(57)【要約】      （修正有）【課題】電子ビーム描画方式に関して、第１偏向器と第２偏向器とによる歪み補正の分担についての新たな手法を提案する。【解決手段】電子ビーム描画装置は電子ビーム描画用の電子光学系１１１と、電子ビームの第１偏向用の偏向器１５３を有し、電子ビームの第１偏向により、電子光学系の歪み補正と下地の歪み補正とを実行する第１偏向器と、電子ビームの第２偏向用の偏向器１５４を有し、電子ビームの第２偏向により、電子光学系の歪み補正と下地の回転補正とを実行する第２偏向器と、を備える。【選択図】図１
2008016541.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子ビーム描画用の電子光学系と、
電子ビームの第１偏向用の偏向器を有し、電子ビームの第１偏向により、前記電子光学系の歪み補正と下地の歪み補正とを実行する第１偏向器と、
電子ビームの第２偏向用の偏向器を有し、電子ビームの第２偏向により、前記電子光学系の歪み補正と下地の回転補正とを実行する第２偏向器と、を備えることを特徴とする電子ビーム描画装置。
【請求項２】
前記第２偏向器はさらに、電子ビームの第２偏向により、下地の２次歪み補正を実行することを特徴とする請求項１に記載の電子ビーム描画装置。
【請求項３】
前記第１偏向器は、下地の歪み補正を３次以上の補正項まで実行し、
前記第２偏向器は、下地の歪み補正を２次補正項まで実行することを特徴とする請求項１又は２に記載の電子ビーム描画装置。
【請求項４】
前記第１偏向器は、前記電子光学系の歪み補正を３次以上の補正項まで実行し、
前記第２偏向器は、前記電子光学系の歪み補正を２次補正項まで実行することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の電子ビーム描画装置。
【請求項５】
前記第１偏向器はさらに、電子ビームの第１偏向により、前記電子光学系を構成する電子ビーム描画用の対物レンズの上流側で当該対物レンズの収差補正を実行する偏向器と、電子ビームの第１偏向により、前記対物レンズの下流側で当該対物レンズの収差補正を実行する偏向器と、を有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の電子ビーム描画装置。
【請求項６】
電子ビーム描画用の電子光学系を利用して実行する電子ビーム描画方法であって、
電子ビームの第１偏向用の第１偏向器が、電子ビームの第１偏向により、前記電子光学系の歪み補正と下地の歪み補正とを実行し、
電子ビームの第２偏向用の第２偏向器が、電子ビームの第２偏向により、前記電子光学系の歪み補正と下地の回転補正とを実行する電子ビーム描画方法。
【請求項７】
前記第２偏向器がさらに、電子ビームの第２偏向により、下地の２次歪み補正を実行することを特徴とする請求項６に記載の電子ビーム描画方法。
【請求項８】
前記第１偏向器が、下地の歪み補正を３次以上の補正項まで実行し、
前記第２偏向器が、下地の歪み補正を２次補正項まで実行することを特徴とする請求項６又は７に記載の電子ビーム描画方法。
【請求項９】
前記第１偏向器が、前記電子光学系の歪み補正を３次以上の補正項まで実行し、
前記第２偏向器が、前記電子光学系の歪み補正を２次補正項まで実行することを特徴とする請求項６乃至８のいずれか１項に記載の電子ビーム描画方法。
【請求項１０】
前記第１偏向器がさらに、電子ビームの第１偏向により、前記電子光学系を構成する電子ビーム描画用の対物レンズの上流側で当該対物レンズの収差補正を実行する偏向器と、電子ビームの第１偏向により、前記対物レンズの下流側で当該対物レンズの収差補正を実行する偏向器と、を有することを特徴とする請求項６乃至９のいずれか１項に記載の電子ビーム描画方法。
【請求項１１】
電子ビーム描画用の電子光学系を制御するための制御プログラムであって、
