(57)【要約】【課題】転写元基板と転写先基板との接着力を向上し、さらに転写先基板と配線基板との接続抵抗を低減することのできる接続構造体を提供する。【解決手段】本発明の接続構造体（電気光学装置）は、複数の第１端子１９と、隣接する第１端子１９間に設けられた突起部１７と、第１端子１９及び突起部１７を含む被転写層と、前記被転写層が転写された転写先基板１０と、複数の第１端子１９にそれぞれ対応する複数の第２端子３１と、第２端子３１が設けられた配線基板３と、第１端子１９と第２端子３１とを電気的に接続する複数の導電粒子３５ａを含む異方性導電部材３５と、を備えている。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の第１端子と前記複数の第１端子の各々の間に設けられた突起部とを備えた被転写層と、
前記被転写層が転写された転写先基板と、
前記複数の第１端子にそれぞれ対応する複数の第２端子を備えた配線基板と、
前記複数の第１端子と前記複数の第２端子とをそれぞれ電気的に接続する異方性導電部材とを備えたことを特徴とする接続構造体。
【請求項２】
前記突起部は複数の突起によって構成されていることを特徴とする請求項１に記載の接続構造体。
【請求項３】
前記複数の突起は前記複数の第１端子の配列軸に沿って設けられていることを特徴とする請求項２に記載の接続構造体。
【請求項４】
前記複数の突起は前記複数の第１端子の延在方向に沿って設けられていることを特徴とする請求項２に記載の接続構造体。
【請求項５】
前記突起部は、前記複数の第１端子の配列軸に沿って切断した断面が矩形又は台形の形状をなしていることを特徴とする請求項１〜４のいずれかの項に記載の接続構造体。
【請求項６】
前記被転写層は、前記複数の第１端子とそれぞれ電気的に接続された複数の配線と、前記複数の配線を覆う絶縁膜とを含み、
前記突起部は、前記絶縁膜と同一部材によって形成されていることを特徴とする請求項１〜５のいずれかの項に記載の接続構造体。
【請求項７】
前記突起部の厚みは、第１端子の厚み、前記異方性導電部材に含まれる導電粒子の厚み及び第２端子の厚みの総和以下であることを特徴とする請求項１〜６のいずれかの項に記載の接続構造体。
【請求項８】
前記複数の第１端子と前記複数の第２端子とが対向する対向領域の前記導電粒子の密度は、前記複数の第１端子の各々の間の領域及び複数の第２端子の各々の間の領域の前記導電粒子の密度よりも大きいことを特徴とする請求項７に記載の接続構造体。
【請求項９】
転写元基板上に複数の第１端子と前記複数の第１端子の各々の間に配置された突起部とを含む被転写層を形成する工程と、
前記転写元基板の前記被転写層側の面に第１転写先基板を接着する工程と、
前記転写元基板から前記被転写層を剥離して前記第１転写先基板上に前記被転写層を転写する工程と、
前記第１転写先基板の前記被転写層側の面に第２転写先基板を接着する工程と、
前記第１転写先基板から前記被転写層を剥離して前記第２転写先基板上に前記被転写層を転写する工程と、
前記第２転写先基板の前記被転写層側の面に前記複数の第１端子にそれぞれ対応する複数の第２端子を含む配線基板を異方性導電部材を介して接続する工程と、を備えたことを特徴とする接続構造体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被転写層が転写された基板と配線基板とを接続した接続構造体の製造技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、薄型、軽量で自由に折り曲げることのできるフレキシブルデバイスの開発が進められている。例えば、電子ペーパーに代表されるフレキシブルディスプレイは、携帯時の軽さに加え、衝撃に対する吸収や、手に馴染む柔軟性など、ユビキタス社会の一役を担う電子機器となり得るものである。このような電子機器としては、可撓性を有するプラスチック基板上に転写技術を用いて低温ポリシリコン薄膜トランジスタ等の薄膜素子を転写したものが知られている。
