(57)【要約】【課題】  半導体素子を実装する配線基板に形成された導体と放熱基板との間に介在する接着剤層の厚みを平坦な面で薄くしながら空隙をなくすことで、半導体素子の発熱を抑える半導体素子搭載基板及び半導体素子搭載基板の製造方法を提供する。【解決手段】  配線電極ｅｈ，ｄｈが形成され半導体素子Ｃが実装されることとなる配線基板１と、この配線基板１と接着剤Ｅｐを介して接着される放熱基板Ｂとを備え、上記配線基板１に接着剤Ｅｐを逃がすためのスリットｓが形成される。【選択図】  図１
2008172176.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線電極が形成され半導体素子が実装されることとなる配線基板と、この配線基板と接着剤を介して接着される放熱基板とを備え、上記配線基板に接着剤を逃がすためのスリットが形成されていることを特徴とする半導体素子搭載基板。
【請求項２】
前記配線基板には、層間接続のためのバンプが所定間隔で配されるバンプ層とその下方層の放熱プレーン層とを有し、前記スリットは放熱プレーン層の上記バンプの位置とは位置をずらして形成されていることを特徴とする請求項１記載の半導体素子搭載用基板。
【請求項３】
前記スリットが半導体素子搭載エリアの外周に少なくとも形成されていることを特徴とする請求項１記載の半導体素子搭載基板。
【請求項４】
前記スリットが半導体素子搭載エリアの外周のダミー領域においてマトリクス状に形成され、前記配線基板の側面端にまで及んでいることを特徴とする請求項１記載の半導体素子搭載基板。
【請求項５】
記スリットが一方の配線電極と他方の配線電極との間に形成され、絶縁材料である接着剤により絶縁されることを特徴とする請求項１記載の半導体素子搭載基板。
【請求項６】
前記接着剤の体積は前記スリットの体積よりも小さく、かつ、前記絶縁を図る箇所のスリットの体積は半導体素子搭載エリアの外周に形成されるスリットの体積よりも小さいことを特徴とする請求項２記載の半導体素子搭載用基板。
【請求項７】
配線電極が形成され半導体素子が実装されることとなる配線基板と、この配線基板と接着剤を介して接着される放熱基板とを備え、上記配線基板に接着剤を逃がすためのスリットが形成され、加圧・加熱手段により接着する際に、加圧して密着させた後加熱することを特徴とする半導体素子搭載基板の製造方法。
【請求項８】
前記配線基板にスリットを形成し、放熱基板と加圧・加熱手段により熱圧着する際に、上記スリットに余剰の接着剤を流すことを特徴とする請求項７記載の半導体素子搭載基板の製造方法。
【請求項９】
前記配線基板は、バンプが所定間隔で配されるバンプ層とその下方層の放熱プレーン層とを有し、前記スリットは放熱プレーン層の上記バンプの位置とは位置をずらして形成することを特徴とする請求項８記載の半導体素子搭載用基板の製造方法。
【請求項１０】
前記スリットが前記配線基板の絶縁を図る位置に形成され、絶縁材料である接着剤により絶縁されることを特徴とする請求項８記載の半導体素子搭載基板。
【請求項１１】
前記接着剤の体積は前記スリットの体積よりも小さく、かつ、前記絶縁を図る箇所のスリットの体積は半導体素子搭載エリアの外周に形成されるスリットの体積よりも小さいことを特徴とする請求項１０記載の半導体素子搭載用基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子を実装する半導体素子搭載基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器の小型化、薄型化、高性能化の要求に対応するため、半導体素子を実装するための半導体素子搭載基板が開発され商品化されている。半導体素子は、発熱により特性が劣化するため、これら半導体素子の発熱を抑える放熱構造が半導体素子搭載基板に求められている。
【０００３】
半導体素子を実装する半導体素子搭載基板の放熱構造としては、半導体素子からの発熱を熱抵抗の小さい伝熱部材により放熱基板に伝熱して放熱基板から外部に放熱する構造がある。熱抵抗の小さい材料としては、熱伝導率の高い金属や金属酸化物セラミックスなどがある。その反対に、空気などの気体は、極めて熱伝導率が低く、伝熱の阻害となる。放熱基板としては、熱伝導率が高くて軽量であるアルミニウム板や窒化アルミセラミックス板などがある。
