(57)【要約】【課題】絶縁性接着剤樹脂に含まれる低分子成分に起因するマイグレーション不良の発生を抑えて、隣接配線電極間の狭ピッチ化に対応することができる電極接合構造体及び電極接合方法を提供する。【解決手段】複数の第１の電極を有する第１の回路形成体と、それぞれの第１の電極に対向して配置された複数の第２の電極を有する第２の回路形成体と、第１の回路形成体と第２の回路形成体との対向領域に配置されて両者を接合する第１の絶縁性接着剤樹脂と、対向領域の縁部に隣接する外側領域において互いに隣接する第２の電極間に配置されて、第１の絶縁性接着剤樹脂が互いに隣接する第２の電極のそれぞれに接触することを妨げる第２の絶縁性接着剤樹脂とを備える。【選択図】図１Ｂ
2008311411.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の第１の電極を有する第１の回路形成体と、
上記それぞれの第１の電極に対向して配置された複数の第２の電極を有する第２の回路形成体と、
上記第１の回路形成体と上記第２の回路形成体との対向領域に配置されて両者を接合する第１の絶縁性接着剤樹脂と、
上記対向領域の縁部に隣接する外側領域において互いに隣接する上記第１の電極間に配置されて、上記第１の絶縁性接着剤樹脂が上記互いに隣接する第１の電極のそれぞれに接触することを妨げる第２の絶縁性接着剤樹脂と、
を備える、電極接合構造体。
【請求項２】
上記第２の絶縁性接着剤樹脂は、上記外側領域において上記それぞれの第１の電極を封止するように配置されている、請求項１に記載の電極接合構造体。
【請求項３】
上記第２の絶縁性接着剤樹脂は、上記第１の絶縁性接着剤樹脂よりも低分子成分が少ない、請求項１又は２に記載の電極接合構造体。
【請求項４】
上記第２の絶縁性接着剤樹脂は、上記互いに隣接する第１の電極間に位置する部分が第１の電極上に位置する部分よりも上記対向領域の内側に位置するように、エッジが波形形状に形成されている、請求項２に記載の電極接合構造体。
【請求項５】
上記第２の絶縁性接着剤樹脂は、上記互いに隣接する第１の電極間において上記外側領域から上記対向領域の縁部にわたって延在するように配置されている、請求項１〜４のいずれか１つに記載の電極接合構造体。
【請求項６】
上記第２の絶縁性接着剤樹脂の高さは、上記第１の電極の高さと上記導電性粒子の高さと上記第１の電極の高さとを合計した高さよりも低い、請求項１〜５のいずれか１つに記載の電極接合構造体。
【請求項７】
さらに、上記第１の絶縁性接着剤樹脂中に分散され、上記それぞれの第１の電極とそれらに対向する上記それぞれの第１の電極とを電気的に接続する導電性粒子を備える、請求項１〜６のいずれか１つに記載の電極接合構造体。
【請求項８】
上記それぞれの第１の電極は、銀で形成されている、請求項１〜７のいずれか１つに記載の電極接合構造体。
【請求項９】
さらに、上記第１及び第２の絶縁性接着剤樹脂が外部に露出しないように覆い隠す絶縁性封止樹脂を備える、請求項１〜８のいずれか１つに記載の電極接合構造体。
【請求項１０】
複数の第１の電極を有する第１の回路形成体と、上記それぞれの第１の電極に対向するように形成された複数の第２の電極を有する第２の回路成形体との対向領域の縁部に隣接する外側領域において、互いに隣接する上記第１の電極間に硬化又は半硬化状態の第２の絶縁性接着剤樹脂を配置し、
上記対向領域の上記縁部より内側に第１の絶縁性接着剤樹脂を配置し、
上記第１又は第２の回路形成体を介して上記第１の絶縁性接着剤樹脂を加圧加熱して流動させ、上記第２の絶縁性接着剤樹脂と接触した状態で上記第１の絶縁性接着剤樹脂を硬化させて、当該硬化させた第１の絶縁性接着剤樹脂により上記第１の回路形成体と上記第２の回路形成体とを接合する、電極接合方法。
【請求項１１】
上記第２の絶縁性接着剤樹脂は、熱硬化性の樹脂又は光硬化性の樹脂であり、
上記第２の絶縁性接着剤樹脂を上記互いに隣接する第１の電極間に配置したのち、加熱又は光を照射することにより、上記互いに隣接する第１の電極間に硬化又は半硬化状態の上記第２の絶縁性接着剤樹脂を配置する、請求項１０に記載の電極接合方法。
【請求項１２】
上記第１の絶縁性接着剤樹脂内には、多数の導電性粒子が分散されており、
上記第１の絶縁性接着剤樹脂の上記加圧加熱により、上記それぞれの第１の電極とそれらに対向する上記それぞれの第１の電極とを上記導電性粒子を介して電気的に接合する、請求項１０又は１１に記載の電極接合方法。
【請求項１３】
上記第１の絶縁性接着剤樹脂は、上記加圧加熱前においてはシート状である、請求項１２に記載の電極接合方法。
【請求項１４】
上記第１の絶縁性接着剤樹脂を加圧加熱して硬化させたのち、上記第１及び第２の絶縁性接着剤樹脂が外部に露出しないように絶縁性封止樹脂により覆い隠す、請求項１０〜１３のいずれか１つに記載の電極接合方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路形成体の電極に他の回路形成体の電極を絶縁性接着剤樹脂を用いて接合する電極接合構造体及び電極接合方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ガラス基板やフレキシブル基板等の回路形成体の電極に、他のガラス基板やフレキシブル基板、あるいは電子部品等の回路形成体の電極を電気的に接合する技術として、導電性粒子が分散された絶縁性接着剤樹脂、例えば異方性導電性シートを用いる技術が知られている。この技術は、接合対象となる電極間に異方性導電性シートを配置し、回路形成体を介して異方性導電性シートを圧着ツールで加圧加熱することで、上記絶縁性接着剤樹脂を溶融（軟化）させて、導電性粒子を介して電極間を導通させる技術である。
【０００３】
この異方性導電性シートを用いる電極接合技術は、様々な形態の電極接合に適応可能であり、例えば、ガラス基板とフレキシブル基板との電極接合（ＦＯＧ）、ガラス基板とＩＣチップ部品との電極接合（ＣＯＧ）、フレキシブル基板とＩＣチップ部品との電極接合（ＣＯＦ）、プリント配線基板とＩＣチップ部品との電極接合、フレキシブル基板とフレキシブル基板との電極接合、フレキシブル基板とプリント配線基板との電極接合等、幅広く適用されている。
【０００４】
近年、例えばガラス基板とフレキシブル基板との電極接合に代表されるフラットパネルの接合技術においては、電極間に高電圧が印加されるときの信頼性の確保とともに、電子機器の高密度化に伴って隣接配線電極間の更なる狭ピッチ化（微細化）が求められている。具体的には、その隣接配線電極間のピッチは、従来求められていた３００μｍ〜２００μｍから、２００μｍ〜１００μｍ以下まで狭ピッチ化することが求められている。また、例えばガラス基板とＩＣチップ部品との電極接合やフレキシブル基板とＩＣチップ部品との電極接合等の、ＩＣチップ部品をフェイスダウン方式で接合する技術においても、同様に、多機能化に伴いバンプ電極間の更なる狭ピッチ化（微細化）が求められている。具体的には、それらの隣接配線電極間のピッチは、従来求められていた１２０μｍ〜８０μｍから、８０μｍ〜４０μｍ以下まで狭ピッチ化することが求められている。
【０００５】
上記のレベルまで隣接配線電極間の狭ピッチ化が進むと、異方性導電性シートを用いる電極接合技術においては、マイグレーション不良やショート不良等による絶縁信頼性に対する不具合を生じる可能性が高くなる。特に、電極の材料として銀を使用した場合には、銀がイオン化傾向の大きい物質であるため、マイグレーション不良が発生しやすい。
【０００６】
マイグレーション不良が発生する主な要因としては、一般に以下の４つが知られている。
（１）電極接合部の隙間から電極への吸水
（２）強電界強度によるイオン伝導
（３）空気中に飛散する異物の混入
（４）電極接合材料（例えば絶縁性接着剤樹脂）中に含まれる異物、不純物、及び洗浄残渣
【０００７】
