(57)【要約】【課題】配線パターンを備えた配線基板の上に光ファイなどの光部品を精度よく搭載できる光部品搭載用基板を提供する。【解決手段】配線パターン１４ａ、１４ｂを備えた配線基板１０の上に、金属層又は樹脂層から形成されて、表面側に光ファイバ４０を配置するためのＶ溝３０ａを備えた光ファイバ搭載部３０が設けられている。光部品搭載用基板の上に光ファイバ４０、光導波路５０及び光半導体素子６０が搭載されて、光配線及び電気配線が混載された光モジュールが構成される。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線パターンを備えた配線基板と、
前記配線基板の上に設けられ、金属層又は樹脂層から形成されて、表面側に光ファイバを配置するための溝を備えた光ファイバ搭載部とを有することを特徴とする光部品搭載用基板。
【請求項２】
前記金属層は、銅層、又はニッケル層の上に金層が形成された積層金属膜からなることを特徴とする請求項１に記載の光部品搭載用基板。
【請求項３】
前記溝は、前記金属層又は前記樹脂層が金型によってプレス加工されて形成されたものであることを特徴とする請求項１に記載の光部品搭載用基板。
【請求項４】
前記溝は、Ｖ溝、半円状溝、又は矩形状溝であることを特徴とする請求項１に記載の光部品搭載用基板。
【請求項５】
前記配線パターンは前記配線基板の両面側にｎ層（ｎは１以上の整数）で形成されており、前記配線基板の両面側の前記配線パターンは、前記配線基板に設けられたスルーホール導電層によって相互接続されていることを特徴とする請求項１に記載の光部品搭載用基板。
【請求項６】
配線パターンを備えた配線基板と、
前記配線基板の上に設けられ、金属層又は樹脂層から形成されて、表面側に光ファイバを配置するための溝を備えた光ファイバ搭載部と、
前記光ファイバ搭載部の前記溝に配置された前記光ファイバと、
前記配線基板上の前記配線パターンに接続されて実装され、前記光ファイバに光結合された光半導体素子とを有することを特徴とする光モジュール。
【請求項７】
前記光ファイバと前記光半導体素子との光経路の間に設けられた光導波路をさらに有し、
前記光導波路の一端側が前記光ファイバに光結合され、他端側が前記光半導体素子に光結合されていることを特徴とする請求項６に記載の光モジュール。
【請求項８】
前記光ファイバは、はんだによって前記光ファイバ搭載部の前記溝に固定されていることを特徴とする請求項６又は７に記載の光モジュール。
【請求項９】
前記光導波路はコア部がクラッド層で囲まれた構造を有し、前記光導波路と前記光ファイバとが水平方向に並んで配置され、前記光導波路の前記コア部の一端と前記光ファイバの一端とが対向して光結合されていることを特徴とする請求項７に記載の光モジュール。
【請求項１０】
前記光導波路の前記光半導体素子側の一端には、光路を９０°変換する光路変換部が設けられており、前記光半導体素子は前記光変換部の上方に発光部又は受光部が配置されて実装されていることを特徴とする請求項７に記載の光モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は光部品搭載用基板及び光モジュールに係り、さらに詳しくは、配線基板の上に光ファイバなどの光部品を搭載して光電気混載基板を構成できる光部品搭載用基板及びそれを用いた光モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、光通信システムには高速化及び大容量化が求められており、それに伴って光ファイバや光導波路などが搭載された光通信用モジュールの小型化、高性能化及び低コスト化が要望されている。
【０００３】
