(57)【要約】【課題】マイグレーションの発生を防止することで信頼性の高い発光素子を提供する。【解決手段】基板１１と、基板１１に積層されたｎ層１２１、発光層１２２、およびｐ層１２３を含む半導体層１２と、ｎ電極１３と、反射電極１４２を有するｐ電極１４とを有する発光素子１０において、ｐ電極１４は、複数の凹部１４１ａが設けられていると共にし、この複数の凹部１４１ａのそれぞれに分割された反射電極１４２が設けられたｐコンタクト電極１４１と、ｐコンタクト電極１４１の凹部１４１ａに蓋をするように形成されたｐボンディング電極１４３とを備えた。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、前記基板に積層された発光層を含む半導体層と、ｎ電極と、反射電極を有するｐ電極とを有する発光素子において、
前記ｐ電極は、凹部が設けられていると共に、この凹部内に前記反射電極が設けられた第１電極と、前記第１電極の凹部に蓋をするように形成された第２電極とを備えたことを特徴とする発光素子。
【請求項２】
前記反射電極は、前記第２電極との界面が前記凹部の開口面より低い位置に形成されていることを特徴とする請求項１記載の発光素子。
【請求項３】
前記第１電極の凹部は、反射電極を複数の島状に分割するように設けられていることを特徴とする請求項１または２記載の発光素子。
【請求項４】
前記複数の島状に形成された反射電極のうち最も外側に位置する反射電極が、非マイグレーション金属で形成されていることを特徴とする請求項３記載の発光素子。
【請求項５】
前記第１電極の凹部は、前記反射電極全体の周囲をその周壁で囲うように形成されていることを特徴とする請求項１または２記載の発光素子。
【請求項６】
前記半導体層のｐ層は、ｐ型窒化ガリウム系半導体層で形成され、
前記第１電極は、前記半導体層に接するコンタクト電極であり、Ｐｔ，Ｐｄ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｚｎ，Ｎｉ、またはこれらの中から少なくとも１種類を含む合金、または導電性膜からなる単層または多層膜で形成されていることを特徴とする請求項１から５のいずれかの項に記載の発光素子。
【請求項７】
前記第２電極は、前記第１電極の周囲側面を覆うように形成されていることを特徴とする請求項１から６のいずれかの項に記載の発光素子。
【請求項８】
前記第２電極は、ボンディング電極であり、Ｒｈ，Ｔｉ，Ａｕ，Ｍｏ，Ｗ，Ｐｔ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｚｎ，Ｐｄ，Ｃｒ，Ａｌ、またはこれらの中から少なくとも１種類を含む合金、導電性膜からなる単層または多層膜であることを特徴とする請求項１から７のいずれかの項に記載の発光素子。
【請求項９】
前記第１電極と前記第２電極とは、同じ材質で形成されていることを特徴とする請求項１から８のいずれかの項に記載の発光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板と、この基板に積層された発光層を含む半導体層と、電極としてｎ電極および反射電極を含むｐ電極とを備えた発光素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の発光素子として反射電極を有するものが特許文献１に記載されている。この特許文献１に記載のIII族窒化物系化合物半導体発光素子は、サファイヤ基板の上にｎ+層１０３が形成され、ｎ+層の上に発光層が形成され、発光層の上にはｐ型層が形成されている。さらに、ｐ型層の上には第１薄膜金属層と正電極とが積層され、最上部には、ＳｉＯ2膜より成る保護膜が形成されている。この正電極は、銀（Ａｇ）、ロジウム（Ｒｈ）、ルテニウム（Ｒｕ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、または、これらの金属を少なくとも１種類以上含んだ合金より成る金属層により構成されているものである。
