(57)【要約】【課題】形状可変ミラーの量産に適した製造方法を提供する。【解決手段】支持基板２の素になる第１ウエハ２０の一方の面、ミラー基板３の素になる第２ウエハ３０の一方の面に、個々の形状可変ミラー１となる領域それぞれの境界に沿って第１溝２１、第２溝３１を形成する。第１ウエハ２０と第２ウエハ３０を、第２溝３１が形成されている面が内向きにされた状態で、互いの前記領域がそれぞれ重なる状態に配置し、第１ウエハ２０と第２ウエハ３０との間における前記各領域内に支柱５、圧電体４を挟み込み、第１ウエハ２０と支柱５、圧電体４、及び、第２ウエハ３０と支柱５、圧電体４を互いに接合する。第２ウエハ３０の外面全域を第２溝３１に到達するまで平坦化加工してミラー基板３に分断する。第１ウエハ２０を第１溝２１に沿って破断して支持基板２に分断する。ミラー基板３の外面上に反射膜６を形成する。【選択図】図３
2008040302.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持基板と、この支持基板に対向しつつ支柱を介在して支持され、外面上に反射膜を有するミラー基板と、前記支持基板と前記ミラー基板との間に挟持され、電界の印加により伸縮して前記ミラー基板と共に前記反射膜を変形させる圧電体と、を備える形状可変ミラーの製造方法であって、
前記支持基板の素になる第１ウエハの一方の面に、個々の前記形状可変ミラーとなる領域それぞれの境界に沿った第１溝を形成する第１ウエハ溝形成工程と、
前記ミラー基板の素になる第２ウエハの一方の面に、前記領域それぞれの境界に沿った第２溝を形成する第２ウエハ溝形成工程と、
前記第１ウエハと前記第２ウエハを、前記第２ウエハの前記第２溝が形成されている面が内向きにされた状態で、互いの前記領域がそれぞれ重なる状態に配置するとともに、前記第１ウエハと前記第２ウエハとの間における前記各領域内に前記支柱及び前記圧電体を挟み込み、前記第１ウエハと前記支柱、前記第１ウエハと前記圧電体、前記第２ウエハと前記支柱、及び前記第２ウエハと前記圧電体のうち、少なくとも前記第１ウエハと前記支柱、前記第１ウエハと前記圧電体、及び前記第２ウエハと前記支柱を互いに接合する接合工程と、
前記第２ウエハの外面全域を前記第２溝に到達するまで平坦化加工して、前記第２ウエハを前記領域それぞれに対応する前記ミラー基板に分断する第２ウエハ分断工程と、
前記第１ウエハを前記第１溝に沿って破断して、前記第１ウエハを前記領域それぞれに対応する前記支持基板に分断する第１ウエハ分断工程と、
前記第２ウエハ分断工程での分断で得られた前記ミラー基板の外面上に反射膜を形成する反射膜形成工程と、を含むことを特徴とする形状可変ミラーの製造方法。
【請求項２】
前記第２ウエハ分断工程において、前記平坦化加工が研磨又はエッチングであることを特徴とする請求項１に記載の形状可変ミラーの製造方法。
【請求項３】
前記接合工程において、前記第１ウエハと前記支柱との接合部分、及び前記第１ウエハと前記圧電体との接合部分に、金属の薄層を介在させ、互いを押圧しながら加熱することにより拡散接合することを特徴とする請求項１又は２に記載の形状可変ミラーの製造方法。
【請求項４】
前記接合工程において、前記第２ウエハと前記支柱との接合部分、及び前記第２ウエハと前記圧電体との接合部分に、金属の薄層を介在させ、互いを押圧しながら加熱することにより拡散接合することを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の形状可変ミラーの製造方法。
【請求項５】
