(57)【要約】【課題】シールテープ−ＨＤＡ間の静電気放電を防止し、ＨＤＡ素子部にダメージを与えない磁気ディスク装置を得る。【解決手段】磁気ヘッド構造体を収納する金属製のベース及びカバーと、このベース及びカバーの外周面に貼付されて両部材間を密閉するシールテープとを備えたヘッドディスクアッセンブリを有する磁気ディスク装置において、シールテープは、ベース及びカバー側から順に下部弾性絶縁層、金属層、上部弾性絶縁層及び導電層を積層して形成されている。【選択図】図３
2008071413.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気ヘッド構造体を収納する金属製のベース及びカバーと、このベース及びカバーの外周面に貼付されて両部材間を密閉するシールテープとを備えたヘッドディスクアッセンブリを有する磁気ディスク装置において、
前記シールテープは、前記ベース及びカバー側から順に下部弾性絶縁層、金属層、上部弾性絶縁層及び導電層を積層して形成されていることを特徴とする磁気ディスク装置。
【請求項２】
請求項１記載の磁気ディスク装置において、前記下部弾性絶縁層よりも前記上部弾性絶縁層が薄い磁気ディスク装置。
【請求項３】
請求項１または２記載の磁気ディスク装置において、前記導電層は、ポリオキシエチレン系界面活性剤、またはアニオン・カチオン系界面活性剤により形成された帯電防止層である磁気ディスク装置。
【請求項４】
請求項１または２記載の磁気ディスク装置において、前記導電層は、導電性樹脂材料により形成された導電性樹脂層である磁気ディスク装置。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれか一項に記載の磁気ディスク装置において、前記下部弾性絶縁層は、前記ベース及びカバーに接着する絶縁性粘着層と、この粘着層と前記金属層の間に介在する絶縁性樹脂層とにより形成されている磁気ディスク装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ヘッドディスクアッセンブリ（ＨＤＡ）を有する磁気ディスク装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気ディスク装置に用いられるＨＤＡは、記録媒体である磁気ディスクや高速回転中の磁気ディスクに対向して磁気情報の記録及び再生を行う磁気ヘッド、ヘッド駆動機構などを収納する筐体として金属製のベースとカバーを有し、ベースとカバーの当接部を密閉した気密構造により、筐体内部への塵埃の混入が防止されている。ベースとカバーの両部材間を密閉する部材には、例えば特許文献１、２に記載されているように、金属層を絶縁性樹脂層で挟んだ三層構造のシールテープを用いることが近年一般的となってきた。シールテープの金属層は電磁シールド効果を発揮し、絶縁性樹脂層はシールテープに柔軟性を与えて密閉性を向上させる。この三層構造のシールテープは、いずれか一方の絶縁性樹脂層に塗布した粘着剤によりベース及びカバーの外周面に沿って貼付されることで、該ベースとカバーの当接部を封止する。
【特許文献１】特開０７−０７３６５８号公報
【特許文献２】特開１０−０５５６６２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
上記シールテープによる封止は、従来、ひとつずつ手作業で実施されている。密閉度を向上させるためにシール貼付位置は厳密に規定されており、シール貼付位置が規定位置からずれた場合には、貼り付けたシールテープを剥がして、新たなシールテープを貼り直す必要がある。しかしながら、シールテープ剥離作業を行うと、ＨＤＡの素子部にダメージが生じることが判明した。
【０００４】
