(57)【要約】      （修正有）【課題】配線や接続用端子の挟ピッチ化を図りながら各接続用端子の電気的信頼性を向上させることができる電気光学装置、その電気光学装置の製造方法及びその電気光学装置を用いた電子機器を提供すること。【解決手段】複数の出力用接続端子１６を複数の表示用薄膜トランジスターとしてのＴＦＴ１０のゲート電極２０及びソース電極２３と夫々同層で同じ金属からなる第１及び第２の金属層２７，２８が、少なくとも一部で平面的に重なるように形成することとした。従って、その重なり部分では第１の基材５ａからの高さが同じとなり、半導体ＩＣチップとしてのドライバーＩＣ１９のバンプ３５への電気的接続の信頼性を向上できる。【選択図】図６
2008015226.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の表示用領域に形成された第１の電極と、当該第１の電極の前記基板側と反対側に形成された第１の絶縁層と、前記第１の絶縁層の前記基板側と反対側に形成された第２の電極と、前記第２の電極の前記基板側と反対側に形成された第２の絶縁層とを有する複数の表示用薄膜トランジスターと、
前記基板の前記表示用領域から張り出した張出し部に配置され、前記第１の電極と同層で同じ金属よりなる第１の金属層と、前記第２の電極と同層で同じ金属よりなり前記第１の金属層と少なくとも一部で平面的に重なる第２の金属層と、少なくとも前記第１の金属層と第２の金属層との間にも形成された前記第１の絶縁層とを有する複数の接続用端子と
を具備し、
前記第１の金属層が前記第１の電極に電気的に接続され、または、前記第２の金属層が前記第２の電極に電気的に接続されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記複数の接続用端子は、前記第２の金属層の前記基板側と反対側に透明電極を有し、
前記透明電極は、少なくとも前記第１及び第２の金属層のいずれかと電気的に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記複数の接続用端子は、前記第１の絶縁層から露出する前記第１の金属層と前記第２の金属層とを前記透明電極で電気的に接続するコンタクト部を有すること特徴とする請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記コンタクト部は、前記第１の金属層が露出する第一の開口領域と、前記第１の金属層および前記第１の絶縁層の上に形成された前記第２の金属層が露出する第二の開口領域とを有する開口部を有し、
前記透明電極は、前記開口部を覆うように形成されていることを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記コンタクト部は、前記接続用端子の長手方向の少なくとも一方の端部に有することを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記端部は、前記第１及び第２の金属層のいずれかの引き出し方向側の端部であることを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記張出し部に実装され、その実装面に複数の出力用バンプを有する半導体ＩＣチップを更に具備し、
前記出力用バンプの前記透明電極側面の少なくとも一部は、前記第１の金属層と前記第２の金属層とが平面的に重なる前記透明電極の領域に接していることを特徴とする請求項２から請求項６のうちのいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記第１の金属層と前記第２の金属層とが平面的に重なる面積は、前記コンタクト部の前記平面に平行な面積より大きいことを特徴とする請求項３から請求項７のうちのいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項９】
前記重なる面積は、前記バンプの前記透明電極側面の面積の半分以上であることを特徴とする請求項８に記載の電気光学装置。
【請求項１０】
基板を備えた電気光学装置の製造方法において、
前記基板の表示用領域に形成される第１の電極と当該第１の電極の前記基板側と反対側に形成される第１の絶縁層と前記第１の絶縁層の前記基板側と反対側に形成される第２の電極と前記第２の電極の前記基板側と反対側に形成される第２の絶縁層とを有する複数の表示用薄膜トランジスターと、前記基板の前記表示用領域から張り出した張出し部に配置され、前記第１の電極と同層で同じ金属よりなる第１の金属層と前記第２の電極と同層で同じ金属よりなり前記第１の金属層と少なくとも一部で平面的に重なる第２の金属層と少なくとも前記第１の金属層と第２の金属層との間にも形成される前記第１の絶縁層とを有する複数の接続用端子とを形成する形成工程と、
前記張出し部に、前記複数の接続用端子と電気的に接続する複数の出力用バンプを有する半導体ＩＣチップを実装する実装工程と
を具備することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１１】
前記形成工程は、パターン形成された前記第２の金属層を露光マスクとして用い前記第１の絶縁層を前記第２の絶縁層と同時に露光、現像及びエッチングすることにより前記接続用端子を形成することを特徴とする請求項１０に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１から請求項９のうちのいずれか一項に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パーソナルコンピュータや携帯電話機等に用いられる電気光学装置、その電気光学装置の製造方法及びその電気光学装置を用いた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、パーソナルコンピュータや携帯電話機等の電子機器の表示装置として液晶装置等の電気光学装置があり、その液晶装置等に半導体ＩＣチップが例えばフリップチップの実装方式により実装されている。
【０００３】
一方、近年パーソナルコンピュータや携帯電話機等の電子機器もより小型化、高性能化が求められており、基板上の端子を含む配線の相互間距離をより小さくすること、すなわち狭ピッチ化が求められている。
【０００４】
そこで、側縁部に沿って複数の入力端子及び複数の出力端子を配列した液晶表示素子基板と、一面に複数の入力バンプ及び複数の出力バンプを配列したドライバー集積回路とを備え、対応する複数の入力端子及び複数の出力端子と複数の入力バンプ及び複数の出力バンプとを異方性導電フィルムを介して接着し、ドライバー集積回路を液晶表示素子基板上にフリップチップ実装しているものであって、複数の出力バンプは、配列幅方向に細長い三角形状、五角形状、台形状のいずれかのもので、一つ置きに出力第１バンプ列または出力第２バンプ列を構成するように千鳥状に配置されるとともに、出力第２バンプ列の各出力第２バンプの少なくとも一部が出力第１バンプ列の各出力第１バンプ間に入り込むように配置され、複数の端子は、少なくとも一部が対応する各複数のバンプの形状に相似形状に構成することが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開２０００−３４７２０６号公報（段落[００２０]、図１）。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上述した特許文献１の提案によりドライバー集積回路（半導体ＩＣチップ）の寸法をある程度小型化させるとともに、隣接する出力バンプ間隔の電気的短絡の発生を防止することが可能となった。しかし、表示用半導体素子として薄膜トランジスターを用いる場合にその構造上の理由から基板側に設けられた接続用端子がゲート電極側とソース電極側とで基板からの高さに違いが生じ、その違いにより特にゲート電極側の接続用端子と出力バンプとの電気的信頼性を改善できないという問題が残る。
【０００６】
また、例えば電気的信頼性を改善するためにゲート電極からの配線からソース電極と同層で同じ金属に乗せ替えて接続用端子での高さをソース電極側とゲート電極側とで同じにすることで上述の問題を解消することも考えられる。しかし、そのような乗り替えを用いると、更なる配線や接続用端子の挟ピッチ化が求められ全体の抵抗を小さくすることが必要であるにもかかわらず、抵抗を増やすこととなるという問題が生じる。また、当該乗り替えを設けると配列幅方向に大きくなりドライバー集積回路（半導体ＩＣチップ）の小型化が図れないという問題も生じる。
【０００７】
