(57)【要約】【課題】封止樹脂の圧入による半導体チップへの応力集中の発生を抑制し、より信頼性に優れた積層構造を構成する。【解決手段】複数の半導体チップ１１・１２が積層された絶縁基板１５が金型内に設置され、樹脂が上記金型内に圧入されることにより、絶縁基板１５上に積層された複数の半導体チップ１１・１２が上記樹脂で覆われるように成形された樹脂封止型の半導体装置１０であって、複数の半導体チップ１１・１２のうちいずれか１つの半導体チップ１１の外縁よりも、半導体チップ１１から絶縁基板１５に向かう側とは反対側であって半導体チップ１１の真上に積層された半導体チップ１２が突き出す場合、半導体チップ１１と半導体チップ１２との間に剛性体１７を設ける。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の半導体チップが積層された絶縁基板が金型内に設置され、樹脂が上記金型内に圧入されることにより、上記絶縁基板上に積層された複数の半導体チップが上記樹脂で覆われるように成形された樹脂封止型の半導体装置であって、
上記複数の半導体チップのうちいずれか１つの第１半導体チップの外縁よりも、当該第１半導体チップから上記絶縁基板に向かう側とは反対側であって当該第１半導体チップの真上に積層された第２半導体チップが、上記絶縁基板に平行な方向に向かって突き出す場合、
上記第１半導体チップと上記第２半導体チップとの間に剛性体を設けることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
複数の半導体チップが積層された絶縁基板が金型内に設置され、樹脂が上記金型内に圧入されることにより、上記絶縁基板上に積層された複数の半導体チップが上記樹脂で覆われるように成形された樹脂封止型の半導体装置であって、
上記複数の半導体チップのうちいずれか１つの第１半導体チップの外縁よりも、当該第１半導体チップから上記絶縁基板に向かう側とは反対側であって当該第１半導体チップの真上に積層された第２半導体チップが、上記絶縁基板に平行な方向に向かって突き出す場合、
上記第１半導体チップから上記絶縁基板に向かう側であって当該第１半導体チップの真下に、剛性体を設けることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
上記剛性体は、シリコンから成るチップであることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
上記剛性体は、金属製のスペーサーであることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項５】
上記剛性体は、耐熱性を有する樹脂製のスペーサーであることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項６】
上記剛性体は、四辺形状の外形を有するチップであり、
上記剛性体の外縁は、上記第２半導体チップが突き出す方向では、上記第１半導体チップの外縁よりも長く、かつ、上記第２半導体チップの外縁よりも短いことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項７】
上記剛性体は、四辺形状の外形を有するチップであり、
上記剛性体の外縁は、上記第２半導体チップが突き出す方向では、上記第１半導体チップの外縁よりも短いことを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項８】
上記第２半導体チップが突き出す量は、１．５ｍｍ以上であることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項９】
上記第２半導体チップが突き出た領域であり上記絶縁基板に対向する面から、上記絶縁基板までの上記面の直下の空間には、上記剛性体のみが設けられている、または、何も存在しないことを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項１０】
上記第２半導体チップが突き出た領域であり、上記絶縁基板に対向する面から、上記絶縁基板までの第１距離は、当該第２半導体チップの上記絶縁基板に対向する面とは反対側の面から、上記覆われるように成形された樹脂の露出面までの第２距離よりも大きいことを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項１１】
上記絶縁基板と上記複数の半導体チップとが、導電体によって電気的に接続されていることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項１２】
上記導電体は、ワイヤボンディング方法を用いて接続される金線により構成されていることを特徴とする請求項１１に記載の半導体装置。
【請求項１３】
上記導電体は、フリップチップ方法を用いて接続される金属バンプと、ワイヤボンディング方法を用いて接続される金線とを併用することにより構成されていることを特徴とする請求項１１に記載の半導体装置。
【請求項１４】
上記導電体は、
上記絶縁基板を貫通して形成される第１金属ポスト、および、当該第１金属ポストと電気的に接続されるとともに上記複数の半導体チップが積層される面に設けられた第１再配線層と、
上記複数の半導体チップ毎に設けられる、半導体チップを貫通して形成される第２金属ポスト、および、当該第２金属ポストと電気的に接続されるとともに上記絶縁基板に対向する面とは反対側の面に設けられた第２再配線層と、
上記第１再配線層と、上記絶縁基板の１つ上に積層された半導体チップの上記第２金属ポストとを接続する第１金属バンプと、
上記第２再配線層と、当該第２再配線層を有する半導体チップの１つ上に積層された半導体チップの第２金属ポストとを接続する第２金属バンプと、により構成されていることを特徴とする請求項１１に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に関するものであり、特に、積層構造を有した樹脂封止型半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、例えば、携帯機器に搭載するためのメモリなどに、付加価値や容量の増大を目的として、単一の半導体パッケージ内に複数個の半導体チップを積層構成した半導体パッケージ（半導体装置）が増加している。
【０００３】
半導体装置は、各半導体チップの積層・電気接続の工程後に、トランスファーモールド方式による樹脂封止工程において、積層された半導体チップや導電線などが樹脂で封止され、パッケージングされている。トランスファーモールド方式は、型締めされた金型内に、樹脂を圧入して成形する方法である。
【０００４】
この半導体装置において半導体チップの積層数が少ない場合には、一般的に、大きい半導体チップをなるべく下方へ、また、小さな半導体チップを上方へ配置するようなピラミッド構造が用いられている。
【０００５】
