(57)【要約】【課題】露光工程において膜内の反射によるパターン不良を防ぎ、かつエッチング工程における残渣の問題がない上面反射防止膜形成用組成物と、それを用いたパターン形成方法の提供。【解決手段】粒径が１〜１００ｎｍである微粒子と溶媒とを含んでなる上面反射防止膜形成用組成物と、それを用いて上面反射防止膜を形成させることを含んでなるパターン形成方法。これらにより、レジスト膜と上面反射防止膜とを含んでなる複合膜を形成させることができる。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
粒径が１〜１００ｎｍである微粒子と溶媒とを含んでなることを特徴とする、上面反射防止膜形成用組成物。
【請求項２】
前記組成物中の固形分含有量を基準として、前記微粒子の含有量が６０〜１００重量％である、請求項１に記載の上面反射防止膜形成用組成物。
【請求項３】
前記組成物中の固形分含有量が、前記組成物全体の重量を基準として０．５〜５重量％である、請求項１または２に記載の上面反射防止膜形成用組成物。
【請求項４】
水溶性ポリマーをさらに含んでなる、請求項１〜３のいずれか１項に記載の上面反射防止膜形成用組成物。
【請求項５】
前記水溶性ポリマーがフッ素系ポリマーまたはアクリル系ポリマーである、請求項４に記載の上面反射防止膜形成用組成物。
【請求項６】
界面活性剤をさらに含んでなる、請求項１〜５のいずれか１項に記載の上面反射防止膜形成用組成物。
【請求項７】
前記微粒子が、炭素微粒子または二酸化ケイ素微粒子である、請求項１〜６のいずれか１項に記載の上面反射防止膜形成用組成物。
【請求項８】
基板上にレジスト組成物を塗布してレジスト膜を形成させ、
前記レジスト膜上に、粒径が１〜１００ｎｍである微粒子と溶媒とを含んでなる上面反射防止膜形成用組成物を塗布し、乾燥させ、
像様露光し、
現像する
ことを含んでなることを特徴とするパターン形成方法。
【請求項９】
レジスト膜と、その上面を被覆する上面反射防止膜とを含んでなり、前記上面反射防止膜が、粒径が１〜１００ｎｍである微粒子を、上面反射膜全体の重量を基準として、６０〜１００重量％含んでなることを特徴とする、複合膜。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は上面反射膜防止膜用組成物に関するものである。より詳しくは、半導体デバイス、液晶表示素子などのフラットパネルディスプレー（ＦＰＤ）、電荷結合素子（ＣＣＤ）、カラーフィルター等をフォトリソグラフィー法を用いて製造する場合、レジスト膜を露光する際に、レジスト膜の上側に設けられる反射防止膜を形成させるための組成物に関するものである。また、本発明はそのような上面反射防止膜用組成物を用いたパターン形成方法にも関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス、液晶表示素子などのＦＰＤ、ＣＣＤ、カラーフィルター製造のため、従来よりフォトリソグラフィー法が用いられている。フォトリソグラフィー法を用いた集積回路素子等の製造では、例えば基板上にポジ型或いはネガ型のレジストが塗布され、ベーキングにより溶剤を除去した後、紫外線、遠紫外線、電子線、Ｘ線等の各種放射線により露光され、現像されレジストパターンが形成される。
【０００３】
しかしながら、レジスト層を通過した光が基板によって反射され、さらに基板で反射した光がレジスト上層で再反射され、レジスト中に再入射することにより、光が膜内で干渉する。その結果、レジストパターンの線幅、孔径が所望の寸法と異なった値となる場合がある。このような現象は反射率のより高い基板上で露光を行う場合に顕著である。
【０００４】
このような問題を解決するため、例えば露光用の光の波長領域に吸収を持つ色素をレジストに分散する方法、底面反射防止膜 （ＢＡＲＣ）あるいは上面反射防止膜を設ける方法、上面結像法（ＴＳＩ）、多層レジスト法（ＭＬＲ）など種々の方法が研究、検討されている。これらの中では、底面反射防止膜による方法が、現在最も一般に用いられている方法である。底面反射防止膜には、無機膜および有機膜が知られており、無機膜を形成する方法としては、例えば、無機あるいは金属材料をＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａ１ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、蒸着法あるいはスパッタリング法などにより被着させる方法が、また有機膜を形成する方法としては、有機ポリマー溶液に色素を溶解または分散したもの、あるいはポリマーに化学的に発色団を結合させた重合体染料の溶液または分散液を基板に塗布する方法などが知られている。
