(57)【要約】  【課題】  配線導体と、配線導体に接続されてめっき用の電流を供給する接続導体との間の不要な静電容量（浮遊容量）が小さく、個片の配線基板における電気特性の劣化等の不具合が抑制された複数個取り配線基板を提供すること。  【解決手段】  母基板１の中央部に複数個の配線基板領域２が縦横の並びに配列されるとともに、外周部に配線基板領域２を取り囲む枠状のダミー領域３が設けられ、配線基板領域２に、露出表面にめっき層が被着される配線導体４および配線導体４に接続するめっき用の接続導体５が形成されてなる複数個取り配線基板10であって、母基板１は、配線基板領域２内で接続導体５と、この接続導体５が接続された配線導体４とは異なる配線導体４との間に介在する部位７における比誘電率が、他の部位における比誘電率よりも低い。接続導体５に起因して生じる静電容量（浮遊容量）が抑制され、電気特性の劣化等の不具合が抑制される。【選択図】  図１
2008028233.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
母基板の中央部に複数個の配線基板領域が縦横の並びに配列されているとともに、外周部に前記配線基板領域を取り囲む枠状のダミー領域が設けられており、前記配線基板領域に、露出表面にめっき層が被着される配線導体および該配線導体に接続するめっき用の接続導体が形成されてなる複数個取り配線基板であって、前記母基板は、前記配線基板領域内で前記接続導体と、該接続導体が接続された前記配線導体とは異なる前記配線導体との間に介在する部位における比誘電率が、他の部位における比誘電率よりも低いことを特徴とする複数個取り配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子や弾性表面波素子等の電子部品を搭載するために用いられる配線基板となる配線基板領域を、複数個、母基板の中央部に縦横の並びに配列してなる複数個取り配線基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、例えば半導体素子や弾性表面波素子等の電子部品を搭載するために用いられる配線基板は、酸化アルミニウム質焼結体等のセラミックス材料から成る四角平板状の絶縁基体の上面に電子部品を搭載するための搭載部を有し、この搭載部またはその周辺から絶縁基体の下面にかけてタングステン等の金属材料から成る複数の配線導体が形成された構造を有している。
【０００３】
配線導体は、露出表面に電子部品の電極がはんだやボンディングワイヤ等を介して電気的に接続される。このはんだの濡れ性やボンディングワイヤのボンディング性等の特性を向上させるため、配線導体の表面にはニッケルや金等のめっき層が被着される。
【０００４】
このような配線基板は、一般に、１枚の広面積のセラミック母基板から複数個の配線基板を同時集約的に得るようにした、いわゆる複数個取り配線基板の形態で製作されている。
【０００５】
複数個取り配線基板は、平板状の母基板の中央部に配線基板となる配線基板領域が縦横の並びに複数個配列形成されるとともに、外周部に配線基板領域を取り囲む枠状のダミー領域が形成されてなる構造を有している。なお、ダミー領域は、複数個取り配線基板の取り扱いを容易とすること等のために設けられている。
【０００６】
配線導体に対するめっき層の被着も、この複数個取り配線基板の状態で行なわれる。すなわち、ダミー領域に枠状の導体を形成しておくとともに、各配線基板領域の配線導体から枠状の導体にかけて接続用の接続導体を形成して枠状の導体と各配線導体とを電気的に接続しておく。枠状の導体は、複数の接続導体を一括して電気的に接続してめっき用の電流を供給するための共通導体として機能する。そして、例えばニッケルの電解めっき浴中で、枠状の導体に外部の電源からめっき用の電流を供給することにより、枠状の導体および接続導体を介して各配線導体に電流が供給されて電解めっき法によりめっき層が被着される。
【０００７】
なお、複数個取り配線基板は、例えば、配線基板領域同士の境界、および配線基板領域とダミー領域との境界に沿って、ダイシングカットや、あるいは予め形成しておいた分割溝に沿って分割（チョコレートブレーク）することにより、個片の配線基板に分割される。
【特許文献１】特開2005−101164号公報
