(57)【要約】【課題】半導体装置の信頼性を向上させるとともに、小型化できるようにする。【解決手段】配線基板３１上にペースト状の接着材８を塗布してから、配線基板３１上にペースト状の接着材８を介して半導体チップ２を配置した後、ペースト状の接着材８を硬化する。その後、配線基板３１の接続端子１５と半導体チップ２の電極２ａとをボンディングワイヤ４を介して電気的に接続する。配線基板３１上にペースト状の接着材８を塗布する前に、ペースト状の接着材８の流出を防止するための流出防止材３３を配線基板３１上に塗布しておく。流出防止材３３は、ペースト状の接着材８を弾く性質を有する材料からなる。ペースト状の接着材８は流出防止材３３を越えて流出せず、接着材８が接続端子１５上にまで広がるのを防止できる。【選択図】図１６
2008071847.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）配線基板を準備する工程、
（ｂ）前記配線基板の第１主面上に、ペースト状の接着材を配置する工程、
（ｃ）前記配線基板の前記第１主面上に、前記ペースト状の接着材を介して半導体チップを配置する工程、
（ｄ）前記（ｃ）工程後に、前記ペースト状の接着材を硬化して、前記半導体チップと前記配線基板とを接合する工程、
（ｅ）前記配線基板の前記第１主面上の複数の第１電極と前記半導体チップの複数の第２電極とを複数のボンディングワイヤを介して電気的に接続する工程、
（ｆ）前記配線基板の前記第１主面上に前記半導体チップおよび前記複数のボンディングワイヤを覆うように封止樹脂を形成する工程、
を有し、
前記（ｂ）工程前に、
（ｂ１）前記配線基板の前記第１主面上に、前記ペースト状の接着材の流出を防止するための流出防止材を配置する工程、
を更に有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記配線基板の前記第１主面において、前記（ｂ）工程で前記ペースト状の接着材が配置される領域の周囲でかつ前記複数の第１電極よりも内側に、前記（ｂ１）工程で前記流出防止材を配置することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項２記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｂ）工程および（ｃ）工程では、前記ペースト状の接着材は、前記流出防止材を越えて前記複数の第１電極側に流出しないことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記流出防止材は、前記ペースト状の接着材を弾く性質を有する材料からなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記流出防止材は、カルナバワックスであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特に、配線基板上に接着材を介して半導体チップを搭載した半導体装置の製造方法に適用して有効な技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
配線基板上に半導体チップを搭載し、半導体チップの電極と配線基板の接続端子をボンディングワイヤで電気的に接続し、半導体チップおよびボンディングワイヤを樹脂封止し、配線基板の裏面に半田ボールを接続することで、半導体パッケージ形態の半導体装置が製造される。このような半導体装置には、例えば、ＣＳＰ（Chip Size Package）と呼ばれるチップサイズもしくは半導体チップより僅かに大きい程度の小形の半導体パッケージがある。
【０００３】
特開２００３−９２３７４号公報（特許文献１）には、主面と主面上に形成される絶縁膜とその絶縁膜から露出し前記主面上に形成される電極とを有する配線基板と、配線基板の主面上の絶縁膜上に接着材を介して固定される半導体チップと、配線基板主面の電極と半導体チップの電極とを接続する導電性のワイヤと、半導体チップ、配線基板の主面および電極を覆う封止体とを有する半導体装置において、半導体チップと電極との間に絶縁膜をその深さ全域に亘って除去することで溝を形成し、接着材（絶縁性樹脂）の流出部分が溝内に溜まり溝を乗り越えず、電極には到達しないようにする技術が記載されている。
【特許文献１】特開２００３−９２３７４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明者の検討によれば、次のことが分かった。
【０００５】
ＣＳＰ形態の半導体装置のように、半導体パッケージが小型化すると、半導体チップの端部と配線基板の電極との距離が接近するようになる。配線基板に半導体チップを接着材で固定する場合、この接着材が配線基板の電極上に流出すると、その電極へのボンディングワイヤの接続不良が発生しやすくなり、配線基板の電極とボンディングワイヤとの間の電気的接続の信頼性が低下する可能性がある。これは、半導体装置の製造歩留まりを低下させ、また、半導体装置の信頼性を低下させる可能性がある。
【０００６】
配線基板の主面上に形成される絶縁膜をその深さ全域に亘って除去することで半導体チップと電極との間に溝を形成する技術では、接着材（絶縁性樹脂）の流出部分が溝内に溜まり溝を乗り越えず、電極には到達しないようにすることができる。これにより、接着材流出に伴う不良発生を抑止することができる。
【０００７】
しかしながら、配線基板の主面上に形成される絶縁膜をその深さ全域に亘って除去することで半導体チップと電極との間に溝を形成する技術では、上記溝を設ける分、半導体チップと配線基板の電極との間の距離を長くする必要があり、半導体チップの平面寸法を大きくすることができず、スペース効率が悪くなる。このため、半導体装置の平面寸法の小型化に不利となる。また、上記溝の平面寸法は、配線基板のソルダレジスト層の開口部寸法によって規定されるが、開口部寸法を小さくするとソルダレジスト層形成時に開口部パターンがつぶれてしまう可能性があるので、上記溝を小さくして半導体装置の平面寸法を縮小するには限界がある。また、半導体装置の小型化を図るために上記溝の寸法を小さくすると、接着材の流出防止効果が小さくなってしまい、配線基板の電極とボンディングワイヤとの間の電気的接続の信頼性が低下する可能性がある。従って、配線基板の主面上に形成される絶縁膜をその深さ全域に亘って除去することで半導体チップと電極との間に溝を形成する技術では、接着材の流出防止による半導体装置の信頼性向上と半導体装置の平面寸法の小型化との両立は難しい。
【０００８】
本発明の目的は、半導体装置の信頼性を向上できる技術を提供することにある。
【０００９】
本発明の他の目的は、半導体装置を小型化できる技術を提供することにある。
【００１０】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
【００１２】
本発明は、（ａ）配線基板を準備する工程、（ｂ）前記配線基板の第１主面上にペースト状の接着材を配置する工程、（ｃ）前記配線基板の第１主面上に前記ペースト状の接着材を介して半導体チップを配置する工程、（ｄ）前記（ｃ）工程後に前記ペースト状の接着材を硬化して前記半導体チップと前記配線基板とを接合する工程、（ｅ）前記配線基板の前記第１主面上の複数の第１電極と前記半導体チップの複数の第２電極とを複数のボンディングワイヤを介して電気的に接続する工程、（ｆ）前記配線基板の前記第１主面上に前記半導体チップおよび前記複数のボンディングワイヤを覆うように封止樹脂を形成する工程を有し、前記（ｂ）工程前に、（ｂ１）配線基板の第１主面上に前記ペースト状の接着材の流出を防止するための流出防止材を配置する工程を更に有するものである。
【発明の効果】
【００１３】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。
【００１４】
半導体装置の信頼性を向上できる。
【００１５】
また、半導体装置を小型化することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下の実施の形態においては便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明等の関係にある。また、以下の実施の形態において、要素の数等（個数、数値、量、範囲等を含む）に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも良い。さらに、以下の実施の形態において、その構成要素（要素ステップ等も含む）は、特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。同様に、以下の実施の形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうでないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。このことは、上記数値および範囲についても同様である。
