(57)【要約】【課題】電磁波ノイズに対する耐量を確保し、かつ、複数箇所の温度を測定することができる感温ダイオードを備えた半導体装置を提供する。【解決手段】各パッド３１、３２間に第１感温ダイオード２１および第２感温ダイオード２２を並列接続する。この場合、第１感温ダイオード２１のアノードに第２感温ダイオード２２のカソードを接続して、各感温ダイオード２１、２２が逆方向となるように並列接続する。そして、各パッド３１、３２に電圧を印加し、温度を測定したい感温ダイオード２１、２２のうちいずれか一方を順方向にバイアスして順方向電圧Ｖｆをモニタすることで温度を測定し、逆方向にバイアスした他方をノイズ除去用として機能させる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
セルエリア（１０）に半導体素子が形成されると共に、前記半導体素子が作動することにより発生する熱の温度に応じた電圧を出力する第１感温ダイオード（２１）と第２感温ダイオード（２２）とが備えられた半導体装置であって、
前記第１感温ダイオードのアノードと前記第２感温ダイオードのカソードとが第１パッド（３１）に接続され、前記第１感温ダイオードのカソードと前記第２感温ダイオードのアノードとが第２パッド（３２）に接続されることで前記各感温ダイオードが並列接続されており、
前記第１パッドと前記第２パッドとに電圧が印加されることで前記第１感温ダイオードが順方向にバイアスされ、前記第２感温ダイオードが逆方向にバイアスされると、前記第１感温ダイオードは前記温度に応じた電圧を出力するように機能し、前記第２感温ダイオードは前記第１感温ダイオードに発生するノイズを除去するように機能するようになっており、
前記第２感温ダイオードが順方向にバイアスされ、前記第１感温ダイオードが逆方向にバイアスされると、前記第２感温ダイオードは前記温度に応じた電圧を出力するように機能し、前記第１感温ダイオードは前記第２感温ダイオードに発生するノイズを除去するように機能するようになっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記各感温ダイオードのうち、前記第１感温ダイオードは、前記セルエリアの中央部に配置され、前記第２感温ダイオードは、前記セルエリアの外縁部に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記各感温ダイオードのうち、前記第１感温ダイオードは、前記セルエリア内に配置され、前記第２感温ダイオードは前記セルエリア外に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記セルエリアには、第１の半導体素子のエリア（１１）と、当該第１の半導体素子とは異なる第２の半導体素子のエリア（１２）とが設けられ、前記各エリアにそれぞれ半導体素子が形成されており、
前記第１感温ダイオードは、前記第１の半導体素子のエリアに配置され、前記第２感温ダイオードは前記第１の半導体素子のエリアと前記第２の半導体素子のエリアとの境界（１３）上に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第１感温ダイオードのアノードに第３感温ダイオード（２３）のアノードが接続されて第１並列回路が構成され、前記第２感温ダイオードのカソードに第４感温ダイオード（２４）のカソードが接続されて第２並列回路が構成されており、
前記第１パッドと前記第２パッドとに電圧が印加されることで、前記第１並列回路を構成する前記第１感温ダイオードおよび前記第３感温ダイオードが順方向にバイアスされ、前記第２並列回路を構成する前記第２感温ダイオードおよび前記第４感温ダイオードが逆方向にバイアスされると、前記第１並列回路は前記第１感温ダイオードによって検出された温度に応じた電圧と前記第３感温ダイオードによって検出された温度に応じた電圧との平均を出力するように機能し、前記第２並列回路を構成する前記第２感温ダイオードおよび前記第４感温ダイオードは前記第１並列回路に発生するノイズを除去するように機能するようになっており、
