続された第１の抵抗器と、
前記ＮＰＮ型トランジスタのコレクタ及びベース間に接続された第２の抵抗器と、
前記ＮＰＮ型トランジスタのベースと、前記水晶振動子の他端と前記第１のキャパシタの一端との接続点との間に接続された第３のキャパシタと、
前記ＰＮＰ型トランジスタのコレクタ、及び、前記接地電位間に接続された第３の抵抗器と、
前記ＰＮＰ型トランジスタのコレクタ及びベース間に接続された第４の抵抗器と、
前記ＰＮＰ型トランジスタのベースと、前記水晶振動子の他端と前記第１のキャパシタの一端と前記ＰＮＰ型トランジスタのベースとの接続点との間に接続された第４のキャパシタとを、更に含む。
【００２１】
本発明に係る第１、第２の発振装置によれば、前記ＮＰＮ型トランジスタと、前記ＰＮＰ型トランジスタと、前記水晶振動子と、前記第１のキャパシタと、前記第２のキャパシタとが、上記したような接続関係にあることから、負性抵抗を従来より大きくすることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
本発明に係る発振装置の実施例について図面を参照して説明する。
【００２３】
《実施例１》
図１は、本発明に係る発振装置の実施例１の構成を示すブロック図である。実施例１の発振装置ＯＳＣ１は、発振周波数ｆを有する発振信号ＯＳ（図４に図示。）を生成すべく、図１に示されるように、ＰＮＰ型トランジスタＴＲ１と、ＮＰＮ型トランジスタＴＲ２と、第１〜第９のインピーダンスＺ１〜Ｚ９とを含む。図１で、（一）は、”一端”を示し、（他）は、”他端”を示す。
〈交流回路〉
発振装置ＯＳＣ１について、交流的な接続関係を説明する。
【００２４】
ＰＮＰ型トランジスタＴＲ１は、そのエミッタが、電源電位Ｖｃｃ（例えば、３Ｖ、５Ｖ）に接続されており、ＮＰＮ型トランジスタＴＲ２は、そのエミッタが、接地電位ＧＮＤに接続されている。
【００２５】
第１のインピーダンスＺ１は、その一端が、接地電位ＧＮＤに接続されており、第２のインピーダンスＺ２は、その一端が、接地電位ＧＮＤに接続されている。
【００２６】
ＰＮＰ型トランジスタＴＲ１、ＮＰＮ型トランジスタＴＲ２、第１のインピーダンスＺ１、及び第３のインピーダンスＺ３間の接続関係については、ＰＮＰ型トランジスタＴＲ１のベース、ＮＰＮ型トランジスタＴＲ２のベース、第１のインピーダンスＺ１の他端、及び、第３のインピーダンスＺ３の一端が相互に接続されている。
【００２７】
ＰＮＰ型トランジスタＴＲ１、ＮＰＮ型トランジスタＴＲ２、第２のインピーダンスＺ２、及び第３のインピーダンスＺ３間の接続関係については、ＰＮＰ型トランジスタＴＲ１のコレクタ、ＮＰＮ型トランジスタＴＲ２のコレクタ、第２のインピーダンスＺ２の他端、及び、第３のインピーダンスＺ３の他端が相互に接続されている。
【００２８】
第６のインピーダンスＺ６は、ＰＮＰ型トランジスタＴＲ１のベースと、第１のインピーダンスＺ１の他端と第３のインピーダンスＺ３の一端との接続点ＩＳとの間に接続されている。また、第７のインピーダンスＺ７は、ＮＰＮ型トランジスタＴＲ２のベースと、前記接続点ＩＳとの間に接続されている。
【００２９】
ここで、ＰＮＰ型トランジスタＴＲ１は、『ＰＮＰ型トランジスタ』に相当し、ＮＰＮ型トランジスタＴＲ２は、『ＮＰＮ型トランジスタ』に相当し、第１のインピーダンスＺ１は、『第１のキャパシタ』に相当し、第２のインピーダンスＺ２は、『第２のキャパシタ』に相当し、第３のインピーダンスＺ３は、『水晶振動子』に相当し、第６のインピーダンスＺ６は、『第３のキャパシタ』に相当し、第７のインピーダンスＺ７は、『第４のキャパシタ』に相当する。
【００３０】
〈直流回路（バイアス回路）〉
発振装置ＯＳＣ１について、直流的な接続関係（バイアスの観点からの接続関係）を説明する。
【００３１】
第８のインピーダンスＺ８は、ＰＮＰ型トランジスタＴＲ１のエミッタ、及び、電源電位Ｖｃｃ間に接続されており、第４のインピーダンスＺ４は、ＰＮＰ型トランジスタＴＲ１のコレクタ及びベース間に接続されている。
【００３２】
