(57)【要約】【課題】電極パッドとバンプの接続の信頼性が良好である半導体装置を製造する。【解決手段】半導体基板を第１の温度に昇温し、当該半導体基板に形成された複数の電極パッドに複数のバンプを順次仮接合する第１の工程と、前記半導体基板を前記第１の温度より高い第２の温度に昇温して、前記第１の工程で仮接合された複数の前記電極パッドと複数の前記バンプを実質的に接合する第２の工程と、前記半導体基板を個片化する第３の工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。【選択図】図３
2008016668.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板を第１の温度に昇温し、当該半導体基板に形成された複数の電極パッドに複数のバンプを順次仮接合する第１の工程と、
前記半導体基板を前記第１の温度より高い第２の温度に昇温して、前記第１の工程で仮接合された複数の前記電極パッドと複数の前記バンプを実質的に接合する第２の工程と、
前記半導体基板を個片化する第３の工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記電極パッドと前記バンプは異なる金属よりなり、前記第２の工程では当該電極パッドと当該バンプの間に形成される金属間化合物を成長させることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記バンプはＡｕよりなり、前記電極パッドはＡｌよりなることを特徴とする請求項２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記第１の温度は４０℃乃至１２０℃であり、前記第２の温度は、１５０℃乃至２５０℃であることを特徴とする請求項３記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電極パッドにバンプが設置されてなる構造を有する半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置を製造する場合、半導体基板に形成された電極パッド上に、いわゆるバンプと呼ばれる接続端子を形成し、バンプを用いて実装基板などの接続対象と電気的に接続される方法がとられる場合がある。
【０００３】
上記のバンプの形成方法の一つとして、例えばワイヤーボンダーを用いて電極パッド上にバンプを形成する方法がある。ワイヤーボンダーを用いてバンプを形成する場合には、例えば以下のようにして行う。
【０００４】
まず、半導体基板を加熱し、次に、バンプを形成するための金属線の先端に放電を生じさせ、さらにキャピラリーと呼ばれるツールで金属線の表面を電極パッドにおしつけ、金属線を引きちぎることでバンプを形成することができる。
【特許文献１】特開平６−２３２１３１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、半導体装置を形成する場合には、１つの半導体基板を用いて数十個〜数千個の複数の半導体チップが形成されることが一般的であり、また１個の半導体チップについても多数の電極パッド（バンプ）が形成されることが通常である。
【０００６】
このため、半導体基板上のすべての電極パッドにバンプを形成するためには、非常に多くの時間を費やすことになる。例えば、１秒間に２０個のバンプを形成するとして、１つの半導体チップに電極パッドが１０８個あり、また１つの半導体基板（ウェハ）あたり３３００個の半導体チップが形成されるとすると、半導体基板はバンプ形成のボンディングのために、およそ５時間加熱され続ける必要がある。すなわち、最初に形成されたバンプは、およそ５時間加熱され続けることになる。
【０００７】
ボンディング後のバンプが加熱され続けると、電極パッドとバンプの間に形成される金属間化合物が成長し、大きくなりすぎてしまう懸念がある。金属間化合物は脆弱であるために、金属間化合物が成長しすぎると電極パッドとバンプの接合力（密着力）が弱くなり、接合の信頼性が低下してしまう問題があった。
【０００８】
また、上記の特許文献１（特開平６−２３２１３１号広報）には、電極パッドとバンプの接合部が長時間加熱されることを防止するために、半導体基板を局所的に加熱する装置（方法）が開示されている。
【０００９】
しかし、上記の局所的な加熱のためには、加熱機構の構造が複雑になってしまう問題があった。さらに、当該加熱機構をボンディングに合わせて走査する必要があるため、ワイヤーボンダーの構造が複雑になって製造コストが増大してしまい、半導体装置の量産を鑑みると上記の方法は現実的ではない。
【００１０】
そこで、本発明では、上記の問題を解決した、新規で有用な半導体装置の製造方法を提供することを統括的課題としている。
【００１１】
