(57)【要約】 【課題】  配線導体とビア導体との接合部付近のデラミネーションやボイドの集中がなく、かつ高周波領域において高い導電率が得られる配線基板およびその製造方法を提供する。【解決手段】  焼成することで得られるガラスセラミックスからなる絶縁層１ａ〜１ｇに配線導体２およびビア導体３が形成された配線基板１において、配線導体２が銅箔によって形成され、銅箔の厚み方向に垂直な面に導体粉末層を焼成することで得られ、金属成分が非金属成分よりも多く含まれる導体層４ｂが形成され、この導体層４ｂがビア導体３および絶縁層１ａ〜１ｇと接合するようにする。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラスセラミックスで構成される絶縁層に配線導体およびビア導体が同時焼成により形成された配線基板において、前記配線導体が金属箔によって形成され、前記金属箔の厚み方向に垂直な面のどちらか一方の面に導体粉末層を焼成することで得られ、金属成分が非金属成分よりも多く含まれる第１の導体層が形成され、前記第１の導体層が前記ビア導体および前記絶縁層と接合していることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記第１の導体層の金属成分と非金属成分との比率を１００：Ｘとしたときに、Ｘが２０以下であること特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記金属箔の厚み方向に垂直な面のどちらか一方の面であって、前記第１の導体層が形成された面と反対の面に導体粉末層を焼成することで得られ、金属成分が非金属成分よりも多く含まれる第２の導体層が形成され、前記第２の導体層が前記絶縁層と接合していることを特徴とする請求項１または２に記載の配線基板。
【請求項４】
前記第１の導体層および前記第２の導体層の金属成分と非金属成分との比率を１００：Ｙとしたときに、Ｙが２０以下であることを特徴とする請求項３に記載の配線基板。
【請求項５】
前記配線基板の主面に垂直な方向から平面視した場合に、前記金属箔と前記第１または第２の導体層とが同じ大きさであり、前記第１または第２の導体層は前記金属箔が形成された範囲内に形成されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の配線基板。
【請求項６】
（ａ）ガラス粉末を含むグリーンシートに貫通孔を形成し、前記貫通孔にビア導体ペーストを充填する工程と、
（ｂ）前記グリーンシートに導体ペーストを塗布して第１の導体粉末層を形成する工程と、
（ｃ）前記第１の導体粉末層の上に金属箔を転写する工程と、
（ｄ）前記金属箔が形成された前記グリーンシートを含む複数の前記グリーンシートを積層して積層体を作製する工程と、
（ｅ）前記積層体を、前記金属箔を形成する金属の融点よりも低い温度で、積層体の厚み方向に垂直な方向の収縮を抑制して焼成する工程とを具備することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項７】
前記導体ペーストに含まれる金属粉末の平均粒径が５μｍ以下であることを特徴とする請求項６に記載の配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板およびその製造方法に関し、特に、多層配線基板および半導体素子収納用パッケージ、混成集積回路装置などに好適に使用できる配線基板およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
高集積化が進むＩＣ（Integrated Circuit）やＬＳＩ（Large Scale Integration）などの半導体素子を搭載する半導体素子収納用パッケージや、各種電子部品が搭載される混成集積回路装置などに適用される配線基板としては、アルミナ焼結体を絶縁材料とした配線基板が多く用いられている。近年では、高集積化が進むＩＣやＬＳＩなどを実装するために、配線抵抗の低抵抗化が要求されるようになり、１０５０℃程度で溶融する銅、銀、金などの低導体抵抗の金属を主成分とした配線導体を絶縁層と同時焼成して使用するために、１０５０℃以下の低温で焼結が可能なガラスセラミックスが配線基板の絶縁材料として用いられるようになってきている。
【０００３】
ガラスセラミックスは、ガラスを焼成するか、あるいは、ガラスとフィラーとを混合して焼成することにより得られるが、その中でも焼成により結晶化するガラスを用いることにより、所望の特性をもつ結晶を析出させ、種々の特性を有するガラスセラミックスが得られることから、近年では重点的に研究が行われている。
【０００４】
このような従来のガラスセラミック配線基板は、絶縁層のスルーホール部あるいは表面に銅、銀、金などを主成分とする配線導体が配設された構造からなる。
【０００５】
最近では、直流抵抗を低減させ、かつボイドを減らす目的で、配線導体に銅箔を用いたガラスセラミック配線基板が注目されている。
【０００６】
たとえば、特許文献１では、表面粗さを３μｍ以上に加工した銅箔をパターン形成後、加工した面をグリーンシートとの接着面となるように積層圧着することを特徴とするガラスセラミック多層配線回路基板の製造方法について開示されている。
【０００７】
そして特許文献２では、転写する銅箔の表面に銅の結晶粒成長を阻害する効果を有するＺｎ、Ｚｒ、Ｓｎの少なくとも１種類を含む金属層もしくは粒子を電着させることにより、高温長時間の焼結後においても銅箔の粗化処理面の形状を保持できることについて開示されている。
【０００８】
また、特許文献３には金属箔などの高純度金属からなる配線導体層と絶縁基板との界面にガラス中に金属粒子を分散した接着層を形成することによって配線導体層と絶縁基板との接着強度を高めることができることについて開示されている。
【０００９】
これらのガラスセラミック配線基板を作製する具体的方法としては、まず、ガラスセラミックスとなる原料粉末および有機バインダーに溶剤を加えて調製したスラリーをドクターブレード法などによってシート状に成形し、グリーンシートを作製する。次に、得られたグリーンシートにビアホールを打ち抜き加工する。
【００１０】
次いで、このビアホールに銅、銀、金などを主成分とするビア導体ペーストを充填する。続いてグリーンシート上に銅、銀、金などを主成分とする導体ペーストを配線パターン状にスクリーン印刷法などで印刷する。もしくは電解銅箔または圧延銅箔を所望のパターン形状に成形後、グリーンシートに圧着する。
【００１１】
