(57)【要約】      （修正有）【課題】表面に多数のバンプを有する半導体チップをカケなく、かつ均一に保護テープに貼り付ける方法を提供する。【解決手段】保護テープ２を多孔質セラミックで構成された吸着プレート３に対し吸着させて、平面に吸着、矯正し、その粘着面上に分割された半導体チップ１を整列、配置した後、テフロンを用いた加圧プレート１０で半導体チップ１を均一に加圧し、半導体チップ１のバンプを保護テープ２の粘着層に均等に押し込む。なお、内圧を有した弾性体（弾性シート）９よりなる加圧手段により加圧プレート１０を均一な圧力で押し付ける。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
平面状に保持した保護テープの粘着面上に半導体チップのバンプを当接させ、前記半導体チップの被加工面を上面に整列、配置した後、加圧プレートにて上記保護テープに押し付けて上記半導体チップに保護テープを貼り付けることを特徴とする半導体チップの保護テープ貼付方法。
【請求項２】
保護テープをプレートの平面に矯正させてから、半導体チップを整列、配置することを特徴とする請求項１に記載の半導体チップの保護テープ貼付方法。
【請求項３】
１０μｍ以下の気孔を有したプレートを保護テープの背面から吸引させることで、前記保護テープを前記プレートに吸着矯正させることを特徴とする請求項２に記載の半導体チップの保護テープ貼付方法。
【請求項４】
加圧プレートの押し付けを真空中で実施することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の半導体チップの保護テープ貼付方法。
【請求項５】
加圧プレートの押し付ける真空度よりも高い真空度で保護テープを吸着させることを特徴とする請求項３または４のいずれか１つに記載の半導体チップの保護テープ貼付方法。
【請求項６】
加圧プレートは単結晶シリコンの硬度よりも柔らかい材料で構成されることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１つに記載の半導体チップの保護テープ貼付方法。
【請求項７】
加圧プレートがテフロン（登録商標）で構成されていることを特徴とする請求項６に記載の半導体チップの保護テープ貼付方法。
【請求項８】
内圧を有した弾性体を押し付けることを加圧プレートの加圧手段としたことを特徴とする請求項１〜７のいずれか１つに記載の半導体チップの保護テープ貼付方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、個片に分割された表面に多数のバンプを備えた半導体ウエハを分割して個片化した半導体チップに対し、その半導体形成面の裏面を研磨するバックグラインド工程の準備作業として半導体チップ表面に保護テープを貼り付ける半導体チップの保護テープ貼付方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来のこの種の保護テープ貼付方法としては、例えば半導体ウエハに貼り付ける場合、まず、被貼付ウエハの半導体面すなわち貼付面を上面にして下面を吸着プレートにて固定させる。そして、その半導体ウエハの上から、粘着層と基材の２層から構成される保護テープの粘着層を下向き（半導体ウエハ側）にして、保護テープの基材側から押圧ロールで押し付けて半導体ウエハに貼り付けていた（図面４参照）。また、保護テープを半導体ウエハに均一に貼り付ける方法として、押圧ローラの線圧力を半導体ウエハ面内で一定にする方法、あるいは、表面に多数のバンプがある半導体ウエハの場合にはダイシングされる方向と所定角度シフトした方向から押圧ロールを押し付ける方法などがあった。
【０００３】
なお、この出願に関する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献１、２あるいは３が知られている。
【特許文献１】特許第３３２８３８１号公報
【特許文献２】特開２００２−１３４４３８号公報
【特許文献３】特開２００６−２４７４３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、個片化された半導体チップに保護テープを貼り付けようとすると、半導体チップはシリコンよりなる脆性材料で構成されていることから、チップ同士の接触でカケ、クラックなどの機械的な不良を防止するために隙間をあけて保護テープに貼り付ける必要がある。したがって、従来方法である吸着プレートに半導体チップを整列配置させた後に保護テープを押圧ロールで貼付けようとすると、押圧ロールが半導体チップ間に与えるはずだった荷重が半導体チップ稜線、とりわけ半導体チップコーナ部に集中し、半導体チップのカケに結びついてしまう問題があった（図面５参照）。