本発明は、上記課題を鑑みてなされたものであり、シールテープ−ＨＤＡ間の静電気放電を防止し、ＨＤＡ素子部にダメージを与えない磁気ディスク装置を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、シールテープ剥離作業によりＨＤＡの素子部がダメージを受ける原因が、シールテープ−ＨＤＡ間で生じる静電気放電にあるとの結論に達して完成されたものである。シールテープ剥離作業によりシールテープ−ＨＤＡ間で静電気放電が生じるメカニズムは、以下のように考えられる。すなわち、シールテープが絶縁性樹脂層内に金属層を有する層構造であることにより、シールテープをベースとカバーの当接部から剥離すると、先ず、粘着剤を塗布した側（ＨＤＡに接着している側）の絶縁性樹脂層（下部絶縁性樹脂層）に高電圧の剥離帯電が発生し、この剥離帯電により、金属層内に電荷が誘導される。シールテープの剥離量が増える（シールテープとＨＤＡの接着面積が減少する）につれて、金属層内に誘導される電荷量は増え、下部絶縁性樹脂層を挟んで対向する金属層とＨＤＡの間の静電容量は低下し、この静電容量低下に伴い金属層−ＨＤＡ間の電圧は増大する。そして、金属層−ＨＤＡ間の電圧が下部絶縁層の絶縁耐圧を超えると、金属層−ＨＤＡ間で静電気放電（高電圧放電）が起こり、この静電気放電によりＨＤＡの素子部がダメージを受ける。静電気放電が起こる可能性は、シールテープがＨＤＡから完全に離れる瞬間、最も大きくなる。そこで、本発明は、シールテープを弾性層／金属層／弾性層／導電層の四層構造にして金属層−導電層間に電荷を蓄積させることで、シールテープ剥離に伴う金属層−ＨＤＡ間の電圧増加を抑制することを提案する。
【０００６】
すなわち、本発明は、磁気ヘッド構造体を収納する金属製のベース及びカバーと、このベース及びカバーの外周面に貼付されて両部材間を密閉するシールテープとを備えたヘッドディスクアッセンブリを有する磁気ディスク装置において、シールテープは、ベース及びカバー側から順に下部弾性絶縁層、金属層、上部弾性絶縁層及び導電層を積層して形成されていることを特徴としている。上部弾性絶縁層上に導電層を設けることで、上部弾性絶縁層を挟んで対向する金属層と導電層が平行平板コンデンサとして機能し、金属層−導電層間に電荷が蓄積されるので、シールテープ剥離に伴って金属層−ＨＤＡ間の静電容量が低下しても、金属層−導電層間の静電容量により、金属層−ＨＤＡ間の電圧が過度に大きくならずに済む。
【０００７】
上部弾性絶縁層は、下部弾性絶縁層よりも薄いことが好ましい。金属層と導電層の間に介在する上部弾性絶縁層が薄くなるほど金属層−導電層間の静電容量が大きくなり、また、金属層とベース及びカバーの間に介在することになる下部弾性絶縁層が厚くなるほど該下部弾性絶縁層の絶縁耐圧が上がるので、シールテープ剥離に伴う金属層−ＨＤＡ間の電圧増大をより抑えられる。下部弾性絶縁層の厚さは、実際的には、電磁遮蔽する周波数に応じて決定されるので、上部弾性絶縁層は少なくとも下部弾性絶縁層より薄いことが好ましい。
【０００８】
導電層は、ポリオキシエチレン系界面活性剤、またはアニオン・カチオン系界面活性剤により形成された帯電防止層であることが好ましい。あるいは、導電性樹脂材料により形成された導電性樹脂層であることが好ましい。導電層は、金属材料で形成することも勿論可能であるが、腐食等による耐久性を考慮する必要がある。
【０００９】
下部弾性絶縁層は、ベース及びカバーに接着する絶縁性粘着層と、この粘着層と金属層の間に介在する絶縁性樹脂層とにより形成されていることが実際的である。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、上部弾性絶縁層を挟んで対向する金属層と導電層がコンデンサとして機能するので、シールテープ剥離に伴って金属層−ＨＤＡ間の静電容量が低下しても、金属層−導電層間の静電容量により金属層−ＨＤＡ間の電圧増加は抑制される。これにより、シールテープ−ＨＤＡ間の静電気放電を防止し、ＨＤＡ素子部にダメージを与えない磁気ディスク装置が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