しかしながら、より小さなパッケージ内に、大小サイズが異なり、さらにはワイヤボンディングする電極の位置なども異なる複数の半導体チップを効率良く積層するためには、ピラミッド構造が効率的ではない場合があった。それゆえ、小さな半導体チップの上に大きな半導体チップが積層されるという、ピラミッド構造を逆にしたような積層構造を採用せざるを得ない場合があった。
【０００６】
ところが、ピラミッド構造を逆にしたような積層構造の中でも、図７に示すように、特に、小さな半導体チップの上に大きな半導体チップが積層され、小さな半導体チップよりも大きな半導体チップの突き出た部分が非常に大きい構造において、問題があることがわかった。
【０００７】
図７は、従来の半導体装置１００の構造を示す斜視図である。
【０００８】
従来の半導体装置１００は、図７に示すように、半導体チップ１０１と、半導体チップ１０１に積層されている半導体チップ１０２とが、絶縁基板１０５上に積層された構成を有している。半導体チップ１０１は、接着層１０３を介して絶縁基板１０５に固定されている。半導体チップ１０２は、接着層１０４を介して半導体チップ１０１に固定されている。
【０００９】
また、金線１０６が、半導体チップ１０１および半導体チップ１０２と絶縁基板１０５との間に、例えば、ワイヤボンディングによりそれぞれ接続されている。これにより、半導体チップ１０１および半導体チップ１０２と絶縁基板１０５との間で、電気信号がそれぞれ入出力される。
【００１０】
また、半導体装置１００において、半導体チップ１０１と半導体チップ１０２と絶縁基板１０５との間の他の導電接続構成を図８に示す。
【００１１】
図８（ａ）（ｂ）に示すように、絶縁基板１０５には、絶縁基板１０５を貫通して形成される金属ポスト１１１が設けられている。半導体チップ１０１には、半導体チップ１０１を貫通して形成される金属ポスト１１３、および金属ポスト１１３に電気的に接続される再配線層１１４が設けられている。半導体チップ１０２には、半導体チップ１０２を貫通して形成される金属ポスト１１６が設けられている。
【００１２】
そして、金属ポスト１１１と金属ポスト１１３とを接続する金属バンプ１１２、および再配線層１１４と金属ポスト１１６とを接続する金属バンプ１１５が設けられている。
【００１３】
これにより、金属ポスト１１１、金属バンプ１１２、金属ポスト１１３、再配線層１１４、金属バンプ１１５、および金属ポスト１１６を介して、半導体チップ１０１と半導体チップ１０２と絶縁基板１０５との間で、電気信号がそれぞれ入出力される。
【００１４】
なお、図７および８に示す半導体装置１００は、積層・電気接続の工程後の状態を示しており、樹脂で封止を行う前の状態である。この後、トランスファーモールド方式によって、絶縁基板１０５上の半導体チップ１０１、半導体チップ１０２、および金線１０６などを覆うように、封止樹脂が充填され、パッケージングされる。
【００１５】
そして、このパッケージング状態では不良は発生しないものの、温度サイクル試験などの寿命試験において、半導体チップ１０２の突き出た部分の下側の半導体チップ１０１の外縁部に、不良が多く発生することがわかった。
【００１６】
そこで、上記発生する不良について数々の検討を重ねた結果、以下のことがわかった。すなわち、トランスファーモールド方式により封止樹脂を充填する工程において、まず始めに樹脂を圧入すると、樹脂が突き出た部分の下に圧力を有したまま充填される。これにより、突き出た部分の下側の半導体チップの外縁部は、樹脂によって圧力を受ける。また、上記外縁部でも、特に、突き出た部分の下側の面と半導体チップの外縁部とが交差する角には、特に、応力集中が発生する。このため、この応力集中により破壊の起点が発生していることがわかった。
【００１７】
さらに、突き出た部分の上下のモールド樹脂厚が、突き出た部分の上の方よりも突き出た部分の下の方が大きい場合、上記応力集中の現象が顕著であることもわかった。それゆえ、パッケージングは可能なものの、信頼性上に問題があることから、上記構造を採用することが困難であった。
【００１８】
なお、現時点の半導体チップは、パッケージング状態では不良は発生せず、寿命試験で不良が発生するような破壊の起点が発生するといった状態である。しかしながら、半導体チップの能動素子形成面内に、Ｌｏｗ−ｋ材と呼ばれる誘電率の低く、ポーラス状を有する脆い絶縁材料が層間絶縁膜に使用された場合、トランスファーモールド方式で封止樹脂を充填した際に脆性破壊し、パッケージング状態で全て不良になってしまう可能性も考えられる。
【００１９】
ここで、特許文献１には、突き出た部分の下に支持体を設ける構造を有する半導体装置が開示されている。この場合は、突き出た部分の下に樹脂が充填されないため、とりあえず、上記突き出た部分の下に応力集中が発生するという問題を解決することが可能となる。
【特許文献１】特許第３４８１４４４号（平成１１年７月３０日公開）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２０】
しかしながら、上記従来の半導体装置では、第１に、突き出た構造の下に金線が配置された場合、支持体の配置は不可能であるという問題点を有している。また、第２に、半導体チップの積層数が多いと、突き出た部分と同じ高さの支持体を供給することは現実的に困難であるという問題点を有している。それゆえ、汎用性の高い解決方法ではない。
【００２１】
これにより、本来の半導体装置の接続構造に影響を与えずに、封止樹脂の充填による応力集中が発生しない、信頼性の高い積層構造が望まれている。
【００２２】
本発明は、上記従来の問題点に鑑みなされたものであって、その目的は、封止樹脂の圧入による半導体チップへの応力集中の発生を抑制し、より信頼性に優れた積層構造を構成することができる半導体装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２３】
本発明の半導体装置は、上記課題を解決するために、複数の半導体チップが積層された絶縁基板が金型内に設置され、樹脂が上記金型内に圧入されることにより、上記絶縁基板上に積層された複数の半導体チップが上記樹脂で覆われるように成形された樹脂封止型の半導体装置であって、上記複数の半導体チップのうちいずれか１つの第１半導体チップの外縁よりも、当該第１半導体チップから上記絶縁基板に向かう側とは反対側であって当該第１半導体チップの真上に積層された第２半導体チップが、上記絶縁基板に平行な方向に向かって突き出す場合、上記第１半導体チップと上記第２半導体チップとの間に剛性体を設けることを特徴としている。
【００２４】
上記の構成によれば、上記樹脂は圧入されることにより、上記第２半導体チップが突き出す場合、突き出た第２半導体チップの下側の第１半導体チップの外縁部は、樹脂によって圧力を受ける。また、上記外縁部でも、特に、突き出た部分の絶縁基板側の面と第１半導体チップの外縁部とが交差する角には、応力集中が発生してしまう。そこで、上記第１半導体チップと上記第２半導体チップとの間に剛性体を設けることにより、剛性体が上記角に加わる応力を緩和する。
