(57)【要約】【課題】積層構造体上の上部電極の部分と補助配線上の上部電極の部分とを結ぶ上部電極の部分の変質を確実に防止することができる有機ＥＬ表示装置を提供する。【解決手段】有機ＥＬ表示装置は、（Ａ）下部電極２１、（Ｂ）開口部２６を有し、開口部２６の底部に下部電極が露出した絶縁層２４、（Ｃ）補助配線２５、（Ｄ）開口部２６の底部に露出した下部電極２１の部分の上から、開口部２６を取り囲む絶縁層２４の部分２４’に亙り設けられ、有機発光材料から成る発光層を備えた積層構造体２３、及び、（Ｅ）上部電極２２を具備した有機ＥＬ素子を複数有しており、積層構造体２３は、補助配線２５と接する部分２３’を有しており、絶縁層２４及び補助配線２５は、複数の有機ＥＬ素子において共通して設けられており、上部電極２２は、複数の有機ＥＬ素子を構成する積層構造体２３及び補助配線２５の全面を覆っている。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）下部電極、
（Ｂ）開口部を有し、開口部の底部に下部電極が露出した絶縁層、
（Ｃ）補助配線、
（Ｄ）開口部の底部に露出した下部電極の部分の上から、開口部を取り囲む絶縁層の部分に亙り設けられ、有機発光材料から成る発光層を備えた積層構造体、及び、
（Ｅ）上部電極、
を具備した有機エレクトロルミネッセンス素子を、複数、有する有機エレクトロルミネッセンス表示装置であって、
積層構造体を構成する複数の層の内、少なくとも１層は、補助配線と接する部分を有しており、
絶縁層及び補助配線は、複数の有機エレクトロルミネッセンス素子において共通して設けられており、
上部電極は、複数の有機エレクトロルミネッセンス素子を構成する積層構造体及び補助配線の全面を覆っていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項２】
積層構造体を構成する複数の層の内の少なくとも１層の補助配線と接する部分は、補助配線の上に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項３】
上部電極はマグネシウムを含む導電材料から成り、上部電極の厚さは４ｎｍ乃至２０ｎｍであることを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項４】
（Ａ）下部電極、
（Ｂ）開口部を有し、開口部の底部に下部電極が露出した絶縁層、
（Ｃ）補助配線、
（Ｄ）開口部の底部に露出した下部電極の部分の上から、開口部を取り囲む絶縁層の部分に亙り設けられ、有機発光材料から成る発光層を備えた積層構造体、及び、
（Ｅ）上部電極、
を具備した有機エレクトロルミネッセンス素子を、複数、有する有機エレクトロルミネッセンス表示装置であって、
補助配線の上方に位置する上部電極の部分は、下から電荷注入層及び電荷輸送層から成る２層構造層を介して、補助配線と電気的に接続されており、
絶縁層及び補助配線は、複数の有機エレクトロルミネッセンス素子において共通して設けられており、
上部電極は、絶縁層と接すること無く、複数の有機エレクトロルミネッセンス素子を構成する積層構造体及び２層構造層を覆っていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項５】
補助配線の上方に位置する上部電極の部分と積層構造体を覆っている上部電極の部分との間に位置する上部電極の部分と、絶縁層との間には、２層構造層が延在していることを特徴とする請求項４に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項６】
２層構造層は、下部電極の上に位置する積層構造体の部分と上部電極との間にまで延在していることを特徴とする請求項５に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項７】
積層構造体を構成する複数の層の内、少なくとも１層は、補助配線と接する部分を有していることを特徴とする請求項４に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項８】
補助配線と上部電極との間を流れる電流の電流密度が１０Ａ／ｃｍ2以下のとき、補助配線と上部電極との間における電圧降下が５ボルト以下であることを特徴とする請求項４に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項９】
上部電極はマグネシウムを含む導電材料から成り、上部電極の厚さは４ｎｍ乃至２０ｎｍであることを特徴とする請求項４に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機材料のエレクトロルミネッセンス（Electroluminescence：以下、ＥＬと略称する）を利用した有機エレクトロルミネッセンス表示装置（有機ＥＬ表示装置と略称する）を構成する有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子と略称する）においては、有機正孔輸送層や有機発光層を積層させて成る積層構造体が、下部電極と上部電極との間に設けられており、低電圧直流駆動による高輝度発光が可能な発光素子として注目されている。
【０００３】
このような有機ＥＬ素子は、応答速度が１マイクロ秒以下であるので、有機ＥＬ表示装置にあっては、単純マトリックス方式によるデューティー駆動が可能である。しかしながら、画素数の増加に伴い高デューティー化が進んだ場合、十分な輝度を確保するためには有機ＥＬ素子に瞬間的に大電流を供給する必要があり、有機ＥＬ素子にダメージが生じ易くなる。
【０００４】
一方、アクティブマトリックス駆動方式では、副画素毎に、薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor：以下、ＴＦＴと略称する）と共に保持容量を形成することで、信号電圧が保持される。それ故、１表示フレームにおける所望の期間の間、常に、信号電圧に応じた駆動電流を有機ＥＬ素子に供給することができる。従って、単純マトリックス方式のように瞬間的に大電流を有機ＥＬ素子に供給する必要がなく、有機ＥＬ素子に対するダメージを少なくすることができる。尚、１画素は、通常、赤色を発光する赤色発光副画素、緑色を発光する緑色発光副画素、及び、青色を発光する青色発光副画素の３種類の副画素から構成されている。
【０００５】
このようなアクティブマトリックス駆動方式の有機ＥＬ表示装置にあっては、図１３に模式的な一部断面図を示し、図１４に模式的な一部平面図を示すように、各副画素に対応して第１基板１１上にＴＦＴが設けられており、これらのＴＦＴが層間絶縁層１６（下層層間絶縁層１６Ａ及び上層層間絶縁層１６Ｂ）で覆われている。そして、この上層層間絶縁層１６Ｂ上に、ＴＦＴに電気的に接続された下部電極１２１が副画素毎に設けられている。更には、下部電極１２１を含む上層層間絶縁層１６Ｂの上には絶縁層１２４が形成され、この絶縁層１２４には、底部に下部電極１２１が露出した開口部１２６が設けられている。そして、開口部１２６の底部に露出した下部電極１２１の部分の上から、開口部１２６を取り囲む絶縁層１２４の部分１２４’に亙り、有機発光材料から成る発光層を備えた積層構造体１２３が設けられている。また、積層構造体１２３を含む絶縁層１２４上に、共通電極としての上部電極１２２が形成されている。尚、参照番号１２はＴＦＴを構成するゲート電極、参照番号１３はＴＦＴを構成するゲート絶縁膜、参照番号１４はＴＦＴを構成するソース／ドレイン領域、参照番号１５はＴＦＴを構成するチャネル形成領域、参照番号１７は配線、参照番号３１は保護膜、参照番号３２は接着層、参照番号３３は第２基板であり、これらについては、実施例１において、詳しく説明する。
【０００６】
ところで、ＴＦＴが形成された第１基板１１上に層間絶縁層１６を介して積層構造体１２３が形成されているため、積層構造体１２３で発生した発光光を第１基板側から取り出す、所謂下面発光型の有機ＥＬ表示装置とした場合、ＴＦＴによって発光光の取り出し領域が狭められてしまう。そこで、第１基板１１とは反対側の第２基板３３から発光光を取り出す、所謂上面発光型の有機ＥＬ表示装置を採用することが望ましい。
