(57)【要約】      （修正有）【課題】基板の表面及び内部の転位を検出できる基板の評価方法を提供する。【解決手段】単結晶基板上１０に形成された成長層（エピ層）１２の表面をアルカリエッチングし、前記成長層の表面に第１のエッチピットを形成する工程と、異方性ドライエッチングにより前記成長層の一部又は全部を除去し、表出した観察面に第１のエッチピット１４を転写する工程と、前記観察面をアルカリエッチングし、第２のエッチピット１６を形成する工程と、を備え、前記観察面に形成された第１のエッチピット１４と第２のエッチピット１６とにより、基板１０の表面及び内部に存在する転位を検出する基板１０の評価方法である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
単結晶基板上に形成された成長層の表面をアルカリエッチングし、前記成長層の表面に第１のエッチピットを形成する工程と、
異方性ドライエッチングにより前記成長層の一部又は全部を除去し、表出した観察面に第１のエッチピットを転写する工程と、
前記観察面をアルカリエッチングし、第２のエッチピットを形成する工程と、を備え、
前記観察面に形成された第１のエッチピットと第２のエッチピットとにより、基板の表面及び内部に存在する転位を検出する基板の評価方法。
【請求項２】
前記観察面に形成された第１のエッチピットと第２のエッチピットの数を検出することにより、基板の表面及び内部に存在する転位の数を検出することを特徴とする請求項１に記載の基板の評価方法。
【請求項３】
前記観察面に形成された第１のエッチピットと第２のエッチピットとの位置関係を検出することにより、転位の伝播の状態を検出することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の基板の評価方法。
【請求項４】
同条件のアルカリエッチングを施すことによって形成された第１のエッチピットと第２のエッチピットの位置関係を検出することにより、観察面から成長層の表面まで伝播した貫通転位を判別し、
判別された１つの貫通転位に起因する第１のエッチピットの底頂部と第２のエッチピットの底頂部の位置を検出し、
検出した第１のエッチピットの底頂部と第２のエッチピットの底頂部の間の水平方向の距離と、異方性ドライエッチングによって除去した深さとから、貫通転位の角度を求めることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の基板の評価方法。
【請求項５】
単結晶基板が、炭化珪素単結晶基板であることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の基板の評価方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の評価方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
これまでの炭化珪素単結晶基板の評価方法には、溶融水酸化カリウムを用いたアルカリエッチングによって評価する方法がある。
この方法では、基板に転位が存在すると、その転位部分では結晶性が悪いために選択的にエッチングされてエッチピットが形成することを利用し、形成されたエッチピットの形状を観察したり、エッチピットの数を数え上げたりすることで、基板に含まれる転位を評価することができる（例えば、非特許文献１参照。）。
【非特許文献１】R.yakimova et al, 「Perferential etching of SiC crystals」, Diamond and Related Materials 6(1997)1456-1458
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、上記の方法では、結晶最表面に現れている転位はエッチピットとして出現するが、結晶内部の転位については、正確に確認することができない。そのため、転位の数などが目標値以下であるとして品質をクリアした基板であっても、基板内部に存在する転位によって、実際には目標とする品質でない基板の可能性がある。
