(57)【要約】【課題】プローブピンの清掃回数を減らすと共に、歩留まりの高い電子デバイスの製造方法、および電子デバイスを提供すること。【解決手段】電子部品をパッケージ３０内に収容する封止工程と、パッケージ３０の外部に露出した外部端子部２２ｂに半田づけをする半田付着工程と、半田づけした外部端子部２２ｂにプローブピンを接触させて、電子部品との間で信号の入力及び／又は出力を行なうプロービング工程とを備えた電子部品の製造方法であって、半田付着工程の後であって、プロービング工程の前に、外部端子部２２ｂのプローブピンが接触する箇所及びその周辺であるプロービング領域に荷重Ｋをかけるプレス工程を行なう。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品をパッケージ内に収容する封止工程と、
前記パッケージの外部に露出した外部端子部に半田づけをする半田付着工程と、
前記半田づけした外部端子部にプローブピンを接触させて、前記電子部品との間で信号の入力及び／又は出力を行なうプロービング工程と
を備えた電子デバイスの製造方法であって、
前記半田付着工程の後であって、前記プロービング工程の前に、前記外部端子部の前記プローブピンが接触する箇所及びその周辺であるプロービング領域に荷重をかけるプレス工程を行なう
ことを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【請求項２】
前記プレス工程では、前記半田の表面が平滑になるように荷重をかけることを特徴とする請求項１に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項３】
前記半田は、Ｓｎ系の半田であることを特徴とする請求項１または２に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項４】
前記半田は、Ｓｎ−Ｂｉ系合金であることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項５】
パッケージと、
前記パッケージ内に収容された電子部品と、
前記パッケージの外部に露出した外部端子部と
を備えた電子デバイスであって、
前記外部端子部は半田づけされており、前記半田は、前記電子部品との間で信号の入力及び／又は出力を行なうためのプローブピンが接触する箇所及びその周辺であるプロービング領域に、半田づけを行なった際の厚みよりも薄くなるように、荷重がかけられている
ことを特徴とする電子デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パッケージの外部に露出した外部端子部に半田付けをした電子デバイス、及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＨＤＤ（ハード・ディスク・ドライブ）、モバイルコンピュータ、あるいはＩＣカード等の小型の情報機器や、携帯電話、自動車電話、またはページングシステム等の移動体通信機器において、パッケージ内に電子デバイスが広く使用されている。
図８は、従来の電子デバイスを検査及び／又は調整している図である（例えば、特許文献１、特許文献２参照）。
【０００３】
すなわち、この図の電子デバイス１は、パッケージ２内に収容された圧電振動子や半導体素子などの電子部品（図示せず）と、この電子部品と電気的に接続され、パッケージ２の外部に露出した外部端子部３とを有しており、例えば次のようにして製造されている。
まず、複数の電子デバイスを一度に製造できるように、複数の電子デバイスに対応したリードフレーム（図示せず）を用意し、そのリードフレームに複数の電子部品を接続して、樹脂モールドでパッケージ２を形成する。
【０００４】
次いで、極小化された外部端子部３を実装基板に接合し易くするため、個片化する前に、パッケージ２から露出した外部端子部３に半田４をメッキする。
次いで、リードフレームのフレーム部（図示せず）を切断して各電子デバイス１に個片化してから、図８に示すように、プローブピン５を外部端子部３に接触させて、電子部品との間で信号の入出力を行ない、電子デバイス１の性能を検査・調整する。その後、外部端子部３を折り曲げ加工して電子デバイス１を完成させている。
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−３０９４５２号公報の図５