近年では、光通信用モジュールの組み立てを容易にするために、精密加工が可能なシリコン基板などの上に光ファイバや光導波路などの光部品を搭載する技術が盛んに開発されている。特許文献１には、シリコン基板の中央部に光導波路が設けられ、光導波路を挟んでシリコン基板の両側に光ファイバを搭載するためのＶ溝が設けられた構造の高分子光導波路素子が記載されている。シリコン基板のＶ溝は、シリコン基板がダイシングソーや異方性エッチングによって加工されて形成される。
【０００４】
また、特許文献２には、ガラス基板の表面に、光ファイバを保持する溝と、光学素子を挿入するための溝と、光導波路とがプレス成形によって形成された構造の光学部品実装基板が記載されている。
【特許文献１】特開２００１−２８１４７９号公報
【特許文献２】特開平７−２１８７３９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、近年では、プリント配線板などの配線基板の上に光ファイバ、光導波路及び光半導体素子などを搭載することによって、光配線及び電気配線が基板内に混載された光モジュール（光電気混載基板）を構成する要求がある。
【０００６】
しかしながら、上記したように、従来技術では、配線パターンをもたない単体のシリコン基板などにＶ溝を形成して光ファイバを搭載する方法が主流であり、配線パターンを備えた配線基板の上に光ファイバを光導波路などに高効率で光結合させて搭載する技術に関しては何ら考慮されていない。
【０００７】
本発明は以上の課題を鑑みて創作されたものであり、配線パターンを備えた配線基板の上に光ファイバなどの光部品を精度よく容易に搭載できて光電気混載基板を構成できる光部品搭載用基板及びそれを基板に用いた光モジュールを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するため、本発明は光部品搭載用基板に係り、配線パターンを備えた配線基板と、前記配線基板の上に設けられ、金属層又は樹脂層から形成されて、表面側に光ファイバを配置するための溝を備えた光ファイバ搭載部とを有することを特徴とする。
【０００９】
本発明では、配線基板（プリント配線板など）の上に光ファイバを位置決めして配置するための溝を備えた金属層又は樹脂層から形成された光ファイバ搭載部が設けられている。光ファイバ搭載部を金属層又は樹脂層から構成することにより、配線基板の上に高精度に位置決めされて配置された溝を備えた光ファイバ搭載部を容易に形成することができる。
【００１０】
光ファイバ搭載部の溝は、金属層又は樹脂層が金型でプレス加工されて形成されるので、精度の高い溝が生産効率よく低コストで簡易に形成される。しかも、金型を変更することによって溝の数、形状（Ｖ溝など）、開口幅及び深さを容易に変更することができ、各種の光ファイバの仕様に容易に対応させることができる。
【００１１】
また、配線基板を銅張積層板から形成する場合は、シリコン基板を使用する場合に比べて衝撃や振動に強く破壊しにくいと共に、ハンドリングが容易になり、製造歩留りや生産効率の向上を図ることができる。
【００１２】
本発明の光部品搭載用基板では、配線基板上の光ファイバ搭載部の溝に光ファイバが搭載される。そして、光ファイバに光結合される光半導体素子が配線基板の配線パターンに接続されて実装されて、光配線及び電気配線が混載された光モジュールが構成される。
【００１３】
また、光ファイバと光半導体素子との光路の間に光導波路を設け、光導波路の一端が光ファイバに光結合され、他端が光半導体素子に光結合された態様としてもよい。
【００１４】
本発明の光モジュールでは、配線基板の上に位置精度の高い溝を備えた光ファイバ搭載部が設けられているので、配線基板上に光ファイバと光半導体素子又は光導波路とを高効率で光結合させて実装することができる。
【００１５】
このようにして、光配線及び電気配線が基板内に混載された信頼性の高い高性能な光モジュールを構成することができる。
【発明の効果】
【００１６】
