(57)【要約】【課題】  小型で、かつ高周波のノイズを除去可能なコモンモードチョークコイルを提供する。【解決手段】  コモンモードチョークコイル１は、第１，第２の磁性体基板２，３の間に積層体４を設けて構成する。また、積層体４は、第１の絶縁層５、１次コイル１０、コイル間絶縁層１１、２次コイル１６、第２の絶縁層１７等を積み重ねることによって形成する。そして、絶縁層５，１７の厚さ寸法Ｔ1，Ｔ2は、いずれも１２．５μｍ以上の値に設定する。これにより、各コイル１０，１６の周囲に生じる電気力線が絶縁層５，１７の内部を通過する割合が増加するから、各コイル１０，１６の浮遊容量を低下させることができる。【選択図】        図３
2008071821.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の磁性体基板と、
該第１の磁性体基板の表面に形成され、第１の絶縁層、１次コイル、コイル間絶縁層、２次コイルおよび第２の絶縁層を厚さ方向に積み重ねた積層体と、
前記第１の磁性体基板との間に該積層体を挟む第２の磁性体基板とを備えたコモンモードチョークコイルにおいて、
前記第１，第２の絶縁層は、前記第１，第２の磁性体基板よりも誘電率が低い非磁性体の絶縁材料を用いて形成し、
前記第１，第２の絶縁層の厚さ寸法は、いずれも１２．５μｍ以上に設定したことを特徴とするコモンモードチョークコイル。
【請求項２】
前記第１の絶縁層の厚さ寸法と第２の絶縁層の厚さ寸法は、同じ値に設定してなる請求項１に記載のコモンモードチョークコイル。
【請求項３】
前記１次コイル、２次コイルは、渦巻状のコイルパターンを用いて形成してなる請求項１または２に記載のコモンモードチョークコイル。
【請求項４】
前記第１，第２の絶縁層の厚さ寸法は、いずれも６０μｍ以下に設定してなる請求項１，２または３に記載のコモンモードチョークコイル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、２枚の磁性体基板の間に挟まれた状態で２つのコイルが厚さ方向に対向して配置されたコモンモードチョークコイルに関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、コモンモードチョークコイルとして、第１の磁性体基板と、該第１の磁性体基板の表面に形成され、第１の絶縁層、１次コイル、コイル間絶縁層、２次コイルおよび第２の絶縁層を厚さ方向に積み重ねた積層体と、前記第１の磁性体基板との間に該積層体を挟む第２の磁性体基板とを備えたものが知られている（例えば、特許文献１参照）。このような従来技術によるコモンモードチョークコイルでは、１次コイル、２次コイルに互いに同じ方向の信号が伝搬するコモンモードに対して、インピーダンス（コモンモードインピーダンス）が高くなる。これに対し、１次コイル、２次コイルに互いに逆方向の信号が伝搬するノーマルモードに対して、インピーダンス（ノーマルモードインピーダンス）が低くなる。これにより、コモンモードチョークコイルは、ノーマルモードの信号を通過させるのに対し、コモンモードのノイズを除去する構成となっている。
【０００３】
また、従来技術によるコモンモードチョークコイルでは、インダクタンスの取得効率を高くするために、第１の磁性体基板と１次コイルとの間に位置する第１の絶縁層や、第２の磁性体基板と２次コイルとの間に位置する第２の絶縁層は、加工上の問題や特性の精度の許す範囲で、極力薄くするほうが好ましい。このため、例えば特許文献１には、コモンモードチョークコイルの第１，第２の絶縁層の厚さ寸法は１０μｍ以下が好ましい点が開示されている。
【０００４】
【特許文献１】特開平８−２０３７３７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、近年、小型液晶の高解像度化に伴って差動信号の高周波化が進んでいる。また、映像と音声を１本のケーブルで出力可能な超高速差動伝送方式ＨＤＭＩ（High Definition Multimedia Interface）のモバイル機器への搭載が進められている。このため、小型で高周波のノイズを除去可能なコモンモードチョークコイルが要求されている。
