(57)【要約】【課題】ＯＤＦプロセスを用いて液晶光学素子を製造したとしても、シールが液晶へ溶出することなく、紫外線硬化型のシールと基板との密着力を向上させた、信頼性の高い液晶光学素子の製造方法を提供すること。【解決手段】バンドパスフィルタを第１の透明基板における一方の面に配するバンドパスフィルタ形成工程と、第１の透明基板における他方の面に、閉環形状で紫外線硬化型のシールを設けるシール形成工程と、一方の面からバンドパスフィルタを介して紫外光を照射して、シールが他方の面と接する面を含む第１のシール領域と、シールの内側壁面を含む第２のシール領域を仮硬化するシール仮硬化工程と、シールにおける内側領域に液晶を滴下する液晶滴下工程と、所定の間隙を持ってシールを介して、第１の透明基板に第２の透明基板を貼り合わせた後に、紫外線を照射して、シールを本硬化するシール本硬化工程とを有する製造方法とした。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
入射する紫外光の光量を減衰させて出射するバンドパスフィルタを、第１の透明基板における一方の面に配するバンドパスフィルタ形成工程と、
前記第１の透明基板における他方の面に、閉環形状で紫外線硬化型のシールを設けるシール形成工程と、
前記一方の面から前記バンドパスフィルタを介して前記紫外光を照射して、前記シールが前記他方の面と接する面を含む第１のシール領域と、前記シールの内側壁面を含む第２のシール領域を仮硬化するシール仮硬化工程と、
前記シールにおける内側領域に、液晶を滴下する液晶滴下工程と、
所定の間隙を持って前記シールを介して、前記第１の透明基板に第２の透明基板を貼り合わせた後に、前記紫外線を照射して、前記シールを本硬化するシール本硬化工程と、
を有することを特徴とする液晶光学素子の製造方法。
【請求項２】
前記シール仮硬化工程は、前記シールにおける前記第１のシール領域と対向する第３のシール領域が未硬化状態のまま、前記第１と第２のシール領域を仮硬化する工程である
ことを特徴とする請求項１に記載の液晶光学素子の製造方法。
【請求項３】
前記紫外光の波長帯域は、紫外から近紫外領域である
ことを特徴とする請求項１または２に記載の液晶光学素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶光学素子の製造方法に関し、特に、ＯＤＦプロセスを用いて液晶光学素子を製造したとしても、その製造工程中にシール材が液晶へ溶出することなく、紫外線硬化型のシールと基板との密着力を向上させることができる液晶光学素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の液晶光学素子の製造方法として、少なくとも透明基板に液晶注入口を有する熱硬化型のシールを形成し、対向基板と貼り合わせて液晶セルを形成する製造方法が知られている。この製造方法では、この後に真空装置内で液晶セルの液晶注入口を液晶に浸し、徐々に大気圧に戻すことで毛管現象により液晶をセル内に注入して素子を製造している。
【０００３】
この製造方法に対し、液晶注入口を形成せずに透明基板に閉環形状の紫外線硬化型のシールを形成し、その後、適量の液晶をシールの内側領域に滴下し、真空装置で貼り合わせた後、この紫外線硬化型のシールに紫外線することで硬化させる製造方法（以下「ＯＤＦプロセス」という）がある。このＯＤＦプロセスを用いると、液晶注入の時間短縮およびトータルプロセスの短縮が可能となり、安価で液晶光学素子を製造することが可能となる。
【０００４】
しかしながら、上記ＯＤＦプロセスでは、使用するシールが未硬化の状態で、シールの内側領域に液晶を滴下するため、未硬化状態のシールに液晶が直接接触して、シール材が液晶に溶出してしまう場合がある。特に、ホモジニアス配向の液晶光学素子を製造する場合には、滴下された液晶は配向膜上で親水性であるため、直ぐに広がってゆく傾向にあり、液晶が未硬化状態のシールと接触する時間が早くなる。この様に、シール材が液晶に溶出してしまうと、シール近傍にて液晶配向の乱れが発生してしまい、その部分では所望の位相変調を行えないことがあった。
【０００５】