本発明は、上述の課題に鑑みてなされるもので、配線や接続用端子の挟ピッチ化を図りながら各接続用端子の電気的信頼性を向上させることができる電気光学装置、その電気光学装置の製造方法及びその電気光学装置を用いた電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために、本発明の主たる観点に係る電気光学装置は、基板と、前記基板の表示用領域に形成された第１の電極と、当該第１の電極の前記基板側と反対側に形成された第１の絶縁層と、前記第１の絶縁層の前記基板側と反対側に形成された第２の電極と、前記第２の電極の前記基板側と反対側に形成された第２の絶縁層とを有する複数の表示用薄膜トランジスターと、前記基板の前記表示用領域から張り出した張出し部に配置され、前記第１の電極と同層で同じ金属よりなる第１の金属層と、前記第２の電極と同層で同じ金属よりなり前記第１の金属層と少なくとも一部で平面的に重なる第２の金属層と、少なくとも前記第１の金属層と第２の金属層との間にも形成された前記第１の絶縁層とを有する複数の接続用端子とを具備し、前記第１の金属層が前記第１の電極に電気的に接続され、または、前記第２の金属層が前記第２の電極に電気的に接続されていることを特徴とする。ここで、「基板」とは例えばガラス基板等のことであり、「表示用薄膜トランジスター」とは、例えばα−ＳｉＴＦＴ（アモルファスシリコンＴｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）であるがこれに限られるものではなく、例えばＰｏｌｙ−ＳｉＴＦＴ等であってもよい。また、「半導体ＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）チップ」とは、例えば液晶駆動用ドライバー等をいう。
【０００９】
本発明は、複数の接続用端子を複数の表示用薄膜トランジスターの第１及び第２の電極と夫々同層で同じ金属からなる第１及び第２の金属層が、少なくとも一部で平面的に重なるように形成することとしたので、その重なり部分では基板からの高さが同じとなり、半導体ＩＣチップのバンプへの電気的接続の信頼性を向上できる。
【００１０】
例えば従来は、ＴＦＴのゲート電極に電気的に接続された出力用接続用端子はソース電極に電気的に接続された出力用接続端子より基板からの高さが低く、半導体ＩＣチップのバンプへの電気的接続が必ずしも十分でないということが生じ得た。しかし、本発明のように第１及び第２の金属層が平面的に重なるようにしたので、半導体ＩＣチップのバンプとの接続面で基板からの高さをゲート電極とソース電極とで同じにできることとなる。
【００１１】
また、接続用端子自体で第１及び第２の金属層を重ねるので、従来のような乗り替えを別途設ける必要がなくなり、配線を含めて低抵抗化できると共に、半導体ＩＣチップの小型化がより図れる。
【００１２】
本発明の一の形態によれば、前記複数の接続用端子は、前記第２の金属層の前記基板側と反対側に透明電極を有し、前記透明電極は、少なくとも前記第１及び第２の金属層のいずれかと電気的に接続されていることを特徴とする。これにより、下層の第１の金属層も容易に最外層となる透明電極と電気的に接続可能となり、例えばゲート電極用の接続用端子もソース電極用の接続用端子もいずれも基板からの高さが同じとなる透明電極により半導体ＩＣチップのバンプへの電気的接続ができる。これにより複数の接続用端子の電気的信頼性を確保可能となる。
【００１３】
また、最外層となる透明電極には第２の金属層だけを電気的に接続することも可能となり、かかる場合は第１の金属層を完全に第１の絶縁層で覆ったままでよく、第１の絶縁層に開口領域などを設けることも不要となるので、製造工程を簡略化できコストを低減できる。
【００１４】
本発明の一の形態によれば、前記複数の接続用端子は、前記第１の絶縁層から露出する前記第１の金属層と前記第２の金属層とを前記透明電極で電気的に接続するコンタクト部を有すること特徴とする。これにより、最外層となる透明電極と第１の金属層とが容易に電気的に接続されるので例えばゲート電極に電気的に接続された接続用端子の最外層とソース電極に電気的に接続された接続用端子の最外層との基板からの高さを容易に、同じにできる。これにより複数の接続用端子の電気的信頼性を確保可能となる。
【００１５】
本発明の一の形態によれば、前記コンタクト部は、前記第１の金属層が露出する第一の開口領域と、前記第１の金属層および前記第１の絶縁層の上に形成された前記第２の金属層が露出する第二の開口領域とを有する開口部を有し、前記透明電極は、前記開口部を覆うように形成されていることを特徴とする。これにより、透明電極により第１及び第２の開口領域を介して第１の金属層と第２の金属層とを効率よく電気的に接続できる。
【００１６】
また、例えば第１及び第２の開口領域を重ねることにより第１の金属層と第２の金属層とを透明電極により最短距離で電気的に接続でき、低抵抗化を測ることが可能となる。
【００１７】
本発明の一の形態によれば、前記コンタクト部は、前記接続用端子の長手方向の少なくとも一方の端部に有することを特徴とする。これにより、コンタクト部を比較的配置に余裕のある接続用端子の長手方向端部に設けることで、例えば複数の接続用端子の配列方向幅を小さくすることができ、更なる接続用端子の挟ピッチ化が可能となる。
【００１８】
また、長手方向の両端部にコンタクト部を設けることで第１の金属と透明電極との接触面積を増やすことが可能となり、より接続信頼性を向上できる。
【００１９】
更に両端部にコンタクト部を設けることにより、一方の電気的接続が不良となっても残りの端部で電気的接続を図ることが可能となり、接続信頼性を更に向上できる。
【００２０】
本発明の一の形態によれば、前記端部は、前記第１及び第２の金属層のいずれかの引き出し方向側の端部であることを特徴とする。これにより、第１の金属の最も引き出し側に近い所で第２の金属や透明電極と電気的に接続でき、例えば半導体ＩＣチップの複数のバンプへの電気的接続における全体的抵抗を小さくすることが可能となり、より電気的信頼性を向上できる。
【００２１】
本発明の一の形態によれば、前記張出し部に実装され、その実装面に複数の出力用バンプを有する半導体ＩＣチップを更に具備し、前記出力用バンプの前記透明電極側面の少なくとも一部は、前記第１の金属層と前記第２の金属層とが平面的に重なる前記透明電極の領域に接していることを特徴とする。これにより、複数のバンプに接触する接続用端子側の基板からの高さを比較的高い第２の金属層側に揃えることができ、出力用バンプとの電気的信頼性を向上できる。また、従来のようにゲート電極用配線からの乗り替えを設ける必要がなく、接続用端子や配線の挟ピッチ化に対応させながらより電気光学装置の小型化を図ることができる。
【００２２】
本発明の一の形態によれば、前記第１の金属層と前記第２の金属層とが平面的に重なる面積は、前記コンタクト部の前記平面に平行な面積より大きいことを特徴とする。これにより、第１の金属層と第２の金属層とが平面的に重なる領域を増やし電気的接続の信頼性をより向上させながら、接続用端子全体の大きさを更に小型化できる。
【００２３】
本発明の一の形態によれば、前記重なる面積は、前記バンプの前記透明電極側面の面積の半分以上であることを特徴とする。これにより、第１の金属層と第２の金属層とが平面的に重なる部分に半導体ＩＣチップのバンプをできるだけ配置することができ、電気的接続の信頼性を確実に確保しながら、接続用端子全体の大きさを更に小型化できる。
【００２４】
本発明の他の観点に係る電気光学装置の製造方法は、基板を備えた電気光学装置の製造方法において、前記基板の表示用領域に形成される第１の電極と当該第１の電極の前記基板側と反対側に形成される第１の絶縁層と前記第１の絶縁層の前記基板側と反対側に形成される第２の電極と前記第２の電極の前記基板側と反対側に形成される第２の絶縁層とを有する複数の表示用薄膜トランジスターと、前記基板の前記表示用領域から張り出した張出し部に配置され、前記第１の電極と同層で同じ金属よりなる第１の金属層と前記第２の電極と同層で同じ金属よりなり前記第１の金属層と少なくとも一部で平面的に重なる第２の金属層と少なくとも前記第１の金属層と第２の金属層との間にも形成される前記第１の絶縁層とを有する複数の接続用端子とを形成する形成工程と、前記張出し部に、前記複数の接続用端子と電気的に接続する複数の出力用バンプを有する半導体ＩＣチップを実装する実装工程とを具備することを特徴とする。
【００２５】
本発明は、複数の接続用端子を複数の表示用薄膜トランジスターの第１及び第２の電極と夫々同層で同じ金属からなる第１及び第２の金属層が、少なくとも一部で平面的に重なるように形成することとしたので、その重なり部分では基板からの高さが同じとなり、半導体ＩＣチップのバンプへの電気的接続の信頼性を向上できる電気光学装置を容易に製造できる。
【００２６】
また、接続用端子自体で第１及び第２の金属層を重ねるので、従来のような乗り替えを別途設ける必要がなくなり、配線を含めて低抵抗化できると共に、半導体ＩＣチップの小型化がより図れる電気光学装置を製造できる。
【００２７】
本発明の一の形態によれば、前記形成工程は、パターン形成された前記第２の金属層を露光マスクとして用い前記第１の絶縁層を前記第２の絶縁層と同時に露光、現像及びエッチングすることにより前記接続用端子を形成することを特徴とする。これにより、製造工程を少なくすることができ製造コストを低減できる。例えば第２の金属層に開口をパターン形成しておくことにより、その上に積層された第２の絶縁層を露光現像等するときに、同時に第１の絶縁層にも第２の金属層の第２の開口領域に重なる第１の開口領域を形成することができる。その際、第２の金属層をマスクとして利用でき、正確な露光現像等が可能なことは勿論、更なるコストの軽減を図ることができる。
【００２８】
本発明の他の観点に係る電子機器は、上述の電気光学装置を備えることを特徴とする。
【００２９】
