(57)【要約】【課題】波長変換素子の大きさが大きくなっても、温度むらを抑制できる波長変換素子を提供することを目的とする。【解決手段】波長変換素子１０の表面に、所定のパターン幅を有する直線パターンを、互に重ならないように複数回折り曲げた葛折状のパターン１００を呈する薄膜抵抗が少なくとも１つ形成されていることを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
波長を変換する波長変換素子であって、
前記波長変換素子の表面に、所定のパターン幅を有する直線パターンを、互に重ならないように複数回折り曲げた葛折状のパターンを呈する薄膜抵抗が少なくとも１つ形成されていることを特徴とする波長変換素子。
【請求項２】
請求項１に記載の波長変換素子であって、
前記薄膜抵抗は、前記波長変換素子が有する平面のうち最も大きい面積を有する平面に少なくとも形成されていることを特徴とする波長変換素子。
【請求項３】
請求項１または２に記載の波長変換素子であって、
前記葛折状のパターンを構成する前記直線パターンのパターン幅が、前記波長変換素子の場所に応じて変化して形成されていることを特徴とする波長変換素子。
【請求項４】
請求項３に記載の波長変換素子であって、
前記葛折状のパターンは、前記薄膜抵抗が形成された前記波長変換素子の平面において、当該平面の中心部に近い直線パターンのパターン幅に対して、当該平面の端部に近い前記直線パターンのパターン幅が細く形成されていることを特徴とする波長変換素子。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれか一項に記載の波長変換素子であって、
前記薄膜抵抗が形成されていない前記波長変換素子の表面に、温度センサーが形成されていることを特徴とする波長変換素子。
【請求項６】
請求項５に記載の波長変換素子であって、
前記温度センサーは、前記薄膜抵抗１つに対して少なくとも１つ形成されていることを特徴とする波長変換素子。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれか一項に記載の波長変換素子であって、
前記薄膜抵抗の少なくとも１つは、他の薄膜抵抗に比べて温度による抵抗率の変化が大きい材料によって形成されていることを特徴とする波長変換素子。
【請求項８】
請求項１ないし７のいずれか一項に記載の波長変換素子であって、
前記波長変換素子は略直方体の形状を有し、
前記薄膜抵抗は、前記葛折状のパターンの両端に電極を備え、
前記電極のうち少なくとも２つの電極は、前記直方体形状において互いに隣接しない２つの辺にそれぞれの電極が接するように形成されていることを特徴とする波長変換素子。
【請求項９】
請求項１ないし７のいずれか一項に記載の波長変換素子であって、
前記波長変換素子は略直方体の形状を有し、
前記薄膜抵抗は、前記葛折状のパターンの両端に電極を備え、
前記電極のうち少なくとも２つの電極は、前記直方体形状において互いに対向する２つの面にそれぞれ形成されていることを特徴とする波長変換素子。
【請求項１０】
請求項１ないし７のいずれか一項に記載の波長変換素子であって、
前記波長変換素子は略直方体の形状を有し、
前記葛折状のパターンの直線部分は前記波長変換素子の少なくとも一辺と略平行に形成されていることを特徴とする波長変換素子。
【請求項１１】
請求項１０に記載の波長変換素子であって、
前記薄膜抵抗は、前記葛折状のパターンの両端に電極を備え、
前記電極のうち少なくとも２つの電極は、前記直方体形状において互いに隣接しない２つの辺にそれぞれの電極が接するように形成されていることを特徴とする波長変換素子。
【請求項１２】
請求項１０に記載の波長変換素子であって、
前記薄膜抵抗は、前記葛折状のパターンの両端に電極を備え、
前記電極のうち少なくとも２つの電極は、前記直方体形状において互いに対向する２つの面にそれぞれ形成されていることを特徴とする波長変換素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、波長を変換する波長変換素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
レーザー光を波長変換して可視光に変換する波長変換素子では、特許文献１に開示されているように、波長変換素子の変換特性をレーザー光の波長にあわせるために精密な温度制御が必要である。その制御方法の１つとして、同じく特許文献１には、光導波路上に薄膜ヒーターを形成する方法が開示されている。
【０００３】
【特許文献１】特開平５−５３１６３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に開示された薄膜ヒーターは、光路となる光導波路上にベタのパターンを形成するものであり、光導波路の幅が小さい場合は、形成されたパターンによって変換特性を精密に温度制御ができるものと推定される。ところで、近年、例えば、プロジェクタ等の光源にレーザー光を使用することが行われ、このような場合には、光量を多くするために複数の平行光束が得られるアレイレーザーが使用される。従って、アレイレーザーと組み合わせて使用する波長変換素子は、レーザー光の平行光束の幅に合わせた大きさのものが用いられる。
【０００５】
しかしながら、平行光束の幅が大きくなると、光路の幅もそれに合わせて大きくなる。従って、特許文献１に開示された薄膜ヒーターでは、光路上にベタのパターンを形成することから、そのパターン幅も大きくなってしまう。すると、薄膜ヒーターを流れる電流は、ベタのパターン内において均一に流れなくなることから、薄膜ヒーターのパターン内での位置によって発熱量に差が生じてしまう。その結果、波長変換素子内に温度むらが生じてしまうことから、波長変換素子全体の変換特性が均一にならず、変換特性を精密に温度制御することができないことになる。
【０００６】
本発明は、このような課題に鑑みてなされたもので、波長変換素子の大きさが大きくなっても、温度むらを抑制できる波長変換素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために本発明は、波長を変換する波長変換素子であって、前記波長変換素子の表面に、所定のパターン幅を有する直線パターンを、互に重ならないように複数回折り曲げた葛折状のパターンを呈する薄膜抵抗が少なくとも１つ形成されていることを特徴とする。