最後に、作製したグリーンシート複数枚を加圧積層し、８００℃〜１０００℃で焼成することによってガラスセラミック配線基板が作製できる。
【００１２】
【特許文献１】特開平１１−３３０６９７号公報
【特許文献２】特開２０００−２００９６９号公報
【特許文献３】特開２００２−５０８６５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
銅箔などの金属箔は実質的に焼成収縮しないことが知られている。このような金属箔を配線導体に用いると、焼成中に、焼成収縮する絶縁層と金属箔との間に挙動の不一致が起こり、金属箔の剥離や絶縁層の変形などの問題が生じてしまう。
【００１４】
そのため、配線導体に金属箔を用いる場合には、焼成収縮を抑制する無収縮焼成を行う必要がある。無収縮焼成において配線基板は、配線基板の厚み方向に垂直な方向には焼成収縮せず、厚み方向にのみ焼成収縮する。
【００１５】
この無収縮焼成の際、絶縁層とビア導体との間で焼結挙動の不一致が起こると、絶縁層とビア導体との厚み方向に垂直な面が一致せず、ビア導体が大きく突起、または陥没してしまう。
【００１６】
具体的には、絶縁層と比較してビア導体の収縮量が小さい場合やビア導体の焼成終了温度が絶縁層の焼成終了温度よりも低い場合などにはビア導体が突起する。
【００１７】
また、絶縁層と比較してビア導体の収縮量が大きい場合やビア導体の焼成収縮温度が絶縁層の焼成収縮温度よりも高い場合などにはビア導体が陥没する。
【００１８】
一方、金属箔とビア導体との接合部付近では、金属箔には可塑性がなく、また焼成収縮しないために、上記のようなビア導体の変形により、デラミネーションやボイドの集中が発生してしまう。
【００１９】
また、高周波領域における配線導体の導電率は、配線導体の比抵抗値や配線導体と絶縁層との界面の形状に影響を受けるため、高周波領域において高い導電率を得るには界面の形状が重要になる。
【００２０】
これは、配線導体を流れる電磁波の周波数が高くなると、表皮効果によって配線導体と絶縁層との界面付近を流れる電流密度が高くなるためである。配線導体と絶縁層との界面の凹凸が大きい場合、界面が平滑な場合と比較して電荷の移動距離が長くなり、また凹凸の先端部付近に電荷が集中するために電荷の移動が滞り、導電率が低下する。
【００２１】
さらに、最近の研究結果から、配線導体の厚み方向の面である端面の凹凸も導電率に大きな影響を及ぼすことが確認されている。
【００２２】
特許文献１および特許文献２では、配線導体として表面を粗化形状にした銅箔が用いられている。これは、銅箔単体では絶縁層と充分な接着強度を保持するのが難しいためであり、表面を粗化形状にすることにより、銅箔が絶縁層とアンカー接合し充分な接着強度を保持することができる。
【００２３】
しかしこの方法では、粗化処理により界面の凹凸は大きくなってしまうため、銅箔の導電率は大きく低下してしまう。
【００２４】
特許文献３では、接着層におけるガラスおよびフィラー成分の含有量が多いため、接着層の抵抗値が高くなり、導電率が低下してしまう。
【００２５】
また、特許文献１〜３においては、金属箔とビア導体とが直接接合するために、接合部付近にデラミネーションやボイドの集中が発生してしまうという問題がある。
【００２６】
本発明の目的は、上記課題を解決し、配線導体とビア導体との接合部付近のデラミネーションやボイドの集中がなく、かつ高周波領域での導電率が高い配線基板およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２７】
本発明は、ガラスセラミックスで構成される絶縁層に配線導体およびビア導体が同時焼成により形成された配線基板において、前記配線導体が金属箔によって形成され、前記金属箔の厚み方向に垂直な面のどちらか一方の面に導体粉末層を焼成することで得られ、金属成分が非金属成分よりも多く含まれる第１の導体層が形成され、前記第１の導体層が前記ビア導体および前記絶縁層と接合していることを特徴とする配線基板である。
【００２８】
また本発明の配線基板は、前記第１の導体層の金属成分と非金属成分との比率を１００：Ｘとしたときに、Ｘが２０以下であることを特徴とする。
【００２９】
また本発明の配線基板は、前記金属箔の厚み方向に垂直な面のどちらか一方の面であって、前記第１の導体層が形成された面と反対の面に導体粉末層を焼成することで得られ、金属成分が非金属成分よりも多く含まれる第２の導体層が形成され、前記第２の導体層が前記絶縁層と接合していることを特徴とする。
【００３０】
また本発明の配線基板は、前記第１の導体層および前記第２の導体層の金属成分と非金属成分との比率を１００：Ｙとしたときに、Ｙが２０以下であることを特徴とする。
【００３１】
また本発明の配線基板は、前記配線基板の主面に垂直な方向から平面視した場合に、前記金属箔と前記第１または第２の導体層とが同じ大きさであり、前記第１または第２の導体層は前記金属箔が形成された範囲内に形成されていることを特徴とする。
【００３２】
また本発明は、（ａ）ガラス粉末を含むグリーンシートに貫通孔を形成し、前記貫通孔にビア導体ペーストを充填する工程と、
（ｂ）前記グリーンシートに導体ペーストを塗布して第１の導体粉末層を形成する工程と、
（ｃ）前記第１の導体粉末層の上に金属箔を転写する工程と、
（ｄ）前記金属箔が形成された前記グリーンシートを含む複数の前記グリーンシートを積層して積層体を作製する工程と、
（ｅ）前記積層体を、前記金属箔を形成する金属の融点よりも低い温度で、積層体の厚み方向に垂直な方向の収縮を抑制して焼成する工程とを具備することを特徴とする配線基板の製造方法である。
【００３３】
また本発明の配線基板の製造方法は、前記導体ペーストに含まれる金属粉末の平均粒径が５μｍ以下であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００３４】
本発明によれば、ガラスセラミックスで構成される絶縁層に配線導体およびビア導体が形成された配線基板において、配線導体が金属箔によって形成され、この金属箔の厚み方向に垂直な面のどちらか一方の面に導体粉末層を焼成することで得られ、金属成分が非金属成分よりも多く含まれる第１の導体層が形成され、この第１の導体層がビア導体と接合していることによって、ビア導体と配線導体との接合部において、ビア導体と導体層とが接合されるために、無収縮焼成時において導体粉末層がビア導体の変形を吸収し、デラミネーションやボイドの集中の発生を低減することができる。
【００３５】
また、第１の導体層が絶縁層と接合していることによって、金属箔を粗化することなく、金属箔と絶縁層との接着強度を高めることができる。
