(57)【要約】【課題】基板を保持する保持具における付着物の剥離を十分に抑制することができる積層膜形成システム、そのような積層膜形成システムで使用されるスパッタ装置、および、上記の積層膜形成システムで実行される積層膜形成方法を提供する。【解決手段】基板上にスパッタ法によって磁性膜を形成するスパッタ装置と、この磁性膜の表面にカーボン保護膜を形成するＣＶＤ装置とを有し、基板上に磁性膜とカーボン保護膜とからなる積層膜を形成する積層膜形成システムにおいて、スパッタ装置が、磁性膜の形成に際して基板保持具２２０と磁性物質ターゲット２３０との間に位置し、基板保持具２２０において基板Ｐを囲む枠２２１のうち、この基板保持具２２０が立てられるときに基板Ｐの上に位置する部分を除いた部分に限って、磁性物質ターゲット２３０からの磁性物質を遮るシールド２４０を備えた。【選択図】        図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、互いに材料物質が異なる複数の膜を積層して積層膜を形成する積層膜形成システムにおいて、
前記基板を取り囲む枠と該基板を該枠の内側で保持する保持機構とを有する保持具と、
第１の膜の材料物質を、前記保持具に保持されている基板に向けて出射する材料出射部と、
前記保持具と前記材料出射部との間に位置し、前記枠のうち、前記基板の上に位置する部分を除いて前記材料物質を遮るシールドとを備えた第１膜形成装置；および
前記第１の膜の材料物質とは異なる材料物質からなる第２の膜を該第１の膜上に形成する第２膜形成装置；
を備えたことを特徴とする積層膜形成システム。
【請求項２】
前記第２膜形成装置が、前記第１の膜の表面に前記第２の膜をＣＶＤ法によって形成するものであることを特徴とする請求項１記載の積層膜形成システム。
【請求項３】
基板を取り囲む枠と該基板を該枠の内側で保持する保持機構とを有する保持具と、
前記膜の材料物質を、前記保持具に保持されている基板に向けて出射する材料出射部と、
前記膜の形成に際して前記保持具と前記材料出射部との間に位置し、前記枠のうち、前記保持具が立てられるときに前記基板の上に位置する部分を除いて前記材料物質を遮るシールドとを備えたことを特徴とするスパッタ装置。
【請求項４】
基板上に、互いに材料物質が異なる複数の膜を積層して積層膜を形成する積層膜形成方法において、
前記基板を保持具に保持させる保持過程と、
前記基板上及び前記保持具上に該第１の膜を形成する第１膜形成過程と、
前記基板を前記第一の膜が形成された前記保持具に保持した状態で、前記第１の膜の材料物質とは異なる材料物質からなる第２の膜を該基板上の該第１の膜上に形成する第２膜形成過程とを有するものであることを特徴とする積層膜形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板上に、互いに材料物質が異なる複数の膜を積層して積層膜を形成する積層膜形成システム、基板上に、スパッタ法によって膜を形成するスパッタ装置、および基板上に、互いに材料物質が異なる複数の膜を積層して積層膜を形成する積層膜形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、磁気記録媒体として、例えば、磁気ディスク装置で使用される磁気ディスク等が普及している。磁気記録媒体の多くは、非磁性体の基板上に磁性膜およびカーボン保護膜からなる積層膜が形成されたものである。ここで、これら各膜の形成は、膜の材料物質を含有したターゲットからその材料物質を基板に向けて打ち出すことで、その材料物質を基板上に堆積させて膜を形成するいわゆるスパッタ法によって行われることが多い。このときスパッタ法で膜を形成するスパッタ装置の内部では、膜の形成に使われた材料物質が基板以外の場所にも付着して不要な膜が形成されてしまうことがある。特に、カーボンはスパッタ装置の内部に付着すると、やがて剥離して、磁性膜の形成を妨げたり、形成後の磁性膜を傷つけたりして磁気記録媒体の品質を劣化させる等といった問題を引き起こすおそれがある。このような問題を回避するためには、カーボン保護膜の形成の度にスパッタ装置の内部に付着したカーボンの入念な除去が必要となり作業効率が著しく低下してしまう。
【０００３】
このため、従来、カーボン保護膜の形成を行うスパッタ装置では、装置内部のカーボンが付着しそうな部分が、比較的カーボンの付着性が良いアルミニウムやステンレスで形成されていることが多い。これにより、装置内でのカーボンの剥離が抑制されるので、ある程度まではカーボンの付着を許容することで、カーボンの除去回数を減らして作業効率を向上させることが可能となっている。
