(57)【要約】【課題】表示品位の良好な画像を表示可能な液晶表示装置を提供することを目的とする。【解決手段】  アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとの間に液晶層ＬＱを保持した構成の液晶表示パネルＬＰＮを備え、アレイ基板ＡＲは、絶縁基板１０上に、画素毎に配置されたスイッチング素子Ｗと、スイッチング素子Ｗに接続された画素電極ＥＰと、画素電極ＥＰから離間し各画素に共通の共通電極ＥＴと、を備え、対向基板ＣＴは、絶縁基板３０の液晶層ＬＱに対向する内面にシールド電極３１を備えたことを特徴とする。【選択図】      図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と第２基板との間に液晶層を保持した構成の液晶表示パネルを備え、
前記第１基板は、絶縁基板上に、
画素毎に配置されたスイッチング素子と、
前記スイッチング素子に接続された画素電極と、
前記画素電極から離間し、各画素に共通の共通電極と、を備え、
前記第２基板は、絶縁基板の前記液晶層に対向する内面にシールド電極を備えたことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記シールド電極は、接地または前記共通電極と電気的に接続されたことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記第２基板は、さらに、前記シールド電極と前記液晶層との間に誘電層を備えたことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記誘電層は、カラーフィルタ層及びオーバコート層の少なくとも一方であることを特徴とする請求項３に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記誘電層は、３ミクロン以上の厚みを有することを特徴とする請求項３に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記第２基板を構成する絶縁基板の厚みは、０．１〜０．５ｍｍであることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記シールド電極は、インジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）またはインジウム・ジンク・オキサイド（ＩＺＯ）によって形成されたことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、液晶表示装置に係り、特に、液晶表示パネルを構成する一方の基板側に画素電極及び共通電極を備えた構造の液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＣＲＴディスプレイに代わる平面表示装置が盛んに開発されており、中でも液晶表示装置は、軽量、薄型、低消費電力等の利点から特に注目を集めている。特に、各画素にスイッチング素子を組み込んだアクティブマトリクス型液晶表示装置においては、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モードやＦＦＳ（ｆｒｉｎｇｅ  ｆｉｅｌｄ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モードなどの横電界（フリンジ電界も含む）を利用した構造が注目されている。（例えば、特許文献１及び特許文献２参照。）
このＩＰＳモードやＦＦＳモードの液晶表示装置は、アレイ基板上に形成された画素電極と共通電極とを備え、アレイ基板の主面に対してほぼ平行な横電界で液晶分子をスイッチングする。また、アレイ基板及び対向基板のそれぞれの外面には、互いに偏向軸方向が直交するように配置された偏光板が配置されている。このような偏光板の配置により、例えば電圧無印加時に黒色画面を表示し、映像信号に対応した電圧を画素電極に印加することにより徐々に光透過率（変調率）が増加して白色画面を表示する。このような液晶表示装置では、液晶分子が基板主面とほぼ平行な平面内で回転するため、透過光の入射方向に対して偏光状態が大きく影響しないので、視野角依存性は小さく、広い視野角特性を有するといった特徴がある。
