(57)【要約】【課題】精密度が高く、タッチ感覚もよいディスプレイ装置を提供する。【解決手段】本発明によるディスプレイ装置は、外部の圧力に対応して所定のイネーブル信号を出力するタッチパネル１００と、外部の光に反応して光の提供された位置情報を有する所定の電気的信号を発生させる光感知部７００を含む表示パネル２００と、前記イネーブル信号が入力される場合、前記電気的信号に対応する画像を前記表示パネルに形成するパネル駆動部６００とを含む。【選択図】図１
2008129574.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部の圧力に対応して所定のイネーブル信号を出力するタッチパネルと、
外部の光に反応して、光の提供された位置情報を有する所定の電気的信号を発生させる光感知部を含む表示パネルと、
前記イネーブル信号が入力される場合、前記電気的信号に対応する画像を前記表示パネルに形成するパネル駆動部とを含むことを特徴とするディスプレイ装置。
【請求項２】
前記表示パネルは多数の画素を含み、
前記画素は、複数の画素を形成するゲート線及びデータ線と、前記ゲート線及び前記データ線に接続されている薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに接続されている画素電極と、保持容量を形成する保持電極とを含むことを特徴とする請求項１に記載のディスプレイ装置。
【請求項３】
前記光感知部は、光によって駆動されるスイッチング素子と、前記スイッチング素子に接続されて前記ゲート線と並んでいる第１の信号線と、前記データ線と並んでいる第２の信号線とを含むことを特徴とする請求項２に記載のディスプレイ装置。
【請求項４】
前記電気的信号は電流であり、
前記パネル駆動部は、電流を電圧に変更させ、その変更された電圧が所定のレベルを超える場合に所定の制御値を出力する電流−電圧コンバータを含むことを特徴とする請求項３に記載のディスプレイ装置。
【請求項５】
前記電流−電圧コンバータは、前記第１の信号線に接続されている第１の電流−電圧コンバータ及び前記第２の信号線に接続されている第２の電流−電圧コンバータを含むことを特徴とする請求項４に記載のディスプレイ装置。
【請求項６】
前記パネル駆動部は、前記第１の電流−電圧コンバータ及び前記第２の電流−電圧コンバータから前記制御値が出力される場合、前記位置情報に対応する制御信号を出力する演算部を含むことを特徴とする請求項５に記載のディスプレイ装置。
【請求項７】
前記制御値はハイレベル値であり、前記演算部はＮＡＮＤゲート回路を含むことを特徴とする請求項６に記載のディスプレイ装置。
【請求項８】
前記制御値はローレベル値であり、前記演算部はＮＯＲゲート回路を含むことを特徴とする請求項６に記載のディスプレイ装置。
【請求項９】
前記スイッチング素子は、ＰＮ接合ダイオードであることを特徴とする請求項３に記載のディスプレイ装置。
【請求項１０】
前記ＰＮ接合ダイオードは、第１の電極、第２の電極を有すると共に、Ｐ＋領域及びＮ＋領域と、そして前記Ｐ＋領域とＮ＋領域との間に形成されている真性シリコン領域を含む半導体層を含むことを特徴とする請求項９に記載のディスプレイ装置。
【請求項１１】
前記保持電極には、正の電圧が印加され、
前記Ｎ＋領域は、前記保持電極に電気的に接続されていることを特徴とする請求項１０に記載のディスプレイ装置。
【請求項１２】
前記スイッチング素子は、金属酸化膜半導体（ｍｅｔａｌ−ｏｘｉｄｅ−ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ；ＭＯＳ）であることを特徴とする請求項３に記載のディスプレイ装置。
【請求項１３】
前記タッチパネルは、第１のレベルの電位が印加されている第１のパネルと、第２のレベルの電位が印加されている第２のパネルとを含むことを特徴とする請求項１に記載のディスプレイ装置。
【請求項１４】
前記第１のレベルの電位が印加されている第１のパネルと、前記第２のレベルの電位が印加されている第２のパネルのうちのいずれか一つは、接地端に接続されていることを特徴とする請求項１３に記載のディスプレイ装置。