【０００６】
特に、ＣＩＳＰＲ（国際無線障害特別委員会）において、新たに１〜６ＧＨｚでの輻射ノイズに関する規格が制定されることに伴って、１〜６ＧＨｚの高周波帯域におけるノイズ除去効果の高いコモンモードチョークコイルが望まれている。
【０００７】
一方、小型で、かつ高周波のコモンモードノイズの除去効果が高いコモンモードチョークコイルを実現するためには、１次コイルと２次コイルのそれぞれについて浮遊容量を削減する必要がある。しかし、従来技術では、例えば１ＧＨｚ以上の高周波帯域でのコイルの浮遊容量を削減する方法が提示されておらず、小型で高周波のノイズを除去可能なコモンモードチョークコイルは提供されていなかった。
【０００８】
本発明は上述した従来技術の問題に鑑みなされたもので、本発明の目的は、小型で、かつ高周波のノイズを除去可能なコモンモードチョークコイルを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上述した課題を解決するために、請求項１の発明は、第１の磁性体基板と、該第１の磁性体基板の表面に形成され、第１の絶縁層、１次コイル、コイル間絶縁層、２次コイルおよび第２の絶縁層を厚さ方向に積み重ねた積層体と、前記第１の磁性体基板との間に該積層体を挟む第２の磁性体基板とを備えたコモンモードチョークコイルにおいて、前記第１，第２の絶縁層は、前記第１，第２の磁性体基板よりも誘電率が低い非磁性体の絶縁材料を用いて形成し、前記第１，第２の絶縁層の厚さ寸法は、いずれも１２．５μｍ以上に設定したことを特徴としている。
【００１０】
請求項２の発明では、前記第１の絶縁層の厚さ寸法と第２の絶縁層の厚さ寸法は、同じ値に設定している。
【００１１】
請求項３の発明では、前記１次コイル、２次コイルは、渦巻状のコイルパターンを用いて形成している。
【００１２】
請求項４の発明では、前記第１，第２の絶縁層の厚さ寸法は、いずれも６０μｍ以下に設定している。
【発明の効果】
【００１３】
請求項１の発明によれば、第１の絶縁層の厚さ寸法を１２．５μｍ以上に設定したから、例えば従来技術のように第１の絶縁層の厚さ寸法を１０μｍ以下に設定した場合に比べて、１次コイルの周囲に電気力線が形成されたときに、この電気力線のうち第１の絶縁層内に形成される割合を増加させることができる。このとき、第１の絶縁層は第１の磁性体基板よりも誘電率が低い絶縁材料を用いて形成したから、１次コイルの周囲に形成される浮遊容量を小さくすることができる。同様な理由により、２次コイルの周囲に形成される浮遊容量も小さくすることができる。この結果、１次コイル、２次コイルの自己共振周波数を高周波側に移動させることができるから、外形形状を小型に維持しつつ、例えば１ＧＨｚ以上の高周波のコモンモードノイズに対する除去効果を高めることができる。
【００１４】
請求項２の発明によれば、第１の絶縁層の厚さ寸法と第２の絶縁層の厚さ寸法を同じ値に設定したから、１次コイルと２次コイルとの間の対称性を保つことができる。このため、１次コイルと２次コイルとの間でインダクタンス値の差を殆ど無くすことができるから、ノーマルモードインピーダンスを低くすることができる。
【００１５】
請求項３の発明によれば、１次コイル、２次コイルは、渦巻状のコイルパターンを用いて形成したから、コイルパターンの内周側と外周側との間には、大きな電位差が生じる。このため、コイルパターンの内周側と外周側との間には、他の部位に比べて、多数の電気力線が形成されるから、この電気力線によって大きな浮遊容量が生じ易い。
【００１６】
ここで、例えば１次コイルのコイルパターンは第１の絶縁層を挟んで第１の磁性体基板と対面するから、コイルパターンの内周側と外周側との間に生じる電気力線は、第１の絶縁層、第１の磁性体基板に沿って広がり、第１の絶縁層および第１の磁性体基板の内部を通過する。同様な理由により、２次コイルのコイルパターンの内周側と外周側との間に生じる電気力線は、第２の絶縁層および第２の磁性体基板の内部を通過する。
【００１７】