電子ビームの第１偏向用の第１偏向器に、電子ビームの第１偏向により、前記電子光学系の歪み補正と下地の歪み補正とを実行させ、
電子ビームの第２偏向用の第２偏向器に、電子ビームの第２偏向により、前記電子光学系の歪み補正と下地の回転補正とを実行させる、ような制御をコンピュータに実行させる制御プログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子ビーム描画装置、電子ビーム描画方法、及び制御プログラムに関する。
【背景技術】
【０００２】
集積回路等のパターニング技術としては、現在、レーザー光を使用するレーザー光描画方式が広範に利用されているが、近年、超微細パターニングの必要性から、電子ビームを使用する電子ビーム描画方式が登場してきた（特許文献３、特許文献４、特許文献５等）。電子ビーム描画方式は、アパーチャマスク（ステンシルマスク）を使用するタイプと使用しないタイプとに分類される。アパーチャマスクを使用する電子ビーム描画方式の具体例としては、ＶＳＢ方式（可変成形ビーム方式）やＣＰ方式（キャラクタプロジェクション方式）や一括描画方式が挙げられる（特許文献１、特許文献２、非特許文献１等）。ＶＳＢ方式やＣＰ方式では通常、矩形ビーム成形用の第１のアパーチャマスクと、パターニングビーム成形用の第２のアパーチャマスクとが使用される。
【０００３】
電子ビーム描画方式によれば、光の波長よりも短い波長で描画ができるので、原理的に高分解能での描画が可能であり、高解像度のパターン形成が可能である。その反面、電子ビーム描画方式では、レーザー光描画方式（露光方式）と異なり、完成パターンを小さな分割パターンビームで描画するので、描画に長い時間がかかる。
【０００４】
電子ビーム描画方式では一般的に、電子ビームの解像性向上のために、５０乃至１００ｋｅＶ程度の高加速電子ビームを使用する。しかし、高加速電子ビームを使用する場合、ウェハ試料面上のレジストを透過した一部の電子ビームが、レジストの下面に形成された積層薄膜で反射し、散乱ビームとなって再びレジストの上方に向かう現象が発生したり、描画パターンの粗密のばらつきに起因して、描画解像性にボケや解像度劣化が発生したりする「近接効果」が問題となる。そのため、高加速電子ビームを使用する場合、近接効果に関する補正制御を盛り込んだ電子光学系や、近接効果に関する補正制御用の制御回路が必要となる。その結果、システムが複雑化することになり、これが、トラブルの多発や、ショット抜け等による精度の低下の原因となる。そこで、このような問題に対処するために、１乃至５ｋｅＶ程度の低加速電子ビームを使用する電子ビーム描画方式が提案されている（特許文献６等）。
【０００５】
電子ビーム描画方式では、電子ビームの成形制御用の偏向器と電子ビームの軌道補正用の偏向器とが利用される事が多い。そして、電子ビームの軌道補正用の偏向器としては、電子ビームの第１偏向用の第１偏向器と、電子ビームの第２偏向用の第２偏向器とが使用される事が多い。第１偏向では、電子ビームの相対的に低速且つ大刻みな偏向により、当該電子ビームの軌道が補正され、第２偏向では、電子ビームの相対的に高速且つ小刻みな偏向により、当該電子ビームの軌道が補正される。電子ビームの軌道補正用の偏向器では、電子ビームの偏向により、当該電子ビームについて電子光学系の歪み補正や下地の歪み補正が実行されることになるが、第１偏向器と第２偏向器とがこれらの歪み補正をどのように分担すれば、補正精度や補正速度が好適化されるかが問題となる。
【特許文献１】特開平８−２２９４１号公報
【特許文献２】特開平９−２０５０５８号公報
【特許文献３】特開２００５−１８３５３０号公報
【特許文献４】特開２００３−２９７７１５号公報
【特許文献５】特開２００３−１６３１４９号公報
【特許文献６】特開２０００−１７３５２９号公報