また、レーザー光源から出射されるレーザー光が光ディスクに照射され、この光ディスクからの反射光を受光ダイオードに集光することで、光ディスクの情報を読み取ったり、または光ディスクに情報を書き込んだりする光ピックアップ装置において、レーザー光の球面収差、コマ収差、非点収差等を補正するために用いられる液晶光学素子や、携帯電子機器等に搭載されるカメラモジュールにおける可変焦点レンズ等に用いられる液晶光学素子の外形サイズは、通常のディスプレイ装置として用いられる液晶光学素子の外形サイズと比較して、非常に小さい数ミリ角程度である。この液晶光学素子の外形サイズは、光ピックアップ装置やカメラモジュール等の装置の小型化に伴って更に小さくなってゆく可能性がある。素子が小さくなれば、液晶光学素子のシールの内側領域の幅も狭くなり、液晶をシールの内側領域に滴下してから未硬化状態のシールと液晶とが接触するまでの時間が更に早くなることが予想される。
【０００６】
そこで、外形サイズが小さな液晶光学素子でも、上記課題を解決する一つの手段として、ＯＤＦプロセスを採用し、未硬化状態のシールの最表面を仮硬化させた上で液晶を滴下する製造方法が提案された（特許文献１参照）。
【０００７】
ここで、上記特許文献１に記載されている液晶光学素子の製造方法について説明する。
図７は、従来の液晶光学素子の製造方法を示す図面である。なお、本図（ａ）は、透明基板上に紫外線硬化型のシールを形成するシール形成工程を示し、本図（ｂ）は、このシールの表面を仮硬化させるシール仮硬化工程を示し、本部（ｃ）は、シールの内側領域に
液晶を滴下する液晶滴下工程を示し、本図（ｄ）は、シールを本硬化させるシール本硬化工程を示している。
【０００８】
まず、図７（ａ）に示すシール形成工程にて、透明基板１１１ａの表面に、スクリーン印刷またはディスペンサー法を用いて、紫外線硬化型樹脂からなるシール１１２を閉環形状に形成する。このシール１１２には、紫外光によりエポキシまたはアクリルの重合反応を開始させる開始剤が含まれている。この開始剤には、遠紫外線から近紫外線の波長域で反応するものが存在する物質が含まれる。一度開始剤が光反応すると、カチオンまたはラジカル重合が開始して、未硬化状態のシール１１２の硬化反応が促進される。
【０００９】
次に、図７（ｂ）に示す仮硬化工程にて、本紙面上方向から遠紫外線または近紫外線のシール仮硬化光１１７を適量照射する。ここで紫外線硬化型のシールは、未硬化状態のシール１１２の最外周のみ仮硬化されて、シール上面および側面にシール仮硬化部１１３が形成される。
【００１０】
次に、図７（ｃ）に示す液晶滴下工程にて、シール１１２の内側領域に、液晶１１４を滴下する。
【００１１】
最後に、図７（ｄ）に示すシール本硬化工程にて、透明基板１１１ａに、シール１１２を介して透明基板１１１ｂを貼り合わせた上で、遠紫外線または近紫外線のシール本硬化光１１９を、透明基板１１１ａ表面から照射することで、シール１１２は完全に硬化して、目的の液晶光学素子が完成する。
【００１２】
なお、図７（ｃ）に示す液晶滴下工程において、液晶１１４を滴下注入した後に、この液晶がシール側壁のシール仮硬化部１１３に接触することになるが、シール１１２の表面は仮硬化されているため、未硬化状態のシール１１２が、液晶１１４に溶出することはない。そのため、図７（ｄ）のシール本硬化工程を経て製造した液晶光学素子は、シール近傍にて液晶配向の乱れは起こらない。
【００１３】
【特許文献１】特開平６−２０８０９７号公報（第７―１１頁、第１図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
しかしながら、図７（ｃ）（ｄ）に示したシール仮硬化部１１３は、シール１１２の側面だけでなく上端面にも形成される。そのため、シール本硬化工程にて透明基板１１１ａと透明基板１１１ｂとを貼り合わせる際に、このシール仮硬化部１１３が透明基板１１１ｂの表面と接触することとなる。仮硬化されたシール１１２は、液晶１１４への汚染に対しては効果を発揮するが、未硬化状態のシール１１２と透明基板１１１ｂとの密着力を、極端に低下させる。
【００１５】
このシール１１２と透明基板１１１ｂとの密着力の低下は、温度・湿度などの環境変化に対して、基板の変形・熱膨張および内部に注入される液晶１１４の膨張・収縮により、外気混入および液晶１１４の流出といった現象を招く。これは液晶光学素子としての信頼性という点で、品質を低下させる要因となり、好ましくない。
