(57)【要約】【課題】  微細な電気接続用バンプを用いて常温下で小さな力で接続される電子部品間の電気的な接続状態を安定化し、バンプの形成コストを低減することを目的とする。【解決手段】  上記目的を達成するための電気接続用バンプ形成方法は、基板上に形成された配線が露出する通孔を有する膜である基部モールド膜を前記基板上に形成し、前記配線に接合されるとともに前記基部モールド膜の前記通孔の開口の周囲に被さる導電膜であるバンプ原形を形成し、前記バンプ原形の前記基部モールド膜上の部分である先端部をイオンミリングにより先鋭化し、前記基部モールド膜の少なくとも前記先端部の下部表層を除去する、ことを含む。【選択図】図３
2008243964.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された配線が露出する通孔を有する膜である基部モールド膜を前記基板上に形成し、
前記配線に接合されるとともに前記基部モールド膜の前記通孔の開口の周囲に被さる導電膜であるバンプ原形を形成し、
前記バンプ原形の前記基部モールド膜上の部分である先端部をイオンミリングにより先鋭化し、
前記基部モールド膜の少なくとも前記先端部の下部表層を除去する、
ことを含む電気接続用バンプ形成方法。
【請求項２】
前記先端部が前記基部モールド膜に被さった状態で残存するようにイオンミリングする、
請求項１に記載の電気接続用バンプ形成方法。
【請求項３】
湿式めっきにより前記バンプ原形を形成する、
請求項１に記載の電気接続用バンプ形成方法。
【請求項４】
前記バンプ原形を形成する前に、前記基部モールド膜の前記通孔の開口の周囲を露出させる第二通孔を有する膜である先端部モールド膜を前記基部モールド膜上に形成する、
請求項３に記載の電気接続用バンプ形成方法。
【請求項５】
前記基板は透光性材料からなり、
前記配線は遮光性材料からなり、
前記基部モールド膜はネガ型感光性材料からなり、
前記基板および前記配線を第一のマスクに用いた背面露光と、前記基部モールド膜上に位置する第二のマスクを用いた表面露光と、現像とにより前記基部モールド膜に前記通孔を形成する、
請求項１に記載の電気接続用バンプ形成方法。
【請求項６】
前記バンプ原形は基層膜と表層膜の材質が異なる複層の導電膜からなる、
請求項１に記載の電気接続用バンプ形成方法。
【請求項７】
前記表層膜は先鋭化により前記基層膜が露出しない厚さである、
請求項６に記載の電気接続用バンプ形成方法。
【請求項８】
前記基層膜の厚さは前記基部モールド膜の厚さ以下である、
請求項７に記載の電気接続用バンプ形成方法。
【請求項９】
先鋭化後の前記バンプ原形の前記先端部の表面に前記バンプ原形と材質が異なる表層膜を形成する、
ことを含む請求項１に記載の電気接続用バンプ形成方法。
【請求項１０】
前記基部モールド膜を等方性エッチングにより除去することにより、前記基部モールド膜の少なくとも前記先端部の下部深層を残存させる、
請求項１に記載の電気接続用バンプ形成方法。
【請求項１１】
第一の電子部品に備わる柱体部と前記柱体部より直径が大きい錐体部とからなる鏃形の電気接続用バンプを第二の電子部品の可撓性基板上に形成された配線に突き刺すとともに前記錐体部を前記可撓性基板に埋没させることにより、第一の電子部品と第二の電子部品とを電気的に接続する、
ことを含む電子部品の接続方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電気接続用バンプ形成方法および電子部品の接続方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、異方性導電フィルム（ＡＣＦ）等の柔軟なフィルム型インターポーザーに電子部品の電気接続用バンプ（以下、単にバンプともいう。）の平坦な頂面を接触させ、異方性導電フィルム等に混入している金属粒子を接続対象の部品の配線に突き刺すことにより２つの部品を電気的に接続する方法が知られている。この方法では、接続抵抗がバンプ頂面の平坦度に依存するために接続抵抗が不安定になり、また、高い荷重や熱を加えて接合する必要があるために部品を損傷するおそれがある。
【０００３】
