(57)【要約】      （修正有）【課題】磁気インピーダンス効果センサの検出感度の向上、検出領域の拡大を図る。【解決手段】磁気インピーダンス効果素子１に鉄芯１０３が磁気ループ回路を構成するように設けられ、該鉄芯に負帰還用コイル６とバイアス磁界用コイル７とが巻装されてなるコイル付き磁気インピーダンス効果素子１を複数箇、磁気インピーダンス効果素子１，１を縦列に、しかも磁気インピーダンス効果素子１の感磁軸方向の相互間隔を磁気インピーダンス効果素子１の長さよりも短くして配設した。【選択図】図１−３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気インピーダンス効果素子に鉄芯が磁気ループ回路を構成するように設けられ、該鉄芯に負帰還用コイルとバイアス磁界用コイルとが巻装されてなるコイル付き磁気インピーダンス効果素子を複数箇、磁気インピーダンス効果素子を縦列に、しかも磁気インピーダンス効果素子の感磁軸方向の相互間隔を磁気インピーダンス効果素子の長さよりも短くして配設したことを特徴とする磁気インピーダンス効果センサヘッド。
【請求項２】
磁気インピーダンス効果素子の感磁軸方向の相互間隔が磁気インピーダンス効果素子の長さの１／４以下とされていることを特徴とする請求項１記載の磁気インピーダンス効果センサヘッド。
【請求項３】
請求項１または２記載の磁気インピーダンス効果センサヘッドを有し、コイル付き磁気インピーダンス効果素子が直列に接続され、磁気インピーダンス効果に加わる被検出磁界を検波して検出する回路が搭載された本体部に前記の磁気インピーダンス効果センサヘッドが導体継手により連結されていることを特徴とする磁気インピーダンス効果センサ。
【請求項４】
請求項１または２記載の磁気インピーダンス効果センサヘッドを有し、コイル付き磁気インピーダンス効果素子が２個とされ、各磁気インピーダンス効果素子に加わる被検出磁界を検波し、その検波を差動増幅して検出する回路を備えた本体部に前記の磁気インピーダンス効果センサヘッドが導体継手により連結されていることを特徴とする磁気インピーダンス効果センサ。
【請求項５】
請求項１または２記載の磁気インピーダンス効果センサヘッドを二箇備え、各センサヘッドの磁気インピーダンス効果素子が直列に接続され、各センサヘッドの磁気インピーダンス効果素子に加わる被検出磁界を検波し、その検波を差動増幅して検出する回路を備えた本体部に前記の磁気インピーダンス効果センサヘッドが同じ向きで異なる位置に導体継手により連結されていることを特徴とする磁気インピーダンス効果センサ。
【請求項６】
磁気的に検査される被検出面に、磁気インピーダンス効果センサヘッドにおける磁気インピーダンス効果素子の取り付けられた側の面が対面するようにされていることを特徴とする請求項３〜５何れか記載の磁気インピーダンス効果センサ。
【請求項７】
磁気的被検査面に磁気インピーダンス効果センサヘッドを近接させ磁気インピーダンス効果センサを磁気的被検査面に相対的に移動させて磁気的に検査する方法において、請求項３〜６何れか記載の磁気インピーダンス効果センサを使用し、磁気インピーダンス効果センサヘッドの磁気インピーダンス効果素子の方向を前記移動方向に対し直角の方向とすることを特徴とする磁気的検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は磁気インピーダンス効果素子を用いたセンサ及びそのセンサヘッド並びにそのセンサを使用する磁気的検査方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
アモルファス合金ワイヤとして、自発磁化の方向がワイヤ周方向に対し互いに逆方向の磁区が交互に磁壁で隔てられた構成の外殻部を有する、零磁歪乃至は負磁歪のアモルファス合金ワイヤが開発されている。
かかる零磁歪乃至は負磁歪のアモルファス磁性ワイヤに高周波電流を流したときに発生するワイヤ両端間出力電圧中のインダクタンス電圧分は、ワイヤの横断面内に生じる円周方向磁束によって上記の円周方向に易磁化性の外殻部が円周方向に磁化されることに起因して発生する。従って、周方向透磁率μθは同外殻部の円周方向の磁化に依存する。
