(57)【要約】【課題】信頼性の高い電子デバイスを効率よく製造することが可能な半導体装置、及び、信頼性の高い電子デバイス、並びに、信頼性の高い電子デバイスを効率よく製造する方法を提供する。【解決手段】半導体装置は、電極１２を有し、電極が形成された面１５の外形が矩形をなす、集積回路１４が形成された半導体チップ１０と、面の第１の辺（第１の長辺１７）の近傍領域に配置された、複数の第１の凸部２６を有する第１の樹脂突起２２と、面の第１の辺と対向する第２の辺（第２の長辺１９）の近傍領域に配置された、複数の第２の凸部２８を有する第２の樹脂突起２４と、第１及び第２の凸部上に形成された電気的接続部３２を有する、電極と電気的に接続された配線３０と、第２の辺の近傍領域に配置された樹脂部材４０と、を含む。第１の凸部は、第２の凸部よりも数が多い。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極を有し、前記電極が形成された面の外形が矩形をなす、集積回路が形成された半導体チップと、
前記面の第１の辺の近傍領域に配置された、複数の第１の凸部を有する第１の樹脂突起と、
前記面の前記第１の辺と対向する第２の辺の近傍領域に配置された、複数の第２の凸部を有する第２の樹脂突起と、
前記第１及び第２の凸部上に形成された電気的接続部を有する、前記電極と電気的に接続された配線と、
前記第２の辺の近傍領域に配置された樹脂部材と、
を含み、
前記第１の凸部は、前記第２の凸部よりも数が多い半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置において、
前記樹脂部材は、前記第２の凸部と高さが異なる半導体装置。
【請求項３】
電極を有し、前記電極が形成された面の外形が矩形をなす、集積回路が形成された半導体チップと、
前記面の第１の辺の近傍領域に配置された複数の第１の樹脂突起と、
前記面の前記第１の辺と対向する第２の辺の近傍領域に配置された、前記第１の樹脂突起よりも少ない数の複数の第２の樹脂突起と、
前記第１及び第２の樹脂突起上に形成された電気的接続部を有する、前記電極と電気的に接続された配線と、
前記第２の辺の近傍領域に配置された樹脂部材と、
を含む半導体装置。
【請求項４】
請求項３記載の半導体装置において、
前記樹脂部材は、前記第２の樹脂突起と高さが異なる半導体装置。
【請求項５】
請求項３又は請求項４記載の半導体装置において、
前記樹脂部材は、前記第２の樹脂突起と底面形状が異なる半導体装置。
【請求項６】
請求項１から請求項５のいずれかに記載の半導体装置において、
前記樹脂部材を覆う金属層をさらに含む半導体装置。
【請求項７】
請求項６記載の半導体装置において、
前記金属層は、前記配線と同じ組成で構成されている半導体装置。
【請求項８】
請求項１から請求項５のいずれかに記載の半導体装置において、
前記樹脂部材上には金属層が形成されていない半導体装置。
【請求項９】
請求項１から請求項８のいずれかに記載の半導体装置において、
前記第１及び第２の樹脂突起は、前記集積回路と重複しないように配置されている半導体装置。
【請求項１０】
請求項１から請求項９のいずれかに記載の半導体装置において、
前記樹脂部材は、前記集積回路と重複しないように配置されている半導体装置。
【請求項１１】
請求項１から請求項１０のいずれかに記載の半導体装置において、
前記面の外形は長方形であり、
前記第１及び第２の辺は、前記長方形の長辺である半導体装置。
【請求項１２】
請求項１から請求項１１のいずれかに記載の半導体装置において、
前記第１及び第２の樹脂突起と、前記樹脂部材とは、同じ材料で構成されている半導体装置。
【請求項１３】
請求項１から請求項１２のいずれかに記載の半導体装置において、
前記樹脂部材は、前記面の角部の近傍領域に配置されている半導体装置。
【請求項１４】
ベース基板と、配線パターンとを有する配線基板と、
電極を有し、前記電極が形成された面の外形が矩形をなす、集積回路が形成された半導体チップと、前記面の第１の辺の近傍領域に配置された、複数の第１の凸部を有する第１の樹脂突起と、前記面の前記第１の辺と対向する第２の辺の近傍領域に配置された、複数の第２の凸部を有する第２の樹脂突起と、前記第１及び第２の凸部上に形成された電気的接続部を有する、前記電極と電気的に接続された配線と、前記第２の辺の近傍領域に配置された突起部材と、を含み、前記電気的接続部が前記配線パターンと接触するように前記配線基板に搭載された半導体装置と、
前記配線基板と前記半導体装置とを接着する接着剤と、
を含み、
前記第１の凸部は前記第２の凸部よりも数が多く、
前記突起部材は樹脂部材を含んで構成されており、
前記第１及び第２の凸部と前記樹脂部材とは、前記半導体チップと前記配線基板とによって押しつぶされて弾性変形している電子デバイス。
【請求項１５】
ベース基板と、配線パターンとを有する配線基板と、
電極を有し、前記電極が形成された面の外形が矩形をなす、集積回路が形成された半導体チップと、前記面の第１の辺の近傍領域に配置された複数の第１の樹脂突起と、前記面の前記第１の辺と対向する第２の辺の近傍領域に配置された、前記第１の樹脂突起よりも少ない数の複数の第２の樹脂突起と、前記第１及び第２の樹脂突起上に形成された電気的接続部を有する、前記電極と電気的に接続された配線と、前記第２の辺の近傍領域に配置された突起部材と、を含む半導体装置と、
前記配線基板と前記半導体装置とを接着する接着剤と、
を含み、
前記突起部材は樹脂部材を含んで構成されており、
前記第１及び第２の樹脂突起と前記樹脂部材とは、前記半導体チップと前記配線基板とによって押しつぶされて弾性変形している電子デバイス。
【請求項１６】
ベース基板と、配線パターンとを有する配線基板を用意する工程と、
電極を有し、前記電極が形成された面の外形が矩形をなす、集積回路が形成された半導体チップと、前記面の第１の辺の近傍領域に配置された、複数の第１の凸部を有する第１の樹脂突起と、前記面の前記第１の辺と対向する第２の辺の近傍領域に配置された、複数の第２の凸部を有する第２の樹脂突起と、前記第１及び第２の凸部上に形成された電気的接続部を有する、前記電極と電気的に接続された配線と、前記第２の辺の近傍領域に配置された突起部材と、を含む半導体装置を用意する工程と、
前記配線基板に前記半導体装置を搭載して、前記配線パターンと前記電気的接続部とを接触させて電気的に接続する工程と、
前記配線基板と前記半導体装置とを接着する接着剤を形成する工程と、
を含み、
前記第１の凸部は前記第２の凸部よりも数が多く、
前記突起部材は樹脂部材を含んで構成されており、
前記配線基板に前記半導体装置を搭載する工程では、前記半導体チップと前記配線基板とによって、前記第１及び第２の凸部と前記樹脂部材とを弾性変形させる電子デバイスの製造方法。
【請求項１７】
ベース基板と、配線パターンとを有する配線基板を用意する工程と、
電極を有し、前記電極が形成された面の外形が矩形をなす、集積回路が形成された半導体チップと、前記面の第１の辺の近傍領域に配置された複数の第１の樹脂突起と、前記面の前記第１の辺と対向する第２の辺の近傍領域に配置された、前記第１の樹脂突起よりも少ない数の複数の第２の樹脂突起と、前記第１及び第２の樹脂突起上に形成された電気的接続部を有する、前記電極と電気的に接続された配線と、前記第２の辺の近傍領域に配置された突起部材と、を含む半導体装置を用意する工程と、
