(57)【要約】【課題】信頼性が高い長尺の光電変換デバイスを低コストの下に得易い光電変換デバイスの製造方法、及び長尺化しても信頼性の高いものを得易い光電変換デバイスを提供すること。【解決手段】透明基板５と、透明基板上５に形成された複数の光電変換素子ＰＥと、透明基板５に実装されて複数の光電変換素子ＰＦの各々に生じた電荷を基にデータ信号を生成する信号生成手段３０と、透明基板上に形成されて複数の光電変換素子の各々と信号生成手段とを接続する複数の第１配線２５と、複数の第１配線２５それぞれの一端に１つずつ接続されて前記一端と信号生成手段との間に介在するパッド２７と、透明基板上に形成されて信号生成手段３０と外部回路とを接続する複数の第２配線３７とを備えた光電変換デバイス１Ａを製造するにあたり、少なくとも１層からなる導電層をパターニングしてパッドと第２配線３５とを形成する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板と、該透明基板上に形成された複数の光電変換素子と、前記透明基板に実装されて前記複数の光電変換素子の各々に生じた電荷を基にデータ信号を生成する信号生成手段と、前記透明基板上に形成されて前記複数の光電変換素子の各々と前記信号生成手段とを接続する複数の第１配線と、前記複数の第１配線それぞれの一端に１つずつ接続されて前記一端と前記信号生成手段との間に介在するパッドと、前記透明基板上に形成されて前記信号生成手段と外部回路とを接続する複数の第２配線とを備えた光電変換デバイスの製造方法であって、
少なくとも１層からなる導電層をパターニングして前記パッドと前記第２配線とを形成するパターニング工程を含むことを特徴とする光電変換デバイスの製造方法。
【請求項２】
前記導電層は、低抵抗率の第１導電層と、耐食性材料により前記第１導電層上に形成された第２導電層とを含み、
前記パターニング工程は、前記第１導電層を形成する第１サブ工程と、前記第２導電層を形成する第２サブ工程と、前記第２導電層及び前記第１導電層をそれぞれパターニングする第３サブ工程とを含む、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の光電変換デバイスの製造方法。
【請求項３】
前記第１導電層及び前記第２導電層のうちの少なくとも第２導電層は、耐酸性を有することを特徴とする請求項２に記載の光電変換デバイスの製造方法。
【請求項４】
前記第１導電層は、銀、銅、金、アルミニウム、タングステン、モリブデン、コバルト、亜鉛、ニッケル、鉄、白金、及びクロムのうちの少なくとも１つを含む金属単体又は合金からなり、
前記第２導電層は、金、クロム、インジウム、銅、チタン、モリブデン、ニッケル、鉄、白金、錫、ケイ素、パラジウム、イリジウム、マンガン、バナジウム、及びタンタルのうちの少なくとも１つを含む金属単体、合金、又は金属酸化物からなる、
ことを特徴とする請求項２又は３に記載の光電変換デバイスの製造方法。
【請求項５】
前記光電変換素子は、光電変換材料として有機化合物を含有することを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の光電変換デバイスの製造方法。
【請求項６】
透明基板と、該透明基板上に形成された複数の光電変換素子と、前記透明基板に実装されて前記複数の光電変換素子の各々に生じた電荷を基にデータ信号を生成する信号生成手段と、前記透明基板上に形成されて前記複数の光電変換素子の各々と前記信号生成手段とを接続する複数の第１配線と、前記複数の第１配線それぞれの一端に１つずつ接続されて前記一端と前記信号生成手段との間に介在するパッドと、前記透明基板上に形成されて前記信号生成手段と外部回路とを接続する複数の第２配線とを備えた光電変換デバイスの製造方法であって、
少なくとも１層からなる低抵抗率導電層を形成する低抵抗率導電層形成工程と、
前記低抵抗率導電層をエッチングによりパターニングして、前記パッドを構成することになるパッド用第１導電層と前記第２配線を構成することになる第２配線用第１導電層とを形成する第１エッチング工程と、
前記パッド用第１導電層及び前記第２配線用第１導電層それぞれの外表面を覆うようにして、少なくとも１層からなる耐食性導電層を形成する耐食性導電層形成工程と、
前記耐食性導電層をエッチングによりパターニングして、前記パッド用第１導電層の外表面を覆うパッド用第２導電層と前記第２配線用第１導電層の外表面を覆う第２配線用第２導電層とを形成する第２エッチング工程と、
を含むことを特徴とする光電変換デバイスの製造方法。
【請求項７】
前記低抵抗率導電層は、銀、銅、金、アルミニウム、タングステン、モリブデン、コバルト、亜鉛、ニッケル、鉄、白金、及びクロムのうちの少なくとも１つを含む金属単体又は合金からなり、
前記耐食性導電層は、金、クロム、インジウム、銅、チタン、モリブデン、ニッケル、鉄、白金、錫、ケイ素、パラジウム、イリジウム、マンガン、バナジウム、及びタンタルのうちの少なくとも１つを含む金属単体、合金、又は金属酸化物からなる、
ことを特徴とする請求項６に記載の光電変換デバイスの製造方法。
【請求項８】
前記光電変換素子は、光電変換材料として有機化合物を含有することを特徴とする請求項６又は７に記載の光電変換デバイスの製造方法。
【請求項９】
透明基板と、該透明基板上に形成された複数の光電変換素子と、前記透明基板に実装されて前記複数の光電変換素子の各々に生じた電荷を基にデータ信号を生成する信号生成手段と、前記透明基板上に形成されて前記複数の光電変換素子の各々と前記信号生成手段とを接続する複数の第１配線と、前記複数の第１配線それぞれの一端に１つずつ接続されて前記一端と前記信号生成手段との間に介在するパッドと、前記透明基板上に形成されて前記信号生成手段と外部回路とを接続する複数の第２配線とを備えた光電変換デバイスであって、
請求項１〜８のいずれか１つに記載の方法により製造されたことを特徴とする光電変換デバイス。
【請求項１０】
透明基板と、該透明基板上に形成された複数の光電変換素子と、前記透明基板に実装されて前記複数の光電変換素子の各々に生じた電荷を基にデータ信号を生成する信号生成手段と、前記透明基板上に形成されて前記複数の光電変換素子の各々と前記信号生成手段とを接続する複数の第１配線と、前記複数の第１配線それぞれの一端に１つずつ接続されて前記一端と前記信号生成手段との間に介在するパッドと、前記透明基板上に形成されて前記信号生成手段と外部回路とを接続する複数の第２配線とを備えた光電変換デバイスであって、
前記パッド及び前記第２配線の各々は、低抵抗率の第１導電層と耐食性材料により前記第１導電層上に形成された第２導電層とを含むことを特徴とする光電変換デバイス。
【請求項１１】
前記光電変換素子は、光電変換材料として有機化合物を含有することを特徴とする請求項１０に記載の光電変換デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、物体の形状や画像等の各種情報を電気信号に変換する光電変換デバイスの製造方法及び光電変換デバイスに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
例えばファクシミリやイメージスキャナ等で用いられるリニアイメージセンサは、光学縮小型と密着型とに大別することができる。これらのリニアイメージセンサのうちの密着型リニアイメージセンサは、光学縮小型リニアイメージセンサに比べて原稿読み取り光学系を大幅に小型かつ薄型にすることができるので、その需要が増大している。
【０００３】
密着型リニアイメージセンサは、等倍光学系により原稿をそのままの大きさで読み取るので、例えばＡ３サイズの原稿を読み取るためには長さ３００ｍｍ程度の光電変換デバイスが必要となる。今日、密着型リニアイメージセンサでの光電変換デバイスとしては、単結晶シリコン基板に形成された多数の無機光電変換素子（フォトダイオード）によってイメージを電気信号に変換するＣＭＯＳ（相補形金属−酸化物−半導体）方式又はＣＣＤ（電荷結合装置）方式のものが用いられており、長さ３００ｍｍ程度という長尺のものを得る際には、通常、無機光電変換素子が形成された長板状のシリコンチップが複数個、一直線上に配置される。
【０００４】
このような光電変換デバイスでは、シリコンチップの作製に大掛かりな半導体プロセスが必要となるばかりでなく、複数個のシリコンチップを一直線上に配置する際に高精度の技術が必要となるため、その歩留りは低い。また、シリコンチップ同士のつなぎ目には無機光電変換素子を配置することができないので、シリコンチップ同士のつなぎ目に相当する箇所で情報を読み取れなくなり、十分な読み取り品質が得られない。
【０００５】
近年では、無機光電変換素子に代わるものとして有機光電変換素子が注目を集めている。有機光電変換素子は、所望の有機光電変換材料を例えばガラス基板上に塗布することで光電変換部を形成することができ、かつ無機光電変換素子と同様の機能を発現できることから、長尺の光電変換デバイスを低コストの下に得ることが可能である。例えば（特許文献１）には、光学バンドギャップが互いに異なる３種類の光活性有機材料（有機光電変換材料）によって３種類のセンサ（有機光電変換素子）を形成し、これらのセンサによりフルカラー画像用の電気信号を生成する感知素子が記載されている。
【特許文献１】特表２００２−５０２１２０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
例えばガラス基板上に所望数の有機光電変換素子を形成して光電変換デバイスを得ようとする場合でも、複数の光電変換素子の各々に生じた電荷を検知してデータ信号を生成する信号生成手段は、通常、単結晶シリコン基板に所定の集積回路を形成することで構成される。長尺の光電変換デバイスでは複数の信号生成手段が必要であり、これらの信号生成手段を上記のガラス基板に外付けしたのでは装置が大型化する。このため、でるだけ小型の光電変換デバイスを得ようとするときには、当該信号生成手段が上記のガラス基板上に異方性導電膜等を介して実装されることとなる。