以上説明したように、本発明では、配線基板の上に光ファイバを高精度で搭載できるので、光配線及び電気配線が混載された高性能な光モジュールを構成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の実施の形態について、添付の図面を参照して説明する。
【００１８】
（第１の実施の形態）
図１は本発明の第１実施形態の光部品搭載用基板を示す断面図、図２は同じく光部品搭載用基板を示す斜視図である。
【００１９】
図１に示すように、本実施形態の光部品搭載用基板１は、配線基板１０と配線基板１０上の一端側に設けられた光ファイバ搭載部３０とによって基本構成されている。配線基板１０では、ガラスエポキシ樹脂などからなる絶縁性のコア基板１２にそれを貫通するスルーホールＴＨが設けられており、スルーホールＴＨの内面にはスルーホール導電層１１が形成されている。スルーホールＴＨの孔には樹脂１３が充填されている。
【００２０】
また、コア基板１２の両面側には銅などからなる第１配線パターン１４ａがそれぞれ形成されており、コア基板１２の両面側の第１配線パターン１４ａはスルーホール導電層１１を介して相互接続されている。なお、スルーホール導電層１１がスルーホールＴＨ内に完全に埋め込まれて形成されていてもよい。
【００２１】
また、コア基板１２の両面側には、第１配線パターン１４ａを被覆する樹脂などからなる層間絶縁層１６がそれぞれ形成されている。コア基板１２の両面側の層間絶縁層１６には、第１配線パターン１４ａに到達する深さのビアホールＶＨがそれぞれ設けられている。また、コア基板１２の両面側の層間絶縁層１６の上には、ビアホールＶＨを介して第１配線パターン１４ａに電気的に接続される第２配線パターン１４ｂがそれぞれ形成されている。
【００２２】
さらに、コア基板１２の両面側には、第２配線パターン１４ｂの所要部上に開口部１８ｘが設けられたソルダレジスト１８がそれぞれ形成されている。コア基板１２の下面側では、ソルダレジスト１８の開口部１８ｘ内の第２配線パターン１４ｂの部分にニッケル（Ｎｉ）めっき層２２と金（Ａｕ）めっき層２４とが形成されて接続部Ｃ１が設けられており、その接続部Ｃにはんだボールなどからなる外部接続端子２０が設けられている。
【００２３】
また、コア基板１２の上面側では、ソルダレジスト１８の開口部１８ｘ内の第２配線パターン１４ｂの部分にＮｉ／Ａｕめっきが施されて、光半導体素子が接続される接続部Ｃ２が設けられている。
【００２４】
本実施形態に係る配線基板１０は、銅張積層板が加工されてその両面側にビルドアップ配線が形成されて得られる。図１ではコア基板１２の両面側に２層のビルドアップ配線（第１、第２配線パターン１４ａ，１４ｂ）が形成された形態が例示されているが、ｎ層（ｎは１以上の整数）の配線パターンを形成してもよい。
【００２５】
なお、配線基板１０のコア基板１２としては、樹脂製の絶縁基板の他に、セラミック基板、シリコン基板、銅などの金属基板を使用してもよい。コア基板１２としてシリコン基板や金属基板を使用する場合は、その上面、下面及びスルーホールの内面に絶縁層が設けられる。
【００２６】
また、図２を加えて説明すると、配線基板１０の一端側に設けられた光ファイバ搭載部３０は金属層からなり、その表面側には光ファイバが搭載される複数のＶ溝３０ａが設けられている。光ファイバ搭載部３０を構成する金属層としては、好適には、銅層、又はＮｉ層を主要部としその上にＡｕ層が被覆された積層金属膜が使用される。
【００２７】
光ファイバ搭載部３０が銅層からなる場合は、光ファイバ搭載部３０を構成する銅層がセミアディティブ法などにより第２配線パターン１４ｂと同一プロセスによって形成される。図１の例では、第２配線パターン１４ｂの厚みは２０〜３０μｍであり、光ファイバ搭載部３０は光ファイバを搭載するために好適な厚み（１００μｍ程度）に設定されており、第２配線パターン１４ｂより厚くなっている。
【００２８】
