(57)【要約】【課題】絶縁性ガラスよりなる基材の表面に導電層を有するスペーサに較べて帯電防止効果が優れ、高電圧を印加することができる平面型画像表示装置と、それに使用されるスペーサを提供する。【解決手段】冷陰極素子を形成したカソード基板と、蛍光体を形成したアノード基板と、カソード基板とアノード基板の間に配置され両基板を支持するスペーサとを備えた平面型画像表示装置において、スペーサを導電性ガラスよりなる基材の表面に導電性の結晶化ガラス層を有するもので構成する。スペーサの表面に結晶化ガラス層を設けたことで帯電防止効果が向上し、高電圧を印加できるようになり画質向上を図ることができた。【選択図】図１
2008016254.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
冷陰極素子を形成したカソード基板と、蛍光体を形成したアノード基板と、前記カソード基板と前記アノード基板の間に配置され両基板を支持するスペーサとを備えた平面型画像表示装置において、前記スペーサが導電性ガラスよりなる基材の表面に導電性の結晶化ガラス層を有することを特徴とする平面型画像表示装置。
【請求項２】
請求項１において、前記スペーサの基材が遷移金属酸化物を含む導電性ガラスよりなり、前記結晶化ガラス層が遷移金属酸化物の結晶が析出して形成されたものであることを特徴とする平面型画像表示装置。
【請求項３】
請求項１において、前記結晶化ガラス層の平均厚みが３μｍ以下であることを特徴とする平面型画像表示装置。
【請求項４】
請求項１において、前記結晶化ガラス層の平均厚みが１μｍ以下であることを特徴とする平面型画像表示装置。
【請求項５】
請求項１において、前記スペーサの比抵抗が１０７〜１０１０Ωｃｍであることを特徴とする平面型画像表示装置。
【請求項６】
請求項１において、前記結晶化ガラス層の表面に凹凸を有することを特徴とする平面型画像表示装置。
【請求項７】
請求項６において、前記凹凸の状態が平均粗さＲａで０．１〜１．０μｍであることを特徴とする平面型画像表示装置。
【請求項８】
請求項２において、前記スペーサの基材における遷移金属酸化物がバナジウム酸化物、タングステン酸化物及びモリブデン酸化物から選ばれた少なくとも一種よりなることを特徴とする平面型画像表示装置。
【請求項９】
請求項２において、前記結晶化ガラス層にバナジウムを含む酸化物の結晶が析出していることを特徴とする平面型画像表示装置。
【請求項１０】
請求項２において、前記スペーサの基材がタングステン酸化物とバナジウム酸化物を含み、更にガラス成分としてリン酸化物を含むＷ−Ｖ−Ｐ−Ｏ系導電性ガラス、或いは更に酸化モリブデンを含むＷ−Ｖ−Ｍｏ−Ｐ−Ｏ系導電性ガラスよりなり、前記結晶化ガラス層がバナジウム酸化物とリン酸化物を含むＶ−Ｐ−Ｏ系導電性ガラスよりなり且つバナジウム酸化物の結晶が析出していることを特徴とする平面型画像表示装置。
【請求項１１】
請求項１において、アノード電圧が１０〜１５ｋＶであることを特徴とする平面型画像表示装置。
【請求項１２】
冷陰極素子を形成したカソード基板と、蛍光体を形成したアノード基板との間にスペーサを有する平面型画像表示装置における前記スペーサであって、導電性ガラスよりなる基材の表面に導電性の結晶化ガラス層を有することを特徴とする平面型画像表示装置用スペーサ。
【請求項１３】
請求項１２において、前記基材が遷移金属酸化物を含む導電性ガラスよりなり、前記結晶化ガラス層に遷移金属酸化物の結晶が析出していることを特徴とする平面型画像表示装置用スペーサ。
【請求項１４】
請求項１２において、前記結晶化ガラス層の平均厚みが３μｍ以下であることを特徴とする平面型画像表示装置用スペーサ。
【請求項１５】
請求項１２において、比抵抗が１０７〜１０１０Ωｃｍであることを特徴とする平面型画像表示装置用スペーサ。
【請求項１６】
