(57)【要約】【課題】規定サイズのウェハを処理するための処理装置を用いて小型ウェハに対する電極形成処理を行う方法を提供する。【解決手段】被処理ウェハのサイズが定められているウェハ処理装置により、定められた被処理ウェハサイズよりも小さなサイズの圧電ウェハ１００に対して電極形成処理を施すための方法であって、前記圧電ウェハ１００の一方の主面に電極形成用の金属薄膜１１０を形成した後、前記圧電ウェハ１００の他方の主面を、前記被処理ウェハサイズと同じサイズのベースウェハ２００の上面に直に接合し、前記ウェハ処理装置を用いて電極形成処理を行うことを特徴とする。このような特徴を有する電極形成処理方法では、前記圧電ウェハ１００と前記ベースウェハ２００との接合は、直接接合により成すこととし、加熱処理時の温度を前記電極形成用薄膜の融点よりも低く設定すると良い。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理ウェハのサイズが定められているウェハ処理装置により、定められた被処理ウェハサイズよりも小さなサイズの小型ウェハに対して電極形成処理を施すための方法であって、
前記小型ウェハの一方の主面に電極形成用薄膜を形成する工程と、
前記小型ウェハの他方の主面を、前記被処理ウェハサイズと同じサイズのベースウェハの上面に直に接合する工程とを有し、
前記ウェハ処理装置を用いて電極形成処理を行うことを特徴とする電極形成処理方法。
【請求項２】
前記小型ウェハと前記ベースウェハとの接合は、直接接合により成すこととし、加熱処理時の温度を前記電極形成用薄膜の融点よりも低く設定したことを特徴とする請求項１に記載の電極形成処理方法。
【請求項３】
前記小型ウェハと前記ベースウェハとの接合は、表面活性化常温接合により成されることを特徴とする請求項１に記載の電極形成処理方法。
【請求項４】
前記小型ウェハと前記ベースウェハとの接合は、陽極接合により成されることを特徴とする請求項１に記載の電極形成処理方法。
【請求項５】
成膜以後の工程を被処理ウェハのサイズが定められているウェハ処理装置を用いて行う弾性表面波素子片の製造方法であって、
圧電ウェハの一方の主面に電極形成用薄膜を形成する工程と、
前記圧電ウェハの他方の主面を、当該圧電ウェハよりも大きなサイズで、前記半導体ウェハ処理装置による処理が可能なサイズのベースウェハに直に接合する工程とを経た後、
前記ベースウェハと前記圧電ウェハとを接合した状態で、励振電極の形成処理、およびダイシング処理を行う事を特徴とする弾性表面波素子片の製造方法。
【請求項６】
前記圧電ウェハと前記ベースウェハとの接合は、直接接合により成すこととし、加熱処理時の温度を前記電極形成用薄膜の融点よりも低く設定したことを特徴とする請求項５に記載の弾性表面波素子片の製造方法。
【請求項７】
請求項５または請求項６に記載の製造方法により製造された弾性表面波素子片を搭載したことを特徴とする弾性表面波デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被処理ウェハのサイズが定められたウェハ処理装置を用いて、前記被処理ウェハサイズよりも小さなサイズのウェハに対して電極形成処理を行う方法、並びに弾性表面波素子片の製造方法、およびこの弾性表面波素子片の製造方法を用いて製造された弾性表面波デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
ウェハの主面に所定形状の電極パターンを形成するための処理装置としては、スピンコータや、ステッパ、デベロッパ等、半導体ウェハ処理に用いられる装置が知られている。このような処理に用いられる装置は、処理対象とすることのできるウェハサイズが定められており、規定外のサイズのウェハを扱うことができないことが一般的である。
【０００３】
