(57)【要約】【課題】  垂直配向型液晶を用いたＶＡモードにおいて、コントラストと電圧に対する応答速度とをバランス良く向上させることのできる液晶表示装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】  ＴＦＴ基板２０およびＣＦ基板３０の間に、重合性を有するモノマー４０Ｃを含む液晶層４０が封止され、液晶層４０は、各画素内に、液晶分子４０Ａにプレチルト角が付与された第１領域１０Ａと、液晶分子４０Ａが基板に対して垂直に配向してなる第２領域１０Ｂとを有している。駆動電圧が低いとき（低階調時）には、第１領域１０Ａにおいてのみ液晶分子４０Ａが応答し、駆動電圧が高いとき（高階調時）には、液晶層全体の領域において液晶分子４０Ａが応答する。コントラストと電圧に対する応答速度とを、バランス良く向上させることができる。【選択図】  図１
2008129193.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向配置された一対の基板と、
前記一対の基板間に設けられ、負の誘電率異方性を有する液晶分子を含むと共に、各画素内に前記液晶分子のプレチルト角がそれぞれ異なる少なくとも２つの領域を有する液晶層とを備えた
ことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記液晶層の少なくとも一つの領域で、前記液晶分子のプレチルト角が０（°）である
ことを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項３】
対向配置される一対の基板間に、重合性を有する高分子材料を含む垂直配向液晶からなる液晶層を封止する工程と、
前記液晶層を封止した一対の基板間に一の電圧を印加した状態で、各画素内の一の領域における高分子材料を重合させる工程と、
前記液晶層を封止した一対の基板間に前記一の電圧とは異なる他の電圧を印加した状態で、各画素内の他の領域における高分子材料を重合させる工程とを含む
ことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項４】
前記一の電圧もしくは他の電圧のどちらか一方が０（Ｖ）である
ことを特徴とする請求項３記載の液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、垂直配向型の液晶を備えた液晶表示装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、液晶を用いた表示素子を駆動することによって映像表示を行う液晶表示装置が広く活用されている。このような液晶表示装置では、ガラス等の基板間に封止した液晶層において、液晶分子の配列を変化させることにより光源からの光を透過、変調させて表示を行っている。このとき、液晶層を構成する液晶材料によって、様々な表示モードがあるが、広視野角を実現できる垂直配向型液晶を用いたＶＡ（Vertical Alignment）モードに対する関心が高まっている。
【０００３】
図１０に、一般的なＶＡモードの液晶表示装置の断面構成を示す。このＶＡモードでは、電圧を印加していない状態で、駆動基板２００と対向基板３００との間に封止された液晶層４００内の液晶分子４００Ａが基板面に対して垂直に配向する。基板２００と基板３００との各対向面には、互いに対向しないスリットが設けられた電極２０１，３０１が配置されている。この状態の液晶層４００に電圧が印加されると、液晶層４００に対して斜めに電界がかかり、基板に対して平行な方向に倒れるように応答して、光を透過させる構成となっている。これは、ＶＡモードの液晶分子が負の誘電率異方性、すなわち分子の長軸方向の誘電率が短軸方向に比べて小さい性質を有しているためである。
【特許文献１】特開２００２−３５７８３０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、基板に対して垂直に配向した液晶分子が、電圧に応答して倒れる方向は一様ではない。このため、電圧印加時に液晶分子の傾倒方向が定まらず、電圧に対する応答速度が遅くなるという問題がある。
