(57)【要約】【課題】基板側端子と配線基板の端子とを電気的に接続する異方性導電層を含み当該異方性導電層による端子間の電気的接合状態を探知可能な電気光学装置等を提供することである。【解決手段】電気光学装置３０は、電気光学要素に接続された基板側端子１５０と端子１５０に隣接して形成された透光性部分１７４を有する基板側アライメントマーク１７０を備えた透光性基板１１０と、異方性導電層５０を間に挟んで透光性基板１１０と接続される配線側端子６６を備えた配線基板６０とを有する。電気光学装置３０は、基板と異方性導電層との接続状態が基板側アライメントマーク１７０の透光性部分１７４を通して視認可能に構成されている。基板側アライメントマーク１７０の透光性部分１７４は、透光性基板１１０上に形成されると共に異方性導電層５０と接触する透光性の膜を含む。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気光学要素に接続された基板側端子と前記端子に隣接して形成された透光性部分を有する基板側アライメントマークを備えた透光性基板と、異方性導電層を間に挟んで前記透光性基板と接続される配線側端子を備えた配線基板とを有し、
前記基板と異方性導電層との接続状態が前記基板側アライメントマークの透光性部分を通して視認可能に構成された電気光学装置であって、
前記基板側アライメントマークの透光性部分は、前記透光性基板上に形成されると共に前記異方性導電層と接触する透光性の膜を含むことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
請求項１に記載の電気光学装置であって、
前記透光性部分は、前記異方性導電層の厚さが前記透光性部分上と前記基板側端子上とで略同等となる条件で、厚さが設定されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の電気光学装置であって、
前記基板側端子は前記異方性導電層に接触した透光性の電極パッドを含み、
前記透光性の膜は前記電極パッドと同一の材料で構成されたことを特徴とする電気光学装置。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の電気光学装置であって、
前記透光性基板は複数の透光性絶縁膜をさらに備え、
前記透光性部分は前記複数の透光性絶縁膜のうちの少なくとも１つと同一の材料の膜を含むことを特徴とする電気光学装置。
【請求項５】
透光性基板の基板側端子と配線基板の配線側端子との異方性導電層による電気的接合を検査する方法であって、
前記透光性基板に設けられる基板側アライメントマークであって前記配線基板のアライメントマークと組み合わされる基板側アライメントマークに、基板側端子上の透光性導電膜と同じ透光性導電膜が形成された透光性部分を含むアライメントマークを用い、
前記透光性部分を通して前記異方性導電層の観察を行うことにより前記電気的接合を検査することを特徴とする異方性導電層による電気的接合の検査方法。
【請求項６】
請求項５に記載の異方性導電層による電気的接合の検査方法であって、
前記異方性導電層の前記観察は、前記異方性導電層中の導電性粒子の変形具合の観察と、前記導電性粒子の個数の観察との少なくとも一方を含むことを特徴とする異方性導電層による電気的接合の検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電気光学装置に係り、特に基板側端子と配線基板の端子とを電気的に接続する異方性導電層を含む電気光学装置に関し、また、本発明は異方性導電層による電気的接合の検査方法に係る。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置において基板と外部配線基板とは異方性導電フィルム（Anisotropic  Conductive  Film：ＡＣＦ）を介して圧着される。異方性導電フィルムによれば、当該フィルム中の導電性粒子が圧着によって基板側端子と外部配線基板側端子とに接触し両端子が導通状態になる。異方性導電フィルムによる端子接合については例えば下記特許文献１に記載されている。
