(57)【要約】【課題】  高い加工品質で加工を行う。【解決手段】  （ａ）加工領域中に、第１の形状の入射領域を形成して入射するパルスレーザビームを、入射領域が部分的に重複するように入射位置をずらしながら、かつ、加工領域の全域が隈なく照射され、パルスレーザビームの入射領域が加工領域の外側にははみ出さないように、複数ショット照射する。（ｂ）加工領域内のうち、工程（ａ）でパルスレーザビームのショット数が不足する不足領域に、不足領域の形状に対応した第２の形状の入射領域を形成して入射するパルスレーザビームを照射する。【選択図】          図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）加工領域中に、第１の形状の入射領域を形成して入射するパルスレーザビームを、入射領域が部分的に重複するように入射位置をずらしながら、かつ、該加工領域の全域が隈なく照射され、パルスレーザビームの入射領域が該加工領域の外側にははみ出さないように、複数ショット照射する工程と、
（ｂ）前記加工領域内のうち、前記工程（ａ）でパルスレーザビームのショット数が不足する不足領域に、該不足領域の形状に対応した第２の形状の入射領域を形成して入射するパルスレーザビームを照射する工程と
を有するビーム照射方法。
【請求項２】
前記第１及び第２の形状は、透過領域を備えるマスクに、パルスレーザビームを入射させ、その一部を遮ることにより形成する請求項１に記載のビーム照射方法。
【請求項３】
前記第１の形状は、前記マスクの透過領域の全域にパルスレーザビームを入射させて形成し、前記第２の形状は、前記マスクの透過領域の一部にパルスレーザビームを入射させて形成する請求項２に記載のビーム照射方法。
【請求項４】
前記工程（ａ）において、前記加工領域を一定速度で移動させることにより、前記加工領域中にパルスレーザビームを、入射領域が部分的に重複するように照射する請求項１〜３のいずれか１項に記載のビーム照射方法。
【請求項５】
パルスレーザビームを出射するレーザ光源と、
前記レーザ光源を出射したパルスレーザビームを偏向する、偏向角可変のビーム偏向器と、
前記ビーム偏向器で偏向されたパルスレーザビームが入射する位置に配置された、透過領域を備えるマスクと、
前記マスクの透過領域を透過したパルスレーザビームが入射する位置に配置され、加工対象物を保持し、保持した加工対象物を、パルスレーザビームの進行方向と交差する方向に移動させることのできる可動ステージと、
前記マスクの透過領域がパルスレーザビーム断面に内包される状態と、前記マスクの透過領域の一部分のみがパルスレーザビーム断面と重なる状態とが切り替えられるように、前記ビーム偏向器の偏向角を変化させる制御装置と
を有するビーム照射装置。
【請求項６】
更に、前記マスクを、パルスレーザビームの進行方向と交差する方向に移動させるマスク移動装置を含む請求項５に記載のビーム照射装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レーザビームを加工対象物に照射するビーム照射方法、及びビーム照射装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
図７は、半導体ウエハ５０の概略的な平面図である。
【０００３】
半導体ウエハ５０は、たとえばシリコンウエハであり、その表面上の一部に、矩形状の部分照射領域５１が複数画定されている。半導体ウエハ５０には、部分照射領域５１にのみレーザビームが照射され、加工が行われる。
【０００４】
部分照射領域５１に対応する部分にだけ窓を開けたパタンマスク（コンタクトマスク）を半導体ウエハ５０上に配置し、レーザビームをパタンマスク上に走査して、窓を通してレーザビームを半導体ウエハ５０に照射する方法が知られている。
