(57)【要約】【課題】伝送線路の特性インピーダンスの低下を抑制する。【解決手段】伝送線路基板３０には、積層基板２０、伝送線路１ａ、伝送線路１ｂ、伝送線路２ａ、及び伝送線路２ｂが設けられる。積層基板２０には、誘電体層３乃至５、電源導体６、及び接地導体７が設けられ、伝送線路の接続部であるビア部には、誘電体層３乃至５、電源導体６、及び接地導体７が除去され、除去された部分に、上面及び下面を露出するように絶縁性磁性層８、ビア９ａ、及びビア９ｂが埋設される。ビア９ａとビア９ｂは、互いに離間し、上面及び下面を露出するように絶縁性磁性層８に埋設される。絶縁性磁性層８は誘電体で、且つ磁性体であり、伝送線路の特性インピーダンスの低下を抑制する。【選択図】  図１
2008311777.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体層と、
第１主面及び第１主面と相対向する第２主面を露出するように、前記誘電体層に埋め込まれ、前記誘電体層よりも比透磁率が大きく、且つ絶縁性を有する絶縁性磁性層と、
第１主面及び第１主面と相対向する第２主面を露出するように、前記絶縁性磁性層に埋め込まれた第１のビアと、
前記誘電体層、前記絶縁性磁性層、及び前記第１のビアの第１主面に設けられ、前記第１のビアに接続され、第１のデータ信号を伝送する第１の伝送線路と、
前記誘電体層、前記絶縁性磁性層、及び前記第１のビアの第１主面と相対向する第２主面に設けられ、前記第１のビアに接続され、前記第１のデータ信号を伝送する第２の伝送線路と、
を具備することを特徴とする伝送線路基板。
【請求項２】
第１主面及び第１主面と相対向する第２主面を露出するように、前記第１のビアと離間し、前記絶縁性磁性層に埋め込まれた第２のビアと、前記誘電体層、前記絶縁性磁性層、及び前記第２のビアの第１主面に設けられ、前記第２のビアに接続され、前記第１の伝送線路と離間し、第１のデータ信号とは逆位相の第２のデータ信号を伝送する第３の伝送線路と、前記誘電体層、前記絶縁性磁性層、及び前記第２のビアの第１主面と相対向する第２主面に設けられ、前記第２のビアに接続され、前記第２の伝送線路と離間し、前記第２のデータ信号を伝送する第４の伝送線路とを具備することを特徴とする請求項１に記載の伝送線路基板。
【請求項３】
誘電体層と、
前記誘電体層の第１主面に設けられ、第１のデータ信号を伝送する第１の伝送線路と、
前記第１の伝送線路の端子部直下に、前記第１の伝送線路の端子部と接して前記誘電体層に埋め込まれ、前記誘電体層よりも比透磁率が大きく、且つ絶縁性を有する第１の絶縁性磁性層と、
を具備することを特徴とする伝送線路基板。
【請求項４】
前記誘電体層の第１主面に設けられ、前記第１の伝送線路と離間し、前記第１のデータ信号とは逆位相の第２のデータ信号を伝送する第２の伝送線路と、前記第２の伝送線路の端子部直下に、前記第２の伝送線路の端子部と接して前記誘電体層に埋め込まれ、前記誘電体層よりも比透磁率が大きく、且つ絶縁性を有する第２の絶縁性磁性層とを具備することを特徴とする請求項３に記載の伝送線路基板。
【請求項５】
誘電体層と、
前記誘電体層の第１主面に設けられ、第１のデータ信号を伝送する第１の伝送線路と、
前記誘電体層の第１主面に設けられ、前記第１の伝送線路と離間し、前記第１のデータ信号とは逆位相の第２のデータ信号を伝送する第２の伝送線路と、
前記誘電体層の第１主面の、前記第１の伝送線路の端子部と前記第２の伝送線路の端子部の間に設けられ、前記誘電体層よりも比透磁率が大きく、且つ絶縁性を有する第１の絶縁性磁性層と、
を具備することを特徴とする伝送線路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、伝送線路基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