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−１３１５８４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
一般的に基板側端子および外部配線基板側端子は例えばアルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）等の金属で構成される。これらの材料は遮光性が高いので、両端子と導電性粒子との接合状態を直接、観察することができない。
【０００５】
本発明の目的は、基板側端子と配線基板の端子とを電気的に接続する異方性導電層を含む電気光学装置であって異方性導電層による端子間の電気的接合状態を探知可能な電気光学装置を提供すること、および、異方性導電層による電気的接合の検査方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る電気光学装置は、電気光学要素に接続された基板側端子と前記端子に隣接して形成された透光性部分を有する基板側アライメントマークを備えた透光性基板と、異方性導電層を間に挟んで前記透光性基板と接続される配線側端子を備えた配線基板とを有し、前記基板と異方性導電層との接続状態が前記基板側アライメントマークの透光性部分を通して視認可能に構成された電気光学装置であって、前記基板側アライメントマークの透光性部分は、前記透光性基板上に形成されると共に前記異方性導電層と接触する透光性の膜を含むことを特徴とする。上記構成によれば、透光性基板側から基板側アライメントマークの透光性部分を通して異方性導電層の観察、例えば異方性導電層中の導電性粒子の変形具合等の観察が可能である。この観察によって、基板側端子と配線基板の端子との電気的接合状態を探知することができる。
【０００７】
前記透光性部分は、前記異方性導電層の厚さが前記透光性部分上と前記基板側端子上とで略同等となる条件で、厚さが設定されていることが好ましい。上記構成によれば、基板側アライメントマークの透光性部分を通しての観察結果と、基板側端子と配線基板の端子との電気的接合状態とが略同等になる。このため、端子間の接合状態をより正確に探知することができる。
【０００８】
前記基板側端子は前記異方性導電層に接触した透光性の電極パッドを含み、前記透光性の膜は前記電極パッドと同一の材料で構成されたことが好ましい。上記構成によれば、透光性部分と異方性導電層との接触状態を、基板側端子の電極パッドと異方性導電層との接触状態と同等にすることができる。このため、端子間の接合状態をより正確に探知することができる。また、透光性の膜と電極パッドとを同じプロセスで形成することができるので、製造が容易である。
【０００９】
前記透光性基板は複数の透光性絶縁膜をさらに備え、前記透光性部分は前記複数の透光性絶縁膜のうちの少なくとも１つと同一の材料の膜を含むことが好ましい。上記構成によれば、基板側アライメントマークの透光性部分の厚さを調整可能である。これにより異方性導電層の厚さを透光性部分上と基板側端子上とで略同等にすることが可能になる。
【００１０】
本発明に係る異方性導電層による電気的接合の検査方法は、透光性基板の基板側端子と配線基板の配線側端子との異方性導電層による電気的接合を検査する方法であって、前記透光性基板に設けられる基板側アライメントマークであって前記配線基板のアライメントマークと組み合わされる基板側アライメントマークに、基板側端子上の透光性導電膜と同じ透光性導電膜が形成された透光性部分を含むアライメントマークを用い、前記透光性部分を通して前記異方性導電層の観察を行うことにより前記電気的接合を検査することを特徴とする。上記構成によれば、基板側アライメントマークの透光性部分を通した異方性導電層の観察によって、基板側端子と配線基板の端子との電気的接合状態を探知することができる。このため、簡便かつ有効な検査を実施可能である。
【００１１】
