(57)【要約】【課題】低発熱かつ低ノイズのスイッチング動作を実現することができる負荷駆動用制御装置を提供すること。【解決手段】モータ１６に供給する電流のスイッチングを行うＭＯＳＦＥＴ11-14と、ＭＯＳＦＥＴ11-14のドレイン−ソース間電圧の目標制御値に関する情報が記憶された記憶手段と、ＭＯＳＦＥＴ11-14の１スイッチング周期内の所定時間毎にＭＯＳＦＥＴ11-14のドレイン−ソース間電圧を検出する電圧検出手段と、電圧検出手段により検出されたドレイン−ソース間電圧と、ドレイン−ソース間電圧の目標制御値に関する情報とに基づいて、ＭＯＳＦＥＴ11-14のゲートＧへの出力電圧を演算する演算手段と、演算手段により演算された出力電圧に対応した信号をＭＯＳＦＥＴ11-14のゲートＧに出力する信号出力手段とを装備する。【選択図】  図４
2008072278.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
負荷に供給する電流のスイッチングを行うスイッチング手段と、
該スイッチング手段の所定の端子間電圧、該端子間電圧の変化率、前記スイッチング手段の磁界強度、及び前記スイッチング手段の温度のうちの少なくともいずれかの制御目標値に関する情報が記憶された記憶手段と、
前記スイッチング手段の１スイッチング周期内の所定時間毎に、前記スイッチング手段の所定の端子間電圧、該端子間電圧の変化率、前記スイッチング手段の磁界強度、及び前記スイッチング手段の温度のうちの少なくともいずれかの状態を検出する状態検出手段と、
該状態検出手段により検出された前記少なくともいずれかの状態と、該状態に対応する制御目標値に関する情報とに基づいて、前記スイッチング手段への出力電圧を演算する演算手段と、
該演算手段により演算された出力電圧に対応した信号を前記スイッチング手段に出力する信号出力手段とを備えていることを特徴とする負荷駆動用制御装置。
【請求項２】
前記信号出力手段から出力された前記出力電圧に対応した信号に基づいて前記スイッチング手段への供給電流を調整する電流調整手段を備えていることを特徴とする請求項１記載の負荷駆動用制御装置。
【請求項３】
負荷に供給する電流のスイッチングを行うスイッチング手段の所定の端子間電圧、該端子間電圧の変化率、前記スイッチング手段の磁界強度、及び前記スイッチング手段の温度のうちの少なくともいずれかの状態を検出するステップと、
該検出された前記少なくともいずれかの状態と、該状態に対応する制御目標値に関する情報とに基づいて、前記スイッチング手段への出力電圧を演算するステップと、
該演算された出力電圧に対応した信号を前記スイッチング手段に出力するステップとを含み、これらステップを前記スイッチング手段の１スイッチング周期内の所定時間毎に実行することを特徴とするスイッチング手段の制御方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は負荷駆動用制御装置、及びスイッチング手段の制御方法に関し、より詳細には、スイッチング手段を作動させて負荷に電流を供給し、該負荷を駆動させる制御を行う負荷駆動用制御装置、及びスイッチング手段の制御方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
図１は、従来の負荷駆動用制御装置の要部を概略的に示したブロック図である。図中２は、マイコンを示しており、マイコン２の出力ポートＰ1は、電流アンプ３、抵抗Ｒ1を介して、スイッチング手段であるＭＯＳＦＥＴ1のゲートＧに接続されている。ＭＯＳＦＥＴ1のドレインＤはバッテリ＋Ｂに接続され、ＭＯＳＦＥＴ1のソースＳは、負荷（例えば、モータ）４とＭＯＳＦＥＴ2のドレインＤに接続されている。
【０００３】
また、マイコン２の出力ポートＰ2は、電流アンプ３、抵抗Ｒ2を介して、ＭＯＳＦＥＴ2のゲートＧに接続され、ＭＯＳＦＥＴ2のソースＳは、グランドＧに接続されている。これらマイコン２、電流アンプ３、抵抗Ｒ1、Ｒ2、ＭＯＳＦＥＴ1、及びＭＯＳＦＥＴ2を含んで負荷駆動用制御装置１が構成されている。
【０００４】
従来の負荷駆動用制御装置１では、マイコン２の出力ポートＰ1、Ｐ2から矩形波信号が出力され、該矩形波信号に基づき電流アンプ３でＭＯＳＦＥＴ1、ＭＯＳＦＥＴ2への供給電流が増幅され、ＭＯＳＦＥＴ1、ＭＯＳＦＥＴ2のスイッチング（オン／オフの切り換え）が行われるようになっており、該スイッチング動作により負荷４へ供給される電流が調整されるようになっている。
【０００５】
従来、ＭＯＳＦＥＴ1、ＭＯＳＦＥＴ2のスイッチング速度、すなわち、立上がり時間や立下がり時間の調整は、ＭＯＳＦＥＴ1、ＭＯＳＦＥＴ2のゲートＧに直列接続された抵抗Ｒ1、Ｒ2の値を調整することで行われていた。つまり、抵抗Ｒ1、Ｒ2の値を調整することにより、ＭＯＳＦＥＴ1、ＭＯＳＦＥＴ2のゲート−ソース間に介装されているコンデンサＣ（図示せず）への電荷の蓄積速度、すなわちゲート−ソース間電圧の上昇速度が調整され、立上がり時間や立下がり時間が調整されるようになっている。
【０００６】
図２は、従来のマイコン２の出力ポートＰ1から出力される矩形波信号と、ＭＯＳＦＥＴ1のゲート−ソース間電圧との関係を示したタイミング図であり、（ａ）は、マイコン２からの出力信号波形、（ｂ）は、抵抗Ｒ1を小さくした場合のゲート−ソース間電圧波形、（ｃ）は、抵抗Ｒ2を大きくした場合のゲート−ソース間電圧波形を示している。なお、ＭＯＳＦＥＴ1のスイッチング周期Ｔは、５０μｓｅｃに設定されているものとする。
【０００７】