通信機器、大容量ルータ、携帯電話基地局、交換機、ストレージ機器等などでは、高速或いは高周波のデータ信号を伝送する伝送線路が設けられた伝送線路基板が使用される（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
特許文献１などに記載される伝送線路では、インピーダンス整合させて使用するが、伝送線路基板の高集積度化、多層基板化の進展に伴い、寄生容量が付加され特性インピーダンスが低下するという問題点がある。特性インピーダンスの低下を抑制するために、例えばビアホールでの寄生容量を小さくするために、例えば中間のプレーン層のクリアランス径を大きくする(ビアが通過し、ビアとは接続されない層との距離を大きくする)方法などがあるが、ビア部の寸法が増大し、伝送線路の集積度が低下するという問題点がある。また、光通信や大容量ルータなどでは、低ＥＭＩ（Electromagnetic  Interference）化、低消費電力化、低ノイズ化を図るために高速デジタル信号を、例えばＬＶＤＳ（Low  Voltage  Differential  Signaling）ＴＩＡ／ＥＩＡ−６４４規格等を採用して、両相信号化しており、高速デジタル信号を伝送するための伝送線路の本数が２倍に増加するので、更に伝送線路の集積度が低下する。
【特許文献１】特開２００２−３５３５８８号公報（頁８、図８）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、伝送線路の特性インピーダンスの低下を抑制できる伝送線路基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一態様の伝送線路基板は、誘電体層と、第１主面及び第１主面と相対向する第２主面を露出するように、前記誘電体層に埋め込まれ、前記誘電体層よりも比透磁率が大きく、且つ絶縁性を有する絶縁性磁性層と、第１主面及び第１主面と相対向する第２主面を露出するように、前記絶縁性磁性層に埋め込まれた第１のビアと、前記誘電体層、前記絶縁性磁性層、及び前記第１のビアの第１主面に設けられ、前記第１のビアに接続され、第１のデータ信号を伝送する第１の伝送線路と、前記誘電体層、前記絶縁性磁性層、及び前記第１のビアの第１主面と相対向する第２主面に設けられ、前記第１のビアに接続され、前記第１のデータ信号を伝送する第２の伝送線路とを具備することを特徴とする。
【０００６】
更に、本発明の他態様の伝送線路基板は、誘電体層と、前記誘電体層の第１主面に設けられ、第１のデータ信号を伝送する第１の伝送線路と、前記第１の伝送線路の端子部直下に、前記第１の伝送線路の端子部と接して前記誘電体層に埋め込まれ、前記誘電体層よりも比透磁率が大きく、且つ絶縁性を有する第１の絶縁性磁性層とを具備することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、伝送線路の特性インピーダンスの低下を抑制できる伝送線路基板を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下本発明の実施例について図面を参照しながら説明する。
【実施例１】
【０００９】
まず、本発明の実施例１に係る伝送線路基板について、図面を参照して説明する。図１は伝送線路基板を示す斜視図、図２は図１のＡ−Ａ線に沿う伝送線路基板の断面図、図３は絶縁性磁性層の構成を示す図、図３（ａ）は絶縁性磁性層の模式断面図、図３（ｂ）は絶縁性磁性粒子の模式断面図である。本実施例では、伝送線路基板のビア部の周辺に絶縁性磁性層を設け、特性インピーダンスの低下を抑制している。
【００１０】
図１に示すように、伝送線路基板３０には、積層基板２０、伝送線路１ａ、伝送線路１ｂ、伝送線路２ａ、及び伝送線路２ｂが設けられる。積層基板２０には、誘電体層３乃至５、電源導体６、及び接地導体７が設けられ、伝送線路の接続部であるビア部には、誘電体層３乃至５、電源導体６、及び接地導体７が除去され、除去された部分に、上面及び下面を露出するように絶縁性磁性層８、ビア９ａ、及びビア９ｂが埋設される。ビア９ａとビア９ｂは、互いに離間し、上面及び下面を露出するように絶縁性磁性層８に埋設される。
