(57)【要約】【課題】ポゴピン及びそのポゴピンを備える半導体素子テスト用コンタクターを提供する。【解決手段】伝導性ゴム材質のコンタクトパッド部と、コンタクトパッド部の下部に形成されたバネと、を備えるポゴピン、及び、かかるポゴピンが複数配置されたポゴピンアレイと、ポゴピンアレイを固定するハウジングと、を備える半導体素子テスト用コンタクターである。これにより、上部に導電性ゴム材質のコンタクトパッドを使用することによって、ソルダーボール接触時に発生するソルダーボールの損傷問題及びソルダーボールとの接触により、鉛成分がポゴピンの金メッキに影響を及ぼしてポゴピンの表面を酸化させる問題を根本的に防止できる。【選択図】図５Ｅ
2008064754.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
伝導性ゴム材質のコンタクトパッド部と、
前記コンタクトパッド部の下部に形成されたバネと、を備えるポゴピン。
【請求項２】
前記コンタクトパッド部は、上部に伝導性シリコンゴムで形成されたコンタクトパッド及び下部に導電性プランジャーを備えることを特徴とする請求項１に記載のポゴピン。
【請求項３】
前記コンタクトパッドは、内部に金メッキされた金属粉末を含むことを特徴とする請求項２に記載のポゴピン。
【請求項４】
前記バネは、コイル形態を有し、
前記導電性プランジャー及びバネは、金メッキされていることを特徴とする請求項２に記載のポゴピン。
【請求項５】
前記コンタクトパッドは、円柱状に形成され、
前記金属プランジャーは、内部に前記バネの一部を含むことができるホールを有して円柱状に形成され、前記金属プランジャーの上部は、前記コンタクトパッドと同径に形成され、前記金属プランジャーの下部は前記上部の直径より大きく形成されることを特徴とする請求項２に記載のポゴピン。
【請求項６】
前記コンタクトパッドの高さ及び直径は、可変であることを特徴とする請求項５に記載のポゴピン。
【請求項７】
請求項１に記載のポゴピンが複数配置されたポゴピンアレイと、
前記ポゴピンアレイを固定するハウジングと、を備える半導体素子テスト用コンタクター。
【請求項８】
前記コンタクトパッド部は、上部に伝導性シリコンゴムで形成されたコンタクトパッド及び下部に導電性プランジャーを備えることを特徴とする請求項７に記載の半導体素子テスト用コンタクター。
【請求項９】
前記コンタクトパッドは、内部に金メッキされた金属粉末を含むことを特徴とする請求項８に記載の半導体素子テスト用コンタクター。
【請求項１０】
前記バネは、コイル形態を有し、
前記導電性プランジャー及びバネは、金メッキされていることを特徴とする請求項８に記載の半導体素子テスト用コンタクター。
【請求項１１】
前記コンタクトパッドは円柱状に形成され、
前記コンタクトパッドの高さ及び直径は可変であることを特徴とする請求項８に記載の半導体素子テスト用コンタクター。
【請求項１２】
前記ハウジングは、前記ポゴピンのストロークを案内するガイドパイプが形成されていることを特徴とする請求項７または８に記載の半導体素子テスト用コンタクター。
【請求項１３】
前記ハウジングは、分離できる上部ハウジング及び下部ハウジングが結合して形成され、
前記ガイドパイプは、前記上部ハウジングに形成され、
前記下部ハウジングには、前記ガイドパイプに整列された貫通ホールが形成されていることを特徴とする請求項１２に記載の半導体素子テスト用コンタクター。
【請求項１４】
前記貫通ホールは、じょうご形に形成され、前記ポゴピンのバネは、その下部が前記貫通ホールに固定されていることを特徴とする請求項１３に記載の半導体素子テスト用コンタクター。
【請求項１５】
前記ポゴピンは、前記上部ハウジング及び下部ハウジングの分離により個別的に交換されうることを特徴とする請求項１３に記載の半導体素子テスト用コンタクター。
【請求項１６】
前記ポゴピンの前記コンタクトパッド部と前記バネとは互いに分離され、前記ポゴピンの交換時に前記コンタクトパッド部及び前記バネのうちいずれか一つのみ交換されうることを特徴とする請求項１５に記載の半導体素子テスト用コンタクター。
【請求項１７】
前記コンタクトパッドは、円柱状に形成され、
前記金属プランジャーは、円柱状に形成されるが、上部は、前記コンタクトパッドと同径に形成され、下部は、前記上部の直径より大きく形成されるが、その内部にホールが形成されて、前記バネの一部を内部に含めるように形成されたことを特徴とする請求項１３に記載の半導体素子テスト用コンタクター。
