(57)【要約】【課題】基板上に第１の電極、画素領域を画定する絶縁膜、発光を行う有機膜、第２の電極、封止膜を順次形成してなる有機ＥＬ素子の製造方法において、絶縁膜および有機膜においてそれぞれマスクとの接触による異物の付着やキズの発生を防止する。【解決手段】有機膜４０の形成工程では、有機膜形成用マスク１００が絶縁膜３０と接触せず離れた状態にて、有機膜形成用マスク１００を基板１０上に配置して、有機膜４０の成膜を行い、第２の電極５０の形成工程では、第２の電極形成用マスク２００が絶縁膜３０および有機膜４０と接触せず離れた状態にて、第２の電極形成用マスク２００を基板１０上に配置して、第２の電極５０の成膜を行う。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板（１０）上に、第１の電極（２０）、画素領域を画定する絶縁膜（３０）、発光層としての有機材料よりなる有機膜（４０）、第２の電極（５０）、封止膜（７０）を順次形成してなり、
前記有機膜（４０）の形成工程は、開口部（１０１）を有する有機膜形成用マスク（１００）の当該開口部（１０１）を介して前記第１の電極（２０）および前記絶縁膜（３０）の上に前記有機膜（４０）を蒸着して成膜するものであり、
前記第２の電極（５０）の形成工程は、開口部（２０１）を有する第２の電極形成用マスク（２００）の当該開口部（２０１）を介して前記有機膜（４０）の上に前記第２の電極（５０）を蒸着して成膜するものである有機ＥＬ素子の製造方法において、
前記有機膜（４０）の形成工程では、前記有機膜形成用マスク（１００）が前記絶縁膜（３０）と接触せず離れた状態にて、前記有機膜形成用マスク（１００）を前記基板（１０）上に配置して、前記有機膜（４０）の成膜を行い、
前記第２の電極（５０）の形成工程では、前記第２の電極形成用マスク（２００）が前記絶縁膜（３０）および前記有機膜（４０）と接触せず離れた状態にて、前記第２の電極形成用マスク（２００）を前記基板（１０）上に配置して、前記第２の電極（５０）の成膜を行うことを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項２】
前記有機膜（４０）の形成工程では、前記基板（１０）上に配置された前記有機膜形成用マスク（１００）における前記開口部（１０１）の外周部が、前記絶縁膜（３０）と離間しつつ重なった状態となっており、
前記第２の電極（５０）の形成工程では、前記基板（１０）上に配置された前記第２の電極形成用マスク（２００）における前記開口部（２０１）の外周部が、前記絶縁膜（３０）および前記有機膜（４０）と離間しつつ重なった状態となっていることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項３】
前記有機膜形成用マスク（１００）における前記開口部（１０１）の外周部のうち、前記絶縁膜（３０）と対向する部位に凹部（１０２）を形成することにより、当該外周部は、前記絶縁膜（３０）と離間しており、
前記第２の電極形成用マスク（２００）における前記開口部（２０１）の外周部のうち、前記絶縁膜（３０）および前記有機膜（４０）と対向する部位に凹部（２０２）を形成することにより、当該外周部は、前記絶縁膜（３０）および前記有機膜（４０）と離間していることを特徴とする請求項２に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項４】
前記有機膜形成用マスク（１００）における前記開口部（１０１）の外周部のうち、前記絶縁膜（３０）以外の前記基板（１０）の部位と対向する部位に凸部（１０３）を設け、この凸部（１０３）にて当該外周部を前記基板（１０）に支持させることにより、当該外周部は、前記絶縁膜（３０）と離間しており、
前記第２の電極形成用マスク（２００）における前記開口部（２０１）の外周部のうち、前記絶縁膜（３０）および前記有機膜（４０）以外の前記基板（１０）の部位と対向する部位に凸部（２０３）を設け、この凸部（２０３）にて当該外周部を前記基板（１００）に支持させることにより、当該外周部は、前記絶縁膜（３０）および前記有機膜（４０）と離間していることを特徴とする請求項２に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項５】