【０００８】
この構成によれば、波長変換素子の表面に発熱体として形成する薄膜抵抗を、ベタのパターンよりも細いパターン幅を有する複数の直線パターンによって葛折状のパターンを形成する。従って、薄膜抵抗を流れる電流は、パターン内においてほぼ均一に流れることから、パターン内での発熱をほぼ均一化できる。その結果波長変換素子内における温度を均一化できるので、温度むらの発生を抑制することができる。
【０００９】
ここで、前記薄膜抵抗は、前記波長変換素子が有する平面のうち最も大きい面積を有する平面に少なくとも形成されていることが好ましい。
【００１０】
こうすれば、波長変換素子の最も大きい面積部分を加熱するので、波長変換素子全体を均一に加熱できる確率が高くなる。従って、波長変換素子の温度むらを抑制できる確率が高くなる。
【００１１】
また、前記葛折状のパターンを構成する前記直線パターンのパターン幅が、前記波長変換素子の場所に応じて変化して形成されていることとしてもよい。
【００１２】
周知のように、薄膜抵抗は、パターン幅が狭くなれば抵抗値が大きくなり広くなれば抵抗値が小さくなる。そこで、パターン幅を波長変換素子の場所に応じて変化させることによって、波長変換素子の加熱温度を場所に応じて制御することができる。この結果、波長変換素子の温度むらを適切に制御することが可能となる。
【００１３】
さらに、前記葛折状のパターンは、前記薄膜抵抗が形成された前記波長変換素子の平面において、当該平面の中心部に近い直線パターンのパターン幅に対して、当該平面の端部に近い前記直線パターンのパターン幅が細く形成されていることとしてもよい。
【００１４】
波長変換素子に形成された平面において、通常平面の中心部に対して平面の端部の方が大気との接触領域が広くなるので、中心部の温度に対して端部の温度の方が大気温度に近くなる。そして、波長変換素子は一般的に大気温度より高温の環境下で使用されることから、中心部に対して端部の方が温度が低くなる。そこで、中心部領域に対して端部領域における薄膜抵抗のパターン幅を細く形成するようにすれば、中心部領域に対して端部領域に形成されたパターンでの発熱量を多くすることができる。この結果、波長変換素子内における温度むらをさらに適切に抑制することができる。
【００１５】
また、本発明の波長変換素子は、前記薄膜抵抗が形成されていない前記波長変換素子の表面に、温度センサーが形成されていることとしてもよい。
【００１６】
この構成によれば、薄膜抵抗によって加熱された波長変換素子の温度を、温度センサーによって測定することができることになる。従って、薄膜抵抗を流す電流量を温度センサーが測定した温度によって制御するようにすれば、波長変換素子の温度を精度良く制御することができ、この結果、波長変換素子内における温度むらを適切に抑制することができる。
【００１７】
ここで、前記温度センサーは、前記薄膜抵抗１つに対して少なくとも１つ形成されていることが好ましい。
【００１８】
こうすれば、例えば薄膜抵抗が形成されている領域ごとに波長変換素子の温度を測定することができることになる。従って、薄膜抵抗を流す電流量を温度センサーが測定した温度によって制御するようにすれば、波長変換素子の温度を薄膜抵抗ごとに制御することができ、この結果、波長変換素子内における温度むらを精度良く抑制することができる。
【００１９】
あるいは、前記薄膜抵抗の少なくとも１つは、他の薄膜抵抗に比べて温度による抵抗率の変化が大きい材料によって形成されていることとしてもよい。
【００２０】
こうすれば、温度による抵抗率の変化が大きい薄膜抵抗の抵抗値を測定することによって波長変換素子の温度を測定することが容易となる。従って、薄膜抵抗を波長変換素子を加熱するための発熱体として用いるとともに、波長変換素子の温度を測定するための温度センサーとして用いることができるので、波長変換素子の温度を測定しながら適切に加熱することができ、この結果、波長変換素子内における温度むらを抑制することができる。
【００２１】
また、本発明の波長変換素子は略直方体の形状を有し、前記薄膜抵抗は、前記葛折状のパターンの両端に電極を備え、前記電極のうち少なくとも２つの電極は、前記直方体形状において互いに隣接しない２つの辺にそれぞれの電極が接するように形成されていることとしてもよい。
【００２２】
この構成によれば、略直方体の形状を有する波長変換素子において隣接しない２辺に接する電極が、少なくとも１組形成されることになる。つまり、おおよそ１つの辺の長さ分離れた位置、もしくはおおよそ対角の位置に電極が形成されるのである。従って、形成された電極の位置に波長変換素子を支持するための支持部を設け、この支持部と電極とを半田付けや溶着等によって固定すれば、波長変換素子を安定して支持することができることになる。また、この支持部から、薄膜抵抗へ電流供給を行うこともできる。
【００２３】
あるいは、本発明の波長変換素子は略直方体の形状を有し、前記薄膜抵抗は、前記葛折状のパターンの両端に電極を備え、前記電極のうち少なくとも２つの電極は、前記直方体形状において互いに対向する２つの面にそれぞれ形成されていることとしてもよい。
【００２４】
この構成によれば、略直方体の形状を有する波長変換素子において互いに対向する２つの面に、電極が少なくとも１組形成されることになる。言い換えれば、１つの辺の長さ分離れた位置に電極が形成されるのである。従って、形成された電極の位置に波長変換素子を支持するための支持部を設け、この支持部と電極を半田付けや溶着等によって固定すれば、波長変換素子を安定して支持することができることになる。また、この支持部から、薄膜抵抗へ電流供給を行うこともできることになる。
【００２５】
あるいは、本発明の波長変換素子は略直方体の形状を有し、前記葛折状のパターンの直線部分は、前記波長変換素子の少なくとも一辺と略平行に形成されていることとしてもよい。
【００２６】