本発明は、配線や接続用端子の挟ピッチ化を図りながら各接続用端子の電気的信頼性を向上させることができる電気光学装置を備えたので、電子機器全体の信頼性を確保しながら更なる電子機器の小型化を低コストに提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
以下、本発明の実施形態を図面に基づき説明する。なお、以下実施形態を説明するにあたっては、電気光学装置の例としてＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｎｓｉｓｔｏｒ）アクティブマトリックス型の液晶装置、またその液晶装置を用いた電子機器について説明するが、これに限られるものではない。また、以下の図面においては各構成をわかりやすくするために、実際の構造と各構造における縮尺や数等が異なっている。
【００３１】
（第１の実施形態）
【００３２】
図１は本発明の第１の実施形態に係る液晶装置の概略斜視図、図２は図１におけるＡ−Ａ線断面図（液晶駆動用ドライバーは切断していない。）、図３はＴＦＴの概略断面図、図４は基板の張出し部の部分平面図、図５はゲート出力用接続端子の平面図、図６は図５のＤ−Ｄ線断面図、図７は図５のＥ−Ｅ線断面図、図８はソース出力用接続端子の平面図及び図９は図８のＪ−Ｊ線断面図である。
【００３３】
（液晶装置の構成）
【００３４】
液晶装置１は、例えば図１に示すように液晶パネル２、当該液晶パネル２に電気的に接続されたフレキシブル基板３等を有する。ここで、液晶装置１には、フレキシブル基板３の他にも、バックライト等の照明装置やその他の付帯機構が必要に応じて付設される（図示しない）。
【００３５】
液晶パネル２は、図２に示すようにシール材４を介して貼り合わされた第１の基板５及び第２の基板６及び両基板の間隙に封入されたＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）型の液晶７等を有する。
【００３６】
第１及び第２の基板５，６は、夫々例えばガラスといった透光性を有する板状部材からなる第１及び第２の基材５ａ，６ａを有し、図２に示すように第１及び第２の基材５ａ，６ａの外側（液晶とは反対側）には、入射光を偏光させるための偏光板８，９が夫々貼着されている。
【００３７】
また、第１の基板５は例えば図１、図２及び図３に示すように複数の表示用薄膜トランジスターとしてのＴＦＴ１０、複数のゲート配線１１、第１の絶縁層１２、複数のソース配線１３、第２の絶縁層１４、複数の画素電極１５、複数の接続用端子としての出力用接続端子１６及び入力用接続端子１７、入力用配線１８及び液晶駆動用のドライバーＩＣ１９等を有する。
【００３８】
具体的には、ＴＦＴ１０は図１に示すようにゲート配線１１とソース配線１３との交差付近に設けられており、図３に示すように第１の電極としてのゲート電極２０、第１の絶縁層１２、半導体層２１、コンタクト層２２、第２の電極としてのソース電極２３、ドレイン電極２４及び第２の絶縁層１４を有する。
【００３９】
例えばＴＦＴ１０は、第１の基板５の表示領域Ｂ（図２に示すＢ）の内側（液晶側）に形成されたゲート電極２０と、そのゲート電極２０の第１の基材５ａと反対側（液晶側）に当該ゲート電極２０を覆うように形成された第１の絶縁層１２とを有する。
【００４０】
また、ＴＦＴ１０は当該第１の絶縁層１２を挟んでゲート電極２０の上方位置に形成された半導体層２１を有する。更に第１の絶縁層１２の第１の基材側と反対側に、当該半導体層２１の一方側にコンタクト層２２を介してソース電極２３を有する。
【００４１】
更にＴＦＴ１０は、当該半導体層２１の他方側にコンタクト層２２を介してドレイン電極２４を有し、当該ドレイン電極２４やソース電極２３を覆うようにそれらの第１の基材側と反対側に第２の絶縁層１４を有する。
【００４２】
次に、ゲート配線１１は第１の基材５ａの内側（液晶側）に図１、図２及び図３に示すようにＸ軸方向に複数並行して形成されており、各ゲート配線１１の一端はＴＦＴ１０のゲート電極２０に、他端は後述する張出し部に延在され出力用接続端子１６に夫々電気的に接続されている。
【００４３】
また、第１の絶縁層１２は上述するようにゲート電極２０を覆い、更に後述する第１の開口領域等を除き第１の基材５ａの略全面に形成されている。
【００４４】
ソース配線１３は、第１の絶縁層１２の内側（液晶側）に図１、図２及び図３に示すようにゲート配線と交差するようにＹ軸方向に複数並行して形成されており、各ソース配線１３の一端はＴＦＴ１０のソース電極２３に、他端は後述する張出し部に延在され出力用接続端子１６に夫々電気的に接続されている。
【００４５】
第２の絶縁層１４は、上述するようにソース電極２３やドレイン電極２４を覆い、更に後述する第１及び第２の開口領域や露出部等を除き第１の基板の略全面に形成されている。
【００４６】
また、画素電極１５は例えば図３に示すように第２の絶縁層１４の内側（液晶側）で互いに交差するゲート配線１１とソース配線１３とによって区画される矩形領域（画素領域）のうち、ＴＦＴ１０に対応する部分を除いた領域を覆うように構成され、例えばＩＴＯ（酸化インジウムスズ）等の透明電極により形成されている。更に当該画素電極１５は、例えば図３に示すようにドレイン電極２４に電気的に接続されている。
【００４７】
これにより、ゲート電極２０及びソース電極２３はゲート電極２０に電圧を印加したときにソース電極２３から画素電極１５に、またはその逆に電流が流れるようになる。ここで、ソース電極２３は画素電極１５にデータ信号を印加し、画素電極１５は後述する共通電極とでその間に挟まれた液晶７に電圧を印加するものである。
【００４８】
更に画素電極１５の内側（液晶側）には、配向膜２５が形成されている。
【００４９】
尚、ゲート配線１１とゲート電極２０とは例えばクロム、タンタル等によって形成され、第１の絶縁層１２は例えば窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）等によって形成される。また、ソース配線１３とソース電極２３及びドレイン電極２４は、例えばチタン、モリブデン、アルミニウム等によって形成されている。
【００５０】
次に、出力用接続端子１６、入力用接続端子１７、入力用配線１８及び液晶駆動用のドライバーＩＣ１９等は、例えば図１及び図２に示すように第２の基材６ａの外周縁から張出した張出し部２６に設けられている。
【００５１】
ここで、出力用接続端子１６及び入力用接続端子１７は例えば図４に示すようにドライバーＩＣの実装面に対応する領域内（実装領域Ｃ）に夫々並設されている。また、入力用接続端子１７は入力用配線１８に電気的に接続され、出力用接続端子１６はゲート配線１１に電気的に接続されたゲート出力用接続端子１６ａとソース配線１３に電気的に接続されたソース出力用接続端子１６ｂとを有する。
【００５２】
例えば図４に示すようにゲート出力用接続端子１６ａとソース出力用接続端子１６ｂとは、長方形の実装領域Ｃの表示領域側長辺に沿うように交互に一列となるように並設されている。勿論、出力用接続端子１６及び入力用接続端子１７の配列の仕方は図４に限られるものではなく、例えば出力用接続端子１６を千鳥配列にしてもよく、更に長方形の実装領域Ｃの長辺だけでなく短辺の縁に沿って図中縦方向（図４中のＹ軸方向）に並設してもよい。また、ゲート出力用接続端子１６ａとソース出力用接続端子１６ｂとを交互に配置しなくてもよく、夫々の領域に区分にして配置してもよい。
【００５３】
ゲート出力用接続端子及びソース出力用接続端子１６ａ、１６ｂは、例えば図５乃至図９に示すようにゲート電極２０と同層で同じ金属よりなる第１の金属層２７（２７ａ，２７ｂ）、ソース電極２３と同層で同じ金属からなる第２の金属層２８（２８ａ，２８ｂ）を有する。
【００５４】
更にゲート出力用接続端子及びソース出力用接続端子１６ａ、１６ｂは、一部が第１の金属層２７と第２の金属層２８との間に形成された第１の絶縁層１２、第２の金属層２８の一部を覆う第２の絶縁層１４及び第１及び第２の金属層２７，２８を電気的に接続する透明電極２９を有する。また、当該ゲート出力用接続端子及びソース出力用接続端子１６ａ、１６ｂは、第１の絶縁層１２から露出する第１の金属層２７と第２の金属層２８とを透明電極２９により電気的に接続するコンタクト部３０を有する。
【００５５】
具体的にはゲート出力用接続端子１６ａは、第１の金属層２７ａが例えば図５、図６及び図７に示すように実装領域Ｃの第１の基材５ａ上に略矩形に形成されており、そこまで配線されたゲート配線１１に当該ゲート配線１１側の矩形の辺（図５中の上辺）に接続されている。尚、図７ではゲート配線１１（ゲート電極２０）と第１の金属層２７ａとは同じ金属で一体的に形成されているので特に区分けされていない。
【００５６】
また、ゲート出力用接続端子１６ａは第１の金属層２７ａの上に第１の絶縁層１２が積層されており、当該第１の絶縁層１２は、図６及び図７に示すように第１の金属層２７ａの例えば中央に当該第１の金属層２７ａの大きさより小さい略矩形の第１の開口領域３１を有する。これにより、第１の金属層２７ａは当該第１の開口領域３１から露出することとなる。
【００５７】