【請求項１５】
前記光は赤外線であることを特徴とする請求項１に記載のディスプレイ装置。
【請求項１６】
赤外線を出射するライトペンをさらに含むことを特徴とする請求項１５に記載のディスプレイ装置。
【請求項１７】
前記表示パネルは、前記画素が形成されている第１の基板及び第２の基板と、そして前記第１の基板と前記第２の基板との間に形成されている液晶層とを含むことを特徴とする請求項２に記載のディスプレイ装置。
【請求項１８】
前記表示パネルは、前記画素上に形成されている発光層をさらに含むことを特徴とする請求項２に記載のディスプレイ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はディスプレイ装置に係り、より詳しくは、タッチパネルを含むディスプレイ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、タッチパネルは、ディスプレイ装置の画面上に表示された指示内容を人の手または物体で選択しうるように、ディスプレイ装置の最上側に備えられて、手及び物体と直接的に接触される。タッチパネルを含むディスプレイ装置は、キーボード及びマウスのようにディスプレイ装置に接続されて動作する別途の入力装置を必要としないため、その使用が増大している。
【０００３】
このように、外部物体の接触によって画像信号を形成するタッチパネルは、物体の接触性程度に応じて、入力信号としての精密度が低下し、表面にスクラッチを引き起こす問題点がある。
【０００４】
一方、最近では外部の光を用いて画像を形成する静電式タッチパネルが広く用いられているが、ユーザーがタッチパネルの上に直接圧力を加えるタッチ感覚がなくて、その活用度が高くない問題点がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
したがって、本発明の目的は、精密度が高く、タッチ感覚もよいディスプレイ装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前記目的は、外部の圧力に対応して所定のイネーブル信号を出力するタッチパネルと、外部の光に反応して、光の提供された位置情報を有する所定の電気的信号を発生させる光感知部を含む表示パネルと、前記イネーブル信号が入力される場合、前記電気的信号に対応する画像を前記表示パネルに形成するパネル駆動部とを含むディスプレイ装置によって達成される。
【０００７】
ここで、前記表示パネルは多数の画素を含み、前記画素は、複数の画素を形成するゲート線及びデータ線と、前記ゲート線及び前記データ線に接続されている薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに接続されている画素電極と、保持容量を形成する保持電極とを含む。
【０００８】
また、前記光感知部は、光によって駆動されるスイッチング素子と、前記スイッチング素子に接続されて前記ゲート線と並んでいる第１の信号線と、前記データ線と並んでいる第２の信号線とを含むことができる。
【０００９】
前記電気的信号は電流であり、前記パネル駆動部は、電流を電圧に変更させ、その変更された電圧が所定のレベルを超える場合に所定の制御値を出力する電流−電圧コンバータを含む。
【００１０】
前記電流−電圧コンバータは、前記第１の信号線に接続されている第１の電流−電圧コンバータ及び前記第２の信号線に接続されている第２の電流−電圧コンバータを含むことが好ましい。
【００１１】
前記パネル駆動部は、前記第１の電流−電圧コンバータ及び前記第２の電流−電圧コンバータから前記制御値が出力される場合、前記位置情報に対応する制御信号を出力する演算部を含むことができる。
【００１２】
前記制御値はハイレベル値であり、前記演算部はＮＡＮＤゲート回路を含むことができる。
【００１３】
前記制御値はローレベル値であり、前記演算部はＮＯＲゲート回路を含むことができる。
【００１４】