図１の例の場合、まず、第２配線パターン１４ｂ及び光ファイバ搭載部３０を構成する銅層がセミアディティブ法などにより同時に形成される。その後に、光ファイバ搭載部３０を露出させるレジストがパターニングされ、電解めっきなどによって所要の厚みになるように光ファイバ搭載部３０の厚みが調整される。あるいは、第２配線パターン１４ｂを形成した後に、光ファイバ搭載部３０を形成する領域に銅箔を貼着してもよい。
【００２９】
第２配線パターン１４ｂ及び光ファイバ搭載部３０の厚みは、配線基板１０の電気設計や光ファイバの仕様によって適宜調整され、それぞれ最適の厚みに設定することができる。
【００３０】
光ファイバ搭載部３０のＶ溝３０ａは、図３（ａ）及び（ｂ）に示すように、金属層３０ｘがＶ状の突出部２５ａを備えた金型２５によってプレス加工されて形成される。配線基板１０上に形成された銅層又は銅箔を金型でプレス加工してＶ溝３０ａを形成してもよいし、銅箔に予め金型でＶ溝を形成し、その銅箔を配線基板１０の層間絶縁層１６の上に貼着して光ファイバ搭載部３０を形成してもよい。
【００３１】
光ファイバ搭載部３０の厚み及びＶ溝３０ａの開口幅や深さは光ファイバの径によって適宜調整される。図３（ｂ）に示すように、例えば、光ファイバの直径が１２５μｍ程度の場合は、光ファイバ搭載部３０の厚みｔは１００μｍ程度であり、Ｖ溝３０ａの開口幅ｗが１２５μｍ程度、その深さｄが６０μｍ程度である。
【００３２】
また、光ファイバ搭載部３０を構成する金属層として、Ｎｉ層／Ａｕ層からなる積層金属膜を使用する場合は、配線基板１０の第２配線パターン１４ｂが形成された後に、別プロセスで積層金属膜（Ｎｉ層／Ａｕ層）からなる光ファイバ搭載部３０が無電解めっきなどによって形成される。その後に、積層金属膜（Ｎｉ層／Ａｕ層）が金型によってプレス加工されてＶ溝が形成される。
【００３３】
なお、光ファイバ搭載部３０を構成する金属層として、銅層、及びＮｉ層／Ａｕ層を例示したが、金型によってＶ溝を形成できる金属（アルミニウムなど）であれば光ファイバ搭載部３０の材料として使用可能である。
【００３４】
本実施形態では金型によって光ファイバ搭載部３０のＶ溝３０ａを形成するので、金型を変更することにより、Ｖ溝３０ａの他に半円状型又は矩形状型などの各種の形状の溝を容易に形成することができる。従来技術のようにシリコン基板に光ファイバ搭載部を形成する場合は、Ｖ溝以外の形状の溝を形成することは形状制御が困難であり容易ではない。
【００３５】
このようにして、配線基板１０上の一端側に光ファイバ搭載部３０が設けられており、配線基板１０上の光ファイバ搭載部３０に隣接する中央部には光導波路が配置される光導波路形成領域Ａ（図１及び図２）が画定されている。
【００３６】
以上のように、本実施形態の光部品搭載用基板１では、光ファイバ搭載部３０がＶ溝３０ａを備えた金属層から構成されるようにしたので、配線パターン１４ａ、１４ｂを備えた配線基板１０上に光ファイバ搭載部３０を容易に形成することができる。また、金属層３０ｘを金型でプレス加工してＶ溝３０ａを形成するので、シリコン基板にＶ溝を形成する場合よりも高い生産効率でかつ低コストでＶ溝３０ａを形成することができる。しかも、金型を変更することによってＶ溝３０ａの数、形状、開口幅及び深さを容易に調整することができるので、各種の光ファイバの仕様に容易に対応させることができる。
【００３７】
さらには、本実施形態の配線基板１０は好適には銅張積層板から形成されるので、シリコン基板を使用する場合に比べて衝撃や振動に強く破壊しにくいと共に、ハンドリングが容易になり、製造歩留りや生産効率の向上を図ることができる。
【００３８】
次に、本実施形態の光部品搭載用基板１に光部品が搭載されて構成される光モジュールについて説明する。図４は本発明の第１実施形態の光モジュールを示す断面図、図５は本発明の第１実施形態の光部品搭載用基板に光ファイバ及び光導波路が搭載された様子を示す斜視図である。
