(57)【要約】【課題】磁気抵抗効果素子の両側面に強磁性膜を設けてフリー層の磁区制御を安定化させる構成を採りながら、再生するトラックに隣接するトラック（サイドトラック）に対するサイドリーディングを防ぐことのできる薄膜磁気ヘッド、その製造方法、およびその薄膜磁気ヘッドを備えた磁気記録装置を提供する。【解決手段】磁気抵抗効果素子８と、磁気抵抗効果素子８の両側を挟み、磁気抵抗効果素子８を磁区制御する強磁性膜１６ａ，１６ｂと、磁気抵抗効果素子８の浮上面側において、強磁性膜１６ａ，１６ｂを覆うような外部磁場遮断部２２ａ，２２ｂとを備える。【選択図】図１
2008071442.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気抵抗効果素子と、
該磁気抵抗効果素子の両側を挟み、磁気抵抗効果素子を磁区制御する強磁性膜と、
前記磁気抵抗効果素子の浮上面側において、前記強磁性膜を覆うような外部磁場遮断部とを備えることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】
前記外部磁場遮断部は、楔型であり、該楔型の先端部分が磁気抵抗効果素子に向いていることを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】
前記磁気抵抗効果素子の浮上面近傍においても、前記強磁性膜が磁気抵抗効果素子の両側を挟むことを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項４】
前記磁気抵抗効果素子の両側を挟み、磁気抵抗効果素子を導電する電極膜をさらに備え、
前記外部磁場遮断部は、前記磁気抵抗効果素子の浮上面側において、前記電極膜を覆うことを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項５】
前記外部磁場遮断部と前記電極膜間とは絶縁されていることを特徴とする請求項４記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項６】
磁気抵抗効果素子と、
該磁気抵抗効果素子の両側を挟み、磁気抵抗効果素子を磁区制御する強磁性膜と、
前記磁気抵抗効果素子の浮上面側において、前記強磁性膜を覆うような外部磁場遮断部とを備えた薄膜磁気ヘッド使用して、記録媒体から情報を読み込むことを特徴とする磁気記録装置。
【請求項７】
磁気抵抗効果素子を生成するステップと、
前記磁気抵抗効果素子を挟むように、磁気抵抗効果素子を磁区制御する強磁性膜を生成するステップと、
前記磁気抵抗効果素子の浮上面側において、前記強磁性膜を覆うような外部磁場遮断部を生成するステップと、
前記磁気抵抗効果素子の浮上面を露出するように研磨するステップとを備えることを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項８】
前記外部磁場遮断部を生成するステップにおいて、前記強磁性膜の浮上面に接する部分を除去し、該除去した部分に前記外部磁場遮断部を生成することを特徴とする請求項７記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気抵抗効果素子と、磁気抵抗効果素子の両側を挟み、磁気抵抗効果素子を磁区制御する強磁性膜とを備えた薄膜磁気ヘッド、その製造方法、および、その薄膜磁気ヘッドを備えた磁気記録装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、磁気記録再生に用いられる薄膜磁気ヘッドには、スピン依存散乱による磁気抵抗効果を利用したスピンバルブタイプの磁気抵抗効果素子（リード素子）が利用されており、センス電流を素子面内に平行に流すＣＩＰ（current in plane）型のものが主に採用されている。一方、ＣＩＰ型薄膜磁気ヘッドであってもトラック幅を0.1μｍ以下に微細化すると、磁気抵抗変化の検出感度が低下する傾向があるため、これを補うべく素子面に対して垂直にセンス電流を流すＣＰＰ（current perpendicular to the plane）型の薄膜磁気ヘッド、もしくはセンス電流のトンネル現象を利用したトンネル型薄膜磁気ヘッドが採用されてきている。
