(57)【要約】【課題】表示素子を製造する際に、スイッチング素子を形成した段階で、欠陥のある画素が複数種類の画素のうちどの種類の画素（絵素）であるかを識別することが可能であると共に、画素の種類によって画素開口面積及び蓄積容量等の違いが生じることがなく、各画素の特性が均一に揃っている表示装置を提供する。【解決手段】ＴＦＴアレイ基板５のゲート配線１２に各絵素１０（絵素電極１４Ｒ、１４Ｇ、１４Ｂ）の種類を識別可能な識別部７（７Ｒ、７Ｇ、７Ｂ）が各絵素１０毎に設けられ、識別部７はゲート配線１２の一部が除去された部分として形成され、ＴＦＴアレイ基板５の裏面から識別可能であり、表示画像に実質的に影響を与えないように形成して液晶表示装置１を構成した。【選択図】図３
2008015029.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部から入力される信号に基づいて光源からの光を変調して画像を表示するための表示媒体層を挟んで、互いに対向するアレイ基板及び対向基板を備え、
前記アレイ基板は、種類の異なる複数の絵素の集合体からなる複数の画素がマトリクス状に配列され、前記絵素毎に設けられたスイッチング素子及び絵素電極、並びにこれらに接続される配線を備え、
各絵素の種類を識別するための識別部が前記アレイ基板の配線に各絵素毎に設けられ、
前記識別部は、前記配線の一部が除去された部分として形成され、前記アレイ基板の裏面から識別可能であり、絵素の表示画像に実質的に影響を与えないように形成されていることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記識別部が各絵素の種類により形状が相違することを特徴とする請求項１記載の表示装置。
【請求項３】
前記識別部が各絵素の種類により形成位置が相違することを特徴とする請求項１記載の表示装置。
【請求項４】
前記識別部が各絵素の種類により形状及び形成位置が相違することを特徴とする請求項１記載の表示装置。
【請求項５】
前記識別部の平面形状が方向性を有する形状であり、各絵素の種類により向きが相違することを特徴とする請求項１記載の表示装置。
【請求項６】
前記識別部が前記配線に設けた切り欠きであることを特徴とする請求項１記載の表示装置。
【請求項７】
前記識別部が前記配線に設けた抜き孔であることを特徴とする請求項１記載の表示装置。
【請求項８】
前記各識別部の面積が同一に形成されていることを特徴とする請求項１記載の表示装置。
【請求項９】
前記対向基板に遮光領域が設けられ、前記識別部が前記遮光領域と重なる位置に形成されていることを特徴とする請求項１記載の表示装置。
【請求項１０】
前記識別部の上に電極層及び半導体層が存在しないことを特徴とする請求項１記載の表示装置。
【請求項１１】
前記絵素が複数の副絵素の集合体からなることを特徴とする請求項１記載の表示装置。
【請求項１２】
前記複数の副絵素の種類を識別する識別部を有することを特徴とする請求項１１記載の表示装置。
【請求項１３】
前記配線が、第１の配線と、該第１の配線と交叉し該第１の配線の上に絶縁層を介して形成される第２の配線とからなり、前記識別部が前記第１の配線に設けられていることを特徴とする請求項１記載の表示装置。
【請求項１４】
前記配線が、第１の配線と、該第１の配線と交叉し該第１の配線の上に絶縁層を介して形成される第２の配線とからなり、前記第１の配線と前記第２の配線の交叉部に、前記第１の配線の非形成領域となる開口部が設けられ、該開口部の上を通過する前記第２の配線に識別部が設けられていることを特徴とする請求項１記載の表示装置。
【請求項１５】
前記識別部が、前記アレイ基板を少なくとも前記対向基板と貼り合せない状態で、前記アレイ基板の表面からも識別可能であることを特徴とする請求項１記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置等の複数の画素を備える表示装置に関し、更に詳しくはカラー液晶表示装置の様に複数の絵素を用いて一つの画素を構成する表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
コンピュータのモニタ、テレビジョン、情報端末等に用いられる表示装置として、例えばアクティブマトリクス型の液晶表示装置が公知である。この液晶表示装置は、マトリクス状に配列された複数の画素を備えており、各画素の表示状態を変化させることで、所望の画像を表示するように形成されている。
【０００３】
アクティブマトリクス型の液晶表示装置は、液晶層を挟んで対向するアレイ基板と対向基板とからなり、アレイ基板に、複数の画素電極が各画素毎に独立して設けられ、画素電極毎に薄膜トランジスタ（thin film transistor：ＴＦＴ）等のスイッチング素子が設けられている。更にカラー液晶表示装置は、例えば画素が、赤色、緑色、青色の３色の表示色からなる各色画素（各色画素を絵素という場合もある）の集合体から構成され、アレイ基板の各色画素毎にスイッチング素子が設けられ、対向基板には、上記各色画素に対応する位置に各色のカラーフィルター層が設けられている。
【０００４】
アクティブマトリクス型の液晶表示装置等の表示装置は、アレイ基板を製造する場合、リソグラフィーとエッチングを何度も繰り返す半導体製造工程があるため、製造工程が複雑である。更に表示装置が大型化し画素数が増加すると、スイッチング素子の数も増加し、スイッチング素子を有する画素に欠陥が発生することは避けられない。そのため、欠陥のない表示装置を製造するのは極めて困難である。
【０００５】
このため、このようなスイッチング素子を有する表示装置では、上記アレイ基板製造段階において、スイッチング素子が正常に動作して表示画素に所望の表示状態が得られるかどうかを確認するための検査が行われる。そして、スイッチング素子を有する画素に欠陥が生じていて、所望の表示状態が得られない場合には、レーザー等の修正手段を用いて欠陥画素の修正が行われる。すなわち、対向基板を貼り合わせたパネル状態、またはモジュール状態での点灯検査での欠陥修正以前のアレイ基板製造段階においてもある程度の欠陥修正を施す。
【０００６】
欠陥画素の修正は、全ての欠陥画素に施されるものではない。例えば、カラー液晶表示装置では、緑色画素は目立つが、青色画素は目立たない。画素の欠陥修正は、各色毎に異なる修正基準に基づいて行われる。そのため、アレイ基板製造段階において欠陥を修正する場合、欠陥のある画素が、どの色の画素であるかを正確に把握する必要がある。
【０００７】
