(57)【要約】      （修正有）【課題】高湿度下や高温度下においても特性が良好な電子部品を提供する。【解決手段】誘電体膜は、樹脂モノマーを重合反応させることによって形成された膜であり、樹脂モノマーが、ビニル基と六員環とを介して結合した一般式（１）で示される電子部品。2008028076.tif 000016【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体膜を備える電子部品であって、前記誘電体膜は、樹脂モノマーを重合反応させることによって形成された膜であり、前記樹脂モノマーが、ビニル基と六員環を結合した一般式（１）で示される化合物であることを特徴とする電子部品。
【化１】
2008028076.tif 000014
【請求項２】
導電性を有する膜状で１対の電極と、前記電極によって上下から挟まれた誘電体膜を備える電子部品であって、前記誘電体膜は、樹脂モノマーを重合反応させることによって形成された膜であり、前記樹脂モノマーが、ビニル基と六員環を結合した一般式（１）で示される化合物であることを特徴とする電子部品。
【化２】
2008028076.tif 000015
【請求項３】
前記１対の電極と前記誘電体膜を複数回積層した請求項２に記載の電子部品。
【請求項４】
前記誘電体膜に添加剤を加えた請求項１〜２のいずれか１項に記載の電子部品。
【請求項５】
前記添加剤が酸化防止剤である請求項４に記載の電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、誘電体膜を備える電子部品に関し、特にコンデンサに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、コンデンサなどに用いられる誘電体膜には、樹脂膜が用いられている。このような誘電体膜は、基板に蒸着した樹脂モノマーに電子線や紫外線を照射し、これらの樹脂モノマーを硬化させることによって形成されている。
【０００３】
上記誘電体膜を形成するための樹脂モノマーとしては、たとえば、以下の化学式（Ａ）で表されるジメチロールトリシクロデカンジアクリレートや、以下の化学式（Ｂ）で表される１，９−ノナンジオールジアクリレートや、以下の化学式（Ｃ）で示されるビス（ビニルベンジル）スルフィドなどが用いられてきた。
【０００４】
【化１】
2008028076.tif 000002
【０００５】
【化２】
2008028076.tif 000003
【０００６】
【化３】
2008028076.tif 000004
【０００７】
なお、この出願に関する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献１、特許文献２、特許文献３が知られている。
【特許文献１】特公昭６３−３２９２９号公報
【特許文献２】特開平１１−１４７２７２号公報
【特許文献３】特開２００２−１１４７６０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上記樹脂モノマーによって形成された誘電体膜を用いた電子部品は、化学式（Ａ）などの樹脂モノマーによって形成された誘電体膜を用いているので、高湿度下での特性が十分でないという問題があった。さらに、化学式（Ｂ）などの樹脂モノマーによって形成された誘電体膜を用いると、高温時に酸化分解しやすいという問題があった。また、化学式（Ｃ）の樹脂モノマーは、重合性が低いという問題があった。
【０００９】
上記問題を解決するため、本発明は、重合反応しやすい化合物を提供し、高湿度下や高温度下においても特性が良好な電子部品を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するために本発明の電子部品は、誘電体膜が、少なくとも一種以上の樹脂モノマーを含む薄膜を形成したのち薄膜中の樹脂モノマーを重合反応させることによって形成された膜であり、この樹脂モノマーが、ビニル基と六員環を結合していることを特徴とするものである。
【００１１】