前記有機膜形成用マスク（１００）における前記開口部（１０１）の外周部のうち、前記絶縁膜（３０）と対向する部位に凹部（１０２）を形成することにより、当該外周部は、前記絶縁膜（３０）と離間しており、
前記第２の電極形成用マスク（２００）における前記開口部（２０１）の外周部のうち、前記絶縁膜（３０）および前記有機膜（４０）以外の前記基板（１０）の部位と対向する部位に凸部（２０３）を設け、この凸部（２０３）にて当該外周部を前記基板（１００）に支持させることにより、当該外周部は、前記絶縁膜（３０）および前記有機膜（４０）と離間していることを特徴とする請求項２に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項６】
前記有機膜形成用マスク（１００）における前記開口部（１０１）の外周部のうち、前記絶縁膜（３０）以外の前記基板（１０）の部位と対向する部位に凸部（１０３）を設け、この凸部（１０３）にて当該外周部を前記基板（１０）に支持させることにより、当該外周部は、前記絶縁膜（３０）と離間しており、
前記第２の電極形成用マスク（２００）における前記開口部（２０１）の外周部のうち、前記絶縁膜（３０）および前記有機膜（４０）と対向する部位に凹部（２０２）を形成することにより、当該外周部は、前記絶縁膜（３０）および前記有機膜（４０）と離間していることを特徴とする請求項２に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項７】
前記基板（１０）はガラスもしくは樹脂よりなるものであることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１つに記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板上に第１の電極、絶縁膜、発光を行う有機膜、第２の電極、封止膜を順次形成してなる有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、有機ＥＬ素子は、ガラスなどの絶縁性の基板上に、第１の電極、画素領域を画定する絶縁膜、発光層としての有機材料よりなる有機膜、第２の電極を順次形成してなる。ここで、絶縁膜は、樹脂などよりなるもので、画素の間に存在し隣り合う画素同士を分離するものである。
【０００３】
このような有機ＥＬ素子は水分に弱く、従来では、有機膜に水分がふれないようにするため、掘り込みガラス等の掘り込み部に吸湿材シールを貼り付けた封止部材を、基板に貼り合せ、この封止部材の内部に上記各電極や有機膜などを封止するという、中空封止構造が主流であった。
【０００４】
しかし、この中空封止構造においては、大型化の際たわみ等の影響から中空状態を保つのが困難であったり、封止部材が割れやすくなったりするという課題があった。また、さらなる薄型化や、フレキシブル化およびアクティブ基板を用いることによるトップエミッション構造の要望から、上記した中空封止構造から膜封止構造への研究が盛んに行われている。
【０００５】
この膜封止構造を有する有機ＥＬ素子は、基板上に、第１の電極、絶縁膜を形成し、その上に有機膜、第２の電極を順次、マスクを用いた蒸着によって成膜し、さらに、これら各電極、絶縁膜および有機膜を被覆するように、窒化珪素などよりなる封止膜を、ＣＶＤなどにより成膜するものである。
【０００６】
しかしながら、このような膜封止構造において当該封止膜は、数十ｎｍから数μｍと非常に薄い単層膜または積層膜からなるため、封止膜の形成前において下地に異物やキズがあると、その部分がピンホールとなりやすく、そこから水分が浸入して素子の特性に悪影響を及ぼす。
【０００７】
特に有機ＥＬ素子の場合、発光領域以外であっても画素領域を画定するための絶縁膜に、上記の異物やキズによるピンホールがある場合、水分が当該絶縁膜を伝って有機膜まで到達してしまい、発光しなくなる恐れがある。
【０００８】
従来では、特許文献１において、自己修復層によりピンホールを塞ぎ、水分の浸入を抑制する方法が挙げられているが、この自己修復部分はバリアとしての性能が完全ではない。そのため、封止膜による対策だけでなく、封止膜の成膜前におけるピンホールの原因、つまり上記した下地への異物付着やキズ発生を低減することが必要である。
