(57)【要約】  【課題】シール部やランプ管を確実に冷却する基板処理装置を提供する。  【解決手段】基板処理装置１０は、ランプユニット群８８を囲う石英管ユニット１４２と、ランプユニット群８８と石英管ユニット１４２との間の一方側に形成される第１の開口部１４８と、ランプユニット群８８と石英管ユニット１４２との間の他方側に形成される第２の開口部１５０と、第１の開口部１４８と第２の開口部１５０との間の空間部１５２と、第１の開口部１４８から空間部１５２に冷却ガスを流通させる第１の冷却ガスブロア１７４と、第２の開口部１４８から空間部１５２に冷却ガスを流通させる第２の冷却ガスブロア１７６と、少なくとも第１の冷却ガスブロア１７４が冷却ガスを第１の開口部１４８から空間部１５２に流通させることと第２の冷却ガスブロアが冷却ガスを第２の開口部１５０から空間部１５２に流通させることとを切替え制御するガス制御部１２０とを備える。【選択図】図５
2008028305.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を保持して所定の処理を施す処理室と、
該処理室に配置され、前記基板を加熱するフィラメントと該フィラメントを囲うランプ管とを含むランプユニットを、少なくとも一つ以上有したランプユニット群と、
前記ランプユニット群を囲う囲い体と、
前記ランプユニット群と前記囲い体との間の一方側に形成される第１の開口部と、
前記ランプユニット群と前記囲い体との間の他方側に形成される第２の開口部と、
前記第１の開口部と前記第２の開口部との間の空間と、
前記第１の開口部から前記空間に冷却媒体を流通させる第１の冷却流通装置と、
前記第２の開口部から前記空間に冷却媒体を流通させる第２の冷却流通装置と、
少なくとも前記第１の冷却流通装置が前記冷却媒体を前記第１の開口部から前記空間に流通させることと前記第２の冷却流通装置が前記冷却媒体を前記第２の開口部から前記空間に流通させることとを切替え制御する制御装置と、
を備えたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記第１の開口部の近傍及び前記第２の開口部の近傍の少なくとも一方に設けられる温度検出器を備え、
前記制御装置は、前記温度検出器の出力に基づいて前記第１の冷却流通装置及び前記第２の冷却流通装置の少なくとも一方を制御することを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハやガラス基板等を処理するための基板処理装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
この種の基板処理装置として、基板を加熱する加熱手段としての複数のランプが備えられたランプユニットを有するものが知られている。例えば、貫通石英管とランプとの隙間に空冷ガス用ブロアにより空冷ガスを流入させるものが公知である（例えば特許文献１）。
【０００３】
【特許文献１】ＰＣＴ  ＷＯ２００５／０８３７６０
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記従来技術においては、貫通石英管の一端側からのみ空冷ガスを流入させていたため、貫通石英管とランプとの隙間を通過する間に空冷ガスの温度が上昇し、該貫通石英管の他端側近傍のシール部の冷却が不十分となるおそれがあった。
【０００５】
本発明の目的は、上記従来の問題を解消し、シール部やランプ管を確実に冷却する基板処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の特徴とするところは、基板を保持して所定の処理を施す処理室と、該処理室に配置され、前記基板を加熱するフィラメントと該フィラメントを囲うランプ管とを含むランプユニットを、少なくとも一つ以上有したランプユニット群と、前記ランプユニット群を囲う囲い体と、前記ランプユニット群と前記囲い体との間の一方側に形成される第１の開口部と、前記ランプユニット群と前記囲い体との間の他方側に形成される第２の開口部と、前記第１の開口部と前記第２の開口部との間の空間と、前記第１の開口部から前記空間に冷却媒体を流通させる第１の冷却流通装置と、前記第２の開口部から前記空間に冷却媒体を流通させる第２の冷却流通装置と、少なくとも前記第１の冷却流通装置が前記冷却媒体を前記第１の開口部から前記空間に流通させることと前記第２の冷却流通装置が前記冷却媒体を前記第２の開口部から前記空間に流通させることとを切替え制御する制御装置とを備えた基板処理装置にある。
【０００７】
好適には、前記第１の開口部の近傍及び前記第２の開口部の近傍の少なくとも一方に設けられる温度検出器を備え、前記制御装置は、前記温度検出器の出力に基づいて前記第１の冷却流通装置及び前記第２の冷却流通装置の少なくとも一方を制御する。
【０００８】
好適には、前記冷却媒体を排気するよう前記第１の開口部側に設けられた第１の排気ラインと前記冷却媒体を排気するよう前記第２の開口部側に設けられた第２の排気ラインとを備える。
【０００９】
好適には、前記処理室が減圧可能に形成されるよう前記第１の開口部と前記処理室との間に設けられる第１の密閉部材と、前記処理室内が減圧可能に形成されるよう前記第２の開口部と前記処理室との間に設けられる第二の密閉部材とを備える。
【００１０】
好適には、前記第１の排気ラインに設けられる第１の開閉弁と、前記第２排気ラインに設けられる第２の開閉弁とを備える。
【００１１】
好適には、前記ランプユニットは棒状に形成されている。
【００１２】
本発明の第２の特徴とするところは、基板を保持して所定の処理を施す処理室と、該処理室に配置され、前記基板を加熱するフィラメントと該フィラメントを囲うランプ管とを含むランプユニットを少なくとも１つ以上有したランプユニット群と、前記ランプユニット群を囲う囲い体と、前記ランプユニット群と前記囲い体との間の一方側に形成される第１の開口部と、前記ランプユニット群と前記囲い体との間の他方側に形成される第２の開口部と、前記第１の開口部と前記第２の開口部との間の空間と、前記第１の開口部から前記空間に冷却媒体を流通させる第１の冷却流通装置と、前記第２の開口部から前記空間に冷却媒体を流通させる第２の冷却流通装置と、前記第１の開口部の近傍に設けられる第１の温度検出器と、前記第２の開口部の近傍に設けられる第２の温度検出器と、少なくとも前記第２の温度検出器が検出する温度が予め設定された温度以上になった際には、少なくとも前記第１の冷却流通装置より前記第２の冷却流通装置から前記空間に流通される冷却媒体の方が多くなるよう前記第１の冷却装置及び第２の冷却装置の少なくとも一方を制御する制御装置とを備える基板処理装置にある。