而るに、この通電中のアモルファスワイヤに外部磁界を作用させると、上記通電による円周方向磁束と外部磁束との合成により、上記円周方向に易磁化性を有する外殻部に作用する磁束の方向が円周方向からずれ、それだけ円周方向への磁化が生じ難くなり、上記周方向透磁率μθが変化し、上記インダクタンス電圧分が変動することになる。
而して、この変動現象が磁気インダクタンス効果と称され、この効果を奏するアモルファスワイヤ等が磁気インダクタンス効果素子と称されている。
【０００３】
更に、上記通電電流の周波数がＭＨｚオ−ダになると、高周波表皮効果が大きく現れ、表皮深さδ＝（２ρ／wμθ）１／２（μθは前記した通り、円周方向透磁率、ρは電気抵抗率、wは角周波数をそれぞれ示す)がμθにより変化し、このμθが前記した通り、外部磁界によって変化するので、ワイヤ両端間出力電圧中の抵抗電圧分も外部磁界で変動するようになる。
而して、この変動現象が磁気インピーダンス効果と称され、この効果を奏するアモルファスワイヤ等が磁気インピーダンス効果素子と称されている。
【０００４】
そこで、この磁気インピーダンス効果素子を利用した外部磁界検出法（例えば、特許文献１参照）及び磁気インダクタンス効果を使用した外部磁界検出方法（例えば、特許文献２参照）が提案されている。
【０００５】
上記において、外部磁界の正負により上記磁界の周方向ずれφにも正負が生じるが、周方向の磁界の減少倍率cos(±φ)は変わらず、従ってμθの減少度は外部磁界の方向の正負によっては変化されない。従って、外部磁界−出力特性は磁界をｘ軸に、出力をｙ軸にとると、図４の（イ）に示すように、ｙ軸に対してほぼ左右対称となる。また、図４の（イ）に示すように、非線形になる。
【０００６】
この磁気インピーダンス効果素子を使用した磁界検出回路は、基本的には、図５−１に示すように（１）磁気インピーダンス効果素子１’に高周波励磁電流を加えるための高周波電流源２’と、（２）磁気インピーダンス効果素子１’と、（３）磁気インピーダンス効果素子に加わる外部磁界Ｈｅｘで前記高周波励磁電流（搬送波）を変調させた変調波を復調する検波回路３’と、（４）復調波を増幅する増幅器４’と、（５）検出出力端５’等から構成されている。
図５−２の（イ）は磁気インピーダンス効果素子に加えられる被検出磁界（外部磁界）Ｈｅｘを、（ロ）は磁気インピーダンス効果素子に流される高周波励磁電流波（搬送波）Ｉｃを、（ハ）は磁気インピーダンス効果素子の出力としての変調波を、（ニ）は復調波をそれぞれ示している。
【０００７】
被検出磁界の振幅Ｈｅｘと出力Ｅｏｕｔの振幅との関係を図示すると前記の左右対称性及び非線形性から図４の（イ）のように表わすことができる。
そこで、図５−１の回路において、６’で示す負帰還用コイルで負帰還をかけて図４の（ロ）に示すように特性を直線化することが行われている。
更に、図４の（ハ）に示すように、図４の（ロ）の特性を、図４の（ハ）に示すようにバイアス磁界により矢印方向に移動させ、極性判別可能とすることも行われている。
図５−１において、７’はバイアス磁界用コイルを示している。
【０００８】
図６の（イ）及び（ロ）は前記磁気インピーダンス効果センサにおける公知のコイル付き磁気インピーダンス効果素子を示し、図６の（イ）に示すものでは、磁気インピーダンス効果素子１’に負帰還用コイル６’とバイアス磁界用コイル７’とを巻き付けてあり、図６の（ロ）に示すものでは、基板１００’の片面に磁気インピーダンス効果素子１’を配設し、基板の他面に鉄芯１０３’を前記磁気インピーダンス効果１’とで磁気ループ回路を構成するように配設し、該鉄芯１０３’に負帰還用コイル６’とバイアス磁界用コイル７’とを巻き付けてある（特許文献３）。
【特許文献１】特開平７−１８１２３９号公報
【特許文献２】特開平６−２８３３４４号公報
【特許文献３】特開２００２−２８９９４０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
図６の（イ）に示すコイル付き磁気インピーダンス効果素子では、ｈ’で示すように素子の中間から素子の軸方向に磁束が侵入しようとしても、コイルに渦電流が発生してその磁束が打ち消されるために、磁束は主に磁気インピーダンス効果素子の両端から素子内軸方向に通過する。
これに対し、図６の（ロ）に示すコイル付き磁気インピーダンス効果素子では、素子の両端のみならず、素子の中間表面からも磁束が素子内軸方向に通過する。
