(57)【要約】【課題】大きな偏角を得ることができ、かつコストを抑えた電気光学素子及び走査型光学装置を提供すること。【解決手段】電気光学素子１は、少なくとも一部が、印加された電圧により屈折率分布が生じる誘電体結晶からなる光学素子１３と、該光学素子１３の一方の面１３ａ及び一方の面１３ａの反対の他方の面１３ｂに配置された電極１１，１２とを備え、光学素子１３の射出端面１４は、一方の面１３ａ及び他方の面１３ｂと垂直ではない角度をなしていることを特徴とする。【選択図】図１
2008040089.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一部が、印加された電圧により屈折率分布が生じる誘電体結晶からなる光学素子と、
該光学素子の一方の面及び一方の面の反対の他方の面それぞれに配置された電極とを備え、
前記光学素子の射出端面は、前記一方の面及び他方の面と垂直ではない角度をなしていることを特徴とする電気光学素子。
【請求項２】
前記光学素子のすべてが誘電体結晶からなることを特徴とする請求項１に記載の電気光学素子。
【請求項３】
前記射出端面が切削加工により形成されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の電気光学素子。
【請求項４】
前記光学素子が、前記一方の面及び他方の面に対して垂直である射出端面からなる誘電体結晶と、
前記誘電体結晶から射出された光が入射され射出端面が前記一方の面及び他方の面と垂直ではない角度をなすとともに、光透過性を有する光学部材とからなることを特徴とする請求項１に記載の電気光学素子。
【請求項５】
前記誘電体結晶がＫＴａ１−ｘＮｂｘＯ3の組成を有することを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の電気光学素子。
【請求項６】
前記光学素子の射出端面が、前記一方の面から前記光学素子の内部に向かって傾斜する第１傾斜面と、前記他方の面から前記光学素子の内部に向かって傾斜する第２傾斜面とからなり、
前記第１電極と前記第２電極との間に生じる電界の向きに応じて、前記光学素子の内部を進行する光は第１傾斜面あるいは第２傾斜面から射出されることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の電気光学素子。
【請求項７】
前記第１電極及び前記第２電極は、前記光学素子の射出端面を含む領域以外に設けられていることを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の電気光学素子。
【請求項８】
光を射出する光源装置と、
該光源装置から射出した光を被投射面に向けて走査する走査手段とを備え、
該走査手段が、請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の電気光学素子を有することを特徴とする走査型光学装置。
【請求項９】
前記電気光学素子が、水平走査を行うことを特徴とする請求項８に記載の走査型光学装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学素子及び走査型光学装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の投射型画像表示装置では、光源として超高圧水銀ランプなどの放電ランプが用いられるのが一般的である。しかし、このような放電ランプは、寿命が比較的短い、瞬時点灯が難しい、色再現性範囲が狭い、ランプから放射された紫外線が液晶ライトバルブを劣化させてしまうことがある等の課題がある。そこで、このような放電ランプの代わりに、単色光を照射するレーザ光源を用いた投射型画像表示装置が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
このようなレーザ光を用いた投射型画像表示装置としては、走査手段（スキャナ）を利用したレーザスキャン型の画像表示装置がある。そして、レーザスキャン型の画像表示装置に用いられる走査手段には、高速走査と大きな偏角との両立が要求されている。特に、ＶＧＡ（Video  Graphics  Array）やＸＧＡ（Extended  Graphics  Array），ＨＤＴＶ（High  Definition  Television）等の表示には数十ｋＨｚの走査速度でレーザ光を走査する必要がある。そこで、偏角が１５°〜３０°が見込めるという理由で、走査手段として共振型のＭＥＭＳ（Micro  Electro  Mechanical  Systems）スキャナを用いた画像表示装置が一般的である。
