(57)【要約】【課題】本発明は、画素の駆動不良を防止することができる有機発光表示装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明による有機発光表示装置は、画素領域及び画素領域の周辺のＣＯＤ領域が定義されている基板、基板の画素領域に形成されている薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタを覆って、基板の全面上に形成されている平坦化膜、薄膜トランジスタと接続されて、平坦化膜上に形成されている第１画素電極、第１画素電極上に形成されている有機発光層、及び有機発光層上に基板の全面上に形成されている第２画素電極を含む有機発光素子、及び有機発光層が位置する開口部が形成されて、平坦化膜及び第２画素電極の間に形成されている画素定義膜を含む。  そして、平坦化膜及び画素定義膜に互いに貫通する開口部が各々形成されて、画素領域及びＣＯＤ領域の間を分離する溝が形成され、溝の下部に位置して、溝の深さを浅くするダミーパターンをさらに含む。【選択図】図２
2008072078.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素領域及び前記画素領域の周辺のＣＯＤ領域が定義されている基板；
前記基板の画素領域に形成されている薄膜トランジスタ；
前記薄膜トランジスタを覆って、前記基板の全面上に形成されている平坦化膜；
前記薄膜トランジスタと接続されて、前記平坦化膜上に形成されている第１画素電極、前記第１画素電極上に形成されている有機発光層、及び前記有機発光層上に前記基板の全面上に形成されている第２画素電極を含む有機発光素子；及び
前記有機発光層が位置する開口部が形成されて、前記平坦化膜及び前記第２画素電極の間に形成されている画素定義膜；を含み、
前記平坦化膜及び前記画素定義膜に互いに貫通する開口部が各々形成されて、前記画素領域及び前記ＣＯＤ領域の間を分離する溝が形成され、
前記溝の下部に位置して、前記溝の深さを浅くするダミーパターンをさらに含むことを特徴とする有機発光表示装置。
【請求項２】
前記薄膜トランジスタは、
ゲート絶縁膜を間において順次に配置されるアクティブ層及びゲート電極、及び
前記ゲート電極上に層間絶縁膜を間において配置されるソース電極及びドレイン電極を含むことを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項３】
前記ダミーパターンは、前記ソース電極及びドレイン電極と同一な物質からなることを特徴とする請求項２に記載の有機発光表示装置。
【請求項４】
前記ダミーパターンは、前記層間絶縁膜上に形成されることを特徴とする請求項３に記載の有機発光表示装置。
【請求項５】
前記ダミーパターンは、
前記ソース電極及びドレイン電極と同一な物質からなる第１ダミーパターン、及び
前記第１ダミーパターン下に位置して、前記ゲート電極と同一な物質からなる第２ダミーパターンを含むことを特徴とする請求項２に記載の有機発光表示装置。
【請求項６】
前記第１ダミーパターンは、前記層間絶縁膜上に形成され、前記第２ダミーパターンは、前記ゲート絶縁膜上に形成されることを特徴とする請求項５に記載の有機発光表示装置。
【請求項７】
前記ダミーパターンは、
前記ソース電極及びドレイン電極と同一な物質からなる第１ダミーパターン、及び
前記第１ダミーパターン上に位置して、前記第１画素電極と同一な物質からなる第２ダミーパターンをさらに含むことを特徴とする請求項２に記載の有機発光表示装置。
【請求項８】
前記第１ダミーパターンは、前記層間絶縁膜上に形成されることを特徴とする請求項７に記載の有機発光表示装置。
【請求項９】
前記ダミーパターンは、
前記ソース電極及びドレイン電極と同一な物質からなる第１ダミーパターン、
前記第１ダミーパターン下に位置して、前記ゲート電極と同一な物質からなる第２ダミーパターン、及び
前記第１ダミーパターン上に位置して、前記第１画素電極と同一な物質からなる第３ダミーパターンを含むことを特徴とする請求項２に記載の有機発光表示装置。
【請求項１０】
前記第１ダミーパターンは、前記層間絶縁膜上に形成され、前記第２ダミーパターンは、前記ゲート絶縁膜上に形成されることを特徴とする請求項９に記載の有機発光表示装置。
