(57)【要約】【課題】幅広い表現力を備えた表示特性の高い液晶表示装置及び液晶表示装置の駆動方法を提供すること。【解決手段】ＴＦＴアレイ基板４の内面のうち所定の領域に配置されているサブ画素１０内には光を全反射する光反射層４５ａが設けられており、それ以外のサブ画素１０内には光を散乱する光反射層４５ｂが設けられているので、光反射層４５ａの光反射率と光反射層４５ｂとの光反射率とが異なるようにすることができる。この結果、光反射層４５ａ及び光反射層４５ｂで反射された光によって形成される表示光に差をつけることができる。これにより、表示光の明るさやコントラストの微細な調節が可能となるため、幅広い表現力を備えた表示特性の高い液晶表示装置１を得ることができる。【選択図】図４
2008197620.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光反射層からなる光反射領域を有するサブ画素と、
前記サブ画素をマトリクス状に配列してなる表示領域と、を備えた表示装置であって、
少なくとも２種類の異なる前記光反射層を用いることによって、該表示装置を非駆動状
態とした際に、前記表示領域に模様が表示されることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記サブ画素は、光透過領域と、前記光反射領域とを有することを特徴とする請求項１
に記載の表示装置。
【請求項３】
対向配置された第１基板及び第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板とで挟持された液晶層と、を備えており、
少なくとも前記光反射領域は、非駆動状態において白表示となるノーマリーホワイトモ
ードであることを特徴とする請求項１又は２に記載の表示装置。
【請求項４】
サブ画素をマトリクス状に配列してなる表示領域を備えた表示装置であって、
前記サブ画素には、光透過領域を有するサブ画素と、光反射層からなる光反射領域のみ
からなるサブ画素とがあり、
前記光反射領域のみからなるサブ画素に、少なくとも２種類の異なる前記光反射層を用
いることによって、該表示装置を非駆動状態とした際に、前記表示領域に模様が表示され
ることを特徴とする表示装置。
【請求項５】
対向配置された第１基板及び第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板とで挟持された液晶層と、を備えており、
少なくとも前記光反射領域は、非駆動状態において白表示となるノーマリーホワイトモ
ードであることを特徴とする請求項４に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１などに示されるような液晶表示装置は、携帯電話などの電子機器の表示部と
して広く用いられている。例えば携帯電話の表示部として用いられる場合、待ち受け画面
等にメーカーロゴや特定の模様など、多彩な画像が表示される。
【０００３】
近年では、電子機器のデザイン性の向上が求められている。例えば携帯電話にしても、
待ち受け画面に画像を表示するだけではなく、電源オフ時にもこのような画像を表示でき
るようにし、表示部を含めた機器全体のデザイン性を高めようとする提案がなされている
。この場合、電源オフ時にも画像を表示できるような幅広い表現力を備えた表示部が必要
となる。  
【特許文献１】特開平１１−１０１９９２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１などに示されるような従来の液晶表示装置においては、電源
をオフにしたときには何も表示されない状態になってしまう。液晶表示装置の表示部に画
像を表示する際には、電源がオンの状態で液晶表示装置を駆動して表示する必要がある。
このため、電源オフ時に画像を表示するような幅広い表現が実現できない。
【０００５】
以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、電源をオフした状態においても、社名のよ
うな識別用の記号などを含む模様が表示される幅広い表現力を備えた表示特性の高い表示
