(57)【要約】【課題】基板上に供給後の機能液を基板上で良好に濡れ拡がらせることができる膜パターンの形成方法を提供する。【解決手段】形成方法は、バンクによって基板上に形成された区画領域の所定位置に向けて吐出ヘッドより滴を供給し、供給後のバンクの間での滴のエッジの形状が、滴が濡れ拡がる方向に向かって凹むように設定される。【選択図】図７
2008093620.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
バンクによって基板上に形成された区画領域の所定位置に向けて吐出ヘッドより滴を供給し、
前記供給後の前記バンクの間での前記滴のエッジの形状が、前記滴が濡れ拡がる方向に向かって凹むように設定される膜パターンの形成方法。
【請求項２】
前記バンクは、前記基板に形成された凹部を含む請求項１記載の膜パターンの形成方法。
【請求項３】
前記滴に対する前記バンクの接触角を４５度以下にする請求項１記載の膜パターンの形成方法。
【請求項４】
前記滴に対する前記基板の接触角を５０度以下にする請求項３記載の膜パターンの形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、膜パターンの形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板上に配線パターン等の膜パターンを形成するための方法として、例えば下記特許文献に開示されているような、液滴吐出ヘッドより機能液の滴を基板上に供給する液滴吐出法（インクジェット法）が提案されている。
【特許文献１】特開平１１−２７４６７１号公報
【特許文献２】特開２０００−２１６３３０号公報
【特許文献３】特開２００５−１２１８１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
液滴吐出法に基づいて基板上に機能液の滴を供給する場合、基板上に供給後の機能液を基板上で濡れ拡がらせたい場合がある。例えば、バンクによって区画された区画領域の幅が狭い場合、基板上に供給後の機能液を濡れ拡がらせることによって、その狭い幅の区画領域に機能液を供給することができる。
【０００４】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、基板上に供給後の機能液を基板上で良好に濡れ拡がらせることができる膜パターンの形成方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記の課題を解決するため、本発明は以下の構成を採用する。
【０００６】
本発明の第１の観点によると、バンクによって基板上に形成された区画領域の所定位置に向けて吐出ヘッドより滴を供給し、前記供給後の前記バンクの間での前記滴のエッジの形状が、前記滴が濡れ拡がる方向に向かって凹むように設定される膜パターンの形成方法が提供される。
【０００７】
本発明によれば、基板上に供給後の機能液を基板上で良好に濡れ拡がらせることができる。
【０００８】
本発明の膜パターンの形成方法において、前記バンクは、前記基板に形成された凹部を含む構成を採用できる。
【０００９】
これによれば、基板上に凸状のバンクを形成することなく区画領域を形成できる。
【００１０】
本発明の膜パターンの形成方法において、前記滴に対する前記バンクの接触角を４５度以下にする構成を採用できる。
【００１１】
これによれば、バンクは十分な親液性を有するので、機能液をバンクに沿って良好に濡れ拡がらせることができる。
【００１２】
本発明の膜パターンの形成方法において、前記滴に対する前記基板の底面の接触角を５０度以下にする構成を採用できる。
【００１３】
これによれば、バンク間の底面となる基板も十分な親液性を有するので、機能液をバンクに沿って良好に濡れ拡がらせることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。なお、以下の説明においては、必要に応じてＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。
【００１５】
図１は膜パターンの形成方法の一実施形態を概念的に示す図である。本実施形態の膜パターンの形成方法は、基板Ｐ上にバンクＢを形成する工程と、バンクＢによって区画された領域Ａに機能液Ｌを供給する工程と、基板Ｐ上のバンクＢ及び機能液Ｌを焼成する工程とを有している。領域Ａは、互いに対向するバンクＢの側面（壁面）Ｋによって基板Ｐ上に形成される。
【００１６】
バンクＢによって区画された領域Ａに機能液Ｌが供給され、この機能液Ｌが乾燥、焼成されることにより、基板Ｐ上に膜パターンＦが形成される。バンクＢによって膜パターンＦの形状が規定されるため、例えば隣接するバンクＢ、Ｂ間の幅を狭くする等、バンクＢを適切に形成することにより、膜パターンＦの微細化、細線化を実現することができる。なお、膜パターンＦが形成された後、基板ＰからバンクＢを除去してもよく、そのまま基板Ｐ上に残してもよい。
【００１７】
基板Ｐとしては、ガラス、石英ガラス、Ｓｉウエハ、プラスチックフィルム、及び金属板等、種々のものを用いることができる。更に、これら基板の表面に半導体膜、金属膜、誘電体膜、有機膜等の下地膜が形成されていてもよい。
【００１８】
バンクＢを形成するための材料（以下、バンク材料、と称する）には、種々の材料を用いることができる。例えば、ポリシラザン、ポリシロキサン、ポリシラン等を主成分とした無機質の材料を用いることができる。バンク材料が無機質の材料を含むことにより、バンクＢの耐熱性が高くなり、バンクＢと基板Ｐとの間の熱膨張率の差が小さくなる。そのため、機能液の乾燥時の熱等によるバンクＢの劣化が抑制され、膜パターンＦが良好な形状で形成される。
【００１９】
本実施形態においては、バンク材料として、例えば特許第２８９０８９３号公報に開示されているような、シロキサン結合を主鎖とした材料が用いられる。例えば、バンク材料としては、シロキサン結合を主鎖とし、−Ｈ、−ＯＨ、−（ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）ｎＨ、−ＣＯＯＨ、−ＣＯＯＫ、−ＣＯＯＮａ、−ＣＯＮＨ２、−ＳＯ３Ｈ、−ＳＯ３Ｎａ、−ＳＯ３Ｋ、−ＯＳＯ３Ｈ、−ＯＳＯ３Ｎａ、−ＯＳＯ３Ｋ、−ＰＯ３Ｈ２、−ＰＯ３Ｎａ２、−ＰＯ３Ｋ２、−ＮＯ２、−ＮＨ２、−ＮＨ３Ｃｌ、−ＮＨ３Ｂｒ、≡ＨＮＣｌ、及び≡ＮＨＢｒのうち、少なくとも１つを側鎖とする材料を用いることができる。また、側鎖の一部に、アルキル基、アルケニル基、及びアリール基のうち少なくとも１つを有する材料であってもよい。
【００２０】
バンクＢを形成する方法としては、例えば、各種コート法やＣＶＤ法（化学的気相成長法）等を用いて基板Ｐ上に上述のバンク材料からなる層を形成した後、フォトリソグラフィ法等の所定のパターニング手法を用いて、所定の形状のバンクＢを形成することができる。
【００２１】
機能液（インク）Ｌとしては、種々のものを用いることができる。機能液とは、液中に含まれる膜成分を膜化することによって所定の機能を有する膜（機能膜）を形成し得るものをいう。係る機能としては、電気・電子的機能（導電性、絶縁性、圧電性、焦電性、誘電性等）、光学的機能（光選択吸収、反射性、偏光性、光選択透過性、非線形光学性、蛍光あるいはリン光等のルミネッセンス、フォトクロミック性等）、磁気的機能（硬磁性、軟磁性、非磁性、透磁性等）、化学的機能（吸着性、脱着性、触媒性、吸水性、イオン伝導性、酸化還元性、電気化学特性、エレクトロクロミック性等）、機械的機能（耐摩耗性等）、熱的機能（伝熱性、断熱性、赤外線放射性等）、生体的機能（生体適合性、抗血栓性等）等の種々の機能がある。
【００２２】