前記第２並列回路を構成する前記第２感温ダイオードおよび前記第４感温ダイオードが順方向にバイアスされ、前記第１並列回路を構成する前記第１感温ダイオードおよび前記第３感温ダイオードが逆方向にバイアスされると、前記第２並列回路は前記第２感温ダイオードによって検出された温度に応じた電圧と前記第４感温ダイオードによって検出された温度に応じた電圧との平均を出力するように機能し、前記第１並列回路を構成する前記第１感温ダイオードおよび前記第３感温ダイオードは前記第２並列回路に発生するノイズを除去するように機能するようになっていることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１つに記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、温度を検出する感温ダイオードを備えた半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、半導体素子が作動することによって生じる熱の温度を検出する感温ダイオードを備えた半導体装置が、例えば特許文献１、２で提案されている。具体的に、特許文献１では、半導体素子と、温度検出用ダイオードと、静電気吸収用ダイオードとが備えられた半導体装置において、基準電位に対して温度検出用ダイオードを順接に接続し、基準電圧に対して逆接になるように温度検出用ダイオードに静電気吸収用ダイオードを並列接続したものが提案されている。このような半導体装置では、温度検出用ダイオードにて半導体装置の温度を検出し、静電気吸収用ダイオードで温度検出用ダイオードに生じる静電気（電磁波ノイズ）を吸収することで、静電耐量の向上を図っている。
【０００３】
また、特許文献２では、半導体素子と、半導体素子の周辺端部に配置された端部温度検出素子と、半導体素子の中央部に配置された中央部温度検出素子とを備えた半導体装置が提案されている。このような半導体装置では、基準電位に対して各温度検出素子をそれぞれ独立に設ける場合、基準電位に対して各温度検出素子を直列に接続する場合、または基準電位に対して順接となるように両者を並列接続する場合が提案されている。このような半導体装置では、温度検出素子の順方向電圧Ｖｆもしくは各温度検出素子の順方向電圧Ｖｆの差分を算出することで、半導体装置の複数箇所の温度を検出することができるようになっている。
【特許文献１】特開２００２−９２８４号公報
【特許文献２】特開２００５−２５９７５３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１では、温度検出用ダイオードに静電気吸収用ダイオードを並列接続して静電耐量を確保しているが、温度を検出できるのは一方のみであるので、半導体装置のうち１カ所しか温度を検出することができないという問題がある。そこで、温度検出用ダイオードに静電気吸収用ダイオードを逆接に並列接続したものを多数半導体装置に設けることが考えられるが、温度検出用ダイオードのためのスペースやパッドの数が増えてしまい、チップサイズが大きくなってしまう。
【０００５】
また、特許文献２では、半導体装置に複数の温度検出素子が備えられており、複数箇所の温度を検出することができるが、電磁波ノイズを除去する素子が接続されていない。このため、耐電磁波ノイズ性は十分ではなく、温度検出に影響を及ぼす可能性がある。
【０００６】
さらに、複数の温度検出素子を用いているため、各温度検出素子を独立させて設ける場合や直列接続する場合では各素子のアノード、カソードの各パッドが複数必要となり、チップサイズが大きくなってしまうという問題がある。また、各素子が並列に接続された場合、各素子の順方向電圧Ｖｆが合成された値が出力されるため、精度良く複数箇所の温度を検出することが困難になってしまう。
【０００７】
本発明は、上記点に鑑み、電磁波ノイズに対する耐量を確保し、かつ、複数箇所の温度を測定することができる感温ダイオードを備えた半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するため、本発明の第１の特徴では、第１感温ダイオード（２１）のアノードと第２感温ダイオード（２２）のカソードとを第１パッド（３１）に接続し、第１感温ダイオードのカソードと第２感温ダイオードのアノードとを第２パッド（３２）に接続することで各感温ダイオードを並列接続する。そして、第１パッドと第２パッドとに電圧を印加し、第１感温ダイオードを順方向にバイアスすると共に、第２感温ダイオードを逆方向にバイアスした場合、第１感温ダイオードを温度に応じた電圧を出力するように機能させ、第２感温ダイオードを第１感温ダイオードに発生するノイズを除去するように機能させるようになっており、第２感温ダイオードを順方向にバイアスし、第１感温ダイオードを逆方向にバイアスした場合、第２感温ダイオードを温度に応じた電圧を出力するように機能させ、第１感温ダイオードを第２感温ダイオードに発生するノイズを除去するように機能させることを特徴とする。