【０００５】
このビーム照射方法には、パタンマスクによる半導体ウエハ５０の汚染が生じる場合があるほか、照射パタン（部分照射領域５１の形成パタン）に応じてパタンマスクが必要になる、という問題がある。
【０００６】
「レーザ発振器から出射されたパルス状のレーザ光を、任意形状の開口部を有したマスクに照射し、前記マスクの開口部を通過したレーザ光を被加工物上に集光することで、前記マスクの開口部の形状を被加工物に転写し加工を行うマスク転写式レーザ形状加工方法において、前記レーザ発振器と前記マスクとの間の光軸上に備えられたスキャナーにより前記パルス状のレーザ光を１パルス毎にレーザ光の断面の一部が重なり合うように前記マスク上を走査すると共に、該走査位置を１パルス毎に移動させることを特徴とするマスク転写式レーザ加工方法」が提案されている（たとえば、特許文献１参照）。
【０００７】
このレーザ加工方法によれば、パタンマスク（コンタクトマスク）を用いずに、部分照射領域５１の加工を行うことができる。
【０００８】
【特許文献１】特開２００４−９８１１６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明の目的は、高い加工品質で加工を行うことのできるビーム照射方法を提供することである。
【００１０】
また、本発明の他の目的は、高い加工品質で加工を行うことのできるビーム照射装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の一観点によれば、（ａ）加工領域中に、第１の形状の入射領域を形成して入射するパルスレーザビームを、入射領域が部分的に重複するように入射位置をずらしながら、かつ、該加工領域の全域が隈なく照射され、パルスレーザビームの入射領域が該加工領域の外側にははみ出さないように、複数ショット照射する工程と、（ｂ）前記加工領域内のうち、前記工程（ａ）でパルスレーザビームのショット数が不足する不足領域に、該不足領域の形状に対応した第２の形状の入射領域を形成して入射するパルスレーザビームを照射する工程とを有するビーム照射方法が提供される。
【００１２】
また、本発明の他の観点によれば、パルスレーザビームを出射するレーザ光源と、前記レーザ光源を出射したパルスレーザビームを偏向する、偏向角可変のビーム偏向器と、前記ビーム偏向器で偏向されたパルスレーザビームが入射する位置に配置された、透過領域を備えるマスクと、前記マスクの透過領域を透過したパルスレーザビームが入射する位置に配置され、加工対象物を保持し、保持した加工対象物を、パルスレーザビームの進行方向と交差する方向に移動させることのできる可動ステージと、前記マスクの透過領域がパルスレーザビーム断面に内包される状態と、前記マスクの透過領域の一部分のみがパルスレーザビーム断面と重なる状態とが切り替えられるように、前記ビーム偏向器の偏向角を変化させる制御装置とを有するビーム照射装置が提供される。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、高い加工品質で加工を行うことのできるビーム照射方法を提供することができる。
【００１４】
また、高い加工品質で加工を行うことのできるビーム照射装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
図１（Ａ）は、実施例によるビーム照射装置を示す概略図である。
【００１６】
実施例によるビーム照射装置は、レーザ光源１０、光学機構１１、可動ミラー１２、マスク１３、結像レンズ１４、及び、制御装置１６を含んで構成される。
【００１７】
レーザ光源１０は、たとえばエキシマレーザ発振器を含み、パルスレーザビーム３０を出射する。レーザ発振器としてＮｄ：ＹＡＧ、Ｎｄ：ＹＬＦ、Ｎｄ：ＹＶＯ４レーザを用い、２倍、または３倍高調波を出射してもよい。パルスレーザビーム３０は、光学機構１１に入射する。