本発明の具体的な課題は、電極パッドとバンプの接続の信頼性が良好である半導体装置を製造することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明は、上記の課題を、半導体基板を第１の温度に昇温し、当該半導体基板に形成された複数の電極パッドに複数のバンプを順次仮接合する第１の工程と、前記半導体基板を前記第１の温度より高い第２の温度に昇温して、前記第１の工程で仮接合された複数の前記電極パッドと複数の前記バンプを実質的に接合する第２の工程と、前記半導体基板を個片化する第３の工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法により、解決する。
【００１３】
本発明によれば、電極パッドとバンプの接続の信頼性が良好である半導体装置を製造することが可能となる。
【００１４】
また、前記電極パッドと前記バンプは異なる金属よりなり、前記第２の工程では当該電極パッドと当該バンプの間に形成される金属間化合物を成長させると、良好な信頼性で前記電極パッドと前記バンプを接合することが可能となる。
【００１５】
また、前記バンプはＡｕよりなり、前記電極パッドはＡｌよりなるように構成してもよい。
【００１６】
また、前記第１の温度は４０℃乃至１２０℃であり、前記第２の温度は、１５０℃乃至２５０℃であると、電極パッドとバンプの接続の信頼性がさらに良好となる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、電極パッドとバンプの接続の信頼性が良好である半導体装置を製造することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
次に、本発明の実施の形態について、図面に基づき説明する。
【実施例１】
【００１９】
本実施例による半導体装置の製造方法は、半導体基板を第１の温度に昇温し、当該半導体基板に形成された複数の電極パッドに複数のバンプを順次仮接合する第１の工程と、前記半導体基板を前記第１の温度より高い第２の温度に昇温して、前記第１の工程で仮接合された複数の前記電極パッドと複数の前記バンプを実質的に接合する第２の工程と、前記半導体基板を個片化する第３の工程と、を有することを特徴としている。
【００２０】
すなわち、本実施例においては、電極パッドとバンプを仮接合することが可能な程度の低温で半導体基板を加熱し、複数の電極パッドと複数のバンプの仮接合を一旦完了させている。この後、仮接合した複数の電極パッドと複数のバンプを同時に加熱することにより、電極パッドとバンプの間に形成される金属間化合物を成長させ、電極パッドとバンプの実質的な接合を行っていることが特徴である。
【００２１】
従来の半導体装置の製造方法では、半導体基板を接合可能な温度に加熱したまたま、多数の電極パッドとバンプを順次接合するため、接合部が加熱されている時間が長くなってしまう問題があった。
【００２２】
図１Ａ〜図１Ｃは、電極パッドにバンプを形成する方法を模式的に示した図である。ただし、以下の図では先に説明した部分には同一の符号を付し、説明を省略する場合がある。まず、図１Ａに示す工程では、半導体基板（Ｓｉ基板）１１を２００℃程度に加熱し、半導体基板上に形成された、Ａｌよりなる電極パッド１２上に、ワイヤボンディングにより、Ａｕよりなるバンプ１３を形成する。なお、電極パッド１２の周囲には、絶縁層（保護膜）１５が形成されている。
【００２３】
この場合、バンプを形成するための金属線（Ａｕ線）の先端に放電を生じさせ、さらにキャピラリーと呼ばれるツールで金属線の表面を電極パッドにおしつけ、金属線を引きちぎることでバンプを形成する。また、金属線を電極パッドにおしつける場合には、所定の加重を加えるとともに、キャピラリーを介して金属線に超音波を加えると良好に接合を行うことが可能となる。
【００２４】
この場合、異なる金属材料よりなる電極パッド１２とバンプ１３の間には金属間化合物１４が形成され、金属間化合物１４によって電極パッド１２とバンプ１３が実質的に接合される。
【００２５】
しかし、図１Ａの状態で、半導体基板を通常のボンディングに必要な程度の温度（例えば２００℃程度）とする加熱が続けられると、例えば図１Ｂ、図１Ｃに示すように、金属間化合物１４が占める領域が時間経過とともに大きくなってしまう。
【００２６】
図２Ａは、先に説明した電極パッド１１上にバンプ１３を形成した後、バンプ１３の上部を除去して接合状態を調べた写真である。この場合、半導体基板の温度（半導体基板を保持する保持台の温度）は２３０℃としてボンディングを行っている。
【００２７】
図２Ａを参照するに、電極パッド１２とバンプ１３の間には、金属間化合物１４が形成されていることがわかる。
【００２８】
また、図２Ｂは、図２Ａに示したバンプ形成の後で、さらに半導体基板を２３０℃で５時間加熱し、その後でバンプ１３の上部を除去して接合状態を調べた写真である。
【００２９】
図２Ｂを参照するに、電極パッド１２とバンプ１３の間の金属間化合物１４は、図２Ａの場合に比べて著しく成長していることがわかる。金属間化合物は脆弱であるために、金属間化合物が成長しすぎると電極パッド１２とバンプ１３の接合力（密着力）が弱くなり、接合の信頼性が低下してしまう問題があった。
【００３０】
