(57)【要約】【課題】メモリが有限の小さな容量を有していても、効率的に欠陥の原因となる描画装置内のエラーを検出することのできる描画装置、及び描画装置のエラー検出方法を提供する。【解決手段】電子ビーム描画装置１は、描画データに基づいて電子ビーム光学系２００を制御するための制御データを発生させるデータ発生回路４３と、制御データを処理して出力するデータ処理回路４５とを備えている。データ処理回路４５は、入力された制御データを格納するためのメモリと、欠陥検査機で得られた欠陥データに基づき、欠陥の位置を含む周囲領域に関する制御データを選択的にメモリに格納させる制御部とを備えている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ビームを偏向させて試料上に所望のパターンを描画する描画装置において、
前記ビームを偏向させる偏向器を含むビーム光学系と、
前記偏向器を駆動する駆動部と、
描画したいパターンを示す描画データに基づいて前記駆動部を制御するための制御データを発生させるデータ発生回路と、
前記制御データを処理して前記駆動部に出力するデータ処理回路と
を備え、
前記データ処理回路は、
入力された制御データを格納するためのメモリと、
前記試料に実際に描画されたパターンの欠陥を欠陥検査機で検査した結果としての欠陥データに基づき欠陥の生じている位置を特定しその位置を含む周囲領域に関する前記制御データを選択的に前記メモリに格納させる制御部と
を備えたことを特徴とする描画装置。
【請求項２】
前記データ発生回路は、前記描画データを複数の分割領域に分割すると共にその複数の分割領域の１つに前記ビームを偏向させるための主偏向データを少なくとも発生させ、
前記制御部は、前記主偏向データが示す位置と、前記周囲領域とを比較して、前記周囲領域に含まれる主偏向データと、これに対応する他の制御データとを前記メモリに格納させる
ことを特徴とする請求項１記載の描画装置。
【請求項３】
前記制御部は、前記周囲領域に含まれない主偏向データと、これに対応する他の制御データの前記メモリへの格納を禁止することを特徴とする請求項２記載の描画装置。
【請求項４】
描画装置のエラーを検出するエラー検出方法において、
前記描画装置を用いて描画された試料の欠陥を欠陥検査機により検査した結果としての欠陥データを入力するステップと、
前記欠陥データから、前記欠陥の位置を特定するステップと、
前記描画装置において、前記試料の描画に用いた描画データに基づいて前記描画装置を制御するための制御データを発生させるステップと、
発生された前記制御データのうち、特定された前記欠陥の位置を含む周囲領域に関するものを選択的にメモリに記憶させるステップと
を備えたことを特徴とする描画装置のエラー検出方法。
【請求項５】
前記制御データを発生させるステップで発生される制御データは、前記描画データを複数に分割してなる分割領域の１つに前記ビームを偏向させるための主偏向データを含み、
前記記憶させるステップは、前記主偏向データが示す位置と、前記周囲領域とを比較して、前記周囲領域に含まれる主偏向データと、これに対応する他の制御データとを前記メモリに格納させるものである
ことを特徴とする請求項４記載の描画装置のエラー検出方法。
【請求項６】
前記記憶させるステップでは、前記周囲領域に含まれない主偏向データと、これに対応する他の制御データの前記メモリへの格納が禁止されることを特徴とする請求項５記載の描画装置のエラー検出方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子ビーム等のビームを偏向させてパターンを描画する描画装置、及びそのような描画装置におけるエラー検出方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路の大規模化及び微細化の進展に伴い、電子ビーム等の荷電粒子ビームを用いてマスク上にパターンを描画する荷電粒子ビーム描画装置が用いられている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