【００１３】
本発明にかかる半導体装置の製造方法は、処理室に配置されるフィラメントと該フィラメントを囲うランプ郡とを含むランプユニットを、少なくとも１つ以上有したランプユニット群が処理室を加熱し、該処理室内で水平に保持される基板に処理を施す工程と、第１の冷却流通装置が前記ランプユニット群を囲う囲い体と前記ランプユニットとの間の一方側に形成される第１の開口部から前記ランプユニット群を囲う囲い体と前記ランプユニット群との間の空間に冷却媒体を流通させた後に、第２の冷却流通装置が前記ランプユニット群と前記囲い体との間の他方側に形成される第２の開口部から前記空間に冷却媒体を流通させる工程とを有する。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、少なくとも第１の冷却流通装置が冷却媒体を第１の開口部から囲い体とランプユニットとの空間に流通させることと第２の冷却流通装置が冷却媒体を第２の開口部から囲い体とランプユニットとの空間に流通させることとを切替え制御する制御装置を備えたので、シール部やランプ管を確実に冷却することができ、もって過度の昇温によるシール部の溶解やランプ管の破損を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
次に本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
図１において、本発明の第１の実施形態に係る基板処理装置１０の全体が示されている。この基板処理装置１０は、基板を搬送するキャリアとしてＦＯＵＰ（front opening unified pod  以下、ポッドという）を用いている。
なお、以下の説明において、前後左右は図１を基準とし、図１に示されている紙面に対して前は紙面の下、後ろは紙面の上、左右は紙面の左右とする。
【００１６】
基板処理装置１０は、中央やや後ろ側に第１の搬送室１２を有する。この第１の搬送室１２は、平面視で六角形状をなす第１の筺体１４に囲まれて構成され、真空状態などの大気圧未満の圧力（負圧）に耐えるロードロックチャンバ構造となっており、第１の筺体１４は上下両端が閉鎖した箱形状に形成されている。この第１の搬送室１２には、第１の移載機１６が配置されている。この基板移載機１６は、負圧下で基板１８を移載し、また、第１のエレベータ２０に昇降されるようになっている。
【００１７】
第１の筺体１４の六枚の側壁のうち前側に位置する二枚の側壁には、搬入用予備室２２と搬出用予備室２４とがそれぞれゲートバルブ２６，２８を介して連結されており、それぞれ負圧に耐え得るロードロックチャンバ構造に構成されている。それぞれの予備室２２，２４には、基板置き台３０，３２がそれぞれ設置されている。
【００１８】
予備室２２，２４の前側には、略大気圧下で耐え得る第２の搬送室３４がゲートバルブ３６，３８を介して連結されている。第２の搬送室３４には基板１８を移載する第２の移載機４０が設置されている。第２の移載機４０は、第２の搬送室３４に設置された第２のエレベータによって昇降されるように構成されているとともに、リニアアクチュエータによって左右方向に往復移動されるように構成されている。また、第２の搬送室３４の左側にはオリフラ合わせ装置４６が設置されている。
【００１９】
第２の搬送室３４を構成する第２の筐体５０には、基板１８を第２の搬送室３４に対して搬入搬出するための基板搬入搬出口５２と、この基板搬入搬出口５２を閉塞する蓋と、ポッドオープナ５６がそれぞれ設置されている。また、第２の搬送室３４の前側にはポッド５８を載置するポッド載置台６０が設けられている。ポッドオープナ５６は、キャップ開閉機構を備えており、このキャップ開閉機構によりポッド載置台６０に載置されたポッドのキャップ及び前述した蓋を開閉し、ポッド５８に収納された基板の出し入れを可能にする。なお、ポッド５８は、図示しない工程内搬送装置（ＲＧＶ）によって、ポッド載置台６０に供給及び排出されるようになっている。
【００２０】
前述した第１の筺体１４の六枚の側壁のうち後側に位置する二枚の側壁には、処理炉６３（それぞれ第１の処理炉６４と第２の処理炉６６と）がそれぞれゲートバルブ６８，７０を介して連結されている。第１の処理炉６４及び第２の処理炉６６は、例えばいずれもコールドウォール式のものである。また、第１の筺体１４における六枚の側壁のうちの残りの互いに対向する二枚の側壁には、第１のクーリングユニット７２と第２のクーリングユニット７４とがそれぞれ連結されており、いずれも処理済みの基板１８を冷却するように構成されている。なお、処理炉６３の詳細は後述する。
【００２１】
次に上述した基板処理装置１０を用いた場合の処理工程を説明する。
【００２２】
未処理の基板１８は２５枚がポッド５８に収納された状態で、処理工程を実施する基板処理装置１０へ工程内搬送装置によって搬送される。このようにして搬送されたポッド５８はポッド載置台６０の上に工程内搬送装置から受け渡されて載置される。ポッド５８のキャップ及び基板搬入出口５２を開閉する蓋がキャップ開閉機構によって取り外され、ポッド５８の基板出入口が開放される。
【００２３】
ポッド５８がポッドオープナ５６により開放されると、第２の搬送室３４に設置された第２の基板移載機４０はポッド５８から基板１８をピックアップし、搬入用予備室２２に搬入し、基板１８を基板置き台３０に移載する。この移載作業中には、第１の搬送室１２側のゲートバルブ２６は閉じられており、第１の搬送室１２が負圧に維持されている。基板１８の基板置き台３０への移載が完了すると、ゲートバルブ３６が閉じられ、搬入用予備室２２が排気装置（図示せず）によって負圧に排気される。