上記（１）の電極接合部の隙間は、例えば、対向配置された電極同士を熱硬化性の絶縁性接着剤樹脂を用いて電極接合する場合において、当該樹脂を加圧加熱して硬化させた際に生じる当該樹脂の体積変化や、当該樹脂と基板との密着不足などによって形成される。上記隙間は、特に２つの基板間の対向領域の縁部に隣接する外側領域において発生しやすい。
【０００８】
上記（１）に起因するマイグレーション不良を抑制する技術としては、例えば、特許文献１（特開平３−１８４０７７号公報）に開示された技術が知られている。特許文献１では、２つの基板間に熱硬化性の絶縁性接着剤樹脂を配置したのち当該樹脂を加圧加熱して硬化させ、その際に２つの基板間の対向領域の縁部に隣接する外側領域に生じた隙間に、防湿性の樹脂を充填する。この防湿性の樹脂により電極への吸水経路を断ち、マイグレーション不良を抑制している。
【特許文献１】特開平３−１８４０７７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
上記マイグレーション不良の発生要因のうち、特に（４）については、隣接配線電極間が狭ピッチ化される前までは、それ程問題となることはなかった。このため、上記特許文献１のように上記（１）に起因するマイグレーション不良を抑制することで十分な効果があった。しかしながら、隣接配線電極間の狭ピッチ化が進めば進むほど、上記（４）に起因するマイグレーション不良が発生する恐れが高くなる。このため、上記特許文献１の技術では、上記（４）に起因するマイグレーション不良の発生を抑えることができず、隣接配線電極間の狭ピッチ化に対応することは困難である。このことにつき、図１２Ａ〜図１２Ｄを用いて、以下に詳しく説明する。
【００１０】
図１２Ａ及び図１２Ｂは、従来例の電極接合方法を模式的に示す断面図である。図１２Ｃは、図１２Ｂのｘ−ｘ断面図であり、図１２Ｄは、図１２Ｂのｙ−ｙ断面図である。ここでは、フラットパネルの端子部の接合構造であるガラス基板とフレキシブル基板の接合構造を例にとって説明する。
【００１１】
まず、図１２Ａに示すように、複数の第１の電極１０４Ａを有するガラス基板１０４と、それぞれの第１の電極１０４Ａと対向するように形成された複数の第２の電極１０５Ａを有するフレキシブル基板１０５との対向領域１００Ｘに、異方性導電性シート１０１を配置する。
【００１２】
この後、圧着ツール１０６によりフレキシブル基板１０５を介して異方性導電性シート１０１を加圧加熱する。これにより、異方性導電性シート１０１の絶縁性接着剤樹脂１０２が溶融して、図１２Ｂに示すように、対向領域１００Ｘの縁部に隣接する外側領域１００Ｙまで流動して硬化する。このとき、絶縁性接着剤樹脂１０２中に分散された導電性粒子１０３が、図１２Ｃに示すように第１の電極１０４Ａと第２の電極１０５Ａとの間に配置されて両者を電気的に接合する。
【００１３】
このような従来例の電極接合方法に用いる絶縁性接着剤樹脂１０２は、一般的に以下のような材料組成を有する。すなわち、絶縁性接着剤樹脂１０２は、基板間を接着させるための高分子成分を含む固形エポキシ樹脂と、加圧加熱された際に上記固定エポキシ樹脂の溶融及び流動を促進させるための低分子成分を含む液状エポキシ樹脂と、固形及び液状エポキシ樹脂を熱硬化させる為の硬化剤と、樹脂をシート化する為のシート化溶剤と、その他エラストマーやカップリング剤、イオン交換体などで構成されている。
【００１４】
上記材料組成のうちの液状エポキシ樹脂中の低分子成分は、絶縁性接着剤樹脂１０２が加圧加熱された際、絶縁性接着剤樹脂１０２の流動に伴って他の成分から分離する性質を有する。分離した低分子成分は、特に、外側領域１００Ｙにおいて互いに隣接する第１の電極１０４Ａ間で凝集し、図１２Ｂ及び図１２Ｄに示す低分子成分残渣１０７となる。隣接配線電極間のピッチ１００Ｐ（図１２Ｃ参照）が小さくなるほど、低分子成分残渣１０７が互いに隣接する第１の電極１０４Ａ，１０４Ａ間をつなぎやすくなる。この低分子成分残渣１０７は、樹脂の濡れ性を阻害するだけでなく、ガス化して膨張し、樹脂の架橋時に他の成分に取り込まれずに、電極中の金属イオンの移動媒体となる恐れがある。このため、低分子成分残渣１０７により、絶縁性接着剤樹脂１０２とガラス基板１０４との密着性が低下し、マイグレーション不良が発生しやすくなる。
【００１５】
この低分子成分残渣１０７に起因するマイグレーション不良においては、上記特許文献１の技術（すなわち、上記加圧加熱により絶縁性接着剤樹脂１０２が硬化したのちにその硬化により生じた隙間に防湿性の樹脂を充填する方法）により解決することは困難である。
【００１６】
また、低分子成分残渣１０７に起因するマイグレーション不良の発生を抑える他の方法としては、単純には、液状エポキシ樹脂中の低分子成分の成分量を低減（カット）することが考えられる。しかしながら、低分子成分の成分量を低減した場合には、その分、加圧加熱した際の絶縁性接着剤樹脂１０２の流動性が悪くなる。このため、ガラス基板１０４と絶縁性接着剤樹脂１０２、又はフレキシブル基板１０５と絶縁性接着剤樹脂１０２との密着性が低下するといった別の問題を生じる恐れがある。
【００１７】
従って、本発明の目的は、上記問題を解決することにあって、回路形成体の電極に他の回路形成体の電極を絶縁性接着剤樹脂を用いて接合する電極接合において、絶縁性接着剤樹脂に含まれる低分子成分に起因するマイグレーション不良の発生を抑えて、隣接配線電極間の狭ピッチ化に対応することができる電極接合構造体及び電極接合方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
上記目的を達成するために、本発明は以下のように構成する。
本発明の第１態様によれば、複数の第１の電極を有する第１の回路形成体と、
上記それぞれの第１の電極に対向して配置された複数の第２の電極を有する第２の回路形成体と、
上記第１の回路形成体と上記第２の回路形成体との対向領域に配置されて両者を接合する第１の絶縁性接着剤樹脂と、
上記対向領域の縁部に隣接する外側領域において互いに隣接する上記第１の電極間に配置されて、上記第１の絶縁性接着剤樹脂が上記互いに隣接する第１の電極のそれぞれに接触することを妨げる第２の絶縁性接着剤樹脂と、
を備える、電極接合構造体を提供する。
【００１９】
本発明の第２態様によれば、上記第２の絶縁性接着剤樹脂は、上記外側領域において上記それぞれの第１の電極を封止するように配置されている、第１態様に記載の電極接合構造体を提供する。
【００２０】
本発明の第３態様によれば、上記第２の絶縁性接着剤樹脂は、上記第１の絶縁性接着剤樹脂よりも低分子成分が少ない、第１又は２態様に記載の電極接合構造体を提供する。
【００２１】
本発明の第４態様によれば、上記第２の絶縁性接着剤樹脂は、上記互いに隣接する第１の電極間に位置する部分が第１の電極上に位置する部分よりも上記対向領域の内側に位置するように、エッジが波形形状に形成されている、第２態様に記載の電極接合構造体を提供する。
【００２２】
本発明の第５態様によれば、上記第２の絶縁性接着剤樹脂は、上記互いに隣接する第１の電極間において上記外側領域から上記対向領域の縁部にわたって延在するように配置されている、第１〜４態様のいずれか１つに記載の電極接合構造体を提供する。
【００２３】
本発明の第６態様によれば、上記第２の絶縁性接着剤樹脂の高さは、上記第１の電極の高さと上記導電性粒子の高さと上記第２の電極の高さとを合計した高さよりも低い、第１〜５態様のいずれか１つに記載の電極接合構造体を提供する。
【００２４】
本発明の第７態様によれば、さらに、上記第１の絶縁性接着剤樹脂中に分散され、上記それぞれの第１の電極とそれらに対向する上記それぞれの第２の電極とを電気的に接続する導電性粒子を備える、第１〜６態様のいずれか１つに記載の電極接合構造体を提供する。
【００２５】
