(57)【要約】【課題】非発光部の発生および成長を抑制した有機ＥＬ表示体を提供すること。【解決手段】基材の少なくとも一方の面上にガスバリア層を有するガスバリア基板であって、気温４０℃、相対湿度が９０％の雰囲気下における水蒸気透過率（ＪＩＳ  Ｋ７１２９  Ｂ法）が０．１ｇ／ｍ２・ｄａｙ・ａｔｍ以下であり、かつ、気温２０℃、相対湿度が９０％の雰囲気下における酸素透過度（ＪＩＳ  Ｋ７１２６  Ｂ法）が０．１ｃｃ／ｍ２・ｄａｙ・ａｔｍ以下であることを特徴とするガスバリア基板を用いて有機ＥＬ表示体を作製すること。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材の少なくとも一方の面上にガスバリア層を有するガスバリア基板であって、
気温４０℃、相対湿度が９０％の雰囲気下における水蒸気透過率（ＪＩＳ  Ｋ７１２９  Ｂ法）が０．１ｇ／ｍ２・ｄａｙ・ａｔｍ以下であり、かつ、気温２０℃、相対湿度が９０％の環境下における酸素透過率（ＪＩＳ  Ｋ７１２６  Ｂ法）が０．１ｃｃ／ｍ２・ｄａｙ・ａｔｍ以下であることを特徴とするガスバリア基板。
【請求項２】
前記ガスバリア層が透明無機物からなり、
前記基材が透明プラスチックフィルムからなり、
全光線透過率（ＪＩＳ  Ｋ  ７３６１−１）が７５％以上であることを特徴とする請求項１に記載のガスバリア基板。
【請求項３】
前記透明プラスチックフィルムがポリエステル、ポリエチレン、または、ポリオレフィンからなり、
前記透明無機物が酸化珪素または窒化珪素からなり、
ＪＩＳ  Ｋ５６００−５−６に規定する密着強度試験において、該透明プラスチックフィルムと該透明無機物の剥離がないことを特徴とする請求項２に記載のガスバリア基板。
【請求項４】
前記酸化珪素がＳｉＯｘ（ｘ＝１．７〜２．０）の組成であることを特徴とする請求項３に記載のガスバリア基板。
【請求項５】
前記ガスバリア基板の一方の面に凹凸層が形成され、前記ガスバリア基板の他方の面に透明電極層が形成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の光学用部品。
【請求項６】
前記凹凸層が、電離放射線硬化型アクリル樹脂を主成分とすることを特徴とする請求項５に記載の光学用部品。
【請求項７】
前記透明電極層が、ＩＴＯ（インジウム−スズ酸化物）からなることを特徴とする請求項５または請求項６に記載の光学用部品。
【請求項８】
請求項５乃至請求項７のいずれか１項に記載の光学用部品に設けられた透明電極層上に、リン光性化合物を含有する有機ＥＬ素子が形成され、該有機ＥＬ素子上に、裏面電極が形成されていることを特徴とする有機ＥＬ表示体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気エネルギーを光に変換して発光する有機ＥＬ表示体、それに用いる光学用部品、それに用いるガスバリア基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、有機ＥＬ素子と記述する）は、蛍光性有機化合物に正孔および電子を注入し再結合させて励起子を生成させ、励起子が失活する際の光の放出を利用する自発光素子である。
【０００３】
有機ＥＬ素子の最大の課題は、発光部の長寿命化である。
【０００４】
短寿命の一因として、非発光部（ダークスポット）の発生が挙げられる。
【０００５】
非発光部は、点灯累積時間が増加するに連れ成長し、非発光面積が増加し、発光部の発光輝度は低下する。
【０００６】
非発光部の直径が約２０μｍ以上に成長すると目視で確認できるようになり、有機ＥＬ素子としての寿命が尽きる事となる。
【０００７】
非発光部発生の主原因として、有機ＥＬ層に対する水蒸気および酸素の接触が知られている。
【０００８】
対策として、有機ＥＬ表示体内に捕水剤（酸化バリウム）を配設することが試みられている。（例えば、特許文献１参照）
【０００９】
【特許文献１】特開２００２−３３１８７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかし、捕水剤として用いられる酸化バリウム（ＢａＯ）は劇物であるため、環境問題が生じる。
また、酸化バリウムは粉末なので封入する際に飛散するため、作業性が悪いという問題を抱えている。
【００１１】
本発明の課題は、非発光部の発生および成長を抑制した有機ＥＬ表示体を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
