(57)【要約】【課題】表示パネルの高精細化に対応できる回路基板、フラットパネルディスプレイ用の基板およびこの回路基板とこのフラットパネルディスプレイ用の基板を備えるフラットパネルディスプレイ組立体を提供すること。【解決手段】フラットパネルディスプレイまたはフラットパネルディスプレイ用の基板に装着する回路基板であって、フラットパネルディスプレイ用の基板との接続部に設けられる複数の端子の間隔が、中心部において小さく、両端部において大きく形成されるとともに、前記複数の端子の間隔は、中心部から両端部に向かうにしたがって、段階的に、または徐々にもしくはグラデーション状に大きくなるように設定される。【選択図】図２
2008286980.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フラットパネルディスプレイまたはフラットパネルディスプレイ用の基板に装着する回路基板であって、フラットパネルディスプレイ用の基板との接続部に設けられる複数の端子の間隔が、中心部において小さく、両端部において大きく形成されることを特徴とする回路基板。
【請求項２】
前記複数の端子の間隔は、中心部から両端部に向かうにしたがって、段階的に大きくなることを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
【請求項３】
前記複数の端子の間隔は、中心部から両端部に向かうにしたがって、徐々にまたはグラデーション状に大きくなることを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
【請求項４】
前記複数の端子の互いに隣接する方向の寸法は、略同じであることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載の回路基板。
【請求項５】
前記複数の端子の互いに隣接する方向の寸法は、端子間の間隔が大きい箇所に形成されるものは大きく、端子間の間隔が小さい箇所に形成されるものは小さく形成されることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載の回路基板。
【請求項６】
請求項１から請求項５のいずれかに記載の回路基板が装着されるフラットパネルディスプレイ用の基板であって、前記いずれかの回路基板が装着される箇所には前記回路基板の端子と電気的に接続するための複数の接続ランドが設けられるとともに、前記複数の接続ランドどうしの間隔は、中心部において小さく、両端部において大きく形成されることを特徴とするフラットパネルディスプレイ用の基板。
【請求項７】
前記接続ランドどうしの間隔は、中心部から両端部に向かうにしたがって段階的に大きくなることを特徴とする請求項６に記載のフラットパネルディスプレイ用の基板。
【請求項８】
前記接続ランドどうしの間隔は、中心部から両端部に向かうにしたがって、徐々にまたはグラデーション状に大きくなることを特徴とする請求項６に記載のフラットパネルディスプレイ用の基板。
【請求項９】
前記複数の接続ランドの互いに隣り合う方向の寸法は、接続ランドどうしの間隔に応じて設定されてなることを特徴とする請求項６から請求項８のいずれかに記載のフラットパネルディスプレイ用の基板。
【請求項１０】
前記複数の接続ランドの互いに隣り合う方向の寸法は、接続ランドどうしの間隔が大きい箇所においては大きく、接続ランドどうしの間隔が小さい箇所においては小さく設定されてなることを特徴とする請求項９に記載のフラットパネルディスプレイ用の基板。
【請求項１１】
前記請求項１から請求項５のいずれかに記載の回路基板が、前記請求項６から請求項１０のいずれかに記載のフラットパネルディスプレイ用の基板に装着されてなることを特徴とするフラットパネルディスプレイ組立体。
【請求項１２】
前記請求項１から請求項５のいずれかに記載の回路基板に設けられる端子どうしの間隔が小さい箇所が、前記請求項６から請求項１０の接続ランドどうしの間隔が小さい箇所に位置決めされ、端子どうしの間隔が大きい箇所が接続ランドどうしの間隔が大きい箇所に位置決めされることを特徴とする請求項１１に記載のフラットパネルディスプレイ組立体。
【請求項１３】
請求項６から請求項１０のいずれかに記載のフラットパネルディスプレイ用の基板に請求項１から請求項５のいずれかに記載の回路基板が所定の位置に位置決めされて装着されるとともに、前記フラットパネルディスプレイ用の基板に所定の微小な間隔をおいて対向基板が配設されかつ前記フラットパネルディスプレイ用の基板と前記対向基板との間に液晶が充填されてなることを特徴とするフラットパネルディスプレイ組立体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路基板（板状のものに限らず、フィルム状のものも含む）、フラットパネルディスプレイ用の基板、およびこの回路基板とこのフラットパネルディスプレイ用の基板を備えるフラットパネルディスプレイ組立体に関するものであり、特に好適には、液晶表示パネルなどのフラットパネルディスプレイを駆動するドライバが実装される回路基板と、この回路基板を装着できるフラットパネルディスプレイ用の基板と、これらの回路基板とフラットパネルディスプレイ用の基板とを備えるフラットパネルディスプレイ組立体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
フラットパネルディスプレイのうち、例えば一般的なアクティブマトリックスタイプの液晶表示パネルは、ＴＦＴアレイ基板と、カラーフィルタなどの対向基板とを備える。そしてこれらのＴＦＴアレイ基板と対向基板とが、所定の微小な間隔をおいて対向するように略平行に配設され、これらの基板の間に液晶が充填されるという構成を備える。そして、一般的にＴＦＴアレイ基板には、このＴＦＴアレイ基板の表面に配列されるスイッチング素子を駆動するためのドライバＩＣが実装された回路基板（板状のものに限らず、フィルム状のものもある）が装着される。
【０００３】
図１３は、ＴＦＴアレイ基板９１の構成と、このＴＦＴアレイ基板９１を備える液晶表示パネルを駆動するドライバＩＣが実装される回路基板９２，９３，９４の構成の従来例を、模式的に示した外観斜視図である。
【０００４】
このＴＦＴアレイ基板９１の片側表面には、アクティブ領域９１１が設けられる。このアクティブ領域９１１には、複数の絵素電極（微小なため図略）と、各絵素電極に所定の電圧を印加するスイッチング素子（例えば薄膜トランジスタ（ＴＦＴ））（微小なため図略）とが配列される。さらにこのアクティブ領域９１１には、前記各スイッチング素子のドレイン電極にデータ信号を伝送するデータ信号線（図略）、ゲート電極に走査信号を伝送する走査信号線（図略）、およびその他の所定の配線（図略。例えば補助容量線など）が設けられる。
【０００５】
前記アクティブ領域９１１の外側の領域（この領域を「パネル額縁領域」と称することがある）には、接続ランド（図略）と、引き出し配線（図略）と、その他の所定の配線（図略。例えば予備配線など）が設けられる。接続ランドは、前記ドライバＩＣが実装される回路基板９２，９３を物理的および電気的に接続するためのものであり、ＴＦＴアレイ基板９１の外周縁近傍に設けられる。引き出し配線は、前記所定の接続ランドと所定のデータ信号線または所定の走査信号線とを電気的に接続する配線であり、例えば接続ランドと同じ導体層により一体的に形成される。
【０００６】
前記ドライバＩＣが実装される回路基板９２，９３は、一般的にフィルム状のもの（すなわち可撓性を有するもの）である。そしてその表面には所定の配線が形成されるととともに、所定の回路基板（図においては、ＴＦＴアレイ基板９１の長辺に装着される回路基板）には、データ信号線に伝送する信号を生成するソースドライバが実装される。また、他の所定の回路基板（図においては、ＴＦＴアレイ基板９１の短辺に装着される回路基板）には、走査信号線に伝送する信号を生成するゲートドライバが実装される。
【０００７】
そして前記ドライバＩＣが実装される各回路基板９２，９３は、異方性導電膜（ＡＣＦ）などによって、ＴＦＴアレイ基板９１の所定の接続ランドに貼付され、電気的および物理的に接続される。このため、各ドライバＩＣが生成した信号は、所定の引き出し配線を通じて所定のデータ信号線または走査信号線に伝送され得る。
【０００８】
ドライバＩＣが実装される回路基板９２，９３をＴＦＴアレイ基板９１に物理的かつ電気的に接続する構成としては、前記のとおり異方性導電膜を用いる構成が広く用いられている。すなわち、ＴＦＴアレイ基板９１に設けられる接続ランドの表面に異方性導電膜を貼付され、貼付された異方性導電膜にドライバＩＣが実装される回路基板９２，９３が加圧され押し付けられながら、異方性導電膜、ＴＦＴアレイ基板９１および回路基板９２，９３が加熱される。そして加熱により異方性導電膜が硬化し、結果としてドライバＩＣが実装される回路基板９２，９３がＴＦＴアレイ基板９１に電気的に接続された状態に固定される。