【０００７】
上面発光型の有機ＥＬ表示装置を採用した場合、通常、下部電極１２１を反射材料から構成し、上部電極１２２を透明導電材料や半透明導電材料から構成する。然るに、インジウムとスズの酸化物（ＩＴＯ）やインジウムと亜鉛の酸化物（ＩＺＯ）等の透明導電材料や薄膜の金属から成る半透明導電材料は、金属等と比較して電気抵抗値が高い。それ故、共通電極としての上部電極１２２内において電圧勾配が発生する結果、電圧降下が生じ易い。そして、このような電圧降下が生じると、各副画素を構成する積層構造体１２３に印加される電圧が不均一となり、有機ＥＬ表示装置の表示領域の、例えば、中央部分での発光強度が低下する等、表示性能が著しく低下してしまう。
【０００８】
このような問題を解決するための手段が、例えば、特開２００１−１９５００８や特開２００４−２０７２１７から周知である。これらの特許公開公報に開示された技術にあっては、積層構造体１２３とは絶縁層１２４によって隔てられた補助配線１２５が設けられており、上部電極１２２は、積層構造体１２３上から絶縁層１２４上を経て補助配線１２５上にまで亙り形成されている。補助配線１２５は、金属等の低電気抵抗値を有する導電材料から形成されている。
【０００９】
【特許文献１】特開２００１−１９５００８
【特許文献２】特開２００４−２０７２１７
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
絶縁層１２４は、屡々、有機材料から構成されている。そして、開口部１２６を有する絶縁層１２４を層間絶縁層１６上に形成した後、開口部１２６の底部に露出した下部電極１２１の表面の清浄化を図るために、酸素ラジカル等を用いたプラズマ処理が施される。このようなプラズマ処理を行うことで、開口部１２６の底部に露出した下部電極１２１の表面の有機物等が除去される。然るに、このようなプラズマ処理を行うと、絶縁層１２４の表面も活性化されてしまう。例えば、絶縁層１２４をポリイミド樹脂から構成した場合、酸素プラズマ処理を施さない場合の絶縁層１２４と水との接触角は約７８°であったものが、酸素プラズマ処理を施した後の絶縁層１２４と水との接触角は約２２°となった。
【００１１】
補助配線１２５を設けることは、上部電極１２２の電圧降下による画質低下防止に非常に優れており、有用である。しかしながら、絶縁層１２４が、上述したように、活性な状態にあると、特に上部電極が薄膜の金属から成る半透明導電材料である場合には、積層構造体１２３を形成した後、上部電極１２２を形成したとき、積層構造体１２３上の上部電極１２２の部分と補助配線１２５上の上部電極１２２の部分とを結ぶ絶縁層１２４上の上部電極１２２の部分（非重複部分１２２’）が変質してしまい、導電性が著しく低下する。そして、その結果、画質の低下が発生するといった問題が生じる。
【００１２】
従って、本発明の目的は、積層構造体上の上部電極の部分と補助配線上の上部電極の部分とを結ぶ上部電極の部分の変質を確実に防止することができる構成、構造を有する、表示性能に優れた有機ＥＬ表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記の目的を達成するための本発明の第１の態様に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置（本発明の第１の態様に係る有機ＥＬ表示装置と略称する）は、
（Ａ）下部電極、
（Ｂ）開口部を有し、開口部の底部に下部電極が露出した絶縁層、
（Ｃ）補助配線、
（Ｄ）開口部の底部に露出した下部電極の部分の上から、開口部を取り囲む絶縁層の部分に亙り設けられ、有機発光材料から成る発光層を備えた積層構造体、及び、
（Ｅ）上部電極、
を具備した有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子と略称する）を、複数、有しており、
積層構造体を構成する複数の層の内、少なくとも１層は、補助配線と接する部分を有しており、
絶縁層及び補助配線は、複数の有機ＥＬ素子において共通して設けられており、
上部電極は、複数の有機ＥＬ素子を構成する積層構造体及び補助配線の全面を覆っていることを特徴とする。
【００１４】
本発明の第１の態様に係る有機ＥＬ表示装置において、積層構造体を構成する複数の層の内の少なくとも１層の補助配線と接する部分（重複部分）は、補助配線の上（より具体的には、補助配線の縁部の上）に形成されている形態とすることができる。また、このような好ましい形態を含む本発明の第１の態様に係る有機ＥＬ表示装置にあっては、限定するものではないが、積層構造体は、２本の補助配線と接している形態（具体的には、積層構造体を挟んで平行に延びる２本の補助配線の縁部と重複している形態）とすることができる。
【００１５】
上記の目的を達成するための本発明の第２の態様に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置（本発明の第２の態様に係る有機ＥＬ表示装置と略称する）は、
（Ａ）下部電極、
（Ｂ）開口部を有し、開口部の底部に下部電極が露出した絶縁層、
（Ｃ）補助配線、
（Ｄ）開口部の底部に露出した下部電極の部分の上から、開口部を取り囲む絶縁層の部分に亙り設けられ、有機発光材料から成る発光層を備えた積層構造体、及び、
（Ｅ）上部電極、
を具備した有機ＥＬ素子を、複数、有しており、
補助配線の上方に位置する上部電極の部分は、下から電荷注入層及び電荷輸送層から成る２層構造層を介して、補助配線と電気的に接続されており、
絶縁層及び補助配線は、複数の有機ＥＬ素子において共通して設けられており、
上部電極は、絶縁層と接すること無く、複数の有機ＥＬ素子を構成する積層構造体及び２層構造層を覆っていることを特徴とする。
【００１６】
本発明の第２の態様に係る有機ＥＬ表示装置においては、補助配線の上方に位置する上部電極の部分と積層構造体を覆っている上部電極の部分との間に位置する上部電極の部分と、絶縁層との間には、２層構造層が延在している形態とすることができ、更には、２層構造層は、下部電極の上に位置する積層構造体の部分と上部電極との間にまで延在している形態とすることができる。２層構造層が下部電極の上に位置する積層構造体の部分と上部電極との間にまで延在している形態である場合、具体的には、２層構造層及びその上に形成された上部電極が、複数の有機エレクトロルミネッセンス素子を構成する積層構造体を覆っている。この場合、２層構造層及びその上に形成された上部電極を同じプロセスにて形成することができ、製造工程の簡素化、使用するマスク数の低減を図ることができる。あるいは又、本発明の第２の態様に係る有機ＥＬ表示装置においては、積層構造体を構成する複数の層の内、少なくとも１層は、補助配線と接する部分を有している形態とすることができる。
【００１７】
また、上記の好ましい形態を含む本発明の第２の態様に係る有機ＥＬ表示装置においては、補助配線と上部電極とのコンタクト部分を流れる電流の電流密度が１０Ａ／ｃｍ2以下のとき、補助配線と上部電極との間における電圧降下が５ボルト以下であることが好ましい。このような好ましい形態は、２層構造層を構成する材料の適切なる選択、上部電極と補助配線とを電気的に接続する２層構造層の部分の面積の最適化を図ることによって達成することができる。
【００１８】
更には、以上に説明した好ましい形態を含む本発明の第１の態様あるいは第２の態様に係る有機ＥＬ表示装置にあっては、上部電極は、マグネシウム（Ｍｇ）を含む導電材料、例えば、Ｍｇ−Ａｇ合金から成り、上部電極の厚さは、４ｎｍ乃至２０ｎｍ、好ましくは、６ｎｍ乃至１２ｎｍである構成とすることができる。
【００１９】
以上に説明した好ましい構成、形態を含む本発明の第１の態様あるいは第２の態様に係る有機ＥＬ表示装置（以下、単に、本発明と呼ぶ場合がある）において、有機ＥＬ表示装置をカラー表示の有機ＥＬ表示装置としたとき、有機ＥＬ表示装置を構成する有機ＥＬ素子のそれぞれによって、副画素が構成される。ここで、１画素は、例えば、赤色を発光する赤色発光副画素、緑色を発光する緑色発光副画素、及び、青色を発光する青色発光副画素の３種類の副画素から構成されている。従って、この場合、有機ＥＬ表示装置を構成する有機ＥＬ素子の数をＮ×Ｍ個とした場合、画素数は（Ｎ×Ｍ）／３である。
