(57)【要約】【課題】簡素化されたグレイスケールマスクおよびその製造方法を提供する。【解決手段】  本発明にかかるグレイスケールマスクは、レチクルプレートと、該レチクルプレートに形成されたＳｉＯｘＮｙ層と、該ＳｉＯＸＮＹ層に形成されたＳＲＯとを含み、該ＳＲＯは、該ＳｉＯＸＮＹ層に向って凸をなす球面からなるマイクロレンズ形状を有することを特徴とする。前記マクロレンズ形状をアレイをなしていることが好ましい。【選択図】図７
2008181083.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン基板を準備する工程、
該シリコン基板の上に直接Ｓｉ３Ｎ４層を堆積する工程、
欠陥層を形成するために、シリコン基板中にＨ＋イオンを注入する工程、
該Ｓｉ３Ｎ４層の上に、直接に第１のＳｉＯｘＮｙ層を堆積する工程、
該第１のＳｉＯｘＮｙ層の上に、直接にＳＲＯ層を堆積する工程、
該ＳＲＯ層の上にマイクロレンズアレイをパターニングする工程、
該ＳＲＯ層中にマイクロレンズアレイを形成するために該ＳＲＯ層をエッチングする工程、
該ＳＲＯのマイクロレンズの上に、第２のＳｉＯｘＮｙ層を堆積する工程、
第２のＳｉＯｘＮｙ層を平坦化するためのＣＭＰ工程、
グレースマスクのレチクルを形成するために、平坦化された第２のＳｉＯｘＮｙ層を、石英プレートに接着する工程、
該欠陥層にそって、該シリコン基板を切断する工程、
接着構造から、シリコンを除去するためにエッチングする工程、
該接着構造からＳｉＯｘＮｙおよびＳｉ３Ｎ４を除去するためにエッチングする工程、および、
グレイマスクレチクルを清浄にし、乾燥する工程を含む、グレイスケールマスクの製造方法。
【請求項２】
前記ＳｉＯｘＮｙ／ＳＲＯの界面での反射が最小となるよう、前記第２のＳｉＯｘＮｙ層は、前記ＳＲＯの屈折率と一致している、請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
前記ＳＲＯ／ＳｉＯｘＮｙの界面での反射が最小となるよう、前記第１のＳｉＯｘＮｙ層は、前記ＳＲＯの屈折率と一致している、請求項１に記載の製造方法。
【請求項４】
前記ＳＲＯ層中にマイクロレンズアレイを形成するために前記ＳＲＯ層をエッチングする工程の後に、前記マイクロレンズアレイの上にチタニウム層を堆積する工程、該チタニウム層をパターニングする工程、およびマイクロレンズアレイの反転フォトの後に、該チタニウム層を除去するためエッチングする工程を含む、請求項１に記載の製造方法。
【請求項５】
上記ＣＭＰ工程の後に、ＳｉＯｘＮｙと前記石英プレートとの間に接着を容易にするために、ＳｉＯ２層を堆積する工程を、含む、請求項１に記載の製造方法。
【請求項６】
前記接着構造からＳｉ３Ｎ４を除去するためのエッチング工程は、Ｓｉ３Ｎ４の屈折率の高さゆえに生じる反射および干渉を最小化するために、前記レチクルの光経路上のＳｉ３Ｎ４を除去するため熱リン酸でのウェットエッチングを含む、請求項１に記載の製造方法。
【請求項７】
シリコン基板を準備する工程、
該シリコン基板の上に、直接、Ｓｉ３Ｎ４層を堆積する工程、
欠陥層を形成するために、該シリコン基板中にＨ＋イオンを注入する工程、
該Ｓｉ３Ｎ４層の上に、直接、第１の透明な金属酸化物層を堆積する工程、
該第１の透明な金属酸化物層の上に、直接、ＳＲＯ層を堆積する工程、
該ＳＲＯ層の上に、マイクロレンズアレイのパターンを形成する工程、
該ＳＲＯ層中に、マイクロレンズアレイを形成するために、該ＳＲＯ層をエッチングする工程、
該マイクロレンズアレイの反転フォト工程、