【０００３】
従来の転写工程では、まず転写元基板であるガラス基板上に剥離層を形成し、その上に通常の低温ポリシリコンプロセスを用いて被転写層である薄膜素子及び配線を形成する。そして、転写元基板と転写先基板であるプラスチック基板とを接着剤により接着し、光、熱等により剥離層と転写元基板との密着力を弱め、転写先基板へ被転写層を転写する。プラスチック基板への転写は２回以上の転写工程を用いて行われる場合もある。例えば特許文献１では、転写元基板から第１転写先基板であるガラス基板へ被転写層を転写し、その後、第２転写先基板であるプラスチック基板へ転写を行う。これにより、転写元基板上に積層したのと同じ積層関係で転写先基板上に転写を行うことができる。
【特許文献１】特開２００４−３２７８３６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
転写元基板から転写先基板に被転写層を転写する場合には、転写元基板と転写先基板との間で十分な接着力を確保することが必要である。接着力が不十分だと、被転写層が確実に転写されず、部分的に被転写層が転写元基板に残ってしまう場合があるからである。
【０００５】
一方、電子機器の性能は、転写先基板と配線基板との接続抵抗によっても影響を受ける。図１０は従来の転写先基板と配線基板との接続部の断面図（同図（ａ））及び平面図（同図（ｂ））である。同図に示すように、転写先基板１０と配線基板３とを接続する場合には、接着剤３５ｂ導電粒子３５ａを分散させた異方性導電部材３５が用いられるが、転写先基板１０の第１端子１９と配線基板３の第２端子３１との間に十分な数の導電粒子３５ａが配置されない場合、端子１９，３１間の接続抵抗が増大し、接続不良が発生する。例えば、端子１９，３１間の導電粒子３５ａの密度は第１基板１０と配線基板３との間の間隔の大きさによって変化するが、端子１９，３１が形成された部分は端子１９，３１の厚み分だけ他の部分よりも間隔が狭くなっており、そのため導電粒子３５ａは間隔の広い端子１９，１９間の領域に集まる傾向にある。その結果、端子１９，３１間の導電粒子３５ａの密度が小さくなり、十分な接続抵抗が得られない場合があった。
【０００６】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、転写元基板と転写先基板との接着力を向上し、さらに転写先基板と配線基板との接続抵抗を低減することのできる接続構造体及びその製造方法を提供することを目的とする。また、このような接続構造体を備えることにより、歩留まりが高く、接続信頼性に優れた電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の課題を解決するため、本発明の接続構造体は、複数の第１端子と前記複数の第１端子の各々の間に設けられた突起部とを備えた被転写層と、前記被転写層が転写された転写先基板と、前記複数の第１端子にそれぞれ対応する複数の第２端子を備えた配線基板と、前記複数の第１端子と前記複数の第２端子とをそれぞれ電気的に接続する異方性導電部材とを備えたことを特徴とする。この構成によれば、隣接する第１端子間の領域に突起部が設けられているため、転写元基板を他の基板と接着する際に、突起部の表面積の分だけ接着面積を大きくすることができる。このため、転写元基板と当該他の基板との間で十分な接着力を確保することができ、歩留まりの高い接続構造体を提供できる。また、突起部によって転写先基板と配線基板との間隔を小さくすることができるため、転写先基板と配線基板とを異方性導電部材で接続する際に、異方性導電部材中の導電粒子が端子間の領域に移動しにくくなり、多くの導電粒子を第１端子と第２端子との電気的接続に寄与させることができる。また、隣接する端子間の領域に導電粒子が移動しにくくなるため、端子間の短絡が生じにくくなり、信頼性に優れた接続構造体が提供できる。