【０００５】
一方、ポリマーなどを含む成膜組成物をレジスト膜の上面に塗布して上面反射防止膜を形成させることが知られている。このような上面反射防止膜はレジスト膜内における光の干渉を低減させ、レジスト膜厚の変動などに起因するパターン幅の変動などを抑制して所望の形状のパターンを形成させるものである。従って、上面反射防止膜には低い屈折率と高い透過率が要求される。
【０００６】
しかしながら、従来の上面反射防止膜は屈折率が十分に低くすることが困難であり、上面反射防止膜としては、さらに改良の余地があった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、上記したような問題点を解決し、最終的に十分な精度を有するパターンを形成することができる上面反射防止膜を形成することができる組成物を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明による上面反射防止膜形成用組成物は、粒径が１〜１００ｎｍである微粒子と溶媒とを含んでなることを特徴とするものである。
【０００９】
また、本発明によるパターン形成方法は、
基板上にレジスト組成物を塗布してレジスト膜を形成させ、
前記レジスト膜上に、粒径が１〜１００ｎｍである微粒子と溶媒とを含んでなる上面反射防止膜形成用組成物を塗布し、乾燥させ、
像様露光し、
現像する
ことを含んでなることを特徴とするものである。
【００１０】
また、本発明による複合膜は、レジスト膜と、その上面を被覆する上面反射防止膜とを含んでなり、前記上面反射防止膜が、粒径が１〜１００ｎｍである微粒子を、上面反射膜形成用組成物中の固形分含有量を基準として、６０〜１００重量％含んでなることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、特に微細なパターンを形成するにあたり、従来、達成が困難であった、例えば１９３ｎｍにおける屈折率が１．４以下であるような低屈折率を達成し、フォトリソグラフィー法の露光工程における膜内の乱反射を低減させる上面反射防止膜を形成させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
本発明による上面反射防止膜形成用組成物は、粒径が１〜１００ｎｍである微粒子と溶媒とを含んでなる。ここで、微粒子は前記の粒径範囲にあるものであれば特にその組成は限定されず、有機微粒子であっても、無機微粒子であってもよい。より具体的には、炭素、二酸化ケイ素、二酸化チタン、窒化ケイ素、アルミナなどを挙げることができる。しかしながら、取り扱い性や入手の容易性などの観点から、これらのうち炭素微粒子または二酸化ケイ素微粒子が好ましい。
【００１３】
ここで、炭素微粒子とは実質的に炭素だけからなるものである。炭素は原子の結合状態により種々の形態をとりえるが、本発明に用いられる炭素微粒子は、いかなる形態のものであってもよい。具体的には、カーボンブラック、グラファイト、ダイアモンドなど、天然に産出され、また人工的にも製造されるもののほか、人工的にのみ製造されるフラーレンやカーボンナノチューブの形態のものであってもよい。
【００１４】
また、二酸化ケイ素微粒子は、コロイダルシリカ、フュームドシリカ、およびその他の、製造法や性状の異なるものが多種知られている。本発明においてはこれらのいずれを用いてもよい。
【００１５】
本発明に用いることができる微粒子は、その粒径が１〜１００ｎｍ、好ましくは５〜７０ｎｍ、より好ましくは１０〜５０ｎｍ、のものである。ここで、微粒子の粒径は動的光散乱法により測定されるものをいい、具体的には粒径アナライザーＦＰＡＲ−１０００（大塚電子株式会社製）により測定することができる。
【００１６】
本発明による組成物を用いて上面反射防止膜を形成させると、主に微粒子からなる上面反射防止膜が形成されるが、その膜内には微粒子の形状に応じた空隙が形成される。この空隙により屈折率低下などの本発明の効果が発現する。
