(57)【要約】【課題】２種類の金属ターゲットと２種類の反応ガスのみを用いて成膜された、高屈折率層、中間屈折率層、および低屈折率層からなる薄く優れた光学性能を備えた光学多層膜、この光学多層膜を備えた光学素子を提供する。【解決手段】短波長透過型フィルタ８００は、まず、ガラス基板８０１上に、中間屈折率層８０２が成膜される。次に、その中間屈折率層８０２上に、高屈折率層８０３と低屈折率層８０４とが交互に２３層成膜されていく。そして、このとき最も上になっている高屈折率層８０３上にさらに中間屈折率層８０２が成膜される。最後に、その中間屈折率層８０２上に接着剤８０５でもう一つのガラス基板８０１が接着されて、密封される。この短波長透過型フィルタ８００は、２５層で構成された光学多層膜を備えることになる。【選択図】図８
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成される光学多層膜であって、
互いに異なる膜屈折率を有する低屈折率層と高屈折率層と中間屈折率層を備え、
前記低屈折率層は、Ｓｉ金属ターゲットをスパッタリングして生成したＳｉ金属層に酸素ガスを反応させて成膜したＳｉＯ2薄膜からなり、
前記高屈折率層は、屈折率が約２．０以上の金属ターゲットをスパッタリングして生成した金属層に酸素ガスを反応させて成膜した透明誘電体化合物薄膜からなり、
前記中間屈折率層は、Ｓｉ金属ターゲットをスパッタリングして生成したＳｉ金属層に酸素ガスおよび窒素ガスを反応させて成膜したＳｉＮｘＯｙ系薄膜からなり、
前記中間屈折率層は、酸素ガスと窒素ガスを所定の導入比率で混合することにより、膜屈折率が設定されることを特徴とする光学多層膜。
【請求項２】
前記屈折率が約２．０以上の金属ターゲットは、Ｎｂ，Ｔａ，Ｔｉのうちいずれか一つからなることを特徴とする請求項１に記載の光学多層膜。
【請求項３】
前記中間屈折率層の膜屈折率は、約１．５〜約１．７であることを特徴とする請求項１または２に記載の光学多層膜。
【請求項４】
基板と、この基板上に形成された請求項１〜３のいずれか一つに記載の光学多層膜とから構成されることを特徴とする光学素子。
【請求項５】
Ｓｉ金属ターゲットをスパッタリングして生成したＳｉ金属層に酸素ガスを反応させて成膜したＳｉＯ2薄膜からなる低屈折率層と、屈折率が約２．０以上の金属ターゲットをスパッタリングして生成した金属層に酸素ガスを反応させて成膜した透明誘電体化合物薄膜からなる高屈折率層と、を交互に複数層ずつ形成し、
さらに、その上下に、Ｓｉ金属ターゲットをスパッタリングして生成したＳｉ金属層に酸素ガスおよび窒素ガスを反応させて成膜したＳｉＮｘＯｙ系薄膜からなる膜屈折率が約１．７である中間屈折率層を形成して構成した光学多層膜を備えていることを特徴とするバンドパスフィルタ。
【請求項６】
Ｓｉ金属ターゲットをスパッタリングして生成したＳｉ金属層に酸素ガスを反応させて成膜したＳｉＯ2薄膜からなる低屈折率層を形成する低屈折率層形成工程と、
屈折率が約２．０以上の金属ターゲットをスパッタリングして生成した金属層に酸素ガスを反応させて成膜した透明誘電体化合物薄膜からなる高屈折率層を形成する高屈折率層形成工程と、
Ｓｉ金属ターゲットをスパッタリングして生成したＳｉ金属層に所定の導入比率で混合された酸素ガスおよび窒素ガスを反応させて成膜した所望の膜屈折率を有するＳｉＮｘＯｙ系薄膜からなる中間屈折率層を形成する中間屈折率層形成工程と、
を含むことを特徴とする光学多層膜製造方法。
【請求項７】
基板上に、Ｓｉ金属ターゲットをスパッタリングして生成したＳｉ金属層に所定の導入比率で混合された酸素ガスおよび窒素ガスを反応させて成膜した所望の膜屈折率を有するＳｉＮｘＯｙ系薄膜からなる中間屈折率層を形成する中間屈折率層形成工程と、
前記中間屈折率層形成工程で形成された中間屈折率層上に、屈折率が約２．０以上の金属ターゲットをスパッタリングして生成した金属層に酸素ガスを反応させて成膜した透明誘電体化合物薄膜からなる高屈折率層を形成する高屈折率層形成工程と、
前記高屈折率層形成工程で形成された高屈折率層上に、Ｓｉ金属ターゲットをスパッタリングして生成したＳｉ金属層に酸素ガスを反応させて成膜したＳｉＯ2薄膜からなる低屈折率層を形成する低屈折率層形成工程と、
を含むことを特徴とする光学素子製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、膜屈折率の異なる複数の層からなり、所定の波長の光を選択的に透過または反射させる光学多層膜、光学素子、バンドパスフィルタ、光学多層膜製造方法および光学素子製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶プロジェクタやビデオカメラなどに搭載されている光学系に使用される光学多層膜の成膜は、一般にイオンアシスト蒸着やイオンプレーティングなどの蒸着法で行われている（たとえば、特許文献１〜３を参照。）。このような光学多層膜の成膜には、成膜プロセス室と反応プロセス室を備え、これらの間で基板を順次移動させて成膜処理を行うスパッタ装置が用いられている。
【０００３】
特許文献１に記載の光学多層膜は、Ｎｂ，Ｔａ，Ｔｉなどの高屈折率層用の金属ターゲットから生成された高屈折率層、Ｓｉなどの低屈折率層用の金属ターゲットから生成された低屈折率層、およびＡｌなどの中間屈折率層用の金属ターゲットから生成された中間屈折率層の３つの異なる膜屈折率の層が組み合わされて形成されている。
【０００４】
特許文献２に記載の光学多層膜は、Ｎｂ，Ｔａ，Ｔｉなどの高屈折率層用の金属ターゲットから生成された高屈折率層、Ｓｉなどの低屈折率層用の金属ターゲットから生成された低屈折率層、および前記高屈折率層用の金属ターゲットと前記低屈折率層用の金属ターゲットとの混合比を任意に設定して生成された中間屈折率層の３つの異なる膜屈折率の層が組み合わされて形成されている。この光学多層膜は３つの異なる膜屈折率の層を有しているが、中間屈折率層を高屈折率層用の金属ターゲットと低屈折率層用の金属ターゲットとの混合比を任意に設定して形成しているため、高屈折率層用の金属ターゲットと低屈折率層用の金属ターゲットとの２種類の金属ターゲットで形成することができる。