【００１７】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。また、以下の実施の形態では、特に必要なとき以外は同一または同様な部分の説明を原則として繰り返さない。
【００１８】
また、実施の形態で用いる図面においては、断面図であっても図面を見易くするためにハッチングを省略する場合もある。また、平面図であっても図面を見易くするためにハッチングを付す場合もある。
【００１９】
（実施の形態１）
本実施の形態の半導体装置およびその製造方法（製造工程）を図面を参照して説明する。
【００２０】
図１は、本発明の一実施の形態である半導体装置１の下面図、図２は半導体装置１の要部断面図（部分拡大断面図）、図３は半導体装置１の断面図（全体断面図、側面断面図）、図４は封止樹脂５を透視したときの半導体装置１の平面透視図（上面図）である。図１および図４のＡ−Ａ線の断面が図３にほぼ対応し、図３の端部近傍領域の拡大図が図２にほぼ対応する。
【００２１】
図１〜図４に示される本実施の形態の半導体装置１は、半導体チップ２が配線基板３に搭載（接合、接続、実装）された半導体装置（半導体パッケージ）であり、例えば、チップサイズもしくは半導体チップ２より僅かに大きい程度の小形の半導体パッケージであるＣＳＰ（Chip Size Package）形態の半導体装置である。
【００２２】
半導体装置１は、半導体チップ２と、半導体チップ２を搭載（支持）する配線基板３と、半導体チップ２の表面の複数の電極２ａとこれに対応する配線基板３の複数の接続端子１５とを電気的に接続する複数のボンディングワイヤ４と、半導体チップ２およびボンディングワイヤ４を含む配線基板３の上面３ａを覆う封止樹脂５と、配線基板３の下面３ｂに外部端子としてエリアアレイ配置で設けられた複数の半田ボール６とを有している。
【００２３】
半導体チップ２は、その厚さと交差する平面形状が正方形であり、例えば、単結晶シリコンなどからなる半導体基板（半導体ウエハ）の主面に種々の半導体素子または半導体集積回路を形成した後、必要に応じて半導体基板の裏面研削を行ってから、ダイシングなどにより半導体基板を各半導体チップ２に分離したものである。半導体チップ２は、互いに対向する表面（半導体素子形成側の主面、上面）２ｂおよび裏面（半導体素子形成側の主面とは逆側の主面、下面）２ｃを有し、その表面２ｂが上方を向くように配線基板３の上面（チップ支持面）３ａ上に搭載（配置）され、半導体チップ２の裏面２ｃが配線基板３の上面３ａに接着材（ダイボンド材、接合材）８を介して接着され固定されている。接着材８は、例えば絶縁性または導電性のペースト材などを用いることができる。接着材８の厚みは、例えば１０〜３０μｍ程度とすることができる。半導体チップ２は、その表面２ｂに、複数の電極（ボンディングパッド、パッド電極、端子、第２電極）２ａを有しており、電極２ａは、半導体チップ２内部または表層部分に形成された半導体素子または半導体集積回路に電気的に接続されている。
【００２４】
配線基板３は、一方の主面である上面（第１主面）３ａと、上面３ａの反対側の主面である下面（第２主面）３ｂと、上面３ａに形成された複数の接続端子１５と、下面３ｂに形成された複数のランド（ランド部）１６とを有している。
【００２５】
配線基板３は、絶縁性の基材層（絶縁基板、コア材）１１と、基材層１１の上面１１ａおよび下面１１ｂ上に形成された導体層（導体パターン、導体膜パターン、配線層）１２と、基材層１１の上面１１ａおよび下面１１ｂ上に導体層１２を覆うように形成された絶縁層（絶縁体層、絶縁膜）としてのソルダレジスト層（絶縁層、半田レジスト層）１４とを有している。他の形態として、配線基板３を、複数の絶縁層と複数の配線層とを積層した多層配線基板により形成することもできる。
【００２６】
配線基板３において、導体層１２はパターン化されており、配線基板３の端子、配線または配線層となる導体パターンである。導体層１２は、導電性材料からなり、例えばめっき法で形成された銅薄膜などにより形成することができる。基材層１１の上面１１ａの導体層１２により、ボンディングワイヤ４を接続するための接続端子（電極、端子、ボンディングパッド、パッド電極、第１電極）１５が複数形成され、基材層１１の下面１１ｂの導体層１２により、半田ボール６を接続するための導電性のランド（電極、パッド、端子）１６が複数形成されている。また、基材層１１には複数の開口部（スルーホール、ビア、貫通孔）１７が形成されており、各開口部１７の側壁上にも導体層１２が形成されている。基材層１１の上面１１ａの接続端子１５は、基材層１１の上面１１ａの導体層１２（導体層１２からなる引き出し配線）、開口部１７の側壁上の導体層１２、および基材層１１の下面１１ｂの導体層１２を介して、基材層１１の下面１１ｂのランド１６に電気的に接続されている。従って、半導体チップ２の複数の電極２ａは、複数のボンディングワイヤ４を介して配線基板３の複数の接続端子１５に電気的に接続され、更に配線基板３の導体層１２を介して配線基板３の複数のランド１６に電気的に接続されている。ボンディングワイヤ４は、導電性のワイヤ（接続部材）であり、例えば金線などの金属細線からなる。
【００２７】
ソルダレジスト層１４は、導体層１２を保護する絶縁層としての機能を有しており、例えば有機系樹脂材料などの絶縁体材料からなる。また、ソルダレジスト層１４は、基材層１１の上面１１ａおよび下面１１ｂ上に導体層１２を覆うように形成されており、ソルダレジスト層１４が基材層１１の開口部１７の内部を埋めている。ソルダレジスト層１４が基材層１１の開口部１７を埋めているので、半導体チップ２を配線基板３に接合するための接着材８が開口部１７から配線基板３の下面３ｂ側に漏れてしまうのを防止することができ、また、開口部１７から半導体チップ２の裏面２ｃが露出してしまうのを防止することができる。また、配線基板３の導体層１２のうち、接続端子１５とランド１６とは、ソルダレジスト層１４の開口部１９ａ，１９ｂから露出されている。また、基材層１１の上面１１ａおよび下面１１ｂ上のソルダレジスト層１４の厚みは、例えば２０〜３０μｍ程度とすることができる。半導体チップ２は、配線基板３の上面３ａ側のソルダレジスト層１４上に、接着材８を介して搭載され接着されている。また、配線基板３の上面３ａ側のソルダレジスト層１４には、パッケージインデックスとしての開口部１８も形成されている。ソルダレジスト層１４に形成されたパッケージインデックスとしての開口部１８は、半導体装置１の製造工程（後述の封止樹脂５ａを形成するまでの工程）中の位置決めや向きの認識などに用いることができる。
【００２８】
複数のランド１６は、配線基板３の下面３ｂにアレイ状に配置されている。各ランド１６の隣または近くに開口部１７が形成されている。また、各ランド１６には半田ボール（ボール電極、突起電極、電極、外部端子、外部接続用端子）６が接続（形成）されている。このため、配線基板３の下面３ｂに複数の半田ボール６がアレイ状に配置されている。半田ボール６は、半導体装置１の外部端子（外部接続用端子）として機能することができる。このため、本実施の形態の半導体装置１は、配線基板３の下面３ｂの複数のランド１６上にそれぞれ形成された複数の外部接続用端子（ここでは半田ボール６）を有している。従って、半導体チップ２の複数の電極２ａは、複数のボンディングワイヤ４を介して配線基板３の複数の接続端子１５に電気的に接続され、更に配線基板３の導体層１２を介して配線基板３の複数のランド１６および複数のランド１６に接続された複数の半田ボール６に電気的に接続されている。なお、図１の半田ボール６の数と図４の接続端子１５の数とは一致していないが、図１〜図４は半導体装置１の構造を模式的に示したものであり、半導体装置１における半田ボール６の数や接続端子１５の数は必要に応じて種々変更可能であり、半導体装置１における半田ボール６の数と接続端子１５の数とを同じにすることもでき、また異ならせることもできる。また、半導体チップ２の電極２ａと電気的に接続していない半田ボール６は、放熱用に用いることもできる。
【００２９】
配線基板３の上下両面にソルダレジスト層１４が形成されているが、配線基板３の上面３ａに形成されたソルダレジスト層１４は、接続端子１５を露出するための開口部１９ａを有している。ソルダレジスト層１４の開口部１９ａから露出する接続端子１５に、ボンディングワイヤ４が接続されている。接続端子１５へのボンディングワイヤ４の接続を容易または確実にするために、ソルダレジスト層１４の開口部１９ａから露出する接続端子１５の上面（ボンディングワイヤ４の接続面）には金めっき層（またはニッケルめっき層（下層側）と金めっき層（上層側）の積層膜）などが形成されている。配線基板３の下面３ｂに形成されたソルダレジスト層１４は、ランド１６を露出するための開口部１９ｂを有している。ソルダレジスト層１４の開口部１９ｂから露出するランド１６に、半田ボール６が接続されている。