【特許文献１】特開２０００−３６６１９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
この特許文献１に記載のIII族窒化物系化合物半導体発光素子は、反射電極である正電極を覆うようにＳｉＯ2膜で形成された保護膜を備えているので、銀や銀合金を用いることで発生しやすい状態にあるマイグレーションの影響を防止するという点では、この保護膜が寄与するものと思われる。
【０００４】
しかし、保護膜は、半導体層である酸化膜で形成された層であり、この保護膜と金属である正電極との界面は、金属同士の界面と比較すると接続強度が低いので、電圧を印加して発光させていると正電極でマイグレーションの成長により、保護膜が剥離してしまうおそれがある。そうなると成長して保護膜から漏れたマイグレーションが、半導体層の発光層やｎ層と短絡して発光不良となるおそれがある。
【０００５】
従って、発光素子は、発光不良の一因となるマイグレーションの漏れを防止して、更なる信頼性の向上が望まれている。
【０００６】
そこで本発明は、マイグレーションの発生を防止することで信頼性の高い発光素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の発光素子は、基板と、前記基板に積層された発光層を含む半導体層と、ｎ電極と、反射電極を有するｐ電極とを有する発光素子において、前記ｐ電極は、凹部が設けられていると共に、この凹部内に前記反射電極が設けられた第１電極と、前記第１電極の凹部に蓋をするように形成された第２電極とを備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の発光素子は、反射電極を第１電極の凹部内に設け、第２電極をこの凹部に蓋をするように設けることで、短絡や電流のリークを防止することができるので、マイグレーションが発生しても高い信頼性を確保することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
本願の第１の発明は、基板と、基板に積層された発光層を含む半導体層と、ｎ電極と、反射電極を有するｐ電極とを有する発光素子において、ｐ電極は、凹部が設けられていると共に、この凹部内に反射電極が設けられた第１電極と、第１電極の凹部に蓋をするように形成された第２電極とを備えたことを特徴としたものである。
【００１０】
マイグレーションが発生しやすい高反射率の銀や銀合金などが使用される反射電極を第１電極の凹部内に設け、第２電極をこの凹部に蓋をするように設けているので、反射電極にマイグレーションが発生しても、この第１電極の凹部の周壁を超えて、第１電極と第２電極との界面の間から外へ広がるように進行するマイグレーションの成長を阻止することができる。つまり、反射電極からのマイグレーションが第１電極の凹部から漏れ出ることを抑止することで、短絡や電流のリークを抑止することができる。
【００１１】
本願の第２の発明は、反射電極は、第２電極との界面が凹部の開口面より低い位置に形成されていることを特徴としたものである。
【００１２】
第１電極の凹部の開口面より反射電極と第２電極との界面を低い位置となるように反射電極を形成することで、反射電極にマイグレーションが発生して成長しても凹部の開口面までに余裕があるので、マイグレーションが凹部の周壁を超え難い状態とすることができる。また第１電極と第２電極との接続面積を多く確保することができるのでより強固に第１電極と第２電極とが接合することで、反射電極のマイグレーションの成長を更に防止することができる。
【００１３】
本願の第３の発明は、第１電極の凹部は、反射電極を複数の島状に分割するように設けられていることを特徴としたものである。
【００１４】
第１電極を、反射電極を複数の島状に分割する凹部とすることで、第１電極と第２電極との接続面積を多くすることができるので、第１電極と第２電極との接続強度を増加させることができる。また、第１電極の中央部に位置する反射電極からのマイグレーションが発光素子の外側へ漏れ出るためには、周囲の凹部を超えるように成長しなければならないので、マイグレーションの成長をより確実に防止することができる。更に、反射電極が多層で形成されていれば、反射電極を分割して個々の面積を小さくすることで、反射電極を積層する際のそれぞれの層の膨張や収縮の違いから発生する応力を低下させることができる。従って、多層した反射電極を積層していく上で、それぞれの層が剥離することが防止できる。