【特許文献２】特開2005−72050号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上記従来技術の複数個取り配線基板においては、各配線基板領域に接続導体が形成され、接続導体と、この接続導体が接続された配線導体とは異なる配線導体との間に母基板の一部が介在することとなるときに、次のような問題点があった。
【０００９】
すなわち、配線基板領域を個片に分割したときに、個々の配線基板には配線導体に接続された状態で不要な接続導体が残留してしまう。また、この残留した接続導体は、母基板（個片における絶縁基体）の一部を介して対向する他の配線導体に対して電気的に独立したものである場合がある。このように不要な接続導体が残留するとともに、その接続導体と、その接続導体とは電気的に独立した配線導体とが母基板の一部を挟んで対向することにより、配線導体と接続導体との間に、母基板の一部を誘電体として不要な静電容量（浮遊容量）が大きく生じてしまい、配線導体によって伝送する電気信号の伝送特性等の配線基板としての特性が低下する（例えば、電気信号の伝送遅延）等の不具合が生じるというものである。
【００１０】
なお、配線導体が対向する接続導体と電気的に独立したものとなるのは、例えば、個片に分割されるときに枠状導体と接続導体との電気的な接続が切断されることにより対向する接続導体との電気的な接続が切断される場合や、もともとその対向する接続導体とは電気的に接続されていないもの（他の接続導体からめっき用の電流を供給されるものや、めっき層の被着が不要なもの等）である場合等である。
【００１１】
本発明は、かかる従来技術の問題点に鑑みて完成されたものであり、その目的は、接続導体が存在することに起因する不要な静電容量（浮遊容量）が小さく、個片の配線基板における電気信号の伝送特性の劣化等の不具合が抑制された複数個取り配線基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の複数個取り配線基板は、母基板の中央部に複数個の配線基板領域が縦横の並びに配列されているとともに、外周部に前記配線基板領域を取り囲む枠状のダミー領域が設けられており、前記配線基板領域に、露出表面にめっき層が被着される配線導体および該配線導体に接続するめっき用の接続導体が形成されてなる複数個取り配線基板であって、前記母基板は、前記配線基板領域内で前記接続導体と、該接続導体が接続された前記配線導体とは異なる前記配線導体との間に介在する部位における比誘電率が、他の部位における比誘電率よりも低いことを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の複数個取り配線基板によれば、母基板は、配線基板領域内で接続導体とこの接続導体が接続された配線導体とは異なる配線導体との間に介在する部位における比誘電率が、他の部位における比誘電率よりも低いことから、接続導体と配線導体との間に介在して静電容量（浮遊容量）を発生させる誘電体としての母基板の比誘電率が低く抑えられる。そのため、配線基板領域（個々の配線基板）に配線導体に接続された状態で不要な接続導体が残留し、この不要な接続導体と他の配線導体との間に母基板の一部が介在したとしても、接続導体と配線導体との間に生じる静電容量（浮遊容量）が小さく抑えられる。その結果、浮遊容量に起因して配線導体を伝送される電気信号の伝送特性の劣化（例えば電気信号の伝送遅延）等の不具合が発生することは抑制され、個片の配線基板における電気特性の劣化等の不具合が抑制された複数個取り配線基板を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
本発明の複数個取り配線基板について添付図面を参照しつつ説明する。
【００１５】
図１（ａ）は、本発明の複数個取り配線基板の実施の形態の一例の平面図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）の反対側から見た平面透視図である。
【００１６】
図１（ａ）および（ｂ）において、１は母基板、２は配線基板領域、３はダミー領域、４は配線導体、５は接続導体、６は接続導体５が接続されている枠状導体であり、10が複数個取り配線基板を示している。
【００１７】
母基板１は、平板状の酸化アルミニウム質焼結体（アルミナセラミックス），窒化アルミニウム質焼結体，ムライト質焼結体，窒化珪素質焼結体，炭化珪素質焼結体，ガラスセラミックス焼結体等の電気絶縁材料から成る。
【００１８】