特許文献１、２、３にはバンプを先鋭化することによりこれらの問題を解決する技術が記載されている。
【特許文献１】特開２００１−２６７３５９号公報
【特許文献２】特許３３７０８４２号公報
【特許文献３】特開２００４−３６３１７６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、特許文献１、２、３に記載された技術では、機械加工によってバンプを先鋭化したり、薄膜積層構造のバンプの表層面積を小さくしたり、インクジェット印刷によってバンプを形成したりするため、次の問題がある。機械加工によってバンプを先鋭化すると、バンプの形状再現性が悪くなるため歩留まりが低下するとともにバンプ毎の機械加工では製造コストが高くなる。薄膜積層構造のバンプの表層面積を小さくするとしても、先端が平坦になるためバンプの先鋭度に限度がある。インクジェット印刷では、スラリーの粘性だけで高い先鋭度を実現することは困難である。
【０００５】
本発明は、これらの問題を解決するために創作されたものであって、微細な電気接続用バンプを用いて常温下で小さな力で接続される電子部品間の電気的な接続状態を安定化し、バンプの形成コストを低減することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
（１）上記目的を達成するための電気接続用バンプ形成方法は、基板上に形成された配線が露出する通孔を有する膜である基部モールド膜を前記基板上に形成し、前記配線に接合されるとともに前記基部モールド膜の前記通孔の開口の周囲に被さる導電膜であるバンプ原形を形成し、前記バンプ原形の前記基部モールド膜上の部分である先端部をイオンミリングにより先鋭化し、前記基部モールド膜の少なくとも前記先端部の下部表層を除去する、ことを含む。
本明細書において配線は電極パッドを含む配線要素という意味で用いる。また、イオンミリングとは、対象面での化学反応を必要とせず、イオンボンバードメントによって侵蝕が進行する表面処理を意味する。イオンミリングでは一般にイオンの突入方向に対して傾いた方向で最も浸食速度が高くなる。したがって、この方法によると、先鋭で微細なバンプを形成することができる。またこの方法によると、バンプ原形の間隔が狭くてもバンプ原形を先鋭化することができる。また、イオンミリングでは配線上に形成されている多数のバンプ原形を一度に先鋭化できるため、この方法によると先鋭で微細なバンプの製造コストを低減できる。またイオンミリングは、対象面における侵蝕速度の偏りが小さく、侵蝕可能な材料も幅広く存在する。このように形成された先鋭なバンプを接続対象部品の配線に直接突き刺すことにより部品間の電気的な接続を安定化することができるし、接合に必要な加重を低減することができるし、接合時に加熱する必要がなくなる。またこのように形成された先鋭なバンプを接続対象部品に突き刺すことにより接続対象部品の中間層に形成されている配線や表裏両面に形成されている配線や電極とバンプとを電気的に接続することもできる。
【０００７】
（２）上記目的を達成するための電気接続用バンプ形成方法において、前記先端部が前記基部モールド膜に被さった状態で残存するようにイオンミリングしてもよい。
この場合、バンプ原形を基部モールド膜に被さった状態でイオンミリングするため、バンプは鏃形になる。したがってこの場合、接合強度が高いバンプを形成することができる。
【０００８】
（３）上記目的を達成するための電気接続用バンプ形成方法において、湿式めっきにより前記バンプ原形を形成してもよい。
この場合、乾式めっきでバンプ原形を形成する場合に比べ、バンプの製造コストを低減することができる。
【０００９】
（４）上記目的を達成するための電気接続用バンプ形成方法において、前記バンプ原形を形成する前に、前記基部モールド膜の前記通孔の開口の周囲を露出させる第二通孔を有する膜である先端部モールド膜を前記基部モールド膜上に形成してもよい。
この場合、バンプ原形を湿式めっきにより形成する工程において、基部モールド膜の複数の通孔の開口が先端部モールド膜によって互いに隔てられているため、基部モールド膜の通孔からオーバーフローした部分が隣接する他の通孔からオーバーフローした部分と合体することがない。すなわちこの場合、バンプの配列密度を高くすることができる。
