(57)【要約】【課題】良好な発光機能層（有機ＥＬ層）が形成された表示パネルを備えた表示装置、及び、当該表示装置の製造方法を提供する。【解決手段】各色の画素形成領域Ｒpx（有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの形成領域）に対して、ノズルプリンティング法又はインクジェット法等を適用して、有機高分子系の電子輸送性発光材料（担体輸送性材料）を含む有機化合物含有液を、正孔輸送層１５ａ上に同量ずつ３回（複数回）に分けて塗布した後、窒素雰囲気中で上記ステージを加熱して乾燥処理を行って残留溶媒を除去することにより、正孔輸送層１５ａ上に有機高分子系の電子輸送性発光材料を定着させて、担体輸送層であり発光層でもある電子輸送性発光層１５ｂを形成する。【選択図】図１０
2008218250.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
担体輸送層を有する発光素子を含む複数の表示画素が配列された表示パネルを備えた表示装置の製造方法において、
基板上の前記表示画素の形成領域の第一領域に、担体輸送性材料を含む有機溶液を塗布した後、前記担体輸送性材料と同じ材料を含む有機溶液を、前記第一領域内で且つ前記第一領域より広がらない程度に塗布するように塗布を複数回に分けて前記担体輸送層を形成する担体輸送層形成工程を含むことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記担体輸送層形成工程は、前記表示画素の形成領域に塗布される前記複数回の前記有機溶液の量がそれぞれ一定に設定されていることを特徴とする請求項１記載の表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記担体輸送層形成工程は、前記基板を加熱して、複数回に分けて塗布された前記有機溶液をまとめて乾燥させて前記担体輸送層を形成することを特徴とする請求項１又は２記載の表示装置の製造方法。
【請求項４】
前記担体輸送層形成工程は、前記基板を加熱して前記有機溶液を乾燥させて前記担体輸送層の一部となる薄膜を形成する処理動作を複数回繰り返して、前記薄膜が積層された前記担体輸送層を形成することを特徴とする請求項１記載の表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記担体輸送層形成工程は、最終回に塗布される領域を、前記第一領域よりも狭くすることを特徴とする請求項１記載の表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記担体輸送層形成工程は、最終回に塗布される前記有機溶液の塗布量を、前記第一領域にそれ以前の回の塗布量よりも少なくすることを特徴とする請求項１記載の表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記担体輸送層形成工程は、最終回の前記有機溶液の塗布の際に設定される前記基板の温度を、それ以前の回の前記有機溶液の塗布の際に設定される前記基板よりも高くすることを特徴とする請求項１記載の表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記担体輸送層形成工程は、前記有機溶液が初回に塗布される前記表示画素の形成領域の下地に対する前記有機溶液の親液性が、それ以後に塗布される前記有機溶液により形成される前記薄膜に対する前記有機溶液の親液性よりも高くなるように、前記有機溶液の親液性を設定することを特徴とする請求項５記載の表示装置の製造方法。
【請求項９】
担体輸送層を有する発光素子を含む複数の表示画素が配列された表示パネルを備えた表示装置の製造方法において、
基板上の隔壁に囲まれた前記表示画素の形成領域に、前記隔壁近傍がより高くなるように担体輸送性材料を含む有機溶液を前記隔壁に接するように塗布した後、前記担体輸送性材料と同じ材料を含む有機溶液を、前記隔壁に接しないように、或いは接したとしても前記隔壁近傍において前記塗布時の高さよりも低くなるように、塗布して前記担体輸送層を形成する担体輸送層形成工程を含むことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれかに記載の表示装置の製造方法によって製造されたことを特徴とする表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置及びその製造方法に関し、特に、複数の表示素子を２次元配列してなる表示パネルを備えた表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話や携帯音楽プレーヤ等の電子機器の表示デバイスとして、自発光素子である有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、「有機ＥＬ素子」と略記する）を２次元配列した表示パネル（有機ＥＬ表示パネル）を備えたものが知られている。特に、アクティブマトリックス駆動方式を適用した有機ＥＬ表示パネルにおいては、広く普及している液晶表示装置に比較して、表示応答速度が速く、視野角依存性も小さく、液晶表示装置のようにバックライトを必要としない等の利点を有している。そのため、今後様々な電子機器への適用が期待されている。
【０００３】
ここで、有機ＥＬ素子は、周知のように、例えば概略、ガラス基板等の一面側に、アノード（陽極）電極と、有機ＥＬ層（発光機能層）と、カソード（陰極）電極と、を順次積層した素子構造を有し、有機ＥＬ層に発光しきい値を越えるようにアノード電極に正電圧、カソード電極に負電圧を印加することにより、有機ＥＬ層内で注入されたホールと電子が再結合する際に生じるエネルギーに基づいて光（励起光）が放射されるものであるが、有機ＥＬ層となる担体輸送層を形成する有機材料（正孔輸送材料や電子輸送材料）に応じて、低分子系と高分子系の有機ＥＬ素子に大別することができる。
【０００４】
低分子系の有機材料を適用した有機ＥＬ素子の場合、一般に、製造プロセスにおいて蒸着法が適用されているため、画素形成領域のアノード電極上にのみ当該低分子系の有機膜を選択的に薄膜形成する際に、上記アノード電極以外の領域への低分子材料の蒸着を防止するためのマスクが用いられており、当該マスクの表面にも低分子材料が付着することになるため、製造時の材料ロスが大きいうえ、製造プロセスが非効率的であるという問題を有している。
【０００５】
一方、高分子系の有機材料を適用した有機ＥＬ素子の場合には、一般に、湿式成膜法としてインクジェット法（液滴吐出法）やノズルプリンティング法（液流吐出法）等を適用することができるので、アノード電極上、又は、アノード電極を含む特定の領域にのみ選択的に上記有機材料の溶液を塗布することができ、材料ロスが少なく効率的な製造プロセスで精度良く有機ＥＬ層（正孔輸送層や電子輸送層、発光層等）の薄膜を形成することができるという利点を有している。
【０００６】
そして、このような高分子系の有機ＥＬ表示パネルにおいては、絶縁性基板上に配列される各表示画素の形成領域（画素形成領域）を画定するとともに、高分子系有機材料を含む液状材料を塗布する際に、隣接する画素形成領域に異なる色の発光材料が混入して表示画素間で発光色の混合（混色）等が生じる現象を防止するために、各画素形成領域間に絶縁性基板上に突出し、連続的に形成された隔壁を設けたパネル構造を有するものが知られている。このような隔壁を備えた有機ＥＬ表示パネルについては、例えば、特許文献１等に詳しく説明されている。
【０００７】
【特許文献１】特開２００１−７６８８１号公報  （第４頁〜第７頁、図１〜図６）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上述したような高分子系の有機ＥＬ素子においては、インクジェット法やノズルプリンティング法等の湿式成膜法を適用して有機ＥＬ層（正孔輸送層及び電子輸送層、発光層等）を製造する際に、上記有機材料を含む液状材料が塗布される各画素形成領域や各表示画素（画素形成領域）間に設けられた隔壁の表面の特性（親液性や撥液性）、上記液状材料（塗布液）の溶媒成分に起因する表面張力や凝集力等の様々な要因により、隣接する画素形成領域に異なる色の発光材料が混入して表示画素間で発光色の混合（混色）が生じたり、あるいは、画素形成領域内に形成される有機ＥＬ層の膜厚が不均一になったりするという問題を有していた。
【０００９】
そのため、有機ＥＬ層の膜厚の薄い領域に発光駆動電流が集中して流れることにより、有機ＥＬ層（有機ＥＬ素子）の劣化が著しくなり、表示パネルの信頼性が低下したり、発光開始電圧が設計値から変化して（ずれて）、所望の発光輝度が得られなくなり、表示パネルの表示画質が低下したりするという問題を有していた。
【００１０】
そこで、本発明は、上述した問題点に鑑み、良好な発光機能層（有機ＥＬ層）が形成された表示パネルを備えた表示装置、及び、当該表示装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
請求項１記載の発明は、担体輸送層を有する発光素子を含む複数の表示画素が配列された表示パネルを備えた表示装置の製造方法において、基板上の前記表示画素の形成領域の第一領域に、担体輸送性材料を含む有機溶液を塗布した後、前記担体輸送性材料と同じ材料を含む有機溶液を、前記第一領域内で且つ前記第一領域より広がらない程度に塗布するように塗布を複数回に分けて前記担体輸送層を形成する担体輸送層形成工程を含むことを特徴とする。
【００１２】
請求項２記載の発明は、請求項１記載の表示装置の製造方法において、前記担体輸送層形成工程は、前記表示画素の形成領域に塗布される前記複数回の前記有機溶液の量がそれぞれ一定に設定されていることを特徴とする。
請求項３記載の発明は、請求項１又は２記載の表示装置の製造方法において、前記担体輸送層形成工程は、前記基板を加熱して、複数回に分けて塗布された前記有機溶液をまとめて乾燥させて前記担体輸送層を形成することを特徴とする。
【００１３】
請求項４記載の発明は、請求項１記載の表示装置の製造方法において、前記担体輸送層形成工程は、前記基板を加熱して前記有機溶液を乾燥させて前記担体輸送層の一部となる薄膜を形成する処理動作を複数回繰り返して、前記薄膜が積層された前記担体輸送層を形成することを特徴とする。
【００１４】
請求項５記載の発明は、請求項１記載の表示装置の製造方法において、最終回に塗布される領域を、前記第一領域よりも狭くすることを特徴とする。
【００１５】
請求項６記載の発明は、請求項１記載の表示装置の製造方法において、最終回に塗布される前記有機溶液の塗布量を、前記第一領域にそれ以前の回の塗布量よりも少なくすることを特徴とする。
【００１６】
請求項７記載の発明は、請求項１記載の表示装置の製造方法において、前記担体輸送層形成工程は、最終回の前記有機溶液の塗布の際に設定される前記基板の温度を、それ以前の回の前記有機溶液の塗布の際に設定される前記基板よりも高くすることを特徴とする。
【００１７】
請求項８記載の発明は、請求項５記載の表示装置の製造方法において、前記担体輸送層形成工程は、前記有機溶液が初回に塗布される前記表示画素の形成領域の下地に対する前記有機溶液の親液性が、それ以後に塗布される前記有機溶液により形成される前記薄膜に対する前記有機溶液の親液性よりも高くなるように、前記有機溶液の親液性を設定することを特徴とする。
【００１８】