【００１８】
光学機構１１には、たとえばアッテネータ及びホモジナイザが含まれる。アッテネータは、入射したレーザビーム３０のエネルギを減衰する。ホモジナイザは、アレイレンズ及びコンデンサを含んで構成され、レーザビーム３０の断面形状を、ホモジナイズ面において、たとえば矩形状に整形するとともに、ビーム断面内の強度を均一にする。
【００１９】
光学機構１１を通過したレーザビーム３０は、可動ミラー１２で所定の方向に反射され、マスク１３に入射する。マスク１３は、光学機構１１に含まれるホモジナイザのホモジナイズ面に配置される。マスク１３には開口部が形成されている。マスク１３は、マスク移動機構１３ａに保持され、マスク移動機構１３ａによって、図のＸ方向、または、Ｙ方向に移動され得る。
【００２０】
マスク１３の開口部を通過したレーザビーム３０は、結像レンズ１４を経て、ＸＹステージ１５上に保持された加工対象物、たとえば半導体ウエハ５０に入射する。結像レンズ１４は、マスク１３の位置を通過するレーザビーム３０の断面形状を、半導体５０上に、たとえば１：１、またはそれ以下の大きさに結像させる。結像された像は、この結像レンズによって上下左右が反転した形で投影される。半導体ウエハ５０に照射されるレーザビーム３０は、ほぼトップフラットの均一な強度分布を有する。
【００２１】
半導体ウエハ５０は、たとえば図７に示した半導体ウエハ５０と同一のシリコンウエハであり、その表面上の一部に、部分照射領域５１が画定されている。レーザビーム３０は、部分照射領域５１に入射し、たとえば部分照射領域５１のレーザアニールが行われる。
【００２２】
ＸＹステージ１５は、ＸＹステージ１５上の半導体ウエハ５０を、図のＸ方向、またはＹ方向、すなわち半導体ウエハ５０表面に平行な２次元方向に移動させることができる。
【００２３】
制御装置１６は、レーザ光源１０によるレーザビーム３０の出射タイミングの制御、光学機構１１によるレーザビーム３０のエネルギの調整の制御、可動ミラー１２によるレーザビーム３０の反射方向（レーザビーム３０のマスク１３における入射位置）の制御、マスク移動機構１３ａによるマスク１３の移動の制御、及び、ＸＹステージ１５による半導体ウエハ５０の移動の制御等を行う。
【００２４】
図１（Ｂ）は、マスク１３の概略的な平面図である。マスク１３は、たとえば長さがＬ、幅がｌの矩形状の開口部１３ｂを有する。幅ｌは、たとえば２５０μｍである。
【００２５】
マスク１３に入射したレーザビームのうち、開口部１３ｂに入射したビームのみが、マスク１３を透過し、結像レンズ１４を経て半導体ウエハ５０に照射される。
【００２６】
図２（Ａ）〜（Ｈ）を参照して、実施例によるビーム照射方法の特徴を予備的に説明する。
【００２７】
まず、図２（Ａ）〜（Ｃ）を用いて、比較例によるビーム照射方法を説明する。
【００２８】
図２（Ａ）に示すような、長辺の長さが６ｄの矩形状領域３５にレーザビームを照射する場合を考える。説明の便宜のため、矩形状領域３５の長辺と平行な方向にＸ方向を画定する。
【００２９】
図２（Ｂ）に示すような、幅２ｄの矩形状のパルスレーザビームを、幅方向とＸ方向とが平行となるように、矩形状領域３５に複数ショット入射させ、５０％の重複率で、矩形状領域３５の全域に照射する。
【００３０】
図２（Ｃ）を参照する。１ショットめのパルスレーザビームを、Ｘ方向についてＡ１の範囲に入射させる。２〜５ショットめのレーザビームは、それぞれＡ２〜Ａ５の範囲に入射させる。
【００３１】
このレーザ照射方法によれば、矩形状領域３５の中央部（Ｘ方向に４ｄの範囲）には、２ショットのパルスレーザビームを入射させることができるが、矩形状領域３５の両端部（それぞれＸ方向にｄの範囲）には、１ショットのパルスレーザビームしか入射させることができない。このため、矩形状領域３５の全域にわたって均一な加工を行うことができない。
