(57)【要約】【課題】フリッカを抑制して画像品位の向上を図ることができる液晶表示装置を提供する。【解決手段】マトリクス状に配置された液晶画素電極と、液晶画素電極と接続された保持容量及びトランジスタ素子とを有し、保持容量の下部電極とトランジスタ素子のチャネルとが同一のポリシリコンで形成された液晶駆動基板を備える液晶表示装置において、保持容量の上部電極４ｃの抵抗値が下部電極４ｂの抵抗値よりも大きい。【選択図】図１
2008064813.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マトリクス状に配置された画素電極と、該画素電極と接続された保持容量及びトランジスタ素子とを有し、前記保持容量の下部電極と前記トランジスタ素子のチャネルとが同一の半導体層により形成された駆動基板を備える表示装置において、
前記保持容量の上部電極の抵抗値は、同保持容量の下部電極の抵抗値よりも大きい
ことを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記上部電極の実効キャリア密度は、前記下部電極の実効キャリア密度よりも低い
ことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記保持容量及び前記トランジスタ素子は、前記駆動基板の配線層の形成領域に対応して形成された
ことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
マトリクス状に配置された画素電極と、該画素電極と接続された保持容量及びトランジスタ素子とを有し、前記保持容量の下部電極と前記トランジスタ素子のチャネルとが同一の第１の半導体層により形成された駆動基板を備える表示装置の製造方法において、
第１の半導体層のうち、前記下部電極形成領域に第１の不純物注入を行なう工程と、
前記第１の半導体層の上層に絶縁膜を介して第２の半導体層を形成する工程と、
該第２の半導体層のうち、前記保持容量の上部電極形成領域に第２の不純物注入を行なう工程とを備え、
前記第１の不純物注入は、前記第２の不純物注入よりも半導体層の抵抗値を低抵抗化する
ことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記第１の不純物注入は、前記第２の不純物注入よりも半導体層の実効キャリア密度を増加させる
ことを特徴とする請求項４に記載の表示装置の製造方法。
【請求項６】
マトリクス状に配置された画素電極と、該画素電極と接続された保持容量及びトランジスタ素子とを有し、前記保持容量の下部電極と前記トランジスタ素子のチャネルとが同一の半導体層により形成された駆動基板を備える表示装置を有し、該表示装置によって変調された光を用いて映像表示を行なう映像表示装置において、
前記保持容量の上部電極の抵抗値は、同保持容量の下部電極の抵抗値よりも大きい
ことを特徴とする映像表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は表示装置及び表示装置の製造方法、並びに映像表示装置に関する。詳しくは、反転駆動方式を採用する表示装置及び表示装置の製造方法、並びに映像表示装置に係るものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置や有機ＥＬ表示装置等の表示装置は、ＣＲＴ（Ｃａｔｈｏｄｅ  Ｒａｙ  Ｔｕｂｅ）よりも薄型，軽量，低消費電力といった利点を有しており、パーソナルコンピュータ，携帯電話，デジタルカメラ等の電子機器の表示装置として広く使用されている。
【０００３】
表示装置、例えば画素の表示素子として液晶セルを用いた液晶表示装置を例に挙げると、従来の液晶表示装置における駆動基板（液晶駆動基板）は、液晶画素に対応して複数の画素駆動素子が配置されると共に、垂直走査方向に配置された各画素駆動素子に接続される複数のデータラインと、水平走査方向に配置された各画素駆動素子に接続される複数のスキャンラインを有し、スキャンラインに順次垂直同期信号を供給すると共にデータラインにビデオ信号を供給することにより、画素駆動素子を駆動して液晶画素を制御するものが知られている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００４】