前記異方性導電層の前記観察は、前記異方性導電層中の導電性粒子の変形具合の観察と、前記導電性粒子の個数の観察との少なくとも一方を含むことが好ましい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下に図面を用いて本発明に係る実施の形態について詳細に説明する。
【００１３】
図１に実施の形態に係る液晶表示装置３０を説明する模式的な平面図を示す。また、図２に液晶表示装置３０の表示領域３２の構成を説明する模式図を示す。なお、図２には画素４０の１個分の断面図とともに後述の画素電極１１８の平面図を併記している。ここでは、液晶表示装置３０がＦＦＳ（Fringe  Field  Switching）方式の場合を例示する。
【００１４】
液晶表示装置３０は、図２に示すように、対向配置された一対の基板１１０，２１０と、当該一対の基板１１０，２１０に挟持された液晶層３００とを含んでいる。基板１１０は例えばガラス等の透光性基板で構成可能である。基板２１０は、液晶表示装置３０が透過型または半透過型の場合には例えばガラス等の透光性基板で構成可能である一方、液晶表示装置３０が反射型の場合は透光性を有さなくてもよい。
【００１５】
基板１１０および基板２１０は以下に例示する種々の電気光学要素が設けられて素子基板１００および対向基板２００をそれぞれ構成する。このため、液晶層３００は素子基板１００と対向基板２００とで挟持されているとも捉えられる。
【００１６】
図１に示すように液晶表示装置３０は、また、異方性導電層５０と、外部配線基板６０と、外部回路７０とを含んでいる。異方性導電層５０は例えば異方性導電フィルムを利用して構成可能である。例えば当該異方性導電フィルムを介して素子基板１００と外部配線基板６０とを熱圧着することによって、素子基板１００と外部配線基板６０とが互いに接着するとともに両基板１００，６０の端子が互いに電気的に接続される。外部配線基板６０は例えばフレキシブルプリント回路（Flexible  Printed  Circuit：ＦＰＣ）によって構成可能である。外部配線基板６０は、また、外部回路７０に接続されており、この接続は例えば異方性導電フィルムを利用可能である。なお、図１では外部回路７０を模式的に図示している。
【００１７】
以下に図２を参照して表示領域３２の構成を説明する。素子基板１００は、上記基板１１０の他に、基板１１０の液晶層３００側に、絶縁膜１１２と、共通電極１１４と、絶縁膜１１６と、画素電極１１８とを含んでいる。
【００１８】
絶縁膜１１２は例えば酸化シリコン、窒化シリコン、アクリル等の樹脂等で構成可能である。図２では絶縁膜１１２を１層で図示しているが、多層構造にすることも可能である。絶縁膜１１２内には例えば画素トランジスタや各種配線等が埋設されている。
【００１９】
共通電極１１４と画素電極１１８とは絶縁膜１１６を介して積層されている。電極１１４，１１８は例えばＩＴＯ（Indium  Tin  Oxide）、ＩＺＯ（Indium  Zinc  Oxide）等の透光性導電材料で構成可能であり、絶縁膜１１６は例えば窒素シリコン等で構成可能である。ここでは、共通電極１１４が絶縁膜１１２上に配置され、画素電極１１８が液晶層３００側に配置された構成を例示するが、共通電極１１４を液晶層３００側に配置することも可能である。
【００２０】
共通電極１１４と画素電極１１８とは対を成して各画素４０に設けられている。共通電極１１４は例えば全ての画素４０に跨った一つの電極層によって構成され、この場合、当該電極層の各画素４０内の部分がそれぞれ共通電極１１４を構成する。画素電極１１８は例えば画素４０ごとに分割された電極によって構成される。なお、共通電極１１４を画素電極１１８と同様に画素４０ごとに分割して設けることも可能である。
【００２１】
画素電極１１８にはスリット１２０が設けられている。図２にはスリット１２０が画素電極１１８の外縁に到達していない場合を例示しているが、例えばスリット１２０を上記外縁まで到達させて、いわゆるくし歯形状にすることも可能である。スリット１２０の延伸方向および本数は図２の例示に限定されるものではない。なお、共通電極１１４が液晶層３００側に配置される構成では、共通電極１１４にスリット１２０が設けられる。