【００３９】
図４及び図５に示すように、本実施形態の光モジュール２では、前述した光部品搭載用基板１の光ファイバ搭載部３０の複数のＶ溝３０ａに光ファイバ４０がそれぞれ搭載されている。光ファイバ４０の取り付け方法としては、光ファイバ４０の表面にＮｉ／Ａｕめっきを施しておき、光ファイバ４０を光ファイバ搭載部３０のＶ溝３０ａにはんだによってろう付けして固定する。このような方法を採用することにより、既存の実装ラインの設備を使用できるので生産性がよくコスト的にも有利になる。なお、接着剤を使用して光ファイバ４０を光ファイバ搭載部３０のＶ溝３０ａに固定してもよい。
【００４０】
さらに、配線基板１０の中央部の光導波路形成領域Ａに光ファイバ４０に光結合された光導波路５０が設けられている。ここで、光導波路５０の構造を説明すると、図６に示すように、第１クラッド層５０ａの上に複数のコア部５０ｂがパターン化されて形成されており、コア部５０ｂの屈折率は第１クラッド層５０ａの屈折率より高く設定されている。コア部５０ｂは、第１クラッド層５０ａの上に形成されたコア層がフォトリソグラフィ及びＲＩＥによってパターニングされて形成される。
【００４１】
また、コア部５０ｂは第１クラッド層５０ａと同一材料よりなる第２クラッド層５０ｃで被覆されている。第１、第２クラッド層５０ａ，５０ｃ及びコア部５０ｂの材料としては、石英系ガラス、フッ素系ポリイミド又はＵＶ硬化型エポキシ樹脂などが好適に使用される。その形成方法としては、ＣＶＤ法や塗布法が採用される。
【００４２】
このようにして、光導波路５０は、コア部５０ｂが第１、第２クラッド部５０ａ、５０ｃによって囲まれて構成される。光導波路５０の配線基板１０への形成方法としては、個片化された光導波路５０を配線基板１０の光導波路形成領域Ａに接着剤などで固定する方法がある。あるいは、配線基板１０上において、上記した構造の光導波路５０を作り込んでもよい。
【００４３】
そして、光ファイバ４０は光ファイバ搭載部３０のＶ溝３０ａによって自己整合的に位置合わせされて、光ファイバ４０の一端が光導波路５０の一端側のコア部５０ｂに光結合されている。光導波路５０の光ファイバ４０側の一端側が光ファイバ４０に光を出射したり光ファイバ４０からの光が入射する光入出射部５２となっている。
【００４４】
一般的に、光ファイバ４０と光導波路５０のコア部５０ｂとの位置ずれ許容値は±５μｍ程度であり、光ファイバ搭載部３０のＶ溝３０ａを形成する際に高い加工精度が要求される。本実施形態では、金属層３０ｘを金型でプレス加工することにより光ファイバ搭載部３０のＶ溝３０ａを形成するので、上記した位置ずれ許容値のスペックを十分に満足させることができる。
【００４５】
このように、光導波路５０と光ファイバ４０とが水平方向に並んで配置され、光導波路５０の光入出射部５２と光ファイバ４０の一端とが対向して光結合されている。
【００４６】
また、光導波路５０の他端側には、４５°の斜面に加工されて金属（金など）がコーティングされて形成される光路変換部５１が設けられている。これにより、光ファイバ４０から入射して光導波路５０を伝播する光は、光路変換部５１でその光路が９０°変換されて上側に出射されるようになっている。逆に、上側から光導波路５０の光路変換部５１に入射する光も同様に９０°変換されて、光導波路５０のコア部５０ｂに効率よく光伝播されるようになっている。
【００４７】
また、図４に示すように、配線基板１０の上面側の第２配線パターン１４ｂの接続部Ｃ２には、光半導体素子６０のバンプ６０ａが接続されて実装されている。光半導体素子６０は発光素子（レーザダイオード（ＬＤ））であってもよいし、受光素子（フォトダイオード（ＰＤ））であってもよい。光半導体素子６０では、その下面側に発光部（又は受光部）６０ｘが設けられており、発光部（又は受光部）６０ｘが光導波路５０の光路変換部５１に対応する上方に配置されて光結合される。