【０００３】
図８は、ＣＩＰ型の薄膜磁気ヘッドの概略構成を示す断面図である。同図で、１０は下部シールド層、２０は上部シールド層であり、１２は固定磁化層を含むコア部、１４は磁極の方向が外部磁界によって変化可能なフリー層（自由磁性層）である。このコア部１２とフリー層１４とにより、磁気抵抗効果素子８が構成されている。１６ａ，１６ｂは、フリー層１４を磁区制御する強磁性膜である。強磁性膜１６ａ，１６ｂは、傾斜面に形成された磁気抵抗効果素子８の両側面に、各々形成されている。１７ａ，１７ｂは強磁性膜１６ａ，１６ｂと上部シールド層２０との間に設けられた電極である。１８は絶縁膜であり、強磁性膜１６ａ，１６ｂと下部シールド層１０との境界部分、および、電極１７ａ，１７ｂと上部シールド層２０との境界部分に形成されている。センス電流は、図中の太い矢印のように磁気抵抗効果素子８を成す磁気抵抗効果膜の面と平行に流れて磁気信号が検知される。
【０００４】
図９はＣＰＰ型の薄膜磁気ヘッドの概略構成を示す断面図である。ＣＰＰ型の薄膜磁気ヘッドの場合は、コア部１２の両側に電極１７ａ，１７ｂが形成されず、強磁性膜１６ａ，１６ｂのみが設けられる。絶縁膜１８は、強磁性膜１６ａ，１６ｂと、コア部１２、下部シールド層１０、および上部シールド層２０との境界部分に形成されている。センス電流は、図中の太い矢印のように、上部シールド層２０から下部シールド層１０に向け、磁気抵抗効果素子８を成す磁気抵抗効果膜の面と垂直に流れて磁気信号が検知される。なお、トンネル型の磁気抵抗効果素子（リード素子）を備えた薄膜磁気ヘッドも図９と同様な構成となる。
【０００５】
図１０は、ＣＰＰ型またはトンネル型の磁気抵抗効果素子８を備えた薄膜磁気ヘッドの、浮上面４から奥行き方向の構成を示すための分解図である。図１０から分かるように、磁気抵抗効果素子８は、下部シールド層１０上に、浮上面４に対して垂直な方向に延びる条状に形成される。強磁性膜１６ａ，１６ｂは、上部シールド層２０と下部シールド層１０との間に、磁気抵抗効果素子８を両側面から挟むよう設けられる。
なお、図１０においては、絶縁膜１８を省略している。
【０００６】
ところで、磁気記録装置の磁気記録密度を向上させるため磁気記録媒体のトラック幅およびピッチを狭くしていくと、図８から図１０で示した薄膜磁気ヘッドは、磁気記録媒体の本来の再生トラックの磁気情報とともにそれに隣接したトラック（サイドトラック）から漏洩する磁気情報をも読み取って、再生信号にノイズが乗ってしまうサイドリーディングの問題を起こす。これは、トラック幅およびトラックピッチが磁気抵抗効果素子のコア幅よりも狭くなることによって生じる。この結果、磁気記録媒体のトラック幅およびピッチを狭くすることができず、磁気記録の高密度化が妨げられるという問題が生じる。
この問題を解消する方法としては、図８から図１０で示した薄膜磁気ヘッドの磁気抵抗効果素子のコア幅を狭くすることも考えられるが、磁気抵抗効果素子を製造する製造プロセス上の制約から、磁気抵抗効果素子の微細化には限界がある。
【０００７】
そこで、特許文献１においては、サイドトラックから漏洩する磁気信号によるノイズの影響を抑えて、磁気記録の高密度化を図るため、図１１および図１２に示すように、磁気抵抗効果素子９の両側に、図８から図１０記載の強磁性膜１６ａ，１６ｂに替えて、軟磁性膜からなるシールド部３０ａ，３０ｂが設けられていることで、サイドトラックからの磁束を遮断することのできる薄膜磁気ヘッドが提案されている。