このような荷電粒子ビーム描画装置においてＬＳＩの設計パターンデータをマスク上に描画するには、ＣＡＤシステム等により生成された設計パターンデータを、荷電粒子ビーム描画装置に対応した描画データに変換する必要がある。このような描画データは、荷電粒子ビーム描画装置の主偏向器のビーム偏向幅で決まるフレーム領域単位、更にはこれを分割してなるサブフィールド領域単位で生成される。描画時には描画データをフレーム領域単位で読み出し、これに基づいてサブフィールド領域の位置に対応する主偏向データ、サブフィールド領域内の位置に対応する副偏向データ等を生成し、更に矩形、台形、三角形などのショット図形を示すショットデータを生成し、描画が行われる。描画がなされた後は、描画装置外において現像処理が実行されマスクが完成する。
【０００４】
その後マスクは欠陥検査装置により、設計パターンデータ通りのパターンが形成されているか否かの欠陥検査がなされる。欠陥検査機の概要を図６を参照して簡単に説明する。欠陥検査機７００は、例えば光源７０１、レンズ７０２、７０３とイメージセンサ７０４とを備え、これにより試料Ｗに形成されているパターンの測定データを得る。得られた測定データは、Ａ／Ｄ変換器７０５で測定ディジタルデータに変換される。一方、試料Ｗの設計パターンデータは、ハードディスク装置７１０に記録されており、これが測定ディジタルデータと比較可能な形式にデータ変換回路７１１によりデータ変換される。比較回路７１２は、測定ディジタルデータと設計パターンデータとを比較して、両者の間の相違点を欠陥として認識し、欠陥データを生成する。すなわち、欠陥データは、この電子ビーム描画装置１を用いて実際に描画された試料Ｗの欠陥の存在とその位置を示すデータである。
【０００５】
欠陥検査装置により、その欠陥の位置等を含む欠陥データが得られた場合、その欠陥が、荷電粒子ビーム描画装置内のエラーにより発生したものであるのか、又は荷電粒子ビーム描画装置外の現像処理等におけるエラーにより発生したものであるのかを特定することが重要である。欠陥が荷電粒子ビーム描画装置内のエラーにより発生したものであるのか否かは、実際に同じ設計パターンデータを用いて荷電粒子ビーム描画装置内で各種データを生成し、これを装置内のメモリに格納した後欠陥データと対比することにより判定することができる。
【０００６】
しかし、欠陥データや設計パターンデータは微細化の進展または大容量化のため膨大なデータ量となっている一方、この膨大なデータ量に対応して発生される各種データを格納するためのメモリの容量は、荷電粒子ビーム描画装置のハードウエア仕様上例えば２５６ＫＢ程度の有限な値に抑えられている。
【０００７】
このため、欠陥データを効率的に処理して描画装置内のエラーを検出することは容易ではなかった。
【特許文献１】特開平１０−２８４３９２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、上記の問題に鑑みてなされたものであり、メモリが有限の小さな容量を有していても、効率的に欠陥の原因となる描画装置内のエラーを検出することのできる描画装置、及び描画装置のエラー検出方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
この発明の一態様に係る描画装置は、ビームを偏向させて試料上に所望のパターンを描画する描画装置において、前記ビームを偏向させる偏向器を含むビーム光学系と、前記偏向器を駆動する駆動部と、描画したいパターンを示す描画データに基づいて前記駆動部を制御するための制御データを発生させるデータ発生回路と、前記制御データを処理して前記駆動部に出力するデータ処理回路とを備え、前記データ処理回路は、入力された制御データを格納するためのメモリと、前記試料に実際に描画されたパターンの欠陥を欠陥検査機で検査した結果としての欠陥データに基づき欠陥の生じている位置を特定しその位置を含む周囲領域に関する前記制御データを選択的に前記メモリに格納させる制御部とを備えたことを特徴とする。
【００１０】
この発明によれば、欠陥の生じている位置を含む周囲領域に関する制御データが選択的にメモリに格納される。従って、メモリが有限の小さい容量を有していても、効率的に欠陥の原因となる描画装置内のエラーを検出することができる。
【００１１】
前記データ発生回路は、前記描画データを複数の分割領域に分割すると共にその複数の分割領域の１つに前記ビームを偏向させるための主偏向データを少なくとも発生させるものとすることができ、また、前記制御部は、前記主偏向データが示す位置と、前記周囲領域とを比較して、前記周囲領域に含まれる主偏向データと、これに対応する他の制御データとを前記メモリに格納させるものとすることができる。更にこの場合、前記制御部は、前記周囲領域に含まれない主偏向データと、これに対応する他の制御データの前記メモリへの格納を禁止することも可能である。
