(57)【要約】【課題】電子照射時の帯電を除去し易くし、電子ビームの偏向量を低減できるようにした画像表示装置とそれに使用されるスペーサを提供する。【解決手段】冷陰極素子を形成したカソード基板と、蛍光体を形成したアノード基板と、カソード基板とアノード基板の間に配置され両基板を支持するスペーサとを備えた画像表示装置において、スペーサを、遷移金属酸化物を主成分とするリン酸ガラスにより形成し、スペーサ表面部分のリン酸高濃度層の厚みを０．５μｍ以下に抑える。スペーサ表面に、耐水性を有する導電性保護層を設けるとなおよい。これにより、ガラス表面のリン酸高濃度層の厚みが低く抑えられ、電荷が帯電しにくくなり、電子ビーム偏向量を低減することができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
冷陰極素子を形成したカソード基板と、蛍光体を形成したアノード基板と、前記カソード基板と前記アノード基板の間に配置され両基板を支持するスペーサとを備えた画像表示装置において、前記スペーサが遷移金属酸化物を主成分とするリン酸ガラスからなり、スペーサ表面部分のリン酸高濃度層の厚みが０．５μｍ以下であることを特徴とする画像表示装置。
【請求項２】
請求項１において、前記リン酸ガラスに含まれる遷移金属酸化物が酸化バナジウム、酸化タングステン及び酸化モリブデンから選ばれた少なくとも一種よりなることを特徴とする画像表示装置。
【請求項３】
請求項１において、前記リン酸ガラスが酸化タングステンと酸化バナジウムを含み、更にガラス成分としてリン酸化物と酸化バリウムを含むＷ−Ｖ−Ｐ−Ｂａ−Ｏ系ガラス、或いは更に酸化モリブデンを含むＷ−Ｖ−Ｍｏ−Ｐ−Ｂａ−Ｏ系ガラスよりなることを特徴とする画像表示装置。
【請求項４】
請求項３において、前記リン酸ガラス中にアルカリ金属元素を実質的に含まないことを特徴とする画像表示装置。
【請求項５】
請求項３において、前記リン酸ガラス中のアルカリ金属元素の量が酸化物換算で０．５重量％以下に抑えられていることを特徴とする画像表示装置。
【請求項６】
請求項１において、前記スペーサの比抵抗が１０７〜１０１０Ωｃｍであることを特徴とする画像表示装置。
【請求項７】
請求項１において、アノード電圧が１０〜１５ｋＶであることを特徴とする画像表示装置。
【請求項８】
冷陰極素子を形成したカソード基板と、蛍光体を形成したアノード基板と、前記カソード基板と前記アノード基板の間に配置され両基板を支持するスペーサとを備えた画像表示装置において、前記スペーサが遷移金属酸化物を主成分とするリン酸ガラスからなり、スペーサ表面部分のリン酸高濃度層の厚みが０．５μｍ以下であり、且つ、スペーサ表面に極性の大きい元素から構成される導電性保護層を有することを特徴とする画像表示装置。
【請求項９】
請求項８において、前記導電性保護層が錫系酸化物又は亜鉛系酸化物よりなることを特徴とする画像表示装置。
【請求項１０】
冷陰極素子を形成したカソード基板と、蛍光体を形成したアノード基板との間にスペーサを有する画像表示装置における前記スペーサであって、遷移金属酸化物を主成分とするリン酸ガラスからなり、スペーサ表面部分のリン酸高濃度層の厚みが０．５μｍ以下であることを特徴とする画像表示装置用スペーサ。
【請求項１１】
請求項１０において、比抵抗が１０７〜１０１０Ωｃｍであることを特徴とする画像表示装置用スペーサ。
【請求項１２】
請求項１０において、前記リン酸ガラスが酸化タングステンと酸化バナジウムを含み、更にガラス成分としてリン酸化物と酸化バリウムを含むＷ−Ｖ−Ｐ−Ｂａ−Ｏ系ガラス、或いは更に酸化モリブデンを含むＷ−Ｖ−Ｍｏ−Ｐ−Ｂａ−Ｏ系ガラスよりなることを特徴とする画像表示装置用スペーサ。
【請求項１３】
請求項１０において、前記リン酸ガラス中にアルカリ金属元素を実質的に含まないことを特徴とする画像表示装置用スペーサ。
【請求項１４】
