(57)【要約】【課題】良好な周波数特性を得られる弾性表面波デバイスおよびその製造方法を提供すること。【解決手段】圧電体２２の一面に、弾性表面波を励起させる電極部２４が設けられた弾性表面波素子２０と、電極部２４との間に空間Ｓを形成するようにして、弾性表面波素子２０がフェイスダウン実装された基板と、空間Ｓを外部から封止して、電極部２４と基板との間に密閉空間を形成するようにした樹脂部４０とを備えた弾性表面波デバイスであって、弾性表面波素子２０は、一面から突出した凸状部５０を、電極部２４の周囲に有し、凸状部５０には、密閉空間と外部とを結ぶ連絡部５２が設けられている。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電体の一面に、弾性表面波を励起させる電極部が設けられた弾性表面波素子と、
前記電極部との間に空間を形成するようにして、前記弾性表面波素子がフェイスダウン実装された基板と、
前記空間を外部から封止して、前記電極部と前記基板との間に密閉空間を形成するようにした樹脂部と
を備えた圧電デバイスであって、
前記弾性表面波素子は、前記一面から突出した凸状部を、前記電極部の周囲に有し、
前記凸状部には、前記密閉空間と外部とを結ぶ連絡部が設けられている
ことを特徴とする弾性表面波デバイス。
【請求項２】
前記樹脂部はフィラーを含有しており、
前記連絡部は、前記フィラーが通り抜けることを妨げる形状となっている
ことを特徴とする請求項１に記載の弾性表面波デバイス。
【請求項３】
前記凸状部は、前記電極部を囲む枠状の一部が、前記電極部側と外側とをつなげるように切り欠かれて形成されており、この切り欠かれた部分が前記連絡部となっていることを特徴とする請求項１または２に記載の弾性表面波デバイス。
【請求項４】
前記連絡部の通路の幅が、前記フィラーの外形寸法値の平均よりも小さくなっていることを特徴とする請求項３に記載の弾性表面波デバイス。
【請求項５】
前記フィラーの形状は球状であり、前記連絡部の通路の幅が前記フィラーの粒径の平均よりも小さくなっていることを特徴とする請求項４に記載の弾性表面波デバイス。
【請求項６】
前記凸状部は、前記電極部を囲む枠状の一部の幅が、その他の部分の幅に比べて大きくされていることを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載の弾性表面波デバイス。
【請求項７】
圧電体の一面に、弾性表面波を励起させる電極部を有する弾性表面波素子を形成する工程と、
前記電極部との間に空間を形成するようにして、前記弾性表面波素子を基板にフェイスダウン実装するフェイスダウン実装工程と、
前記電極部と前記基板との間に形成された空間を、密閉空間とするように樹脂封止した樹脂封止工程と
を備えた弾性表面波デバイスの製造方法であって、
前記弾性表面波素子を形成する工程では、
前記一面から突出した凸状部を、前記電極部の周囲に形成するダム形成工程を有し、
このダム形成工程において、前記凸状部に、前記電極部を囲む枠状の一部を切り欠くようにして、前記電極部側と外側とを結ぶ連絡部を形成する
ことを特徴とする弾性表面波デバイスの製造方法。
【請求項８】
前記樹脂封止に用いる樹脂は球状フィラーを含有しており、
前記連絡部の通路の幅を、前記球状フィラーの平均粒径よりも小さく形成した
ことを特徴とする請求項７に記載の弾性表面波デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性表面波素子と基板との間に密閉空間を形成するように樹脂封止された弾性表面波デバイスおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
情報機器などの様々な電子部品には、弾性表面波デバイス（以下、「ＳＡＷデバイス」という）が広く使用されており、電子部品の小型化に伴って、ＳＡＷデバイスも小型化が要求されている。
図９は、この小型化を図った従来のＳＡＷデバイス１の縦断面図であり、所謂ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ  Ｓｉｚｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）技術を用いて形成されている。
すなわち、ＳＡＷデバイス１は、圧電体の一面にＩＤＴ（インターデジタルトランスデューサ）５が設けられた弾性表面波素子（以下、「ＳＡＷチップ」という）２と、実装端子と電気的に接続された端子パッド４を上面に有する基板３とを有している。
