(57)【要約】【課題】ＮＨ3を含むガスで下層の有機膜のエッチングを行なっても、有機膜の寸法が細ることを抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】被エッチング膜２上に、下層レジスト３、シリコンを含む中間層４および上層レジスト５が順に形成される。上層レジスト５がパターニングされ、その上層レジスト５をマスクとして、フッ素を含むガスを用いて処理チャンバー１１内で中間層４がエッチングされる。処理チャンバー１１内壁および処理ウエハ１０に付着したフッ素化合物が除去される。中間層４をマスクとして、ＮＨ3を含むガスで下層レジスト３がエッチングされる。【選択図】図３
2008311293.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理ウエハに含まれる被加工膜上に、下層レジスト、シリコンを含む中間層、および上層レジストを順に形成する工程と、
前記上層レジストをパターニングする工程と、
パターニングされた前記上層レジストをマスクとして、フッ素を含むガスを用いて第１の処理チャンバー内にて前記中間層をエッチングすることでパターニングする工程と、
前記第１の処理チャンバー内壁および前記処理ウエハの少なくともいずれかに付着したフッ素化合物を除去する工程と、
パターニングされた前記中間層をマスクとして、ＮＨ3を含むガスを用いて前記下層レジストをエッチングすることでパターニングする工程と、
パターニングされた前記下層レジストをマスクとして、前記被加工膜をエッチングすることでパターニングする工程とを備えた、半導体装置の製造方法。
【請求項２】
ＮＨ3を含むガスを用いて前記下層レジストをエッチングする工程は、フッ素を含むガスを用いて前記中間層をエッチングした前記第１の処理チャンバーと同じチャンバー内で行なわれる、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記第１の処理チャンバー内壁および前記処理ウエハの少なくともいずれかに付着したフッ素化合物を除去する工程は、前記第１の処理チャンバー内に前記処理ウエハを保持した状態で行なわれる、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記第１の処理チャンバー内壁および前記処理ウエハの少なくともいずれかに付着したフッ素化合物を除去する工程は、前記第１の処理チャンバーの外部に前記処理ウエハを取出した状態で行なわれる、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記第１の処理チャンバー内壁に付着したフッ素化合物を除去する工程は、前記第１の処理チャンバーの外部であって搬送チャンバー内部に前記処理ウエハを保持した状態で行なわれる、請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記第１の処理チャンバー内壁に付着したフッ素化合物を除去する工程は、前記第１の処理チャンバーの外部であってロードロックチャンバーおよびアンロードロックチャンバーのいずれか一方の内部に前記処理ウエハを保持した状態で行なわれる、請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記第１の処理チャンバー内壁および前記処理ウエハの少なくともいずれかに付着したフッ素化合物を除去する工程は、前記第１の処理チャンバーとは異なる第２の処理チャンバー内部に前記処理ウエハを保持した状態で行なわれる、請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記被加工膜をエッチングする工程は、前記第１の処理チャンバー内で行なわれる、請求項１〜７のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記被加工膜をエッチングする工程は、前記第２の処理チャンバー内で行なわれる、請求項１〜７のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記フッ素化合物を除去する工程では、Ｈ2Ｏ、Ｎ2、Ａｒ、Ｏ2、ＣＯ2、ＨＣｌ、ＨＢｒおよびＨＩよりなる群より選ばれる１以上を含むガス系のプラズマを用いて前記フッ素化合物を除去する、請求項１〜９のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