前記スイッチング素子は、ＰＮ接合ダイオードであり得る。
【００１５】
前記ＰＮ接合ダイオードは、第１の電極、第２の電極を有すると共に、Ｐ＋領域及びＮ＋領域と、そして前記Ｐ＋領域と前記Ｎ＋領域との間に形成されている真性シリコン領域を含む半導体層を含むことができる。
【００１６】
前記保持電極には、正の電圧が印加され、フォトダイオードに逆バイアスを印加するために、前記Ｎ＋領域は、前記保持電極に電気的に接続されていることが好ましい。
前記スイッチング素子は、金属酸化膜半導体（ｍｅｔａｌ−ｏｘｉｄｅ−ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ；ＭＯＳ）であり得る。
【００１７】
前記タッチパネルは、第１のレベルの電位が印加されている第１のパネルと、第２のレベルの電位が印加されている第２のパネルとを含むことができる。
前記第１のレベルの電位が印加されている第１のパネルと、前記第２のレベルの電位が印加されている第２のパネルのうちのいずれか一つは、接地端に接続されることができる。
【００１８】
真性シリコン領域で発生する電流を増加させるために、前記光は赤外線であることが好ましい。
【００１９】
また、赤外線を出射するライトペンをさらに含むことが好ましい。
【００２０】
前記表示パネルは、前記画素が形成されている第１の基板及び第２の基板と、そして前記第１の基板と前記第２の基板との間に形成されている液晶層とを含むことができる。
前記表示パネルは、前記画素上に形成されている発光層をさらに含むことができる。
【発明の効果】
【００２１】
上述したように、本発明によれば、精密度が高く、タッチ感覚もよいディスプレイ装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、添付図面を参照して本発明によるディスプレイ装置について説明する。
【００２３】
本発明による実施形態において、同一の構成要素については同一の参照番号をつけ、同一の構成要素については、第１の実施形態において代表的に説明し、他の実施形態においては省略することができる。
【００２４】
図１は、本発明の第１の実施形態によるディスプレイ装置の概略図である。
【００２５】
図示したように、本実施形態によるディスプレイ装置は、タッチパネル１００、該タッチパネル１００の下部に備えられている表示パネル２００、該表示パネル２００に形成されている光感知部７００及びパネル駆動部６００を含む。光感知部７００は、代表的に図１に光センサ７００として示す。
【００２６】
タッチパネル１００は、第１のパネル１１０、第１のパネル１１０と対向する第２のパネル１２０及びライトペン１３０を含み、所定の圧力がタッチパネル１００の表面に加えられる場合、パネル駆動部６００にイネーブル信号を出力する。従来のタッチパネルの場合、表面に加えられる圧力に応答して、圧力が加えられる位置情報をパネル駆動部６００に出力した。すなわち、ライトペンのような物質が触れる場合、物質の動きに応じて変わる位置情報をパネル駆動部に出力した。しかしながら、本実施形態によるディスプレイ装置は、後述する光感知部７００によって入力信号に該当する電気的信号が伝えられるため、タッチパネル１００は光感知部７００による電気的信号をイネーブルさせる役割を果たす。したがって、タッチパネル１００は、従来のタッチパネルを含む構成であることもでき、従来のような圧力感知のための精巧なシステムを備えなくても、タッチまたはノータッチのみの区別が可能な構造を持つこともできる。
【００２７】
第１のパネル１１０及び第２のパネル１２０には、相異なっているレベルの電源が印加される。第１のパネル１１０には、第１のレベルの電位を有する所定の電源端（Ｖｃｃ）が接続されており、第２のパネル１２０には、第２のレベルの電位として、図示したように、０Ｖに該当する接地端が接続されている。第１のパネル１１０はパネル駆動部６００に接続さりており、タッチパネル１００に圧力が加えられない場合、第１のレベルの電源に該当する所定のアナログ信号をパネル駆動部６００に出力する。タッチパネル１００に所定の圧力が加えられて、第１のパネル１１０と接地端に接続されている第２のパネル１２０とが接触すると、第１のパネル１１０からパネル駆動部６００に出力されるアナログ信号が変わる。このように変わったアナログ信号は、光感知部７００の電気的信号を活性化するイネーブル信号となる。