従来、液晶表示装置において欠陥のある画素が、どの色の表示画素なのかを識別する手段として、各画素に接するゲートバスラインの形状が、赤色、緑色、青色の表示色に対応して異なるように形成した液晶表示装置が公知である（例えば、特許文献１参照）。図１８は特許文献１に記載のカラー液晶表示装置のＴＦＴアレイ基板の概略を示す平面図である。同図に示すように、上記特許文献１に記載のＴＦＴアレイ基板１００は、ゲートバスライン１０１の形状を四角形に変えた部分１０１ａ、三角形に変えた部分１０１ｂと、変更しない部分１０１ｃとし、これらのゲートバスライン１０１ａ、１０１ｂ、１０１ｃを表示画素の赤色、緑色、青色の各画素に対応させたものである。
【０００８】
【特許文献１】特開平８−２９７３００号公報（０００６、図１、図３等）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
上記特許文献１に記載された従来のカラー液晶表示装置は、表示画素の欠陥が赤色、青色、緑色のどの色に対応しているかを、最終的な液晶表示装置の組み立て前の、スイッチング素子を設けた段階で識別することができる。しかし上記装置では、ゲートバスライン１０１ａ、１０１ｂ、１０１ｃの形状を各色の画素ごとに変える場合、ゲートバスライン自体の大きさを大きく形成する必要があるという問題がある。またゲートバスラインは、赤色画素の四角形に変えたゲートバスライン１０１ａと、緑色画素の三角形に変えたゲートバスライン１０１ｂと、青色画素の変更しないゲートバスライン１０１ｃとでは、ゲートバスラインの形状が大きく異なり、画素電極１０２ａ、１０２ｂ、１０２ｃとの重なり部分の形状が相違することになる。その結果、各色の画素毎に、画素開口面積、蓄積容量等の違いが生じてしまう。
【００１０】
このように、各色の画素ごとに、画素開口面積及び蓄積容量等が相違すると、表示装置を駆動した際に、各画素によって表示状態が変化してしまい、表示素子として重要な表示品位に極めて大きな影響を与えることになる。赤色、青色、緑色の表示画素ごとに、各画素の特性が画素の種類により変化するのでは、他の手段により各色の特性を揃えて一定にする必要がある。しかし、そのような他の手段を必要とするのでは、表示装置を利用する場合、非常に使い難いものとなってしまう。
【００１１】
本発明が解決しようとする課題は、表示色の違う画素が複数ある場合の様に、画素が複数の種類の画素の集合体からなる表示装置において、スイッチング素子を設けた段階で、欠陥のある画素が複数の種類の画素のうちどの画素かを識別するのが可能であると共に、画素の種類によって画素開口面積及び蓄積容量等の違いが生じることがなく、複数種類の画素の特性が均一に揃っていて、利用し易い表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
このような課題を解決するために、本発明の表示装置は、
外部から入力される信号に基づいて光源からの光を変調して画像を表示するための表示媒体層を挟んで、互いに対向するアレイ基板及び対向基板を備え、
前記アレイ基板は、種類の異なる複数の絵素の集合体からなる複数の画素がマトリクス状に配列され、前記絵素毎に設けられたスイッチング素子及び絵素電極、並びにこれらに接続される配線を備え、
各絵素の種類を識別するための識別部が前記アレイ基板の配線に各絵素毎に設けられ、
前記識別部は、前記配線の一部が除去された部分として形成され、前記アレイ基板の裏面から識別可能であり、絵素の表示画像に実質的に影響を与えないように形成されていることを要旨とするものである。
【００１３】
本発明の表示装置において、前記識別部は、各絵素の種類により形状、形成位置、或いは形状及び形成位置の何れかが相違するように形成することができる。
【００１４】
本発明の表示装置において、前記識別部は平面形状が方向性を有する形状であり、各絵素の種類により向きが相違するように形成することができる。
【００１５】
本発明の表示装置において、前記識別部は前記配線に設けた切り欠き或いは抜き孔として形成することができる。
【００１６】
本発明の表示装置において、前記各識別部の面積を同一に形成することや、前記対向基板に遮光領域が設けられ、前記識別部が前記遮光領域と重なる位置に形成することや、前記識別部の上に電極層及び半導体層が存在しないことや、前記絵素が複数の副絵素の集合体から形成することができる。また、前記複数の副絵素の種類を識別する識別部を設けることができる。
【００１７】
本発明の表示装置は、前記配線が、第１の配線と、該第１の配線と交叉し該第１の配線の上に絶縁層を介して形成される第２の配線とからなり、前記識別部が前記第１の配線に設けられるように構成することができる。
【００１８】
本発明の表示装置は、前記配線が、第１の配線と、該第１の配線と交叉し該第１の配線の上に絶縁層を介して形成される第２の配線とからなり、前記第１の配線と前記第２の配線の交叉部に、前記第１の配線の非形成領域となる開口部が設けられ、該開口部の上を通過する前記第２の配線に識別部が設けられるように構成することができる。
【００１９】
本発明の表示装置は、前記識別部が、前記アレイ基板を少なくとも前記対向基板と貼り合せない状態で、前記アレイ基板の表面からも識別可能なように構成することができる。
【発明の効果】
【００２０】
本発明の表示装置は、アレイ基板の配線に、各絵素の種類を識別するための識別部が、配線非形成領域として各絵素毎に形成され、絵素の表示画像に実質的に影響を与えないように形成されているから、絵素の種類によってアレイ基板の画素開口面積及び蓄積容量等に相違が生じることがなく、複数種類の絵素の特性が均一に揃っている為、絵素の種類毎に特性を揃えるための回路や操作が不要であり、利用し易い表示装置が得られる。
【００２１】
更に各絵素の識別部は、アレイ基板の表裏面から識別可能であるから、スイッチング素子を設けた段階で、アレイ基板の識別部を観察することで、欠陥のある絵素が複数の種類の絵素のうちどの絵素かを識別することが容易に行うことができ、アレイ基板のスイッチング素子を設けた段階で、欠陥のある画素を識別できるから、欠陥修正を確実に行うことができる。また、対向基板を貼り合わせた液晶表示パネル状態でのアレイ基板裏面からの顕微鏡観察、欠陥修正等にカラーフィルタでの色判別以外にも、識別部により表示色の確認が可能であるため、欠陥画素の早期発見、修正などの対処措置の効率化が可能となる。
