(57)【要約】【課題】特別な構造や、追加での加工を必要とせずに性能に影響を与える剥離やクラックを抑制する樹脂光導波路基板を提供する。【解決手段】光導波路モジュール１００は、光導波路基板１０１上に、光伝搬領域となるコア２００と、コア２００の周囲を覆うクラッド２０１とを備える。クラッド２０１は、下部クラッドと、上部クラッドとを有する。少なくとも上部クラッドは、有機高分子材料で構成される。クラッド２０１は、光ファイバ４００及びＬＤチップ４０１と光学的に結合する端面側の狭幅クラッド３００と、それ以外の幅広クラッド３０１とから成る。両クラッド３００、３０１間の接続部分に円弧クラッド３０２が形成される。狭幅クラッド３００の幅Ｗは、光素子と結合する部分は残留応力による剥離が発生せず、かつ伝搬する光信号に影響のないくらいに狭くする。幅広クラッド３０１の幅はＷよりも十分に広くする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光導波路基板上に、光伝搬領域となるコア層と、該コア層の周囲を覆うクラッド層とを備え、該クラッド層の少なくとも一部が有機高分子材料で構成される光導波路を有するモジュールであって、
前記クラッド層は、光素子と光学的に結合する端面側の部分がそれ以外の部分と比較して幅が狭いことを特徴とする光導波路モジュール。
【請求項２】
前記クラッド層は、少なくとも前記端面側の部分の幅が、該クラッド層の体積と前記有機高分子材料の硬化時の収縮率および前記有機高分子材料の弾性率によって決まる残留応力と、前記光導波路基板と前記有機高分子材料との密着力との関係において、前記残留応力が前記密着力よりも小さくなるように設定されていることを特徴とする請求項１に記載の光導波路モジュール。
【請求項３】
前記クラッド層は、少なくとも前記端面側の部分の幅が、前記コアの屈折率と前記クラッドの屈折率との差と、前記コアの断面積とで決定される信号光の広がりの幅よりも広くなるように設定されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の光導波路モジュール。
【請求項４】
前記クラッド層は、前記端面側の部分とそれ以外の部分との間の幅が変わる部分が緩やかな曲線で接続されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の光導波路モジュール。
【請求項５】
前記クラッド層は、前記端面側の部分の幅が１００マイクロメートル以下であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の光導波路モジュール。
【請求項６】
前記クラッド層は、前記光導波路基板と前記コア層との間に位置する第１のクラッド層と、前記コア層上に位置する第２のクラッド層とを有し、
前記第２のクラッド層が前記有機高分子材料で構成されることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の光導波路モジュール。
【請求項７】
前記第１のクラッド層は、前記有機高分子材料で構成されることを特徴とする請求項６に記載の光導波路モジュール。
【請求項８】
前記第１のクラッド層は、前記光導波路基板と一体に構成されることを特徴とする請求項６に記載の光導波路モジュール。
【請求項９】
前記第１のクラッド層は、光信号の波長に対して透明な無機材料で構成されることを特徴とする請求項６に記載の光導波路モジュール。
【請求項１０】
前記光素子は、発光素子、受光素子、及び光ファイバの少なくとも１つであることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の光導波路モジュール。
【請求項１１】
光導波路基板上に光伝搬領域となるコア層を形成する工程と、
前記光導波路基板上の前記コア層の周囲を覆う位置にクラッド層を形成する工程とを有する光導波路モジュールの製造方法であって、
前記クラッド層を形成する工程は、前記クラッド層の少なくとも一部を有機高分子材料で形成する工程を有し、前記クラッド層は、光素子と光学的に結合する端面側の部分がそれ以外の部分と比較して幅が狭いことを特徴とする光導波路モジュールの製造方法。
【請求項１２】