【０００５】
そこで、特許文献１には、上記のようなＶＡモードにおいて、図１１に示したように、ポリマー４００Ｂによって、液晶分子４００Ａを基板法線から僅かに傾斜させて保持する（プレチルト）技術が開示されている。このようなプレチルトは、光重合性を有するモノマーを添加して組成した液晶層４００を基板間に封止したのち、電圧を印加して液晶分子４００Ａを傾けた状態で露光してモノマーを重合させることにより形成される。プレチルトにより、電圧を印加していない状態で、液晶分子の倒れる方向を予め定めておくことができるため、電圧に対する応答速度を向上させることができる。
【０００６】
ところが、上記特許文献１の構成では、駆動していない（黒表示）状態においても液晶分子が基板法線に対して僅かに傾いて配向しているので、電圧に対する応答速度が改善される一方で、黒表示の際に僅かに光を透過してしまい、コントラストが低下するという問題がある。従って、コントラストと電圧に対する応答速度とをバランス良く向上させることのできる液晶表示装置およびその製造方法の実現が望まれている。
【０００７】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、コントラストと電圧に対する応答速度とをバランス良く向上させることのできる液晶表示装置およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明による液晶表示装置は、対向配置された一対の基板と、一対の基板間に設けられ、負の誘電率異方性を有する液晶分子を含むと共に、各画素内に液晶分子のプレチルト角がそれぞれ異なる少なくとも２つの領域を有する液晶層とを備えたものである。但し、プレチルト角とは、基板法線方向を０（°）として、液晶分子の長軸方向が基板法線に対して傾斜した角度の大きさをいうものとする。
【０００９】
本発明による液晶表示装置の製造方法は、対向配置される一対の基板間に、重合性を有する高分子材料を含む垂直配向液晶よりなる液晶層を封止する工程と、液晶層を封止した一対の基板間に一の電圧を印加した状態で、各画素内の一の領域における高分子材料を重合させる工程と、液晶層を封止した一対の基板間に一の電圧とは異なる電圧を印加した状態で、各画素内の他の領域における高分子材料を重合させる工程とを含むものである。
【００１０】
本発明による液晶表示装置では、一対の基板間に設けられた液晶層が、各画素内において、液晶分子のプレチルト角がそれぞれ異なる少なくとも２つの領域を有していることにより、駆動電圧が低い場合には、プレチルト角が相対的に大きな液晶分子が応答して光を透過させる。一方、駆動電圧が高い場合には、プレチルト角が相対的に小さな液晶分子を含め液晶層全体の液晶分子が応答して光を透過させる。これにより、低電圧駆動時において、プレチルトを全く設けていない液晶表示装置に比べて応答速度が大幅に向上する。一方、液晶層が相対的にプレチルト角の小さい領域を有することにより、液晶層の全面にプレチルトを設けた液晶表示装置に比べて黒表示の際の輝度の上昇が抑制される。
【００１１】
本発明による液晶表示装置の製造方法では、重合性を有する高分子材料を添加して組成した液晶層を基板間に封止したのち、各画素内において、一の電圧を印加した状態で液晶層の一の領域について高分子材料を重合させ、さらに、一の電圧とは異なる電圧を印加した状態で、液晶層の他の領域について高分子材料を重合させることにより、液晶層の領域によって、液晶分子のプレチルト角に大小が付与される。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の液晶表示装置によれば、対向配置された一対の基板と、一対の基板間に設けられ、負の誘電率異方性を有する液晶分子を含むと共に、各画素内に液晶分子のプレチルト角がそれぞれ異なる少なくとも２つの領域を有する液晶層とを備えるようにしたので、駆動電圧が低いときの電圧に対する応答速度が大幅に向上する共に、液晶層が相対的に液晶分子のプレチルト角が小さい領域を有していることにより、黒表示の際の輝度の上昇が抑制される。これにより、コントラストと電圧に対する応答速度とを、バランス良く向上させることができる。