【請求項１８】
前記ガイドパイプは、その下部が上部よりさらに大きい直径を有する円柱ホール形態に形成され、
前記ガイドパイプの下部ホールの直径は、前記金属プランジャーの下部が自由に上下動できるサイズを有し、
前記ガイドパイプの上部ホールの直径は、前記金属プランジャーの上部が自由に上下動できるサイズを有すると共に、前記金属プランジャーの下部直径よりは小さなサイズを有することを特徴とする請求項１７に記載の半導体素子テスト用コンタクター。
【請求項１９】
前記ポゴピンのコンタクトパッド部は、テストされる半導体素子の端子部分と接触され、前記バネは、前記半導体素子のテスト試験用回路に連結されることを特徴とする請求項７に記載の半導体素子テスト用コンタクター。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子試験用装備に係り、特に、半導体素子の電気的性能を試験する半導体素子テスト用コンタクターに関する。
【背景技術】
【０００２】
ウェーハレベルの製造工程が完了したウェーハ上の各チップは、パッケージング工程を行う前にＥＤＳ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ Ｄｉｅ Ｓｏｒｔｉｎｇ）工程でテスト設備により電気的な特性検査を受ける。また、パッケージング工程が完了したパッケージも、テスト設備により電気的な特性検査を受ける。これは、前記ウェーハの各チップやパッケージが半導体装置としての特定基準に適して製造されたかどうかを判断するためである。
【０００３】
最近、半導体素子の高集積化が進みつつポゴピン（Ｐｏｇｏ Ｐｉｎ）またはバネピン（Ｓｐｒｉｎｇ Ｐｉｎ）という探針を利用した半導体素子テスト用コンタクターが広く使われている。前記コンタクターは、前記ポゴピンを通じてテストされる半導体素子とテストボードまたはＤＵＴ（Ｄｅｖｉｃｅ Ｕｎｄｅｒ Ｔｅｓｔｉｎｇ）とを電気的に接続する。
【０００４】
図１は、従来のポゴピンを利用した半導体素子テスト用コンタクターを示す断面図である。
【０００５】
図１を参照すれば、半導体素子テスト用コンタクターは、ポゴピン１０と、ポゴピン１０を固定するハウジング３０と、ハウジング３０の下部のコンタクターボード４０とを備える。ポゴピン１０の場合、プランジャー、バーレル及びバネで構成されるが、このようなポゴピン１０は、ハウジング３０に形成されているガイドパイプ２０に固定される。
【０００６】
このような従来のコンタクターは、ポゴピン１０のプランジャーヘッド部分が大部分クラウン形態に形成されているが、半導体素子のテスト時にヘッド部分に接触される端子、例えば、ソルダーボールがクラウン形態のヘッドにより損傷されて、ソルダーボールの抵抗増加やメインボードとの結合時に接触不良を引き起こし、それにより、該当半導体パッケージを廃棄せねばならない場合がたびたび発生する。
【０００７】
また、ポゴピンのプランジャーやバーレル部分がソルダーボールの鉛成分などにより影響されるか、プランジャーがバネにより振動またはストロークしつつ、摩擦により表面の金メッキが剥ける場合が頻繁に発生する。金メッキが剥ければ酸化が進み、それによりポゴピン全体の抵抗が増加するので、適切な電気信号処理を行えなくなる。それにより、ポゴピンを交換せねばならないが、このようなポゴピン交換によりコンタクターのライフサイクルが短くなり、コストも上昇する。
【０００８】
一方、従来のポゴピンの場合、前述した通りにプランジャー、バーレル及びバネ形態に形成されるので、それ自体で高コストであるという短所も共に有しており、また、ポゴピンの鋼線バネが低温、例えば、−１０℃以下で弾性力が弱くなって、十分なストロークの機能を果たせないという短所があり、ポゴピン構造上または酸化などによる抵抗の増加で、信号伝達スピードにおいても問題を有する。
【０００９】
図２は、従来のポゴピンをさらに詳細に示す斜視図であり、図示したように、上部のプランジャー１２の上部部分にクラウンヘッドＡが形成されていることが確認できる。このようなポゴピンは、前述したように、プランジャー１２及びバーレル１４が鉛に対する影響またはストロークによる摩擦により表面の金メッキが剥けて酸化されるが、特に、ソルダーボールと接触される上部部分でこのような酸化問題は深刻である。