上記電子部品では、樹脂モノマーが、以下の化学式（１）で示される樹脂モノマーを、少なくとも１種類含むことが好ましい。
【００１２】
【化４】
2008028076.tif 000005
【発明の効果】
【００１３】
本発明の電子部品によれば、高湿度下や高温度下においても特性が良好な電子部品が得られる。特に、本発明をコンデンサに適用することによって、高湿度や高温といった環境の変化に対しても特性変化が少ない高品質なコンデンサが得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
【００１５】
（実施の形態１）
本実施の形態１では、本発明の電子部品として、コンデンサの一例を説明する。実施の形態１のコンデンサ１０の断面図を、図１（ａ）に示す。
【００１６】
なお、本発明のコンデンサは、図１（ｂ）に示すコンデンサ１０ａのような形状でもよい。
【００１７】
図１（ａ）を参照して、コンデンサ１０は、支持体１１と、支持体１１上に形成された下部電極膜１２と、主に下部電極膜１２上に配置された誘電体膜１３と、主に誘電体膜１３上に配置された上部電極膜１４とを備える。ここで、誘電体膜１３は、樹脂膜（なお、樹脂膜中にさらに添加剤などを含んでもよい）である。すなわち、コンデンサ１０は、誘電体膜１３と、誘電体膜１３を挟むように対向して配置された一対の電極（下部電極膜１２および上部電極膜１４）とを備える。
【００１８】
支持体１１には、さまざまなものを用いることができる。具体的には、たとえば、ポリエチレンテレフタレート（以下、ＰＥＴという場合がある）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、ポリアミド（ＰＡ）、またはポリイミド（ＰＩ）などの高分子フィルムを用いることができる。支持体１１の厚さに限定はないが、一般的には、１μｍ〜７５μｍ程度の場合が多い。なお、下部電極膜１２が支持体を兼ねる場合には、支持体１１は不要である。また、下部電極膜１２、誘電体膜１３および上部電極膜１４を形成したのち、支持体１１を除去してもよい。すなわち、本発明のコンデンサは、支持体がないものであってもよい。
【００１９】
下部電極膜１２および上部電極膜１４には、導電性を有する膜を用いることができ、たとえば金属膜を用いることができる。具体的には、アルミ、亜鉛、銅などを主成分とする金属膜を用いることができる。電極膜の膜厚については特に限定はないが、たとえば、膜厚が１０ｎｍ〜１５０ｎｍの膜を用いることができ、好ましくは膜厚が２０ｎｍ〜５０ｎｍの膜を用いることができる。コンデンサ１０の下部電極膜１２と上部電極膜１４とは、それぞれ電気回路に接続される。電気回路に接続する方法としては、たとえば、はんだ付け、金属溶射、クランプなどの方法を用いることができる。
【００２０】
誘電体膜１３は、少なくとも一種以上の樹脂モノマーを含む薄膜を形成したのち、上記薄膜中の樹脂モノマーを重合反応させることによって形成された樹脂膜である。
【００２１】
重合反応によって誘電体膜１３となる薄膜１３ａ（図２（ｂ）参照）は、樹脂モノマーに加えて、さらに添加剤を含んでもよい。このような添加剤としては、たとえば、重合開始剤、酸化防止剤、可塑剤、界面活性剤、密着性向上剤などが挙げられる。重合開始剤と
しては、たとえば、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフェリノフェニル）−ブタノン−１、ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）−フェニルフォスフィンオキサイド、２−メチル−１［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モルフォリノプロパン−１−オン（以上それぞれ、イルガキュア３６９、８１９および９０７、チバスペシャルティケミカルズ製）を用いることができる。また、酸化防止剤としては、たとえば、オクタデシル−３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート、ベンゼンプロパン酸，３，５−ビス（１，１−ジメチルエチル）−４−ヒドロキシ，Ｃ７−Ｃ９側鎖アルキルエステル、４，６ビス（オクチルチオメチル）−ｏ−クレゾール（以上それぞれ、ＩＲＧＡＮＯＸ−１０７６、１１３５および１５２０Ｌ、チバスペシャルティケミカルズ製）を用いることができる。