【００３６】
さらに、絶縁層と配線導体との界面を導体層により平滑化できるために、高周波領域において高い導電率を得ることができる。
【００３７】
また本発明によれば、第１の導体層の金属成分と非金属成分との比率を１００：Ｘとしたときに、Ｘを２０以下にすることによって、第１の導体層の抵抗値が低くなるために、高周波領域においてさらに高い導電率を得ることができる。
【００３８】
また本発明によれば、金属箔の厚み方向に垂直な面のどちらか一方の面であって、第１の導体層が形成された面と反対の面に導体粉末層を焼成することで得られ、金属成分が非金属成分よりも多く含まれる第２の導体層が形成され、この第２の導体層が絶縁層と接合していることによって、金属箔の表面を粗化することなく、金属箔と絶縁層との接着強度をさらに高めることができる。
【００３９】
また、絶縁層と配線導体との界面を導体層により平滑化できるために、高周波領域においてさらに高い導電率を得ることができる。
【００４０】
また本発明によれば、第１の導体層および第２の導体層の金属成分と非金属成分との比率を１００：Ｙとしたときに、Ｙを２０以下にすることによって、第１の導体層及び第２の導体層の抵抗値が低くなるために、高周波領域においてさらに高い導電率を得ることができる。
【００４１】
また本発明によれば、配線基板の主面に垂直な方向から平面視した場合に、金属箔と第１または第２の導体層とが同じ大きさあり、これらの第１または第２の導体層は金属箔が形成された範囲内に形成されていることにより、端面を流れる高周波領域の電流が金属箔部分のみを流れるようになるため、高い導電率を有する端面を得ることができる。
【００４２】
また本発明の配線基板は、第１の導体粉末層および金属箔が形成されたグリーンシートを含む複数のグリーンシートを積層して積層体を作製した後、金属箔を形成する金属の融点よりも低い温度で、積層体の厚み方向に垂直な方向の収縮を抑制して焼成することにより製造される。
【００４３】
上記製造方法において、積層体の厚み方向に垂直な方向の収縮を抑制して焼成することにより、配線導体とビア導体との接合部付近のデラミネーションやボイドの集中がなく、高周波領域での導電率が高い配線基板を提供できる。
【００４４】
また本発明によれば、導体ペーストに含まれる金属粉末の平均粒径が５μｍ以下であることにより、絶縁層と配線導体との界面の凹凸の影響が小さくなるために、高周波領域においてより高い導電率を得られる配線基板を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４５】
本発明の配線基板は、絶縁層に配線導体およびビア導体が形成されたガラスセラミック配線基板である。
【００４６】
図１（ａ）は、本発明の配線基板の構造を示す部分断面図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）の配線基板の内部導体２ｂとビア導体３との接合部付近の構造を示す部分断面図である。
【００４７】
図１（ａ）に示すように、本発明の配線基板１は７層の絶縁層１ａ〜１ｇから構成され、配線基板１の表面に位置する絶縁層１ａおよび１ｇには表面導体２ａが形成されている。また、絶縁層１ａ〜１ｇの層間には内部導体２ｂが形成されている。また、絶縁層１ａ〜１ｇにはその厚み方向に表面導体２ａと内部導体２ｂとを接続するための、または内部導体２ｂ同士を接続するためのビア導体３が形成されている。
【００４８】
本発明の配線基板１では、たとえば、図１（ｂ）に示すように、表面導体２ａおよび内部導体２ｂで構成される配線導体２は、主に金属箔４ａによって形成されている。
この金属箔４ａの厚み方向に垂直な面に、導体粉末層を焼成することで得られ、金属成分が非金属成分よりも多く含まれる導体層４ｂが形成され、この導体層４ｂは、絶縁層１ｃ〜１ｅおよびビア導体３と接合している。
【００４９】
焼成過程において、導体粉末層は金属箔４ａと比較してやわらかく変形するため、導体層４ｂとビア導体３との接合部において、無収縮焼成時に発生するビア導体３の変形を導体粉末層が吸収でき、配線導体２とビア導体３との接合部付近に発生するデラミネーションやボイドの集中を低減することができる。
【００５０】
また金属箔４ａと絶縁層１ｃ〜１ｅとの間に導体層４ｂを設けることにより、金属箔４ａを粗化することなく、金属箔４ａと絶縁層１ｃ〜１ｅとの接着強度を高めることができる。
【００５１】
さらに、絶縁層１ｃ〜１ｅと配線導体２との界面を導体層４ｂにより平滑化できるために、粗化された金属箔４ａと比較して配線導体２と絶縁層１ｃ〜１ｅとの界面の凹凸を低減することができ、高周波領域において高い導電率を得ることができる。
【００５２】
また導体層４ｂの金属成分と非金属成分との比率を質量部の比で１００：Ｘとしたときに、Ｘが２０以下であることが好ましい。これにより、導体層４ｂの抵抗値が低くなるために、高周波領域においてさらに高い導電率を得ることができる。
【００５３】
なお、本発明においては、金属箔４ａは粗化されていても、されていなくてもよい。しかし、金属箔４ａの厚み方向に垂直な面の表面粗さが大きくなると、導体層４ｂによって表面粗さをなくすことが難しくなり、配線導体２の界面付近の導電率が低くなってしまうことから、金属箔４ａの粗化は行わないことが好ましい。
【００５４】
また、配線基板１の主面に垂直な方向から平面視した場合に、金属箔４ａと導体層４ｂとがほぼ同じ大きさであり、導体層４ｂは金属箔４ａが形成された範囲内に形成されていることが好ましい。すなわち導体層４ｂの幅５が金属箔４ａの幅６以下の大きさであることが好ましい。
【００５５】
金属箔４ａによって配線導体２を形成する際には、金属箔４ａをエッチングすることによりパターンニングするため、端面の形状は平滑である。
【００５６】
一方、導体層４ｂは粗化された金属箔４ａと比較して界面の凹凸は小さいが、配線導体２を形成する際にはスクリーン印刷法などを用いるため、スクリーンのメッシュの影響を受け、端面の凹凸が大きくなってしまう。
【００５７】
したがって、高周波領域において高い導電率を有する端面を得るためには、端面を流れる電流が端面の形状が平滑な金属箔４ａのみを流れるようにする必要があり、したがって金属箔４ａの幅６と導体層４ｂの幅５との差が３０μｍ以下の大きさであるようにすることにより、高い導電率を有する端面を得ることができる。
【００５８】
これにより、導体層４ｂにより配線導体２の絶縁層１ａ〜１ｇとの界面を平滑にでき、さらに金属箔４ａの幅６と導体層４ｂの幅５との差が３０μｍ以下の大きさであるようにすることにより配線導体２の端面を平滑にできるために、配線導体２の高い導電率を得ることができる。