【００２０】
本発明の第１の態様に係る有機ＥＬ表示装置において、上部電極は、複数の有機ＥＬ素子を構成する積層構造体及び補助配線の全面を覆っているが、具体的には、限定するものではないが、Ｎ×Ｍ個の（即ち、全ての）有機ＥＬ素子を構成する積層構造体及び補助配線が、１枚の上部電極によって覆われている構成とすることが好ましい。また、本発明の第２の態様に係る有機ＥＬ表示装置において、上部電極は、複数の有機ＥＬ素子を構成する積層構造体を覆っているが、具体的には、限定するものではないが、Ｎ×Ｍ個の（即ち、全ての）有機ＥＬ素子を構成する積層構造体が、１枚の上部電極によって覆われている構成とすることが好ましい。そして、この場合、Ｎ×Ｍ個の（即ち、全ての）有機ＥＬ素子を構成する積層構造体が１枚の２層構造層によって覆われている構成とすることが、一層好ましい。
【００２１】
本発明の第２の態様に係る有機ＥＬ表示装置において、下部電極をアノード電極として用い、上部電極をカソード電極として用いる場合、２層構造層を構成する電荷注入層は電子注入層から成り、電荷輸送層は電子輸送層から成る。一方、下部電極をカソード電極として用い、上部電極をアノード電極として用いる場合、２層構造層を構成する電荷注入層は正孔注入層から成り、電荷輸送層は正孔輸送層から成る。これらの各層を構成する材料は、有機ＥＬ素子において、電子注入層、電子輸送層、正孔注入層、正孔輸送層を構成する周知の材料と同じとすればよく、一例として、電子注入層を構成する材料として、ＬｉＦを挙げることができるし、電子輸送層を構成する材料として、バソフェナントロリン、バソクプロイン（ＢＣＰ）、アントラセン系電子輸送材料を挙げることができる。これらの各層を構成する材料は、積層構造体における同じ機能を有する層を構成する材料と、同じであってもよいし、異なっていてもよい。２層構造層は、積層構造体に対して影響を及ぼすことのない程度に成膜粒子のエネルギーが小さい成膜方法である真空蒸着法に基づき形成することが好ましい。
【００２２】
本発明において、有機ＥＬ表示装置が上面発光型であり、下部電極をアノード電極として用いる場合、下部電極は、クロム（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）といった、仕事関数の値が大きく、且つ、光反射率の高い導電材料から構成することが望ましい。更に、アルミニウム（Ａｌ）及びアルミニウムを含む合金等の仕事関数の値が小さく、且つ、光反射率の高い導電材料の場合には、適切な正孔注入層を設けるなどして正孔注入性を向上させることで、下部電極をアノード電極として用いることができる。また、光反射性の高い導電材料上にインジウムとスズの酸化物（ＩＴＯ）やインジウムと亜鉛の酸化物（ＩＺＯ）等の正孔注入特性に優れた透明導電材料を積層した構造とすることもできる。一方、下部電極をカソード電極として用いる場合、下部電極は、仕事関数の値が小さく、且つ、光反射率の高い導電材料から構成することが望ましいが、アノード電極として用いられる光反射率の高い導電材料に適切な電子注入層を設けるなどして電子注入性を向上させることで、下部電極をカソード電極として用いることができる。下部電極の形成方法として、例えば、電子ビーム蒸着法や熱フィラメント蒸着法といった蒸着法、スパッタリング法、化学的気相成長法（ＣＶＤ法）やイオンプレーティング法とエッチング法との組合せ；スクリーン印刷法やインクジェット印刷法、メタルマスク印刷法といった各種印刷法；メッキ法（電気メッキ法や無電解メッキ法）；リフトオフ法；レーザアブレーション法；ゾル−ゲル法等を挙げることができる。
【００２３】
一方、有機ＥＬ表示装置が上面発光型であり、上部電極をカソード電極として用いる場合、上部電極は、発光光を透過し、しかも、積層構造体に対して電子を効率的に注入できるように仕事関数の値の小さな導電材料から構成することが望ましい。具体的には、上述したとおり、Ｍｇ−Ａｇ合金薄膜のような光透過率の高い導電膜（例えば、光透過率が３０％以上の金属あるいは合金材料）を上部電極として用いることが好ましい。尚、Ｍｇ−Ａｇ合金から成る上部電極の厚さが４ｎｍ以上でないと、電極として十分に機能しなくなる虞がある。一方、厚さが２０ｎｍを越えると、光透過率が低下するため、上部電極としては不適当となる虞がある。また、上部電極をアノード電極として用いる場合、上部電極は、発光光を透過し、しかも、仕事関数の値の大きな導電材料から構成することが望ましい。上部電極は、特に真空蒸着法のような成膜粒子のエネルギーが小さな成膜方法、あるいは又、ＭＯＣＶＤ法といった成膜方法に基づき形成することが、積層構造体のダメージ発生を防止するといった観点から好ましい。積層構造体にダメージが発生すると、リーク電流の発生による「滅点」と呼ばれる非発光画素（あるいは非発光副画素）が生じる虞がある。また、積層構造体の形成から上部電極の形成までを大気に暴露することなく実行することが、大気中の水分による積層構造体の劣化を防止するといった観点から好ましい。上部電極をカソード電極として用いる場合、上部電極の直下に、上部電極と同じパターンを有する電子注入層（例えば、厚さ０．３ｎｍといった極薄のＬｉＦから成る）を形成してもよく、これによって、電子注入性を高めて、有機ＥＬ素子の低駆動電圧化と高効率、長寿命化を図ることができる。
【００２４】
本発明において、絶縁層は、平坦性に優れ、しかも、積層構造体の水分による劣化を防止して発光輝度を維持するために、吸水率の低い絶縁材料から構成することが好ましく、具体的には、ポリイミド樹脂やフォトレジスト材料等の有機絶縁材料を挙げることができる。
【００２５】
本発明において、補助配線は、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、金（Ａｕ）、チタン（Ｔｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、鉄（Ｆｅ）、白金（Ｐｔ）、亜鉛（Ｚｎ）等の金属；これらの金属元素を含む合金（例えばＡｌ−Ｃｕ）といった低抵抗の導電材料から構成することが好ましく、これらの材料を、単層、又は、積層させることで（例えば、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ積層膜やＣｒ／Ａｌ／Ｃｒ積層膜）、補助配線を構成することができる。補助配線の形成方法として、例えば、電子ビーム蒸着法や熱フィラメント蒸着法といった蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法やイオンプレーティング法とエッチング法との組合せ；スクリーン印刷法やインクジェット印刷法、メタルマスク印刷法といった各種印刷法；メッキ法（電気メッキ法や無電解メッキ法）；リフトオフ法；レーザアブレーション法；ゾル−ゲル法等を挙げることができる。各種印刷法やメッキ法によれば、直接、例えば帯状あるいは井桁状の補助配線を形成することが可能である。
【００２６】
本発明において、積層構造体は、有機発光材料から成る発光層を備えているが、具体的には、例えば、正孔輸送層と発光層と電子輸送層との積層構造、正孔輸送層と電子輸送層を兼ねた発光層との積層構造、正孔注入層と正孔輸送層と発光層と電子輸送層と電子注入層との積層構造から構成することができる。
【００２７】