【請求項１１】
前記平坦化膜は、アクリル膜であることを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項１２】
前記第２画素電極は、厚さが１００乃至１８０Åであることを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項１３】
画素領域及び前記画素領域の周辺のＣＯＤ領域が定義されている基板を準備する段階；
前記基板の画素領域に薄膜トランジスタを形成する段階；
前記薄膜トランジスタを覆うように前記基板の全面上に平坦化膜を形成する段階；
前記平坦化膜に前記薄膜トランジスタの一部を露出させるビアホールを形成すると同時に、前記画素領域及び前記ＣＯＤ領域の間の領域を露出させる開口部を形成する段階；
前記平坦化膜上に前記ビアホールを通じて前記薄膜トランジスタと接続される第１画素電極を形成する段階；
前記第１画素電極を覆うように前記平坦化膜上に画素定義膜を形成する段階；
前記画素定義膜に前記第１画素電極を露出させる開口部を形成すると同時に、前記平坦化膜の開口部と貫通する開口部を形成して、前記画素領域及び前記ＣＯＤ領域を分離する溝を形成する段階；
前記第１画素電極上に有機発光層を形成する段階；及び
前記有機発光層上に前記基板の全面上に第２画素電極を形成する段階；を含み、
前記薄膜トランジスタの形成時に、前記画素領域及び前記ＣＯＤ領域の間の領域に前記溝によって露出される第１ダミーパターンを同時に形成することを特徴とする有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１４】
前記薄膜トランジスタを形成する段階は、
前記基板上にアクティブ層、ゲート絶縁膜、及びゲート電極を順次に形成する段階、
前記ゲート電極を覆うように前記ゲート絶縁膜上に層間絶縁膜を形成する段階、及び
前記層間絶縁膜上にソース電極及びドレイン電極を形成する段階を含むことを特徴とする請求項１３に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１５】
前記第１ダミーパターンは、前記ソース電極及びドレイン電極の形成時に同時に形成することを特徴とする請求項１４に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１６】
前記ゲート電極の形成時に、前記第１ダミーパターン下に位置する第２ダミーパターンを同時に形成することを特徴とする請求項１５に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１７】
前記第１画素電極の形成時に、前記第１ダミーパターン上に位置する第２ダミーパターンを同時に形成することを特徴とする請求項１５に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１８】
前記ゲート電極の形成時に、前記第１ダミーパターン下に位置する第２ダミーパターンを同時に形成し、
前記第１画素電極の形成時に、前記第１ダミーパターン上に位置する第３ダミーパターンを同時に形成することを特徴とする請求項１５に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１９】
前記平坦化膜は、アクリル膜であることを特徴とする請求項１３に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項２０】
前記第２画素電極は、厚さが１００乃至１８０Åであることを特徴とする請求項１３に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機発光表示装置に関し、より詳細には、画素の駆動不良を防止することができる有機発光表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機発光表示装置（ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｓｐｌａｙ）は、有機物質に正極（ａｎｏｄｅ）及び負極（ｃａｔｈｏｄｅ）を通じて注入された電子及び正孔が再結合（ｒｅｃｏｍｂｉｎａｔｉｏｎ）して励起子（ｅｘｃｉｔｏｎ）を形成し、形成された励起子からのエネルギーによって特定の波長の光が発生する現象を利用した、自己発光型表示装置である。したがって、有機発光表示装置は、バックライトのような別途の光源が必要でないので、消費電力が低いだけでなく、視野角が広く、応答速度が速いという長所があるため、次世代表示装置として注目されている。