図１〜図３は、本発明の一実施形態によるＨＤＡを有する磁気ディスク装置を示している。図１はＨＤＡ外観図である。ＨＤＡは、複数の磁気ヘッドからなる素子部や複数枚の磁気ディスク、素子部を駆動するための駆動機構等の磁気ヘッド構造体と、この磁気ヘッド構造体を収納する金属製のベース１０及びカバー２０と、このベース１０及びカバー２０の外周面に沿って貼付されて両部材間を密閉するシールテープ３０とを有している。ベース１０及びカバー２０は、その外観形状が略長方形状をなし、ＨＤＡ厚さ方向の上下に分離するタイプの筐体であって、不図示のネジ部材により一体化されている。ベース１０とカバー２０の当接部（当接面、当接位置）αは、図１の破線で示される。
【００１２】
図２は、シールテープ３０を単体で示す（Ａ）断面図及び（Ｂ）平面図である。シールテープ３０は、電磁遮蔽効果を発揮する金属層３２と、この金属層３２の上下に積層した、該シールテープ３０に柔軟性を与えて密閉度を高める下部弾性絶縁層３１及び上部弾性絶縁層３３と、上部弾性絶縁層３３の上に積層形成した導電層３４とを有する多層構造をなしている。本明細書中では、ベース１０及びカバー２０に接着する側の弾性絶縁層を、下部弾性絶縁層３１と定義する。
【００１３】
金属層３２は、アルミニウムやニッケル等の金属材料により１０μｍ程度の厚さで形成されている。この金属層３２はシールテープ３０の全長に存在し、金属層３２の幅寸法（短手方向の寸法）Ｗ３２は、下部弾性絶縁層３１と上部弾性絶縁層３３によって完全に被覆されるように、下部弾性絶縁層３１及び上部弾性絶縁層３３の幅寸法（短手方向の寸法）Ｗ３１、Ｗ３３よりも狭く設定されている。シールテープ３０がベース１０及びカバー２０に貼付されているとき、金属層３２は、下部弾性絶縁層３１を挟んで対向するベース１０及びカバー２０とともに平行平板コンデンサとして機能する一方、上部弾性絶縁層３３を挟んで対向する導電層３４とともに平行平板コンデンサとして機能する。
【００１４】
下部弾性絶縁層３１は、ベース１０及びカバー２０に接着する絶縁性粘着層３１ａと、この絶縁性粘着層３１ａと金属層３２の間に介在する絶縁性樹脂層３１ｂから構成されている。絶縁性粘着層３１ａは、例えばアクリル等による絶縁性樹脂粘着テープ（シート）からなり、その接着面（ベース１０及びカバー２０に対向する面）３１ａ１がシールテープ３０が貼付される前の状態では剥離紙で覆われている。絶縁性樹脂層３１ｂは、例えばポリエチレンテレフタラート（ＰＥＴ）やポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）等の絶縁樹脂材料により形成されている。下部弾性絶縁層３１は、その厚さが厚いほど、シールテープ３０がベース１０及びカバー２０に貼付されているときに金属層３２−ベース１０及びカバー２０間に生じる静電容量が小さくなり、絶縁耐圧を高めることができる。下部弾性絶縁層３１の厚さは、具体的に本実施形態では３０μｍ程度であるが、金属層３２の電磁遮蔽する周波数に応じて決定されることが実際的である。
【００１５】
上部弾性絶縁層３３は、絶縁性樹脂層３１ｂと同様に、例えばポリエチレンテレフタラート（ＰＥＴ）やポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）等の絶縁樹脂材料により形成されている。この上部弾性絶縁層３３は、金属層３２と導電層３４の間に介在しているので、その厚さが薄いほど金属層３２−導電層３４間の静電容量を大きくすることができる。上部弾性絶縁層３３の厚さは、具体的に１０μｍ程度であり、下部弾性絶縁層３１よりも薄く設定されている。
【００１６】
導電層３４は、ディッピング（ポリオキシエチレン系界面活性剤またはアニオン・カチオン系界面活性剤からなる溶液中にシールテープ３０を浸漬して該シールテープ３０の表面をコーティングする工程）により形成された帯電防止層、または、例えばカーボン、金属繊維等の導電材料を混入した樹脂材料により形成された導電性樹脂層であって、１０μｍ程度の厚さを有している。この導電層３４は、上部弾性絶縁層３３の上面を覆っており、金属層３２とは非接触（非導通）である。
【００１７】