前記配線基板に前記半導体装置を搭載して、前記配線パターンと前記電気的接続部とを接触させて電気的に接続する工程と、
前記配線基板と前記半導体装置とを接着する接着剤を形成する工程と、
を含み、
前記突起部材は樹脂部材を含んで構成されており、
前記配線基板に前記半導体装置を搭載する工程では、前記半導体チップと前記配線基板とによって、前記第１及び第２の樹脂突起と前記樹脂部材とを弾性変形させる電子デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及び電子デバイス、並びに、電子デバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子デバイスを小型化するためには、半導体装置の外形は小さい方が好ましい。しかし、半導体装置の役割が多様化するにつれ、半導体チップに形成される集積回路の高集積化が進み、これに伴って、半導体チップのピン数の増加が進んでいる。すなわち、現在では、半導体装置の小型化と、集積回路の高集積化及び電極の増加という要求を同時に満たすことが可能な半導体装置の開発が進んでいる。
【０００３】
この要求に応えることができる半導体装置として、半導体チップ上に配線が形成されたタイプの半導体装置が注目を集めている。このタイプの半導体装置では、半導体装置の外形を半導体チップの外形とほぼ同じにすることができるため、半導体装置の小型化が可能である。
【特許文献１】特開平２−２７２７３７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
半導体装置が小型化、高集積化すれば、これを配線基板等に実装することが困難になる。しかし、電子デバイスの信頼性を確保するためには、実装後においても、半導体装置の信頼性を維持することが重要である。
【０００５】
本発明の目的は、信頼性の高い電子デバイスを効率よく製造することが可能な半導体装置、及び、信頼性の高い電子デバイス、並びに、信頼性の高い電子デバイスを効率よく製造する方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
（１）本発明に係る半導体装置は、
電極を有し、前記電極が形成された面の外形が矩形をなす、集積回路が形成された半導体チップと、
前記面の第１の辺の近傍領域に配置された、複数の第１の凸部を有する第１の樹脂突起と、
前記面の前記第１の辺と対向する第２の辺の近傍領域に配置された、複数の第２の凸部を有する第２の樹脂突起と、
前記第１及び第２の凸部上に形成された電気的接続部を有する、前記電極と電気的に接続された配線と、
前記第２の辺の近傍領域に配置された樹脂部材と、
を含み、
前記第１の凸部は、前記第２の凸部よりも数が多い。
【０００７】
本発明によると、半導体チップの第２の辺の近傍領域に樹脂部材が形成されている。そのため、この半導体装置を配線基板等に実装する際に、第２の凸部が第１の凸部に比べて大きく変形することを防止することができる。
【０００８】
すなわち、本発明によると、第１及び第２の凸部が均等に押しつぶされた、信頼性の高い電子デバイスを容易に製造することが可能な半導体装置を提供することができる。
【０００９】
（２）この半導体装置において、
前記樹脂部材は、前記第２の凸部と高さが異なっていてもよい。
【００１０】
これによると、半導体装置を配線基板に実装する工程で、樹脂材料の流動方向を規制することが可能になる。
【００１１】
（３）本発明に係る半導体装置は、
電極を有し、前記電極が形成された面の外形が矩形をなす、集積回路が形成された半導体チップと、
前記面の第１の辺の近傍領域に配置された複数の第１の樹脂突起と、
前記面の前記第１の辺と対向する第２の辺の近傍領域に配置された、前記第１の樹脂突起よりも少ない数の複数の第２の樹脂突起と、
前記第１及び第２の樹脂突起上に形成された電気的接続部を有する、前記電極と電気的に接続された配線と、
前記第２の辺の近傍領域に配置された樹脂部材と、
を含む。
【００１２】
本発明によると、半導体チップの第２の辺の近傍領域に樹脂部材が形成されている。そのため、この半導体装置を配線基板等に実装する際に、第２の樹脂突起が第１の樹脂突起に比べて大きく変形することを防止することができる。
【００１３】
すなわち、本発明によると、第１及び第２の樹脂突起が均等に押しつぶされた、信頼性の高い電子デバイスを容易に製造することが可能な半導体装置を提供することができる。
【００１４】
（４）この半導体装置において、
前記樹脂部材は、前記第２の樹脂突起と高さが異なっていてもよい。
【００１５】
これによると、半導体装置を配線基板に実装する工程で、樹脂材料の流動方向を規制することが可能になる。
【００１６】
（５）この半導体装置において、
前記樹脂部材は、前記第２の樹脂突起と底面形状が異なっていてもよい。
【００１７】
（６）この半導体装置において、
前記樹脂部材を覆う金属層をさらに含んでもよい。
【００１８】
（７）この半導体装置において、
前記金属層は、前記配線と同じ組成で構成されていてもよい。
【００１９】
（８）この半導体装置において、
前記樹脂部材上には金属層が形成されていなくてもよい。
【００２０】
（９）この半導体装置において、
前記第１及び第２の樹脂突起は、前記集積回路と重複しないように配置されていてもよい。
【００２１】
これにより、半導体装置を配線基板に実装する工程で、集積回路の回路特性が変化することを防止することができる。
【００２２】
（１０）この半導体装置において、
前記樹脂部材は、前記集積回路と重複しないように配置されていてもよい。
【００２３】
これにより、半導体装置を配線基板に実装する工程で、集積回路の回路特性が変化することを防止することができる。
【００２４】
（１１）この半導体装置において、
前記面の外形は長方形であり、
前記第１及び第２の辺は、前記長方形の長辺であってもよい。
【００２５】
（１２）この半導体装置において、
前記第１及び第２の樹脂突起と、前記樹脂部材とは、同じ材料で構成されていてもよい。
【００２６】
（１３）この半導体装置において、
前記樹脂部材は、前記面の角部の近傍領域に配置されていてもよい。
【００２７】
（１４）本発明に係る電子デバイスは、
ベース基板と、配線パターンとを有する配線基板と、
電極を有し、前記電極が形成された面の外形が矩形をなす、集積回路が形成された半導体チップと、前記面の第１の辺の近傍領域に配置された、複数の第１の凸部を有する第１の樹脂突起と、前記面の前記第１の辺と対向する第２の辺の近傍領域に配置された、複数の第２の凸部を有する第２の樹脂突起と、前記第１及び第２の凸部上に形成された電気的接続部を有する、前記電極と電気的に接続された配線と、前記第２の辺の近傍領域に配置された突起部材と、を含み、前記電気的接続部が前記配線パターンと接触するように前記配線基板に搭載された半導体装置と、
前記配線基板と前記半導体装置とを接着する接着剤と、
を含み、
前記第１の凸部は前記第２の凸部よりも数が多く、
前記突起部材は樹脂部材を含んで構成されており、