母基板１は、例えば酸化アルミニウム質焼結体からなる場合であれば、酸化アルミニウム等の原料粉末を有機溶剤，バインダとともにシート状に加工して形成したセラミックグリーンシートを、所定の形状および寸法に加工した後、必要に応じて複数を厚み方向に積層するとともに1300〜1600℃で焼成することにより作製される。
【００１９】
母基板１の中央部には、複数個の配線基板領域２が縦横の並びに配列されている。この例では、母基板１の中央部に縦２個×横３個の計６個の配線基板領域２が配列されている。各配線基板領域２は、分割されてそれぞれが個々の配線基板となる領域であり、その上面中央部等の露出面に、電子部品（図示せず）を搭載するための搭載部２ａを有している。
【００２０】
配線基板領域２は、図１に示したような正方形状で平板状のものだけに限定されず、細長い長方形状のものや、上面や下面等の一部に凹部あるいは凸部（図示せず）を有し、その凹部の底面や凸部の上面を搭載部２ａとしたもの等でもかまわない。
【００２１】
なお、搭載部２ａに搭載される電子部品としては、受光素子や発光素子等の光半導体素子および半導体集積回路素子を含む半導体素子、水晶振動子や弾性表面波素子等の圧電素子、圧力センサー素子、容量素子、抵抗器等が挙げられる。
【００２２】
各配線基板領域２の上面や下面等の露出表面には配線導体４が形成されている。この配線導体４は、電子部品と電気的に接続され、これを外部の電気回路等に電気的に接続させるための導電路として機能する。
【００２３】
この配線導体４は、一部が電子部品の搭載部２ａに位置し、他の一部が配線基板領域２の下面等の搭載部２ａ外に位置するように形成しておくことにより、電子部品から外部の電気回路等への電気的な導電路として機能させることができる。この場合、配線導体４の搭載部２ａに位置する部位に電子部品の電極をはんだやボンディングワイヤ等の接続材を介して接続することにより、電子部品の電極が配線導体４と電気的に接続され、配線導体４を介して配線基板領域２（個片の配線基板）の搭載部２ａ外に導出される。そして、配線導体４のうち配線基板領域２の搭載部２ａ外に導出された部位、例えば配線基板領域２の下面に露出した部位を外部電気回路にはんだや導電性接着剤等を介して電気的に接続することにより、電子部品と外部電気回路とが電気的に接続される。
【００２４】
配線導体４は、タングステンやモリブデン，マンガン，銅，銀，パラジウム，金，白金等の金属材料により形成される。
【００２５】
配線導体４は、例えば、タングステンからなる場合であれば、タングステンの粉末に有機溶剤，バインダを添加し、混練して作製した金属ペーストを、母基板１となるセラミックグリーンシートに、スクリーン印刷法等の手段で所定パターンに塗布することにより形成することができる。
【００２６】
また、配線導体４は、その露出表面に、ニッケルや金，銅，パラジウム，錫，白金等のめっき層（図示せず）が被着される。
【００２７】
めっき層は、配線導体４の酸化腐食を防止することや、配線導体４に対するはんだの濡れ性あるいはボンディングワイヤのボンディング性等の特性を向上させること等のためのものである。
【００２８】
めっき層は、好適にはワット浴やシアン系金めっき浴等のめっき浴を用いた電解めっき法により形成される。例えば、ニッケルのめっき層であれば、硫酸ニッケルおよび塩化ニッケルを主成分とし、ホウ酸等の緩衝剤や光沢剤等の添加剤を含むワット浴を準備し、これを適当な温度およびｐＨ（例えば、40〜65℃，ｐＨ3.8〜4.5）に調整した後、配線導体４が形成されている母基板１を浴中に浸漬する。そして、外部電源（整流器等）から配線導体４に所定の電流密度（例えば２〜10Ａ／ｄｍ２）で電流を供給することにより、ニッケルのめっき層が形成される。なお、電流を供給する時間は、被着させようとするめっき層の厚みに応じて適宜調整する。
【００２９】
このようなめっき用の電流は、配線導体４に接続された接続導体５を介して配線導体４に供給される。
【００３０】
本例においては、母基板１の外周部に、縦横の並びに配列された複数の配線基板領域２を取り囲む枠状のダミー領域３が設けられるとともに、ダミー領域３に、例えば配線基板領域２とダミー領域３との境界に沿って、枠状導体６が形成されている。枠状導体６は、複数の接続導体５を一括して電気的に接続してめっき用の電流を供給するための共通導体として機能する。なお、ダミー領域３は、枠状導体６を形成するスペースを確保することや、複数個取り配線基板10の取り扱いを容易とすること等のために設けられている。
【００３１】