請求項９記載の発明は、担体輸送層を有する発光素子を含む複数の表示画素が配列された表示パネルを備えた表示装置の製造方法において、基板上の隔壁に囲まれた前記表示画素の形成領域に、前記隔壁近傍がより高くなるように担体輸送性材料を含む有機溶液を前記隔壁に接するように塗布した後、前記担体輸送性材料と同じ材料を含む有機溶液を、前記隔壁に接しないように、或いは接したとしても前記隔壁近傍において前記塗布時の高さよりも低くなるように、塗布して前記担体輸送層を形成する担体輸送層形成工程を含むことを特徴とする。
【００１９】
前記担体輸送層形成工程は、ノズルプリンティング法又はインクジェット法により前記基板上の前記複数の表示画素の各形成領域に対して、前記有機溶液を順次走査しながら塗布してもよい。
請求項１０記載の表示装置は、請求項１乃至９のいずれかに記載の表示装置の製造方法によって製造されたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００２０】
本発明に係る表示装置及びその製造方法によれば、良好な発光機能層（担体輸送層；有機ＥＬ層）が形成された表示パネルを実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明に係る表示装置及びその製造方法について、実施の形態を示して詳しく説明する。ここで、以下に示す実施形態においては、表示画素を構成する発光素子として、有機材料を塗布して形成される有機ＥＬ層を備えた有機ＥＬ素子を適用した場合について説明する。
【００２２】
＜第１の実施形態＞
（表示パネル）
まず、本発明に係る表示装置に適用される表示パネル（有機ＥＬパネル）及び表示画素について説明する。
【００２３】
図１は、本発明に係る表示装置に適用される表示パネルの画素配列状態の一例を示す概略平面図であり、図２は、本発明に係る表示装置の表示パネルに２次元配列される各表示画素（発光素子及び画素駆動回路）の回路構成例を示す等価回路図である。なお、図１に示す平面図においては、説明の都合上、表示パネル（絶縁性基板）の一面側（有機ＥＬ素子の形成側）から見た、各表示画素（色画素）に設けられる画素電極の配置と各配線層の配設構造との関係、及び、各表示画素の形成領域を画定するバンク（隔壁）との配置関係のみを示し、各表示画素の有機ＥＬ素子（発光素子）を発光駆動するために、各表示画素に設けられる図２に示す画素駆動回路内のトランジスタ等の表示を省略した。また、図１においては、画素電極及び各配線層、バンクの配置を明瞭にするために、便宜的にハッチングを施して示した。
【００２４】
本発明に係る表示装置（表示パネル）は、図１に示すように、ガラス基板等の絶縁性基板１１の一面側に、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色を有する色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂを一組として、この組が行方向（図面左右方向）に繰り返し複数配列されるとともに、列方向（図面上下方向）に同一色の色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂが複数配列されている。ここでは、隣接するＲＧＢ３色の色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂを一組として一の表示画素ＰＩＸが形成されている。
【００２５】
表示パネル１０は、図１に示すように、絶縁性基板１１の一面側に突出し、柵状又は格子状の平面パターンを有して連続的に配設されたバンク（隔壁）１７により、列方向に配列された同一色の複数の色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、又は、ＰＸｂの画素形成領域（各色画素領域）が画定される。また、各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、又は、ＰＸｂの画素形成領域には、画素電極（例えばアノード電極）１４が形成されているとともに、上記バンク１７の配設方向に並行して列方向（図面上下方向）にデータライン（信号ライン）Ｌｄが配設され、また、当該データラインＬｄに直交する行方向（図面左右方向）に走査ライン（選択ライン）Ｌｓ及び供給電圧ライン（例えばアノードライン）Ｌａが並行に配設されている。
また、詳しくは後述するが、表示パネル１０には、絶縁性基板１１上に２次元配列された複数の表示画素ＰＩＸの画素電極１４に対して共通に対向するように、単一の電極層（べた電極）からなる対向電極（例えばカソード電極）１６が形成されている。
【００２６】
表示画素ＰＩＸの各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂは、図２に示すように、絶縁性基板１１上に１乃至複数のトランジスタ（例えばアモルファスシリコン薄膜トランジスタ等）を有する画素駆動回路（又は画素回路）ＤＣと、当該画素駆動回路ＤＣにより制御される発光駆動電流が、上記画素電極１４に供給されることにより発光動作する有機ＥＬ素子（発光素子）ＯＬＥＤと、を備えた回路構成を有している。
【００２７】
画素駆動回路ＤＣは、具体的には、例えば図２に示すように、ゲート端子が走査ラインＬｓに、ドレイン端子が表示パネル１０の列方向に配設されたデータラインＬｄに、ソース端子が接点Ｎ１１に各々接続されたトランジスタ（選択トランジスタ）Ｔｒ１１と、ゲート端子が接点Ｎ１１に、ドレイン端子が供給電圧ラインＬａに、ソース端子が接点Ｎ１２に各々接続されたトランジスタ（発光駆動トランジスタ）Ｔｒ１２と、トランジスタＴｒ１２のゲート端子及びソース端子間に接続されたキャパシタＣｓと、を備えている。
【００２８】
ここでは、トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２はいずれもｎチャネル型の薄膜トランジスタ（電界効果型トランジスタ）が適用されている。トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２がｐチャネル型であれば、ソース端子及びドレイン端子が互いに逆になる。また、キャパシタＣｓはトランジスタＴｒ１２のゲート−ソース間に形成される寄生容量、又は、該ゲート−ソース間に付加的に設けられた補助容量、もしくは、これらの寄生容量と補助容量からなる容量成分である（図５参照）。
【００２９】
また、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、アノード端子（アノード電極となる画素電極１４）が上記画素駆動回路ＤＣの接点Ｎ１２に接続され、カソード端子（カソード電極）が、上述した単一の電極層により形成された対向電極１６と一体的に形成された共通電圧ラインＬｃに接続されている。
【００３０】
図２に示した表示画素ＰＩＸ（画素駆動回路ＤＣ及び有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ）において、走査ラインＬｓは、例えば図示を省略した走査ドライバに接続され、所定のタイミングで表示パネル１０の行方向に配列された複数の表示画素ＰＩＸ（色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂ）を選択状態に設定するための選択電圧（走査信号）Ｓselが印加される。また、データラインＬｄは、図示を省略したデータドライバに接続され、上記表示画素ＰＩＸの選択状態に同期するタイミングで表示データに応じたデータ電圧（階調信号）Ｖpixが印加される。
【００３１】
また、供給電圧ラインＬａは、例えば所定の高電位電源に直接又は間接的に接続され、各表示画素ＰＩＸ（色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂ）に設けられる有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの画素電極（例えばアノード電極）１４に表示データに応じた発光駆動電流を流すために、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの対向電極１６（例えばカソード電極；共通電圧ラインＬｃ）に印加される基準電圧Ｖssより電位の高い、所定の高電圧（供給電圧Ｖdd）が印加され、また、共通電圧ラインＬｃは、例えば所定の低電位電源に直接又は間接的に接続され、絶縁性基板１１上に２次元配列された全ての表示画素ＰＩＸ（有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのカソード電極）に対して、単一の電極層により形成された対向電極１６を介して、所定の低電圧（基準電圧Ｖss；例えば接地電位ＧＮＤ）が共通に印加されるように設定されている。
【００３２】
すなわち、各表示画素ＰＩＸにおいて、直列に接続されたトランジスタＴｒ１２と有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの組の両端（トランジスタＴｒ１２のドレイン端子と有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのカソード端子）にそれぞれ供給電圧Ｖddと基準電圧Ｖssを印加して有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに順バイアスを付与して有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが発光できる状態にし、さらに、階調信号Ｖpixに応じて流れる発光駆動電流の電流値を画素駆動回路ＤＣにより制御している。
【００３３】
そして、このような回路構成を有する表示画素ＰＩＸにおける駆動制御動作は、まず、図示を省略した走査ドライバから走査ラインＬｓに対して、所定の選択期間に、選択レベル（オンレベル；例えばハイレベル）の選択電圧Ｓselを印加することにより、トランジスタＴｒ１１がオン動作して選択状態に設定される。このタイミングに同期して、図示を省略したデータドライバから表示データに応じた電圧値を有する階調信号ＶpixをデータラインＬｄに印加するように制御する。これにより、トランジスタＴｒ１１を介して、階調信号Ｖpixに応じた電位が接点Ｎ１１（すなわち、トランジスタＴｒ１２のゲート端子）に印加される。
【００３４】
図２に示した回路構成を有する画素駆動回路ＤＣにおいては、トランジスタＴｒ１２のドレイン−ソース間電流（すなわち、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに流れる発光駆動電流）の電流値は、ドレイン−ソース間の電位差及びゲート−ソース間の電位差によって決定される。ここで、トランジスタＴｒ１２のドレイン端子（ドレイン電極）に印加される供給電圧Ｖddと、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのカソード端子（カソード電極）に印加される基準電圧Ｖssは固定値であるので、トランジスタＴｒ１２のドレイン−ソース間の電位差は、供給電圧Ｖddと基準電圧Ｖssによって予め固定されている。そして、トランジスタＴｒ１２のゲート−ソース間の電位差は、階調信号Ｖpixの電位によって一義的に決定されるので、トランジスタＴｒ１２のドレイン−ソース間に流れる電流の電流値は、階調信号Ｖpixによって制御することができる。
【００３５】