また、この対策として、押圧ロールの硬さをやわらかくする、あるいは、吸着プレートと半導体チップの間に緩衝材シートを入れて貼り付ける方法があるが、表面に多数のバンプを有した半導体チップの場合は保護テープの粘着層にバンプが均一に沈み込まなくなり、その結果、保護テープを含めた半導体チップの厚みがばらついてしまう。次工程のバックグラインドは、この保護テープを含めた半導体チップの厚みを薄くさせるだけでなく、保護テープの厚みを含めて均一な厚みに加工してしまうので、保護テープから剥がした半導体チップの厚みは、貼付厚みのバラツキが反映されてしまう。以上より、表面に多数のバンプを有した個片化された半導体チップのバックグラインドにおいて、半導体チップのカケの防止と厚みバラツキの抑制を両立させることができないという問題を有していた。
【０００５】
本発明は、前記課題を解決しようとするものであり、個片化半導体チップのバックグラインドで、カケ防止と厚みバラツキが抑制されたバンプ付半導体チップの保護テープ貼付方向を提供する事を目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前記目的を達成するために、本発明は以下の構成を有するものである。
【０００７】
保護テープに対して表面に多数のバンプを有した半導体チップを貼り付ける方法であって、保護テープに半導体チップを整列させて配置した後、加圧プレートにて半導体チップを加圧する構成とした。
【０００８】
本発明の請求項１に記載の発明は、特に、半導体チップのバンプを平面状に保持した保護テープに当接させ、加圧プレートで半導体チップのバンプ側と反対となる面から保護テープに加圧するという構成を有しており、これにより、半導体チップ内のバンプを保護テープの粘着層に均一に押し込むという作用効果を有する。
【０００９】
本発明の請求項２に記載の発明は、特に、保護テープをプレートの平面に矯正するという構成を有しており、これにより、半導体チップ面内のテープたるみをなくし、より均一に押し込むことができるという作用効果を有する。
【００１０】
本発明の請求項３に記載の発明は、特に、真空吸引による保護テープ矯正という構成を有しており、これにより、バンプの押し込みによる保護テープ粘着層の変形中も保護テープの基材の平面度が維持され、より均一に押し込むことができるという作用効果を有する。
【００１１】
本発明の請求項４に記載の発明は、特に、真空中で加圧プレートの押し付け加圧作業をするという構成を有しており、これにより、保護テープと半導体チップの間に空気残りが生じないという作用効果を有する。
【００１２】
本発明の請求項５に記載の発明は、特に、加圧プレートの押し付ける真空度よりも高い真空度で保護テープを吸着し、真空中加圧での保護テープの吸引力を確保するという構成を有しており、これにより、加圧中に生じる保護テープの変形を抑制するという作用効果を有する。
【００１３】
本発明の請求項６に記載の発明は、特に、加圧プレートを単結晶シリコンよりも柔らかい材料にするという構成を有しており、これにより、半導体チップの加圧面と加圧プレートの間にある異物が起点となって半導体チップにクラックが生じることを防止するという作用効果を有する。
【００１４】
本発明の請求項７に記載の発明は、特に、加圧プレートの材料にテフロン（登録商標）を選択するという構成を有しており、これにより、保護テープの粘着層と加圧プレートの接触で生じる粘着層材料の加圧プレートへの転写を防止できるという作用効果を有する。
【００１５】
本発明の請求項８に記載の発明は、特に、加圧プレートの加圧手段として内圧を有した弾性体で加圧プレートを加圧するという構成を有しており、これにより、加圧プレートが均一な圧力で加圧され、そのため、複数の半導体チップを均等に加圧させるという作用効果を有する。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の半導体チップの保護テープ貼付方法は、保護テープに１個、あるいは複数個の半導体チップを加圧プレートによって同時に加圧する構成であり、保護テープの粘着層への半導体チップのバンプをカケを生じさせずに均一に押し込むことができ、厚みバラツキの小さい半導体チップのバックグラインド加工を行なうことができるという効果を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、実施の形態１を用いて、本発明の特に請求項１〜８に記載の発明について図面を参照しながら説明する。
【００１８】
なお、背景の技術において説明したものと同じ構成部材などについては、同じ符号を付与し詳細な説明は省略する。
【００１９】
