(57)【要約】【課題】複数の配線基板領域の表面に歩留まりよく２色メッキを施すことができる多数個取り配線基板とその電解処理方法を提供する。【解決手段】複数の配線基板領域２が配列形成された多数個取り配線基板１の内部には端子部４ａ，４ｂを端部に有する配線３ａ，３ｂが形成されており、配線３ａ，３ｂは配線基板領域２内の導体層やビアとともに配線基板領域２に電解処理用の電圧を印加するための電流路を形成し、配線３ａは一部が多数個取り配線基板１の表面に露出して電流路切断部５を形成している。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の配線基板領域からなる多数個取り配線基板において、前記配線基板領域の表面に互いに電気的に独立して形成されるメタライズ層と、このメタライズ層にそれぞれ導通するとともに前記配線基板領域の内部に形成される電流路と、この少なくともいずれか一つの電流路の一部が前記配線基板領域毎に前記多数個取り配線基板の表面に露出して形成される電流路切断部と、前記メタライズ層の表面に電解処理によって形成されるメッキ層とを備えたことを特徴とする多数個取り配線基板。
【請求項２】
前記配線基板領域は所望の個数ずつ複数の組をなし、前記電流路切断部は、前記メタライズ層にそれぞれ導通する電流路の一部に前記配線基板領域毎に形成されることに代えて、異なる組に属する前記配線基板領域同士を接続する前記電流路の一部に前記配線基板領域の組毎に形成されることを特徴とする請求項１記載の多数個取り配線基板。
【請求項３】
前記電流路切断部は前記配線基板領域の表面に導体ペーストを印刷し、焼き付けることにより形成されることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の多数個取り配線基板。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の多数個取り配線基板の製造工程における電解処理方法において、前記多数個取り配線基板の電流路が短絡している場合に、その短絡箇所を含む前記配線基板領域に導通する電流路の一部に形成される前記電流路切断部を除去する工程を備えたことを特徴とする電解処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の配線基板領域が形成された多数個取り配線基板とその電解処理方法に係り、特に、各配線基板領域に対して歩留まりよく２色メッキを施すことが可能な多数個取り配線基板とその電解処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話やビデオカメラ等の電子機器に使用される配線基板は、セラミックスの焼結体などからなる絶縁層が複数積層され、その内部や外表面に導体配線パターンが形成された構造となっている。通常、配線基板上の導体配線パターンは、導体ペーストの印刷・焼き付けによって形成されたメタライズ層の表面にさらにメッキ層が被着されることにより形成される。
【０００３】
電解処理によって配線基板上にメッキ層を被着する方法については、例えば、特許文献１に開示されている。この発明は、「多数個取り配線基板」という名称で、多数の配線基板領域が配列形成されたセラミック母基板に均一にメッキ層を被着させる技術に関するものである。
具体的には、上面に配線導体を有する多数の配線基板領域が中央部に配列形成されるとともに、その外周部にメッキ用共通導体枠が配設されたセラミック母基板において、メッキ用共通導体枠との接続位置がメッキ用端子部に近いメッキ導通用導体の長さを長く、またはその幅を狭く、またはその厚みを薄くしたことを特徴としている。
このような構造の「多数個取り配線基板」においては、メッキ用端子部からの距離によらず、各配線基板領域の配線導体に対してメッキ用電流を均一に供給することができる。従って、セラミック母基板の各配線導体にメッキ層を均一に被着させることが可能となる。