波長変換素子の温度は、前述したように波長変換素子に形成された平面において、通常平面の中心部に対して平面の端部の方が大気との接触領域が広いので、平面中心部の温度に対して平面端部の温度の方が大気温度により近くなる。従って、中心部から端部に向けて発生する温度勾配は、おおよそ波長変換素子の外形の一辺に平行に発生することになる。そこで、葛折状のパターンの直線部分を、略直方体の形状を有する波長変換素子の少なくとも一辺と略平行に形成すれば、波長変換素子への加熱を波長変換素子の外形の一辺とほぼ平行に行うことができる。この結果、波長変換素子内における温度むらを効果的に抑制することができる。
【００２７】
さらに、前記薄膜抵抗は、前記葛折状のパターンの両端に電極を備え、前記電極のうち少なくとも２つの電極は、前記直方体形状において互いに隣接しない２つの辺にそれぞれの電極が接するように形成されていることとしてもよい。
【００２８】
こうすれば、波長変換素子において隣接しない２辺に接する電極が、少なくとも１組形成されることになる。つまり、おおよそ１つの辺の長さ分離れた位置、もしくはおおよそ対角の位置に電極が形成されるのである。従って、形成された電極の位置に波長変換素子を支持するための支持部を設け、この支持部と電極を半田付けや溶着等によって固定すれば、波長変換素子を安定して支持することができることになる。また、この支持部から、薄膜抵抗へ電流供給を行うこともできることになる。
【００２９】
あるいは前記薄膜抵抗は、前記葛折状のパターンの両端に電極を備え、前記電極のうち少なくとも２つの電極は、前記直方体形状において互いに対向する２つの面にそれぞれ形成されていることとしてもよい。
【００３０】
こうすれば、波長変換素子において互いに対向する２つの面に、電極が少なくとも１組形成されることになる。言い換えれば、１つの辺の長さ分離れた位置に電極が形成されるのである。従って、形成された電極の位置に波長変換素子を支持するための支持部を設け、この支持部と電極を半田付け等によって固定すれば、波長変換素子を安定して支持することができることになる。また、この支持部から、薄膜抵抗へ電流供給を行うこともできることになる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
以下、本発明を具体化した実施形態について、実施例を用いて説明する。
【００３２】
（第１実施例）
図１は、本発明の波長変換素子の一実施例を示した斜視図である。波長変換素子１０はアレイ状に配列されたアレイレーザー（不図示）からの入射光束ＮＫを、可視光となる波長に変換して出射光束ＳＫとして出力する。ところで、アレイレーザーからのレーザー光の場合は、通常一定の方向に幅を持つ。本実施例では、アレイレーザーからの入射光束ＮＫは図示するよう図面左右方向に一定の幅を有するものとする。従って、波長変換素子１０はこの入射光束ＮＫに対応するため図面横方向に広がった光路が形成されることから、波長変換素子１０の形状は、図示するように略直方体の形状を呈する。
【００３３】
このように略直方体に形成された波長変換素子１０において、本実施例では、図示するように、最も大きい平面であって光路に近い面（これを、以降「上面」と呼ぶ）に、入射光束ＮＫの方向と略一致する一辺と平行な方向に長い直線部分を有し、直線部分が複数回折り曲げられた所謂葛折り状のパターンを呈する薄膜抵抗１００が形成されている。また、波長変換素子１０において、入射光束ＮＫが入射する面（これを、以降「正面」と呼ぶ）と出射光束ＳＫが出射する面（これを、以降「背面」と呼ぶ）以外の２つの面（これを、以降「側面」と呼ぶ）に、それぞれ電極２０ａと電極２０ｂが形成されている。そして、薄膜抵抗１００の端部は、これらの電極２０ａ，２０ｂにそれぞれ電気的に接続されている。なお、以降の説明においては、各直線部分を直線パターンとも称し、特に、長い直線部分を、「主たる直線パターン」とも称することとする。
【００３４】
薄膜抵抗１００は、本実施例では、ニッケルクロムを材料とする抵抗体が、所定のマスクを用い、印刷や塗装もしくは蒸着によって、波長変換素子１０の表面に薄膜状にパターン形成されたものである。もとより、ニッケルクロム材料に限らず、例えば鉄，クロム，アルミなど、抵抗発熱体として機能する材料であれば薄膜抵抗として用いてもよい。また、薄膜状のパターンの形成方法も、印刷や塗装もしくは蒸着に限らず、例えば上述した材料の薄板を波長変換素子１０の表面に貼り付けたのち、エッチングなどの方法で材料を取り除いて所定のパターンを形成するなど、他の方法を用いてもよい。
【００３５】
また、電極２０ａおよび電極２０ｂは、導電性を有する金属材料（例えば銀、銅、ニッケルやクロムなど）を、薄板にして貼り付けたり、あるいはペースト状にして印刷や塗装したりして形成されたものである。
【００３６】
このように葛折状のパターンを呈する薄膜抵抗１００に、その両端の電極２０ａと電極２０ｂとの間に所定の電圧を印加することによって電流を流した場合、電流は葛折状のパターンに沿って流れることから、薄膜抵抗１００の各パターン部分から発熱が生じる。従って、特許文献１に示した場合と異なり、波長変換素子１０の上面全体を加熱することができる。
【００３７】
また、葛折状に形成された薄膜抵抗１００は、図示するように、上面の中央部においては、ほぼ同じパターン幅を有する４つの主たる直線パターン１０１が形成され、波長変換素子１０の端面となる両側面（図面左右の垂直面）に近づくにつれてパターン幅が順次細くなる主たる直線パターン１０２，１０３，１０４が、波長変換素子１０のそれぞれの両側に形成されている。
【００３８】
パターン幅を細くすると薄膜抵抗の抵抗値は周知の如く大きくなる。一方、電極２０ａと電極２０ｂ間に流れる電流、つまり葛折状のパターンを構成する各直線パターン部分を流れる電流は、物理的に同じ大きさの電流になる。従って、抵抗に電流を流した場合の発熱量は、周知の如く電流値の自乗に抵抗値を乗算した値によって得られることから、各直線パターンにおける発熱量は抵抗値に依存することになる。
【００３９】
本実施例は、このように波長変換素子１０の側面に近い直線パターンについて、パターン幅を細くすることによって抵抗値を大きくし、そのパターン部分における発熱量を多くすることができるようにしたものである。つまり、直線パターン１０１における発熱量よりも直線パターン１０２の方が多くの発熱量が得られ、直線パターン１０２における発熱量よりも直線パターン１０３の方が多くの発熱量が得られ、直線パターン１０３における発熱量よりも直線パターン１０４の方が多くの発熱量が得られるようにしている。