【非特許文献１】I. Amemiya et al., Photomask and X-Ray Mask Technology IV, vol. 3096, p. 251, 1997(SPIE)
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、電子ビーム描画方式に関して、第１偏向器と第２偏向器とによる歪み補正の分担についての新たな手法を提案することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、例えば、電子ビーム描画用の電子光学系と、電子ビームの第１偏向用の偏向器を有し、電子ビームの第１偏向により、前記電子光学系の歪み補正と下地の歪み補正とを実行する第１偏向器と、電子ビームの第２偏向用の偏向器を有し、電子ビームの第２偏向により、前記電子光学系の歪み補正と下地の回転補正とを実行する第２偏向器と、を備えることを特徴とする電子ビーム描画装置に係る。
【０００８】
本発明は、例えば、電子ビーム描画用の電子光学系を利用して実行する電子ビーム描画方法であって、電子ビームの第１偏向用の第１偏向器が、電子ビームの第１偏向により、前記電子光学系の歪み補正と下地の歪み補正とを実行し、電子ビームの第２偏向用の第２偏向器が、電子ビームの第２偏向により、前記電子光学系の歪み補正と下地の回転補正とを実行する電子ビーム描画方法に係る。
【０００９】
本発明は、例えば、電子ビーム描画用の電子光学系を制御するための制御プログラムであって、電子ビームの第１偏向用の第１偏向器に、電子ビームの第１偏向により、前記電子光学系の歪み補正と下地の歪み補正とを実行させ、電子ビームの第２偏向用の第２偏向器に、電子ビームの第２偏向により、前記電子光学系の歪み補正と下地の回転補正とを実行させる、ような制御をコンピュータに実行させる制御プログラムに係る。
【発明の効果】
【００１０】
本発明は、電子ビーム描画方式に関して、第１偏向器と第２偏向器とによる歪み補正の分担についての新たな手法を提案するものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
図１は、電子ビーム描画装置１０１の機器構成図である。図１は、電子ビーム描画装置１０１を構成する電子光学系１１１の側面図となっている。図１の電子光学系１１１は、電子銃１２１と、ガンレンズ１２２と、コンデンサレンズ１３１と、第１成形アパーチャマスク１３２と、第１成形偏向器１３３と、プロジェクションレンズ１４１と、第２成形アパーチャマスク１４２と、第２成形偏向器１４３と、縮小レンズ１５１と、対物レンズ１５２と、第１偏向器１５３と、第２偏向器１５４と、検出器１５５等からなる。図１の第１偏向器１５３は、（中段）第１偏向器２０１と、上段第１偏向器２０２と、下段第１偏向器２０３等からなる。図１の第２偏向器１５４は、（単独）第２偏向器２０４等からなる。
【００１２】
電子銃１２１は、電子ビームを発射する装置である。ガンレンズ１２２は、電子ビームを均一な照明ビームにするレンズである。コンデンサレンズ１３１は、第１成形アパーチャマスク１３２用のレンズである。第１成形アパーチャマスク１３２は、矩形ビーム成形用のアパーチャマスクである。第１成形偏向器１３３は、電子ビームを第１成形アパーチャマスク１３２のアパーチャから第２成形アパーチャマスク１４２のアパーチャに向けて偏向させる偏向器である。プロジェクションレンズ１４１は、第２成形アパーチャマスク１４２用のレンズである。第２成形アパーチャマスク１４２は、パターニングビーム成形用のアパーチャマスクである。第２成形偏向器１４３は、電子ビームを第２成形アパーチャマスク１４２のアパーチャからウェハ試料等の試料３０１に向けて偏向させる偏向器である。
【００１３】