請求項１２において、前記基材における遷移金属酸化物がバナジウム酸化物、タングステン酸化物及びモリブデン酸化物から選ばれた少なくとも一種よりなることを特徴とする平面型画像表示装置用スペーサ。
【請求項１７】
請求項１２において、前記結晶化ガラス層にバナジウムを含む酸化物の結晶が析出していることを特徴とする平面型画像表示装置用スペーサ。
【請求項１８】
請求項１２において、前記基材がタングステン酸化物とバナジウム酸化物を含み、更にガラス成分としてリン酸化物を含むＷ−Ｖ−Ｐ−Ｏ系導電性ガラス、或いは更に酸化モリブデンを含むＷ−Ｖ−Ｍｏ−Ｐ−Ｏ系導電性よりなり、前記結晶化ガラス層がバナジウム酸化物とリン酸化物を含むＶ−Ｐ−Ｏ系導電性ガラスよりなり且つバナジウム酸化物の結晶が析出していることを特徴とする平面型画像表示装置用スペーサ。
【請求項１９】
請求項１２において、前記結晶化ガラス層の表面に凹凸を有することを特徴とする平面型画像表示装置用スペーサ。
【請求項２０】
請求項１９において、前記凹凸の状態が平均粗さＲａで０．１〜１．０μｍであることを特徴とする平面型画像表示装置用スペーサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、真空中へ電子を放出させ、電子の衝突により蛍光体を発光させて画像を形成する画像表示装置に係る。特に冷陰極素子を有するカソード基板と、蛍光体を有するアノード基板とをスペーサを介して対向配置した構造を有する平面型画像表示装置と、それに使用されるスペーサに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、情報処理装置或いはテレビジョン放送の高画質化に伴い、高輝度、高精細の特性を有すると共に軽量、省スペース化が図れることから、平面型画像表示装置（ＦＰＤ：Ｆｌａｔ  Ｐａｎｅｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ）への関心が高まっている。この平面型画像表示装置の代表的なものが液晶表示装置やプラズマ表示装置であり、また、最近注目されているフィールドエミッションディスプレイ（Ｆｉｅｌｄ  Ｅｍｉｓｓｉｏｎ  Ｄｉｓｐｌａｙ、以下、ＦＥＤと称する）である。
【０００３】
ＦＥＤは冷陰極素子の電子放出素子をマトリクス状に配置した電子源を有する自発光型の表示装置である。電子放出素子としては、表面伝導型放出素子（ＳＥＤ型）、電界放出型素子（ＦＥ型）、金属／絶縁膜／金属型放出素子（ＭＩＭ型）などが知られている。また、ＦＥ型では、モリブデン等の金属或いはシリコン等の半導体物質で作られたスピン型や、カーボンナノチューブを電子源とするＣＮＴ型などが知られている。
【０００４】
ＦＥＤで、電子源が形成された背面パネルと、電子源から放出された電子によって励起されて発光する蛍光体が形成された前面パネルとの間に空間を設けて、この部分を真空雰囲気に保つ必要がある。このために、背面パネルと前面パネルの内周縁部分に封止枠が設けられる。また、真空に保たれた空間部が大気圧に耐えられるようにするために、両パネル間にスペーサと呼ばれる支持部材が配置される。
【０００５】
このスペーサとして、絶縁性部材よりなる基材の表面に半導電性部材よりなる層を形成し、更に、その表面を一周するループ状の導電性部材を設けたものが知られている（例えば特許文献１参照）。また、絶縁性ガラスよりなる基材の表面に導電膜を形成したものが知られている（例えば特許文献２参照）。
【０００６】
【特許文献１】特開平10-241606号公報
【特許文献２】特開2004-171968号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