【００４０】
一方、波長変換素子１０の上面において、形成された薄膜抵抗１００によって加えられた熱は大気に放熱される。このとき、大気との接触領域が大きいほど、多くの熱が放熱されることから、波長変換素子１０の端部ほど多くの熱が放熱されることになる。ところで、波長変換素子の正面と背面は、それぞれ入射光束ＮＫと出射光束ＳＫが存在するため、大気との接触領域が減少して放熱が抑制されるが、両側面については全体が大気と接触しており、多くの熱が放熱されることになる。従って、波長変換素子１０の温度は、中央部分の温度に対して、両側面側の端部の温度は低くなるため、波長変換素子１０に温度差が生じてしまうことになる。
【００４１】
そこで、このような温度差を生じないように、波長変換素子１０における温度差を打ち消すための発熱量が得られるように、直線パターンのパターン幅を、本実施例のようにパターンの形成場所に応じて変化させるのである。この結果、波長変換素子１０の上面に本実施例の葛折状のパターンを呈する薄膜抵抗１００を形成することによって、波長変換素子の加熱温度を場所に応じて制御することができるので、波長変換素子の温度むらを適切に制御することが可能となる。
【００４２】
ところで、本実施例の如く、２つの電極を波長変換素子１０の両側面に設けることによって、波長変換素子１０の固定を容易に行うことができる。これを図２を用いて説明する。図２は、アレイレーザーに対する波長変換素子の位置を固定するための支持構造を示す構造図である。
【００４３】
図示するように、波長変換素子１０は、基台８０に挿入固定された２つの支持ピン６１，６２と、電極２０ａ，２０ｂとが、固着材（例えば半田）７１，７２によって固着される。このとき、アレイレーザー５０からの入射光束ＮＫが、波長変換素子１０に正しく入射するように、位置合わせが行われる。そこで、電極の形成場所を対向する２つの面となる両側面とすれば、支持ピン６１と支持ピン６２との間隔は広くなり、位置合わせが容易となるのである。
【００４４】
もとより、上記の説明から明らかなように、波長変換素子１０を波長変換素子１０の対角の位置で固定した場合が、支持ピンの間隔が最も広くなるので、位置合わせが更に容易になる。従って、少なくとも１組の電極を互いに波長変換素子１０の対角の位置に形成することが好ましい。
【００４５】
なお、図２において、支持ピン６１，６２を、導電性を有する部材で形成し、同じく導電性を有する固着材７１，７２によって、支持ピン６１，６２と、電極２０ａ，２０ｂとを固着すれば、支持ピン６１，６２を通して薄膜抵抗１００に電流を流すことが出来ると同時に、支持ピン６１，６２は波長変換素子１０の支持を行うことができる。
【００４６】
（第２実施例）
図３は、本発明の第２実施例となる薄膜抵抗１１０が形成された波長変換素子１０を示したものであり、図１において図面上方向、つまり波長変換素子１０の上面方向から見た平面図である。
【００４７】
本実施例では、第１実施例と同様、波長変換素子１０の上面に、入射光束ＮＫの方向と略一致する一辺とほぼ平行な方向に主たる直線パターンを有し、直線部分が複数回折り曲げられた葛折状のパターンを呈する薄膜抵抗１１０（図中、網掛け部）が形成されている。また、両側面には、電極２１ａと電極２１ｂがそれぞれ形成されている。そして、薄膜抵抗１１０の端部は、これらの電極２１ａ，２１ｂにそれぞれ電気的に接続されている。なお、薄膜抵抗１１０および電極２１ａ，２１ｂは、第１実施例と同様の材料を用い同様の方法によって形成されている。
【００４８】
このように葛折状のパターンを呈する薄膜抵抗１１０に、その両端の電極２１ａと電極２１ｂとの間に所定の電圧を印加することによって電流を流した場合、電流は葛折状のパターンに沿って流れることから、薄膜抵抗１１０の各パターン部分から発熱が生じる。従って、第２実施例においても、特許文献１に示した場合と異なり、波長変換素子１０の上面全体を加熱することができる。
【００４９】
ところで、葛折状に形成された第２実施例の薄膜抵抗１１０は、図示するように、中央部領域１０ａにおいては、ほぼ同じパターン幅を有する６つの主たる直線パターン１１１が形成されている。一方波長変換素子１０の端面となる両側面（図面左右端）に近い主たる直線パターンについては、直線パターン１１１が有する幅と同じパターン幅の範囲内に、側面に近いほど大きい数の直線パターンが存在するように分割されている。すなわち、側面の直近の端部領域１０ｃには３本の直線パターン１１３ａ（１１３ｂ）が、その１つ内側（中央部領域１０ａ寄り）の端部領域１０ｂには２本の直線パターン１１２ａ（１１２ｂ）が、波長変換素子１０のそれぞれの両側に形成されている。
【００５０】
従って、波長変換素子１０の中央部領域１０ａは、６つの直線パターン１１１によって加熱され、その外側の２つの端部領域１０ｂは、直線パターン１１２ａと直線パターン１１２ｂによってそれぞれ加熱され、さらにその外側の２つの端部領域１０ｃは、直線パターン１１３ａと直線パターン１１３ｂとによってそれぞれ加熱される。
【００５１】
端部領域１０ｂにおいて２つに分割された直線パターン１１２ａについて、この２つの直線パターン１１２ａの各パターン幅を加えたパターン幅は、中央部領域１０ａの直線パターン１１１のパターン幅よりも細く形成されている。また、端部領域１０ｃにおいて３つに分割された直線パターン１１３ａについて、この３つの直線パターン１１３ａの各パターン幅を加えたパターン幅は、直線パターン１１２ａの各パターン幅を加えたパターン幅よりも細く形成されている。従って、前述したようにパターン幅を細くすると薄膜抵抗の抵抗値は周知の如く大きくなるので、抵抗に電流を流した場合の発熱量は多くなる。この結果、第１実施例と同様に、中央部領域に対して端部領域の加熱量を多くすることができるので、波長変換素子１０の温度むらを適切に制御することが可能となる。
【００５２】
（第３実施例）
