(57)【要約】      （修正有）【課題】ツィーザをセラミック製とすることによるパーティクルの問題をセルフメンテナンスによって解決することができる基板処理装置を提供する。【解決手段】ウエハ１をツィーザ２５によって保持してカセット２とボート２８との間で移載するウエハ移載装置２３を有する酸化・拡散装置において、移載室内のウエハ移載装置２３の待機位置３０にツィーザ２５にガス３３を吹き付けるガス吹き付け機構３１を設置し、ガス吹き付け機構３１から吹き出されたガス３３を吸引する吸引機構３６をツィーザ３３を挟んでガス吹き付け機構３１に対向するように設置する。吸引機構３６を構成する吸引排気配管３８にはパーティクルモニタ３９を取り付け、吸引機構３６にはイオナイザ４０を設ける。これによりツィーザに付着または吸着したパーティクル等を吹き付けたガスによって洗浄することができる。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する処理室と、
前記処理室内で基板を支持する支持具と、
前記処理室に連接して設けられた移載室と、
前記移載室内に設けられ、 前記支持具に対して基板を移載する基板移載装置と、
前記移載室内の前記基板移載装置の待機位置に設けられ、 前記基板移載装置の基板を保持する保持部に対しガスを吹き付ける機構と、
を有することを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理装置に関し、例えば、半導体集積回路装置（以下、ＩＣという。）の製造方法において、ＩＣが作り込まれる半導体ウエハ（以下、ウエハという。）に酸化や拡散やＣＶＤ等の処理を施すのに利用して有効な技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣの製造方法において、ウエハに酸化や拡散を施すのにバッチ式ホットウオール形熱処理装置の一例であるバッチ式ホットウオール形酸化・拡散装置（以下、酸化・拡散装置という。）が、使用されている。
【０００３】
一般に、酸化・拡散装置は、オープンカセットやポッド（ＦＯＵＰ）等のキャリアに収容されたウエハを、スカラ形ロボット（selective compliance assembly robot arm ＳＣＡＲＡ）であるウエハ移載装置（wafer transfer equipment )のツィーザによって掬い取ってボートに移載するように、構成されている。
このようなウエハ移載装置においてウエハに直接接触する部位であるツィーザは、ウエハを支えるだけの強度や支持したウエハが遊動するのを抑止する適度な摩擦力が必要なために、酸化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）等のセラミックによって製造されている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
酸化・拡散装置にあってウエハ移載装置のセラミック製のツィーザは、部材劣化し難く熱負荷のない部位に使用されているが、セラミックの表面はシリコン製のウエハや石英製のボート表面と比べると、かなり凸凹が大きい。
このため、セラミック製のツィーザにおいては、パーティクルが表面の凸凹に付着し易く、また、付着したパーティクルを洗浄し難いという問題点がある。
また、セラミック製のツィーザは絶縁物であるために、ウエハとの接触により静電気を発生し、周囲のパーティクルを静電気力によって吸着してしまうという問題点がある。
【０００５】
このようなセラミック製のツィーザの問題点を解決するために、石英部材と同様にツィーザを清浄なワイプまたはエタノールもしくは純水を含ませたワイプで拭き取るという方法が、一般的に取られている。
しかし、前述したセラミック製のツィーザの物性上、ツィーザの表面を拭ってもパーティクルを充分に除去することができない。
また、セラミック製のツィーザの問題点を解決する他の方法としては、清浄なウエハにツィーザを接触させてパーティクルを転写させて除去する方法と、ツィーザを交換する方法とが採用されている。