【００５９】
なお、本発明においては配線基板１の用途や配線導体２の設計によっては、配線導体１の特に高い導電率が必要な部分を金属箔４ａと導体層４ｂで構成される層にし、その他の部分を金属箔４ａのみまたは導体層４ｂのみで構成される層としてもよい。その場合、それらの一方のみで構成される層としては、配線導体とビア導体の接合部分のデラミネーションやボイドの集中を抑制するため、導体層のみで構成される層であることが好ましい。
【００６０】
また、他の実施形態として、図２に示すように、金属箔４ａの厚み方向に垂直な面のうち、ビア導体と接合している面と反対の面に導体層４ｂが形成されていない構成であってもよい。
【００６１】
本発明の配線基板１の製造方法は、図３に示すようにグリーンシートを作製する工程、ビアホールを作製し、ビア導体ペーストを充填する工程、第１の導体粉末層を形成する工程、金属箔および第２の導体粉末層を形成する工程、積層体を作製する工程および焼成工程からなる。
以下に、本発明の配線基板１の製造方法について詳細に説明する。
【００６２】
（グリーンシートを作製する工程）
まず、グリーンシートを作製するためのスラリーを調製するために、原料粉末としてガラス粉末とセラミックフィラー粉末とを準備する。
【００６３】
ガラス粉末としては、ＳｉＯ２と、さらにＢ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＰｂＯ、アルカリ土類金属酸化物、アルカリ金属酸化物のうちの少なくとも１種以上とを含有するものであって、たとえば、ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３系、ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３系、ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３−ＭＯ系（ＭはＣａ、Ｓｒ、Ｍｇ、Ｂａ、ＺｎまたはＰｂを示す。）などのホウケイ酸ガラス、アルカリ珪酸ガラス、Ｂａ系ガラス、Ｐｂ系ガラス、Ｂｉ系ガラスなどが挙げられる。
【００６４】
これらの中でも焼成処理後に、リチウムシリケート、クォーツ、クリストバライト、コージェライト、ムライト、アノーサイト、セルジアン、スピネル、ガ−ナイト、ウイレマイト、ドロマイト、ペタライト、ディオプサイドおよびこれらの置換誘導体の結晶を少なくとも１種類以上を析出するものが好ましく、さらには配線基板の抗折強度が高くなる点でディオプサイドの析出するガラスが好ましく、また、配線基板を低誘電率化できる点および低熱膨張化できる点でコージェライトの析出するガラスが好ましい。
【００６５】
セラミックフィラー粉末としては、特に限定されるものではないが、クォーツ、クリストバライトなどのＳｉＯ２や、Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２、コージェライト、ムライト、フォルステライト、エンスタタイト、スピネル、マグネシアなどが好適である。
【００６６】
これらの中でも、高強度化に優れる点および低コストである点でアルミナが好ましく、また配線基板を高熱膨張化できる点でクォーツが好ましい。
【００６７】
上記の原料粉末を所定量秤量し、有機バインダーおよび溶剤、さらに所望により可塑剤などを加えてスラリーを調製した後、ドクターブレード法、圧延法、プレス法などの周知の成形法によりシート状に成形し、厚さ２０μｍ〜５００μｍのグリーンシートを作製する。
【００６８】
（ビアホールを作製し、ビア導体ペーストを充填する工程）
続いて、作製したグリーンシートにレーザーやマイクロドリル、パンチングなどにより、直径８０μｍ〜２００μｍのビアホール（貫通孔）を形成する。
【００６９】
次いで、ビアホールに充填するためのビア導体ペーストを調製するために、原料粉末として、金属粉末とガラス粉末とを準備する。
【００７０】
金属粉末としては、特に限定されるものではないが、銅、銀、または金が低抵抗に優れる点から好ましい。
【００７１】
ガラス粉末としては、特に限定されるものではないが、ホウケイ酸系ガラス、ホウケイ酸亜鉛系ガラス、およびホウケイ酸鉛系ガラスなどが挙げられる。特に、８００℃〜１１００℃における金属粉末との同時焼成性に優れ、ガラスセラミックスとの接着強度を向上させる点で、ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３−ＢａＯ−ＣａＯ系ガラスが好ましい。
【００７２】
ただし、ガラス粉末はビア導体の焼結挙動の調整や、ガラスセラミックスとの接着強度の向上の目的で添加されるので、これらの必要が少ない場合には、除くことも可能である。
【００７３】
また、金属粉末、ガラス粉末以外にも、アルミナ、シリカなどのフィラー成分や、樹脂ビーズなどの有機成分を添加することにより、焼結挙動を調整することも可能である。
【００７４】
上記の原料粉末を所定量秤量し、有機バインダーおよび溶剤、さらに所望により分散剤などを加えてビア導体ペーストを調製する。
【００７５】
ビア導体ペーストの粘度としては、ビアホールへの充填性を考慮して、１００Ｐａ・ｓ〜３５０Ｐａ・ｓであることが好ましい。
【００７６】
次いで、スクリーン印刷などの充填法を用いて、ビア導体ペーストをビアホールに充填する。
【００７７】
（第１の導体粉末層を形成する工程）
続いて、第１の導体粉末層を形成するためのパターン印刷に用いる導体ペーストを調製する。
【００７８】
導体ペーストの調製方法は、ビア導体ペーストの調製方法と同様である。
ここで、導体ペーストに用いる金属粉末の粒径は小さいことが望ましく、平均粒径が５μｍ以下であることが好ましい。
【００７９】
金属粉末の粒径が大きいと、導体ペースト中の金属粒子で囲まれた空間が大きくなり、この空間は焼成後の導体層の凹凸に大きく影響する。そのため、平均粒径が５μｍ以下であることにより、配線導体と絶縁層との界面の凹凸の影響が小さくなり、高周波領域においてより高い導電率を得ることができる。
【００８０】
第１の導体粉末層は、主に金属粉末で構成される層であり、形状を保つために有機バインダーなどが含まれてもよい。第１の導体粉末層は、導体ペーストを乾燥することにより作製できるが、他の方法により金属粉末を成形して作製しても良い。
【００８１】
