(57)【要約】【課題】非金属材料よりなる発熱体のマイクロ波による異常発熱や消耗の発生を防止して、長寿命化を図ることが可能な載置台構造を提供する。【解決手段】処理容器４内にて被処理体Ｗに対してマイクロ波を用いつつ所定の熱処理を施すために、非金属材料よりなる発熱体６２を有する加熱手段が埋め込まれると共に前記被処理体を載置する載置台８と、前記載置台を前記処理容器の底部より起立させて支持する支柱とを有する載置台構造において、前記載置台の上面に、前記マイクロ波に対するシールド部材６８を設けるように構成する。これにより、非金属材料よりなる発熱体のマイクロ波による異常発熱や消耗の発生を防止して、長寿命化を図る。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理容器内にて被処理体に対してマイクロ波を用いつつ所定の熱処理を施すために、非金属材料よりなる発熱体を有する加熱手段が埋め込まれると共に前記被処理体を載置する載置台と、
前記載置台を前記処理容器の底部より起立させて支持する支柱とを有する載置台構造において、
前記載置台の上面に、前記マイクロ波に対するシールド部材を設けるように構成したことを特徴とする載置台構造。
【請求項２】
前記シールド部材は、前記載置台の上面全面に設けられていることを特徴とする請求項１記載の載置台構造。
【請求項３】
前記シールド部材は、前記載置台の上面の前記被処理体を載置する載置領域を除いた全面に設けられることを特徴とする請求項１記載の載置台構造。
【請求項４】
前記載置台の側面に、前記マイクロ波に対するシールド部材が設けられることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の載置台構造。
【請求項５】
前記シールド部材は、半導体よりなることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の載置台構造。
【請求項６】
前記半導体は、Ｃ，Ｓｉ，ＧａＡｓ，ＧａＮ，ＳｉＣ，ＳｉＧｅ，ＩｎＮ，ＡｌＮ，ＺｎＯ，ＺｎＳｅよりなる群より選択される１の材料よりなることを特徴とする請求項５記載の載置台構造。
【請求項７】
前記シールド部材は、導体よりなることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の載置台構造。
【請求項８】
前記導体は、Ａｌ，Ａｌ合金、Ｎｉ，Ｎｉ合金，Ｔｉ、Ｔｉ合金，Ｗ，Ｗ合金及びこれらの各金属の化合物よりなる群より選択される１の材料よりなることを特徴とする請求項７記載の載置台構造。
【請求項９】
前記シールド部材の厚さは、０．０１ｍｍ〜５ｍｍの範囲内であることを特徴とする請求項１乃至８のいずれかに記載の載置台構造。
【請求項１０】
前記シールド部材の表面には、耐熱耐腐食性材料よりなる保護層が形成されていることを特徴とする請求項１乃至９のいずれかに記載の載置台構造。
【請求項１１】
被処理体に対して所定の熱処理を施すための処理装置において、
真空引き可能になされた処理容器と、
請求項１乃至１０のいずれかに記載された載置台構造と、
前記処理容器内へガスを導入するガス導入手段と、
前記処理容器内へマイクロ波を導入するマイクロ波導入手段と、
を備えたことを特徴とする被処理体の処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハ等の被処理体の処理装置及び載置台構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、半導体集積回路を製造するには、半導体ウエハ等の被処理体に、成膜処理、エッチング処理、熱処理、改質処理、結晶化処理等の各種の枚葉処理を繰り返し行なって、所望する集積回路を形成するようになっている。上記したような各種の処理を行なう場合には、その処理の種類に対応して必要な処理ガス、例えば成膜処理の場合には成膜ガスを、改質処理の場合にはオゾンガス等を、結晶化処理の場合にはＮ２ ガス等の不活性ガスやＯ２ ガス等をそれぞれ処理容器内へ導入するようになっている。
