(57)【要約】【課題】露光部の感光性組成物を現像液に十分に溶解させることができ、パターン形状に優れたパターン膜を得ることができるポジ型感光性組成物、これを用いたパターン膜の製造方法及び半導体素子を提供する。【解決手段】ＳｉＯＨ基を有するアルコキシシランの縮合物（Ａ）と、熱酸発生剤（Ｂ）と、光カチオン発生剤（Ｃ）と、単官能エポキシ化合物、単官能ビニルエーテル及び単官能オキセタン化合物から選択された少なくとも１種の化合物（Ｄ）とを含有するポジ型感光性組成物、これを用いたパターン膜１Ｃの製造方法及び半導体素子。【選択図】図１
2008032989.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＳｉＯＨ基を有するアルコキシシランの縮合物（Ａ）と、熱酸発生剤（Ｂ）と、光カチオン発生剤（Ｃ）と、単官能エポキシ化合物、単官能ビニルエーテル及び単官能オキセタン化合物からなる群から選択された少なくとも１種の化合物（Ｄ）とを含有することを特徴とする、ポジ型感光性組成物。
【請求項２】
前記アルコキシシランの縮合物（Ａ）１００重量部に対して、前記光カチオン発生剤（Ｃ）を０．０５〜１５重量部の割合で含む、請求項１に記載のポジ型感光性組成物。
【請求項３】
ポジ型感光性組成物中での前記アルコキシシランの縮合物（Ａ）のＳｉＯＨ基の当量数（ａ）と、前記化合物（Ｄ）のビニルエーテル基、エポキシ基及びオキセタニル基の合計当量数（ｄ）との当量比（当量数（ａ）／当量数（ｄ））が０．８〜１．５の範囲にある、請求項１または２に記載のポジ型感光性組成物。
【請求項４】
前記アルコキシシランの縮合物（Ａ）１００重量部に対して、前記熱酸発生剤（Ｂ）を０．２〜１５重量部の割合で含む、請求項１〜３のいずれか１項に記載のポジ型感光性組成物。
【請求項５】
基板上に、請求項１〜４のいずれか１項に記載のポジ型感光性組成物からなる感光性組成物層を形成する工程と、
形成するパターンに応じて前記感光性組成物層を選択的に露光し、露光部において前記光カチオン発生剤（Ｃ）の作用によって、前記アルコキシシランの縮合物（Ａ）のＳｉＯＨ基に前記化合物（Ｄ）を反応させる工程と、
ＳｉＯＨ基に化合物（Ｄ）を反応させた後、前記感光性組成物層を熱処理することにより、前記熱酸発生剤（Ｂ）の作用によって、未露光部において前記アルコキシシランの縮合物（Ａ）の架橋を進行させ、未露光部の前記感光性組成物層を現像液に不溶にする工程と、
未露光部の感光性組成物層を現像液に不溶にした後、前記感光性組成物層を現像液で現像し、パターン膜を得る工程とを備えることを特徴とする、パターン膜の製造方法。
【請求項６】
ゲート絶縁膜、パッシベーション膜及び層間絶縁膜からなる群から選択された少なくとも１種の膜を備え、該膜が請求項１〜４のいずれか１項に記載のポジ型感光性組成物を用いて形成された膜であることを特徴とする、半導体素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、感光性を有するポジ型の感光性組成物に関し、より詳細には、露光及び熱処理した後に現像することにより、露光部の感光性組成物を除去することができ、パターン膜を形成することが可能なポジ型感光性組成物、これを用いたパターン膜の製造方法及び半導体素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体などの電子デバイスの製造に際しては、パッシベーション膜やゲート絶縁膜などが、微細パターン形成法により構成されている。これらの膜を構成するのに、例えばアルコキシシランの縮合物などを含む感光性樹脂組成物が用いられている。
【０００３】
下記の特許文献１には、パターン形成に用いられる感光性樹脂組成物の一例として、（１）アルカリ可溶性シロキサンポリマー、（２）光によって反応促進剤を発生する化合物、および（３）溶剤を主成分とする感光性樹脂組成物が開示されている。特許文献１では、（１）アルカリ可溶性シロキサンポリマーとして、アルコキシシランに水および触媒を加えて加水分解縮合させた反応溶液から、水および触媒を除去して得られたアルカリ可溶性シロキサンポリマーが用いられている。
【０００４】
さらに、特許文献１には、上記感光性樹脂組成物を基板上に塗布し、乾燥した後、マスクを介して露光し、つづいて現像するパターンの形成方法が開示されている。特許文献１に記載のパターンの形成方法では、具体的には、感光性樹脂組成物からなる感光性樹脂組成物層を形成し、該感光性樹脂組成物層をマスクを介して露光することにより、露光部においてアルコキシランの縮合物の架橋反応を進行させ、感光性樹脂組成物層を硬化させていた。
【特許文献１】特開平０６−１４８８９５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従来より、微細パターンを形成するのに、上記特許文献１に記載のようなネガ型と呼ばれている感光性樹脂組成物が主に用いられている。すなわち、特許文献１に記載の感光性樹脂組成物は、上述のように、露光部においてシロキサンポリマーの架橋反応を進行させ、硬化させてパターンを形成するものであり、ポジ型ではなくネガ型の感光性樹脂組成物であった。
【０００６】
しかしながら、近年、微細パターンを形成するために、ネガ型の感光性樹脂組成物ではなく、ポジ型の感光性樹脂組成物の開発も強く要求されている。
【０００７】
ポジ型の感光性樹脂組成物を用いて微細パターンを形成する際には、ネガ型の感光性樹脂組成物と同様に、形成するパターンに応じて感光性樹脂組成物を露光する。露光の前または後に、必要に応じて熱処理などして、未露光部の感光性樹脂組成物を硬化させ、パターン状の潜像を形成する。次に、感光性樹脂組成物を現像液で現像し、露光部の硬化していない感光性樹脂組成物を除去することにより、未露光部の感光性樹脂組成物からなる薄膜パターンを得ることができる。
