(57)【要約】【課題】チップ部品の変形が抑制された分離工程を有するチップ部品の製造方法を提供することを目的としている。【解決手段】枠状のポスト部８で互いに連結した複数のチップ部品７を分離する工程を有し、少なくとも二層以上に積層した金属薄膜からなる犠牲層１０を形成した基板９の上に枠状のポスト部８で互いに連結した複数の前記チップ部品７を形成する工程と、前記枠状のポスト部８をエッチングによって除去した後、前記犠牲層１０をエッチングによって除去することによって個片化する工程を含む構成とする。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
枠状のポスト部で互いに連結した複数のチップ部品を分離する工程を有し、少なくとも二層以上に積層した金属薄膜からなる犠牲層を形成した基板の上に枠状のポスト部で互いに連結した複数の前記チップ部品を形成する工程と、前記枠状のポスト部をエッチングによって除去した後、前記犠牲層をエッチングによって除去することによって個片化する工程を含むチップ部品の製造方法。
【請求項２】
ポスト部の幅を１００μｍ以下とした請求項１に記載のチップ部品の製造方法。
【請求項３】
犠牲層の厚みを２０〜１２０ｎｍとした請求項１に記載のチップ部品の製造方法。
【請求項４】
ポスト部の主成分を銅とし、第一層目の犠牲層をアルミニウムを主成分とする金属薄膜とし、第二層目の犠牲層をチタニウムを主成分とする金属薄膜とした請求項１に記載のチップ部品の製造方法。
【請求項５】
チタニウムの厚みをアルミニウムの厚みよりも薄くした請求項４に記載のチップ部品の製造方法。
【請求項６】
ポスト部のエッチングを塩化第二鉄水溶液にて行い、第二層目の犠牲層のエッチングを過酸化水素水と苛性ソーダの混合水溶液にて行い、第一層目の犠牲層のエッチングを過酸化水素水と苛性ソーダの混合水溶液または塩化第二鉄水溶液にて行う請求項４に記載のチップ部品の製造方法。
【請求項７】
ポスト部の主成分を銀とし、第一層目の犠牲層をアルミニウムを主成分とする金属薄膜とし、第二層目の犠牲層をチタニウムを主成分とする金属薄膜とした請求項１に記載のチップ部品の製造方法。
【請求項８】
チタニウムの厚みをアルミニウムの厚みよりも薄くした請求項７に記載のチップ部品の製造方法。
【請求項９】
ポスト部のエッチングをリン酸、酢酸および硝酸からなる混酸水溶液を用いて行い、第二の犠牲層のエッチングを過酸化水素水と苛性ソーダの混合水溶液にて行い、第一の犠牲層のエッチングを過酸化水素水と苛性ソーダの混合水溶液または塩化第二鉄水溶液にて行う請求項７に記載のチップ部品の製造方法。
【請求項１０】
基板をシリコン、ガラスまたは石英のいずれかとした請求項１に記載のチップ部品の製造方法。
【請求項１１】
基板の上に少なくとも二層に積層した金属薄膜からなる犠牲層を形成する第一の工程と、この犠牲層を形成した基板の上に、空隙部を有する絶縁樹脂層を形成する第二の工程と、前記空隙部と絶縁樹脂層の上に金属層を形成する第三の工程と、前記絶縁樹脂層の上面まで前記金属層を研磨して、複数の空隙部に枠状のポスト部および／または渦巻状金属からなるコイル部を形成する第四の工程を含む請求項１に記載のチップ部品の製造方法。
【請求項１２】
金属層の主成分を銅または銀とした請求項１１に記載のチップ部品の製造方法。
【請求項１３】
金属層をめっき工法にて形成した請求項１１に記載のチップ部品の製造方法。
【請求項１４】
絶縁樹脂層は、感光性樹脂を硬化させた感光性樹脂硬化物からなる請求項１１に記載のチップ部品の製造方法。
【請求項１５】
感光性樹脂硬化物をエポキシアクリレート樹脂とした請求項１４に記載のチップ部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は各種電子機器等に用いるチップ部品の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