【０００４】
また、スパッタ装置の内部におけるカーボンの剥離を一層抑制してカーボンの除去回数についてのさらなる減少効果を得るために、スパッタ装置内部でカーボンが付着しそうな部分の表面に、カーボンの付着性が良好な亜鉛メッキを予め施しておくという技術が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００５】
ここで、スパッタ装置において処理対象の基板は、所定の保持具等に保持された状態で装置内に設置されることが多い。この保持具のように、基板の直近にある部品（以下、直近部品と呼ぶ）は、その部品にカーボンの付着と剥離が発生すると剥離したカーボンが基板に向かう可能性が高い。従来、このような直近部品については、そもそもカーボンが付着しないように所定のシールド等によって、スパッタ時のカーボンの流れから保護されることが多い。
【０００６】
ところで、近年、磁気記録媒体の記録密度についてより一層の向上が求められており、そのようなニーズの中で磁気記録媒体におけるカーボン保護膜の薄膜化が急激に進んでいる。そして、このようなカーボン保護膜の形成方法が、従来のスパッタ法から、スパッタ法よりも薄く膜を形成することができるＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法に移行しつつある（例えば、特許文献２参照。）。その結果、磁気記録媒体における積層膜の形成は、スパッタ法により磁性膜を形成するスパッタ装置と、ＣＶＤ法によりカーボン保護膜を形成するＣＶＤ装置とを有する積層膜形成システムにおいて行われるようになりつつある。
【０００７】
ＣＶＤ法は、膜の材料物質を含有する化合物ガス中に基板を曝し、この化合物ガスに含有される材料物質を化学反応によって基板上に堆積するという方法である。ここで、このＣＶＤ法を実行するＣＶＤ装置でも、上記のスパッタ装置の場合と同様に、基板以外の場所へのカーボンの付着と剥離が問題となる。ここで、ＣＶＤ法では、化合物ガスが進入する箇所にはどこにでもカーボンが付着してしまうので、上記の保持具といった直近部品について、スパッタ装置のようにカーボンの付着を防ぐことはほぼ不可能である。このため、ＣＶＤ装置にあっては、このような直近部品についても、カーボンの付着は仕方がないものとして、例えば特許文献１に記載されている技術のように亜鉛メッキを施す等といった方法で、付着後のカーボンについて剥離の抑制が図られる。
【０００８】
ここで、ＣＶＤ装置によるカーボン保護膜の形成は、スパッタ装置による磁性膜の形成後に行なわれることとなるが、基板を保持する保持具については、保持具の交換等といった作業の手間を省く等といった理由から、両装置間で使い回されることが多い。即ち、基板は、スパッタ装置での磁性膜の形成が終了すると、保持具ごとＣＶＤ装置に移されることとなる。そのため、例えば亜鉛メッキ等が施された保持具が有するカーボンの良好な付着性がＣＶＤ装置内で有効に働くようにするために、スパッタ装置では、成膜時の材料物質の流れからシールドを使ってこの保持具を保護する等といった方法により、保持具におけるカーボンの良好な付着性が保護されている。
【特許文献１】特開平１０−２０４６１６号公報
【特許文献２】特開２００１−１４８１１８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、現状では、基板を保持する保持具を、スパッタ装置とＣＶＤ装置との間で使い回すと、その使い回しの間に、ＣＶＤ装置で付着したカーボンが保持具から剥離してしまう頻度は依然として高く、保持具に対して頻繁にクリーニング等を施す必要がある。
【００１０】
尚、ここまで、スパッタ装置で磁性膜を形成しＣＶＤ装置でカーボン保護膜を形成する積層膜形成システムを例示して、両装置間で基板を保持する保持具を使いまわしたときにこの保持具からカーボンが剥離するという問題について説明した。しかし、このような問題は、基板上に、互いに材料物質が異なる複数の膜を積層して積層膜を形成する積層膜形成システムにおいて共通に生じる問題である。
【００１１】
本発明は、上記事情に鑑み、基板を保持する保持具における付着物の剥離を十分に抑制することができる積層膜形成システム、そのような積層膜形成システムで使用されるスパッタ装置、および、上記の積層膜形成システムで実行される積層膜形成方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成する本発明の積層膜形成システムは、
