(57)【要約】【課題】垂直配向方式の半透過反射型の液晶装置において、透過表示領域の周辺で発生する液晶配向乱れによる光漏れ等を防止して、コントラストの低下を防ぐ。【解決手段】この液晶装置は垂直配向方式及び半透過反射方式を採用し、画素領域が第１の透過表示領域、反射表示領域、第２の透過表示領域をこの順に配列した構成を有し、ＴＦＴアレイ基板において、それらの各領域には島状電極部が設けられている。特に、ＴＦＴアレイ基板において、第１及び第２の透過表示領域の各島状電極部に隣接する位置には、バックライトから出射された光を遮光する遮光層が設けられている。遮光層は、平面的に見て第１及び第２の透過表示領域の各島状電極部に接する位置に設けられている。これにより、第１及び第２の透過表示領域の島状電極部の周辺にて液晶配向乱れにより発生する光漏れを遮光層により隠すことができ、その結果コントラストが低下するのを防止できる。【選択図】図２
2008197508.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板と、第２の基板と、負の誘電率異方性を有し、前記第１の基板と前記第２の
基板の間に設けられた液晶層と、前記第２の基板の前記液晶層側とは反対側に配置された
照明装置と、を備え、
前記第１の基板の前記液晶層側に設けられた第１の電極と、前記第２の基板の前記液晶
層側に設けられた前記第２の電極との重なる領域により規定される画素領域を複数有し、
前記画素領域の各々は、前記照明装置から出射された光を前記第１の基板側に透過させ
て透過表示を行う透過表示領域と、前記第２の基板に設けられた反射層によって前記第１
の基板側から入射された光を前記第１の基板側に反射させて反射表示を行う反射表示領域
と、を有し、
前記第１の電極及び前記第２の電極のいずれか一方は、島状に形成された複数の島状電
極部と、前記島状電極部の各々を電気的に接続する接続部と、を有すると共に、前記島状
電極部の各々は前記透過表示領域及び前記反射表示領域の各々に対応して設けられており
、  前記第２の基板において、前記透過表示領域の前記島状電極部に隣接する位置には、
前記照明装置から出射された前記光を遮光するための遮光層が設けられていることを特徴
とする液晶装置。
【請求項２】
前記遮光層は、平面的に見て前記透過表示領域の前記島状電極部に接する位置に設けら
れていることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項３】
前記画素領域は前記透過表示領域を複数有し、
前記透過表示領域の各々は、前記画素領域内において、前記反射表示領域を挟む位置に
設けられ、
前記遮光層は、平面的に見て前記透過表示領域の各々の前記島状電極部における複数の
外辺のうち、前記反射表示領域に対し逆側に位置する外辺に接する位置に各々対応して設
けられていることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項４】
前記画素領域は前記透過表示領域を複数有し、
前記画素領域内において、所定の方向で前記透過表示領域、前記反射表示領域、前記透
過表示領域の順に配置されており、
前記遮光層は、所定の前記画素領域の前記透過表示領域と、該所定の前記画素領域に前
記所定の方向で隣接する他の前記画素領域の前記透過表示領域との間に対応して設けられ
ていることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項５】
前記遮光層は、平面的に見て、任意の前記画素領域と、当該画素領域に対して前記島状
電極部の各々の配列方向に相隣接する他の前記画素領域との間に位置していることを特徴
とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項６】
前記遮光層は、前記反射層と同一の金属材料により形成されていることを特徴とする請
求項１乃至５のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項７】
前記反射表示領域の前記島状電極部は反射性を有する金属材料により形成され、
前記反射層は、前記反射表示領域の前記島状電極部により構成されていることを特徴と
する請求項１乃至６のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一項に記載の液晶装置を表示部として備えることを特徴とす
る電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、各種情報の表示に用いて好適な液晶装置等に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、反射型液晶装置と透過型液晶装置の両方の機能を兼ね備えた半透過反射型の
液晶装置が知られている。そのような液晶装置は、明るい場所では、通常の反射型の液晶
表示装置と同様に外光を利用して反射表示を行うと共に、暗い場所では、液晶装置に付属
されたバックライトなどの光源を利用して透過表示を行う。この方式では、周囲の明るさ
に応じて反射表示モード、透過表示モードのいずれかの表示モードに切り替えることによ
り、消費電力を低減しつつ、周囲が暗い場合でも表示品位の高い表示を可能としている。
【０００３】
また、液晶分子の配向を制御することにより視野角依存性を改善し、広視野角化を図っ
た垂直配向方式の液晶装置も知られている。垂直配向方式の液晶装置では、負の誘電率異
方性を有する液晶を使用し、スイッチング素子を有する素子基板とカラーフィルタ基板と
の間に電圧が印加されていない状態では、液晶分子は基板に対して略垂直の方向に配向す
る。素子基板には、略円形又は多角形の複数のサブ画素電極を含み、いわゆるＣＰＡ（Co
ntinuous Pinwheel Alignment）構造を有する画素電極、及びスイッチング素子などが形
成される。一方、カラーフィルタ基板には、各サブ画素電極の略中央に対向する位置にス
リット又は凸部（突起）などが形成される。素子基板とカラーフィルタ基板との間に電圧
を印加すると、基板間の液晶層には電圧に応じた電界が形成されるが、サブ画素電極が略
円形又は多角形などに形成されており、かつ、それと対向するカラーフィルタ基板側の電
極にはスリットや凸部などが形成されているため、画素電極とカラーフィルタ基板側の電
極の形状により発生する斜め電界により、液晶分子はサブ画素電極の略中央を中心として
放射状に配向状態が制御される。これにより、視野角依存性が抑制され、広視野角化が可
能となっている。
【０００４】
ここで、特許文献１には、垂直配向方式の液晶装置が開示されている。また、特許文献
２及び３には、半透過反射型であって、且つ垂直配向方式の液晶装置が開示されている。
この特許文献２及び３に記載の液晶装置では、１つの画素電極は、データ線の方向に沿っ
て３つの領域に分割されており、その各領域には相互に電気的に接続されたサブ画素電極
が配置されている。また、それらの３つの領域のうち、中央の領域は反射表示領域となっ
ており、その反射領域を挟む２つの各領域は透過表示領域となっている。
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−４３５２５号公報
【特許文献２】特開２００５−３４５７５７号公報
【特許文献３】特開２００６−３３８０５１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
一般的に、垂直配向方式の液晶装置では、上述したように１つの画素電極は複数のサブ
画素電極により構成され、各サブ画素電極は略円形又は多角形に形成されている。このた
め、各サブ画素電極の外形周辺では、当該各サブ画素電極の形状に起因して、斜め方向の
電界がかかってしまう。このため、各サブ画素電極の外形周辺に位置する液晶分子は、そ
の斜め方向の電界の影響を受けて、各サブ画素電極に位置する液晶分子よりも低い電圧で
動き始めてしまう。そうすると、各サブ画素電極の外形周辺の領域では、その液晶分子の
配向乱れにより光漏れが生じてしまう。特に、透過表示領域の各サブ画素電極の外形周辺
の領域では、そのような光漏れが生じ易い。このような光漏れが生じることにより、コン
トラストが低下してしまうといった問題がある。ここで、液晶分子の初期配向状態におけ
る黒レベル表示の電圧値を意図的により低く設定すれば、このような問題を改善すること
が可能である。しかし、このような方法を採用すると、液晶装置における、電圧無印加時
と電圧印加時との電位差が大きくなり、これにより消費電力の増加、液晶を駆動するドラ
イバＩＣのコストの増加などを招来してしまうといった新たな問題が生じる。
【０００７】
さらに、このような液晶装置において、ドット又はライン反転駆動方式を採用した場合
には、各サブ画素電極の配列方向に対して相隣接するサブ画素電極間では相互に異なる極
性に対応した電圧が印加される。このため、当該相隣接するサブ画素電極間では大きな電
位差が生じて液晶分子が動き始めてしまい、当該サブ画素電極間にて、その液晶分子の配
向乱れにより光漏れが生じてしまうといった問題もある。かかる問題を改善する為、一般
的には、サブ画素電極が設けられる基板に対して対向配置される対向基板側であって、且
つ当該サブ画素電極間に対応する位置に遮光性を有する遮光層（ブラックマトリクスなど