以下、従来のチップ部品の製造方法について図面を参照しながら説明する。
【０００３】
図１５は従来のチップ部品の製造方法を示す製造工程図、図１６は図１５のＢ部の拡大分解斜視図である。
【０００４】
図１５に示すように、従来のチップ部品の製造工程は、シート形成工程（ａ）と、コイル部形成工程（ｂ）と、素体分離工程（ｃ）と、電極形成工程（ｄ）とを備えている。
【０００５】
まず、図１５（ａ）に示すように、グリーンシート１００を複数形成する（シート形成工程（ａ））。
【０００６】
次に、図１５（ｂ）および図１６に示すように、複数のグリーンシート１００の上にＡｇなどの導電ペーストからなる弧状導体１０２を印刷し、これらのグリーンシート１００を積層して、渦巻状導体からなるコイル部１０３を形成する（コイル部形成工程（ｂ））。このとき、上下に隣接するグリーンシート１００の上に印刷された弧状導体１０２は、互いにグリーンシート１００に形成したスルホール１０４を介して電気的に接続され、コイル部１０３を形成している。
【０００７】
次に、図１５（ｃ）に示すように、ダイシング切断法やトムソン切断法等を用いて、隣接する素体１０５を切断機１０６で切断し、チップ部品１０７を複数形成する（素体分離工程（ｃ））。
【０００８】
そして、このチップ部品１０７に端子電極等を形成するとともに、焼成して完成品１０８を製造する（電極形成工程（ｄ））。
【０００９】
なお、この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献１が知られている。
【特許文献１】特開平１１−１８６０８４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、前記従来の構成では、素体分離工程（ｃ）において、ダイシング切断法やトムソン切断法等を用いて、隣接する素体１０５を切断機１０６で切断するので、切断機１０６の刃の厚み分だけ切断幅が必要となるとともに、切断機１０６の刃の摩耗あるいは寸法歪みがそのまま寸法精度に悪影響を及ぼし、小型のチップ部品に不可欠な高精度な寸法精度を実現することが困難となっている。
【００１１】
そして、グリーンシート１００の単位面積に対するチップ部品の取り数を多くするために、切断機１０６の切断幅を小さくすると、切断機１０６による切断応力がチップ部品１０７に加わりやすくなり、チップ部品１０７の変形を生ずるという問題点を有していた。
【００１２】
本発明は前記問題点を解決するもので、チップ部品の変形を抑制するとともに高精度な寸法精度を実現し、大判化と高積層化に適したチップ部品の製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
前記従来の課題を解決するために、本発明は、二層以上に積層した金属薄膜からなる犠牲層を形成した基板の上に、枠状のポスト部で互いに連結した複数の前記チップ部品を形成する工程と、前記枠状のポスト部をエッチングによって除去した後、前記犠牲層をエッチングによって除去することによって個片化する工程を含む構成からなるものである。
【発明の効果】
【００１４】
本発明のチップ部品の製造方法は、二層以上に積層した犠牲層と枠状のポスト部で予め互いに連結しており、枠状のポスト部をエッチング除去した後、前記犠牲層を除去することによって、互いに連結された複数のチップ部品を個片化することから、寸法精度の高いチップ部品を製造することができる。すなわち、チップ部品の変形が抑制された高い寸法精度を実現し、大判化と高積層化に適したチップ部品の製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