【０００３】
例えば半導体ウエハに対して１枚毎に熱処理を施す枚葉式の熱処理装置を例にとれば、真空引き可能になされた処理容器内に、例えばタングステンやモリブデン等の高融点金属よりなる抵抗加熱ヒータを内蔵した載置台を設置し、この上面に半導体ウエハを載置した状態で所定の処理ガスを流し、所定のプロセス条件下にてウエハに各種の熱処理を施すようになっている。
【０００４】
ところで、上記抵抗加熱ヒータは、一般的にはタングステンやモリブデン等の高融点金属材料よりなり、また上記載置台を構成する材料はＡｌＮ等のセラミック材よりなるが、これらの材料中に含まれる重金属等が高温時における熱拡散により処理容器内へ析出して、ウエハに対して金属汚染等のコンタミネーションを引き起こす恐れがあった。特に、ヒータを構成する上記高融点金属材料中から熱拡散する重金属汚染が大きく懸念されていた。
【０００５】
そこで、上記不都合を解消する対策として、特許文献１、２等に開示されているように、ヒータ材料として重金属汚染の恐れの少ないタングステンワイヤヒータ等のような非金属材料を用い、また載置台自体の材料として純度を高くすることができる石英（ガラス）を用いることが提案されており、これにより、金属汚染等の発生を十分に抑制できるようにしている。
【０００６】
【特許文献１】特開２００４−３５６６２４号公報
【特許文献２】特開２００５−１６７０８７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、上記した載置台構造は金属汚染等に対して有効であることから、マイクロ波を用いて発生したプラズマにより半導体ウエハを処理するプラズマ処理装置にも適用することが提案されている。
しかしながら、上記構造の載置台構造をマイクロ波が用いられたプラズマ処理装置に採用すると、処理容器内へ導入されたマイクロ波が、処理容器内の導体から半導体程度の抵抗値をもった非金属材料よりなるヒータにより吸収され、これによる局所的な異常発熱が発生して発熱自体が消耗し、短寿命化する、という問題があった。
【０００８】
本発明は、以上のような問題点に着目し、これを有効に解決すべく創案されたものである。本発明の目的は、非金属材料よりなる発熱体のマイクロ波による異常発熱や消耗の発生を防止して、長寿命化を図ることが可能な載置台構造及び処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
請求項１に係る発明は、処理容器内にて被処理体に対してマイクロ波を用いつつ所定の熱処理を施すために、非金属材料よりなる発熱体を有する加熱手段が埋め込まれると共に前記被処理体を載置する載置台と、前記載置台を前記処理容器の底部より起立させて支持する支柱とを有する載置台構造において、前記載置台の上面に、前記マイクロ波に対するシールド部材を設けるように構成したことを特徴とする載置台構造である。
【００１０】
このように、載置台の上面に、マイクロ波に対するシールド部材を設けるようにしたので、非金属材料よりなる発熱体のマイクロ波による異常発熱や消耗の発生を防止して、長寿命化を図ることができる。
【００１１】
この場合、例えば請求項２に記載したように、前記シールド部材は、前記載置台の上面全面に設けられている。
また例えば請求項３に記載したように、前記シールド部材は、前記載置台の上面の前記被処理体を載置する載置領域を除いた全面に設けられる。
また例えば請求項４に記載したように、前記載置台の側面に、前記マイクロ波に対するシールド部材が設けられる。
【００１２】
また例えば請求項５に記載したように、前記シールド部材は、半導体よりなる。
この場合、例えば請求項６に記載したように、前記半導体は、Ｃ，Ｓｉ，ＧａＡｓ，ＧａＮ，ＳｉＣ，ＳｉＧｅ，ＩｎＮ，ＡｌＮ，ＺｎＯ，ＺｎＳｅよりなる群より選択される１の材料よりなる。
また例えば請求項７に記載したように、前記シールド部材は、導体よりなる。