【０００８】
本発明においては、前記突起部は複数の突起によって構成されていることが望ましい。例えば、前記複数の突起は前記複数の第１端子の配列軸に沿って設けられていることが望ましい。また、前記複数の突起は前記複数の第１端子の延在方向に沿って設けられていることが望ましい。この構成によれば、突起部の表面積が大きくなるため、さらに転写元基板と前記他の基板との接着力が向上する。なお、第１端子間に複数の突起を設ける場合、当該複数の突起は全ての第１端子間に設ける必要はなく、少なくともいずれかの第１端子間に設ければ良い。
【０００９】
本発明においては、前記突起部は、前記複数の第１端子の配列軸に沿って切断した断面が矩形又は台形の形状をなしていることが望ましい。この構成によれば、突起部の断面が曲面形状を有している場合に比べて、転写元基板と前記他の基板との接着力を大きくすることができる。また、突起部の断面形状を突起部間の溝の幅が転写先基板の表面から離れるに従って狭くなるような順テーパ状の台形形状とした場合、異方性導電部材中の接着剤が突起部間の領域に充填され易くなり、接着力が更に向上する。
【００１０】
本発明においては、前記被転写層は、前記複数の第１端子とそれぞれ電気的に接続された複数の配線と、前記複数の配線を覆う絶縁膜とを含み、前記突起部は、前記絶縁膜と同一部材によって形成されていることが望ましい。この構成によれば、絶縁膜をパターニングする際に同時に突起部を形成できるため、製造工程が簡略化できる。
【００１１】
本発明においては、前記突起部の厚みは、第１端子の厚み、前記異方性導電部材に含まれる導電粒子の厚み及び第２端子の厚みの総和以下であることが望ましい。この構成によれば、第１端子と第２端子とを接続する際に突起部が邪魔になることがない。また、突起部の厚みを、第１端子、第２端子及び導電粒子のそれぞれの厚みの総和と略同じ厚みとした場合、突起部と配線基板との間に導電粒子が殆ど配置されなくなるため、多くの導電粒子を第１端子と第２端子との電気的接続に寄与させることができる。
【００１２】
本発明においては、前記複数の第１端子と前記複数の第２端子とが対向する対向領域の前記導電粒子の密度は、前記複数の第１端子の各々の間の領域及び複数の第２端子の各々の間の領域の前記導電粒子の密度よりも大きいことが望ましい。この構成によれば、第１端子と第２端子との電気的接続に寄与しない無駄の導電粒子の数を減らすことができる。また、隣接する端子間に配置される導電粒子の数が少なくなることで、端子間の短絡も防止することができる。
【００１３】
本発明の接続構造体の製造方法は、転写元基板上に複数の第１端子と前記複数の第１端子の各々の間に配置された突起部とを含む被転写層を形成する工程と、前記転写元基板の前記被転写層側の面に第１転写先基板を接着する工程と、前記転写元基板から前記被転写層を剥離して前記第１転写先基板上に前記被転写層を転写する工程と、前記第１転写先基板の前記被転写層側の面に第２転写先基板を接着する工程と、前記第１転写先基板から前記被転写層を剥離して前記第２転写先基板上に前記被転写層を転写する工程と、前記第２転写先基板の前記被転写層側の面に前記複数の第１端子にそれぞれ対応する複数の第２端子を含む配線基板を異方性導電部材を介して接続する工程と、を備えたことを特徴とする。この方法によれば、隣接する第１端子間の領域に突起部が設けられているため、転写元基板を第１転写先基板と接着する際に、突起部の表面積の分だけ接着面積を大きくすることができる。このため、転写元基板と第１転写先基板との間で十分な接着力を確保することができ、歩留まりの高い接続構造体を提供できる。また、突起部によって第２転写先基板と配線基板との間隔を小さくすることができるため、第２転写先基板と配線基板とを異方性導電部材で接続する際に、異方性導電部材中の導電粒子が端子間の領域に移動しにくくなり、多くの導電粒子を第１端子と第２端子との電気的接続に寄与させることができる。