縮小レンズ１５１は、電子ビームをウェハ等の試料３０１に照射するための縮小レンズである。対物レンズ１５２は、電子ビームをウェハ等の試料３０１に照射するための対物レンズである。第１偏向器１５３は、電子ビームの第１偏向用の偏向器（ここでは中段第１偏向器２０１，上段第１偏向器２０２，下段第１偏向器２０３）等からなり、電子ビームの第１偏向により、電子ビームの軌道を補正する偏向器である。第２偏向器１５４は、電子ビームの第２偏向用の偏向器（ここでは単独第２偏向器２０４）等からなり、電子ビームの第２偏向により、電子ビームの軌道を補正する偏向器である。検出器１５５は、第１偏向器１５３及び第２偏向器１５４の下流に配置されており、第１偏向器１５３及び第２偏向器１５４の下流で電子ビームを検出する検出器である。
【００１４】
検出器１５５では、電子ビームの照射位置等が検出される。そして、検出器１５５から制御部に、電子ビームの照射位置等の検出結果が供給され、制御部から第１偏向器１５３及び第２偏向器１５４に、検出結果に応じた補正信号が供給される。そして、第１偏向器１５３及び第２偏向器１５４では、補正信号に応じた補正電圧による第１偏向及び第２偏向により、電子ビームの軌道が補正される。
【００１５】
第１偏向では、電子ビームの相対的に低速且つ大刻みな偏向により、電子ビームの軌道が補正される。第２偏向では、電子ビームの相対的に高速且つ小刻みな偏向により、電子ビームの軌道が補正される。第１偏向の補正電圧はここでは１００Ｖ程度、第１偏向の偏向セトリング時間はここでは０．１ｍ秒以下、第１偏向用の補正式の各係数を共通化する単位面積（第１偏向領域）はここではキャラクタ寸法換算で数百個分×数百個分程度である。第２偏向の補正電圧はここでは２０Ｖ程度、第２偏向の偏向セトリング時間はここでは１μ秒以下、第２偏向用の補正式の各係数を共通化する単位面積（第２偏向領域）はここではキャラクタ寸法換算で数十個分×数十個分程度である。第１偏向領域の縦幅及び横幅は、第２偏向領域の縦幅及び横幅の整数倍である事が望ましい。
【００１６】
第１偏向器１５３を構成する中段第１偏向器２０１は、対物レンズ１５２の近傍に配置されており、電子ビームの第１偏向により、当該電子ビームの歪み補正を実行する偏向器である。上段第１偏向器２０２は、対物レンズ１５２の上流に配置されており、電子ビームの第１偏向により、対物レンズ１５２の上流側で当該電子ビームについて対物レンズ１５２の収差補正を実行する偏向器である。下段第１偏向器２０３は、対物レンズ１５２の下流に配置されており、電子ビームの第１偏向により、対物レンズ１５２の下流側で当該電子ビームについて対物レンズ１５２の収差補正を実行する偏向器である。第２偏向器１５４を構成する単独第２偏向器２０４は、対物レンズ１５２の上流に配置されており、電子ビームの第２偏向により、当該電子ビームの歪み補正を実行する偏向器である。
【００１７】
電子光学系１１１の各構成要素は、電子ビームの光軸上に配置されている。電子光学系１１１を構成するレンズ及び偏向器はここでは全て、静電式とするが、対物レンズ１５２については、電磁式としてもよい。
【００１８】
図１の電子ビーム描画装置１０１は、１ｋｅＶ乃至５ｋｅＶ（ここでは２ｋｅＶ）程度の低加速電子ビームを使用して電子ビーム描画を実行する。従って、高加速電子ビームを使用する場合に問題となる「近接効果」のための補正制御が不要となる。その結果、システムの複雑化を伴わない電子ビーム描画が可能となり、複雑化に伴うトラブル誘発や精度悪化が回避される。電子ビーム描画時には、１ｋｅＶ乃至５ｋｅＶ（ここでは２ｋｅＶ）程度の低加速電子ビームが電子銃１２１から発射される。
【００１９】