【０００９】
ＴＦＴアレイ基板９１と回路基板９２，９３の線膨張係数（熱膨張係数）が相違すると、加熱の際にＴＦＴアレイ基板９１に設けられる接続ランドと回路基板９２，９３に設けられる配線との位置関係が変化する。このため、ＴＦＴアレイ基板９１の接続ランドと回路基板の配線の設計においては、加熱による変形量に差が生じても、所定の接続ランドと所定の配線とが電気的に正しく接続されるように、接続ランドおよび／または回路基板に寸法を加熱による変位量分だけ小さく、または大きく設計している。
【００１０】
ところで、近年は液晶表示パネルの高精細化が進んでいる。このため、液晶表示パネルに形成されるデータ信号線および走査信号線の数を増やす必要がある。そしてこれに応じて、パネル額縁領域に形成される接続ランドの数を増やす必要があり、この結果、接続ランドのピッチを小さくする必要がある。しかしながら、接続ランドのピッチを小さくすると、次のような問題が生じうる。
【００１１】
接続ランドのピッチを小さくすると、接続ランドの配列ピッチを小さくする必要が生じるとともに、接続ランドの寸法公差（すなわち許容される寸法の誤差）の絶対値も小さくする必要がある。しかしながら接続ランドの配列ピッチおよび寸法公差を小さくすると、ＴＦＴアレイ基板と回路基板とを接続するための加熱の際に、それぞれの変形量の差が、接続ランドの配列ピッチおよび／または寸法公差を超えるおそれがある。そして仮に変形量の差が前記ピッチおよび／または寸法公差を超えると、本来電気的に接続すべき接続ランドと配線との接続が不十分となり、さらに寸法公差を大きく超えた際には本来電気的に接続すべきでないものどうしが電気的に接続されるおそれが生ずる。
【００１２】
このような場合、所定のデータ信号線または走査信号線に所定のデータ信号又は走査信号を正しく伝送できなくなり、その結果、液晶表示パネルの表示品位が低下するおそれがある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
上記実情に鑑み、本発明が解決しようとする課題は、表示パネルの高精細化に対応できる回路基板、フラットパネルディスプレイ用の基板およびこの回路基板とこのフラットパネルディスプレイ用の基板を備えるフラットパネルディスプレイ組立体を提供すること、フラットパネルディスプレイ用の基板の回路基板の接続部における接続ランドおよび／もしくは配線のピッチおよび／もしくは寸法公差を小さくすることができる回路基板、フラットパネルディスプレイ用の基板およびこの回路基板とこのフラットパネルディスプレイ用の基板を備えるフラットパネルディスプレイ組立体を提供すること、または、フラットパネルディスプレイ用の基板と回路基板とを接続する際に、熱変形量に差が生じても、フラットパネルディスプレイ用の基板の所定の接続ランドと回路基板の所定の配線とを正しく接続することができる回路基板、フラットパネルディスプレイ用の基板およびこの回路基板とこのフラットパネルディスプレイ用の基板を備えるフラットパネルディスプレイ組立体を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
前記課題を解決するため、本発明は、フラットパネルディスプレイまたはフラットパネルディスプレイ用の基板に装着する回路基板であって、フラットパネルディスプレイ用の基板との接続部に設けられる複数の端子の間隔が、中心部において小さく、両端部において大きく形成されることを要旨とするものである。
【００１５】
ここで、前記複数の端子の間隔は、中心部から両端部に向かうにしたがって、段階的に大きくなるか、または徐々にもしくはグラデーション状に大きくなることが好ましい。
【００１６】
また、前記複数の端子の互いに隣接する方向の寸法は、略同じであることが好ましい。ただし、端子間の間隔が大きい箇所に形成されるものは大きく、端子間の間隔が小さい箇所に形成されるものは小さく形成される構成であってもよい。
【００１７】
また、本発明は、前記回路基板が装着されるフラットパネルディスプレイ用の基板であって、前記いずれかの回路基板が装着される箇所には前記回路基板の端子と電気的に接続するための複数の接続ランドが設けられるとともに、前記複数の接続ランドどうしの間隔は、中心部において小さく、両端部において大きく形成されることを要旨とするものである。
【００１８】
ここで、前記接続ランドどうしの間隔は、中心部から両端部に向かうにしたがって段階的に大きくなるか、または徐々にもしくはグラデーション状に大きくなることが好ましい。
【００１９】
なお、前記複数の接続ランドの互いに隣り合う方向の寸法は、接続ランドどうしの間隔に応じて設定されてなることが好ましい。具体的には例えば、前記複数の接続ランドの互いに隣り合う方向の寸法は、接続ランドどうしの間隔が大きい箇所においては大きく、接続ランドどうしの間隔が小さい箇所においては小さく設定されてなることが好ましい。
【００２０】
本発明は、前記いずれかに記載の回路基板が、前記いずれかに記載のフラットパネルディスプレイ用の基板に装着されてなることを要旨とするものである。
【００２１】
ここで、前記いずれかの回路基板に設けられる端子どうしの間隔が小さい箇所が、接続ランドどうしの間隔が小さい箇所に位置決めされ、端子どうしの間隔が大きい箇所が接続ランドどうしの間隔が大きい箇所に位置決めされることが好ましい。
【００２２】
また、フラットパネルディスプレイ用の基板に前記いずれかに記載の回路基板が所定の位置に位置決めされて装着されるとともに、前記フラットパネルディスプレイ用の基板に所定の微小な間隔をおいて対向基板が配設されかつ前記フラットパネルディスプレイ用の基板と前記対向基板との間に液晶が充填されてなることを要旨とするものである。
【００２３】
なお、本発明における「フラットパネルディスプレイ組立体」とは、フラットパネルディスプレイに、このフラットパネルディスプレイを駆動する回路基板（および／または配線基板）が接続または装着されたものをいう。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、回路基板の両端部における端子のピッチが大きいから、回路基板をフラットパネルディスプレイ用の基板の所定の位置に位置決めして装着する際に、両端部における位置決めのマージンが大きくなる。したがって、例えば加熱圧着する際において、回路基板の両端が大きく伸びたとしても、回路基板の所定の端子をフラットパネルディスプレイ用の基板の所定の接続ランドに正しく接続することができる。したがって、全体として回路基板の端子の細ピッチ化を図ることができ、フラットパネルディスプレイの高精細化への対応が容易となる。また、設計時または組立時におけるフラットパネルディスプレイ用の基板の回路基板の接続部における接続ランドおよび／もしくは配線のピッチおよび／もしくは寸法公差を小さくすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下に、本発明の各種実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。
【００２６】
図１は、本発明の実施形態にかかるフラットパネルディスプレイ組立体１の構成を、模式的に示した外観斜視図である、なお、「フラットパネルディスプレイ組立体」とは、少なくとも、フラットパネルディスプレイ１１と、このフラットパネルディスプレイ１１を駆動するための回路などが構築された回路基板１２，１３および／または配線基板１４とを備え、このフラットパネルディスプレイ１１に、前記回路基板１２，１３および／または配線基板１４が装着された組立体をいうものとする。
【００２７】
図１に示すように本発明の実施形態にかかるフラットパネルディスプレイ組立体１は、後述する本発明の実施形態にかかるフラットパネルディスプレイ１１と、本発明のいずれかの実施形態にかかる回路基板であってソースドライバが実装される複数の回路基板１２と、本発明のいずれかの実施形態にかかる回路基板であってゲートドライバが実装される複数の回路基板１３と、単数または複数の共通配線基板１４とを備える。
【００２８】
フラットパネルディスプレイ１１は、回路基板１２，１３を接続するための接続ランド（配線の端子）の構成を除き、一般的な液晶表示パネル、例えば一般的なアクティブマトリックスタイプの液晶表示パネルが適用できる。一般的なアクティブマトリックスタイプの液晶表示パネルは、ＴＦＴアレイ基板１１１と、カラーフィルタなどの対向基板１１２とを備え、これらの基板１１１，１１２が所定の微小な間隔をおいて略平行に対向するように配設される。そしてこれらの基板１１１，１１２の間には、液晶が充填されるという構成を備える。なお、フラットパネルディスプレイ１１の構造および製造方法の詳細については後述する。