【００２２】
薄膜１３ａが重合開始剤を含む場合には、重合開始剤の含有量は、０．５重量％〜１０重量％であることが好ましく、１重量％〜３重量％であることが特に好ましい。重合開始剤の含有量を０．５重量％以上とすることによって、薄膜１３ａの硬化速度を速めることができる。また、重合開始剤の含有量を１０重量％以下とすることによって、樹脂モノマー３１（図３参照）のポットライフが短くなりすぎるのを防止できる。また、重合開始剤の含有量を１重量％〜３重量％とすることによって、硬化速度を速めるとともに、樹脂モノマー３１のポットライフが短くなることを防止し、コンデンサ１０の製造を容易にできる。
【００２３】
薄膜１３ａが酸化防止剤を含む場合には、酸化防止剤の含有量は、０．１重量％〜１０重量％であることが好ましく、０．５重量％〜５重量％であることが特に好ましい。酸化防止剤の含有量を０．１重量％以上とすることによって、誘電体膜１３の酸化を防止できる。また、酸化防止剤の含有量を１０重量％以下とすることによって、薄膜１３ａの硬化速度を実用的な値にすることができる。また、酸化防止剤の含有量を０．５重量％以上とすることによって、誘電体膜１３の酸化を顕著に防止できる。また、酸化防止剤の含有量を５重量％以下とすることによって、薄膜１３ａの硬化速度を好ましい値にすることができる。
【００２４】
薄膜１３ａは、ビニル基と六員環を結合してなる樹脂モノマーを少なくとも含む。なお、薄膜１３ａは、一種類の樹脂モノマーを含んでも、複数の種類の樹脂モノマーを含んでもよい。
【００２５】
また、このように芳香環ではなく六員環とすることによって芳香環の電子の共鳴を受けることなく、ビニル基の結合状態が緩和され、反応しやすくなるものである。
【００２６】
さらに、分子中に硫黄原子を導入することで、基材（アルミニウム金属）との密着性が向上するという効果もある。
【００２７】
具体的には、膜１３ａとして、以下の化学式（１）で表される樹脂モノマーを少なくとも１種類以上含む膜を用いることができる。
【００２８】
【化５】
2008028076.tif 000006
【００２９】
以下に、上記化学式（１）の樹脂モノマーの製造方法について一例を説明する。本発明の化合物の製造方法は、以下に示す第１〜第５の工程からなる。
【００３０】
（第１の工程）
以下の化学式（２）で示される３−クロロシクロヘキセンと、硫化ナトリウム（Ｎａ２Ｓ）とを反応させる。このとき、両者を例えば６０℃〜１２０℃の温度で４〜８時間反応させる。前記反応の溶媒としては、水、アルコール類または水を３重量％〜３０重量％含むアルコール類が適している。これにより、化学式（３）で示される化合物を製造する。
【００３１】
【化６】
2008028076.tif 000007
【００３２】
【化７】
2008028076.tif 000008
【００３３】
なお、化学式（２）で示される３−クロロシクロヘキセンは市販されており、たとえば、東京化成工業株式会社から販売されている。
【００３４】
（第２の工程）
以下の化学式（３）で示される化合物と塩化アセチルとを、ルイス酸を触媒として反応させることによって以下の化学式（４）で示される化合物を製造する。ルイス酸には、たとえば塩化アルミニウムや塩化亜鉛を用いることができる。
【００３５】
【化８】
2008028076.tif 000009
【００３６】
【化９】
2008028076.tif 000010
【００３７】
ここで、反応溶媒としてはジクロロメタンやジクロロエタンなどの塩素系溶媒が好まし
い。また、反応条件としては４０〜９０℃で１〜４時間反応させることが好ましい。
【００３８】
（第３の工程）
上記第２の工程ののち、化学式（４）で示される化合物と金属水素化物とを反応させることによって以下の化学式（５）で示される化合物を製造する。金属水素化物には、たとえばリチウムアルミニウムハイドライドを用いることができる。