【００１０】
（５）上記目的を達成するための電気接続用バンプ形成方法において、前記基板は透光性材料からなり、かつ、前記配線は遮光性材料からなり、かつ、前記基部モールド膜はネガ型感光性材料からなり、かつ、前記基板および前記配線を第一のマスクに用いた背面露光と、前記基部モールド膜上に位置する第二のマスクを用いた表面露光と、現像とにより前記基部モールド膜に前記通孔を形成してもよい。
この場合、背面露光時に配線のパターンとネガ型感光性材料の非露光領域のパターンが一致するため、配線の幅方向において配線からはみ出さないモールド原形を自己整合的に形成することができる。
【００１１】
（６）上記目的を達成するための電気接続用バンプ形成方法において、前記バンプ原形は基層膜と表層膜の材質が異なる複層の導電膜からなってもよい。
この場合、バンプの製造コストを抑制しつつ、バンプの表面の硬さを上げたり、バンプの表面の耐食性を高めたりすることができる。
【００１２】
（７）上記目的を達成するための電気接続用バンプ形成方法において、前記表層膜は先鋭化により前記基層膜が露出しない厚さであることが好ましい。
【００１３】
（８）上記目的を達成するための電気接続用バンプ形成方法において、前記基層膜の厚さは前記基部モールド膜の厚さ以下であってもよい。
【００１４】
（９）上記目的を達成するための電気接続用バンプ形成方法において、先鋭化後の前記バンプ原形の前記先端部の表面に前記バンプ原形と材質が異なる表層膜を形成してもよい。
この場合、バンプの製造コストを抑制しつつ、バンプの表面の硬さを上げたり、バンプの表面の耐食性を高めたりすることができる。
【００１５】
（１０）上記目的を達成するための電気接続用バンプ形成方法において、前記基部モールド膜を等方性エッチングにより除去することにより、前記基部モールド膜の少なくとも前記先端部の下部深層を残存させてもよい。
この場合、バンプの剥離耐性を高めることができる。
【００１６】
（１１）上記目的を達成するための電子部品の接続方法は、第一の電子部品に備わる柱体部と前記柱体部より直径が大きい錐体部とからなる鏃形の電気接続用バンプを第二の電子部品の可撓性基板上に形成された配線に突き刺すとともに前記錐体部を前記可撓性基板に埋没させることにより、第一の電子部品と第二の電子部品とを電気的に接続する、ことを含む。
この方法によると、バンプの柱体部より直径が大きなバンプの錐体部が可撓性基板に埋没するため、２つの電子部品の接合強度を高めることができる。
【００１７】
尚、請求項において「〜上に」というときは、技術的な阻害要因がない限りにおいて「上に中間物を介在させずに」と「〜上に中間物を介在させて」の両方を意味する。また、請求項に記載された動作の順序は、技術的な阻害要因がない限りにおいて記載順に限定されず、同時に実行されても良いし、記載順の逆順に実行されても良いし、連続した順序で実行されなくても良い。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の実施の形態を添付図面を参照しながら以下の順に説明する。尚、各図において対応する構成要素には同一の符号が付され、重複する説明は省略される。
＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊
１．第一実施形態
２．第二実施形態
３．第三実施形態
４．第四実施形態
５．第五実施形態
６．第六実施形態
７．第七実施形態
８．第八実施形態
９．電子部品の接続方法
１１．他の実施形態
＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊＊
【００１９】
１．第一実施形態
図１から図４は、本発明による電気接続用バンプ形成方法の第一実施形態を示す模式的な断面図である。各図において分図（Ａ）と分図（Ｂ）とは分図内において互いに直交する断面をそれぞれ示している。
【００２０】