【００２９】
図１に示すように、本発明の各実施形態にかかる回路基板１２，１３は、ソースドライバが実装される回路基板１２と、ゲートドライバが実装される回路基板１３とがある。いずれの回路基板１２，１３も、樹脂材料などからなる可撓性のフィルムの表面に所定の配線（図略）が形成され、ソースドライバまたはゲートドライバが実装されるという構成を有する。そして、本発明の各実施形態にかかる回路基板１２，１３は、それらの一辺がフラットディスプレイ１１の外周縁の所定の位置に接続される。
【００３０】
すなわち、フラットパネルディスプレイ１１のデータ側の辺（「ドレイン側」の辺とも称する。パネル表示用駆動信号を入力する端子のある辺。一般的には長辺）に、本発明の実施形態にかかる回路基板のうちのソースドライバが実装される回路基板１２が接続される。また、フラットパネルディスプレイ１１の走査線側の辺（走査信号を入力する端子のある辺。一般的には短辺）に、本発明の実施形態にかかる回路基板のうちのゲートドライバが実装される回路基板１３が接続される。
【００３１】
また、本発明の実施形態にかかる回路基板１２，１３のうち、ソースドライバが実装される回路基板１２は、フラットパネルディスプレイに接続する辺に対向する辺が、後述する共通配線基板１４に接続される。
【００３２】
共通配線基板１４は、外部から伝送される画像信号などの所定の信号や電力などを、本発明の実施形態にかかる回路基板１２，１３に分配する機能を有する配線基板である。図１に示すように、この共通配線基板１４は、細長い短冊状の形状を有し、フラットパネルディスプレイ１１のデータ側の辺に沿うように配設される。この共通配線基板１４には接続ランドとダミーランドとが設けられており、各接続ランドには、本発明のいずれかの実施形態にかかる回路基板であってソースドライバが実装される回路基板１２が、物理的および電気的に接続される。
【００３３】
なお、図１においては、一枚の共通配線基板が長手方向に配設される構成を示すが、共通配線基板の数は限定されるものではない。例えば、本発明の実施形態にかかるフラットパネルディスプレイ１１の長辺の略半分の長さを有する二枚の共通配線基板１４がそれらの長手方向に直列的に配設される構成であってもよく、また、三枚以上の共通配線基板１４がそれらの長手方向に直列的に配設される構成であってもよい。なお、「共通配線基板」の名称は、本発明（の実施形態）にかかる回路基板１２，１３と区別するための便宜的なものである。
【００３４】
図２は、本発明の第一実施形態にかかる回路基板の構成と、本発明の第一実施形態にかかるフラットパネルディスプレイ１１ａから本発明の第一実施形態にかかる回路基板１２ａ，１３ａを接続する接続ランド１１１１が形成される部分を抜き出して示した図である。
【００３５】
なお、図２は、本発明の第一実施形態にかかる回路基板１２ａ，１３ａのうち、ソースドライバ１２１が実装される回路基板１２ａを示す。ただし、ゲートドライバ１３１が実装される回路基板１３ａおよびこれを接続するためのフラットパネルディスプレイ１１ａの接続ランド１１１１が形成される部分も、ほぼ同じ構成を備える。以下、括弧「（）」内の符号は、基本的にはゲートドライバが実装される回路基板のものを示すものとする。また、図２は、説明のための模式図であり、端子１２３（１３３），１２５（１３５）の数や配線１２２（１３２）の形状は、必ずしも現実のものと一致するものではない。
【００３６】
図２に示すように、本発明の第一実施形態にかかる回路基板１２ａ（１３ａ）は、略四辺形の形状を有する。この第一実施形態にかかる回路基板１２ａ（１３ａ）は可撓性を有するものであり、例えば合成樹脂材料などからなるフィルム状の回路基板である。
【００３７】
本発明の第一実施形態にかかる回路基板１２ａ（１３ａ）の一辺には、この回路基板１２ａ（１３ａ）に所定の電気信号などを入力するための入力側端子１２５（１３５）（「ＴＣＰ入力側リード」と称することもある）が設けられる。
【００３８】
この入力側端子１２５（１３５）は、短冊状（長方形）の導体であり、この回路基板１２ａ（１３ａ）の一辺に沿って櫛の波状に並べられるように形成されるものである。そして、複数の入力側端子１２５（１３５）が集まって入力側端子群１２６（１３６）を構成する。換言すると、導体からなる複数の略長方形の入力側端子１２５（１３５）が、回路基板１２ａ（１３ａ）の一辺に沿って、所定の間隔をおいて並べられるような配設される構成を有する。
【００３９】
また、入力側端子（ＴＣＰ入力側リード）１２５（１３５）が設けられる辺に対向する辺（換言すると平行な辺）には、出力側端子（「ＴＣＰ出力側リード」と称することもある）１２３ａ（１３３ａ）が設けられる。この出力側端子１２３ａ（１３３ａ）も、短冊状（略長方形）の導体であり、複数の出力側端子１２３ａ（１３３ａ）が、この回路基板の一辺に沿って、櫛の歯状に並べられるような構成を有するものである、換言すると、導体からなる複数の短冊状の出力側端子１２３ａ（１３３ａ）が、この回路基板の一辺（ＴＣＰ出力側リードの辺）に沿って、所定の間隔をおいて並べられて出力側端子群１２４ａ（１３４ａ）を構成する。
【００４０】
そして、この出力側端子群１２４ａ（１３４ａ）を構成する各出力側端子１２３ａ（１３３ａ）の間隔は、図２に示すように、出力側端子群１２４ａ（１３４ａ）が形成される辺の中心およびその近傍においては小さく、この辺の両端およびその近傍においては大きく設定される。
【００４１】
なお、各出力側端子１２３ａ（１３３ａ）の幅寸法（前記辺方向の寸法、または各出力側端子１２３ａ（１３３ａ）を長方形とみなした場合における短辺の寸法）は、すべての出力側端子１２３ａ（１３３ａ）で略同じに設定されることが好ましい。すなわち換言すると、出力側端子群１２４ａ（１３４ａ）が設けられる辺には、略同じ寸法形状を有する出力側端子１２３ａ（１３３ａ）が、当該辺の中心およびその近傍においては密に配列されており、両端およびその近傍においては粗に配列される部分を有する。
【００４２】
また、本発明の第一実施形態に係る回路基板１２ａ（１３ａ）の表面には、ドライバＩＣ（ソースドライ１２１またはゲートドライバ１３１のいずれか一方）が実装される。そして本発明の第一実施形態に係る回路基板１２ａ（１３ａ）の表面に形成される配線１２２（１３２）により、ドライバＩＣ１２１（１３１）の所定端子と、この回路基板１２ａ（１３ａ）に設けられる所定の出力側端子１２３ａ（１３３ａ）または入力側端子１２５ａ（１３５ａ）とが電気的に接続される。
【００４３】
これにより、本発明の第一実施形態に係る回路基板１２ａ（１３ａ）に実装されるドライバＩＣ１２１（１３１）は、入力側端子群１２６（１３６）から入力された信号などに基づいて作動し、出力側端子群１２４ａ（１３４ａ）から所定の信号などを出力することができる。
【００４４】
なお、第一実施形態に係る回路基板１２ａ（１３ａ）に設けられる配線１２２（１３２）の中には、ドライバＩＣ１２１（１３１）の所定の端子と所定の入力側端子１２５（１３５）または所定の出力側端子１２３ａ（１３３ａ）とを電気的に接続するもののほか、図示しないが、本発明の第一実施形態に係る回路基板１２ａ（１３ａ）の一辺に設けられる入力側端子１２５（１３５）のうちの所定のものと他の一辺に設けられる出力側端子１２３ａ（１３３ａ）のうちの所定のものとを電気的に接続するものもある。このような配線は、入力側端子１２５（１３５）から入力された信号などを、当該配線を通じてそのまま出力側端子１２３ａ（１２３ｂ）から出力することができる。
【００４５】
一方、本発明の第一実施形態にかかるフラットパネルディスプレイ用の基板２ａのうち、本発明の第一実施形態に係る回路基板１２ａが接続される部分の構成は、次のとおりである。
【００４６】
図２に示すように、フラットパネルディスプレイを構成する二枚の基板のうちの一方、すなわち本発明の第一実施形態にかかるフラットパネルディスプレイ用の基板１１１ａ（ここではＴＦＴアレイ基板）の少なくとも一辺は、他方の基板１１２（ここではカラーフィルタ）より突出している。そして、この突出している部分のうち、他方の面に対向する側の面には、本発明の第一実施形態に係る回路基板１２ａ（１３ａ）を電気的および物理的に接続するための端子（具体的には所定の数の複数の接続ランド１１１１ａの集合。ここでは、「接続ランド群１１１２ａ」と称することがある）が設けられる。
【００４７】
接続ランド群１１１２ａは、短冊状の導体（すなわち一個の接続ランド１１１１ａ）が、本発明の第一実施形態にかかるフラットパネルディスプレイ用の基板２ａの前記辺（すなわち、他方の基板から突出している辺）に沿って、櫛の波状に並べられるように形成されるものである。換言すると、導体からなる複数の接続ランド１１１１ａが、前記辺に沿って、所定の間隔をおいて並べられるような構成を有する。
