(57)【要約】【課題】貯蔵保管時に品質の劣化が生じ難く、さらに加熱硬化後に高い接合信頼性を得ることができる半導体用接着シート及びこれを用いた電子部品接合体を提供する。【解決手段】エポキシ化合物（Ａ）と、エポキシ基と反応する官能基を有するポリマー（Ｂ）と、硬化剤（Ｃ）と、エポキシ基と反応する官能基を含む環状炭化水素骨格を有するシランカップリング剤、エポキシ基と反応する官能基及び該官能基に隣接する環状炭化水素骨格を有するシランカップリング剤、２級アミノ基を有するシランカップリング剤および３級アミノ基を有するシランカップリング剤からなる群から選ばれた少なくとも１種のシランカップリング剤（Ｄ）とを含有する熱硬化性樹脂組成物からなる半導体用接着シート６、及びこれを用いた電子部品接合体１。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
エポキシ化合物（Ａ）と、エポキシ基と反応する官能基を有するポリマー（Ｂ）と、硬化剤（Ｃ）と、エポキシ基と反応する官能基を含む環状炭化水素骨格を有するシランカップリング剤、エポキシ基と反応する官能基及び該官能基に隣接する環状炭化水素骨格を有するシランカップリング剤、２級アミノ基を有するシランカップリング剤および３級アミノ基を有するシランカップリング剤からなる群から選ばれた少なくとも１種のシランカップリング剤（Ｄ）とを含有する熱硬化性樹脂組成物からなることを特徴とする、半導体用接着シート。
【請求項２】
前記シランカップリング剤（Ｄ）が、脂環状エポキシ基を有するシランカップリング剤である、請求項１に記載の半導体用接着シート。
【請求項３】
前記シランカップリング剤（Ｄ）が、２級アミノ基を有するシランカップリング剤である、請求項１に記載の半導体用接着シート。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体用接着シートを用いて、半導体素子と半導体素子、または半導体素子と支持基板とが接合されていることを特徴とする、電子部品接合体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば半導体分野において、ダイアタッチフィルム等として使用されている半導体用接着シートに関し、より詳細には、熱硬化性樹脂組成物からなり、貯蔵安定性に優れ、かつ加熱硬化後に優れた接合信頼性を与える半導体用接着シート及びこれを用いた電子部品接合体に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置に対する小型化や高性能化の要求に対して、様々な電子材料用の接着剤が開発されている。この接着剤の材料としては、硬化収縮が少なく、高い接着力を有し、かつ、種類が豊富であり、配合設計が容易なエポキシ樹脂が多く用いられている。
【０００３】
上記接着剤には、例えば貯蔵安定性、即硬化性、接合信頼性（耐熱性、耐湿性、耐冷熱サイクル性、耐ハンダリフロー性）に優れていることが求められている。シリコンチップと、シリコンチップ、金属フレーム、多層板、ビルドアップ基板等の有機基板、セラミクス基板等とを接合するダイアタッチフィルムとして用いられる接着剤では、特に上述の各性能に優れていることが強く求められている。
【０００４】
接合信頼性が高められた接着剤の一例として、下記の特許文献１には、ポリパラヒドロキシスチレンとエポキシ樹脂からなる変性樹脂、ノルボルネン環を有する樹脂、ウレイド基を有するシラン系カップリング剤、及び導電性粉末を必須成分とするダイボンド用材料としての樹脂組成物が開示されている。この樹脂組成物を用いて、半導体チップとリードフレームとを接着固定すると、接着性、耐加水分解性、耐湿性に優れ、信頼性の高い半導体装置が得られるとされている。
【０００５】
一方、下記の特許文献２には、ガラス転移温度（Ｔｇ）５０〜２５０℃の接着剤樹脂、溶剤、及びカップリング剤を含む接着剤層を有するフィルム状接着剤が開示されている。このフィルム状接着剤では、低温で接着することができ、高い信頼性を有する半導体装置を得ることができるとされている。
【特許文献１】特許第２７４８３１８号公報
【特許文献２】特許第３６２０１５６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
接合信頼性を高めるために、上記特許文献１、２では、接着剤の材料としてシランカップリング剤が用いられている。
【０００７】
ところで、代表的なシランカップリング剤は、下記一般式（１）で示すように１分子中に反応性の異なる２種類の官能基を有する。なお、式（１）中、Ｘはビニル基、グリシジル基、スチリル基、メタクリロキシ基、アクリロキシ基、アミノ基、ウレイド基、メルカプト基、スルフィド基、イソシアネート基など各種合成樹脂などの有機成分と結合する官能基を示す。ＯＲは金属、珪石など無機成分と結合するアルコキシ基を示し、Ｒは炭素数１〜３のアルキル基を示す。ｍは１〜１０の整数を示す。
【０００８】
Ｘ−（ＣＨ２）ｍ−Ｓｉ−（ＯＲ）３  ・・・（１）
上記シランカップリング剤は、エポキシ樹脂を含む組成物中においては、エポキシ樹脂などの有機成分と、無機フィラーなどの無機成分とを結合する作用を有する。また、上記シランカップリング剤は、エポキシ樹脂を含む組成物をシリコンチップや金属フレームに貼り合わせて加熱硬化し、接合する際には、エポキシ樹脂などの有機成分と、シリコンチップや金属フレームなどの無機成分とを結合する作用を有する。その結果、有機成分と無機成分との密着性が向上し、接合信頼性を高めることができる。
【０００９】
しかしながら、特許文献１、２に記載のようなシランカップリング剤を用いた場合には、シランカップリング剤の反応性が高く、充分な接合信頼性が得られないことがあった。
【００１０】
すなわち、エポキシ樹脂と、シランカップリング剤とを含む組成物を用いて接着シートを製造する場合には、組成物を溶剤で希釈してワニス状とし、ワニス状の組成物を離型性フィルム上に塗工し、乾燥炉で溶剤を揮発させる工程が一般的に行われている。短時間であるが、この溶剤を揮発させる熱により、シランカップリング剤の反応が促進され、シランカップリング剤がエポキシ樹脂等に結合し、取り込まれた状態となることがあった。