【００１１】
ここで、伝送線路の特性インピーダンスが所定の値になるように、伝送線路の線路幅及び厚さが設定され、誘電体層の厚さ及び比誘電率が設定される。本実施例に用いられる伝送線路基板では、誘電体で且つ磁性体である絶縁性磁性層から構成されるインターポーザを備える半導体パッケージ（ＳｉＰ（System  in  Package）、ＭＣＰ（Multi  Chip  Package）、やＭＣＭ（Multi  Chip  Module）などを含む。
【００１２】
接地導体７は誘電体層５上（第１主面）に設けられ、誘電体層４は接地導体７上（第１主面）に設けられ、電源導体６は誘電体層４上（第１主面）に設けられ、誘電体層３は電源導体６上（第１主面）に設けられる。
【００１３】
ここで、電源導体６及び接地導体７には、熱伝導度に優れ、低抵抗の銅（Ｃｕ）を用いているが、例えば金（Ａｕ）などの金属を用いてもよい。誘電体層３乃至５には、比誘電率４．９、比透磁率１．０を有するＦＲ４を用いているが、例えばガラスエポキシ樹脂やＢＴ（ビスマレイド・トリアジン）レジン（Ｒ）などの比透磁率１．０の誘電体膜を用いてもよい。電源導体６は電源プレートとして使用され、接地導体７は接地プレート（グランドプレート）として使用される。
【００１４】
伝送線路１ａは、積層基板２０上（第１主面）に設けられ、ビア９ａを介して第１のデータ信号を積層基板２０下（第２主面）に設けられる伝送線路１ｂに伝送する。伝送線路２ａは、積層基板２０上（第１主面）に伝送線路１ａと並列配置され、ビア９ｂを介して第１のデータ信号とは逆位相の信号である第２のデータ信号を積層基板２０下（第２主面）に設けられる伝送線路２ｂに伝送する。伝送線路１ａ及び２ａと、伝送線路１ｂ及び２ｂとは、ビアと接続する部分が略円柱状に形成される。絶縁性磁性層８は、積層基板２０の中央部に埋設される。
【００１５】
図２に示すように、伝送線路基板３０では、伝送線路１ｂの上部に設けられる伝送線路１ａがビア９ａを介して伝送線路１ｂに接続され、伝送線路２ｂの上部に設けられる伝送線路２ａがビア９ａを介して伝送線路２ｂに接続される。
【００１６】
絶縁性磁性層８は、伝送線路１ａ、伝送線路１ｂ、伝送線路２ａ、伝送線路２ｂ、ビア９ａ、及びビア９ｂと、誘電体層３乃至５、電源導体６、及び接地導体７とを離間させる役目をする。絶縁性磁性層８は、誘電体層３乃至５よりも比透磁率が大きく、データ信号が高速・高周波、例えばＧＨｚ或いは数十ＧＨｚ帯でも比透磁率が１よりも大きく、且つデータ信号が高速・高周波、例えばＧＨｚ或いは数十ＧＨｚ帯でも絶縁性を有する誘電体として機能する。
【００１７】
伝送線路の特性インピーダンス（Ｚ０）は、
Z0＝(L／C)≡{(μr×μ0)／(εr×ε0)}１／２・・・・・・・式（１）
で表される。なお、Ｌは単位長さ当たりのインダクタンス、Ｃは単位長さ当たりの容量、μrは比透磁率、μ0は透磁率、εrは比誘電率、ε0は誘電率である。式（１）から、透磁率の高い物質を伝送線路の周囲に設けることにより、インダクタンス成分を増加させ、高特性インピーダンス線路が可能となることがわかる。本実施例では、ビア部に誘電体で且つ磁性体である絶縁性磁性層８を設けているので伝送線路のビア部の特性インピーダンスを大きくでき、高速・高周波領域での伝送線路の特性インピーダンスの低下を抑制できる。
【００１８】
図３（ａ）に示すように、絶縁性磁性層８は、絶縁性磁性粒子１１及び誘電体１２から構成される。絶縁性磁性粒子１１は、円形或いは卵形を有し、絶縁性磁性層８中に分散配置される。誘電体１２は、絶縁性磁性粒子１１間の間に形成され、金属酸化物である、例えばＳｉＯ２（シリコン酸化膜、シリカとも呼称される）からなる。
