(57)【要約】【課題】本発明は、発光効率を向上できると共に、発光素子の上方に放出される光の拡散を抑制することのできる発光素子収容体及びその製造方法、及び発光装置を提供することを課題とする。【解決手段】発光素子１２を収容するための凹部１８が設けられた発光素子収容体１１において、凹部１８の側面１８Ｂ，１８Ｃを凹部１８の底面１８Ａに対して略垂直となるような垂直面にすると共に、他の側面１８Ｄ〜１８Ｇを発光素子１２の光を発光素子１２の上方に反射する傾斜面にした。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子を収容するための凹部が設けられた発光素子収容体において、
前記凹部は、複数の側面を有し、
前記複数の側面のうちの少なくとも１つの前記側面を前記凹部の底面に対して略垂直となるような垂直面にすると共に、
前記複数の側面のうち前記垂直面とされた前記側面以外の前記側面を、前記発光素子の光を前記発光素子の上方に反射する傾斜面にしたことを特徴とする発光素子収容体。
【請求項２】
前記傾斜面を隣り合うように配置したことを特徴とする請求項１記載の発光素子収容体。
【請求項３】
前記発光素子は、平面視長方形であり、
前記平面視長方形の少なくとも１つの長辺が前記垂直面とされた前記側面と対向するように、前記発光素子を配置したことを特徴とする請求項１または２記載の発光素子収容体。
【請求項４】
請求項１ないし３のうち、いずれか一項記載の発光素子収容体と、
前記発光素子収容体に収容される発光素子と、を備えたことを特徴とする発光装置。
【請求項５】
発光素子を収容するための凹部が設けられた発光素子収容体の製造方法において、
第１の主面が<１００>面とされたシリコン基板を準備するシリコン基板準備工程と、
前記シリコン基板の前記第１の主面に平面視四角形の開口部を有したレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、
前記レジスト膜をマスクとするウエットエッチングにより、前記シリコン基板をエッチングして前記凹部を形成する凹部形成工程とを有し、
前記平面視四角形の２組の対向する２辺のうち、いずれか１組の前記対向する２辺が前記シリコン基板の<１１０>面に対して４５度の角度を成すように前記開口部を形成することを特徴とする発光素子収容体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子収容体及びその製造方法、及び発光装置に係り、特に発光素子を収容する凹部を備えた発光素子収容体及びその製造方法、及び発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
図１は、従来の発光装置の断面図であり、図２は、図１に示す発光装置の平面図である。
【０００３】
図１及び図２を参照するに、従来の発光装置１００は、配線基板１０１と、発光素子１０２と、金属枠体１０３とを有する。配線基板１０１は、基板本体１０５と、配線１０６と、貫通ビア１０７，１０８と、外部接続端子１１１，１１２とを有する。
【０００４】
基板本体１０５は、板状とされており、貫通孔１１４Ａ，１１４Ｂを有する。配線１０６は、基板本体１０５の上面１０５Ａに設けられている。貫通ビア１０７は、貫通孔１１４Ａに設けられている。貫通ビア１０７は、配線１０６と接続されている。貫通ビア１０８は、貫通孔１１４Ｂに設けられている。
【０００５】
外部接続端子１１１は、基板本体１０５の下面１０５Ｂに設けられている。外部接続端子１１１は、貫通ビア１０７と接続されている。外部接続端子１１２は、基板本体１０５の下面１０５Ｂに設けられている。外部接続端子１１２は、貫通ビア１０８と接続されている。
【０００６】
発光素子１０２は、配線１０６上に配設されている。発光素子１０２は、給電用端子１１７，１１８を有する。給電用端子１１７は、配線１０６と接続されており、給電用端子１１８は、ワイヤ１１９を介して、貫通ビア１０８と電気的に接続されている。
【０００７】