処理ウエハに含まれる被加工膜上に、下層レジスト、シリコンを含む中間層、および上層レジストを順に形成する工程と、
前記上層レジストをパターニングする工程と、
パターニングされた前記上層レジストをマスクとして、フッ素を含むガスを用いて第１の処理チャンバー内にて前記中間層をエッチングすることでパターニングする工程と、
パターニングされた前記中間層をマスクとして、ＣＯ2を含むガスを用いて前記下層レジストをエッチングすることでパターニングする工程と、
パターニングされた前記下層レジストをマスクとして、前記被加工膜をエッチングすることでパターニングする工程とを備えた、半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
微細パターン形成の要求に伴い、投影露光装置の光源の短波長化や、光学系の高ＮＡ（開口数）化などが進められている。これに伴い、レジスト技術も単層レジストでは微細化への対応が困難となり、多層レジストが用いられてきている。このような多層レジストを用いた技術として、たとえば特開平１−２８０３１６号公報がある。
【０００３】
この公報に記載の多層レジスト技術では、まず有機膜とこの上に形成され選択露光されるレジスト膜とを含む多層レジスト膜が下地層上に形成される。このレジスト膜が選択露光によりパターニングされる。この後に、上記のレジスト膜またはこのレジスト膜に対応してパターニングされた中間層をマスクとして、ＮＨ3を含むガスをエッチングガスとするドライエッチングにより上記有機膜が選択的にエッチングされる。
【０００４】
また上記公報には、ＮＨ3を含むガスをエッチングガスとしたことにより、単にＮ2ガスを用いた場合より十分高速なエッチングが可能になり、Ｏ2ガスを用いた場合のような高い自己バイアス電圧や低い圧力が要求されず、下地層の再付着などの問題も解決されると記載されている。
【特許文献１】特開平１−２８０３１６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記の多層エッチング技術において、中間層をフッ素系ガス（たとえばＣＨＦ3／ＣＦ4ガス）でエッチングした後に、フッ素系雰囲気の処理チャンバーでＮＨ3を含むガス系（たとえばＮＨ3／ＣＯ2ガス）にて下層の有機膜のエッチングを行なうと、有機膜の寸法が細り、有機膜パターンが倒れ易くなるという問題があった。
【０００６】
それゆえ本発明の目的は、ＮＨ3を含むガスで下層の有機膜のエッチングを行なっても、有機膜の寸法が細ることを抑制できる半導体装置の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本実施の形態における半導体装置の製造方法は、以下の工程を備える。
処理ウエハに含まれる被加工膜上に、下層レジスト、シリコンを含む中間層、および上層レジストが順に形成される。上層レジストがパターニングされる。パターニングされた上層レジストをマスクとして、フッ素を含むガスを用いて第１の処理チャンバー内にて中間層がエッチングされることでパターニングされる。第１の処理チャンバー内壁および処理ウエハの少なくともいずれかに付着したフッ素化合物が除去される。パターニングされた中間層をマスクとして、ＮＨ3を含むガスを用いて下層レジストがエッチングされることでパターニングされる。パターニングされた下層レジストをマスクとして、被加工膜がエッチングされることでパターニングされる。
【発明の効果】
【０００８】
本実施の形態における半導体装置の製造方法によれば、ＮＨ3を含むガスを用いて下層レジストをエッチングする前に、第１の処理チャンバー内壁および処理ウエハの少なくともいずれかに付着したフッ素化合物が除去される。このため、ＮＨ3を含むガスで下層レジストのエッチングを行なっても、下層レジストの寸法が細ることが抑制され得る。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、本発明の実施の形態について図に基づいて説明する。
（実施の形態１）
図１〜図６は、本発明の実施の形態１における半導体装置の製造方法を工程順に示す概略断面図である。図１を参照して、下地材料基板１の上に、被エッチング膜（被加工膜）２が形成される。この被エッチング膜２の上に、下層レジストとなる有機膜３と、シリコンを含む材質よりなる中間層４と、上層レジスト５とが下から順に形成される。これにより、下地材料基板１、被エッチング膜２、有機膜３、中間層４および上層レジスト５よりなる処理ウエハ１０が形成される。中間層４の材質は、たとえば有機膜とシリコン酸化膜との中間体であり、有機ＳＯＧ（Spin On Glass）を含むものである。