本発明の第８態様によれば、上記それぞれの第１の電極は、銀で形成されている、第１〜７態様のいずれか１つに記載の電極接合構造体を提供する。
【００２６】
本発明の第９態様によれば、さらに、上記第１及び第２の絶縁性接着剤樹脂が外部に露出しないように覆い隠す絶縁性封止樹脂を備える、第１〜８様態のいずれか１つに記載の電極接合構造体を提供する。
【００２７】
本発明の第１０態様によれば、複数の第１の電極を有する第１の回路形成体と、上記それぞれの第１の電極に対向するように形成された複数の第２の電極を有する第２の回路成形体との対向領域の縁部に外側で隣接する外側領域において、互いに隣接する上記第１の電極間に硬化又は半硬化状態の第２の絶縁性接着剤樹脂を配置し、
上記対向領域の上記縁部より内側に第１の絶縁性接着剤樹脂を配置し、
上記第１又は第２の回路形成体を介して上記第１の絶縁性接着剤樹脂を加圧加熱して流動させ、上記第２の絶縁性接着剤樹脂と接触した状態で上記第１の絶縁性接着剤樹脂を硬化させて、当該硬化させた第１の絶縁性接着剤樹脂により上記第１の回路形成体と上記第２の回路形成体とを接合する、電極接合方法を提供する。
【００２８】
本発明の第１１態様によれば、上記第２の絶縁性接着剤樹脂は、熱硬化性の樹脂又は光硬化性の樹脂であり、
上記第２の絶縁性接着剤樹脂を上記互いに隣接する第１の電極間に配置したのち、加熱又は光を照射することにより、上記互いに隣接する第１の電極間に硬化又は半硬化状態の上記第２の絶縁性接着剤樹脂を配置する、第１０態様に記載の電極接合方法を提供する。
【００２９】
本発明の第１２態様によれば、上記第１の絶縁性接着剤樹脂内には、多数の導電性粒子が分散されており、
上記第１の絶縁性接着剤樹脂の上記加圧加熱により、上記それぞれの第１の電極とそれらに対向する上記それぞれの第２の電極とを上記導電性粒子を介して電気的に接合する、第１０又は１１態様に記載の電極接合方法を提供する。
【００３０】
本発明の第１３態様によれば、上記第１の絶縁性接着剤樹脂は、上記加圧加熱前においてはシート状である、第１２態様に記載の電極接合方法を提供する。
【００３１】
本発明の第１４態様によれば、上記第１及び第２の絶縁性接着剤樹脂を加圧加熱して硬化させたのち、上記第１及び第２の絶縁性接着剤樹脂が外部に露出しないように絶縁性封止樹脂により覆い隠す、第１０〜１３態様のいずれか１つに記載の電極接合方法を提供する。
【発明の効果】
【００３２】
本発明の電極接合構造体によれば、第１の絶縁性接着剤樹脂が互いに隣接する第１の電極のそれぞれに接触することを妨げる第２の絶縁性接着剤樹脂を備えている。これにより、第１の絶縁性接着剤樹脂中の低分子成分の残渣が第１の回路成形体に付着して互いに隣接する第１の電極間をつなぐことを防止することができる。したがって、絶縁性接着剤樹脂に含まれる低分子成分に起因するマイグレーション不良の発生を抑えて、隣接配線電極間の狭ピッチ化に対応することができる。
【００３３】
また、本発明の電極接合構造体によれば、上記外側領域において互いに隣接する第１の電極間に配置する樹脂を、絶縁性を有する樹脂としているので、吸水しやすい電極端部の絶縁を強化する効果も得ることができる。
【００３４】
本発明の電極接合方法によれば、上記外側領域において互いに隣接する第１の電極間に硬化又は半硬化状態の第２の絶縁性接着剤樹脂を配置したのち、第１及び第２の回路形成体間に第１の絶縁性接着剤樹脂を配置し加圧加熱して、第１の回路形成体と第２の回路形成体とを接合するようにしている。すなわち、第１の絶縁性接着剤樹脂を加圧加熱する前に、第１の絶縁性接着剤樹脂中の低分子成分の残渣がマイグレーション不良を発生させる恐れのある位置に、あらかじめ第２の絶縁性接着剤樹脂を配置している。これにより、第１の絶縁性接着剤樹脂中の低分子成分残渣が第１の回路成形体に付着して互いに隣接する第１の電極間をつなぐことを防止することができる。したがって、絶縁性接着剤樹脂に含まれる低分子成分に起因するマイグレーション不良の発生を抑えて、隣接配線電極間の狭ピッチ化に対応することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３５】
本発明の記述を続ける前に、添付図面において同じ部品については同じ参照符号を付している。
以下、本発明の最良の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
【００３６】
《第１実施形態》
図１Ａ〜図１Ｄを用いて、本発明の第１実施形態にかかる電極接合構造体の構成を説明する。本発明の第１実施形態では、フラットパネルの端子部の接合構造であるガラス基板とフレキシブル基板の接合構造を例にとって説明する。図１Ａは、本発明の第１実施形態にかかる電極接合構造体の構成を示す平面図である。図１Ｂは、図１Ａのａ−ａ断面図であり、図１Ｃは、図１Ａのｂ−ｂ断面図であり、図１Ｄは、図１Ａのｃ−ｃ断面図である。
【００３７】
本発明の第１実施形態にかかる電極接合構造体は、複数の第１の電極４Ａを有する第１の回路形成体の一例であるガラス基板４と、それぞれの第１の電極４Ａに対向して配置された複数の第２の電極５Ａを有する第２の回路形成体の一例であるフレキシブル基板５と、ガラス基板４とフレキシブル基板５との対向領域５１に配置されて両者を接合する第１の絶縁性接着剤樹脂２とを備えている。
【００３８】
さらに、本発明の第１実施形態にかかる電極接合構造体は、第１の絶縁性接着剤樹脂２中に分散され、それぞれ第１の電極４Ａとそれらに対向するそれぞれの第２の電極５Ａとを接続する導電性粒子３と、対向領域５１の縁部５１Ａに隣接する外側領域５２において、互いに隣接する第１の電極４Ａ，４Ａ間を覆う（封止する）ように配置された第２の絶縁性接着剤樹脂６とを備えている。
【００３９】
ここで、「対向領域５１の縁部５１Ａ」は、ガラス基板４又はフレキシブル基板５の厚み方向（図１Ｂの縦方向）でガラス基板４とフレキシブル基板５とに挟まれている領域と挟まれていない領域との境界部分よりも内側（上記挟まれている領域側）で、且つ全体の電極間の導通にほとんど影響がない部分に位置している。例えば、対向領域５１において電極間の導通が必要な領域の長さ（図１Ｂの横方向）が３ｍｍである場合には、縁部５１Ａの長さは、０．１ｍｍ〜１．０ｍｍ程度である。
【００４０】
また、「外側領域５２」とは、縁部５１Ａに外側で隣接している領域であって、ガラス基板４又はフレキシブル基板５の厚み方向（図１Ｂの縦方向）でガラス基板４とフレキシブル基板５とに挟まれていない領域をいう。言い換えれば、ガラス基板４とフレキシブル基板５との間に絶縁性接着剤樹脂２を挟んだ状態で加圧加熱したときに、絶縁性接着剤樹脂２がガラス基板４とフレキシブル基板５との間からはみ出した領域をいう。
【００４１】
ガラス基板４の複数の第１の電極４Ａは、例えば厚さ３μｍ〜５μｍ程度の厚膜電極（例えば厚膜銀電極）で構成されている。
フレキシブル基板５の複数の第２の電極５Ａは、例えば厚さ１０〜５０μｍ程度の厚膜電極（例えば厚膜銅電極）と、当該厚膜電極上に例えば厚さ１〜５μｍで施した錫メッキとで構成されている。
【００４２】
第１の絶縁性接着剤樹脂２は、対向領域５１内において、ガラス基板４の複数の第１の電極４Ａとフレキシブル基板５の複数の第２の電極５Ａとを封止するように配置されている。また、第１の絶縁性接着剤樹脂２は、外側領域５２において第２の絶縁性接着剤樹脂６上に覆い被さるように配置されている。この第２の絶縁性接着剤樹脂６により、第１の絶縁性接着剤樹脂２と第２の電極５Ａとの接触が妨げられている。第１の絶縁性接着剤樹脂２中の低分子成分残渣７は、図１Ｄに示すように、互いに隣接する第２の電極５Ａ間で且つ第２の絶縁性接着剤樹脂６上に位置している。なお、ここで「低分子成分」とは、第１の絶縁性接着剤樹脂中に含まれる基板間を接着させるための高分子成分の平均分子量に対して、その平均分子量が十分小さい（例えば１／３０〜１／７０程度の）成分をいい、マイグレーション不良を発生させる恐れがある成分を含む成分をいう。上記マイグレーション不良を発生させる恐れがある成分としては、例えば、分子量１００以下の成分や、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂などが挙げられる。
【００４３】
また、第１の絶縁性接着剤樹脂２は、耐熱性、耐吸湿性、接着性、絶縁性等の面で機能的に優れた樹脂、例えばアクリル樹脂やエポキシ樹脂等の熱硬化性の樹脂で構成されている。なお、第１の絶縁性接着剤樹脂２は、さらに、イオンマイグレーションの防止効果が大きく、イオン不純物及び低分子成分残渣が少ない樹脂で構成されることが好ましい。
【００４４】
導電性粒子３は、例えば、金属球又は樹脂性のボールをコアとして、その表面上にニッケルメッキが形成され、当該ニッケルメッキの表面上にさらに金メッキが形成されてなる粒子である。導電性粒子３の平均粒径は、３〜１５μｍの範囲内で形成されることが好ましい。導電性粒子３の平均粒径が３μｍ未満である場合には電極間の導通を確保することが困難であり、導電性粒子３の平均粒径が１５μｍを越える場合には電極間のショート不良が発生しやすくなるといった不都合を生じる恐れがある。
【００４５】
第２の絶縁性接着剤樹脂６は、外側領域５２において互いに隣接する第１の電極４Ａ，４Ａ間に、第１の電極４Ａの高さ（厚さ）と導電性粒子３の高さ（粒径）と第２の電極５Ａの高さ（厚さ）とを合計した高さよりも低く形成されている。
【００４６】
これに対して、第２の絶縁性接着剤樹脂６がそれらの合計高さよりも高く形成されている場合には、第１の絶縁性接着剤樹脂２を加圧加熱（加圧するとともに加熱）した際に、第２の絶縁性接着剤６が障壁となって導電性粒子３の外側領域５２への移動を妨げる恐れがある。この場合、導電性粒子３が縁部５１Ａで凝集して、ショート不良が発生する恐れがある。
【００４７】
第２の絶縁性接着剤樹脂６の高さは、具体的には以下のように設定する。例えば、第１の電極４Ａの厚さが５μｍであり、第２の電極５Ａの厚さが２０μｍであり、導電性粒子３の平均粒径が８μｍであるとき、導電性粒子３を介して電気的に接合されるガラス基板４とフレキシブル基板５との間の距離（高さ）は、３３μｍ（＝５μｍ＋８μｍ＋２０μｍ）である。したがって、絶縁性接着剤樹脂２の高さは３３μｍよりも低く設定する。
【００４８】
また、第２の絶縁性接着剤樹脂６は、熱硬化性の樹脂で構成されている。この熱硬化性樹脂としては、第１の絶縁性接着剤樹脂２と同様に、耐熱性、耐吸湿性、接着性、絶縁性等の面で機能的に優れた樹脂が用いられることが好ましく、イオンマイグレーションの防止効果が大きく、イオン不純物及び低分子成分が少ない樹脂が用いられることがさらに好ましい。具体的には、第２の絶縁性接着剤樹脂６は、例えば、ガラス基板のＩＴＯ（酸化インジウムスズ）電極の絶縁膜として用いられる熱硬化性の無機ガラスペーストや、扱い易さの面で優れたエポキシ系樹脂などで構成されることが好ましい。なお、第２の絶縁性接着剤樹脂６は、第１の絶縁性接着剤樹脂６に比べて加圧加熱して流動させる必要がないので、低分子成分を含んでいてもよい。すなわち、第２の絶縁性接着剤樹脂６から低分子成分が分離して低分子成分残渣となる恐れは、第１の絶縁性接着剤樹脂２よりも少ない。また、第２の絶縁性接着剤樹脂６は、加圧加熱して流動させる必要がないので、低分子成分をほとんど含まない樹脂で構成することができる。すなわち、第２の絶縁性接着剤樹脂６は、第１の絶縁性接着剤樹脂２よりも低分子成分を少なくすることができる。これにより、第２の絶縁性接着剤樹脂６から低分子成分が分離して低分子成分残渣となる恐れをさらに抑えることができる。
【００４９】
なお、第２の絶縁性接着剤樹脂６は、第１の絶縁性接着剤樹脂２が加圧加熱されたときに主に流動する側に配置されていればよく、第１の絶縁性接着剤樹脂２の全周に配置する必要はない。例えば、絶縁性接着剤樹脂２が図１Ａの左右に向かってのみ流動する場合には、その左右両側に配置されていればよい。また、低分子成分残渣７が発生する部分であっても、マイグレーション不良を発生する可能性が低い又は無い部分には、第２の絶縁性接着剤樹脂６を配置する必要はない。なお、本発明の第１実施形態においては、主にフレキシブル基板５の端部側（図１Ｂの右側）に向かって絶縁性接着剤樹脂２が流動するものと想定している。このため、第２の絶縁性接着剤樹脂６は、フレキシブル基板５の端部側の外側領域５２にのみ配置している。また、本発明の第１実施形態においては、ガラス基板４の端部側（図１Ｂの左側）には、ほとんど絶縁性接着剤樹脂２が流動しないものと想定している。このため、ガラス基板４の端部側の縁部５１Ａにおいて互いに隣接する第１の電極４Ａ，４Ａ間に、第２の絶縁性接着剤樹脂６よりもサイズが小さい第３の絶縁性接着剤樹脂６０を配置している。第３の絶縁性接着剤樹脂６０は、第２の絶縁性接着剤樹脂６と同様の材料により構成されている。
【００５０】
以上のように構成される本発明の第１実施形態にかかる電極接合構造体によれば、第１の絶縁性接着剤樹脂２が互いに隣接する第１の電極４Ａ，４Ａのそれぞれに接触することを妨げる第２の絶縁性接着剤樹脂６を備えている。これにより、第１の絶縁性接着剤樹脂２中の低分子成分残渣７がガラス基板４に付着して互いに隣接する第１の電極４Ａ，４Ａ間をつなぐことを防止することができる。また、第２の絶縁性接着剤樹脂６は流動させる必要がないので、第２の絶縁性接着剤樹脂６中の低分子成分を低減することが可能である。したがって、第１及び第２の絶縁性接着剤樹脂２，６に含まれる低分子成分に起因するマイグレーション不良の発生を抑えて、隣接配線電極間（ここでは、互いに隣り合う第１の電極４Ａ，４Ａ、又は第２の電極５Ａ，５Ａ）の狭ピッチ化に対応することができる。
【００５１】
また、本発明の第１実施形態にかかる電極接合構造体によれば、外側領域５２において互いに隣接する第１の電極４Ａ，４Ａ間に配置する樹脂を、絶縁性を有する樹脂（第２の絶縁性接着剤樹脂６）としているので、吸水しやすい電極端部の絶縁を強化する効果も得られる。
【００５２】
また、本発明の第１実施形態にかかる電極接合構造体によれば、第２の絶縁性接着剤樹脂６の高さを、第１の電極４Ａの高さと導電性粒子３の粒径と第２の電極５Ａの高さとを合計した高さよりも低く設定している。これにより、導電性粒子３の凝集を抑制して、ショート不良の発生を抑えることができる。
【００５３】
また、本発明の第１実施形態にかかる電極接合構造体によれば、第２の絶縁性接着剤樹脂６は、加圧加熱して流動させる必要がないので、第１の絶縁性接着剤樹脂２よりも低分子成分を少なくすることができる。これにより、第２の絶縁性接着剤樹脂６の低分子成分残渣を抑えて、マイグレーション不良の発生を抑えることができる。
【００５４】
また、本発明の第１実施形態にかかる電極接合構造体によれば、上記のようにマイグレーション不良の発生が抑えられるので、ガラス基板４の第１の電極４Ａを銀で形成することができ、フラットディスプレイパネルなどへの適用が可能となる。
【００５５】
なお、上記では第１の回路形成体として、ガラス基板を一例に挙げたがプリント配線基板やフレキシブル基板等であってもよい。また、上記では第２の回路形成体として、フレキシブル基板を一例に挙げたがＩＣチップ等の電子部品であってもよい。
また、上記では、各部材の材質や寸法について例を挙げて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、種々な態様で変形が可能である。
なお、第１の絶縁性接着剤樹脂２と第２の絶縁性接着剤樹脂６との境界付近は、図１Ａ〜図１Ｄでは図示の都合上それらが隣接するように示したが、当該境界付近においては、それらは混在していても良い。
【００５６】