前記接合工程において、前記第１ウエハを前記第１溝が形成されている面が内向きにされた状態で配置することを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の形状可変ミラーの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光ピックアップ装置に搭載される形状可変ミラーの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、画像や音声等の情報を記録する光記録媒体として、ＣＤ（コンパクトディスク）やＤＶＤ（デジタル多用途ディスク）が実用化されている。更に近年では、より一層の高密度記録を実現するために波長の短い青紫色のレーザ光を採用した次世代ＤＶＤが実用化される段階にある。このような光ディスクにアクセスするためにはドライブ装置としての光ディスク装置が必要であり、この光ディスク装置では、光ディスクを回転させ、その光ディスクの記録面にレーザ光を導いて情報の記録又は消去が行われ、記録面からの反射光に基づいて情報の再生が行われる。そして、このような機能を実現できるように、光ディスク装置には、レーザ光を出射し、そのレーザ光を光ディスクの記録面に導いて光スポットを形成するとともに、光ディスクの記録面からの反射光を受光するといった一連の装置として、光ピックアップ装置が備えられている。
【０００３】
ここで、光ピックアップ装置においては、特に次世代ＤＶＤに関して、準拠する規格に従って高開口数（ＮＡ）とされる場合があり、この場合、光ディスクの厚さが微妙に変動することによって生じる球面収差の影響が顕著となり、微小な光スポットが得られなくなることがある。そのため、再生信号のジッタが劣化したり、記録時のピークパワーが低下したりし、結果として記録・再生品質が低下してしまう。
【０００４】
また、光ディスクの反り等に起因して記録面に対してレーザ光の光軸が微妙に傾くことがあり、この場合、レーザ光の光路が曲げられてコマ収差が発生し、適正なスポット径に集光することができなくなる。その結果、記録・再生品質が低下してしまう。その他にも、光ピックアップ装置の構成要素である光学レンズやビームスプリッタ等の光学系の配置精度に起因して非点収差が発生し、結果として記録・再生品質の低下が引き起こされる。
【０００５】
こういった事態の発生を防止するために、球面収差等の波面収差を補正する形状可変ミラーが提案されている。例えば、図４に示すように、形状可変ミラー１を光学系に採用した光ピックアップ装置は、半導体レーザ１２、コリメートレンズ１３、ビームスプリッタ１４、形状可変ミラー１、１／４波長板１５、対物レンズ１６、集光レンズ１７、光検出器１８等より構成される。半導体レーザ１２から出射されたレーザ光は、コリメートレンズ１３で平行光にされ、この平行光は、ビームスプリッタ１４を通過して、１／４波長板１５でレーザ光の偏光状態を変化された後に、形状可変ミラー１で反射され、対物レンズ１６で集光されて光ディスクＤの記録面に達する。また、光ディスクＤの記録面から反射されたレーザ光は、対物レンズ１６を通過後、形状可変ミラー１で反射されて１／４波長板１５を通過し、その後ビームスプリッタ１４で今度は反射され、集光レンズ１７で集光されて最終的に光検出器１８に達する。
【０００６】
ここでの形状可変ミラー１は、１つは、光ディスクＤへ向けてレーザ光を反射させるとともに、光ディスクＤからの反射光を光ディスクＤと平行に反射させるいわゆる立上げミラーの役割を担う。また、その反射面を適宜変形させてレーザ光の反射角を微調整し、これにより波面収差を補正する役割を担う。その際、光検出器１８で得られた信号に基づいて、波面収差の補正が必要な場合には、光ピックアップ装置が備える制御部より形状可変ミラー１に信号が送られ、収差を補正するようにその反射面が変形される。
【０００７】
形状可変ミラー１としては、圧電材料から成る圧電体の特質を利用したものがある（例えば特許文献１、２参照）。この形状可変ミラー１は、大きくは、支持基板と、この支持基板に対向しつつ支柱を介在して支持されたミラー基板と、支持基板とミラー基板との間に挟持された圧電体と、より構成される。ミラー基板の外面上には、レーザ光の反射面となる反射膜が形成されている。圧電体に所定の電圧が加えられることにより電界が印加されると、圧電体が支持基板とミラー基板との間で伸縮する。その伸縮に従ってミラー基板が弾性的に変形し、そのミラー基板の変形に追従して反射膜すなわち反射面が変形されるわけである。
