(57)【要約】      （修正有）【課題】基板側面に異物が付着した場合でも所定の基板処理を行える基板処理装置を提供する。【解決手段】吸入部３７ａの吸入方向を側面ＰＳの相対移動方向として設けている。吸入ヘッド３７は、側面ＰＳの移動方向前方側に気流が生じるように、吸入部３７ａを当該移動方向の前方側に配置している。側面ＰＳの移動方向、すなわち側面ＰＳに付着した異物の移動方向の前方側で吸入部３７ａが待ち受けるため、より確実に液体等の異物を吸入することができる。【選択図】図３
2008311422.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に対して所定の処理を施す基板処理装置であって、
前記基板の側面に付着した異物を除去する除去装置を有することを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
請求項１記載の基板処理装置において、
前記除去装置は、前記基板に対して相対移動して、前記基板の側面に付着した異物を除去することを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
請求項２記載の基板処理装置において、
前記除去装置は、回転移動する前記基板の側面に付着する異物を除去することを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
請求項２または３記載の基板処理装置において、
前記除去装置は、前記基板の側面の相対移動方向の前方側に気流を発生させることを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
請求項２または３記載の基板処理装置において、
前記除去装置は、前記基板の側面の相対移動方向の後方側に気流を発生させることを特徴とする基板処理装置。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか一項に記載の基板処理装置において、
前記除去装置は、前記側面に近接した位置で該側面から前記異物を離脱させるヘッド部を備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項７】
請求項６記載の基板処理装置において、
前記ヘッド部は、前記基板の側面に沿った輪郭形状を有することを特徴とする基板処理装置。
【請求項８】
請求項６または７記載の基板処理装置において、
前記基板の側面の位置情報を検出する検出装置と、
前記検出装置の検出結果に基づいて、前記側面に対する前記ヘッド部の相対位置を調整する調整装置とを有することを特徴とする基板処理装置。
【請求項９】
請求項６から８のいずれか一項に記載の基板処理装置において、
前記ヘッド部は、前記基板の側面に向けて気体を噴出する噴出口と、噴出された前記気体を吸気する吸気口とを有することを特徴とする基板処理装置。
【請求項１０】
請求項９記載の基板処理装置において、
前記噴出口は、前記基板の外側方向に前記気体を噴出することを特徴とする基板処理装置。
【請求項１１】
請求項９または１０記載の基板処理装置において、
前記ヘッド部は、前記基板の表面に臨む第１面を有する第１壁部、前記基板の裏面に臨む第２面を有する第２壁部、前記側面に臨む第３面を有する本体部を備え、
前記第１壁部及び前記第２壁部には、前記噴出口と前記吸気口との一方が設けられ、
前記本体部には、前記噴出口と前記吸気口との他方が設けられることを特徴とする基板処理装置。
【請求項１２】
請求項１１記載の基板処理装置において、
前記ヘッド部は、前記第１面及び前記第２面から前記基板側へ突出する突部をそれぞれ有することを特徴とする基板処理装置。
【請求項１３】
請求項１から１２のいずれか一項に記載の基板処理装置と、
前記基板処理装置で所定の処理が施され、且つ側面の異物が除去された基板に対して露光処理を施す露光装置本体とを有することを特徴とする露光装置。
【請求項１４】
請求項１３記載の露光装置において、
前記露光装置本体は、投影光学系及び液体を介してパターンを基板に露光し、
前記除去装置は、前記基板の側面に付着した前記液体を除去することを特徴とする露光装置。
【請求項１５】
基板に対して所定の処理を施す基板処理方法であって、
前記基板の側面に付着した異物を除去する工程を有することを特徴とする基板処理方法。
【請求項１６】
請求項１５記載の基板処理方法において、
前記基板を移動させながら、該基板の側面に付着した異物を除去することを特徴とする基板処理方法。
【請求項１７】
請求項１６記載の基板処理方法において、
前記基板を回転させながら、該基板の側面に付着した異物を除去することを特徴とする基板処理方法。
【請求項１８】
請求項１５から１７のいずれか一項に記載の基板処理方法において、
前記側面に近接した位置で該側面から前記異物を離脱させるヘッド部を設け、
前記基板の側面の位置情報を検出する工程と、
検出した前記側面の位置情報に基づいて、前記側面に対する前記ヘッド部の相対位置を調整する工程を有することを特徴とする基板処理方法。
【請求項１９】
基板に対して位置合わせ部で第１の位置合わせを行う工程と、
前記第１の位置合わせが行われた基板に対して露光部で第２の位置合わせを行うとともに、露光処理を行う工程とを有し、
前記基板に付着した異物を前記位置合わせ部で除去する除去工程を有することを特徴とする露光方法。
【請求項２０】
請求項１９記載の露光方法において、
前記露光処理前に前記第１の位置合わせが行われた基板の位置情報を計測する工程を有し、
前記除去工程は、前記位置情報の計測結果に応じて前記基板を前記露光部から前記位置合わせ部に搬送した基板に対して行われることを特徴とする露光方法。
【請求項２１】
請求項１９または２０記載の露光方法において、
前記除去工程では、前記基板の側面に付着した異物を除去することを特徴とする露光方法。
【請求項２２】
請求項２１記載の露光方法において、
前記除去工程では、請求項１５から１８のいずれか一項に記載の基板処理方法により、前記基板の側面に付着した異物を除去することを特徴とする露光方法。
【請求項２３】
請求項１９から２２のいずれか一項に記載の露光方法において、
投影光学系と前記基板との間に液体を充填する工程と、
前記投影光学系及び前記液体を介してパターンを前記基板に露光する工程を有し、
前記除去工程では、少なくとも前記側面に付着した前記液体を除去することを特徴とする露光方法。
【請求項２４】
露光プロセスを有するデバイス製造方法において、