【００１２】
また、この発明の一態様に係る描画装置のエラー検出方法は、描画装置のエラーを検出するエラー検出方法において、前記描画装置を用いて描画された試料の欠陥を欠陥検査機により検査した結果としての欠陥データを入力するステップと、
前記欠陥データから、前記欠陥の位置を特定するステップと、前記描画装置において、前記試料の描画に用いた描画データに基づいて前記描画装置を制御するための制御データを発生させるステップと、発生された前記制御データのうち、特定された前記欠陥の位置を含む周囲領域に関するものを選択的にメモリに記憶させるステップとを備えたことを特徴とする。
【００１３】
この場合、前記制御データを発生させるステップで発生される制御データは、前記描画データを複数に分割してなる分割領域の１つに前記ビームを偏向させるための主偏向データを含み、前記記憶させるステップは、前記主偏向データが示す位置と、前記周囲領域とを比較して、前記周囲領域に含まれる主偏向データと、これに対応する他の制御データとを前記メモリに格納させるものとすることができる。更に、前記記憶させるステップでは、前記周囲領域に含まれない主偏向データと、これに対応する他の制御データの前記メモリへの格納が禁止されるようにすることができる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、メモリが有限の小さな容量を有していても、効率的に欠陥の原因となる描画装置内のエラーを検出することのできる描画装置、及び描画装置のエラー検出方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
次に、本発明の実施の形態に係る描画装置を、図面を参照して詳細に説明する。
【００１６】
図１は、本発明の実施の形態に係わる電子ビーム描画装置１の概略構成を示す模式図である。この電子ビーム描画装置１は、試料室１００と、電子ビーム光学系２００と、ハードディスク装置３００と、制御部４００とから大略構成されている。
【００１７】
また、この電子ビーム描画装置１は、外部のホストコンピュータ６００と接続可能に構成され、互いにデータの入出力が可能なように構成されている。ホストコンピュータ６００には、例えば図６で説明したような欠陥検査機７００での検査により得られた欠陥データが入力される。この欠陥データはホストコンピュータ６００を介して電子ビーム描画装置１に入力される。
【００１８】
試料室１００内にはマスク等の試料Ｗを載置したステージ１１が収容されている。ステージ１１は、制御部４００の一部を構成するステージ駆動回路５１によりＸ方向（紙面左右方向、図１参照）、及びＹ方向（紙面垂直方向、図１参照）に駆動される。また、ステージ１１の移動位置は、制御部４００の一部を構成する位置検出回路５２により測定される。
【００１９】
電子ビーム光学系２００は試料室１００の上部に設置され、電子銃２１、各種レンズ２２、２３、２４、２５、２６、ブランキング偏向器３１、ビーム寸法可変偏向器３２、主偏向器３３、副偏向器３４、ビーム成形アパーチャ３５、３６などから構成されている。
【００２０】
ブランキング偏向器１は、電子銃２１からの電子ビームの透過または遮断を切り替える機能を有する。ビーム寸法可変偏向器３２は、ビーム成形用アパーチャ３５、３６により電子ビームのビーム断面形状を制御する機能を有する。
【００２１】
また、主偏向器３３は、主偏向データに従い所定のサブフィールド領域への位置決めを行う機能を有する。副偏向器３４は、副偏向データに従い、主偏向器３４により位置決めされたサブフィールド領域内における図形描画位置の位置決めを行う機能を有する。
【００２２】
これらの偏向器３２〜３６による描画動作を図２を参照して簡単に説明する。ビーム寸法可変偏向器３２及びビーム成形用アパーチャ３５、３６により、ショットデータＳＤに従ったビーム形状を制御しつつ、ステージ１１をＸ方向に連続移動させる。そして、この移動に追従するように主偏向器３３を制御しながら副偏向器３４を制御して、１つのサブフィールド領域ＳＦを描画処理する。
【００２３】
このようにして１つのサブフィールド領域ＳＦの描画が終了したら次のサブフィールド領域、例えばＹの正方向に位置するサブルールドＳＦの描画に移行する。さらに、複数のサブフィールド領域ＳＦの集合であるフレーム領域Ｆの描画が終了したら、ステージ１１を連続移動方向（Ｘ方向）と直交する方向（Ｙ方向）にステップ移動させ、上記処理を繰り返して各フレーム領域Ｆを順次描画するようになっている。ここで、フレーム領域Ｆは主偏向器３３の偏向幅で決まる短冊状の描画領域であり、サブフィールド領域ＳＦは副偏向器３４の偏向幅で決まる単位描画領域である。