はじめに、図１に示すように配線１１が形成された基板１０の表面に基部モールド膜１２を形成する。配線１１は、シード膜１１１とめっき膜１１２とからなる複層膜構造でもよいし、単層膜構造であってもよい。配線１１の材料にはＣｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ合金などが用いられる。
【００２１】
基部モールド膜１２は、バンプの柱体部を形成するための型として用いる膜であり、その形成方法は例えば次の通りである。はじめに基板１０および配線１１の表面全体に化学増幅型ネガレジストなどの感光性樹脂を塗布し、プリベークした後に、フォトマスクを用いた露光と現像によって配線１１が露出する通孔１２０が形成される。通孔１２０の断面は円形でも矩形でも良い。後述するバンプの柱状部の高さを決める基部モールド膜１２の厚さは例えば２μｍでも３μｍでも、１００μｍでもよい。
【００２２】
次に図２に示すように、湿式めっきによって配線１１の表面から導電性の堆積膜を成長させ、基部モールド膜１２の開口１２１からオーバーフローさせる。その結果、基部モールド膜１２の通孔１２０は導電性の堆積膜によって充填されるとともに、配線１１に接合され基部モールド膜１２の開口１２１の周囲に被さる導電性の堆積膜からなるバンプ原形１３１が形成される。バンプ原形１３１の材料には例えばＮｉ、Ｎｉ合金、Ｃｕ、Ｃｕ合金などが用いられる。バンプ原形１３１の材料と配線１１の材料を共通にしても良い。Ｎｉ合金としては、例えばＮｉＦｅ、ＮｉＭｏ、ＮｉＷ、ＮｉＭｎ、ＮｉＰ等が用いられる。湿式めっきの方法には、電解めっき、無電解めっき、パルスめっきなどが用いられる。
【００２３】
次に図３に示すように、バンプ原形１３１の基部モールド膜１２の通孔１２０からはみ出している先端部をイオンミリングにより先鋭化する。イオンミリングされる面では、ガスやバンプ原形１３１の材料の組み合わせにもよるが、一般にイオンの突入方向に対して約４５度傾いた方向で最も侵蝕速度が高くなる。具体的には例えばＡｒガスを用い、基板１０の表面に対して垂直な方向に電界を形成すると、Ｎｉからなるバンプ原形１３１の先端部の角が約４５度に面取りされる。基部モールド膜１２の通孔１２０からはみ出しているバンプ原形１３１の先端部の径の大きさの半分をイオンミリングによるエッチング深さに設定することにより、バンプ原形１３１の先端部を底角約４５度の円錐体に整形し、バンプ原形１３１を完全に先鋭化することができる。このとき、バンプ原形１３１の数にかかわらず、基板１０上に形成されている全てのバンプ原形１３１の先端部が同時に先鋭化される。また、基板１０上にある複数のバンプ原形１３１の先端部形状はイオンミリング後において均一になり、またイオンミリングによって成形される先端部の形状の再現性も高い。
【００２４】
最後に基部モールド膜１２を除去すると、図４に示すように錐体部１３２と錐体部１３２より径の小さい柱体部１３３とからなる鏃形のバンプ１３が完成する。化学増幅型ネガレジストからなる基部モールド膜１２は、ＮＭＰ（エヌ・メチル・２・ピロリドン）、アセトン、Ｏ２プラズマ、アミン系有機剥離液などで除去される。
【００２５】
２．第二実施形態
図５および図６は、本発明による電気接続用バンプ形成方法の第二実施形態を示す模式的な断面図である。各図において分図（Ａ）と分図（Ｂ）とは分図内において互いに直交する断面をそれぞれ示している。
【００２６】
図５に示すように、バンプ原形１３１は複層の堆積膜で形成しても良い。具体的には例えばＮｉからなる基層膜１３４を通孔１２０の内部に形成し、その後に基層膜１３４よりも硬さや化学的安定性の高い表層膜１３５を積層し、表層膜１３５によってバンプ原形１３１の基部モールド膜１２からはみ出す先端部を形成してもよい。基層膜１３４を成膜コストの低い材料で形成し、表層膜１３５を基層膜１３４より硬い材料で形成することにより、バンプの製造コストを抑制しつつ、バンプを接続対象物に突き刺すための硬さを上げることができる。表層膜１３５を基層膜１３４より化学的安定性に優れた材料、例えば貴金属で形成することにより、バンプの接続安定性や抵抗率が向上する。
【００２７】
その後、図６に示すようにイオンミリングにより表層膜１３５の基部モールド膜１２からはみ出している部分を先鋭化した後に、基部モールド膜１２を除去すると積層構造体であるバンプが完成する。