前記露光プロセスの際に、請求項１９から２３のいずれか一項に記載された露光方法を用いることを特徴とするデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理装置、基板処理方法、露光装置及び露光方法並びにデバイス製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスや液晶表示デバイス等のマイクロデバイスの製造工程の一つであるフォトリソグラフィ工程では、マスク上に形成されたパターンを感光性の基板上に投影する露光装置が用いられる。この露光装置は、マスクを保持して移動可能なマスクステージと、基板を保持して移動可能な基板ステージとを有し、マスクステージ及び基板ステージを逐次移動しながらマスクのパターンを投影光学系を介してウエハ等の基板に投影するものである。
【特許文献１】国際公開第９９／４９５０４号パンフレット
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、上述したような従来技術には、以下のような問題が存在する。
ウエハ等の基板は、例えば液浸露光で用いられた液体や、前処理装置であるコータ・デベロッパ装置から露光装置に搬入される際に付着するゴミなどが側面に付着した状態となる可能性がある。
このように、ウエハ等の基板の側面に異物が付着していると、例えばプリアライメント処理等、所定の基板処理に支障を来す虞がある。
【０００４】
本発明は、以上のような点を考慮してなされたもので、基板側面に異物が付着した場合でも所定の基板処理を行える基板処理装置、基板処理方法、露光装置及び露光方法並びにデバイス製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記の目的を達成するために本発明は、実施の形態を示す図１ないし図１１に対応付けした以下の構成を採用している。
本発明の基板処理装置は、基板（Ｐ）に対して所定の処理を施す基板処理装置（ＰＵ）であって、基板の側面（ＰＳ）に付着した異物を除去する除去装置（３５）を有することを特徴とするものである。
従って、本発明の基板処理装置では、基板（Ｐ）に対して所定の処理を施す前に、基板の側面（ＰＳ）に付着した異物を除去装置（３５）により除去できるため、側面に付着した異物に起因した支障を来すことなく、例えば基板の側面位置を検出してプリアライメント等の基板処理を実施することが可能になる。
【０００６】
また、本発明の露光装置は、先に記載の基板処理装置（ＰＵ）と、基板処理装置で所定の処理が施され、且つ側面（ＰＳ）の異物が除去された基板（Ｐ）に対して露光処理を施す露光装置本体（ＥＸ）とを有することを特徴とするものである。
従って、本発明の露光装置では、異物による悪影響を受けることなく所定の処理が施された基板（Ｐ）に対して露光処理を実施できるため、高精度の露光処理を実施することが可能になる。
【０００７】
そして、本発明の基板処理方法は、基板（Ｐ）に対して所定の処理を施す基板処理方法であって、基板の側面（ＰＳ）に付着した異物を除去する工程を有することを特徴とするものである。
従って、本発明の基板処理方法では、基板（Ｐ）に対して所定の処理を施す前に、基板の側面（ＰＳ）に付着した異物を除去できるため、側面に付着した異物に起因した支障を来すことなく、例えば基板の側面位置を検出してプリアライメント等の基板処理を実施することが可能になる。
【０００８】
また、本発明の露光方法は、基板（Ｐ）に対して位置合わせ部（ＰＵ）で第１の位置合わせを行う工程と、第１の位置合わせが行われた基板に対して露光部（ＰＳＴ）で第２の位置合わせを行うとともに、露光処理を行う工程とを有し、基板に付着した異物を位置合わせ部で除去する除去工程を有することを特徴とするものである。
従って、本発明の露光方法では、異物による悪影響を受けることなく第１の位置合わせが行われた基板に対して露光処理を実施できるため、高精度の露光処理を実施することが可能になる。
【０００９】
また、本発明のデバイス製造方法は、露光プロセスを有するデバイス製造方法において、前記露光プロセスの際に、先に記載された露光方法を用いることを特徴とするものである。
従って、本発明のデバイス製造方法では、高精度の露光処理が施されて、高品質のデバイスを得ることが可能になる。
【００１０】
なお、本発明をわかりやすく説明するために、一実施例を示す図面の符号に対応付けて説明したが、本発明が実施例に限定されるものではないことは言うまでもない。
【発明の効果】
【００１１】
本発明では、基板の搬送時に側面等に付着した異物に起因して基板処理に支障を来すことを防止でき、円滑な露光処理等の基板処理を実現することが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明の基板処理装置、基板処理方法、露光装置及び露光方法並びにデバイス製造方法の実施の形態を、図１ないし図１１を参照して説明する。
ここでは、本発明の基板処理装置が例えば、露光装置に付設され、露光処理が行われる基板を予備的に位置合わせするプリアライメントユニットに適用される場合の例を用いて説明するが、本発明はこれに限定されない。
なお、以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。そして、水平面内における所定方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれに直交する方向（すなわち鉛直方向）をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわりの回転（傾斜）方向をそれぞれ、θＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。
また、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。
【００１３】
＜第１実施形態＞
まず、第１実施形態について説明する。図１は、露光システムＳＹＳを示す概略構成図であり、図２は、基板Ｐの搬送経路を主眼としてモデル的に図示した露光システムＳＹＳの平面図である。
この露光システムＳＹＳは、露光装置ＥＸ−ＳＹＳと、コータ・デベロッパ装置Ｃ／Ｄ−ＳＹＳとが、インターフェースＩＦを介して接続された構成になっている。
【００１４】
コータ・デベロッパ装置Ｃ／Ｄ−ＳＹＳは、図２に示すように、露光処理される前の基板Ｐの基材（半導体ウエハ）に対して感光材（レジスト）の塗布処理を行う塗布テーブルＣＤ１、及び露光装置本体ＥＸにおいて露光処理された後の基板Ｐに対して現像処理を行う現像テーブルＣＤ２を含むコータ・デベロッパ本体Ｃ／Ｄと、コータ・デベロッパ本体Ｃ／Ｄ及びインターフェースＩＦの間で基板Ｐを搬送する搬送系（基板搬送装置）ＨＣＤとを備えている。なお、基板Ｐには、位置合わせの基準位置となるノッチやオリフラ等の切欠きが形成されているが、本明細書ではこの切欠きの図示を省略している。