【００２２】
対向基板２００は、上記基板２１０の他に、基板２１０の液晶層３００側に、遮光膜と、カラーフィルタ２１２とを含んでいる。遮光膜は、例えば樹脂で構成可能であり、各画素４０に開口部を有している。当該各開口部には、その画素４０の表示色に応じた色相のカラーフィルタ２１２が配置されている。遮光膜の各開口部は画素電極１１８に対向して設けられており、このため各画素４０においてカラーフィルタ２１２は画素電極１１８に対向している。なお、液晶表示装置３０が例えば白黒表示用の場合、カラーフィルタ２１２は省略可能である。
【００２３】
図３に図１中の一点鎖線で囲んだ部分３を説明する平面図を示し、図３中の４−４線における断面図を図４に示す。なお、図３では、説明のために、素子基板１００と外部配線基板６０とを離して図示しており、素子基板１００に接続された状態の外部配線基板６０を二点鎖線で図示している。また、図３では図４中の要素を一部省略している。図１〜図４を参照して、表示領域３２の外側の周辺領域３４の構成および素子基板１００と外部配線基板６０との接続形態を説明する。
【００２４】
素子基板１００は、また、基板１１０の液晶層３００側に、配線１４８と、端子１５０と、アライメントマーク１７０と、絶縁膜１４０とを含んでいる。配線１４８および端子１５０の数は図示の例示に限定されるものではない。
【００２５】
配線１４８は例えば信号線、電源線等である。配線１４８は、例えばアルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）等の導電材料で構成可能である。当該材料は透光性基板１１０よりも透光性が低い、すなわち遮光性が高い。配線１４８の厚さは例えば０．５μｍである。配線１４８は例えば図４に示すように基板１１０上に（基板１１０に接触して）配置される。配線１４８は基板１１０の外縁付近まで延伸しており、図３では当該基板外縁まで到達している場合を例示している。
【００２６】
端子１５０は、ここでは各配線１４８の端部に設けられている。端子１５０は例えば配線１４８の端部と、当該端部上に積層された電極パッド１５２とによって構成可能である。電極パッド１５２は例えばＩＴＯ、ＩＺＯ等の透光性導電膜で構成され、その厚さは例えば０．３μｍである。
【００２７】
電極パッド１５２は共通電極１１４と同一の材料で構成することが可能である。この場合、単一の透光性導電膜をパターニングして共通電極１１４と電極パッド１５２とを同時に形成可能であり、共通電極１１４と電極パッド１５２とを同じ厚さで形成可能である。同様に、電極パッド１５２を画素電極１１８と同時に形成することも可能である。また、電極パッド１５２を電極１１４，１１８用の両透光性導電膜の積層膜として構成することも可能である。これらによれば電極パッド１５２を容易に製造できる。
【００２８】
アライメントマーク１７０は遮光性部分１７２と透光性部分１７４とを含んで構成されている。
【００２９】
遮光性部分１７２は例えばアルミニウム、銅、金等で構成可能であり、当該材料によれば遮光性部分１７２は透光性基板１１０よりも遮光性が高い。遮光性部分１７２の厚さは例えば０．５μｍである。遮光性部分１７２は例えば図４に示すように基板１１０上に（基板１１０に接触して）配置されている。遮光性部分１７２は配線１４８と同一の材料で構成可能である。この場合、単一の導電膜をパターニングして配線１４８と遮光性部分１７２とを同時に形成可能であり、配線１４８と遮光性部分１７２とを同じ厚さで形成可能である。これによれば遮光性部分１７２を容易に製造できる。
【００３０】