【０００４】
また、特許文献２には「回路体の製造方法」という名称で、回路基板上に大電流回路及び小電流回路として厚みの異なる２種類のメッキ層を形成することができる回路体の製造方法に関する発明が開示されている。
特許文献２に開示された発明は、絶縁基板上に銅箔を貼着して形成した導電層の表面に対して、メッキレジスト及びエッチングレジストを利用して選択的に金属導体を析出させるものである。
このような方法によれば、大電流回路及び小電流回路にそれぞれ適した厚みのメッキ層を回路基板上の所望の位置に形成することができる。
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−１０３８１１号公報
【特許文献２】特開平６−３３４３１１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上述の従来技術である特許文献１に開示された発明においては、セラミック母基板上の各配線導体に対して同時にメッキ層を被着させることができるものの、複種類のメッキ層をそれぞれ異なる箇所に被着させることができず、従って、いわゆる２色メッキを行うことができないという課題があった。
【０００７】
また、特許文献２に開示された発明においては、メッキレジストを利用することにより第１のメッキ層の上面にさらに第２のメッキ層を重ねて形成することができる。従って、第１のメッキ層と第２のメッキ層を形成する際に異なるメッキ液を用いることにより、２色メッキを行うことができる。しかしながら、複数の回路基板が形成された１枚の母基板に対してメッキ処理を行う場合には、各回路基板に対してメッキレジストやエッチングレジストを塗布する必要がある。この場合、作業が煩雑となり、製造コストがアップする。また、品質管理が不十分となるおそれもある。
【０００８】
本発明はかかる従来の事情に対処してなされたものであり、複数の配線基板領域の表面に歩留まりよく２色メッキを施すことができる多数個取り配線基板とその電解処理方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するため、請求項１記載の発明は、複数の配線基板領域からなる多数個取り配線基板において、配線基板領域の表面に互いに電気的に独立して形成されるメタライズ層と、このメタライズ層にそれぞれ導通するとともに配線基板領域の内部に形成される電流路と、この少なくともいずれか一つの電流路の一部が配線基板領域毎に多数個取り配線基板の表面に露出して形成される電流路切断部と、メタライズ層の表面に電解処理によって形成されるメッキ層とを備えたことを特徴とするものである。
このような構造の多数個取り配線基板においては、各メタライズ層に対して各電流路がそれぞれ個別に電荷を供給するという作用を有する。また、電流路切断部を除去することにより、電流路が切断され、各メタライズ層への電荷の供給が個別に遮断されるという作用を有する。
【００１０】
また、請求項２記載の発明は、請求項１記載の多数個取り配線基板において、配線基板領域は所望の個数ずつ複数の組をなし、電流路切断部は、メタライズ層にそれぞれ導通する電流路の一部に配線基板領域毎に形成されることに代えて、異なる組に属する配線基板領域同士を接続する電流路の一部に配線基板領域の組毎に形成されることを特徴とするものである。
このような構造の多数個取り配線基板においては、異なる組に属する配線基板領域同士を接続する電流路の途中に設置された電流路切断部を除去することにより、所望の組に属する配線基板領域が他の組に属する配線基板領域から電気的に分離されるという作用を有する。
【００１１】
請求項３記載の発明は、請求項１又は請求項２記載の多数個取り配線基板において、電流路切断部は配線基板領域の表面に導体ペーストを印刷し、焼き付けることにより形成されることを特徴とするものである。