）を配置して、その遮光層により、その光漏れを隠すといった対策が施される。
【０００８】
しかしながら、この構成の場合、当該サブ画素電極間から漏れた光（液晶層に対して斜
めに入射する光を含む）の一部がいわゆる迷光となって遮光層にて反射し、さらに、その
反射した光が液晶層側に位置する基板の基板面に反射し、さらに、その反射した光が液晶
層を通過して最終的に利用者により視認される観察側へ出射してしまい、その迷光による
光漏れが生じてしまうといった問題がある。
【０００９】
特に、このような液晶装置では、透過表示を行うために拡散光源（照明装置）が用いら
れ、その照明装置から前記サブ画素電極間を透過して前記遮光層に向けて出射された光は
拡散光であり、その拡散光が前記遮光層に反射することにより生成される迷光による光漏
れは、前記遮光層だけで隠すことはできないといった問題がある。
【００１０】
本発明は、以上の点に鑑みてなされたものであり、主に、透過表示領域のサブ画素電極
周辺での液晶配向乱れによる光漏れを防止すること、サブ画素電極の配列方向に隣接する
サブ画素電極間での迷光による光漏れを防止すること、などによりコントラストの低下を
防ぐことを可能にする垂直配向方式の半透過反射型の液晶装置及び電子機器を提供するこ
とを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の１つの観点では、液晶装置は、第１の基板と、第２の基板と、負の誘電率異方
性を有し、前記第１の基板と前記第２の基板の間に設けられた液晶層と、前記第２の基板
の前記液晶層側とは反対側に配置された照明装置と、を備え、前記第１の基板の前記液晶
層側に設けられた第１の電極と、前記第２の基板の前記液晶層側に設けられた前記第２の
電極との重なる領域により規定される画素領域を複数有し、前記画素領域の各々は、前記
照明装置から出射された光を前記第１の基板側に透過させて透過表示を行う透過表示領域
と、前記第２の基板に設けられた反射層によって前記第１の基板側から入射された光を前
記第１の基板側に反射させて反射表示を行う反射表示領域と、を有し、前記第１の電極及
び前記第２の電極のいずれか一方は、島状に形成された複数の島状電極部と、前記島状電
極部の各々を電気的に接続する接続部と、を有すると共に、前記島状電極部の各々は前記
透過表示領域及び前記反射表示領域の各々に対応して設けられており、前記第２の基板に
おいて、前記透過表示領域の前記島状電極部に隣接する位置には、前記照明装置から出射
された前記光を遮光するための遮光層が設けられている。
【００１２】
上記の液晶装置は、第１の基板と、第２の基板と、負の誘電率異方性を有し、第１の基
板と第２の基板の間に設けられた液晶層と、第２の基板の液晶層側とは反対側に配置され
た照明装置と、を備えた垂直配向方式の液晶装置である。
【００１３】
また、この液晶装置は、第１の基板の液晶層側に設けられた第１の電極と、第２の基板
の液晶層側に設けられた第２の電極との重なる領域により規定される画素領域を複数有し
、画素領域の各々は、照明装置から出射された光を第１の基板側に透過させて透過表示を
行う透過表示領域と、第２の基板に設けられた反射層によって第１の基板側から入射され
た光を第１の基板側に反射させて反射表示を行う反射表示領域と、を有し、半透過反射型
の液晶装置を構成している。好適な例では、反射層は反射性を有する金属材料により形成
されていることが好ましい。
【００１４】
そして、第１の電極及び第２の電極のいずれか一方は、島状に形成された複数の島状電
極部と、島状電極部の各々を電気的に接続する接続部と、を有すると共に、島状電極部の
各々は透過表示領域及び反射表示領域の各々に対応して設けられている。好適な例では、
島状電極部の各々は、角部が湾曲状に形成された略矩形状の形状に形成されていることが
好ましい。
【００１５】
ここで、一般的な垂直配向方式の液晶装置では、画素領域に設けられる画素電極は複数
のサブ画素電極により構成されるが、そのサブ画素電極（以下、「島状電極部」と呼称す
る）が島状の形状に形成されているため、その形状に起因して、島状電極部の外形周辺に
おいて斜め方向の電界がかかってしまう。これにより、各島状電極部の外形周辺に位置す
る液晶分子は、その斜め方向の電界の影響を受けて、各島状電極部に位置する液晶分子よ
りも低い電圧で動き始めてしまう。これにより、各島状電極部の周辺の領域ではその液晶
分子の配向乱れにより光漏れが生じてしまう。特に、透過表示領域の各島状電極部の外形
周辺の領域では、そのような光漏れが生じ易い。このような光漏れが生じることにより、
コントラストが低下してしまうといった問題がある。
【００１６】
これに対して、この液晶装置では、第２の基板において、透過表示領域の島状電極部に
隣接する位置には、照明装置から出射された光を遮光するための遮光層が設けられている
。好適な例では、前記遮光層は、平面的に見て前記透過表示領域の前記島状電極部に接す
る位置に設けられているのが好ましい。これにより、前記の原理に基づき透過表示領域の
島状電極部の周辺にて発生する光漏れを当該遮光層により隠すことができる。その結果、
コントラストが低下するのを防止できる。
【００１７】
また、この構成により、例えば、液晶を駆動するためのドライバＩＣなどに工夫を施し
て、液晶分子の初期配向状態における黒レベル表示時の電圧値を意図的に低く設定する必
要がなくなる。そのため、液晶に対する、電圧無印加時と電圧印加時との電位差が大きく
なるのを抑制できる結果、液晶装置の消費電力が増加するのを抑制でき、さらに、ドライ
バＩＣに対して液晶に対する電圧無印加時の電圧値を意図的に低くするような工夫を施す
必要がなくなるので当該ドライバＩＣのコストが増加するのを抑制できる。
【００１８】
また、この構成において、透過表示領域の島状電極部と遮光層とを共に同一の第２の基
板側に設けた場合には、以下のような構成を採用することにより発生する課題を改善でき
、透過表示領域の島状電極部の開口率が低下するのを防止できる。
【００１９】
即ち、第２の基板側に遮光層を設け、第１の基板側に透過表示領域の島状電極部を設け
た場合には、第１の基板と第２の基板とを液晶層を介して貼り合わせる際の組みズレ（約
３〜４μｍ程度の組ずれが生じることがある）により、遮光層と透過表示領域の島状電極
部の一部とが平面的に重なり合って、透過表示領域の島状電極部の開口率が低下する虞が
ある。これに対して、当該構成によれば、透過表示領域の島状電極部と遮光層は共に同一
の第２の基板側に設けられるので、前記のような組ずれを考慮する必要がなく、透過表示
領域の島状電極部と遮光層とが平面的に重ならいように、透過表示領域の島状電極部及び
遮光層を第２の基板に対して形成することが可能となる。よって、透過表示領域の島状電
極部の開口率が低下してしまうのを防止できる。
【００２０】
上記の液晶装置の一つの態様では、前記画素領域は前記透過表示領域を複数有し、前記
透過表示領域の各々は、前記画素領域内において、前記反射表示領域を挟む位置に設けら
れ、前記遮光層は、平面的に見て前記透過表示領域の各々の前記島状電極部における複数
の外辺のうち、前記反射表示領域に対し逆側に位置する外辺に接する位置に各々対応して
設けられている。
【００２１】
この態様によれば、以下に想定する比較例と比較して、次のような作用効果が得られる
。  比較例として、画素領域が、透過表示領域、他の透過表示領域、反射表示領域の順に
配置された構成を有する場合において、本発明を適用した場合には、透過表示領域の島状
電極部と、他の透過表示領域の他の島状電極部との間であって、当該島状電極部と当該他
の島状電極部の各々に隣接する位置に対して前記遮光層が設けられることになる。そうす
ると、この比較例では、前記遮光層により、透過表示領域と他の透過表示領域の間にて発
生する光漏れは隠すことができ、これによりコントラストは向上する。しかし、この比較
例では、その遮光層が透過表示領域と他の透過表示領域の間に設けられることになるため
、透過表示領域及び他の透過表示領域の各島状電極部の開口率が低下してしまい、透過表
示を重視した液晶装置の設計が困難になる。
【００２２】
この点、この態様では、画素領域は透過表示領域を複数有し、透過表示領域の各々は、
画素領域内において、反射表示領域を挟む位置に設けられている。つまり、この態様では
、画素領域は、透過表示領域、反射表示領域、透過表示領域をこの順に配置した構成を有
する。そして、前記遮光層は、平面的に見て透過表示領域の各々の島状電極部における複
数の外辺のうち、反射表示領域に対し逆側に位置する外辺に接する位置に各々対応して設
けられている。このため、透過表示領域の各々の島状電極部における複数の外辺のうち、
反射表示領域に対し逆側に位置する外辺の周辺にて発生する光漏れは当該外辺に接する位
置に設けられた遮光層により隠され、さらに反射表示領域側に位置する透過表示領域の島
状電極部の周辺に生じる光漏れは反射層により隠される。その結果、コントラストが低下
するのを防止できる。また、かかる構成によれば、画素領域内には遮光層が設けられない
ので、各透過表示領域の島状電極部の開口率が低下するのを防止できる。その結果、この
態様によれば、透過表示を重視した液晶装置の設計が容易となる。
【００２３】
上記の液晶装置の他の態様では、前記画素領域は前記透過表示領域を複数有し、前記画