第９のインピーダンスＺ９は、ＮＰＮ型トランジスタＴＲ２のエミッタ、及び、接地電位ＧＮＤ間に接続されており、第５のインピーダンスＺ５は、ＮＰＮ型トランジスタＴＲ２のコレクタ及びベース間に接続されている。
【００３３】
第８のインピーダンスＺ８は、『第１の抵抗器』に相当し、第４のインピーダンスＺ４は、『第２の抵抗器』に相当し、第９のインピーダンスＺ９は、『第３の抵抗器』に相当し、第５のインピーダンスＺ５は、『第４の抵抗器』に相当する。
【００３４】
図２は、実施例１の発振装置の等価ブロック図である。発振装置ＯＳＣ１の等価回路ＯＳＣ１（ｅｑ）では、図２に示されるように、ＰＮＰ型トランジスタＴＲ１は、定電流ｇｍ×Ｖｅｂ（ベース・エミッタ間電圧）を供給する定電流源ＣＣ１と、ベース・エミッタ間抵抗Ｒπと、ベース・エミッタ間容量Ｃπとで表わされ、また、ＮＰＮ型トランジスタＴＲ２は、定電流ｇｍ×Ｖｅｂを流す定電流源ＣＣ２と、ベース・エミッタ間抵抗Ｒπと、ベース・エミッタ間容量Ｃπとで表わされる。ここで、ｇｍは、ＰＮＰ型トランジスタＴＲ１及びＮＰＮ型トランジスタＴＲ２の相互コンダクタンスである。
【００３５】
等価回路ＯＳＣ１（ｅｑ）では、第１のインピーダンスＺ１は、キャパシタＣ１であり、第２のインピーダンスＺ２は、キャパシタＣ２であり、第３のインピーダンスＺ３は、水晶振動子Ｘ（インピーダンス値ｚｘｔを有する。）である。
【００３６】
また、第４のインピーダンスＺ４は、抵抗器Ｒ４であり、第５のインピーダンスＺ５は、抵抗器Ｒ５であり、第６のインピーダンスＺ６は、キャパシタＣ６であり、第７のインピーダンスＺ７は、キャパシタＣ７であり、第８のインピーダンスＺ８は、並列接続された抵抗器Ｒ８及びキャパシタＣ８であり、第９のインピーダンスＺ９は、並列接続された抵抗器Ｒ９及びキャパシタＣ９である。
【００３７】
図３は、実施例１の発振装置の交流的等価回路を示す。ここで、キャパシタＣ６、Ｃ７、Ｃ８、Ｃ９が図３の構成部分に含まれていないことに注意されたい。これは、キャパシタＣ６、Ｃ７、Ｃ８、Ｃ９のインピーダンスを無視し得る程度にその容量値を選択しており、キャパシタＣ６、Ｃ７、Ｃ８、Ｃ９を交流的に短絡されたものと見なしている。実施例１の発振装置ＯＳＣ１の交流的等価回路ＯＳＣ１（ｅｑ＿ａｌｔ）は、図２に図示された、定電流源ＣＣ１、ＣＣ２に代えて、定電流ｇｍ×ｚａ×ｉ１を供給する定電流源ＣＣ３、ＣＣ４を有する。交流的等価回路ＯＳＣ１（ｅｑ＿ａｌｔ）にキルヒホッフの法則を適用すると、電流及び電圧の関係から、それぞれ、（９）式、（１０）式が得られる。
【００３８】
【数９】
2008072171.tif 000011
【００３９】
【数１０】
2008072171.tif 000012
（９）式及び（１０）式より、発振可能なインピーダンス条件を与える回路方程式である（１１）式が得られる。
【００４０】
【数１１】
2008072171.tif 000013
ここで、抵抗器Ｒ４＝抵抗器Ｒ５＝ＲＢとすると、相互に並列接続された、キャパシタＣ１と、２つの抵抗Ｒπと、２つの容量ＣπとからなるインピーダンスＺａ、及び、相互に並列接続された、抵抗器Ｒ４と、抵抗器Ｒ５と、水晶振動子ＸとからなるインピーダンスＺｂは、（１２）式により与えられる。
【００４１】
【数１２】
2008072171.tif 000014
交流的等価回路ＯＳＣ１（ｅｑ＿ａｌｔ）の発振条件は、（１３）式により与えられる。
【００４２】
【数１３】
2008072171.tif 000015
ここで、Ｒｂｃｉは、交流的等価回路ＯＳＣ１（ｅｑ＿ａｌｔ）における回路側の抵抗、即ち、負性抵抗（回路を構成する素子（抵抗器、キャパシタ、水晶振動子等）のうち、水晶振動子Ｘ以外の素子により規定される抵抗）であり、Ｃｂｃｉは、交流的等価回路ＯＳＣ１（ｅｑ＿ａｌｔ）における回路側のリアクタンス（回路を構成する素子（抵抗器、キャパシタ、水晶振動子等）のうち、水晶振動子Ｘ以外の素子により規定されるリアクタンス）である。
【００４３】
負性抵抗Ｒｂｃｉ、リアクタンスＣｂｃｉは、（１４）式により与えられる。
【００４４】
【数１４】
2008072171.tif 000016