このように、トランジスタＴｒ１２が接点Ｎ１１の電位に応じた導通状態（すなわち、階調信号Ｖpixに応じた導通状態）でオン動作して、高電位側の供給電圧ＶddからトランジスタＴｒ１２及び有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを介して低電位側の基準電圧Ｖss（接地電位ＧＮＤ）に、所定の電流値を有する発光駆動電流が流れるので、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが階調信号Ｖpix（すなわち表示データ）に応じた輝度階調で発光動作する。また、このとき、接点Ｎ１１に印加された階調信号Ｖpixに基づいて、トランジスタＴｒ１２のゲート−ソース間のキャパシタＣｓに電荷が蓄積（充電）される。
【００３６】
次いで、上記選択期間終了後の非選択期間において、走査ラインＬｓに非選択レベル（オフレベル；例えばローレベル）の選択電圧Ｓselを印加することにより、表示画素ＰＩＸのトランジスタＴｒ１１がオフ動作して非選択状態に設定され、データラインＬｄと画素駆動回路ＤＣとが電気的に遮断される。このとき、上記キャパシタＣｓに蓄積された電荷が保持されることにより、トランジスタＴｒ１２のゲート端子に階調信号Ｖpixに相当する電圧が保持された（すなわち、ゲート−ソース間の電位差が保持された）状態となる。
【００３７】
したがって、上記選択状態における発光動作と同様に、供給電圧ＶddからトランジスタＴｒ１２を介して、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに所定の発光駆動電流が流れて、発光動作状態が継続される。この発光動作状態は、次の階調信号Ｖpixが印加される（書き込まれる）まで、例えば、１フレーム期間継続するように制御される。そして、このような駆動制御動作を、表示パネル１０に２次元配列された全ての表示画素ＰＩＸ（各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂ）について、例えば各行ごとに順次実行することにより、所望の画像情報を表示する画像表示動作を実行することができる。
【００３８】
なお、図２においては、表示画素ＰＩＸに設けられる画素駆動回路ＤＣとして、表示データに応じて各表示画素ＰＩＸ（具体的には、画素駆動回路ＤＣのトランジスタＴｒ１２のゲート端子；接点Ｎ１１）に書き込む階調信号Ｖpixの電圧値を調整（指定）することにより、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに流す発光駆動電流の電流値を制御して、所望の輝度階調で発光動作させる電圧指定型の階調制御方式の回路構成を示したが、表示データに応じて各表示画素ＰＩＸに書き込む電流値を調整（指定）することにより、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに流す発光駆動電流の電流値を制御して、所望の輝度階調で発光動作させる電流指定型の階調制御方式の回路構成を有するものであってもよい。
【００３９】
（表示画素のデバイス構造）
次いで、上述したような回路構成を有する表示画素（発光駆動回路及び有機ＥＬ素子）の具体的なデバイス構造（平面レイアウト及び断面構造）について説明する。ここでは、有機ＥＬ層において発光した光を、絶縁性基板を介して視野側（絶縁性基板の他面側）に出射するボトムエミッション型の発光構造を有する表示パネル（有機ＥＬパネル）について示す。
【００４０】
図３は、本発明に係る表示装置（表示パネル）に適用可能な表示画素の一例を示す平面レイアウト図である。ここでは、図１に示した表示画素ＰＩＸの赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂのうちの、特定の一の色画素の平面レイアウトを示す。なお、図３においては、画素駆動回路ＤＣの各トランジスタ及び配線等が形成された層を中心に示す。また、図４（ａ）及び図４（ｂ）は、図３に示した平面レイアウトを有する表示画素におけるIVＡ−IVＡ線（本明細書においては図３中に示したローマ数字の「４」に対応する記号として便宜的に「IV」を用いる。以下同じ）に沿った断面及びIVＢ−IVＢ線に沿った断面を示す概略断面図である。
【００４１】
図２に示した表示画素ＰＩＸ（色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂ）は、具体的には、絶縁性基板１１の一面側に設定された画素形成領域（各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂにおける有機ＥＬ素子の形成領域；図４中、Ｒpxとして表記）において、例えば図３に示すような平面レイアウトの上方及び下方の縁辺領域に行方向（図面左右方向）に延在するように走査ラインＬｓ及び供給電圧ラインＬａが各々配設されるとともに、これらのラインＬｓ、Ｌａに直交するように、上記平面レイアウトの左方の縁辺領域に列方向（図面上下方向）に延在するようにデータラインＬｄが配設されている。また、上記平面レイアウトの右方の縁辺領域には右側に隣接する色画素にまたがって列方向に延在するようにバンク（詳しくは後述する）１７が配設されている。
【００４２】
ここで、例えば図３、図４（ａ）、（ｂ）に示すように、データラインＬｄは、走査ラインＬｓ及び供給電圧ラインＬａよりも下層側（絶縁性基板１１側）に設けられ、トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２のゲート電極Ｔｒ１１ｇ、Ｔｒ１２ｇを形成するためのゲートメタル層をパターニングすることによって当該ゲート電極と同じ工程で形成され、その上に成膜されたゲート絶縁膜１２に設けられたコンタクトホールＣｈ１を介して、信号配線層Ｌdxと一体的に形成されたトランジスタＴｒ１１のドレイン電極Ｔｒ１１ｄに接続されている。
【００４３】
また、走査ラインＬｓは、データラインＬｄよりも上層側に設けられ、トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２のソース電極Ｔｒ１１ｓ、Ｔｒ１２ｓ、ドレイン電極Ｔｒ１１ｄ、Ｔｒ１２ｄを形成するためのソース、ドレインメタル層をパターニングすることによって当該ソース電極、ドレイン電極と同じ工程で形成され、トランジスタＴｒ１１のゲート電極Ｔｒ１１ｇの両端に位置するゲート絶縁膜１２に設けられたコンタクトホールＣｈ２を介してゲート電極Ｔｒ１１ｇに接続されている。
【００４４】
ここで、走査ラインＬｓは、例えば下層配線部Ｌs0と上層配線部Ｌs1を積層した配線構造を有し、また、供給電圧ラインＬａ（後述する給電配線層Ｌayを含む）も、下層配線部Ｌa0と上層配線部Ｌa1を積層した配線構造を有している。下層配線部Ｌs0、Ｌa0は、ともに、トランジスタＴｒ１２のソース電極Ｔｒ１２ｓ及びドレイン電極Ｔｒ１２ｄと同層、又は、一体的に設けられ、当該ソース電極Ｔｒ１２ｓ及びドレイン電極Ｔｒ１２ｄを形成するためのソース、ドレインメタル層をパターニングする工程において同時に形成される。
【００４５】
なお、下層配線部Ｌs0、Ｌa0は、各々、クロム（Ｃｒ）やチタン（Ｔｉ）等のマイグレーションを低減するための遷移金属層と、当該遷移金属層の上に設けられているアルミニウム単体やアルミニウム合金等の配線抵抗を低減するための低抵抗金属層と、の積層構造を有している。上層配線部Ｌs1、Ｌa1は、アルミニウム単体やアルミニウム合金等の配線抵抗を低減するための低抵抗金属の単層により形成するものであってもよいし、クロム（Ｃｒ）やチタン（Ｔｉ）等のマイグレーションを低減するための遷移金属層上に上記低抵抗金属層が設けられた積層構造を有するものであってもよい。
【００４６】
そして、画素駆動回路ＤＣは、より具体的には、例えば図３に示すように、図２に示したトランジスタＴｒ１１が行方向に配設された走査ラインＬｓ（又はデータラインＬｄに接続され、行方向に形成された信号配線層Ｌdx）に沿って延在するように配置され、また、トランジスタＴｒ１２が供給電圧ラインＬａから列方向に突出して形成された給電配線層Ｌay（又はバンク１７）に沿って延在するように配置されている。
【００４７】
ここで、各トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２は、周知の電界効果型の薄膜トランジスタ構造を有し、各々、ゲート電極Ｔｒ１１ｇ、Ｔｒ１２ｇと、ゲート絶縁膜１２を介して各ゲート電極Ｔｒ１１ｇ、Ｔｒ１２ｇに対応する領域に形成された半導体層ＳＭＣと、該半導体層ＳＭＣの両端部に延在するように形成されたソース電極Ｔｒ１１ｓ、Ｔｒ１２ｓ及びドレイン電極Ｔｒ１１ｄ、Ｔｒ１２ｄと、を有している。
【００４８】
なお、各トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２のソース電極とドレイン電極が対向する半導体層ＳＭＣ上には当該半導体層ＳＭＣへのエッチングダメージを防止するための酸化シリコン又は窒化シリコン等のチャネル保護層ＢＬが形成され、また、ソース電極及びドレイン電極と半導体層ＳＭＣとの間には、当該半導体層ＳＭＣとソース電極及びドレイン電極とのオーミック接続を実現するための不純物層ＯＨＭが形成されている。
【００４９】
そして、図２に示した画素駆動回路ＤＣの回路構成に対応するように、トランジスタＴｒ１１は、図３に示すように、ゲート電極Ｔｒ１１ｇがゲート絶縁膜１２に設けられたコンタクトホールＣｈ２を介して走査ラインＬｓに接続され、同ドレイン電極Ｔｒ１１ｄが信号配線層Ｌdxと一体的に形成されている。
【００５０】
また、トランジスタＴｒ１２は、図３、図４に示すように、ゲート電極Ｔｒ１２ｇがゲート絶縁膜１２に設けられたコンタクトホールＣｈ３を介して上記トランジスタＴｒ１１のソース電極Ｔｒ１１ｓに接続され、同ドレイン電極Ｔｒ１２ｄが供給電圧ラインＬａと一体的に形成された給電配線層Ｌayに接続され、同ソース電極Ｔｒ１２ｓが有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの画素電極１４に直接接続されている。
【００５１】
有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、図３、図４に示すように、上記トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２のゲート絶縁膜１２上に設けられるとともに、トランジスタＴｒ１２のソース電極Ｔｒ１２ｓに直接接続されて、所定の発光駆動電流が供給される画素電極（例えばアノード電極）１４と、絶縁性基板１１上に列方向に配設されたバンク１７により画定された（バンク１７間に設定された）画素形成領域Ｒpx（後述する有機化合物含有液の塗布領域に相当する）に形成された正孔輸送層１５ａ（担体輸送層）と電子輸送性発光層１５ｂ（担体輸送層）からなる有機ＥＬ層（発光機能層）１５と、絶縁性基板１１上に２次元配列された各表示画素ＰＩＸに共通に設けられた単一の電極層（べた電極）からなる対向電極１６と、が順次積層されている。
【００５２】
ここで、本実施形態に係る表示パネル１０においては、ボトムエミッション型の発光構造を有しているので、画素電極１４がＩＴＯ等の透明な電極材料により形成されて光透過特性を有するとともに、対向電極１６が光反射特性を有している。なお、対向電極１６は、各画素形成領域Ｒpxだけでなく、当該画素形成領域Ｒpxを画定するバンク１７上にも延在するように設けられている。