請求項１０において、前記リン酸ガラスの表面に極性の大きい元素から構成される導電性保護層を有することを特徴とする画像表示装置用スペーサ。
【請求項１５】
請求項１４において、前記導電性保護層が錫系酸化物又は亜鉛系酸化物よりなることを特徴とする画像表示装置用スペーサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、真空中へ電子を放出させ、電子の衝突により蛍光体を発光させて画像を形成する画像表示装置に係る。特に冷陰極素子を有するカソード基板と、蛍光体を有するアノード基板とをスペーサを介して対向配置した構造を有する平面型画像表示装置と、それに使用されるスペーサに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、情報処理装置或いはテレビジョン放送の高画質化に伴い、高輝度、高精細の特性を有すると共に軽量、省スペース化が図れることから、平面型画像表示装置（ＦＰＤ：Ｆｌａｔ  Ｐａｎｅｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ）への関心が高まっている。この平面型画像表示装置の代表的なものが液晶表示装置やプラズマ表示装置であり、また、最近注目されているフィールドエミッションディスプレイ（Ｆｉｅｌｄ  Ｅｍｉｓｓｉｏｎ  Ｄｉｓｐｌａｙ、以下、ＦＥＤと称する）である。
【０００３】
ＦＥＤは冷陰極素子の電子放出素子をマトリクス状に配置した電子源を有する自発光型の表示装置である。電子放出素子としては、表面伝導型放出素子（ＳＥＤ型）、電界放出型素子（ＦＥ型）、金属／絶縁膜／金属型放出素子（ＭＩＭ型）などが知られている。また、ＦＥ型では、モリブデン等の金属或いはシリコン等の半導体物質で作られたスピン型や、カーボンナノチューブを電子源とするＣＮＴ型などが知られている。
【０００４】
ＦＥＤでは、電子源が形成された背面パネルと、電子源から放出された電子によって励起されて発光する蛍光体が形成された前面パネルとの間に空間を設けて、この部分を真空雰囲気に保つ必要がある。このために、背面パネルと前面パネルの内周縁部分に封止枠が設けられる。また、真空に保たれた空間部が大気圧に耐えられるようにするために、両パネル間にスペーサと呼ばれる支持部材が配置される。
【０００５】
このスペーサとして、絶縁性部材よりなる基材の表面に半導電性部材よりなる層を形成し、更に、その表面を一周するループ状の導電性部材を設けたものが知られている（例えば特許文献１参照）。また、絶縁性ガラスよりなる基材の表面に導電膜を形成したものが知られている（例えば特許文献２参照）。
【０００６】
【特許文献１】特開平10-241606号公報
【特許文献２】特開2004-171968号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
電子源を用いた平面型画像表示装置は、通常、電子源とアノードとの間の電位差が３〜１０ｋＶ程度となるように、アノードに電圧が印加される。この印加電圧が高いほど、パネルの高輝度化と長寿命化を図れるが、一方で背面パネルと前面パネルの間に配置されるスペーサに電荷が帯電しやすくなる。スペーサが帯電すると、カソードからアノードに飛行する電子ビームがスペーサ側に引き寄せられる、或いは、反発してスペーサから遠ざかるという現象が起こる。この結果、明るさが変わり、スペーサの影が画面に表示されるようになって、画質が悪くなるという問題が生じる。また、放電が起こりやすくなり、カソードや他の構造部品が破壊される恐れもある。
【０００８】
スペーサの帯電を防ぐには、スペーサに或る程度の導電性を付与することが必要であり、そのための手段として、特許文献１及び特許文献２に見られるように、絶縁性部材よりなる基材の表面に導電層を設けたものが知られている。
【０００９】