従って、図６の（ロ）に示すコイル付き磁気インピーダンス効果素子は、図６の（イ）に示すコイル付き磁気インピーダンス効果素子よりも、被検出磁束のピックアップ量が多く、検出感度に優れている。また、１個の磁気インピーダンス効果素子で磁気的検出できる領域が広大である。
【００１０】
ところで、磁気インピーダンス効果素子の長さは製作上制約される。例えば、磁気インピーダンス効果素子の両端を電極に接続するには、磁気インピーダンス効果素子の片端に＋電極を、他端に−電極を当接して溶接電流を通電する溶接法が使用され、通電抵抗上、素子の長さが制約される。通常６ｍｍ以下とされている。
従って、図６の（ロ）に示すコイル付き磁気インピーダンス効果素子でも、前記した検出感度の向上や検出領域の拡大に制限がある。
【００１１】
本発明の目的は、磁気インピーダンス効果センサの検出感度の向上、検出領域の拡大を図ることにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
請求項１に係る磁気インピーダンス効果センサヘッドは、磁気インピーダンス効果素子に鉄芯が磁気ループ回路を構成するように設けられ、該鉄芯に負帰還用コイルとバイアス磁界用コイルとが巻装されてなるコイル付き磁気インピーダンス効果素子を複数箇、磁気インピーダンス効果素子を縦列に、しかも磁気インピーダンス効果素子の感磁軸方向の相互間隔を磁気インピーダンス効果素子の長さよりも短くして配設したことを特徴とする。
請求項２に係る磁気インピーダンス効果センサヘッドは、請求項１の磁気インピーダンス効果センサヘッドにおいて、磁気インピーダンス効果素子の感磁軸方向の相互間隔が磁気インピーダンス効果素子の長さの１／４以下とされていることを特徴とする。
請求項３に係る磁気インピーダンス効果センサは、請求項１または２の磁気インピーダンス効果センサヘッドを有し、コイル付き磁気インピーダンス効果素子が直列に接続され、磁気インピーダンス効果素子に加わる被検出磁界を検波して検出する回路が搭載された本体部に前記の磁気インピーダンス効果センサヘッドが導体継手により連結されていることを特徴とする。
請求項４に係る磁気インピーダンス効果センサは、請求項１または２の磁気インピーダンス効果センサヘッドを有し、コイル付き磁気インピーダンス効果素子が２個とされ、各磁気インピーダンス効果素子に加わる被検出磁界を検波し、その検波を差動増幅して検出する回路を備えた本体部に前記の磁気インピーダンス効果センサヘッドが導体継手により連結されていることを特徴とする。
請求項５に係る磁気インピーダンス効果センサは、請求項１または２の磁気インピーダンス効果センサヘッドを二箇備え、各センサヘッドの磁気インピーダンス効果が直列に接続され、各センサヘッドの磁気インピーダンス効果素子に加わる被検出磁界を検波し、その検波を差動増幅して検出する回路を備えた本体部に前記の磁気インピーダンス効果センサヘッドが同じ向きで異なる位置に導体継手により連結されていることを特徴とする磁気インピーダンス効果センサ。
請求項６に係る磁気インピーダンス効果センサは、請求項３〜５何れかの磁気インピーダンス効果センサにおいて、磁気的に検査される被検出面に、磁気インピーダンス効果センサヘッドにおける磁気インピーダンス効果素子の取り付けられた側の面が対面するようにされていることを特徴とする。
請求項７に係る磁気的検査方法は、磁気的被検査面に磁気インピーダンス効果センサヘッドを近接させ磁気インピーダンス効果センサを磁気的被検査面に相対的に移動させて磁気的に検査する方法において、請求項３〜６何れかの磁気インピーダンス効果センサを使用し、磁気インピーダンス効果センサヘッドの磁気インピーダンス効果素子の方向を前記移動方向に対し直角の方向とすることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
磁気インピーダンス効果素子に負帰還がかけられると共にバイアス磁界がかけられるが、磁気インピーダンス効果素子に負帰還用コイル及びバイアス磁界用コイルが直接に巻き付けられていないので、磁気インピーダンス効果素子の軸方向に素子両端からのみならず中間表面からも被検出磁界の磁束が通過する。
磁気インピーダンス効果素子自体の長さが制約されても、磁気インピーダンス効果素子の縦列本数を増すことにより、実質的に磁気インピーダンス効果素子全長を長くでき、被検出磁界の磁束のピックアップ量を多くできるから、検出感度を高くできる。