【特許文献２】特開２００５−４３３３２号公報の図１
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところが、同じプローブピン５を継続して使用していると、図８の一点鎖線で囲った図に示されるように、プローブピン５の先端に半田４が付着し、これが原因で、プローブピン５と外部端子部３との接触性が悪くなり、検査や調整に不具合が生じる場合がある。そして、このプローブピン５と外部端子部３との接触性を改善するため、プローブピン５を清掃する作業が必要となっていた。
【０００７】
特に、半田４を鉛フリーとするためにＳｎ−Ｂｉ系合金にすると、Ｂｉは電気抵抗値が高いため、外部端子部３に直接、プローブピン５を接触させる必要性があり、この場合、例えばプローブピン５を、図８の一点鎖線で囲った図に示されるようにツイストさせ、半田４を剥がしながら外部端子部３の表面に接触させる。そうすると、剥がれた半田４がプローブピン５に付着して、プローブピン５と外部端子部３との接触不良を招く。このため、半田４がＳｎ−Ｂｉ系合金であると、プローブピン５から半田４を除去する作業が何度も必要となり、また、この半田４の除去作業をしても、すぐにプローブピン５に半田４が付着し、良品である電子デバイス１を不良品であると判断して廃棄してしまうという不都合が生じていた。
【０００８】
本発明は、プローブピンの清掃回数を減らすと共に、歩留まりの高い電子デバイスの製造方法、および電子デバイスを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上述の目的は、第１の発明によれば、電子部品をパッケージ内に収容する封止工程と、前記パッケージの外部に露出した外部端子部に半田づけをする半田付着工程と、前記半田づけした外部端子部にプローブピンを接触させて、前記電子部品との間で信号の入力及び／又は出力を行なうプロービング工程とを備えた電子デバイスの製造方法であって、前記半田付着工程の後であって、前記プロービング工程の前に、前記外部端子部の前記プローブピンが接触する箇所及びその周辺であるプロービング領域に荷重をかけるプレス工程を行なう電子デバイスの製造方法により達成される。
【００１０】
第１の発明の構成によれば、外部端子部に半田づけをする半田付着工程と、半田づけした外部端子部にプローブピンを接触させて、電子部品との間で信号の入力及び／又は出力を行なうプロービング工程とを行なっているため、プロービング工程の際、プローブピンに半田がつく恐れがある。
ところが、半田付着工程を行なった後であって、プロービング工程を行なう前に、外部端子部のプローブピンが接触する箇所及びその周辺であるプロービング領域に荷重をかけるようにしている。このため、荷重によってプロービング領域の半田は硬化し、より外部端子部に密着するようになる。したがって、例えばプローブピンをツイストさせて半田を除去しながら外部端子部に接触するようにしても、半田はプローブピンに付着し難くなる。
かくして、第１の発明によれば、プローブピンの清掃回数を減らすと共に、歩留まりの高い電子デバイスの製造方法を提供することができる。
【００１１】
第２の発明は、第１の発明の構成において、前記プレス工程では、前記半田の表面が平滑になるように荷重をかけることを特徴とする。
第２の発明の構成によれば、プレス工程では、半田の表面が平滑になるように荷重をかけるため、半田が浮き上がってプローブピンに係止するような事態を防止できる。したがって、プローブピンに半田が付着することを有効に防止できる。
【００１２】
第３の発明は、第１または第２の発明の構成において、前記半田は、Ｓｎ系の半田であることを特徴とする。
第３の発明の構成によれば、半田はＳｎ系の半田である。この際、Ｓｎ系の半田は、低温で検査をする際、半田の表面が荒れて剥がれ易くなるが、第１および第２の発明により、上述のように半田が硬化するなどして、プローブピンへの半田の付着を有効に防止できる。
【００１３】
第４の発明は、第１ないし第３の発明のいずれかの構成において、前記半田は、Ｓｎ−Ｂｉ系合金であることを特徴とする。
第４の発明の構成によれば、半田はＳｎ−Ｂｉ系合金であるため、鉛フリー化が可能である。しかし、Ｂｉは電気抵抗値が高いため、例えばプローブピンをツイストして半田を剥がしながら、プローブピンと外部端子部とを、直接、接触する必要が生じて、プローブピンに半田が付着し易くなる。ところが、第１または第２の発明を行なうことで、上述のように、プローブピンへの半田の付着を有効に防止できる。
