(57)【要約】【課題】高融点の相変化記録層材料を使用する情報記録媒体において、書換え性能に優れる情報記録媒体を提供する。【解決手段】レーザ光Ｌの照射により情報の記録又は書換えが可能な情報記録媒体１０において、プリグルーブ１１ａを有する基板１１上に、レーザ光Ｌの照射によりアモルファス相と結晶相との間の可逆的変化を生ずる相変化材料を含む記録層１６と、Ｓ元素を含む第一保護層１４と、Ａｇ元素を含む反射層１２とを少なくとも備え、第一保護層１４と反射層１２との間にＺｒ元素及びＣｒ元素の酸化物を含む腐食防止層１３を設けることにより反射層１２の腐食を防ぎ、青色波長領域における記録特性と、高温加湿環境下の保存寿命とが向上する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光の照射により情報の記録又は書換えが可能な情報記録媒体であって、
基板上に、
前記光の照射によりアモルファス相と結晶相との間の可逆的変化を生ずる相変化材料を含む記録層と、
Ｓ元素を含む保護層と、
Ａｇ元素を含む反射層と、を少なくとも備え、
Ｚｒ元素及びＣｒ元素を含む酸化物を含み、前記保護層と前記反射層との間に位置して前記反射層の腐食を防ぐ腐食防止層を有する
ことを特徴とする情報記録媒体。
【請求項２】
前記腐食防止層中の前記Ｚｒ元素と前記Ｃｒ元素との組成比が、ＺｒｘＣｒｙ（０．１０≦（ｙ／ｘ）≦０．９１）から選ばれることを特徴とする請求項１に記載の情報記録媒体。
【請求項３】
前記腐食防止層の膜厚が、１ｎｍ以上２０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の情報記録媒体。
【請求項４】
前記記録層中の前記相変化材料が、少なくとも、Ｂｉ元素、Ｇｅ元素及びＴｅ元素を含むことを特徴とする請求項１に記載の情報記録媒体。
【請求項５】
前記保護層が、ＺｎＳ−ＳｉＯ２材料を含むことを特徴とする請求項１に記載の情報記録媒体。
【請求項６】
前記反射層が、Ａｇ−Ｃａ−Ｃｕ合金を含むことを特徴とする請求項１に記載の情報記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、情報記録媒体に関し、より詳しくは、レーザ照射による記録層の相変化により情報の記録又は書換えが可能な情報記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
書換え可能な情報記録媒体の一つに相変化型光記録媒体がある。相変化型光記録媒体は光ビームの照射により原子配列が２つの異なる状態間（アモルファス相−結晶相）で可逆的に変化する記録層を備え、その記録層の２つの異なる原子配列の状態により情報を記録し、又は情報を書き換える。
相変化型光記録媒体の記録層を形成する相変化材料には、一般に高融点のＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系合金等を用いる。このため、光ビームの照射による「アモルファス相−結晶相」間の相変化の際に、ポリカーボネート等の樹脂製基板への熱ダメージを低減する目的で、記録層の両側に誘電体材料を含む保護層を形成することが多い（特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−０５６５４５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、青色波長領域のレーザ光により、情報を記録又は書換えるＢＤ−ＲＥ（Ｂｌｕ−ｒａｙ  Ｄｉｓｋ  Ｒｅｗｒｉｔａｂｌｅ）は、ＤＶＤ−ＲＡＭ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ  Ｄｉｓｋ  Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）と比較して、記録容量の他にデータ転送速度が速い。ＢＤ−ＲＥの２倍速のデータ転送速度は７２ＭＢｐｓに対し、ＤＶＤ−ＲＡＭの２倍速のデータ転送速度は２２ＭＢｐｓである。つまりＢＤ−ＲＥのデータ書込み速度は、ＤＶＤ−ＲＡＭのデータ書込み速度に対して約３倍である。そのため、１倍速から２倍速対応のＢＤ−ＲＥに必要な相変化材料の検討は、約３倍速から約６倍速対応のＤＶＤ−ＲＡＭに使用する相変化材料と同等と考えられ、ＢＤ−ＲＥの記録層に用いる相変化材料には高速化に適した材料が必要である。
