(57)【要約】【課題】  暗所コントラストを向上させつつ、放電セル内の壁電荷分布を最適に制御し得る。【解決手段】  プラズマディスプレイ装置は、サブフィールドＳＦ1のアドレス期間Ｔｗに黒レベルの輝度表示がなされるべき放電セルを除く初期選択セルを発光可能状態に設定し、サブフィールドＳＦ1の発光期間Ｔ1には放電維持パルスをサブフィールドＳＦ1に割り当てられた奇数回だけ印加することにより初期選択セルを発光させ、後続サブフィールドＳＦ1〜ＳＦNのアドレス期間Ｔｅには初期選択セルに選択的に消去放電を起こして初期選択セルを選択的に非発光状態に設定し、後続サブフィールドＳＦ1〜ＳＦNの電荷調整期間Ｔａには電荷調整を行い、後続サブフィールドＳＦ1〜ＳＦNの発光期間Ｔ2〜ＴNには発光可能状態の放電セルを発光させる。【選択図】    図１０
2008122684.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
前面基板と、前記前面基板の一方の面と離間する対向面を持つ背面基板と、前記前面基板の一方の面に形成された複数の行電極対と、前記背面基板の対向面に形成された複数の列電極と、前記前面基板と前記背面基板間における前記複数の行電極対と前記複数の列電極との交差領域にそれぞれ形成された複数の放電セルとを有し、前記各放電セル内に放電ガスが封入され且つ蛍光体層が設けられている表示パネルの駆動方法であって、
（ａ） 入力映像信号の各フィールドを複数のサブフィールドに分解するステップと、
（ｂ） 前記サブフィールドにそれぞれ輝度の重みを割り当てるステップと、
（ｃ） 前記各サブフィールドの表示期間を少なくともアドレス期間および発光期間を含む複数期間に分割し、前記複数期間の各々で前記表示パネルに前記複数のサブフィールドを順次表示させるステップと、を有し、
前記ステップ（ｃ）は、
（ｃ−１） 前記サブフィールドのうちの先頭サブフィールドのアドレス期間には、前記複数の行電極対の走査電極に走査パルスを順次印加するとともに前記各走査パルスに同期した書込パルスを前記列電極に印加して前記放電セルに選択的に書込放電を起こすことにより、前記放電セルのうち黒レベルの輝度表示がなされるべき放電セルを除く初期選択セルでのみ前記走査電極と前記列電極間に前記書込放電を起こして前記初期選択セルを発光可能状態に設定するステップと、
（ｃ−２） 前記先頭サブフィールドのアドレス期間後の発光期間には、前記各行電極対の走査電極および共通電極に放電維持パルスを前記先頭サブフィールドに割り当てられた奇数回だけ印加することにより、前記初期選択セルでのみ前記行電極対の走査電極および共通電極間に維持放電を起こして前記蛍光体層を発光させるステップと、
（ｃ−３） 前記サブフィールドのうちの先頭サブフィールドを除く各後続サブフィールドのアドレス期間には、前記走査電極に走査パルスを順次印加するとともに前記各走査パルスに同期した選択消去パルスを前記列電極に選択的に印加して前記初期選択セルに選択的に消去放電を起こすことにより、前記初期選択セルを選択的に非発光状態に設定するステップと、
（ｃ−４） 前記各後続サブフィールドのアドレス期間の直後に設定された電荷調整期間には、前記各行電極対の走査電極および共通電極にそれぞれ調整パルスを同時に印加するステップと、
（ｃ−５） 前記各後続サブフィールドの電荷調整期間後の発光期間には、前記各行電極対の走査電極および共通電極に交互に放電維持パルスを前記各後続サブフィールドに割り当てられた回数だけ印加することにより、前記発光可能状態の放電セルでのみ前記走査電極および共通電極間に維持放電を起こして前記蛍光体層を発光させるステップと、
を含むことを特徴とする駆動方法。
【請求項２】
請求項１記載の駆動方法であって、
前記先頭サブフィールドの発光期間には、前記放電維持パルスのうちの最終パルスとして正極性の電圧パルスが前記走査電極に印加されると同時に前記最終パルスの電圧よりも低い電圧が前記各列電極に印加され、
前記電荷調整期間には、前記調整パルスとして正極性の電圧パルスが前記各行電極対に印加されると同時に前記調整パルスの電圧よりも低い電圧が前記各列電極に印加される、