第１実施例および第２実施例では、波長変換素子１０の上面に葛折状のパターンを有する薄膜抵抗を１つ形成する例を説明したが、上述したように、葛折状のパターンにおいて波長変換素子１０の中央部領域と端部領域とでパターン幅を変えて抵抗値を変化させ、発熱量を制御するものであった。従って、印刷や塗装などによって一旦形成されたパターン幅を変更することは困難なため、波長変換素子１０の温度差が想定差よりも変化したような場合、パターン幅を変化させて発熱量を調整することができず、波長変換素子１０の温度むらを適切に抑制することは困難である。
【００５３】
そこで、第３実施例は、波長変換素子１０の上面に形成する薄膜抵抗を複数にするものである。こうすれば、形成した薄膜抵抗のそれぞれについて、流す電流値を制御することによって薄膜抵抗毎に発熱量を制御することができるので、波長変換素子１０の温度むらを適切に抑制することができる。
【００５４】
図４は、本発明の第３実施例を示したもので、２つの薄膜抵抗１２０Ａと薄膜抵抗１２０Ｂとからなる薄膜抵抗１２０が形成された波長変換素子１０を、図１において図面上側方向、つまり波長変換素子１０の上面方向から見た平面図である。
【００５５】
本実施例でも、第１実施例と同様、波長変換素子１０の上面に、入射光束ＮＫの方向とほぼ平行な方向に主たる直線パターンを有し、直線部分が複数回折り曲げられた葛折状のパターンを呈する薄膜抵抗１２０Ａと薄膜抵抗１２０Ｂとが形成されている（いずれも図中、網掛け部）。また、両側面には、電極２２ａ，２２ｂ、および電極２２ｃ，２２ｄがそれぞれ形成されている。そして、薄膜抵抗１２０Ａの端部は電極２２ａ，２２ｂに、薄膜抵抗１２０Ｂの端部は電極２２ｃ，２２ｄにそれぞれ電気的に接続されている。なお、薄膜抵抗１２０Ａ，１２０Ｂおよび電極２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２ｄは、第１実施例と同様の材料を用い同様の方法によって形成されているものとする。
【００５６】
このように葛折状のパターンを呈する２つの薄膜抵抗１２０Ａ，１２０Ｂにおいて、その両端の電極２２ａと電極２２ｂとの間、および電極２２ｃと電極２２ｄとの間に、それぞれ所定の電圧を印加することによって電流を流した場合、電流は葛折状のパターンに沿って流れ、薄膜抵抗１２０Ａおよび薄膜抵抗１２０Ｂの各パターン部分から発熱が生じる。
【００５７】
ところで、葛折状のパターンが複数形成された第３実施例の薄膜抵抗１２０のうち、薄膜抵抗１２０Ｂは、図示するように、波長変換素子１０の中央部領域１０ｄにおいては、ほぼ同じパターン幅を有する６つの主たる直線パターン１２１が形成されている。そして、直線パターン１２１と電極２２ｃおよび直線パターン１２１と電極２２ｄとの間に、図面横方向の直線パターン１２２ｃおよび直線パターン１２２ｄがそれぞれ形成されている。
【００５８】
一方、薄膜抵抗１２０Ａは、図示するように、波長変換素子１０の左右の両端部領域１０ｅにおいて、一方の領域には、ほぼ同じパターン幅を有する２つの主たる直線パターン１２１ａが形成されて、他方の領域には、ほぼ同じパターン幅を有する２つの主たる直線パターン１２１ｂが形成されている。そして、直線パターン１２１ａと直線パターン１２１ｂとの間に、図面横方向の直線パターン１２１ｃが形成されている。
【００５９】
従って、波長変換素子１０の中央部領域１０ｄは、６つの直線パターン１２１によって加熱され、その外側の２つの端部領域１０ｅは、直線パターン１２１ａと直線パターン１２１ｂとによってそれぞれ加熱される。つまり、直線パターン１２１による発熱量と直線パターン１２１ａ，１２１ｂによる発熱量をそれぞれ分けて制御すれば、波長変換素子１０の温度むらを適切に抑制することが可能となる。例えば、薄膜抵抗１２０Ａに流す電流を薄膜抵抗１２０Ｂに流す電流よりも多くすれば、波長変換素子１０の中心部の発熱量よりも、端部の発熱量を多くすることができる。この結果、波長変換素子１０の温度差が想定差よりも変化したような場合でも、中央部に対する端部の加熱量を電流量を制御することで調整することができるので、波長変換素子１０の温度むらを適切に制御することが可能となる。
【００６０】
また、このように波長変換素子１０の側面部分に、それぞれの薄膜抵抗の１組の電極を形成することによって、波長変換素子１０の四隅に電極が形成されることになる。従って、波長変換素子１０を４つの支持ピンで固定することができるので、さらに安定して波長変換素子１０を支持することができる。また、支持ピンを通してそれぞれの薄膜抵抗に電圧を印加することが出来るので、薄膜抵抗への電気結線が容易となる。
【００６１】
（第４実施例）
第３実施例では、図４に示したように、中央部領域１０ｄを加熱する際、本来端部領域１０ｅを加熱するための薄膜抵抗１２０Ａに属する直線パターン１２１ｃが、中央部領域１０ｄを加熱する構成になっていた。逆に、端部領域１０ｅを加熱する際、本来中央部領域１０ｄを加熱するための薄膜抵抗１２０Ｂに属する直線パターン１２２ｃ，１２２ｄが、端部領域１０ｅを加熱する構成になっていた。このため、波長変換素子１０の中央部領域と端部領域を、それぞれ均一に加熱することが困難な場合が生じ得る。
【００６２】
第４実施例は、波長変換素子１０の上面において、中央部領域と端部領域をそれぞれ単独で加熱することができる複数の薄膜抵抗を形成し、中央部領域と端部領域を、それぞれ均一に加熱しようとするものである。
【００６３】
図５は、本発明の第４実施例を示したもので、３つの薄膜抵抗１３０Ａ，１３０Ｂ，１３０Ｃからなる薄膜抵抗１３０が形成された波長変換素子１０を、図１において図面上側方向、つまり波長変換素子１０の上面方向から見た平面図である。
【００６４】
本実施例でも、第１実施例と同様、波長変換素子１０の上面に、入射光束ＮＫ（不図示）の方向とほぼ平行な方向に主たる直線パターンを有し、直線部分が複数回折り曲げられた葛折状のパターンを呈する薄膜抵抗１３０Ａ，１３０Ｂ，１３０Ｃ（いずれも図中、網掛け部）が形成されている。また、両側面には電極２３ａと電極２３ｆが、上面には電極２３ｂ，２３ｃ，２３ｄ，２３ｅが、それぞれ形成されている。そして、薄膜抵抗１３０Ａの端部は電極２３ａと電極２３ｂに、薄膜抵抗１３０Ｂの端部は電極２３ｃと電極２３ｄに、薄膜抵抗１３０Ｃの端部は電極２３ｅと電極２３ｆに、それぞれ電気的に接続されている。なお、薄膜抵抗１３０Ａ，１３０Ｂ，１３０Ｃおよび電極２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄ，２３ｅ，２３ｆは、第１実施例と同様の材料を用い、同様の方法によって形成されているものとする。