このような構造の多数個取り配線基板においては、電流路切断部が、例えば、グラインダ等を用いて削ることによって容易に除去されるという作用を有する。
【００１２】
請求項４記載の発明である電解処理方法は、請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の多数個取り配線基板の製造工程における電解処理方法において、多数個取り配線基板の電流路が短絡している場合に、その短絡箇所を含む配線基板領域に導通する電流路の一部に形成される電流路切断部を除去する工程を備えたことを特徴とするものである。
このような電解処理方法においては、電流路の短絡箇所を含む配線基板領域を他の正常な配線基板領域から電気的に分離することにより、正常な配線基板領域について電流路の短絡に起因するメッキ不良の発生を防止するという作用を有する。
【発明の効果】
【００１３】
以上説明したように、本発明の請求項１に記載の多数個取り配線基板においては、電解処理用の電圧を印加する電流路を選択することにより、所望のメタライズ層に対してメッキ層を形成させることができる。また、メッキ液を適宜切り替えることによれば、２色メッキを行うことができる。さらに、電流路切断部を除去することにより、所望のメタライズ層に対して電荷の供給を遮断し、メッキ層の形成を防ぐことができる。
【００１４】
本発明の請求項２に記載の多数個取り配線基板においては、配線不良が発生した配線基板領域が属する組を電気的に孤立させることにより、電解処理の際に配線不良の影響が他の組に属する配線基板領域に及ばないようにすることができる。
【００１５】
本発明の請求項３に記載の多数個取り配線基板においては、電流路を切断する際に高価な装置や設備を用いる必要がない。従って、製造コストの削減を図ることができる。
【００１６】
本発明の請求項４に記載の電解処理方法によれば、短絡箇所を含まない配線基板領域に対して所望のメッキ層を被着させることができる。従って、多数個取り配線基板に対して歩留まりよく、２色メッキを施すことが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下に、本発明の最良の実施の形態に係る多数個取り配線基板とその電解処理方法の実施例について説明する。
【実施例】
【００１８】
本実施例の多数個取り配線基板の構造について図１を用いて説明する（特に請求項１乃至請求項３に対応）。
図１（ａ）及び（ｂ）は本発明の実施の形態に係る多数個取り配線基板の実施例の平面図である。
図１（ａ）及び（ｂ）に示すように、本実施例の多数個取り配線基板１は、アルミナ等のセラミックスの焼結体からなる複数の絶縁層が積層された略矩形状の平板である。そして、多数個取り配線基板１には略矩形状の複数の配線基板領域２が配列形成されている。ここで、配線基板領域２は最終的に分割されて電子機器等を実装するための配線基板となる部分である。なお、後述するように、配線基板領域２の周囲には分割溝が形成されており、配線基板領域２の上面には互いに電気的に独立した複数のメタライズ層がタングステンやモリブデン、銅、銀等の導体ペーストの印刷・焼き付けによって形成されている。そして、メタライズ層の表面には電解処理によってニッケルメッキや金メッキあるいは銀メッキが被着されている。なお、メタライズ層は配線基板領域２の内部に形成された導体層やビア（ともに図示せず）を介して配線基板領域２の下面に設置された端子部（図示せず）に対して電気的に接続されている。
【００１９】
多数個取り配線基板１の内部にはタングステンやモリブデン、銅、銀等の導体ペーストを所定のパターンに印刷し、焼き付けることによって形成される配線３ａ，３ｂが配設されている。そして、配線３ａは端子部４ａに接続され，配線３ｂは端子部４ｂにそれぞれ接続されている。また、配線３ａの一部は多数個取り配線基板１の上面に露出して電流路切断部５を形成している。なお、図１では便宜上、配線３ａ，３ｂを図１（ａ）及び（ｂ）として個別に表示しているが、それらは同一の多数個取り配線基板１の内部で互いに接触することがないように配設されている。また、図１（ａ）及び（ｂ）に示されるように、配線基板領域２は４つずつ組６をなしており、電流路切断部５は互いに異なる組６に属する配線基板領域２の間を接続する配線３ａの途中に介装されている。