上記した抵抗値によるスイッチング速度の調整では、例えば、抵抗値を小さくして、立上がり時間及び立下がり時間を短くした場合、図２（ｂ）に示したように、ＭＯＳＦＥＴ1のドレイン−ソース間電圧ＶD-Sの立上がり及び立下がりが急峻になるためＭＯＳＦＥＴ1の発熱は抑制されるものの、立上がり及び立下がり時のリンギング（減衰的に振動するひずみ）が大きくなりＭＯＳＦＥＴ1から発するノイズが大きくなる。一方、抵抗値を大きくして、立上がり時間及び立下がり時間を長くすれば、図２（ｃ）に示したように、ＭＯＳＦＥＴ1のドレイン−ソース間電圧ＶD-Sの立上がり及び立下がりが緩慢になるため、リンギングは小さくなりＭＯＳＦＥＴ1から発するノイズは抑制されるものの、ＭＯＳＦＥＴ1の発熱が大きくなるという現象が発生する。
【０００８】
このような現象は、マイコン２からの矩形波信号に基づいてＭＯＳＦＥＴ１、2のゲートＧに印加される電圧が、抵抗Ｒ1、Ｒ2によって調整されていることに起因しており、ＭＯＳＦＥＴ１、2のゲートＧへ印加される電圧波形の調整の自由度が少ないことが原因と考えられる。
【０００９】
したがって現状では、抵抗Ｒ1、Ｒ2の値が、ラジオノイズが発生しない程度の値に設定されており、立上がり、立下がり時間（発熱特性）は、その抵抗値、つまりノイズとの関係によって制限される場合が多く、従来の抵抗値による調整では、近年要求が高まってきている低発熱かつ低ノイズの要求を十分に満たすスイッチング手段の制御を行うことが難しいという課題があった。
【００１０】
また、下記の特許文献１には、プリドライバ回路内部に外部信号により制御されるスイッチ回路を設け、出力電圧の立上がり時間及び立下がり時間を、設定された一定時間範囲内に収まるように前記スイッチ回路を制御して、高効率かつ低スイッチングノイズを実現できるスイッチングレギュレータのプリドライバ回路が開示されているが、理想的なスイッチング制御を行うには十分なものではなかった。
【特許文献１】特開２００１−３４５６８９号公報
【発明の開示】
【課題を解決するための手段及びその効果】
【００１１】
本発明は上記課題に鑑みなされたものであって、負荷に電流を供給するためのスイッチング手段の発熱を抑え、かつノイズも抑制することができ、低発熱かつ低ノイズのスイッチング動作を実現することができる負荷駆動用制御装置、及びスイッチング手段の制御方法を提供することを目的としている。
【００１２】
上記目的を達成するために本発明に係る負荷駆動用制御装置（１）は、負荷に供給する電流のスイッチングを行うスイッチング手段と、該スイッチング手段の所定の端子間電圧、該端子間電圧の変化率、前記スイッチング手段の磁界強度、及び前記スイッチング手段の温度のうちの少なくともいずれかの制御目標値に関する情報が記憶された記憶手段と、前記スイッチング手段の１スイッチング周期内の所定時間毎に、前記スイッチング手段の所定の端子間電圧、該端子間電圧の変化率、前記スイッチング手段の磁界強度、及び前記スイッチング手段の温度のうちの少なくともいずれかの状態を検出する状態検出手段と、該状態検出手段により検出された前記少なくともいずれかの状態と、該状態に対応する制御目標値に関する情報とに基づいて、前記スイッチング手段への出力電圧を演算する演算手段と、該演算手段により演算された出力電圧に対応した信号を前記スイッチング手段に出力する信号出力手段とを備えていることを特徴としている。
【００１３】
上記負荷駆動用制御装置（１）によれば、前記スイッチング手段の１スイッチング周期内の所定時間毎に、前記スイッチング手段の所定の端子間電圧、該端子間電圧の変化率、前記スイッチング手段の磁界強度、及び前記スイッチング手段の温度のうちの少なくともいずれかの状態が検出され、該検出された前記少なくともいずれかの状態と、該状態に対応する制御目標値に関する情報（例えば、低発熱かつ低ノイズを実現するための各状態の制御目標値）とに基づいて、前記スイッチング手段への出力電圧（例えば、制御目標値との差を小さくする出力電圧）が演算され、該演算された出力電圧に対応する信号（任意の電圧信号）が前記スイッチング手段に出力される。
【００１４】
したがって、従来は図２に示したように、前記スイッチング手段の１スイッチング周期（Ｔ＝５０μｓｅｃ）内に１回の矩形波信号（Ｈ／Ｌ）しか出力されなかった構成に対して、前記スイッチング手段の１スイッチング周期（例えば、５０μｓｅｃ）内の所定時間毎（好ましくは、１〜数ｎｓｅｃ毎）に、前記出力電圧に対応する信号（任意の電圧信号）を前記スイッチング手段に出力することができる。
【００１５】
すなわち、前記１スイッチング周期内にＨ／Ｌの電圧信号だけでなく、その中間の任意の電圧信号を所定時間毎（１〜数ｎｓｅｃ毎）に順次出力させることができ、この任意の電圧信号の出力が可能になることにより、従来のような抵抗によるノイズ調整が不要となり、しかも、前記スイッチング手段のスイッチング時の立上がり、立下がりは急峻にして発熱を抑え、かつ立上がりや立下がり時のリンギングの発生を抑える、すなわち、発熱とノイズとを同時に抑制可能な、低発熱かつ低ノイズの理想的なスイッチング動作を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明に係る負荷駆動用制御装置、及びスイッチング手段の制御方法の実施の形態を図面に基づいて説明する。図３は、実施の形態（１）に係る負荷駆動用制御装置が採用された電動パワーステアリング装置の要部を概略的に示したブロック図である。
【００１７】
図中１１は、車両Ａのハンドルを示しており、ハンドル１１は、ステアリングシャフト１２を介して、ピニオンギヤ及び車輪に連結されたラック軸（図示せず）を含むステアリング機構１３に連結されている。
【００１８】