基板上に、互いに材料物質が異なる複数の膜を積層して積層膜を形成する積層膜形成システムにおいて、
上記基板を取り囲む枠とその基板をその枠の内側で保持する保持機構とを有する保持具と、
第１の膜の材料物質を、上記保持具に保持されている基板に向けて出射する材料出射部と、
上記保持具と上記材料出射部との間に位置し、上記枠のうち、上記基板の上に位置する部分を除いて上記材料物質を遮るシールドとを備えた第１膜形成装置；および
上記第１の膜の材料物質とは異なる材料物質からなる第２の膜をその第１の膜上に形成する第２膜形成装置；
を備えたことを特徴とする。
【００１３】
この本発明の積層膜形成システムでは、上記保持具が立てられたときに上記基板の上に位置する部分において仮にカーボン等といった付着物の剥離が起きると、その剥離した付着物が基板に当たってしまいこの基板を傷つける危険性が高い。この本発明の積層膜形成システムによれば、この危険性が高い部分が、上記シールド部によってシールドされる範囲から除かれていることから、この部分には、上記第１膜形成装置によって上記第１の膜が、上記基板の表面と同様に形成されることとなる。このことは、このような部分における、例えばカーボン等の付着物に対する付着性を良好なものとしておき、そのような付着物が不可避的に付着される後工程に至るまでは、その部分をなるべく保護するという従来の考え方には反している。ここで、上記第１の膜が磁性膜であって、上記第２の膜がカーボン保護膜である場合について考えてみる。この場合、そもそもこのカーボン保護膜は、基板上の磁性膜を保護する目的で形成されるものであることから、その磁性膜は、例えば上記の亜鉛メッキ等に勝る非常に良好なカーボンの付着性を有している。本発明の積層膜形成システムによれば、上記のような危険性が特に高い部分に、例えばカーボン保護膜に対する磁性膜等といった、後工程で付着される膜に対して極めて良好な付着性を有する膜を上記第１の膜として積極的に形成することができる。その結果、第２の膜の形成時には、その部分に、基板上のしっかりとした積層膜と同様の積層膜が形成されるので、この部分からの付着物の剥離という懸念がほぼ払拭されることになる。さらに、例えば、１枚の基板に上記第１の膜と上記第２の膜とを３層以上に積層する場合に、上記保持具が、上記第１膜形成装置と上記第２膜形成装置との間で使い回されるときや、１枚の基板に上記第１の膜と上記第２の膜とが２層だけ積層されたものを複数枚作成する場合にこの保持具が同様に使い回されたときでも、上記のような危険性が特に高い部分には、互いに付着性が良好な膜が交互に積層された非常に強固な積層膜が形成されることとなり、この部分からの付着物の剥離は十分に抑制される。つまり、本発明の積層膜形成システムによれば、基板を保持する保持具における付着物の剥離を十分に抑制することができる。
【００１４】
ここで、本発明の積層膜形成システムにおいて、「上記保持具が、上記積層膜の複数回の形成に繰り返し使用されるものであ」という形態は好ましい形態である。
【００１５】
この好ましい形態の積層膜形成システムによれば、上記積層膜の複数回の形成に当たって上記保持具を上記第１膜形成装置と上記第２膜形成装置との間で共通に使用することができるので、積層膜の形成を効率的に行うことができる。
【００１６】
また、本発明の積層膜形成システムは、「上記保持具が、上記第１膜形成装置による上記第１の膜の形成中は立てられて使用されるものである」という形態であっても良く、あるいは、
「上記保持具が、上記第２膜形成装置による上記第２の膜の形成中は立てられて使用されるものである」という形態であっても良く、
「上記保持具が、上記積層膜の形成中は立てられて使用されるものである」という形態であっても良い。
【００１７】
上記保持具は、上記第１膜形成装置や上記第２膜形成装置の装置内のスペース等の制約から立てられて使用されることがシステムの構成上好都合である場合がある。そして、この保持具から付着物が落下する危険性は、この保持具が立てられているときが高い。しかしながら、本発明の積層膜形成システムによれば、このようなときであっても付着物の剥離が十分に抑制されることとなる。
【００１８】
また、本発明の積層膜形成システムは、「上記第２膜形成装置が、上記第１の膜の表面に上記第２の膜をＣＶＤ法によって形成するものである」という形態であっても良い。