【００３０】
封止樹脂（封止樹脂部、封止部、封止体）５は、例えば熱硬化性樹脂材料などの樹脂材料などからなり、フィラーなどを含むこともできる。例えば、フィラーを含むエポキシ樹脂などを用いて封止樹脂５を形成することもできる。封止樹脂５は、配線基板３の上面３ａ上に半導体チップ２およびボンディングワイヤ４を覆うように形成されている。すなわち、封止樹脂５は、配線基板３の上面３ａ上に形成され、半導体チップ２およびボンディングワイヤ４を封止する。封止樹脂５により、半導体チップ２およびボンディングワイヤ４が封止され、保護される。
【００３１】
次に、本実施の形態の半導体装置の製造方法（製造工程）について説明する。
【００３２】
図５は、本実施の形態の半導体装置の製造工程を示す製造プロセスフロー図である。図６は、図５に示される本実施の形態の半導体装置の製造工程のうち、ステップＳ３のダイボンディング工程をより詳細に示す製造プロセスフロー図である。図７〜図１９は、本実施の形態の半導体装置の製造工程の説明図（要部平面図または要部断面図）である。図７〜図１９のうち、図７、図９、図１１、図１３および図１５は本実施の形態の半導体装置の製造工程中の要部平面図であり、それぞれ同じ平面領域が示されている。図７〜図１９のうち、図８、図１０、図１２、図１４、図１６〜１９は本実施の形態の半導体装置の製造工程中の要部断面図であり、それぞれ同じ断面領域が示されている。なお、図７のＢ−Ｂ線の断面図が図８にほぼ対応する。また、図７と図８とは同じ工程段階に対応し、図９と図１０とは同じ工程段階に対応し、図１１と図１２とは同じ工程段階に対応し、図１３と図１４とは同じ工程段階に対応し、図１５と図１６とは同じ工程段階に対応する。また、図７は平面図であるが、図面を見易くするために、接続端子１５にハッチングを付し、図９、図１１、図１３および図１５は平面図であるが、図面を見易くするために、接着材８および流出防止材３３（流出防止材３３配置領域）にハッチングを付している。
【００３３】
なお、本実施の形態では、複数の配線基板３（半導体装置領域３２ａ）がアレイ状に繋がって形成された多数個取りの配線基板（配線基板母体）３１を用いて個々の半導体装置１を製造する。この配線基板３１は、上記配線基板３の母体であり、配線基板３１を後述する切断工程で切断し、各半導体装置領域（基板領域、単位基板領域、デバイス領域）３２ａに分離したものが半導体装置１の配線基板３に対応する。配線基板３１は、そこから１つの半導体装置１が形成される領域である半導体装置領域３２ａがマトリクス状に複数配列した構成を有している。
【００３４】
半導体装置１を製造するには、まず、図７および図８に示されるように、配線基板３１を準備する（ステップＳ１）。ステップＳ１では、そこからそれぞれ半導体装置１が製造される単位基板領域である半導体装置領域３２ａを複数の有する配線基板３１であって、上面３１ａ（第１主面）と、上面３１ａの反対側の下面３１ｂ（第２主面）とを有し、各半導体装置領域３２ａの上面３１ａに複数の接続端子１５を、各半導体装置領域３２ａの下面３１ｂに複数のランド１６を有する配線基板３１が準備される。すなわち、ステップＳ１で準備された配線基板３１は、後述する配線基板３１の切断工程で分割されて配線基板３となる半導体装置領域３２ａを複数有している。従って、配線基板３１は、上記配線基板３（半導体装置領域３２ａ）をアレイ状につなげた構造を有しており、上記のように、基材層１１と、基材層１１の上面１１ａおよび下面１１ｂ上に形成された導体層１２と、基材層１１の上面１１ａおよび下面１１ｂ上に導体層１２を覆うように形成されたソルダレジスト層１４とを有している。
【００３５】
次に、図９および図１０に示されるように、配線基板３１の上面３１ａの各半導体装置領域３２ａにおいて、半導体チップ２搭載予定領域（接着材８塗布予定領域）の周囲でかつ接続端子１５よりも内側に、接着材８の流出を防止するための流出防止材３３を配置（塗布）する（ステップＳ２）。すなわち、ステップＳ２では、配線基板３１の各半導体装置領域３２ａの上面３１ａ上に、後述のステップＳ３で形成するペースト状の接着材８の流出を防止するための流出防止材３３を配置（塗布）する。
【００３６】
流出防止材３３は、後述するステップＳ３で配線基板３１上に配置する接着材８（後述するステップＳ３ｃの硬化工程の前の接着材８）が流出防止材３３を越えて接続端子１５側に流出する（広がる、流れる）のを防止するように機能する。流出防止材３３としては、例えばカルナバワックスなどを用いることができる。流出防止材３３の塗布領域の幅Ｗ１は、例えば５０〜１００μｍ程度とすることができる（Ｗ１＝５０〜１００μｍ）。また、ステップＳ２では、配線基板３１の上面３１ａに、例えば、転写マーキング法（例えば、オフセット方式やダイレクト方式）、印刷技術、あるいはディスペンサーを用いたポッティング法（塗布技術）のような手法を用いて流出防止材３３を配置（塗布）することができる。
【００３７】
次に、ダイボンディング工程を行って、図１１〜図１４に示されるように、配線基板３１の上面３１ａの各半導体装置領域３２ａ上に、半導体チップ２を接着材８を介して搭載して接合（ダイボンディング、チップマウント）する（ステップＳ３）。接着材８としては、ペースト状（液状）の接着材を用いる。接着材８を構成するペースト状の接着材は、接着材成分だけでなく、ガラスやＳｉ（シリコン）などのフィラーを含有することもできる。また、接着材８としては、絶縁性または導電性の接着材を用いることができる。
【００３８】
ステップＳ３のダイボンディング工程では、まず、図１１および図１２に示されるように、配線基板３１の上面３１ａの各半導体装置領域３２ａのソルダレジスト層１４上に熱硬化性のペースト状の接着材８を塗布してチップ固定用の接着層をソルダレジスト層１４上に形成する（ステップＳ３ａ）。それから、図１３および図１４に示されるように、接着材８上に半導体チップ２を載置（配置）する（ステップＳ３ｂ）。その後、加熱などにより接着材８を硬化して、半導体チップ２の裏面２ｃとソルダレジスト層１４とを接着材８を介して接合（固着、接着）する（ステップＳ３ｃ）。
【００３９】
すなわち、ステップＳ３のダイボンディング工程は、ステップＳ３ａの配線基板３１の上面３１ａ上にペースト状の接着材８を配置（塗布）する工程と、その後のステップＳ３ｂの配線基板３１の上面３１ａ上にペースト状の接着材８を介して半導体チップ２を配置（載置）する工程と、その後のステップＳ３ｃのペースト状の接着材８を硬化して半導体チップ２と配線基板３１とを接合する工程とを有している。ステップＳ３ａにおける、配線基板３１上へのペースト状の接着材８の塗布には、例えば多点ノズルなどを用いることができる。
【００４０】
なお、上記幅Ｗ１は、半導体チップ２の端部から接続端子１５へ向かう方向に平行な方向（すなわち半導体チップ２の側面に垂直な方向）の寸法（幅）に対応する。
【００４１】
本実施の形態では、配線基板３１の各半導体装置領域３２ａの上面３１ａにおいて、ステップＳ３ａでペースト状の接着材８が配置される領域（接着材８塗布予定領域）の周囲でかつ接続端子１５（各半導体装置領域３２ａの複数の接続端子１５）よりも内側（各半導体装置領域３２ａの中央部に近づく側）に、ステップＳ２で流出防止材３３を配置（塗布）している。ステップＳ２で流出防止材３３を配置したことにより、ステップＳ３ａおよびステップ３ｂでは、ペースト状の接着材８は、流出防止材３３を越えて接続端子１５側に流出しない。このため、ペースト状の接着材８が、流出防止材３３を越えて接続端子１５側に流出して接続端子１５上に付着してしまうのを防止することができる。そして、ステップＳ３ｃで加熱などにより接着材８を硬化することで、半導体チップ２の裏面２ｃと配線基板３１の上面３１ａとを接着材８を介して接合でき、ステップＳ３ｃの接着材８の硬化工程以降は、接着材８は硬化された状態となり、接着材８が接続端子１５側に向かって広がる（流出する）ことはなくなる。
【００４２】
次に、図１５および図１６に示されるように、ワイヤボンディング工程を行って、半導体チップ２の各電極２ａと、これに対応する配線基板３１に形成された接続端子１５とをボンディングワイヤ４を介して電気的に接続する（ステップＳ４）。すなわち、ステップＳ４では、配線基板３１の上面３１ａの各半導体装置領域３２ａの複数の接続端子１５とその半導体装置領域３２ａ上に接合された半導体チップ２の複数の電極２ａとを複数のボンディングワイヤ４を介して電気的に接続する。
【００４３】