【０００５】
一方、我々の検討によれば、高速化に適した相変化材料は、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系合金と比較してさらに融点が高く、少なくとも７００℃以上であることが判明している。そのため、相変化材料を急冷し、記録マークであるアモルファス形成には、反射層に用いる材料として、青色波長領域において熱伝導度が高い材料を選択する必要がある。反射層のこのような代表的材料としてはＡｇ合金が挙げられる。
さらに、相変化材料の相変化の際に樹脂製基板への熱ダメージを低減する目的で、反射層に隣接して設ける保護層には、青色波長領域において消衰係数が小さいＺｎＳ−ＳｉＯ２等を使用することが多い。
しかしながら、Ａｇ合金を含む反射層に隣接する保護層に、Ｓ元素を含むＺｎＳ−ＳｉＯ２を使用すると、高温高湿環境下においてＡｇ元素が腐食するという問題がある。
【０００６】
本発明の目的は、高融点の相変化記録層材料を使用する情報記録媒体において、書換え性能に優れる情報記録媒体を提供することに有る。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者は鋭意検討した結果、反射層と保護層との間に、ＺｒＯ２とＣｒ２Ｏ３とを組み合わせた材料を含む層を新たに設けることにより、相変化記録層材料を使用する情報記録媒体の書換え性能が向上することを見出し、かかる知見に基き本発明を完成した。
請求項１に記載の発明は、光の照射により情報の記録又は書換えが可能な情報記録媒体であって、基板上に、前記光の照射によりアモルファス相と結晶相との間の可逆的変化を生ずる相変化材料を含む記録層と、Ｓ元素を含む保護層と、Ａｇ元素を含む反射層と、を少なくとも備え、Ｚｒ元素及びＣｒ元素を含む酸化物を含み、前記保護層と前記反射層との間に位置して前記反射層の腐食を防ぐ腐食防止層を有することを特徴とする情報記録媒体である。
請求項２に記載の発明は、前記腐食防止層中の前記Ｚｒ元素と前記Ｃｒ元素との組成比が、ＺｒｘＣｒｙ（０．１０≦（ｙ／ｘ）≦０．９１）から選ばれることを特徴とする請求項１に記載の情報記録媒体である。
請求項３に記載の発明は、前記腐食防止層の膜厚が、１ｎｍ以上２０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の情報記録媒体である。
請求項４に記載の発明は、前記記録層中の前記相変化材料が、少なくとも、Ｂｉ元素、Ｇｅ元素及びＴｅ元素を含むことを特徴とする請求項１に記載の情報記録媒体である。
請求項５に記載の発明は、前記保護層が、ＺｎＳ−ＳｉＯ２材料を含むことを特徴とする請求項１に記載の情報記録媒体である。
請求項６に記載の発明は、前記反射層が、Ａｇ−Ｃａ−Ｃｕ合金を含むことを特徴とする請求項１に記載の情報記録媒体である。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、高融点の相変化材料を使用する場合に、反射層に隣接するＺｒ−Ｃｒ−Ｏ系材料を含む腐食防止層を設けることにより、高温高湿環境下においても、情報記録媒体の保存寿命性が向上する。
本発明の情報記録媒体は、高速且つ高密度で情報の記録、再生、書換えが可能であり、青色波長領域のレーザ光により、情報を記録又は書換えるＢＤ−ＲＥ等として有用である。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、本発明を実施するための最良の形態（以下、発明の実施の形態）について詳細に説明する。尚、本発明は、以下の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で種々変形して実施することが出来る。また、使用する図面は本実施の形態を説明するためのものであり、実際の大きさを表すものではない。