素領域内において、所定の方向で前記透過表示領域、前記反射表示領域、前記透過表示領
域の順に配置されており、前記遮光層は、所定の前記画素領域の前記透過表示領域と、該
所定の前記画素領域に前記所定の方向で隣接する他の前記画素領域の前記透過表示領域と
の間に対応して設けられている。
【００２４】
この態様によれば、所定の画素領域の透過表示領域と、該所定の前記画素領域に前記所
定の方向で隣接する他の前記画素領域の前記透過表示領域との間にて発生する光漏れは、
その光漏れが発生する位置に設けられた遮光層により隠される。その結果、コントラスト
が低下するのを防止できる。また、かかる構成によれば、画素領域内には遮光層が設けら
れないので、各透過表示領域の島状電極部の開口率が低下するのを防止できる。その結果
、この態様によれば、透過表示を重視した液晶装置の設計が容易となる。
【００２５】
上記の液晶装置の一つの態様では、前記遮光層は、平面的に見て、任意の前記画素領域
と、当該画素領域に対して前記島状電極部の各々の配列方向に相隣接する他の前記画素領
域との間に位置しているので、以下に述べる問題を改善することが可能となる。
【００２６】
即ち、一般的な垂直配向方式の液晶装置において、ドット又はライン反転駆動方式を採
用した場合には、各島状電極部の配列方向に対して相隣接する画素電極間では相互に異な
る極性に対応した電圧が印加される。このため、当該相隣接する画素電極間では大きな電
位差が生じて液晶分子が動き始めてしまい、当該画素電極間にてその液晶分子の配向乱れ
により光漏れが生じてしまうといった問題もある。かかる問題を改善する為、一般的には
、画素電極が設けられる基板に対して対向配置される対向基板側であって、且つ当該画素
電極間に対応する位置に遮光性を有する遮光層（ブラックマトリクスなど）を配置して、
その遮光層により、その光漏れを隠すといった対策が施される。しかしながら、この構成
の場合、当該画素電極間から漏れた光（液晶層に対して斜めに入射する光を含む）の一部
がいわゆる迷光となって遮光層にて反射し、さらに、その反射した光が液晶層側に位置す
る基板の基板面に反射し、さらに、その反射した光が液晶層を通過して最終的に利用者に
より視認される観察側へ出射してしまい、その迷光による光漏れが生じてしまうといった
問題がある。特に、このような液晶装置では、透過表示を行うために拡散光源（照明装置
）が用いられ、その照明装置から前記画素電極間を透過して前記遮光層に向けて出射され
た光は拡散光であり、その拡散光が前記遮光層に反射することにより生成される迷光によ
る光漏れは、前記遮光層だけで隠すことはできないといった問題がある。
【００２７】
これに対して、この態様では、遮光層は、平面的に見て、任意の画素領域と、当該画素
領域に対して島状電極部の各々の配列方向に相隣接する他の画素領域との間に位置してい
る。このため、この態様に対してドット又はライン反転駆動方式を採用した場合でも、前
記の原理に基づき、当該画素領域と当該他の画素領域の間において液晶分子の配向乱れに
より生じる光漏れを当該画素領域と当該他の画素領域の間に位置する遮光層により隠すこ
とができる。また、この態様では、透過表示の際に照明装置から、当該画素領域と当該他
の画素領域の間に向けて出射された拡散光は、当該画素領域と当該他の画素領域の間に位
置する遮光層により遮られる。このため、当該画素領域と当該他の画素領域の間において
迷光（液晶層に対して斜めに入射する光を含む）による光漏れが生じることを防止できる
。
【００２８】
上記の液晶装置の他の態様では、前記遮光層は、前記反射層と同一の金属材料により形
成されている。これにより、この液晶装置の製造過程において、遮光層と反射層を同一の
工程で同一の金属材料により作製することができる。よって、遮光層と反射層とを別々の
工程にて作製する場合と比較して、工程数の削減を図ることができる。
【００２９】
上記の液晶装置の他の態様では、前記反射表示領域の前記島状電極部は反射性を有する
金属材料により形成され、前記反射層は、前記反射表示領域の前記島状電極部により構成
されている。つまり、この態様では、反射層は、反射表示領域の島状電極部により構成さ
れる反射電極とすることができる。
【００３０】
本発明の他の観点では、上記の液晶装置を表示部として備える電子機器を構成すること
ができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
以下、図面を参照しながら本発明の各種の実施形態について説明する。これらの各図に
おいては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎
に縮尺を異ならせてある。
【００３２】
［第１実施形態］
以下、図１〜図３を参照して、本発明の第１実施形態に係る液晶装置の構成について説
明する。第１実施形態に係る液晶装置は、スイッチング素子として薄膜トランジスタ（Th
in Film Transistor、以下、「ＴＦＴ」と略記する）を用いたアクティブマトリクス駆動
方式の液晶装置の例である。
【００３３】
（液晶装置の電気的等価回路の構成）
まず、図１を参照して、本発明の第１実施形態に係る液晶装置の電気的な等価回路５０
の構成について説明する。
【００３４】
図１は、第１実施形態に係る液晶装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に配置さ
れた複数の画素領域Ｄを含む電気的な等価回路５０の構成図を示す。
【００３５】
図１に示す第１実施形態の液晶装置において、画像表示領域を構成するマトリクス状に
配置された複数の画素領域（矩形状の破線にて囲まれる領域）Ｄには、画素電極５と当該
画素電極５を駆動制御するためのスイッチング素子であるＴＦＴ３０がそれぞれ形成され
ており、画像信号が供給されるデータ線６ａが当該ＴＦＴ３０のソース領域３０ｓ（図２
も参照）に電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、
Ｓｎは、この順に線順次に供給されるか、あるいは相隣接する複数のデータ線６ａに対し
てグループ毎に供給される。また、走査線３ａがＴＦＴ３０のゲート電極３０ｇ（図２も
参照）に電気的に接続されており、複数の走査線３ａに対して走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、
Ｇｍが所定のタイミングでパルス的に線順次で印加される。また、画素電極５はＴＦＴ３
０のドレイン領域３０ｄ（図２も参照）に電気的に接続されており、スイッチング素子で
あるＴＦＴ３０を一定期間だけオンすることにより、データ線６ａから供給される画像信
号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイミングで書き込む。画素電極５を介して液晶に書き
込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、後述する共通電極１１との間で
一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化
することにより、光を変調し、階調表示を可能にする。ここで、保持された画像信号がリ
ークすることを防止するために、画素電極５と共通電極１１との間に形成される液晶容量
と並列に蓄積容量７０が付加されている。なお、配線３ｂは容量線である。
【００３６】
（ＴＦＴアレイ基板の平面構成）
次に、図２を参照して、第１実施形態の液晶装置を構成するＴＦＴアレイ基板９１の平
面構成について説明する。図２は、６つの画素領域Ｄに対応するＴＦＴアレイ基板９１の
平面構成を示す平面図である。なお、第１実施形態では、ＴＦＴアレイ基板９１に対向配
置されるカラーフィルタ基板９２において、走査線３ａの延在方向に隣接する１行３列の
画素領域Ｄの各々に対応する位置には、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の着色層（図示略
）がこの順に配置されている。
【００３７】
図２に示すように、ＴＦＴアレイ基板９１上には、データ線６ａと走査線３ａとの交差
部に対応してＴＦＴ３０と画素電極５が複数形成され、画素電極５がマトリクス状に設け
られている。ここで、画素電極５は、角部が湾曲状に形成された略矩形状の、複数の島状
の島状電極部５ａ、５ｂ、５ｃで構成され、島状電極部５ａ、５ｂ、５ｃの各々は接続部
５ｓを介して電気的に接続されている。なお、本発明では、島状電極部５ａ、５ｂ、５ｃ
は、例えば、多角形等の平面形状を有していても構わない。また、島状電極部５ａと島状
電極部５ｃはＩＴＯ（Indium-Tin-Oxide）などからなる透明電極で形成されており、島状
電極部５ａ及び５ｃが配置された領域は、それぞれ、透過表示が行われる第１及び第２の
透過表示領域Ｔ１、Ｔ２とされている。一方、島状電極部５ａと島状電極部５ｃの間に位
置する島状電極部５ｂは反射性を有する金属（例えば、アルミニウムや銀、又はこれらを
主成分とする金属膜）によって形成された反射電極であり、島状電極部５ｂは反射表示が
行われる反射表示領域Ｒとされている。そして、この反射性を有する島状電極部５ｂの下
層において容量線３ｂが画素電極５の長手方向と交差する方向に略直線状に延在して設け
られている。第１実施形態において、各画素電極５および各画素電極５を囲むように配置