この場合、例えば請求項８に記載したように、前記半導体は、Ａｌ，Ａｌ合金、Ｎｉ，Ｎｉ合金，Ｔｉ、Ｔｉ合金，Ｗ，Ｗ合金及びこれらの各金属の化合物よりなる群より選択される１の材料よりなる。
また例えば請求項９に記載したように、前記シールド部材の厚さは、０．０１ｍｍ〜５ｍｍの範囲内である。
また例えば請求項１０に記載したように、前記シールド部材の表面には、耐熱耐腐食性材料よりなる保護層が形成されていることを特徴とする請求項１乃至９のいずれかに記載の載置台構造である。
【００１３】
請求項１１に係る発明は、被処理体に対して所定の熱処理を施すための処理装置において、真空引き可能になされた処理容器と、請求項１乃至１０のいずれかに記載された載置台構造と、前記処理容器内へガスを導入するガス導入手段と、前記処理容器内へマイクロ波を導入するマイクロ波導入手段と、を備えたことを特徴とする被処理体の処理装置である。
【発明の効果】
【００１４】
本発明に係る載置台構造及び処理装置によれば、次のように優れた作用効果を発揮することができる。
載置台の上面に、マイクロ波に対するシールド部材を設けるようにしたので、非金属材料よりなる発熱体のマイクロ波による異常発熱や消耗の発生を防止して、長寿命化を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下に、本発明に係る載置台構造及び処理装置の一実施例の形態について添付図面を参照して説明する。
図１は本発明に係る処理装置を示す構成図、図２は本発明に係る載置台構造の第１実施例を示す部分拡大断面図である。ここでは処理装置としてマイクロ波を用いたプラズマ処理装置を例にとって説明する。
【００１６】
図示するように、このプラズマ処理装置２は、例えば側壁や底部がアルミニウム等の導体により構成されて、全体が筒体状に成形された処理容器４を有しており、内部は密閉された処理空間Ｓとして構成されて、この処理空間Ｓにプラズマが形成される。この処理容器４自体は接地されている。
【００１７】
この処理容器４内には、上面に被処理体としての例えば半導体ウエハＷを載置するための本発明に係る載置台構造６が設けられる。この載置台構造６は、上記ウエハＷをその上に直接的に載置する載置台８と、この載置台８を容器底部から起立させて支持するための支柱１０とにより構成されており、詳細については後述する。
この処理容器４の側壁には、ウエハＷが通過できる大きさの開口１２が形成されており、この開口１２には容器内部に対してウエハを搬入・搬出する時に開閉するゲートバルブ１４が設けられている。また、容器底部には、排気口１６が設けられると共に、この排気口１６には、圧力制御弁１８及び真空ポンプ２０が順次介接された排気路２２が接続されており、必要に応じて処理容器４内を所定の圧力まで真空引きできるようになっている。
【００１８】
また処理容器４内の上部には、この処理容器４内へ必要なガスを導入するためのガス導入手段２４が設けられる。具体的には、このガス導入手段２４は、上記容器側壁を貫通させて設けたガスノズル２６を有しており、このガスノズル２６より必要なガスを流量制御しつつ供給できるようになっている。このノズル２６は用いるガス種に応じて複数本設けることができ、また、ノズル２６に替えて、例えば石英管等を組み合わせてなるシャワーヘッドを処理容器４内の上部に配置するようにしてもよい。
【００１９】
また、上記載置台８の下方には、ウエハＷの搬出入時にこれを昇降させる複数、例えば３本の昇降ピン２８（図１においては２本のみ記す）が設けられており、この昇降ピン２８は、伸縮可能なベローズ３０を介して容器底部を気密に貫通して設けた昇降ロッド３２により昇降される。また上記載置台８には、上記昇降ピン２８を挿通させるためのピン挿通孔３４が形成されている。
【００２０】
そして、上記処理容器４の天井部は開口されて、ここに母材として例えば石英板やＡｌ２ Ｏ３ 等のセラミック材よりなるマイクロ波に対しては透過性を有する天板３６がＯリング等のシール部材３８を介して気密に設けられる。この天板３６の厚さは耐圧性を考慮して例えば２０ｍｍ程度に設定される。
【００２１】