【００４８】
なお、第一実施形態にかかるフラットパネルディスプレイ用の基板２ａの各接続ランド１１１１ａの幅は、すべて略同じに設定される。
【００４９】
そして、フラットパネルディスプレイ１１を構成する二枚の基板の前記一方２ａに、本発明の第一実施形態に係る回路基板１２ａが装着される。ここで、装着方法の一例を示す。
【００５０】
まず、ＴＣＰ仮圧着機により、本発明の第一実施形態に係る回路基板１２ａ（１３ａ）が、フラットパネルディスプレイの前記一方の基板２ａに仮接合される。具体的には、本発明に係るフラットパネルディスプレイ用の基板の前記一方２ａのうちの他方４から突出している部分に、異方性導電膜（ＡＣＦ）が貼付される。そしてフラットパネルディスプレイ用の基板２ａの所定の接続ランド群１１１２ａと、本発明の第一実施形態に係る回路基板１２ａの出力側端子群１２４ａ（１３４ａ）とが位置合わせされる。
【００５１】
そして、第一実施形態にかかるフラットパネルディスプレイ用の基板２ａと本発明の第一実施形態に係る回路基板１２ａ（１３ａ）との間に異方性導電膜が介在している状態で、異方性導電膜が硬化しない程度、または半硬化する程度に、異方性導電膜が加熱および加圧される。このような工程を経ることにより、本発明の第一実施形態に係る回路基板１２ａ（１３ａ）が、本発明の第一実施形態にかかるフラットパネルディスプレイ用の基板２ａの所定の位置に仮接合される。
【００５２】
次いで、本圧着機により、本発明の第一実施形態に係る回路基板１２ａ（１３ａ）が、本発明の第一実施形態にかかるフラットパネルディスプレイ用の基板の前記一方２ａに接続される。具体的には、本圧着機により、異方性導電膜層が硬化する程度に加熱・加圧される。
【００５３】
これにより、本発明の第一実施形態に係る回路基板１２ａ（１３ａ）と、本発明の第一実施形態にかかるフラットパネルディスプレイ用の基板の前記一方２ａとの間に、所定の接続強度が得られる。それとともに、本発明の第一実施形態に係る回路基板１２ａ（１３ａ）に設けられる所定の出力側端子１２３ａ（１３３ａ）と、本発明の第一実施形態にかかるフラットパネルディスプレイの前記一方２ａに設けられる所定の端子との間に、電気的導通が生じる。
【００５４】
なお、仮圧着および本圧着の際に、異方性導電膜が加熱されるが、この熱によって本発明の第一実施形態に係る回路基板１２ａ（１３ａ）も加熱されて熱膨脹し、寸法が変化する。このときに、本発明の第一実施形態に係る回路基板１２ａ（１３ａ）と本発明の第一実施形態にかかるフラットパネルディスプレイ用の基板の前記一方２ａの線膨張係数（熱膨張係数）が略同じであるならば、従来の構成でも問題はない。
【００５５】
しかしながら、一般的には、樹脂材料からなるフィルムは、ガラスからなる基板よりも線膨張係数が大きい。このため、本発明の第一実施形態に係る回路基板１２ａ（１３ａ）の温度上昇による変形量は、本発明の第一実施形態にかかるフラットパネルディスプレイの基板の前記一方２ａの変形量よりも大きい。
【００５６】
したがって、仮に本発明の第一実施形態に係る回路基板１２ａ（１３ａ）が熱膨張したとすると、出力側端子１２３ａ（１３３ａ）どうしの間隔が温度上昇に応じて大きくなる。そして変形前の状態と比較すると、櫛の歯状にならんでいる端子のうち、中心およびその近傍に位置する端子の移動量は小さい。一方、両端およびその近傍に位置する出力側端子１２３ａ（１３３ａ）の移動量は、熱による変形量が累積するため、中心およびその近傍に位置する出力側端子１２３ａ（１３３ａ）の移動量よりも大きくなる。
【００５７】
すなわち、例えば加熱していない（熱膨張していない）寸法で、本発明の第一実施形態に係る回路基板の出力側端子１２３ａ（１３３ａ）の位置と、本発明の第一実施形態にかかるフラットパネルディスプレイの前記一方２ａの接続ランドの位置とが設計されていたとする。この場合、実際に本発明の第一実施形態に係る回路基板１２ａ（１３ａ）の出力側端子１２３ａ（１３３ａ）と、本発明の第一実施形態にかかるフラットパネルディスプレイの前記一方２ａの接続ランド１１１１とを接続すると、本発明の第一実施形態に係る回路基板１２ａ（１３ａ）の両端に向かうにしたがって、位置ずれが大きくなる。
【００５８】
しかしながら本発明の第一実施形態に係る回路基板１２ａ（１３ａ）は、両端およびその近傍において出力側端子１２３ａ（１３３ａ）どうしのピッチが大きく設定されている。また、本発明の第一実施形態にかかるフラットパネルディスプレイの前記一方２ａに形成される接続ランド１１１１ａも、両端およびその近傍におけるものは、接続ランド１１１１ａどうしの間隔が大きく設定されている。
【００５９】
このような構成によれば、本発明の第一実施形態に係る回路基板１２ａ（１３ａ）の両端およびその近傍における位置ずれに対するマージンが大きくなる。したがって、本発明の第一実施形態に係る回路基板１２ａ（１３ａ）の両端近傍の各出力側端子１２３ａ（１３３ａ）は、それぞれ所定の接続ランド１１１１ａに正しく電気的に接続される。
【００６０】
なお、出力側端子群１２４ａ（１３４ａ）の中心およびその近傍は、熱による変形量（換言すると移動量）が小さいから、本発明の第一実施形態に係る回路基板２ａの出力側端子１２３ａ（１３３ａ）どうしの間隔、および本発明の第一実施形態にかかるフラットパネルディスプレイの前記一方２ａに設けられる接続ランド１１１１ａの間隔を小さくしても、所定のものどうしが正しく電気的に接続される。
【００６１】
このように、本発明の第一実施形態に係る回路基板１２ａ（１３ａ）によれば、回路基板１２ａ（１３ａ）に設けられる出力側端子１２３ａ（１３３ａ）の間隔を小さくすることができる。この結果、配線数を増加させることが容易となるから、フラットパネルディスプレイの高解像度化（高精細化）に容易に対応することができる。また、小さい画面サイズのフラットパネルディスプレイであっても、解像度を低下させることがなく、もしくは解像度を高くすることができる。
【００６２】
また、本発明の第一実施形態にかかるフラットパネルディスプレイ用の基板２ａによれば、前記本発明の第一実施形態に係る回路基板同様の作用効果を奏することができる。そして、本発明の第一実施形態に係る回路基板と本発明の実施形態にかかるフラットパネルディスプレイ用の基板とを組み合わせることによって、さらに前記各作用効果を高めることができる。
【００６３】
次に、本発明の第二実施形態にかかるフラットパネルディスプレイ用の基板２ｂについて説明する。図３は、本発明の第一実施形態にかかる回路基板１２ａ（１３ａ）と、本発明の第二実施形態にかかるフラットパネルディスプレイ用の基板２ｂに設けられる接続ランド群１１１２ｂの構成を示した平面模式図である。
【００６４】
本発明の第二実施形態にかかるフラットパネルディスプレイ用の基板２ｂに形成される接続ランド１１１１ｂは、両端およびその近傍におけるものは、接続ランド１１１１ｂどうしの中心線間隔が大きく設定されている。また、中心線間隔が大きく設定されている接続ランド１１１ｂは、その幅寸法が大きく設定されている。すなわち、本発明の第二実施形態にかかるフラットパネルディスプレイ用の基板２ｂに形成される接続ランド群１１１２ｂは、中心およびその近傍に位置する接続ランド１１１１ｂは、それらの幅が細く、かつ中心線間隔が小さく設定される。そして両端およびその近傍に設けられる接続ランド１１１１ｂは、それらの幅が大きく、かつ中心線間隔も大きく設定されている。
【００６５】
このような構成によっても、前記第一実施形態にかかるフラットパネルディスプレイ用の基板２ａと第一実施形態にかかる回路基板１２ａ（１３ａ）との組合せと同じ作用効果を奏することができる。
【００６６】
次に、本発明の第二実施形態に係る回路基板１２ｂ（１３ｂ）と第三実施形態にかかるフラットパネルディスプレイ用の基板２ｃについて説明する。図４は、本発明の第二実施形態に係る回路基板１２ｂ（１３ｂ）の構成と、この回路基板を接続する本発明の第三実施形態にかかるフラットパネルディスプレイ用の基板２ｃの一部を模式的に示した平面図である。
【００６７】
なお、図４は、本発明の第二実施形態に係る回路基板１２ｂ，１３ｂのうち、ソースドライバ１２１が実装される回路基板１２ｂを示す。ただし、第一実施形態と同様に、ゲートドライバ１３１が実装される回路基板１３ａもほぼ同様の構成を有する。したがって、説明は省略する。また、図４は、説明のための模式図であり、端子の数や配線の形状は、必ずしも現実と一致するものではない。
【００６８】
なお、第一実施形態に係る回路基板１３ａ（１３ｂ）と同じ構成の部分については、同じ符号を付し、説明は省略することがある。