されたデータ線６ａ、走査線３ａ、容量線３ｂ等が形成された領域の内側が一つの画素領
域Ｄであり、マトリクス状に配置された画素領域Ｄ毎に表示が可能な構造になっている。
【００３８】
データ線６ａは、ＴＦＴ３０を構成する、例えばポリシリコン膜からなる半導体層のう
ち、後述のソース領域３０ｓに電気的に接続されており、画素電極５は、半導体層のうち
、後述のドレイン領域３０ｄに電気的に接続されている。また、半導体層のうち、チャネ
ル領域に対向するように走査線３ａが配置されており、走査線３ａはチャネル領域に対向
する部分でゲート電極３０ｇとして機能する。
【００３９】
また、画素電極５とＴＦＴ３０の電気的な接続は、ドレイン領域３０ｄから導出された
配線部３４とコンタクトホール７を介して反射表示領域Ｒに配置される島状電極部５ｂに
おいて電気的な接続が図られている。配線部３４は、透過表示領域Ｔに配置された島状電
極部５ｃの略中心を画素電極５の長手方向に延在するように形成され、反射電極の島状電
極部５ｂの略中央部でコンタクトホール７を介して電気的に接続されている。なお、本発
明では、画素電極５とＴＦＴ３０の電気的な接続方法は、上記した構成に限定されず、ま
た、配線部３４及び容量線３ｂの形成位置も上記した構成に限定されない。
【００４０】
また、ＴＦＴアレイ基板９１において、第１及び第２の透過表示領域Ｔ１、Ｔ２の各島
状電極部５ａ及び５ｃに隣接する位置には、照明装置としてのバックライト１９（図３を
参照）から出射された照明光を遮光するための遮光層４０（二点鎖線にて囲まれる領域）
が設けられている。遮光層４０は、直線状の形状を有し、走査線３ａの延在方向に延在し
ている。第１実施形態の例では、遮光層４０は、黒色樹脂などの材料により形成されてい
るが、その形成材料に限定はない。第１実施形態では、遮光層４０は、平面的に見て第１
及び第２の透過表示領域Ｔ１、Ｔ２の各島状電極部５ａ及び５ｃに接する位置に設けられ
ている。言い換えれば、遮光層４０は、平面的に見て第１及び第２の透過表示領域Ｔ１、
Ｔ２の各々の島状電極部５ａ及び５ｃにおける複数の外辺（端部）のうち、反射表示領域
Ｒに対し逆側に位置する外辺（端部）５ａａ及び５ｃａに接する位置に各々対応して設け
られている。なお、画素電極５と遮光層４０とは同一のＴＦＴアレイ基板９１に形成され
るので、そのプロセス上、その両者の相対的な位置ずれは起き難い。但し、画素電極５と
遮光層４０との位置ずれが万が一生じた場合には、画素電極５と遮光層４０の間で若干の
光漏れが生じ、これによりコントラストが若干落ちる可能性がある。そのため、このよう
な点を考慮した場合には、遮光層４０は、平面的に見て第１及び第２の透過表示領域Ｔ１
、Ｔ２の各々の島状電極部５ａ及び５ｃにおける複数の外辺（端部）のうち、反射表示領
域Ｒに対し逆側に位置する外辺（端部）５ａａ及び５ｃａに対して部分的に重なるように
設けられていても構わない。また、遮光層４０は、平面的に見て、任意の画素領域Ｄと、
当該画素領域Ｄに対して島状電極部５ａ、５ｂ、５ｃの各々の配列方向に相隣接する他の
画素領域Ｄとの間に位置している。
【００４１】
（液晶装置の画素領域に対応する断面構成）
次に、図３を参照して、第１実施形態に係る液晶装置の１つの画素領域Ｄに対応する断
面構成について説明する。図３は、図２の切断線Ａ−Ａ´に沿った１つの画素領域Ｄの断
面構成を示す断面図である。
【００４２】
第１実施形態に係る液晶装置１００は、観察側に対して逆側に配置されたＴＦＴアレイ
基板９１と、これに対向配置されたカラーフィルタ基板９２との間に初期配向状態が垂直
配向を呈する、負の誘電率異方性を有する液晶からなる液晶層５０が挟持された構成を有
する。
【００４３】
まず、ＴＦＴアレイ基板９１の構成は次の通りである。
【００４４】
ＴＦＴアレイ基板９１は、複数の構成要素を支持する役割を有し、石英、ガラス等の透
光性材料からなる基板本体１０を備える。基板本体１０の内面上には、データ線６ａ（図
示略）、走査線３ａ、及び容量線３ｂなどが形成されている。基板本体１０の内面上には
第１の絶縁層３７が形成されており、走査線３ａ及び容量線３ｂは第１の絶縁層３７によ
り覆われている。そして、ＴＦＴ３０のドレイン領域３０ｄから延びる配線部３４が、第
１の絶縁層３７を介して、複数の走査線３ａのうち一方の走査線３ａ側から反射表示領域
Ｒ側にかけて延在するように引き回されている。第１の絶縁層３７の内面上には、第２の
絶縁層３８が形成されており、配線部３４は、第２の絶縁層３８により覆われている。
【００４５】
第２の絶縁層３８の内面上であって、反射表示領域Ｒに対して逆側に位置する第１及び
第２の透過表示領域Ｔ１、Ｔ２の島状電極部５ａ、５ｃの各外辺（端部）５ａａ、５ｃａ
に隣接する位置には、それぞれ遮光層４０が設けられている。ここで、画素電極５とその
両側に配置された複数の遮光層４０に着目すると、複数の遮光層４０のうち、第１の透過
表示領域Ｔ１の島状電極部５ａ側に位置する、一方の遮光層４０の一端部は、島状電極部
５ａの外辺（端部）５ａａと同一面Ｓ１上に位置していると共に、第２の透過表示領域Ｔ
２の島状電極部５ｃ側に位置する、他方の遮光層４０の一端部は、島状電極部５ｃの外辺
（端部）５ｃａと同一面Ｓ２上に位置している。
【００４６】
また、第２の絶縁層３８の内面上には、第３の絶縁層３９が形成されており、遮光層４
０は第３の絶縁層３９により覆われている。反射表示領域Ｒに対応する第３の絶縁層３９
の内面上には、光を適度に散乱させるための微小な凹凸が形成されており、その微小な凹
凸を有する第３の絶縁層３９の内面上には、略矩形状の反射電極たる島状電極部５ｂが形
成されている。このため、島状電極部５ｂは、第３の絶縁層３９の微小な凹凸を反映した
形状を有し、島状電極部５ｂにて反射された光は適度に散乱される。
【００４７】
また、第１の透過表示領域Ｔ１に対応する第３の絶縁層３９の内面上には、略矩形状の
島状電極部５ａが形成されていると共に、第２の透過表示領域Ｔ２に対応する第３の絶縁
層３９の内面上には、略矩形状の島状電極部５ｃが形成されている。第１の透過表示領域
Ｔ１に配置された島状電極部５ａと、反射表示領域Ｒに配置された島状電極部５ｂとの電
気的な接続は、当該島状電極部５ａの一部をなす接続部５ｓにより図られている。即ち、
本例では、島状電極部５ａの接続部５ｓと、島状電極部５ｂの一部とが部分的に重なるよ
うに設けられ、島状電極部５ａと島状電極部５ｂとが電気的に接続されている。また、第
２の透過表示領域Ｔ２に配置された島状電極部５ｃと、反射表示領域Ｒに配置された島状
電極部５ｂとの電気的な接続は、当該島状電極部５ｃの一部をなす接続部５ｓにより図ら
れている。即ち、本例では、島状電極部５ｃの接続部５ｓと、島状電極部５ｂの一部とが
部分的に重なるように設けられ、島状電極部５ｃと島状電極部５ｂとが電気的に接続され
ている。なお、本発明では、島状電極部５ａ又は島状電極部５ｃと島状電極部５ｂとの電
気的な接続方法は上記した構成に限定されない。
【００４８】
また、島状電極部５ｂの略中央部には、第３の絶縁層３９及び第２の絶縁層３８を貫く
コンタクトホール７が形成されている。島状電極部５ｂは、コンタクトホール７を介して
配線部３４に電気的に接続されている。このため、ＴＦＴ３０と画素電極５との電気的な
接続は、ＴＦＴ３０のドレイン領域３０ｄから導出された配線部３４とコンタクトホール
７によって、第１及び第２の透過表示領域Ｔ１、Ｔ２を二分している反射表示領域Ｒの島
状電極部５ｂにおいてなされた構造である。また、画素電極５及び第３の絶縁層３９の各
内面上には、垂直配向膜１２が形成されている。一方、基板本体１０の外面上には、位相
差板（１／４波長板）１７、偏光板１８、照明装置としてのバックライト１９がこの順で
配置されている。バックライト１９は、例えば、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）等とい
った点状光源や、冷陰極蛍光管等といった線状光源と導光板を組み合わせたものなどが好
適である。
【００４９】
次に、カラーフィルタ基板９２の構成は次の通りである。
【００５０】
カラーフィルタ基板９２は、複数の構成要素を支持する役割を有し、石英、ガラス等の
透光性材料からなる基板本体２５を備える。基板本体２５の内面上には、カラーフィルタ
としての着色層１６（図３では緑（Ｇ）の着色層１６Ｇ）が設けられている。着色層１６
の内面上であって、且つ少なくとも反射表示領域Ｒに対応する位置には、第１及び第２の
透過表示領域Ｔ１、Ｔ２の各々に対応する液晶層５０の各厚さｄｔと、反射表示領域Ｒに
対応する液晶層５０の厚さｄｒとを実質的に異ならせるための層厚調整層４５が形成され
ている。第１実施形態では、この層厚調整層４５の存在によって、反射表示領域Ｒの液晶
層５０の厚さｄｒを第１及び第２の透過表示領域Ｔ１、Ｔ２の液晶層５０の各厚さｄｔよ
りも小さくすることができる。よって、反射表示領域Ｒにおけるリタデーション（液晶層
５０の厚さｄｒと液晶の屈折率異方性Δｎの積）と、第１及び第２の透過表示領域Ｔ１、
Ｔ２の各々におけるリタデーション（液晶層５０の厚さｄｔと液晶の屈折率異方性Δｎの
積）を近づける、若しくは略等しくすることができ、これによりコントラストの向上が図
られている。
【００５１】
着色層１６及び層厚調整層４５の各内面上には、ＩＴＯなどからなる共通電極１１が形