【０００８】
ポジ型の感光性樹脂組成物では、特に露光部の感光性樹脂組成物が確実に現像液に溶解し得ることが強く求められていた。しかしながら、従来のポジ型の感光性樹脂組成物では、現像したときに、露光部の感光性樹脂組成物が現像液に十分に溶解しないことがあり、露光部においても感光性樹脂組成物が残存しがちであった。それによって、形成されたパターン膜では、パターン形状に劣りがちであった。
【０００９】
本発明の目的は、上述した従来技術の現状に鑑み、露光部の感光性組成物を現像液に十分に溶解させることができ、パターン形状に優れたパターン膜を得ることができるポジ型感光性組成物、これを用いたパターン膜の製造方法及び半導体素子を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明に係るポジ型感光性組成物は、ＳｉＯＨ基を有するアルコキシシランの縮合物（Ａ）と、熱酸発生剤（Ｂ）と、光カチオン発生剤（Ｃ）と、単官能エポキシ化合物、単官能ビニルエーテル及び単官能オキセタン化合物からなる群から選択された少なくとも１種の化合物（Ｄ）とを含有することを特徴とする。
【００１１】
本発明に係るポジ型感光性組成物のある特定の局面では、アルコキシシランの縮合物（Ａ）１００重量部に対して、光カチオン発生剤（Ｃ）が０．０５〜１５重量部の割合で含有されている。
【００１２】
本発明の他の特定の局面では、ポジ型感光性組成物中でのアルコキシシランの縮合物（Ａ）のＳｉＯＨ基の当量数（ａ）と、化合物（Ｄ）のビニルエーテル基、エポキシ基及びオキセタニル基の合計当量数（ｄ）との当量比（当量数（ａ）／当量数（ｄ））が０．８〜１．５の範囲にある。
【００１３】
本発明に係るポジ型感光性組成物のさらに他の特定の局面では、アルコキシシランの縮合物（Ａ）１００重量部に対して、熱酸発生剤（Ｂ）が０．２〜１５重量部の割合で含まれている。
【００１４】
本発明に係るパターン膜の製造方法は、基板上に、本発明に従って構成されたポジ型感光性組成物からなる感光性組成物層を形成する工程と、形成するパターンに応じて感光性組成物層を選択的に露光し、露光部において光カチオン発生剤（Ｃ）の作用によって、アルコキシシランの縮合物（Ａ）のＳｉＯＨ基に化合物（Ｄ）を反応させる工程と、ＳｉＯＨ基に化合物（Ｄ）を反応させた後、感光性組成物層を熱処理することにより、熱酸発生剤（Ｂ）の作用によって、未露光部においてアルコキシシランの縮合物（Ａ）の架橋を進行させ、未露光部の感光性組成物層を現像液に不溶にする工程と、未露光部の感光性組成物層を現像液に不溶にした後、感光性組成物層を現像液で現像し、パターン膜を得る工程とを備えている。
【００１５】
本発明に係る半導体素子では、ゲート絶縁膜、パッシベーション膜及び層間絶縁膜からなる群から選択された少なくとも１種の膜を備えており、該膜が本発明に従って構成されたポジ型感光性組成物を用いて形成された膜とされている。
【発明の効果】
【００１６】
本発明に係るポジ型感光性組成物は、ＳｉＯＨ基を有するアルコキシシランの縮合物（Ａ）と、熱酸発生剤（Ｂ）と、光カチオン発生剤（Ｃ）と、単官能エポキシ化合物、単官能ビニルエーテル及び単官能オキセタン化合物からなる群から選択された少なくとも１種の化合物（Ｄ）とを含有するので、例えばフォトマスクを用いて感光性組成物に光線もしくは放射線の照射することにより、露光部において光カチオン発生剤（Ｃ）の作用によって、アルコキシシランの縮合物（Ａ）のＳｉＯＨ基に化合物（Ｄ）を反応させることができる。すなわち、露光部ではアルコキシシランの縮合物（Ａ）のＳｉＯＨ基に化合物（Ｄ）が反応していることによって、熱処理されて熱酸発生剤（Ｂ）から酸が発生しても、ＳｉＯＨ基に化合物（Ｄ）が反応したアルコキシシランの縮合物は架橋しない。よって、露光部では感光性組成物の硬化が進行し難い。
【００１７】
本発明に係るポジ型感光性組成物では、露光した後に感光性組成物を熱処理することにより、熱酸発生剤（Ｂ）の作用によって、未露光部においてアルコキシシランの縮合物（Ａ）の架橋を進行させ、感光性組成物を十分に硬化させることができる。よって、露光及び熱処理した後に現像すると、露光部の感光性組成物を除去することができ、未露光部の感光性組成物からなるパターン形状に優れたパターン膜を得ることができる。
【００１８】
アルコキシシランの縮合物（Ａ）１００重量部に対して、光カチオン発生剤（Ｃ）を０．０５〜１５重量部の割合で含む場合には、露光によりアルコキシシランの縮合物（Ａ）のＳｉＯＨ基と化合物（Ｄ）との反応を効果的に進行させることができる。
【００１９】
ポジ型感光性組成物中でのアルコキシシランの縮合物（Ａ）のＳｉＯＨ基の当量数（ａ）と、化合物（Ｄ）のビニルエーテル基、エポキシ基及びオキセタニル基の合計当量数（ｄ）との当量比（当量数（ａ）／当量数（ｄ））が０．８〜１．５の範囲にある場合には、アルコキシシランの縮合物（Ａ）のＳｉＯＨ基に化合物（Ｄ）を十分に反応させることができる。すなわち、露光により多くのＳｉＯＨ基に化合物（Ｄ）を反応させ得るので、熱処理したときに露光部の感光性組成物が硬化するのをより一層効果的に抑制することができる。よって、より一層優れたパターン形状を有するパターン膜を得ることができる。
【００２０】
アルコキシシランの縮合物（Ａ）１００重量部に対して、熱酸発生剤（Ｂ）を０．２〜１５重量部の割合で含む場合には、熱処理によって感光性組成物の硬化反応をより一層効率的に進行させることができる。さらに、得られたパターン膜において、熱酸発生剤（Ｂ）に起因する残渣が生じ難い。
【００２１】