【０００７】
ガラス基板上に複数の信号生成手段を実装するにあたっては、多くの場合、個々の有機光電変換素子と所定の信号生成手段とを結ぶ配線（以下、「第１配線」という。）での信号生成手段側の端にパッドが接続され、該パッドが異方性導電膜等を介して信号生成手段に接続される。
【０００８】
不所望の箇所での導通を抑えつつ異方性導電膜等を介してのパッドと信号生成手段との接続を確実に行ううえからは、各パッドの高さを揃えることが望ましい。また、信号生成手段を構成する配線の一部や当該信号生成手段を外部回路に接続するための配線（以下、これらの配線を「第２配線」と総称する。）も上記のガラス基板に形成されるわけであるが、当該第２配線の各々については、信号の伝搬過程での電圧降下を抑えるために電気抵抗をできるだけ小さくすることが望まれる。さらに、第２配線のうちで信号生成手段用の接地線として用いられるものについても、電気抵抗をできるだけ小さくすることが望まれる。
【０００９】
このように、ガラス基板上に高い信頼性の下に複数の信号生成手段を実装するためには、求められる形状や電気的特性等が互いに異なるパッドや配線を当該ガラス基板上に形成することが望まれ、これらを別々に形成したのでは工程数が増加して製造コストが増大する。
【００１０】
本発明は上記の事情に鑑みてなされたものであり、信頼性が高い長尺の光電変換デバイスを低コストの下に得易い光電変換デバイスの製造方法、及び長尺化しても信頼性の高いものを得易い光電変換デバイスを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記の目的を達成する本発明の光電変換デバイスの製造方法は、透明基板と、透明基板上に形成された複数の光電変換素子と、透明基板に実装されて複数の光電変換素子の各々に生じた電荷を基にデータ信号を生成する信号生成手段と、透明基板上に形成されて複数の光電変換素子の各々と信号生成手段とを接続する複数の第１配線と、複数の第１配線それぞれの一端に１つずつ接続されて一端と信号生成手段との間に介在するパッドと、透明基板上に形成されて信号生成手段と外部回路とを接続する複数の第２配線とを備えた光電変換デバイスの製造方法であって、少なくとも１層からなる導電層をパターニングしてパッドと第２配線とを形成するパターニング工程を含むことを特徴とするものである。
【００１２】
また、上記の目的を達成する本発明の光電変換デバイスの他の製造方法は、透明基板と、透明基板上に形成された複数の光電変換素子と、透明基板に実装されて複数の光電変換素子の各々に生じた電荷を基にデータ信号を生成する信号生成手段と、透明基板上に形成されて複数の光電変換素子の各々と信号生成手段とを接続する複数の第１配線と、複数の第１配線それぞれの一端に１つずつ接続されて一端と信号生成手段との間に介在するパッドと、透明基板上に形成されて信号生成手段と外部回路とを接続する複数の第２配線とを備えた光電変換デバイスの製造方法であって、少なくとも１層からなる低抵抗率導電層を形成する低抵抗率導電層形成工程と、低抵抗率導電層をエッチングによりパターニングして、パッドを構成することになるパッド用第１導電層と、第２配線を構成することになる第２配線用第１導電層とを形成する第１エッチング工程と、パッド用第１導電層及び第２配線用第１導電層それぞれの外表面を覆うようにして、少なくとも１層からなる耐食性導電層を形成する耐食性導電層形成工程と、耐食性導電層をエッチングによりパターニングして、パッド用第１導電層の外表面を覆うパッド用第２導電層と、第２配線用第１導電層の外表面を覆う第２配線用第２導電層とを形成する第２エッチング工程と、を含むことを特徴とするものである。
【００１３】
一方、上記の目的を達成する本発明の光電変換デバイスは、透明基板と、透明基板上に形成された複数の光電変換素子と、透明基板に実装されて複数の光電変換素子の各々に生じた電荷を基にデータ信号を生成する信号生成手段と、透明基板上に形成されて複数の光電変換素子の各々と信号生成手段とを接続する複数の第１配線と、複数の第１配線それぞれの一端に１つずつ接続されて一端と信号生成手段との間に介在するパッドと、透明基板上に形成されて信号生成手段と外部回路とを接続する複数の第２配線とを備えた光電変換デバイスであって、上述した本発明の光電変換デバイスの製造方法により製造されたことを特徴とするものである。
【００１４】
また、上記の目的を達成する本発明の他の光電変換デバイスは、透明基板と、透明基板上に形成された複数の光電変換素子と、透明基板に実装されて複数の光電変換素子の各々に生じた電荷を基にデータ信号を生成する信号生成手段と、透明基板上に形成されて複数の光電変換素子の各々と信号生成手段とを接続する複数の第１配線と、複数の第１配線それぞれの一端に１つずつ接続されて一端と信号生成手段との間に介在するパッドと、透明基板上に形成されて信号生成手段と外部回路とを接続する複数の第２配線とを備えた光電変換デバイスであって、パッド及び第２配線の各々は、低抵抗率の第１導電層と耐食性材料により第１導電層上に形成された第２導電層とを含むことを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の光電変換デバイスの製造方法によれば、個々のパッドの層構成及び組成を同一にして各パッドを一緒に形成することができるので、これらのパッドの高さを揃え易い。このため、不所望の箇所での導通を抑えつつ異方性導電膜等を介してのパッドと信号生成手段との接続を確実に行うことが容易である。また、各パッドと各第２配線とを同じ工程で形成するので、これらを別々の工程で形成する場合に比べて工程数が少なくなる。さらに、透明基板上に光電変換素子を形成するので、長尺化が容易である。したがって、本発明によれば、信頼性が高い長尺の光電変換デバイスを低コストの下に得易くなる。また、長尺化しても信頼性の高い光電変換デバイスを得易くなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
第１の発明の光電変換デバイスの製造方法は、透明基板と、透明基板上に形成された複数の光電変換素子と、透明基板に実装されて複数の光電変換素子の各々に生じた電荷を基にデータ信号を生成する信号生成手段と、透明基板上に形成されて複数の光電変換素子の各々と信号生成手段とを接続する複数の第１配線と、複数の第１配線それぞれの一端に１つずつ接続されて一端と信号生成手段との間に介在するパッドと、透明基板上に形成されて信号生成手段と外部回路とを接続する複数の第２配線とを備えた光電変換デバイスの製造方法であって、少なくとも１層からなる導電層をパターニングしてパッドと第２配線とを形成するパターニング工程を含むことを特徴とする。
【００１７】
この製造方法では、少なくとも１層からなる導電層をパターニングしてパッドと第２配線とを形成するので、各パッドの高さを揃え易い。このため、不所望の箇所での導通を抑えつつ異方性導電膜等を介してのパッドと信号生成手段との接続を確実に行うことが容易である。また、各パッドと各第２配線とを同じ工程で形成するので、これらを別々の工程で形成する場合に比べて工程数が少なくなる。さらに、透明基板上に光電変換素子を形成するので、長尺化が容易である。したがって、この製造方法によれば、信頼性が高い長尺の光電変換デバイスを低コストの下に得易い。また、長尺化しても信頼性の高い光電変換デバイスを得易い。
【００１８】
第２の発明の光電変換デバイスの製造方法は、上記の導電層は、低抵抗率の第１導電層と、耐食性材料により第１導電層上に形成された第２導電層とを含み、上記のパターニング工程は、第１導電層を形成する第１サブ工程と、第２導電層を形成する第２サブ工程と、第２導電層及び第１導電層をそれぞれエッチングによりパターニングする第３サブ工程とを含む、ことを特徴とする。
【００１９】
この製造方法では、低抵抗率の第１導電層と耐食性材料からなる第２導電層とにより各パッド及び第２配線を形成するので、抵抗率が低く、かつ耐食性の高いパッド及び第２配線を形成することができる。光電変換素子を形成するにあたって例えば強酸性材料を用いたとしても、当該強酸性材料によるパッドや第２配線の腐食を抑えて信頼性の高い光電変換デバイスを得ることができる。
【００２０】
第３の発明の光電変換デバイスの製造方法は、上記の第１導電層及び第２導電層のうちの少なくとも第２導電層は、耐酸性を有することを特徴とする。
【００２１】
この製造方法では、第１導電層及び第２導電層のうちの少なくとも第２導電層が耐酸性を有するので、光電変換素子を形成するにあたって例えば強酸性材料を用いたとしても、当該強酸性材料によるパッドや第２配線の腐食を抑えて信頼性の高い光電変換デバイスを得ることができる。
【００２２】
第４の発明の光電変換デバイスの製造方法は、上記の第１導電層は、銀、銅、金、アルミニウム、タングステン、モリブデン、コバルト、亜鉛、ニッケル、鉄、白金、及びクロムのうちの少なくとも１つを含む金属単体又は合金からなり、第２導電層は、金、クロム、インジウム、銅、チタン、モリブデン、ニッケル、鉄、白金、錫、ケイ素、パラジウム、イリジウム、マンガン、バナジウム、及びタンタルのうちの少なくとも１つを含む金属単体、合金、又は金属酸化物からなる、ことを特徴とする。
【００２３】
第５の発明の光電変換デバイスの製造方法は、上記の光電変換素子は、光電変換材料として有機化合物を含有することを特徴とする。
【００２４】
この製造方法では、光電変換材料として有機化合物を含有した光電変換素子、すなわち有機光電変換素子を透明基板上に形成するので、長尺化が容易である。
【００２５】