成されている。ここで、共通電極１１には液晶層５０の液晶分子の配向を制御する配向制
御手段が設けられている。配向制御手段は、共通電極１１において、ＴＦＴアレイ基板１
０側に形成された島状電極部５ａ、５ｂ、５ｃの略中央部に対応する位置に設けられてお
り、その具体的な構成としては、誘電体からなる突起１３によるものである。なお、本発
明では、配向制御手段は、突起１３に代えて、島状電極部５ａ、５ｂ、５ｃの略中央部に
対応する共通電極１１の領域を開口したスリットによるものであっても構わない。共通電
極１１及び突起１３の内面上には、垂直配向膜１２が形成されている。一方、基板本体２
５の外面上には、位相差板（１／４波長板）１４、偏光板１５がこの順で配置されている
。
【００５２】
以上の構成を有する液晶装置１００において、ＴＦＴアレイ基板９１とカラーフィルタ
基板９２との間に電圧を印加すると、それらの両基板間の液晶層５０には電圧に応じた電
界が形成されるが、島状電極部５ａ、５ｂ、５ｃの各々が略矩形状に形成されており、か
つ、それと対向するカラーフィルタ基板９２側の共通電極１１には配向制御手段としての
突起１３が形成されているため、液晶分子は島状電極部５ａ、５ｂ、５ｃの各々の略中央
を中心として放射状に配向状態が制御される。これにより、第１実施形態に係る液晶装置
１００では、視野角依存性が抑制され、広視野角化が可能となっている。
【００５３】
さて、第１実施形態の液晶装置１００において反射型表示がなされる場合、観察側から
液晶装置１００内に入射した外光は、図３に示す経路Ｌｒに沿って進行し、着色層１６等
が形成されている領域を通過して、その着色層１６の下方に位置する反射電極たる島状電
極部５ｂにより反射され、再び着色層１６等を通過して表示画面上に出射する。これによ
り、所定の色相及び明るさを呈する表示画像が観察者により視認される。一方、かかる液
晶装置１００において透過型表示がなされる場合、バックライト１９から出射した照明光
は、図３に示す経路Ｌｔに沿って進行し、画素電極５及び着色層１６等を通過して観察者
に至る。この場合、その照明光は、着色層１６を透過することにより所定の色相及び明る
さを呈する。こうして、所望のカラー表示画像が観察者により視認される。
【００５４】
次に、本発明の第１実施形態に係る液晶装置１００の特有の作用効果について説明する
。
【００５５】
ここで、一般的な垂直配向方式の液晶装置では、画素領域に設けられる画素電極は複数
のサブ画素電極により構成されるが、そのサブ画素電極（以下、「島状電極部」と呼称す
る）が島状の形状に形成されているため、その形状に起因して、島状電極部の外形周辺に
おいて斜め方向の電界がかかってしまう。これにより、各島状電極部の外形周辺に位置す
る液晶分子は、その斜め方向の電界の影響を受けて、各島状電極部に位置する液晶分子よ
りも低い電圧で動き始めてしまう。これにより、各島状電極部の外形周辺の領域ではその
液晶分子の配向乱れにより光漏れが生じてしまう。特に、透過表示領域の各島状電極部の
周辺の領域では、そのような光漏れが生じ易い。このような光漏れが生じることにより、
コントラストが低下してしまうといった問題がある。
【００５６】
これに対して、この液晶装置１００では、ＴＦＴアレイ基板９１側において、第１及び
第２の透過表示領域Ｔ１、Ｔ２の各島状電極部５ａ及び５ｃに隣接する位置には、照明装
置としてのバックライト１９から出射された照明光を遮光するための遮光層４０が設けら
れている。具体的には、遮光層４０は、平面的に見て第１及び第２の透過表示領域Ｔ１、
Ｔ２の各島状電極部５ａ及び５ｃに接する位置に設けられている。これにより、前記の原
理に基づき第１及び第２の透過表示領域Ｔ１、Ｔ２の島状電極部５ａ、５ｃの周辺にて発
生する光漏れを遮光層４０により隠すことができる。その結果、コントラストが低下する
のを防止できる。
【００５７】
また、この構成により、例えば、液晶を駆動するためのドライバＩＣなどに工夫を施し
て、液晶分子の初期配向状態における黒レベル表示時の電圧値を意図的に低く設定する必
要がなくなる。そのため、液晶層５０に対する、電圧無印加時と電圧印加時との電位差が
大きくなるのを抑制できる結果、液晶装置１００の消費電力が増加するのを抑制でき、さ
らに、ドライバＩＣに対して液晶層５０に対する電圧無印加時の電圧値を意図的に低くす
るような工夫を施す必要がなくなるので当該ドライバＩＣのコストが増加するのを抑制で
きる。
【００５８】
また、第１実施形態の液晶装置１００では、第１及び第２の透過表示領域Ｔ１、Ｔ２の
各々は、画素領域Ｄ内において、反射表示領域Ｒを挟む位置に設けられ、遮光層４０は、
平面的に見て第１及び第２の透過表示領域Ｔ１、Ｔ２の各々の島状電極部５ａ及び５ｃに
おける複数の外辺（端部）のうち、反射表示領域Ｒに対し逆側に位置する外辺（端部）５
ａａ及び５ｃａに接する位置に各々対応して設けられているので、以下に想定する比較例
と比較して、次のような作用効果が得られる。
【００５９】
比較例として、画素領域Ｄが、透過表示領域、他の透過表示領域、反射表示領域の順に
配置された構成を有する場合において、本発明を適用した場合には、透過表示領域の島状
電極部と、他の透過表示領域の他の島状電極部との間であって、当該島状電極部と当該他
の島状電極部の各々に隣接する位置に対して遮光層４０が設けられることになる。そうす
ると、この比較例では、遮光層４０により、透過表示領域と他の透過表示領域の間にて発
生する光漏れは隠すことができ、これによりコントラストは向上する。しかし、この比較
例では、その遮光層４０が透過表示領域と他の透過表示領域の間に設けられることになる
ため、透過表示領域及び他の透過表示領域の各島状電極部の開口率が低下してしまい、透
過表示を重視した液晶装置の設計が困難になる。
【００６０】
この点、第１実施形態では、第１及び第２の透過表示領域Ｔ１、Ｔ２の各々は、画素領
域Ｄ内において、反射表示領域Ｒを挟む位置に設けられている。つまり、第１実施形態で
は、画素領域Ｄは、透過表示領域、反射表示領域、透過表示領域をこの順に配置した構成
を有する。そして、遮光層４０は、平面的に見て第１及び第２の透過表示領域Ｔ１、Ｔ２
の各々の島状電極部５ａ及び５ｃにおける複数の外辺（端部）のうち、反射表示領域Ｒに
対し逆側に位置する外辺（端部）５ａａ及び５ｃａに接する位置に各々対応して設けられ
ている。このため、第１及び第２の透過表示領域Ｔ１、Ｔ２の各々の島状電極部５ａ及び
５ｃにおける複数の外辺（端部）のうち、反射表示領域Ｒに対し逆側に位置する外辺（端
部）５ａａ及び５ｃａの周辺にて発生する光漏れは当該外辺５ａａ及び５ｃａに接する位
置に設けられた遮光層４０により隠され、さらに反射表示領域Ｒ側に位置する第１及び第
２の透過表示領域Ｔ１、Ｔ２の島状電極部５ａ、５ｃの周辺に生じる光漏れは反射電極た
る島状電極部５ｂにより隠される。その結果、コントラストが低下するのを防止できる。
また、かかる構成によれば、画素領域Ｄ内に遮光層４０が設けられないので、第１及び第
２の透過表示領域Ｔ１、Ｔ２の島状電極部５ａ、５ｃの開口率が夫々低下するのを防止で
きる。その結果、透過表示を重視した液晶装置１００の設計が容易となる。
【００６１】
また、第１実施形態では、画素領域Ｄは第１及び第２の透過表示領域Ｔ１、Ｔ２を有し
、画素領域Ｄ内において、所定の方向（データ線３２の延在方向）で第１の透過表示領域
Ｔ１、反射表示領域Ｒ、第２の透過表示領域Ｔ２の順に配置されており、遮光層４０は、
所定の画素領域Ｄの第１の透過表示領域Ｔ１と、該所定の画素領域Ｄに所定の方向（デー
タ線３２の延在方向）で隣接する他の画素領域Ｄの第２の透過表示領域Ｔ２との間に対応
して設けられている。
【００６２】
これにより、所定の画素領域Ｄの第１の透過表示領域Ｔ１と、該所定の画素領域Ｄに所
定の方向（データ線３２の延在方向）で隣接する他の画素領域Ｄの第２の透過表示領域Ｔ
２との間にて発生する光漏れは、その光漏れが発生する位置に設けられた遮光層４０によ
り隠される。その結果、コントラストが低下するのを防止できる。また、かかる構成によ
れば、画素領域Ｄ内に遮光層４０が設けられないので、第１及び第２の透過表示領域Ｔ１
、Ｔ２の島状電極部５ａ、５ｃの開口率が夫々低下するのを防止できる。その結果、透過
表示を重視した液晶装置１００の設計が容易となる。
【００６３】
また、第１実施形態の液晶装置１００では、遮光層４０は、平面的に見て、任意の画素
領域Ｄと、当該画素領域Ｄに対して島状電極部５ａ、５ｂ、５ｃの各々の配列方向に相隣
接する他の画素領域Ｄとの間に位置しているので、以下に述べる問題を改善することが可
能となる。
【００６４】
まず、図４に示す一般的な垂直配向方式の液晶装置１００ｘにおいて、ドット又はライ
ン反転駆動方式を採用した場合には、次のような課題を有する。
【００６５】
図４は、各島状電極部の配列方向に対して相隣接する画素電極５ｘ間に対応する一般的
な垂直配向方式の液晶装置の要部断面図であり、同図において、第１実施形態と共通する
要素については同一の符号を付し、その説明は省略する。
【００６６】
かかる液晶装置１００ｘにおいて、各島状電極部の配列方向に対して相隣接する画素電
極５ｘ間では相互に異なる極性に対応した電圧が印加される。このため、当該相隣接する
画素電極５ｘ間では大きな電位差が生じて液晶分子５０ａが動き始めてしまい、当該画素