（実施の形態１）
以下、本発明の実施の形態１におけるチップ部品の製造方法について図面を参照しながら説明する。
【００１６】
図１は本発明の実施の形態１におけるコイル素子とコンデンサ素子を含むＬＣフィルタからなるチップ部品の斜視図、図２は犠牲層を有する基板の上に形成した複数のチップ部品が枠状のポスト部によって連結された状態を説明するための上面図、図３は図２のＡ部の内層部におけるコイル部の拡大図、図４はコンデンサ部の拡大図である。そして、図５〜図１４はＬＣフィルタからなるチップ部品の製造方法を説明するための断面工程図である。
【００１７】
図１〜図４において、本発明の実施の形態１におけるチップ部品７はチップＬＣフィルタであって、チップ部品の一面に端子電極２のみを表出させるとともに、金属酸化物よりなる誘電体材料および金属からなる電極材料以外の構成材料が感光性樹脂材料からなる方形状の素体１と、この素体１の内部に埋設した渦巻状金属３からなるコイル部４とコンデンサ部５を積層方向に備えており、素体１は感光性樹脂を硬化させた感光性樹脂硬化物からなる絶縁樹脂層６で積層して形成している。
【００１８】
さらに、コイル部４の最外周の渦巻状金属３と素体１の側面との最小距離（端面マージン）は５〜５０μｍとし、コイル部４の最大径は５μｍ〜１５０μｍとし、コンデンサ部５の最外周と素体１の側面との最小距離（端面マージン）は２０〜５０μｍとしている。また、複数の積層した絶縁樹脂層６からなる素体の高さは０．３０〜１．５ｍｍとしている。
【００１９】
次に、図５〜図１４を用いて前記のチップ部品７の製造工程を説明する。
【００２０】
このチップ部品７は、図２に示したように複数のチップ部品７を枠状のポスト部８で互いに連結した状態とし、さらに、少なくとも二層以上の金属薄膜層からなる犠牲層１０を形成したシリコン基板などの上に一括して多数個形成しており、最終的に、枠状のポスト部８で連結された複数のチップ部品７を分離した後、犠牲層１０をエッチングして個片化することを特徴とするチップ部品の製造方法である。
【００２１】
まず、図５に示すように、例えば厚みが０．２〜１．０ｍｍのシリコンウエハからなる基板９の上に厚みが８０〜１００ｎｍのアルミニウム薄膜をめっき法、スパッタ法、蒸着法などによって第一の犠牲層１０ａとして形成する。
【００２２】
次に、この第一の犠牲層１０ａの上に厚みが２０ｎｍのチタニウム薄膜を第二の犠牲層１０ｂとして形成する。この第一の犠牲層１０ａと第二の犠牲層１０ｂの二層構造からなる犠牲層１０とすることが好ましい。このとき、第一の犠牲層１０ａは基板９との密着力に優れるとともにチップ部品７を個片化するときのエッチング性に優れた金属薄膜とし、第二の犠牲層１０ｂを絶縁樹脂層６との密着力に優れた金属薄膜とすることによって積層の厚みが厚くなって応力が大きくなった場合においても密着性に優れた積層構造を実現することができることから、基板９の大判化あるいは高積層化を実現できるチップ部品の製造方法を提供することができる。
【００２３】
また、第一の犠牲層１０ａの厚みを第二の犠牲層１０ｂの厚みより薄くすることによってエッチング性を犠牲にすることなく密着性に優れた犠牲層１０を形成することができる。そして、特にこの第一の犠牲層１０ａにはアルミニウムが基板９との密着性とエッチング性の観点から好ましく、第二の犠牲層１０ｂにはチタニウムが絶縁樹脂層６との密着性の観点から特に好ましい。
【００２４】
このように、基板９の上に少なくとも二層以上の異なる金属薄膜からなる積層膜とした犠牲層１０とすることによって生産性の高い大判化と高積層化を実現できるチップ部品の製造方法を提供することができる。
【００２５】