本実施例においては、図２Ｂに示したような金属間化合物の過剰な成長を抑制し、電極パッドとバンプの接続の信頼性を良好とすることが可能となっている。
【００３１】
図３は本発明の実施例１による半導体装置の製造方法を示すフローチャートであり、図４Ａ〜図４Ｇは、本発明の実施例１による半導体装置の製造方法を手順を追って模式的に示した図である。ただし、以下の図中では先に説明した部分には同一の符号を付し、説明を省略する場合がある。
【００３２】
まず、図３のステップ１（図中Ｓ１と表記、以下同じ）は、図４Ａに対応している。また、図４Ａでは、図の右側に、図の左側の領域Ａの拡大を図を示している。
【００３３】
本工程においては、例えば、半導体デバイスが形成された半導体基板（Ｓｉ基板）１０１を第１の温度に昇温し、半導体基板１０１に形成された複数の電極パッド１０２に、それぞれ複数のバンプ１０３を順次仮接合する。
【００３４】
この場合、半導体基板１０１には、後の工程において個片化されて複数の半導体チップになる複数の領域が格子状に形成されており、さらに各々の格子状の領域には複数のＡｌよりなる電極パッド１０２が形成されている。上記の仮接合は、例えば、図４Ａに矢印で示したように、半導体基板の面内において順次行われる。
【００３５】
本工程においては、先に説明した図１Ａの工程と同様にして、ワイヤーボンダーを用いてバンプを形成するためのＡｕ線の先端に放電を生じさせ、さらにキャピラリーでＡｕ線の表面を電極パッド１０２におしつけ、Ａｕ線を引きちぎることでＡｕよりなるバンプ１０３を形成する。また、Ａｕ線を電極パッド１０２におしつける場合には、所定の加重を加えるとともに、キャピラリーを介してＡｕ線に超音波を加えると良好に接合を行うことが可能となる。
【００３６】
本工程では、半導体基板１０１を、実質的な接合が行われる温度より低い第１の温度に加熱し、Ａｌよりなる電極パッド１０２上にワイヤボンディングにより、Ａｕよりなるバンプ１０３を形成していることが特徴である。
【００３７】
例えば、電極パッド１０２がＡｌよりなり、バンプ１０３がＡｕよりなる場合、上記の第１の温度は、４０℃乃至１２０℃とされることが好ましい。上記の温度領域においては、電極パッド１０２とバンプ１０３との間に、仮接合することが可能な程度の僅かな金属間化合物が形成される。
【００３８】
この場合の仮接合とは、通常の電極パッドとバンプの密着力としては十分ではないが、例えば、半導体基板の走査や移動などではずれが生じない程度に接着されていることを意味している。
【００３９】
また、本工程において電極パッド１０２とバンプ１０３が仮接合されたまま長時間（数時間程度）維持される温度は、通常のボンディング時より低い温度（第１の温度）であるため、金属間化合物の成長が実質的に進行せず、最小限に抑制される。
【００４０】
次に、図３のステップ２の工程を実施する。図４Ｂは、当該ステップ２に対応しており、図４Ａの断面図である。また、半導体基板１０１は、図４Ａでは図示を省略した、加熱手段を含む保持台Ｓに保持されている。
【００４１】
本工程においては、半導体基板１０１を、前記第１の温度より高い第２の温度に昇温して、先のステップ１で仮接合された複数の電極パッド１０２と複数のバンプ１０３を実質的に接合する。すなわち、本工程では電極パッド１０２とバンプ１０３の間に形成される金属間化合物を成長させ、電極パッド１０２とバンプ１０３とが十分な密着力を有するようにされる。
【００４２】
例えば、上記の第２の温度は、電極パッド１０２がＡｌよりなり、バンプ１０３がＡｕよりなる場合、１５０℃乃至２５０℃とされることが好ましい。上記の温度領域においては、電極パッド１０２とバンプ１０３との間に、十分な密着力が形成される程度に金属間化合物が形成される。
【００４３】
従来の半導体装置の製造方法では、本ステップに対応する程度の加熱を行いながら、多数の電極パッドとバンプの接合を順次行っていたため、初期に接合された電極パッドとバンプは接合後に余剰に加熱されることになり、金属間化合物が成長しすぎて密着力が小さくなる場合があった。また、半導体基板の面内で、接合後の熱履歴が異なるために、電極パッドとバンプの密着力にばらつきが生じてしまう懸念があった。
【００４４】
一方で本実施例の場合には、実質的な接合が行われるための加熱時間は、すべての電極パッドとバンプにおいて実質的に同じであることが特徴である。このため、金属間化合物の余剰な成長が抑制され、電極パッドとバンプの密着力が良好となるとともに、電極パッドとバンプの密着力のばらつきが抑制される。
【００４５】
次に、図３のステップ３の工程を実施する。図４Ｃは、当該ステップ３に対応している。本工程においては、半導体基板１０１が、例えばダイシングによって個片化される。この結果、半導体基板１０１の電極パッドにバンプが接合されてなる、半導体装置１００が形成される。
【００４６】
また、必要に応じて、ステップ４（図４Ｄ〜図４Ｇ）の工程を実施して、半導体装置のパッケージングなどを施すようにしてもよい。
【００４７】