【００２０】
このような構造の多数個取り配線基板１においては、端子部４ａ，４ｂに外部電源の端子を接続して電圧を印加した場合、配線３ａ，３ｂが多数個取り配線基板１の内部に導体層やビアとともに電流路を形成する。そして、この電流路は互いに電気的に独立した複数のメタライズ層に対して、個別に電荷を供給するという作用を有する。従って、電解処理用の電圧を印加する電流路を選択することで、所望のメタライズ層にのみメッキ層を形成させることができる。また、メッキ液の種類を適宜切り替えることによれば、１つの配線基板領域２に対して容易に２色メッキを施すことができる。
さらに、本実施例の多数個取り配線基板１においては、電流路切断部５を除去することにより配線３ａが容易に切断される。この場合、切断された配線３ａに導通するメタライズ層には電荷が供給されないことになる。すなわち、電流路切断部５を適宜選択して除去することによれば、所望のメタライズ層に対し、電荷の供給を遮断してメッキ層の形成を防ぐことができる。
なお、図１（ａ）に示す組６のいずれかについて、その両側に配置された一対の電流路切断部５を除去すると、その組６に属する配線基板領域２は他の組６に属する配線基板領域２から電気的に分離されることになる。従って、例えば、ある配線基板領域２の内部で配線不良が発生した場合には、その配線基板領域２が属する組６を電気的に孤立させることにより、電解処理でメッキ層を形成する際に他の組６に属する配線基板領域２に上記配線不良の影響が及ばないようにすることができる。なお、電流路切断部５はセラミックス製の多数個取り配線基板１の表面にタングステン等の導体ペーストを印刷し、焼き付けることにより形成されているため、例えば、グラインダ等を用いて削ることにより容易に除去される。この場合、高価な装置や設備を用いる必要がないため、製造コストを安くすることができる。
【００２１】
なお、多数個取り配線基板１の構造は図１に示すものに限定されるものではない。すなわち、多数個取り配線基板１はアルミナに限らず、例えば、窒化アルミの焼結体を用いて形成しても良い。また、配線３ａ，３ｂの設置状態及び端子部４ａ，４ｂ又は電流路切断部５の個数や設置箇所についても図１に示す場合に限らず、適宜変更可能である。さらに、組６を構成する配線基板領域２の数は４個に限定されるものではない。すなわち、２〜３個であっても良いし、５個以上であっても良い。なお、電流路切断部５は、必ずしも複数の配線基板領域２からなる組６毎に形成する必要はなく、例えば、配線基板領域２毎に形成しても良い。この場合、配線基板領域２の両側に形成された一対の電流路切断部５を除去することで、その配線基板領域２が他の配線基板領域２から電気的に分離される。これにより、メッキ処理の工程において、内部に配線不良を有する配線基板領域２を予め電気的に孤立させ、他の配線基板領域２に配線不良の影響が及ばないようにすることができる。
【００２２】
次に、多数個取り配線基板１の内部に形成される電流路について図２を用いて説明する。
図２（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ本実施例及び従来技術の多数個取り配線基板の内部に形成される電流路を説明するための模式図である。なお、図１に示した構成要素については同一の符号を付してその説明を省略する。また、図１では、４つの配線基板領域２ごとに組６が構成されているが、理解を容易にするため、ここでは便宜上、１つの配線基板領域２によって組６が構成されるものとする。さらに、配線基板領域２の内部に形成される導体層やビアについては、図２ではまとめて補助配線部９ａ，９ｂとして示している。そして、理解を容易にするため、配線３ａ，３ｂの配線状態を簡略化して示している。ただし、図１と図２におけるこれらの相違点は、以下に説明する本実施例の発明の作用及び効果に関し、両者の間に何ら差異を生じるものではない。