【００１１】
この結果、接着シートを用いて電子部品接合体を得る際に、例えばシリコンチップや金属フレームの接合に際し、接着界面付近に存在するシランカップリング剤の割合が少なすぎることがあった。エポキシ樹脂等の有機成分とシリコンチップや金属フレームなどの無機成分との界面密着性向上に寄与する有効なシランカップリング剤が少なすぎることによって、充分な接合信頼性が得られないことがあった。
【００１２】
これに対し、接着シートの製造時の溶剤を揮発させる条件で、反応が進行し難い、反応性が低いシランカップリング剤を用いることが考えられる。しかしながら、反応性が低いシランカップリング剤を使用すると、接着シートの製造段階で反応を抑えることができても、接着シートの貯蔵保管時に、シランカップリング剤の反応が徐々に進行しがちであった。よって、接着シートを長期間保管した際に、品質が劣化することがあった。さらに、長期間保管された接着シートを用いると、充分な接合信頼性が得られないことがあった。
【００１３】
本発明の目的は、上述した従来技術の現状に鑑み、貯蔵保管時に品質の劣化が生じ難く、さらに加熱硬化後に高い接合信頼性を得ることができる半導体用接着シート及びこれを用いた電子部品接合体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明に係る半導体用接着シートは、エポキシ化合物（Ａ）と、エポキシ基と反応する官能基を有するポリマー（Ｂ）と、硬化剤（Ｃ）と、エポキシ基と反応する官能基を含む環状炭化水素骨格を有するシランカップリング剤、エポキシ基と反応する官能基及び該官能基に隣接する環状炭化水素骨格を有するシランカップリング剤、２級アミノ基を有するシランカップリング剤および３級アミノ基を有するシランカップリング剤からなる群から選ばれた少なくとも１種のシランカップリング剤（Ｄ）とを含有する熱硬化性樹脂組成物からなることを特徴とする。
【００１５】
本発明に係る半導体用接着シートのある特定の局面では、シランカップリング剤（Ｄ）は、脂環状エポキシ基を有するシランカップリング剤である。
【００１６】
本発明に係る半導体用接着シートの他の特定の局面では、シランカップリング剤（Ｄ）は、２級アミノ基を有するシランカップリング剤である。
【００１７】
本発明に係る電子部品接合体は、本発明の半導体用接着シートを用いて、半導体素子と半導体素子、または半導体素子と支持基板とが接合されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１８】
本発明に係る半導体用接着シートでは、エポキシ基と反応する官能基を含む環状炭化水素骨格を有するシランカップリング剤、エポキシ基と反応する官能基及び該官能基に隣接する環状炭化水素骨格を有するシランカップリング剤、２級アミノ基を有するシランカップリング剤および３級アミノ基を有するシランカップリング剤からなる群から選ばれた少なくとも１種のシランカップリング剤（Ｄ）を含む熱硬化性樹脂組成物からなるので、貯蔵保管時に品質の劣化が生じ難く、さらに接着シートの製造の際などにシランカップリング剤の反応が抑制されるので、加熱硬化後に高い接合信頼性を得ることができる。
【００１９】
シランカップリング剤（Ｄ）が、脂環状エポキシ基を有するシランカップリング剤である場合には、貯蔵安定性をより一層高めることができ、かつ加熱硬化後に接合信頼性をより一層高めることができる。
【００２０】
シランカップリング剤（Ｄ）が、２級アミノ基を有するシランカップリング剤である場合には、貯蔵安定性をさらに一層高めることができ、かつ加熱硬化後に接合信頼性をさらに一層高めることができる。
【００２１】
本発明に係る電子部品接合体は、本発明の半導体用接着シートを用いて、半導体素子と半導体素子、または半導体素子と支持基板とが接合されているので、品質のばらつきが少なく、接合信頼性に優れている。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明の詳細を説明する。
【００２３】
本発明に係る半導体用接着シートは、エポキシ化合物（Ａ）と、エポキシ基と反応する官能基を有するポリマー（Ｂ）と、硬化剤（Ｃ）と、シランカップリング剤（Ｄ）とを含有する熱硬化性樹脂組成物からなる。
【００２４】
上記エポキシ化合物（Ａ）としては特に限定されないが、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ポリエチレングリコール型エポキシ樹脂、多環式炭化水素骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂が挙げられる。これらのエポキシ化合物（Ａ）は、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００２５】
上記エポキシ化合物（Ａ）のなかでも、多環式炭化水素骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂が好ましい。多環式炭化水素骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂を含有すると、硬化後に剛直で分子の運動が阻害され、優れた機械的強度や耐熱性を発現するとともに、吸水性も低くなるため、優れた耐湿性を発現する。
【００２６】
上記多環式炭化水素骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂の分子量は、特に限定されるものではないが、好ましくは５００〜１０００である。分子量が５００未満であると、硬化後に機械的強度、耐熱性、耐湿性等が充分に向上しないことがあり、１０００を超えると、硬化後に剛直になりすぎて、脆くなることがある。
【００２７】