【０００４】
また、上記の方法では、基板内における転位の伝播の様子については評価することができない。
例えば、結晶成長においては、圧力変動や温度分布などの結晶成長条件や、結晶の表面処理状態などによって、転位が増加したり、逆に減少したり、或いは、転位の種類が転換したりする。その原因を推定するには、結晶成長方向において、転位がどのように変異しているのか、連続的に追跡する必要がある。
【０００５】
本発明の課題は、かかる従来の問題を解決するためになされたもので、基板の表面及び内部の転位を検出できる基板の評価方法を提供することである。
また、転位の伝播の様子を確認できる基板の評価方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
アルカリエッチングは、一般に表面の化学ポテンシャルが他の部位に比べて高いところで選択的にエッチングされる。このため、転位の存在する周辺部分などひずみが存在する部分が、選択的にエッチングされる。これにより、転位が存在する基板にアルカリエッチングを施すことによって、転位部分にエッチピットと呼ばれる凹部が形成される。このエッチピットの数を確認すれば、転位の存在を把握することができる。
【０００７】
しかし、アルカリエッチングは、結晶最表面に露出している転位が起点となり進行するので、結晶最表面に存在する転位については確認することができるが、結晶内部に存在する転位については、確認することができない。
例えば、結晶内部に存在する転位についても、アルカリエッチングによってエッチピットを形成して確認しようとすると、連続で長時間エッチングを行うことになり、その結果、エッチング初期に表れたエッチピットのサイズが巨大化し、エッチング面がエッチング初期に発生したエッチピットによって大きく荒れてしまう。したがって、この方法によって結晶内部の転位を観察することは殆ど不可能である。
【０００８】
また、アルカリエッチングによって、エッチング初期のエッチピットを観察した後、次に観察したい結晶内部が最表面に表出するまで機械研磨し、その面を再度アルカリエッチングすることによって、結晶内部の転位を確認する方法では、研磨厚さを精密に制御する非常に緻密な機械研磨技術が要求される。また、機械研磨後の最表面は、表面ひずみの少ない鏡面の状態に磨き上げないと、研磨歪みを起点としたエッチピットを新たに発生させる原因となる。更に、結晶成長過程における転位伝播を比較するためには、完全に同じ観察位置を正確に同定する必要がある。
これらの状況を勘案すると、機械研磨を用いるこの方法では、個々の作業工程が複雑であり、且つ繰り返し工程を必要とするため、作業性が低下する。
【０００９】
更には、結晶内部の転位を評価するその他の方法としては、放射光によるＸ線トポグラフィなどを用いる方法も考えられるが、専用の大型測定装置を必要とし、定常的な評価手法には向かない。
【００１０】
そこで、請求項１に記載の単結晶基板を評価方法では、単結晶基板上に形成された成長層の表面をアルカリエッチングし、前記成長層の表面に第１のエッチピットを形成する工程と、異方性ドライエッチングにより前記成長層の一部又は全部を除去し、表出した観察面に第１のエッチピットを転写する工程と、前記観察面をアルカリエッチングし、第２のエッチピットを形成する工程と、を備え、前記観察面に形成された第１のエッチピットと第２のエッチピットとにより、基板の表面及び内部に存在する転位を検出する。
【００１１】
請求項１に記載の単結晶基板の評価方法では、まず、成長層の最表面に存在する転位を検出するために、アルカリエッチングを行って第１のエッチピットを形成する。次に、異方性ドライエッチングを施し成長層の一部又は全部を除去し、観察面を表出させる。このとき、ドライエッチングとして異方性ドライエッチングを採用するので、第１のエッチピットの位置及び形状が、略そのまま観察面に転写された形で形成される。その後、異方性ドライエッチングにより表出した観察面の表面をアルカリエッチングして第２のエッチピットを形成すると、観察面には、第１のエッチピットと第２のエッチピットが存在することとなる。