【００３９】
【化１０】
2008028076.tif 000011
【００４０】
ここで、反応溶媒としてはジクロロメタンやジクロロエタンなどの塩素系溶媒と、ジエ
チルエーテルやテトラヒドロフランなどのエーテル系溶媒との混合溶媒が好ましい。また
、反応条件としては０℃〜４０℃で３〜６時間反応させることが好ましい。
【００４１】
（第４の工程）
上記第３の工程ののち、化学式（５）で示される化合物と臭素化剤とを反応させることによって以下の化学式（６）で示される化合物を製造する。臭素化剤には、たとえば三臭化リンを用いることができる。
【００４２】
【化１１】
2008028076.tif 000012
【００４３】
ここで、反応溶媒としてはジクロロメタンやジクロロエタンなどの塩素系溶媒が好ましい。また、反応条件としては０℃〜４０℃で１〜３時間反応させることが好ましい。
【００４４】
（第５の工程）
上記第４の工程ののち、化学式（６）で示される化合物に対し、アルコラートなどの強塩基による脱臭化水素反応を行うことによって、上述した化学式（１）で示される化合物を製造する。
【００４５】
ここで、反応溶媒としてはジブチルエーテル、テトラヒドロフランなどのエーテル系溶媒が好ましい。また、反応条件としては６０〜１００℃で６〜１２時間反応させることが好ましい。この方法によれば、化学式（１）で示される樹脂モノマーを容易に製造できる。
【００４６】
次に、コンデンサ１０の製造方法について説明する。
【００４７】
図２に、製造工程の一例を示す。
【００４８】
図２（ａ）を参照して、まず、支持体１１上に、下部電極膜１２を形成する。下部電極膜１２は、電子ビーム蒸着、抵抗加熱蒸着、誘導加熱蒸着などの真空蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法またはメッキ法などで形成できる。なお、下部電極膜１２を所定の形状に形成するには、メタルマスクを用いたり、フォトリソグラフィーやエッチングなどの技術を用いることができる。
【００４９】
次に、図２（ｂ）に示すように、下部電極膜１２上に、樹脂モノマーを含む薄膜１３ａを形成する。薄膜１３ａは、重合反応によって誘電体膜１３となる膜であり、上述した化学式（１）、（２）で表される樹脂モノマーや添加剤を含む。薄膜１３ａは、図３に示すように、真空下で薄膜１３ａを形成する樹脂モノマー３１を入れた容器３２を下部電極膜１２に向けて配置し、容器３２を加熱して樹脂モノマーを蒸発させることによって形成できる。薄膜１３ａを所定の形状に形成するには、メタルマスク（図示せず）を用いればよい。
【００５０】
次に、薄膜１３ａ中で樹脂モノマーを重合反応させることによって、図２（ｃ）に示すように、誘電体膜１３を形成する。重合反応（硬化）は、たとえば、薄膜１３ａに紫外線や電子線を照射することによって起こさせることができる。
【００５１】
次に、図２（ｄ）に示すように、下部電極膜１２と同様の方法によって、上部電極膜１４を形成する。このようにして、コンデンサ１０を製造できる。なお、コンデンサ１０ａについても同様の製造方法で製造できる。
【００５２】
上記実施の形態１のコンデンサでは、誘電体膜１３が、高湿度下や高温度下でも変質しにくいため、高湿度下や高温度下においても特性が良好なコンデンサが得られる。
【００５３】
（実施の形態２）
本実施の形態２では、本発明の電子部品について、コンデンサの他の一例を説明する。実施の形態２のコンデンサ４０の断面図を図４に示す。なお、実施の形態１で説明した部分と同様の部分については重複する説明を省略する。
【００５４】