【００１６】
そこで本発明の目的は、ＯＤＦプロセスを用いて液晶光学素子を製造したとしても、その製造工程中にシール材が液晶へ溶出することなく、紫外線硬化型のシールと基板との密着力を向上させた、信頼性の高い液晶光学素子の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
上記目的を達成するために、本発明の製造方法は、基本的に下記記載の構成を採用するものである。
本発明の液晶光学素子の製造方法は、入射する紫外光の光量を減衰させて出射するバンドパスフィルタを、第１の透明基板における一方の面に配するバンドパスフィルタ形成工程と、第１の透明基板における他方の面に、閉環形状で紫外線硬化型のシールを設けるシール形成工程と、一方の面からバンドパスフィルタを介して紫外光を照射して、シールが他方の面と接する面を含む第１のシール領域と、シールの内側壁面を含む第２のシール領域を仮硬化するシール仮硬化工程と、シールにおける内側領域に、液晶を滴下する液晶滴下工程と、所定の間隙を持ってシールを介して、第１の透明基板に第２の透明基板を貼り合わせた後に、紫外線を照射して、シールを本硬化するシール本硬化工程とを有することを特徴とするものである。
【００１８】
また、本発明の液晶光学素子の製造方法は、前述したシール仮硬化工程が、シールにおける第１のシール領域と対向する第３のシール領域が未硬化状態のまま、第１と第２のシール領域を仮硬化する工程であることを特徴とするものである。
【００１９】
また、本発明の液晶光学素子の製造方法は、前述した紫外光の波長帯域が、近紫外領域であることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００２０】
本発明により、外形サイズが小さくなる液晶光学素子をＯＤＦプロセスによって作成する際、シールから液晶への溶出を防ぐとともに、基板とシールとの密着力を向上させた信頼性の高い液晶光学素子を形成することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
本発明の液晶光学素子の製造方法は、一方の透明基板にバンドパスフィルタを形成するバンドパスフィルタ形成工程と、バンドパスフィルタを形成した面とは反対側の表面に閉環形状の紫外線硬化型のシールを形成するシール形成工程と、このシールを仮硬化するシール仮硬化工程とを有する。また、この製造方法は、仮硬化されたシールの内側領域に液晶を滴下する液晶滴下工程と、他方の透明基板をシールを介して貼り合わせた後に、このシールを本硬化するシール本硬化工程とを有する。なお、本発明の製造方法の特徴的な部分は、特にシール仮硬化工程におけるシールを仮硬化させる手法および仮硬化させる箇所に有り、これにより上下基板の接着強度を保ったまま、シールから液晶への溶出を防ぐことができる様になる。
【００２２】
ここで、本発明の液晶光学素子の製造方法について説明する。
図１は、本発明の製造方法を示す図面であり、本図（ａ）は、バンドパスフィルタ形成工程を示す図であり、本図（ｂ）は、シール形成工程を示す図であり、本図（ｃ）は、シール仮硬化工程を示す図である。また、図２は、図１（ａ）の続きの製造工程を示す図面であり、本図（ｄ）（ｅ）は、液晶滴下工程を示す図であり、本図（ｆ）は、シール本硬化工程を示す図である。なお、図１（ａ）に示す１ｂは透明基板、２ｂは透明基板上に形成する透明導電膜、３ｂは透明導電膜上に形成する配向膜を表す。
【００２３】
図１（ａ）に示すバンドパスフィルタ形成工程によって、透明基板１ｂの一方の面に、紫外光の光量を減衰させる機能を有するバンドパスフィルタ４を、スパッタリング法、蒸着法、ＣＶＤ法等により形成、または上記機能を有するフィルムを貼り付けて形成する。なお、このバンドパスフィルタ４は、例えば、ＳｉＯ２／ＴｉＯ２を積層して設けた誘電体多層膜である。このバンドパスフィルタ４の機能の詳細については、後述する。
【００２４】
次に、この透明基板１ｂの他方の面に、透明導電膜２ｂと配向膜３ｂを形成した上で、