【００１４】
また、上記目的は、第５の発明によれば、パッケージと、前記パッケージ内に収容された電子部品と、前記パッケージの外部に露出した外部端子部とを備えた電子デバイスであって、前記外部端子部は半田づけされており、前記半田は、前記電子部品との間で信号の入力及び／又は出力を行なうためのプローブピンが接触する箇所及びその周辺であるプロービング領域に、半田づけを行なった際の厚みよりも薄くなるように、荷重がかけられている電子デバイスにより達成される。
【００１５】
第５の発明の構成によれば、電子デバイスは、外部端子部と電子部品との間で信号の入力及び／又は出力を行なうプロービングを行なう際、プローブピンに半田がつく恐れがある。
ところが、半田は、プローブピンが接触する箇所及びその周辺であるプロービング領域に、半田づけを行なった際の厚みよりも薄くなるように、荷重がかけられている。このため、荷重によってプロービング領域の半田は硬化し、また外部端子部に密着するようになっている。したがって、例えばプローブピンをツイストさせて半田を除去しながら外部端子部に接触するようにしても、半田はプローブピンに付着し難くなる。
かくして、第１の発明によれば、プローブピンの清掃回数を減らすと共に、歩留まりの高い電子デバイスを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
図１および図２は、本発明の実施形態に係る電子デバイスの例示として、圧電発振器１０を示しており、図１は圧電発振器１０の概略平面図、図２は図１のＡ−Ａ線概略断面図である。
尚、図１および図２は、外部端子部２２ｂの形を整えて製品を完成させる前の圧電発振器の状態である。また、図１では、理解の便宜のためリードフレームより上側（図２の上側）のパッケージ部分を透明にして内部の構成を示している。
【００１７】
圧電発振器１０は、パッケージ３０内に収容された電子部品と、この電子部品と電気的に接続された外部端子部２２ｂを形成するためのリードフレーム２０とを備えている。
パッケージ３０は、例えばエポキシ樹脂などの絶縁部材でインジェクションモールドして形成されている樹脂パッケージである。
【００１８】
電子部品は、本実施形態の場合、圧電振動子４０と発振回路素子５０から構成されている。
圧電振動子４０は、図２に示されるように、例えばシームリング４９を用いて金属製の蓋体４６により封止された振動子パッケージ４４と、この振動子パッケージ４４内に収容された圧電振動片４２とを有しており、蓋体４６が下側を向くようにして、リードフレーム２０のダイパッド部２３の裏面（図２の下側）に接合されている。なお、圧電振動子４０は、図１および図２では表面実装型の振動子が用いられているが、所謂シリンダータイプ等であっても勿論よい。
【００１９】
また、圧電振動片４２と、シリコーン系等の導電性接着剤４５，４５を介して電気的に接続され、振動子パッケージ４４の内側空間に露出した電極部４７，４７は、振動子パッケージ４４内を引き回された導電パターン（図示せず）を介して、振動子パッケージ４４の裏面（図２において上側の面）に設けられた接続用端子部４８，４８（図１参照）と電気的に接続されている。
なお、電極部４７および接続用端子部４８は、ともにタングステンメタライズ上にニッケルメッキ及び金メッキで形成されている。
また、圧電振動片４２は、水晶等の圧電材料を利用することができ、本実施形態の場合、小型に形成して必要な性能を得るために、二股に別れて平行に延びる一対の振動腕４２ａ，４２ａを備えて、全体が音叉のような形状とされた、所謂、音叉型圧電振動片が利用されている。
【００２０】
発振回路素子５０は、内部に図示しない集積回路で形成した発振回路を収容した半導体素子であり、図１に示されるように、圧電振動子４０の接続用端子部４８とボンディングワイヤ５２で電気的に接続されて、少なくとも圧電振動片４２を発振させるためのデータが書き込まれ、好ましくは、圧電振動子４０の特性に応じた温度補償用のデータが書き込まれて調整されている。
【００２１】
本実施形態の発振回路素子５０は、圧電振動子４０の接続用端子部４８を覆わないようにして、水平方向の略中央に位置するダイパッド部２３の上面、すなわち、圧電振動子４０と反対側の面（図２の上側）に接合されている。