【００１０】
図３Ａ及び図３Ｂは、図１のポゴピンのクラウンヘッドにより発生する半導体素子のソルダーボールの損傷を示す断面図であり、図３Ａは、パッケージ形態の半導体素子のソルダーボールがプランジャーのクラウンヘッドと接触される前の様子を示し、図３Ｂは、接触後の様子を示す。
【００１１】
図３Ａ及び図３Ｂで例示された半導体パッケージは、２個の半導体チップ７０がパッケージ基板８０の上部に積層され、パッケージ基板８０の下部に外部端子連結のためのソルダーボール６０が形成される。このようなソルダーボール６０は、半導体パッケージをメインボードのような外部基板に電気的に結合させる媒介体の役割を行う。ところが、図３Ｂのように、半導体パッケージ性能のテスト時にソルダーボールがポゴピンプランジャーのクラウンヘッドにより損傷されれば、ソルダーボール自体の抵抗が増加し、また結合力が弱くなってよく落ちやすくなる問題が発生する。
【００１２】
一方、前述したように、一般的にソルダーボール６０は、鉛とスズとの合金で形成されるが、半導体パッケージのテスト時に鉛成分がポゴピンに影響を与えてポゴピン表面の金メッキが剥けるようになり、それにより、ポゴピン表面が酸化されてポゴピンを頻繁に交換せねばならないという問題を引き起こす。
【００１３】
前記のような問題によって、伝導性ゴム材質のポゴピンが提案されているが、ゴム材質の特性上振動、すなわち、ストロークがあまりにも少ないという問題点がある。すなわち、ストロークがあまりにも少なければ、ソルダーボールの接触時に緩衝作用が弱くなって、ソルダーボールに衝撃や変形を引き起こすことがある。また、このようなゴム材質のポゴピンを使用したコンタクターの場合に、一体型に作られて一つのポゴピンの不良が発生する場合にも、コンタクター全体を交換せねばならないので、維持補修側面で費用的な問題点がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
したがって、本発明が解決しようとする技術的課題は、従来のコンタクターが有しているポゴピンの外部表面酸化問題やソルダーボール接触時のソルダーボール損傷問題を解決できるポゴピンを提供するところにある。
【００１５】
また、前記ポゴピンを備えて常温以下の温度でも適切なストロークを有しつつ個別的にポゴピンの交換が可能な半導体素子テスト用コンタクターを提供するところにある。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
前記技術的課題を達成するために、本発明は、伝導性ゴム材質のコンタクトパッド部と、前記コンタクトパッド部の下部に形成されたバネと、を備えるポゴピンを提供する。
【００１７】
本発明において、前記コンタクトパッド部は、上部に伝導性シリコンゴムで形成されたコンタクトパッド及び下部に導電性プランジャーを備え、前記コンタクトパッドは、内部に金メッキされた金属粉末を含む。また、前記バネは、コイル形態を有し、前記導電性プランジャー及びバネは、金メッキされている。
【００１８】
一方、前記コンタクトパッドは、円柱状に形成されうるが、かかるコンタクトパッドの高さ及び直径は可変である。すなわち、前記コンタクトパッドの高さは、テストで要求されるストロークによって変更され、前記コンタクトパッドの直径は、テストされる半導体素子の端子間隔によって変更される。
【００１９】
本発明はまた、前記技術的課題を達成するために、前記ポゴピンが複数配置されたポゴピンアレイと、前記ポゴピンアレイを固定するハウジングと、を備える半導体素子テスト用コンタクターを提供する。
【００２０】
本発明において、前記コンタクターの前記ハウジングは、前記ポゴピンのストロークを案内するガイドパイプが形成されており、かかるガイドパイプ内に配置されるポコピンアレイの複数のポゴピンは、それぞれ個別的に交換されうる。
【００２１】
また、前記ハウジングは、分離できる上部ハウジング及び下部ハウジングが結合して形成され、前記ガイドパイプは、前記上部ハウジングに形成され、前記下部ハウジングには、前記ガイドパイプに整列された貫通ホールが形成される。このような前記貫通ホールは、じょうご形に形成され、前記ポゴピンのバネは、その下部が前記貫通ホールに固定されうる。
【００２２】
