(57)【要約】【課題】  回転電極型のＤＰＰ光源において、電極の冷却を効率よく行う手段を提供する。【解決手段】  ＥＵＶ光源は、電極部と、電極駆動部と、電極冷却部とを備える。電極部は、一対の電極間の放電によりターゲット材料をプラズマ化し、生成されたプラズマからＥＵＶ光を放射させる。電極駆動部は電極部を回転させる。電極冷却部は電極部を非接触で冷却する。【選択図】  図１
2008311465.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の電極間の放電によりターゲット材料をプラズマ化し、生成されたプラズマからＥＵＶ光を放射させる電極部と、
前記電極部を回転させる電極駆動部と、
前記電極部を非接触で冷却する電極冷却部と、を備えるＥＵＶ光源。
【請求項２】
請求項１に記載のＥＵＶ光源において、
前記電極冷却部は、前記電極部の陽極および陰極の少なくとも一方に対向して配置された輻射温調部材を有するＥＵＶ光源。
【請求項３】
請求項２に記載のＥＵＶ光源において、
前記電極部および前記輻射温調部材の少なくとも一方の輻射面に、セラミック被膜が形成されているＥＵＶ光源。
【請求項４】
請求項２に記載のＥＵＶ光源において、
前記電極部にヒートパイプが内蔵されているＥＵＶ光源。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれか１項に記載のＥＵＶ光源において、
前記電極冷却部は、前記電極部の陽極および陰極の少なくとも一方に対して液体を射出する液体供給部を有するＥＵＶ光源。
【請求項６】
請求項１から請求項５のいずれか１項に記載のＥＵＶ光源と、
前記ＥＵＶ光源からのＥＵＶ光をマスクに照射する照明光学系と、
前記マスクに形成されたパターンを感応基板に露光転写する投影光学系と、を備えるＥＵＶ露光装置。
【請求項７】
請求項６に記載のＥＵＶ露光装置を用いて、マスクに形成されたパターンを感応基板に露光転写する工程を有する半導体デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＥＵＶ露光装置に使用されるＥＵＶ光源とその周辺技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体集積回路の微細化に伴い、光の回折限界によって制限される光学系の解像力を向上させるために、５〜５０ｎｍ程度の波長を有するＥＵＶ（Extreme Ultraviolet）光を使用したＥＵＶ露光装置が提案されている。かかるＥＵＶ露光装置では、高いスループットを実現するために、ＥＵＶ光を高出力で供給できるＥＵＶ光源が要望されている。
【０００３】
上記のＥＵＶ光源の一つとして、電極間に電圧を印加してターゲット材料をプラズマ化し、このプラズマからＥＵＶ光を放射させる放電プラズマ（ＤＰＰ：Discharge Produced Plasma）光源が公知である。一般に、ＤＰＰ光源におけるＥＵＶ光の出力は投入電力に比例して増大するが、投入電力が大きくなると電極が過熱で溶融する。
【０００４】
そのため、近年では回転電極型のＤＰＰ光源が提案されている。この回転電極型のＤＰＰ光源では、電極の回転によって放電に使用する箇所が分散するので熱負荷が低減し、従来の構造に比べて投入電力の増加がより容易となる。なお、非特許文献１には回転電極型のＤＰＰ光源の一例が開示されている。
【非特許文献１】V.Borisov,"Development of EUV source with tin fuel and rotating disk electode",2006 EUVL Symposium,Oct.16,2006