ＳＡＷチップ２は、基板３の端子パッド４と、フリップチップ接合されて電気的機械的に接続されており、ＩＤＴ５と基板３との間には、圧電体に表面波が伝搬できるように、空間Ｓが形成されるようになっている。そして、この空間Ｓは、樹脂６で外部から封止されている。
【０００３】
ここで、ＩＤＴ５と基板３との間の空間Ｓを樹脂６で封止する際、溶融樹脂が、その空間Ｓに流れ込むと、樹脂がＩＤＴ５の領域に付着して、所定の周波数特性を得ることができなくなる。そこで、ＳＡＷデバイス１では、ＩＤＴ５の周りに、ＩＤＴ５が設けられた一面から基板３側に突出する凸状部７を、例えばフォトリソグラフィ技術を用いて形成するようにしている。これにより、ＳＡＷチップ２の上から溶融樹脂を塗布する際、この凸状部７がダムとなって、空間Ｓに樹脂が侵入しないようになっている。
【０００４】
【特許文献１】特開平５−５５３０３号の公開公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところが、ダムとなる凸状部７を形成することで、却って、所望する周波数特性を得られない場合がある。例えば、フォトリソグラフィ技術を用いて凸状部７を形成する際、ダムを形成した後にレジストを洗浄しようとしても、凸状部７がダムとなって、その内側にレジストが残ってしまう場合がある。そして、このレジストの残渣は、ＩＤＴ５を腐食させる原因にもなる。また、１枚のウエハから複数のＳＡＷチップ２を取る際、ウエハのＩＤＴ形成面側にフォトレジストなどによる保護膜を塗布し、その後、ダイシングなどの手段によってウエハを切断してから、保護膜を除去することがあるが、この保護膜も残渣となってしまう場合がある。
【０００６】
本発明は、上述の課題を解決するためのものであり、良好な周波数特性を得られる弾性表面波デバイスおよびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上述の目的は、第１の発明によれば、圧電体の一面に、弾性表面波を励起させる電極部が設けられた弾性表面波素子と、前記電極部との間に空間を形成するようにして、前記弾性表面波素子がフェイスダウン実装された基板と、前記空間を外部から封止して、前記電極部と前記基板との間に密閉空間を形成するようにした樹脂部とを備えた圧電デバイスであって、前記弾性表面波素子は、前記一面から突出した凸状部を、前記電極部の周囲に有し、前記凸状部には、前記密閉空間と外部とを結ぶ連絡部が設けられている弾性表面波デバイスにより達成される。
【０００８】
第１の発明の構成によれば、弾性表面波素子は、電極部が設けられた一面から突出した凸状部を、電極部の周囲に有している。このため、弾性表面波素子を基板にフェイスダウン実装した後に樹脂を塗布する際、一面から突出した凸状部がダムとなって、樹脂が電極部側に侵入することを規制できる。
しかも、凸状部には、密閉空間と外部とを結ぶ連絡部が設けられている。したがって、凸状部より電極部側に不要物が存在しても、製造過程で洗浄するなどして、その不要物を連絡部から外部に排出することができる。
かくして、電極部周辺に対する不要物の付着を防止して、良好な周波数特性を得られる弾性表面波デバイスを提供することができる。
【０００９】
第２の発明は、第１の発明の構成において、前記樹脂部はフィラーを含有しており、前記連絡部は、前記フィラーが通り抜けることを妨げるような形状となっていることを特徴とする。
第２の発明の構成によれば、連絡部はフィラーが通り抜けることを妨げるような形状となっている。このため、樹脂部に含有されているフィラーは、連絡部を通って密閉空間に侵入することがなくなる。また、樹脂については、その粘度が高く、さらにフィラーが連絡部の一部或いは全部を塞ぐため、連絡部を通って密閉空間に侵入する恐れは低い。したがって、凸状部に密閉空間と外部とを結ぶ連絡部を設けたとしても、凸状部のダムとしての作用効果を阻害することを防止できる。
【００１０】
第３の発明は、第１または第２の発明の構成において、前記凸状部は、前記電極部を囲む枠状の一部が、前記電極部側と外側とをつなげるように切り欠かれて形成されており、この切り欠かれた部分が前記連絡部となっていることを特徴とする。
第３の発明の構成によれば、凸状部は、電極部を囲む枠状の一部が切り欠くように形成され、この切り欠かれた部分が連絡部となっている。したがって、凸状部を、例えばフォトリソグラフィ技術を用いて、電極部を囲む枠状の一部を切り欠くように形成すれば、連絡部も同時に形成することができ、連絡部の形成が容易となる。