したがって、前記ポゴピンは、前記上部ハウジング及び下部ハウジングの分離により個別的に交換され、また、前記ポゴピンの前記コンタクトパッド部と前記バネとは互いに分離され、前記ポゴピンの交換時に前記コンタクトパッド部及び前記バネのうちいずれか一つのみ交換されうる。
【００２３】
本発明において、前記コンタクトパッドは、円柱状に形成され、前記金属プランジャーは、内部に前記バネの一部を含むことができるホールを有して円柱状に形成され、前記金属プランジャーの上部は、前記コンタクトパッドと同径に形成され、前記金属プランジャーの下部は前記上部の直径より大きく形成される。
【００２４】
また、前記ガイドパイプは、その下部が上部よりさらに大きい直径を有する円柱ホール形態に形成され、前記ガイドパイプの下部ホールの直径は、前記金属プランジャーの下部が自由に上下動できるサイズを有し、前記ガイドパイプの上部ホールの直径は、前記金属プランジャーの上部が自由に上下動できるサイズを有するが、前記金属プランジャーの下部直径よりは小さなサイズを有する。
【００２５】
一方、前記ポゴピンのコンタクトパッド部は、テストされる半導体素子の端子部分と接触され、前記バネは、前記半導体素子のテスト試験用回路に連結される。前記端子部分は伝導性バンプ、例えば、鉛とスズとの合金であるソルダーボールで形成され、前記コンタクトパッド部の上面は、前記ソルダーボールとの接触が容易であるように平面に広く形成されうる。
【００２６】
また、前記コンタクターは、コンタクトパッドの存在で、前記半導体素子を常温以下、例えば、−５℃〜−２５℃でも十分にテストでき、酸化などの問題がないので、前記コンタクターの寿命及び前記ポゴピンの信号伝達スピードが従来に比べて向上できる。
【００２７】
本発明のポゴピンは、上部に伝導性ゴム材質のコンタクトパッド及びその下部にバネを備えることによって、従来のポゴピンの上部のクラウンヘッドとソルダーボールとの接触により発生する酸化問題やソルダーボール損傷の問題を解決できる。また、このようなポゴピンを備えるテスト用コンタクターは、従来のポゴピンの問題が解決されて寿命及び信号伝達スピードが速く、また上部及び下部ハウジングの分離を通じてポゴピンを個別的に交換可能であり、経済的かつ効率的なテスト用コンタクターの具現が可能である。
【発明の効果】
【００２８】
本発明によるポゴピンは、上部に導電性ゴム材質のコンタクトパッドを使用することによって、ソルダーボール接触時に発生するソルダーボールの損傷問題、及びソルダーボールとの接触により、鉛成分がポゴピンの金メッキに影響を及ぼしてポゴピンの表面を酸化させる問題を根本的に防止できる。また、既存のポゴピン構造により発生する信号伝達スピード低下問題や低温でのストローク弱化問題、及び製作上の高コスト問題も改善させることができる。
【００２９】
また、本実施形態のテスト用コンタクターは、前記のポゴピンを利用することによって、従来のポゴピンを利用したテスト用コンタクターのいろいろな問題を改善でき、維持補修側面で経済的かつライフサイクルが延長したテスト用コンタクターを具現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
以下、添付された図面を参照して本発明の望ましい実施形態を詳細に説明する。以下の説明で、ある構成要素が他の構成要素の上部に存在すると記述される時、これは他の構成要素の真上に存在してもよく、その間に第３の構成要素が介在されてもよい。また、図面で各構成要素の厚さやサイズは説明の便宜及び明確性のために省略または誇張され、図面上で同一符号は同じ要素を称する。一方、使われる用語は単に本発明を説明するための目的で使われたものであり、意味限定や特許請求の範囲に記載された本発明の範囲を制限するために使われたものではない。
【００３１】
図４は、本発明の一実施形態によるポゴピンを示す斜視図である。
【００３２】
図４を参照すれば、ポゴピン１００は、上部に形成された伝導性ゴム材質のコンタクトパッド部１２０及びコンタクトパッド部１２０の下部に形成されたバネ１４０を備える。コンタクトパッド部１２０はまた、上部に伝導性シリコンゴムで形成されたコンタクトパッド１２２及び下部に導電性プランジャー１２４を備えることができる。
【００３３】