【００１７】
なお、微粒子は粒径が１〜１００ｎｍのものが用いられるが、形成させようとするパターンの溝や孔の寸法が小さいときにはそれよりも小さい粒径のものを用いるべきである。なお、微粒子の粒径が大きいとパターンのラフネスが劣化する傾向にあり、注意が必要である。
【００１８】
上面反射防止膜形成用組成物中の微粒子の含有量は、前記組成物中の固形分含有量を基準として、６０〜１００重量％であることが好ましく、７５〜１００重量％であることがより好ましく、８０〜１００重量％であることが特に好ましい。この量よりも微粒子の量が少ないと、前記したように反射防止膜中に微粒子の間の適当な空隙が形成されず、本発明の効果が損なわれることがあるので注意が必要である。
【００１９】
本発明による上面反射防止膜形成用組成物は、前記の微粒子のほかに溶媒を含んでなる。溶媒には一般に水が用いられるが、濡れ性などを改良するために少量の有機溶媒を共溶媒として用いてもよい。このような溶媒としてはメチルアルコール、エチルアルコール等のアルコール類、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン類、酢酸エチル等のエステル等が挙げられる。ここで溶媒は、その組成物が塗布されるレジスト膜を溶解または変性させないものから選択されるべきである。
【００２０】
本発明による上面反射防止膜形成用組成物は、さらに水溶性ポリマー、好ましくはフッ素系ポリマーまたはアクリル系ポリマーなど、やフッ素系界面活性剤などの界面活性剤を含んでもよい。ここで、これらの成分は、上面反射防止膜を構成するよりも、組成物のレジスト上への塗布性を改良することを主たる目的とするものである。したがって、通常、これらの添加物は前記した微粒子に対して少量用いられる。
【００２１】
本発明による上面反射防止膜形成用組成物が水溶性ポリマーを含む場合、用いられるポリマーとしては、フッ素系ポリマー、例えば、一般式
−（ＣＦ２ＣＦＲ）ｎ−
（ここで、Ｒは直鎖状フッ素置換アルキル基であり、ｎは重合度を表す）
で表され、末端基がカルボキシル基を有するものであるポリマー、ポリアクリル酸などのアクリル系ポリマー、ビニルピロリドン、ポリビニルアルコールなどが挙げられる。また、組成物が界面活性剤を含む場合、用いられる界面活性剤としては、ジ（２−エチルヘキシル）スルホコハク酸、例えば炭素数１３〜１８のアルキル鎖を有する、アルキルスルホン酸などのアニオン系界面活性剤、ヘキサデシルトリメチルアンモニウムヒドロキシドなどのカチオン系界面活性剤、ポリエチレンオキサイドとプロピレンオキサイドの共重合体などのノニオン系界面活性剤などが挙げられる。
【００２２】
本発明による上面反射防止膜形成用組成物の固形分含有量は必要に応じて適切に調整される。通常、本発明による効果を強く発現させるためには、形成される上面反射防止膜を適切な膜厚とすることが好ましい。ここで、形成される上面反射防止膜によりレジスト膜全体を被覆するために膜厚を十分厚くすることが好ましく、また反対に、上面反射膜による光吸収が大きくなって必要な露光量も多くなることを防ぐために必要以上に膜厚を厚くしないことが好ましい。このため、本発明による上面反射防止膜形成用組成物の固形分含有量は、前記組成物全体の重量を基準として一般に０．５〜５重量％、好ましくは１〜４重量％である。
【００２３】
本発明による上面反射防止膜形成用組成物は、必要に応じて、さらなる添加剤を含むこともできる。具体的には染料などの着色剤、ポリマーを架橋または硬化させる硬化剤、およびｐＨ調整剤としての酸または塩基化合物などが挙げられる。
【００２４】
本発明による上面反射防止膜形成用組成物は、従来の上面反射防止膜形成用組成物と同様に用いることができる。言い換えれば、本発明による上面反射防止膜形成用組成物を用いるにあたって、製造工程を大幅に変更する必要はない。具体的に本発明による上面反射防止膜形成用組成物を用いたパターン形成方法を説明すると以下の通りである。
【００２５】
まず、必要に応じて前処理された、シリコン基板、ガラス基板等の基板の表面に、レジスト組成物をスピンコート法など従来から公知の塗布法により塗布して、レジスト組成物層を形成させる。レジスト組成物の塗布に先立ち、レジスト下層に下層反射防止膜が塗布形成されてもよい。このような下層反射防止膜は本発明による組成物によって形成された上面反射防止膜とあいまって断面形状および露光マージンを改善することができるものである。