ここで、本発明の第１の態様に係る有機ＥＬ表示装置にあっては、積層構造体を構成する複数の層の内、少なくとも１層は、補助配線と接する部分を有しているが、補助配線と接する部分（より具体的には、補助配線の縁部と重複する部分）を有する層（便宜上、『補助配線接触層』と呼ぶ）を、上述した積層構造体を構成する層の少なくとも１層とすればよい。即ち、積層構造体を、正孔輸送層と発光層と電子輸送層との積層構造から構成する場合、補助配線接触層を、正孔輸送層とすることもできるし、発光層とすることもできるし、電子輸送層とすることもできるし、（正孔輸送層＋発光層）とすることもできるし、（発光層＋電子輸送層）とすることもできるし、（正孔輸送層＋電子輸送層）とすることもできるし、（正孔輸送層＋発光層＋電子輸送層）とすることもできる。また、積層構造体を、正孔輸送層と電子輸送層を兼ねた発光層との積層構造とする場合、補助配線接触層を、正孔輸送層とすることもできるし、電子輸送層を兼ねた発光層とすることもできるし、（正孔輸送層＋電子輸送層を兼ねた発光層）とすることもできる。更には、積層構造体を、正孔注入層と正孔輸送層と発光層と電子輸送層と電子注入層との積層構造から構成する場合、補助配線接触層を、これらの５層の内の１層とすることもできるし、これらの５層の内の任意の２層の組合せとすることもできるし、これらの５層の内の任意の３層の組合せとすることもできるし、これらの５層の内の任意の４層の組合せとすることもできるし、これらの５層全体とすることもできる。あるいは又、一般に、積層構造体をＬ層の積層構造から構成する場合、補助配線接触層を、これらのＬ層の内の１層とすることもできるし、これらのＬ層全体とすることもできるし、Ｌ層の内の任意の２層以上の層の任意の組合せとすることもできる。
【００２８】
本発明において、積層構造体や２層構造層の形成方法として、真空蒸着法等の物理的気相成長法（ＰＶＤ法）；スクリーン印刷法やインクジェット印刷法といった印刷法；転写用基板上に形成されたレーザ吸収層と積層構造体や２層構造層との積層構造に対してレーザを照射することでレーザ吸収層上の積層構造体や２層構造層を分離して、積層構造体や２層構造層を転写するといったレーザ転写法、各種の塗布法を例示することができる。積層構造体や２層構造層を真空蒸着法に基づき形成する場合、例えば、所謂メタルマスクを用い、係るメタルマスクに設けられた開口を通過した材料を堆積させることで積層構造体や２層構造層を得ることができる。そして、本発明の第１の態様に係る有機ＥＬ表示装置にあっては、たとえ、メタルマスクの位置合わせずれが発生したとしても、積層構造体の補助配線と接する部分が確実に形成されるように、例えば、積層構造体の２箇所が補助配線と接する場合、補助配線の積層構造体と接する部分の間隔よりもメタルマスクに設けられた開口の長さの方が長いことが望ましい。
【００２９】
有機ＥＬ素子を構成する下部電極は、例えば、層間絶縁層上に設けられている。そして、この層間絶縁層は、第１基板上に形成された有機ＥＬ素子駆動部を覆っている。有機ＥＬ素子駆動部は、１又は複数の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）から構成されており、ＴＦＴと下部電極とは、層間絶縁層に設けられたコンタクトプラグを介して電気的に接続されている。層間絶縁層の構成材料として、ＳｉＯ2、ＢＰＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＡｓＳＧ、ＰｂＳＧ、ＳｉＯＮ、ＳＯＧ（スピンオングラス）、低融点ガラス、ガラスペーストといったＳｉＯ2系材料；ＳｉＮ系材料；ポリイミド等の絶縁性樹脂を、単独、あるいは、適宜、組み合わせて使用することができる。層間絶縁層の形成には、ＣＶＤ法、塗布法、スパッタリング法、各種印刷法等の公知のプロセスが利用できる。
【００３０】
上部電極の上には、積層構造体への水分の到達防止を目的として、絶縁性あるいは導電性の保護膜を設けることが好ましい。保護膜は、特に真空蒸着法のような成膜粒子のエネルギーが小さい成膜方法、あるいは又、ＭＯＣＶＤ法といった成膜方法に基づき形成することが、下地に対して及ぼす影響を小さくすることができるので好ましい。あるいは又、積層構造体の劣化による輝度の低下を防止するために、成膜温度を常温に設定し、更には、保護膜の剥がれを防止するために保護膜のストレスを最小になる条件で保護膜を成膜することが望ましい。また、保護膜の形成は、上部電極を大気に暴露することなく形成することが好ましく、これによって、大気中の水分や酸素による積層構造体の劣化を防止することができる。更には、有機ＥＬ表示装置が上面発光型である場合、保護膜は、積層構造体で発生した光を例えば８０％以上、透過する材料から構成することが望ましく、具体的には、無機アモルファス性の絶縁性材料、例えば、アモルファスシリコン（α−Ｓｉ）、アモルファス炭化シリコン（α−ＳｉＣ）、アモルファス窒化シリコン（α−Ｓｉ1-xＮx）、アモルファス酸化シリコン（α−Ｓｉ1-yＯy）、アモルファスカーボン（α−Ｃ）を例示することができる。このような無機アモルファス性の絶縁性材料は、グレインを生成しないため、透水性が低く、良好な保護膜を構成する。尚、保護膜を導電材料から構成する場合、保護膜を、ＩＴＯやＩＺＯのような透明導電材料から構成すればよい。保護膜の上には第２基板を配するが、保護膜と第２基板とは、例えば、紫外線硬化型接着剤や熱硬化型接着剤を用いて接着すればよい。
【００３１】
第１基板や第２基板の構成材料として、高歪点ガラス、ソーダガラス（Ｎａ2Ｏ・ＣａＯ・ＳｉＯ2）、硼珪酸ガラス（Ｎａ2Ｏ・Ｂ2Ｏ3・ＳｉＯ2）、フォルステライト（２ＭｇＯ・ＳｉＯ2）、鉛ガラス（Ｎａ2Ｏ・ＰｂＯ・ＳｉＯ2）、各種プラスチック基板を例示することができる。第１基板と第２基板の構成材料は、同じであっても異なっていてもよい。
【発明の効果】
【００３２】
本発明の第１の態様に係る有機ＥＬ表示装置において、積層構造体は補助配線と接する部分（重複する部分）を有しており、上部電極は、複数の有機ＥＬ素子を構成する積層構造体及び補助配線の全面を覆っている。従って、積層構造体上の上部電極の部分と補助配線上の上部電極の部分とを結ぶ上部電極の部分には、その直下に絶縁層が存在しないことが保証されている。即ち、積層構造体上の上部電極の部分と補助配線上の上部電極の部分とを結ぶ上部電極の部分は、積層構造体を構成する複数の層の内、少なくとも１層の上に形成されている。また、本発明の第２の態様に係る有機ＥＬ表示装置において、上部電極は、絶縁層と接すること無く、複数の有機エレクトロルミネッセンス素子を構成する積層構造体及び２層構造層を覆っている。それ故、積層構造体上の上部電極の部分と補助配線上の上部電極の部分とを結ぶ上部電極の部分が変質することが無く、表示性能に優れた有機ＥＬ表示装置を提供することができる。更には、本発明の第２の態様に係る有機ＥＬ表示装置においては、上部電極と補助配線とは、下から電荷注入層及び電荷輸送層から成る２層構造層を介して電気的に接続されているので、電荷（電子あるいは正孔）は、補助配線から電荷注入層及び電荷輸送層を介して上部電極へと大きな電圧損失することなく輸送される結果、上部電極と補助配線との電気的接続部分における電圧上昇を抑制することができるし、２層構造層の形態に依っては、製造プロセスの簡素化を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
以下、図面を参照して、実施例に基づき本発明を説明する。
【実施例１】
【００３４】
実施例１は、本発明の第１の態様に係る有機ＥＬ表示装置に関する。実施例１の有機ＥＬ表示装置の模式的な一部断面図を図１に示し、実施例１の有機ＥＬ表示装置における積層構造体、補助配線、絶縁層等の配置を、模式的に、図２、図３及び図４の一部平面図に示す。実施例１、あるいは、後述する実施例２の有機ＥＬ表示装置は、アクティブマトリックス型のカラー表示の有機ＥＬ表示装置であり、上面発光型である。即ち、上部電極を通して光が出射される。
【００３５】
実施例１、あるいは、後述する実施例２の有機ＥＬ表示装置は、有機ＥＬ素子１０，１０Ａを、複数（例えば、Ｎ×Ｍ＝２８８０×５４０）、有する。尚、１つの有機ＥＬ素子１０，１０Ａは、１つの副画素を構成する。従って、有機ＥＬ表示装置は、（Ｎ×Ｍ）／３の画素を有する。ここで、１画素は、赤色を発光する赤色発光副画素、緑色を発光する緑色発光副画素、及び、青色を発光する青色発光副画素の３種類の副画素から構成されている。
【００３６】
実施例１、あるいは、後述する実施例２の有機ＥＬ表示装置における各有機ＥＬ素子１０，１０Ａは、
（Ａ）下部電極２１、
（Ｂ）開口部２６を有し、開口部２６の底部に下部電極２１が露出した絶縁層２４、
（Ｃ）補助配線２５，４５、
（Ｄ）開口部２６の底部に露出した下部電極２１の部分の上から、開口部２６を取り囲む絶縁層２４の部分２４’に亙り設けられ、有機発光材料から成る発光層を備えた積層構造体２３，４３、及び、
（Ｅ）上部電極２２，４２、
を具備している。