次に、図１Ｂ〜図１Ｄ、図２Ａ〜図２Ｃ及び図３を用いて、本発明の第１実施形態にかかる電極接合構造体の電極接合方法について説明する。図２Ａ〜図２Ｃは、本発明の第１実施形態にかかる電極接合方法の手順を示す断面図である。図３は、本発明の第１実施形態にかかる電極接合方法のフローチャートである。
【００５７】
本発明の第１実施形態にかかる電極接合方法を説明する前に、前提条件について説明する。
ここでは、ガラス基板４とフレキシブル基板５との電極接合を行うのに、図２Ｃに示す圧着ツール８を使用する。この圧着ツール８は、下端部に加熱用ヒータ８Ａを備えるとともに上部にエアシリンダ８Ｂを備え、エアシリンダ８Ｂに接続されたモータ８Ｃが駆動することにより上下動可能に構成されている。
また、ここでは、図示していないが、ガラス基板４を下にした状態で圧着ステージである支持台に載置されて電極接合が行われるものとする。
また、ここでは、第３の絶縁性接着剤樹脂６０についての説明は、第２の絶縁性接着剤樹脂６と同様であるので省略する。
【００５８】
また、ここでは、ガラス基板４上に予め硬化状態の第２の絶縁性接着剤樹脂６が配置されているものとする。なお、第２の絶縁性接着剤樹脂６のガラス基板４上への配置は、例えば以下のように行えばよい。
【００５９】
すなわち、外側領域５２において互いに隣接する第１の電極４Ａ，４Ａ間に、ディスペンサによる塗布やマスク印刷、コータ塗工等の方法により、ペースト状の熱硬化性の絶縁性接着剤樹脂（例えばエポキシ系樹脂）を供給する。この後、当該絶縁性接着剤樹脂を加熱して硬化状態にする。これにより、硬化状態の第２の絶縁性接着剤樹脂６をガラス基板４上に配置できる。
【００６０】
なお、上記絶縁性接着剤樹脂はペースト状であるものに限定されず、シート（フィルム）状であってもよい。この場合、絶縁性接着剤樹脂をコータ塗工等の公知の方法でシート状にしてリールに巻き取り、必要に応じてリール供給すればよい。
【００６１】
以下、本発明の第１実施形態にかかる電極接合方法を説明する。
まず、ステップＳ１では、図２Ａに示すように、それぞれの第１の電極４Ａとそれぞれの第２の電極５Ａとが対向するように、ガラス基板４とフレキシブル基板５とを対向配置するとともに、硬化状態の第２の絶縁性接着剤樹脂６を外側領域５２に位置させる。
【００６２】
ステップＳ２では、図２Ｂから図２Ｃに示すように、ガラス基板４とフレキシブル基板５との対向領域５１の縁部５１Ａより内側に第１の絶縁性接着剤樹脂２を配置する。
なお、図２Ｂでは、第１の絶縁性接着剤樹脂２がガラス基板４側に配置（貼付）されている例を示したが、第１の絶縁性接着剤樹脂２はフレキシブル基板５側に配置（貼付）されてもよい。
【００６３】
ステップＳ３では、図２Ｃに示すように、圧着ツール８によりガラス基板４又はフレキシブル基板５を介して第１の絶縁性接着剤樹脂２を加圧加熱する。より具体的には、モータ８Ｃを駆動させて圧着ツール８を降下させ、フレキシブル基板５に加熱用ヒータ８Ａの加圧加熱面を接触させる。この接触状態で、さらにモータ８Ｃを駆動させて圧着ツール８を降下させるとともに、加熱用ヒータ８Ａを発熱させる。これにより、フレキシブル基板５を介して第１の絶縁性接着剤樹脂２を加圧加熱する。
【００６４】
上記加圧加熱により、第１の絶縁性接着剤樹脂２が溶融（軟化）して対向領域５１の縁部５１Ａを通じて外側領域５２に流動し、図１Ｂ及び図１Ｃに示すように、第１及び第２の電極４Ａ，５Ａを封止するように第１の絶縁性接着剤樹脂２が対向領域５１に隙間無く充填される。これにより、第１の絶縁性接着剤樹脂２がガラス基板４とフレキシブル基板５とを強固に接合する。また、このとき、外側領域５２に流動した第１の絶縁性接着剤樹脂２の一部は、図１Ｂ及び図１Ｄに示すように第２の絶縁性接着剤樹脂６に覆い被さるように接触する。また、第１の絶縁性接着剤樹脂２の流動に伴って、第１の絶縁性接着剤樹脂２中に分散された導電性粒子３が、第１の電極４Ａと第２の電極５Ａとの間に配置され、両者を電気的に接合する。なお、このとき、第１の絶縁性接着剤樹脂２中の低分子成分残渣７は、第２の絶縁性接着剤樹脂６上の主に隣接配線電極間に位置する。
【００６５】
以上、本発明の第１実施形態にかかる電極接合方法によれば、外側領域５２において互いに隣接する第１の電極４Ａ，４Ａ間に硬化状態の第２の絶縁性接着剤樹脂６を配置したのち、ガラス基板４とフレキシブル基板５との間に第１の絶縁性接着剤樹脂２を配置し加圧加熱して、両者を接合するようにしている。すなわち、第１の絶縁性接着剤樹脂２を加圧加熱する前に、第１の絶縁性接着剤樹脂２中の低分子成分の残渣７がマイグレーション不良を発生させる恐れのある位置に、あらかじめ第２の絶縁性接着剤樹脂６を配置している。これにより、第１の絶縁性接着剤樹脂２中の低分子成分残渣７がガラス基板４に付着して互いに隣接する第１の電極４Ａ，４Ａ間をつなぐことを防止することができる。したがって、第１の絶縁性接着剤樹脂２に含まれる低分子成分に起因するマイグレーション不良の発生を抑えて、隣接配線電極間の狭ピッチ化（例えば０．１ｍｍ以下）に対応することができる。
【００６６】
また、加圧加熱された第１の絶縁性接着剤樹脂２が外側領域５２に向けて流動する際、第１の絶縁性接着剤樹脂２は、第２の絶縁性接着剤樹脂６と衝突し、その流動速度が低減される。これにより、対向領域５１への第１の絶縁性接着剤樹脂２の充填性を高めて、絶縁性接着剤樹脂２とガラス基板４及びフレキシブル基板５との密着性を向上させることができる。したがって、第１の絶縁性接着剤樹脂２とガラス基板４及びフレキシブル基板５との密着不足によるマイグレーション不良の発生も抑えることができる。
【００６７】
また、本発明の第１実施形態にかかる電極接合方法によれば、上記のようにマイグレーション不良の発生が抑えられるので、ガラス基板４の第１の電極４Ａを銀で形成することができ、フラットディスプレイパネルなどへの適用が可能となる。
【００６８】
なお、上記ステップＳ２で用いる第１の絶縁性接着剤樹脂２の形態は、ペースト状であってもシート（フィルム）状でもよい。例えば、異方性導電性ペーストや異方性導電性フィルム、異方性導電性シートであってもよい。それらの中でも異方性導電性シートが用いられることが、加工性や取り扱い性が優れているので好ましい。なお、上記では、導電性粒子３が分散された第１の絶縁性接着剤樹脂２を用いて電極接合を行ったが本発明はこれに限定されない。例えば、第１の絶縁性接着剤樹脂２としてＮＣＦ（ノンコンダクティブフィルム）やＮＣＰ(ノンコンダクティブペースト）などを用いて電極接合を行ってもよい。
【００６９】
また、加圧加熱前の第１の絶縁性接着剤樹脂２の厚さは、１５μｍ〜６０μｍの範囲で設定されることが好ましい。第１の絶縁性接着剤樹脂２の厚さが、１５μｍ未満である場合には、第１及び第２の電極４Ａ，５Ａ間の電極接合強度が不足し剥がれ易くなり、６０μｍを越える場合には、第１及び第２の電極４Ａ，５Ａ間の電気的接続が取り難くなる。また、第１の絶縁性接着剤樹脂２の厚さは、第１の電極４Ａ又は第２の電極５Ａの厚さに応じて設定されることが好ましく、例えば第１の電極４Ａ又は第２の電極５Ａの厚さが５〜２０μｍであれば、３５μｍ〜５０μｍ程度の範囲で設定されることが好ましい。
【００７０】
また、第１の絶縁性接着剤樹脂２の形状は、特に限定されるものではなく、その幅及び長さはそれぞれ、第１の電極４Ａ又は第２の電極５Ａの形状に応じるとともに導電性粒子３により第１及び第２の電極４Ａ，５Ａ間の電気的接続が確保できるように設定されればよい。
【００７１】
また、上記では、ガラス基板４上に配置する第２の絶縁性接着剤樹脂６を硬化状態としたが、半硬化状態としてもよい。この場合、上記ステップＳ３において、第１の絶縁性接着剤樹脂２への圧着ツール８による加圧加熱力を利用して、第２の絶縁性接着剤樹脂６を硬化状態にすればよい。
【００７２】
次に、第２の絶縁性接着剤樹脂６の形状例について説明する。