【特許文献１】特開２００４−１０９７６９号公報
【特許文献２】特開２００４−２２６４５７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、このような形状可変ミラーの量産に適した製造手法については、未だ確立されていないのが実情である。例えば、現状では、形状可変ミラーを多数同時に製造しようとした場合、ウエハの段階で個々の形状可変ミラーとなる部分を作製し、その後ウエハを分断して個々の形状可変ミラーに分離する手法がある。この手法では、支持基板、ミラー基板それぞれの素になるウエハを準備し、両ウエハの間における個々の形状可変ミラーとなる領域内にそれぞれ支柱、圧電体を挟み込んで、両ウエハと支柱、両ウエハと圧電体をそれぞれ互いに接合する。その後、各ウエハを個別に、個々の形状可変ミラーとなる領域それぞれの境界に沿って円盤状のダイシングソーにより分断し、個々の形状可変ミラーに分離する。そして、各形状可変ミラーにおけるミラー基板の外面上に反射膜を形成する。これで一応は形状可変ミラーを多数同時に得ることができる。
【０００９】
しかし、このような手法では、ミラー基板となるウエハと支柱、そのウエハと圧電体それぞれの接合部分に生じた局部的な残留応力に起因して、そのウエハに歪が発生することが多い。そのウエハは最終的にミラー基板となるわけであるが、歪んだままではその外面上に形成される反射膜も歪んだ状態になるため、適正な反射面とはならない。そうすると、得られる形状可変ミラーの良品率が悪化することから、量産体制には不適な手法と言える。
【００１０】
また、ダイシングソーによるウエハの分断の際、特にミラー基板となるウエハが欠損や破損等して損傷することが多い。ミラー基板（そのウエハ）は、上記した形状可変ミラーの機能として圧電体の伸縮に従って弾性変形することが要求されるため、そもそも薄くて脆弱であるからである。そうすると、得られる形状可変ミラーの良品率が悪化することから、やはり量産体制には不適な手法と言える。
【００１１】
なお、個々の形状可変ミラーとなるミラー基板をウエハから予め切り出しておき、そのチップレベルのミラー基板を用いて、ウエハレベルの支持基板に対して個々の形状可変ミラーとなる部分を作製するようにすれば、ダイシングソーによるウエハ（支持基板用）の分断に際し、ミラー基板の損傷を少なからず抑えることができる。但しこの場合は、素材としてのチップレベルのミラー基板が多くなるため、その管理や取扱いが煩わしいし、形状可変ミラーの製造効率も制限されることから、やはり量産体制には不適と言える。
【００１２】
そこで本発明は、上記の問題に鑑みてなされたものであり、形状可変ミラーの量産に適した製造方法を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記目的を達成するため、本発明による形状可変ミラーの製造方法は、支持基板と、この支持基板に対向しつつ支柱を介在して支持され、外面上に反射膜を有するミラー基板と、前記支持基板と前記ミラー基板との間に挟持され、電界の印加により伸縮して前記ミラー基板と共に前記反射膜を変形させる圧電体と、を備える形状可変ミラーの製造方法であって、以下の工程を含む。前記支持基板の素になる第１ウエハの一方の面に、個々の前記形状可変ミラーとなる領域それぞれの境界に沿った第１溝を形成する第１ウエハ溝形成工程。前記ミラー基板の素になる第２ウエハの一方の面に、前記領域それぞれの境界に沿った第２溝を形成する第２ウエハ溝形成工程。前記第１ウエハと前記第２ウエハを、前記第２ウエハの前記第２溝が形成されている面が内向きにされた状態で、互いの前記領域がそれぞれ重なる状態に配置するとともに、前記第１ウエハと前記第２ウエハとの間における前記各領域内に前記支柱及び前記圧電体を挟み込み、前記第１ウエハと前記支柱、前記第１ウエハと前記圧電体、前記第２ウエハと前記支柱、及び前記第２ウエハと前記圧電体のうち、少なくとも前記第１ウエハと前記支柱、前記第１ウエハと前記圧電体、及び前記第２ウエハと前記支柱を互いに接合する接合工程。