(57)【要約】【課題】コンタクト導体及びリード導体にダメージを与えることなく記録側モニタ素子の抵抗膜を形成でき、記録素子の素子高さを高精度に規定できる磁気ヘッド構造体及びその製造方法を得る。【解決手段】主磁極層を有する記録素子と、記録素子の媒体対向面を形成する研磨加工時に素子抵抗モニタとして利用される記録側モニタ素子とを備えた磁気ヘッド基板において、記録側モニタ素子は抵抗膜、抵抗膜より下層に位置するリード導体及び抵抗膜とリード導体を導通接続するコンタクト導体を有する。この抵抗膜は主磁極層の最下層または下地膜と同一平面に同一材料で媒体対向面とされる面位置をハイト方向に跨いで形成し、コンタクト導体及びリード導体は媒体対向面とされる面位置よりハイト方向奥側に後退させて形成した。さらにコンタクト導体は、その導体上面及び下面がすべて抵抗膜及びリード導体に接していて、外方に露出しない。【選択図】図３
2008077786.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主磁極層を有する記録素子と、この記録素子の媒体対向面を形成する研磨加工時に素子抵抗モニタとして利用される記録側モニタ素子とを備え、この記録側モニタ素子が抵抗膜と、この抵抗膜より下層に位置するリード導体と、この抵抗膜とリード導体を導通接続するコンタクト導体とを有する磁気ヘッド構造体において、
前記抵抗膜は、前記主磁極層の最下層または下地膜と同一平面に同一材料で、前記研磨加工により媒体対向面とされる面位置をハイト方向に跨いで形成されていること、及び、
前記コンタクト導体及び前記リード導体は、前記研磨加工により媒体対向面とされる面位置よりハイト方向奥側に後退させて配置されていること、
を特徴とする磁気ヘッド構造体。
【請求項２】
請求項１記載の磁気ヘッド構造体において、前記コンタクト導体は、該コンタクト導体全体が前記リード導体の媒体対向面側の端部上に形成されている磁気ヘッド構造体。
【請求項３】
主磁極層を有する記録素子と、この記録素子の媒体対向面を形成する研磨加工時に素子抵抗モニタとして利用される記録側モニタ素子とを備え、この記録側モニタ素子が抵抗膜と、この抵抗膜より下層に位置するリード導体と、この抵抗膜とリード導体を導通接続するコンタクト導体とを有する磁気ヘッド構造体を製造する方法であって、
主磁極層の最下層または下地膜の形成面より下層に、前記研磨加工により媒体対向面とされる面位置よりハイト方向奥側に後退させて、リード導体を形成する工程と、
このリード導体の媒体対向面側の端部上に、後に形成される抵抗膜により全面覆われる面積かつ前記主磁極層の最下層または下地膜の形成面まで届く厚さで、コンタクト導体を形成する工程と、
前記主磁極層の最下層または下地膜の形成時に同時に、該主磁極層の最下層または下地膜と同一材料により、前記コンタクト導体を含む平面上に抵抗膜を形成する工程と、
前記主磁極層の形成時に同時に、前記媒体対向面とされる面位置をハイト方向に跨いで前記抵抗膜を覆うマスクを形成する工程と、
このマスクから露出する抵抗膜を除去し、後に該マスクを除去する工程と、
を有することを特徴とする磁気ヘッド構造体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ヘッド素子部の媒体対向面を形成する研磨加工時に用いるモニタ素子を備えた磁気ヘッド構造体及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気ヘッドを製造する際には、一般的に、１枚のウエハ（基板）上に少なくとも再生素子と記録素子を積層してなるヘッド素子部（ヘッド素子構造）を複数列状に並べて形成し、その後にウエハを各列に切断し、さらに研磨加工によって媒体対向面を形成する（素子高さを規定する）ことで、ウエハ上に複数のヘッド素子部が一列に並んで形成されたバー状の磁気ヘッド基板、あるいはウエハ上に１つのヘッド素子部が形成された個々の（チップ状の）磁気ヘッドを得ている。本明細書中では、バー状の磁気ヘッド基板及びチップ状の磁気ヘッドを総称して磁気ヘッド構造体という。