図２（ａ）及び（ｂ）に示すように、本実施例の多数個取り配線基板１ａ及び従来技術の多数個取り配線基板１ｂの両面には、配線基板領域２の周囲に分割溝７が設けられている。また、多数個取り配線基板１ａ，１ｂの上面にはメタライズ層８ａ，８ｂが互いに電気的に独立して形成されており、多数個取り配線基板１ａ，１ｂの内部には配線３ａ，３ｂが互いに接触することがないように形成されている。そして、配線３ａ，３ｂから分岐する補助配線部９ａ，９ｂはメタライズ層８ａ，８ｂにそれぞれ導通している。すなわち、配線３ａ及び補助配線部９ａは電流路１０ａを形成し、配線３ｂ及び補助配線部９ｂは電流路１０ｂを形成している。また、図示していないが、配線３ａ，３ｂの端部には端子部４ａ，４ｂがそれぞれ設けられている。さらに、図２（ａ）に示すように、多数個取り配線基板１ａでは、配線３ａの一部が配線基板領域２以外の部分（以下、ダミー部１１という。）の表面に露出して電流路切断部５を形成している。
【００２３】
次に、本実施例の多数個取り配線基板の電解処理方法について従来技術と比較しながら説明する。まず、従来技術の多数個取り配線基板１ｂの電解処理方法について図３乃至図５を用いて説明する。
図３は従来技術の多数個取り配線基板の電解処理方法の工程図である。また、図４（ａ）及び（ｂ）は従来技術の多数個取り配線基板にメッキ層が形成される様子を示した模式図であり、図５（ａ）及び（ｂ）は配線不良を有する従来技術の多数個取り配線基板についてメッキ層が形成される様子を示した模式図である。なお、図４及び図５において、実線で示される電流路１０ａ，１０ｂ及び破線で示される電流路１０ａ，１０ｂは電圧が印加されている状態及び電圧が印加されていない状態をそれぞれ表している。また、図１又は図２に示した構成要素については同一の符号を付してその説明を省略する。
図３に示すように、まず、従来技術の多数個取り配線基板１ｂを、アノード電極を備えるメッキ槽内に満たされたニッケルイオンを含むメッキ液中に、端子部４ａ，４ｂが導電性ラックの端子に電気的に接続された状態で浸漬させる（ステップＳ１）。次に、メッキ槽の外部に設置された電圧印加装置により導電性ラックを介して配線３ａ，３ｂに電圧を印加する（ステップＳ２）。このとき、アノード電極は正電荷に帯電し、配線３ａ，３ｂと導通しているメタライズ層８ａ，８ｂは負電荷に帯電する。そのため、メッキ槽内に発生する電流に伴い、メッキ液中の正電荷に帯電したニッケルイオンが負電荷に帯電した多数個取り配線基板１ｂに引き寄せられて電子を接受し、メタライズ層８ａ，８ｂの表面にニッケルメッキが析出する。
次に、配線３ａ，３ｂに対する電圧の印加を停止し、多数個取り配線基板１ｂをメッキ槽から取り出して、金イオンを含むメッキ液で満たされた別のメッキ槽に端子部４ａ，４ｂが導電性ラックの端子に電気的に接続された状態で浸漬させる（ステップＳ３）。この状態で、電圧印加装置により導電性ラックを介して配線３ａ，３ｂに電圧を印加すると、ステップＳ２と同様にメタライズ層８ａ，８ｂが負電荷に帯電する（ステップＳ４）。これにより、図４（ａ）に示すように、メタライズ層８ａ，８ｂ上のニッケルメッキ層１２ａの外層に金メッキ層１２ｂが形成される。
さらに、配線３ａ，３ｂに対する電圧の印加を停止し、多数個取り配線基板１ｂをメッキ槽から取り出して、銀イオンを含むメッキ液で満たされた別のメッキ槽に端子部４ａのみが導電性ラックの端子に電気的に接続された状態で浸漬させる（ステップＳ５）。その後、電圧印加装置により導電性ラックを介して配線３ａに電圧を印加する（ステップＳ６）。これにより、図４（ｂ）に示すように、メタライズ層８ａ上のニッケルメッキ層１２ａ及び金メッキ層１２ｂの最外層に銀メッキ層１２ｃが形成される。なお、配線３ｂには電圧が印加されないため、メタライズ層８ｂには銀メッキは析出しない。