この配向膜３ｂにラビング処理を施し、後に注入する液晶の配向（例えばホモジニアス配向）が決まるようにしておく。なお、ここで用いる配向膜３ｂには、ポリイミドまたはＳｉＯなどの無機配向膜が用いることができる。
【００２５】
次に、図１（ｂ）に示すシール形成工程によって、閉環形状で紫外線硬化型のシール５を、ディスペンサー塗布法または印刷法により、配向膜３ｂの表面（透明基板１ｂの他方の面）に形成する。
【００２６】
次に、図１（ｃ）に示すシール仮硬化工程によって、バンドパスフィルタ４側から透明基板１ｂを介して、シール仮硬化のための、遠紫外または近紫外の波長帯域のシール仮硬化光７を、２００〜３００ｍＪ／ｃｍ２の光量に設定して照射する。ここでは、シール仮硬化光７は、バンドパスフィルタ４により光量が減衰されて、その減衰された紫外光が、未硬化状態のシール５に照射されることとなる。
【００２７】
この様に、仮硬化反応によりシール５内に存在する光重合開始剤の光吸収が発端となり、バンドパスフィルタ４側からの紫外光の照射により、シール５の側面および下部から光反応が開始されて、シール下面（シール５の透明基板１ｂに対峙する面）の第１のシール領域と、シール側面（シール５の内側壁面と、外側壁面）の第２のシール領域に、シール仮硬化部６を形成することができる。
【００２８】
次に、図２（ｄ）及び（ｅ）に示す液晶滴下工程を行う。なお、図２（ｄ）では、閉環形状のシール５の内側領域に、ＯＤＦプロセスによって液晶８を滴下した直後の状態を示し、図２（ｅ）では、滴下された液晶８が時間とともにシール５近傍まで広がってシール５のシール仮硬化部６と接触している状態を示している。
【００２９】
シール５の内側領域に滴下された液晶８は、図２（ｄ）に示す様に、配向膜３ｂ上で液滴状に存在する。配向膜３ｂは、上述した配向処理が施されているので、ネマティック液晶からなる液晶８は、ホモジニアス配向またはホメオトロピック配向となる。
【００３０】
この配向状態をホメオトロピック配向とした場合、配向膜３ｂと液晶８は疎水性のため、図２（ｄ）に示す様に液滴形状を保つことができ、これにより液晶８の広がりによるシール５との接触する可能性が低くなる。それに対して、ホモジニアス配向とした場合、配向膜３ｂと液晶８は親水性となるので、液晶８が滴下された後に液滴は素早く広がり、図２（ｅ）に示す液晶８がシール５と接触した状態になってしまう。特に、外形サイズが小型の液晶光学素子の場合、広がった液晶８がシール５に到達するまでの時間は早くなることは先に示した通りである。
【００３１】
この様に、シール５の内側壁面がシール仮硬化部６となっているため、液晶８とこのシール仮硬化部６と接触したとしても、シール材が液晶８に溶出することはない。
【００３２】
次に、図２（ｆ）に示すシール本硬化工程によって、シール５の内側領域に液晶８が滴下された透明基板１ｂと、片面に透明導電膜２ａと配向膜３ａが形成された透明基板１ａとを、シール５を介して１Ｐａ程度の真空状態で重ね合わせた後に、大気圧に戻して透明基板１ａ、１ｂを圧縮し、所定の基板間ギャップを形成する。その後、透明基板１ａの外側表面から２〜３Ｊ/cm2程度の、遠紫外または近紫外の波長帯域のシール本硬化光９を照射することで、シール内の形成ポリマーが十分にラジカル重合またはカチオン重合を起こして、架橋硬化したシール５により透明基板１ａ、１ｂが強固に接着固定される。
【００３３】
ここで、本発明の製造方法で製造された液晶光学素子を改めて示す。図３（ａ）は、図１、図２で示した工程を経て作成された液晶光学素子の断面図を示し、図３（ｂ）はその
上面図を示す。
【００３４】
上述したように、本発明の一連の製造工程を経て、透明導電膜２ａ、２ｂと配向膜３ａ、３ｂを内側に向けて配置された透明基板１ａ、１ｂの間隙に液晶８を有し、さらに、透明基板１ｂの外側表面にバンドパスフィルタ４を備え、透明基板１ａ、１ｂが閉環形状のシール５によって強固に保持された、目的の液晶光学素子１０５を得ることができる。
【００３５】
なお、図１（ａ）に示したバンドパスフィルタ形成工程にて、フィルム状のバンドパスフィルタ４を透明基板貼り付けて形成した場合は、このフィルタが特に完成体の素子の機能として不要なものであれば、一連の製造工程が終了した段階で素子から剥がせばよい。また、このバンドパスフィルタ４が誘電体多層膜である場合は、この膜をそのまま残して、液晶光学素子１０５の反射防止膜として機能させることも可能である。その場合には、透明基板１ａの外側表面にもバンドパスフィルタを設ける方が望ましい。