【００１９】
上述したようにＣＶＤ法では、カーボン等といった膜の材料物質を含有する化合物ガスが進入する箇所にはどこにでもカーボン等が付着してしまうので、ＣＶＤ法による膜形成時には上記保持具におけるこのようなカーボン等といった付着物の付着を回避することが困難である。しかし、本発明の積層膜形成システムによれば、ＣＶＤ法による膜形成時の付着物が剥離したときの危険性が特に高い部分に、上記第１膜形成装置による膜形成時に、そのような付着物に対して非常に良好な付着性を有する膜を形成することができる。その結果、ＣＶＤ法によって上記の部分に不可避的に付着物が付着されても、そのような付着物の剥離を十分に抑制することができる。
【００２０】
また、上記目的を達成する本発明のスパッタ装置は、
基板を取り囲む枠とその基板をその枠の内側で保持する保持機構とを有する保持具と、
上記膜の材料物質を、上記保持具に保持されている基板に向けて出射する材料出射部と、
上記膜の形成に際して上記保持具と上記材料出射部との間に位置し、上記枠のうち、上記保持具が立てられるときに上記基板の上に位置する部分を除いて上記材料物質を遮るシールドとを備えたことを特徴とする。
【００２１】
この本発明のスパッタ装置によれば、このスパッタ装置での膜形成の後工程で上記保持具に不要な付着物の付着が不可避であるとしても、その保持具における付着物の剥離を十分に抑制することができる。
【００２２】
尚、本発明のスパッタ装置は、前述した積層膜形成システムの各形態のいずれにも、例えば上記第１膜形成装置として適用することができる。
【００２３】
また、上記目的を達成する本発明の積層膜形成方法は、
基板上に、互いに材料物質が異なる複数の膜を積層して積層膜を形成する積層膜形成方法において、
上記基板を保持具に保持させる保持過程と、
上記基板上及び上記保持具上にその第１の膜を形成する第１膜形成過程と、
上記基板を上記第一の膜が形成された上記保持具に保持した状態で、上記第１の膜の材料物質とは異なる材料物質からなる第２の膜をその基板上のその第１の膜上に形成する第２膜形成過程とを有するものであることを特徴とする。
【００２４】
この本発明の積層膜形成方法によれば、基板を保持する保持具における付着物の剥離を十分に抑制することができる。
【００２５】
尚、本発明の積層膜形成方法については、ここではその基本形態のみを示すに止めるが、これは単に重複を避けるためであり、本発明の積層膜形成方法には、上記の基本形態のみではなく、前述した積層膜形成システムの各形態に対応する各種の形態が含まれる。
【発明の効果】
【００２６】
以上、説明したように、本発明によれば、基板を保持する保持具における付着物の剥離を十分に抑制することができる積層膜形成システム、そのような積層膜形成システムで使用されるスパッタ装置、および、上記の積層膜形成システムで実行される積層膜形成方法を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。
【００２８】
図１は、本発明の一実施形態を示す図である。
【００２９】
この図１には、非磁性体からなる円板形状の基板Ｐの表面に磁性膜とその磁性膜を保護するカーボン保護膜とからなる積層膜が形成されてなる磁気記録媒体におけるその積層膜を、その基板Ｐの表面に形成する積層膜形成システム１０が示されている。この積層膜形成システム１０は、スパッタ法で磁性膜を形成し、ＣＶＤ法でカーボン保護膜を形成するものであり、スパッタ法による膜形成を実行するスパッタ装置２００と、ＣＶＤ法による膜形成を実行するＣＶＤ装置３００とからなる。ここで、この積層膜形成システム１０が、本発明の積層膜形成システムの一実施形態に相当し、スパッタ装置２００が、本発明のスパッタ装置の一実施形態に相当する。また、このスパッタ装置２００は、本発明にいう第１膜形成装置の一例にも相当し、ＣＶＤ装置３００は、本発明にいう第２膜形成装置の一例に相当する。さらに、スパッタ装置２００で形成される磁性膜が、本発明にいう第１の膜の一例に相当し、ＣＶＤ装置３００で形成されるカーボン保護膜が、本発明にいう第２の膜の一例に相当する。
【００３０】
スパッタ装置２００は、スパッタ用チャンバー２１０と、基板保持具２２０と、磁性物質ターゲット２３０と、シールド２４０と、スパッタ制御部２５０とを備えている。ここで、基板保持具２２０およびシールド２４０は、それぞれ本発明にいう保持具およびシールド部の各一例に相当する。また、磁性物質ターゲット２３０とスパッタ制御部２５０とを合わせたものが本発明にいう材料出射部の一例に相当する。