【０００３】
有機発光表示装置は、駆動方式によって受動駆動型（ｐａｓｓｉｖｅ ｍａｔｒｉｘ ｔｙｐｅ）及び能動駆動型（ａｃｔｉｖｅ ｍａｔｒｉｘ ｔｙｐｅ）に区分されるが、最近は、低い消費電力、高い精細度、速い応答速度、広い視野角、及び薄型化の実現が可能な能動駆動型が主に適用されている。このような能動駆動型有機発光表示装置では、基板に実際に画像の表示が行われる画素領域が形成され、画素領域の周辺に画素領域を駆動するためのデータドライバー（ｄａｔａ ｄｒｉｖｅ）及びスキャンドライバー（ｓｃａｎ ｄｒｉｖｅｒ）が形成される。画素領域に画像の表示の基本単位である画素（ｐｉｘｅｌ）がマトリックス形態に配列され、各画素ごとに赤（ｒｅｄ；Ｒ）、緑（ｇｒｅｅｎ；Ｇ）、青（ｂｌｕｅ；Ｂ）を放出する各有機発光層を間において正極である第１画素電極及び負極である第２画素電極が順次に形成される有機発光素子が配置される。そして、各画素ごとに平坦化膜を間において有機発光素子と接続して薄膜トランジスタ（ｔｈｉｎ−ｆｉｌｍ−ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ；以下、ＴＦＴと称する）が形成されて、画素を独立的に制御する。
【０００４】
ここで、有機発光素子の第２画素電極は、前面電極の形態で基板の全面上に形成されて、画素領域に配列された多数の画素に共通的に負極電圧を提供する。したがって、画素領域の周辺の基板に、スキャンドライバーまたはデータドライバー上に第２画素電極が配置される領域、いわゆるＣＯＤ（ｃａｔｈｏｄｅ ｏｎ ｄｒｉｖｅｒ）領域が定義されるようになる。
【０００５】
しかし、有機発光表示装置において、有機発光素子及び薄膜トランジスタの間に位置する平坦化膜は、通常はアクリル（ａｃｒｙｌ）などからなる。したがって、膜の特性上、有機発光素子の形成などの後続工程時に平坦化膜が収縮して、画素領域の平坦化膜の下部に位置した第１画素電極及びＣＯＤ領域のスキャンドライバーまたはデータドライバーが不必要に接続される問題が発生することがある。
【０００６】
このような画素領域及びＣＯＤ領域の間の不必要な接続は、画素の駆動不良をもたらして、結局、有機発光表示装置の表示品質の低下を誘発するようになる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、前記のような従来の技術の問題を解決するためのものであって、本発明の目的は、画素の駆動不良を防止することができる有機発光表示装置を提供することにある。
【０００８】
また、本発明の他の目的は、前記有機発光表示装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記本発明の目的を達成するために、本発明による有機発光表示装置は、画素領域及び画素領域の周辺のＣＯＤ領域が定義されている基板、基板の画素領域に形成されている薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタを覆って、基板の全面上に形成されている平坦化膜、薄膜トランジスタと接続されて、平坦化膜上に形成されている第１画素電極、第１画素電極上に形成されている有機発光層、及び有機発光層上に基板の全面上に形成されている第２画素電極を含む有機発光素子、及び有機発光層が位置する開口部が形成されて、平坦化膜及び第２画素電極の間に形成されている画素定義膜を含む。そして、平坦化膜及び画素定義膜に互いに貫通する開口部が各々形成されて、画素領域及びＣＯＤ領域の間を分離する溝が形成され、溝の下部に位置して、溝の深さを浅くするダミーパターンをさらに含む。
【００１０】
ここで、薄膜トランジスタは、ゲート絶縁膜を間において順次に配置されるアクティブ層及びゲート電極、及びゲート電極上に層間絶縁膜を間において配置されるソース電極及びドレイン電極を含む。