【００１３】
本発明の液晶表示装置の製造方法によれば、対向配置される一対の基板間に、重合性を有する高分子材料を含む垂直配向液晶よりなる液晶層を封止する工程と、液晶層を封止した一対の基板間に一の電圧を印加した状態で、各画素内の一の領域における高分子材料を重合させる工程と、液晶層を封止した一対の基板間に一の電圧とは異なる電圧を印加した状態で、各画素内の他の領域における高分子材料を重合させる工程とを含むようにしたので、コントラストと電圧に対する応答速度とを、バランス良く向上させることのできる液晶表示装置を作製することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
【００１５】
図１は、本発明の一実施の形態に係る液晶表示装置の断面模式図である。この液晶表示装置は、ＴＦＴ（Thin Film Transistor；薄膜トランジスタ）基板２０とＣＦ（Color Filter；カラーフィルタ）基板３０との間に、配向膜２２，３２を介して液晶層４０が設けられたものである。特に、液晶層４０は、各画素内に、互いにプレチルト角の異なる第１領域１０Ａと第２領域１０Ｂとを有するものである。なお、プレチルト角とは、図７に示したように、基板面に垂直な方向をＺとした場合、Ｚ方向に対する液晶分子４０Ａの長軸方向Ｄの傾斜角度θのことをいうものとする。また、この液晶表示装置は、基板間に複数の画素が形成されたものであるが、図２〜図６では、簡便化のため、領域Ｉ（一画素分）についてのみ示すものとし、図１〜図６では、ＴＦＴ基板２０およびＣＦ基板３０の具体的な構成については省略する。
【００１６】
ＴＦＴ基板２０は、ガラス基板２０Ａの上に、例えば、マトリクス状に複数の画素電極２０Ｂが配置されたものである。さらに、複数の画素電極２０Ｂを、それぞれ駆動するゲート・ソース・ドレイン等を備えたＴＦＴスイッチング素子や、これらＴＦＴスイッチング素子に接続されるゲート線およびソース線等（図示せず）が設けられて構成されている。画素電極２０Ｂは、ガラス基板２０Ａ上で画素分離部５０によって電気的に分離された画素ごとに設けられ、例えばＩＴＯ（インジウム錫酸化物）等の透明性を有する電極により構成されている。画素電極２０Ｂには、各画素内で、例えば、ストライプ状やＶ字状のパターンを有するスリット部２１（電極の形成されない部分）が設けられている。
【００１７】
ＣＦ基板３０は、ガラス基板３０Ａ上に、例えば、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のフィルタがストライプ状に設けられたカラーフィルタ（図示せず）と、有効表示領域のほぼ全面に亘って対向電極３０Ｂとが配置されたものである。対向電極３０Ｂは、例えばＩＴＯ（インジウム錫酸化物）等の透明性を有する電極により構成されている。なお、各画素内で、上記画素電極２０Ｂと同様のパターンで、スリット部３１が設けられている。この場合、画素電極２０Ｂおよび対向電極３０Ｂのスリット部２１，３１は、基板間で対向しないように配置される。これにより、駆動電圧が印加されると、液晶分子の長軸に対して斜めに電界がかかることで、電圧に対する応答速度が向上すると共に、画素内に配向方向の異なる領域が形成（配向分割）されるため、視野角特性が向上する。
【００１８】
液晶層４０は、垂直配向型液晶より構成され、例えば、負の誘電率異方性を有する液晶分子４０Ａと、この液晶分子４０Ａを配向膜２２，３２との界面近傍で保持するポリマー４０Ｂとを含んでいる。液晶分子４０Ａは、その長軸方向の誘電率が短軸方向よりも大きいという性質を有している。この性質により、駆動電圧がオフのときは、液晶分子４０Ａの長軸が基板に対して垂直になるように配列し、駆動電圧がオンになると、液晶分子４０Ａの長軸が基板に対して平行になるように傾いて配向する。ポリマー４０Ｂは、重合した高分子材料、例えば、エトキシ化ビフェノールジアクリレート（具体的には、新中村化学製ＮＫエステルＡ−ＢＰ−２Ｅ（商品名））等により構成されている。