ＰＮＰ型トランジスタＴＲ１及びＮＰＮ型トランジスタＴＲ２について、相互コンダクタンスｇｍ、ベース・エミッタ間抵抗Ｒπ、ベース・エミッタ間容量Ｃπ、電流増幅率ｈｆｅ、キャリアのベース走行時間τＦの間の関係は、（１５）式により表わされる。
【００４５】
【数１５】
2008072171.tif 000017
図４は、本発明に係る発振装置の実施例１の具体的回路を示す。実施例１の発振装置ＯＳＣ１の具体的回路ＯＳＣ１（ｅｍｂ１）では、図４に示されるように、第１のインピーダンスＺ１は、キャパシタＣ１であり、第２のインピーダンスＺ２は、キャパシタＣ２であり、第３のインピーダンスＺ３は、水晶振動子Ｘ及び水晶振動子Ｘの内部容量Ｃ０であり、第４のインピーダンスＺ４は、抵抗器Ｒ４であり、第５のインピーダンスＺ５は、抵抗器Ｒ５であり、第６のインピーダンスＺ６は、キャパシタＣ６であり、第７のインピーダンスＺ７は、キャパシタＣ７であり、第８のインピーダンスＺ８は、並列接続された抵抗器Ｒ８及びキャパシタＣ８であり、第９のインピーダンスＺ９は、並列接続された抵抗器Ｒ９及びキャパシタＣ９である。
【００４６】
キャパシタＣ１、Ｃ２は、水晶振動子Ｘと協働して発振周波数ｆを規定し、抵抗器Ｒ８、Ｒ９は、ＰＮＰ型トランジスタＴＲ１及びＮＰＮ型トランジスタＴＲ２のエミッタ電流を規定し、抵抗器Ｒ４、Ｒ５は、ＰＮＰ型トランジスタＴＲ１及びＮＰＮ型トランジスタＴＲ２のベース電流を規定し、キャパシタＣ６、Ｃ７は、直流成分を遮断する。また、キャパシタＣｐｓは、バイパスコンデンサであり、Ｃｃｐは、カップリングコンデンサである。
【００４７】
ＮＰＮ型トランジスタＴＲ１及びＰＮＰ型トランジスタＴＲ２のベース電流については、抵抗器Ｒ４、Ｒ５により規定することに代えて、図５に示されるように、電源電位Ｖｃｃ及び接地電位ＧＮＤ間に直列接続された抵抗器ｒ１、ｒ２、ｒ３により規定することも可能である。
【００４８】
図６は、本発明に係る発振装置の実施例１の交流的等価回路のシミュレーション結果を示したものである。上記した交流的等価回路ＯＳＣ１（ｅｑ＿ａｌｔ）のシミュレーションは、トランジスタの電流増幅率ｈｆｅ＝１００、キャリアのベース走行時間τＦ＝０．３ｎｓｅｃ、Ｒ４＝Ｒ５＝２０ｋΩ、Ｃ１＝Ｃ２＝５１ｐＦの条件の下に、ＰＮＰ型トランジスタＴＲ１及びＮＰＮ型トランジスタＴＲ２のコレクタ電流Ｉｃをパラメータとしている。
【００４９】
交流的等価回路ＯＳＣ１（ｅｑ＿ａｌｔ）では、図６に示されるように、コレクタ電流Ｉｃ＝０．１ｍＡのとき、負性抵抗Ｒｂｃｉ＝１０ｋΩ（絶対値）となり（このとき、周波数ｆ＝３ＭＨｚ）、コレクタ電流Ｉｃ＝０．２ｍＡのとき、負性抵抗Ｒｂｃｉ＝１３ｋΩ（絶対値）となり（このとき、周波数ｆ＝４．３ＭＨｚ）、コレクタ電流Ｉｃ＝０．５ｍＡのとき、負性抵抗Ｒｂｃｉ＝１４ｋΩ（絶対値）となり（このとき、周波数ｆ＝６．４ＭＨｚ）、図２４に示されるような、図２１〜図２３に図示の従来の発振装置ＯＳＣ１００、等価回路ＯＳＣ１００（ｅｑ）の負性抵抗Ｒｂｃｉ＝１．６ｋΩ（絶対値）に比して、大きい値にすることができる。
【００５０】
《実施例１の変形例１》
図７は、本発明に係る発振装置の実施例１の変形例１の等価ブロック図である。実施例１の変形例１の発振装置ＯＳＣ１（ｅｑ１）は、図７に示されるように、基本的に、実施例１の等価回路ＯＳＣ１（ｅｑ）と同様な構成を有する。実施例１の等価回路ＯＳＣ１（ｅｑ）との相違点は、第２のインピーダンスＺ２（図１に図示。）が、第２のキャパシタＣ２に代えて、直列接続されたキャパシタＣ２ａ及びインダクタＬ２ａから構成されているところである。
【００５１】
従って、変形例１の等価回路ＯＳＣ１（ｅｑ１）の負性抵抗Ｒｂｃｉ、リアクタンスＣｂｃｉは、実施例１の等価回路ＯＳＣ１（ｅｑ）の負性抵抗Ｒｂｃｉ、リアクタンスＣｂｃｉを与える（１４）式に示されるＣ２に、（１６）式に示されるＣ２を代入することにより得られる。
【００５２】
【数１６】
2008072171.tif 000018
図８は、実施例１の変形例１の等価回路のシミュレーション結果を示したものである。当該シミュレーションは、トランジスタの電流増幅率ｈｆｅ＝１００、キャリアのベース走行時間τＦ＝０．３ｎｓｅｃ、Ｒ４＝Ｒ５＝２０ｋΩ、Ｃ１＝２０ｐＦ、Ｃ２ａ＝１０ｐＦ、Ｌ２ａ＝１０μＨを条件としている。