次に、図１７に示されるように、半導体チップ２を搭載した配線基板３１（の上面３１ａ）に対して、プラズマ処理３４を行う（ステップＳ５）。図１７では、プラズマ処理３４を矢印で模式的に示してある。プラズマ処理３４としては、アルゴン（Ａｒ）ガスを用いたプラズマ処理であるアルゴンプラズマ処理、あるいは、酸素（Ｏ２）ガスを用いたプラズマ処理である酸素プラズマ処理を行うことができる。プラズマ処理３４によって、配線基板３１の上面３１ａから流出防止材３３を除去することができる。また、プラズマ処理３４によって、配線基板３１の上面３１ａのソルダレジスト層１４の表面を活性化させることで、後で形成する封止樹脂５ａとソルダレジスト層１４との密着性を向上することもできる。
【００４４】
次に、図１８に示されるように、モールド工程（樹脂封止工程、樹脂成形工程、例えばトランスファモールド工程）による樹脂封止を行って、配線基板３１の上面３１ａ上に半導体チップ２およびボンディングワイヤ４を覆うように封止樹脂（封止部、一括封止部）５ａを形成し、半導体チップ２およびボンディングワイヤ４を封止樹脂５ａによって封止する（ステップＳ６）。封止樹脂５ａは、例えば熱硬化性樹脂材料などの樹脂材料などからなり、フィラーなどを含むこともできる。例えば、フィラーを含むエポキシ樹脂などを用いて封止樹脂５ａを形成することができる。
【００４５】
ステップＳ６のモールド工程では、配線基板３１の上面３１ａの複数の半導体装置領域３２ａを封止樹脂５ａで一括して封止する一括封止（一括成形）を行うことができる。すなわち、配線基板３１の上面３１ａの複数の半導体装置領域３２ａ全体上に、それらの半導体装置領域３２ａの半導体チップ２およびボンディングワイヤ４を覆うように、封止樹脂５ａを形成する。このため、封止樹脂５ａは、配線基板３１の上面３１ａの複数の半導体装置領域３２ａ全体を覆うように形成される。他の形態として、ステップＳ６のモールド工程において、封止領域を半導体装置領域３２ａ毎に分割して半導体装置領域３２ａ毎に個別に封止樹脂５ａを形成する分割封止（個別封止）を行うこともでき、この場合、配線基板３１の上面３１ａの各半導体装置領域３２ａ上に、各半導体装置領域３２ａの半導体チップ２およびボンディングワイヤ４を覆うように、封止樹脂５ａを形成する。
【００４６】
配線基板３１および配線基板５ａ上の封止樹脂５ａ（封止樹脂５ａ内に封止された半導体チップ２およびボンディングワイヤ４も含む）により、封止体（組立体）４１が形成される。すなわち、多数個取りの配線基板３１上に封止樹脂５ａが形成された構造体を封止体４１と呼ぶ。
【００４７】
次に、図１９に示されるように、配線基板３１の下面３１ｂのランド１６に半田ボール６を接続（接合、形成）する（ステップＳ７）。
【００４８】
ステップＳ７の半田ボール６接続工程では、例えば、配線基板３１の下面３１ｂを上方に向け、配線基板３１の下面３１ｂの各半導体装置領域３２ａの複数のランド１６上にそれぞれ半田ボール６を配置（搭載）してフラックスなどで仮固定し、リフロー処理（半田リフロー処理、熱処理）を行って半田を溶融し、半田ボール６と配線基板３１の下面３１ｂのランド１６とを接合することができる。その後、必要に応じて洗浄工程を行い、半田ボール６の表面に付着したフラックスなどを取り除くこともできる。このようにして、半導体装置１の外部端子（外部接続用端子）としての半田ボール６が接合（形成）される。
【００４９】
なお、本実施の形態では、半導体装置１の外部端子として半田ボール６を接合する場合について説明したが、これに限定されるものではなく、例えば半田ボール６の代わりに印刷法などによりランド１６上に半田を供給して半導体装置１の半田からなる外部端子（バンプ電極、半田バンプ）を形成することもできる。この場合、配線基板３１の下面の各半導体装置領域３２ａの複数のランド１６上にそれぞれ半田を供給してから、半田リフロー処理を行って、複数のランド１６上にそれぞれ半田からなる外部端子（バンプ電極、半田バンプ）を形成することができる。また、めっき（半田めっき）により半導体装置１の外部端子（バンプ電極）を形成することもできる。
【００５０】
このように、ステップＳ７では、配線基板３１の下面３１ｂの各半導体装置領域３２ａの複数のランド１６に、それぞれ外部接続用端子（ここでは半田ボール６）を形成する。
【００５１】
次に、必要に応じて、マーキングを行って、封止樹脂５ａの上面（表面）５ｂに製品番号などのマークを付す（ステップＳ８）。ステップＳ８では、例えば、レーザによりマーキングを行うレーザマークを行うことができるが、インクによりマーキングを行うインクマークを行うこともできる。また、ステップＳ７の半田ボール６の接続工程とステップＳ８のマーキング工程の順番を入れ換え、ステップＳ８のマーキング工程を行った後に、ステップＳ７の半田ボール６の接続工程を行うこともできる。また、不要であれば、ステップＳ８のマーキング工程を省略することもできる。
【００５２】
次に、ダイシングブレード（ダイシングソー、ブレード）４３などを用い、各半導体装置領域３２ａ間のダイシング領域（ダイシングライン、各半導体装置領域３２ａの境界部）３２ｂに沿って、配線基板３１の下面３１ｂ側から、ダイシング（切断、切削）を行い、封止体４１（配線基板３１および封止樹脂５ａ）を切断（分割）する（ステップＳ９）。例えば、ステップＳ９では、封止樹脂５ａの上面５ｂをパッケージ固定テープ（固定用テープ）４２に貼り付けて封止体４１を固定した状態で、ダイシングブレード４３によるダイシング工程を行うことができる。これにより、図１９に示されるように、封止体４１（配線基板３１および封止樹脂５ａ）がダイシング領域３２ｂに沿って切断されて、それぞれの半導体装置領域３２ａ（ＣＳＰ領域）が個々の（個片化された）半導体装置１（ＣＳＰ）に切断分離（個片化）される。すなわち、封止体４１（配線基板３１および封止樹脂５ａ）が各半導体装置領域３２ａに切断されて分割され、各半導体装置領域３２ａから半導体装置１が形成される。
【００５３】
このように、切断・個片化を行って、上記図１〜図４に示されるような半導体装置１を製造することができる。各半導体装置領域３２ａに切断され分離（分割）された配線基板３１が配線基板３に対応し、各半導体装置領域３２ａに切断され分離（分割）された封止樹脂５ａが封止樹脂５に対応する。
【００５４】
次に、本実施の形態の効果について、より詳細に説明する。
【００５５】
本実施の形態とは異なり、ステップＳ２の流出防止材３３の配置（塗布）工程を省略した場合、ステップＳ３で半導体チップ２を配線基板３１上にダイボンディングしたときに、ペースト材などからなる接着材８が半導体チップ２の裏面２ｃの端部を越えて広がり、更にソルダレジスト層１４の上面上を流れて接続端子１５上にまで接着材８が広がってしまう可能性がある。接続端子１５上にまで接着材８が広がってしまう（流出する）と、その接続端子１５へのボンディングワイヤ４の接続不良が発生しやすくなり、ボンディングワイヤ４と接続端子１５との間の電気的接続の信頼性が低下する可能性がある。また、接続端子１５への接着材８の流出を防止するために半導体チップ２の端部と配線基板３の接続端子１５との距離を長くすることも考えられるが、これは、半導体装置の大型化（大面積化）を招いてしまう。
【００５６】
そこで、本実施の形態とは異なり、配線基板３１の上面３１ａにおいて、半導体チップ２搭載予定領域の周囲でソルダレジスト層１４をその深さ全域に亘って除去することで、半導体チップ２と接続端子１５との間に溝領域（ソルダレジスト層１４の開口部）を形成することも考えられる。これにより、ソルダレジスト層１４が形成されずに基材層１１が露出した溝領域（ソルダレジスト層１４の開口部）が、半導体チップ２搭載領域と接続端子１５との間に半導体チップ２搭載領域を囲むように形成されるので、半導体チップ２を配線基板３上にダイボンディングしたときには、ペースト状の接着材８が上記溝領域（ソルダレジスト層１４の開口部）を越えて広がってしまうのを防止することができる。従って、接着材８が接続端子１５上にまで広がってしまうのを防止でき、ボンディングワイヤ４と接続端子１５との間の電気的接続の信頼性を向上することができる。
【００５７】
しかしながら、接続端子１５への接着材８の流出を防止するために、半導体チップ２と接続端子１５との間に上記溝領域（ソルダレジスト層１４の開口部）を設ける技術では、上記溝領域（ソルダレジスト層１４の開口部）を設ける分、半導体チップ２と接続端子１５との間の距離を長くする必要があり、半導体チップ２平面寸法を大きくすることができず、スペース効率が悪い。このため、半導体装置の平面寸法の小型化に不利となる。また、上記溝領域の寸法は、ソルダレジスト層１４の開口部寸法によって規定されるが、開口部寸法を小さくするとソルダレジスト層１４形成時に開口部パターンがつぶれてしまう可能性があるので、上記溝領域（ソルダレジスト層１４の開口部）を小さくして半導体装置の平面寸法を縮小するには限界がある。また、上記溝領域（ソルダレジスト層１４の開口部）の寸法を小さくすると、上記溝領域（ソルダレジスト層１４の開口部）による接着材８の流出防止効果が小さくなってしまう。従って、半導体チップ２と接続端子１５との間に上記溝領域（ソルダレジスト層１４の開口部）を設ける技術では、接続端子１５への接着材８の流出防止による半導体装置の信頼性向上と半導体装置の平面寸法の小型化との両立は難しい。