コンタクトパッド１２２は、シリコンゴムとシリコンゴム内部に混合された導電性物質とで形成されるが、このような導電性物質は例えば、金メッキされたニッケル粉末などである。このようなコンタクトパッド１２２の製造は、シリコンゴムにニッケル粉末を適正比率、例えば１：２〜１：３程度に混合して形成できる。さらに詳細に説明すれば、円筒形のシリンダーに金メッキされたニッケル粉末を７０〜８０％程度に満たしてゲル状態のシリコンゴムを注入し、適宜に混合してシリコンゴムを硬化させることによって、コンタクトパッドを形成できる。
【００３４】
コンタクトパッド１２２の厚さや直径は、テストされる半導体素子またはパッケージの特性によって可変である。すなわち、厚さの場合は、下部のバネの振動幅、すなわち、ストロークと共にテスト時に要求されるポゴピン１００のストローク全体によって調整されうる。コンタクトパッドはゴムの特性を持つので、その厚さが厚いほどストロークが増加することは当然である。
【００３５】
コンタクトパッド１２２の直径の場合、テストされる半導体素子の端子、例えば、ソルダーボール配列構造によって適正に形成されねばならない。コンタクトパッド１２２にソルダーボールが接触されるので、コンタクトパッド１２２の上部面はソルダーボールとの接触が容易になるように直径を広く形成することが望ましいが、現在半導体素子の高集積化が進みつつ、ソルダーボールのサイズ及びピッチが縮小しているので、該当半導体素子のソルダーボールの配列構造によって、コンタクトパッド１２２の直径も適宜に調整されねばならない。
【００３６】
導電性プランジャー１２４はコンタクトの下部に形成されるが、一般的に円筒形の金属に金メッキをして形成する。このような導電性プランジャー１２４は、コンタクトパッド１２２と下部のバネ１４０とを結合させる媒介体の役割と共に、コンタクトパッド１２２に加わるテンションを緩和しつつバネ１４０に伝達する役割を行う。
【００３７】
このような導電性プランジャー１２４は、コンタクトパッド１２２及びバネ１４０との結合部分で抵抗が増加しないように結合時に細心な注意が要求され、特に、シリコン材質のコンタクトパッド１２２との結合の場合、結合力及び抵抗いずれも考慮して精密に行われねばならない。
【００３８】
コンタクトパッド１２２が円柱状に形成された場合に、導電性プランジャー１２４も円柱状に形成されるが、上部はコンタクトパッド１２２と一致するようにし、下部はバネ１４０の上部一部が含まれるように、上部より若干大きい直径を有するように形成されることが望ましい。導電性プランジャー１２４の下部部分の直径を大きくする理由は、図５についての説明部分で説明するが、コンタクトパッド部１２０がコンタクター上部ハウジングのガイドパイプから逸脱しないように、フックの役割を行うようにするためである。
【００３９】
一方、本実施形態でコンタクトパッド１２２が円柱状に形成されたが、四角柱、三角柱、楕円柱などいろいろな形態で形成できるということは言うまでもない。また、導電性プランジャー１２４もコンタクトパッド１２２の形態によって適宜に形成されうる。
【００４０】
バネ１４０は、従来と同様に鋼線で形成されるが、温度、特に低温でも弾性力が適切に維持される材質で形成されることが望ましい。バネ１４０は、酸化防止及び電気的信号伝達スピードを考慮して外部が金でメッキされている。
【００４１】
従来のポゴピンの場合、バネがポゴピン全体のストロークを担当したが、本実施形態のポゴピンの場合、導電性ゴム材質のコンタクトパッドもポゴピンのストローク一部を担当するために、それにより低温、例えば、−５〜−２５℃程度でバネの弾性力弱化によるストローク不良問題をある程度解決できる。また、従来伝導性ゴム材質のポゴピンの場合は、バネがないために、ストロークが０．２５ｍｍ以下であり、それにより、ポゴピンの緩衝機能がかなり弱かったが、本実施形態のポゴピンの場合、伝導性ゴム材質の上部コンタクトパッドと共に下部のバネを共通に使用することによって、ストローク弱化による問題も十分に解決できる。例えば、０．５ｍｍ以上のストロークを十分に具現できる。
【００４２】
本実施形態のポゴピンは、上部にゴム材質のコンタクトパッドを使用することによって、ソルダーボール接触時に発生するソルダーボールの損傷問題及びソルダーボールとの接触により、鉛成分がポゴピンの金メッキに影響を及ぼしてポゴピンの表面を酸化させる問題を根本的に防止できる。また、既存のポゴピンのプランジャー、バーレル及びバネで形成された構造により発生する信号伝達スピード低下問題や高コストの問題も、本実施形態のポゴピンを通じてある程度改善させることができる。
【００４３】