更にゲート出力用接続端子１６ａは、例えば図６及び図７に示すように第１の金属層２７ａに平面的に重なるように略矩形の外周を有する第２の金属層２８ａが第１の絶縁層１２の上に積層されており、略第１の開口領域３１と平面的に重なる開口３２を有する。従って、第２の金属層２８ａは略額縁状に形成されていることとなる。
【００５８】
これにより、図５、図６及び図７に示すように第２の金属層２８ａはその全ての平面的領域で第１の金属層２７ａ及び第１の絶縁層１２を第１の基材５ａとの間に有することなり、開口３２の周縁も第１の開口領域３１の周縁に略一致することとなる。
【００５９】
また、ゲート出力用接続端子１６ａは例えば図６及び図７に示すように第２の金属層２８ａの外側周縁を覆うように第２の絶縁層１４が第１の絶縁層１２上に積層されており、当該第２の絶縁層１４は第２の金属層２８ａがその開口３２を露出する第２の開口領域３３ａを有する。また、第２の金属層２８ａは当該第２の絶縁層１４から露出する露出部３３ｂを有する。
【００６０】
ここで、第２の開口領域３３ａは、例えば図６及び図７に示すように第１の開口領域３１に略重なる領域であり、当該第１の開口領域３１とで開口部４４を形成している。
【００６１】
更にゲート出力用接続端子１６ａは、透明電極２９が開口部４４を覆うように積層されている。具体的には、第１及び第２の開口領域３１,３３ａにより露出した第１の金属層２７ａ、第２の金属層２８ａの開口周縁と露出部３３ｂ及び当該露出部３３ｂの周縁近傍の第２の絶縁層１４上を覆うように積層されている。
【００６２】
これにより、第１の絶縁層１２から露出する第１の金属層２７ａと第２の金属層２８ａとを透明電極２９により電気的に接続するコンタクト部３０が、ゲート出力用接続端子１６ａの略中央に第１及び第２の開口領域３１,３３ａを有する開口部４４を含み形成されることとなる。
【００６３】
また、図６に示すように後述するドライバーＩＣ１９のバンプ３５の出力用バンプ３５ａが例えば導電粒子３６を介して接続される透明電極２９表面の第１の基材５ａ表面からの高さは、第１の金属層２７ａ、第１の絶縁層１２、第２の金属層２８ａ及び透明電極２９の厚さの合計Ｆ（図６中のＦ）となる。
【００６４】
更にゲート出力用接続端子１６ａは、例えば実装されるドライバーＩＣ１９の出力用バンプ３５ａの透明電極２９側面の一部が、第１の金属層２７ａと第２の金属層２８ａとが平面的に重なる領域Ｇ（図６及び図７中のＧ）に重なるように形成されている。
【００６５】
例えば図６及び図７に示すように透明電極２９は、第２の金属層２８ａの露出部３３ｂ上で窪んで当該露出部３３ｂを覆っており、その透明電極２９の窪み２９ａの底面の一部が更に窪んで窪み２９ｂを形成し、その窪み２９ｂがコンタクト部３０となる。
【００６６】
また、図６及び図７に示すように矩形状に形成された第１の金属層２７ａと額縁状に形成された第２の金属層２８ａとは、お互いの外周が略一致するように第１の絶縁層１２を介して積層されており、第２の金属層２８ａが開口３２を除き、当該第１の金属層２７ａと第２の金属層２８ａとが領域Ｇで平面的に重なることとなる。
【００６７】
ここで、出力用バンプ３５ａは、当該窪み２９ａに入り込むように異方性導電膜の導電粒子３６を介して接続されている。しかし、例えば図６に示すように窪み２９ｂの内側には接触していないので出力用バンプ３５ａの透明電極２９側面の一部が、第１の金属層２７ａと第２の金属層２８ａとが平面的に重なる領域Ｇ（図６及び図７中のＧ）に重なるように形成されていることになる。
【００６８】
また、第１の金属層２７ａと第２の金属層２８ａとが平面的（図６のＸＹ軸平面）に重なる領域Ｇの面積は、例えば第１及び第２の開口領域３１，３３ａにより形成された窪み２９ｂでもあるコンタクト部３０の当該平面（図６のＸＹ軸平面）に平行な面積Ｈ（図６及び図７中のＨ）より大きくなるように形成されている。すなわち、第１の金属層２７ａと第２の金属層２８ａとが平面的（図６のＸＹ軸平面）に重ならない領域でもある領域（面積）Ｈより、重なる領域Ｇのほうが大きいこととなる。
【００６９】
更にゲート出力用接続端子１６ａは、当該領域Ｇが出力用バンプ３５ａの透明電極２９側面の半分以上と平面的に重なるように形成されている。
【００７０】
尚、第１及び第２の開口領域３１，３３ａを上述の説明では略矩形として説明したがこれに限られるものではなく、例えば円形でもよく、更にはその個数も一個に限られるものではない。また、第２の金属層２８の露出部３３ｂも額縁状に限られるものではなく例えば、ドーナツ状（リング状）であっても良い。
【００７１】
一方、ソース出力用接続端子１６ｂは、略ゲート出力用接続端子１６ａと同様の構成であるが、ゲート出力用接続端子１６ａはゲート配線１１に接続されているが、ソース配線１３に接続されている点が異なるのでその点を中心に説明する。
【００７２】
具体的にはソース出力用接続端子１６ｂは、例えば図８及び図９に示すように第１の金属層２７ｂが実装領域Ｃの第１の基材５ａ上に略矩形に形成されており、ゲート配線１１には接続されていない。
【００７３】
また、第１の絶縁層１２は第１の金属層２７ｂを覆うように第１の基材５ａ上に積層されており、当該第１の絶縁層１２は、図８及び図９に示すように第１の金属層２７ｂの例えば中央に当該第１の金属層２７ｂの大きさより小さい略矩形の第１の開口領域３１を有する。これにより、第１の金属層２７ｂは当該第１の開口領域３１から露出することとなる。
【００７４】
更に第２の金属層２８ｂは、第１の金属層２７ｂに平面的に重なるように略矩形の外周を有するが、例えば図８に示すようにその矩形の上辺にソース配線１３が接続されており、図９では第２の金属層２８ｂとソース配線１３（ソース電極２３）とが同じ金属で一体的に形成されており特に区分けしていない。また、第２の金属層２８ｂは、その中央に略第１の開口領域３１と平面的に重なる開口３２を有する。
【００７５】
これにより、図８及び図９に示すように第２の金属層２８ｂはその平面的領域で第１の金属層２７ｂ及び第１の絶縁層１２を第１の基材５ａとの間に有することなり、開口３２の周縁も第１の開口領域３１の周縁に略一致することとなる。
【００７６】
更に第２の絶縁層１４は、例えば図８及び図９に示すように第２の金属層２８ｂの外側周縁を覆うように第１の絶縁層１２上に積層されており、当該第２の絶縁層１４から第２の金属層２８ｂが露出する第２の開口領域３３ａを有する。また、第２の金属層２８ｂは当該第２の絶縁層１４から露出する露出部３３ｂを有する。
【００７７】
また、ソース出力用接続端子１６ｂは、透明電極２９が開口部４４を覆うように積層されている。具体的には、第１及び第２の開口領域３１,３３ａから露出した第１の金属層２７ｂ、第２の金属層２８ｂの開口周縁と露出部３３ｂ及び当該露出部３３ｂの周縁近傍を覆うように積層されている。
【００７８】
これにより、第１の絶縁層１２から露出する第１の金属層２７ｂと第２の金属層２８ｂとを透明電極２９により電気的に接続するコンタクト部３０が、ソース出力用接続端子１６ｂの略中央に第１及び第２の開口領域３１,３３ａを有する開口部４４を含み形成されることとなる。
【００７９】
また、図９に示すように後述するドライバーＩＣ１９のバンプが例えば導電粒子を介して接続される透明電極２９表面の第１の基材５ａからの高さは、第１の金属層２７ｂ、第１の絶縁層１２、第２の金属層２８ｂ及び透明電極２９の厚さの合計Ｆ（図９中のＦ）となり、ゲート出力用接続端子１６ａのバンプが導電粒子を介して接続される透明電極２９の表面の第１の基材５ａからの高さＦと同じになる。これにより、ゲート出力用接続端子及びソース出力用接続端子１６ａ，１６ｂとで基材５ａからの高さが等しくなり、バンプとの電気的接続の信頼性を向上できることとなる。
【００８０】
尚、第１及び第２の開口領域３１，３３ａを上述の説明では略矩形として説明したがこれに限られるものではなく、例えば円形でもよく、更にはその個数も一個に限られるものではない。また、第２の金属層２８の露出部３３ｂも額縁状に限られるものではなく例えば、ドーナツ状（リング状）であっても良い。
【００８１】
次に、入力用配線１８は例えば図２に示すように外部用端子３４に電気的に接続されている。
【００８２】
また、ドライバーＩＣ１９は、例えば図２に示すように張出し部２６に実装する実装面に複数の出力用接続端子１６及び入力用接続端子１７に電気的に接続する複数配列されたバンプ３５を有する。この電気的接続は、例えば出力用接続端子１６及び入力用接続端子１７とバンプ３５との間に導電粒子３６を有し接着材でもある異方性導電膜（ＡＣＦ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ））３７を介して行なわれる。
【００８３】
一方、第２の基板６は例えば図２に示すように第２の基材６ａの内側（液晶側）表面に共通電極３８が形成されており、その共通電極３８の液晶側には配向膜３９が形成されている。
【００８４】
尚、例えば第２の基板６の液晶側には、図示しないが必要に応じて着色層及び光遮蔽層等が形成されている。
【００８５】
次に、フレキシブル基板３は例えば図１及び図２に示すようにベース基材４０上に銅（Ｃｕ）等から形成された配線パターン４１等が形成され、実装されている。
【００８６】