【００２４】
このような構造の多数個取り配線基板１ｂにおいては、配線３ａ，３ｂと補助配線部９ａ，９ｂとから構成される電流路１０ａ，１０ｂが互いに電気的に独立しているため、一方にのみ電圧を印加した場合、メタライズ層８ａ，８ｂの一方にのみメッキ層が形成される。従って、いわゆる２色メッキを容易に行うことができる。しかしながら、例えば、配線不良等により電流路１０ａ，１０ｂの一部が短絡した場合には、２色メッキは不可能となる。例えば、図５（ａ）に示すように、配線不良箇所１３において配線３ａと補助配線部９ｂとが短絡すると、電流路１０ａ，１０ｂは互いに導通することになる。以下、このような配線不良箇所１３を含む多数個取り配線基板１ｃに対して、前述の図３に示した電解処理を行った場合に生じる不具合について説明する。
図３において、まず、ニッケルイオンを含むメッキ液中に、端子部４ａ，４ｂが導電性ラックの端子に電気的に接続された状態で多数個取り配線基板１ｃを浸漬させる（ステップＳ１）。そして、配線３ａ，３ｂに電圧を印加する（ステップＳ２）。これにより、メタライズ層８ａ，８ｂの表面にニッケルメッキ層１２ａが析出する。
次に、多数個取り配線基板１ｃをメッキ槽から取り出して、金イオンを含む別のメッキ液中に、同じく端子部４ａ，４ｂが導電性ラックの端子に電気的に接続された状態で浸漬させる（ステップＳ３）。その後、配線３ａ，３ｂに電圧を印加すると（ステップＳ４）、図５（ａ）に示すように、メタライズ層８ａ，８ｂ上のニッケルメッキ層１２ａの外層に金メッキ層１２ｂが形成される。
さらに、多数個取り配線基板１ｃをメッキ槽から取り出して、銀イオンを含むメッキ液中に、端子部４ａのみが導電性ラックの端子に電気的に接続された状態で浸漬させ（ステップＳ５）、配線３ａに電圧を印加する（ステップＳ６）。このとき、配線３ｂの端子部４ｂが導電性ラックの端子に接続されていないにもかかわらず、図５（ｂ）に示すように電流路１０ｂには電流路１０ａとともに電圧が印加される。これにより、メタライズ層８ａ，８ｂの両方に銀メッキ層１２ｃが形成されることになる。すなわち、電流路１０ａ，１０ｂが短絡した多数個取り配線基板１ｃでは、メタライズ層８ａ，８ｂの一方にのみメッキ層を形成することはできず、全ての配線基板領域２がメッキ不良となってしまうという不具合が生じる。
【００２５】
次に、本実施例の多数個取り配線基板１ａの電解処理方法について図６乃至図８を用いて説明する（特に請求項４に対応）。
図６は本実施例の多数個取り配線基板の電解処理方法の工程図である。また、図７（ａ）及び（ｂ）は本実施例の多数個取り配線基板にメッキ層が形成される様子を示した模式図であり、図８（ａ）及び（ｂ）は配線不良を有する本実施例の多数個取り配線基板についてメッキ層が形成される様子を示した模式図である。なお、図４又は図５に示した構成要素については同一の符号を付してその説明を省略する。また、図６のステップＳ１乃至ステップＳ４は図３のステップＳ１乃至ステップＳ４と同一の工程であるため、詳細な説明は省略する。
多数個取り配線基板１ａに対して、図６のステップＳ１乃至ステップＳ４に示した電解処理を施すと、図４（ａ）の場合と同様に、メタライズ層８ａ，８ｂの表面にニッケルメッキ層１２ａ及び金メッキ層１２ｂが順次形成される。ただし、多数個取り配線基板１ａの表面に露出した電流路切断部５は、電流路１０ａの一部を構成するものであるため、図７（ａ）に示すように、電流路切断部５の表面にもニッケルメッキ層１２ａ及び金メッキ層１２ｂが形成される。