【００３２】
次に、図２（Ｄ）及び（Ｅ）を用いて、実施例によるビーム照射方法を予備的に説明する。
【００３３】
実施例によるビーム照射方法においては、たとえば断面形状の異なる２つ以上のパルスレーザビームを用いて加工を行う。
【００３４】
図２（Ｄ）を参照する。実施例によるビーム照射方法では、図２（Ｂ）に示すような、幅２ｄの矩形状のパルスレーザビームのほかに、本図に示すような、幅ｄの矩形状のパルスレーザビームを用いる。
【００３５】
図２（Ｅ）を参照する。まず、図２（Ｄ）に示すような、幅ｄの矩形状のパルスレーザビームを、Ｘ方向についてＢ１の範囲に入射させる。２〜６ショットめは、図２（Ｂ）に示すような、幅２ｄの矩形状のパルスレーザビームを、それぞれＢ２〜Ｂ６の範囲に入射させる。そして最後に、図２（Ｄ）に示すような、幅ｄの矩形状のパルスレーザビームを、Ｂ７の範囲に入射させる。
【００３６】
このように、幅ｄと幅２ｄの２種類のパルスレーザビームを用いることで、矩形状領域３５の全域にわたって、２ショットのパルスレーザビームを入射させることができる。このため、矩形状領域３５の加工を均一に行うことができる。
【００３７】
重複率は５０％に限定されない。図２（Ｆ）〜（Ｈ）を用いて、たとえば重複率を７５％とした場合のビーム照射方法を予備的に説明する。
【００３８】
図２（Ｆ）及び（Ｇ）を参照する。重複率を７５％とした場合においては、図２（Ｄ）に示す幅ｄの矩形状のパルスレーザビーム、図２（Ｂ）に示す幅２ｄの矩形状のパルスレーザビームのほかに、図２（Ｆ）及び（Ｇ）に示すような、幅３ｄ及び幅４ｄの矩形状のパルスレーザビームを用いる。
【００３９】
図２（Ｈ）を参照する。まず、幅ｄ、２ｄ、３ｄの矩形状のパルスレーザビームを、順に、Ｘ方向について、それぞれＣ１、Ｃ２、Ｃ３の範囲に入射させる。４〜６ショットめは、幅４ｄの矩形状のパルスレーザビームを、それぞれＣ４〜Ｃ６の範囲に入射させる。
【００４０】
その後、幅３ｄ、２ｄ、ｄの矩形状のパルスレーザビームを、順に、それぞれＣ７、Ｃ８、Ｃ９の範囲に入射させる。
【００４１】
このように、たとえば幅ｄ〜４ｄの４種類のパルスレーザビームを用いて、矩形状領域３５の全域にわたって、４ショットのパルスレーザビームを入射させることができる。このため、矩形状領域３５の加工を均一に行うことができる。
【００４２】
図３（Ａ）〜図６（Ｆ）を用いて、実施例によるビーム照射方法を説明する。
【００４３】
実施例によるビーム照射方法は、図７に示した半導体ウエハ５０の表面上の一部に画定された、部分照射領域５１の一つにパルスレーザビームを照射して、レーザアニールを行う場合のビーム照射方法である。
【００４４】
図３（Ａ）に、マスク１３の概略的な平面図を示す。前述のように、マスク１３は、たとえば長さがＬ、幅がｌの矩形状の開口部１３ｂを有する。矩形の短軸方向と平行な方向にＸ軸、長軸方向と平行な方向にＹ軸を、図示するように画定する。Ｘ軸、Ｙ軸の方向は、図１（Ａ）に示した方向と同一である。
【００４５】
可動ミラー１２で反射されて、マスク１３に入射するパルスレーザビームの入射断面を点線で示した。マスク１３に入射するパルスレーザビームの入射断面は、たとえば開口部１３ｂよりも大きいサイズの矩形状である。
【００４６】
マスク１３に入射するレーザビームの一部が、開口部１３ｂの左下１／４の領域に入射してこれを透過し、残余の部分は遮光されるように、可動ミラー１２及びマスク１３の位置合わせを行い、パルスレーザビームをマスク１３に入射させる。
【００４７】
開口部１３ｂの左下１／４の領域から、長さがＬ／２、幅がｌ／２の矩形の断面形状を有するパルスレーザビームが出射する。
【００４８】
