(57)【要約】  【課題】ウエハ上の薄膜の有無や種類や厚さに関わらず一定の処理を施す。  【解決手段】複数段のサセプタ電極５０を処理室３２内に所定の間隔を置いて配置し、各サセプタ電極５０に高周波電力を交流電源６１によって供給してプラズマ６０を生成し、各サセプタ電極５０に載置したウエハ１をプラズマ処理するバッチ式プラズマ処理装置において、各サセプタ電極５０の表面に１００００Åの厚さの酸化シリコン膜５１を形成する。サセプタ電極のプラズマをウエハに付随する薄膜の有無や種類や厚さにかかわらず一定に生成することができるので、バッチ間の成膜レートや面内膜厚分布を互いに等しくできる。  【選択図】図４
2008311555.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理基板を載置するサセプタ電極を複数段、処理室内に所定の間隔を置いて配置し、前記各段のサセプタ電極に電力をフィーダによってそれぞれ供給してプラズマを生成し、前記各段のサセプタ電極に載置した前記被処理基板をプラズマ処理する基板処理装置であって、
前記各段のサセプタ電極には前記被処理基板のインピーダンスの変動を吸収する膜厚の絶縁膜が形成されていることを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理装置に関し、例えば、半導体集積回路装置（以下、ＩＣという。）が作り込まれる半導体ウエハ（以下、ウエハという。）にプラズマ処理を施すのに利用して有効なものに関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣの製造方法においてウエハにプラズマ処理を施すプラズマ処理装置は、プラズマ固有の性質を生かした加工技術の実現により、今や産業界に不可欠な半導体製造装置として重要度が増している。
特に、ウエハ上に金属膜や絶縁膜および半導体膜を堆積するプラズマ促進化学気相堆積（plasma  enhanced chemical vapor deposition：ＰＥＣＶＤ）法を使用したプラズマ装置は、ＩＣの製造方法に広く使用されている。
プロセスガスを活性化する能力として、電子温度１ｅＶが約１００００℃の温度に相当することからも判るように、プラズマ中では比較的低温度で化学反応プロセスを進行させることができる。
【０００３】
ＰＥＣＶＤ法を使用したプラズマ処理装置の一つに、特許文献１に開示されたものがある。
これは、ウエハを１枚ずつ載置するサセプタ電極を複数段処理室内に所定の間隔を置いて配置し、各段のサセプタ電極に電力をフィーダによってそれぞれ供給してプラズマを生成し、各段のサセプタ電極に載置したウエハをプラズマ処理するバッチ式プラズマ処理装置である。
【特許文献１】特開２００６−４９３６７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
前記したバッチ式プラズマ処理装置においては、希弗酸洗浄等によって自然酸化膜を予め除去したシリコンウエハや、前工程にて酸化膜や窒化膜および金属膜等の薄膜を予め形成したウエハを処理するが、それらの薄膜の有無や種類や厚さによっては、高周波電力を供給してプラズマを生成する際のインピーダンスが変化するために、成膜レートや膜厚分布が変わってしまう。
【０００５】
本発明の目的は、被処理基板上の薄膜の有無や種類および厚さに関わらず安定した処理を施すことができる基板処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本願において開示される発明のうち代表的なものは、次の通りである。
（１）被処理基板を載置するサセプタ電極を複数段、処理室内に所定の間隔を置いて配置し、前記各段のサセプタ電極に電力をフィーダによってそれぞれ供給してプラズマを生成し、前記各段のサセプタ電極に載置した前記被処理基板をプラズマ処理する基板処理装置であって、
前記各段のサセプタ電極には前記被処理基板のインピーダンスの変動を吸収する膜厚の絶縁膜が形成されていることを特徴とする基板処理装置。
（２）前記絶縁膜の膜厚は、１００００Å程度である基板処理装置。
【発明の効果】