【００５３】
上述の構造では、走査ラインＬｓがソース、ドレインメタル層をパターニングすることによって形成され、データラインＬｄがゲートメタル層をパターニングすることによって形成され、コンタクトホールＣｈ１、Ｃｈ２によりドレイン電極やゲート電極に接続しているが、これに限らず、走査ラインＬｓがゲートメタル層をパターニングすることによって形成され、データラインＬｄがソース、ドレインメタル層をパターニングすることによって形成されることでコンタクトホールＣｈ１、Ｃｈ２を設けることなく、ゲート電極やドレイン電極と一体的に設けるようにしてもよい。
【００５４】
また、供給電圧ラインＬａ及び給電配線層Ｌayは、ソース、ドレインメタル層と別層により形成されたが、ソース、ドレインメタル層をパターニングすることにより形成されていてもよい。この場合、供給電圧ラインＬａがソース、ドレインメタル層をパターニングすることにより形成される他の配線と電気的に絶縁していなければならない。
【００５５】
バンク１７は、表示パネル１０に２次元配列される複数の表示画素ＰＩＸ（各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂ）相互の境界領域であって、表示パネル１０の列方向に（表示パネル１０全体では図１に示すように柵状又は格子状の平面パターンを有するように）配設されている。ここで、図３、図４（ａ）に示すように、上記境界領域のうち、表示パネル１０（絶縁性基板１１）の列方向には上記トランジスタＴｒ１２が延在して形成されており、当該トランジスタＴｒ１２を被覆し、各画素形成領域Ｒpxに形成される画素電極１４相互の層間絶縁膜としての機能を果たす絶縁膜１３ａ、１３ｂが形成され、バンク１７は、絶縁膜１３ａ、１３ｂ上に、絶縁性基板１１表面から連続的に突出するように樹脂層を積層することにより形成されている。これにより、列方向に延在するバンク１７により囲まれた領域（列方向（図１の上下方向）に配列された複数の表示画素ＰＩＸの画素形成領域Ｒpx）が、有機ＥＬ層１５（正孔輸送層１５ａ及び電子輸送性発光層１５ｂ）を形成する際の有機化合物材料の塗布領域として規定される。
【００５６】
本実施形態に適用されるバンク１７は、少なくともバンク１７の表面（側面及び上面）が、画素形成領域Ｒpxに塗布される有機化合物含有液に対して撥液性を有するように表面処理が施されている。また、バンク１７は、例えば感光性の樹脂材料を用いて形成されている。
なお、上述した画素駆動回路ＤＣ、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ及びバンク１７が形成された絶縁性基板１１の一面側は、図示を省略したメタルキャップや封止基板等を貼り合わせることにより封止されている。
【００５７】
そして、このような表示パネル１０においては、トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２等の機能素子、走査ラインＬｓやデータラインＬｄ、供給電圧ライン（アノードライン）Ｌａ等の配線層からなる画素駆動回路ＤＣにおいて、データラインＬｄを介して供給された表示データに応じた階調信号Ｖpixに基づいて、所定の電流値を有する発光駆動電流がトランジスタＴｒ１２のソース−ドレイン間に流れ、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの画素電極１４に供給されることにより、各表示画素ＰＩＸ（各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂ）の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが上記表示データに応じた所望の輝度階調で発光動作する。
【００５８】
このとき、本実施形態に示した表示パネル１０、つまり、画素電極１４が光透過特性を有し、対向電極１６が光反射特性を有することにより（すなわち、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤがボトムエミッション型であることにより）、各表示画素ＰＩＸ（各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂ）の有機ＥＬ層１５において発光した光は、光透過特性を有する画素電極１４を介して直接、あるいは、光反射特性を有する対向電極１６で反射し、絶縁性基板１１（表示パネル１０）を透過して、視野側である絶縁性基板１１の他面側（図４、図５の図面下方）に出射される。
【００５９】
（表示装置の製造方法）
次に、本発明に係る表示装置（表示パネル）の製造方法について説明する。
図５乃至図８は、本発明に係る表示装置（表示パネル）の製造方法の第１の実施形態を示す工程断面図である。ここでは、図４（ａ）、（ｂ）に示したIVＡ−IVＡ線に沿った断面及びIVＢ−IVＢ線に沿った断面を、図５乃至図８の各図の右方及び左方に分けて示す。また、図９は、本実施形態に係る表示装置（表示パネル）の製造方法における有機化合物含有液の塗布工程（塗布走査経路）を示す概念図であり、図１０は、本実施形態に係る表示装置（表示パネル）の製造方法における有機ＥＬ層（電子輸送性発光層）の形成工程を示す概念図である。なお、図１０においては、有機化合物含有液を塗布する工程を概念的に示すために図示を簡略化し、便宜的に絶縁性基板上に画素電極や絶縁膜が直接形成された断面構造を示した。
【００６０】
上述した表示装置（表示パネル）の製造方法は、まず、図５（ａ）〜（ｄ）に示すように、ガラス基板等の絶縁性基板１１の一面側（図面上面側）に設定された表示画素ＰＩＸ（各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂ）の画素形成領域Ｒpxごとに、上述した画素駆動回路（図２、図３参照）ＤＣのトランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２やデータラインＬｄ、信号配線層Ｌdx、走査ラインＬｓの下層配線部Ｌs0及び供給電圧ラインＬａの下層配線部Ｌa0等の配線層を形成するとともに、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのアノード電極となる画素電極１４を形成する。
【００６１】
具体的には、透明な絶縁性基板１１上にゲートメタル層を成膜してから、図５（ａ）に示すように、ゲートメタル層をパターニングすることによってゲート電極Ｔｒ１１ｇ、Ｔｒ１２ｇ、及び、データラインＬｄを同時に形成し、その後、絶縁性基板１１の全域にゲート絶縁膜１２、アモルファスシリコン等からなる半導体層ＳＭＣとなる半導体膜、チャネル保護層ＢＬとなる窒化シリコン等の絶縁膜を連続被覆形成する。
【００６２】
次いで、図５（ｂ）に示すように、上記絶縁膜、半導体膜を適宜パターニングしてゲート絶縁膜１２上のゲート電極Ｔｒ１１ｇ及びＴｒ１２ｇに対応する領域に、チャネル保護層ＢＬ、半導体層ＳＭＣを順次形成する。その後、当該半導体層ＳＭＣの両端部にオーミック接続のための不純物層ＯＨＭを形成する。
【００６３】
次いで、図５（ｃ）に示すように、上記ゲート絶縁膜１２上であって、各表示画素ＰＩＸの画素形成領域Ｒpxの略中央領域（図３に示した平面レイアウトにおいてトランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２や各種配線が配置された周辺部を除く領域）に矩形状の平面パターンを有し、錫ドープ酸化インジウム（Indium Thin Oxide；ＩＴＯ）や亜鉛ドープ酸化インジウム（Indium Zinc Oxide；ＩＺＯ）等の透明な電極材料からなる（光透過特性を有する）画素電極１４を形成する。この後、図３に示したように、データラインＬｄ、トランジスタＴｒ１１及びＴｒ１２のゲート電極Ｔｒ１１ｇ、Ｔｒ１２ｇの所定の位置の上面が露出するように、ゲート絶縁膜１２にコンタクトホールＣｈ１、Ｃｈ２、Ｃｈ３を形成する。
【００６４】
そして、図５（ｄ）に示すように、トランジスタＴｒ１１及びＴｒ１２の半導体層ＳＭＣの両端部に上記不純物層ＯＨＭを介して延在するように、ソース電極Ｔｒ１１ｓ、Ｔｒ１２ｓ及びドレイン電極Ｔｒ１１ｄ、Ｔｒ１２ｄを形成するとともに、走査ラインＬｓの下層配線部Ｌs0、供給電圧ラインＬａ（給電配線層Ｌayを含む）の下層配線部Ｌa0、及び信号配線層Ｌdxを同時に形成する。
【００６５】
ここで、ソース電極Ｔｒ１１ｓ、Ｔｒ１２ｓ、ドレイン電極Ｔｒ１１ｄ、Ｔｒ１２ｄ、走査ラインＬｓの下層配線部Ｌs0、供給電圧ラインＬａの下層配線部Ｌa0及び信号配線層Ｌdxは、図５（ｃ）の工程後、ソース、ドレインメタル層を成膜した後、パターニングすることによって一括して形成される。これにより、信号配線層Ｌdxは、コンタクトホールＣｈ１を介して下方に位置するデータラインＬｄに接続され、走査ラインＬｓは、コンタクトホールＣｈ２を介して下方に位置するゲート電極Ｔｒ１１ｇに接続され、ソース電極Ｔｒ１１ｓは、コンタクトホールＣｈ３を介して下方に位置するゲート電極Ｔｒ１２ｇに接続される。また、トランジスタＴｒ１２のソース電極Ｔｒ１２ｓの他端側は画素電極１４上にまで延在して、電気的に接続される。
【００６６】
また、少なくとも、上述したトランジスタＴｒ１１のソース電極Ｔｒ１１ｓ及びドレイン電極Ｔｒ１１ｄ、トランジスタＴｒ１２のソース電極Ｔｒ１２ｓ及びドレイン電極Ｔｒ１２ｄ、走査ラインＬｓの下層配線部Ｌs0、供給電圧ラインＬａ（給電配線層Ｌayを含む）の下層配線部Ｌa0及び信号配線層Ｌdxを形成するためのソース、ドレインメタル層は、例えば、クロム（Ｃｒ）単体又はクロム合金等からなる下層側の金属層と、アルミニウム（Ａｌ）単体又はアルミニウム−チタン（ＡｌＴｉ）、アルミニウム−ネオジウム−チタン（ＡｌＮｄＴｉ）等のアルミニウム合金からなる上層側の金属層と、を積層した配線構造を有している。
【００６７】
次いで、上記トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２、走査ラインＬｓ及び供給電圧ラインＬａの下層配線部Ｌs0、Ｌa0を含む絶縁性基板１１の一面側全域を被覆するように、窒化シリコン（ＳｉＮ）等の無機の絶縁性材料からなる絶縁膜を形成した後、当該絶縁膜をパターニングして、図６（ａ）に示すように、走査ラインＬｓの下層配線部Ｌs0及び供給電圧ラインＬａの下層配線部Ｌa0の上面、並びに、画素電極１４の上面が露出する開口部を有する絶縁膜１３ａを形成する。
【００６８】
次いで、絶縁膜１３ａが形成された絶縁性基板１１上に、例えばスパッタリング法やイオンプレーティング法、真空蒸着法、メッキ法等により、アルミニウム（Ａｌ）単体又はアルミニウム−チタン（ＡｌＴｉ）、アルミニウム−ネオジウム−チタン（ＡｌＮｄＴｉ）等のアルミニウム合金等の配線抵抗を低減するための低抵抗金属層（アルミ薄膜）を形成した後、パターニングすることにより、図６（ｂ）に示すように、走査ラインＬｓ及び供給電圧ラインＬａ（給電配線層Ｌayを含む）の平面パターンに対応する領域にのみ、アルミ薄膜からなる上層配線部Ｌs1、Ｌa1が形成され、当該上層配線部Ｌs1、Ｌa1と上記下層配線部Ｌs0、Ｌa0からなる積層配線構造を有する走査ラインＬｓ及び供給電圧ラインＬａ（給電配線層Ｌayを含む）が形成される。
【００６９】