【００２４】
搬入用予備室２２が予め設定された圧力値に減圧されると、ゲートバルブ２６，６８が開かれ、搬入用予備室２２、第１の搬送室１２及び第１の処理炉６４が連通される。続いて、第１の搬送室１２の第１の基板移載機１６が基板置き台３０から基板１８をピックアップして第１の処理炉６４に搬入する。そして、第１の処理炉６４内に処理ガスが供給され、所望の処理が基板１８に対して行われる。
【００２５】
第１の処理炉６４で処理が完了すると、処理済みの基板１８は第１の搬送室１２の第１の基板移載機１６によって第１の搬送室１２に搬出される。
【００２６】
そして、第１の基板移載機１６は第１の処理炉６４から搬出した基板１８を第１のクーリングユニット７２へ搬入し、処理済みの基板１８を冷却する。
【００２７】
第１のクーリングユニット７２に基板１８を移載すると、第１の基板移載機１６は搬入用予備室２２の基板置き台３０に予め準備された基板１８を第１の処理炉６４に前述した作動によって移載し、第１の処理炉６４内に処理ガスが供給され、所望の処理が基板１８に行われる。
【００２８】
第１のクーリングユニット７２において予め設定された冷却期間が経過すると、冷却済みの基板１８は第１の基板移載機１６によって第１のクーリングユニット７２から第１の搬送室１２に搬出される。
【００２９】
その後、ゲートバルブ２８が開かれ、第１の基板移載機１６は第１のクーリングユニット７２から搬出した基板１８を搬出用予備室２４へ搬送し、基板置き台３２に移載した後、搬出用予備室２４はゲートバルブ２８によって閉じられる。
【００３０】
搬出用予備室２４がゲートバルブ２８によって閉じられると、搬出用予備室２４内が不活性ガスにより略大気圧に戻される。搬出用予備室２４内が略大気圧に戻されると、ゲートバルブ３８が開かれ、第２の搬送室３４の搬出用予備室２４に対応した基板搬入搬出口５２を閉塞する蓋と、ポッド載置台６０に載置された空のポッド５８のキャップがポッドオープナ５６によって開かれる。続いて、第２の搬送室３４の第２の基板移載機４０は基板置き台３２から基板１８をピックアップして第２の搬送室３４に搬出し、第２の搬送室３４の基板１８が基板搬入搬出口５２を通してポッド５８に収納する。処理済みの２５枚の基板１８のポッド５８への収納が完了すると、ポッド５８のキャップと蓋がポッドオープナ５６によって閉められる。このようにして閉じられたポッド５８は、ポッド載置台６０の上から次の工程へ工程内搬送装置によって搬送される。
【００３１】
以上の作動が繰り返されることにより、基板１８が順次処理される。以上の作動は第１の処理炉６４及び第１のクーリングユニット７２が使用される場合を例にして説明したが、第２の処理炉６６及び第２のクーリングユニット７４が使用される場合についても同様の作動が実施される。
【００３２】
なお、上述の基板処理装置では、予備室２２を搬入用、予備室２４を搬出用としたが、逆に予備室２４を搬入用、予備室２２を搬出用としてもよい。また、第１の処理炉６４と第２の処理炉６６は、それぞれ同じ処理を行ってもよいし、別の処理を行ってもよい。第１の処理炉６４と第２の処理炉６６で別の処理を行う場合、例えば第１の処理炉６４で基板１８にある処理を行った後、続けて第２の処理炉６６で別の処理を行わせてもよい。また、第１の処理炉６４で基板１８にある処理を行った後、第２の処理炉６６で別の処理を行わせる場合、第１のクーリングユニット７２（又は第２のクーリングユニット７４）を経由するようにしてもよい。
【００３３】
図２乃至４において前述した処理炉６３の一例が示されている。処理炉６３は、チャンバ８０、サセプタ８２、上側ランプユニット群８４と下側ランプユニット群８６とからなるランプユニット群８８とを備えている。チャンバ８０は、チャンバ蓋９０とチャンバ本体９２とを備え、チャンバ本体９２は、４枚のチャンバ側壁９４とチャンバ底部９６とからなっている。サセプタ８２は、サセプタ本体８２ａと該サセプタ本体８２ａの内部に配置された支持部８２ｂからなっている。サセプタ８２の内側には、基板１８よりも小さな径を有する貫通孔９８が設けられている。サセプタ８２は、支持部８６ｂにより基板１８の周辺部を支持するようになっている。処理室１００は、チャンバ蓋９０とチャンバ本体９２とにより構成されている。
【００３４】
チャンバ本体９２にはフランジ１０２が取り付けられ、このフランジ１０２には上述したゲートバルブ６８，７０が取り付けられている。フランジ１０２上部にはプロセスガス供給管１０６が設けられ、このプロセスガス供給管１０６を介してプロセスガスが処理室１００に供給されるようになっている。プロセスガス排気口１０８は、チャンバ本体９２に設けられ、このプロセスガス排気口１０８を介して処理室１００内のプロセスガスが処理室１００外へ排気されるようになっている。基板１８は、ゲートバルブ６８，７０を介して処理室１００内に搬入され、突き上げピン１１０の上下動により、サセプタ８２に搭載される。また、処理後の基板１８は、突き上げピン１１０によりサセプタ８２から持ち上げられ、ゲートバルブ１０４を介して処理室１００から搬出される。この突き上げピン１１０は、突き上げピン上下機構１１２により上下動するようになっている。
【００３５】
制御装置としての主制御部１１４は、加熱制御部１１６、駆動制御部１１８及びガス制御部１２０を有する。駆動制御部１１８は、突き上げピン上下機構１１２に接続されており、該突き上げピン機構１１２の動作を制御するようになっている。主制御部１２０は、後述する第１の冷却ガスブロア１７４、第２の冷却ガスブロア１７６、第１の開閉弁１７８及び第２の開閉弁１８０の動作をガス制御部１２０を介して制御する。また、この主制御部１１４には放射率検出部１２２と温度検出部１２４とが接続されている。
【００３６】
本実施形態の基板処理装置１０の処理炉６３は、基板１８の放射率を測定し、その放射率を計算するための非接触式の放射率測定手段を備える。すなわち、チャンバ蓋９０上部に放射率測定部１２６が設けられ、その内部に放射率測定用プローブ１２８が配置されている。なお、チャンバ蓋９０には貫通孔１２９が設けられており、基板１８からの放射光を放射率測定用プローブ１２８で測定できるようなっている。放射率測定用プローブ１２８からの信号は、放射率検出部１２２に送られ、該放射率検出部１２２にて放射率が求められ、主制御部１１４に出力される。