【００１５】
本願の第４の発明は、複数の島状に形成された反射電極のうち最も外側に位置する反射電極が、非マイグレーション金属で形成されていることを特徴としたものである。
【００１６】
例えばマイグレーションの発生しやすいＡｇやＡｇ合金で、複数の島状に形成された反射電極を形成すると、最も外側に位置するＡｇ反射電極でマイグレーションが発生した場合、障壁となりうる部分が少ない。複数の島状に形成された反射電極のうち最も外側に位置する反射電極を非マイグレーション金属で形成することで、最も外側に位置する反射電極からｐ層端までの距離を確保することができる。従って、単に反射電極を複数の島状に形成するより、更に、マイグレーションが成長して発光素子の側面から漏れ出ることを防止することができる。
【００１７】
本願の第５の発明は、第１電極の凹部は、反射電極全体の周囲をその周壁で囲うように形成されていることを特徴としたものである。
【００１８】
マイグレーションによる短絡や電流のリークは、マイグレーションが半導体層の側面を伝わって各半導体層を跨るように成長したり、ｎ電極と接触するように成長したりすることで発生する。従って少なくとも、ｐ電極から外側にマイグレーションが漏れ出ることが防止できれば、短絡や電流のリークを防止することができる。本発明の発光素子は、第１電極の凹部を反射電極全体の周囲をその周壁で囲うように形成することで、ｐ電極の側面から漏れ出ることを防止することができると共に、反射電極全体を囲うように第１電極が形成されているので、反射電極が分断されず反射電極での反射効率の低減を抑えることができる。
【００１９】
本願の第６の発明は、半導体層のｐ層は、ｐ型窒化ガリウム系半導体層で形成され、第１電極は、半導体層に接するコンタクト電極であり、Ｐｔ，Ｐｄ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｚｎ，Ｎｉ、またはこれらの中から少なくとも１種類を含む合金、または導電性膜からなる単層または多層膜で形成されていることを特徴としたものである。
【００２０】
半導体層のｐ層がｐ型窒化ガリウム系半導体層で形成されているときに、第１電極を半導体層に接するコンタクト電極とし、Ｐｔ，Ｐｄ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｚｎ，Ｎｉ、またはこれらの中から少なくとも１種類を含む合金、または導電性膜からなる単層または多層膜で形成することで、ｐ層と第１電極とをオーミックコンタクトをとることができる。
【００２１】
本願の第７の発明は、第２電極は、第１電極の周囲側面を覆うように形成されていることを特徴としたものである。
【００２２】
最も外側に近い第１電極の凹部から成長したマイグレーションであっても、凹部の周壁を超えても、第２電極が第１電極を覆っているため、更にマイグレーションが漏れ出ることを抑止することができる。
【００２３】
本願の第８の発明は、第２電極は、ボンディング電極であり、Ｒｈ，Ｔｉ，Ａｕ，Ｍｏ，Ｗ，Ｐｔ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｚｎ，Ｐｄ，Ｃｒ，Ａｌ、またはこれらの中から少なくとも１種類を含む合金、導電性膜からなる単層または多層膜であることを特徴としたものである。
【００２４】
第２電極をボンディング電極とし、Ｒｈ，Ｔｉ，Ａｕ，Ｍｏ，Ｗ，Ｐｔ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｚｎ，Ｐｄ，Ｃｒ，Ａｌ、またはこれらの中から少なくとも１種類を含む合金、導電性膜からなる単層または多層膜で形成することで、第１電極との密着性を向上させることができる。
【００２５】