上記多環式炭化水素骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂としては、特に限定されるものではないが、例えば、ジシクロペンタジエンジオキシド、ジシクロペンタジエン骨格を有するフェノールノボラックエポキシ樹脂等のジシクロペンタジエン骨格を有するエポキシ樹脂（以下、「ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂」と記す）、１−グリシジルナフタレン、２−グリシジルナフタレン、１，２−ジグリジジルナフタレン、１，５−ジグリシジルナフタレン、１，６−ジグリシジルナフタレン、１，７−ジグリシジルナフタレン、２，７−ジグリシジルナフタレン、トリグリシジルナフタレン、１，２，５，６−テトラグリシジルナフタレン等のナフタレン骨格を有するエポキシ樹脂（以下、「ナフタレン型エポキシ樹脂」と記す）、テトラヒドロキシフェニルエタン型エポキシ樹脂、テトラキス（グリシジルオキシフェニル）エタン、３，４−エポキシ−６−メチルシクロヘキシルメチル−３，４−エポキシ−６−メチルシクロヘキサンカルボネート等が挙げられる。なかでも、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂やナフタレン型エポキシ樹脂が好適に用いられる。これらの多環式炭化水素骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂は、単独で用いられても良いし、２種類以上が併用されても良い。また、上記ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂及びナフタレン型エポキシ樹脂は、それぞれ単独で用いられても良いし、両者が併用されても良い。
【００２８】
上記エポキシ基と反応する官能基を有するポリマー（Ｂ）としては特に限定されないが、例えばアミノ基、ウレタン基、イミド基、水酸基、カルボキシル基、エポキシ基等を有するアクリル酸およびメタクリル酸エステルモノマー、もしくはアクリル酸またはメタクリル酸誘導体の共重合体ポリマーが挙げられる。これらのポリマー（Ｂ）は、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００２９】
上記ポリマー（Ｂ）のエポキシ基と反応する官能基としては、アミノ基、ウレタン基、イミド基、水酸基、カルボキシル基、エポキシ基等が挙げられ、エポキシ基が好ましい。エポキシ基を有するポリマーを含有すると、硬化後に優れた可撓性を発現する。
【００３０】
上記ポリマー（Ｂ）の分子量は１万以上が好ましく、さらに好ましくは１０万以上である。分子量が１万未満であると、造膜性が不充分となって、硬化後に充分な可撓性が得られないことがある。
【００３１】
上記ポリマー（Ｂ）のエポキシ当量は１００〜１０００が好ましく、さらに好ましくは３００〜６００である。エポキシ当量が１００未満であると、硬化後に充分な可撓性が得られないことがあり、エポキシ当量が１０００を超えると、架橋密度が低下するため、硬化後に機械的強度や耐熱性に劣ることがある。
【００３２】
上記ポリマー（Ｂ）として、エポキシ基を有し、エポキシ当量が１００〜１０００であるポリマーを用いた場合には、硬化後に優れた可撓性を発現するため、冷熱等に対する寸法安定性を高めることができる。
【００３３】
上記エポキシ化合物（Ａ）として、多環式炭化水素骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂を用い、かつ上記ポリマー（Ｂ）として、エポキシ基を有するポリマーを用いることが好ましい。この場合には、硬化後にエポキシ樹脂に由来する優れた機械的強度、優れた耐熱性、優れた耐湿性等と、ポリマーに由来する優れた可撓性とを兼備することとなり、耐冷熱サイクル性、耐ハンダリフロー性、寸法安定性等に優れ、高い接合信頼性を発現する。
【００３４】
上記熱硬化性樹脂組成物は、上述のエポキシ化合物（Ａ）の硬化剤（Ｃ）を含有する。硬化剤（Ｃ）を含有することによって、常温での貯蔵安定性が高く、またエポキシ化合物（Ａ）やポリマー（Ｂ）が加熱により速やかに反応するので、硬化後に耐ハンダリフロー性、寸法安定性等が高められ、高い接合信頼性を発現する。
【００３５】
上記硬化剤（Ｃ）としては、特に限定されないが、例えばフタル酸無水物、トリメリット酸無水物、ピロメリット酸無水物、ベンゾフェノンテトラカルボン酸無水物、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルナジック酸無水物、ドデセニル無水コハク酸等の酸無水物系硬化剤、フェノールノボラック、ｏ−クレゾールノボラック、ｔ−ブチルフェノールノボラック、ジシクロペンタジエンノボラック、ビスフェノールＡ型ノボラック等のフェノール系硬化剤、トリエチレンテトラミン、ジエチレントリアミン、メンセンジアミン、ジアミノジシクロヘキシルメタン、ジアミノジフェニルスルフォン、トリエチレングリコールジアミン等のアミン系硬化剤、ジシアンジアミド等の潜在性硬化剤、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール等のイミダゾール系硬化剤、ｐ−メトキシベンゼンジアゾミウムヘキサフルオロフォスフェート、ジフェニルイオドニウムヘキサフルオロフォスフェート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロフォスフェート等のカチオン系触媒型硬化剤等が挙げられる。これらの硬化剤（Ｃ）は単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００３６】
上記硬化剤（Ｃ）のなかでも、多官能であり、当量的に添加量を少なくできるので、ジシアンジアミド等の潜在性硬化剤が好適に用いられる。潜在性硬化剤を用いると、硬化前には常温で柔軟であって、ハンドリング性が良好な半導体用接着シートを得ることができる。
【００３７】
一方、常温で固体であり、かつ高い融点を有し、当量的に添加量が多くなるフェノール系硬化剤を用いてもよいが、この場合、接着シートの硬化前のガラス転移温度（Ｔｇ）がかなり上昇してしまい、接着シートに割れが発生し、加工、取扱性に劣ることがある。また、常温で液状の硬化剤を用いてもよいが、この場合、硬化時に硬化反応が速やかに進行する反面、硬化前にも低速ながら硬化反応が進行したり、その進行による硬化剤の状態変化により、接着シートの性状が変化することがある。従って、接着シートを冷蔵もしくは冷凍保管しなければならないことがあり、また使用プロセス上での可使時間の制約が生じることがある。