本発明の目的は、電子照射時の帯電を除去し易くし、電子ビームの偏向量を低減できるようにした画像表示装置とそれに使用されるスペーサを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、冷陰極素子を形成したカソード基板と、蛍光体を形成したアノード基板と、カソード基板とアノード基板の間に配置され両基板を支持するスペーサとを備えた画像表示装置において、スペーサが遷移金属酸化物を主成分とするリン酸ガラスからなり、スペーサ表面部分のリン酸高濃度層の厚みが０．５μｍ以下であることを特徴とする。
【００１１】
また、冷陰極素子を形成したカソード基板と、蛍光体を形成したアノード基板と、前記カソード基板と前記アノード基板の間に配置され両基板を支持するスペーサとを備えた画像表示装置において、スペーサが遷移金属酸化物を主成分とするリン酸ガラスからなり、スペーサ表面部分のリン酸高濃度層の厚みが０．５μｍ以下であり、且つ、スペーサ表面に極性の大きい元素から構成される導電性保護層を有することを特徴とする。
【００１２】
また、冷陰極素子を形成したカソード基板と、蛍光体を形成したアノード基板との間にスペーサを有する画像表示装置におけるスペーサであって、遷移金属酸化物を主成分とするリン酸ガラスからなり、スペーサ表面部分のリン酸高濃度層の厚みが０．５μｍ以下であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明のスペーサは、ガラス表面のリン酸高濃度層の厚みが低く抑えられているので帯電しにくい。このため、本発明のスペーサを備えた画像表示装置は電子ビーム偏向量を低減できるという効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。ただし、以下に述べる形態に限定されるものではない。
【実施例】
【００１５】
図１は、平面型画像表示装置に使用される本発明のスペーサの構成を示した概略図である。図２は、本発明のスペーサを備えた平面型画像表示装置の一例として、電界放出型画像表示装置を示したものであり、（ａ）は斜視図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線における概略断面図である。図３は、図２のＡ−Ａ線に沿った断面の詳細構造を示した模式図であり、図４は、図３の一部を拡大して示した断面図である。図５は、画像表示装置の全体構造を斜視図で示したものであり、図６は図５のＢ−Ｂ線に沿った断面図である。
【００１６】
図１において、スペーサ１０１は遷移金属酸化物を主成分とする導電性のリン酸ガラスにより構成されている。ガラス表面にはリン酸高濃度層１２０が形成されているが、その厚みは０．５μｍ以下に抑えられている。スペーサ１０１は背面パネルにおけるカソード基板２１１と前面パネルにおけるアノード基板２２１の間に配置されており、それぞれの基板と導電性接着剤１１５により接着されている。
【００１７】
背面パネル２０１は、パネルの基材であるカソード基板２１１の内面側に信号線（データ線、カソード電極線）２１２と走査線（ゲート電極線）２１３を有しており、この信号線と走査線の交差部近傍に電子源２１４が形成されている。電子源２１４は冷陰極素子の電子放出素子がマトリクス状に配置されたものである。走査線２１３の端部には図５に示したように走査線引き出し線２１６が形成され、信号線２１２の端部には、図５及び図６に示したように信号線引き出し線２１７が形成されている。
【００１８】
前面パネル２０２は、パネルの基材であるアノード基板２２１の内面側に遮光膜（ブラックマトリクス）２２２と、アノード（メタルバック）２２３及び蛍光体層２２４等を有している。なお、図２〜６ではスペーサ１０１の構造を簡略化して一枚の板の形で示したが、実際には図１に示すように構成されている。
【００１９】