そして、強磁性膜に替わるフリー層の磁区制御の方法として、図１１および図１２に示すように、フリー層が、第１のフリー層１４ａ、反強磁性結合層１５、および第２のフリー層１４ｂから成る積層フェリ構造として形成されている。
【０００８】
また、特許文献２には、磁気抵抗効果素子（リード素子）内に、強磁性膜（バイアス層）を設けることで、フリー層の磁区制御を行う薄膜磁気ヘッドが記載されている。
【０００９】
【特許文献１】特開２００５−３５３６６６号公報
【特許文献２】特開２００３−２６４３２４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、特許文献１に記載の、フリー層を前記積層フェリ構造とした薄膜磁気ヘッド（図１１および図１２）は、磁気抵抗効果素子の両側面に強磁性膜を設けた薄膜磁気ヘッド（図８および図９）に比較して、フリー層の磁区が安定しないという課題がある。
【００１１】
また、特許文献２に記載の薄膜磁気ヘッドでは、実用上、フリー層の磁区制御を安定化させるためには、トラック方向のリード素子全体の厚さの少なくとも三割程度の強磁性膜（バイアス層）を積層する必要があり、その結果リード素子が厚くなる。リード素子が厚くなると記録媒体の読み取り可能なトラック方向のビット長が大きくなり、磁気記録再生の高密度化が妨げられるという課題がある。
【００１２】
本発明は上記課題を解決すべくなされ、その目的とするところは、磁気抵抗効果素子の両側面に強磁性膜を設けてフリー層の磁区制御を安定化させる構成を採りながら、再生するトラックに隣接するトラック（サイドトラック）に対するサイドリーディングを防ぐことのできる薄膜磁気ヘッド、その製造方法、およびその薄膜磁気ヘッドを備えた磁気記録装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明に係る薄膜磁気ヘッドは、上記課題を解決するため、以下の構成を備える。
すなわち、磁気抵抗効果素子と、該磁気抵抗効果素子の両側を挟み、磁気抵抗効果素子を磁区制御する強磁性膜と、前記磁気抵抗効果素子の浮上面側において、前記強磁性膜を覆うような外部磁場遮断部とを備えることを特徴とする。
これによれば、磁気抵抗効果素子を両側面から挟む強磁性膜によりフリー層の磁区制御を好適に保ちながら、強磁性膜の浮上面側（磁気記録媒体側）が外部磁場遮断部で覆われていることからサイドトラックからの磁束を遮断してサイドリーディングを防ぐことができる。
【００１４】
さらに、前記外部磁場遮断部は、楔型であり、該楔型の先端部分が磁気抵抗効果素子に向いていることを特徴とする。
これによれば、磁気抵抗効果素子の両側面が、浮上面の近傍に至るまで強磁性膜で覆われるから、フリー層の磁区制御を好適に保つことができる。
【００１５】
さらに、前記磁気抵抗効果素子の浮上面近傍においても、前記強磁性膜が磁気抵抗効果素子の両側を挟むことを特徴とする。
これによれば、磁気抵抗効果素子の両側面が、浮上面に至るまで強磁性膜で覆われるから、フリー層の磁区制御をさらに好適に保つことができる。
【００１６】
また、前記磁気抵抗効果素子の両側を挟み、磁気抵抗効果素子を導電する電極膜をさらに備え、前記外部磁場遮断部は、前記磁気抵抗効果素子の浮上面側において、前記電極膜を覆うことを特徴とする。
【００１７】
さらに、前記外部磁場遮断部と前記電極膜間とは絶縁されていることを特徴とする。
【００１８】
また、本発明に係る磁気記録装置は、上記課題を解決するため、以下の構成を備える。
すなわち、磁気抵抗効果素子と、該磁気抵抗効果素子の両側を挟み、磁気抵抗効果素子を磁区制御する強磁性膜と、前記磁気抵抗効果素子の浮上面側において、前記強磁性膜を覆うような外部磁場遮断部とを備えた薄膜磁気ヘッド使用して、記録媒体から情報を読み込むことを特徴とする。