【００２５】
それゆえ、第２半導体チップが突き出た領域の絶縁基板側の面と交差する、第１半導体チップの外縁部への応力集中の発生を抑制し、第１半導体チップの電気的機能に悪影響を与えないことが可能となる。したがって、本発明の半導体装置は、封止樹脂の圧入による第１半導体チップへの応力集中の発生を抑制し、より信頼性に優れた積層構造を構成することが可能となる。
【００２６】
また、本発明の半導体装置は、複数の半導体チップが積層された絶縁基板が金型内に設置され、樹脂が上記金型内に圧入されることにより、上記絶縁基板上に積層された複数の半導体チップが上記樹脂で覆われるように成形された樹脂封止型の半導体装置であって、上記複数の半導体チップのうちいずれか１つの第１半導体チップの外縁よりも、当該第１半導体チップから上記絶縁基板に向かう側とは反対側であって当該第１半導体チップの真上に積層された第２半導体チップが、上記絶縁基板に平行な方向に向かって突き出す場合、上記第１半導体チップから上記絶縁基板に向かう側であって当該第１半導体チップの真下に、剛性体を設けることを特徴としている。
【００２７】
上記の構成によれば、上記樹脂は圧入されることにより、上記第２半導体チップが突き出す場合、突き出た第２半導体チップの下側の第１半導体チップの外縁部は、樹脂によって圧力を受ける。また、上記外縁部でも、特に、突き出た部分の絶縁基板側の面と第１半導体チップの外縁部が交差する角には、応力集中が発生してしまう。そこで、上記第１半導体チップから上記絶縁基板に向かう側であって当該第１半導体チップの真下に、剛性体を設けることにより、剛性体が上記角に加わる応力を緩和する。
【００２８】
それゆえ、第２半導体チップが突き出た領域の絶縁基板側の面と交差する、第１半導体チップの外縁部への応力集中の発生を抑制し、第１半導体チップの電気的機能に悪影響を与えないことが可能となる。したがって、本発明の半導体装置は、封止樹脂の圧入による第１半導体チップへの応力集中の発生を抑制し、より信頼性に優れた積層構造を構成することが可能となる。
【００２９】
また、本発明の半導体装置は、上記剛性体は、シリコンから成るチップであることが好ましい。
【００３０】
上記の構成によれば、半導体チップはシリコンから製造されていることにより、材料が略同様となるので、熱膨張係数などの物性値が異なることによる熱応力の発生を防止し、クラックや剥離などの不良を防止することが可能となる。
【００３１】
また、本発明の半導体装置は、上記剛性体は、金属製のスペーサーであることが好ましい。これにより、市場で簡単に入手でき、または、簡単に加工できるので、材料にかかるコストを低減させることが可能となる。
【００３２】
また、本発明の半導体装置は、上記剛性体は、耐熱性を有する樹脂製のスペーサーであることが好ましい。これにより、市場でより安く簡単に入手でき、または、簡単に加工できるので、材料にかかるコストをさらに低減させることが可能となる。
【００３３】
また、本発明の半導体装置は、上記剛性体は、四辺形状の外形を有するチップであり、上記剛性体の外縁は、上記第２半導体チップが突き出す方向では、上記第１半導体チップの外縁よりも長く、かつ、上記第２半導体チップの外縁よりも短いことが好ましい。
【００３４】
上記の構成によれば、突き出た第２半導体チップへワイヤボンドする際のワイヤボンド性を維持しつつ、封止樹脂の圧入による第１半導体チップへの応力集中の発生を抑制し、より信頼性に優れた積層構造を構成することが可能となる。
【００３５】
また、本発明の半導体装置は、上記剛性体は、四辺形状の外形を有するチップであり、上記剛性体の外縁は、上記第２半導体チップが突き出す方向では、上記第１半導体チップの外縁よりも短いことが好ましい。
【００３６】
上記の構成によれば、剛性体を設ける前の半導体装置の接続構造に影響を与えずに、剛性体を設けることが可能となる。
【００３７】
また、本発明の半導体装置は、上記第２半導体チップが突き出す量は、１．５ｍｍ以上であることが好ましい。
【００３８】
第２半導体チップが突き出す量が１．５ｍｍ以上であるとき、特に、応力集中によるダメージが大きい。それゆえ、上記の構成によれば、第１半導体チップへの応力集中の発生をより抑制し、より信頼性に優れた積層構造を構成することが可能となる。
【００３９】
また、本発明の半導体装置は、上記第２半導体チップが突き出た領域であり上記絶縁基板に対向する面から、上記絶縁基板までの上記面の直下の空間には、上記剛性体のみが設けられている、または、何も存在しないことが好ましい。
【００４０】
第２半導体チップが突き出た領域であり絶縁基板に対向する面から、絶縁基板までの上記面の直下の空間に、第１半導体チップよりも下層側に設けられた半導体チップがある場合の応力集中によるダメージよりも、何も存在しないときの応力集中によるダメージの方が大きい。それゆえ、上記の構成によれば、剛性体以外は何も設けられていないので、第１半導体チップへの応力集中の発生をより抑制し、より信頼性に優れた積層構造を構成することが可能となる。
【００４１】
また、本発明の半導体装置は、上記第２半導体チップが突き出た領域であり、上記絶縁基板に対向する面から、上記絶縁基板までの第１距離は、当該第２半導体チップの上記絶縁基板に対向する面とは反対側の面から、上記覆われるように成形された樹脂の露出面までの第２距離よりも大きいことが好ましい。
【００４２】
圧入された樹脂は、まず、広い空間に流れ込む特性を有している。それゆえ、上記の構成によれば、第２半導体チップの下側の第１半導体チップの外縁部に多く樹脂が流れ込むことになるので、第１半導体チップへの応力集中の発生をより抑制し、より信頼性に優れた積層構造を構成することが可能となる。
【００４３】
また、本発明の半導体装置は、上記絶縁基板と上記複数の半導体チップとが、導電体によって電気的に接続されていることが好ましい。
【００４４】
上記の構成によれば、絶縁基板と複数の半導体チップとが、導電体によって電気的に接続されていることにより、絶縁基板と複数の半導体チップとの間に電気信号をそれぞれ流すことが可能となる。
【００４５】
上記の導電体としては、以下のような構成が可能である。
【００４６】
上記導電体は、ワイヤボンディング方法を用いて接続される金線により構成されていることが好ましい。
【００４７】
また、上記導電体は、フリップチップ方法を用いて接続される金属バンプと、ワイヤボンディング方法を用いて接続される金線とを併用することにより構成されていることが好ましい。
【００４８】
さらに、上記導電体は、上記絶縁基板を貫通して形成される第１金属ポスト、および、当該第１金属ポストと電気的に接続されるとともに上記複数の半導体チップが積層される面に設けられた第１再配線層と、上記複数の半導体チップ毎に設けられる、半導体チップを貫通して形成される第２金属ポスト、および、当該第２金属ポストと電気的に接続されるとともに上記絶縁基板に対向する面とは反対側の面に設けられた第２再配線層と、上記第１再配線層と、上記絶縁基板の１つ上に積層された半導体チップの上記第２金属ポストとを接続する第１金属バンプと、上記第２再配線層と、当該第２再配線層を有する半導体チップの１つ上に積層された半導体チップの第２金属ポストとを接続する第２金属バンプと、により構成されていることが好ましい。