ところが、処理精度の高い上記のような処理装置を用いて規定外のサイズを有するウェハの処理を行うという要望も高いという実状がある。しかし、規定サイズの半導体ウェハを処理するために製造された処理装置を、規定外サイズのウェハを処理可能な形態に改造するには多大な費用がかかってしまう。
【０００４】
このような実状を鑑みて、被処理ウェハサイズの定められた処理装置を用いて、被処理ウェハサイズよりも小さなサイズのウェハ（小型ウェハ）を処理するための技術が、特許文献１に開示されている。特許文献１には、もっぱら、図５に示すようなスピンコータにおける吸引チャック１に、小型ウェハ３を固定する際の技術が開示されている。具体的には、小型ウェハ３と吸着作用を有する吸引チャック１との間に、規定サイズのウェハと同等なサイズを有するトレイ２を介在させるというものである。特許文献１によれば、前記トレイ２における小型ウェハ３載置面には、微小な貫通孔を複数形成することにより、吸引チャック１からの吸着作用が、前記トレイ２を介して小型ウェハ３にまで伝達されることとなる。このようなトレイ２を使用することにより、多大な費用をかけること無く、半導体ウェハ処理装置を用いて小型ウェハ３の処理を行うことが可能となる。
【特許文献１】特開２００１−６８５４１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、弾性表面波（ＳＡＷ）素子片のように、ウェハの一方の主面にのみ電極形成用膜を形成すると、膜応力の影響を受けてウェハに反りが生ずることがある。そして、ウェハに生ずる反りは、膜厚が厚いほど大きなものとなる傾向があり、反りの生じたウェハは、吸着によりチャックすることが出来なくなると共に、フォトレジストによるマスク形成のための露光工程においても、解像不良が生じてしまう。また、特許文献１に開示された技術では、吸引以外の方法でチャックを行う場合には適用することができなくなってしまう可能性がある。
【０００６】
そこで、本発明では、規定サイズのウェハを処理するための処理装置を用いて小型ウェハに対する電極形成処理を行う方法、ならびに被処理ウェハとして圧電ウェハを採用し、ＳＡＷ素子片を製造するための方法、および前記方法により製造されたＳＡＷ素子片を搭載したＳＡＷデバイスを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するための、本発明に係る電極形成処理方法は、被処理ウェハのサイズ
が定められているウェハ処理装置により、定められた被処理ウェハサイズよりも小さなサイズの小型ウェハに対して電極形成処理を施すための方法であって、前記小型ウェハの一方の主面に電極形成用薄膜を形成する工程と、前記小型ウェハの他方の主面を、前記被処理ウェハサイズと同じサイズのベースウェハの上面に直に接合する工程とを有し、前記ウェハ処理装置を用いて電極形成処理を行うことを特徴とする。このような特徴を有する電極形成処理方法によれば、小型ウェハのチャック部は大型化することとなり、被処理ウェハサイズが定められたウェハ処理装置にて処理することが可能となる。また、一方の主面に電極形成用薄膜を形成した小型ウェハをベースウェハに接合したり、小型ウェハをベースウェハに接合した上で小型ウェハ上面に電極形成用薄膜を形成することにより、小型ウェハに生ずる膜応力を緩和することができ、小型ウェハに生ずる反りを抑制することができる。これにより、露光工程における解像不良等を生じさせることが無くなる。また、既存の処理装置により小型ウェハに対する電極形成処理を行うことが可能となるため、小型ウェハを処理するための改造が不要となり、そのための費用が不要となる。さらに、小型ウェハのサイズが不均一であっても、ベースウェハのサイズが揃っていれば電極形成処理を行うことが可能となるため、ウェハサイズの違いによる段取り替え等も不要となり、生産効率を向上させることができる。
【０００８】