また絵素をさらに副絵素に分割した場合、副絵素に識別部を設けることで、たとえば明暗の副絵素を区別できるため、明暗で欠陥判定基準や修正方法が異なる場合などに、対応措置の効率化が可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明の実施例を図面を参照して詳細に説明する。図１は本発明の表示装置の一例として、透過型のＴＦＴアクティブマトリクス型液晶表示装置の構成を模式的に示す断面図である。図１に示す液晶表示装置１は、外部から入力される信号に基づいて光源からの光を変調して画像を表示するための表示媒体として液晶４が封入された液晶表示パネル２と、該液晶表示パネル２の背面側に設けられ液晶表示パネル２に光を照射するための光源としてのバックライト３とから構成される。また、特に図示しないが、液晶表示装置１は、外部信号により液晶表示パネル２の液晶４の配向を制御して表示パネルを駆動する駆動回路や、バックライト３を駆動するインバータ等の制御回路等を備えている。
【００２３】
液晶表示パネル２は、図１に示すように、表示媒体層としての液晶層４を挟んで、互いに対向するＴＦＴアレイ基板５とカラーフィルタ基板（対向基板）６とからなる一対の基板を備えている。更に、液晶表示パネル２の入射光側と出射光側には、ＴＦＴアレイ基板５とカラーフィルタ基板６に、それぞれ位相差板８１及び偏光板８２等の光学シート８が順次積層されている。また液晶表示パネル２は、特に図示しないが、ＴＦＴアレイ基板５及びカラーフィルタ基板６間に、スペーサ粒子や柱状樹脂構造物等の間隔保持部材が配置されて、基板間隔が一定に保持されている。
【００２４】
図１に示すように、カラーフィルタ基板６は、透明基板６１の表面に、各絵素に対応する各色の着色層として、赤色（Ｒ）着色層６２Ｒ、緑色（Ｇ）着色層６２Ｇ、青色（Ｂ）着色層６２Ｂからなる着色層が、所定のパターンに配列されているカラーフィルタ層６２が設けられている。各色の着色層６２Ｒ、６２Ｇ、６２Ｂの間には、各色の絵素を光学的に分離するための光遮蔽性を有するブラックマトリクス６３が設けられている。更に、カラーフィルタ層６２の表面には、液晶を駆動するための透明導電膜からなる対向電極（共通電極）６４が設けられている。
【００２５】
ＴＦＴアレイ基板５は、図１に示すように、透明基板５ａの表面に、ＴＦＴ１７、絵素電極１４等が設けられている。また絵素電極１４と透明基板５ａの間には層間絶縁膜９が設けられている。液晶表示パネル２は、液晶の配向を制御するために、ＴＦＴアレイ基板５の絵素電極１４にスリット１６が設けられ、カラーフィルタ基板６の対向電極６４に突起６５が設けられている。
【００２６】
図１に示す液晶表示パネル２は、画面を構成する最小単位となる１つの画素は、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の３つの着色層６２Ｒ、６２Ｇ、６２Ｂが配列されたカラーフィルタに対応する３つの各色絵素（Ｒ絵素、Ｇ絵素、Ｂ絵素）から構成される。図２（ａ）〜（ｄ）は、各色絵素の配列パターンを示す平面図である。液晶表示パネル２において、各色絵素（Ｒ絵素、Ｇ絵素、Ｂ絵素）のＲ、Ｇ、Ｂ配列パターンとして、図２（ａ）〜（ｄ）に示す配列を用いることができる。具体的には、同じ色の絵素１０を縦に並べる縦ストライプ配列〔図２（ａ）参照〕、各色の絵素１０を次の行で半絵素ずつずらしたデルタ配列〔図２（ｂ）参照〕、各色の絵素１０を一絵素ずつずらしたモザイク配列〔図２（ｃ）参照〕、及び絵素１０が４絵素で一画素を構成するスクエア配列〔図２（ｄ）参照〕等が用いられる。一画素を構成する各色の絵素の透過光の割合を変えることで、一画素で様々な色を表示することができる。
【００２７】
図３は図１の液晶表示パネル２に用いられるＴＦＴアレイ基板の６つの絵素電極部分を模式的に示した平面図である。図３に示すＴＦＴアレイ基板５は、同じ色の絵素電極１４が縦に並べられている縦ストライプ配列（図２（ａ）参照）を用いた例であり、例えば図中上段の絵素電極１４は、左から右に赤色絵素電極１４Ｒ、緑色絵素電極１４Ｇ、青色絵素電極１４Ｂの順に配列され、下段の絵素も同様に左から右に赤色絵素電極１４Ｒ、緑色絵素電極１４Ｇ、青色絵素電極１４Ｂの順に配列されている。図１に示す液晶表示パネル２は、図３に示すＴＦＴアレイ基板５の上段又は下段の３つの絵素で一つの画素を構成している。
【００２８】
図３に示すように、ＴＦＴアレイ基板５は、透明基板５ａ上に、行方向に延びる複数のゲート配線１２が、絵素電極１４の略中央の位置に設けられ、ゲート配線１２と直交して列方向に延びる複数のソース配線１３が、絶縁層を介してゲート配線１２の上層に設けられている。更に透明基板５ａ上には、ゲート配線１２と平行に行方向に延びる複数の補助容量配線２４が、絵素電極１４（１４Ｒ、１４Ｇ、１４Ｂ）の上端及び下端の位置に設けられている。ゲート配線１２には、各絵素の種類を識別可能な識別部７（７Ｒ、７Ｇ、７Ｂ）が各絵素毎に、ゲート配線１２の一部が除去された部分（この部分を配線非形成領域と云う）として形成され、識別部７はアレイ基板５の裏面側（透明基板５ａ側）から識別可能であり、絵素の表示画像に実質的に影響を与えないように形成されている。このように本発明の識別部７は、配線の内部側に開口部として形成された抜き孔や、配線側面から配線内側に切り欠いた形状に形成された切り欠き等の配線非形成領域として形成されている。尚、本発明表示装置におけるアレイ基板の第1の配線は、この態様ではゲート配線１２であり、第２の配線は、ソース配線１３である。
【００２９】
図４は図３の１つの絵素電極部分の拡大図である。図４に示すように、ＴＦＴアレイ基板５の１つの絵素電極１４は、ゲート配線１２を間に挟んで図中上下方向に二つに分割形成された副絵素電極１５ａ、１５ｂの集合体として構成されていることで、液晶表示パネル２はマルチ絵素駆動可能である。以下、マルチ絵素駆動について説明する。
【００３０】
マルチ絵素駆動は、一つの表示絵素を、輝度の異なる複数の副絵素から構成することで、γ特性の視角依存性を改善する駆動方法である。尚、γ特性の視角依存性とは、中間調の輝度の部分では正面方向から見た場合と斜め方向から見た場合とで輝度の相違が、暗輝度部分や明輝度部分と比較して大きくなる輝度ズレ現象のことである。具体的には、二つの副絵素により構成されている一つの表示絵素において、中間調の表示を行う場合、二つの副絵素は、ぞれぞれ輝度ズレが小さい暗輝度及び明輝度で表示を行う。一つの表示絵素を見ると、副絵素の平均輝度になるから中間調の輝度が得られ、絵素の輝度ズレが小さくなる。
【００３１】