該ＳＲＯマイクロレンズアレイの上に、透明な金属酸化物とＳＲＯとの界面における反射が最小となるよう、該ＳＲＯ層の屈折率と一致している第２の透明な金属酸化物層を堆積する工程、
該第２の透明な金属酸化物層を平坦化するためのＣＭＰ工程、
グレイマスクレチクルを形成するために、平坦化された透明な金属酸化物を石英プレートに接着する工程、
該欠陥層に沿って、該シリコン基板を切断する工程、
接着構造から、シリコンを除去するためにエッチングする工程、
該接着構造から該透明な金属酸化物およびＳｉ３Ｎ４を除去するためにエッチングする工程、および、
グレイマスクレチクルを清浄にし、乾燥する工程を含む、グレイスケールマスクの製造方法。
【請求項８】
前記ＳＲＯと前記透明な金属酸化物の界面における屈折および反射が最小となるよう、前記第１の透明な金属酸化物層および前記ＳＲＯ層の屈折率が一致している、請求項７に記載の製造方法。
【請求項９】
該ＳＲＯ層中にマイクロレンズアレイを形成するため、該ＳＲＯ層をエッチングした後に、該マイクロレンズアレイの上に、チタニウム層を堆積する工程、該チタニウム層をパターニングする工程、および、前記反転フォトの後に、該チタニウム層を除去するため、エッチングをする工程を含む、請求項７に記載の製造方法。
【請求項１０】
前記ＣＭＰ工程の後に、透明な金属酸化物および前記石英プレートとの間の接着を容易にするため、ＳｉＯ２を堆積する工程を含む、請求項７に記載の製造方法。
【請求項１１】
前記接着構造からＳｉ３Ｎ４を除去するためのエッチング工程は、Ｓｉ３Ｎ４の屈折率の高さゆえに生じる反射および干渉を最小化するため、前記レチクルの光経路上のＳｉ３Ｎ４を除去するため熱リン酸でのウェットエッチングを含む、請求項７に記載の製造方法。
【請求項１２】
前記透明な金属酸化物は、ＳｉＯｘＮｙである、請求項７に記載の製造方法。
【請求項１３】
シリコン基板を準備する工程、
該シリコン基板の上に、直接、Ｓｉ３Ｎ４層を堆積する工程、
欠陥層を形成するために、該シリコン基板中にＨ＋イオンを注入する工程、
該Ｓｉ３Ｎ４層の上に、直接、第１のＳｉＯｘＮｙ層を堆積する工程、
該第１のＳｉＯｘＮｙ層の上に、直接、ＳＲＯ層を堆積する工程であって、該ＳＲＯ/該ＳｉＯｘＮｙとの界面において、反射および屈折が最小となるように、第１のＳｉＯｘＮｙ層および該ＳＲＯ層の屈折率は一致するように、ＳＲＯ層を堆積する工程、
該ＳＲＯ層の上に、マイクロレンズアレイのパターンを形成する工程、
該ＳＲＯ層中に、マイクロレンズアレイを形成するために、該ＳＲＯ層をエッチングする工程、
該ＳＲＯマイクロレンズアレイの上に、第２のＳｉＯｘＮｙ層を堆積する工程、
該第２のＳｉＯｘＮｙ層を平坦化するためのＣＭＰ工程、
グレイマスクレチクルを形成するために、平坦化されたＳｉＯｘＮｙを石英プレートと接着する工程、
該欠陥層に沿って、該シリコン基板を切断する工程、
接着構造から、シリコンを除去するためにエッチングする工程、
該接着構造から該ＳｉＯｘＮｙおよびＳｉ３Ｎ４を除去するためにエッチングする工程、および、
グレイマスクレチクルを清浄にし、乾燥させる工程を含む、グレイスケールマスクの製造方法。
【請求項１４】
前記第２のＳｉＯｘＮｙ層の屈折率は、ＳｉＯｘＮｙ／ＳＲＯの界面での反射が最小となるよう、前記ＳＲＯの屈折率と一致している、請求項１３に記載の製造方法。
【請求項１５】
前記ＳＲＯ層中にマイクロレンズアレイを形成するために前記ＳＲＯ層をエッチングする工程の後に、前記マイクロレンズアレイの上にチタニウム層を堆積する工程、該チタニウム層をパターニングする工程、およびマイクロレンズアレイの反転フォトの後に、該チタニウム層を除去するためエッチングする工程を含む、請求項１３に記載の製造方法。