ここで、ベース基材４０は可撓性を有するフイルム状の部材である。また、配線パターン４１は、ベース基材４０の張出し部側の端に形成されている図示しない接続用端子に電気的に接続されており、その接続用端子は、例えば液晶パネル２の外部用端子３４に異方性導電膜４２を介して電気的に接続されている。
【００８７】
（液晶装置の製造方法）
【００８８】
次に、以上のように構成された液晶装置（電気光学装置）の製造方法について張出し部の出力用接続端子を中心に説明する。
【００８９】
図１０は液晶装置の製造方法のフローチャート図、図１１は出力用接続端子の第２の金属層を形成するまでの工程の説明図及び図１２は図１１の後ドライバーＩＣを実装するまでの工程の説明図である。
【００９０】
まず、第１の基材５ａ上に例えば、スパッタリングによってゲート電極２０の材料であるクロム、タンタル等を図１１（ａ）に示すように一様な厚さで成膜して（ＳＴ１０１）、フォトリソグラフィ法によりパターニングしてゲート配線１１、それと一体的にゲート電極、第１の金属層２７を図１１（ｂ）に示すように形成する（ＳＴ１０２）。ここで、図５に示すようにゲート出力用接続端子１６ａは、第１の金属層２７ａがゲート配線１１に電気的に接続されるように形成されるが、ソース出力用接続端子１６ｂは第１の金属層２７ｂがゲート配線１１に電気的に接続されないように例えば略矩形状に形成される。
【００９１】
次に、形成されたゲート配線１１、それと一体的なゲート電極、第１の金属層２７の上に例えばプラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法によって窒化シリコンからなる第１の絶縁層１２を図１１（ｃ）に示すように成膜する（ＳＴ１０３）。そして、例えば半導体層２１とａ−Ｓｉ層とコンタクト層２２となるｎ＋型ａ−Ｓｉ層とをこの順で連続的に形成し、更に形成されたｎ＋型ａ−Ｓｉ層及びａ−Ｓｉ層のパターニングを行なって半導体層２１及びコンタクト層２２とを形成する（ＳＴ１０４）。
【００９２】
更にコンタクト層２２や第１の絶縁層１２の上に例えばチタン、モリブデン、アルミニウム等をスパッタリングによって図１１（ｄ）に示すように形成し（ＳＴ１０５）、パターニングを行なってソース電極２３、ドレイン電極２４、ソース配線１３及び第２の金属層２８を図１１（ｅ）に示すように形成する（ＳＴ１０６）。ここで、図８に示すようにソース出力用接続端子１６ｂは、第２の金属層２８ｂがソース配線１３に電気的に接続されるように形成されるが、ゲート出力用接続端子１６ａは第２の金属層２８ａがソース配線１３に電気的に接続されないように形成される。また、第２の金属層２８ａ，２８ｂはいずれも中央に開口３２が形成されており、例えば額縁状になっている。
【００９３】
その後でソース電極２３、ドレイン電極２４、ソース配線１３及び第２の金属層２８の上に例えば図１２（ａ）に示すように第２の絶縁層１４を成膜する（ＳＴ１０７）。
【００９４】
そして、例えば図１２（ｂ）に示すように第２の絶縁層１４は、出力用接続端子１６の第２の金属層２８が、後述するようにドライバーＩＣ１９のバンプ３５が入り込める程度に露出する露出部３３ｂ及び第２の開口領域３３ａが形成されるようにフォトリソグラフィ法で一部取り除かれる。
【００９５】
このとき、第２の金属層２８は既に中央に開口３２が形成されているので、その開口３２から露出する第１の絶縁層１２も同時に取り除かれる。すなわち、パターン形成された第２の金属層２８を露光マスクとして用い、第１の絶縁層１２を第２の絶縁層１４と同時に露光、現像及びエッチングすることにより、当該第２の開口領域３３ａに重なり略同様な形で第１の開口領域３１が形成されることとなる（ＳＴ１０８）。
【００９６】
更に第２の絶縁層１４、露出部３３ｂ及び第２の開口領域３３ａから露出した第２の金属層２８及び第１の開口領域３１から露出した第１の金属層２７上にスパッタリングによりＩＴＯ等を被着し、フォトリソグラフィ法によりパターニングして画素電極１５及び出力用接続端子１６の透明電極２９を例えば図１２（ｃ）に示すように形成する（ＳＴ１０９）。これにより、第１の金属層２７と第２の金属層２８とが透明電極２９により電気的に接続されることとなり、コンタクト部３０が形成される。すなわち、コンタクト部３０は、第１の絶縁層１２に設けられた第１の開口領域３１とその第１の開口領域３１に重なるように第２の絶縁層１４に設けられた第２の開口領域３３ａとを有することとなる。尚、ゲート電極２０やソース電極２３等を形成する際に入力用接続端子１７及び外部用端子３４等も同時に形成しても良い。
【００９７】
また、例えば第２の基材６ａの液晶側に必要に応じて下地層や反射膜、着色層等を夫々形成すると共にその液晶側に共通電極３８を形成し、更に配向膜３９を形成してラビング処理などを施し第２の基板を製造する（ＳＴ１１０）。
【００９８】
次に、例えば第１の基板上にギャップ材４３をドライ散布等により散布し、シール材４を介して第１の基板５と第２の基板６とを貼り合わせる。その後、貼り合わされた基板のシール材４の図示しない注入口から液晶７を注入し、シール材４の注入口を紫外線硬化性樹脂等の封止材によって封止して当該液晶７を封入する（ＳＴ１１１）。
【００９９】
更にドライバーＩＣ１９を図示しない圧着ヘッドにより張出し部２６の実装領域Ｃに異方性導電膜３７を介して所定の圧力で押圧し、約３００℃に加熱して圧着し、例えば図１２（ｄ）に示すように第１の基板５に実装する（ＳＴ１１２）。この際、ドライバーＩＣ１９の各出力用バンプ３５ａはゲート出力用接続端子及びソース出力用接続端子１６ａ，１６ｂにそれぞれ同じ高さで当接することとなる。
【０１００】
また、例えばベース基材４０に必要な配線パターン４１や接続用端子等を形成し実装してフレキシブル基板３を製造する。そして、当該フレキシブル基板３の配線パターン４１に電気的に接続された接続用端子を、異方性導電膜４２を介して液晶パネル２の外部用端子３４に電気的に接続する。
【０１０１】
次に、偏光板８，９等を第１及び第２の基材５ａ，６ａの各外面に貼着し、必要に応じてバックライト等の照明装置等を取り付けて液晶装置１が完成する（ＳＴ１１３）。
【０１０２】
以上で液晶装置１の製造方法の説明を終了する。
【０１０３】
このように本実施形態によれば、複数の出力用接続端子１６を複数の表示用薄膜トランジスターとしてのＴＦＴ１０のゲート電極２０及びソース電極２３と夫々同層で同じ金属からなる第１及び第２の金属層２７，２８が、少なくとも一部で平面的に重なるように形成することとした。従って、その重なり部分では第１の基材５ａからの高さが同じとなり、半導体ＩＣチップとしてのドライバーＩＣ１９のバンプ３５への電気的接続の信頼性を向上できる。
【０１０４】
また、出力用接続端子１６自体で第１及び第２の金属層２７，２８を重ねるので、従来のような乗り替えを別途設ける必要がなくなり、配線を含めて低抵抗化できると共に、ドライバーＩＣ１９の小型化がより図れる。
【０１０５】
図１３は透明電極が第１の金属層に接続されていない場合の説明図である。ソース出力用接続端子１６ｂは、例えば図１３に示すように最外層となる透明電極２９が第１の金属層２７ｂには接続せず第２の金属層２８ｂだけに電気的に接続することも可能であり、かかる場合は第１の金属層２７ｂを完全に第１の絶縁層１２で覆ったままでよく、第１の絶縁層１２に開口領域などを設けることも不要となるので、製造工程を簡略化できコストを低減できる。ただし、より高い電気的信頼性を図るという点では第１の金属層２７ｂも透明電極２９を介して第２の金属層２８ｂと電気的接続を図ったほうが好ましい。
【０１０６】
また、コンタクト部３０は、第１の絶縁層１２に設けられた第１の開口領域３１とその第１の開口領域３１に重なるように第２の絶縁層１４に設けられた第２の開口領域３３ａとを有する開口部４４を有し、透明電極２９は、第１及び第２の開口領域３１，３３ａから露出する第１の金属層２７と、第２の金属層２８とを覆うように形成されている。従って、透明電極２９により第１の金属層２７と第２の金属層２８とを効率よく電気的に接続できる。
【０１０７】
更に第１及び第２の開口領域３１，３３ａを重ねることにより第１の金属層２７と第２の金属層２８とを透明電極２９により最短距離で電気的に接続でき、低抵抗化を測ることが可能となる。
【０１０８】
また、複数の出力用接続端子の形成工程は、パターン形成された第２の金属層２８を露光マスクとして用い、第１の絶縁層１２を第２の絶縁層１４と同時に露光、現像及びエッチングすることにより出力用接続端子１６を形成することとする。従って、製造工程を少なくすることができ製造コストを低減できる。
【０１０９】
例えば第２の金属層２８に開口３２を形成している場合は、その上に積層された第２の絶縁層１４を露光現像等して、第２の金属層２８の開口３２付近に第２の開口領域３３ａを形成する。そしてそのまま第１の絶縁層１２にも当該第２の開口領域３３ａに重なる第１の開口領域３１を形成することができる。その際、第２の金属層２８をマスクとして利用でき、正確な露光現像等が可能なことは勿論、更なるコストの軽減を図ることができる。
【０１１０】
（第２の実施形態）
【０１１１】
次に本発明に係る液晶装置の第２の実施形態について説明する。本実施形態においては、コンタクト部が出力用接続端子の第１の金属層の中央に無く、引き出し方向と反対側端部に設けられている点が、第１の実施形態と異なるのでその点を中心に説明することとする。尚、以下の説明では第１の実施形態の構成要素と共通する構成要素については、第１の実施形態の構成要素と同一の符号を付しその説明を省略或は簡略化する。また、液晶装置の製造方法は第１の実施形態と略同様であるのでその説明を省略する。