【００１９】
図３（ｂ）に示すように、絶縁性磁性粒子１１は、磁性体１３を誘電体１４でコーティング（包接）した構造となっている。磁性体１３には、ＭＸＦｅ３―ＸＯ４（Ｍは磁性金属で、Ｃｏ（コバルト）、Ｚｎ（亜鉛）、或いはＭｎ（マンガン））から構成されるナノスケールフェライト系磁性体を用いている。誘電体１４には、金属酸化物である、例えばＡｌ２Ｏ３（アルミナ）を用いている。
【００２０】
ここで、ＭＸＦｅ３―ＸＯ４系磁性体などのフェライト系磁性体では、周波数が略１０３Ｈｚまでは、比透磁率が一定で、例えば１０３以上の値を有するが、周波数が高くなるにつれて比透磁率が徐々に小さくなり、１０ＧＨｚになると比透磁率が略１となる。このため、伝送線路基板３０の伝送線路を伝送するデータ信号の速度（周波数）にあわせて、所望の比透磁率が得られるように、例えばＭＸＦｅ３―ＸＯ４系磁性体の組成（Ｘの値）を変更するのが好ましい。
【００２１】
なお、このナノスケールフェライト系磁性体の代わりに、Ｎｉ（ニッケル）−Ｚｎ（亜鉛）フェライトを誘電体で包接した絶縁性磁性粒子、フェライトを誘電体で包接した絶縁性磁性粒子、ＢａＴｉＯ３（チタン酸バリウム）などの磁性体を金属酸化物などのセラミックで包接した絶縁性磁性粒子、或いはＢｉＦｅＯ３とＰＬＺＴを固溶させたものなど、誘電体で、且つ磁性体を有するものを用いてもよい。誘電体１４に、Ａｌ２Ｏ３（アルミナ）の代わりに窒化シリコン膜などのセラミックを用いてもよい。絶縁性磁性層８を構成する誘電体１１を削除してもよい。
【００２２】
次に、伝送線路の特性について図４を参照して説明する。図４は、伝送線路の過渡特性を示す図、図中実線（ａ）は本実施例の伝送線路の過渡特性、図中実線（ｂ）は従来の伝送線路の過渡特性である。従来の伝送線路基板のビア部には絶縁性磁性層が設けらず、伝送線路のビア部は比透磁率１の誘電体層で絶縁分離される。
【００２３】
図４の実線（ｂ）で示すように、従来の伝送線路では、ビア部での寄生容量起因の伝送損出により、特性インピーダンスの低下が発生し、特性インピーダンスの値を補償することができない。
【００２４】
一方、図４の実線（ａ）で示すように、本実施例の伝送線路では、ビア部に誘電体で、且つ磁性体である絶縁性磁性層８を設けているので、寄生容量による局所的な特性インピーダンスの低下、即ちビア部での特性インピーダンスの低下を抑制し、高速（高周波）のデータ信号の伝送での特性インピーダンスをほぼ一定にすることができる。
【００２５】
なお、図４に示す伝送線路の特性は、ＨＳＰＩＣＥ（High  Simulation  Program  with  Integrated  Circuit  Emphasis）を用いて、１ＧＨｚでのＴＤＲ（Time Domain Reflectometry ）シミュレーションから算出したものである。絶縁性磁性層８は、１ＧＨｚで比透磁率が４．５で、比誘電率が４．４の値を有する。ここでは、１ＧＨｚでの伝送線路の過渡特性を示しているが、絶縁性磁性層を設けることにより、図示していないが数ＭＨｚから１０ＧＨｚでの伝送線路の特性インピーダンスの低下を抑制することができる。
【００２６】
上述したように、本実施例の伝送線路基板では、積層基板２０、伝送線路１ａ、伝送線路１ｂ、伝送線路２ａ、及び伝送線路２ｂが設けられる。積層基板２０には、誘電体層３乃至５、電源導体６、及び接地導体７が設けられ、伝送線路の接続部であるビア部には、誘電体層３乃至５、電源導体６、及び接地導体７が除去され、除去された部分に、上面及び下面を露出するように絶縁性磁性層８、ビア９ａ、及びビア９ｂが埋設される。ビア９ａとビア９ｂは、互いに離間し、上面及び下面を露出するように絶縁性磁性層８に埋設される。伝送線路１ａを伝送する第１のデータ信号はビア９ａを介して伝送線路１ｂに伝送される。伝送線路２ａを伝送する第１のデータ信号とは逆位相の第２のデータ信号はビア９ｂを介して伝送線路２ｂに伝送される。絶縁性磁性層８は、誘電体で、且つ磁性体である。絶縁性磁性層８は、絶縁性磁性粒子１１と誘電体１２から構成され、複数の絶縁性磁性粒子１１が誘電体層１２中に分散配置される。絶縁性磁性粒子１１は、磁性体１３を誘電体１４で包接した構造となっている。
