(57)【要約】【課題】出力によって拡がり角や光軸が変動する半導体レーザを用いた場合に、フロントモニタ光量と対物レンズ出射出力との線形性が崩れ、レーザの出力制御に誤差を生じる。【解決手段】光検出装置１４からのフロントモニタ出力Ｓ１，Ｓ２を、レーザ制御回路６において、１次以上の関数で補正する。または、光検出装置１４とレーザ制御回路６において、フロントモニタに光軸変動モニタ用の差動出力を設けた構成とする。これにより、高精度な光源光出力モニタを、何ら部品を追加することなく低コストに実現することができる。【選択図】図９
2008016076.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源からの光を記録媒体に照射し、前記記録媒体に情報の記録再生を行う情報処理装置であって、前記光源からの光を前記記録媒体に集光する集光レンズと、前記光源からの光の一部を受光する光検出装置と、前記光検出装置からの信号を用いて前記光源の出力を制御する制御回路とを有し、前記光源からの光の遠視野像の光強度分布上に投影した前記集光レンズの開口領域Ａと、前記光源からの光の遠視野像の光強度分布上に投影した前記光検出装置の受光領域Ｂとは大きさが異なり、前記光検出装置から得られる信号Ｓに対して、前記信号Ｓに関する一次以上の関数を前記信号Ｓに加えた信号Ｓ’を用いて前記光源の出力を制御することを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】
開口領域Ａの面積ＳＡと受光領域Ｂの面積ＳＢがＳＡ＞ＳＢの関係にある請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項３】
光源は半導体レーザであり、前記半導体レーザの活性層の厚み方向を垂直方向と定義したときに、前記半導体レーザからの光の遠視野像の中心と開口領域Ａの中心とは略一致しており、開口領域Ｂの中心は、前記遠視野像の中心に対し、水平、垂直方向の少なくとも一方向において略一致していることを特徴とする請求項１または２に記載の情報処理装置。
【請求項４】
光源からの光を記録媒体に照射し、前記記録媒体に情報の記録再生を行う情報処理装置に用いられる光検出装置であって、前記情報処理装置は前記光源からの光を前記記録媒体に集光する集光レンズを有し、前記光検出装置は前記光源からの光の一部を受光する位置に配置されるものであって、前記光源からの光の遠視野像の光強度分布上に投影した前記集光レンズの開口領域Ａと、前記光源からの光の遠視野像の光強度分布上に投影した前記光検出装置の受光領域Ｂとは大きさが異なり、前記光検出装置は軸対称な複数の光検出器を有し、前記複数の光検出器から得られる信号の和信号と、差信号とを出力することを特徴とする光検出装置。
【請求項５】
光源からの光を記録媒体に照射し、前記記録媒体に情報の記録再生を行う情報処理装置に用いられる光検出装置であって、前記情報処理装置は前記光源からの光を前記記録媒体に集光する集光レンズを有し、前記光検出装置は前記光源からの光の一部を受光する位置に配置されるものであって、前記光源からの光の遠視野像の光強度分布上に投影した前記集光レンズの開口領域Ａと、前記光源からの光の遠視野像の光強度分布上に投影した前記光検出装置の受光領域Ｂとは大きさが異なり、前記光検出装置は軸対称な複数の光検出器と、単一の光検出器とを有し、前記複数の光検出器から得られる信号の差信号と、前記単一の光検出器から得られる信号とを出力することを特徴とする光検出装置。
【請求項６】
光源からの光を記録媒体に照射し、前記記録媒体に情報の記録再生を行う光ピックアップ装置であって、前記光ピックアップ装置は前記光源からの光を前記記録媒体に集光する集光レンズと、前記光源からの光の一部を受光する光検出装置とを有し、前記光源からの光の遠視野像の光強度分布上に投影した前記集光レンズの開口領域Ａと、前記光源からの光の遠視野像の光強度分布上に投影した前記光検出装置の受光領域Ｂとは大きさが異なり、前記光検出装置は軸対称な複数の光検出器を有し、前記複数の光検出器から得られる信号の和信号と、差信号とを出力することを特徴とする光ピックアップ装置。
【請求項７】
