(57)【要約】【課題】レジスト残渣除去工程をなくしても、磁性膜を一様にエッチングすることができ、パターンド媒体の製造コストを低減できる方法を提供する【解決手段】基板上に磁性膜を形成し、前記磁性膜上にレジストを塗布し、前記レジストに対してスタンパをインプリントして凹凸パターンを転写し、前記スタンパを除去した後、パターン化されたレジストの凹部にレジスト残渣を残したままイオンミリングにより前記磁性膜を加工して磁性膜パターンを形成することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に磁性膜を形成し、前記磁性膜上にレジストを塗布し、
前記レジストに対してスタンパをインプリントして凹凸パターンを転写し、
前記スタンパを除去した後、パターン化されたレジストの凹部にレジスト残渣を残したままイオンミリングにより前記磁性膜を加工して磁性膜パターンを形成する
ことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２】
前記スタンパは、凹部の占有面積比率が異なる複数の領域を含むことを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項３】
前記スタンパを用いてインプリントを行い、前記レジストに凹凸パターンを転写したときに、前記スタンパの凹部の占有面積比率が小さい領域の方が大きい領域と比較して、レジストパターンの最小高低差が大きいことを特徴とする請求項２に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項４】
前記スタンパの凹部の占有面積比率が異なる領域が、サーボエリアのプリアンブル部、アドレス部、バースト部、およびデータエリアに相当することを特徴とする請求項２に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項５】
前記スタンパの凹部の深さは、前記レジストのインプリント前の膜厚よりも大きいことを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は磁気記録媒体の製造方法に関し、特にディスクリートトラック媒体などのパターンド媒体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、磁気記録媒体のさらなる高密度化に対応するために、隣接する記録トラックを非磁性材料で分離し、隣接トラック間の磁気的干渉を低減するようにしたディスクリートトラック媒体（ＤＴＲ媒体）などのパターンド媒体が注目を集めている。このようなディスクリートトラック媒体を製造する際には、スタンパを用いたインプリント法によって記録トラックをなす磁性膜のパターンとともにサーボ領域の信号に相当する磁性膜のパターンも形成すれば、サーボトラックライトの工程をなくせるのでコスト低減につながる。
【０００３】
代表的なインプリント法として、以下のような方法が知られている（特許文献１参照）。まず、シリコン基板上にレジストとして熱可塑性樹脂であるポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）を塗布し、スタンパを用いて熱サイクルナノインプリントを行い、スタンパのパターンをレジストに転写する。スタンパを取り外した後、酸素ＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）によりレジストパターン間の凹部に残っている残渣を除去してシリコン表面を露出させる。その後、レジストパターンをマスクとしてエッチングを行い、シリコンの凸パターンを形成する。
【０００４】
従来の方法においてレジストパターン間の凹部に残っている残渣を除去する工程が必須となっているのは、インプリント後のレジスト残渣膜厚にばらつきが生じて、その後に一様なエッチングができないという問題を避けるためである。
【特許文献１】米国特許第５，７７２，９０５号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、レジスト残渣の除去工程をなくすことができれば、パターンド媒体の製造コストを低減できる。