【００１１】
また、ダミーパターンは、ソース電極及びドレイン電極と同一な物質からなって、層間絶縁膜上に形成される。
【００１２】
また、ダミーパターンは、ソース電極及びドレイン電極と同一な物質からなる第１ダミーパターン、及び第１ダミーパターン下に位置して、ゲート電極と同一な物質からなる第２ダミーパターンを含む。この時、第１ダミーパターンは、層間絶縁膜上に形成され、第２ダミーパターンは、ゲート絶縁膜上に形成される。
【００１３】
また、ダミーパターンは、ソース電極及びドレイン電極と同一な物質からなる第１ダミーパターン、及び第１ダミーパターン上に位置して、第１画素電極と同一な物質からなる第２ダミーパターンをさらに含む。この時、第１ダミーパターンは、前記層間絶縁膜上に形成される。
【００１４】
また、ダミーパターンは、ソース電極及びドレイン電極と同一物質からなる第１ダミーパターン、第１ダミーパターン下に位置して、ゲート電極と同一な物質からなる第２ダミーパターン、及び第１ダミーパターン上に位置して、第１画素電極と同一な物質からなる第３ダミーパターンを含む。この時、第１ダミーパターンは、層間絶縁膜上に形成され、第２ダミーパターンは、ゲート絶縁膜上に形成される。
【００１５】
また、平坦化膜は、アクリル膜であって、第２画素電極は、厚さが１００乃至１８０Åである。
【００１６】
前記本発明の目的を達成するために、本発明による有機発光表示装置の製造方法は、画素領域及び画素領域の周辺のＣＯＤ領域が定義されている基板を準備し、基板の画素領域に薄膜トランジスタを形成し、薄膜トランジスタを覆うように基板の全面上に平坦化膜を形成し、平坦化膜に薄膜トランジスタの一部を露出させるビアホール（ｖｉａ ｈｏｌｅ）を形成すると同時に、画素領域及びＣＯＤ領域の間の領域を露出させる開口部を形成し、平坦化膜上にビアホールを通じて薄膜トランジスタと接続される第１画素電極を形成し、第１画素電極を覆うように平坦化膜上に画素定義膜を形成し、画素定義膜に第１画素電極を露出させる開口部を形成すると同時に、平坦化膜の開口部と貫通する開口部を形成して、画素領域及びＣＯＤ領域を分離する溝を形成し、第１画素電極上に有機発光層を形成し、有機発光層上に基板の全面上に第２画素電極を形成する段階を含む。そして、薄膜トランジスタの形成時に、画素領域及びＣＯＤ領域の間の領域に溝によって露出される第１ダミーパターンを同時に形成する。
【００１７】
ここで、薄膜トランジスタは、基板上にアクティブ層、ゲート絶縁膜、及びゲート電極を順次に形成し、ゲート電極を覆うようにゲート絶縁膜上に層間絶縁膜を形成し、層間絶縁膜上にソース電極及びドレイン電極を形成することによって形成する。
【００１８】
また、第１ダミーパターンは、ソース電極及びドレイン電極の形成時に同時に形成する。
【００１９】
また、ゲート電極の形成時に、第１ダミーパターン下に位置する第２ダミーパターンを同時に形成することもでき、第１画素電極の形成時に、第１ダミーパターン上に位置する第２ダミーパターンを同時に形成することもでき、ゲート電極の形成時に、第１ダミーパターン下に位置する第２ダミーパターンを同時に形成し、第１画素電極の形成時に、第１ダミーパターン上に位置する第３ダミーパターンを同時に形成することもできる。
【００２０】
また、平坦化膜は、アクリル膜であって、第２画素電極は、厚さが１００乃至１８０Åであるように形成する。
【発明の効果】
【００２１】
本発明は、画素領域及びＣＯＤ領域の間に溝を形成し、溝にダミーパターンを形成して、溝の高さを浅くすることによって、画素領域及びＣＯＤ領域の間の不必要な接続を防止して、溝によって第２画素電極が断線するのを防止することができる。
【００２２】
したがって、本発明は、画素の駆動不良を防止することができるので、有機発光表示装置の表示品質を改善することができる。
【００２３】
また、本発明は、平坦化膜及び画素定義膜のパターニング時に、画素領域及びＣＯＤ領域の間の溝を同時に形成し、ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極、及び第１画素電極などの電極の形成時に、ダミーパターンを同時に形成することができるので、別途の工程を付加しなくてもよい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