【特許文献１】特開２００５−１０７５３５号公報
【特許文献２】特開２００６−１３９２９５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
このような横電界を利用した液晶表示装置においては、対向基板は電気的にフローティング状態にある。このため、対向基板側から進入した静電気を逃がすための退路がなく、対向基板に帯電した静電気はその場に帯電し続け、アレイ基板側に形成された横電界を乱す（あるいは縦電界が形成される）ことがある。このような横電界の異常により、表示不良を招くおそれがある。
【０００４】
この発明は、上述した問題点に鑑みなされたものであって、その目的は、表示品位の良好な画像を表示可能な液晶表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
この発明の態様による液晶表示装置は、
第１基板と第２基板との間に液晶層を保持した構成の液晶表示パネルを備え、
前記第１基板は、絶縁基板上に、
画素毎に配置されたスイッチング素子と、
前記スイッチング素子に接続された画素電極と、
前記画素電極から離間し、各画素に共通の共通電極と、を備え、
前記第２基板は、絶縁基板の前記液晶層に対向する内面にシールド電極を備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００６】
この発明によれば、表示品位の良好な画像を表示可能な液晶表示装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
以下、この発明の一実施の形態に係る液晶表示装置について図面を参照して説明する。ここでは、ＦＦＳモードの液晶表示装置を例に説明するが、一方の基板に画素電極及び共通電極を備え横電界を利用して液晶分子をスイッチングするＩＰＳモードなどの他の液晶モードの液晶表示装置であれば、以下に説明する実施の形態に基づき、同様の対向基板構造を採用することにより同様の効果が得られるものである。
【０００８】
図１及び図３に示すように、液晶表示装置は、アクティブマトリクスタイプの液晶表示装置であって、液晶表示パネルＬＰＮを備えている。この液晶表示パネルＬＰＮは、アレイ基板（第１基板）ＡＲと、アレイ基板ＡＲと互いに対向して配置された対向基板（第２基板）ＣＴと、これらアレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとの間に保持された液晶層ＬＱと、を備えて構成されている。このような液晶表示装置は、画像を表示する表示領域ＤＳＰを備えている。この表示領域ＤＳＰは、ｍ×ｎ個のマトリクス状に配置された複数の画素ＰＸによって構成されている。
【０００９】
アレイ基板ＡＲは、ガラス板や石英板などの光透過性を有する絶縁基板１０を用いて形成されている。すなわち、このアレイ基板ＡＲは、表示領域ＤＳＰにおいて、画素毎に配置されたｍ×ｎ個の画素電極ＥＰ、これら画素電極ＥＰの行方向に沿ってそれぞれ形成されたｎ本の走査線Ｙ（Ｙ１〜Ｙｎ）、これら画素電極ＥＰの列方向に沿ってそれぞれ形成されたｍ本の信号線Ｘ（Ｘ１〜Ｘｍ）、各画素ＰＸにおいて走査線Ｙと信号線Ｘとの交差部を含む領域に配置されたｍ×ｎ個のスイッチング素子Ｗ、液晶容量ＣＬＣと並列に補助容量ＣＳを構成するよう画素電極ＥＰに容量結合する補助容量線ＡＹ、画素電極ＥＰから離間して配置されるとともに各画素に共通の共通電極ＥＴなどを備えている。
【００１０】
アレイ基板ＡＲは、さらに、表示領域ＤＳＰの周辺の駆動回路領域ＤＣＴにおいて、ｎ本の走査線Ｙに接続された走査線ドライバＹＤを構成する少なくとも一部や、ｍ本の信号線Ｘに接続された信号線ドライバＸＤを構成する少なくとも一部などを備えている。走査線ドライバＹＤは、コントローラＣＮＴによる制御に基づいてｎ本の走査線Ｙに順次走査信号（駆動信号）を供給する。また、信号線ドライバＸＤは、コントローラＣＮＴによる制御に基づいて各行のスイッチング素子Ｗが走査信号によってオンするタイミングでｍ本の信号線Ｘに映像信号（駆動信号）を供給する。これにより、各行の画素電極ＥＰは、対応するスイッチング素子Ｗを介して供給される映像信号に応じた画素電位にそれぞれ設定される。
【００１１】