【０００４】
熱抵抗を小さくするためには、伝熱部材の伝熱面積を大きくして伝熱方向の厚みを薄くしたり、伝熱部材と放熱基板との接触面を平坦にしなければならない。例えば、半導体素子を実装する配線基板と放熱基板との接合には、接着剤を用いて接着がなされるが、その接着剤層は理想的に薄く形成されることが好ましい。
【０００５】
特許文献１は、表面に酸化アルミニウム層が形成されているアルミニウム板と、上記酸化アルミニウム層に接着剤により固着される半導体チップと、上記酸化アルミニウム層に接着剤により固着されるリード端子と、上記半導体チップ上に形成された電極と上記リード端子とを接続する金属細線とを具備することを特徴とする半導体装置であり、上記半導体チップからの発熱を上記接着剤を介して上記アルミニウム板に放熱する構造となっている。特許文献２は、絶縁層を備える金属などの導体板と、絶縁層を介して導体板に積層された導電層と、電極が導電層にフェースダウン実装により電気的に接続された発光ダイオードチップとを備え、発光ダイオードと導体板との対向面間には絶縁層よりも熱伝導率の高い金属バンプなどの熱伝達部材が介装されることを特徴とする発光装置であり、上記発光ダイオードチップからの発熱を上記熱伝達部材を介して上記導体板に放熱する構造となっている。特許文献１や特許文献２は、アルミニウム板などの放熱導体板に酸化アルミニウムなどの絶縁層を設けることで上記放熱導体板に実装される半導体素子との電気的絶縁を図りながら熱抵抗を小さくすることから、高価なセラミックス基板を絶縁層として介在させる構造に比べて、製造コストを抑えることができ、半導体装置の量産形態に適している。
【特許文献１】特開平５−１６０３０４号公報
【特許文献２】特開２００３−１６８８２９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、従来の製造方法では、半導体素子が実装される配線基板と放熱基板とを加圧・加熱手段により加熱しながら加圧するが、このような通常の加熱・加圧では、接着剤層を薄くする過程で硬化する箇所が生じて、接着剤層に空隙が生じ平坦な面として薄くすることは難しかった。
【０００７】
なお、特許文献１及び特許文献２の構造では、配線基板と放熱基板とを接着したものではなく、チップを直接放熱基板上に実装したものであるが、配線基板と放熱基板と接着剤を介して加熱・加圧する場合、接着剤層に空隙が生じ平坦な面として薄くすることは難しかった。
【０００８】
そこで本発明の目的は、半導体素子を実装する配線基板に形成された導体と放熱基板との間に介在する接着剤層の厚みを平坦な面として薄くしながら接着強度を確保し、そして空隙をなくすことで、半導体素子の発熱を抑える半導体素子搭載基板及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の半導体素子搭載基板は、配線電極が形成され半導体素子が実装されることとなる配線基板と、この配線基板と接着剤を介して接着される放熱基板とを備え、上記配線基板に接着剤を逃がすためのスリットが形成されていることを特徴とする。
【００１０】
この発明によれば、上記配線基板と放熱基板とを加圧・加熱手段により接着する際に、上記接着剤の余剰分や介在する空気が上記配線基板に形成されたスリットへと流れることから、接着剤層の厚みを平坦で薄く形成することができる。ここで、半導体素子搭載エリアの外周に形成されていることで、上記スリットに上記接着剤の余剰分を逃がしても放熱回路や電気回路の形成に影響を及ぼさない。また、スリット部へ流れた接着剤は、スリットを形成する配線と放熱基板との接着性に寄与し、加圧・加熱で薄く形成される事で損なわれた接着剤の接着強度を補う。
【００１１】
本発明としては、前記スリットが一方の配線電極と他方の配線電極との間に形成され、絶縁材料である接着剤により絶縁されることが好ましい。
【００１２】