【特許文献１】特開２００６−４７８１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ここで、本発明者は、この種の有機ＥＬ素子においては、封止膜の下地への異物付着やキズ発生は、有機膜だけでなく、画素領域を画定する絶縁膜にも発生しやすいことに着目した。図７は、本発明者の試作した有機ＥＬ素子における有機膜の形成工程を示す工程図である。
【００１０】
図７では、基板１０上に、第１の電極２０、画素領域を画定する絶縁膜３０が形成されており、有機膜の形成は、開口部１０１を有する有機膜形成用マスクＪ１を用いて蒸着により行われる。有機材料の蒸着源３００から出てくる有機材料は、有機膜形成用マスクＪ１の開口部１０１を介して第１の電極２０および絶縁膜３０の上に供給され、有機膜となって成膜される。
【００１１】
このとき、絶縁膜３０は、画素領域を区画するために基板１０上の他の部位よりも突出しており、この絶縁膜３０の頂部にも有機膜が成膜されるが、実際には、絶縁膜３０の間にて第１の電極２０の上に成膜された有機膜が、画素として構成される。
【００１２】
そして、絶縁膜３０は、上記のように突出しているが故に、図７に示されるように、発光領域以外の部位にて、絶縁膜３０と当該マスクＪ１とが接触しやすく、この状態で有機膜の成膜が行われる。このため、絶縁膜３０には、当該マスクＪ１からの異物が付着したり、マスクＪ１との接触によるキズが発生したりしやすくなる。
【００１３】
また、この有機膜の形成と同じことが、次に行われる第２の電極の形成においても言える。第２の電極の形成も、開口部を有する第２の電極形成用マスクの当該開口部を介して有機膜の上に第２の電極を蒸着して成膜するものである。そのため、発光領域以外の部位にて、第２の電極形成用のマスクは、有機膜に加えて、上記同様に突出する絶縁膜にも接触しやすくなる。
【００１４】
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、基板上に第１の電極、絶縁膜、発光を行う有機膜、第２の電極、封止膜を順次形成してなる有機ＥＬ素子の製造方法において、絶縁膜および有機膜においてそれぞれマスクとの接触による異物の付着やキズの発生を防止することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記目的を達成するため、本発明は、有機膜（４０）の形成工程では、有機膜形成用マスク（１００）が絶縁膜（３０）と接触せず離れた状態にて、有機膜形成用マスク（１００）を基板（１０）上に配置して、有機膜（４０）の成膜を行い、第２の電極（５０）の形成工程では、第２の電極形成用マスク（２００）が絶縁膜（３０）および有機膜（４０）と接触せず離れた状態にて、第２の電極形成用マスク（２００）を基板（１０）上に配置して、第２の電極（５０）の成膜を行うことを特徴とする。
【００１６】
それによれば、有機膜（４０）および第２の電極（５０）を成膜するときに各マスク（１００、２００）と絶縁膜（３０）および有機膜（４０）とが接触しないため、これら絶縁膜（３０）および有機膜（４０）において、それぞれマスク（１００、２００）との接触による異物の付着やキズの発生を防止することができる。
【００１７】
ここで、有機膜（４０）の形成工程では、有機膜形成用マスク（１００）における開口部（１０１）の外周部を、絶縁膜（３０）と離間しつつ重なった状態とし、第２の電極（５０）の形成工程では、第２の電極形成用マスク（２００）における開口部（２０１）の外周部を、絶縁膜（３０）および有機膜（４０）と離間しつつ重なった状態とすることが好ましい（後述の図２、図３、図５、図６参照）。
【００１８】
それによれば、基板（１０）のサイズおよび各マスク（１００、２００）のサイズの増大化を抑制するうえで好ましい。
【００１９】
また、この場合、有機膜形成用マスク（１００）における開口部（１０１）の外周部のうち絶縁膜（３０）と対向する部位に凹部（１０２）を形成することにより、当該外周部を絶縁膜（３０）と離間させるとともに、第２の電極形成用マスク（２００）における開口部（２０１）の外周部のうち絶縁膜（３０）および有機膜（４０）と対向する部位に凹部（２０２）を形成することにより、当該外周部を絶縁膜（３０）および有機膜（４０）と離間させてもよい。
【００２０】