装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するため、本発明に係る表示装置は、光反射層からなる光反射領域を有
するサブ画素と、前記サブ画素をマトリクス状に配列してなる表示領域と、を備えた表示
装置であって、少なくとも２種類の異なる前記光反射層を用いることによって、該表示装
置を非駆動状態とした際に、前記表示領域に模様が表示されることを特徴とする。
本発明によれば、例えば、第１光反射パターンからなる第１のサブ画素と、第１光反射
パターンとは異なる第２光反射パターンからなる第２のサブ画素があるので、第１のサブ
画素と第２のサブ画素とで光反射率とが異なるようにすることができる。つまり、第１の
サブ画素と第２のサブ画素とで、反射された光によって形成される表示光に差をつけるこ
とができる。
【０００７】
これにより、液晶表示装置などの、様々な表示装置において、表示装置の電源をオフ、
つまり非駆動状態とした場合に、外光からなる入射光が出射する際に識別パターンなどの
模様を表示させておくことが可能となり、幅広い表現力を備えた表示特性の高い表示装置
を得ることができる。
また上記の表示装置において、前記サブ画素は、光透過領域と、前記光反射領域とを有
することを特徴とする。
【０００８】
本発明によれば、例えば別途光源を使って透過領域においては、この光源を用いて通常
の映像等表示も行うことが可能となる。
【０００９】
また上記の表示装置において、対向配置された第１基板及び第２基板と、前記第１基板
と前記第２基板とで挟持された液晶層と、を備えており、少なくとも前記光反射領域は、
非駆動状態において白表示となるノーマリーホワイトモードであることを特徴とする。
本発明によれば、液晶を用いるいわゆる液晶表示装置において、少なくとも光反射領域
は非駆動時において白表示となるように液晶層が規制されているので（いわゆるノーマリ
ーホワイトモード）、この白表示となるように規制された部分では、非駆動時であっても
光が常に透過することとなる。これにより液晶表示装置においても、非駆動状態の際に電
源をとした場合に、外光からなる入射光が出射する際に識別パターンなどの模様を表示さ
せておくことが可能となり、幅広い表現力を備えた表示特性の高い表示装置を得ることが
できる。
また、本発明に係る表示装置は、サブ画素をマトリクス状に配列してなる表示領域を備
えた表示装置であって、前記サブ画素には、光透過領域を有するサブ画素と、光反射層か
らなる光反射領域のみからなるサブ画素とがあり、前記光反射領域のみからなるサブ画素
に、少なくとも２種類の異なる前記光反射層を用いることによって、該表示装置を非駆動
状態とした際に、前記表示領域に模様が表示されることを特徴とする。
本発明によれば、光透過領域を有するサブ画素を用いて、駆動状態での表示装置の通常
の表示を行うと共に、光反射領域のみからなるサブ画素を用いて、非駆動状態で外光から
なる入射光が出射する際に識別パターンなどの模様を表示させておくことが可能となり、
幅広い表現力を備えた表示特性の高い表示装置を得ることができる。
また上記の表示装置において、対向配置された第１基板及び第２基板と、前記第１基板
と前記第２基板とで挟持された液晶層と、を備えており、少なくとも前記光反射領域は、
非駆動状態において白表示となるノーマリーホワイトモードであることを特徴とする。
本発明によれば、液晶を用いるいわゆる液晶表示装置において、少なくとも光反射領域
は非駆動時において白表示となるように液晶層が規制されているので（いわゆるノーマリ
ーホワイトモード）、この白表示となるように規制された部分では、非駆動時であっても
光が常に透過することとなる。これにより液晶表示装置においても、非駆動状態の際に電
源をとした場合に、外光からなる入射光が出射する際に識別パターンなどの模様を表示さ
せておくことが可能となり、幅広い表現力を備えた表示特性の高い表示装置を得ることが
できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