【発明の効果】
【００４９】
本発明の半導体装置は、以上のように、複数の半導体チップのうちいずれか１つの第１半導体チップの外縁よりも、当該第１半導体チップから絶縁基板に向かう側とは反対側であって当該第１半導体チップの真上に積層された第２半導体チップが、上記絶縁基板に平行な方向に向かって突き出す場合、上記第１半導体チップと上記第２半導体チップとの間に剛性体を設ける、という構成を有している。
【００５０】
また、本発明の半導体装置は、複数の半導体チップのうちいずれか１つの第１半導体チップの外縁よりも、当該第１半導体チップから絶縁基板に向かう側とは反対側であって当該第１半導体チップの真上に積層された第２半導体チップが、上記絶縁基板に平行な方向に向かって突き出す場合、上記第１半導体チップから上記絶縁基板に向かう側であって当該第１半導体チップの真下に、剛性体を設ける、という構成を有している。
【００５１】
それゆえ、第２半導体チップが突き出た領域の絶縁基板側の面と交差する、第１半導体チップの外縁部への応力集中の発生を抑制し、第１半導体チップの電気的機能に悪影響を与えないことが可能となる。したがって、本発明の半導体装置は、封止樹脂の圧入による第１半導体チップへの応力集中の発生を抑制し、より信頼性に優れた積層構造を構成することができるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５２】
〔実施の形態１〕
本発明の一実施形態について図に基づいて説明すれば、以下の通りである。
【００５３】
図１は、半導体チップ１１と半導体チップ１２との間に剛性体１７が配置される、半導体装置１０の一構成例を示す斜視図である。
【００５４】
本実施の形態の半導体装置１０は、図１に示すように、半導体チップ１１（第１半導体チップ）、半導体チップ１２（第２半導体チップ）、接着層１３、接着層１４、絶縁基板１５、金線１６、剛性体１７、および接着層１８を備えている。これにより、半導体装置１０は、絶縁基板１５、接着層１３、半導体チップ１１、接着層１８、剛性体１７、接着層１４、半導体チップ１２の順に積層される構成を有している。
【００５５】
なお、以下では、半導体チップ１１などが積層される絶縁基板１５の面に、垂直な方向を積層方向とし、平行な方向を積層面方向とする。また、積層方向のうち、半導体チップ１２側を表側とし、絶縁基板１５側を裏側とする。これにより、各構成部材は、それぞれ、表側の面を表面とし、裏側の面を裏面とする。また、図１に示すように、積層面方向における４方向を十字に分断したとき、一方の対向する２方向を積層面方向Ａ、もう一方の対向する２方向を積層面方向Ｂとする。
【００５６】
半導体チップ１１は、四辺形状の外形を有するチップ形状を有しており、例えば、シリコンから製造された半導体チップである。表面に、回路が形成（実装）されており、また、電気信号の入出力口として複数のボンディングパッドが設けられている。ボンディングパッドは、表面を構成する４辺のうち、積層面方向Ａに沿った１辺の端に一列に設けられているが、これに限らない。
【００５７】
また、半導体チップ１１は、裏面に接着層１３を設けており、この接着層１３によって、絶縁基板１５に固定されている。接着層１３は、半導体チップ１１の裏面の形状と同様の形状を有している。
【００５８】
半導体チップ１２は、四辺形状の外形を有するチップ形状を有しており、例えば、シリコンから製造された半導体チップである。表面に、回路が形成（実装）されており、また、電気信号の入出力口として複数のボンディングパッドが設けられている。ボンディングパッドは、表面を構成する４辺のうち、積層面方向Ａに沿った１辺の端に一列に設けられているが、これに限らない。
【００５９】
また、半導体チップ１２は、裏面に接着層１４を設けており、この接着層１４によって、剛性体１７に固定されている。接着層１４は、半導体チップ１２の裏面の形状と同様の形状を有している。
【００６０】
ここで、半導体チップ１２は、積層面方向Ａの対向する２辺の外縁が、当該対向する２辺の外縁の下側の半導体チップ１１の外縁よりも、それぞれ突き出している。但し、これに限らず、半導体チップ１２の形状および積層構造に応じて、例えば、ボンディングパッドが設けられている辺に対向する辺の外縁が、積層面方向Ｂにおいて、当該辺の外縁の下側の半導体チップ１１の外縁よりも突き出している場合などがある。
【００６１】
なお、本実施例では、半導体チップ１２は、ある半導体チップ（本実施例では半導体チップ１１）の上に積層される半導体チップを適用範囲としている。言い換えると、半導体チップ１２は、半導体チップ１２自身の下に積層された半導体チップが存在する半導体チップとしている。
【００６２】
すなわち、半導体チップ１２の下に半導体チップが存在していなければ、本発明が解決する問題は有していない。また、半導体チップ１２のチップ外形が、半導体チップ１１のチップ外形よりも小さければ、積層された構造はピラミッド型となる。それゆえ、この場合も本発明が解決する問題は有していない。
【００６３】
また、半導体チップ１１および半導体チップ１２は、上述した構成以外は特に限定されず、どのような種類の半導体チップであってもよい。
【００６４】
接着層１３、および接着層１４は、供給形態は特に限定されず、固体や液体など、どのような形態の接着材でも使用可能である。また、接着層１３および接着層１４の材料の種類は、半導体装置に一般的に使用可能であり、接着機能を有するものであれば、特に限定されず、取り付けられる半導体チップ１１および半導体チップ１２の外縁部にそれぞれ接触しないように供給可能な材料であればよい。
【００６５】
絶縁基板１５は、耐熱性に優れた樹脂基板であれば特に限定されず、例えば、ポリイミド、ガラスエポキシ、ＢＴ（ビスマレイド・トリアジン）レジン、ポリエステル、ポリアミド、テフロン（登録商標）、セラミック、ガラスポリエステルなどの樹脂基板が挙げられ、中でもポリイミドが好ましい。
【００６６】
また、絶縁基板１５では、半導体チップ１１などが搭載される側の面に、配線層（図示せず）が形成されている。配線層は、半導体チップ１１・１２への電気信号入出力口となる電極部と半導体装置の外部への電気信号入出力口となる外部接続電極部とが形成されている。
【００６７】
また、半導体チップ１１および接着層１３が搭載されている配線層の領域には、例えば、絶縁性樹脂シート、または絶縁性樹脂コーティングなどが施されていることにより、半導体チップ１１と配線層との間が確実に絶縁されている。
【００６８】
