(57)【要約】【課題】ガスシャワーヘッドなどと呼ばれているガス供給装置において、基板の中心部から外周部に向かうガス流について周方向の間の流速分布を従来に比べて揃えることで、例えば十文字状のパーティクルの密集領域の発生を抑え、しかもプロセス条件の自由度を広げられるようにすること。【解決手段】ガス供給装置のシャワープレートに穿設されるガス供給孔の配列パターンを、多数の同心円上に配列するようにし、かつ同心円上のガス供給孔と内側に隣り合う同心円及び外側に隣り合う同心円の各直近のガス供給孔とが同心円の半径上に並ばないように設定する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を載置する載置台が設けられた処理容器内に処理ガスを供給するために前記載置台に対向するように配置され、多数のガス供給孔が穿設されたシャワープレートを備えたガス供給装置において、  
前記ガス供給孔は、多数の同心円上に配列され
前記ガス供給孔の配列パターンは、最外周及び最内周を除く任意の同心円について、その同心円上のガス供給孔と、内側に隣り合う同心円及び外側に隣り合う同心円の各直近のガス供給孔と、が同心円の半径上に並ばないことを特徴とするガス供給装置。
【請求項２】
単位面積当たりのガス供給孔の数が揃っていることを特徴とする請求項１記載のガス供給装置。
【請求項３】
前記ガス供給孔の配列パターンは、
各同心円毎にガス供給孔を等間隔で周方向に配列すると共に各同心円の一のガス供給孔同士を同心円の半径上に並ぶように一旦配列し、これら半径上に並ぶガス供給孔が同心円の中心から伸びる代数スパイラル曲線に沿って並ぶように、周方向の配列ピッチが等間隔のまま配列し直すことにより形成されたものであることを特徴とする請求項１または２記載のガス供給装置。
【請求項４】
ガス供給孔が第１のピッチで並ぶ同心円と、この同心円よりも外側に位置し、ガス供給孔が第１のピッチよりも広い第２のピッチで並ぶ同心円と、この同心円よりも外側に位置し、ガス供給孔が第２のピッチよりも狭い第３のピッチで並ぶ同心円とが存在することを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一つに記載のガス供給装置。
【請求項５】
気密な処理容器と、この処理容器内に設けられ、基板を載置するための載置台と、処理容器内のガスを排気する排気手段と、請求項１ないし４のいずれか一つに記載のガス供給装置と、を備え、ガス供給装置から供給される処理ガスにより載置台上の基板を処理することを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば基板に対して所定の成膜処理を行うために、基板に対向する多数のガス供給孔から処理ガスを処理容器内に供給するガス供給装置、及びこのガス供給装置を用いた基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造プロセスの一つに成膜処理があり、このプロセスは通常真空雰囲気下で処理ガスを例えばプラズマ化あるいは熱分解することで活性化し、基板表面上に活性種あるいは反応生成物を堆積させることにより行われる。そして成膜処理の中には、複数種類のガスを反応させて成膜するプロセスがあり、このプロセスとしては、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｔａなどの金属、またはＴｉＮ、ＴｉＳｉ、ＷＳｉなどの金属化合物、あるいはＳｉＮ、ＳｉＯ2などの絶縁膜といった薄膜の形成を挙げることができる。
【０００３】
このような成膜処理を行うための装置は、真空チャンバをなす処理容器内に基板を載置するための載置台が配置されると共に処理容器にガス供給装置が設けられ、更にガスにエネルギーを与えるための手段である加熱装置やプラズマ発生手段などが組み合わせて設けられている。ガス供給装置は一般にガスシャワーヘッドと呼ばれ、処理容器の天井部に形成された開口部を塞ぐようにかつ前記載置台と対向するように設けられている。ガス供給装置のより具体的な構造については、扁平な円柱体内にガスの拡散空間が形成されていて、多数のガス供給孔が形成されたシャワープレートが下面に配置され、外部から処理ガスが拡散空間に流れ込み、前記ガス供給孔から処理空間に吹き出されるように構成されている。
【０００４】