【００２６】
本発明のパターン形成方法には、従来知られている何れのレジスト組成物を用いることもできる。本発明のパターン形成方法に用いることができるレジスト組成物の代表的なものを例示すると、ポジ型では、例えば、キノンジアジド系感光剤とアルカリ可溶性樹脂とからなるもの、化学増幅型レジスト組成物などが、ネガ型では、例えば、ポリケイ皮酸ビニル等の感光性基を有する高分子化合物を含むもの、芳香族アジド化合物を含有するもの或いは環化ゴムとビスアジド化合物からなるようなアジド化合物を含有するもの、ジアゾ樹脂を含むもの、付加重合性不飽和化合物を含む光重合性組成物、化学増幅型ネガ型レジスト組成物などが挙げられる。
【００２７】
ここでキノンジアジド系感光剤とアルカリ可溶性樹脂とからなるポジ型レジスト組成物において用いられるキノンジアジド系感光剤の例としては、１，２−ベンゾキノンジアジド−４−スルホン酸、１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸、１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸、これらのスルホン酸のエステル或いはアミドなどが、またアルカリ可溶性樹脂の例としては、ノボラック樹脂、ポリビニルフェノール、ポリビニルアルコール、アクリル酸或はメタクリル酸の共重合体などが挙げられる。ノボラック樹脂としては、フェノール、ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、キシレノール等のフェノール類の１種又は２種以上と、ホルムアルデヒド、パラホルムアルデヒド等のアルデヒド類の１種以上から製造されるものが好ましいものとして挙げられる。
【００２８】
また、化学増幅型のレジスト組成物は、ポジ型およびネガ型のいずれであっても本発明のパターン形成方法に用いることができる。化学増幅型レジストは、放射線照射により酸を発生させ、この酸の触媒作用による化学変化により放射線照射部分の現像液に対する溶解性を変化させてパターンを形成するもので、例えば、放射線照射により酸を発生させる酸発生化合物と、酸の存在下に分解しフェノール性水酸基或いはカルボキシル基のようなアルカリ可溶性基が生成される酸感応性基含有樹脂からなるもの、アルカリ可溶樹脂と架橋剤、酸発生剤からなるものが挙げられる。
【００２９】
基板上に形成されたレジスト組成物層は、例えばホットプレート上でプリベークされてレジスト組成物中の溶剤が除去され、厚さが通常０．１〜５μｍ、好ましくは０．２〜３μｍ、のフォトレジスト膜とされる。レジストパターンの膜厚などは用いられる用途などに応じて適宜選択される。プリベーク温度は、用いる溶剤或いはレジスト組成物により異なるが、通常２０〜２００℃、好ましくは５０〜１５０℃程度の温度で行われる。
【００３０】
このレジスト膜上に、スピンコート法などにより本発明による上面反射防止膜形成用組成物を塗布し、溶媒を蒸発させて上面反射防止膜を形成させる。このとき、形成される上面反射防止膜の厚さは、一般に１０〜８０ｎｍ、好ましくは２０〜６５ｎｍ、である。このようにレジスト膜上に上面反射防止膜を形成させることで、レジスト膜と上面反射防止膜とを含んでなる複合膜が形成される。この複合膜において、上面反射防止膜は前記組成物から溶媒が除去されたものに相当するので、その上面反射防止膜の重量を基準として６０〜１００重量％が前記の微粒子からなるものである。
【００３１】
なお、レジスト膜を塗布後、完全に乾燥せずに上面反射防止膜形成用組成物を塗布し、前記のプリベークにより上面反射防止膜形成用組成物の溶媒を除去することも可能である。
【００３２】
形成された上面反射防止膜形成用組成物は、前記したように微粒子を主体とした上面反射防止膜を形成させる。この上面反射防止膜は、従来のポリマー等を用いた反射防止膜では達成が困難であった、１．１〜１．７、好ましくは１．２〜１．６の屈折率を達成できるものであり、反射防止膜として十分な機能を発揮する。このような低屈折率が達成できるのは、微粒子により構成された上面反射防止膜の構造によるものであると考えられる。
【００３３】
