(57)【要約】      （修正有）【課題】半導体基板の表面に絶縁膜と機能膜が積層された積層体によって複数のデバイスが形成されたウエーハを、ウエーハを区画するストリートに沿ってパルスレーザー光線を照射してレーザー加工溝を形成し、レーザー加工溝の両側で積層体の剥離が生じても実質的にデバイスに影響を及ぼすことがない大きさに抑えることができるウエーハのレーザー加工方法を提供する。【解決手段】基板の表面２aに絶縁膜と機能膜が積層された積層体によって複数のデバイスが形成されたウエーハ２の複数のデバイスを区画するストリート２３に沿ってパルスレーザー光線を照射し、ストリート２３に沿ってレーザー加工溝を形成するウエーハ２のレーザー加工方法であって、パルスレーザー光線は、繰り返し周波数が１５０kHz〜１００MHzに設定され、単位長さ当たりのエネルギーが５〜２５J／mに設定されている。【選択図】図６
2008028113.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面に絶縁膜と機能膜が積層された積層体によって複数のデバイスが形成されたウエーハの該複数のデバイスを区画するストリートに沿ってパルスレーザー光線を照射し、該ストリートに沿ってレーザー加工溝を形成するウエーハのレーザー加工方法であって、
パルスレーザー光線は、繰り返し周波数が１５０kHz〜１００MHzに設定され、単位長さ当たりのエネルギーが５〜２５J／mに設定されている、
ことを特徴とするウエーハのレーザー加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエーハ等のウエーハの表面に形成されたストリートに沿ってレーザー加工溝を形成するウエーハのレーザー加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
当業者には周知の如く、半導体デバイス製造工程においては、シリコン等の半導体基板の表面に絶縁膜と機能膜が積層された積層体によって複数のＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスをマトリックス状に形成した半導体ウエーハが形成される。このように形成された半導体ウエーハは上記デバイスがストリートと呼ばれる分割予定ラインによって区画されており、このストリートに沿って分割することによって個々のデバイスを製造している。
【０００３】
このような半導体ウエーハのストリートに沿った分割は、通常、ダイサーと称されている切削装置によって行われている。この切削装置は、被加工物である半導体ウエーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された半導体ウエーハを切削するための切削手段と、チャックテーブルと切削手段とを相対的に移動せしめる移動手段とを具備している。切削手段は、高速回転せしめられる回転スピンドルと該スピンドルに装着された切削ブレードを含んでいる。切削ブレードは円盤状の基台と該基台の側面外周部に装着された環状の切れ刃からなっており、切れ刃は例えば粒径３μｍ程度のダイヤモンド砥粒を電鋳によって固定して形成されている。
【０００４】
近時においては、ＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスの処理能力を向上するために、シリコン等の半導体基板の表面にＳｉＯＦ、ＢＳＧ（ＳｉＯＢ）等の無機物系の膜やポリイミド系、パリレン系等のポリマー膜である有機物系の膜からなる低誘電率絶縁体被膜（Ｌｏｗ−ｋ膜）と回路を形成する機能膜が積層された積層体によってデバイスを形成せしめた形態の半導体ウエーハが実用化されている。
【０００５】
上述したＬｏｗ−ｋ膜はウエーハの素材と異なるため、切削ブレードによって同時に切削することが困難である。即ち、Ｌｏｗ−ｋ膜は雲母のように非常に脆いことから、切削ブレードによりストリートに沿って切削すると、Ｌｏｗ−ｋ膜が剥離し、この剥離が回路にまで達しデバイスに致命的な損傷を与えるという問題がある。
【０００６】
