(57)【要約】【課題】本発明はメモリモジュールの端子の接触不良の試験装置及び方法に関し，簡単な構成でメモリモジュールの端子部のごみ等による接触不良を確実に検出することを目的とする。【解決手段】各種のメモリモジュールについて各端子番号とそれぞれの種別が設定されたモジュール別配列表と，モジュール別配列表からモジュール名の入力部から入力されたモジュールについて各端子を種別に応じてグループ化してグループ別配列表に書き込む配列表生成部と，配列表生成部で生成されたモジュール別配列表に従って，グループ別に予め指定された試験方法によりそれぞれの端子について試験を行う試験部とを備える。試験部の試験により発生した出力から，接触不良の端子が検出されたかを判定し，一つの端子について不良であることが検出されると，当該メモリモジュールを接触不良とする判定を判定部により行うよう構成する。【選択図】図１
2008032462.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
端子の接触不良を検出するためのメモリモジュールの試験装置において，
各種のメモリモジュールについて各端子番号とそれぞれの種別が設定されたモジュール別配列表と，前記モジュール別配列表からモジュール名の入力部から入力されたモジュールについて各端子を種別に応じてグループ化してグループ別配列表に書き込む配列表生成部と，
前記配列表生成部で生成されたモジュール別配列表に従って，グループ別に予め指定された試験方法によりそれぞれの端子について試験を行う試験部と，
前記試験部の試験により発生した出力から，接触不良の端子が検出されたかを判定し，一つの端子について不良であることが検出されると，当該メモリモジュールを接触不良とする判定を行う判定部と
を備えることを特徴とするメモリモジュールの試験装置。
【請求項２】
請求項１において，
前記メモリモジュールの端子の種別として，入力端子，出力端子，バス端子，電源端子，グランド端子の何れかに分けてそれぞれの端子番号を，それぞれ異なるグループとしてグループ別配列表に書き込むことを特徴とするメモリモジュールの試験装置。
【請求項３】
請求項１において，
前記試験部は，前記グループ別配列表に設定されたグループに対応した異なる試験方法を実行する複数の試験装置を備え，
入力，出力，バスの端子のグループに対して電流源を供給して電圧を検出することにより接触不良を検出する試験装置と，電源やグランドの端子のグループに対して電圧源を供給して電流を検出することにより接触不良を検出する試験装置とを備えることを特徴とするメモリモジュールの試験装置。
【請求項４】
端子の接触不良を検出するための処理装置を用いたメモリモジュールの試験方法であって，
各種のメモリモジュールについて各端子番号とそれぞれの種別が設定されたモジュール別配列表を作成し，
試験対象となるモジュール名を指定することにより前記モジュール別配列表から対応するモジュールの配列表を選択し，
選択されたモジュールの配列表に設定された各端子の種別を識別して各端子番号を種別に対応したグループに分けて書き込むことによりグループ別配列表を作成し，
前記作成したグループ別配列表を用い試験対象となるメモリモジュールを搭載した試験部において，各端子についてそれぞれのグループに対応した試験方法による試験を実行し，
試験により得られた出力を判定して接触不良の有無を検出する，
ことを特徴とするメモリモジュールの試験方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はメモリモジュールの端子の汚れにより発生する接触不良を検出するためのメモリモジュールの試験装置及び方法に関する。
【０００２】
メモリモジュールを使用するコンピュータ，サーバ等の各種電子装置の製造会社では，メモリモジュールを半導体メーカから購入するが，メモリモジュールの端子の汚れにより発生する接触不良を検出することが求められている。
【背景技術】
【０００３】