請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の光導波路モジュールを用いたことを特徴とする光通信装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光導波路モジュール、その製造方法、及び光通信装置に係り、とくに光ファイバにより光通信を行う装置に用いる光導波路に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の通信技術の発展に伴い、光ファイバで光信号の送受信を行う光モジュールが実用化されている。特に光素子を搭載して光信号と電気信号の変換を行う光モジュールには小型・高速・低価格化が必要となる。特に有機高分子材料（以下単に「樹脂」）を用いた光モジュールは製造コストが安く、電気・光混載モジュールを小型に作製できることから需要が高まっている。
【０００３】
たとえば、下クラッド層となる液状の樹脂をスピンコート法などによって塗布、紫外線や熱によって硬化させ、その上にコア層を同様の方法で成膜し、フォトリソグラフィー法やＲＩＥ（Reactive Ion Etching）法で不要な部分を除去している。さらに、この上に上クラッド層を形成し、光導波路としている。しかし、樹脂は硬化時において収縮を伴い、クラックや基板からの剥離等が発生しやすい。特に光導波路基板においては、クラックや基板からの剥離が発生すると、光導波路の断線や他の光素子と光学的に結合させるときに過剰損失が発生するという問題がある。
【０００４】
そこで、たとえば特許文献１では、上クラッド層の下に応力緩和層を設け、上クラッド層の樹脂の収縮時に発生する応力を吸収し、クラックや剥離を抑制するように提案されている。また、特許文献２では、樹脂のパターン端部近傍を樹脂で被覆することにより、クラックや剥離を防止するよう提案されている。特許文献３では、樹脂のパターン端部近傍を傾斜状に形成することで、応力の集中を抑え、クラックや剥離を防止するように提案されている。
【特許文献１】特開２００４−２９５１１８号公報（図１）
【特許文献２】特開２００４−０３９０５６号公報（図２）
【特許文献３】特開平６−２９６６２号公報（図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１から３に開示された構造には、以下のようないくつかの問題がある。
【０００６】
たとえば、特許文献１に開示された構造の問題点は、積層構造が追加され工程が増えることである。これは、クラッド層やコア層よりも低い弾性率をもち、光学的にも安定した応力緩和層が必要となるためである。このような弾性率、光学特性を持つ応力緩和層は、この樹脂毎に準備しなくてはならず、高コスト化の要因になるだけではなく、積層構造が増えることによる高コスト化も免れえない。
【０００７】
また、特許文献２および特許文献３に開示された構造の問題点は、光導波路コアが樹脂で形成されたパターンの端部まで形成されないことである。光導波路モジュールは、他の光素子、光ファイバやＬＤ（Laser Diode）チップ、ＰＤ（Photo Diode）チップと光学的に結合して使用される。そのため、他の光素子と光学的に結合する部分は、光導波路コアが光導波路端面まで形成されている必要がある。しかし、特許文献２では、形成されたパターンの端部を別途樹脂で被覆してしまうために最終的なパターンの端部まで光導波路コアを形成することができない。また、特許文献３では、傾斜状あるいは階段状にパターンを形成するため、パターンの端部まで光導波路コアを形成することが困難である。このため、他の光素子との光学的な結合が阻害されてしまう。
【０００８】
本発明の目的は、特別な構造や、追加での加工を必要とせずに性能に影響を与える剥離やクラックを抑制する樹脂光導波路基板を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者は、上記目的を達成するため、鋭意努力を重ねた結果、光導波路モジュールのクラッド層の幅を、光素子と結合する部分は残留応力による剥離が発生せず、かつ伝搬する光信号に影響のないくらいに狭くし、それ以外の部分は十分に広くすることに着目し、本発明を完成するに至った。
【００１０】