【請求項１６】
前記ＣＭＰの後に、ＳｉＯｘＮｙおよび石英プレートの間の接着を容易にするために、ＳｉＯ２を堆積する工程を含む、請求項１３に記載の製造方法。
【請求項１７】
前記接着構造からＳｉ３Ｎ４を除去するためのエッチング工程は、Ｓｉ３Ｎ４の屈折率の高さゆえに生じる反射および干渉を最小化するため、前記レチクルの光経路上のＳｉ３Ｎ４を除去するため熱リン酸でのウェットエッチングを含む、請求項１３に記載の製造方法。
【請求項１８】
レチクルプレートと、
該レチクルプレートに形成されたＳｉＯｘＮｙ層と、
該ＳｉＯｘＮｙ層に形成されたＳＲＯとを含み、
該ＳＲＯは、該ＳｉＯＸＮＹ層に向って凸をなす球面からなるマイクロレンズ形状を有することを特徴とするグレイスケールマスク。
【請求項１９】
前記ＳＲＯが、マイクロレンズ形状のアレイであることを特徴とする請求項１８に記載のグレイスケールマスク。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マイクロレンズの製造に関し、特に、Ｓｍａｒｔ  Ｃｕｔ（登録商標、商標登録番号第４２６１４８２号）プロセスに取り入れられている基板接着技術によって、ｓｉｌｉｃｏｎ―ｒｉｃｈ  ｏｘｉｄｅ（ＳＲＯ）のグレイスケールマスクを、正方形状のレチクル石英プレートに転写する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
マイクロレンズは、ＣＣＤまたはＣＭＯＳ撮像装置中の光学素子である。光検出器の上にマイクロレンズを配置し、画像センサの感度を増加させるように、生じる電気信号の強度を増加させる。費用効率が高いマイクロレンズの形成方法は、１９９４年の９月２８日に登録された米国特許５，３２４，６２３号（特許文献１）、Ｔｕｍｏｒｉらの「マイクロレンズ形成方法」、および、２０００年１２月１９日に登録された、Ｏｋａｚａｋｉらによる「マイクロレンズアレイおよびその製造方法、固体撮像装置およびその製造方法」、米国特許６，１６３，４０７号（特許文献２）に述べられている。ここで述べられている技術は、フォトレジストにレンズ形状を形成すること、続いて、最終的なレンズ物質へのエッチングパターンの転写をすることを含む。フォトレジストにレンズ形状を形成する方法としては、フォトレジストリフロー、もしくは、グレイスケールマスクから直接レンズ形状をパターニングする方法がある。フォトレジストリフロー法は、フィルファクターの限界を有する。そして、グレイスケールマスクは、通常、たとえば、Ｃａｎｙｏｎ  Ｍａｔｅｒｉａｌ．Ｉｎｃによって使用されている電子線ビームのフォトリソグラフィによって形成される。これらは、共に、処理が遅く、高価である。そこで、グレイスケールマスクを製造する費用効率が高い方法である光減衰材料であるｓｉｌｉｃｏｎ―ｒｉｃｈ  ｏｘｉｄｅ（ＳＲＯ）を使用するプロセス技術が開発されている。ＳＲＯ層をレンズ形状に形成すること、および、リソグラフィックツール中においてレチクルプレート上にフィルムを配置することによって、フォトレジストの表面の上に印刷されたパターンは、リソグラフィックツールの仕様に基づいて、たとえば、ツール上で１/５倍の縮小率のレンズ形状を有することになる。
【特許文献１】米国特許第５，３２４，６２３号明細書（１９９４年６月２８日査定）
【特許文献２】米国特許第６，１６３，４０７号明細書（２０００年１２月１９日査定）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