電極５ｘ間にてその液晶分子５０ａの配向乱れにより光漏れが生じてしまうといった問題
もある。かかる問題を改善する為、一般的には、図４に示すように、画素電極５ｘが設け
られる基板９１ｘに対して対向配置される対向基板９２ｘ側であって、且つ当該画素電極
５ｘ間に対応する位置に遮光性を有する遮光層（ブラックマトリクスなど）ＢＭを配置し
て、その遮光層ＢＭにより、その光漏れを隠すといった対策が施される。しかしながら、
この構成の場合、当該画素電極５ｘ間から漏れた光（液晶層５０に対して斜めに入射する
光を含む）の一部がいわゆる迷光Ｌとなって遮光層ＢＭにて反射し、さらに、その反射し
た光Ｌが液晶層５０側に位置する基板９１ｘの基板本体１０の内面に反射し、さらに、そ
の反射した光Ｌが液晶層５０を通過して最終的に利用者により視認される観察側へ出射し
てしまい、その迷光Ｌによる光漏れが生じてしまうといった問題がある。特に、このよう
な液晶装置では、透過表示を行うために拡散光源（バックライト）１９が用いられ、その
バックライト１９から画素電極５ｘ間を透過して遮光層ＢＭに向けて出射された光は拡散
光であり、その拡散光が遮光層ＢＭに反射することにより生成される迷光Ｌによる光漏れ
は、遮光層ＢＭだけで隠すことはできないといった問題がある。
【００６７】
これに対して、第１実施形態では、遮光層４０は、平面的に見て、任意の画素領域Ｄと
、当該画素領域Ｄに対して島状電極部５ａ、５ｂ、５ｃの各々の配列方向に相隣接する他
の画素領域Ｄとの間に位置している。このため、第１実施形態に対してドット又はライン
反転駆動方式を採用した場合でも、前記の原理に基づき、当該任意の画素領域Ｄと当該他
の画素領域Ｄの間において液晶分子の配向乱れにより生じる光漏れを当該任意の画素領域
Ｄと当該他の画素領域Ｄの間に位置する遮光層４０により隠すことができる。また、第１
実施形態では、透過表示の際にバックライト１９から、当該任意の画素領域Ｄと当該他の
画素領域Ｄの間に向けて出射された拡散光は、当該任意の画素領域Ｄと当該他の画素領域
Ｄの間に位置する遮光層４０により遮られる。このため、当該任意の画素領域Ｄと当該他
の画素領域Ｄの間において迷光（液晶層５０に対して斜めに入射する光を含む）による光
漏れが生じることを防止できる。
【００６８】
また、第１実施形態によれば、第１及び第２の透過表示領域Ｔ１、Ｔ２の島状電極部５
ａ、５ｃと遮光層４０は共に同一のＴＦＴアレイ基板９１側に設けられるので、以下のよ
うな構成を採用することにより発生する課題を改善でき、第１及び第２の透過表示領域Ｔ
１、Ｔ２の島状電極部５ａ、５ｃの開口率が夫々低下するのを防止できる。
【００６９】
即ち、カラーフィルタ基板９２側に遮光層４０を設け、ＴＦＴアレイ基板９１側に第１
及び第２の透過表示領域Ｔ１、Ｔ２の島状電極部５ａ、５ｃを夫々設けた場合には、ＴＦ
Ｔアレイ基板９１とカラーフィルタ基板９２とを液晶層５０を介して貼り合わせる際の組
みズレ（約３〜４μｍ程度の組ずれが生じることがある）により、遮光層４０と第１及び
第２の透過表示領域Ｔ１、Ｔ２の島状電極部５ａ、５ｃの各々の一部とが平面的に重なり
合って、第１及び第２の透過表示領域Ｔ１、Ｔ２の島状電極部５ａ、５ｃの開口率が夫々
低下する虞がある。
【００７０】
これに対して、第１実施形態によれば、第１及び第２の透過表示領域Ｔ１、Ｔ２の島状
電極部５ａ、５ｃと遮光層４０は共に同一のＴＦＴアレイ基板９１側に設けられるので、
前記のような組ずれを考慮する必要がなく、第１及び第２の透過表示領域Ｔ１、Ｔ２の島
状電極部５ａ、５ｃの各々と遮光層４０とが平面的に重ならいように、第１及び第２の透
過表示領域Ｔ１、Ｔ２の島状電極部５ａ、５ｃ及び遮光層４０をＴＦＴアレイ基板９１に
対して形成することが可能となる。よって、第１及び第２の透過表示領域Ｔ１、Ｔ２の島
状電極部５ａ、５ｃの開口率が夫々低下してしまうのを防止できる。
【００７１】
［第２実施形態］
以下、図５乃至図８を参照して、本発明の第２実施形態に係る液晶装置の構成について
説明する。第２実施形態に係る液晶装置は、スイッチング素子として薄膜ダイオード（Th
in Film Diode、以下、「ＴＦＤ」と略記する）を用いたアクティブマトリクス駆動方式
の液晶装置の例である。なお、第２実施形態では、第１実施形態と共通する要素について
は同一の符号を付し、その説明は省略する。
【００７２】
（液晶装置の電気的等価回路構成）
まず、図５を参照して、本発明の第２実施形態に係る液晶装置の電気的な等価回路５１
の構成について説明する。
【００７３】
図５は、第２実施形態に係る液晶装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に配置さ
れた複数の画素領域Ｄを含む電気的な等価回路５１の構成図を示す。
【００７４】
図５に示す第２実施形態の液晶装置において、画像表示領域を構成するマトリクス状に
配置された複数の画素領域Ｄには、画素電極５５と当該画素電極５５を駆動制御するため
のスイッチング素子であるＴＦＤ３１がそれぞれ形成されており、画像信号が供給される
データ線３２が当該ＴＦＤ３１の一端側に電気的に接続されている。データ線３２に書き
込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給されるか、あるいは相隣接
する複数のデータ線３２に対してグループ毎に供給される。また、複数の走査線２７に対
して走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍが所定のタイミングでパルス的に線順次で印加される
。また、画素電極５５はＴＦＤ３１の他端側に電気的に接続され、画素電極５５と走査線
２７との間には液晶層５０が介在している。スイッチング素子であるＴＦＤ３１を一定期
間だけオンすることにより、データ線３２から供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎ
を所定のタイミングで書き込む。そして、画素電極５５を介して液晶層５０に書き込まれ
た所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、走査線２７との間で一定期間保持され
る。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、
光を変調し、階調表示を可能にする。
【００７５】
（ＴＦＤアレイ基板の平面構成）
次に、図６及び図７を参照して、第２実施形態の液晶装置を構成するＴＦＤアレイ基板
の平面構成について説明する。
【００７６】
図６は、６つの画素領域Ｄに対応するＴＦＤアレイ基板９３の平面構成を示す平面図で
ある。なお、図６では、説明の便宜上、ＴＦＤアレイ基板９３に対向配置されるカラーフ
ィルタ基板９４（図８を参照）に設けられる走査線２７の位置についても図示をすること
にしている。また、第２実施形態では、ＴＦＤアレイ基板９３に対向配置されるカラーフ
ィルタ基板９４において、走査線２７の延在方向に隣接する１行３列の画素領域Ｄの各々
に対応する位置には、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の着色層（図示略）がこの順に配置
されている。図７（ａ）は、図６の破線領域Ｅ１の部分を拡大した要部平面図であり、Ｔ
ＦＤ３１と画素電極５５との接続構造を示す。
【００７７】
図６に示すように、ＴＦＤアレイ基板９３上には、データ線３２と走査線２７との交差
部に対応してＴＦＤ３１と画素電極５５が複数形成され、画素電極５５がマトリクス状に
設けられている。ここで、画素電極５５は、角部が湾曲状に形成された略矩形状の、複数
の島状の島状電極部５５ａ、５５ｂ、５５ｃで構成され、島状電極部５５ａ、５５ｂ、５
５ｃの各々は接続部５５ｓを介して電気的に接続されている。なお、本発明では、島状電
極部５５ａ、５５ｂ、５５ｃは、例えば、多角形等の平面形状を有していても構わない。
また、島状電極部５５ａ、５５ｂ、５５ｃはＩＴＯなどからなる透明電極で形成されてい
る。島状電極部５５ａ、５５ｂ、５５ｃのうち、島状電極部５５ａ及び５５ｃが配置され
た領域は、それぞれ第１及び第２の透過表示領域Ｔ１、Ｔ２とされている。一方、第１の
透過表示領域Ｔ１と第２の透過表示領域Ｔ２との間の島状電極部５５ｂが配置された領域
には、画素電極５５の長手方向と略直交する方向に延在する、反射性を有する反射膜２３
が設けられており、当該領域は反射表示領域Ｒとされている。ここで、反射膜２３は、例
えば、アルミニウムや銀、又はこれらを主成分とする金属膜により形成されているのが好
ましい。第２実施形態において、画素電極５５の長手方向に延在するように設けられた相
隣接するデータ線３２と、当該データ線３２に平面的に重なる走査線２７とによって囲ま
れる領域が一つの画素領域Ｄであり、マトリクス状に配置された画素領域Ｄ毎に表示が可
能な構造になっている。
【００７８】
ＴＦＤ３１は、図７（ａ）に示すように、第１のＴＦＤ３１ａ及び第２のＴＦＤ３１ｂ
を含んで構成される。第１のＴＦＤ３１ａ及び第２のＴＦＤ３１ｂは、島状に形成され、
タンタルタングステンなどを主成分とする第１金属膜３２２と、この第１金属膜３２２の
表面を陽極酸化することによって形成され、酸化タンタル等の陽極酸化膜たる絶縁膜３２
３と、この表面に形成されて相互に離間した第２金属膜３１６、３３６とを有する。この