以下、図面を用いて従来の液晶駆動基板について説明を行なう。
図４は従来のアクティブマトリクス型液晶表示装置の液晶駆動基板の回路構成を説明するための模式図であり、ここで示す液晶駆動基板は、Ｘ軸方向に平行に配列された複数のスキャンラインＸ１，Ｘ２，Ｘ３・・・と、Ｙ軸方向に平行に配列された複数のデータラインＹ１，Ｙ２，Ｙ３・・・を備えており、各スキャンラインとデータラインとの交点には、画素トランジスタ（以下、画素Ｔｒと言う）として例えば薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等の能動素子Ｔ１１，Ｔ１２，Ｔ２１，Ｔ２２・・・が形成され、更に各能動素子に対応した保持容量Ｃｓ１１，Ｃｓ１２，Ｃｓ２１，Ｃｓ２２・・・、画素電極及び対向電極によって挟持された液晶から構成された液晶セルＬ１１，Ｌ１２，Ｌ２１，Ｌ２２・・・が形成されている。なお、画素Ｔｒは液晶画素に対応してマトリクス状に配置されており、各画素Ｔｒのゲート電極はスキャンラインに接続されており、ソース電極はデータラインに接続されており、ドレイン電極は対応する保持容量及び液晶セルの画素電極に接続されている。
【０００５】
また、各データラインはそれぞれ対応する水平スイッチＳ１，Ｓ２，Ｓ３・・・を介して共通のビデオライン２０１に接続されており、このビデオラインから映像信号が供給される。更に、各水平スイッチを構成するスイッチングトランジスタのゲート電極は水平走査回路２０２に接続されており、この水平走査回路は、外部から入力される水平クロック信号に同期して順次水平スイッチ駆動パルス信号をスイッチングトランジスタのゲート電極に印加する。なお、各スキャンラインは垂直走査回路２０３に接続されている。
【０００６】
なお、上記した保持容量の下部電極３０２ｂはポリシリコンにリンをドーズ量２．３×１０１４／ｃｍ２の条件で注入することによって形成されており、保持容量の上部電極３０２ｃはリンドープアモルファスシリコン（ＰＤＡＳ）膜（ＰＤＡＳに含まれるリンの濃度はドーズ量に換算すると、約３．０×１０１６／ｃｍ２の条件でリンを注入したものと略同一である）によって形成されている。
【０００７】
ここで、上記の様に構成された液晶駆動基板を製造する場合には、即ち、石英基板上にＴＦＴ及び保持容量を形成する場合には、先ず、石英基板３０１に裏面遮光膜として厚さ１５０ｎｍ〜２５０ｎｍ程度のタングステンシリサイド（ＷＳｉ）（図示せず）を成膜した後にＣＶＤ法によって厚さ５００ｎｍ〜７００ｎｍ程度の絶縁膜（ＳｉＯ２膜）（図示せず）を成膜し、その後、ＴＦＴのチャネル及び保持容量の下部電極となるポリシリコン３０２をＬＰ−ＣＶＤ（Low Pressure Chemical Vapor Deposition）法またはエピタキシャル成長によって成膜する。続いて、汎用のフォトリソグラフィー技術及びエッチング技術を用いてＴＦＴのチャネル３０２ａ及び保持容量の下部電極３０２ｂを形成し、その後、ＴＦＴのチャネル及び保持容量の下部電極の上層に絶縁膜（ＳｉＯ２膜）３０５を成膜する（図５（ａ）参照。）。
【０００８】
次に、汎用のフォトリソグラフィー技術及びエッチング技術によって保持容量の下部電極の上層の絶縁膜に開口部３０６を形成し（図５（ｂ）参照。）、保持容量の下部電極の低抵抗化を図るべくリンをドーズ量２．３×１０１４／ｃｍ２の条件で注入する（図５（ｃ）参照。）。
【０００９】
続いて、保持容量の下部電極の上層に保持容量の上部電極と下部電極との間の絶縁膜として機能する窒化シリコン（ＳｉＮ）膜３０３を成膜し、窒化シリコン膜の上層に保持容量の上部電極として機能するＰＤＡＳ膜３０４を成膜する。その後、汎用のリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて上部電極及びゲート電極を形成し、続いて不純物注入によりＬＤＤ領域及びソース・ドレイン領域を形成することで、ＴＦＴ及び保持容量を形成することができる（図５（ｄ）参照。）。
【００１０】
上記の様に構成された液晶駆動基板では、垂直走査回路を駆動すると、スキャンラインが線順次で励起され、行毎に画素Ｔｒが選択される。この際、水平走査回路を駆動して水平スイッチを線順次で動作させると、ビデオラインに供給された映像信号が順次各データラインにサンプリングされる。サンプリングされた映像信号は行毎に選択された画素Ｔｒを介して順次対応する保持容量に書き込まれる。