図５は図１の液晶表示パネル２の一つの絵素の構成を示す図である。図５に示すように、液晶表示パネル２の一つの表示絵素に対応する絵素１０（赤色絵素１０Ｒ、緑色絵素１０Ｇ、赤色絵素１０Ｂの各絵素）は、二つに分割された副絵素１０ａ、１０ｂの集合体として構成されている。液晶表示パネル２は、バックライト３から照射され液晶パネル２を透過する透過光の光量を各副絵素１０ａ、１０ｂ毎に制御可能に形成されている。副絵素はそれぞれ副絵素電極１５ａ、１５ｂには、独立したスイッチング素子のＴＦＴ１７ａ、１７ｂ及び補助容量（ＣＳ）２２ａ、２２ｂが接続されている。液晶表示パネル２は、それぞれの各副絵素１０ａ、１０ｂの透過光量は、スイッチング素子であるＴＦＴ１７ａ、１７ｂのソース電極１９ａ、１９ｂ又はドレイン電極２０ａ、２０ｂ（図４参照）に印加する信号電圧によって制御される。
【００３２】
尚、図５に示す液晶表示パネル２では、二つの副絵素１０ａ、１０ｂは、略同一の面積としたが、各副絵素の面積を異ならせても良い。具体的には、中間階調表示状態において輝度の高い副絵素の面積を輝度の低い副絵素の面積より小さくしても良いし、反対に輝度の高い絵素の面積を輝度の低い副絵素の面積より大きくしても良い。また副絵素の形状は長方形に限定されず、ＭＶＡ（multi−domain vertical alignment）モードの場合には、三角形、ひし形等の、配向制御用の突起６５或いはスリット１６に沿って分割する形状に形成しても良い。
【００３３】
図４に示すように、ＴＦＴアレイ基板５において、絵素電極１４は、各絵素１０の略中央に設けたゲート配線１２の図中上方側と下方側に分割形成された２つの副絵素電極１５ａ、１５ｂの集合体として形成されている。更にゲート配線１２とソース配線１３の交叉部周辺には、それぞれの副絵素電極１５ａ、１５ｂに接続される独立したスイッチング素子のＴＦＴ１７ａ、１７ｂが設けられている。このＴＦＴ１７ａ及びＴＦＴ１７ｂのゲート電極１８ａ、１８ｂは、共通の（同一）のゲート配線１２に接続され、ソース電極１９ａ、１９ｂは、共通の（同一）のソース配線１３に接続されている。補助容量２２ａ、２２ｂ（図５参照）は、それぞれ補助容量配線２４ａ、２４ｂに接続されている。補助容量２２ａ、２２ｂは、それぞれ副絵素電極１５ａ、１５ｂに電気的に接続された補助容量電極２３ａ、２３ｂと、補助容量配線２４ａ、２４ｂから互いに異なる補助容量対向電圧が供給される構造を有している。
【００３４】
ＴＦＴ１７ａ、１７ｂは、共通のゲート配線１２に接続されたゲート電極１８ａ、１８ｂにより供給される走査信号電圧によって、オン／オフ制御される。また共通のソース配線１３に接続されたソース電極１９ａ、１９ｂより供給される表示信号電圧をドレイン電極２０ａ、２０ｂから延長されたドレイン配線２１ａ、２１ｂを介して副絵素電極１５ａ、１５ｂに供給する。
【００３５】
ドレイン配線２１ａ、２１ｂのうち、ゲート配線１２と平行に設けられた補助容量配線２４ａ、２４ｂと絶縁層（図示しない）を介して対向する部分が補助容量電極２３ａ、２３ｂとして機能する。また補助容量配線２４ａ、２４ｂのうち、補助容量電極２３ａ、２３ｂと絶縁層（図示しない）を介して対向する部分が補助容量対向電極２５ａ、２５ｂとして機能する。
【００３６】
図６は液晶パネルの一絵素における、ＴＦＴアレイ基板５側の副絵素電極１５ａ、１５ｂに形成されるスリット１６と、カラーフィルタ基板６側の対向電極６４に形成される突起６５の配置を模式的に示した平面図である。図６に示すように、スリット１６は、副絵素電極１５ａ、１５ｂの電極層の非形成部分からなる複数の切り欠きとして形成されている。また突起６５は、複数のスリット１６同士の中間の位置に、スリット１６と平行な線状に、スリット１６と重ならないように形成されている。液晶層４の液晶として、負の誘電異方性を有するネマチック液晶を用いると、上記スリット１６と突起６５の作用により電界印加時に液晶分子が多方向に配向し、良好な視野角特性が得られる。
【００３７】
本発明表示装置は、図３に示すように、ＴＦＴアレイ基板５の配線（ゲート配線１２）に、各絵素１０（１０Ｒ、１０Ｇ、１０Ｂ或いは絵素電極１４Ｒ、１４Ｇ、１４Ｂ）の種類を識別するための識別部７（７Ｒ、７Ｇ、７Ｂ）が各絵素毎に設けられている。図４に示すＴＦＴアレイ基板５では、ゲート配線１２とソース配線１３の交叉部付近の、下層側配線となる第1の配線であるゲート配線１２に、該ゲート配線１２のゲート配線非形成領域として形成された開口部からなる、識別部７と、修正用開口部７１とが設けられている。
【００３８】
図７（ａ）〜（ｃ）は、それぞれ図３の各色の絵素に対応するゲート配線１２を示す拡大図である。図７（ａ）〜（ｃ）に示すように、修正用開口部７１は、ゲート配線１２の配線非形成領域として長方形に開口している。修正用開口部７１は、絵素の表示色に関わらず全て同一形状であり同一面積に形成され、各絵素電極１４Ｒ、１４Ｇ、１４Ｂに対する位置が全て同じになるように設けられている。修正用開口部７１は、ゲート配線１２と平行方向の長さが、ソース配線１３の幅よりも大きく形成されていて、ソース配線１３の修正に用いられる（後述する）。また、修正用開口部７１の上には、電極層や半導体層などの層が存在しないように形成されている。これは、後述する欠陥修正の際にソース配線１３を切断する場合、レーザーなどの修正手段による配線切断時、切断片とゲート配線１２や電極層等との間にリークが生じ難く、また修正も行い易いからである。
【００３９】
図７（ａ）〜（ｃ）に示すように、識別部７（赤色絵素１０Ｒの識別部７Ｒ、緑色絵素１０Ｇの識別部７Ｇ、青色絵素１０Ｂの識別部７Ｂ）は、修正用開口部７１の左側端部に連設された四角形の開口部として設けられている。各識別部７Ｒ、７Ｇ、７Ｂは、その面積及び形状は同じであるが、その形成位置が各絵素の表示色により、修正用開口部７１の左端の上、中、下と、形成位置が相違するように形成されている。すなわち、赤色絵素１０Ｒの識別部７Ｒは図７（ａ）に示すように修正用開口部７１の左端上部に連設され、緑色絵素１０Ｇの識別部７Ｇは図７（ｂ）に示すように修正用開口部７１の左端中央部に連設され、青色絵素１０Ｂの識別部７Ｂは図７（ｃ）に示すように修正用開口部７１の左端下部に連設されている。このＴＦＴアレイ基板５では、識別部７は配線非形成領域として形成されているから、その形成位置をＴＦＴアレイ基板５の裏面から識別可能であり、識別部７の形成位置を確認することで絵素の表示色を識別することができる。
【００４０】