【００３８】
従って、上記硬化剤（Ｃ）として、初期のハンドリング性と貯蔵安定性、さらに硬化後の耐湿性、耐ハンダリフロー性が高められるので、固形脂環式酸無水物系硬化剤が好ましく用いられ、疎水性が高く、常温で固体であり、融点が１００℃以下、好ましくは８０℃以下の固形脂環式酸無水物系硬化剤がより好ましく用いられる。
【００３９】
上記固形脂環式酸無水物系硬化剤としては、例えばメチルナジック酸無水物やトリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸のような液状脂環式酸無水物系硬化剤、テトラヒドロ無水フタル酸、ベンゾフェノンテトラカルボン酸無水物のような高融点固形脂環式酸無水物系硬化剤や、エチレングリコールビスアンヒドロトリメリテート、ヘキサヒドロ無水フタル酸、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸−無水マレイン酸付加物のように低融点の固形脂環式酸無水物が挙げられる。
【００４０】
なかでも、エチレングリコールビスアンヒドロトリメリテート、ヘキサヒドロ無水フタル酸、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸−無水マレイン酸付加物のように低融点の固形脂環式酸無水物系硬化剤が好適に用いられる。疎水性が高いので、アルキル側鎖長が３以上である固形脂環式酸無水物系硬化剤がさらに好ましく用いられる。これらの固形脂環式酸無水物系硬化剤は、単独で用いられても良いし、２種類以上が併用されても良い。
【００４１】
液状の酸無水物系硬化剤を用いてもよいが、この場合、常温で放置すると湿気等の影響により酸無水物から遊離酸へ変化して固形状に変化するため、熱硬化性樹脂組成物の状態が劣化することがある。一方、高融点の固形酸無水物を用いてもよいが、溶解性に劣り、不溶成分として残留するため、不均一な熱硬化性樹脂組成物となりやすい。また、硬化反応温度が高くなるため適用範囲、や適用部材が限られる。
【００４２】
硬化速度や硬化後の物性等を調整するために、上記硬化剤（Ｃ）とともに、硬化促進剤を用いても良い。
【００４３】
上記硬化促進剤としては、特に限定されるものではないが、例えば、イミダゾール系硬化促進剤、３級アミン系硬化促進剤等が挙げられる。なかでも、硬化速度や硬化後の物性等の調整をするために反応系の制御をしやすいことから、イミダゾール系硬化促進剤が好適に用いられる。これらの硬化促進剤は、単独で用いられても良いし、２種類以上が併用されても良い。
【００４４】
上記イミダゾール系硬化促進剤としては、特に限定されるものではないが、例えば、イミダゾールの１位をシアノエチル基で保護した１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾールや、イソシアヌル酸で塩基性部分を保護した商品名「２ＭＡ−０Ｋ」（四国化成工業社製）等が挙げられる。これらのイミダゾール系硬化促進剤は、単独で用いられても良いし、２種類以上が併用されても良い。
【００４５】
酸無水物系硬化剤と、例えばイミダゾール系硬化促進剤等の硬化促進剤とを併用する場合、酸無水物系硬化剤の添加量は、好ましくはエポキシ基に対して理論的に必要な当量の６０〜１００％、さらに好ましくは７０〜９０％とすることが好ましい。酸無水物系硬化剤の添加量が多すぎると、硬化した半導体用接着シートから水分により塩素イオンが溶出するおそれがある。例えば、硬化した半導体用接着シートから熱水で溶出成分を抽出した際に、抽出水のｐＨが４〜５程度まで低くなり、エポキシ化合物から引き抜かれた塩素イオンが多量に溶出することがある。
【００４６】
熱硬化性樹脂組成物は、シランカップリング剤（Ｄ）を含有する。シランカップリング剤（Ｄ）としては、エポキシ基と反応する官能基を含む環状炭化水素骨格を有するシランカップリング剤、エポキシ基と反応する官能基及び該官能基に隣接する環状炭化水素骨格を有するシランカップリング剤、２級アミノ基を有するシランカップリング剤および３級アミノ基を有するシランカップリング剤からなる群から選ばれた少なくとも１種が用いられる。すなわち、シランカップリング剤（Ｄ）は、単独で用いられても良いし、２種類以上が併用されても良い。
【００４７】
ところで、エポキシ化合物（Ａ）と硬化剤（Ｃ）との反応性のみを考慮すると、メルカプト基、イソシアネート基、１級アミノ基またはグリシジル基を有するシランカップリング剤を用いることが考えられる。しかしながら、メルカプト基、イソシアネート基、１級アミノ基またはグリシジル基を有するシランカップリング剤は反応性が高すぎるため、半導体用接着シートの製造時の溶剤を揮発させる際などに、反応が進行しがちであった。よって、これらのシランカップリング剤を用いた半導体用接着シートでは、電子部品接合体の接合信頼性を向上させる効果が充分に得られなかった。
【００４８】
そこで、本発明では、半導体用接着シートの製造段階での反応を抑えるために、また半導体用接着シートの貯蔵保管中の反応を抑制するために、さらに例えば加熱硬化時にエポキシ化合物（Ａ）とシリコンチップ等の無機成分との結合を確実に行って、加熱硬化後に充分な接合信頼性を得るために、エポキシ基と反応する官能基を含む環状炭化水素骨格を有するシランカップリング剤、エポキシ基と反応する官能基及び該官能基に隣接する環状炭化水素骨格を有するシランカップリング剤、２級アミノ基を有するシランカップリング剤および３級アミノ基を有するシランカップリング剤からなる群から選ばれた少なくとも１種を用いている。
【００４９】
すなわち、本発明の特徴は、エポキシ基と反応する官能基を含む環状炭化水素骨格を有するシランカップリング剤、エポキシ基と反応する官能基及び該官能基に隣接する環状炭化水素骨格を有するシランカップリング剤、２級アミノ基を有するシランカップリング剤および３級アミノ基を有するシランカップリング剤からなる群から選ばれた少なくとも１種の特定のシランカップリング剤（Ｄ）を用いることにある。