【００３７】
処理炉１００は、さらに温度検出手段である複数の温度測定用プローブ１３０を備える。好ましくは、温度測定用プローブ１３０は、基板１８の異なる部分の温度をそれぞれ測定するために複数配置されており、例えば５つ設けられている。これにより、処理中の基板１８の面内温度の均一性が確保される。チャンバ蓋９０には、例えば５つの貫通孔１３２が設けられ、これら貫通孔１３２の内部に温度測定用プローブ１３０の先端部がそれぞれ挿入され、基板１８からの放射光が該温度測定用プローブ１３０により測定できるようになっている。これらの温度測定用プローブ１３０は、チャンバ蓋９０に固定され、すべての処理条件において基板１８のデバイス面から放射される光子密度を常に測定する。温度測定用プローブ１３０からの信号は、温度検出部１２４に送られ、該温度測定用プローブ１３０によって測定された光子密度に基づいて基板温度に算出され、主制御部１１４に出力される。主制御部１１４は、該算出結果を受信すると放射率による補正を行ない、予め設定された設定温度と比較して偏差を計算し、該偏差に基づいて加熱制御部１１６を介して上側ランプ群８４、下側ランプ群８６の複数ゾーンへの電力供給量を制御する。
【００３８】
図３にも示すように、上側ランプユニット群８４は、処理室１００内に配置され、複数のランプユニット１３４からなる。ランプユニット１３４は、例えばハロゲンランプ又はカーボンランプ等からなり、棒状に形成され、基板１８を加熱するフィラメント１３６と該フィラメント１３６を囲うランプ管１３８とからなる。電極封止部１４０は、ランプ管１３８の両端に形成されており、フィラメント１３６に電力を伝達すると共にランプ管１３８内と該ランプ１３８外とを遮断するようになっている。
【００３９】
図４にも示すように、上側ランプユニット群８４は、該上側ランプユニット群８４を囲う囲い体としての石英管ユニット１４２に囲われている。石英管ユニット１４２は、複数本の石英製パイプ１４４と該石英製パイプ１４４の両端を支持するフランジ１４６とから構成され、チャンバ８０を貫通するようにチャンバ本体９２に設けられている。第１の開口部１４８は、石英管ユニット１４２における上側ランプユニット群８４と該石英管ユニット１４２との間の一方側に形成されており、第２の開口部１５０は、石英管ユニット１４２におけるランプユニット群８４と該石英管ユニット１４２との間の他方側に形成されている。石英管ユニット１４２とランプユニット１３４との間には所定の隙間が設けられており、第１の開口部１４８と第２の開口部１５０との間には空間としての空間部１５２が形成されている。
【００４０】
第１のＯリング１５４は、石英管ユニット１４２とチャンバ本体９２との間、より具体的には第１の開口部１４８近傍と処理室１００との間に配設され、第１の密閉部材として用いられる。また、第２のＯリング１５６は、石英管ユニット１４２とチャンバ本体９２との間、より具体的には第２の開口部１４８近傍と処理室１００との間に配設され、第２の密閉部材として用いられる。これら第１のＯリング１５４と第２のＯリング１５６とにより、処理室１００内と処理室１００外とを遮断し、処理室１００内が減圧可能となっている。チャンバ本体９２内の第１のＯリング１５４及び第２のＯリング１５６の近傍には冷却水通路１５７が設けられている。この冷却水通路１５７内には冷却水が循環し、該冷却水により第１のＯリング１５４及び第２のＯリング１４６を冷却するようになっている。
【００４１】
チャンバ本体９２の外壁には、第１のチャンバ１５８及び第２のチャンバ１６０が配設されている。第１のチャンバ１５８には、第１の冷却ガス供給ライン１６２に接続された第１の冷却ガス口１６６と、第１の排気ライン１７０とが設けられている。また、第２のチャンバ１６０には、第２の冷却ガス供給ライン１６４に接続された第２の冷却ガス口１６８と、第２の排気ライン１７２とが設けられている。
【００４２】
第１の冷却ガス供給ライン１６２には、第１の冷却流通装置としての冷却ガス流量を調整可能な第１の冷却ガスブロア１７４が配設されており、この第１の冷却ガスブロア１７４が作動することにより第１の開口部１４８から空間部１５２に冷却ガスが流通するようになっている。また、第２の冷却ガス供給ライン１６４には、第２の冷却流通装置としての冷却ガス流量を調整可能な第２の冷却ガスブロア１７６が配設されており、この第２の冷却ガスブロア１７６が作動することにより第２の開口部１５０から空間部１５２に冷却ガスが流通するようになっている。また、第１の排気ライン１７０には、該第１の排気ライン１７０内を流通する気体を遮断または開放する第１の開閉弁１７８が設けられ、第２の排気ライン１７２には該第２の排気ライン１７２内を流通する気体を遮断または開放する第２の開閉弁１８０が設けられている。
【００４３】
図２にも示すように、下側ランプ群８６は、処理室１００内に配置され、複数のランプユニット１１８からなり、該ランプユニット群８４を囲う囲い体としての石英管ユニット１８２に囲われている。下側ランプ群８６と石英管ユニット１８２との間の空間部には、上側ランプ群８４の場合と同様に、図示しない第３の開口部及び第４の開口部より第３の冷却ガスブロア及び第４の冷却ガスブロアが作動することにより、第３の冷却ガス供給ライン及び第４の冷却ガス供給ライン、第３のチャンバ及び第４のチャンバに設けられた第３の冷却ガス口及び第４の冷却ガス口より冷却ガスが流通するようになっており、図示しない第３の開閉弁及び第４の開閉弁を介して第３の排気ライン及び第４の排気ラインより該冷却ガスが排気されるようになっている。
【００４４】