【００１０】
図１は、本実施の形態としての情報記録媒体の層構造を説明する図である。ここでは、相変化材料を含む記録層を有する書換型の情報記録媒体を例に挙げて説明する。
図１に示すように、情報記録媒体１０は、基板１１と、基板１１上のレーザ光Ｌが入射する面側に、Ａｇ元素を含む反射層１２、Ｚｒ元素とＣｒ元素とを含む腐食防止層１３、Ｓ元素を含む第一保護層１４、第一界面層１５、相変化材料を含む記録層１６、第二界面層１７、第二保護層１８、及び光透過性材料からなるカバー層１９とを順次積層する構造を有する。
尚、基板１１の表面は、所定の規格に基づく物理フォーマットに基くトラッキング用のプリグルーブ１１ａを有する。また、情報記録媒体１０に情報を記録又は再生するために、例えば、波長４１０ｎｍ以下のレーザ光Ｌを使用する。
【００１１】
（基板１１）
基板１１は、例えば、適度な加工性と剛性を有するプラスチック、金属、ガラス等を用いて形成する。本実施の形態では、ポリカーボネート樹脂を用いて、内径（センターホール）１５ｍｍ、外径１２０ｍｍ、厚さ１．１ｍｍのディスク状に形成する。
また、基板１１の表面には、所定の規格に基づく物理フォーマットで、螺旋状のプリグルーブ１１ａを形成する。本実施の形態では、プリグルーブ１１ａは、トラックピッチ０．３２μｍ、溝深さ２０ｎｍである。
【００１２】
（反射層１２）
反射層１２は、カバー層１９側から入射し、記録層１６を透過する波長４１０ｎｍ以下のレーザ光Ｌを反射するとともに、情報の記録・再生時に、相変化材料を含む記録層１６から発生する熱を逃がすための層である。
反射層１２は、少なくともＡｇ元素を含み、具体的には、Ａｇ−Ｃａ−Ｃｕ、Ａｇ−Ｎｄ−Ｃｕ、Ａｇ−Ｇａ−Ｃｕ等のＡｇ合金をスパッタリングすることにより形成する。これらの中でも、Ａｇを９０ｍｏｌ％以上含有するＡｇ合金がさらに好ましい。
本実施の形態では、基板１１上に、スパッタリングにより、厚さ１００ｎｍのＡｇＣａ（５００ｐｐｍ）Ｃｕ（１重量％）膜を形成する。
【００１３】
（腐食防止層１３）
腐食防止層１３は、反射層１２と第一保護層１４との間に位置し、第一保護層１４中のＳ元素により反射層１２中のＡｇ元素の腐食を防ぐ層である。
腐食防止層１３は、少なくともＺｒ元素及びＣｒ元素を含む酸化物を含む。Ｚｒ元素及びＣｒ元素を含む酸化物としては、例えば、ＺｒＯ２、Ｃｒ２Ｏ３、Ｚｒ−Ｃｒ−Ｏ合金等が挙げられる。さらに、ＭｇＯ、ＴｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５等の酸化物、ＡｌＮ、Ｇｅ３Ｎ、Ｓｉ３Ｎ等の窒化物等が挙げられる。
本実施の形態としての情報記録媒体１０は、Ａｇ元素を含む反射層１２とＳ元素を含む第一保護層１４との間に、Ｚｒ元素及びＣｒ元素を含む酸化物の膜を設けることにより、情報記録媒体１０の青色波長領域における記録特性と、高温加湿環境下における保存寿命とが良好となる。
ここで、腐食防止層１３中に存在するＺｒ元素とＣｒ元素との組成比（ＺｒｘＣｒｙ）は、（ｙ／ｘ）が０．１０〜０．９１、好ましくは、０．２３〜０．４０の範囲から選ばれることが好ましい。Ｚｒ元素とＣｒ元素との組成比における（ｙ／ｘ）が、過度に小さい、又は、過度に大きいと、いずれも、情報記録媒体に記録する情報の再生ジッターが増大し、記録再生特性が低下する傾向がある。
【００１４】
また、腐食防止層１３の膜厚は、通常１ｎｍ〜２０ｎｍ、好ましくは、１ｎｍ〜１０ｎｍである。腐食防止層１３の膜厚が過度に薄いと、反射層１２中のＡｇ元素が腐食する傾向がある。腐食防止層１３の膜厚が過度に厚いと、再生ジッターが増大し、記録再生特性が低下する傾向がある。
