(57)【要約】【課題】エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置に関し、半導体チップと配線基板とを接合する際、両者の間に充填するエポキシ樹脂組成物に簡単な改変を加え、両者のギャップが狭くても半導体チップの回路面が損傷されないようにする。【解決手段】半導体チップ１のバンプ１Ａと配線基板２の電極２Ａとをフリップチップ接続する場合に半導体チップ１と配線基板２との間に注入されるエポキシ樹脂組成物に於いて、マイクロカプセルの膜厚を異にする複数種類のマイクロカプセル型硬化剤４Ａ及び４Ｂが混合されてなるエポキシ樹脂組成物３、或いは、半導体チップ１及び配線基板２間に前記したエポキシ樹脂組成物３が介在してなる半導体装置が基本になっている。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップの電極と配線基板の電極とをフリップチップ接続する場合に半導体チップと配線基板との間に介在するエポキシ樹脂組成物に於いて、
マイクロカプセルの膜厚を異にする複数種類のマイクロカプセル型硬化剤が混合されてなること
を特徴とするエポキシ樹脂組成物。
【請求項２】
複数種類のマイクロカプセル型硬化剤がマイクロカプセルの膜厚が小さいマイクロカプセル型硬化剤とマイクロカプセルの膜厚が大きいマイクロカプセル型硬化剤であること
を特徴とする請求項１記載のエポキシ樹脂組成物。
【請求項３】
マイクロカプセルの膜厚が小さいマイクロカプセル型硬化剤は、半導体チップと配線基板とを加圧・加熱して接続する際にカプセルが溶解して初期接続を行うことが可能な膜厚をもつこと
を特徴とする請求項２記載のエポキシ樹脂組成物。
【請求項４】
マイクロカプセルの膜厚が大きいマイクロ型硬化剤は、半導体チップと配線基板とを加圧・加熱して接続する際にマイクロカプセルが溶解することなく半導体チップと配線基板との間隙に入り込んで緩衝作用をすることが可能な膜厚をもつこと
を特徴とする請求項２記載のエポキシ樹脂組成物。
【請求項５】
請求項１記載のエポキシ樹脂組成物が半導体チップと配線基板との間に介在してなること
を特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、加熱・加圧接合された半導体チップと配線基板との間に充填するのに好適なエポキシ樹脂組成物及びそのエポキシ樹脂組成物を接合された半導体チップと配線基板との間に充填してなる半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の小型化及び高性能化に伴い、半導体チップのスレンダー化、半導体チップのバンプピッチ及び基板のパッドピッチの微細化に起因するバンプの縮小化が進行しつつある。
【０００３】
半導体チップと配線基板の電極間にバンプを介在させる事によって達成されるフリップチップ実装において、薄化される傾向にある半導体チップ及び配線基板を加熱及び加圧して接合する際、両者の反りに依って半導体チップ−基板間のギャップ、即ち、クリアランスが小さくなり、半導体チップに於ける回路面が基板と接触したり、或いは、ダイシング時などに発生したＳｉ屑などが挟み込まれて半導体チップの回路面に損傷を与えることが問題になっている。
【０００４】
図２は従来の技術を実施して半導体装置を作製する工程を説明する為の工程要所に於ける半導体装置を表す要部切断側面図であり、（Ａ）は半導体チップと配線基板とが未だ分離している状態を、また、（Ｂ）は半導体チップと配線基板とを接合した状態をそれぞれ示している。
【０００５】
図に於いて、１は半導体チップ、１Ａはバンプ、２は配線基板、２Ａは電極、３はエポキシ樹脂組成物（接着剤）をそれぞれ示し、また、（Ｂ）に見られる円は半導体チップ１の回路面にダメージが起こったことを表している。
【０００６】