すなわち、本発明に係る光導波路モジュールは、光導波路基板上に、光伝搬領域となるコア層と、該コア層の周囲を覆うクラッド層とを備え、該クラッド層の少なくとも一部が有機高分子材料で構成される光導波路を有するモジュールであって、前記クラッド層は、光素子と光学的に結合する端面側の部分がそれ以外の部分と比較して幅が狭いことを特徴とする。
【００１１】
本発明において、前記クラッド層は、少なくとも前記端面側の部分の幅が、該クラッド層の体積と前記有機高分子材料の硬化時の収縮率および前記有機高分子材料の弾性率によって決まる残留応力と、前記光導波路基板と前記有機高分子材料との密着力との関係において、前記残留応力が前記密着力よりも小さくなるように形成されていることが好ましい。前記クラッド層は、少なくとも前記端面側の部分の幅が、前記コアの屈折率と前記クラッドの屈折率との差と、前記コアの断面積とで決定される信号光の広がりの幅よりも広く形成されていることが好ましい。
【００１２】
本発明において、前記クラッド層は、前記端面側の部分とそれ以外の部分との間の幅が変わる部分が緩やかな曲線で接続されていることが好ましい。前記クラッド層は、前記端面側の部分の幅が１００マイクロメートル以下であってもよい。
【００１３】
本発明において、前記クラッド層は、前光導波路記基板と前記コア層との間に位置する第１のクラッド層と、前記コア層上に位置する第２のクラッド層とを有し、前記第１のクラッド層が前記有機高分子材料で構成されてもよい。前記第１のクラッド層は、前記有機高分子材料で構成されてもよい。前記第１のクラッド層は、前記光導波路基板と一体に構成されてもよい。前記第１のクラッド層は、光信号の波長に対して透明な無機材料で構成されてもよい。
【００１４】
本発明において、前記光素子は、発光素子、受光素子、及び光ファイバの少なくとも１つであってもよい。
【００１５】
本発明に係る光導波路モジュールの製造方法は、光導波路基板上に光伝搬領域となるコア層を形成する工程と、前記光導波路基板上の前記コア層の周囲を覆う位置にクラッド層を形成する工程とを有する光導波路モジュールの製造方法であって、前記クラッド層を形成する工程は、前記クラッド層の少なくとも一部を有機高分子材料で形成する工程を有し、前記クラッド層は、光素子と光学的に結合する端面側の部分がそれ以外の部分と比較して幅が狭いことを特徴とする。
【００１６】
本発明に係る光通信装置は、上記の光導波路モジュールを用いたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、特別な構造や、追加での加工を必要とせずに性能に影響を与える剥離やクラックを抑制する光導波路モジュール及びその製造方法を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
次に、本発明に係る光導波路モジュール及びその製造方法の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
【００１９】
図１は、本実施の形態の光導波路モジュールの平面図である。
【００２０】
図１に示す光導波路モジュール１００は、光ファイバ４００と、ＬＤチップ４０１と、ＰＤチップ４０２との各光素子を誘電体多層膜フィルタ４０３を介して光学的に結合する光導波路を有する。この光導波路は、光伝搬領域となるコア（コア層）２００と、このコア２００を覆うクラッド（クラッド層）２０１とから構成され、光導波路基板１０１上に形成されている。クラッド２０１には、ＰＤチップ４０２を搭載するための電極（非図示）と、誘電体多層膜フィルタ４０３を挟み込むためのスリット１０３とが所定の位置に設けられている。また、光導波路のＬＤチップ４０１と光学的に結合する端面側には、ＬＤチップ４０１を搭載するための電極（非図示）が所定の位置に設けられている。
【００２１】
上記の光導波路は、その端面で他の光素子と光学的に結合し、該端面の近傍においてクラッド２０１の幅Ｗが光伝搬領域に影響を与えない程度に狭幅化されている。即ち、クラッド２０１の幅Ｗは、コア２００の屈折率とクラッド２００の屈折率との差と、コア２００の断面積とで決定される信号光の広がりの幅よりは広くすることで、伝搬する光信号に影響のない条件を満たした上で、狭幅化されている。
【００２２】