第１の導体粉末層中の無機成分としては、金属粉末の他にガラス粉末やセラミックフィラーなどが含まれてもよい。第１の導体粉末層中の無機成分における金属成分は非金属成分よりも多く含まれることが好ましいが、金属成分と非金属成分との比率を質量部の比で１００：Ｘとしたときに、Ｘが２０以下であれば、第１の導体粉末層を焼成した第１の導体層の抵抗値が低くなり、界面導電率がより高くなる。界面導電率をさらに高くするためには、Ｘは１５以下であることがより好ましく、さらに、８以下であることが好ましい。
【００８２】
なお、第１の導体粉末層を焼成することで得られる第１の導体層の金属成分と非金属成分との比率は、第１の導体粉末層中の無機成分における金属成分と非金属成分との比率と同じである。
【００８３】
また、導体ペーストの粘度としては印刷性、レベリング性およびペーストを薄く塗布するという観点から、１０Ｐａ・ｓ〜１００Ｐａ・ｓ、特に１５Ｐａ・ｓ〜８０Ｐａ・ｓ、さらには２０Ｐａ・ｓ〜６０Ｐａ・ｓであることが好ましい。
【００８４】
次いで、導体ペーストをグリーンシートの表面に、スクリーン印刷などの塗布法を用いて塗布し、第１の導体粉末層を形成する。
第１の導体粉末層の厚みとしては５μｍ〜１０μｍであることが好ましい。
【００８５】
（金属箔および第２の導体粉末層を形成する工程）
続いて、第１の導体粉末層の上に金属箔を形成する。
【００８６】
金属箔の形成方法の１つとして、グリーンシートの表面に金属箔を接着した後にフォトエッチング法などの手法によって所望の配線パターン状の金属箔を形成させる方法が知られているが、かかる方法ではエッチング液によってグリーンシートを変質させてしまうため、本発明においては、転写法を用いることが好ましい。
【００８７】
転写法による金属箔の形成方法としては、まず高分子材料からなる転写フィルム上に金属箔を接着した後、この金属箔の表面に鏡像のレジストを配線パターン状に塗布し、エッチング処理およびレジスト除去を行って配線パターン状の金属箔を形成する。
【００８８】
次いで、鏡像の配線パターン状の金属箔を形成した転写フィルムを第１の導体粉末層が形成された側のグリーンシートの表面に位置合わせして積層圧着した後、転写フィルムを剥がすことにより金属箔を形成する。
【００８９】
このとき、第１の導体粉末層が形成された範囲よりも金属箔が形成された範囲を大きくすることにより、高周波領域において高い導電率を有する配線導体２の端面を得ることができる。
【００９０】
第１の導体粉末層を形成する際にスクリーン印刷法などを用いると、第１の導体粉末層の幅は１０μｍ程度ばらつくため、このようなばらつきを考慮すると、金属箔の幅は第１の導体粉末層の幅よりも１５μｍ以上大きくすることが好ましい。
【００９１】
しかし、金属箔の幅が大きくなりすぎると導体層４ｂを設けることによる界面付近の導電率の改善効果が小さくなるため、金属箔の幅は、第１の導体粉末層よりも３０μｍ以下の大きさであることが好ましい。
【００９２】
したがって、金属箔の幅は、第１の導体粉末層の幅と比較して１５μｍ〜３０μｍ大きいことが好ましい。
【００９３】
金属箔としては、特に限定されるものではないが、銅、銀、または金が低抵抗に優れる点から好ましい。
【００９４】
金属箔の厚みとしては、８μｍ〜２０μｍであることが好ましい。
次いで、金属箔の上に、再び導体ペーストで第２の導体粉末層を形成する。形成方法は、第１の導体粉末層の形成方法と同様である。
【００９５】
第２の導体粉末層は、主に金属粉末で構成される層であり、形状を保つために有機バインダーなどが含まれてもよい。第２の導体粉末層は、導体ペーストを乾燥することにより作製できるが、他の方法により金属粉末を成形して作製しても良い。
【００９６】
第２の導体粉末層中の無機成分としては、金属粉末の他にガラス粉末やセラミックフィラーなどが含まれてもよい。第２の導体粉末層中の無機成分における金属成分は非金属成分よりも多く含まれることが好ましいが、金属成分と非金属成分との比率を質量部の比で１００：Ｙとしたときに、Ｙが２０以下であれば、第２の導体粉末層を焼成した第２の導体層の抵抗値が低くなり、界面導電率がより高くなる。界面導電率をさらに高くするためには、Ｙは１５以下であることがより好ましく、さらに、８以下であることが好ましい。
【００９７】
なお、第２の導体粉末層を焼成することで得られる第２の導体層の金属成分と非金属成分との比率は、第２の導体粉末層中の無機成分における金属成分と非金属成分との比率と同じである。
【００９８】
（積層体を作製する工程）
続いて、配線基板１のように多層配線基板を作製する場合には、上記のように導体粉末層および金属箔を形成したグリーンシート複数枚を積層圧着してグリーンシート積層体を作製する。
【００９９】
グリーンシートの積層方法としては特に限定されるものではないが、たとえば、積み重ねられたグリーンシートに熱と圧力を加えて熱圧着する方法や、有機バインダー、可塑剤、溶剤などで構成される接着剤をシート間に塗布して熱圧着する方法などが挙げられる。
【０１００】
積層体を焼成する際に、金属箔自体は焼成により収縮しないため、収縮するグリーンシートと金属箔との収縮率の差により発生する配線基板の変形を抑制するため、配線基板の厚み方向に垂直な方向の収縮を抑制する必要がある。
【０１０１】
収縮を抑制する方法としては、積層体に、焼成により収縮しない拘束シートを積層して焼成する方法や、焼成収縮温度の異なる原料を主成分としたグリーンシートを積層して積層体を作製し、一方のグリーンシートが収縮する温度域で他方のグリーンシートが収縮しないことにより、互いの収縮を抑制し合うようにする方法や、焼成時に積層体の主面全体に圧力を加える方法などが例示できるが、他の方法によって収縮を抑制してもかまわない。
【０１０２】
これらの中でも、拘束シートを用いる方法や異なる原料のグリーンシートを積層する方法は、特殊な焼成設備を必要としないため製造コストが低くなりより好ましい。
【０１０３】
拘束シートを用いる方法は、拘束シートが焼成によりほとんど収縮しないため、積層体の配線基板の厚み方向に垂直な方向の収縮がより少なくなるためより好ましい。
【０１０４】
異なる原料のグリーンシートを積層する方法は、積層体にキャビティなどが形成されていて積層体が単純な平板の形状でない場合でも、変形することなく積層体の配線基板の厚み方向に垂直な方向の収縮が抑制できるためより好ましい。
【０１０５】
拘束シート付き積層体の作成方法としては、グリーンシートの積層後に、積層体の焼成温度において難焼結性であるセラミック材料を主成分とする拘束シートを積層体の両面または片面に加圧積層して拘束シート付き積層体を作製する。
【０１０６】
拘束シートの作製方法としては、難焼結性セラミック材料とガラス粉末で構成される無機成分に、有機バインダー、可塑剤、溶剤などを加えたスラリーをシート状に成形して作製する。