従来のメモリモジュールの端子部の接触不良を検出するための試験方法として幾つかの方法があり，以下に説明する。なお，メモリモジュールとしては，主にＤＩＭＭ（Dual Inline Memory Module:複数のメモリチップを小さい基板に搭載してモジュール化し，メモリ・ソケットに装着して使用する）を対象とする。
【０００４】
試験方法１
メモリモジュールを使用するサーバ，ノート型パソコン，デスクトップパソコン等の装置の，ＤＩＭＭのソケット部へメモリモジュールを挿入して，機能試験を行い，機能試験が成功したか否かを確認することで試験を行う方法である。
【０００５】
試験方法２
半導体メーカから納入されたメモリモジュールの端子部を顕微鏡で外観観察することによる方法である。ＤＩＭＭ１枚あたりの試験時間が約１０分かかるため，１時間で６枚，一日（８時間）で４８枚の外観試験しかできない。したがって，５０００枚／月（２０日）の外観試験を行うには，５０００（枚）÷（２０（日）×４８）≒５（人）であり，１ヵ月間５人の作業者が必要になる。
【０００６】
試験方法３
試験方法３を図６の従来例の説明図に示す。図６のＡ．は構成図であり，８０はソケット（コネクタ），８１はメモリモジュール，８２はメモリモジュール部の端子部，８３はソケットのリード端子部，８４は抵抗測定を行うテスターである。作業者が，ソケット８０にメモリモジュール８１を挿入した後，メモリモジュール部の端子部８２とソケット８０のリード端子部８３との間の導通確認を行う。その時，図６のＢ．に示すフローチャートにより試験が実行される。すなわち，ピン番号をＮとして，最初にＮ＝０に設定し（図６のＳ１），Ｎ＝Ｎ＋１を行って（同Ｓ２），Ｎピン試験の条件を設定して（同Ｓ３），Ｎピンを測定する（同Ｓ４）。測定結果について良否判定を行い（図６のＳ５），良好であればＮが最大であるか判別し（同Ｓ６），最大でなければＳ２に移行してピン番号Ｎを更新して同様の処理を実行し，Ｎが最大である場合は良品と判定して試験を終了し，良否判定で不良と判定されるとそのメモリモジュールは不良品として試験を終了する。
【０００７】
メモリカードの接触不良を検出する装置の発明が提案されており，図７に提案された装置の構成を示す（特許文献１参照）。図７において，９０はテスト対象となるメモリカード，９１は装置本体，９２はメモリカード用コネクタ，９３はメモリカードインタフェースコントローラ，９４は外部インタフェースコントローラ，９５はインタフェースコネクタ，９６は表示コントローラ，９７は表示画面，９８は作業領域を有するＲＡＭ，９９はＣＰＵによる制御手順を格納したＲＯＭ，１００は装置全体を制御するＣＰＵである。
【０００８】
メモリカード９０を装置本体９１のメモリカード用コネクタ９２に挿入し，メモリカード９０から読み出したデータラインの接触不良検出用データをＲＡＭ９８内の確認用データと比較して，一致しないときに不良とし，これによって接触不良が検出されないときにメモリカード９０の所定番地から読み出したチェック用データが，所定番地のデータ以外であって，メモリカード９０の全アドレスラインのうちの１つのみが他のアドレスラインの値と異なる所望数の番地から順次読み出したデータの少なくとも１つと一致したときに接触不良として識別する。
【特許文献１】特開平５−１７４２００号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
上記の試験方法１によればサーバ，ノート型パソコン等の装置を用意する必要があるが，これらの装置は高価（サーバは数百万／台）であり，多数のメモリモジュールを並行して試験するにはそれらの装置を複数台用意する必要があり，設備コストがかかるという問題がある。また，上記試験方法２によれば，人件費がかかるという問題がある。更に，試験方法３によれば，作業者が，ソケット８０にメモリモジュール８１を挿入した状態で，メモリモジュール部の端子部８２とソケット８０のリード端子部８３を選択して，順番に導通確認を行うもので，人手による作業が必要で時間と手間がかかるという問題がある。そして，上記の特許文献１の技術によれば，アドレスを変えてデータを読み出して，予めＲＡＭに記憶したデータと比較をするという複雑なデータ処理を行う必要があり，試験を行うための処理装置に比較のためのデータを用意し，試験のためにアドレスを発生させるためのプログラムを用意する必要があるという問題があった。