【０００９】
これにより、各感温ダイオードによって複数の場所の温度を測定することができる。この場合、各感温ダイオードのうち一方で温度測定を行う場合、他方をノイズ除去用として機能させるため、ノイズに対する耐量を確保しつつ、温度測定を行うことができる。そして、個々の感温ダイオードで温度測定を行うため、精度良く測定を行うことができる。
【００１０】
また、各感温ダイオードを並列接続しているため、各パッドの数は各感温ダイオードのアノードおよびカソードに対応した２つのみで足り、半導体装置内に占有するパッドの面積を小さくすることができ、ひいてはパッドの数の増加によるチップサイズの拡大を低減できる。
【００１１】
このような場合、各感温ダイオードのうち、第１感温ダイオードをセルエリアの中央部に配置し、第２感温ダイオードをセルエリアの外縁部に配置することができる。
【００１２】
また、各感温ダイオードのうち、第１感温ダイオードをセルエリア内に配置し、第２感温ダイオードをセルエリア外に配置することもできる。
【００１３】
さらに、セルエリア（１０）に第１の半導体素子のエリア（１１）と第２の半導体素子のエリア（１２）とを設け、各エリアにそれぞれ異なる半導体素子を形成した場合、第１感温ダイオードを第１の半導体素子のエリアに配置し、第２感温ダイオードを第１の半導体素子のエリアと第２の半導体素子のエリアとの境界（１３）上に配置することができる。
【００１４】
これにより、半導体装置においてもっとも温度が高くなると予想される場所の温度を測定することができる。これに伴い、各半導体素子が動作することによって生じる熱で各半導体素子が熱破壊されないように、各半導体素子を高精度に電流制御できるようにすることができる。
【００１５】
また、第１感温ダイオードのアノードに第３感温ダイオード（２３）のアノードを接続して第１並列回路を構成し、第２感温ダイオードのカソードに第４感温ダイオード（２４）のカソードを接続して第２並列回路を構成することができる。この場合、第１パッドと第２パッドとに電圧を印加し、第１並列回路を構成する第１感温ダイオードおよび第３感温ダイオードを順方向にバイアスし、第２並列回路を構成する第２感温ダイオードおよび第４感温ダイオードを逆方向にバイアスした場合、第１並列回路を第１感温ダイオードによって検出された温度に応じた電圧と第３感温ダイオードによって検出された温度に応じた電圧との平均を出力するように機能させ、第２並列回路を第１並列回路に発生するノイズを除去するように機能させることができる。そして、第２並列回路を構成する第２感温ダイオードおよび第４感温ダイオードを順方向にバイアスし、第１並列回路を構成する第１感温ダイオードおよび第３感温ダイオードを逆方向にバイアスした場合、第２並列回路を第２感温ダイオードによって検出された温度に応じた電圧と第４感温ダイオードによって検出された温度に応じた電圧との平均を出力するように機能させ、第１並列回路を第２並列回路に発生するノイズを除去するように機能させることができる。
【００１６】
これにより、第１感温ダイオードおよび第３感温ダイオードが配置された一定エリアの平均温度を測定することができる。同様に、第２感温ダイオードおよび第４感温ダイオードが配置された一定エリアの平均温度を測定することができる。このような場合であっても、一方の並列回路で温度測定を行っているときには、他方の並列回路でノイズ除去を行うようにすることができる。
【００１７】
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、図中、同一符号を付してある。
【００１９】
（第１実施形態）
以下、本発明の第１実施形態について図を参照して説明する。本実施形態では、半導体素子を備えた半導体チップに感温ダイオードを設けたものについて説明する。
【００２０】
図１は、本実施形態に係る半導体チップの平面図である。この図に示されるように、半導体チップ１は、セルエリア１０と、第１感温ダイオード２１と、第２感温ダイオード２２と、第１パッド３１と、第２パッド３２とを備えて構成されている。
【００２１】