各スイッチング素子Ｗは、例えば、薄膜トランジスタによって構成されている。スイッチング素子Ｗの半導体層は、例えば、ポリシリコンやアモルファスシリコンなどによって形成可能である。スイッチング素子Ｗのゲート電極は、走査線Ｙに接続されている（あるいは走査線Ｙと一体的に形成されている）。スイッチング素子Ｗのソース電極は、信号線Ｘに接続される（あるいは信号線Ｘと一体に形成される）とともに、半導体層のソース領域にコンタクトしている。スイッチング素子Ｗのドレイン電極は、画素電極ＥＰに接続される（あるいは画素電極ＥＰと一体に形成される）とともに、半導体層のドレイン領域にコンタクトしている。
【００１２】
共通電極ＥＴは、例えば各画素ＰＸにおいて島状に配置され、コモン電位が供給されるコモン配線ＣＯＭに接続されている。画素電極ＥＰは、絶縁層ＩＬを介して共通電極ＥＴに対向して配置されている。この画素電極ＥＰは、共通電極ＥＴと対向する複数のスリットＳＬを有している。これらの画素電極ＥＰ及び共通電極ＥＴは、例えばインジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）やインジウム・ジンク・オキサイド（ＩＺＯ）などの光透過性を有する導電材料によって形成されている。すべての画素ＰＸに対応した画素電極ＥＰは、配向膜２０によって覆われている。
【００１３】
一方、対向基板ＣＴは、ガラス板や石英板などの光透過性を有する絶縁基板３０を用いて形成されている。すなわち、対向基板ＣＴは、絶縁基板３０の内面すなわち液晶層ＬＱに対向する面にシールド電極３１を備えている。また、この対向基板ＣＴは、表示領域ＤＳＰにおいて、シールド電極３１と液晶層ＬＱとの間に誘電体層を備えている。この実施の形態では、対向基板ＣＴは、誘電体層として、各画素ＰＸを区画するブラックマトリクス３２、ブラックマトリクス３２によって囲まれた各画素に配置されたカラーフィルタ層３４、カラーフィルタ層３４を覆うオーバコート層３５などを備えている。
【００１４】
シールド電極３１は、例えばＩＴＯやＩＺＯなどの光透過性を有する導電材料によって形成されている。ブラックマトリクス３２は、シールド電極３１上において、アレイ基板ＡＲに設けられた走査線Ｙや信号線Ｘなどの配線部に対向するように配置されている。カラーフィルタ層３４は、シールド電極３１上に配置され、互いに異なる複数の色、例えば赤色、青色、緑色といった３原色にそれぞれ着色された着色樹脂によって形成されている。赤色着色樹脂、青色着色樹脂、及び緑色着色樹脂は、それぞれ赤色画素、青色画素、及び緑色画素に対応して配置されている。オーバコート層３５は、透明樹脂によって形成され、カラーフィルタ層３４表面の凹凸を平坦化するように比較的厚い膜厚で配置されている。このオーバコート層３５は、配向膜３６によって覆われている。
【００１５】
このような対向基板ＣＴと上述したようなアレイ基板ＡＲとをそれぞれの配向膜２０及び３６が対向するように配置したとき、両者の間に配置された図示しないスペーサにより、所定のギャップが形成される。液晶層ＬＱは、これらのアレイ基板ＡＲの配向膜２０と対向基板ＣＴの配向膜３６との間に形成されたギャップに封入された液晶分子を含む液晶組成物で構成されている。
【００１６】
また、この液晶表示装置は、液晶表示パネルＬＰＮの一方の外面（すなわちアレイ基板ＡＲの液晶層ＬＱと対向する面とは反対の外面）に設けられた偏光板ＰＬ１を備え、また、液晶表示パネルＬＰＮの他方の外面（すなわち対向基板ＣＴの液晶層ＬＱと対向する面とは反対の外面）に設けられた偏光板ＰＬ２を備えている。
【００１７】
このような構成によれば、対向基板ＣＴ側にシールド電極３１を配置したことにより、対向基板側から進入する静電気をシールドすることが可能となり、画素電極ＥＰと共通電極ＥＴとの間に形成された横電界の乱れを緩和することができる。このため、横電界を利用して表示品位の良好な画像を表示可能となる。
【００１８】