【０００５】
特許文献３に記載の光学多層膜は、Ｎｂ，Ｔａ，Ｔｉなどの高屈折率層用の金属ターゲットから生成された高屈折率層と、Ｓｉなどの低屈折率層用の金属ターゲットから生成された低屈折率層とを交互に組み合わせて形成されている。この光学多層膜は、中間屈折率層を用いない代わりに、等価膜法により「低屈折率層−高屈折率層−低屈折率層」の３層、または「高屈折率層−低屈折率層−高屈折率層」の３層に置き換えることで、膜の光学性能（分光透過率曲線の透過帯リップルの低減など）を向上させている。
【０００６】
【特許文献１】特開２００６−２２３８９号公報
【特許文献２】特許第３７３５４６１号公報
【特許文献３】特開２００５−３００８８９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１に記載の技術では、３枚の金属ターゲットを使用して成膜されるため、材料費が高くなるうえ、成膜工程で金属ターゲットが減少した場合の成膜速度の管理が複雑になるという問題がある。また、光学多層膜で被覆される基板の屈折率が変化した場合や波長シフトの入射角度依存性を考慮したときに、各金属ターゲットから成膜された層がそれぞれ固有の膜屈折率を備えることになるため、膜設計の段階で光学多層膜の膜屈折率が固定され、設計自由度が低下する。この結果、分光透過率曲線の透過帯リップルが大きくなったり、帯域幅が狭くなったりするおそれがある。
【０００８】
特許文献２に記載の技術では、高屈折率層用の金属ターゲットと低屈折率層用の金属ターゲットに対するスパッタリング印加電圧を変えることで、両者の混合比が変化し、任意に中間屈折率層を成膜できる。しかし、金属ターゲットが減少した場合、金属ターゲットの電気抵抗が変化したり、金属ターゲットまでの距離が長くなったりする。この結果、成膜速度が遅くなり、成膜混合比も変化し、合成屈折率が変化してしまうという問題が生じる。合成屈折率が変わらないように、金属ターゲットの残量に応じて各金属ターゲットへのスパッタ電圧を調整する対処法も考えられるが、スパッタ電圧の大きさによっては膜厚分布が変化してしまい、その都度膜厚分布を調整しなければならなくなる。
【０００９】
また、高屈折率層用の金属ターゲットと低屈折率層用の金属ターゲットの２種類の物質を混合して成膜された中間屈折率層は、単一の金属ターゲットから得られた酸化膜に比べると、高温高湿などの耐環境性に劣り、波長シフトを生じるおそれがある。
【００１０】
特許文献３に記載の技術では、高屈折率層用の金属ターゲットと低屈折率層用の金属ターゲットの２種類の物質だけで成膜するが、透過帯と反射帯のカット波長付近のリップルを消すために、等価膜法を用いることになる。しかし、等価膜法を用いて成膜すると、各層の膜厚誤差が累積され、設計値に対する実際の分光透過率曲線の透過帯リップルが変動したり、色分離カット波長の再現性が悪化したりするおそれがある。
【００１１】
また、等価膜法を用いて成膜すると、１層の中間屈折率層を３層の「高屈折率層−低屈折率層−高屈折率層」または「低屈折率層−高屈折率層−低屈折率層」に置き換えることになるが、３層を合計した膜厚はもとの１層の膜厚と等価であるため、３層に置き換えたときに極薄い層ができることがある。この場合、極薄い層の膜厚誤差の影響で、設計値に対する実際の分光透過率曲線の透過帯リップルが変動するおそれがある。
【００１２】
この発明は、上述した従来技術による問題点を解消するため、２種類の金属ターゲットと２種類の反応ガスのみを用いて成膜された、高屈折率層、中間屈折率層、および低屈折率層からなる薄く優れた光学性能を有する光学多層膜、光学素子、バンドパスフィルタ、光学多層膜製造方法および光学素子製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上述した課題を解決し、目的を達成するため、請求項１に記載の発明にかかる光学多層膜は、基板上に形成される光学多層膜であって、互いに異なる膜屈折率を有する低屈折率層と高屈折率層と中間屈折率層を備え、前記低屈折率層は、Ｓｉ金属ターゲットをスパッタリングして生成したＳｉ金属層に酸素ガスを反応させて成膜したＳｉＯ2薄膜からなり、前記高屈折率層は、屈折率が約２．０以上の金属ターゲットをスパッタリングして生成した金属層に酸素ガスを反応させて成膜した透明誘電体化合物薄膜からなり、前記中間屈折率層は、Ｓｉ金属ターゲットをスパッタリングして生成したＳｉ金属層に酸素ガスおよび窒素ガスを反応させて成膜したＳｉＮｘＯｙ系薄膜からなり、前記中間屈折率層は、酸素ガスと窒素ガスを所定の導入比率で混合することにより、膜屈折率が設定されることを特徴とする。
【００１４】
この請求項１に記載の発明によれば、２種類の金属ターゲットと２種類の反応ガスのみを用いて成膜された、高屈折率層、中間屈折率層、および低屈折率層からなる薄く優れた光学性能（分光透過率曲線の透過帯リップルが低減するなど）を有する光学多層膜を提供できる。また、光学多層膜形成における手間（材料切替え回数、成膜条件切替え回数など）を削減し、製造コストの低減化を図ることができる。
【００１５】
また、請求項２に記載の発明にかかる光学多層膜は、請求項１に記載の発明において、前記屈折率が約２．０以上の金属ターゲットが、Ｎｂ，Ｔａ，Ｔｉのうちいずれか一つからなることを特徴とする。
【００１６】
この請求項２に記載の発明によれば、前記高屈折率層をＮｂ，Ｔａ，Ｔｉのうちいずれか一つの酸化物で形成できる。
【００１７】