図４を参照して、コンデンサ４０は、誘電体膜４１と、誘電体膜４１中に配置された複数の電極４２ａと電極４２ａに対向するように配置された電極４２ｂと、電極４２ａおよび４２ｂがそれぞれ接続された外部電極４３ａおよび４３ｂとを備える。すなわち、コンデンサ４０は、誘電体膜４１の少なくとも一部を挟むように対向して配置された少なくとも一対の電極を備える。さらにコンデンサ４０は、誘電体膜４１中であって、電極４２ａおよび４２ｂの外側に配置された金属薄膜４４を備える。コンデンサ４０のうち、複数の電極４２ａと電極４２ａに対向するように配置された電極４２ｂが存在する部分が素子層４０ａとなる。また、コンデンサ４０のうち、金属薄膜４４が形成されている部分が補強層４０ｂとなる。また、コンデンサ４０のうち、誘電体膜４１のみの部分が保護層４０ｃとなる。補強層４０ｂおよび保護層４０ｃは、素子層４０ａが熱負荷や外力によって損傷を受けるのを防止する層である。なお、補強層４０ｂや保護層４０ｃがないコンデンサであってもよいことはいうまでもない。
【００５５】
誘電体膜４１は、実施の形態１で説明した誘電体膜１３と同様のものであり、同様の製造方法によって製造できる。
【００５６】
コンデンサ４０は、実施の形態１で説明した方法を用いて製造することができる。ただし、コンデンサ４０を製造する場合には、誘電体膜と電極４２ａまたは４２ｂとを交互に積層する必要がある点、および外部電極４３ａおよび４３ｂを形成する必要がある点で、実施の形態１の製造方法と異なる。なお、外部電極４３ａおよび４３ｂは、たとえば、金属溶射法、バンプ電極形成法または導電性ペースト塗布法などによって形成できる。
【００５７】
上記実施の形態２のコンデンサ４０では、誘電体膜４１が、高湿度下や高温度下でも変質しにくいため、高湿度下や高温度下においても特性が良好なコンデンサが得られる。
【実施例】
【００５８】
以下、実施例を用いて本発明をさらに詳細に説明する。
【００５９】
（実施例１）
実施例１では、化学式（１）で示される化合物を作製した一例について説明する。
【００６０】
硫化ナトリウム九水和物１８０．５ｇ（０．７５モル）と蒸留水３００ｍｌとを容量が２リットルのフラスコに採取し、硫化ナトリウムを溶解させた後、室温下で１時間をかけて上述した式（２）で示される３−クロロシクロヘキセン１１６．５９ｇ（１モル）を滴下した。次に、溶液を９０℃まで昇温し、３時間撹拌を続けることによって反応させた。反応終了後、油状の上層液と下層の水溶液とに分離した溶液から油状液を分液し、これにトルエン１０００ｍｌを加えた。こうして得られた溶液を５％苛性ソーダ水で洗浄した後、さらに蒸留水を用いてｐＨが７になるまで繰り返し洗浄した。次に、洗浄後の溶液を、無水硫酸ナトリウムで乾燥させたのち、重合禁止剤であるｐ−メトキシフェノール０．７５２ｇ（３−クロロシクロヘキセンに対して１００００分の５重量部）を加え、溶媒を留去して上記化学式（３）で示される化合物を８３．５ｇを得た。
【００６１】
次に、塩化アセチル８０．９ｇ（１．０３ｍｏｌ）と、塩化アルミニウム１３７．３ｇ（１．０３ｍｏｌ）と、無水ジクロロメタン４２０ｍｌとを２リットルのフラスコに採取し、これに無水ジクロロメタン１００ｍｌに溶解させた上記化学式（３）で示される化合物８３．５ｇ（０．４３ｍｏｌ）を滴下した。その後、還流下で１時間攪拌を続けることによって反応を完結させた。反応終了後、上記フラスコを氷冷し、その後、氷水５００ｍｌを加え洗浄した後、水層を除去した。次に、得られた溶液を５％炭酸水素ナトリウム水溶液３００ｍｌで洗浄した後、この溶液を、ｐＨが７になるまで蒸留水を用いて繰り返し洗浄した。次に、洗浄後の溶液を無水硫酸ナトリウムで乾燥させた後、溶媒を留去することによって、上記化学式（４）で示される化合物１２１．４５ｇ（０．４３ｍｏｌ）を得た。
【００６２】
次に、水素化リチウムアルミニウム２４．７ｇ（０．６５ｍｏｌ）と、無水ジクロロメタン５００ｍｌと、無水ジエチルエーテル５００ｍｌとを２リットルのフラスコに加え、氷冷した後、これに無水ジクロロメタン２００ｍｌに溶解させた化学式（４）で示される化合物１２１．４５ｇ（０．４３ｍｏｌ）を滴下した。その後、還流下で１時間攪拌を続けることによって反応を完結させた。反応終了後、得られた溶液を再び氷冷し、この溶液を攪拌しながら、２０％塩酸水６００ｍｌ徐々に加えて溶液を洗浄した後、水層を除去した。次に、得られた溶液を５％炭酸水素ナトリウム水溶液３００ｍｌで洗浄したのち、溶液を、ｐＨが７になるまで蒸留水で洗浄した。次に、洗浄後の溶液を無水硫酸ナトリウムで乾燥させた後、溶媒を留去することによって、上記化学式（５）で示される化合物１２３．１８ｇを得た。