【００１９】
第１領域１０Ａでは、液晶分子４０Ａが、ポリマー４０Ｂによりプレチルト状態に保持されている。この液晶分子４０Ａは、第２領域１０Ｂの液晶分子４０Ａよりも大きなプレチルト角を有している。第１領域１０Ａにおける液晶分子４０Ａのプレチルト角は、１１〜１２（°）であることが好ましい。これにより、低階調時の電圧に対する応答速度をより効果的に向上させることができる。
【００２０】
第２領域１０Ｂの液晶分子４０Ａは、そのプレチルト角が０（°）である。すなわち、液晶分子４０Ａの長軸方向が基板面に対して垂直に配向した状態となっている。あるいは、図４に示したように、第１領域１０Ａにおける液晶分子４０Ａのプレチルト角よりも小さいプレチルト角を有していてもよい。
【００２１】
配向膜２２，３２は、例えば、ポリイミド等の有機材料により構成されており、液晶分子４０Ａを基板面に対して垂直方向に配向させる垂直配向膜である。配向膜２２，３２には、さらに、ラビング等の配向方向を規制する処理が施されていてもよい。
【００２２】
次に、このような構成の液晶表示装置の製造方法について説明する。
【００２３】
まず、図２に示したように、ＴＦＴ基板２０とＣＦ基板３０との間に、配向膜２２，３２を介して液晶層４０を封止する。
【００２４】
具体的には、ガラス基板２０Ａ上およびガラス基板３０Ａ上に、それぞれ所定のスリット部２１，３１を有する画素電極２０Ｂおよび対向電極３０Ｂを設けることにより、ＴＦＴ基板２０およびＣＦ基板３０を形成したのち、画素電極２０Ｂおよび対向電極３０Ｂのそれぞれの表面に、垂直配向剤の塗布や、垂直配向膜を基板上に印刷し焼成することにより、配向膜２２，３２を形成する。一方、液晶層４０を、液晶分子４０Ａにモノマー４０Ｃを添加して組成することにより形成する。さらに、液晶層４０には、光重合開始剤等を添加するようにしてもよい。モノマー４０Ｃは、重合性、例えば、紫外光等の照射（光重合）、加熱（熱重合）等により重合してポリマー４０Ｂとなる性質を有している。
【００２５】
次いで、ＴＦＴ基板２０あるいはＣＦ基板３０のどちらか一方の、配向膜２２，３２の形成されている面に対して、セルギャップを確保するためのスペーサ突起物、例えばプラスチックビーズ等を散布すると共に、例えばスクリーン印刷法によりエポキシ接着剤等を用いて、シール部を印刷する。こののち、ＴＦＴ基板２０とＣＦ基板３０とを、配向膜２２，３２を対向させるように、スペーサ突起物およびシール部を介して貼り合わせ、組成した液晶層４０を注入する。その後、シール部の硬化を行うことにより液晶層４０をＴＦＴ基板２０とＣＦ基板３０との間に封止する。
【００２６】
次に、図３（Ａ）に示したように、画素電極２０Ｂと対向電極３０Ｂとの間に、電圧印加手段１を用いて、電圧Ｖを印加する。電圧Ｖは、例えば５〜３０（Ｖ）の大きさで印加するようにする。これにより、液晶分子４０Ａを一方向に傾けて配向させる。このとき、液晶分子４０Ａの傾斜角と、最終行程で液晶分子４０Ａに付与されるプレチルト角とは概ね等しくなる。従って、電圧Ｖの大きさを適宜調節することにより、液晶分子４０Ａのプレチルト角の大きさを制御することが可能である。
【００２７】
さらに、電圧Ｖを印加した状態で、液晶層４０の第１領域１０Ａ内のモノマー４０Ｂを重合させる。この際、例えば、紫外光ＵＶを液晶層４０に照射することにより、モノマー４０Ｃを光重合させる。また、所定の開口パターンを有するマスク（図示せず）等を用いて第２領域１０Ｂを遮光し、第１領域１０Ａのみを露光するようにする。露光により、組成物内の光重合開始剤がラジカルとなり、モノマー４０Ｃが重合する。これにより、第１領域１０Ａの液晶分子４０Ａの傾斜状態がポリマー４０Ｂによって保持され、電圧Ｖの大きさに応じたプレチルト角が付与される。なお、こののち、電圧を印加しない状態に戻すと、露光していない領域（第２領域１０Ｂ）については、液晶分子４０Ａは基板面に垂直に配向した状態に戻る。