【０００３】
従来では、上記媒体対向面を形成するための研磨加工において、再生素子または再生素子と同時に形成した再生側モニタ素子に電流を流して素子抵抗を検出しながら素子高さ方向にウエハ端面を研磨し、該素子抵抗が規定値に達した時点で研磨加工を終了していた。しかしながら、このように再生素子または再生側モニタ素子の抵抗値に基づいて素子高さを規定すると、記録素子の実際の素子高さ寸法を把握することが難しい。記録素子の素子高さ寸法は記録特性に寄与する重要な要素であるため、正確に規定する必要がある。このため、近年では、再生素子の素子高さ寸法に対応して抵抗値が変化する再生側モニタ素子を再生素子と同時に形成するとともに、記録素子の素子高さ寸法に対応して抵抗値が変化する記録側モニタ素子を記録素子と同時に形成し、この再生側モニタ素子と記録側モニタ素子に電流を流してそれぞれの素子抵抗を検出しながら、再生素子と記録素子のそれぞれを所望の特性が得られる位置まで研磨加工することが提案されている。
【０００４】
記録側モニタ素子は、例えば図７に示されるように、記録素子と同時に形成される抵抗膜１３１と、この抵抗膜１３１の下層に位置するリード導体１３２と、この抵抗膜１３１とリード導体１３２を導通接続するコンタクト導体１３３とから構成することができる。抵抗膜１３１、リード導体１３２及びコンタクト導体１３３の周囲は、例えばＡｌ2Ｏ3等の絶縁材料膜１４０、１４１、１４２で覆われている。
【０００５】
研磨加工制御に用いるモニタ素子を備えた薄膜磁気ヘッドは、例えば特許文献１〜３に記載されている。
【特許文献１】特開２００５−３３９７８１号公報
【特許文献２】特開２００６−４８８０６号公報
【特許文献３】特開２００６−７３０８８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
近年では、更なる高記録密度化を達成するため、記録媒体に対して垂直な記録磁界を印加する主磁極層と、記録媒体を通過して戻ってくる記録磁界を受け取る補助磁極層と、主磁極層に記録磁界を与える記録コイル等を有する垂直記録方式の記録素子が多く用いられている。この垂直記録素子における素子高さ寸法は、主磁極層のポールストレート部のハイト方向寸法、いわゆるネックハイトである。ネックハイトを高精度に規定するには、主磁極層と同一平面に同一材料で記録側モニタ素子の抵抗膜を同時形成することが好ましいが、一般に主磁極層は厚く形成されるため、主磁極層と同時に形成した記録側モニタ素子を用いると、研磨加工前のモニタ抵抗が小さく、研磨加工による抵抗変化量が少なくなって加工終了位置を検出しづらい問題がある。
【０００７】
この解決策として、最近では、例えば特許文献３に記載されているように、主磁極層の直下位置に形成される主磁極用メッキ下地膜を用いて記録側モニタ素子の抵抗膜を形成することが知られている。この主磁極用メッキ下地膜を用いた記録側モニタ素子は、主磁極用メッキ下地膜と同時にコンタクト導体上に抵抗膜を形成し、この抵抗膜上に形成すべきモニタ領域を覆うマスクを形成し、このマスクから露出した抵抗膜をミリングにより除去し、さらにマスクをウエットエッチングにより除去することで形成できる。主磁極用メッキ下地膜は主磁極層に比べて非常に膜厚が小さいので、良好なモニタ感度が得られる。