請求項１に記載の発明は、基材の少なくとも一方の面上にガスバリア層を有するガスバリア基板であって、
気温４０℃、相対湿度が９０％の雰囲気下における水蒸気透過率（ＪＩＳ  Ｋ７１２９  Ｂ法）が０．１ｇ／ｍ２・ｄａｙ・ａｔｍ以下であり、かつ、気温２０℃、相対湿度が９０％の環境下における酸素透過率（ＪＩＳ  Ｋ７１２６  Ｂ法）が０．１ｃｃ／ｍ２・ｄａｙ・ａｔｍ以下であることを特徴とするガスバリア基板である。
【００１３】
基材としては透明性、機械的強度、および、耐熱性を有するプラスチックフィルムを用いることが好ましい。
【００１４】
基材の厚さとしては、６〜３０μｍが好ましい。
【００１５】
ガスバリア層は、単層でも多層でも良い。
ガスバリア層が多層である場合は、各層にそれぞれ異なる材料を用いても良い。
【００１６】
ガスバリア層の材料としては、透明無機物を用いることができる。
【００１７】
ガスバリア層の厚さとしては、ガスバリア層全体で５０ｎｍ〜２μｍ程度が好ましい。
【００１８】
請求項２に記載の発明は、前記ガスバリア層が透明無機物からなり、
前記基材が透明プラスチックフィルムからなり、
全光線透過率（ＪＩＳ  Ｋ  ７３６１−１）が７５％以上であることを特徴とする請求項１に記載のガスバリア基板である。
【００１９】
透明無機物としては、酸化珪素または窒化珪素を用いることができる。
【００２０】
酸化珪素の組成は、ＳｉＯｘ（ｘ＝１．７〜２．０）であることが好ましい。
【００２１】
窒化珪素としては、ＳｉＮ（ｘ＝１．０〜１．４）を用いることができる。
【００２２】
請求項３に記載の発明は、前記透明プラスチックフィルムがポリエステル、ポリエチレン、または、ポリオレフィンからなり、
前記透明無機物が酸化珪素または窒化珪素からなり、
ＪＩＳ  Ｋ５６００−５−６に規定する密着強度試験において、該透明プラスチックフィルムと該透明無機物の剥離がないことを特徴とする請求項２に記載のガスバリア基板である。
【００２３】
ポリエステルの例としては、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレン−２，６−ナフタレート等が挙げられる。
【００２４】
ポリオレフィンの例としては、ポリプロピレンが挙げられる。
【００２５】
ポリエステル、ポリエチレン、および、ポリオレフィンは、高い機械的強度を有し、また、波長４５０〜６００ｎｍの可視光領域での光線透過率が８０〜９７％であるため、耐久性および発光輝度に優れた有機エレクトロルミネッセンス（有機ＥＬ）表示体に用いる材料として適している。
【００２６】
また、ポリエステル、ポリエチレン、および、ポリオレフィンは、未延伸、一軸延伸、二軸延伸のいずれでもよいが、寸法安定性および機械特性の観点から、二軸延伸された物が好ましい。
【００２７】
またポリエステル、ポリエチレン、および、ポリオレフィンは、透明性を損なわない程度であれば、添加剤（例えば、酸化防止剤、耐候剤、熱安定剤、滑剤、結晶核剤）が含まれていても良い。
【００２８】
請求項４に記載の発明は、前記酸化珪素がＳｉＯｘ（ｘ＝１．７〜２．０）の組成であることを特徴とする請求項３に記載のガスバリア基板である。
【００２９】
請求項５に記載の発明は、前記ガスバリア基板の一方の面に凹凸層が形成され、前記ガスバリア基板の他方の面に透明電極層が形成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の光学用部品である。
【００３０】
凹凸層の材料としては電離放射線硬化型アクリル樹脂を用いることができ、透明電極層の材料としてはＩＴＯ（インジウム−スズ酸化物）、Ｉｎ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＳｎＯ２、ＺｎＯを用いることができる。
【００３１】
請求項６に記載の発明は、前記凹凸層が、電離放射線硬化型アクリル樹脂を主成分とすることを特徴とする請求項５に記載の光学用部品である。
【００３２】
電離放射線硬化型アクリル樹脂としては、例えば、電離放射線硬化型アクリルウレタン系樹脂、電離放射線硬化型ポリエステルアクリレート系樹脂、電離放射線硬化型エポキシアクリレート系樹脂などに放射線（紫外線または電子線）重合開始剤を添加した樹脂を用いることができる。
【００３３】
請求項７に記載の発明は、前記透明電極層が、ＩＴＯ（インジウム−スズ酸化物）からなることを特徴とする請求項５または請求項６に記載の光学用部品である。