【０００７】
前記（１）によれば、被処理基板上の薄膜の有無や種類および厚さの変動によるインピーダンスは、サセプタ電極表面に形成された絶縁膜によって吸収することができるので、処理レートや処理分布を均一化することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下、本発明の一実施の形態を図面に即して説明する。
【０００９】
本実施の形態において、本発明に係る基板処理装置は、ＩＣの製造方法において、ウエハに各種のプラズマ処理を施すバッチ式縦形ホットウオール形プラズマ処理装置（以下、バッチ式プラズマ処理装置という。）として構成されている。
なお、本実施の形態においては、便宜上、一回のバッチ処理のウエハの枚数が１０枚の場合について説明しているが、実際上は５枚〜１５０枚程度のバッチを取り扱うことができるものとする。
【００１０】
図１および図２に示されているように、本実施の形態に係るバッチ式プラズマ処理装置１０においては、被処理基板であるウエハ１を収納して搬送するためのウエハキャリアとしては、ＦＯＵＰ（以下、ポッドという。）２が使用されている。
本実施の形態に係るバッチ式プラズマ処理装置１０は筐体１１を備えている。
筐体１１の正面壁１１ａの正面前方部にはメンテナンス可能なように設けられた開口部としての正面メンテナンス口１２が開設され、この正面メンテナンス口１２を開閉する正面メンテナンス扉１３、１３がそれぞれ建て付けられている。
筐体１１の正面壁１１ａにはポッド搬入搬出口１４が筐体１１の内外を連通するように開設されており、ポッド搬入搬出口１４はフロントシャッタ１５によって開閉されるようになっている。    
ポッド搬入搬出口１４の正面前方側にはロードポート１６が設置されており、ロードポート１６はポッド２を載置されて位置合わせするように構成されている。
ポッド２はロードポート１６上に工程内搬送装置（図示せず）によって搬入され、かつまた、ロードポート１６上から搬出されるようになっている。
【００１１】
筐体１１内の前後方向の略中央部における上部には、回転式ポッド棚１７が設置されており、回転式ポッド棚１７は複数個のポッド２を保管するように構成されている。
すなわち、回転式ポッド棚１７は垂直に立設され水平面内で間欠回転される支柱１７ａと、支柱１７ａに上中下段の各位置において放射状に支持された複数枚の棚板１７ｂとを備えており、複数枚の棚板１７ｂはポッド２を複数個宛それぞれ載置した状態で保持するように構成されている。
筐体１１内におけるロードポート１６と回転式ポッド棚１７との間には、ポッド搬送装置１８が設置されている。ポッド搬送装置１８はポッド２を保持したまま昇降可能なポッドエレベータ１８ａとポッド搬送機構１８ｂとで構成されている。
ポッド搬送装置１８はポッドエレベータ１８ａとポッド搬送機構１８ｂとの連続動作により、ロードポート１６と回転式ポッド棚１７とポッドオープナ１９との間でポッド２を搬送するように構成されている。
【００１２】
ポッドオープナ１９はポッド２を載置する載置台１９ａと、ポッド２のキャップを着脱するキャップ着脱機構１９ｂとを備えている。ポッドオープナ１９は載置台１９ａに載置されたポッド２のキャップをキャップ着脱機構１９ｂによって着脱することにより、ポッド２のウエハ出し入れ口を開閉するように構成されている。
筐体１１内の前後方向の略中央部における下部には、サブ筐体２０が後端にわたって構築されている。サブ筐体２０の正面壁２０ａにはウエハ１をサブ筐体２０内に対して搬入搬出するためのウエハ搬入搬出口２１が一対、垂直方向に上下二段に並べられて開設されており、上下段のウエハ搬入搬出口２１、２１には一対のポッドオープナ１９、１９がそれぞれ設置されている。
【００１３】
サブ筐体２０はポッド搬送装置１８や回転式ポッド棚１７の設置空間から流体的に隔絶された移載室２２を構成している。移載室２２の前側領域にはウエハ移載機構２３が設置されている。
ウエハ移載機構２３はウエハ１を水平面内において回転ないし直動可能なウエハ移載装置２３ａと、ウエハ移載装置２３ａを昇降させるためのウエハ移載装置エレベータ２３ｂとで構成されている。