【特許文献１】特開２００３−７５７６７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ところで、ＭＥＭＳスキャナには、以下のような課題が残されている。すなわち、１つ目の課題としては、ＭＥＭＳスキャナは共振スキャナであるため、正弦関数的な不等速な往復動作しかできない。２つ目の課題としては、ＭＥＭＳスキャナはＱ値が高いため、共振周波数を外れると実用的な偏角を得ることができない。これにより、ＭＥＭＳスキャナを含む系の共振周波数を正確に制御するか、あるいは系の共振周波数の変化に追従して駆動周波数を変化させる必要がある。前者は技術的難易度が高く、後者はＭＥＭＳスキャナの２軸目との同期を細かく取らなければならないという問題が生じる。
【０００４】
３つ目の課題としては、ＭＥＭＳスキャナは走査速度に限界があるため、ＤＣＩ（Digital  Cinema  Initiatives）仕様の４ｋ（４０９６×２１６０）等の解像度になると表示が難しい。ＭＥＭＳスキャン以外の走査手段としては、音響光学スキャナや電気光学スキャナが挙げられるが、これらのスキャナは従来、走査偏角がＭＥＭＳスキャナに比べて小さく、実用的な走査偏角を得ることができないという問題がある。
【０００５】
ここで、電気光学スキャナでは、大きな偏角を得るために２つの構成が考えられる。１つ目は、図６（ａ）に示すように、光が進行する方向の素子の寸法Ｍを長くした構成である。しかしながら、この構成では、内部を進行し屈折率分布により下方に曲げられた光は、素子の寸法が長すぎると下方の電極１０１に当たってしまう。
２つ目は、図６（ｂ）に示すように、電極間の長さＮを長くした構成である。しかしながら、この構成では、電極間の長さが短い場合と同じ電界を生じさせるためには、より大きな電圧をかける必要があり、高コスト化を招いてしまう。
すなわち、これらの構成では、大きな偏角を得ようとすると、コストが高くなってしまう。
【０００６】
本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであって、大きな偏角を得ることができ、かつコストを抑えた電気光学素子及び走査型光学装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明は、以下の手段を提供する。
本発明の電気光学素子は、少なくとも一部が、印加された電圧により屈折率分布が生じる誘電体結晶である光学素子と、該光学素子の一方の面及び一方の面の反対の他方の面それぞれに配置された電極とを備え、前記光学素子の射出端面は、前記一方の面及び他方の面と垂直ではない角度をなしていることを特徴とする。
【０００８】
本発明に係る電気光学素子では、電極に電圧を印加することにより光学素子に電界が生じる。この電界により、光学素子の誘電体結晶からなる部分の屈折率分布が一方向に向かって連続的に増加あるいは減少する。このため、内部を進行する光は、屈折率が低い側から高い側に向かって曲げられる。このとき、光学素子の射出端面と一方の面及び他方の面とのなす角が垂直である場合に比べ、射出端面と一方の面及び他方の面とのなす角が鋭角である場合の方が、射出端面における光の出射角が大きくなる。すなわち、本発明のように射出端面を傾斜させることで、射出端面から射出される光の偏角（走査角）をより大きくすることができる。
さらには、従来のように電気光学素子の電極間の寸法や、光が進行する方向の寸法を大きくする必要がないため、本発明の電気光学素子は低コスト化を図ることが可能となる。
【０００９】
また、本発明の電気光学素子は、前記光学素子のすべてが誘電体結晶からなることが好ましい。
本発明に係る電気光学素子では、光学素子のすべてが誘電体結晶からなるため、入射した光を精度良く射出させることが可能となり、かつ、材質間の界面での反射等による光損失を低減することが可能となる。
【００１０】
また、本発明の電気光学素子は、前記射出端面が切削加工により形成されていることが好ましい。
本発明に係る電気光学素子では、切削加工により射出端面を形成することで、短時間で精度良く傾斜させることが可能となる。
【００１１】
また、本発明の電気光学素子は、前記光学素子が、光が入射する入射端面及び一方の面及び他方の面に対して垂直である射出端面からなる誘電体結晶と、前記誘電体結晶から射出された光が入射され射出端面が前記一方の面及び他方の面と垂直ではない角度をなすとともに、光透過性を有する光学部材とからなることが好ましい。