透光性部分１７４は例えばＩＴＯ、ＩＺＯ等の透光性導電膜で構成可能であり、当該材料によれば透光性部分１７４は遮光性部分１７２、配線１４８、および配線１４８を利用した端子１５０よりも透光性が高い。透光性部分１７４の厚さは例えば０．３μｍである。透光性部分１７４は例えば図４に示すように基板１１０上に（基板１１０に接触して）配置されている。透光性部分１７４は端子１５０の電極パッド１５２と同一の材料で構成可能である。この場合、単一の透光性導電膜をパターニングして電極パッド１５２と透光性部分１７４とを同時に形成可能であり、電極パッド１５２と透光性部分１７４とを同じ厚さで形成可能である。これによれば透光性部分１７４を容易に製造できる。
【００３１】
遮光性部分１７２は透光性部分１７４の周囲に配置されている。図３では平面視において、透光性部分１７４が正方形の領域で構成され、遮光性部分１７２が当該正方形領域を取り囲む枠状の場合を例示している。但し、両部分１７２，１７４の形状はこの例示に限定されるものではない。上記のように遮光性部分１７２と透光性部分１７４とは透光性（換言すれば遮光性）が異なるので、両部分１７２，１７４によってアライメントマークとして利用可能なコントラスト比が得られる。
【００３２】
絶縁膜１４０は例えば酸化シリコン、窒化シリコン、アクリル等の樹脂等で構成可能である。絶縁膜１４０の厚さは例えば０．８μｍである。図４では絶縁膜１４０を１層で図示しているが、多層構造にすることも可能である。絶縁膜１４０は例えば上記絶縁膜１１２のうちの一層または複数層を利用して構成可能である。
【００３３】
絶縁膜１４０は配線１４８およびアライメントマーク１７０の遮光性部分１７２を覆っており、例えば基板１１０上に配置されている。絶縁膜１４０は端子１５０の箇所に開口部を有しており、当該開口部を介して配線１４８と電極パッド１５２とが接触している。また、絶縁膜１４０はアライメントマーク１７０の箇所に開口部を有しており、当該開口部を介して透光性部分１７４が基板１１０に接触している。
【００３４】
外部配線基板６０は例えばベース材６２と、配線６４と、端子６６と、アライメントマーク６８とを含んでいる。配線６４および端子６６の数は図示の例示に限定されるものではない。
【００３５】
ベース材６２は例えばポリイミド等の絶縁材料で構成可能である。配線６４は例えばアルミニウム、銅、金等の導電材料で構成可能であり、例えばベース材６２中に埋設されている。図３では配線６４がベース材６２の外縁まで延伸している場合を例示している。配線６４は端部においてベース材６２から露出しており、当該露出端部によって端子６６が構成される。配線６４および端子６６の厚さは例えば０．５μｍである。
【００３６】
アライメントマーク６８は例えばベース材６２上に設けられている。アライメントマーク６８は例えばアルミニウム、銅、金等で構成可能であり、例えばベース材６２との間でアライメントマークとして利用可能なコントラスト比が得られる材料で構成するのが好ましい。アライメントマーク６８の厚さは例えば０．５μｍである。
【００３７】
配線基板側アライメントマーク６８は基板側アライメントマーク１７０と組み合わされて利用される。図３ではアライメントマーク６８が、平面視において基板側アライメントマーク１７０の透光性部分１７４内に収まる正方形の領域で構成される場合を例示している。但し、アライメントマーク６８は、この形状は限定されるものではない。
【００３８】
異方性導電層５０は導電性粒子５２とバインダ５４とを含み、導電性粒子５２はバインダ５４中に均等に分散されている。
【００３９】
導電性粒子５２は例えば金属粒子、金属めっきをした樹脂粒子等で構成可能である。導電性粒子５２の粒径は例えば数μｍ〜数十μｍである。導電性粒子５２の粒径、分散密度等は例えば端子１５０の大きさや配列ピッチ等によって選定される。導電性粒子５２の数は図示の例示に限定されるものではない。
【００４０】
バインダ５４は透光性の接着材料で構成され、例えばエポキシ系の熱硬化性樹脂、ポリエチレン系の熱可塑性樹脂等で構成可能である。バインダ５４の透光性は例えば導電性粒子５２よりも高い。
【００４１】
異方性導電層５０は基板側端子１５０と配線基板側端子６６との間だけでなく、基板側アライメントマーク１７０と配線基板側アライメントマーク６８との間にも設けられている。