ガス制御部１２０は、プロセスガス供給管１０６に接続されており、処理室１００内に供給するプロセスガスの流量等を制御するようになっている。またガス制御部１２０は、第１の冷却ガスブロア１７４、第２の冷却ガスブロア１７６、第１の開閉弁１７８及び第２の開閉弁１８０に接続されており、それぞれの動作を制御し、第１のチャンバ１５８、第２のチャンバ１６０、空間部１５２、第１の排気ライン１７０及び第２の排気ライン１７２等に流通する冷却ガスの流量等を制御するようになっている。さらに、ガス制御部１２０は、第３の冷却ガスブロア、第４の冷却ガスブロア、第３の開閉弁及び第４の開閉弁に接続されており、それぞれの動作を制御し、第３のチャンバ、第４のチャンバ、下側ランプ群の空間部、第３の排気ライン及び第４の排気ライン等に流通する冷却ガスの流量等を制御するようになっている。
【００４５】
なお、冷却媒体としての冷却ガスには、Ｎ２、Ａｒ、Ｎ２とＡｒとの混合ガスなどの不活性ガスが用いられる。好適には、第１の冷却ガス口１６６と第２の冷却ガス口１６８から供給される冷却ガスは、同等の温度（例えば室温）とするとよい。
【００４６】
図５に本実施形態における半導体装置の製造方法の一工程である冷却工程が示されている。
図５（ａ）に第１の冷却工程（ステップ１）が示されている。この第１の冷却工程は、基板処理中に行なわれる。
【００４７】
図５（ａ）に示すように、基板１８に対して所望の処理が行われている間、すなわちランプユニット１３４に電力が供給されている間において、ガス制御部１２０は、第１の冷却ガスブロア１７４（図２に示す）及び第２の冷却ガスブロア１７６（図２に示す）を作動させ、第１の冷却ガス供給ライン１６２及び第２の冷却ガス供給ライン１６４より第１の冷却ガス口１６６及び第２の冷却ガス口１６８に冷却ガスを供給する。また、ガス制御部１２０は、第１の開閉弁１７８及び第２の開閉弁１８０を開放する。
【００４８】
第１の冷却ガス口１６６より供給された冷却ガスは、第１のチャンバ１５８、第１の排気ライン１７０及び第１の開閉弁１７８内を流通し、処理炉６３外へ排出される。この冷却ガスの流通によりランプユニット１３４の一方側の電極封止部１４０及び第１のＯリング１５４が冷却される。また、第２の冷却ガス口１６８より供給された冷却ガスは、第２のチャンバ１６０、第２の排気ライン１７２及び第２の開閉弁１８０内を流通し、処理炉６３外へ排出される。この冷却ガスの流通によりランプユニット１３４の他方側の電極封止部１４０及び第２のＯリング１５６が冷却される。
【００４９】
図５（ｂ）に第２の冷却工程（ステップ２）が示されている。この第２の冷却工程は、基板処理後に行なわれる。
【００５０】
図５（ｂ）に示すように、基板１８に対する処理が終了した後には、ガス制御部１２０は、第１の開閉弁１７８を遮断し、第２の冷却ガスブロア１７６（図２に示す）を停止する。これにより、第１の冷却ガス口１６６より供給された冷却ガスは、第１のチャンバ１５８、第１の開口部１４８、空間部１５２（ランプユニット１３４と石英管ユニット１４２との間）、第２の開口部１５０、第２のチャンバ１６０、第２の排気ライン１７２及び第２の開閉弁１８０内を流通し、処理炉６３外へ排出される。この冷却ガスの流通により、石英管ユニット１４２の石英製パイプ１４４及びランプユニット１３４から放出された熱が排出される。なお、好適には、第２の冷却工程中は、ランプユニット１３４への電力の供給が停止されているようにするとよい。
【００５１】
図５（ｃ）に第３の冷却工程（ステップ３）が示されている。この第３の冷却工程は、基板処理後に行なわれる。
【００５２】
図５（ｃ）に示すように、第２の冷却工程を所定時間行なった後に、ガス制御部１２０は、第１の開閉弁１７８を開放し、第２の開閉弁１８０を遮断する。続いて、第２の冷却ガスブロア１７６（図２に示す）を作動させ、第１の冷却ガスブロア１７４（図２に示す）を停止する。これにより、第１のガス口１６６より供給された冷却ガスは、第２のチャンバ１６０、第２の開口部１５０、空間部１５２（ランプユニット１３４と石英管ユニット１４２との間）、第１の開口部１４８、第１のチャンバ１５８、第１の排気ライン１７０及び第１の開閉弁１７８内を流通し、処理炉６３外へ排出される。なお、好適には、第３の冷却工程中は、ランプユニット１３４への電力の供給が停止されているようにするとよい。
【００５３】
このように、ガス制御部１２０は、少なくともランプユニット１３６と石英管ユニット１４２との間の空間部１５２に流れる冷却ガスの流れる方向が、上述した第２の冷却工程と逆方向となるように制御する。すなわち、ガス制御部１２０は、少なくとも第１の冷却ガスブロア１７４より第２の冷却ガスブロア１７６から空間部１５２に流通される冷却ガスが多くなるように第１の冷却ガスブロア１７４、第２の冷却ガスブロア１７６、第１の開閉弁１７８及び第２の開閉弁１８０を制御する。第２の冷却工程では、第１の冷却ガス口１６６から供給された新鮮な冷却ガスが第１の開口部１４８、空間部１５２、第２の開口部１５０と流通するにしたがい、冷却ガスが熱を帯びるため冷却効率が低下する。そのため、冷却ガスの流通する順路にしたがい石英管ユニット１４２の石英製パイプ１４４及びランプユニット１３４の温度が高くなってしまうが、冷却ガスの流れる方向を第２の冷却工程と逆方向になるように制御することにより偏った熱負荷を分散させると共に石英管ユニット１４２の石英製パイプ１４４及びランプユニットから放出された熱が効率よく排出される。
【００５４】
以上のように、ガス制御部１２０は、第１の冷却ガスブロア１７４が冷却ガスを第１の開口部１４８から空間部１５２に流通させることと、第２の冷却ガスブロア１７６が冷却ガスを第２の開口部１５０から空間部１５２に流通させることとを切替え制御する。これにより、石英管ユニット１４２の一端側のみから冷却ガスを流通させる場合と比較すると、石英管ユニット１４２の両側における冷却効果を向上させることができ、ランプ管１３８の両端の電極封止部１４０、１４０や第１のＯリング１５４及び第２のＯリング１５６の冷却を確実に行なうことができる。したがって、過度の昇温によるＯリングの溶解やランプ管の破損を防止することができる。
なお、説明の都合上、下側ランプ群８６の冷却工程については、説明を省略したが、上述した上側ランプ群８４の冷却工程と同様に第１、第２及び第３の冷却工程を設けるとよい。
【００５５】
図６に第１の実施形態の変形例が示されている。
本変形例は、上記第１の実施形態と比較すると、第２の冷却工程及び第３の冷却工程が異なる。