第６の発明の光電変換デバイスの製造方法は、透明基板と、透明基板上に形成された複数の光電変換素子と、透明基板に実装されて複数の光電変換素子の各々に生じた電荷を基にデータ信号を生成する信号生成手段と、透明基板上に形成されて複数の光電変換素子の各々と信号生成手段とを接続する複数の第１配線と、複数の第１配線それぞれの一端に１つずつ接続されて一端と信号生成手段との間に介在するパッドと、透明基板上に形成されて信号生成手段と外部回路とを接続する複数の第２配線とを備えた光電変換デバイスの製造方法であって、少なくとも１層からなる低抵抗率導電層を形成する低抵抗率導電層形成工程と、低抵抗率導電層をエッチングによりパターニングして、パッドを構成することになるパッド用第１導電層と第２配線を構成することになる第２配線用第１導電層とを形成する第１エッチング工程と、パッド用第１導電層及び第２配線用第１導電層それぞれの外表面を覆うようにして、少なくとも１層からなる耐食性導電層を形成する耐食性導電層形成工程と、耐食性導電層をエッチングによりパターニングして、パッド用第１導電層の外表面を覆うパッド用第２導電層と第２配線用第１導電層の外表面を覆う第２配線用第２導電層とを形成する第２エッチング工程と、を含むことを特徴とする。
【００２６】
この製造方法では、低抵抗率導電層をパターニングして各パッド用の第１導電層を形成した後に耐食性導電層をパターニングして各パッド用の第２導電層を形成するので、各パッドの高さを揃え易い。このため、不所望の箇所での導通を抑えつつ異方性導電膜等を介してのパッドと信号生成手段との接続を確実に行うことが容易である。また、各パッドと各第２配線とを同じ工程で形成するので、これらを別々の工程で形成する場合に比べて工程数が少なくなる。
【００２７】
そして、各パッド及び第２配線の最上層として耐食性導電層を用いるので、光電変換素子を形成するにあたって例えば強酸性材料を用いたとしても、当該強酸性材料によるパッドや第２配線の腐食を抑えて信頼性の高い光電変換デバイスを得ることができる。さらに、透明基板上に光電変換素子を形成するので、長尺化が容易である。
【００２８】
したがって、この製造方法によれば、信頼性が高い長尺の光電変換デバイスを低コストの下に得易い。また、長尺化しても信頼性の高い光電変換デバイスを得易い。
【００２９】
第７の発明の光電変換デバイスの製造方法は、上記の低抵抗率導電層は、銀、銅、金、アルミニウム、タングステン、モリブデン、コバルト、亜鉛、ニッケル、鉄、白金、及びクロムのうちの少なくとも１つを含む金属単体又は合金からなり、耐食性導電層は、金、クロム、インジウム、銅、チタン、モリブデン、ニッケル、鉄、白金、錫、ケイ素、パラジウム、イリジウム、マンガン、バナジウム、及びタンタルのうちの少なくとも１つを含む金属単体、合金、又は金属酸化物からなる、ことを特徴とする。
【００３０】
第８の発明の光電変換デバイスの製造方法は、上記の光電変換素子は、光電変換材料として有機化合物を含有することを特徴とする。
【００３１】
この製造方法では、光電変換材料として有機化合物を含有した光電変換素子、すなわち有機光電変換素子を透明基板上に形成するので、長尺化が容易である。
【００３２】
第９の発明の光電変換デバイスは、透明基板と、透明基板上に形成された複数の光電変換素子と、透明基板に実装されて複数の光電変換素子の各々に生じた電荷を基にデータ信号を生成する信号生成手段と、透明基板上に形成されて複数の光電変換素子の各々と信号生成手段とを接続する複数の第１配線と、複数の第１配線それぞれの一端に１つずつ接続されて一端と信号生成手段との間に介在するパッドと、透明基板上に形成されて信号生成手段と外部回路とを接続する複数の第２配線とを備えた光電変換デバイスであって、上述した本発明の光電変換デバイスの製造方法により製造されたことを特徴とする。
【００３３】
この光電変換デバイスは、前述した本発明の光電変換デバイスの製造方法により製造されたものであるので、長尺化しても信頼性の高いものを得易い。
【００３４】
第１０の発明の光電変換デバイスは、透明基板と、透明基板上に形成された複数の光電変換素子と、透明基板に実装されて複数の光電変換素子の各々に生じた電荷を基にデータ信号を生成する信号生成手段と、透明基板上に形成されて複数の光電変換素子の各々と信号生成手段とを接続する複数の第１配線と、複数の第１配線それぞれの一端に１つずつ接続されて一端と信号生成手段との間に介在するパッドと、透明基板上に形成されて信号生成手段と外部回路とを接続する複数の第２配線とを備えた光電変換デバイスであって、パッド及び第２配線の各々は、低抵抗率の第１導電層と耐食性材料により第１導電層上に形成された第２導電層とを含むことを特徴とする。
【００３５】
この光電変換デバイスでは、透明基板上に光電変換素子を形成するので、長尺化が容易である。また、低抵抗率導電層と耐食性導電層とにより各パッド及び第２配線を形成するので、抵抗率が低く、かつ耐食性の高いパッド及び第２配線を形成することができる。光電変換素子を形成するにあたって例えば強酸性材料を用いたとしても、当該強酸性材料によるパッドや第２配線の腐食を抑えて信頼性の高い光電変換デバイスを得ることができる。したがって、長尺化しても信頼性の高いものを得易い。
【００３６】
第１１の発明の光電変換デバイスは、上記の光電変換素子は、光電変換材料として有機化合物を含有することを特徴とする。
【００３７】
本発明の光電変換デバイスでは、光電変換材料として有機化合物を含有した光電変換素子、すなわち有機光電変換素子を透明基板上に形成するので、長尺化が容易である。
【００３８】
以下、本発明の光電変換デバイスの製造方法及び光電変換デバイスそれぞれの実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。なお、本発明は以下に説明する実施の形態に限定されるものではない。
【００３９】
（実施の形態１）
図１は、本発明の光電変換デバイスの一例を概略的に示す平面図である。同図において、１は光電変換デバイス、５は透明基板、２０は多数の有機光電変換素子が配置されている光電変換領域、２５は第１配線、３０は信号生成手段、３５は第２配線である。また、図２（ａ）は、図１に示した光電変換デバイス１での有機光電変換素子ＰＥ、第１配線２５、及び第２配線３５それぞれの平面配置を概略的に示す平面図であり、図２（ｂ）は、図１に示した光電変換デバイス１での有機光電変換素子ＰＥ、第１配線２５、第２配線３５、及び信号生成手段３０それぞれの平面配置を概略的に示す平面図であり、図２（ｃ）は、図２（ｂ）に示したＩＩ−ＩＩ線断面の概略図である。
【００４０】
これらの図に示す光電変換デバイス１では、透明基板５上に多数の有機光電変換素子ＰＥが所定パターンの下に形成されて光電変換領域２０を形成していると共に、個々の光電変換素子に生じた電荷を検知してデータ信号を生成する計１１個の信号生成手段３０が実装されている。各信号生成手段３０は、例えば所定の集積回路が形成された単結晶シリコン基板からなり、その片面には所定数のバンプ３０ａ（図２（ｃ）参照）が形成されている。
【００４１】
個々の信号生成手段３０と該信号生成手段３０に対応する有機光電変換素子ＰＥとは、透明基板５上に形成された第１配線２５を介して接続されている。具体的には、第１配線２５の一端上に配置されたパッド２７と該パッド２７上に配置された異方性導電膜４０とを介して第１配線２５が所定の信号生成手段３０のバンプ３０ａに電気的に接続され、これにより個々の信号生成手段３０と該信号生成手段３０に対応する有機光電変換素子ＰＥとが接続されている。１つの有機光電変換素子ＰＥに１つずつ、第１配線２５が配置されている。各第１配線２５における上記の一端側の領域は幅広になっており、その上にパッド２７が形成されている。
【００４２】
透明基板５上には、個々の信号生成手段３０を構成する配線の一部や該信号生成手段３０を外部回路に接続するための配線である第２配線３５も所定本数形成されており、各第２配線３５は、その一端上に形成されたパッド３７と該パッド３７上に配置された異方性導電膜４０とを介して所定の信号生成手段３０のバンプ３０ａに接続されている。各第２配線３５における上記の一端側の領域は幅広になっており、その上にパッド３７が形成されている。各信号生成手段３０は、所定の第２配線３５を介して外部回路に接続される。したがって、信号生成手段３０で生成されたデータ信号は、所定の第２配線３５を介して外部回路に送られる。また、第２配線２５には電源線や接地線等の制御線も含まれており、各信号生成手段３０への電源電圧の供給や接地は所定の第２配線２５を介して行われる。
【００４３】
このような構成を有する光電変換デバイス１の特徴は、各パッド２７の層構成及び組成が互いに同一であり、かつ、これらのパッド２７の層構成及び組成と各第２配線３５の層構成及び組成も互いに同一であり、さらに、各パッド３７がパッド２７と同じ層構成及び組成の領域を含んでいる点にある。以下、これらの特徴部分について図３を参照して詳述する。
【００４４】
図３は、本発明の光電変換デバイスの他の一例を概略的に示す断面図である。同図において、１Ａは光電変換デバイス、１０Ｒは赤色のカラーフィルタ（以下、「赤色フィルタ１０Ｒ」という。）、１０Ｇは緑色のカラーフィルタ（以下、「緑色フィルタ１０Ｇ」という。）、１０Ｂは青色のカラーフィルタ（以下、「青色フィルタ１０Ｂ」という。）、１２は各フィルタ１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを覆う保護層、１４ａは有機光電変換素子ＰＥを構成する透明電極、１４ｂは有機光電変換素子ＰＥを構成する有機光電変換部、１４ｃは有機光電変換素子ＰＥを構成する背面電極、１６は各有機光電変換素子ＰＥを封止する封止部材、２６は第１配線２５を覆う電気絶縁膜である。図３に示す構成部材のうちで図１、図２（ａ）、図２（ｂ）、又は図２（ｃ）に示した構成部材と機能が共通するものについては、図１、図２（ａ）、図２（ｂ）、又は図２（ｃ）で用いた参照符号と同じ参照符号を付してその説明を省略する。