本実施形態においては、液滴吐出法（インクジェット法）を用いて、機能液Ｌの滴をバンクＢによって区画された領域に供給する。液滴吐出法を用いることにより、スピンコート法などの他の塗布技術に比べて機能液の消費の無駄を少なくすることができる。また、液滴吐出法は、基板上に供給する機能液の量、位置の制御を容易に行うことができる。
【００２３】
本実施形態においては、機能液Ｌとして、配線パターンを形成するための導電性材料を含む機能液が用いられる。これにより、基板上に導電性を有する膜パターンを形成することができる。この導電性の膜パターンは、配線として各種デバイスに適用される。
【００２４】
配線パターンを形成するための機能液Ｌとしては、導電性微粒子を分散媒に分散させた分散液、有機銀化合物、酸化銀ナノ粒子を溶媒（分散媒）に分散した溶液等を用いることができる。導電性微粒子としては、例えば、金、銀、銅、パラジウム、及びニッケルのうちのいずれかを含有する金属微粒子の他、これらの酸化物、並びに導電性ポリマーや超電導体の微粒子などが用いられる。これらの導電性微粒子は、分散性を向上させるために表面に有機物などをコーティングして使うこともできる。導電性微粒子の表面にコーティングするコーティング材としては、例えばキシレン、トルエン等の有機溶剤やクエン酸等が挙げられる。
【００２５】
導電性微粒子の粒径は１ｎｍ以上０．１μｍ以下であることが好ましい。０．１μｍより大きいと、後述する液体吐出ヘッドのノズルに目詰まりが生じるおそれがある。また、１ｎｍより小さいと、導電性微粒子に対するコーテイング剤の体積比が大きくなり、得られる膜中の有機物の割合が過多となる。
【００２６】
分散媒としては、上述の導電性微粒子を分散できるもので、凝集を起こさないものであれば特に限定されない。例えば、水の他に、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノールなどのアルコール類、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、デカン、ドデカン、テトラデカン、トルエン、キシレン、シメン、デュレン、インデン、ジペンテン、テトラヒドロナフタレン、デカヒドロナフタレン、シクロヘキシルベンゼンなどの炭化水素系化合物、またエチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、ビス（２−メトキシエチル）エーテル、ｐ−ジオキサンなどのエーテル系化合物、さらにプロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、シクロヘキサノンなどの極性化合物を例示できる。これらのうち、微粒子の分散性と分散液の安定性、また液滴吐出法（インクジェット法）への適用の容易さの点で、水、アルコール類、炭化水素系化合物、エーテル系化合物が好ましく、より好ましい分散媒としては、水、炭化水素系化合物を挙げることができる。
【００２７】
機能液の表面張力は０．０２Ｎ／ｍ以上０．０７Ｎ／ｍ以下の範囲内であることが好ましい。液滴吐出法にて液体を吐出する際、表面張力が０．０２Ｎ／ｍ未満であると、機能液のノズル面に対する濡れ性が増大するため飛行曲りが生じやすくなり、０．０７Ｎ／ｍを超えるとノズル先端でのメニスカスの形状が安定しないため吐出量や、吐出タイミングの制御が困難になる。表面張力を調整するため、機能液には、基板との接触角を大きく低下させない範囲で、フッ素系、シリコーン系、ノニオン系などの表面張力調節剤を微量添加するとよい。ノニオン系表面張力調節剤は、機能液の基板に対する濡れ性を向上させ、機能膜のレベリング性を改良し、機能膜の微細な凹凸の発生などの防止に役立つものである。表面張力調節剤は、必要に応じて、アルコール、エーテル、エステル、ケトン等の有機化合物を含んでもよい。
【００２８】
機能液の粘度は１ｍＰａ・ｓ以上５０ｍＰａ・ｓ以下であることが好ましい。液滴吐出法を用いて機能液の滴を吐出する際、粘度が１ｍＰａ・ｓより小さい場合にはノズル周辺が機能液の流出により汚染されやすく、また粘度が５０ｍＰａ・ｓより大きい場合は、ノズル孔での目詰まり頻度が高くなり円滑な滴の吐出が困難となる。
【００２９】
液滴吐出法の吐出技術としては、帯電制御方式、加圧振動方式、電気機械変換式、電気熱変換方式、静電吸引方式などが挙げられる。帯電制御方式は、機能液に帯電電極で電荷を付与し、偏向電極で機能液の飛翔方向を制御してノズルから吐出させるものである。また、加圧振動方式は、材料に３０ｋｇ／ｃｍ２程度の超高圧を印加してノズル先端側に機能液を送出するものであり、制御電圧をかけない場合には機能液が直進してノズルから吐出され、制御電圧をかけると機能液に静電的な反発が起こり、機能液が飛散してノズルから吐出されない。また、電気機械変換方式は、ピエゾ素子（圧電素子）がパルス的な電気信号を受けて変形する性質を利用したもので、ピエゾ素子が変形することによって機能液を貯留した空間に可撓性の部材を介して圧力を与え、この空間から機能液を押し出してノズルから吐出させるものである。
【００３０】
また、電気熱変換方式は、機能液を貯留した空間内に設けたヒータにより、機能液を急激に気化させてバブル（泡）を発生させ、バブルの圧力によって空間内の機能液を吐出させるものである。静電吸引方式は、機能液を貯留した空間内に微小圧力を加え、ノズルに機能液のメニスカスを形成し、この状態で静電引力を加えてから機能液を引き出すものである。また、この他に、電場による機能液の粘性変化を利用する方式や、放電火花で飛ばす方式などの技術も適用可能である。液滴吐出法は、機能液の使用に無駄が少なく、しかも所望の位置に所望の量の機能液を的確に供給できるという利点を有する。なお、液滴吐出法により吐出される機能液の一滴の量は、例えば１〜３００ナノグラムである。
【００３１】
図２は基板上に機能液を供給する液滴吐出装置（インクジェット装置）ＩＪの概略構成を示す斜視図である。図２において、液滴吐出装置ＩＪは、基台９と、基台９上に設けられ、基板Ｐを支持可能なステージ７と、ステージ７に支持されている基板Ｐ上に機能液Ｌの滴を吐出する液滴吐出ヘッド１と、液滴吐出ヘッド１を移動するための駆動モータ２と、ステージ７を移動するための駆動モータ３と、液滴吐出装置ＩＪの動作を制御する制御装置ＣＯＮＴとを備えている。
【００３２】
液滴吐出ヘッド１は、複数の吐出ノズルを備えたマルチノズルタイプの液滴吐出ヘッドであり、長手方向とＸ軸方向とを一致させている。複数の吐出ノズルは、液滴吐出ヘッド１の下面にＸ軸方向に並んで一定間隔で設けられている。液滴吐出ヘッド１は、吐出ノズルより、ステージ７に支持されている基板Ｐに対して機能液の滴を吐出する。
【００３３】
駆動モータ２は、液滴吐出ヘッド１を移動するためのものである。液滴吐出ヘッド１にはＸ軸方向駆動軸４が接続されており、駆動モータ２は、駆動軸４を回転することにより、液滴吐出ヘッド１をＸ軸方向に移動可能である。
【００３４】
駆動モータ３は、ステージ７を移動するためのものである。ステージ７にはＹ軸方向駆動軸５が接続されており、駆動モータ３は、駆動軸５を回転することにより、ステージ７をＹ軸方向に移動可能である。
【００３５】
制御装置ＣＯＮＴは、駆動モータ２、３を制御し、液滴吐出ヘッド１と基板Ｐを支持するステージ７とを相対的に移動しつつ、基板Ｐ上に滴を供給する。
【００３６】
また、本実施形態の液滴吐出装置ＩＪはクリーニング機構８を備えている。クリーニング機構８は、液滴吐出ヘッド１をクリーニングするものであり、不図示の駆動モータにより、Ｙ軸方向に移動可能である。制御装置ＣＯＮＴは、クリーニング機構８と液滴吐出ヘッド１とを相対的に移動することによって、クリーニング機構８と液滴吐出ヘッド１とを近づけ、そのクリーニング機構８を用いて液滴吐出ヘッド１をクリーニングすることができる。
【００３７】
また、本実施形態の液滴吐出装置ＩＪは、基板Ｐを熱処理するためのヒータ１５を備えている。ヒータ１５は、例えば基板Ｐ上の機能液に含まれる溶媒の蒸発、乾燥を行うことができる。
【００３８】