【０００６】
本発明の目的は、レジスト残渣除去工程をなくしても、磁性膜を一様にエッチングすることができ、磁気記録媒体（パターンド媒体）の製造コストを低減できる方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様に係る磁気記録媒体の製造方法は、基板上に磁性膜を形成し、前記磁性膜上にレジストを塗布し、前記レジストに対してスタンパをインプリントして凹凸パターンを転写し、前記スタンパを除去した後、パターン化されたレジストの凹部にレジスト残渣を残したままイオンミリングにより前記磁性膜を加工して磁性膜パターンを形成することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、インプリント後のレジスト凹部の残渣除去を行わなくても、磁性膜の一様な加工を可能にし、磁気記録媒体（パターンド媒体）を低コストで製造できる方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、本発明を実施例に基づいて説明する。
【００１０】
実施例
図１（ａ）〜（ｅ）に示す断面図を参照して本発明の実施例に係るパターンド磁気記録媒体の製造方法を概略的に説明する。
【００１１】
図１（ａ）に示すように、基板１１上に磁性膜１２を成膜し、磁性膜１２上にレジスト１３を塗布した。
【００１２】
本実施例では、基板上に軟磁性下地層、垂直記録層、保護層が形成された垂直記録媒体を作製したが、説明の便宜上、構造を簡略化して図示している。すなわち、図１（ａ）において、基板１１は基板および軟磁性下地層を含み、磁性膜１２は垂直記録層および保護層を含む。
【００１３】
基板としては、たとえばガラス基板、Ａｌ系合金基板、セラミック基板、カーボン基板、酸化物表面を有するＳｉ単結晶基板、およびこれらの基板にＮｉＰなどのメッキを施したものなどが挙げられる。
【００１４】
軟磁性下地層には、Ｆｅ、ＮｉまたはＣｏを含む材料が用いられる。より具体的には、ＦｅＣｏ系合金たとえばＦｅＣｏ、ＦｅＣｏＶなど、ＦｅＮｉ系合金たとえばＦｅＮｉ、ＦｅＮｉＭｏ、ＦｅＮｉＣｒ、ＦｅＮｉＳｉなど、ＦｅＡｌ系合金およびＦｅＳｉ系合金たとえばＦｅＡｌ、ＦｅＡｌＳｉ、ＦｅＡｌＳｉＣｒ、ＦｅＡｌＳｉＴｉＲｕ、ＦｅＡｌＯなど、ＦｅＴａ系合金たとえばＦｅＴａ、ＦｅＴａＣ、ＦｅＴａＮなど、ＦｅＺｒ系合金たとえばＦｅＺｒＮなどが挙げられる。
【００１５】
垂直記録層としては、Ｃｏを主成分とし、少なくともＰｔを含み、さらに酸化物を含んだ材料が用いられる。酸化物としては、特に酸化シリコン，酸化チタンが好適である。
【００１６】
保護層は垂直記録層の腐食を防ぐとともに、磁気ヘッドが接触したときに媒体表面の損傷を防ぐ目的で設けられる。保護層としては、たとえばＣ、ＳｉＯ2、ＺｒＯ2を含む材料が挙げられる。
【００１７】
本実施例では、ガラス基板上に、厚さ１２０ｎｍの軟磁性下地層、厚さ２０ｎｍの垂直記録層、および厚さ４ｎｍの保護層を順次成膜した。
【００１８】
磁性膜１２上にレジスト１３をスピンコートにより塗布した。レジストには一般的なノボラック系のフォトレジストを用いることができる。本実施例では、磁性膜１２上にレジスト１３として、一般的なフォトレジストであるシプレー社Ｓ１８１８を約４０ｎｍの厚さに塗布した。なお、レジストにはスピンオングラス（ＳＯＧ）を用いてもよい。
【００１９】
図１（ｂ）に示すように、インプリント法によってレジスト１３に凹凸パターンを形成した。インプリント法とは、レジスト１３の平坦な表面に対し、凹凸パターンを有するスタンパ１４を押しつけ、スタンパ１４表面の凹凸パターンをレジスト１３に転写するプロセスである。スタンパの材料としては、Ｎｉ，Ｔｉ，Ａｌなどの金属およびその合金が挙げられるがこれに特定されない。
【００２０】