【０１１２】
図１４は本発明の第２の実施形態に係る液晶装置のゲート出力用接続端子の平面図、図１５は図１４のＫ−Ｋ線断面図、図１６はソース出力用接続端子の平面図及び図１７は図１６のＬ−Ｌ線断面図である。
【０１１３】
（液晶装置の構成）
【０１１４】
ゲート出力用接続端子１１６ａは、第１の金属層２７ａが例えば図１４及び図１５に示すように実装領域Ｃの第１の基材５ａ上に略矩形に形成されており、そこまで配線されたゲート配線１１に当該矩形のゲート配線１１側の辺（図１４中の上辺）に接続されている。尚、図１５ではゲート配線１１と第１の金属層２７ａとは同じ金属で一体的に形成されているので特に区分けされていない。
【０１１５】
また、ゲート出力用接続端子１１６ａは第１の金属層２７ａの上に第１の絶縁層１２が積層されており、当該第１の絶縁層１２は図１４に示すように第１の金属層２７ａの長手方向（図１４中のＹ軸方向）の一端部１５１に当該第１の金属層２７ａの大きさより小さい略矩形の第３の開口領域１３１を有する。ここで、一端部１５１は図１４に示すようにゲート配線１１である第１の金属層２７ａの引き出し方向と反対側となっている。
【０１１６】
更にゲート出力用接続端子１１６ａは、例えば図１４及び図１５に示すように第１の金属層２７ａの内側で平面的に重なるように略矩形の外周を有する第２の金属層２８ａが第１の絶縁層１２の上に積層されている。
【０１１７】
また、当該第２の金属層２８ａは、第１の金属層２７ａの引き出し側と逆側端辺１５２が図１４に示すように第３の開口領域１３１の第１の金属層２７ａの引き出し側に略重なるように形成されている。
【０１１８】
これにより、図１４及び図１５に示すように第２の金属層２８ａはその全ての平面的領域で第１の金属層２７ａ及び第１の絶縁層１２を第１の基材５ａとの間に有することなり、その端辺１５２も第３の開口領域１３１の周縁に略一致することとなる。
【０１１９】
また、ゲート出力用接続端子１１６ａは例えば図１４に示すように第２の金属層２８ａのゲート配線側周縁を覆うように第２の絶縁層１４が第１の絶縁層１２上に積層されており、当該第２の絶縁層１４から第２の金属層２８ａが露出する露出部１３３を有する。
【０１２０】
更にゲート出力用接続端子１１６ａは、透明電極２９が第３の開口領域１３１により露出した第１の金属層２７ａ、第２の金属層２８ａの端辺１５２と露出部１３３及び当該第３の開口領域１３１の周縁近傍の第２の絶縁層１４上等を覆うように積層されている。
【０１２１】
これにより、第１の絶縁層１２から露出する第１の金属層２７ａと第２の金属層２８ａとを透明電極２９で電気的に接続するコンタクト部３０が、ゲート出力用接続端子１１６ａの長手方向の一端部１５１に形成されることとなる。
【０１２２】
また、図１５に示すようにドライバーＩＣ１９のバンプ３５の出力用バンプ３５ａが例えば導電粒子３６を介して接続される透明電極２９表面の第１の基材５ａ表面からの高さは、第１の金属層２７ａ、第１の絶縁層１２、第２の金属層２８ａ及び透明電極２９の厚さの合計Ｆ（図１５中のＦ）となる。
【０１２３】
更にゲート出力用接続端子１１６ａは、例えば実装されるドライバーＩＣ１９の出力用バンプ３５ａの透明電極２９側面が、第１の金属層２７ａと第２の金属層２８ａとが平面的に重なる領域Ｇ（図１４及び図１５中のＧ）に重なるように形成されている。
【０１２４】
例えば図１４及び図１５に示すように透明電極２９は、第３の開口領域１３１の内側に重なるように窪み１２９を形成し、その窪み１２９がコンタクト部３０となる。
【０１２５】
ここで、出力用バンプ３５ａは、露出部１３３上で透明電極２９に異方性導電膜の導電粒子３６を介して接続されている。しかし、例えば図１５に示すように窪み１２９が出力用バンプ３５ａの外側となるように配置できるので、出力用バンプ３５ａの透明電極２９側面の略全面Ｉ（図７中のＩ）が、第１の金属層２７ａと第２の金属層２８ａとが平面的に重なる領域Ｇ（図６及び図７中のＧ）に重なることになる。
【０１２６】
尚、第３の開口領域１３１を上述の説明では略矩形として説明したがこれに限られるものではなく、例えば円形でもよく、更にはその個数も一個に限られるものではない。
【０１２７】
一方、ソース出力用接続端子１１６ｂは、略ゲート出力用接続端子１１６ａと同様の構成であるが、ゲート出力用接続端子１１６ａはゲート配線１１に接続されているが、ソース配線１３に接続されている点が異なるのでその点を中心に説明する。
【０１２８】
具体的にはソース出力用接続端子１１６ｂは、例えば図１６及び図１７に示すように第１の金属層２７ｂが実装領域Ｃの第１の基材５ａ上に略矩形に形成されており、ゲート配線１１には接続されていない。
【０１２９】
また、第１の絶縁層１２は第１の金属層２７ｂを覆うように第１の基材５ａ上に積層されており、当該第１の絶縁層１２は、図１６及び図１７に示すように第１の金属層２７ｂの長手方向（図１６中のＹ軸方向）の一端部１５１に当該第１の金属層２７ｂの大きさより小さい略矩形の第３の開口領域１３１を有する。
【０１３０】
更にソース出力用接続端子１１６ｂは、例えば図１６及び図１７に示すように第２の金属層２８ｂが第１の金属層２７ｂの内側で平面的に重なるように略矩形の外周を有し、第１の絶縁層１２の上に積層されている。ここで、第２の金属層２８ｂは、その矩形の上辺にソース配線１３が接続されており、図１６では第２の金属層２８ｂとソース配線１３（ソース電極２３）とが同じ金属で一体的に形成されており特に区分けしていない。
【０１３１】
また、当該第２の金属層２８ｂは、そのソース配線としての引き出し側と逆側端辺１５２が図１６に示すように第３の開口領域１３１の当該引き出し側に略重なるように形成されている。
【０１３２】
これにより、図１６及び図１７に示すように第２の金属層２８ｂはその全ての平面的領域で第１の金属層２７ａ及び第１の絶縁層１２を第１の基材５ａとの間に有することなり、その端辺１５２も第３の開口領域１３１の周縁に略一致することとなる。
【０１３３】
また、ソース出力用接続端子１１６ｂは例えば図１７に示すように第２の金属層２８ｂのソース配線側周縁を覆うように第２の絶縁層１４が第１の絶縁層１２上などに積層されており、当該第２の絶縁層１４から第２の金属層２８ｂが露出する端辺１５２及び露出部１３３を有する。
【０１３４】
更にソース出力用接続端子１１６ｂは、透明電極２９が第３の開口領域１３１により露出した第１の金属層２７ｂ、第２の金属層２８ｂの端辺１５２と露出部１３３及び当該第３の開口領域１３１の周縁近傍の第２の絶縁層１４上を覆うように積層されている。
【０１３５】
これにより、第１の絶縁層１２から露出する第１の金属層２７ｂと第２の金属層２８ｂとを透明電極２９で電気的に接続するコンタクト部３０が、ソース出力用接続端子１１６ｂの長手方向の一端部１５１に形成されることとなる。
【０１３６】
また、図１７に示すようにドライバーＩＣ１９のバンプ３５の出力用バンプ３５ａが例えば導電粒子３６を介して接続される透明電極２９表面の第１の基材５ａ表面からの高さは、第１の金属層２７ｂ、第１の絶縁層１２、第２の金属層２８ｂ及び透明電極２９の厚さの合計Ｆ（図１７中のＦ）となる。これにより、ゲート出力用接続端子及びソース出力用接続端子１６１ａ，１６１ｂとで基材５ａからの高さが等しくなり、バンプとの電気的接続の信頼性を向上できる。
【０１３７】
更にソース出力用接続端子１１６ｂは、例えば実装されるドライバーＩＣ１９の出力用バンプ３５ａの透明電極２９側面が、第１の金属層２７ｂと第２の金属層２８ｂとが平面的に重なる領域Ｇ（図１４及び図１５中のＧ）に重なるように形成されている。
【０１３８】
例えば図１６及び図１７に示すように透明電極２９は、第３の開口領域１３１の内側に重なるように窪み１２９を形成し、その窪み１２９がコンタクト部３０となる。
【０１３９】
ここで、出力用バンプ３５ａは、露出部１３３上で透明電極２９に異方性導電膜の導電粒子３６を介して接続されているが、例えば図１７に示すように窪み１２９が出力用バンプ３５ａの外側となるように配置できるので、出力用バンプ３５ａの透明電極２９側面の略全面Ｉ（図１７中のＩ）が、第１の金属層２７ａと第２の金属層２８ａとが平面的に重なる領域Ｇ（図６及び図７中のＧ）に重なることになる。
【０１４０】
このように本実施形態によれば、コンタクト部３０は、出力用接続用端子１１６（１１６ａ，１１６ｂ）の長手方向の引き出し方向と逆側の端部に有することとしたので、例えば複数の出力用接続用端子１１６の配列方向幅を小さくすることができ、更なる出力用接続用端子１１６の挟ピッチ化が可能となる。
【０１４１】
また、長手方向の端部にコンタクト部３０を設けることで第１の金属層２７（２７ａ，２７ｂ）と第２の金属層２８（２８ａ，２８ｂ）とが平面的に重なる領域Ｇに出力用バンプ３５ａの第１の基材５ａ側表面を略全て接触させることができ、より電気的抵抗を小さくして電気的信頼性を向上できる。
【０１４２】