図３はピエゾ方式による機能液の吐出原理を説明するための図である。図３において、機能液を収容する液体室２１に隣接してピエゾ素子２２が設置されている。液体室２１には、機能液を収容するタンクを含む供給系２３を介して機能液が供給される。ピエゾ素子２２は駆動回路２４に接続されており、この駆動回路２４を介してピエゾ素子２２に電圧を印加し、ピエゾ素子２２を変形させることにより、液体室２１が変形し、ノズル２５から機能液が吐出される。この場合、印加電圧の値を変化させることにより、ピエゾ素子２２の歪み量が制御される。また、印加電圧の周波数を変化させることにより、ピエゾ素子２２の歪み速度が制御される。ピエゾ方式による液滴吐出は材料に熱を加えないため、材料の組成に影響を与えにくいという利点を有する。
【００３９】
〔第１実施形態〕
次に、膜パターンの形成方法の第１実施形態について図４〜図７を参照しながら説明する。図４は本実施形態に係る膜パターンの形成方法の一例を示すフローチャート図、図５、図６、図７は形成手順を示す模式図である。本実施形態では、配線パターンを形成する場合を例にして説明する。
【００４０】
本実施形態に係る配線パターンの形成方法は、上述した配線パターンを形成するための機能液を基板上に供給し、基板上に配線パターン（導電膜）を形成するものであって、基板上に配線パターンに応じたバンクを形成する工程と、バンクによって区画された領域に機能液を供給する工程と、基板上の機能液及びバンクを焼成する工程とを有している。機能液を基板上に供給する前には、バンク表面（上面）を撥液性にする処理が行われる。そして、基板上に機能液を供給した後、バンク上面の撥液性物質を除去するために、焼成は、所定のガス雰囲気下で行われる。以下、各工程毎に詳細に説明する。本実施形態では基板Ｐとしてガラス基板が用いられる。
【００４１】
（親液処理工程）
まず、図５（Ａ）に示すように、バンクを形成する前に、基板Ｐの表面を親液性にする親液化処理が行われる（親液化処理工程Ｓ１）。親液化処理は、基板Ｐ上に供給される機能液が基板Ｐの表面に良好に濡れるようにするために行われる。親液化処理は、例えば基板Ｐの表面にＴｉＯ２等の親液性の高い膜を形成する、あるいは、基板Ｐの表面を粗面化することで基板Ｐの表面を親液性にしてもよい。
【００４２】
（バンク形成工程）
次に、基板Ｐ上にバンクを形成する処理が行われる。バンクは、例えばフォトリソグラフィ法や印刷法等、所定の手法を用いて形成される。例えば、フォトリソグラフィ法を用いる場合には、スピンコート、スプレーコート、ロールコート、ダイコート、ディップコート等の所定の方法で、図５（Ｂ）に示すように、基板Ｐ上にバンク材料からなる膜３１が形成される（バンク膜形成工程Ｓ２）。上述のように、本実施形態のバンク材料は、例えば特許第２８９０８９３号公報に開示されているような、シロキサン結合を主鎖とした材料である。本実施形態では、膜３１は、バンク材料をスピンコートすることで形成される。
【００４３】
そして、図５（Ｃ）に示すように、バンク材料がプリべークされる（プリベーク工程Ｓ３）。プリベークは、例えばホットプレートを用いて、９５℃で２分間加熱することで行われる。これにより、膜３１に含まれる溶媒が除去される。
【００４４】
次に、図５（Ｄ）に示すように、マスクを用いて膜３１が露光される（第１露光工程Ｓ４）。マスクには、形成しようとするバンクに応じたパターンが形成されており、マスクのパターンに応じた膜３１上の領域に露光のための光が照射される。例えばマスクと膜３１とをコンタクトさせた状態で光が照射される。本実施形態では、バンク材料として、シロキサン結合を主鎖とした材料と光酸発生剤（ＰＡＧ）とを含む感光性の材料を用いており、露光のための光を照射し、後述の現像処理を行うことで、バンク材料を直接パターニングできるようになっている。
【００４５】
（撥液化処理工程）
次に、図５（Ｅ）に示すように、バンクを形成するための膜３１の表面（上面）を撥液性する撥液化処理が行われる（撥液化処理工程Ｓ５）。撥液化処理としては、例えば大気雰囲気中でテトラフルオロメタンを処理ガスとするプラズマ処理法（ＣＦ４プラズマ処理法）を採用することができる。なお、処理ガスとしては、テトラフルオロメタン（四フッ化炭素）に限らず、他のフルオロカーボン系のガスを用いることもできる。このような撥液化処理を行なうことにより、バンクを形成するための膜３１にフッ素基が導入され、膜３１の上面に高い撥液性が付与される。
【００４６】
図８はＣＦ４プラズマ処理する際に用いるプラズマ処理装置の一例を示す概略構成図である。図８に示すプラズマ処理装置は、交流電源１４１に接続された電極１４２と、接地電極であるテーブル１４０とを有している。テーブル１４０は基板Ｐを支持しつつＹ軸方向に移動可能となっている。電極４２の下面には、移動方向と直交するＸ軸方向に延在する２本の平行な放電発生部１４４、１４４が突設されているとともに、放電発生部１４４を囲むように誘電体部材１４５が設けられている。誘電体部材１４５は放電発生部１４４の異常放電を防止するものである。そして、誘電体部材１４５を含む電極１４２の下面は略平面状となっており、放電発生部１４４及び誘電体部材１４５と基板Ｐとの間には僅かな空間（放電ギャップ）が形成されるようになっている。また、電極１４２の中央にはＸ軸方向に細長く形成された処理ガス供給部の一部を構成するガス噴出口１４６が設けられている。ガス噴出口１４６は、電極内部のガス通路１４７及び中間チャンバ１４８を介してガス導入口１４９に接続している。
【００４７】
ガス通路１４７を通ってガス噴出口１４６から噴射された処理ガスを含む所定ガスは、前記空間の中を移動方向（Ｙ軸方向）の前方及び後方に分かれて流れ、誘電体部材１４５の前端及び後端から外部に排気される。これと同時に、交流電源１４１から電極１４２に所定の電圧が印加され、放電発生部１４４、１４４とテーブル１４０との間で気体放電が発生する。そして、この気体放電により生成されるプラズマで所定ガスの励起活性種が生成され、放電領域を通過する基板Ｐの上に形成されたバンク膜３１の表面全体が連続的に処理される。
【００４８】
所定ガスは、処理ガスである四フッ化炭素（テトラフルオロメタン）と、大気圧近傍の圧力下で放電を容易に開始させ且つ安定に維持するためのヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）等の希ガスや窒素（Ｎ２）等の不活性ガスとを混合したものを用いることができる。
【００４９】
（現像工程）
次に、図６（Ａ）に示すように、現像処理が行われる（現像工程Ｓ６）。なお、現像処理の条件は、現像液：ＴＭＡＨ２．３８％、温度：２５℃、現像時間：８０秒とする。これにより、バンクＢ、Ｂが形成され、バンクＢ、Ｂ間には凹部３４が形成される。
【００５０】
（親液化処理工程）
次に、図６（Ｂ）に示すように、領域Ａを形成するバンクＢの側面（壁面）Ｋ及び側面Ｋ同士の間の底面Ｊ（すなわち基板Ｐの表面）を親液性にする親液化処理が行われる（親液化処理工程Ｓ７）。親液化処理としては、側面Ｋ及び底面Ｊに紫外光を照射する紫外光（ＵＶ）照射処理を採用することができる。本実施形態においては、撥液化処理工程Ｓ５によって撥液性が付与されたバンクを形成するための膜３１の上面の撥液性を低下させないように、換言すれば、膜３１の上面に紫外光が照射されないように、マスクを用いて紫外光が照射される。マスクを介した紫外光は、側面Ｋ及び底面Ｊに照射され、膜３１の上面にはほぼ照射されない。
【００５１】
なお、側面Ｋ及び底面Ｊを親液性にする親液化処理としては、例えば大気雰囲気中で酸素を処理ガスとするプラズマ処理法（Ｏ２プラズマ処理法）を採用することができる。また、紫外光（ＵＶ）照射処理、Ｏ２プラズマ処理等を実行することによって、バンクＢ、Ｂ間の残渣を除去することも可能である。
【００５２】