これによれば、その薄膜磁気ヘッドが、磁気抵抗効果素子を両側面から挟む強磁性膜によりフリー層の磁区制御を好適に保ちながら、強磁性膜の浮上面側（磁気記録媒体側）が外部磁場遮断部で覆われていることからサイドトラックからの磁束を遮断してサイドリーディングを防ぐことができる。したがって、本磁気記録装置は、再生信号に、サイドリーディングに起因するノイズが乗ることなく、好適な読み取り性能を確保することができる。
【００１９】
また、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法は、上記課題を解決するため、以下の構成を備える。
すなわち、磁気抵抗効果素子を生成するステップと、前記磁気抵抗効果素子を挟むように、磁気抵抗効果素子を磁区制御する強磁性膜を生成するステップと、前記磁気抵抗効果素子の浮上面側において、前記強磁性膜を覆うような外部磁場遮断部を生成するステップと、前記磁気抵抗効果素子の浮上面を露出するように研磨するステップとを備えることを特徴とする。
これによれば、強磁性膜の浮上面側が外部磁場遮断部で覆われた薄膜磁気ヘッドを好適に製造できる。
【００２０】
さらに、前記外部磁場遮断部を生成するステップにおいて、前記強磁性膜の浮上面に接する部分を除去し、該除去した部分に前記外部磁場遮断部を生成することを特徴とする。
【発明の効果】
【００２１】
本発明に係る薄膜磁気ヘッドによれば、磁気抵抗効果素子の両側面に強磁性膜を設けてフリー層の磁区制御を安定化させると同時に、再生するトラックに隣接するトラック（サイドトラック）に対するサイドリーディングを防ぐことができる。
また、本発明に係る磁気記録装置によれば、再生信号に、サイドリーディングに起因するノイズが乗ることなく、好適な読み取り性能を確保することができる。
また、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、強磁性膜の浮上面側が外部磁場遮断部で覆われた薄膜磁気ヘッドを好適に製造できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明に係る薄膜磁気ヘッド、その製造方法、および磁気記録装置を実施するための最良の形態を説明する。
【００２３】
（薄膜磁気ヘッド）
図１は、本実施の形態に係る、ＣＰＰ型またはトンネル型の磁気抵抗効果素子８（リード素子）を備えた薄膜磁気ヘッドの、浮上面４から奥行き方向の構成を示すための分解図である。また、図２は、本薄膜磁気ヘッドの浮上面４の外観図である。
本薄膜磁気ヘッドの、浮上面４と平行な面での断面図（後述する外部磁場遮断部２２ａ，２２ｂ（図１参照）を切断しない断面図）は、前述の図９に示した構成と同様である。
【００２４】
図１、図２、および図９において、１０は下部シールド層、２０は上部シールド層であり、１２は固定磁化層を含むコア部、１４は外部磁気に反応するフリー層（自由磁性層）である。このコア部１２とフリー層１４とにより、磁気抵抗効果素子８が構成されている。１６ａ，１６ｂは、フリー層１４を磁区制御する強磁性膜（ハードバイアス膜）である。強磁性膜１６ａ，１６ｂは、傾斜面に形成された磁気抵抗効果素子８の両側面に、各々形成されている。１８は絶縁膜であり、強磁性膜１６ａ，１６ｂと、コア部１２、下部シールド層１０、および上部シールド層２０との境界部分に形成されている。センス電流は、図９中の太い矢印のように磁気抵抗効果素子８を成す磁気抵抗効果膜の面と平行に流れて磁気信号が検知される。
なお、図１においては絶縁膜１８を省略している。
【００２５】