【００３４】
請求項８に記載の発明は、請求項５乃至請求項７のいずれか１項に記載の光学用部品に設けられた透明電極層上に、リン光性化合物を含有する有機ＥＬ素子が形成され、該有機ＥＬ素子上に、裏面電極が形成されていることを特徴とする有機ＥＬ表示体である。
【００３５】
リン光性化合物としては、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン白金錯体を用いることができる。
【００３６】
裏面電極の材料としては、Ａｌ、Ｌｉ、Ａｇ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｙ、Ｉｎや、それらを含む合金を用いることができる。
【発明の効果】
【００３７】
請求項１に記載の発明は、基材の少なくとも一方の面上にガスバリア層を有するガスバリア基板であって、
気温４０℃、相対湿度が９０％の雰囲気下における水蒸気透過率（ＪＩＳ  Ｋ７１２９  Ｂ法）が０．１ｇ／ｍ２・ｄａｙ・ａｔｍ以下であり、かつ、気温２０℃、相対湿度が９０％の環境下における酸素透過率（ＪＩＳ  Ｋ７１２６  Ｂ法）が０．１ｃｃ／ｍ２・ｄａｙ・ａｔｍ以下であることを特徴とするガスバリア基板である。
【００３８】
このようなガスバリア基板を有機ＥＬ表示体に用いることによって、非発光部の発生および成長を抑制した有機ＥＬ表示体を得ることができる。
【００３９】
請求項２に記載の発明は、前記ガスバリア層が透明無機物からなり、
前記基材が透明プラスチックフィルムからなり、
全光線透過率（ＪＩＳ  Ｋ  ７３６１−１）が７５％以上であることを特徴とする請求項１に記載のガスバリア基板である。
【００４０】
このようなガスバリア基板を有機ＥＬ表示体に用いることによって、高輝度の画像表示が得られる有機ＥＬ表示体を作製することができる。
【００４１】
請求項３に記載の発明は、前記透明プラスチックフィルムがポリエステル、ポリエチレン、または、ポリオレフィンからなり、
前記透明無機物が酸化珪素または窒化珪素からなり、
ＪＩＳ  Ｋ５６００−５−６に規定する密着強度試験において、該透明プラスチックフィルムと該透明無機物の剥離がないことを特徴とする請求項２に記載のガスバリア基板である。
【００４２】
このようなガスバリア基板を有機ＥＬ表示体に用いることによって、
高度なガスバリア性を有する有機ＥＬ表示体を作製することができる。
【００４３】
請求項４に記載の発明は、前記酸化珪素がＳｉＯｘ（ｘ＝１．７〜２．０）の組成であることを特徴とする請求項３に記載のガスバリア基板である。
【００４４】
ＳｉＯｘのｘを１．７〜２．０の範囲にすることにより、無色透明で高度なガスバリア性を有する有機ＥＬ表示体を作製することができる。
【００４５】
ＳｉＯｘのｘが１．７未満の場合、ＳｉＯｘは黄色透明であり、また、ＳｉＯｘのｘが２．０を超える場合、ガスバリア性が不十分となる可能性がある。
【００４６】
請求項５に記載の発明は、前記ガスバリア基板の一方の面に凹凸層が形成され、前記ガスバリア基板の他方の面に透明電極層が形成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の光学用部品である。
【００４７】
このような光学用部品を用いることにより、光取り出し性に優れ、高度なガスバリア性を有する有機ＥＬ表示体を作製することができる。
【００４８】
請求項６に記載の発明は、前記凹凸層が、電離放射線硬化型アクリル樹脂を主成分とすることを特徴とする請求項５に記載の光学用部品である。
【００４９】
凹凸層の主成分として電離放射線硬化型アクリル樹脂を用いることにより、高い透明性を有する凹凸層を、生産性良く形成することができる。
【００５０】
請求項７に記載の発明は、前記透明電極層が、ＩＴＯ（インジウム−スズ酸化物）からなることを特徴とする請求項５または請求項６に記載の光学用部品である。
【００５１】
透明電極層の材料としては、ＩＴＯ（インジウム−スズ酸化物）、Ｉｎ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＳｎＯ２、ＺｎＯを用いることができるが、中でもＩＴＯを用いることにより特に高い透光性が得られる。
【００５２】
請求項８に記載の発明は、請求項５乃至請求項７のいずれか１項に記載の光学用部品に設けられた透明電極層上に、リン光性化合物を含有する有機ＥＬ素子が形成され、該有機ＥＬ素子上に、裏面電極が形成されていることを特徴とする有機ＥＬ表示体である。