【００２７】
このため、ビア部での寄生容量による局所的な特性インピーダンスの低下を抑制でき、高速（高周波）のデータ信号の伝送での特性インピーダンスをほぼ一定にすることができる。また、ビアホールでの寄生容量を小さくするために、クリアランス径を大きくする必要がないので、伝送線路基板を従来よりも高集積度化することができる。
【００２８】
なお、本実施例では、両相信号を伝送する伝送線路基板に適用しているが、単相信号（単一の伝送線路）を伝送する伝送線路基板に適用してもよい。
【実施例２】
【００２９】
次に、本発明の実施例２に係る伝送線路基板について、図面を参照して説明する。図５は伝送線路基板を示す断面図である。本実施例では、伝送線路基板のビア部の周辺に設けられた絶縁性磁性層の構造を変更している。
【００３０】
以下、実施例１と同一構成部分には、同一符号を付してその部分の説明を省略し、異なる部分のみ説明する。
【００３１】
図５に示すように、伝送線路基板３０ａには、積層基板２０ａ、伝送線路１ａ、伝送線路１ｂ、伝送線路２ａ、及び伝送線路２ｂが設けられる。積層基板２０ａには、誘電体層３乃至５、電源導体６、及び接地導体７が設けられ、伝送線路の接続部であるビア部には、誘電体層３乃至５、電源導体６、及び接地導体７が除去され、除去された部分に、絶縁性磁性層８ａ、ビア９ａ、及びビア９ｂが埋設される。ビア９ａとビア９ｂは、互いに離間し、上面及び下面を露出するように絶縁性磁性層８ａに埋設される。絶縁性磁性層８ａは、磁性体１３ａを誘電体１２ａで包接した構造を有し、ビアと磁性体１３ａを誘電体１２ａで絶縁分離し、磁性体１３ａと電源導体６及び接地導体７を誘電体１２ａで絶縁分離している。
【００３２】
磁性体１３ａには、例えばＮｉ（ニッケル）−Ｚｎ（亜鉛）フェライトを用いているが、フェライトを誘電体で包接した絶縁性磁性粒子や磁性体を金属酸化物などのセラミックで包接した絶縁性磁性粒子などを用いてもよい。誘電体１２ａには、例えば窒化シリコン膜を用いているが、Ａｌ２Ｏ３（アルミナ）などのセラミックを用いてもよい。
【００３３】
絶縁性磁性層８ａは、誘電体層３乃至５よりも比透磁率が大きく、データ信号が高速・高周波、例えばＧＨｚ或いは数十ＧＨｚ帯でも比透磁率が１よりも大きく、且つデータ信号が高速・高周波、例えばＧＨｚ或いは数十ＧＨｚ帯でも絶縁性を有する誘電体として機能する。このため、寄生容量による局所的な特性インピーダンスの低下、即ちビア部での特性インピーダンスの低下を抑制し、高速・高周波のデータ信号の伝送での特性インピーダンスをほぼ一定にすることができる。
【００３４】
上述したように、本実施例の伝送線路基板では、積層基板２０ａ、伝送線路１ａ、伝送線路１ｂ、伝送線路２ａ、及び伝送線路２ｂが設けられる。積層基板２０ａには、誘電体層３乃至５、電源導体６、及び接地導体７が設けられ、伝送線路の接続部であるビア部には、誘電体層３乃至５、電源導体６、及び接地導体７が除去され、除去された部分に、上面及び下面を露出するように絶縁性磁性層８ａ、ビア９ａ、及びビア９ｂが埋設される。ビア９ａとビア９ｂは、互いに離間し、上面及び下面を露出するように絶縁性磁性層８ａに埋設される。伝送線路１ａを伝送する第１のデータ信号はビア９ａを介して伝送線路１ｂに伝送される。伝送線路２ａを伝送する第１のデータ信号とは逆位相の第２のデータ信号はビア９ｂを介して伝送線路２ｂに伝送される。絶縁性磁性層８ａは、誘電体で、且つ磁性体である。絶縁性磁性層８ａは、誘電体１２ａと磁性体１３ａから構成され、磁性体１３ａが誘電体１２ａで包接されている。
【００３５】