【００１１】
【特許文献１】特開２０００−３４７６２７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
ところで、上記した様な液晶駆動基板では、液晶に直流電流を印加すると液晶の比抵抗値等に劣化をもたらすために、各画素に供給するビデオ信号を対向電極に印加される共通電位Ｖｃｏｍを中心とした交流駆動とする反転駆動がなされている。即ち、各液晶セルを構成する画素電極には高レベル電位（Ｖｃｏｍよりも高い電位）と低レベル電位（Ｖｃｏｍよりも低い電位）とが交互に印加されることとなる。
【００１３】
ここで、液晶表示装置の画素領域の開口率を上げて光透過率の向上を図ることを目的として、画素Ｔｒと保持容量のそれぞれをデータラインが形成される領域に対応して形成しているために、換言すると、画素Ｔｒと保持容量のそれぞれが絶縁膜を介してデータラインとオーバーラップする様に形成されているために、画素電極に高レベル電位が保持されている時と画素電極に低レベル電位が保持されている時とでは、画素トランジスタをオフの状態とした以後におけるリーク電流が異なり、具体的には、高レベル電位を保持している時の方が低レベル電位を保持している時よりもリーク電流が大きいことが知られている（例えば、特願２００６−１３７３６９号参照。）。
【００１４】
また、従来の液晶表示装置では下部電極に低抵抗化を目的として不純物が注入されるものの、低抵抗化という目的のみであったために注入量が少なく、上部電極は縮退しているのに対して下部電極は縮退していなかった。
【００１５】
ここで、画素電極に高レベル電位が保持されている時（保持容量の上部電極にＶｃｏｍ、保持容量の下部電極に高レベル電位が印加されている時）には、下部電極から上部電極に向けて電界が生じ、この電界の影響で下部電極内の電子が下部電極の下方に移動することで下部電極の上方が空乏化（図中符合αで示す領域が空乏化した領域を示している。）してしまう（図６（ａ）参照。）。なお、下部電極の上方が空乏化すると、保持容量の容量値は低下することとなる。
一方、画素電極に低レベル電位が保持されている時（保持容量の上部電極にＶｃｏｍ、保持容量の下部電極に低レベル電位が印加されている時）には、上部電極から下部電極に向けて電界が生じるものの、上部電極は縮退しているために空乏化といった現象は生じない（図６（ｂ）参照。）。
結果として、画素電極に低レベル電位が保持されている時の方が、画素電極に高レベル電位が保持されている時よりも保持容量の容量値が大きいという結果を招くこととなる（図６（ｃ）参照。）。
【００１６】
そして、（１）画素電極に高レベル電位が保持されている時の方が画素電極に低レベル電位が保持されている時よりもリーク電流が大きいこと、（２）画素電極に低レベル電位が保持されている時の方が画素電極に高レベル電位が保持されている時よりも保持容量の容量値が大きいことから、画素電極に高レベル電位が保持されている時と画素電極に低レベル電位が保持されている時との電位差が生じることでフリッカが発生し、画像品位の低下を招いてしまうという結果となっている。
【００１７】
即ち、画素電極に高レベル電位が保持されている時はリーク電流が大きいために画素電極に保持された電位の変化量は大きく、更に、画素電極に高レベル電位が保持されている時は保持容量の容量値（実効容量）が小さいためにリーク電流による画素電極の電位の変化量を補うべく保持容量から画素電極に流れる電荷量が少ない。一方、画素電極に低レベル電位が保持されている時はリーク電流が小さいために画素電極に保持された電位の変化量は小さく、更に、画素電極に低レベル電位が保持されている時は保持容量の容量値（実効容量）が大きいためにリーク電流による画素電極の電位の変位量を補うべく保持容量から画素電極に流れる電荷量が多い。従って、画素電極に高レベル電位が保持されている時には画素電極の電位の変化量は大きく、画素電極に低レベル電位が保持されている時は画素電極の電位の変化量が小さくなってしまい（図７中符合Ａ参照。）、フリッカの発生の原因となってしまうのである。
【００１８】
本発明は以上の点に鑑みて創案されたものであって、フリッカを抑制して画像品位の向上を図ることができる表示装置及びその製造方法、並びに映像表示装置を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