【００５３】
リン光性化合物を用いることにより、従来の蛍光発光型有機ＥＬ素子の約４倍の内部量子効率を有する有機ＥＬ素子を作製することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５４】
本発明の、光学用部品の製造方法を、図１、図２および図３を基に説明する。
【００５５】
まず、基材１上にガスバリア層２を積層することにより、ガスバリア基板３を作製する。（図１参照）
【００５６】
積層方法としては、ガスバリア層２が透明無機物（窒化珪素、または、酸化珪素）である場合、例えば、化学気相成長（ＣＶＤ）法、プラズマＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ）法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法および抵抗加熱法などの真空蒸着法や、レーザーアブレーション法等を用いることができ、中でも、生産性および品質安定性に優れたガスバリア層を形成できるという観点から、プラズマＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ）法が好ましい。
【００５７】
次に、スタンパ用基板１００としてガラス板を用い、該ガラス板表面にポジ型のフォトレジスト２００を塗布する。（図２（ａ）参照）
【００５８】
ポジ型レジストはネガ型レジストよりも解像度が高く、本発明の様に高精細が要求されるスタンパに用いる材料として相応しい。
【００５９】
フォトレジスト２００とガラス板（スタンパ用基板１００）との密着性を向上させるため、ガラス板（スタンパ用基板１００）表面にＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）によりベーパー処理を施しても良い。
【００６０】
次に、レーザー（例えば、ＨｅＣｄレーザー（波長４４２ｎｍ）等）および光学系マスク（ＮＡ（開口数）が０．８９〜０．９１）を用いて、回折限界にてフォトレジスト２００を露光することにより、ポジ型のフォトレジスト２００を可溶化処理する。（図２（ｂ）参照）
【００６１】
次に、アルカリ溶液を用いて、可溶化処理したフォトレジスト２００´を除去（現像）する。（図２（ｃ）参照）
【００６２】
次に、スパッタ法を用いて、フォトレジスト２００´´上にＮｉ導電化層３００形成する。（図２（ｄ）参照）
【００６３】
次に、Ｎｉ導電化層３００を電極にして、鍍金法を用いて、Ｎｉ導電化層３００上にＮｉめっき層４００を形成する。（図２（ｅ）参照）
【００６４】
次に、スタンパ用基板１００およびフォトレジスト２００´´を剥離することにより、スタンパ５００を得る。（図２（ｆ）参照）
【００６５】
次に、電離放射線硬化型アクリル樹脂を主成分としたペースト４を、ガスバリア基板３の基材１上に積層する。（図３（ｂ）参照）
【００６６】
電離放射線硬化型アクリル樹脂を主成分としたペースト４としては、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）などの溶剤を用いて、紫外線硬化型アクリル樹脂や電子線硬化型アクリル樹脂を固形分４０〜５０％に希釈したペーストを用いることができる。
【００６７】
基材１上への電離放射線硬化型アクリル樹脂を主成分としたペースト４の積層方法としては、公知のダイコート法、スピンコート法、スクリーン印刷法、バーコート法、グラビアコート法などを用いることができる。
【００６８】
次に、電離放射線硬化型アクリル樹脂を主成分としたペースト４にスタンパ５００を押圧し、回折格子パターン４´を形成する。（図３（ｃ）参照）
【００６９】
次に、回折格子パターン４´に電離放射線を照射することにより、第１の回折格子層４´´を形成する。（図３（ｄ）参照）
【００７０】
電離放射線として、１００〜３８０ｎｍの波長領域の紫外線、または、１００ｎｍ以下の波長領域の電子線を用いることができる。
該紫外線および該電子線を用いることにより、１μｍ以下の微細パターンを有する回折格子層を短時間に安価に製造することができる。
【００７１】
紫外線を照射する場合、カーボンアーク、メタルハライドランプ、超高圧水銀灯、高圧水銀灯、低圧水銀灯などを用い、１００〜３８０ｎｍ、好ましくは２００〜３００ｎｍの波長領域で紫外線を照射する。
【００７２】
電子線を照射する場合、ダイナミトロン型、直線型、コックロフトワルトン型、バンデグラフ型、共振変圧器型、絶縁コア変圧器型、高周波型などの各種電子線加速器等を用い、１００ｎｍ以下、好ましくは５０ｎｍ以下の波長領域で電子線を照射する。