従来、微細パターンの回路をもつ半導体チップと基板とを接合する場合、半導体チップの回路面にダメージを与えないようにする為、接合時の温度を下げ、半導体チップ及び基板の熱変形や反りを抑制することで、半導体チップと基板間のギャップを少しでも広く維持しようとする方法が知られているが、接合時の温度を下げるので、接合時間が伸びる、また、十分な熱が与えられず接合不良を起こすなどの問題が起こる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明では、半導体チップと配線基板とを接合する際、両者の間に充填するエポキシ樹脂組成物に簡単な改変を加えることで、両者のギャップが狭くても半導体チップの回路面が損傷されないようにする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に依るエポキシ樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置に於いては、半導体チップの電極と配線基板の電極とをフリップチップ接続する場合に半導体チップと配線基板との間に注入されるエポキシ樹脂組成物に於いて、マイクロカプセルの膜厚を異にする複数種類のマイクロカプセル型硬化剤が混合されてなるエポキシ樹脂組成物、及び、半導体チップ及び配線基板間に前記エポキシ樹脂組成物が介在してなる半導体装置、が基本になっている。
【発明の効果】
【０００９】
前記手段を採ることに依り、微細パターンの回路をもつ半導体チップを配線基板に実装した半導体装置に於いて、半導体チップの回路が配線基板と擦れたりして損傷されることは皆無になった。そして、この優れた製造歩留りを招来する為に要する手間としては、厚さを異にする複数種類のマイクロカプセルに充填された硬化剤をエポキシ樹脂組成物に混在させ、そのエポキシ樹脂組成物を配線基板に塗布し、半導体チップと配線基板とを接合するのみであり、そこには何らの困難性もない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
本発明では、マイクロカプセルの膜厚が異なる少なくとも二種類のマイクロカプセル型硬化剤をエポキシ樹脂組成物に添加することに依り、半導体チップと配線基板との加圧・加熱接合初期に於いては、カプセル膜厚が小さい硬化剤が作用して接合を行い、その際、カプセル膜厚が大きい硬化剤は半導体チップと配線基板間に在って、半導体チップの回路面へのダメージを抑止する緩衝材として作用することになる。従って、半導体チップと配線基板との間隙が微細であっても、半導体チップの回路面がダメージを受けることはない。尚、このマイクロカプセルの内容物（コア材）は硬化剤であるため、アフターベーク時にマイクロカプセルが溶解し、コア材がエポキシ樹脂硬化物となるため、架橋密度などに悪影響を及ぼすことはない。
【００１１】
図１は本発明を実施して半導体装置を作製する工程を説明する為の工程要所に於ける半導体装置を表す要部切断側面図であり、（Ａ）は半導体チップと配線基板とが未だ分離している状態を、また、（Ｂ）は半導体チップと配線基板とを接合した状態をそれぞれ示している。尚、図２に於いて用いた記号と同じ記号で指示した部分は同一或いは同効の部分を表すものとする。
【００１２】
図に於いて、４Ａはマイクロカプセルの膜厚が小さいマイクロカプセル型硬化剤、４Ｂはマイクロカプセルの膜厚が大きいマイクロカプセル型硬化剤をそれぞれ示している。
【００１３】
図１（Ａ）に見られるように、接着剤であるエポキシ樹脂組成物３に硬化剤４Ａと４Ｂとを混入して半導体チップ１と配線基板２上に塗布し、図１（Ｂ）に見られるように配線基板２と半導体チップ１とを接合した場合、カプセル膜厚が小さいマイクロカプセル型硬化剤４Ａは加圧・加熱接合時に硬化剤として作用し、その際、カプセル膜厚が大きいマイクロカプセル型硬化剤は、バンプ１Ａと電極２Ａとの間から半導体チップ１と配線基板２との間の狭いギャップ、即ち、クリアランスの部分に追い出されて当該箇所に於いて緩衝材としての役割を果たすことになり、半導体チップがダメージを受けるのを防止する。
【００１４】
加圧・加熱接合時に未溶解であったマイクロカプセルはアフターべークに依って溶解し硬化剤として作用し、そして、硬化剤はアフターべーク後にエポキシ樹脂ネットワークに取り込まれることになる。
【実施例１】
【００１５】
○  エポキシ樹脂組成物について
表１は本発明を実施したエポキシ樹脂組成物を一覧表にしたものであり、ここに挙げたエポキシ樹脂組成物は、主剤として室温で液状タイプのビスフェノールＦ型エポキシ樹脂( 商品名：ＥＸＡ８３０ＬＶＰ、大日本インキ化学工業製）、硬化剤としてイミダゾールをコアとしたマイクロカプセル型硬化剤( マイクロカプセルの膜厚：極厚、厚、中、薄）、カップリング剤としてシランカップリング剤( 商品名：ＫＢＭ４０３、信越化学製）、フィラーとしてアルミナ粉末( 商品名：Ａ０８０２、ドマテックス製）をそれぞれ含んでいる。