前記第１及び第２の凸部と前記樹脂部材とは、前記半導体チップと前記配線基板とによって押しつぶされて弾性変形している。
【００２８】
本発明によると、半導体チップの第２の辺の近傍領域に樹脂部材が形成されている。そのため、半導体チップの第１の辺の近傍領域と第２の辺の近傍領域とで、弾性力の差を小さくすることができる。そのため、内部で不均一な応力が発生することを防止することが可能な、信頼性の高い電子デバイスを提供することができる。
【００２９】
（１５）本発明に係る電子デバイスは、
ベース基板と、配線パターンとを有する配線基板と、
電極を有し、前記電極が形成された面の外形が矩形をなす、集積回路が形成された半導体チップと、前記面の第１の辺の近傍領域に配置された複数の第１の樹脂突起と、前記面の前記第１の辺と対向する第２の辺の近傍領域に配置された、前記第１の樹脂突起よりも少ない数の複数の第２の樹脂突起と、前記第１及び第２の樹脂突起上に形成された電気的接続部を有する、前記電極と電気的に接続された配線と、前記第２の辺の近傍領域に配置された突起部材と、を含む半導体装置と、
前記配線基板と前記半導体装置とを接着する接着剤と、
を含み、
前記突起部材は樹脂部材を含んで構成されており、
前記第１及び第２の樹脂突起と前記樹脂部材とは、前記半導体チップと前記配線基板とによって押しつぶされて弾性変形している。
【００３０】
本発明によると、半導体チップの第２の辺の近傍領域に樹脂部材が形成されている。そのため、半導体チップの第１の辺の近傍領域と第２の辺の近傍領域とで、弾性力の差を小さくすることができる。そのため、内部で不均一な応力が発生することを防止することが可能な、信頼性の高い電子デバイスを提供することができる。
【００３１】
（１６）本発明に係る電子デバイスの製造方法は、
ベース基板と、配線パターンとを有する配線基板を用意する工程と、
電極を有し、前記電極が形成された面の外形が矩形をなす、集積回路が形成された半導体チップと、前記面の第１の辺の近傍領域に配置された、複数の第１の凸部を有する第１の樹脂突起と、前記面の前記第１の辺と対向する第２の辺の近傍領域に配置された、複数の第２の凸部を有する第２の樹脂突起と、前記第１及び第２の凸部上に形成された電気的接続部を有する、前記電極と電気的に接続された配線と、前記第２の辺の近傍領域に配置された突起部材と、を含む半導体装置を用意する工程と、
前記配線基板に前記半導体装置を搭載して、前記配線パターンと前記電気的接続部とを接触させて電気的に接続する工程と、
前記配線基板と前記半導体装置とを接着する接着剤を形成する工程と、
を含み、
前記第１の凸部は前記第２の凸部よりも数が多く、
前記突起部材は樹脂部材を含んで構成されており、
前記配線基板に前記半導体装置を搭載する工程では、前記半導体チップと前記配線基板とによって、前記第１及び第２の凸部と前記樹脂部材とを弾性変形させる。
【００３２】
本発明では、半導体チップの第２の辺の近傍領域に樹脂部材が形成されている。そして、半導体装置を配線基板に搭載する工程では、半導体チップと配線基板とによって樹脂部材を弾性変形させる。そのため、半導体装置を配線基板等に搭載する工程で、樹脂部材によって第２の凸部の変形量を規制することができるため、第２の凸部が第１の凸部に比べて大きく変形することを防止することができる。
【００３３】
すなわち、本発明によると、第１及び第２の凸部が均等に弾性変形した信頼性の高い電子デバイスを容易に製造することが可能になる。
【００３４】
（１７）本発明に係る電子デバイスの製造方法は、
ベース基板と、配線パターンとを有する配線基板を用意する工程と、
電極を有し、前記電極が形成された面の外形が矩形をなす、集積回路が形成された半導体チップと、前記面の第１の辺の近傍領域に配置された複数の第１の樹脂突起と、前記面の前記第１の辺と対向する第２の辺の近傍領域に配置された、前記第１の樹脂突起よりも少ない数の複数の第２の樹脂突起と、前記第１及び第２の樹脂突起上に形成された電気的接続部を有する、前記電極と電気的に接続された配線と、前記第２の辺の近傍領域に配置された突起部材と、を含む半導体装置を用意する工程と、
前記配線基板に前記半導体装置を搭載して、前記配線パターンと前記電気的接続部とを接触させて電気的に接続する工程と、
前記配線基板と前記半導体装置とを接着する接着剤を形成する工程と、
を含み、
前記突起部材は樹脂部材を含んで構成されており、
前記配線基板に前記半導体装置を搭載する工程では、前記半導体チップと前記配線基板とによって、前記第１及び第２の樹脂突起と前記樹脂部材とを弾性変形させる。
【００３５】
本発明では、半導体チップの第２の辺の近傍領域に樹脂部材が形成されている。そして、半導体装置を配線基板に搭載する工程では、半導体チップと配線基板とによって樹脂部材を弾性変形させる。そのため、半導体装置を配線基板等に搭載する工程で、樹脂部材によって第２の樹脂突起の変形量を規制することができるため、第２の樹脂突起が第１の樹脂突起に比べて大きく変形することを防止することができる。
【００３６】
すなわち、本発明によると、第１及び第２の樹脂突起が均等に弾性変形した信頼性の高い電子デバイスを容易に製造することが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３７】
以下、本発明を適用した実施の形態について図面を参照して説明する。ただし、本発明は以下の実施の形態に限定されるものではない。また、本発明は、以下の内容を自由に組み合わせたものを含むものとする。
【００３８】
（第１の実施の形態）
１．半導体装置
以下、本発明を適用した第１の実施の形態に係る半導体装置１について説明する。図１（Ａ）〜図５（Ｃ）は、本実施の形態に係る半導体装置の構成、及び、その製造方法について説明するための図である。
【００３９】
（１）半導体装置の構成
以下、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置１の構成について説明する。図１（Ａ）〜図１（Ｃ）は、半導体装置１の構成について説明するための図である。ここで、図１（Ａ）は半導体装置１の上視図である。また、図１（Ｂ）は図１（Ａ）のIB−IB線断面の一部拡大図であり、図１（Ｃ）は図１（Ａ）のIC−IC線断面の一部拡大図である。
【００４０】
本実施の形態に係る半導体装置は、図１（Ａ）〜図１（Ｃ）に示すように、複数の電極１２が形成された半導体チップ１０を含む。半導体チップ１０は、例えばシリコンチップであってもよい。本実施の形態では、半導体チップ１０における電極１２が形成された面１５の外形は、矩形（長方形又は正方形）である。ただし、本発明はこれに限られるものではなく、以下の構成を、半導体ウエハ（図２（Ａ）参照）に拡張してもよい。半導体チップ１０には、集積回路１４が形成されていてもよい（図１（Ｂ）参照）。集積回路１４の構成は特に限定されないが、例えば、トランジスタ等の能動素子や、抵抗、コイル、コンデンサ等の受動素子を含んでいてもよい。
【００４１】