【００２８】
ライトペン１３０は、表示パネル２００の光感知部７００が感知できる赤外線を出射する。また、ライトペン１３０は、タッチパネル１００に所定の圧力を加えることができるため、ユーザーはライトペン１３０を用いて表示パネル２００の上の画像を選択するか、文字や記号を入力するタッチ感覚を感じることができる。すなわち、本発明によるディスプレイ装置は、ライトペン１３０から出射される光を通じて画像を正確に制御し、ライトペン１３０をタッチパネル１００に移動させることによって、ユーザーにタッチ感覚を与えることができる。ライトペン１３０から出射される光の波長は、ほぼ８００〜１０００ｎｍであり、前記範囲の赤外線は、後述する真性シリコン領域を刺激して電流を生成する。しかしながら、ライトペン１３０から出射される光の波長は必ずしもこれに限定されるものではなく、紫外線または可視光線も可能である。ただし、かかる光の波長範囲は、光感知部７００が光に反応する最大の効率を考慮して選択される。
【００２９】
ライトペン１３０は、ディスプレイ装置に必須的な構成要素でなく、赤外線を提供する一つの手段として用いられる。
【００３０】
表示パネル２００は多数の画素を含んで画像を表示する構成と、外部の光に反応する光感知部７００とを含む。光感知部７００は外部の光に反応して、光の提供された位置情報を有する所定の電気的信号を発生させる。以下、図２及び図３を参照して、表示パネル２００及び光感知部７００について詳しく説明する。図２は本実施形態によるディスプレイ装置の表示パネルの平面図であり、図３は図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線による断面図である。
【００３１】
本実施形態による表示パネル２００は、多数の画素が形成されている第１の基板３００、第１の基板３００に対向する第２の基板５００及び両方の基板３００と基板５００との間に形成されている液晶層４００を含む液晶パネルである。
【００３２】
まず、第１の基板３００を参照すれば、第１の絶縁基板３１０の上に、ゲート配線３２０、３２１、３３０、３４０、３４１、３４２が形成されており、ゲート配線３２０、３２１、３３０、３４０、３４１、３４２は金属単一層または多重層であり得る。ゲート配線３２０、３２１、３３０、３４０、３４１、３４２は、横手方向に伸びるゲート配線３２０、ゲート線３２０から伸びるゲート電極３２１、画素電極３９１と挟まれて保持容量を形成する保持電極線３３０、ゲート配線３２０と並んで形成されている第１の信号線３４０、第２の信号線３４０から伸びる第１の電極３４１及び第２の電極３４２を含む。ゲート電極３２１は薄膜トランジスタの制御端子に該当し、第１の電極３４１及び第２の電極３４２は、光感知部７００であるスイッチング素子の正の電極に該当する。本実施形態による光感知部７００は、フォトダイオードの一種であるＰＮ接合ダイオードとして備えられ、第１の電極３４１はＰ＋領域３６４に接続され、第２の電極３４２はＮ＋領域３６５に接続される。本実施形態による保持電極線３３０は、ゲート配線３２０と並んで配列されている。保持電極線３３０には、共通電極５５０に印加される共通電圧が印加されると、様々なレベル範囲の電圧が印加されることができ、本実施形態によれば、ほぼ０〜５Ｖの正の電圧が印加される。
【００３３】
第１の絶縁基板３１０の上には、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）などからなるゲート絶縁膜３５０がゲート配線３２０、３２１、３３０、３４０、３４１、３４２を覆っている。
ゲート電極３２１のゲート絶縁膜３５０の上部には、非晶質シリコンなどの半導体からなる半導体層３６２が形成されており、半導体層３６２の上部には、シリサイドまたはｎ型の不純物が高濃度でドーピングされているｎ＋水素化非晶質シリコンなどの物質からなる抵抗接触層３６３が形成されている。