また、上記のような電極形成処理方法では、前記小型ウェハと前記ベースウェハとの接合は、直接接合により成すこととし、加熱処理時の温度を前記電極形成用薄膜の融点よりも低く設定すると良い。直接接合により接合された部材同士の接合強度は非常に高いため、接合された部材を単一物として取り扱うことが可能となるからである。
【０００９】
また、上記のような電極形成処理方法では、前記小型ウェハと前記ベースウェハとの接合は、表面活性化常温接合により成されるようにしても良い。接合方式を表面活性化常温接合とした場合であっても、上述した直接接合と同様な効果を得ることができる。また、表面活性化常温接合では、部材同士の接合を常温で行うことが可能であるため、小型ウェハの一方の主面に形成する電極形成用薄膜の融点が低い場合であっても、電極形成用薄膜に影響を与えることなく接合を実施することができる。
【００１０】
さらに、上記のような電極形成処理方法では、前記小型ウェハと前記ベースウェハとの接合は、陽極接合により成されるようにしても良い。陽極接合によっても、静電引力による高い接合強度を得ることができる。また、陽極接合も、低温で実施することが可能であるため、表面活性化常温接合と同様な効果を得ることができる。
【００１１】
また、上記目的を達成するための、本発明に係る弾性表面波素子片の製造方法は、成膜以後の工程を被処理ウェハのサイズが定められているウェハ処理装置を用いて行う弾性表面波素子片の製造方法であって、圧電ウェハの一方の主面に電極形成用薄膜を形成する工程と、前記圧電ウェハの他方の主面を、当該圧電ウェハよりも大きなサイズで、前記半導体ウェハ処理装置による処理が可能なサイズのベースウェハに直に接合する工程とを経た後、前記ベースウェハと前記圧電ウェハとを接合した状態で、励振電極の形成処理、およびダイシング処理を行う事を特徴とする。このような製造方法によれば、圧電ウェハのチャック部のサイズをベースウェハのサイズとして取り扱うことができ、半導体ウェハ処理装置にて処理することが可能となる。また、一方の主面に電極形成用薄膜を形成した圧電ウェハをベースウェハに接合することにより、圧電ウェハに生ずる膜応力を緩和することができ、圧電ウェハに生ずる反りを抑制することができる。これにより、励振電極形成処理における露光工程にて解像不良等を生じさせることが無くなる。また、既存の半導体ウェハ処理装置により小型の圧電ウェハを処理することが可能となるため、圧電ウェハを処理するための改造が不要となり、そのための費用が不要となる。さらに、圧電ウェハのサイズが不均一であっても、ベースウェハのサイズが揃っていれば既存の半導体ウェハ処理装置にて処理することが可能となるため、ウェハサイズの違いによる段取り替え等も不要
となり、弾性表面波素子片の生産効率を向上させることができる。
【００１２】
また、上記のような特徴を有する弾性表面波素子片の製造方法では、前記圧電ウェハと前記ベースウェハとの接合は、直接接合により成すこととし、加熱処理時の温度を前記電極形成用薄膜の融点よりも低く設定すると良い。直接接合により接合された部材同士の接合強度は非常に高いため、接合された部材を単一物として取り扱うことが可能となるからである。また、直接接合では、有機物を含む接着剤等が不要であるため、ベーキングやリフロー等の加熱工程にてガスが発生する虞が無い。このため、ダイシング処理終了後、個片化されたＳＡＷ素子片からベース基板（個片化されたベースウェハ）を剥がす必要が無い。
【００１３】
また、上記目的を達成するための本発明に係る圧電デバイスは、上記いずれかに記載の製造方法により製造された弾性表面波素子片を搭載したことを特徴とする。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、図面を参照して本発明の電極形成処理方法、並びに弾性表面波素子片の製造方法、および弾性表面波デバイスに係る実施の形態について詳細に説明する。なお、以下に示す実施の形態は、本発明に係る一部の実施形態であり、本発明の技術的範囲は以下の実施形態のみに拘束されるものではない。