半導体チップ１は、例えばシリコン基板に対して複数の半導体素子が形成されたものであり、シリコン基板がダイシングされて個々のチップに分割形成されたものである。本実施形態では、半導体チップ１のうちセルエリア１０に半導体素子が作り込まれている。半導体素子としては、ＩＧＢＴ等のトランジスタ、ＦＷＤ等のダイオード、そしてＩＣなどの発熱する半導体素子が採用される。
【００２２】
第１、第２感温ダイオード２１、２２は、温度に応じた電圧を出力するもの、すなわち順方向電圧Ｖｆの値が変化するものであり、半導体素子が作動することにより発生する熱に応じた順方向電圧Ｖｆを出力するものである。このような各感温ダイオード２１、２２は、半導体基板上に形成された絶縁膜上に多結晶ＳｉがＮ型層、Ｐ型層としてそれぞれ形成されることで構成されている。各感温ダイオード２１、２２として、同様の電気特性、高周波インピーダンスを有するものが望ましい。
【００２３】
半導体素子が作動することによって発生する熱がセルエリア１０の中央部に集中し、当該中央部がもっとも高くなることが知られていることから、これら各感温ダイオード２１、２２のうち第１感温ダイオード２１はセルエリア１０の中央部に位置するように配置される。また、第２感温ダイオード２２はセルエリア１０の外縁部に配置される。このようにセルエリア１０の各場所に各感温ダイオード２１、２２をそれぞれ配置することで、半導体チップ１内の温度分布を把握することが可能となる。
【００２４】
第１、第２パッド３１、３２は、各感温ダイオード２１、２２にそれぞれ接続されたボンディングパッドである。これら各パッド３１、３２は、例えばＡｌにより形成されている。そして、各パッド３１、３２間の電圧値が外部回路によって検出され、半導体チップ１の温度が検出されるようになっている。
【００２５】
図２は、図１に示される各感温ダイオード２１、２２の接続形態を示した回路図である。この図に示されるように、第１感温ダイオード２１は第１パッド３１に対して順方向に接続され、第２感温ダイオード２２は第１パッド３１に対して逆方向に接続されており、各感温ダイオード２１、２２は並列に接続されている。
【００２６】
すなわち、第１感温ダイオード２１のアノードが第１パッド３１および第２感温ダイオード２２のカソードに接続され、第１感温ダイオード２１のカソードが第２パッド３２および第２感温ダイオード２２のアノードに接続されている。
【００２７】
以上が、本実施形態に係る半導体チップ１の全体構成である。当該半導体チップ１は、樹脂でモールド実装される場合や、回路基板に実装されるなどして用いられる。
【００２８】
次に、上記各感温ダイオード２１、２２にて半導体チップ１の温度を検出する作動について説明する。本実施形態では、各パッド３１、３２のいずれかに正の電圧を印加することによって、各感温ダイオード２１、２２の順方向電圧Ｖｆをモニタすることにより、セルエリア１０の温度を測定する。
【００２９】
上述のように、各感温ダイオード２１、２２を順方向にバイアスした場合、温度に応じた順方向電圧Ｖｆが出力される。そこで、まず、半導体チップ１の外部の回路から第１パッド３１に正の電位を与えた場合、第１感温ダイオード２１を順方向にバイアスすることになる。したがって、各パッド３１、３２間の電位を測定することで、第１感温ダイオード２１の順方向電圧Ｖｆを得る。すなわち、当該順方向電圧Ｖｆの変動をモニタすることで、半導体チップ１におけるセルエリア１０の中央部の温度変化を測定することができる。
【００３０】
この場合、第２感温ダイオード２２を逆方向にバイアスすることになり、第１感温ダイオード２１に生じる起電力を打ち消す起電力を発生させることになるため、外来の電磁波ノイズにより第１感温ダイオード２１に発生する起電力をキャンセルするように第２感温ダイオード２２を作用させることができる。したがって、各感温ダイオード２１、２２が同様の電気特性、高周波インピーダンスを有することが好ましい。このような第２感温ダイオード２２の作用によって、第１感温ダイオード２１の電磁波ノイズに対する耐量を確保することができる。
【００３１】
また、半導体チップ１の外部の回路から第２パッド３２に正の電位を与えた場合、第２感温ダイオード２２を順方向にバイアスすることになる。したがって、半導体チップ１におけるセルエリア１０の外縁部の温度変化に応じた第２感温ダイオード２２の順方向電圧Ｖｆを得ることができる。この場合、第１感温ダイオード２１が電磁波ノイズを除去するように作用することで、第２感温ダイオード２２の電磁波ノイズに対する耐量を確保することができる。