【００２４】
図１に戻って、ハードディスク装置３００には、描画すべきパターンに係る設計パターンデータを描画装置１での描画用に変換して生成された描画データが格納されている。
【００２５】
制御部４００は、ＣＰＵ４１と、パターンメモリ４２と、制御データ発生回路４３と、データ処理回路４５と、ＤＡ変換器４６〜４９と、ステージ駆動回路５１（前述）と、位置検出回路５２（前述）を備えている。ＣＰＵ４１は、制御部４００の全体の制御を司る。パターンメモリ４２は、ハードディスク装置３００からＣＰＵ４１の指令により読み出された描画データをフレーム領域Ｆ毎に一時的に格納する。
【００２６】
制御データ発生回路４３は、パターンメモリ４２に格納されたフレーム領域Ｆ毎の描画データに基づき、偏向器３１〜３４を制御するための各種制御データを発生させる機能を有する。一例としてこの制御データ発生回路４３は、主偏向器３３の制御のための主偏向データ、副偏向器３４の制御のための副偏向データ、ビーム寸法可変偏向器３２により所望のビーム寸法を得るためのショットデータ、及びブランキング偏向器３１によるブランキング動作を制御するためのブランキングデータを制御データとして生成する。これらの制御データは一例であって、描画装置の構成に従い、そのデータの種類等は適宜変更することが可能である。すなわち、制御データは、描画したいパターンを示す描画データに基づいて電子ビーム光学系２００を制御するためのデータであれば、その名称、種別等は不問である。
【００２７】
データ処理回路４５は、制御データ発生回路４３で発生された各種制御データを、所定のタイミングでＤ／Ａ変換器４６〜４９に向けて出力する機能を有する。
【００２８】
図３は、データ処理回路４５の構成例を示すブロック図である。このデータ処理回路４５は、ブランキングデータ、ショットデータ、副偏向データをそれぞれ一時的に格納するためのＦＩＦＯメモリ６１、６２、６４と、ＤＳＰ（Digital Signal Processor）６３とを備えている。
【００２９】
また、データ処理回路４５は、各種制御データを、メンテナンス等の目的のために格納するメモリ７１、７２、７３、７４Ａ、７４Ｂを備えていると共に、ブランキング演算部８１、ショット演算部８２、主偏向演算部８３、及び副偏向演算部８４を備えている。この例では、メモリ７１はＦＩＦＯメモリ６１の出力データ（ブランキングデータ）を格納し、メモリ７２はＦＩＦＯメモリ６２の出力データ（ショットデータ）を格納し、メモリ７３は主偏向演算部８３の出力データを格納し、メモリ７４ＡはＦＩＦＯメモリ６４の出力データ（副偏向データ）を格納し、メモリ７４Ｂは副偏向演算部８４の出力データを格納するようにされている。
【００３０】
また、このデータ処理回路４５は、メモリ７１〜７４Ｂへのデータの格納を制御するためのメモリ制御部７５を備えている。この実施の形態では、ＤＳＰ６３と、メモリ制御部７５とにより、欠陥データに基づき欠陥の生じている位置を特定しその位置を含む周囲領域に関する制御データを選択的にメモリに格納させる制御部を構成している。
【００３１】
これらの演算部８１〜８４は、それぞれブランキングデータ、ショットデータ、主偏向データ、副偏向データ等に基づいて演算を行って、偏向器３１〜３４を制御するための演算データを生成する。これらの演算データはＩ／Ｏ回路９１〜９４を介してＤ／Ａ変換器４６〜４９に出力され、図２に示すような描画動作が実現される。
【００３２】
ＤＳＰ６３には、主偏向データが入力されると共に、欠陥検査機７００で得られた欠陥データが、ホストコンピュータ６００とＣＰＵ４１とを介して入力される。また、ＤＳＰ６３は、ＦＩＦＯメモリ６１、６２、６４に対し、対応する副偏向データ、ショットデータ、ブランキングデータの転送指示を出力する。
【００３３】
この電子ビーム描画装置１は、欠陥検査機７００で得られた欠陥データを入力させ、これにより欠陥が電子ビーム描画装置１内のエラーにより生じたものであるのか否かを検証する機能を有している。この機能の実行をするエラー検出モードの実行が指定された場合において、ＤＳＰ６３は、この欠陥データに基づき欠陥の生じている位置を特定し、その欠陥の位置を含む領域（以下、周囲領域という）を特定する機能を有する。この機能を、図４を参照して説明する。