ステアリングシャフト１２は、ハンドル１１側に結合された入力軸１２ａと、ステアリング機構１３側に結合された出力軸１２ｂとに分割されており、入力軸１２ａと出力軸１２ｂとがトーションバー１２ｃによって連結されている。入力軸１２ａはハンドル１１の回転に応じて回転するものであり、この回転方向と回転量とが、操舵角センサ１４によって検出され、操舵角センサ１４から出力される操舵角信号が、負荷駆動用制御装置である電動パワーステアリング制御装置（以下、ＥＣＵと記す）２０に入力されるようになっている。
【００１９】
また、トーションバー１２ｃは、ハンドル１１に加えられた操舵トルクに応じてねじれを発生するものであり、このねじれ方向とねじれ量とが、トルクセンサ１５を通じて検出されるようになっており、トルクセンサ１５から出力される操舵トルク信号が、ＥＣＵ２０に入力され、ＥＣＵ２０にて操舵トルク値と操舵トルク方向とが検出されるようになっている。
【００２０】
また、ＥＣＵ２０には、ハンドル１１の操舵に必要な補助駆動力を発生するモータ１６が接続されており、モータ１６は、ギア機構やボールねじ機構などの駆動力伝達機構１７を介して、ステアリングシャフト１２の出力軸１２ｂと連結されており、モータ１６で発生させた補助駆動力が、出力軸１２ｂに操舵補助トルクとして伝達されるように構成されている。また、モータ１６の回転角が、モータ回転角センサ１８によって検出され、モータ回転角センサ１８から出力されるモータ回転角信号が、ＥＣＵ２０に入力されるようになっている。
【００２１】
また、ＥＣＵ２０は、通信ラインＬを介して、ブレーキ制御装置やメータ制御装置などの他の車載用制御装置（図示せず）と通信可能に接続されており、車速信号などを取り込むことができるようになっている。また、電源となるバッテリ１９がＥＣＵ２０に接続されており、バッテリ１９の電力がＥＣＵ２０を介して各部に供給されるようになっている。
【００２２】
ＥＣＵ２０は、トルクセンサ１５で検出された操舵トルクや通信ラインＬを介して取得した車速等のデータに基づいて、モータ１６へ供給する目標電流値を決定し、操舵補助トルクを発生させるモータ１６への通電制御を行う。
【００２３】
次に、実施の形態（１）に係る電動パワーステアリング制御装置（ＥＣＵ）２０の構成を図４に示したブロック図に基づき説明する。
電動パワーステアリング装置を制御するＥＣＵ２０は、超高速の演算処理機能を備えたマイコン２１と、モータ駆動回路３０とを含んで構成されている。マイコン２１は、各種センサ等からの信号を取り込むための入力インターフェース（Ｉ／Ｆ）２２、入力データや演算データ等が一時記録されるＲＡＭ２３、プログラム等の制御に必要な情報が記憶されたＲＯＭ２４、ＲＯＭ２４から読み出した制御プログラムに基づいて各種の演算処理を実行するＣＰＵ２５、及びＣＰＵ２５から取り込んだディジタル信号をアナログ信号に変換して出力するＤ／Ａコンバータ（Ｄ／Ａ）２６を含んで構成されており、マイコン２１のＤ／ＡポートＰ11〜Ｐ14から出力される任意の電圧信号に基づきモータ駆動回路３０が駆動されて、モータ１６に所望の電流が供給される構成となっている。
【００２４】
モータ駆動回路３０は、モータ１６に供給する電流のスイッチングを行うスイッチング手段としての４つのＭＯＳＦＥＴ11〜ＭＯＳＦＥＴ14を含むフルブリッジ（Ｈ型ブリッジとも言う）回路を含んで構成されており、このフルブリッジ回路を介してモータ１６がＰＷＭ（パルス幅変調）方式で駆動されるようになっている。
【００２５】
ＭＯＳＦＥＴ11のドレインＤと、ＭＯＳＦＥＴ13のドレインＤとがバッテリ１９に接続され、ＭＯＳＦＥＴ11のゲートＧは、マイコン２１のＤ／ＡポートＰ11に接続され、ＭＯＳＦＥＴ11のソースＳは、モータ１６の端子ａと、ＭＯＳＦＥＴ12のドレインＤとに接続されている。ＭＯＳＦＥＴ12のゲートＧは、マイコン２１のＤ／ＡポートＰ12に接続され、ＭＯＳＦＥＴ12のソースＳは、抵抗Ｒ11を介してグランドＧに接続されている。
【００２６】
ＭＯＳＦＥＴ13のゲートＧは、マイコン２１のＤ／ＡポートＰ13に接続され、ＭＯＳＦＥＴ13のソースＳは、モータ１６の端子ｂと、ＭＯＳＦＥＴ14のドレインＤとに接続されている。ＭＯＳＦＥＴ14のゲートＧは、マイコン２１のＤ／ＡポートＰ14に接続され、ＭＯＳＦＥＴ14のソースＳは、抵抗Ｒ11を介してグランドＧに接続されている。また、抵抗Ｒ11には、電流検出ラインＬIが接続され、モータ駆動回路３０の電流値がマイコン２１で検出されるようになっている。
【００２７】
また、ＭＯＳＦＥＴ11のドレインＤとソースＳとには、ドレイン−ソース間電圧を検出するための電圧検出ラインＬV1が接続され、ＭＯＳＦＥＴ11のドレイン−ソース間電圧がマイコン２１で所定時間毎（例えば、１ｎｓｅｃ毎）に検出されるようになっている。同様に、ＭＯＳＦＥＴ12のドレイン−ソース間、ＭＯＳＦＥＴ13のドレイン−ソース間、及びＭＯＳＦＥＴ14のドレイン−ソース間には、それぞれドレイン−ソース間電圧を検出するための電圧検出ラインＬV2、ＬV3、ＬV4が接続されており、ドレイン−ソース間電圧がマイコン２１でそれぞれ所定時間毎（例えば、１ｎｓｅｃ毎）に検出されるようになっている。
【００２８】
また、マイコン２１のＲＯＭ２４には、低発熱かつ低ノイズのＭＯＳＦＥＴ11-14のスイッチング動作を実現するためのＭＯＳＦＥＴ11-14のドレイン−ソース間電圧の制御目標値に関する情報（すなわち、目標ドレイン−ソース間電圧の波形データ）が予め記憶されている。
【００２９】
マイコン２１は、ＭＯＳＦＥＴ11-14の１スイッチング周期（例えば、５０μｓｅｃ）内の所定時間（例えば、１ｎｓｅｃ）毎に、ＭＯＳＦＥＴ11-14のドレイン−ソース間電圧を検出する機能（状態検出手段）と、検出されたＭＯＳＦＥＴ11-14のドレイン−ソース間電圧と、ＲＯＭ２４から読み出した目標ドレイン−ソース間電圧とに基づいて、次回出力するＭＯＳＦＥＴ11-14のゲート−ソース間電圧を演算する機能（演算手段）と、演算されたＭＯＳＦＥＴ11-14のゲート−ソース間電圧信号をＤ／ＡポートＰ11-14からＭＯＳＦＥＴ11-14のゲートＧに出力する機能（信号出力手段）とを備えており、マイコン２１のＤ／ＡポートＰ11-14からは、所定時間（例えば、１ｎｓｅｃ）毎に、低発熱かつ低ノイズのスイッチング動作を実現するための任意の電圧信号の出力が可能となっている。