光源からの光を記録媒体に照射し、前記記録媒体に情報の記録再生を行う光ピックアップ装置であって、前記光ピックアップ装置は前記光源からの光を前記記録媒体に集光する集光レンズと、前記光源からの光の一部を受光する光検出装置とを有し、前記光源からの光の遠視野像の光強度分布上に投影した前記集光レンズの開口領域Ａと、前記光源からの光の遠視野像の光強度分布上に投影した前記光検出装置の受光領域Ｂとは大きさが異なり、前記光検出装置は軸対称な複数の光検出器と、単一の光検出器とを有し、前記複数の光検出器から得られる信号の差信号と、前記単一の光検出器から得られる信号とを出力することを特徴とする光ピックアップ装置。
【請求項８】
開口領域Ａの面積ＳＡと受光領域Ｂの面積ＳＢがＳＡ＞ＳＢの関係にある請求項６または７に記載の光ピックアップ装置。
【請求項９】
光源は半導体レーザであり、前記半導体レーザの活性層の厚み方向を垂直方向と定義したときに、前記半導体レーザからの光の遠視野像の中心と開口領域Ａの中心とは略一致しており、開口領域Ｂの中心は、前記遠視野像の中心に対し、水平、垂直方向の少なくとも一方向において略一致していることを特徴とする請求項６ないし８のいずれかに記載の光ピックアップ装置。
【請求項１０】
光源からの光を記録媒体に照射し、前記記録媒体に情報の記録再生を行う情報処理装置であって、前記情報処理装置は前記光源からの光を前記記録媒体に集光する集光レンズと、前記光源からの光の一部を受光する光検出装置とを有し、前記光源からの光の遠視野像の光強度分布上に投影した前記集光レンズの開口領域Ａと、前記光源からの光の遠視野像の光強度分布上に投影した前記光検出装置の受光領域Ｂとは大きさが異なり、前記光検出装置は軸対称な複数の光検出器を有し、前記複数の光検出器から得られる信号の和信号と、差信号とを出力し、前記和信号と前記差信号とを演算処理した信号を用いて前記光源の光出力制御を行うことを特徴とする情報処理装置。
【請求項１１】
光源からの光を記録媒体に照射し、前記記録媒体に情報の記録再生を行う光情報処理装置であって、前記情報処理装置は前記光源からの光を前記記録媒体に集光する集光レンズと、前記光源からの光の一部を受光する光検出装置とを有し、前記光源からの光の遠視野像の光強度分布上に投影した前記集光レンズの開口領域Ａと、前記光源からの光の遠視野像の光強度分布上に投影した前記光検出装置の受光領域Ｂとは大きさが異なり、前記光検出装置は軸対称な複数の光検出器と、単一の光検出器とを有し、前記複数の光検出器から得られる信号の差信号と、前記単一の光検出器から得られる信号とを出力し、前記和信号と前記差信号とを演算処理した信号を用いて前記光源の光出力制御を行うことを特徴とする情報処理装置。
【請求項１２】
差信号を用いて、記録媒体から得られる情報信号、制御用誤差信号の少なくとも一つに補正を加えることを特徴とする請求項１０または１１に記載の情報処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光学的に情報の記録再生を行う情報処理装置、光ピックアップ装置およびそれらに用いられる光検出装置の構成に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、光学的に情報の記録再生を行う情報処理装置、例えば、コンパクトディスク（以下、「ＣＤ」と略称する。）、Ｍｉｎｉ−Ｄｉｓｋ（以下、「ＭＤ」と略称する。）、Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ  Ｄｉｓｃ（以下、「ＤＶＤ」と略称する。）、Ｂｌｕ−ｒａｙ  Ｄｉｓｃ（以下、［ＢＤ］と略称する。）などの記録媒体に映像や画像、音声などの各種情報（データ）を記録再生する装置が広く普及している。これらの装置においては、情報の記録再生には光源として一般に半導体レーザを用い、半導体レーザを発光させて得た光をレンズによって記録媒体上に集光し、レーザの光出力を高めて記録媒体上の集光スポットの光強度を高めることにより記録媒体の物性を変化させて記録媒体上に情報であるマークやピットや磁気情報を記録する。再生時にはそれよりも低い光出力を照射し記録媒体の物性（反射率や磁性）の違いを検出することにより情報を再生する。このような装置では光源を低出力から高出力まで発光させる必要があるとともに、情報の記録を安定に行うための記録媒体上の集光スポットの最適な光強度は、記録媒体の走査速度や、記録媒体の種類や固体毎に異なるため、記録時には常に最適な記録条件となるように光源の光出力を制御する必要がある。