それでは、添付した図面を参照して、本発明の実施例について、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者が容易に実施することができるように詳細に説明する。しかし、本発明は多様な相異した形態で具現され、ここで説明する実施例に限定されない。
【００２５】
まず、図１及び図２を参照して、本発明の実施例による有機発光表示装置について説明する。
【００２６】
図１を参照すれば、基板１００に実際に画像の表示が行われる画素領域１１０が形成され、画素領域１１０に画像の表示の基本単位である画素１１１がマトリックス形態に配列される。画素領域１１０の周辺に、パッド部１６０を通じて入力される信号によって画素領域１１０を駆動するためのスキャンドライバー１２０及びデータドライバー１３０、画素領域１１０の画素１１１に電源電圧を提供するための電源ライン１４０、及び画素領域１１０の第２画素電極３４０に負極電圧を提供するための第２画素電極配線２５４が形成されている。そして、第２画素電極３４０は、ビアホール３２３を通じて第２画素電極配線２５４と接続されて、前面電極の形態で基板１００の全面上に形成される。
【００２７】
一例として、画素１１１は、スイッチング用第１ＴＦＴ（Ｔ１）、駆動用第２ＴＦＴ（Ｔ２）、ストレージキャパシタ（Ｃｓｔ）、及び有機発光素子（Ｌ１）からなるが、画素１１１の構成はこれに限定されない。
【００２８】
第１ＴＦＴ（Ｔ１）は、スキャンライン（ＳＬ１）及びデータライン（ＤＬ１）に各々接続されて、スキャンライン（ＳＬ１）に入力されるスイッチング電圧によってデータライン（ＤＬ１）から入力されるデータ電圧を第２ＴＦＴ（Ｔ２）に伝送する。ストレージキャパシタ（Ｃｓｔ）は、第１ＴＦＴ（Ｔ１）及び電源ライン（ＶＤＤ）に各々接続されて、第１ＴＦＴ（Ｔ１）から伝送される電圧及び電源ライン（ＶＤＤ）に提供される電圧の差に相当する電圧（Ｖｇｓ）を保存する。
【００２９】
第２ＴＦＴ（Ｔ２）は、電源ライン（ＶＤＤ）及びストレージキャパシタ（Ｃｓｔ）に各々接続されて、ストレージキャパシタ（Ｃｓｔ）に保存された電圧（Ｖｇｓ）及びしきい電圧（Ｖｔｈ）の差の自乗に比例する出力電流（Ｉｄ）を有機発光素子（Ｌ１）に供給し、有機発光素子（Ｌ１）が出力電流（Ｉｄ）によって発光する。この時、出力電流（Ｉｄ）は、下記の[数式１]で示すことができ、[数式１]においてβは比例定数を示す。
【００３０】
［数式１］
Ｉｄ＝（β／２×（Ｖｇｓ−Ｖｔｈ）２
【００３１】
図２を参照して、画素１１１の有機発光素子（Ｌ１）及びこれと接続されている第２ＴＦＴ（Ｔ２）の構成についてより詳細に説明する。
【００３２】
基板１００上にバッファー層２００が形成され、バッファー層２００上にソース領域２１１及びドレイン領域２１２、そしてこれらの間のチャンネル領域２１３からなるアクティブ層２１０が形成される。バッファー層２００上にアクティブ層２１０を覆うようにゲート絶縁膜２２０が形成され、アクティブ層２１０上にゲート絶縁膜２２０上にゲート電極２３０が形成される。ゲート絶縁膜２２０上にゲート電極２３０を覆うように層間絶縁膜２４０が形成され、層間絶縁膜２４０上にゲート絶縁膜２２０及び層間絶縁膜２４０に形成された第１コンタクトホール２２１、２４１及び第２コンタクトホール２２２、２４２を通じてソース領域２１１及びドレイン領域２１２と電気的に接続されるソース電極２５１及びドレイン電極２５２が各々形成されることによって、第２ＴＦＴ（Ｔ２）が構成される。
【００３３】
ここで、基板１００は、絶縁材質または金属材質からなって、絶縁材質としてはガラスまたはプラスチックを使用することができ、金属材質としてはステンレススチール（ｓｔａｉｎｌｅｓｓ ｓｔｅｅｌ；ＳＵＳ）を使用することができる。バッファー層２００は、アクティブ層２１０の形成時に基板１００の不純物が拡散するのを防止し、一例として、シリコン硝酸塩（ＳｉＮ）層またはシリコン硝酸塩（ＳｉＮ）層及びシリコン酸化物（ＳｉＯ２）層の積層構造からなる。ゲート電極２３０は、金属層、一例として、ＭｏＷ膜、Ａｌ膜、Ｃｒ膜、及びＡｌ／Ｃｒ膜のうちから選択されるいずれか一つからなる。ソース電極２５１及びドレイン電極２５２は、金属層、一例として、Ｔｉ／Ａｌ膜またはＴｉ／Ａｌ／Ｔｉ膜からなる。