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、回転電極型のＤＰＰ光源では電極が高速で回転する。そのため、回転電極型のＤＰＰ光源において一般的な電極冷却手段である液冷方式を採用すると、回転部分と非回転部分との間で冷媒の遮蔽が非常に困難であることから、真空チャンバ内への冷媒の液漏れなどの問題が生じ易くなる。したがって、回転電極型のＤＰＰ光源に適した電極の冷却手段の開発がなお要請されている。
【０００６】
本発明は上記従来技術の課題を解決するためのものである。本発明の目的は、回転電極型のＤＰＰ光源において、電極の冷却を効率よく行う手段を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一の形態に係るＥＵＶ光源は、電極部と、電極駆動部と、電極冷却部とを備える。電極部は、一対の電極間の放電によりターゲット材料をプラズマ化し、生成されたプラズマからＥＵＶ光を放射させる。電極駆動部は電極部を回転させる。電極冷却部は電極部を非接触で冷却する。
【０００８】
また、本発明の他の形態として、上記のＥＵＶ光源を備えたＥＵＶ露光装置や、このＥＵＶ露光装置を用いた半導体デバイスの製造方法も本発明の技術的範囲に含まれる。
【発明の効果】
【０００９】
本発明では、回転する電極部を電極冷却部が非接触で冷却し、電極の冷却が効率よく行なわれる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
（第１実施形態の説明）
図１は、第１実施形態のＥＵＶ光源ユニットの構成を示す概要図である。ＥＵＶ光源ユニット１１は、真空チャンバ１２と、ターボ分子ポンプ１３と、電極部１４と、電源１５と、電極駆動部１６と、レーザー光源１７と、制御部１８と、集光光学系１９と、２つの輻射温調部材２０，２１とを有している。なお、電源１５、電極駆動部１６およびレーザー光源１７は、それぞれ制御部１８に接続されている。
【００１１】
ここで、真空チャンバ１２の内部には、電極部１４、集光光学系１９および輻射温調部材２０，２１が収容されている。また、真空チャンバ１２には、レーザー光源１７からレーザー光を導入するレーザー導入窓１２ａと、ＥＵＶ光を照明光学系に導くＥＵＶ光出射窓とが形成されている（図１において照明光学系およびＥＵＶ光出射窓の図示は省略する）。なお、ＥＵＶ光源ユニット１１の動作時には、真空チャンバ１２の内部はターボ分子ポンプ１３によって排気されて真空に維持される。
【００１２】
電極部１４は、電極間の放電によりターゲット材料をプラズマ化し、生成されたプラズマからＥＵＶ光を放射させる。この電極部１４は、一対の電極板２２，２３と、絶縁部２４と、回転軸２５とを有している。各々の電極板２２，２３は、電源１５と接続されて陽極と陰極とを構成する。各々の電極板２２，２３の全体形状はいずれもほぼ同形状の円盤状をなしている。なお、第１実施形態では、電極板２２，２３の材質には高融点金属であるモリブデン（Ｍｏ）が用いられており、電極板２２，２３の直径は１ｍに設定されている。
【００１３】
また、電極板２２，２３の内部には、電極板の周縁部および中心部での熱伝導の効率を高めるためにヒートパイプ２６が内蔵されている。上記のヒートパイプ２６には、一例として円形の平板型ヒートパイプが使用される。あるいは、複数の管状のヒートパイプを電極板の中心を基準として放射状に配置してもよい。なお、これらのヒートパイプ２６としては、１０００Ｋ程度の環境下で使用できるものが選択される。
【００１４】
また、一対の電極板２２，２３は絶縁部２４を隔てて平行に配置される。そして、図中上側に位置する一方の電極板２２の中心には回転軸２５が接続されている。すなわち、電極部１４の組立状態において、一対の電極板２２，２３および絶縁部２４は回転軸２５によって片持ちで支持される。
【００１５】