これら塗布テーブルＣＤ１における塗布処理、現像テーブルＣＤ２における現像処理、及び搬送系ＨＣＤの搬送動作は、制御装置によって制御される。
【００１５】
コータ・デベロッパ本体Ｃ／Ｄ（塗布テーブルＣＤ１、現像テーブルＣＤ２）及び搬送系ＨＣＤなどは、後述する第１チャンバ装置ＣＨ１とは別の第２チャンバ装置ＣＨ２内部に配置されている。第１チャンバ装置ＣＨ１と第２チャンバ装置ＣＨ２とは、インターフェース部ＩＦを介して接続されている。
【００１６】
露光装置ＥＸ−ＳＹＳは、コータ・デベロッパ装置Ｃ／Ｄとの接続部を形成するインターフェース部ＩＦと、基板Ｐの露光処理を行う露光装置本体ＥＸと、基板Ｐを搬送する搬送系Ｈと、プリアライメントユニット（基板処理装置、位置合わせ部）ＰＵと、温調ユニットＳＵと、露光装置ＥＸ−ＳＹＳ全体の動作を統括制御する制御装置ＣＯＮＴとを備えており、インターフェース部ＩＦ、露光装置本体ＥＸ及び搬送系Ｈは清浄度が管理された第１チャンバ装置ＣＨ１内部に配置されている。
【００１７】
インターフェース部ＩＦには、図２に示すように、搬送系ＨＣＤによって塗布テーブルＣＤ１から基板を供給される供給用テーブル１１と、露光装置本体ＥＸで露光処理された基板が載置され、搬送系ＨＣＤによって回収される回収用テーブル１２とが設けられている。
【００１８】
露光装置本体ＥＸは、マスクＭを保持して移動可能なマスクステージＭＳＴと、基板Ｐを保持する基板ホルダＰＨを有し、基板Ｐを保持した基板ホルダＰＨを移動可能な基板ステージ（露光部）ＰＳＴと、マスクステージＭＳＴに保持されているマスクＭを露光光ＥＬで照明する照明光学系ＩＬと、露光光ＥＬで照明されたマスクＭのパターンの像を基板Ｐ上に投影する投影光学系ＰＬとを備えている。なお、ここでいう「基板」は半導体ウエハ等の基材上に感光材（レジスト）を塗布したものを含み、「マスク」は基板上に縮小投影されるデバイスパターンを形成されたレチクルを含む。
また、本実施形態では、露光装置本体ＥＸとしてマスクＭと基板Ｐとを走査方向における互いに異なる向き（逆方向）に同期移動しつつマスクＭに形成されたパターンを基板Ｐに露光する走査型露光装置（所謂スキャニングステッパ）を使用する場合を例にして説明する。
【００１９】
露光装置本体ＥＸは、本実施形態では露光波長を実質的に短くして解像度を向上するとともに焦点深度を実質的に広くするために液浸法を適用した液浸露光装置であって、基板ステージＰＳＴに保持された基板Ｐ上に液体ＬＱの液浸領域ＡＲ２を形成し、液浸領域ＡＲ２の液体ＬＱを介して基板Ｐ上に露光光ＥＬを照射して基板Ｐを露光する。
なお、本発明は、上記液浸法が適用されない露光装置にも用いることができる。
【００２０】
プリアライメントユニットＰＵは、基板ステージＰＳＴに搬送される前の基板Ｐに対して、予備的に（大まかに）位置決めする（プリアライメント）ものであって、図１及び図３に示すように、基板Ｐを保持してＺ軸周り（図１及び図３では、反時計回り）に回転移動するホルダ部３１と、投光部３２及び受光部３３を有する光学式の位置検出装置（検出装置）３４、基板Ｐの側面ＰＳに付着した異物を除去する除去装置３５と、基板Ｐの回転（ホルダ部３１の回転）及び除去装置３５の作動を制御する位置制御装置（調整装置）３６とを有している。
【００２１】
位置検出装置３４は、投光部３２が投光し基板Ｐが遮光した検知光を受光部３３によって受光することにより、基板Ｐの位置情報として偏心量及び上記切欠きの回転方向の位置を検出するものである。位置検出装置３４の検出結果は、位置制御装置３６に出力される。
【００２２】
除去装置３５は、図２及び図３に示すように、先端に設けられた吸入部３７ａが基板Ｐの側面ＰＳに対向配置される吸入ヘッド（ヘッド部）３７と、この吸入ヘッド３７を基板Ｐ（側面ＰＳ）に対して離間・接近する方向（Ｙ軸方向）に駆動するヘッド駆動装置３８と、吸入ヘッド３７に接続され吸液部３７ａを介して負圧吸引する吸引装置３９とから構成されている。ヘッド駆動装置３８による吸入ヘッド３７の駆動、及び吸引装置３９の作動は位置制御装置３６により制御される。なお、吸引装置３９は真空ポンプや気液分離器等を備えているが、ここでは図示を省略している。
【００２３】
温調ユニットＳＵは、基板ステージＰＳＴに搬送される基板に対して、当該基板ステージＰＳＴの温度（露光装置本体ＥＸの雰囲気温度）に温度調整するものである。
【００２４】
搬送系Ｈは、インターフェース部ＩＦにおける供給用テーブル１１と露光装置本体ＥＸとの間で基板Ｐを搬送する複数の搬送アームＨ１〜Ｈ３（図１参照、図２では図示せず）と、回収用テーブル１２と露光装置本体ＥＸとの間で基板Ｐを搬送する複数の搬送アームＨ４、Ｈ５（図２参照、図１では図示せず）とを備えている。
より詳細には、搬送系Ｈは、供給用テーブル１１からプリアライメントユニットＰＵに基板Ｐを搬送する搬送アームＨ１と、プリアライメントユニットＰＵから温調ユニットＳＵに基板Ｐを搬送する搬送アームＨ２と、温調ユニットＳＵから露光装置本体ＥＸ（基板ステージＰＳＴ）に露光処理前の基板Ｐを搬入する搬送アームＨ３と、露光処理が終了した基板Ｐ（または再プリアライメントを行う基板Ｐ）を露光装置本体ＥＸ（基板ステージＰＳＴ）から搬出するアンロードアーム（スライダ）Ｈ４と、アンロードアームＨ４から基板Ｐを受け取って回収用テーブル１２またはプリアライメントユニットＰＵに搬送する搬送アームＨ５とを備えている。これら搬送系Ｈの動作は、上述した制御装置ＣＯＮＴにより制御される。
【００２５】
制御装置ＣＯＮＴは、露光装置ＥＸ−ＳＹＳにおける各構成機器、具体的には露光装置本体ＥＸによる露光処理に関する状況や搬送系Ｈにおける基板Ｐの搬送状況、プリアライメントユニットＰＵにおけるアライメント状況、温調ユニットＳＵおける温調状況等、各機器における処理状況を表示する表示装置７を備えている。
また、制御装置ＣＯＮＴと制御装置２０とは、例えばＬＡＮ等で接続され、互いに通信可能となっている。
【００２６】
また、本実施形態の露光システムＳＹＳは、基板Ｐ上のアライメントマークを検出する、オフアクシス方式のアライメントシステム（不図示）を備えている。アライメントシステムの少なくとも一部は、投影光学系ＰＬの先端の近傍に配置されている。本実施形態のアライメントシステムは、例えば特開平４−６５６０３号公報（対応する米国特許５，４９３，４０３号）に開示されているような、基板Ｐ上の感光材を感光させないブロードバンドな検出光を基板Ｐ上のアライメントマークに照射し、その対象マークからの反射光によって受光面に結像された対象マークの像と指標（アライメントシステム内に設けられた指標板上の指標マーク）の像とをＣＣＤ等の撮像素子を用いて撮像し、それらの撮像信号を画像処理することでマークの位置を計測するＦＩＡ（Field Image Alignment）方式のアライメントシステムを採用する。