【００１０】
図２を参照して、この処理ウエハ１０の上層レジスト５が露光、現像によりパターニングされる。これにより、上層レジスト５から中間層４の表面が露出する。
【００１１】
図３を参照して、このパターニングされた上層レジスト５をマスクにして、中間層４の露出した箇所が処理チャンバー１１内でエッチングされる。このエッチングは、フッ素系ガス(たとえばＣＨＦ3／ＣＦ4)を用いたプラズマエッチングにより行なわれる。このエッチングにより、上層レジスト５および中間層４から有機膜３の表面が露出する。
【００１２】
なお、上記のエッチング時に、処理チャンバー１１の壁面、処理ウエハ１０の表面などに、フロロカーボン系ポリマー膜（ＣxＦyポリマー（図中黒丸））が付着、またはフッ素系のガス成分（ＣmＦnガス成分（図中白丸））が吸着する。
【００１３】
図４を参照して、処理チャンバー１１の壁などに残留しているフッ素系ガス成分およびフッ素系ポリマー膜が、Ｈ2Ｏ（水）、Ｎ2（窒素）、Ａｒ（アルゴン）、Ｏ2（酸素）、ＣＯ2（二酸化炭素）、ＨＣｌ（塩酸）、ＨＢｒ（臭化水素）およびＨＩ（ヨウ化水素）よりなる群より選ばれる１以上を含むガス系のプラズマを用いて除去される。上記の処理チャンバー１１のクリーニング(プラズマクリーニング)は、たとえば処理ウエハ１０が処理チャンバー１１内に保持された状態で行なわれる。このため、処理ウエハ１０の表面に付着・吸着したフッ素系ガス成分およびフッ素系ポリマー膜も処理ウエハ１０の表面から除去される。
【００１４】
図５を参照して、上記プラズマクリーニングのステップが終了した後、処理チャンバー１１内で、パターニングされた中間層４をマスクにして有機膜３の露出した箇所がエッチングされる。このエッチングは、ＮＨ3を含むガスを用いて行なわれる。ＮＨ3を含むガスとしては、たとえば酸素系ガスとの混合ガス（たとえばＮＨ3／ＣＯ2）が用いられる。このエッチング時に、上層レジスト５は完全に除去される。またこのエッチングにより被エッチング膜２の表面が露出する。
【００１５】
図６を参照して、中間層４および有機膜３をマスクにして、被エッチング膜２の露出した箇所がエッチングされる。これにより、被エッチング膜２がパターニングされる。この際、中間層４も同時に除去される。この後、有機膜３が除去されて、パターニングされた被エッチング膜２を有する半導体装置が製造される。
【００１６】
図７は、上記の製造方法に用いられる半導体製造装置の構成を概略的に示す平面図である。図７を参照して、この半導体製造装置は、処理チャンバー１１と、搬送チャンバー１２と、ロードロックチャンバー１３と、アンロードロックチャンバー１４とを主に有している。
【００１７】
処理チャンバー１１は、処理ウエハ１０にエッチングなどの処理を施すためのチャンバーである。ロードロックチャンバー１３およびアンロードロックチャンバー１４の各々は、ロードロック室を構成するチャンバーで、処理チャンバー１１内を真空に保持し大気に開放しないことを目的に、処理チャンバー１１への処理前、処理後の処理ウエハ１０の出し入れを行なうために設置される真空チャンバーである。搬送チャンバー１２は、処理チャンバー１１、ロードロックチャンバー１３およびアンロードロックチャンバー１４の各々との間で処理ウエハ１０を搬送するためのチャンバーである。
【００１８】
本実施の形態では、上述したように、処理チャンバー１１内にて処理ウエハ１０の中間層４がエッチングされ、処理ウエハ１０が処理チャンバー１１内に保持された状態でプラズマクリーニングが行なわれ、その後に処理チャンバー１１内にて処理ウエハ１０の有機膜３がエッチングされる。つまり、ＮＨ3を含むガスを用いて有機膜３をエッチングする工程は、フッ素を含むガスを用いて中間層４をエッチングした処理チャンバー１１と同じチャンバー内で行なわれる。
【００１９】
上記のように処理ウエハ１０を処理チャンバー１１内に保持した状態でin-situプラズマクリーニングを過度に行なうと、処理ウエハ１０のレジスト３が適正量以上にエッチングされるという悪影響を及ぼす恐れがある。このため、プラズマクリーニングの処理時間を最短適正化するためにＦ系のプラズマ発光の終点検出方法を用いることが望ましい。また、中間層４のエッチング前にレジスト３を硬化させる処理(Deep UVキュア、プラズマ処理)が行なわれてもよい。