【００１１】
第４の発明は、第３の発明の構成において、前記連絡部の通路の幅が、前記フィラーの外形寸法値の平均よりも小さくなっていることを特徴とする。
第４の発明の構成によれば、連絡部の通路の幅が、フィラーの外形寸法値の平均よりも小さくなっている。したがって、連絡部の通路の幅を小さくし過ぎることなく、フィラーの密閉空間側への侵入を防止できる。
【００１２】
第５の発明は、第４の発明の構成において、前記フィラーの形状は球状であり、前記連絡部の通路の幅が前記フィラーの粒径の平均よりも小さくなっていることを特徴とする。
第５の発明の構成によれば、フィラーの形状は球状であり、連絡部の通路の幅がフィラーの粒径の平均よりも小さくなっているため、フィラーの向きを問わずに、連絡部の一部あるいは全部を塞げることができる。
【００１３】
第６の発明は、第１ないし第５の発明のいずれかの構成において、  前記凸状部は、前記電極部を囲む枠状の一部の幅が、その他の部分の幅に比べて大きくされていることを特徴とする。
第６の発明の構成によれば、凸状部は、電極部を囲む枠状の一部の幅が、その他の部分の幅に比べて大きくされているため、この大きな幅を有する部分がリブとなって、連絡部を設けても、凸状部の強度を補強することができる。
【００１４】
また、上述の目的は、第７の発明によれば、圧電体の一面に、弾性表面波を励起させる電極部を有する弾性表面波素子を形成する工程と、前記電極部との間に空間を形成するようにして、前記弾性表面波素子を基板にフェイスダウン実装するフェイスダウン実装工程と、前記電極部と前記基板との間に形成された空間を、密閉空間とするように樹脂封止した樹脂封止工程とを備えた弾性表面波デバイスの製造方法であって、前記弾性表面波素子を形成する工程では、前記一面から突出した凸状部を、前記電極部の周囲に形成するダム形成工程を有し、このダム形成工程において、前記凸状部に、前記電極部を囲む枠状の一部を切り欠くようにして、前記電極部側と外側とを結ぶ連絡部を形成する弾性表面波デバイスの製造方法により達成される。
【００１５】
第７の発明の構成によれば、弾性表面波素子を形成する工程では、電極部が設けられた一面から突出した凸状部を、電極部の周囲に形成するダム形成工程を有している。このため、その後の樹脂封止工程で樹脂を塗布した場合であっても、凸状部がダムとなって、樹脂の電極部側への侵入を防止できる。
また、このダム形成工程において、凸状部に、電極部を囲む枠状の一部を切り欠くようにして、電極部側と外側とを結ぶ連絡部を形成する。したがって、凸状部より電極部側に不要物が存在しても、洗浄をするなどして、その不要物を連絡部から外部に排出することができる。また、この連絡部は、凸状部を形成する際に同時に形成することができるので、不要物を外部に排出する構成を形成するための製造工程を別途設ける必要もない。
かくして、良好な振動特性を得られる弾性表面波デバイスの製造方法を提供することができる。
【００１６】
第８の発明は、第７の発明の構成において、前記樹脂封止に用いる樹脂は球状フィラーを含有しており、前記連絡部の通路の幅を、前記球状フィラーの平均粒径よりも小さく形成したことを特徴とする。
第８の発明の構成によれば、樹脂封止に用いる樹脂は球状フィラーを含有しており、連絡部の通路の幅を、球状フィラーの平均粒径よりも小さく形成した。したがって、第２および第４の発明と同様の作用効果により、連絡部の機能および凸状部のダムとしての機能の双方を効果的に発揮させることができる。さらに、このフィラーは球状であるため、第５の発明と同様の作用効果により、フィラーの向きを問わずに、連絡部の一部あるいは全部を塞げることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
図１および図２は、本発明の実施形態に係る弾性表面波デバイス（以下、「ＳＡＷデバイス」という）１０を示しており、図１はその概略縦断面図、図２は図１のＡ−Ａ線の位置でＳＡＷデバイス１０を切断した場合の概略断面図である。
これらの図において、ＳＡＷデバイス１０は、弾性表面波素子（以下、「ＳＡＷチップ」という）２０と、このＳＡＷチップ２０が実装された基板３０とを備えている。
【００１８】
ＳＡＷチップ２０は、圧電体２２の主面である一面２２ａに、弾性表面波を励起させる電極部２４が設けられている。
圧電体２２は、圧電材料として、例えば水晶やＬｉＴａＯ３等の単結晶基板や、Ｓｉ基板へＺｎＯ成膜した基板等の多層膜基板等を使用することができる。本実施形態では、ＬｉＴａＯ３ウエハから矩形板状にカットされたものが用いられている。