上記の目的を達成するために、本発明の表示装置は、マトリクス状に配置された画素電極と、該画素電極と接続された保持容量及びトランジスタ素子とを有し、前記保持容量の下部電極と前記トランジスタ素子のチャネルとが同一の半導体層により形成された駆動基板を備える表示装置において、前記保持容量の上部電極の抵抗値は、同保持容量の下部電極の抵抗値よりも大きい。
【００２０】
また、上記の目的を達成するために、本発明の映像表示装置は、マトリクス状に配置された画素電極と、該画素電極と接続された保持容量及びトランジスタ素子とを有し、前記保持容量の下部電極と前記トランジスタ素子のチャネルとが同一の半導体層により形成された駆動基板を備える表示装置を有し、該表示装置によって変調された光を用いて映像表示を行なう映像表示装置において、前記保持容量の上部電極の抵抗値は、同保持容量の下部電極の抵抗値よりも大きい。
【００２１】
ここで、保持容量の上部電極の抵抗値が同保持容量の下部電極の抵抗値よりも大きいことによって、画素電極に高レベル電位が保持されている時を、画素電極に低レベル電位が保持されている時よりも保持容量の容量値を大きくすることができ、結果として画素電極に高レベル電位が保持されている時と画素電極に低レベル電位が保持されている時との電位差を低減することができる。以下、この点について説明を行なう。
【００２２】
即ち、保持容量の上部電極の抵抗値が同保持容量の下部電極の抵抗値よりも大きいために、換言すると、保持容量の下部電極は縮退しているのに対して保持容量の上部電極は縮退していないために、画素電極に低レベル電位が保持されている時（例えば、保持容量の上部電極にＶｃｏｍ、保持容量の下部電極に低レベル電位が印加されている時）には、上部電極から下部電極に向けて電界が生じ、この電界の影響で上部電極内の電子が上部電極の上方に移動することで上部電極の下方が空乏化（図中符合αで示す領域が空乏化した領域を示している。）してしまう（図８（ａ）参照。）。なお、上部電極の下方が空乏化すると、保持容量の容量値は低下することとなる。一方、画素電極に高レベル電位が保持されている時（例えば、保持容量の上部電極にＶｃｏｍ、保持容量の下部電極に高レベル電位が印加されている時）には、下部電極から上部電極に向けて電界が生じるものの、下部電極は縮退しているために空乏化といった現象は生じない（図８（ｂ）参照。）。結果として、画素電極に高レベル電位が保持されている時の方が、画素電極に低レベル電位が保持されている時よりも保持容量の容量値が小さいという結果を招くこととなる（図８（ｃ）参照。）。
【００２３】
そして、上述の通り、画素電極に高レベル電位が保持されている時の方が低レベル電位を保持している時よりもリーク電流が大きいことを考え合わせると、画素電極に高レベル電位が保持されている時はリーク電流が大きいために画素電極に保持された電位の変化量は大きいものの、画素電極に高レベル電位が保持されている時は保持容量の容量値（実効値）が大きいためにリーク電流による画素電極の電位の変位量を補うべく保持容量から画素電極に流れる電荷量が多い。一方、画素電極に低レベル電位が保持されている時はリーク電流が小さいために画素電極に保持された電位の変化量は小さいものの、画素電極に低レベル電位が保持されている時は保持容量の容量値（実効値）が小さいためにリーク電流による画素電極の電位の変化量を補うべく保持容量から画素電極に流れる電荷量が少ない。従って、画素電極に高レベル電位が保持されている時と画素電極に低レベル電位が保持されている時との電位差を低減することができる（図７中符合Ｂ参照。）。
【００２４】
なお、抵抗値の大小と空乏層との関係について説明を行なう。
先ず、電荷量をｑ、実効キャリア密度をＮａ、Ｓｉの誘電率をεｓ、真空誘電率をεｏ、空乏層にかかる電位をφｓとすると、空乏層の幅Ｄは、Ｄ＝（２εｓεｏ（φｓ）／ｑＮａ）１／２で求めることができ、実効キャリア密度が高くなれば空欠層の幅は狭くなり、実効キャリア密度が低くなれば空乏層の幅は広くなる。即ち、空乏層の幅は実効キャリア密度によって決定されるものであることが分かる。
そして、この実効キャリア密度は抵抗値に影響を与え、抵抗値が大きい場合には実効キャリア密度が低く、抵抗値が小さい場合には実効キャリア密度が高いことが知られているために、結果として抵抗値が大きい場合には空乏層の幅は狭くなり（縮退していることとなり）、抵抗値が小さい場合には空乏層の幅は広くなることとなる（縮退していないこととなる）。なお、実効キャリア密度は不純物種には依存しない。