【０００３】
また、近年は情報の高速記録に対するにニーズが高まっており、そのニーズに対応するには高速記録を行うのに必要な高い光強度を記録媒体上に照射する必要がある。これは同じ種類の記録媒体に高速記録を行うためには一般に記録媒体の走査速度を上げる手法が用いられるためであるが、走査速度を上げた場合には、照射された光によって記録媒体に供給される単位面積あたりのエネルギーが低下するため、記録に必要な光強度を確保するためには、より高い光出力で光源を発光させる必要があるためである。
【０００４】
また一方では、情報の高密度記録化（例えば、ＣＤ→ＤＶＤ→ＢＤ）も進んでおり、記録媒体に記録するマークの物理的な大きさが小さくなってきている。小さなマークを記録媒体上に安定に形成（記録）するためには、記録媒体に光を照射する時間とともに、照射する光強度を高精度に制御することが必要とされる。
【０００５】
このため光出力の制御には、光源が発する光の一部を光検出器で受光して、光源の光出力をモニタすることにより制御を行う手法が一般である（例えば、特許文献１参照）。この従来技術の概要を、図１５〜１８を参照して説明する。
【０００６】
図１５において、光源である半導体レーザ２２１を出射した光２２２は、コリメートレンズ２２３で平行光にされ、平行光の一部は反射ミラー２２４を透過して光出力モニタ用の光検出器２２５に入射する。光検出器２２５の出力は、レーザ制御回路２２６に入力され、半導体レーザ２２１の出力は必要な値となるように制御される。一方、反射ミラー２２４を反射した光は集光レンズ２２７を透過し、記録媒体２２８上に集光される。記録媒体２２８を反射した光はもとの経路を逆にたどり、検出用回折素子２２９で回折され、コリメートレンズ２２３を透過して半導体レーザ２２１の近傍にある信号検出用の光検出器２２１０および２２１１に入射する。光検出器２２１０および２２１１に入射した光により、フォ−カス、トラッキング、ＲＦ等の各種信号の検出が行われる。光検出器２２１０、２２１１の構成や、各種信号の検出方式は本発明の本質的な構成要素ではなく、また様々な構成が既に公知であるためその説明は省略する。
【０００７】
このとき、半導体レーザ２２１から出射される光の遠視野像を図１６に示す。図１６の遠視野像２３１上に投影した集光レンズ２２７の開口領域２３２（領域Ａ）および、光出力モニタ用の光検出器２２５の受光領域２３３（領域Ｂ）の中心は遠視野像２３１の中心に略一致している。遠視野像２３１の強度分布断面は図１７のような略正規分布をしているため、集光レンズ２２７の開口中心や光出力モニタ用の光検出器２２５の受光領域の中心は、遠視野像の中心と一致するように配置した場合に、最も光源からの光の利用効率が高くなるため、このように配置するのが一般である。
【０００８】
ところで、近年、半導体レーザの高出力化や高温動作性能の改善のために半導体レーザの動作電流を低減する実屈折率導波型レーザが実用に供されているが、この半導体レーザは一般に、主に水平方向に光放射角が光出力によって変化するという特性を有している。ここで、水平方向とは半導体レーザを発光面側から見たときに、活性層に沿う方向と定義する。そのため、このような特性の実屈折率導波型レーザを用いて光源の光出力モニタを行う場合、集光レンズを透過して記録媒体に照射される光量（以下、「Ｐｏ」と略称する。）と、光出力モニタ用の光検出器に入射する光量（以下、「Ｐｍ」と略称する。）との比が光出力によって変化してしまい、Ｐｍ／Ｐｏの線形性を確保することができず、正確な光出力制御を行うことが困難となってしまう。
【０００９】
図１８にて具体例を示すと、Ｐｍ／Ｐｏの線形性が確保されている状態２５１に対し、２５２や２５３のようなＰｍ／Ｐｏ特性となってしまう。これは、一般の装置では、集光レンズの開口領域（領域Ａとする）と光出力モニタ用光検出器の受光領域（領域Ｂとする）のサイズや形状が異なるため、半導体レーザの出射光が領域Ａ、Ｂの各々によって結合される効率（ηＡ、ηＢとする）が、半導体レーザの放射角が出力によって変化した際に変化する割合が異なるためである。すなわち、半導体レーザの光出力がＰ１のときの結合効率を各々ηＡ１、ηＢ１、光出力がＰ２（Ｐ１＞Ｐ２）のときの各結合効率を各々ηＡ２、ηＢ２とすると、ηＢ１／ηＡ１≠ηＢ２／ηＡ２となるためにＰｍ／Ｐｏ（＝ηＢ／ηＡ）の線形性が崩れるのである。