カソード基板２１１とアノード基板２２１の内周縁部には封止枠（枠ガラス）２０３が設けられ、この封止枠とカソード基板及びアノード基板が封着剤により接着され、封止接着層２０４が形成されている。これによって、背面パネルと前面パネルとの間に空間部分が形成される。この空間部分は通常、１０−５〜１０−７Ｔｏｒｒの圧力の真空雰囲気に保持され、表示領域２０７となる。表示領域２０７を真空雰囲気に保持するために、図５及び図６に示したように背面パネル２０１の一部に排気管２０８が接続される。
【００２０】
スペーサ１０１は、カソード基板２１１の内面に形成された走査線２１３とアノード基板２２１の内面に形成された遮光膜（ブラックマトリクス）２２２との間に設置され、導電性接着剤１１５によって接着される。なお、図２〜６では、走査線２１３に沿って三枚のスペーサが配置されているが、これは一例であって、例えば一枚の長いスペーサを配置しても良い。
【００２１】
カソード基板２１１の材料は、ガラス又はアルミナ等のセラミックスが好適であり、アノード基板２２１の材料は透明なガラスが好適である。通常はカソード基板にガラス板が用いられる。また、通常、カソード基板とアノード基板との内周縁部の間隔は、２〜５ｍｍ程度に保たれる。
【００２２】
図７は、本実施例の平面型画像表示装置における一画素の構成例を模式図で示したものである。背面パネル２０１において、カソード基板２１１の主面（内側表面）には、アルミニウム膜を好適とする電子源の下部電極を構成する信号線２１２、下部電極のアルミニウムを陽極酸化した陽極酸化膜からなる第一の絶縁膜２７１、窒化シリコン膜（ＳｉＮ）を好適とする第二の絶縁膜２７２、給電電極(接続電極)２７４、クロムを好適とする走査線２１３、走査線２１３に接続された画素の電子源を構成する上部電極２７５が形成されている。
【００２３】
電子源２１４は、信号線２１２を下部電極とし、下部電極の上に位置する第一の絶縁膜２７１の一部を形成する薄膜部分２７３と、この薄膜部分２７３の上層に積層される上部電極２７５の部分とで構成される。上部電極２７５は、走査線２１３と給電電極２７４の一部とを覆って形成されている。薄膜部分２７３は、所謂トンネル膜である。この構成で、所謂ダイオード電子源が形成される。
【００２４】
一方、前面パネル２０２において、透明なガラス基板を好適とするアノード基板２２１の主面には、遮光膜（ブラックマトリクス）２２２で隣接画素と区画された蛍光体層２２４、アルミニウム蒸着膜を好適とするアノード２２３が形成されている。背面パネル２０１と前面パネル２０２の間にはスペーサ１０１が配置されている。
【００２５】
このように構成された平面型画像表示装置において、背面パネル２０１の上部電極２７５と前面パネル２０２のアノード２２３との間に加速電圧を印加すると、下部電極である信号線２１２に供給される表示データの大きさに応じた電子ｅ−が出射し、加速電圧によって蛍光体層２２４に衝突し、これを励起して所定周波数の光２５０を前面パネル２０２の外部に出射する。なお、フルカラー表示の場合には、この単位画素はカラーの副画素（サブピクセル）であり、通常は赤（Ｒ），緑（Ｇ），青（Ｂ）の三つの副画素で一つのカラー画素（カラーピクセル）が構成される。
【００２６】
図８は本実施例の平面型画像表示装置の等価回路例を説明する図である。図８において破線で示された領域は表示領域２０７であり、この表示領域２０７にｎ本の信号線２１２とｍ本の走査線２１３が互いに交差して配置され、ｎ×ｍのマトリクスが形成されている。マトリクスの各交差部は副画素を構成し、図中の三つの単位画素（或いは、副画素）すなわちＲ，Ｇ，Ｂの１グループで、カラー１画素を構成する。信号線２１２は、信号線引き出し線２１６によって画像信号駆動回路２８１に接続され、走査線２１３は走査線引き出し線２１７によって走査信号駆動回路２８２に接続されている。画像信号駆動回路２８１には外部信号源から画像信号ＮＳが入力され、走査信号駆動回路２８２には同様に走査信号ＳＳが入力される。