また、隣接する端子間の領域に導電粒子が移動しにくくなるため、端子間の短絡が生じにくくなり、信頼性に優れた接続構造体が提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。かかる実施の形態は本発明の一態様を示すものであり、この発明を限定するものではない。下記の実施形態において、各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。また、以下の図面においては、各構成をわかりやすくするために、実際の構造と各構造における縮尺や数等が異なっている。
【００１５】
以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、該ＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。この際、水平面内における所定方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれに直交する方向（すなわち鉛直方向）をＺ軸方向とする。本実施形態の場合、Ｘ軸方向を走査線の延在方向、Ｙ軸方向をデータ線の延在方向、Ｚ軸方向を観察者による電気光学パネルの観察方向としている。
【００１６】
［第１の実施の形態］
図１は本発明の接続構造体の一実施形態である電気光学装置１の分解斜視図である。電気光学装置１は電気光学パネル２と配線基板３とを備えている。なお、電気光学装置１には、フレームその他の付帯機器が必要に応じて付設されるが、図１ではそれらの図示は省略している。
【００１７】
電気光学パネル２は、互いに対向する第１基板１０及び第２基板２０を備えている。第１基板１０と第２基板２０との間には電気泳動層が挟持されている。電気泳動層は、分散媒中に１種又は２種以上の電気泳動粒子を分散させた電気泳動分散液を主体として構成されている。電気泳動粒子はＴｉＯ２等の無機酸化物又は無機水酸化物からなる直径０．０１μｍ〜１０μｍ程度の微粒子であり、分散媒の水素イオン指数ＰＨによってその表面電荷密度（帯電量）が制御されている。電気泳動粒子は第１基板１０のと第２基板２０との間の電界によって泳動し、一方の基板の表面に付着することで表示を行う。なお、電気泳動分散液はマイクロカプセルの内部に封入しても良い。
【００１８】
第１基板１０及び第２基板２０が対向する対向領域の中央部には表示領域Ａｄが設けられている。表示領域Ａｄには、Ｘ軸方向に延びる複数の走査線１２とＹ軸方向に延びる複数のデータ線１１とが平面視格子状に設けられている。走査線１２とデータ線１１との交差部には、赤色、緑色又は青色のいずれかの色に対応したサブ画素が設けられている。第１基板１０上には、このようなサブ画素がマトリクス状に配置されており、これら複数のサブ画素によって全体としての表示領域Ａｄが形成されている。それぞれのサブ画素にはＴＦＴ（Thin Film Transistor）等の画素スイッチング素子が設けられているが、図１ではそれらの図示は省略している。
【００１９】
第１基板１０には、第２基板２０の外側へ張り出す張出し部１０ｃが設けられている。張出し部１０ｃには、走査線１２及びデータ線１１と電気的に接続された複数の第１端子１９が設けられている。張出し部１０ｃには異方性導電フィルム（Anisotropic Conductive Film；ＡＣＦ）等の異方性導電部材３５を介して配線基板３が電気的に接続されている。配線基板３は第１基板１０の複数の第１端子１９にそれぞれ対応する複数の第２端子３１を備えている。第１端子１９と第２端子３１とは、異方性導電部材３５中の導電粒子（図示略）を介して電気的に接続されている。
【００２０】