本発明に係るパターン膜の製造方法では、基板上に、本発明に従って構成されたポジ型感光性組成物からなる感光性組成物層を形成する工程と、形成するパターンに応じて感光性組成物層を選択的に露光し、露光部において光カチオン発生剤（Ｃ）の作用によって、アルコキシシランの縮合物（Ａ）のＳｉＯＨ基に化合物（Ｄ）を反応させる工程と、ＳｉＯＨ基に化合物（Ｄ）を反応させた後、感光性組成物層を熱処理することにより、熱酸発生剤（Ｂ）の作用によって、未露光部においてアルコキシシランの縮合物（Ａ）の架橋を進行させ、未露光部の感光性組成物層を現像液に不溶にする工程とを備えているので、露光部においてアルコキシシランの縮合物の架橋反応を十分に進行させずに、未露光部においてアルコキシシランの縮合物の架橋反応を十分に進行させることができ、パターン状の潜像を形成することができる。
【００２２】
さらに、本発明では、未露光部の感光性組成物層を現像液に不溶にした後、感光性組成物層を現像液で現像し、パターン膜を得る工程をさらに備えているので、酸やアルカリ等の現像液を用いた現像により、露光部の感光性組成物層が除去され、未露光部の感光性組成物層からなるパターン形状に優れたパターン膜を得ることができる。
【００２３】
本発明に係る半導体素子では、ゲート絶縁膜、パッシベーション膜及び層間絶縁膜からなる群から選択された少なくとも１種の膜を備えており、該膜が本発明のポジ型感光性組成物を用いて形成された膜とされているため、膜の形状に優れている。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明の詳細を説明する。
【００２５】
本願発明者らは、上記課題を達成するために、パターン形成に用いられるアルコキシシランの縮合物を含むポジ型感光性組成物について鋭意検討した結果、ＳｉＯＨ基を有するアルコキシシランの縮合物（Ａ）と、熱酸発生剤（Ｂ）と、光カチオン発生剤（Ｃ）と、単官能エポキシ化合物、単官能ビニルエーテル及び単官能オキセタン化合物からなる群から選択された少なくとも１種の化合物（Ｄ）とを含有させることによって、感光性組成物を露光及び熱処理した後、現像することにより、露光部の感光性組成物を十分に除去することができ、パターン形状に優れたパターン膜を得ることができることを見出し、本発明をなすに至った。
【００２６】
本発明に係るポジ型感光性組成物は、ＳｉＯＨ基を有するアルコキシシランの縮合物（Ａ）と、熱酸発生剤（Ｂ）と、光カチオン発生剤（Ｃ）と、単官能エポキシ化合物、単官能ビニルエーテル及び単官能オキセタン化合物からなる群から選択された少なくとも１種の化合物（Ｄ）とを含有する。
【００２７】
上記ＳｉＯＨ基を有するアルコキシシランの縮合物（Ａ）は、アルコキシシランを縮合させて得られた縮合物からなる。アルコキシシランの縮合物（Ａ）は、少なくとも１種含まれており、従って２種以上のアルコキシシランの縮合物（Ａ）が含まれていてもよい。
【００２８】
本発明では、下記式（１）で表されるアルコキシシランを縮合させて得られたアルコキシシランの縮合物を含有することが好ましい。
【００２９】
Ｓｉ（Ｒ１）ｐ（Ｒ２）ｑ（Ｒ３）４−ｐ−ｑ・・・式（１）
上述した式（１）中、Ｒ１は水素又は炭素数が１〜３０である非加水分解性の有機基を表し、Ｒ２はアルコキシ基を表し、Ｒ３はアルコキシ基以外の加水分解性基を表し、ｐは０〜３の整数を表し、ｑは１〜４の整数を表し、ｐ＋ｑ≦４である。ｐが２又は３であるとき、複数のＲ１は同一であってもよく異なっていてもよい。ｑが２〜４であるとき、複数のＲ２は同一であってもよく異なっていてもよい。ｐ＋ｑ≦２であるとき、複数のＲ３は同一であってもよく異なっていてもよい。
【００３０】
上記アルコキシ基Ｒ２及びアルコキシ基以外の加水分解性基Ｒ３は、通常、過剰の水の共存下、無触媒で、室温（２５℃）〜１００℃の温度範囲内で加熱することにより、加水分解されてシラノール基を生成することができる基、またはさらに縮合してシロキサン結合を形成することができる基である。
【００３１】
上記アルコキシ基Ｒ２としては、特に限定されないが、具体的には、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基等の炭素数１〜６のアルコキシ基等が挙げられる。
【００３２】
上記アルコキシ基以外の加水分解性基Ｒ３としては、特に限定されないが、具体的には、塩素、臭素等のハロゲノ基、アミノ基、ヒドロキシル基又はカルボキシル基等が挙げられる。
【００３３】
上記非加水分解性の有機基Ｒ１としては、特に限定されないが、加水分解を起こし難く、安定な疎水基である炭素数１〜３０の有機基が挙げられる。安定な疎水基である炭素数１〜３０の有機基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、オクチル基、ペンチル基、デシル基、ドデシル基、テトラデシル基、ヘキサデシル基、オクタデシル基及びエイコシル基等の炭素数１〜３０のアルキル基、アルキル基のフッ素化物、塩素化物、臭素化物等のハロゲン化アルキル基（例えば、３−クロロプロピル基、６−クロロプロピル基、６−クロロヘキシル基および、６，６，６−トリフルオロヘキシル基等）、ハロゲン置換ベンジル基等の芳香族置換アルキル基（例えば、ベンジル基、４−クロロベンジル基及び４−ブロモベンジル基等）、アリール基（例えば、フェニル基、トリル基、メシチル基、ナフチル基等）、ビニル基やエポキシ基を含む有機基、アミノ基を含む有機基、チオール基を含む有機基等が挙げられる。
【００３４】