【００１９】
電極部２４は、本実施形態の場合、複数のＩＤＴ（インターデジタルトランスデューサ）から構成されている（以下、「電極部２４」を「ＩＤＴ２４」という）。
複数のＩＤＴ２４，２４は、それぞれ一対の櫛歯電極から形成され、この櫛歯電極は、互いに平行に配置されたバスバー２５ａ，２５ｂの各々に、複数の電極指２６，２６，・・・が圧電体２２の長手方向に所定距離を隔てて配置されてすだれ状となっており、バスバー２５ａ側の電極指２６と、バスバー２５ｂ側の電極指２６とが、互い違いに入り込むように配置されている。これにより、弾性表面波が複数の電極指２６，２６，・・・が並ぶ方向に伝搬されることになる。
なお、バスバー２５ａ，２５ｂは、夫々その中央付近に幅の広い部分２７を有しており、この幅の広い部分２７が接続パッドとなって、後述する基板３０とバンプ４２を介して電気的に接続される。
【００２０】
また、このような複数のＩＤＴ２４，２４は、圧電体２２の周縁部にかからないように長手方向に並んで配置され、圧電体２２の表面に、アルミニウムやチタン等の導体金属を蒸着あるいはスパッタリング等により薄膜状に形成した上で、フォトリソグラフィ技術等により形成されている。
なお、本実施形態の電極部は、２つのＩＤＴ２４，２４からなっているが、本発明はこれに限られず、１つのＩＤＴ，或いは３つ以上のＩＤＴからなっても勿論とよく、或いは、ＩＤＴから伝搬してくる弾性表面波を反射して、弾性表面波のエネルギーを内部に閉じこめる機能を有する反射器を有しても勿論よい。
【００２１】
基板３０は、ＳＡＷチップ２０がフェイスダウン実装されて、上述したＩＤＴ２４に駆動電圧を供給する電極を有する。
具体的には、基板３０は、その主面の外形がＳＡＷチップ２０の主面の外形よりも大きくなるように矩形板状に形成されており、アルミナやガラスなどのセラミック等を用いたリジット基板あるいはフレキシル基板等を利用することができ、本実施形態の場合、アルミナセラミック基板が用いられている。
また、基板３０は、底面に実装端子３２を有し、この実装端子３２とビアホール３５を介して電気的に接続された端子パッド３４が上面に設けられている。この端子パッド３４が、ＩＤＴ２４に電圧を供給する電極となる。なお、実装端子３２と端子パッド３４とは、基板３０の表面を引き回された導電体を介して導通されてもよい。
【００２２】
そして、基板３０には、弾性表面波の伝搬を確保する空間Ｓが形成されるようにして、ＳＡＷチップ２０がフェイスダウン実装されている。
すなわち、ＳＡＷチップ２０のバスバー２５ａ，２５ｂの幅の広い部分２７にバンプ４２を接続し、このバンプ４２を端子パッド３４に接続して、ＳＡＷチップ２０を基板３０にフリップチップ接合している。バンプ４２はＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ半田やＡｕを用いることができ、熱圧着方式や超音波加圧方式で、基板３０に接合される。これにより、端子パッド３４を含む基板３０と、ＩＤＴ２４を含むＳＡＷチップ２０との間は、バンプ４２の高さ（本実施形態の場合、２２μｍ）分だけ離間して、空間Ｓが形成される。
【００２３】
そして、ＳＡＷデバイス１０は、この空間Ｓを外部から封止して、ＳＡＷチップ２０と基板３０との間に密閉空間を形成するように樹脂部４０が設けられている。
具体的には、樹脂部４０は、平面視においてＳＡＷチップ２０の四方より突出した基板３０の周縁部３０ａから、ＳＡＷチップ２０の側面にかけて付着して、ＳＡＷチップ２０のＩＤＴ２４が設けられた一面２２ａを外部から封止するようにしている。さらに、樹脂部４０は、ＳＡＷチップ２０の上面に付着し、基板３０と共同してＳＡＷチップ２０を外部から密封している。一方、ＳＡＷチップ２０のＩＤＴ２４が設けられた一面２２ａと、この一面２２ａが投影された基板３０の領域との間には、樹脂部４０は付着されない。
【００２４】
この樹脂部４０は、例えば、エポキシ系樹脂などの絶縁部材で形成された樹脂シートを用いて形成されており、例えば樹脂シートを一旦軟化温度まで加熱してから加圧変形させて、ＳＡＷチップ２０の一面２２ａを除く外面と基板３０の上面に付着させ、その後、硬化温度まで加熱して形状を固定させている。
さらに、樹脂部４０は、熱膨張係数の制御性、機械的強度、耐湿性を向上させるため、樹脂中に、球状シリカ等のフィラー４６が含有されている。本実施形態のフィラー４６は、その平均粒子径が１５μｍとされている。
