(57)【要約】【課題】  ＲＦタグの交信距離や動作を確保し、帯電防止性を得ることのできるＲＦＩＤシステム用成形品を提供する。【解決手段】  成形体である半導体ウェーハ用のダイシングフレーム１と、ダイシングフレーム１の露出面に貼着されるＲＦＩＤシステム１０のＲＦタグ１１とを備え、ダイシングフレーム１の露出面をＲＦタグ１１用の貼着領域２０と非貼着領域２１とに区分し、ダイシングフレーム１の非貼着領域２１に表面処理を施してその表面抵抗値が１．Ｅ＋０３Ω以上５．Ｅ＋１２Ω以下、かつＦＴＭＳ  １０１Ｂ  Ｍｅｔｈｏｄ  ４０４６−１９６９規格のチャージ電圧５ｋＶが５００Ｖに減衰するまでの時間が５秒以下になるようにする。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
成形体の露出面にＲＦＩＤシステムのＲＦタグを取り付けたＲＦＩＤシステム用成形品であって、
成形体の露出面をＲＦタグ用の取付領域と非取付領域とに区分し、成形体の非取付領域に表面処理を施して表面抵抗値が１．Ｅ＋０３Ω以上５．Ｅ＋１２Ω以下、かつＦＴＭＳ  １０１Ｂ  Ｍｅｔｈｏｄ  ４０４６−１９６９規格のチャージ電圧５ｋＶが５００Ｖに減衰するまでの時間が５秒以下になるようにしたことを特徴とするＲＦＩＤシステム用成形品。
【請求項２】
成形体を、半導体ウェーハ用のダイシングフレーム、ＩＣトレイ、リードフレームケース、あるいはマスクケースのいずれかとした請求項１記載のＲＦＩＤシステム用成形品。
【請求項３】
成形体の非取付領域に、溶剤に溶けた樹脂に導電性材料が分散した導電性樹脂溶液を塗布することにより表面処理を施した請求項１又は２記載のＲＦＩＤシステム用成形品。
【請求項４】
導電性樹脂溶液の導電性材料を、導電性カーボン、金属酸化物、あるいはリチウム系のイオン導電材料とした請求項３記載のＲＦＩＤシステム用成形品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＲＦタグの交信距離や動作を確保し、帯電防止性を得ることのできるＲＦＩＤシステム用成形品に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、バーコードに代わる次世代技術として、データ容量が多く、汚れに強いＲＦＩＤシステムが期待されている。このＲＦＩＤシステムは、移動体識別装置、移動体識別システム、あるいはＩＣタグシステムとも呼ばれ、図示しない移動体に取り付けられるＲＦタグと、このＲＦタグとの間で電磁誘導方式により電波を送受信してＲＦタグの内部メモリにアクセスするリーダ／ライタと、このリーダ／ライタを制御するコンピュータとを備えて構成され、製品の情報管理や加工工程履歴の情報管理等に使用されている（特許文献１、２、３、４参照）。
【０００３】
移動体は、各種の材料を使用して製造されるが、利用される分野や材料の特徴により、問題が発生するので、各種の技術によりカバーされる。例えば、移動体やＲＦＩＤシステムが電気電子、半導体の分野で使用される場合には、電子部品や半導体の静電破壊という問題を防ぐ観点から帯電防止技術が用いられる。この帯電防止技術としては、例えば所定の表面抵抗率の成形材料を使用して移動体を成形する技術等があげられる。
【０００４】
なお、成形材料を使用して移動体を成形する場合、移動体の抵抗値が余りに低すぎると、いわゆる「電撃」が生じ、外観上や性能上の不具合を発生させてしまうので、表面抵抗率を概ね１．Ｅ＋０４Ω／□〜１．Ｅ＋１３Ω／□に調整した成形材料を使用して移動体を成形する必要がある。
【０００５】