また、有機膜形成用マスク（１００）については、当該有機膜形成用マスク（１００）における開口部（１０１）の外周部のうち、絶縁膜（３０）以外の基板（１０）の部位と対向する部位に凸部（１０３）を設け、この凸部（１０３）にて当該外周部を基板（１０）に支持させることにより、当該外周部を絶縁膜（３０）と離間させてもよい。
【００２１】
そして、この場合、第２の電極形成用マスク（２００）についても、当該第２の電極形成用マスク（２００）における開口部（２０１）の外周部のうち、絶縁膜（３０）および有機膜（４０）以外の基板（１０）の部位と対向する部位に凸部（２０３）を設け、この凸部（２０３）にて当該外周部を基板（１００）に支持させることにより、当該外周部を絶縁膜（３０）および有機膜（４０）と離間させてもよい。
【００２２】
また、有機膜形成用マスク（１００）に上記凹部（１０２）を形成することにより、上記外周部と絶縁膜（３０）との離間を行うとともに、第２の電極形成用マスク（２００）に上記凸部（２０３）を設けることにより、上記外周部と絶縁膜（３０）および有機膜（４０）との離間を行ってもよい。
【００２３】
さらに、有機膜形成用マスク（１００）に上記凸部（１０３）を設けることにより、上記外周部と絶縁膜（３０）との離間を行うとともに、第２の電極形成用マスク（２００）に上記凹部（２０２）を形成することにより、上記外周部と絶縁膜（３０）および前記有機膜（４０）との離間を行ってもよい。
【００２４】
なお、特許請求の範囲およびこの欄で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。
【００２６】
（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態に係る有機ＥＬ素子Ｓ１の概略断面図である。有機ＥＬ素子Ｓ１は、可視光に対して透明な基板１０を備え、この基板１０の上には、第１の電極２０、画素６０の領域を画定する絶縁膜３０、有機ＥＬ材料からなる発光層を含む有機膜４０、第２の電極５０を順次形成してなる。
【００２７】
基板１０は、ガラスや樹脂などからなる透明な電気絶縁性を有する基板である。基板１０の上に形成された第１の電極２０は、インジウム−錫の酸化物（ＩＴＯ）膜やインジウム−亜鉛の酸化物膜等の透明導電膜からなる。
【００２８】
また、有機膜４０は、真空蒸着法にて成膜されたもので、有機ＥＬ素子の有機膜として一般的に用いられる有機材料よりなる。図示しないが、有機膜４０は、たとえば、第１の電極２０側から順に、正孔注入性有機材料からなる正孔注入層、正孔輸送性有機材料からなる正孔輸送層、正孔輸送性有機材料や電子輸送性有機材料に蛍光色素をドープした有機ＥＬ材料からなる発光層、電子輸送性有機材料からなる電子輸送層が積層されてなるものである。
【００２９】
有機膜４０の上に形成された第２の電極５０は、通常の有機ＥＬ素子に採用可能な電極材料、たとえばアルミニウムなどよりなる。この第２の電極５０は、スパッタや蒸着などにより成膜されたものである。
【００３０】
ここで、本実施形態における画素６０の配置形態は、次のようである。第１の電極２０および第２の電極陰極４０はそれぞれ複数本設けられ、複数本の第１の電極２０と複数本の第２の電極５０とは互いに直交する方向へ延びるストライプ状に配置されている。また、両電極２０、５０の間に挟まれた有機膜４０は、第２の電極５０と同一のストライプ形状にパターニングされている。
【００３１】
そして、第１の電極２０と第２の電極５０とが交差し有機膜４０を挟んで重なり合う部分が、発光部としての画素６０を構成している。本例では、複数個の画素６０が格子状に配列された形となっている。
【００３２】
そして、上記絶縁膜３０は、図１に示されるように、基板１０上にて各々の画素６０の間に配置されており、画素分離層として構成されている。具体的には、絶縁膜３０は、有機膜４０および第２の電極５０により構成されるストライプの間に位置する部分に位置している。この絶縁膜３０は、電気絶縁性の樹脂材料、たとえばネガ型の感光性樹脂レジスト材料などからなる。
【００３３】
この絶縁膜３０の高さは、第２の電極５０よりも高く、各画素６０の領域を区画しているが、図１に示されるように、絶縁膜３０の頂部には、有機膜４０および第２の電極５０の一部が積層されている。
【００３４】
さらに、有機ＥＬ素子Ｓ１においては、上記各電極２０、５０、絶縁膜３０および有機膜４０を覆うように封止膜７０が形成されており、膜封止構造となっている。この封止膜７０は、電気絶縁性の無機材料などよりなる膜であり、たとえばＣＶＤなどにより成膜された窒化珪素の膜などにより構成されている。