スタンパの製造工程は、パターン描画、現像、電鋳、仕上げに細分化される。パターン描画は、レジストを塗布した原盤を、原盤回転型の電子線露光装置に設置し、媒体上で非磁性体が埋め込まれる部位に相当する部位を、内周から外周まで電子線露光する。このレジストを現像し、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）などによって原盤をエッチングすることにより、原盤に凹凸パターンを形成される。この原盤の表面を導電化処理し、Ｎｉを電鋳する。Ｎｉ膜を剥離した後、内径／外径を打ち抜き加工することにより、ディスク状のＮｉスタンパを製造する。このスタンパでは、媒体上の非磁性体に対応する部位が凸部となっている。
【００２１】
本実施例では、後に詳細に説明するように、このインプリント後にレジスト１３の凹部に残るレジスト残渣の厚さがどの領域でもほぼ一定になる。このような構造は、スタンパ１４の凹部の深さよりもレジスト１３の膜厚を薄くすることによって実現できる。
【００２２】
具体的には、４０ｎｍの厚さに塗布したレジスト１３に対して、凹部の深さが５０ｎｍであるスタンパ１４を用い、２０００ｂａｒで６０秒間プレスすることによって、凹凸パターンを転写した。インプリントによってスタンパ１４の凸部が約２５ｎｍだけレジスト１３に押し込まれた。
【００２３】
図１（ｃ）に示すように、真空ピンセットを用いて、スタンパ１４をレジスト１３から剥離した。こうして、基板１１の表面に、凹凸パターンが転写されたレジスト１３が形成された。
【００２４】
図１（ｄ）に示すように、レジストパターン１３間の凹部にレジスト残渣を残したまま、レジストパターン１３をマスクとしてＡｒイオンミリングにより磁性膜１２を加工して磁性膜パターンを形成した。
【００２５】
図１（ｅ）に示すように、残存しているレジストパターン１３を剥離した。レジスト１３が一般的なフォトレジストである場合には、酸素プラズマ処理を行うことで容易に剥離することができる。本実施例では酸素アッシング装置を用いて１Ｔｏｒｒ、４００Ｗ、５分の条件でレジストを剥離した。このとき、垂直記録層の表面に形成されていたカーボン保護層も剥離される。なお、レジストがＳＯＧである場合には、フッ素系ガスを用いたＲＩＥにより剥離する。
【００２６】
さらに、図示しないが、以下の工程を行って磁気記録媒体を製造する。レジストを剥離した後、磁性膜パターン間の凹部に非磁性材料の埋め込み層を形成する。非磁性材料は、ＳｉＯ2、ＴｉＯx、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3などの酸化物、Ｓｉ3Ｎ4、ＡｌＮ、ＴｉＮなどの窒化物、ＴｉＣなどの炭化物、ＢＮなどのホウ化物、Ｃ、Ｓｉなどの単体から選択できる。
【００２７】
次に、埋め込み層をエッチバックして垂直記録膜を露出させる。エッチバック後の表面粗さ（Ｒａ）は０．６ｎｍであった。このエッチバックは、Ａｒイオンミリングにより行うことが望ましいが特に限定されない。本実施例では、加速電圧４００Ｖ、イオン入射角度３０°でイオンミリングを行った。
【００２８】
次に、表面にＣ保護膜を形成する。Ｃ保護膜は、凹凸へのカバレッジを良くするために化学気相成長（ＣＶＤ）で成膜することが望ましいが、スパッタリングまたは真空蒸着で成膜してもよい。本実施例では、ＣＶＤにより厚さ約４ｎｍのＣ保護膜を形成した。
【００２９】
保護層上には、通常、潤滑剤を塗布する。潤滑剤としては、たとえばパーフルオロポリエーテル、フッ化アルコール、フッ素化カルボン酸などが挙げられる。
【００３０】
以上のような工程によりパターンド媒体を製造することができる。本実施例では、インプリント後にレジスト残渣除去プロセスを行わず、従来方法と比較してエッチング工程を１回減らしたにもかかわらず、良好な磁性膜パターンを形成できた。
【００３１】
以下、図２〜図６を参照しながら、本発明の実施形態に係る磁気記録媒体の製造方法の効果をより詳細に説明する。図２はインプリント時のレジストの状態を示す断面図であり、図１（ｂ）に相当する。図３は本発明の実施形態に係る磁気記録媒体の平面図である。図４は本発明の実施形態に係る磁気記録媒体の各領域を示す模式図である。図５はサーボエリアのパターンを示す平面図である。図６はスタンパ表面の各領域における凹部の占有面積比を説明する図である。
【００３２】
まず、図３を参照して本発明の実施形態に係る磁気記録媒体の平面図を説明する。磁気記録媒体の表面は、データエリア１とサーボエリア２の２つの領域が円周方向に沿って交互に表れるように構成されている。