【００５３】
等価回路ＯＳＣ１（ｅｑ１）では、図８に示されるように、負性抵抗Ｒｂｃｉは、発振周波数ｆ＝９ＭＨｚで、１０ｋΩ（絶対値）となり、従来の発振装置ＯＳＣ１００の負性抵抗Ｒｂｃｉの１．６ｋΩとして比較して、大きい値とすることができる。更に、実施例１の等価回路ＯＳＣ１（ｅｑ）の負性抵抗Ｒｂｃｉのシミュレーション結果を示す図６との比較から明らかなように、実施例１の等価回路ＯＳＣ１（ｅｑ）（但し、コレクタ電流Ｉｃ＝０．５ｍＡ）が、負性抵抗Ｒｂｃｉの値が０以下であるとき、即ち、６ＭＨｚから１００ＭＨｚまでの周波数で発振可能であることとは対照的に、実施例１の変形例１の等価回路ＯＳＣ１（ｅｑ１）は、８ＭＨｚから１６ＭＨｚまでの周波数で発振可能であり、当該等価回路ＯＳＣ１（ｅｑ１）は、実施例１の等価回路ＯＳＣ１（ｅｑ）に比して、安定的な発振を狭帯域で行うことが可能となる。
【００５４】
《実施例１の変形例２》
図９は、本発明に係る発振装置の実施例１の変形例２の等価ブロック図である。実施例１の変形例２の発振装置ＯＳＣ１（ｅｑ２）は、図９に示されるように、基本的に、実施例１の発振装置ＯＳＣ１の等価回路ＯＳＣ１（ｅｑ）と同様な構成を有する。実施例１の等価回路ＯＳＣ１（ｅｑ）との相違点は、第２のインピーダンスＺ２（図１に図示。）が、第２のキャパシタＣ２に代えて、並列接続されたキャパシタＣ２ａ及びインダクタＬ２ａから構成されているところである。
【００５５】
従って、変形例２の等価回路ＯＳＣ１（ｅｑ２）の負性抵抗Ｒｂｃｉ、リアクタンスＣｂｃｉは、実施例１の等価回路ＯＳＣ１（ｅｑ）の負性抵抗Ｒｂｃｉ、リアクタンスＣｂｃｉを与える（１４）式に示されるＣ２に、（１７）式に示されるＣ２を代入することにより得られる。
【００５６】
【数１７】
2008072171.tif 000019
図１０は、実施例１の変形例２の等価回路のシミュレーション結果を示したものである。当該シミュレーションは、実施例１の変形例１の発振装置ＯＳＣ１（ｅｑ１）のシミュレーションと同様に、トランジスタの電流増幅率ｈｆｅ＝１００、キャリアのベース走行時間τＦ＝０．３ｎｓｅｃ、Ｒ４＝Ｒ５＝２０ｋΩ、Ｃ１＝２０ｐＦ、Ｃ２ａ＝１０ｐＦ、Ｌ２ａ＝１０μＨを条件としている。
【００５７】
変形例２の等価回路ＯＳＣ１（ｅｑ２）では、図１０に示されるように、負性抵抗Ｒｂｃｉは、周波数ｆ＝９ＭＨｚで、１０ｋΩ（絶対値）となり、従来の発振装置ＯＳＣ１００の負性抵抗Ｒｂｃｉの１．６ｋΩとして比較して、大きい値とすることができる。更に、変形例１の等価回路ＯＳＣ１（ｅｑ１）の負性抵抗Ｒｂｃｉのシミュレーション結果を示す図８との比較から明らかなように、変形例１の等価回路ＯＳＣ１（ｅｑ１）が、８ＭＨｚから１６ＭＨｚまでの周波数で発振可能であることとは対照的に、変形例２の等価回路ＯＳＣ１（ｅｑ２）は、６．５ＭＨｚから１３ＭＨｚまでの周波数で発振可能であり、変形例２の等価回路ＯＳＣ１（ｅｑ２）は、変形例１の等価回路ＯＳＣ１（ｅｑ１）に比して、安定的な発振をより一層、狭帯域で行うことが可能となる。
【００５８】
《実施例２》
図１１は、実施例２の発振装置の構成を示すブロック図である。実施例２の発振装置ＯＳＣ２は、発振周波数ｆを有する発振信号ＯＳを生成すべく、図１１に示されるように、実施例１の発振装置ＯＳＣ１と異なり、ＰＮＰ型トランジスタＴＲ１に代えて、ＮＰＮ型トランジスタＴＲ１を有し、ＮＰＮ型トランジスタＴＲ２に代えて、ＰＮＰ型トランジスタＴＲ２を有し、他方で、実施例１の発振装置ＯＳＣ１と同様に、第１〜第９のインピーダンスＺ１〜Ｚ９とを含む。図１１で、（一）は、”一端”を示し、（他）は、”他端”を示す。
【００５９】
〈交流回路〉
発振装置ＯＳＣ２について、交流的な接続関係を説明する。
【００６０】
ＮＰＮ型トランジスタＴＲ１は、そのコレクタが、電源電位Ｖｃｃに接続されており、ＰＮＰ型トランジスタＴＲ２は、そのコレクタが、接地電位ＧＮＤに接続されている。
【００６１】