【００３１】
また、ＣＶＤ装置３００は、ＣＶＤ用チャンバー３１０と、ガス供給部３２０と、マイクロ波源３３０と、ソレノイドコイル３４０と、ＣＶＤ制御部３５０とを備えている。
【００３２】
以下、この積層膜形成システム１０で実行される積層膜の形成処理の流れに沿って、スパッタ装置２００およびＣＶＤ装置３００それぞれの構成要素について説明する。
【００３３】
図２は、図１の積層膜形成システム１０で実行される積層膜の形成処理の流れを示すフローチャートである。
【００３４】
この図２のフローチャートが示す処理は、本発明の積層膜形成方法の一実施形態に相当する。
【００３５】
以下、基本的にこの図２のフローチャートに沿い、適宜に図１および他の図面を参照しながら説明を行う。尚、以下では、図１に示す構成要素を特に図番を断らずに参照する。
【００３６】
このフローチャートが示す処理では、まず、円板形状の基板を保持する基板保持具２２０に、処理対象の基板Ｐを保持させる保持過程（ステップＳ１０１）が実行される。この保持過程（ステップＳ１０１）は、本発明にいう保持過程の一例に相当する。
【００３７】
図３は、基板保持具２２０の詳細を示す図である。
【００３８】
この図３のパート（ａ）には、基板保持具２２０の正面図が示され、パート（ｂ）には、切断線Ａ−Ａに沿った断面図が示されている。
【００３９】
この基板保持具２２０は、円板形状の基板Ｐを取り囲む、円形の孔が設けられた枠２２１と、この枠２２１の孔の内側で基板Ｐを３点支持によって保持する３つの保持機構２２２とを備えている。各保持機構２２２は、パート（ｂ）に示すように先端に溝２２２ａが掘られており、基板Ｐは、各保持機構２２２の溝２２２ａに基板Ｐの縁が嵌ることで保持される。また、各保持機構２２２は、図中の矢印Ｄ１方向に移動可能となっており、基板Ｐの保持と取外しが自在となっている。また、本実施形態におけるスパッタ装置２１０では、様々なサイズの基板への磁性膜の形成が想定されており、この基板保持具２２０の枠２２１に開けられた孔のサイズは、想定されるサイズのうちの最大サイズよりも若干大きめとなっている。そして、この基板保持具２２０に基板が保持される際には、各保持機構２２２の矢印Ｄ１方向への移動量が保持対象の基板のサイズに応じて調節される。
【００４０】
以上に説明した基板保持具２２０における基板Ｐの保持が終了すると、図２のフローチャートに示すように、基板Ｐを保持した基板保持具２２０と磁性物質ターゲット２３０とシールド２４０とをスパッタ用チャンバー２１０の内部に配置するスパッタ装置内配置過程（ステップＳ１０２）が実行される。
【００４１】
スパッタ用チャンバー２１０には排気口２１０ａとガス導入口２１０ｂとが設けられており、後述するスパッタ膜形成過程（ステップＳ１０３）の際には、排気口２１０ａからの排気と、その排気に続くガス導入口２１０ｂからのアルゴンガスの導入が行われて、内部がアルゴンガスで満たされる。
【００４２】
スパッタ装置内配置過程（ステップＳ１０２）では、このスパッタ用チャンバー２１０内に、基板保持状態の基板保持具２２０が後述の上範囲が上となって立てて配置される。
【００４３】
磁性物質ターゲット２３０は、磁性膜の材料となる磁性物質を含有しているものであり、スパッタ装置内配置過程（ステップＳ１０２）では、立てて配置された基板保持具２２０に保持されている基板Ｐの表面がこの磁性物質ターゲット２３０の表面と対向する位置に配置される。
【００４４】
また、シールド２４０は、スパッタ用チャンバー２１０における、基板Ｐの表面を含む後述の範囲以外の範囲に磁性物質が付着しないように、図１に矢印Ｄ２で示すような磁性物質ターゲット２３０からの磁性物質の流れを遮るものであり、スパッタ装置内配置過程（ステップＳ１０２）では、磁性物質ターゲット２３０と基板保持状態の基板保持具２２０との間に配置される。
【００４５】
図４は、シールド２４０の詳細を示す図である。
【００４６】
この図４のパート（ａ）には、シールド２４０の正面図が、基板保持状態の基板保持具２２０と共に示されており、パート（ｂ）には、切断線Ｂ−Ｂに沿った断面図が、基板保持状態の基板保持具２２０や磁性物質ターゲット２３０と共に示されている。
【００４７】
このシールド２４０は、磁性物質ターゲット２３０からの磁性物質を通過させるための孔が設けられた、皿形状のシールド部２４１と、そのシールド部２４１が嵌め込まれることでそのシールド部２４１を取外し自在に保持する板形状のホールド部２４２とを備えている。スパッタ用チャンバー２１０内には、シールド部２４１がホールド部２４２によって保持されてなるシールド２４０が配置される。