金属枠体１０３は、基板本体１０５の上面１０５Ａに設けられている。金属枠体１０３は、貫通部１２１と、貫通部１２１の側面を構成する傾斜面１２２とを有する。貫通部１２１は、金属枠体１０３の下面１０３Ａ側から金属枠体１０３の上面１０３Ｂ側に向かうにつれて幅広となるような形状とされている。傾斜面１２２は、発光素子１０２が発光する光を発光装置１００の上方に配置されたレンズ（図示せず）に反射するためのものである。このような傾斜面１２２を設けることにより、発光装置１００の発光効率を向上させることができる（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開２００４−２８１９９２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、従来の発光装置１００では、発光効率を向上させることは可能であるが、発光装置１００からその上方に放出される光が拡散してしまうため、発光装置１００が放出する光を点光源にすることが困難であるという問題があった。なお、点光源となる発光装置は、スポットライトや車両のヘッドライト等に適用される。
【０００９】
そこで本発明は、発光効率を向上できると共に、発光素子の上方に放出される光の拡散を抑制することのできる発光素子収容体及びその製造方法、及び発光装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一観点によれば、発光素子を収容するための凹部が設けられた発光素子収容体において、前記凹部は、複数の側面を有し、前記複数の側面のうちの少なくとも１つの前記側面を前記凹部の底面に対して略垂直となるような垂直面にすると共に、前記複数の側面のうち前記垂直面とされた前記側面以外の前記側面を、前記発光素子の光を前記発光素子の上方に反射する傾斜面にしたことを特徴とする発光素子収容体が提供される。
【００１１】
本発明によれば、凹部の複数の側面のうち、少なくとも１つの側面を凹部の底面に対して略垂直となるような垂直面にすると共に、複数の側面のうち垂直面とされた側面以外の側面を発光素子の光を発光素子の上方に反射する傾斜面にすることにより、発光効率を向上できると共に、発光素子収容体からその上方に放出される光の拡散を抑制することができる。
【００１２】
本発明の一観点によれば、発光素子を収容するための凹部が設けられた発光素子収容体の製造方法において、第１の主面が<１００>面とされたシリコン基板を準備するシリコン基板準備工程と、前記シリコン基板の前記第１の主面に平面視四角形の開口部を有したレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、前記レジスト膜をマスクとするウエットエッチングにより、前記シリコン基板をエッチングして前記凹部を形成する凹部形成工程とを有し、前記平面視四角形の２組の対向する２辺のうち、いずれか１組の前記対向する２辺が前記シリコン基板の<１１０>面に対して４５度の角度を成すように前記開口部を形成することを特徴とする発光素子収容体の製造方法が提供される。
【００１３】
本発明によれば、<１００>面とされたシリコン基板の第１の主面に平面視四角形の開口部を有したレジスト膜を形成すると共に、平面視四角形の２組の対向する２辺のうち、いずれか１組の前記対向する２辺がシリコン基板の<１１０>面に対して４５度の角度を成すように開口部を形成し、その後、レジスト膜をマスクとするウエットエッチングにより、シリコン基板をエッチングすることで、凹部の底面に対して略垂直とされた凹部の側面と、発光素子から放出された光を発光素子収容体の上方に反射する傾斜面とされた凹部の側面とを備えた凹部を容易に形成することができる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、発光装置の発光効率を向上できると共に、発光素子の上方に放出される光の拡散を抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
次に、図面に基づいて本発明の実施の形態について説明する。
【００１６】
（第１の実施の形態）
図３は、本発明の第１の実施の形態に係る発光装置の平面図であり、図４は、図３に示す発光装置のＡ−Ａ線方向の断面図である。
【００１７】