金線１６は、半導体チップ１１・１２と、配線層を有した絶縁基板１５との電気的な接続を確立するために用いられる導電性ワイヤである。詳細には、ワイヤボンディング方法により、半導体チップ１１・１２のボンディングパッドと、絶縁基板１５の電極部とが、金線１６を用いて接続される。
【００６９】
なお、その他の接続方法として、半導体チップ１１を裏返して、複数のボンディングパッドが設けられている部分以外の領域に接着層１３を設けて、金属バンプを形成し、半導体チップ１１を絶縁基板１５に面実装するフリップチップ方法と、半導体チップ１２と絶縁基板１５とを接続するワイヤボンディング方法とを併用して、導通を確立する方法でもよい。
【００７０】
または、各半導体チップに、貫通孔および貫通孔と電気的に接続させた再配線層を設け、当該貫通孔を貫通させた金属ポストを形成して、導通を確立する方法などでもよい。
【００７１】
例えば、図２（ａ）（ｂ）に示すように、半導体チップ１１に、金属ポスト６３と、金属ポスト６３と電気的に接続されている再配線層６４とを形成する。半導体チップ１２に金属ポスト６６を形成する。絶縁基板１５に金属ポスト６１を形成する。そして、金属ポスト６１と金属ポスト６３とを金属バンプ６２により接続する。また、再配線層６４と金属ポスト６６とを金属バンプ６５により接続する。これにより、半導体チップ１１と半導体チップ１２と絶縁基板１５との導通を確立する。
【００７２】
この導電接続構成の場合、半導体チップ１１、半導体チップ１２および絶縁基板１５には、ボンディングパッド用の領域を設ける必要がないので、小型化することが可能となる。また、金属バンプ６５は、剛性体１７の厚みに応じてサイズを決定すればよい。
【００７３】
なお、図２は、半導体チップ１１、半導体チップ１２および絶縁基板１５の導電接続構成を主に示しており、半導体装置１０に含まれる構成は適宜省略している。また、図２（ａ）は透視斜視図であり、図２（ｂ）は断面側面図である。
【００７４】
ここで、絶縁基板１５の金属ポスト６１が設けられている位置と、半導体チップ１１の金属ポスト６３が設けられている位置とは、絶縁基板１５に垂直な方向から見ると同じ位置にある。
【００７５】
一方、半導体チップ１１の金属ポスト６３が設けられている位置と、半導体チップ１２の金属ポスト６６が設けられている位置とは、絶縁基板１５に垂直な方向から見ると離れている。
【００７６】
このため、同じ位置にあれば金属バンプ６２を用いて互いの金属ポスト６１・６３間を接続できるが、離れていると金属バンプのみでは互いの金属ポスト６３・６６間を接続できない。そこで、金属ポスト６３と電気的に接続させた再配線層６４を、１つ上の半導体チップ１２の金属ポスト６６がある位置まで設けることにより、金属ポスト６３と金属ポスト６６とを接続している。
【００７７】
よって、複数の半導体チップが積層されている場合、半導体チップの金属ポストの位置が、積層された１つ上の半導体チップの金属ポストの位置と離れていれば、再配線層を適宜設ければよい。
【００７８】
また、図２（ａ）（ｂ）では、金属ポスト６１と金属ポスト６３とが同じ位置にある構成を示しているが、これに限らず、金属ポスト６１と金属ポスト６３とが離れている場合であってもよく、絶縁基板１５に再配線層を設ければよい。
【００７９】
以上、いくつかの導電を確立する接続方法を挙げた。これらの接続方法は各方法を組み合わせてもよく、特に限定されない。
【００８０】
剛性体１７は、例えば、四辺形状の外形を有するダミーチップや四辺形状の外形を有するスペーサーであり、半導体チップ１１と、接着層１４すなわち半導体チップ１２との間に設けられている。また、剛性体１７は、積層面方向Ａに沿った外形の長さが、半導体チップ１１の積層面方向Ａに沿った外形の長さよりも長く、かつ、半導体チップ１２の積層面方向Ａに沿った外形の長さよりも短い外形形状を有している。
【００８１】
ここで、半導体チップ１２は、ワイヤボンディングを行うことが可能なように、半導体チップ１１に形成されたボンディングパッドの真上を遮らないように固定される。また、ワイヤボンディングを効率良く行うことが可能なように、自身のボンディングパッドの配置場所に応じて好適に固定される。
【００８２】
それゆえ、上記の固定方法や半導体チップの大小により、半導体チップ１２が半導体チップ１１の外縁よりも突き出た構造を有する場合がある。よって、この場合の構造を予測して半導体チップ１２の突き出る方向および量を確認し、その結果により上記剛性体１７の外形の長さを満たすように、剛性体１７の外形形状を決定すればよい。
【００８３】
また、剛性体１７は、裏面に接着層１８を設けており、この接着層１８によって、半導体チップ１１に固定されている。接着層１８は、剛性体１７の裏面の形状と同様の形状を有している。なお、剛性体１７の積層面方向Ｂに沿った外形の長さは、半導体チップ１２の積層面方向Ｂに沿った外形の長さよりも短いことが好ましい。
【００８４】
剛性体１７の材質は、半導体装置の製造プロセスを考慮すると、シリコン製、金属製、および／または耐熱性を有する樹脂製などが好ましい。なお、半導体装置内での使用実績および材料手配のしやすさから、半導体チップ１１・１２と同様のシリコン製が好適である。
【００８５】
シリコン製の剛性体１７の場合、半導体チップ１１・１２はシリコンから製造されていることにより、材料が略同様となるので、熱膨張係数などの物性値が異なることによる熱応力の発生を防止し、クラックや剥離などの不良を防止することが可能となる。
【００８６】
また、剛性体１７が金属製のスペーサーである場合、金属製のスペーサーを市場で簡単に入手することが可能であったり、簡単に加工することが可能であるので、材料にかかるコストを低減させることが可能となる。
【００８７】
さらに、剛性体１７が耐熱性を有する樹脂製のスペーサーである場合、耐熱性を有する樹脂製のスペーサーを市場でより安く簡単に入手することが可能であったり、簡単に加工することが可能であるので、材料にかかるコストをさらに低減させることが可能となる。
【００８８】
接着層１８は、供給形態は特に限定されず、固体や液体など、どのような形態の接着材でも使用可能である。また、接着層１８の材料の種類は、半導体装置に一般的に使用可能であり、接着機能を有するものであれば、特に限定されない。
【００８９】
上記の構成により、例えば、トランスファーモールド方式によって、半導体チップ１１・１２および金線１６などの露出部分を封止するように、半導体装置１０が過熱された金型にセットされ、樹脂が圧入される。使用する封止樹脂は、例えば、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂が使用されるが、これに限定されるものではない。
【００９０】
次いで、本実施の形態の半導体装置１０の製造方法について、簡単に説明する。基本的に、従来の積層構造を有する樹脂封止型半導体装置の製造工程と同様に、半導体装置１０は製造される。
【００９１】
異なる点は、半導体チップ１１を積層する工程の後であり、接着層１４を介した半導体チップ１２を積層する工程の前に、接着層１８を介した剛性体１７を積層する工程が追加される点である。