【００２８】
３．第三実施形態
図７は、本発明による電気接続用バンプ形成方法の第三実施形態を示す模式的な断面図である。分図（Ａ）と分図（Ｂ）とは分図内において互いに直交する断面をそれぞれ示している。
図７に示すように、１カ所の電気的な接続についてバンプ１３を複数形成しても良い。
【００２９】
４．第四実施形態
図８、図９および図１０は、本発明による電気接続用バンプ形成方法の第四実施形態を示す模式的な断面図である。各図において分図（Ａ）と分図（Ｂ）とは分図内において互いに直交する断面をそれぞれ示している。
【００３０】
バンプ原形１３１を形成する前に、基部モールド膜１２の上に先端部モールド膜１４を形成しても良い。先端部モールド膜１４は、バンプ原形１３１を湿式めっきにより形成するときに、基部モールド膜１２の隣り合う通孔１２０からオーバーフローしためっき材料が合体することを防止するための膜である。このような先端部モールド膜１４は、基部モールド膜１２を形成した後に、配線１１と基部モールド膜１２の表面全体に基部モールド膜１２の材料とは除去方法が異なる感光性樹脂を塗布し、プリベークした後に、フォトマスクを用いた露光と現像によって基部モールド膜１２の開口１２１の周囲を露出させる通孔１４１を形成することによって形成できる。先端部モールド膜１４の厚さは例えば３μｍに設定する。その後、第一実施形態と同様にバンプ原形１３１を形成し、先端部モールド膜１４を選択的に除去する。バンプ原形１３１の高さは、めっき材料が先端部モールド膜１４の通孔１４１からオーバーフローしない高さに設定する。
【００３１】
このように先端部モールド膜１４を用いることにより、バンプ原形１３１を形成する工程においてめっき成長の終点制御の許容範囲が広くなるため、図９に示すようにバンプ原形１３１に基部モールド膜１２からはみ出す先端部を形成しつつ隣り合うバンプ原形１３１を確実に分断することができる。
その後、第一実施形態と同様にミリングによりバンプ原形１３１の先端部を先鋭化すると、図１０に示すバンプ１３が完成する。
【００３２】
５．第五実施形態
図１１および図１２は、本発明による電気接続用バンプ形成方法の第五実施形態を示す模式的な断面図である。各図において分図（Ａ）と分図（Ｂ）とは分図内において互いに直交する断面をそれぞれ示している。
【００３３】
図１１に示すようにバンプの錐体部を構成する表層膜１３５は、基層膜１３４の基部モールド膜１２からはみ出した部分を先鋭化した後に形成しても良い。具体的には例えば成膜コストの低い基層膜１３４を基部モールド膜１２の通孔１２０からオーバーフローするまで配線１１から湿式めっきにより成長させ、基部モールド膜１２からはみ出した部分をイオンミリングにより先鋭化した後に、表層膜１３５を基層膜１３４の表面上に形成する。表層膜１３５にはＡｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｒｈ等の化学的に安定した貴金属を用いることが望ましい。表層膜１３５の成膜には、電解めっきを用いても良いし、ディスペンサやインクジェット方式による導電性ペーストや独立分散性超微粒子を含むナノインクまたはナノペーストを基層膜１３４の露出部分に滴下後にベークしてもよい。
その後、基部モールド膜１２を除去すると、図１２に示すバンプ１３が完成する。
【００３４】
６．第六実施形態
バンプ原形は乾式めっき、すなわちＣＶＤやＰＶＤを用いて形成しても良い。
図１３、図１４および図１５は、本発明による電気接続用バンプ形成方法の第六実施形態を示す模式的な断面図であり、Ｗからなるバンプ原形を形成する方法を示している。各図において分図（Ａ）と分図（Ｂ）とは分図内において互いに直交する断面をそれぞれ示している。
【００３５】
基部モールド膜１２には無機材料が用いられ、例えばプラズマＣＶＤによって堆積するＳｉＯｘが用いられる。基部モールド膜１２の厚さは例えば２μｍに設定する。先端部モールド膜１４にも無機材料が用いられる。基部モールド膜１２に対して選択的にエッチング可能な例えばＳｉＮｘを基部モールド膜１２の表面全体にプラズマＣＶＤによって堆積させることによって先端部モールド膜１４が形成される。