ＲＦＩＤシステムのＲＦタグは、ＩＣタグとも、トランスポンダとも呼ばれ、移動体に取り付けられる装着片と、この装着片に装着されるＩＣチップと、このＩＣチップに接続されたアンテナとを備えて構成され、交流磁界によるコイルの相互誘導を利用してリーダ／ライタから情報や電力が伝送される。また、リーダ／ライタは、ＲＦタグのアンテナに対して電波を送受信してデータを非接触で読み書きするアンテナと、ＲＦタグとの交信を制御等するコントローラとを備え、コンピュータに接続されている。
【特許文献１】特開２０００‐１７５９４５号公報
【特許文献２】特開平０７‐２３３２４３号公報
【特許文献３】特開平０６‐４９２１３号公報
【特許文献４】特開平１０‐９５８１１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ＲＦＩＤシステムは、以上のように構成され、移動体が金属のような低抵抗値の材料を使用して半導体ウェーハ用のダイシングフレーム等として製造される場合には、リーダ／ライタからの磁束が移動体、すなわち金属の表面で平行化してＲＦタグのアンテナを通過しにくくなり、誘導起電力が十分に発生せず、本来の交信距離を確保することができないという問題がある。
【０００７】
また、ＲＦタグのアンテナのインダクタンスが金属の影響により変化して共振周波数を変化させ、交信距離の低下を招くという問題がある。さらに、リーダ／ライタからのエネルギーにより金属に渦電流が発生してジュール熱を生じさせ、このジュール熱によりエネルギー損失が生じてＲＦタグの動作に支障を来たすという問題もある。
【０００８】
このような問題を解消する手段としては、（１）金属製の移動体とＲＦタグとの間に透磁率の高い軟磁性シートを介在するとともに、所定の共振周波数となるようインダクタンスとコンデンサとを再設計し、金属製の移動体と軟磁性シートとの間に高導電性の金属を介在する方法、（２）金属製の移動体の代わりに導電性プラスチックを使用して移動体を成形する方法、（３）金属製の移動体の代わりに絶縁性プラスチックを使用して移動体を成形する方法が考えられる。
【０００９】
しかしながら、（１）の方法を用いる場合には、交信距離やＲＦタグの動作を確保することができるものの、コストの増大を招き、しかも、軟磁性シートや高導電性の金属を使用するので、ＲＦタグの重量増大、巨大化、さらには肉厚化という大きな問題が新たに生じることとなる。
【００１０】
また、（２）の方法を用いる場合には、コストの削減、軽量化、帯電防止を図ることができるものの、抵抗値が低すぎるので、交信距離の低下を招き、しかも、電撃により外観上や性能上の不具合を発生させてしまうこととなる。さらに、（３）の方法の場合には、交信距離やＲＦタグの動作を確保することができる反面、静電気により電子部品や半導体が破損したり、塵埃が付着してしまうおそれがある。
【００１１】
本発明は上記に鑑みなされたもので、ＲＦタグの交信距離や動作を確保し、帯電防止性を得ることのできるＲＦＩＤシステム用成形品を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明においては上記課題を解決するため、成形体の露出面にＲＦＩＤシステムのＲＦタグを取り付けたものであって、
成形体の露出面をＲＦタグ用の取付領域と非取付領域とに区分し、成形体の非取付領域に表面処理を施して表面抵抗値が１．Ｅ＋０３Ω以上５．Ｅ＋１２Ω以下、かつＦＴＭＳ  １０１Ｂ  Ｍｅｔｈｏｄ  ４０４６−１９６９規格のチャージ電圧５ｋＶが５００Ｖに減衰するまでの時間が５秒以下になるようにしたことを特徴としている。
【００１３】
なお、成形体を、半導体ウェーハ用のダイシングフレーム、ＩＣトレイ、リードフレームケース、あるいはマスクケースのいずれかとすることができる。
また、成形体の非取付領域に、溶剤に溶けた樹脂に導電性材料が分散した導電性樹脂溶液を塗布することにより表面処理を施すことができる。
【００１４】
また、導電性樹脂溶液の樹脂の溶解度指数を成形体の成形材料の溶解度指数に近づけるようにすることができる。