この発明によれば、前記スリットが一方の配線電極と他方の配線電極との間を絶縁することにより、一方の配線電極を介して一方の半導体素子からの電気信号を他方の配線電極を介して他方の半導体素子に接続することができる。つまり、複数の半導体素子を直列に接続するような配線回路に好適なものとなる。
【００１３】
本発明の半導体素子搭載基板の製造方法は、配線電極が形成され半導体素子が実装されることとなる配線基板と、この配線基板と接着剤を介して接着される放熱基板とを備え、前記配線基板と前記放熱基板とを加圧・加熱手段により接着する際に、加圧して密着させた後に加熱することを特徴とする。ここで、前記配線基板にスリットを形成し、放熱基板と加圧・加熱手段により熱圧着する際に、上記スリットに余剰の接着剤を流すことが好ましい。
【００１４】
この発明によれば、配線基板と放熱基板とを加圧・加熱手段により加圧した状態で加熱することで、接着剤が加熱により硬化しはじめる前に接着剤を行き渡らせるとともに、スリットに接着剤の余剰分を逃がしきることができる。また、接着剤を加圧した状態で予熱することで、接着剤の粘度を低くして、スリットに前記接着剤の接着面から不要な空気の粒（ボイド）を前記接着剤の余剰分と一緒に逃がし易くすることができる。
【００１５】
本発明としては、前記配線基板は、バンプが所定間隔で配されるバンプ層とその下方層の放熱プレーン層とを有し、前記スリットは放熱プレーン層の上記バンプの位置とは位置をずらして形成されていることが好ましい。
【００１６】
この発明によれば、前記スリットが放熱プレーン層の上記バンプの位置とは位置をずらして形成されていることにより、半導体素子の熱を接着剤層を介して放熱基板に伝えるために上記スリット配列が与える影響はない。また、バンプが所定間隔で配されるバンプ層とその下方層の放熱プレーン層とを有することにより、上記下層の放熱プレーン層にのみエッチングや工作具によりスリットを所定間隔で容易に作製することができるようになる。
【００１７】
本発明としては、前記スリットが半導体素子搭載エリアの外周のダミー領域においてマトリクス状に形成され、前記配線基板の側面端にまで及んでいることが好ましい。
【００１８】
この発明によれば、加熱・加圧手段により熱圧着する際に、マトリクス状のスリットに接着剤の余剰分や熱圧着の際に巻き込まれる空気を逃がすこととなり、そして、前記配線基板の側面端にまで流し出し、余剰分の接着剤が堆積したり空隙が生じたり、空気が滞留するようなことが防止される。
【００１９】
本発明としては、前記接着剤の体積は前記スリットの体積よりも小さく、かつ、前記絶縁を図る箇所のスリットの体積は半導体素子搭載エリアの外周に形成されるスリットの体積よりも小さいことが好ましい。
【００２０】
この発明によれば、前記接着剤の体積は前記スリットの体積よりも小さいことから、接着剤層を理想的に薄くしながらも、接着剤の余剰分をすべてスリットに逃がすことができる。そして、前記絶縁を図る箇所のスリットの体積は半導体素子搭載エリアの外周に形成されるスリットの体積よりも小さいことから、前記絶縁を図る箇所のスリットには接着剤を満たすようになり、良好な絶縁性が図られるようになる。
【発明の効果】
【００２１】
本発明の半導体素子搭載基板によれば、熱圧着の際にスリットに接着剤の余剰分を逃がしたり、熱圧着に巻き込まれる空気を逃がすことができ、接着剤層が平坦で薄く形成されることにより、放熱効率を高めることができ、半導体素子の信頼性を高めることができるとともに、平坦化が図られることにより配線基板と放熱基板との密着力の向上を図ることが可能になる。また、予め配線基板の絶縁を図る箇所にスリットを形成することにより、熱圧着の際に絶縁性の接着剤を流し込み絶縁箇所を作成することも可能になる。一方、本発明の半導体素子搭載基板の製造方法によれば、上記配線基板と放熱基板とを加圧・加熱手段により接着する際に、加圧して密着させた後に加熱することにより、従来のように加熱硬化の過程で接着剤が固まってしまう事態を防止できるとともに、空隙が生じるような事態を防止して、平坦面として薄く形成することが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明を実施するための最良の形態を図面を引用しながら説明する。
【００２３】