本願の第９の発明は、第１電極と第２電極とは、同じ材質で形成されていることを特徴としたものである。
【００２６】
第１電極と第２電極とを同じ材質で形成することで、更に密着度を向上させることができるので、反射電極でマイグレーションが発生しても第１電極と第２電極との間から成長することが困難な状態とすることができる。
【００２７】
（実施の形態１）
本発明の実施の形態１に係る発光素子を図１および図２に基づいて説明する。図１は、本発明の実施の形態１に係る発光素子を示す断面図である。図２は、本発明の実施の形態１に係る発光素子を示す平面図である。
【００２８】
図１および図２に示すように発光素子１０は、基板１１と、半導体層１２と、ｎ電極１３と、ｐ電極１４とを備えている。
【００２９】
基板１１は、窒化系ガリウム半導体であるｎ型ＧａＮで形成されている。
【００３０】
半導体層１２は、ｎ層１２１と、発光層１２２、ｐ層１２３とを備えている。ｎ層１２１は、基板１１にＧａＮやＡｌＧａＮ等を積層して形成されるｎ型半導体層である。ｎ層１２１と基板１１の間にＧａＮやＩｎＧａＮ等で形成したバッファ層を設けることも可能である。発光層１２２は、ｎ層１２１にＩｎＧａＮ等を積層して形成されている。また、ｐ層１２３は、発光層１２２にＡｌＧａＮを積層して形成されるｐ型半導体層である。
【００３１】
ｎ電極１３は、ｎ層１２１に、発光層１２２とｐ層１２３とを積層した後に、ドライエッチングにより発光層１２２とｐ層１２３とｎ層１２１の一部とを除去して、ｎ電極１３を形成する領域を露出させ、この露出したｎ層１２１上に形成されている。ｎ電極１３は、二層構造を有しており、ｎ層１２１と良好に接続するためのｎコンタクト電極１３１と、ボンディングのためにｎボンディング電極１３２とを備えている。ｎコンタクト電極１３１は、コンタクト電極材料としてＴｉ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｚｎ、Ｃｒのいずれか一つ、またはこれらの金属を１種類以上含む合金、導電性膜で形成することができる。ｎボンディング電極１３２は、ボンディングするのに好適なＡｕで形成されている。
【００３２】
ｐ電極１４は、三層構造を有しており、ｐ層１２３側から、ｐコンタクト電極（第１電極）１４１と、反射電極１４２と、ｐボンディング電極１４３（第２電極）とを備えている。
【００３３】
ｐコンタクト電極１４１は、複数の凹部１４１ａが形成され、反射電極１４２が凹部１４１ａ内に設けられている。従って反射電極１４２は、複数の島状に分割されるように、ｐコンタクト電極１４１のそれぞれの凹部１４１ａに配置されている。
【００３４】
ｐコンタクト電極１４１は、Ｐｔ，Ｐｄ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｚｎ，Ｎｉ、またはこれらの中から少なくとも１種類を含む合金、または導電性膜から形成するのが、半導体層１２とのコンタクト性から望ましい。本実施の形態では、高透過率を維持しつつ厚く成膜することができるので、ｐコンタクト電極１４１としてＩＴＯを採用している。また、ｐコンタクト電極１４１は、単層または多層膜とすることができる。ｐコンタクト電極１４１を多層膜とするときには、１層目を膜厚１０Å（０．００１μｍ）程度のＰｔ層とし、２層目をＩＴＯ層とすることで、コンタクト抵抗を抑えつつ、高透過率を維持することができる。この凹部１４１ａは、ｐコンタクト電極１４１となる金属層または導電性膜を成膜した後に、その表面に凹部１４１ａとなる位置以外にレジスト、ＳｉＯ2などの保護膜を形成することでマスクして、所定深さまでエッチングし、保護膜を除去することで容易に形成することができる。
【００３５】