【００６９】
本発明の第二実施形態にかかる回路基板１２ｂ（１３ｂ）の一辺には、出力側端子群１２４ｂが設けられる。この出力側端子群１２４ｂは、短冊状（略長方形）の端子１２３ｂが、この回路基板の一辺に沿って、櫛の歯状に並べられるような構成を有するものである、換言すると、導体からなる複数の短冊状の端子１２３ｂが、この回路基板１２ｂ（１３ｂ）の一辺（ＴＣＰ出力側リードの辺）に沿って、所定の間隔をおいて並べられるような構成を有する。
【００７０】
具体的には、図４に示すように、当該一辺の中心およびその近傍における出力側端子１２３ｂ（１３３ｂ）のピッチ（出力側端子の中心線間隔）は、両端およびその近傍における出力側端子１２３ｂ（１３３ｂ）のピッチよりも小さく設定される。
【００７１】
さらに、中心およびその近傍と、両端およびその近傍との中間の領域における出力側端子１２３ｂ（１３３ｂ）のピッチは、両端およびその近傍における出力側端子１２３ｂ（１３３ｂ）のピッチより小さく、中心およびその近傍における出力側端子１２３ｂ（１３３ｂ）のピッチより大きく設定される。
【００７２】
換言すると、略同じ寸法形状を有する出力側端子１２３ｂ（１３３ｂ）が、当該辺の中心およびその近傍においては密に配列されており、両端およびその近傍においては粗に配列されており、それらの中間の領域には、ピッチも中間に設定されるように配列される部分を有する。
【００７３】
このように、本発明の第二実施形態に係る回路基板１２ｂ（１３ｂ）は、その出力側端子１２３ｂ（１３３ｂ）のピッチは、当該辺の端子群の略中心から両端に向かうにしたがって、段階的に大きくなるように設定される。逆に言うと、両端から中心に向かうにしたがって、出力側端子１２３ｂ（１３３ｂ）のピッチが段階的に小さくなる。
【００７４】
また、本発明の第三実施形態にかかるフラットパネルディスプレイ用の基板２ｃに形成される接続ランド１１１１ｃは、両端およびその近傍におけるものは、接続ランド１１１１ｃどうしの中心線間隔が大きく設定されている。さらに、中心およびその近傍と、両端およびその近傍との中間の領域にある接続ランド１１１ｃの間隔は、中心およびその近傍と、両端およびその近傍との中間の間隔に設定される。
【００７５】
すなわち、本発明の第二実施形態に係る回路基板１２ｂ（１３ｂ）と同様に、その接続ランド１１１１ｃのピッチは、当該辺の端子群の略中心から両端に向かうにしたがって、段階的に大きくなるように設定される。逆に言うと、両端から中心に向かうにしたがって、接続ランド１１１１ｃのピッチが段階的に小さくなる。
【００７６】
このような構成であっても、前記本発明の第一実施形態にかかる回路基板１２ａ（１３ａ）と同様の作用効果を奏することができる。また、本発明の第三実施形態にかかるフラットパネルディスプレイ用の基板２ｃと組み合わせることによって、第一実施形態または第二実施形態にかかるフラットパネルディスプレイ用の基板２ａ，２ｂと同様の作用効果を奏することができる。
【００７７】
次に、本発明の第四実施形態にかかるフラットパネルディスプレイ用の基板２ｃについて説明する。図５は、本発明の第二実施形態にかかる回路基板１２ｂ（１３ｂ）と、本発明の第四実施形態にかかるフラットパネルディスプレイ用の基板２ｄに設けられる接続ランド群１１１２ｄの構成を示した平面模式図である。
【００７８】
図５に示すように、本発明の第四実施形態にかかるフラットパネルディスプレイ用の基板２ｄに形成される接続ランド１１１１ｄは、両端およびその近傍におけるものは、接続ランド１１１１ｄどうしの中心線間隔が大きく設定されている。そして、中心およびその近傍と、両端およびその近傍との中間の領域にある接続ランド１１１１ｄの間隔は、中心およびその近傍と、両端およびその近傍との中間の間隔に設定される。
【００７９】
さらに、各接続ランドの幅は、中心およびその近傍にあるものは小さく、両端およびその近傍にあるものは大きく設定される。そして中心およびその近傍と両端およびその近傍の中間に位置するものは、それらの中間の幅に設定される。すなわち、接続ランド１１１１ｄ幅は、隣り合う接続ランド１１１１ｄの中心間隔に応じて、接続ランド群１１１２ｄの中心およびその近傍に位置するものから両端に位置するものに向かって、段階的に大きくなるように設定される。
【００８０】
このような構成によっても、前記第一実施形態にかかるフラットパネルディスプレイ用の基板２ａと第一実施形態にかかる回路基板１２ａ（１３ａ）との組合せなどと同じ作用効果を奏することができる。
【００８１】
次に、本発明の第三実施形態に係る回路基板１２ｃ（１３ｃ）について説明する。図６は、本発明の第三実施形態に係る回路基板の構成と、この回路基板を接続する本発明の第五実施形態にかかるフラットパネルディスプレイ用の基板２ｅの一部を模式的に示した平面図である。なお、図６は、本発明の第三実施形態に係る回路基板１２ｃ，１３ｃのうち、ソースドライバ１２１が実装される回路基板１２ｃを示す。
【００８２】
ただし、第一実施形態または第二実施形態と同様に、ゲートドライバ１３１が実装される回路基板１３ｃ、およびこれらの回路基板１３ｃを接続するためのフラットパネルディスプレイ用の基板２ｅの接続ランド１１１１ｅも、ほぼ同様の構成を有する。したがって、説明は省略する。また、図６は、説明のための模式図であり、端子の数や配線の形状は、必ずしも現実と一致するものではない。また、第一実施形態または第二実施形態に係る回路基板１２ａ（１３ａ），１２ｂ（１３ｂ）と同じ構成の部分については、同じ符号を付し、説明は省略することがある。
【００８３】
本発明の第三実施形態にかかる回路基板１２ｃ（１３ｃ）の一辺には、出力側端子群１２４ｃが設けられる。この出力側端子群１２４ｃは、短冊状（略長方形）の出力側端子１２３ｃが、この回路基板１２ｃの一辺に沿って、櫛の歯状に並べられるような構成を有するものである、換言すると、導体からなる複数の短冊状の出力側端子１２３ｃが、この回路基板１２ｃ（１３ｃ）の一辺（ＴＣＰ出力側リードの辺）に沿って、所定の間隔をおいて並べられるような構成を有する。
【００８４】
具体的には、図６に示すように、当該一辺の中心およびその近傍における出力側端子１２３ｃのピッチ（出力側端子１２３ｃの中心線間隔）は、両端およびその近傍における出力側端子１２３ｃのピッチよりも小さく設定される。さらに、中心およびその近傍と、両端およびその近傍との中間の領域における出力側端子１２３ｃのピッチは、徐々に変化するように設定される。
【００８５】
換言すると、略同じ寸法形状を有する出力側端子１２３ｃが、当該辺の中心およびその近傍においては密に配列されており、両端およびその近傍においては粗に配列されており、それらの中間の領域は、徐々に（またはグラデーション状に）変化するように配列される。
【００８６】
一方、本発明の第五実施形態にかかるフラットパネルディスプレイ用の基板２ｅに設けられる接続ランド群１１１２ｅの構成は次のとおりである。図６に示すように、当該一辺の中心およびその近傍における接続ランド１１１１ｅのピッチ
【００８７】
（接続ランド１１１１ｅの中心線間隔）は、両端およびその近傍における接続ランド１１１１ｅのピッチよりも小さく設定される。さらに、中心およびその近傍と、両端およびその近傍との中間の領域における接続ランド１１１１ｅのピッチは、徐々に変化するように設定される。
【００８８】
換言すると、接続ランド群１１１２ｅの中心およびその近傍においては、接続ランド１１１１ｅが密に配列されており、両端およびその近傍においては粗に配列されており、それらの中間の領域は、徐々に（またはグラデーション状に）変化するように配列される。
【００８９】
このような構成であっても、前記いずれかの実施形態にかかる回路基板と同様の作用効果を奏することができる。また、本発明の実施形態にかかるフラットパネルディスプレイ用の基板と組み合わせることによって、前記同様の作用効果を奏することができる。
【００９０】
次に、本発明の第六実施形態にかかるフラットパネルディスプレイ用の基板２ｆに設けられる接続ランド群１１１２ｆについて説明する。図７は、本発明の第三実施形態に係る回路基板１２ｃ（１３ｃ）の構成と、この回路基板を接続する本発明の第六実施形態にかかるフラットパネルディスプレイ用の基板２ｆの一部を模式的に示した平面図である。
【００９１】
図７に示すように、当該一辺の中心およびその近傍における接続ランド１１１１ｆのピッチ（接続ランド１１１１ｆの中心線間隔）は、両端およびその近傍における接続ランド１１１１ｆのピッチよりも小さく設定される。さらに、中心およびその近傍と、両端およびその近傍との中間の領域における接続ランド１１１１ｆのピッチは、徐々に変化するように設定される。これについては、第五十子形態にかかるフラットパネルディスプレイ用の基板２ｅとほぼ同じである。