シャワープレートは、基板上にガスを均一に供給できるように単位面積当たりのガス供給孔の数が揃えられている。そしてガス供給孔の配列パターンとしては、図１０に示すように縦横にマトリックス状に配列したパターンや図１１に示すように同心円上に等間隔に配列したパターンが知られており、これら配列パターンは、夫々特許文献１及び特許文献２に記載されている。図１０、１１中、１はシャワープレート、１１はガス供給孔である。なお３００ｍｍウエハで用いられる実際のシャワープレートにおいては、ガス供給孔の口径はもっと小さく、孔数、同心円の数はもっと多い。
【０００５】
ところでＴｉＣｌ4、Ｈ2及びＡｒの混合ガスを用いて半導体ウエハ（以下ウエハという）上にＴｉを成膜するプロセスについて、ウエハ上におけるパーティクルの評価を行っていたところ、あるプロセス条件において図１２に示すようにウエハＷ上にパーティクル１２が過剰に付着する領域が十文字に形成されることが分かった。この十文字のパーティクル付着パターンＰ（実際にはパーティクルが密集しているが、便宜上斜線で示してある）は、シャワープレート１から処理雰囲気内に流入するガスの流速を大きくしていったときにある流速以上になると発生し、その発生ポイントは、全体のガス流量が多い程、流速が大きい方にずれている。言い換えれば、ガス流量を少なくすると、小さな流速であっても十文字のパーティクル付着パターンが発生するということになる。
【０００６】
この理由について種々検討をしたところ、ウエハの中心部から外周部に向かうガス流の周方向の流速分布に関連していることを突き止めた。即ち、この種の成膜装置は処理容器の下部にて排気しているため、ウエハ表面におけるガスの流れは中心部から外周部に向かう流れが支配的であり、従来のシャワープレートにおいては、このガス流の流速が極端に遅い領域が存在する。例えばガス供給孔１１がマトリックス状に配列されたシャワープレート１については、図１３に枠で囲って示すようにシャワープレート１の中心部から外周部に向けてつまり半径方向にガス供給孔１１が平行に直線的に並ぶ領域が存在する。
【０００７】
図１３では、この領域を１個所だけ示してあるが、シャワープレート１上にはこの領域は中心部から９０度ずつずれて４方向に伸び、全体として十文字状になっている。この枠内の領域に着目すると、マクロ的な表現をすると、ウエハＷ側においては枠内に対向する部位にはガスが吹き付けられないので、ウエハＷの中心部Ｃから外周に向かう当該部位のガス流Ａの流速は、その両隣のガス流の流速よりも極端に遅くなっている。このように速い流速の領域と遅い流速の領域とが隣り合うと、その境界部で乱流が発生し、その結果生成物の堆積が異常に起こり、言い換えるとＴｉが異常成長する。このように局部的に異常成長した部分は、他の領域から見ればパーティクルの集合領域であり、この部位を含むチップに対して電気的特性に悪影響を及ぼすことになる。そしてシャワープレート１から吹き出すガス流の流速が速いほど、境界部での乱流の発生の程度が大きく、このため十文字のパーティクル付着パターンＰが発生しやすいことが直感的に理解され、このことは実験結果と整合する。
【０００８】
上述の現象は、同心円上にガス供給孔を等間隔に配列した場合にも起こることは容易に想像がつく。即ち、この場合においてもシャワープレート１の中心部から外周部に向けてガス供給孔１１が平行に直線的に並ぶ領域が十文字に存在するからである。
【０００９】
このように従来のシャワープレートにおいては、プロセス条件によって十文字のパーティクル付着パターンＰが発生するため、プロセス条件の設定の自由度が制限されるという課題がある。例えばスループットの向上のためにガス流量を大きく設定することができないなどの不利益がある。  
なお特許文献１及び特許文献２にはこのような着眼は全くなく、これら文献に記載されたシャワープレートは、単位面積当たりのガス供給孔数を揃えかつ設計が容易であるという観点から採用されたものである。
【００１０】
【特許文献１】特開平５−１５２２１８号公報：図４
【特許文献２】特開２００４−７６０２３号公報：図２２、段落０１００
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明はこのような事情の下になされたものであり、その目的は、処理容器内に処理ガスを供給するガス供給装置において、基板の中心部から外周部に向かうガス流について周方向の間の流速分布を従来に比べて揃えることで、パーティクルの発生を抑え、しかもプロセス条件の自由度を広げることのできるシャワープレート及びこのシャワープレートを用いた基板処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明は、基板を載置する載置台が設けられた処理容器内に処理スを供給するために前記載置台に対向するように配置され、多数のガス供給孔が穿設されるシャワープレートを備えたガス供給装置において、  