【０００８】
しかしながら、従来の記録側モニタ素子では図７に示されるように抵抗膜１３１よりもコンタクト導体１３３が外方に延出する構造となっており、上記マスクをウエットエッチングにより除去すると、コンタクト導体１３３の延出部分βも同時にエッチングされてしまう。このため、形成される記録側モニタ素子（コンタクト導体）は素子抵抗が変化するだけでなく、最悪の場合にはコンタクト導体及びリード導体がエッチングにより断線されて抵抗膜の導通がとれず、記録側モニタ素子として機能しなくなる。
【０００９】
また、従来の記録側モニタ素子では、研磨加工により抵抗膜とコンタクト導体が一緒に削られる構成となっているため、抵抗膜の抵抗変化とコンタクト導体の抵抗変化が記録側モニタ素子の素子抵抗変化となってあらわれる。主磁極層のネックハイトを高精度に規定するには、主磁極メッキ下地膜と同時形成した抵抗膜の抵抗変化のみで研磨加工終了タイミングを制御することが好ましい。
【００１０】
本発明は、上記課題に鑑み、コンタクト導体及びリード導体にダメージを与えることなく記録側モニタ素子の抵抗膜を形成でき、記録素子の素子高さを高精度に規定できる磁気ヘッド構造体及びその製造方法を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、コンタクト導体全体が抵抗膜により覆われていればエッチングダメージを回避でき、コンタクト導体の抵抗変化及び断線を防止できること；媒体対向面となる面位置をハイト方向に跨いで抵抗膜を形成すれば、この抵抗体膜で全体が覆われるコンタクト導体を形成できること；及び媒体対向面となる面位置よりハイト方向奥側にコンタクト導体とリード導体を後退させれば、研磨加工では抵抗膜のみが削られ、抵抗膜の抵抗変化により研磨加工終了タイミングを制御できること；に着目して完成されたものである。
【００１２】
すなわち、本発明は、主磁極層を有する記録素子と、この記録素子の媒体対向面を形成する研磨加工時に素子抵抗モニタとして利用される記録側モニタ素子とを備え、この記録側モニタ素子が抵抗膜と、この抵抗膜より下層に位置するリード導体と、この抵抗膜とリード導体を導通接続するコンタクト導体とを有する磁気ヘッド構造体において、抵抗膜は、主磁極層の最下層または下地膜と同一平面に同一材料で、研磨加工により媒体対向面とされる面位置をハイト方向に跨いで形成されていること、及び、コンタクト導体及びリード導体は、研磨加工により媒体対向面とされる面位置よりハイト方向奥側に後退させて配置されていることを特徴としている。
【００１３】
コンタクト導体は、該コンタクト導体全体がリード導体の媒体対向面側の端部上に形成されていることが好ましい。コンタクト導体全面がリード導体に接していれば、抵抗膜とリード導体をより確実に導通接続できる。
【００１４】
また本発明は、主磁極層を有する記録素子と、この記録素子の媒体対向面を形成する研磨加工時に素子抵抗モニタとして利用される記録側モニタ素子とを備え、この記録側モニタ素子が抵抗膜と、この抵抗膜より下層に位置するリード導体と、この抵抗膜とリード導体を導通接続するコンタクト導体とを有する磁気ヘッド構造体を製造する方法であって、主磁極層の最下層または下地膜の形成面より下層に、研磨加工により媒体対向面とされる面位置よりハイト方向奥側に後退させて、リード導体を形成する工程と、このリード導体の媒体対向面側の端部上に、後に形成される抵抗膜により全面覆われる面積かつ主磁極層の最下層または下地膜の形成面まで届く厚さで、コンタクト導体を形成する工程と、主磁極層の最下層または下地膜の形成時に同時に、該主磁極層の最下層または下地膜と同一材料により、コンタクト導体を含む平面上に抵抗膜を形成する工程と、主磁極層の形成時に同時に、媒体対向面とされる面位置をハイト方向に跨いで抵抗膜を覆うマスクを形成する工程と、このマスクから露出する抵抗膜を除去し、後に該マスクを除去する工程とを有することを特徴としている。