【００９２】
以上、本実施の形態の半導体装置１０は、積層面方向Ａにおいて、半導体チップ１１の外縁よりも、半導体チップ１１の積層方向の真上に積層された半導体チップ１２が突き出すことにより、半導体チップ１１と半導体チップ１２との間に剛性体１７を設ける、という構成を有している。
【００９３】
ここで、図７に示したように、剛性体が備えられていない従来の半導体装置１００では、半導体チップ１０２における、半導体チップ１０１の外縁よりも突き出た部分の直下は絶縁基板１０５である。この場合、トランスファーモールド方式により封止樹脂を充填する工程において、まず始めに樹脂が圧入されると、樹脂が突き出た部分の下に圧力を有したまま充填される。これにより、突き出た部分の下側の半導体チップ１０１の外縁部は、樹脂によって圧力を受ける。また、上記外縁部でも、特に、半導体チップ１０２の突き出た部分の絶縁基板１５側の面と、半導体チップ１０１の外縁部とが交差する角には、特に、応力集中が発生してしまう。
【００９４】
これに対し、本実施の形態の半導体装置１０の場合、半導体チップ１２の突き出た部分の下側、すなわち半導体チップ１１と半導体チップ１２との間には、剛性体１７が設けられている。このため、上記角に加わる応力は、剛性体により緩和される。それゆえ、半導体チップ１２が突き出た領域の絶縁基板１５側の面と交差する、半導体チップ１１の外縁部への応力集中の発生を抑制し、半導体チップ１１の電気的機能に悪影響を与えないことが可能となる。
【００９５】
したがって、本実施の形態の半導体装置１０は、封止樹脂の圧入による半導体チップ１１への応力集中の発生を抑制し、より信頼性に優れた積層構造を構成することが可能となる。
【００９６】
また、半導体チップ１１と半導体チップ１２との間に設けられた剛性体１７は、積層面方向Ａに沿った外形の長さが、半導体チップ１１の積層面方向Ａに沿った外形の長さよりも長く、かつ、半導体チップ１２の積層面方向Ａに沿った外形の長さよりも短い外形形状を有している。
【００９７】
これにより、突き出た半導体チップ１２へワイヤボンドする際のワイヤボンド性を維持しつつ、封止樹脂の圧入による半導体チップ１１への応力集中の発生を抑制し、より信頼性に優れた積層構造を構成することが可能となる。ゆえに、ワイヤボンド性がシビアな場合に、特に有効的に、効果を奏することが可能となる。
【００９８】
また、図７に示した従来の半導体装置１００のように、半導体チップ１０２の突き出た部分の直下が絶縁基板１０５である場合、半導体チップ１０２の表面から封止樹脂が形成される露出面までの厚さ（「上部厚さ」とする）と、接着層１０４の裏面から絶縁基板１０５表面までの厚さ（「下部厚さ」とする）とが存在している。
【００９９】
すなわち、本実施の形態の半導体装置１０では、上部厚さは、半導体チップ１２の表面から封止樹脂が形成される露出面までの厚さに対応し、下部厚さは、接着層１４の裏面から絶縁基板１５表面までの厚さに対応する。
【０１００】
ここで、樹脂の充填では、封止樹脂は広い空間の箇所から充填されていく特性がある。それゆえ、「上部厚さ＞下部の厚さ」の場合では、突き出た部分の上側に樹脂が主に充填されるため、ダメージが発生しにくい。この場合、例えば、図７に示した半導体チップ１０１における、突き出た部分の下側の面の外縁部の応力集中は発生しにくくなる。
【０１０１】
一方、「上部厚さ＜下部厚さ」の関係の場合では、突き出た部分の下側に多くの樹脂がより集中して流れ込み充填されるため、ダメージが発生しやすくなる。それゆえ、本実施の形態の半導体装置１０は、「上部厚さ＜下部厚さ」の関係の場合に、特に有効的に、効果を奏することが可能となる。
【０１０２】
また、従来の半導体装置１００において、半導体チップ１０２がどれくらいの量を突き出したときに、応力集中による半導体チップ１０１のダメージが大きいのかについて、各種実験および検討を重ねた。その結果、半導体チップ１０２が半導体チップ１０１よりも１．５ｍｍ以上突き出た場合に、特に、応力集中によるダメージが大きいことが判明した。
【０１０３】
それゆえ、本実施の形態の半導体装置１０は、半導体チップ１２が半導体チップ１１よりも１．５ｍｍ以上突き出た場合に、特に有効的に、効果を奏することが可能となる。但し、突き出た量が少なくても、突き出た部分の面積が大きい場合は、その限りではない。
【０１０４】
また、パッケージサイズ、チップサイズ、チップの積層数、および、積層するチップの組み合わせ、などの全ての条件を考慮しても、半導体チップ１０２が半導体チップ１０１よりも突き出た部分が概ね１．５ｍｍ以上を超えると、応力集中によるダメージを受けると考えられる。
【０１０５】
したがって、半導体チップ１２が突き出た領域であり絶縁基板１５に対向する面から、絶縁基板１５までの上記面の直下の空間が増加するにつれて、半導体チップ１０１における、突き出た部分の下側の面の外縁部での応力集中によるダメージは、特に大きくなっていく。それゆえ、剛性体１７を設けることにより、半導体チップ１１への応力集中の発生を抑制する作用を、より効果的に働かせることが可能となる。
【０１０６】
また、剛性体１７は、図３に示すような他の形状でもよい。
【０１０７】
図３は、半導体チップ１１と半導体チップ１２との間に剛性体２７が配置される、半導体装置２０の一構成例を示す斜視図である。
【０１０８】
本実施の形態の半導体装置２０は、半導体装置１０の構成のうち、剛性体１７および接着層１８を、剛性体２７および接着層２８とそれぞれ入れ替えた構成を有している。
【０１０９】
剛性体２７は、例えば、四辺形状の外形を有するダミーチップや四辺形状の外形を有するスペーサーであり、半導体チップ１１と、接着層１４すなわち半導体チップ１２との間に設けられている。また、剛性体２７は、積層面方向Ａに沿った外形の長さが、半導体チップ１１の積層面方向Ａに沿った外形の長さ、および半導体チップ１２の積層面方向Ａに沿った外形の長さよりも短い外形形状を有している。これにより、剛性体を設ける前の半導体装置の接続構造に影響を与えずに、剛性体２７を設けることが可能となる。
【０１１０】
ここで、半導体チップ１２は、ワイヤボンディングを行うことが可能なように、半導体チップ１１に形成されたボンディングパッドの真上を遮らないように固定される。また、ワイヤボンディングを効率良く行うことが可能なように、自身のボンディングパッドの配置場所に応じて好適に固定される。
【０１１１】
それゆえ、上記の固定方法や半導体チップの大小により、半導体チップ１２が半導体チップ１１の外縁よりも突き出た構造を有する場合がある。よって、この場合の構造を予測して半導体チップ１２の突き出る方向を確認し、その結果により上記剛性体２７の外形の長さを満たすように、剛性体２７の外形形状を決定すればよい。
【０１１２】