反射電極１４２は、発光層１２２からの光を基板１１側へ反射するために高反射率のＡｇ、またはＡｇ合金から形成することができる。反射電極１４２の膜厚は光を反射する程度の厚みを有し、かつ反射電極１４２とｐボンディング電極１４３との界面が凹部１４１ａ内に位置する程度の膜厚とするのが、マイグレーションが発生したときに凹部１４１ａの周壁が障害となって成長を抑制するので望ましい。本実施の形態では、凹部１４１ａの深さを０．４μｍとし、反射電極１４２の膜厚を０．２μｍとしている。そうすることで、凹部１４１ａから漏れ出るまでに反射電極１４２から０．２μｍの余裕を確保することができる。この反射電極１４２は、凹部１４１ａが形成されたｐコンタクト電極１４１の上面に保護膜を形成し、Ａｇ層またはＡｇ合金層を形成した後に、成膜されたＡｇ層またはＡｇ合金層を保護膜ごと除去することで凹部１４１ａ内のみに形成することができる。
【００３６】
ｐボンディング電極１４３は、ｐコンタクト電極１４１の凹部１４１ａに合致する凸部１４３ａが形成され、ｐコンタクト電極１４１の凹部１４１ａに蓋をするように配置されたボンディングするための電極である。また、ｐボンディング電極１４３は、ｐコンタクト電極１４１の周囲側面を囲うように形成されている。ｐボンディング電極１４３は、Ｒｈ，Ｔｉ，Ａｕ，Ｍｏ，Ｗ，Ｐｔ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｚｎ，Ｐｄ，Ｃｒ，Ａｌ、またはこれらの中から少なくとも１種類を含む合金、または導電性膜とするのが、ｐコンタクト電極１４１および反射電極１４２との密着性の点から望ましく、またｐボンディング電極１４３は、単層または多層膜とすることができる。本実施の形態では、ｐボンディング電極１４３を多層とし、１層目にＩＴＯ、２層目にＲｈ、３層目にＡｕを採用している。ボンディング電極の１層目をＩＴＯとすることで、コンタクト電極と同じ材料であることから、密着性を上げることができる。また、ＩＴＯとＲｈは密着性がよい。最外層をボンディング性の観点からＡｕとするのが望ましい。
【００３７】
このように、マイグレーションが発生しやすい高反射率のＡｇやＡｇ合金などを使用した反射電極１４２をｐコンタクト電極１４１の凹部１４１ａ内に設け、この凹部１４１ａをｐボンディング電極１４３が蓋をするように設けられているので、反射電極１４２にマイグレーションが発生しても、このｐコンタクト電極１４１の凹部１４１ａの周壁を超えて、ｐコンタクト電極１４１とｐボンディング電極１４３との界面の間から外へ広がるようにマイグレーションが成長することを防止することができる。
【００３８】
また、ｐコンタクト電極１４１の凹部１４１ａの開口面より反射電極１４２とｐコンタクト電極１４１との界面を低い位置となるように反射電極１４２を形成することで、ｐコンタクト電極１４１とｐボンディング電極１４３との接触面を多く確保することができるのでより強固にｐコンタクト電極１４１とｐボンディング電極１４３とを接合させることができる。
【００３９】
更にｐコンタクト電極１４１の周囲側面を囲うようにｐボンディング電極１４３が形成されていることで、ｐコンタクト電極１４１とｐボンディング電極１４３との接続面として、ｐコンタクト電極１４１の上面および凹部１４１ａ内だけでなく、ｐコンタクト電極１４１の周囲側面までも確保することができるので、より強固に接合させることができる。
【００４０】
（実施の形態２）
本発明の実施の形態２に係る発光素子を図３および図４に基づいて説明する。図３は、本発明の実施の形態２に係る発光素子を示す断面図である。図４は、本発明の実施の形態２に係る発光素子を示す平面図である。
【００４１】
図３および図４に示すように発光素子２０は、基板２１の一面側にｎ電極２２が設けられ、他面側に半導体層２３とｐ電極２４とが設けられている。基板２１は、窒化系ガリウム半導体であるｎ型ＧａＮで形成されている。ｎ電極２２は、実施の形態１のｎ電極１３と同様にｎコンタクト電極２２１とｎボンディング電極２２２とすることができる。また半導体層２３も実施の形態１の半導体層１２と同様にｎ層２３１，発光層２３２およびｐ層２３３とすることができ、順次積層することで形成することができる。
【００４２】
ｐ電極２４は、実施の形態１と同様に三層構造を有しており、ｐ層２３３側から、ｐコンタクト電極（第１電極）２４１と、反射電極２４２と、ｐボンディング電極２４３（第２電極）とを備えている。ｐコンタクト電極２４１と、反射電極２４２と、ｐボンディング電極２４３との材質は、実施の形態１と同様のものが使用できる。