次いで、上記走査ラインＬｓ及び供給電圧ラインＬａを含む絶縁性基板１１の一面側全域を被覆するように、化学気相成長法（ＣＶＤ法）等を用いて、例えば窒化シリコン等からなる絶縁膜を形成した後、当該絶縁膜をパターニングして、図６（ｃ）に示すように、上記トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２、走査ラインＬｓ及び供給電圧ラインＬａ（給電配線層Ｌayを含む）を被覆するとともに、各表示画素ＰＩＸの画素電極１４の上面が露出する開口部を有する絶縁膜１３ｂを形成する。
【００７０】
次いで、図７（ａ）に示すように、隣接する表示画素ＰＩＸ間の境界領域に形成された上記絶縁膜１３ｂ上に、例えばポリイミド系やアクリル系等の感光性の樹脂材料からなるバンク１７を形成する。具体的には、上記絶縁膜１３ｂを含む絶縁性基板１１の一面側全域を被覆するように、例えば１〜５μｍの膜厚を有して形成された感光性樹脂層に対して、露光、現像処理を施すことにより、行方向に隣接する表示画素ＰＩＸ間の境界領域であって、表示パネル１０の列方向に延在する領域を含む柵状又は格子状の平面パターン（図１参照）を有するバンク（隔壁）１７を形成する。ここで、樹脂材料としては、例えば東レ株式会社製のポリイミドコーティング材「フォトニースＰＷ−１０３０」等を良好に適用することができる。これにより、表示パネル１０の列方向に配列された同一色の複数の表示画素ＰＩＸの画素形成領域Ｒpx（有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの有機ＥＬ層１５の形成領域）がバンク１７により囲まれて画定されて、絶縁膜１３ａ、１３ｂに形成された開口部により外縁が規定された画素電極１４の上面が露出する（隔壁形成工程）。
【００７１】
次いで、絶縁性基板１１を純水で洗浄した後、例えば酸素プラズマ処理やＵＶオゾン処理等を施すことにより、上記バンク１７により画定された各画素形成領域Ｒpxに露出する画素電極１４や絶縁膜１３ａ、１３ｂの表面を、後述する担体輸送層形成工程において使用する正孔輸送材料や電子輸送性発光材料の有機化合物含有液に対して親液化する処理を施す（親液化工程）。
【００７２】
次いで、バンク１７の表面を上記有機化合物含有液に対して撥液化する。具体的には、絶縁性基板１１を例えばフッ素系（フッ素化合物）の撥液処理溶液に浸漬した後、取り出した絶縁性基板１１をアルコールや純水で洗浄、乾燥させて、バンク１７の表面に撥液性の薄膜（被膜）を形成する。ここで、上記撥液処理溶液として例えばフッ化アルキルアミン等を適用した場合、酸化膜や窒化膜とは反応しないため、画素形成領域Ｒpx内に露出する画素電極１４表面のＩＴＯやＩＺＯ等の金属酸化物や絶縁膜１３ａ、１３ｂ表面には形成されず、上述した酸素プラズマ処理やＵＶオゾン処理により付与された親液性を保持する。
【００７３】
これにより、同一の絶縁性基板１１上において、樹脂材料により形成されたバンク１７の表面のみが撥液化処理され、当該バンク１７により画定された各画素形成領域Ｒpxに露出する画素電極１４の表面は撥液化されていない状態（親液性が保持された状態）が実現される。
【００７４】
このようなバンク１７により各表示画素ＰＩＸ（有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ）の画素形成領域Ｒpxを画定することにより、後述する担体輸送層形成工程において、有機化合物含有液をノズルプリンティング法やインクジェット法を用いて塗布し、有機ＥＬ層１５の発光層（電子輸送性発光層１５ｂ）を形成する場合であっても、隣接する画素形成領域Ｒpxへの有機化合物含有液の漏出や乗り越えを防止することができ、隣接画素相互の混色を抑制して、赤、緑、青色の塗り分けが可能となる。
【００７５】
なお、本実施形態において使用する「撥液性」とは、後述する正孔輸送層となる正孔輸送材料を含有する有機化合物含有液や、電子輸送性発光層となる電子輸送性発光材料を含有する有機化合物含有液、もしくは、これらの溶液に用いる有機溶媒を、絶縁性基板上等に滴下して、接触角の測定を行った場合に、当該接触角が５０°以上になる状態と規定する。また、「撥液性」に対峙する「親液性」とは、本実施形態においては、上記接触角が４０°以下、好ましくは１０°以下になる状態と規定する。
【００７６】
次いで、図７（ｂ）に示すように、各色の画素形成領域Ｒpx（有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの形成領域）に対して、連続した溶液（液流）を吐出するノズルプリンティング（ノズルコート）法、又は、互いに分離した不連続の複数の液滴を所定位置に吐出するインクジェット法等を適用して同一工程で、正孔輸送材料の溶液又は分散液を塗布した後、加熱乾燥させて正孔輸送層（担体輸送層）１５ａを形成する。
【００７７】
具体的には、有機高分子系の正孔輸送材料（担体輸送性材料）を含む有機化合物含有液として、例えばポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルホン酸水溶液（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ；導電性ポリマーであるポリエチレンジオキシチオフェンＰＥＤＯＴと、ドーパントであるポリスチレンスルホン酸ＰＳＳを水系溶媒に分散させた分散液）を、上記画素電極１４上に塗布した後、絶縁性基板１１が載置されているステージを１００℃以上の温度条件で加熱して乾燥処理を行って残留溶媒を除去することにより、少なくとも画素電極１４上に有機高分子系の正孔輸送材料を定着させて、担体輸送層である正孔輸送層１５ａを形成する。
【００７８】
ここで、画素形成領域Ｒpx内に露出する画素電極１４の上面及びその外縁部の絶縁膜１３ａ、１３ｂの表面は、上記親液化処理により正孔輸送材料を含む有機化合物含有液に対して親液性を有しているので、バンク１７により画定された画素形成領域Ｒpxに塗布された有機化合物含有液は、画素形成領域Ｒpx内（画素電極１４及びその外縁部の絶縁膜１３ａ、１３ｂ上）に十分馴染んで広がる。一方、バンク１７は、塗布される上記有機化合物含有液（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）の高さに対して十分高く設定され、かつ、当該有機化合物含有液に対して十分な撥液性を有しているので、隣接する画素形成領域Ｒpxへの有機化合物含有液の漏出や乗り越えを防止することができる。
【００７９】
なお、この正孔輸送層１５ａの形成工程において、絶縁性基板１１の列方向に画定された複数の表示画素ＰＩＸの画素形成領域Ｒpxに対して、正孔輸送材料を含む有機化合物含有液を例えば連続的に塗布するノズルプリンティング法を適用する場合、図９に示すように、図示を省略したノズルプリンティングマシンのノズルを、絶縁性基板１１に対して列方向（図面上下方向）に走査させつつ往復動作させ、かつ、往路と復路で異なる列（隣接する列）の画素形成領域Ｒpxに塗布されるように（図中、矢印参照）、当該ノズルもしくは絶縁性基板１１が載置されたステージを移動制御する。
【００８０】
次いで、図８（ａ）に示すように、各色の画素形成領域Ｒpx（有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの形成領域）に対して、ノズルプリンティング法又はインクジェット法等を適用して、上記正孔輸送層１５ａ上に電子輸送性発光材料の溶液又は分散液を塗布した後、加熱乾燥させて電子輸送性発光層（担体輸送層）１５ｂを形成する。
【００８１】
具体的には、有機高分子系の電子輸送性発光材料（担体輸送性材料）を含む有機化合物含有液として、例えばポリパラフェニレンビニレン系やポリフルオレン系等の共役二重結合ポリマーを含む赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）色の発光材料を、適宜水系溶媒或いはテトラリン、テトラメチルベンゼン、メシチレン、キシレン等の有機溶媒に溶解または分散した０．１ｗｔ％〜５ｗｔ％の溶液を、例えば図１０（ａ）〜（ｃ）に示すように、上記正孔輸送層１５ａ上に同量（一定量）ずつ３回（複数回）に分けて塗布した後、窒素雰囲気中で上記ステージを加熱して乾燥処理を行って残留溶媒を除去することにより、図８（ａ）、図１０（ｄ）に示すように、正孔輸送層１５ａ上に有機高分子系の電子輸送性発光材料を定着させて、担体輸送層であり発光層でもある電子輸送性発光層１５ｂを形成する。
【００８２】
ここで、画素形成領域Ｒpx内に形成された上記正孔輸送層１５ａの表面は、電子輸送性発光材料を含む有機化合物含有液に対して親液性を有しているので、バンク１７により画定された画素形成領域Ｒpxに塗布された有機化合物含有液は、画素形成領域Ｒpx内（正孔輸送層１５ａ上）に十分馴染んで広がる。一方、バンク１７は、塗布される上記有機化合物含有液の高さに対して十分高く設定され、かつ、当該有機化合物含有液に対して十分な撥液性を有しているので、隣接する画素形成領域Ｒpxへの有機化合物含有液の漏出や乗り越えを防止することができる。
【００８３】
なお、図１０においては、図示の都合上、画素形成領域Ｒpxに塗布される有機化合物含有液ＥＭ11〜ＥＭ13を便宜的に不連続の液滴状に示したが、ノズルプリンティング法を適用した場合には連続した液流状に吐出される。また、図１０（ａ）〜（ｃ）に示した１〜３回目の有機化合物含有液ＥＭ11〜ＥＭ13の塗布工程においては、上述した正孔輸送層１５ａの形成工程と同様に、ノズルプリンティングマシンのノズルＮＺＬを図面に垂直方向（すなわち、図１、図９に示した絶縁性基板１１の列方向）に走査させつつ往復動作させ、かつ、往路（例えば図９中、上から下に向かった走査方向による道筋）と復路（例えば図９中、下から上に向かった走査方向による道筋）で異なる列（同材料成膜により発光色が同色の画素となる次の列）の画素形成領域Ｒpxに塗布されるように、当該ノズルＮＺＬもしくは絶縁性基板１１が載置されたステージを移動制御する。
【００８４】
また、本実施形態においては、図９に示したように、ノズルＮＺＬを表示パネル１０（絶縁性基板１１）に２次元配列された表示画素ＰＩＸ（画素形成領域Ｒpx）に対して、略一定の走査速度で、かつ、各列ごとに往路走査及び復路走査を順次繰り返すことにより、いわゆる一筆書きの経路で１回分の塗布工程を実行する。したがって、２回目以降の塗布工程においても同様の動作が一定の周期で繰り返されるので、各画素形成領域Ｒpxに対するノズルの走査方向が常に一定に設定されるとともに、各回における有機化合物含有液の塗布量が略同一になり、かつ、各回相互の時間間隔が略一定となるように設定される。
【００８５】
この場合、有機化合物含有液として上述したキシレン等の揮発性の有機溶媒を用いた場合、次回の塗布工程（例えば２回目や３回目）までに塗布した溶媒が揮発して多少の自然乾燥が観測されるが、次回の塗布工程によって塗布される有機化合物含有液と良好に混合する程度の液状を保持している。
【００８６】
そして、図１に示したように、ＲＧＢ３色の表示画素ＰＩＸ（色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂ）が各色ごとに列方向に配列され、かつ、ＲＧＢの３色が繰り返し配列された表示パネル１０においては、各色ごとにノズルＮＺＬを３列おきに往路走査と復路走査を繰り返して絶縁性基板１１の全域を走査することにより３色分の塗布動作を実行し、このような動作を図１０（ａ）〜（ｃ）のように３回繰り返してＲＧＢの各色に対応した電子輸送性発光層１５ｂを形成する。