ことを特徴とする駆動方法。
【請求項３】
請求項１または２記載の駆動方法であって、前記先頭サブフィールドの発光期間には、前記各行電極対の走査電極に前記放電維持パルスが１個だけ印加されることを特徴とする駆動方法。
【請求項４】
請求項１または２記載の駆動方法であって、前記先頭サブフィールドの発光期間には、前記放電維持パルスとして正極性の電圧パルスが前記先頭サブフィールドに割り当てられた回数だけ前記各行電極対の走査電極および共通電極に交互に印加され、前記走査電極に印加される放電維持パルスの個数と前記共通電極に印加される放電維持パルスの個数との合計を奇数個とすることを特徴とする駆動方法。
【請求項５】
請求項１から４のうちのいずれか１項に記載の駆動方法であって、前記調整パルスは、前記各後続サブフィールドの発光期間の直前に前記走査電極および共通電極に印加されることを特徴とする駆動方法。
【請求項６】
請求項１から５のうちのいずれか１項に記載の駆動方法であって、前記各後続サブフィールドの発光期間には、前記放電維持パルスとして正極性の電圧パルスが前記各後続サブフィールドに割り当てられた回数だけ前記各行電極対の走査電極および共通電極に交互に印加され、前記走査電極に印加される放電維持パルスの個数と前記共通電極に印加される放電維持パルスの個数との合計を偶数個とすることを特徴とする駆動方法。
【請求項７】
請求項１から４のうちのいずれか１項に記載の駆動方法であって、前記ステップ（ｃ）は、前記先頭サブフィールドおよび前記後続サブフィールドの各々のアドレス期間において、前記放電維持パルスを印加する直前に、前記走査パルスの電圧極性と同極性のくさび状パルスを前記走査電極および共通電極に印加するステップをさらに含むことを特徴とする駆動方法。
【請求項８】
請求項１から４のうちのいずれか１項に記載の駆動方法であって、
前記ステップ（ｃ）は、
前記先頭サブフィールドのアドレス期間には、前記走査電極に前記走査パルスを印加すると同時に前記共通電極には前記走査パルスの電圧極性とは逆極性のオフセットパルスを印加するステップと、
前記各後続サブフィールドのアドレス期間には、前記走査電極に前記走査パルスを印加すると同時に前記共通電極には前記走査パルスの電圧極性と同一極性のオフセットパルスを印加するステップと、
を含むことを特徴とする駆動方法。
【請求項９】
請求項１から８のうちのいずれか１項に記載の駆動方法であって、前記ステップ（ｃ）は、前記サブフィールドのうちの最終サブフィールドの発光期間後に設定された消去期間において、前記各行電極対の共通電極にこれと対をなす走査電極の電位よりも高い電圧のパルスを印加し、その直後に前記各行電極対の共通電極および走査電極に正極性の電圧パルスを同時に印加するステップをさらに含むことを特徴とする駆動方法。
【請求項１０】
請求項１から８のうちのいずれか１項に記載の駆動方法であって、前記後続サブフィールドのうちの最終サブフィールドの発光期間の後に直ちに次のフィールドの先頭サブフィールドの表示期間を開始させるステップを有することを特徴とする駆動方法。
【請求項１１】
請求項１から８のうちのいずれか１項に記載の駆動方法であって、前記ステップ（ｃ）は、前記サブフィールドのうちの最終サブフィールドの表示期間において、前記走査電極に走査パルスを順次印加するとともに前記各走査パルスに同期して選択消去パルスを前記列電極に選択的に印加して前記放電セルに選択的に消去放電を起こすことにより、前記発光可能状態の放電セルの全てを非発光状態に設定する消去動作を実行するステップをさらに含むことを特徴とする駆動方法。
【請求項１２】
請求項１から１１のうちのいずれか１項に記載の駆動方法であって、前記ステップ（ｃ）は、前記後続サブフィールドのうちのｋ番目サブフィールド（ｋは正整数）のアドレス期間に前記走査パルスおよび前記選択消去パルスが供給された初期選択セルにおいて、前記ｋ番目サブフィールドに続く（ｋ＋１）番目サブフィールドのアドレス期間に前記走査パルスおよび前記選択消去パルスの供給により前記消去放電を発生させるステップをさらに含むことを特徴とする駆動方法。
【請求項１３】
請求項１から１０のうちのいずれか１項に記載の駆動方法であって、