このため、ビア部での寄生容量による局所的な特性インピーダンスの低下を抑制でき、高速（高周波）のデータ信号の伝送での特性インピーダンスをほぼ一定にすることができる。また、ビアホールでの寄生容量を小さくするために、クリアランス径を大きくする必要がないので、伝送線路基板を従来よりも高集積度化することができる。
【００３６】
なお、本実施例では、磁性体１３ａを誘電体１２ａで包接した構造の絶縁性磁性層８ａを用いているが、複数本の磁性体を誘電体で包接してもよい。
【実施例３】
【００３７】
次に、本発明の実施例３に係る伝送線路基板について、図面を参照して説明する。図６は、伝送線路基板を示す斜視図、図７は図６のＢ−Ｂ線に沿う伝送線路基板の断面図である。本実施例では、伝送線路の引き出し端子部に絶縁性磁性層を設けている。
【００３８】
以下、実施例１と同一構成部分には、同一符号を付してその部分の説明を省略し、異なる部分のみ説明する。
【００３９】
図６に示すように、伝送線路基板３０ｂには、基板２１、伝送線路１ｃ、伝送線路２ｃ、及び絶縁性磁性層８が設けられる。基板２１には、誘電体層３ａ及び接地導体７ａが設けられる。
【００４０】
方形の伝送線路１ｃ及び２の端子部（伝送線路の接続部）の間には、絶縁性磁性層８が設けられる。伝送線路１ｃは、基板２１上（第１主面）に設けられ、第１のデータ信号を端子部から外部へ伝送する。伝送線路２ｃは、基板２１上（第１主面）に伝送線路１ｃと並列配置され、第１のデータ信号とは逆位相の信号である第２のデータ信号を端子部から外部へ伝送する。ここで、端子部とは、伝送線路からデータ信号が外部に伝送される部分をいい、例えばボンディングワイヤなどを介してデータ信号が外部に伝送される。
【００４１】
図７に示すように、伝送線路基板３０ｂでは、接地導体７ａ上（第１主面）に誘電体層３ａが設けられる。ここで、接地導体７ａには、例えば熱伝導度に優れ、低抵抗の銅（Ｃｕ）を用いている。誘電体層３ａには、例えば比誘電率３．４、比透磁率１．０を有するＢＴ（ビスマレイド・トリアジン）レジン（Ｒ）を用いている。接地導体７は接地プレート（グランドプレート）として使用される。
【００４２】
絶縁性磁性層８は、誘電体層３ａ上（第１主面）に、伝送線路１ｃと伝送線路２ｃの間に設けられ、伝送線路の端子部での特性インピーダンスの低下を抑制する。このため、寄生容量による局所的な特性インピーダンスの低下を抑制し、高速（高周波）のデータ信号の伝送での特性インピーダンスをほぼ一定にすることができる。
【００４３】
上述したように、本実施例の伝送線路基板では、基板２１、伝送線路１ｃ、伝送線路２ｃ、及び絶縁性磁性層８が設けられる。基板２１は、誘電体層３ａ及び接地導体７ａから構成され、誘電体層３ａが接地導体７ａ上に設けられる。基板２１上の伝送線路１ｃの端子部と伝送線路２ｃの端子部の間に、絶縁性磁性層８が設けられる。伝送線路１ｃに伝送される第１のデータ信号は端子部から出力され、伝送線路２ｃに伝送される第１のデータ信号とは逆位相の第２のデータ信号は端子部から出力される。絶縁性磁性層８は、絶縁性磁性粒子１１と誘電体１２から構成され、複数の絶縁性磁性粒子１１が誘電体層１２中に分散配置される。絶縁性磁性粒子１１は、磁性体１３を誘電体１４で包接した構造となっている。
【００４４】
このため、端子部での局所的な特性インピーダンスの低下を抑制でき、高速（高周波）のデータ信号の伝送での特性インピーダンスをほぼ一定にすることができる。
【００４５】
本実施例では、絶縁性磁性層８の形状を伝送線路の端子部と同じ高さで、方形にしているが必ずしもこれに限定されるものではない。例えば、伝送線路１ｃと伝送線路２ｃの間の他に、更に伝送線路の端子部の周囲にも形成してもよい。
【実施例４】
【００４６】
次に、本発明の実施例４に係る伝送線路基板について、図面を参照して説明する。図８は、伝送線路基板を示す断面図である。本実施例では、伝送線路の端子部の直下に絶縁性磁性層を設けている。