（第１の実施形態）
図１（ａ）は、本発明を適用した半導体素子搭載基板Ｚ１の断面模式図である。図１（ｂ）は、配線基板１の導体箔ｄの配された面から見た模式図である。本実施の形態は、配線電極ｅｈが形成された配線基板１と、この配線基板１と接着剤Ｅｐを介して接着された放熱基板Ｂとを備え、半導体素子Ｃからの熱をバンプｈを介して放熱基板Ｂへと伝熱する構造になっている。半導体素子Ｃからの熱をバンプｈを介して放熱基板Ｂへと伝熱するための配線電極ｄｈの外周（半導体素子搭載エリアｆの外周）は、スリットｓが形成されている。配線基板１は、両面に配線が施された両面プリント配線基板であり、その一方の面には導体箔ｅにより配線電極ｅｈが形成され、他方の面には導体箔ｄにより配線電極ｄｈが形成され、バンプｈにより配線電極ｅｈと配線電極ｄｈとが接続されている。上記配線電極ｅｈには、半導体素子Ｃが実装され（図２（ｄ）参照）、この半導体素子Ｃが実装される領域（半導体素子搭載エリア）ｆの外周には、接着剤Ｅｐを逃がすためのスリットｓが形成されている。
【００２４】
配線基板１の基材ａは、耐熱温度が高くて厚みを薄くできるためポリイミド樹脂とした。絶縁材料としては、エポキシ樹脂やポリエステル樹脂等でも良い。導体箔ｅとｄは、銅箔からなり、基材ａに熱圧着した後、エッチングにより配線電極ｅｈとｄｈを形成する。基材ａと導体箔ｅ、ｄの厚みはそれぞれ１０μｍから２００μｍの範囲で適宜設計する。配線基板１には、層間接続のためのバンプｈが所定間隔で配されるバンプ層ａとその下方層の放熱プレーン層ｄとを有する。本実施の形態では、熱伝導率の高いバンプｈを所定間隔で配するため、銅板をエッチングしてバンプとなる支柱（カラム）を形成した。バンプｈとしては、上記銅カラムの他、スルーホールめっきに導電ペーストを充填するビアスタックや、メタルコアを基材ａに圧接してもよい。バンプは、搭載する半導体素子Ｃの実装側電極面積Ｆに近いほど効率よく熱伝導ができ、その下方の放熱プレーン層ｄとの接触する面積が大きいほど効率よく熱伝導ができる。例えば、図１のバンプｈは、半導体素子搭載エリアｆに３つのバンプｈが形成されているが、これらを一つにするような大きさにすると一層効率よく熱伝導ができる。
【００２５】
配線基板１の放熱プレーン層ｄには、スリットｓが形成されている。このスリットｓは、放熱プレーン層ｄと接着層Ｅｐとの境界面から半導体素子Ｃの搭載される面（上方）に向かって形成されている。上記スリットｓは、加圧・加熱手段Ｋ１，Ｋ２により熱圧着する際に（図２（ａ）参照）、接着剤Ｅｐを逃がすためのスリットｓであり、本実施の形態では、半導体素子搭載エリアｆの外周に形成され、配線基板１の配線電極ｄｈにはかからない。上記スリットｓに上記接着剤Ｅｐの余剰分を逃がしても放熱回路や電気回路の形成に影響を及ぼさないようにするためである。上記スリットｓは、エッチングにより配線電極ｅｈとｄｈを形成する際に同時に形成される。なお、上記スリットｓは、ダイシング装置などの切削工具により別途形成することも可能である。
【００２６】
放熱基板Ｂは、絶縁性と放熱性を両立させるため陽極酸化皮膜（アルマイト）処理により絶縁皮膜を形成したアルミニウム板とした。放熱基板としては、窒化アルミセラミックス板を用いてもよいが、高価であることから安価な上記アルミニウム板を使用した。放熱基板Ｂの表面は熱伝導を良好にするため、平坦になっており、その表面粗さは数μｍ程度である。放熱基板Ｂは、放熱面積が広く放熱容量が大きいほど放熱能力が高くなるが、搭載する半導体素子の発熱量や半導体装置のサイズに応じて適宜設計する。この放熱基板Ｂには絶縁被膜が形成されるものでも良い。
【００２７】