また、請求項３に記載の発明にかかる光学多層膜は、請求項１または２に記載の発明において、前記中間屈折率層の膜屈折率が、約１．５〜約１．７であることを特徴とする。
【００１８】
この請求項３に記載の発明によれば、前記中間屈折率層の膜屈折率を、安定した光学性能を得るのに最適な値（約１．５〜約１．７）に設定することができる。
【００１９】
また、請求項４に記載の発明にかかる光学素子は、基板と、この基板上に形成された請求項１〜３のいずれか一つに記載の光学多層膜と、から構成されることを特徴とする。
【００２０】
この請求項４に記載の発明によれば、２種類の金属ターゲットと２種類の反応ガスのみを用いて成膜された、高屈折率層、中間屈折率層、および低屈折率層からなる薄く優れた光学性能（分光透過率曲線の透過帯リップルが低減するなど）を有する光学多層膜を備えた光学素子を提供できる。
【００２１】
また、請求項５に記載の発明にかかるバンドパスフィルタは、Ｓｉ金属ターゲットをスパッタリングして生成したＳｉ金属層に、酸素ガスを反応させて成膜したＳｉＯ2薄膜からなる低屈折率層と、屈折率が約２．０以上の金属ターゲットをスパッタリングして生成した金属層に、酸素ガスを反応させて成膜した透明誘電体化合物薄膜からなる高屈折率層と、を交互に複数層ずつ形成し、さらに、その上下に、Ｓｉ金属ターゲットをスパッタリングして生成したＳｉ金属層に、酸素ガスおよび窒素ガスを反応させて成膜したＳｉＮｘＯｙ系薄膜からなる膜屈折率が約１．７である中間屈折率層を形成されて構成される光学多層膜を備えていることを特徴とする。
【００２２】
この請求項５に記載の発明によれば、２種類の金属ターゲットと２種類の反応ガスのみを用いて成膜された、高屈折率層、中間屈折率層、および低屈折率層からなる薄く優れた光学性能（分光透過率曲線の透過帯リップルが低減するなど）を有する光学多層膜を備えたバンドパスフィルタを提供できる。
【００２３】
また、請求項６に記載の発明にかかる光学多層膜製造方法は、Ｓｉ金属ターゲットをスパッタリングして生成したＳｉ金属層に、酸素ガスを反応させて成膜したＳｉＯ2薄膜からなる低屈折率層を形成する低屈折率層形成工程と、屈折率が約２．０以上の金属ターゲットをスパッタリングして生成した金属層に、酸素ガスを反応させて成膜した透明誘電体化合物薄膜からなる高屈折率層を形成する高屈折率層形成工程と、Ｓｉ金属ターゲットをスパッタリングして生成したＳｉ金属層に、所定の導入比率で混合された酸素ガスおよび窒素ガスを反応させて成膜した所望の膜屈折率を有するＳｉＮｘＯｙ系薄膜からなる中間屈折率層を形成する中間屈折率層形成工程と、を含むことを特徴とする。
【００２４】
この請求項６に記載の発明によれば、２種類の金属ターゲットと２種類の反応ガスのみを用いて成膜された、高屈折率層、中間屈折率層、および低屈折率層からなる薄く優れた光学性能（分光透過率曲線の透過帯リップルが低減するなど）を有する光学多層膜を提供できる。また、光学多層膜形成における手間（材料切替え回数、成膜条件切替え回数など）を削減し、製造コストの低減化を図ることができる。
【００２５】
また、請求項７に記載の発明にかかる光学素子製造方法は、基板上に、Ｓｉ金属ターゲットをスパッタリングして生成したＳｉ金属層に所定の導入比率で混合された酸素ガスおよび窒素ガスを反応させて成膜した所望の膜屈折率を有するＳｉＮｘＯｙ系薄膜からなる中間屈折率層を形成する中間屈折率層形成工程と、前記中間屈折率層形成工程で形成された中間屈折率層上に、屈折率が約２．０以上の金属ターゲットをスパッタリングして生成した金属層に酸素ガスを反応させて成膜した透明誘電体化合物薄膜からなる高屈折率層を形成する高屈折率層形成工程と、前記高屈折率層形成工程で形成された高屈折率層上に、Ｓｉ金属ターゲットをスパッタリングして生成したＳｉ金属層に酸素ガスを反応させて成膜したＳｉＯ2薄膜からなる低屈折率層を形成する低屈折率層形成工程と、を含むことを特徴とする。
【００２６】
この請求項７に記載の発明によれば、２種類の金属ターゲットと２種類の反応ガスのみを用いて成膜された、高屈折率層、中間屈折率層、および低屈折率層からなる薄く優れた光学性能（分光透過率曲線の透過帯リップルが低減するなど）を有する光学多層膜を備えた光学素子を提供できる。
【発明の効果】
【００２７】
この発明によれば、２種類の金属ターゲットと２種類の反応ガスのみを用いて成膜された、高屈折率層、中間屈折率層、および低屈折率層からなる薄く優れた光学性能を有するという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下、添付図面を参照して、この発明にかかる光学多層膜、光学素子、バンドパスフィルタ、光学多層膜製造方法および光学素子製造方法の好適な実施の形態を詳細に説明する。
【００２９】
（スパッタ装置の構成）
図１は、この発明にかかる光学多層膜を形成するためのスパッタ装置の構成を示す図である。このスパッタ装置１００は、真空容器１０１と、この真空容器１０１内で回転可能に駆動される基板ホルダ１０３と、基板ホルダ１０３の外周に形成された２つの成膜プロセス室１０４，１０５と、１つの反応プロセス室１０６と、を備えている。
【００３０】
真空容器１０１には排気口（不図示）が形成され、この排気口には排気管（不図示）が接続されている。さらに、この排気管には真空容器１０１の内部を真空にするために排気を行う真空ポンプ（不図示）が接続されている。
【００３１】
基板ホルダ１０３は円筒状で、真空容器１０１内の略中央部に配置され、その外周面に複数の基板を保持することができる。また、基板ホルダ１０３の外周面には、多数の基板（平行平面板、プリズムなど）が基板ホルダ１０３の中心軸方向（紙面に対して鉛直方向）に沿って所定の間隔を保ちながら整列した状態で保持される。基板の薄膜を形成させる面が、基板ホルダ１０３の中心軸線と垂直な方向に向くように、基板ホルダ１０３に保持されている。各基板は、基板ホルダ１０３が回転することで、中心軸線を回転軸として回転する。