電子源を用いた平面型画像表示装置は、通常、電子源とアノードとの間の電位差が３〜１０ｋＶ程度となるように、アノードに電圧が印加される。この印加電圧が高いほど、パネルの高輝度化と長寿命化を図れるが、一方で背面パネルと前面パネルの間に配置されるスペーサに電荷が帯電しやすくなる。スペーサが帯電すると、カソードからアノードに飛行する電子ビームがスペーサ側に引き寄せられる、或いは、反発してスペーサから遠ざかるという現象が起こる。この結果、スペーサの影が画面に表示されるようになって、画質が悪くなるという問題が生じる。また、放電が起こりやすくなり、カソードや他の構造部品が破壊される恐れもある。
【０００８】
スペーサの帯電を防ぐには、スペーサに或る程度の導電性を付与することが必要であり、そのための手段として、特許文献１及び特許文献２に見られるように、絶縁性部材よりなる基材の表面に導電層を設けたものが知られている。
【０００９】
本発明の目的は、絶縁性ガラスよりなる基材の表面に導電層を有するスペーサに較べて帯電防止効果が優れ、高電圧を印加できるようにした平面型画像表示装置及びそれに使用されるスペーサを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、冷陰極素子を形成したカソード基板と、蛍光体を形成したアノード基板と、カソード基板とアノード基板の間に配置され両基板を支持するスペーサとを備えた平面型画像表示装置において、スペーサが導電性ガラスよりなる基材の表面に導電性の結晶化ガラス層を有することを特徴とする。
【００１１】
また、本発明は、冷陰極素子を形成したカソード基板と、蛍光体を形成したアノード基板との間にスペーサを有する平面型画像表示装置における前記スペーサであって、導電性ガラスよりなる基材の表面に導電性の結晶化ガラス層を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明のスペーサは帯電防止効果が優れており、高電圧を印加しても帯電しにくいという効果がある。このため、平面型画像表示装置の画質向上を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。ただし、以下に述べる形態に限定されるものではない。
【実施例１】
【００１４】
図１は、平面型画像表示装置に使用される本発明のスペーサの構成を示した概略図である。図２は、本発明のスペーサを備えた平面型画像表示装置の一例として、電界放出型画像表示装置を示したものであり、（ａ）は斜視図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線における概略断面図である。図３は、図２のＡ−Ａ線に沿った断面の詳細構造を示した模式図であり、図４は、図３の一部を拡大して示した断面図である。図５は、画像表示装置の全体構造を斜視図で示したものであり、図６は図５のＢ−Ｂ線に沿った断面図である。
【００１５】
図１において、スペーサ１０１は導電性ガラスよりなる基材１１０と導電性の結晶化ガラス層１２０とから構成されている。図１では、結晶化ガラス層１２０の表面全体に凹凸が形成されているものが示されている。スペーサ１０１は背面パネルにおけるカソード基板２１１と前面パネルにおけるアノード基板２２１との間に配置されており、それぞれの基板と導電性接着剤１１５により接着されている。
【００１６】
背面パネル２０１は、パネルの基材であるカソード基板２１１の内面側に信号線（データ線、カソード電極線）２１２と走査線（ゲート電極線）２１３を有しており、この信号線と走査線の交差部近傍に電子源２１４が形成されている。電子源２１４は冷陰極素子の電子放出素子がマトリクス状に配置されたものである。走査線２１３の端部には図５に示したように走査線引き出し線２１６が形成され、信号線２１２の端部には、図５及び図６に示したように信号線引き出し線２１７が形成されている。
【００１７】
前面パネル２０２は、パネルの基材であるアノード基板２２１の内面側に遮光膜（ブラックマトリクス）２２２と、アノード（メタルバック）２２３及び蛍光体層２２４等を有している。なお、図２〜６ではスペーサ１０１の構造を簡略化して一枚の板の形で示したが、実際には図１に示すように基材と結晶化ガラス層から構成されている。