接着剤Ｅｐは、異方性導電接着剤フィルム（ＡＣＦ：Anisotropic Conductive Film）、異方性導電接着ペースト（ＡＣＰ：Anisotropic Conductive Paste）、非導電接着ペースト（ＮＣＰ：Non-Conductive Paste）、非導電接着フィルム（ＮＣＦ：Non-Conductive Film）等が使用される。ここで、スリットｓの絶縁性を保つためには、絶縁材料である非導電接着ペースト（ＮＣＰ：Non-Conductive Paste）や、非導電接着フィルム（ＮＣＦ：Non-Conductive Film）が好ましい。配線基板１と放熱基板Ｂとを薄く平坦に密着させるためには、予め接着剤をシート状に加工した非導電接着フィルム（ＮＣＦ：Non-Conductive Film）が好ましい。また、表面に金属が形成されたフィラーを上記エポキシ樹脂に含有する異方性導電接着剤ＡＣＦやＡＣＰを使用することで、スリットｓの絶縁性を保ちながら上記フィラーの熱抵抗の分だけ熱伝導率を高くすることも可能である。上記フィラーとしては高熱伝導率と絶縁性を兼用させたニッケル繊維や炭素繊維を含有するエポキシ接着シートが有望である。
【００２８】
図２は、本発明を適用した半導体素子搭載基板Ｚ１の製造方法を模式的に示す断面模式図である。放熱基板Ｂの上には接着シートＥｐが載置され、その上には配線基板１が載置され、加圧・加熱手段Ｋ１，Ｋ２により配線基板１と放熱基板Ｂとが熱圧着される（図２（ａ）、（ｂ））。加圧・加熱手段Ｋ１，Ｋ２は、まず加圧を行い配線基板１と放熱基板Ｂとを密着させた後において加熱する。すなわち、接着シートを常温高圧でプレスし放熱プレーンとアルミ板を密着させた後に高圧下で加熱させ熱硬化させることにより、放熱プレーンを絶縁皮膜にほぼ隙間無く密着させ、この接続部位における高熱伝導を実現させる。例えば、２０〜６０℃の温度で加圧し放熱プレーンとアルミ板を密着させた後に加圧した状態で８０〜１６０℃の温度で加熱して熱硬化させる。この方法により、接着剤Ｅｐが加熱により硬化しはじめる前に接着剤を行き渡らせるとともに、スリットｓに接着剤Ｅｐの余剰分を逃がしきることができる。また、接着剤Ｅｐを加圧した状態で予熱することで、接着剤Ｅｐの粘度を低くして、スリットｓに前記接着剤Ｅｐの接着面から不要な空気の粒（ボイド）を前記接着剤の余剰分と一緒に逃がし易くすることができる。したがって、従来のように加熱硬化の過程で接着剤が固まってしまう事態を防止できるとともに、放熱プレーンｄｈと放熱基板Ｂとの間に空隙が生じるようなことはない。なお、スリットｓは半導体素子Ｃからの放熱に寄与しない場所にあるためスリットｓに空気が残ったとしても放熱特性には影響しない。
【００２９】
次にバンプｈ上の配線電極ｅｈ上に半導体素子であるＩＣチップＣを銀ペーストなどの導電性材料ｎにて接続する。銅箔からなる配線電極ｅｈ（ｅｂ，ｅ）は、表面を保護して接合特性を良好にするため、配線基板１の段階でめっき処理することが好ましい。例えばワイヤーボンディング性を良好にするためには、Ｎｉ下地のＡｕめっきを施す。ＩＣチップＣの一方の電極は配線電極ｅｈに接続され、ＩＣチップＣの他方の電極は金などのワイヤーＬにて配線電極ｅｂにボンディングなどにより接続され、その後樹脂Ｐにより樹脂封止を行なう（図２（ｃ））。この構造によりＩＣチップＣで発生した熱をバンプｈを介して放熱基板Ｂへと逃がすことができ、比較的安価なプリント配線基板で放熱性の高いＩＣパッケージを実現することが可能になる。
【００３０】
（第２の実施形態）
本実施の形態は、高輝度ＬＥＤ装置用の半導体素子搭載基板Ｚ２である。高輝度ＬＥＤ装置は、ＬＥＤチップに大電流を流すとともに、複数のＬＥＤチップを基板に搭載しなければならない。複数のＬＥＤチップは並列接続してもよいが、並列接続の場合は、配線基板の製造ばらつきなどにより電気回路上の一部の低抵抗のＬＥＤチップに電流が流れ易く、複数のＬＥＤ間で光の輝度（光量）のばらつきが生じ易く、品質低下を招きやすい。そこで、複数のＬＥＤチップを直列接続することで、電気回路に流れる電流を一定にして、複数のＬＥＤの光の輝度（光量）を同じにすることができる。
【００３１】
図３（ａ）と図３（ｃ）は、上面発光のＬＥＤチップＣ１とＣ２が直列配列で搭載される半導体素子搭載基板Ｚ２の断面模式図である。図３（ｂ）は、配線基板１の導体箔ｄの配された面から見た模式図である。本実施の形態は、配線電極ｅｈが形成された配線基板１と、この配線基板１と接着剤Ｅｐを介して接着された放熱基板Ｂとを備える。そして、上記スリットｓが所定間隔をおいて形成されている。すなわち、配線基板１の配線電極ｄｈを囲むと共に、これを繰り返すように縦横のマトリクス状にスリットｓが形成されている。このスリットｓは、配線基板１の配線電極ｄｈを囲む領域のみならず、前記スリットｓが半導体素子搭載エリアｆの外周のダミー領域においてもマトリクス状に形成されており、配線基板１の外周（縁）まで達している。加圧・加熱手段Ｋ１，Ｋ２により加圧と加熱を行うと、その中心から外周に向かって接着剤Ｅｐが均等に広がるための、この広がりに効率的に対応させるためである。なお、最終的に溢れるような接着剤Ｅｐは、基板１の側面に送り出される。