【００４２】
異方性導電層５０は、素子基板１００と外部配線基板６０との接着前は、例えばフィルム状部材（いわゆる異方性導電フィルム）、未硬化状態のバインダ５４に導電性粒子５２を混練したペースト状材料等として構成可能である。
【００４３】
素子基板１００と外部配線基板６０との接着は例えば次のようにして実施される。まず、素子基板１００と外部配線基板６０とを、上記の異方性導電フィルム、ペースト状材料等を介して対向させる。その後、アライメントマーク１７０，６８を利用して端子１５０と端子６６との相対位置を調整する。このとき、アライメントマーク１７０，６８は透光性基板１１０側から観察可能である（図４中の矢印Ａを参照）。位置決めの後、両基板１００，６０を熱圧着する。これにより、バインダ５４によって両基板１００，６０が互いに接着し、導電性粒子５２によって対応する端子１５０，６６が互いに電気的に接続される。
【００４４】
ここで、アライメントマーク１７０，６８は端子１５０と端子６６との位置合わせに利用可能である限り、その配置位置は特に限定されるものではない。例えばアライメントマーク１７０，６８を、端子１５０，６６の配列の片側または両側に隣接して設けてもよいし、当該端子配列中に設けてもよい。また、各アライメントマーク１７０，６８の数に限定はない。
【００４５】
上記構成によれば、熱圧着後の異方性導電層５０を、透光性基板１１０側からアライメントマーク１７０の透光性部分１７４を通して観察することができる（図４中の矢印Ａを参照）。すなわち、透光性部分１７４を観察窓として利用することができる。この観察によって、基板側端子１５０と配線基板側端子６６との電気的接合状態を探知することができる。ここで、端子１５０，６６は上記のようにアルミニウム等の遮光性の高い材料で構成されている。このため、基板１１０，２１０のいずれの側からであっても端子１５０，６６間の異方性導電層５０を直接、観察することはできない。したがって、透光性部分１７４を通しての観察は、異方性導電層５０による端子１５０，６６の電気的接合状態を探知・検査するのに簡便かつ有効である。ここで、検査についての観察項目として例えば導電性粒子５２の変形具合（つぶれの程度）が挙げられる。
【００４６】
図５に異方性導電層５０による電気的接合の検査方法を説明する模式図を示す。図５には圧着時の加圧値を異ならせた２例を（ａ）および（ｂ）として図示しており、（ｂ）の方が加圧値が大きい場合である。また、図５には（ａ）および（ｂ）について断面図と基板１１０側からの観察像とを図示している。
【００４７】
図５に示すように圧着時の加圧が大きいほど、圧着時および圧着後において、導電性粒子５２が大きく変形する。このとき、変形が大きいほど、導電性粒子５２とアライメントマーク１７０の透光性部分１７４との接触面積が広くなる（図５中のハッチング部分を参照）。これらは端子１５０，６６間の導電性粒子５２についても同様であり、導電性粒子５２と端子１５０，６６との接触面積が広いほど、より確実な電気的接合が可能である。したがって、透光性部分１７４を通して導電性粒子５２の変形具合を観察することによって、端子１５０，６６間の電気的接合を検査することができる。
【００４８】
ここで、電極パッド１５２は配線１４８よりも硬質の材料で構成されるのが好ましい。これによれば、電極パッド１５２を設けない構成に比べて、導電性粒子５２の変形が大きくなり導電性粒子５２と端子１５０，６６と接触面積を広くすることができる。
【００４９】
また、検査についての観察項目として例えば導電性粒子５２の個数が挙げられる。端子１５０，６６間の導電性粒子５２が多いほど、導電経路が多数確保され、また、端子１５０，６６間の抵抗を低減することができる。導電性粒子５２の密度は端子１５０，６６の領域とアライメントマーク１７０の透光性部分１７４の領域とで同等であるので、透光性部分１７４を通して導電性粒子５２の個数を数えることによって端子１５０，６６間の電気的接合を検査することができる。
【００５０】