【００２０】
本実施の形態においては、下層レジスト３と中間層４と上層レジスト５とからなる多層レジストを用いて被エッチング膜２のパターニングが行なわれる。この中間層４は、下層レジスト３および上層レジスト５との間で大きなエッチング選択比を確保できるように、たとえば有機膜にシリコンを含めた材質より形成される。このようなシリコンを含む材質をエッチングする場合には、一般的にフッ素系ガスまたは塩素系ガスが用いられる。しかし、中間層４のエッチングに塩素系ガスを用いた場合には、フッ素系ガスを用いた場合と比較して、エッチング速度が遅くなり、残渣も発生しやすく、またパターンの側壁が顕著に順テーパ形状になるなどの形状不良も生じやすくなる。このため、この中間層４のエッチングには、フッ素系ガスが用いられる。
【００２１】
本発明者らは、鋭意検討した結果、フッ素系ガスで中間層４をエッチングした後に、同一の処理チャンバー１１内でＮＨ3を含むガス系にて有機膜３のエッチングを行なうと、有機膜３の寸法が細ることを見出した。
【００２２】
この反応機構自体は不明であるが、中間層４のエッチングにより処理チャンバー１１の壁などに残留しているフッ素系ガス成分およびフッ素系ポリマー膜とＮＨ3との反応が原因ではないかと考えた。つまり図８に示すようにフロロカーボン系ポリマー膜（ＣxＦyポリマー（図中黒丸））やフッ素系のガス成分（ＣmＦnガス成分（図中白丸））とＮＨ3との間でＮＨ3＋Ｆ＋Ｈ→ＮＨ4Ｆの反応が起こり、このＮＨ4Ｆが中間層４に含まれるＳｉと反応して中間層４を大きく後退させることにより、有機膜３の寸法細りが発生するのではないかと本発明者らは考えた。なお上記反応式におけるＦはＣＨＦ3またはＣＦ4から供給され、またＨはＣＨＦ3、ＮＨ3あるいはレジストなどの有機膜から供給されると考えられる。
【００２３】
そこで、本発明者らは、有機膜３をＮＨ3を含むガス系でエッチングする前にフッ素系雰囲気を除去した場合と除去しない場合とについて、有機膜３のパターニング後の寸法の変化について調べた。その結果を図１５に示す。
【００２４】
図１５の結果から、密なパターン配置（dense）および疎なパターン配置（ISO）のいずれにおいても、フッ素系雰囲気をプラズマクリーニングにより除去した場合の方が、除去しない場合と比較して、有機膜３の寸法細りの量（ＣＤ（Critical Dimension） Ｓｈｉｆｔ）が少ないことが判明した。
【００２５】
以上より本実施の形態によれば、有機膜３をＮＨ3を含むガス系でエッチングする前にフッ素系雰囲気が除去されるため、有機膜３の寸法細りを抑制することができる。また、それは、ＮＨ3＋Ｆ＋Ｈ→ＮＨ4Ｆの反応を抑制できたためであると考えられる。
【００２６】
また有機膜３をＮＨ3を含むガス系でエッチングできるため、高速なエッチングが可能となる。
【００２７】
（実施の形態２）
実施の形態１では、図７に示すように処理ウエハ１０を処理チャンバー１１内に保持した状態でプラズマクリーニングが行なわれていた。しかし、処理ウエハ１０を処理チャンバー１１内から外部に取出した状態でプラズマクリーニングが行なわれてもよい。このプラズマクリーニングの際には、図９に示すように装置内で真空を保持できる搬送チャンバー１２の搬送用ロボット上に処理ウエハ１０が待機させられていてもよい。またプラズマクリーニングの際に、図１０に示すようにロードロックチャンバー１３内に処理ウエハ１０が待機させられていてもよい。またプラズマクリーニングの際に、図１１に示すようにアンロードロックチャンバー１４内に処理ウエハ１０が待機させられていてもよい。
【００２８】
図９〜図１１に示すようにプラズマクリーニング時に処理ウエハ１０が処理チャンバー１１から取出された場合には、そのプラズマクリーニングが終了した後に、処理ウエハ１０が処理チャンバー１１内に搬送され、引き続き有機膜３のエッチングが行なわれてもよい。
【００２９】
本実施の形態によれば、実施の形態１と同様、有機膜３の寸法細りを防止することができる。
【００３０】
（実施の形態３）
実施の形態１および２においては１台の製造装置が１つの処理チャンバー１１を有する場合について説明したが、１台の製造装置が複数の処理チャンバーを有していてもよい。
【００３１】