さらに、図中下側に位置する他方の電極板２３の上面側には、その外縁部にターゲット材料２７が供給される。第１実施形態でのターゲット材料２７には、ＥＵＶリソグラフィに適した波長１３．５ｎｍ付近のＥＵＶ光を発生させるために、錫（Ｓｎ）を含む化合物が選択される。ここで、上記のターゲット材料２７は、溶融したターゲット材料をノズルで射出するターゲット供給機構によって、電極板２３の上に供給される（図１においてターゲット供給機構の図示は省略する）。なお、電極板２３の外周に予め固体のターゲット材料２７を環状に配置しておいてもよい。
【００１６】
また、一方の電極板２２の上面側および他方の電極板２３の下面側には、輻射率を高めるためにセラミック被膜２２ａ，２３ａがそれぞれ形成されている。一例として、各電極板のセラミック被膜２２ａ，２３ａは、電極板の表面にアルミナをプラズマ溶射して形成される。
【００１７】
電源１５は、電極部１４の電極板２２，２３に対してパルス電圧を供給する。また、電極駆動部１６は、電極部１４の回転軸２５と接続されており、モータ（不図示）によって電極部１４を回転させる。
【００１８】
レーザー光源１７からのレーザー光は、ミラー２８および集光レンズ２９を介してレーザー導入窓１２ａから真空チャンバ１２内に入射し、電極部１４の発光点の位置にあるターゲット材料２７を照射する。なお、レーザー光は放電のトリガをかけるために使用される。そのため、レーザー光源１７による投入エネルギーは、電源１５による投入エネルギーと比べて無視できる程度に小さく設定される。
【００１９】
制御部１８は、電源１５、電極駆動部１６およびレーザー光源１７を統括的に制御する。具体的には、制御部１８は、電極駆動部１６を動作させて電極部１４を回転させるとともに、電源１５によるパルス電圧の投入とレーザー光源１７によるレーザー光の照射とを同期制御して、電極板の間のターゲット材料２７をプラズマ化させる。
【００２０】
集光光学系１９は、２枚の同心球面形状の反射面から構成されるシュバルツシルト光学系であって、電極部１４で発生したＥＵＶ光を集光して照明光学系に導く。この集光光学系１９の各反射面には、１３ｎｍ付近の波長のＥＵＶ光に対する反射率を高めるために、Ｍｏ／Ｓｉ多層膜がコーティングされている。なお、集光光学系１９には、ヴォルター型光学系を用いることも可能である。
【００２１】
２つの輻射温調部材２０，２１は、いずれも電極板２２，２３と同じ直径の円形状の金属平板で構成される。これらの輻射温調部材２０，２１は一対の電極板２２，２３を隔てて上下に配置される。一方の輻射温調部材２０は、一方の電極板２２の上面とわずかな間隔をおいて対向配置されている。また、他方の輻射温調部材２１は、他方の電極板２３の下面とわずかな間隔をおいて対向配置されている。なお、一方の輻射温調部材２０の中央には、回転軸２５との干渉を避けるために、回転軸２５を通すための開口部が形成されている。
【００２２】
ここで、輻射温調部材２０，２１の材質には銅（Ｃｕ）が用いられている。また、各々の輻射温調部材２０，２１における電極板との対向面（一方の輻射温調部材２０の下面および他方の輻射温調部材２１の上面）には、輻射率を高めるためにセラミック被膜２０ａ，２１ａがそれぞれ形成されている。これらのセラミック被膜２０ａ，２１ａも、上記の電極板の場合と同様にアルミナをプラズマ溶射して形成される。
【００２３】
さらに、各々の輻射温調部材２０，２１には液冷配管を含む熱交換器がそれぞれ接続されている。そのため、輻射温調部材２０，２１は所定の温度に冷却される（熱交換器の図示は省略する）。
【００２４】
次に、第１実施形態のＥＵＶ光源ユニット１１の動作を説明する。ＥＵＶ光源ユニット１１の動作時において、電極駆動部１６が電極部１４を回転させるとともに、電源１５が電極部１４に対してパルス電圧を印加する。また、レーザー光源１７からは電極部１４に向けてレーザー光が照射される。なお、第１実施形態のＥＵＶ光源ユニット１１では５０ｋＷの電力を投入し、発光点で１０００Ｗ、中間集光点（ＩＦ：Intermediate Focus）で２００ＷのＥＵＶ光を連続的に発生させる。
【００２５】