【００３７】
そして、実施例１の有機ＥＬ表示装置にあっては、積層構造体２３を構成する複数の層の内、少なくとも１層は（実施例１にあっては、より具体的には、積層構造体２３を構成する複数の層の全体が）、補助配線２５と接する部分（補助配線２５の縁部と重複する部分）を有しており、絶縁層２４及び補助配線２５は、複数の有機ＥＬ素子１０において共通して設けられており、上部電極２２は、絶縁層２４と接すること無く、複数（具体的には、Ｎ×Ｍ個）の有機ＥＬ素子を構成する積層構造体２３及び補助配線２５の全面を覆っている。ここで、積層構造体２３を構成する複数の層の内の少なくとも１層（実施例１にあっては、より具体的には、積層構造体２３を構成する複数の層の全体）の補助配線２５と接する部分（重複部分２３’）は、補助配線２５の縁部の上に形成されている。また、積層構造体２３は、積層構造体２３を挟んで平行に延びる２本の補助配線２５と接している。より具体的には、積層構造体２３は、積層構造体２３を挟んで平行に延びる２本の補助配線２５の縁部と重複している。
【００３８】
実施例１、あるいは、後述する実施例２においては、下部電極２１をアノード電極として用い、上部電極２２をカソード電極として用いる。下部電極２１はクロム（Ｃｒ）から成り、上部電極２２は、マグネシウム（Ｍｇ）を含む導電材料、具体的には、厚さ１０ｎｍのＭｇ−Ａｇ合金から成る。尚、上部電極２２の波長４５０ｎｍから６５０ｎｍにおける平均光透過率は５０．３％である。補助配線２５，４５は、アルミニウム（Ａｌ）といった低抵抗の導電材料から構成されている。そして、下部電極２１及び補助配線２５，４５は、真空蒸着法とエッチング法との組合せに基づき形成されている。また、上部電極２２，４２は、特に真空蒸着法のような成膜粒子のエネルギーが小さい成膜方法によって成膜されている。
【００３９】
また、実施例１、あるいは、後述する実施例２において、絶縁層２４は、平坦性に優れ、しかも、積層構造体２３の水分による劣化を防止して発光輝度を維持するために吸水率の低い絶縁材料、具体的には、ポリイミド樹脂から構成されている。更には、積層構造体２３，４３は、例えば、正孔輸送層、及び、電子輸送層を兼ねた発光層の積層構造、あるいは又、正孔輸送層、発光層、及び、電子輸送層の積層構造から構成されているが、図面では１層で表した。
【００４０】
実施例１、あるいは、後述する実施例２において、有機ＥＬ素子を構成する下部電極２１は、ＣＶＤ法に基づき形成されたＳｉＯ2から成る層間絶縁層１６（より具体的には、上層層間絶縁層１６Ｂ）上に設けられている。そして、この層間絶縁層１６は、第１基板１１上に形成された有機ＥＬ素子駆動部を覆っている。有機ＥＬ素子駆動部は、複数のＴＦＴから構成されており、ＴＦＴと下部電極２１とは、層間絶縁層（より具体的には、上層層間絶縁層１６Ｂ）に設けられたコンタクトプラグ１８、配線１７、コンタクトプラグ１７Ａを介して電気的に接続されている。尚、図面においては、１つの有機ＥＬ素子駆動部につき、１つのＴＦＴを図示した。
【００４１】
実施例１、あるいは、後述する実施例２において、上部電極２２，４２上には、積層構造体２３，４３への水分の到達防止を目的として、真空蒸着法に基づき、窒化シリコン（Ｓｉ1-xＮx）から成る絶縁性の保護膜３１が設けられている。保護膜３１の上には第２基板３３が配されているが、保護膜３１と第２基板３３とは、紫外線硬化型接着剤から成る接着層３２によって接着されている。
【００４２】
実施例１、あるいは、後述する実施例２において、第１基板１１や第２基板３３は、ソーダガラスから構成されている。
【００４３】
実施例１、あるいは、後述する実施例２において、各積層構造体２３，４３は、具体的には、赤色発光副画素を構成する有機ＥＬ素子における積層構造体２３Ｒ、緑色発光副画素を構成する有機ＥＬ素子における積層構造体２３Ｇ、及び、青色発光副画素を構成する有機ＥＬ素子における積層構造体２３Ｂから構成されている。
【００４４】
実施例１の有機ＥＬ表示装置の製造方法の概要を、以下、図２〜図４、図５の（Ａ）〜（Ｃ）、図６の（Ａ）〜（Ｂ）、及び、図７の（Ａ）〜（Ｂ）を参照して説明する。
【００４５】
［工程−１００］
先ず、第１基板１１上に、副画素毎にＴＦＴを、周知の方法で作製する。ＴＦＴは、第１基板１１上に形成されたゲート電極１２、第１基板１１及びゲート電極１２上に形成されたゲート絶縁膜１３、ゲート絶縁膜１３上に形成された半導体層に設けられたソース／ドレイン領域１４、並びに、ソース／ドレイン領域１４の間であって、ゲート電極１２の上方に位置する半導体層の部分が相当するチャネル形成領域１５から構成されている。尚、図示した例にあっては、ＴＦＴをボトムゲート型としたが、トップゲート型であってもよい。ＴＦＴのゲート電極１２は、走査回路（図示せず）に接続されている。次に、第１基板１１上に、ＴＦＴを覆うように、ＳｉＯ2から成る下層層間絶縁層１６ＡをＣＶＤ法にて成膜した後、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術に基づき、下層層間絶縁層１６Ａに開口１６’を形成する（図５の（Ａ）参照）。
【００４６】
［工程−１１０］
次いで、下層層間絶縁層１６Ａ上に、真空蒸着法とエッチング法との組合せに基づき、アルミニウムから成る配線１７を形成する。尚、配線１７は、開口１６’内に設けられたコンタクトプラグ１７Ａを介して、ＴＦＴのソース／ドレイン領域１４に電気的に接続されている。配線１７は、信号供給回路（図示せず）に接続されている。そして、全面にＳｉＯ2から成る上層層間絶縁層１６ＢをＣＶＤ法にて成膜する。次いで、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術に基づき、上層層間絶縁層１６Ｂ上に開口１８’を形成する（図５の（Ｂ）参照）。
【００４７】
［工程−１２０］
その後、上層層間絶縁層１６Ｂ上に、真空蒸着法とエッチング法との組合せに基づき、クロムから成る下部電極２１を形成する（図５の（Ｃ）及び図４参照）。尚、下部電極２１は、開口１８’内に設けられたコンタクトプラグ１８を介して、配線１７に電気的に接続されている。
【００４８】
［工程−１３０］
次いで、開口部２６を有し、開口部２６の底部に下部電極２１が露出した絶縁層２４を、下部電極２１を含む層間絶縁層１６上に形成する（図６の（Ａ）及び図３参照）。具体的には、スピンコーティング法及びエッチング法に基づき、厚さ１μｍのポリイミド樹脂から成る絶縁層２４を、層間絶縁層１６の上、及び、下部電極２１の周辺部の上に形成する。尚、開口部２６を囲む絶縁層２４の部分２４’は、なだらかな斜面を構成していることが好ましい。
【００４９】
［工程−１４０］
その後、真空蒸着法及びエッチング技術に基づき、絶縁層２４上に補助配線２５を形成する（図６の（Ｂ）参照）。絶縁層２４及び補助配線２５は、Ｎ×Ｍ個の有機ＥＬ素子において共通して設けられている。また、補助配線２５は、積層構造体２３を取り囲む絶縁層２４の一種の突起部の部分の対向する２辺の上に形成されている。
【００５０】
［工程−１５０］
次に、開口部２６の底部に露出した下部電極２１の部分の上から、開口部２６を取り囲む絶縁層２４の部分２４’に亙り、積層構造体２３を形成する（図７の（Ａ）及び図２参照）。尚、積層構造体２３は、例えば、有機材料から成る正孔輸送層、電子輸送層を兼ねた発光層が順次積層されている。あるいは又、積層構造体２３は、例えば、有機材料から成る正孔輸送層、発光層、電子輸送層が順次積層されている。ここで、積層構造体２３は、全体として、補助配線２５と接しているが、この積層構造体２３の補助配線２５と接する部分は、補助配線２５の縁部の上に形成されている。また、積層構造体２３は、２本の補助配線２５と接している。
【００５１】
具体的には、下部電極２１の表面の有機付着物の除去、正孔注入性の向上のために、プラズマ処理を行う。導入するガスとして、酸素ガス、窒素ガス、アルゴンガスを挙げることができるが、実施例１にあっては、具体的には、処理パワー１００Ｗ、処理時間１８０秒の酸素プラズマ処理を行う。絶縁層２４の表面は、酸素プラズマ処理によって化学的に活性な状態となる。
【００５２】