【００１０】
また、上述の半導体レーザは放射した光の遠視野像における光強度のピーク位置（以下、光軸と略称する。）が光出力によって変動するという特徴も有している。この場合も、開口領域Ａと受光領域Ｂとのサイズや形状差により、ηＢ１／ηＡ１≠ηＢ２／ηＡ２となり、Ｐｍ／Ｐｏ（＝ηＢ／ηＡ）の線形性が崩れるという問題が発生する。
【特許文献１】特許第２９０７７５９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
解決しようとする問題点は、光源の光放射角や光軸が光出力によって変化する場合に、集光レンズを透過して記録媒体に入射する光量Ｐｏと、光出力モニタ用の光検出器に入射する光量Ｐｍとの比が光出力によって変化することによりＰｍ／Ｐｏの線形性が崩れて正確な光出力のモニタができなくなり、Ｐｍをモニタすることによって行う光源の出力制御に誤差が生じ、装置の記録再生性能が損なわれるという点である。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明は、光源からの光を記録媒体に照射し、前記記録媒体に情報の記録再生を行う情報処理装置であって、前記光源からの光を前記記録媒体に集光する集光レンズと、前記光源からの光の一部を受光する光検出装置と、前記光検出装置からの信号を用いて前記光源の出力を制御する制御回路とを有し、前記光源からの光の遠視野像の光強度分布上に投影した前記集光レンズの開口領域Ａと、前記光源からの光の遠視野像の光強度分布上に投影した前記光検出装置の受光領域Ｂとは大きさが異なり、前記光検出装置から得られる信号Ｓに対して、前記信号Ｓに関する一次以上の関数を前記信号Ｓに加えた信号Ｓ’を用いて前記光源の出力を制御することを第１の主要な特徴とする。
【００１３】
また、前記光検出装置は軸対称な複数の光検出器を有し、前記複数の光検出器から得られる信号の和信号と、差信号とを出力することを第２の主要な特徴とする。
【００１４】
また、前記光検出装置は軸対称な複数の光検出器と、単一の光検出器とを有し、前記複数の光検出器から得られる信号の差信号と、前記単一の光検出器から得られる信号とを出力することを第３の主要な特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明は、光源の光放射角や光軸が光出力によって変化する場合にも、集光レンズを透過して記録媒体に入射する光量Ｐｏと、光出力モニタ用の光検出器に入射する光量Ｐｍとの比の光出力による変化を抑制し、Ｐｍ／Ｐｏの線形性を確保することにより、正確な光出力モニタ性能を有する装置を実現できるというものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
光源の水平方向の光放射角が光出力によって変化する場合にも、線形性の高い高精度な光出力モニタ性能を得る構成を実現した。
【００１７】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。なお、図面において、同じ符号の構成要件は、同一または同等のものを示す。
【００１８】
（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１の光検出装置及び光ピックアップ装置を含む情報処理装置の構成図である。
【００１９】
図１において、光源である半導体レーザ１を出射した光２は、折り曲げミラー１３を反射した後、コリメートレンズ３で平行光にされ、反射ミラー４を反射し、回折素子９を透過し、集光レンズ７により記録媒体８上に集光される。一方、折り曲げミラー１３を透過した光は、光出力モニタ用の光検出器５へ入射するが、光検出器５の受光部サイズは集光レンズ７に入射する光束１２よりも小さく、光検出器５の受光部中心は、光束１２の中心と略一致している。記録媒体８を反射した光はもとの経路を逆にたどるが、回折素子９で回折されるため、半導体レーザ１の近傍にある信号検出用の光検出器１０および１１に入射する。光検出器１０および１１に入射した光によりフォ−カス、トラッキング、ＲＦ等の各種信号の検出が行われる。光検出器１０、１１の構成や、各種信号の検出方式は本発明の本質的な構成要素ではなく、また様々な構成が既に公知であるためその説明は省略する。