このとき、第１，第２の絶縁層の厚さ寸法を１２．５μｍ以上に設定したから、コイルパターンの内周側と外周側との間に生じる電気力線は、第１，第２の絶縁層の内部を通過する割合が増加する。これにより、コイルパターンの周囲に形成される浮遊容量を小さくすることができるから、１次コイル、２次コイルの自己共振周波数を高周波側に移動させることができ、高周波のコモンモードノイズに対する減衰量を増加させることができる。
【００１８】
請求項４の発明によれば、第１，第２の絶縁層の厚さ寸法はいずれも６０μｍ以下に設定したから、例えば第１，第２の絶縁層の厚さ寸法を１０μｍ以下に設定した場合に比べて、インダクタンスの取得効率を近い値に保持することができる。これにより、各絶縁層の厚さ寸法が増大することに伴って１次コイル、２次コイルの巻数等が増加するのを抑制することができ、小型なコモンモードチョークコイルを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明の実施の形態によるコモンモードチョークコイルについて添付図面を参照しつつ詳細に説明する。
【００２０】
図１に示すように、コモンモードチョークコイル１は、第１，第２の磁性体基板２，３と該磁性体基板２，３の間に挟まれた積層体４とによって構成されている。ここで、磁性体基板２，３は、フェライト等の磁性体材料を用いて形成されている。特に、磁性体基板２，３にフェライトを使用した場合には、チョークコイル１は高インダクタンスで、高周波特性が優れたものになる。また、磁性体基板２，３は、例えば１４程度の誘電率（比誘電率）を有している。
【００２１】
積層体４は、図２ないし図４に示すように、後述する絶縁層５，１１，１７、コイル１０，１６等を厚み方向に積み重ねることによって形成されている。
【００２２】
第１の絶縁層５は、磁性体基板２の表面に位置して、スピン塗布法、スクリーン印刷等の方法を用いて形成されている。絶縁層５は、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、環状オレフィン樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂等の種々の樹脂材料、またはＳｉＯ2等のガラス、ガラスセラミックス、誘電体材料等の非磁性体の絶縁材料が用いられる。絶縁層５の材料は、その目的に応じて複数材料を組み合わせたものを使用してもよい。
【００２３】
そして、絶縁層５は、磁性体基板２の誘電率よりも低い値として例えば３．３程度の誘電率（比誘電率）を有している。また、絶縁層５の厚さ寸法Ｔ1は、１２．５μｍ以上の値（例えば２５μｍ）に設定されている。但し、後述する１次コイル１０のインダクタンスの取得効率を考慮すると、絶縁層５の厚さ寸法Ｔ1は、例えば６０μｍ以下に設定するのが好ましい。
【００２４】
なお、絶縁層５は、例えばスピン塗布法を用いる場合には、樹脂材料の塗布回数、塗布量、回転数等を適宜調整することによって、その厚さ寸法Ｔ1が所望の値に設定されるものである。
【００２５】
また、第１の絶縁層５の表面には、渦巻状のコイルパターン６が形成されている。コイルパターン６の材料には、導電性に優れた金属、例えばＡｇ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ａｌ等の金属、またはこれらの合金等が採用される。コイルパターン６等の電極材料と絶縁層５等の絶縁材料との組み合わせは、加工性・密着性等を考慮して選択するのが望ましい。
【００２６】
そして、コイルパターン６は、絶縁層５の表面に導電性材料膜を形成した後に、レジストの塗布、露光、現像、エッチング等の一連のフォトリソグラフィ技術を用いて渦巻形状に形成される。なお、導電性材料膜は、スパッタリング、真空蒸着等の薄膜形成法、またはスクリーン印刷等の厚膜形成法といった成膜技術を用いて形成される。また、コイルパターン６のうち外周側の端部は、絶縁層５の外縁側に位置して引出電極部６Ａとなっている。一方、コイルパターン６のうち内周側の端部は、後述する引出パターン８に電気的に接続されている。
【００２７】