【００１８】
カソード基板２１１とアノード基板２２１の内周縁部には封止枠（枠ガラス）２０３が設けられ、この封止枠とカソード基板及びアノード基板が封着剤により接着され、封止接着層２０４が形成されている。これによって、背面パネルと前面パネルとの間に空間部分が形成されている。この空間部分は通常、１０−５〜１０−７Ｔｏｒｒの圧力の真空雰囲気に保持され、表示領域２０７となる。表示領域２０７を真空雰囲気に保持するために、図５及び図６に示したように背面パネル２０１の一部に排気管２０８が接続される。
【００１９】
スペーサ１０１は、カソード基板２１１の内面に形成された走査線２１３とアノード基板２２１の内面に形成された遮光膜（ブラックマトリクス）２２２との間に設置され、導電性接着剤１１５によって接着される。なお、図２〜６においては、走査線２１３に沿って三枚のスペーサが配置されているが、これは一例であって、例えば一枚の長いスペーサを配置しても良い。
【００２０】
カソード基板２１１の材料は、ガラス又はアルミナ等のセラミックスが好適であり、アノード基板２２１の材料は透明なガラスが好適である。通常はカソード基板にガラス板が用いられる。また、通常、カソード基板とアノード基板との内周縁部の間隔は２〜５ｍｍ程度に保たれる。
【００２１】
図７は、本発明の平面型画像表示装置における一画素の構成例を模式図で示したものである。背面パネル２０１において、カソード基板２１１の主面（内側表面）には、アルミニウム膜を好適とする電子源の下部電極を構成する信号線２１２、下部電極のアルミニウムを陽極酸化した陽極酸化膜からなる第一の絶縁膜２７１、窒化シリコン膜（ＳｉＮ）を好適とする第二の絶縁膜２７２、給電電極(接続電極)２７４、クロムを好適とする走査線２１３、走査線２１３に接続された画素の電子源を構成する上部電極２７５が形成されている。
【００２２】
電子源２１４は、信号線２１２を下部電極とし、下部電極の上に位置する第一の絶縁膜２７１の一部を形成する薄膜部分２７３と、この薄膜部分２７３の上層に積層される上部電極２７５の部分とで構成される。上部電極２７５は、走査線２１３と給電電極２７４の一部とを覆って形成されている。薄膜部分２７３は、所謂トンネル膜である。この構成で、所謂ダイオード電子源が形成される。
【００２３】
一方、前面パネル２０２において、透明なガラス基板を好適とするアノード基板２２１の主面には、遮光膜（ブラックマトリクス）２２２で隣接画素と区画された蛍光体層２２４、アルミニウム蒸着膜を好適とするアノード２２３が形成されている。背面パネル２０１と前面パネル２０２の間にはスペーサ１０１が配置されている。
【００２４】
このように構成された平面型画像表示装置において、背面パネル２０１の上部電極２７５と前面パネル２０２のアノード２２３との間に加速電圧を印加すると、下部電極である信号線２１２に供給される表示データの大きさに応じた電子ｅ−が出射し、加速電圧によって蛍光体層２２４に衝突し、これを励起して所定周波数の光２５０を前面パネル２０２の外部に出射する。なお、フルカラー表示の場合には、この単位画素はカラーの副画素（サブピクセル）であり、通常は赤（Ｒ），緑（Ｇ），青（Ｂ）の三つの副画素で一つのカラー画素（カラーピクセル）が構成される。
【００２５】
図８は本発明の平面型画像表示装置の等価回路例を説明する図である。図８において破線で示された領域は表示領域２０７であり、この表示領域２０７にｎ本の信号線２１２とｍ本の走査線２１３が互いに交差して配置され、ｎ×ｍのマトリクスが形成されている。マトリクスの各交差部は副画素を構成し、図中の三つの単位画素（或いは、副画素）すなわちＲ，Ｇ，Ｂの１グループで、カラー１画素を構成する。信号線２１２は、信号線引き出し線２１６によって画像信号駆動回路２８１に接続され、走査線２１３は走査線引き出し線２１７によって走査信号駆動回路２８２に接続されている。画像信号駆動回路２８１には外部信号源から画像信号ＮＳが入力され、走査信号駆動回路２８２には同様に走査信号ＳＳが入力される。