【００５６】
図６（ｂ）に本変形例の第２の冷却工程（ステップ２）が示されている。この第２の冷却工程は、基板処理後に行なわれる。
【００５７】
図６（ｂ）に示すように、基板１８に対する処理が終了した後には、ガス制御部１２０は、第１の開閉弁１７８を遮断する。このとき、第１の冷却ガスブロア１７４（図２に示す）及び第２の冷却ガスブロア１７６（図２に示す）を停止せずに、第１の冷却ガス口１６６及び第２の冷却ガス口１６８から冷却ガスを供給し続ける。これにより、第１の冷却ガス口１６６より供給された冷却ガスは、第１のチャンバ１５８、第１の開口部１４８、空間部１５２（ランプユニット１３４と石英管ユニット１４２との間）、第２の開口部１５０、第２のチャンバ１６０、第２の排気ライン１７２及び第２の開閉弁１８０内を流通し、処理炉６３外へ排出される。一方、第２の冷却ガス口１６８より供給された冷却ガスは、第２のチャンバ１６０、第２の排気ライン１７２及び第２の開閉弁１８０内を流通し、処理炉６３外へ排出される。この冷却ガスの流通により、石英管ユニット１４２の石英製パイプ１４４及びランプユニット１３４から放出された熱が排出されるとともに第１のＯリング１５４、第２のＯリング１５６及び両側の電極封止部１４０、１４０が確実に冷却される。
【００５８】
好適には、第１の冷却ガス口１６６から供給される冷却ガスの流量を第２の冷却ガス口１６８から供給されるガス流量より多くする。このように、第２の冷却ガスブロア１７６等を制御して、第２の冷却ガス口１６８から供給される冷却ガスの流量を少なくすることで、第２の冷却ガス口１６８から供給される冷却ガスの影響により、空間部１５２に澱み部分を発生させることなく、空間部１５２の流れがスムーズになる。
【００５９】
図６（ｃ）に本変形例の第３の冷却工程（ステップ３）が示されている。この第３の冷却工程は、基板処理後に行なわれる。
【００６０】
図６（ｃ）に示すように、第２の冷却工程を所定時間行なった後に、ガス制御部１２０は、第１の開閉弁１７８を開放し、第２の開閉弁１８０を遮断する。このとき、第１の冷却ガスブロア１７４（図２に示す）及び第２の冷却ガスブロア１７６（図２に示す）を停止せずに、第１の冷却ガス口１６６及び第２の冷却ガス口１６８から冷却ガスを供給し続ける。これにより、第２のガス口１６８より供給された冷却ガスは、第２のチャンバ１６０、第２の開口部１５０、空間部１５２（ランプユニット１３４と石英管ユニット１４２との間）、第１の開口部１４８、第１のチャンバ１５８、第１の排気ライン１７０及び第１の開閉弁１７８内を流通し、処理炉６３外へ排出される。一方、第１の冷却ガス口１６６より供給された冷却ガスは、第１のチャンバ１５８、第１の排気ライン１７０及び第１の開閉弁１７８内を流通し、処理炉６３外へ排出される。この冷却ガスの流通により、石英管ユニット１４２の石英製パイプ１４４及びランプユニット１３４から放出された熱が排出されるとともに第１のＯリング１５４、第２のＯリング１５６及び両側の電極封止部１４０、１４０が確実に冷却される。
【００６１】
好適には、第２の冷却ガス口１６８から供給される冷却ガスの流量を第１の冷却ガス口１６６から供給されるガス流量より多くする。このように、第１の冷却ガスブロア１７４等を制御して、第１の冷却ガス口１６６から供給される冷却ガスの流量を少なくすることで、第１の冷却ガス口１６６から供給される冷却ガスの影響により、空間部１５２に澱み部分を発生させることなく、空間部１５２の流れがスムーズになる。
【００６２】
なお、第１〜３の冷却工程において、第１の冷却ガス口１６６と第２の冷却ガス口１６８との冷却ガスの供給量は、同等すなわち、流量比が１：１となるようにしてもよい。この場合、第１〜３の冷却工程（図６（ａ）〜（ｃ））中に第１の冷却ガス口１６６と第２の冷却ガス口１６８との冷却ガスの供給量を調整する必要がないので制御が容易となる。
【００６３】
図７に第２の実施形態における基板処理装置１０の処理炉６３が示されている。
石英管ユニット１４２の一方側に形成された第１の開口部１４８の近傍には第１の熱電対１８４が配設されており、第１の温度検出器として用いられる。また、石英ユニット１４２の他方側に形成された第２の開口部１５０の近傍には第２の熱電対１８６が配設されており、第２の温度検出器として用いられる。これら第１の熱電対１８４及び第２の熱電対１８６は、温度検出部１２４と電気的に接続されている。第１の熱電対１８４は、第１のＯリング１５４近傍の温度を検出し、検出結果を温度検出部１２４に出力する。また、第２の熱電対１８６は第２のＯリング１５６近傍の温度を検出し、検出結果を温度検出部１２４に出力する。温度検出部１２４は、第１の熱電対１８４及び第２の熱電対１８６から出力された検出値から第１のＯリング１５４及び第２のＯリング１５６の温度値を算出し、該算出結果を主制御部１１４に出力する。主制御部１１４は、温度検出部１２４からの出力値に基づいて第１の冷却ガスブロア１７４、第２の冷却ガスブロア１７６、第１の開閉弁１７８及び第２の開閉弁１８０の動作をガス制御部１２０を介して制御するようになっている。
【００６４】
なお、第１のＯリング１５４及び第２のＯリング１５６は、例えばフッ素系樹脂からならなるため耐熱温度１８０〜２５０℃程度である。一方、電極封止部１４０は、耐熱温度３００〜３５０℃程度である。そのため、上述したように、好ましくは、電極封止部１４０よりＯリング１５６近傍の温度を検出するように第１の熱電対１８４及び第２の熱電対１８６を設けるとＯリング近傍の温度を適切に検出することができるが、これに限らず、第１のチャンバ１５８及び第２のチャンバ１６０内壁に埋め込んで設置してもよい。この場合、予め設置した熱電対の検出する温度とＯリング近傍の温度との関係を取得しておき、当該関係分を補正して制御するようにすればよい。要するに、第１の開口部１４８の近傍及び第２の開口部１５０の近傍にそれぞれ第１の熱電対１８４及び第２の熱電対１８６を設けるようにすればよい。
【００６５】
図８に本実施形態における半導体装置の製造方法の一工程である冷却工程が示されている。
図８（ａ）に第１の冷却工程（ステップ１）が示されている。この第１の冷却工程は、基板処理中に行なわれる。