図３（Ｂ）は、半導体ウエハ５０の表面上の一部に画定された部分照射領域５１の左上部分を示す平面図である。マスク１３の開口部１３ｂの左下１／４の領域から出射したパルスレーザビームは、部分照射領域５１の左上隅（Ｘ方向に幅ｌ／２、Ｙ方向に長さＬ／２の矩形状領域）に入射する。
【００４９】
図３（Ｃ）を参照する。可動ミラー１２を動かして、可動ミラー１２で反射されたパルスレーザビームのマスク１３における入射位置を変化させる。具体的には、マスク１３に入射するレーザビームの一部が、開口部１３ｂの下半分の領域に入射してこれを透過し、残余の部分は遮光されるように、可動ミラー１２を動かす。たとえば図１（Ａ）においては、可動ミラー１２を、反時計回りに回転させる。
【００５０】
図３（Ｄ）を参照する。マスク１３の開口部１３ｂの下半分の領域を透過したパルスレーザビームは、部分照射領域５１の左上隅（Ｘ方向に幅ｌ、Ｙ方向に長さＬ／２の矩形状領域）に入射する。
【００５１】
以後、図３（Ｆ）に示す状態まで、可動ミラー１２及びマスク１３を固定したままで、ＸＹステージ１５により、部分照射領域５１（半導体ウエハ５０）を、一定の速さでＸ正方向に移動する。
【００５２】
図３（Ｅ）を参照する。次ショットのパルスレーザビームは、部分照射領域５１において、図３（Ｄ）に示した入射位置から、Ｘ負方向にｌ／２だけ変位した位置に入射する。
【００５３】
このように、Ｘ方向に幅ｌ、Ｙ方向に長さＬ／２の矩形状の断面を有するパルスレーザビームを、Ｘ方向に５０％の重複率で、部分照射領域５１の上辺に沿って照射する。
【００５４】
図３（Ｆ）は、部分照射領域５１の右上部分を示す平面図である。マスク１３の開口部１３ｂの下半分の領域から出射したパルスレーザビームが、部分照射領域５１の右上隅（Ｘ方向に幅ｌ、Ｙ方向に長さＬ／２の矩形状領域）に入射する。
【００５５】
ここで、ＸＹステージ１５による、部分照射領域５１（半導体ウエハ５０）の移動を停止する。
【００５６】
図４（Ａ）を参照する。マスク１３に入射するレーザビームの一部が、開口部１３ｂの右下１／４の領域に入射してこれを透過し、残余の部分は遮光されるように、可動ミラー１２を動かす。たとえば図１（Ａ）においては、可動ミラー１２を、反時計回りに回転させる。
【００５７】
図４（Ｂ）を参照する。開口部１３ｂの右下１／４の領域を透過したパルスレーザビームは、部分照射領域５１の右上隅（Ｘ方向に幅ｌ／２、Ｙ方向に長さＬ／２の矩形状領域）に入射する。
【００５８】
図４（Ｃ）を参照する。マスク移動機構１３ａにより、マスク１３をＹ正方向にＬ／２だけ移動する。この結果、マスク１３に入射するレーザビームは、一部が開口部１３ｂの右半分の領域に入射してこれを透過し、残余の部分は遮光される。
【００５９】
図４（Ｄ）を参照する。開口部１３ｂの右半分の領域を透過したパルスレーザビームは、部分照射領域５１の右上隅（Ｘ方向に幅ｌ／２、Ｙ方向に長さＬの矩形状領域）に入射する。
【００６０】
図４（Ｅ）を参照する。マスク１３に入射するレーザビームの一部が、開口部１３ｂの全領域に入射してこれを透過し、残余の部分は遮光されるように、可動ミラー１２を動かす。たとえば図１（Ａ）においては、可動ミラー１２を、時計回りに回転させる。この場合、結像レンズ１４に入射する角度がレンズに対して傾くため、レンズ１４としてはｆθレンズを用いる必要がある。
【００６１】
図４（Ｆ）を参照する。開口部１３ｂの全領域を透過したパルスレーザビームは、部分照射領域５１の右上隅（Ｘ方向に幅ｌ、Ｙ方向に長さＬの矩形状領域）に入射する。
【００６２】
以後、図５（Ａ）に示す状態まで、可動ミラー１２及びマスク１３を固定したままで、ＸＹステージ１５により、部分照射領域５１（半導体ウエハ５０）を、一定の速さでＸ負方向に移動する。
【００６３】