更に第１の絶縁層１２は、第１の金属層２７を露出させる第３の開口領域１３１を有し、第２の金属層２８は、当該第３の開口領域１３１により第１の絶縁層１２から露出した第１の金属層２７と平面的に重ならないように形成されていることとしたので、第１の金属層２７と第２の金属層２８との電気的接続を効率的なものとすることが可能であると共に第３の開口領域１３１の露光等による形成に第２の金属層２８の端辺１５２をマスクとして利用することができる。
【０１４３】
（第３の実施形態）
【０１４４】
次に本発明に係る液晶装置の第３の実施形態について説明する。本実施形態においては、コンタクト部が出力用接続端子の第１の金属層の中央に無く、引き出し方向側端部に設けられている点が、第１の実施形態と異なるのでその点を中心に説明することとする。
【０１４５】
図１８は本発明の第３の実施形態に係る液晶装置のゲート出力用接続端子の平面図及び図１９は図１８のＭ−Ｍ線断面図である。
【０１４６】
（液晶装置の構成）
【０１４７】
ゲート出力用接続端子２１６ａは、第１の金属層２７ａが例えば図１８及び図１９に示すように実装領域Ｃの第１の基材５ａ上に略矩形に形成されており、そこまで配線されたゲート配線１１に当該矩形のゲート配線１１側の辺（図１８中の上辺）に接続されている。尚、図１９ではゲート配線１１と第１の金属層２７ａとは同じ金属で一体的に形成されているので特に区分けされていない。
【０１４８】
また、ゲート出力用接続端子２１６ａは第１の金属層２７ａの上に第１の絶縁層１２が積層されており、当該第１の絶縁層１２は図１８に示すように第１の金属層２７ａの長手方向（図１８中のＹ軸方向）の一端部２５１に当該第１の金属層２７ａの大きさより小さい略矩形の第３の開口領域２３１を有する。ここで、一端部２５１は図１８に示すようにゲート配線１１である第１の金属層２７ａの引き出し方向側となっている。
【０１４９】
更にゲート出力用接続端子２１６ａは、例えば図１８及び図１９に示すように第１の金属層２７ａの内側で平面的に重なるように略矩形の外周を有する第２の金属層２８ａが第１の絶縁層１２の上に積層されている。
【０１５０】
また、当該第２の金属層２８ａは、第１の金属層２７ａで引き出し側となる端辺２５２が図１９に示すように第３の開口領域２３１の引き出し側に略重なるように形成されている。
【０１５１】
これにより、図１８及び図１９に示すように第２の金属層２８ｂはその全ての平面的領域で第１の金属層２７ａ及び第１の絶縁層１２を第１の基材５ａとの間に有することなり、その端辺２５２も第３の開口領域２３１の周縁に略一致することとなる。
【０１５２】
また、ゲート出力用接続端子２１６ａは例えば図１９に示すように第２の金属層２８ｂのゲート配線側と反対側周縁を覆うように第２の絶縁層１４が第１の絶縁層１２上などに積層されており、当該第２の絶縁層１４から第２の金属層２８ｂが露出する端辺２５２及び露出部２３３を有する。
【０１５３】
更にゲート出力用接続端子２１６ａは、透明電極２９が第３の開口領域２３１により露出した第１の金属層２７ａ、第２の金属層２８ａの端辺２５２と露出部２３３及び当該第３の開口領域２３１の周縁近傍の第２の絶縁層１４上を覆うように積層されている。
【０１５４】
これにより、第１の絶縁層１２から露出する第１の金属層２７ａと第２の金属層２８ａとを透明電極２９で電気的に接続するコンタクト部３０が、ゲート出力用接続端子２１６ａの長手方向の一端部２５１に形成されることとなる。
【０１５５】
また、図１９に示すようにドライバーＩＣ１９のバンプ３５の出力用バンプ３５ａが例えば導電粒子３６を介して接続される透明電極２９表面の第１の基材５ａ表面からの高さは、第１の金属層２７ａ、第１の絶縁層１２、第２の金属層２８ａ及び透明電極２９の厚さの合計Ｆ（図１９中のＦ）となる。
【０１５６】
更にゲート出力用接続端子２１６ａは、例えば実装されるドライバーＩＣ１９の出力用バンプ３５ａの透明電極２９側面（図１９中のＩ）が、第１の金属層２７ａと第２の金属層２８ａとが平面的に重なる領域Ｇ（図１８及び図１９中のＧ）に重なるように形成されている。
【０１５７】
例えば図１８及び図１９に示すように透明電極２９は、第３の開口領域２３１の内側に重なるように窪み２２９を形成し、その窪み２２９がコンタクト部３０となる。
【０１５８】
ここで、出力用バンプ３５ａは、露出部２３３上で透明電極２９に異方性導電膜の導電粒子３６を介して接続されている。しかし、例えば図１９に示すように窪み２２９が出力用バンプ３５ａの外側となるように配置できるので、出力用バンプ３５ａの透明電極２９側面の略全面が、第１の金属層２７ａと第２の金属層２８ａとが平面的に重なる領域Ｇ（図１８及び図１９中のＧ）に重なることになる。
【０１５９】
尚、第３の開口領域２３１を上述の説明では略矩形として説明したがこれに限られるものではなく、例えば円形でもよく、更にはその個数も一個に限られるものではない。
【０１６０】
このように本実施形態によれば、一端部２５１は、第１の金属層２７ａの引き出し方向側の端部であることとしたので、第１の金属層２７ａの最も引き出し側に近い所で第２の金属層２８ａや透明電極２９と電気的に接続でき、例えばドライバーＩＣ１９の複数の出力用バンプ３５ａへの電気手接続における全体的抵抗を小さくすることが可能となり、より電気的信頼性を向上できる。
【０１６１】
（第４の実施形態）
【０１６２】
次に本発明に係る液晶装置の第４の実施形態について説明する。本実施形態においては、コンタクト部が出力用接続端子の第１の金属層の中央に無く、引き出し方向側端部とその反対側端部とに設けられている点が、第１の実施形態と異なるのでその点を中心に説明することとする。
【０１６３】
図２０は本発明の第４の実施形態に係る液晶装置のゲート出力用接続端子の平面図及び図２１は図２０のＮ−Ｎ線断面図である。
【０１６４】
（液晶装置の構成）
【０１６５】
ゲート出力用接続端子３１６ａは、第１の金属層２７ａが例えば図２０及び図２１に示すように実装領域Ｃの第１の基材５ａ上に略矩形に形成されており、そこまで配線されたゲート配線１１に当該矩形のゲート配線１１側の辺（図２０中の上辺）が接続されている。尚、図２１ではゲート配線１１と第１の金属層２７ａとは同じ金属で一体的に形成されているので特に区分けされていない。
【０１６６】
また、ゲート出力用接続端子３１６ａは第１の金属層２７ａの上に第１の絶縁層１２が積層されており、当該第１の絶縁層１２は図２０に示すように第１の金属層２７ａの長手方向（図２０中のＹ軸方向）の両方の端部３５１ａ，３５１ｂに当該第１の金属層２７ａの大きさより小さい略矩形の第３の開口領域３３１ａ，３３１ｂを有する。ここで、端部３５１ａは図２０に示すようにゲート配線１１である第１の金属層２７ａの引き出し方向側となっており、端部３５１ｂは当該引き出し方向と反対側となっている。
【０１６７】
更にゲート出力用接続端子３１６ａは、例えば図２０及び図２１に示すように第１の金属層２７ａの内側で平面的に重なるように略矩形の外周を有する第２の金属層２８ａが第１の絶縁層１２の上に積層されている。
【０１６８】
また、当該第２の金属層２８ａは、第１の金属層２７ａで引き出し側となる端辺３５２ａが図２１に示すように第３の開口領域３３１ａの引き出し側と反対側辺に略重なるように形成されている。更に第１の金属層２７ａで引き出し側の反対側となる端辺３５２ｂが図２１に示すように第３の開口領域３３１ｂの引き出し側辺に略重なるように形成されている。
【０１６９】
これにより、図２０及び図２１に示すように第２の金属層２８ｂはその全ての平面的領域で第１の金属層２７ａ及び第１の絶縁層１２を第１の基材５ａとの間に有することなり、その端辺３５２ａ，３５２ｂも第３の開口領域３３１ａ，３３１ｂの各周縁に略一致することとなる。
【０１７０】
また、ゲート出力用接続端子３１６ｂは例えば図２１に示すように第２の絶縁層１４が第１の絶縁層１２上などに積層されており、当該第２の絶縁層１４から第２の金属層２８ｂが露出する端辺３５２ａ，３５２ｂ及び露出部３３３を有する。従って、当該露出部３３３は図２０及び図２１に示すようにゲート配線側の第３の開口領域３３１ａとその反対側の第３の開口領域３３１ｂとの間に形成されることとなる。
【０１７１】
更にゲート出力用接続端子３１６ａは、透明電極２９が第３の開口領域３３１ａ，３３１ｂにより露出した第１の金属層２７ａ、第２の金属層２８ａの端辺３５２ａ，３５２ｂと露出部３３３及び当該第３の開口領域３３１ａ，３３１ｂの周縁近傍の第２の絶縁層１４上を覆うように積層されている。
【０１７２】
これにより、第１の絶縁層１２から露出する第１の金属層２７ａと第２の金属層２８ａとを透明電極２９で電気的に接続するコンタクト部３０が、ゲート出力用接続端子３１６ａの長手方向の端部３５１ａ，３５１ｂの両側に形成されることとなる。
【０１７３】
また、図２１に示すようにドライバーＩＣ１９のバンプ３５の出力用バンプ３５ａが例えば導電粒子３６を介して接続される透明電極２９表面の第１の基材５ａ表面からの高さは、第１の金属層２７ａ、第１の絶縁層１２、第２の金属層２８ａ及び透明電極２９の厚さの合計Ｆ（図２１中のＦ）となる。
【０１７４】
更にゲート出力用接続端子３１６ａは、例えば実装されるドライバーＩＣ１９の出力用バンプ３５ａの透明電極２９側面（図２１中のＩ）が、第１の金属層２７ａと第２の金属層２８ａとが平面的に重なる領域Ｇ（図２０及び図２１中のＧ）に重なるように形成されている。
【０１７５】