【００３６】
次に、本発明の製造方法で使用するバンドパスフィルタ４での好ましい機能について説明する。図４（ａ）は、図３を用いて説明をした本発明に係る液晶光学素子１０５におけるバンドパスフィルタ４、および透明基板１ｂの透過率波長依存性を示し、図４（ｂ）は、液晶光学素子１０５のシール５の吸光度の波長依存性を示す図面である。図４（ａ）において、符号１０は透明基板の透過率曲線を示し、符号１１はバンドパスフィルタの透過率曲線を示す。また図４（ｂ）において、符号１２はシールの吸光度曲線を示す。
【００３７】
図４（ａ）に示す様に、代表的な水銀ランプの紫外波長３６５ｎｍでは、透明基板の透過率曲線１０における透過率に対して、バンドパスフィルタの透過率曲線１１が低透過率となるように、本発明で用いるバンドパスフィルタ４の機能を設定する。なお、図４（ｂ）に示す様に、吸光度曲線１２は、４０８ｎｍ付近のシールの吸光度に比べて、明らかに３６５ｎｍ付近のシールの吸光度が高くなっている。したがって、上記に示した透過率曲線１１の特性を有するバンドパスフィルタ４を用いて、仮硬化工程で仮硬化光（例えば３６５ｎｍの紫外光）をシール５に向けて照射すれば、シール仮硬化反応を起こすための光照射量を容易に制御することができることが判る。
【００３８】
なお、本発明で用いる紫外光の波長帯域は、この３６５ｎｍだけでなく、上記関係（透明基板の透過率曲線１０における透過率に対して、バンドパスフィルタの透過率曲線１１が低透過率となる関係）を有していれば良い。例えば、水銀ランプにおける近紫外波長４０８ｎｍは、光ピックアップ装置におけるレーザー光源から発振されるレーザー光の波長に相当する青紫レーザー波長域（３９５〜４２０ｎｍ）と一致し、この光ピックアップ装置に用いられる液晶光学素子には、高い透過率が要求される。この様な用途に本発明の製造方法により製造された液晶光学素子を使用したとしても、この液晶光学素子に設けるバンドパスフィルタ４を、青紫レーザー波長域に対して高透過率になるように設計することができるので、このバンドパスフィルタ４を被着させたまま光ピックアップ装置に液晶光学素子を搭載しても何ら問題は生じない。
【００３９】
次に、本発明の製造方法で留意する必要がある事項について下記に説明する。図５（ａ）および図５（ｂ）は、シール仮硬化工程により形成されたシール仮硬化部の形状を示す図面である。
【００４０】
図５（ａ）に示す様に、バンドパスフィルタ４を介して必要以上の光量を照射したり、図４（ａ）（ｂ）で示した好ましい波長を用いなかったり、バンドパスフィルタが持つべき機能を有さない場合に、シール仮硬化部６がシール５の表面からシール内部に進行する際に、シール内側壁面、シール外側壁面を含む第１のシール領域、およびシール５と透明基板２ｂが対峙する面を含む第２のシール領域のみならず、シール５上端面にもシール仮
硬化部６が存在することとなる。この様に、シール仮硬化部６がシール上端面に存在すると、シール本硬化工程におけるもう一方の透明基板と、未硬化状態のシール５との接着面積が小さくなり、両透明基板の接着強度が弱くなってしまう。これは、素子自体の環境耐性（信頼性）が弱くなる原因となり、好ましくない。
【００４１】
それに対して、図５（ｂ）に示す様に、図１（ｃ）で示したシール仮硬化工程において、図４（ａ）を用いて説明した事項を考慮してバンドパスフィルタ４の機能設定をし、そのバンドパスフィルタ４を介して所望の紫外光を用いてシール仮硬化光７を照射すれば、シール５の内側壁面を含む第１のシール領域、およびシール５が透明基板２ｂと接する第２のシール領域（シール５と透明基板１ｂとが対峙するシール領域）のみを仮硬化することができる。この状態では、図５（ａ）に示した状態とは異なり、シール５の上端面が未硬化状態となり、もう一方の透明基板とシール５とは、十分な密着力を持って接着させることができる。
【００４２】