半導体チップ１０には、図１（Ａ）及び図１（Ｂ）に示すように、電極１２が形成されている。電極１２は、半導体チップ１０の内部と電気的に接続されていてもよい。電極１２は、集積回路１４と電気的に接続されていてもよい。あるいは、集積回路１４に電気的に接続されていない導電体（導電パッド）を含めて、電極１２と称してもよい。電極１２は、半導体基板の内部配線の一部であってもよい。このとき、電極１２は、半導体基板の内部配線のうち、外部との電気的な接続に利用される部分であってもよい。電極１２は、アルミニウム又は銅等の金属で形成されていてもよい。
【００４２】
本実施の形態では、電極１２は、面１５の長辺（第１及び第２の長辺１７，１９）の近傍領域のみに配置されていてもよい。このとき、面１５の第１の長辺１７の近傍領域に配置された電極１２の数は、第２の長辺１９の近傍領域に配置された電極１２の数よりも多くなっていてもよい。言い換えると、面１５の２つの長辺のうち、近傍領域に配置された電極１２の数が多い方を第１の長辺１７とし、電極１２の数が少ない方を第２の長辺１９と称してもよい。ただし、本発明はこれに限られるものではなく、電極１２は、面１５上のいずれの位置に配置されていてもよい。
【００４３】
なお、本実施の形態において、第１の長辺１７の近傍領域と第２の長辺１９の近傍領域とは、それぞれ、面１５を、長辺（第１及び第２の長辺１７，１９）と平行な直線で均等に２分割した際の、第１の長辺１７側の領域と第２の長辺１９側の領域とを指してもよい。あるいは、第１の長辺１７の近傍領域とは、第１の長辺１７と集積回路１４の形成領域との間の領域を指してもよい。また、第２の長辺１９の近傍領域とは、第２の長辺１９と集積回路１４の形成領域との間の領域を指していてもよい。なお、第１及び第２の長辺１７，１９は、面１５の一組の対辺である。
【００４４】
半導体チップ１０は、図１（Ｂ）及び図１（Ｃ）に示すように、パッシベーション膜１６を有していてもよい。パッシベーション膜１６は、電極１２を露出させるように形成される。なお、パッシベーション膜１６は、電極１２を部分的に覆うように形成されていてもよい。パッシベーション膜１６は、図１（Ｂ）に示すように、電極１２の周囲を覆うように形成されていてもよい。パッシベーション膜は、例えば、ＳｉＯ２やＳｉＮ等の無機絶縁膜であってもよい。あるいは、パッシベーション膜１６は、ポリイミド樹脂などの有機絶縁膜であってもよい。
【００４５】
本実施の形態に係る半導体装置は、図１（Ａ）〜図１（Ｃ）に示すように、複数の樹脂突起２０を含む。樹脂突起２０は、半導体チップ１０の面１５上に形成されている。樹脂突起２０は、図１（Ｂ）及び図１（Ｃ）に示すように、パッシベーション膜１６上に形成されていてもよい。樹脂突起２０は、平面視において、集積回路１４と重複する領域を避けて配置されていてもよい。樹脂突起２０は、特に、集積回路１４の能動素子（トランジスタ等）と重複しないように配置されていてもよい。
【００４６】
樹脂突起２０の形状は特に限定されるものではない。面１５の外形が矩形をなす場合、樹脂突起２０は、面１５のいずれかの辺に平行に延びる形状をなしていてもよい。例えば、面１５の外形が長方形である場合、樹脂突起２０は、長方形の長辺に沿って延びる形状をなしていてもよい。そして、樹脂突起２０は、長方形の長辺の周辺領域に配置されていてもよい。
【００４７】
本実施の形態では、樹脂突起２０は、第１の長辺１７に沿って延びる、第１の長辺１７の近傍領域に配置された第１の樹脂突起２２と、第２の長辺１９に沿って延びる、第２の長辺１９の近傍領域に配置された第２の樹脂突起２４とを含む。なお、第１及び第２の長辺１７，１９は、面１５の、一組の向かい合う対辺である。本実施の形態では、半導体装置は、第１及び第２の樹脂突起２２，２４を１つずつ有していてもよい。ただし、半導体装置は、複数の第１及び第２の樹脂突起２２，２４を有していてもよい（図示せず）。
【００４８】
本実施の形態では、第１及び第２の樹脂突起２２，２４は、それぞれ、複数の第１及び第２の凸部２６，２８を有する。ここで、第１及び第２の凸部２６，２８とは、第１及び第２の樹脂突起２２，２４のうち、後述する電気的接続部３２が配置される部分（電気的接続部３２を支持する部分）である。第１及び第２の凸部２６，２８は、断面（第１及び第２の長辺１７，１９と直交する平面で切断したときの断面）が同じ形状となっていてもよい。すなわち、第１及び第２の凸部２６，２８の断面は、底辺及び高さが等しくなっていてもよい。なお、本実施の形態では、第２の樹脂突起２４は、図１（Ｃ）に示すように、隣り合う第２の凸部２８の間が凹部となっている。同様に、第１の樹脂突起２２は、隣り合う第１の凸部２６の間が凹部となっている（図１（Ｃ）参照）。すなわち、第１及び第２の凸部２６，２８とは、第１及び第２の樹脂突起２２，２４の突出部分である。
【００４９】
なお、本実施の形態では、第１及び第２の樹脂突起２２，２４は、それぞれ、面１５の第１及び第２の長辺１７，１９の近傍領域に配置されている。そして、第１の凸部２６は第１の樹脂突起２２の一部であり、第２の凸部２８は第２の樹脂突起２４の一部である。このことから、本実施の形態に係る半導体装置は、面１５の第１の長辺１７の近傍領域に配置された複数の第１の凸部２６と、第２の長辺１９の近傍領域に配置された複数の第２の凸部２８とを有することになる。
【００５０】
本実施の形態では、第１の凸部２６は、第２の凸部２８よりも数が多い。すなわち、半導体チップ１０の面１５の第１の長辺１７の近傍領域に配置された凸部は、第２の長辺１９の近傍領域に配置された凸部よりも数が多い。そのため、本実施の形態に係る半導体装置では、第１の長辺１７の近傍領域に配置された電気的接続部３２が、第２の長辺１９の近傍領域に配置された電気的接続部３２よりも多くなる。
【００５１】
樹脂突起２０の材料は特に限定されず、既に公知となっているいずれかの材料を適用してもよい。例えば、樹脂突起２０は、ポリイミド樹脂、シリコーン変性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、シリコーン樹脂、変性ポリイミド樹脂、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ；benzocyclobutene）、ポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ；polybenzoxazole）等の樹脂で形成してもよい。
【００５２】
本実施の形態に係る半導体装置は、図１（Ａ）〜図１（Ｃ）に示すように、配線３０を含む。配線３０は、電極１２と電気的に接続されている。配線３０は、樹脂突起２０上を通るように形成されている。配線３０は、樹脂突起２０のうち、第１及び第２の凸部２６，２８上を通るように形成されている。そして、配線３０は、樹脂突起２０上に配置された電気的接続部３２を含む。すなわち、配線３０のうち、樹脂突起２０上（樹脂突起２０の上面）に配置された領域を指して、電気的接続部３２と称してもよい。なお、電気的接続部３２とは、配線３０のうち、他の電子部品の導電部（配線基板の配線パターンなど）との電気的な接続に利用される部分である。そして、本実施の形態に係る半導体装置では、電気的接続部３２は、樹脂突起２０の第１及び第２の凸部２６，２８上に配置される。
【００５３】