【００６５】
このように葛折状のパターンを呈する３つの薄膜抵抗１３０Ａ，１３０Ｂ，１３０Ｃにおいて、その両端の電極２３ａと電極２３ｂとの間、電極２３ｃと電極２３ｄとの間、および電極２３ｅと電極２３ｆとの間に、それぞれ所定の電圧を印加することによって電流を流した場合、電流は葛折状のパターンに沿って流れ、薄膜抵抗１３０Ａ，１３０Ｂ，１３０Ｃの各パターン部分から発熱が生じる。
【００６６】
ところで、葛折状にパターン形成された第４実施例の薄膜抵抗１３０のうち、薄膜抵抗１３０Ｂは、図示するように、中央部領域１０ｆにおいては、ほぼ同じパターン幅を有する６つの主たる直線パターン１３２が形成されている。
【００６７】
一方、図示するように、薄膜抵抗１３０Ａは、波長変換素子１０の図面左の端部領域１０ｇにおいて、ほぼ同じパターン幅を有する２つの主たる直線パターン１３１を形成し、薄膜抵抗１３０Ｃは、波長変換素子１０の図面右の端部領域１０ｈにおいて、ほぼ同じパターン幅を有する２つの主たる直線パターン１３３を形成している。
【００６８】
従って、波長変換素子１０の中央部領域１０ｄは、第３実施例とは異なり、６つの直線パターン１３２のみによって加熱され、その外側の２つの端部領域１０ｇと端部領域１０ｈは、直線パターン１３１と直線パターン１３３とによってそれぞれ個別に加熱される。つまり、直線パターン１３１による発熱量と、直線パターン１３２による発熱量と、直線パターン１３３による発熱量とを、それぞれ個別に分けて制御すれば、波長変換素子１０のそれぞれの領域を均一に加熱することができ、温度むらを適切に抑制することが可能となる。
【００６９】
さらに、本実施例では、形成された３つの薄膜抵抗１３０Ａ，１３０Ｂ，１３０Ｃのそれぞれに対応して、温度センサー３１，３２，３３を備えることとしてもよい。こうすれば、それぞれの薄膜抵抗１３０Ａ，１３０Ｂ，１３０Ｃによって加熱された波長変換素子１０の温度を、温度センサーによって測定することができる。従って、それぞれの薄膜抵抗に流す電流量を各温度センサーが測定した温度によって制御するようにすれば、波長変換素子１０の温度を薄膜抵抗ごとに精度良く制御することができ、この結果、波長変換素子１０内における温度むらを抑制することができる。
【００７０】
温度センサー３１，３２，３３は、波長変換素子１０の表面温度が測定できるように、接着剤等によって直線パターンのパターン間に固定されている。なお、温度センサー３２は、図示するように、波長変換素子１０のほぼ中央に位置する２つの直線パターン１３２のパターン同士の隙間に接着固定することが好ましい。こうすることで、温度センサー３２の測定位置が、波長変換素子１０の一方の端部に偏ることなく中央部の温度を測定することになるので、波長変換素子１０の温度を適切に測定することが可能となる。
【００７１】
温度センサー３１，３２，３３は、本実施例では周知の白金測温抵抗体を用いるものとする。この温度センサーは保護管付きのものを波長変換素子１０の表面に貼り付けても良いし、抵抗体を直接波長変換素子１０の表面に貼り付けることとしてもよい。もとより、サーミスタや熱電対などといった他の周知の温度センサーを用いることとしてもよい。
【００７２】
なお、本実施例では、温度センサーの端子をリード線で図示している。これは、温度センサーの端子部分となる電極を入射光束面、出射光束面に形成することが困難なためである。もとより、波長変換素子１０の上面に端子用の電極を形成するためのスペースを設けて、各温度センサーの端子用電極を設けることとしてもよい。こうすれば、波長変換素子１０に常にリード線などといった配線が付帯しないので、波長変換素子の扱いが容易となる。
【００７３】
（第５実施例）
上述した各実施例では、波長変換素子１０において、例えば図３に示したように、入射光束ＮＫの方向と略一致する方向に主たる直線パターンを有する葛折状のパターンを呈するように薄膜抵抗を形成したが、入射光束ＮＫの方向と略直交する方向に主たる直線パターンを形成することとしてもよい。例えば、波長変換素子１０内の光路の形成位置や形成具合によっては、端部からの放熱による温度むらへの影響が少ない場合が存在する。このような場合、主たる直線パターンの方向は入射光束ＮＫの方向に限る必要はないからである。
【００７４】
本実施例を、図６を用いて説明する。図６（ａ）は、本実施例となる薄膜抵抗１４０が形成された波長変換素子１０を示したものであり、図１において図面上側方向、つまり波長変換素子１０の上面方向から見た平面図である。
【００７５】
本実施例では、波長変換素子１０の上面に、入射光束ＮＫの方向と略直交する一辺とほぼ平行な方向に主たる直線パターンを有し、直線部分が複数回折り曲げられた葛折状のパターンを呈する薄膜抵抗（図中、網掛け部）が形成されている。また、図面右側の側面には、電極２４ａと電極２４ｂが形成されている。そして、薄膜抵抗１４０の端部は、これらの電極２４ａ，２４ｂにそれぞれ電気的に接続されている。なお、薄膜抵抗１４０および電極２４ａ，２４ｂは、第１実施例と同様の材料を用い同様の方法によって形成されている。
【００７６】
このように葛折状にパターン形成された本実施例の薄膜抵抗１４０は、波長変換素子１０の上面全体において、ほぼ同じパターン幅を有し、６つの主たる直線パターン１４１を含む複数の直線パターンによって形成されている。従って、電極２４ａと電極２４ｂとの間に所定の電圧を印加することによって、波長変換素子１０の上面全体をほぼ均一に加熱することができるのである。
【００７７】
また、本実施例においても、温度センサーを備えることとしてもよい。本実施例では、１つの薄膜抵抗１４０に対して２つの温度センサー３４，３５を、主たる直線パターンのパターン間であって、波長変換素子１０の表面に接着剤等によって固定する。なお、このように複数の温度センサーを備える場合は、図示するように、波長変換素子１０の温度を偏り無く適切に測定できる位置に固定することが好ましい。
【００７８】