【００４７】
図８に示すように、伝送線路基板３０ｃには、基板２１ａ、伝送線路１ｃ、及び伝送線路２ｃが設けられる。基板２１ａには、誘電体層３ａ及び接地導体７ａが設けられる。
【００４８】
伝送線路１ｃは、基板２１ａ上（第１主面）に設けられ、第１のデータ信号を端子部から外部へ伝送する。伝送線路２ｃは、基板２１ａ上（第１主面）に伝送線路１ｃと並列配置され、第１のデータ信号とは逆位相の信号である第２のデータ信号を端子部から外部へ伝送する。
【００４９】
基板２１ａは、誘電体層３ａ及び接地導体７ａから構成され、接地導体７ａ上（第１主面）に誘電体層３ａが設けられる。伝送線路１ｃの端子部直下には、基板２１を構成する誘電体層３ａが除去され、伝送線路１ｃの端子部と接する絶縁性磁性層８が埋設される。伝送線路２ｃの端子部直下には、基板２１を構成する誘電体層３ａが除去され、伝送線路２ｃの端子部と接する絶縁性磁性層８が埋設される。
【００５０】
絶縁性磁性層８は、寄生容量による局所的な特性インピーダンスの低下、即ち伝送線路の端子部での特性インピーダンスの低下を抑制し、特性インピーダンスをほぼ一定にする役割をする。
【００５１】
ここで、本実施例では、両相のデータ信号を一対の伝送線路で伝送しているが、単相のデータ信号を伝送する伝送線路の端子部の直下に絶縁性磁性層８を設けてもよい。また、絶縁性磁性層８を伝送線路の端子部の直下に接地導体７ａに接するように基板２１ａに埋設しているが、接地導体７ａに達するまで埋設しなくともよい。
【００５２】
上述したように、本実施例の伝送線路基板では、基板２１ａ、伝送線路１ｃ、及び伝送線路２ｃが設けられる。基板２１ａは、誘電体層３ａ及び接地導体７ａから構成され、誘電体層３ａが接地導体７ａ上に設けられる。伝送線路１ｃ及び２ｃの直下には、接地導体７ａに接するように、基板２１ａ中に絶縁性磁性層８がそれぞれ埋設される。伝送線路１ｃに伝送される第１のデータ信号は端子部から出力され、伝送線路２ｃに伝送される第１のデータ信号とは逆位相の第２のデータ信号は端子部から出力される。絶縁性磁性層８は、絶縁性磁性粒子１１と誘電体１２から構成され、複数の絶縁性磁性粒子１１が誘電体層１２中に分散配置される。絶縁性磁性粒子１１は、磁性体１３を誘電体１４で包接した構造となっている。
【００５３】
このため、端子部での局所的な特性インピーダンスの低下を抑制でき、高速（高周波）のデータ信号の伝送での特性インピーダンスをほぼ一定にすることができる。
【００５４】
本発明は、上記実施例に限定されるものではなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲で、種々、変更してもよい。
【００５５】
例えば、本実施例では、マイクロストリップ結合線路を用いた伝送線路基板に適用しているが、コプレーナ線路、インバーティドＴＦＭＳ（Thin  Film  Microstrip）線路、或いは広面結合ＴＥＭＳ線路などに適用してもよい。また、伝送線路のビアにクリアランス部を設け、クリアランス部の周囲に絶縁性磁性層を設けてもよい。そして、多チャンネル伝送線路基板に適用すれば、従来よりも伝送線路基板の高集積度化、多層基板化を達成することができる。
【００５６】
本発明は、以下の付記に記載されているような構成が考えられる。  
（付記１）  第１の誘電体層、接地導体、及び第２の誘電体層が積層形成される積層基板と、第１主面及び第１主面と相対向する第２主面を露出するように、前記第１の誘電体層、前記接地導体、及び前記第２の誘電体層が除去された前記積層基板に埋め込まれ、前記誘電体層よりも比透磁率が大きく、且つ絶縁性を有する絶縁性磁性層と、第１主面及び第１主面と相対向する第２主面を露出するように、前記絶縁性磁性層に埋め込まれた第１のビアと、前記積層基板、前記絶縁性磁性層、及び前記第１のビアの第１主面に設けられ、前記第１のビアに接続され、第１のデータ信号を伝送する第１の伝送線路と、前記誘電体層、前記絶縁性磁性層、及び前記第１のビアの第１主面と相対向する第２主面に設けられ、前記第１のビアに接続され、前記第１のデータ信号を伝送する第２の伝送線路とを具備する伝送線路基板。