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の磁気ヘッド構造体によれば、記録モニタ素子は研磨加工時に抵抗膜のみが削られ、コンタクト導体及びリード導体は削られないので、抵抗膜の電気抵抗を記録側モニタ素子の素子抵抗として検出でき、記録素子の素子高さ寸法を高精度に規定することができる。
【００１６】
また本発明の磁気ヘッド構造体の製造方法によれば、コンタクト導体がエッチングダメージを受けずに済むので、コンタクト導体のエッチングによる抵抗変化及び断線は生じることがなく、このコンタクト導体を介して抵抗膜とリード導体は確実に導通する。これにより、モニタ感度の良好な記録側モニタ素子を形成でき、記録素子の素子高さ寸法を高精度に規定可能な磁気ヘッド構造体が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、図面に基づいて本発明を説明する。図中においてＸ方向はトラック幅方向、Ｙ方向はハイト方向、Ｚ方向は磁気ヘッドを構成する各層の積層方向及び記録媒体の移動方向で定義される。
【００１８】
図１は、本発明を適用した垂直磁気ヘッド構造体を示す模式平面図である。以下で説明する磁気ヘッド構造体１は、図１に示すように、１枚のウエハ１’上に多数のヘッド素子部１０とモニタ素子部３０を列状に並べて形成した後、該ウエハから細長のバー状に切り出した状態（媒体対向面を形成する研磨加工を施す前の状態）である。図１では、ヘッド素子部１０を□印で、モニタ素子部３０を■印でそれぞれ示してある。
【００１９】
図２は、ヘッド素子部１０とモニタ素子部３０の積層構造を、媒体対向面となる端面側から見て示す断面図である。ヘッド素子部１０には、磁気抵抗効果を利用して記録媒体の磁気記録情報を読み出す再生素子１４と、記録磁界を記録媒体に与えて記録動作する記録素子１６が設けられている。再生素子１４は、ＡＭＲ、ＧＭＲ、ＴＭＲなどの磁気抵抗効果素子であり、下部シールド層１１と上部シールド層１３の間を埋めるギャップ絶縁層１２内に形成されている。
【００２０】
記録素子１６は、垂直磁気記録方式の記録素子であって、絶縁層１５を介して上部シールド層１３の上に積層されている。この記録素子１６は、記録媒体に対して垂直な記録磁界を印加する主磁極層１７と、記録媒体を通過して戻ってくる記録磁界を受け取る補助磁極層（リターンパス層）１９と、この主磁極層１７と補助磁極層１９の媒体対向面となる側の端部間に介在する磁気ギャップ層１８と、主磁極層１７に直下に接して形成され、磁気的には主磁極層１７と一体として機能する補助ヨーク層（不図示）と、主磁極層１７と補助磁極層１９の間に位置して主磁極層１７に記録磁界を与える記録コイル（不図示）を有している。
【００２１】