そして、他方の電極板２３にあるターゲット材料２７がレーザーアブレーションによって蒸発すると、電流の流路が生じて電極板２２，２３の間で放電が開始される。かかる放電によりターゲット材料２７がプラズマ化され、このプラズマからＥＵＶ光が放射される。ＥＵＶ光は集光光学系１９およびＥＵＶ光出射窓を介して、露光装置の照明光学系に導かれる。なお、電極部１４で放電に使用される箇所は回転によって変化する。
【００２６】
また、電極部１４の電極板２２，２３は、それぞれ対向配置された２つの輻射温調部材２０，２１によって非接触で輻射冷却される。そのため、第１実施形態では、回転する電極板を効率的に冷却でき、電極部１４への投入電力の増加によりＥＵＶ光の出力を向上させることができる。
【００２７】
ここで、第１実施形態における輻射温調部材での輻射冷却について詳述する。現在のＤＰＰ光源において、電極への投入電力に対するＥＵＶ光へのエネルギー変換効率は一般に２％程度である。また、ＤＰＰ光源の発光点で発生したＥＵＶ光を集光光学系によってＩＦに導くときの光学系の伝送効率は２０％程度である。そして、ＥＵＶ露光装置の光源には、ＩＦにおいて１００Ｗ〜２００ＷのＥＵＶ光の出力が要求される。ＤＰＰ光源において、上記のＥＵＶ光の出力を得るために必要となる投入電力は２５ｋＷ〜５０ｋＷである。また、ＤＰＰ光源に対する投入電力の大半は熱となるため、ＤＰＰ光源での電極の発熱量は２５ｋＷ〜５０ｋＷとみなすことができる。
【００２８】
一方、電極部１４の電極板から輻射温調部材への輻射による熱の移動量は以下の要領で求められる。一般に、２枚の対向する平板の間において輻射によって移動する熱量Ｑは以下の式（１）で求めることができる。
【００２９】
【数１】
2008311465.tif 000003
【００３０】
上記の式（１）において、σはシュテファンボルツマン定数（５．６７×１０−８［Ｗ／ｍ２Ｋ４］）を示す。Ｔｉは部材ｉの絶対温度［Ｋ］を示す。εｉは部材ｉの輻射率を示す。Ａは平板の面積［ｍ２］を示す。Ｆｉｊは部材ｉ，ｊ間の形態係数を示す。なお、部材１は電極板に対応し、部材２は輻射温調部材に対応する。
【００３１】
ここで、平板表面の材質を適切に選択すると輻射率をほぼ１に近づけることができる。したがって、上記の式（１）で輻射率を１とすると、以下の式（２）を得ることができる。
Ｑ＝ＡＦ１２σ（Ｔ１４−Ｔ２４）    ・・・（２）
また、間隙の狭い対向平板の場合における形態係数を１とすると、上記の式（２）から以下の式（３）を得ることができる。
Ｑ＝Ａσ（Ｔ１４−Ｔ２４）    ・・・（３）
さらに、電極板の温度Ｔ１は、輻射温調部材の温度Ｔ２よりも十分に高い。そのため、上記の式（３）は以下の式（４）で近似できる。すなわち、輻射による熱の移動量は平板の面積に比例し、電極板の温度の４乗に比例する。
Ｑ＝ＡσＴ１４    ・・・（４）
一例として、電極板および輻射温調部材の面積をそれぞれ１ｍ２とし、電極板の温度を１０００Ｋ（７２７℃）とする。この場合には、輻射温調部材によってＱ＝５６．７ｋＷの熱量を電極板から除去できる。この輻射による熱の移動量は上記した電極側の発熱量（２５ｋＷ〜５０ｋＷ）を上回る。したがって、輻射温調部材を配置することで電極板を十分に冷却できることが分かる。
【００３２】
特に、第１実施形態の構成では、電極板と輻射温調部材との対向する面積は上下を合わせると約１．５ｍ２となる。そのため、電極板の温度が１０００Ｋであるときに、２つの輻射温調部材２０，２１によって電極板から８５ｋＷの熱が除去されることとなる。
【００３３】
また、第１実施形態では、輻射温調部材および電極板の各輻射面にはそれぞれセラミック被膜（２０ａ，２１ａ，２２ａ，２３ａ）が形成されているため、輻射効率が向上され、輻射による電極板の冷却がより効率的に行われる。
【００３４】