図１の電子ビーム描画装置１０１の描画方式は、ＶＳＢ方式でもＣＰ方式でもよいが、ここではＶＳＢ方式及びＣＰ方式の兼用方式とする。描画パターンの繰り返し部分を一括して描画するＣＰ方式では、繰り返しパターンに係るアパーチャ（キャラクタ）をアパーチャマスクに形成しておく。繰り返し回数の多いパターンに係るキャラクタは何度も使用されるが、繰り返し回数の少ないパターンに係るキャラクタはほとんど使用されないことになる。よって、繰り返し回数の少ないパターンに係るアパーチャをアパーチャマスクに形成しておくのは効率が悪い。よって、繰り返し回数の少ないパターンについては、ここではＶＳＢ方式により描画する。第２成形アパーチャマスク１４２には、ＶＳＢ方式用のアパーチャとＣＰ方式用のアパーチャとを形成しておく。
【００２０】
さて、図１の電子ビーム描画装置１０１では、電子ビームの軌道補正用の偏向器である第１偏向器１５３及び第２偏向器１５４（第１偏向器２０１及び第２偏向器２０４）が、電子ビームの第１偏向及び第２偏向により、電子ビームの歪み補正を実行する。描画領域への描画処理の際には、第１偏向領域単位で各係数が算出された第１偏向用の補正式に基づき、電子ビームの第１偏向が実行され、第２偏向領域単位で各係数が算出された第２偏向用の補正式に基づき、電子ビームの第２偏向が実行される。電子ビームの歪み補正としては、先ず電子光学系１１１の歪み補正が実行され、次に下地の歪み補正が実行される。
【００２１】
（１）電子光学系の歪み補正
電子光学系１１１の歪み補正について説明する。図２には、第１偏向器１５３によって補正される電子光学系１１１の歪みの具体例と、それらを補正するための補正式とが記載されている。図３には、第２偏向器１５４によって補正される電子光学系１１１の歪みの具体例と、それらを補正するための補正式とが記載されている。座標（ｘ，ｙ）は補正前の電子ビーム座標、座標（Ｘ，Ｙ）は補正後の電子ビーム座標、ａＮ及びｂＮは補正係数である。電子光学系１１１の歪みは、図２及び図３に示すような、オフセット（０次歪み）、倍率（１次歪み）、回転（１次歪み）、及び２次以上の歪み等が組み合わされて構成されている。図１の電子ビーム描画装置１０１では、第１偏向器１５３が、電子光学系１１１の歪み補正を３次以上の補正項まで実行し、第２偏向器１５４が、電子光学系１１１の歪み補正を２次補正項まで実行する。第１偏向器１５３による歪み補正については主に、補正精度を重視したものであり、第２偏向器１５４による歪み補正については主に、補正速度を重視したものである。第１偏向器１５３による歪み補正が３次以上の補正項までの補正なので、第２偏向器１５４による歪み補正は２次補正項までの補正で十分である、という背景もある。第１偏向器１５３はここでは、０次，１次，２次，３次の補正項に係る歪み補正を実行し、第２偏向器１５４はここでは、０次，１次，対角２次（ｘｙ）の補正項に係る歪み補正を実行する。なお、第２偏向器１５４も、電子光学系１１１の歪み補正を３次以上の補正項まで実行するようにしてもよい。
【００２２】
電子光学系１１１の歪み補正の様子を図４に示す。図４Ａ及び図４Ｂは、ウェハ試料等の試料３０１の上面図に相当し、図４Ｂが図４Ａの拡大図に相当する。図４Ａ及び図４Ｂには、便宜上、第１偏向領域４０１及び第２偏向領域４０２が図示されている。更には、１キャラクタの領域４１１と、１ショットの重心４１２とが図示されている。電子光学系１１１の歪み補正が実行されることにより、電子光学系１１１の歪みが図４Ｃから図４Ｂのように補正され、描画位置の正確性が向上する。
【００２３】
（２）下地の歪み補正
下地の歪み補正について説明する。図１の電子ビーム描画装置１０１では、電子光学系１１１の歪み補正に続いて、試料３０１面上のレジストの下面に形成された下地（下層のデバイス構造（トランジスタ、配線、素子等））との合わせ用マークが検出され、下地との合わせ補正（下地の歪み補正）が実行される。下地の歪みの種類としては、図５のようなウェハ歪み（ウェハ全体の歪み）と、図６のようなチップ歪み（チップ単位の歪み）とが存在する。ウェハ歪みは、ウェハ自体及びチップ配列に固有の歪みであり、ウェハ座標に対して定義される。チップ歪みは、チップ自体に固有の歪みであり、チップ座標に対して定義される。ウェハ歪み及びチップ歪みは、図５及び図６のような、シフト（０次歪み）、倍率（１次歪み）、回転（１次歪み）、及び直交度等の２次以上の歪み等が組み合わされて構成されている。