【００３４】
図４右に示すように、欠陥データが欠陥の存在（黒丸）を示している場合、その欠陥の位置を座標（Ｘｄ、Ｙｄ）として特定した後、この欠陥の位置座標（Ｘｄ、Ｙｄ）を含む周囲領域ＣＦを特定する。この周囲領域ＣＦは一例として、座標（Ｘｄ、Ｙｄ）を中心とし、ｍ行ｎ列のサブフィールド領域ＳＦ（ｍ×ｎ個）を含む（Ｘｍｉｎ、Ｘｍａｘ）、（Ｙｍｉｎ、Ｙｍａｘ）として特定することができる。周囲領域の大きさ等は、メモリ７１〜７４Ｂ等の記憶容量、その他ハードウエア仕様等を考慮して任意に設定することができる。
【００３５】
前述したように、このデータ処理回路４５は、メモリ制御部７５を備えている。メモリ制御部７５は、エラー検出モードが実行されている場合において、ＤＳＰ６３で特定された周囲領域ＣＦに関する各種制御データ（すなわち、周囲領域ＣＦに含まれるｍ行ｎ列のサブフィールド領域ＳＦ（ｍ×ｎ個）に関する制御データ）を選択的にメモリ７１〜７４Ｂに格納させる機能を有する。
【００３６】
エラー検出モードの実行が指定された場合、通常の描画動作と同様に、描画データをフレーム領域Ｆ１〜Ｆ６に分割してパターンメモリ４２に格納し、更にサブフィールド領域ＳＦ単位に分割して制御データを生成し、メモリ７１〜７４Ｂに格納する。
【００３７】
ただし本実施の形態では、すべての制御データをメモリ７１〜７４Ｂに格納するのではなく、メモリ制御部７５の動作により、上述のようにしてＤＳＰ６３において特定された周囲領域ＣＦに含まれる制御データを選択的にメモリ７１〜７４Ｂに格納する動作を行う。具体的には、主偏向データで示される多数のサブフィールド領域ＳＦのうち、周囲領域ＣＦに含まれるサブフィールド領域ＳＦに関する制御データ（図４において太線枠で示す）のみがメモリ７１〜７４Ｂに格納され、周囲領域ＣＦに該当しない制御データは、メモリ７１〜７４Ｂに格納への格納が禁止される。この動作を、具体的に図５を参照して説明する。
【００３８】
エラー検出モードが開始され（Ｓ０）、欠陥データが外部からホストコンピュータ６００及びＣＰＵ４１を介してデータ処理回路４５に入力される（Ｓ１）。すると、ＤＳＰ６３は、この欠陥データから欠陥の位置座標（Ｘｄ、Ｙｄ）を算出すると共に（Ｓ２）、その座標を中心として、データを回収する範囲として周辺領域ＣＦ（（Ｘｍｉｎ、Ｘｍａｘ）、（Ｙｍｉｎ、Ｙｍａｘ））を決定する（Ｓ３）。
【００３９】
続いて、制御データ発生回路４３は、通常の描画動作と同様にして、ハードディスク装置３００からパターンメモリ４２にフレーム領域Ｆごとに読み出され格納された描画データに基づき、主偏向データ（Ｘ，Ｙ）、副偏向データ、ショットデータ、ブランキングデータ等の制御データを発生させる（Ｓ４）。
【００４０】
これらの主偏向データ、副偏向データ、ショットデータ、ブランキングデータ等の制御データは、データ処理回路４５のＦＩＦＯメモリ６１、６２、６４及びＤＳＰ６３にそれぞれ入力される。
【００４１】
ＤＳＰ６３は、主偏向データ（Ｘ，Ｙ）を入力され、この主偏向データの座標（Ｘ，Ｙ）と周辺領域（（Ｘｍｉｎ、Ｘｍａｘ）、（Ｙｍｉｎ、Ｙｍａｘ））とを比較する。その結果、Ｘｍｉｎ＜Ｘ＜Ｘｍａｘ、かつＹｍｉｎ＜Ｙ＜Ｙｍａｘであれば、換言すれば周辺領域ＣＦに含まれるサブフィールド領域ＳＦに関する制御データであれば（Ｓ５のＹ）、肯定フラグをメモリ制御部７５に出力し、メモリ制御部７５はこれを受けて、その主偏向データ、及びこれに対応する他の制御データをメモリ７１〜７４Ｂに格納する（Ｓ６）。
【００４２】
一方、Ｓ５でＸｍｉｎ＜Ｘ＜Ｘｍａｘ、かつＹｍｉｎ＜Ｙ＜Ｙｍａｘでないと判定されれば（Ｓ５のＮ）、ＤＳＰ６３は否定フラグをメモリ制御部７５に出力する。これを受けてメモリ制御部７５は、対応する制御データをメモリ７１〜７４Ｂには格納しない（Ｓ７）。すなわち、ＤＳＰ６３からの指令に従って、こうした制御データのメモリ７１〜７４Ｂへの格納が禁止される。
【００４３】
こうして、メモリ７１〜７４Ｂに格納された制御データは、ＣＰＵ４１に出力され、さらにホストコンピュータ６００に出力されて、元の設計パターンデータと比較されることにより、エラーの有無が検出される。
【００４４】