図１に想像線で示されているように、ウエハ移載装置エレベータ２３ｂはサブ筐体２０の移載室２２の前方領域右端部に設置されている。
ウエハ移載装置エレベータ２３ｂおよびウエハ移載装置２３ａの連続動作により、ウエハ移載装置２３ａのツィーザホルダに保持されたツィーザ２３ｃを後記するボートに対してウエハ１を装填（チャージング）および脱装（ディスチャージング）するように構成されている。
【００１４】
移載室２２の後側領域にはボートを待機させる待機部２６が構成されている。
移載室２２のウエハ移載装置エレベータ２３ｂ側と反対側である左側端部には、供給フアンおよび防塵フィルタによって構成されたクリーンユニット２７が設置されている。クリーンユニット２７は清浄化した雰囲気（空気）もしくは不活性ガスであるクリーンエア（清浄気体）２８を供給するように構成されている。
図示はしないが、ウエハ移載装置２３ａとクリーンユニット２７との間には、ウエハの円周方向の位置を整合させるノッチ合わせ装置が設置されている。
クリーンユニット２７から吹き出されたクリーンエア２８は、ノッチ合わせ装置およびウエハ移載装置２３ａ、待機部２６にあるボートに流通された後に、図示しないダクトにより吸い込まれて、筐体１１の外部に排気されるか、もしくはクリーンユニット２７の吸い込み側である一次側（供給側）にまで循環され、再び、クリーンユニット２７によって、移載室２２内に吹き出される。
【００１５】
筐体１１の後側上部には処理炉３０が垂直に設置されている。
図３に示されているように、処理炉３０は処理室３２を形成するプロセスチューブ３１を備えている。プロセスチューブ３１は石英等の誘電体が使用されて一端開口で他端閉塞の円筒形状に形成されており、プロセスチューブ３１は中心線が垂直になるように縦に配されて固定的に支持されている。
プロセスチューブ３１の筒中空部は複数枚のウエハ１が収容される処理室３２を形成しており、プロセスチューブ３１の内径は取り扱うウエハ１の最大外径よりも大きくなるように設定されている。
【００１６】
プロセスチューブ３１の下端面にはマニホールド３３が当接されており、マニホールド３３は誘電体が使用されて上下両端部に径方向外向きに突出したフランジを有する円筒形状に形成されている。プロセスチューブ３１についての保守点検作業や清掃作業のために、マニホールド３３はプロセスチューブ３１に着脱自在に取り付けられている。
そして、マニホールド３３が筐体１１に支持されることにより、プロセスチューブ３１は垂直に据え付けられた状態になっている。
マニホールド３３の下端開口はウエハ１を出し入れするための炉口３４を形成している。炉口３４は通常時には炉口シャッタ３５によって閉塞されるようになっている。
【００１７】
マニホールド３３の側壁には排気管３６の一端が接続されており、排気管３６は他端が排気装置（図示せず）に接続されて処理室３２を排気し得るように構成されている。
マニホールド３３の排気管３６と異なる位置（図示例では１８０度反対側の位置）には、処理ガスを供給するためのガス供給管３７が垂直に立脚されており、ガス供給管３７は誘電体が使用されて細長い円形のパイプ形状に形成されている。
ガス供給管３７には複数個の吹出口３８が垂直方向に並べられて開設されている。吹出口３８の個数は処理すべきウエハ１の枚数に一致されており、各吹出口３８の高さの位置は上下で隣合うウエハ１、１間の空間に対向するようにそれぞれ設定されている。
【００１８】
プロセスチューブ３１の外部には処理室３２を全体にわたって均一に加熱するためのヒータ３９が、プロセスチューブ３１の周囲を包囲するように同心円に設備されており、ヒータ３９は筐体１１の上に垂直に据え付けられた状態になっている。
【００１９】
図１に示されているように、筐体１１内における処理炉３０の真下近傍にはボートエレベータ４０が設置されており、図２および図３に示されているように、ボートエレベータ４０のアーム４１には、処理に際して炉口３４を閉塞するシールキャップ４２が水平に支持されている。
シールキャップ４２はマニホールド３３の外径と略等しい円盤形状に形成されており、ボートエレベータ４０によって上昇されることにより、炉口３４を気密シールして閉塞するように構成されている。