【００２７】
これにより、順次選択される走査線２１３に交差する信号線２１２に画像信号を供給することで、二次元のフルカラー画像を表示することができる。
【００２８】
本実施例の平面型画像表示装置において、スペーサは電子放出素子からの電子の作用により電荷が帯電しやすい。スペーサが帯電すると、スペーサ近傍では電子放出素子から放出される電子ビームの軌道が曲げられ、スペーサ側に引き寄せられる、或いは、スペーサ側から遠ざかるという現象が生じて、画質が低下するようになる。スペーサを帯電しにくくして、電子ビームの偏向を抑制するには、スペーサの表面に導電性を有する層を形成するか或いはスペーサ自身にある程度の導電性を付与して、スペーサ表面に微小電流を流すことが望ましい。
【００２９】
遷移金属酸化物を含むリン酸ガラスは導電性を有するので、画像表示装置のスペーサとして好適である。しかし、遷移金属酸化物を含有して導電性を高めたのにもかかわらず、帯電し易いスペーサがあることが分かった。この原因を究明するために、帯電しやすいスペーサを調べたところ、表面のリン酸濃度が内部に比べて高いことが確認された。これは、スペーサの保管中に、スペーサ表面に水分が付着し、これにより、スペーサ内部のリン酸が表面側に引き寄せられることによる。ガラススペーサは一般に、原料粉末を混合し、溶解炉で溶解した後、線引きする等の方法で作られる。組成は均質である。しかし、スペーサの保管時に、大気中の湿気の影響を受けてスペーサ表面にリン酸濃度の高い層が形成される。この結果として、スペーサ表面部分の遷移金属濃度が低下して、スペーサ表面の電気抵抗が高くなり、帯電し易くなる。
【００３０】
更に検討を行なった結果、スペーサ表面のリン酸高濃度層の厚みを最大で０．５μｍまでに抑えれば、帯電を低減する効果が発現されることが分かった。リン酸高濃度層の厚みが０．５μｍを超えると、スペーサ表面が帯電しやすく、ビーム偏向量が大きくなってしまい、スペーサの影が画面上に観測されるようになる。スペーサ表面のリン酸高濃度層の厚みを０．５μｍ以下に抑える方法としては、以下の（１）〜（４）に示す方法が好適である。もちろん、これらの方法に限定されるものではない。
（１）スペーサを真空パックして保管する。
（２）スペーサを製造後、水中に浸し、表面部のリン酸を溶出させる。
（３）スペーサの製造過程或いは製造後に、スペーサの表面に耐水性を有する導電性保護層を形成する。具体的には、極性の大きい元素から構成される導電性保護層を形成することが好ましい。極性の大きい元素は、水分をはじく効果がある。この一例としては、錫酸化物よりなる層或いは亜鉛酸化物よりなる層を設けることが好ましい。耐導電性保護層の厚みは、コートする材質にもよるが、錫系酸化物であれば０．１μｍ以下で十分である。最小厚みは０．０２μｍ程度がよい。
（４）リン酸ガラス中に、アルカリ金属を含有させないか、或いは含有しても酸化物換算で０．５重量％以下に抑える。アルカリ金属には吸湿性があり、ガラスの成分中にアルカリ金属を含有することで吸湿性が増し、スペーサ表面にリン酸高濃度層が形成されやすくなる。
【００３１】
真空パックして保管する場合には、取り出した後、速やかに画像表示装置に組み込むことが望ましい。
【００３２】
本発明のスペーサは、表面部分のリン酸高濃度層の厚みが薄く抑えられているので、結果的に表面部分の遷移金属元素濃度の低下が抑えられ、表面の電気抵抗が低くなり、帯電しにくくなって電子ビームの偏向量が低減される。
【００３３】
スペーサ表面に耐水性の導電性保護層を有するスペーサは、一例として、所望のガラス組成で作製したガラスプリフォームを溶解した後、線引きし、線引きの過程で錫系コート液或いは亜鉛系コート液をスプレーし、加熱して焼付けることにより製造することができる。
【００３４】