上記検査では導電性粒子５２の変形具合の観察と導電性粒子５２の個数の観察との一方のみを実施してもよいし、両方を実施してもよい。
【００５１】
上記のようにアライメントマーク１７０の透光性部分１７４は基板側端子１５０の電極パッド１５２と同一の材料で構成することが可能である。また、上記構成によれば、電極パッド１５２と透光性部分１７４とは異方性導電層５０に接触している（接着している）。このため、透光性部分１７４と異方性導電層５０との接触状態、例えば導電性粒子５２の変形具合を、電極パッド１５２と異方性導電層５０との接触状態と同等にすることができる。このため、透光性部分１７４を通した観察によって、端子１５０，６６間の接合状態をより正確に探知することができる。
【００５２】
ここで、異方性導電層５０の厚さを透光性部分１７４上と基板側端子１５０上とで略同等にすることによって、透光性部分１７４を通しての観察から、端子１５０，６６間の接合状態をより正確に探知することができる。
【００５３】
例えば透光性部分１７４を電極パッド１５２とは別工程によって形成し透光性部分１７４の厚さを調整することによって、異方性導電層５０の厚さを透光性部分１７４上と基板側端子１５０上とで略同等にすることが可能である。
【００５４】
また、異方性導電層５０の厚さの上記均等化は、次に説明する実施の形態に係る他の液晶表示装置３０Ｂによっても可能である。
【００５５】
図６に液晶表示装置３０Ｂを説明する断面図を示す。液晶表示装置３０Ｂの構成は、アライメントマーク１７０Ｂを除いて、上記液晶表示装置３０を適用可能である。液晶表示装置３０のアライメントマーク１７０Ｂは、遮光性部分１７２と、透光性部分１７４Ｂとを含んでいる。透光性部分１７４Ｂは図６の例示では絶縁膜１４０と透光性導電膜１７６との積層膜によって構成されている。すなわち、液晶表示装置３０Ｂでは絶縁膜１４０は、アライメントマーク１７０Ｂの箇所に開口部を有しておらず、枠状の遮光性部分１７２の内側にも配置されている。透光性導電膜１７６は透光性の絶縁膜１４０上に配置され異方性導電層５０に接触している。透光性導電膜１７６は例えばＩＴＯ、ＩＺＯ等で構成可能であり、その厚さは例えば０．３μｍである。透光性導電膜１７６は電極パッド１５２と同一の材料で構成可能である。この場合、単一の透光性導電膜をパターニングして電極パッド１５２と透光性導電膜１７６とを同時に形成可能であり、電極パッド１５２と透光性導電膜１７６とを同じ厚さで形成可能である。これによれば透光性導電膜１７６を容易に製造できる。
【００５６】
絶縁膜１４０は配線１４８を被覆する厚さを有している。このため、アライメントマーク１７０Ｂによれば、絶縁膜１４０を有さない上記アライメントマーク１７０（図４参照）と比べて、異方性導電層５０の厚さを透光性部分１７４Ｂ上と端子１５０上とで揃えやすい。また、絶縁膜１４０が多層構造である場合、そのうちの一部の透光性絶縁膜を利用することによって透光性部分１７４Ｂの厚さを調整することが可能である。
【００５７】
また、絶縁膜１４０に替えてまたは加えて、絶縁膜１１２（図２参照）のうちの一部または全部の透光性絶縁膜を利用して透光性部分１７４Ｂを構成してもよい。また、絶縁膜１４０に替えてまたは加えて、透光性の絶縁膜１１６（図２参照）を利用して透光性部分１７４Ｂを構成してもよい。これらの構成によっても透光性部分１７４Ｂの厚さを調整することができる。
【００５８】
図７および図８にアライメントマーク１７０の他の平面パターンを説明する平面図を示す。図７の例では、遮光性部分１７２が４つのＬ字状部分１７２ａで構成されている。各Ｌ字状部分１７２ａは、透光性部分１７４の周囲に配置され、透光性部分１７４の各角部にあてがうように設けられている。図８の例では、遮光性部分１７２が４つの直線状部分１７２ｂで構成されている。各直線状部分１７２ｂは、透光性部分１７４の周囲に配置され、透光性部分１７４の各辺部に沿って設けられている。なお、Ｌ字状部分１７２ａおよび直線状部分１７２ｂの数は上記の４つに限定されるものではない。また、Ｌ字状部分１７２ａと直線状部分１７２ｂとを組み合わせてもよい。また、Ｌ字状部分１７２ａと直線状部分１７２ｂとの一方または両方を透光性部分１７４Ｂ（図６参照）と組み合わせてもよい。上記では透光性部分１７４，１７４Ｂが正方形の場合を例示したが、例えば他の多角形、円形等であってもよい。