また、近年、特に液晶表示パネルＬＰＮの薄型化に対する要求が高まっており、このような要求に対して、アレイ基板ＡＲ及び対向基板ＣＴを構成する絶縁基板を研磨する場合がある。このような研磨工程は、アレイ基板ＡＲ及び対向基板ＣＴを図示しないシール材によって貼り合わせた後に行われる。静電気対策として対向基板ＣＴの外面（つまり、絶縁基板３０の偏光板ＰＬ２が配置される面）にシールド電極を配置した場合、研磨工程において絶縁基板３０のみならずシールド電極も研磨によって除去されてしまうため、研磨工程より以前にシールド電極を配置しておく必要がなくなる。この場合、製造過程における静電気対策が不十分となる。また、研磨工程後に対向基板ＣＴの外面にシールド電極を配置することが考えられる。しかしながら、シールド電極は、ＩＴＯなどを高温・真空下で成膜することによって形成される。つまり、アレイ基板ＡＲ及び対向基板ＣＴが高温・真空下に晒されることになり、エポキシ樹脂などのシール材やカラーフィルタ層などの樹脂材料が劣化したり、樹脂の界面または樹脂内で剥離が生じたりするおそれがある。このため、研磨工程後にセル化された対向基板ＣＴの外面にシールド電極を配置することができず、静電気対策を施した液晶表示パネルＬＰＮの薄型化が困難となっていた。
【００１９】
これに対して、本実施形態の構成によれば、対向基板ＣＴの内面にシールド電極３１を配置したことにより、アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとを貼りあわせた後に研磨工程を行うことによって、アレイ基板ＡＲを構成する絶縁基板１０及び対向基板ＣＴを構成する絶縁基板３０の薄型化が可能となる。これにより、静電気対策を施した液晶表示パネルＬＰＮの薄型化が可能となる。薄型化された対向基板ＣＴの絶縁基板３０の厚みは、例えば、０．１〜０．５ｍｍである。
【００２０】
上述した構成において、シールド電極３１は、接地されてもよいし、共通電極ＥＴと電気的に接続されても良い。シールド電極３１を接地する場合には、電界リークを低減するために、１００ｋΩ程度の抵抗を介して接地することが望ましい。また、シールド電極３１を共通電極ＥＴと接続する場合には、表示領域ＤＳＰ外に引き出されたコモン配線ＣＯＭと導電性部材（トランスファ）を介して接続されることにより、シールド電極３１にコモン電位を供給することが可能となる。
【００２１】
このような構成により、対向基板ＣＴに外界からの静電気に対しシールド効果を持たせることが可能となり、静電気進入による表示不良に対して高い耐性を実現することができる。
【００２２】
また、シールド電極３１は、アレイ基板ＡＲ側で生成される横電界への影響を低減するために、できる限りアレイ基板ＡＲから遠ざけて配置することが望ましい。しかしながら、液晶層ＬＱの厚みは、要求される所望の光学特性に合わせて最適化されており、この厚みを任意に変更することは困難である。液晶層ＬＱの厚みは、たとえば３ミクロン程度に設定されている。
【００２３】
そこで、シールド電極３１と液晶層ＬＱとの間に配置された誘電体層を比較的厚い膜厚で形成することによってシールド電極３１とアレイ基板ＡＲとの間に十分な距離を確保している。発明者の検証によれば、誘電体層は、３ミクロン以上の厚みを有するように設計することが望ましいことがわかった。以下に、この検証について説明する。
【００２４】
図３は、第１構成例のＦＦＳモードの液晶表示パネルの断面、この液晶表示パネルにおける電界分布、及び、液晶層内の電界分布と配向分布と透過率分布との関係を示す図である。この第１構成例において、対向基板ＣＴを構成する絶縁基板３０の外面には、シールド電極３１が配置され、また、絶縁基板３０の内面にはカラーフィルタ層及びオーバコート層の少なくとも一方を有する誘電体層ＤＬが配置されている。
【００２５】
この第１構成例によれば、シールド電極３１は、十分にアレイ基板ＡＲから離間しており、アレイ基板ＡＲ側に形成される横電界への影響は少なく、しかも、液晶層ＬＱの厚み方向に十分に広がった横電界を形成できている。これにより、高い透過率が得られている。
【００２６】
これに対して、図４は、基板の薄型化に対応するための第２構成例のＦＦＳモードの液晶表示パネルの断面、この液晶表示パネルにおける電界分布、及び、液晶層内の電界分布と配向分布と透過率分布との関係を示す図である。この第２構成例において、対向基板ＣＴを構成する絶縁基板３０の内面には、誘電体層ＤＬが配置され、また、この誘電体層ＤＬ上にシールド電極３１が配置されている。シールド電極３１は、接地されている（Ｖ＝０）。
【００２７】
この第２構成例によれば、アレイ基板ＡＲ側に形成される横電界の電界分布が図３に示した第１構成例より弱まっていることがわかる。また、この第２構成例によれば、透過率分布が図３に示した第１構成例より低減しており、表示に十分な透過率が得られなかった。
【００２８】