【００１０】
本発明は簡単な構成で確実にメモリモジュールの端子部のごみ等による接触不良を確実に検出することができるメモリモジュールの試験装置及び方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
図１は本発明の基本構成を示す。図中，１はモジュール名の入力部，２はモジュール毎の端子番号とその機能を表す端子種別（機能）が定義（登録）されたモジュール別配列表，３はモジュール別配列表の中から入力されたモジュール名に対応するモジュールの各端子をそれぞれの種別（機能）を単位とするグループに分けた配列表を生成する配列表生成部，４は配列表生成部３により生成された種別に対応したグループ毎の端子番号を配列すると共にそのグループに対して最適な試験（測定）方法が設定されたグループ別配列表，５は試験品（メモリモジュール），６はグループに対応して決められた試験（測定）を行う試験部（または測定部），７は試験対象のメモリモジュールの接触試験の良否を判定する判定部である。
【００１２】
モジュール名の入力部１でモジュール名を入力すると，配列表生成部３はモジュール別配列表２から入力されたモジュール名について登録された端子番号とその端子種別を取り出し，端子種別に対応した各グループ毎の端子番号をグループ別配列表４に設定する。このグループ別配列表４には各グループ別（端子の種別に対応）に最適な試験方法が予め設定されている。次に試験部６に上記モジュール名の入力部１で入力した名前の試験品（メモリモジュール）５を搭載（コネクタに挿入）して，試験（測定）を実行する。この時，グループ別配列表４に設定された，各グループ別に，そのグループに配列された端子番号の端子について，グループ別配列表４に登録された（そのグループに対して最適な）試験方法により試験が実行される。この場合，グループ別配列表４に登録された全てのグループについてそれぞれの端子番号に対して，それぞれに対して設定された各試験方法により順番に試験を行う。各試験方法による試験により得られた結果（試験により得られた出力信号）は判定部７に入力され，各試験方法に対応して予め決められた基準と比較して接触不良の有無（良否）を判定する。
【００１３】
電源ピンやグランド（地気）ピンを別のグループとしてグループ分けを行うことで，電圧印加，電流測定を行うことにより，接触抵抗について測定することができる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によればモジュール品名を入力するだけで，各種のメモリモジュールの試験を容易に行うことができる。また各メモリモジュールの端子の種別に対応して適切な接触不良の試験を切り替えて試験することが可能となる。したがって，電源ピン，グランドピン等についても適切な方法で接触抵抗の試験が可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
図２，図３は実施例の処理フロー（その１），（その２）であり，上記図１に示す各機能を実行するモジュール名の入力部１，配列表生成部３，試験部６，判定部７の各機能をＣＰＵ，ＲＡＭ，ＲＯＭを含むプロセッサ（処理装置），キーボード・マウス等の入力装置，表示装置，及びハードディスク，ＣＤ，ＤＶＤ等の記憶媒体を用いた補助記憶装置を備えたコンピュータを用いて実行することができる。
【００１６】
図４は配列表の構成例であり，図４のＡ．はモジュール別配列表（図１の２）であり，モジュールＡ，……，モジュールＨのそれぞれについて，端子番号とそれぞれの端子名（種別または機能）が設定されている。図４のＢ．は配列表生成部により生成されるグループ別配列表（図１の４）の構成例であり，端子名（端子の種別または機能）により端子をグループ１〜グループ６に分けた例であり，グループ１は入力端子，グループ２は出力端子，グループ３はバス端子，グループ４は電源１端子，グループ５は電源２端子，グループ６はグランド端子とする。選択したメモリモジュールが備える全ての端子の端子番号がどのグループ（どの種別）に該当するか図２，図３内の処理フローにより識別されると対応するグループの配列表に端子番号が書き込まれる。また，配列表生成部には各グループ毎にそのグループの端子を試験（測定）する試験方法が各グループ毎に予め設定されている。