次に、多数個取り配線基板１ａをメッキ液から取り出し、端子部４ａ，４ｂにテスターのプローブをあてることにより、電流路１０ａ，１０ｂについて短絡の有無を検査する（ステップＳ５）。電流路１０ａ，１０ｂが短絡していない場合には、ステップＳ６からステップＳ８に進む。そして、ステップＳ８では、銀イオンを含むメッキ液中に端子部４ａのみが導電性ラックの端子に電気的に接続された状態で多数個取り配線基板１ａを浸漬させる。その後、配線３ａに電圧を印加する（ステップＳ９）。これにより、図７（ｂ）に示すように、メタライズ層８ａの最外層に銀メッキ層１２ｃが形成される。なお、配線３ｂには電圧が印加されないため、メタライズ層８ｂに銀メッキ層１２ｃが形成されることはない。
【００２６】
このような構造の多数個取り配線基板１ａにおいては、従来技術の多数個取り配線基板１ｂと同様に２色メッキを行うことが可能である。しかし、多数個取り配線基板１ａは従来技術の多数個取り配線基板１ｂとは異なり、電流路１０ａ，１０ｂの一部が短絡した場合でも、全ての配線基板領域２がメッキ不良となることはない。以下、多数個取り配線基板１ａにおいて電流路１０ａ，１０ｂの一部が短絡したもの（多数個取り配線基板１ｄ）に対し、電解処理を行う方法について説明する。なお、多数個取り配線基板１ｄに対する図６のステップＳ１乃至ステップＳ４の工程は、多数個取り配線基板１ａに対する場合と略同一であるため、その詳細な説明は省略する。
多数個取り配線基板１ｄに対して、図６のステップＳ１乃至ステップＳ４に示した電解処理を施すと、図８（ａ）に示すように、メタライズ層８ａ，８ｂ及び電流路切断部５の表面にニッケルメッキ層１２ａ及び金メッキ層１２ｂが順次形成される。
次に、多数個取り配線基板１ｄをメッキ液から取り出し、電流路１０ａ，１０ｂについて短絡の有無をチェックする（ステップＳ５）。なお、図８（ａ）に示すように、電流路１０ａ，１０ｂが配線不良箇所１３で短絡している場合、配線不良箇所１３を含む配線基板領域２上のメタライズ層８ａ，８ｂは最短経路となる電流路１０ｃによって接続されるため、両者間の電気抵抗値は最小となる。従って、テスター等を用いてメタライズ層８ａ，８ｂの間の電気抵抗値を測定することによれば、配線不良箇所１３を含む配線基板領域２が容易に特定される。このようにして特定した配線基板領域２と他の配線基板領域２との間を接続する配線３ａの途中に設置された電流路切断部５を除去する（ステップＳ７）。
ただし、組６が２つ以上の配線基板領域２によって構成されている場合には、配線不良箇所１３を含む配線基板領域２と、この配線基板領域２が属する組６とは別の組６に属する配線基板領域２とを接続する配線３ａの途中に設置された電流路切断部５を除去するものとする。その後、多数個取り配線基板１ｄを、銀イオンが含まれるメッキ液中に端子部４ａのみを導電性ラックの端子に電気的に接続した状態で浸漬させ（ステップＳ８）、電圧印加装置により端子部４ａを介して配線３ａに電圧を印加する（ステップＳ９）。このとき、図８（ｂ）に示すように、配線不良箇所１３を含む配線基板領域２内の配線３ａ及び補助配線部９ａは、他の配線基板領域２に電荷を供給するための電流路１０ａから分離されることになる。
従って、配線不良箇所１３を含む配線基板領域２上のメタライズ層８ａに対しては電荷が供給されない。また、配線不良箇所１３で配線３ａと短絡する補助配線部９ｂにも電圧が印加されないため、電流路１０ｂに導通するメタライズ層８ｂには誤って電荷が供給されるおそれはない。この場合、配線不良箇所１３を含む配線基板領域２以外の配線基板領域２上のメタライズ層８ａ，８ｂについては、正常にメッキ層が形成されることになる。
【００２７】
以上説明したように、本実施例の多数個取り配線基板の電解処理方法によれば、配線基板領域２の内部で電流路１０ａ，１０ｂが短絡している場合でも、短絡箇所を含む配線基板領域２が容易に特定されるとともに、他の配線基板領域２から容易に電気的に分離される。この場合、電流路１０ａ，１０ｂの短絡の影響が他の正常な配線基板領域２に及ぶことがない。これにより、短絡箇所を含まない配線基板領域２について所望のメッキ層を正常に被着させることが可能となる。従って、このような電解処理方法によれば、多数個取り配線基板に対して歩留まりよく、２色メッキを施すことができる。なお、短絡箇所を含む配線基板領域２上のメタライズ層８ａ，８ｂは２色メッキとならないため、不良であることが外観から容易に判別できる。