本発明の実施の形態を図面に基き説明する。以下の図では、各部材を認識可能な大きさ
とするため、縮尺を適宜変更している。  
【００１１】
［第１実施形態］  
本発明の第１実施形態を図面に基づき説明する。以下の図では、各部材を認識可能な大
きさとするため、縮尺を適宜変更している。
【００１２】
図１は、液晶表示装置１の全体構成を示す図である。本実施形態では、スイッチング素
子に薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor、以下ＴＦＴという）素子を用いたアクテ
ィブマトリクス方式の半透過反射型液晶表示装置を例に挙げて説明する。  
【００１３】
図１に示すように、液晶表示装置１は、液晶パネル２と、バックライト３とを主体とし
て構成されている。液晶パネル２とバックライト３とは平面視で重なるように配置されて
おり、図１では液晶パネル２のみが示されている。
【００１４】
液晶パネル２は、ＴＦＴアレイ基板（第１基板）４とカラーフィルタ基板（第２基板）
５とがシール材７によって貼り合わされると共に、このシール材７によって区画された領
域内に液晶層６が封入された構成になっている。シール材７の一部には液晶を注入する注
入口７ａが設けられている。注入口７ａは封止材７ｂにより封止されている。シール材７
の内側の領域には、遮光性材料からなる遮光膜（周辺見切り）８が設けられている。周辺
見切り８の内側の領域は、画像や動画等を表示する表示領域９になっている。表示領域９
には、複数のサブ画素１０がマトリクス状に設けられている。複数のサブ画素１０の間の
領域は画素間領域１１である。なお、サブ画素１０をマトリクス状に配置して形成された
表示領域９は、図１においては矩形状の表示領域を示しているが、表示領域９は矩形状に
限定されるものではない。例えば表示領域９が円形状や楕円形状となるようにサブ画素１
０を配置してもよい。また、所謂デルタ配置と呼ばれるようなサブ画素１０の配置につい
ても、ここでいうマトリクス状の配置に含まれるのは当然である。
【００１５】
ＴＦＴアレイ基板４の周縁部は、カラーフィルタ基板５から張り出した張出領域になっ
ている。この張出領域のうち図中左辺側及び右辺側には、走査信号を生成する走査線駆動
回路１２が形成されている。図中上辺側には、左右の走査線駆動回路１２の間を接続する
配線１４が引き回されている。図中下辺側には、データ信号を生成するデータ線駆動回路
１３と、外部の回路等に接続するための接続端子１５とが形成されている。走査線駆動回
路１２と接続端子１５との間の領域には、両者を接続する配線１６が形成されている。カ
ラーフィルタ基板５の各角部には、ＴＦＴアレイ基板４とカラーフィルタ基板５との間で
電気的に接続するための基板間導通材１７が設けられている。
【００１６】
図２は、図１のＡ−Ａ断面に沿った構成を示す図である。  
【００１７】
ＴＦＴアレイ基板４は、例えばガラスや石英等の透光性の高い材料から形成された基材
４ａと、この基材４ａの液晶側に形成された画素電極４８と、この画素電極４８に電気信
号を供給するスイッチング素子４７と、光反射層４５と、画素電極４８、スイッチング素
子４７及びこの光反射層４５を覆うように形成された配向膜４６と、基材４ａの外側（液
晶層６とは反対側）に貼付された偏光板４９とを主体として構成されている。
【００１８】
画素電極４８は、サブ画素１０に平面視で重なる領域に配置されており、例えばＩＴＯ
（Indium Tin Oxide）等の透明な導電材料によって形成されている。スイッチング素子４
７は、画素間領域１１内に配置されており、画素電極４８に一対一で対応するように設け
られている。このようにサブ画素１０ごとに独立して液晶層６の配向を規制することが可
能になっている。このスイッチング素子４７は、例えば薄膜トランジスタからなる素子で
あり、図示しない走査線やデータ線に接続されている。配向膜４６は、液晶層６との界面
に設けられており、液晶層６を構成する液晶分子の配向を規制する。なお、スイッチング
素子４７は、画素間領域１１内に配置されているが、この位置に限定されるものではなく