【００１７】
図２，図３に示す実施例の処理フローを説明すると，最初にモジュールＡの試験を開始し（図２のＳ１），モジュール品名として「モジュールＡ」を選択すると（同Ｓ２），選択されたモジュールＡの配列表を開く（同Ｓ３）。この場合，モジュール別配列表のモジュール名のリストを表示装置に表示し，その中からモジュールＡを入力装置により選択すると，選択されたモジュールＡの配列表（ハードディスク等の記憶装置に格納）が取り出される。図４のＡ．に示すモジュール別配列表の構成例では，モジュールＡの各端子番号についてそれぞれの端子名（種別，または機能）が定義されており，端子番号「Ｐ１」は「入力」機能を持つ端子，「Ｐ２」は「出力」機能を持つ端子，……，「Ｐ２４０」は「バス」を構成する端子である。次にステップＳ４において，端子番号「Ｐ１」について配列表生成の処理を行う。すなわち，「Ｐ１」の種別（機能）を読み出し（図２のＳ４００），最初に端子番号「Ｐ１」が入力端子であるか識別する（同Ｓ４０１）。
【００１８】
この説明の例では，モジュールＡ（図４のＡ．）の端子番号「Ｐ１」の種別が「入力」であるため，「ＹＥＳ」と判定され，予め作成されているグループ別配列表の中の「入力端子」に対応して設けられたグループ１の配列表（初期状態では端子番号は空欄）を開き（図２のＳ４０２），グループ１の配列表の欄に「Ｐ１」を書き込み（同Ｓ４０３），グループ１の配列表を閉じる（同Ｓ４０４）。上記Ｓ４０２〜Ｓ４０４の処理を，図４のＡ．に示すモジュールＡの端子番号Ｐ１の種別が「入力」について実行され，この場合，図４のＢ．に示すグループ別配列表の中の，グループ１「入力端子」の配列表の配列番号（グループ１内の順番を表す）１に対応する端子番号の欄に「Ｐ１」を設定する。
【００１９】
端子番号Ｐ１について配列表への書き込みが終了すると，図２のＳ４０５（Ｐ１が出力端子であるか），Ｓ４０９（Ｐ１がバス端子であるか），Ｓ４１３（Ｐ１が電源１端子であるか）及び図３のＳ４１７（Ｐ１が電源２端子であるか），Ｓ４２１（Ｐ１がグランド端子であるか）の各判別においてＮＯと判断され，次に図３のステップＳ５に移行し，端子番号Ｐ２について上記Ｓ４（Ｓ４００〜Ｓ４２４）と同様の処理が実行される。端子番号Ｐ２の種別（機能）は「出力」であるため，図４のＢ．に示すグループ別配列表の中のグループ２出力端子の配列表の配列番号１の端子番号の欄に「Ｐ２」が書き込まれる。
【００２０】
以下，モジュールＡの端子番号Ｐ３〜Ｐ２４０の各端子について図３ではその詳細は図示省略されているが，各端子番号について上記図２と図３に示すＳ４００〜Ｓ４２４と同様の処理が実行される。このようにして，図４のＢ．に示すようにモジュールＡについて，全ての端子についてグループ１（入力端子），グループ２（出力端子），グループ３（バス端子），グループ４（電源１端子），グループ５（電源２端子），グループ６（グランド端子）の各グループ別に端子番号が書き込まれることにより，図４のＢ．に示すようなグループ別配列表が生成される。
【００２１】
グループ別配列表が生成されると，各グループ別の試験（測定）が図３のＳ７００〜Ｓ７１１において実行される。なお，図３では複数の試験を並列に記載しているが，実際にはグループ別に順番に試験が実行される。
【００２２】
すなわち，試験対象となる試験品（メモリモジュール）を試験部（図１の６）に装着する。この試験部には，複数の試験（測定）方法により試験を行う複数の試験装置（または測定装置）が設けられている。試験部には，試験品であるメモリモジュールの各端子と接続する多数のコネクタを備えたボードを備えると共に，各コネクタの端子と試験を行う試験装置の端子とを一つずつオン・オフの切替えが可能な多数のスイッチを備えている。そして，複数の試験装置の中から，選択された試験方法に対応して作業者により選択することができる。
【００２３】