温度センサー３４と温度センサー３５は、周知の白金測温抵抗体を波長変換素子１０の表面に貼り付けて形成されている。また、温度センサー３４の端子部分となる電極３４ａと電極３４ｂ、および温度センサー３５の端子部分となる電極３５ａと電極３５ｂが、波長変換素子１０の図面左側の側面に形成されている。このように端子部分となる電極を設けることで、波長変換素子１０に常にリード線などといった配線を付帯する必要がないので、波長変換素子１０の取り扱いが容易となる。
【００７９】
ところで、本実施例のように入射光束ＮＫの方向と略直交する方向に主たる直線パターンを形成する場合において、端部における発熱量を大きくすることが可能である。これを図６（ｂ）を用いて説明する。
【００８０】
図６（ｂ）は、薄膜抵抗１４０において、主たる直線パターン１４１間を繋ぐ直線パターンのパターン幅を細くした薄膜抵抗１４０Ａを示した平面図である。図示するように、主たる直線パターン１４１ａと直線パターン１４１ｂとの間の直線パターン１４２（ハッチング部分）を、そのパターン幅ＰＷｂが、主たる直線パターン（例えば１４１ａ）のパターン幅ＰＷａよりも細くなるように形成する。従って、図面左側の部分には、パターン幅がＰＷｂの直線パターン１４２が３箇所形成される。一方、主たる直線パターン１４１ｂと直線パターン１４１ｃとの間の直線パターン１４３（ハッチング部分）を、そのパターン幅ＰＷｃが、主たる直線パターンのパターン幅ＰＷａよりも細くなるように形成する。従って、図面右側の部分には、パターン幅がＰＷｃの直線パターン１４３が２箇所形成される。
【００８１】
このように細くパターン幅が形成された薄膜抵抗部分の発熱量は、前述したように抵抗値が大きくなることから多くなる。この結果、波長変換素子１０の端部領域全体を加熱することは困難ではあるものの、中央部領域に対して端部領域の加熱量を大きくすることができるので、波長変換素子１０の温度むらを適切に抑制することが可能となる。
【００８２】
以上、波長変換素子の大きさが大きくなっても、温度むらを抑制できる波長変換素子を提供することを目的とした本発明について、これを具体化した実施例について説明したが、本発明はこうした実施例に何ら限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内において様々な形態で実施し得ることは勿論である。以下変形例を挙げて説明する。
【００８３】
（第１変形例）
上記実施例では、温度センサーを用いて波長変換素子の温度を測定することとしたが、薄膜抵抗を温度センサーと兼用することとしてもよい。こうすれば、波長変換素子の表面に温度センサーを固定する必要がないので、波長変換素子の上面に温度センサーを固定するためのスペースを考慮することなく、薄膜抵抗の葛折状のパターンを波長変換素子の表面に形成することができる。この結果、波長変換素子の温度むらを適切に抑制できるパターンを形成することができる。
【００８４】
図７は、本変形例を示したもので、３つの薄膜抵抗１５０Ａ（網掛け部），１５０Ｂおよび１５０Ｃ（いずれもハッチング部）からなる薄膜抵抗１５０が形成された波長変換素子１０を、図１において図面上方向、つまり波長変換素子１０の上面方向から見た平面図である。
【００８５】
本変形例では、第５実施例と同様、波長変換素子１０の上面に、入射光束ＮＫの方向と略直交する方向に主たる直線パターンを有し、直線部分が複数回折り曲げられた葛折状のパターンを呈する薄膜抵抗が形成されている。また、両側面には、各薄膜抵抗の端子部分としての電極が形成され、薄膜抵抗１５０Ａの端部は電極２５ａと電極２５ｂとに、薄膜抵抗１５０Ｂの端部は電極４１ａと電極４１ｂとに、薄膜抵抗１５０Ｃの端部は電極４２ａと電極４２ｂとに、それぞれ電気的に接続されている。薄膜抵抗１５０Ｂと薄膜抵抗１５０Ｃの材料を除いて、薄膜抵抗１５０Ａ，１５０Ｂ，１５０Ｃ、および電極２５ａ，２５ｂ，４１ａ，４１ｂ，４２ａ，４２ｂは、第１実施例と同様の材料を用い、同様の方法によって形成されている。
【００８６】
本変形例では、薄膜抵抗１５０Ｂと薄膜抵抗１５０Ｃとを温度センサーとして兼用する。従って、薄膜抵抗１５０Ｂと薄膜抵抗１５０Ｃは、温度変化に対する抵抗値変化の度合いを示す温度係数が、薄膜抵抗１５０Ａの材料よりも大きい材料を用いる。上述した各実施例では、薄膜抵抗の材料として温度係数が比較的小さく抵抗発熱体として好適なニッケルクロムを用いることとしたが、薄膜抵抗１５０Ｂと薄膜抵抗１５０Ｃについては、これよりも温度係数の大きいタングステンを薄膜抵抗の材料として用いることとする。もとより、タングステンに限らず、白金、モリブデン、タンタルなどといった温度係数の大きな抵抗発熱体を用いても差し支えない。
【００８７】
このように温度係数の大きい材料で形成された薄膜抵抗１５０Ｂ，１５０Ｃにおいて、電極４１ａと電極４１ｂとの間、および電極４２ａと電極４２ｂとの間に、所定の電圧を印加することによって、それぞれを発熱体として利用し、波長変換素子１０において薄膜抵抗１５０Ｂと薄膜抵抗１５０Ｃが形成されたパターン部分を加熱する。そして、温度測定を行う時には、印加する電圧の電圧値を予め定められた一定の電圧値に固定し、そのとき流れる電流値を検出する。薄膜抵抗１５０Ｂまたは薄膜抵抗１５０Ｃは、波長変換素子１０の温度に応じて抵抗値が変化しているので、固定された一定の値の電圧を印加すれば、検出した電流値に基づいて波長変換素子の温度を測定することができる。このように、電極に電圧を印加することによって、薄膜抵抗１５０Ｂと薄膜抵抗１５０Ｃとを、発熱体と温度センサーとに兼用することが可能となる。
【００８８】
（第２変形例）
また、上記実施例では、葛折状のパターンを形成する主たる直線パターンの方向は、入射光束ＮＫと略平行か略直交する方向になるように、波長変換素子の上面における一辺と平行な方向としたが、主たる直線パターンの方向が一辺と略平行でないこととしてもよい。
【００８９】
略直方体形状を有する波長変換素子では、波長変換素子の端部における放熱量が多くなることを述べた。その際、両側面においては側面全体に渡って同じように放熱されるものとし、端部において側面とほぼ平行に形成された直線パターンのパターン幅を細くすることによって加熱量を制御することとした。しかしながら、入射光束の入射面および出射光束の出射面においても放熱がなされる場合は、側面部の両端つまり四隅からの放熱量が最も多くなる。このような場合、四隅方向に向かって温度差が発生することになる。そこで、本変形例は、波長変換素子の中央部領域と四隅の端部領域とを個別に加熱することができるように薄膜抵抗を形成するものである。