【００１２】
本発明に係る電気光学素子では、誘電体結晶の入射端面から入射し内部を進行した後、誘電体結晶の射出端面から射出された光は光学部材に入射する。そして、光学部材の内部を進行した光は射出端面から射出される。このとき、光学部材の射出端面は、一方の面及び他方の面と垂直ではない角度をなすように傾斜しているため、射出端面から射出される光の偏角をより大きくすることができる。
【００１３】
また、入射端面を有する誘電体結晶と、射出端面を有する光学部材と別々に設けることで、誘電体結晶をＫＴＮ結晶光学素子で形成し、光学部材を、例えば、ガラスにより形成することができる。このような構成により、１つのＫＴＮ結晶を加工する必要がなくなる。すなわち、ＫＴＮ結晶の無駄を省き、光学部材として安価なガラスを用いることができるので、コストの低減を図ることが可能となる。
【００１４】
さらには、複数個の誘電体結晶が取れるＫＴＮ結晶をダイシングした際、ダイシングした面を加工することなくそのまま使うことができるので、無駄な領域がなく、より多くの誘電体結晶を１つのＫＴＮ結晶から得ることができる。
また、誘電体結晶と、所望の形状の射出端面が形成された光学部材とを組み合わせることで、用途に応じた偏角を有する電気光学素子を提供することが可能となる。
【００１５】
また、本発明の電気光学素子は、前記誘電体結晶がＫＴａ１−ｘＮｂｘＯ3の組成を有することが好ましい。
本発明に係る電気光学素子では、誘電体結晶が、高い誘電率を有する誘電体材料であるＫＴａ１−ｘＮｂｘＯ3（タンタル酸ニオブ酸カリウム）の組成を有する結晶である（以下、ＫＴＮ結晶と称す）。ＫＴＮ結晶は、立方晶から正方晶さらに菱面体晶へと温度により結晶系を変える性質を有しており、立方晶においては、大きい２次の電気光学効果を有することが知られている。特に、立方晶から正方晶への相転移温度に近い領域では、比誘電率が発散する現象が起こり、比誘電率の自乗に比例する２次の電気光学効果はきわめて大きい値となる。したがって、ＫＴａ１−ｘＮｂｘＯ3の組成を有する結晶は、他の結晶に比べて屈折率を変化させる際に必要になる印加電圧を低く抑えることが可能となる。これにより、省電力化を実現可能な電気光学素子を提供することが可能となる。
【００１６】
また、本発明の電気光学素子は、前記光学素子の射出端面が、前記一方の面から前記光学素子の内部に向かって傾斜する第１傾斜面と、前記他方の面から前記光学素子の内部に向かって傾斜する第２傾斜面とからなり、前記第１電極と前記第２電極との間に生じる電界の向きに応じて、前記光学素子の内部を進行する光は第１傾斜面あるいは第２傾斜面から射出されることが好ましい。
【００１７】
本発明に係る電気光学素子では、例えば、一方の面から他方の面に向かって電界が生じた場合、屈折率分布は、一方の面から他方の面に向かって大きくなる。これにより、光学素子の内部を進行する光は、一方の面から他方の面に向かって曲げられ第２傾斜面より射出される。
【００１８】
また、他方の面から一方の面に向かって電界が生じた場合、屈折率分布は、他方の面から一方の面に向かって大きくなる。これにより、光学素子の内部を進行する光は、他方の面から一方の面に向かって曲げられ第１傾斜面より射出される。
すなわち、傾斜面が１つの素子の場合では、入射した光を中心に片側にしか走査することができなかったが、第１傾斜面及び第２傾斜面が設けられた光学素子は、入射した光を中心に両側に走査することができる。したがって、本発明の電気光学素子は傾斜面が１つの光学素子を有する電気光学素子に比べて大きい偏角を得ることが可能になる。
【００１９】
また、本発明の電気光学素子は、前記第１電極及び前記第２電極は、前記光学素子の射出端面を含む領域以外に設けられていることが好ましい。
本発明に係る電気光学素子では、光学素子の射出端面を含む領域には、第１電極及び第２電極が設けられていないため、この領域には電界がかからないことになる。したがって、射出端面から射出される光に影響を及ぼすことがないので、光学素子の内部を進行する光を所望の方向に射出させることが可能となる。
【００２０】
また、本発明の走査型光学装置は、光を射出する光源装置と、該光源装置から射出した光を被投射面に向けて走査する走査手段とを備え、該走査手段が、上記の電気光学素子を有することが好ましい。
【００２１】