【００４５】
図３に示す光電変換デバイス１Ａは、フルカラーの画像データを得ることができるリニアイメージセンサとして利用することができるものであり、透明基板５上に赤色フィルタ１０Ｒ、緑色フィルタ１０Ｇ、及び青色フィルタ１０Ｂがそれぞれストライプ状に形成され、これらを覆うようにして設けられた保護層１２上に多数の有機光電変換素子ＰＥが３行複数列に亘ってマトリックス状に配置されている。個々の有機光電変換素子ＰＥは、透明電極１４ａ上に有機光電変換部１４ｂと背面電極１４ｃとがこの順番で積層された構造を有しており、各有機光電変換素子ＰＥにおける背面電極１４ｃは、１つの電極膜における互いに別個の一領域からなっている。有機光電変換素子ＰＥへの水分等の侵入を防止するために封止部材１６が透明基板５上に配置されて、当該透明基板５と共に各有機光電変換素子ＰＥを封止するための空間を形成している。
【００４６】
個々の第１配線２５は電気絶縁膜２６により覆われており、この電気絶縁膜２６によって互いに電気的に分離されている。第１配線２５と信号生成手段３０との間に介在する各パッド２７は電気絶縁膜２６よりも突出している。
【００４７】
個々のパッド２７及び個々の第２配線３５は、それぞれ、低抵抗率（低電気抵抗率）の第１導電層ＣＬ1と、耐食性材料により該第１導電層ＣＬ1上に形成された第２導電層ＣＬ2との２層構造を有している。各パッド２７での第１導電層ＣＬ1と各第２配線３５での第１導電層ＣＬ1とは、互いに同じ厚さ及び組成を有している。同様に、各パッド２７での第２導電層ＣＬ2と各第２配線３５での第２導電層ＣＬ2とは、互いに同じ厚さ及び組成を有している。
【００４８】
また、第２配線３５と信号生成手段３０との間に介在する各パッド３７は、第１配線２５と同じ厚さの導電層からなるベース層Ｌ0上に第１導電層ＣＬ1と第２導電層ＣＬ2とをこの順番で積層した３層構造を有している。各パッド３７での第１導電層ＣＬ1と各パッド２７での第１導電層ＣＬ1とは、互いに同じ厚さ及び組成を有している。同様に、各パッド３７での第２導電層ＣＬ2と各パッド２７での第２導電層ＣＬ2とは、互いに同じ厚さ及び組成を有している。
【００４９】
このような構成を有する光電変換デバイス１Ａでは、各パッド２７及び各第２配線、ならびに各パッド３７における第１導電層ＣＬ1と第２導電層ＣＬ2とを１つの積層膜から一緒に形成することができるので、各パッド２７，３７の高さを容易に揃えることができる。そのため、不所望の箇所での導通を抑えつつ異方性導電膜４０を介してのパッド２７，３７と信号生成手段３０との接続を確実に行うことが容易である。また、上述のように１つの積層膜をパターニングすることで各パッド２７，３７と各第２配線３５とを形成することができるので、これらを別々の工程で形成する場合に比べて工程数が少なくなる。そして、光電変換素子として有機光電変換素子ＰＥを備えているので、多数の有機光電変換素子ＰＥを配置して長尺化することも容易である。
【００５０】
したがって、光電変換デバイス１Ａでは、信頼性が高い長尺のものを低コストの下に得易い。また、長尺化しても信頼性の高いものを得易い。
【００５１】
（実施の形態２）
図４は、本発明の光電変換デバイスの更に他の例を概略的に示す断面図である。同図において、１Ｂは光電変換デバイスであり、ＡＬは密着層である。図４に示す構成部材のうちで図３に示した構成部材と機能が共通するものについては、図３で用いた参照符号と同じ参照符号を付してその説明を省略する。
【００５２】
図４に示す光電変換デバイス１Ｂでは、各パッド２７及び各第２配線３５が、それぞれ、密着層ＡＬ上に第１導電層ＣＬ1と第２導電層ＣＬ2とをこの順番で積層した３層構造を有している。また、各パッド３７は、ベース層Ｌ0上に密着層ＡＬと第１導電層ＣＬ1と第２導電層ＣＬ2とをこの順番で積層した４層構造を有している。密着層ＡＬの厚さ及び組成は、各パッド２７，３７及び各第２配線３５のいずれにおいても同じである。光電変換デバイス１Ｂにおける密着層ＡＬ以外の構成は、図３に示した光電変換デバイス１Ａにおける構成と同じである。
【００５３】
このような構成を有する光電変換デバイス１Ｂでは、前述した光電変換デバイス１Ａにおけるのと同じ理由から、信頼性が高い長尺のものを低コストの下に得易い。また、長尺化しても信頼性の高いものを得易い。さらに、密着層ＡＬにより第１導電層ＣＬ1の密着性を高めることができるので、パッド２７，３７又は第２配線３５の欠落等を防止することも容易になる。
【００５４】
（実施の形態３）
図５は、本発明の光電変換デバイスの更に他の例を概略的に示す断面図である。同図において、１Ｃは光電変換デバイスである。図５に示す構成部材のうちで図３に示した構成部材と機能が共通するものについては、図３で用いた参照符号と同じ参照符号を付してその説明を省略する。
【００５５】
図５に示す光電変換デバイス１Ｃでは、各第２導電層ＣＬ2がその下の第１導電層ＣＬ1の外表面（上面及び側面）を覆っている。光電変換デバイス１Ｃにおける他の構成は、図３に示した光電変換デバイス１Ａにおける構成と同じである。
【００５６】
このような構成を有する光電変換デバイス１Ｃでは、前述した光電変換デバイス１Ａにおけるのと同様の理由から、信頼性が高い長尺のものを低コストの下に得易い。また、長尺化しても信頼性の高いものを得易い。
【００５７】
さらに、第２導電層ＣＬ2が第１導電層ＣＬ1の外表面を覆っているので、当該第２導電層ＣＬ2の材料を適宜選定することにより、例えば各パッド２７，３７及び第２配線３５の形成後にポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）等のような強酸性材料を用いて有機光電変換素子ＰＥを形成するにあたって当該強酸材料を全面に塗布したとしても、各パッド２７，３７や各第２配線３５が上記の強酸性材料により腐食してしまうのを防止することが容易になる。この点からも、信頼性の高い光電変換デバイスを得易い。
【００５８】
（実施の形態４）
実施の形態１又は２で説明した本発明の光電変換デバイスは、例えば本発明の光電変換デバイスの製造方法により製造することができる。本発明の光電変換デバイスの製造方法は、少なくとも１層からなる導電層をパターニングして前述のパッドと第２配線とを形成するパターニング工程を含むものであり、パターニング工程の前には第１配線を形成する第１配線形成工程が、またパターニング工程の後には有機光電変換素子を形成する素子形成工程と信号生成手段を実装する実装工程とが行われる。以下、工程毎に詳述する。
【００５９】
（第１配線形成工程）
第１配線形成工程では、透明基板上に所定数の第１配線を形成する。実施の形態１〜３で説明した光電変換デバイス１Ａ〜１Ｃのようにカラーフィルタを有する光電変換デバイスを製造しようとする場合には、第１配線の形成に先だって透明基板上にカラーフィルタを形成する第１サブ工程と保護層を形成する第２サブ工程とがこの順番で行われる。
【００６０】
このとき、上記の透明基板としては、機械的、熱的強度を有する透明又は半透明の基板が用いられる。この透明基板は電気絶縁物であることが好ましいが、各有機光電変換素子の動作を妨げない範囲で、あるいは光電変換デバイスの用途に応じて、導電性を有しているか又は導電性の領域を含んでいてもよい。
【００６１】
このような透明基板としては、例えば、（１）ソーダ石英ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英ガラス、無アルカリガラス、フッ化物ガラス等の無機ガラス、（２）ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート、ポリエーテルスルフォン、ポリフッ化ビニル、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリアクリレート、非晶質ポリオレフィン、フッ素系樹脂等の有機高分子化合物、（３）Ａｓ2Ｓ3、Ａｓ40Ｓ10、Ｓ40Ｇｅ10等のカルコゲナイドガラス、（４）酸化亜鉛、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化ケイ素、酸化ハフニウム、酸化チタン等の金属酸化物及び窒化ケイ素等の金属窒化物、（５）顔料等により着色された透明基板材料、及び（６）表面に絶縁処理を施した金属材料、等からなるものを用いることができる。さらには、特定波長の光のみを透過させる材料や、光−光変換機能により入射光を特定波長の光に変換する材料等からなるものを用いることもできる。透明基板は、単層構造とする他に、複数の基板材料が積層された積層構造とすることもできる。
【００６２】
カラーフィルタを形成する第１サブ工程を行う場合、当該第１サブ工程でのカラーフィルタの形成は、例えば、所望の染料や顔料等の色材で着色された有機組成物（例えばカラーレジン）により形成した層をフォトリソグラフィー法により所定形状にパターニングすることで行われる。また、色材で着色された所望の有機組成物を印刷法、インクジェット法、蒸着法等の方法で所定パターンに塗工したり、電着法により所定箇所に堆積させたりすることでも、カラーフィルタを形成することができる。カラーフィルタとしては原色系のものを形成してもよいし、補色系のものを形成してもよい。
【００６３】