【００２４】
下地に合わせて所定の描画位置に所定のパターンを描画するためには、ウェハ歪み及びチップ歪みを補正する必要がある。そこで、図１の電子ビーム描画装置１０１では、第１偏向器１５３が、下地の歪み補正を実行する。図７には、第１偏向器１５３による下地の歪み補正用の補正式が記載されている。図７に示すように、第１偏向器１５３は、下地の歪み補正を３次以上の補正項まで実行する。第１偏向器１５３はここでは、０次，１次，２次，３次の補正項に係る歪み補正を実行する。
【００２５】
ここで、下地の歪み補正に関して、ウェハの角度補正を題材として「機械補正の限界」と「偏向補正の必要性」について考察する。図８は、図１の電子ビーム描画装置１０１の上面図である。電子ビーム描画装置１０１には一般的に、ウェハのノッチを基準にウェハの角度を補正するウェハ角度補正機構が設けられている。ウェハ角度補正機構としてここでは、粗補正機構と本補正機構とがウェハ搬送経路中に設けられている。粗補正機構は、大気ローダ５１１内において、カセットステージ５２１の下流地点Ａに設けられている。本補正機構は、架台５０１上において、ＸＹステージ５２２の上流地点Ｂ１に設けられていてもよいし、架台５０１上にある描画チャンバ５１２内において、ＸＹステージ５２２の上面Ｂ２に設けられていてもよい。図８のウェハ角度補正機構では、先ず粗補正機構による粗補正が実行され、次に本補正機構による本補正が実行される。
【００２６】
しかし、図８のような機械補正ではその補正精度に限界があり、ナノメーターオーダーの高精度の補正は実現されない。そのため、図１の電子ビーム描画装置１０１では、機械補正と偏向補正とが実行されるのであり、第１偏向器１５３により、偏向補正による下地の歪み補正が実行されるのである。
【００２７】
第１偏向器１５３による下地の歪み補正の様子を図９に示す。図９Ａは図４Ａと同様の上面図であり、図９Ｂは図４Ｂと同様の拡大図である。図９Ａには、第１偏向器１５３による下地の回転補正により、電子ビームが第１偏向領域４０１単位で「角度θ」だけ回転された様子が図示されている。これにより、図９Ｂのように、電子ビームのショット位置に第２偏向領域４０２単位の「ショットずれΔ」が発生する。ショットずれΔは、角度θが小さければ問題にならないが、角度θが大きくなると問題になるおそれがある。従来、ショットずれΔは特に問題にならなかったので、ショットずれΔへの対策は特にとられてこなかった。しかしながら、本発明者は、鋭意検討の結果、描画処理に要求される精度の向上や低加速電子ビームの採用等に伴って、ショットずれΔが無視できなくなる、ということを認識するに至った。
【００２８】
そこで、図１の電子ビーム描画装置１０１では、図１０のように、第１偏向器１５３による下地の歪み補正と、第２偏向器１５４による下地の回転補正とが実行される。図１０には、下地の歪み補正の様子が示されている。図１０Ａは図９Ａと同様の上面図であり、図１０Ｂは図９Ｂと同様の拡大図である。図１０Ａには、第１偏向器１５３による下地の回転補正により、電子ビームが第１偏向領域４０１単位で「角度θ」だけ回転された様子が図示されている。図１０Ｂには、第２偏向器１５４による下地の回転補正により、電子ビームが第２偏向領域４０２単位で「角度θ´」だけ回転された様子が図示されている。これにより、図１０では、図９のような第２偏向領域４０２単位の「ショットずれΔ」が抑制されている事が解る。
【００２９】
第２偏向器１５４による歪み補正用の補正式を図１１に示す。図１１Ａは、電子光学系１１１の歪み補正用の補正式である。図１１Ａの補正式に、下地の歪み補正用の補正項を追加した補正式が、図１１Ｂの補正式である。図１１Ｂが、第２偏向器１５４による歪み補正用の補正式である。