上記アルコキシシランの具体例としては、例えば、トリフェニルエトキシシラン、トリメチルエトキシシラン、トリエチルエトキシシラン、トリフェニルメトキシシラン、トリエチルメトキシシラン、エチルジメチルメトキシシラン、メチルジエチルメトキシシラン、エチルジメチルエトキシシラン、メチルジエチルエトキシシラン、フェニルジメチルメトキシシラン、フェニルジエチルメトキシシラン、フェニルジメチルエトキシシラン、フェニルジエチルエトキシシラン、メチルジフェニルメトキシシラン、エチルジフェニルメトキシシラン、メチルジフェニルエトキシシラン、エチルジフェニルエトキシシラン、ｔｅｒｔ−ブトキシトリメチルシラン、ブトキシトリメチルシラン、ジメチルエトキシシラン、メトキシジメチルビニルシラン、エトキシジメチルビニルシラン、ジフェニルジエトキシラン、フェニルジエトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジアセトキシメチルシラン、ジエトキシメチルシラン、３−クロロポロピルジメトキシメチルシラン、クロロメチルジエトキシメチルシラン、ジエトキシジメチルシラン、ジアセトキシメチルビニルシラン、ジエトキシメチルビニルシラン、ジエトキシジエチルシラン、ジメチルジプロポキシシラン、ジメトキシメチルフェニルシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチル−トリ−ｎ−プロポキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、エチル−トリ−ｎ−プロポキシシラン、プロピルトリメトキシシラン、プロピルトリエトキシシラン、プロピル−トリ−ｎ−プロポキシシラン、ブチルトリメトキシシラン、ブチルトリエトキシシラン、ブチルトリプロポキシシラン、イソブチルトリメトキシシラン、イソブチルトリエトキシシラン、イソブチルトリプロポキシシラン、ｎ−ヘキシルトリメトキシシラン、ｎ−ヘキシルトリエトキシシラン、ｎ−ヘキシルトリプロポキシシラン、シクロヘキシルトリメトキシシラン、シクロヘキシルトリエトキシシラン、シクロヘキシルトリプロポキシシラン、オクチルトリメトキシシラン、オクチルトリエトキシシラン、オクチルトリプロポキシシラン、ドデシルトリメトキシシラン、ドデシルトリエトキシシラン、ドデシルトリプロポキシシラン、テトラデシルトリメトキシシラン、テトラデシルトリエトキシシラン、テトラデシルトリプロポキシシラン、ヘキサデシルトリメトキシシラン、ヘキサデシルトリエトキシシラン、ヘキサデシルトリプロポキシシラン、オクタデシルトリメトキシシラン、オクタデシルトリエトキシシラン、オクタデシルトリプロポキシシラン、エイコシルデシルトリメトキシシラン、エイコシルトリエトキシシラン、エイコシルトリプロポキシシラン、６−クロロヘキシルトリメトキシシラン、６，６，６−トリフルオロヘキシルトリメトキシシラン、ベンジルトリメトキシシラン、４−クロロベンジルトリメトキシシラン、４−ブロモベンジルトリ−ｎ−プロポキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン；ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、メチルトリアセトキシシラン、エチルトリアセトキシシラン、Ｎ−β−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−クロロプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、トリエトキシシラン、トリメトキシシラン、トリイソプロポキシシラン、トリ−ｎ−プロポキシシラン、トリアセトキシシラン、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラ−ｎ−プロポキシシラン、テトライソプロポキシシラン、テトラアセトキシシラン等が挙げられる。これらのアルコキシシランを縮合させて得られたアルコキシシランの縮合物がより好ましく用いられる。アルコキシシランの縮合物（Ａ）を構成するに際しては、少なくとも１種のアルコキシシランが用いられていればよく、従って２種以上のアルコキシシランが用いられていてもよい。
【００３５】
本発明に係るポジ型感光性組成物は、上記アルコキシシランの縮合物（Ａ）に加えて、熱の作用により酸を発生する熱酸発生剤（Ｂ）をさらに含有する。熱酸発生剤（Ｂ）は、熱処理時にアルコキシシランの縮合物（Ａ）の架橋を進行させるために配合される。
【００３６】
上記熱酸発生剤（Ｂ）としては、特に限定されないが、例えばオニウム塩、例えば、ジアゾニウム塩、アンモニウム塩、ホスホニウム塩、ヨードニウム塩、スルホニウム塩、セレノニウム塩、アルソニウム塩及びスルホン酸エステル等が挙げられ、好ましく用いられる。
【００３７】
上記熱酸発生剤（Ｂ）の例としては、ジアゾニウム塩（Ｓ．Ｉ．Ｓｃｈｌｅｓｉｎｇｅｒ，Ｐｈｏｔｏｇｒ．Ｓｃｉ．Ｅｎｇ．，１８，３８７（１９７４）、Ｔ．Ｓ．Ｂａｌ ｅｔ ａｌ，Ｐｏｌｙｍｅｒ，２１，４２３（１９８０）に明記）、アンモニウム塩（米国特許第４ ０６９０５５号、同４０６９０５６号、同再発行２７９９２号の各明細書および特開平４ −３６５０４９号公報に明記）、ホスホニウム塩（Ｄ．Ｃ．Ｎｅｃｋｅｒ ｅｔ ａｌ，Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ，１７，２４６８（１９８４）、Ｃ．Ｓ．Ｗｅｎ ｅｔ ａｌ，Ｔｅｈ，Ｐｒｏｃ．Ｃｏｎｆ．Ｒａｄ，Ｃｕｒｉｎｇ ＡＳＩＡ，ｐ４７８ Ｔｏｋｙｏ，Ｏｃｔ（１９８８）、米国特許第４０６９０５５号、同４０６９０５６号の各明細書に明記）、ヨードニウム塩（Ｊ．Ｖ．Ｃｒｉｖｅｌｌｏ ｅｔ ａｌ，Ｍａｃｒｏｍｏｒｅｃｕｌｅｓ，１０（６），１３０７（１９７７）、Ｃｈｅｍ．＆ Ｅｎｇ．Ｎｅｗｓ，Ｎｏｖ．２８，ｐ３１（１９８８）、欧州特許１０４１４３号、米国特許第３３９０４９号、同４１０２０１号の各明細書、特開平２−１５０８４８号、同２−２９６５１４号の各公報に明記）、スルホニウム塩（Ｊ．Ｖ．Ｃｒｉｖｅｌｌｏ ｅｔ ａｌ， Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｊ．１７，７３（１９８５）、Ｊ．Ｖ．Ｃｒｉｖｅｌｌｏ ｅｔ ａｌ．Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，４３，３０５５（１９７８）、Ｗ．Ｒ．Ｗａｔｔ ｅｔ ａｌ， Ｊ．Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｓｃｉ．，Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｃｈｅｍ．Ｅｄ．，２２，１７８９（１９８４）、Ｊ．Ｖ．Ｃｒｉｖｅｌｌｏ ｅｔ ａｌ， ＰｏｌｙｍｅｒＢｕｌｌ．，１４，２７９（１９８５）、Ｊ．Ｖ．Ｃｒｉｖｅｌｌｏ ｅｔ ａｌ， Ｍａｃｒｏｍｏｒｅｃｕｌｅｓ，１４（５），１１４１ （１９８１）、Ｊ．Ｖ．Ｃｒｉｖｅｌ．ｌｏ ｅｔ ａｌ，Ｊ．Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｓｃｉ．，Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｃｈｅｍ．Ｅｄ．，１７，２８７７（１９７９）、欧州特許３７０６９３号、同３９０２１１４号、同２３３５６７号、同２９７４４３号、同２９７４４２号、米国特許第４９３３３７７号、同１６１８１１号、同４１０２０１号、同３３９０４９号、同４７６００１３号、同４７３４４４４号、同２８３３８２７号、独国特許第２９０４６２６号、同３６０４５８０号、同３６０４５８１号の各明細書に明記、セレノニウム塩（Ｊ．Ｖ．Ｃｒｉｖｅｌｌｏ ｅｔ ａｌ，Ｍａｃｒｏｍｏｒｅｃｕｌｅｓ，１０（６），１３０７（１９７７）、Ｊ．Ｖ．Ｃｒｉｖｅｌｌｏ ｅｔ ａｌ，Ｊ．Ｐｏｌｙｍｅｒ  Ｓｃｉ．，Ｐｏｌｙｍｅｒ  Ｃｈｅｍ．Ｅｄ．，１７，１０４７（１９７９）に明記）、およびアルソニウム塩（Ｃ．Ｓ．Ｗｅｎ ｅｔ ａｌ，Ｔｅｈ，Ｐｒｏｃ．Ｃｏｎｆ．Ｒａｄ．Ｃｕｒｉｎｇ  ＡＳＩＡ，ｐ４７８ Ｔｏｋｙｏ，Ｏｃｔ（１９８８）に明記） が挙げられる。オニウム塩の対アニオンの例としては、ＢＦ４−、ＰＦ６−、ＡｓＦ６−およびＳｂＦ６−などが挙げられる。
【００３８】
これらの熱酸発生剤（Ｂ）は、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００３９】
熱処理によって酸が効率的に発生するので、熱酸発生剤（Ｂ）として、ヨードニウム塩、スルホニウム塩及びスルホン酸エステルからなる群から選択した少なくとも１種の化合物がより好ましく用いられる。
【００４０】
本発明に係るポジ型感光性組成物は、アルコキシシランの縮合物（Ａ）１００重量部に対して、熱酸発生剤（Ｂ）を０．２〜１５重量部の割合で含むことが好ましい。熱酸発生剤（Ｂ）が０．２重量部未満であると、熱処理により十分な量の酸が発生せず、アルコキシシランの縮合物（Ａ）の架橋が十分に進行しないことがある。熱酸発生剤（Ｂ）が１５重量部を超えると、感光性組成物を均一に塗布することが困難となり、さらに現像後に残渣が生じることがある。
【００４１】
本発明に係るポジ型感光性組成物は、上記アルコキシシランの縮合物（Ａ）と、上記熱酸発生剤（Ｂ）とに加えて、光カチオン発生剤（Ｃ）をさらに含有する。光カチオン発生剤（Ｃ）は、露光時にアルコキシシランの縮合物（Ａ）のＳｉＯＨ基に化合物（Ｄ）を反応させるために配合される。
【００４２】
上記光カチオン発生剤（Ｃ）としては、特に限定されないが、オニウム塩、スルホン酸エステル等が挙げられる。これらの光カチオン発生剤（Ｃ）は単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００４３】
本発明に係るポジ型感光性組成物は、アルコキシシランの縮合物（Ａ）１００重量部に対して、光カチオン発生剤（Ｃ）を０．０５〜１５重量部の割合で含むことが好ましい。光カチオン発生剤（Ｃ）が０．０５重量部未満であると、露光によりアルコキシシランの縮合物（Ａ）のＳｉＯＨ基に化合物（Ｄ）を十分に反応させることができないことがある。光カチオン発生剤（Ｃ）が１５重量部を超えると、感光性組成物を均一に塗布することが困難となり、さらに現像後に残渣が生じることがある。
【００４４】
本発明に係るポジ型感光性組成物は、上記アルコキシシランの縮合物（Ａ）と、上記熱酸発生剤（Ｂ）と、上記光カチオン発生剤（Ｃ）とに加えて、単官能エポキシ化合物、単官能ビニルエーテル及び単官能オキセタン化合物からなる群から選択された少なくとも１種の化合物（Ｄ）をさらに含有する。
【００４５】
本発明の特徴は、光カチオン発生剤（Ｃ）と、単官能エポキシ化合物、単官能ビニルエーテル及び単官能オキセタン化合物からなる群から選択された少なくとも１種の化合物（Ｄ）とを含有することにある。光カチオン発生剤（Ｃ）及び化合物（Ｄ）を含む構成によって、後に詳述するが、フォトマスクを介して感光性組成物層を露光したときに、露光部においてアルコキシシランの縮合物（Ａ）のＳｉＯＨ基に化合物（Ｄ）を反応させることができる。さらに、熱処理した後、現像液で現像することにより、露光部の感光性組成物が除去され、パターン形状に優れたパターン膜を得ることができる。
【００４６】
上記化合物（Ｄ）としての単官能エポキシ化合物としては、特に限定されないが、メチルグリシジルエーテル、２−エチルヘキシルグリシジルエーテル、ブチルグリシジルエーテル、デシルグリシジルエーテル、フェニル−２−メチルグリシジルエーテル、セチルグリシジルエーテル、ステアリルグリシジルエーテル、ｐ−ｓｅｃ−ブチルフェニルグリシジルエーテル、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルグリシジルエーテル、フェニルグリシジルエーテル、オルソクレジルグリシジルエーテル、メタパタクレジルグリシジルエーテル、グリシジルメタクリレート、イソプロピルグリシジルエーテル、アリルグリシジルエーテル等が挙げられる。