前記ガス供給孔は、多数の同心円上に配列され
前記ガス供給孔の配列パターンは、最外周及び最内周を除く任意の同心円について、その同心円上のガス供給孔と、内側に隣り合う同心円及び外側に隣り合う同心円の各直近のガス供給孔と、が同心円の半径上に並ばないことを特徴とする。  
またガス供給孔の配列パターンは、単位面積当たり（例えば２ｃｍ×２ｃｍの正方形領域）のガス供給孔の数が揃っていることが好ましい。
【００１３】
前記ガス供給孔の配列パターンは、各同心円毎にガス供給孔を等間隔で周方向に配列すると共に各同心円の一のガス供給孔同士を同心円の半径上に並ぶように一旦配列し、これら半径上に並ぶガス供給孔が同心円の中心から伸びる代数スパイラル曲線に沿って並ぶように、周方向の配列ピッチが等間隔のまま配列し直すことにより形成されたものとすることができる。またガス供給孔の配列パターンは、ガス供給孔が第１のピッチで並ぶ同心円と、この同心円よりも外側に位置し、ガス供給孔が第１のピッチよりも広い第２のピッチで並ぶ同心円と、この同心円よりも外側に位置し、ガス供給孔が第２のピッチよりも狭い第３のピッチで並ぶ同心円とが存在するように設計することができる。
【００１４】
本発明は、基板処理装置例えば成膜装置としても成り立ち、この装置は、気密な処理容器と、この処理容器内に設けられ、基板を載置するための載置台と、処理容器内のガスを排気する排気手段と、本発明のガス供給装置と、を備え、ガス供給装置から供給される処理ガスにより載置台上の基板を処理することを特徴とする。  
【発明の効果】
【００１５】
本発明では、シャワープレートのガス供給孔を多数の同心円上に配列し、ガス供給孔の配列パターンは、同心円上のガス供給孔と内側に隣り合う同心円及び外側に隣り合う同心円の各直近のガス供給孔とが同心円の半径上に並ばないようにガス供給孔の配列パターンが設定されている。このため同心円の半径方向に伸びる、ガス供給孔が含まれない帯状のいわばデッドスペースが形成されないため、同心円の中心部からシャワープレートの外周部に向かうガス流の流速について、極端に流速が遅くなる領域の形成が抑えられる。この結果、既述の十文字のパーティクル付着パターンのように基板の中心部から見て特定の方向に伸びる領域に異常なプロセスが行われるという不具合を防止することができる。そして従来においてもプロセス条件を調整すればこうした不具合を回避できるが、本発明ではプロセス条件の制限が緩和されるので、プロセス条件の設定の自由度が広がり、例えばスループットを向上させるためにガス流量を多くするなどの条件設定を行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
本発明のガス供給装置をプラズマＣＶＤにより成膜を行うための成膜装置に組み込んだ実施の形態について説明する。先ず成膜装置の全体構成について、図１の概略図に基づいて構成の概略を説明しておく。図１において２は例えばアルミニウムからなる真空チャンバである処理容器であり、この処理容器２は、上側が大径の円筒部２ａでその下側に小径の円筒部２ｂが連設されたいわばキノコ形状に形成され、その内壁を加熱するための図示しない加熱機構が設けられている。処理容器２内には、基板である例えば半導体ウエハ（以下ウエハという）Ｗを水平に載置するための基板載置台をなすステージ２１が設けられ、このステージ２１は、小径部２ｂの底部に支持部材２２を介して支持されている。
【００１７】
ステージ２１内にはウエハＷの温調手段をなす図示しないヒータ及び後述する下部電極となる図示しない導電部材が設けられている。また必要に応じてウエハＷを静電吸着するための図示しない静電チャックが設けられる。更にステージ２１には、ウエハＷを保持して昇降させるための例えば３本の支持ピン２３がステージ２１の表面に対して突没自在に設けられ、この支持ピン２３は、支持部材２４を介して処理容器２の外の昇降機構２５に接続されている。処理容器２の底部には排気管２６の一端側が接続され、この排気管２６の他端側には真空排気手段である真空ポンプ２７が接続されている。また処理容器２の大径部２ａの側壁には、ゲートバルブ２８により開閉される搬送口２９が形成されている。
【００１８】