【００２８】
一方、図３（Ｂ）に示したように、第２領域１０Ｂを、電圧を印加しない状態で、モノマー４０Ｃを重合させ、液晶分子４０Ａを基板面に対して垂直に配向（液晶分子４０Ａのプレチルト角が０°）した状態で保持するようにする。これにより、図１に示した液晶表示装置を完成する。
【００２９】
あるいは、第２領域１０Ｂについても、上述の第１領域１０Ａの場合と同様の工程を行う（図示せず）ことによりプレチルト角を付与するようにしてもよい。ただし、第１領域１０Ａにおいてモノマー４０Ｃを重合させる際に印加する電圧ＶをＶ１とし、第２領域１０Ｂにおいてモノマー４０Ｃを重合させる際に印加する電圧ＶをＶ２とした場合、電圧Ｖ１，Ｖ２の関係が、Ｖ１＞Ｖ２となるように設定する。これにより、図４に示したように、第１領域１０Ａの液晶分子４０Ａのプレチルト角を、第２領域１０Ｂの液晶分子４０Ａのプレチルト角よりも、大きくすることができる。なお、電圧を印加した状態でモノマー４０Ｃを重合させる工程は、第１領域１０Ａ、第２領域１０Ｂの各領域ごとに行えばよく、その順序は問わない。
【００３０】
次に、図１に示した液晶表示装置およびその製造方法の作用・効果について説明する。
【００３１】
本実施の形態の液晶表示装置では、画素電極２０Ｂと対向電極３０Ｂとの間に、画像データに基づいて駆動電圧が印加されると、液晶層４０内の液晶分子４０Ａが倒れて応答し、光を透過、変調させることにより表示が行われる。このとき、ＴＦＴ基板２０とＣＦ基板３０との間に設けられた液晶層４０において、第１領域１０Ａにおける液晶分子４０Ａのプレチルト角が、第２領域１０Ｂにおける液晶分子４０Ａのプレチルト角よりも大きいことにより、駆動電圧が低いとき（低階調時）には、電圧に対する応答速度が遅く、プレチルト角の相対的に大きな領域から液晶分子４０Ａが応答していくため、図５に示したように、まず第１領域１０Ａにおいて、液晶分子４０Ａが応答する。一方、駆動電圧が高いとき（高階調時）には、電圧に対する応答速度が十分に速く、プレチルト角の相対的に小さい領域においても液晶分子が即座に応答するため、図６に示したように、第１領域１０Ａと第２領域１０Ｂとの両方の領域において、液晶分子４０Ａが応答する。
【００３２】
ここで、図８に、低階調時の電圧に対する応答速度τについて、プレチルト処理を施した場合と施していない場合とのシミュレーションの結果を示す。なお、応答速度τとは、図９に示したように、駆動電圧が印加されてから、要求される透過率の９０％を達成するまでの時間（msec；ミリ秒）を意味するものとする。これらの結果から、低階調時には、プレチルト角が付与されていることにより、電圧に対する応答速度が大幅に向上することがわかる。従って、図１０に示したような、プレチルト処理が全く施されていない液晶表示装置に比べて、特に低階調時における電圧に対する応答速度を大幅に向上させることができる。
【００３３】
一方、第２領域１０Ｂでは、第１領域１０Ａに比べて、液晶分子４０Ａのプレチルト角が小さくなっていることにより、図１１に示したような、液晶層４０の全面に一様な大きさのプレチルト角を付与した液晶表示装置に比べて、黒表示の際（電圧を印加しない状態）の輝度の上昇が低減され、コントラストの低下を抑制することができる。なお、高階調時は、電圧に対する応答速度は十分に速いため、液晶分子４０Ａに付与されるプレチルト角が相対的に小さくても、低階調時よりも応答速度が遅くなるということはない。従って、液晶表示装置全体として、コントラストと電圧に対する応答速度とを、バランス良く向上させることができる。
【００３４】
特に、第２領域１０Ｂにおいて、液晶分子４０Ａのプレチルト角を０（°）とし、基板面に垂直に配向していることにより、第２領域１０Ｂでは黒表示の際の光の透過をなくすことができるため、コントラストをより効果的に向上させることができる。
【００３５】