図１２および図１３は、本発明の実施の形態３における半導体装置の製造方法を工程順に示す製造装置の概略平面図であって、１台の製造装置が複数の処理チャンバーを有する構成を示す図である。図１２を参照して、本実施の形態の製造装置は、たとえば２つの処理チャンバー１１、１５を有している。
【００３２】
本実施の形態の製造方法は、実施の形態１の製造方法とほぼ同じ工程を経る。ただし、処理チャンバー１１内でフッ素系ガスによる中間層４のエッチングが行なわれた後、図１３に示すように処理ウエハ１０が他の処理チャンバー１５に搬送される。そして、この処理チャンバー１５内で処理ウエハ１０にプラズマクリーニングが施される。つまり、処理チャンバー１５内で処理ウエハ１０の表面に付着・吸着したフッ素系ガス成分およびフッ素系ポリマー膜が、Ｈ2Ｏ、Ｎ2、Ａｒ、Ｏ2、ＣＯ2、ＨＣｌ、ＨＢｒおよびＨＩよりなる群より選ばれる１以上を含むガス系のプラズマを用いて除去される。この後、処理ウエハ１０が処理チャンバー１１内に戻されて、有機膜３のエッチングが行なわれる。
【００３３】
なお、本実施の形態のこれ以外の製造方法については実施の形態１の製造方法とほぼ同じであるため、その説明は省略する。
【００３４】
（実施の形態４）
上記の実施の形態３においては、図１３に示すように処理ウエハ１０が他の処理チャンバー１５に搬送された後に、処理チャンバー１５内で処理ウエハ１０にプラズマクリーニングが施される場合について説明したが、この状態で処理チャンバー１１のプラズマクリーニングが行なわれてもよい。これにより、処理チャンバー１１内のフッ素系ガス成分およびフッ素系ポリマー膜を除去することができる。この後、実施の形態３と同様、処理ウエハ１０が処理チャンバー１１内に戻されて、有機膜３のエッチングが行なわれる。
【００３５】
また、処理ウエハ１０を処理チャンバー１１内に戻さずに処理チャンバー１５内に保持したままで、この処理チャンバー１５内で有機膜３のエッチングが行なわれ、さらに中間層４および有機膜３をマスクとして被エッチング膜２がエッチングによりパターニングされてもよい。
【００３６】
また図１３に示すように処理ウエハ１０が処理チャンバー１５に搬送された後に、処理チャンバー１５内で処理ウエハ１０表面にプラズマクリーニングが施されるとともに、処理チャンバー１１内で処理チャンバー１１の内壁にプラズマクリーニングが施されてもよい。また双方のプラズマクリーニングは同時に行なわれてもよい。
【００３７】
（実施の形態５）
実施の形態１〜４においては有機膜３のエッチングにおいてＮＨ3を含むガス系が使用されていたが、有機膜３のエッチングガスとしてＣＯ2を含むガスが用いられてもよい。このＣＯ2を含むガスとしては、たとえばＣＯ2ガス、ＣＯ2／Ｎ2ガス、ＣＯ2／Ａｒガス、ＣＯ2／Ｎ2／Ａｒガスが用いられてもよい。
【００３８】
図１４は、本発明の実施の形態５における半導体装置の製造方法を示す概略断面図である。図１４を参照して、本実施の形態においては、有機膜３のエッチングガスとしてＣＯ2を含むガスが用いられる。このＣＯ2を含むガスを用いた場合、有機膜３のパターニング後の寸法細りは抑制される。これは、ＮＨ3を含むガスを用いた場合のＮＨ3＋Ｆ＋Ｈ→ＮＨ4Ｆの反応が生じないためと考えられる。よって、中間層４のパターニング後であって有機膜３のパターニング前に、フッ素系ガス成分およびフッ素系ポリマー膜を除去するためのプラズマクリーニングをする必要がない。
【００３９】
なお、本実施の形態のこれ以外の製造方法については実施の形態１の製造方法とほぼ同じであるため、その説明は省略する。
【００４０】
以上より本実施の形態によれば、有機膜３がＣＯ2を含むガスでエッチングされるため、プラズマクリーニングを行なわなくとも有機膜３の寸法細りを抑制することができる。それは、ＮＨ3を含むガスを用いた場合に生じるＮＨ3＋Ｆ＋Ｈ→ＮＨ4Ｆの反応が、ＣＯ2を含むガスを用いた場合に生じないためと考えられる。
【００４１】
また本発明者らは、有機膜３のエッチングにＣＯ2を含むガスを用いた場合と、他のガスを用いた場合との各々における有機膜３の寸法細りの量（ＣＤシフト量）と有機膜３のエッチング速度とを調べた。その結果を表１に示す。なお表１における結果は、フッ素系ガス成分およびフッ素系ポリマー膜を除去するためのプラズマクリーニングを行なわない場合の結果である。
【００４２】
【表１】
2008311293.tif 000003
【００４３】