【００４８】
このように、本実施形態の光モジュール２は、前述した光部品搭載用基板１の上に光ファイバ４０、光導波路５０及び光半導体素子６０が相互に光結合されて実装されて構成される。
【００４９】
光半導体素子６０が受光素子である場合は、光ファイバ４０からの光が光導波路５０の光入出射部５２からコア部５０ｂに入射し、コア部５０ｂ内で全反射を繰り返して伝播し、光路変換部５１によって９０°変換されて光半導体素子６０の受光部６０ｘに入射する。光半導体素子６０は光信号を電気信号に変換し、第２配線パターン１４ｂなどを介して電気信号が配線基板１０に実装されたＬＳＩチップ（不図示）などに供給される。
【００５０】
また、光半導体素子６０が発光素子である場合は、配線基板１０に実装されたＬＳＩチップ（不図示）などから出力される電気信号が第２配線パターン１４ｂなどを介して光半導体素子６０（発光素子）に供給される。さらに、光半導体素子６０はその電気信号を光信号に変換し、発光部６０ｘから出射する光が光導波路５０の光路変換部５１に入射して光路が９０°変換される。光導波路５０のコア部５０ｂに入射した光は、コア部５０ｂ内で全反射を繰り返して伝播し、光入出射部５２から光ファイバ４０に入射する。
【００５１】
このようにして、本実施形態の光モジュール２では、光ファイバ４０に光結合される光導波路５０の機能によって、光の分岐・合流、光変調又は光増幅などを行うことができる。
【００５２】
以上のように、本実施形態の光モジュール２では、配線基板１０の上に位置精度の高いＶ溝３０ａを備えた光ファイバ搭載部３０が設けられているので、配線基板１０上に光ファイバ４０と光導波路５０とを高効率で光結合させて搭載することができる。
【００５３】
また、光導波路５０に光結合される光半導体素子６０を配線基板１０の第２配線パターン１４ｂに接続して実装することが可能になる。このようにして、光配線及び電気配線が混載された信頼性の高い高性能な光モジュール２を構成することができる。
【００５４】
（第２の実施の形態）
図７は本発明の第２実施形態の光部品搭載用基板を示す断面図である。図７に示すように、第２実施形態の光部品搭載用基板１ａでは、光ファイバ搭載部３１は樹脂層からなり、樹脂層の表面側に複数のＶ溝３１ａが設けられている。第２実施形態の光ファイバ搭載部３１の形成方法は、Ｂステージ（半硬化状態）の樹脂層が第１実施形態と同様な金型２５によってプレス加工されて複数のＶ溝３１ａが形成される。その後に、Ｖ溝３１ａが設けられた樹脂層を熱処理して硬化させることにより、樹脂層からなる光ファイバ搭載部３１を得る。
【００５５】
樹脂層からなる光ファイバ搭載部３１を配線基板１０上に形成する方法としては、配線基板１０に所要の大きさの樹脂フィルムを貼着した後に、金型でプレス加工してＶ溝３１ａを形成してもよいし、Ｖ溝３１ａが形成された樹脂フィルムを配線基板１０に貼着してもよい。
【００５６】
また、金型によるプレス加工によってＶ溝を形成できる材料であれば、樹脂フィルム以外の絶縁層を使用することも可能である。
【００５７】
その他の要素は第１実施形態の同一であるので、同一符号を付してその説明を省略する。
【００５８】
第２実施形態の光部品搭載基板１ａにおいても、第１実施形態と同様に、光ファイバ、光導波路及び光半導体素子が搭載されて光モジュールが構成される。第２実施形態では、光ファイバ搭載部３１が樹脂層から形成されるので、光ファイバは接着剤によってＶ溝３１ａに固定される。
【００５９】
（第３の実施の形態）
図８は本発明の第３実施形態の光モジュールを示す断面図である。第３実施形態の特徴は、光導波路が省略されて光半導体素子が光ファイバに直接光結合されることである。第３実施形態では、第１実施形態と同一要素には同一符号を付してその説明を省略する。
【００６０】