図２は張出し部１０ｃの拡大図である。第１基板１０上には接着剤層１４を介して被転写層１５が転写されている。被転写層１５は、複数の画素スイッチング素子を含む画素回路と、該画素回路の周囲に設けられたデータ線駆動回路及び走査線駆動回路等の周辺駆動回路とを含む一組の薄膜素子及び配線を備えている。図２において、第１端子１９、配線１３、層間絶縁膜１６及び突起部１７は被転写層１５に含まれている。本実施形態の場合、画素スイッチング素子と周辺駆動回路は低温ポリシリコン半導体層を含む薄膜トランジスタを備えており、これらが同一基板上に一体に形成されることにより、周辺駆動回路内蔵型の電気光学パネルが形成されている。
【００２１】
図２において符号１３は走査線１２及びデータ線１１を張出し部１０ｃに引き出すための配線である。配線１３には第１端子１９が電気的に接続されている。第１基板１０上には配線１３を覆って層間絶縁膜１６が設けられている。層間絶縁膜１６上には各サブ画素に対応して図示略の複数の画素電極が設けられている。
【００２２】
隣接する第１端子１９間には突起部１７が設けられている。突起部１７は層間絶縁膜１６と同一材料によって形成されている。層間絶縁膜１６の第１端子１９と重なる部分には、第１端子１９を露出するための溝Ｈが設けられている。溝Ｈは第１端子１９の延在方向（Ｙ軸方法）にストライプ状に設けられている。溝Ｈは第１端子１９毎に分離して設けられており、溝Ｈが形成されない部分が突起部１７となっている。
【００２３】
図３は第１端子１９と第２端子３１との接続部の概略構成図である。同図において（ａ）は接続部を第１端子１９の配列軸（Ｘ軸）に沿って切断した断面図であり、（ｂ）は接続部をＺ軸方向から見た平面図である。図３（ａ）に示すように、隣接する第１端子１９間には、配線基板３側に突出する突起部１７が設けられている。突起部１７は矩形又は台形の断面形状を有している。本実施形態の場合、突起部１７の断面形状は、突起部１７間の溝Ｈの幅が第１基板１０の表面から離れるに従って狭くなるような順テーパ状の台形形状を有している。突起部１７の厚みは、第１基板１０と配線基板３との接続部の厚みに応じて設計されている。具体的には、第１端子１９の厚み、第２端子３１の厚み及び異方性導電部材３５中の導電粒子３５ａの粒径の総和よりも小さい厚みに設計され、好ましくは、この総和の厚みと略同じ厚みに設計されている。
【００２４】
第１基板１０と配線基板３のベース基材３０との間隔は、突起部１７によって小さくなっている。そのため、突起部１７が設けられた部分には導電粒子３５ａが配置されにくくなっている。突起部１７とベース基材３０との間に配置される導電粒子３５ａの数及び密度は、突起部１７の厚みによって制御することができる。突起部１７の厚みが、第１端子１９の厚み、第２端子３１の厚み及び導電粒子３５ａの粒径の総和と略同じである場合には、突起部１７とベース基材３０との間には導電粒子３５ａは殆ど配置されなくなる。一方、突起部１７の厚みが薄い場合には、配線基板３と第１基板１０とを接続する際に導電粒子３５ａが突起部１７とベース基材３０との間の空間に移動し、第１端子１９と第２端子３１との間に導電粒子３５ａが殆ど配置されなくなる。
【００２５】
他方、突起部１７の厚みを、第１端子１９の厚み、第２端子３１の厚み及び導電粒子３５ａの粒径の総和と略同じ厚みとした場合には、突起部１７とベース基材３０との間に接着剤３５ｂが殆ど配置されなくなり、接着力が弱くなる。このため、本実施形態では、突起部１７の厚みを、第１端子１９の厚み、第２端子３１の厚み及び導電粒子３５ａの粒径の総和よりも若干小さい厚みとし、突起部１７とベース基材３０との間に一定量の接着剤３５ｂが配置されるようにしている。こうすることで、図３（ｂ）に示すように、第１端子１９と第２端子３１との間に配置される導電粒子３５ａの密度を、それ以外の領域に配置される導電粒子３５ａの密度よりも大きくすることができ、端子間の短絡を確実に防止することができる。
【００２６】
次に、図４〜図７を用いて電気光学装置１の製造方法を説明する。図４〜図７では電気光学パネル２の製造工程を中心に説明し、他の工程の説明は省略する。