更に処理容器２の天井部には開口部３１が形成され、この開口部３１を塞ぐようにかつステージ２１に対向するように本発明のガス供給装置であるガスシャワーヘッド４が設けられている。ここでガスシャワーヘッド４及びステージ２１は夫々上部電極及び下部電極を兼用しており、ガスシャワーヘッド４は整合器３２を介して高周波電源部３３に接続されると共に、下部電極であるステージ２１は接地されている。なお図１では配線図は略解的に記載してあるが、実際にはステージ２１は処理容器２に電気的に接続され、処理容器２の上部から図示しないマッチングボックスを介して接地され、高周波の導電路が処理空間を包み込むようになっている。
【００１９】
ガスシャワーヘッド４は、図２に示すように、処理容器１の上部の開口部を塞ぐ扁平な有底筒状体からなるベース部材４１と、このベース部材４１の底面部の下方側に設けられたシャワープレート５と、を備えている。ベース部材４１は処理容器１内の真空雰囲気と大気雰囲気とを仕切る役割もあることから、上端周縁部のフランジ部４２と処理容器１の開口部の周縁部４３とがリング状の樹脂シール部材であるＯリング４４により気密に接合されている。
【００２０】
またベース部材４１の中央部には、２本のガス供給管６１及び６２が接続されており、これらガス供給管６１及び６２のガスが夫々分離されたシャワープレート５のガス供給孔７（７ａ）及び７（７ｂ）から噴出するように構成されている。即ち、シャワープレート５の上には、一方のガス供給管６１に連通する空間６３が形成された拡散プレート６４が積層されると共に、この拡散プレート６４の上方は、他方のガス供給管６２に連通しかつ前記空間６３とは区画された空間６５として形成されている。そして一方のガス供給孔７（７ａ）は前記空間６３に連通し、他方のガス供給孔７（７ｂ）は前記空間６５に連通している。なおこのシャワープレート６に関しては後で詳述する。
【００２１】
前記一方のガス供給管６１は、図１に示すように例えばＴｉＣｌ4ガス源１０２、Ａｒガス源１０３及びＣｌＦ3ガス源１０４に接続されているまた他方のガス供給管６２は、例えばＨ2ガス源１０６及びＮＨ3ガス源１０７に接続されている。なお鎖線で囲んだ１０８で示す部分は、各ガス供給路に設けられたバルブやマスフローコントローラなどのガス供給機器の群である。
【００２２】
次ぎにシャワープレート５について詳述する。この例のシャワープレート５は、３００ｍｍウエハに対して使用するものであり、図３及び図４に示すように円形のプレート本体５０の中心を中心とする１９個の同心円５１に沿って夫々等間隔でガス供給孔７が穿設され、更に同心円の中心（シャワープレート５の中心）にガス供給孔７が穿設されている。ガス供給孔７は、互いに異なるガスが吹き出すガス供給孔７ａ、７ｂが含まれるが、これらガス供給孔７ａ、７ｂは周方向に交互に配置されており、以下の説明ではこれらをまとめてガス供給孔７として述べることとする。ガス供給孔７の口径は例えば１ｍｍである。１９個の同心円５１において、最外周の同心円５１の半径は１６３ｍｍであり、各同心円互いの間隔は等間隔に設定されている。各同心円５１のガス供給孔７の個数については、内側から順に８、１２、１８、２４、３０、３６、４２、４８、５４、６０、６６、７２、７８、８４、９０、９６、１０２、１０８、１１４である。
【００２３】
このガス供給孔７の配列パターンの設計手法については、先ず各同心円５１の一のガス供給孔７同士を同心円５１の半径上に並ぶように一旦配列し、次いで図５に示すようにこれら半径上に並ぶガス供給孔７が同心円５１の中心から伸びる代数スパイラル曲線Ｓに沿って並ぶように、周方向の配列ピッチが等間隔のまま配列し直すことにより形成することができる。  
代数スパイラル曲線Ｓはｒ＝ａθ  で表されるアルキメデススパイラル曲線であり、ｒ、θは、同心円５１の中心をゼロ点とする極座標における距離及び基準方向からの角度であり、ａは変数である。
【００２４】
各同心円５１におけるガス供給孔７の配列ピッチ及びこの代数スパイラル曲線Ｓの設定については、同心円５１の半径方向に伸びる微少領域におけるガス供給孔７の配列密度を、各方向の間で揃うようにして行う。即ち、図６に示すように同心円５１の中心Ｃを含まないが、最内周の同心円５１と最外周の同心円５１とを含む、帯状領域（細長い長方形領域）Ｌを周方向に１度刻みで回転させ、各角度位置における帯状領域Ｌの中のガス供給孔７の数を計測し、その数の分布を取得する。図７は帯状領域Ｌを１度から９０度に至るまで回転させて取得したガス供給孔数の分布であり、帯状領域Ｌの幅２ｄのｄは角度分解能に相当し、少なくとも幅２ｄが配列ピッチ以下になるよう例えば４ｍｍに設定する。図７に示すように、各角度位置におけるガス供給孔７の数は１５個〜２０個に収まっている。