本薄膜磁気ヘッドは、図１および図２に示すように、強磁性膜１６ａ，１６ｂの浮上面４側の端面が、外部磁場遮断部２２ａ，２２ｂでそれぞれ覆われている。また、図１に示すように、各外部磁場遮断部２２ａ，２２ｂは、楔型に形成され、その楔型の先端部分が磁気抵抗効果素子８に向いている。言い換えれば、各外部磁場遮断部２２ａ，２２ｂの、磁気抵抗効果素子８の中央部に向かう端部２３ａ，２３ｂ側は、その中央部に向かって、浮上面４に垂直な方向の厚みが次第に薄くなるテーパ状（楔型）に形成されている。さらに、各外部磁場遮断部２２ａ，２２ｂは、磁気抵抗効果素子８の中央部に向かう端部２３ａ，２３ｂにおいて、浮上面４に垂直な方向の厚みがなくなる先鋭状に形成されている。また、各外部磁場遮断部２２ａ，２２ｂの浮上面４側の露出面２４ａ，２４ｂは、浮上面４と同一面となる（言い換えれば浮上面４の一部を成す）よう形成されている。
【００２６】
これにより、磁気抵抗効果素子８の浮上面４近傍においても、強磁性膜１６ａ，１６ｂが磁気抵抗効果素子８の両側を挟む（言い換えれば、磁気抵抗効果素子８の両側面が、浮上面４の近傍に至るまで強磁性膜１６ａ，１６ａで覆われる）から、磁気抵抗効果素子８のフリー層１４の磁区制御を好適に保つことができる。
【００２７】
本願発明を適用したＣＰＰ型薄膜磁気ヘッドは、上部シールド層２０と下部シールド層１０間の厚みは６０ｎｍとなり現状の再生能力で読み取り可能なトラック方向のビット長は３０ｎｍとなった。特許文献２記載の構造のように、リード素子に強磁性膜（バイアス層）を積層するタイプでは、リード素子に少なくとも２０ｎｍ〜３０ｎｍの強磁性膜を積層する必要があり、この場合上下シールド間の厚みは８０ｎｍ〜９０ｎｍとなり、読み取り可能なトラック方向のビット長は４０ｎｍ〜４５ｎｍ程度になる。したがって、本願発明を適用したＣＰＰ型薄膜磁気ヘッドは、特許文献２記載の薄膜磁気ヘッドに比べて３０％以上記録再生密度が高い磁気記録媒体を再生することが可能である。
【００２８】
次に、ＣＩＰ型の磁気抵抗効果素子を備えた薄膜磁気ヘッドに本発明を適用した実施の形態を説明する。
図３は、本実施の形態に係る、ＣＩＰ型の磁気抵抗効果素子８を備えた薄膜磁気ヘッドの浮上面４の外観図である。本薄膜磁気ヘッドの、浮上面４と平行な面での断面図（外部磁場遮断部２２ａ，２２ｂを切断しない断面図）は、前述の図８に示した構成と同様である。
【００２９】
図３および図８において、１０は下部シールド層、２０は上部シールド層であり、１２は固定磁化層を含むコア部、１４はフリー層（自由磁性層）である。このコア部１２とフリー層１４とにより、磁気抵抗効果素子８が構成されている。１６ａ，１６ｂは、フリー層１４を磁区制御する強磁性膜である。強磁性膜１６ａ，１６ｂは、傾斜面に形成された磁気抵抗効果素子８の両側面に、各々形成されている。１７ａ，１７ｂは強磁性膜１６ａ，１６ｂと上部シールド層２０との間に設けられた電極膜である。１８は絶縁膜であり、強磁性膜１６ａ，１６ｂと下部シールド層１０との境界部分、および、電極膜１７ａ，１７ｂと上部シールド層２０との境界部分に形成されている。センス電流は、図８中の太い矢印のように磁気抵抗効果素子８を成す磁気抵抗効果膜の面と平行に流れて磁気信号が検知される。
【００３０】
本薄膜磁気ヘッドは、図３に示すように、強磁性膜１６ａ，１６ｂおよび電極膜１７ａ，１７ｂの浮上面４側の端面が、外部磁場遮断部２２ａ，２２ｂでそれぞれ覆われている。
なお、このＣＩＰ型の磁気抵抗効果素子を備えた薄膜磁気ヘッドにおいても、外部磁場遮断部２２ａ，２２ｂの形状および構成は、前述のＣＰＰ型またはトンネル型の薄膜磁気ヘッドにおける外部磁場遮断部の構成と同様であるため説明を省略する。
【００３１】
（薄膜磁気ヘッドの製造方法）
次に、図１、図２、および図９に示した、ＣＰＰ型またはトンネル型の磁気抵抗効果素子８を備えた薄膜磁気ヘッドの製造方法の実施の形態を説明する。