次いで、絶縁層２４を一種のスペーサとし、各副画素を構成する積層構造体２３を形成するためのメタルマスク（図示せず）を絶縁層２４の突起部（補助配線２５が設けられている）の上に載置した状態で、抵抗加熱に基づき、有機材料を真空蒸着する。有機材料は、メタルマスクに設けられた開口を通過し、副画素を構成する開口部２６の底部に露出した下部電極２１の部分の上から、開口部２６を取り囲む絶縁層２４の部分２４’、更には、補助配線２５の一部の上に亙り堆積する。
【００５３】
緑色発光副画素を構成する有機ＥＬ素子における積層構造体（有機層）２３Ｇにあっては、正孔注入層として、例えば、ｍ−ＭＴＤＡＴＡ［4,4',4"-tris(3-methylphenylphenylamino)triphenylamine］を２５ｎｍの膜厚で蒸着させる。次に、正孔輸送層として、例えば、α−ＮＰＤ［4,4-bis(N-1-naphthyl-N-phenylamino)biphenyl］を３０ｎｍの膜厚で蒸着する。次いで、電子輸送層を兼ねる発光層として、例えば、Ａｌｑ３［tris(8-quinolinolato)aluminum(III)］を５０ｎｍの膜厚で蒸着する。これらの層は、同一の真空蒸着装置内で連続して蒸着する。
【００５４】
また、青色発光副画素を構成する有機ＥＬ素子における積層構造体（有機層）２３Ｂにあっては、正孔注入層として、例えば、ｍ−ＭＴＤＡＴＡを１８ｎｍの膜厚で蒸着する。次いで、正孔輸送層を兼ねる発光層として、例えば、α−ＮＰＤを３０ｎｍの膜厚で蒸着する。更に、正孔ブロック層として、例えば、バソクプロイン［Bathocuproine：2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10phenanthroline］を１４ｎｍの膜厚で蒸着した後、電子輸送層として、例えば、Ａｌｑ３を例えば３０ｎｍの膜厚で蒸着する。これらの層は、同一の真空蒸着装置内で連続して蒸着する。
【００５５】
更には、赤色発光副画素を構成する有機ＥＬ素子における積層構造体（有機層）２３Ｒにあっては、正孔注入層として、例えば、ｍ−ＭＴＤＡＴＡを５５ｎｍの膜厚で蒸着する。次いで、正孔輸送層として、例えば、α−ＮＰＤを３０ｎｍの膜厚で蒸着する。更には、発光層として、例えば、ＢＳＢ−ＢＣＮ［2,5-bis{4-(N-methoxyphenyl-N-phenylamino)styryl}benzene-1,4-dicarbonitrile］を蒸着した後、電子輸送層として、例えば、Ａｌｑ３を３０ｎｍの膜厚で蒸着する。これらの層は、同一の真空蒸着装置内で連続して蒸着する。
【００５６】
［工程−１６０］
その後、表示領域の全面に上部電極２２を形成する（図７の（Ｂ）参照）。上部電極２２は、Ｎ×Ｍ個の有機ＥＬ素子を構成する積層構造体２３及び補助配線２５の全面を覆っている。但し、上部電極２２は、積層構造体２３及び絶縁層２４によって下部電極２１とは絶縁されている。上部電極２２は、積層構造体２３に対して影響を及ぼすことのない程度に成膜粒子のエネルギーが小さい成膜方法である真空蒸着法に基づき形成されている。尚、積層構造体２３及び補助配線２５と上部電極２２との間に、積層構造体２３への電子注入性を高めるため電子注入層（例えば、厚さ０．３ｎｍのＬｉＦから成る）を形成してもよい。また、積層構造体２３を大気に暴露することなく、積層構造体２３の形成と同一の真空蒸着装置内において連続して上部電極２２の形成を行うことで、大気中の水分や酸素による積層構造体２３の劣化を防止することができる。具体的には、Ｍｇ−Ａｇ（体積比１０：１）の共蒸着膜を厚さ１０ｎｍ成膜することで、上部電極２２を得ることができる。
【００５７】
［工程−１７０］
次いで、上部電極２２上に、窒化シリコン（Ｓｉ1-xＮx）から成る絶縁性の保護膜３１を真空蒸着法に基づき形成する。保護膜３１の形成は、上部電極２２を大気に暴露することなく、上部電極２２の形成と同一の真空蒸着装置内において連続して行うことで、大気中の水分や酸素による積層構造体２３の劣化を防止することができる。その後、保護膜３１と第２基板３３とを、紫外線硬化型接着剤から成る接着層３２によって接着する。最後に、外部回路との接続を行うことで、実施例１の有機ＥＬ表示装置を完成させることができる。
【００５８】
実施例１の有機ＥＬ表示装置にあっては、補助配線２５を設けることで、上部電極２２のシート抵抗値が高くとも、表示領域の全面を覆う状態で形成された上部電極２２の表示領域内における電圧降下の発生を抑制することができる。その結果、表示領域内における有機ＥＬ素子の発光強度の均一化を図ることが可能となる。しかも、積層構造体２３が補助配線２５と接する部分（重複部分２３’）は、補助配線２５の縁部の上に形成されているので、即ち、上部電極２２が絶縁層２４と、直接、接することがないので、上部電極２２が絶縁層２４によって変質されることを抑制することができる。従って、画質の低下が発生するといった問題の発生を確実に防止することができる。また、補助配線２５を設けることで、消費電力の低減を図ることもできる。
【００５９】
具体的には、実施例１の有機ＥＬ表示装置にあっては、正常発光確率９９．９％であり、良好な発光特性が得られた。一方、図１３に模式的な一部断面図を示し、図１４に模式的な一部平面図を示したように、積層構造体１２３が補助配線１２５と接する部分を有しておらず、積層構造体１２３上の上部電極１２２の部分と補助配線１２５上の上部電極１２２の部分とを結ぶ上部電極１２２の部分が、全て、絶縁層１２４上に形成されている、従来の構成、構造を有する有機ＥＬ表示装置を比較例として作製し、正常発光確率を調べたところ、７８．４％となり、異常が発生する頻度が高かった。このような発光異常の原因は、絶縁層１２４上の上部電極１２２が化学的な変質（変性）を受けた結果、高抵抗化したことにあった。
【実施例２】
【００６０】
実施例２は、本発明の第２の態様に係る有機ＥＬ表示装置に関する。実施例２の有機ＥＬ表示装置の模式的な一部断面図を図８に示す。
【００６１】
実施例２の有機ＥＬ表示装置にあっては、補助配線４５の上方に位置する上部電極４２の部分４２Ａは、下から電荷注入層及び電荷輸送層から成る２層構造層６１（図面では１層で示す）を介して、補助配線４５と電気的に接続されている。絶縁層２４及び補助配線４５は、複数の有機ＥＬ素子１０Ａにおいて共通して設けられており、上部電極４２は、絶縁層２４と接すること無く、複数の有機ＥＬ素子１０Ａを構成する積層構造体４３及び２層構造層６１を覆っている。ここで、実施例２の有機ＥＬ表示装置においては、下部電極２１をアノード電極として用い、上部電極４２をカソード電極として用いているので、２層構造層６１を構成する電荷注入層は、電子注入層、より具体的には、厚さ０．３ｎｍのＬｉＦから成り、電荷輸送層は、電子輸送層、より具体的には、厚さ５ｎｍのバソクプロイン（ＢＣＰ）から成る。
【００６２】
そして、補助配線４５の上方に位置する上部電極４２の部分４２Ａと積層構造体４３を覆っている上部電極４２の部分４２Ｃとの間に位置する上部電極４２の部分４２Ｂと、絶縁層２４との間には、２層構造層６１が延在し、更には、この２層構造層６１は、下部電極２１の上に位置する積層構造体４３の部分と上部電極４２との間にまで延在している。具体的には、２層構造層６１及びその上に形成された上部電極４２は、複数の有機ＥＬ素子を構成する積層構造体４３及び補助配線４５の全面を覆っており、更には、絶縁層２４を覆っている。
【００６３】
実施例２の有機ＥＬ表示装置の製造方法の概要を、以下、図９の（Ａ）〜（Ｂ）を参照して説明する。
【００６４】
［工程−２００］
先ず、第１基板１１上に、実施例１の［工程−１００］と同様にして、副画素毎にＴＦＴを、周知の方法で作製する。次いで、実施例１の［工程−１１０］と同様にして、下層層間絶縁層１６Ａ上に配線１７を形成し、全面にＳｉＯ2から成る上層層間絶縁層１６ＢをＣＶＤ法にて成膜し、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術に基づき、上層層間絶縁層１６Ｂ上に開口１８’を形成する。その後、実施例１の［工程−１２０］と同様にして、上層層間絶縁層１６Ｂ上にクロムから成る下部電極２１を形成する。次いで、実施例１の［工程−１３０］と同様にして、開口部２６を有し、開口部２６の底部に下部電極２１が露出した絶縁層２４を、下部電極２１を含む層間絶縁層１６上に形成する。その後、実施例１の［工程−１４０］と同様にして、絶縁層２４上に補助配線４５を形成する。こうして、図６の（Ｂ）に示したと同様の構造を得ることができる。