【００２０】
半導体レーザ１からの出射光の遠視野像上に投影した、集光レンズ７の開口領域１１２（領域Ａ）と、光検出器５の受光領域１１３（領域Ｂ）の関係を図２に示す。半導体レーザ１の水平方向の放射角は出力によって変化し、出力Ｐ１のときの水平方向の放射角（半値全角）θｈ１を７°、Ｐ２のときの水平方向の放射角（半値全角）θｈ２を９°、垂直方向の放射角（半値全角）θｖは１４°で出力に依らず一定とし、領域Ａは円形とし、光源から見た放射角（全角）を水平、垂直方向とも１２．４°、領域Ｂも円形とし、光源から見た放射角（全角）を水平、垂直方向とも２°とし、θhの変化に対するηＡ、ηＢの変化をグラフ化したものをそれぞれ図３、図４に示す。θｈが７°から９°に拡がるとηＡは１０％低下し、ηＢは２２％低下する。これは、領域Ｂは領域Ａより領域が小さいため、θｈの変化による結合効率の変化への影響度合いが大きいことによる。光源の出力制御は一般に、光検出器５からの出力Ｓをモニタすることによって行われるため、出力Ｓと集光レンズ７から出射される光出力Ｐｏｌとの比は一定であることが望ましい。つまり、ηＢ／ηＡは一定であることが望ましいが、本例の場合は図５に示すようにθｈが７°から９°に拡がるとηＢ／ηＡは１３％低下してしまう。
【００２１】
この現象が光源の出力制御に及ぼす影響を考えてみる。出力ＳとＰｏｌとの関係を表す係数にθｈ＝７°のときの値を用いた場合に、出力Ｓを横軸、Ｐｏｌを縦軸に取ってその関係をグラフ化すると、図６のようになる。一般に光源の出力制御は図６中の破線の特性を想定した制御を行うのに対し、実際の出力ＳとＰｏｌとの関係は実線の特性となりθｈ＝９°の点では約１５％の制御誤差を生じてしまう。
【００２２】
さて、本例ではθhが光出力によって７°から９°へ２°拡がっているが、このθｈの差分を△θｈと定義すると、一般に△θｈは光出力とほぼ比例な関係にある場合が多い。図７に、ある半導体レーザの光出力と△θｈとの関係を示す。この半導体レーザの場合、光出力が１〜３００ｍＷで△θｈは約２°変化するが、ほぼ線形に変化している。よって、図６の特性は、ある同一品種の半導体レーザを用いた場合には、ほぼ同一の特性が得られる。ここで、図６の実線の特性と、破線の特性との差分を出力Ｓの関数ｆ（Ｓ）として表すと、図８に示すような２次または１次の関数で表すことができる。ここでＳは最大出力のときの値で正規化している。Ｐｏｌの制御目標値をＰｏｌ’とすると、Ｐｏｌ’＝Ｓ−ｆ（Ｓ）として制御することにより制御誤差の発生を抑えることができる。
【００２３】
本実施の形態では、領域Ａの面積（ＳＡ）＞領域Ｂの面積（ＳＢ）の構成例を説明したが、装置の構成上、領域Ａの面積＜領域Ｂの面積となる場合でも本発明が適用できることは明らかである。
【００２４】
また、本実施の形態では、光源である半導体レーザの放射角が光出力によって水平方向に変化する例について説明したが、水平方向ではなく垂直方向に変化する場合も同様に適用できることは明らかである。
【００２５】
（実施の形態２）
図９は本発明の実施の形態２による光検出装置及び光ピックアップ装置を含む情報処理装置の構成図である。光源からの光の動作は実施の形態１と同様なため説明は省略する。
【００２６】
本実施の形態において、光出力モニタ用の光検出装置１４の受光領域は、図１０に示すように水平方向に対称な光検出器１５および１６に２分割されている。光検出器１５および１６からの出力は加算回路１７によって和信号Ｓ１、減算回路１８によって差信号Ｓ２が生成され光検出装置１４から出力され、レーザ制御回路６へと入力される。
【００２７】