図４（ａ）に示すように、下部シールド層１０上にＣＰＰ型またはトンネル型の磁気抵抗効果素子層７を形成する。続いて、磁気抵抗効果素子層７上に、フォトリソグラフィ法により第一レジスト層２６を形成する。この第一レジスト層２６は、薄膜磁気ヘッドの磁気抵抗効果素子８の対応位置に形成する。なお、この際、異なるフォト第一レジスト層を二層用いることで、第一レジスト層２６を、下層が上層よりも幅狭となるよう形成する。
【００３２】
次に、図４（ｂ）に示すように、磁気抵抗効果素子層７の第一レジスト層２６から露出した箇所を、イオンビームエッチング法により除去することで、磁気抵抗効果素子８を形成する。
次に、図４（ｃ）に示すように、下部シールド層１０上および磁気抵抗効果素子８の両側面に、絶縁膜１８を形成する。続いて、絶縁膜１８上に、強磁性膜１６ａ，１６ｂをスパッタリング法により形成する。
【００３３】
続いて、第一レジスト層２６を除去する。
図５は、製造過程の薄膜磁気ヘッドを、薄膜の積層方向上方から見た図である。図５（ａ）は、第一レジスト層２６を除去した状態を示す。この状態では、磁気抵抗効果素子８と、強磁性膜１６ａ，１６ｂが上面に露出した状態となる。
【００３４】
次に、図４（ｄ）および図５（ｂ）に示すように、磁気抵抗効果素子８および強磁性膜１６ａ，１６ｂ上に改めて第二レジスト層２８を形成する。そして、フォトリソグラフィ法により、第二レジスト層２８に、強磁性膜１６ａ，１６ｂの表面の一部を露出させる開口部２８ａ，２８ｂを形成する。なお、図５（ｂ）において、斜線部が第二レジスト層２８を示している。
【００３５】
開口部２８ａ，２８ｂは、後工程で形成される外部磁場遮断部２２ａ，２２ｂの配設位置に形成される。すなわち、後工程で浮上面４に形成される位置から、薄膜磁気ヘッドのハイト方向に若干ずれた位置まで、強磁性膜１６ａ，１６ｂを露出させるよう形成される。また、開口部２８ａ，２８ｂは、後工程で浮上面４に形成される位置の、磁気抵抗効果素子８の脇に、外部磁場遮断部２２ａ，２２ｂの前記テーパ状の部分に対応するよう、浮上面４に対して傾斜するテーパ部２９ａ，２９ｂを有する。
【００３６】
続いて、図４（ｅ）に示すように、開口部２８ａ，２８ｂから露出した部分の強磁性膜１６ａ，１６ｂおよび絶縁膜１８を、イオンビームエッチング等により除去する。
次に、図４（ｆ）に示すように、開口部２８ａ，２８ｂから露出した部分（強磁性膜１６ａ，１６ｂおよび絶縁膜１８を除去した部分）の下部シールド層１０上に、外部磁場遮断部２２ａ，２２ｂを形成する。これにより、強磁性膜１６ａ，１６ｂの浮上面側の端面が、外部磁場遮断部２２ａ，２２ｂで覆われることとなる。
【００３７】
続いて、図２および図９に示すように、強磁性膜１６ａ，１６ｂおよび外部磁場遮断部２２ａ，２２ｂ上に絶縁膜１８を形成し、さらに、その絶縁膜１８および磁気抵抗効果素子８上に、上部シールド層２０を形成する。
【００３８】
そして、積層工程の終了後、図５（ｃ）に示すように、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）法等により、浮上面４の対応位置まで、余分な強磁性膜１６ａ，１６ｂおよび外部磁場遮断部２２ａ，２２ｂを研磨して除去して、浮上面４を形成する。
これにより、前記外部磁場遮断部２２ａ，２２ｂを備えた薄膜磁気ヘッドを製造することができる。
【００３９】
次に、図３および図８に示した、ＣＩＰ型の磁気抵抗効果素子８を備えた薄膜磁気ヘッドの製造方法の実施の形態を説明する。
図６（ａ）に示すように、下部シールド層１０上に絶縁膜１８を形成し、さらに絶縁膜１８上に、ＣＩＰ型の磁気抵抗効果素子層７を形成する。続いて、磁気抵抗効果素子層７上に、フォトリソグラフィ法により第一レジスト層２６を形成する。この第一レジスト層２６は、薄膜磁気ヘッドの磁気抵抗効果素子８の対応位置に形成する。なお、この際、異なるフォト第一レジスト層を二層用いることで、第一レジスト層２６を、下層が上層よりも幅狭となるよう形成する。