【００４８】
上述したように本実施形態におけるスパッタ装置２１０では、様々なサイズの基板への積層膜の形成が実行される。そして、本実施形態では、基板の各サイズに応じたサイズの孔が設けられた複数種類のシールド部２４１が予め用意されており、スパッタ装置内配置過程（ステップＳ１０２）では、形成対象の基板のサイズに応じたシールド部２４１が使用される。
【００４９】
図５は、図４からシールド部２４１以外のものを除いた図である。
【００５０】
この図５のパート（ａ）には、シールド部２４１の正面図が示され、パート（ｂ）には、切断線Ｃ−Ｃに沿った断面図が示されている。
【００５１】
シールド部２４１には、皿形状の底面部分に、基板Ｐの表面を含む所定の円形範囲２２１ａに向かう磁性物質を通過させるための円形の孔２４１ａが設けられている。さらに、この底面部分には、図４のパート（ａ）に斜線で示すように、基板保持状態の基板保持具２２０が立てられたときに、この基板保持具２２０において基板Ｐの上に位置する上範囲２２１ｂに向かう磁性物質を通過させる矩形の孔２４１ｂが上記の円形の孔２４１ａに繋げられて設けられている。
【００５２】
以上に説明した磁性物質ターゲット２３０、シールド２４０、および基板保持状態の基板保持具２２０の、スパッタ用チャンバー２１０内での配置が終了すると、図２のフローチャートに示すように、基板Ｐの表面に磁性膜を形成するスパッタ膜形成過程（ステップＳ１０３）が実行される。このスパッタ膜形成過程（ステップＳ１０３）は、本発明にいう第１膜形成過程の一例に相当する。
【００５３】
このスパッタ膜形成過程（ステップＳ１０３）では、まず、スパッタ用チャンバー２１０において、排気口２１０ａからの排気と、その排気に続くガス導入口２１０ｂからのアルゴンガスの導入が行われて、内部がアルゴンガスで満たされる。次に、スパッタ制御部２５０が、磁性物質ターゲット２３０に高電圧を印加する。すると、この磁性物質ターゲット２３０から周辺のアルゴンガスに対して放電が発生し、アルゴンガスの一部がイオン化される。そして、そのイオン化によって生じたアルゴンイオンが磁性物質ターゲット２３０に衝突して磁性物質が磁性物質ターゲット２３０から打ち出される。磁性物質ターゲット２３０から打ち出された磁性物質は、図１の矢印Ｄ２に示すように直進し、この磁性物質ターゲット２３０の表面と対向する基板Ｐの表面に向かうこととなる。
【００５４】
このとき、磁性物質ターゲット２３０と基板保持状態の基板保持具２２０との間に配置されたシールド２４０により、スパッタ用チャンバー２１０における、図３のパート（ａ）に示す、基板Ｐの表面、および、基板保持具２２０における基板Ｐを囲む範囲２２１ａと上記の上範囲２２１ａを除いた範囲については磁性物質が遮られる。そして、シールド２４０に設けられた図５に示す一連の孔２４１ａ，２４１ｂを通過した磁性物質によって、基板Ｐの表面、および、基板保持具２２０における基板Ｐを囲む範囲２２１ａと上範囲２２１ａに磁性膜が形成される。
【００５５】
本実施形態では、基板保持具２２０は、スパッタ装置２００だけでなくＣＶＤ装置３００でも共通に使用される。そのため、スパッタ装置２００において上記のようの磁性膜が形成されると、基板Ｐと基板保持具２２０の一部とに磁性膜が形成された、基板保持状態の基板保持具２２０’を、そのままＣＶＤ装置３００のＣＶＤ用チャンバー３１０内に配置するＣＶＤ装置内配置過程（ステップＳ１０４）が実行される。
【００５６】
このＣＶＤ装置内配置過程（ステップＳ１０４）では、基板保持具２２０’は、スパッタ用チャンバー２１０内での配置と同様に、ＣＶＤ用チャンバー３１０内に立てて配置される。そして、ＣＶＤ用チャンバー３１０内での配置が終了すると、スパッタ装置２００において形成された磁性膜の上にカーボン保護膜を形成するＣＶＤ膜形成過程（ステップＳ１０５）が実行される。
【００５７】
このＣＶＤ膜形成過程（ステップＳ１０５）では、まず、ＣＶＤ用チャンバー３１０に設けられた排気口３１０ａから排気が行われる。続いて、ＣＶＤ制御部３５０からの指示により、ＣＶＤ用チャンバー３１０に繋がった導波管３１０ｂに対して、マイクロ波源３３０がマイクロ波を供給し、ソレノイドコイル３４０が磁場を印加し、さらに、ガス供給部３２０がカーボンを含有する化合物ガスを供給する。その結果、導波管３１０ｂにおいて、マイクロ波と磁場との相乗効果によりいわゆる電子サイクロトロン共鳴が発生し、この電子サイクロトロン共鳴によって、ガス供給部３２０から供給された化合物ガスのイオン化が促進されて高密度プラズマが作られる。