そして、コイルパターン６の表面には、例えば絶縁層５と同じ材料を用いて層間絶縁層７が形成される。層間絶縁層７には、例えばフォトリソグラフィ技術を用いて複数のビアホール７Ａが形成されている。このとき、ビアホール７Ａは、層間絶縁層７を貫通した状態で形成され、例えばコイルパターン６の内周側の端部や渦巻状に延びる途中部位と対応した位置に配置されている。
【００２８】
なお、フォトリソグラフィ技術を用いる場合には、層間絶縁層７の材料として感光性機能を付加した材料が用いられる。本実施の形態では、層間絶縁層７は、例えば感光性のポリイミド樹脂材料が用いられる。
【００２９】
また、層間絶縁層７の表面には、層間絶縁層７の内側から外縁側に向けて延びる引出パターン８が形成されている。このとき、引出パターン８の一端側は、ビアホール７Ａを介してコイルパターン６の内周側の端部に電気的に接続されている。一方、引出パターン８の他端側は、層間絶縁層７の外縁側に位置して引出電極部８Ａとなっている。また、引出電極部８Ａは、例えばコイルパターン６を挟んで引出電極部６Ａとは図２中の前，後方向の反対側に配置されている。
【００３０】
さらに、層間絶縁層７の表面には、Ｃ字状をなす複数のラダーコイルパターン９が形成されている。このとき、ラダーコイルパターン９は、コイルパターン６に沿って延びると共に、その両端側がビアホール７Ａを介してコイルパターン６の途中位置に電気的に接続されている。これにより、ラダーコイルパターン９は、１次コイル１０の直流抵抗Ｒdcを低下させている。また、引出パターン８およびラダーコイルパターン９は、例えばコイルパターン６と同じ材料を用いて形成されている。
【００３１】
そして、コイルパターン６、引出パターン８およびラダーコイルパターン９によって、１次コイル１０が形成されている。
【００３２】
コイル間絶縁層１１は、引出パターン８およびラダーコイルパターン９の表面に位置して、例えば絶縁層５，７と同じ材料を用いて成膜されている。そして、コイル間絶縁層１１は、１次コイル１０と２次コイル１６との間を絶縁している。
【００３３】
コイル間絶縁層１１の表面には、１次コイル１０と同様な成膜工程等を繰返すことによって、コイルパターン６、層間絶縁層７、引出パターン８、ラダーコイルパターン９とほぼ同様な、コイルパターン１２、層間絶縁層１３、引出パターン１４、ラダーコイルパターン１５がそれぞれ形成されている。但し、コイルパターン１２と引出パターン１４の引出電極部１２Ａ，１４Ａは、コイルパターン６と引出パターン８の引出電極部６Ａ，８Ａと異なる位置として、例えば引出電極部６Ａ，８Ａから図２中の左，右方向に離間した位置に配置されている。
【００３４】
そして、コイルパターン１２、引出パターン１４およびラダーコイルパターン１５によって、２次コイル１６が形成されている。これにより、１次コイル１０と２次コイル１６とは、厚さ方向に積層された状態で磁気的に密接に結合するものである。
【００３５】
第２の絶縁層１７は２次コイル１６と第２の磁性体基板３との間に位置して、例えば第１の絶縁層５と同じ材料を用いて形成されている。このため、第２の絶縁層１７も、第１の絶縁層５と同様に、磁性体基板３の誘電率よりも低い値として例えば３．３程度の誘電率を有している。また、絶縁層１７の厚さ寸法Ｔ2は、１２．５μｍ以上の値（例えば２５μｍ）に設定されている。このとき、第２の絶縁層１７の厚さ寸法Ｔ2は、第１の絶縁層５の厚さ寸法Ｔ1と同じ値（Ｔ2＝Ｔ1）に設定するのが好ましい。また、２次コイル１６のインダクタンスの取得効率を考慮すると、絶縁層１７の厚さ寸法Ｔ2は、例えば６０μｍ以下に設定するのが好ましい。
【００３６】
また、第２の絶縁層１７は、例えば熱硬化性のポリイミド樹脂が用いられ、第２の磁性体基板３を２次コイル１６の表面に接着するための接着剤を兼ねている。即ち、コモンモードチョークコイル１の製造時には、まず第１の磁性体基板２の表面に、第１の絶縁層５、１次コイル１０、コイル間絶縁層１１、２次コイル１６を成膜工程等を繰返して積み重ねる。その後、第２の磁性体基板３の裏面側に接着剤としての第２の絶縁層１７を塗布した後に、２次コイル１６（引出パターン１４およびラダーコイルパターン１５）の表面に第２の磁性体基板３の裏面側を貼り合わせる。このとき、第２の磁性体基板３の接合は、真空中または不活性ガス中にて加熱、加圧した状態で行い、冷却後に圧力を解除するものである。