【００２５】
また、上記の目的を達成するために、本発明の表示装置の製造方法は、マトリクス状に配置された画素電極と、該画素電極と接続された保持容量及びトランジスタ素子とを有し、前記保持容量の下部電極と前記トランジスタ素子のチャネルとが同一の第１の半導体層により形成された駆動基板を備える表示装置の製造方法において、第１の半導体層のうち、前記下部電極形成領域に第１の不純物注入を行なう工程と、前記第１の半導体層の上層に絶縁膜を介して第２の半導体層を形成する工程と、該第２の半導体層のうち、前記保持容量の上部電極形成領域に第２の不純物注入を行なう工程とを備え、前記第１の不純物注入は、前記第２の不純物注入よりも半導体層の抵抗値を低抵抗化する。
【００２６】
ここで、第１の不純物注入が、第２の不純物注入よりも半導体層の抵抗値を低抵抗化することによって、保持容量の上部電極の抵抗値を同保持容量の下部電極の抵抗値よりも大きくすることができ、結果として画素電極に高レベル電位が保持されている時と画素電極に低レベル電位が保持されている時との電位差を低減することができる。
【発明の効果】
【００２７】
本発明を適用した表示装置及び表示装置の製造方法、並びに映像表示装置では、画素電極に高レベル電位が保持されている時と画素電極に低レベル電位が保持されている時との電位差を低減することができ、フリッカを抑制することで画像品位の向上が実現する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明し、本発明の理解に供する。
図１は本発明を適用した表示装置の一例であるアクティブマトリクス型液晶表示装置の液晶駆動基板（駆動基板の一例）の回路構成を説明するための模式図であり、ここで示す液晶駆動基板は、上記した従来の液晶駆動基板と同様に、Ｘ軸方向に平行に配列された複数のスキャンラインＸ１，Ｘ２，Ｘ３・・・と、Ｙ軸方向に平行に配列された複数のデータラインＹ１，Ｙ２，Ｙ３・・・を備えており、各スキャンラインとデータラインとの交点には、画素Ｔｒとして例えばＴＦＴ等の能動素子Ｔ１１，Ｔ１２，Ｔ２１，Ｔ２２・・・が形成され、更に各能動素子に対応した保持容量Ｃｓ１１，Ｃｓ１２，Ｃｓ２１，Ｃｓ２２・・・、画素電極及び対向電極によって挟持された液晶から構成された液晶セルＬ１１，Ｌ１２，Ｌ２１，Ｌ２２・・・が形成されている。なお、画素Ｔｒは液晶画素に対応してマトリクス状に配置されており、各画素Ｔｒのゲート電極はスキャンラインに接続されており、ソース電極はデータラインに接続されており、ドレイン電極は対応する保持容量及び液晶セルの画素電極に接続されている。
【００２９】
また、各データラインはそれぞれ対応する水平スイッチＳ１，Ｓ２，Ｓ３・・・を介して共通のビデオライン１に接続されており、このビデオラインから映像信号が供給される。更に、各水平スイッチを構成するスイッチングトランジスタのゲート電極は水平走査回路２に接続されており、この水平走査回路は、外部から入力される水平クロック信号に同期して順次水平スイッチ駆動パルス信号をスイッチングトランジスタのゲート電極に印加する。なお、各スキャンラインは垂直走査回路３に接続されている。
【００３０】
ここで、本実施例の液晶駆動回路では、液晶表示装置の画素領域の開口率を上げて光透過率の向上を実現することで優れた画像品質とすることを目的として、画素Ｔｒと保持容量のそれぞれをデータラインが形成される領域に対応して形成している。即ち、画素Ｔｒと保持容量のそれぞれが絶縁膜を介してデータラインとオーバーラップする様に形成されている。
【００３１】
なお、上記した保持容量の下部電極４ｂはポリシリコンにリンを５．０×１０１５／ｃｍ２の条件で注入することによって形成されており、２５Ω／□程度の抵抗値を有している。一方、保持容量の上部電極４ｃはポリシリコンにリンを３．０×１０１４／ｃｍ２の条件で注入することによって形成されており、４ＫΩ／□程度の抵抗値を有している。なお、上部電極表面には上部電極の低抵抗化を目的としてタングステンシリサイド膜４ｄが成膜されている。
【００３２】