カラーフィルタを形成した場合には、その後に第２サブ工程を行って、各カラーフィルタを覆う保護層を形成する。この保護層は、耐熱性及び耐溶剤性に優れている他に、平坦性、密着性、透明性、耐光性、耐熱変色性、保存安定性等にも優れているものであることが好ましく、このような保護層の原料としては、例えばアクリル系、エポキシ系、ポリイミド系、シロキサン系、アルキル系等の光硬化性又は熱硬化性の樹脂組成物等が用いられる。光硬化性又は熱硬化性の樹脂組成物を用いて保護層を形成する場合には、当該樹脂組成物をスピンコート法等の方法で塗工して塗膜を形成した後、この塗膜に所定波長域の光を照射して半硬化させてから所定形状にパターニングするか、又は熱処理を施して半硬化させてから所定形状にパターニングし、その後、光照射又は熱処理により完全に硬化させる。
【００６４】
第１配線は、有機光電変換素子を構成する透明電極とは別々に形成することもできるし、一緒に形成することもできる。第１配線と上記の透明電極とを別々に形成する場合には、第１配線を形成する前、又は第１配線を形成した後に上記の透明電極が形成される。
【００６５】
第１電極と上記の透明電極とを一緒に形成する場合、これらの材料としては、（１）インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ；塗布型ＩＴＯを含む。）、酸化スズ、酸化亜鉛、インジウム亜鉛酸化物、アンチモンドープ酸化スズ、アルミニウムドープ酸化亜鉛等の透明導電性酸化物、（２）アルミニウム、銅、チタン、銀等の金属の薄膜やこれらの金属の混合薄膜、積層薄膜といった金属薄膜、（３）ポリピロール、ポリエチレンジオキシチオフェン（以下、「ＰＥＤＯＴ」と略記する。）、ポリフェニレンビニレン（以下、「ＰＰＶ」と略記する。）、ポリフルオレン等の導電性高分子化合物、等を用いることができる。
【００６６】
第１配線及び上記の透明電極の形成は、例えば、これらの元となる膜をその材料に応じて真空蒸着法（抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法等）やスパッタ法等の物理的気相蒸着法（ＰＶＤ法）、あるいは各種の重合法（電界重合法等）等により形成した後、当該膜をリソグラフィー法（フォトリソグラフィー法、電子線リソグラフィー法等）とエッチング法とを利用して所定形状にパターニングすることで行われる。所定形状のマスクを用いたＰＶＤ法や重合法により所望形状の第１配線及び透明電極を直接形成することも可能である。
【００６７】
第１配線及び上記の透明電極は単層構造とすることもできるし、積層構造とすることもできる。十分な導電性を持たせるために、あるいは透明基板の表面の凹凸に起因する有機光電変換素子への不均一な光入射を防ぐために、その膜厚は１ｎｍ以上とすることが望ましい。また、透明電極については、十分な透明性を持たせるために５００ｎｍ以下の膜厚にすることが望ましい。
【００６８】
なお、実施の形態１，２で説明した光電変換デバイス１Ａ，１Ｂのように、第２配線３５と信号生成手段３０との間に介在するパッド３７がベース層Ｌ0（図３，４参照）を有するものである場合には、第１配線の元となる膜をパターニングして第１配線を形成する際にベース層Ｌ0も一緒に形成することが好ましい。
【００６９】
（パターニング工程）
パターニング工程では、少なくとも１層からなる導電層をパターニングして、第１配線と信号生成手段との間に介在することになるパッドと第２配線とを形成する。このとき、実施の形態１，２で説明した光電変換デバイス１Ａ，１Ｂのように、第２配線３５と信号生成手段３０との間に介在するパッド３７におけるベース層Ｌ0（図３，４参照）以外の層も、上記の導電層から一緒に形成することが好ましい。
【００７０】
上記の導電層を単層構造とする場合、当該導電層は低抵抗率の導電層であってもよいし、耐食性材料からなる導電層であってもよいが、低抵抗率の第２配線を形成するという観点からは、低抵抗率の導電層であることが好ましい。また、上記の導電層を複数層構造とする場合、当該導電層は実施の形態１で説明した光電変換デバイス１Ａにおけるように２層構造であってもよいし、実施の形態２で説明した光電変換デバイス１Ｂにおけるように３層構造であってもよいし、４層以上の積層構造であってよい。上記の導電層を２層以上の積層構造とする場合には、低抵抗率の第１導電層と耐食性材料からなる第２導電層とを組み合せ、かつ、第２導電層を最上層とすることが好ましい。最初に低抵抗率の第１導電層を形成する第１サブ工程を行い、その後、第１導電層上に耐食性材料からなる第２導電層を形成する第２サブ工程を行う。
【００７１】
上記の第１導電層（低抵抗率の導電層）は、例えば、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、コバルト（Ｃｏ）、亜鉛（Ｚｎ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉄（Ｆｅ）、白金（Ｐｔ）、及びクロム（Ｃｒ）のうちの少なくとも１つを含む金属単体又は合金により形成することができる。また、上記の第２導電層（耐食性材料からなる導電層）は、例えば、金（Ａｕ）、クロム（Ｃｒ）、インジウム（Ｉｎ）、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉄（Ｆｅ）、白金（Ｐｔ）、錫（Ｓｎ）、ケイ素（Ｓｉ）、パラジウム（Ｐｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、マンガン（Ｍｎ）、バナジウム（Ｖ）、及びタンタル（Ｔａ）のうちの少なくとも１つを含む金属単体、合金、又は金属酸化物により形成することができる。
【００７２】
上述の導電層を形成するにあたっては例えばＰＶＤ法が用いられる。所望の層構造を有する導電層を形成した後に、当該導電層をパターニングする第３サブ工程を行って、各パッド及び第２配線を得る。導電層のパターニングは、例えばリソグラフィー法（フォトリソグラフィー法、電子線リソグラフィー法等）とエッチング法とを利用して行われる。
【００７３】
（素子形成工程）
素子形成工程では、第１配線形成工程の前又は後に形成された前述の透明電極上に有機光電変換部及び背面電極を形成して、所望数の有機光電変換素子を得る。実施の形態１，２で説明した光電変換デバイス１Ａ、１Ｂにおけるように第１配線２５の各々を電気絶縁膜２６（図３，４参照）で覆う場合には、有機光電変換部の形成に先だって電気絶縁膜２６を形成することが好ましい。
【００７４】
上記の電気絶縁膜２６を形成する場合、該電気絶縁膜２６は、例えば、光硬化性樹脂等の有機材料やシリコン窒化物等の無機材料により形成される。有機材料により電気絶縁膜を形成する場合には、当該有機材料に所望の色材を含有させて、遮光性を付与してもよい。電気絶縁膜２６の形成方法は、その材質に応じて塗布法、スピンコート法、印刷法、物理的気相蒸着法、化学的気相蒸着法等、適宜選択される。
【００７５】
例えば光硬化性樹脂により電気絶縁膜を形成する場合には、その元となる樹脂組成物を塗布法、スピンコート法、印刷法等で塗工した後、所定波長域の光を照射して硬化させる。このとき、フォトリソグラフィー法によって所定形状にパターニングしてもよい。また、無機材料により電気絶縁膜を形成する場合には、その元となる膜をＰＶＤ法や化学的気相蒸着法（ＣＶＤ法）により形成し、その後、リソグラフィー法とエッチング法とを利用して所定形状にパターニングする。所定形状の蒸着マスクを用いて所望形状の電気絶縁膜をＰＶＤ法又はＣＶＤ法により直接形成することも可能である。
【００７６】
有機光電変換素子を構成する有機光電変換部は、例えば電子供与性材料と電子受容性材料とを用いて形成される。これら電子供与性材料及び電子受容性材料は、互いに混合物を形成していてもよいし、互いに分離していてもよい。
【００７７】
ここで、上記の「混合物」とは、液相又は固相の材料を容器に入れ、必要に応じて溶剤を添加したうえで攪拌等により混ざり合わせた状態のものをいい、これをスピンコート法やインクジェット法等で成膜したものを含む。また、電子供与性材料と電子受容性材料との混合状態は均一である必要はなく、不均一に混ざっていてもよいし、一部のみが混合物を形成していてもよい。一方、電子供与性材料と電子受容性材料とが互いに分離している場合、各層は互いに完全に分離していなくてもよく、電子供与性材料を含む層と電子受容性材料を含む層との界面においてこれらの層が混合状態を形成してもよい。例えば電子供与性材料を含む層と電子受容性材料を含む層とをそれぞれ別の方法で形成することにより、これらの層が互いに完全に分離した有機光電変換部を得ることができる。電子供与性材料及び電子受容性材料それぞれの具体例については後述する。
【００７８】
個々の有機光電変換素子での有機光電変換部は、互いに離隔していてもよいし、１つの有機光電変換膜における互いに別個の一領域であってもよい。このような有機光電変換部は、使用する材料に応じて、例えば真空蒸着法やスパッタリング法等の真空プロセスにより、あるいはスピンコート法、ディッピング法、インクジェット法等のウェットプロセスにより形成することができる。ウェットプロセスにより有機光電変換部を形成した場合には、低コスト、高生産性の下に光電変換装デバイスを得ることが容易になる。例えばスピンコート法により上記の有機光電変換膜を形成する場合には、有機光電変換素子として設計した領域の外側にまで当該有機光電変換膜が形成されることになるので、必要に応じて例えばリフトオフ法によりパターニングする。
【００７９】
有機光電変換素子を構成する背面電極は、有機光電変換部で生じた電子を効率よく取り出すことができる材料によって形成することが好ましい。このような材料としては、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、インジウム（Ｉｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、チタン（Ｔｉ）、銀（Ａｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、バリウム（Ｂａ）、ニッケル（Ｎｉ）等の金属や、これらの金属を含有した合金、あるいは上記の金属を含有した導電性の酸化物もしくはフッ化物等が用いられる。有機光電変換部での光電変換効率を高めるうえからは、光電変換に寄与することなく背面電極に達した光を再び有機光電変換部へ供給して光電変換に寄与させることができるように、光反射率の高い導電性材料によって背面電極を形成することが好ましい。