観察面に形成された第１のエッチピットと第２のエッチピットを電子顕微鏡などで観察することで、成長層表面と基板内部（成長層内部を含む。以下同様。）とに存在する転位を検出することができる。
【００１２】
なお、異方性ドライエッチングは、エッチング速度を予め測定しておくなどの方法によって、エッチング深さを制御することが容易であるので、観察面を正確に表出させることができる。
【００１３】
したがって、請求項１に記載の発明によれば、基板表面及び基板内部に存在する転位を正確に確認することができる。
【００１４】
請求項２に記載の発明は、前記観察面に形成された第１のエッチピットと第２のエッチピットの数を検出することにより、基板の表面及び内部に存在する転位の数を検出することを特徴とする請求項１に記載の基板の評価方法である。
【００１５】
請求項１に記載の各工程を経て、形成された第１のエッチピットと第２のエッチピットの数を検出することによって、基板表面のみならず、基板内部に存在する転位の数を検出することができる。
【００１６】
請求項３に記載の発明は、前記観察面に形成された第１のエッチピットと第２のエッチピットとの位置関係を検出することにより、転位の伝播の状態を検出することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の基板の評価方法である。
【００１７】
本発明では、成長層（エピ層）表面に転位が存在すれば、第１のエッチピットが形成され、この第１のエッチピットは異方性ドライエッチングによって、観察面に略同一の形状及び位置に転写（形成）される。更に、異方性ドライエッチングにより表出した観察面に対して２回目のアルカリエッチングを行うと、観察面において転位が存在すれば観察面に第２のエッチピットが形成される。
【００１８】
ここで、第１のエッチピットが形成され、且つ第２のエッチピットも形成されている場合には、観察面に存在する転位が成長層表面にまで伝播していることがわかる。一方で、第１のエッチピットが形成されているが、第２のエッチピットが形成されていない場合には、観察面と最表層の間のいずれかの部分から新たに転位が発生していることがわかる。逆に、第１のエッチピットは形成されていないが、第２のエッチピットが形成されている場合には、観察面に存在した転位が、成長層表面まで伝播せず消滅していることがわかる。
また、第１のエッチピットと第２のエッチピットの位置関係が、結晶面のオフ角度から予想されるものと大きくずれている場合には、転位の種類が伝播の途中で変異しているか、転位の成長方向が変化している、ということがわかる。
【００１９】
このように、請求項３に記載の発明によれば、転位の伝播の状態を正確に検出することができる。
【００２０】
請求項４に記載の発明は、同条件のアルカリエッチングを施すことによって形成された第１のエッチピットと第２のエッチピットの位置関係を検出することにより、単結晶基板から成長層の表面まで伝播した貫通転位を判別し、判別された１つの貫通転位に起因する第１のエッチピットの底頂部と第２のエッチピットの底頂部の位置を検出し、検出した第１のエッチピットの底頂部と第２のエッチピットの底頂部の間の水平方向の距離と、異方性ドライエッチングによって除去した深さとから、貫通転位の角度を求めることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の基板の評価方法である。
【００２１】
基板に発生する転位の角度は、基板のオフ角度と等しいことが多いが、圧力変動や温度分布などの結晶成長条件や、結晶の表面処理状態などによって、必ずしも同じであると断定することはできない。したがって、正確な転位の角度を評価することが望まれる。
本発明の基板の評価方法では、第１のエッチピットと第２のエッチピットを形成する際のアルカリエッチングを同条件とすれば、転位に沿ってエッチピットが形成されるため正確な転位の角度を確認することができる。
【００２２】
請求項５に記載の発明は、前記単結晶基板が、炭化珪素単結晶基板であることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の基板の評価方法である。