半導体レーザ１からの出射光の遠視野像上に投影した、集光レンズ７の開口領域１１２（領域Ａ）と、光検出装置１４の受光領域１１３（領域Ｂ）の関係および形状、光源からみた各領域の放射角は実施の形態１と同様で、図２に示した通りである。ここで、半導体レーザ１の水平方向の放射角は出力によって変化し、出力Ｐ１のときの水平方向の放射角（半値全角）θｈ１を７°、Ｐ２のときの水平方向の放射角（半値全角）θｈ２を９°、垂直方向の放射角（半値全角）θｖは出力に依らず一定としθｖ＝１４°とする。半導体レーザ１の水平方向光軸φｈが０°の場合と、１°の場合、θｈの変化に対するηＢおよびηＡの特性を図１１に示す。なお、ηＢおよびηＡはθｈ＝７°、φｈ＝０°の値で正規化している。グラフ中の曲線２２はφｈ＝０°のときのもので、これは実施の形態１で説明した特性と同一であり、実施の形態１で説明した発明により、θｈ変動に依らずηＢ／ηＡ＝１となるように補正可能である。曲線２３はφｈ＝１°のときのものであるが、θｈ＝９°の点ではηＢ／ηＡ＝０．９８となり、曲線２２のθｈ＝９°での値（０．８７）に対して１３％の乖離が発生する。本例ではηＢに対応する信号は和信号Ｓ１によって得られる。一方、差信号Ｓ２からは光軸変化に対応する信号を得ることができる。ηＢ／ηＡが変化する割合は光軸が水平方向のどちらに変化しても同じなため差信号Ｓ２に極性は不要である。よって、図１０において差信号Ｓ２をレーザ制御回路６中で絶対値化回路１９によって絶対値化し、ゲイン可変アンプ（ＶＧＡ）２０によってゲイン変換を行った信号Ｓ２’を和信号Ｓ１から差動アンプ２１によって差動演算することにより、図１１の曲線２３を曲線２３’へ改善することができる。これにより曲線２２に対する乖離は±９％以下へ抑制することができる。なお、このときの加算回路１７、減算回路１８および絶対値化回路１９のゲインは１、ゲイン可変アンプ２０のゲインは１．３である。
【００２８】
近年実用に供される半導体レーザは光出力によるθｈ変動とともに光軸の変化も発生するものがある。θｈの光出力による変化は先にも述べたように光出力にほぼ比例するものが多いが、光軸の変化は光出力との相関は低く、変化の方向や変化量もばらばらのため実施の形態１の発明のような補正は不可能であるが、本実施の形態の発明を用いれば、光軸の変化に対応する量をリアルタイムにモニタすることができるため、光軸変化による光出力制御誤差を抑制することができる。
【００２９】
本実施の形態では、領域Ａの面積（ＳＡ）＞領域Ｂの面積（ＳＢ）の構成例を説明したが、装置の構成上、領域Ａの面積＜領域Ｂの面積となる場合でも本発明が適用できることは明らかである。
【００３０】
また、本実施の形態では、光源である半導体レーザの放射角が光出力によって水平方向に変化する例について説明したが、水平方向ではなく垂直方向に変化する場合も同様に適用できることは明らかである。
【００３１】
（実施の形態３）
図１２は本発明の実施の形態３による光検出装置及び光ピックアップ装置を含む情報処理装置の構成図である。光源からの光の動作は実施の形態１と同様なため説明は省略する。
【００３２】
本実施の形態において、光出力モニタ用光検出装置２４の受光領域には図１３に示すように単一の光検出器２５と水平方向に対称な光検出器２６および２７が配置されている。光検出器２５からの出力は信号Ｓ１、光検出器２６と２７からの出力は減算回路１８によって生成された差信号Ｓ２が光検出装置２４から出力され、レーザ制御回路６へと入力される。
【００３３】
半導体レーザ１からの出射光の遠視野像上に投影した、集光レンズ７の開口領域１１２（領域Ａ）と、光検出装置２４の受光領域１１３（領域Ｂ）の関係および形状、光源からみた各領域の放射角は実施の形態１と同様で、図２に示した通りである。ここで、半導体レーザ１の水平方向の放射角は出力によって変化し、出力Ｐ１のときの水平方向の放射角（半値全角）θｈ１を７°、Ｐ２のときの水平方向の放射角（半値全角）θｈ２を９°、垂直方向の放射角（半値全角）θｖは出力に依らず一定としθｖ＝１４°とする。半導体レーザ１の水平方向光軸φｈが０°の場合と、１°の場合、θｈの変化に対するηＢおよびηＡの特性を図１４に示す。なお、ηＢおよびηＡはθｈ＝７°、φｈ＝０°の値で正規化している。グラフ中の曲線２８はφｈ＝０°のときのもので、これは実施の形態１で説明した特性とほぼ同一であり、実施の形態１で説明した発明により、θｈ変動に依らずηＢ／ηＡ＝１となるように補正可能である。曲線２９はφｈ＝１°のときのものであるが、θｈ＝９°の点ではηＢ／ηＡ＝０．９８となり、曲線２８のθｈ＝９°での値（０．８７）に対して１３％の乖離が発生する。本例ではηＢに対応する信号は信号Ｓ１によって得られる。一方、差信号Ｓ２からは光軸変化に対応する信号を得ることができる。図１３における差信号Ｓ２をレーザ制御回路６中で絶対値化回路１９によって絶対値化し、ゲイン可変アンプ（ＶＧＡ）２０によってゲイン変換を行った信号Ｓ２’を和信号Ｓ１から差動アンプ２１によって差動演算することにより、図１３の曲線２９を曲線３０へ改善することができる。これにより曲線２８に対する乖離は±９％以下へ抑制することができる。なお、このときの加算回路１７、減算回路１８および絶対値化回路１９のゲインは１、ゲイン可変アンプ２０のゲインは４である。