本実施形態においては、親液化処理によって、機能液Ｌの滴に対するバンクＢの側面Ｋの接触角が４５度以下に設定される。また、親液化処理によって、機能液Ｌの滴に対する底面Ｊ（基板Ｐの表面）の接触角が５０度以下に設定される。
【００５３】
（機能液供給工程）
次に、図２を参照して説明したような液滴吐出装置ＩＪを用いて、配線パターンを形成するための機能液Ｌの滴を、互いに対向するバンクＢ、Ｂの側面Ｋ、Ｋによって基板Ｐ上に形成された区画領域Ａの所定位置に向けて供給（吐出）する（機能液供給工程Ｓ８）。機能液供給工程では、図６（Ｃ）に示すように、液滴吐出ヘッド１から配線パターンを形成するための材料を含む機能液Ｌを滴にして吐出する。吐出された滴は、基板Ｐ上のバンクＢ、Ｂ間の凹部３４を満たす。
【００５４】
本実施形態においては、図７の模式図に示すように、凹部３４に供給後のバンクＢ、Ｂの側面Ｋ、Ｋ同士の間での滴のエッジの形状が、滴が濡れ拡がる方向に向かって凹む。換言すれば、滴のエッジの形状が、滴が供給された所定位置（供給位置）に向かって凹む。本実施形態においては、親液化処理によって、機能液Ｌの滴に対するバンクＢの側面Ｋの接触角が４５度以下に設定されているので、基板Ｐ上に形成された凹部３４に供給後の壁面Ｋ、Ｋ同士の間での機能液Ｌのエッジの形状を、滴の供給位置に向かって凹むように設定することができる。また、本実施形態においては、機能液Ｌの滴に対する底面Ｊ（基板Ｐの表面）の接触角が５０度以下に設定されているので、基板Ｐ上に形成された凹部３４に供給後の壁面Ｋ、Ｋ同士の間での機能液Ｌのエッジの形状を、滴の供給位置に向かって凹むように設定することができる。なお、底面Ｊの接触角は、必ずしも５０度以下でなくてもよい。
【００５５】
基板Ｐ上に供給後の機能液Ｌのエッジの形状が、滴の供給位置に向かって凹んでいるので、機能液Ｌは、基板Ｐ上において、凹部３４の長手方向に良好に濡れ拡がることができる。
【００５６】
凹部３４における機能液Ｌのエッジの形状が凹んでいるので、機能液Ｌのエッジとの間で界面を形成するエッジ近傍の気体空間は負圧状態となる。すなわち、機能液Ｌのエッジ近傍には、滴の供給位置から外側に向かう力が発生する。これにより、機能液Ｌは、基板Ｐ上において、凹部３４の長手方向に良好に濡れ拡がる。
【００５７】
また、滴が供給される凹部３４はバンクＢ、Ｂに囲まれているので、滴が所望の領域以外に濡れ拡がることを阻止することができる。また、上述の撥液化処理工程において、膜３１の上面（バンクＢ、Ｂの上面）は撥液性となっている。したがって、バンクＢ、Ｂ間の凹部３４に向けて供給された機能液の一部が、凹部３４から外れてバンクＢの上面にかかったとしても、撥液性を有するバンクＢの上面で弾かれて凹部３４に流れ込むことができる。また、上述のように、膜３１の上面には撥液性が付与されているが、凹部３４の内面、すなわち側面Ｋ及び底面Ｊには撥液性が付与されていないので、凹部３４に供給された機能液は、凹部３４の内面に良好に濡れることができる。これにより、バンクＢ、Ｂによって区画された領域Ａ（すなわち凹部３４）は機能液Ｌで均一に満たされる。
【００５８】
次に、図６（Ｄ）に示すように、基板Ｐ全体に露光処理を施す（第２露光工程Ｓ９）。焼成工程Ｓ１０の前に、第２露光工程Ｓ９を行うことにより、焼成工程Ｓ１０におけるバンク中の脱水縮合反応を促進することができる。また、バンク材料中に残留している光酸発生剤（ＰＡＧ）を反応（除去）することができ、例えば光酸発生剤（ＰＡＧ）に起因してバンクＢが着色している場合でも、その色を消すことができる。
【００５９】
（焼成工程）
そして、図６（Ｅ）に示すように、基板上の機能液及びバンクを焼成する（焼成工程Ｓ１０）。焼成を行うことにより、基板上の機能液の膜に導電性を発現させるとともに、バンクＢ、Ｂを硬化させる。
【００６０】
焼成は、所定のガス雰囲気下で行われる。本実施形態においては、焼成は、水素を含むガス雰囲気下で行われる。例えば、水素ガスを１％程度含んだ窒素ガス（Ｈ２ガス：１％、Ｎ２ガス：９９％）で満たし、その水素ガスを含んだ窒素ガス雰囲気下において焼成を行う。すなわち、水素ガスを含む還元ガス雰囲気下（還元雰囲気下）で焼成を行う。本実施形態では、水素ガスを１％程度含んだ窒素ガス雰囲気下で、３５０度、１時間、バンクＢと基板Ｐ上に供給された機能液Ｌとを一緒に焼成する。
【００６１】
なお、所定のガス雰囲気下で焼成（本焼成）を行う前に、例えばホットプレート等を行って仮焼成を行うようにしてもよい。そして、仮焼成を行った後、本焼成を行うようにしてもよい。
【００６２】
焼成を行うことにより、機能液の溶媒（分散媒）が除去され、基板Ｐ上の機能液Ｌの膜は、図６（Ｅ）に示すように、導電性を有する膜パターンＦに変換される。また、機能液Ｌの導電性材料が例えば有機銀化合物の場合、熱処理を行い、有機銀化合物の有機分を除去し、銀粒子を残留させることによって、導電性が発現される。また、導電性材料が例えばニッケル等であっても、還元雰囲気下で焼成を行うことで、所望の導電性を発現させることができる。
【００６３】
また、水素を含む所定のガス雰囲気下で焼成を行うことで、バンクＢ上面の撥液性物質を除去することができる。上述のように、撥液化処理工程Ｓ５において、バンクＢの上面にはフッ素基が配置されているが、所定のガス雰囲気下で焼成を行うことで、そのバンクＢ上面のフッ素基が除去される。
【００６４】
以上説明したように、本実施形態においては、基板Ｐ上に供給後の側面Ｋ、Ｋ同士の間での機能液Ｌ（滴）のエッジの形状が、滴が濡れ拡がる方向に向かって凹んでいるので、基板Ｐ上に供給後の機能液Ｌを基板Ｐ上で良好に濡れ拡がらせることができる。したがって、所望の膜パターンを形成できる。
【００６５】
なお、機能液Ｌに含まれる溶媒（液体）が気化した成分（溶媒の蒸気）が満たされた雰囲気下で、区画領域Ａに機能液Ｌの滴を供給することによっても、供給後の側面Ｋ、Ｋ同士の間での機能液Ｌ（滴）のエッジの形状を、滴の供給位置に向かって凹むように設定可能である。例えば、図９に示すように、室１１に基板Ｐを収容し、その室１１を、機能液Ｌの溶媒を含むガスで満たし、そのガスを含んだ雰囲気下において、液滴吐出ヘッド１より、機能液Ｌの滴を区画領域Ａに供給する。こうすることによっても、側面Ｋ、Ｋ同士の間での機能液Ｌのエッジを所望の形状にすることができる。
【００６６】
［第２実施形態］
次に第２実施形態について図１０を参照しながら説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。本実施形態のパターン形成方法は、基板Ｐ上にバンクＢを形成するバンク形成工程と、バンクＢによって区画された線状の領域Ａに機能液Ｌを供給する機能液供給工程とを有している。バンク形成工程は、上述の第１実施形態で説明した手順と同等である。
【００６７】
本実施形態のパターン形成方法では、バンクＢによって区画された線状の領域Ａに機能液Ｌが供給され、この機能液Ｌが例えば乾燥されることにより、基板Ｐ上に線状のパターンＦが形成される。この場合、バンクＢによってパターンＦの形状が規定されることから、例えば隣接するバンクＢ、Ｂ間の幅を狭くするなど、バンクＢを適切に形成することにより、パターンＦの微細化や細線化が図られる。この場合、バンクＢの内面（側面Ｋ、底Ｊ）は機能液Ｌに対して濡れ性の良い状態であることが望ましいが、上述したように、バンクＢの内面は撥液化されていないので、バンクＢ，Ｂ間の幅を狭くしても機能液Ｌは毛管現象等によりバンクＢ，Ｂ内にスムーズに入り込むことができる。なお、パターンＦが形成された後、基板ＰからバンクＢを除去してもよく、そのまま基板Ｐ上に残してもよい。
【００６８】
また、本実施形態のパターン形成方法では、基板Ｐ上にバンクＢを形成する際、バンクＢによって区画される線状の領域Ａについて、一部の幅を広くする。すなわち、線状領域Ａの軸方向に関する所定の位置に、他の領域の幅Ｗに比べて広い幅Ｗｐ（Ｗｐ＞Ｗ）からなる部分（以後、必要に応じて幅広部Ａｓと称す）を、単数あるいは複数設ける。