【００２３】
本発明の基板の評価方法は、炭化珪素単結晶基板にも適用することができ、炭化珪素単結晶基板の転位の伝播の様子や、転位の数、或いは転位角度を正確に把握することができる。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、基板の表面及び内部の転位を検出でき、また転位の伝播の様子を確認することのできる基板の評価方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
本発明の基板の評価方法は、単結晶基板上に形成された成長層（以下「エピ層」と称する場合がある。）の表面をアルカリエッチングし、前記成長層の表面に第１のエッチピットを形成する工程と、異方性ドライエッチングにより前記成長層の一部又は全部を除去し、表出した観察面に第１のエッチピットを転写する工程と、前記観察面をアルカリエッチングし、第２のエッチピットを形成する工程と、を備え、基板の表面及び内部に存在する転位を検出する。
以下、図１を参照しながら、本発明の基板２０の評価方法を説明する。
【００２６】
図１（Ａ）に示すように転位の種類は、タイプ（ａ）〜（ｅ）の５種類に大きく分けることができる。
タイプ（ａ）の転位は、単結晶基板１０に存在していた転位が成長層（エピ層）１２でもそのまま角度を変えずに伝播しているものである。タイプ（ｂ）の転位は、単結晶基板１０には転位が存在していなかったのに、エピ層１２では転位が発生しているものである。タイプ（ｃ）の転位は、単結晶基板１０に存在していた転位がエピ層１２では消滅しているものである。タイプ（ｄ）の転位は、単結晶基板１０に存在していた転位がエピ層１２では種類を変化させて伝播しているものである。タイプ（ｅ）の転位は、単結晶基板１０に存在していた転位がエピ層１２では進展方向を変化させて伝播しているものである。
【００２７】
図１（Ｂ）に示すように、エピ層１２表面にアルカリエッチングを施し、形成されたエッチピットの形状を観察すれば、エピ層１２表面に存在する転位を評価することができるので、タイプ（ｃ）以外の転位については、転位の数を数えることはできる。しかし、結晶内部に存在するタイプ（ｃ）の転位については、存在を確認することができない。また、タイプ（ｂ）〜（ｅ）の転位については、単結晶基板に存在していた転位とは性質を変えているのにもかかわらず、転位の伝播の様子を確認することができない。
【００２８】
そこで本発明では、図１（Ｂ）に示すように単結晶基板１０上に形成された成長層１２の表面をアルカリエッチングし、前記成長層の表面に第１のエッチピット１４を形成した後に、図１（Ｃ）に示すように異方性ドライエッチングを施し、成長層の一部又は全部を除去して、表出した観察面に第１のエッチピット１４を転写する。なお、図１（Ｃ）では、異方性ドライエッチングによって成長層（エピ層）１２の全部を除去して、単結晶基板１０を表出させている。その後、図１（Ｄ）に示すように、異方性ドライエッチングによって表出された観察面（図１では単結晶基板）を再度アルカリエッチングし、第２のエッチピット１６を形成する。
【００２９】
得られた第１のエッチピット１４と第２のエッチピット１６を確認することで、成長層１２の表面のみならず、基板２０の内部に存在する転位を検出することができる。詳しくは、第１のエッチピットと第２のエッチピットの数を検出することにより、基板２０の表面及び内部に存在する転位の数を検出することができ、第１のエッチピット１４と第２のエッチピット１６の位置関係を検出することにより、転位の伝播の状態を検出することができる。更に、検出した第１のエッチピット１４の底頂部Ａ１と第２のエッチピット１６の底頂部Ａ２の間の水平方向の距離Ａと、異方性ドライエッチングによって除去した深さＢとから、貫通転位の角度を求めることができる。
以下では、本発明の基板の評価方法の各工程について、詳細に説明する。
【００３０】
−エッチピット形成工程−
図１（Ｂ）に示すように、転位を含む第１の単結晶基板１０の表面に、アルカリエッチングを施し、エッチピット１４を形成する。転位部は結晶性が悪いために選択的にエッチングされるので、エッチピット１４が形成される。