識別部７は、全ての絵素に設けられている。この態様では、識別部７は３種類の識別機能を有するから、３種類の絵素の中から特定の絵素を識別できる。尚、本発明では、絵素の種類が３種類以外の場合にも適用可能である。例えば、絵素が２種類或いは４種類以上の場合も同様に、複数の絵素の種類に対応した識別部７を各絵素に設ければ良い。また識別部７の形状は四角形に限らず、細いスリット状、三角形、多角形、半円状等の他の形状に形成しても良い。また、上記例では、絵素の種類により識別部の形成位置を変えたが、形成位置を変えずに絵素の種類により識別部の形状を変えるように構成しても良い。また、絵素の種類により、識別部の形状及び形成位置の両方を変えるようにしても、何れでも良い。
【００４１】
更に識別部７は、絵素電極１４に重ならない位置に設けられ、絵素の表示画像に実質的に影響を与えないように形成されている。この実質的に影響を与えないとは、各絵素の表示画像に全く影響を与えない場合以外に、表示画像に影響を与えても、その影響がわずかであり、しかもその影響が絵素の種類により変化せず、複数種類の絵素に対する影響が同一である場合も含まれる。
【００４２】
識別部７が表示画像に影響を与えないように形成するための好ましい手段として、例えば、識別部７の大きさを、識別可能な範囲で、なるべく小さく形成することができる。また、各色絵素の識別部７Ｒ、７Ｇ、７Ｂの大きさ（開口面積）を同一に形成すると、各色絵素の識別部７Ｒ、７Ｇ、７Ｂの位置が異なる位置に形成されていても、ゲート配線１２と絵素電極１４間の容量が変化しないので、識別部７が表示画像に影響を与えることはない。また、識別部７の上には、透明導電性膜やｎ＋／ｉ層等の電極層及び半導体層等が存在しないように形成すると、ゲート配線１２と絵素電極１４間の容量が変化する虞がない。
【００４３】
図４に示す態様のＴＦＴアレイ基板５では、識別部７は修正用開口部７１の左側に設けられている。これは、修正用開口部７１の右側に形成すると、このＴＦＴ１７ａ、１７ｂの形状、配置の場合は、ソース電極やｎ＋／ｉ層等に重なり易くなるためである。このように識別部７は、ＴＦＴの形状（配置）、大きさ、種類などに応じて、ゲート配線１２と絵素電極１４間の容量が変化しないように、適宜の形状、位置に形成することができる。
【００４４】
識別部７は、液晶表示パネル２を構成した際に、カラーフィルタ基板６のブラックマトリクス６３等の対向基板に設けた遮光領域により覆われて、表面側からは見えない位置に形成するのが好ましい。
【００４５】
図８は図４のＢ−Ｂ線断面図である。識別部７は図８に示すようにＴＦＴアレイ基板５の配線１２に、配線非形成領域として形成されているから、前記ＴＦＴアレイ基板５の裏側の透明基板５ａ側から識別可能である。ＴＦＴアレイ基板５において、ゲート配線１２の配線非形成領域である識別部７及び修正用開口部７１に対応する位置の絶縁層２７は、絶縁層の非形成領域からなる開口部として形成されている。そしてソース配線１３は、絶縁層２７の開口部において、透明基板５ａ上に直接形成されている。ソース配線１３は、ゲート配線１２と直接接する部分が絶縁されていれば良いので、ゲート配線１２の非形成領域となる修正用開口部７１では、絶縁層２７を介さずに形成することができる。尚、ＴＦＴアレイ基板５の修正用開口部７１において、絶縁層２７を介してソース配線１３を形成しても良い。
【００４６】
図９（ａ）〜（ｃ）は、識別部の他の態様を示す説明図である。図９（ａ）〜（ｃ）に示すように、識別部は、ゲート配線１２に設けた形状の異なる抜き孔７４（７４Ｒ、７４Ｇ、７４Ｂ）からなる、修正用開口部７１と連設しない独立した開口部として形成することができる。図９（ａ）に示すように、赤色絵素１０Ｒに設けた抜き孔７４Ｒは三角形であり、同図（ｂ）に示すように緑色絵素１０Ｇに設けた抜き孔７４Ｇは円形であり、同図（ｃ）に示すように青色絵素１０Ｂに設けた抜き孔７４Ｂは正方形であり、絵素の表示色により抜き孔７４の形状が相違する。上記抜き孔７４Ｒ、７４Ｇ、７４Ｂは、形状が相違するが、その面積及び形成位置は同一に形成されている。抜き孔７４Ｒ、７４Ｇ、７４Ｂの形成位置は、絵素電極１４と重ならない位置であり、液晶表示パネル２を構成した際にカラーフィルタ基板６のブラックマトリクス６３に覆われる位置（対向基板の遮光領域と重なる位置）である。
【００４７】
識別部７の抜き孔７４Ｒ、７４Ｇ、７４Ｂは、ゲート配線１２の非形成領域であり、ＴＦＴアレイ基板５の表裏面からその形状の相違が識別可能である。また抜き孔７４Ｒ、７４Ｇ、７４Ｂは、絵素の表示に影響を与えない大きさであるが、その形状の相違が十分識別可能な大きさに形成されている。
【００４８】
上記識別部７の抜き孔７４の形状は上記態様に限定されず、ＴＦＴアレイ基板５の表裏面から形状の相違が識別可能であり、当該絵素の種類を識別可能な形状であればよい。また上記抜き孔７４は、絵素電極に対する位置が同じ位置になるように形成したが、絵素の種類により抜き孔７４の形状を同一形状とし、形成位置が異なるように形成しても良いし、形状及び形成位置の両方が異なるように形成しても良い。
【００４９】
例えば図１４（ａ）〜（ｃ）に示すように、識別部７は、修正用開口部７１と連設しない独立した四角形の開口部からなる抜き孔７４Ｒ、７４Ｇ、７４Ｂとして、四角形の面積及び形状は同じであるが、その形成位置が各絵素の表示色により異なるように形成されている。すなわち、抜き孔７４Ｒは赤色絵素に、抜き孔７４Ｇは緑色絵素に、抜き孔７４Ｂは青色絵素に、それぞれ対応している。図１４（ａ）に示すように抜き孔７４Ｒの形成位置は、赤色絵素の修正用開口部７１の左側の上部に設けられ、図１４（ｂ）に示すように抜き孔７４Ｇの形成位置は、緑色絵素の修正用開口部７１の左側の中央部に設けられ、図１４（ｃ）に示すように抜き孔７４Ｇの形成位置は、青色絵素の修正用開口部７１の左側の下部に設けられている。
【００５０】
また識別部７は、平面形状が方向性を有する形状に形成して、各絵素の種類により向きが相違するように配置することができる。すなわち識別部７を上記のように、独立した開口部からなる抜き孔として形成する場合、その抜き孔の平面形状が例えば三角形の様に方向性を持つ形状の場合には、図１５（ａ）〜（Ｃ）に示す如き、その形状及び形成位置を同じとし、絵素の種類によって三角形を所定の角度回転させて配置する。この回転角度は、向きの相違が識別できる角度である。すなわち、三角形を所定の角度回転させて、三角形の一つの角が指し示す方向が異なるようにすれば、絵素の種類を識別できる。例えば図１５（ａ）の抜き孔７４Ｒは、三角形の一先端が図中上を向くように配置されており、同図（ｂ）の抜き孔７４Ｇは、同図（ａ）の三角形が図中反時計方向に１３５度回転して一先端が左斜め下方を向くように配置されており、同図（ｃ）の抜き孔７４Ｂは、同図（ｂ）の三角形が図中反時計方向に更に９０度回転して一先端が右斜め下方を向くように配置されている。そして抜き孔７４Ｒは赤色絵素に、抜き孔７４Ｇは緑色絵素に、抜き孔７４Ｂは青色絵素に、それぞれ対応している。このように、抜き孔７４Ｒ、７４Ｇ、７４Ｂは三角形の先端の向きがそれぞれ異なるように形成されているので、それぞれが対応する絵素の種類を識別可能である。