【００１５】
まず、本発明の弾性表面波素子片（ＳＡＷ素子片）の製造方法について図１を参照して説明する。本実施形態でＳＡＷ素子片を構成する圧電基板は、水晶（SiO2）やニオブ酸リチウム（LiNbO3）、タンタル酸リチウム（LiTaO3）、四ホウ酸リチウム（Li2B4O7）等の
単結晶基板や、圧電セラミックス基板や、サファイア等の誘電体結晶基板に酸化亜鉛（ZnO）等の圧電体薄膜を被覆した構造の基板とすれば良い。よって、本実施形態では、上記
のような基板を構成するためのウェハを圧電ウェハ（小型ウェハ）１００として選択する（図２参照）。ＳＡＷ素子片を製造する場合、まず、電極形成をする圧電ウェハ１００の洗浄を行う。ここで、洗浄工程は、複数の圧電ウェハ１００を単一のロットとしたバッチ処理で行うことが可能であるため、ウェハサイズの制限を受けること無く処理することができる（Ｓ１０）。
【００１６】
次に、圧電ウェハ１００の一方の主面に、電極形成用の金属薄膜１１０を形成する（図２参照）。ここでＳＡＷ素子片製造時においては、電極形成用の金属薄膜１１０として一般に、アルミニウム（Al）が採用される。なお、電極形成に関しても、搬送系に一般的なトレー等を使用したり、プラネタリ冶具を使用することができるため、ウェハサイズの制限を受けることなく処理を進めることができる（Ｓ２０）。
【００１７】
上記工程の後、圧電ウェハ１００に対しては、レジスト膜の形成、露光、現像、エッチングといった処理を施すこととなる。これらの処理には、半導体処理装置として知られているスピンコータやステッパ、デベロッパ、およびエッチング装置等が用いられる。ここで、既存の半導体処理装置では、ウェハに設けられたオリエンテーションフラット等の面を基準として位置決めされた上で各処理が成されるため、規定された処理サイズ以外のウェハ（例えば規定サイズよりも小型なウェハ）については処理することができない。
【００１８】
このため本実施形態では、図２に示すように、規定サイズのウェハをベースウェハ２００とし、このベースウェハに対して圧電ウェハ１００を接合することで、既存の半導体処理装置にて圧電ウェハ１００の処理を行うことを可能にしている。なお、図２において、図２（Ａ）は接合したウェハの平面形態を示す図であり、図２（Ｂ）は接合したウェハの正面形態を示す図である。
【００１９】
圧電ウェハ１００とベースウェハ２００の接合手段としては、種々選択の余地はあるが、直接接合とすることが望ましい。直接接合は、接着層（接着剤）を介在させること無く、結晶同士を原子レベルで接合することができるため接合強度が高く、接合後の物質を単一素材の物質として取り扱うことが可能となるからである。また、ＳＡＷ素子片の製造工程や、ＳＡＷ素子片を用いたデバイスの製造工程においては、ベーキングやリフローといった加熱処理が成される。こうした場合、有機性の接着層を介在していると、この接着層から汚染ガスが発生することがある。こうした汚染ガスがＳＡＷ素子片の電極等に付着すると、発振不良の原因となりうる。このような観点からも、汚染ガスの発生することが無い直接接合は、接合手段として望ましいといえる。
【００２０】
直接接合は、次のような工程で行われる。まず酸などの化学薬品と、純水を用いてベースウェハ２００、圧電ウェハ１００双方の洗浄と表面処理を行う。ここで、ベースウェハ２００と圧電ウェハ１００双方の接合面における平坦度は、１ナノメートル以下のレベルとなることが望ましい。上記のような処理により、ベースウェハ２００、圧電ウェハ１００双方の表面を僅かに酸化させて薄い酸化膜を形成すると共に、その表面に多数の水酸基が付着することとなる（親水化処理）。次に、親水化処理した表面同士を重ね合わせる。重ね合わせた圧電ウェハ１００とベースウェハ２００に軽く圧力を加えると、双方の接合面には表面間引力が働き、自動的に接合が進行することとなる。