【００８７】
ここで、絶縁性基板１１上に形成された各表示画素ＰＩＸの画素電極１４上に形成される電子輸送性発光層１５ｂの膜厚特性について詳しく検証する。
図１１は、本実施形態に係る有機ＥＬ層（電子輸送性発光層）の形成工程における効果（膜厚の均一化）を実証するための実験データの一例であり、図１２は、本実施形態に係る有機ＥＬ層（電子輸送性発光層）の形成工程における効果（膜厚のバラツキの縮小）を実証するための実験データの一例である。
【００８８】
ここでは、バンクにより画素形成領域が画定された単一の絶縁性基板において、ノズルプリンティング法を適用して赤色の発光材料をキシレン（有機溶媒）に２ｗｔ％の濃度で溶解又は分散した上述の有機化合物含有液を、図１１（ａ）に示すように同画素に同量ずつ２回に分けて塗布（２回塗り）する場合と、図１１（ｂ）に示すように同画素に同量ずつ３回に分けて塗布（３回塗り）する場合の各画素（画素番号）における発光層の膜厚を測定した。この場合の基板温度は４０℃、ノズルからの吐出量は１２９．５６±０．９４μｌ／min、ノズル走査速度は１回目の塗布走査では１．５ｍ／ｓ、２回目の塗布走査では１．２５ｍ／ｓ、３回目の塗布走査では１．２５ｍ／ｓに設定した。なお、３回塗りにおける塗布総量は、２回塗りにおける塗布総量よりも塗布１回分多くなっている。
【００８９】
また、絶縁性基板に配列される１列の画素数を１００画素、各表示画素（画素形成領域）における塗布領域の寸法を３７０×５５μｍ、各表示画素（画素形成領域）における測定領域の寸法を３２５×２０μｍに設定し、各列１００画素全てに連続して塗布した後、各列の表示画素のうち、列方向１画素おきに５０画素（すなわち奇数番目又は偶数番目の画素）を抽出して各表示画素における上記測定領域内での発光層の膜厚を測定し、最大値（最厚値）、最小値（最薄値）及び平均値を算出して評価を行った。つまり、図１１の横軸の画素番号は、各列方向に沿って配列された画素の配列順番の値であり、ここでは、奇数番目のみ膜厚を示している。
【００９０】
これによれば、各画素形成領域に有機化合物含有液を２回塗りした場合には、図１１（ａ）に示すように、測定領域内の発光層の膜厚の最大値及び最小値ともバラツキがあったが、塗布総量を同じ条件にして１回塗りした場合に比べて膜厚のバラツキは抑えられ、膜厚の平均値に対する最大値と最小値の差が膜厚の５％以内であった表示画素は６６％であり、膜厚の平均値に対する最大値と最小値の差が膜厚の２％以内であった表示画素は０％であった。
【００９１】
各画素形成領域に有機化合物含有液を３回塗りした場合には、図１１（ｂ）に示すように、測定領域内の発光層の膜厚の最大値及び最小値ともバラツキが大幅に抑制されて、膜厚の平均値に対する最大値と最小値の差が膜厚の５％以内であった表示画素は１００％であり、同様に、膜厚の平均値に対する最大値と最小値の差が膜厚の２％以内であった表示画素は８８％に達することが判明した。
【００９２】
また、単一画素における列方向の膜厚のバラツキを検証するため、絶縁性基板上の特定の表示画素（例えば、４９画素目）を抽出し、当該測定領域の略全域で形成された発光層の膜厚の最大値及び最小値を測定し、各測定位置における平均値（平均膜厚）に対するバラツキ（平均膜厚を０に換算したときの膜厚の差分）を検証すると、図１２に示すように、２回塗りの場合（図中、点線で表示）に比較して３回塗りの場合（図中、実線で表示）の方が膜厚のバラツキが大幅に抑制される（ほぼ平均膜厚に近似する）ことが判明した。
【００９３】
このように、ノズルプリンティング法やインクジェット法を用いて、同量の有機化合物含有液を複数回（例えば３回）に分けて塗布した後、加熱乾燥処理を行うことにより、画素電極１４上に略均一な膜厚を有する電子輸送性発光層１５ｂを含む有機ＥＬ層（発光機能層）１５が形成される（担体輸送層形成工程）。
【００９４】
次いで、図８（ｂ）に示すように、上記バンク１７及び有機ＥＬ層１５（正孔輸送層１５ａ及び電子輸送性発光層１５ｂ）が形成された絶縁性基板１１上に光反射特性を有し、各画素形成領域Ｒpxの有機ＥＬ層１５を介して各画素電極１４に対向する共通の対向電極（例えばカソード電極）１６を形成する。
【００９５】
ここで、対向電極１６は、例えば真空蒸着法やスパッタリング法を用いて、１〜１０ｎｍ厚のカルシウム（Ｃａ）、バリウム（Ｂａ）、リチウム（Ｌｉ）、インジウム（Ｉｎ）等の仕事関数の低い電子注入層（カソード電極）と、１００ｎｍ以上の厚さのアルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、銀（Ａｇ）、パラジウム銀（ＡｇＰｄ）系の合金、又は、ＩＴＯ等の透明電極等からなる高仕事関数の薄膜（給電電極）と、を積層した電極構造を適用することができる。
【００９６】
また、対向電極１６は、図１、図４に示したように、各画素形成領域Ｒpx（有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの形成領域）内の上記画素電極１４に対向する領域のみならず、各画素形成領域Ｒpx（有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの形成領域）を画定するバンク１７及び絶縁膜１３ａ、１３ｂ上にまで延在する単一の導電層（べた電極）として形成される（対向電極形成工程）。
【００９７】
次いで、上記対向電極１６を形成した後、絶縁性基板１１の一面側全域にシリコン酸化膜やシリコン窒化膜等からなる封止層１８をＣＶＤ法等を用いて形成することにより、図４に示したような断面構造（ボトムエミッション型の発光構造）を有する複数の表示画素ＰＩＸ（有機ＥＬ素子ＯＬＥＤと画素駆動回路ＤＣ）がマトリクス状に配列された表示パネル１０が完成する。なお、上記封止層１８に加えて、又は、封止層１８に替えて、ＵＶ硬化又は熱硬化接着剤を用いて、メタルキャップ（封止蓋）やガラス等の封止基板を接合するものであってもよい。
【００９８】
以上説明したように、本実施形態に係る表示装置の製造方法によれば、発光層となる有機化合物含有液を塗布する工程において、ノズルから複数回に分けて、同量（一定量）もしくは略同等の量の有機化合物含有液を吐出することにより、少なくとも画素電極上を含む画素形成領域内の広い領域に当該有機化合物含有液を馴染ませて塗布して、発光層である電子輸送性発光層を平坦化することができるので、有機ＥＬ層（正孔輸送層及び電子輸送性発光層）の膜厚の薄い領域に発光駆動電流が集中して流れることに起因して、有機ＥＬ層（有機ＥＬ素子）の劣化が著しくなったり、発光開始電圧が設計値から変化して（ずれて）、所望の発光輝度が得られなくなる現象を抑制して、信頼性や表示画質に優れた表示パネルを提供することができる。
【００９９】
＜第２実施形態＞
次に、本発明に係る表示装置の製造方法における第２の実施形態について説明する。ここで、表示パネルの画素配列状態や各表示画素の回路構成及び平面レイアウトは、上述した第１の実施形態と同等であるので、図１〜図９を適宜参照しながら、第２の実施形態に係る表示装置の製造方法に特徴的な工程ついてのみ具体的に説明する。
【０１００】
上述した第１の実施形態においては、各表示画素ＰＩＸの色を規定する発光層である電子輸送性発光層１５ｂを平坦化するための手法として、ノズルプリンティング法やインクジェット法を用いて同量の有機化合物含有液を複数回に分けて塗布した後、絶縁性基板を加熱乾燥処理して発光層を形成する場合について説明したが、本実施形態においては、ノズルプリンティング法やインクジェット法を用いて有機化合物含有液を複数回に分けて塗布し、各回ごとに加熱乾燥処理を施して発光層の一部となる薄膜を順次積層形成するとともに、少なくとも最終回に塗布される有機化合物含有液により形成される薄膜により被覆される領域を、それ以前の回に塗布された有機化合物含有液により形成される薄膜の被覆領域よりも狭く（小さく）なるように制御して、平坦化された発光層（例えば電子輸送性発光層）を形成することを特徴としている。
【０１０１】
本実施形態に係る発光層の形成方法は、具体的には、以下に示すような手法の一つ、又は、２つ以上の組み合わせを良好に適用することができる。
（１）複数回に分けて塗布する有機化合物含有液の量（塗布量）を制御して、最終回に塗布される有機化合物含有液の量を、それ以前の各回に塗布される有機化合物含有液の量よりも少なくするように設定する。
【０１０２】
（２）有機化合物含有液を複数回に分けて塗布する際の絶縁性基板（厳密には絶縁性基板が載置されたステージ）の温度を制御して、最終回に塗布される有機化合物含有液の乾燥速度を、それ以前の各回における乾燥速度よりも速くするように設定する。
（３）塗布面の種類により親液性（濡れ性）が異なる有機化合物含有液（発光材料及び有機溶媒）を選択して、有機化合物含有液を塗布することにより形成される薄膜に対する親液性が、絶縁性基板又は下地となる部材（画素電極又は正孔輸送層）に対する親液性よりも小さくなるように設定する。
【０１０３】
以下に、上述した（１）〜（３）の手法のうち、（１）の手法のみを適用した場合の有機ＥＬ層（電子輸送性発光層）の形成方法について説明する。ここで、上述した第１の実施形態と同等の製造方法については、その説明を簡略化又は省略する。
図１３は、本実施形態に係る表示装置（表示パネル）の製造方法における有機ＥＬ層（電子輸送性発光層）の形成工程の一例を示す概念図である。なお、図１３においては、有機化合物含有液を塗布する工程を概念的に示すために図示を簡略化し、便宜的に絶縁性基板上に画素電極や絶縁膜が直接形成された断面構造を示した。
【０１０４】
本実施形態に係る表示装置の製造方法は、上述した第１の実施形態と同様に、まず、絶縁性基板１１表面から連続的に突出するようにバンク１７を形成して、当該バンク１７により各表示画素ＰＩＸの画素形成領域Ｒpxを画定し、当該絶縁性基板１１に酸素プラズマ処理やＵＶオゾン処理を施して、少なくとも画素形成領域Ｒpx内に露出する画素電極１４の上面を親液化する。ここで、上述した第１の実施形態においては、画素電極１４の親液化処理の後、バンク１７表面を撥液化処理する場合について説明したが、本実施形態においてはバンク１７の撥液化処理を行わない。
【０１０５】
次いで、画素形成領域Ｒpx内に正孔輸送材料を含む有機化合物含有液を塗布して、少なくとも画素電極１４上に正孔輸送層１５ａを形成し、その後、図１３（ａ）に示すように、１回目の塗布工程としてノズル（図示を省略）から電子輸送性発光材料を含む第１の量の有機化合物含有液ＥＭ21を吐出して画素形成領域Ｒpx内に塗布し、加熱乾燥処理を施して、図１３（ｂ）に示すように、電子輸送性発光材料の薄膜ＦＬ21を形成する。
【０１０６】
有機化合物含有液ＥＭ21は、有機化合物含有液ＥＭ21の表面張力、有機化合物含有液ＥＭ21と正孔輸送層１５ａとの間の表面張力、有機化合物含有液ＥＭ21とバンク１７との間の表面張力によって中央がへこむようなメニスカスが形成される。このため、１回目の塗布工程によりこの状態で乾燥して堆積された薄膜ＦＬ21は、中央がへこんだ形状になっている。ここで、第１の量は、有機化合物含有液ＥＭ21が例えはバンク１７側面を含む画素形成領域Ｒpx内の全域に馴染んで広がる程度の比較的多い量に設定されている。
【０１０７】