【００８０】
背面電極は単層構造とすることもできるし、積層構造とすることもできる。背面電極の形成は、例えば抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、スパッタ法等のＰＶＤ法により行うことができる。個々の有機光電変換素子での背面電極は、互いに離隔していてもよいし、１つの電極膜における互いに別個の一領域であってもよい。
【００８１】
このようにして背面電極まで形成することにより、所望数の有機光電変換素子が得られる。実施の形態１，２で説明した光電変換デバイス１Ａ，１Ｂにおけるように各有機光電変換素子ＰＥを封止部材１６（図３，４参照）で封止する場合、当該封止部材１６の材料としては、所望の水蒸気透過率及び酸素透過率を有するガラスや樹脂等が用いられる。例えば、所望の無機材料又は有機材料からなる平板に凹部を形成して当該平板を極浅い箱状に成形することにより、封止部材１６を得ることができる。このような封止部材１６は、例えば、所望の水蒸気透過率及び酸素透過率を有する軟ろう等の無機接着材や、光硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、二液型接着剤等の有機接着材により、透明基板上に固着される。また、背面電極及び有機光電変換部を覆うようにして酸化ケイ素、酸窒化ケイ素、酸化アルミニウム、窒化ケイ素、フッ化リチウム等からなる無機膜や、ゾル−ゲル法によるガラス膜、あるいは熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂、封止効果のあるシラン系高分子材料等からなる有機膜を封止部材として用いることも可能である。
【００８２】
なお、有機光電変換部を構成する前述の電子供与性材料としては、（１）フェニレンビニレン及びその誘導体、フルオレン及びその誘導体（骨格にキノリン基又はピリジン基を有するフルオレン系コポリマー（Ｐ０Ｆ６６、Ｐ１Ｆ６６、ＰＦＰＶ等）等）、フルオレン含有アリールアミンポリマー、カルバゾール及びその誘導体、インドール及びその誘導体、ピレン及びその誘導体、ピロール及びその誘導体、ピコリン及びその誘導体、チオフェン及びその誘導体、アセチレン及びその誘導体、ジアセチレン及びその誘導体等の重合体ならびにその誘導体、（２）デンドリマーとして総称される一群の高分子材料、（３）ポルフィン、テトラフェニルポルフィン銅、フタロシアニン、銅フタロシアニン、チタニウムフタロシアニンオキサイド等のポリフィリン化合物、（４）１，１−ビス（４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）フェニル）シクロヘキサン、４，４’，４”−トリメチルトリフェニルアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（ｐ−トリル）−ｐ−フェニレンジアミン、１−（Ｎ，Ｎ−ジ−ｐ−トリルアミノ）ナフタレン、４，４’−ビス（ジメチルアミノ）−２，２’−ジメチルトリフェニルメタン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニル−４，４’−ジアミノビフェニル、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ−ｍ−トリル−４，４’−ジアミノビフェニル、Ｎ−フェニルカルバゾール等の芳香族第三級アミン、（５）４−ジ−ｐ−トリルアミノスチルベン、４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）−４’−（４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）スチリル）スチルベン等のスチルベン化合物、等を用いることができる。
【００８３】
さらには、トリアゾール及びその誘導体、オキサジアゾール及びその誘導体、イミダゾール及びその誘導体、ポリアリールアルカン及びその誘導体、ピラゾリン及びその誘導体、ピラゾロン及びその誘導体、フェニレンジアミン及びその誘導体、アリールアミン及びその誘導体、アミノ置換カルコン及びその誘導体、オキサゾール及びその誘導体、スチリルアントラセン及びその誘導体、フルオレノン及びその誘導体、ヒドラゾン及びその誘導体体、シラザン及びその誘導体、ポリシラン系アニリン系共重合体、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、ポリ３−メチルチオフェン等も用いることができる。なお、電子供与性材料は、化学的に修飾してその吸収波長特性を調整することも可能である。
【００８４】
一方、有機光電変換部を構成する前述の電子受容性材料としては、上述した電子供与性材料と同様の低分子及び高分子材料の他に、次の（ｉ）〜（ｖｉ）の化合物、すなわち（ｉ）１，３−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル−１，３，４−オキサジアゾリル）フェニレン等のオキサジアゾール及びその誘導体、（ｉｉ）フルオレン及びその誘導体、（ｉｉｉ）アントラキノジメタン及びその誘導体、（ｉｖ）ジフェニルキノン及びその誘導体、（ｖ）フラーレン及びその誘導体（［５，６］−フェニル  Ｃ６１  酪酸メチルエステル、［６，６］−フェニル  Ｃ６１  酪酸メチルエステル等）、（ｖｉ）カーボンナノチューブ及びその誘導体等、を繰り返し単位とする重合体や、上記（ｉ）〜（ｖｉ）の化合物と他のモノマーとの共重合体等が用いられる。さらには、デンドリマーとして総称される一群の高分子材料を用いることもできる。なお、電子受容性材料は、化学的に修飾してその吸収波長特性を調整することも可能である。
【００８５】
（実装工程）
実装工程では、所定数の信号生成手段を透明基板に実装する。信号生成手段としては、例えば、単結晶シリコン基板に所定の集積回路が形成された半導体ベアチップを用いることができる。勿論、パッケージングされた半導体チップを信号生成手段として用いることも可能である。
【００８６】
透明基板に信号生成手段を実装するにあたっては、実施の形態１，２で説明した光電変換デバイス１Ａ，１Ｂにおけるように異方性導電膜４０（図３，４参照）を用いることが好ましい。異方性導電膜４０を用いることにより、少ない実装面積の下に各信号生成手段を実装することができるようになるので、光電変換デバイスの小型化を図り易くなる。勿論、異方導電性接着剤により各信号生成手段を透明基板に実装することも可能であるし、実装面積を大きくとれる場合には、異方性導電膜を用いることなく例えばワイヤボンディングにより各信号生成手段が透明基板に実装されるように光電変換デバイスを構成することも可能である。この実装工程まで行うことにより、目的とする光電変換デバイスが得られる。
【００８７】
このようにして光電変換デバイスを製造すると、第１配線と信号生成手段との間に介在する各パッドの層構成及び組成を同一にしてこれらのパッドを一緒に形成することができるので、当該パッドの高さを揃え易い。同様に、第２配線と信号生成手段との間に介在する各パッドについても、その高さを揃え易い。このため、不所望の箇所での導通を抑えつつ異方性導電膜等を介してのパッドと信号生成手段との接続を確実に行うことが容易である。また、各パッドと各第２配線を同じ工程で形成するので、これらを別々の工程で形成する場合に比べて工程数が少なくなる。そして、光電変換素子として有機光電変換素子を用いて光電変換デバイスを構成するので、長尺化が容易である。
【００８８】
したがって、上述した製造方法によれば、信頼性が高い長尺の光電変換デバイスを低コストの下に得易い。また、長尺化しても信頼性の高い光電変換デバイスを得易い。
【００８９】
（実施の形態５）
実施の形態３で説明した本発明の光電変換デバイスは、例えば本発明の光電変換デバイスの他の製造方法により製造することができる。
【００９０】
この製造方法は、少なくとも１層からなる低抵抗率導電層を形成する低抵抗率導電層形成工程と、低抵抗率導電層をエッチングによりパターニングして、パッドを構成することになるパッド用第１導電層と第２配線を構成することになる第２配線用第１導電層とを形成する第１エッチング工程と、パッド用第１導電層及び第２配線用第１導電層それぞれの外表面を覆うようにして、少なくとも１層からなる耐食性導電層を形成する耐食性導電層形成工程と、耐食性導電層をエッチングによりパターニングして、パッド用第１導電層の外表面を覆うパッド用第２導電層と第２配線用第１導電層の外表面を覆う第２配線用第２導電層とを形成する第２エッチング工程とを含む。
【００９１】
上記の各工程は、実施の形態４で説明した製造方法におけるパターニング工程でのサブ工程に位置付けられるものであり、低抵抗率導電層及び耐食性導電層それぞれの形成は例えばＰＶＤ法により行われ、各導電層のパターニングは、例えばリソグラフィー法（フォトリソグラフィー法、電子線リソグラフィー法等）とエッチング法とを利用して行われる。低抵抗率導電層の材料としては、実施の形態４の中で述べた第１導電層（低抵抗率の導電層）の材料と同じものが例示され、耐食性導電層の材料としては、実施の形態４の中で述べた第２導電層（耐食性材料からなる導電層）の材料と同じものが例示される。
【００９２】