【０１０７】
難焼結性セラミック材料としては、具体的には１０００℃以下の温度で緻密化しないようなセラミック組成物から構成され、たとえば、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＭｇＯ、ＺｒＯ２、ＢＮ、ＴｉＯ２の少なくとも１種以上を含む粉末またはそれらの化合物（フォルステライト、エンスタタイトなど）の粉末などが挙げられる。
【０１０８】
また、有機バインダー、可塑剤および溶剤としては、特に制限されるものではないが、たとえば、グリーンシートの作製時に使用した材料と同様のものを使用できる。
【０１０９】
このように焼成時における積層体の厚み方向に垂直な方向の収縮を抑制することにより、配線導体２とビア導体３との接合部付近のデラミネーションやボイドの集中がなく、高周波領域での導電率が高い配線基板を提供できる。
【０１１０】
（焼成工程）
焼成に先立って、積層体を１００℃〜８００℃、好ましくは４００℃〜７５０℃で加熱処理して積層体中の有機成分を分解除去してもよい。
【０１１１】
また、焼成は８００℃〜１０００℃、好ましくは８５０℃〜９５０℃で同時焼成することが好ましく、この条件で焼成することにより焼結を充分に行い、かつ過焼結を防止することができる。
【０１１２】
このとき、導体中の金属として銅を用いる場合は、銅の酸化を防止するという観点から、窒素雰囲気下で焼成を行うのが好ましい。
【０１１３】
上記に示したような製造方法によって、配線導体２と導体層４ｂとの接合部付近のデラミネーションやボイドの集中がなく、かつ高周波領域での導電率が高い配線基板を得ることができる。
【実施例】
【０１１４】
以下に実施例および比較例を挙げ、本発明を具体的に説明するが、本発明はその要旨を越えない限り、特に限定されるものではない。
【０１１５】
〔評価方法〕
次のようにして、本発明の配線基板の無収縮焼成におけるデラミネーションやボイドの有無を評価するための配線基板の断面の観察、配線導体の絶縁層との界面付近および端面の導電率ならびに導体の伝送特性の測定を行った。
【０１１６】
（断面の観察）
配線導体とビア導体との接合部付近のデラミネーションやボイドの集中の有無を確認するために、断面観察用基板を作製した。
【０１１７】
断面観察用基板は、幅２５ｍｍ×２５ｍｍ、厚み１００μｍの絶縁層に直径１００μｍのビア導体が５００μｍの間隔で５行×５列の２５個形成され、１０ｍｍ角のランドパターン状の導体層が配された基板である。
【０１１８】
断面観察は、断面観察用基板を破断し、１００倍の光学顕微鏡によりその破断面の観察を行った。デラミネーションやボイドの集中の有無の評価基準としては、銅箔と絶縁層、もしくは絶縁層同士の層間で剥離が見られた際には、デラミネーションが有ると判断した。また、ビア導体と銅箔との接合部付近のボイド率と、接合部以外のビア導体周辺部のボイド率とを比較し、前者のボイド率が高かった際には、ボイドの集中が有ると判断した。ボイド率は、サンプルの断面を５００倍の電子顕微鏡で観察し、０．０５ｍｍ２の範囲のボイド率を算出した。
【０１１９】
（配線導体の絶縁層との界面付近の導電率測定）
高周波領域における配線導体の絶縁層との界面付近の導電率（以下、界面導電率とする。）を測定するために、界面導電率評価基板を作製した。
【０１２０】
界面導電率評価基板は、幅５２ｍｍ×５２ｍｍ、厚み２００μｍの絶縁層が積層され、層間に銅から構成される直径４０ｍｍの導体層を具備したものである。
【０１２１】
界面導電率の測定は、特開２０００−４６７５６号公報に開示されている方法を用いて、測定周波数２ＧＨｚの条件で行った。具体的には、ネットワークアナライザーを用い、円柱共振器法で行った。なお、界面導電率は、銅の導電率５．８×１０７／Ω・ｍで規格化してある。
【０１２２】
評価基準としては界面導電率が５０％以上であれば良好、５０％未満４２％以上であれば利用可、４２％未満であれば不良とした。
【０１２３】
（端面導電率測定）
高周波領域における配線基板の端面の導電率を比較するために端面導電率評価基板を作製した。
【０１２４】
端面導電率測定基板は、幅３０ｍｍ×３０ｍｍ、厚み３００μｍの絶縁層の表面に直径１０ｍｍ、リング幅１ｍｍのリングパターン状の導体層が形成された基板と、幅３０ｍｍ×３０ｍｍ、厚み３００μｍの絶縁層にグラウンドとなるベタパターン状の導体層が配された基板とを積層した第１の測定基板と、前記第１の測定基板とリング幅０．１ｍｍのみが異なる第２の測定基板である。
【０１２５】
端面導電率の測定は、特開２００５−３０８７１６号公報に開示されている方法を用いて、測定周波数２ＧＨｚの条件で行った。具体的には、ネットワークアナライザーを用い、リング共振器法で行った。端面導電率の規格化については上記界面導電率測定のときと同様に、銅の導電率５．８×１０７／Ω・ｍを用いて行った。
【０１２６】
評価基準としては端面導電率が３２％以上であれば良好、３２％未満であれば不良とした。
【０１２７】
（伝送特性測定）
高周波領域における配線基板の伝送特性（Ｓパラメーター）を測定するために、伝送特性評価基板を作製した。
【０１２８】
伝送特性評価基板は、幅６０ｍｍ×６０ｍｍ、厚み２００μｍの絶縁層が４層積層され、内層に線幅０．１ｍｍで、長さが１０ｍｍ、１１ｍｍ、１２ｍｍ、２０ｍｍ、３０ｍｍ、のストリップラインと、途中を断線させ、反射を測定するラインの計６本を形成したものである。ラインの端部にビアを接合させ、これと表層パッドとを接合させた。
【０１２９】
伝送特性の測定は、ネットワークアナライザーを用い、表層のパッドにプローブを接触させて、測定周波数２ＧＨｚの条件で測定を行った。
評価基準としては、―０．１２ｄＢ／ｃｍ以上であれば良好とした。
【０１３０】
〔製造方法〕
以下に、上記の断面観察用基板、界面導電率評価基板、端面導電率評価基板および伝送特性評価基板の製造方法について示す。
【０１３１】
（グリーンシートを作製する工程）
まず、グリーンシートを作製するためのスラリーを調製した。
【０１３２】
最初に、ＳｉＯ２：４３質量％、Ｂ２Ｏ３：８質量％、Ａｌ２Ｏ３：６質量％、ＣａＯ：５質量％、ＢａＯ：３８質量％から構成される組成のガラス粉末を調製した。
【０１３３】
次いで、調製したガラス粉末を５０質量％、セラミックフィラー粉末としてクォーツを４８質量％およびＺｒＯ２を２質量％秤量して混合し、原料粉末であるガラスセラミック組成物を作製した。
【０１３４】
次いで、上記原料粉末１００質量部に、有機バインダーとしてアクリル樹脂を４質量部、可塑剤としてジブチルフタレートを４．５質量部、溶剤としてトルエンを３５質量部加えてグリーンシート作製用スラリーを調製した。