そして、上記天板３６の上面に上記処理容器４内でプラズマを立てるために天板３６を介してプラズマ発生用のマイクロ波を処理容器４の処理空間Ｓに導入するマイクロ波導入手段４０が設けられる。具体的には、このマイクロ波導入手段４０は、上記天板３６の上面に設けられた円板状の平面アンテナ部材４２を有しており、この平面アンテナ部材４２上に遅波材４４が設けられる。この遅波材４４は、マイクロ波の波長を短縮するために高誘電率特性を有しており、この遅波材４４は例えば窒化アルミ等よりなる。上記平面アンテナ部材４２は、上記遅波材４４の上方全面を覆う導電性の中空円筒状容器よりなる導波箱４６の底板として構成され、前記処理容器４内の上記載置台８に対向させて設けられる。この導波箱４６の上部には、これを冷却するために冷媒を流す冷却ジャケット４８が設けられる。
【００２２】
この導波箱４６及び平面アンテナ部材４２の周辺部は共に処理容器４に導通されると共に、この導波箱４６の上部の中心には、同軸導波管５０の外管５０Ａが接続され、この内側の内部導体５０Ｂは、上記遅波材４４の中心の貫通孔を通って上記平面アンテナ部材４２の中心部に接続される。そして、この同軸導波管５０は、モード変換器５２を介して矩形導波管５４に接続され、この矩形導波管５４は例えば２．４５ＧＨｚのマイクロ波発生器５６に接続されており、上記平面アンテナ部材４２へマイクロ波を伝搬するようになっている。
【００２３】
従って、上記マイクロ波発生器５６と平面アンテナ部材４２とは、矩形導波管５４と同軸導波管５０とにより接続されてマイクロ波を伝搬するようになっている。また上記矩形導波管５４の途中にはインピーダンス整合を図るマッチング回路５８が介設されている。ここで上記周波数は２．４５ＧＨｚに限定されず、他の周波数、例えば８．３５ＧＨｚを用いてもよい。
【００２４】
上記平面アンテナ部材４２は、大きさが３００ｍｍサイズのウエハ対応の場合には、例えば直径が４００〜５００ｍｍ、厚みが１〜数ｍｍの導電性材料よりなる、例えば表面が銀メッキされた銅板或いはアルミ板よりなり、この円板には、例えば長溝状の貫通孔よりなる多数のスロット６０が形成されている。このスロット６０の配置形態は、特に限定されず、例えば同心円状、渦巻状、或いは放射状に配置させてもよいし、アンテナ部材全面に均一になるように分布させてもよい。この平面アンテナ部材４２は、いわゆるＲＬＳＡ（Ｒａｄｉａｌ  Ｌｉｎｅ  Ｓｌｏｔ  Ａｎｔｅｎｎａ）方式のアンテナ構造となっており、これにより、高密度プラズマ及び低電子エネルギーの特徴が得られる。
【００２５】
そして、本発明の特徴とする載置台構造６にあっては、上述したように載置台８は容器底部より支柱１０により起立させて設けられている。そして、この載置台８内には、加熱手段として例えば非金属材料よりなる発熱体６２が、例えば埋め込むようにして設けられる。そして、この発熱体６２は上記支柱１０内を通る配線６４を介してヒータ電源６６に接続されている。尚、上記発熱体６２を例えば同心円状に複数のゾーンに分割し、ゾーン毎に個別に温度制御ができるようにしてもよい。上記非金属材料よりなる発熱体６２は、例えばカーボンワイヤヒータ等よりなり、ウエハＷに対する金属汚染を防止するために可能な限り重金属を含まない材料が用いられている。
【００２６】
また、上記載置台８や支柱１０は、ウエハに対する金属汚染を防止するために耐熱耐腐食性材料よりなり、具体的には、石英（ＳｉＯ２ ）、窒化アルミ（ＡｌＮ）、アルミナ（Ａｌ２ Ｏ３ ）等が用いられ、好ましくは石英が用いられる。例えば載置台８の材料として石英を用いる場合には、上記載置台８を上下に２分割して、間に上記発熱体６２を挟み込んで溶着等することにより、この発熱体６２を載置台８内に埋め込むことができる。
【００２７】
そして、図２にも示すように、この載置台８の上面に、マイクロ波に対してこれを遮断するシールド部材６８が設けられ、このシールド部材６８の上面側に耐熱耐腐食性材料よりなる保護層７０が設けられる。