【００２７】
続いて、上記構成の露光システムＳＹＳにおいて、基板Ｐに対して露光処理を行う手順の概略を図５に示すフローチャートを参照して説明する。なお、図５に示すフローチャートにおいては、主にプリアライメント処理及び露光処理に関する手順について示している。
【００２８】
露光装置ＥＸ−ＳＹＳの制御装置ＣＯＮＴから基板Ｐの供給要求がコータ・デベロッパ装置Ｃ／Ｄ−ＳＹＳの制御装置２０に出力されると、制御装置２０はコータ・デベロッパ本体Ｃ／Ｄの塗布テーブルＣＤ１で感光材の塗布処理を施された基板Ｐを、搬送系ＨＣＤによってインターフェース部ＩＦの供給用テーブル１１まで搬送させる。インターフェース部ＩＦの供給用テーブル１１に搬送された基板Ｐは、搬送アームＨ１によって、プリアライメントユニットＰＵに渡される（ステップＳ１）。ここで、プリアライメントユニットＰＵに渡された基板Ｐは、基板ステージＰＳＴに対して大まかに位置合わせ（プリアライメント）される（第１の位置合わせ工程）。
【００２９】
より詳細には、プリアライメントユニットＰＵに搬送された基板Ｐは、ホルダ部３７に保持された状態で回転し、位置検出装置３４における投光部３２から投光された検知光を端縁で遮光する。従って、基板Ｐを一回転させ、そのとき受光部３３が受光した検知光の光量から基板Ｐによる遮光量を求め、この遮光量が得られた基板Ｐの回転方向の位置と関係づけることにより、ホルダ部３７の回転中心に対する基板Ｐの偏心量、及び基板Ｐの切欠きの回転方向の位置等の位置情報が検出される（ステップＳ２）。そして、基板Ｐは、検出された位置情報に基づいて、基板ステージＰＳＴにおいて所定の位置に搬送されるように位置合わせ（プリアライメント）される（ステップＳ３）。
【００３０】
この位置検出装置３４を用いた基板Ｐの位置検出の際には、同時に除去装置３５によって、基板Ｐの側面ＰＳに付着した異物の除去処理も行われる。
具体的には、基板Ｐの回転時には、吸引装置３９の作動により、図３に示すように、側面ＰＳに対向する吸入ヘッド３７の吸入部３７ａを介して負圧吸引することにより、図４に矢印で示すように、側面ＰＳに沿い、且つ吸入部３７ａに向かう気流が生じ、基板Ｐの側面ＰＳに付着した異物（液体、塵埃等）が吸入部３７ａと対向する位置近傍に移動してきたときに、上記気流で引っ張られることにより、異物は側面ＰＳから離脱・吸引されて除去される。
なお、上述した基板Ｐの側面ＰＳに付着した異物の除去処理は、位置検出装置３４による基板Ｐの位置検出の際、同時に行われることに限られず、所望のタイミングでも行うことができる。
【００３１】
ここで、通常基板Ｐは中心がホルダ部３１の回転中心とはずれた状態で保持されているため、基板Ｐを回転させた際には、側面ＰＳの位置が偏心量に応じて変動する。そのため、基板Ｐの回転に伴って吸入ヘッド３７（吸入部３７ａ）と側面ＰＳとの間の距離も変動することになり、距離が大きい場合には異物が吸引されない事態が生じる可能性があり、逆に距離が小さい場合には基板Ｐと吸入ヘッド３７とが接触する可能性がある。そのため、本実施形態では、位置制御装置３６が位置検出装置３４の検出結果に応じて、ヘッド駆動装置３８を制御することにより、吸入ヘッド３７を基板Ｐに対して進退させる。つまり、位置制御装置３６は、位置検出装置３４の検出結果から、吸入部３７ａと対向する位置におけるホルダ部３１の回転中心に対する基板Ｐの側面ＰＳの位置（側面ＰＳの半径方向の位置）を求め、このときの側面ＰＳと吸入部３７ａとの距離が一定（例えば０．５ｍｍ）に維持されるようにヘッド駆動装置３８を介して吸入ヘッド３７を移動させる。これにより、基板Ｐ（側面ＰＳ）に接触することなく、吸入ヘッド３７による安定した異物吸引（異物除去）が維持できる。
【００３２】
プリアライメントユニットＰＵにおいて、予備的に大まかに位置合わせ（プリアライメント）された基板Ｐは、搬送アームＨ２によって温調ユニットＳＵに搬送されて、基板ステージＰＳＴの温度と略同一の所定温度に温度調整された後に、搬送アームＨ３によって、露光装置本体ＥＸの基板ステージＰＳＴ上に搬入される。
【００３３】
基板Ｐが基板ステージＰＳＴに搬入されると、制御装置ＣＯＮＴは、基板ステージＰＳＴ上の基板Ｐに対するアライメント処理を開始する（第２の位置合わせ工程）。具体的には、制御装置ＣＯＮＴは、基板ステージＰＳＴをＸＹ方向に移動し、アライメントシステムの検出領域に、基板Ｐ上の各ショット領域に対応するように設けられている複数のアライメントマークを順次配置する。そして、制御装置ＣＯＮＴは、基板ステージＰＳＴの位置情報を計測しつつ、アライメントシステムを用いて、基板Ｐ上の複数のアライメントマークを、液体ＬＱを介さずに順次検出する。これにより、制御装置ＣＯＮＴは、基板Ｐ上のアライメントマークの位置情報を求めることができる。
【００３４】
次に、制御装置ＣＯＮＴは、基板Ｐ上の各アライメントマークの位置情報に基づいて、アライメントシステムの検出基準位置に対する、基板Ｐ上の複数のショット領域のそれぞれの位置情報を演算処理によって求める（ステップＳ４）。基板Ｐ上の複数のショット領域のそれぞれの位置情報を演算処理によって求める際には、例えば特開昭６１−４４４２９号公報に開示されているような、所謂ＥＧＡ（エンハンスド・グローバル・アライメント）方式を用いて求めることができる。これにより、制御装置ＣＯＮＴは、アライメントシステムによって、基板Ｐ上のアライメントマークの検出を行い、基板Ｐ上に設けられた複数のショット領域それぞれの位置座標（配列座標）、及びアライメントシステムの検出基準位置に対して、基板Ｐ上の各ショット領域がどこに位置しているのかを求めることができる。
【００３５】
続いて、制御装置ＣＯＮＴは、投影光学系ＰＬの光軸（マスクＭの中心）とアライメントシステムの検出基準位置との間の距離であるベースライン量に基づいて、求められた複数のショット領域の座標値の補正量を求める。具体的には、制御装置ＣＯＮＴは、得られた計測値と設計値とに基づいて最小二乗法等の統計演算処理により、基板Ｐ上のショット領域の配列特性に関する位置情報として、シフト、スケール、回転、直交度等の誤差パラメータを算出し、これらの誤差パラメータに基づいて、基板Ｐ上の全てのショット領域に対して設計上の座標位置の補正量を求める。
【００３６】
ここで、露光装置ＥＸ−ＳＹＳにおいて基板ステージＰＳＴを駆動して基板Ｐの位置（ショット領域の位置）を補正する際の補正量には上限があるため、制御装置ＣＯＮＴはアライメントシステムを用いて求めたショット領域の座標値の補正量が補正可能な大きさであるかを判断し（ステップＳ５）、補正不能であると判断した場合には、プリアライメント処理が何らかの原因で正常に実施されなかったとして、搬送アームＨ４、Ｈ５を介して基板ＰをプリアライメントユニットＰＵに搬送させる（ステップＳ６）。