【００２６】
これにより、順次選択される走査線２１３に交差する信号線２１２に画像信号を供給することで、二次元のフルカラー画像を表示することができる。
【００２７】
平面型画像表示装置において、スペーサは電子放出素子からの電子の作用により電荷が帯電しやすい。スペーサが帯電すると、スペーサ近傍では、電子放出素子から放出される電子の軌道が曲げられ、画像が歪む現象が生じる。スペーサの帯電を防ぐには、スペーサの表面に或る程度の導電性を有する層を形成し、スペーサ表面に微小電流を流す必要がある。
【００２８】
導電性の良いスペーサは、電圧の印加を停止した後に速やかに電荷を消滅させることができるが、一方で、電流が流れすぎて熱暴走し、パネルが破損する恐れがある。また、パネルが破損しなくても、パネルの消費電力が大きくなる。なお、熱暴走とは、通電による加熱で抵抗値が下がり、これによって電流が大きくなり、更に、これによって加熱され、抵抗値が下がることが繰り返される現象である。
【００２９】
本発明のスペーサは、表面の導電性結晶化ガラス層により熱伝導率が向上するので、高電圧下での熱暴走を低減できるという効果がある。また、結晶化によって表面に凹凸が形成されるようになり、この凹凸によって電子ビームの偏向量が低減されるという効果が得られる。更に、抵抗温度係数を改善できる可能性がある。
【００３０】
本発明のスペーサは、導電性ガラスよりなる基材の表面に導電性の結晶化ガラス層を有する点で、従来のように基材表面に単純に導電性部材の層を設けたものとは本質的に異なる。
【００３１】
本発明のスペーサにおいて、結晶化ガラス層にはガラス成分に含まれる遷移金属酸化物が結晶化して析出した析出相が存在する。また、結晶化ガラス層の表面には凹凸が形成される。結晶化により熱伝導性が向上し、凹凸により二次電子放出が低減され電子ビームの偏向量が低減されるという、二つの効果が同時に得られる。これは、従来のスペーサには見られない効果である。更に、この結晶化により抵抗温度係数の絶対値を小さくすることができ、より信頼性の高いスペーサを提供できる。
【００３２】
本発明のスペーサは、一例として、スペーサ基材の表面に結晶化する成分を含む導電性ガラスのスラリーをスプレー塗布し、この状態で焼付け及び結晶化温度に加熱して結晶化させる、いわゆるスプレーコート法によって製造することができる。また、スペーサプリフォームの表面に結晶化させるための成分を覆い、これを線引きと同時に焼付け、その後の加熱で結晶化させる、いわゆる三層プリフォーム法によっても製造することができる。もちろん、これらの方法に限定されるものではない。
【００３３】
スプレーコート法及び三層プリフォーム法について詳しく説明すると、スプレーコート法では、まず、ガラス原料を配合、混合、溶融し、ガラスインゴットを作製する。このインゴットを加工し、ガラスプリフォームを作製する。このプリフォームを線引き炉に装着する。線引き炉の下方には、結晶化ガラス層形成材料をスプレーコートするためのスプレー装置と、スプレーコートしたガラス材料を焼付けし、さらに結晶化するための結晶化炉を備えておく。ガラスプリフォームを線引き炉中で下方に連続的に線引きし、その途中でスプレー装置により結晶化ガラス層形成材料のスラリーをスプレーコートする。その後、更に結晶化炉を通して結晶化させる。これにより、基材表面が結晶化ガラス層で覆われたスペーサを製造することができる。
【００３４】
三層プリフォーム法では、上記のように作製したガラスプリフォームの両側面に結晶化させるための成分を塗布、焼成し、三層構造とする。これを線引き炉に装着し、下方へ連続的に線引きし、更に、その下方に配置した結晶化炉を通過させて、基材表面を覆うガラス材料に含まれる結晶化成分を結晶化させて析出させる。これにより、基材表面が結晶化ガラス層で覆われたスペーサが製造される。