まず、図１３及び図１４を用いて、従来例の電極接合構造体について説明する。図１３及び図１４は、従来例の電極接合構造体の一部平面図である。
【００７３】
電極接合時において絶縁性接着剤樹脂１０２を加圧加熱した際、通常、絶縁性接着剤樹脂１０２は、主に隣接配線電極間を流動経路として外側領域１００Ｙまで流動する。外側領域１００Ｙまで流動した絶縁性接着剤樹脂１０２は、第１の電極１０４Ａ上を充填するために、図１３の太い矢印で示すように、第１の電極１０４Ａを高さ方向に這い上がって第１の電極１０４Ａ上に移動しようとする。このため、絶縁性接着剤樹脂１０２は、外側領域１００Ｙにおいて互いに隣接する第１の電極１０４Ａ，１０４Ａ間に位置する部分が、第１の電極１０４Ａ上に位置する部分よりも外側（図１３の上方）に位置する。すなわち、外側領域１００Ｙにおける絶縁性接着剤樹脂１０２のエッジが波形形状となる。
【００７４】
しかしながら、絶縁性接着剤樹脂１０２を構成する樹脂の種類（粘度）、第１の電極１０４Ａの幅寸法、及び隣接配線電極間の幅寸法などにより、絶縁性接着剤樹脂１０２の流動速度は変化するため、絶縁性接着剤樹脂１０２が第１の電極１０４Ａ上に移動できないことがある。このため、図１４に示すように、フレキシブル基板１０５の端部領域（図１４では一点鎖線で囲んだ領域）において、第１の電極１０４Ａの一部が外部に露出する恐れがある。このような場合、この露出部分が吸水経路となる可能性があり、マイグレーション不良が発生する恐れがある。
【００７５】
この課題を解決するため、第２の絶縁性接着剤樹脂６は、図４Ａ又は図４Ｂに示すような形状に形成されることが好ましい。図４Ａ及び図４Ｂは、ガラス基板４上に第２の絶縁性接着剤樹脂６と加圧加熱前の第１の絶縁性接着剤樹脂２とを配置した状態を示す一部平面図である。図４Ａ及び図４Ｂにおいて、一点鎖線の矢印は、第１の絶縁性接着剤樹脂２の流動経路を示している。
【００７６】
図４Ａでは、第２の絶縁性接着剤樹脂６の互いに隣接する第１の電極４Ａ，４Ａ間に位置する部分が、第１の電極４Ａ上に位置する部分よりも内側（図４Ａの下方）に位置して、第２の絶縁性接着剤樹脂６の内側のエッジが波形形状に形成されている。これにより、加圧加熱された第１の絶縁性接着剤樹脂２は、第２の絶縁性接着剤樹脂６の波形形状に案内されて、露出部分を生じることなく、より確実に第１の電極４Ａ上に配置される。したがって、マイグレーション不良の発生を抑えることができる。
【００７７】
一方、図４Ｂでは、第２の絶縁性接着剤樹脂６の外側（図４Ｂの上方）のエッジを直線状に形成している。このような形状でも、図４Ａに示す形状と同様に、マイグレーション不良の発生を抑えることができる。
【００７８】
なお、上記では、第２の絶縁性接着剤樹脂６を外側領域５２にのみ配置したが、図５Ａ及び図５Ｂに示すように、縁部５１Ａにも配置されてもよい。すなわち、第２の絶縁性接着剤樹脂６は、外側領域５２から対向領域５１の縁部５１Ａにわたって延在するように配置されてもよい。これにより、第１の絶縁性接着剤樹脂２中の低分子成分残渣７が縁部５１Ａに付着することも防止して、マイグレーション不良の発生をさらに抑えることができる。なお、この場合、縁部５１Ａに位置する第２の絶縁性接着剤樹脂６の高さが高すぎると、第２の絶縁性接着剤樹脂６が第２の電極５Ａに接触し、第１の絶縁性接着剤２の厚み方向の高さにバラツキが生じる恐れがある。このバラツキにより、位置ズレが生じて、接続不良に繋がる恐れがある。このため、縁部５１Ａに位置する第２の絶縁性接着剤樹脂６の高さは、第１の電極４Ａの高さと導電性粒子３の高さとを合計した高さよりも低く設定することが好ましい。
また、上記では、第２の絶縁性接着剤樹脂６の内側のエッジを波形形状としたが、図５Ｂに示すように直線状であっても、マイグレーション不良の発生を抑制する効果を十分に得ることができる。
【００７９】
また、上記では、第２の絶縁性接着剤樹脂６が、熱で硬化又は半硬化する熱硬化性の樹脂であるものとしたが、本発明はこれに限定されない。例えば、第２の絶縁性接着剤樹脂６は、光で硬化又は半硬化する光硬化性の樹脂であってもよい。また、第２の絶縁性接着剤樹脂６は、光と熱の併用で硬化又は半硬化する樹脂であってもよい。第２の絶縁性接着剤樹脂６が光硬化性の樹脂である場合には、例えば、ペースト状の光硬化性のシリコーン樹脂やウレタン、ポリブタジエンなどのＵＶ（光）硬化アクリレート変性樹脂が用いられることが好ましい。
【００８０】
《第２実施形態》
図６及び図７を用いて、本発明の第２実施形態にかかる電極接合構造体及び電極接合方法について説明する。図６は、本発明の第２実施形態にかかる電極接合構造体の断面図である。図７は、本発明の第２実施形態にかかる電極接合構造体の電極接合方法のフローチャートである。本発明の第２実施形態にかかる電極接合構造体は、さらに絶縁性封止樹脂１０を備える点で、本発明の第１実施形態にかかる電極接合構造体と相違する。本発明の第２実施形態にかかる電極接合方法は、上記ステップＳ３の後、第１及び第２の絶縁性接着剤樹脂２，６を絶縁性封止樹脂１０により外部に露出しないように覆い隠すステップＳ４の工程をさらに備える点で、本発明の第１実施形態にかかる電極接合方法と相違する。それ以外の点については同様であるので重複する説明は省略し、主に相違点を説明する。
【００８１】
絶縁性封止樹脂１０は、図６に示すように、第１及び第２の絶縁性接着剤樹脂２，６が外部に露出しないように覆い隠す（封止する）よう設けられている。すなわち、絶縁性封止樹脂１０は、ガラス基板４とフレキシブル基板５との電極接合部を封止するように設けられている。
【００８２】
このように絶縁性封止樹脂１０を設けることにより、ガラス基板４とフレキシブル基板５との電極接合部に外部から水や腐食性ガス等が侵入することを防ぐことができる。また、第１及び第２の電極４Ａ，５Ａや導電性粒子３の酸化が防止され、電気的な導通が阻害されることがないので、高信頼性の接合品質を実現することができる。また、絶縁性封止樹脂１０が硬化することにより、第１及び第２の電極４Ａ，５Ａの接合強度が補強され、機械的曲げ強度等に対する信頼性も向上する。
【００８３】
なお、絶縁性封止樹脂１０は、シリコーン樹脂や、ウレタン、ポリブタジエンなどのＵＶ硬化性樹脂などで構成されること好ましい。また、絶縁性封止樹脂１０は、熱で硬化するものであっても、光で硬化するものであってもよく、また、光と熱の併用で硬化するものでもよい。
また、絶縁性封止樹脂１０の材質としては、作業環境、揮発成分の再付着の問題から、無溶剤型の樹脂が用いられることが好ましい。
【００８４】
また、絶縁性封止樹脂１０には、高温高湿の環境下において電圧を印加した際に発生するイオンマイグレーションを防止する特性を有することも求められている。このため、絶縁性封止樹脂１０の材質としては、透水性が小さく、イオン不純物も少ない材質が用いられることが好ましい。
さらに、絶縁性封止樹脂１０の材質としては、第１及び第２の電極４Ａ，５Ａの接合強度の補強効果を有するとともにフレキシブル基板５の変形に追従できるように、ある程度の可撓性を有する弾性体であることが好ましい
【００８５】
また、絶縁性封止樹脂１０の厚さは、０．１ｍｍ〜５．０ｍｍの範囲で設定されることが好ましい。絶縁性封止樹脂１０の厚さが０．１ｍｍ未満である場合には、ガラス基板４とフレキシブル基板５との電極接合部に外部から水や腐食性ガス等が侵入することを防止することが困難となり、絶縁性封止樹脂１０の厚さが５ｍｍを越える場合には、絶縁性封止樹脂１０が硬化するのに時間を要し、タクトが長くなる。
【００８６】
また、絶縁性封止樹脂１０の形成方法としては、ディスペンサを用いて塗布することにより形成する方法が採られることが好ましい。この場合の塗布粘度は、塗布性の観点から２ｍＰａ・ｓ〜２０Ｐａ・ｓ程度の範囲であることが好ましい。しかしながら、これに限定されることなく、絶縁性封止樹脂１０の粘度に応じて、スクリーン印刷、インクジェット、コータなどにより形成する方法が採られてもよい。