【００３４】
一方、層間絶縁膜１６０上に第２ＴＦＴ（Ｔ２）を覆うように平坦化膜２６０が形成される。平坦化膜２６０上に平坦化膜２６０に形成されたビアホール２６１を通じてＴＦＴ（Ｔ２）のドレイン電極２５２と電気的に接続される第１画素電極３１０が形成され、第１画素電極３１０上に有機発光層３３０及び第２画素電極３４０が順次に積層されて、有機発光素子（Ｌ１）が構成される。
【００３５】
第１画素電極３１０は、隣接する画素の第１画素電極（図示せず）と画素定義膜３２０によって電気的に分離されて、画素定義膜３２０に形成された開口部３２１を通じて有機発光層３３０と接触している。第２画素電極３４０は、図１に示したように、前面電極の形態で基板１００の全面上に形成されて、画素領域１１０に配列された多数の画素１１１に共通的に負極電圧を提供する。
【００３６】
また、スキャンドライバー１２０またはデータドライバー１３０上に第２画素電極３４０が配置されるＣＯＤ（ｃａｔｈｏｄｅ ｏｎ ｄｒｉｖｅｒ）領域（ＣＯＤ）及び画素領域１１０の間の層間絶縁膜２４０上にソース電極２５１及びドレイン電極２５２と同一な物質からなる第１ダミーパターン２５３が形成される。平坦化膜２６０及び画素定義膜３２０に第１ダミーパターン２５３が露出されるように互いに貫通する開口部２６２、３２２が形成されて溝（ｖａｌｌｅｙ）４００が構成され、薄膜トランジスタ（Ｔ２）上で画素領域１１０及びＣＯＤ領域（ＣＯＤ）が溝４００によって互いに分離されて、第２画素電極３４０が溝４００に沿って形成される。
【００３７】
ここで、平坦化膜２６０は、アクリル膜であって、厚さが１．３乃至１．５μｍであり、画素定義膜３２０は、厚さが１．０乃至１．３μｍである。
【００３８】
第１画素電極３１０は、正孔を注入する機能をし、第２画素電極３４０は、電子を注入する機能をする。
【００３９】
第１画素電極３１０は、ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）またはＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）からなる第１透明電極であってもよく、有機発光素子（Ｌ１）の発光方向によって第１透明電極上に導電性反射膜及び第２透明電極をさらに含むこともできる。反射膜は、有機発光層３３０から発生する光を反射して、発光効率を向上させ、電気伝導度（ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙ）を改善する機能をし、一例として、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム合金（Ａｌ−ａｌｌｏｙ）、銀（Ａｇ）、銀合金（Ａｇ−ａｌｌｏｙ）、金（Ａｕ）、または金合金（Ａｕ−ａｌｌｏｙ）からなることができる。第２透明電極は、反射膜の酸化を抑制して、有機発光層３３０及び反射膜の間の仕事関数の関係を改善する機能をし、第１透明電極と同様に、ＩＴＯまたはＩＺＯからなることができる。
【００４０】
有機発光層３３０は、実際に発光が行われる発光層及び発光層の上下部に位置して、正孔や電子などのキャリアを発光層まで効率的に伝達するための有機層をさらに含むことができる。一例として、有機層は、発光層及び第１画素電極３１０の間に形成される正孔注入層及び正孔伝達層、発光層及び第２画素電極３４０の間に形成される電子伝達層及び電子注入層のうちの少なくとも一つ以上を含むことができる。第２画素電極３４０は、有機発光素子（Ｌ１）の発光方向によって透明導電膜または不透明導電膜からなり、透明導電膜である場合には、厚さが１００乃至１８０Åである。また、透明導電膜は、ＩＺＯ、ＩＴＯ、またはＭｇＡｇからなり、不透明導電膜は、Ａｌからなる。
【００４１】
前記実施例によれば、ＴＦＴ（Ｔ２）上にＣＯＤ領域（ＣＯＤ）及び画素領域１１０が溝４００によって互いに分離されるので、平坦化膜２６０または画素定義膜３２０で膜の収縮が発生しても、ＣＯＤ領域（ＣＯＤ）の溝４００によってＣＯＤ領域（ＣＯＤ）のスキャンドライバー１２０またはデータドライバー１３０及び画素領域１１０の第１画素電極３１０の間の不必要な接続が防止される。