【００４３】
このように本実施の形態２では、基板２１の一面側にｎ電極２２を設け、他面側に半導体層２３およびｐ電極２４を設けた発光素子２０として、実施の形態１と同様にｐコンタクト電極２４１に凹部２４１ａを形成し、この凹部２４１ａに反射電極２４２を設けることで、マイグレーションが成長してｐ電極２４の外側に漏れ出てしまうことを防止することができる。
【００４４】
（実施の形態３）
本発明の実施の形態３に係る発光素子を図５および図６に基づいて説明する。図５は、本発明の実施の形態３に係る発光素子を示す断面図である。図６は、本発明の実施の形態３に係る発光素子を示す平面図である。なお図５および図６において、図１および図２と同じ構成は同符号を付して説明は省略する。
【００４５】
図５および図６に示すように、発光素子３０は、複数の島状に形成された反射電極１４２のうち最も外側に位置する反射電極１４２ａを、非マイグレーション金属で形成したものである。本実施の形態では、非マイグレーション金属としてＲｈやＰｔとすることができる。例えば、ＡｇやＡｇ合金のようにマイグレーションが発生するけれど高反射率を有するものを内側の反射電極１４２ｂに配置し、ＲｈやＰｔなどのようにマイグレーションが発生しない非マイグレーション金属であるけれどＡｇやＡｇ合金よりは反射率が劣るものを最も外側に配置する。そうすることで、最もｐ層１２３端に近い外側の反射電極１４２ａではマイグレーションが発生しないため、マイグレーションを生じる可能性のある材質を用いるよりは、より高い信頼性を保つことができる。また内側の反射電極１４２ｂをＡｇまたはＡｇ合金とすることで高反射率を維持することが可能である。
【００４６】
（実施の形態４）
本発明の実施の形態４に係る発光素子を図７および図８に基づいて説明する。図７は、本発明の実施の形態４に係る発光素子を示す断面図である。図８は、本発明の実施の形態４に係る発光素子を示す平面図である。なお図７および図８において、図３および図４と同じ構成は同符号を付して説明は省略する。
【００４７】
図７および図８に示すように発光素子４０は、基板２１の一面側にｎ電極２２が設けられ、他面側に半導体層２３とｐ電極２４とが設けられている。また半導体層２３としてｎ層２３１，発光層２３２およびｐ層２３３とが順次積層されている。そして本実施の形態４に係る発光素子４０においても、実施の形態３と同様に、複数の島状に形成された反射電極２４２のうち最も外側に位置する反射電極２４２ａを、非マイグレーション金属であるＲｈで形成し、反射電極２４２ａの内側に位置する反射電極２４２ｂを高反射率ではあるけれどマイグレーションが発生するおそれのあるＡｇやＡｇ合金で形成したものである。このように反射電極２４２を形成することで、実施の形態３と同様に、単に反射電極を複数の島状に形成するより、更にマイグレーションが成長して発光素子４０の側面から漏れ出ることを防止することができる。
【００４８】
（実施の形態５）
本発明の実施の形態５に係る発光素子を図９および図１０に基づいて説明する。図９は、本発明の実施の形態５に係る発光素子を示す断面図である。図１０は、本発明の実施の形態５に係る発光素子を示す平面図である。なお図９および図１０において、図１および図２と同じ構成は同符号を付して説明は省略する。
【００４９】
図９および図１０に示すように、発光素子５０は、ｐ電極５１として、反射電極５１２全体を凹部５１１ａの周壁５１１ｂで囲うように形成されたｐコンタクト電極５１１を備えている。このようにｐ電極５１を形成することで、反射電極５１２にマイグレーションが発生して成長しても、ｐコンタクト電極５１１の周壁が成長に対する障害となるので、マイグレーションがｐ電極５１から漏れ出て半導体層１２の側面を伝わっていくような成長を防止することができる。また、反射電極５１２の広さは、ｐコンタクト電極５１１の周壁５１１ｂの厚み分の面積、およびｐボンディング電極５１３とｐ層１２３との接続分の面積が減少するだけで、発光層１２２のほぼ全面に形成されているので、反射効率の低下を最小限に抑えることができる。