（ｄ） 前記入力映像信号に基づいて、前記放電セルの中から、時間的に連続する所定数のフィールドに亘って黒レベルの輝度表示がなされるべき非発光セルを検出するステップ、をさらに有し、
前記ステップ（ｃ）は、前記ステップ（ｄ）による当該検出結果に応じて、前記時間的に連続する所定数のフィールドの中の最終フィールドに属するサブフィールドのうちの先頭サブフィールドのアドレス期間に前記非発光セルで前記書込放電を起こし、且つ前記先頭サブフィールドに続く後続サブフィールドのアドレス期間に前記非発光セルで前記消去放電を起こすステップをさらに含むことを特徴とする駆動方法。
【請求項１４】
請求項１から１３のうちのいずれか１項に記載の駆動方法であって、前記各放電セルは、イオン照射を受けて二次電子を前記放電空間に放出する電子放出材料を含むことを特徴とする駆動方法。
【請求項１５】
請求項１４記載の駆動方法であって、前記電子放出材料は、電界を受けて電子を前記放電空間に放出する材料であることを特徴とする駆動方法。
【請求項１６】
請求項１４または１５記載の駆動方法であって、前記各放電セルは、前記前面基板の一方の面に前記行電極対を被覆するように形成された誘電体層と、前記電子放出材料からなり前記誘電体層を被覆する電子放出層と、を含むことを特徴とする駆動方法。
【請求項１７】
請求項１４または１５記載の駆動方法であって、前記各放電セルは、前記電子放出材料からなり前記蛍光体層を被覆する電子放出層を含むことを特徴とする駆動方法。
【請求項１８】
請求項１４または１５記載の駆動方法であって、前記電子放出材料の結晶粒子が、前記放電空間に露出する状態で前記蛍光体層中に散在していることを特徴とする駆動方法。
【請求項１９】
請求項１４から１８のうちのいずれか１項に記載の駆動方法であって、前記電子放出材料は酸化マグネシウムの結晶体からなることを特徴とする駆動方法。
【請求項２０】
請求項１９記載の駆動方法であって、前記酸化マグネシウムの結晶体は、２００〜３００ナノメートルの波長域内で発光ピークを持つカソード・ルミネッセンス材料を含むことを特徴とする駆動方法。
【請求項２１】
請求項２０記載の駆動方法であって、前記カソード・ルミネッセンス材料の発光ピークは、２３０〜２５０ナノメートルの波長域内に存在することを特徴とする駆動方法。
【請求項２２】
請求項１９から２１のうちのいずれか１項に記載の駆動方法であって、前記酸化マグネシウムの結晶体として、金属マグネシウム蒸気と酸素との気相酸化反応により生成された粒子が使用されることを特徴とする駆動方法。
【請求項２３】
前面基板と、前記前面基板の一方の面と離間する対向面を持つ背面基板と、前記前面基板の一方の面に形成された複数の行電極対と、前記背面基板の対向面に形成された複数の列電極と、前記前面基板と前記背面基板間における前記複数の行電極対と前記複数の列電極との交差領域にそれぞれ形成された複数の放電セルとを有し、前記各放電セル内に放電ガスが封入され且つ蛍光体層が設けられている表示パネルを含むプラズマディスプレイ装置であって、
入力映像信号の各フィールドを複数のサブフィールドに分解する信号処理部と、
前記サブフィールドにそれぞれ輝度の重みを割り当てる重み割り当て部と、
前記表示パネルを駆動するパネル駆動部と、
前記各サブフィールドの表示期間を少なくともアドレス期間および発光期間を含む複数期間に分割し、前記複数期間の各々で前記パネル駆動部を制御して前記表示パネルに前記複数のサブフィールドを順次表示させる駆動制御部と、を備え、
前記パネル駆動部は、
（ａ） 前記サブフィールドのうちの先頭サブフィールドのアドレス期間には、前記行電極対の走査電極に走査パルスを順次印加するとともに前記各走査パルスに同期した書込パルスを前記列電極に印加して前記放電セルに選択的に書込放電を起こすことにより、前記放電セルのうち黒レベルの輝度表示がなされるべき放電セルを除く初期選択セルでのみ前記走査電極と前記列電極間に前記書込放電を起こして前記初期選択セルを発光可能状態に設定する書込動作と、