また、剛性体２７は、裏面に接着層２８を設けており、この接着層２８によって、半導体チップ１１に固定されている。接着層２８は、剛性体２７の裏面の形状と同様の形状を有している。なお、剛性体２７の積層面方向Ｂに沿った外形の長さは、半導体チップ１２の積層面方向Ｂに沿った外形の長さよりも短いことが好ましい。さらに、剛性体２７の材質、および接着層２８の材料は、剛性体１７の材質、および接着層１８の材料とそれぞれ同様である。
【０１１３】
以上、本実施の形態の半導体装置２０は、積層面方向Ａにおいて、半導体チップ１１の外縁よりも、半導体チップ１１の積層方向の真上に積層された半導体チップ１２が突き出すことにより、半導体チップ１１と半導体チップ１２との間に剛性体２７を設ける、という構成を有している。
【０１１４】
それゆえ、半導体チップ１２の突き出た部分の下側、すなわち半導体チップ１１と半導体チップ１２との間には、剛性体２７が設けられている。このため、突き出た部分の絶縁基板１５側の面と半導体チップ１１の外縁部とが交差する角に加わる応力は、剛性体２７により緩和される。それゆえ、半導体チップ１１の外縁部への応力集中の発生を抑制し、半導体チップ１１の電気的機能に悪影響を与えないことが可能となる。
【０１１５】
したがって、本実施の形態の半導体装置２０は、封止樹脂の圧入による半導体チップ１１への応力集中の発生を抑制し、より信頼性に優れた積層構造を構成することが可能となる。
【０１１６】
〔実施の形態２〕
本発明の他の実施の形態について図に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、本実施の形態において説明すること以外の構成は、前記実施の形態１と同じである。また、説明の便宜上、前記の実施の形態１の図面に示した部材と同一の機能を有する部材については、同一の符号を付し、その説明を省略する。
【０１１７】
図４は、半導体チップ１１の下側に剛性体３７が配置される、半導体装置３０の一構成例を示す斜視図である。
【０１１８】
本実施の形態の半導体装置３０は、図４に示すように、前記実施の形態１の半導体装置１０の構成に対して、剛性体１７および接着層１８の代わりに、剛性体３７および接着層３８を備えている。これにより、半導体装置３０は、絶縁基板１５、接着層３８、剛性体３７、接着層１３、半導体チップ１１、接着層１４、半導体チップ１２の順に積層される構成を有している。
【０１１９】
ここで、本実施の形態の半導体装置３０では、半導体チップ１１は、接着層１３を介して剛性体３７に固定されている。また、半導体チップ１２は、接着層１４を介して半導体チップ１１に固定されている。これ以外の同じ符号を有する部材の構成については、前記実施の形態１の半導体装置１０の構成と同様である。
【０１２０】
剛性体３７は、例えば、四辺形状の外形を有するダミーチップや四辺形状の外形を有するスペーサーであり、接着層１３すなわち半導体チップ１１の直下に設けられている。また、剛性体３７は、積層面方向Ａに沿った外形の長さが、半導体チップ１１の積層面方向Ａに沿った外形の長さよりも短い外形形状を有している。
【０１２１】
ここで、半導体チップ１２は、ワイヤボンディングを行うことが可能なように、半導体チップ１１に形成されたボンディングパッドの真上を遮らないように固定される。また、ワイヤボンディングを効率良く行うことが可能なように、自身のボンディングパッドの配置場所に応じて好適に固定される。
【０１２２】
それゆえ、上記の固定方法や半導体チップの大小により、半導体チップ１２が半導体チップ１１の外縁よりも突き出た構造を有する場合がある。よって、この場合の構造を予測して半導体チップ１２の突き出る方向を確認し、その結果により上記剛性体３７の外形の長さを満たすように、剛性体３７の外形形状を決定すればよい。
【０１２３】
また、剛性体３７は、裏面に接着層３８を設けており、この接着層３８によって、絶縁基板１５に固定されている。接着層３８は、剛性体３７の裏面の形状と同様の形状を有している。なお、剛性体３７の積層面方向Ｂに沿った外形の長さは、半導体チップ１１の積層面方向Ｂに沿った外形の長さよりも短いことが好ましい。さらに、剛性体３７の材質、および接着層３８の材料は、剛性体１７の材質、および接着層１８の材料とそれぞれ同様である。
【０１２４】
次いで、本実施の形態の半導体装置３０の製造方法について、簡単に説明する。基本的に、従来の積層構造を有する樹脂封止型半導体装置の製造工程、または、前記実施の形態１の半導体装置１０の製造工程と同様に、半導体装置３０は製造される。
【０１２５】
異なる点は、絶縁基板１５に配線層を形成する工程の後であり、接着層１３を介した半導体チップ１１を積層する工程の前に、接着層３８を介した剛性体３７を積層する工程が追加される点である。
【０１２６】
以上、本実施の形態の半導体装置３０は、積層面方向Ａにおいて、半導体チップ１１の外縁よりも、半導体チップ１１の積層方向の真上に積層された半導体チップ１２が突き出すことにより、半導体チップ１１の真下に剛性体３７を設ける、という構成を有している。
【０１２７】
ここで、前記実施の形態１で述べたように、剛性体が備えられていない従来の半導体装置１００では、突き出た部分の下側の半導体チップ１０１の外縁部に応力集中が発生してしまう。
【０１２８】
これに対し、本実施の形態の半導体装置３０の場合、半導体チップ１２の突き出た部分の下側における半導体チップ１１の真下に、剛性体３７が設けられている。このため、半導体チップ１２の突き出た部分の下側では、半導体チップ１１の外縁部だけではなく、剛性体３７の外縁部にも樹脂の圧力が加わることになる。それゆえ、半導体チップ１１の外縁部に加わる圧力は、剛性体３７により緩和されることになる。よって、半導体チップ１１の外縁部への応力集中の発生を抑制し、半導体チップ１１の電気的機能に悪影響を与えないことが可能となる。
【０１２９】
したがって、本実施の形態の半導体装置３０は、封止樹脂の圧入による半導体チップ１１への応力集中の発生を抑制し、より信頼性に優れた積層構造を構成することが可能となる。
【０１３０】
また、上記半導体装置１０・２０・３０では、２つの半導体チップが積層される構成について説明したが、これに限らず、図５および図６に示すように、２つ以上の半導体チップが積層される構成であっても構わない。
【０１３１】
図５は、複数の半導体チップが積層され、半導体チップ１１と半導体チップ１２との間に剛性体２７が配置される、半導体装置４０の一構成例を示す斜視図である。
【０１３２】
図６は、複数の半導体チップが積層され、半導体チップ１１の下側に剛性体３７が配置される、半導体装置５０の一構成例を示す斜視図である。
【０１３３】
本実施の形態の半導体装置４０は、図５に示すように、半導体装置２０の構成に加えて、絶縁基板１５と接着層１３との間に、接着層４１、半導体チップ４２、接着層４３、および半導体チップ４４を備えている。これにより、半導体装置４０は、絶縁基板１５、接着層４１、半導体チップ４２、接着層４３、半導体チップ４４、接着層１３、半導体チップ１１、接着層２８、剛性体２７、接着層１４、半導体チップ１２の順に積層される構成を有している。
【０１３４】