そして、発振回路素子５０の上面には、発振回路の電源電圧端子、入出力端子、グランド端子、等の端子５６，５６，・・・が周縁に設けられており、複数の金線等からなるボンディングワイヤ５２，５２，・・・を介して、リードフレーム２０から形成されたリード端子２２および圧電振動子４０の接続用端子部４８と、それぞれ電気的に接続されている。
【００２２】
また、発振回路素子５０の上面には、発振回路素子５０及びこの発振回路素子５０を介して圧電振動子４０の検査及び／又は調整を行なうための制御用の端子５７，５７も設けられており、この制御用の端子５７，５７は、後述するリードフレーム２０から形成されたリード端子２２とボンディングワイヤ５２を介して電気的に接続されている。
なお、これら端子の数は発振回路素子５０の種類によりこれよりも多い場合も少ない場合もあるのは勿論である。
【００２３】
リードフレーム２０は、通常用いられる素材、例えば、４２アロイ等のＦｅ合金、あるいはＣｕ−Ｓｎ，Ｃｕ−Ｆｅ，Ｃｕ−Ｚｎ，Ｃｕ−Ｎｉ等のＣｕ合金、あるいはこれらに第三の元素を添加した三元合金等により形成されており、ダイパッド部２３とリード端子２２とを有している。なお、図１及び図２では、リードフレーム２０のフレーム（枠）部を切断して個片化された後の状態を図示している。
【００２４】
ダイパッド部２３は、電子部品である圧電振動子４０や発振回路素子５０を接合固定するための部分であり、リード端子２２に囲まれるようにして略中央に配置されている。
リード端子２２は、本実施形態の場合、電源電圧端子、制御用端子、出力端子、及びグランド端子であるが、この端子の数や種類は発振回路素子５０の種類により異なるのは勿論である。
そして、リード端子２２は、パッケージ３０内に収容されたインナーリード部２２ａと、このインナーリード部２２ａと一体に形成され、パッケージ３０の外部に露出したアウターリード部２２ｂとを有している。このアウターリード部２２ｂが外部端子部となる（以下、「外部端子部２２ｂ」という）。
【００２５】
外部端子部２２ｂは、本実施形態の場合、パッケージ３０の図１の左右から突出した端子と、上下から突出した端子とを有しているが、図１の左右の端子は、電源電圧・出力・グランド端子である。また、図１の上下の端子は、圧電振動子４０や発振回路素子５０の動作を制御する信号を発振回路素子５０に書き込んだり、圧電振動子４０や発振回路素子５０の動作を検査したりするための検査及び／又は調整用の端子である。
なお、外部端子部２２ｂは、図１および図２では、略水平に形成されているが、後述する検査及び／又は調整を行なった後に、折り曲げ加工されて基板に実装される端子となる。
【００２６】
ここで、本実施形態の外部端子部２２ｂは、半田づけされている。この半田６０は、図示しない実装基板に圧電発振器１０を接合し易くするためのものである。
すなわち、小型化された圧電発振器１０の外部端子部２２ｂは極めて小さいため、完成後の外部端子部２２ｂの一つ一つに半田付けを行なうことは困難である。そこで、後述する製造方法のように、リードフレーム２０に電子部品を接続してパッケージングし、個片化する前に、パッケージ３０の外部に露出したリードフレーム２０全体に半田メッキをするようにしている。
具体的には、半田６０は、Ｓｎ（錫）系の鉛フリー半田が用いられており、本実施形態の場合、Ｓｎ（錫）−Ｂｉ（ビスマス）系合金が外部端子部２２ｂの表面全体にメッキさている。
【００２７】
そして、半田６０は、電子部品である圧電振動子４０や発振回路素子５０との間で信号の入力及び／又は出力を行なうためのプローブピンが接触する箇所及びその周辺であるプロービング領域に、半田付けを行なった際の厚みより薄くなるように、荷重がかけられている。これにより、半田６０は、半田付けを行なった際に比べて硬く、より外部端子部２２ｂに密着するようになる。
【００２８】
本発明の実施形態に係る圧電発振器１０は以上のように構成されており、次に、この圧電発振器１０の製造方法について説明する（なお、以降に示す符号のうち図４ないし図７に図示されていない場合は、図１および図２を参照）。
図３は圧電発振器の製造過程を表した工程図、図４は図３のＳＴ１及びＳＴ２を説明するための概念図、図５は図３のＳＴ３ないしＳＴ５を説明するための概念図、図６は図３のＳＴ６及びＳＴ７を説明するための概念図、図７は図３のＳＴ８ないしＳＴ１１を説明するための概念図である。