【００３５】
また、各電極２０、５０の取り出し部では、封止膜７０は除去されている。図１では、第１の電極２０の取り出し部２０ａが示されており、この取り出し部２０ａは封止膜７０から露出して、外部の配線部材などと電気的に接続できるようになっている。
【００３６】
そして、このような有機ＥＬ素子Ｓ１においては、外部の駆動回路から両電極２０、５０の上記取り出し部を介して両電極２０、５０間に電圧を印加することにより、画素６０における有機膜４０が発光するようになっている。
【００３７】
次に、本有機ＥＬ素子Ｓ１の製造方法について、述べる。まず、基板１０の上に、ＩＴＯ膜などをスパッタ法により形成し、これを、フォトリソグラフ技術を用いてパターニングすることにより、第１の電極２０を形成する。
【００３８】
次に、画素６０の間となる部分において基板１０の上および第１の電極２０の上に、絶縁膜３０をフォトリソグラフィ法で形成する。たとえば、基板１０の全面上に絶縁膜３０となるネガ型の感光性樹脂レジストをスピンコートし、これを焼成した後、露光、現像することにより、絶縁膜３０を形成する。
【００３９】
その後、これら第１の電極２０および絶縁膜３０の上に有機膜４０を真空蒸着法にて成膜する。図２は、この有機ＥＬ素子Ｓ１の製造方法における有機膜４０の形成工程を示す工程図である。
【００４０】
図２に示されるように、有機膜４０の形成工程は、基板１０のうち発光領域に対応した開口部１０１を有する有機膜形成用マスク１００を用いる。そして、このマスク１００の開口部１０１を介して、第１の電極２０および絶縁膜３０の上に有機膜４０を蒸着することにより、行われる。この有機膜形成用マスク１００は、この種の一般のものと同様、たとえばステンレスなどにより形成されたものである。
【００４１】
蒸着源３００は、この種の蒸着法に一般に備えられるものと同様であり、有機膜４０を構成する有機材料よりなる。有機膜４０が複数層よりなる場合には、この蒸着源３００を替えて順次蒸着を行う。
【００４２】
そして、この蒸着源３００から出てくる有機材料は、有機膜形成用マスク１００の開口部１０１を介して、第１の電極２０および絶縁膜３０の上に供給され、有機膜４０となって成膜される。
【００４３】
ここで、本実施形態では、有機膜形成用マスク１００が絶縁膜３０と接触せず離れた状態にて、有機膜形成用マスク１００を基板１０上に配置して、有機膜４０の成膜を行うようにする。
【００４４】
具体的には、有機膜形成用マスク１００における開口部１０１の外周部のうち絶縁膜３０と対向する部位に、ハーフエッチングやプレスなどにより凹部１０２が形成されている。そして、この凹部１０２を介して、当該外周部を絶縁膜３０と離間させ、マスク１００と絶縁膜３０との接触を回避している。
【００４５】
これにより、図２に示されるように、基板１０上に配置された有機膜形成用マスク１００における開口部１０１の外周部が、絶縁膜３０と離間しつつ絶縁膜３０と重なった状態となっている。そして、この状態で当該外周部が基板１０に支持されている。つまり、有機膜形成用マスク１００における開口部１０１の外周部を基板１０に投影したとき、当該投影された領域が絶縁膜３０と重なっている。
【００４６】
このようにして、本実施形態では、有機膜４０を蒸着により形成する。本実施形態では、上記したように有機膜形成用マスク１００の配置形態が従来と異なるものであるが、それ以外のところは、従来の蒸着法と同様である。
【００４７】
こうして、有機膜４０を形成した後、その上に、第２の電極５０をスパッタや蒸着により形成する。図３は、この有機ＥＬ素子Ｓ１の製造方法における第２の電極５０の形成工程を示す工程図である。
【００４８】
図３に示されるように、第２の電極５０の形成工程は、基板１０のうち発光領域に対応した開口部２０１を有する第２の電極形成用マスク２００を用い、このマスク２００の開口部２０１を介して、絶縁膜３０および有機膜４０の上に第２の電極５０を蒸着することにより、行われる、この第２の電極形成用マスク２００も、この種の一般のものと同様、たとえばステンレスなどにより形成されたものである。
【００４９】