【００８７】
また、絶縁性封止樹脂１０を形成するときには、ガラス基板４及びフレキシブル基板５と絶縁性封止樹脂１０との密着性を向上させるために、あらかじめＵＶ洗浄を行っておくことが好ましい。このようにして作製した電極接合構造体は、長期接合信頼性に優れ、例えば０．１ｍｍピッチ以下の電極間の狭ピッチ化にも対応することができる。
【００８８】
《実施例》
次に、本発明の第２実施形態の電極接合方法の具体例の１つである実施例を、図１Ａ〜図１Ｄ、図２Ａ〜図２Ｃ、図４Ａ、図４Ｂ、図６、及び図７を参照しながら説明する。まず、各構成要素の具体的構成について説明する。
【００８９】
本実施例において、第１の回路形成体は、厚さ１.８ｍｍのガラス上に、スクリーン印刷法と焼成により厚さ３μｍの銀で形成した複数の銀電極４Ａを、Ｌ／Ｓ＝５０μｍ／５０μｍの幅で配置したガラス基板４で構成している。なお、Ｌは電極の幅を示し、Ｓは隣り合う電極間の隙間の幅を示す。
【００９０】
また、本実施例において、第２の回路形成体は、厚さ７５μｍのポリイミドフィルム上に、厚さ２５μｍの銅で形成した複数の銅電極５ＡをＬ／Ｓ＝５０μｍ／５０μｍの幅で配置したフレキシブル基板５で構成している。すなわち、上記構成の電極間のピッチは５０μｍ＋５０μｍ＝１００μｍ＝０．１ｍｍである。
【００９１】
また、本実施例において、第１の絶縁性接着剤樹脂は、厚さ３５μｍのシート状で且つ熱硬化性のエポキシ樹脂２で構成している。
また、本実施例において、導電性粒子３は、樹脂性のボールをコアとしてＮｉ−Ａｕで金属メッキして平均粒径８μｍ程度に形成し、エポキシ樹脂２中に均一に分散している。
また、本実施例において、第２の絶縁性接着剤樹脂は、ペースト状で且つ光硬化性のポリブタジエンＵＶ硬化アクリレート変性樹脂（以下、ＵＶ硬化性樹脂という）６で構成している。
【００９２】
また、本実施例において、絶縁性封止樹脂１０は、水銀ランプで２０００ｍＪ／ｃｍ２の積算光量で硬化するポリブタジエンアクリレートでなる樹脂で構成している。
なお、絶縁性封止樹脂１０の材質は、特に不純物塩素イオン濃度が数ｐｐｍと低く、吸水率が低く、高温高湿の環境下で電圧を印加した際に発生するイオンマイグレーションに対する耐性が優れているか否かを選定基準とした。
また、あらかじめ供給するＵＶ硬化性樹脂６との親和性（接着性の相性）を考慮して同じ材料とした。
なお、絶縁性封止樹脂１０の材質としてエポキシアクリレート系の樹脂を採用した電極接合構造体においては、樹脂の不純物塩素イオン濃度が原料からの混入により比較的高いことから、ＴＨＢ信頼性試験により絶縁不良が発生することを確認している。
【００９３】
以下、本実施例の電極接合方法を説明する。
まず、図２Ａ、図４Ａ又は図４Ｂに示すように、ガラス基板４の複数の銀電極４Ａのそれぞれの一部を覆うように硬化状態のＵＶ硬化性樹脂６を配置する。
このとき、ＵＶ硬化性樹脂６の配置は、エア式ディスペンサを用いて塗布したのち硬化させることにより行うことができる。ここでは、ノズル条件として、外形寸法φ０．１５ｍｍのノズルを用いる。また、塗布条件として、それぞれ、塗布スピードを４．０ｍｍ／ｓ、吐出圧力を６５ｋＰａ、ノズルギャップを５０μｍとし、温調器によりシリンジの温度を室温程度に調整する。このような条件により、ＵＶ硬化性樹脂６を、幅０．３ｍｍ、厚み２０μｍで塗布する。この後、ＵＶ硬化性樹脂６に、水銀ランプを備えたＵＶ硬化装置にて２０００ｍＪ／ｃｍ２の積算光量の光を照射し、ＵＶ硬化性樹脂６を硬化状態にする。なお、このとき、ＵＶ硬化性樹脂６の厚みは、エポキシ樹脂２の厚み（３５μｍ）よりも小さくすることに留意する。
【００９４】
次いで、図２Ａに示すように、それぞれの銀電極４Ａとそれぞれの銅電極５Ａとが対向するように、ガラス基板４とフレキシブル基板５とを対向配置するとともに、硬化状態のＵＶ硬化性樹脂６を外側領域５２に位置させる（図７のステップＳ１）。
次いで、図２Ｂから図２Ｃに示すように、ガラス基板４とフレキシブル基板５との対向領域５１の縁部５１Ａより内側にエポキシ樹脂２を配置する（図７のステップＳ２）。
【００９５】
次いで、図２Ｃに示すように、圧着ツール８によりガラス基板４又はフレキシブル基板５を介してエポキシ樹脂２を加圧加熱する（図７のステップＳ３）。
より具体的には、モータ８Ｃを駆動させて圧着ツール８を降下させ、フレキシブル基板５に加熱用ヒータ８Ａの加圧加熱面を接触させる。この接触状態で、さらにモータ８Ｃを駆動させて圧着ツール８を降下させるとともに、加熱用ヒータ８Ａを発熱させる。これにより、フレキシブル基板５を介してエポキシ樹脂２を加圧加熱する。このとき、加熱用ヒータ８Ａによる加熱温度はエポキシ樹脂２に対して１８０℃となるように設定し、エアシリンダ８Ｂによる加圧力は３ＭＰａに設定し、それらの加圧加熱時間は１０秒に設定する。
【００９６】
上記加圧加熱により、エポキシ樹脂２が溶融（軟化）して対向領域５１の縁部５１Ａを通じて外側領域５２に流動し、図１Ｂ及び図１Ｃに示すように、銀電極４Ａ及び銅電極５Ａを封止するようにエポキシ樹脂２が対向領域５１に隙間無く充填される。これにより、エポキシ樹脂２がガラス基板４とフレキシブル基板５とを強固に接合する。また、このとき、外側領域５２に流動したエポキシ樹脂２の一部は、図１Ｂ及び図１Ｄに示すようにＵＶ硬化性樹脂６に覆い被さるように接触する。また、エポキシ樹脂２の流動に伴って、エポキシ樹脂２中に分散された導電性粒子３が、銀電極４Ａと銅電極５Ａとの間に配置され、両者を電気的に接合する。なお、このとき、エポキシ樹脂２中の低分子成分残渣７は、ＵＶ硬化性樹脂６上の主に隣接配線電極間に位置する。
【００９７】
次いで、エポキシ樹脂２及びＵＶ硬化性樹脂６の外側領域５２で外部に露出する部分に、ＵＶ洗浄を行ったのち、ディスペンサ（武蔵エンジニアリング製）を用いて絶縁性封止樹脂１０を塗布する。このとき、絶縁性封止樹脂１０の塗布量は、光硬化後の厚さが１．０ｍｍ程度となるような量とする。この後、塗布した絶縁性封止樹脂１０にＵＶ光を照射して、絶縁性封止樹脂１０を硬化させる。これにより、エポキシ樹脂２及びＵＶ硬化性樹脂６が外部に露出しないように封止される（図７のステップＳ４）。
なお、絶縁性封止樹脂１０の光硬化後の厚みを数十μｍ程度まで薄くしたときには、表面の硬化阻害が発生してＵＶ光の照射後も表面にベタ付きが残り、この状態でＴＨＢ試験を行ったときには絶縁性封止樹脂１０が水を吸って絶縁不良が発生することを確認している。
【００９８】
上記電極接合方法により接合された電極接合構造体は、ガラス基板４及びフレキシブル基板５とエポキシ樹脂２との密着性が優れている。また、上記電極接合構造体は、エポキシ樹脂２から分離する低分子成分残渣７がガラス基板４の隣接配線電極間の界面に直接的に付着することが抑制される。これにより、イオン伝導度が抑制され、密着性の低下によるマイグレーション不良の発生が抑えられている。また、外側領域５２において、導電性粒子３の凝集が抑制され、ショート不良の発生も抑制されている。したがって、０．１ｍｍピッチ以下の電極間の狭ピッチ化にも対応することができる。
【００９９】
次に、図８Ａ〜図８Ｃ、図９Ａ〜図９Ｃ、図１０、及び図１１を用いて、第２の回路形成体がＩＣチップ部品等の矩形の電子部品１５であるときの電極接合構造体について説明する。なお、図９Ａ〜図９Ｃにおいては、図示の都合上、第２の絶縁性接着剤樹脂６と第１の絶縁性接着剤樹脂２との境界付近は、それらが隣接するように示しているが、それらが混在していても良い。
【０１００】
図８Ａは、従来において、第２の回路形成体が電子部品１５であるときの電極接合構造体の構造を示す模式平面図である。図８Ａでは、電極接合部分の構造を理解し易くするために、電子部品１５を取り除いた状態を示している。図８Ｂは、図８Ａのｄ−ｄ断面図であり、図８Ｃは、図８Ａのｅ−ｅ断面図である。なお、図８Ａ中の大きな楕円は導電性粒子３の凝集が発生している領域を示している。