図３及び図４を参照するに、第１の実施の形態の発光装置１０は、発光素子収容体１１と、発光素子１２とを有する。
【００１８】
発光素子収容体１１は、収容体本体１４と、貫通電極１５，１６とを有する。収容体本体１４は、発光素子１２を収容するためのものである。収容体本体１４の材料としては、例えば、シリコンを用いることができる。収容体本体１４は、貫通孔１７Ａ，１７Ｂと、凹部１８を有する。
【００１９】
貫通孔１７Ａ，１７Ｂは、収容体本体１４を貫通するように形成されている。
【００２０】
凹部１８は、発光素子１２を収容するためのものであり、６つの側面１８Ｂ〜１８Ｇ（複数の側面）を有する。凹部１８の側面１８Ｂ，１８Ｃは、平面視長方形とされた発光素子１２の４つの辺のうちの２つの長辺のいずれか一方と対向するように設けられている。
【００２１】
図５は、図３に示す発光装置のＢ−Ｂ線方向の断面図である。図５において、図３に示す発光装置１０と同一構成部分には同一符号を付す。
【００２２】
図５を参照するに、凹部１８の側面１８Ｂは、凹部１８の底面１８Ａに対して略垂直な垂直面とされている。凹部１８の側面１８Ｂと底面１８Ａとが成す角度θ１は、略９０度とされている。また、凹部１８の側面１８Ｃは、凹部１８の底面１８Ａに対して略垂直な垂直面とされている。凹部１８の側面１８Ｃと底面１８Ａとが成す角度は、略９０度とされている。
【００２３】
このように、発光素子１２を収容する凹部１８の側面１８Ｂ，１８Ｃを凹部１８の底面１８Ａに対して略垂直とされた垂直面にすることにより、発光装置１０から放出される光の拡散を抑制することができる。これにより、発光装置１０から放出される光を点光源とすることが可能となる。
【００２４】
また、垂直面とされた側面１８Ｂ，１８Ｃと、平面視長方形とされた発光素子１２の４つの辺のうちの２つの長辺のいずれか一方とが対向するように発光素子１２を配置することにより、発光素子１２の上方に放出される光の拡散を抑制する効果を向上させることができる。
【００２５】
収容体本体１４の基材としてシリコン基板を用いた場合、凹部１８の側面１８Ｂ，１８Ｃは、シリコン基板の<０１０>面を用いることができる。
【００２６】
図３を参照するに、凹部１８の側面１８Ｄは、凹部１８の側面１８Ｂ，１８Ｅと隣接するように設けられている。凹部１８の側面１８Ｅは、凹部１８の側面１８Ｃ，１８Ｄと隣接するように設けられている。つまり、凹部１８の側面１８Ｄ，１８Ｅは、隣り合うように配置されている。
【００２７】
凹部１８の側面１８Ｆは、凹部１８の側面１８Ｂ，１８Ｇと隣接するように設けられている。凹部１８の側面１８Ｇは、凹部１８の側面１８Ｃ，１８Ｆと隣接するように設けられている。つまり、凹部１８の側面１８Ｆ，１８Ｇは、隣り合うように配置されている。
【００２８】
図６は、図３に示す発光装置のＣ−Ｃ線方向の断面図である。図６において、図３に示す発光装置１０と同一構成部分には同一符号を付す。
【００２９】
図６を参照するに、凹部１８の側面１８Ｄは、発光素子１２が放出する光を発光素子１２の上方に反射可能な傾斜面とされている。凹部１８の側面１８Ｄと底面１８Ａとが成す角度θ２は、例えば、５４．７度とすることができる。凹部１８の側面１８Ｅ〜１８Ｇは、上記説明した側面１８Ｄと同様な形状とされた傾斜面である。
【００３０】
このように、発光素子１２を収容する凹部１８の側面１８Ｄ〜１８Ｇを、発光素子１２の光を発光素子１２の上方に反射可能な傾斜面とすることにより、発光装置１０の発光効率を向上させることができる。
【００３１】
また、傾斜面とされた凹部１８の側面１８Ｄ，１８Ｅを隣り合うように配置することにより、光を効率良く反射することが可能となるため、発光装置１０の発光効率をさらに向上させることができる。また、傾斜面とされた凹部１８の側面１８Ｆ，１８Ｇを隣り合うように配置することにより、発光装置１０の発光効率をさらに向上させることができる。
【００３２】
収容体本体１４の基材としてシリコン基板を用いた場合、傾斜面とされた凹部１８の側面１８Ｄ〜１８Ｇは、シリコン基板の<１１１>面を用いることができる。
【００３３】