また、上記のように輻射による熱伝達は温度の４乗に比例するが、面積にも比例する。電極板の輻射面の一部のみの温度が上昇すると、輻射板も熱を受けて温度が上昇する。輻射板の温度が上昇すると輻射効率、つまり、熱伝達が悪くなるため、温度上昇を低減させるために、輻射板は冷媒等の冷却手段で冷却される。しかし、輻射板の一部のみが高温になると冷却が十分に行えず、輻射効率が低下する可能性がある。特に、電極板では、プラズマの発生に使用される周辺部が中心部よりも加熱され、周辺部の輻射効率が時間と共に低下する可能性がある。第１実施形態では各々の電極板にヒートパイプ２６が内蔵されているため、電極板の周辺部から中心部への熱伝達が速やかに行われ、電極板の輻射面全体で輻射による熱伝達をほぼ均等に行うことが可能となり、時間と共に輻射効率が低下することを防止可能である。
【００３５】
（第２実施形態の説明）
図２は、第２実施形態のＥＵＶ光源ユニット１１ａの構成を示す概要図である。なお、以下の実施形態の説明では、既述された実施形態の構成と共通する部分には同一符号を付して重複説明を省略する。
【００３６】
第２実施形態のＥＵＶ光源ユニット１１ａでは、一対の電極板２２，２３の上下にそれぞれ間隔をあけて液体供給部３０が配置されている。各々の液体供給部３０は、電極板に対して水滴を射出するノズル３０ａを有しており、その水滴の射出はピエゾ振動子によって制御される。なお、液体供給部３０はいずれも制御部１８と接続されている（制御部１８と液体供給部３０との信号線の図示は省略する）。
【００３７】
ＥＵＶ光源ユニット１１ａの動作時には、液体供給部３０が各々の電極板２２，２３に対して水滴を射出する。電極板の温度は水の沸点（１００℃）よりも十分に高温となるので、電極板と接触した水滴は瞬時に蒸発する。そして、水の蒸発で奪われる気化熱によって電極板が冷却される。ここで、水の気化熱は２．４４ｋＪ／ｇであるので、１秒間に１０ｇ〜２０ｇの水を供給すれば電極板から２４．４ｋＷ〜４４．８ｋＷの熱を除去できる。したがって、第２実施形態の構成によっても回転する電極板を非接触で十分に冷却しうる。
【００３８】
ここで、液体供給部３０からの水滴の供給量および水滴の大きさは、電極板と接触したときに水滴がすべて蒸発できるように設定される。また、第２実施形態では真空チャンバ１２内に高温の水蒸気が大量に発生するため、ターボ分子ポンプ１３の排気能力を大きくする必要がある。ターボ分子ポンプ１３の代わりに水に対する排気速度の大きいクライオポンプを用いたり、電極部１４の近傍はスクロールポンプ等の低真空（数Pa）で排気速度の高いポンプで排気を行い、高真空に維持される集光光学系１９との間で差動排気を行っても良い。
【００３９】
また、電極部１４へのパルス電圧の印加から電極板の裏面側（水滴の衝突する面）に熱が伝達されるまでには一定の時間遅れがある。そのため、上記の時間遅れを考慮して電極板の裏面側に熱が伝達してから水滴が衝突するように、液体供給部３０の水滴射出のタイミングは、パルス電圧のタイミングに対して少し遅れたタイミングとすることが好ましい。
【００４０】
図３は、電極板２２と液体供給部３０との位置関係の一例を示す上面図である。この液体供給部３０は、電極部１４におけるＥＵＶ光の発光点よりも回転先の方向にずれた位置に配置される。この場合には、ＥＵＶ光源ユニット１１ａの動作時には電極部１４の回転により、電極板での放電直後の加熱部分に水滴が供給される。そのため、回転する電極板が水滴の気化熱でより効率よく冷却できる。なお、発光点の位置と液体供給部３０の位置との相対関係は、電極部１４の回転速度や、上記した電極板の裏面側への熱伝達を考慮して適宜調整される。
【００４１】
（第３実施形態の説明）
図４は、第３実施形態のＥＵＶ光源ユニット１１ｂの構成を示す概要図である。第３実施形態では、一対の電極板２２，２３の上下に、輻射温調部材２０，２１および液体供給部３０をそれぞれ配置した例である。
【００４２】