この方法をもう少し詳細に説明する。まず、ガラス原料を配合、混合、溶融し、ガラスインゴットを作製する。このインゴットを加工し、ガラスプリフォームを作製する。このプリフォームを線引き炉に装着する。線引き炉の下向には、導電性保護膜となるコート液をスプレーするためのスプレー装置と、コートした材料を加熱して焼付けるための焼付け炉を設置する。この製造装置により、ガラスプリフォームからスペーサを連続的に線引きしつつ、スプレー装置から錫系コート液或いは亜鉛系コート液をスプレーし、焼付け炉で焼付けると、ガラス表面が導電性の錫系酸化物或いは亜鉛系酸化物の層が形成されたスペーサを製造することができる。錫系酸化物或いは亜鉛系酸化物には、大気中の水分のアタックを防止する効果があり、リン酸高濃度層がガラススペーサの養面に発生するのを抑制できる。
【００３５】
本発明のスペーサは、遷移金属酸化物として酸化バナジウム、酸化タングステン、酸化モリブデンから選ばれた少なくとも一種を含むことが望ましい。特に、酸化バナジウムを含むものが望ましい。これらの酸化物は、いずれもガラス中で導電性を有しており、帯電抑制効果がある。これらの酸化物の中では、酸化バナジウムが最も導電性が優れており、次いで酸化タングステン、酸化モリブデンの順で優れている。さらに、酸化タングステンにはガラスの耐熱性を向上する効果、酸化モリブデンにはガラスの二次電子放出を低減する効果がある。このため、本発明ではこれらの酸化物の全てを含むことが望ましいが、酸化モリブデンはガラスの化学的安定性を劣化させることがあるので、注意が必要である。このような場合には、酸化モリブデンを取り除くことが望ましい。
【００３６】
スペーサの材料には、以上述べた遷移金属酸化物のほかに、ガラス化に必要なリン酸化物が混合される。リン酸化物に加えて酸化バリウムを混合してもよい。また、酸化バリウムはその含有量によってガラスの熱膨張係数を制御することができる。
【００３７】
本発明では、スペーサ材料が、酸化バナジウムと酸化タングステンと酸化バリウム及びリン酸化物を含むＷ−Ｖ−Ｐ−Ｂａ−Ｏ系ガラス、或いは更に酸化モリブデンを含むＷ−Ｖ−Ｍｏ−Ｐ−Ｂａ−Ｏ系ガラスからなり、アルカリ金属を実質的に含有しないものからなることを提案する。
【００３８】
スペーサの比抵抗は消費電力低減及び帯電防止の観点から１０７〜１０１０Ωｃｍであることが望ましく、酸化バナジウム、酸化タングステン或いは酸化モリブデンの含有量を調整することによって制御可能である。スペーサの比抵抗が１０７Ωｃｍ未満では、スペーサに電流が流れすぎ、熱暴走し、パネル破損が生じ易くなる。１０１０Ωｃｍを超えると、スペーサが帯電しやすく電子ビームが大きく吸引されるようになる。
【００３９】
本発明の画像表示装置は、スペーサが帯電しにくいので、アノード電圧を１０〜１５ｋＶ程度まで高めることが可能であり、これにより画質向上が図れる。アノード電圧がこの範囲内にあると、十分な輝度が得られ、また、スパークが発生しにくく、スペーサや配線の破損が生じにくくなる。
【００４０】
次に、表１に示す５種類の成分組成を有するガラスでスペーサを作り、実験を行なった結果について説明する。
【００４１】
スペーサは、容器の底部に設けた穴から、溶融状態のガラスを連続的に引き出す線引き方法により製造した。表１のＡ〜Ｅよりなる５種類のガラスで、まず、導電性保護膜を有しないスペーサを作った。次に、表１のＡに示す成分組成のガラスで導電性保護膜を有する４通りのスペーサを作った。スペーサの形状は、高さが３ｍｍ、厚みが０．１２ｍｍ、長さが３５０ｍｍとした。
【００４２】
表１のＡ〜Ｅのガラス成分からなり、導電性保護膜を有しないスペーサについて、１０−６Ｐａの真空中で比抵抗（Ωｃｍ  １ｋＷ）を測定した結果を、ガラス成分と合わせて表１に示す。
【００４３】
また、導電性保護層を有しないスペーサＡ〜Ｅについて、線引き直後及び線引きしてから一日経過した後のリン酸高濃度層の厚みを、ＳＩＭＳ分析装置を用いて測定した結果を表２に示す。また、導電性保護層を有する４通りのスペーサについて、製造後一日経過した後のリン酸高濃度層の厚みを表３に示す。