配線３０に適用可能な材料は特に限定されるものではない。配線３０は、例えば、Ａｕ、ＴｉＷ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｗ、ＮｉＶ、鉛フリーはんだなどによって構成されていてもよい。また、配線３０の構造も特に限定されるものではない。例えば、配線３０は複数層で形成されていてもよい。このとき、配線３０は、チタンタングステンによって形成された第１の層と、金によって形成された第２の層（最表層）とを含んでいてもよい（図示せず）。あるいは、配線３０は、単層で形成されていてもよい。配線３０は、パッシベーション膜１６と接触するように形成されていてもよい。配線３０は、電極１２上から樹脂突起２０を越えて、パッシベーション膜１６上に至るように形成されていてもよい。すなわち、配線３０は、樹脂突起２０の両側で、パッシベーション膜１６（面１５）と接触するように形成されていてもよい。
【００５４】
本実施の形態に係る半導体装置は、樹脂部材４０を含む。樹脂部材４０は、第２の長辺１９の近傍領域に配置される。樹脂部材４０は、第１の長辺１７の近傍領域を避けて、第２の長辺１９の近傍領域のみに設けられていてもよい。樹脂部材４０は、面１５のうち、集積回路１４（特にトランジスタ等の能動素子）と重複する領域を避けて配置されていてもよい。樹脂部材４０は、第２の長辺１９の近傍領域のうち面１５の角部付近に配置されていてもよい。樹脂部材４０は、第２の樹脂突起２４と面１５の短辺との間に配置されていてもよい。本実施の形態では、図１（Ａ）に示すように、２個の樹脂部材４０が、それぞれ、第２の樹脂突起２４の両側に配置されていてもよい。ただし、本発明に係る半導体装置はこれに限られるものではない。半導体装置は、２個以上の樹脂部材４０を有していてもよく、あるいは、樹脂部材４０を１個のみ有していてもよい。
【００５５】
本実施の形態では、図１（Ｃ）に示すように、樹脂部材４０の高さは、樹脂突起２０（第１及び第２の凸部２６，２８）の高さよりも高くなっていてもよい。このとき、樹脂部材４０の底面（面１５と対向する面）は、樹脂突起２０の底面よりも広くなっていてもよい。なお、樹脂突起２０及び樹脂部材４０の高さとは、樹脂突起２０及び樹脂部材４０の、半導体チップ１０の厚み方向（面１５と直交する方向）の大きさであってもよい。そして、樹脂突起２０の高さとは、樹脂突起２０の、面１５（パッシベーション膜１６）からの高さであってもよい。また、樹脂部材４０の高さとは、樹脂部材４０の、面１５からの高さであってもよい。ただし、本実施の形態に係る半導体装置では、樹脂部材４０は、樹脂突起２０よりも高さが低くなっていてもよい。
【００５６】
樹脂部材４０の材料は特に限定されないが、既に公知となっているいずれかの材料を利用してもよい。樹脂部材４０は、樹脂突起２０と同じ材料で構成してもよい。あるいは、樹脂部材４０は、樹脂突起２０よりも硬い材料で構成されていてもよい。例えば、樹脂突起２０をフェノール樹脂で構成し、樹脂部材４０をポリイミド樹脂又はアクリル樹脂で構成してもよい。
【００５７】
本実施の形態に係る半導体装置は、樹脂部材４０を覆う金属層４２をさらに含んでいてもよい。金属層４２は、樹脂部材４０の表面をすべて覆うように形成されていてもよい。あるいは、金属層４２は、樹脂部材４０の側面を避けて、樹脂部材４０の上面のみを覆うように形成されていてもよい。金属層４２の構成は特に限定されないが、金属層４２は、配線３０と同じ組成で構成されていてもよい。なお、金属層４２は、半導体チップ１０の内部（集積回路１４）と電気的に接続されていない導体であってもよい。ただし、金属層４２は、集積回路１４と電気的に接続されていてもよい。金属層４２は、例えば、半導体装置の電源層やグランド層と電気的に接続されていてもよい。あるいは、本実施の形態に係る半導体装置は、樹脂部材４０を覆う金属層を有しない構成であってもよい（図示せず）。
【００５８】
なお、本実施の形態では、樹脂部材４０と金属層４２とをあわせて、突起部材４５と称してもよい。そして、本実施の形態では、突起部材４５は、第１及び第２の凸部２６，２８よりも高さが高くなっていてもよい。
【００５９】
本実施の形態に係る半導体装置１は、以上の構成を備えていてもよい。なお、半導体装置１が奏する作用効果については後述する。
【００６０】
（２）半導体装置の製造方法
以下、本実施の形態に係る半導体装置１の製造方法について説明する。図２（Ａ）〜図５（Ｃ）は、半導体装置１を製造する方法について説明するための図である。
【００６１】
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、図２（Ａ）〜図２（Ｃ）に示す、半導体基板１１を用意することを含む。ここで、図２（Ａ）は半導体基板１１の概略図であり、図２（Ｂ）は半導体基板１１の上視図であって領域１００を示す図である。また、図２（Ｃ）は、図２（Ｂ）のIIC−IIC線断面図である。
【００６２】
半導体基板１１は、図２（Ａ）に示すように、ウエハ状をなす。そして、ウエハ状の半導体基板１１は、複数の半導体チップ１０となる領域１００を有する。ただし、半導体基板として半導体チップ（図１（Ａ）参照）を用意して以下の各工程を行ってもよい。半導体基板１１には、図２（Ｂ）及び図２（Ｃ）に示すように、電極１２が形成されている。また、半導体基板１１は、パッシベーション膜１６を有していてもよい。
【００６３】
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、図３（Ａ）〜図４（Ｃ）に示すように、半導体基板１１に樹脂突起２０及び樹脂部材４０を形成することを含む。以下、樹脂突起２０及び樹脂部材４０を形成する工程について説明する。
【００６４】
はじめに、図３（Ａ）〜図３（Ｃ）に示すように、半導体基板１１に樹脂材料２５を設ける。樹脂材料２５は、半導体基板１１のうち、樹脂突起２０及び樹脂部材４０が形成される領域に配置する。樹脂材料２５を設ける方法は特に限定されるものではないが、例えば、樹脂材料２５は、半導体基板１１の全面に樹脂材料を設けた後に、これをパターニングすることによって形成してもよい。樹脂材料２５は、例えば加熱することによって硬化する熱硬化型の材料であってもよい。
【００６５】
本実施の形態では、樹脂材料２５を、樹脂部材４０となる領域の底面が、樹脂突起２０となる領域の底面よりも広くなるように設けてもよい。詳しくは、樹脂材料２５を、樹脂部材４０となる領域の底面の短辺Ｗ２が、樹脂突起２０となる領域の底面の短辺Ｗ１よりも長くなるように設けてもよい。
【００６６】
そして、樹脂材料２５を硬化させて、図４（Ａ）〜図４（Ｃ）に示すように、樹脂突起２０及び樹脂部材４０を形成する。樹脂材料２５の溶融条件や、硬化条件を調整することによって、樹脂突起２０及び樹脂部材４０の形状（上面の形状）を制御することができる。例えば、樹脂材料２５を、表面のみが溶融し、中心が溶融しないように（半溶融状態まで）加熱し、その後硬化させることによって、図４（Ｂ）に示すように、上面が凸曲面となるように、樹脂突起２０及び樹脂部材４０を形成することができる。
【００６７】
また、樹脂材料２５を、樹脂部材４０となる領域の底面の短辺Ｗ２が樹脂突起２０となる領域の底面の短辺Ｗ１よりも広くなるようにパターニングすることで、図４（Ｃ）に示すように、樹脂部材４０を、樹脂突起２０よりも高くなるように形成することができる。
【００６８】