【００５０】
エポキシ基を反応する官能基を含む環状炭化水素骨格を有するシランカップリング剤、またはエポキシ基と反応する官能基及び該官能基に隣接する環状炭化水素骨格を有するシランカップリング剤では、環状炭化水素骨格が立体障害となり、貯蔵保管時の反応が抑制され、かつ加熱硬化後に接合信頼性が高められると考えられる。他方、２級又は３級アミノ基を有するシランカップリング剤では、２級又は３級アミノ基は１級アミノ基よりも立体的阻害が大きいので、貯蔵保管時の反応が抑制され、かつ加熱硬化後に接合信頼性が高められると考えられる。
【００５１】
エポキシ基と反応する官能基を含む環状炭化水素骨格を有するシランカップリング剤において、エポキシ基と反応する官能基を含む環状炭化水素骨格としては、エポキシ基を含む炭素数６の環状炭化水素骨格が挙げられる。
【００５２】
エポキシ基と反応する官能基及び該官能基に隣接する環状炭化水素骨格を有するシランカップリング剤おいて、エポキシ基と反応する官能基としては、エポキシ基、アミノ基、メルカプト基、イソシアネート基が挙げられ、官能基に隣接する環状炭化水素骨格としては、炭素数５〜１０の環状炭化水素骨格が挙げられる。
【００５３】
上記シランカップリング剤（Ｄ）としては、エポキシ基と反応する官能基を含む環状炭化水素骨格を有するシランカップリング剤である脂環状エポキシ基を有するシランカップリング剤が好ましく用いられる。脂環状エポキシ基を有するシランカップリング剤を用いると、貯蔵安定性をより一層高めることができ、かつ加熱硬化後に接合信頼性をより一層高めることができる。
【００５４】
上記脂環状エポキシ基を有するシランカップリング剤としては、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン（信越化学工業社製「ＫＢＭ３０３」、チッソ社製「Ｓ５３０」）が挙げられ、好ましく用いられる。
【００５５】
上記シランカップリング剤（Ｄ）として、貯蔵安定性をさらに一層高めることができ、かつ加熱硬化後に接合信頼性をさらに一層高めることができるので、２級アミノ基を有するシランカップリング剤が、最も好ましく用いられる。
【００５６】
上記２級アミノ基を有するシランカップリング剤としては、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン（信越化学社製「ＫＢＭ５７３」、東レダウコーニング社製「ＳＺ６０８３」）、Ｎ、Ｎ’−ビス［３−（トリメトキシシリル）プロピル］エチレンジアミン（チッソ社製「ＸＳ１００３」）が挙げられ、好ましく用いられる。
【００５７】
上記３級アミノ基を有するシランカップリング剤としては、３−トリエトキシシリル−Ｎ−（１，３−ジメチル−ブチリデン）プロピルアミン（信越化学社製「ＫＢＥ９１０３」、チッソ社製「Ｓ３４０」）が挙げられ、好ましく用いられる。
【００５８】
これらのシランカップリング剤は、単独で用いられても良いし、２種類以上が併用されても良い。
【００５９】
シランカップリング剤（Ｄ）の配合量としては、上記エポキシ化合物（Ａ）と、ポリマー（Ｂ）との合計１００重量部に対して、０．１〜１０重量部が好ましく、より好ましくは０．１〜５重量部、さらに好ましくは０．１〜３重量部である。シランカップリング剤（Ｄ）が多すぎると、可塑剤としての効果が強くなり、硬化前の半導体用接着シートの皮膜強度が低くなったり、凝集力が弱くなりすぎることがある。また、加熱硬化時にボイドが発生することがあったり、半導体用接着シートの貯蔵保管中に、カップリング剤の反応が徐々に進行し、品質変動が生じることがある。シランカップリング剤（Ｄ）が少なすぎると、接合信頼性が充分に高められないことがある。
【００６０】
熱硬化性樹脂組成物は、コア（芯材）のガラス転移温度が２０℃以下であり、シェル（外殻）のガラス転移温度が４０℃以上であるコアシェル構造のゴム粒子を含むことが好ましい。このようなゴム粒子を含有することにより、硬化後にマトリックス樹脂であるエポキシ化合物（Ａ）に対して、ゴム成分の安定的な相分離構造を形成し、柔軟で優れた応力緩和性を発現する。
【００６１】
上記ゴム粒子は、ガラス転移温度が２０℃以下であるコアと、ガラス転移温度が４０℃以上であるシェルとからなるコアシェル構造を有する。なお、ゴム粒子は２層以上の複層構造からなるコアシェル構造の粒子であれば良く、３層以上の複層構造からなるコアシェル構造の粒子である場合、シェルは最外殻を意味する。
【００６２】
上記ゴム粒子のコアのガラス転移温度が２０℃を超えると、硬化後に応力緩和性が充分に向上しない。また、上記ゴム粒子のシェルのガラス転移温度が４０℃未満であると、ゴム粒子同士が融着（凝集）したり、分散不良が発生する。なお、上記ゴム粒子のシェルは、エポキシ化合物（Ａ）と非相溶であるか、又は、若干の架橋によるゲル化がなされていて、エポキシ化合物（Ａ）に溶解しないものであることが好ましい。
【００６３】
上記ゴム粒子を構成する樹脂成分としては、コアのガラス転移温度を２０℃以下、シェルのガラス転移温度を４０℃以上とし得るものであれば良く、特に限定されるものではないが、ガラス転移温度の設計範囲が広いことから、通常はアルリル系樹脂が好適に用いられる。樹脂成分は、単独で用いられても良いし、２種類以上が併用されても良い。
【００６４】
上記ゴム粒子のシェルは、エポキシ化合物（Ａ）中のエポキシ基と反応する官能基を有していても良い。エポキシ基と反応する官能基としては、特に限定されるものではないが、例えば、アミノ基、ウレタン基、イミド基、水酸基、カルボキシル基、エポキシ基等が挙げられる。なかでも常温ではエポキシ基と反応せず、半導体用接着シートの濡れ性の低下や貯蔵安定性の低下をおこさないことから、水酸基やエポキシ基が好ましい。上記ゴム粒子のシェルにおいて、エポキシ基と反応する官能基は、１種のみであってもよく、２種類以上であってもよい。
【００６５】