図５（Ａ）に、部分照射領域５１の左上部分を示す。マスク１３の開口部１３ｂの全領域から出射したパルスレーザビームが、部分照射領域５１の左上隅（Ｘ方向に幅ｌ、Ｙ方向に長さＬの矩形状領域）に入射する。
【００６４】
ここで、ＸＹステージ１５による、部分照射領域５１（半導体ウエハ５０）の移動を停止する。
【００６５】
図５（Ｂ）を参照する。マスク１３に入射するレーザビームの一部が、開口部１３ｂの左半分の領域に入射してこれを透過し、残余の部分は遮光されるように、可動ミラー１２を動かす。たとえば図１（Ａ）においては、可動ミラー１２を、時計回りに回転させる。
【００６６】
図５（Ｃ）を参照する。開口部１３ｂの左半分の領域を透過したパルスレーザビームは、部分照射領域５１の左上隅（Ｘ方向に幅ｌ／２、Ｙ方向に長さＬの矩形状領域）に入射する。
【００６７】
ここで、可動ミラー１２及びマスク１３を固定したまま、ＸＹステージ１５により、部分照射領域５１（半導体ウエハ５０）を、Ｌ／２だけＹ負方向に移動する。
【００６８】
図５（Ｄ）を参照する。Ｘ方向に幅ｌ／２、Ｙ方向に長さＬの矩形状の断面を有するパルスレーザビームが、部分照射領域５１の左上隅からＹ正方向にＬ／２だけ離れた位置に入射する。
【００６９】
図５（Ｅ）を参照する。マスク１３に入射するレーザビームの一部が、開口部１３ｂの全領域に入射してこれを透過し、残余の部分は遮光されるように、可動ミラー１２を動かす。たとえば図１（Ａ）においては、可動ミラー１２を、反時計回りに回転させる。
【００７０】
図５（Ｆ）を参照する。開口部１３ｂの全領域を透過したパルスレーザビームは、部分照射領域５１の左上隅からＹ正方向にＬ／２だけ離れた位置に、Ｘ方向に幅ｌ、Ｙ方向に長さＬの矩形状入射領域を形成して入射する。
【００７１】
この後、可動ミラー１２及びマスク１３を固定したままで、ＸＹステージ１５により、部分照射領域５１（半導体ウエハ５０）を、一定の速さでＸ正方向に移動し、Ｘ方向に５０％の重複率で、パルスレーザビームを照射する。そしてＸ方向に幅ｌ、Ｙ方向に長さＬの矩形状の断面を有するパルスレーザビームを、部分照射領域５１の右端まで照射したら、ビーム断面幅をｌ／２とした上で右端に１ショット照射する。続けて、可動ミラー１２及びマスク１３を固定したまま、ＸＹステージ１５により、部分照射領域５１（半導体ウエハ５０）を、Ｌ／２だけＹ負方向に移動した位置で１ショット照射する。更に、ビーム断面幅をｌとして１ショット照射する。その後、ＸＹステージ１５により、部分照射領域５１（半導体ウエハ５０）を、一定の速さでＸ負方向に移動し、Ｘ方向に５０％の重複率で、パルスレーザビームを照射する。
【００７２】
パルスレーザビームは、Ｘ方向に５０％の重複率で照射されるとともに、Ｙ方向にも５０％の重複率で照射される。
【００７３】
このような工程を、Ｘ方向に幅ｌ、Ｙ方向に長さＬの矩形状の断面を有するパルスレーザビームが、ビーム断面下端が部分照射領域５１の下辺に沿う条件で、照射され終わるまで繰り返す。そして、ＸＹステージ１５の駆動を停止し、ビーム断面幅をｌ／２として、たとえば部分照射領域５１の左下隅（Ｘ方向に幅ｌ／２、Ｙ方向に長さＬの矩形状領域）に入射させる。
【００７４】
図６（Ａ）を参照する。マスク移動機構１３ａにより、マスク１３をＹ正方向に移動する。この結果、マスク１３に入射するレーザビームは、一部が開口部１３ｂの左上１／４の領域に入射してこれを透過し、残余の部分は遮光される。
【００７５】
図６（Ｂ）を参照する。開口部１３ｂの左上１／４の領域を透過したパルスレーザビームは、部分照射領域５１の左下隅（Ｘ方向に幅ｌ／２、Ｙ方向に長さＬ／２の矩形状領域）に入射する。
【００７６】
図６（Ｃ）を参照する。マスク１３に入射するレーザビームの一部が、開口部１３ｂの上半分の領域に入射してこれを透過し、残余の部分は遮光されるように、可動ミラー１２を動かす。たとえば図１（Ａ）においては、可動ミラー１２を、反時計回りに回転させる。