また、犠牲層１０の厚みは２０〜１２０ｎｍの範囲が好ましい。２０ｎｍより薄くなると基板９の表面を均一に覆うことが困難となり、平坦性の観点から問題があり、１２０ｎｍを超えるとエッチング速度が遅くなり、生産性を低下させる。
【００２６】
また、基板９としてはシリコン、ガラスまたは石英のいずれかを用いることが好ましい。これらの材料は平坦性、表面粗さおよび材料の入手性の観点から好ましい。特にシリコンウエハはこの目的に最適な材料である。
【００２７】
次に、犠牲層１０の上に感光性のエポキシアクリレート樹脂をスピンコータ等の塗布機を用いて絶縁樹脂層６を形成した後、フォトリソグラフィ法によって枠状のポスト部８を形成するための空隙部１１を形成する。この絶縁樹脂層６を形成するエポキシアクリレート樹脂はアスペクト比の高い電極パターンなどを形成するときに優れた特性を有する感光性樹脂材料（化学増幅ネガ型レジスト剤）であり、アスペクト比の高いパターンを形成することができる。そして、この絶縁樹脂層６をフォトリソ法による現像によって空隙部１１ａを形成する。
【００２８】
次に、図６に示すようにめっき法などを用いて金属層１２を形成する。この金属層１２は所定の厚みよりも厚めに形成しておく。
【００２９】
その後、図７に示すように絶縁樹脂層６の少なくとも上面まで研磨法または研削法などを用いて除去する。このような方法で所定の厚みに制御することによって平坦性と寸法精度に優れた薄い金属材料からなる枠状のポスト部８を形成することができる。
【００３０】
このように、この金属層１２を所定の厚みよりも厚めに形成した後、研磨によって絶縁樹脂層６の少なくとも上面まで研磨する工法を積層していくことによって、積層精度と寸法精度に優れたチップ部品の製造方法を実現することができる。  
【００３１】
また、生産性の観点から、この金属層１２の形成方法はめっき工法が好ましい。
【００３２】
なお、無電解めっき、スパッタまたは蒸着工法により下地層を形成した後、この下地層の上に電解めっき工法により形成してもよい。このような方法を用いることによって微細な電極パターンを有するチップ部品を一括して作製することができる。
【００３３】
その後、図８に示すように所定のパターンを形成した絶縁樹脂層６の上に、フォトリソグラフィ工法を用いて空隙部１１ａ、１１ｂ、１１ｃを有する絶縁樹脂層６を形成した後、これらの空隙部１１ａ、１１ｂ、１１ｃの内部にめっき法と研磨法などを用いて銅などの金属材料を所定の渦巻状金属３および枠状のポスト部８の所定のパターンが精度良く重なるように形成しながら積層を繰り返すことによって、枠状のポスト部８の内部に渦巻状金属３からなるコイル部４を形成した積層体を作製することができる。図８におけるコイル部４はコイル部４ａとコイル部４ｂからなる二層の積層構造をしており、このコイル部４はインダクタンス値によって決定するものであり、適宜、単層あるいは任意の積層数とすることによって所定のインダクタンス値を有するコイル部４を設計することができる。
【００３４】
本実施の形態１におけるコイル部４の設計はチップサイズが長さ；１．００×幅；０．５０×厚み；０．４０ｍｍ（１００５サイズ）において、６．２ｎＨとしている。
【００３５】
また、空隙部１１は、枠状のポスト部８を形成するための複数の枠状の空隙部１１ａと、この枠状の空隙部１１ａの内側に配置した渦巻状の空隙部１１ｂと、スルホール用の空隙部１１ｃとからなり、この枠状の空隙部１１ａは枠状のポスト部８として機能させるように積層して形成している。
【００３６】
そして、渦巻状の空隙部１１ｂに渦巻状金属３からなるコイル部４を形成し、スルホール用の空隙部１１ｃには金属からなるスルホール電極１５を形成し、二層のコイル部４ａ、４ｂをスルホール電極１５により導通させている。これらの空隙部１１ａ、１１ｂ、１１ｃは任意の層に適宜配置することによって所望の回路構成を形成することができる。