また、本実施の形態の半導体装置５０は、図６に示すように、半導体装置３０の構成に加えて、絶縁基板１５と接着層３８との間に、接着層４１、半導体チップ４２、接着層４３、および半導体チップ４４を備えている。これにより、半導体装置５０は、絶縁基板１５、接着層４１、半導体チップ４２、接着層４３、半導体チップ４４、接着層３８、剛性体３７、接着層１３、半導体チップ１１、接着層１４、半導体チップ１２の順に積層される構成を有している。
【０１３５】
半導体チップ４２・４４は、四辺形状の外形を有するチップ形状を有しており、例えば、シリコンから製造された半導体チップである。表面に、回路が実装されており、また、電気信号の入出力口として複数のボンディングパッドが設けられている。ボンディングパッドは、表面を構成する４辺のうち、積層面方向Ａに沿った１辺の端に一列に設けられているが、これに限らない。
【０１３６】
また、半導体チップ４２は、裏面に接着層４１を設けており、この接着層４１によって、絶縁基板１５に固定されている。接着層４１は、半導体チップ４２の裏面の形状と同様の形状を有している。
【０１３７】
また、半導体チップ４４は、裏面に接着層４３を設けており、この接着層４３によって、半導体チップ４２に固定されている。接着層４３は、半導体チップ４４の裏面の形状と同様の形状を有している。
【０１３８】
なお、図５では、一例として、半導体チップ４４は、ボンディングパッドを形成する領域分、半導体チップ１１よりも大きい外形サイズを有している。また、半導体チップ４２も、ボンディングパッドを形成する領域分、半導体チップ４４よりも大きい外形サイズを有している。それゆえ、半導体チップ１１、半導体チップ４４、および半導体チップ４２により構成された構造はピラミッド型となるため、半導体チップ１１、半導体チップ４４、および半導体チップ４２の構成関係では、剛性体は必要としない。
【０１３９】
また、半導体チップ４２および半導体チップ４４は、上述した構成以外は特に限定されず、どのような種類の半導体チップであってもよい。
【０１４０】
接着層４１および接着層４３は、供給形態は特に限定されず、固体や液体など、どのような形態の接着材でも使用可能である。また、接着層４１および接着層４３の材料の種類は、半導体装置に一般的に使用可能であり、接着機能を有するものであれば、特に限定されず、取り付けられる半導体チップ４２および半導体チップ４４の外縁部にそれぞれ接触しないように供給可能な材料であればよい。
【０１４１】
以上、半導体装置４０の構成によれば、半導体チップ１２の突き出た部分の下側、すなわち半導体チップ１１と半導体チップ１２との間には、剛性体２７が設けられている。このため、突き出た部分の絶縁基板１５側の面と半導体チップ１１の外縁部とが交差する角に加わる応力は、剛性体２７により緩和される。それゆえ、半導体チップ１１の外縁部への応力集中の発生を抑制し、半導体チップ１１の電気的機能に悪影響を与えないことが可能となる。
【０１４２】
また、半導体装置５０の構成によれば、半導体チップ１２の突き出た部分の下側における半導体チップ１１の下側に、剛性体３７が設けられている。このため、半導体チップ１２の突き出た部分の下側では、半導体チップ１１の外縁部だけではなく、剛性体３７の外縁部にも樹脂の圧力が加わることになる。それゆえ、半導体チップ１１の外縁部に加わる圧力は、剛性体３７により緩和されることになる。よって、半導体チップ１１の外縁部への応力集中の発生を抑制し、半導体チップ１１の電気的機能に悪影響を与えないことが可能となる。
【０１４３】
したがって、本実施の形態の半導体装置４０および半導体装置５０は、封止樹脂の圧入による半導体チップ１１への応力集中の発生を抑制し、より信頼性に優れた積層構造を構成することが可能となる。
【０１４４】
ここで、半導体装置４０および半導体装置５０において、例えば、半導体チップ４２が、積層面方向Ａに沿った外形の長さが、半導体チップ１１の積層面方向Ａに沿った外形の長さよりも長く、かつ、半導体チップ１２の積層面方向Ａに沿った外形の長さよりも短い外形形状を有しているとする。
【０１４５】
この場合、半導体チップ１２が突き出た領域であり絶縁基板１５に対向する面から絶縁基板１５までの上記面の直下の空間が、減少することになる。すなわち、半導体チップ１２が半導体チップ１１よりも突き出た量に係らず、半導体チップ４２の外縁部によって、上記面の直下の空間の大きさが決まってくる。
【０１４６】
よって、半導体チップ１２が半導体チップ１１よりも突き出た量が大きく、さらに、上記突き出た方向において、半導体チップ１１よりも下層に設けられた半導体チップの外形の長さが、半導体チップ１１の外形の長さ以下である場合、突き出た部分の下側の半導体チップ１１の外縁部での応力集中によるダメージが特に大きくなる。それゆえ、剛性体２７または剛性体３７を設けることにより、半導体チップ１１への応力集中の発生をより抑制し、より信頼性に優れた積層構造を構成することが可能となる。
【０１４７】
なお、本発明は、上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。
【産業上の利用可能性】
【０１４８】
本発明は、積層構造を有した樹脂封止型半導体装置に関するものであるが、これに限らず、様々な用途にも適用できる。例えば、樹脂に圧力を加えて成形する圧縮成形などによってパッケージングする、積層型を有する装置などに適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１４９】
【図１】本発明における半導体装置の実施の一形態を示す斜視図である。
【図２】上記半導体装置における、導電接続の一構成例を示し、（ａ）は透視斜視図であり、（ｂ）は断面側面図である。
【図３】本発明における半導体装置の他の実施の形態を示す斜視図である。
【図４】本発明における半導体装置のさらに他の実施の形態を示す斜視図である。
【図５】本発明における半導体装置のさらに他の実施の形態を示す斜視図である。
【図６】本発明における半導体装置のさらに他の実施の形態を示す斜視図である。
【図７】従来の半導体装置の構成を示す斜視図である。
【図８】上記従来の半導体装置における、導電接続の一構成例を示し、（ａ）は透視斜視図であり、（ｂ）は断面側面図である。
【符号の説明】
【０１５０】
１１  半導体チップ（第１半導体チップ）
１２  半導体チップ（第２半導体チップ）
１３  接着層
１４  接着層
１５  絶縁基板
１６  金線
１７，２７，３７  剛性体
１８，２８，３８  接着層
１０，２０，３０，４０，５０  半導体装置
６１  金属ポスト（第１金属ポスト）
６２  金属バンプ（第１金属バンプ）
６３，６６  金属ポスト（第２金属ポスト）
６４  再配線層（第２再配線層）
６５  金属バンプ（第２金属バンプ）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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