【００３７】
この後、基板ＰはアライメントユニットＰＵにおいて、上述したステップＳ２、Ｓ３のプリアライメント処理が再度実施されてプリアライメントされる。このときも上記除去装置３５により基板Ｐの側面ＰＳに付着した異物を除去しつつ、位置検出装置３４を用いて基板Ｐの位置情報を検出する。従って、側面ＰＳに付着した異物、例えば基板ステージＰＳＴに先の露光処理で残留していた液体やゴミ等が付着し、この液体に起因して位置検出装置３４による基板Ｐの位置情報検出に悪影響が及ぶことが回避される。
【００３８】
なお、位置検出装置３４が除去装置３５よりも基板Ｐの回転方向の上流側に配置される場合には、基板Ｐの側面ＰＳから異物が除去される前に、基板Ｐの位置検出が行われる可能性があり、異物により位置検出に誤差が生じる可能性があるため、除去装置３５を位置検出装置３４よりも上流側に配置するか、一旦基板Ｐの全周に対して異物除去を実施した後に、基板Ｐの位置検出を実施することが好ましい。
【００３９】
そして、アライメントユニットＰＵにおいて、再度プリアライメントされた基板Ｐは、搬送アームＨ２によって温調ユニットＳＵに搬送されて温度調整された後に、搬送アームＨ３によって、露光装置本体ＥＸの基板ステージＰＳＴ上に搬入され、上述したＥＧＡ計測が行われる。そして、再度、制御装置ＣＯＮＴがアライメントシステムを用いて求めたショット領域の座標値の補正量が補正可能な大きさであるかを判断し、補正可能であると判断した場合には、基板ステージＰＳＴを駆動してＸＹ方向の位置（走査開始位置）を補正（位置合わせ）するようにアライメントするとともに、投影光学系ＰＬの結像特性を調整する（ステップＳ７）。
【００４０】
そして、制御装置ＣＯＮＴは、基板Ｐ上の各ショット領域とマスクＭのパターンの像の投影位置との位置関係に基づいて、基板ステージＰＳＴ上の基板Ｐの位置を制御し、基板Ｐ上の複数のショット領域を順次露光する。このとき制御装置ＣＯＮＴは、少なくともマスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影している間、露光光ＥＬの光路空間を液体ＬＱで満たすように液浸空間を形成し、投影光学系ＰＬと液体ＬＱとを介して、マスクＭを通過した露光光ＥＬを基板ステージＰＳＴに保持された基板Ｐに照射する。これにより、マスクＭのパターンの像が基板Ｐに投影され、基板Ｐが露光処理される（ステップＳ８）。
【００４１】
そして、露光処理が施された基板Ｐは、アンロードアームＨ４により基板ステージＰＳＴから搬出された後に、搬送アームＨ５に受け渡され、この搬送アームＨ５によって回収用テーブル１２に搬送される。基板Ｐが回収用テーブル１２に載置されて基板回収が可能な状態となると、制御装置２０が、回収用テーブル１２に載置された基板Ｐを搬送系ＨＣＤによって回収させ、現像テーブルＣＤ２に搬送する。
このように、基板Ｐは、搬送系ＨＣＤ、Ｈによって搬送されることにより、感光剤塗布処理、露光処理、現像処理の一連の工程が施される。
【００４２】
以上説明したように、本実施形態では、基板ステージＰＳＴにおけるアライメント処理で基板Ｐが補正不能であると計測され、再度プリアライメント処理を実施する際、あるいはプリアライメント処理が実施される以前など、基板に所定の処理を行う際、あるいは基板に所定の処理を行う以前に、基板Ｐに付着した異物を除去するため、基板Ｐの搬送時等に付着した異物に起因して露光処理に支障を来すことを防止でき、円滑な露光処理を実現することが可能になる。特に、本実施形態では、除去装置３５によって、基板Ｐの側面ＰＳに異物を除去するため、当該側面ＰＳに付着した異物の有無が計測精度に大きな影響を与える位置検出装置３４を用いた基板Ｐの位置情報計測に支障を来すことなく、基板Ｐに対するプリアライメント処理を高精度に実施することができる。
【００４３】
加えて、本実施形態では、プリアライメント処理に係り回転する基板Ｐに対して、側面ＰＳ近傍に配置した吸入ヘッド３７を用いて異物除去するため、異物除去のために基板Ｐの側面ＰＳに対して吸入ヘッド３７を全周に亘って相対移動させる機構を別途設ける必要がなくなり、装置の小型化及び低価格化に寄与できる。さらに、本実施形態では、基板Ｐの側面ＰＳの位置を検出した結果に応じて、ヘッド駆動装置３８により側面ＰＳに対する吸入ヘッド３７の相対位置を調整しているため、吸入ヘッド３７の吸入部３７ａと側面ＰＳとの間の距離が大きくなって異物を除去できなかったり、吸入部３７ａと側面ＰＳとの間の距離が小さくなって、吸入部３７ａと側面ＰＳとが接触する等の不具合を防止することができ、安定して、且つ確実に側面ＰＳに付着した異物の除去を実施することが可能になる。
【００４４】
（第２実施形態）
続いて、除去装置３５の第２実施形態について、図６を参照して説明する。なお、この図において、図１乃至図５に示す第１実施形態の構成要素と同一の要素については同一符号を付し、その説明を省略する。
上記第１実施形態では、吸入ヘッド３７が吸入部３７ａを基板Ｐの側面ＰＳと対向して配置される構成としたが、本実施形態では吸入部３７ａの吸入方向を側面ＰＳの相対移動方向として設けている。
すなわち、図６に示すように、本実施形態における吸入ヘッド３７は、側面ＰＳの移動方向前方側に気流が生じるように、吸入部３７ａを当該移動方向の前方側に配置している。他の構成は、上記第１実施形態と同様である。
【００４５】
本実施形態では、上記第１実施形態と同様の作用・効果が得られることに加えて、側面ＰＳの移動方向、すなわち側面ＰＳに付着した異物の移動方向の前方側で吸入部３７ａが待ち受けるため、より確実に液体等の異物を吸入することができる。また、本実施形態では、吸入部３７ａへの吸入動作に伴って生じる気流が異物の移動方向の前方側に向かうため、側面ＰＳから離脱した異物が飛散することなく吸入ヘッド３７で回収することが可能になる。
【００４６】
（第３実施形態）
続いて、除去装置３５の第３実施形態について、図７を参照して説明する。なお、この図において、図１乃至図５に示す第１実施形態の構成要素と同一の要素については同一符号を付し、その説明を省略する。
上記第１、第２実施形態では、吸入ヘッド３７における吸入部３７ａの輪郭形状を直線状に図示したが、本実施形態では基板Ｐの側面ＰＳに沿った輪郭形状を有する構成としている。
すなわち、図７に示すように、本実施形態の吸入部３７ａは、平面視で基板Ｐの側面ＰＳと同様の円弧形状を有している。より詳細には、半径Ｒの基板Ｐの側面ＰＳに対して、例えば距離ｄの隙間をもって吸入部３７ａを配置する場合には、吸入部３７ａの輪郭形状は、半径Ｒ＋ｄで基板Ｐと同心の円弧形状に設定される。なお、本実施形態でも、側面ＰＳの移動方向前方側に気流が生じるように、吸入部３７ａを当該移動方向の前方側に配置している。