前者の方法においては、適切な接触量というのはなくパーティクルがなくなるまでウエハとの接触を実施するため、ツィーザの清浄化のためだけに数枚から数十枚程度の清浄なウエハが使用されてしまうことになる。使用したウエハは再汚染を防ぐため、再接触を回避する必要がある。
また、後者の方法においては、清浄なツィーザをウエハ移載装置に組み付けるに際して、取り付け位置の再調整が必要となるために、調整時間が浪費されるばかりでなく、他の構成部品との干渉の弊害を引き起こす可能性があった。
【０００６】
本発明の目的は、ツィーザを前記したセラミック製とすることによる問題点をセルフメンテナンスによって解決することができる基板処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記した課題を解決するための手段のうち代表的なものは、次の通りである。
（１）基板を処理する処理室と、
前記処理室内で基板を支持する支持具と、
前記処理室に連接して設けられた移載室と、
前記移載室内に設けられ、 前記支持具に対して基板を移載する基板移載装置と、
前記移載室内の前記基板移載装置の待機位置に設けられ、 前記基板移載装置の基板を保持する保持部に対しガスを吹き付ける機構と、
を有することを特徴とする基板処理装置。
（２）前記（１）において、 前記ガスを吹き付ける機構による吹き付け後のガスを吸引する吸引機構を、さらに有する基板処理装置。
（３）前記（２）において、 前記吸引機構は前記移載室内の圧力が前記吸引機構未使用時よりも低くならないように設定されている基板処理装置。
（４）前記（１）において、 前記ガスを吹き付ける機構は複数の孔が設けられた配管によって構成されており、この配管は前記基板移載装置の待機位置において、 待機時の基板移載装置の周囲に配置される基板処理装置。
（５）前記（２）において、 前記吸引機構を構成する吸引排気配管にはパーティクルモニタが取り付けられる基板処理装置。
（６）前記（２）において、 前記吸引機構にはイオナイザが取り付けられる基板処理装置。
（７）前記（１）において、 前記基板移載装置の基板を保持する保持部はセラミック製である基板処理装置。
（８）前記（１）において、 前記基板移載装置の基板を保持する保持部の上面に対し吹き付けるガスは、 クリーンエアまたは不活性ガスである基板処理装置。
【発明の効果】
【０００８】
前記（１）においては、移載室内の基板移載装置待機位置に基板移載装置の基板保持部に対しガスを吹き付ける機構が設けられているので、基板保持部をセルフメンテナンスによって清浄化することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、本発明の一実施の形態を図面に即して説明する。
【００１０】
本実施の形態において、本発明に係る基板処理装置は、ＩＣの製造方法のフロントエンドにおける酸化や拡散工程を施す酸化・拡散装置（バッチ式ホットウオール形酸化・拡散装置）として構成されている。
【００１１】
図１および図２に示されているように、本実施の形態に係る酸化・拡散装置１０においては、被処理基板であるウエハ１を収納して搬送するためのウエハキャリアとしては、オープンカセット（以下、カセットという。）２が使用されている。
酸化・拡散装置１０は筐体１１を備えている。筐体１１の正面壁の下部にはメンテナンスするための正面メンテナンス口１２が開設されており、正面メンテナンス口１２には正面メンテナンス扉１３が開閉するように建て付けられている。
正面メンテナンス扉１３にはカセット搬入搬出口１４が筐体１１内外を連通するように開設されており、カセット搬入搬出口１４はフロントシャッタ１５によって開閉されるようになっている。
【００１２】
カセット搬入搬出口１４の筐体１１の内部にはカセットステージ１６が設置されている。カセット２はカセットステージ１６の上に工程内搬送装置（図示せず）によって搬入され、かつまた、カセットステージ１６の上から搬出されるようになっている。