これは、腐食防止層１３を構成するＺｒ−Ｃｒ−Ｏ系材料は熱膨張係数が大きいため、熱膨張により部分的に亀裂が生じやすい傾向があることに起因するものと考えられる。即ち、腐食防止層膜厚が過度に厚いと、腐食防止層１３に生じるわずかな亀裂を通して第一保護層１４のＳ原子が拡散し反射層１２中のＡｇ原子と反応する傾向があると考えられる。
本実施の形態では、反射層１２上に、ＺｒＯ２及びＣｒ２Ｏ３の同時スパッタにより、厚さ２ｎｍのＺｒ−Ｃｒ−Ｏ膜を形成する。
【００１５】
（第一保護層１４）
第一保護層１４は、記録層１６中の相変化材料の相変化の際に、例えば、ポリカーボネート樹脂製の基板１１への熱ダメージを低減する目的で設ける。第一保護層１４の厚さは、通常５ｎｍ〜１０ｎｍである。本実施の形態では、第一保護層１４は、腐食防止層１３上に、スパッタリングにより、膜厚７ｎｍの（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０（モル％）の混合物の膜を形成する。尚、第一保護層１４を形成する材料としては、（ＺｎＳ）／（ＳｉＯ２）の混合比を変えたもの、又はＳ元素を含む酸化物、窒化物を用いることができる。
【００１６】
（第一界面層１５）
第一界面層１５は、第一保護層１４と記録層１６との間で両層の構成元素が互いに侵入、拡散及び化学反応することを防止するための層である。第一界面層１５は、（Ｃｒ−Ｔａ−Ｏ）をスパッタリングすることにより、通常、厚さ１ｎｍ〜５ｎｍの膜厚で形成する。
本実施の形態では、第一界面層１５は、スパッタリングにより、厚さ２ｎｍのＣｒ２０Ｔａ１４Ｏ６６（原子％）膜を形成する。
【００１７】
（記録層１６）
記録層１６は、レーザ光Ｌの照射により原子配列が２つの異なる状態間（アモルファス相−結晶相）で可逆的に変化する相変化材料を含む。相変化材料としては、例えば、ＳｎＧｅＳｂＴｅ合金、ＧｅＳｂＴｅ合金、ＢｉＧｅＴｅ合金が挙げられる。なかでも、ＢｉＧｅＴｅ合金が好ましい。記録層１６の厚さは、通常、１０ｎｍ以下、好ましくは、４ｎｍ〜８ｎｍである。
本実施の形態では、第一界面層１５上に、ＢｉＧｅＴｅターゲットをＡｒガス雰囲気中でスパッタし、厚さ８ｎｍのＢｉ７Ｇｅ４３Ｔｅ５０（原子％）膜を形成する。この記録層１６に波長４１０ｎｍ以下のレーザ光Ｌを照射することにより、相変化材料の原子配列がアモルファス相−結晶相間で可逆的に変化し、２つの異なる原子配列の状態により情報を記録する。
本実施の形態としての情報記録媒体１０は、高融点のＢｉＧｅＴｅ合金を用いて形成する記録層１６と、Ｚｒ元素及びＣｒ元素を含む腐食防止層１３との組み合わせにおいて、青色波長領域における記録特性と、高温加湿環境下における保存寿命とが特に良好となる。
【００１８】
（第二界面層１７）
第二界面層１７は、記録層１６と第二保護層１８との間で両層の構成元素が互いに侵入、拡散及び化学反応することを防止するための層である。第二界面層１７は、（Ｚｒ−Ｃｒ−Ｏ）をスパッタリングすることにより、通常、厚さ１ｎｍ〜５ｎｍの膜厚で形成する。
本実施の形態では、第二界面層１７は、記録層１６上にスパッタリングにより、厚さ２ｎｍのＺｒ５２Ｃｒ２１Ｏ２７（原子％）膜を形成する。
【００１９】
（第二保護層１８）
第二保護層１８の厚さは、通常、３０ｎｍ〜５０ｎｍである。本実施の形態では、第二保護層１８は、第二界面層１７上にスパッタリングにより、厚さ４０ｎｍの（ＺｎＳ）８０−（ＳｉＯ２）２０（モル％）膜を形成する。
第二保護層１８を形成する材料としては、（ＺｎＳ）／（ＳｉＯ２）の混合比を変えたもの、又はＳｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ａｌ２Ｏ３等の酸化物、Ｓｉ−Ｎ、Ａｌ−Ｎ、Ｇｅ−Ｎ等の窒化物を用いることができる。
【００２０】
（カバー層１９）
カバー層１９は、例えば、ポリカーボネート樹脂等の光透過性材料を用いて形成する。本実施の形態では、カバー層１９として、厚さ０．１ｍｍのポリカーボネート樹脂製基板を、接着剤により第二保護層１８上に貼着する。