【００５８】
また、本実施の形態とは異なり、配線基板３１上に半導体チップ２を接合するための接着材８として、ＤＡＦ（ダイアタッチフィルム）のようなフィルム状の接着材を用いることも考えられ、この場合、フィルム状の接着材は、ペースト状の接着材のように接続端子１５側へ流れ出すことはないので、接続端子１５上にまで接着材が広がるのを防止できる。しかしながら、ＤＡＦ（ダイアタッチフィルム）のようなフィルム状の接着材は、ペースト状の接着材に比べて高価であるため、半導体装置の製造コストを高めてしまう。また、ＤＡＦ（ダイアタッチフィルム）のようなフィルム状の接着材は、貼り付け失敗時の再生が難しく、再使用が不可能であり、これも、半導体装置の製造コストを増加させるように作用する。また、ペースト状の接着材を使用する場合に比べて、ＤＡＦ（ダイアタッチフィルム）のようなフィルム状の接着材を使用する場合は、ダイボンディングに要する設備が複雑化し、これも半導体装置の製造コストを増大させてしまう。従って、ＤＡＦ（ダイアタッチフィルム）のようなフィルム状の接着材は、ペースト状の接着材に比べて、コスト面で不利である。
【００５９】
それに対して、本実施の形態では、ステップＳ２で、配線基板３１の上面３１ａの各半導体装置領域３２ａにおいて、半導体チップ２搭載予定領域（接着材８塗布予定領域）の周囲でかつ接続端子１５よりも内側の領域に流出防止材３３を配置（塗布）してから、ステップＳ３ａで、配線基板３１の上面３１ａの各半導体装置領域３２ａの半導体チップ２搭載予定領域上にペースト状の接着材８を塗布（配置）する。配線基板３１の上面３１ａの各半導体装置領域３２ａにおいて、接着材８の塗布（配置）領域の周囲には、流出防止材３３が塗布（配置）されており、接着材８の塗布（配置）領域と接続端子１５との間には、流出防止材３３の塗布（配置）領域が設けられ、接着材８の塗布（配置）領域は流出防止材３３が塗布（配置）された領域で囲まれた状態となっている。このため、ステップＳ３ａで配線基板３１の上面３１ａの各半導体装置領域３２ａに塗布されたペースト状の接着材８が、流出防止材３３を越えて端子１５側に流出する（広がる）のを防止することができる。
【００６０】
また、ステップＳ３ａで配線基板３１の上面３１ａの各半導体装置領域３２ａにペースト状の接着材８を塗布（配置）した後、ステップＳ３ｂで配線基板３１の上面３１ａの各半導体装置領域３２ａにペースト状の接着材８を介して半導体チップ２を配置する（すなわちペースト状の接着材８上に半導体チップ２を配置する）。この際、半導体チップ２を配置するための荷重または半導体チップ２自身の荷重などにより、ペースト状の接着材８が端子１５側に向かって広がろうとする。しかしながら、本実施の形態では、接着材８の塗布（配置）領域の周囲に流出防止材３３を塗布（配置）しているので、半導体チップ２を配置するための荷重または半導体チップ２自身の荷重などがペースト状の接着材８に印加されたとしても、ペースト状の接着材８が流出防止材３３を越えて接続端子１５側に流出する（広がる）のを防止することができる。
【００６１】
そして、ステップＳ３ｂで配線基板３１上に塗布されたペースト状の接着材８上に半導体チップ２を配置した後、ステップＳ３ｃで加熱などにより接着材８を硬化することで、半導体チップ２の裏面２ｃと配線基板３１の上面３１ａとを接着材８を介して接合するが、この段階（ステップＳ３ｃの接着材８の硬化工程）以降は、接着材８は硬化された状態となるので、接着材８が端子１５側に向かって広がる（流出する）ことはなくなる。
【００６２】
流出防止材３３は、配線基板３１上に配置したペースト状の接着材８が流出防止材３３を越えて流出する（広がる）のを防止するように機能するものである。このため、流出防止材３３は、ペースト状の接着材８を弾く性質を有する材料からなる。
【００６３】
換言すれば、流出防止材３３は、ペースト状の接着材８の下地に対する表面張力を高めるように作用するものである。すなわち、ペースト状の接着材８がソルダレジスト層１４上に存在する場合のペースト状の接着材８の表面張力よりも、ペースト状の接着材８が流出防止材３３上に存在する場合のペースト状の接着材８の表面張力の方が大きくなるような材料を、流出防止材３３に使用することができる。また、更に換言すれば、ソルダレジスト層１４に対するペースト状の接着材８の濡れ性よりも、流出防止材３３に対するペースト状の接着材８の濡れ性の方が低くなるような材料を、流出防止材３３に使用することができる。また、更に換言すれば、ペースト状の接着材８に対するソルダレジスト層１４の親和力（親和性）よりも、ペースト状の接着材８に対する流出防止材３３の親和力（親和性）の方が小さくなるような材料を、流出防止材３３に使用することができる。このように、ペースト状の接着材８と流出防止材３３とは、例えて言えば水と油との関係のように、相反する性質を有するものである。
【００６４】
流出防止材３３として用いることができる材料としては、例えばカルナバワックスなどがあるが、これ以外でも、上記のような作用を有する材料を流出防止材３３として用いることができる。また、使用するペースト状の接着材８により、流出防止材３３として使用する材料を使い分けることができる。
【００６５】
このように、本実施の形態では、配線基板３１の上面３１ａの各半導体装置領域３２ａに塗布されたペースト状の接着材８が、流出防止材３３を越えて接続端子１５側に流出する（広がる）のを防止することができるので、接着材８が接続端子１５上にまで広がってしまうのを防止でき、ボンディングワイヤ４と接続端子１５との間の電気的接続の信頼性を向上することができる。従って、半導体装置の製造歩留まりを向上することができ、また、半導体装置の信頼性を向上することができる。
【００６６】
また、本実施の形態では、配線基板３１の上面３１ａの各半導体装置領域３２ａにおいて、半導体チップ２搭載予定領域（接着材８塗布予定領域）の周囲に流出防止材３３を配置（塗布）すればよく、半導体チップ２と接続端子１５との間に上記溝領域（ソルダレジスト層１４の開口部）を設ける必要がない。ソルダレジスト層１４の開口部寸法を小さくしようとすると、ソルダレジスト層１４形成時に開口部パターンがつぶれてしまう可能性があるので、ソルダレジスト層１４の開口部寸法の縮小には限界があるのに比べて、流出防止材３３の塗布（配置）領域の寸法は小さくしやすい。このため、半導体チップ２と接続端子１５との間に上記溝領域（ソルダレジスト層１４の開口部）を設けた場合に比べて、流出防止材３３を用いる本実施の形態では、半導体チップ２と接続端子１５との間の距離を短くすることができ、半導体チップ２平面寸法を大きくすることができ、配線基板３１（配線基板３）の上面のスペースを効率よく使用することが可能になる。このため、半導体装置（の平面寸法）を小型化することができる。また、半導体装置（半導体パッケージ）の平面寸法を同じにして、より大きな平面寸法の半導体チップを使用することもできる。従って、接続端子１５への接着材８の流出防止による半導体装置の信頼性の向上と、半導体装置（の平面寸法）の小型化との両立が可能になる。
【００６７】
また、本実施の形態では、配線基板３１上に半導体チップ２を接合するための接着材８として、ＤＡＦ（ダイアタッチフィルム）のようなフィルム状の接着材ではなく、それよりも安価なペースト状の接着材８を用いることができるので、半導体装置の製造コストを低減することができる。また、ＤＡＦ（ダイアタッチフィルム）のようなフィルム状の接着材を使用する場合に比べて、ダイボンディングに要する設備を単純化でき、半導体装置の製造コストを低減できる。
【００６８】
ステップＳ３ｃで接着材８を硬化した後は、接着材８が広がることはないので、流出防止材３３は不要となる。このため、ステップＳ３ｃで接着材８を硬化した後、ステップＳ５のプラズマ処理３４によって配線基板３１の上面３１ａから流出防止材３３を除去することができる。流出防止材３３を除去することにより、配線基板３１（配線基板３）と封止樹脂５ａ（封止樹脂５）との密着性を向上することができ、半導体装置１の信頼性をより向上することができる。ステップＳ５のプラズマ処理３４は、ステップＳ３ｃで接着材８を硬化させた後で、ステップＳ６で封止樹脂５ａを形成する前であれば、いずれの段階で行ってもよい。すなわち、ステップＳ５のプラズマ処理３４は、ステップＳ４のワイヤボンディング工程の前でも後でもよい。また、ステップＳ２における流出防止材３３の塗布厚みは、例えば数μｍ（１〜１０μｍ）程度とすることができ、これにより、流出防止材３３による接着材８の流出防止効果を確保するとともに、ステップＳ５のプラズマ処理３４によって流出防止材３３を的確に除去できるようになる。また、流出防止材３３が配線基板３１（配線基板３）と封止樹脂５ａ（封止樹脂５）との密着性を阻害しなければ、流出防止材３３の除去工程を省略することもでき、この場合、製造された半導体装置１においても、流出防止材３３が残存することになる。