【００３０】
図５は、マイコン２１のＤ／ＡポートＰ11からＭＯＳＦＥＴ11のゲートＧに出力される電圧波形と、ＭＯＳＦＥＴ11のゲート−ソース間電圧波形との関係を示したタイミング図であり、（ａ）は、マイコン２１からの出力電圧波形、（ｂ）は、ゲート−ソース間電圧波形を示している。なお、ＭＯＳＦＥＴ11のスイッチング周期Ｔは、５０μｓｅｃである。
【００３１】
マイコン２１のＤ／ＡポートＰ11からは、ＭＯＳＦＥＴ11の発熱を抑えるために立上がり、立下がりの傾きが大きく、その後、リンギングの発生を抑えるために傾きが次第に小さくなる波形（すなわち、目標ゲート−ソース間電圧との差が小さくなるように補正された波形）を形成する電圧信号が、所定時間ｔ（ｔ＝１ｎｓｅｃ）毎に出力され、ＭＯＳＦＥＴ11のゲート−ソース間電圧波形は、スイッチングを繰り返すうちにＲＯＭ２４に記憶された目標ゲート−ソース間電圧波形に近づいていくように制御される。
【００３２】
次に実施の形態（１）に係る電動パワーステアリング制御装置（ＥＣＵ）２０におけるマイコン２１の行うＭＯＳＦＥＴ11-14のスイッチング処理動作を図６に示したフローチャートに基づいて説明する。なお、本処理動作は、ＭＯＳＦＥＴ11-14の１スイッチング周期内に１ｎｓｅｃ間隔で繰り返し実行される。ここでは、ＭＯＳＦＥＴ11のスイッチング処理動作について説明するが、他のＭＯＳＦＥＴ12-14に対しても同様な処理が実行される。
【００３３】
まず、ステップＳ１では、電圧検出ラインＬV1を介してＭＯＳＦＥＴ11のドレイン−ソース間電圧ＶD-Sを検出し、次のステップＳ２では、検出されたドレイン−ソース間電圧ＶD-Sと、ＲＯＭ２４から読み出した目標ドレイン−ソース間電圧（目標ＶD-S）との差分ΔＶD-Sを算出し、その後ステップＳ３に進む。
【００３４】
ステップＳ３では、ステップＳ２にて算出されたドレイン−ソース間の目標電圧との差分ΔＶD-Sに対して、ＭＯＳＦＥＴ11のゲート−ソース間電圧に変換するためのフィードバックゲインＧVを掛けて、次回出力するゲート−ソース間電圧の補正分ΔＶG-S（＝ΔＶD-S×ＧV）を算出する処理を行い、その後ステップＳ４に進む。
【００３５】
ステップＳ４では、前回出力したゲート−ソース間電圧Ｖ’G-Sに、ステップＳ３にて算出されたゲート−ソース間電圧の補正分ΔＶG-Sを加算して、今回出力するゲート−ソース間電圧ＶG-S（＝Ｖ’G-S＋ΔＶG-S）を算出し、その後ステップＳ５に進む。
【００３６】
ステップＳ５では、ステップＳ４にて算出されたゲート−ソース間電圧ＶG-Sに対応する信号をＤ／ＡポートＰ11から出力し、その後ステップＳ１に戻り処理を繰り返す。
【００３７】
上記ステップＳ１〜Ｓ５の処理を繰り返すことによって、マイコン２１のＤ／ＡポートＰ11-14からは、ＭＯＳＦＥＴ11-14のスイッチング時のドレイン−ソース間電圧波形が、低発熱かつ低ノイズの理想的な波形（すなわち、立上がり時間、及び立下がり時間は短く、かつリンギングが発生しない波形）に近づく任意の電圧信号を出力することが可能となっている。
【００３８】
上記実施の形態（１）に係る電動パワーステアリング制御装置（ＥＣＵ）２０によれば、ＭＯＳＦＥＴ11-14の１スイッチング周期内の所定時間毎に、ＭＯＳＦＥＴ11-14のドレイン−ソース間電圧ＶD-Sが検出され、該検出されたドレイン−ソース間電圧ＶD-Sと、低発熱かつ低ノイズを実現するための目標ドレイン−ソース間電圧（目標ＶD-S）とに基づいて、ＭＯＳＦＥＴ11-14のゲートＧへの出力電圧ＶG-S（すなわち、目標値との差を小さくするように補正されたゲート−ソース間電圧）が演算され、該演算されたゲート−ソース間電圧ＶG-S信号がＭＯＳＦＥＴ11-14に出力される。
【００３９】
したがって、従来は、図２に示したように、マイコン２からは、ＭＯＳＦＥＴ1の１スイッチング周期（Ｔ＝５０μｓｅｃ）内に１回の矩形波信号（Ｈ／Ｌ）しか出力されなかった構成に対して、マイコン２１からは、ＭＯＳＦＥＴ11-14の１スイッチング周期（例えば、５０μｓｅｃ）内の所定時間毎（例えば、１ｎｓｅｃ毎）に、目標値との差が小さくなるように補正された任意のゲート−ソース間電圧ＶG-Sを出力することができる。
【００４０】
この任意のゲート−ソース間電圧ＶG-Sの出力が可能になることにより、ＭＯＳＦＥＴ11-14のスイッチング時の立上がり、立下がりは急峻にして発熱を抑え、かつ立上がりや立下がり時のリンギングの発生を抑える、すなわち、発熱とノイズとを同時に抑制可能な、低発熱かつ低ノイズの理想的なスイッチング動作を実現することができる。
【００４１】
次に実施の形態（２）に係る電動パワーステアリング制御装置（ＥＣＵ）について説明する。但し、実施の形態（２）に係るＥＣＵ２０Ａの構成については、マイコンを除いて図４に示したＥＣＵ２０と略同様であるため、ここでは異なる機能を有するマイコン２１Ａ（ＣＰＵ２５Ａ）には異なる符号を付し、その他の構成部品の説明を省略することとする。
【００４２】
実施の形態（１）に係るＥＣＵ２０では、ＭＯＳＦＥＴ11-14のドレイン−ソース間電圧を検出して、目標ドレイン−ソース間電圧との差分ΔＶD-Sを算出し、今回出力するゲート−ソース間電圧ＶG-Sを算出するようになっているが、実施の形態（２）に係るＥＣＵ２０Ａでは、ＭＯＳＦＥＴ11-14のドレイン−ソース間電圧を検出し、ＭＯＳＦＥＴ11-14のドレイン−ソース間電圧の変化率（ｄＶ／ｄｔ）を算出して、今回出力するゲート−ソース間電圧ＶG-Sを算出するようになっている点が相違している。