【００３６】
先端部モールド膜１４に感光性材料を塗布しフォトマスクを用いたパターニング（露光と現像）によりフォトレジストマスクを形成し、続いて、例えばＣＦ４ガスを用いた反応性イオンエッチングによって通孔１４１を形成し、さらに別の感光性材料を先端部モールド膜１４および基部モールド膜１２の表面全体に塗布した後に、フォトマスクを用いた露光と現像を実施することによって、図１３に示すように通孔１５１を有する第二のフォトレジストマスク１５を形成する。
【００３７】
フォトレジストマスク１５とＣＨＦ３を用いた反応性イオンエッチングを実施した後に、フォトレジストマスク１５を除去すると、図１４に示すように基部モールド膜１２に通孔１２０が形成され、配線１１が露出する。
【００３８】
その後、プラズマＣＶＤによってＷからなるバンプ原形を形成し、先端部モールド膜１４を選択的に除去した後に、バンプ原形の基部モールド膜１２からはみ出している部分を先鋭化し、さらに基部モールド膜１２を除去すると、図１５に示すバンプ１３が完成する。ＳｉＮｘからなる先端部モールド膜１４は例えば熱燐酸によって除去される。ＳｉＯｘからなる基部モールド膜１２は、例えば、ＣＨＦ３ガスを用いた反応性イオンエッチングとＣＦ４系のガスを用いたプラズマエッチングとを組み合わせて除去される。
【００３９】
７．第七実施形態
図１６、図１７および図１８は、本発明による電気接続用バンプ形成方法の第六実施形態を示す模式的な断面図であり、バンプを配線１１と自己整合的に形成する方法を示している。各図において分図（Ａ）と分図（Ｂ）とは分図内において互いに直交する断面をそれぞれ示している。
【００４０】
バンプを配線１１に対して自己整合的に形成するためには、透光性材料からなる基板１０と遮光性材料からなる配線１１とを第一のマスクとして用いた背面露光と、表面露光と、現像とによってネガ型感光性材料からなる基部モールド膜１２を形成する。
【００４１】
基板１０に用いる透光性材料としては、例えば石英、ソーダライムガラス、透明結晶化ガラスなどが好適である。配線１１には、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｌ等、一般的に配線材料として用いられる遮光性材料を用いることができる。配線１１を複層膜で形成する場合には、いずれかの膜に遮光性があればよい。ネガ型感光性材料としては、化学増幅型ネガレジスト、感光性ポリイミドなどを用いることができる。
【００４２】
図１６に示すように、基板１０と配線１１の表面に基部モールド膜１２を形成するためのネガ型感光性材料を塗布しプリベークした後に、透光性材料からなる基板１０の裏側からネガ型感光性材料を露光すると、ネガ型感光性膜に感光領域１２２と非感光領域１２３とが形成される。後の現像によって除去される非感光領域１２３のパターンは配線１１のパターンと完全に一致する。
【００４３】
次に図１７に示すように、透光性基板１６１に遮光性膜１６２が接合されたフォトマスク１６をネガ型感光性膜の上にセットした状態で基板１０の表側からネガ型感光性膜を露光する。このとき、フォトマスク１６の遮光性膜１６２は少なくとも一部が配線１１と重なっている。フォトマスク１６の遮光性膜１６２のパターンを、配線１１の幅方向において配線１１より広く、配線１１の長さ方向においてはバンプの柱体部の幅に一致させることにより、配線１１からはみ出ないバンプの柱体部を最大限太く自己整合的に形成することが可能になる。すなわち、図１７Ａに示すように配線１１の幅方向において遮光性膜１６２が配線１１からはみ出しているとしても、非感光領域１２３は配線１１の幅方向には広がらないし、配線１１の幅方向において遮光性膜１６２が配線１１からはみ出している限り、非感光領域１２３は配線１１の幅方向には狭まらない。一方、図１７Ｂに示すように、配線１１の長さ方向において遮光性膜１６２は局所的に形成されているため、配線１１の長さ方向において非感光領域１２３は狭まり、感光領域１２２は広がる。
【００４４】
次にネガ型感光性材料を現像すると非感光領域１２３が除去され、その結果、図１８に示すように通孔１２０を有する基部モールド膜１２が形成される。図１８Ａに示すように配線１１の幅方向において通孔１２０の輪郭は配線１１の輪郭と完全に一致する。