グループ１（入力端子）については，グループ別配列表を参照し（図３のＳ７００），対象となるピンに対して試験方法１で試験を行う（同Ｓ７０１）。次にグループ２（出力端子）の配列表を参照して（図３のＳ７０２），対象となるピンに対して試験方法１で試験を行う（同Ｓ７０３）。以下，同様グループ３（バス端子）についても試験方法１で試験を行い，グループ４〜６については試験方法２により試験を行う。これらの各試験により得られた結果は，判定部（図１の７）において判定され，端子１本でも不良が存在した場合は不良と判定する（図３のＳ８）。不良の判定が発生するとそのメモリモジュールについての試験を終了（接触不良がある製品として判定）し，全ての端子で不良が検出されないと，試験を終了（接触不良がない良品として判定）する。
【００２４】
上記図３のＳ７００〜Ｓ７１１において実行される試験方法１，試験方法２の内容を，図５を用いて説明する。図５は試験方法の説明図である。図５のＡ．は入力端子，出力端子，バス端子についての試験を行う試験方法１を示し，５０はメモリモジュール（ＭＭ），５１はコネクタ，５２はメモリモジュール５０の端子と接続するピン（端子），５３は各ピンと電流源５４の端子との間の接続を切替えるスイッチ（ＳＷ１〜ＳＷ２００），５４は電流源，５５は電流源５４の２つの端子の間の電圧を検出する電圧計である。
【００２５】
電流源５４の一方の端子から試験対象となるメモリモジュール（ＭＭ）５０がコネクタ５１に装着した状態（メモリモジュールには電源が供給されず非動作の状態）で試験が行われる。試験方法１では，最初にピンＰ１（入力ピンとする）へ接続するスイッチＳＷ１をオンに切替え，電流源５４の他方の端子をグランドピンに接続するスイッチＳＷ２００をオンに切替える。この状態で，電流源５４から定電流（この例では５０μＡ（マイクロアンペア））を発生した時に，電圧計５５に発生する電圧を検出する。この時，図５のＢ．に示すようなダイオード特性（半導体メモリの特性）が出ると良好と判定され，この特性から外れると接触不良と判定される。すなわち，電流源５４からは，マイナス５０μＡの電流に対し，電圧計５５に発生する電圧値が−０．５Ｖ程度から−０．２Ｖ程度の間の値であれば接触状態が良いと判定し，そうでない場合は，不良として識別する。
【００２６】
図５のＣ．は電源端子及びグランド端子についての試験を行う試験方法２を示し，メモリモジュール（ＭＭ）５０〜５３の各符号は図５のＡ．と同じであり，５６は電圧源，５７は電流計である。この試験方法２は，コネクタ５１にメモリモジュールを装着した状態（メモリモジュールには電源が供給されず非動作の状態）で行われ，同じ種別の端子同士，すなわち電源１端子と他の電源１端子を電圧源５６の２つの端子で接続して定電圧（メモリのＩＣが破壊されない低い電圧であり，例えば，０．１Ｖ）を印加して，電流計５７により電流（微小な電流，例えば１００μＡ程度）が流れることを検出し，同様に電源２端子と他の電源２端子を電圧源５６の２つの端子で接続し，電流計５７で電流を検出し，グランド端子についてもグランド端子の間に定電圧を印加して電流を検出する。この場合，電流が流れることを検出することで正常であることが分かり，電流が流れないと接触不良とする。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本発明の基本構成を示す図である。
【図２】実施例の処理フロー（その１）を示す図である。
【図３】実施例の処理フロー（その２）を示す図である。
【図４】配列表の構成例を示す図である。
【図５】試験（測定）方法の例である。
【図６】従来例の説明図である。
【図７】提案された装置の構成を示す図である。
【符号の説明】
【００２８】
１      モジュール名の入力部
２      モジュール別配列表
３      配列表生成部
４      グループ別配列表
５      試験品（試験対象のメモリモジュール）
６      試験部
７      判定部
【図１】
2008032462.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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