、サブ画素１０に配置されていてもよい。具体的には、後述する光反射領域１０ｂに形成
される光反射層４５や画素電極４８の下方に配置してもよい。こうすれば、スイッチング
素子４７が、表示に利用される外光や、バックライト３からの光を邪魔することがないの
で、画素領域１１を小さくすることができる。
【００１９】
光反射層４５は、例えばアルミニウムなどからなる金属層であり、光をカラーフィルタ
基板５側へ反射するようになっている。この光反射層４５は、画素電極４８の液晶層６側
に平面視でサブ画素１０内のほぼ半分を占める領域に設けられており、当該領域が光反射
領域１０ｂになっている。光反射層４５が設けられない領域は、バックライト３からの光
を液晶層６及びカラーフィルタ基板５へと透過する光透過領域１０ａになっている。光反
射層４５の表面（液晶層６側の面）が反射面になっており、当該反射面には凹凸のパター
ンが形成されている。各光反射層４５の厚さは一定になっている。なお、図において光反
射層４５は、画素電極４８の上方に形成されているが、画素電極４８が透明性を備えてい
れば、光反射層４５を画素電極４８の下方に形成しても構わない。また光透過領域１０ａ
の画素電極と４８と光反射層４５とが電気的に導通していれば、光反射領域１０ｂにおい
ては、光反射層４５が画素電極４８を兼ねていても構わない。
【００２０】
一方、カラーフィルタ基板５は、基材５ａと、カラーフィルタ層５０と、遮光膜５１と
、共通電極５８と、配向膜５６とを主体として構成されている。  
【００２１】
基材５ａは、基材４ａと同様に例えばガラスや石英等の透光性の高い材料から形成され
た矩形の板状部材である。カラーフィルタ層５０は、基材５ａの液晶層６側に平面視でサ
ブ画素１０に重なるように設けられた色層である。このカラーフィルタ層５０は、例えば
赤色層５０Ｒ、緑色層５０Ｇ、青色層５０Ｂの３色の色層からなる。
【００２２】
１つのサブ画素１０には３色のうち１色のカラーフィルタ層５０が設けられており、赤
色層５０Ｒ、緑色層５０Ｇ、青色層５０Ｂは各々隣接する列に配置されている。互いに隣
接し異なる色層のカラーフィルタ層５０を有する３つのサブ画素１０が１組になって、１
つの画素を構成している。
【００２３】
遮光膜５１は、光を反射又は吸収可能な材料からなる遮光部材であり、当該カラーフィ
ルタ層５０の周囲に設けられている。共通電極５８は、例えばＩＴＯなどの透明な導電材
料によって形成された電極であり、カラーフィルタ層５０及び遮光膜５１を覆うように設
けられている。共通電極５８のうち、上記の光反射層４５に平面視で重なる領域では、他
の領域に比べてやや厚く形成されている（図中斜線を反転した箇所）。この結果、光反射
層４５の設けられた領域における液晶層６のギャップｔ２が、他の領域における液晶層６
のギャップｔ１に比べて小さくなっている。配向膜５６は、液晶層６との界面に設けられ
ており、配向膜４６との間で液晶層６を構成する液晶分子の配向を規制している。
【００２４】
液晶層６は、例えばフッ素系液晶化合物や非フッ素系液晶化合物等の液晶分子によって
構成されており、ＴＦＴアレイ基板４側の配向膜４６とカラーフィルタ基板５側の配向膜
５６との双方に接するように両基板に挟持されている。液晶分子の配向は、電圧を印加し
ない非駆動時に光を透過させるように、配向膜４６及び配向膜５６によって規制されてい
る（ノーマリーホワイトモード）。
【００２５】
このように構成された液晶表示装置１のうち、光反射層４５のパターンをより具体的に
説明する。図３（ａ）及び図３（ｂ）は、光反射層４５の反射面に形成された２種類の反
射パターンを示している。  
【００２６】
図３（ａ）に示す光反射層４５ａの反射パターンは、例えば表面を平坦にしており、当
該光反射層４５ａの反射面において光が全反射するように設計されたパターン（第１光反
射パターン）である。各光反射層４５ａの反射率は一定になっている。図３（ｂ）に示す
光反射層４５ｂの反射パターンは、例えば凹凸が不規則に配置されており、当該光反射層
４５ｂの反射面において光が散乱するように設計されたパターン（第２光反射パターン）