【００６９】
また、ステップＳ５のプラズマ処理３４で流出防止材３３を除去する際に、このプラズマ処理３４によって、配線基板３１の上面３１ａのソルダレジスト層１４の表面を活性化させることで、封止樹脂５ａ（封止樹脂５）とソルダレジスト層１４との密着性を向上することが、これにより、半導体装置の信頼性をより向上させることができる。
【００７０】
（実施の形態２）
図２０〜図２３は、本実施の形態の半導体装置の製造工程の説明図（断面図）であり、上記実施の形態１の図１０、図１４、図１６および図１７に対応するものである。
【００７１】
まず、ステップＳ１で上記実施の形態１と同様の配線基板３１を準備する。本実施の形態１で用いる配線基板３１は、上記実施の形態１で用いる配線基板３１とほぼ同様の構造を有しているので、ここではその説明を省略する。
【００７２】
次に、図２０に示されるように、ステップＳ２で、配線基板３１の上面３１ａの各半導体装置領域３２ａにおいて、半導体チップ２搭載予定領域（接着材８塗布予定領域）の周囲でかつ接続端子１５よりも内側に、流出防止材３３を配置（塗布）する。本実施の形態における流出防止材３３の塗布領域は、上記実施の形態１とは若干異なり、流出防止材３３の塗布領域の一部が、半導体チップ２搭載予定領域にオーバーラップしている（平面的に重なっている）。また、本実施の形態における流出防止材３３の機能および材質などは、上記実施の形態１とほぼ同様であるので、ここではその説明は省略する。
【００７３】
次に、図２１に示されるように、上記実施の形態１と同様に、ステップＳ３で、配線基板３１の上面３１ａの各半導体装置領域３２ａのソルダレジスト層１４上に熱硬化性のペースト状の接着材８を塗布してチップ固定用の接着層をソルダレジスト層１４上に形成し、接着材８上に半導体チップ２を載置（配置）し、加熱などにより接着材８を硬化して、半導体チップ２の裏面２ｃとソルダレジスト層１４とを接着材８を介して接合する。
【００７４】
上記実施の形態１では、配線基板３１の上面３１ａの各半導体装置領域３２ａにおいて、流出防止材３３の塗布領域は、半導体チップ２搭載領域（半導体チップ２の裏面２ｃに対向する領域）よりも外側（接続端子１５側）の領域であり、ステップＳ３で半導体チップ２を搭載した際に、流出防止材３３の塗布領域と、半導体チップ２とは平面的に重なっていなかった。このため、上記実施の形態１では、ステップＳ３で半導体チップ２を搭載した際には、上記図１４に示されるように、接着材８は流出防止材３３の手前まで広がり、半導体チップ２の裏面２ｃの全面が接着材８と接した状態になっていた。
【００７５】
それに対して、本実施の形態では、配線基板３１の上面３１ａの各半導体装置領域３２ａにおいて、流出防止材３３の塗布領域の内周端は半導体チップ２搭載領域内にあり、流出防止材３３の塗布領域の外周端は半導体チップ２搭載領域よりも外側（接続端子１５側）にあり、ステップＳ３で半導体チップ２を搭載した際に、流出防止材３３の塗布領域の一部が、半導体チップ２に平面的に重なっている。このため、本実施の形態では、ステップＳ３で半導体チップ２を搭載した際には、図２１に示されるように、接着材８は流出防止材３３の手前まで広がり、半導体チップ２の裏面２ｃのうち、外周部（周辺部、端部近傍領域）を除く領域が接着材８と接するが、半導体チップ２の裏面２ｃの外周部（周辺部、端部近傍領域）、すなわち流出防止材３３と平面的に重なる領域は、接着材８と接していない状態になる。
【００７６】
次に、ステップＳ４で、図２２に示されるように、ワイヤボンディング工程を行って、半導体チップ２の各電極２ａと、これに対応する配線基板３１に形成された接続端子１５とをボンディングワイヤ４を介して電気的に接続する（ステップＳ４）。
【００７７】
ステップＳ４のワイヤボンディングにおいて、上記実施の形態１では、先に半導体チップ２の電極２ａにボンディングワイヤ４の一端を接続（ファーストボンディング）してから、配線基板３１の接続端子１５にボンディングワイヤ４の他端を接続（セカンドボンディング）している。それに対して、本実施の形態では、ステップＳ４のワイヤボンディングにおいて、先に配線基板３１の接続端子１５にボンディングワイヤ４の一端を接続（ファーストボンディング）してから、半導体チップ２の電極２ａにボンディングワイヤ４の他端を接続（セカンドボンディング）している。
【００７８】
例えば、ワイヤボンディング装置のキャピラリ（図示せず）に保持されたボンディングワイヤ４の先端を超音波を印加しながら配線基板３１の接続端子１５表面に押し付けて接続してから、キャピラリを上方に引き上げてから横方向に移動させ、ボンディングワイヤ４を半導体チップ２の電極２ａの表面に超音波を印加しながらこすりつけて接続してからボンディングワイヤ４を切断する。これにより、配線基板３１の接続端子１５と半導体チップ２の電極２ａとをボンディングワイヤ４を介して電気的に接続することができる。
【００７９】
また、図２２に示されるように、半導体チップ２の電極２ａに金（Ａｕ）などからなるスタッドバンプ（バンプ電極、バンプ）５１を形成しておき、セカンドボンディングの際には、半導体チップ２の電極２ａ上のスタッドバンプ５１にボンディングワイヤ４を接続すれば、より好ましい。これにより、ボンディングワイヤ４と半導体チップ２の電極２ａとの接続強度を向上することができる。また、半導体チップ２の電極２ａへのセカンドボンディングの際に半導体チップ２に与えられるストレスを低減することができる。
【００８０】
次に、図２３に示されるように、上記実施の形態１と同様に、ステップＳ５で、半導体チップ２を搭載した配線基板３１（の上面３１ａ）に対して、プラズマ処理３４を行う。プラズマ処理３４の具体的手段および役割は上記実施の形態１とほぼ同様であるので、ここではその説明は省略する。
【００８１】
プラズマ処理３４によって、配線基板３１の上面３１ａから流出防止材３３を除去することができる。但し、本実施の形態では、上記のように、流出防止材３３の塗布領域の一部が、半導体チップ２搭載予定領域に平面的に重なっていたので、流出防止材３３の塗布領域のうち、半導体チップ２の下に位置する部分では、半導体チップ２による遮蔽効果でプラズマが入射されず、流出防止材３３の一部が残存する。
【００８２】
その後、上記実施の形態１と同様に、ステップＳ６〜Ｓ９を行う。すなわち、ステップＳ６で、配線基板３１の上面３１ａ上に半導体チップ２およびボンディングワイヤ４を覆うように封止樹脂５ａを形成し、ステップＳ７で、配線基板３１の下面３１ｂのランド１６に半田ボール６を接続し、ステップＳ８で、マーキングを行い、ステップＳ９で、各半導体装置領域３２ａ間のダイシング領域３２ｂに沿って封止体４１（配線基板３１および封止樹脂５ａ）を切断（分割）する。このようにして、各半導体装置領域３２ａから本実施の形態の半導体装置が形成される。
【００８３】
本実施の形態では、上記実施の形態１の効果に加えて、更に次のような効果を得ることができる。
【００８４】
すなわち、本実施の形態では、配線基板３１の上面３１ａの各半導体装置領域３２ａにおいて、流出防止材３３の塗布領域の一部が、半導体チップ２搭載予定領域に平面的に重なっている。このため、流出防止材３３の塗布領域を確保しながら、半導体チップ２の端部から接続端子１５までの距離を、より短くすることができる。このため、半導体装置の平面寸法を、より小型化することができる。
【００８５】
また、本実施の形態では、ステップＳ３のワイヤボンディングにおいて、先に配線基板３１の接続端子１５にボンディングワイヤ４の一端を接続（ファーストボンディング）してから、半導体チップ２の電極２ａにボンディングワイヤ４の他端を接続（セカンドボンディング）することで、接続端子１５とボンディングワイヤ４との接続部から半導体チップ２の端部までの距離を短くすることができる。このため、半導体装置の平面寸法をより小型化することができる。
【００８６】
（実施の形態３）
図２４は、本実施の形態の半導体装置の製造工程を示す製造プロセスフロー図である。図２５は、図２４に示される本実施の形態の半導体装置の製造工程のうち、ステップＳ１２のダイボンディング工程をより詳細に示す製造プロセスフロー図である。図２６〜図３３は、本実施の形態の半導体装置の製造工程の説明図（要部平面図または要部断面図）である。図２６〜図３３のうち、図２６、図２８および図３０は本実施の形態の半導体装置の製造工程中の要部平面図であり、それぞれ同じ平面領域が示されている。図２６〜図３３のうち、図２７、図２９、図３１〜図３３は本実施の形態の半導体装置の製造工程中の要部断面図であり、それぞれ同じ断面領域が示されている。なお、図２６のＣ−Ｃ線の断面図が図２７にほぼ対応する。また、図２６と図２７とは同じ工程段階に対応し、図２８と図２９とは同じ工程段階に対応し、図３０と図３１とは同じ工程段階に対応する。また、図２６、図２８および図３０は平面図であるが、図面を見易くするために、流出防止材３３，３３ａ（流出防止材３３，３３ａ配置領域）にハッチングを付している。