また、導電性樹脂溶液の導電性材料を、導電性カーボン、金属酸化物、あるいはリチウム系のイオン導電材料とすることもできる。
【００１５】
さらに、成形体の露出面にＲＦＩＤシステムのＲＦタグを取り付けるＲＦＩＤシステム用成形品の加工方法であって、
成形体の露出面をＲＦタグ用の取付領域と非取付領域とに区分し、成形体の非取付領域に表面処理を施して表面抵抗値が１．Ｅ＋０３Ω以上５．Ｅ＋１２Ω以下、かつＦＴＭＳ  １０１Ｂ  Ｍｅｔｈｏｄ  ４０４６−１９６９規格のチャージ電圧５ｋＶが５００Ｖに減衰するまでの時間が５秒以下になるよう調整することを特徴としても良い。
【００１６】
ここで、特許請求の範囲における成形体については、電気電子、半導体の分野で使用される成形体が主ではあるが、他の分野（例えば、家電製品や自動車の生産ライン等）で使用される成形体を特に排除するものではない。この成形体の成形は、射出成形法が主ではあるが、圧縮成形法や押出成形法等でも良い。また、ＲＦＩＤシステムは、電磁結合方式、電磁誘導方式、電波方式等に分類されるが、特に問うものではない。
【００１７】
ＲＦＩＤシステムで使用する周波数は、電波法、電波法施工規則、安全規格等を満たすものであれば、特に限定されるものではないが、殆どの国で使用することのできる１３．５６ＭＨｚ帯域、９５０ＭＨｚ帯域、２．４ＧＨｚ、１３５ｋＨｚ以下が好ましい。また、ＲＦタグには、ラベル形、円筒形、カード形、箱形等があるが、特に問うものではない。このＲＦタグとの間で電波を送受信する読取装置は、アンテナとコントローラとを一体あるいは別体に備え、コンピュータ等からなる制御装置に接続される。さらに、表面抵抗値の単位は、Ωでも良いが、Ω／□でも表すことができる。
【００１８】
本発明によれば、成形体に導電性カーボン等を安易に添加するのではなく、成形体の非取付領域に表面処理を施してその抵抗値を１．Ｅ＋０３Ω以上５．Ｅ＋１２Ω以下、かつＦＴＭＳ  １０１Ｂ  Ｍｅｔｈｏｄ  ４０４６−１９６９規格のチャージ電圧５ｋＶが５００Ｖに減衰するまでの時間が５秒以下になるように調整するので、ＲＦＩＤシステム本来の交信距離を確保することができる。
【００１９】
また、露出面の非取付領域における表面抵抗値の下限値を１．Ｅ＋０３Ωとするので、帯電防止性等を確保し、交信距離の短縮を防止することができる。また、ジュール熱の発生を抑制することができるので、エネルギー損失が発生してＲＦタグの動作に支障を来たすこともあまりない。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、ＲＦタグの交信距離や動作を確保し、帯電防止性を得ることができるという効果がある。
また、成形体の非取付領域に、溶剤に溶けた樹脂に導電性材料が分散した導電性樹脂溶液を塗布することにより表面処理を施すようにすれば、スパッタリング装置やイオン注入装置等からなる特別の専用装置を用いることなく簡易に表面処理することができる。
【００２１】
さらに、導電性樹脂溶液の導電性材料を、導電性カーボン、金属酸化物、あるいはリチウム系のイオン導電材料、特にリチウム系のイオン導電材料とすれば、帯電防止性とＲＦタグの動作性とを容易に両立させることが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、図面を参照して本発明の好ましい実施の形態を説明すると、本実施形態におけるＲＦＩＤシステム用成形品は、図１や図２に示すように、成形体である半導体ウェーハ用のダイシングフレーム１と、このダイシングフレーム１の露出面に貼着されるＲＦＩＤシステム１０のＲＦタグ１１とを備えている。
【００２３】