である。この光反射層４５ａと光反射層４５ｂとは、液晶パネルの面に垂直な方向におけ
る反射率が互いに異なるよう形成している。光反射層４５ａは表面を平坦にすることで液
晶パネルに垂直な方向から入射した光を全反射させ、光反射層４５ｂは表面を凹凸にする
ことで液晶パネルに垂直な方向から入射した乱反射させているため、液晶パネルに垂直な
方向における反射率が光反射層４５ａに比べ低くなっている。
【００２７】
図４は、液晶表示装置１の平面構成を示す図であり、図１と同様の図である。表示領域
９内のサブ画素１０のうち図中の斜線部で示した部分に位置するサブ画素１０（第１サブ
画素）には光が全反射する光反射層４５ａが配置されており、それ以外の部分に位置する
サブ画素１０（第２サブ画素）には光が散乱する光反射層４５ｂが配置されている。なお
光反射層４５は、本実施例においてＡＢＣＤＥを表示するように配置している。ただし、
実施例のようなアルファベットなどの文字を表示するような配置に限定されるものではな
い。具体的には、花柄や、幾何学模様などを表示するように配置してもよい。
【００２８】
図５は、この液晶表示装置１のＴＦＴアレイ基板４の一部の構成を示した図である。  
【００２９】
同図に示すように、複数のサブ画素１０のうち、図中上側が光透過領域１０ａであり、
図中下側が光反射領域１０ｂである。光反射領域１０ｂには、上記の図３（ａ）に示す反
射パターンを有する光反射層４５ａと、上記の図３（ｂ）に示す凹凸の反射パターンを有
する光反射層４５ｂとが設けられている。なお、光反射領域１０ａと光反射領域１０ｂに
光反射層４５ａを設けたサブ画素１０をサブ画素２０Ａとし、光反射領域１０ａと光反射
領域１０ｂに光反射層４５ｂを設けたサブ画素１０をサブ画素２０Ｂとする。
【００３０】
サブ画素２０Ａは、図中左側から１列目、２列目、３列目の全行と、図中右側から１列
目、２列目、３列目の２行目及び３行目に設けられている。サブ画素２０Ｂは、図中左側
から３列目、４列目、５列目の全行と、図中右側から１列目、２列目、３列目の１行目に
設けられている。図５には、光反射層４５ｂが設けられた領域を斜線で示している。
【００３１】
このように構成された液晶表示装置１は、外光がカラーフィルタ基板５のカラーフィル
タ層５０を透過し、ノーマリーホワイトモードの液晶層６を透過する。ＴＦＴアレイ基板
４のサブ画素１０のうち光透過領域１０ａに入射した光は、画素電極４８及び基材４ａを
透過して偏光板４９によって遮光される。光反射領域１０ｂに入射した光は、光反射層４
５によって反射される。
【００３２】
サブ画素２０Ａの光反射層４５ａが設けられた領域に入射した光は全反射し、液晶層６
、カラーフィルタ層５０を経てＴＦＴアレイ基板４の表面（表示側）に射出される。サブ
画素２０Ｂの光反射層４５ｂが設けられた領域に入射した光は散乱して出射される。この
結果、電源をオフにした状態でも、図６に示すように、光反射層４５ａの配置パターンに
応じた画像が表示されることになる。
【００３３】
このように、本実施形態によれば、ＴＦＴアレイ基板４の内面のうち所定の領域に配置
されているサブ画素２０Ａには光を全反射する光反射層４５ａが設けられており、それ以
外のサブ画素２０Ｂには光を散乱する光反射層４５ｂが設けられているので、光反射層４
５ａの光反射率と光反射層４５ｂとの光反射率とが異なるようにすることができる。この
結果、光反射層４５ａ及び光反射層４５ｂで反射された光によって形成される表示光に差
をつけることができる。これにより、表示光の明るさやコントラストの微細な調節が可能
となるため、幅広い表現力を備えた表示特性の高い液晶表示装置１を得ることができる。
【００３４】
特に、本実施形態では、光反射層４５ａがカラーフィルタ基板５からの光を全反射する
ようになっており、光反射層４５ｂがカラーフィルタ基板５からの光を散乱するようにな
っているので、視認者における視認方向での光の反射量が光反射層４５ａと光反射層４５
ｂとで大きく異なっている。したがって、光反射層４５ａ及び光反射層４５ｂの配置を設
定することによって、任意のパターンの表示光を形成することができる。