主磁極層１７は、図３に平面形状を示すように、媒体対向面となる側から順にポールストレート部１７Ａ、フレア部１７Ｂ及び基部１７Ｃを有している。ポールストレート部１７Ａは、媒体対向面に露出する主磁極層１７の先端面を構成するもので、トラック幅方向の寸法が所定の書込トラック幅Ｔｗで形成され、ハイト方向の寸法が所定のネックハイトＮｈよりも大きな寸法ｈ（ｈ＞Ｎｈ）で形成されている。このポールストレート部１７Ａのハイト方向の寸法が記録素子１６の素子高さであり、後述する研磨加工によって所定のネックハイトＮｈに規定される。図３に示される主磁極層１７は研磨加工前の状態である。フレア部１７Ｂは、基部１７Ｃからポールストレート部１７Ａに向かって記録磁界を絞り込むための領域であって、ポールストレート部１７Ａからハイト方向奥側に向かってトラック幅方向の寸法が広がっている。
【００２２】
補助磁極層１９は、媒体対向面となる側の一端部が磁気ギャップ層１８を介して主磁極層１７に対向し、媒体対向面となる位置よりもハイト方向奥側の他端部が主磁極層１７に磁気的に接続されていて、主磁極層１７と共に閉磁気回路を構成する。主磁極層１７と補助磁極層１９はそれぞれ、主磁極用下地膜２７と補助磁極用下地膜２９の上に、Ｎｉ−Ｆｅ、Ｃｏ−Ｆｅ、Ｎｉ−Ｆｅ−Ｃｏなどの飽和磁束密度の高い強磁性材料で、例えばメッキにより形成されている。主磁極用下地膜２７及び補助磁極用下地膜２９は、Ｔａ、Ｃｒ、ＮｉＣｒ、Ｔｉ、ＣｒＴｉ、Ｗ、Ｖ、Ｒｕ、Ｒｈ、ＴｉＷ、Ａｕ、Ｎｂ、ＣｒＭｏ、ＮｉＦｅのうち、いずれか一種による単層構造または二種以上を積層した多層構造で形成できる。この主磁極用下地膜２７と補助磁極用下地膜２９は、同一種材料で形成されていても異種材料で形成されていてもよい。主磁極層１７及び補助磁極層１９は、スパッタ成膜によっても形成可能である。
【００２３】
補助ヨーク層は、媒体対向面となる面位置よりハイト方向奥側に後退させて形成されており、図２には図示されていない。同様に記録コイルも、媒体対向面となる面位置よりハイト方向奥側に後退させて主磁極層１７と補助磁極層１９の間に形成されており、図２には図示されていない。この記録コイルには、主磁極層１７の上下に位置する下層コイルと上層コイルをトラック幅方向端部で電気的に接続したソレノイド形状、または、主磁極層１７及び補助磁極層１９の他端部（接続部）の周囲に巻回されるスパイラル形状のコイルを用いることができる。
【００２４】
モニタ素子部３０は、ヘッド素子部１０の媒体対向面を形成するための研磨加工時に使用する素子抵抗モニタである。本実施形態では、図１に示されるようにモニタ素子部３０を各ヘッド素子部１０の間に形成してあるが、モニタ素子部３０はヘッド素子部１０に組み込んで形成してもよい。このモニタ素子部３０は、再生側モニタ素子３０Ｒと記録側モニタ素子３０Ｗから構成されていて、媒体対向面の研磨加工においては再生側モニタ素子３０Ｒ及び記録側モニタ素子３０Ｗの抵抗変化に基づいて再生素子１４と記録素子１６の素子高さ方向の寸法を個々に検出することができる。
【００２５】
再生側モニタ素子３０Ｒは、再生素子１４と同時に、すなわち、再生素子１４と同一層位置で該再生素子１４とは異なる位置に形成されている。この再生側モニタ素子３０Ｒは、例えば、再生素子１４がＣＩＰ型磁気抵抗効果素子である場合は再生素子１４と同一の膜構成のＣＩＰ磁気抵抗効果素子で形成することができ、ＣＰＰ型磁気抵抗効果素子である場合には再生素子１４よりも素子抵抗が大きく、再生素子１４と同一膜構成を有する多層膜とこの多層膜の膜面に対して平行にセンス電流を与える一対の電極層とを有するＣＩＰ型磁気抵抗効果素子で形成することができる。あるいは、磁気抵抗効果を有さないが所望の電気抵抗が得られる材料、具体的にはＴａ、Ｃｒ、ＮｉＣｒ、Ｔｉ、ＣｒＴｉ、Ｗ、Ｖ、Ｒｕ、Ｒｈ、ＴｉＷ、Ａｕ、Ｎｂ、ＣｒＭｏ、ＮｉＦｅのうち、いずれか一種による単層構造または二種以上を積層した多層構造で形成されていてもよい。