【００３２】
このように、半導体チップ１の温度を測定したい場合、セルエリア１０のうち温度を測定したい場所に対応した感温ダイオード２１、２２を順方向にバイアスするように外部回路から各パッド３１、３２に電圧を印加すれば良い。すなわち、第１パッド３１に正の電圧を印加することでセルエリア１０の中央部の温度を測定することができ、第２パッド３２に正の電圧を印加することでセルエリア１０の外縁部の温度を測定することができる。
【００３３】
以上説明したように、本実施形態では、各パッド３１、３２間に第１感温ダイオード２１および第２感温ダイオード２２を並列接続すると共に、第１感温ダイオード２１に対して第２感温ダイオード２２が逆方向となるように並列接続し、温度を測定したい感温ダイオード２１、２２に正の電圧を印加して順方向電圧Ｖｆをモニタすることで温度を検出することが特徴となっている。
【００３４】
これにより、各感温ダイオード２１、２２のうち一方を温度測定用として機能させることができ、他方を電磁波ノイズ除去用として機能させることができる。すなわち、各感温ダイオード２１、２２のアノードおよびカソードへ印加する電圧を正負反転することで、耐電磁波ノイズ性を維持したまま、セルエリア１０の複数箇所の温度を測定することができる。この場合、個々の感温ダイオード２１、２２で温度測定を行っているため、精度良く温度測定を行うことができる。
【００３５】
また、２つの感温ダイオード２１、２２を並列接続する回路形態となっているため、各パッド３１、３２の数はアノードおよびカソードに対応した２つのみで足り、半導体チップ１内に占有するパッドの面積を小さくすることができる。
【００３６】
（第２実施形態）
本実施形態では、第１実施形態と異なる部分についてのみ説明する。本実施形態では、半導体チップ１のセルエリア１０にＦＷＤ内蔵ＩＧＢＴが形成されたものにおいて、各感温ダイオード２１、２２で温度を測定することが特徴となっている。
【００３７】
図３は、本実施形態に係る半導体チップ１の平面図である。この図に示されるように、セルエリア１０にＩＧＢＴエリア１１とＦＷＤエリア１２とが周期的に形成されている。ＩＧＢＴ、ＦＷＤの各素子の動作モードにより発熱箇所が異なるため、セルエリア１０のうち各素子の動作モードにより発熱する箇所に各感温ダイオード２１、２２を配置する。
【００３８】
具体的には、第１感温ダイオード２１をセルエリア１０の中央部に配置すると共に、ＩＧＢＴエリア１１に囲まれた位置に配置する。また、第２感温ダイオード２２をＩＧＢＴエリア１１とＦＷＤエリア１２との境界１３上に配置する。そして、ＩＧＢＴ素子が動作している場合は第１感温ダイオード２１で温度を測定し、ＦＷＤが動作している場合は第２感温ダイオード２２で温度を測定する。
【００３９】
このようにセルエリア１０に各感温ダイオード２１、２２をそれぞれ配置することで、各素子の動作モードに応じた温度測定をすることができ、各素子が熱破壊されないように高精度に各素子に対して電流制御を行うようにすることができる。
【００４０】
なお、本実施形態におけるＩＧＢＴエリア１１は本発明の第１の半導体素子のエリアに相当し、ＦＷＤエリア１２は本発明の第２の半導体素子のエリアに相当する。
【００４１】
（第３実施形態）
本実施形態では、第１実施形態と異なる部分についてのみ説明する。第１実施形態では、各感温ダイオード２１、２２をセルエリア１０の中央部および外縁部に配置させていたが、本実施形態では一方をセルエリア１０のエリア内に配置し、他方をセルエリア１０のエリア外に配置することが特徴となっている。
【００４２】
図４は、本実施形態に係る半導体チップ１の平面図である。この図に示されるように、各感温ダイオード２１、２２のうち第１感温ダイオード２１がセルエリア１０の中央部に位置するように配置され、第２感温ダイオード２２がセルエリア１０の外部に配置される。このように各感温ダイオード２１、２２をそれぞれ配置することで、半導体チップ１内の温度分布を把握することが可能となる。
【００４３】
以上説明したように、半導体チップ１内において、各感温ダイオード２１、２２の一方をセルエリア１０内、他方をセルエリア１０外に配置することもできる。
【００４４】
（第４実施形態）
本実施形態では、上記各実施形態と異なる部分についてのみ説明する。本実施形態では、半導体チップ１のうち複数箇所の平均温度を測定することが特徴となっている。