ここで、材料源４００は、この種のスパッタ法または蒸着法に一般に備えられるものと同様であり、第２の電極５０を構成する材料よりなる。この材料源４００から出てくる電極材料は、第２の電極形成用マスク２００の開口部２０１を介して、絶縁膜３０および有機膜４０の上に供給され、第２の電極５０となって成膜される。
【００５０】
ここで、本実施形態では、第２の電極形成用マスク２００が絶縁膜３０および有機膜４０と接触せず離れた状態にて、第２の電極形成用マスク２００を基板１０上に配置して、第２の電極５０の成膜を行う。
【００５１】
具体的には、第２の電極形成用マスク２００における開口部２０１の外周部のうち絶縁膜３０および有機膜４０と対向する部位に、ハーフエッチングやプレスなどにより凹部２０２が形成されている。そして、この凹部２０２を介して、当該外周部を絶縁膜３０および有機膜４０と離間させ、マスク２００と絶縁膜３０および有機膜４０との接触を回避している。
【００５２】
これにより、図３に示されるように、基板１０上に配置された第２の電極形成用マスク２００における開口部２０１の外周部が、絶縁膜３０および有機膜４０と離間しつつ、これら絶縁膜３０および有機膜４０と重なった状態となっている。そして、この状態で当該外周部が基板１０に支持されている。つまり、第２の電極形成用マスク２００における開口部２０１の外周部を基板１０に投影したとき、当該投影された領域が絶縁膜３０および有機膜４０と重なっている。
【００５３】
このようにして、本実施形態では、第２の電極５０をスパッタ法または蒸着法により形成する。本実施形態では、上記したように第２の電極形成用マスク２００の構成や配置形態が従来と異なるものであるが、それ以外のところは、従来のスパッタ法や蒸着法と同様である。
【００５４】
こうして、第２の電極５０を形成した後、その上に、ＣＶＤなどにより封止膜７０を形成する。このとき、マスキングなどにより、上記した各電極２０、５０の取り出し部については封止膜７０を形成しないようにする。そして、この封止膜７０の形成が完了すれば、上記図１に示される本実施形態の有機ＥＬ素子Ｓ１が完成する。
【００５５】
ところで、上記製造方法によれば、有機膜４０および第２の電極５０を成膜するときに各マスク１００、２００と絶縁膜３０および有機膜４０とが接触しない。そのため、封止膜７０の下地であるこれら絶縁膜３０および有機膜４０において、それぞれマスク１００、２００との接触による異物の付着やキズの発生を防止できる。
【００５６】
基板１０において、絶縁膜３０および有機膜４０の形成領域以外であれば、封止膜７０の形成領域でマスク１００、２００が接触して異物やキズがつき封止膜７０にピンホールができたとしても、水分は絶縁膜３０および有機膜４０まで到達しない。その結果、本実施形態によれば、封止膜７０による膜封止構造においてダークスポットの発生を極力低減し、信頼性に優れた有機ＥＬ素子Ｓ１が提供される。
【００５７】
また、上記製造方法では、有機膜４０の形成工程では、有機膜形成用マスク１００における開口部１０１の外周部のうち凹部１０２の部分が、絶縁膜３０と離間しつつ重なった状態となっている。一方、第２の電極５０の形成工程では、第２の電極形成用マスク２００における開口部２０１の外周部のうち凹部２０２の部分が、絶縁膜３０および有機膜４０と離間しつつ重なった状態となっている。
【００５８】
ここで、本実施形態では、各マスク１００、２００に上記凹部１０２、２０２をハーフエッチングやプレスで形成することで、上記状態を実現している。一例を述べると、当該凹部１０２、２０２の形成は、０．５ｍｍ厚のＳＵＳよりなるマスク１００、２００を約０．２ｍｍハーフエッチすることで実現できる。
【００５９】
また、例えば０．２ｍｍ以下の薄い板材を２枚用意し、凹部１０２、２０２以外の部分では当該２枚の板材を重ねた構成とすることで、当該板材の厚さによる段差を構成し、この段差によって凹部１０２、２０２を形成してもよい。
【００６０】
なお、本実施形態では、図４に示されるように、有機膜４０の形成工程において、有機膜形成用マスク１００における開口部１０１の外周部を、絶縁膜３０の形成領域の外側に位置させ、当該外周部と絶縁膜３０とが重ならない状態としてもよい。この場合も、マスク１００と絶縁膜３０との接触を回避できる。
【００６１】
しかし、この図４に示される例の場合には、有機膜形成用マスク１００の開口部１０１が上記図２の場合よりも大きくなり、それだけ、有機膜４０の形成領域も広くなる。その分、上記した電極２０、５０の取り出し部のマージンを見込んで基板１０のサイズを大きくする必要があり、有機ＥＬ素子の体格が増大してしまう。