【００２１】
上記段階での結合は、親水性となった接合面における水酸基間の水素結合によりなされており、常温で進めることができる。常温で成される水素結合による接合状態では、圧電ウェハ１００とベースウェハ２００との間の接合強度は低く、水分等にも弱い状態である。このため、加熱処理により、接合面から水酸基を排除してやることで、水分等の影響を受けることの無い強固な接合を実現することができるようになる。なお、加熱処理の温度を金属薄膜（不図示）１１０の溶融温度よりも高く設定する場合には、圧電ウェハ１００とベースウェハ２００とを接合した後に金属薄膜１１０を形成するようにすると良い。また、上記のような直接接合を実施する場合には、ベースウェハ２００としてシリコン（Si）ウェハやサファイアウェハ等を採用することができるが、コスト等を考慮した場合には、シリコンウェハを採用することが望ましい。また、ベースウェハ２００に対する圧電ウェハ１００の位置決めは、センター合わせ、あるいはオリエンタルフラットを基準とした角当て等により適宜成すようにすれば良い（Ｓ３０）。
【００２２】
上記のような工程を経てベースウェハ２００に接合された圧電ウェハ１００は、既存の半導体処理装置によりパターン形成処理を行うことが可能となる。パターン形成工程では、圧電ウェハ１００を接合されたベースウェハ２００が、スピンコータのチャックに固定される。ベースウェハ２００を介してチャックに固定された圧電ウェハ１００には回転が付与されると共に、圧電ウェハ１００の中心にフォトレジストが塗布される。塗布されたフォトレジストは回転による遠心力を受けて圧電ウェハ１００の表面に濡れ広がり、圧電ウェハ１００全体がフォトレジストによりコーティングされる。その後、フォトレジストをコーティングした圧電ウェハ１００をベーキング（プレベーク）することで、フォトレジストに含まれる溶剤を揮発させ、レジスト膜を構成する（Ｓ４０）。
【００２３】
ベーキング工程を経た圧電ウェハ１００はステッパへと移載され、レジスト膜に対する露光が成される。ステッパでの露光は、所望する配線パターンが形成されたレチクルとよばれるマスクを用いた投光露光である。本実施形態における圧電ウェハ１００は、ベースウェハ２００に接合されることで、曲げ応力に対する耐性が高められている。このため、反り等が発生する確率が低く、解像不良が生ずる確率が低い。よって歩留りを良好に保つことが可能となる（Ｓ５０）。
【００２４】
露光後、ベーキング工程を経て（Ｓ６０）、現像工程に入る。現像工程は、デベロッパ
により、レジスト膜を有する圧電ウェハ１００が現像液に浸される。レジスト膜は、現像液に浸されることにより、露光した部分（ポジ型レジスト）、あるいは露光していない部分（ネガ型レジスト）のレジスト膜が除去される。現像後、現像液やレジスト中の溶剤、およびその他の水分を除去し、圧電ウェハ１００とレジスト膜との密着性を高めるためにベーキング（ポストベーク）が成される（Ｓ７０）。
【００２５】
上記のようにして、所望する形状のレジストマスクを形成した圧電ウェハ１００は、エッチング装置へと移行される。エッチング工程では、圧電ウェハ１００をエッチング液に浸すことで、圧電ウェハ１００表面に被覆した金属薄膜が、レジストマスクの開口部の形状に合わせてエッチングされることとなる（Ｓ８０）。
【００２６】
上記のような工程を経て、レジストマスクの形状に沿ったパターン形成が成された圧電ウェハ１００から、不要となったレジストマスクを剥離する。なお、レジストマスクの剥離には、各レジストに指定された剥離液が用いられる（Ｓ９０）。
【００２７】
所望するパターンが形成された圧電ウェハ１００は、検査工程へと移行される。ウェハ検査工程では、外観、寸法の他、プローブやテスタを用いた導通、振動特性等の検査が行われる（Ｓ１００）。
【００２８】