上記問題を解消するために、半導体ウエーハに形成されたストリートに沿って２条のレーザー加工溝を形成して積層体を分断し、この２条のレーザー加工溝の外側間に切削ブレードを位置付けて切削ブレードと半導体ウエーハを相対移動することにより、半導体ウエーハをストリートに沿って切断するウエーハの分割方法が下記特許文献１に開示されている。
【特許文献１】特開２００５−６４２３１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
而して、ウエーハのストリートに沿ってパルスレーザー光線を照射することにより絶縁膜と機能膜が積層された積層体が溶融し蒸発してレーザー加工溝が形成されるが、このレーザー加工溝の両側で積層体の剥離が生ずる場合がある。この現象は、パルスレーザー光線のエネルギー密度と半導体基板への熱伝導速度等に起因して発生するものと考えられる。
【０００８】
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術的課題は、シリコン等の半導体基板の表面に絶縁膜と機能膜が積層された積層体によって複数のデバイスが形成されたウエーハを、該ウエーハを区画するストリートに沿ってパルスレーザー光線を照射してレーザー加工溝を形成し、該レーザー加工溝の両側で積層体の剥離が生じても実質的にデバイスに影響を及ぼすことがない大きさに抑えることができるウエーハのレーザー加工方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、基板の表面に絶縁膜と機能膜が積層された積層体によって複数のデバイスが形成されたウエーハの該複数のデバイスを区画するストリートに沿ってパルスレーザー光線を照射し、該ストリートに沿ってレーザー加工溝を形成するウエーハのレーザー加工方法であって、
パルスレーザー光線は、繰り返し周波数が１５０kHz〜１００MHzに設定され、単位長さ当たりのエネルギーが５〜２５J／mに設定されている、
ことを特徴とするウエーハのレーザー加工方法が提供される。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によるウエーハの分割方法においては、パルスレーザー光線の繰り返し周波数が１５０kHz〜１００MHzに設定され、単位長さ当たりのエネルギーが５〜２５J／mに設定されているので、レーザー加工溝の両側に積層体の剥離が生じてもその大きさは極めて小さくデバイスへの実質的な影響はない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明によるウエーハのレーザー加工方法について添付図面を参照して、更に詳細に説明する。
【００１２】
図１には、本発明によるウエーハのレーザー加工方法によって加工される被加工物としての半導体ウエーハの斜視図が示されており、図２には図１に示す半導体ウエーハの要部拡大断面図が示されている。図１および図２に示す半導体ウエーハ２は、シリコン等の半導体基板２０の表面に絶縁膜と回路を形成する機能膜が積層された積層体２１によって複数のＩＣ、ＬＳＩ等のデバイス２２がマトリックス状に形成されている。そして、各デバイス２２は、格子状に形成されたストリート２３によって区画されている。なお、図示の実施形態においては、積層体２１を形成する絶縁膜は、ＳｉＯ２  膜または、ＳｉＯＦ、ＢＳＧ（ＳｉＯＢ）等の無機物系の膜やポリイミド系、パリレン系等のポリマー膜である有機物系の膜からなる低誘電率絶縁体被膜（Ｌｏｗ−ｋ膜）からなっている。
【００１３】
上述した半導体ウエーハ２をストリート２３に沿って分割するには、半導体ウエーハ２を図３に示すように環状のフレーム３に装着された保護テープ３０に貼着する。このとき、半導体ウエーハ２は、表面２ａを上にして裏面側を保護テープ３０に貼着する。
【００１４】
次に、半導体ウエーハ２のストリート２３に沿ってレーザー光線を照射し、ストリート上の積層体２１を除去するレーザー光線照射工程を実施する。このレーザー光線照射工程は、図４および図５に示すレーザー加工装置４を用いて実施する。図４および図５に示すレーザー加工装置４は、被加工物を保持するチャックテーブル４１と、該チャックテーブル４１上に保持された被加工物にレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段４２を具備している。チャックテーブル４１は、被加工物を吸引保持するように構成されており、図示しない移動機構によって図４において矢印Ｘで示す加工送り方向および矢印Ｙで示す割り出し送り方向に移動せしめられるようになっている。