第３のインピーダンスＺ３は、その一端が、接地電位ＧＮＤに接続されており、第２のインピーダンスＺ２は、その一端が、接地電位ＧＮＤに接続されている。
【００６２】
ＮＰＮ型トランジスタＴＲ１、ＰＮＰ型トランジスタＴＲ２、第３のインピーダンスＺ３、及び第１のインピーダンスＺ１間の接続関係については、ＮＰＮ型トランジスタＴＲ１のベース、ＰＮＰ型トランジスタＴＲ２のベース、第３のインピーダンスＺ３の他端、及び、第１のインピーダンスＺ１の一端が相互に接続されている。
【００６３】
ＮＰＮ型トランジスタＴＲ１、ＰＮＰ型トランジスタＴＲ２、第１のインピーダンスＺ１、及び第２のインピーダンスＺ２間の接続関係については、ＮＰＮ型トランジスタＴＲ１のエミッタ、ＰＮＰ型トランジスタＴＲ２のエミッタ、第１のインピーダンスＺ１の他端、及び、第２のインピーダンスＺ２の他端が相互に接続されている。
【００６４】
第６のインピーダンスＺ６は、ＮＰＮ型トランジスタＴＲ１のベースと、第３のインピーダンスＺ３の他端と第１のインピーダンスＺ１の一端との接続点ＩＳとの間に接続されている。また、第７のインピーダンスＺ７は、ＰＮＰ型トランジスタＴＲ２のベースと、前記接続点ＩＳとの間に接続されている。  
【００６５】
ここで、ＮＰＮ型トランジスタＴＲ１は、『ＮＰＮ型トランジスタ』に相当し、ＰＮＰ型トランジスタＴＲ２は、『ＰＮＰ型トランジスタ』に相当し、第１のインピーダンスＺ１は、『第１のキャパシタ』に相当し、第２のインピーダンスＺ２は、『第２のキャパシタ』に相当し、第３のインピーダンスＺ３は、『水晶振動子』に相当し、第６のインピーダンスＺ６は、『第３のキャパシタ』に相当し、第７のインピーダンスＺ７は、『第４のキャパシタ』に相当する。
【００６６】
〈直流回路（バイアス回路）〉
発振装置ＯＳＣ２について、直流的な接続関係を説明する。
【００６７】
第８のインピーダンスＺ８は、ＮＰＮ型トランジスタＴＲ１のコレクタ及び電源電位Ｖｃｃ間に接続されており、第４のインピーダンスＺ４は、ＮＰＮ型トランジスタＴＲ１のコレクタ及びベース間に接続されている。
【００６８】
第９のインピーダンスＺ９は、ＰＮＰ型トランジスタＴＲ２のコレクタ及び接地電位ＧＮＤ間に接続されており、第５のインピーダンスＺ５は、ＰＮＰ型トランジスタＴＲ２のコレクタ及びベース間に接続されている。
【００６９】
また、第８のインピーダンスＺ８は、『第１の抵抗器』に相当し、第４のインピーダンスＺ４は、『第２の抵抗器』に相当し、第９のインピーダンスＺ９は、『第３の抵抗器』に相当し、第５のインピーダンスＺ５は、『第４の抵抗器』に相当する。
【００７０】
図１２は、実施例２の発振装置の等価ブロック図である。発振装置ＯＳＣ２の等価回路ＯＳＣ２（ｅｑ）では、図１２に示されるように、ＮＰＮ型トランジスタＴＲ１は、定電流ｇｍ×Ｖｅｂ（ベース・エミッタ間電圧）を流す定電流源ＣＣ１と、ベース・エミッタ間抵抗Ｒπと、ベース・エミッタ間容量Ｃπとで表わされ、また、ＰＮＰ型トランジスタＴＲ２は、定電流ｇｍ×Ｖｅｂを流す定電流源ＣＣ２と、ベース・エミッタ間抵抗Ｒπと、ベース・エミッタ間容量Ｃπとで表わされる。ここで、ｇｍは、ＮＰＮ型トランジスタＴＲ１及びＰＮＰ型トランジスタＴＲ２の相互コンダクタンスである。
【００７１】
等価回路ＯＳＣ２（ｅｑ）では、第１のインピーダンスＺ１は、キャパシタＣ１であり、第２のインピーダンスＺ２は、キャパシタＣ２であり、第３のインピーダンスＺ３は、水晶振動子Ｘ（インピーダンス値ｚｘｔを有する。）である。
【００７２】
また、実施例１の等価回路ＯＳＣ１（ｅｑ）と同様に、第４のインピーダンスＺ４は、抵抗器Ｒ４であり、第５のインピーダンスＺ５は、抵抗器Ｒ５であり、第６のインピーダンスＺ６は、キャパシタＣ６であり、第７のインピーダンスＺ７は、キャパシタＣ７であり、第８のインピーダンスＺ８は、並列接続された抵抗器Ｒ８及びキャパシタＣ８であり、第９のインピーダンスＺ９は、並列接続された抵抗器Ｒ９及びキャパシタＣ９である。
【００７３】