このクラッド２０１は、幅Ｗに狭幅化されたクラッド（以下、「狭幅クラッド」と呼ぶ）３００と、それ以外の幅Ｗよりも幅広部分のクラッド（以下、「幅広クラッド」と呼ぶ）３０１とから構成されている。狭幅クラッド３００と幅広クラッド３０１とは、円弧状の曲線クラッド（以下、「円弧クラッド」と呼ぶ）３０２を介して緩やかに接続されている。
【００２３】
図２は、光導波路の光ファイバ４００と光学的に結合する端面側の斜視図である。同図には、便宜上、光ファイバ４００を省略している。図２に示すように、光導波路の光ファイバ４００側の端面近傍には、光ファイバ４００とコア２００との結合を容易にするための光ファイバガイド１０２が形成されている。図２に示すように、クラッド２０１は、下部クラッド（第１のクラッド層）２０２と、上部クラッド（第２のクラッド層）２０３とを備え、少なくとも上部クラッド２０２が有機高分子材料（樹脂）から形成されている。
【００２４】
コア２００は、光ファイバ４００と結合する部分と、ＬＤチップ４０１と結合する部分とでそれぞれクラッド２０１の端面に露出している。この端面に露出する部分では、クラッド２０１の幅は、コア２００からしみだした信号光にクラッド２０１の側面が影響を与えない程度の狭幅クラッド３００となっている。一方、前記端面以外の部分では、比べて十分に幅の広い幅広クラッド３０１になっており、樹脂内の微小な欠陥を核としてクラックが発生しても導波路コアにまでクラックが到達しないようになっている。さらに、この幅広クラッド３０１上には、ＰＤチップ４０２を搭載するための電極（非図示）が所定の位置に形成されている。
【００２５】
図３は、幅広クラッド３０１を構成する樹脂に対する応力５００を、図４は、狭幅クラッド３００を構成する樹脂に対する応力５００をそれぞれ説明する断面図である。
【００２６】
一般に、樹脂のクラックや樹脂の基板からの剥離は、樹脂が硬化する際に収縮するために発生する応力によって生じる。図３の光導波路基板１０１上に形成された幅広クラッド３０１に示すように、樹脂には、引っ張り応力５００が掛かっている。特に樹脂の端部において、引っ張り応力５００が樹脂の引っ張り強度や樹脂の密着力よりも大きくなるとクラックや剥離が発生する。このとき、樹脂の収縮率は一定であることから、図４の光導波路基板１０１上に形成された狭幅クラッド３００に示すように、樹脂の面積が小さくなると、引っ張り応力５００も小さくなり、剥離を大幅に抑制できる。具体的には、狭幅クラッド３００の幅は、上述したように伝搬する光信号に影響のない範囲で、クラッド２００の体積と樹脂の硬化時の収縮率および樹脂の弾性率によって決まる残留応力と、光導波路基板１０１と樹脂との密着力との関係において、残留応力が密着力よりも小さくなるように設定されている。
【００２７】
また、図５に示すように、クラック６００は、クラッド２０１のパターンや幅が急激に変わる部分で応力５００が集中することにより発生する。そこで、図６のようにクラッド２０１のパターンや幅が変わる部分は緩やかな円弧で接続することによって、応力５００が一箇所に集中することが無く、クラックを大幅に抑制できる。
【００２８】
しかし、樹脂には目には見えない小さな欠陥が内包されており、そのような小さな欠陥が核となり、大きなクラックが発生することがある。このようなクラックは、樹脂の内部の欠陥が原因となるため樹脂のどの部分で発生するかは予期しがたい。特に図４に示したような樹脂の面積を狭くした部分で発生した場合には、樹脂が分断されてしまう可能性がある。
【００２９】
そこで、本実施の形態のクラッド２０１では、光学素子と結合する部分は樹脂の面積を狭くした狭幅クラッド３００を形成して、その剥離を抑制している。一方、それ以外の部分はクラックが生じても導波路に影響しないように幅を広くした幅広クラッド３０１と、角部がないように緩やかな曲線で構成した円弧クラッド３０２とを形成している。こうすることで、特に光学特性に大きな影響を与える光素子との結合部に剥離が無く、樹脂内部の欠陥によるクラックが導波路コアに影響を与えない光導波路基板を構成することができる。
【００３０】
すなわち、狭幅クラッド３００および幅広クラッド３０１は、樹脂の硬化時の収縮により、光導波路基板１０１から引っ張り応力を受けている。これを断面で比較すると、狭幅クラッド３００と幅広クラッド３０１では、単位長さあたりの引っ張り応力は同じでも、狭幅クラッド３００のほうが応力の総和としては小さく、剥離を抑制できる。