うち、第２金属膜３１６、３３６は、クロム等の同一導電膜をパターニングしたものであ
り、前者の第２金属膜３１６は、島状電極部５５ｃと電気的に接続するために用いられる
と共に、後者の第２金属膜３３６は、データ線３２からＴ字状に分岐したものが用いられ
る。
【００７９】
ここで、ＴＦＤ３１のうち、第１のＴＦＤ３１ａは、データ線３２の側からみると順番
に、第２金属膜３３６／絶縁膜３２３／第１金属膜３２２となって、金属／絶縁体／金属
の構造を採るため、その電流−電圧特性は正負双方向にわたって非線形となる。一方、第
２のＴＦＤ３１ｂは、データ線３２の側からみると順番に、第１金属膜３２２／絶縁膜３
２３／第２金属膜３１６となって、第１のＴＦＤ３１ａとは逆向きの構造を採る。このた
め、第２のＴＦＤ３１ｂの電流−電圧特性は、第１のＴＦＤ３１ａの電流−電圧特性を、
原点を中心に点対称化したものとなる。その結果、ＴＦＤ３１は、２つのＴＦＤ素子を互
いに逆向きに直列接続した形態となるため、１つのＴＦＤ素子を用いる場合と比べると、
電流−電圧の非線形特性が正負双方向にわたって対称化されることになる。
【００８０】
画素電極５とＴＦＤ３１の電気的な接続は、反射表示領域Ｒに配置される島状電極部５
５ｃの隅の位置に設けられたコンタクトホール４７ａを介して当該島状電極部５５ｃにお
いて電気的な接続が図られている。但し、本発明では、ＴＦＤ３１と画素電極５５との電
気的な接続は上述した構成に限定されない。
【００８１】
図６に戻り、ＴＦＤアレイ基板９３において、第１及び第２の透過表示領域Ｔ１、Ｔ２
の各島状電極部５５ａ及び５５ｃに隣接する位置には、バックライト１９（図８を参照）
から出射された照明光を遮光するための遮光層４１（二点鎖線にて囲まれる領域）が設け
られている。遮光層４１は、直線状の形状を有し、走査線２７の延在方向に延在している
。なお、第２実施形態では、遮光層４１は、第１実施形態の例と異なり反射性を有する材
料により形成されているが、その形成材料に限定はない。第２実施形態では、遮光層４１
は、平面的に見て第１及び第２の透過表示領域Ｔ１、Ｔ２の各島状電極部５５ａ及び５５
ｃに接する位置に設けられている。言い換えれば、遮光層４１は、平面的に見て第１及び
第２の透過表示領域Ｔ１、Ｔ２の各々の島状電極部５５ａ及び５５ｃにおける複数の外辺
（端部）のうち、反射表示領域Ｒに対し逆側に位置する外辺（端部）５５ａａ及び５５ｃ
ａに接する位置に各々対応して設けられている。なお、画素電極５５と遮光層４１とは同
一のＴＦＤアレイ基板９３に形成されるので、そのプロセス上、その両者の相対的な位置
ずれは起き難い。但し、画素電極５５と遮光層４１との位置ずれが万が一生じた場合には
、画素電極５５と遮光層４１の間で若干の光漏れが生じ、これによりコントラストが若干
落ちる可能性がある。そのため、このような点を考慮した場合には、遮光層４１は、平面
的に見て第１及び第２の透過表示領域Ｔ１、Ｔ２の各々の島状電極部５５ａ及び５５ｃに
おける複数の外辺（端部）のうち、反射表示領域Ｒに対し逆側に位置する外辺（端部）５
５ａａ及び５５ｃａに対して部分的に重なるように設けられていても構わない。また、遮
光層４１は、平面的に見て、任意の画素領域Ｄと、当該画素領域Ｄに対して島状電極部５
５ａ、５５ｂ、５５ｃの各々の配列方向に相隣接する他の画素領域Ｄとの間に位置してい
る。
【００８２】
（液晶装置の画素領域に対応する断面構成）
次に、図８を参照して、第２実施形態に係る液晶装置の１つの画素領域Ｄに対応する断
面構成について説明する。図８は、図６の切断線Ｂ−Ｂ´に沿った１つの画素領域Ｄの断
面構成を示す断面図である。
【００８３】
第２実施形態に係る液晶装置２００は、観察側に配置されたＴＦＤアレイ基板９３と、
これに対向配置されたカラーフィルタ基板９４との間に初期配向状態が垂直配向を呈する
液晶からなる液晶層５０が挟持された構成を有する。
【００８４】
まず、ＴＦＤアレイ基板９３の構成は次の通りである。
【００８５】
ＴＦＤアレイ基板９３は、複数の構成要素を支持する役割を有する基板本体１０を備え
る。基板本体１０の内面上には、データ線３２（図６を参照）、ＴＦＤ３１（図６を参照
）、及び透明樹脂等からなる絶縁層４７などが形成されており、データ線３２及びＴＦＤ
３１は絶縁層４７により覆われている。
【００８６】
絶縁層４７の内面上であって、各画素領域Ｄ内には画素電極５５が形成されている。略
矩形状の島状電極部５５ａは、第１の透過表示領域Ｔ１に対応する位置に設けられている
と共に、略矩形状の島状電極部５５ｃは、第２の透過表示領域Ｔ２に対応する位置に設け
られ、さらに、略矩形状の島状電極部５５ｂは、反射表示領域Ｒに対応する位置に設けら
れている。また、第１の透過表示領域Ｔ１に配置された島状電極部５５ａと、反射表示領
域Ｒに配置された島状電極部５５ｂとの電気的な接続は、島状電極部５５ａと島状電極部
５５ｂの間に位置する絶縁層４７の内面上において接続部５５ｓを介して図られていると
共に、第２の透過表示領域Ｔ２に配置された島状電極部５５ｃと、反射表示領域Ｒに配置
された島状電極部５５ｂとの電気的な接続は、島状電極部５５ｃと島状電極部５５ｂの間
に位置する絶縁層４７の内面上において接続部５５ｓを介して図られている。
【００８７】
なお、島状電極部５５ｃの隅の位置には、図６に示すように、絶縁層４７の一部を貫く
コンタクトホール４７ａが形成されており、島状電極部５５ｂは、コンタクトホール４７
ａを介してＴＦＤ３１及びデータ線３２に夫々電気的に接続されている。また、画素電極
５５等の内面上には、垂直配向膜１２が形成されている。一方、基板本体１０の外面上に
は、位相差板１７、偏光板１８がこの順で配置されている。
【００８８】
次に、カラーフィルタ基板９４の構成は次の通りである。
【００８９】
カラーフィルタ基板９４は、複数の構成要素を支持する役割を有する基板本体２５を備
える。基板本体２５の内面上には、カラーフィルタとしての着色層１６（図８では緑（Ｇ
）の着色層１６Ｇ）、散乱層２４、遮光層４１などが設けられている。
【００９０】
散乱層２４は、透明樹脂材料により形成され、その表面には光を適度に散乱させるため
の微小な凹凸が形成されている。散乱層２４は、少なくとも反射表示領域Ｒに対応する位
置に設けられている。工程の簡略化を図るため、遮光層４１は、上記した反射膜２３と同
一の工程にて同一の材料により形成されていることが好ましい。
【００９１】
基板本体２５の内面上であって、反射表示領域Ｒに対して逆側に位置する第１及び第２
の透過表示領域Ｔ１、Ｔ２の島状電極部５５ａ、５５ｃの各外辺（端部）５５ａａ、５５
ｃａに隣接する位置には、それぞれ遮光層４０が設けられている。ここで、画素電極５５
とその両側に配置された複数の遮光層４１に着目すると、複数の遮光層４１のうち、第１
の透過表示領域Ｔ１の島状電極部５５ａ側に位置する、一方の遮光層４１の一端部は、島
状電極部５５ａの外辺（端部）５５ａａと同一面Ｓ１上に位置していると共に、第２の透
過表示領域Ｔ２の島状電極部５５ｃ側に位置する、他方の遮光層４１の一端部は、島状電
極部５５ｃの外辺（端部）５５ｃａと同一面Ｓ２上に位置している。
【００９２】
散乱層２４の内面上には、反射性を有する反射膜２３が設けられている。反射膜２３は
、散乱層２４の微小な凹凸を反映した形状を有し、反射膜２３にて反射された光は適度に
散乱される。着色層１６は、基板本体２５、並びに遮光層４１及び反射膜２３の各内面上
に設けられている。このため、反射表示領域Ｒに位置する着色層１６の厚さは、第１及び
第２の透過表示領域Ｔ１、Ｔ２に位置する着色層１６の厚さより小さく設定され、これに
より透過型表示と反射型表示とにおいて色差の少ないカラー表示画像が得られる。着色層
１６の内面上には透明樹脂材料よりなる絶縁層４６が形成されている。
【００９３】
着色層１６の内面上であって、少なくとも反射表示領域Ｒに対応する位置には、第１及
び第２の透過表示領域Ｔ１、Ｔ２の各々に対応する液晶層５０の各厚さｄｔと、反射表示
領域Ｒに対応する液晶層５０の厚さｄｒとを実質的に異ならせるための層厚調整層４６が
形成されている。第２実施形態では、この層厚調整層４６の存在によって、反射表示領域
Ｒの液晶層５０の厚さｄｒを第１及び第２の透過表示領域Ｔ１、Ｔ２の液晶層５０の各厚
さｄｔよりも小さくすることができる。よって、反射表示領域Ｒにおけるリタデーション
と、第１及び第２の透過表示領域Ｔ１、Ｔ２の各々におけるリタデーションを近づける、
若しくは略等しくすることができ、これによりコントラストの向上が図られている。
【００９４】
着色層１６及び層厚調整層４６の各内面上には、ＩＴＯなどからなる走査線（走査電極
）２７が形成されている。ここで、走査線２７には液晶層５０の液晶分子の配向を制御す
る配向制御手段が設けられている。配向制御手段は、走査線２７において、ＴＦＤアレイ
基板９３側に形成された島状電極部５５ａ、５５ｂ、５５ｃの略中央部に対応する位置に
設けられており、その具体的な構成としては、島状電極部５５ａ、５５ｂ、５５ｃの略中
央部に対応する走査線２７の領域を開口したスリット２７ａによるものである。なお、本
発明では、配向制御手段は、スリット２７ａに代えて、島状電極部５５ａ、５５ｂ、５５
ｃの略中央部に対応する領域に誘電体からなる突起を設けるものであっても構わない。走