【００６９】
本実施形態のパターン形成方法では、バンクＢによって区画された線状の領域Ａの幅が部分的（幅広部Ａｓ）に広く形成されていることにより、機能液Ｌの配置時、この幅広部Ａｓに機能液Ｌの一部が退避し、バンクＢからの機能液Ｌの溢れが防止される。
【００７０】
一般に、線状の領域Ａに液体を配置する際、液体の表面張力の作用などによってその領域に液体が流入しにくかったり、その領域内で液体が拡がりにくい場合がある。これに対して、本実施形態のパターン形成方法では、領域Ａへの機能液Ｌの流入あるいは領域Ａ内での機能液Ｌの拡がりが促進され、バンクＢからの機能液Ｌの溢れが防止される。なお、機能液Ｌの配置に際して、領域Ａに対する機能液の供給量が適宜設定されることは言うまでもない。
【００７１】
このように、本実施形態のパターン形成方法では、機能液Ｌの供給時におけるバンクＢからの機能液Ｌの溢れが防止されることから、パターンＦが所望の形状に正確に形成される。したがって、細い線状のパターンＦを、精度よく安定的に形成することができる。
【００７２】
また、本実施形態では、バンクＢの形成を上述の第１実施形態で示した方法で行なっているため、バンクＢの上面のみ撥液化し、バンクＢの内面を撥液化しない状態とすることができる。このため、微細なパターンＦを形成する場合でも、バンクＢ、Ｂ内に機能液Ｌがスムーズに入り込めるようになり、膜の均一性も向上する。
【００７３】
ここで、バンクＢによって区画される線状の領域Ａにおいて、幅広部Ａｓの幅Ｗｐは、他の部分の幅Ｗの１１０〜５００％であるのが好ましい。これにより、機能液の配置時におけるバンクからの機能液の溢れが確実に防止される。なお、上記割合が１１０％未満であると、幅の広い部分に機能液が十分に退避しないおそれがあるので好ましくない。また、５００％を超えると、基板上のスペースの有効利用を図る上で好ましくない。
【００７４】
なお、線状の領域Ａの形状は図１０に示したものに限らず他の形状でもよい。領域Ａにおける幅広部Ａｓの個数や大きさ、配置位置、配置ピッチなどはパターンの材質や幅、あるいは要求精度に応じて適宜設定される。
【００７５】
［第３実施形態］
次に第３実施形態について図１１及び図１２を参照しながら説明する。図１１において、基板Ｐ上には、バンクＢによって第１の幅Ｈ１を有する第１溝部３４Ａ（幅広領域）と、その第１溝部３４Ａに接続するように第２の幅Ｈ２を有する第２溝部３４Ｂ（幅狭領域）とが形成されている。第１の幅Ｈ１は機能液の滴の飛翔径よりも大きく形成されている。第２の幅Ｈ２は第１の幅Ｈ１よりも狭くなっている。換言すれば、第２の幅Ｈ２は第１の幅Ｈ１以下である。また、第１溝部３４Ａは図１１中、Ｘ軸方向に延びるように形成され、第２溝部３４ＢはＸ軸方向とは異なる方向のＹ軸方向に延びるように形成されている。このバンクＢは第１実施形態の方法により形成されたものである。
【００７６】
上述した溝部３４Ａ、３４ＢにパターンＦを形成するためには、まず、図１２（Ａ）に示すように、パターンＦを形成するための機能液Ｌの液滴を液滴吐出ヘッド１により第１溝部３４Ａの所定位置（供給位置）に供給する。機能液Ｌの液滴を第１溝部３４Ａに供給するときには、第１溝部３４Ａの上方より液滴吐出ヘッド１を使って滴を第１溝部３４Ａに吐出する。本実施形態においては、図１２（Ａ）に示すように、機能液Ｌの滴は、第１溝部３４Ａの長手方向（Ｘ軸方向）に沿って所定間隔で配置される。このとき、機能液Ｌの液滴は、第１溝部３４Ａのうち第１溝部３４Ａと第２溝部３４Ｂとが接続する接続部３７近傍（交差領域）にも供給される。
【００７７】
図１２（Ｂ）に示すように、第１溝部３４Ａに供給された機能液Ｌは、自己流動により第１溝部３４Ａ内において濡れ拡がる。更に、第１溝部３４Ａに供給された機能液Ｌは、自己流動によって第２溝部３４Ｂにも濡れ拡がる。本実施形態においても、機能液Ｌ（滴）のエッジの形状が、滴の供給位置に向かって凹んでおり、滴は良好に濡れ拡がる。これにより、第２溝部３４Ｂ上より直接的に第２溝部３４Ｂに対して液滴を吐出することなく、第２溝部３４Ｂにも機能液Ｌを満たすことができる。
【００７８】
この場合、バンクＢの側面は機能液Ｌに対して濡れ性の良い状態であることが望ましいが、本実施形態においてもバンクＢの内面が撥液化されていないので、バンクＢ、Ｂ間の幅を狭くしても機能液Ｌは毛管現象等によりバンクＢ，Ｂ内にスムーズに入り込むことができる。
【００７９】
このように、第１溝部３４Ａに機能液Ｌを供給することで、その第１溝部３４Ａに供給された機能液Ｌの自己流動（毛管現象）によって機能液Ｌを第２溝部３４Ｂに満たすことができる。したがって、狭い幅Ｈ２の第２溝部３４Ｂに対してバンクＢ上より機能液Ｌの液滴を吐出しなくても、広い幅Ｈ１の第１溝部３４Ａに機能液Ｌの液滴を吐出することで、第２溝部３４Ｂに機能液Ｌを円滑に供給することができる。特に、第２溝部３４Ｂの幅Ｈ２が狭く、液滴吐出ヘッド１より吐出された液滴径（飛翔中の液滴径）が幅Ｈ２よりも小さい場合であっても、機能液Ｌの自己流動によって第２溝部３４Ｂに機能液Ｌを円滑に満たすことができる。そして、第２溝部３４Ｂの幅Ｈ２は狭いので、機能液Ｌは毛管現象によって第２溝部３４Ｂに円滑に供給される。したがって、所望の形状を有するパターンを形成することができる。そして、狭い幅の第２溝部３４Ｂに機能液Ｌを円滑に供給できるので、パターンの細線化（微細化）を実現することができる。一方、第１溝部３４Ａの幅Ｈ１は広いので、第１溝部３４Ａに対してバンクＢ上より機能液Ｌの液滴を吐出しても、バンクＢの上面３８に機能液Ｌの一部がかかって残渣が残る不具合を回避できる。したがって、所望の特性を発揮するパターンＦを安定して形成することができる。
【００８０】
また、本実施形態によれば、第１溝部３４Ａのうち第１溝部３４Ａと第２溝部３４Ｂとが接続する接続部３７近傍に機能液Ｌが供給されるため、機能液Ｌが濡れ拡がる際に容易に第２溝部３４Ｂに流れ込ませることができ、より円滑に第２溝部３４Ｂに機能液Ｌを供給することが可能となる。
【００８１】
また、本実施形態では、バンクＢの形成を第１実施形態で示した方法で行なっているため、バンクＢの上面のみ撥液化し、バンクＢの側面Ｋ、底面Ｊを撥液化しない状態とすることができる。このため、微細なパターンＦを形成する場合でも、バンクＢ，Ｂ内に機能液Ｌがスムーズに入り込めるようになり、膜の均一性も向上する。
【００８２】
第１溝部３４Ａ及び第２溝部３４Ｂに機能液Ｌを供給した後、上述した第１実施形態同様、焼成工程等を経ることによって、パターンＦを形成することができる。
【００８３】
［第４実施形態］
次に第４実施形態について図１３及び図１４を参照しながら説明する。上述の実施形態においては、区画領域Ａは、バンクＢ、Ｂによって形成されているが、例えば、基板Ｐに凹部３４’を形成し、その凹部３４’の内面（側面Ｋ’、底面Ｊ’）によって、区画領域Ａを形成するようにしてもよい。そして、機能液Ｌに対する側面Ｋ’、底面Ｊ’の接触角を最適化することによって、基板Ｐに供給後の側面Ｋ’、Ｋ’同士の間での滴のエッジの形状を、滴の供給位置に向かって凹むように設定可能である。
【００８４】
＜薄膜トランジスタ＞
本発明の膜パターンの形成方法は、図１５に示すようなスイッチング素子としての薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）及びそれに接続する配線を形成するときに適用可能である。図１５において、ＴＦＴを有するＴＦＴ基板Ｐ上には、ゲート配線４０と、このゲート配線４０に電気的に接続するゲート電極４１と、ソース配線４２と、このソース配線４２に電気的に接続するソース電極４３と、ドレイン電極４４と、ドレイン電極４４に電気的に接続する画素電極４５とを備えている。ゲート配線４０はＸ軸方向に延びるように形成され、ゲート電極４１はＹ軸方向に延びるように形成されている。また、ゲート電極４１の幅Ｈ２はゲート配線４０の幅Ｈ１よりも狭くなっている。これらゲート配線４０及びゲート電極４１を、上述の実施形態で説明した膜パターンの形成方法で形成することができる。