また、縦列素子間の感磁軸方向の間隔が充分に狭くされているから、検出領域の切れをよく抑えて拡大できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について説明する。
図１−１は本発明に係る磁気インピーダンス効果センサの回路図の一例を示している。
図１−１において、１ａ，１ｂはコイル付き磁気インピーダンス効果素子、１はその磁気インピーダンス効果素子、６はそのバイアス磁界用コイル、７はその負帰還用コイル、Ａは二箇のコイル付き磁気インピーダンス効果素子１ａ，１ｂを直列に縦列接続した磁気インピーダンス効果センサヘッドを示している。
図１−２の（イ）はそのコイル付き磁気インピーダンス効果素子の一例を示す側面図、図１−２の（ロ）は同じく底面図、図１−２の（ハ）は図１−２の（ロ）におけるハ−ハ断面図である。
図１−２において、１００は基板チップであり、例えばセラミックス板を使用できる。１０１は基板片の片面に設けた電極であり、磁気インピーダンス効果素子接続用突部１０２を備えている。この電極は導電ペースト、例えば銀ペーストの印刷・焼付けにより設けることができる。１ｘは電極１０１，１０１の突部１０２，１０２間に溶接により接続した磁気インピーダンス効果素子であり、零磁歪乃至負磁歪のアモルファスワイヤ、アモルファスリボン、スパッタ膜等を使用できる。１０３は鉄やフェライト等からなるＣ型鉄芯、６はＣ型鉄芯に巻装した負帰還用コイル、７は同じくバイアス磁界用コイルであり、磁気インピーダンス効果素子１とＣ型鉄芯１０３とでループ磁気回路を構成するように、Ｃ型鉄芯１０３の両端を基板片１００の他面に接着剤等で固定してある。鉄芯材料としては、残留磁束密度の小さい磁性体であればよく、例えば、パーマロイ、フェライト、鉄、アモルファス磁性合金の他、磁性体粉末混合プラスチック等を挙げることができる。
【００１５】
磁気インピーダンス効果素子１には、自発磁化の方向がワイヤ周方向に対し互いに逆方向の磁区が交互に磁壁で隔てられた構成の外殻部を有する、零磁歪乃至は負磁歪のアモルファス合金ワイヤが使用される。かかる零磁歪乃至は負磁歪のアモルファス磁性ワイヤに高周波励磁電流を流したときに発生するワイヤ両端間出力電圧中のインダクタンス電圧分は、ワイヤの横断面内に生じる円周方向磁束によって上記の円周方向に易磁化性の外殻部が円周方向に磁化されることに起因して発生する。従って、周方向透磁率μθは同外殻部の円周方向の磁化に依存する。而るに、この通電中のアモルファスワイヤの軸方向に信号磁界を作用させると、上記通電による円周方向磁束と信号磁界磁束との合成により、上記円周方向に易磁化性を有する外殻部に作用する磁束の方向が円周方向からずれ、それだけ円周方向への磁化が生じ難くなり、上記周方向透磁率μθが変化し、上記インダクタンス電圧分が変動することになる。この変動現象は磁気インダクタンス効果と称され、これは上記高周波励磁電流（搬送波）が被検出磁界（信号波）で変調される現象ということができる。更に、上記通電電流の周波数がＭＨｚオ−ダになると、高周波表皮効果が大きく現れ、表皮深さδ＝（２ρ／wμθ）１／２（μθは前記した通り円周方向透磁率、ρは電気抵抗率、wは角周波数をそれぞれ示す)がμθにより変化し、このμθが前記した通り、信号磁界によって変化するので、ワイヤ両端間出力電圧中の抵抗電圧分も信号磁界で変動するようになる。この変動現象は磁気インピーダンス効果と称され、これは上記高周波励磁電流（搬送波）が信号磁界（信号波）で変調される現象ということができる。
【００１６】
前記磁気インピーダンス効果センサヘッドＡにおいて、磁気インピーダンス効果素子１，１を縦列配置させ、しかも磁気インピーダンス効果素子の感磁軸方向の相互間隔を磁気インピーダンス効果素子の長さよりも短くしてあり、その間隔は磁気インピーダンス効果素子の長さの１／４以下とすることが好ましい。例えば、磁気インピーダンス効果素子の長さ５ｍｍに対し、前記間隔を１ｍｍとしてある。
【００１７】
図１−１において、２は磁気インピーダンス効果素子に高周波励磁電流を加えるための高周波電流源回路、３は磁気インピーダンス効果素子の軸方向に作用する被検出磁界Ｈ（信号波）で前記高周波励磁電流（搬送波）を変調させた被変調波を復調する検波回路、４は復調波を増幅する増幅回路、５は出力端、６０は負帰還回路、７０はバイアス磁界用＋Ｖｃｃ電源である。