【００１５】
上記レーザー光線照射手段４２は、実質上水平に配置された円筒形状のケーシング４２１を含んでいる。ケーシング４２１内には図５に示すようにパルスレーザー光線発振手段４２２と出力調整手段４２３とが配設されている。パルスレーザー光線発振手段４２２は、ＹＡＧレーザー発振器或いはＹＶＯ４レーザー発振器からなるパルスレーザー光線発振器４２２ａと、これに付設された繰り返し周波数設定手段４２２ｂとから構成されている。
繰り返し周波数設定手段４２２ｂは、モードロック方式が用いられており、図示の実施形態においてはパルスレーザー光線発振手段４２２から発振するパルスレーザー光線の繰り返し周波数を１５０kHz〜１００ＭＨｚに設定するようになっている。上記出力調整手段４２３は、パルスレーザー光線発振手段４２２から発振されたパルスレーザー光線の出力を所望の出力に調整する。これらパルスレーザー光線発振手段４２２および出力調整手段４２３は、図示しない制御手段によって制御される。上記ケーシング４２１の先端部には、それ自体は周知の形態でよい組レンズから構成される集光レンズ（図示せず）を収容した集光器４２４が装着されている。この集光器４２４は、上記パルスレーザー光線発振手段４２２から発振されたパルスレーザー光線を所定の集光スポット径に集光して、上記チャックテーブル４１に保持される被加工物に照射する。
【００１６】
図示のレーザー加工装置４は、図４に示すように上記レーザー光線照射手段４２を構成するケーシング４２１の先端部に装着された撮像手段４４を備えている。この撮像手段４４は、チャックテーブル４１上に保持された被加工物を撮像する。撮像手段４４は、光学系および撮像素子（ＣＣＤ）等で構成されており、撮像した画像信号を図示しない制御手段に送る。
【００１７】
上述したレーザー加工装置４を用いて実施するレーザー光線照射工程について、図４、図６および図７を参照して説明する。
このレーザー光線照射工程は、先ず上述した図４に示すレーザー加工装置４のチャックテーブル４１上に半導体ウエーハ２を載置し、該チャックテーブル４１上に半導体ウエーハ２を吸着保持する。このとき、半導体ウエーハ２は、表面２aを上側にして保持される。なお、図４においては、保護テープ３０が装着された環状のフレーム３を省いて示しているが、環状のフレーム３はチャックテーブル４１に配設された適宜のフレーム保持手段に保持されている。
【００１８】
上述したように半導体ウエーハ２を吸引保持したチャックテーブル４１は、図示しない加工送り手段によって撮像手段４４の直下に移動される。チャックテーブル４１が撮像手段４４の直下に位置付けられると、撮像手段４４および図示しない制御手段によって半導体ウエーハ２のレーザー加工すべき加工領域を検出するアライメント作業を実行する。即ち、撮像手段４４および図示しない制御手段は、半導体ウエーハ２の所定方向に形成されているストリート２３と、ストリート２３に沿ってレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段４２の集光器４２４との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、レーザー光線照射位置のアライメントを遂行する。また、半導体ウエーハ２に形成されている上記所定方向に対して直角に延びるストリート２３に対しても、同様にレーザー光線照射位置のアライメントが遂行される。
【００１９】