【００３７】
また、ポスト部８の幅は１００μｍ以下（０を含まず）とすることが好ましい。
【００３８】
ポスト部８の幅が１００μｍを超えるとエッチングに必要な時間が長くなり、生産性を低下させるのと基板９の一枚あたりの取り数が低下することから好ましくない。そして、特に５〜１００μｍの範囲が好ましい。５μｍよりも狭くするとフォトリソ加工が困難となる。
【００３９】
以上のようなプロセスによって絶縁樹脂層６の内層部にコイル部４を形成することができる。これによって、ほぼ、所定のインダクタンス値である６．２ｎＨのコイル部４を作製することができる。
【００４０】
その後、図９に示すように下地に銅からなる金属層１２を形成した後、厚み；１０００〜３０００Åのアルミニウム薄膜を電極層１３ａとして形成し、この電極層１３ａの上に二酸化珪素をスパッタ法を用いて厚み；０．３〜１．０μｍの誘電体層１４として形成する。さらに、この誘電体層１４の上に前記と同様のアルミニウム薄膜を電極層１３ｂとして形成する。
【００４１】
次に、図１０に示すように、フォトリソ工法を用いてそれぞれにパターニングしながらエッチングを行うことによってコンデンサ部５を構成する下部電極層５ｃ、誘電体層５ｂおよび上部電極層５ａを形成する。これによって６．２ｐＦのコンデンサ部５を作製することができる。
【００４２】
なお、誘電体層５ｂとしては、酸化チタニウム、酸化タンタル、チタン酸ストロンチウムなどの金属酸化物よりなる誘電体材料を適宜選択して薄膜形成することによって所望の誘電特性を有するコンデンサ部５を形成することができる。
【００４３】
その後、図１１に示すように前記コンデンサ部５を埋設するのと、配線のための電極パターンを形成するための層を複数層形成する。
【００４４】
次に、図１２に示すように後工程における個片化のためのエッチングプロセスから保護するためのレジストパターン１６をフォトリソグラフィ法にて形成する。
【００４５】
その後、図１３に示すように枠状のポスト部８をエッチング液によって溶解して除去するとともに、エッチングによってできた空隙部１１から侵入したエッチング液を用いて基板９の上に形成していた犠牲層１０を除去し、チップ部品７を分離および剥離を行うことによって所定のチップ形状に個片化することができる。
【００４６】
そして、ポスト部８の主成分を銅とし、犠牲層１０をチタニウムを主成分とする金属薄膜からなる第一の犠牲層１０ａとアルミニムを主成分とする金属薄膜からなる第二の犠牲層１０ｂの積層膜とすることによって大判化と高積層化に優れたチップ部品の製造方法を実現することができる。そして、この構成からなる素体１をエッチングする場合、銅からなるポスト部８のエッチングを塩化第二鉄水溶液にて行い、次にチタニウムからなる第二の犠牲層１０ｂを苛性ソーダと過酸化水素水の混合水溶液を用いてエッチングし、その後、アルミニウムからなる第一の犠牲層１０ａを苛性ソーダと過酸化水素水の混合水溶液または塩化第二鉄水溶液を用いてエッチングすることが好ましい。これによって、大判化と高積層化を可能とし、エッチング効率および寸法精度に優れたチップ部品の製造方法を実現することができる。
【００４７】
また、ポスト部８の主成分を銀とし、犠牲層１０を前記と同様の構成とすることによっても、さらに良導電性とエッチング性を両立できる構成とすることができる。これによって電気特性に優れたコイル部４を形成することができる。
【００４８】
そして、この構成からなる素体１をエッチングする場合、銀からなるポスト部８のエッチングは、エッチング液にリン酸、酢酸および硝酸からなる混酸水溶液からなるエッチング液を用いて行い、その後チタニウムからなる第二の犠牲層１０ｂを苛性ソーダと過酸化水素水の混合水溶液を用いてエッチングし、その後アルミニウムからなる第一の犠牲層１０ａを苛性ソーダと過酸化水素水の混合水溶液または塩化第二鉄水溶液を用いてエッチングすることが好ましい。