検査を終了した圧電ウェハ１００は、ダイシング工程へと移行される。ダイシング工程では、圧電ウェハ１００上に複数形成されたパターンを、各ＳＡＷ素子片を構成する個片へと分割される（Ｓ１１０）。ダイシングにより形成された各ＳＡＷ素子片１０（図３参照）は、別途形成されたパッケージへと搭載されることとなる（Ｓ１２０）。
【００２９】
上記のような方法によるＳＡＷ素子片１０の製造は、結晶成長の難しさからウェハサイズの大型化を図ることのできない圧電材料ばかりでなく、膜応力の影響からウェハサイズを小型とせざるを得ない圧電材料（例えば圧電体薄膜を被覆するもの）に対しても有効である。
【００３０】
以下、上記のような工程を経て形製造されるＳＡＷ素子片１０について、図３を参照して説明する。なお、図３において図３（Ａ）はＳＡＷ素子片の平面図であり、図３（Ｂ）はＳＡＷ素子片の正面図である。
【００３１】
図３（Ａ）から読み取れるように、ＳＡＷ素子片１０の平面における状態は、一般的なＳＡＷ素子片と変わり無いということが判る。すなわち、圧電基板１００ａの一方の主面に、励振電極としてのＩＤＴ（Interdigital Transducer）１２と反射器１４が形成され
ているという構成である。なお当然に、ＩＤＴ１２を構成する櫛歯状電極の櫛歯部分や、反射器１４を構成するストリップ部分は、圧電基板１００ａにおけるＳＡＷの伝播方向と直交するように形成されている。
【００３２】
ここで、本実施形態に係るＳＡＷ素子片１０は、圧電基板１００ａの裏面、すなわち他方の主面に、ベースウェハ２００を構成していた部材から成る基板（ベース基板）２００ａを備えている。ＳＡＷ素子片１０の場合、圧電基板１００ａの裏面に他の材料からなる基板を備えたとしても、振動に対する影響は無い。ＳＡＷ素子片１０における振動は、圧電基板１００ａの表面、すなわち励振電極が形成された面に励起されて伝播されるという特性を有するからである。また、このような形態とすることによれば、ＳＡＷ素子片１０自体の厚みが増すため、曲げ応力に対する耐性が高められる。このため、ＳＡＷ素子片１０を搭載するパッケージの強度が弱い場合であってもパッケージが受ける曲げ応力の影響を受け難くなる。さらに、ベースウェハ２００としてＱ値の高い材料を選択した場合には、製造されたＳＡＷ素子片のＱ値も高められることとなる。
【００３３】
製造されたＳＡＷ素子片１０自体を観察することにより本発明に基づいて製造されたものであると判断することは困難であるが、圧電基板１００ａを構成する部材のウェハとして工業的に流通しているものが、比較的小型サイズのものとして知られている場合には、本発明を採用して製造された可能性が高いということができる。また、圧電基板１００ａよりもベース基板２００ａの方がＱ値の低い部材である場合も、本発明を採用して製造された可能性が高い。個片化された後の圧電基板に、Ｑ値の低い基板を接合する利点は少ないからである。
【００３４】
次に、図４を参照して、上記のようにして製造したＳＡＷ素子片１０を搭載したＳＡＷデバイスについて説明する。図４に示すＳＡＷデバイスは、ＳＡＷ共振子５０である。本実施形態に係るＳＡＷ共振子５０は、ＳＡＷ素子片１０と、このＳＡＷ素子片１０を収容するパッケージ４０とから構成されている。そして、パッケージ４０は、パッケージベース２０とリッド３０、およびシームリング２８とから成る。
【００３５】
前記パッケージベース２０は、ＳＡＷ素子片１０を収容するための箱体であり、その構成材料としては一般的に絶縁部材が用いられる。例えばセラミックス等により構成されることが多い。セラミックスを用いたパッケージベース２０は、複数の基板を重ね合わせ、これを焼成することにより構成される。パッケージベース２０の内部には、収容したＳＡＷ素子片１０を電気的に実装するためのボンディングパッド２６が備えられている。そして、パッケージベース２０の外部には、前記ボンディングパッドと電気的に接続されている外部パッド３２が備えられている。