【００３７】
これにより、第２の絶縁層１７は、２次コイル１６と第２の磁性体基板３との間に配置される。この結果、第１，第２の磁性体基板２，３の間には、第１，第２の絶縁層５，１７、１次コイル１０、２次コイル１６、コイル間絶縁層１１からなる積層体４が形成される。
【００３８】
図１に示すように、コモンモードチョークコイル１の後側端面には外部電極１８，１９が設けられ、前側端面には外部電極２０，２１が設けられている。外部電極１８，１９，２０，２１はそれぞれ引出電極部６Ａ，１２Ａ，８Ａ，１４Ａに電気的に接続されている。外部電極１８〜２１は、例えばＡｇ，Ｃｕ，ＮｉＣｒまたはＮｉＣｕ等の材料を含む導電性ペーストを塗布したり、これらの材料を蒸着、スパッタリング、無電解めっき等の手段にて形成され、コモンモードチョークコイル１の端面に堅固に密着している。さらに、必要であれば、例えば湿式電解めっきによりＮｉ，Ｓｎ，Ｓｎ−Ｐｂ等の金属膜を形成し、外部電極１８〜２１の膜厚を厚くしてもよい。
【００３９】
本実施の形態によるコモンモードチョークコイル１は上述の如き構成を有するもので、次に第１，第２の絶縁層５，１７の厚さ寸法Ｔ1，Ｔ2と浮遊容量との関係について、図４ないし図６を参照しつつ検討する。
【００４０】
まず、図５に示す比較例によるコモンモードチョークコイル３１について検討する。比較例のコモンモードチョークコイル３１では、第１，第２の絶縁層３２，３３の厚さ寸法Ｔ11，Ｔ12は、従来技術と同様に１０μｍ以下の値として、いずれも７μｍ（Ｔ11＝Ｔ12＝７μｍ）に設定している。この比較例について、コモンモードノイズの減衰量Ｓcc21の周波数特性を測定した。その結果を図６中に点線で示す。
【００４１】
図６の結果より、比較例のコモンモードチョークコイル３１では、７００ＭＨｚ付近で減衰量が最大（２４ｄＢ程度）となり、それよりも高周波側では減衰量が低下する。このため、例えば１ＧＨｚ付近では減衰量が２０ｄＢ程度になっている。この理由は、１次コイル１０や２次コイル１６に並列接続された状態で浮遊容量が生じるためと考えられる。即ち、信号の周波数が高くなるに従って、各コイル１０，１６のインダクタンスは増加する。一方、信号の周波数が高くなるに従って、浮遊容量によるインピーダンスは低下する。このため、高周波側ではコモンモードインピーダンスに対する浮遊容量の影響が大きくなり、コモンモードインピーダンスが減少し、コモンモードノイズの減衰量が低下するものと考えられる。
【００４２】
ここで、浮遊容量は、各コイル１０，１６の周囲、各コイル１０，１６と外部電極１８〜２１との間等のように種々の箇所に生じる。しかし、従来技術では、大きな浮遊容量が生じる箇所を十分に特定できていなかった。
【００４３】
本発明者達は鋭意検討の結果、各コイル１０，１６の内周側１０Ａ，１６Ａと外周側１０Ｂ，１６Ｂとの間に大きな浮遊容量が生じることが分かった。これは、例えば１次コイル１０の内周側１０Ａと外周側１０Ｂは、それぞれ１次コイル１０の両端に近く、他の部位に比べて、１次コイル１０の内周側１０Ａと外周側１０Ｂとの間に大きな電位差が生じることが原因と考えられる。この原因は、２次コイル１６についても同様である。
【００４４】
このとき、１次コイル１０は略平面状に広がった渦巻形状をなしている。また、１次コイル１０は第１の絶縁層５を挟んで第１の磁性体基板２と対面した状態で配置されている。このため、１次コイル１０の内周側１０Ａと外周側１０Ｂとの間に生じる電気力線Ｅは、第１の絶縁層５や第１の磁性体基板２に沿って平面状に広がり、第１の絶縁層５および第１の磁性体基板２の内部を通過する。同様な理由により、２次コイル１６の内周側１６Ａと外周側１６Ｂとの間に生じる電気力線Ｅは、第２の絶縁層１７および第２の磁性体基板３の内部を通過する。
【００４５】
ここで、比較例（従来技術）では、第１，第２の絶縁層３２，３３の厚さ寸法Ｔ11，Ｔ12はいずれも７μｍ（１０μｍ以下）に設定している。この理由は、各コイル１０，１６が磁性体基板２，３に近付くに従って、磁気抵抗が減少して、大きなインダクタンスが得られ易くなり、インダクタンスの取得効率を向上するからである。