【００４３】
ＣＰＵ２５Ａは、ＲＯＭ２４から読み出した目標ドレイン−ソース間電圧の波形データからドレイン−ソース間電圧の目標変化率（目標ΔｄＶ／ｄｔ）を算出するようになっている。
【００４４】
次に実施の形態（２）に係るＥＣＵ２０Ａにおけるマイコン２１Ａの行うＭＯＳＦＥＴ11-14のスイッチング処理動作を図７に示したフローチャートに基づいて説明する。なお、本処理動作は、ＭＯＳＦＥＴ11-14の１スイッチング周期内に１ｎｓｅｃ間隔で繰り返し実行される。ここでは、ＭＯＳＦＥＴ11のスイッチング処理動作について説明するが、他のＭＯＳＦＥＴ12-14に対しても同様な処理が実行される。
【００４５】
まず、ステップＳ１１では、電圧検出ラインＬV1を介してＭＯＳＦＥＴ11のドレイン−ソース間電圧ＶD-Sを検出し、次のステップＳ１２では、今回検出されたドレイン−ソース間電圧ＶD-Sと、前回（所定時間前でもよい）検出されたドレイン−ソース間電圧Ｖ’D-Sとに基づいてドレイン−ソース間電圧の変化率（ｄＶD-S／ｄｔ）を算出し、その後ステップＳ１３に進む。
【００４６】
ステップＳ１３では、ＲＯＭ２４Ａから読み出した目標ドレイン−ソース間電圧の波形データからドレイン−ソース間電圧の目標変化率（目標ｄＶD-S／ｄｔ）を算出し、次のステップＳ１４では、ステップＳ１２にて算出されたドレイン−ソース間電圧の変化率（ｄＶD-S／ｄｔ）と、ステップＳ１３にて算出されたドレイン−ソース間電圧の目標変化率（目標ｄＶD-S／ｄｔ）との差分ΔｄＶD-S／ｄｔ（＝目標ｄＶD-S／ｄｔ−ｄＶD-S／ｄｔ）を算出し、その後ステップＳ１５に進む。
【００４７】
ステップＳ１５では、ステップＳ１４にて算出されたドレイン−ソース間電圧の目標変化率との差分ΔｄＶD-S／ｄｔに対して、ゲート−ソース間電圧の変化率に変換するためのフィードバックゲインＧdv/dtを掛けて、次回出力するゲート−ソース間電圧の変化率補正分（ΔｄＶG-S／ｄｔ＝ΔｄＶD-S／ｄｔ×Ｇdv/dt）を算出する処理を行い、その後ステップＳ１６に進む。
【００４８】
次のステップＳ１６では、前回出力したゲート−ソース間電圧Ｖ’G-SとステップＳ１５にて算出された変化率補正分ΔｄＶG-S／ｄｔとに基づいて、今回出力するゲート−ソース間電圧ＶG-S（＝Ｖ’G-S＋ΔｄＶG-S／ｄｔ）を算出し、その後ステップＳ１７に進む。
【００４９】
ステップＳ１７では、ステップＳ１６にて算出された今回のゲート−ソース間電圧ＶG-Sに対応する信号をＤ／ＡポートＰ11から出力し、その後ステップＳ１１に戻り処理を繰り返す。
【００５０】
上記ステップＳ１１〜Ｓ１７の処理を繰り返すことによって、マイコン２１ＡのＤ／ＡポートＰ11-14からは、ＭＯＳＦＥＴ11-14のスイッチング時のドレイン−ソース間電圧波形が、低発熱かつ低ノイズの理想的な波形（すなわち、立上がり時間、及び立下がり時間は短く、かつリンギングが発生しない波形）に近づく任意の電圧信号を出力することが可能となる。
【００５１】
上記実施の形態（２）に係る電動パワーステアリング装置（ＥＣＵ２０Ａ）によれば、ＭＯＳＦＥＴ11-14の１スイッチング周期内の所定時間毎に、ＭＯＳＦＥＴ11-14のドレイン−ソース間電圧ＶD-Sが検出され、ドレイン−ソース間電圧の変化率（ｄＶD-S／ｄｔ）が算出され、該算出されたドレイン−ソース間電圧の変化率（ｄＶD-S／ｄｔ）と、低発熱かつ低ノイズを実現するためのドレイン−ソース間電圧の目標変化率（目標ｄＶD-S／ｄｔ）とに基づいて、ＭＯＳＦＥＴ11-14のゲートＧへの出力電圧（すなわち、目標変化率との差を小さくするように補正されたゲート−ソース間電圧）が演算され、該演算されたゲート−ソース間電圧の信号がＭＯＳＦＥＴ11-14に出力される。
【００５２】
したがって、マイコン２１Ａからは、ＭＯＳＦＥＴ11-14の１スイッチング周期（例えば、５０μｓｅｃ）内の所定時間毎（例えば、１ｎｓｅｃ毎）に、目標変化率との差が小さくなるように補正された任意のゲート−ソース間電圧ＶG-Sを出力することができ、この任意のゲート−ソース間電圧ＶG-Sの出力が可能となることにより、ＭＯＳＦＥＴ11-14のスイッチング時の立上がりと立下がりは急峻にして発熱を抑え、かつ立上がりや立下がり時のリンギングの発生を抑える、すなわち、発熱とノイズとを同時に抑制可能な、低発熱かつ低ノイズの理想的なスイッチング動作を実現することができる。
【００５３】
次に実施の形態（３）に係る電動パワーステアリング制御装置（ＥＣＵ）について説明する。但し、実施の形態（３）に係るＥＣＵ２０Ｂの構成については、マイコンを除いて図４に示したＥＣＵ２０と略同様であるため、ここでは異なる機能を有するマイコン２１Ｂ（ＣＰＵ２５Ｂ）には異なる符号を付し、その他の構成部品の説明を省略することとする。
【００５４】
実施の形態（３）に係るＥＣＵ２０Ｂでは、ＭＯＳＦＥＴ11-14のドレイン−ソース間電圧を検出して算出された目標ドレイン−ソース間電圧との差分ΔＶD-Sと、ＭＯＳＦＥＴ11-14のドレイン−ソース間電圧の目標変化率との差分（ΔｄＶD-S／ｄｔ）とを用いて、今回出力するゲート−ソース間電圧を算出するようになっている点が、実施の形態（１）に係るＥＣＵ２０と相違している。
【００５５】
次に実施の形態（３）に係るＥＣＵ２０Ｂにおけるマイコン２１Ｂの行うＭＯＳＦＥＴ11-14のスイッチング処理動作を図８に示したフローチャートに基づいて説明する。なお、本処理動作は、ＭＯＳＦＥＴ11-14の１スイッチング周期内に１ｎｓｅｃ間隔で繰り返し実行される。ここでは、ＭＯＳＦＥＴ11のスイッチング処理動作について説明するが、他のＭＯＳＦＥＴ12-14に対しても同様な処理が実行される。