上述の各工程を行うことにより、第１配線と信号生成手段との間に介在するパッドの各々と、第２配線の各々とが形成される。また、第２配線と信号生成手段との間に介在するパッドでのベース層以外の層も上記の各工程で形成することが好ましい。光電変換デバイスの構成部材のうちで上記のパッド及び第２配線をそれぞれ除いた残りの構成部材は、実施の形態４で説明した製造方法におけるのと同様にして形成される。
【００９３】
このようにして光電変換デバイスを製造すると、実施の形態４で説明した製造方法におけるのと同様の理由から、信頼性が高い長尺の光電変換デバイスを低コストの下に得易くなる。また、長尺化しても信頼性の高い光電変換デバイスを得易くなる。さらに、各パッド及び第２配線それぞれでの最外層が耐食性導電層により形成されるので、ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）等のような強酸性材料を用いて有機光電変換素子を形成するにあたって当該強酸材料を全面に塗布したとしても、各パッドや各第２配線が上記の強酸性材料により腐食してしまうのを防止することが容易である。
【００９４】
以上、本発明の光電変換デバイスの製造方法及び光電変換デバイスそれぞれの実施の形態について詳述したが、前述のように本発明はこれらの形態に限定されるものではない。
【００９５】
例えば、光電変換素子の配列形態は３行多数列に限定されるものではなく、１行多数列や２行多数列であってもよいし、４行以上の複数行多数列であってもよい。光電変換素子をどのような形態で配列させるかは、光電変換デバイスの用途等に応じて適宜選定可能である。
【００９６】
個々の光電変換素子を有機光電変換素子とする場合、これらの有機光電変換素子は、１つの有機光電変換膜における互いに別個の一領域を有機光電変換部とするものであってもよい。また、有機光電変換素子毎に互いに分離された背面電極を有するものであってもよい。必要に応じて、正極として利用される電極と有機光電変換部との間に正極バッファ層を介在させることができる。この正極バッファ層は、有機光電変換部を構成する電子受容性材料よりも高い仕事関数を有すると共に正極よりも低い仕事関数を有する物質、例えばモリブデン酸化物をはじめとする無機金属の酸化物や、無機金属のフッ化物、無機金属の窒化物、あるいはポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）やバソクプロイン等の有機半導体等により形成される。同様に、負極として利用される電極と有機光電変換部との間に負極バッファ層を介在させることができる。この負極バッファ層は、有機光電変換部を構成する電子供与性材料よりも低い仕事関数を有すると共に負極よりも高い仕事関数を有する物質、例えばフッ化リチウムをはじめとする金属フッ化物や金属酸化物等により形成される。
【００９７】
実施の形態３で説明した光電変換デバイス１Ｃにおけるように、第１導電層ＣＬ1の外表面を第２導電層ＣＬ2（図５参照）で覆う場合、第２導電層ＣＬ2は第１導電層ＣＬ1上に直接形成してもよいし、必要に応じて第１導電層ＣＬ1と第２導電層ＣＬ2との間に他の導電層を介在させてもよい。本発明の光電変換デバイスの製造方法及び光電変換デバイスについては、上述した以外にも種々の変形、修飾、組合せなどが可能である。以下、本発明の具体的な内容について、実施例を挙げて説明する。
【実施例】
【００９８】
（実施例１）
（第１配線形成工程）
まず、透明基板として無アルカリガラス基板を用意した。この無アルカリガラス基板上に所望色のカラーレジンを塗布して塗膜を形成し、該塗膜を１００℃で仮焼成した後にフォトマスクを介して露光し、現像を行って、ストライプ状にパターニングされたカラーレジン層を得る。この工程を赤色、緑色、及び青色のカラーレジンそれぞれについて行って、膜厚２μｍのストライプ状を呈する仮焼成カラーレジン層を計３層並列に形成した後にこれらを本焼成して、赤色フィルタと緑色フィルタと青色フィルタとを透明基板（無アルカリガラス基板）上に形成した。
【００９９】
次に、上記の各フィルタを覆うようにして熱硬化性樹脂組成物をスピンコート法により塗布して塗膜を形成し、乾燥させてから当該塗膜上に所定形状のフォトマスクを形成した。このフォトマスクを用いて上記乾燥後の塗膜を選択的に露光してから現像を行い、２００℃で焼成して、カラーフィルタ部の上面及び側面を覆う厚さ約１．８μｍの保護層を得た。
【０１００】
この保護層上及び透明基板の表面（露出面）上にスパッタ法により膜さ１５０ｎｍのＩＴＯ膜を成膜した後、該ＩＴＯ膜上にスピンコート法によりレジスト材（東京応化社製のＯＦＰＲ−８００（商品名））を塗布して厚さ１μｍのレジスト膜を形成し、このレジスト膜に選択的な露光及び現像を施して所定形状のレジストパターンを得た。そして、該レジストパターンまで形成した透明基板（無アルカリガラス基板）を液温６０℃の５０％塩酸水溶液中に浸漬して、レジストパターンが形成されていない部分のＩＴＯ膜をエッチングした。
【０１０１】
この後、上記のレジストパターンを除去して、３行７５００列に亘ってマトリックス状に配置された多数のＩＴＯ電極と、個々のＩＴＯ電極に１つずつ接続された第１配線と、後述する第２配線に接続されるパッドでのベース層として利用される所定数のＩＴＯ層とを得た。
【０１０２】
上記のＩＴＯ電極は有機光電変換素子での透明電極として利用されるものであり、行方向に隣り合うＩＴＯ電極同士のピッチは０．０４２ｍｍであり、行方向に隣り合うＩＴＯ電極同士の距離は０．００５ｍｍである。同様に、列方向に隣り合うＩＴＯ電極同士のピッチは０．０４２ｍｍであり、列方向に隣り合うＩＴＯ電極同士の距離は０．００５ｍｍである。各第１配線は、対応するＩＴＯ電極に連なって列方向に延びており、その一端（ＩＴＯ電極とは反対側の端）は幅広になっている。
【０１０３】
（パターニング工程）
上述のようにしてＩＴＯ電極まで形成した透明基板全体に、第１導電層として厚さ２μｍの銅（Ｃｕ）層をＰＶＤ法により形成し、その上に第２導電層として厚さ０．１５μｍのＩＴＯ層をＰＶＤ法により形成した。
【０１０４】
このＩＴＯ層上にスピンコート法によりレジスト材（東京応化社製のＯＦＰＲ−８００（商品名））を塗布して厚さ１．８μｍのレジスト膜を形成し、このレジスト膜に選択的な露光及び現像を施して所定形状のレジストパターンを得た後、該レジストパターンが形成されていない部分のＩＴＯ層を選択的にドライエッチングし、さらに、該ドライエッチングにより露出した銅層を選択的にウェットエッチングした。
【０１０５】
これにより、各第１配線における幅広の一端上には、当該第１配線と後述する信号生成手段との間に介在することになるパッド（以下、「第１パッド」という。）が形成され、前述したベース層としてのＩＴＯ層上には、後述する第２配線と後述する信号生成手段との間に介在することになるパッド（以下、「第２パッド」という。）が形成された。また、透明基板上の所定箇所には、複数本の第２配線が形成された。
【０１０６】
第１パッドの各々は、第１導電層としての銅層と第２導電層としてのＩＴＯ層との２層構造を有しており、第２パッドの各々は、ベース層としてのＩＴＯ層と、第１導電層としての銅層と、第２導電層としてのＩＴＯ層との３層構造を有している。そして、第２配線の各々は、第１導電層としての銅層と第２導電層としてのＩＴＯ層との２層構造を有している。透明基板を基準としたとき、各第１パッド及び各第２パッドそれぞれの高さは実質的に同一である。
【０１０７】
第２配線のうち、後述する信号生成手段の接地線として利用されるものでの線幅を３ｍｍ程度とすることにより、その長さを例えば３００ｍｍ（Ａ３サイズでの短辺の長さに相当）としても両端での電気抵抗が１Ω以下となるので、信号生成手段を正常に動作させることが容易になる。
【０１０８】
（素子形成工程）
まず、第１パッド、第２パッド、及び第２配線の各々まで形成された透明基板上にポリイミド系の感光性樹脂組成物（東レ社製のフォトニース（商品名））をスピンコートして膜厚が約１μｍの樹脂組成物層を形成し、この樹脂組成物層をプリベークした後に当該層に選択的な露光、現像、及びポストベークを施して、各第１配線を覆う電気絶縁膜を得た。この電気絶縁層は、隣り合う第１配線同士を電気的に分離するためのものであると共に、第１配線の各々を該第１配線が対応する有機光電変換素子以外の有機光電変換素子から電気的に分離するためのものでもある。なお、当該電気絶縁膜と各第１パッドとの間には１μｍ程度の間隙を形成した。
【０１０９】
第１パッド及び第２パッドそれぞれの高さは、透明基板を基準としたときに２．３μｍ程度であるので、これらのパッドは上記の電気絶縁膜よりも突出している。このため、異方性導電膜を介して後述する信号生成手段を透明基板上に実装する際に、各パッドと信号生成手段との導通を図り易い。
【０１１０】
次に、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）とポリスチレンスルフォネートとの混合物を目開き０．４５μｍのフィルタを通して透明基板上に滴下し、スピンコート法によって均一に塗布した。これを２００℃のクリーンオーブン中で３０分間加熱することで、前述のＩＴＯ電極の各々を覆う正極バッファ層を形成した。前述した第２導電層としてのＩＴＯ層が耐酸性を有していることから、強酸性材料であるポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）を用いて正極バッファ層を形成することに起因するパッドや第２配線の腐食は抑えられた。
【０１１１】
次いで、ポリ（２−メトキシ−５−（２’−エチルヘキシルオキシ）−１，４−フェニレンビニレン）と［５，６］−フェニルＣ６１酪酸メチルエステルとを１：４の重量比で含有するクロロベンゼン溶液をスピンコート法により上記の正極側バッファ層上に塗布し、１００℃のクリーンオーブン中で３０分間加熱処理して、各ＩＴＯ電極を平面視上覆う厚さ約１００ｎｍの有機光電変換膜を形成した。