【００３５】
加えて、本実施形態では、液晶層６の配向がいわゆるノーマリーホワイトモードとなる
ように規制されているので、電源オフ時であっても光が透過することとなる。これにより
、電源オフ時であっても画像を表示することができるので、画像の表現の幅が一層広がる
ことになる。
【００３６】
第１実施形態において、光反射層４５ａ、光反射層４５ｂの部分にもカラーフィルタ基
板５にはカラーフィルタ層５０が設けられているが、この部分にカラーフィルタ層５０を
設けなくてもよい。この場合、電源オフ時に表示されているものはモノクロの表示となる
。
【００３７】
また、光反射層４５ａは表面を平坦にして、液晶パネルの面に垂直方向での光が全反射
するように設計しているが、表面に凹凸を形成して光が乱反射するように設計してもよい
。この場合光反射層４５ａと光反射層４５ｂとで、液晶パネルの面に垂直な方向での反射
率が互いに異なるようしなければならない。
【００３８】
［第２実施形態］  
次に、本発明の第２実施形態を説明する。第１実施形態と同様、以下の図では、各部材
を認識可能な大きさとするため、縮尺を適宜変更している。  
【００３９】
図７は、本実施形態に係る液晶表示装置１０１の断面構成を示す図であり、第１実施形
態における図２に対応している。
【００４０】
同図に示すように、液晶表示装置１０１は、液晶パネル１０２と、バックライト１０３
とを有している。液晶パネル１０２は、ＴＦＴアレイ基板１０４と、カラーフィルタ基板
１０５と、これらの基板に挟持された液晶層１０６とを主体として構成されている。液晶
層１０６は、第１実施形態と同様、液晶分子の配向は、電圧を印加しないときに光を透過
させるように、配向膜１４６及び配向膜１５６によって規制されている（ノーマリーホワ
イトモード）。
【００４１】
カラーフィルタ基板１０５は、第１実施形態と同様、基材１０５ａと、カラーフィルタ
層１５０と、遮光膜１５１と、共通電極１５８と、配向膜１５６とを主体として構成され
ている。カラーフィルタ層１５０は、赤色層１５０Ｒ、緑色層１５０Ｇ、青色層１５０Ｂ
、白色層１５０Ｗの４色の色層からなる。なお、白色層１５０Ｗの色層は単に透明な層で
形成すればよい。赤色層１５０Ｒ、緑色層１５０Ｇ、青色層１５０Ｂ、白色層１５０Ｗは
各々隣接する列に配置されている。互いに隣接し異なる色層のカラーフィルタ層１５０を
有する４つのサブ画素１１０が１組になって１つの画素を構成している。
【００４２】
光反射層１４５は、第１実施形態と同様、例えばアルミニウムなどからなる金属層であ
り、光をカラーフィルタ基板１０５側へ反射するようになっている。
【００４３】
図８は、液晶表示装置１０１のＴＦＴアレイ基板１０４の一部の構成を示す図であり、
第１実施形態の図５に対応している。  
【００４４】
赤色層１５０Ｒ、緑色層１５０Ｇ、青色層１５０Ｂに平面視で重なるサブ画素１１０に
は、当該サブ画素１１０の半分を占める領域（例えば図中下側）に光反射層１４５ｂが設
けられている。
【００４５】
このサブ画素１１０は、光反射層１４５ｂの設けられた領域が光反射領域１１０ｂにな
っており、光反射層１４５ｂの設けられていない領域が光透過領域１１０ａになっている
。光反射層１４５ｂの光反射面には、光を散乱するパターンが形成されている。光反射層
１４５ｂは、サブ画素１１０の間で同一のパターンとなるように形成されている。このた
め、表示光が上記のサブ画素１１０の間で均一に形成されるようになっている。
【００４６】
白色層１５０Ｗに平面視で重なるサブ画素１１０には、当該サブ画素１１０の全面に光
反射層１４５ｃ又は光反射層１４５ｄが設けられている。光反射層１４５ｄの設けられた
サブ画素１１０を図７中に斜線で示した。このサブ画素１１０は、全体が光反射領域にな
っている。光反射層１４５ｃの光反射面には光を散乱するパターンが形成されており、光
反射層１４５ｄの光反射面には光を全反射するパターンが形成されている。
【００４７】
このように構成された液晶表示装置１０１は、外光がカラーフィルタ基板１０５のカラ