本発明に係る走査型光学装置では、光源装置から射出した光は、走査手段により被投射面に向けて走査される。このとき、上述したように偏角の大きい電気光学素子を用いることにより、高解像度に対応可能な走査手段を用いた走査型光学装置となる。したがって、画質の劣化を生じさせることなく画像をより鮮明に被投射面に表示できる走査型光学装置を得ることが可能となる。
【００２２】
また、本発明の走査型光学装置は、前記電気光学素子が、水平走査を行うことが好ましい。
本発明に係る走査型光学装置では、電気光学素子が水平走査を行い、垂直走査として例えば、安価なガルバノミラー等を用いることにより、安価かつ高性能な走査型光学装置を実現することができる。
なお、ここで言う「水平走査」とは、２方向の走査のうち、高速側の走査を指し、垂直走査とは低速側の走査を指している。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、図面を参照して、本発明に係る電気光学素子及び走査型光学装置の実施形態について説明する。なお、以下の図面においては、各部材を認識可能な大きさとするために、各部材の縮尺を適宜変更している。
図１は、本実施形態の電気光学素子の全体図及び光の光路を示している。
【００２４】
［第１実施形態］
電気光学素子１は、図１（ａ）に示すように、第１電極１１と、第２電極１２と、光学素子１３とを備えている。
光学素子１３は、電気光学効果を有する誘電体結晶であり、本実施形態ではＫＴＮ（タンタル酸ニオブ酸カリウム、ＫＴａ１−ｘＮｂｘＯ3）の組成を有する結晶材料で構成されている。また、光学素子１３は、図１（ａ）に示すように、光の入射方向に沿う断面が台形状であり、光学素子１３の上面１３ａには第１電極１１が配置され、下面１３ｂには第２電極１２が配置されている。第１電極１１及び第２電極１２は、光学素子１３内を進行する光Ｌの進行方向の寸法がほぼ同じであり、射出端面１４を含む領域Ｐ以外の上面１３ａ及び下面１３ｂに設けられている。すなわち、図１（ｂ）に示すように、光学素子１３の下面１３ｂの一部には、第２電極１２が設けられておらず、結晶が露出している。
また、第１電極１１及び第２電極１２には、電圧を印加する電源Ｅが接続されている。
【００２５】
光学素子１３は、第１電極１１と第２電極１２との間に生じる電界により、屈折率分布が第１電極１１から第２電極１２に向かって連続的に増加する素子である。また、光学素子１３の射出端面１４と、屈折率が高い下面１３ｂとのなす角度θＡは約６８度となっている。
また、光学素子１３の射出端面１４は、直方体状の結晶を切削加工することにより形成されている。
【００２６】
次に、電気光学素子１の動作について説明する。
第１電極１１には、電源Ｅにより例えば＋２５０Ｖの電圧が印加され、第２電極１２には、電源Ｅにより例えば０Ｖの電圧が印加される。第１，第２電極１１，１２に電圧を印加することで、光学素子１３には第１電極１１から第２電極１２に向かって電界が生じる。そして、図１に示すように、光学素子１３の屈折率は、第１電極１１側が低くなり、第２電極１２側が高くなる。これにより、光学素子１３の入射端面１３ｃの屈折率が低い第１電極１１側から入射した光Ｌは、屈折率が高い第２電極１２側に向かって曲げられ、射出端面１４より射出される。
ここで、射出端面１４が傾斜していない場合と比較する。すなわち、図１に示すように、射出端面１４と屈折率が高い側の下面１３ｂとのなす角が垂直である場合（図１に示す破線）の出射角θ２より、本実施形態の射出端面１４における出射角θ１の方が大きくなる。すなわち、本実施形態のように射出端面１４を傾斜させた方が、射出端面１４から射出された光の偏角は大きくなる。
また、第１電極１１及び第２電極１２に印加する電圧を変化させることで、入射端面１３ｃから入射し、光学素子１３の射出端面１４から射出される光は１次元方向に走査される。
【００２７】
本実施形態に係る電気光学素子１では、射出端面１４を下面１３ｂに対して傾斜させることで、射出端面１４から射出される光の偏角（走査角）を大きくすることができる。すなわち、従来のＭＥＭＳスキャナは共振型であるが、本実施形態の電気光学素子１は共振型ではないので、ＭＥＭＳスキャナが抱えていた課題が生じることはない。しかも、ＫＴＮスキャナはＭＥＭＳスキャナより高速（マイクロ秒程度）に走査することができるので、高解像度の表示を行うことが可能となる。
また、光学素子１３は、ＫＴＮ（タンタル酸ニオブ酸カリウム、ＫＴａ１−ｘＮｂｘＯ3）の組成を有する結晶材料で構成されているため、他の結晶に比べて屈折率を変化させる際に必要になる印加電圧を１／１０ほどに抑えることができるので、低電圧駆動を実現できる。したがって、消費電力を抑えることができるので、省エネ化を図ることが可能となる。