【００２６】
図３及び図６は、記録側モニタ素子３０Ｗの構造を示す平面図及び断面図である。図３及び図６の鎖線Ｅは、研磨加工により媒体対向面となる面位置、すなわち、研磨加工終了ラインを示している。
【００２７】
記録側モニタ素子３０Ｗは、抵抗膜３１、抵抗膜３１の下層に位置するリード導体３２、及び抵抗膜３１とリード導体３２を導通接続するコンタクト導体３３を備えている。
【００２８】
抵抗膜３１は、記録素子１６の主磁極用下地膜２７と同時に、すなわち、主磁極用下地膜２７と同一平面の異なる位置に同一材料で形成されている。この抵抗膜３１は、図３に示されるように、一定のハイト方向寸法でトラック幅方向に延びる横直線部３１ａと、この横直線部３１ａのトラック幅方向の両端からハイト方向奥側のリード導体３２まで延出した一対の縦直線部３１ｂとを有する平面Ｕ字状をなし、研磨加工終了ラインＥをハイト方向に跨いで存在している。
【００２９】
リード導体３２は、研磨加工終了ラインＥよりハイト方向奥側に後退させて、配置されている。別言すれば、リード導体３２の媒体対向面側の端部３２ａが研磨加工終了ラインＥよりハイト方向奥側に位置している。本実施形態のリード導体３２は、ハイト方向に沿って延びる直線状をなし、抵抗膜３１の一対の縦直線部３１ｂに対応する一対で備えられている。リード導体３２のトラック幅方向の寸法は、抵抗膜３１及びコンタクト導体３３のトラック幅方向の寸法より大きく設定してある。
【００３０】
コンタクト導体３３は、リード導体３２と同様に、研磨加工終了ラインＥよりハイト方向奥側に後退させて、配置されている。具体的には、一対のリード導体３２の媒体対向面側の端部３２ａ上にそれぞれ形成され、抵抗膜３１の一対の縦直線部３１ｂと対応する一対のリード導体３２を図６の上下方向に接続している。このコンタクト導体３３は、抵抗膜３１の各縦直線部３１ｂ及びリード導体３２よりも平面的に小さく（トラック幅方向の寸法及びハイト方向の寸法が抵抗膜３１の各縦直線部３１ｂ及びリード導体３２のトラック幅方向の寸法及びハイト方向の寸法より小さく）、その上下面がすべて各縦直線部３１ｂとリード導体３２で覆われて外方には延出しない。別言すれば、コンタクト導体３３の導体上面はすべて抵抗膜３１の縦直線部３１ｂに接し、導体下面はすべてリード導体３２に接している。
【００３１】
リード導体３２及びコンタクト導体３３は、例えばＣｕやＮｉ、ＮｉＦｅ等の導電材料またはその積層体により形成されている。リード導体３２には記録コイルと同一材料を用い、コンタクト導体３３には磁極層と同一材料を用いると、記録コイル及び磁極層の形成時に同時に形成することができ、製造工程数を減らすことができる。
【００３２】
次に、図４〜図６を参照し、本発明による磁気ヘッド構造体の製造方法、特に本発明の特徴部分である主磁極用下地膜２７を用いた記録側モニタ素子３０Ｗの形成工程について、説明する。
【００３３】
先ず、図４に示すように、主磁極用下地膜２７の形成面αより下層に、研磨加工終了ラインＥよりハイト方向奥側に後退させて、リード導体３２を形成する。リード導体３２の周囲には、例えばＡｌ2Ｏ3等の絶縁材料膜４０を形成する。
【００３４】
次に、同図４に示すように、リード導体３２の媒体対向面側の端部３２ａ上に、コンタクト導体３３を形成する。このとき、コンタクト導体３３は、リード導体３２及び後に形成される抵抗膜で導体下面及び導体上面がすべて覆われるように、該リード導体３２及び抵抗膜のトラック幅方向寸法及びハイト方向寸法よりも小さいトラック幅方向寸法及びハイト方向寸法で形成する。また、主磁極用下地膜２７の形成面αに達する厚さで形成する。コンタクト導体３３の周囲には、例えばＡｌ2Ｏ3等の絶縁材料膜４１を形成する。これにより、コンタクト導体３３と絶縁材料膜４１の上面は、主磁極用下地膜２７の形成面αと同一平面となる。