【００９２】
そして、隣り合う接続ランド１１１１ｆの中心線間隔に応じて、接続ランドの幅が変化するように設定される。すなわち、隣り合う接続ランド１１１１ｆの中心線間隔が小さい箇所においては、接続ランド１１１１ｆの幅が小さく、中心線間隔が大きい箇所においては、接続ランド１１１１ｆの幅が大きく設定される。そして全体として、接続ランド群１１１２ｆの中心から両端に向かうにしたがって、徐々にそれらの幅が大きくなっていくように設定される。
【００９３】
このような構成であっても、前記いずれかの実施形態にかかる回路基板と同様の作用効果を奏することができる。また、本発明の実施形態にかかるフラットパネルディスプレイ用の基板と組み合わせることによって、前記同様の作用効果を奏することができる。
【００９４】
なお、第一実施形態にかかる回路基板１２ａ（１３ａ）、第二実施形態にかかる回路基板１２ｂ（１３ｂ）、第三実施形態にかかる回路基板１２ｃ（１３ｃ）に形成される各端子の配列方向の寸法は、略同じであることが好ましいが、必ずしも略同じである必要はない。
【００９５】
たとえば、前記複数の端子の互いに隣接する方向の寸法は、端子間の間隔が大きい箇所に形成されるものは大きく、端子間の間隔が小さい箇所に形成されるものは小さく形成される構成であってもよい。図８〜図１０は、第一〜第三実施形態にかかる回路基板の変形例を示した平面模式図である。具体的には、図８は第一実施形態に係る回路基板の変形例を、図９は第二実施形態にかかる回路基板の変形例を、図１０は第三実施形態にかかる回路基板の変形例を示す。
【００９６】
これらの図に示すように、前記のとおり、前記複数の端子の互いに隣接する方向の寸法が、端子間の間隔が大きい箇所に形成されるものは大きく、端子間の間隔が小さい箇所に形成されるものは小さく形成される構成であってもよい。なお、図５〜図７においては、端子の間隔と端子の幅方向寸法とが直接的な相関関係を持つような構成を示すが、前記関係を満たすものであれば、これらの図に直接的に示す構成に限定されるものではない。
【００９７】
次に、本発明の実施形態にかかるフラットパネルディスプレイ用の基板２の製造方法の全体的な流れについて説明する。図１１は、本発明の実施形態にかかるフラットパネルディスプレイ用の基板２の製造方法の各工程を模式的に示した断面図である。それぞれ図１１（ａ）〜（ｆ）は、アクティブ領域の絵素の形成工程を示し、図１１（ｇ）〜（ｌ）は、パネル額縁領域における引き出し配線などの形成工程を示す。また、図１１において、（ａ）と（ｇ）、（ｂ）と（ｈ）、（ｃ）と（ｉ）、（ｄ）と（ｊ）、（ｅ）と（ｋ）、（ｆ）と（ｌ）は、それぞれ同じ工程を示す。なお、この図１１は説明のための模式的なものであり、本発明の実施形態にかかるフラットパネルディスプレイ用の基板の特定の切断線に沿った断面構造を示したものではない。
【００９８】
本発明の実施形態にかかるフラットパネルディスプレイ用の基板２は、ガラスなどの透明基板２１の表面に、所定のパターンの導体膜、半導体膜、絶縁膜などが、所定の順序で積層するように形成される。
【００９９】
まず、図１１（ａ）に示すように、アクティブ領域内に、走査信号線２２、補助容量線（図示せず）および薄膜トランジスタのゲート電極２３が形成される。この工程において併せて図１１（ｇ）に示すように、パネル額縁領域には、接続ランド（図略）および引き出し配線２４が形成される。
【０１００】
具体的には、透明基板２１の表面に、クロム、タングステン、モリブデン、アルミニウムなどからなる単層または多層の第一の導体膜が形成される。この第一の導体膜の形成には、公知の各種スパッタリング法などが適用できる。また、この第一の導体膜の厚さは特に限定されるものではないが、例えば１００ｎｍ程度の膜厚が適用できる。
【０１０１】
そして、形成された第一の導体膜が、走査信号線２２、補助容量線（図示せず）、薄膜トランジスタのゲート電極２３、引き出し用の配線２４、接続ランドのパターンにパターニングされる。この第一の導体膜のパターニングには、ウェットエッチングが適用できる。具体的にはたとえば、第一の導体膜がクロムからなる場合には、（ＮＨ４）２［Ｃｅ（ＮＨ３）６］＋ＨＮＯ３＋Ｈ２Ｏ液を用いたウェットエッチングが適用できる。
【０１０２】
以上の工程を経ると、図１１（ａ）に示すように、アクティブ領域内には、第一の導体膜からなる所定のパターンの走査信号線２２、補助容量線（図示せず）および薄膜トランジスタのゲート電極２３が形成される。一方、パネル額縁領域には、第一の導体膜からなる引き出し配線２４および接続ランド（図示せず）が形成される。
【０１０３】
次いで図１１（ｂ），（ｈ）に示すように、前記工程を経た透明基板２の表面に、第一の絶縁膜（ゲート絶縁膜と称されることがある）２５が形成される。第一の絶縁膜２５には、ＳｉＮｘ（窒化シリコン）などの絶縁性材料が適用できる。そして、プラズマＣＶＤ法を用いて、第一の絶縁膜２５の材料を、前記工程を経た透明基板の表面に堆積させる方法により形成できる。なお、第一の絶縁膜の厚さは特に限定されるものではないが、例えば３００ｎｍ程度の厚さが適用できる。
【０１０４】
次いで図１１（ｃ）に示されるように、第一の絶縁膜２５の表面の所定の箇所（具体的にはゲート電極２３に重畳する箇所）に、半導体膜２６とオーミックコンタクト膜２７とが重ねて形成される。半導体膜２６にはｎ＋型のアモルファスシリコンなどが適用できる。この半導体膜２６の厚さは特に限定されるものではないが、例えば１００ｎｍ程度の膜厚が適用できる。このオーミックコンタクト膜２７は、後の工程で形成されるソース電極やドレイン電極とのオーミックコンタクトを良好にするためのものである。
【０１０５】
これらの半導体膜２６およびオーミックコンタクト膜２７は、まず、それぞれプラズマＣＶＤ法を用いて半導体膜２６とオーミックコンタクト膜２７の材料がそれぞれ堆積させられる。そして形成された半導体膜２６とオーミックコンタクト膜２７の材料とを、フォトリソグラフィ法などを用いて所定の形状にパターニングされる。このパターニングには、たとえばＨＦ＋ＨＮＯ３溶液を用いたウェットエッチングが適用できる。
【０１０６】
次いで図１１（ｄ）に示すように、アクティブ領域内に、データ信号線２８、ドレイン配線２９、および薄膜トランジスタのソース電極３０ならびにドレイン電極３１が形成される。
【０１０７】
具体的にはまず、前記工程を経た透明基板の表面に、第二の導体膜が形成される。この第二の導体膜には、チタン、アルミニウム、クロム、モリブデンなどからなる単層または多層の導体膜が適用できる。また、第二の導体膜の形成方法としては、例えばプラズマＣＶＤ法などが適用できる。
【０１０８】
そして形成された第二の導体膜が所定のパターン、すなわちデータ信号線２８、ドレイン配線２９、および薄膜トランジスタのソース電極３０ならびにドレイン電極３１のパターンにパターニングされる。この第二の導体膜のパターニングにおいては、薄膜トランジスタのゲート電極２３上に残された半導体膜２６とオーミックコンタクト膜２７とが、所定の深さだけ除去される。これにより、アクティブ領域内には、第二の導体膜からなる所定の形状のデータ信号線２８、ドレイン配線２９、および薄膜トランジスタのソース電極３０ならびにドレイン電極３１が形成される。
【０１０９】
以上の工程を経ると、図１１（ｄ）に示されるように、アクティブ領域内には、薄膜トランジスタ（ゲート電極２３、ソース電極３０ならびにドレイン電極３１）、走査信号線２２、補助容量線（図示せず）、ドレイン配線２９およびデータ信号線２８が形成される。一方、パネル額縁領域には、引き出し配線２４および接続ランド（図示せず）と、引き出し配線２４と接続ランド（図示せず）の表面を覆うように第一の絶縁膜２５が形成される。さらに、パネル額縁領域には、第二の導体膜により遮光膜３５が形成される。
【０１１０】
次に、図１１（ｅ），（ｋ）のそれぞれに示されるように、第二の絶縁膜３２（パッシベーション膜と称されることがある）が形成される。前記工程を経た透明基板２１の表面に第二の絶縁膜３２が形成され、形成された第二の絶縁膜３２が所定の形状にパターニングされる。これにより所定の形状の第二の絶縁膜３２が形成される。この第二の絶縁膜３２には窒化シリコン（ＳｉＮｘ）が適用でき、４００ｎｍ程度の膜厚が適用できる。第二の絶縁膜３２の形成方法としては、プラズマＣＶＤ法により第二の絶縁膜３２の膜材料を堆積させ、堆積させた膜材料を、たとえばＳＦ６＋Ｏ２を用いたドライエッチングにより所定の形状にパターニングする方法が適用できる。
【０１１１】