ここで、本実施例では、下部電極の形成時よりも上部電極の形成時のドーズ量を減らすことによって、上部電極の抵抗値を下部電極の抵抗値よりも大きくしているが、上部電極の抵抗値を下部電極の抵抗値よりも大きくするのは、液晶セルを構成する画素電極に高レベル電位が保持されている時を、画素電極に低レベル電位が保持されているときよりも保持容量の容量値を大きくするためであり、上部電極の抵抗値を下部電極の抵抗値よりも大きくすることができればいかなる方法であっても良く、必ずしも下部電極の形成時よりも上部電極の形成時のドーズ量を減らすことによって上部電極の抵抗値を下部電極の抵抗値よりも大きくする必要は無い。
【００３３】
さて、上記の様に構成された液晶駆動基板を製造する場合には、即ち、石英基板上にＴＦＴ及び保持容量を形成する場合には、先ず、石英基板１１に裏面遮光膜として厚さ１５０ｎｍ〜２５０ｎｍ程度のタングステンシリサイド（ＷＳｉ）（図示せず）を成膜した後にＣＶＤ法によって厚さ５００ｎｍ〜７００ｎｍ程度の絶縁膜（ＳｉＯ２膜）（図示せず）を成膜し、その後、ＴＦＴのチャネル及び保持容量の下部電極となるポリシリコン（第１の半導体層の一例）をＬＰ−ＣＶＤ法またはエピタキシャル成長によって成膜する。続いて、汎用のフォトリソグラフィー技術及びエッチング技術を用いてＴＦＴのチャネル１３及び保持容量の下部電極４ｂを形成し、その後、ＴＦＴのチャネル及び保持容量の下部電極の上層に絶縁膜（ＳｉＯ２膜）１２を成膜する（図２（ａ）参照。）。ここで、本実施例では第１の半導体層としてポリシリコンを例に挙げて説明を行なっているが、必ずしもポリシリコンである必要は無く、アモルファスシリコンやガリウム砒素（ＧａＡｓ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）であっても良い。
【００３４】
次に、汎用のフォトリソグラフィー技術及びエッチング技術によって保持容量の下部電極の上層の絶縁膜に開口部１６を形成し（図２（ｂ）参照。）、保持容量の下部電極に静電破壊を生じない限度で充分な不純物を注入（例えば、リンをドーズ量５．０×１０１５／ｃｍ２の条件で注入）（第１の不純物注入の一例）する（図２（ｃ）参照。）。
【００３５】
続いて、保持容量の下部電極の上層に保持容量の上部電極と下部電極との間の絶縁膜として機能する窒化シリコン（ＳｉＮ）膜１４を成膜した後に、窒化シリコン膜の上層に保持容量の上部電極として機能する厚さ１００ｎｍ〜２００ｎｍ程度のポリシリコン１５（第２の半導体層の一例）をＣＶＤ法を用いて成膜し（図２（ｄ）参照。）、このポリシリコンに縮退しないレベルで不純物を注入（例えば、リンをドーズ量３．０×１０１４／ｃｍ２の条件で注入）（第２の不純物注入の一例）する（図２（ｅ）参照。）。その後、上部電極表面に低抵抗化を目的として厚さ１５０ｎｍ〜２５０ｎｍ程度のタングステンシリサイド（ＷＳｉ）を成膜し、汎用のリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて上部電極及びゲート電極を形成し、続いて不純物注入によりＬＤＤ領域を及びソース・ドレイン領域を形成することで、ＴＦＴ及び保持容量を形成することができる（図２（ｆ）参照。）。
【００３６】
上記した本発明を適用したアクティブマトリクス型液晶表示装置における液晶駆動回路基板では、保持容量の上部電極の抵抗値が下部電極の抵抗値よりも大きいために、画素電極に低レベル電位が保持されている時の方が、画素電極に高レベル電位が保持されている時よりも保持容量の容量値が小さくなり、画素電極に高レベル電位が保持されている時の方が低レベル電位を保持している時よりもリーク電流が大きいことを考慮すると、画素電極に高レベル電位が保持されている時と画素電極に低レベル電位が保持されている時との電位差を低減することができ、フリッカを抑制して画像品位の向上が期待できる。
【００３７】
図３は本発明を適用した映像表示装置の一例である透過型液晶プロジェクタを説明するための模式図であり、ここで示す透過型液晶プロジェクタ１００は、いわゆる３板方式として赤、緑、青の３原色に対応した３つのライトバルブに図１に示す液晶駆動回路基板を用いた透過型液晶表示装置を使用し、スクリーン（図示せず）上に拡大投影されたカラー映像を表示する投射型の映像表示装置である。
【００３８】