【００５１】
上記のような方向性持つ形状として、図１６（ａ）に示すような矢印状、同図（ｂ）に示すような長方形状、同図（ｃ）に示すような凸状、同図（ｄ）に示すような長方形或いは正方形と半円を組み合わせた形状等が挙げられる。これらの形状では、例えば図１６（ａ）〜（ｄ）に示すように、回転させて配置することで、それぞれの抜き孔７４Ｒ、７４Ｇ、７４Ｂの相違を識別可能である。
【００５２】
また識別部７は、ゲート配線１２に形成するのみならず、ソース配線１３に設けても良い。図１０（ａ）〜（ｃ）は、それぞれソース配線１３に識別部７を設けた場合の各絵素のゲート配線１２とソース配線１３の交叉部を示す平面図である。図１０（ａ）〜（ｃ）に示すように、識別部７は、該ゲート配線１２とソース配線１３の交叉部に形成されたゲート配線非形成領域となる修正用開口部７１の上を通過するソース配線１３に切り欠き７５（７５Ｒ、７５Ｇ、７５Ｂ）として設けられている。図１０（ａ）に示すように、赤色絵素１０Ｒの場合、三角形の切り欠き７５Ｒを設け、同図（ｂ）に示すように緑色絵素１０Ｇの場合、半円形の切り欠き７５Ｇを設け、同図（ｃ）に示すように青色絵素１０Ｂの場合、長方形の切り欠き７５Ｂを設け、絵素の表示色により切り欠き７５の形状が相違するように形成されている。上記各切り欠き７５Ｒ、７５Ｇ、７５Ｂは、形状が相違するが、その面積が同じであり、形成位置は同一位置に形成されている。
【００５３】
また、上記切り欠き７５は、その相違が識別可能な形状であれば良く、上記形状に限定されない。また上記切り欠き７５は形成位置が同一位置に形成されているが、同一形状で形成位置が相違するようにしても良いし、形成位置及び形状が共に異なるように形成しても何れでも良い。
【００５４】
識別部７を構成する上記切り欠き７５は、ソース配線１３に設けられているが、本発明において識別部７は、ゲート配線１２に絵素の種類に応じて形状の異なる切り欠きを設けても良い。この場合、各切り欠きの面積は同一とし、形成位置も同一とする。また、各切り欠きの位置は、絵素電極に重ならない位置であり、カラーフィルタ基板のブラックマトリクスで覆われる位置に設けられる。
【００５５】
また識別部７として、図１３（ａ）〜（ｃ）に示すように、修正用開口部７１の上に位置するソース配線１３において、識別部７として、そのソース配線１３の一部が外側に突出するように凸部７６（７６Ｒ、７６Ｇ、７６Ｂ）を設け、この凸部７６Ｒ、７６Ｇ、７６Ｂの位置が絵素の種類により相違するように、形成することができる。図１３（ａ）に示すように、例えば赤色絵素の凸部７６Ｒは修正用開口部７１のソース配線の図中上下方向の上方の位置に設けられ、また緑色絵素の凸部７６Ｇは同図（ｂ）に示すように、その中程に、青色絵素の凸部７６Ｂは同図（ｂ）に示すように、その下方に、それぞれ設けられている。また、上記凸部７６Ｒ、７６Ｇ、７６Ｂは、同じ形成位置にそれぞれ形状が相違するように形成しても良いし、形成位置及び形状の両方が相違するように形成しても良い。この場合、第２の配線となるソース配線について見れば、凸部７６Ｒ、７６Ｇ、７６Ｂは、ソース配線の一部が除去されたものではないが、第１の配線となるゲート配線の一部が除去された修正用開口部７１の形状は、アレイ基板の裏面側から見た場合に、投影される開口部７１の形状がソース配線１３に設けられた凸部７６Ｒ、７６Ｇ、７６Ｂによって相違することになり、アレイ基板の裏面から識別可能となるので、識別部として利用できる。また、この場合、アレイ基板の表面から見た場合も、ソース配線の凸部７６Ｒ、７６Ｇ、７６Ｂの相違を識別可能である。
【００５６】
識別部７は、配線の一部が除去された部分の面積が、各絵素によって異ならないように形成されている場合、ＲＧＢの各絵素それぞれの電気的特性に変化を生ずることなく、各色絵素の区別が可能である。また上記の実施態様に示したように、識別部が修正用開口部等の修正部の近傍に設けられている場合、顕微鏡の倍率を高くしても、修正すべき箇所を間違えることなく修正が可能である。また、識別部をブラックマトリクスを配置すべき箇所に形成すれば、開口部や画像への影響なく識別が可能である。また識別部の大きさは、配線の幅と同じように大きく形成したり、極端に配線の幅よりも小く形成したりするのを避けると共に、各絵素の識別部同士の大きさを揃えることで、表示特性に影響を与えないようにすることができる。また上記の配線に設ける開口部、切り欠き、突起等の識別部は、形状、形成位置、或いはその配置などは、上記態様に限定されず、各種の組み合わせが可能である。
【００５７】
ＴＦＴアレイ基板５の製造方法の一例を以下に示す。まず透明基板５ａの上にスパッタリングにより、導電性膜を製膜し、フォトリソグラフィー法によりレジストパターンを形成し、塩素系ガス等のエッチングガスを用いてドライエッチングし、レジストを剥離し、ゲート配線１２及び補助容量配線２４ａ、２４ｂを同時に形成する。透明基板５ａは、ガラス、プラスチック等の透明絶縁性を有する基板が用いられる。ガラス基板の場合、例えば、０．５ｍｍ、０．７ｍｍ、１．１ｍｍ等の厚みのものを用いることができる。導電性膜は、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、銅（Ｃｕ）等の金属膜、モリブデンタンタル（ＭｏＴａ）、モリブデンタングステン（ＭｏＷ）等の合金膜、又は、これらの積層膜等を用いることができる。導電性膜は、例えば１０００Å〜３０００Åの厚さに製膜することができる。
【００５８】
その後、窒化シリコン（ＳｉＮＸ）等からなるゲート絶縁膜、アモルファスシリコン等からなる活性半導体層、リン等をドープしたアモルファスシリコン等からなる低抵抗半導体層（ｎ＋層）をプラズマＣＶＤ（化学的気層成長）法等にて順次製膜した後、スパッタリングにより導電性膜を製膜し、フォトリソグラフィー法によりレジストパターンを形成し、塩素系ガス等のエッチングガスを用いてドライエッチングし、レジストを剥離することで、ソース配線１３、ドレイン配線２１ａ、２１ｂ及び補助容量電極２３ａ、２３ｂが同時に形成される。
【００５９】