この第二の絶縁膜３２のパターニングにおいては、先の工程で形成された第一の絶縁膜２５も同時に所定の形状にパターニングされる。そしてこの第二の絶縁膜３２のパターニングによって、図１１（ｅ）に示されるように、アクティブ領域内においては、ドレイン配線２９と絵素電極３３（後述。図１１（ｆ）参照）とを電気的に接続する絵素コンタクト部３４が形成される。一方、パネル額縁領域においては、図１１（ｋ）に示される工程において、接続ランドを覆う第一の絶縁膜２５と第二の絶縁膜３２が除去され、接続ランドが露出する。
【０１１２】
次に、図１１（ｆ）に示されるように、アクティブ領域内に絵素電極３３が形成される。具体的には、前記工程を経た透明基板の表面に、絵素電極３３の材料となる第三の導体膜が形成される。絵素電極３３の材料となる導体膜には、たとえば１５０ｎｍ程度の厚さのＩＴＯ（Indium Tin Oxide：インジウム酸化スズ）が適用できる。この第三の導体膜の形成方法には、例えばプラズマＣＶＤ法が適用できる。そして形成された第三の導体膜が所定のパターン（すなわち絵素電極３３のパターン）にパターニングされる。このパターニングには、例えばＨＣｌ＋ＨＮＯ３＋Ｈ２Ｏ溶液を用いたウェットエッチングが適用できる。
【０１１３】
このパターニングによって、図１１（ｆ）に示されるように、アクティブ領域内に所定の形状の絵素電極３３が形成される。各絵素電極３３は、第二の絶縁膜３２に形成される絵素コンタクト部３４において、ドレイン配線２９と電気的に接続する。また、アクティブ領域とパネル額縁領域の境界において、データ信号線２８と引き出し配線２４とが絵素電極３３を形成する第三の導体膜によって電気的に接続される。これにより接続ランドから入力されたデータ信号は、引き出し配線２４を通じてデータ信号線２８に伝送できるようになる。
【０１１４】
以上のような工程を経て、本発明の実施形態にかかるフラットパネルディスプレイ用の基板２が製造される。
【０１１５】
次に、本発明の第一実施形態にかかるフラットパネルディスプレイ用の基板２を備えるフラットパネルディスプレイ１の構成と、製造方法について説明する。
【０１１６】
図本発明の実施形態にかかるフラットパネルディスプレイ用の基板２と、本発明の実施形態にかかる回路基板とを備えるフラットパネルディスプレイ１の構成は、図１に示すとおりである。図１に示すように、このフラットパネルディスプレイ１は、ＴＦＴアレイ基板１１１（すなわち、本発明の実施形態にかかるフラットパネルディスプレイ用の基板）と、対向基板１１２（ここでは、カラーフィルタ）とを備える。そしてＴＦＴアレイ基板１１１と対向基板１１２とが所定の微小な間隔をおいて略平行に対向するように配設され、これらの基板の間に液晶が充填される。
【０１１７】
ＴＦＴアレイ基板１１１の長辺と短辺のそれぞれは、対向基板１１２の長辺と短辺のそれぞれよりも長い寸法を有しており、本発明の実施形態にかかる回路基板１２，１３が貼付される辺は、対向基板１１２の外縁から突出している。そして、この突出している部分に本発明の実施形態にかかる回路基板１２，１３を接続するための接続ランドが位置する。
【０１１８】
このフラットパネルディスプレイの製造方法は、ＴＦＴアレイ基板製造工程と、対向基板製造工程（カラーフィルタ製造工程）と、パネル製造工程（セル製造工程）と、を含む。なお、ＴＦＴアレイ基板製造工程は、前記のとおりである。
【０１１９】
対向基板の構成と製造方法は次のとおりである。図１２は、対向基板１１２の構成を模式的に示した図であり、図１２（ａ）は対向基板１１２の全体構造を模式的に示した外観斜視図、図１２（ｂ）は対向基板１１２に形成される絵素の一つの構成を抜き出して示した平面図、図１２（ｃ）は図１２（ｂ）のＢ−Ｂ線断面図であって、絵素の一つの断面構造を示した図である。
【０１２０】
まず、対向基板１１２の構造について説明する。図１２に示されるように、この対向基板は、ガラスなどからなる透明基板４１の表面にブラックマトリックス４２が形成され、ブラックマトリックス４２の各格子の内側には、赤色、緑色、青色のいずれかの色の着色感材からなる着色層４３が形成される。そして各色の着色層４３が形成される格子が、所定の順序で配列される。ブラックマトリックス４２および各色の着色層４３の表面には保護膜４４が形成され、保護膜４４の表面には透明電極（共通電極と称されることもある）４５が形成される。さらに透明電極（共通電極）４５の表面には、液晶の配向を規制する凸状の配向規制構造物４６が形成される。
【０１２１】
次に対向基板１１２の製造方法について説明する。対向基板製造工程には、ブラックマトリックス形成工程と、着色層形成工程と、透明電極（共通電極）形成工程とが含まれる。
【０１２２】
ブラックマトリックス形成工程の内容は、たとえば樹脂ＢＭ法であれば次のとおりである。まず、透明基板４１の表面にＢＭレジスト（黒色着色剤を含有する感光性樹脂組成物）などが塗布される。塗布されたＢＭレジストは、フォトリソグラフィ法などを用いて所定のパターンに形成される。これにより、所定のパターンのブラックマトリックス４２が形成される。なお、ブラックマトリックス形成工程において、ＢＭレジストにより同時に遮光層が形成される方法が適用されることがある。遮光層は、不要な光が透過することを防止する要素であり、パネル額縁領域の所定の位置に設けられる。
【０１２３】
着色層形成工程では、カラー表示用の赤色、緑色、青色の各色の着色層４３が形成される。たとえば着色感材法であれば次のとおりである。まず、ブラックマトリックス４２が形成された透明基板４１の表面に、着色感材（感光性材料に所定の色の顔料を分散した溶液）が塗布される。次いで、塗布された着色感材が、フォトリソグラフィ法などを用いて所定のパターンに形成される。そしてこの工程が、赤色、緑色、青色の各色について行われる。これにより各色の着色層が形成される。
【０１２４】
ブラックマトリックス形成工程で用いられる方法は、樹脂ＢＭ法に限定されるものではない。このほかにたとえば、クロムＢＭ法、重ね合わせ法などの公知の各種方法が適用できる。着色層形成工程で用いる方法も、着色感材法に限定されるものではない。たとえば印刷法、染色法、電着法、転写法、エッチング法など、公知の各種方法が適用できる。また、背面露光法（先に着色層４３が形成され、その後にブラックマトリックス４２が形成される方法）が適用されるものであってもよい。
【０１２５】
保護膜形成工程においては、ブラックマトリックス４２および着色層４３の表面に、保護膜４４が形成される。たとえば、スピンコータによって前記工程を経た透明基板４１の表面に保護膜材料が塗布される方法（全面塗布法）や、印刷またはフォトリソグラフィ法などによって所定のパターンの保護膜４４が形成される方法（パターニング法）などが適用できる。保護膜材料には、たとえばアクリル樹脂やエポキシ樹脂などが適用できる。
【０１２６】
透明電極（共通電極）膜形成工程においては、保護膜４４の表面に透明電極（共通電極）４５が形成される。たとえばマスキング法であれば、前記工程を経た透明基板４１の表面にマスクが配置され、スパッタリングなどによってＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などを蒸着させることにより透明電極（共通電極）４５が形成される。
【０１２７】
次いで配向規制構造物４６が形成される。この配向規制構造物４６は、たとえばフォトリソグラフィ法などを用いて形成される。具体的にはたとえば、前記工程を経た透明基板４１の表面に感光性材料が塗布され、塗布された感光性材料がフォトマスクを通じて所定のパターンに露光される。そしてその後の現像工程においてフォトマスクのパターンに応じて不要な部分が除去される。これにより、所定のパターンの配向制御構造物４６が形成される。
【０１２８】
このような工程を経て、対向基板（カラーフィルタ）１１２が製造される。
【０１２９】
次いで、パネル製造工程（セル製造工程）について説明する。まず、前記工程を経て製造されたＴＦＴアレイ基板（すなわち本発明の実施形態にかかるフラットパネルディスプレイ用の基板）１１１と、対向基板（カラーフィルタ）１１２のそれぞれの表面に、配向膜が形成される。そして形成された配向膜に配向処理が施される。その後、本発明の実施形態にかかるフラットパネルディスプレイ用の基板１１１と対向基板１１２とが貼り合わされるとともに、これらの間に液晶が充填される。
【０１３０】
本発明の実施形態にかかるフラットパネルディスプレイ用の基板１１１と対向基板１１２のそれぞれの表面に配向膜を形成する方法は、次のとおりである。まず、本発明の実施形態にかかるフラットパネルディスプレイ用の基板１１１と対向基板１１２のそれぞれの表面に配向材が塗布される。配向材とは、配向膜を形成する物質を含む溶液をいう。配向材の塗布には、配向材塗布装置などが用いられる。配向材塗布装置には、たとえば円圧式印刷装置やインクジェット印刷装置など、従来一般の装置が適用できる。そして塗布された配向膜は、配向膜焼成装置などを用いて加熱され、焼成される。
【０１３１】