半導体ウェーハ用のダイシングフレーム１は、図１や図２に示すように、所定の成形材料により中空の平面略リング形に射出成形されて口径３００ｍｍの半導体ウェーハＷを隙間を介し嵌合収容するフレーム２を備え、このフレーム２の裏面には、フレーム２の中空内に収容された半導体ウェーハＷを着脱自在に粘着保持するＵＶタイプのダイシングテープ３が着脱自在に粘着されており、このダイシングテープ３上に半導体ウェーハＷを搭載保持した状態で半導体ウェーハＷのダイシング工程やダイボンディング工程等で使用される。
【００２４】
フレーム２は、例えば熱可塑性樹脂（ポリプロピレン、ＡＢＳ、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、塩化ビニル、ポリカーボネート、ナイロン系樹脂、ポリフェニレンスルフィド、芳香族ポリスルホン等）や必要なフィラーを含む成形材料により半導体ウェーハＷよりも一回り大きい平面略リング形の平板に形成され、前部両側には平面略三角形の位置決め用のノッチ４がそれぞれ切り欠かれており、表面の後部には長方形の収納穴５が横長に穿孔されるとともに、この収納穴５内にＲＦタグ１１が粘着層を介して貼着される。
【００２５】
フレーム２は、工業規格ＡＳＴＭ  Ｄ７９０における常温の曲げ弾性率が好ましくは２５〜５０ＧＰａ、好ましくは２５〜４０ＧＰａの範囲とされ、ＡＳＴＭ  Ｄ７９０における常温の曲げ強度が１５０〜６００ＭＰａ、好ましくは１５０〜４００ＭＰａの範囲とされる。これは、曲げ弾性率や曲げ強度の値が係る範囲から外れると、フレーム２の強度が低下したり、フレーム２が容易に破損してしまうからである。
【００２６】
ＲＦＩＤシステム１０は、図１や図２に示すように、フレーム２の収納穴５内に貼着される小さなＲＦタグ１１と、このＲＦタグ１１との間で電磁誘導方式により電波（図１の矢印参照）を送受信してＲＦタグ１１の内部メモリにアクセスするリーダ／ライタ１２と、このリーダ／ライタ１２を制御するコンピュータ１５とを備え、ＲＦタグ１１とリーダ／ライタ１２との間で送受信される電波の周波数が１３．５６ＭＨｚ帯域、例えば１３．５６ＭＨｚ±７ｋＨｚ、１３．５６ＭＨｚ±１５０ｋＨｚ、あるいは１３．５６ＭＨｚ±４５０ｋＨｚ等とされる。
【００２７】
ＲＦタグ１１は、図２に示すように、フレーム２の収納穴５内に粘着層を介して貼着される可撓性の薄いフィルム基板と、このフィルム基板に装着されるＩＣチップと、このＩＣチップに接続されたアンテナとを備え、フィルム基板の裏面にフレーム取付用の粘着層が積層することによりラベル型に形成される。このＲＦタグ１１は、記憶容量の大容量化が可能なＳ‐ＲＡＭ、記憶保持用の電池が不要なＥＥＰ‐ＲＡＭ、読み込みや書き出し時間の速いＦｅ‐ＲＡＭ等が選択して採用される。
【００２８】
リーダ／ライタ１２は、ＲＦタグ１１のアンテナに対して電波を送受信するアンテナ１３と、ＲＦタグ１１とコンピュータ１５との間でプロトコル交換を行うコントローラ１４とを備え、システムの制御装置であるコンピュータ１５に有線あるいは無線により接続される。
【００２９】
さて、ダイシングフレーム１、詳言すれば、フレーム２の露出面は、ＲＦタグ１１用の貼着領域２０と非貼着領域２１とに区分され、非貼着領域２１に表面処理が施されてその表面抵抗値が１．Ｅ＋０３Ω以上５．Ｅ＋１２Ω以下、かつＦＴＭＳ  １０１Ｂ  Ｍｅｔｈｏｄ  ４０４６−１９６９規格（米国のミル規格）のチャージ電圧５ｋＶが５００Ｖに減衰するまでの時間（ディケイタイム）が５秒以下になるように調整される。
【００３０】
ＲＦタグ１１用の貼着領域２０はフレーム２の収納穴５やその周囲とされ、非貼着領域２１はフレーム２の収納穴５やその周囲を除く大部分の表裏面とされる（図２参照）。また、表面処理は、例えばフレーム２の非貼着領域２１に、トルエン等の各種の溶剤に溶けた樹脂に導電性材料が配合・分散した導電性樹脂溶液が塗布・乾燥することにより施される。
【００３１】