【００８７】
本実施の形態においても、ステップＳ１〜Ｓ３の工程は、上記実施の形態２とほぼ同様であるので、ここではその説明を省略し、ステップＳ３に続く工程について説明する。
【００８８】
上記実施の形態２と同様にして、ステップＳ１〜Ｓ３の工程を行って図２６および図２７の構造を得た後、図２８および図２９に示されるように、配線基板３１上に搭載された各半導体チップ２の表面２ｂにおいて、半導体チップ６１搭載予定領域（接着材８ａ塗布予定領域）の周囲でかつ電極２ａよりも内側（半導体チップ２の表面２ｂの中央部に近づく側）に、流出防止材３３ａを配置（塗布）する（ステップＳ１１）。本実施の形態における流出防止材３３ａの機能および材質などは、流出防止材３３とほぼ同様であるので、ここではその説明は省略する。
【００８９】
次に、ダイボンディング工程を行って、図３０および図３１に示されるように、配線基板３１の各半導体装置領域３２ａの半導体チップ２上に、半導体チップ６１を接着材８ａを介して搭載して接合（ダイボンディング、チップマウント）する（ステップＳ１２）。接着材８ａは、上記接着材８とほぼ同様の接着材を用いることができる。
【００９０】
ステップＳ１２のダイボンディング工程では、まず、配線基板３１の各半導体装置領域３２ａの半導体チップ２の表面２ｂ上に熱硬化性のペースト状の接着材８ａを塗布してチップ固定用の接着層を半導体チップ２の表面２ｂ上に形成する（ステップＳ１２ａ）。それから、接着材８ａ上に半導体チップ６１を載置（配置）する（ステップＳ１２ｂ）。その後、加熱などにより接着材８ａを硬化して、半導体チップ６１の裏面６１ｃと半導体チップ２の表面２ｂとを接着材８ａを介して接合（固着、接着）する（ステップＳ１２ｃ）。
【００９１】
すなわち、ステップＳ１２のダイボンディング工程は、ステップＳ１２ａの半導体チップ２の表面２ｂ上にペースト状の接着材８ａを配置（塗布）する工程と、その後のステップＳ１２ｂの半導体チップ２の表面２ｂ上にペースト状の接着材８ａを介して半導体チップ６１を配置（載置）する工程と、その後のステップＳ１２ｃのペースト状の接着材８ａを硬化して半導体チップ６１と半導体チップ２とを接合する工程とを有している。
【００９２】
半導体チップ６１は、半導体チップ２の平面寸法よりも小さい平面寸法を有する半導体チップであり、半導体チップ２と同様、例えば、単結晶シリコンなどからなる半導体基板（半導体ウエハ）の主面に種々の半導体素子または半導体集積回路を形成した後、必要に応じて半導体基板の裏面研削を行ってから、ダイシングなどにより半導体基板を各半導体チップ６１に分離したものである。半導体チップ６１は、互いに対向する表面（半導体素子形成側の主面、上面）６１ｂおよび裏面（半導体素子形成側の主面とは逆側の主面、下面）６１ｃを有し、その表面６１ｂが上方を向くように半導体チップ２の表面２ｂ上に接着材８ａを介して搭載（配置）され、半導体チップ６１の裏面６１ｃが半導体チップ２の表面２ｂに接着材８ａを介して接着され固定される。半導体チップ６１は、その表面６１ｂに、複数の電極（ボンディングパッド、パッド電極、端子）６１ａを有しており、電極６１ａは、半導体チップ６１内部または表層部分に形成された半導体素子または半導体集積回路に電気的に接続されている。
【００９３】
ステップＳ１１では、半導体チップ２の表面２ｂにおいて、流出防止材３３ａの塗布領域の一部が、半導体チップ６１搭載予定領域に平面的に重なるように、流出防止材３３ａを塗布（配置）しているため、ステップＳ１２で半導体チップ２上に半導体チップ６１を搭載した際には、ペースト状の接着材８ａは流出防止材３３ａの手前まで広がるが、半導体チップ６１の裏面６１ｃのうち、外周部（周辺部、端部近傍領域）を除く領域が接着材８ａと接するが、半導体チップ６１の裏面６１ｃの外周部（周辺部、端部近傍領域）は接着材８ａと接しない状態になる。
【００９４】
次に、ワイヤボンディング工程を行って、半導体チップ６１の各電極６１ａとこれに対応する配線基板３１に形成された接続端子１５との間、半導体チップ６１の各電極６１ａとこれに対応する半導体チップ２の電極２ａとの間、あるいは半導体チップ２の各電極２ａとこれに対応する配線基板３１に形成された接続端子１５との間を、ボンディングワイヤ４を介して電気的に接続する（ステップＳ４ａ）。
【００９５】
上記実施の形態１のステップＳ４のワイヤボンディングと同様に、本実施の形態のステップＳ４ａのワイヤボンディングにおいても、先に配線基板３１の接続端子１５または半導体チップ２の電極２ａにボンディングワイヤ４の一端を接続（ファーストボンディング）してから、半導体チップ６１の電極６１ａにボンディングワイヤ４の他端を接続（セカンドボンディング）することができる。この際、図３１に示されるように、半導体チップ６１の電極６１ａに金（Ａｕ）などからなるスタッドバンプ（バンプ電極、バンプ）５１ａを形成しておき、セカンドボンディングの際には、半導体チップ６１の電極６１ａ上のスタッドバンプ５１ａにボンディングワイヤ４を接続すれば、より好ましい。スタッドバンプ５１ａを設ける理由は、上記スタッドバンプ５１を設ける理由とほぼ同様である。
【００９６】
本実施の形態では、ステップＳ４ａのワイヤボンディングにおいて、先に配線基板３１の接続端子１５または半導体チップ２の電極２ａにボンディングワイヤ４の一端を接続してから、半導体チップ６１の電極６１ａにボンディングワイヤ４の他端を接続することで、半導体チップ６１の平面寸法と半導体チップ２の平面寸法との差が小さい場合であっても、ボンディングワイヤ４の接続がより的確に行えるようになる。
【００９７】
次に、図３２に示されるように、上記実施の形態１，２と同様にして、ステップＳ５で、半導体チップ２，６１を搭載した配線基板３１（の上面３１ａ）に対して、プラズマ処理３４を行う。プラズマ処理３４の具体的手段および役割は上記実施の形態１，２とほぼ同様であるので、ここではその説明は省略する。
【００９８】
プラズマ処理３４によって、配線基板３１の上面３１ａおよび半導体チップ２の表面２ｂから流出防止材３３，３３ａを除去することができる。但し、本実施の形態では、上記のように、流出防止材３３の塗布領域の一部が、半導体チップ２搭載予定領域に平面的に重なっていたので、流出防止材３３の塗布領域のうち、半導体チップ２の下に位置する部分では、半導体チップ２による遮蔽効果でプラズマが入射されず、流出防止材３３の一部が残存する。また、上記のように、流出防止材３３ａの塗布領域の一部が、半導体チップ６１搭載予定領域に平面的に重なっていたので、流出防止材３３ａの塗布領域のうち、半導体チップ６１の下に位置する部分では、半導体チップ６１による遮蔽効果でプラズマが入射されず、流出防止材３３ａの一部が残存する。
【００９９】
その後、上記実施の形態１，２とほぼ同様にして、ステップＳ６〜Ｓ９を行う。すなわち、ステップＳ６で、配線基板３１の上面３１ａ上に半導体チップ２，６１およびボンディングワイヤ４を覆うように封止樹脂５ａを形成し、ステップＳ７で、配線基板３１の下面３１ｂのランド１６に半田ボール６を接続し、ステップＳ８で、マーキングを行い、ステップＳ９で、各半導体装置領域３２ａ間のダイシング領域３２ｂに沿って封止体４１（配線基板３１および封止樹脂５ａ）を切断（分割）する。このようにして、各半導体装置領域３２ａから、図３３に示されるような本実施の形態の半導体装置１ａが形成される。なお、図３３は、上記実施の形態１の図２に対応するものである。
【０１００】
本実施の形態では、上記実施の形態１の効果に加えて、更に次のような効果を得ることができる。
【０１０１】
すなわち、本実施の形態では、配線基板３１上に接着材８を介して半導体チップ２を接合し、半導体チップ２上に半導体チップ６１を接着材８ａを介して接合して半導体装置を製造するが、配線基板３１上に流出防止材３３を配置するだけでなく、半導体チップ２の表面２ｂ上にも流出防止材３３ａを配置している。このため、上記実施の形態１と同様に、配線基板３１の上面３１ａに塗布されたペースト状の接着材８が、流出防止材３３を越えて端子１５側に流出するのを防止することができることに加えて、更に、半導体チップ２の表面２ｂに塗布されたペースト状の接着材８ａが、流出防止材３３ａを越えて電極２ａ側に流出するのを防止することができる。このため、接着材８ａが半導体チップ２の表面２ｂの電極２ａ上にまで広がってしまうのを防止でき、ボンディングワイヤ４と半導体チップ２の電極２ａとの間の電気的接続の信頼性を向上することができる。従って、複数の半導体チップ（ここでは半導体チップ２，６１）を積層して製造した半導体装置の信頼性を、より向上することができる。