上記シールド部材６８は、薄板状になされており、このシールド部材６８はここでは載置台８の上面全面にみならず、載置台８の側面全面にも設けられており、上記非金属材料よりなる発熱体６２がマイクロ波により損傷を受けないようになっている。
【００２８】
上記シールド部材６８は、半導体又は導体よりなる。この半導体としては、例えばＣ，Ｓｉ，ＧａＡｓ，ＧａＮ，ＳｉＣ，ＳｉＧｅ，ＩｎＮ，ＡｌＮ，ＺｎＯ，ＺｎＳｅよりなる群より選択される１の材料よりなり、熱伝導率が高くてマイクロ波に対する誘電損失が大きな材料を用いる。またこの導体としては、例えばＡｌ，Ａｌ合金、Ｎｉ，Ｎｉ合金，Ｔｉ、Ｔｉ合金，Ｗ，Ｗ合金及びこれらの各金属の化合物よりなる群より選択される１の材料よりなり、熱伝導率が高くてマイクロ波に対する誘電損失が大きな材料を用いる。
【００２９】
また、上記保護層７０は設けなくてもよいが、シールド部材６８の変質や消耗を防止したり、或いはシールド部材６８からのウエハの汚染を防止するためには上記保護層７０を設けるのが好ましい。この保護層７０としては、例えば石英、ＳｉＣ、ＳｉＮなどのセラミック等を用いることができる。そして、上記シールド部材６８の厚さは、上記マイクロ波に対する減衰効果を最も発揮させるためには、０．０１ｍｍ〜５ｍｍの範囲内であり、好ましくは０．５ｍｍ〜２ｍｍの範囲内である。また上記保護層７０の厚さは１〜３ｍｍ程度である。
【００３０】
そして、図１に戻って、以上のように構成されたプラズマ処理装置２の全体の動作は、例えばコンピュータ等よりなる制御手段７２により制御されるようになっており、この動作を行うコンピュータのプログラムはフレキシブルディスクやハードディスクやＣＤ（Ｃｏｍｐａｃｔ  Ｄｉｓｃ）やフラッシュメモリ等の記憶媒体７４に記憶されている。具体的には、この制御手段７２からの指令により、各ガスの供給や流量制御、マイクロ波の供給や電力制御、プロセス温度やプロセス圧力の制御等が行われる。
【００３１】
次に、以上のように構成されたプラズマ処理装置２を用いて行なわれる熱処理について説明する。
まず、開いたゲートバルブ１４を介して半導体ウエハＷを搬送アーム（図示せず）により処理容器４内に収容し、昇降ピン２８を上下動させることによりウエハＷを載置台構造６の載置台８の上面の載置面に載置する。このウエハＷは載置台８に設けた発熱体６２により所定のプロセス温度に維持され、図示しないガス源から所定のガス、例えば成膜処理ならば成膜ガスを、エッチング処理ならばエッチングガスをそれぞれ所定の流量でガス導入手段２４のガスノズル２６から処理容器４内の処理空間Ｓへ供給し、圧力制御弁１８を制御して処理容器４内を所定のプロセス圧力に維持する。
【００３２】
これと同時に、マイクロ波導入手段４０のマイクロ波発生器５６を駆動することにより、このマイクロ波発生器５６にて発生したマイクロ波を、矩形導波管５４及び同軸導波管５０を介して平面アンテナ部材４２に供給して処理空間Ｓに、遅波材４４によって波長が短くされたマイクロ波を導入し、これにより処理空間Ｓにプラズマを発生させて所定のプラズマを用いた処理、例えば成膜処理やエッチング処理等を行う。この時のマイクロ波発生器５６の投入電力は例えば７００〜４０００ワット程度の範囲である。
【００３３】
ここで平面アンテナ部材４２から天板３６を介して処理空間Ｓ内へ導入されたマイクロ波は載置台８にも到達し、この載置台８内に埋め込まれているカーボンワイヤ等の非金属材料よりなる発熱体６２に対して照射されて、この発熱体６２に局所的な異常発熱等を引き起こす恐れがあった。
【００３４】
しかしながら、本発明の載置台構造６にあっては、載置台８の上面に、例えばシリコン板やカーボン板等よりなるシールド部材６８を設けているので、載置台８に照射されたマイクロ波は上記シールド部材６８中で誘電損失として消費されてしまって遮断されることになる。従って、このシールド部材６８の下方に位置する発熱体６２まではマイクロ波が到達することはないので、上記発熱体６２に局所的な異常発熱等が引き起こされることを防止することができる。従って、この発熱体６２の長寿命化を図ることができる。
【００３５】