なお、本実施の形態では、樹脂突起２０と樹脂部材４０とを一括して形成する方法について説明したが、本発明はこれに限られるものではない。すなわち、樹脂突起２０及び樹脂部材４０は、別の工程で形成してもよい。また、樹脂突起２０（第１及び第２の樹脂突起２２，２４）と樹脂部材４０とは、同じ材料で形成してもよく、異なる材料で形成してもよい。
【００６９】
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、図５（Ａ）〜図５（Ｃ）に示すように、配線３０及び金属層４２を形成することを含む。配線３０及び金属層４２を形成する工程は特に限定されず、既に公知となっているいずれかの方法を適用してもよい。例えば、半導体基板１１に金属層を形成し、これをパターニングすることによって、配線３０及び金属層４２を形成してもよい。あるいは、配線３０は、インクジェット法やメッキ法を適用して形成してもよい。配線３０及び金属層４２は、同時に形成してもよいが、別工程で形成してもよい。
【００７０】
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、樹脂突起２０における配線３０からの露出領域を部分的に除去する工程をさらに含んでいてもよい。これにより、樹脂突起２０に凹部が形成され、樹脂突起２０を、凸部（第１及び第２の凸部２６，２８）を有する形状とすることができる（図１（Ａ）〜図１（Ｃ）参照）。なお、樹脂部材４０が金属層４２に覆われている場合、本工程で、樹脂部材４０がエッチングされることを防止することができる。これにより、樹脂部材４０の高さが維持され、突起部材４５を設計通りの形状（高さ）に形成することが可能になる。
【００７１】
そして、半導体基板１１を切断する工程や、検査工程などをさらに経て、図１（Ａ）〜図１（Ｃ）に示す、半導体装置１を製造することができる。
【００７２】
２．電子デバイス
以下、本発明を適用した実施の形態に係る電子デバイス２について説明する。図６（Ａ）〜図１１は、本発明を適用した実施の形態に係る電子デバイス２について説明するための図である。
【００７３】
（１）電子デバイスの製造方法
以下、本発明を適用した実施の形態に係る電子デバイス２の製造方法について説明する。図６（Ａ）〜図８（Ｂ）は、本発明を適用した実施の形態に係る電子デバイスの製造方法について説明するための図である。
【００７４】
本実施の形態に係る電子デバイスの製造方法は、半導体装置１を用意することを含む。半導体装置１は、上述したいずれかの構成をなす。
【００７５】
本実施の形態に係る電子デバイスの製造方法は、配線基板５０を用意することを含む。以下、配線基板５０の構成について説明する。
【００７６】
配線基板５０は、ベース基板５２と、配線パターン５４とを含む。ベース基板５２（配線基板５０）は、電気光学パネル（液晶パネル・エレクトロルミネッセンスパネル等）の一部であってもよい。このとき、ベース基板５２は、例えば、セラミック基板やガラス基板であってもよい。また、配線パターン５４の材料についても特に限定されるものではないが、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、Ｃｒ、Ａｌなどの金属膜、金属化合物膜、又は、これらの複合膜によって形成されていてもよい。なお、配線パターン５４は、液晶を駆動する電極（走査電極、信号電極、対向電極等）に電気的に接続されていてもよい。ただし、配線基板５０は、樹脂基板であってもよい。
【００７７】
本実施の形態に係る電子デバイスの製造方法は、配線基板５０に半導体装置１を搭載することを含む。本工程では、配線基板５０に半導体装置１を搭載して、電気的接続部３２と配線パターン５４とを接触させて電気的に接続させる。なお、本工程では、突起部材４５（金属層４２）を配線基板５０に接触させてもよい。以下、図６（Ａ）〜図８（Ｂ）を参照して、配線基板５０に半導体装置１を搭載する工程（電子デバイスの製造方法）について説明する。
【００７８】
はじめに、図６（Ａ）及び図７（Ａ）に示すように、半導体装置１と配線基板５０とを間隔をあけて配置して、両者の位置合わせを行う。例えば、半導体装置１を配線基板５０の上方に配置して、半導体装置１の電気的接続部３２（樹脂突起２０）と配線基板５０の配線パターン５４とが対向するように位置合わせをする。
【００７９】
例えば、図示しない治具（ボンディングツール）によって、半導体装置１を保持し、半導体装置１と配線基板５０との位置合わせを行ってもよい。なお、治具にはヒータが内蔵されていてもよく、これにより、半導体装置１を加熱してもよい。半導体装置１を加熱することによって、電気的接続部３２が加熱され、電気的接続部３２と配線パターン５４とを確実に電気的に接続することができる。
【００８０】
なお、半導体装置１と配線基板５０との間には、予め、接着材料７２を設けておいてもよい。接着材料７２は、ペースト状あるいはフィルム状で設けてもよい。接着材料７２は、導電粒子などを含まない絶縁性の材料（ＮＣＰ，ＮＣＦ）であってもよい。接着材料７２は、例えば、配線基板５０上に設けてもよい。
【００８１】
その後、半導体装置１と配線基板５０とを近接させる。本実施の形態では、突起部材４５の高さは、樹脂突起２０（第１及び第２の凸部２６，２８）よりも高い。そのため、半導体装置１と配線基板５０とを近接させると、図６（Ｂ）に示すように、はじめに、突起部材４５（金属層４２）が配線基板５０に接触する。なお、突起部材４５は、配線基板５０のうち、ベース基板５２に接触させてもよく、配線パターン５４に接触させてもよい。
【００８２】
本実施の形態では、樹脂部材４０を弾性変形させながら半導体装置１と配線基板５０とをさらに近接させる。これにより、図６（Ｃ）及び図７（Ｂ）に示すように、配線３０（電気的接続部３２）と配線パターン５４とが接触する。
【００８３】
本実施の形態では、図６（Ｄ）及び図７（Ｃ）に示すように、半導体装置１と配線基板５０とをさらに近接させて、半導体チップ１０と配線基板５０とによって樹脂突起２０（第１及び第２の凸部２６，２８）を押しつぶして、これを弾性変形させる。これによると、樹脂突起２０（第１及び第２の凸部２６，２８）の弾性力によって、電気的接続部３２と配線パターン５４とを押し付けることができるため、電気的な接続信頼性の高い電子デバイスを製造することができる。
【００８４】
本工程では、半導体装置１と配線基板５０とを近接させて、第１及び第２の樹脂突起２２，２４の凹部（第１及び第２の凸部２６，２８の間の領域）を配線基板５０に接触させてもよい。また、本工程では、半導体装置１と配線基板５０とによって、接着材料７２を流動させながら、半導体装置１と配線基板５０とを近接させてもよい。これにより、半導体装置１（半導体チップ１０）と配線基板５０との間に、接着材料７２を充填させてもよい（図６（Ｄ）及び図７（Ｃ）参照）。
【００８５】
なお、本実施の形態では、半導体装置１を配線基板５０に実装する工程で、半導体装置１と配線基板５０とを一度傾かせてもよい。例えば、樹脂部材４０（突起部材４５）が第１及び第２の凸部２６，２８よりも高いことを利用して、半導体装置１と配線基板５０とを傾かせてもよい。
【００８６】