ーフィルタ層１５０を透過し、ノーマリーホワイトモードの液晶層１０６を透過する。Ｔ
ＦＴアレイ基板１０４のサブ画素１１０のうち光透過領域１１０ａに入射した光は、画素
電極１４８及び基材１０４ａを透過して偏光板１４９によって遮光される。光反射領域１
１０ｂに入射した光は、光反射層１４５によって反射される。
【００４８】
光反射層１４５ｄが設けられた領域に入射した光は全反射し、液晶層１０６、カラーフ
ィルタ層１５０を経てＴＦＴアレイ基板１０４の表面（表示側）に射出される。光反射層
１４５ｂ及び光反射層１４５ｃが設けられた領域に入射した光は散乱して出射される。こ
の結果、電源をオフにした状態でも、光反射層１４５ｄの配置パターンに応じた画像が表
示されることになる。
【００４９】
この液晶表示装置１０１を駆動する際には、図９に示すように、バックライト３が点灯
しているときに全面に光反射領域の設けられたサブ画素１１０ｃが黒表示となるように液
晶層１０６の配向を規制することが好ましい。この結果、サブ画素１１０において光は液
晶層１０６に吸収されることになる。
【００５０】
本発明によれば、光反射層１４５ｃ、１４５ｄがサブ画素１１０の全面に設けられてい
るので、当該サブ画素１１０を反射表示用のサブ画素として用いることができる。これに
より、サブ画素１１０において白表示及び黒表示を独立して設定することができる。特に
本実施形態では、液晶表示装置１０１を駆動する際、バックライト３が点灯しているとき
に光反射層１４５ｃ、１４５ｄの設けられたサブ画素１１０が黒表示となるように液晶層
６の配向を規制するので、表示光が混合するのを防ぐことができる。これにより、制御系
を複雑化させること無く表示特性の高い表示が可能となる。
【００５１】
なお、第２実施形態では、サブ画素１１０の内、光反射層１４５ｂを設けたサブ画素は
光透過領域１１０ａと光反射領域１１０ｂとからなるが、光反射層１４５ｂを設けないで
サブ画素を光透過領域１１０ａのみで形成してもよい。この場合、電源オフ時の表示は全
面に光反射領域の設けられたサブ画素１１０ｃの光反射層１４５ｃと、光反射層１４５ｄ
の反射率の違いにより実現されることになる。
【００５２】
〔第３実施例〕
次に、本発明の第３実施形態を説明する。第１実施形態、第２実施形態と同様、以下の
図では、各部材を認識可能な大きさとするため、縮尺を適宜変更している。
【００５３】
図１０は、本実施形態に係る表示装置の表示領域９における、非駆動状態を示している
。非駆動状態における表示装置の表示領域９には、図のような模様７０が表示され、視認
することができる。
【００５４】
この模様７０は、第１実施形態の非駆動状態で表示されている「ABCDE」とは異なって
いる。つまり、第１実施形態で表示されている模様は、白と黒の２値だけで表示されてい
るが、模様７０は図のように白と黒の中間の階調も使って表示されている。
【００５５】
そして、この模様７０を表示するために、表示装置はサブ画素２１０ａ、２１０ｂ、２
１０ｃ（実際には３つ以上でも構わない）を用いている。
【００５６】
このサブ画素２１０ａ、２１０ｂ、２１０ｃは、光反射領域の光反射層、より詳しくは
光反射領域における光反射層の反射パターンがそれぞれ異なっている。サブ画素２１０ａ
に形成された反射パターン２４５ａは、凹凸が密に形成され、サブ画素２１０ｂに形成さ
れた反射パターン２４５ｂは、反射パターン２４５ａよりも凹凸が疎に形成されている。
そしてサブ画素２１０ｃに形成された反射パターン２４５ｃは、他のサブ画素に比べ凹凸
が一番少なく形成されている。
【００５７】
このように、反射パターンが異なるサブ画素を複数用いることで、模様７０のような白
と黒の中間の階調も容易に表示することが可能となる。
【００５８】
本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しな
い範囲で適宜変更を加えることができる。  
【００５９】
例えば、上記実施形態においては、光を全反射する光反射層の光反射率が一定であると
して説明したが、これに限られることは無く、例えばサブ画素１１０ごとに光反射率が異