【表１】
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【００１６】
○  半導体チップについて
上記のようにして作製したエポキシ樹脂組成物を用いる対象物の一方である半導体チップは、径が３５μｍ、ピッチが５０μｍの金バンプからなる電極を４００個備え、縦が６ .６４ｍｍ、横が６．６４ｍｍ、厚さが０．２ｍｍの寸法になっている。
【００１７】
○  配線基板について
また、樹脂組成物を用いる対象物の他方である配線基板は、径が３５μｍ、ピッチが５０μｍの電極を４００個備え、縦が１２ｍｍ、横が１２ｍｍ、厚さが０．３５ｍｍの三菱瓦斯化学製のトリアジン系樹脂“ＢＴレジン”（商品名）からなるものを準備した。
【００１８】
○  半導体装置の作製について
上述のようにして得たエポキシ樹脂組成物６ｍｇを配線基板の電極周辺に塗布した。次に、半導体チップの電極と配線基板の電極とが接するようにフェイスダウンの状態で位置合わせを行い、荷重６ｋｇ、基板加熱温度７０℃、接合時間を６秒の条件で加熱接合し、図１について説明した半導体装置と同じ構造の半導体装置を作製した。
【００１９】
この場合の加熱条件は、加熱ヘッドの温度は２２０℃／６ｓとした。その後、１５０℃／１ｈの条件下で恒温槽を用いてアフターべークを行った。
【００２０】
○  初期導通試験について
上記のように作製した複数の半導体装置において、接合後、即ち、アフターベーク後に電気的接合を確認するために導通抵抗を測定した。
【００２１】
○  半導体チップ回路面へのダメージ調査について
上記のようにして作製した複数の半導体装置において、接合部、即ち、チップ回路面へのダメージ（傷）について確認を行った。
【００２２】
○  熱サイクル試験について
上記のように作製した複数の半導体装置において、５５℃〜１２５℃の範囲で熱サイクル試験を行った後、各半導体装置における接続点の導通抵抗を各々測定した。
【００２３】
熱サイクル試験は、５５℃での３０分間冷却、室温での１０分間放置、及び、１２５℃での３０分間加熱、を１サイクルとし、このサイクルを各半導体装置に対して５００回繰り返して行った。
【００２４】
熱サイクル試験後の抵抗の上昇が温度サイクル試験前の抵抗に対して１０％以下のものを良品とし、それ以上上昇したものを不良とした。
【００２５】
表２はカプセル膜厚を異にするマイクロカプセル型硬化剤を組み合わせて用いた場合の接合性をサンプル１〜サンプル５について調査した結果を表したものである。
【表２】
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【００２６】
カプセル膜厚の組合せが薄／極厚、薄／厚であるサンプル１及び２は、初期接合性、及び、チップ回路面へのダメージはなく、熱サイクル試験で良好な結果が得られることがわかった。
【００２７】
比較例１及び２
カプセル膜厚が１種類であるマイクロカプセル型硬化剤を用いたこと以外は実施例１と同様にして半導体装置を作製した。比較例に於けるエポキシ樹脂組成物は表１に見られる通りであり、また、本発明の実施例と同様にして各種の試験を行った結果が表２に示されている。
【００２８】
表１及び表２からすると、サンプル１及び２のエポキシ樹脂組成物は、微細ピッチの半導体装置において、良好な接続信頼性を実現していることが看取される。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本発明を実施して半導体装置を作製する工程を説明する為の工程要所に於ける半導体装置を表す要部切断側面図である。
【図２】従来の技術を実施して半導体装置を作製する工程を説明する為の工程要所に於ける半導体装置を表す要部切断側面図である。
【符号の説明】
【００３０】
１  半導体チップ
１Ａ  バンプ
２  配線基板
２Ａ  電極
３  エポキシ樹脂組成物（接着剤）
４Ａ  マイクロカプセルの膜厚が小さいマイクロカプセル型硬化剤
４Ｂ  マイクロカプセルの膜厚が大きいマイクロカプセル型硬化剤
【図１】
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【図２】
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