（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１における断面図である。
【００２０】
図１において、半導体チップ１は保護テープ２の上にあり、この保護テープ２は例えば多孔質セラミックスで構成されている吸着プレート３に対し吸着させている。吸着プレート３は保護テープ２の吸着面と排気孔以外をケーシング４にて覆っている。前記半導体チップ１、保護テープ２、吸着プレート３、ケーシング４は下ケース５に設置され、上ケース６とで密閉できるようになっている。また、この下ケース５および上ケース６に囲まれた内部は真空ポンプにて真空にさせることができる。次に上ケース６の下面には基準プレート７と押さえリング８によって弾性シート９が把持されている。さらに、押さえリング８の下には、加圧プレート１０がリング１１にて固定されている。基準プレート７と弾性シート９の間に圧縮空気を封入すると弾性シート９は下方向に膨張し、加圧プレート１０を均等な圧力で下方向に押し下げる機構になっている。吸着プレート３上の保護テープ２は、図２に示すように取り扱いの簡便さから外周にリング１２を貼り付けて補強することは構わない。
【００２１】
次に、本発明の請求項１から８に記載の発明について、図面を参照しながら説明する。
【００２２】
図３は、本発明の実施の形態１の貼付方法を説明する模式図である。（ｉ）吸着プレー
ト３上にある保護テープ２の上に半導体チップ１がバンプ１ａを粘着層２の側に当接させて置かれている。（ii）半導体チップの被加工面となる上面に加圧プレート１０が設置さ
れる。（iii）加圧プレート１０が押し下げられることにより半導体チップ１のバンプ１ａが保護テープ２の粘着層２ａに埋め込まれる。このとき、保護テープ２を吸着プレート３の平面により平面矯正させて平面状に保持し半導体チップ１を保護テープ２上に整列配置する。このとき、吸着プレートの上面が平面に加工されていることで、半導体チップ１と保護テープ２を合わせた厚みを一定にさせることができる。さらに、吸着プレート３が保護テープ２を吸着させておくことで半導体チップ１のバンプ１ａが保護テープ２の粘着層２ａに埋め込まれる際に生じる粘着層２ａの変形に対し保護テープ２の基材２ｂに与える影響を低減することができ、変更を抑制することができるという効果が得られる。通常、バンプ１ａは、およそ０．０５〜０．２ｍｍのサイズであるため、吸着プレート２に設けられている気孔を１０μｍ以下にすることで吸着で発生する基材変形、及び加圧プレート１０の押し付けで半導体チップ１の押し込まれ過ぎを確実に抑制させることができる。また、粘着層２ａ上に半導体チップ１が置かれたときに全体を真空状態にすることでバンプ１ａ周辺の空気が貼付後残らないようにすることができる。このとき、加圧プレートの押し付ける全体の真空度よりも吸着プレート内の真空度を高くさせておくことで、保護テープ２の固定力を安定して確保することができる。また、加圧プレート１０の硬さを半導体チップ１の基板材料であるシリコンよりも柔らかくすることで半導体チップ１の稜線に働く応力集中を緩和させることができる。また、加圧プレート１０にテフロン（登録商標）を用いると保護テープ２の粘着層２ａとの密着力が小さくなり、貼付作業の再現性を高めることができる。また、内圧を有した弾性体（弾性シート）９よりなる加圧手段により加圧プレート１０を均一な圧力で押し付けることは、加圧プレート１０、及び吸着プレート３の平面度をキャンセルさせることができるため、押し込み貼付後の保護テープ付半導体チップの厚みをより高精度なレベルで均一にさせるという作用効果を有する。
【産業上の利用可能性】
【００２３】
本発明にかかる半導体チップの保護テープ貼付方法は、バンプを有した半導体チップを均一に保護テープに貼り付ける機能を有し、半導体チップのバックグラインド加工時などの用途として有用である。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明の実施の形態１における断面図
【図２】同実施の形態１における保護テープの断面図
【図３】同実施の形態１の貼付方法を説明する模式図
【図４】従来の貼付装置の模式図
【図５】従来方法の貼付状態を説明する模式図
【符号の説明】
【００２５】
１  半導体チップ
２  保護テープ
３  吸着プレート
４  ケーシング
５  下ケース
６  上ケース
７  基準プレート
８  押さえリング
９  弾性シート
１０  加圧プレート
１１  リング
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
2008016751.tif 000006
【図５】
2008016751.tif 000007