【００３２】
成膜プロセス室１０４，１０５は基板上にスパッタリングで目的の膜厚よりも極薄い金属ないし金属不完全化合物からなる薄膜を形成するために設けられている。また、反応プロセス室１０６は、成膜プロセス室１０４，１０５で形成された極薄い金属ないし金属不完全化合物からなる薄膜に、電気的に中性な反応性ガスの活性種を反応させて、最終薄膜である金属化合物を形成するために設けられている。成膜プロセス室１０４，１０５と反応プロセス室１０６とは遮蔽板により仕切られており、それぞれのプロセスが独立して行われるように、排気管（不図示）が適切な位置に設けられている。成膜プロセス室１０４，１０５のうち、一方（図１では成膜プロセス室１０４）は高屈折率膜形成用としてＴａ，Ｔｉ，Ｎｂなどの高融点の金属ターゲット１１４が設置され、他方（図１では成膜プロセス室１０５）は低屈折率膜および中間屈折率膜形成用としてＳｉ金属ターゲット１１５が設置されており、基板ホルダ１０３を挟んで対向するように配置される。
【００３３】
成膜プロセス室１０４，１０５には、それぞれ基板ホルダ１０３の外周面に対向するようにマグネトロンスパッタ電極が設けられている。マグネトロンスパッタ電極は、電源設置版に固定され、トランスおよびスパッタ電源１１６，１１７に接続されている。したがって、各金属ターゲットに対して独立して電力を供給することができる。これにより各金属ターゲットに対して、スパッタリングによる成膜レートを独立して調整できる。そして、成膜プロセス室１０４，１０５には、それぞれアルゴンガスボンベ１０９からマスフローコントローラ１０８を介してアルゴンなどの不活性ガスが導入されてスパッタリング雰囲気圧力が調整され、スパッタ電源１１６，１１７により電圧を印加することによりスパッタリングされる。
【００３４】
反応プロセス室１０６は、反応性ガスの活性種（ラジカル、イオンなど）を発生させるラジカル源１１８を備えている。このラジカル源１１８は、開口を塞ぐように設けられた石英板（不図示）と、この石英板の外側に渦巻き状に配設されたアンテナ（不図示）とを備えている。石英板は、反応プロセス室１０６を介して基板ホルダ１０３に対向するように設けられている。アンテナは、マッチング回路を収容するマッチングボックス（不図示）を介して高周波電源１０７に接続されている。アンテナは、高周波電源１０７から電力の供給を受けて反応プロセス室１０６に誘導電界を発生させ、プラズマを発生させるためのものである。
【００３５】
高屈折率層および低屈折率層を形成する場合には、反応ガスとして酸素が選択され、中間屈折率層を形成する場合には窒素単独、または窒素と酸素が同時に選択されるように、酸素ガスボンベ１１１と窒素ガスボンベ１１３が設けられ、それぞれのボンベからマスフローコントローラ１１０，１１２を経て反応プロセス室１０６へ反応ガスが導入される。
【００３６】
（光学素子の構造）
この発明にかかる光学素子は、ガラス板（ＢＫ−７：ＳＣＨＯＴＴガラス）からなる基板と、この基板上に形成された光学多層膜と、により構成される。また、この光学多層膜は、低屈折率層と高屈折率層と中間屈折率層とにより構成される。
【００３７】
低屈折率層は、図１に示したスパッタ装置１００を用いて、低屈折率層用の金属ターゲット（Ｓｉ）をスパッタリングして生成した極薄Ｓｉ金属層に、酸素ガスを反応させて成膜するＳｉＯ2薄膜からなる。
【００３８】
具体的な成膜手順としては、（１）アルゴンガスボンベ１０９からマスフローコントローラ１０８を介して、成膜プロセス室１０５にアルゴンガスを導入する。（２）スパッタ電源１１７より電力を発生させ、金属ターゲット１１５（Ｓｉ）に電力を供給する。（３）アルゴンガスがイオン化し、金属ターゲット１１５（Ｓｉ）に引き寄せられ、Ｓｉ分子がスパッタリングされる。（４）Ｓｉ分子は、成膜プロセス室１０５内の真空中を飛翔し、基板ホルダ１０３に保持されている基板に付着し、その基板上に金属Ｓｉの極薄い層を形成する。（５）金属Ｓｉが付着した基板は、基板ホルダ１０３が回転することで反応プロセス室１０６へ移動される。（６）反応プロセス室１０６に、酸素ガスボンベ１１１よりマスフローコントローラ１１０を介して酸素が導入される。（７）高周波電源１０７がラジカル源１１８に電力を供給すると、反応プロセス室１０６内が放電し、酸素ラジカル（プラズマ）が発生する。（８）金属Ｓｉが付着した基板が、この酸素ラジカル雰囲気中を通ることで、金属Ｓｉ極薄層が酸化され、ＳｉＯ2層が形成される。（９）さらに、基板ホルダ１０３が回転することで基板は再び成膜プロセス室１０５へ戻り、再度（１）からの手順が繰り返えされる。（１０）ＳｉＯ2層が所望の膜厚に達するまで、（１）〜（９）の手順を繰り返す。
【００３９】
高屈折率層は、図１に示したスパッタ装置１００を用いて、高屈折率層用の金属ターゲット（たとえば、Ｎｂ，Ｔａ，Ｔｉなど）をスパッタリングして生成した極薄金属層に、酸素ガスを反応させて成膜する、膜屈折率が２．０以上の透明誘電体化合物（たとえば、Ｎｂ2Ｏ5，Ｔａ2Ｏ5，ＴｉＯ2など）薄膜からなる。
【００４０】