【００４７】
上記構成の除去装置３５では、上記第１、第２実施形態と同様の作用・効果が得られることに加えて、基板Ｐの側面ＰＳと吸入ヘッド３７の吸入部３７ａとが常に一定の隙間をもって当該隙間を吸引することになるため、側面ＰＳに付着した異物をより確実に吸引して除去することが可能になる。
【００４８】
（第４実施形態）
続いて、除去装置３５の第４実施形態について、図８を参照して説明する。なお、この図において、図１乃至図５に示す第１実施形態の構成要素と同一の要素については同一符号を付し、その説明を省略する。
図８（ａ）は、吸入ヘッド３７及び基板Ｐの断面図であり、図８（ｂ）は部分的な平面断面図である。
本実施形態における吸入ヘッド３７は、ヘッド本体（本体部）４１、ヘッド本体４１の基板Ｐの側面ＰＳに対向して臨む対向面（第３面）４１ａから基板Ｐの表面Ｐａ及び裏面Ｐｂに沿って基板Ｐの中心に向かってそれぞれ延出する延出壁（第１壁部）４２及び延出壁（第２壁部）４３とから構成されている。延出壁４２の先端部には、基板Ｐの表面Ｐａと対向する対向面（第１面）４２ａから基板Ｐ側へ突出する突部４２ｂが設けられている。同様に、延出壁４３の先端部には、基板Ｐの裏面Ｐｂと対向する対向面（第２面）４３ａから基板Ｐ側へ突出する突部４３ｂが設けられている。これら突部４２ｂ、４３ｂの対向面４２ａ、４２ｂからの突出量は、それぞれ突部４２ｂ、４３ｂが基板Ｐに接触せずに離間する値に設定されている。
【００４９】
ヘッド本体４１には、図８（ａ）に示すように、エア等の気体を供給する気体供給装置４０が接続され、側面ＰＳに向けて気体を噴出する噴出口４４が対向面４１ａに開口して形成されている。また、延出壁４２における突部４２ｂの先端面と対向面４２ａとを結ぶ傾斜面４２ｃ、及び延出壁４３における突部４３ｂの先端面と対向面４３ａとを結ぶ傾斜面４３ｃには、それぞれ、吸引装置３９に接続された吸気口（吸引部）４６が開口して形成されている。傾斜面４２ｃ、４３ｃはいずれも基板Ｐの外側（側面ＰＳ側）に向いて形成されており、従って吸気口４６もいずれも基板Ｐの外側（側面ＰＳ側）に向いて形成されている。
【００５０】
また、図８（ｂ）に示すように、対向面４１ａには、基板Ｐの側面ＰＳとの距離を測定する測距センサ（検出装置）４５が埋設されている。測距センサ４５の測定結果は、位置制御装置３６（図８（ａ）参照）に出力される。制御装置３６は、測距センサ４５の測定結果に応じて、ヘッド駆動装置３８を介して吸入ヘッド３７を基板Ｐ（側面ＰＳ）に対して離間・接近する方向に移動させる構成となっている。
【００５１】
上記の構成の除去装置３５においては、測距センサ４５の測定結果に応じて、ヘッド駆動装置３８を介して吸入ヘッド３７を基板Ｐ（側面ＰＳ）に対して適切な位置に移動させた後に、噴出口４４から気体を噴出させるとともに、吸引口４６から吸引動作を行う。これにより、側面ＰＳに付着している異物は、噴出した気体で吹き飛ばされて側面ＰＳから離脱し、吸引口４６から吸引されて除去される。
【００５２】
このとき、気体が噴出された下流側においては、突部４２ｂ、４３ｂが設けられて基板Ｐと延出壁４２、４３との隙間が狭くなっているため、突部４２ｂ、４３ｂよりも上流側に位置する傾斜面４２ｃ、４３ｃ近傍における気体の圧力が大きくなっており、また吸引口４６も基板Ｐの外側（気体噴出の上流側）に向いているため、より円滑に吸引口４６から気体とともに異物を吸引することが可能になる。
【００５３】
そして、側面ＰＳの全周に亘って異物除去及び基板Ｐの位置情報計測が完了すると、測距センサ４５の測定結果に応じて、吸入ヘッド３７を基板Ｐに対して退避（後退）させることにより、基板Ｐが搬送可能状態とすることができる。
このように、本実施形態では、上記実施形態と同様の作用・効果が得られることに加えて、側面ＰＳから離脱させた異物が飛散して基板Ｐの表面等に再付着することを抑制して確実に除去・回収することが可能になる。
【００５４】
なお、本実施形態では、測距センサ４５によって吸入ヘッド３７と基板Ｐの側面ＰＳとの対向方向（Ｙ方向）の位置を検出し、その検出結果に基づいて吸入ヘッド３７と基板Ｐの側面ＰＳとの位置を調整するものとしたが、吸入ヘッド３７と基板ＰとのＺ方向（基板Ｐの厚さ方向）の位置を検出するセンサ及び吸入ヘッド３７をＺ方向に駆動する駆動装置を別途設け、Ｚ方向についても吸入ヘッド３７と基板Ｐとの位置を調整する構成としてもよい。これにより、吸入ヘッド３７と基板Ｐとの接触や隙間が大きくなって異物が飛散する等の不具合が生じることを防止できる。
【００５５】
（第５実施形態）
続いて、除去装置３５の上記第４実施形態の変形例について、図９を参照して説明する。なお、この図において、図８に示す第４実施形態の構成要素と同一の要素については同一符号を付し、その説明を省略または簡略化する。
上記第４実施形態では、ヘッド本体４１に噴出口４４が設けられ、延出壁４２、４３に吸気口４６が設けられる構成としたが、本実施形態では逆の構成になっている。
【００５６】
すなわち、図９に示すように、吸入ヘッド３７における延出壁４２、４３には噴出口４４が設けられており、ヘッド本体４１には吸気口４６が設けられている。噴出口４４は、傾斜面４２ｃ、４３ｃに、それぞれ基板Ｐの側面近傍に向かうＺ方向成分、及び基板Ｐの外側に向かう方向成分を含む斜め方向に気体を噴出するように形成されている。
他の構成は、上記第４実施形態と同様である。
【００５７】
本実施形態では、上記第４実施形態と同様の作用・効果が得られることに加えて、側面にＰＳに付着した異物を挟む両側から気体が吹き付けられるため、側面ＰＳに対する異物の付着力が強い場合でも確実に異物を離脱させて除去することが可能になる。また、本実施形態では、噴出口４４から噴出される気体が基板Ｐの外側方向に向かうため、側面ＰＳから離脱した異物が突部４２ｂ、４３ｂと基板Ｐとの隙間から飛散して基板Ｐに再付着することを確実に防止することが可能になる。
【００５８】
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。
【００５９】
例えば、上記第１〜第３実施形態では、吸入により基板Ｐの側面ＰＳから異物を除去する構成としたが、これに限定されるものではなく、例えば第４、第５実施形態と同様に、側面ＰＳに向けて気体を噴出することにより、側面ＰＳに付着した異物を離脱・除去する構成としてもよい。この場合、気体噴出ヘッドに対する側面ＰＳ（すなわち異物）の相対移動方向の後方側に向けて気体を噴出して気流を生じさせることにより、異物に加わる気体の相対速度が増すため、より確実に異物を除去することができる。さらに、本発明では、気体噴出の他に、軟弾性材を基板Ｐの側面に摺接させて異物を除去する構成としてもよい。この場合、異物が液体であればスポンジ状の液体吸収材を用いることが基板Ｐにダメージを与えないためには好ましい。さらに、異物が液体の場合には、電熱線等の発熱体をヘッドに設け、この発熱体を基板Ｐの側面ＰＳ近傍に配置して、液体を蒸発させることにより除去する構成としてもよい。