【００２０】
シールキャップ４２の上には複数枚のウエハ１を保持して処理室３２に搬入搬出するボート４３が、垂直に立脚されて支持されている。
ボート４３は上下で一対の端板４４、４５と、両端板４４、４５間に架設されて垂直に配設された４本の保持柱４６とを備えている。
４本の保持柱４６は２本ずつが左右に分けられて配置されており、左右の保持柱４６、４６の間隔はウエハ１の直径より大きく設定されている。
保持柱４６は後記するサセプタ電極に電力を供給するフィーダを兼用するように構成されている。各保持柱（以下、電極支柱という。）４６は、ウエハ１の金属汚染源とならない導電性を有する材料としての炭化シリコン（ＳｉＣ）が使用されて形成されている。
【００２１】
各電極支柱４６にはサセプタ電極５０が複数段（本実施の形態では１１段）、上下方向に等間隔に配置されて水平に保持されている。
上下で隣り合うサセプタ電極５０、５０の間隔（ピッチ）は、ウエハ移載装置２３ａのツィーザ２３ｃによるウエハ１の受け渡しに必要な寸法と、後述するプラズマ処理の作用とを考慮して定められている。
【００２２】
図４（ａ）に示されているように、上下で隣り合うサセプタ電極５０、５０間には、交流電力を印加する交流電源６１が整合器６２を介して電気的に接続されており、各サセプタ電極５０、５０はそれぞれ並列に接続されている。
交流電力としては、数ｋＨｚの低周波数から１３．５６ＭＨｚ等の高周波数の交流電源が使用される。
【００２３】
サセプタ電極５０はウエハ１を金属汚染させない導電性を有する材料としてのシリコン（Ｓｉ）が使用されて円形の平板形状に形成されており、外径はウエハ１の外径よりも大きめに設定されている。
図４（ｂ）に示されているように、サセプタ電極５０の表面には絶縁膜としての酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）膜５１が均一に形成されており、酸化シリコン膜５１の厚さは、被処理基板であるウエハのインピーダンスの変動を吸収し得る厚み、例えば１００００Å程度に設定されている。
なお、電極支柱４６の材料としては、サセプタ電極５０に対応してシリコンを用いてもよい。
【００２４】
次に、前記構成に係るバッチ式プラズマ処理装置１０の作用を説明する。
ポッド２がロードポート１６に供給されると、ポッド搬入搬出口１４がフロントシャッタ１５によって開放される。
ポッド２は回転式ポッド棚１７の指定された棚位置へ、ポッド搬送装置１８によって自動的に搬送されて受け渡される。
【００２５】
一時的に保管された後、ポッド２は回転式ポッド棚１７からポッド搬送装置１８によってポッドオープナ１９の載置台１９ａに搬送される。
載置台１９ａに載置されたポッド２はキャップ着脱機構１９ｂによってキャップを外され開放される。
ポッド２が開放されると、ウエハ移載装置２３ａは５枚のツィーザ２３ｃによってポッド２内の５枚のウエハ１をポッド２のウエハ出し入れ口を通じて一度にピックアップし、ウエハ１をポッド２内からボート４３に搬送し、５枚のウエハ１を５枚のツィーザ２３ｃからボート４３の５段のサセプタ電極５０の上に一度に移載する。
【００２６】
以上のようにして、５枚のウエハ１を５段のサセプタ電極５０の上に一度に移載すると、ウエハ移載装置２３ａはツィーザ２３ｃをポッド２に戻し、次回の５枚のウエハ１を５枚のツィーザ２３ｃによって一度にピックアップする。
ウエハ移載装置２３ａは以上の作動を繰り返すことによって、最下段（本実施の形態においては、１１段目）までのサセプタ電極５０群の上にウエハ１を５枚ずつ順次に移載して行く。
なお、最後に、ウエハ１が残った場合には、独立して移動可能なツィーザ２３ｃを使用することにより、必要なウエハ１をサセプタ電極５０に移載する。
【００２７】
所定の段のサセプタ電極５０の上にウエハ１が移載されたボート４３はボートエレベータ４０によって上昇されて、図５に示されているように、処理炉３０の処理室３２に搬入（ボートローディング）される。
ボート４３が上限に達すると、シールキャップ４２が炉口３４をシール状態に閉塞するために、処理室３２は気密に閉じられた状態になる。