【００４７】
上記単官能エポキシ化合物の市販品としては、日本油脂社製の商品名「エピオールＭ」（メチルグリシジルエーテル）、商品名「エピオールＥＨ」（２−エチルヘキシルグリシジルエーテル）等が挙げられる。
【００４８】
上記化合物（Ｄ）としての単官能ビニルエーテルとしては、特に限定されないが、プロピレンカーボネートのプロペニルエーテル、ｎ−ドデシルビニルエーテル、シクロヘキシルビニルエーテル、２−エチルヘキシルビニルエーテル、２−クロロエチルビニルエーテル、エチルビニルエーテル、イソブチルビニルエーテル、トリエチレングリコールビニルエーテル等が挙げられる。
【００４９】
上記単官能ビニルエーテルの市販品としては、アイエスピー・ジャパン社製の商品名「ＰＡＰＩ−ＣＵＲＥ  ＰＥＰＣ」（プロピレンカーボネートのプロペニルエーテル）、商品名「ＰＡＰＩ−ＣＵＲＥ  ＤＤＶＥ」（ｎ−ドデシルビニルエーテル）、商品名「ＰＡＰＩ−ＣＵＲＥ  ＣＶＥ」（シクロヘキシルビニルエーテル）、商品名「ＰＡＰＩ−ＣＵＲＥ  ＥＨＶＥ」（２−エチルヘキシルビニルエーテル）等が挙げられる。
【００５０】
上記化合物（Ｄ）としての単官能オキセタン化合物としては、特に限定されないが、３エチル−３−フェノキシメチルオキセタン（分子量１９２．３）、３−エチル−３−［（２−エチルヘキシルオキシ）メチル］オキセタン（分子量２２８．４）等が挙げられる。
【００５１】
上記単官能オキセタン化合物の市販品としては、東亜合成社製の商品名「ＯＸＴ−２１１」（３エチル−３−フェノキシメチルオキセタン）、商品名「ＯＸＴ−２１２」（３−エチル−３−［（２−エチルヘキシルオキシ）メチル］オキセタン等が挙げられる。
【００５２】
本発明では、ポジ型感光性組成物中でのアルコキシシランの縮合物（Ａ）のＳｉＯＨ基の当量数（ａ）と、化合物（Ｄ）のビニルエーテル基、エポキシ基及びオキセタニル基の合計当量数（ｄ）との当量比（当量数（ａ）／当量数（ｄ））が０．８〜１．５の範囲にあることが好ましい。当量比（当量数（ａ）／当量数（ｄ））が０．８未満であると、化合物（Ｄ）が過剰なことがあり、過剰な化合物（Ｄ）に起因する残渣が生じることがある。当量比（当量数（ａ）／当量数（ｄ））が１．５を超えると、露光後にアルコキシシランの縮合物（Ａ）のＳｉＯＨ基に化合物（Ｄ）が十分に反応していないことがある。
【００５３】
なお、上記アルコキシシランの縮合物のＳｉＯＨ基の当量数（ａ）は、例えば、ピリジン−無水酢酸アセチル化法により測定することができ、化合物（Ｄ）のビニルエーテル基、エポキシ基及びオキセタニル基の合計当量数（ｄ）は、例えば過塩素酸法により測定することができる。
【００５４】
本発明においては、アルコキシシランの縮合物（Ａ）と、熱酸発生剤（Ｂ）と、光カチオン発生剤（Ｃ）と、上記化合物（Ｄ）とに加えて、適宜の溶剤がさらに添加され得る。溶剤を添加することにより、容易に塗布し得るポジ型感光性組成物を提供することができる。
【００５５】
上記溶剤としては、アルコキシシランの縮合物を溶解し得る限り、特に限定されないが、ベンゼン、キシレン、トルエン、エチルベンゼン、スチレン、トリメチルベンゼン、ジエチルベンゼンなどの芳香族炭化水素化合物；シクロヘキサン、シクロヘキセン、ジペンテン、ｎ−ペンタン、イソペンタン、ｎ−ヘキサン、イソヘキサン、ｎ−ヘプタン、イソヘプタン、ｎ−オクタン、イソオクタン、ｎ−ノナン、イソノナン、ｎ−デカン、イソデカン、テトラヒドロナフタレン、スクワランなどの飽和または不飽和炭化水素化合物；ジエチルエーテル、ジ−ｎ−プロピルエーテル、ジ−イソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、エチルプロピルエーテル、ジフェニルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールジエチルエーテル、ジプロピレングリコールジブチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルエチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールジプロピルエーテル、エチレングリコールメチルエチルエーテル、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチルシクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ｐ−メンタン、ｏ−メンタン、ｍ−メンタン；ジプロピルエーテル、ジブチルエーテルなどのエーテル類；アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ジエチルケトン、ジプロピルケトン、メチルアミルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、シクロヘプタノンなどのケトン類；酢酸エチル、酢酸メチル、酢酸ブチル、酢酸プロピル、酢酸シクロヘキシル、酢酸メチルセロソルブ、酢酸エチルセロソルブ、酢酸ブチルセロソルブ、乳酸エチル、乳酸プロピル、乳酸ブチル、乳酸イソアミル、ステアリン酸ブチルなどのエステル類などが挙げられる。これらの溶剤は、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００５６】
上記溶剤の配合割合は、例えば基板上にポジ型感光性組成物を塗工し、感光性組成物層を形成する際に、均一に塗工されるように適宜選択すればよい。好ましくは、ポジ型感光性組成物の濃度は、固形分濃度で、０．５〜６０重量％、より好ましくは、２〜４０重量％程度とされる。
【００５７】