【００４６】
一方、磁性体基板２，３は、フェライト等の磁性体材料を用いて形成されるから、例えば１４程度の誘電率を有し、この誘電率は、絶縁層５，１７等の誘電率よりも高い値となっている。このとき、磁性体基板２，３の誘電率は、磁性体基板２，３の材料によって決まり、例えば１０以下に低下させることは困難である。
【００４７】
これにより、各コイル１０，１６の内周側１０Ａ，１６Ａと外周側１０Ｂ，１６Ｂとの間に生じる電気力線Ｅは、絶縁層５，１７に比べて、誘電率の高い磁性体基板２，３の内部を通過する割合が高い。また、各コイル１０，１６と外部電極１８〜２１との間に生じる電気力線Ｅも、絶縁層５，１７に比べて、磁性体基板２，３の内部を通過する傾向がある。
【００４８】
この結果、比較例では、誘電率の高い磁性体基板２，３の内部に電気力線Ｅが形成されることによって、各コイル１０，１６の内周側１０Ａ，１６Ａと外周側１０Ｂ，１６Ｂとの間の浮遊容量Ｃ11や各コイル１０，１６と外部電極１８〜２１との間の浮遊容量Ｃ12が増加し、１ＧＨｚ以上の高周波信号に対するコモンモードノイズの減衰量が低下するという問題があった。
【００４９】
次に、本実施の形態によるコモンモードチョークコイル１について検討する。図４に示す本実施の形態によるコモンモードチョークコイル１では、第１，第２の絶縁層５，１７の厚さ寸法Ｔ1，Ｔ2は、１２．５μｍ以上の値（Ｔ1，Ｔ2≧１２．５μｍ）に設定している。そこで、第１，第２の絶縁層５，１７の厚さ寸法Ｔ1，Ｔ2を、いずれも２５μｍ、５０μｍ、１００μｍに設定した場合について、コモンモードノイズの減衰量Ｓcc21の周波数特性をそれぞれ測定した。その結果を図６中に実線で示す。
【００５０】
図６の結果より、実施の形態のコモンモードチョークコイル１では、厚さ寸法Ｔ1，Ｔ2を２５μｍに設定したときには、９００ＭＨｚ付近で減衰量が最大（２８ｄＢ程度）となると共に、１ＧＨｚ以上の高周波側の減衰量は、比較例の場合よりも増加している。また、厚さ寸法Ｔ1，Ｔ2を５０μｍに設定したときには、１ＧＨｚ付近で減衰量が最大（３１ｄＢ程度）となり、厚さ寸法Ｔ1，Ｔ2を１００μｍに設定したときには、１．２ＧＨｚ付近で減衰量が最大（３３ｄＢ程度）となる。
【００５１】
このように、第１，第２の絶縁層５，１７の厚さ寸法Ｔ1，Ｔ2を増加させるに従って、減衰量のピークが高周波側に移動すると共に、１ＧＨｚ以上の高周波側の減衰量が増加することが分かる。
【００５２】
この理由は、絶縁層５，１７の厚さ寸法Ｔ1，Ｔ2を増加させることによって、各コイル１０，１６の内周側１０Ａ，１６Ａと外周側１０Ｂ，１６Ｂとの間に生じる電気力線Ｅや各コイル１０，１６と外部電極１８〜２１との間に生じる電気力線Ｅは、比較例に比べて、誘電率の低い絶縁層５，１７の内部を通過する割合が増加したためと考えられる。
【００５３】
この結果、本実施の形態では、誘電率の低い絶縁層５，１７の内部に形成される電気力線Ｅの割合を増加させることによって、各コイル１０，１６の内周側１０Ａ，１６Ａと外周側１０Ｂ，１６Ｂとの間の浮遊容量Ｃ1や各コイル１０，１６と外部電極１８〜２１との間の浮遊容量Ｃ2を低下させることができ、１ＧＨｚ以上の高周波信号に対するコモンモードノイズの減衰量を増加させることができる。
【００５４】
但し、絶縁層５，１７の厚さ寸法Ｔ1，Ｔ2を増加させると、各コイル１０，１６と磁性体基板２，３との距離が離れるから、磁気抵抗が増加して、インダクタンスの取得効率が低下する。即ち、同じ値のインダクタンスを得るために、各コイル１０，１６の巻き数を増加させる必要があり、コモンモードチョークコイル１が大型化する傾向がある。このため、図３に示すように、磁性体基板２，３の間隔寸法Ｔ3は、例えば１５０μｍ以下（Ｔ3≦１５０μｍ）に設定するのが好ましく、絶縁層５，１７の厚さ寸法Ｔ1，Ｔ2は、例えば６０μｍ以下（Ｔ1，Ｔ2≦６０μｍ）に設定するのが好ましい。
【００５５】