図５は、第３実施形態において、輻射温調部材２０および液体供給部３０の配置例を示す上面図である。図５の例では、放電によって高温となる電極板２２の周辺部には環状の輻射温調部材２０が配置され、電極板２２の中心部近傍に液体供給部３０が配置される。なお、第３実施形態において、１つの電極板に対して複数の液体供給部３０を配置するようにしてもよい（この場合の図示は省略する）。
【００４３】
この第３実施形態の構成によっても、上記の実施形態と同様に回転する電極板を非接触で効率よく冷却できる。
【００４４】
この実施形態では、相対的に温度の高くなりがちな電極板の周辺部は輻射で冷却する。上述したように、輻射効率は温度の４乗に比例するため相対的に高効率で冷却可能である。相対的に温度の低い領域である中央部分は水により冷却を行う。水は真空中であるため１００℃以下で蒸発するので、気化熱で電極を冷却可能である。この実施形態では２つの冷却手段の良い点を使用することにより、全体の冷却効率を向上させることが可能である。
【００４５】
（ＥＵＶ露光装置の説明）
以下、本発明に係るＥＵＶ露光装置の実施形態を説明する。図６は、ＥＵＶ露光装置の構成を示す概要図である。このＥＵＶ露光装置は、上記した第１実施形態および第３実施形態のいずれかから選択されるＥＵＶ光源ユニット４０（１１，１１ａ，１１ｂ）と、露光部４１と、コントローラ４２とを有している。
【００４６】
露光部４１は、照明光学系４３と、反射型マスク４４を吊り下げ支持するマスクステージ４５と、投影光学系４６と、ウェハ４７が載置されるウェハステージ４８と、これらを収容する真空チャンバ４９とを有している。
【００４７】
ここで、照明光学系４３はフライアイ光学系の反射鏡などを含み、ＥＵＶ光源ユニット４０からのＥＵＶ光を成形して反射型マスク４４に導く。反射型マスク４４の反射面には、多層膜からなる反射膜が形成されている。この反射膜には、ウェハ４７に転写するパターンに応じたマスクパターンが形成されている。投影光学系４６は複数の反射鏡を含み、反射型マスク４４で反射されたＥＵＶ光を所定の縮小倍率（例えば１／４）に縮小してウェハ４７に投影する。なお、ＥＵＶ光は大気に対する透過性が低いため、ＥＵＶ光が通過する光経路はいずれも真空に保たれる。
【００４８】
露光動作の際には、ＥＵＶ光源ユニット４０からのＥＵＶ光は、照明光学系４３を介して反射型マスク４４に入射する。そして、反射型マスク４４からの反射光は、投影光学系４６を介してウェハ４７上に投影される。これにより、レジストが塗布されたウェハ４７上には微細化されたマスクパターンが結像することとなる。そして、マスクステージ４５およびウェハステージ４８は、上記の縮小倍率に従った所定の速度比で、投影光学系４６に対して反射型マスク４４およびウェハ４７をそれぞれ移動させる。これにより、反射型マスク４４の回路パターンの全体が、ウェハ４７上における複数のショット領域の各々にステップアンドスキャン方式で転写される。なお、ＥＵＶ光源ユニット４０、マスクステージ４５およびウェハステージ４８の動作は、いずれもコントローラ４２により制御される。
【００４９】
本実施形態の露光装置は、光源部の電極を効率的に冷却することが可能であり、そのため、光源を長時間使用することが可能となり、ダウンタイム時間を相対的に短縮することが可能である。
【００５０】
（半導体デバイスの製造方法の説明）
以下、本発明に係る半導体デバイスの製造方法の実施形態を説明する。図７は、本発明の半導体デバイス製造方法の一例を示すフローチャートである。図７の例の製造工程は、以下の各主工程を含む。
（１）ウェハを製造するウェハ製造工程（またはウェハを準備するウェハ準備工程）
（２）露光に使用するマスクを製作するマスク製造工程（またはマスクを準備するマスク準備工程）
（３）ウェハに必要な加工処理を行うウェハプロセッシング工程
（４）ウェハ上に形成されたチップを１個ずつ切り出し、動作可能にならしめるチップ組立工程
（５）できたチップを検査するチップ検査工程
なお、それぞれの工程は、さらにいくつかのサブ工程からなっている。
【００５１】