【００２８】
［第２実施形態］
次に、本発明に係る第２実施形態について、図２を参照して説明する。
なお、以下に説明する各実施形態において、上述した第１実施形態に係る電気光学素子１と構成を共通とする箇所には同一符号を付けて、説明を省略することにする。
本実施形態に係る電気光学素子３０の構成が、第１電極と第２電極と光学素子とからなる点においては第１実施形態と同様であるが、光学素子の射出端面の形状において第１実施形態と異なる。
【００２９】
光学素子３１の射出端面３２は、図２に示すように、光学素子１３内を進行する光Ｌの進行方向と垂直な方向に沿ってＶ溝形状となっている。この射出端面３２は、光学素子３１の上面３１ａから光学素子３１の中央に向かって傾斜する第１傾斜面３２ａと、下面３１ｂから光学素子３１の中央に向かって傾斜する第２傾斜面３２ｂとにより形成されている。
【００３０】
次に、このように構成された本実施形態に係る電気光学素子３０の動作について、以下に説明する。
第１電極１１から第２電極１２に向かって電界が生じると、光学素子３１の屈折率は、第１電極１１側が低くなり、第２電極１２側が高くなる。これにより、光学素子３１の略中央部から入射した光は、屈折率が高い第２電極１２側に曲げられ、射出端面３２の第２傾斜面３２ｂより射出される。
一方、第２電極１２から第１電極１１に向かって電界が生じると、光学素子３１の屈折率は、第２電極１２側が低くなり、第１電極１１側が高くなる。これにより、光学素子３１の略中央部から入射した光は、屈折率が高い第１電極１１側に曲げられ、射出端面３２の第１傾斜面３２ａより射出される。
【００３１】
本実施形態に係る電気光学素子３０では、第１実施形態の電気光学素子１と同様の効果を得ることができる。さらに、本実施形態の電気光学素子３０では、光学素子３１に入射した光を当該光を中心に両側（上辺３１ａ側及び下辺３１ｂ側）に走査することができるので、第１実施形態の１つの傾斜面を有する電気光学素子１に比べて大きい偏角を得ることが可能になる。
【００３２】
［第２実施形態の変形例］
本実施形態では、射出端面３２をＶ溝形状としたが、図３に示すように、射出端面３６が光学素子３７の内部に向かって窪んで湾曲した面である電気光学素子３５であっても良い。この構成では、射出端面３６は、上面３７ａとなす角が鋭角となる第１傾斜面３６ａと下面３７ｂとなす角が鋭角となる第２傾斜面３６ｂとからなっている。この構成でも、本実施形態と同様に大きい偏角を得ることが可能になる。
また、射出端面３６を湾曲した面にすることで、線形的な電圧駆動が可能となるため、電気光学素子３０に比べて、電気光学素子３５の方が印加電圧の制御が容易となる。
【００３３】
［第３実施形態］
次に、本発明に係る第３実施形態について、図４を参照して説明する。
本実施形態に係る電気光学素子４０の構成が、第１電極と第２電極と光学素子とからなる点においては第１実施形態と同様であるが、光学素子が誘電体結晶及び光学部材の別部材により構成させている点において第２実施形態と異なる。
【００３４】
電気光学素子４０の光学素子４１は、図４に示すように、入射端面４２ｃを有する誘電体結晶４２と、射出端面４３ａを有する光学部材４３とを備えている。
誘電体結晶４２は、立方体形状のＫＴａ１−ｘＮｂｘＯ3の組成を有する結晶である。この誘電体結晶４２の上面４２ａには、第１電極４６が設けられており、下面４２ｂには、第２電極４７が設けられている。
光学部材４３は、光透過性を有するガラスからなっており、光学部材４３の射出端面４３ａは、第２実施形態の変形例である図３で示した光学素子３７の射出端面３６と同様に、湾曲した面となっている。また、誘電体結晶４２の射出端面４２ｂと光学部材４３の入射端面４３ｂとは光学接着材で貼り合わされている。
【００３５】
本実施形態に係る電気光学素子４０では、第１実施形態の電気光学素子１と同様の効果を得ることができる。さらに、本実施形態の電気光学素子４０では、入射端面４２ｃを有する誘電体結晶４２と、射出端面４３ａを有する光学部材４３と別々に設けることで、光学部材を光学ガラス等の安価な部材で製造することができる。また、ＫＴＮ結晶からなる誘電体結晶４２を立方体形状にすることができるので、第１、第２実施形態にように、射出端面を傾斜するように加工する必要が生じない。したがって、本実施形態の電気光学素子４０は、コストの低減を図ることが可能となる。