【００７７】
図６（Ｄ）を参照する。開口部１３ｂの上半分の領域を透過したパルスレーザビームは、部分照射領域５１の左下隅（Ｘ方向に幅ｌ、Ｙ方向に長さＬ／２の矩形状領域）に入射する。
【００７８】
以後、可動ミラー１２及びマスク１３を固定したままで、Ｘ方向に幅ｌ、Ｙ方向に長さＬ／２の矩形状のビーム断面の右端部が、部分照射領域５１の右端部に照射されるまで、ＸＹステージ１５により、部分照射領域５１（半導体ウエハ５０）を、一定の速さでＸ正方向に移動する。
【００７９】
図６（Ｅ）を参照する。マスク１３に入射するレーザビームの一部が、開口部１３ｂの右上１／４の領域に入射してこれを透過し、残余の部分は遮光されるように、可動ミラー１２を動かす。たとえば図１（Ａ）においては、可動ミラー１２を、反時計回りに回転させる。
【００８０】
図６（Ｆ）を参照する。開口部１３ｂの右上１／４の領域を透過したパルスレーザビームは、部分照射領域５１の右下隅（Ｘ方向に幅ｌ／２、Ｙ方向に長さＬ／２の矩形状領域）に入射する。
【００８１】
上述の方法で、部分照射領域５１の全域にわたって、４ショットのパルスレーザビームを入射させることができる。このため、半導体ウエハ５０の、部分照射領域５１以外の領域にビームを照射することなく、部分照射領域５１の加工を均一に行うことができる。
【００８２】
以上、実施例に沿って本発明を説明したが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００８３】
たとえば、実施例においては、可動ミラーを用いてレーザビームのマスクへの入射位置を変化させたが、可動ミラーに代えて音響光学素子（ＡＯＭ）、または音響光学偏光器（ＡＯＤ）を使用することもできる。その場合には、ＡＯＭまたはＡＯＤ以降の光学系と接続するため、下方向に折り返すミラーを配置する。
【００８４】
その他、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者には自明であろう。
【産業上の利用可能性】
【００８５】
レーザ加工一般、たとえば半導体ウエハ上のアモルファスシリコンの結晶化（活性化アニール）に好適に用いられる。また、レーザビームによるパターニング等にも好適に用いられる。
【図面の簡単な説明】
【００８６】
【図１】（Ａ）は、実施例によるビーム照射装置を示す概略図であり、（Ｂ）は、マスク１３の概略的な平面図である。
【図２】（Ａ）〜（Ｈ）は、実施例によるビーム照射方法の特徴を予備的に説明するための図である。
【図３】（Ａ）〜（Ｆ）は、実施例によるビーム照射方法を説明するための図である。
【図４】（Ａ）〜（Ｆ）は、実施例によるビーム照射方法を説明するための図である。
【図５】（Ａ）〜（Ｆ）は、実施例によるビーム照射方法を説明するための図である。
【図６】（Ａ）〜（Ｆ）は、実施例によるビーム照射方法を説明するための図である。
【図７】半導体ウエハ５０の概略的な平面図である。
【符号の説明】
【００８７】
１０  レーザ光源
１１  光学機構
１２  可動ミラー
１３  マスク
１３ａ  マスク移動機構
１３ｂ  開口部
１４  結像レンズ
１５  ＸＹステージ
１６  制御装置
３０  レーザビーム
３５  矩形状領域
５０  半導体ウエハ
５１  部分照射領域
【図１】
2008105046.tif 000003
【図２】
2008105046.tif 000004
【図３】
2008105046.tif 000005
【図４】
2008105046.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
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