【００８５】
また、上述の実施形態で説明した膜パターンの形成方法を用いて、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）のゲート配線のみならず、ソース電極、ドレイン電極、画素電極などの他の構成要素を製造することも可能である。以下、ＴＦＴを製造する方法について図１６を参照しながら説明する。
【００８６】
図１６（Ａ）に示すように、まず、洗浄したガラス基板６１０の上面に、１画素ピッチの１／２０〜１／１０の溝６１１ａを設けるための第１層目のバンク６１１が、上述の実施形態の方法を用いて形成される。
【００８７】
第１層目のバンク形成工程に続くゲート走査電極形成工程では、バンク６１１で区画された領域である溝６１１ａ内を満たすように、導電性材料を含む機能液の液滴を供給することで、ゲート走査電極６１２が形成される。ゲート走査電極６１２は、バンク６１１に十分な撥液性が予め与えられているので、溝６１１ａからはみ出ることなく形成される。
【００８８】
以上の工程により、基板６１０上には、バンク６１１とゲート走査電極６１２からなる平坦な上面を備えた第１の導電層が形成される。
【００８９】
また、溝６１１ａ内に液滴を良好に満たすためには、図１６（Ａ）に示すように、この溝６１１ａの形状として準テーパ（吐出元に向かって開く向きのテーパ形状）を採用するのが好ましい。これにより、吐出された液滴を十分に奥深くまで入り込ませることが可能となる。
【００９０】
次に、図１６（Ｂ）に示すように、プラズマＣＶＤ法によりゲート絶縁膜６１３、活性層６１０、及びコンタクト層６０９が連続して成膜される。ゲート絶縁膜６１３として窒化シリコン膜、活性層６１０としてアモルファスシリコン膜、コンタクト層６０９としてｎ＋型シリコン膜を原料ガスやプラズマ条件を変化させることにより形成する。
【００９１】
半導体層形成工程に続く第２層目のバンク形成工程では、図１６（Ｃ）に示すように、ゲート絶縁膜６１３の上面に、１画素ピッチの１／２０〜１／１０でかつ溝６１１ａと交差する溝６１４ａを設けるための２層目のバンク６１４を、フォトリソグラフィ法に基づいて形成する。
【００９２】
上記第２層目のバンク形成工程に続くソース・ドレイン電極形成工程では、バンク６１４で区画された描画領域である溝６１４ａ内を満たすように、導電性材料を含む液滴を供給することで、図１６（Ｄ）に示すように、ゲート走査電極６１２に対して交差するソース電極６１５及びソース電極６１６が形成される。
【００９３】
また、ソース電極６１５及びドレイン電極６１６が形成された溝６１４ａを埋めるように絶縁材料６１７が形成される。以上の工程により、基板６１０上には、バンク６１４と絶縁材料６１７からなる平坦な上面６２０が形成される。
【００９４】
そして、絶縁材料６１７にコンタクトホール６１９を形成するとともに、上面６２０上にパターニングされた画素電極（ＩＴＯ）６１８を形成し、コンタクトホール６１９を介してドレイン電極６１６と画素電極６１８とを接続することで、ＴＦＴが形成される。
【００９５】
＜電気光学装置＞
次に電気光学装置の一例として、液晶表示装置について説明する。図１７は本実施形態に係る液晶表示装置について各構成要素とともに示す対向基板側から見た平面図であり、図１８は図１７のＨ−Ｈ’線に沿う断面図である。また、図１９は液晶表示装置の画像表示領域においてマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図で、図２０は液晶表示装置の部分拡大断面図である。なお、以下の説明に用いた各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせてある。
【００９６】
図１７及び図１８において、本実施の形態の液晶表示装置（電気光学装置）１００は、対をなすＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが光硬化性の封止材であるシール材５２によって貼り合わされ、このシール材５２によって区画された領域内に液晶５０が封入、保持されている。シール材５２は、基板面内の領域において閉ざされた枠状に形成されてなり、液晶注入口を備えず、封止材にて封止された痕跡がない構成となっている。
【００９７】
シール材５２の形成領域の内側の領域には、遮光性材料からなる周辺見切り５３が形成されている。シール材５２の外側の領域には、データ線駆動回路２０１及び実装端子２０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って形成されており、この一辺に隣接する２辺に沿って走査線駆動回路２０４が形成されている。ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺には、画像表示領域の両側に設けられた走査線駆動回路２０４の間を接続するための複数の配線２０５が設けられている。また、対向基板２０のコーナーの少なくとも１箇所においては、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的導通をとるための基板間導通材２０６が配設されている。
【００９８】
なお、データ線駆動回路２０１及び走査線駆動回路２０４をＴＦＴアレイ基板１０の上に形成する代わりに、例えば、駆動用ＬＳＩが実装されたＴＡＢ（Tape Automated Bonding）基板とＴＦＴアレイ基板１０の周辺部に形成された端子群とを異方性導電膜を介して電気的及び機械的に接続するようにしてもよい。なお、液晶表示装置１００においては、使用する液晶５０の種類、すなわち、ＴＮ（Twisted Nematic）モード、ＳＴＮ（Super Twisted Nematic）モード等の動作モードや、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、位相差板、偏光板等が所定の向きに配置されるが、ここでは図示を省略する。
【００９９】
また、液晶表示装置１００をカラー表示用として構成する場合には、対向基板２０において、ＴＦＴアレイ基板１０の後述する各画素電極に対向する領域に、例えば、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のカラーフィルタをその保護膜とともに形成する。
【０１００】
このような構造を有する液晶表示装置１００の画像表示領域においては、図１９に示すように、複数の画素１００ａがマトリクス状に構成されているとともに、これらの画素１００ａの各々には、画素スイッチング用のＴＦＴ（スイッチング素子）３０が形成されており、画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを供給するデータ線６ａがＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次で供給してもよく、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。また、ＴＦＴ３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍをこの順に線順次で印加するように構成されている。
【０１０１】