【００６３】
次に、化学式（５）で示される化合物１２３．１８ｇ（０．４３ｍｏｌ）を無水ジクロロメタン５５０ｍｌに溶解させ、これに２５０ｍｌの無水ジクロロメタンに溶解させた三臭化リン１４０．８ｇ（０．５２ｍｏｌ）を加え、還流下で３０分間攪拌することにより反応させた。反応終了後、得られた溶液を蒸留水５００ｍｌで洗浄した後、水層を除去した。次に、得られた溶液を５％炭酸水素ナトリウム水溶液３００ｍｌで洗浄した後、溶液を、ｐＨが７になるまで蒸留水を用いて洗浄した。次に、洗浄後の溶液を無水硫酸ナトリウムで乾燥させた後、溶媒を留去することによって、上記化学式（６）で示される化合物１７３．１５ｇを得た。
【００６４】
次に、化学式（６）で示される化合物１７３．１５ｇ（０．４２ｍｏｌ）にｔ−ブトキシカリウム９４．３ｇ（０．８４ｍｏｌ）とテトラヒドロフラン１０００ｍｌを加え、還流下で１２時間攪拌することで反応させた。反応終了後、テトラヒドロフランを留去した後、ジクロロメタン１０００ｍｌを加え、水槽が無色透明になるまで５％塩酸水で洗浄し、水層を除去した。次に、５％炭酸水素ナトリウム水溶液３００ｍｌで洗浄した後、ｐＨが７になるまで蒸留水を用いて繰り返し洗浄した。
【００６５】
次に、洗浄後の溶液を無水硫酸ナトリウムで乾燥させた後、溶媒を留去することによって、液体７２．６ｇを得た。
【００６６】
この液体について、ガスクロマトグラフィー・質量分析（ＧＣ−ＭＳ）および赤外分光分析（ＦＴ−ＩＲ）を行った。ＧＣ−ＭＳの結果では、式（１）で示される化合物の質量数Ｍ／ｅ＝２５０を示す生成物が検出された。このとき、原料、中間生成物および１％以上の副生成物は検出されなかった。
【００６７】
また、ＦＴ−ＩＲの測定は島津製作所製のＦＴＩＲ−８１００Ｍ装置を用いて行い、その測定結果を図５に示す。図５によると、前述した液体はビニル基に基づく１６３０ｃｍ-1の吸収ピークと六員環に基づく１４５２ｃｍ-1、２８４１ｃｍ-1および２９２７ｃｍ-1の吸収ピークを示した。
【００６８】
（実施例２）
実施例２では、本発明の電子部品として、図１（ａ）に示したコンデンサを作製した一例について、図２を参照しながら説明する。
【００６９】
まず、厚さ２５μｍのＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）基板（支持体１１に相当）を用意し、このＰＥＴ基板上に、アルミからなる下部電極膜１２（厚さ３０ｎｍ）を、１００ｎｍ／秒の堆積速度で蒸着した。
【００７０】
その後、下部電極膜１２上に、樹脂モノマーを蒸着することによって、樹脂モノマーからなる薄膜１３ａ（厚さ２００ｎｍ）を形成した（図２（ｂ）参照）。具体的には、図３に示すような樹脂モノマー３１を入れた容器３２を、蒸着速度が５００ｎｍ／秒となるように加熱し、下部電極膜１２の一部が露出する位置に薄膜１３ａを形成した。
【００７１】
その後、−１５ｋＶの加速電子を５０μＡ／ｃｍ2の密度で２秒間、薄膜１３ａに照射することによって、薄膜１３ａ中の樹脂モノマーを重合させ、誘電体膜１３を形成した（図２（ｃ）参照）。
【００７２】
その後、誘電体膜１３の上方であって下部電極膜１２と接触しない位置に、アルミからなる上部電極膜１４を、１００ｎｍ／秒の堆積速度で蒸着した（図２（ｄ）参照）。このようにしてコンデンサを作製した。
【００７３】
実施例２では、化学式（１）および酸化防止剤としてＩＲＧＡＮＯＸ１５２０Ｌを３重量％添加した化学式（１）で示される樹脂モノマーを用い２種類の異なるサンプルを作製し、実施サンプル１および実施サンプル２とした。
【００７４】
また、比較例として、化学式（Ａ）、化学式（Ｂ）および化学式（Ｃ）で表される樹脂モノマーを用いたコンデンサを作製し、比較サンプル１、比較サンプル２および比較サンプル３とした。
【００７５】
以上の４種類のコンデンサについて、特性の評価を行った。具体的には、（１）吸湿容量変化率と、（２）高温負荷容量変化率と、（３）膜となる樹脂の重合度を調べた（測定方法の詳細については後述する）。上記評価の結果を（表１）に示す。