本実施の形態の発光素子収容体によれば、発光素子１２を収容する凹部１８の側面１８Ｂ，１８Ｃを凹部１８の底面１８Ａに対して略垂直とされた垂直面にすると共に、凹部１８の側面１８Ｄ〜１８Ｇを発光素子１２の上方に光を反射可能な傾斜面とすることにより、発光装置１０の発光効率を向上できると共に、発光装置１０から放出される光の拡散を抑制することができる。
【００３４】
次に、図３及び図４を参照して、貫通電極１５，１６、発光素子１２の順に説明する。貫通電極１５は、貫通孔１７Ａに設けられている。貫通電極１５の上端部は、発光素子１２の給電用端子２２と電気的に接続されている。貫通電極１５の下端部は、外部接続端子としての機能を有する。
【００３５】
貫通電極１６は、貫通孔１７Ｂに設けられている。貫通電極１６の上端部は、発光素子１２の給電用端子２３と電気的に接続されている。貫通電極１６の下端部は、外部接続端子としての機能を有する。
【００３６】
貫通電極１５，１６の材料としては、例えば、Ｃｕを用いることができる。また、収容体本体１４の材料としてシリコンを用いた場合、貫通孔１７Ａ，１７Ｂを形成する部分の収容体本体１４に絶縁膜（図示せず）を形成する。これにより、収容体本体１４と貫通電極１５，１６との間が絶縁される。
【００３７】
発光素子１２は、凹部１８の底面１８Ａに配設されている。発光素子１２は、全面から発光する素子である。発光素子１２は、平面視長方形であり、給電用端子２２，２３を有する。給電用端子２２は、ワイヤ２５を介して、貫通電極１５と電気的に接続されている。給電用端子２３は、ワイヤ２６を介して、貫通電極１６と電気的に接続されている。
【００３８】
本実施の形態の発光装置によれば、発光素子１２を収容する凹部１８の側面１８Ｂ，１８Ｃを凹部１８の底面１８Ａに対して略垂直とされた垂直面にすると共に、凹部１８の側面１８Ｄ〜１８Ｇを発光素子１２の上方に光を反射可能な傾斜面とすることにより、発光装置１０の発光効率を向上できると共に、発光装置１０から放出される光の拡散を抑制することができる。
【００３９】
なお、本実施の形態では、垂直面を２つ設けた場合（凹部１８の側面１８Ｂ，１８Ｃを垂直面とした場合）を例に挙げて説明したが、垂直面は凹部１８の側面のうち、少なくとも１つの側面に形成されておればよい。また、凹部１８の側面に形成する垂直面及び傾斜面のそれぞれの数は本実施の形態の発光装置１０に限定されない。
【００４０】
図７〜図１４は、本発明の第１の実施の形態に係る発光素子収容体の製造工程を示す図である。図７〜図１４において、第１の実施の形態の発光素子収容部１１と同一構成部分には同一符号を付す。また、図７〜図１４において、Ｅは発光素子収容体１１が形成される領域（以下、「発光素子収容体形成領域Ｅ」とする）、Ｆはシリコン基板３１の<１００>面に垂直なシリコン基板３１の<１１０>面をそれぞれ示している。
【００４１】
始めに、図７に示す工程では、上面３１Ａ（第１の主面）が<１００>面とされたシリコン基板３１を準備する（シリコン基板準備工程）。
【００４２】
次いで、図８に示す工程では、シリコン基板３１の上面３１Ａに、平面視四角形の開口部３４を有したレジスト膜３３を形成する（レジスト膜形成工程）。開口部３４は、発光素子収容体形成領域Ｅに対応するレジスト膜３３に形成する。開口部３４は、平面視四角形の２組の対向する２辺のうち、いずれか１組の対向する２辺３４Ａ，３４Ｂがシリコン基板３１の<１１０>面（図８に示すＦ）に対して４５度（θ３＝４５度）の角度を成すように形成する。
【００４３】
次いで、図９に示す工程では、開口部３４を有したレジスト膜３３をマスクとするウエットエッチングによりシリコン基板３１をエッチングして、凹部１８の底面１８Ａに対して略垂直とされた垂直面である側面１８Ｂ，１８Ｃと、発光素子１２が放出する光を発光素子１２の上方に反射する傾斜面とされた側面１８Ｄ〜１８Ｇとを備えた凹部１８を形成する（凹部形成工程）。凹部１８の側面１８Ｂ，１８Ｃは、シリコン基板３１の<０１０>面に相当する面であり、凹部１８の側面１８Ｄ〜１８Ｇは、シリコン基板３１の<１１１>面に相当する面である。
【００４４】