上記シールテープ３０の貼付位置は、ＨＤＡの気密性確保のためにベース１０及びカバー２０に対して厳密に規定されており、シール貼付位置が予め設定された規定位置からずれているＨＤＡに対しては、シールテープ３０をベース１０及びカバー２０から剥がして、新たなシールを貼りなおす必要がある。シールテープ剥離作業は、ベース１０及びカバー２０をグランド電位に接続し、シールテープ表面の導電層３４をグランド電位に接続した状態で実施する。シールテープ３０を剥離すると、下部弾性絶縁層３１に剥離帯電が生じ、この剥離帯電による誘導電荷は金属層３２内に誘導され、金属層３２−導電層３４間に蓄積される。シールテープの剥離距離が増えるにつれて、金属層３２内に誘導される電荷量は増える。このとき、下部弾性絶縁層３１を挟んで対向する金属層３２−ベース１０及びカバー２０間の静電容量は低下するが、金属層３２−導電層３４間の静電容量は増えるので、この金属層３２−導電層３４間の静電容量により、金属層３２−ベース１０及びカバー２０間の電圧増加は抑えられる。
【００１８】
以下では、図３を参照し、金属層３２−導電層３４間の静電容量による、金属層３２−ベース１０及びカバー２０間の電圧増加抑制効果について、より詳細に説明する。
【００１９】
ベース１０及びカバー２０の外周面に沿って貼付されたシールテープ３０において、下部弾性絶縁層３１を挟んで対向する金属層３２とベース１０及びカバー２０を平行平板コンデンサとして考えると、誘電率ε、金属層３２の表面積Ｓ、及び、金属層３２からベース１０及びカバー２０までの距離（下部弾性絶縁層３１の厚さ）ｄ１としたとき、金属層３２−ベース１０及びカバー２０間に生じる静電容量Ｃ１は、次式（１）により与えられる。
Ｃ１＝ε・Ｓ／ｄ１                                  ・・・（１）
【００２０】
次に、シールテープ剥離作業による静電容量変化及び電圧変化について考えてみる。シールテープ３０を剥がす際には、該シールテープ３０の下部弾性絶縁層３１に剥離帯電が生じ、この剥離帯電により金属層３２に電荷が誘導されると推測される。この剥離帯電により生じる帯電量をＱとすると、金属層３２−ベース１０及びカバー２０間の電圧Ｖ１は、次式（２）により与えられる。
Ｖ１＝Ｑ／（Ｃ１＋Ｃｆ）                            ・・・（２）
但し、Ｃｆ；浮遊容量である。
このとき、シールテープ３０の全長Ｌ、剥離距離ｘとすると、金属層３２−ベース１０及びカバー２０間の静電容量Ｃ１は、次式（３）で表される。
Ｃ１＝（ε・Ｓ（１−ｘ／Ｌ））／ｄ１                ・・・（３）
式（３）から明らかなように、シールテープ剥離作業により剥離距離ｘが大きくなれば、金属層３２−ベース１０及びカバー２０間の静電容量Ｃ１は減少する。
【００２１】
ここで、上部弾性絶縁層３３を挟んで対向する金属層３２と導電層３４についても平行平板コンデンサとして考えると、金属層３２から導電層３４までの距離（上部弾性絶縁層３３の厚さ）ｄ２としたとき、導電層３４が接地されている場合に金属層３２−導電層３４間に生じる静電容量Ｃ２は、次式（４）により与えられる。
Ｃ２＝ε・Ｓ／ｄ２                                  ・・・（４）
【００２２】
従って、金属層３２−ベース１０及びカバー２０間の電圧Ｖは、次式（５）により与えられる。
Ｖ＝Ｑ／（Ｃ１＋Ｃ２＋Ｃｆ）                        ・・・（５）
【００２３】
シールテープ３０を完全に剥離すると、その剥離距離ｘはシールテープ３０の全長Ｌに等しくなるから、金属層３２−ベース１０及びカバー２０間の静電容量Ｃ１＝０となり、金属層３２−ベース１０及びカバー２０間の電圧Ｖは、次式（６）で表される。
Ｖ＝Ｑ／（Ｃ２＋Ｃｆ）                              ・・・（６）
ここで、金属層３２−導電層３４間の静電容量Ｃ２は浮遊容量Ｃｆに比べて非常に大きく（Ｃ２＞＞Ｃｆ）、式（６）において浮遊容量Ｃｆは無視できる程度である。したがって、式（６）からも明らかなように、金属層３２−ベース１０及びカバー２０間の電圧Ｖは金属層３２−導電層３４間の静電容量Ｃ２に依存し、この静電容量Ｃ２が大きくなるほど電圧Ｖは小さくなることが分かる。