【００４９】
これによって、大判化と高積層化を可能とし、エッチング効率および寸法精度に優れたチップ部品の製造方法を実現することができる。
【００５０】
次に、図１４に示すようにレジストパターン１６を除去した後、表出した端子電極２の表面にＳｎめっき電極を形成することによって実装性に優れた端子電極２を形成する。この端子電極２は下面電極の構造をとることになるが、必要に応じて端子電極の構成は変更することが可能である。
【００５１】
以上説明してきたような製造工程を経てチップ部品を製造することによって、基板９の大判化と高積層化を実現することに加え、基板９にエッチングダメージを殆ど与えることの無い製造プロセスを可能とし、基板９の再利用率を大幅に高めることができるチップ部品の製造方法を提供することができる。
【００５２】
さらに、弗酸などを用いるとコイル部４あるいはコンデンサ部５までにエッチング液が侵入して品質問題を引き起こすことがあるが、本実施の形態１による製造プロセスを採用することによってコイル部４あるいはコンデンサ部５に対するエッチング液による悪影響を抑制することも可能である。
【００５３】
このようにして、基板９の上に少なくとも第一の犠牲層１０ａと第二の犠牲層１０ｂからなる犠牲層１０を形成する第一の工程と、この犠牲層１０を形成した基板９の上に、空隙部１１を有する絶縁樹脂層６を形成する第二の工程と、前記空隙部１１と絶縁樹脂層６の上に金属層１２を形成する第三の工程と、前記絶縁樹脂層６の上面まで前記金属層１２を研磨して、前記空隙部１１に枠状のポスト部および／または渦巻状金属３からなるコイル部４を形成する第四の工程を含む製造方法によってコイル部４を含んだチップ部品を製造することによって、加工歪みの抑制された寸法精度に優れたチップ部品の製造方法を提供することができる。これによって、高導電率と高占積率を有する小型のコイル部４を形成することが可能となり、バラツキの少ない高精度な電気特性を実現できるチップ部品の製造方法を提供することができる。
【００５４】
この製造方法において、金属層１２は銅または銀あるいは前記金属の合金等の良導電性金属が好ましい。
【００５５】
また、絶縁樹脂層６は、感光性樹脂を硬化させた透明な感光性樹脂硬化物からなり、この絶縁樹脂層６は、エポキシアクリレート樹脂を用いることが特に好ましい。この樹脂はアスペクト比の高い絶縁樹脂層６を形成することが可能であり、コイル部４を高占積率で形成する場合において、優れた特性を発揮することができる。そして、この絶縁樹脂層６はフォトリソ工法によって所定形状に加工するが、一般的なフォトリソグラフィ工法で用いるレジストとは異なり、最終的なチップ部品７の素体１を構成する樹脂であるため、一般的には静電気が発生しやすいので、表面層に静電気の発生を抑制した樹脂層を被覆したり、静電気を発散する構成を付加したりしてもよい。
【００５６】
そして、余分の金属層１２を研磨する研磨方法は、ＣＭＰスラリーを用いたＣＭＰ（ケミカル  メカニカル  ポリッシング）研磨を用いるとよい。金属層１２をＣＭＰ研磨によりエッチングしながら、金属のみを選択的に研磨することができることから、厚み精度が向上する。その他の研磨方法としては、ダイヤモンドスラリー、アルミナスラリーを用いた機械的研磨を用いてもよいが、精度の点でＣＭＰ研磨よりも不利である。金属層１２として、エッチングに適さないものを用いた場合は、その部分の研磨を機械的研磨で行ってもよい。
【００５７】
前記構成により、複数のチップ部品７は、枠状のポスト部８で予め互いに連結するとともに少なくとも二層の金属薄膜からなる犠牲層１０を形成した基板９の上に形成しており、この金属薄膜からなる犠牲層１０を剥離して、枠状のポスト部８で互いに連結された複数のチップ部品７を分離するので、チップ部品７に切断応力が発生しにくい。すなわち、チップ部品７の変形を抑制して、チップ部品７を製造できる。