【００３１】
また、光ファイバ４００やＬＤチップ４０１と光学的に結合するためには、３次元的に高精度な位置合わせが必要となるが、クラックがない狭幅クラッド３００の部分では、容易に位置合わせを行うことができる。
【００３２】
また、狭幅クラッド３００と幅広クラッド３０１は、円弧クラッド３０２で緩やかに接続されている。さらに、クラッド２０１の角部についても、円弧クラッド３０２で緩やかに構成されている。この形状により、応力は一点に集中しなくなり、クラックや剥離の発生を抑制することができる。
【００３３】
さらに、幅広クラッド３０１の部分で樹脂内部に存在する微小な欠陥を核として、クラッド２０１にクラックが生じても、この部分ではクラッド２０１が十分な幅広になっているため、クラックはコアまで到達しない。
【００３４】
以上説明したように、本実施の形態によれば、光導波路のクラッド層の幅を、光素子と結合する部分は残留応力による剥離が発生せず、かつ伝搬する光信号に影響のないくらいに狭くし、それ以外の部分は十分に広くしている。これにより、特別な構造や、追加での加工を必要とせずに性能に影響を与える剥離やクラックを抑制する樹脂光導波路基板を提供することができる。
【００３５】
以下、本発明の具体的な実施例について説明する。
【実施例】
【００３６】
本実施例において使用する樹脂は、以下のとおりである。
【００３７】
まず、クラッド層の材料として、高フッ素化ポリベンゾオキサゾールＡ（ＰＢＯ−Ａ）の前駆体を溶液Ａとし、この溶液Ａを用いてクラッド層を形成した。また、コア層の材料として、高フッ素化ポリベンゾオキサゾールＢ（ＰＢＯ−Ｂ）の前駆体を溶液Ｂとし、この溶液Ｂを用いてコア層を形成した。このとき、添加剤の混合比を変えることでコア層の屈折率がクラッド層の屈折率よりも高くなるようにそれぞれの溶液Ａ、Ｂを設定した。
【００３８】
上記の溶液Ａ、Ｂを用いて、図１に示す光導波路モジュール１００を以下のようにして作製した。
【００３９】
まず、図７に示すように、直径１００ｍｍ、厚み０．８ｍｍのシリコン基板１０１に、熱酸化膜をマスクとして、異方性エッチングを行ってファイバガイド１０２を形成した。その上に上記の溶液Ａをスピンコートにより塗布し、加熱炉によって所定の温度、時間だけ加熱し、硬化させることで、厚み約１０μｍの下部クラッド層２０２を形成した。この加熱により、溶液Ａを構成する上記前駆体の閉環反応を促進させ、下部クラッド層２０２となる樹脂を形成した。
【００４０】
次に、図８に示すように下クラッド層２０１の上に上記の溶液Ｂをスピンコートにより塗布し、加熱炉で所定の温度、時間だけ加熱し、硬化させることで、厚さ約５μｍのコア層２００を形成した。この加熱により、溶液Ｂを構成する上記前駆体の閉環反応を促進させ、コア層２００となる樹脂を形成した。
【００４１】
次に、図９に示すようにフォトレジストによりコア形状をパターニングし、ＲＩＥによってコア２００を形成した。なお、フォトレジストはコア形成後に除去した。
【００４２】
次に、図１０に示すように上記の溶液Ａをスピンコートにより塗布し、コア２００の上面から上部クラッド層２０３の表面までの厚さが１０μｍとなるように形成した。上部クラッド層２０３も下部クラッド層２０２と同様に加熱炉で所定の温度で時間だけ加熱し形成した。この加熱により、溶液Ａを構成する上記前駆体の閉環反応を促進させ、上部クラッド層２０３となる樹脂を形成した。
【００４３】
次に、図１１に示すように下部クラッド層２０２及び上部クラッド層２０３をシリコン基板１０１に達するまでエッチングを施した。即ち、フォトレジストにより、上述のように光素子と結合する端面側の部分（狭幅クラッド３００）がそれ以外の部分（幅広クラッド３０１及び円弧クラッド３０２）よりもクラッド幅が狭くなるように予め設定されたクラッド形状をパターニングした。そして、ＲＩＥによって下部クラッド層２０２及び上部クラッド層２０３をシリコン基板１０１に達するまでエッチングを行った。エッチング終了後に有機洗浄を行い、フォトレジストを除去した。こうすることで、光導波路モジュール１００を得た。
【００４４】