【００５９】
また、外部配線基板６０のアライメントマーク６８も上記例示の正方形に限定されるものではなく、例えば他の多角形、円形、十字形状、Ｘ形状等であってもよい。
【００６０】
上記では液晶表示装置３０がＦＦＳ方式である場合を例示したが、ＩＰＳ（In-Plane  Switching）方式またはＴＮ（Twisted  Nematic）方式にも上記構成を適用可能である。図９にＩＰＳ方式の液晶表示装置３０Ｃを例示し、図１０にＴＮ方式の液晶表示装置３０Ｄを例示する。図９および図１０には画素４０の１個分を図示している。なお、以下ではＦＦＳ方式の上記液晶表示装置３０との相違を中心に説明する。
【００６１】
図９に例示の液晶表示装置３０Ｃでは、共通電極１１４と画素電極１１８との両方がくし歯形状をしており、当該くし歯形状を互いにかみ合わせた形態で電極１１４，１１８の両方が絶縁膜１１２上に配置されている。かみ合わせ部分において電極１１４，１１８間のスペースがそれぞれスリット１２０に対応する。
【００６２】
液晶表示装置３０Ｃにおいて、共通電極１１４、画素電極１１８、絶縁膜１１２を利用してアライメントマーク１７０，１７０Ｂの透光性部分１７４，１７４Ｂ（図４および図６参照）を構成可能である。ここで、ＩＰＳ方式において電極１１４，１１８の間に絶縁膜１１６（図２参照）を設けることも可能であり、この場合には絶縁膜１１６も透光性部分１７４，１７４Ｂ（図４および図６参照）の構成に利用可能である。
【００６３】
図１０に例示の液晶表示装置３０Ｄでは、画素電極１１８は基板１１０に設けられている一方で、共通電極１１４は基板２１０に設けられている。例えば、画素電極１１８は絶縁膜１１２上に配置され、共通電極１１４はカラーフィルタ２１２上に配置されている。液晶表示装置３０Ｄにおいて、これらの画素電極１１８、絶縁膜１１２を利用してアライメントマーク１７０，１７０Ｂの透光性部分１７４，１７４Ｂ（図４および図６参照）を構成可能である。
【００６４】
上記では電気光学装置として、液晶表示装置３０，３０Ｂ〜３０Ｄを例示したが、プラズマディスプレイ装置等の他の電気光学装置にも上記の各種構成を適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】実施の形態について液晶表示装置を説明する平面図である。
【図２】実施の形態について液晶表示装置を説明する模式図である。
【図３】図１中の一点鎖線で囲んだ部分３を説明する平面図である。
【図４】図３中の４−４線における断面図である。
【図５】実施の形態について異方性導電層による電気的接合を検査する方法を説明する模式図である。
【図６】実施の形態について他の液晶表示装置を説明する断面図である。
【図７】実施の形態について基板側アライメントマークの第３例を説明する平面図である。
【図８】実施の形態について基板側アライメントマークの第４例を説明する平面図である。
【図９】実施の形態についてＩＰＳ方式の液晶表示装置を説明する模式図である。
【図１０】実施の形態についてＴＮ方式の液晶表示装置を説明する断面図である。
【符号の説明】
【００６６】
３０，３０Ｂ〜３０Ｄ  電気光学装置、５０  異方性導電層、５２  導電性粒子、６０  配線基板、６６  端子、６８  アライメントマーク、１１０  透光性基板、１１２，１１６，１４０  絶縁膜、１５０  基板側端子、１７０，１７０Ｂ  基板側アライメントマーク、１７２  遮光性部分、１７４，１７４Ｂ  透光性部分、１７６  透光性導電膜、２１０  基板、３００  液晶層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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