【００５８】
また、フォトリソグラフィ工法で枠状のポスト部８、渦巻状金属３を形成し、応力が発生しにくい個片化工程を行うため、チップ部品７の端面からの端面マージンを極小化でき、チップ部品７のサイズを最大限に生かした導体位置精度の良い設計が可能である。そのため、チップ部品のサイズが、例えば１００５、０６０３等の小型になればなるほど端面からの端面マージン（Ｗ）の影響が大きくなり、チップ特性、例えばチップインダクタの場合はインダクタンス値およびＱ値を、従来工法に比べより高特性にできる。
【００５９】
特に、枠状の空隙部１１ａおよび絶縁樹脂層６の上に金属層１２を形成し、この金属層１２を絶縁樹脂層６の少なくとも上面まで研磨して、枠状の空隙部１１ａにチップ部品７を連結する金属からなる枠状のポスト部８を形成するので容易に高精度に枠状のポスト部８を形成できる。
【００６０】
なお、枠状の空隙部１１ａの内周角部を面取り形状やその他の形状にすることも容易に実現することができる。
【００６１】
また、絶縁樹脂層６は、フォトリソグラフィ工法により形成するので、導体位置精度、チップ寸法精度等が容易に高精度に形成できる。
【００６２】
また、絶縁樹脂層６に、透明な感光性樹脂を用いることによって、素体１は透明となり、一層ごとに導体の外観検査が容易となる。
【００６３】
さらに、金属層１２は、無電解めっき工法またはスパッタまたは蒸着工法により形成した下地層を有し、この下地層の上に電解めっき工法により形成することにより、占積率を大きくしたコイル部４を容易に形成することができる。
【００６４】
なお、本実施の形態１ではＬＣフィルタを例としてチップ部品の製造方法を説明してきたが、同様の方法によってチップコイル、積層チップコンデンサ、あるいはこれらを複合化した複合部品などのチップ部品についても同様にして作製することができる。
【産業上の利用可能性】
【００６５】
以上のように本発明にかかるチップ部品の製造方法は、チップ部品の変形を抑制し、大判化と高積層化を実現し、寸法精度に優れたチップ部品の製造方法が実現できることから、各種電子機器に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】本発明の実施の形態１におけるチップ部品の斜視図
【図２】同基板の上に形成した複数のチップ部品の上面図
【図３】図２のＡ部の内層部におけるコイル部の拡大平面図
【図４】図２のＡ部の内層部におけるコンデンサ部の拡大平面図
【図５】同チップ部品の製造工程を示す断面工程図
【図６】同断面工程図
【図７】同断面工程図
【図８】同断面工程図
【図９】同断面工程図
【図１０】同断面工程図
【図１１】同断面工程図
【図１２】同断面工程図
【図１３】同断面工程図
【図１４】同断面工程図
【図１５】従来のチップ部品の製造方法を説明するための製造工程図
【図１６】同図１５のＢ部の拡大分解斜視図
【符号の説明】
【００６７】
１  素体
２  端子電極
３  渦巻状金属
４、４ａ、４ｂ  コイル部
５  コンデンサ部
５ａ  上部電極層
５ｂ  誘電体層
５ｃ  下部電極層
６  絶縁樹脂層
７  チップ部品
８  ポスト部
９  基板
１０  犠牲層
１０ａ  第一の犠牲層
１０ｂ  第二の犠牲層
１１、１１ａ、１１ｂ、１１ｃ  空隙部
１２  金属層
１５  スルホール電極
１６  レジストパターン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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