【００７６】
【表１】
2008028076.tif 000013
【００７７】
（表１）から明らかなように、実施サンプル１および実施サンプル２のコンデンサは、（１）、（２）、（３）のいずれの評価においても、比較サンプルのコンデンサよりも優れた特性を示した。すなわち、本発明の樹脂モノマーを用いてコンデンサの誘電体膜を形成することによって、電気的に優れた特性を示し、樹脂の硬化が容易なコンデンサが得られる。
【００７８】
なお、誘電正接（ｔａｎδ）についても、実施サンプル１および実施サンプル２のコンデンサは比較サンプル１、比較サンプル２および比較サンプル３のコンデンサと同等またはそれ以上の特性を示した。
【００７９】
以下、（表１）に示した評価の方法について詳吸湿容量変化率については、以下の様に評価した。まず、コンデンサを１０５℃の環境下で１０時間乾燥させ、初期容量Ｃ１１を測定した。容量は、下の条件で測定した。高温負荷容量変化率は、（Ｃ２２−Ｃ２１）／Ｃ２１×１００（％）で表される値である。高温負荷容量変化率の絶対値が小さいほど、高温時に酸化しにくいことを示しており、製品として好ましい。特に、近年はＣＰＵの高速化などに伴う電子部品の耐高温性が重要になってきており、高温負荷容量変化率の絶対値が小さいことが、コンデンサの評価の重要な指標となる。
【００８０】
樹脂の重合度は、以下の様にＦＴ−ＩＲ法を用いて評価した。まず、初期のモノマー樹脂のビニル基、アクリレート基のＣ＝Ｃの２重結合を測定した。次に、コンデンサから樹脂層を分離し、樹脂のビニル基のＣ＝Ｃの２重結合を測定し、初期のモノマーに対する減少率で、重合度を評価する。
【００８１】
２重結合の存在率が低いほど、重合度が高いことを示している。したがって重合度の高いほど緻密な膜が形成されて、製品として好ましい。
【００８２】
なお、誘電正接（ｔａｎδ）については、周波数１ｋＨｚ、電圧１Ｖｒｍｓの正弦波をコンデンサに加えて測定した。誘電正接が小さいほど、コンデンサ自体で消費する電力がより小さく、製品として好ましい。
【００８３】
以上、本発明の実施の形態について例を挙げて説明したが、本発明は、上記実施の形態に限定されず本発明の技術的思想に基づき他の実施の形態に適用することができる。
【００８４】
たとえば、上記実施の形態では、本発明の電子部品がコンデンサである場合について説明したが、本発明の電子部品はこれに限定されず、上記実施の形態で説明した誘電体膜を備えるものであれば、いかなるものであってもよい。具体的には、たとえば、コイル、抵抗、容量性電池、他の電子部品の支持部材などに用いることができる。
【００８５】
これらの電子部品であっても、誘電体膜における樹脂の重合度が高いので、電気特性が従来のものに比べて良好になるものである。
【産業上の利用可能性】
【００８６】
本発明にかかる電子部品は誘電体膜における樹脂の重合度が高いので、良好な電気特性を示すので電子機器に用いられる電子部品全般においてその効果を発揮し、特に内部電極を有したコンデンサとした場合、顕著にその効果を発揮するものである。
【図面の簡単な説明】
【００８７】
【図１】本発明のコンデンサについて（ａ）一例の断面を示す図（ｂ）他の一例の断面を示す図
【図２】本発明のコンデンサについて製造方法の一例を示す工程図
【図３】図２に示した製造工程の一過程を示す図
【図４】本発明のコンデンサについてその他の一例を示す（ａ）断面図（ｂ）斜視図
【図５】本発明の電子部品の製造に用いられる樹脂モノマーの一例のビス（ビニルアルキルフェニル）化合物についてのＩＲスペクトルを示す図
【符号の説明】
【００８８】
１０、１０ａ、４０  コンデンサ（電子部品）
１１  支持体
１２  下部電極膜
１３  誘電体膜
１３ａ  薄膜
１４  上部電極膜
【図１】
2008028076.tif 000017
【図２】
2008028076.tif 000018
【図３】
2008028076.tif 000019
【図４】
2008028076.tif 000020
【図５】
2008028076.tif 000021