本発明に係るポジ型感光性組成物には、必要に応じて、他の添加剤をさらに添加してもよい。このような添加剤としては、充填剤、顔料、染料、レベリング剤、消泡剤、帯電防止剤、紫外線吸収剤、ｐＨ調整剤、分散剤、分散助剤、表面改質剤、可塑剤、可塑促進剤、タレ防止剤などが挙げられる。
【００５８】
本発明に係るパターン膜の製造方法では、上記ポジ型感光性組成物が用いられ、例えば図１（ａ）に示すように、基板上に、ポジ型感光性組成物からなる感光性組成物層１を形成する工程が行われる。次に、パターンに応じたフォトマスク３を用いて、感光性組成物層１を選択的に露光し、露光部において光カチオン発生剤（Ｃ）の作用によって、アルコキシシランの縮合物（Ａ）のＳｉＯＨ基に化合物（Ｄ）を反応させ、しかる後、露光部の感光性組成物層１Ａ及び未露光部の感光性組成物層１Ｂを熱処理することにより、熱酸発生剤（Ｂ）の作用によって、未露光部においてアルコキシシランの縮合物（Ａ）の架橋を進行させ、未露光部の感光性組成物層１Ｂを現像液に不溶にする工程（図１（ｂ））が行われる。未露光部の感光性組成物層１Ｂを現像液に不溶にした後、感光性組成物層１Ａ，１Ｂを現像液で現像し、パターン膜１Ｃを得る工程（図１（ｃ））がさらに行われる。
【００５９】
ここで、現像とは、アルカリ水溶液などの現像液に、露光部の感光性組成物層１Ａや未露光部の感光性組成物層１Ｂを浸漬する操作の他、該感光性組成物層１Ａ，１Ｂの表面を現像液で洗い流す操作、あるいは現像液を上記感光性組成物層１Ａ，１Ｂの表面に噴射する操作など、現像液で感光性組成物層１Ａ，１Ｂを処理する様々な操作を含むものとする。なお、現像液としては、アルカリ水溶液に限らず、酸性水溶液や各種溶媒を用いてもよい。溶媒としては、前述した各種溶剤が挙げられる。酸性水溶液としては、シュウ酸、ギ酸、酢酸等が挙げられる。
【００６０】
上記感光性組成物層を形成する工程は、特に限定されないが、例えば上記ポジ型感光性組成物を図１に示す基板２上に付与し、感光性組成物層１を形成する方法が挙げられる。この場合の具体的な方法としては、一般的な塗工方法を用いることができ、例えば、浸漬塗工、ロール塗工、バー塗工、刷毛塗工、スプレー塗工、スピン塗工、押出塗工、グラビア塗工などを使用することができる。ポジ型感光性組成物が塗工される基板としては、シリコン基板、ガラス基板、金属板、プラスチックス板などが用途に応じて用いられる。感光性組成物層の厚さは、用途によって異なるが、１０ｎｍ〜１０μｍが目安となる。基板上に塗工された感光性組成物層は、ポジ型感光性組成物を溶解させるために溶剤を用いた場合、その溶剤を乾燥させるために加熱処理することが望ましい。加熱処理温度は、一般には４０℃〜２００℃であり、溶剤の沸点や蒸気圧に応じて適宜選択される。
【００６１】
感光性組成物層１を基板２上に形成し、該感光性組成物層をフォトマスクで被覆して光をパターン状に照射する。これにより、露光部において光カチオン発生剤（Ｃ）の作用によって、アルコキシシランの縮合物（Ａ）のＳｉＯＨ基に化合物（Ｄ）を反応させることができる。露光部の感光性組成物層１Ａでは、アルコキシシランの縮合物（Ａ）のＳｉＯＨ基に化合物（Ｄ）が反応していることによって、熱処理されて熱酸発生剤（Ｂ）から酸が発生しても、感光性組成物層１Ａの硬化が進行し難くなる。フォトマスクとしては、市販されている一般的なものを用いればよい。
【００６２】
紫外線や可視光線などの光線、もしくは放射線を照射するための光源としては、特に限定されないが、超高圧水銀灯、Ｄｅｅｐ  ＵＶ  ランプ、高圧水銀灯、低圧水銀灯、メタルハライドランプ、エキシマレーザーなどを使用することができる。これらの光源は、光カチオン発生剤（Ｃ）の種類や配合量に応じて適宜選択される。光の照射エネルギーは、光カチオン発生剤（Ｃ）の種類や配合量の種類にもよるが、一般に、１０〜１０００ｍＪ／ｃｍ２の範囲である。１０ｍＪ／ｃｍ２よりも小さいと、アルコキシシランの縮合物（Ａ）のＳｉＯＨ基に化合物（Ｄ）が十分に反応しないことがある。また、１０００ｍＪ／ｃｍ２より大きいと露光時間が長くなるおそれがあり、パターン膜の時間あたりの製造効率が低下するおそれがある。
【００６３】
本発明では、ＳｉＯＨ基に化合物（Ｄ）を反応させた後、感光性組成物層を熱処理することにより、熱酸発生剤（Ｂ）の作用によって、未露光部においてアルコキシシランの縮合物（Ａ）の架橋を進行させ、未露光部の感光性組成物層１Ｂを現像液に不溶にする。
【００６４】
熱処理の温度としては、使用する熱酸発生剤（Ｂ）に応じて適宜選択され得るが、好ましくは、１５０〜３５０℃の範囲である。
【００６５】
露光後の感光性組成物層を現像液を用いて現像することにより、露光部の感光性組成物層が現像液に溶解して除去され、未露光部が基板上に残る。その結果、パターンが形成される。このパターンは、露光部が除去されることから、ポジ型パターンといわれるものである。本発明のパターン膜の製造方法では、露光部の感光性組成物を十分に除去できるので、良好な解像度を得ることができる。
【００６６】
現像液としては、防爆設備が不要であり、腐蝕等による設備負担も少ないので、アルカリ水溶液が好ましく用いられる。例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液、珪酸ナトリウム水溶液、水酸化ナトリウム水溶液、水酸化カリウム水溶液などのアルカリ水溶液が挙げられる。現像に要する時間は、感光性組成物層の厚みや溶剤の種類にもよるが、効率良く現像でき製造効率が高められるため、１０秒〜５分の範囲が好ましい。現像後にパターン膜は、蒸留水で洗浄され、薄膜上に残存しているアルカリ水溶液を除去することが好ましい。
【００６７】