図５は、基板の薄型化に対応するための第３構成例のＦＦＳモードの液晶表示パネルの断面、この液晶表示パネルにおける電界分布、及び、液晶層内の電界分布と配向分布と透過率分布との関係を示す図である。この第３構成例においては上述した実施の形態の通り、対向基板ＣＴを構成する絶縁基板３０の内面には、シールド電極３１が配置され、また、このシールド電極３１上に誘電体層ＤＬが配置されている。シールド電極３１は、接地されている（Ｖ＝０）。ここでは、誘電体層ＤＬは、１．５ミクロンの厚みを有するカラーフィルタ層及び１．５ミクロンの厚みを有するオーバコート層を積層して構成し、３ミクロンの厚みを得た。
【００２９】
このような第３構成例によれば、アレイ基板ＡＲ側に形成される横電界の電界分布は、図３に示した第１構成例よりは弱いものの、図４に示した第２構成例よりは改善され、特に液晶層ＬＱの厚み方向に十分に広がった横電界を形成できていることがわかる。また、このような第３構成例によれば、透過率分布が図３に示した第１構成例よりは低減しているものの、表示に十分な透過率が得られた。このように、シールド電極３１を絶縁基板３０の内面に配置し、且つ、シールド電極３１と液晶層ＬＱとの間に誘電体層ＤＬを配置することは、アレイ基板ＡＲ側に形成される横電界への影響を緩和する意味できわめて重要であることが確認された。
【００３０】
次に、シールド電極３１と液晶層ＬＱとの間に配置すべき誘電体層ＤＬの最適な厚みについて検討した。ここでは、シールド電極３１と液晶層ＬＱとの間の誘電体層ＤＬの厚みが異なる複数のサンプルを用意し、それぞれのサンプルについて、画素電極−共通電極間の印加電圧に対する液晶表示パネルの正面方向での変調率（透過率）を測定した。なお、この測定において、参照光の波長は５５０ｎｍとした。
【００３１】
サンプル１は誘電体層を備えていないものであり、サンプル２は３．３ミクロンの厚みを有する誘電体層ＤＬを備えているものであり、サンプル３は４．９ミクロンの厚みを有する誘電体層ＤＬを備えているものであり、サンプル４は７．３ミクロンの厚みを有する誘電体層ＤＬを備えているものである。なお、液晶層ＬＱの厚みなど他の条件はすべて同一とした。また、サンプル０は、図３に示した構成例１に対応するもので、絶縁基板３０の外面にシールド電極を備えている。
【００３２】
図６に測定結果を示す。サンプル０は、十分に高い変調率が得られることがわかる。これに対して、サンプル１は、サンプル０の６０％程度の変調率しか得られなかった。一方、サンプル２乃至４については、サンプル０のように基板外面にシールド電極を配置した構成と比較して、略同等（９０％程度）の高い変調率が得られることが確認された。
【００３３】
また、図７は、誘電体層ＤＬの膜厚に対する最大変調率の関係を示している。この結果から、誘電体層ＤＬの厚みを３ミクロン以上に設定することにより、最大変調率が略一定となることがわかった。このように、シールド電極３１と液晶層ＬＱとの間に配置する誘電体層ＤＬの厚みを３ミクロン以上に設定することは、アレイ基板ＡＲ側に形成される横電界への影響を緩和する意味できわめて重要であることが確認された。
【００３４】
次に、第１構成例及び第３構成例の液晶表示パネルについて、最大変調率が得られる電圧を印加したときのコントラスト比（ＣＲ）の視野角依存性をシミュレーションした。図８は第１構成例のシミュレーション結果を示すものであり、図９は第３構成例のシミュレーション結果を示すものである。なお、これらのシミュレーションにおいて、参照光の波長は５５０ｎｍとした。
【００３５】
ここで、０°方位が画面の右側に対応し、１８０°方位が画面の左側に対応するものとする。また、９０°方位が画面の上側に対応し、２７０°方位が画面の下側に対応するものとする。また、図８及び図９においては、中心が液晶表示パネルの法線方向に相当し、法線方向を中心とした同心円は、法線に対する倒れ角度（視角）であり、それぞれ２０°、４０°、６０°、８０°に相当する。ここで示した特性図は、各方位についてコントラスト比が１０：１、３０：１、５０：１、１００：１、５００：１にそれぞれ相当する領域を結ぶことで得られたものである。
【００３６】