そして、接続導体５および枠状導体６を介して、各配線基板領域２の配線導体４にめっき用の電流が供給される。すなわち、枠状導体６の一部を母基板１の側面まで延在させるとともに、この延在部分（図示せず）にめっき用治具の端子を接続し、整流器等の外部の電源から治具の端子を介して枠状導体６にめっき用の電流を供給する。枠状導体６に供給されためっき用の電流は、接続導体５を介して配線導体４に供給される。この場合、各配線基板領域２の間で接続導体５を互いに電気的に接続しておくことにより、縦横の並びの配列の最外周の配線基板領域２から順次、配列の内側に位置する配線基板領域２にめっき用の電流が供給される。
【００３２】
枠状導体６および接続導体５は、配線導体４と同様の金属材料（タングステンやモリブデン，マンガン，銅，銀，パラジウム，金，白金等）により形成される。
【００３３】
例えば、接続導体５および枠状導体６がタングステンからなる場合であれば、タングステンの粉末に有機溶剤，バインダを添加し、混練して作製した金属ペーストを、母基板１となるセラミックグリーンシートに、スクリーン印刷法等の手段で所定パターンに塗布することにより形成することができる。
【００３４】
また、配線基板領域２同士の境界に沿って、ダイシングカットすることにより、あるいは予め形成しておいた分割溝に沿って分割（チョコレートブレーク）することにより、各配線基板領域２が個片の配線基板に分割される。分割された各々の個片の配線基板には、配線導体４に接続されていた接続導体５が残留する。残留する接続導体５は、母基板１の一部を介して他の配線導体４の一部と対向する場合があり、この接続導体５と対向する他の配線導体４は、前述したように、その接続導体５とは電気的に独立したものである場合がある。
【００３５】
本発明の複数個取り配線基板10において、母基板１は、接続導体５と、この接続導体５が接続された配線導体４とは異なる他の配線導体４との間に介在する部位７における比誘電率が、他の部位における比誘電率よりも低くされている。接続導体５と配線導体４との間に介在する部位７における母基板１の比誘電率が他の部位における比誘電率よりも低いことから、接続導体５と配線導体４との間に大きな静電容量が生じることは効果的に防止される。その結果、不要な静電容量（浮遊容量）が小さく、分割後の個片の配線基板における電気特性の劣化等の不具合が抑制された、複数個取り配線基板10を提供することができる。
【００３６】
つまり、配線導体４に電解めっき層を形成するためだけの目的で形成された接続導体５が配線導体４に接続された状態で個片の配線基板に残ったとしても、めっき後には不要となる接続導体５による電気特性の劣化等の不具合が抑制された、信頼性の高い配線基板を得ることが可能な複数個取り配線基板10を提供することができる。
【００３７】
母基板１において、接続導体５と配線導体４との間に介在する比誘電率の低い部位７における比誘電率を他の部位における比誘電率よりも低くするには、接続導体５が表面に形成されるセラミックグリーンシートを接続導体５の平面形状と同じ大きさに、あるいは若干大きく金型等で予め打ち抜いておいて、このセラミックグリーンシートを、母基板１を形成する他のセラミックグリーンシートに積層後、打ち抜いておいた部分にスクリーン印刷等の方法で比誘電率の低い組成のセラミックペーストを塗布して充填し、そのセラミックペーストを充填した部分の上に接続導体５を印刷すること等の方法を用いることができる。
【００３８】
比誘電率の低いセラミックペーストは、例えば、母基板１を形成するセラミックグリーンシートと同様の組成の混合物に、α−石英やトリジマイト，クリストバライト等の酸化ケイ素系化合物（比誘電率が約４）等の比誘電率の低い無機物の粉末を添加することにより作製される。
【００３９】
複数個取り配線基板10および個々の配線基板において、接続導体５による浮遊容量の発生を効果的に抑える上では、比誘電率の低い部位７における母基板１の比誘電率が低いほどよい。例えば、配線導体４によって伝送される電気信号が数ＧＨｚ（例えば、移動体通信機器で使用される場合の2.5〜2.6ＧＨｚ等）程度の高周波信号の場合であれば、他の部位における比誘電率が約９〜10（酸化アルミニウム質焼結体や窒化アルミニウム質焼結体等）であるのに対して、比誘電率の低い部位７における比誘電率は７以下が好ましい。
【００４０】