例えば、図４Ｄ〜図４Ｅに示すように、半導体装置１００を、電極パッド（図示せず）が形成された配線基板２０１にフリップチップ実装し、さらに半導体装置１００と配線基板２０１の間にアンダーフィル２０２を浸透させてもよい。このようにして、配線基板２０１に半導体装置１００が実装されてなる構造（半導体装置）を構成することができる。
【００４８】
さらに、図４Ｆ〜図４Ｇに示すように、図４Ｅの構造をマザーボード３０１に実装してもよい。この場合、図４Ｆに示すように、配線基板２０１に半田ボール２０３を形成した後、図４Ｇに示すように、半田ボール２０３がマザーボード３０１の電極パッド（図示せず）に接続されるように実装すればよい。
【００４９】
また、上記のパッケージング工程においては、電極パッド１０２とバンプ１０３が加熱される工程が多数存在する。例えば、電極パッド１０２とバンプ１０３は、図４Ｄのフリップチップボンディング工程では２５０℃程度、図４Ｅのアンダーフィルのキュア処理では１５０乃至１７０℃程度、図４Ｆの半田ボール２０３の形成では２５０℃程度、図４Ｇの実装（リフロー）では２５０℃程度とされる。
【００５０】
本実施例による製造方法で製造される半導体装置１００においては、電極パッド１０２とバンプ１０３の接合部分の金属間化合物の余剰な成長が抑制されており、かつ、複数の接合部分の金属間化合物の成長の差が抑制されているため、上記の加熱を伴うパッケージング工程においても、安定に密着力を保持することが可能となっている。また、電極パッド１０２とバンプ１０３の密着力のばらつきが小さいため、上記のパッケージング工程を経た後においても、実装の信頼性が良好に維持される。
【００５１】
また、上記の実施例においては、電極パッドがＡｌ、バンプ（ボンディングワイヤ）がＡｕよりなる場合を例にとって説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、電極パッドは、Ｎｉ、Ｐｄなどの他の金属材料により覆われていてもよい。すなわち、電極パッドは積層構造であってもよい。
【００５２】
また、バンプはＡｕに限定されず、Ａｇなど他の低抵抗の金属材料により構成されてもよい。また、半導体基板はＳｉ以外の材料（ＳｉＧｅ、ＧａＡｓなど）よりなるものを用いてもよい。
【００５３】
以上、本発明を好ましい実施例について説明したが、本発明は上記の特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した要旨内において様々な変形・変更が可能である。
【産業上の利用可能性】
【００５４】
本発明によれば、電極パッドとバンプの接続の信頼性が良好である半導体装置を製造することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１Ａ】バンプと電極パッドの接合状態を示す図（その１）である。
【図１Ｂ】バンプと電極パッドの接合状態を示す図（その２）である。
【図１Ｃ】バンプと電極パッドの接合状態を示す図（その３）である。
【図２Ａ】金属間化合物の形成状態を示す写真（その１）である。
【図２Ｂ】金属間化合物の形成状態を示す写真（その２）である。
【図３】実施例１による半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。
【図４Ａ】実施例１による半導体装置の製造方法を示す図（その１）である。
【図４Ｂ】実施例１による半導体装置の製造方法を示す図（その２）である。
【図４Ｃ】実施例１による半導体装置の製造方法を示す図（その３）である。
【図４Ｄ】実施例１による半導体装置の製造方法を示す図（その４）である。
【図４Ｅ】実施例１による半導体装置の製造方法を示す図（その５）である。
【図４Ｆ】実施例１による半導体装置の製造方法を示す図（その６）である。
【図４Ｇ】実施例１による半導体装置の製造方法を示す図（その７）である。
【符号の説明】
【００５６】
１１，１０１  半導体基板
１２，１０２  電極パッド
１３，１０３  バンプ
１４  金属間化合物
１５  絶縁層
２０１，３０１  基板
２０２  アンダーフィル
２０３  バンプ
【図１Ａ】
2008016668.tif 000003
【図１Ｂ】
2008016668.tif 000004
【図１Ｃ】
2008016668.tif 000005
【図３】
2008016668.tif 000006
【図４Ａ】
2008016668.tif 000007
【図４Ｂ】
2008016668.tif 000008
【図４Ｃ】
2008016668.tif 000009
【図４Ｄ】
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【図４Ｅ】
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【図４Ｆ】
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【図４Ｇ】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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