これらの主工程のなかで、半導体デバイスの性能に決定的な影響を及ぼす主工程がウェハプロセッシング工程である。この工程では、設計された回路パターンをウェハ上に順次積層し、メモリやＭＰＵとして動作するチップを多数形成する。このウェハプロセッシング工程は以下の各工程を含む。
（１）絶縁層となる誘電体薄膜や配線部、あるいは電極部を形成する金属薄膜等を形成する薄膜形成工程（ＣＶＤやスパッタリング等を用いる）
（２）この薄膜層やウェハ基板を酸化する酸化工程
（３）薄膜層やウェハ基板等を選択的に加工するためにマスク（レチクル）を用いてレジストのパターンを形成するリソグラフィー工程
（４）レジストパターンに従って薄膜層や基板を加工するエッチング工程（例えばドライエッチング技術を用いる）
（５）イオン・不純物注入拡散工程
（６）レジスト剥離工程
（７）さらに加工されたウェハを検査する検査工程
なお、ウェハプロセッシング工程は必要とされる層数だけ繰り返して行い、設計通り動作する半導体デバイスを製造する。
【００５２】
本実施形態の半導体デバイスの製造方法では、上記のリソグラフィー工程に本発明の実施形態に係るＥＵＶ露光装置が使用される。そのため、本実施形態の半導体デバイスの製造方法では、ダウンタイム時間が短く総合的なデバイスの収量を高めることができる。
【００５３】
（実施形態の補足事項）
（１）上記実施形態において輻射温調部材などの材質は適宜変更することができる。輻射温調部材の材質には、例えば、アルミニウム、タングステン、モリブデン、亜鉛、またはこれらを成分に含む合金などの熱伝導性の高い金属を用いてもよい。また、電極板および輻射温調部材のセラミック被膜は、酸化チタン、シリカ、窒化アルミニウム、炭化タングステンなどで形成してもよい。さらに、上記のセラミック被膜は、スパッタ、蒸着、琺瑯加工などの方法で形成するものであってもよい。
【００５４】
（２）上記の実施形態では、ウェハ上に回路パターンを露光して半導体デバイスを製造する露光装置の例を説明したが、本発明の露光装置は上記に限定されるものではない。例えば、液晶方式やプラズマ方式のフラット表示デバイス等に使われるガラス基板に回路パターン（画素、透明電極、薄膜トランジスタ等）を形成する露光装置や、上記デバイスの製造方法にも当然に本発明を適用できる。
【００５５】
なお、本発明は、その精神またはその主要な特徴から逸脱することなく他の様々な形で実施することができる。そのため、上述した実施形態はあらゆる点で単なる例示に過ぎず、限定的に解釈してはならない。本発明は、特許請求の範囲によって示されるものであって、本発明は明細書本文にはなんら拘束されない。さらに、特許請求の範囲の均等範囲に属する変形や変更は、全て本発明の範囲内である。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】第１実施形態のＥＵＶ光源ユニットの構成を示す概要図
【図２】第２実施形態のＥＵＶ光源ユニットの構成を示す概要図
【図３】電極板と液体供給部との位置関係の一例を示す上面図
【図４】第３実施形態のＥＵＶ光源ユニットの構成を示す概要図
【図５】輻射温調部材および液体供給部の配置例を示す上面図
【図６】本発明のＥＵＶ露光装置の構成を示す概要図
【図７】本発明の半導体デバイス製造方法の一例を示すフローチャート
【符号の説明】
【００５７】
１１，１１ａ，１１ｂ，４０…ＥＵＶ光源ユニット、１４…電極部、１６…電極駆動部、２０，２１…輻射温調部材、２２，２３…電極板、２０ａ，２１ａ，２２ａ，２３ａ…セラミック被膜、２６…ヒートパイプ、２７…ターゲット材料、３０…液体供給部、４３…照明光学系、４４…反射型マスク、４６…投影光学系、４７…ウェハ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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