【００９０】
図８は、本変形例を示したもので、５つの薄膜抵抗１６０Ａ，１６０Ｂ，１６０Ｃ，１６０Ｄ，１６０Ｅからなる薄膜抵抗１６０が形成された波長変換素子１０を、図１において図面上方向、つまり波長変換素子１０の上面方向から見た平面図である。
【００９１】
本変形例では、図示するように、各薄膜抵抗の葛折状のパターンを形成する主たる直線パターンの方向は、入射光束ＮＫの方向に対して斜めの方向に形成されている。各薄膜抵抗の端部には、四角形にて図示した電極が形成されている。なお、図８では直線パターンを実線で示しているが、実際には、上述した各実施例のように所定のパターン幅を有する直線パターンであることは勿論である。
【００９２】
このように、薄膜抵抗１６０を形成することによって、波長変換素子１０の中央部領域と四隅の各端部領域とをそれぞれ区別して加熱することができる。すなわち、波長変換素子１０の中央部領域については薄膜抵抗１６０Ａによって加熱し、波長変換素子１０の四隅の端部領域については、それぞれ薄膜抵抗１６０Ｂ，１６０Ｃ，１６０Ｄ，１６０Ｅによって単独で加熱することができる。従って、四隅からの放熱が多い波長変換素子の場合は、この放熱具合に合わせて加熱することができるので、波長変換素子１０の温度むらを適切に抑制することが可能となる。
【００９３】
なお、主たる直線パターンについて、入射光束ＮＫの方向に対する斜めの方向の角度は、波長変換素子１０において発生する温度勾配を予め実測し、実測した温度勾配を示す等高線と平行な方向に設定することが好ましい。
【００９４】
（その他の変形例）
上記実施例では、いずれも薄膜抵抗を波長変換素子の上面に形成することとして説明したが、これに限るものでなく、波長変換素子の上面と反対側となる裏面に形成したり、逆に裏面のみに形成したりすることとしてもよい。あるいは、薄膜抵抗の一部を側面に曲げ込んで側面にもパターン形成することとしてもよい。もとより、波長変換素子の温度むらを効果的に制御できる場所であれば、波長変換素子の総ての面において薄膜抵抗を形成すればよい。
【００９５】
また、上記各実施例や各変形例における薄膜抵抗の主たる直線パターンの数は、特に実施例や変形例にておいて示した数に限定されるものでなく、それ以上の数やそれ以下の数でも差し支えない。
【００９６】
また、上記実施例や変形例において、隣接する直線パターン間に形成される隙間については、特に言及しなかったが、薄膜抵抗の製造方法によって必要とされる隙間を設定することが好ましい。例えば、塗装によって薄膜抵抗を形成する場合は、隣接する直線パターン同士が電気的に短絡しないように、塗装位置のバラツキや塗装の食み出しを考慮した隙間を設定する。あるいは、波長変換素子の温度分布状態に合わせて、温度むらを抑制するために好適な位置に直線パターンを配置した結果によって生ずる隙間であっても差し支えない。あるいは、温度センサーを固着するために必要な隙間を、直線パターン間に設定することとしてもよい。
【００９７】
また、波長変換素子が直方体でない場合は、特に上面に限らず、波長変換素子の形状のうちで、最も大きな平面もしくは略平面とみなせる面に薄膜抵抗を形成することが好ましい。こうすることで、波長変換素子を効果的に加熱することができる。
【００９８】
また、上記実施例や変形例において、形成される薄膜抵抗の厚さについては、特に言及しなかったが、本実施例や変形例においては、数百ミクロン程度の厚さであるものとする。もとより薄膜抵抗の製造方法によって形成される厚さは異なることは勿論である。例えば、塗装によって薄膜抵抗を形成する場合は、それ以上に厚くなることがあり、逆に蒸着で薄膜抵抗を形成する場合は、それ以下の薄さに形成されることがある。従って、本発明では、薄膜抵抗の厚さは特に規定されるものではない。
【図面の簡単な説明】
【００９９】
【図１】本発明の第１実施例の薄膜抵抗を形成した波長変換素子を示す斜視図。
【図２】第１実施例の波長変換素子を支持部に固定した様子を示す構造図。
【図３】第２実施例の薄膜抵抗の葛折状のパターンを説明するための平面図。
【図４】第３実施例の薄膜抵抗の葛折状のパターンを説明するための平面図。
【図５】第４実施例の薄膜抵抗の葛折状のパターンを説明するための平面図。
【図６】（ａ）は、第５実施例の薄膜抵抗の葛折状のパターンを説明する平面図。        （ｂ）は、その変形例で端部の加熱量を多くするパターンを説明する平面図。
【図７】第１変形例の薄膜抵抗の葛折状のパターンを説明するための平面図。
【図８】第２変形例の薄膜抵抗の葛折状のパターンを説明するための平面図。
【符号の説明】
【０１００】
１０…波長変換素子、１０ａ，１０ｄ，１０ｆ…中央部領域、１０ｂ，１０ｃ，１０ｅ，１０ｇ，１０ｈ…端部領域、２０ａ，２０ｂ，２１ａ，２１ｂ，２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２ｄ，２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄ，２３ｅ，２３ｆ，２４ａ，２４ｂ，２５ａ，２５ｂ，３４ａ，３４ｂ，３５ａ，３５ｂ，４１ａ，４１ｂ，４２ａ，４２ｂ…電極、３１，３２，３３，３４，３５…温度センサー、５０…アレイレーザー、６１，６２…支持ピン、７１，７２…固着材、８０…基台、１００，１１０，１２０，１２０Ａ，１２０Ｂ，１３０，１３０Ａ，１３０Ｂ，１３０Ｃ，１４０，１４０Ａ，１５０，１５０Ａ，１５０Ｂ，１５０Ｃ，１６０，１６０Ａ，１６０Ｂ…薄膜抵抗、１０１，１０２，１０３，１０４，１１１，１１２ａ，１１３ａ，１２１，１２１ａ，１２１ｂ，１２１ｃ，１２２ｃ，１３１，１３２，１３３，１４１，１４１ａ，１４１ｂ，１４２，１４３…直線パターン、ＮＫ…入射光束、ＳＫ…出射光束。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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