【００３３】
データエリア１は、ユーザデータを記録する領域である。ＤＴＲ媒体のデータエリア１には、同心円状に凸部をなす磁性膜パターンが凹部に埋め込まれた埋め込み層を介して一定のトラックピッチＴｐで周期的に形成されている。データエリア１は、サーボエリア２により周方向にセクタ分割されている。なお、図３では１５のサーボセクタを示しているが、実際には１００以上のサーボセクタが設けられる。
【００３４】
サーボエリア２には、ヘッド位置決めのための磁性膜パターンが形成されている。サーボエリア２は媒体の径方向に沿って、ヘッドスライダが移動する軌跡に対応する円弧状に形成されている。サーボエリア２の周方向長さは、半径位置に比例して長くなるように形成されている。
【００３５】
図４を参照して、１トラック上のサーボエリアおよびデータエリアの配置を説明する。媒体をドライブに組み込んだとき、ヘッドは図４の左から右へ通過する。図４に示すように、サーボエリア２は、プリアンブル部３、アドレス部４、バースト部５を含む。サーボエリア２の後にデータエリア１が配置されている。上述したように、サーボエリア２とデータエリア１は交互に現れる。図５にサーボエリアのうちアドレス部４およびバースト部５のパターンを示す。
【００３６】
プリアンブル部は、メディアの回転偏芯などにより生ずる時間ズレに対し、サーボ信号再生用クロックを同期させるＰＬＬ処理や、信号再生振幅を適正に保つＡＧＣ処理を行うために設けられている。プリアンブル部は、半径方向に分断されることなくほぼ円弧放射状に連続して磁性体／非磁性体が周方向に繰返すパターンを含む。磁性体／非磁性体の比率はほぼ１：１、すなわち、磁性膜パターンの占有面積率が約５０％である。なお、周方向の繰返し周期は半径距離に比例して異なるが、最外周であっても可視光波長以下である。このため、データ領域と同様に、光学回折によるサーボエリアの識別は困難である。
【００３７】
アドレス部は、サーボマークと呼ばれるサーボ信号認識コードや、セクタ情報、シリンダ情報などが、プリアンブル部の周方向ピッチと同一ピッチで、マンチェスタコードにより形成されている。特に、シリンダ情報は、サーボトラックごとにその情報が変化するパターンとなるため、シーク動作時のアドレス判読ミスの影響が小さくなるように、グレイコードと呼ばれる隣接トラックとの変化が最小となるコード変換をしてから、マンチェスタコード化して記録されている。この領域の磁性膜パターンの占有面積率も約５０％となる。
【００３８】
バースト部は、シリンダアドレスのオントラック状態からのオフトラック量を検出するためのオフトラック検出用領域であり、Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄバーストと呼ばれる、径方向にパターン位相をずらした４種のマークが形成されている。各バーストには、周方向に複数個のマークがプリアンブル部と同一のピッチで配置され、径方向周期はアドレスパターンの変化の周期に比例、換言すれば、サーボトラック周期に比例している。本実施例では、各バーストが周方向に１０周期分形成され、径方向にサーボトラック周期の２倍長周期で繰返すパターンを取っている。ＡＢＣＤバーストの磁性膜パターンの占有面積率は約７５％となる。マーク形状は基本的には方形、厳密にはヘッドアクセス時のスキュー角を考慮した平行四辺形を目指して形成されるが、スタンパ加工精度や転写形成などの加工性能により、多少丸みを帯びた形状となる。マークは非磁性体として形成する。このバースト部からの位置検出原理については、詳細を省略するが、各ＡＢＣＤバースト部の再生信号の平均振幅値を演算処理して、オフトラック量が算出される。
【００３９】
なお、本実施例ではＡＢＣＤバーストパターンを採用しているが、オフトラック量検出手段として公知の位相差サーボパターンなどを配置してもよい。なお、位相差サーボの場合、磁性膜パターンの占有面積率は約５０％となる。
【００４０】