【００２５】
またガス供給孔７は、単位面積当たりのガス供給孔７の数が揃うように配列されている。この単位面積当たりとは、最外周の同心円５１内の領域を例えば２ｃｍ×２ｃｍの正方形の升目に分割した場合（最外周の同心円５１に接する領域は除く）、各分割領域の間でガス供給孔７の数が揃っているということであり、この例では、各分割領域内の孔数の最小値は５個であり、最大値は７個である。
【００２６】
図１の成膜装置におけるウエハＷの処理について述べる。先ず基板であるウエハＷが図示しない搬送アームによりゲートバルブ２８を開とした搬送口２９を介して処理容器２内に搬入され、支持ピン２３との協働作用によりステージ２１上に受け渡される。ゲートバルブ２８を閉じた後、ガス供給源１０２、１０３から第１のガスであるＴｉＣｌ4ガス及びＡｒガスの混合ガスがガス供給管６１を介してガスシャワーヘッド４に送られ、またガス供給源１０６から第２のガスであるＨ2ガスがガス供給管６２を介してガスシャワーヘッド４に送られる。そしてシャワープレート５のガス供給孔７（７ａ）、（７ｂ）から第１のガスと第２のガスとが別々に処理雰囲気に供給される。
【００２７】
一方真空ポンプ２７により処理容器２内を真空排気し、排気管２６に設けられた図示しない圧力調整バルブを調整して処理容器２内の圧力を設定圧力にすると共に、高周波電源部３３から上部電極であるガスシャワーヘッド４と下部電極であるステージ２１との間に高周波電力を供給して、処理ガスつまり第１のガス及び第２のガスをプラズマ化し、ＴｉＣｌ4をＨ2により還元してウエハＷの表面にＴｉ膜を成膜する。このとき反応副生成物であるＨＣｌは未反応ガスとともに排気される。
【００２８】
なおＴｉ膜の成膜に続いてＴｉ膜を窒化しＴｉＮ膜を成膜する場合もあり、その場合には、第１のガスであるＴｉＣｌ4ガスと第２のガスであるＨ2ガスの供給を停止すると共にＮＨ3（アンモニア）ガスの供給を開始する。このときにおいても高周波電力が処理空間に供給され、ウエハＷ上に既に形成されているＴｉ薄膜の表面がＮＨ3の活性種により窒化される。窒化終了後、高周波電力の供給とＮＨ3ガスの供給とを停止し、その後ウエハＷを既述の搬入動作と逆の動作で処理容器２から搬出する。
【００２９】
上述のシャワープレート５の効果について述べる。従来のシャワープレートは単位面積当たりのガス供給孔の数しか着目されていなかったが、上述実施の形態のシャワープレート５においては、ウエハＷ上では中心部から外周に向かうガス流が支配的であり、半径方向（図１０から明らかなように概ね半径方向も含む）のガス流の流速が極端に遅くなる領域の発生とガス供給孔７の配列パターンとの関連に着目し、シャワープレート５の中心部から見て各方向におけるガス流の流速が概ね揃うように工夫されている。
【００３０】
具体的には、多数の同心円５１上にガス供給孔７の数を配列し、各同心円５１毎にガス供給孔７を等間隔で配列する。このように等間隔とするのは、ガス供給孔７の数を単位面積当たりで揃えるためである。そして背景技術の欄にて図１２に示した帯状の空白領域をなくすためには、最外周及び最内周を除く任意の同心円５１について、その同心円５１上のガス供給孔７と、内側に隣り合う同心円５１及び外側に隣り合う同心円５１の各直近のガス供給孔７と、が同心円５１の半径上に並ばないように、つまり互いに隣り合う同心円５１において３つのガス供給孔７が半径上にならばないように設計すればよい。このような配列パターンを得るために、この実施の形態では既述のようにスパイラル曲線を用いて各同心円５１のガス供給孔７をずらしている。
【００３１】
図８は、図６に示した帯状領域Ｌを周方向に１度刻みで回転させ、帯状領域Ｌ中における同心円５１の中心部から外周に向かう流速を各角度位置毎に計算し、これにより得られた周方向の流速分布を示すものである。具体的にはシャワープレートを半径１７０ｍｍ、１２０ｍｍ、６０ｍｍ、４０ｍｍの４つの円によって同心円状に３つに分割しａ、ｂ、ｃは夫々これらの分割領域における流速分布を示している。流速分布については、前記３つの分割領域のそれぞれに存在するガス供給孔７の数から単位面積あたりの流量を求め、各流量と、対応する角度の帯状領域のガス供給孔７の数と、から各角度領域（帯状領域Ｌ）における流速を計算した。
【００３２】