【００６０】
また、上記実施形態では基板ステージＰＳＴにおけるアライメント処理で基板Ｐが補正不能であると計測され、再度プリアライメント処理を実施する際に、基板Ｐの側面ＰＳに付着した異物を除去する構成としたが、側面ＰＳ以外にも、例えば検知光を基板Ｐの表面Ｐａ及び裏面Ｐｂに照射し、その反射光を受光することで検出した表面Ｐａまたは／及び裏面Ｐｂに付着した異物を除去する手順としてもよい。この場合、異物の除去方法は、付着位置、異物の種類に応じて適宜選択すればよい。
【００６１】
また、上記実施形態では、基板Ｐを回転移動させて異物を除去する構成としたが、基板Ｐが静止して除去装置のヘッドが移動する構成としてもよい。さらに、移動方向についても回転移動に限定されるものではなく、例えば基板Ｐと異物除去装置とが相対的に直線移動する間に異物を除去する構成としてもよい。例えば、基板Ｐのプリアライメント処理中に異物除去するのではなく、基板Ｐを直線的に搬送する間に異物を除去する構成としてもよい。この一例としては、基板Ｐが基板処理装置としての搬送アームＨ１によって、プリアライメントユニットＰＵに搬送処理される経路途中や、基板ステージＰＳＴから基板処理装置としての搬送アームＨ５によって、プリアライメントユニットＰＵに搬送処理される経路途中に異物除去装置を設けて異物を除去する構成としてもよい。この場合、予め異物の位置を検出しておき、基板Ｐを回転させて異物除去が可能な位置に異物を位置決めして除去することにより、プリアライメント処理の前に異物除去が実施されるため、より確実にプリアライメント処理を実施することができる。すなわち、この変形例は、円形の基板Ｐの他に矩形や多角形の基板であっても、容易に対応可能であることを示している。
このように、本発明における基板処理装置としては、例えば異物除去装置を備えた基板搬送装置やアライメント装置等に広く適用可能である。
【００６２】
さらに、露光装置ＥＸ−ＳＹＳ以外にも、コータ・デベロッパ装置Ｃ／Ｄ−ＳＹＳやインターフェースＩＦに基板側面の異物を除去する異物除去装置を設ける構成としてもよい。この場合、コータ・デベロッパ装置Ｃ／Ｄ−ＳＹＳにおける塗布テーブルＣＤ１や搬送系ＨＣＤ、インターフェース部ＩＦにおける供給用テーブル１１に基板側面の異物を除去する異物除去装置を設ける構成とすることにより、後工程で高精度のプリアライメント処理を実施可能となる。
また、露光システムＳＹＳ内の、例えば露光機内のクールプレートやコータデベロッパ装置内のホットプレートなどの温調部よりも上流に基板側面の異物を除去する異物除去装置を設ける構成とすることもできる。
このように、露光システムＳＹＳ内の温調部よりも上流に異物除去装置を設けることで、基板側面に異物が付着したまま、基板が温調部に移動することを防止できる。その結果、基板側部に付着していた異物が温調部内に落下する等して、温調部に影響を与えることを防止できる。
【００６３】
また、本発明に係る基板処理装置としては、露光装置ＥＸ−ＳＹＳとコータ・デベロッパ装置Ｃ／Ｄ−ＳＹＳとの間で基板Ｐを搬送する構成の他に、露光装置ＥＸ−ＳＹＳとの間、及びコータ・デベロッパ装置Ｃ／Ｄ−ＳＹＳとの間でそれぞれ基板が搬送され、搬送された基板に対して所定の検査処理を行う検査装置など、各種処理装置との間で基板を搬送する構成とすることも可能であり、これら基板の搬送処理の間や上記検査処理の間に異物除去処理を実施することができる。
【００６４】
なお、上記各実施形態の基板Ｐとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板や、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）等が適用される。
【００６５】
露光装置本体ＥＸとしては、マスクＭと基板Ｐとを同期移動してマスクＭのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニングステッパ）の他に、マスクＭと基板Ｐとを静止した状態でマスクＭのパターンを一括露光し、基板Ｐを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ）にも適用することができる。また、本発明は基板Ｐ上で少なくとも２つのパターンを部分的に重ねて転写するステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。
【００６６】
露光装置本体ＥＸの種類としては、基板Ｐに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。
【００６７】
また、本発明が適用される露光装置の光源には、ＫｒＦエキシマレーザ（２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ（１９３ｎｍ）、Ｆ２レーザ（１５７ｎｍ）等のみならず、ｇ線（４３６ｎｍ）及びｉ線（３６５ｎｍ）を用いることができる。さらに、投影光学系の倍率は縮小系のみならず等倍および拡大系のいずれでもよい。また、上記実施形態では、反射屈折型の投影光学系を例示したが、これに限定されるものではなく、投影光学系の光軸（レチクル中心）と投影領域の中心とが異なる位置に設定される屈折型の投影光学系にも適用可能である。
【００６８】
また、本発明は、投影光学系と基板との間に局所的に液体を満たし、該液体を介して基板を露光する、所謂液浸露光装置に適用したが、液浸露光装置については、国際公開第９９／４９５０４号パンフレットに開示されている。さらに、本発明は、特開平６−１２４８７３号公報、特開平１０−３０３１１４号公報、米国特許第５，８２５，０４３号などに開示されているような露光対象の基板の表面全体が液体中に浸かっている状態で露光を行う液浸露光装置にも適用可能である。
【００６９】
また、本発明は、基板ステージ（ウエハステージ）が複数設けられるツインステージ型の露光装置にも適用できる。ツインステージ型の露光装置の構造及び露光動作は、例えば特開平１０−１６３０９９号公報及び特開平１０−２１４７８３号公報（対応米国特許６，３４１，００７号、６，４００，４４１号、６，５４９，２６９号及び６，５９０，６３４号）、特表２０００−５０５９５８号（対応米国特許５，９６９，４４１号）或いは米国特許６，２０８，４０７号に開示されている。更に、本発明を本願出願人が先に出願した特願２００４−１６８４８１号のウエハステージに適用してもよい。