【００５６】
まず、ステップＳ２１では、電圧検出ラインＬV1を介してＭＯＳＦＥＴ11のドレイン−ソース間電圧ＶD-Sを検出し、次のステップＳ２２では、今回検出されたドレイン−ソース間電圧ＶD-Sと、ＲＯＭ２４Ｂから読み出した目標ドレイン−ソース間電圧（目標ＶD-S）との差分ΔＶD-Sを算出し、その後ステップＳ２３に進む。
【００５７】
ステップＳ２３では、ステップＳ２１にて検出されたドレイン−ソース間電圧ＶD-Sと、前回検出されたドレイン−ソース間電圧Ｖ’D-Sとに基づいてドレイン−ソース間電圧の変化率（ｄＶD-S／ｄｔ）を算出し、その後ステップＳ２４に進む。
【００５８】
ステップＳ２４では、ＲＯＭ２４Ｂから読み出した目標ドレイン−ソース間電圧の波形データからドレイン−ソース間電圧の目標変化率（目標ｄＶD-S／ｄｔ）を算出し、次のステップＳ２５では、ステップＳ２３にて算出されたドレイン−ソース間電圧の変化率（ｄＶD-S／ｄｔ）と、ステップＳ２４にて算出されたドレイン−ソース間電圧の目標変化率（目標ｄＶD-S／ｄｔ）との差分ΔｄＶD-S／ｄｔを算出し、その後ステップＳ２６に進む。
【００５９】
ステップＳ２６では、差分ΔＶD-Sと差分ΔｄＶD-S／ｄｔとの関係を考慮したフィードバックゲインＧVを決定する。例えば、差分ΔＶD-Sが小さく、差分ΔｄＶD-S／ｄｔが大きい場合は、差分ΔＶD-Sが大きくならないようにＧVを小さくする一方、差分ΔＶD-Sが大きく、差分ΔｄＶD-S／ｄｔが小さい場合は、差分ΔＶD-Sが小さくなるようにＧVを大きくする設定を行い、目標値により速く近づくことが可能な最適なＧVを決定する。
【００６０】
次のステップＳ２７では、ステップＳ２２にて算出されたドレイン−ソース間の目標電圧との差分ΔＶD-Sに対して、ステップＳ２６にて決定されたフィードバックゲインＧVを掛けて、次回出力するゲート−ソース間電圧の補正分ΔＶG-S（＝ΔＶD-S×ＧV）を算出する処理を行い、その後ステップＳ２８に進む。
【００６１】
次のステップＳ２８では、前回出力したゲート−ソース間電圧Ｖ’G-Sに、ステップＳ２７にて算出されたゲート−ソース間電圧の補正分ΔＶG-Sを加算して、今回出力するゲート−ソース間電圧ＶG-S（＝Ｖ’G-S＋ΔＶG-S）を算出し、その後ステップＳ２９に進む。
【００６２】
ステップＳ２９では、ステップＳ２８にて算出されたゲート−ソース間電圧ＶG-Sに対応する信号をＤ／ＡポートＰ11から出力する処理を行い、その後ステップＳ２１に戻り処理を繰り返す。
【００６３】
上記ステップＳ２１〜Ｓ２９の処理を繰り返すことによって、マイコン２１ＢのＤ／ＡポートＰ11-14からは、ＭＯＳＦＥＴ11-14のスイッチング時のドレイン−ソース間電圧波形が、低発熱かつ低ノイズの理想的な波形（すなわち、立上がり時間、及び立下がり時間は短く、かつリンギングが発生しない波形）に近づく任意の電圧信号を出力することが可能となっている。
【００６４】
なお、上記ステップＳ２６では、差分ΔＶD-Sと差分ΔｄＶD-S／ｄｔとの関係を考慮したフィードバックゲインＧVを決定するようになっているが、別の実施の形態では、差分ΔＶD-Sと差分ΔｄＶD-S／ｄｔとの関係を考慮したフィードバックゲインＧdv/dtを決定し、ステップＳ２５にて算出されたドレイン−ソース間電圧の変化率との差分ΔｄＶD-S／ｄｔに対してフィードバックゲインＧdv/dtを掛けて、次回出力するゲート−ソース間電圧の変化率補正分ΔｄＶG-S／ｄｔ（＝ΔｄＶD-S／ｄｔ×Ｇdv/dt）を算出し、前回出力したゲート−ソース間電圧Ｖ’G-Sと算出されたΔｄＶG-S／ｄｔとから今回出力するゲート−ソース間電圧ＶG-S（＝Ｖ’G-S＋ΔｄＶG-S／ｄｔ）を算出する構成としてもよい。
【００６５】
さらに別の実施の形態では、差分ΔＶD-Sに対応するフィードバックゲインＧ1と、差分ΔｄＶD-S／ｄｔに対応するフィードバックゲインＧ2とを個別に決定し、次回出力するゲート−ソース間電圧の補正分ΔＶG-S（＝ΔＶD-S×Ｇ1＋ΔｄＶD-S／ｄｔ×Ｇ2）を算出する処理を行い、その後ゲート−ソース間電圧ＶG-S（＝Ｖ’G-S＋ΔＶG-S）を算出する構成としてもよい。
【００６６】
上記実施の形態（３）に係る電動パワーステアリング装置（ＥＣＵ）２０Ｂによれば、ＭＯＳＦＥＴ11-14の１スイッチング周期内の所定時間毎に、ＭＯＳＦＥＴ11-14のドレイン−ソース間電圧ＶD-Sが検出され、該検出されたドレイン−ソース間電圧ＶD-Sと、目標ドレイン−ソース間電圧（目標ＶD-S）との差分ΔＶD-S、及びドレイン−ソース間電圧の変化率（ｄＶD-S／ｄｔ）と、ドレイン−ソース間電圧の目標変化率（目標ｄＶD-S／ｄｔ）との差分ΔｄＶD-S／ｄｔを考慮して補正されたＭＯＳＦＥＴ11-14のゲートＧへの出力電圧ＶG-S（すなわち、目標変化率との差を小さくするように補正されたゲート−ソース間電圧）が演算され、該演算されたゲート−ソース間電圧ＶG-S信号がＭＯＳＦＥＴ11-14に出力される。
【００６７】
したがって、マイコン２１Ｂからは、ＭＯＳＦＥＴ11-14の１スイッチング周期（例えば、５０μｓｅｃ）内の所定時間毎（例えば、１ｎｓｅｃ毎）に、ドレイン−ソース間電圧の目標値及び目標変化率との差が考慮されて、より適切に補正された任意のゲート−ソース間電圧ＶG-Sを出力することができ、目標値により速く近づけることができる任意のゲート−ソース間電圧ＶG-Sの出力が可能となり、ＭＯＳＦＥＴ11-14のスイッチング時の立上がりと立下がりは急峻にして発熱を抑え、かつ立上がりや立下がり時のリンギングの発生を抑える、すなわち、発熱とノイズとを同時に抑制可能な、低発熱かつ低ノイズの理想的なスイッチング動作を実現することができる。
【００６８】