【００４５】
その後、第一実施形態と同様にバンプ原形を形成し、その先端部を先鋭化し、基部モールド膜１２を除去すると、配線１１の幅方向において配線１１の輪郭と完全に重なる輪郭を持つ柱体部と錐体部からなるバンプが完成する。
【００４６】
８．第八実施形態
図１９、図２０、図２１および図２２は、本発明による電気接続用バンプ形成方法の第六実施形態を示す模式的な断面図である。各図において分図（Ａ）と分図（Ｂ）とは分図内において互いに直交する断面をそれぞれ示している。
【００４７】
上述した第六実施形態と同様に基部モールド膜１２および先端部モールド膜１４を形成した後、図１９に示すように基部モールド膜１２および先端部モールド膜１４の表面全体にシード層としての基層膜１３４を形成し、ＷＦ６ガスを用いたプラズマＣＶＤによってＷからなる表層膜１３５を形成する。基層膜１３４の材料には例えばＴｉＮｘを用いる。シード層としての基層膜１３４は例えば０．３μｍの厚さとし、スパッタによって形成する。表層膜１３５の厚さは例えば１μｍとする。
【００４８】
次に図２０に示すように、先端部モールド膜１４が露出するまで表層膜１３５および基層膜１３４を除去してバンプ原形１３１を形成する。このとき、研削、研磨、ＣＭＰ、エッチバックの少なくともいずれか１つが用いられる。
【００４９】
次に第六実施形態と同様に先端部モールド膜１４を除去した後、図２１に示すようにバンプ原形１３１の先端部を先鋭化する。
【００５０】
次に基部モールド膜１２を除去するとき、基部モールド膜１２を等方的にエッチングすると、図２２に示すようにバンプ原形１３１の先端部の直下に位置する部分の深層を残しつつ基部モールド膜１２の一部を除去することができる。この場合、底面が配線１１に接合された柱体部１３３の側面が基部モールド膜１２の残存部に接合された状態でバンプ１３が完成するため、バンプ１３の剥離耐性が高まる。
【００５１】
９．電子部品の接続方法
図２３は、配線１１に上述した様々なバンプ１３が接合されている電子部品１７を可撓性基板１８１の表面上に配線１８２が形成された電子部品１８に電気的に接続する方法を示す模式的な断面図である。
【００５２】
バンプ１３を配線１８２に突き刺すと、バンプ１３の高さが配線１８２の厚さより高ければ、バンプ１３は配線１８２を貫通して可撓性基板１８１に突き刺さる。さらにバンプ１３の柱体部１３３の高さが配線１８２の厚さより高ければ、バンプ１３の錐体部１３２は可撓性基板１８１に埋没する。バンプ１３は配線１８２より硬く形成されている必要があるため、例えばＣｕまたはＡｌからなる配線１８２に対しては、ＮｉＭｎ、ＮｉＦｅなどのニッケル合金からなるバンプ１３が組み合わせられる。可撓性基板１８１の材料には例えばポリイミドが用いられる。
【００５３】
バンプ１３は先鋭化した鏃形であるため、小さい力で配線１８２に突き刺すことができる。バンプ１３の錐体部１３２の径はその柱体部１３３の径よりも大きいため、錐体部１３２が可撓性基板１８１に埋没するように柱体部１３３の高さを設定することにより、バンプ１３が電子部品１８から抜けにくくなる。この場合、電子部品１７と電子部品１８を接合するための接着剤の使用量を減らしたり、接着剤を用いずに電子部品１７と電子部品１８を接合することができる。接着剤を用いずに電子部品１７と電子部品１８を接合する場合には、接合後に電子部品１７と電子部品１８とを分離することが容易になる。
【００５４】
図２４は、配線１１に上述した様々なバンプ１３が接合されている電子部品１７および電子部品１９を両面配線基板である電子部品１８に電気的に接続する方法を示す模式的な断面図である。
両面配線基板のように多層の配線を備える電子部品においては、配線をバンプ１３が突き抜けることによってショートが起こる場合がある。このような場合、配線１８５、１８８を複層構造とし、その基層を硬質膜１８３、１８６とし、その表層を軟質膜１８４、１８７とし、バンプ１３を硬質膜１８３、１８６より軟らかく軟質膜１８４、１８７より硬く形成することによってショートを防止することができる。尚、硬質膜および軟質膜の用語は相対的に硬質または軟質な膜という意味で用いている。例えば、Ｎｉ合金からなるバンプ１３とＡｌ、Ｃｕ等の低融点金属からなる軟質膜１８４、１８７とＴｉＮ、ＴａＮ等の高融点金属からなる硬質膜１８３、１８６とを組み合わせることにより、多層配線基板におけるショートの不具合を防止できる。