【００４０】
次に、図６（ｂ）に示すように、磁気抵抗効果素子層７の第一レジスト層２６から露出した箇所を、イオンビームエッチング法により除去することで、磁気抵抗効果素子８を形成する。
次に、図６（ｃ）に示すように、下部シールド層１０上および磁気抵抗効果素子８の両側面に、強磁性膜１６ａ，１６ｂをスパッタリング法により形成する。続いて、強磁性膜１６ａ，１６ｂ上に、電極膜１７ａ，１７ｂを形成する。電極膜１７ａ，１７ｂは、Ａｕなどの導電性物質で構成することが考えられる。
続いて、第一レジスト層２６を除去する。
【００４１】
次に、図６（ｄ）に示すように、磁気抵抗効果素子８および電極膜１７ａ，１７ｂ上に改めて第二レジスト層２８を形成する。そして、フォトリソグラフィ法により、第二レジスト層２８に、電極膜１７ａ，１７ｂの表面の一部を露出させる開口部２８ａ，２８ｂを形成する。なお、開口部２８ａ，２８ｂの形状等については、ＣＰＰ型およびトンネル型の磁気抵抗効果素子８を備えた薄膜磁気ヘッドの製造方法と同様であるため、説明を省略する。
【００４２】
続いて、図６（ｅ）に示すように、開口部２８ａ，２８ｂから露出した部分の電極膜１７ａ，１７ｂおよび強磁性膜１６ａ，１６ｂを、イオンビームエッチング等により除去する。
次に、図６（ｆ）に示すように、開口部２８ａ，２８ｂから露出した部分に、外部磁場遮断部２２ａ，２２ｂを形成する。これにより、強磁性膜１６ａ，１６ｂの浮上面側の端面が、外部磁場遮断部２２ａ，２２ｂで覆われることとなる。
【００４３】
続いて、図３および図８に示すように、電極膜１７ａ，１７ｂ、外部磁場遮断部２２ａ，２２ｂ、および磁気抵抗効果素子８上に絶縁膜１８を形成し、さらに、その絶縁膜１８上に、上部シールド層２０を形成する。
【００４４】
そして、積層工程の終了後、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）法等により、浮上面４の対応位置まで、余分な強磁性膜１６ａ，１６ｂや外部磁場遮断部２２ａ，２２ｂ等を除去して、浮上面４を形成する。
これにより、前記外部磁場遮断部２２ａ，２２ｂを備えた薄膜磁気ヘッドを製造することができる。
【００４５】
（磁気記録装置）
次に、本発明に係る上記薄膜磁気ヘッドを備えた磁気記録装置の実施の形態を説明する。
図７は上記薄膜磁気ヘッドを搭載した磁気記録装置としての磁気ディスク装置３１の内部構造を示す。磁気ディスク装置３１の矩形の箱状に形成された本体３２には、磁気記録媒体（記録媒体）としての磁気ディスク３３が収容されている。磁気ディスク３３はスピンドルモータ３４の回転軸に装着される。スピンドルモータ３４は、たとえば7200rpmあるいは10000rpmといった高速度で磁気ディスク３３を回転させる。
【００４６】
本体３２内には、磁気ディスク３３のディスク面と垂直方向に延びる支軸３５の回りで揺動するキャリッジ３６が収容されている。このキャリッジ３６は、支軸３５から水平方向に延びる剛体の揺動アーム３７と、この揺動アーム３７の先端に取り付けられ、揺動アーム３７から前方に延びる弾性サスペンション３８とを備える。
【００４７】
弾性サスペンション３８の先端には、浮上面４を磁気ディスク３３のディスク面に対向させて薄膜磁気ヘッド３９が取り付けられている。薄膜磁気ヘッド３９には、磁気ディスク３３の表面に向かって弾性サスペンション３８による押圧力が作用する。磁気ディスク３３の回転に基づき磁気ディスク３３の表面で生成される気流の働きによって薄膜磁気ヘッド３９に浮力が作用する。弾性サスペンション３８の押圧力と浮力とのバランスにより磁気ディスク３３の回転中に薄膜磁気ヘッド３９が浮上する。