工程内搬送装置により、カセットステージ１６にはカセット２が、カセット２内のウエハ１が垂直姿勢となり、カセット２のウエハ出し入れ口が上方向を向くように載置される。カセットステージ１６はカセット２を筐体１１の後方に縦方向に９０度回転させ、カセット２内のウエハ１が水平姿勢となり、カセット２のウエハ出し入れ口が筐体１１の後方を向く動作が可能となるように構成されている。
【００１３】
筐体１１内の前後方向の略中央部には、カセット棚１７が設置されている。カセット棚１７には複数のカセット２が収納される移載棚１８が複数段設けられており、カセット棚１７は複数段複数列にて複数個のカセット２を保管するように構成されている。
また、カセットステージ１６の上方には予備カセット棚１９が設けられており、予備カセット棚１９はカセット２を予備的に保管するように構成されている。
【００１４】
カセットステージ１６とカセット棚１７との間には、カセット搬送装置２０が設置されている。カセット搬送装置２０は、カセット２を保持したまま昇降可能なカセットエレベータ２０ａと、搬送機構としてのカセット搬送機構２０ｂとによって構成されており、カセットエレベータ２０ａとカセット搬送機構２０ｂとの連続動作により、カセットステージ１６とカセット棚１７と予備カセット棚１９との間でカセット２を搬送するように構成されている。
【００１５】
カセット棚１７の後方にはウエハ移載機構２１が設置されている。ウエハ移載機構２１はウエハ移載装置エレベータ２２と、ウエハ移載装置エレベータ２２によって昇降されるウエハ移載装置２３とを備えている。
ウエハ移載装置エレベータ２２は筐体１１の右側端部に設置されている。
ウエハ移載装置２３はツィーザホルダ２４を二次元方向に移動させるように構成されており、ツィーザホルダ２４にはウエハを保持する保持部としてのツィーザ２５が複数枚（本実施の形態においては、５枚）、垂直方向に等間隔に配置されて水平に保持されている。ツィーザ２５はセラミックが使用されてフォーク形状に形成されている。
【００１６】
筐体１１の後方上部には後記する処理炉が設置されており、処理炉の下方にはボートを処理炉に昇降させる昇降機構としてのボートエレベータ２６が設置されている。
ボートエレベータ２６は後記する駆動制御部に電気配線Ａによって電気的に接続されており、駆動制御部によって制御されるようになっている。
ボートエレベータ２６の昇降台に連結された連結具としてのアーム２６ａには、蓋体としてのシールキャップ２７が水平に設置されており、シールキャップ２７はボート２８をを支持し、処理炉の下端開口（炉口）を閉塞可能なように構成されている。
処理室内でウエハを支持する支持具であるボート２８は、複数本の保持部材を備えており、複数枚（例えば、５０枚〜１５０枚程度）のウエハ１をその中心を揃えて垂直方向に整列させた状態で、それぞれ水平に保持するように構成されている。
なお、シールキャップ２７が下方に下げられている時には、処理炉の炉口は炉口シャッタ２９によって閉塞されるようになっている。
【００１７】
図１に示されているように、カセット棚１７の上方にはファンおよび防塵フィルタによって構成されたクリーンユニットＣＵが設置されており、クリーンユニットＣＵは清浄化した雰囲気であるクリーンエアを筐体１１の内部に流通させるように構成されている。
便宜上、図示は省略するが、ウエハ移載装置エレベータ２２側と反対側である筐体１１の左側端部にもクリーンユニットが設置されており、このクリーンユニットはクリーンエアを筐体１１内の後部空間に流通させるように構成されている。
【００１８】
後記する処理室に連接して設けられたウエハ移載機構２１が設置された移載室内におけるウエハ移載装置２３が待機する位置３０には、図３に示されているように、ツィーザ２５にガスを吹き付けるガス吹き付け機構３１が設置されている。
ガス吹き付け機構３１は待機位置３０の床面に敷設された給気ダクト３２を備えており、給気ダクト３２にはクリーンエアまたは不活性ガス（以下、ガスという。）３３を供給するガス供給装置（図示せず）が接続されている。
給気ダクト３２にはガスを吹き付ける配管としての複数本のノズル３４が接続されており、各ノズル３４にはガス３３を吹き出す吹き出し孔３５が複数個開設されている。