以上、サーボエリアのパターンについて説明した。このＤＴＲ媒体を作製するために用いるスタンパでは、データエリア、プリアンブル部、アドレス部、バースト部における、凹部の占有面積比は、データエリアで６７％、プリアンブル部で５０％、アドレス部で５０％、ＡＢＣＤバーストで７５％（位相差サーボパターンで５０％）である。図６にスタンパの各領域における、凹部の占有面積比を示す。
【００４１】
図２に、上記のようなスタンパを用いてインプリントを行ったときのレジストの上体を示す。図２の左側はデータエリア（スタンパ凹部６７％）、右側はプリアンブル部（スタンパ凹部５０％）を示している。
【００４２】
図２の左側のデータエリアでは、インプリント時にスタンパ凸部に押されたレジストがスタンパ凹部へ移動し、スタンパ凹部の両端のレジスト膜厚が増加する。その結果、スタンパ凹部でのレジストパターンの形状は、両端で膜厚が増加するが、中央部では膜厚にあまり変化がない。こうして、図２の左側のデータエリアでは、スタンパ凹部に、両端で盛り上がり、中央部で薄いレジストパターンが形成される。
【００４３】
一方、図２右側のプリアンブル部では、スタンパ凹部の比率が低いため、インプリント時にスタンパ凸部に押されたレジストがスタンパ凹部へ移動し、スタンパ凹部に両側から流れ込んだレジストがスタンパ凹部の中央部にまで及び、結果としてスタンパ凹部内の全体でレジスト膜厚が増加する。
【００４４】
このように、図２の右側と左側とでは、スタンパ凹部の比率に応じて、レジストパターンの凹凸形状が異なり、両方の領域におけるレジストパターンの最小高低差Ｈ１とＨ２の関係は、Ｈ１＜Ｈ２となる。すなわち、図２左側のデータエリアの方が、図２右側のプリアンブル部よりもレジストパターンの最小高低差が小さくなる。レジストパターンの最小高低差は、後続のエッチング時のマスク厚さに相当する。エッチングは、レジストパターンの最小高低差に相当する厚さのマスクが加工に耐えられる条件で行う。
【００４５】
本実施例では、膜厚４０ｎｍのレジストに対し、凹部の深さ（凸部の高さ）が５０ｎｍであるスタンパを２５ｎｍ押し込んだ。この結果、データエリアに相当する図２左側では、レジストパターンの最小高低差が２５ｎｍとなった。一方、プリアンブル部に相当する図２右側では、レジストパターンの最小高低差がスタンパ凸部の高さに相当する５０ｎｍとなった。
【００４６】
ここで、レジストパターンの最小高低差を測定する場合、スタンパの壁面近傍ではレジストの表面張力によってレジストパターンの角が取れるため、スタンパの壁面から十分離れた位置で測定する。
【００４７】
一方、本実施例においては、スタンパ凹部の深さよりもレジスト膜厚を薄くしているので、スタンパ凹部の占有面積比が異なっている領域でもスタンパ凸部のレジストに対する押し込み深度は一定となる。このため、インプリント後においても、図２の右側と左側で、スタンパ凸部の下の残るレジスト膜厚すなわちレジスト残渣の膜厚は同じである。本実施例におけるレジスト残渣膜厚は、図２の右側でも左側でも１５ｎｍであった。
【００４８】
このようにレジスト残渣膜厚が同じであれば、従来行っていたレジスト残渣除去プロセスを用いることなく、１回のエッチング工程でレジスト残渣および磁性膜を加工することができ、均一な高さの磁性膜パターンを形成できる。すなわち、各領域において、凹部のレジスト残渣膜厚が等しいため、各領域で同時にレジスト残渣が除去され、その後は各領域で同時に磁性膜がエッチングされる。したがって、本実施例の方法を用いればディスクリートトラック媒体などのパターンド媒体を低コストで製造することができる。
【００４９】
上述したように、スタンパ凹部の占有面積比が異なる領域においてレジスト残渣膜厚を一定とするためには、スタンパ凹部の深さに対してレジスト膜厚を薄くすることが有効である。すなわち、インプリント中にある程度レジストが薄くなるとスタンパはそれ以上押し込めなくなるため、各領域でレジスト残渣膜厚が等しくなる。なお、厳密には、レジスト残渣膜厚を一定とするには、インプリント時のレジストの粘度およびスタンパの凹凸形状の影響を考慮する必要があるが、これらの影響はそれほど大きくない。
【００５０】