その後、焼成された配向膜に配向処理が施される。配向処理とは、液晶に電気光学効果を発現させるため、配向膜を所定の方向に配向させる処理をいう。配向処理としては、ラビングロールなどを用いて配向膜の表面に微小な傷をつける方法や、配向膜の表面に紫外線などの光エネルギを照射して配向膜の表面性状を調整する光配向処理など、公知の各種処理方法が適用できる。
【０１３２】
その後、シールパターニング装置などにより、本発明の実施形態にかかるフラットパネルディスプレイ用の基板１１１または対向基板１１２の表面に、アクティブ領域を取り囲むようにシール材とコモン転移材とが塗布される。そしてスペーサ散布装置などにより、本発明の実施形態にかかるフラットパネルディスプレイ用の基板または対向基板の表面に、セルギャップを所定の値に均一に保つためのスペーサが散布される。さらに、液晶滴下装置などにより、本発明の実施形態にかかるフラットパネルディスプレイ用の基板１１１または対向基板１１２の、シール材に囲まれた領域に、液晶が滴下される。その後、減圧雰囲気下で、本発明の実施形態にかかるフラットパネルディスプレイ用の基板１１１と対向基板１１２とが貼り合わされる。
【０１３３】
シール材には、たとえば一般的な紫外線硬化型のシール材が適用できる。そして本発明の実施形態にかかるフラットパネルディスプレイ用の基板１１１と対向基板１１２とが貼り合わされた後に、このシール材に紫外線が照射されて硬化させられる。
【０１３４】
なお、シール材が硬化させられた後に、本発明の実施形態にかかるフラットパネルディスプレイ用の基板１１１とカラーフィルタ１１２の間に液晶が注入される方法であってもよい。
【０１３５】
以上のような工程を経て、本発明の実施形態にかかるフラットパネルディスプレイ１１が製造される。その後、製造されたフラットパネルディスプレイ１１について、点灯検査などの所定の検査が実施される。
【０１３６】
そして、製造され検査されたフラットパネルディスプレイ１１（の本発明の実施形態にかかるフラットパネルディスプレイ用の基板１１１）に、本発明のいずれかの実施形態に係る回路基板１２，１３が装着される。回路基板１２，１３の装着方法は前記のとおりである。
【０１３７】
本発明の実施形態にかかるフラットパネルディスプレイ用の基板１１１および本発明の各実施形態にかかる回路基板１２，１３は、前記構成を有するから、加熱の際に本発明の実施形態にかかるフラットパネルディスプレイ用の基板１１１と本発明の各実施形態にかかる回路基板１２，１３に変形量に差が生じても、所定の配線どうしを正しく電気的に接続することができる。特に、回路基板１２，１３の配線の束の中心から両端に向かうにしたがって、変形に伴う変位が大きくなるが、両端近傍の配線のピッチは中心部に比較して大きく設定されるから、所定の配線どうしを正しく電気的に接続できる。したがって、配線の間隔を小さくして配線の数を増加させること、または配線の数の増加に伴う配線間隔の微細化が容易となる。
【０１３８】
次いで、ソースドライバが実装される回路基板１２の他辺が、共通配線基板１４に装着される。この装着方法には、フラットパネルディスプレイ用の基板１１１に回路基板１２，１３を装着する方法とほぼ同じ方法が適用できる。したがって説明は省略する。
【０１３９】
以上の工程を経て、本発明の実施形態にかかるフラットパネルディスプレイ組立体１が製造される。
【０１４０】
以上、本発明の実施形態について、図面を参照して詳細に説明したが、本発明は前記各実施形態に何ら限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内において種々の改変が可能であることはいうまでもない。
【０１４１】
また、前記ＴＦＴアレイ基板やカラーフィルタの構成や製造方法は一例であり、前記構成または製造方法に限定されるものではない。
【図面の簡単な説明】
【０１４２】
【図１】本発明の実施形態にかかるフラットパネルディスプレイ組立体の構成を模式的に示した外観斜視図である。
【図２】本発明の第一実施形態にかかる回路基板の構成と、本発明の第一実施形態にかかるフラットパネルディスプレイから本発明の第一実施形態にかかる回路基板を接続する接続ランドが形成される部分を抜き出して示した図である。
【図３】本発明の第一実施形態にかかる回路基板の構成と、本発明の第二実施形態にかかるフラットパネルディスプレイから本発明の第一実施形態にかかる回路基板を接続する接続ランドが形成される部分を抜き出して示した図である。
【図４】本発明の第二実施形態にかかる回路基板の構成と、本発明の第三実施形態にかかるフラットパネルディスプレイから本発明の第一実施形態にかかる回路基板を接続する接続ランドが形成される部分を抜き出して示した図である。
【図５】本発明の第二実施形態にかかる回路基板の構成と、本発明の第四実施形態にかかるフラットパネルディスプレイから本発明の第一実施形態にかかる回路基板を接続する接続ランドが形成される部分を抜き出して示した図である。
【図６】本発明の第三実施形態にかかる回路基板の構成と、本発明の第五実施形態にかかるフラットパネルディスプレイから本発明の第一実施形態にかかる回路基板を接続する接続ランドが形成される部分を抜き出して示した図である。
【図７】本発明の第三実施形態にかかる回路基板の構成と、本発明の第六実施形態にかかるフラットパネルディスプレイから本発明の第一実施形態にかかる回路基板を接続する接続ランドが形成される部分を抜き出して示した図である。
【図８】本発明の第一実施形態に係る回路基板の変形例の構成と、本発明の第一実施形態にかかるフラットパネルディスプレイから本発明の第一実施形態にかかる回路基板の変形例を接続する接続ランドが形成される部分を抜き出して示した図である。
【図９】本発明の第二実施形態に係る回路基板の変形例の構成と、本発明の第三実施形態にかかるフラットパネルディスプレイから本発明の第二実施形態にかかる回路基板の変形例を接続する接続ランドが形成される部分を抜き出して示した図である。
【図１０】本発明の第三実施形態に係る回路基板の変形例の構成と、本発明の第五実施形態にかかるフラットパネルディスプレイから本発明の第三実施形態にかかる回路基板の変形例を接続する接続ランドが形成される部分を抜き出して示した図である。
【図１１】本発明の実施形態にかかるフラットパネルディスプレイ組立体用の基板の製造工程を模式的に示した断面図であり、（ａ）〜（ｇ）は絵素の形成工程を示し、（ｈ）〜（ｎ）はパネル額縁領域などの形成工程を示す。
【図１２】本発明の実施形態にかかるフラットパネルディスプレイ組立体に適用できるカラーフィルタの構成を模式的に示した図であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）は一絵素の構成を示した平面図、（ｃ）は（ｂ）のＢ−Ｂ線断面図であって絵素の断面構造を示す。
【図１３】ＴＦＴアレイ基板の構成と、このＴＦＴアレイ基板を備える液晶表示パネルを駆動するドライバＩＣが実装される回路基板の構成の従来例を、模式的に示した外観斜視図である。
【符号の説明】
【０１４３】
１  フラットパネルディスプレイ組立体
１１  フラットパネルディスプレイ
１１１  ＴＦＴアレイ基板
１１２  対向基板（カラーフィルタ）
１１１１  接続ランド
１２  ソースドライバが実装される回路基板
１２１  ソースドライバ
１２２  配線
１２３  出力側端子
１２４  出力側端子群
１２５  入力側端子
１２６  入力側端子群
１３  ゲートドライバが実装される回路基板
１４  共通配線基板
１３  ゲートドライバが実装される回路基板
１３１  ゲートドライバ
１３２  配線
１３３  出力側端子
１３４  出力側端子群
１３５  入力側端子
１３６  入力側端子群
２  フラットパネルディスプレイ用の基板
２１  透明基板
２２  走査信号線
２３  薄膜トランジスタのゲート電極
２４  引出用の配線
２５  第一の絶縁膜
２６  ｎ＋型半導体膜
２７  オーミックコンタクト膜
２８  データ信号線
２９  ドレイン配線
３０  薄膜トランジスタのソース電極
３１  薄膜トランジスタのドレイン電極
３２  第二の絶縁膜
３３  絵素電極
３４  絵素コンタクト部
３５  遮光膜
４  対向基板
４１  透明基板
４２  ブラックマトリックス
４３  着色層
４４  保護膜
４５  透明電極
４６  配向規制構造物
９１  ＴＦＴアレイ基板
９１１  ＴＦＴアレイ基板のアクティブ領域
９２  ソースドライバが実装されるＴＣＰ
９３  ゲートドライバが実装されるＴＣＰ
９４  共通配線基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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