図１３は、実施例２の発振装置の交流的等価回路を示す。実施例２の発振装置ＯＳＣ２の交流的等価回路ＯＳＣ２（ｅｑ＿ａｌｔ）は、図１２に図示された、定電流源ＣＣ１、ＣＣ２に代えて、定電流ｇｍ×ｚａ×ｉ１を供給する定電流源ＣＣ３、ＣＣ４を有する。交流的等価回路ＯＳＣ２（ｅｑ＿ａｌｔ）にキルヒホッフの法則を適用すると、電流及び電圧の関係から、それぞれ、（１８）式、（１９）式が得られる。
【００７４】
【数１８】
2008072171.tif 000020
【００７５】
【数１９】
2008072171.tif 000021
（１８）式及び（１９）式より、発振可能なインピーダンス条件を与える回路方程式である（２０）式が得られる。
【００７６】
【数２０】
2008072171.tif 000022
ここで、抵抗器Ｒ４＝抵抗器Ｒ５＝ＲＢとすると、相互に並列接続された、キャパシタＣ１と、２つの抵抗Ｒπと、２つの容量ＣπとからなるインピーダンスＺａ、及び、相互に並列接続された、抵抗器Ｒ４と、水晶振動子Ｘと、抵抗器Ｒ５とからなるインピーダンスＺｂは、（２１）式により与えられる。
【００７７】
【数２１】
2008072171.tif 000023
交流的等価回路ＯＳＣ２（ｅｑ＿ａｌｔ）の発振条件は、（２２）式により与えられる。
【００７８】
【数２２】
2008072171.tif 000024
負性抵抗Ｒｂｃｉ、リアクタンスＣｂｃｉは、（２３）式により与えられる。
【００７９】
【数２３】
2008072171.tif 000025
ＮＰＮ型トランジスタＴＲ１及びＰＮＰ型トランジスタＴＲ２について、相互コンダクタンスｇｍ、ベース・エミッタ間抵抗Ｒπ、ベース・エミッタ間容量Ｃπ、電流増幅率ｈｆｅ、キャリアのベース走行時間τＦの間の関係は、（２４）式により表わされる。
【００８０】
【数２４】
2008072171.tif 000026
図１４は、実施例２の発振装置の具体的回路を示す。実施例２の発振装置ＯＳＣ２の具体的回路ＯＳＣ２（ｅｍｂ１）では、図１４に示されるように、第１のインピーダンスＺ１は、キャパシタＣ１であり、第２のインピーダンスＺ２は、キャパシタＣ２であり、第３のインピーダンスＺ３は、水晶振動子Ｘ及び水晶振動子Ｘの内部容量Ｃ０であり、第４のインピーダンスＺ４は、抵抗器Ｒ４であり、第５のインピーダンスＺ５は、抵抗器Ｒ５であり、第６のインピーダンスＺ６は、キャパシタＣ６であり、第７のインピーダンスＺ７は、キャパシタＣ７であり、第８のインピーダンスＺ８は、並列接続された抵抗器Ｒ８及びキャパシタＣ８であり、第９のインピーダンスＺ９は、並列接続された抵抗器Ｒ９及びキャパシタＣ９である。
【００８１】
キャパシタＣ１、Ｃ２は、水晶振動子Ｘと協働して発振周波数ｆを規定し、抵抗器Ｒ８、Ｒ９は、ＮＰＮ型トランジスタＴＲ１及びＰＮＰ型トランジスタＴＲ２のエミッタ電流を規定し、抵抗器Ｒ４、Ｒ５は、ＮＰＮ型トランジスタＴＲ１及びＰＮＰ型トランジスタＴＲ２のベース電流を規定し、キャパシタＣ６、Ｃ７は、直流成分を遮断する。また、キャパシタＣｐｓは、バイパスコンデンサであり、Ｃｃｐは、カップリングコンデンサである。
【００８２】
ＰＮＰ型トランジスタＴＲ１及びＮＰＮ型トランジスタＴＲ２のベース電流については、抵抗器Ｒ４、Ｒ５により規定することに代えて、図１５に示されるように、電源電位Ｖｃｃ及び接地電位ＧＮＤ間に直列接続された抵抗器ｒ１、ｒ２、ｒ３により規定することも可能である。
【００８３】
図１６は、本発明に係る発振装置の実施例２の交流的等価回路のシミュレーション結果を示したものである。上記した交流的等価回路ＯＳＣ２（ｅｑ＿ａｌｔ）の当該シミュレーションは、実施例１の交流的等価回路ＯＳＣ１（ｅｑ＿ａｌｔ）と同様に、トランジスタの電流増幅率ｈｆｅ＝１００、キャリアのベース走行時間τＦ＝０．３ｎｓｅｃ、Ｒ４＝Ｒ５＝２０ｋΩ、Ｃ１＝Ｃ２＝５１ｐＦの条件の下に、ＮＰＮ型トランジスタＴＲ１及びＰＮＰ型トランジスタＴＲ２のコレクタ電流Ｉｃをパラメータとしている。
【００８４】