ゲート絶縁膜として用いられる窒化シリコン膜は、３０００Å〜５０００Å程度に形成することができる。高抵抗半導体層として用いられるアモルファスシリコン膜は、１０００Å〜５０００Å程度に形成することができる。低抵抗半導体層として用いられるｎ＋アモルファスシリコン膜は、４００Å〜７００Å程度に形成することができる。導電性膜はＴｉ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗ、Ｃｕ、ＭｏＴａ、ＭｏＷ、又はこれらの積層膜等が用いられ、１０００Å〜３０００Åの厚さに製膜することができる。
【００６０】
その後、低抵抗半導体層を、塩素ガス等を用いたドライエッチングにてソースドレイン分離し、ＴＦＴ１７を形成する。次にアクリル系感光性樹脂等をスピンコートにより塗布し、層間絶縁膜９を形成した後、ドレイン配線２１と絵素電極１４とを電気的に接続するためのコンタクトホール部をフォトリソグラフィー法により形成する。層間絶縁膜９の厚さは例えば約３μｍ程度に形成することができる。更に、透明導電膜をスパッタリングにより製膜し、フォトリソグラフィー法により所定の形状にレジストパターンを形成し、塩化第二鉄等のエッチング液によりエッチングすることで、スリット１６が設けられた絵素電極１４が形成され、ＴＦＴアレイ基板５が得られる。絵素電極１４の形成に用いられる透明導電膜の材料としては、例えばＩＴＯ（indium-tin oxide）、ＩＺＯ（indium-zinc oxide）、酸化亜鉛、酸化スズ等が用いられる。透明導電膜の厚みは、１０００Å〜２０００Åに形成することができる。
【００６１】
カラーフィルタ基板６の製造方法の一例を以下に示す。まず透明基板６１の上に、スピンコートによりカーボンの微粒子を分散したネガ型のアクリル系感光性樹脂液を塗布した後、乾燥を行い、黒色感光性樹脂層を形成する。次いでフォトマスクを介して黒色感光性樹脂層を露光した後、現像を行って、ブラックマトリクス６３を形成する。このとき、各着色層が形成される領域に、それぞれ赤色着色層６２Ｒ、青色層６２Ｂ、及び緑色層６２Ｇの開口部が形成されるようにブラックマトリクスを形成する。
【００６２】
次に、赤色着色層６２Ｒの開口部にスピンコート等により顔料を分散したネガ型のアクリル系感光性樹脂液を塗布した後、乾燥を行い、フォトマスクを用いて露光、現像を行い、赤色着色層６２Ｒを形成する。その後、同様に、青色着色層６２Ｂ、緑色着色層６２Ｇを形成することでカラーフィルタ６２が得られる。更にＩＴＯ等からなる透明電極をスパッタリングにより形成し、その後、スピンコートによりポジ型のフェノールノボラック系感光性樹脂液を塗布した後、乾燥を行い、フォトマスクを用いて露光及び現像を行い、垂直配向制御用の突起６５を形成することで、カラーフィルタ基板６が得られる。
【００６３】
以下、液晶表示パネルの製造方法について説明する。上記により形成されたＴＦＴアレイ基板５の絵素電極１４面とカラーフィルタ基板６の対向電極６４面に、それぞれポリイミド樹脂等からなる配向膜（図示しない）を形成し、配向処理を行う。次にＴＦＴアレイ基板５とカラーフィルタ基板６を貼り合わせ、この２枚の基板の間に液晶を封入する。更にＴＦＴアレイ基板５とカラーフィルタ基板６の各基板側に光学シート８を積層することで液晶表示パネル２が得られる。この液晶表示パネル２を光源としてのバックライト３と組み合わせて一体化することで液晶表示装置１が得られる。
【００６４】
以下、ＴＦＴアレイ基板の欠陥修正方法について説明する。ＴＦＴアレイ基板段階において欠陥を検出する方法として、光学系を使った異常パターン検出などがある。欠陥検出された場合、識別部７により、どの色の絵素かを判別し表示色毎に予め設定された修正基準に基づき、レーザーなどの手段を用いてアレイ基板表面（膜面）より欠陥修正が行われる。ＴＦＴ基板状態で修正できなった欠陥、対向基板と貼り合わせた後に発生した欠陥などはパネル点灯にて検査を行い、欠陥があった場合には、ＴＦＴアレイ基板裏面（透明基板５ａ）からレーザーなどの手段を用い欠陥の修正を行う。
【００６５】
例えばＴＦＴアレイ基板５のｎ番目のゲート線とｍ番目のソース線の交叉する位置に設けられている一つの絵素１０に、ゲート配線１２とソース配線１３との間のリーク（ＳＧリークという。）が存在する場合において、パネル状態でＴＦＴアレイ基板裏面（透明基板５ａ）から修正を施す場合を説明する。図１１（ａ）、（ｂ）は副絵素どちらかのみでＳＧリークがあった場合の欠陥修正方法の手順を示す説明図である。図１２（ａ）〜（ｃ）は、液晶表示パネル２の表示画面に現れる欠陥の各種態様を示す説明図である。下記のような場合においても、識別部７により表示色の確認が可能であるため、欠陥画素の早期発見、修正などの対処措置の効率化が可能となる。
また副絵素にも識別部を設ければ、副絵素の確認が可能であるため、たとえば明暗いずれの副絵素か判別が可能であるため、明暗の副絵素で欠陥基準や修正方法が異なる場合などに、不良判定や対応措置の効率化が可能になる。副絵素の識別部は、絵素の識別部と同様に形成することができる。たとえば、図１７（ａ）〜（ｃ）の矢印で表現したように、識別部７は、各色の絵素ごとに設けた矢印状の抜き孔７７Ｒ、７７Ｇ、７７Ｂとして形成することができる。これらの抜き孔７７Ｒ、７７Ｇ、７７Ｂは、それぞれＲ、Ｇ、Ｂの絵素を区別するとともに、矢印の向いている方向の副絵素が、明るい明絵素であることを示している。すなわち、抜き孔７７Ｒは直上を指し、抜き孔７７Ｇは右上を指し、抜き孔７７Ｂは左上を指しているように、上側の副絵素が明るい明絵素である。あるいは、ＲＧＢの明暗副絵素の各６副絵素にこれまで説明したような別々の識別部を設けても良い。
【００６６】
図１１に示す絵素１０は共通のゲート配線１２を利用する二つの副絵素１０ａ、１０ｂの集合体として構成されているから（図５参照）、図１１（ａ）に示すように副絵素１０ａのＴＦＴ１７ａにＳＧリーク５０ａが存在する場合と、図１１（ｂ）に示すように副絵素１０ｂのＴＦＴ１７ｂにＳＧリーク５０ｂが存在する場合とが含まれる。２を点灯させてＴＦＴアレイ基板５を透明基板５ａ側から見ると、図１２（ａ）に示すように、図１１（ａ）、（ｂ）のどちらの場合も、画素電極４を交点とした水平方向の線欠陥５１ａと垂直方向の線欠陥５１ｂとからなる十字線欠陥５１として現れる。この十字線欠陥５１は、ｎ番目のゲート線とｍ番目のソース線が接続される絵素電極１４全てに現れる。この段階では、十字線欠陥５１が、図１１（ａ）のＴＦＴ１７ａに生じているＳＧリーク５０ａによるものなのか、図１１（ｂ）のＴＦＴ１７ｂに生じているＳＧリーク５０ｂによるものなのかは判別できない。