【０１０２】
（実施の形態４）
図３４は、本実施の形態の半導体装置の製造工程の説明図（断面図）であり、上記実施の形態１の図１４に対応するものである。図３５は、本実施の形態の半導体装置１ｂの要部断面図であり、上記実施の形態１の図２に対応するものである。
【０１０３】
本実施の形態においても、ステップＳ１，Ｓ２の工程は、上記実施の形態１とほぼ同様であるので、ここではその説明を省略し、ステップＳ２に続く工程について説明する。
【０１０４】
上記実施の形態１と同様にして、ステップＳ１，Ｓ２の工程を行った後、ステップＳ３ａで、配線基板３１の上面３１ａの各半導体装置領域３２ａのソルダレジスト層１４上に熱硬化性のペースト状の接着材８を塗布してチップ固定用の接着層をソルダレジスト層１４上に形成し、ステップＳ３ｂで接着材８上に半導体チップ２を載置（配置）する。このステップＳ３ｂにおいて、本実施の形態では、図３４に示されるように、半導体チップ２の裏面２ｃに例えばフィルム材７１を貼り付けておき、このフィルム材７１が裏面２ｃに貼り付けられた状態の半導体チップ２を接着材８上に載置（配置）する。その後、ステップＳ３ｃで加熱などにより接着材８を硬化して、半導体チップ２の裏面２ｃをフィルム材７１および接着材８を介してソルダレジスト層１４と接合（固着、接着）する。フィルム材７１としては、例えばＤＡＦ（ダイアタッチフィルム）のようなフィルム状の接着材層を用いることができる。
【０１０５】
以降の工程（ステップＳ４〜Ｓ９）は、上記実施の形態１とほぼ同様である。すなわち、ステップＳ４で、ワイヤボンディング工程を行って、半導体チップ２の各電極２ａと、これに対応する配線基板３１に形成された接続端子１５とをボンディングワイヤ４を介して電気的に接続し、ステップＳ５で、半導体チップ２を搭載した配線基板３１（の上面３１ａ）に対してプラズマ処理３４を行う。それから、ステップＳ６で、配線基板３１の上面３１ａ上に半導体チップ２およびボンディングワイヤ４を覆うように封止樹脂５ａを形成し、ステップＳ７で、配線基板３１の下面３１ｂのランド１６に半田ボール６を接続し、ステップＳ８で、マーキングを行い、ステップＳ９で、各半導体装置領域３２ａ間のダイシング領域３２ｂに沿って封止体４１（配線基板３１および封止樹脂５ａ）を切断（分割）する。このようにして、各半導体装置領域３２ａから、図３５に示されるような本実施の形態の半導体装置１ｂが形成される。
【０１０６】
本実施の形態では、上記実施の形態１の効果に加えて、更に次のような効果を得ることができる。
【０１０７】
すなわち、本実施の形態では、半導体チップ２の下にスペーサとしてフィルム材７１を介在させることで、配線基板３よりも低い熱膨張係数を有する半導体チップ２が、半導体装置１ｂの中央側（厚み方向の中央部側）に、フィルム材７１の分だけ近づくことになる。このため、半導体装置１ｂにおける反りの発生を、抑制または防止することができる。また、フィルム材７１としてＤＡＦ（ダイアタッチフィルム）を用いれば、ステップＳ３のダイボンディング工程前に、半導体チップ２の裏面にフィルム材７１を安定して配置することができる。なお、上記実施の形態１の場合は、部材コストを低減して、半導体装置の製造コストを低減することができる。
【０１０８】
以上、本発明者によってなされた発明をその実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。
【産業上の利用可能性】
【０１０９】
本発明は、配線基板上に接着材を介して半導体チップを搭載した半導体装置の製造方法に適用して有効である。
【図面の簡単な説明】
【０１１０】
【図１】本発明の一実施の形態である半導体装置の下面図である。
【図２】本発明の一実施の形態である半導体装置の要部断面図である。
【図３】本発明の一実施の形態である半導体装置の断面図である。
【図４】本発明の一実施の形態である半導体装置の平面透視図である。
【図５】本発明の一実施の形態である半導体装置の製造工程を示す製造プロセスフロー図である。
【図６】本発明の一実施の形態である半導体装置の製造工程を示す製造プロセスフロー図である。
【図７】本発明の一実施の形態である半導体装置の製造工程中の要部平面図である。
【図８】図７と同じ半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
【図９】図７に続く半導体装置の製造工程中の要部平面図である。
【図１０】図９と同じ半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
【図１１】図９に続く半導体装置の製造工程中の要部平面図である。
【図１２】図１１と同じ半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
【図１３】図１１に続く半導体装置の製造工程中の要部平面図である。
【図１４】図１３と同じ半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
【図１５】図１３に続く半導体装置の製造工程中の要部平面図である。
【図１６】図１５と同じ半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
【図１７】図１６に続く半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
【図１８】図１７に続く半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
【図１９】図１８に続く半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
【図２０】本発明の他の一実施の形態である半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
【図２１】図２０に続く半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
【図２２】図２１に続く半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
【図２３】図２２に続く半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
【図２４】本発明の他の実施の形態である半導体装置の製造工程を示す製造プロセスフロー図である。
【図２５】本発明の他の実施の形態である半導体装置の製造工程を示す製造プロセスフロー図である。
【図２６】本発明の他の実施の形態である半導体装置の製造工程中の要部平面図である。
【図２７】図２６と同じ半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
【図２８】図２６に続く半導体装置の製造工程中の要部平面図である。
【図２９】図２８と同じ半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
【図３０】図２８に続く半導体装置の製造工程中の要部平面図である。
【図３１】図３０と同じ半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
【図３２】図３１に続く半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
【図３３】図３２に続く半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
【図３４】本発明の他の実施の形態である半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
【図３５】本発明の他の実施の形態である半導体装置の要部断面図である。
【符号の説明】
【０１１１】
１，１ａ，１ｂ  半導体装置
２  半導体チップ
２ａ  電極
２ｂ  表面
２ｃ  裏面
３  配線基板
３ａ  上面
３ｂ  下面
４  ボンディングワイヤ
５，５ａ  封止樹脂
５ｂ  上面
６  半田ボール
８，８ａ  接着材
１１  基材層
１１ａ  上面
１１ｂ  下面
１２  導体層
１４  ソルダレジスト層
１５  接続端子
１６  ランド
１８，１９ａ，１９ｂ  開口部
３１  配線基板
３１ａ  上面
３１ｂ  下面
３２ａ  半導体装置領域
３２ｂ  ダイシング領域
３３，３３ａ  流出防止材
３４  プラズマ処理
４１  封止体
４２  パッケージ固定テープ
４３  ダイシングブレード
５１，５１ａ  スタッドバンプ
６１  半導体チップ
６１ａ  電極
６１ｂ  表面
６１ｃ  裏面
７１  フィルム材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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