このように、載置台８の上面に、マイクロ波に対するシールド部材６８を設けるようにしたので、非金属材料よりなる発熱体６２のマイクロ波による異常発熱や消耗の発生を防止して、長寿命化を図ることができる。
【００３６】
また、処理容器４内には、図示されないが種々の金属部材が存在しているので処理容器４内へ導入されたマイクロ波は上記金属部材によりあらゆる方向に反射されている。特に、載置台８の周辺部には、アルミニウム合金製の整流板（図示せず）等が設けられているので、この整流板がマイクロ波を反射する。しかし、上述のように載置台８の側壁にもシールド部材６８を設けているので、この側方より反射してくるマイクロ波も遮断してこれが発熱体６２へ到達することを防止することができ、この発熱体６２がマイクロ波によりダメージを受けることを一層確実に防止することができる。
【００３７】
また、上記シールド部材６８は、保護層７０により覆われているので、このシールド部材６８がプラズマ（活性種を含む）によるアタックで変質したり、消耗したりすることを防止できるのみならず、このシールド部材６８からウエハＷが金属汚染等されることも防止することができる。
【００３８】
＜マイクロ波の遮断効果の評価＞
ここで上記シールド部材６８のマイクロ波の遮断効率について実験を行ったので、その評価結果について図３を参照して説明する。
図３はマイクロ波の遮断効果を透過率で示す図である。ここではシールド部材６８として厚さが２ｍｍのカーボン板とシリコン板とについて評価を行っており、それぞれにピン挿通孔３４を想定した”穴”のある場合と、”穴”のない場合についてマイクロ波の透過率を測定した。上記穴は直径が８ｍｍであり、３個設けている。また処理対象であるシリコン基板もシールド機能を有していることから、厚さが０．８ｍｍのシリコンウエハの遮断効果についても評価するためにマイクロ波の透過率の測定を行っている。またマイクロ波の電力は５００〜２０００ワットまで変化させている。
【００３９】
図３から明らかなように、シリコンウエハの場合には、マイクロ波の透過率は１２．５０〜１４．００％であって、シリコンウエハだけでもマイクロ波をある程度までは遮断することはできるが、遮断効率は十分ではないことが判る。
【００４０】
これに対して、厚さが２ｍｍのカーボン板に関して、”穴なし”の場合は１．０７〜４．２５％の範囲、”穴あり”の場合は１．００〜６．２０％の範囲であり、また厚さが２ｍｍのシリコン板に関して、”穴なし”の場合は１．１９〜２．１０％の範囲、”穴あり”の場合は０．６０〜２．５０％の範囲であり、共に、透過率は上記シリコンウエハの場合よりも遥かに小さく、マイクロ波を効果的に遮断できていることを確認することができた。
【００４１】
特に、カーボン板よりもシリコン板の方が全体的にマイクロ波の透過率は低く、シールド部材６８としては、シリコン板の方が有利であることを確認することができた。
【００４２】
＜載置台構造の変形例＞
次に、本発明に係る載置台構造の変形例について説明する。図４は本発明に係る載置台構造の変形例を示す部分拡大断面図である。
図４（Ａ）は第１変形例を示し、この第１変形例では、図２に示す構造から、載置台８の側壁部分のシールド部材６８及び保護層７０を共に省略した構造を示す。すなわち、載置台８の上面全面にシールド部材６８と保護層７０を設けている。この場合には、基本的には図２に示す構造の載置台と同様の作用効果を示す。ただし、載置台８の側壁部分からマイクロ波が僅かに発熱体６２に侵入するので、その分だけマイクロ波の遮断効果が劣化するが、載置台８の側壁部分のシールド部材６８と保護層７０とを省略した分だけ装置コストを削減することができる。
【００４３】
図４（Ｂ）は第２変形例を示し、この第２変形例では、図４（Ａ）に示す第１変形例の構造から、ウエハＷを載置するウエハ載置領域の部分のシールド層６８と保護層７０を共に省略している。すなわち、載置台８の上面のウエハＷの載置領域を除いた全面にシールド層６８と保護層７０とを設けている。ここでは、処理対象となる半導体ウエハＷにマイクロ波の遮断効果を一部依存している（図３のシリコンウエハを参照）。そして、ウエハＷの外側の周辺部からのマイクロ波の侵入を効果的に遮断している。