【００１８】
図１−３の（イ）は図１−１の回路を備えた磁気インピーダンス効果センサを示す正面図、図１−３の（ロ）は同じく側面図である。
図１−３において、Ｂは本体基板であり、前記した高周波電流源回路２、検波回路３、増幅回路４、出力端５、負帰還回路、バイアス磁界用＋Ｖｃｃ電源等を搭載してある。
Ａはセンサヘッドであり、ヘッド基板Ｃに前記のコイル付き磁気インピーダンス効果素子１ａ，１ｂを磁気インピーダンス効果素子１，１を表に出すように、しかも両磁気インピーダンス効果素子１，１を縦列配置して磁気インピーダンス効果素子間の感磁軸方向の間隔を磁気インピーダンス効果素子の長さの１／４以下にして搭載してあり、電磁的検出面上に沿ってのセンサの相対的移動に対し、センサヘッドＡの磁気インピーダンス効果素子１を電磁的検出面に近接させて相対的にスキャニングさせる得る向きで導体継手ｄ，…によりセンサ本体基板Ｂに連結してある。
【００１９】
図２の（イ）〔平面図〕及び（ロ）〔図２の（イ）のロ−ロ断面図〕は、図１−１〜図１−３により説明した磁気インピーダンス効果センサを用いた磁気的検査方法を示し、センサヘッドの磁気インピーダンス効果素子を電磁的検査面に近接させてＸ方向に移動させていく。
電磁的検査対象物としては、鉄筋コンクリートの鉄筋位置の検出、鉄系パイプまたは鉄板等の鉄系構造物の欠陥箇所の検出、衣類での針混在位置の検出、家畜肉における検査針残留位置の検出等を挙げることができ、検査対象物の残留磁気から発生する磁界の磁気インピーダンス効果素子に対する軸方向成分をピックアップして検査対象物を検出していく。磁気インピーダンス効果センサを固定とし電磁的検査対象物を移動させるようにすることもできる。
前記した通り、本発明に係る磁気インピーダンス効果センサによれば、ピックアップ磁束量を多くでき、しかもセンサヘッドの磁気インピーダンス効果素子の検査面との対面接近により磁気インピーダンス効果素子に強い被検出磁界を加えることができるので、高感度の検出が可能である。勿論、検査対象物の残留磁気を強めるために、着磁することも可能である。
【００２０】
前記の実施例では、コイル付き磁気インピーダンス効果素子の感磁軸方向の相互間隔が磁気インピーダンス効果素子の長さよりも小さくなるように一直線上に縦列配置しているが、磁気インピーダンス効果素子の感磁軸方向の相互間隔が磁気インピーダンス効果素子の長さよりも小さく保ちながら、、磁気インピーダンス効果素子の感磁軸方向以外の方向へはずらして縦列配置することもできる。
上記の実施例では、コイル付き磁気インピーダンス効果素子の縦列個数を二箇としているが、３個以上とすることも可能である。
【００２１】
上記の実施例では、コイル付き磁気インピーダンス効果素子を直列接続し、その直列接続素子の出力を検波回路で検波しているが、図３に示すように、各コイル付き磁気インピーダンス効果素子１ａ，１ｂの出力端の変調波を各検波回路３ａ，３ｂで検波し、これらの検波出力を差動増幅回路４０で差動増幅し、その差動増幅出力を各コイル付き磁気インピーダンス効果素子１ａ，１ｂの負帰還用コイル６，６に負帰還させることもできる。
この場合、両磁気インピーダンス効果素子に作用する地磁気や周辺鉄系構造物から発せられるノイズ磁界が同等であるので、地磁気等のノイズを除去できる。
【００２２】
本発明に係る磁気インピーダンス効果センサにおいては、一直線縦列のコイル付き磁気インピーダンス効果素子を直列接続した磁気インピーダンス効果センサヘッドを二箇使用し、各センサヘッドの出力端の変調波を各検波回路で検波し、これらの検波出力を差動増幅回路で差動増幅し、その差動増幅出力を各コイル付き磁気インピーダンス効果素子の負帰還用コイルに負帰還させ、両センサヘッドの向きを同じにして本体に導体継手により連結することもできる。
この場合、両センサヘッドに作用する地磁気や周辺鉄系構造物から発せられるノイズ磁界を同等にできるので、地磁気等のノイズを除去できる。
【００２３】
本発明に係る磁気インピーダンス効果センサにおいて、磁気インピーダンス効果素子には、零磁歪乃至は負磁歪のアモルファスワイヤの外、アモルファスリボン、アモルファススパッタ膜等も使用できる。
【００２４】