画素電極１９は、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけオン状態とすることにより、データ線６ａから供給される画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを各画素に所定のタイミングで書き込む。このようにして画素電極１９を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、図１８に示す対向基板２０の対向電極１２１との間で一定期間保持される。なお、保持された画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎがリークするのを防ぐために、画素電極１９と対向電極１２１との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量６０が付加されている。例えば、画素電極１９の電圧は、ソース電圧が印加された時間よりも３桁も長い時間だけ蓄積容量６０により保持される。これにより、電荷の保持特性は改善され、コントラスト比の高い液晶表示装置１００を実現することができる。
【０１０２】
図２０はボトムゲート型ＴＦＴ３０を有する液晶表示装置１００の部分拡大断面図であって、ＴＦＴアレイ基板１０を構成するガラス基板Ｐには、上述の実施形態で説明したような膜パターンの形成方法により、導電性膜としてのゲート配線６１が形成されている。
【０１０３】
ゲート配線６１上には、ＳｉＮｘからなるゲート絶縁膜６２を介してアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）層からなる半導体層６３が積層されている。このゲート配線部分に対向する半導体層６３の部分がチャネル領域とされている。半導体層６３上には、オーミック接合を得るための例えばｎ+型ａ−Ｓｉ層からなる接合層６４ａ及び６４ｂが積層されており、チャネル領域の中央部における半導体層６３上には、チャネルを保護するためのＳｉＮｘからなる絶縁性のエッチストップ膜６５が形成されている。なお、これらゲート絶縁膜６２、半導体層６３、及びエッチストップ膜６５は、蒸着（ＣＶＤ）後にレジスト塗布、感光・現像、フォトエッチングを施されることで、図示されるようにパターニングされる。
【０１０４】
さらに、接合層６４ａ、６４ｂ及びＩＴＯからなる画素電極１９も同様に成膜するとともに、フォトエッチングを施されることで、図示するようにパターニングされる。そして、画素電極１９、ゲート絶縁膜６２及びエッチストップ膜６５上にそれぞれバンク６６…を突設し、これらバンク６６…間に上述した液滴吐出装置ＩＪを用いて、銀化合物の液滴を吐出することでソース線、ドレイン線を形成することができる。
【０１０５】
本実施の形態の液晶表示装置は、上記膜パターンの形成方法により、微細化や細線化が図られた導電膜が、精度よく安定して形成されることから、高い品質や性能が得られる。
【０１０６】
なお、上記実施形態では、ＴＦＴ３０を液晶表示装置１００の駆動のためのスイッチング素子として用いる構成としたが、液晶表示装置以外にも例えば有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示デバイスに応用が可能である。有機ＥＬ表示デバイスは、蛍光性の無機および有機化合物を含む薄膜を、陰極と陽極とで挟んだ構成を有し、前記薄膜に電子および正孔（ホール）を注入して再結合させることにより励起子（エキシトン）を生成させ、このエキシトンが失活する際の光の放出（蛍光・燐光）を利用して発光させる素子である。そして、上記のＴＦＴ３０を有する基板上に、有機ＥＬ表示素子に用いられる蛍光性材料のうち、赤、緑および青色の各発光色を呈する材料すなわち発光層形成材料及び正孔注入／電子輸送層を形成する材料をインクとし、各々をパターニングすることで、自発光フルカラーＥＬデバイスを製造することができる。本発明におけるデバイス（電気光学装置）の範囲にはこのような有機ＥＬデバイスをも含むものである。
【０１０７】
図２１は、液滴吐出装置ＩＪにより一部の構成要素が製造された有機ＥＬ装置の側断面図である。図２１を参照しながら、有機ＥＬ装置の概略構成を説明する。
【０１０８】
図２１において、有機ＥＬ装置４０１は、基板４１１、回路素子部４２１、画素電極４３１、バンク４４１、発光素子４５１、陰極４６１（対向電極）、および封止基板４７１から構成された有機ＥＬ素子４０２に、フレキシブル基板（図示略）の配線および駆動ＩＣ（図示略）を接続したものである。回路素子部４２１は、アクティブ素子であるＴＦＴ６０が基板４１１上に形成され、複数の画素電極４３１が回路素子部４２１上に整列して構成されたものである。そして、ＴＦＴ６０を構成するゲート配線６１が、上述した実施形態の配線パターンの形成方法により形成されている。
【０１０９】
各画素電極４３１間にはバンク４４１が格子状に形成されており、バンク４４１により生じた凹部開口４４４に、発光素子４５１が形成されている。なお、発光素子４５１は、赤色の発光をなす素子と緑色の発光をなす素子と青色の発光をなす素子とからなっており、これによって有機ＥＬ装置４０１は、フルカラー表示を実現するものとなっている。陰極４６１は、バンク４４１および発光素子４５１の上部全面に形成され、陰極４６１の上には封止用基板４７１が積層されている。
【０１１０】
有機ＥＬ素子を含む有機ＥＬ装置４０１の製造プロセスは、バンク４４１を形成するバンク形成工程と、発光素子４５１を適切に形成するためのプラズマ処理工程と、発光素子４５１を形成する発光素子形成工程と、陰極４６１を形成する対向電極形成工程と、封止用基板４７１を陰極４６１上に積層して封止する封止工程とを有している。
【０１１１】
発光素子形成工程は、凹部開口４４４、すなわち画素電極４３１上に正孔注入層４５２および発光層４５３を形成することにより発光素子４５１を形成するもので、正孔注入層形成工程と発光層形成工程とを具備している。そして、正孔注入層形成工程は、正孔注入層４５２を形成するための機能液を各画素電極４３１上に吐出する第１吐出工程と、吐出された機能液を乾燥させて正孔注入層４５２を形成する第１乾燥工程とを有している。また、発光層形成工程は、発光層４５３を形成するための機能液を正孔注入層４５２の上に吐出する第２吐出工程と、吐出された機能液を乾燥させて発光層４５３を形成する第２乾燥工程とを有している。なお、発光層４５３は、赤、緑、青の３色に対応する材料によって３種類のものが形成されるようになっており、したがって前記の第２吐出工程は、３種類の材料をそれぞれに吐出するために３つの工程からなっている。
【０１１２】
この発光素子形成工程において、正孔注入層形成工程における第１吐出工程と、発光層形成工程における第２吐出工程とで液滴吐出装置ＩＪを用いることができる。
【０１１３】
図２２は液晶表示装置の別の実施形態を示す図である。図２２に示す液晶表示装置（電気光学装置）９０１は、大別するとカラーの液晶パネル（電気光学パネル）９０２と、液晶パネル９０２に接続される回路基板９０３とを備えている。また、必要に応じて、バックライト等の照明装置、その他の付帯機器が液晶パネル９０２に付設されている。
【０１１４】
液晶パネル９０２は、シール材９０４によって接着された一対の基板９０５ａ及び基板９０５ｂを有し、これらの基板９０５ｂと基板９０５ｂとの間に形成される間隙、いわゆるセルギャップには液晶が封入されている。これらの基板９０５ａ及び基板９０５ｂは、一般には透光性材料、例えばガラス、合成樹脂等によって形成されている。基板９０５ａ及び基板９０５ｂの外側表面には偏光板９０６ａ及び偏光板９０６ｂが貼り付けられている。なお、図２２においては、偏光板９０６ｂの図示を省略している。
【０１１５】
また、基板９０５ａの内側表面には電極９０７ａが形成され、基板９０５ｂの内側表面には電極９０７ｂが形成されている。これらの電極９０７ａ、９０７ｂはストライプ状または文字、数字、その他の適宜のパターン状に形成されている。また、これらの電極９０７ａ、９０７ｂは、例えばＩＴＯ等の透光性材料によって形成されている。基板９０５ａは、基板９０５ｂに対して張り出した張り出し部を有し、この張り出し部に複数の端子９０８が形成されている。これらの端子９０８は、基板９０５ａ上に電極９０７ａを形成するときに電極９０７ａと同時に形成される。したがって、これらの端子９０８は、例えばＩＴＯによって形成されている。これらの端子９０８には、電極９０７ａから一体に延びるもの、及び導電材（不図示）を介して電極９０７ｂに接続されるものが含まれる。