【００５８】
このとき、ＣＶＤ用チャンバー３１０の排気口３１０ａからは、このＣＶＤ用チャンバー３１０内の圧力を所定圧力に保つように排気が続けられており、この高密度プラズマはＣＶＤ用チャンバー３１０内を流れて、このＣＶＤ用チャンバー３１０内に配置された基板保持状態の基板保持具２２０’の周囲に満ちる。そして、この高密度プラズマから活性種としてのカーボンが、基板Ｐと基板保持具２２０’全体とに堆積して、基板Ｐの表面および基板保持具２２０’の表面にカーボン保護膜が形成される。その後、ＣＶＤ装置３００から基板保持具２２０’を取り出し、その基板保持具２２０’から基板Ｐを取外すことで、図２のフローチャートが示す積層膜の形成処理が終了し、非磁性体の基板の表面上に磁性膜とカーボン保護膜からなる積層膜が形成されてなる磁気記録媒体が得られることとなる。
【００５９】
ここで、ＣＶＤ膜形成過程（ステップＳ１０５）が、本発明にいう第２膜形成工程の一例に相当する。
【００６０】
本実施形態では、複数の基板Ｐに対する積層膜の形成処理が想定されており、上記の一連の処理による１枚の基板Ｐに対する積層膜の形成処理の後には、新たな基板Ｐについて積層膜の形成処理が実行される。このときには、前回の積層膜形成時に使われた基板保持具２２０がそのまま使われる。
【００６１】
ここで、この段階の基板保持具２２０には、カーボンが付着したままとなっている。ここで、図４のパート（ａ）に示す上範囲２２１ａは、基板保持具２２０に処理対象の基板Ｐが保持されて、スパッタ用チャンバー２１０やＣＶＤ用チャンバー３１０の内部に立てて配置されるとその基板Ｐの上に位置する部分である。そのため、スパッタ装置２００での磁性膜形成時やＣＶＤ装置３００でのカーボン保護膜形成時に、仮に、この上範囲２２１ａに付着したカーボンが剥離したとすると、その剥離したカーボンが膜形成中の基板Ｐに向かって落下して膜の形成を妨げたり、形成後の膜を傷つけたりして磁気記録媒体の品質を劣化させる等といった問題を引き起こすおそれがある。
【００６２】
しかしながら、本実施形態では、スパッタ装置２００において、上述したように基板保持具２２０における上範囲２２１ａにも磁性膜が形成されている。ＣＶＤ装置３００で形成されるカーボン保護膜は、そもそも基板上の磁性膜を保護する目的で形成されるものであることから、磁性膜は非常に良好なカーボンの付着性を有している。その結果、この上範囲２２１ａにＣＶＤ装置３００で付着したカーボンは、基板上のカーボン保護膜と同様の強固な膜となっている。このため、上範囲２２１ａにカーボンが付着したままの基板保持具２２０を立てても上範囲２２１ａからのカーボンの剥離が十分に抑制されるので、クリーニング等の手間を要することなくその基板保持具２２０を新たな基板Ｐについての積層膜の形成に使用することができ効率的である。さらに、多数の基板について基板保持具２２０を繰り返し使用した場合であっても、上範囲２２１ａには磁性膜とカーボン保護膜とが交互に積層された非常に強固な積層膜が形成されることとなり、この部分からの付着物の剥離が十分に抑制されることとなる。つまり、本実施形態の積層膜形成システム１０では、基板保持具２２０を長期に亘って効率的に使用することができる。
【００６３】
以上に、説明したように、本実施形態の積層膜形成システム１０によれば、基板を保持する基板保持具２２０におけるカーボンの剥離を十分に抑制することができ、その結果、この基板保持具２２０をクリーニング等の手間を要することなく長期に亘って効率的に使用することができる。
【００６４】
尚、上記では、本発明の積層膜形成システムの一実施形態として、磁性膜とカーボン保護膜とからなる積層膜を形成する積層膜形成システム１０を例示したが、本発明はこれに限るものではない。本発明の積層膜形成システムは、例えば、磁性膜やカーボン保護膜以外の相異なる２種類の膜からなる積層膜を形成するもの等であっても良い。
【００６５】
また、上記では、本発明の積層膜形成システムの一実施形態として、２種類の膜からなる２層構造の積層膜を形成する積層膜形成システム１０を例示したが、本発明はこれに限るものではない。本発明の積層膜形成システムは、例えば、２種類の膜が３層以上に積層されてなる積層膜を形成するもの等であっても良い。
【００６６】