【００２７】
まず、図４に示すように、転写元基板４０上に剥離層４１及び被転写層１５を形成する。転写元基板４０には、ガラス、石英、プラスチック等の透光性を備えた基板が用いられる。転写元基板４０は、被転写層１５を転写前後で変わらず維持できるものであれば良く、可撓性を有するフィルムのように剛性を有しないものでも良い。ただし、被転写層１５のプロセス温度に耐え得るような耐熱性を備えていることが必要である。例えば、被転写層１５を形成する際の最高温度をＴｍａｘとしたとき、歪点（ガラス転移温度Ｔｇ又は軟化点）がＴｍａｘ以上のものを用いることが望ましい。低温ポリシリコン半導体層を備えた被転写層１５を形成する場合には、歪点が３５０℃以上であることが好ましく、５００℃以上であることがより好ましい。
【００２８】
剥離層４１はエネルギーの付与によって層内又は界面において剥離（以下、「層内剥離」又は「界面剥離」という）を生じるような性質を有するものであり、好ましくは、光の照射により剥離層４１を構成する物質の原子間又は分子間の結合力が消失又は減少すること、すなわち、アブレーションが生じて層内剥離又は界面剥離に至るものが良い。光の照射により剥離層４１から気体が放出され、分離効果が発現される場合もある。すなわち、剥離層４１に含有されていた成分が気体となって放出される場合と、剥離層４１が光を吸収して一瞬気体となり、その蒸気が放出され、分離に寄与する場合とがある。剥離層４１としては、アモルファスシリコン、水素含有アモルファスシリコン、窒素含有アモルファスシリコン、水素含有合金、窒素含有合金、多層膜、セラミックス、金属、有機高分子材料等、公知の材料を用いることができる。
【００２９】
次に、図５に示すように、転写元基板４０上に接着剤を介して第１転写先基板５０を接着する。第１転写先基板５０は、被転写層１５が形成される転写元基板４０に比べて耐熱性や耐食性に劣るものでも良い。転写元基板４０と異なり、第１転写先基板５０に要求される特性、特に耐熱性は、被転写層形成の際の温度条件に依存しないからである。したがって、被転写層１５を形成する際の最高温度をＴｍａｘとしたとき、歪点（ガラス転移温度Ｔｇ又は軟化点）がＴｍａｘ以下のものを用いることができる。
【００３０】
接着剤の種類としては、反応性硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、光硬化型接着剤（紫外線硬化型接着剤等）、嫌気硬化型接着剤、その他の各種硬化型接着剤を用いることができる。具体的には、アクリル系接着剤、エポキシ系接着剤、シリコーン系接着剤、天然ゴム系接着剤、ポリウレタン系接着剤、フェノール系接着剤、酢酸ビニル系接着剤、シアノアクリレート系接着剤、ポリビニルアルコール系接着剤、ポリイミド系接着剤、ポリアミド系接着剤等を用いることができ、これらを目的に合わせて変性する等しても良い。
【００３１】
接着剤は突起部１７を覆って配置される。このため、第１転写先基板５０と転写元基板４０との接着面積は、突起部１７によって形成され凹凸の表面積の分だけ大きくなり、接着力も向上する。したがって、後述の剥離工程で接着剤層５１（図６参照）が不用意に剥がれることがなく、歩留まりの高い電気光学装置が提供できる。
【００３２】
次に、図６に示すように、転写元基板４０側から剥離層４１（図５参照）に対して光Ｌを照射し、剥離層４１の密着力を弱める。剥離層４１は光Ｌが照射されると剥離（層内剥離又は界面剥離）を生じる。層内剥離又は界面剥離が生じる原理は、剥離層４１の構成材料にアブレーションが生じること、また剥離層１１に含まれるガスの放出、さらには照射直後に生じる溶融、蒸散等の相変化によるものである。
【００３３】