【００４４】
【表１】
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【００４５】
【表２】
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【００４６】
【表３】
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【００４７】
表１に示すガラス成分において、ガドリニウム酸化物は耐水性向上成分として含有している。また、ガラス成分中にアルカリ金属としてナトリウムを含むものについてもスペーサを作った。
【００４８】
表２から明らかなように、いずれのスペーサも製造後、放置しておくと表面のリン酸高濃度層の厚みが増大する。ガドリニウム酸化物を含むものは、他のスペーサに比べて、放置後のリン酸高濃度層の厚みが小さいが、それでも、かなりの割合で厚みが増大している。ナトリウム酸化物を含むものは、リン酸高濃度層の厚みが大きく、ナトリウム量が多いほど、リン酸高濃度層の厚みが大きい。
【００４９】
これに対し、スペーサの表面に導電性保護層を設けたものは、線引き後、一日が経過しても、リン酸高濃度層の厚みが増大しない。錫系酸化物をコートしたケースでは、厚みを３通りに変化させてみたが、線引きしてから一日経過後のリン酸高濃度層の厚みに大きな違いは見られなかった。また、錫系酸化物と亜鉛系酸化物との間には優位差は認められなかった。導電性保護層の厚みは、できれば薄い方が好ましく、表３の実験結果より、錫系酸化物の場合は０．１μｍ以下、亜鉛系酸化物の場合には、１．０μｍ以下の厚みが好ましい。
【００５０】
表３に示すスペーサａ１を用いて、カソード基板とアノード基板との間に３ｍｍ高さの空間部を有する平面型画像表示装置を試作した。そして、パネル内の真空度を１０−６Ｐａとし、アノード電圧を７ｋＶ，１０ｋＶ，１５ｋＶの３通りに変えて電子ビーム偏向量を測定した。電子ビーム偏向量とリン酸高濃度層の深さとの関係を図９に示す。１０ｋＶ以上のアノード電圧を印加しても、電子ビームの偏向量は少なく、本発明のパネルは高電圧の印加が可能であることが確認された。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】平面型画像表示装置のカソード基板とアノード基板の間に本発明のスペーサを配置した状態を模式図で示した正面図。
【図２】本発明の平面型画像表示装置の全体構造を示したものであり、（ａ）は斜視図、（ｂ）はＡ−Ａ断面図。
【図３】本発明の平面型画像表示装置を正面から見た断面図。
【図４】本発明の平面型画像表示装置の一部分を詳細に示した断面図。
【図５】本発明の平面型画像表示装置の全体構造を一部破断して示した斜視図。
【図６】図５のＢ−Ｂ線に沿って切断した断面図。
【図７】本発明の平面型画像表示装置における一画素の構成例を示した模式図。
【図８】本発明の平面型画像表示装置の等価回路例を説明するための図。
【図９】本発明のスペーサを搭載したパネルについて、電子ビーム偏向量とリン酸高濃度層の深さとの関係を示した図。
【符号の説明】
【００５２】
１０１…スペーサ、１１５…導電性接着層、１２０…リン酸高濃度層、２０１…背面パネル、２０２…前面パネル、２０３…封止枠、２０４…封止接着層、２１１…カソード基板、２１２…信号線、２１３…走査線、２１４…電子源、２０７…表示領域、２２１…アノード基板、２２２…遮光膜（ブラックマトリクス）、２２３…アノード、２２４…蛍光体層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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