得られた光導波路モジュール１００において、狭幅クラッド３００による剥離の抑制効果を評価するために、狭幅クラッド３００の幅を５０μｍから１０００μｍまで変化させて剥離量の測定を行った。図１２に相関関係を示す。
【００４５】
これによると、クラッド幅が２００μｍ以上になると剥離量が急激に増加している。一方、クラッド幅が２００μｍの場合には剥離量３０μｍ、クラッド幅を１００μｍとすると剥離量３μｍ、クラッド幅５０μｍとすると剥離量０μｍとなった。この結果から、クラッド幅１００μｍ以下で狭幅クラッド３００の効果が顕著に認められ、特にクラッド幅５０μｍ以下とすると剥離量のない光導波路を得ることができた。
【００４６】
なお、本実施例では、コア層及びクラッド層の有機高分子材料として、高フッ素化ポリベンゾオキサゾールを用いた場合を説明しているが、本発明はこれに限定されず、例えばポリイミド、ベンゾシクロブテン等の有機高分子材料でも適用可能である。
【００４７】
以上、本発明の実施の形態及び実施例を詳細に説明したが、本発明は、代表的に例示した上述の実施の形態及び実施例に限定されるものではなく、当業者であれば、特許請求の範囲の記載内容に基づき、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の態様に変形、変更することができる。これらの変形例や変更例も本発明の権利範囲に属するものである。
（変形例）
例えば、上記の実施の形態では、光導波路基板１０１としてシリコン基板を使用し、クラッド２００を上部クラッド２０３と下部クラッド２０２とで構成した場合を説明しているが、本発明は必ずしもこれに限定されるものではない。例えば、光導波路基板１０１は、シリコン基板以外にも石英基板や樹脂基板を使用してもよく、特に光信号の波長に対して透明な基板を用いた場合、図１３に示すように、下部クラッド２０２を光導波路基板１０１が兼ねることができ、工程の短縮ができるという利点もある。このとき、同図に示すように、狭幅クラッド３００は、上部クラッド２０３のみで構成される。
【００４８】
また、下部クラッド２０２は、樹脂ではなく光信号の波長に対して透明であれば、石英などの無機材料で構成しても良い。
【産業上の利用可能性】
【００４９】
本発明は、光ファイバで光信号の送受信を行う光モジュール、光素子を搭載して光信号と電気信号の変換を行う光モジュール、有機高分子材料を用いた光モジュールで用いる樹脂光導波路基板、その製造方法、及び光通信装置の用途に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明の実施の形態に係る光導波路モジュールを示す平面図である。
【図２】狭幅クラッド近傍の斜視図である。
【図３】幅広クラッドに対する応力の説明の断面図である。
【図４】狭幅クラッドに対する応力の説明の断面図である。
【図５】クラッドの変極点における応力の集中によるクラックの発生を説明する平面図である。
【図６】円弧クラッドによるクラックの抑制を説明する平面図である。
【図７】実施例の光導波路モジュールの製法において、最初の工程を説明する斜視図である。
【図８】図７の次の工程を説明する斜視図である。
【図９】図８の次の工程を説明する斜視図である。
【図１０】図９の次の工程を説明する斜視図である。
【図１１】図１０の次の工程を説明する斜視図である。
【図１２】実施例のクラッド幅と剥離量の相関関係を示す図である。
【図１３】変形例に係る光導波路モジュールを示す斜視図である。
【符号の説明】
【００５１】
１００  光導波路モジュール
１０１  光導波路基板
１０２  光ファイバガイド
１０３  スリット
２００  コア（コア層）
２０１  クラッド（クラッド層）
２０２  下部クラッド（第１のクラッド層）
２０３  上部クラッド（第２のクラッド層）
３００  狭幅クラッド
３０１  幅広クラッド
３０２  円弧クラッド（曲線クラッド）
４００  光ファイバ（光素子）
４０１  ＬＤチップ（光素子）
４０２  ＰＤチップ（光素子）
４０３  誘電体多層膜フィルタ
５００  応力
６００  クラック
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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