ここで、アブレーションとは、照射光を吸収した剥離層４１の構成材料が光化学的又は熱的に励起され、その表面や内部の原子又は分子の結合が切断されて放出することをいい、主に剥離層４１の構成材料の全部又は一部が溶融、蒸散（気化）等の相変化を生じる現象として現れる。また、前記相変化によって微小な発泡状態となり、結合力が低下することもある。剥離層４１が層内剥離を生じるか界面剥離を生じるか又はその両方であるかは、剥離層４１の組成やその他種々の要因に左右され、その要因の１つとして、照射される光の種類、波長、強度、到達深さ等の条件が挙げられる。
【００３４】
照射する光Ｌとしては、剥離層４１に層内剥離又は界面剥離を起こさせるものであればいかなるものでも良く、例えば、Ｘ線、紫外線、可視光、赤外線（熱線）、レーザ光、ミリ波、マイクロ波、電子線、放射線（α波、β波、γ波）等が挙げられる。中でも剥離層４１の剥離（アブレーション）を生じさせ易く、且つ高精度の局部照射が可能である点でレーザ光が好ましい。レーザ光はコヒーレント光であり、転写下基板４０を介して剥離層４１に高出力パルス光を照射して高精度で所望部分に剥離を生じさせるのに好適である。したがって、レーザ光の使用によって容易に且つ確実に被転写層１５を剥離させることができる。
【００３５】
剥離層４１の結合力を弱めたら、転写元基板４０と第１転写先基板５０とを引き離す力を加え、転写元基板４０を第１転写先基板５０から剥離する。剥離後、転写された被転写層１５の底面又は転写した第１転写先基板５０の表面に剥離層４１の残渣が付着している場合がある。この残渣を完全に取り除く方法としては、例えば洗浄、エッチング、アッシング、研磨等の方法又はこれらを組み合わせた方法の中から適宜選択して採用することができる。
【００３６】
第１転写先基板５０に被転写層１５を転写したら、図７に示すように、第２転写先基板１０と第１転写先基板５０とを対向させ、接着剤を介して２枚の基板５０，１０を貼り合わせる。第２転写先基板１０には、ガラス、石英、プラスチック、ステンレス等の基板が用いられる。第２転写先基板１０は、転写後に形態を保持することができ、被転写層１５を転写前後で変わらず維持できるものであれば良く、可撓性を有するフィルムのように剛性を有しないものでも良い。第２転写先基板１０には、接着剤層との接着力を向上させるために、接着剤層との界面に微細な凹凸を形成するための表面処理を行うことが望ましい。かかる表面処理としては、プラズマ処理、コロナ処理等が挙げられる。
【００３７】
第２転写先基板３０は、被転写層１２が形成される転写元基板１０に比べて耐熱性や耐食性に劣るものでも良い。転写元基板１０と異なり、第２転写先基板３０に要求される特性、特に耐熱性は、被転写層形成の際の温度条件に依存しないからである。したがって、被転写層１２を形成する際の最高温度をＴｍａｘとしたとき、歪点（ガラス転移温度Ｔｇ又は軟化点）がＴｍａｘ以下のものを用いることができる。
【００３８】
接着剤層３２の種類としては、反応性硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、光硬化型接着剤（紫外線硬化型接着剤等）、嫌気硬化型接着剤、その他の各種硬化型接着剤を用いることができる。具体的には、アクリル系接着剤、エポキシ系接着剤、シリコーン系接着剤、天然ゴム系接着剤、ポリウレタン系接着剤、フェノール系接着剤、酢酸ビニル系接着剤、シアノアクリレート系接着剤、ポリビニルアルコール系接着剤、ポリイミド系接着剤、ポリアミド系接着剤等を用いることができ、これらを目的に合わせて変性する等しても良い。
【００３９】
以上説明したように、本実施形態の電気光学装置１によれば、隣接する第１端子１９間の領域に突起部１７が設けられているため、転写元基板４０を第１転写先基板５０と接着する際に、突起部１７の表面積の分だけ接着面積を大きくすることができる。このため、転写元基板４０と第１転写先基板５０との間で十分な接着力を確保することができ、歩留まりの高い電気光学装置を提供できる。また、突起部１７によって第２転写先基板１０と配線基板３（ベース基材３０）との間隔を小さくすることができるため、第２転写先基板１０と配線基板３とを異方性導電部材３５で接続する際に、異方性導電部材３５中の導電粒子３５ａが端子１９，１９間の領域に移動しにくくなり、多くの導電粒子３５ａを第１端子１９と第２端子３１との電気的接続に寄与させることができる。また、隣接する端子１９，１９間の領域に導電粒子３５ａが移動しにくくなるため、端子間の短絡が生じにくくなり、信頼性に優れた電気光学装置が提供できる。