なお、図４ないし図６の平行斜線で示した部分は断面を表すものではなく、理解の便宜のため、他の部分と区分けしただけである。
また、図４（ｂ）〜図７（ｌ）は、図４（ａ）の一点鎖線で囲った部分を拡大した図であり、このうち、図５（ｄ）の左側の図は概略平面図、右側の図は概略側面図である。また、図５（ｅ）の左側の図は概略平面図、右側の図は左側の図のＢ−Ｂ線切断断面図である。また、図６（ｇ）の左側の図は概略平面図、右側の図は左側の図のＣ−Ｃ線切断断面図である。また、図６（ｈ）の左側の図は概略平面図、右側の図は左側の図のＤ−Ｄ線切断断面図である。
【００２９】
図３に示されるように、圧電発振器の製造方法においては、リードフレームと圧電振動子と発振回路素子とを別々に用意しておく。
この際、リードフレームは、図４（ａ）に示すように、複数の圧電発振器を一度に形成することができるように、複数の圧電発振器に対応した大きさを有するリードフレーム２０を用意する。また、リードフレーム２０は、複数の圧電発振器用のリード端子２２およびダイパッド部２３を形成するための貫通孔（平行斜線で示す部分）から形成したパターンを有するリードフレーム２０を用意する。
【００３０】
そして、図４（ｂ）に示すように、リードフレーム２０に複数の圧電振動子４０を固定する（図３のＳＴ１）。具体的には、図示しない治具の上に圧電振動子４０を載置し、圧電振動子４０の接続用端子部４８を避けるようにして、圧電振動子４０の上にリードフレーム２０のダイパッド部２３を接合する。
次いで、図４（ｃ）に示すように、ダイパッド部２３の圧電振動子４０が固定されている面の反対側の面に、発振回路素子５０を固定し（図３のＳＴ２）、その後、図１に示すように、発振回路素子５０の端子５６，５７と、リード端子２２のインナーリード部２２ａと、圧電振動子４０の接続用端子部４８との間をワイヤボンディングして電気的に接続する。
【００３１】
次いで、図５（ｄ）に示すように、電子部品である圧電振動子４０および発振回路素子５０をパッケージ３０内に収容する（図３のＳＴ３：封止工程）。
具体的には、外部端子部２２ｂやフレーム部２２ｃがパッケージングされないように、所定の金型内に溶融した樹脂を射出するなどして、リード端子２２のインナーリード部２２ａ、ダイパッド部２３、電子部品を樹脂モールドしてパッケージングする。なお、リードフレーム２０は、樹脂モールドしようとする領域よりも僅かに外側に、複数の外部端子部２２ｂ，２２ｂ・・・どうしや、外部端子部２２ｂとフレーム部２２ｃとを連結するようにダムバー２６を有している。このため、このダムバー２６で溶融した樹脂を堰き止めて、外部端子部２２ｂ側に樹脂が漏れ出すことを防止できる。
【００３２】
次いで、このダムバー２６をカットして、図５（ｅ）に示すように、完成後の複数のリード端子２２，２２，・・・どうしが短絡しないようにしている（図３のＳＴ４：ダムバー切断工程）。
次いで、図５（ｆ）に示すように、樹脂パッケージ３０から露出した外部端子部２２ｂに半田づけをする（図３のＳＴ５：半田付着工程）。すなわち、実装基板に実装するための半田６０を予め付ける。本実施形態の場合、半田６０は鉛フリーとなるようにＳｎ−Ｂｉ系合金を用いて、外部端子部２２ｂの表面全体にメッキしている。
【００３３】
次いで、図６（ｇ）に示すように、ダムバー２６があった領域（平行斜線で示す部分）をプレスして、図３のＳＴ４のダムバー切断工程で生じたバリ２９（図５（ｅ）参照）を除去する（図３のＳＴ６：バリ取り工程）。
次いで、図６（ｈ）に示すように、外部端子部２２ｂの後述するプロービング工程（図３のＳＴ９）でプローブピンが接触する箇所及びその周辺であるプロービング領域に荷重をかける（図３のＳＴ７：プレス工程）。これにより、半田６０は、半田づけ（図３のＳＴ５：半田付着工程）を行なった際の厚みＤ１（図５（ｆ）参照）よりも薄い厚みＤ２を有するように圧縮されて固められ、より外部端子部２２ｂに密着するようになる。
【００３４】
具体的には、図６（ｉ）に示すように、外部端子部２２ｂを厚み方向に挟んで、約３トンの荷重Ｋをかけ、外部端子部２２ｂの主面にメッキした半田６０全体（図６（ｈ）の平行斜線で示す部分）をプレスしている。
これにより、外部端子部２２ｂの主面にメッキした半田６０全体に、荷重Ｋを均一にかけて、半田６０の表面を平滑にしている。また、後述するプロービング工程（図３のＳＴ９）でプローブピンを接触させる際、外部端子部２２ｂの主面のどの位置に接触させても、半田６０は硬化し、外部端子部２２ｂに密着するようになっている。