【００４２】
また、溝４００が形成される部分に第１ダミーパターン２５３が形成されて、溝４００の深さが浅くなるので、第２画素電極３４０の厚さが薄くても、溝４００上に第２画素電極３４０が断線なく形成される。
【００４３】
したがって、本実施例は、画素の駆動不良を防止することができるので、有機発光表示装置の表示品質を改善することができる。
【００４４】
本実施例では、溝４００の下部にソース電極２５１及びドレイン電極２５２と同一な物質からなる第１ダミーパターン２５３が形成されることを示したが、溝４００が形成される部分に他のダミーパターンをさらに形成して、溝４００の深さをさらに浅くすることができる。
【００４５】
一例として、図３に示したように、第１ダミーパターン２５３の下部のゲート絶縁膜２２０上にゲート電極２３０と同一な物質からなる第２ダミーパターン２３１がさらに形成されることもでき、図４に示したように、第１ダミーパターン２５３上に第１画素電極３１０と同一な物質からなる第３ダミーパターン３１１がさらに形成されることもでき、図５に示したように、第１ダミーパターン２５３の下部及び上部に第２ダミーパターン２３１及び第３ダミーパターン３１１が形成されることもできる。
【００４６】
次に、図６Ａ乃至図６Ｄを参照して、前記有機発光表示装置の製造方法について説明する。
【００４７】
図６Ａを参照すると、画素領域１１０及び画素領域１１０の周辺のＣＯＤ領域（ＣＯＤ）が定義されている基板１００上に、シリコン硝酸塩（ＳｉＮ）層またはシリコン硝酸塩（ＳｉＮ）層及びシリコン酸化物（ＳｉＯ２）層の積層構造からなるバッファー層２００を形成する。その後、バッファー層２００上にアモルファスシリコン膜を蒸着して結晶化した後でパターニングして、画素領域１１０にアクティブ層２１０を形成する。その後、バッファー層２００上にアクティブ層２１０を覆うようにゲート絶縁膜２２０を形成し、ゲート絶縁膜２２０上にＭｏＷ膜、Ａｌ膜、Ｃｒ膜、及びＡｌ／Ｃｒ膜から選択されるいずれか一つからなる金属層を蒸着してパターニングして、アクティブ層２１０のゲート絶縁膜２２０上にゲート電極２３０を形成する。その後、アクティブ層２１０の両側に不純物をドーピングして、ソース領域２１１及びドレイン領域２１２を形成する。
【００４８】
図６Ｂを参照すると、ゲート絶縁膜２２０上にゲート電極２３０を覆うように層間絶縁膜２４０を形成し、層間絶縁膜２４０及びゲート絶縁膜２２０をパターニングして、ソース領域２１１を露出させる第１コンタクトホール２２１、２４１及びドレイン領域２１２を露出させる第２コンタクトホール２２２、２４２を各々形成する。その後、層間絶縁膜２４０、第１コンタクトホール２２１、２４１、及び第２コンタクトホール２２２、２４２上にＴｉ／Ａｌ膜またはＴｉ／Ａｌ／Ｔｉ膜からなる金属層を蒸着してパターニングして、ソース領域２１１及びドレイン領域２１２と電気的に接続されるソース電極２５１及びドレイン電極２５２を形成してＴＦＴ（Ｔ２）を形成すると同時に、画素領域１１０及びＣＯＤ領域（ＣＯＤ）の間の層間絶縁膜２４０上に第１ダミーパターン２５３を形成する。
【００４９】
図６Ｃを参照すると、層間絶縁膜２４０上にＴＦＴ（Ｔ２）及び第１ダミーパターン２５３を覆うようにアクリル膜からなる平坦化膜２６０を形成する。その後、平坦化膜２６０をパターニングして、平坦化膜２６０にＴＦＴ（Ｔ２）のドレイン電極２５２を露出させるビアホール２６１を形成すると同時に、第１ダミーパターン２５３を露出させる開口部２６２を形成する。その後、平坦化膜２６０及びビアホール２６１上に第１画素電極物質膜を蒸着してエッチングによってパターニングして、ドレイン電極２５２と電気的に接続される第１画素電極３１０を形成する。
【００５０】
図６Ｄを参照すると、平坦化膜２６０上に第１画素電極３１０を覆うように画素定義膜３２０を形成する。その後、画素定義膜３２０をパターニングして、第１画素電極３１０を露出させる開口部３２１を形成すると同時に、平坦化膜２６０の開口部２６２と貫通する開口部３２２を形成して溝４００を形成することによって、画素領域１１０及びＣＯＤ領域（ＣＯＤ）を分離させる。