ただし、比誘電率の低い部位７は、母基板１の他の部位に比べて比誘電率を下げるための添加物が添加される分、組成が他の部位と異なるため、組成の違いに起因して、例えば焼成時の収縮率の差による反り等の変形やクラック等の不具合を複数個取り配線基板10に誘発させやすい。そのため、母基板１のうち比誘電率の低い部位７における比誘電率の値は、他の部位における比誘電率の値に対して50％程度よりも高い値であることが好ましい。しかし、90％を超えるようであると、他の部位よりも比誘電率を小さくすることによる効果が得られなくなるので、90％程度よりも低い値であることが好ましい。
【００４１】
例えば、母基板１が酸化アルミニウム質焼結体で形成されている場合は、その比誘電率は９〜10程度であり、比誘電率の低い部位７は、酸化ケイ素系化合物の含有率を約20〜40質量％とすることによって比誘電率を約５〜７としたものが好適に用いられる。
【００４２】
また、比誘電率の低い部位７の厚みは、浮遊容量を抑制する上では、厚いほど好ましい。ただし、比誘電率の低い部位７が厚くなり過ぎると、他の部位との間で焼成時の収縮率の差等に起因する応力が大きくなりやすいため、母基板１に反りやクラック等の不具合を誘発する可能性がある。そのため、比誘電率の低い部位７の厚みは、母基板１の厚みの１／10以下であることが好ましい。
【００４３】
また、比誘電率の低い部位７は、接続導体５に起因する浮遊容量の発生を抑制するために、接続導体５の全長にわたって接続導体５に接するように形成されていることが好ましい。また特に、接続導体５と配線導体４との間の全域にわたって、例えば、接続導体５と配線導体４との間に介在する部位からその周辺に広がるような層状に、低誘電体層として比誘電率の低い部位７が介在していると、接続導体５と配線導体４との間に浮遊容量が発生することをより効果的に防止する上で好ましい。この場合には、例えば、比誘電率の低い部位７に位置ずれが生じたとしても、これを接続導体５と配線導体４との間により確実に介在させることができる。
【００４４】
なお、比誘電率の低い部位７としての低誘電体層は、配線導体４や接続導体５の形成される位置に応じて母基板１の表面および内部のいずれか一方に形成されていてもよく、両方に形成されていてもよい。いずれの場合にも、接続導体５と配線導体４との間の不要な静電容量（浮遊容量）がより確実に小さくなり、個片の配線基板における電気特性の劣化等の不具合が抑制された、より電気的に信頼性の高い複数個取り配線基板10を提供することができる。この場合、浮遊容量を抑制するという点では同様の効果が得られるが、母基板１の表面に低誘電体層が形成されている場合には、母基板１をセラミックグリーンシートの焼成により作製する際に、収縮率の異なる部分が表面に露出して位置しているため、収縮率の差により発生する応力が小さく、母基板１に反りやクラック等の不具合が生じることをより確実に抑制することができる。
【００４５】
母基板１の表面に低誘電体層を設けるには、母基板１となるセラミックグリーンシートの積層体の表面に、そのセラミックグリーンシートよりも比誘電率の低いセラミックペーストを塗布する。
【００４６】
また、母基板１の内部に低誘電体層を設けるには、母基板１のうち低誘電体層以外の他の部位となるセラミックグリーンシートの間に、比誘電率の低いセラミックペーストを塗布する。
【００４７】
なお、本発明は以上の実施の形態の例および以下に示す実施例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更を施すことは差し支えない。例えば、枠状導体６は、接続導体５によって接続する配線導体４の配置等に応じて、母基板１の両面に形成してもよい。
【実施例】
【００４８】
本発明の実施例について以下に詳細に説明する。
【００４９】
本実施例においては、酸化アルミニウム質焼結体により母基板を形成し、タングステンにより配線導体を形成した。
【００５０】
母基板は、１辺の長さが５ｃｍの正方形板状であり、外周に沿って５ｍｍの幅で枠状のダミー領域を設けた。また、ダミー領域の内側を８×８の領域に区画し、各領域を配線基板領域とした。各配線基板領域は１辺の長さが５ｍｍの正方形状である。この配線基板領域の上面の中央部を、電子部品としての半導体集積回路素子の搭載部とした。
【００５１】
配線導体は、線幅が100μｍであり、接続される電子部品の端子の数に応じて、搭載部から配線基板領域内において母基板の内部を通り、配線基板領域の下面の外周に導出するパターンのものを複数形成した。
【００５２】
接続導体は、一端が配線導体と直接接続し、他端が配線基板領域の外周に達するようにして直線状または折れ線状のパターンで、各配線基板領域の上面に形成した。
【００５３】