また、上記では、本発明にいう保持具の一例として、積層膜形成の際にスパッタ装置とＣＶＤ装置との両方において立てられる、即ち、積層膜形成の際に常に立てられて使用される基板保持具２２０を例示したが、本発明はこれに限るものではない。本発明にいう保持具は、例えばスパッタ装置においてのみ立てられて使用されるものであっても良く、あるいはＣＶＤ装置においてのみ立てられて使用されるもの等であっても良い。
【００６７】
以下、本発明の各種形態について付記する。
【００６８】
（付記１）
基板上に、互いに材料物質が異なる複数の膜を積層して積層膜を形成する積層膜形成システムにおいて、
前記基板を取り囲む枠と該基板を該枠の内側で保持する保持機構とを有する保持具と、
第１の膜の材料物質を、前記保持具に保持されている基板に向けて出射する材料出射部と、
前記保持具と前記材料出射部との間に位置し、前記枠のうち、前記基板の上に位置する部分を除いて前記材料物質を遮るシールドとを備えた第１膜形成装置；および
前記第１の膜の材料物質とは異なる材料物質からなる第２の膜を該第１の膜上に形成する第２膜形成装置；
を備えたことを特徴とする積層膜形成システム。
【００６９】
（付記２）
前記保持具が、前記積層膜の複数回の形成に繰り返し使用されるものであることを特徴とする付記１記載の積層膜形成システム。
【００７０】
（付記３）
前記保持具が、前記第１膜形成装置による前記第１の膜の形成中は立てられて使用されるものであることを特徴とする付記１記載の積層膜形成システム。
【００７１】
（付記４）
前記保持具が、前記第２膜形成装置による前記第２の膜の形成中は立てられて使用されるものであることを特徴とする付記１記載の積層膜形成システム。
【００７２】
（付記５）
前記保持具が、前記積層膜の形成中は立てられて使用されるものであることを特徴とする付記１記載の積層膜形成システム。
【００７３】
（付記６）
前記第２膜形成装置が、前記第１の膜の表面に前記第２の膜をＣＶＤ法によって形成するものであることを特徴とする付記１記載の積層膜形成システム。
【００７４】
（付記７）
基板を取り囲む枠と該基板を該枠の内側で保持する保持機構とを有する保持具と、
前記膜の材料物質を、前記保持具に保持されている基板に向けて出射する材料出射部と、
前記膜の形成に際して前記保持具と前記材料出射部との間に位置し、前記枠のうち、前記保持具が立てられるときに前記基板の上に位置する部分を除いて前記材料物質を遮るシールドとを備えたことを特徴とするスパッタ装置。
【００７５】
（付記８）
基板上に、互いに材料物質が異なる複数の膜を積層して積層膜を形成する積層膜形成方法において、
前記基板を保持具に保持させる保持過程と、
前記基板上及び前記保持具上に該第１の膜を形成する第１膜形成過程と、
前記基板を前記第一の膜が形成された前記保持具に保持した状態で、前記第１の膜の材料物質とは異なる材料物質からなる第２の膜を該基板上の該第１の膜上に形成する第２膜形成過程とを有するものであることを特徴とする積層膜形成方法。
【図面の簡単な説明】
【００７６】
【図１】本発明の一実施形態を示す図である。
【図２】図１の積層膜形成システム１０で実行される積層膜の形成処理の流れを示すフローチャートである。
【図３】基板保持具２２０の詳細を示す図である。
【図４】シールド２４０の詳細を示す図である。
【図５】図４からシールド部２４１以外のものを除いた図である。
【符号の説明】
【００７７】
１０    積層膜形成システム
２００    スパッタ装置
２１０    スパッタ用チャンバー
２１０ａ    排気口
２１０ｂ    ガス導入口
２２０，２２０’    基板保持具
２２１    枠
２２１ａ    円形範囲
２２１ｂ    上範囲
２２２    保持機構
２２２ａ    溝
２３０    磁性物質ターゲット
２４０    シールド
２４１    シールド部
２４１ａ    円形の孔
２４１ｂ    矩形の孔
２４２    ホールド部
２５０    スパッタ制御部
３００    ＣＶＤ装置
３１０    ＣＶＤ用チャンバー
３１０ａ    排気口
３１０ｂ    導波管
３２０    ガス供給部
３３０    マイクロ波源
３４０    ソレノイドコイル
３５０    ＣＶＤ制御部
【図１】
2008231472.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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