なお、本実施形態では、第１光学部材４２と第２光学部材４３とを光学接着材で貼り合わせたが、貼り合わせずに隙間を設けて配置させても良い。
【００３６】
［第４実施形態］
次に、本発明に係る第４実施形態について、図５を参照して説明する。
本実施形態では、上記第１実施形態の電気光学素子１を走査手段として備える画像表示装置（走査型画像表示装置）５０について説明する。
【００３７】
本実施形態に係る画像表示装置５０は、図５に示すように、赤色のレーザ光を射出する赤色光源装置（光源装置）５０Ｒと、緑色のレーザ光を射出する緑色光源装置（光源装置）５０Ｇと、青色のレーザ光を射出する青色光源装置（光源装置）５０Ｂと、クロスダイクロイックプリズム５１と、クロスダイクロイックプリズム５１から射出されたレーザ光をスクリーン５５の水平方向に走査する電気光学素子１と、電気光学素子１から射出されたレーザ光をスクリーン５５の垂直方向に走査するガルバノミラー５２と、ガルバノミラー５２から走査されたレーザ光が投影されるスクリーン（被投射面）５５とを備えている。
【００３８】
次に、以上の構成からなる本実施形態の画像表示装置５０を用いて、画像をスクリーン５５に投射する方法について説明する。
各光源装置５０Ｒ，５０Ｇ，５０Ｂから射出されたレーザ光は、クロスダイクロイックプリズム５１で合成され電気光学素子１に入射する。電気光学素子１に入射したレーザ光は、スクリーン５５の水平方向に走査され、ガルバノミラー５２により垂直方向に走査されてスクリーン５５に投影される。
【００３９】
本実施形態に係る画像表示装置５０では、走査手段として偏角の大きい電気光学素子１を用いているため、ＤＣＩ（Digital  Cinema  Initiatives）仕様の４ｋ等の解像度に対応可能となる。したがって、画質の劣化を生じさせることなく、画像をより鮮明にスクリーンに表示させることができる。
しかも、電気光学素子１からなる走査手段は、ＭＥＭＳスキャナより高速に走査することができるため、本実施形態のように、水平走査として電気光学スキャナを用い、走査自由度が高い垂直走査としてガルバノミラー５２（動くことにより光を反射させる可動型の走査手段）を用いることにより、高性能な画像表示装置の実現が期待できる。なお、ガルバノミラー５２に代えて、可動型の走査手段の一つである安価なポリゴンミラーにより走査を行っても良い。すなわち、電気光学素子１の走査の精度が良いため、画像表示装置としては、ガルバノミラーほど精度の良いミラーを用いなくても、コストを抑えつつ高性能な画像表示を行うことが可能となる。
【００４０】
なお、本実施形態の画像表示装置５０において、第１実施形態の電気光学素子１を用いて説明したが、第２，第３実施形態（変形例を含む）の電気光学素子を用いることも可能である。
また、電気光学素子を用いた走査型光学装置について説明したが、第１〜第３実施形態の電気光学素子をレーザプリンタ（走査型光学装置）に応用することも可能である。
【００４１】
なお、本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、上記各実施形態において、光学素子としてＫＴＮ結晶を例に挙げて説明したが、これに限ることはなく、屈折率が線形的に変化する素子であれば良い。例えば、ＬｉＮｂＯ３（ニオブ酸リチウム）等の電気光学効果を有する誘電体結晶であっても良いが、ＬｉＮｂＯ3等の組成を有する結晶は、ＫＴＮ結晶に比べて走査偏角が小さく、また、駆動電圧が高いため、ＫＴＮ結晶を用いることが好ましい。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明の第１実施形態に係る電気光学素子を示す平面図である。
【図２】本発明の第２実施形態に係る電気光学素子を示す平面図である。
【図３】本発明の第２実施形態の変形例に係る電気光学素子を示す平面図である。
【図４】本発明の第３実施形態に係る電気光学素子を示す平面図である。
【図５】本発明の第４実施形態に係る走査型光学装置を示す斜視図である。
【図６】従来技術を示す断面図である。
【符号の説明】
【００４３】
１，３０，３５，４０…電気光学素子、１１…第１電極、１２…第２電極、１４，３２，３６，４３ａ…射出端面、５０…画像表示装置（走査型光学装置）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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