このように、画素形成領域Ｒpx内の画素電極１４上に正孔輸送層１５ａを介して有機化合物含有液ＥＭ21が十分馴染んで薄く広がって有機化合物含有液ＥＭ21がバンク１７に接することでこれらの界面での表面張力が発生してしまい、当該有機化合物含有液ＥＭ21の液面端部が撥液化処理を施してないバンク１７側面に沿って迫り上がるように広がるので、有機化合物含有液ＥＭ21の液面は、絶縁性基板１１表面の段差や、バンク１７側面への両端部の迫り上がりにより、画素電極１４中央付近の液面が相対的に低くなり、その液面に応じた表面段差を有する薄膜ＦＬ21が形成される。
【０１０８】
次いで、図１３（ｃ）に示すように、２回目の塗布工程としてノズル（図示を省略）から電子輸送性発光材料を含む第２の量の有機化合物含有液ＥＭ22を吐出して画素形成領域Ｒpx内の画素電極１４上の領域に塗布し、加熱乾燥処理を施して、図１３（ｅ）に示すように、電子輸送性発光材料の薄膜ＦＬ22を形成する。ここで、有機化合物含有液ＥＭ22は、１回目の有機化合物含有液ＥＭ21と同じ溶液であり、また、第２の量は、図１３（ｄ）、（ｅ）に示すように、薄膜ＦＬ21上に塗布された有機化合物含有液ＥＭ22が、例えば画素電極１４の平面パターンに対応する領域には広がるが、その液面の両端部がバンク１７の側面に接しない、或いは接したとしても有機化合物含有液ＥＭ21とバンク１７との間の表面張力が１回目の塗布のときと比べて相対的に大きくならない程度の比較的少ない量に設定されている。
【０１０９】
これにより、図１３（ｅ）に示すように、１回目の塗布工程に基づく薄膜ＦＬ21の表面段差が比較的低く形成されていた画素形成領域Ｒpx内の画素電極１４に対応する領域に、２回目の塗布工程において塗布された有機化合物含有液ＥＭ21が十分馴染んで広がるとともにバンク１７による迫り上がりを抑えて、少なくとも画素形成領域Ｒpx内の画素電極１４に対応する領域（又はバンク１７による段差の影響を受けない領域）に薄膜ＦＬ21のへこみを緩和するように薄膜ＦＬ22が堆積されるので、平坦化された薄膜ＦＬ21及び薄膜ＦＬ22の積層構造が略均一な膜厚となる電子輸送性発光層１５ｂが形成される。
【０１１０】
なお、本実施形態においても、図１０に示した場合と同様に、画素形成領域Ｒpxに塗布される有機化合物含有液ＥＭ21、ＥＭ22を、図示の都合上、便宜的に液滴状に示したが、ノズルプリンティング法を適用した場合には液流状に吐出される。また、図１３（ａ）、（ｃ）に示した１、２回目の有機化合物含有液ＥＭ21、ＥＭ22の塗布工程においては、上述した正孔輸送層１５ａの形成工程と同様に、ノズルＮＺＬを図面に垂直方向（すなわち、図１、図９に示した絶縁性基板１１の列方向）に走査させつつ往復動作させ、かつ、往路と復路で異なる列（同色となる次の列）の画素形成領域Ｒpxに塗布されるように、当該ノズルもしくは絶縁性基板１１が載置されたステージを移動制御する。
【０１１１】
ここで、１、２回目の有機化合物含有液ＥＭ21、ＥＭ22の量（第１及び第２の量）を変化させる手法としては、ノズルからの有機化合物含有液の吐出量自体を変化させる手法のほか、図９に示したような走査経路での塗布工程において、ノズルもしくはステージの移動速度（すなわち塗布走査速度）を変化させることにより、上記第１及び第２の量を任意に制御するものであってもよい。
【０１１２】
また、図１に示したように、ＲＧＢ３色の表示画素ＰＩＸ（色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂ）が各色ごとに列方向に配列され、かつ、ＲＧＢの３色が繰り返し配列された表示パネル１０においては、各色ごとにノズルを３列おきに往路走査と復路走査を繰り返して絶縁性基板１１の全域を走査することにより３色分の塗布動作を実行し、このような動作を図１３（ａ）、（ｃ）のように２回繰り返してＲＧＢの各色に対応した電子輸送性発光層１５ｂを形成する。
【０１１３】
このように、本実施形態に係る表示装置の製造方法によれば、有機化合物含有液を塗布して発光層（例えば電子輸送性発光層）を形成する工程において、ノズルから有機化合物含有液を複数回に分けて塗布し、各回ごとに加熱乾燥処理を施して発光層の一部となる薄膜を順次積層形成するとともに、少なくとも最終回に塗布される有機化合物含有液の量を、それ以前の回に塗布される有機化合物含有液の量よりも少なくして、最終回の塗布により形成される薄膜の被覆領域を、それ以前の回の塗布により形成される薄膜の被覆領域よりも狭く（小さく）なるように制御することにより、複数の薄膜を積層してなる発光層の全体の膜厚を均一化することができる。
【０１１４】
また、発光層となる複数の薄膜を順次積層形成し、各薄膜の被覆領域が変化するように制御することにより、絶縁性基板上に連続して突出するバンクによる段差の影響を抑制して、画素電極上の発光層を平坦化することができる。
したがって、上述した第１の実施形態と同様に、有機ＥＬ層（正孔輸送層及び電子輸送性発光層）の膜厚のバラツキに起因する有機ＥＬ層（有機ＥＬ素子）の劣化や発光輝度のずれを抑制して、信頼性や表示画質に優れた表示パネルを提供することができる。
ノズルにおける単位時間の有機化合物含有液の排出量が１回目との塗布と２回目以降で同じ場合、塗布量を減らすためにノズルの走査速度を２回目以降早くすればよい。
【０１１５】
なお、上述した具体例においては、（１）の手法における有機ＥＬ層（電子輸送性発光層）の形成方法について説明したが、（２）の手法においては、具体的には、ノズルから有機化合物含有液を複数回に分けて塗布し、各回ごとに加熱乾燥処理を施して発光層の一部となる薄膜を順次積層形成する際に、少なくとも最終回（図１３に示した塗布工程においては２回目）の塗布工程における絶縁性基板の温度を高く設定して、それ以前の回の塗布工程における有機化合物含有液よりも速く（例えばバンク側面に到達する前に）乾燥するようにし、最終回の塗布により形成される薄膜の被覆領域を、それ以前の回の塗布により形成される薄膜の被覆領域よりも狭く（小さく）なるように制御する。
【０１１６】
また、（３）の手法においては、具体的には、ノズルから有機化合物含有液を複数回に分けて塗布し、各回ごとに加熱乾燥処理を施して発光層の一部となる薄膜を順次積層形成する際に、塗布面となる正孔輸送層１５ａにおける有機化合物含有液に対する親液性が、有機化合物含有液を塗布して形成された薄膜における有機化合物含有液に対する親液性よりも大きくなるように、有機化合物含有液をなる発光材料や有機溶媒を選択して、少なくとも最終回（図１３に示した塗布工程においては２回目）の塗布工程における有機化合物含有液の広がりを、それ以前の回の塗布により形成される薄膜の被覆領域よりも狭く（小さく）なるように制御する。
このような（２）、（３）の手法によっても、複数の薄膜を積層してなる発光層（例えば電子輸送性発光層）の全体の膜厚を均一化することができる。
【０１１７】
ところで、上述した第１及び第２の実施形態においては、有機化合物含有液が画素形成領域Ｒpxを越えて漏洩しないように絶縁性基板１１表面から連続的に突出するようにバンク１７が形成され、当該バンク１７により画定された画素形成領域Ｒpxに有機化合物含有液を塗布する場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、バンクを用いることなく各画素形成領域が規定された絶縁性基板に有機化合物含有液を塗布して発光層を形成する場合であっても良好に適用することができる。以下に、具体的に説明する。
【０１１８】
図１４は、本実施形態に係る表示装置（表示パネル）の製造方法における有機ＥＬ層（電子輸送性発光層）の形成工程の他の例を示す概念図である。なお、図１４においては、有機化合物含有液を塗布する工程を概念的に示すために図示を簡略化し、便宜的に絶縁性基板上に画素電極や絶縁膜が直接形成された断面構造を示した。
【０１１９】
本具体例に係る表示装置の製造方法は、まず、図１４（ａ）に示すように、絶縁性基板１１上に所定の配列（表示画素に対応する配列）で形成された複数の画素電極１４間に、隣接する表示画素相互の境界となる絶縁膜１３（上述した絶縁膜１３ａ、１３ｂに相当する）が形成され、少なくとも画素形成領域Ｒpx内に露出する画素電極１４の上面を有機化合物含有液に対して親液化するとともに、絶縁膜１３表面を有機化合物含有液に対して撥液化する。
【０１２０】
次いで、各画素形成領域Ｒpxを含む絶縁性基板１１全域に正孔輸送材料を含む有機化合物含有液を塗布して、少なくとも画素電極１４上に正孔輸送層１５ａを形成する。このとき、有機化合物含有液は画素電極１４上のみならず絶縁膜１３上にも跨って塗布されるので、正孔輸送層１５ａは画素電極１４と絶縁膜１３との間の段差によって絶縁膜１３上において隆起している。その後、図１４（ａ）に示すように、１回目の塗布工程として電子輸送性発光材料を含む第１の量の有機化合物含有液ＥＭ31を吐出して絶縁膜１３に囲まれた画素形成領域Ｒpx内に塗布し、加熱乾燥処理を施して、図１４（ｂ）に示すように、電子輸送性発光材料の薄膜ＦＬ31を形成する。
【０１２１】
ここで、各表示画素ＰＩＸ（画素形成領域Ｒpx）間に形成された絶縁膜１３によって隆起している正孔輸送層１５ａは、画素電極１４上において相対的に凹んでいるので第１の量の有機化合物含有液ＥＭ31も正孔輸送層１５ａの凹凸に影響され、有機化合物含有液ＥＭ31の液面は、画素電極１４中央上の領域の液面が相対的に低くなり、その液面に応じた表面段差を有する薄膜ＦＬ31が形成される。
【０１２２】
次いで、図１４（ｃ）に示すように、２回目の塗布工程として電子輸送性発光材料を含む第２の量の有機化合物含有液ＥＭ32を吐出して画素形成領域Ｒpx内の画素電極１４上の領域に塗布し、加熱乾燥処理を施して、図１４（ｅ）に示すように、電子輸送性発光材料の薄膜ＦＬ32を形成する。ここで、有機化合物含有液ＥＭ32は、１回目の有機化合物含有液ＥＭ31と同じ溶液であり、また、第２の量は、図１４（ｄ）、（ｅ）に示すように、薄膜ＦＬ31上に塗布された有機化合物含有液ＥＭ32が、例えば画素電極１４の平面パターンに対応する領域には広がるが、その液面の両端部が画素形成領域Ｒpxを画定する絶縁膜１３上までは広がらない程度の比較的少ない量に設定されている。
【０１２３】
これにより、図１４（ｅ）に示すように、１回目の塗布工程に基づく薄膜ＦＬ31の表面段差が比較的低く形成されていた画素形成領域Ｒpx内の画素電極１４に対応する領域に、２回目の塗布工程において塗布された有機化合物含有液ＥＭ31が十分馴染んで広がり、少なくとも画素形成領域Ｒpx内の画素電極１４に対応する領域に薄膜ＦＬ31及び薄膜ＦＬ32を積層してなる、略均一な膜厚を有する電子輸送性発光層１５ｂが形成される。
【０１２４】
このように、本実施形態に係る表示装置の製造方法によれば、上述した各実施形態に示したように、絶縁性基板上に連続して突出するバンクを形成することなく画素電極上に均一な膜厚を有する発光層（電子輸送性発光層）を形成することができる。
したがって、上述した各実施形態と同様に、有機ＥＬ層（正孔輸送層及び電子輸送性発光層）の膜厚のバラツキに起因する有機ＥＬ層（有機ＥＬ素子）の劣化や発光輝度のずれを抑制して、信頼性や表示画質に優れた表示パネルを提供することができる。
【０１２５】
なお、図１３、図１４に示した表示装置の製造方法においては、有機化合物含有液の塗布動作を２回実行する場合について説明したが、３回以上の複数回塗布動作を実行するものであってもよい。この場合、最終回の塗布動作において形成される薄膜の被覆領域を、それ以前の回の塗布動作により形成される薄膜の被覆領域よりも狭く（小さく）なるように制御するものであればよい。
【０１２６】
（具体的な実験データによる効果の検証）
次に、上述した各実施形態について、さらに具体的な実験データを示して効果を検証する。