本実施の形態の液晶表示装置の製造方法では、ＴＦＴ基板２０とＣＦ基板３０との間に、モノマー４０Ｃを添加して液晶層４０を封止したのち、電圧Ｖを印加した状態で、液晶層４０の第１領域１０Ａのモノマー４０Ｃを重合させることにより、第１領域１０Ａにおける液晶分子４０Ａにプレチルト角が付与される一方で、第２領域１０Ｂにおける液晶分子４０Ａは基板面に対して垂直に配向した状態となる。これにより、コントラストと電圧に対する応答速度とを、バランス良く向上させることのできる液晶表示装置を作製することができる。
【００３６】
あるいは、第１領域１０Ａと第２領域１０Ｂとのそれぞれに対して、異なる電圧Ｖ１，Ｖ２（Ｖ１＞Ｖ２）を印加した状態で、モノマー４０Ｃを重合させることにより、第１領域１０Ａの液晶分子４０Ａに、第２領域１０Ｂの液晶分子４０Ａよりも大きいプレチルト角を付与することができる。従って、液晶層４０の各領域において印加する電圧の大きさを適宜調節することにより、各領域の液晶分子４０Ａに付与されるプレチルト角の大きさを制御することができるため、液晶表示装置の目的や仕様に合わせて、コントラストと応答速度との関係を最適化することが可能である。
【００３７】
以下、本実施の形態に係る実施例について説明する。
【００３８】
ＴＦＴ基板に４μｍのスペーサ突起物を形成したもの、及びカラーフィルタにＩＴＯ電極を配置した基板に垂直配向膜を塗布した。ＩＴＯには斜めに電界がかかるように、スリットパターンが形成してあり、線幅６０μｍ線間１０μｍである。基板上にシールを形成し、これに囲まれた部分に、ネガ型液晶、アクリルモノマー、及び光重合開始剤から成る組成物を滴下注入し、基板どうしを貼り合わせシールを硬化させた。このようにして作成した液晶パネルの一つの表示画素に対して、５Ｖの電圧を印加した状態で紫外線を照射した領域と、１．５Ｖの電圧を印加した状態で紫外線を照射した領域とを設けることにより、画素内の２つの領域で、それぞれプレチルト角が異なるようにした。
【００３９】
このようにして作製した表示画素を駆動させたところ、低階調時の応答速度τは１１（ｍｓ）となり、コントラストについては６００となった。これに対し、図１０に示したようなプレチルトを全く形成していない画素では、低階調時の応答速度τは３０（ｍｓ）であり、図１１に示したような基板全面に対してプレチルトをつけた画素では、コントラストが４００であった。従って、画素内に、それぞれプレチルト角の異なる領域を有することにより、コントラストと電圧に対する応答速度とを、バランス良く向上できることがわかった。
【００４０】
以上、実施の形態および実施例を挙げて本発明を説明したが、本発明はこれらの実施の形態等に限定されず、種々の変形が可能である。例えば、上記実施の形態等では、一つの画素を２つの領域に分割して、それぞれの領域でプレチルト角が異なる場合について説明したが、これに限定されず、３つ以上の領域でプレチルト角が異なるようにしてもよい。この場合、コントラストと電圧に対する応答速度との関係をより極め細やかに最適化することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明の一実施の形態に係る液晶表示装置の断面模式図である。
【図２】図１の液晶表示装置の製造方法を説明するための断面模式図である。
【図３】図２に続く工程を説明するための断面模式図である。
【図４】本発明の一実施の形態における他の構成例の断面模式図である。
【図５】低階調時の液晶分子の電圧に対する応答の様子を説明するための断面模式図である。
【図６】高階調時の液晶分子の電圧に対する応答の様子を説明するための断面模式図である。
【図７】液晶分子のプレチルト角を説明するための模式図である。
【図８】低階調時における応答速度に対する透過率の関係を表した特性図である。
【図９】応答速度について説明するための図である。
【図１０】従来の液晶表示装置の断面模式図である。
【図１１】従来の液晶表示装置の断面模式図である。
【符号の説明】
【００４２】
１…電圧印加手段、１０Ａ…第１領域、１０Ｂ…第２領域、２０…ＴＦＴ基板、３０…ＣＦ基板、２０Ａ，３０Ａ…ガラス基板、２０Ｂ…画素電極、３０Ｂ…対向電極、２１，３１…配向膜、４０…液晶層、４０Ａ…液晶分子、４０Ｂ…ポリマー、４０Ｃ…モノマー。