【００６７】
図１１（ａ）、（ｂ）に示すように、修正用開口部７１において透明基板５ａ側からレーザー光等を照射してソース配線１３を切断部５２で切断して、入力側（図中、切断部５２よりも上方）のソース配線１３ａと、非入力側（図中、切断部５２よりも下方）のソース配線１３ｂとを分離する。この状態で液晶表示パネル２を点灯させると、図１１（ａ）の入力側のソース配線１３ａのＴＦＴ１７ａにＳＧリーク５０ａが存在する場合は、図１２（ａ）に示すように依然として十字線欠陥５１として現れる。これに対し、図１１（ｂ）の非入力側のソース配線１３ｂのＴＦＴ１７ｂにＳＧリーク５０ｂが存在する場合は、図１２（ｂ）に示すようにゲート配線１２方向の線欠陥５１ａは現れず、ソース配線１３の副絵素１０ｂから絵素１０の非入力側のｍ番目のソース配線１３に沿った線欠陥５１ｃのみが現れる。
【００６８】
このように修正用開口部７１上を通過するソース配線１３を切断部５２で切断することにより、何れのＴＦＴ１７ａ、１７ｂにおいてＳＧリーク５０ａ、５０ｂが生じているかを判別できるから、切断された配線（入力側のソース配線１３ａと非入力側のソース配線１３ｂ）のうち、どちらの配線を次工程において切断すれば良いのか判断することができる。
【００６９】
図１１（ａ）に示すように、ＴＦＴ１７ａにＳＧリーク５０ａが生じていた場合、入力側のソース配線１３ａのゲート配線１２と重ならない位置の切断部５３ａで切断し、ＳＧリーク５０ａの部分をソース配線１３より完全に分離する。この状態で液晶表示パネル２を点灯させると、切断前は図１２（ａ）に示す状態であったのが、切断後は図１２（ｂ）に示すように、ゲート配線１２方向の線欠陥５１ａが消滅し、ソース配線１３方向の線欠陥５１ｃのみが現れる。
【００７０】
一方、図１１（ｂ）に示すように、ＴＦＴ１７ｂにＳＧリーク５０ｂが生じていた場合、非入力側のソース配線１３ｂをゲート配線１２と重ならない位置の切断部５３ｂで切断し、ＳＧリーク５０ｂの部分をソース配線１３より完全に分離する。この状態で液晶表示パネル２を点灯させても、ソース配線１３ｂには信号が入力されないので、図１２（ｂ）に示すように、この絵素電極１４よりも非入力側のソース配線１３方向に、線欠陥５１ｃが現れる。
【００７１】
図１１（ａ）に示すように、ＴＦＴ１７ａにＳＧリーク５０ａが存在する場合、補助配線（冗長配線、図示されない）による修正を行い、非入力側のソース配線１３ｂからＴＦＴ１７ｂに補助配線を経由してソース信号Ｓ’を入力することで、副絵素１０ｂ（副絵素電極１５ｂ）を駆動させることができる。一方、図１１（ｂ）に示すように、ＴＦＴ１７ｂにＳＧリーク５０ｂが存在する場合、補助配線による修正を行い、非入力側のソース配線１３ｂにソース信号（図示されない）を入力するようにすれば、副絵素（副絵素電極１５ｂ）より非入力側に配置されている副絵素（図示されない）を全て駆動させることができる。
【００７２】
その結果、液晶表示パネル２のＳＧリーク５０ａ、５０ｂによる欠陥は、液晶表示パネル２がノーマリブラックモードの場合、欠陥５４ａ又は５４ｂは一絵素単位の欠陥ではなく図１２（ｃ）に示すように、副絵素単位の半黒点として現れる。また液晶表示パネル２がノーマリホワイトモードの場合、欠陥５４ａ又は５４ｂは副絵素単位の半輝点となるので、これを黒点化処理を行うことで半黒点とすることができる。
【００７３】
前記補助配線による修正は、例えば、特開平５−２０３９８６号公報、特開平９−１４６１２１号公報等に記載の公知の手段を用いることができる。具体的には、ＴＦＴアレイ基板５上の表示領域の外周部に補助配線を一周もしくは半周するように配置し、ソース配線１３の入力端、開放端とを補助配線で短絡する方法等が挙げられる。
【００７４】
本発明の表示装置は、大型テレビジョンなどに用いられる液晶表示装置として好適に用いられる。
【図面の簡単な説明】
【００７５】
【図１】本発明の表示装置の一例として、透過型のＴＦＴアクティブマトリクス型液晶表示装置の構成を模式的に示す断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｄ）は、各色絵素の配列パターンを示す平面図である。
【図３】図１の液晶表示パネルに用いられるＴＦＴアレイ基板の６つの絵素電極部分を模式的に示した平面図である。
【図４】図３の１つの絵素電極部分の拡大図である。
【図５】図１の液晶表示パネルの一つの絵素の構成を示す図である。
【図６】液晶表示パネルの一絵素における、絵素電極に形成されるスリットと対向電極に形成される突起の配置を模式的に示した平面図である。
【図７】（ａ）〜（ｃ）は、それぞれ図３の各色の絵素に対応するゲート配線を示す拡大図である。
【図８】図４のＢ−Ｂ線断面図である。
【図９】（ａ）〜（ｃ）は、識別部の他の態様を示す説明図である。
【図１０】（ａ）〜（ｃ）は、それぞれソース配線に識別部を設けた場合の各絵素のゲート配線とソース配線の交叉部を示す平面図である。
【図１１】（ａ）、（ｂ）は、各副絵素どちらか一方にＳＧリークがあった場合の欠陥修正方法の手順を示す説明図である。
【図１２】（ａ）〜（ｃ）は、液晶表示パネルの表示画面に現れる欠陥の各種態様を示す説明図である。
【図１３】（ａ）〜（ｃ）は、識別部の他の態様を示す説明図である。
【図１４】（ａ）〜（ｃ）は、識別部の他の態様を示す説明図である。
【図１５】（ａ）〜（ｃ）は、識別部の他の態様を示す説明図である。
【図１６】（ａ）〜（ｄ）は、方向性を持つ平面形状を有する抜き孔の識別部の態様を示す平面図である。
【図１７】（ａ）〜（ｃ）は、副絵素の識別部の様態を示す図である。
【図１８】従来のカラー液晶表示装置のＴＦＴ基板の概略を示す平面図である。
【符号の説明】
【００７６】
１  液晶表示装置
２  液晶表示パネル
４  液晶層
５  ＴＦＴアレイ基板
６  カラーフィルタ基板
７  識別部
７Ｒ  赤色絵素の識別部
７Ｇ  緑色絵素の識別部
７Ｂ  青色絵素の識別部
１０  絵素
１０ａ、１０ｂ  副絵素
１２  ゲート配線
１３  ソース配線
１４  絵素電極
１７ａ、１７ｂ  ＴＦＴ
６３  ブラックマトリクス
７１  修正用開口部
７４（７４Ｒ、７４Ｇ、７４Ｂ）  ゲート配線に設けた抜き孔
７５（７５Ｒ、７５Ｇ、７５Ｂ）  ソース配線に設けた切り欠き
【図１】
2008015029.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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