前記第２ウエハの外面全域を前記第２溝に到達するまで平坦化加工して、前記第２ウエハを前記領域それぞれに対応する前記ミラー基板に分断する第２ウエハ分断工程。前記第１ウエハを前記第１溝に沿って破断して、前記第１ウエハを前記領域それぞれに対応する前記支持基板に分断する第１ウエハ分断工程。前記第２ウエハ分断工程での分断で得られた前記ミラー基板の外面上に反射膜を形成する反射膜形成工程。
【００１４】
これにより、ミラー基板の平坦にされた外面上に反射膜が形成されるため、その反射膜の反射面も平坦になり、良好な品質の形状可変ミラーを多数同時に得ることができる。
【００１５】
ここで、前記第２ウエハ分断工程において、前記平坦化加工が研磨又はエッチングであることが好ましい。
【００１６】
また、実用的には、前記接合工程において、前記第１ウエハと前記支柱との接合部分、及び前記第１ウエハと前記圧電体との接合部分に、金属の薄層を介在させ、互いを押圧しながら加熱することにより拡散接合するとよい。
【００１７】
同様に、前記接合工程において、前記第２ウエハと前記支柱との接合部分、及び前記第２ウエハと前記圧電体との接合部分に、金属の薄層を介在させ、互いを押圧しながら加熱することにより拡散接合するとよい。
【００１８】
また、前記接合工程において、前記第１ウエハを前記第１溝が形成されている面が内向きにされた状態で配置することが好ましい。
【発明の効果】
【００１９】
本発明の形状可変ミラーの製造方法によれば、良好な品質の形状可変ミラーを多数同時に得ることができ、量産体制に十分適する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下に、本発明の実施形態について図面を参照しながら詳述する。図１は本発明の一実施形態である形状可変ミラーの製造方法によって製造された形状可変ミラーを示す断面図であって、同図（ａ）は非駆動状態を示し、同図（ｂ）は駆動状態を示している。図２はその形状可変ミラーの概略構成を示す分解斜視図、図３は本発明の一実施形態である形状可変ミラーの製造方法の手順を示す断面図である。
【００２１】
先ず、本実施形態での形状可変ミラー１について述べる。図１（ａ）、図２に示すように、本実施形態での形状可変ミラー１は、大きくは、概ね正方形の支持基板２と、この支持基板２よりもサイズがやや小さく概ね正方形で、支持基板２に対向するミラー基板３と、支持基板２とミラー基板３との間での所定位置に挟み込まれた複数の圧電体４、複数の支柱５と、より構成される。ここでの形状可変ミラー１では、図２に示すように、ミラー基板３の４隅と、その４辺の各中心とに、それぞれ支柱５が配置されていて、その４辺の各中心に配置された支柱５に対し中央寄りに所定の隙間をあけて、それぞれ圧電体４が配置されている。つまり、ミラー基板３の中央から十字方向それぞれの外方へ向けて順に、圧電体４、支柱５が配置された格好になっている。
【００２２】
支持基板２は、各部品を支持するための土台となる板である。その材質としては、ガラスが適用される。但し、絶縁性を有する限り、例えばセラミックス等でも構わない。この支持基板２には、ミラー基板３と向き合う面（内面）上において、各圧電体４及び各支柱５が配置される位置（図２中の斜線部分）に、Ｓｉ（シリコン）の薄膜部が形成されていて、特に各圧電体４が配置される位置でのＳｉ薄膜部からは、同じくＳｉの配線パターン（不図示）が支持基板２の縁近傍まで導き出されるように形成されている。なお、これらのＳｉ薄膜部とＳｉ配線パターンは、フォトリソグラフィ等によって施される。
【００２３】