【００２５】
ここで、ＳＡＷチップ２０は、ＩＤＴ２４が設けられた一面２２ａから突出した凸状部５０を、ＩＤＴ２４の周囲に有している。
凸状部５０は、上述した樹脂部４０を形成させる際に、樹脂がＳＡＷチップ２０と基板２０との間に入らないように規制するための手段であって、ＳＡＷチップ２０から基板３０側に向かって突出し、ＳＡＷチップ２０の周縁部（好ましくは、後述するダイシングを考慮して、縁よりも僅かに内側）にめぐらされている。
【００２６】
具体的には、凸状部５０は、製造過程におけるフリップチップ接合の際の加熱や樹脂封止の際の加熱に耐えられる融点を有するＡｌ、Ａｕ、Ａｇ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｔｉ，Ｃｒ等の金属又は合金から形成されており、本実施形態の場合、熱膨張係数などを考慮して、ＩＤＴ２４と同じ金属材料であるＡｌを採用している。
また、凸状部５０は、基板３０上に塗布したレジスト等に所定のパターンを形成した後、そのパターン内に蒸着やメッキ等をし、その後レジスト等を除去するリフトオフ方法を用いて形成されており、より好ましくは、凸状部５０を形成する際に不純物が付着しないようにするため、湿式成膜法ではなく、蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング等の乾式製膜法を用いるとよい。
なお、凸状部５０は、図１に示されるように、ＳＡＷチップ２０から基板３０に向かうにしたがって、その厚み幅W３（基板３０側に突出する高さＨと直行する方向）が小さくなるように傾斜している。
【００２７】
そして、この凸状部５０には、密閉空間Ｓと外部とを結ぶ連絡部５２が設けられている。連絡部５２は、凸状部５０よりＩＤＴ２４側にある不要物を、樹脂封止する前に洗浄して、凸状部５０より外側に排出するための通路である。
本実施形態の場合、凸状部５０がＩＤＴ２４を囲む枠状の一部を、ＩＤＴ２４と外側とをつなげるように切り欠いて形成されており、この切り欠かれた部分が連絡部５２となっている。なお、ここにいう「切り欠いて」「切り欠かれた」とは、凸状部を切り欠いたような形状（窪み）をいい、凸状部５０を実際に切断した形状をいうものではない。
この連絡部５２は、洗浄液体や不要物を通すことができる部位にあれば、凸状部５０のいずれの位置にあっても構わず、例えば図３（ａ）に示すように、四角枠の角部に設けるようにしてもよい。また、例えば図３（ｂ）（ｃ）に示すように、その数も任意に決めることができる。図２の連絡部５２の場合、凸状部５０を切り欠いても強度が極端に弱くならず、かつ、洗浄液体を外部に通し易くすることができるように、均等な間隔をもって、四角枠の各辺に一つずつ設けられている。
【００２８】
また、連絡部５２は、フィラー４６が通り抜けることを妨げる形状を有している。本実施形態の場合、連絡部５２は、その幅が小さくなり過ぎないように、少なくとも、その一部の幅が、樹脂部４０に含有されているフィラー４６の平均の外形寸法値より小さく形成されている。
これにより、製造過程において、洗浄液体および不要物の排出を可能にしながらも、樹脂の密閉空間Ｓ側への侵入を有効に防止している。すなわち、連絡部５２は、密閉空間Ｓと外部とを連通する通路の幅Ｗを、フィラー４６の平均粒子径と同じにすると、密閉空間Ｓへ樹脂が侵入するケースが見られ、フィラー４６の平均粒子径よりも大きくするに従って、密閉空間Ｓへ樹脂が侵入する量が多くなっていった。一方、フィラー４６が含有されているエポキシ系の樹脂などについては、その外形は連絡部５２の幅Ｗよりも小さいが、連絡部５２の幅Ｗをフィラー４６の平均粒子径より小さくすると、密閉空間Ｓへの樹脂の侵入を規制することができた。これは、図２の一点鎖線で囲った図に示されるように、フィラー４６が連絡部５２の一部を塞ぐと共に、樹脂の粘度が高いためであると考えられる。
【００２９】
なお、フィラー４６の形状は、フィラー４６の向きによらず連絡部５２の一部を塞げる点で、本実施形態のように球状であることが好ましいが、フレーク状であっても良い。フレーク状フィラーの場合、連絡部５２の幅Ｗは、フレーク状フィラーの長径よりも小さく、さらに望ましくはフレーク状フィラーの厚み寸法よりも小さくする。これにより、フレーク状フィラーであっても連絡部５２の一部を塞ぐことが可能となる。
【００３０】