詳しくは、半導体装置１と配線基板５０とを近接させると、突起部材４５が配線基板５０に接触する（図６（Ｂ）参照）。突起部材４５が半導体チップ１０の第２の長辺１９の近傍領域に配置されていることから、突起部材４５が配線基板５０に接触すると、突起部材４５の弾性力が、第２の長辺１９が配線基板５０に近接することを規制する力となる。そのため、半導体装置１と配線基板５０とをさらに押圧すると、図８（Ａ）に示すように、第１の長辺１７（のみ）を配線基板５０に近接させることができ、半導体装置１と配線基板５０とを傾かせることができる。
【００８７】
そして、半導体装置１と配線基板５０とをさらに押圧すると、第１の凸部２６が配線基板５０に接触し、第１の凸部２６の弾性力が、半導体チップ１０の第１の長辺１７が配線基板５０に近接することを規制する力となる。そのため、半導体装置１と配線基板５０とをさらに押圧することで、第２の長辺１９を配線基板５０に近接させることができ、図８（Ｂ）に示すように、半導体装置１と配線基板５０とが平行になるように、半導体装置１を配線基板５０に実装することができる。
【００８８】
かかる工程を経ることによって、接着材料７２の流動方向を規制することができるため、半導体装置１と配線基板５０との間に、接着材料７２を効率よく充填させることが可能になる。
【００８９】
ただし、本発明では、半導体装置１と配線基板５０とが常に平行を保つように、半導体装置１を配線基板５０に実装する工程を行ってもよい（図６（Ａ）〜図７（Ｄ）参照）。
【００９０】
そして、半導体装置１と配線基板５０との間に、接着剤７０を形成する（図６（Ｅ）及び図７（Ｄ）参照）。接着剤７０は、接着材料７２を硬化させることによって形成してもよい。接着剤７０によって、半導体装置１と配線基板５０とを接着（固着）する。接着剤７０によって半導体チップ１０と配線基板５０との間隔を維持し、樹脂突起２０が弾性変形した状態を維持してもよい。また、接着剤７０によって、樹脂部材４０が弾性変形した状態を維持してもよい。例えば、樹脂突起２０及び樹脂部材４０が弾性変形した状態で接着剤７０を形成することで、樹脂突起２０及び樹脂部材４０が弾性変形した状態を維持することができる。
【００９１】
以上の工程によって、図６（Ｅ）及び図７（Ｄ）に示すように、電子デバイス２を製造してもよい。
【００９２】
（２）電子デバイス２の構成
以下、電子デバイス２の構成について説明する。
【００９３】
電子デバイス２は、半導体装置１を有する。電子デバイス２は、また、配線基板５０を有する。そして、電子デバイス２によると、半導体装置１は、配線基板５０に搭載されている。半導体装置１は、電気的接続部３２が配線パターン５４と接触するように、配線基板５０に搭載されている。半導体装置１は、また、突起部材４５（金属層４２）が配線基板５０と接触するように、配線基板５０に搭載されている。電子デバイス２は、半導体装置１と配線基板５０とを接着する接着剤７０を含んでいてもよい。電子デバイス２では、樹脂突起２０（第１及び第２の凸部２６，２８）及び樹脂部材４０が、半導体チップ１０と配線基板５０とによって押しつぶされ、弾性変形している。
【００９４】
なお、電子デバイス２は、表示デバイス（パネルモジュール）であってもよい。そして、図９に、表示デバイスとしての電子デバイス２の概略図を示す。表示デバイスは、例えば液晶表示デバイスやＥＬ（Electrical Luminescence）表示デバイスであってもよい。そして、半導体装置１（半導体チップ）は、表示デバイスを制御するドライバＩＣであってもよい。
【００９５】
また、図１０及び図１１には、電子デバイス２を有する電子機器の一例として、ノート型パーソナルコンピュータ１０００及び携帯電話２０００を示す。
【００９６】
３．効果
先に説明したように、半導体装置１は、複数の第１の凸部２６と、複数の第２の凸部２８とを有する。そして、半導体装置１を配線基板５０に実装する際には、半導体チップ１０と配線基板５０とによって第１及び第２の凸部２６，２８を押圧して弾性変形させる。第１の凸部２６と第２の凸部２８の数が違う場合には、第１の凸部２６と第２の凸部２８との弾性力に差が出るため、半導体装置１が突起部材４５を有しない場合には、半導体装置１を配線基板５０に搭載する工程で、第２の凸部２８が第１の凸部２６よりも大きく変形し、半導体装置１が配線基板５０に対して傾いて実装される事態が発生することが予想される。
【００９７】
しかし、半導体装置１によると、樹脂突起２０（第１及び第２の凸部２６，２８）の弾性力で電気的接続部３２を配線パターン５４に押し付けることによって、電気的接続部３２と配線パターン５４との電気的な接続信頼性を確保する。そのため、電子デバイスの信頼性を高めるためには、すべての電気的接続部３２が、均一の力（弾性力）で配線パターン５４に押し付けられていることが好ましい。すなわち、電子デバイスの信頼性を高めるためには、半導体装置１と配線基板５０とが平行になるように、半導体装置１を配線基板５０に実装することが重要である。また、半導体装置１と配線基板５０とが平行になっていると、すべての樹脂突起２０（第１及び第２の凸部２６，２８）が均一に変形しているとみなすことができる。そのため、樹脂突起２０の一部に大きな力が加わることが防止され、樹脂突起２０の破壊や、樹脂突起２０が塑性変形してしまうことを防止することができるため、電子デバイスの信頼性を高めることができる。
【００９８】
ところで、半導体装置１は、第２の辺（第２の長辺１９）の近傍領域に配置された樹脂部材４０（突起部材４５）を有する。そのため、樹脂部材４０によって第２の凸部２８の変形を規制することが可能になり、半導体装置１が配線基板５０に対して傾いて実装されることを防止することができる。このことから、本発明によると、半導体装置と配線基板とが平行な信頼性の高い電子デバイスを、効率よく製造することが可能な半導体装置を提供することが可能になる。
【００９９】
なお、突起部材４５（樹脂部材４０）が集積回路１４と重複しない領域に配置されている場合、半導体装置１を配線基板５０に向けて押圧しても、集積回路１４に大きな圧力が加えられることを防止することができる。そのため、集積回路１４の特性を維持することが可能で、さらに信頼性の高い電子デバイスを製造することが可能になる。
【０１００】
また、突起部材４５（樹脂部材４０）の高さが樹脂突起２０（第１の凸部２６）よりも高い場合には、半導体装置１を配線基板５０に実装する工程で、半導体装置１と配線基板５０とを傾かせることができる（図８（Ａ）参照）。これにより、接着材料７２の流動方向を規制することができるため、半導体装置１と配線基板５０との間に、効率よく確実に、接着材料７２を充填させることが可能になる。そのため、内部に気泡を有しないように、接着剤７０を形成することができる。
【０１０１】
また、本発明によると、電子デバイス２は、半導体チップ１０と配線基板５０とによって、第１及び第２の凸部２６，２８と樹脂部材４０とが押しつぶされて、弾性変形している。そのため、第１及び第２の凸部２６，２８の数が違う場合でも、第１の長辺１７の近傍領域での弾性力と、第２の長辺１９の近傍領域での弾性力との差を小さくすることができる。そのため、内部で不均一な応力が発生することを防止することが可能な、信頼性の高い電子デバイスを提供することができる。
【０１０２】
４．変形例