【００５０】
（実施の形態６）
本発明の実施の形態４に係る発光素子を図１１および図１２に基づいて説明する。図１１は、本発明の実施の形態６に係る発光素子を示す断面図である。図１２は、本発明の実施の形態６に係る発光素子を示す平面図である。なお図１１および図１２においては、図３および図４と同じ構成のものは同符号を付して説明を省略する。
【００５１】
図１１および図１２に示すように、発光素子６０は、基板２１の一面側にｎ電極２２を設け、他面側に半導体層２３およびｐ電極６１を設けたものである。この発光素子６０は、実施の形態３と同様にｐコンタクト電極６１１に凹部６１１ａを形成して、この凹部６１１ａの周壁６１１ｂで反射電極６１２全体を囲い、更にｐボンディング電極６１３が凹部６１１ａに蓋をするように、かつｐコンタクト電極６１１の周囲を囲うように形成されているので、マイグレーションが成長してｐ電極６１の外側に漏れ出てしまうことを防止することができる。
【００５２】
以上、本発明の実施の形態について説明してきたが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、例えば、実施の形態１および２では反射電極をマトリックス状に配置しているが、反射電極の配置を同心円形状としたり放射状としたりすることも可能である。そのときには、ｐコンタクト電極の凹部を形成する際のマスクの位置を変更することで、所望とする位置に凹部を形成し、そしてその凹部に反射電極を成膜することで可能である。
【産業上の利用可能性】
【００５３】
本発明は、マイグレーションの発生を抑止することで高い信頼性を確保することができるので、基板と、この基板に積層された発光層を含む半導体層と、電極としてｎ電極および反射電極を含むｐ電極とを備えた発光素子に好適である。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本発明の実施の形態１に係る発光素子を示す断面図
【図２】本発明の実施の形態１に係る発光素子を示す平面図
【図３】本発明の実施の形態２に係る発光素子を示す断面図
【図４】本発明の実施の形態２に係る発光素子を示す平面図
【図５】本発明の実施の形態３に係る発光素子を示す断面図
【図６】本発明の実施の形態３に係る発光素子を示す平面図
【図７】本発明の実施の形態４に係る発光素子を示す断面図
【図８】本発明の実施の形態４に係る発光素子を示す平面図
【図９】本発明の実施の形態５に係る発光素子を示す断面図
【図１０】本発明の実施の形態５に係る発光素子を示す平面図
【図１１】本発明の実施の形態６に係る発光素子を示す断面図
【図１２】本発明の実施の形態６に係る発光素子を示す平面図
【符号の説明】
【００５５】
１０  発光素子
１１  基板
１２  半導体層
１３  ｎ電極
１４  ｐ電極
２０  発光素子
２１  基板
２２  ｎ電極
２３  半導体層
２４  ｐ電極
３０，４０，５０  発光素子
５１  ｐ電極
６０  発光素子
６１  ｐ電極
１２１  ｎ層
１２２  発光層
１２３  ｐ層
１３１  ｎコンタクト電極
１３２  ｎボンディング電極
１４１  ｐコンタクト電極
１４１ａ  凹部
１４２，１４２ａ，１４２ｂ  反射電極
１４３  ｐボンディング電極
２２１  ｎコンタクト電極
２２２  ｎボンディング電極
２３１  ｎ層
２３２  発光層
２３３  ｐ層
２４１  ｐコンタクト電極
２４１ａ  凹部
２４２，２４２ａ，２４２ｂ  反射電極
２４３  ｐボンディング電極
５１１  ｐコンタクト電極
５１１ａ  凹部
５１１ｂ  周壁
５１２  反射電極
５１３  ｐボンディング電極
６１１  ｐコンタクト電極
６１１ａ  凹部
６１１ｂ  周壁
６１２  反射電極
６１３  ｐボンディング電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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