製造プロセス中において、グレイスケールマスクを使用するために、グレイスケールマスクは、レチクルプレート上へ搭載され、リソグラフィックツール上で使用可能となるよう、要求されるアライメン特性を有するレチクルプレートの上に形成されなくてはならない。
【０００４】
通常、典型的なＩＣ製造ツールが円形基板を扱うことを意図して形作られている一方、リソグラフィックツール中で使用されるレチクルは、正方形の石英プレートからできている。ＩＣ製造過程における正方形の石英プレート上における、ＳＲＯをベースとするグレイスケールマスクの製造は、プロセスシステム中の多くの点において、大規模な革新抜きで、実現できることではない。
【０００５】
本発明は、上記課題に基づいてなされたものであり、その目的は、主要なマスク製造方法としてシリコン基板を用いたグレイスケールマスクを形成することである。
【０００６】
本発明の他の目的は、石英プレート上のシリコン基板に形成されたマスクを剥がすために、基板接着および切断プロセスを利用したグレイスケールマスクおよびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、これを達成するためのひとつの方法として転写技術を用いる。転写技術は、円形の基板の上に形成された、完成したＳＲＯグレイスケールマスクを四角形状の石英プレートの上に配置されることを可能にする。
【０００８】
また、基板接着技術は、ＩＣ産業において、高性能のＣＭＯＳ技術を容易にするシリコン・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）素子を形成する方法のひとつとして使用されている。基板接着技術中の、プロトンもしくはＨ２イオン注入に始まり、切断および分離に終わるプロセスが、Ｓｍａｒｔ  Ｃｕｔ法中で必要とされている。
【０００９】
本発明にかかるグレイスケールマスクの製造方法は、シリコン基板を準備する工程、該シリコン基板の上に直接Ｓｉ３Ｎ４層を堆積する工程、欠陥層を形成するために、シリコン基板中にＨ＋イオンを注入する工程、該Ｓｉ３Ｎ４層の上に、直接に第１のＳｉＯｘＮｙ層を堆積する工程、該第１のＳｉＯｘＮｙ層の上に、直接にＳＲＯ層を堆積する工程、該ＳＲＯ層の上にマイクロレンズアレイをパターニングする工程、該ＳＲＯ層中にマイクロレンズアレイを形成するために該ＳＲＯ層をエッチングする工程、ＳＲＯの該マイクロレンズの上に、第２のＳｉＯｘＮｙ層を堆積する工程、第２のＳｉＯｘＮｙ層を平坦化するためのＣＭＰ工程、グレースマスクのレチクルを形成するために、平坦化された第２のＳｉＯｘＮｙ層を、石英プレートに接着する工程、該欠陥層にそって、該シリコン基板を切断する工程、接着構造から、シリコンを除去するためにエッチングする工程、該接着構造からＳｉＯｘＮｙおよびＳｉ３Ｎ４を除去するためにエッチングする工程、および、グレイマスクレチクルを清浄にし、乾燥する工程を含む、
本発明にかかるグレイスケールマスクは、レチクルプレートと、該レチクルプレートに形成されたＳｉＯｘＮｙ層と、該ＳｉＯｘＮｙ層に形成されたＳＲＯとを含み、該ＳＲＯは、該ＳｉＯｘＮｙ層に向って凸をなす球面からなるマイクロレンズ形状を有することを特徴とする。
【００１０】
本発明の概要および目的は、本発明の本質の理解を容易にするために設けられている。本発明のさらなる理解は、以下の本発明の好ましい実施形態にかかる詳細な説明を図面と共に参照することにより得られるであろう。
【発明の効果】
【００１１】