【００３５】
結晶化ガラス層を形成する材料のコート量、例えばスプレーコート法ではスプレーする量或いはスプレーの速度を制御することによって、結晶化ガラス層の厚さを変化させることができる。後述するように、実験の結果、結晶化ガラス層の厚みと結晶化ガラス層の凹凸の状態すなわち平均粗さとの間には相関があり、厚みが小さくなるにつれて平均粗さも小さくなることが分かった。
【００３６】
本発明のスペーサにおいて、結晶化ガラス層の平均厚みは３μｍ以下であることが好ましく、特に１μｍ以下であることが望ましい。結晶化ガラス層の厚みが３μｍを超える場合には、スペーサの厚みを正確に制御しにくく、また、結晶化ガラス層が基材との熱膨張差により剥離しやすい。特に１μｍ以下のときに、このような問題は発生しない。結晶化ガラス層の平均厚みが３μｍ以下のときに得られる比抵抗の値は、おおよそ１０７〜１０１０Ωｃｍである。スペーサの比抵抗が１０７Ωｃｍ未満ではスペーサに電流が流れすぎて熱暴走しパネル破損が起こり易くなり、１０１０Ωｃｍを超えるとスペーサが帯電し易く電子ビームが大きく吸引されるようになるが、これを改善できる。
【００３７】
結晶化ガラス層の凹凸の状態すなわち平均粗さは０．１〜１．０μｍの範囲が好ましく、この粗さの範囲は結晶化ガラス層の平均厚みを３μｍ以下、０．２μｍ以上にすることによって得られる。平均粗さが０．１μｍ未満ではビーム偏向量低減、熱伝導性向上の効果が乏しく、３．０μｍを超えるとスペーサの組み立て精度が悪化する。１μｍ以下であると、組み立て精度が特に良い。
【００３８】
スペーサの基材である導電性ガラスは、遷移金属酸化物を含むものが好ましく、特に遷移金属酸化物としてバナジウム酸化物、タングステン酸化物及びモリブデン酸化物から選ばれた少なくとも一種を含むものが好ましい。このほかに、バリウム酸化物やアンチモン酸化物などを含むことができる。
【００３９】
バナジウム酸化物、タングステン酸化物及びモリブデン酸化物は、いずれもガラス中で導電性を有しており、これらを含むことで、基材に導電性を付与することができる。これらの中ではバナジウム酸化物が最も導電性が優れている。一方、酸化タングステンにはガラスの耐熱性を向上する効果、酸化モリブデンにはガラスの二次電子放出を低減する効果がある。このため、本発明ではこれらの酸化物の全てを含むことが望ましい。しかし、酸化モリブデンはガラスの化学的安定性を劣化させることがあるので、注意が必要である。このような場合には、酸化モリブデンを取り除くことが望ましい。
【００４０】
スペーサの材料には、以上述べた遷移金属酸化物のほかに、ガラス化するための酸化物が混合される。ガラス化するための酸化物としてはリン酸化物が最も好ましく、また、リン酸化物とともに酸化バリウムを含むことも可能である。また、酸化バリウムはその含有量によってガラスの熱膨張係数を制御することができる。
【００４１】
以上より、本発明では、スペーサの基材に、タングステン酸化物とバナジウム酸化物を含み、更にガラス成分としてリン酸化物を含むＷ−Ｖ−Ｐ−Ｏ系ガラス、或いは更に酸化モリブデンを含むＷ−Ｖ−Ｍｏ−Ｐ−Ｏ系ガラスを用いることを提案する。
【００４２】
また、結晶化ガラス層も、遷移金属酸化物を含むガラスよりなり、遷移金属酸化物の結晶が析出しているものが望ましい。遷移金属酸化物としては、導電性を付与する点からバナジウム酸化物が最も好適である。したがって、本発明では、バナジウム酸化物とリン酸化物を含むＶ−Ｐ−Ｏ系ガラスよりなり、バナジウム酸化物或いはバナジウムを含む酸化物の結晶が析出しているものを結晶化ガラス層とすることを提案する。
【００４３】