なお、本発明ではオフ角度を有している単結晶基板に適用することができる。
【００３１】
形成するエッチピット径は、エッチピットが形成されたことが確認できれば特に限定されないが、０．５μｍ〜５μｍであることが、異なるエッチピットが複数重なり合いにくく、個々の転位の数や種類を正確に判別し易いとの観点から好ましく、０．５μｍ〜２．０μｍであることがより好ましい。
アルカリエッチングの条件としては、例えば、炭化珪素単結晶を溶融した水酸化カリウムでエッチングする場合には、４２０℃〜４９０℃程度で行うことが好ましい。珪素単結晶を水酸化カリウム水溶液でエッチングする場合には、６０℃〜１１０℃程度で行うことが好ましい。
【００３２】
エッチングの時間は、所望のエッチピット径に合わせて、また単結晶の種類やエッチング温度などの条件に応じて、適宜調節することが好ましい。
また、アルカリに浸漬した後は、超純水で充分に洗浄し、乾燥する。
【００３３】
−異方性ドライエッチング−
図１（Ｃ）に示すように異方性ドライエッチングを施し、成長層１２の一部又は全部を除去して、表出した観察面に第１のエッチピット１４を転写する。異方性ドライエッチングでは、基板の水平面では垂直方向へのエッチングが進行するのに対し、垂直面ではエッチングが抑制され、結果として垂直方向のトレンチが実現できる。このとき、表面にエッチピット１４のような窪みが存在すると、この面から一様に削り取られるため、異方性ドライエッチング後の面には、エッチピット１４が転写される。
なお、図１（Ｃ）では成長層１２の全部を除去して、単結晶基板１０表面を表出させているが、成長層１２の一部のみを除去して、成長層中の転位の伝播の様子を観察することもできる。
【００３４】
異方性ドライエッチングとしては、ＥＣＲ（電子サイクロトロン共鳴）放電、ＨＷＰ（ヘリコン波プラズマ）放電、ＲＩＥ（反応性イオンエッチング）、ＩＣＰ（高密度誘導型プラズマ）など、方法については制限無く適用することができるが、異方性ドライエッチング後の観察面の表面が粗いと、次工程で２回目のアルカリエッチングを行う際に、凹凸を起点にエッチピットを発生させ得るので、ドライエッチングの条件を適宜調節し、エッチング面を平滑にすることが望ましい。
【００３５】
具体的には、ドライエッチング条件は、エッチピット径が拡大し難く、エッチング後の表面荒れが少なくなるような条件となるように調節することが望ましい。
例えば、炭化珪素の基板を異方性ドライエッチングする場合には、ＳＦ６ガス、を用いることが、エッチピット径が拡大し難く、エッチング後の表面荒れが少なくなるとの観点から好ましく、更に、圧力、バイアス電圧などの条件を調節することが好ましい。
【００３６】
−２回目のアルカリエッチング−
図１（Ｄ）に示すように、異方性ドライエッチングによって表出された観察面（図１（Ｃ）では単結晶基板）を再度アルカリエッチングし、第２のエッチピット１６を形成する。
第２のエッチピット１６を形成する際のアルカリエッチング条件は、第１のアルカリエッチングの条件と異なる条件であってもよいが、下記に説明するように転位の角度を測定する場合には、第１のアルカリエッチング条件（温度、時間、アルカリ濃度）と同条件にする必要がある。
【００３７】
−検出−
図１（Ｄ）に示すように、観察面には、第１のエッチピット１４と第２のエッチピット１６が形成されている。したがって、エッチピットの総数を数え上げることによって、成長層表面に存在する転位の数だけでなく、基板内部に存在する転位の数も確認することができる。その結果、転位の数などが目標値以下であるとして品質をクリアした基板については、高い信頼性をもって取り扱うことができる。
【００３８】
また、観察面に形成された第１のエッチピット１４と第２のエッチピット１６の位置関係を検出することにより、転位の伝播の状態を検出することができる。