気密に閉じられると、処理室３２は排気管３６によって排気され、ヒータ３９によって所定の温度（例えば、８００℃程度）に加熱される。
この際、ヒータ３９がホットウオール形構造であることにより、処理室３２の温度は全体にわたって均一に維持された状態になるために、ボート４３に保持されたウエハ１群の温度分布は全長にわたって均一になるとともに、各ウエハ１の面内の温度分布も均一かつ同一になる。
【００２８】
処理室３２内の温度が予め設定された値に達して安定した後に、処理ガス４８が処理室３２内にガス供給管３７から供給されて、処理室３２内の圧力が予め設定された値に達すると、各段のサセプタ電極５０には、それぞれ１８０度位相が異なる交流電力が交流電源６１や整合器６２によって印加される。
【００２９】
図４に示されているように、サセプタ電極５０のウエハ１のアクティブエリア側を向く表面である下面には、全体にわたって均一で平坦なプラズマ６０が生成される。この際、サセプタ電極５０の下面は平面を確保されているので、サセプタ電極５０の下面には全体にわたって均一なプラズマが生成される。
この全体にわたって均一で平坦なプラズマ６０は、ウエハ１のアクティブエリア側に生成されているために、ウエハ１のアクティブエリア側の主面にはプラズマ処理が全面にわたって均一に施される。
【００３０】
ガス供給管３７に供給された処理ガス４８は各吹出口３８から各段のウエハ１の上方空間にそれぞれ吹き出して、各サセプタ電極５０の下面に生成されたプラズマ６０により、反応が活性な状態になる。
各段のサセプタ電極５０で活性化した粒子（以下、活性粒子という。）は、各段のサセプタ電極５０の上に載置されたウエハ１のアクティブエリア側の主面に接触し、ウエハ１にプラズマ処理を施す。
この際、前述した通りに、ウエハ１の温度分布がボート４３の全長かつウエハ面内で均一に維持されており、均一で平坦なプラズマ６０による活性粒子のウエハ１との接触分布が各段のウエハ１同士で同等かつ各段のウエハ１のウエハ面内で均一の状態になるため、活性粒子のプラズマ反応によるウエハ１におけるプラズマ処理状況は各段のウエハ１同士で、かつ、各段のウエハ１のウエハ面内において均一な状態になる。
【００３１】
予め設定された処理時間が経過すると、処理ガス４８の供給、ヒータ３９の加熱、交流電力の印加および排気管３６の排気等が停止された後、ボートエレベータ４０によってシールキャップ４２が下降されることにより、炉口３４が開口されるとともに、ボート４３が炉口３４から処理室３２の外部に搬出（ボートアンローディング）される。
【００３２】
処理室３２の外部に搬出されたウエハ１は、前述したウエハ移載装置２３ａの作動とは逆の手順により、ポッド２内に収納される。
以上の作動が繰り返されることにより、複数枚のウエハ１がバッチ処理される。
【００３３】
ところで、例えば、希弗酸洗浄等によって自然酸化膜が除去されたウエハ（以下、ベアウエハという。）と、前工程において金属膜を形成されたウエハ（パターン付きウエハという。）とでは、平行平板電極間でのウエハ１のインピーダンスは相違する。
前述したプラズマ処理においては、平行平板電極である上下のサセプタ電極５０、５０間にウエハ１が配置されることにより、プラズマ６０の生成状況はウエハ１のインピーダンスに影響されるために、ベアウエハのバッチに対するプラズマ６０による成膜レートや面内膜厚分布と、パターン付きウエハのバッチに対するプラズマ６０による成膜レートや面内膜厚分布とは、相違する。
【００３４】
本実施の形態においては、ベアウエハのインピーダンスとパターン付きウエハのインピーダンスとの相違に惑わされない程度の厚さである１００００Åの厚さの酸化シリコン膜５１がサセプタ電極５０の表面に形成されていることにより、プラズマ６０の生成状況はベアウエハとパターン付きウエハとの間で均等になるために、ベアウエハのバッチに対するプラズマ６０による成膜レートや面内膜厚分布と、パターン付きウエハのバッチに対するプラズマ６０による成膜レートや面内膜厚分布とは殆ど等しくなる。