【０１１２】
続いて、０．２７ｍＰａ（２×１０-6Ｔｏｒｒ）以下の真空度にまで減圧した抵抗加熱蒸着装置内にて、負極バッファ層としての厚さ２ｎｍのフッ化リチウム膜と、背面電極用の電極膜としての厚さ約１００ｎｍのアルミニウム膜とをこの順番で有機光電変換膜上に成膜した。この電極膜まで形成することにより、透明電極（ＩＴＯ電極）と、正極バッファ層と、有機光電変換部と、負極バッファ層と、背面電極とを備えた所定数の有機光電変換素子が形成された。個々の有機光電変換部は、上述の有機光電変換膜における互いに別個の一領域からなる。
【０１１３】
この後、封止部材としてガラス製の極浅い箱状物を用意し、各有機光電変換素子を覆うようにして当該箱状物をエポキシ系の光硬化型接着剤により透明基板上に固着させて、各有機光電変換素子を封止した。
【０１１４】
（実装工程）
単結晶シリコン基板に所定の集積回路が形成された所定数の半導体チップを信号生成手段として用い、異方性導電膜を介してこれらの信号生成手段を透明基板上に実装した。このようにして信号生成手段の実装まで行うことにより、目的とする光電変換デバイスが得られた。この光電変換装デバイスは、図３に示した光電変換デバイス１Ａと同様の構造を有している。
【０１１５】
（実施例２）
実施例１における第１配線形成工程と同じ条件の下に第１配線形成工程を行った後、ＩＴＯ電極まで形成された透明基板全体に、密着層として厚さ１．８μｍのクロム（Ｃｒ）層をＰＶＤ法により形成し、その上に第１導電層として厚さ１．８μｍのアルミニウム（Ａｌ）層をＰＶＤ法により形成し、さらに、その上に第２導電層として厚さ０．１５μｍのクロム（Ｃｒ）層をＰＶＤ法により形成した。
【０１１６】
第２導電層としてのクロム層上にスピンコート法によりレジスト材（東京応化社製のＯＦＰＲ−８００（商品名））を塗布して厚さ２μｍのレジスト膜を形成し、このレジスト膜に選択的な露光及び現像を施して所定形状のレジストパターンを得た。この後、レジストパターンが形成されていない部分のクロム層（第２導電層）を選択的にウェットエッチングし、これにより露出したアルミニウム層（第１導電層）を選択的にウェットエッチングし、さらに、アルミニウム層の選択的なウェットエッチングにより露出したクロム層（密着層）を選択的にウェットエッチングした。
【０１１７】
これにより、各第１配線における幅広の一端上には、当該第１配線と後述する信号生成手段との間に介在することになる第１パッドが形成され、前述したベース層としてのＩＴＯ層上には、第２配線と信号生成手段との間に介在することになる第２パッドが形成された。また、透明基板上の所定箇所には、複数本の第２配線が形成された。
【０１１８】
第１パッドの各々は、密着層としてのクロム層と、第１導電層としてのアルミニウム層と、第２導電層としてのクロム層との３層構造を有しており、第２パッドの各々は、ベース層としてのＩＴＯ層と、密着層としてのクロム層と、第１導電層としてのアルミニウム層と、第２導電層としてのクロム層との４層構造を有している。そして、第２配線の各々は、密着層としてのクロム層と、第１導電層としてのアルミニウム層と、第２導電層としてのクロム層との３層構造を有している。透明基板を基準としたとき、各第１パッド及び各第２パッドそれぞれの高さは実質的に同一である。
【０１１９】
第２配線のうちで信号生成手段の接地線として利用されるものでの線幅を３ｍｍ程度とすることにより、その長さを例えば３００ｍｍ（Ａ３サイズでの短辺の長さに相当）としても両端での電気抵抗が１．５Ω以下となるので、信号生成手段を正常に動作させることが容易になる。
【０１２０】
この後、実施例１におけるのと同じ条件の下に素子形成工程及び実装工程を行って、目的とする光電変換デバイスを得た。この光電変換装デバイスは、図４に示した光電変換デバイス１Ｂと同様の構造を有している。上述したクロム層が耐酸性を有していることから、素子形成工程で強酸性のポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）を用いて正極バッファ層を形成したことに起因するパッドや第２配線の腐食は抑えられた。
【０１２１】
（実施例３）
実施例１における第１配線形成工程と同じ条件の下に第１配線形成工程を行った後、ＩＴＯ電極まで形成された透明基板全体に低抵抗率導電層として厚さ２μｍの銅（Ｃｕ）層をＰＶＤ法により形成し、その上にスピンコート法によりレジスト材（東京応化社製のＯＦＰＲ−８００（商品名））を塗布して厚さ１．８μｍのレジスト膜を形成した後、このレジスト膜に選択的な露光及び現像を施して所定形状のレジストパターンを得た。
【０１２２】
上記のレジストパターンが形成されていない部分の銅層を選択的にウェットエッチングした。これにより、各第１配線における幅広の一端上には、当該第１配線と信号生成手段との間に介在することになる第１パッド用の第１導電層が形成され、前述したベース層としてのＩＴＯ層上には、第２配線と信号生成手段との間に介在することになる第２パッド用の第１導電層が形成された。また、透明基板上の所定箇所には、第２配線用の第１導電層が形成された。
【０１２３】
次に、上記の各第１導電層が形成された透明基板全体に耐食性導電層として厚さ０．１５μｍのＩＴＯ層をＰＶＤ法により形成し、その上にスピンコート法によりレジスト材（東京応化社製のＯＦＰＲ−８００（商品名））を塗布して厚さ１．８μｍのレジスト膜を形成した後、このレジスト膜に選択的な露光及び現像を施して所定形状のレジストパターンを得た。
【０１２４】
上記のレジストパターンが形成されていない部分のＩＴＯ層を選択的にドライエッチングした。これにより、各第１パッド用第１導電層、各第２パッド用第１導電層、及び第２配線用第１導電層それぞれの上には、当該第１導電層の外表面を覆うようにしてＩＴＯ層からなる第２導電層が形成された。
【０１２５】
このようにして第２導電層まで形成することにより、各第１配線における幅広の一端上には、当該第１配線と信号生成手段との間に介在することになる第１パッドが形成され、前述したベース層としてのＩＴＯ層上には、第２配線と信号生成手段との間に介在することになる第２パッドが形成された。また、透明基板上の所定箇所には、複数本の第２配線が形成された。
【０１２６】
第１パッドの各々は、銅層からなる第１パッド用第１導電層と、該第１パッド用第１導電層の外表面を覆う第１パッド用第２導電層（ＩＴＯ層）との２層構造を有しており、第２パッドの各々は、ベース層としてのＩＴＯ層と、銅層からなる第２パッド用第１導電層と、該第２パッド用第１導電層の外表面を覆う第２パッド用第２導電層（ＩＴＯ層）との３層構造を有している。そして、第２配線の各々は、銅層からなる第２配線用第１導電層と、該第２配線用第１導電層の外表面を覆う第２配線用第２導電層（ＩＴＯ層）との２層構造を有している。透明基板を基準としたとき、各第１パッド及び各第２パッドそれぞれの高さは実質的に同一である。
【０１２７】
第２配線のうちで信号生成手段の接地線として利用されるものでは、第１導電層である銅層の厚さが実施例１での光電変換デバイスにおけるのと同様に２μｍであるので、その電気抵抗値は十分に低く、信号生成手段を正常に動作させることが容易である。
【０１２８】
この後、実施例１におけるのと同じ条件の下に素子形成工程及び実装工程を行って、目的とする光電変換デバイスを得た。この光電変換装デバイスは、図５に示した光電変換デバイス１Ｃと同様の構造を有している。上述したＩＴＯ層が耐酸性を有していることから、素子形成工程で強酸性のポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）を用いて正極バッファ層を形成したことに起因するパッドや第２配線の腐食は抑えられた。
【産業上の利用可能性】
【０１２９】
本発明の光電変化デバイスは、簡易な工程で作製することが可能であり、物体の形状や画像等の各種情報を電気信号として取り出すスキャナ、ファクシミリ等でのイメージセンサ等としての利用が可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１３０】
【図１】本発明の光電変換デバイスの一例を概略的に示す平面図
【図２】（ａ）図１に示した光電変換デバイスでの有機光電変換素子、第１配線、及び第２配線それぞれの平面配置を概略的に示す平面図、（ｂ）図１に示した光電変換デバイスでの有機光電変換素子、第１配線、第２配線、及び信号生成手段それぞれの平面配置を概略的に示す平面図、（ｃ）図２（ｂ）に示したＩＩ−ＩＩ線断面の概略図
【図３】本発明の光電変換デバイスの他の一例を概略的に示す断面図
【図４】本発明の光電変換デバイスの更に他の例を概略的に示す断面図
【図５】本発明の光電変換デバイスの更に他の例を概略的に示す断面図
【符号の説明】
【０１３１】
１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃ    光電変換デバイス
５    透明基板
１０Ｒ    赤色フィルタ
１０Ｇ    緑色フィルタ
１０Ｂ    青色フィルタ
１２    保護層
１４ａ    有機光電変換素子の透明電極
１４ｂ    有機光電変換部
１４ｃ    有機光電変換素子の背面電極
１６    封止部材
２５    第１配線
２７    パッド
３０    信号生成手段
３５    第２配線
３７    パッド
４０    異方性導電膜
ＰＥ    有機光電変換素子
ＣＬ1    第１導電層
ＣＬ2    第２導電層
ＡＬ    密着層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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