【００３５】
上記コンタクト導体３３は、ヘッド素子部１０において主磁極用下地膜２７の直下位置に設ける補助ヨーク層と同時に形成することができる。補助ヨーク層とコンタクト導体３３を同時に形成した場合には、補助ヨーク層の表面を平坦化する際に同時にコンタクト導体３３の上面を平坦化し、この平坦化された補助ヨーク層とコンタクト導体３３の同一平面が主磁極用下地膜２７の形成面αとなる。
【００３６】
続いて、同図４に示すように、コンタクト導体３３の上面を含む主磁極用下地膜２７の形成面α上に、主磁極用下地膜２７と同時に、抵抗膜３１を形成する。抵抗膜３１は、主磁極用下地膜２７と同一材料、具体的にＴａ、Ｃｒ、ＮｉＣｒ、Ｔｉ、ＣｒＴｉ、Ｗ、Ｖ、Ｒｕ、Ｒｈ、ＴｉＷ、Ａｕ、Ｎｂ、ＣｒＭｏ、ＮｉＦｅのうち、いずれか一種による単層構造または二種以上を積層した多層構造で形成する。
【００３７】
続いて、主磁極形成用レジストパターンＲｗを形成すると同時に、同図４に示すように、研磨加工終了ラインＥをハイト方向に跨いで抵抗膜３１を露出させる、モニタ形成用レジストパターンＲｍを形成する。モニタ形成用レジストパターンＲｍの形状は、形成すべき記録側モニタ素子の抵抗膜形状に対応する。
【００３８】
続いて、図５に示すように、主磁極形成用レジストパターンＲｗで画定された領域に主磁極層１７を形成するときに同時に、モニタ形成用レジストパターンＲｍから露出させた抵抗膜３１上に、マスクＭを形成する。本実施形態では主磁極層１７及びマスクＭをメッキにより形成するが、主磁極層１７及びマスクＭはスパッタ成膜によっても形成可能である。マスクＭの形成後は、モニタ形成用レジストパターンＲｍと主磁極形成用レジストパターンＲｗを同時に除去する。これにより、ヘッド素子部１０においては、主磁極用下地膜２７上には主磁極層１７が形成される。
【００３９】
そして、同図５に示すように、主磁極層１７から露出している主磁極用下地膜２７の除去時に同時に、マスクＭから露出する抵抗膜３１を除去する。これにより、抵抗膜３１はマスクＭの直下位置、すなわち、記録側モニタ素子の形成領域のみに残る。主磁極用下地膜２７及び抵抗膜３１の除去は、例えばミリングにより行う。図５の矢印方向はミリング方向を示している。ミリングは、主磁極用下地膜２７の形成面α及び絶縁材料膜４１の上面が露出した時点で終了する。
【００４０】
続いて、抵抗膜３１上のマスクＭを除去し、抵抗膜３１を露出させる。マスク除去は、ウエットエッチングにより行う。このウエットエッチング工程では、コンタクト導体３３はその全面が抵抗膜３１に覆われていて外方に露出しないので、コンタクト導体３３がエッチングダメージを受けることはない。よって、コンタクト導体３３は、抵抗変化や断線が生じる虞はなく設計どおりに形成され、抵抗膜３１とリード導体３２を確実に導通接続する。また、リード導体３２は絶縁材料膜４１で覆われているので、同様にエッチングダメージを受けることがなく、抵抗変化や断線の虞はない。抵抗膜３１は、例えばＡｌ2Ｏ3等からなる絶縁材料膜により覆われる。
【００４１】
以上により、図３及び図６に示される記録側モニタ素子３０Ｗが得られる。
【００４２】
次に、上記記録側モニタ素子３０Ｗを用いて記録素子１６の素子高さ（ネックハイトＮｈ）を規定する研磨加工について説明する。実際には、再生側モニタ素子３０Ｒと記録側モニタ素子３０Ｗの両方を用いて研磨加工を行い、再生素子１４と記録素子１６の両方の素子高さ寸法をそれぞれ規定する工程であるが、ここでは、本発明の特徴部分である記録側モニタ素子３０Ｗを用いた記録側についてのみ説明する。