具体的な成膜手順としては、（１）アルゴンガスボンベ１０９からマスフローコントローラ１０８を介して、成膜プロセス室１０４にアルゴンガスを導入する。（２）スパッタ電源１１６より電力を発生させ、金属ターゲット１１４（たとえば、Ｎｂ，Ｔａ，Ｔｉなど）に電力をかける。（３）アルゴンガスがイオン化し、金属ターゲット１１４（たとえば、Ｎｂ，Ｔａ，Ｔｉなど）に引き寄せられ、Ｎｂ分子（またはＴａ分子やＴｉ分子）がスパッタリングされる。（４）Ｎｂ分子（またはＴａ分子やＴｉ分子）は、成膜プロセス室１０４内の真空中を飛翔し、基板ホルダ１０３に保持されている基板に付着し、その基板上に金属Ｎｂ（またはＴａやＴｉ）の極薄い層を形成する。（５）金属Ｎｂ（またはＴａやＴｉ）が付着した基板は、基板ホルダ１０３が回転することで反応プロセス室１０６へ移動される。（６）反応プロセス室１０６に、酸素ガスボンベ１１１よりマスフローコントローラ１１０を介して酸素が導入される。（７）高周波電源１０７がラジカル源１１８に電力を供給すると、反応プロセス室１０６内が放電し、酸素ラジカル（プラズマ）が発生する。（８）金属Ｎｂ（またはＴａやＴｉ）が付着した基板が、この酸素ラジカル雰囲気中を通ることで、金属Ｎｂ（またはＴａやＴｉ）極薄層が酸化され、Ｎｂ2Ｏ5（またはＴａ2Ｏ5やＴｉＯ2）層が形成される。（９）さらに、基板ホルダ１０３が回転することで基板は再び成膜プロセス室１０４へ戻り、再度（１）からの手順が繰り返えされる。（１０）Ｎｂ2Ｏ5（またはＴａ2Ｏ5やＴｉＯ2）層が所望の膜厚に達するまで、（１）〜（９）の手順を繰り返す。
【００４１】
中間屈折率層は、図１に示したスパッタ装置１００を用いて、低屈折率層用の金属ターゲット（Ｓｉ）をスパッタリングして生成した極薄Ｓｉ金属層に、酸素ガスおよび窒素ガスを反応させて成膜する、膜屈折率が１．４８〜１．７０であるＳｉＮｘＯｙ系薄膜からなる。
【００４２】
具体的な成膜手順としては、（１）アルゴンガスボンベ１０９からマスフローコントローラ１０８を介して、成膜プロセス室１０５にアルゴンガスを導入する。（２）スパッタ電源１１７より電力を発生させ、金属ターゲット１１５（Ｓｉ）に電力をかける。（３）アルゴンガスがイオン化し、金属ターゲット１１５（Ｓｉ）に引き寄せられ、Ｓｉ分子がスパッタリングされる。（４）Ｓｉ分子は、成膜プロセス室１０５内の真空中を飛翔し、基板ホルダ１０３に保持されている基板に付着し、その基板上に金属Ｓｉの極薄い層を形成する。（５）金属Ｓｉが付着した基板は、基板ホルダ１０３が回転することで反応プロセス室１０６へ移動される。（６）反応プロセス室１０６に、酸素ガスボンベ１１１よりマスフローコントローラ１１０を介して酸素が導入される。同時に、窒素ガスボンベ１１３よりマスフローコントローラ１１２を介して窒素が導入される。ここで、酸素と窒素との導入比率を変えることで、反応プロセス室１０６内における酸素と窒素との混合比率を調整することができる（詳細は後述）。このようにすることで、後に形成されるＳｉＮｘＯｙ層の適切な膜屈折率を設定することができる。（７）高周波電源１０７がラジカル源１１８に電力を供給すると、反応プロセス室１０６内が放電し、酸素ラジカルと窒素ラジカルが発生する。（８）金属Ｓｉが付着した基板が、この酸素ラジカルないし窒素ラジカル雰囲気中を通ることで、金属Ｓｉ極薄層が酸化ないし窒化され、ＳｉＮｘＯｙ層が形成される。このとき、酸素と窒素とのガス量の比率で形成される層の膜屈折率が変化する。（９）さらに、基板ホルダ１０３が回転することで基板は再び成膜プロセス室１０５へ戻り、再度（１）からの手順が繰り返えされる。（１０）ＳｉＮｘＯｙ層が所望の膜厚に達するまで、（１）〜（９）の手順を繰り返す。
【００４３】
図２は、ＳｉＮｘＯｙ層の膜屈折率分散を示すグラフである。また、図３は、酸素に対する窒素の導入比率と膜屈折率依存性を示す図表である。図２および図３から、たとえば反応プロセス室１０６に酸素のみを導入すると、膜屈折率が約１．４７であるＳｉＮｘＯｙ（酸化物ＳｉＯ2）が形成されることが分かる。また、反応プロセス室１０６に窒素のみを導入すると、図２および図３から膜屈折率が約１．９９であるＳｉＮｘＯｙ（窒化物Ｓｉ3Ｎ4）が形成されることが分かる。前述のように、この実施の形態では、窒素と酸素との導入比率を変化させて中間屈折率層であるＳｉＮｘＯｙ層を形成するので、酸素と窒素とを同時に導入して得られる中間屈折率層の膜屈折率は約１．４７〜約１．９９の間になることが分かる。
【００４４】
図４は、窒素・酸素の混合ガス中の窒素が占める割合と膜屈折率との関係を示すグラフである。また、図５は、ラジカル源へ導入される窒素・酸素混合ガス比率と膜屈折率との関係を示す図表である。図４および図５から、酸素比率１００％では、酸化物ＳｉＯ2層が形成され、この時の屈折率は約１．４７となる。また、窒素比率１００％では、窒化物Ｓｉ3Ｎ4層が形成され、この時の屈折率は約１．９９となる。酸素の導入比率を高くするほど形成されるＳｉＮｘＯｙの膜屈折率が酸化物ＳｉＯ2のもつ１．４７に近づき、窒素の導入比率を高くするほど形成されるＳｉＮｘＯｙの膜屈折率が窒化物Ｓｉ3Ｎ4のもつ１．９９に近づくことが分かる。
【００４５】
図６は、光の波長に対するＳｉＮｘＯｙ層の消衰係数分散を示すグラフである。また、図７は、酸素に対する窒素の導入比率と消衰係数分散依存性を示す図表である。図６および図７から分かるように、酸素比率１００パーセントでのＳｉＮｘＯｙ（酸化物ＳｉＯ2）薄膜の消衰係数は−５乗〜−７乗台であり、可視域における吸収はほとんどない。これに対し、窒素比率１００パーセントでのＳｉＮｘＯｙ（窒化物Ｓｉ3Ｎ4）薄膜の消衰係数は−３乗〜−４乗台であり、可視域における吸収があることがわかる。したがって、波長が４３０〜７００ｎｍである可視域において吸収が少ない膜とは、消衰係数が−３乗台前半〜−５乗台であるといえる。したがって、酸素と窒素との混合比率を５対５ないし１対９に調整することで、可視域において吸収が少ない中間屈折率層を形成できる。そして、そのような酸素と窒素との混合比率で得られた中間屈折率層の膜屈折率は約１．４８〜約１．７０になる。
【００４６】
（光学多層膜および光学素子の製造方法）