本発明に係る磁気インピーダンス効果センサにおいて、磁気インピーダンス効果素子１には、遷移金属と非金属の合金で非金属が１０〜３０原子％組成のもの、特に遷移金属と非金属との合金で非金属量が１０〜３０原子％を占め、遷移金属がＦｅとＣｏで非金属がＢとＳｉであるかまたは遷移金属がＦｅで非金属がＢとＳｉである組成のものを使用することができ、例えば、組成Ｃｏ７０．５Ｂ１５Ｓｉ１０Ｆｅ４．５、長さ２０００μｍ〜６０００μｍ、外径３０μｍ〜５０μｍφのものを使用できる。
【００２５】
高周波励磁電流には、例えば連続正弦波、パルス波、三角波等の通常の高周波を使用でき、高周波励磁電流源としては、例えばハートレー発振回路、コルピッツ発振回路、コレクタ同調発振回路、ベース同調発振回路のような通常の発振回路の外、水晶発振器の矩形波出力を直流分カットコンデンサを経て積分回路で積分しこの積分出力の三角波を増幅回路で増幅する三角波発生器、ＣＭＯＳ−ＩＣを発振部として使用した三角波発生器等を使用できる。
【００２６】
検波回路としては、例えば被変調波を演算増幅回路で半波整流しこの半波整流波を並列ＲＣ回路またはＲＣローパスフィルターで処理して半波整流波の包絡線出力を得る構成、被変調波をダイオードで半波整流しこの半波整流波を並列ＲＣ回路またはＲＣローパスフィルターで処理して半波整流波の包絡線出力を得る構成等を使用できる。
また、被変調波（周波数ｆｓ）に同調させた周波数ｆｓの方形波を被変調波に乗算して信号波をサンプリングする同調検波を使用することができる。
上記の実施例では、被変調波の復調によって被検出磁界（信号波）を取り出しているが、これに限定されず、磁気インピーダンス効果素子に作用する信号磁界（信号波）で変調された高周波励磁電流波（搬送波）から信号磁界を検波し得るものであれば、適宜の検波手段を使用できる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１−１】本発明に係る磁気インピーダンス効果センサの一実施例の回路図である。
【図１−２】図１−１の磁気インピーダンス効果センサのコイル付き磁気インピーダンス効果を示す図面である。
【図１−３】図１−１の磁気インピーダンス効果センサの外観を示す図面である。
【図２】本発明に係る磁気的検査方法を示す図面である。
【図３】本発明に係る磁気インピーダンス効果センサの別実施例の回路図である。
【図４】磁気インピーダンス効果素子の出力特性を示す図面である。
【図５−１】従来の磁気インピーダンス効果センサを示す回路図である。
【図５−２】従来の磁気インピーダンス効果センサにおける各所での入・出力波形を示す図面である。
【図６】従来の磁気インピーダンス効果センサのコイル付き磁気インピーダンス効果素子を示す図面である。
【符号の説明】
【００２８】
１            磁気インピーダンス効果素子
１ａ          コイル付き磁気インピーダンス効果素子
１ｂ          コイル付き磁気インピーダンス効果素子
２            励磁電流源
３            検波回路
３ａ          検波回路
３ｂ          検波回路
４            増幅回路
４０          差動増幅器
５            検出出力端
６            負帰還磁界用コイル
７            バイアス磁界用コイル
Ａ            センサヘッド
Ｂ            本体基板
Ｃ            センサヘッド基板
ｄ            導体継手
【図１−１】
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【図１−２】
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【図１−３】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５−１】
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【図５−２】
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【図６】
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