具体的に、この透過型液晶プロジェクタは、照明光を出射する光源であるランプ１０１と、ランプからの照明光のうち赤色光（Ｒ）のみを反射するＲダイクロイックミラー１０３Ｒと、ランプからの照明光のうち緑色光（Ｇ）のみを反射するＧダイクロイックミラー１０３Ｇと、赤色光（Ｒ），緑色光（Ｇ），青色光（Ｂ）をそれぞれ変調して透過する光変調手段であるＲライトバルブ１０４Ｒ，Ｇライトバルブ１０４Ｇ及びＢライトバルブ１０４Ｂと、変調された赤色光（Ｒ），緑色光（Ｇ），青色光（Ｂ）を合成する合成光学手段であるダイクロイックプリズム１０５と、合成された照明光をスクリーンに投射する投射手段である投射レンズ１０６とを備えている。
【００３９】
ここで、ランプは、赤色光（Ｒ）、緑色光（Ｇ）及び青色光（Ｂ）を含む白色光を照射するものであり、例えばハロゲンランプや、メタルハライドランプ、キセノンランプ等からなる。
【００４０】
また、ランプとＲダイクロイックミラーとの間の光路中には、赤外線や紫外線をカットするフィルタ１０９や、ランプから出射された照明光の照度分布を均一化するフライアイレンズ１０７や、照明光のＰ，Ｓ偏光成分を一方の偏光成分（例えばＳ偏光成分）に変換する偏光変換素子１０８等が配置されている。
【００４１】
投射レンズは、ダイクロイックプリズムからの光をスクリーンに向かって拡大投影する機能を有している。
【００４２】
以上の様に構成される透過型液晶プロジェクタでは、ランプから出射された白色光がＲダイクロイックミラー及びＧダイクロイックミラーによって赤色光（Ｒ），緑色光（Ｇ），青色光（Ｂ）に分離される。これら分離された赤色光（Ｒ），緑色光（Ｇ），青色光（Ｂ）は、コンデンサレンズ１１２を介して各ライトバルブへと入射される。各ライトバルブに入射された赤色光（Ｒ），緑色光（Ｇ），青色光（Ｂ）は、各ライトバルブの各画素に印加される駆動電圧に応じて偏光変調された後、ダイクロイックプリズムによって合成され、この合成された光が投射レンズによってスクリーン上に拡大投射される。
【００４３】
ところで、各ライトバルブを構成する透過型液晶表示装置は、上述した様に、フリッカの抑制が可能であることから、ここで示す透過型プロジェクタにおいても表示品位の信頼性の向上が実現する。
【００４４】
なお、本実施例では透過型プロジェクタのようにスクリーンに投影する投射型の映像表示装置を例に挙げて説明を行なったが、本発明は透過型ＬＣＤを直接見るような直視型の映像表示装置にも広く適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明を適用した表示装置の一例であるアクティブマトリクス型液晶表示装置の液晶駆動基板の回路構成を説明するための模式図である。
【図２】図１に示す液晶駆動基板の製造方法を説明するための模式図である。
【図３】本発明を適用した映像表示装置の一例である透過型液晶プロジェクタを説明するための模式図である。
【図４】従来のアクティブマトリクス型液晶表示装置の液晶駆動基板の回路構成を説明するための模式図である。
【図５】図４に示す液晶駆動基板の製造方法を説明するための模式図である。
【図６】保持電位と保持容量の容量値との関係を説明するための模式図（１）である。
【図７】保持電位の変化を説明するための模式図である。
【図８】保持電位と保持容量の容量値との関係を説明するための模式図（２）である。
【符号の説明】
【００４６】
１    ビデオライン
２    水平走査回路
３    垂直走査回路
４ｂ  下部電極
４ｃ  上部電極
４ｄ  タングステンシリサイド膜
１１    石英基板
１２    絶縁膜（ＳｉＯ２膜）
１３    チャネル
１４    窒化シリコン膜
１５    ポリシリコン
１６    開口部
１００    透過型液晶プロジェクタ
１０１    ランプ
１０３Ｒ  Ｒダイクロイックミラー
１０３Ｇ  Ｇダイクロイックミラー
１０４Ｒ  Ｒライトバルブ
１０４Ｇ  Ｇライトバルブ
１０４Ｂ  Ｂライトバルブ
１０５    ダイクロイックプリズム
１０６    投射レンズ
１０７    フライアイレンズ
１０８    偏光変換素子
１０９    フィルタ
１１０    全反射ミラー
１１１    リレーレンズ
１１２    コンデンサレンズ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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