また、連絡部５２は、密閉空間Ｓと外部とを連通する通路の幅Ｗが、密閉空間Ｓ側、中央部、外部側のいずれかの部分、或いは全ての部分について、フィラー４６の平均の外形寸法値より小さくすればよい。本実施形態の連絡部５２は、その幅Ｗがいずれの位置でも一定となるように形成され、球状フィラー４６の平均粒子径（直径）である１５μｍよりも小さくなっている。或いは、図２の右側の連絡部５２のように、その幅が密閉空間Ｓから外部に向かうに従って小さくなるように形成され、外部に臨んだ開口の幅Ｗ１が最も小さくなるようにして、洗浄液体又は不要物を外部に排出し易くしてもよい。
【００３１】
さらに、凸状部５０は、図１に示すように、基板３０の上面との間にギャップＧを有している。このギャップＧは、凸状部５０が基板３０に接触することで生ずるバンプ４２の破損などを防止するための隙間である。そして、この高さ方向における凸状部５０と基板３０との間隔であるギャップＧについても、樹脂部４０のフィラー４６の平均外形より小さくされており、これにより、上述した連絡部５２の幅Ｗと同様に、樹脂封止工程において、樹脂の密閉空間Ｓへの侵入を防止することができる。
なお、ギャップＧについては、連絡部５２の位置では、連絡部５２の幅Ｗ及び高さＨとギャップＧとが一緒になって、フィラー４６よりも大きな外形を有する空間が形成される恐れがあるため留意を有する。そこで、例えば、連絡部５２の位置と基板３０の上面の電極パターン（図示せず）の位置とを合わせるなどして、連絡部５２とギャップＧとで形成される空間がフィラー４６を通さない形状を有することが好ましい。
【００３２】
本実施形態のＳＡＷデバイス１０は以上のように構成されており、次に、このＳＡＷデバイス１０の製造方法について説明する。
図４はＳＡＷデバイス１０の製造工程である。また、図５（ａ）〜図６（ｆ）はＳＡＷチップを形成する工程の一部であって、図４のＳＴ１−１〜ＳＴ１−３の工程の説明図、図６（ｇ）は図４のＳＴ２の工程の説明図、図７は図４のＳＴ３の工程の説明図である。
これらの図に示されるように、ＳＡＷデバイスはＳＡＷチップ（弾性表面波素子）と基板とをそれぞれ別々に形成して用意しておき、これらを後で接続などする。
【００３３】
ここで、ＳＡＷチップを形成する工程（図４のＳＴ１−１〜ＳＴ１−６）では、図５（ａ）に示すように、複数のＳＡＷチップ２０，２０，・・・を形成することができる大きさを有する圧電材料からなるウエハ６０を用意し、その一面６０ａにＩＤＴ２４，２４，・・・を、製造するＳＡＷチップ２０に対応した分だけフォトリソグラフィ技術を用いて形成する（図４のＳＴ１−１：電極形成工程）。
【００３４】
次いで、図５（ａ）のＢ−Ｂ線の位置で切断した際の図５（ｂ）〜図５（ｄ）、及び図６（ｅ）に示すように、ウエハ６０の一面６０ａから突出した凸状部５０を、ＩＤＴ２４の周囲に形成する（図４のＳＴ１−２：ダム形成工程）。
具体的には、図５（ｂ）に示すように、感光性樹脂６２を、ＩＤＴ２４を覆うようにして、ＩＤＴ２４を形成した一面６０ａ全体に塗布する。そして、感光性樹脂６２の上であって、ＩＤＴ２４の周囲以外に、図示しないマスクを載置して、感光性樹脂６２を露光し、図５（ｃ）に示すように、ＩＤＴ２４の周囲の感光性樹脂６２を除去する。なお、感光性樹脂６２は、一面６０ａから離れるに従って除々に幅Ｗ５が狭くなるように除去することが好ましい。
この際、感光性樹脂６２を除去しようとするＩＤＴ２４の周囲の一部については、ＩＤＴ２４側のマスクと外側のマスクとを連結するようにマスクを配置して、ＩＤＴ２４の周囲の一部の感光性樹脂６２を除去しないようにする。
【００３５】
その後、図５（ｄ）に示すように、感光性樹脂６２を取り除いた部分に、蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング等の乾式製膜法により、Ａｌ等の金属材料６４を固着させる。この固着した金属材料６４が、既に説明した凸状部５０（図１参照）となる。
なお、金属材料６４は、蒸着等の際に感光性樹脂６２の上面にも付着するが、上述のように、感光性樹脂６２は一面６０ａから離れるに従って除々に幅Ｗ５が狭くなるように除去しているので、感光性樹脂６２の上面に蒸着等された金属材料６４と、ウエハ６０に蒸着等された金属材料６４とが連結されることを防ぐことができる。
【００３６】
その後、感光性樹脂６２、及びその上面に付着した金属材料６４を剥離する。そうすると、上述のように、ＩＤＴ２４の周囲の一部を感光させないようにマスクを配置して、その一部の感光性樹脂６２を除去しなかったので、図６（ｅ）に示すように、ＩＤＴ２４を囲む枠状の一部を、ＩＤＴ２４側と外側とを連通するように切り欠いた凸状部５０を形成することができる。そして、この切り欠いた部分が連絡部５２となる。