溶剤に可溶の樹脂としては、特に限定されるものではないが、例えばポリエステル、ポリカーボネート、アクリル系樹脂等があげられ、成形体であるフレーム２の成形に使用される樹脂との密着性を考慮して溶解度指数（ＳＰ値）の近い樹脂が好適に使用される。また、導電性材料としては、例えばケッチェンブラックやアセチレンブラック等からなる導電性カーボン、酸化錫、酸化インジウム等からなる導電性の金属酸化物、あるいは過塩素酸リチウムや有機ホウ素錯体リチウム塩等からなるリチウム系のイオン導電材料等が適宜選択される。
【００３２】
フレーム２の非貼着領域２１における表面抵抗値の下限値は１．Ｅ＋０３Ωであるが、これは、この値未満で低い場合には、フレーム２にいわゆる「電撃」が生じ、外観上や性能上の不具合が発生してしまうからである。
【００３３】
上記によれば、フレーム２の成形材料に導電性カーボンを安易に添加するのではなく、フレーム２の非貼着領域２１に被覆表面処理を施してその抵抗値を１．Ｅ＋０３Ω以上５．Ｅ＋１２Ω以下、かつＦＴＭＳ  １０１Ｂ  Ｍｅｔｈｏｄ  ４０４６−１９６９規格のチャージ電圧５ｋＶが５００Ｖに減衰するまでの時間が５秒以下になるように調整・加工するので、ＲＦＩＤシステム１０本来の交信距離（２０〜３０ｍｍ）を十分に確保することができる。
【００３４】
また、非貼着領域２１の表面抵抗値の下限値を１．Ｅ＋０３Ωとするので、帯電防止性等を確保し、しかも、交信距離の短縮防止を図ることができる。また、ジュール熱の発生を抑制することができるので、エネルギー損失が発生してＲＦタグ１１の動作に支障を来たすことがない。
【００３５】
また、フレーム２とＲＦタグ１１との間に透磁率の高い軟磁性シートや高導電性の金属を交信距離維持のために介在させるような特別の処置が何ら必要ないので、ダイシングフレーム１やＲＦタグ１１の重量増大、巨大化、肉厚化を防止することができる。この効果は、半導体の製造ラインや加工装置等との関係で高さ制限、剛性、薄さを要求されるダイシングフレーム１についてはきわめて重要である。
【００３６】
また、静電気により半導体ウェーハＷのパターン回路が破損したり、半導体の製造分野で特に重要視される塵埃が付着してしまうことがない。また、導電性樹脂溶液の導電性材料としてリチウム系のイオン導電材料を選択すれば、帯電防止性とＲＦタグ１１の動作性の両立をさらに容易に図ることが可能になる。
【００３７】
また、ＲＦタグ１１とリーダ／ライタ１２との間で送受信される電波の共振周波数を１３．５６ＭＨｚ帯域とすれば、金属の影響を蒙りやすいものの、日本のみならず、米国やヨーロッパを含む殆どの国で周波数を変更することなくそのまま使用することが可能となり、汎用性の著しい向上が期待できる。
【００３８】
また、バーコードシステムではなく、ＲＦＩＤシステム１０を採用するので、（１）非接触の読み取りが可能になる、（２）人為的なミスを回避できる自動読み取りが可能になる、（３）データの書き換えやデータの記憶容量増大が大いに期待できる、（４）情報の分散処理によりシステムの拡張や変更に柔軟に対応することができる、という様々な効果を得ることができる。さらに、フレーム２を射出成形するので、他の成形法に比べ、生産性、品質安定性、応用性等の点で優れた効果が期待できる。
【００３９】
次に、図３は本発明の第２の実施形態を示すもので、この場合には、成形体をＩＣトレイ３０としてその露出面をＲＦタグ１１用の貼着領域２０と非貼着領域２１とに区分し、非貼着領域２１に表面処理を施してその表面抵抗値を１．Ｅ＋０３Ω以上５．Ｅ＋１２Ω以下、かつＦＴＭＳ  １０１Ｂ  Ｍｅｔｈｏｄ  ４０４６−１９６９規格のチャージ電圧５ｋＶが５００Ｖに減衰するまでの時間が５秒以下になるように調整するようにしている。
【００４０】