【００３４】
第１の電極３４１の上部には、ｐ型の不純物が高濃度でドーピングされているＰ＋領域３６４が形成されており、第２の電極３４２の上部には、ｎ型の不純物が高濃度でドーピングされているＮ＋領域３６５が形成されている。Ｐ＋領域３６４とＮ＋領域３６５との間のゲート絶縁膜３５０の上部には、非晶質シリコンからなる真性シリコン領域３６０が形成されている。
【００３５】
真性シリコン領域３６０は第１の信号線３４０と並んで備えられ、ゲート電極３２１の上部の半導体層３６２と同じ層に備えられる。真性シリコン領域３６０は、本実施形態のように非晶質シリコンとして備えられることができ、ポリシリコンとして備えられることもできる。真性シリコン領域３６０は、ライトペン１３０から出射される赤外線に反応して、Ｐ＋領域３６４とＮ＋領域３６５との間に電流を発生させ、このように生成された電流は、第１の信号線３４０及び後述する第２の信号線３７５に伝えられる。真性シリコンは、赤外線、ほぼ８００〜１０００ｎｍの波長範囲の光が入射される場合に、最大の出力電流量を有する。すなわち、真性シリコンは、赤外線が入射されるとき、最大の反応性を有する。ここで、反応性とは、光量に対する出力電流の比率を示す。一方、上記シリコン領域の物質は、表示パネル２００に入射される光の波長範囲によって異ならせることができる。
【００３６】
Ｐ＋領域３６４及びＮ＋領域３６５は、真性シリコン領域３６０の蒸着後、マスクなどを用いて特定の領域に不純物をドーピングする過程を通じて形成される。
【００３７】
真性シリコン領域３６０、抵抗接触層３６３、Ｐ＋領域３６４、Ｎ＋領域３６５及びゲート絶縁膜３５０の上には、データ配線３７０、３７１、３７２、３７５が形成されている。データ配線３７０、３７１、３７２、３７５も金属層からなる単一層または多重層であり得る。データ配線３７０、３７１、３７２、３７５は、縦手方向に形成されてゲート線３２０と交差して画素を形成するデータ線３７０、ソース電極３７１、ソース電極３７１から離間されてソース電極３７１の反対側の抵抗接触層３６３の上部に形成されているドレーン電極３７２、及びデータ線３７０と並んで形成されている第２の信号線３７５を含む。
【００３８】
ドレーン電極３７２はデータ線３７０から分枝されてＵ字状に形成され、ソース電極３７１は接触孔３７４を通じて画素電極３９１に接続されている。
【００３９】
第２の信号線３７５は第１の信号線３４０と交差し、交差領域に形成されている接触孔３７６を通じて第１の信号線３４０と電気的に接続されている。真性シリコン領域３６０の第１の電極３６４に流れる電流は、第１の信号線３４０及び第２の信号線３７５に伝えられる。電流の出力位置についての情報は、光感知部７００が形成されている位置情報に該当する。
データ配線３７０、３７１、３７２、３７５及びこれらに覆われない半導体層３６２の上部には、保護膜３８０が形成されている。保護膜３８０には、ソース電極３６２、保持電極線３３０及びＰＮ接合ダイオードの第２の電極３４２を露出させる接触孔３７４、３９４、３９５が形成されている。
【００４０】
保護膜３８０の上部には、画素電極３９１及び保持電極線３３０と第２の電極３４２とを接続するブリッジ電極３９３が形成されている。画素電極３９１は、通常ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）またはＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）などの透明な導電物質からなる。
【００４１】
第２の電極３４２はブリッジ電極３９３によって保持電極線３３０に接続されているため、第２の電極３４２には、保持電極線３３０に印加される正の電圧が印加される。すなわち、Ｎ＋領域３６５に正の電圧を印加することによって、ＰＮ接合ダイオードには逆バイアスが印加される。通常、光が入射される場合のみ、電流を発生させるために、フォトダイオードには逆バイアスが印加される。Ｎ＋領域３６５に印加された逆バイアスは、Ｐ＋領域３６４とＮ＋領域３６４との間の電気場を強めて、真性シリコン領域３６０が赤外線に反応するとき、多数キャリアを移動させる役割を果たす。