【００６５】
［工程−２１０］
次に、実施例１の［工程−１５０］と実質的に同様にして、開口部２６の底部に露出した下部電極２１の部分の上から、開口部２６を取り囲む絶縁層２４の部分２４’に亙り、積層構造体４３を形成する（図９の（Ａ）参照）。尚、積層構造体４３は、実施例１と同様に、例えば、有機材料から成る正孔輸送層、電子輸送層を兼ねた発光層が順次積層されている。あるいは又、積層構造体４３は、例えば、有機材料から成る正孔輸送層、発光層、電子輸送層が順次積層されている。積層構造体４３は、開口部２６を取り囲む絶縁層２４の部分２４’の上に形成されているが、実施例１と異なり、補助配線４５とは接していない。
【００６６】
具体的には、実施例１と同様に、先ず、下部電極２１の表面の有機付着物の除去、正孔注入性の向上のために、プラズマ処理を行う。
【００６７】
次いで、絶縁層２４を一種のスペーサとし、各副画素を構成する積層構造体４３を形成するためのメタルマスク（図示せず）を絶縁層２４の突起部（補助配線４５が設けられている）の上に載置した状態で、抵抗加熱に基づき、有機材料を真空蒸着する。有機材料は、メタルマスクに設けられた開口を通過し、副画素を構成する開口部２６の底部に露出した下部電極２１の部分の上から、開口部２６を取り囲む絶縁層２４の部分２４’の上に亙り堆積する。
【００６８】
緑色発光副画素を構成する有機ＥＬ素子における積層構造体（有機層）の構成、青色発光副画素を構成する有機ＥＬ素子における積層構造体（有機層）の構成、及び、赤色発光副画素を構成する有機ＥＬ素子における積層構造体（有機層）の構成は、実施例１と同様とすることができる。
【００６９】
［工程−２２０］
その後、表示領域の全面に、下から電荷注入層及び電荷輸送層から成る２層構造層６１を、抵抗加熱に基づき有機材料を真空蒸着することで形成する（図９の（Ｂ）参照）。２層構造層６１を全面に形成すればよいので、２層構造層６１を形成するためのマスク等は不要であり、製造工程の簡素化、使用するマスク数の低減を図ることができる。また、２層構造層６１は、積層構造体４３に対して影響を及ぼすことのない程度に成膜粒子のエネルギーが小さい成膜方法である真空蒸着法に基づき形成されている。
【００７０】
［工程−２３０］
その後、実施例１の［工程−１６０］と同様にして、表示領域の全面に上部電極４２を形成する。上部電極４２は、Ｎ×Ｍ個の有機ＥＬ素子を構成する積層構造体４３及び補助配線４５の全面を覆っている。尚、実施例１と同様に、２層構造層６１の上に、積層構造体２３への電子注入性を高めるため電子注入層（例えば、厚さ０．３ｎｍのＬｉＦから成る）を形成してもよい。
【００７１】
［工程−２４０］
次いで、実施例１の［工程−１７０］と同様にして、上部電極４２上に、窒化シリコン（Ｓｉ1-xＮx）から成る絶縁性の保護膜３１を真空蒸着法に基づき形成した後、保護膜３１と第２基板３３とを、紫外線硬化型接着剤から成る接着層３２によって接着する。最後に、外部回路との接続を行うことで、実施例２の有機ＥＬ表示装置を完成させることができる。
【００７２】
補助配線４５と上部電極４２とは、２層構造層６１を介して電気的に接続されているが、電圧降下は、出来る限り小さい方が、有機ＥＬ表示装置の消費電力、発熱を抑えるといった観点から望ましい。通常、補助配線４５と上部電極４２との電気的接続部分（以下、『コンタクト部分』と呼ぶ）の面積は、上部電極４２と積層構造体４３との電気的接続部分の面積の約１／１００から約１／１０００程度であるので、コンタクト部分を流れる電流の電流密度は、上部電極４２と積層構造体４３との電気的接続部分を流れる電流の電流密度の約１００倍から約１０００倍にもなる。そして、このような条件にあっても、十分に電荷移動を行うことができるようにすることが必要であり、具体的には、補助配線４５と上部電極４２との間を流れる電流の電流密度がコンタクト部分において１０Ａ／ｃｍ2以下のとき、補助配線４５と上部電極４２との間における電圧降下が５ボルト以下であることが望ましい。
【００７３】
そして、このような条件を得るために、２層構造層６１を構成する電荷輸送層（電子輸送層）には、電子移動度が高く、補助配線４５から電荷注入層（電子注入層）を介して上部電極４２への電子注入が行われ易いことが求められる。また、電子は上部電極４２から２層構造層６１を経て積層構造体４３に注入され、その結果、積層構造体４３が発光するので、電荷輸送層（電子輸送層）は、有機ＥＬ素子の特性を良好に保つ材料から成り、しかも、有機ＥＬ素子の特性を良好に保ち得るような成膜方法によって成膜されることが好ましく、具体的には、例えば、バソクプロイン（ＢＣＰ）、バソフェナントロリン、アントラセン系電子輸送材料等を挙げることができる。
【００７４】
実施例２にあっては、２層構造層６１を構成する電荷輸送層（具体的には、電子輸送層）をバソクプロイン（ＢＣＰ）から構成したので、同一輝度を達成するのに必要な駆動電圧は、前述した比較例の有機ＥＬ表示装置に比べて、約２．５Ｖの上昇に抑えられていた。
【００７５】
また、実施例２の有機ＥＬ表示装置にあっても、補助配線４５を設けることで、しかも、補助配線４５と上部電極４２とを２層構造層６１を介して電気的に接続するので、上部電極４２のシート抵抗値が高くとも、表示領域の全面を覆う状態で形成された上部電極４２の表示領域内における電圧降下の発生を抑制することができる。その結果、表示領域内における有機ＥＬ素子の発光強度の均一化を図ることが可能となる。しかも、絶縁層２４と上部電極４２との間には２層構造層６１が存在し、上部電極４２は絶縁層２４と直接、接することがないので、上部電極４２が絶縁層２４によって変質されることを抑制することができる。従って、画質の低下が発生するといった問題の発生を確実に防止することができる。しかも、補助配線４５を設けることで、消費電力の低減を図ることもできる。
【００７６】
２層構造層６１の構成、構造は、図８に示した構成、構造に限定されない。図１０の（Ａ）に図示するように、補助配線４５の上方に位置する上部電極４２の部分４２Ａと積層構造体４３を覆っている上部電極４２の部分４２Ｃとの間に位置する上部電極４２の部分４２Ｂと、絶縁層２４との間には、積層構造体４３を構成する複数の層の内の少なくとも１層（図示した例では、積層構造体４３を構成する複数の層の全て）が延在していてもよい。ここで、図示した例では、積層構造体４３は、補助配線４５と接する部分（補助配線４５の縁部と重複する部分）を有している。あるいは又、図１０の（Ｂ）に図示する例では、２層構造層６１が、補助配線４５及びその近傍にのみ形成されている点が、図１０の（Ａ）に図示した例と異なっている。即ち、絶縁層２４の部分２４’と上部電極４２との間には、積層構造体４３が形成されており、上部電極４２は絶縁層２４と、直接、接してはいない。尚、これらの例にあっては、図示しないが、２層構造層６１を形成した後に、積層構造体４３を形成してもよく、この場合には、２層構造層６１の上に積層構造体４３が形成される。
【００７７】
以上、好ましい実施例に基づき本発明を説明したが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。実施例における有機ＥＬ表示装置や有機ＥＬ素子の構成、構造、有機ＥＬ表示装置や有機ＥＬ素子を構成する材料等は例示であり、適宜、変更することができる。
【００７８】
実施例にあっては、図２に示したように、補助配線２５の縁部に一種の突出部を設け、この突出部の上に積層構造体の重複部分２３’を設けたが、場合によっては、補助配線の直線状の縁部の上に、補助配線の長さ方向全体に亙って積層構造体の重複部分を設けてもよい。また、補助配線を１つの副画素の四方を囲むように形成し、積層構造体の重複部分を、１つの副画素の四方を囲むように形成された補助配線の縁部全体に亙って設けてもよい。更には、場合によっては、積層構造体は１本の補助配線と接している形態としてもよい。実施例においては、絶縁層２４の形状を突起部を有する形状としたが、絶縁層２４の形状はこれに限定するものではなく、絶縁層２４の頂面が積層構造体２３の頂面と略同じレベルにある構成とすることもできる。