この流速分布は、図７に示すガス供給孔の数の分布に対応しており、各方向の流速が揃っていることが分かる。図９はウエハＷ上における面内の流速分布を計算し、色分けして求めたものを白黒画像でコピーしたものであり、図９（ａ）は上述実施の形態のシャワープレート５を用いた場合、図９（ｂ）は、ガス供給孔をマトリックス状に配列したシャワープレート（図１０参照）を用いた場合の結果である。この結果から分かるように従来のシャワープレートにおいては、流速の極端に小さい領域が十文字状に形成されており、背景技術の欄で述べたようにウエハＷ上の十文字のパーティクル付着パターンに対応している。従って十文字のパーティクル付着パターンの原因は、流速分布の結果を介してシャワープレートのガス供給孔の配列パターンに対応していることが理解できる。
【００３３】
一方、上述実施の形態のシャワープレート５においては、周方向の流速は概ね揃っており、極端に流速が遅い領域も見られないことから、十文字のパーティクル付着パターンの発生は解消される。このためプロセス条件の制限が緩和されるので、プロセス条件の設定の自由度が広がり、例えばスループットを向上させるためにガス流量を多くするなどの条件設定を行うことができる。
【００３４】
なお上述のガスシャワーヘッド４は、第１のガスと第２のガスとを別々に処理容器２内に供給するタイプのポストミックスタイプであるが、予め両ガスを混合してから処理雰囲気に供給するプリミックスタイプのものにも適用できる。
【００３５】
また本発明は、Ｔｉの成膜に限られるものではなく、半導体製造プロセスで行われる高温下の成膜処理などのガス処理を行う場合、例えばＷ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｒｕ、Ｈｆなどの金属、またはＴｉＮ、ＴｉＳｉ、ＷＳｉなどの金属化合物、あるいはＳｉＮ、ＳｉＯ2などの絶縁膜といった薄膜の形成などに適用できる。更に本発明のガスシャワーヘッドを適用した基板処理装置としては、プラズマＣＶＤ装置に限らず熱ＣＶＤ装置、エッチング装置、アッシング装置、スパッタ装置、アニール装置などにも適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本発明の実施の形態に係るガス供給装置を組み込んだ成膜装置を示す縦断面図である。
【図２】上記の実施の形態に係るガス供給装置を詳細に示す縦断面図である。
【図３】上記の実施の形態に係るガス供給装置におけるシャワープレートのガス供給孔の配列パターンを示す平面図である。
【図４】シャワープレートのガス供給孔の配列パターンの一部を拡大して示す平面図である。
【図５】シャワープレートのガス供給孔の配列パターンの形成方法を説明するための説明図である。
【図６】シャワープレートの周方向について、１度刻みのガス供給孔の数の分布を得るための手法を示す説明図である。
【図７】シャワープレートの周方向について、１度刻みのガス供給孔の数の分布を示す説明図である。
【図８】シャワープレートの周方向について、１度刻みの流速の分布のシミュレーション結果を示す説明図である。
【図９】シャワープレートについて、周方向の流速の分布のシミュレーション結果を示す説明図である
【図１０】従来のシャワープレートのガス供給孔の配列パターンを示す平面図である。
【図１１】従来のシャワープレートのガス供給孔の配列パターンを示す平面図である。
【図１２】従来のシャワープレートを使用した場合における半導体ウエハ上のパーティクル分布を示す平面図である。
【図１３】従来のシャワープレートにおけるパーティクル発生の推定要因を説明するための説明図である。
【符号の説明】
【００３７】
２              処理容器
２１            ステージ（基板載置台）
３１            開口部
４              ガスシャワーヘッド（ガス供給装置）
５              シャワープレート
５１            同心円
６１、６２      ガス供給管
７、７ａ、７ｂ  ガス供給孔
Ｗ              半導体ウエハ
Ｓ              代数スパイラル曲線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
2008038200.tif 000012
【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
2008038200.tif 000015
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月18日(2006.8.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2008038200.tif 000016