以上のようにしてチャックテーブル４１上に保持された半導体ウエーハ２に形成されているストリート２３を検出し、レーザー光線照射位置のアライメントが行われたならば、図６で示すようにチャックテーブル４１をレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段４２の集光器４２４が位置するレーザー光線照射領域に移動し、所定のストリート２３を集光器４２４の直下に位置付ける。このとき、図６の（ａ）で示すように半導体ウエーハ２は、ストリート２３の一端(図６の（ａ）において左端)が集光器４２４の直下に位置するように位置付けられる。次に、レーザー光線照射手段４２の集光器４２４から積層体２１に対して吸収性を有するパルスレーザー光線を照射しつつチャックテーブル４１を図６の（ａ）において矢印Ｘ１で示す方向に所定の加工送り速度で移動せしめる。そして、図６の（ｂ）で示すようにストリート２３の他端（図６において右端）が集光器４２４の直下位置に達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル４１の移動を停止する。このレーザー光線照射工程においては、パルスレーザー光線の集光点Ｐをストリート２３の表面付近に合わせる。
【００２０】
次に、チャックテーブル４１を紙面に垂直な方向（割り出し送り方向）に３０〜４０μｍ程度移動する。そして、レーザー光線照射手段４２の集光器４２４からパルスレーザー光線を照射しつつチャックテーブル４１即ち半導体ウエーハ２を図６の（ｂ）において矢印Ｘ２で示す方向に所定の加工送り速度で移動せしめ、図６の（ａ）に示す位置に達したらパルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル５即ち半導体ウエーハ２の移動を停止する。
【００２１】
上述したレーザー光線照射工程を実施することにより、半導体ウエーハ２のストリート２３には図７に示すように積層体２１の厚さより深い２条のレーザー加工溝２３a、２３aが形成される。この結果、積層体２１は、２条のレーザー加工溝２３a、２３aによって分断される。なお、ストリート２３に形成される２条のレーザー加工溝２３a、２３aの両外側間の長さは、後述する切削ブレードの厚さより大きく設定されている。そして、上述したレーザー光線照射工程を半導体ウエーハ２に形成された全てのストリート２３に実施する。このレーザー光線照射工程によって形成されるレーザー加工溝２３aの加工品質は、加工条件特に照射されるパルスレーザー光線の繰り返し周波数と、単位長さ当たりのエネルギーによって影響される。即ち、パルスレーザー光線の繰り返し周波数および単位長さ当たりのエネルギーが所定範囲に設定されていないと、図８に示すようにレーザー加工溝２３aの両側で積層体２１に剥離が発生し、剥離部２１１の大きさＬが大きいことが判った。
【００２２】
本発明者等の実験によると、積層体２１に対して吸収性を有する波長（例えば２００〜８００nm）のパルスレーザー光線を用い、繰り返し周波数を１５０kHz〜１００MHzに設定し、単位長さ当たりのエネルギーを５〜２５J／mに設定すると、加工送り速度を実用的な速度である１００mm／秒以上であっても剥離部２１１の大きさＬが１０μm以下となり、デバイスへの実質的な影響はないことが判った。特に、パルスレーザー光線の繰り返し周波数を８０MHzに設定し、単位長さ当たりのエネルギーを１２．５J／mに設定すると、加工送り速度を２００mm／秒にしても剥離部２１１の大きさＬが１μm以下となった。なお、このときのパルスレーザー光線の波長は３５５nm、集光スポット径はφ１０μｍであった。このように、パルスレーザー光線の繰り返し周波数を高くすると、先に照射されたパルスによって温度上昇した加工部が冷える前に次のパルスが照射され、加工部の温度が積層体２１の軟化温度以下にならないため、積層体の剥離が減少するものと考えられる。
【００２３】
以上のようにして、半導体ウエーハ２に形成された全てのストリート２３に上述したレーザー光線照射工程を実施したならば、ストリート２３に沿って切断する切削工程を実施する。即ち、図９に示すように切削装置５のチャックテーブル５１上にレーザー光線照射工程が実施された半導体ウエーハ２を表面２ａを上側にして載置し、図示しない吸引手段によって半導体ウエーハ２をチャックテーブル５１上に保持する。次に、半導体ウエーハ２を保持したチャックテーブル５１を切削加工領域の切削開始位置に移動する。このとき、図９で示すように半導体ウエーハ２は切削すべきストリート２３の一端（図９において左端）が切削ブレード５２の直下より所定量右側に位置するように位置付けられる。
【００２４】