発振装置ＯＳＣ２の交流的等価回路ＯＳＣ２（ｅｑ＿ａｌｔ）では、図１６に示されるように、図４に図示の発振装置ＯＳＣ１の交流的等価回路ＯＳＣ１（ｅｑ＿ａｌｔ）の条件と同様に、コレクタ電流Ｉｃ＝０．１ｍＡのとき、負性抵抗Ｒｂｃｉ＝１０ｋΩ（絶対値）となり（このとき、周波数ｆ＝３ＭＨｚ）、コレクタ電流Ｉｃ＝０．２ｍＡのとき、負性抵抗Ｒｂｃｉ＝１３ｋΩ（絶対値）となり（このとき、周波数ｆ＝４．３ＭＨｚ）、コレクタ電流Ｉｃ＝０．５ｍＡのとき、負性抵抗Ｒｂｃｉ＝１４ｋΩ（絶対値）となり（このとき、周波数ｆ＝６．４ＭＨｚ）、図２４に示されるような、図２１〜図２３に図示の従来の発振装置ＯＳＣ１００、等価回路ＯＳＣ１００（ｅｑ）の負性抵抗Ｒｂｃｉ＝１．６ｋΩ（絶対値）に比して、大きい値にすることができる。
【００８５】
《実施例２の変形例１》
図１７は、実施例２の変形例１の発振装置の等価ブロック図である。実施例２の変形例１の発振装置ＯＳＣ２（ｅｑ１）では、図１７に示されるように、基本的に、実施例２の等価回路ＯＳＣ２（ｅｑ）と同様な構成を有する。実施例２の等価回路ＯＳＣ２（ｅｑ）との相違点は、第２のインピーダンスＺ２（図１１に図示。）が、第２のキャパシタＣ２に代えて、直列接続されたキャパシタＣ２ａ及びインダクタＬ２ａから構成されているところである。
【００８６】
従って、変形例１の等価回路ＯＳＣ２（ｅｑ１）の負性抵抗Ｒｂｃｉ、リアクタンスＣｂｃｉは、実施例２の等価回路ＯＳＣ２（ｅｑ）の負性抵抗Ｒｂｃｉ、リアクタンスＣｂｃｉを与える（２３）式に示されるＣ２に、（２５）式に示されるＣ２を代入することにより得られる。
【００８７】
【数２５】
2008072171.tif 000027
図１８は、実施例２の変形例１の等価回路のシミュレーション結果を示す。当該シミュレーションは、実施例１の変形例１の条件と同様に、トランジスタの電流増幅率ｈｆｅ＝１００、キャリアのベース走行時間τＦ＝０．３ｎｓｅｃ、Ｒ４＝Ｒ５＝ＲＢ＝２０ｋΩ、Ｃ１＝２０ｐＦ、Ｃ２ａ＝１０ｐＦ、Ｌ２ａ＝１０μＨを条件としている。
【００８８】
等価回路ＯＳＣ２（ｅｑ１）では、図１８に示されるように、負性抵抗Ｒｂｃｉは、発振周波数ｆ＝９ＭＨｚで、１０ｋΩ（絶対値）となり、従来の発振装置ＯＳＣ１００の負性抵抗Ｒｂｃｉの１．６ｋΩとして比較して、大きい値とすることができる。更に、実施例２の等価回路ＯＳＣ２（ｅｑ）の負性抵抗Ｒｂｃｉのシミュレーション結果を示す図１６との比較から明らかなように、実施例２の等価回路ＯＳＣ２（ｅｑ）（但し、コレクタ電流Ｉｃ＝０．５ｍＡ）が、６ＭＨｚから１００ＭＨｚまでの周波数で発振可能であることとは対照的に、実施例２の変形例１の等価回路ＯＳＣ２（ｅｑ１）は、８ＭＨｚから１６ＭＨｚまでの周波数で発振可能であり、実施例２の変形例１の等価回路ＯＳＣ２（ｅｑ１）は、実施例２の発振装置ＯＳＣ２（ｅｑ）に比して、安定的な発振を狭帯域で行うことが可能となる。
【００８９】
《実施例２の変形例２》
図１９は、実施例２の変形例２の発振装置の等価ブロック図である。実施例２の変形例２の発振装置ＯＳＣ２（ｅｑ２）では、図１９に示されるように、基本的に、実施例２の発振装置ＯＳＣ２の等価回路ＯＳＣ２（ｅｑ）と同様な構成を有する。実施例２の等価回路ＯＳＣ２（ｅｑ）との相違点は、第２のインピーダンスＺ２（図１１に図示。）が、第２のキャパシタＣ２に代えて、並列接続されたキャパシタＣ２ａ及びインダクタＬ２ａから構成されているところである。
【００９０】
従って、変形例２の発振装置ＯＳＣ２（ｅｑ２）の負性抵抗Ｒｂｃｉ、リアクタンスＣｂｃｉは、実施例２の発振装置ＯＳＣ２（ｅｑ）の負性抵抗Ｒｂｃｉ、リアクタンスＣｂｃｉを与える（２３）式に示されるＣ２に、（２６）式に示されるＣ２を代入することにより得られる。
【００９１】
【数２６】
2008072171.tif 000028
図２０は、実施例２の変形例２の等価回路のシミュレーション結果を示す。当該シミュレーションは、変形例１の発振装置ＯＳＣ２（ｅｑ１）のそれと同様に、トランジスタの電流増幅率ｈｆｅ＝１００、キャリアのベース走行時間τＦ＝０．３ｎｓｅｃ、Ｒ４＝Ｒ５＝２０ｋΩ、Ｃ１＝２０ｐＦ、Ｃ２ａ＝１０ｐＦ、Ｌ２ａ＝１０μＨを条件としている。
【００９２】