【００１９】
移載室内のウエハ移載装置の待機位置３０にはガス吹き付け機構３１による吹き付け後のガス３３を吸引する吸引機構３６が、ガス吹き付け機構３１と対向するように設置されている。
吸引機構３６は複数本のノズル３４と全面にわたって対向するように敷設された吸引ダクト３７を備えており、吸引ダクト３７は複数本のノズル３４の吹き出し孔３５から吹き出されたガス３３を全て吸引するように構成されている。
吸引ダクト３７に接続された吸引排気配管３８はコントローラによって制御される流量制御弁やポンプ（図示せず）に接続されており、コントローラは移載室内の圧力が吸引機構３６の未使用時よりも低くならないように制御する。
吸引機構３６を構成する吸引排気配管３８にはパーティクルモニタ３９が取り付けられている。
また、吸引機構３６にはイオナイザ４０が取り付けられている。
【００２０】
図１および図２に示されているように、筐体１１の上部には図４に示された処理炉４１が設置されている。
図４に示された処理炉４１は加熱機構としてのヒータ４２を有する。ヒータ４２は円筒形状であり、保持板としてのヒータベース４１Ａに支持されることにより垂直に据え付けられている。
【００２１】
ヒータ４２の内側には、例えば、炭化珪素（ＳｉＣ）等の耐熱性材料からなり、上端が閉塞し下端が開口した円筒形状である均熱管（外管）４３が、ヒータ４２と同心円状に配設されている。
また、均熱管４３の内側には、例えば石英（ＳｉＯ2 ）等の耐熱性材料からなり、上端が閉塞し下端が開口した円筒形状である反応管（内管）４４が、均熱管４３と同心円状に配設されている。
反応管４４の筒中空部には処理室４５が形成されており、基板としてのウエハ１をボート２８によって水平姿勢で垂直方向に多段に整列した状態で収容することができるように構成されている。
【００２２】
反応管４４の天井壁には複数個のガス導入口４６が開設されており、反応管４４の天井壁の上にはガス溜め４７がガス導入口４６を被覆するように設けられている。
反応管４４の下端部にはガス導入部４９が設けられており、ガス導入部４９から反応管４４のガス溜め４７に至るまで反応管４４の外壁に添ってガス導入管としての細管４８が配設されている。
ガス導入部４９から導入されたガスは細管４８内を流通してガス溜め４７に至り、ガス溜め４７に設けられた複数のガス導入口４６から処理室４５内に導入される。
【００２３】
ガス導入部４９にはガス供給管５０が接続されている。
ガス供給管５０のガス導入部４９との接続側と反対側である上流側には、ガス流量制御器としてのＭＦＣ（マスフローコントローラ）５１を介して、図示しない処理ガス供給源、キャリアガス供給源および不活性ガス供給源が接続されている。
ＭＦＣ５１にはガス流量制御部６２が電気配線Ｂによって電気的に接続されており、供給するガスの流量が所望の量とさせるべく所望のタイミングにて制御するように構成されている。
なお、処理室４５内に水蒸気を供給する必要がある場合には、ガス供給管５０のＭＦＣ５１よりも下流側に、図示しない水蒸気発生装置が設けられる。
【００２４】
反応管４４の下端部のガス導入部４９と異なる位置には、反応管４４内の雰囲気を排気口５２から排気するガス排気部５３が設けられている。
ガス排気部５３にはガス排気管５４が接続されている。
ガス排気管５４のガス排気部５３との接続側とは反対側である下流側には、圧力検出器としての圧力センサ５５および圧力調整装置５６を介して排気装置５７が接続されており、処理室４５内の圧力が所定の圧力となるよう排気し得るように構成されている。
圧力センサ５５および圧力調整装置５６には圧力制御部６３が電気配線Ｃによって電気的に接続されており、圧力制御部６３は圧力センサ５５により検出された圧力に基づいて圧力調整装置５６により処理室４５内の圧力が所望の圧力とさせるべく所望のタイミングにて制御するように構成されている。
【００２５】