本発明にかかるグレイスケールマスクの製造方法によれば、シリコン基板に形成したグレイスケールマスクを石英プレートに転写することができる。その結果、リソグラフィックツールにおいて好適に使用されるグレイスケールマスクを簡易な工程でかつ低コストで製造することができる。
【００１２】
本発明にかかるグレイスケールマスクは、球面を有するマイクロレンズアレイを容易に製造することができるグレイスケールマスクである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
本発明の方法は、基板接着、特に、Ｓｍａｒｔ  Ｃｕｔ基板接着技術を用いることにより、円形のシリコン基板上に形成された完成したＳＲＯグレイスケールマスクを、正方形の石英プレートへ転写することを備える。本発明の方法は、石英基板の代わりに、シリコン基板の上でのマイクロレンズの形成を可能にする。このことは、通常転写基板におけるデバイス製造中に生じる多くの互換性の問題を排除することができる。その結果、プロセスフローは、簡素化され、より低コストを実現することができる。
【００１４】
マイクロレンズ製造のためのグレイスケールマスクプロセスのために知られている他の製造技術の代替として、本発明にかかる方法は、光減衰材料であるｓｉｌｉｃｏｎ‐ｒｉｃｈ  ｏｘｉｄｅ（ＳＲＯ）を使用するグレイスケールマスクを製造する方法である。レンズ形状は、複数のリソグラフィおよびエッチングプロセスを利用することにより、７５０ｎｍの厚さのＳＲＯ膜に形成される。屈折率ＳｉＯｘＮｙがＳＲＯとの屈折率が一致していることにより、ＳＲＯ／ＳｉＯｘＮｙ界面における光の屈折を排除することができる。このことは、ＳｉＯｘＮｙの面をＣＭＰにより平坦化することによりある程度実現される。マイクロレンズの製造プロセスは、シリコン基板から始まり、マイクロレンズアレイが形成され、必須の特徴がシリコン基板上にパターンされたのち、シリコン基板の構造化された層が、Ｓｍａｒｔ  Ｃｕｔ技術を用いて、正方形の石英レチクル基板に転写される。Ｓｍａｒｔ  Ｃｕｔ技術は、米国特許５，３７４，５６４号（１９９４年１２月２０日に登録）「薄膜半導体材料膜の製造方法」に開示されている。
【００１５】
本発明において使用されている接着および転写において、接着表面を平坦化し、強い接着を実現するためにＣＭＰは使用されている。接着表面は、より強い接着強度を実現するために、水素終端するように処理されている。初期接着の後に、シリコン基板を分離し、Ｓｍａｒｔ  Ｃｕｔプロセスを完成させるために、低い温度での硬化アニール、および、高い温度での分割アニールが実施される。
【００１６】
本発明の方法は、図１において、概して１０として示されている。Ｈ＋イオン注入、接着、そして、切断工程は、スマートカット技術の工程の一部である。本発明の方法の主要な工程は後述する。
【００１７】
工程１２では、シリコン基板を準備する。本発明の方法で使用する適切な基板は、工業的に標準の大きさである１５０ｍｍの直径のシリコン基板が適切である。工程１４では、ＬＰ−ＣＶＤ法により、約４５ｎｍの膜厚のＳｉ３Ｎ４層を堆積する。この層は、後続のＳｉ３Ｎ４の熱りん酸によるウェットエッチの間、後の工程で堆積されるチタニウム層または他の金属層を保護する。工程１６では、Ｈ＋イオンが注入される。これは、Ｓｍａｒｔ  Ｃｕｔプロセスの一部である。イオン注入は、約４０ＫｅＶのエネルギーで、約５×１０１６のドーズ量で行われる。
【００１８】