この発明にかかる光学多層膜は、低屈折率層用の金属ターゲット（Ｓｉ）をスパッタリングして生成した極薄Ｓｉ金属層に酸素ガスイオンを反応させて成膜したＳｉＯ2薄膜からなる低屈折率層を形成する低屈折率層形成工程と、高屈折率層用の金属ターゲット（たとえば、Ｎｂ，Ｔａ，Ｔｉなど）をスパッタリングして生成した極薄金属層に酸素ガスを反応させて成膜した透明誘電体化合物（たとえば、Ｎｂ2Ｏ5，Ｔａ2Ｏ5，ＴｉＯ2など）薄膜からなる高屈折率層を形成する高屈折率層形成工程と、低屈折率層用の金属ターゲット（Ｓｉ）をスパッタリングして生成した極薄Ｓｉ金属層に酸素ガスおよび窒素ガスを反応させて成膜したＳｉＮｘＯｙ系薄膜からなる中間屈折率層を形成する中間屈折率層形成工程と、を実施することにより製造される。なお、前述したように、中間屈折率層成膜工程では、酸素ガスと窒素ガスとの混合比率を調整することで、形成される中間屈折率層の膜屈折率を最適なものにすることができる。
【００４７】
この光学多層膜は、３つの層がそれぞれ単独に成膜されるため、膜厚の制御が容易になり、膜厚誤差を原因とする特性のばらつきを低減させることが可能になる。このため、光学性能が安定（たとえば、分光透過率曲線の透過帯リップルの低減など）した優れた光学多層膜になる。
【００４８】
この光学多層膜を製造する場合における上記３つの工程の実施順は問わないが、ガラス基板上にこの光学多層膜を形成し光学素子を製造する場合には、分光透過率曲線の透過帯リップルの低減を図るためガラス基板に近い層の膜厚を最適にする必要がある。ガラス基板に近い層の膜厚を最適にするためには、中間屈折率層形成工程、高屈折率層形成工程、低屈折率層形成工程の順に実施することが好ましい。
【００４９】
すなわち、まず、ガラス基板（ＢＫ−７：ＳＣＨＯＴＴガラス）上に、低屈折率層用の金属ターゲット（Ｓｉ）をスパッタリングして生成した極薄Ｓｉ金属層に所定の導入比率で混合された酸素ガスおよび窒素ガスを反応させて成膜した所望の膜屈折率を有するＳｉＮｘＯｙ系薄膜からなる中間屈折率層を形成する。次に、中間屈折率層上に、高屈折率層用の金属ターゲット（たとえば、Ｎｂ，Ｔａ，Ｔｉなど）をスパッタリングして生成した極薄金属層に酸素ガスを反応させて成膜した透明誘電体化合物（たとえば、Ｎｂ2Ｏ5，Ｔａ2Ｏ5，ＴｉＯ2など）薄膜からなる高屈折率層を形成する。そして、高屈折率層上に、低屈折率層用の金属ターゲット（Ｓｉ）をスパッタリングして生成した極薄Ｓｉ金属層に酸素ガスを反応させて成膜したＳｉＯ2薄膜からなる低屈折率層を形成する。このようにすることで、薄く、優れた光学性能（分光透過率曲線の透過帯リップルが低減）を有する光学素子を製造することができる。加えて、光学多層膜の層数を少なくすることが可能になるため、成膜処理工程中の手間（材料切替え時間、成膜条件切替え時間など）を削減し、製造コストの低減化を図ることができる。
【実施例】
【００５０】
次に、この発明にかかる光学多層膜の一実施例として、ダイクロイックフィルタやクロスプリズムとして使用される短波長透過型フィルタに適用した例を示す。
【００５１】
（実施例１）
図８は、実施例１にかかる短波長透過型フィルタの構成を示す図である。この短波長透過型フィルタ８００は、まず、ガラス基板（ＢＫ−７：ＳＣＨＯＴＴガラス）８０１上に、中間屈折率層８０２が成膜される。次に、その中間屈折率層８０２上に、高屈折率層８０３と低屈折率層８０４とが交互に２３層成膜されていく。そして、このとき最も上になっている高屈折率層８０３上にさらに中間屈折率層８０２が成膜される。最後に、その中間屈折率層８０２上に接着剤８０５でもう一つのガラス基板８０１が接着されて、密封される。この短波長透過型フィルタ８００は、２５層で構成された光学多層膜を備えることになる。ガラス基板８０１は、４５度直角プリズムが使用されている。なお、光線入射角度を４５度とした。
【００５２】
図９は、実施例１にかかる短波長透過型フィルタの膜構成表を示す図である。ガラス基板８０１は、屈折率が１．５１７のものを使用している。また、光学多層膜は全２５層で、第１層および第２５層に、ＳｉＮｘＯｙ系薄膜からなる中間屈折率層８０２（膜屈折率は１．７０）を用いている。その他は、偶数層にＮｂ2Ｏ5薄膜からなる高屈折率層８０３（膜屈折率は２．３５）を用い、奇数層にＳｉＯ2薄膜からなる低屈折率層８０４（膜屈折率は１．４７）を用いている。また、接着剤８０５としては、屈折率が１．５２である、紫外線硬化型接着剤やエポキシ接着剤などが用いられる。この実施例１では、中間屈折率層８０２を成膜する際、ラジカル源（図１のラジカル源１１８を参照）に導入する窒素と酸素との混合比率を１対９に調整し、膜屈折率が１．７０であるＳｉＮｘＯｙ系薄膜を得るものとした。
【００５３】
図１０は、実施例１にかかる短波長透過型フィルタの分光特性を示すグラフである。また、図１１は、図１０の部分拡大図である。
【００５４】
（比較例１）
図１２は、比較例１にかかる短波長透過型フィルタの構成を示す図である。この比較例１では、等価膜法により成膜された低屈折率層と高屈折率層とからなる光学多層膜を用いた、従来の短波長透過型フィルタを示す。
【００５５】
この短波長透過型フィルタ１２００は、ガラス基板（ＢＫ−７：ＳＣＨＯＴＴガラス）１２０１上に、低屈折率層１２０２と高屈折率層１２０３とが交互に２９層成膜されていく。そして、最後に、最も上になっている低屈折率層１２０２上に接着剤１２０４でもう一つのガラス基板１２０１が接着されて、密封される。この短波長透過型フィルタ１２００は、２９層で構成された光学多層膜を備えることになる。なお、光線入射角度を４５度とした。
【００５６】
図１３は、比較例１にかかる短波長透過型フィルタの膜構成表を示す図である。ガラス基板１２０１は、屈折率が１．５１７のものを使用している。また、光学多層膜は全２９層で、奇数層にＳｉＯ2薄膜からなる低屈折率層１２０２（膜屈折率は１．４７）を用い、偶数層にＮｂ2Ｏ5薄膜からなる高屈折率層１２０３（膜屈折率は２．３５）を用いている。この比較例１の短波長透過型フィルタ１２００では、中間屈折率層は形成されていない。
【００５７】
図１４は、比較例１にかかる短波長透過型フィルタの分光特性を示すグラフである。また、図１５は、図１４の部分拡大図である。
【００５８】