【００６６】
図８（ａ）に示すように、基板１８に対して所望の処理が行なわれている間、すなわちランプユニット１３４に電力が供給されている間において、ガス制御部１２０は、第１の冷却ガスブロア１７４（図７に示す）及び第２の冷却ガスブロア１７６（図７に示す）を作動させ、第１の冷却ガス供給ライン１６２及び第２の冷却ガス供給ライン１６４より第１の冷却ガス口１６６及び第２の冷却ガス口１６８に冷却ガスを供給する。また、ガス制御部１２０は、第１の開閉弁１７８及び第２の開閉弁１８０を開放する。
【００６７】
第１の冷却ガス口１６６より供給された冷却ガスは、第１のチャンバ１５８、第１の排気ライン１７０及び第１の開閉弁１７８内を流通し、処理炉６３外へ排出される。この冷却ガスの流通によりランプユニット１３４の一方側の電極封止部１４０及び第１のＯリング１５４が冷却される。また、第２の冷却ガス口１６８より供給された冷却ガスは、第２のチャンバ１６０、第２の排気ライン１７２及び第２の開閉弁１７８内を流通し、処理炉６３外へ排出される。この冷却ガスの流通によりランプユニット１３４の他方側の電極封止部１４０及び第２のＯリング１５６が冷却される。
【００６８】
図８（ｂ）に第２の冷却工程（ステップ２）が示されている。この第２の冷却工程は、基板処理終了後に行なわれる。
【００６９】
図８（ｂ）に示すように、ガス制御部１２０は、基板１８に対する処理が終了した後には、第１の開閉弁１７８を遮断し、第２の冷却ガスブロア１７６（図６に示す）を停止する。これにより、第１の冷却ガス口１６６より供給された冷却ガスは、第１のチャンバ１５８、第１の開口部１４８、空間部１５２（ランプユニット１３４と石英管ユニット１４２）、第２の開口部１５０、第２のチャンバ１５０、第２の排気ライン１７２及び第２の開閉弁１８０内を流通し、処理炉６３外へ排出される。この冷却ガスの流通により、石英管ユニット１４２の石英製パイプ１４４及びランプユニット１３４から放出された熱が排出される。
【００７０】
図８（ｃ）に第３の冷却工程（ステップ３）が示されている。この第３の冷却工程は、上述した第２の冷却工程後に行なわれる。
【００７１】
図８（ｃ）に示すように、ガス制御部１２０は、第２の熱電対１８６の温度検出値が予め設定された温度を検出すると（予め設定された温度以上になった際には）、第１の開閉弁１７８を開放し、第２の開閉弁１８０を遮断する。続いて、第２の冷却ガスブロア１７６を作動させ、第１の冷却ガスブロア１７４（図６に示す）を停止する。これにより、第２のガス口１６８より供給された冷却ガスは、第２のチャンバ１６０、第２の開口部１５０、空間部１５２（ランプユニット１３４と石英管ユニット１４２）、第１の開口部１４８、第１のチャンバ１５８、第１の排気ライン１７０及び第１の開閉弁１７８内を流通し、処理炉６３外へ排出される。これにより、偏った熱負荷を分散させると共に石英管ユニット１４２の石英製パイプ１４４及びランプユニットから放出された熱が効率よく排出される。
【００７２】
このように、第１の熱電対１８４及び第２の熱電対１８６の出力に基づいて第１の冷却ガスブロア１７４及び第２の冷却ガスブロア１７６を制御することにより、第１のＯリング１５４及び第２のＯリング１５６近傍の温度が該第１のＯリング１５４及び第２のＯリング１５６の耐熱温度以下に保持することができる。したがって、第１のＯリング１５４及び第２のＯリング１５６の過度の昇温をより確実に抑制することができ、シール部の溶解を防止することができる。
【００７３】
次に第４の冷却工程（ステップ４）について説明する。この第４の冷却工程は、基板処理終了後に行なわれる。
【００７４】
上述した第２の冷却工程と第３の冷却工程とを繰り返し行なっている際に、第１の熱電対１８４及び第２の熱電対１８６双方の温度検出値が予め設定された設定温度を超えた場合には、ガス制御部１２０は、第１の冷却工程（図８（ａ）に示す）と同様に、第１の冷却ガスブロア１７４及び第２の冷却ガスブロア１７６を作動させ、第１の冷却ガス供給ライン１６２及び第２の冷却ガス供給ライン１６４より第１の冷却ガス口１６６及び第２の冷却ガス口１６８に冷却ガスを供給し、第１の開閉弁１７８及び第２の開閉弁１８０を開放する。
【００７５】
これにより、第１の冷却ガス口１６６より供給された冷却ガスは、第１のチャンバ１５８、第１の排気ライン１７０及び第１の開閉弁１７８内を流通し、処理炉６３外へ排出される。また、第２の冷却ガス口１６８より供給された冷却ガスは、第２のチャンバ１６０、第２の排気ライン１７２及び第２の開閉弁１７８内を流通し、処理炉６３外へ排出される。これらの冷却ガスの流通により両端の電極封止部１４０，１４０、第１のＯリング１５４及び第２のＯリング１５６が冷却される。
【００７６】
この第４の冷却工程は、上述した第２の冷却工程及び第３の冷却工程と比較し、第１のＯリング１５４及び第２のＯリング１５６をより一層冷却することができるので、過温時にシール部を保護する目的で実施される。第１の熱電対１８４及び第２の熱電対１８６いずれかの温度検出値が予め設定された設定温度未満になった場合には、再び第２の冷却工程もしくは第３の冷却工程に戻り、第２の冷却工程と第３の冷却工程とを繰り返し行なう。
【００７７】
図９に第２の実施形態の変形例が示されている。
本変形例は、上記第２の実施形態と比較すると、第２の冷却工程及び第３の冷却工程が異なる。
【００７８】
図９（ｂ）に本変形例の第２の冷却工程（ステップ２）が示されている。この第２の冷却工程は、基板処理後に行なわれる。
【００７９】
図９（ｂ）に示すように、ガス制御部１２０は、基板１８に対する処理が終了した後には、第１の開閉弁１７８を遮断する。このとき、第１の冷却ガスブロア１７４（図７に示す）及び第２の冷却ガスブロア１７６（図７に示す）を停止せずに、第１の冷却ガス口１６６及び第２の冷却ガス口１６８から冷却ガスを供給し続ける。これにより、第１の冷却ガス口１６６より供給された冷却ガスは、第１のチャンバ１５８、第１の開口部１４８、空間部１５２（ランプユニット１３４と石英管ユニット１４２との間）、第２の開口部１５０、第２のチャンバ１６０、第２の排気ライン１７２及び第２の開閉弁１８０内を流通し、処理炉６３外へ排出される。一方、第２の冷却ガス口１６８より供給された冷却ガスは、第２のチャンバ１６０、第２の排気ライン１７２及び第２の開閉弁１８０内を流通し、処理炉６３外へ排出される。この冷却ガスの流通により、石英管ユニット１４２の石英製パイプ１４４及びランプユニット１３４から放出された熱が排出されるとともに第１のＯリング１５４、第２のＯリング１５６及び両側の電極封止部１４０、１４０が確実に冷却される。