図５Ａ〜図５Ｅは、本発明の他の実施形態による図４のポゴピンを備える半導体素子テスト用コンタクターを示す斜視図である。
【００４４】
図５Ａは、テスト用コンタクターの前面部を示す斜視図であり、テスト用コンタクターは、ポゴピンアレイ１５０及びそのポゴピンアレイ１５０を固定するハウジング２００を備える。ポゴピンアレイ１５０は、前述した複数のポゴピン１００が長方形アレイ形態に配列される。このようなポゴピンアレイ１５０の各ポゴピン１００でテストされる半導体素子の端子、例えば、ソルダーボールが接触される。
【００４５】
ハウジング２００は、長方形の上部ハウジング２２０及び下部ハウジング２４０を備えるが、各ハウジング２２０、２４０は、その中央にポゴピンアレイを収容するためのホールが形成されている。上部ハウジング２２０及び下部ハウジング２４０は分離されうるが、このような上部ハウジング２２０及び下部ハウジング２４０の分離及び結合構造を通じて、ポゴピンアレイ１５０の各ポゴピン１００が個別的に分離及び交換されうる。
【００４６】
本実施形態でハウジング２００は、上部及び下部ハウジング２４０に分離される構造に形成されたが、時には一体型に形成してもよいということは言うまでもない。
【００４７】
図５Ｂは、テスト用コンタクターの背面部を示す斜視図であり、下部ハウジング２４０が上部ハウジング２２０に固定ねじ３００を通じて結合されていることを確認できる。このような下部ハウジング２４０は、上部ハウジング２２０より小さく形成されるが、ポゴピンアレイ１５０を収容できる程度のサイズで形成される。また、上部ハウジング２２０の下部面は、その中央部分に下部ハウジング２４０を収容できるように、一定の段差を有して中央下部面と外郭下部面とに分けられる。段差の高さは下部ハウジング２４０の厚さと同一であり、中央下部面の広さは下部ハウジング２４０の広さと同一に形成されて、結合後に下部ハウジング２４０の下部面と上部ハウジング１２０の外郭下部面とを完全に平らにすることが望ましい。
【００４８】
図５Ｃは、テスト用コンタクターの上面部及び断面部を示す斜視図であり、断面部を通じてポゴピン１００がハウジング２００に収容されている様子が確認できる。すなわち、ハウジング２００には、ポゴピン１００を収容ためのホールが形成されている。上部ハウジング２２０のホール、すなわち、ガイドパイプ２２５はポゴピン１００、特に、バネ１４０のストロークを案内する機能を行い、下部ハウジングの貫通ホール２４５は、バネ１４０の下部を通じてポゴピンをハウジング２００に固定する機能を行う。
【００４９】
図５Ｄは、図５ＣのＢ部分を拡大して示す斜視図であり、ガイドパイプ２２５が相異なる直径で上部及び下部部分に分けられて形成されていることを示す。ガイドパイプ２２５の下部部分がさらに大きい直径で形成されるが、これは、バネ１４０及びコンタクトパッド部１２０がガイドパイプ２２５で自由に上下に動くが、コンタクトパッド部１２０のプランジャー１２４の下部部分がガイドパイプ２２５の上部部分に移動できないようにすることで、上部ハウジング２２０の表面に突出されるコンタクトパッド部の高さを一定高さに制限するためである。
【００５０】
図５Ｅは、テスト用コンタクターの構成部分をそれぞれ分離してテスト用コンタクターを立体的に示している斜視図である。図５Ｅを参照すれば、テスト用コンタクターは、上部ハウジング２２０、ポゴピンアレイ１５０及び下部ハウジング２４０を備える。一方、下部ハウジング２４０の下部に、下部ハウジング２４０を上部ハウジング２２０に結合するための固定ねじ３００が図示されている。
【００５１】
上部ハウジング２２０の中央部には、ポゴピンアレイ１５０を収容するための、すなわち、ポゴピン１００のストロークを案内するガイドパイプ２２５が形成されており、下部ハウジング２４０には貫通ホール２４５が形成されているが、このような貫通ホール２４５は、上部ハウジング２２０のガイドパイプ２２５の各ホールに対応して、その上部は広く形成され、その下部は順次狭くなる形態に形成される。貫通ホール２４５は、バネ１４０下部を通じてポゴピン１００を固定する機能と、テスト試験用回路である外部テストボードに電気的連結させる機能とを行う。
【００５２】
ポゴピンアレイ１５０は、アレイ形態のコンタクト部１５２及びバネ部１５４から形成されるが、コンタクト部１５２は、複数のコンタクトパッド部がアレイ形態に配列されて形成され、バネ部１５４は、コンタクトパッド部それぞれに対応する複数のバネがアレイ形態に配列されて形成される。それぞれのコンタクトパッド部及びバネがそれぞれのポゴピン１００を形成する。