このようにして半導体ウエーハ２を保持したチャックテーブル５１が切削加工領域の切削開始位置に位置付けられたならば、切削ブレード５２を図９において２点鎖線で示す待機位置から下方に切り込み送りし、図９において実線で示すように所定の切り込み送り位置に位置付ける。この切り込み送り位置は、図１０に示すように切削ブレード５２の下端が半導体ウエーハ２の裏面に貼着された保護テープ３０に達する位置に設定されている。
【００２５】
一方、切削ブレード５２は矢印５２aで示す方向に所定の回転速度で回転しており、チャックテーブル５１を図９において矢印Ｘ１で示す方向に所定の切削送り速度で移動せしめる。そして、チャックテーブル５１に保持された半導体ウエーハ２の他端（図９において右端）が切削ブレード５２の直下より所定量左側に位置するまで達したら、チャックテーブル５１の移動を停止する。このようにチャックテーブル５１を切削送りすることにより、半導体ウエーハ２はストリート２３に沿って切断される。なお、上記のように２条のレーザー加工溝２１a、２１aを切削ブレード５２によって切削すると、２条のレーザー加工溝２１a、２１aに残された積層体２１は切削ブレード５２によって切削されるが、２条のレーザー加工溝２１a、２１aよって両側が分断さているため剥離してもチップ２２側に影響することはない。
【００２６】
次に、チャックテーブル５１即ち半導体ウエーハ２を紙面に垂直な方向（割り出し送り方向）にストリート２３の間隔に相当する量割り出し送りし、次に切削すべきストリート２３を切削ブレード５２と対応する位置に位置付け、図９に示す状態に戻す。そして、上記と同様に切削工程を実施する。
【００２７】
なお、上記切削工程は、例えば以下の加工条件で行われる。
切削ブレード          ；外径５２ｍｍ、厚さ３０μｍ
切削ブレードの回転速度；４００００ｒｐｍ
切削送り速度          ；５０ｍｍ／秒
【００２８】
上述した切削工程を半導体ウエーハ２に形成された全てのストリート２３に実施する。この結果、半導体ウエーハ２はストリート２３に沿って切断され、個々のデバイスに分割される。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本発明によるウエーハの分割方法によって分割される半導体ウエーハを示す斜視図。
【図２】図１に示す半導体ウエーハの断面拡大図。
【図３】図１に示す半導体ウエーハが環状のフレームに保護テープを介して支持された状態を示す斜視図。
【図４】本発明によるウエーハのレーザー加工方法を実施するためのレーザー加工装置の要部斜視図。
【図５】図４に示すレーザー加工装置に装備されるレーザー光線照射手段の構成を簡略に示すブロック図。
【図６】本発明によるウエーハのレーザー加工方法におけるレーザー光線照射工程を示す説明図。
【図７】図７に示すレーザー光線照射工程によって半導体ウエーハのストリートに形成されたレーザー加工溝を示す半導体ウエーハの要部拡大断面図。
【図８】半導体ウエーハに形成されたレーザー加工溝の両側に剥離が発生した状態を示す説明図。
【図９】本発明によるウエーハのレーザー加工方法によってレーザー加工溝形成した後に半導体ウエーハをストリートに沿って切断する切削工程の説明図。
【図１０】図９に示す切削工程における切削ブレードの切り込み送り位置を示す説明図。
【符号の説明】
【００３０】
２：半導体ウエーハ
２０：基板
２１：積層体
２２：デバイス 
２３：ストリート
２３a：レーザー加工溝
３：環状のフレーム
３０：保護テープ
４：レーザー加工装置
４１：レーザー加工装置のチャックテーブル
４２：レーザー光線照射手段
４２４：集光器
５：切削装置
５１：切削装置のチャックテーブル
５２：切削ブレード
【図１】
2008028113.tif 000003
【図２】
2008028113.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
2008028113.tif 000008
【図７】
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【図８】
2008028113.tif 000010
【図９】
2008028113.tif 000011
【図１０】
2008028113.tif 000012