【００６２】
その点、上記図２のように、有機膜形成用マスク１００の外周部と絶縁膜３０とが離間しつつ重なるようにすれば、基板１０のサイズの増大化を抑制できるとともに、マスク１００のサイズの増大化も抑制することができる。なお、これら図２の有機膜形成用マスク１００と図４の有機膜形成用マスク１００との比較において述べたのと同じことが、第２の電極形成用マスク２００に関しても言える。
【００６３】
（第２実施形態）
本発明の第２実施形態では、上記図１に示される有機ＥＬ素子Ｓ１を製造するにあたって上記第１実施形態とは異なる製造方法を提供する。本実施形態の製造方法は、有機膜４０の形成工程、第２の電極５０の形成工程において使用する各マスク１００、２００の構成を変形したものである。
【００６４】
本実施形態の製造方法では、基板１０の上に、第１の電極２０、絶縁膜３０を形成するところまでは、上記第１実施形態と同様である。その後、これら第１の電極２０および絶縁膜３０の上に有機膜４０を真空蒸着法にて成膜する。図５は、本実施形態の製造方法における有機膜４０の形成工程を示す工程図である。
【００６５】
図５に示されるように、本実施形態では、有機膜形成用マスク１００における開口部１０１の外周部のうち絶縁膜３０以外の基板１０の部位と対向する部位に、凸部１０３が設けられている。ここで、絶縁膜３０以外の基板１０の部位とは、基板１０のうち絶縁膜３０が配置されている領域を除く部位であり、基板１０の表面そのものでもよいし、第１の電極２０の表面でもよい。
【００６６】
そして、この凸部１０３を、絶縁膜３０以外の基板１０の部位に接触させて、当該外周部を基板１０に支持させる。それにより、当該凸部１０３を介して、当該外周部を絶縁膜３０と離間させ、マスク１００と絶縁膜３０との接触を回避している。
【００６７】
この凸部１０３は、樹脂、セラミック、金属などを接着などにより、マスク１００に取り付けたものであり、たとえば厚み約０．１ｍｍ程度のものである。また、凸部１０３の平面パターンは、マスク１００を基板１０上に支持させることができれば、連続した環状でも、非連続的な配置でもよい。なお、凸部１０３を樹脂よりなるものとした場合には、当該樹脂をスクリーン印刷により形成したものであってもよい。
【００６８】
これにより、上記第１実施形態と同様に、有機膜形成用マスク１００における開口部１０１の外周部が、絶縁膜３０と離間しつつ絶縁膜３０と重なった状態となっており、この状態で当該外周部が基板１０に支持されている。こうして、本実施形態においても、有機膜形成用マスク１００が絶縁膜３０と接触せず離れた状態にて、当該マスク１００を基板１０上に配置して有機膜４０の蒸着を行う。
【００６９】
本実施形態においても、有機膜４０を形成した後、その上に、第２の電極５０をスパッタや蒸着により形成する。図６は、本実施形態の製造方法における第２の電極５０の形成工程を示す工程図である。
【００７０】
図６に示されるように、本実施形態では、第２の電極形成用マスク２００における開口部２０１の外周部のうち絶縁膜３０および有機膜４０以外の部位と対向する部位に、凸部２０３が設けられている。この凸部２０３の材質や形状、配置パターンは、上記図５に示される凸部１０３と同様もしくは準じたものにできる。
【００７１】
ここで、絶縁膜３０および有機膜４０以外の基板１０の部位とは、基板１０のうち絶縁膜３０が配置されている領域を除く部位および有機膜４０が配置されている領域を除く部位であり、基板１０の表面そのものでもよいし、第１の電極２０の表面でもよい。
【００７２】
そして、この凸部２０３を絶縁膜３０および有機膜４０以外の基板１０の部位に接触させて、当該外周部を基板１０に支持させる。それにより、当該凸部２０３を介して、当該外周部を絶縁膜３０および有機膜４０と離間させ、マスク２００と絶縁膜３０および有機膜４０との接触を回避している。
【００７３】
これにより、上記第１実施形態と同様に、第２の電極形成用マスク２００における開口部２０１の外周部が、絶縁膜３０および有機膜４０と離間しつつ絶縁膜３０および有機膜４０と重なった状態となっており、この状態で当該外周部が基板１０に支持されている。こうして、本実施形態においても、第２の電極形成用マスク２００が絶縁膜３０および有機膜４０と接触せず離れた状態にて、当該マスク２００を基板１０上に配置して第２の電極５０の蒸着を行う。