上記ゴム粒子は、特に限定されるものではないが、平均粒子径が３μｍ以下であることが好ましい。ゴム粒子の平均粒子径が３μｍを超えると、硬化後に充分な応力緩和性が得られないことがある。また、半導体用接着シートを構成する際に、薄膜のシート成形が困難となることがある。
【００６６】
上記ゴム粒子の市販品としては、例えば、根上工業社製の商品名「パラクロンＲＰ−１０１」、「パラクロンＲＰ−１０３」、「パラクロンＲＰ−４１２」等の「パラクロン」シリーズ、ガンツ化成社製の商品名「スタフィロイドＩＭ−１０１」、「スタフィロイドＩＭ−２０３」、「スタフィロイドＩＭ−３０１」、「スタフィロイドＩＭ−４０１」、「スタフィロイドＩＭ−６０１」、「スタフィロイドＡＣ−３３５５」、「スタフィロイドＡＣ−３３６４」、「スタフィロイドＡＣ−３８１６」、「スタフィロイドＡＣ−３８３２」、「スタフィロイドＡＣ−４０３０」等の「スタフィロイド」シリーズ、ゼオン化成社製の商品名「ゼオンＦ３５１」等の「ゼオン」シリーズ、三菱レーヨン社製の商品名「メタブレンＣ−１４０Ａ」、「メタブレンＥ−９０１」、「メタブレンＷ−３４１」、「メタブレンＳ−２００１」、「メタブレンＳＸ−００５」、「メタブレンＳＲＫ２００」等の「メタブレン」シリーズ等が挙げられる。
【００６７】
また、ゴム粒子を予め分散させたエポキシ樹脂も市販されており、この市販品としては、例えば日本触媒社製の商品名「エポセットＢＰＡ−８２８」、「エポセットＢＰＦ−８０７」等の「エポセット」シリーズ等が挙げられる。これらのゴム粒子や、ゴム粒子を予め分散させたエポキシ樹脂は、単独で用いられても良いし、２種類以上が併用されても良い。
【００６８】
上記ゴム粒子の配合量としては、上記エポキシ化合物（Ａ）と、ポリマー（Ｂ）との合計１００重量部に対して、２０重量部以下であることが好ましく、１０重量部以下であることがより好ましい。ゴム粒子の配合量が多すぎると、シート凝集力不足となり薄膜シート成形が困難になることがある。
【００６９】
また、熱硬化性樹脂組成物は、無機フィラーを含有していてもよい。
【００７０】
無機フィラーを添加すると、半導体用接着シートの信頼性を高めることができる。無機フィラーを添加することで、吸水性、弾性率が向上し、耐湿性能等が向上する。しかしながら、無機フィラーの添加量が多すぎると、電極間の圧接接合の際に、電極間に無機フィラー粒子が噛み込むことがあり、特に狭ギャップの電極間を接着する際には、上記無機フィラーの存在により接着不良が生じることがある。
【００７１】
上記無機フィラーとして、球状シリカが汎用されている。球状シリカは基本的に粒径にばらつきがあるので、非常に粗大な粒子が含まれる可能性がある。特に、無機フィラー（球状シリカ）を大量に添加した際には、非常に粗大な粒子が含まれる確率が非常に高くなり、上述した不都合が発生しやすくなる。一方、粒径のばらつきが小さく、最大粒径が小さい無機フィラーを用いれば、上述した不都合が殆ど生じることがない。従って、粒径のばらつきが小さく、最大粒径が非常に小さい無機フィラーが好ましく用いられる。
【００７２】
具体的には、最大粒径が３μｍ以下である無機フィラーが好ましく用いられる。最大粒径が３μｍを超える無機フィラーを含有すると、上述した不都合が生じやすくなるとともに、半導体用接着シートをビア孔を必要とする基板に用いる際に、レーザー加工時の貫通孔の真円度が落ち、ビア孔の加工表面の平滑性が失われることがある。
【００７３】
最大粒径が３μｍ以下の無機フィラーとしては、特に限定されるものではないが、例えば、ヒュームドシリカ、コロイダルシリカ等のシリカ、ガラス繊維、アルミナ微粒子等が挙げられる。なかでも、シリカが好適に用いられ、とりわけ、表面に疎水化処理が施された疎水性シリカがより好適に用いられる。これらの無機フィラーは、単独で用いられても良いし、２種類以上が併用されても良い。なお、熱硬化性樹脂組成物は、最大粒径が３μｍ以下であり、低分子量の微粒子状有機物からなる有機フィラーを含有していてもよい。
【００７４】
上記無機フィラーの配合量としては、上記エポキシ化合物（Ａ）と、ポリマー（Ｂ）との合計１００重量部に対して、６０重量部以下であることが好ましく、３０重量部以下であることがより好ましい。無機フィラーの配合量が多すぎると、半導体用接着シートをビア孔を必要とする基板に用いる際に、レーザー加工時の貫通孔の真円度が落ち、ビア孔の加工表面の平滑性が失われたり、接着シートの溶融粘度が高くなりすぎて、回路基板表面の凸凹に対する埋め込み性が低下することがある。
【００７５】
良好なシート形状を有する半導体用接着シートを得るために、熱硬化性樹脂組成物は、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂を含有していても良い。熱可塑性樹脂及び熱硬化性樹脂は、増粘剤として機能し、塗工均一性を向上させる。
【００７６】
上記熱可塑性樹脂や熱硬化性樹脂は、比較的高いガラス転移温度を有する高分子量重合体であることが好ましい。熱可塑性樹脂や熱硬化性樹脂の重量平均分子量は、特に限定されるものではないが、好ましくは１万以上、より好ましくは１０万以上である。重量平均分子量が１万未満であると、半導体用接着シートの凝集力が不足することがある。
【００７７】
上記熱硬化性樹脂組成物をシート状に成形し、半導体用接着シートを得る方法としては、特に限定されるものではないが、例えば、押出機による押出成形法、熱硬化性樹脂組成物を溶剤で希釈して硬化性樹脂組成物溶液を調製し、この溶液をセパレーター（離型フィルム）上にキャスティングした後、溶剤を加熱乾燥させる溶液キャスト法等が挙げられる。なかでも、溶液キャスト法が好適に用いられる。
【００７８】
上記半導体用接着シートでは、硬化前にカップリング剤の反応による品質変動が少なく、貯蔵保管時における品質の劣化が生じ難い。また、上記半導体用接着シートでは、加熱硬化後に高い接合信頼性を得ることができる。例えば、半導体用接着シートを用いて電子部品接合体を構成すると、シランカップリング剤によって界面密着性が高められ、高い接合信頼性を得ることができる。
【００７９】
すなわち、半導体用接着シートの硬化前の貯蔵安定性が高められており、かつ加熱硬化後に有機成分と無機成分の界面密着性が高められるので、耐熱性、耐湿性、耐ハンダリフロー性等に優れ、高い接合信頼性を得ることができる。