【００４５】
図５は、本実施形態に係る半導体チップ１に設けられる複数の感温ダイオードの接続形態を示した回路図である。この図に示されるように、第１感温ダイオード２１に対して第３感温ダイオード２３が並列接続され、第１並列回路が構成されている。この場合、第３感温ダイオード２３は第１感温ダイオード２１に対して逆方向、すなわち第３感温ダイオード２３のアノードが第１感温ダイオード２１のアノードに接続されている。
【００４６】
また、第２感温ダイオード２２に対して第４感温ダイオード２４が並列接続され、第２並列回路が構成されている。この場合、第４感温ダイオード２４は第２感温ダイオード２２に対して逆方向、すなわち第４感温ダイオード２４のカソードが第２感温ダイオード２２のカソードに接続されている。
【００４７】
また、第１、第３感温ダイオード２１、２３のアノード、第２、第４感温ダイオード２２、２４のカソードが第１パッド３１に接続され、第１、第３感温ダイオード２１、２３のカソード、第２、第４感温ダイオード２２、２４のアノードが第２パッド３２に接続された接続形態となっている。
【００４８】
このような場合、第１、第３感温ダイオード２１、２３を順方向にバイアスすれば第１、第３感温ダイオード２１、２３の順方向電圧Ｖｆの平均が得られ、第２、第４感温ダイオード２２、２４を順方向にバイアスすれば第２、第４感温ダイオード２２、２４の順方向電圧Ｖｆの平均が得られる。
【００４９】
すなわち、半導体チップ１のセルエリア１０のうち一定エリアの平均温度を知りたい場合、上記各感温ダイオード２１〜２４をセルエリア１０の所望の位置に配置することで、各感温ダイオード２１〜２４のペアによる順方向電圧Ｖｆから一定エリアの平均温度を測定することができる。
【００５０】
そして、第１、第３感温ダイオード２１、２３の第１並列回路が温度測定に用いられる場合、第２、第４感温ダイオード２２、２４の第２並列回路が電磁波ノイズを除去するように作用する。同様に、第２、第４感温ダイオード２２、２４の第２並列回路が温度測定に用いられる場合、第１、第３感温ダイオード２１、２３の第１並列回路が電磁波ノイズを除去するように作用する。
【００５１】
このように、複数の感温ダイオード２１〜２４を並列接続することで、例えば２系統の温度測定を行うことができ、一定エリアの平均温度を測定することができる。この場合であっても、用いるパッドは第１、第２パッド３１、３２の２つのみで足り、半導体チップ１を占有するパッドの面積を増やさないようにすることができる。
【００５２】
（他の実施形態）
上記各実施形態では、各感温ダイオード２１〜２４は１つのＰＮ接合によって構成されたものであるが、必要とする感度に応じて感温ダイオードを構成するＰＮ接合の個数を変更し、１つの感温ダイオードを複数のＰＮ接合で多段構成することもできる。この場合、例えば第１感温ダイオード２１と第２感温ダイオード２２とのペアのような対となる感温ダイオードがそれぞれ同じ電気特性、高周波インピーダンスとなるように、同じ段数のＰＮ接合で各感温ダイオードを構成することが好ましい。
【００５３】
上記第４実施形態では、第１、第３感温ダイオード２１、２３がペアとなって第１並列回路を構成し、第２、第４感温ダイオード２２、２４がペアとなって第２並列回路を構成したものが示されているが、これら並列回路の数は上記第４実施形態に限定されるものではなく、測定したい複数のエリアに応じて増やしても構わない。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本発明の第１実施形態に係る半導体チップの平面図である。
【図２】図１に示される各感温ダイオードの接続形態を示した回路図である。
【図３】本発明の第２実施形態に係る半導体チップの平面図である。
【図４】本発明の第３実施形態に係る半導体チップの平面図である。
【図５】本発明の第４実施形態に係る半導体チップに設けられる複数の感温ダイオードの接続形態を示した回路図である。
【符号の説明】
【００５５】
１…半導体チップ、１０…セルエリア、１１…ＩＧＢＴエリア、１２…ＦＷＤエリア、１３…境界、２１〜２４…第１〜第４感温ダイオード、３１…第１パッド、３２…第２パッド。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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