【００５１】
その後、図２に示したように、開口部３２１の第１画素電極３１０上に有機発光層３３０を形成し、その上に前面電極の形態で基板１００の全面上に第２画素電極３４０を形成して、有機発光素子（Ｌ１）が構成される。
【００５２】
この時、平坦化膜２６０の収縮が発生しても、画素領域１１０及びＣＯＤ領域（ＣＯＤ）が溝４００によって分離されるので、画素領域１１０及びＣＯＤ領域（ＣＯＤ）の不必要な接続が発生しない。
【００５３】
また、溝４００の下部に第１ダミーパターン２５３が形成されて溝４００の深さが浅くなるので、第２画素電極３４０の断線も発生しない。
【００５４】
また、画素領域１１０及びＣＯＤ領域（ＣＯＤ）の間の溝は、平坦化膜２６０及び画素定義膜３２０のパターニング時に同時に形成し、第１ダミーパターン２５３も、ソース電極２５１及びドレイン電極２５２の形成時に同時に形成することができるので、別途の工程を付加しなくてもよい。
【００５５】
一方、本実施例では、ソース電極２５１及びドレイン電極２５２の形成時に、溝４００が形成される部分に第１ダミーパターン２５３を同時に形成することを示したが、図３に示したように、ゲート電極２３０の形成時に、第１ダミーパターン２５３の下部のゲート絶縁膜２２０上に第２ダミーパターン２３１をさらに形成することもできる。
【００５６】
また、図４に示したように、第１画素電極３１０の形成時に、第１ダミーパターン２５３の上部に第３ダミーパターン３１１をさらに形成することもでき、図５に示したように、ゲート電極２３０及び第１画素電極３１０の形成時に、第１ダミーパターン２５３の下部及び上部に第２ダミーパターン２３１及び第３ダミーパターン３１１を形成することもできる。
【００５７】
前記では、本発明の好ましい実施例について説明したが、本発明はこれに限定されず、特許請求の範囲、発明の詳細な説明、及び添付した図面の範囲内で多様に変形して実施することができ、これも本発明の範囲に属する。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】本発明の第１実施例による有機発光表示装置を示す平面図である。
【図２】本発明の第１実施例による有機発光表示装置を示した部分断面図であって、図１のＩＩ−ＩＩ’線による断面図である。
【図３】本発明の第２実施例による有機発光表示装置を示した部分断面図である。
【図４】本発明の第３実施例による有機発光表示装置を示した部分断面図である。
【図５】本発明の第４実施例による有機発光表示装置を示した部分断面図である。
【図６Ａ】本発明の第１実施例による有機発光表示装置の製造方法を説明するための工程図である。
【図６Ｂ】本発明の第１実施例による有機発光表示装置の製造方法を説明するための工程図である。
【図６Ｃ】本発明の第１実施例による有機発光表示装置の製造方法を説明するための工程図である。
【図６Ｄ】本発明の第１実施例による有機発光表示装置の製造方法を説明するための工程図である。
【符号の説明】
【００５９】
１００  基板
１１０  画素領域
１１１  画素
１２０  スキャンドライバー
１３０  データドライバー
１４０  電源ライン
１６０  パッド部
２００  バッファー層
２１０  アクティブ層
２１１  ソース領域
２１２  ドレイン領域
２１３  チャンネル領域
２２０  ゲート絶縁膜
２３０  ゲート電極
２４０  層間絶縁膜
２２１、２２２、２４１、２４２  コンタクトホール
２５１  ソース電極
２５２  ドレイン電極
２５４  第２画素電極配線
２６０  平坦化膜
２６１、３２３  ビアホール
３１０  第１画素電極
３２０  画素定義膜
３３０  有機発光層
３４０  第２画素電極
４００  溝
ＣＯＤ  ＣＯＤ領域
Ｔ２  ＴＦＴ
Ｌ１  有機発光素子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図６Ｃ】
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【図６Ｄ】
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