なお、本発明に係るポジ型感光性組成物は、様々な装置において、パターン膜を形成するのに好適に用いられるが、電子機器の絶縁保護膜に上記ポジ型感光性組成物が好適に用いられる。電子機器の絶縁保護膜として、上記感光性組成物を用いて構成されたパターン膜を用いることにより、得られた絶縁保護膜の形状安定性を効果的に高めることができる。このような電子機器の絶縁保護膜の例としては、例えば、液晶表示素子において、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を保護するためのＴＦＴ保護膜や、カラーフィルタにおいてフィルタを保護する保護膜などが挙げられる。
【００６８】
また、本発明に係るポジ型感光性組成物は、半導体素子の層間絶縁膜、あるいはパッシベーション膜を構成するのにより好適に用いられる。
【００６９】
図２は、本発明に係るポジ型感光性組成物を用いて構成されたパッシベーション膜および層間絶縁膜を備える半導体素子を模式的に示す正面断面図である。
【００７０】
図２に示す半導体素子１１では、基板１２の上表面の中央にゲート電極１３が設けられている。ゲート電極１３を覆うように、基板１２の上表面にゲート絶縁膜１４が形成されている。ゲート絶縁膜１４上に、ソース電極１５とドレイン電極１６とが設けられている。ソース電極１５の一部及びドレイン電極１６の一部を覆うように、ゲート絶縁膜１４上に半導体層１７が形成されている。さらに、ソース電極１５及びドレイン電極１６の半導体層１７により覆われていない部分と半導体層１７とを覆うように、パッシベーション膜１８が形成されている。半導体素子１１では、上記ゲート絶縁膜１４及びパッシベーション膜１８が、本発明に係るポジ型感光性組成物を用いて形成された膜である。
【００７１】
本発明に係るポジ型感光性組成物を用いて形成された膜は、様々な用途に用いられる。ここで、「ポジ型感光性組成物を用いて形成された膜」とは、熱や光線若しくは放射線などのエネルギーをポジ型感光性組成物に与えて架橋構造を導入して得られた膜であることを意味する。
【００７２】
本発明に係るポジ型感光性組成物は、例えば、有機ＥＬ素子のＴＦＴ保護膜、ＩＣチップの層間保護膜、センサの絶縁層などの様々な電子機器用絶縁保護膜としても広く用いられ得る。
【００７３】
以下、本発明の実施例及び比較例を挙げることにより、本発明を明らかにする。なお、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【００７４】
（使用した材料）
〔アルコキシシランの縮合物（Ａ）〕
冷却管をつけた１００ｍｌのフラスコにフェニルトリエトキシシラン５ｇ、トリエトキシシラン１０ｇ、シュウ酸０．５ｇ、水５ｍｌ及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート５０ｍｌを加えた。半円形型のメカニカルスターラーを用いて溶液を撹拌し、マントルヒーターで７０℃・６時間反応させた。次いでエバポレーターを用いて水との縮合反応で生成したエタノールと残留水とを除去した。反応終了後、フラスコを室温になるまで放置し、ＳｉＯＨ基を有するアルコキシシランの縮合物（Ａ１）を調製した。
【００７５】
〔熱酸発生剤（Ｂ）〕
（Ｂ１）シクロヘキシル−ｐ−トルエンスルホネート
［光カチオン発生剤（Ｃ）］
（Ｃ１）ＳＰ−１５０（ＡＤＥＫＡ社製）
〔化合物（Ｄ）〕
（Ｄ１）２−エチルヘキシルグリシジルエーテル（日本油脂社製、商品名：エピオールＥＨ、単官能エポキシ化合物）
（実施例及び比較例のポジ型感光性組成物の調製）
上記アルコキシシランの縮合物（Ａ）と、上記熱酸発生剤（Ｂ）と、上記光カチオン発生剤（Ｃ）と、上記化合物（Ｄ）とを下記表１に示す配合割合で混合した後、溶剤であるテトラヒドロフラン５００重量部に溶解させ、ポジ型感光性組成物を調製した。
【００７６】
（実施例及び比較例の評価）
基材として、表層にアルミニウムが蒸着されたガラス基板を用い、このガラス基板上に実施例及び比較例の各ポジ型感光性組成物を回転数１５００ｒｐｍでスピン塗工した。塗工後、８０℃の熱風オーブンで乾燥させ、塗膜を形成した。
【００７７】
次に、所定のパターンを有するフォトマスクを介して紫外線照射装置（ウシオ電機社製、スポットキュアＳＰ−５）を用い、塗膜に３６５ｎｍの波長の紫外線を、照射エネルギーが１０００ｍＪ／ｃｍ２となるように１００ｍＷ／ｃｍ２の紫外線照度で１０秒間照射した。
【００７８】
次に、塗膜を１５０℃の熱風オーブンで５分間熱処理した。しかる後、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドの２．３８％水溶液に、塗膜を浸漬して現像し、パターン膜を形成した。
【００７９】
上記のようにして得られたパターン膜について、パターン形状を下記評価基準で評価した。
【００８０】
〔パターン形状の評価基準〕
○：良好なパターンを形成
△：部分的にしかパターンが形成されず
×：パターンが形成されず
結果を下記表１に示す。
【００８１】
【表１】
2008032989.tif 000003
また、アルコキシシランの縮合物（Ａ）のＳｉＯＨ基の当量数（ａ）と、化合物（Ｄ）のビニルエーテル基、エポキシ基及びオキセタニル基の合計当量数（ｄ）との当量比（当量数（ａ）／当量数（ｄ））を表１に示す。
【図面の簡単な説明】
【００８２】
【図１】（ａ）〜（ｃ）は、本発明に係るポジ型感光性組成物を用いてパターン膜を形成する方法を説明するための各工程の断面図。
【図２】本発明に係るポジ型感光性組成物を用いて構成されたパッシベーション膜および層間絶縁膜を備える半導体素子を示す正面断面図。
【符号の説明】
【００８３】
１…感光性組成物層
１Ａ…感光性組成物層
１Ｂ…感光性組成物層
１Ｃ…パターン膜
２…基板
３…フォトマスク
１１…半導体素子
１２…基板
１３…ゲート電極
１４…ゲート絶縁膜
１５…ソース電極
１６…ドレイン電極
１７…半導体層
１８…パッシベーション膜
【図１】
2008032989.tif 000004
【図２】
2008032989.tif 000005