（実施例１と比較例１と比較）
比較例１の短波長透過型フィルタ１２００は、等価膜法により２種類の金属ターゲットを用いて生成された低屈折率層と高屈折率層とが交互に成膜されている。特に、図１３から分かるように、第１層および第２５層のＳｉＯ2薄膜層、第２８層のＮｂ2Ｏ5薄膜層を非常に薄く形成し、分光透過率曲線の透過帯リップルの低減を図っている。
【００５９】
これに対して、実施例１の短波長透過型フィルタ８００は、比較例１の短波長透過型フィルタ１２００における第１〜第３層および第２７〜第２９層の「低屈折率層−高屈折率層−低屈折率層」に該当するそれぞれ３層を中間屈折率層に置換して、全層数を２９層から２５層に減らし、かつ特に薄い層もなくしている。また、図１４および図１５に示した比較例１の短波長透過型フィルタ１２００における分光特性と、図１０および図１１に示した実施例１の短波長透過型フィルタ８００における分光特性とを比較しても、置換前（比較例１）と置換後（実施例１）とでほとんど変化していないことがわかる。すなわち、実施例１の短波長透過型フィルタ８００は、より少ない層数の光学多層膜で、透過帯・反射帯域幅および色分離カット帯域幅を同等のレベルに抑えながら、分光透過率曲線の透過帯リップルを低減させている。
【００６０】
（実施例２）
図１６は、実施例２にかかる短波長透過型フィルタの構成を示す図である。この短波長透過型フィルタ１６００は、まず、ガラス基板（ＢＫ−７：ＳＣＨＯＴＴガラス）１６０１上に、中間屈折率層１６０２が成膜される。次に、その中間屈折率層１６０２上に、高屈折率層１６０３と低屈折率層１６０４とが交互に２３層成膜されていく。そして、このとき最も上になっている高屈折率層１６０３上にさらに中間屈折率層１６０２が成膜される。最後に、その中間屈折率層１６０２上に接着剤１６０５でもう一つのガラス基板１６０１が接着されて、密封される。この短波長透過型フィルタ１６００は、２５層で構成された光学多層膜を備えることになる。ガラス基板１６０１は、４５度直角プリズムが使用されている。なお、光線入射角度を４５度とした。
【００６１】
図１７は、実施例２にかかる短波長透過型フィルタの膜構成表を示す図である。ガラス基板１６０１は、屈折率が１．５１７のものを使用している。また、光学多層膜は全２５層で、第１層および第２５層に、ＳｉＮｘＯｙ系薄膜からなる中間屈折率層１６０２（膜屈折率は１．６０）を用いている。その他は、偶数層にＮｂ2Ｏ5薄膜からなる高屈折率層１６０３（膜屈折率は２．３５）を用い、奇数層にＳｉＯ2薄膜からなる低屈折率層１６０４（膜屈折率は１．４７）を用いている。また、接着剤１６０５としては、屈折率が１．５２である、紫外線硬化型接着剤やエポキシ接着剤などが用いられる。この実施例２では、中間屈折率層１６０２を成膜する際、ラジカル源（図１のラジカル源１１８を参照）に導入する窒素と酸素との混合比率を２対８に調整し、膜屈折率が１．６０であるＳｉＮｘＯｙ系薄膜を得るものとした。これにより、実施例１に比べ、可視域での吸収がより少ない短波長透過型フィルタが得られる。
【００６２】
図１８、実施例２にかかる短波長透過型フィルタの分光特性を示すグラフである。また、図１９は、図１８の部分拡大図である。
【００６３】
（比較例２）
図２０は、比較例２にかかる短波長透過型フィルタの構成を示す図である。この比較例２は、特許文献１に記載の技術を用いて成膜された光学多層膜を備えた、従来の短波長透過型フィルタを示す。
【００６４】
この短波長透過型フィルタ２０００は、まず、ガラス基板（ＢＫ−７：ＳＣＨＯＴＴガラス）２００１上に、Ａｌなどの金属ターゲットを用いて生成された中間屈折率層２００２が成膜される。次に、その中間屈折率層２００２上に、Ｎｂ，Ｔａ，Ｔｉなどの金属ターゲットを用いて生成された高屈折率層２００３とＳｉなどの金属ターゲットを用いて生成された低屈折率層２００４とが交互に２３層成膜されていく。そして、このとき最も上になっている高屈折率層２００３上にさらに中間屈折率層２００２が成膜される。最後に、その中間屈折率層２００２上に接着剤２００５でもう一つのガラス基板２００１が接着されて、密封される。この短波長透過型フィルタ２０００は、２５層で構成された光学多層膜を備えることになる。なお、光線入射角度を４５度とした。
【００６５】
図２１は、比較例２にかかる短波長透過型フィルタの膜構成表を示す図である。ガラス基板２００１は、屈折率が１．５１７のものを使用している。また、光学多層膜は全２５層で、第１層および第２５層に、Ａｌ2Ｏ3薄膜からなる中間屈折率層２００２（膜屈折率は１．６３）を用いている。その他は、偶数層にＮｂ2Ｏ5薄膜からなる高屈折率層２００３（膜屈折率は２．３５）を用い、奇数層にＳｉＯ2薄膜からなる低屈折率層２００４（膜屈折率は１．４７）を用いている。また、接着剤２００５としては、屈折率が１．５２である、紫外線硬化型接着剤やエポキシ接着剤などが用いられる。
【００６６】
この比較例２の短波長透過型フィルタ２０００を構成する光学多層膜は、３種類の金属ターゲットを用いて形成される。このため、各層を成膜する際の膜管理が複雑化する傾向にある。また、光学多層膜が被覆されるガラス基板２００１の屈折率が変化した場合や、波長シフトの入射角度依存性を考慮するような場合には、金属ターゲットごとに各層が固有の膜屈折率を有することになるため、膜設計の段階で膜屈折率が固定され、設計自由度が狭まる。この結果、分光透過率曲線の透過帯リップルが大きくなったり、帯域幅が狭くなったりするおそれがある。
【００６７】
図２２は、比較例２にかかる短波長透過型フィルタの分光特性を示すグラフである。また、図２３は、図２２の部分拡大図である。
【００６８】
（実施例２と比較例２と比較）