このように、<１００>面とされたシリコン基板３１の上面３１Ａに平面視四角形の開口部３４を有したレジスト膜３３を形成すると共に、平面視四角形の２組の対向する２辺のうち、いずれか１組の対向する２辺３４Ａ，３４Ｂがシリコン基板３１の<１１０>面に対して４５度の角度を成すように開口部３４を形成し、その後、レジスト膜３３をマスクするウエットエッチングによりシリコン基板３１をエッチングすることで、底面１８Ａに対して略垂直とされた側面１８Ｂ，１８Ｃと、発光素子１２が放出する光を発光素子１２の上方に反射する傾斜面とされた側面１８Ｄ〜１８Ｇとを備えた凹部１８を容易に形成することができる。
【００４５】
次いで、図１０に示す工程では、レジスト膜３３を除去する。次いで、図１１に示す工程では、凹部１８の底面１８Ａに対応するシリコン基板３１に、貫通孔１７Ａ，１７Ｂを形成する。具体的には、例えば、図１０に示す構造体上に、貫通孔１７Ａ，１７Ｂの形成位置に対応する開口部を有したレジスト膜（図示せず）を形成し、このレジスト膜をマスクとするドライエッチングにより、シリコン基板３１が貫通するまでエッチングすることで貫通孔１７Ａ，１７Ｂを形成する。
【００４６】
次いで、図１２に示す工程では、貫通孔１７Ａ，１７Ｂの側面に対応する部分のシリコン基板３１に絶縁膜３８を形成する。
【００４７】
次いで、図１３に示す工程では、絶縁膜３８が形成された貫通孔１７Ａ，１７Ｂに貫通電極１５，１６を形成する。これにより、発光素子収容体形成領域Ｅに対応する部分のシリコン基板３１に、発光素子収容体１１に相当する構造体が形成される。貫通電極１５，１６は、例えば、めっき法により形成することができる。また、貫通電極１５，１６の材料としては、例えば、Ｃｕを用いることができる。
【００４８】
その後、シリコン基板３１から発光素子収容体形成領域Ｅに対応する部分のシリコン基板３１を切断することにより、図１４に示すような発光素子収容体１１が製造される。
【００４９】
本実施の形態の発光素子収容体の製造方法によれば、<１００>面とされたシリコン基板３１の上面３１Ａに、平面視四角形の開口部３４を有したレジスト膜３３を形成すると共に、平面視四角形の２組の対向する２辺のうち、いずれか１組の対向する２辺３４Ａ，３４Ｂがシリコン基板３１の<１１０>面に対して４５度の角度を成すように開口部３４を形成し、その後、レジスト膜３３をマスクとするウエットエッチングによりシリコン基板３１をエッチングすることで、底面１８Ａに対して略垂直とされた側面１８Ｂ，１８Ｃと、発光素子１２の光を発光素子１２の上方に反射する傾斜面とされた側面１８Ｄ〜１８Ｇとを有する凹部１８を容易に形成することができる。
【００５０】
（第２の実施の形態）
図１５は、本発明の第２の実施の形態に係る発光装置の平面図である。図１５において、第１の実施の形態の発光装置１０と同一構成部分には同一符号を付す。
【００５１】
図１５を参照するに、第２の実施の形態の発光装置５０は、発光素子収容体５１と、発光素子５３，５４とを有する。発光素子収容体５１は、第１の実施の形態の発光素子収容体１１に設けられた貫通孔１７Ａ，１７Ｂ及び貫通電極１５，１６を凹部１８の底面１８Ａの中央付近に配置した以外は、発光素子収容体１１と同様に構成されている。
【００５２】
発光素子５３は、平面視略正方形であり、全面から光を発光する素子である。
発光素子５３は、凹部１８の底面１８Ａに設けられている。発光素子５３は、発光素子５３の側面５３Ａが傾斜面とされた凹部１８の側面１８Ｄと対向すると共に、側面５３Ａに隣接する発光素子５３の側面５３Ｂが傾斜面とされた凹部１８の側面１８Ｅと対向するように配置されている。発光素子５３は、給電用端子５６，５７を有する。給電用端子５６は、ワイヤ５８を介して、貫通電極１５と電気的に接続されている。給電用端子５７は、ワイヤ５９を介して、貫通電極１６と電気的に接続されている。
【００５３】
発光素子５４は、平面視略正方形であり、全面から発光する素子である。発光素子５４は、凹部１８の底面１８Ａに設けられている。発光素子５４は、発光素子５４の側面５４Ａが傾斜面とされた凹部１８の側面１８Ｆと対向すると共に、発光素子５４の側面５４Ａに隣接する発光素子５４の側面５４Ｂが傾斜面とされた凹部１８の側面１８Ｇと対向するように配置されている。発光素子５４は、給電用端子６１，６２を有する。給電用端子６１は、ワイヤ６３を介して、貫通電極１５と電気的に接続されている。給電用端子６２は、ワイヤ６４を介して、貫通電極１６と電気的に接続されている。