査線２７等の内面上には、垂直配向膜１２が形成されている。一方、基板本体２５の外面
上には、位相差板１４、偏光板１５、バックライト１９がこの順で配置されている。
【００９５】
以上の構成を有する液晶装置２００において、ＴＦＤアレイ基板９３とカラーフィルタ
基板９４との間に電圧を印加すると、それらの両基板間の液晶層５０には電圧に応じた電
界が形成されるが、島状電極部５５ａ、５５ｂ、５５ｃの各々が略矩形状に形成されてお
り、かつ、それと対向するカラーフィルタ基板９４側の走査線２７には配向制御手段とし
てのスリット２７ａが形成されているため、液晶分子は島状電極部５５ａ、５５ｂ、５５
ｃの各々の略中央を中心として放射状に配向状態が制御される。これにより、第２実施形
態に係る液晶装置２００では、視野角依存性が抑制され、広視野角化が可能となっている
。
【００９６】
さて、第２実施形態の液晶装置２００において反射型表示がなされる場合、観察側から
液晶装置２００内に入射した外光は、図８に示す経路Ｌｒに沿って進行し、着色層１６等
が形成されている領域を通過して、その着色層１６の下方に位置する反射膜２３により反
射され、再び着色層１６等を通過して表示画面上に出射する。これにより、所定の色相及
び明るさを呈する表示画像が観察者により視認される。一方、かかる液晶装置２００にお
いて透過型表示がなされる場合、バックライト１９から出射した照明光は、図８に示す経
路Ｌｔに沿って進行し、画素電極５５及び着色層１６等を通過して観察者に至る。この場
合、その照明光は、着色層１６を透過することにより所定の色相及び明るさを呈する。こ
うして、所望のカラー表示画像が観察者により視認される。
【００９７】
次に、本発明の第２実施形態に係る液晶装置２００の特有の作用効果について説明する
。
【００９８】
まず、この液晶装置２００では、カラーフィルタ基板９４側において、第１及び第２の
透過表示領域Ｔ１、Ｔ２の各島状電極部５５ａ及び５５ｃに隣接する位置に対応する位置
には、バックライト１９から出射された照明光を遮光するための遮光層４１が設けられて
いる。具体的には、遮光層４１は、平面的に見て第１及び第２の透過表示領域Ｔ１、Ｔ２
の各島状電極部５５ａ及び５５ｃに接する位置に対応する位置に設けられている。これに
より、上述した第１実施形態と同様に、第１及び第２の透過表示領域Ｔ１、Ｔ２の島状電
極部５５ａ、５５ｃの周辺にて発生する光漏れを遮光層４１により隠すことができる。そ
の結果、コントラストが低下するのを防止できる。
【００９９】
また、この構成により、例えば、液晶を駆動するためのドライバＩＣなどに工夫を施し
て、液晶分子の初期配向状態における黒レベル表示時の電圧値を意図的に低く設定する必
要がなくなる。そのため、液晶層５０に対する、電圧無印加時と電圧印加時との電位差が
大きくなるのを抑制できる結果、液晶装置２００の消費電力が増加するのを抑制でき、さ
らに、ドライバＩＣに対して液晶層５０に対する電圧無印加時の電圧値を意図的に低くす
るような工夫を施す必要がなくなるので当該ドライバＩＣのコストが増加するのを抑制で
きる。
【０１００】
また、第２実施形態の液晶装置２００では、第１及び第２の透過表示領域Ｔ１、Ｔ２の
各々は、画素領域Ｄ内において、反射表示領域Ｒを挟む位置に設けられている。つまり、
第２実施形態では、画素領域Ｄは、透過表示領域、反射表示領域、透過表示領域をこの順
に配置した構成を有する。そして、遮光層４１は、平面的に見て第１及び第２の透過表示
領域Ｔ１、Ｔ２の各々の島状電極部５５ａ及び５５ｃにおける複数の外辺（端部）のうち
、反射表示領域Ｒに対し逆側に位置する外辺（端部）５５ａａ及び５５ｃａに接する位置
に各々対応して設けられている。このため、第１及び第２の透過表示領域Ｔ１、Ｔ２の各
々の島状電極部５５ａ及び５５ｃにおける複数の外辺（端部）のうち、反射表示領域Ｒに
対し逆側に位置する外辺（端部）５５ａａ及び５５ｃａの周辺にて発生する光漏れは当該
外辺５５ａａ及び５５ｃａに接する位置に各々対応して設けられた遮光層４１により隠さ
れ、さらに反射表示領域Ｒ側に位置する第１及び第２の透過表示領域Ｔ１、Ｔ２の島状電
極部５５ａ、５５ｃの周辺に生じる光漏れは反射膜２３により隠される。その結果、コン
トラストが低下するのを防止できる。また、かかる構成によれば、画素領域Ｄ内に遮光層
４１が設けられないので、第１及び第２の透過表示領域Ｔ１、Ｔ２の島状電極部５５ａ、
５５ｃの開口率が夫々低下するのを防止できる。その結果、透過表示を重視した液晶装置
２００の設計が容易となる。
【０１０１】
また、第２実施形態の液晶装置２００では、遮光層４１は、平面的に見て、任意の画素
領域Ｄと、当該画素領域Ｄに対して島状電極部５５ａ、５５ｂ、５５ｃの各々の配列方向
に相隣接する他の画素領域Ｄとの間に位置している。このため、第２実施形態に対してド
ット又はライン反転駆動方式を採用した場合でも、上述した原理に基づき、当該任意の画
素領域Ｄと当該他の画素領域Ｄの間において液晶分子の配向乱れにより生じる光漏れを当
該任意の画素領域Ｄと当該他の画素領域Ｄの間に位置する遮光層４１により隠すことがで
きる。また、第２実施形態では、透過表示の際にバックライト１９から、当該任意の画素
領域Ｄと当該他の画素領域Ｄの間に向けて出射された拡散光は、当該任意の画素領域Ｄと
当該他の画素領域Ｄの間に位置する遮光層４１により遮られる。このため、当該任意の画
素領域Ｄと当該他の画素領域Ｄの間において迷光（液晶層５０に対して斜めに入射する光
を含む）による光漏れが生じることを防止できる。
【０１０２】
好適な例では、遮光層４１は、反射膜２３と同一の金属材料により形成されていること
が好ましい。これにより、この液晶装置２００の製造過程において、遮光層４１と反射膜
２３を同一の工程で同一の金属材料により作製することができる。よって、遮光層４１と
反射膜２３とを別々の工程にて作製する場合と比較して、工程数の削減を図ることができ
る。
【０１０３】
［電子機器］
次に、本発明の第１、第２実施形態に係る液晶装置１００、２００を適用可能な電子機
器の具体例について図９を参照して説明する。
【０１０４】
まず、本発明の実施形態に係る液晶装置１００、２００を、可搬型のパーソナルコンピ
ュータ（いわゆるノート型パソコン）の表示部に適用した例について説明する。図９（ａ
）は、このパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。同図に示すように、パー
ソナルコンピュータ７１０は、キーボード７１１を備えた本体部７１２と、本発明に係る
液晶装置１００、２００をパネルとして適用した表示部７１３とを備えている。
【０１０５】
続いて、本発明の液晶装置１００、２００を、携帯電話機の表示部に適用した例につい
て説明する。図９（ｂ）は、この携帯電話機の構成を示す斜視図である。同図に示すよう
に、携帯電話機７２０は、複数の操作ボタン７２１のほか、受話口７２２、送話口７２３
とともに、本発明の液晶装置１００、２００を適用した表示部７２４を備える。
【０１０６】
なお、本発明の液晶装置１００、２００を適用可能な電子機器としては、図９（ａ）に
示したパーソナルコンピュータや図９（ｂ）に示した携帯電話機の他にも、液晶テレビ、
ビューファインダ型・モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、
ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯ
Ｓ端末、ディジタルスチルカメラなどが挙げられる。
【図面の簡単な説明】
【０１０７】
【図１】本発明の第１実施形態に係る液晶装置の電気的な等価回路図。
【図２】第１実施形態に係るＴＦＴアレイ基板の平面構成を示す平面図。
【図３】第１実施形態に係る液晶装置の１つの画素領域に対応する断面図。
【図４】一般的な液晶装置の画素電極間にて光漏れが発生する原理を説明する断面図。
【図５】本発明の第２実施形態に係る液晶装置の電気的な等価回路図。
【図６】第２実施形態に係るＴＦＤアレイ基板の平面構成を示す平面図。
【図７】画素電極とＴＦＤ素子との電気的な接続構造を示す要部平面図。
【図８】第２実施形態に係る液晶装置の１つの画素領域に対応する断面図。
【図９】本発明の液晶装置を適用した電子機器の例を示す。
【符号の説明】
【０１０８】
５ａ、５ｂ、５ｃ、５５ａ、５５ｂ、５５ｃ  島状電極部、  ５ｓ、５５ｓ  接続部、
５、５５  画素電極、  ３０  ＴＦＴ、  ３１  ＴＦＤ、  ４０、４１  遮光層、  ５
０  液晶層、  ９１  ＴＦＴアレイ基板、  ９３  ＴＦＤアレイ基板、  ９２、９４  カ
ラーフィルタ基板、  １００、２００  液晶装置、  Ｄ  画素領域、  Ｔ１  第１の透過
表示領域、  Ｔ２  第２の透過表示領域、  Ｒ  反射表示領域
【図１】
2008197508.tif 000003
【図２】
2008197508.tif 000004
【図３】
2008197508.tif 000005
【図４】
2008197508.tif 000006
【図５】
2008197508.tif 000007
【図６】
2008197508.tif 000008
【図７】
2008197508.tif 000009
【図８】
2008197508.tif 000010
【図９】
2008197508.tif 000011