均熱管４３と反応管４４との間には、温度検出器としての温度センサ５８が設置されている。ヒータ４２と温度センサ５８には、温度制御部６４が電気配線Ｄによって電気的に接続されており、温度センサ５８によって検出された温度情報に基づきヒータ４２への通電具合を調整することにより、処理室４５内の温度が所望の温度分布となるよう所望のタイミングにて制御するように構成されている。
【００２６】
駆動制御部６１、ガス流量制御部６２、圧力制御部６３および温度制御部６４は、操作部および入出力部をも構成しており、酸化・拡散装置１０全体を制御する主制御部６５に電気的に接続されている。
これら、駆動制御部６１、ガス流量制御部６２、圧力制御部６３、温度制御部６４、主制御部６５はコントローラ６６として構成されている。
【００２７】
次に、前記構成に係る酸化・拡散装置１０の作用を説明する。
【００２８】
図１に示されているように、カセット２がカセットステージ１６に供給されるに先立って、カセット搬入搬出口１４がフロントシャッタ１５によって開放される。
その後、カセット２はカセット搬入搬出口１４から搬入され、カセットステージ１６の上にウエハ１が垂直姿勢であって、カセット２のウエハ出し入れ口が上方向を向くように載置される。
その後、カセット２はカセットステージ１６によって、カセット２内のウエハ１が水平姿勢となり、カセット２のウエハ出し入れ口が筐体１１の後方を向けるように、筐体１１の後方に縦方向に９０度回転される。
次に、カセット２はカセット棚１７ないし予備カセット棚１９の指定された棚位置へ、カセット搬送装置２０によって自動的に搬送されて受け渡される。
【００２９】
一時的に保管された後、カセット２はカセット棚１７ないし予備カセット棚１９からカセット搬送装置２０によって移載棚１８に移載されるか、もしくは、直接、移載棚１８に搬送される。
カセット２が移載棚１８に移載されると、ウエハ移載装置２３は５枚のツィーザ２５によってカセット２内の５枚のウエハ１をカセット２のウエハ出し入れ口を通じて、一度にピックアップし、ウエハ１をカセット２内からボート２８に搬送し、５枚のウエハ１を５枚のツィーザ２５からボート２８に一度に移載する。
以上のようにして、５枚のウエハ１をボート２８に一度に移載すると、ウエハ移載装置２３はツィーザ２５をカセット２に戻し、次回の５枚のウエハ１を５枚のツィーザ２５によって一度にピックアップする。
ウエハ移載装置２３は以上の作動を繰り返すことによって、所定枚数のウエハ１を５枚ずつ順次に移載して行く。
なお、最後に、ウエハ１が残った場合には、独立して移動可能なツィーザ２５を使用することにより、必要なウエハ１をボート２８に移載する。
【００３０】
次に、上記構成に係る処理炉４１を用いて半導体デバイスの製造工程の一工程として、ウエハ１に酸化や拡散等の処理を施す方法を、図４について説明する。
以下の説明において、酸化・拡散装置１０を構成する各部の動作はコントローラ６６により制御される。
【００３１】
複数枚のウエハ１がボート２８に装填（ウエハチャージ）されると、図４に示されているように、複数枚のウエハ１を保持したボート２８はボートエレベータ２６によって持ち上げられて処理室４５に搬入（ボートローディング）される。
この状態で、シールキャップ２７はベースやＯリングを介して反応管４４の下端開口をシールした状態となる。
【００３２】
処理室４５内が所望の圧力となるように排気装置５７によって排気される。
この際、処理室４５内の圧力は圧力センサ５５で測定され、この測定された圧力に基づき圧力調整装置５６がフィードバック制御される。
また、処理室４５内が所望の温度となるようにヒータ４２によって加熱される。
この際、処理室４５内が所望の温度分布となるように温度センサ５８が検出した温度情報に基づきヒータ４２への通電具合がフィードバック制御される。
【００３３】
次いで、処理ガス供給源およびキャリアガス供給源から供給され、ＭＦＣ５１によって所望の流量となるように制御されたガスは、ガス供給管５０からガス導入部４９および細管４８を流通してガス溜め４７に至り、複数のガス導入口４６から処理室４５内にシャワー状に導入される。
なお、ウエハ１に対して水蒸気を用いた処理を行う場合は、ＭＦＣ５１にて所望の流量となるように制御されたガスは水蒸気発生装置に供給され、水蒸気発生装置にて生成された水蒸気（Ｈ2 Ｏ）を含むガスが処理室４５に導入される。