【００３０】
第２偏向器１５４による歪み補正用の補正式には、下地の歪み補正用の補正項として、回転補正項「Ａｓ（ａｗ２＋ａｃ２）Ｙｓ」及び「Ａｓ（ｂｗ２＋ｂｃ２）Ｘｓ」が追加されている。回転補正項を追加する理由としては、第２偏向領域単位のショットずれを抑制するには、第２偏向領域単位の回転補正が有効である事が挙げられる。回転補正の次に有効な歪み補正は、対角２次歪み補正（ｘｙ）等の２次歪み補正である。そのため、第２偏向器１５４による歪み補正用の補正式に、下地の歪み補正用の補正項として、回転補正項と、対角２次歪み補正項（ｘｙ）等の２次歪み補正項を追加するようにしてもよい。２次歪み補正を実行するメリットとしては例えば、補正精度の向上等が挙げられ、２次歪み補正を実行しないメリットとしては例えば、補正速度の向上等が挙げられる。シフト補正項及び倍率補正項を追加するかどうか（ここでは追加しない）についても同様である。
【００３１】
そして、図１の電子ビーム描画装置１０１では、第１偏向器１５３が、下地の歪み補正を３次以上の補正項まで実行し、第２偏向器１５４が、下地の歪み補正を１次補正項又は２次補正項まで実行する。第１偏向器１５３による歪み補正については主に、補正精度を重視したものであり、第２偏向器１５４による歪み補正については主に、補正速度を重視したものである。更に、第１偏向器１５３による歪み補正が３次以上の補正項までの補正なので、第２偏向器１５４による歪み補正は１次補正項又は２次補正項までの補正で十分である、といったような背景もある。第１偏向器１５３はここでは、０次，１次，２次，３次の補正項に係る歪み補正を実行し、第２偏向器１５４はここでは、回転１次補正項に係る歪み補正か、回転１次補正項及び対角２次補正項に係る歪み補正かを実行する。なお、第２偏向器１５４も、下地の歪み補正を３次以上の補正項まで実行するようにしてもよい。
【００３２】
以上のように、図１の電子ビーム描画装置１０１では、第１偏向器１５３と第２偏向器１５４とによる下地の歪み補正により、高精度な合わせ補正が実現される。
【００３３】
（３）描画制御部
図１２は、図１の電子ビーム描画装置１０１を構成する描画制御部６０１を表す。描画制御部６０１には、描画制御コンピュータ６１１と、描画制御回路６１２と、偏向アンプ６１３とが存在する。
【００３４】
描画制御部６０１による描画制御では先ず、描画制御コンピュータ６１１が、描画処理に必要な各種データ（描画データ、ウェハレイアウト情報、チップ情報、各種補正係数、各種設定情報等）の作成及び保存を行う。これらのデータは、描画制御回路６１２に転送される。
【００３５】
次に、描画制御回路６１２が、各部への数値設定及び種々の補正演算を行う。そして、描画制御コンピュータ６１１にて圧縮されて保存された描画データが、解凍・分離され、それぞれ第１偏向演算器６２１及び第２偏向演算器６２２に送られる。続いて、第１偏向演算器６２１では、電子光学系歪み演算及び下地歪み演算が行われる。その後、ステージ位置補正演算器６２５が、ステージ位置情報に基づいてリアルタイムでステージ位置補正演算を行い、第１偏向アンプ６３１に制御信号を出力する。一方、第２偏向演算器６２２でも、電子光学系歪み演算が行われると共に、描画制御コンピュータ６１１で設定された補正係数に基づいて、下地歪み演算が行われる。その後、第２偏向演算器６２２は、第２偏向アンプ６３２に制御信号を出力する。このようにして、描画制御回路６１２は、第１偏向器１５３に、電子ビームの第１偏向による電子光学系の歪み補正と下地の歪み補正とを実行させ、第２偏向器１５４に、電子ビームの第２偏向による電子光学系の歪み補正と下地の歪み補正とを実行させる。
【００３６】