【図１】
2008129193.tif 000003
【図２】
2008129193.tif 000004
【図３】
2008129193.tif 000005
【図４】
2008129193.tif 000006
【図５】
2008129193.tif 000007
【図６】
2008129193.tif 000008
【図７】
2008129193.tif 000009
【図８】
2008129193.tif 000010
【図９】
2008129193.tif 000011
【図１０】
2008129193.tif 000012
【図１１】
2008129193.tif 000013
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月20日(2007.11.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向配置された一対の基板と、
前記一対の基板間に設けられ、負の誘電率異方性を有する液晶分子を含むと共に、各画素内に前記液晶分子のプレチルト角がそれぞれ異なる少なくとも２つの領域を有する液晶層とを備えた
ことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記液晶層のうちの一つの領域で、前記液晶分子のプレチルト角が０（°）である
ことを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項３】
対向配置される一対の基板間に、モノマーを含む垂直配向液晶からなる液晶層を封止する工程と、
前記液晶層を保持している一対の基板間に一の電圧を印加した状態で、各画素内の一の領域におけるモノマーを重合させる工程と、
前記液晶層を封止した一対の基板間に前記一の電圧とは異なる他の電圧を印加した状態で、各画素内の他の領域におけるモノマーを重合させる工程とを含む
ことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項４】
前記一の電圧もしくは他の電圧のどちらか一方が０（Ｖ）である
ことを特徴とする請求項３記載の液晶表示装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明による液晶表示装置の製造方法は、対向配置される一対の基板間に、モノマーを含む垂直配向液晶よりなる液晶層を封止する工程と、液晶層を保持している一対の基板間に一の電圧を印加した状態で、各画素内の一の領域におけるモノマーを重合させる工程と、液晶層を封止した一対の基板間に一の電圧とは異なる電圧を印加した状態で、各画素内の他の領域におけるモノマーを重合させる工程とを含むものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明による液晶表示装置の製造方法では、モノマーを添加して組成した液晶層を基板間に封止したのち、各画素内において、一の電圧を印加した状態で液晶層の一の領域についてモノマーを重合させ、さらに、一の電圧とは異なる電圧を印加した状態で、液晶層の他の領域についてモノマーを重合させることにより、液晶層の領域によって、液晶分子のプレチルト角に大小が付与される。  
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の液晶表示装置の製造方法によれば、対向配置される一対の基板間に、モノマーを含む垂直配向液晶よりなる液晶層を封止する工程と、液晶層を保持している一対の基板間に一の電圧を印加した状態で、各画素内の一の領域におけるモノマーを重合させる工程と、液晶層を封止した一対の基板間に一の電圧とは異なる電圧を印加した状態で、各画素内の他の領域におけるモノマーを重合させる工程とを含むようにしたので、コントラストと電圧に対する応答速度とを、バランス良く向上させることのできる液晶表示装置を作製することができる。