【００４８】
薄膜磁気ヘッド３９の浮上中に、キャリッジ３６が支軸３５を軸として揺動することにより、薄膜磁気ヘッド３９は径方向に磁気ディスク３３の表面を横切るように移動する。こうした移動により薄膜磁気ヘッド３９は磁気ディスク３３上の所望の記録トラックに位置決めされる。キャリッジ３６の揺動は、たとえばボイスコイルモータ（ＶＣＭ）といったアクチュエータ４３によって実現される。
【００４９】
本磁気ディスク装置３１によれば、その薄膜磁気ヘッド３９が、磁気抵抗効果素子８を両側面から挟む強磁性膜１６ａ，１６ｂによりフリー層１４の磁区制御を好適に保ちながら、強磁性膜１６ａ，１６ｂの浮上面４側（磁気ディスク３３側）が外部磁場遮断部２２ａ，２２ｂで覆われていることからサイドトラックからの磁束を遮断してサイドリーディングを防ぐことができる。したがって、本磁気ディスク装置３１は、再生信号に、サイドリーディングに起因するノイズが乗ることなく、好適な読み取り性能を確保することができる。
【００５０】
また、本発明に係る薄膜磁気ヘッドにおいて、磁気記録媒体のトラック幅およびピッチ等に合わせて、両外部磁場遮断部２２ａ，２２ｂの端部２３ａ，２３ｂ間の間隔を調節することにより、実質的に磁気抵抗効果素子８のコア幅を調節するのと同様の効果を得ることができる。
【００５１】
さらに、本発明に係る薄膜磁気ヘッドは、図８のような浮上面に導電性の電極膜（素材がＡｕ等）が露出している磁気ヘッドと異なり、電極膜がサイドシールドに覆われている。本発明に係る薄膜磁気ヘッドは、磁気ヘッドの浮上面が磁気記録媒体に接触したときに、削れた電極膜が、両電極膜をショートすることを、サイドシールドによって防止する効果も有する。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの分解図である。
【図２】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの浮上面の外観図である。
【図３】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの浮上面の外観図である。
【図４】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す説明図である。
【図５】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す説明図である。
【図６】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す説明図である。
【図７】本発明に係る磁気記録装置の構成を示す説明図である。
【図８】薄膜磁気ヘッドの断面図である。
【図９】薄膜磁気ヘッドの断面図である。
【図１０】従来の薄膜磁気ヘッドの分解図である。
【図１１】従来の薄膜磁気ヘッドの断面図である。
【図１２】従来の薄膜磁気ヘッドの断面図である。
【符号の説明】
【００５３】
４  浮上面
７  磁気抵抗効果素子層
８  磁気抵抗効果素子
１０  下部シールド層
１４  フリー層
１６ａ，１６ｂ  強磁性膜
１７ａ，１７ｂ  電極膜
１８  絶縁膜
２０  上部シールド層
２２ａ，２２ｂ  外部磁場遮断部
２３ａ，２３ｂ  外部磁場遮断部の端部
２４ａ，２４ｂ  外部磁場遮断部の露出面
２６  第一レジスト層
２８  第二レジスト層
２８ａ，２８ｂ  開口部
３１  磁気ディスク装置（磁気記録装置）
３３  磁気ディスク（記録媒体）
３９  薄膜磁気ヘッド
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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