レジスト膜はその後、高圧水銀灯、メタルハライドランプ、超高圧水銀ランプ、ＫｒＦエキシマレーザー、ＡｒＦエキシマレーザー、軟Ｘ線照射装置、電子線描画装置など公知の照射装置を用い、必要に応じマスクを介して、露光が行われる。
【００３４】
露光後、必要に応じベーキングを行った後、例えばパドル現像などの方法で現像が行われ、レジストパターンが形成される。レジスト膜の現像は、通常アルカリ性現像液を用いて行われる。アルカリ性現像液としては、例えば水酸化ナトリウム、水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）などの水溶液或いは水性溶液が用いられる。現像処理後、必要に応じてリンス液、好ましくは純水、を用いてレジストパターンのリンス（洗浄）が行われる。
【００３５】
本発明によるパターン形成方法により得られたレジストパターンは、引き続き用途に応じた加工が施される。この際、加工には慣用の方法を用いることができる。具体的には、形成されたレジストパターンは、エッチング、メッキ、イオン拡散、染色処理などのマスクとして用いられ、その後必要に応じ剥離またはアッシングにより除去される。
【００３６】
ここで、本発明による上面反射防止膜を使用してパターンを形成させる場合には、上面反射防止膜に含まれる微粒子の種類により、上記のようなエッチングまたはアッシングなどの処理方法を調整することが好ましい場合がある。すなわち、微粒子として二酸化ケイ素などの無機物を選択し、エッチングまたはアッシング後に微粒子が残留した場合には、これらを除去するなどの処理が必要な場合がある。なお、微粒子として炭素微粒子を用いた場合には、特別な処理をしなくても、各種の加工による問題が起こりにくいという利点がある。これは炭素微粒子がエッチング加工の際にはレジスト膜とともにエッチングされ、アッシング加工の際には炭素微粒子が焼失するためである。
【００３７】
このように本発明の方法により形成されたパターンは、半導体デバイス、液晶表示素子などのフラットパネルディスプレー（ＦＰＤ）、電荷結合素子（ＣＣＤ）、カラーフィルターなどに、従来の方法で製造されたパターンと同様に適用することができる。
【００３８】
本発明を諸例を用いて説明すると以下の通りである。なお、本発明の態様はこれらの例に限定されるものではない。
【００３９】
比較例１
純水にアクリル酸（３．９重量％）、エチレンオキサイド−プロピレンオキサイド共重合体（０．１重量％）を添加し、十分に撹拌して溶解させた。この溶液をシリコンウェハー上に塗布して製膜して試料を得た。膜厚は４２ｎｍであった。この試料の、１９３、２４８、３６５および６３３ｎｍの波長の光に対する屈折率を測定した。測定にはＶＵＶ−３０２型エリプソメーター（ジェー・エー・ウーラム社製）を用いた。得られた結果は表１に示すとおりであった。
【００４０】
実施例１〜５
比較例１の溶液の組成を変化させ、粒径５２．４ｎｍのカーボンブラックを添加して、上面反射防止膜形成用組成物を調製した。その組成は表１に示すとおりであった。これらの組成物を比較例１と同様にシリコンウェハーに塗布し、膜厚および屈折率を測定した。得られた結果は表１に示すとおりであった。
【００４１】
【表１】
2008129080.tif 000002
【００４２】
比較例２
エチレンオキサイド−プロピレンオキサイド共重合体（４重量％）を添加し、十分に撹拌して溶解させた。この溶液をシリコンウェハー上に塗布して製膜して試料を得た。膜厚は４２ｎｍであった。この試料の、１９３、２４８、３６５および６３３ｎｍの波長の光に対する屈折率を測定した。測定にはＶＵＶ−３０２型エリプソメーター（ジェー・エー・ウーラム社製）を用いた。得られた結果は表２に示すとおりであった。
【００４３】
比較例２の溶液の組成を変化させ、粒径１３ｎｍの微粒子ダイアモンドを添加して、上面反射防止膜形成用組成物を調製した。その組成は表２に示すとおりであった。これらの組成物を比較例２と同様にシリコンウェハーに塗布し、膜厚および屈折率を測定した。得られた結果は表２に示すとおりであった。
【表２】
2008129080.tif 000003
【００４４】
ここで、微粒子ダイアモンドを含まない比較例２の被膜は、ポリマーが凝集し、均一な膜面とならず、屈折率および透過率の測定ができなかったが、微粒子ダイアモンドを含む実施例６〜９では、微粒子同士が結合し、均一な膜となった。
【００４５】