【００７３】
次に、スタンパ５００を除去する。（図３（ｅ）参照）
【００７４】
次に、ガスバリア層２上に、透明電極層５を形成する。（図３（ｆ）参照）
【００７５】
透明電極層５の厚みは、１００〜２００ｎｍとすることができる。
【００７６】
透明電極層５の形成方法としては、ガスバリア層２上にパターニング用マスクを載置してのイオンプレーティング法を用いることができる。
【００７７】
次に、透明電極層５上に、正孔輸送層６を積層する。（図４（ａ）参照）
【００７８】
正孔輸送層６の厚みは、４０〜６０ｎｍとすることができる。
【００７９】
正孔輸送層６の積層方法としては、ｍ−ＭＴＤＡＴＸＡを透明電極層５上に真空蒸着する方法を用いることができる。
【００８０】
次に、正孔輸送層６上に発光層７を形成する。（図４（ｂ）参照）
【００８１】
発光層７の厚みは、２０〜４０ｎｍとすることができる。
【００８２】
発光層７の形成方法としては、ｍ−ＭＴＤＡＴＸＡとＡＴＣＢＰとＩｒ−１２を共蒸着する方法を用いることができる。
【００８３】
次に、発光層７上に、正孔阻止層８を形成する。（図４（ｃ）参照）
【００８４】
正孔阻止層８の厚みは、５〜１５ｎｍとすることができる。
【００８５】
正孔阻止層８の形成方法としては、バソキュプロインを発光層７上に真空蒸着する方法を用いることができる。
【００８６】
次に、正孔阻止層８上に、電子輸送層９を形成する。（図５（ｄ）参照）
【００８７】
電子輸送層９の厚みは、３０〜５０ｎｍとすることができる。
【００８８】
電子輸送層９の形成方法としては、Ａｌｑ３（ｔｒｉｓ（８−ｈｙｄｒｏｘｙｑｕｉｎｏｌｉｎｅ）ａｌｕｍｉｎｕｍ）を正孔阻止層８上に真空蒸着する方法を用いることができる。
【００８９】
次に、電子輸送層９上に、裏面電極バッファー層１０を形成する。（図５（ｅ）参照）
【００９０】
裏面電極バッファー層１０の厚みは、０．４〜０．６ｎｍとすることができる。
【００９１】
裏面電極バッファー層１０の形成方法としては、フッ化リチウムを電子輸送層９上に真空蒸着する方法を用いることができる。
【００９２】
最後に、裏面電極バッファー層１０上に裏面電極１１を形成することにより、有機ＥＬ表示体を得る。（図５（ｆ）参照）
【００９３】
裏面電極１１の厚みは、１００〜１２０ｎｍとすることができる。
【００９４】
裏面電極１１の形成方法としては、アルミニウムを裏面電極バッファー層１０上に真空蒸着する方法を用いることができる。
【実施例】
【００９５】
以下に実施例を挙げて本発明を説明するが、本発明はこれらにより限定されるものではない。
【００９６】
また、下記実施例、比較例にて作製されたガスバリア基板の水蒸気透過率および酸素透過率の測定方法、並びに、ガスバリア基板の全光線透過率の測定方法、並びに、ガスバリア層の膜厚測定方法および組成分析方法、並びに、ガスバリア基板の基材とガスバリア層の密着強度の測定方法、並びに、有機ＥＬ表示体の耐湿、耐酸化評価方法は以下のとおりである。
【００９７】
ガスバリア基板の水蒸気透過率（ＪＩＳ  Ｋ７１２９  Ｂ法）
モダンコントロール社製、ＰＥＲＭＡＴＲＡＮ  Ｗ６を用いて、気温４０℃、相対湿度が９０％の雰囲気下で測定した。
【００９８】
ガスバリア基板の酸素透過率（ＪＩＳ  Ｋ７１２６  Ｂ法）
モダンコントロール社製、ＯＸＴＲＡＮ  １０／４０Ａを用いて、気温２０℃、相対湿度が９０％の雰囲気下で測定した。
【００９９】
ガスバリア層の膜厚（ＪＩＳ  Ｋ  ０１２１）（蛍光Ｘ線分析法）
理学電機社製、蛍光Ｘ線分析装置（システム３２７０）を用いて、Ｘ線源としてはロジウム管球を用い、５０ｋＶ、５０ｍＡの条件で測定した。
【０１００】
ガスバリア層の組成（ＥＳＣＡ）法
島津製作所社製、ＥＳＣＡ３２００（商品名）を用いて、Ｘ線源にはＭｇα線源を使用し、電圧５ｋＶ、電流３０ｍＡ、アナライザー透過エネルギー１０ｅＶ、光電子の取り込みは０．１ｅＶステップで１ポイントの収拾時間は１００ｍｓとした条件にて分析した。
また、膜の深さ方向の情報を得るために、熱陰極型エッチングイオン銃を用いて６０秒のエッチングを１０回行い、デプスプロファイルを得た。
分析はガスバリア層表面に対して法線上に検出器をセットした状態で行い、適正な帯電補正を行った。
ガスバリア層中の組成比はＮ、Ｓｉ、Ｏ、Ｃのピーク面積に、各元素の感度補正係数（Ｃの１ｓを基準とし、Ｏの１ｓを２．８５、Ｎの１ｓを１．７７、Ｓｉの２ｐを０．８７）を用いて補正を行いデプスプロファイルの平均を膜組成とした。