なるように設計しても構わない。これにより、サブ画素１１０の間で表示光の明るさ及び
コントラストに差をつけることができるので、表現の幅が一層広がることになる。
【００６０】
また、上記実施形態においては、光を全反射する光反射層の厚さが一定であるとして説
明したが、これに限られることは無く、例えばサブ画素１１０ごとに厚さが異なるように
設計しても構わない。これにより、サブ画素１１０の間でセルギャップに差をつけること
ができる。セルギャップに差をつけることにより、表示光の明るさ及びコントラストに差
をつけることができるので、表現の幅が一層広がることになる。
【００６１】
また、上記実施形態においては、液晶層の全領域がいわゆるノーマリーホワイトモード
となるように配向が規制されていたが、これに限られることは無い。例えば光反射層で全
反射を行うサブ画素の領域のみノーマリーホワイトモードとなるように、液晶層の配向を
部分的に規制するようにしても構わない。
【００６２】
また、上記実施形態においては、全てのサブ画素に光反射層を配置する構成としたが、
これに限られることはない。例えば電源をオフにしたときに特定のパターンを表示する部
分にのみ光反射層を配置し、残りの部分には光反射層を配置しない構成としても構わない
。
【００６３】
また、第１実施形態等で、光反射領域における光反射層について、凹凸からなる反射パ
ターンについて説明したが、光反射層については、反射パターンのみに限定されるもので
はない。つまり本発明は、反射される光量によって濃淡を実現することで、表示装置を非
駆動状態とした際に模様を表示させるものであるため、異なる光反射層とは、凹凸による
反射パターンだけでなく、例えば、光反射層の厚みを変えることによって、反射される光
量を変えるもでもよい。
【００６４】
また、第１実施形態等では、非駆動状態において模様を表示しているサブ画素の光反射
領域について、液晶表示装置の駆動状態にも液晶層６における液晶分子の配向を変えるよ
う、画素電極４８を形成したりしているが、この部分の画素電極４８を設けない等により
、液晶表示装置の駆動状態において、液晶分子の配向を変えないようにしておいてもよい
。
【００６５】
また、第1実施形態、第２実施形態においては、液晶表示装置について説明したが、表
示装置としては液晶表示装置に限定されるものではなく、いわゆる有機ＥＬ、電子ペーパ
ーといわれるような他の表示装置にも適用できるものである。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】本発明の第１実施形態に係る液晶表示装置の構成を示す平面図。
【図２】本実施形態に係る液晶表示装置の構成を示す断面図。
【図３】本実施形態に係る液晶表示装置の一部の構成を示す平面図。
【図４】本実施形態に係る液晶表示装置の一部の構成を示す平面図。
【図５】本実施形態に係る液晶表示装置の構成を示す平面図。
【図６】本実施形態に係る液晶表示装置の構成を示す平面図。
【図７】本発明の第２実施形態に係る液晶表示装置の構成を示す断面図。
【図８】本実施形態に係る液晶表示装置の一部の構成を示す平面図。
【図９】本実施形態に係る液晶表示装置の駆動時の様子を示す平面図。
【図１０】本発明の第３実施形態に係る表示装置の一部の構成を示す平面図。
【符号の説明】
【００６７】
１、１０１…液晶表示装置  ２、１０２…液晶パネル  ３、１０３…バックライト  ４
、１０４…ＴＦＴアレイ基板  ５、１０５…カラーフィルタ基板  ６、１０６…液晶層  
９…表示領域  １０、１１０、１１０ｃ…サブ画素  １０ｂ、１１０ｂ…光反射領域  １
０ａ…光透過領域  ４５、１４５…光反射層  ４５ａ、４５ｂ、１４５ｂ、１４５ｃ、１
４５ｄ…光反射層  ５０、１５０…カラーフィルタ層  ５０Ｒ、１５０Ｒ…赤色層  ５０
Ｇ、１５０Ｇ…緑色層  ５０Ｂ、１５０Ｂ…青色層  １５０Ｗ…白色層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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