かくして、本実施の形態では、第１の絶縁層５の厚さ寸法Ｔ1を１２．５μｍ以上に設定したから、例えば従来技術のように第１の絶縁層３２の厚さ寸法を１０μｍ以下に設定した場合に比べて、１次コイル１０の周囲に電気力線Ｅが形成されたときに、この電気力線Ｅのうち第１の絶縁層５内に形成される割合を増加させることができる。このとき、第１の絶縁層５は第１の磁性体基板２の誘電率よりも低い絶縁材料を用いて形成したから、１次コイル１０の周囲に形成される浮遊容量Ｃ1，Ｃ2を小さくすることができる。同様な理由により、２次コイル１６の周囲に形成される浮遊容量Ｃ1，Ｃ2も小さくすることができる。この結果、１次コイル１０、２次コイル１６の自己共振周波数を高周波側に移動させることができるから、外形形状を小型に維持しつつ、例えば１ＧＨｚ以上の高周波のコモンモードノイズに対する除去効果を高めることができる。
【００５６】
また、第１の絶縁層５の厚さ寸法Ｔ1と第２の絶縁層１７の厚さ寸法Ｔ2を同じ値（Ｔ1＝Ｔ2）に設定したときには、１次コイル１０と２次コイル１６との間の対称性を保つことができる。このため、１次コイル１０と２次コイル１６との間でインダクタンス値の差を殆ど無くすことができるから、ノーマルモードインピーダンスを低くすることができる。
【００５７】
特に、１次コイル１０、２次コイル１６は、渦巻状のコイルパターン６，１２を用いて形成したから、コイルパターン６，１２の内周側と外周側との間には、大きな電位差が生じる。このため、コイルパターン６，１２の内周側と外周側との間には、他の部位に比べて、多数の電気力線Ｅが形成されると共に、この電気力線Ｅが誘電率の高い磁性体基板２，３の内部を通過して大きな浮遊容量が生じ易い。
【００５８】
この場合でも、本実施の形態では、第１，第２の絶縁層５，１７の厚さ寸法Ｔ1，Ｔ2を１２．５μｍ以上に設定したから、コイルパターン６，１２の内周側と外周側との間に生じる電気力線Ｅは、第１，第２の絶縁層５，１７の内部を通過する割合が増加する。これにより、コイルパターン６，１２の周囲に形成される浮遊容量Ｃ1，Ｃ2を減少させることができ、高周波のコモンモードノイズに対する減衰量を増加させることができる。
【００５９】
さらに、第１，第２の絶縁層５，１７の厚さ寸法Ｔ1，Ｔ2はいずれも６０μｍ以下に設定したから、従来技術と同様に各絶縁層５，１７の厚さ寸法Ｔ1，Ｔ2を１０μｍ以下に設定した場合に比べて、インダクタンスの取得効率を近い値に保持することができる。これにより、各絶縁層５，１７の厚さ寸法Ｔ1，Ｔ2が増大することに伴って１次コイル１０、２次コイル１６の巻数等が増加するのを抑制することができ、小型なコモンモードチョークコイル１を提供することができる。
【００６０】
なお、前記実施の形態では、１次コイル１０、２次コイル１６は、ラダーコイルパターン９，１５を備える構成とした。しかし、本発明はこれに限らず、例えば１次コイル、２次コイルはラダーコイルパターンを省く構成としてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】本発明の実施の形態によるコモンモードチョークコイルを示す斜視図である。
【図２】図１中のコモンモードチョークコイルを分解して示す分解斜視図である。
【図３】実施の形態によるコモンモードチョークコイルを図１中の矢示III−III方向からみた断面図である。
【図４】実施の形態によるコモンモードチョークコイルに生じる電気力線を示す説明図である。
【図５】比較例によるコモンモードチョークコイルに生じる電気力線を示す説明図である。
【図６】コモンモードチョークコイルのコモンモードノイズの減衰量と周波数との関係を示す特性線図である。
【符号の説明】
【００６２】
１  コモンモードチョークコイル
２  第１の磁性体基板
３  第２の磁性体基板
４  積層体
５  第１の絶縁層
６  コイルパターン
１０  １次コイル
１１  コイル間絶縁層
１２  コイルパターン
１６  ２次コイル
１７  第２の絶縁層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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