この様に、図５（ｂ）に示したシール仮硬化部６を形成する上で、バンドパスフィルタ４の特性は重要となる。一般にＵＶランプに採用される水銀ランプまたはキセノンランプでは、３５６ｎｍ付近の紫外光強度が一番強く、図４（ｂ）に示したようにシールの吸光度も高い領域の紫外光を出射できるため、シール仮硬化部６を制御するために、図４（ａ）に示したバンドパスフィルタ４の透過特性を５０％以下とすることが好ましい。
【００４３】
また、近紫外光４０８ｎｍの光を用いる場合は、図４（ａ）（ｂ）で示す様に、透明基板とバンドパスフィルタ４の透過率は高くなるが、シールの吸光度が低いため、シールの最表面でしか反応は起こらない。したがって、この近紫外光４０８ｎｍの光を用いれば、バンドパスフィルタ４の透過率に依存せず、図５（ｂ）に示す形態を形成することができるが、現実的なプロセス処理時間や光量を考慮すると、３６５ｎｍ付近の紫外光で行う方が好ましい。
【００４４】
この様に、液晶光学素子の外形サイズが小さくなるに伴い、シール線幅も細くする必要が生じるため、上記に記載したシール仮硬化工程における紫外光の光量の制御は、非常に重要となる。
【００４５】
次に、本発明で製造した液晶光学素子を光ピックアップ装置に搭載した例について説明する。図６は、本発明の製造方法により形成された液晶光学素子１０５を光ピックアップ装置に搭載した場合の全体構成を示すブロック図である。
【００４６】
図６に示す光ピックアップ装置は、レーザー光源１０１、カップリングレンズ１０３、偏光ビームスプリッター１０４、収差補正手段としての液晶光学素子１０５、１／４波長板１０６、対物レンズ１０７、集光レンズ１０９、受光ダイオード１１０から構成されている。
【００４７】
図６において、レーザー光源１０１から出たレーザー光１０２は、カップリングレンズ１０３で平行光とされ、偏光ビームスプリッター１０４を通過した後、液晶光学素子１０５に入射する。この液晶光学素子１０５を通過する際に、レーザー光は、液晶光学素子１０５で変調され、収差補正が可能となる。その後１／４波長板１０６を通過して、対物レンズ１０７によりディスク１０８に集光される。そしてディスク１０８にて反射されたレーザー光は、再び対物レンズ１０７及び１／４波長板１０６を経て、偏光ビームスプリッター１０４により光路が変更されて、集光レンズ１０９を介して受光ダイオード１１０に集光される。
【００４８】
この様に、上述した本発明により製造された液晶光学素子は、ＯＤＦプロセスの製造工
程中にシール材が液晶へ溶出することなく、紫外線硬化型のシールと基板との密着力を向上させた、信頼性の高い液晶光学素子であるので、図６に示す光ピックアップ装置として組み込むことにより、安定して光ピックアップ装置の正確な読み書きを実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明に係る液晶光学素子の製造工程を示す図である。
【図２】図１に示した製造工程の続きを示す図である。
【図３】本発明で製造した液晶光学素子の構造を示す断面図および平面図である。
【図４】本発明の液晶光学素子の製造方法で使用する透明基板とバンドパスフィルタの透過率曲線を示す図と、シール剤の吸光度曲線を示す図である。
【図５】本発明のシール仮硬化工程により、過剰に仮硬化された状態と、最適に仮硬化された状態を示す図である。
【図６】本発明の液晶光学素子を掲載した光ピックアップ装置を説明するための図である。
【図７】従来の液晶光学素子の製造工程を説明するための図である。
【符号の説明】
【００５０】
１ａ、１ｂ  透明基板
２ａ、２ｂ  透明導電膜
３ａ、３ｂ  配向膜
４  バンドパスフィルタ
５  シール
６  シール仮硬化部
７  シール仮硬化光
８  液晶
９  シール本硬化光
１０、１１  透過率曲線
１２  吸光度曲線
１０１  半導体レーザー
１０２  レーザー光
１０３  カップリングレンズ
１０４  ビームスプリッター
１０５  液晶光学素子
１０６  λ/4波長板
１０７  対物レンズ
１０８  ディスク
１０９  集光レンズ
１１０  受光ダイオード
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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