【０１０１】
図９Ａは、本発明の第１実施形態において、第２の回路形成体が電子部品１５であるときの電極接合構造体の構造を示す模式平面図である。図９Ａでは、電極接合部分の構造を理解し易くするために、電子部品１５を取り除いた状態を示している。図９Ｂは、図９Ａのｆ−ｆ断面図であり、図９Ｃは、図９Ａのｇ−ｇ断面図である。なお、図９Ａ中の白丸は導電性粒子３を示している。
【０１０２】
第２の回路形成体が電子部品１５である場合には、矩形の電子部品１５に配置される複数の第２の電極５Ａに対向するように、図８Ａ〜図８Ｃ及び図９Ａ〜図９Ｃに示すようにガラス基板４の複数の電極４Ａが配置される。第１の絶縁性接着剤樹脂２が圧着ツール８によって加圧加熱されたとき、第１の絶縁性接着剤樹脂２は、図８Ａ及び図９Ａの主に上下左右方向に広がる。このため、電極接合時に、第２の絶縁性接着剤樹脂６及び第１の絶縁性接着剤樹脂２の配置が図１Ａに示した構成と異なる。
【０１０３】
図１０は、一例として、単体の第１の絶縁性接着剤樹脂２がガラス基板４の複数の第１の電極４Ａの全てを覆う（封止する）ように配置され、第１の絶縁性接着剤樹脂２の全周沿って第２の絶縁性接着剤樹脂６が配置された構成を示している。
また、第２の絶縁性接着剤樹脂６は、上述したように、第１の絶縁性接着剤樹脂２が加圧加熱されたときに溶融（軟化）して、流動する側に配置されていればよい。第２の回路形成体が矩形の電子部品１５であるとき、電子部品１５の角部は、他の部分に比べて、ガラス基板４上の複数の第１の電極４Ａが密集していない箇所である。また、電子部品１５の角部は、導電性粒子３が凝集したとしてもショート不良を起こす可能性が低い箇所である。
【０１０４】
図１１は、その一例として、単体の第１の絶縁性接着剤樹脂２がガラス基板４の複数の第１の電極４Ａの全てを覆う（封止する）ように配置され、電子部品１５の角部以外の部分に第２の絶縁性接着剤樹脂６が配置された構成を示している。
以上、第２の回路形成体が電子部品１５である場合について説明したが、上記以外の点については、他の構成と同様であるので詳しい説明は省略する。
【０１０５】
なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、例えば、有機ＥＬを代表とする異方性導電性シートを使用したフレキシブル基板同士の電極接合構造及び接合方法等、種々の態様で実施できる。
なお、上記様々な実施形態のうちの任意の実施形態を適宜組み合わせることにより、それぞれの有する効果を奏するようにすることができる。
【産業上の利用可能性】
【０１０６】
本発明にかかる電極接合構造体及び電極接合方法は、マイグレーション不良の発生を抑えるとともにショート不良の発生を抑える効果を有するので、回路形成体の電極に他の回路形成体の電極を導電性粒子が分散された絶縁性接着剤樹脂を用いて接合する技術、特にガラス基板とフレキシブル基板との電極接合に代表されるフラットパネルの接合技術において、隣接する電極間の狭ピッチ化が求められるときに有用である。
【図面の簡単な説明】
【０１０７】
【図１Ａ】本発明の第１実施形態にかかる電極接合構造体の構成を示す平面図である。
【図１Ｂ】図１Ａのａ−ａ断面図である。
【図１Ｃ】図１Ａのｂ−ｂ断面図である。
【図１Ｄ】図１Ａのｃ−ｃ断面図である。
【図２Ａ】本発明の第１実施形態にかかる電極接合方法の手順を示す断面図である。
【図２Ｂ】図２Ａに続く手順を示す断面図である。
【図２Ｃ】図２Ｂに続く手順を示す断面図である。
【図３】本発明の第１実施形態にかかる電極接合方法のフローチャートである。
【図４Ａ】本発明の第１実施形態にかかる電極接合構造体の第２の絶縁性接着剤樹脂の配置例を示す第１の回路形成体の平面図である。
【図４Ｂ】図４Ａとは別の第２の絶縁性接着剤樹脂の配置例を示す第１の回路形成体の平面図である。
【図５Ａ】図２Ａとは別の第２の絶縁性接着剤樹脂の配置例を示す断面図である。
【図５Ｂ】図５Ａに示す第１の回路形成体の平面図である。
【図６】本発明の第２実施形態にかかる電極接合構造体の断面図である。
【図７】本発明の第２実施形態にかかる電極接合方法のフローチャートである。
【図８Ａ】従来の電極接合構造体において、第２の回路形成体が電子部品であるときの、電子部品を取り除いた状態を示す平面図である。
【図８Ｂ】図８Ａのｄ−ｄ断面図である。
【図８Ｃ】図８Ａのｅ−ｅ断面図である。
【図９Ａ】本発明の第１実施形態にかかる電極接合構造体において、第２の回路形成体が電子部品であるときの、電子部品を取り除いた状態を示す平面図である。
【図９Ｂ】図９Ａのｆ−ｆ断面図である。
【図９Ｃ】図９Ａのｇ−ｇ断面図である。
【図１０】第２の回路形成体が電子部品であるときの、第１及び第２の絶縁性接着剤樹脂の配置例を示す平面図である。
【図１１】図１０とは別の第２の絶縁性接着剤樹脂の配置例を示す平面図である。
【図１２Ａ】従来例の電極接合方法の手順を示す断面図である。
【図１２Ｂ】図１２Ａに続く手順を示す断面図である。
【図１２Ｃ】図１２Ｂのｘ−ｘ断面図である。
【図１２Ｄ】図１２Ｂのｙ−ｙ断面図である。
【図１３】従来例の電極接合構造体の絶縁性接着剤樹脂の形状を示す平面図である。
【図１４】図１３とは別の絶縁性接着剤樹脂の形状を示す平面図である。
【符号の説明】
【０１０８】
２    第１の絶縁性接着剤樹脂
３    導電性粒子
４    ガラス基板
４Ａ  第１の電極
５    フレキシブル基板
５Ａ  第２の電極
６    第２の絶縁性接着剤樹脂
７    低分子成分残渣
８    圧着ツール
１０    絶縁性封止樹脂
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
2008311411.tif 000004
【図１Ｃ】
2008311411.tif 000005
【図１Ｄ】
2008311411.tif 000006
【図２Ａ】
2008311411.tif 000007
【図２Ｂ】
2008311411.tif 000008
【図２Ｃ】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６】
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【図７】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図８Ｃ】
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【図９Ａ】
2008311411.tif 000020
【図９Ｂ】
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【図９Ｃ】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２Ａ】
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【図１２Ｂ】
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【図１２Ｃ】
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【図１２Ｄ】
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【図１３】
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【図１４】
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