導入されたガスは処理室４５内を流下し、排気口５２を流通してガス排気部５３から排気される。
ガスは処理室４５内を通過する際にウエハ１の表面と接触し、ウエハ１に対して酸化や拡散等の処理がなされる。
【００３４】
予め設定された処理時間が経過すると、不活性ガス供給源から不活性ガスが供給され、処理室４５内が不活性ガスに置換されるとともに、処理室４５内の圧力が常圧に復帰される。
【００３５】
その後、ボートエレベータ２６によりシールキャップ２７が下降されて、反応管４４の下端が開口されるとともに、処理済ウエハ１がボート２８に保持された状態で反応管４４の下端から反応管４４の外部に搬出（ボートアンローディング）される。
その後、処理済ウエハ１はボート２８より取出され、前述とは逆の手順でカセット２に戻される（ウエハディスチャージ）。
【００３６】
ところで、セラミック製のツィーザ２５においては、パーティクルが表面の凸凹に付着し易く、また、付着したパーティクルを洗浄し難いという問題点がある。
また、セラミック製のツィーザ２５は絶縁物であるために、前述したカセット２とボート２８との受け渡しの際にウエハ１との接触により静電気を発生し、周囲のパーティクルを静電気力によって吸着してしまうという問題点がある。
【００３７】
そこで、本実施の形態においては、図３に示されているように、ウエハ移載装置待機位置３０において、ノズル３４の吹き出し孔３５からガス３３を吹き出してツィーザ２５に吹き付けることにより、セラミック製のツィーザ２５に付着または吸着したパーティクルをセルフメンテナンスにて洗浄するものとした。
このノズル３４の吹き出し孔３５の吹き出し位置や風向および吹き出し幅等は、吹き出したガス３３が５枚のツィーザ２５の全表面に当たるように、予め調整されている。
また、吹き出すガス３３の圧力や風量は、ツィーザ２５に付着または吸着したパーティクルを洗い流すことができるように設定されているとともに、ウエハ移載装置２３に付帯したセンサ等に悪影響（例えば、動かしたり破損させるたりする）を及ぼさないように設定されている。
【００３８】
ノズル３４の吹き出し孔３５から吹き出してツィーザ２５のパーティクルを吹き流したガスは、ノズル３４にツィーザ２５を挟んで対向した吸引ダクト３７の吸引口から吸引されて吸引排気配管３８によって排気される。
この際、吸引機構３６の吸引圧力は移載室内の圧力を吸引機構３６の未使用時よりも低くならない程度の圧力に設定されており、ノズル３４の吹き出し孔３５から吹き出したガス３３は、ウエハ移載装置待機室３０の気流を乱すことなく、吸引ダクト３７に全て回収されるようになっている。
吸引排気配管３８内をガス３３に随伴して流れるパーティクルは、パーティクルモニタ３９によってモニタリングされる。
また、吸引機構３６のイオナイザ４０はツィーザ２５やガス３３およびパーティクルの静電気を除去する（徐電）する。
【００３９】
前記実施の形態によれば、次の効果が得られる。
【００４０】
1)  ウエハ移載装置待機位置において、ガス吹き付け機構からガスを吹き出してツィーザに吹き付けることにより、セラミック製のツィーザに付着または吸着したパーティクルを洗浄することができるばかりでなく、金属汚染の原因になる元素をも洗浄することができる。
図５および図６は本実施の形態の洗浄効果を比較して示すグラフである。
図５は本実施の形態の場合を示しており、図６は比較例の場合を示している。
図５および図６において、縦軸はツィーザに付着した個数を示しており、横軸は元素を示している。
図５において、白抜き棒は窒素ガス吹きかけ前を示しており、斜線棒は窒素ガス吹きかけ後を示している。
図６において、白抜き棒はツィーザ開梱直後のウエハ接触の場合、斜線棒は開梱したツィーザを純水拭きし乾拭きした後のウエハ接触の場合、横線棒は開梱したツィーザをアルコール拭きした後のウエハ接触の場合、縦線棒は未接触の場合をそれぞれ示している。
図５および図６によれば、ガスの吹きかけによって金属汚染の原因になる元素を純水拭きし乾拭きしたりアルコール拭きする場合よりも大幅に除去できることが判る。