このエラー検出モードを実行する場合において、通常の描画動作と同様に、すべてのサブフィールド領域ＳＦの制御データをメモリ７１〜７４Ｂに格納することも理論的には可能ではある。しかしこの場合には、欠陥位置に対応する制御データが一部だけ格納されたところでメモリの記憶容量が一杯になってしまうような事態が生じ得る。この場合には一旦描画装置のデータ格納動作をそこで停止させ（メモリ７１〜７４Ｂの上書きをしないようにし）、描画装置を初期化させた後、その位置のやや手前からもう一度制御データの格納を再開しなければならない。このような動作は時間を要するだけでなく、描画装置の動作としては正常とはいえず動作の再現性に欠け、またエラーの検出も効率良く行うことができないものとなる。すなわち、このようにエラーが見つかるたびに描画装置を停止させながらのエラー検出では、実際の描画動作が正確に再現されていないものであるから、再現性の確認という点で問題があり、効率の点でも問題がある。
【００４５】
これに対し、本実施の形態では、欠陥データが示す欠陥位置の周辺の制御データのみを選択的にメモリ７１〜７４Ｂに格納するので、メモリ７１〜７４Ｂが限られた記憶容量を有していても、描画装置の動作を停止させ、また初期化させることなく、的確に、且つ効率的に欠陥の原因となる描画装置内のエラーを検出することができる。また、装置を停止させることなくエラー検出を行うことができるので、描画動作の動作の正確な再現の下でエラー検出を行うことができる。
【００４６】
以上、発明の実施の形態を説明したが、本発明はこれらに限定されるものではなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲内において様々な変更、置換、追加、削除等が可能である。例えば、図３にデータ処理回路４５の構成例を示したが、これはデータ処理回路４５をハードウエアにより構成した場合の一例であり、他のハードウエア構成が採用可能である。また、データ処理回路４５をソフトウエアにより構成することも可能である。
【００４７】
また、上記の実施の形態では、欠陥の位置を含む周囲領域ＣＦを決定し、これに含まれるサブフィールド領域ＳＦに関する制御データを格納するようにしているが、これに代えて、周囲領域ＣＦに含まれるサブフィールド領域をそのサブフィールド番号により指定し、指定されたサブフィールド番号に関する制御データを選択的にメモリに格納するようにしてもよい。
【００４８】
また、上記の実施の形態では、可変成形ビーム方式及びステージ連続移動方式を採用した電子ビーム描画装置を例示したが、この方式以外の電子ビーム描画装置にも、本発明は適用可能である。また、電子ビーム描画装置だけでなく、レーザ等を用いた描画装置にも本発明は適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明の実施の形態に係わる電子ビーム描画装置１の概略構成を示す模式図である。
【図２】図１に示す偏向器３２〜３６による描画動作を説明する概念図である。
【図３】図１に示すデータ処理回路４５の構成例を示すブロック図である。
【図４】発明の実施の形態に係わる電子ビーム描画装置１の動作を示す概念図である。
【図５】発明の実施の形態に係わる電子ビーム描画装置１の動作を示すフローチャートである。
【図６】欠陥検査機の概要を説明する概略構成図である。
【符号の説明】
【００５０】
１００・・・試料室、  ２００・・・電子ビーム光学系、  ３００・・・ハードディスク装置、  ４００・・・制御部、  ６００・・・ホストコンピュータ、  ７００・・・欠陥検査機、  １１・・・ステージ、  ２１・・・電子銃、  ２２、２３、２４、２５、２６・・・各種レンズ、  ３１・・・ブランキング偏向器、  ３２・・・ビーム寸法可変偏向器、  ３３・・・主偏向器、  ３４・・・副偏向器、  ３５、３６・・・ビーム成形アパーチャ、  ４１・・・ＣＰＵ、  ４２・・・パターンメモリ、  ４３・・・制御データ発生回路、  ４５・・・データ処理回路、  ４６〜４９・・・ＤＡ変換器、  ５１・・・ステージ駆動回路、  ５２・・・位置検出回路、  ６１、６２、６３・・・ＦＩＦＯメモリ、  ６４・・・ＤＳＰ（Digital Signal Processor）、  ７１、７２、７３、７４Ａ、７４Ｂ・・・メモリ、  ８１・・・ブランキング演算部、  ８２・・・ショット演算部、  ８３・・・主偏向演算部、  ８４・・・副偏向演算部、  ９１−９４・・・Ｉ／Ｏ回路。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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