ここで、このダム形成工程（図４のＳＴ１−２）では、感光性樹脂等を除去しきれない恐れがあるため、凸状部５０を形成した後に液体洗浄を行う。そうすると、上述のように、凸状部５０にＩＤＴ２４側と外側とを結ぶ連絡部５２を形成したので、ＩＤＴ２４側にある不要物Ｆを、連絡部５２を介して外側に排出することができる。
【００３７】
次いで、図６（ｆ）に示すように、バスバーの幅の広い部分（接続パッド）に、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ半田やＡｕ等のバンプ４２を接合し（図４のＳＴ１−３：バンプ形成工程）、これらバンプ４２、ＩＤＴ２４、及び凸状部５０を覆うようにして、ウエハ６０の一面６０ａ全体に、保護膜（図示せず）を被せる（図４のＳＴ１−４：保護膜形成工程）。保護膜は、後の切断工程でＳＡＷチップの損傷等を防止するためのもので、例えば、ＩＤＴ２４を形成する場合に使用しているものと同一のフォトレジスト（感光性樹脂）を用いることができる。
【００３８】
そして、図６（ｆ）の切断線ＣＬ，ＣＬ，・・・（凸状部５０よりも僅かに外側の周囲）に沿ってダイシングをし、ＳＡＷチップを個片化してから（図４のＳＴ１−５：切断工程）、図示しない保護膜を剥離する（図４のＳＴ１−６：保護膜剥離工程）。ここで、保護膜を剥離する際、保護膜を除去しきれない恐れがあるため液体洗浄を行うが、上述のように、凸状部５０にＩＤＴ２４側と外側とを結ぶ連絡部５２を形成したので、ＩＤＴ２４側の保護膜の残渣（図示せず）を、連絡部５２を介して外側に排出することができる。
【００３９】
次いで、図６（ｇ）に示すように、ＩＤＴ２４との間に空間Ｓを形成するようにして、個片化した複数のＳＡＷチップ２０，・・・を、複数のＳＡＷチップ２０，・・・に対応した基板３０（図１参照）の母材となる母材基板３０Ａにフェイスダウン実装する（図４のＳＴ２：フェイスダウン実装工程）。
すなわち、既にＳＡＷチップ２０に接合してあるバンプ４２を母材基板３０Ａの端子パッド（図示せず）に、熱圧着方式や超音波加圧方式を用いて、フリップチップ接合する。この際、バンプ４２にＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ半田やＡｕを用いているが、凸状部５０にはバンプ４２よりも高い融点を有するＡｌ等を用いているので、フリップチップ接合の際の加熱が凸状部５０に悪影響を及ぼすことはない。
また、凸状部５０の先端と母材基板３０Ａとの間にはギャップＧが設けられているので、凸状部５０がフリップチップ接合に悪影響を与えることもない。
【００４０】
次いで、図７に示すように、ＩＤＴ（図示せず）と母材基板３０Ａとの間に形成された空間Ｓを、密閉空間とするように樹脂封止する（図４のＳＴ３：樹脂封止工程）。
具体的には、チャンバー６４内の高さ方向について、下からダイヤフラム６６、樹脂が軟化する前の板状の樹脂シート（図示せず）、母材基板３０Ａと接合されたＳＡＷチップ２０の順に並べて、樹脂シートを加熱して軟化状態にしてから、チャンバー６４内のダイヤフラム６６より下側（母材基板３０Ａの反対側）の空間Ｓ２を、上側（母材基板３０Ａ側）の空間Ｓ３と比較して、圧力が高くなるようにする（即ち、母材基板３０Ａ側に加圧する）。これにより、図７に示すように、ダイヤフラム６６が母材基板３０Ａ側に変形して、軟化した樹脂６８がＳＡＷチップ２０を覆うようにして母材基板３０Ａに付着する。その後、ダイヤフラム６６が母材基板３０Ａ側に変形して軟化した樹脂６８をプレスした状態のまま、樹脂６８が完全に硬化し終えるまで加熱する。
【００４１】
ここで、ＳＡＷチップ２０は、母材基板３０Ａ側に突出した凸状部５０を有するため、この凸状部５０がダムとなって、軟化した樹脂６８がＩＤＴと母材基板３０Ａとの間の空間Ｓ側に侵入することを防止できる。
さらに、この凸状部５０にはＩＤＴ側と外側とを結ぶ連絡部５２（図２参照）を形成したが、図２に示すように、連絡部５２は、フィラー４６が通り抜けることを妨げる形状となっているため、フィラー４６が連絡部５２を通ることを防止できる。本実施形態の場合、樹脂封止に用いる樹脂は球状フィラーを含有しており、連絡部５２の通路の幅を、球状フィラー４６の直径よりも小さく形成している。したがって、フィラー４６が連絡部５２の一部あるいは全てを塞ぎ、また、樹脂成分は粘度が高いため、エポキシ系等の樹脂成分の侵入も防止できる。