【００８０】
好適には、第１の冷却ガス口１６６から供給される冷却ガスの流量を第２の冷却ガス口１６８から供給されるガス流量より多くする。このように、第２の冷却ガスブロア１７６等を制御して、第２の冷却ガス口１６８から供給される冷却ガスの流量を少なくすることで、第２の冷却ガス口１６８から供給される冷却ガスの影響により、空間部１５２に澱み部分を発生させることなく、空間部１５２の流れがスムーズになる。
【００８１】
図９（ｃ）に本変形例の第３の冷却工程（ステップ３）が示されている。この第３の冷却工程は、上述した第２の冷却工程後に行なわれる。
【００８２】
図９（ｃ）に示すように、ガス制御部１２０は、第２の熱電対１８６の温度検出値が予め設定された温度を検出すると（予め設定された温度以上になった際には）、ガス制御部１２０は、第１の開閉弁１７８を開放し、第２の開閉弁１８０を遮断する。このとき、第１の冷却ガスブロア１７４（図７に示す）及び第２の冷却ガスブロア１７６（図７に示す）を停止せずに、第１の冷却ガス口１６６及び第２の冷却ガス口１６８から冷却ガスを供給し続ける。これにより、第２のガス口１６８より供給された冷却ガスは、第２のチャンバ１６０、第２の開口部１５０、空間部１５２（ランプユニット１３４と石英管ユニット１４２との間）、第１の開口部１４８、第１のチャンバ１５８、第１の排気ライン１７０及び第１の開閉弁１７８内を流通し、処理炉６３外へ排出される。一方、第１の冷却ガス口１６６より供給された冷却ガスは、第１のチャンバ１５８、第１の排気ライン１７０及び第１の開閉弁１７８内を流通し、処理炉６３外へ排出される。この冷却ガスの流通により、石英管ユニット１４２の石英製パイプ１４４及びランプユニット１３４から放出された熱が排出されるとともに第１のＯリング１５４、第２のＯリング１５６及び両側の電極封止部１４０、１４０が確実に冷却される。
【００８３】
好適には、第２の冷却ガス口１６８から供給される冷却ガスの流量を第１の冷却ガス口１６６から供給されるガス流量より多くする。このように、第１の冷却ガスブロア１７４等を制御して、第１の冷却ガス口１６６から供給される冷却ガスの流量を少なくすることで、第１の冷却ガス口１６６から供給される冷却ガスの影響により、空間部１５２に澱み部分を発生させることなく、空間部１５２の流れがスムーズになる。
【００８４】
なお、第１〜４の冷却工程において、第１の冷却ガス口１６６と第２の冷却ガス口１６８との冷却ガスの供給量は、同等すなわち、流量比が１：１となるようにしてもよい。この場合、第１〜４の冷却工程（図９（ａ）〜（ｃ））中に第１の冷却ガス口１６６と第２の冷却ガス口１６８との冷却ガスの供給量を調整する必要がないので制御が容易となる。
【産業上の利用可能性】
【００８５】
本発明は、半導体ウエハやガラス基板等を処理するための基板処理装置において、シール部やランプユニットにおける過度の温度上昇を防止する必要があるものに利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００８６】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る基板処理装置を示す平面断面図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係る基板処理装置に用いた処理炉を示す概略構成図である。
【図３】本発明の第１の実施形態に係る基板処理装置に用いた処理炉を示す概略模式図である。
【図４】本発明の第１の実施形態に係る基板処理装置に用いた石英管ユニットの概略斜視図である。
【図５】本発明の第１の実施形態に係る基板処理装置の処理炉により実施される冷却工程を示し、（ａ）は第１の冷却工程、（ｂ）は第２の冷却工程、（ｃ）は第３の冷却工程を説明する図である。
【図６】本発明の第１の実施形態の変形例における基板処理装置の処理炉により実施される冷却工程を示し、（ａ）は第１の冷却工程、（ｂ）は第２の冷却工程、（ｃ）は第３の冷却工程を説明する図である。
【図７】本発明の第２の実施形態に係る基板処理装置に用いた処理炉を示す概略模式図である。
【図８】本発明の第２の実施形態に係る基板処理装置の処理炉により実施される冷却工程を示し、（ａ）は第１の冷却工程及び第４の冷却工程、（ｂ）は第２の冷却工程、（ｃ）は第３の冷却工程を説明する図である。
【図９】本発明の第２の実施形態の変形例における基板処理装置の処理炉により実施される冷却工程を示し、（ａ）は第１の冷却工程及び第４の冷却工程、（ｂ）は第２の冷却工程、（ｃ）は第３の冷却工程を説明する図である。
【符号の説明】
【００８７】
１０  基板処理装置
１８  基板
６３  処理炉
８８  ランプユニット群
１００  処理室
１２０  ガス制御部
１３４  ランプユニット
１３６  フィラメント
１３８  ランプ管
１４２  石英管ユニット
１４８  第１の開口部
１５０  第２の開口部
１５２  空間部
１５４  第１のＯリング
１５６  第２のＯリング
１６２  第１の冷却ガス供給ライン
１６４  第２の冷却ガス供給ライン
１６６  第１の冷却ガス口
１６８  第２の冷却ガス口
１７０  第１の排気ライン
１７２  第２の排気ライン
１７４  第１の冷却ガスブロア
１７６  第２の冷却ガスブロア
１７８  第１の開閉弁
１８０  第２の開閉弁
１８４  第１の熱電対
１８６  第２の熱電対
【図１】
2008028305.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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