【０１１６】
回路基板９０３には、配線基板９０９上の所定位置に液晶駆動用ＩＣとしての半導体素子９００が実装されている。なお、図示は省略しているが、半導体素子９００が実装される部位以外の部位の所定位置には抵抗、コンデンサ、その他のチップ部品が実装されていてもよい。配線基板９０９は、例えばポリイミド等の可撓性を有するベース基板９１１の上に形成されたＣｕ等の金属膜をパターニングして配線パターン９１２を形成することによって製造されている。
【０１１７】
本実施形態では、液晶パネル９０２における電極９０７ａ、９０７ｂ及び回路基板９０３における配線パターン９１２が、上述の実施形態で説明したような膜パターンの形成方法によって形成されている。
【０１１８】
なお、前述した例はパッシブ型の液晶パネルであるが、アクティブマトリクス型の液晶パネルとしてもよい。すなわち、一方の基板に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を形成し、各ＴＦＴに対し画素電極を形成する。また、各ＴＦＴに電気的に接続する配線（ゲート配線、ソース配線）を上記のようにインクジェット技術を用いて形成することができる。一方、対向する基板には対向電極等が形成されている。このようなアクティブマトリクス型の液晶パネルにも本発明を適用することができる。
【０１１９】
また、本発明に係るデバイス（電気光学装置）としては、上記の他に、ＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）や、基板上に形成された小面積の薄膜に膜面に平行に電流を流すことにより、電子放出が生ずる現象を利用する表面伝導型電子放出素子等にも適用可能である。
【０１２０】
＜電子機器＞
次に電子機器の具体例について説明する。図２３（Ａ）は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図２３（Ａ）において、６００は携帯電話本体を示し、６０１は上記実施形態の例えば液晶表示装置を備えた液晶表示部を示している。
【０１２１】
図２３（Ｂ）は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図２３（Ｂ）において、７００は情報処理装置、７０１はキーボードなどの入力部、７０３は情報処理本体、７０２は上記実施形態の例えば液晶表示装置を備えた液晶表示部を示している。
【０１２２】
図２３（Ｃ）は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図２３（Ｃ）において、８００は時計本体を示し、８０１は上記実施形態の例えば液晶表示装置を備えた液晶表示部を示している。
【０１２３】
図２３（Ａ）〜（Ｃ）に示す電子機器は、上記実施形態の表示装置を備えたものであるので、高い品質や性能が得られる。
【０１２４】
なお、本実施形態の電子機器は液晶表示装置を備えるものとしたが、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、プラズマ型表示装置等、他の電気光学装置を備えた電子機器とすることもできる。
【０１２５】
次に、本発明の膜パターンの形成方法によって形成される膜パターンを、アンテナ回路に適用した例について説明する。
【０１２６】
図２４は本実施形態に係る非接触型カード媒体を示しており、非接触型カード媒体４００は、カード基体４０２とカードカバー４１８から成る筐体内に、半導体集積回路チップ４０８とアンテナ回路４１２を内蔵し、図示されない外部の送受信機と電磁波または静電容量結合の少なくとも一方により電力供給あるいはデータ授受の少なくとも一方を行なうようになっている。
【０１２７】
本実施形態では、上記アンテナ回路４１２が、上述の実施形態で説明したような膜パターンの形成方法に基づいて形成されている。そのため、上記アンテナ回路４１２の微細化や細線化が図られ、高い品質や性能を得ることができる。
【０１２８】
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施の形態例について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１２９】
【図１】膜パターンの形成方法を概念的に示す図である。
【図２】液滴吐出装置の概略斜視図である。
【図３】ピエゾ方式による機能液の吐出原理を説明するための図である。
【図４】第１実施形態に係る膜パターンの形成方法を説明するためのフローチャート図である。
【図５】膜パターンの形成手順を示す工程図である。
【図６】図５に続く工程図である。
【図７】膜パターンの形成方法を示す模式図である。
【図８】プラズマ処理装置の一例を説明するための図である。
【図９】膜パターンの形成装置の一例を説明するための図である。
【図１０】第２実施形態に係る膜パターンの形成方法を説明するための図である。
【図１１】第３実施形態に係る膜パターンの形成方法を説明するための図である。
【図１２】第３実施形態に係る膜パターンの形成方法を説明するための図である。
【図１３】第４実施形態に係る膜パターンの形成方法を説明するための図である。
【図１４】第４実施形態に係る膜パターンの形成方法を説明するための図である。
【図１５】薄膜トランジスタを有する基板の一例を示す模式図である。
【図１６】薄膜トランジスタを製造する工程を説明するための図である。
【図１７】液晶表示装置を対向基板の側から見た平面図である。
【図１８】図１７のＨ−Ｈ’線に沿う断面図である。
【図１９】液晶表示装置の等価回路図である。
【図２０】液晶表示装置の部分拡大断面図である。
【図２１】有機ＥＬ装置の部分拡大断面図である。
【図２２】液晶表示装置の他の形態を示す図である。
【図２３】本発明の電子機器の具体例を示す図である。
【図２４】非接触型カード媒体の分解斜視図である。
【符号の説明】
【０１３０】
Ａ…区画領域、Ｂ…バンク、Ｆ…膜パターン、Ｊ…底面、Ｋ…側面（壁面）、Ｌ…機能液、Ｐ…基板、３０…スイッチング素子、３１…膜、３４…凹部
【図１】
2008093620.tif 000003
【図２】
2008093620.tif 000004
【図３】
2008093620.tif 000005
【図４】
2008093620.tif 000006
【図５】
2008093620.tif 000007
【図６】
2008093620.tif 000008
【図７】
2008093620.tif 000009
【図８】
2008093620.tif 000010
【図９】
2008093620.tif 000011
【図１０】
2008093620.tif 000012
【図１１】
2008093620.tif 000013
【図１２】
2008093620.tif 000014
【図１３】
2008093620.tif 000015
【図１４】
2008093620.tif 000016
【図１５】
2008093620.tif 000017
【図１６】
2008093620.tif 000018
【図１７】
2008093620.tif 000019
【図１８】
2008093620.tif 000020
【図１９】
2008093620.tif 000021
【図２０】
2008093620.tif 000022
【図２１】
2008093620.tif 000023
【図２２】
2008093620.tif 000024
【図２３】
2008093620.tif 000025
【図２４】
2008093620.tif 000026