【実施例】
【００２１】
以下に、実施例に基づき本実施の形態をさらに詳細に説明する。なお、本実施の形態は以下の実施例に限定されない。
以下の実施例では、図１に示す層構造を有する情報記録媒体について、腐食防止層を構成するＺｒ元素及びＣｒ元素の組成と、腐食防止層の膜厚と、をパラメータとする検討結果について述べる。
【００２２】
（実施例１〜６、比較例１，２）
（情報記録媒体の作製）
以下の手順により、腐食防止層１３におけるＺｒ元素とＣｒ元素との組成を変化させた８種類（Ａ〜Ｈ）の情報記録媒体を作製する。情報記録媒体の層構成は図１に示すものと同じである。また、Ｚｒ元素とＣｒ元素との組成は、表１に示す。
直径１２０ｍｍ、厚さ１．１ｍｍのポリカーボネート製の基板１１を、複数のスパッタ室を有するスパッタ装置にセットする。次に、基板１１上に、先ず、反射層１２として、膜厚１００ｎｍのＡｇＣａ（５００ｐｐｍ）Ｃｕ（１重量％）膜を製膜する。
続いて、腐食防止層１３として、膜厚２ｎｍのＺｒ−Ｃｒ−Ｏ膜を形成する。Ｚｒ−Ｃｒ−Ｏ膜のＺｒ元素とＣｒ元素の組成は、１個のスパッタ室内に設ける２つのターゲットに、ＺｒＯ２とＣｒ２Ｏ３とをそれぞれ装着し、同時スパッタにより双方のスパッタリングパワーを変化させ、Ｚｒ−Ｃｒ−Ｏ膜の組成を調節する。
【００２３】
次に、第一保護層１４として、膜厚７ｎｍの（ＺｎＳ）８０−（ＳｉＯ２）２０（モル％）膜を形成する。
更に、第一保護層１４の上に第一界面層５として、膜厚２ｎｍのＣｒ２０Ｔａ１４Ｏ６６（原子％）膜を形成する。
次に、記録層１６として、膜厚８ｎｍのＢｉ７Ｇｅ４３Ｔｅ５０（原子％）膜を形成する。
更に、記録層１６の上に、第二界面層７として、膜厚２ｎｍのＺｒ５２Ｃｒ２１Ｏ２７（原子％）膜を形成する。
続いて、第二保護層１８として、膜厚４０ｎｍの（ＺｎＳ）８０−（ＳｉＯ２）２０（モル％）膜を形成する。
最後に、第二保護層１８の上に、厚さ０．１ｍｍのポリカーボネート製のカバー層１９を接着剤により貼着し、情報記録媒体を作製する。
【００２４】
（情報記録媒体の初期化）
上述の操作により作成した情報記録媒体に、半導体レーザ（波長８１０ｎｍ）からレーザスポットサイズ９５μｍの楕円ビームを有するレーザ光を照射し、ディスク全面を初期結晶化する。
【００２５】
（情報記録媒体の記録再生特性評価）
次に、記録再生特性評価のための情報記録装置について説明する。使用する情報記録装置は、情報の記録又は再生時に情報記録媒体に光照射する半導体レーザ（波長４０５ｎｍ、開口数０．８５）、半導体レーザの出力を制御するレーザドライバ、記録情報に従って生成する記録パルスを発生する波形発生装置、波形等価回路及び２値化回路を備える。
本実施例で使用する情報記録装置では１−７変調を用い、マークエッジ記録方式の記録マークを情報記録媒体に形成して情報を記録する。最短マークである２Ｔマークのマーク長は約０．１４９μｍである。情報記録媒体を所定の記録線速度で回転し、波長４０５ｎｍの半導体レーザ光を開口数（ＮＡ）０．８５の対物レンズで集光し、カバー層１９を通して記録層１６上に照射し、記録および再生を行う。
【００２６】
（多数回書換性能）
多数回書換性能（書換寿命）は、情報記録媒体に、線速度９．８４ｍ／ｓで、情報として２Ｔ〜８Ｔのランダムパターンを１０００回オーバーライト記録し、そのランダムパターンを線速度４．９２ｍ／ｓで再生するときのジッターを、下記の基準に従い評価する。
【００２７】
ジッターの評価基準は以下の通りである。
ａ：ジッター６．５％以下
ｂ：ジッター７％以下
ｃ：ジッター７％を超える
【００２８】
（アーカイバル再生ジッター）
アーカイバル再生ジッター（保存寿命）は、情報記録媒体に、情報として２Ｔ〜８Ｔのランダムパターンを１０回オーバーライト記録し、次に、この情報記録媒体を、８０℃×８０ＲＨ％雰囲気の環境に４８時間放置（加速試験）した後に再生するときのジッターを、前述の基準に従い評価する。結果を表１及び図２（ａ）に示す。尚、測定位置は情報記録媒体の中周で行うが、内周や外周で測定する場合も同様の結果が得られる。