【０１０１】
ガスバリア基板の全光線透過率（ＪＩＳ  Ｋ  ７３６１−１）
島津製作所社製、分光光度計（島津自記分光光度計ＵＶ−３１００ＰＣ型）を用いて測定した。
【０１０２】
ガスバリア基板の基材とガスバリア層の密着強度（ＪＩＳ  Ｋ５６００−５−６）（クロスカット法）
ガスバリア基板のガスバリア層側に、１００個の碁盤目状の切り込みを、隙間間隔１ｍｍのカッターガイドを用いて付け、その上に粘着テープ（ニチバン社製、ＣＴ２４）を升目状の切り傷面に張り付け、指の腹で圧し、密着させた後、表面から９０°の方向に一気に引き剥がして目視によりガスバリア層の剥離状況を確認した。
【０１０３】
有機ＥＬ表示体の耐湿、耐酸化評価
有機ＥＬ表示体を、気温４０℃、相対湿度が９０％の雰囲気下で１年間点灯保存し、非発光部の径の最大値が５０μｍ以下を維持できる場合、耐湿、耐酸化特性良好とした。
【０１０４】
また、ｓｃｃｍは、ｓｔａｎｄａｒｄ  ｃｕｂｉｃ  ｃｍ  ｐｅｒ  ｍｉｎｕｔｅの略語である。
【０１０５】
＜実施例１＞
（ガスバリア基板の作製）
まず、厚さ１２μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（ＮＳＣ（商品名））（帝人デュポンフィルム社製）を、プラズマＣＶＤ装置（アネルバ社製、平行平板型プラズマＣＶＤ装置、ＰＥＤ−４０１）内に装着し、７０℃に加熱した。
【０１０６】
次に、ＣＶＤ装置内を、油回転ポンプおよびターボモレキュラーポンプを用いて、到達真空度３．０×１０−３Ｐａまで減圧した。
【０１０７】
次に、プラズマＣＶＤ装置のガス導入口から、テトラメトキシシランガス（ＴＭＯＳ）（信越化学工業（株）製、ＫＢＭ−０４）１０ｓｃｃｍ、酸素ガス（太陽東洋酸素（株）、純度９９．９９９９％以上）１０ｓｃｃｍ、ヘリウムガス（太陽東洋酸素（株）、純度９９．９９９％以上）３０ｓｃｃｍを導入し、プラズマＣＶＤ装置の成膜チャンバー内圧力を３３．２〜３３．３Ｐａに保ち、９０ｋＨｚの周波数を有する電力（投入電力１５０Ｗ）を印加することにより、前記厚さ１２μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（ＮＳＣ（商品名））（帝人デュポンフィルム社製）上に膜厚が１５０ｎｍ±１０ｎｍのＳｉＯｘ（ｘ＝１．８）を積層し、ガスバリア基板を得た。
【０１０８】
ガスバリア基板の水蒸気透過率（ＪＩＳ  Ｋ７１２９  Ｂ法）は、０．１１ｇ／ｍ２・ｄａｙ・ａｔｍであった。
ガスバリア基板の酸素透過率（ＪＩＳ  Ｋ７１２６  Ｂ法）は、０．１０ｃｃ／ｍ２・ｄａｙ・ａｔｍであった。
【０１０９】
ガスバリア基板の全光線透過率（ＪＩＳ  Ｋ  ７３６１−１）は７５％であった。
【０１１０】
ガスバリア基板の密着強度試験結果（ＪＩＳ  Ｋ５６００−５−６）は、分類０（カット縁が完全に滑らかで、ガスバリア層の剥離なし）となり、ガスバリア基板の基材とガスバリア層の密着強度が良好であることが確認された。
【０１１１】
（スタンパの作製）
まず、ガラス板（コーニング社製、１７３７（商品名））表面を島田理化社製の自動洗浄装置で洗浄し、その後、このガラス板をベーパーオーブン内にて、ＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）（東京応化工業社製、ＯＡＰ（商品名））蒸気を用いて、９０℃下において２分間ベーパー処理を行った。
【０１１２】
次に、フォトレジスト（ポジ型フォトレジスト）（東京応化工業社製、ＯＦＰＲ−８００（商品名））を、湯浅社製のスピンコーターを用いて、前記ガラス板のベーパー処理面上に、４０００ｒｐｍ３０秒間のスピンコート条件にて、膜厚が３±１μｍの範囲になるように塗布し、その後、ＤＡＩＴＯＲＯＮ社製のクリーンオーブン内で９０℃下において５０分間プリベークした。
【０１１３】
次に、レーザー干渉露光装置を用いて、所定のパターンを有する光学系マスク（ＮＡ（開口数）０．９０）を介して、前記プリベークしたフォトレジストに、三方向より入射角度４０度にて波長４４２ｎｍのＨｅＣｄレーザーを照射することにより、露光した。
【０１１４】
次に、０．３％のテトラメチルアンモニウム水溶液を用いて、２５℃下において６０秒間現像処理を行い、その後、超純水でリンス処理を２５秒間行い、その後、乾燥した。
【０１１５】