比較例３および実施例１０〜１６
純水に粒径１２ｎｍの二酸化ケイ素微粒子、フッ素ポリマー（一般式−（ＣＦ２ＣＦＲ）ｎ−（ここで、Ｒは炭素数３の直鎖状フッ素置換アルキル基であり、ｎは重合度を表す）で表され、末端基がカルボキシル基を有するものであるポリマー）、炭素数１３〜１８のアルキル鎖を有するアルキルスルホン酸を表３に記載した割合で配合し、十分に撹拌して上面反射防止膜組成物を調製した。この組成物をシリコンウェハー上に２５００ｒｐｍでスピンコートして製膜することにより試料を得た。さらにこれらの試料の、１９３、２４８、３６５および６３３ｎｍの波長の光に対する屈折率を測定した。測定にはＶＵＶ−３０２型エリプソメーター（ジェー・エー・ウーラム社製）を用いた。得られた結果は表３に示すとおりであった。
【００４６】
【表３】
2008129080.tif 000004
この結果より、本発明による微粒子を含んでなる上面反射防止膜を用いて形成させた上面反射防止膜は、従来、一般的に使用されていたフッ素ポリマーだけを含む上面反射防止膜形成用組成物（比較例３）を用いた場合と比較して、同等以下の屈折率を達成できることがわかる。
【００４７】
比較例４および実施例１７〜２３
純水に粒径１２ｎｍの二酸化ケイ素微粒子、アクリル酸、炭素数１３〜１８のアルキル鎖を有するアルキルスルホン酸を表４に記載した割合で配合し、十分に撹拌して上面反射防止膜組成物を調製した。この組成物をシリコンウェハー上に２５００ｒｐｍでスピンコートして製膜することにより試料を得た。さらにこれらの試料の、１９３、２４８、３６５および６３３ｎｍの波長の光に対する屈折率を測定した。測定にはＶＵＶ−３０２型エリプソメーター（ジェー・エー・ウーラム社製）を用いた。得られた結果は表４に示すとおりであった。
【００４８】
【表４】
2008129080.tif 000005
【００４９】
比較例５および実施例２４
シリコンウェハー上に、ＤＸ５２４０Ｐ（ＡＺエレクトロニックマテリアルズ株式会社製）をスピンコートにより塗布し、９０℃で６０秒間加熱することにより膜厚が４００〜５０５ｎｍのレジスト膜を形成させた（比較例５）。このレジスト膜に、粒径１３ｎｍの微粒子ダイヤモンド２重量％、エチレンオキサイド−プロピレンオキサイド共重合体０．１重量％および溶媒としての水を含む組成物をスピンコートにより塗布して膜厚が３０ｎｍの上面反射防止膜を形成させた（実施例２４）。
これらの被膜を、ＫｒＦエキシマーステッパーＦＰＡ３０００ＥＸ（キャノン株式機会社製）により露光し、１２０℃で６０秒間加熱し、さらに２．３８％水酸化テトラメチルアンモニウムで現像し、Ｅｎｅｒｇｙ  Ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ（以下、Ｅｔｈという）を測定した。Ｅｔｈとは、レジスト膜に対して曝射露光し、現像したときに、レジスト膜をすべて溶解して基板を露出させるのに必要な感度である。膜厚に対するＥｔｈをプロットすると、振幅が減衰していく形状の曲線が得られる。このような曲線の形状は、膜面において光の干渉が起きるために起こるが、この振幅の減衰率をみることで反射防止膜の効果を評価することができる。
比較例５に対して実施例２４の振幅の減衰率は６１％低減しており、本発明による反射防止膜が反射防止膜として機能することが確認できた。
【００５０】
比較例６および実施例２５
シリコンウェハー上に、ＤＸ５２４０Ｐ（ＡＺエレクトロニックマテリアルズ株式会社製）をスピンコートにより塗布し、９０℃で６０秒間加熱することにより膜厚が５２０〜６１０ｎｍのレジスト膜を形成させた（比較例６）。このレジスト膜に、粒径１２ｎｍの二酸化ケイ素微粒子２．２重量％、フッ素ポリマー（一般式−（ＣＦ２ＣＦＲ）ｎ−（ここで、Ｒは炭素数３の直鎖状フッ素置換アルキル基であり、ｎは重合度を表す）で表され、末端基がカルボキシル基を有するものであるポリマー）０．２４重量％、アルキルスルホン酸（Ａ−３２−ＦＷ（商品名：竹本油脂株式会社製））０．０６重量％および溶媒としての水を含む組成物をスピンコートにより塗布して膜厚が４５ｎｍの上面反射防止膜を形成させた（実施例２５）。
得られた膜について、比較例６と同様にＥｔｈの測定を行った。比較例６に対して実施例２５の振幅の減衰率は５５％低減しており、本発明による反射防止膜が反射防止膜として機能することが確認できた。