【００２８】
なお、多数個取り配線基板１ａ，１ｄにおいてメタライズ層８ａ，８ｂの設置箇所や個数は、本実施例に示すものに限定されるものではない。また、メッキの種類やメッキを形成する順序についても図６に示す場合に限らず、適宜変更可能である。さらに、電流路切断部５は配線３ａのみでなく、配線３ｂに設けることもできる。
また、ステップＳ２及びステップＳ４のメッキ処理の工程でブリード（セラミック基板表面に付着した何らかの汚れ等にメッキ被膜が付着する現象）が発生して、配線間が短絡してしまうことが多いため、通常は本実施例の電解処理方法のように、ステップＳ４の後にステップＳ５で電流路の短絡の有無を検査することが望ましい。ただし、これに限定されるものではない。すなわち、電流路の短絡の有無の検査はステップＳ１乃至ステップＳ４（すなわち、メッキ処理）の前に行っても良い。もちろん、その場合には、その後のステップＳ６及びステップＳ７において行う短絡箇所がある場合の電流路切断部５の該当箇所除去作業も同様に、ステップＳ１乃至ステップＳ４のメッキ処理を行う前に行うことが望ましい。もちろん、ステップＳ５乃至ステップＳ７の作業をステップＳ２とステップＳ３の間に実施してもよい。無駄なメッキ処理を行わないという立場からすれば、ステップＳ１の前にステップＳ５乃至ステップＳ７を行ってしまうことが望ましい。電流路切断部５を予め除去しておくことで、短絡している配線基板領域２には全くメッキ処理がなされることがなく、メッキ液の使用量を節約することができるためである。
【産業上の利用可能性】
【００２９】
以上説明したように、請求項１乃至請求項４に記載された発明は、配線基板以外のものに多色メッキを施す際にも適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】（ａ）及び（ｂ）は本発明の実施の形態に係る多数個取り配線基板の実施例の平面図である。
【図２】（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ本実施例及び従来技術の多数個取り配線基板の内部に形成される電流路を説明するための模式図である。
【図３】従来技術の多数個取り配線基板の電解処理方法の工程図である。
【図４】（ａ）及び（ｂ）は従来技術の多数個取り配線基板にメッキ層が形成される様子を示した模式図である。
【図５】（ａ）及び（ｂ）は配線不良を有する従来技術の多数個取り配線基板についてメッキ層が形成される様子を示した模式図である。
【図６】本実施例の多数個取り配線基板の電解処理方法の工程図である。
【図７】（ａ）及び（ｂ）は本実施例の多数個取り配線基板にメッキ層が形成される様子を示した模式図である。
【図８】（ａ）及び（ｂ）は配線不良を有する本実施例の多数個取り配線基板についてメッキ層が形成される様子を示した模式図である。
【符号の説明】
【００３１】
１…多数個取り配線基板  １ａ〜１ｄ…多数個取り配線基板  ２…配線基板領域  ３ａ，３ｂ…配線  ４ａ，４ｂ…端子部  ５…電流路切断部  ６…組  ７…分割溝  ８ａ，８ｂ…メタライズ層  ９ａ，９ｂ…補助配線部  １０ａ〜１０ｃ…電流路  １１…ダミー部  １２ａ…ニッケルメッキ層  １２ｂ…金メッキ層  １２ｃ…銀メッキ層  １３…配線不良箇所
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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