次に、ＤＣ平行平板型マグネトロンスパッタリング装置（Ｖａ−ｒｉａｎ社製、ＸＭ−８（商品名））内において、スパッタリングターゲットとしてＮｉターゲット、スパッタガスとして圧力０．３ＰａのＡｒガスを用いて、初期真空度５×１０−３Ｐａにて、ＲＦパワー３００Ｗの条件で、Ｎｉをスパッタすることにより、フォトレジスト上に厚さが６００ÅのＮｉ導電化層を形成した。
【０１１６】
次に、以下の様なＮｉ鍍金液を生成した。
スルファルミ酸ニッケル・４水塩・・・５００ｇ／Ｌ
硼酸・・・・・・・・・・・・・・・・３７ｇ／Ｌ
ｐＨ・・・・・・・・・・・・・・・・３．８
【０１１７】
次に、４０℃に保温した上記Ｎｉ鍍金液に、前記Ｎｉ導電化層を浸漬し、通電電流時間積分値３００ＡＨの条件にて鍍金を行うことにより、前記Ｎｉ導電化層上に厚さ３００μｍのニッケル鍍金膜を形成した。
【０１１８】
次に、スタンパ用基板およびフォトレジストを剥離することにより、スタンパを得た。
【０１１９】
（光学用部品の作製）
まず、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）を用いて、紫外線硬化型アクリルモノマーＲ１２８Ｈ（商品名）（日本化薬社製）を固形分４５質量％に希釈したペーストを、前記ガスバリア基板のポリエチレンテレフタレートフィルム面上に、グラビアコーターを用いて、膜厚３±１μｍになるように塗布し、その後、６０℃にて予備乾燥した。
【０１２０】
次に、前記紫外線硬化型アクリル樹脂Ｒ１２８Ｈ（商品名）（日本化薬社製）塗布面上に、１ＭＰａの圧力をかけて１分間前記スタンパを圧接した後、前記ガスバリア基板のガスバリア層形成面側から７５０ｍＪ／ｃｍ２のエネルギーで波長２５０ｎｍの紫外線を照射して前記紫外線硬化型アクリル樹脂を硬化することにより回折格子層を形成し、その後、スタンパを除去した。
【０１２１】
次に、ガスバリア層上にパターニング用マスクを載置して、公知のイオンプレーティング法を用いて、膜厚１５０ｎｍ±１２ｎｍのＩＴＯ（インジウム−スズ酸化物）を積層し、透明電極層を形成することにより、光学用部品を得た。
【０１２２】
（有機ＥＬ表示体の作製）
まず、３×１０−４Ｐａ下において、ｍ−ＭＴＤＡＴＸＡを蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃにて透明電極層（表面温度２５±１℃）上に真空蒸着することにより、膜厚５０±１１ｎｍの正孔輸送層を形成した。
【０１２３】
次に、３×１０−４Ｐａ下において、ＡＴＣＢＰとＩｒ−１２を、各々、蒸着速度０．３ｎｍ／ｓｅｃ、０．０１３ｎｍ／ｓｅｃにて正孔輸送層（表面温度２５±１℃）上に共蒸着することにより、膜厚３０±１０ｎｍの発光層を形成した。
【０１２４】
次に、３×１０−４Ｐａ下において、バソキュプロインを、蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃにて発光層（表面温度２５±１℃）上に真空蒸着することにより、膜厚１０±５ｎｍの正孔阻止層を形成した。
【０１２５】
次に、３×１０−４Ｐａ下において、Ａｌｑ３を、蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃにて正孔阻止層（表面温度２５±１℃）上に真空蒸着することにより、膜厚４０±１１ｎｍの電子輸送層を形成した。
【０１２６】
次に、３×１０−４Ｐａ下において、フッ化リチウムを、蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃにて電子輸送層（表面温度２５±１℃）上に真空蒸着することにより、膜厚１±０．５ｎｍの裏面電極バッファー層を形成した。
【０１２７】
最後に、３×１０−４Ｐａ下において、アルミニウムを、蒸着速度１ｎｍ／ｓｅｃにて裏面電極バッファー層（表面温度２５±１℃）上に真空蒸着することにより、膜厚１１０±１０ｎｍの裏面電極層を形成し、有機ＥＬ表示体を得た。
【０１２８】
有機ＥＬ表示体の耐湿、耐酸化評価は良好であった。
【０１２９】
＜実施例２＞
（ガスバリア基板の作製）
まず、厚さ１２μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（ＮＳＣ（商品名））（帝人デュポンフィルム社製）を、プラズマＣＶＤ装置（アネルバ社製、平行平板型プラズマＣＶＤ装置、ＰＥＤ−４０１）内に装着し、７０℃に加熱した。
【０１３０】
次に、ＣＶＤ装置内を、油回転ポンプおよびターボモレキュラーポンプを用いて、到達真空度３．０×１０−３Ｐａまで減圧した。