例えば、観察面に第１のエッチピット１４が形成され、且つ第２のエッチピット１６も形成されている場合には、観察面に存在する転位が成長層１２表面にまで伝播していることがわかり、タイプ（ａ）の転位であることが確認できる。一方で、第１のエッチピット１４が形成されているが、第２のエッチピット１６が形成されていない場合には、成長層１２の途中で新たに転位が発生していることがわかり、タイプ（ｂ）の転位であることが確認できる。逆に、第１のエッチピット１４は形成されていないが、第２のエッチピット１６が形成されている場合には、観察面に存在した転位が、成長層１２表面まで伝播せず消滅していることがわかり、タイプ（ｃ）の転位であることが確認できる。
また、第１のエッチピット１４と第２のエッチピット１６の位置関係が、結晶面のオフ角度から予想されるものと大きくずれている場合には、転位の種類が伝播の途中で変異しているタイプ（ｄ）の転位であるか、転位の成長方向が変化しているタイプ（ｅ）の転位であることがわかる。このとき第２のエッチピット１６の形成位置が、予想されるエッチピット形状と同じであるが距離が異なる場合にはタイプ（ｅ）であり、予想されるエッチピット形状と異なるのであればタイプ（ｄ）である。
このように、観察面に形成された第１のエッチピット１４と第２のエッチピット１６の位置関係と形状を検出することにより、転位の伝播の状態を検出できる。
【００３９】
更に、観察面に形成された第１のエッチピット１４と第２のエッチピット１６の位置関係を検出することにより、転位の角度を正確に測定することができる。その方法について、図２を参照しながら説明する。
まず、観察面に形成された第１のエッチピット１４と第２のエッチピット１６の位置関係を検出することによって単結晶基板１０から成長層１２の表面まで伝播した貫通転位を判別する。次に、判別された１つの貫通転位に起因する第１のエッチピット１４の底頂部Ａ１と第２のエッチピット１６の底頂部Ａ２の位置を検出し、検出した第１のエッチピット１４の底頂部Ａ１と第２のエッチピット１６の底頂部Ａ２の間の水平方向の距離Ａを測定する。更に、異方性ドライエッチングによって除去した深さＢを確認する。
第１のエッチピット１４と第２のエッチピット１６を形成する際のアルカリエッチングを同条件とすることで、第１のエッチピットの深さと第２のエッチピットの深さが同じになるので、異方性ドライエッチングによって除去した深さＢを用い、図２に示すように、貫通転位の角度θを、ｔａｎθ＝（Ａ／Ｂ）（すなわち、θ＝ｔａｎ−１（Ａ／Ｂ））から正確に求めることができる。
このように、本発明の方法であれば、貫通転位が螺旋転位であっても、その角度を正確に確認することができる。
【００４０】
図１に示した基板２０の評価方法の手順を示したのが図３である。
【００４１】
−その他の工程−
図１（Ａ）では、転位のタイプを５種類挙げたが、このような転位のタイプのほかに、成長層１２の途中で転位が消滅する場合や、成長層１２の途中で転位が新たに発生する場合などもある。そのため、積層方向において、成長層を細分化し、異方性ドライエッチングとアルカリエッチングとを繰り返し行うことで、転位の伝播の様子や転位の変異の様子を連続的に追跡することも重要である。
このように転位の様子を連続的に追跡するには、除去したエピ層の断面を観察面とし、その観察面に２回目のアルカリエッチングを施し、さらに、異方性ドライエッチングで成長層の一部を除去して、３回目のアルカリエッチングを施す、というように、異方性ドライエッチングとアルカリエッチングとを繰り返し行う。
この方法についての手順を図４に示す。
【実施例】
【００４２】
以下に実施例を挙げて本発明をさらに具体的に説明する。以下の実施例に示す材料、試薬、物質量とその割合、操作等は本発明の主旨から逸脱しない限り適宜変更することができる。従って本発明の範囲は以下の具体例に制限されるものではない。
【００４３】
［実施例１］
使用したＳｉＣ基板は、ｎ型４Ｈ−ＳｉＣで、８°のオフ角を有する（０００１）面の２インチウェハである。このＳｉＣ基板は厚さが３５０μｍであり、このＳｉＣ基板の表面に５μｍのＳｉＣのエピタキシャル層を形成した。
基板の不純物密度は、５×１０１８ｃｍ−３であり、エピタキシャル層の不純物密度は、１×１０１６ｃｍ−３であった。
【００４４】
＜アルカリエッチング＞