【００５３】
このように本実施形態のハウジング２００は、上部ハウジング２２０及び下部ハウジング２４０に分離でき、またポゴピン１００も、コンタクトパッド部とバネとに分けることができる。したがって、いずれか一つのポゴピンの異常がある場合、一つのポゴピン１００、またはポゴピン１００のコンタクトパッド部やバネを個別的に交換できる。一方、本実施形態でハウジングの形態を具体的に説明したが、本発明のテスト用コンタクターのハウジングの形態はそれに限定されず、形成されたポゴピンの形態により適切に変形されるということは言うまでもない。
【００５４】
本実施形態のテスト用コンタクターは、前述した伝導性ゴム材質のコンタクトパッド部及びバネで形成されたポゴピンを使用することによって、従来のポゴピンの問題、すなわち、ソルダーボール損傷問題、ポゴピン酸化問題、低温でのストローク弱化問題、ポゴピンのコスト問題、信号伝達スピード問題などが改善された優秀なテスト用コンタクターの具現が可能である。また、前記の問題の解決を通じてテスト用コンタクターのライフサイクルも画期的に増大できる。すなわち、従来１０万時間のライフタイムをほぼ２０〜３０万時間以上に延長させることができる。一方、維持補修の側面でポゴピンの個別的交換が可能で、低コストでテスト用コンタクターの維持補修が可能である。
【００５５】
これまで、本発明を図面に図示された実施形態を参考に説明したが、これは例示的なものに過ぎず、当業者ならばこれより多様な変形及び均等な他の実施形態が可能であるという点を理解できるであろう。したがって、本発明の真の技術的保護範囲は特許請求の範囲の技術的思想により決まらねばならない。
【産業上の利用可能性】
【００５６】
本発明は、半導体素子テスト関連の技術分野に好適に用いられる。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】従来のポゴピンを利用した半導体素子テスト用コンタクターを示す断面図である。
【図２】従来のポゴピンを詳細に示す斜視図である。
【図３Ａ】パッケージ形態の半導体素子のソルダーボールがプランジャーのクラウンヘッドと接触される前の様子を示す図面である。
【図３Ｂ】パッケージ形態の半導体素子のソルダーボールがプランジャーのクラウンヘッドと接触された後の様子を示す図面である。
【図４】本発明の一実施形態によるポゴピンを示す斜視図である。
【図５Ａ】本発明の他の実施形態による図４のポゴピンを備える半導体素子テスト用コンタクターを示す斜視図である。
【図５Ｂ】本発明の他の実施形態による図４のポゴピンを備える半導体素子テスト用コンタクターの背面部を示す斜視図である。
【図５Ｃ】本発明の他の実施形態による図４のポゴピンを備える半導体素子テスト用コンタクターの上面断部を示す斜視図である。
【図５Ｄ】図５ＣのＢ部分の拡大図である。
【図５Ｅ】本発明の他の実施形態による図４のポゴピンを備える半導体素子テスト用コンタクターの立体構造を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００５８】
１００  ポゴピン
１２０  コンタクトパッド部
１２２  コンタクトパッド
１２４  導電性プランジャー
１４０  バネ
１５０  ポゴピンアレイ
１５２  コンタクト部
１５４  バネ部
２００  ハウジング
２２０  上部ハウジング
２２５  ガイドパイプ
２４０  下部ハウジング
２４５  貫通ホール
３００  固定ねじ
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
2008064754.tif 000005
【図３Ｂ】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
2008064754.tif 000009
【図５Ｃ】
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【図５Ｄ】
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【図５Ｅ】
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