【００４２】
即ち、本実施形態による光感知部７００はＰＮ接合ダイオードとして備えられ、Ｐ＋領域３６４、Ｎ＋領域３６５、真性シリコン領域３６０、第１の電極３４１、第２の電極３４２、第１の信号線３４０及び第２の信号線３７５で構成される。真性シリコン領域３６０は赤外線に反応して電気的信号の一種である電流を発生させ、その発生された電流は第１の信号線３４０及び第２の信号線３７５に伝えられて光感知部７００の位置をパネル駆動部６００に提供する。
【００４３】
また、他の実施形態によれば、光感知部７００はＰＮ接合ダイオードでない他の素子として備えられることができる。薄膜トランジスタのように金属酸化膜半導体（ｍｅｔａｌ−ｏｘｉｄｅ−ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ；ＭＯＳ）として備えられることもでき、光を感知して所定の電気的信号が出力できるいずれかの形態を含んで構成されることもできる。
【００４４】
次に、第２の基板５００について説明する。
【００４５】
第２の絶縁基板５１０の上（図３では第２の絶縁基板５１０の下）には、ブラックマトリックス５２０が形成されている。ブラックマトリックス５２０は、一般に赤色、緑色及び青色フィルターを区切り、第１の基板３００に位置する薄膜トランジスタへの直接的な光照射を遮る役割を果たす。ブラックマトリックス５２０は、通常、黒色顔料が添加された感光性有機物質からなる。前記黒色顔料としては、カーボンブラックやチタニウム酸化物などを用いる。
【００４６】
５３０はカラーフィルター層であり、ブラックマトリックス５２０を境界として赤色、緑色及び青色フィルターが繰り返して形成される。カラーフィルター層５３０は、バックライトユニット（図示せず）から照射されて液晶層４００を通過した光に色を与える役割を果たす。カラーフィルター層５３０は、通常感光性有機物質からなる。カラーフィルター層５３０は、第２の基板５００でない第１の基板３００の上に形成することもでき、バックライトユニット（図示せず）の駆動形態によって省略も可能である。
【００４７】
カラーフィルター層５３０と該カラーフィルター層５３０により覆われていないブラックマトリックス５２０の上部には、オーバーコート膜５４０が形成されている。オーバーコート膜５４０はカラーフィルター層５３０を平坦化しながら、カラーフィルター層５３０を保護する役割を果たし、通常アクリル系エポキシ材料が多く用いられる。
オーバーコート膜５４０の上部には、共通電極５５０が形成されている。共通電極５５０はＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）またはＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）などの透明な導電物質からなる。共通電極５５０は、薄膜トランジスタ基板の画素電極３９１と共に液晶層４００に電圧を直接印加する。
【００４８】
第１の基板３００と第２の基板５００との間には、液晶分子４１０を含む液晶層４００が位置する。
【００４９】
他の実施形態によれば、薄膜トランジスタの半導体層は、ポリシリコンを含んで形成されることもできる。
【００５０】
また、他の実施形態によれば、保持電極線が形成されている部分に半導体層がさらに形成されて保持電極線と共に保持容量を形成することも可能である。
【００５１】
さらに、画素は、本実施形態における透明電導物質である画素電極３９１以外に反射電極をさらに含むことができ、画素電極３９１及び共通電極５５０には、所定の切開パターンが形成されることもできる。
【００５２】
図４は、本発明の第１の実施形態によるディスプレイ装置の制御ブロック図である。図４を参照して、光感知部７００に接続されているパネル駆動部６００について説明する。