この接続導体を介して各配線導体にめっき用の電流を供給して、配線導体の露出表面に厚さ約４〜７μｍのニッケルめっき層および厚さ約１〜1.5μｍの金めっき層を順次、電解めっき法で被着させた。ニッケルめっき層はワット浴により被着させ、金めっき層はシアン系金めっき浴により被着させた。各めっき層を被着させる前には、複数個取り配線基板に対してアルカリ脱脂や酸処理等の周知のめっき前処理を施した。
【００５４】
母基板は、配線基板領域内で、接続導体と、その接続導体が接続された配線導体とは異なる配線導体との間に介在する部位における比誘電率が約７以下になるようにして形成して、この部位における比誘電率が、他の部位における比誘電率（約10）よりも低くなるようにしている。
【００５５】
なお、上記の複数個取り配線基板は、以下の手順により製作した。
【００５６】
まず、酸化アルミニウム粉末を97質量％含有し、添加物として酸化ケイ素および酸化マグネシウムを含有してなる原料粉末を、有機溶剤（トルエン）およびバインダ（アクリル系樹脂）とともに混練してスラリーを作製し、このスラリーをドクターブレード法により成形して帯状のセラミックグリーンシートを作製した。
【００５７】
この帯状のセラミックグリーンシートに打ち抜き加工用の金型を用いた機械的な切断加工を施して、母基板となる複数のセラミックグリーンシートを作製した。また、この切断の際、比誘電率（低誘電部）の低い部位に相当する部分にも同時に打ち抜き加工を施して開口部を形成した。
【００５８】
次に、前述したスラリーを作製するための原料粉末と同様の組成物に酸化ケイ素（トリジマイトおよびクリストバライト）を表１に示す割合で添加し、低誘電部用の原料粉末を準備するとともに、この低誘電部用の原料粉末に有機溶剤、バインダを添加混練して低誘電部となるセラミックペーストを作製した。
【００５９】
次に、このセラミックペーストをセラミックグリーンシートの開口部にセラミックペーストをスクリーン印刷法で印刷して充填した後、セラミックグリーンシート上にタングステンの金属ペーストを所定の配線導体のパターンに印刷するとともに、セラミックペースト上に金属ペーストを接続導体のパターンに印刷した。
【００６０】
その後、接続導体のパターンが、平面視で配線導体のパターンの一部と幅0.2mm×長さ1.15ｍｍの範囲で重なるようにして複数のセラミックグリーンシートを積層し、焼成する。以上により複数個取り配線基板が完成し、上述しためっき層を被着させて個片に分割した後、接続導体と平面視で重なる部位における配線導体について、伝送特性に影響を与える要因として静電容量（浮遊容量）およびインピーダンスの測定を行なった。
【００６１】
また、比較例として、母基板の全体が酸化アルミニウム質焼結体により形成されている複数個取り配線基板により作製された個片の配線基板における伝送特性を測定した。比較例の複数個取り配線基板は、母基板の全体が酸化アルミニウム質焼結体で形成されていること以外は、表１の本発明の各複数個取り配線基板（個片の配線基板）と同じである。
【００６２】
なお、各配線導体を伝送される電気信号は移動体通信機器に使用される周波数帯2.5ＧＨｚの電気信号とし、配線導体のインピーダンスは50Ωになるように設定した。浮遊容量の測定は、インピーダンスアナライザ（横河ヒューレットパッカード社製、型名4192Ａ）を用いて行ない、インピーダンスの測定は、ＴＤＲ法によるインピーダンス測定器（Agilent社製、型名86100Ａ、84754Ａ）を用いて行なった。
【００６３】
測定結果を表１に示す。
【表１】
2008028233.tif 000003
【００６４】
表１に示すように、接続導体と配線導体とが平面視で重なる部位において母基板の比誘電率を他の部位における比誘電率を低くした試料１〜５は、いずれも比較例に比べて浮遊容量が低く抑えられている。特に、試料１および２は、インピーダンスが50Ωであり、配線導体におけるインピーダンスの整合も良好であった。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】（ａ）は本発明の複数個取り配線基板の実施の形態の一例を示す平面図であり、（ｂ）はその反対側から見た平面透視図である。
【符号の説明】
【００６６】
１・・・・母基板
２・・・・配線基板領域
３・・・・ダミー領域
４・・・・配線導体
５・・・・接続導体
６・・・・枠状導体
７・・・・比誘電率の低い部位（接続導体５に接する部位）
10・・・・複数個取り配線基板
【図１】
2008028233.tif 000004