工程１８では、第１のＳｉＯｘＮｙ層を約１０ｎｍから１００ｎｍの膜厚で堆積する。そして、第１のＳｉＯｘＮｙ層は、ＳＲＯ層の屈折率と一致するように設計されている。ＳＲＯ層は、次に、ＰＥＣＶＤによって堆積される層であり、その膜厚は、約５００ｎｍ〜１０００ｎｍであり、好ましい形態では、最適な膜厚は７００ｎｍである。ＳｉＯｘＮｙの屈折率は、ＳｉＯｘＮｙとＳＲＯの界面にいて、反射が最小になるように、ＳＲＯの屈折率と整合されている。屈折率の如何なる不一致であっても、界面からの反射と同様に、光の屈折を界面で生じさせるため、このように屈折率が一致していることは重要である。ＳｉＯｘＮｙ層は、透明であり、後続のＳＲＯエッチングの間のオーバーエッチングの保護の役割を果たす。ＳｉＯｘＮｙは、ＴｉＯｘ、ＺｒＯｘおよびＨｆＯｘ（ここで、ｘは１〜２の間で変化する）のような他の透明な酸化物によって置換されてもよい。これらは、必須であるＳＲＯレンズ材料との屈折率の一致を有する選択された物質である。堆積方法は、スパッタリング、ＣＶＤ、および、ＰＥ−ＣＶＤによって行うことができる。工程２２において、複数のマスクと、複数の露光と現像工程を使用することによって、フォトアレイが形成される。本発明の方法中で使用される最初のマスクは、最終的なマイクロレンズの所望の寸法の２５倍の倍率である寸法で提供される。工程２４では、ＳＲＯは、プラズマエッチングを使用した単一工程でエッチングされ、その結果、ＳＲＯの膜厚が約７００ｎｍとなる。
【００１９】
次に、工程２６において、チタニウム層が約１００ｎｍから３００ｎｍの膜厚でスパッタ法によって堆積される。そして、レチクルプレートの上に、たとえば、アライメントマークや基準マーク、レチクルラベルなどの全てのパターンを形成するために使用される。また、チタニウム層は、プレート上の未使用であり非活性な領域の全てを覆っている。工程２８において、その後、反転パターンが形成され、工程３０において、チタニウム層は、ＮＨ３ＯＨおよびＨ２Ｏ２を使用して、ウェットエッチされる。選択された金属と、下層のＳＲＯとの間で、工程３０の化学エッチにおいて、十分な選択比が取れる限り、Ａｌ，Ｃｒ，Ｖ，Ｎｉ，Ａｇ，Ｔａなどの他の金属がチタニウムの代わりに使用されてもよい。
【００２０】
工程３２では、約１０００ｎｍから２０００ｎｍの間の膜厚で他のまたは第２のＳｉＯｘＮｙ層が堆積され、接着プロセスを容易にするために、ＣＭＰ３４によって、平滑化または平坦化される。また、ＳｉＯｘＮｙは、他の透明な金属酸化物であって、ＳＲＯレンズ材料と屈折率が一致する材料によって置換されてもよい。ＳｉＯｘＮｙのＣＭＰの後、ＰＥ−ＣＶＤ  ＴＥＯＳのようなＳｉＯ２層が接着プロセスを容易にするために必要とされる。なぜなら、ＳｉＯｘＮｙと石英との接着強度が、ＳｉＯ２と石英との接着強度のように強くないためである。
【００２１】
工程３６として、シリコン基板を四角形状の石英プレートに転写する、Ｓｍａｒｔ  Ｃｕｔ接着および切断工程が実施される。この工程は、たとえば、約６００℃から８００℃の間の温度であって、１０分から６０分の間の高温のアニールを介して行われる。
【００２２】
その後、工程３８において、切断された後の基板の背面上に残留している全てのシリコンを除去するため、シリコンは水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）によってエッチングされる。このエッチングは、また、表面粗さを除去する。そして、このエッチングは、工程１８においてＬＰ−ＣＶＤによって堆積されたＬＰ−ＣＶＤ  Ｓｉ３Ｎ４のレベルで停止する。
【００２３】