上述した第１実施形態において、１ライン２４０画素にして、１画素における画素電極１４の開口部が縦２６６．５μｍ、横６４μｍで、画素電極１４の親液化処理として酸素プラズマ処理を行ったものについて１回塗り、２回塗り、３回塗りの塗り総量が同じになるように設定して１２０番目の表面（中央の画素）の状態を測定した。ポリパラフェニレンビニレン系やポリフルオレン系等の共役二重結合ポリマーを含む発光材料を用いた２．０ｗｔ％キシレン溶液の塗布を行った。
【０１２７】
図１５は３回塗り、２回塗りの膜の表面の段差を測定したグラフである。
３回塗りでは、ノズルＮＺＬの塗布走査速度が２．５ｍ／ｓｅｃ、基板１１の加熱温度が４０℃、総塗布流量が８０．８７μｌ／ｍｉｎに設定し、流量のバラツキ（３σ値）が１．１０μｌ／ｍｉｎであった。図１５から明らかなように、膜表面の凹凸ばらつきが最も小さい結果となった。
【０１２８】
２回塗りでは、ノズルＮＺＬの塗布走査速度が１．５ｍ／ｓｅｃ、基板１１の加熱温度が４０℃、総塗布流量が７９．５５μｌ／ｍｉｎに設定し、流量のバラツキ（３σ値）が１．０７μｌ／ｍｉｎであった。膜表面の凹凸ばらつきが３回塗りより凹凸の程度が多少大きく見られた。
【０１２９】
図１６は１回塗りの膜の表面の段差を測定したグラフである。
１回塗りでは、ノズルＮＺＬの塗布走査速度が１ｍ／ｓｅｃ、基板１１の加熱温度が４０℃、総塗布流量が７９．１２μｌ／ｍｉｎに設定し、流量のバラツキ（３σ値）が１．１１μｌ／ｍｉｎであった。１回塗りは膜厚が２回塗り、３回塗りより薄く、また、大きくばらつきが見られた。
【０１３０】
図１７は、３回塗りにおいて、１ライン２４０画素のうち６画素ごとに１画素の膜の表面の膜厚を測定したものであり、これらの測定を複数のラインで行い、最小値、最大値、平均値を求めたものである。最大値と最小値の差が膜厚の５％以内であった表示画素は１００％であり、膜厚の平均値に対する最大値と最小値の差が膜厚の２％以内であった表示画素は９７．５％であり、膜厚の平均値に対する最大値と最小値の差が膜厚の１．５％以内であった表示画素は７７．５％であった。
【０１３１】
図１８は、２回塗りにおいて、１ライン２４０画素のうち６画素ごとに１画素の膜の表面の膜厚を測定したものであり、これらの測定を複数のラインで行い、最小値、最大値、平均値を求めたものである。最大値と最小値の差が膜厚の５％以内であった表示画素は１００％であり、膜厚の平均値に対する最大値と最小値の差が膜厚の２％以内であった表示画素は７２．５％であり、膜厚の平均値に対する最大値と最小値の差が膜厚の１．５％以内であった表示画素は１７．５％であった。
【０１３２】
また、第２実施形態において、１ライン２４０画素にして、１画素における画素電極１４の開口部が縦２６６．５μｍ、横６４μｍで、画素電極１４の親液化処理として酸素プラズマ処理を行ったものについて２回塗りでの横方向での膜厚のばらつきを測定した。ポリパラフェニレンビニレン系やポリフルオレン系等の共役二重結合ポリマーを含む発光材料を用いた２．０ｗｔ％キシレン溶液の塗布を行った。
【０１３３】
２回塗りにおいて、基板１１の加熱温度が４０℃とし、１回目の塗布での塗布流量が８４〜８６μｌ／ｍｉｎ、ノズルＮＺＬの塗布走査速度が３．０ｍ／ｓｅｃに設定し、２回目の塗布での塗布流量が４６〜５０μｌ／ｍｉｎと１回目より少なくし、ノズルＮＺＬの塗布走査速度が１．０ｍ／ｓｅｃから０．２ｍ／ｓｅｃごとに上昇して３．０ｍ／ｓｅｃまでの１１パターンに設定した。
【０１３４】
図１９は、１回目の塗布での塗布流量が８４．６６μｌ／ｍｉｎ、流量のバラツキ（３σ値）が１．３７μｌ／ｍｉｎ、２回目の塗布での塗布流量が４６．８６μｌ／ｍｉｎ、流量のバラツキ（３σ値）が２．０７μｌ／ｍｉｎであったときの画素の横方向での膜厚のバラツキを示すものであり、左側及び右側で高いのは、バンク１７による影響である。ここで、画素内の膜厚が、膜厚の最小値（６２．５ｎｍ）から最小値の１１０％となる６８．７５ｎｍまでの間（最小値から＋１０％以内；図中では便宜的にハッチングを施して表記）に収まる横方向の長さが２９μｍあった。
【０１３５】
また、図２０は、２回目のノズルＮＺＬの塗布走査速度をそれぞれ変調した場合の、それぞれの画素内の膜厚が、最小値から最小値の１１０％のまでの間（最小値から＋１０％以内）に収まる画素の横方向の長さをプロットしたグラフであり、ノズルＮＺＬの塗布走査速度１．６ｍ／ｓｅｃ〜２．４ｍ／ｓｅｃが、画素の横方向の長さが２８μｍを越えて最も長かった。図２１は、２回目のノズルＮＺＬの塗布走査速度をそれぞれ１．２ｍ／ｓｅｃ、２．２ｍ／ｓｅｃ、２．８ｍ／ｓｅｃとしたときの画素の横方向での表面の高さを示すグラフである。２回目のノズルＮＺＬの塗布走査速度が１．４ｍ／ｓｅｃ以下では、塗布走査速度が遅い（塗布量が多い）ため、バンク１７の際部への吸い上げ量も多く、バンク１７の頂点部への乗り上げが見られ、また、画素中央が薄くなってしまっている。
【０１３６】
２回目のノズルＮＺＬの塗布走査速度が２．６ｍ／ｓｅｃ以上では、バンク１７の際部に到達する前に乾燥する割合が高くなり、バンク１７の際部よりやや中央寄りが突出するメニスカスが形成されている。乾燥速度が早くバンク１７による吸い上げが抑えられ、また塗布走査速度が早い（塗布量が少ない）ため、平坦性が低下したと考えられる。
【０１３７】
２回目のノズルＮＺＬの塗布走査速度が１．４ｍ／ｓｅｃ以下のように、塗布量が多いときは、基板１１の加熱温度を上げる、もしくは低沸点溶媒を用い、乾燥速度を早めることによって膜厚の均一性の改善が可能となる。つまり、バンク１７の頂点部やバンク１７の際部へ吸い上がる前に乾燥しやすくなるため、平坦性は向上できる。
【０１３８】
２回目のノズルＮＺＬの塗布走査速度が２．６ｍ／ｓｅｃ以上のように、塗布量が少ないとき、基板１１の加熱温度を下げ、もしくは高沸点溶媒を用い、乾燥速度を遅くさせることによって膜厚の均一性の改善が可能となる。つまり、溶液がバンク１７の際部に到達しやすくなるので上述したメニスカスの形成を抑え、平坦性は向上できる。
【０１３９】
なお、上述した各実施形態においては、有機ＥＬ層が正孔輸送層及び電子輸送性発光層からなる場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば正孔輸送兼電子輸送性発光層のみでもよく、正孔輸送性発光層及び電子輸送層でもよく、また、間に適宜担体輸送層が介在してもよく、その他の担体輸送層の組合せであってもよい。
【０１４０】
そして、上述した各実施形態に示した表示装置の製造方法は、電子輸送性発光層のような発光層に限定されるものではなく、正孔輸送層や電子輸送層、その他の担体輸送層に対しても良好に適用することができる。さらに、これらの有機ＥＬ層（正孔輸送層や電子輸送層、発光層等）に限らず、有機溶液を塗布する湿式成膜法により他の有機膜を形成する場合にも良好に適用することができる。
【０１４１】
また、上述した各実施形態においては、ボトムエミッション型の発光構造を有する表示パネルについて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、トップエミッション型の発光構造を有するものであってもよい。この場合、画素電極はアルミニウムやクロム等の光反射特性を有する導電性材料により形成され、対向電極はＩＴＯ等の光透過特性を有する導電性材料により形成されていればよい。
さらに、上述した各実施形態においては、画素電極をアノード電極としたが、これに限らずカソード電極としてもよい。このとき、有機ＥＬ層は、画素電極に接する担体輸送層が電子輸送性の層であればよい。
【図面の簡単な説明】
【０１４２】
【図１】本発明に係る表示装置に適用される表示パネルの画素配列状態の一例を示す概略平面図である。
【図２】本発明に係る表示装置の表示パネルに２次元配列される各表示画素（発光素子及び画素駆動回路）の回路構成例を示す等価回路図である。
【図３】本発明に係る表示装置（表示パネル）に適用可能な表示画素の一例を示す平面レイアウト図である。
【図４】本発明に係る平面レイアウトを有する表示画素における概略断面図である。
【図５】本発明に係る表示装置（表示パネル）の製造方法の第１の実施形態を示す工程断面図（その１）である。
【図６】本発明に係る表示装置（表示パネル）の製造方法の第１の実施形態を示す工程断面図（その２）である。
【図７】本発明に係る表示装置（表示パネル）の製造方法の第１の実施形態を示す工程断面図（その３）である。
【図８】本発明に係る表示装置（表示パネル）の製造方法の第１の実施形態を示す工程断面図（その４）である。
【図９】本実施形態に係る表示装置（表示パネル）の製造方法における有機化合物含有液の塗布工程（塗布走査経路）を示す概念図である。
【図１０】本実施形態に係る表示装置（表示パネル）の製造方法における有機ＥＬ層（電子輸送性発光層）の形成工程を示す概念図である。
【図１１】本実施形態に係る有機ＥＬ層（電子輸送性発光層）の形成工程における効果（膜厚の均一化）を実証するための実験データの一例である。
【図１２】本実施形態に係る有機ＥＬ層（電子輸送性発光層）の形成工程における効果（膜厚のバラツキの縮小）を実証するための実験データの一例である。
【図１３】本実施形態に係る表示装置（表示パネル）の製造方法における有機ＥＬ層（電子輸送性発光層）の形成工程の一例を示す概念図である。
【図１４】本実施形態に係る表示装置（表示パネル）の製造方法における有機ＥＬ層（電子輸送性発光層）の形成工程の他の例を示す概念図である。
【図１５】本実施形態に係る表示装置（表示パネル）の製造方法における有機ＥＬ層（電子輸送性発光層）の３回塗り、２回塗りの膜の表面の段差を示す実験データの一例である。
【図１６】本実施形態に係る表示装置（表示パネル）の製造方法における有機ＥＬ層（電子輸送性発光層）の１回塗りの膜の表面の段差を示す実験データの一例である。
【図１７】本実施形態に係る表示装置（表示パネル）の製造方法における各画素の膜の表面の膜厚を測定した実験データの一例（その１）である。
【図１８】本実施形態に係る表示装置（表示パネル）の製造方法における各画素の膜の表面の膜厚を測定した実験データの一例（その２）である。
【図１９】本実施形態に係る表示装置（表示パネル）の製造方法における１つの画素の横方向の表面の高さを測定した実験データの一例（その１）である。
【図２０】本実施形態に係る表示装置（表示パネル）の製造方法における１つの画素の横方向の均一な膜の部分の長さを測定した実験データの一例である。
【図２１】本実施形態に係る表示装置（表示パネル）の製造方法における１つの画素の横方向の表面の高さを測定した実験データの一例（その２）である。
【符号の説明】
【０１４３】
１０        表示パネル
１１        絶縁性基板
１３ａ、１３ｂ    絶縁膜
１４        画素電極
１５        有機ＥＬ層
１５ａ      正孔輸送層
１５ｂ      電子輸送性発光層
１６        対向電極
１７        バンク
ＰＩＸ      表示画素
Ｒpx        画素形成領域
ＥＭ11〜ＥＭ13、ＥＭ21〜ＥＭ22、ＥＭ31〜ＥＭ32    有機化合物含有液
ＦＬ21〜ＦＬ22、ＦＬ31〜ＦＬ32    薄膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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