一方、スタンパ凹部の深さに対してレジスト膜厚が十分厚い場合には、スタンパ凹部がレジストでほぼ充填されるまでスタンパが押し込まれるため、各領域でレジストパターンの最小高低差が等しくなる一方、スタンパ凸部の下に残るレジスト残渣膜厚に差が生じる。レジスト残渣膜厚に差が生じると、後続のエッチング工程において磁性膜のエッチング深度が異なるため、一様な高さを有する磁性膜パターンを形成することが困難になる。
【００５１】
比較例１
図７（ａ）〜（ｆ）を参照して、レジスト残渣除去プロセスを含む従来のパターンド磁気記録媒体の製造方法を説明する。
【００５２】
図７（ａ）に示すように、基板１１上に磁性膜１２を成膜し、磁性膜１２上にレジスト１３を塗布した。比較例１では、レジスト１３の膜厚を７０ｎｍとした。
【００５３】
図７（ｂ）に示すように、インプリント法によってレジスト１３に凹凸パターンを形成した。スタンパ１４の凹部の深さは実施例と同じ５０ｎｍであった。このとき、スタンパ凹部の占有面積比が異なる図７（ｂ）の左側でも右側でも、スタンパ凹部の奥までレジストが充填された。その後、図７（ｃ）に示すように、スタンパ１３を剥離した。この結果、レジストパターンの最小高低差は、図７（ｂ）の左側でも右側でも、スタンパ凹部の深さに相当する等しい値となった。一方、スタンパ凸部の下に残ったレジスト残渣膜厚は、図７（ｃ）の左側で３７ｎｍ、右側で４５ｎｍとなった。インプリント後にレジスト残渣膜厚の違いが生じた原因は、レジスト膜厚７０ｎｍに対してスタンパ凹部の深さが５０ｎｍと小さい値であったことにあると考えられる。
【００５４】
図７（ｄ）に示すように、レジスト残渣膜厚の差の影響を抑えるため、凹部のレジスト残渣除去を行った。レジスト残渣除去は、レジストのエッチングレートが高く、磁性膜のエッチングレートが低い方法を用いることが好ましい。ここでは、酸素ガスＲＩＥ（反応性イオンエッチング）でレジストの残差除去を行った。レジスト残渣膜厚の最大値４５ｎｍを除去する条件でエッチングを行った結果、レジスト残渣除去後のレジストマスク高さは、図７（ｄ）の左側で４０ｎｍ、右側で５０ｎｍとなった。
【００５５】
その後、実施例１と同様に、磁性膜のエッチング（ｅ）、およびレジスト剥離（ｆ）を行い、パターンド媒体を得た。
【００５６】
このパターンド媒体において、磁性膜パターンの形状および媒体の特性は実施例１とほぼ同様であった。しかし、比較例１では、レジスト残渣除去プロセスが必要であり、実施例よりも工程数が１つ多いという欠点がある。
【００５７】
比較例２
図８（ａ）〜（ｅ）に示すように、図７（ｄ）に示したレジスト残渣除去を行わなかった以外は、比較例１と同様にしてパターンド媒体を製造した。
【００５８】
この場合、図８（ｃ）で生じたレジスト残渣膜厚の差（すなわち左側で３７ｎｍ、右側４５ｎｍ）が、図８（ｄ）の磁性膜エッチング工程に影響し、図８（ｅ）の右側で厚さ８ｎｍの磁性膜の残存が確認された。このように、レジスト残渣除去を行わない従来の方法では、磁性膜を一様にエッチングすることができなかった。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】本発明の実施例に係るパターンド磁気記録媒体の製造方法を示す断面図。
【図２】インプリント時のレジストの状態を示す断面図。
【図３】本発明の実施形態に係る磁気記録媒体の平面図。
【図４】本発明の実施形態に係る磁気記録媒体の各領域を示す模式図。
【図５】サーボエリアのパターンを示す平面図。
【図６】スタンパ表面の各領域における凹部の占有面積比を説明する図。
【図７】比較例１のパターンド磁気記録媒体の製造方法を示す断面図。
【図８】比較例２のパターンド磁気記録媒体の製造方法を示す断面図。
【符号の説明】
【００６０】
１…データエリア、２…サーボエリア、３…プリアンブル部、４…アドレス部、５…バースト部、１１…基板、１２…磁性膜、１３…レジスト、１４…スタンパ、
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
2008016084.tif 000008
【図７】
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【図８】
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