ミラー基板３は、弾性変形が可能な板である。その材質としては、Ｓｉが適用される。但し、弾性変形が可能である限り、例えばガラス等でも構わない。このミラー基板３には、支持基板２と向き合う面（内面）とは反対側の面（外面）上において、ほぼ全域に、反射面として機能する反射膜６が形成されている。反射膜６は、Ａｌ（アルミニウム）等の金属膜であり、蒸着やスパッタリング等によって施される。
【００２４】
圧電体４は、電界の印加により伸縮する圧電材料より成る直方体状のものである。その材質としては、ＰＺＴ（Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3；チタン酸ジルコン酸鉛）が適用される。但し、ＰＺＴ以外の圧電セラミックスでも構わないし、ポリフッ化ビニリデンのような圧電高分子等でも構わない。なお、圧電体４の形状は円柱状や多角柱状等でも構わない。
【００２５】
各圧電体４は、支持基板２の内面上に形成されているＳｉ薄膜部の上に、金属の薄層部（不図示）を間に介在して接合されている。その金属薄層部としては、Ａｕ（金）が適用され、その金属薄層部は、支持基板２の内面上におけるＳｉ薄膜部上に、蒸着やスパッタリング等によって施される。但し、金属薄層部は、Ａｕに限らず、例えばＰｔ（白金）等でも構わない。ここでは、支持基板２と各圧電体４同士を互いに押圧しながら加熱することで、両者の間に存在する金属薄層部の金属（Ａｕ）原子が、支持基板２の内面上のＳｉ薄膜部と圧電体４（ＰＺＴ）とに拡散し、これにより、支持基板２と各圧電体４が強固に拡散接合される。
【００２６】
同様にして、各圧電体４の上には、金属の薄層部（不図示）を間に介在してミラー基板３が拡散接合されている。その金属薄層部は、ミラー基板３の内面上に、蒸着やスパッタリング等によって施される。
【００２７】
こうして、本実施形態では、支持基板２の内面上のＳｉ薄膜部が、金属薄層部を介して各圧電体４に電気的に接続されて、各圧電体４に対しての電界印加のための個別電極となる。一方、Ｓｉ製のミラー基板３そのものが、金属薄層部を介して各圧電体４に電気的に接続されて、各圧電体４に対しての電界印加のための共通電極となる。
【００２８】
なお、本実施形態では、金属薄膜部を一種の接着剤として、支持基板２と圧電体４同士、ミラー基板３と圧電体４同士をそれぞれ拡散接合しているが、導電性の接着剤を用いて両者を接合しても構わない。また、導電性の無いエポキシ系等の接着剤を用いて両者を接合してもよいが、その場合は、別途ワイヤボンディング等によって、支持基板２の内面上のＳｉ薄膜部からのＳｉ配線パターンと圧電体４同士、Ｓｉ製のミラー基板３と圧電体４同士をそれぞれ電気的に接続する必要がある。
【００２９】
またなお、本実施形態では、ミラー基板３と圧電体４同士を接合しているが、例えば、圧電体４として、両側に自己の電極が引き出された積層型の圧電体を用いた場合、支持基板２の内面上のＳｉ薄膜部を２つに分けた上で、その各Ｓｉ薄膜部と積層型圧電体の各電極同士を接続すれば、各圧電体４に対しての電界印加を行えるため、この場合は、ミラー基板３と圧電体４同士を接合せずに単に接触した状態にしておけばよい。
【００３０】
支柱５は、支持基板２に対してミラー基板３を支持するためのものである。本実施形態での支柱５は、圧電体４と同様のものが採用されており、上記した圧電体４と同様にして、支持基板２、ミラー基板３にそれぞれ接合されている。なお、本実施形態では、支柱５が支持基板２と別体であるが、支持基板２と一体に形成されていても構わない。
【００３１】
このような構成の形状可変ミラー１は、非駆動状態すなわち各圧電体４に電圧が加えられていない状態では、図１（ａ）に示すように、ミラー基板３の反射膜６の反射面は平坦な状態となっている。一方、駆動に際して各圧電体４に所定の電圧が加えられることにより電界が印加されると、図１（ｂ）に示すように、各圧電体４が支持基板２とミラー基板３との間で伸長する。その伸長に従ってミラー基板３が押し上げられて凸状に弾性変形し、そのミラー基板３の変形に追従して反射膜６の反射面が変形されるようになる。従って、このような形状可変ミラー１を光ピックアップ装置の光学系に用いることにより、レーザ光の波面収差を補正することが可能になる。