【０１３１】
次に、プラズマＣＶＤ装置のガス導入口から、モノシランガス（ＳｉＨ４）１０ｓｃｃｍ、アンモニアガス（ＮＨ３）２０ｓｃｃｍ、水素ガス（Ｈ２）４００ｓｃｃｍを導入し、プラズマＣＶＤ装置の成膜チャンバー内圧力を９．９〜１０．１Ｐａに保ち、１３．５６ＭＨｚの周波数を有する電力（投入電力３００Ｗ）を印加することにより、前記厚さ１２μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（ＮＳＣ（商品名））（帝人デュポンフィルム社製）上に膜厚が１５０ｎｍ±１０ｎｍのＳｉＮｘ（ｘ＝１．２）を積層し、ガスバリア基板を得た。
【０１３２】
ガスバリア基板の水蒸気透過率（ＪＩＳ  Ｋ７１２９  Ｂ法）は、０．１０ｇ／ｍ２・ｄａｙ・ａｔｍであった。
ガスバリア基板の酸素透過率（ＪＩＳ  Ｋ７１２６  Ｂ法）は、０．１１ｃｃ／ｍ２・ｄａｙ・ａｔｍであった。
【０１３３】
ガスバリア基板の全光線透過率（ＪＩＳ  Ｋ  ７３６１−１）は７５％であった。
【０１３４】
ガスバリア基板の密着強度試験結果（ＪＩＳ  Ｋ５６００−５−６）は、分類０（カット縁が完全に滑らかで、ガスバリア層の剥離なし）となり、ガスバリア基板の基材とガスバリア層の密着強度が良好であることが確認された。
【０１３５】
ガスバリア基板の作製以外は、実施例１と同様に、光学用部品および有機ＥＬ表示体を作製した。
【０１３６】
得られた有機ＥＬ表示体の耐湿、耐酸化評価は良好であった。
【０１３７】
＜比較例＞
実施例１でＳｉＯｘ（ｘ＝１．８）層の厚さを２０ｎｍ±１０ｎｍとした以外は、実施例１と同様に、ガスバリア基板、光学用部品および有機ＥＬ表示体を作製した。
【０１３８】
ガスバリア基板の水蒸気透過率（ＪＩＳ  Ｋ７１２９  Ｂ法）は、２．００ｇ／ｍ２・ｄａｙ・ａｔｍであった。
ガスバリア基板の酸素透過率（ＪＩＳ  Ｋ７１２６  Ｂ法）は、２．０１ｃｃ／ｍ２・ｄａｙ・ａｔｍであった。
【０１３９】
ガスバリア基板の全光線透過率（ＪＩＳ  Ｋ  ７３６１−１）は７５％であった。
【０１４０】
ガスバリア基板の密着強度試験結果（ＪＩＳ  Ｋ５６００−５−６）は、分類０（カット縁が完全に滑らかで、ガスバリア層の剥離なし）となり、ガスバリア基板の基材とガスバリア層の密着強度が良好であることが確認された。
【０１４１】
得られた有機ＥＬ表示体の耐湿、耐酸化評価結果は不良であった。
（有機ＥＬ表示体を、気温４０℃、相対湿度が９０％の雰囲気下で半年間点灯保存したところ、非発光部の径の最大値が５０μｍを超えた。）
【産業上の利用可能性】
【０１４２】
本発明の、光学用部品、および、それを用いた有機ＥＬ表示体は、各種表示装置、及び、それらを用いた、看板、ネオン等の商業ディスプレイに利用できる。
【図面の簡単な説明】
【０１４３】
【図１】本発明のガスバリア基板の構造を説明するための断面図である。
【図２】本発明の有機ＥＬ表示体、それに用いる光学用部品、それに用いるガスバリア基板の製造方法を説明するための断面図である。
【図３】本発明の有機ＥＬ表示体、それに用いる光学用部品、それに用いるガスバリア基板の製造方法を説明するための断面図である。
【図４】本発明の有機ＥＬ表示体、それに用いる光学用部品、それに用いるガスバリア基板の製造方法を説明するための断面図である。
【図５】本発明の有機ＥＬ表示体、それに用いる光学用部品、それに用いるガスバリア基板の製造方法を説明するための断面図である。
【符号の説明】
【０１４４】
１・・・・・・・基材
２・・・・・・・ガスバリア層
３・・・・・・・ガスバリア基板
４・・・・・・・電離放射線硬化型アクリル樹脂を主成分としたペースト
４´・・・・・・回折格子パターン
４´´・・・・・回折格子層
５・・・・・・・透明電極層
６・・・・・・・正孔輸送層
７・・・・・・・発光層
８・・・・・・・正孔阻止層
９・・・・・・・電子輸送層
１０・・・・・・裏面電極バッファー層
１１・・・・・・裏面電極
１００・・・・・スタンパ用基板
２００・・・・・フォトレジスト
２００´・・・・可溶化処理したフォトレジスト
２００´´・・・フォトレジスト
３００・・・・・Ｎｉ導電化層
４００・・・・・Ｎｉめっき層
５００・・・・・スタンパ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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