その他、第１，第２アパーチャ制御演算器６２３，６２４では、指定アパーチャが選択されるように第１，第２アパーチャ選択用偏向アンプ６３３，６３４を制御する制御信号が、描画データに基づいて生成される。更には、ショットタイミングを制御するショットタイミング制御器６２６により、ブランキング（ＢＬＫ）アンプ６３５のＯＮ／ＯＦＦが制御される。
【００３７】
図１３は、図１２の描画制御回路６１２のブロック図である。第１偏向演算器６２１−１，２ではそれぞれ、第１偏向器１５３向けに、電子光学系歪み演算及び下地歪み演算が行われる。第２偏向演算器６２２−１，２ではそれぞれ、第２偏向器１５４向けに、電子光学系歪み演算及び下地歪み演算が行われる。演算器６２１−１，６２１−２，６２２−１，６２２−２にはそれぞれ、補正演算処理に必要なパラメータを描画制御コンピュータ６１１から受け取り保持するためのメモリ６４１Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄが設けられている。
【００３８】
なお、描画制御回路６１２によって実行される制御については、プログラム（描画制御プログラム）により実現するようにしてもよい。この場合、描画制御プログラムは、電子ビーム描画装置１０１のＨＤＤ等に格納しておいてもよいし、電子ビーム描画装置１０１のＲＯＭ等に格納してファームウェア化しておいてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】電子ビーム描画装置の機器構成図（側面図）である。
【図２】第１偏向器による電子光学系の歪み補正についての説明図である。
【図３】第２偏向器による電子光学系の歪み補正についての説明図である。
【図４】電子光学系の歪み補正についての説明図である。
【図５】ウェハ歪みについての説明図である。
【図６】チップ歪みについての説明図である。
【図７】第１偏向器による下地の歪み補正についての説明図である。
【図８】電子ビーム描画装置の機器構成図（上面図）である。
【図９】下地の歪み補正についての説明図（比較例）である。
【図１０】下地の歪み補正についての説明図（実施例）である。
【図１１】第２偏向器による歪み補正についての説明図である。
【図１２】描画制御部の構成図である。
【図１３】描画制御回路の構成図である。
【符号の説明】
【００４０】
１０１  電子ビーム描画装置
１１１  電子光学系
１２１  電子銃
１２２  ガンレンズ
１３１  コンデンサレンズ
１３２  第１成形アパーチャマスク
１３３  第１成形偏向器
１４１  プロジェクションレンズ
１４２  第２成形アパーチャマスク
１４３  第２成形偏向器
１５１  縮小レンズ
１５２  対物レンズ
１５３  第１偏向器
１５４  第２偏向器
１５５  検出器
２０１  （中段）第１偏向器
２０２  上段第１偏向器
２０３  下段第１偏向器
２０４  （単独）第２偏向器
３０１  試料
４０１  第１偏向領域
４０２  第２偏向領域
４１１  １キャラクタの領域
４１２  １ショットの重心
５０１  架台
５１１  大気ローダ
５１２  描画チャンバ
５２１  カセットステージ
５２２  ＸＹステージ
６０１  描画制御部
６１１  描画制御コンピュータ
６１２  描画制御回路
６１３  偏向アンプ
６２１  第１偏向演算器
６２２  第２偏向演算器
６２３  第１アパーチャ制御演算器
６２４  第２アパーチャ制御演算器
６２５  ステージ位置補正演算器
６２６  ショットタイミング制御器
６３１  第１偏向アンプ
６３２  第２偏向アンプ
６３３  第１アパーチャ選択用偏向アンプ
６３４  第２アパーチャ選択用偏向アンプ
６３５  ブランキングアンプ
６４１  メモリ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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