【００７０】
また、本発明が適用される露光装置は、本願特許請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
【００７１】
次に、本発明の実施形態による露光装置及び露光方法をリソグラフィ工程で使用したマイクロデバイスの製造方法の実施形態について説明する。図１０は、マイクロデバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の製造例のフローチャートを示す図である。
まず、ステップＳ１０（設計ステップ）において、マイクロデバイスの機能・性能設計（例えば、半導体デバイスの回路設計等）を行い、その機能を実現するためのパターン設計を行う。引き続き、ステップＳ１１（マスク製作ステップ）において、設計した回路パターンを形成したマスク（レチクル）を製作する。一方、ステップＳ１２（ウエハ製造ステップ）において、シリコン等の材料を用いてウエハを製造する。
次に、ステップＳ１３（ウエハ処理ステップ）において、ステップＳ１０〜ステップＳ１２で用意したマスクとウエハを使用して、後述するように、リソグラフィ技術等によってウエハ上に実際の回路等を形成する。次いで、ステップＳ１４（デバイス組立ステップ）において、ステップＳ１３で処理されたウエハを用いてデバイス組立を行う。このステップＳ１４には、ダイシング工程、ボンティング工程、及びパッケージング工程（チップ封入）等の工程が必要に応じて含まれる。最後に、ステップＳ１５（検査ステップ）において、ステップＳ１４で作製されたマイクロデバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経た後にマイクロデバイスが完成し、これが出荷される。
【００７２】
図１１は、半導体デバイスの場合におけるステップＳ１３の詳細工程の一例を示す図である。
ステップＳ２１（酸化ステップ）おいては、ウエハの表面を酸化させる。ステップＳ２２（ＣＶＤステップ）においては、ウエハ表面に絶縁膜を形成する。ステップＳ２３（電極形成ステップ）においては、ウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップＳ２４（イオン打込みステップ）においては、ウエハにイオンを打ち込む。以上のステップＳ２１〜ステップＳ２４のそれぞれは、ウエハ処理の各段階の前処理工程を構成しており、各段階において必要な処理に応じて選択されて実行される。
ウエハプロセスの各段階において、上述の前処理工程が終了すると、以下のようにして後処理工程が実行される。この後処理工程では、まず、ステップＳ２５（レジスト形成ステップ）において、ウエハに感光剤を塗布する。引き続き、ステップＳ２６（露光ステップ）において、上で説明したリソグラフィシステム（露光装置）及び露光方法によってマスクの回路パターンをウエハに転写する。次に、ステップＳ２７（現像ステップ）においては露光されたウエハを現像し、ステップＳ２８（エッチングステップ）において、レジストが残存している部分以外の部分の露出部材をエッチングにより取り去る。そして、ステップＳ２９（レジスト除去ステップ）において、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらの前処理工程と後処理工程とを繰り返し行うことによって、ウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
【００７３】
また、半導体素子等のマイクロデバイスだけではなく、光露光装置、ＥＵＶ露光装置、Ｘ線露光装置、及び電子線露光装置等で使用されるレチクル又はマスクを製造するために、マザーレチクルからガラス基板やシリコンウエハ等ヘ回路パターンを転写する露光装置にも本発明を適用できる。ここで、ＤＵＶ（深紫外）やＶＵＶ（真空紫外）光等を用いる露光装置では、一般的に透過型レチクルが用いられ、レチクル基板としては石英ガラス、フッ素がドープされた石英ガラス、蛍石、フッ化マグネシウム、又は水晶等が用いられる。また、プロキシミティ方式のＸ線露光装置や電子線露光装置等では、透過型マスク（ステンシルマスク、メンブレンマスク）が用いられ、マスク基板としてはシリコンウエハ等が用いられる。なお、このような露光装置は、ＷＯ９９／３４２５５号、ＷＯ９９／５０７１２号、ＷＯ９９／６６３７０号、特開平１１−１９４４７９号、特開２０００−１２４５３号、特開２０００−２９２０２号等に開示されている。
【図面の簡単な説明】
【００７４】
【図１】第１実施形態に係る露光システムを示す概略構成図である。
【図２】露光システムをモデル的に示した平面図である。
【図３】プリアライメントユニットの概略構成図である。
【図４】同プリアライメントユニットの部分拡大図である。
【図５】基板に対して露光処理を行う手順の概略を示すフローチャート図である。
【図６】除去装置３５の第２実施形態を示す図である。
【図７】除去装置３５の第３実施形態を示す図である。
【図８】除去装置３５の第４実施形態を示す図である。
【図９】除去装置３５の変形例を示す図である。
【図１０】マイクロデバイスの製造工程の一例を示すフローチャート図である。
【図１１】図１０におけるステップＳ１３の詳細工程の一例を示す図である。
【符号の説明】
【００７５】
ＥＸ−ＳＹＳ…露光装置、  ＥＸ…露光装置本体、  Ｐ…基板、  Ｐａ…表面、  Ｐｂ…裏面、  ＰＳ…側面、  ＰＳＴ…基板ステージ（露光部）、  ＰＵ…プリアライメントユニット（基板処理装置、位置合わせ部）、  ３４…位置検出装置（検出装置）、  ３５…除去装置、  ３６…位置制御装置（調整装置）、  ３７…吸入ヘッド（ヘッド部）、  ３７ａ…吸入部、  ４１…ヘッド本体（本体部）、  ４１ａ…対向面（第３面）、  ４２…延出壁（第１壁部）、  ４３…延出壁（第２壁部）、  ４２ａ…対向面（第１面）、  ４３ａ…対向面（第２面）、  ４２ｂ、４３ｂ…突部、  ４２ｄ、４３ｄ…吸気口（吸引部）、  ４４…噴出口、  ４５…測距センサ（検出装置）
【図１】
2008311422.tif 000003
【図２】
2008311422.tif 000004
【図３】
2008311422.tif 000005
【図４】
2008311422.tif 000006
【図５】
2008311422.tif 000007
【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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