【００３２】
ＬＥＤチップＣ１が実装されることとなる配線電極ｅｈ１とＬＥＤチップＣ２が実装されることとなる配線電極ｅｈ２との絶縁をとるために形成されるスリットｓ１の体積（巾ｗ１）は、ＬＥＤチップ搭載エリアｆの外周に形成されるスリットｓの体積（巾ｗ）よりも小さいことが好ましい。接着剤Ｅｐが均等に広がる際に、先に巾ｗ１の小さいスリットｓ１に接着剤Ｅｐが満たされることなるために、空気に比べて熱伝導率の高い接着剤ＥｐによりＬＥＤチップ搭載エリアｆ全体の放熱効率を高めることができる。また、ＬＥＤチップ搭載エリアｆの外周に形成されるスリットｓ１に接着剤Ｅｐが満たされることにより、信頼性試験におけるマイグレーションなどによる不用意な絶縁破壊不良を抑止する事もできる。
【００３３】
また、前記スリットが半導体素子搭載エリアｆの外周のダミー領域においてもマトリックス状に形成されており、配線基板１の外周（縁）まで達しているので、加圧・加熱手段Ｋ１，Ｋ２により加圧と加熱を行うと、その中心から外周に向かって接着剤Ｅｐが均等に広がる際に不要な空気が接着剤Ｅｐとともに押し出されて最終的に基板１の側面に送り出される。ここで、スリットｓ，ｓ１は半導体素子Ｃ１，Ｃ２からの放熱に寄与しない場所にあるためスリットｓ，ｓ１に空気が残ったとしても放熱特性には影響しない。
【００３４】
本実施の形態の製造方法においても、熱圧着の際は、加圧・加熱手段Ｋ１，Ｋ２は、まず加圧を行い配線基板１と放熱基板Ｂとを密着させた後において加熱することにより、放熱銅プレーンｄ（ｄｈ）を放熱基板Ｂの絶縁皮膜にほぼ隙間無く密着させ、この接続部位における高熱伝導を実現させる（図４（ａ）、（ｂ））。次に複数のＬＥＤチップＣ１，Ｃ２が配線基板１に実装され、封止枠Ｐ２が接着され、ＬＥＤチップＣ１，Ｃ２からの光を透すための透明樹脂Ｕにより樹脂封止を行なう（図４（ｃ））。
【００３５】
ここで、本実施の形態では、前記スリットｓが一方の配線電極ｅｈ１と他方の配線電極ｅｈ２との間に形成され、絶縁材料である接着剤により絶縁されている。すなわち、接着剤として非導電接着フィルム（ＮＣＦ：Non-Conductive Film）が使用され、一方のＬＥＤチップＣ１と他方のＬＥＤチップＣ２とが直列に接続されることにより、電気回路に流れる電流を一定にして、複数のＬＥＤチップＣ１，Ｃ２の光の輝度（光量）を同じにすることができる。そして、複数のＬＥＤチップＣ１，Ｃ２は、それらの輝度（光量）を大きくするため、大きな電流が流れることになっているが、上記スリットｓ１や他方のスリットｓにより、平坦な面としての薄い接着剤層が形成されることから、上記大きな電流が流れることによるＬＥＤチップＣ１，Ｃ２による発熱をバンプｈを介して放熱基板Ｂへと伝熱する。この構造によりＬＥＤチップＣ１(Ｃ２)で発生した熱をバンプｈを介して放熱基板Ｂへと逃がすことができ、比較的安価なプリント配線基板で、放熱特性の高いＩＣパッケージＺ２を実現することができる。
【００３６】
（第３の実施形態）
本実施の形態は、第２の実施形態の半導体素子搭載基板Ｚ２を同時に多数個製造するために半導体素子搭載基板Ｚ２を複数連接した場合の実施例である。図５（ａ）は、最終的に切り取られる半導体素子基板Ｚ２の部分とその周辺を示す断面模式図である。図５（ｂ）は、図５（ａ）における配線基板の導体箔ｄの配された面から見た模式図である。
【００３７】