変形例２の発振装置ＯＳＣ２（ｅｑ２）では、図２０に示されるように、負性抵抗Ｒｂｃｉは、発振周波数ｆ＝９ＭＨｚで、１０ｋΩ（絶対値）となり、従来の発振装置ＯＳＣ１００の負性抵抗Ｒｂｃｉの１．６ｋΩとして比較して、大きい値とすることができる。更に、変形例１の発振装置ＯＳＣ２（ｅｑ１）の負性抵抗Ｒｂｃｉのシミュレーション結果を示す図２０との比較から明らかなように、変形例１の発振装置ＯＳＣ２（ｅｑ１）が、８ＭＨｚから１６ＭＨｚまでの周波数で発振可能であることとは対照的に、変形例２の等価回路ＯＳＣ２（ｅｑ２）は、６．５ＭＨｚから１３ＭＨｚまでの周波数で発振可能であり、変形例２の等価回路ＯＳＣ２（ｅｑ２）は、変形例１の等価回路ＯＳＣ２（ｅｑ１）に比して、安定的な発振をより狭帯域で行うことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００９３】
【図１】実施例１の発振装置の構成を示すブロック図。
【図２】実施例１の発振装置の等価ブロック図。
【図３】実施例１の発振装置の交流的等価回路を示す図。
【図４】実施例１の発振装置の具体的回路を示す図。
【図５】実施例１の発振装置の他のバイアス回路を示す図。
【図６】実施例１の発振装置の交流的等価回路のシミュレーション結果を示す図。
【図７】実施例１の変形例１の発振装置の等価ブロック図。
【図８】実施例１の変形例１の等価回路のシミュレーション結果を示す図。
【図９】実施例１の変形例２の発振装置の等価ブロック図。
【図１０】実施例１の変形例２の等価回路のシミュレーション結果を示す図。
【図１１】実施例２の発振装置の構成を示すブロック図
【図１２】実施例２の発振装置の等価ブロック図。
【図１３】実施例２の発振装置の交流的等価回路を示す図。
【図１４】実施例２の発振装置の具体的回路を示す図。
【図１５】実施例２の発振装置の他のバイアス回路を示す図。
【図１６】実施例２の発振装置の交流的等価回路のシミュレーション結果を示す図。
【図１７】実施例２の変形例１の発振装置の等価ブロック図。
【図１８】実施例２の変形例１の等価回路のシミュレーション結果を示す図。
【図１９】実施例２の変形例２の発振装置の等価ブロック図。
【図２０】実施例２の変形例２の等価回路のシミュレーション結果を示す図。
【図２１】従来の発振装置の構成を示す図。
【図２２】従来の発振装置の等価ブロック図。
【図２３】従来の発振装置の等価回路を示す図。
【図２４】従来の発振装置のシミュレーション結果を示す図。
【符号の説明】
【００９４】
ＯＳＣ１（ｅｑ）…発振装置の等価回路、ＴＲ１…ＰＮＰ型トランジスタ、ＴＲ２…ＮＰＮ型トランジスタ、Ｃ１…第１のキャパシタ、Ｃ２…第２のキャパシタ、Ｘ…水晶振動子。
【図１】
2008072171.tif 000029
【図２】
2008072171.tif 000030
【図３】
2008072171.tif 000031
【図４】
2008072171.tif 000032
【図５】
2008072171.tif 000033
【図６】
2008072171.tif 000034
【図７】
2008072171.tif 000035
【図８】
2008072171.tif 000036
【図９】
2008072171.tif 000037
【図１０】
2008072171.tif 000038
【図１１】
2008072171.tif 000039
【図１２】
2008072171.tif 000040
【図１３】
2008072171.tif 000041
【図１４】
2008072171.tif 000042
【図１５】
2008072171.tif 000043
【図１６】
2008072171.tif 000044
【図１７】
2008072171.tif 000045
【図１８】
2008072171.tif 000046
【図１９】
2008072171.tif 000047
【図２０】
2008072171.tif 000048
【図２１】
2008072171.tif 000049
【図２２】
2008072171.tif 000050
【図２３】
2008072171.tif 000051
【図２４】
2008072171.tif 000052