また、図７に示すように、凸状部５０の先端と母材基板３０Ａとの間隔であるギャップＧも、フィラーの平均の外形より小さく形成されているため、樹脂のＩＤＴ側の空間Ｓへの侵入を防止できる。
【００４２】
次いで、図７のチャンバー６４から製品を取り出して、固化した樹脂部や母材基板を切断して個片化し（図４のＳＴ４：個片化工程）、ＳＡＷデバイスを完成させる。
【００４３】
本発明の実施形態に係るＳＡＷデバイス１０は以上のように構成されており、図１に示すように、ＳＡＷチップ２０は、基板３０側に突出した凸状部５０をＩＤＴ２４の周囲に有しているため、樹脂封止工程（図４のＳＴ３）の際、凸状部５０がダムとなって、樹脂が密閉空間Ｓに侵入することを規制できる。しかも、凸状部５０には、図２に示すように、密閉空間Ｓと外部とを結ぶ連絡部５２が設けられているため、凸状部５０よりＩＤＴ２４側に不要物が存在しても、製造過程で洗浄するなどして、その不要物を連絡部５２から外部に排出することができる。
また、このような連絡部５２は、ＩＤＴ２４を囲む枠状の凸状部５０の一部を、ＩＤＴ２４側と外側とをつなげるように切り欠いて形成しているので、凸状部５０を形成する工程（図４のＳＴ１−２）で同時に形成でき、連絡部５２を形成する特別な工程を設ける必要はないため、容易に形成できる。
【００４４】
図８は、本発明の上述した実施形態の変形例に係るＳＡＷデバイス１２であって、図２に対応した概略断面図である。
図８において、図１ないし図７のＳＡＷデバイス１０と同一の符号を付した箇所は共通の構成であるから、重複する説明は省略し、以下、相違点を中心に説明する。
図８のＳＡＷデバイス１２は、図１ないし図７のＳＡＷデバイス１０と比べると、凸状部５０のみが異なっている。
【００４５】
すなわち、ＳＡＷデバイス１２の凸状部５０は、ＩＤＴ２４を囲む枠状の一部５４の幅Ｗ３が、その他の部分の幅W４に比べて大きくされている。
具体的には、ＩＤＴ２４を囲む凸状部５０の一部５４がＩＤＴ２４側に突出するようにして、その一部５４の幅W３が、その他の部分よりも大きく形成されている。
また、図８の場合、幅の大きな一部５４は、２つの切り欠かれた連絡部５２，５２に挟まれた凸状部５０に少なくとも一つ設けるようにしている。
なお、この幅の大きい一部５４は、このような態様に限られるものではなく、例えば、凸状部５０の四角枠状の角部５０ａの幅W５を、ＩＤＴ２４側の側面が角ではなく曲面になるように大きくするなど、その位置や形状を変更しても構わず、また、その数も弾性表面波に影響のない範囲で増減させてよい。
【００４６】
本発明の実施形態の変形例に係るＳＡＷデバイス１２は以上のように構成されており、凸状部５０の一部５４の幅W３がその他の部分の幅W４に比べて大きくされているため、連絡部５２を形成したとしても、凸状部５０の強度を向上することができる。特に、凸状部５０の一部５４はＩＤＴ２４側に突出しているので、樹脂封止工程（図４のＳＴ３）の際の加圧を付加しても、その付加された圧力に耐えられる凸状部５０を形成できる。したがって、樹脂封止工程での圧力の制御範囲の自由度を増すことができる。
【００４７】
本発明は上述の実施形態に限定されない。各実施形態や各変形例の各構成はこれらを適宜組み合わせたり、省略し、図示しない他の構成と組み合わせることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】本発明の実施形態に係る弾性表面波デバイスの概略縦断面図。
【図２】図１のＡ−Ａ線の位置で切断した場合の概略断面図。
【図３】図２の変形例に係る概略断面図。
【図４】本発明の実施形態に係る弾性表面波デバイスの製造工程。
【図５】図４の製造工程を説明するための図。
【図６】図４の製造工程を説明するための図。
【図７】図４の製造工程を説明するための図。
【図８】本発明の実施形態の変形例に係る弾性表面波デバイスであって、図２に対応した概略断面図。
【図９】小型化を図った従来のＳＡＷデバイスの縦断面図。
【符号の説明】
【００４９】
１０，１２・・・弾性表面波（ＳＡＷ）デバイス、２０・・・弾性表面波素子（ＳＡＷチップ）、２２・・・圧電体、３０・・・基板、４０・・・樹脂部、２４・・・電極部（ＩＤＴ）、５０・・・凸状部、５２・・・連絡部、４６・・・フィラー
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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