示したように、パネル駆動部６００は、電流−電圧コンバータ６１０、６２０と、該電流−電圧コンバータ６１０、６２０に接続されている演算部６３０と、そして演算部６３０から出力される制御信号に応じて画像を表示パネル２００に表示するデータ駆動部６５０を含む。
電流−電圧コンバータ６１０、６２０は、第１の信号線３４０に接続されている第１の電流−電圧コンバータ６１０と第２の信号線３７５に接続されている第２の電流−電圧コンバータ６２０とを含み、各信号線３４０、３７５から入力される電流を電圧に変更させる。
【００５３】
光感知部７００は、図２から判るように、すべての画素ごとに形成されるのではなく、一つの光感知部７００は三つの画素にわたって所定の間隔で離隔されている。光感知部７００の配列間隔は、ライトペン１３０の直径に鑑みて調節される。たとえば、ライトペン１３０の半径がほぼ０．８ｍｍの場合、光感知部７００はほぼ２ｍｍ２間隔で形成されることができ、これは感知に対する精密度及び表示パネル２００の大きさに応じて設定されることができる。第１の電流−電圧コンバータ６１０は複数個で備えられて光感知部７００が形成されているすべての第１の信号線３４０ごとに接続され、複数の第２の電流−電圧コンバータ６２０もすべての第２の信号線３７５に接続されている。
【００５４】
電流−電圧コンバータ６１０、６２０は、入力される電流を電圧に変更させ、その変更された電圧が所定のレベルを超える場合、所定の制御値を演算部６３０に出力する。赤外線による電流でない隣接した別の光感知部７００によって発生した弱い電流や、漏れ電流の可能性を考慮して、所定のレベル以上の場合のみ、制御値を出力する。
【００５５】
一つの第１の電流−電圧コンバータ６１０は、一つの第２の電流−電圧コンバータ６２０と個別的に接続されており、対として接続された第１の電流−電圧コンバータ６１０と第２の電流−電圧コンバータ６１０、６２０とは、一つの演算部６３０に接続されている。図示したように、ａ番目の第１の電流−電圧コンバータ６１０ａとａ番目の第２の電流−電圧コンバータ６２０ａとは、第１の演算部（ａａ）６３１に接続されており、ａ番目の第１の電流−電圧コンバータ６１０ａとｍ番目の第２の電流−電圧コンバータ６２０ｍとは、第２の演算部（ａｍ）６３２に接続されている。すなわち、ｎ個の第１の電流−電圧コンバータ６１０とｍ個の第２の電流−電圧コンバータ６２０とが備えられる場合、ｎ＊ｍ個の演算部６３０が備えられる。
【００５６】
各演算部６３０は、第１の電流−電圧コンバータ６１０および第２の電流−電圧コンバータ６２０から制御値が出力される場合のみ、位置情報に対応する制御信号をデータ駆動部６４０に出力する。すなわち、第１の電流−電圧コンバータ６１０及び第２の電流−電圧コンバータ６２０のうちのいずれか一つから制御値が入力される場合には、制御信号を出力しない。
【００５７】
図５は、本実施形態によるディスプレイ装置の演算部を説明するための表である。演算部は、（ａ）の真理値表となるようにＮＡＮＤゲートで構成することもできるし、（ｂ）の真理値表ようにＮＯＲゲートで構成することもできる。電流を変更した電圧値が所定の範囲を超える場合、ハイ信号を制御値として出力する電流−電圧コンバータ６１０、６２０の構成とするときは、（ａ）の真理値表となるようにＮＡＮＤゲートが接続される。すなわち、演算部６３０は、入力される二つの制御値ともハイレベル信号“１”の場合のみ、データ駆動部６５０に制御信号としてローレベル信号“０”を出力する。データ駆動部６５０は、入力される制御信号が“０”の場合、光感知部７００から制御信号が入力されたと判断して画像を制御する。
【００５８】
逆に、電流を変更した電圧値が所定の範囲を超える場合、ロー信号を制御値として出力する電流−電圧コンバータ６１０、６２０の構成とするときは、（ｂ）の真理値表となるようにＮＯＲゲートが接続される。すなわち、演算部６３０は、入力される二つの制御値ともロー信号“０”の場合のみ、データ駆動部６５０にハイ制御信号（１）を出力する。データ駆動部６５０は、入力される制御信号が“１”の場合、光感知部７００から制御信号が入力されたと判断する。このように、データ駆動部６５０は、制御信号の出力される演算部６３０を通じて光感知部７００の位置を把握することができる。