【０１３５】
次いで、調製したグリーンシート作製用スラリーを用いてドクターブレード法により、厚み１７０μｍ、３３０μｍ、５００μｍの３種類のグリーンシートを作製した。
【０１３６】
（ビアホールを作製し、ビア導体ペーストを充填する工程）
続いて、厚み１７０μｍのグリーンシートに、パンチングにより直径１００μｍのビアホールを５００μｍの間隔で５行×５列の２５個形成した。
【０１３７】
次いで、ビアホールに充填するためのビア導体ペーストを調製した。
ビア導体ペーストの調製方法としては、銅粉末１００質量部に対して、ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３−ＣａＯ−ＢａＯ系ガラス粉末を１２質量部添加し、また有機バインダーとしてアクリル樹脂を４質量部、溶剤としてテルピネオールとジブチルフタレートの混合溶液（質量比で８０：２０）を６質量部添加後混練し、粘度１８０Ｐａ・ｓのビア導体ペーストを調製した。粘度の測定は、ピスコテスターを用い、室温中で行った。
【０１３８】
次いで調製したビア導体ペーストを厚み１７０μｍのグリーンシートに設けたビアホールに、スクリーン印刷法により充填した。
【０１３９】
（第１の導体粉末層を形成する工程）
続いて、第１の導体粉末層を形成するための導体ペーストを調整した。
【０１４０】
最初に、表１に示した平均粒径を有する銅粉末とＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３−ＣａＯ−ＢａＯ系ガラス粉末とを準備し、銅粉末１００質量部に対して、ガラス粉末を表１に示す添加量で添加した。また有機バインダーとしてアクリル樹脂を５．３質量部、溶剤としてテルピネオールとジブチルフタレートの混合溶液を（重量比で８０：２０）１質量部添加後混練して、粘度６０Ｐａ・ｓの導体ペーストを調製した。
【０１４１】
次いで、調製した導体ペーストを用いてスクリーン印刷法によりグリーンシートに厚み６μｍのベタパターン状の第１の導体粉末層を印刷した。すなわち、厚み１７０μｍのグリーンシートには１０ｍｍ角のベタパターン状の第１の導体粉末層を、厚み３３０μｍのグリーンシートには直径４０ｍｍのベタパターン状の第１の導体粉末層を、厚み５００μｍのグリーンシートには直径が１０ｍｍでリング幅が１ｍｍと０．１ｍｍの２種類のリングパターン状の第１の導体粉末層を、さらに厚み５００μｍの別のグリーンシートには全面にベタパターン状の第１の導体粉末層を印刷した。
【０１４２】
（銅箔および第２の導体粉末層を形成する工程）
まず、高分子フィルムに純度９９．５％以上の銅箔を接着し、この銅箔の表面に鏡像のレジストを配線パターン状に塗布し、エッチング処理およびレジスト除去を行って配線パターン状の銅箔を形成し転写シートを作製した。
【０１４３】
次いで、第１の導体粉末層を印刷した側のグリーンシートの表面に、位置合わせを行いながら転写シートを積層し、６０℃、３ＭＰａで熱圧着した後、転写シートを剥がし、厚み１５μｍの銅箔を形成した。
【０１４４】
次いで、この銅箔の上に第２の導体粉末層を第１の導体粉末層と同様に印刷した。
なお、銅箔の厚み方向に垂直な面の粗化処理の有無ならびに銅箔の幅と第１および第２の導体粉末層の幅との差を表１に示すように調整した。
【０１４５】
（積層体を作製する工程）
上記のように作製した第１および第２の導体粉末層および銅箔を形成したグリーンシートを用い、積層体を作製した。
【０１４６】
断面観察用基板は、ビア導体と１０ｍｍ角のベタパターン状の導体粉末層および銅箔とを形成した厚み１７０μｍのグリーンシートを４層積層して作製した。このとき、グリーンシート間に接着剤を均一に塗布し、４５℃、４ＭＰａの条件で加圧積層を行った。
【０１４７】
界面導電率評価基板は、直径４０ｍｍのベタパターン状の導体粉末層および銅箔を形成した厚み３３０μｍのグリーンシート上に、導体粉末層および銅箔が形成されていない厚み３３０μｍのグリーンシートを積層して作製した。積層条件は断面観察用基板の条件と同様である。
【０１４８】
端面導電率評価基板は、全面にベタパターン状の導体粉末層および銅箔を形成した厚み５００μｍのグリーンシート上に、リングパターン状の導体粉末層および銅箔を形成した厚み５００μｍのグリーンシートを積層して作製した。積層条件は断面観察用基板の条件と同様である。
【０１４９】
次いで、拘束シートを作製した。
まず、純度９９．９９％以上のアルミナ９５質量％と、ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３−ＣａＯ−ＢａＯ系ガラス粉末５質量％とを秤量後混合し、原料粉末を作製した。
【０１５０】
この原料粉末に、有機バインダーとしてアクリル樹脂を９質量部、可塑剤としてジブチルフタレートを４．５質量部、溶剤としてトルエンを１５質量部加えてスラリーを調製し、ドクターブレード法により厚み３００μｍの拘束シートを作製した。
【０１５１】
次いで、作製した拘束シートをそれぞれの積層体の上下両面に４５℃、４ＭＰａの条件で加圧積層を行い、拘束シート付き積層体を作成した。
【０１５２】
（焼成工程）
続いて、これらの拘束シート付き積層体をＡｌ２Ｏ３の台板上に載置して、有機バインダーなどの有機成分を分解除去するために、窒素雰囲気下７７０℃で１時間加熱処理した後、９００℃で１時間焼成を行った。
【０１５３】
拘束シートは９００℃の焼成ではほとんど焼成収縮しないため、積層体の厚み方向に垂直な方向の収縮率は１％以下に抑制され、積層体の収縮は主に積層体の厚み方向に起こった。
【０１５４】
焼成後、拘束シートをブラスト処理で除去し、目的とする断面観察用基板、界面導電率評価基板および端面導電率評価基板を作製した。
【０１５５】
以上のようにして作製した本発明による実施例１〜１５の配線基板ならびに本発明の範囲外である比較例１および２の配線基板における断面の観察結果、界面導電率測定結果、端面導電率測定結果および伝送特性であるＳパラメーター（Ｓ２１）の測定結果を表１に示す。
【０１５６】
比較例１では配線導体が銅箔のみから形成された配線基板を、また比較例２では導体層のみから形成された配線基板を用いた。比較性１および比較例２の配線導体の厚みは、実施例の配線導体の厚みと同じとなるように２７μｍにした。また、比較例１では、銅箔単体では基板との接着強度が充分に得られないため、表面をブラスト処理により粗化した銅箔を使用した。
【０１５７】