【００８０】
上記半導体用接着シートは、シート状に成形されているため、取扱性、加工性に優れている。よって、例えば半導体素子と半導体素子、または半導体素子と支持基板との接合を効率的に行うことができる。従って、半導体用接着シートは、半導体素子と半導体素子、または半導体素子と支持基板とを接合するのに好ましく用いられる。
【００８１】
また、上記半導体用接着シートは、金属リードフレーム、セラミック基板、樹脂基板、シリコン基板、化合物半導体基板及びガラス基板からなる群より選択される少なくとも１種の回路基板を接合してなる電子部品接合体に好ましく用いられる。
【００８２】
図１は、本発明の一実施形態に係る半導体用接着シートを用いて得られた電子部品接合体を略図的に示す正面断面図である。
【００８３】
図１に示す電子部品接合体１は、支持基板３の上面３ａに、半導体素子２が積層された構造を有する。支持基板３と、半導体素子２とは、半導体用接着シート６を介して接合されている。半導体装置１では、支持基板３を用いているが、基板３に代えて半導体素子を用いてもよい。
【００８４】
支持基板３の上面３ａには、電気接続端子５が設けられている。他方、半導体素子２の下面２ａには、バンプ４が設けられている。バンプ４は、電気接続端子５に電気的に接続されている。
【００８５】
本発明を更に詳しく説明するため以下に実施例を挙げるが、本発明はこれらの実施例のみに限定されるものではない。
【００８６】
熱硬化性樹脂組成物を構成する材料として、以下の原材料を用いた。
【００８７】
１．エポキシ化合物（Ａ）
ジシクロペンタジエン型固形エポキシ樹脂１（商品名「ＨＰ−７２００ＨＨ」、大日本インキ化学工業社製）
ジシクロペンタジエン型固形エポキシ樹脂２（商品名「ＨＰ−７２００Ｈ」、大日本インキ化学工業社製）
ジシクロペンタジエン型固形エポキシ樹脂３（商品名「ＨＰ−７２００Ｌ」、大日本インキ化学工業社製）
ビスフェノール型液状エポキシ樹脂（商品名「ＥＰ８２８」、ジャパンエポキシレジン社製）
ナフタレン型液状エポキシ樹脂（商品名「ＨＰ−４０３２Ｄ」、大日本インキ化学工業社製）
【００８８】
２．エポキシ基と反応する官能基を有するポリマー（Ｂ）
エポキシ含有アクリルポリマー（商品名「マープルーフＧ−２０５０Ｍ」、懸濁重合法、エポキシ当量：３４０、重量平均分子量：２０万、ガラス転移温度：８０℃、日本油脂社製）
【００８９】
３．硬化剤（Ｃ）
酸無水物誘導体１（商品名「ＹＨ−３０９」、ジャパンエポキシレジン社製、固形粉末、融点７０℃）
酸無水物誘導体２（商品名「ＹＨ−３０７」、ジャパンエポキシレジン社製）
【００９０】
４．硬化促進剤
固体分散型イミダゾール（商品名「２ＭＺ−Ａ−ＰＷ」、四国化成社製）
イソシアヌル変性固体分散型イミダゾール（商品名「２ＭＡＯＫ−ＰＷ」、四国化成社製）
【００９１】
５．シランカップリング剤（Ｄ）
脂環状エポキシ基を有するシランカップリング剤（商品名「ＫＢＭ３０３」信越化学工業社製）
２級アミノ基を有するシランカップリング剤１（商品名「ＫＢＭ５７３」信越化学工業社製）
２級アミノ基を有するアミノシランカップリング剤２（商品名「ＸＳ１００３」、チッソ社製）
３級アミノ基を有するアミノシランカップリング剤（商品名「Ｓ３４０」、チッソ社製）
グリシジルシランカップリング剤（商品名「ＫＢＭ４０３」、信越化学工業社製）
１級アミノ基を有するシランカップリング剤（商品名「ＫＢＭ６０３」、信越化学工業社製）
コハク酸無水物シランカップリング剤（商品名「Ｘ−１２−９６７」、信越化学工業社製）
イミダゾールシランカップリング剤（商品名「ＩＳ−１０００」、日鉱マテリアルズ社製）
【００９２】
６．増粘剤（無機フィラー）
表面疎水化ヒュームドシリカ（商品名「レオロシールＭＴ−１０」、平均粒子径：１μｍ以下、トクヤマ社製）
【００９３】
７．応力緩和性剤（ゴム粒子）
水酸基含有コアシェル型アクリルゴム粒子（商品名「スタフィロイドＡＣ４０３０」、ガンツ化成社製）
【００９４】
８．溶剤
酢酸エチル
【００９５】
（実施例１）
ジシクロペンタジエン型固形エポキシ樹脂１  ７０重量部、ナフタレン型液状エポキシ樹脂２０重量部、エポキシ基含有アクリルポリマー１０重量部、酸無水物誘導体１  ４０重量部、イソシアヌル変性固体分散型イミダゾール５重量部、脂環状エポキシ基を有するシランカップリング剤１重量部、表面疎水化ヒュームドシリカ４重量部、および水酸基含有コアシェル型アクリルゴム粒子５重量部を酢酸エチルに溶解させ、ホモディスパー型攪拌機を用いて、攪拌速度３０００ｒｐｍの条件で均一に攪拌混合して、固形分が５０重量％である熱硬化性樹脂組成物の酢酸エチル溶液を調製した。
【００９６】
次に、得られた熱硬化性樹脂組成物の酢酸エチル溶液を、表面に離型処理が施された厚み５０μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）シートの離型処理面上に、乾燥後の厚みが４０μｍとなるようにバーコーターを用いて塗工した後、１１０℃で２分間乾燥して、半導体用接着シート（厚み４０μｍ）を作製した。
【００９７】
（実施例２〜１０及び比較例１〜６）
熱硬化性樹脂組成物の配合成分及び配合割合（単位は重量部）を下記表１に示すように変更したこと以外は実施例１と同様にして、半導体用接着シート（厚み４０μｍ）を作製した。
【００９８】
（評価）
（１）貯蔵安定性（ガラス転移温度の変化）
製造直後、すなわち初期の半導体用接着シートについて、未硬化のままＤＳＣ（示差熱量分析）にて、−４０℃から１００℃まで３℃／分で昇温させた時のガラス転移温度（℃）を測定した。
【００９９】
また、４０℃で３日間放置した貯蔵保管後の半導体用接着シートについても同様の測定を行った。
【０１００】
得られた結果から、初期の半導体用接着シートと、４０℃で３日間放置した後の半導体用接着シートとのガラス転移温度（℃）の変化量を求め、貯蔵安定性（ガラス転移温度）を以下の評価基準で評価した。
【０１０１】
〔貯蔵安定性（ガラス転移温度の変化）の評価基準〕