【００３５】
次いで、フレーム部２２ｃをカットして、図７（ｊ）に示すように、各圧電発振器１０に個片化する（図３のＳＴ８：個片化工程）。
そして、図７（ｋ）に示すように、外部端子部２２ｂにプローブピン６２を接触させて、電子部品（圧電振動子４０、発振回路素子５０）との間で信号の入力及び／又は出力を行ない、電子部品の検査及び／又は調整を行なう（図３のＳＴ９：プロービング工程）。
すなわち、本実施形態の場合、これまでの工程を経て形成された電子部品の動作や周波数などの特性について、環境負荷実験をして検査をし、所定の条件に合うよう信号の入出力をして調整を行なうものであり、環境負荷実験としては、マイナス摂氏３０度、マイナス摂氏１０度、摂氏２５度、摂氏６０度、摂氏８０度の５点の温度で測定する。
【００３６】
この際、本実施形態の半田６０はＳｎ系の半田を用いており、このＳｎ系の半田は、マイナス摂氏３０度とマイナス摂氏１０度において、従来は、その表面が浮くように荒れてしまっていた。この点、本実施形態においては、図３のＳＴ７のプレス工程で説明したように半田６０を叩いたため、この表面の荒れを有効に防止することができた。
【００３７】
また、半田６０は上述のように、Ｓｎ−Ｂｉ系合金を用いているが、このＢｉは電気抵抗値が高いため、半田６０の上からプローブピン６２を接触させると、電子部品の検査及び／又は調整に問題が生ずる。このため、プローブピン６２を回転あるいはツイストさせて、図７（ｋ）の一点鎖線で囲った図に示すように、半田６０を剥がしながら外部端子部２２ｂに接触させている。
【００３８】
次いで、外部端子部２２ｂ，２２ｂ，・・・のうち図１や図７（ｊ）の上下に配置されている制御用の端子を切断して（図３のＳＴ１０：制御用端子切断工程）、図７（ｌ）に示すように、外部端子部２２ｂを折り曲げ加工する。すなわち、本実施形態の場合、外部端子部２２ｂをパッケージ３０の実装面側に折り曲げ加工して所謂Ｊリードタイプの実装端子にし、そして、圧電発振器１０を完成させる。
【００３９】
本発明の実施形態は以上のように構成され、半田付着工程（図３のＳＴ５）を行なった後であって、プロービング工程（図３のＳＴ９）を行なう前に、外部端子部２２ｂのプローブピン６２が接触する箇所及びその周辺であるプロービング領域に荷重をかけるようにしている。このため、荷重によってプロービング領域の半田６０は硬化し、より外部端子部２２ｂに密着する。したがって、例えばプローブピン６２をツイストさせて半田６０を除去しながら外部端子部２２ｂに接触するようにしても、半田６０はプローブピン６２に付着し難くなる。
特に、本実施形態の半田６０はＳｎ系であり、低温での検査の際、半田の表面が荒れて剥がれ易くなっているため、このプロービング領域に荷重をかける効果は大きい。
【００４０】
本発明は上述の実施形態に限定されない。各実施形態や各変形例の各構成はこれらを適宜組み合わせたり、省略し、図示しない他の構成と組み合わせることができる。
例えば、上述の実施形態では圧電発振器を例示したが、プローブピンとの間で信号の入出力を行なう外部端子部を有する電子デバイスであれば、圧電発振器に限られるものではない。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明の実施形態に係る電子デバイスの例示である圧電発振器の概略平面図。
【図２】図１のＡ−Ａ線概略断面図。
【図３】本発明の実施形態に係る圧電発振器の製造過程を表した工程図。
【図４】図３のＳＴ１及びＳＴ２を説明するための概念図。
【図５】図３のＳＴ３ないしＳＴ５を説明するための概念図。
【図６】図３のＳＴ６及びＳＴ７を説明するための概念図。
【図７】図３のＳＴ８ないしＳＴ１１を説明するための概念図。
【図８】従来の電子デバイスを検査及び／又は調整している図。
【符号の説明】
【００４２】
１０・・・電子デバイス（圧電発振器）、２０・・・リードフレーム、２２ｂ・・・外部端子部、４０・・・圧電振動子（電子部品）、５０・・・発振回路素子（電子部品）、３０・・・パッケージ、６０・・・半田、６２・・・プローブピン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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