【００４０】
なお、本実施形態では、突起部１７を隣接する第１端子１９間に１本ずつ設けたが、突起部１７の数はこのようなものに限定されない。例えば、図８は、突起部１７を第１端子１９の配列軸に沿って設けた複数本（図８では２本）の突起１７Ａによって構成した例を示している。また、図９は、突起部１７を第１端子１９の延在方向（Ｙ軸方向）に沿って設けた複数（図９では４つ）の突起１７Ｂによって構成した例を示している。これらの構成では、上記実施形態のものに比べて突起部１７の表面積が大きくなるため、第１転写先基板との接着力を更に向上することができる。なお、第１端子１９間に複数の突起を設ける場合、当該複数の突起は全ての第１端子間に設ける必要はなく、少なくともいずれかの第１端子間に設ければ良い。
【００４１】
また、本実施形態では、接続構造体の一実施形態として、電気泳動粒子を用いた電気光学装置（電気泳動装置）を説明したが、本発明は電気泳動装置に限らず、任意の電気光学装置に適用することができる。ここで、「電気光学装置」とは、電界により物質の屈折率が変化して光の透過率を変化させる電気光学効果を有するものの他、電気エネルギーを光学エネルギーに変換するもの等も含んで総称するものとする。すなわち、本発明は電気光学物質として液晶や電気泳動分散液を用いる非発光型の電気光学装置のほか、有機ＥＬ（Electro-Luminescence）を用いる有機ＥＬ装置、無機ＥＬを用いる無機ＥＬ装置、電気光学物質としてプラズマ用ガスを用いるプラズマディスプレイ装置等の発光型の電気光学装置、さらにはフィールドエミッションディスプレイ装置（電界放出表示装置：Field Emission Display：ＦＥＤ）等に適用することが可能である。
【００４２】
また、本実施形態では、接続構造体の一実施形態としてディスプレイデバイスを説明したが、本発明はディスプレイデバイス以外の接続構造体にも適用することができる。かかる接続構造体としては、被転写層を備えた転写先基板と、配線基板とを備えたものであればどのようなものでも良く、ディスプレイ用途以外で用いる半導体装置一般に本発明を適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】接続構造体の一実施形態である電気光学装置の概略構成図である。
【図２】同電気光学装置の張出し部の拡大図である。
【図３】同電気光学装置の第１端子と第２端子との接続部の概略構成図である。
【図４】同電気光学装置の製造方法の説明図である。
【図５】同電気光学装置の製造方法の説明図である。
【図６】同電気光学装置の製造方法の説明図である。
【図７】同電気光学装置の製造方法の説明図である。
【図８】同電気光学装置の他の構成例の説明図である。
【図９】同電気光学装置の他の構成例の説明図である。
【図１０】従来の接続構造体の第１端子と第２端子との接続部の概略構成図である。
【符号の説明】
【００４４】
１…電気光学装置（接続構造体）、２…電気光学パネル、３…配線基板、１０…第１基板（第２転写先基板）、１５…被転写層、１６…層間絶縁膜、１７…突起部、１７Ａ，１７Ｂ…突起、１９…第１端子、３１…第２端子、３５…異方性導電部材、３５ａ…導電粒子、４０…転写元基板、５０…第１転写先基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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