表１の結果から、ＣＯ2を含むガスを用いた場合には、プラズマクリーニングを行なわなくとも、ＮＨ3を含むガスを用いた場合よりも有機膜３の寸法細りを抑制できるとともに、有機膜３のエッチング速度も２００〜２５０ｎｍ／ｍｉｎ．になりエッチング速度の低下を抑制できることが分かった。
【００４４】
なお上記の実施の形態１〜５においては、フッ素系ガス成分およびフッ素系ポリマー膜を除去する方法としてプラズマクリーニングを行なった場合について説明したが、フッ素系ガス成分およびフッ素系ポリマー膜を除去する方法はこれに限定されず他の方法であってもよい。
【００４５】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示にすぎず、これに制限されるものではない。本発明は上記で説明した範囲ではなく、特許請求の範囲によって示されるもので、特許請求の範囲と均等の意味および範囲でのすべての変更が含まれることが意図される。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明の実施の形態１における半導体装置の製造方法の第１工程を示す概略断面図である。
【図２】本発明の実施の形態１における半導体装置の製造方法の第２工程を示す概略断面図である。
【図３】本発明の実施の形態１における半導体装置の製造方法の第３工程を示す概略断面図である。
【図４】本発明の実施の形態１における半導体装置の製造方法の第４工程を示す概略断面図である。
【図５】本発明の実施の形態１における半導体装置の製造方法の第５工程を示す概略断面図である。
【図６】本発明の実施の形態１における半導体装置の製造方法の第６工程を示す概略断面図である。
【図７】本発明の実施の形態１における半導体装置の製造方法に用いられる半導体製造装置の構成を概略的に示す平面図である。
【図８】有機膜のパターニング後の寸法細りが発生する理由を説明するための概略断面図である。
【図９】本発明の実施の形態２における半導体装置の製造方法においてプラズマクリーニング時に処理ウエハを搬送チャンバー内に保持する様子を示す半導体製造装置の概略平面図である。
【図１０】本発明の実施の形態２における半導体装置の製造方法においてプラズマクリーニング時に処理ウエハをロードロックチャンバー内に保持する様子を示す半導体製造装置の概略平面図である。
【図１１】本発明の実施の形態２における半導体装置の製造方法においてプラズマクリーニング時に処理ウエハをアンロードロックチャンバー内に保持する様子を示す半導体製造装置の概略平面図である。
【図１２】本発明の実施の形態３における半導体装置の製造方法の第１工程を示す製造装置の概略平面図であって、１台の製造装置が複数の処理チャンバーを有する構成を示す図である。
【図１３】本発明の実施の形態３における半導体装置の製造方法の第２工程を示す製造装置の概略平面図であって、１台の製造装置が複数の処理チャンバーを有する構成を示す図である。
【図１４】本発明の実施の形態５における半導体装置の製造方法を示す概略断面図である。
【図１５】有機膜をＮＨ3を含むガス系でエッチングする前にフッ素系雰囲気を除去した場合と除去しない場合とについて、有機膜のパターニング後の寸法の変化を示す図である。
【符号の説明】
【００４７】
１  下地材料基板、２  被エッチング膜、３  下層レジスト（有機膜）、４  中間層、５  上層レジスト、１０  処理ウエハ、１１  処理チャンバー、１２  搬送チャンバー、１３  ロードロックチャンバー、１４  アンロードロックチャンバー、１５  処理チャンバー。
【図１】
2008311293.tif 000004
【図２】
2008311293.tif 000005
【図３】
2008311293.tif 000006
【図４】
2008311293.tif 000007
【図５】
2008311293.tif 000008
【図６】
2008311293.tif 000009
【図７】
2008311293.tif 000010
【図８】
2008311293.tif 000011
【図９】
2008311293.tif 000012
【図１０】
2008311293.tif 000013
【図１１】
2008311293.tif 000014
【図１２】
2008311293.tif 000015
【図１３】
2008311293.tif 000016
【図１４】
2008311293.tif 000017
【図１５】
2008311293.tif 000018