本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び効果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【０１０３】
以下、本発明を適用した実施の形態の具体的な変形例について説明する。
【０１０４】
（１）第１の変形例
図１２は、本発明を適用した実施の形態の第１の変形例に係る半導体装置３の構成について説明するための図である。
【０１０５】
半導体装置３は、樹脂部材６０を有する。樹脂部材６０は、図１２に示すように、第２の凸部２８よりも高さが低い。なお、樹脂部材６０の高さは、樹脂突起２０の凹部（第２の凸部２８の間の領域）と同じ高さであってもよい。また、樹脂部材６０には金属層が形成されていなくてもよい。これによっても、半導体装置１と同様の効果を奏することができるため、信頼性の高い電子デバイスを効率よく製造することが可能な半導体装置を提供することができる。
【０１０６】
また、半導体装置３によると、半導体装置３を配線基板５０に実装する工程で、半導体装置３と配線基板５０とを傾かせることができる。詳しくは、半導体装置３では、第１の凸部２６は第２の凸部２８よりも数が多い。そのため、第１の凸部２６の弾性力が第２の凸部２８の弾性力よりも大きくなり、第２の長辺１９が第１の長辺１７よりも配線基板５０に近づくように、半導体装置３を傾斜させることができる。そして、半導体装置３と配線基板５０とをさらに押圧すると、樹脂部材６０が配線基板５０に接触するため第２の長辺１９側の弾性力が大きくなる。これにより、第２の長辺１９が配線基板５０に近接することを規制する力が大きくなり、半導体装置３を、配線基板５０と平行になるように実装することができる。そのため、半導体装置３を配線基板５０に実装する工程で、接着材料７２の流動方向を制御することができる。
【０１０７】
（２）第２の変形例
図１３は、本発明を適用した実施の形態の第２の変形例に係る半導体装置４の構成について説明するための図である。
【０１０８】
半導体装置４は、樹脂部材６２を有する。樹脂部材６２は、図１３に示すように、第２の凸部２８と同じ高さに形成されている。そして、樹脂部材６２の上面は、金属層６４によって覆われている。言い換えると、半導体装置４は、樹脂部材６２を覆う金属層６４を有する。ここで、金属層６４は、いわゆるダミー配線であってもよい。すなわち、金属層６４は、集積回路１４と電気的に接続されていない導電体であってもよい。これによっても、半導体装置１と同様の効果を奏することができるため、信頼性の高い電子デバイスを効率よく製造することが可能な半導体装置を提供することができる。
【０１０９】
（第２の実施の形態）
以下、本発明を適用した第２の実施の形態について、図面を参照して説明する。なお、図１４（Ａ）及び図１４（Ｂ）は、本発明を適用した第２の実施の形態に係る半導体装置５について説明するための図である。なお、図１４（Ａ）は半導体装置５の平面図であり、図１４（Ｂ）は図１４（Ａ）のXIVB−XIVB線断面の一部拡大図である。
【０１１０】
本実施の形態に係る半導体装置は、図１４（Ａ）に示すように、半導体チップ１０の第１の長辺１７の近傍領域に配置された複数の第１の樹脂突起８２と、第２の長辺１９の近傍領域に配置された複数の第２の樹脂突起８４とを有する。なお、第１の樹脂突起８２は、第２の樹脂突起８４よりも数が多い。第１及び第２の樹脂突起８２，８４は、図１４（Ａ）に示すように、平面視において円形をなしていてもよい。第１及び第２の樹脂突起８２，８４は、半球状をなしていてもよい。なお、ここで言う半球状とは、厳密な半球形状のみならず、これに類する形状を含むものとする。
【０１１１】
そして、本実施の形態では、第１及び第２の樹脂突起８２，８４上には、図１４（Ａ）及び図１４（Ｂ）に示すように、電気的接続部３２が配置される。本実施の形態では、それぞれの第１及び第２の樹脂突起８２，８４に、１つの電気的接続部３２のみが配置されてもよい。
【０１１２】
本実施の形態に係る半導体装置は、図１４（Ａ）及び図１４（Ｂ）に示すように、樹脂部材９０を有する。樹脂部材９０は、面１５の第２の辺１９の近傍領域に配置される。樹脂部材９０は、図１４（Ｂ）に示すように、第２の樹脂突起８４と異なる高さになるように形成されていてもよい。樹脂部材９０の高さは、第２の樹脂突起８４よりも高くてもよい。また、樹脂部材９０の底面（半導体チップ１０と対向する面）は、第２の樹脂突起８４（第１の樹脂突起８２）の底面の形状と異なる形状となっていてもよい。樹脂部材９０の底面と第２の樹脂突起８４の底面とは、相似形をなしていてもよい。例えば、樹脂部材９０の底面は、第２の樹脂突起８４の底面よりも径の大きい円形であってもよい（図１４（Ａ）参照）。ただし、樹脂部材９０は、第２の樹脂突起８４と同じ高さであってもよく、第２の樹脂突起８４よりも高さが低くなっていてもよい。
【０１１３】
この半導体装置５によっても、上記と同様の効果を奏することができるため、信頼性の高い電子デバイスを効率よく製造することが可能な半導体装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１１４】
【図１】第１の実施の形態に係る半導体装置について説明するための図。
【図２】半導体装置の製造方法について説明するための図。
【図３】半導体装置の製造方法について説明するための図。
【図４】半導体装置の製造方法について説明するための図。
【図５】半導体装置の製造方法について説明するための図。
【図６】電子デバイスの製造方法について説明するための図。
【図７】電子デバイスの製造方法について説明するための図。
【図８】電子デバイスの製造方法について説明するための図。
【図９】電子デバイスの一例としてのパネルモジュールを示す図。
【図１０】電子機器の一例を示す図。
【図１１】電子機器の一例を示す図。
【図１２】変形例に係る半導体装置について説明するための図。
【図１３】変形例に係る半導体装置について説明するための図。
【図１４】第２の実施の形態に係る半導体装置について説明するための図。
【符号の説明】
【０１１５】
１…半導体装置、  ２…電子デバイス、  ３…半導体装置、  ４…半導体装置、  ５…半導体装置、  １０…半導体チップ、  １１…半導体基板、  １２…電極、  １４…集積回路、  １５…面、  １６…パッシベーション膜、  １７…第１の長辺、  １９…第２の長辺、  ２０…樹脂突起、  ２２…第１の樹脂突起、  ２４…第２の樹脂突起、  ２５…樹脂材料、  ２６…第１の凸部、  ２８…第２の凸部、  ３０…配線、  ３２…電気的接続部、  ４０…樹脂部材、  ４２…金属層、  ４５…突起部材、  ５０…配線基板、  ５２…ベース基板、  ５４…配線パターン、  ６０…樹脂部材、  ６２…樹脂部材、  ６４…金属層、  ７０…接着剤、  ７２…接着材料、  ８２…第１の樹脂突起、  ８４…第２の樹脂突起、  ９０…樹脂部材、  １００…領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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