【００３４】
本実施の形態では、領域Ａの面積（ＳＡ）＞領域Ｂの面積（ＳＢ）の構成例を説明したが、装置の構成上、領域Ａの面積＜領域Ｂの面積となる場合でも本発明が適用できることは明らかである。
【００３５】
また、本実施の形態では、光源である半導体レーザの放射角が光出力によって水平方向に変化する例について説明したが、水平方向ではなく垂直方向に変化する場合も同様に適用できることは明らかである。
【００３６】
また、本例では領域Ｂ内に光検出器２５、２６、２７を配置したが、領域Ｂ＝光検出器２５として、その領域外に光検出器２６、２７を軸対称に配置しても同様な効果が得られる。この場合はゲイン可変アンプ２０のゲインを各構成において最適値に調整すればよい。
【００３７】
また、差信号Ｓ２を光源の光出力制御以外へ応用することも可能である。例えば、記録媒体からのトラッキングエラー信号やウォブル信号検出は光軸変動の影響を受けやすいため、これらの信号検出への補正信号として差動信号Ｓ２を利用する構成としてもよい。
【００３８】
なお、各実施の形態によるピックアップ装置は、記録媒体に光源からの光を照射することで記録や再生を行なう情報処理装置の一構成要素として、用いることができることは言うまでもない。
【産業上の利用可能性】
【００３９】
本発明にかかる光検出装置、光ピックアップ装置および情報処理装置は、高精度な光源光出力モニタ性能を有する装置を、何ら部品を追加することなく低コストに実現することができ、また、光源に求められる性能の幅を広げられるため、主要部品である光源の調達が容易になるという効果を有し、光学的に記録再生する光ディスクドライブ、プレーヤ、レコーダ等の各種装置、機器として有用である。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】本発明の実施の形態１による情報処理装置の構成を説明する模式図
【図２】同情報処理装置における遠視野像を説明するための概念図
【図３】同情報処理装置における結合効率ηＡを示す特性図
【図４】同情報処理装置における結合効率ηＢを示す特性図
【図５】同情報処理装置における結合効率ηＢ／ηＡを示す特性図
【図６】同情報処理装置における出力Ｓに対するＰｏｌの特性図
【図７】同情報処理装置における光出力に対する△θｈの特性図
【図８】同情報処理装置における出力Ｓに対するＦ（Ｓ）の特性図
【図９】本発明の実施の形態２による情報処理装置の構成を説明する模式図
【図１０】同情報処理装置における光検出器とレーザ制御回路の構成を示す模式図
【図１１】同情報処理装置における結合効率ηＢ／ηＡを示す特性図
【図１２】本発明の実施の形態３による情報処理装置の構成を説明する模式図
【図１３】同情報処理装置における光検出器とレーザ制御回路の構成を示す模式図
【図１４】同情報処理装置における結合効率ηＢ／ηＡを示す特性図
【図１５】従来の情報処理装置の構成を示す模式図
【図１６】従来の情報処理装置における遠視野像を説明するための概念図
【図１７】従来の情報処理装置における遠視野像の強度分布を示す特性図
【図１８】従来の情報処理装置におけるＰｏとＰｍの関係を示す特性図
【符号の説明】
【００４１】
１    半導体レーザ
２    半導体レーザからの出射光
３    コリメートレンズ
４    反射ミラー
５    光検出器
６    レーザ制御回路
７    集光レンズ
８    記録媒体
９    回折素子
１２    反射ミラー上の光束
１３    折り曲げミラー
１４    光検出装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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