【００２４】
一方、上部弾性絶縁層３３の上に導電層３４が存在していない場合、また、導電層３４が接地されていない場合において、シールテープ３０を完全に剥離すると、その剥離距離ｘはシールテープ３０の全長Ｌに等しくなるから、金属層３２−ベース１０及びカバー２０間の静電容量Ｃ１＝０となり、金属層３２−ベース１０及びカバー２０間の電圧Ｖ'は、次式（７）により与えられる。
Ｖ'＝Ｑ／（Ｃｆ）                                  ・・・（７）
上述したように浮遊容量Ｃｆは非常に小さいため、式（７）から明らかなように、金属層３２−ベース１０及びカバー２０間の電圧Ｖ'は非常に大きくなる。このように金属層３２−ベース１０及びカバー２０間の電圧Ｖ'が大きくなると、下部弾性絶縁層３１の絶縁破壊が生じ、金属層３２−ベース１０及びカバー２０間で静電放電が生じる可能性が大きくなってしまう。
【００２５】
上述した、上部弾性絶縁層３３の上に導電層３４が存在し、且つ、シールテープ剥離作業時に導電層３４が接地されている場合と、上部弾性絶縁層３３の上に導電層３４が存在していない場合または導電層３４が接地されていない場合とにおいて、シールテープ３０を完全に剥離したときの金属層３２−ベース１０及びカバー２０間の電圧Ｖ、Ｖ'を比べてみると、その電圧比Ｖ：Ｖ'は、式（８）により与えられる。
Ｖ：Ｖ'＝（Ｑ／（Ｃ２＋Ｃｆ））：（Ｑ／Ｃｆ）                  
＝１：（Ｃ２／Ｃｆ＋１）                    ・・・（８）
【００２６】
上記式（８）からも明らかなように、上部弾性絶縁層３３の上に導電層３４が存在し、且つ、シールテープ剥離作業時に導電層３４が接地されている場合には、上部弾性絶縁層３３の上に導電層３４が存在していない場合または導電層３４が存在していても接地されていない場合に比べて、金属層３２−ベース１０及びカバー２０間の電圧は非常に小さく、シールテープ剥離に伴う金属層３２−ベース１０及びカバー２０間の電圧増加を抑制することができる。シールテープ剥離に伴う金属層３２−ベース１０及びカバー２０間の電圧増加が抑えられれば、該金属層３２−ベース１０及びカバー２０間で静電気放電は生じず、シールテープ剥離作業中のＨＤＡの素子部ダメージを回避できる。
【００２７】
以上の本実施形態では、ポリオキシエチレン系界面活性剤またはアニオン・カチオン系界面活性剤により形成された帯電防止層、または、例えばカーボン、金属繊維等の導電材料を混入した樹脂材料により形成された導電樹脂層を導電層３４として用いているが、導電層３４を、金属材料により形成することは勿論可能である。但し、導電層３４を金属材料により形成する場合には、腐食などによる耐久性を考慮する必要がある。
【００２８】
また本実施形態では、上部弾性絶縁層３３の厚さを下部弾性絶縁層３１の厚さよりも薄く設定しているが、上部弾性絶縁層３３及び下部弾性絶縁層３１の厚さは適宜設定してもよい。本実施形態のように上部弾性絶縁層３３の厚さをより薄くすれば金属層３２−導電層３４間の静電容量Ｃ２が大きくなり、下部弾性絶縁層３１の厚さをより厚くすれば該下部弾性絶縁層３１の絶縁耐圧が上がるので、シールテープ剥離に伴う金属層３２−ベース１０及びカバー２０間の電圧増加をより抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本発明を適用した磁気ディスク装置のＨＤＡを示す外観図である。
【図２】（Ａ）シールテープの構成を示す断面図である。（Ｂ）シールテープの上面図である。
【図３】シールテープ剥離作業を説明する断面図である。
【符号の説明】
【００３０】
１０  ベース
２０  カバー
３０  シールテープ
３１  下部弾性絶縁層
３１ａ  絶縁性粘着層
３１ｂ  絶縁性樹脂層
３２  金属層
３３  上部弾性絶縁層
３４  導電層
【図１】
2008071413.tif 000003
【図２】
2008071413.tif 000004
【図３】
2008071413.tif 000005