【００４４】
この場合には、基本的には図２に示す構造の載置台と同様の作用効果を示す。ただし、載置台８の側壁部分からマイクロ波が侵入し、また、シリコンウエハＷはウエハ載置領域に位置するシールド部材よりはマイクロ波の透過率は大きいので、その分だけマイクロ波の遮断効果が劣化するが、載置台８の側壁部分及びウエハ載置領域のシールド部材６８と保護層７０とを省略した分だけ装置コストを削減することができる。
【００４５】
図４（Ｃ）は第３変形例を示し、この第３変形例では図２に示す構造から、載置台８のウエハ載置領域の部分のシールド部材６８を省略している。すなわち、ウエハ載置領域には保護層７０だけが形成されて、シールド部材６８の厚さだけ凹部状に低くなっている。この場合にも、図４（Ｂ）に示す構造と同様に、処理対象となる半導体ウエハＷにマイクロ波の遮断効果を一部依存している（図３のシリコンウエハを参照）。そして、ウエハＷの外側の周辺部からのマイクロ波の侵入を効果的に遮断している。
【００４６】
この場合には、基本的には図２に示す構造の載置台と同様の作用効果を示す。ただし、シリコンウエハＷは、ウエハ載置領域に位置するシールド部材よりはマイクロ波の透過率は大きいので、その分だけマイクロ波の遮断効果が劣化するが、載置台８のウエハ載置領域のシールド部材６８を省略した分だけ装置コストを削減することができる。
【００４７】
図４（Ｄ）は第４変形例を示し、この第４変形例では図２に示す構造から、載置台８のウエハ載置領域の部分のシールド部材６８及び保護層７０を省略している。すなわち、ウエハ載置領域には、何ら形成されておらず、シールド部材６８と保護層７０の厚さだけ凹部状に低くなっている。この場合にも、図４（Ｂ）及び図４（Ｃ）に示す構造と同様に、処理対象となる半導体ウエハＷにマイクロ波の遮断効果を一部依存している（図３のシリコンウエハを参照）。そして、ウエハＷの外側の周辺部からのマイクロ波の侵入を効果的に遮断している。
【００４８】
この場合には、基本的には図２に示す構造の載置台と同様の作用効果を示す。ただし、シリコンウエハＷは、ウエハ載置領域に位置するシールド部材よりはマイクロ波の透過率は大きいので、その分だけマイクロ波の遮断効果が劣化するが、載置台８のウエハ載置領域のシールド部材６８及び保護層７０を省略した分だけ装置コストを削減することができる。
【００４９】
尚、ここではプラズマを用いた熱処理として成膜処理やエッチング処理を例にとって説明したが、これに限定されず、アッシング処理等のマイクロ波を用いた全ての処理に本発明を適用できのは勿論である。
また、ここでは被処理体として半導体ウエハを例にとって説明したが、これに限定されず、ガラス基板、ＬＣＤ基板、セラミック基板等にも本発明を適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明に係る処理装置を示す構成図である。
【図２】本発明に係る載置台構造の第１実施例を示す部分拡大断面図である。
【図３】マイクロ波の遮断効果を透過率で示す図である。
【図４】本発明に係る載置台構造の変形例を示す部分拡大断面図である。
【符号の説明】
【００５１】
２  プラズマ処理装置（処理装置）
４  処理容器
６  載置台構造
８  載置台
１０  支柱
２０  真空ポンプ
２４  ガス導入手段
２６  ガスノズル
３６  天板
４０  マイクロ波導入手段
４２  平面アンテナ部材
５６  マイクロ波発生器
６２  発熱体（加熱手段）
６６  ヒータ電源
６８  シールド部材
７０  保護層
７２  制御手段
７４  記憶媒体
Ｓ  処理空間
Ｗ  半導体ウエハ（被処理体）
【図１】
2008243844.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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