○：Ｔｇの変化量が３℃以下
△：Ｔｇの変化量が３℃を超え、４℃以下
×：Ｔｇの変化量が４℃を超える
（２）貯蔵安定性（ゲル化率の変化）
初期の各半導体用接着シートを未硬化のままで、常温の酢酸エチル中に２４時間浸漬した後、不溶解分を濾別し、充分に乾燥した。酢酸エチル浸漬前後のシートの重量比（浸漬後の重量／浸漬前の重量）を求め、ゲル化率（重量％）を算出した。
【０１０２】
また、４０℃で３日間放置した貯蔵保管後の半導体用接着シートについても同様の測定を行った。
【０１０３】
得られた結果から、初期の半導体用接着シートと、４０℃で３日間放置した後の半導体用接着シートとのゲル化率（重量％）の変化量を求め、貯蔵安定性（ゲル化率）を以下の基準で評価した。
【０１０４】
〔貯蔵安定性（ゲル化率の変化）の評価基準〕
○：ゲル化率の変化量が５重量％未満
△：ゲル化率の変化量が５重量％以上、１０重量％未満
×：ゲル化率の変化量が１０重量％以上
（３）半導体素子接合体の接合信頼性（耐リフロー性試験）
ダイシング装置を用いて、半導体ウェーハとしてのミラーシリコンウェーハ（厚み８０μｍ、直径８インチ）を１０ｍｍ×１０ｍｍの小片にカットし、半導体素子を得た。次に、初期の各半導体用接着シートと小片にカットした半導体素子とを５０℃でラミネートして、接着シート付き半導体素子を得た。
【０１０５】
支持基板としてのガラスエポキシからなる基板（厚み０．１８ｍｍ、表面レジスト層として太陽インキ工業社製ＡＵＳ３０８を使用）上に、得られた接着シート付き半導体素子を接着シート側から、熱プレス機（０．１ＭＰａ、１００℃１秒間）により仮着した。しかる後、オーブン中で１７０℃、１５分間で加熱硬化し、電子部品接合体としての半導体素子接合体を作製した。
【０１０６】
また、４０℃で３日間放置した貯蔵保管後の半導体用接着シートを用い、上記の方法により半導体素子接合体を作製した。
【０１０７】
初期の半導体用接着シート、または４０℃で３日間放置した後の半導体用接着シートをそれぞれ用いて構成された各半導体素子接合体を８５℃、相対湿度６０％ＲＨのオーブン中に、１６８時間放置した後、プレヒートが１６０℃、最大温度が２６０℃となるよう設定されたリフロー炉内に通した。その後、超音波探傷装置（ＳＡＴ）により半導体素子および基板と接着シートとの剥離の有無を検査した。１０個の半導体素子接合体の評価サンプルについて剥離の有無を評価し、接合信頼性（耐リフロー性試験）を以下の評価基準で評価した。
【０１０８】
〔接合信頼性（耐リフロー性試験）〕
○：剥離が見られた個数が０個
△：剥離が見られた個数が１〜２個
×：剥離が見られた個数が３個以上
（４）半導体素子接合体の接合信頼性（耐ＴＣＴサイクル試験）
上記（３）半導体素子接合体の接合信頼性（耐リフロー性試験）と同様にして、初期の半導体用接着シート、または４０℃で３日間放置した後の半導体用接着シートをそれぞれ用いて構成された各半導体素子接合体を用意した。
【０１０９】
この各半導体素子接合体について、−４０℃に１０分間維持した後に、１２５℃に１０分間維持する工程を１サイクルとして、これを５００サイクル繰り返すサーマルショック（ＴＣＴ）試験を行った。しかる後、超音波探傷装置（ＳＡＴ）により半導体素子および基板と接着シートとの剥離の有無を検査した。１０個の半導体素子接合体の評価サンプルについて剥離の有無を評価し、接合信頼性（耐ＴＣＴサイクル試験）を以下の評価基準で評価した。
【０１１０】
〔接合信頼性（耐ＴＣＴサイクル試験）〕
○：剥離が見られた個数が０個
△：剥離が見られた個数が１個〜２個
×：剥離が見られた個数が３個以上
（５）総合評価
上記（３）半導体素子接合体の接合信頼性（耐リフロー性試験）と同様にして、初期の半導体用接着シート、または４０℃で３日間放置した貯蔵保管後の半導体用接着シートをそれぞれ用いて半導体素子接合体を製造する際に、下記の評価基準で総合的な評価を行った。
【０１１１】
〔総合評価の評価基準〕
◎：取り扱い性に優れ、かつ信頼性の極めて高い半導体素子接合体を製造することができた
○：取り扱いに若干の注意が必要であるが、信頼性の高い半導体素子接合体を製造することができた
△：取り扱いに注意が必要であるが、信頼性の高い半導体素子接合体を製造することができた
×：信頼性の高い半導体素子接合体を製造することが困難であった
結果を下記表１に示す。
【０１１２】
【表１】
2008133354.tif 000003
【０１１３】
比較例１〜６の初期の半導体用接着シートでは、実施例１〜１０の初期の半導体用接着シートに比べると、ガラス転移温度が比較的高かった。よって、比較例１〜６の初期の半導体用接着シートでは、接着シートを構成する際の１１０℃２分程度の乾燥条件下においても反応し、シランカップリング剤の一部が単体で存在せず、エポキシ樹脂に取り込まれた状態となっていると思われ、充分な接合信頼性を得ることができなかった。
【０１１４】
一方、比較例１、２、５、６の半導体用接着シートでは、初期の半導体用接着シートを使用しても、充分な接合信頼性を得ることができなかった。接着シートを構成する際に、シランカップリング剤が消費されたと考えられる。
【０１１５】
また、イミダゾールシランカップリング剤またはコハク酸無水物シランカップリング剤を用いた比較例３、４の半導体用接着シートでは、貯蔵保管中に反応が進行し、ゲル比率が上昇し、著しい品質変化を示した。さらに、比較例３、４の半導体用接着シートでは、初期の接着シートを使用すれば、シランカップリング剤が接合時の界面密着性に寄与した結果、高い接合信頼性を得ることができたが、４０℃３日間放置した接着シートを使用すると、シランカップリング剤の界面密着性への寄与量が減少したため、充分な接合信頼性を得ることができなかった。
【図面の簡単な説明】
【０１１６】
【図１】本発明の一実施形態に係る半導体用接着シートを用いて得られた電子部品接合体を略図的に示す正面断面図。
【符号の説明】
【０１１７】
１…電子部品接合体
２…半導体素子
２ａ…下面
３…支持基板
３ａ…上面
４…バンプ
５…電気接続端子
６…半導体用接着シート
【図１】
2008133354.tif 000004