図８に示すように、第３実施形態の光モジュール２ａでは、第１実施形態と同様に、配線基板１０上の一端側に光ファイバ搭載部３０が設けられており、光ファイバ搭載部３０のＶ溝３０ａに光ファイバ４０が固定されている。
【００６１】
第３実施形態では、第１実施形態の光導波路５０が省略されており、光半導体素子６１が配線基板１０上における光ファイバ４０の近傍の第２配線パターン１４ｂの接続部Ｃ２に接続されて実装されている。光半導体素子６１は発光素子（レーザダイオード（ＬＤ））であってもよいし、受光素子（フォトダイオード（ＰＤ））であってもよい。
【００６２】
第３実施形態に係る光半導体素子６１では、その側面に発光部（又は受光部）６１ｘが設けられており、発光部（又は受光部）６１ｘが光ファイバ４０の一端側に対向して配置されて光ファイバ４０と光結合されている。
【００６３】
光半導体素子６１が受光素子である場合は、光ファイバ４０からの光が光半導体素子６１（受光素子）の受光面６１ｘに入射する。光半導体素子６１（受光素子）は光信号を電気信号に変換し、第２配線パターン１４ｂなどを介して電気信号が配線基板１０に実装されたＬＳＩチップ（不図示）などに供給される。
【００６４】
また、光半導体素子６１が発光素子である場合は、配線基板１０に実装されたＬＳＩチップ（不図示）などからの電気信号が第２配線パターン１４ｂなどを介して光半導体素子６１（発光素子）に供給される。光半導体素子６１（発光素子）はその電気信号を光信号に変換し、その発光部６１ｘから出射する光が光ファイバ４０に入射する。
【００６５】
第３実施形態の光モジュール２ａは、第１実施形態と同様に、配線基板１０上に位置精度の高いＶ溝３０ａを備えた金属層や樹脂層からなる光ファイバ搭載部３０が設けられている。これにより、光ファイバ搭載部３０のＶ溝３０ａに配置される光ファイバ４０は光半導体素子６１の発光部（又は受光部）６１ｘに精度よく位置合わせされて、光半導体素子６１に高効率で光結合される。このようにして、光配線及び電気配線が基板内に混載された高性能な光モジュールを容易に構成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】図１は本発明の第１実施形態の光部品搭載用基板を示す断面図である。
【図２】図２は本発明の第１実施形態の光部品搭載用基板を示す斜視図である。
【図３】図３（ａ）及び（ｂ）は本発明の第１実施形態の光部品搭載用基板における光ファイバ搭載部の溝が形成される様子を示す断面図である。
【図４】図４は本発明の第１実施形態の光モジュールを示す断面図である。
【図５】図５は本発明の第１実施形態の光部品搭載基板に光モジュール及び光導波路が搭載された様子を示す斜視図である。
【図６】図６は本発明の第１実施形態の光モジュールに搭載された光導波路の構造を示す断面図である。
【図７】図７は本発明の第２実施形態の光部品搭載用基板を示す断面図である。
【図８】図８は本発明の第３実施形態の光モジュールを示す断面図である。
【符号の説明】
【００６７】
１，１ａ…光ファイバ搭載用基板、２，２ａ…光モジュール、１０…配線基板、１１…スルーホール導電層、１２…コア基板、１３…樹脂、１４ａ…第１配線パターン、１４ｂ…第２配線パターン、１６…層間絶縁層、１８…ソルダレジスト、１８ａ…開口部、２０…外部接続端子、２２…Ｎｉ層、２４…金層、３０，３１…光ファイバ搭載部、３０ａ，３１ａ…Ｖ溝、４０…光ファイバ、５０…光導波路、５０ａ，５０ｃ…クラッド層、５０ｂ…コア部、５１…光路変換部、５２…光入出射部、６０，６１…光半導体素子、６０ａ…バンプ、６０ｘ，６１ｘ…発光部（又は受光部）、Ａ…光導波路形成領域、Ｃ１，Ｃ２…接続部、ＴＨ…スルーホール、ＶＨ…ビアホール。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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