本発明の平面型画像表示装置は、スペーサに電荷が帯電しにくいので、アノード電圧を１０〜１５ｋＶ程度まで高めることが可能であり、これにより画像の質を高めることができる。アノード電圧が、この範囲内にあると、十分な輝度が得られ、また、スパークが発生しにくく、スペーサや配線の破損を低減できる。
【００４４】
本発明のスペーサの具体例として、基材成分がＷＯ３：３０重量％、Ｖ２Ｏ５：１５重量％、ＭｏＯ３：１０重量％、Ｐ２Ｏ５：３０重量％、ＢａＯ：１５重量％よりなり、基材表面に結晶化ガラス層を有するものをスプレーコート法により製造した。結晶化ガラス層の成分は、Ｖ２Ｏ５が５５重量％、Ｐ２Ｏ５が２５重量％、ＢａＯが１０重量％、Ｓｂ２Ｏ３が１０重量％よりなり、Ｖ２Ｏ５の結晶が析出したものである。ガラス基材の形状は、高さが３ｍｍ、厚みが０．１２ｍｍ、長さが７３０ｍｍとした。
【００４５】
このスペーサについて、１０−６Ｐａの真空中における比抵抗を測定したところ、基材の比抵抗は１．４×１０９Ωｃｍ（１ｋＶ）であり、結晶化ガラス層の比抵抗は１．２×１０７Ωｃｍ（１ｋＶ）であった。結晶化ガラス層の結晶化前の比抵抗は９．２×１０７Ωｃｍ（１ｋＶ）であり、結晶化により比抵抗が小さくなった。
【００４６】
スペーサ側面の導電性結晶化ガラス層の平均厚みと結晶化ガラス層の平均粗さとの関係を図９に示し、スペーサ側面の導電性結晶化ガラス層の平均厚みとスペーサの比抵抗の関係を図１０に示す。
【００４７】
また、このスペーサを用いて平面型画像表示装置を試作し、スペーサ側面の結晶化ガラス層の平均厚みと電子ビーム偏向量との関係を求めた結果、図１１に示すような結果が得られた。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】平面型画像表示装置のカソード基板とアノード基板の間に本発明のスペーサを配置した状態を模式図で示した正面図。
【図２】本発明の平面型画像表示装置の全体構造を示したものであり、（ａ）は斜視図、（ｂ）はＡ−Ａ断面図。
【図３】本発明の平面型画像表示装置を正面から見た断面図。
【図４】本発明の平面型画像表示装置の一部分を詳細に示した断面図。
【図５】本発明の平面型画像表示装置の全体構造を一部破断して具体的に示した斜視図。
【図６】図５のＢ−Ｂ線に沿って切断した断面図。
【図７】本発明の平面型画像表示装置における一画素の構成例を示した模式図。
【図８】本発明の平面型画像表示装置の等価回路例を説明するための図。
【図９】本発明の実施例に係るスペーサについて、結晶化ガラス層の平均厚みと平均粗さの関係を示した図。
【図１０】本発明の実施例に係るスペーサについて、結晶化ガラス層の平均厚みとスペーサの比抵抗との関係を示した図。
【図１１】本発明の実施例に係る平面型画像表示装置について、スペーサの結晶化ガラス層の平均厚みと電子ビーム偏向量の関係を示した図。
【符号の説明】
【００４９】
１０１…スペーサ、１１０…基材、１１５…導電性接着層、１２０…結晶化ガラス層、２０１…背面パネル、２０２…前面パネル、２０３…封止枠、２０４…封止接着層、２１１…カソード基板、２１２…信号線、２１３…走査線、２１４…電子源、２０７…表示領域、２２１…アノード基板、２２２…遮光膜（ブラックマトリクス）、２２３…アノード、２２４…蛍光体層。
【図１】
2008016254.tif 000003
【図２】
2008016254.tif 000004
【図３】
2008016254.tif 000005
【図４】
2008016254.tif 000006
【図５】
2008016254.tif 000007
【図６】
2008016254.tif 000008
【図７】
2008016254.tif 000009
【図８】
2008016254.tif 000010
【図９】
2008016254.tif 000011
【図１０】
2008016254.tif 000012
【図１１】
2008016254.tif 000013