【００５９】
データ駆動部６５０は、演算部６３０から出力される制御信号と共にタッチパネル１００から制御信号を活性化するイネーブル信号が入力される場合、制御信号に対応する画像を表示パネル２００に形成する。
【００６０】
図６は、本発明の第２の実施形態によるディスプレイ装置の表示パネルの断面図である。
【００６１】
本実施形態によるディスプレイ装置は、画素電極３９１の上部に形成されている有機層７２０を含む有機発光素子である。
【００６２】
隣接した画素電極３９１の間には、隔壁７１０が形成されている。隔壁７１０は、画素電極３９１の間を区分して画素領域を定義する。隔壁７１０は、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂などの耐熱性、耐溶媒性の感光物質やＳｉＯ２、ＴｉＯ２のような無機材料からなることもでき、有機層と無機層の２層構造も可能である。
隔壁７１０の覆わない画素電極３９１の上には、有機層７２０が形成されている。有機層７２０は、正孔注入層７２１と有機発光層７２２とからなる。正孔注入層７２１は、強い蛍光を有するアミン（ａｍｉｎｅ）誘導体、たとえば、トリフェニルデアミン誘導体、スチリルアミン誘導体、芳香族縮合環を有するアミン誘導体を用いることができる。
【００６３】
図示してはいないが、有機層７２０は、正孔注入層７２１と有機発光層７２２との間には正孔輸送層を、有機発光層７２２の上部には電子輸送層及び／または電子注入層をさらに含むことができる。
【００６４】
有機発光層７２２は白色を発光する低分子物質でオープンマスクを用いて蒸着される。また、図示してはいないが、有機発光層７２２から発光された光は、第１の基板３００に形成されているカラーフィルター層を通過しながら、赤色、緑色及び青色の光として出射される。
【００６５】
隔壁７１０及び有機発光層７２２の上部には、共通電極７３０が位置する。共通電極７３０は正極（ｃａｔｈｏｄｅ）と称され、有機発光層７２２に電子を供給する。共通電極７３０は、カルシウム層とアルミニウム層とを積層して構成することができる。画素電極３９１から伝えられた正孔と共通電極７３０から伝えられた電子とは、有機発光層７２２で結合して励起子（ｅｘｃｉｔｏｎ）になった後、励起子の非活性化過程において光を発生させる。
【００６６】
以上、本発明による実施形態について説明してきたが、本発明の属する技術分野の通常の知識を持つ者なら、本発明の範囲を逸脱しない限り、本実施形態を変更できるのは明らかである。また、本発明の範囲は、添付した特許請求の範囲とその均等物によって定められるべきである。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】本発明の第１の実施形態によるディスプレイ装置の概略図である。
【図２】本発明の第１の実施形態によるディスプレイ装置の表示パネルの平面図である。
【図３】図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線による断面図である。
【図４】本発明の第１の実施形態によるディスプレイ装置の制御ブロック図である。
【図５】本発明の第１の実施形態によるディスプレイ装置の演算部を説明するための表である。
【図６】本発明の第２の実施形態によるディスプレイ装置の表示パネルの断面図である。
【符号の説明】
【００６８】
１００  タッチパネル、
１３０  ライトペン、
２００  表示パネル、
３００  第１の基板、
４００  液晶層、
５００  第２の基板、
６００  パネル駆動部、
６１０、６２０  電流−電圧コンバータ、
６３０  演算部、
６５０  データ駆動部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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