【００７４】
その後は、本実施形態においても、封止膜７０の形成を行えば、上記図１に示される有機ＥＬ素子Ｓ１が完成する。
【００７５】
本実施形態の製造方法によっても、上記第１実施形態と同様、絶縁膜３０および有機膜４０において、それぞれマスク１００、２００との接触による異物の付着やキズの発生を防止できる。そして、封止膜７０による膜封止構造においてダークスポットの発生を極力低減し、信頼性に優れた有機ＥＬ素子Ｓ１が提供される。
【００７６】
また、本実施形態においても、有機膜形成用マスク１００における開口部１０１の外周部を、絶縁膜３０と離間しつつ重なった状態とし、第２の電極形成用マスク２００における開口部２０１の外周部を、絶縁膜３０および有機膜４０と離間しつつ重なった状態としているため、基板１０のサイズの増大化を抑制できるとともに、マスク１００、２００のサイズの増大化も抑制することができる。
【００７７】
（他の実施形態）
なお、上記第２実施形態では、マスク１００、２００側に凸部１０３、２０３を設けたが、これとは逆に、基板１０側に凸部を設けても同様の効果が期待できる。ただし、基板１０側に凸部を設ける場合、基板加工プロセスが増えることを考慮すれば、マスク１００、２００側に設ける方が望ましい。
【００７８】
また、上記第１実施形態において、上記図４に示される有機膜形成用マスク１００で有機膜４０の形成を行い、次に、上記図３に示される第２の電極形成用マスク２００で第２の電極５０の形成を行ってもよい。つまり、有機膜４０の形成と第２の電極５０の形成とで、マスクの開口部の大きさを変えて成膜を行ってもよい。
【００７９】
また、上記第１実施形態に示したマスクと上記第２実施形態に示したマスクとを組み合わせて、有機膜４０の形成、第２の電極５０の形成を行ってもよい。たとえば、有機膜４０の形成は、上記凹部１０２を有する有機膜形成用マスク１００（上記図２参照）で行い、第２の電極５０の形成は、上記凸部２０３を有する第２の電極形成用マスク２００（上記図６参照）で行ってもよい。
【００８０】
また、有機膜４０の形成は、上記凸部１０３を有する有機膜形成用マスク１００（上記図５参照）で行い、第２の電極５０の形成は、上記凹部２０２を有する第２の電極形成用マスク２００（上記図４参照）で行ってもよい。そして、これらによっても、絶縁膜３０および有機膜４０において、それぞれマスク１００、２００との接触による異物の付着やキズの発生を防止できる。
【００８１】
また、有機ＥＬ素子としては、基板上に、第１の電極、画素領域を画定する絶縁膜を形成し、続いて、発光層としての有機材料よりなる有機膜および第２の電極を順次、マスク成膜により形成し、その後、封止膜を形成するものであればよく、上記図１に示される素子構成に限定されるものではない。
【図面の簡単な説明】
【００８２】
【図１】本発明の第１実施形態に係る有機ＥＬ素子の概略断面図である。
【図２】上記第１実施形態の有機ＥＬ素子の製造方法における有機膜の形成工程を示す工程図である。
【図３】上記第１実施形態の有機ＥＬ素子の製造方法における第２の電極の形成工程を示す工程図である。
【図４】上記第１実施形態の有機膜の形成工程の他の例を示す工程図である。
【図５】上記第２実施形態の有機ＥＬ素子の製造方法における有機膜の形成工程を示す工程図である。
【図６】上記第２実施形態の有機ＥＬ素子の製造方法における第２の電極の形成工程を示す工程図である。
【図７】本発明者の試作した有機ＥＬ素子における有機膜の形成工程を示す工程図である。
【符号の説明】
【００８３】
１０…基板、２０…第１の電極、３０…絶縁膜、４０…有機膜、
５０…第２の電極、６０…画素、７０…封止膜、
１００…有機膜形成用マスク、１０１…有機膜形成用マスクの開口部、
１０２…有機膜形成用マスクの凹部、１０３…有機膜形成用マスクの凸部、
２００…第２の電極形成用マスク、２０１…第２の電極形成用マスクの開口部、
２０２…第２の電極形成用マスクの凹部、２０３…第２の電極形成用マスクの凸部、
３００…蒸着源、４００…材料源。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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