工程４０において、レチクルの光学経路上の不必要なＳｉ３Ｎ４を除去し、高反射率であるＳｉ３Ｎ４による反射および干渉効果を最小限にするため、Ｓｉ３Ｎ４層が熱リン酸によって、ウェットエッチングされる。ついで、工程４２では、基板を清浄にし乾燥させる。
【００２４】
図２から図７は、本発明の方法に従って製造される構造を示す。ここにおいて、詳細を示していない他の典型的なＩＣ製造工程を含むことは、当業者によって理解されるであろう。たとえば、チタニウム層の堆積、パターニングおよび除去および詳細な特徴は省略されている。図２は、欠陥層４６を形成するためのＨ＋イオン注入後のシリコン基板４４を示す。図３は、工程２４のＳＲＯレンズエッチングに続く、マイクロレンズ４８の形成を示す。図４は、工程３２および３４の第１のＳｉＯｘＮｙ層５０の堆積およびＣＭＰ後のレンズ構造を示す。
【００２５】
図５は、レチクル５４を形成するための工程３６の一部である石英プレート５２への接着後のシリコン基板４４を示す。図６は、工程３６の一部である、欠陥層４６の分断および後続のアニールによって、シリコン基板が切断された後の構造を示す。最後に、図７は工程３８の残りのシリコンをエッチングした後の基板を示す。本発明の方法において、この時点で、マイクロレンズアレイは、本発明の方法に従って製造されたレチクルを用いて製造される最終的なマイクロレンズアレイの１／５倍の縮小率である。。
【００２６】
このようにして、Ｓｍａｒｔ  Ｃｕｔ基板接着プロセスを利用したグレイスケールマスクの製造方法が開示された。請求項によって定義された本発明の範囲内において更なる変化および変更がなされてもよいことが理解されるであろう。
【００２７】
また、グレイスケールマスクに基づいて、ＳＲＯの原型を製造するフォトリソグラフィ法は、米国特許出願１１／６５７３２６号明細書「マイクロレンズを成形するため、ステップオーバーリソグラフィを使用するグレイスケールレチクルの作成方法」に開示されている。ここでは、ＳＲＯは、石英プレートの上に堆積され、パターン形成され、マイクロレンズアレイへとエッチングされている。
【００２８】
なお、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能である。すなわち、請求項に示した範囲で適宜変更した技術的手段を組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】図１は、本発明の方法のブロック図である。
【図２】図２は、本発明の方法に従ったマイクロレンズアレイの製造方法の工程を示す図である。
【図３】図３は、本発明の方法に従ったマイクロレンズアレイの製造方法の工程を示す図である。
【図４】図４は、本発明の方法に従ったマイクロレンズアレイの製造方法の工程を示す図である。
【図５】図５は、本発明の方法に従ったマイクロレンズアレイの製造方法の工程を示す図である。
【図６】図６は、本発明の方法に従ったマイクロレンズアレイの製造方法の工程を示す図である。
【図７】図７は、本発明の方法に従ったマイクロレンズアレイの製造方法の工程を示す図である。
【符号の説明】
【００３０】
４４  シリコン基板
４６  欠陥層
４８  マイクロレンズ
５０  ＳｉＯｘＮｙ層
５２  石英プレート
５４  レチクル
【図１】
2008181083.tif 000003
【図２】
2008181083.tif 000004
【図３】
2008181083.tif 000005
【図４】
2008181083.tif 000006
【図５】
2008181083.tif 000007
【図６】
2008181083.tif 000008
【図７】
2008181083.tif 000009