【００５７】
（付記２）  第１の誘電体層、接地導体、及び第２の誘電体層が積層形成される積層基板と、第１主面及び第１主面と相対向する第２主面を露出するように、前記第１の誘電体層、前記接地導体、及び前記第２の誘電体層が除去された前記積層基板に埋め込まれ、前記誘電体層よりも比透磁率が大きく、且つ絶縁性を有する絶縁性磁性層と、第１主面及び第１主面と相対向する第２主面を露出するように、前記絶縁性磁性層に埋め込まれた第１のビアと、第１主面及び第１主面と相対向する第２主面を露出するように、前記第１のビアと離間し、前記絶縁性磁性層に埋め込まれた第２のビアと、前記積層基板、前記絶縁性磁性層、及び前記第１のビアの第１主面に設けられ、前記第１のビアに接続され、第１のデータ信号を伝送する第１の伝送線路と、前記積層基板、前記絶縁性磁性層、及び前記第１のビアの第１主面と相対向する第２主面に設けられ、前記第１のビアに接続され、前記第１のデータ信号を伝送する第２の伝送線路と、前記積層基板、前記絶縁性磁性層、及び前記第２のビアの第１主面に設けられ、前記第２のビアに接続され、前記第１の伝送線路と離間し、第１のデータ信号とは逆位相の第２のデータ信号を伝送する第３の伝送線路と、前記積層基板、前記絶縁性磁性層、及び前記第２のビアの第１主面と相対向する第２主面に設けられ、前記第２のビアに接続され、前記第２の伝送線路と離間し、前記第２のデータ信号を伝送する第４の伝送線路とを具備する伝送線路基板。
【００５８】
（付記３）  前記絶縁性磁性層は、磁性体を誘電体で包接されたものである付記１又は２に記載の伝送線路基板。
【００５９】
（付記４）  前記磁性体は、ＭＸＦｅ３―ＸＯ４（Ｍは磁性金属で、Ｃｏ（コバルト）、Ｚｎ（亜鉛）、或いはＭｎ（マンガン））から構成されるナノスケールフェライト系磁性体、Ｎｉ（ニッケル）−Ｚｎ（亜鉛）フェライト磁性粒子、フェライト磁性粒子、或いはＢａＴｉＯ３（チタン酸バリウム）である付記１乃至３のいずれかに記載の伝送線路基板。
【００６０】
（付記５）  前記絶縁性磁性層は、ＢｉＦｅＯ３とＰＬＺＴを固溶させたものである付記１又は２に記載の伝送線路基板。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】本発明の実施例１に係る伝送線路基板を示す斜視図。
【図２】図１のＡ−Ａ線に沿う伝送線路基板の断面図。
【図３】本発明の実施例１に係る絶縁性磁性層の構成を示す図、図３（ａ）は絶縁性磁性層の模式断面図、図３（ｂ）は絶縁性磁性粒子の模式断面図。
【図４】本発明の実施例１に係る伝送線路の過渡特性を示す図、図中実線（ａ）は本実施例の伝送線路の過渡特性、図中実線（ｂ）は従来の伝送線路の過渡特性。
【図５】本発明の実施例２に係る伝送線路基板を示す断面図。
【図６】本発明の実施例３に係る伝送線路基板を示す斜視図。
【図７】図６のＢ−Ｂ線に沿う伝送線路基板の断面図。
【図８】本発明の実施例４に係る伝送線路基板を示す断面図。
【符号の説明】
【００６２】
１ａ、１ｂ、１ｃ、２ａ、２ｂ、２ｃ  伝送線路
３、３ａ、４、５  誘電体層
６  電源導体
７、７ａ  接地導体
８、８ａ  絶縁性磁性層
９ａ、９ｂ  ビア
１１  絶縁性磁性粒子
１２、１２ａ、１４  誘電体
１３、１３ａ  磁性体
２０、２０ａ  積層基板
２１、２１ａ  基板
３０、３０ａ、３０ｂ、３０ｃ  伝送線路基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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