【００７９】
また、実施例にあっては、補助配線２５，４５を絶縁層２４の上に形成したが、場合によっては、下部電極２１を設けるとき、同時に補助配線２５，４５を層間絶縁層１６上に設け、補助配線２５，４５の上方の絶縁層２４に開口を設け、積層構造体２３，４３を、絶縁層２４上から補助配線２５，４５まで延在させてもよい（図１１の（Ａ）の模式的な一部断面図参照）。あるいは又、配線１７の形成時、併せて、補助配線２５，４５を設けてもよい（図１１の（Ｂ）の模式的な一部断面図参照）。尚、これらの変形例の構成、構造を、実施例２の変形例において説明した有機ＥＬ表示装置にも適用することができる。
【００８０】
有機ＥＬ表示装置を透過型とすることもできる。そして、下部電極をアノード電極として用いる場合、下部電極は、ＩＴＯやＩＺＯのように、仕事関数の値が大きく、且つ、光透過率の高い導電材料から構成することが望ましい。一方、下部電極をカソード電極として用いる場合、下部電極は、仕事関数の値が小さく、且つ、光透過率の高い導電材料から構成することが望ましい。更には、上部電極をカソード電極として用いる場合、上部電極は、仕事関数の値が小さく、且つ、光反射率の高い導電材料から構成することが望ましい。一方、上部電極をアノード電極として用いる場合、上部電極は、仕事関数の値が大きく、且つ、光反射率の高い導電材料から構成することが望ましい。
【００８１】
実施例１においては、積層構造体を副画素毎に形成したが、場合によっては、赤色を発光する赤色発光副画素、及び、緑色を発光する緑色発光副画素のそれぞれについては、副画素を規定する領域毎に積層構造体を形成し、青色を発光する青色発光副画素については、表示領域全面に青色を発光する積層構造体を形成する形態とすることもできる。尚、上部電極は、係る青色を発光する積層構造体の上に、青色を発光する積層構造体の全面を覆うように形成する。この場合、赤色発光副画素に関しては、赤色を発光する積層構造体と青色を発光する積層構造体の積層構造となるが、下部電極と上部電極との間で電流を流すと赤色を発光する。同様に、緑色発光副画素に関しては、緑色を発光する積層構造体と青色を発光する積層構造体の積層構造となるが、下部電極と上部電極との間で電流を流すと緑色を発光する。このような構成の有機ＥＬ表示装置にあっては、全面に形成された上部電極を外部に接続するための接続部（接続端子部あるいは接続用配線）が有機ＥＬ表示装置の周縁部の層間絶縁層上に形成されている。そして、このような構成にあっても、上部電極が接続部に接続される領域において、上部電極が絶縁層によって変質されることを抑制するために、上部電極と絶縁層との間に青色を発光する積層構造体を存在させることが好ましい。即ち、上部電極が接続部に接続される領域においては、層間絶縁層、絶縁層、青色を発光する積層構造体、上部電極の積層構造を有し、接続部の一部分においては、層間絶縁層、接続部、青色を発光する積層構造体、上部電極の積層構造を有し、接続部の他の部分においては、層間絶縁層、接続部、上部電極の積層構造を有する。
【００８２】
実施例にあっては、例えば、絶縁層２４の一部分の上の重複部分２３’の構造を、補助配線２５、積層構造体２３、上部電極２２が、順次、積層された積層構造としたが、場合によっては、代替的に、図１２に模式的な一部端面図を示すように、絶縁層２４の一部分の上に、下から、積層構造体２３、補助配線２５、上部電極２２が、順次、積層された積層構造とすることもできる。尚、図１２に示した構成、構造を、実施例２あるいはその変形例において説明した有機ＥＬ表示装置にも適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００８３】
【図１】図１は、実施例１の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の模式的な一部断面図である。
【図２】図２は、実施例１の有機エレクトロルミネッセンス表示装置における積層構造体、補助配線、絶縁層等の配置を模式的に示す一部平面図である。
【図３】図３は、実施例１の有機エレクトロルミネッセンス表示装置における下部電極、開口部、絶縁層等の配置を模式的に示す一部平面図である。
【図４】図４は、実施例１の有機エレクトロルミネッセンス表示装置における下部電極、層間絶縁層等の配置を模式的に示す一部平面図である。
【図５】図５の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）は、実施例１の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法の概要を説明するための第１基板等の模式的な一部端面図である。
【図６】図６の（Ａ）及び（Ｂ）は、図５の（Ｃ）に引き続き、実施例１の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法の概要を説明するための第１基板等の模式的な一部端面図である。
【図７】図７の（Ａ）及び（Ｂ）は、図６の（Ｂ）に引き続き、実施例１の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法の概要を説明するための第１基板等の模式的な一部端面図である。
【図８】図８は、実施例２の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の模式的な一部断面図である。
【図９】図９の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例２の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法の概要を説明するための第１基板等の模式的な一部端面図である。
【図１０】図１０の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例２の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の変形例の模式的な一部断面図である。
【図１１】図１１の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例１の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の変形例の模式的な一部断面図である。
【図１２】図１２は、絶縁層の一部分の上の重複部分の構造の変形例を示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置の模式的な一部断面図である。
【図１３】図１３は、従来の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の模式的な一部断面図である。
【図１４】図１４は、従来の有機エレクトロルミネッセンス表示装置における積層構造体、補助配線、絶縁層等の配置を模式的に示す一部平面図である。
【符号の説明】
【００８４】
１０・・・有機エレクトロルミネッセンス素子、１１・・・第１基板、１２・・・ゲート電極、１３・・・ゲート絶縁膜、１４・・・ソース／ドレイン領域、１５・・・チャネル形成領域、１６・・・層間絶縁層、１６Ａ・・・下層層間絶縁層、１６’，１８’・・・開口、１６Ｂ・・・上層層間絶縁層、１７・・・配線、１７Ａ，１８・・・コンタクトプラグ、２１・・・下部電極、２２，４２，４２Ａ，４２Ｂ，４２Ｃ・・・上部電極、２３，２３Ｒ，２３Ｂ，２３Ｇ，４３・・・積層構造体、２３’・・・積層構造体の補助配線と接する部分（重複部分）、２４・・・絶縁層、２４’・・・開口部を取り囲む絶縁層の部分、２５，４５・・・補助配線、２６・・・開口部、３１・・・保護膜、３２・・・接着層、３３・・・第２基板、６１・・・２層構造層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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