【００３２】
引き続き、このような形状可変ミラーの製造方法について述べる。先ず、図３（ａ）に示すように、支持基板２の素になるウエハ（説明の便宜上、「第１ウエハ」と記すことがある）２０を準備するとともに、ミラー基板３の素になるウエハ（説明の便宜上、「第２ウエハ」と記すことがある）３０を準備する。
【００３３】
ここで、第１ウエハ２０の一方の面に、個々の形状可変ミラー１となる領域の境界に沿って溝（説明の便宜上、「第１溝」と記すことがある）２１を形成しておく。例えば、第１ウエハ２０に対して、個々の形状可変ミラー１となる領域が格子状に規則的に配列される場合は、その第１溝２１は格子状に形成されることになる。第１溝２１は、後に行う圧電体４及び支柱５の接合工程や第２ウエハ３０の分断工程で、その第１溝２１を起点に第１ウエハ２０が不用意に割れてしまわない程度の一定深さに形成される。例えば、第１ウエハ２０がガラス製であって、その素材の厚さが１［ｍｍ］とすると、第１溝２１が形成された部分で、その素材厚さの１／３〜１／２程度の厚さが残ることが好ましい。また、その第１溝２１は、ダイシングソーやケミカルエッチングやサンドブラスト等による加工によって施すことができる。なお、本実施形態では、第１溝２１が形成されている面には、個々の形状可変ミラー１となる領域内にそれぞれ、上記形状可変ミラー１の構成の説明で述べたＳｉ薄膜部、Ｓｉ配線パターン、金属薄層部が形成されている。
【００３４】
一方、第２ウエハ３０の一方の面に、個々の形状可変ミラー１となる領域の境界に沿って、上記の第１ウエハ２０に形成されている第１溝２１に対応する溝（説明の便宜上、「第２溝」と記すことがある）３１を形成しておく。例えば、第２ウエハ３０に対して、個々の形状可変ミラー１となる領域が格子状に規則的に配列される場合は、その第２溝３１は格子状に形成されることになる。第２溝３１は、後に行う圧電体４及び支柱５の接合工程で、その第２溝３１を起点に第２ウエハ３０が不用意に割れてしまわない程度の一定深さに形成される。例えば、第２ウエハ３０がＳｉ製であって、その素材の厚さが２００［μｍ］とすると、第２溝３１が形成された部分で、その素材厚さの２／５〜３／５程度の厚さが残ることが好ましい。また、その第２溝３１は、ダイシングソーやケミカルエッチングやサンドブラスト等による加工によって施すことができ、特に第２ウエハ３０がＳｉ製である場合での第２溝３１の形成には、ＲＩＥ（反応性イオンエッチング）が好適である。なお、本実施形態では、第２溝３１が形成されている面には、個々の形状可変ミラー１となる領域内にそれぞれ、上記形状可変ミラー１の構成の説明で述べた金属薄層部が形成されている。
【００３５】
次に、図３（ｂ）に示すように、第１ウエハ２０と第２ウエハ３０を、第１ウエハ２０の第１溝２１が形成されている面と、第２ウエハ３０の第２溝３１が形成されている面とが互いに向き合いつつ、第１溝２１と第２溝３１が互いに重なるように配置する。つまり、第１ウエハ２０の第１溝２１が形成されている面と、第２ウエハ３０の第２溝３１が形成されている面とがそれぞれ内向きにされた状態で、個々の形状可変ミラー１となる領域それぞれが互いに重なる状態にされる。ここで、第１ウエハ２０と第２ウエハ３０との間における個々の形状可変ミラー１となる各領域内に、それぞれ支柱５及び圧電体４を挟み込んで、第１ウエハ２０と支柱５、第１ウエハ２０と圧電体４、第２ウエハ３０と支柱５、及び第２ウエハ３０と圧電体４をそれぞれ互いに接合する。本実施形態では、第１ウエハ２０と支柱５同士、第１ウエハ２０と圧電体４同士、第２ウエハ３０と支柱５同士、及び第２ウエハ３０と圧電体４同士を互いに押圧しながら加熱することで、第１ウエハ２０と支柱５、第１ウエハ２０と圧電体４、第２ウエハ３０と支柱５、及び第２ウエハ３０と圧電体４が強固に拡散接合される。
【００３６】