本実施の形態は、最終的に切り取られる配線基板１（点線で示される部分）の面積Ａ１に対応する（Ａ１と等しい面積の）接着剤Ｅｐ１の体積Ｖｅｐは、放熱プレーンエリアｄｘの内側に形成されたスリットｓ１とｓからなるギャップの体積Ｖｓ１＋Ｖｓよりも大きく、かつ、接着剤Ｅｐ１の体積Ｖｅｐは、放熱プレーンエリアｄｘ周辺に形成されたスリットｓ２からなるギャップの体積Ｖｓ２の１／２以下（放熱プレーンエリアｄｘの外側で、かつ、配線基板１の内側に形成されるギャップの体積以下）とする。これにより、加圧・加熱手段Ｋ１，Ｋ２により接着剤Ｅｐ１が均等に広がる際に、先に接着剤Ｅｐ１の体積Ｖｅｐよりも体積の小さい放熱プレーンエリアｄｘの内側に形成されたスリットｓ１とｓに接着剤Ｅｐ１が満たされ、次に接着剤Ｅｐ１とともに不要な空気が放熱プレーンエリアｄｘの外側に形成されたスリットｓ２に押し出される。そして、接着剤Ｅｐ１の体積Ｖｅｐは、放熱プレーンエリアｄｘ周辺に形成されたスリットｓ２からなるギャップの体積Ｖｓ２の１／２以下であることから、スリットｓ２は、接着剤Ｅｐで溢れることはなく、加圧・加熱手段Ｋ１，Ｋ２により、接着剤層の厚みを理想的に薄くすることが可能となる。そして、放熱プレーンエリアｄｘの内側に形成されたスリットｓ１とｓは、全て接着剤Ｅｐで埋め尽くされるため、放熱特性の優れた半導体素子搭載基板Ｚ２が製造できる。
【００３８】
以上、本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではない。例えば、半導体素子Ｃとしては、ＬＥＤチップを例に説明したが、高電力トランジスタやマイクロプロセッサ等であっても良い。特に高輝度が要求されるＬＥＤはその直列配列によって効率の良い放熱が要求されるが、本発明によれば、一方と他方の配線電極の絶縁を図りながら、平坦で薄い接着剤層を形成できる利点を有する。このように、本発明は、その趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更が可能であることは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】図１（ａ）は、本発明を適用した第１の実施の形態の半導体素子搭載基板の断面模式図である。図１（ｂ）は、配線基板の導体箔の配された面から見た模式図である。
【図２】本発明を適用した第１の実施の形態の半導体素子搭載基板の製造方法を模式的に示す断面模式図である。
【図３】図３（ａ）は、本発明を適用した第２の実施の形態の半導体素子搭載基板の断面模式図である。図３（ｂ）は、配線基板の導体箔の配された面から見た模式図である。図３（ｃ）は、本発明を適用した第２の実施の形態の半導体素子搭載基板の断面模式図である。
【図４】本発明を適用した第２の実施の形態の半導体素子搭載基板の製造方法を模式的に示す断面模式図である。
【図５】図５（ａ）は、本発明を適用した第３の実施の形態の半導体素子搭載基板の断面模式図である。図５（ｂ）は、配線基板の導体箔の配された面から見た模式図である。
【符号の説明】
【００４０】
Ｚ１，Ｚ２                    半導体素子搭載基板、
１                            配線基板、
Ｂ                            放熱基板、
ｄ                            放熱プレーン層
ｆ                            半導体素子搭載エリア、
ｅｈ，ｄｈ                    配線電極、
Ｅｐ                          接着剤（接着剤層）、
ｈ                            バンプ、
ｓ，ｓ１，ｓ２                スリット、
Ｃ，Ｃ１，Ｃ２                半導体素子、
Ｋ１，Ｋ２                    加圧・加熱手段
【図１】
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【図２】
2008172176.tif 000004
【図３】
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【図４】
2008172176.tif 000006
【図５】
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