なお、上記実施の形態（１）〜（３）では、マイコン２１（２１Ａ、２１Ｂ）のＡ／ＤポートＰ11-14から、ＭＯＳＦＥＴ11-14のゲートＧに直接信号を出力するように構成されているが、別の実施の形態では、図９に示すようにマイコン２１ＣのＡ／ＤポートＰ11-14と、ＭＯＳＦＥＴ11-14のゲートＧとの間に、トランジスタ等を含んで構成される電流調整手段としての電流アンプ４０を介装させてもよく、係る構成によれば、寄生容量が大きなＭＯＳＦＥＴも適切に駆動させることができる。
【００６９】
なお、この場合、電流アンプ４０を介してＭＯＳＦＥＴ11-14のゲート−ソース間に印加される電圧によりＭＯＳＦＥＴ11-14のドレイン−ソース間電圧が目標ドレイン−ソース間電圧波形に近づくように、マイコン２１Ｃから電流アンプ４０に対して適切な電圧信号が出力され、電流アンプ４０からＭＯＳＦＥＴ11-14のゲート−ソース間に印加する電圧波形が調整されるようになっている。
【００７０】
すなわち、マイコン２１Ｃが、電流アンプ４０を構成するトランジスタのオフ・オン間の中間の電圧を所定時間（１ｎｓｅｃ）毎に算出して、Ｄ／ＡポートＰ11-14から電流アンプ４０に出力することにより、電流アンプ４０のトランジスタがオンする時にＭＯＳＦＥＴ11-14のゲート−ソース間に介装されたコンデンサＣ（図示せず）に蓄積する電荷の速度を調整することができ、ＭＯＳＦＥＴ11-14のスイッチング速度を目標値に向けて調整することが可能となっている。
【００７１】
図１０は、実施の形態（４）に係る電動パワーステアリング制御装置（ＥＣＵ）の要部を概略的に示したブロック図である。但し、図４に示したＥＣＵ２０と同一機能を有する構成部品には同一符号を付し、その説明を省略する。
【００７２】
実施の形態（１）〜（３）に係るＥＣＵ２０、２０Ａ、２０Ｂでは、ＭＯＳＦＥＴ11-14のドレイン−ソース間電圧を検出するように構成されているが、実施の形態（４）に係るＥＣＵ２０Ｄでは、ＭＯＳＦＥＴ11-14に磁界検出手段５０（例えば、ＭＯＳＦＥＴ11-14のＤ端子にクランプ磁界検出計）と温度検出手段６０（例えば、サーミスタ等の温度センサ）とが装着され、ＭＯＳＦＥＴ11-14の磁界強度と温度とがマイコン２１Ｄで検出されるように構成されている点が、ＥＣＵ２０と相違しており、また、ＲＯＭ２４Ｄには、ＭＯＳＦＥＴ11-14のＤ−Ｓ間電圧が目標電圧波形を描くときのＭＯＳＦＥＴ11-14の磁界強度と温度とに関する情報が予め記憶されている。
【００７３】
マイコン２１Ｄは、ＭＯＳＦＥＴ11-14の１スイッチング周期（例えば、５０μｓｅｃ）内の所定時間（例えば、１ｎｓｅｃ）毎に、ＭＯＳＦＥＴ11-14の磁界強度と温度とを検出する機能（状態検出手段）と、検出されたＭＯＳＦＥＴ11-14の磁界強度及び温度と、ＲＯＭ２４Ｄから読み出した磁界強度及び温度の関係が考慮された目標値Ｊとに基づいて、次回出力するＭＯＳＦＥＴ11-14のゲート−ソース間電圧を演算する機能（演算手段）と、演算されたＭＯＳＦＥＴ11-14のゲート−ソース間電圧信号をＤ／ＡポートＰ11-14からＭＯＳＦＥＴ11-14のゲートに出力する機能（信号出力手段）とを備えており、マイコン２１ＤのＤ／ＡポートＰ11-14からは、所定時間（例えば、１ｎｓｅｃ）毎に、低発熱かつ低ノイズのスイッチング動作を実現する任意の電圧信号の出力が可能となっている。
【００７４】
次に実施の形態（４）に係るＥＣＵ２０Ｄにおけるマイコン２１Ｄの行う処理動作を図１１に示したフローチャートに基づいて説明する。なお、本処理動作は、ＭＯＳＦＥＴ11-14の１スイッチング周期内に１ｎｓｅｃ間隔で繰り返し実行される。ここでは、ＭＯＳＦＥＴ11のスイッチング処理動作について説明するが、他のＭＯＳＦＥＴ12-14に対しても同様な処理が実行される。
【００７５】
まず、ステップＳ３１では、磁界検出手段５０を通じてＭＯＳＦＥＴ11の磁界強度Ｅと、温度検出手段６０を通じてＭＯＳＦＥＴ11の温度Ｔとを検出し、ステップＳ３２では、磁界強度Ｅと温度Ｔとに対する重み付け定数が考慮された関係値Ｊ＝Ｗ1×Ｅ＋Ｗ2×Ｔを設定する。なお、Ｗ1、Ｗ2は、それぞれ磁界強度Ｅと温度Ｔとの重み付けを示す値である。例えば、磁界強度Ｅを重点的に減らしたい場合はＷ1が大きくなるように設定され、温度Ｔを重点的に下げたい場合はＷ2が大きくなるように設定される。関係値Ｊの目標値は０であるが、磁界強度Ｅと温度Ｔとは互いに背反な為、０になることはなく、適切な最小値となる目標値（目標Ｊ）がＲＯＭ２４Ｄに記憶されている。
【００７６】
次のステップＳ３３では、ＲＯＭ２４Ｄから読み出した目標Ｊと、検出されたＭＯＳＦＥＴ11の磁界強度Ｅと温度Ｔとから設定された関係値Ｊとの差分ΔＪを算出し、その後ステップＳ３４に進む。
【００７７】
ステップＳ３４では、ステップＳ３３にて算出された差分ΔＪに対して、ＭＯＳＦＥＴ11のＧ−Ｓ間電圧に変換するためのフィードバックゲインＧETを掛けて、次回出力するゲート−ソース間電圧の補正分ΔＶG-S（＝ΔＪ×ＧET）を算出する処理を行い、その後ステップＳ３５に進む。
【００７８】
ステップＳ３５では、前回出力したゲート−ソース間電圧Ｖ’G-Sに、ステップＳ３４にて算出されたゲート−ソース間電圧の補正分ΔＶG-Sを加算して、今回出力するゲート−ソース間電圧ＶG-S（＝Ｖ’G-S＋ΔＶG-S）を算出し、その後ステップＳ３６に進む。
【００７９】
ステップＳ３６では、ステップＳ３５にて算出されたゲート−ソース間電圧ＶG-Sに対応する信号をＤ／ＡポートＰ11から出力する処理を行い、その後ステップＳ３１に戻り処理を繰り返す。
【００８０】