このようにして、第１ウエハ２０、第２ウエハ３０、圧電体４、及び支柱５が接合された後においては、第２ウエハ３０と支柱５、その第２ウエハ３０と圧電体４それぞれの接合部分に局部的な残留応力が生じ、主としてその残留応力に起因して、第２ウエハ３０に歪が発生して、第２ウエハ３０が微妙に波打った状態になることが多い。図３（ｂ）にはその様子を誇張して示している。その第２ウエハ３０は最終的にミラー基板３となるわけであるが、歪んだままではその外面上に形成される反射膜６も歪んだ状態になるため、適正な平坦な反射面が得られない。本実施形態では、次の工程によって、そのような不都合の発生を防止している。
【００３７】
図３（ｃ）に示すように、第２ウエハ３０について、その外面全域を第２溝３１に到達するまで平坦化しながら掘下げ加工する。この平坦化加工としては、第２ウエハ３０の外面全域に平坦な砥石を押し当てて研磨する研磨加工や、第２ウエハ３０の外面全域を化学的、物理的にエッチングするエッチング加工が適用される。これにより、第２ウエハ３０は、個々の形状可変ミラー１となる領域それぞれに対応するミラー基板３に分断されるとともに、各ミラー基板３の外面は平坦になる。
【００３８】
その後、図３（ｄ）に示すように、今度は第１ウエハ２０について、これを折り曲げるような負荷を加える等して、第１溝２１に沿って破断する。これにより、第１ウエハ２０は、個々の形状可変ミラー１となる領域それぞれに対応する支持基板２に分断され、個々の形状可変ミラー１に分離される。
【００３９】
そして、図３（ｅ）に示すように、各ミラー基板３の外面上に反射膜６を形成する。これで形状可変ミラー１を多数同時に得ることができる。なお、各ミラー基板３への反射膜６の形成については、本実施形態では第１ウエハ２０を分断した後に行っているが、第１ウエハ２０を分断する前に行っても構わない。
【００４０】
こうして得られた形状可変ミラー１では、ミラー基板３の平坦にされた外面上に反射膜６が形成されているため、その反射膜６の反射面も平坦になっている。従って、本実施形態の製造方法によれば、良好な品質の形状可変ミラー１を多数同時に得ることができる。よって、本実施形態の製造方法は量産体制に十分適する。
【００４１】
その他本発明は上記の実施形態に限定されず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、種々の変更が可能である。例えば、個々の形状可変ミラー１となる領域それぞれが互いに重なる状態にされる限り、第１ウエハ２０の第１溝２１が形成されている面が外向きにされても構わない。なおこの場合は、第１ウエハ２０において、第１溝２１が形成されている面とは反対の面に、Ｓｉ薄膜部、Ｓｉ配線パターン、金属薄層部が形成されることになる。
【産業上の利用可能性】
【００４２】
本発明は、形状可変ミラーの製造に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明の一実施形態である形状可変ミラーの製造方法によって製造された形状可変ミラーを示す断面図である。
【図２】形状可変ミラーの概略構成を示す分解斜視図である。
【図３】本発明の一実施形態である形状可変ミラーの製造方法の手順を示す断面図である。
【図４】形状可変ミラーを採用した光ピックアップ装置の概略構成を示す平面図である。
【符号の説明】
【００４４】
１    形状可変ミラー
２    支持基板
３    ミラー基板
４    圧電体
５    支柱
６    反射膜
２０    支持基板の素になるウエハ（第１ウエハ）
２１    第１ウエハに形成された溝（第１溝）
３０    ミラー基板の素になるウエハ（第２ウエハ）
３１    第２ウエハに形成された溝（第２溝）
【図１】
2008040302.tif 000003
【図２】
2008040302.tif 000004
【図３】
2008040302.tif 000005
【図４】
2008040302.tif 000006