溶融ＫＯＨに、上記エピ層を形成したＳｉＣ基板を４９０℃で１分間浸漬し、エッチングを行い、エッチピットを形成した。浸漬後、超純水で充分に超音波洗浄し、乾燥した。      
【００４５】
＜異方性ドライエッチング＞
引き続き、融合結合型（ＩＣＰ）ＲＩＥにより、表面層を除去した。エッチングにはＳＦ６ガスを用いた。以下のエッチング条件で行った。
・ガス流量：７ｓｓｃｍ
・圧力：０．１Ｐａ
・バイアス電圧：５０Ｗ
・ステージ温度：常温（２０℃）
【００４６】
このときのエッチング速度は１５０ｎｍ／分であった。上記条件下で、４０分間エッチングを行い、エピ層の全部を除去した。
【００４７】
＜２回目のアルカリエッチング＞
溶融ＫＯＨに、エピ層を除去したＳｉＣ基板を４９０℃で１分間浸漬し、エッチングを行い、エッチピットを形成した。浸漬後、超純水で充分に超音波洗浄し、乾燥した。
【００４８】
＜転位の評価＞
光学顕微鏡にて、２回のアルカリエッチングを施した試料の表面を観察した。その結果を、図５に示す。この試料では、転位の上記タイプ（ａ）と（ｃ）が存在することが明らかとなり、１回目のアルカリエッチングで形成されたエッチピットと、２回目のアルカリエッチングにより形成されたエッチピットを明確に判別することができた。
詳細には、図５に示す光学顕微鏡写真では、転位の数が１５個確認され、そのうち、タイプ（ａ）の転位は１４個、タイプ（ｃ）の転位は１個であった。タイプ（ｂ）、（ｄ）、（ｅ）の転位は確認されなかった。
【００４９】
更に、タイプ（ａ）の転位（貫通転位）について転位の角度を求めるため、第１のエッチピットの底頂部と第２のエッチピットの底頂部の間の水平方向の距離Ａを、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）によって確認したところ、８５０ｎｍであった。また、異方性ドライエッチングによって除去した膜厚Ｂは６０００ｎｍであった。その結果、タイプ（ａ）の貫通転位の角度は、ｔａｎθ＝（８５０／６０００）から、θ＝８．０６°であることが判明した。
【００５０】
［比較例１］
実施例１と同様のＳｉＣ基板を用いて、実施例１と同様の条件でアルカリエッチングを行い、その後、超純水で充分に超音波洗浄し、乾燥した。しかしながら、その後の異方性ドライエッチング及び２回目のアルカリエッチングは行わなかった。
【００５１】
アルカリエッチング後の基板表面を実施例１と同様の方法によって観察した。その様子を図６に示す。
図６に示す光学顕微鏡写真では、転位の数が全部で２０個確認されたが、転位のタイプを分類することはできなかった。また基板表面に表出していないタイプ（ｃ）の転位が存在するかについては確認することができなかった。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明の基板の評価方法の工程を説明する図であり、（Ａ）は基板に存在する転位の種類を説明する図であり、（Ｂ）は１回目のアルカリエッチングを施した後の基板の様子を示す図であり、（Ｃ）は異方性ドライエッチングを施した後の基板の様子を示す図であり、（Ｄ）は２回目のアルカリエッチングを施した後の基板の様子を示す図である。
【図２】本発明の基板の評価方法において、転位角度の測定を説明する図である。
【図３】本発明の基板の評価方法の手順について一例を示した図である。
【図４】本発明の基板の評価方法の手順について他の一例を示した図である。
【図５】実施例１において、得られた試料の表面を観察したときの光学顕微鏡写真である。
【図６】比較例１において、得られた試料の表面を観察したときの光学顕微鏡写真である。
【符号の説明】
【００５３】
１０    単結晶基板
１２    成長層（エピ層）
１４    第１のエッチピット
１６    第２のエッチピット
２０    基板
【図１】
2008028178.tif 000003
【図２】
2008028178.tif 000004
【図３】
2008028178.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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