ＩＣトレイ３０は、例えば横長の板形に射出成形され、表面のＸＹ方向にはＩＣ用の複数の収納穴３１が配列して凹み形成されており、製造用、テスト用、あるいは出荷用として利用される。このＩＣトレイ３０は、その周縁部の外側に突出したフランジが貼着領域２０としてＲＦタグ１１が貼着され、残部が非貼着領域２０として上記表面処理が施される。その他の部分については、上記実施形態と同様であるので説明を省略する。
本実施形態においても上記実施形態と同様の作用効果が期待でき、用途の拡大が期待できるのは明らかである。
【００４１】
次に、図４は本発明の第３の実施形態を示すもので、この場合には、成形体をリードフレームケース４０としてその外箱４１の露出面をＲＦタグ１１用の貼着領域２０と非貼着領域２１とに区分し、非貼着領域２１に表面処理を施してその表面抵抗値を１．Ｅ＋０３Ω以上５．Ｅ＋１２Ω以下、かつＦＴＭＳ  １０１Ｂ  Ｍｅｔｈｏｄ  ４０４６−１９６９規格のチャージ電圧５ｋＶが５００Ｖに減衰するまでの時間が５秒以下になるように調整するようにしている。
【００４２】
リードフレームケース４０は、平面視で横長に射出成形されて相互に嵌合する上下一対の外箱４１と、この一対の外箱４１の内部に着脱自在に収納されてリードフレームの変形を防止しつつ保管する平面視横長の内箱４２とを備え、リードフレームの保管や搬送に使用される。一対の外箱４１は、それぞれ半透明に成形され、一方の外箱４１における表面周縁部の一部が貼着領域２０として薄いＲＦタグ１１が貼着される。その他の部分については、上記実施形態と同様であるので説明を省略する。
本実施形態においても、上記実施形態と同様の作用効果が期待できるのは明らかである。
【００４３】
次に、図５は本発明の第４の実施形態を示すもので、この場合には、成形体をマスクケース５０としてその外箱５１の露出面をＲＦタグ１１用の貼着領域２０と非貼着領域２１とに区分し、非貼着領域２１に表面処理を施してその表面抵抗値を１．Ｅ＋０３Ω以上５．Ｅ＋１２Ω以下、かつＦＴＭＳ  １０１Ｂ  Ｍｅｔｈｏｄ  ４０４６−１９６９規格のチャージ電圧５ｋＶが５００Ｖに減衰するまでの時間が５秒以下になるように調整するようにしている。
【００４４】
マスクケース５０は、相互に嵌合する上下一対の外箱５１と、この一対の外箱５１の内部に着脱自在に収納されてフォトマスク材の石英ガラスを横一列に整列収納する内箱５２とを備え、矩形を呈した薄い石英ガラスの収納や搬送に使用される。一対の外箱５１は、それぞれ透明あるいは半透明に成形され、一方の外箱５１における周壁正面が貼着領域２０として薄いＲＦタグ１１が貼着される。その他の部分については、上記実施形態と同様であるので説明を省略する。
本実施形態においても、上記実施形態と同様の作用効果が期待できるのは明白である。
【００４５】
なお、上記実施形態の半導体ウェーハＷは、口径３００ｍｍタイプの他、口径２００ｍｍや口径４５０ｍｍタイプ等でも良い。また、ＲＦＩＤシステム１０の制御装置としてコンピュータ１５を示したが、同様の機能を発揮するのであれば、各種のコントローラや情報通信機器を使用しても良い。さらに、上記実施形態ではフレーム２等の非貼着領域２１に導電性樹脂溶液を塗布・乾燥させることにより表面処理を施したが、何らこれに限定されるものではない。例えば、各種の金属を使用した無電解めっき法、蒸着法、スパッタリング法、イオン注入法等を用いて表面処理を施しても良い。
【実施例】
【００４６】
以下、本発明に係るＲＦＩＤシステム用成形品の実施例を比較例と共に説明する。
実施例
ＡＢＳ系樹脂（東レ株式会社製）と公知の射出成形機とを使用して厚さ２．５ｍｍ、幅３０ｍｍ、長さ１５０ｍｍのブロック形の成形体をサンプルとして射出成形し、この成形体の露出面をＲＦタグ用の貼着領域と非貼着領域とに区分して貼着領域に市販のマスキングテープを粘着した。
【００４７】