【００４３】
この研磨加工では、記録側モニタ素子３０Ｗに電流を流して素子抵抗を検出しながら、記録素子１６の素子高さ方向（ハイト方向奥側）にウエハ端面を研磨し、主磁極層１７のポールストレート部１７Ａのハイト方向寸法が規定のネックハイトＮｈに達した時点（研磨加工終了ラインＥに到達した時点）で研磨加工を終了する。ウエハ端面を研磨すると、主磁極層１７のポールストレート部１７Ａのハイト方向寸法は徐々に小さくなり、同時に、このポールストレート部１７Ａのハイト方向寸法に対応して記録側モニタ素子３０Ｗの素子抵抗が変化する。本実施形態の記録側モニタ素子３０Ｗは、コンタクト導体３３及びリード導体３２が研磨加工終了ラインＥよりもハイト方向奥側に後退して配置されているため、この研磨加工では抵抗膜３１のみが削られ、コンタクト導体３３及びリード導体３２は削られない。よって、記録側モニタ素子３０Ｗでは、コンタクト導体３３及びリード導体３２が削られることによる抵抗変化はゼロである。つまり、研磨加工中、抵抗膜３１の電気抵抗のみを、記録側モニタ素子３０Ｗの素子抵抗として検出することができる。抵抗膜３１は上述のように主磁極層１７と同時形成したマスクＭを用いて形成（パターニング）されているので、この記録側モニタ素子３０Ｗの素子抵抗に基づいて主磁極層１７のネックハイトＮｈを高精度に規定することができる。
【００４４】
以上では、主磁極層１７の直下位置に主磁極用下地膜２７を備える磁気ヘッド構造体に本発明を適用した実施形態について説明したが、主磁極層１７を多層構造で備える場合には、記録側モニタ素子３０Ｗの抵抗膜３１を、主磁極層１７の最下層と同一平面の異なる位置に同一材料で形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明を適用した薄膜磁気ヘッド基板を示す模式平面図である。
【図２】図１のヘッド素子部（垂直磁気記録方式）とモニタ素子部の積層構造を媒体対向面となる端面側から見て示す断面図である。
【図３】主磁極層及び記録側モニタ素子の平面形状を示す平面図である。
【図４】本発明を適用した薄膜磁気ヘッド基板（特に記録側モニタ素子）の製造方法の一工程を示す断面図である。
【図５】図４に示す工程の次工程を示す断面図である。
【図６】図５に示す工程の次工程を示す断面図である。
【図７】従来構造の記録側モニタ素子を示す断面図である。
【符号の説明】
【００４６】
１    磁気ヘッド基板
１０    ヘッド素子部
１６    記録素子
１７    主磁極層
１７Ａ  ポールストレート部
１７Ｂ  フレア部
１７Ｃ  基部
１８    磁気ギャップ層
１９    補助磁極層
２７    主磁極用メッキ下地膜
３０    モニタ素子部
３０Ｒ  再生側モニタ素子
３０Ｗ  記録側モニタ素子
３１    抵抗膜
３１ａ  横直線部
３１ｂ  縦直線部
３２    リード導体
３２ａ  端部（媒体対向面側）
３３    コンタクト導体
４０    絶縁材料膜
４１    絶縁材料膜
Ｅ    研磨加工終了ライン
ｈ    ポールストレート部のハイト方向寸法
Ｎｈ    ネックハイト
α    主磁極用メッキ下地膜の形成面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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