また、比較例３〜６は、配線基板の導体粉末層にあたる部分に、金属成分とガラス成分（非金属成分）との比率を質量部の比で１００：１５０あるいは１００：２３０のガラス粉末層を形成して配線基板を作製した。ただし、この場合、ガラス粉末層が焼結した部分は、主にガラスからなる層となり、抵抗値が高くなる。そこで、比較例４と６では、ビア導体と銅箔が接合する部分には、ガラス粉末層を形成しないで、ビア導体と銅箔が直接接合するようにした。
【０１５８】
さらに、比較例７として、焼成後の配線基板上の導体粉末層が焼成された導体層に厚さ２１μｍの銅メッキしたものを作製した。
【０１５９】
なお、銅箔と導体粉末層の形成方法およびビア導体と金属箔との接合の有無を表１に示した。
【０１６０】
【表１】
2008016572.tif 000003
【０１６１】
表１に示した結果から、本発明による各実施例１〜１５で作製した配線基板は、比較例１，４，６の配線基板と比べて、配線導体とビア導体との接合部付近のデラミネーションやボイドの集中がなく、また高周波領域において界面導電率は４２％以上、端面導電率は３８％以上であり、配線導体の絶縁層との界面付近および端面において高い導電率を得ることができた。
【０１６２】
たとえば、本発明の実施例２による配線基板は、配線導体とビア導体との接合部付近のデラミネーションやボイドの集中がなく、また高周波領域において界面導電率は６９％、端面導電率は５０％と高い導電率を示し、また伝送特性も−０．１１５Ｂ／ｃｍであり、良好な性能が得られた。
【０１６３】
また、実施例３、４、５、７も実施例２と同様に全ての項目において良好な性能が得られた。
【０１６４】
実施例１は、導体ペーストに用いられる銅粉末の平均粒径が１０．２μｍと大きかったために、配線導体の絶縁層との界面における凹凸が多くなり、界面導電率が若干低下したものの、充分に利用可能な性能であった。
【０１６５】
実施例６は、金属箔の幅が第１および第２の導体粉末層の幅より４０μｍ大きくなったために、導体層を設けることによる配線基板の絶縁層との界面付近の導電率の改善効果が小さくなったために界面導電率が若干低下したものの、充分に利用可能な性能であった。
【０１６６】
実施例８および実施例９は、金属箔の幅が第１および第２の導体粉末層の幅よりそれぞれ１０μｍ、２０μｍ小さくなったために、配線導体の端面における凹凸が多くなり、端面導電率が若干低下したものの、充分に利用可能な性能であった。
【０１６７】
実施例１０は、金属箔の厚み方向に垂直な面の粗化処理を行ったものの、導体層により絶縁層と配線導体との界面を平滑化できるために良好な性能が得られた。
【０１６８】
また、実施例１１および実施例１２はガラス粉末の添加量が２５質量部および３０質量部と多くなっため、界面伝導率が若干低下したものの、銅粉末のほうが多く含まれているため、充分に利用可能な性能であった。
【０１６９】
実施例１１〜１５は、非金属成分であるガラス粉末の添加量が多くなったものの、金属成分である銅粉末がガラス粉末よりも多く含まれていたために、良好な性能が得られた。
【０１７０】
また、ガラス粉末添加量が２０質量部以下である実施例１〜１３では伝送特性が−０．１２ｄＢ／ｃｍ以上であり特に良好な性能が得られた。
【０１７１】
一方、本発明の範囲外であり、配線導体を銅箔のみで形成した比較例１では、配線導体とビア導体との接合部付近にデラミネーションが発生していた。
【０１７２】
また、配線導体を導体層のみで形成した比較例２では、銅箔を用いていないので、配線導体とビア導体との接合部付近にデラミネーションやボイドの集中は見られず、界面導電率も８３％と高かったが、端面導電率は２８％と低かった。伝送特性は、−０．１４３ｄＢ／ｃｍと低かった。界面導電率が良好であったとしても、端面導電率に劣る場合は、高周波信号の伝送特性が低下することがわかる。
【０１７３】
比較例３および５では、配線導体とビア導体との接合部付近のデラミネーションやボイドの集中はなかったものの、銅箔とビア導体との間に非金属成分の多い主にガラスからなる層があるため、銅箔とビア導体との間の抵抗が大きく、界面導電率、単面導電率および伝送特性を測定することができなかった。
【０１７４】
比較例４および６では、銅箔とビア導体が直接接合されているため、比較例１の場合と同じように配線導体とビア導体との接合部付近にデラミネーションが発生していた。
【０１７５】
比較例７では、銅箔を用いる代わりに、配線基板の表面の導体粉末層を焼成した配線導体に銅メッキを施したものである。なお、配線基板の内部に銅箔の配線導体を形成することはできないので、焼成後の銅メッキは配線基板の表面に露出している導体層形成した。界面導電率は８３％と高かったが、焼成後の配線導体上に形成された銅メッキの幅のバラツキは１０μｍとメッキの下地である導体粉末層が焼成された導体層と同程度であるため端面導電率は３０％と低かった。伝送特性は、−０．１４２ｄＢ／ｃｍと低かった。比較例７も比較例２と同様に、界面導電率が良好であったが、端面導電率に劣っており、高周波信号の伝送特性が低下した。
【０１７６】
以上、本発明による実施例１〜１０ならびに比較例１および２の配線基板を対比した結果の総評として、本発明の配線基板は、配線導体が金属箔によって形成され、金属箔の厚み方向に垂直な面に導体粉末層を焼成することで、金属成分が非金属成分よりも多く含まれる導体層が形成され、この導体層がビア導体および前記絶縁層と接合しているために配線導体とビア導体との接合部付近のデラミネーションやボイドの集中がなく、また高周波領域において高い導電率を得ることができる。
【０１７７】
また、導体層の金属成分と非金属成分との比率を１００：Ｘとしたときに、Ｘが２０以下であることにより、高周波領域においてさらに高い導電率を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【０１７８】
【図１】本発明の配線基板の構造を示すもので、図１（ａ）は部分断面図、図１（ｂ）は配線導体とビア導体との接合部付近の構造を示す部分断面図である。
【図２】本発明の他の実施形態の配線基板の構造を示すもので、配線導体とビア導体との接合部付近の構造を示す部分断面図である。
【図３】本発明の配線基板の製造方法を説明する工程図である。
【符号の説明】
【０１７９】
１  配線基板
１ａ〜１ｇ  絶縁層
２  配線導体
２ａ  表面導体
２ｂ  内部導体
３  ビア導体
４ａ  金属箔
４ｂ  導体層
５  導体層の幅
６  金属箔の幅
【図１】
2008016572.tif 000004
【図２】
2008016572.tif 000005
【図３】
2008016572.tif 000006