実施例２の短波長透過型フィルタ１６００も、比較例２の短波長透過型フィルタ２０００も同じ膜数の光学多層膜を有している。また、膜厚もほぼ同じである。しかしながら、実施例２の短波長透過型フィルタ１６００を形成するのに必要な金属ターゲットは２種類のみであるのに対して、比較例２の短波長透過型フィルタ２０００を形成するのに必要な金属ターゲットは３種類である。したがって、実施例２の短波長透過型フィルタ１６００の方が必要な金属ターゲットの種類が少ないことから、各層を成膜する際の膜管理が簡易であるという利点がある。
【００６９】
また、比較例２の短波長透過型フィルタ２０００は、金属ターゲットごとに各層が固有の膜屈折率を有することになるため、膜設計の段階で膜屈折率が固定され、設計自由度が狭まる。この結果、分光透過率曲線の透過帯リップルが大きくなったり、帯域幅が狭くなったりするおそれがあるという欠点がある。これに対して、実施例２の短波長透過型フィルタ１６００では、特に中間屈折率層の膜屈折率は酸素と窒素の混合比率を調整することで変更できるので、比較例２と比べ格段に膜設計の自由度が広がる。また、図１８および図１９から分かるように、分光透過率曲線の透過帯リップルや帯域幅は安定し、優れた光学特性を備えている。
【００７０】
以上説明したように、この発明によれば、２種類の金属ターゲットと２種類の反応ガスのみを用いて成膜された、高屈折率層、中間屈折率層、および低屈折率層からなる薄く優れた光学性能を備えた光学多層膜、この光学多層膜を備えた光学素子が得られる。
【００７１】
また、この光学多層膜を形成する際に必要な金属ターゲットは２種類のみであるため、３種類の金属ターゲットが必要であった従来技術に比較し、成膜時の膜管理が簡略化でき、製造効率が向上する。また、中間屈折率層の成膜では、混合する２種類の反応ガスの比率を所定値に固定することで、中間屈折率層の膜屈折率のばらつきを回避できる。このため、従来技術に比べ、安定した膜屈折率が得られ、かつスパッタリング物質の膜厚分布の再現性が向上する。
【００７２】
また、この光学多層膜は、従来技術と比べ、少ない膜数で構成されている。したがって、各層の積み上げ誤差量が減少し、品質が安定する。このため、分光透過率曲線の透過帯リップルが低くなり、優れた光学性能が得られる。また、層数が減ることで、成膜中の材料切替え回数が少なくなり、製造工程の手間が減少させることができる。
【００７３】
なお、図２４は、この発明の特徴と従来技術の特徴とを比較した一覧表を示す図である。この一覧表からもこの発明の優位性が分かる。なお、本実施例では、各波長における短波長透過フィルタとして説明したが、他の実施例としては、一般的なバンドパスフィルタの他、赤外カットフィルタ、偏光ビームスプリッター等も適用することができる。
【産業上の利用可能性】
【００７４】
以上のように、この発明は、薄く優れた光学性能を備えた光学多層膜の製造に有用であり、特に、優れた光学性能を備えた短波長透過型フィルタを得るのに適している。
【図面の簡単な説明】
【００７５】
【図１】この発明にかかる光学多層膜、光学素子を形成するためのスパッタ装置の構成を示す図である。
【図２】ＳｉＮｘＯｙ層の膜屈折率分散を示すグラフである。
【図３】酸素に対する窒素の導入比率と膜屈折率依存性を示す図表である。
【図４】窒素・酸素の混合ガス中の窒素が占める割合と膜屈折率との関係を示すグラフである。
【図５】ラジカル源へ導入される窒素・酸素混合ガス比率と膜屈折率との関係を示す図表である。
【図６】光の波長に対するＳｉＮｘＯｙ層の消衰係数分散を示すグラフである。
【図７】酸素に対する窒素の導入比率と消衰係数分散依存性を示す図表である。
【図８】実施例１にかかる短波長透過型フィルタの構成を示す図である。
【図９】実施例１にかかる短波長透過型フィルタの膜構成表を示す図である。
【図１０】実施例１にかかる短波長透過型フィルタの分光特性を示すグラフである。
【図１１】図１０の部分拡大図である。
【図１２】比較例１にかかる短波長透過型フィルタの構成を示す図である。
【図１３】比較例１にかかる短波長透過型フィルタの膜構成表を示す図である。
【図１４】比較例１にかかる短波長透過型フィルタの分光特性を示すグラフである。
【図１５】図１４の部分拡大図である。
【図１６】実施例２にかかる短波長透過型フィルタの構成を示す図である。
【図１７】実施例２にかかる短波長透過型フィルタの膜構成表を示す図である。
【図１８】実施例２にかかる短波長透過型フィルタの分光特性を示すグラフである。
【図１９】図１８の部分拡大図である。
【図２０】比較例２にかかる短波長透過型フィルタの構成を示す図である。
【図２１】比較例２にかかる短波長透過型フィルタの膜構成表を示す図である。
【図２２】比較例２にかかる短波長透過型フィルタの分光特性を示すグラフである。
【図２３】図２２の部分拡大図である。
【図２４】この発明の特徴と従来技術の特徴とを比較した一覧表を示す図である。
【符号の説明】
【００７６】
１００  スパッタ装置
１０１  真空容器
１０３  基板ホルダ
１０４，１０５  成膜プロセス室
１０６  反応プロセス室
１０７  高周波電源
１０８，１１０，１１２  マスフローコントローラ
１０９  アルゴンガスボンベ
１１１  酸素ガスボンベ
１１３  窒素ガスボンベ
１１４，１１５  金属ターゲット
１１６，１１７  スパッタ電源
１１８  ラジカル源
８００，１２００，１６００，２０００  短波長透過型フィルタ
８０１，１２０１，１６０１，２００１  ガラス基板
８０２，１６０２，２００２  中間屈折率層
８０３，１２０３，１６０３，２００３  高屈折率層
８０４，１２０２，１６０４，２００４  低屈折率層
８０５，１２０４，１６０５，２００５  接着剤
【図１】
2008015234.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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