【００５５】
１０．他の実施形態
尚、本発明の技術的範囲は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。例えば、上記実施形態で示した材質や寸法や成膜方法やパターン転写方法はあくまで例示であるし、当業者であれば自明である工程の追加や削除や工程順序の入れ替えについては説明が省略されている。また例えば、上述した製造工程において、膜の組成、成膜方法、膜の輪郭形成方法、工程順序などは、バンプや配線を構成しうる物性を持つ膜材料の組み合わせや、膜厚や、要求される輪郭形状精度などに応じて適宜選択されるものであって、特に限定されない。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】図１Ａおよび図１Ｂは本発明の第一実施形態にかかる模式的な断面図である。
【図２】図２Ａおよび図２Ｂは本発明の第一実施形態にかかる模式的な断面図である。
【図３】図３Ａおよび図３Ｂは本発明の第一実施形態にかかる模式的な断面図である。
【図４】図４Ａおよび図４Ｂは本発明の第一実施形態にかかる模式的な断面図である。
【図５】図５Ａおよび図５Ｂは本発明の第二実施形態にかかる模式的な断面図である。
【図６】図６Ａおよび図６Ｂは本発明の第二実施形態にかかる模式的な断面図である。
【図７】図７Ａおよび図７Ｂは本発明の第三実施形態にかかる模式的な断面図である。
【図８】図８Ａおよび図８Ｂは本発明の第四実施形態にかかる模式的な断面図である。
【図９】図９Ａおよび図９Ｂは本発明の第四実施形態にかかる模式的な断面図である。
【図１０】図１０Ａおよび図１０Ｂは本発明の第四実施形態にかかる模式的な断面図である。
【図１１】図１１Ａおよび図１１Ｂは本発明の第五実施形態にかかる模式的な断面図である。
【図１２】図１２Ａおよび図１２Ｂは本発明の第五実施形態にかかる模式的な断面図である。
【図１３】図１３Ａおよび図１３Ｂは本発明の第六実施形態にかかる模式的な断面図である。
【図１４】図１４Ａおよび図１４Ｂは本発明の第六実施形態にかかる模式的な断面図である。
【図１５】図１５Ａおよび図１５Ｂは本発明の第六実施形態にかかる模式的な断面図である。
【図１６】図１６Ａおよび図１６Ｂは本発明の第七実施形態にかかる模式的な断面図である。
【図１７】図１７Ａおよび図１７Ｂは本発明の第七実施形態にかかる模式的な断面図である。
【図１８】図１８Ａおよび図１８Ｂは本発明の第七実施形態にかかる模式的な断面図である。
【図１９】図１９Ａおよび図１９Ｂは本発明の第八実施形態にかかる模式的な断面図である。
【図２０】図２０Ａおよび図２０Ｂは本発明の第八実施形態にかかる模式的な断面図である。
【図２１】図２１Ａおよび図２１Ｂは本発明の第八実施形態にかかる模式的な断面図である。
【図２２】図２２Ａおよび図２２Ｂは本発明の第八実施形態にかかる模式的な断面図である。
【図２３】本発明の実施形態にかかる模式的な断面図である。
【図２４】本発明の実施形態にかかる模式的な断面図である。
【符号の説明】
【００５７】
１０：基板、１１：配線、１２：基部モールド膜、１３：バンプ、１４：先端部モールド膜、１５：フォトレジストマスク、１６：フォトマスク、１７：電子部品、１８：電子部品、１９：電子部品、１１１：シード膜、１１２：めっき膜、１２０：通孔、１２１：開口、１２２：感光領域、１２３：非感光領域、１３１：バンプ原形、１３２：錐体部、１３３：柱体部、１３４：基層膜、１３５：表層膜、１４１：通孔、１５１：通孔、１６１：透光性基板、１６２：遮光性膜、１８１：可撓性基板、１８２：配線、１８２：硬質膜、１８３：軟質膜、１８５：配線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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