【００５４】
本実施の形態の発光装置によれば、発光素子５３，５４の側面５３Ａ，５３Ｂ，５４Ａ，５４Ｂが傾斜面とされた凹部１８の側面１８Ｄ〜１８Ｇのうちのいずれか１つと対向するように、発光素子５３，５４を凹部１８の底面１８Ａに配置することにより、第１の実施の形態の発光装置１０と比較して、発光装置５０の発光効率をさらに向上させることができる。
【００５５】
なお、上記構成とされた第２の実施の形態の発光装置５０は、第１の実施の形態の発光装置１０と同様な効果を得ることができる。また、本実施の形態で説明した発光素子収容体５１は、第１の実施の形態で説明した発光素子収容体１１と同様な手法により製造することができる。さらに、本実施の形態では、２つの発光素子５３，５４を発光素子収容体５１の凹部１８に配設した場合を例に挙げて説明したが、３つ以上の発光素子を凹部１８の底面１８Ａに設けてもよい。
【００５６】
以上、本発明の好ましい実施の形態について詳述したが、本発明はかかる特定の実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲内に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【産業上の利用可能性】
【００５７】
本発明は、スポットライトや車両のヘッドライト等に用いられる発光素子収容体及びその製造方法、及び発光装置に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】従来の発光装置の断面図である。
【図２】図１に示す発光装置の平面図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態に係る発光装置の平面図である。
【図４】図３に示す発光装置のＡ−Ａ線方向の断面図である。
【図５】図３に示す発光装置のＢ−Ｂ線方向の断面図である。
【図６】図３に示す発光装置のＣ−Ｃ線方向の断面図である。
【図７】本発明の第１の実施の形態に係る発光素子収容体の製造工程を示す図（その１）である。
【図８】本発明の第１の実施の形態に係る発光素子収容体の製造工程を示す図（その２）である。
【図９】本発明の第１の実施の形態に係る発光素子収容体の製造工程を示す図（その３）である。
【図１０】本発明の第１の実施の形態に係る発光素子収容体の製造工程を示す図（その４）である。
【図１１】本発明の第１の実施の形態に係る発光素子収容体の製造工程を示す図（その５）である。
【図１２】本発明の第１の実施の形態に係る発光素子収容体の製造工程を示す図（その６）である。
【図１３】本発明の第１の実施の形態に係る発光素子収容体の製造工程を示す図（その７）である。
【図１４】本発明の第１の実施の形態に係る発光素子収容体の製造工程を示す図（その８）である。
【図１５】本発明の第２の実施の形態に係る発光装置の平面図である。
【符号の説明】
【００５９】
１０，５０  発光装置
１１，５１  発光素子収容体
１２，５３，５４  発光素子
１４  収容体本体
１５，１６  貫通電極
１７Ａ，１７Ｂ  貫通孔
１８  凹部
１８Ｂ〜１８Ｇ，５３Ａ，５３Ｂ，５４Ａ，５４Ｂ  側面
２２，２３，５６，５７，６１，６２  給電用端子
２５，２６，５８，５９，６３，６４  ワイヤ
３１  シリコン基板
３１Ａ  上面
３３  レジスト膜
３４  開口部
３４Ａ，３４Ｂ  辺
３８  絶縁膜
Ｅ  発光素子収容体形成領域
θ１〜θ３  角度
【図１】
2008016565.tif 000003
【図２】
2008016565.tif 000004
【図３】
2008016565.tif 000005
【図４】
2008016565.tif 000006
【図５】
2008016565.tif 000007
【図６】
2008016565.tif 000008
【図７】
2008016565.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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