【００３６】
ＳＡＷ素子片１０は、パッケージベース２０に対して接着剤（不図示）を介して搭載されることとなるが、この際、接着剤として導電性を有するものを使用することがある。このため、搭載用の接着剤がボンディングパッド２６に接触してしまうことを避けるため、ＳＡＷ素子片１０の搭載面２２と、ボンディングパッド２６の載置面２４との間には段差が設けられることが一般的である。
【００３７】
前記リッド３０は、パッケージベース２０における上部開口部を封止するための蓋体である。リッド３０を構成する部材としては、その熱膨張係数がパッケージベース２０と近似するものであることが望ましい。熱膨張係数の違いが大きいと、熱処理時等にパッケージベース２０や接合部分に生ずる応力が大きくなり、パッケージ４０にクラックが生ずる可能性があるからである。このような関係から、パッケージベース２０をセラミックスとした場合には、リッド３０の構成部材としてソーダガラス（透光性）やコバール（非透光性）等を採用することが一般的である。なお、パッケージベース２０とリッド３０との接合には、低融点ガラスやシームリング（コバール）２８等が用いられる。
【００３８】
なお、上記実施形態では、ＳＡＷデバイスとしてＳＡＷ共振子５０の例を挙げて説明したが、本発明に係るＳＡＷデバイスは、ＳＡＷ発振器やＳＡＷフィルタ等であっても良い。
【００３９】
また、上記実施形態では圧電ウェハ１００とベースウェハ２００との接合に際し、直接接合を採用する旨記載した。しかし本発明における、圧電ウェハ１００とベースウェハ２００との接合方法は、直接接合のみに限ることは無い。例えば接合方法として、表面活性化常温接合や、陽極接合等を採用しても良い。
【００４０】
前記表面活性化常温接合は、加熱処理を行わず、あるいは加熱処理の温度を低温とした状態で、圧電ウェハ１００とベースウェハ２００との間の強固な接合状態を得ることができる接合方法である。表面活性化常温接合は、真空チャンバ内で行われることとなる。そ
の工程としてはまず、接合の妨げとなる表面層（微小な酸化膜や水酸基等）を除去することにより双方のウェハ表面に、原子の結合手を露出させる。この状態で圧電ウェハ１００とベースウェハ２００とを重ね合わせることで、原子間の結合手同士の結合が成され、強固な結合状態を実現するのである。ここで、上述した表面層の除去には、イオンビームやプラズマなどのスパッタエッチングが用いられる。なお、表面層除去後のウェハ表面は、気体分子等とも反応しやすい状態となるため、イオンビームを用いる場合には、アルゴン等の不活性ガスを用いるようにする。
また、前記陽極接合は、可動イオンを含むウェハ同士を静電引力により接合する技術であり、高電圧の付加により成される。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明に係るＳＡＷ素子片の製造方法を示すフローである。
【図２】圧電ウェハをベースウェハに接合した状態を示す図である。
【図３】本発明に係るＳＡＷ素子片の製造方法により製造されるＳＡＷ素子片の形態を示す図である。
【図４】本発明に係るＳＡＷデバイスの形態を示す図である。
【図５】従来の処理方法を示す図である。
【符号の説明】
【００４２】
１０………ＳＡＷ素子片、１２………ＩＤＴ、１４………反射器、２０………パッケージベース、２６………ボンディングパッド、２８………シームリング、３０………リッド、４０………パッケージ、５０………ＳＡＷ共振子、１００………圧電ウェハ、１００ａ………圧電基板、２００………ベースウェハ、２００ａ………ベース基板。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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