例えば図２０及び図２１に示すように透明電極２９は、第３の開口領域３３１ａ、３３１ｂの内側に重なるように窪み３２９ａ，３２９ｂを形成し、その窪み２２９ａ，３２９ｂが夫々コンタクト部３０となる。
【０１７６】
ここで、出力用バンプ３５ａは、露出部３３３上で透明電極２９に異方性導電膜の導電粒子３６を介して接続されている。しかし、例えば図２１に示すように窪み３２９ａ、３２９ｂが出力用バンプ３５ａの外側となるように配置できるので、出力用バンプ３５ａの透明電極２９側面の略全面Ｉ（図２１中のＩ）が、第１の金属層２７ａと第２の金属層２８ａとが平面的に重なる領域Ｇ（図２０及び図２１中のＧ）に重なることになる。
【０１７７】
尚、第３の開口領域３３１ａ，３３１ｂを上述の説明では略矩形として説明したがこれに限られるものではなく、例えば円形でもよく、更にはその個数も一個に限られるものではない。
【０１７８】
また、上述の説明では出力用バンプ３５ａの第１の基材５ａ側面が全て露出部３３３上の透明電極２９に接するとして説明したが、勿論これに限られるものではなく少なくとも第１の基材５ａ側面が第１の金属層２７ａと第２の金属層２８ａとが平面的に重なる透明電極２９の領域Ｇに一部でも接していればよい。ただし、一部接触よりは全て接触の方が電気的抵抗を少なくすることができる。
【０１７９】
このように本実施形態によれば、コンタクト部３０を比較的配置に余裕のあるゲート出力用接続端子３１６ａの長手方向端部３５１ａ，３５１ｂに設けることで、例えば複数のゲート出力用接続端子３１６ａの配列方向幅を小さくすることができ、更なるゲート出力用接続端子の挟ピッチ化が可能となる。
【０１８０】
また、長手方向の両端部３５１ａ，３５１ｂにコンタクト部３０を設けることで第１の金属層２７ａと透明電極２９との接触面積を増やすことが可能となり、より接続信頼性を向上できる。
【０１８１】
更に両端部３５１ａ，３５１ｂにコンタクト部３０を設けることにより、一方の電気的接続が不良となっても残りの端部で電気的接続を図ることが可能となり、接続信頼性を更に向上できる。
【０１８２】
（第５の実施形態・電子機器）
【０１８３】
次に、上述した液晶装置１を備えた本発明の第５の実施形態に係る電子機器について説明する。
【０１８４】
図２２は本発明の第５の実施形態に係る携帯電話機の外観概略図及び図２３はパーソナルコンピュータの外観概略図である。
【０１８５】
例えば、携帯電話機５００は、図２２に示すように複数の操作ボタン５７１の他、受話口５７２、送話口５７３を有する外枠に例えば、液晶装置１を備えている。
【０１８６】
また、パーソナルコンピュータ６００は、図２３に示すようにキーボード６８１を備えた本体部６８２と、液晶表示ユニット６８３とから構成されており、液晶表示ユニット６８３は外枠に例えば、液晶装置１を備えている。
【０１８７】
これらの電子機器は、液晶装置１の他に図示しないが表示情報出力源、表示情報処理回路等の様々な回路及びそれらの回路に電力を供給する電源回路等からなる表示信号生成部等を含んで構成される。
【０１８８】
更に液晶装置１には例えば、パーソナルコンピュータ６００の場合にあってはキーボード６８１から入力された情報に基づき表示信号生成部によって生成された表示信号が供給されることによって、表示画像が液晶装置１に表示される。
【０１８９】
本実施形態によれば、配線や接続用端子の挟ピッチ化を図りながら各接続用端子の電気的信頼性を向上させることができる液晶装置１を備えたので、より小型化され電気的信頼性の高い電子機器を低コストに提供できる。
【０１９０】
特に上述したような携帯可能な電子機器にあっては、室外で用いるためにもより小型であることが求められており、本発明の意義は大きいといえる。
【０１９１】
尚、電子機器としては、他に液晶装置が搭載されたタッチパネル、プロジェクタ、液晶テレビやビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション、ページャ、電子手帳、電卓等が挙げられる。そして、これらの各種電子機器の表示部として、上述した例えば液晶装置１が適用可能なのは言うまでもない。
【０１９２】
また、本発明は上述したいずれの実施形態にも限定されず、本発明の技術思想の範囲内で適宜変更して実施できる。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、上述した各実施形態を組み合わせ得る。
【０１９３】
例えば上述した実施形態では、ドライバーＩＣ１９をＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）として説明したがこれに限られるものではなく、例えばフレキシブル基板３に実装するＣＯＦ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｆｉｌｍ）の場合であってもよい。これにより、多種多様な液晶装置についても、配線や接続用端子の挟ピッチ化を図りながら各接続用端子の電気的信頼性を向上させることができる。
【０１９４】
また、電気光学装置の例として液晶装置を説明したがこれに限られるものではなく、例えば無機或は有機エレクトロルミネッセンス装置等の各種電気光学装置であっても良い。
【図面の簡単な説明】
【０１９５】
【図１】第１の実施形態に係る液晶装置の概略斜視図である。
【図２】図１におけるＡ−Ａ線断面図（ドライバーＩＣは切断していない。）である。
【図３】第１の実施形態に係るＴＦＴの概略断面図である。
【図４】第１の実施形態に係る基板の張出し部の部分平面図である。
【図５】第１の実施形態に係るゲート出力用接続端子の平面図である。
【図６】図５のＤ−Ｄ線断面図である。
【図７】図５のＥ−Ｅ線断面図である。
【図８】第１の実施形態に係るソース出力用接続端子の平面図である。
【図９】図８のＪ−Ｊ線断面図である。
【図１０】第１の実施形態に係る液晶装置の製造方法のフローチャート図である。
【図１１】出力用接続端子の第２の金属を形成するまでの工程の説明図である。
【図１２】図１１の後ドライバーＩＣを実装するまでの工程の説明図である。
【図１３】透明電極が第１の金属層に接続されていない場合の説明図である。
【図１４】第２の実施形態に係る液晶装置のゲート出力用接続端子の平面図である。
【図１５】図１４のＫ−Ｋ線断面図である。
【図１６】第２の実施形態に係るソース出力用接続端子の平面図である。
【図１７】図１６のＬ−Ｌ線断面図である。
【図１８】第３の実施形態に係る液晶装置のゲート出力用接続端子の平面図である。
【図１９】図１８のＭ−Ｍ線断面図である。
【図２０】第４の実施形態に係る液晶装置のゲート出力用接続端子の平面図である。
【図２１】図２０のＮ−Ｎ線断面図である。
【図２２】第５の実施形態に係る携帯電話機の外観概略図である。
【図２３】第５の実施形態に係るパーソナルコンピュータの外観概略図である。
【符号の説明】
【０１９６】
１  液晶装置、  ２  液晶パネル、  ３  フレキシブル基板、  ４  シール材、  ５  第１の基板、  ６  第２の基板、  ７  液晶、  ８，９  偏光板、  １０  ＴＦＴ、  １１  ゲート配線、  １２  第１の絶縁層、  １３  ソース配線、  １４  第２の絶縁層、  １５  画素電極、  １６  出力用接続端子、  １６ａ，１１６ａ，２１６ａ，３１６ａ  ゲート出力用接続端子、  １６ｂ，１１６ｂ  ソース出力用接続端子、  １７  入力用接続端子、  １８  入力用配線、  １９  ドライバーＩＣ、  ２０  ゲート電極、  ２１  半導体層、  ２２  コンタクト層、  ２３  ソース電極、  ２４  ドレイン電極、  ２５，３９  配向膜、  ２６  張出し部、  ２７  第１の金属層、  ２８  第２の金属層、  ２９  透明電極、  ３０  コンタクト部、  ３１  第１の開口領域、  ３２  開口、  ３３ａ  第２の開口領域、  ３３ｂ，１３３，２３３，３３３  露出部、  ３４  外部用端子、  ３５  バンプ、  ３６  導電粒子、  ３７，４２  異方性導電膜、  ３８  共通電極、  ４０  ベース基材、  ４１  配線パターン、  ４３  ギャップ材、  ４４  開口部、  １２９，２２９，３２９  窪み、  １３１，２３１，３３１  第３の開口領域、  １５１，２５１  一端部、  １５２，２５２，３５２  端辺、  ３５１  端部、  ５００  携帯電話機、  ５７１  操作ボタン、  ５７２  受話口、  ５７３  送話口、  ６００  パーソナルコンピュータ、  ６８１  キーボード、  ６８２  本体部、  ６８３  液晶表示ユニット、  Ｂ  表示領域、  Ｃ  実装領域、  Ｆ  厚さ、  Ｇ  重なる領域、  Ｈ  領域
【図１】
2008015226.tif 000003
【図２】
2008015226.tif 000004
【図３】
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【図４】
2008015226.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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