【００４１】
2)  ツィーザの清浄化を酸化・拡散装置を停止せずに実施することができるので、酸化・拡散装置の作業性を向上させることができる。
【００４２】
3)  ツィーザがパーティクル不良のウエハと接触した場合であっても、ウエハ接触による転写作業やツィーザ交換作業を実施しなくとも、短時間でツィーザを浄化することができるので、メンテナンスフリーないしはメンテナンス作業時間を短縮することができる。
【００４３】
4)  ガス吹き出し機構に対向して吸引機構を設置することにより、ガス吹き出し機構から吹き出されたガスをウエハ移載装置待機室の気流を乱すことなく全て回収することができるので、二次汚染を防止することができる。
【００４４】
5)  吸引排気配管内をガスに随伴して流れるパーティクルをパーティクルモニタによってモニタリングすることにより、ツィーザの汚染具合を監視することができるので、ツィーザのウエット洗浄時期や交換時期を検出することができる。
【００４５】
6)  イオナイザを設置することにより、ツィーザやガスおよびパーティクルを徐電することができるので、パーティクルや元素の再吸着を防止することができる。
【００４６】
なお、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。
【００４７】
例えば、吸引機構やパーティクルモニタおよびイオナイザは省略してもよい。
【００４８】
ツィーザはセラミック製のものに限らない。
【００４９】
前記実施の形態では酸化・拡散装置の場合について説明したが、本発明はこれに限らず、アニール装置やＣＶＤ装置等の基板処理装置全般に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明の一実施の形態である酸化・拡散装置を示す一部省略斜視図である。
【図２】その側面断面図である。
【図３】ウエハ移載装置待機位置の詳細を示す斜視図である。
【図４】処理炉を示す縦断面図である。
【図５】本実施の形態の洗浄効果を比較して示すグラフであり、本実施の形態の場合を示している。
【図６】同じく比較例の場合を示すグラフである。
【符号の説明】
【００５１】
１…ウエハ（基板）、２…カセット、１０…酸化・拡散装置（基板処理装置）、１１…筐体、１２…正面メンテナンス口、１３…正面メンテナンス扉、１４…カセット搬入搬出口、１５…フロントシャッタ、１６…カセットステージ、１７…カセット棚、１８…移載棚、１９…予備カセット棚、２０…カセット搬送装置、２０ａ…カセットエレベータ、２０ｂ…カセット搬送機構、２１…ウエハ移載機構、２２…ウエハ移載装置エレベータ、２３…ウエハ移載装置、２４…ツィーザホルダ、２５…ツィーザ、２６…ボートエレベータ、２７…シールキャップ、２８…ボート、２９…炉口シャッタ、３０…ウエハ移載装置待機位置、３１…ガス吹き付け機構、３２…給気ダクト、３３…ガス（クリーンエアまたは不活性ガス）、３４…ノズル（ガス吹き付け配管）、３５…吹き出し孔、３６…吸引機構、３７…吸引ダクト、３８…吸引排気配管、３９…パーティクルモニタ、４０…イオナイザ、４１…処理炉、４１Ａ…ヒータベース、４２…ヒータ、４３…均熱管（外管）、４４…反応管（内管）、４５…処理室、４６…ガス導入口、４７…ガス溜め、４８…細管、４９…ガス導入部、５０…ガス供給管、５１…ＭＦＣ、５２…排気口、５３…ガス排気部、５４…ガス排気管、５５…圧力センサ、５６…圧力調整装置、５７…排気装置、５８…温度センサ、６１…駆動制御部、６２…ガス流量制御部、６３…圧力制御部、６４…温度制御部、６５…主制御部、６６…コントローラ。
【図１】
2008072048.tif 000003
【図２】
2008072048.tif 000004
【図３】
2008072048.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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