換言すれば、サセプタ電極５０の表面に形成された１００００Åの酸化シリコン膜５１のインピーダンスは、ベアウエハのインピーダンスとパターン付きウエハのインピーダンスとの相違を吸収するため、プラズマ６０の生成状況はベアウエハとパターン付きウエハとの間で均等になる。
言うまでもなく、サセプタ電極５０の表面に形成された１００００Åの酸化シリコン膜５１は、ベアウエハのインピーダンスとパターン付きウエハのインピーダンスとの相違に限らず、プラズマ処理の対象となるウエハ１に付随する薄膜によるインピーダンスの値を無視することができる程度のインピーダンスを生じさせ、薄膜の有無や種類や厚さによらず、バッチ相互間において一定したプラズマ処理（例えば、プラズマ酸化、プラズマ窒化、ＢＩＯ）を施すことができる。
【００３５】
前記実施の形態によれば、次の効果が得られる。
【００３６】
（１）サセプタ電極の表面に酸化シリコン膜を形成することにより、サセプタ電極間の放電によるプラズマをプラズマ処理の対象となるウエハに付随する薄膜の有無や種類や厚さにかかわらず一定に生成することができるので、バッチ間の成膜レートや面内膜厚分布を互いに等しくさせることができる。
【００３７】
（２）サセプタ電極の表面に形成する酸化シリコン膜の厚さを１００００Å程度に設定することにより、プラズマ処理の対象となるウエハに付随する薄膜によるインピーダンスの値を無視することができる程度のインピーダンスを生じさせることでできるので、薄膜の有無や種類や厚さによらず、バッチ相互間において一定したプラズマ処理を施すことができる。
【００３８】
なお、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。
【００３９】
例えば、ウエハの表面に形成する絶縁膜は、酸化シリコン膜に限らず、窒化シリコン膜等の絶縁膜であってもよい。
【００４０】
サセプタ電極に電力を供給するフィーダは、ボートの保持柱に兼用させるように構成するに限らず、保持柱から独立させて形成してもよい。
【００４１】
本発明に係るバッチ式プラズマ処理装置は、プラズマＣＶＤやドライエッチング等のプラズマ処理全般に使用することができる。
【００４２】
また、被処理基板はウエハに限らず、ホトマスクやプリント配線基板、液晶パネル、コンパクトディスクおよび磁気ディスク等であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明の一実施の形態であるバッチ式プラズマ処理装置を示す一部省略斜視図である。
【図２】その側面断面図である。
【図３】処理炉を示す正面断面図である。
【図４】（ａ）は交流電力の供給回路を示す回路図、（ｂ）は（ａ）のｂ部の拡大断面図である。
【図５】プラズマ処理ステップを示す一部省略正面断面図である。
【符号の説明】
【００４４】
１…ウエハ（基板）、２…ポッド、
１０…バッチ式プラズマ処理装置（基板処理装置）、１１…筐体、１２…正面メンテナンス口、１３…正面メンテナンス扉、１４…ポッド搬入搬出口、１５…フロントシャッタ、１６…ロードポート、
１７…回転式ポッド棚、１８…ポッド搬送装置、１８ａ…ポッドエレベータ、１８ｂ…ポッド搬送機構、１９…ポッドオープナ、１９ａ…載置台、１９ｂ…キャップ着脱機構、
２０…サブ筐体、２１…ウエハ搬入搬出口、２２…移載室、
２３…ウエハ移載機構、２３ａ…ウエハ移載装置、２３ｂ…ウエハ移載装置エレベータ、２３ｃ…ツィーザ、
２６…待機室、２７…クリーンユニット、２８…クリーンエア、
３０…処理炉、３１…プロセスチューブ、３２…処理室、３３…マニホールド、３４…炉口、３５…炉口シャッタ、３６…排気管、３７…ガス供給管、３８…吹出口、３９…ヒータ、
４０…ボートエレベータ、４１…アーム、４２…シールキャップ、
４３…ボート（搬送治具）、４４、４５…端板、４６…電極支柱、４８…処理ガス、
５０…サセプタ電極、５１…酸化シリコン膜（絶縁膜）、
６０…プラズマ、６１…交流電源、６２…整合器。
【図１】
2008311555.tif 000003
【図２】
2008311555.tif 000004
【図３】
2008311555.tif 000005
【図４】
2008311555.tif 000006
【図５】
2008311555.tif 000007