こうしてマスキングテープを粘着したら、非貼着領域に表面処理を施してその表面抵抗値を１．Ｅ＋０３Ω以上５．Ｅ＋１２Ω以下、かつＦＴＭＳ  １０１Ｂ  Ｍｅｔｈｏｄ  ４０４６−１９６９規格のチャージ電圧５ｋＶが５００Ｖに減衰するまでの時間が５秒以下になるよう調整し、貼着領域からマスキングテープを剥離して貼着領域にＲＦＩＤシステムのＲＦタグを貼着し、交信距離や帯電防止性等について検討した。
【００４８】
非貼着領域に対する表面処理は、成形体の非貼着領域に、トルエンからなる溶剤にアクリル系樹脂が溶けた樹脂溶液に、ケッチェンブラックが配合・分散した導電性樹脂溶液を塗布・乾燥させることにより施した。
【００４９】
表面抵抗値については、（株）ダイアインスルメンツ製の測定器（商品名ハイレスタＵＰ  ＭＣＰ−ＨＴ４５０）により測定した。また、チャージ電圧５ｋＶが５００Ｖに減衰するまでの時間（静電気減衰時間）は、（株）Ｅｌｅｃｔｒｏ−ｔｅｃｈ  ｓｙｓｔｅｍ，ｉｎｃ．製の測定器（商品名Ｓｔａｔｉｃ  Ｄｅｃａｙ  Ｍｅｔｅｒ  Ｍｏｄｅｌ  ４０６Ｂ）で測定した。
【００５０】
ＲＦＩＤシステムのＲＦタグは、共振周波数が１３．５６ＭＨｚ帯域で最大交信距離が３２ｍｍのタイプ（大日本印刷株式会社製  商品名小型タグ（パウチ加工））を使用した。また、リーダ／ライタは、微弱タイプ（株式会社キーエンス製  商品名ＲＦ−５００）を用いた。
【００５１】
検討の結果、成形体に貼着したＲＦタグの交信距離は、成形体に貼着しない場合の交信距離と何ら代わることがなく、帯電防止性についても良好な結果を得ることができた。また、成形体に塵埃も付着せず、静電気のショートによるスパークもなく、良好な成形体であるのを確認した。
【００５２】
比較例
射出成形した成形体の露出面を貼着領域と非貼着領域とに区分することなく、露出面全体に表面処理を施し、表面抵抗値が１．Ｅ＋０５Ωの成形体を作製してＲＦＩＤシステムのＲＦタグを貼着し、交信距離や帯電防止性等について検討した。その他の部分については、実施例と同様とした。
【００５３】
検討の結果、成形体に貼着したＲＦタグの交信距離は１０ｍｍであり、成形体に貼着しない場合の交信距離３２ｍｍに比べ、著しい距離の短縮を招いた。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本発明に係るＲＦＩＤシステム用成形品の実施形態を模式的に示す全体斜視説明図である。
【図２】本発明に係るＲＦＩＤシステム用成形品の実施形態を模式的に示す平面説明図である。
【図３】本発明に係るＲＦＩＤシステム用成形品の第２の実施形態を模式的に示す斜視説明図である。
【図４】本発明に係るＲＦＩＤシステム用成形品の第３の実施形態を模式的に示す斜視説明図である。
【図５】本発明に係るＲＦＩＤシステム用成形品の第４の実施形態を模式的に示す全体斜視説明図である。
【符号の説明】
【００５５】
１        ダイシングフレーム（成形体）
２        フレーム（成形体）
３        ダイシングテープ
５        収納穴
１０      ＲＦＩＤシステム
１１      ＲＦタグ
１２      リーダ／ライタ
１３      アンテナ
１４      コントローラ
１５      コンピュータ
２０      貼着領域（取付領域）
２１      非貼着領域（非取付領域）
３０      ＩＣトレイ（成形体）
４０      リードフレームケース（成形体）
４１      外箱
５０      マスクケース（成形体）
５１      外箱
Ｗ        半導体ウェーハ  
【図１】
2008040810.tif 000003
【図２】
2008040810.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
2008040810.tif 000007