上記実施の形態（４）に係る電動パワーステアリング制御装置（ＥＣＵ２０Ｄ）によれば、ＭＯＳＦＥＴ11-14の１スイッチング周期内の所定時間毎に、ＭＯＳＦＥＴ11-14の磁界強度Ｅと温度Ｔとが検出され、該検出された磁界強度Ｅと温度Ｔとに対する重み付け定数が考慮された関係値Ｊと目標Ｊとの差分ΔＪを考慮して補正されたＭＯＳＦＥＴ11-14のゲートＧへの出力電圧ＶG-S（すなわち、目標とする磁界強度と温度との関係を最適化するように補正されたゲート−ソース間電圧）が演算され、該演算されたゲート−ソース間電圧ＶG-S信号がＭＯＳＦＥＴ11-14に出力される。
【００８１】
したがって、マイコン２１Ｄからは、ＭＯＳＦＥＴ11-14の１スイッチング周期（例えば、５０μｓｅｃ）内の所定時間毎（例えば、１ｎｓｅｃ毎）に、磁界強度と温度との関係が考慮されて、より適切に補正された任意のゲート−ソース間電圧ＶG-Sを出力することができ、目標値により速く近づけることができる任意のゲート−ソース間電圧ＶG-Sの出力が可能となり、ＭＯＳＦＥＴ11-14のスイッチング時の立上がりと立下がりは急峻にして発熱を抑え、かつ立上がりや立下がり時のリンギングの発生を抑える、すなわち、発熱とノイズとを同時に抑制可能な、低発熱かつ低ノイズの理想的なスイッチング動作を実現することができる。
【００８２】
なお、上記実施の形態（４）では、マイコン２１ＤのＡ／Ｄポート11-14から、ＭＯＳＦＥＴ11-14のゲートに直接信号を出力するように構成されているが、別の実施の形態では、図１２に示すようにマイコン２１ＥのＡ／Ｄポート11-14と、ＭＯＳＦＥＴ11-14のゲートとの間に、電流調整手段としての電流アンプ４０を介装させてもよく、係る構成によれば、寄生容量が大きなＭＯＳＦＥＴも適切に駆動させることができる。
【００８３】
なお、この場合、電流アンプ４０を介してＭＯＳＦＥＴ11-14のゲート−ソース間に印加される電圧により、ＭＯＳＦＥＴ11-14の磁界強度Ｅが目標磁界強度に近づくように、マイコン２１Ｄから電流アンプ４０に対して適切な電圧信号が出力され、電流アンプ４０からＭＯＳＦＥＴ11-14のゲート−ソース間に印加する電圧波形が調整されるようになっている。
【００８４】
なお、上記実施の形態（１）〜（４）では、負荷駆動用制御装置を、電動パワーステアリング制御装置に適用した場合について説明したが、車両等に搭載される各種負荷（モータ等）の駆動を制御する制御装置に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００８５】
【図１】従来の負荷駆動用制御装置の概略構成を示した図である。
【図２】従来の負荷駆動用制御装置を構成するＭＯＳＦＥＴのスイッチングによるノイズと発熱との関係を説明するための図であり、（ａ）は、マイコンからの出力信号波形、（ｂ）は、抵抗値が小さい場合のＭＯＳＦＥＴのドレイン−ソース間電圧波形、（ｃ）は、抵抗値が大きい場合のＭＯＳＦＥＴのドレイン−ソース間電圧波形を示した図である。
【図３】本発明の実施の形態（１）に係る負荷駆動用制御装置が採用された電動パワーステアリング装置の概略構成を示したブロック図である。
【図４】実施の形態（１）に係る電動パワーステアリング制御装置の概略構成を示した図である。
【図５】マイコンのＤ／ＡポートＰ11からＭＯＳＦＥＴ11のゲートに出力される電圧波形と、ＭＯＳＦＥＴ11のゲート−ソース間電圧波形との関係を示したタイミング図であり、（ａ）は、マイコンからの出力電圧波形、（ｂ）は、ゲート−ソース間電圧波形を示している。
【図６】実施の形態（１）に係る電動パワーステアリング制御装置におけるマイコンの行う処理動作を示したフローチャートである。
【図７】実施の形態（２）に係る電動パワーステアリング制御装置におけるマイコンの行う処理動作を示したフローチャートである。
【図８】実施の形態（３）に係る電動パワーステアリング制御装置におけるマイコンの行う処理動作を示したフローチャートである。
【図９】別の実施の形態に係る電動パワーステアリング制御装置の概略構成を示した図である。
【図１０】実施の形態（４）に係る電動パワーステアリング制御装置の概略構成を示した図である。
【図１１】実施の形態（４）に係る電動パワーステアリング制御装置におけるマイコンの行う処理動作を示したフローチャートである。
【図１２】別の実施の形態に係る電動パワーステアリング制御装置の概略構成を示した図である。
【符号の説明】
【００８６】
１６  モータ
２０、２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃ、２０Ｄ、２０Ｅ  電動パワーステアリング制御装置（ＥＣＵ）
２１、２１Ａ、２１Ｂ、２１Ｃ、２１Ｄ、２１Ｅ  マイコン
２４、２４Ｃ、２４Ｄ、２４Ｅ  ＲＯＭ
２５、２５Ａ、２５Ｂ、２５Ｃ、２５Ｄ、２５Ｅ  ＣＰＵ
２６  Ｄ／Ａコンバータ
３０、３０Ａ、３０Ｂ  モータ駆動回路                                            ＬV1、ＬV2、ＬV3、ＬV4  電圧検出ライン                                          
【図１】
2008072278.tif 000003
【図２】
2008072278.tif 000004
【図３】
2008072278.tif 000005
【図４】
2008072278.tif 000006
【図５】
2008072278.tif 000007
【図６】
2008072278.tif 000008
【図７】
2008072278.tif 000009
【図８】
2008072278.tif 000010
【図９】
2008072278.tif 000011
【図１０】
2008072278.tif 000012
【図１１】
2008072278.tif 000013
【図１２】
2008072278.tif 000014