【００２９】
【表１】
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【００３０】
ここで、図２（ａ）の横軸は腐食防止層１３におけるＣｒ量（原子％）である。左縦軸は多数回書換後のジッター％であり、右縦軸はアーカイバル再生のジッター％である。それぞれのジッター％が低いと、記録再生特性は良好となる。
表１に示す結果から、第一保護層１４と反射層１２との間にＺｒ−Ｃｒ−Ｏを含む腐食防止層１３を設けることにより（実施例１〜実施例６）、多数回書換性能試験のジッター及びアーカイバル再生ジッターが低下し、記録再生特性が向上することが分かる。
中でも、腐食防止層１３に、Ｚｒ原子及びＣｒ原子が、（７／６７）≦（Ｃｒ／Ｚｒ）≦（３４／３７）（単位：原子％）の組成比で存在する場合（実施例１〜実施例５）が好ましいことが分かる。
さらに、腐食防止層１３に、Ｚｒ原子及びＣｒ原子が、（１４／５９）≦（Ｃｒ／Ｚｒ）≦（２１／５２）（単位：原子％）の組成比で存在する場合（実施例２，３）が特に好ましいことが分かる。
【００３１】
（実施例７〜２０、比較例３）
実施例１と同様な操作により、腐食防止層１３の膜厚が異なる１４種類の情報記録媒体（Ｊ〜Ｗ）を作成し、実施例１と同様にアーカイバル再生ジッターを評価する。また、アーカイバル再生ジッターを測定後にオーバーライトし、再度ジッターを評価（アーカイバルＯＷ再生ジッター）する。
尚、腐食防止層１３の組成は、Ｚｒ５２Ｃｒ２１Ｏ２７（原子％）である。また、比較のため、腐食防止層を有しない情報記録媒体（Ｉ）を作成し、実施例１と同様にアーカイバル再生ジッターを評価する。
【００３２】
アーカイバルＯＷ再生ジッターは、情報記録媒体に、線速９．８４ｍ／ｓでランダムパターンを１０回オーバーライト記録し、この情報記録媒体を８０℃×８０ＲＨ％雰囲気の環境に４８時間放置した、続いてランダムパターンを１回オーバーライトした後、線速４．９２ｍ／ｓでジッターを評価する。ジッターの評価基準は実施例１と同様である。結果を表２及び図２（ｂ）に示す。
【００３３】
【表２】
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【００３４】
ここで、図２（ｂ）の横軸は腐食防止層膜厚（ｎｍ）である。左縦軸はアーカイバル再生ジッター％であり、右縦軸はアーカイバルＯＷ再生ジッター％である。それぞれのジッター％が低いと、記録再生特性は良好となる。
表２に示す結果から、第一保護層１４と反射層１２との間にＺｒ−Ｃｒ−Ｏを含む腐食防止層１３を設けることにより（実施例７〜実施例２０）、アーカイバル再生ジッター％及びアーカイバルＯＷ再生ジッター％が低下し、記録再生特性が向上することが分かる。
中でも、腐食防止層膜厚が１ｎｍ〜２０ｎｍの場合（実施例８〜実施例１７）が好ましいことが分かる。さらに、腐食防止層膜厚が１ｎｍ〜１０ｎｍの場合（実施例８〜実施例１３）が特に好ましいことが分かる。
一方、腐食防止層１３を有しない場合（比較例３）は、ジッター％が大きいため、記録再生特性が向上しないことが分かる。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】本実施の形態としての情報記録媒体を層構造を説明する図である。
【図２】実施例及び比較例の結果を示す図である。
【符号の説明】
【００３６】
１０…情報記録媒体、１１…基板、１２…反射層、１３…腐食防止層、１４…第一保護層、１５…第一界面層、１６…記録層、１７…第二界面層、１８…第二保護層、１９…カバー層
【図１】
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【図２】
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