図８及び図９に示したように、シールド電極を絶縁基板の内面に配置した第３構成例であっても、シールド電極を絶縁基板の外面に配置した第１構成例と同等の視野角を実現できることがわかった。このように、基板の薄型化に対応するために、シールド電極を絶縁基板の内面に配置した構成において、シールド電極と液晶層との間に十分な厚さの誘電体層を配置したことにより、横電界を利用した液晶モードの特徴である高視野角特性を維持できることが確認された。
【００３７】
以上説明したように、この実施の形態の液晶表示装置によれば、表示品位の良好な画像を表示することが可能となる。
【００３８】
なお、この発明は、上記各実施形態そのものに限定されるものではなく、その実施の段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合わせてもよい。
【００３９】
例えば、上述した実施の形態においては、カラー表示タイプの液晶表示装置を例に説明したが、同じくカラー表示タイプの液晶表示装置であっても、アレイ基板側にカラーフィルタを備えたいわゆるカラーフィルタ・オン・アレイ（ＣＯＡ）構造においてもこの発明を適用可能である。また、モノクロ表示タイプの液晶表示装置であっても、同様に、この発明を適用可能である。ＣＯＡ構造及びモノクロ表示タイプの液晶表示装置においては、対向基板ＣＴは、シールド電極３１上にカラーフィルタ層が配置されないため、所望の厚さ（例えば３ミクロン以上）のオーバコート層を配置することにより、上述した実施の形態と同様の効果が得られる。つまり、対向基板ＣＴにおいて、シールド電極３１と液晶層ＬＱとの間に配置される誘電体層は、主にカラーフィルタ層及びオーバコート層の少なくとも一方（配向膜３６の厚みはこれらと比べて十分に薄いため無視しても良い）に相当する。また、対向基板ＣＴにおいて、３ミクロン以上の厚みを有する誘電体層を配置することにより、シールド電極３１がアレイ基板ＡＲ側で形成した横電界から十分に離間し、この横電界への影響を緩和することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】図１は、この発明の一実施の形態に係る横電界を利用した液晶モードの液晶表示装置の構成を概略的に示す図である。
【図２】図２は、図１に示した液晶表示装置における１画素の断面構造を概略的に示す図である。
【図３】図３は、第１構成例のＦＦＳモードの液晶表示パネルの断面、この液晶表示パネルにおける電界分布、及び、液晶層内の電界分布と配向分布と透過率分布との関係を示す図である。
【図４】図４は、第２構成例のＦＦＳモードの液晶表示パネルの断面、この液晶表示パネルにおける電界分布、及び、液晶層内の電界分布と配向分布と透過率分布との関係を示す図である。
【図５】図５は、第３構成例のＦＦＳモードの液晶表示パネルの断面、この液晶表示パネルにおける電界分布、及び、液晶層内の電界分布と配向分布と透過率分布との関係を示す図である。
【図６】図６は、第３構成例における誘電体層の最適な厚みの検討結果を示す図であり、画素電極−共通電極間の印加電圧に対する液晶表示パネルの正面方向での変調率（透過率）の測定結果を示す図である。
【図７】図７は、第３構成例における誘電体層の最適な厚みの検討結果を示す図であり、誘電体層の厚みに対する最大変調率の関係を示す図である。
【図８】図８は、第１構成例におけるコントラスト比（ＣＲ）の視野角依存性をシミュレーションした結果を示す図である。
【図９】図９は、第３構成例におけるコントラスト比（ＣＲ）の視野角依存性をシミュレーションした結果を示す図である。
【符号の説明】
【００４１】
ＬＰＮ…液晶表示パネル
ＡＲ…アレイ基板
ＣＴ…対向基板
ＬＱ…液晶層
ＤＳＰ…表示領域
ＰＸ…画素
ＥＰ…画素電極
ＥＴ…共通電極
ＣＯＭ…コモン配線
ＩＬ…絶縁層
ＳＬ…スリット
ＤＬ…誘電体層
１０…絶縁基板
３０…絶縁基板
３１…シールド電極
３２…ブラックマトリクス
３４…カラーフィルタ層
３５…オーバコート層
３６…配向膜
【図１】
2008129405.tif 000003
【図２】
2008129405.tif 000004
【図３】
2008129405.tif 000005
【図４】
2008129405.tif 000006
【図５】
2008129405.tif 000007
【図６】
2008129405.tif 000008
【図７】
2008129405.tif 000009
【図８】
2008129405.tif 000010
【図９】
2008129405.tif 000011