（ｂ） 前記先頭サブフィールドのアドレス期間後の発光期間には、前記各行電極対の走査電極および共通電極に放電維持パルスを前記先頭サブフィールドに割り当てられた奇数回だけ印加することにより、前記初期選択セルでのみ前記行電極対の走査電極および共通電極間に維持放電を起こして前記蛍光体層を発光させる発光動作と、
（ｃ） 前記サブフィールドのうちの先頭サブフィールドを除く各後続サブフィールドのアドレス期間には、前記走査電極に走査パルスを順次印加するとともに前記各走査パルスに同期した選択消去パルスを前記列電極に選択的に印加して前記初期選択セルに選択的に消去放電を起こすことにより、前記初期選択セルを選択的に非発光状態に設定する消去動作と、
（ｄ） 前記各後続サブフィールドのアドレス期間の直後に設定された電荷調整期間には、前記各行電極対の走査電極および共通電極にそれぞれ調整パルスを同時に印加する電荷調整動作と、
（ｅ） 前記各後続サブフィールドの電荷調整期間後の発光期間には、前記各行電極対の走査電極および共通電極に交互に放電維持パルスを前記各後続サブフィールドに割り当てられた回数だけ印加することにより、前記発光可能状態の放電セルでのみ前記走査電極および共通電極間に維持放電を起こして前記蛍光体層を発光させる発光動作と、
を実行することを特徴とするプラズマディスプレイ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、映像信号の各フィールドを複数のサブフィールドに分解し、サブフィールドの組み合わせで多階調の画像表示を行うプラズマディスプレイ装置およびその駆動技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
プラズマディスプレイは、各々の内部に蛍光体層が塗布されマトリクス状に配列された複数個の放電セルからなる表示パネルを有している。プラズマディスプレイは、画像を表示するとき、放電セルのうち選択した放電セルにガス放電を起こして紫外線を発生させる。この紫外線は、放電セル内の蛍光体層を励起して当該蛍光体層に光を放出させる。単位時間当たりに放電セルで発生するガス放電の回数を制御することで多階調画像の表示が可能となる。
【０００３】
一般に、プラズマディスプレイの階調制御方式としては、１枚の画像に相当する各フィールドを複数のサブフィールドに分解し、各サブフィールドに対して発光期間に比例する輝度の重みを割り当て、これらサブフィールドの組み合わせで多階調の画像表示を行うというサブフィールド法が採用されている。複数のサブフィールドは時間軸に沿って順次表示されるので、人間の眼は、これら複数のサブフィールドの発光パターンを積分して１枚の画像として視覚することとなる。たとえば、１フィールドを構成する８枚のサブフィールドに割り当てるべき輝度の重みを、それぞれ、２0：２1：２2：２3：２4：２5：２6：２7（＝１：２：４：８：１６：３２：６４：１２８）の比率に設定すれば、サブフィールドの組み合わせで２５６階調の画像表示が可能である。この種のサブフィールド法による階調制御技術は、たとえば、特許文献１（特開２００３−２９６９８号公報）および特許文献２（米国特許出願公開第２００３／０１１５４３号公報）に開示されている。
【０００４】
しかしながら、特許文献１に開示される階調制御技術を使用するプラズマディスプレイでは、観測者は、動画像疑似輪郭（dynamic pseudo contour）と称するノイズを表示画像において視覚することが知られている。この種の動画像疑似輪郭の発生を防止する階調制御技術は、たとえば、特許文献３（特開２０００−２３１３６２号公報）および特許文献４（米国特許出願公開第２００２−０５４０００号公報）に開示されている。この階調制御技術はサブフィールド法に基づくものではあるが、動画像疑似輪郭を原理上発生させないものである。
【０００５】
図１は、特許文献３に開示されている階調制御技術による各放電セルの発光パターンの一例を示すものである。図１には、１フィールドを１５個のサブフィールドＳＦ1〜ＳＦ15で構成した場合の、映像信号の階調レベル「０」〜「１５」と当該階調レベルにそれぞれ対応する発光パターンとが示されている。図中、記号「○」は、階調表示のためのガス放電（維持放電）が放電セルで起きることを意味し、記号「●」は、放電セル内の壁電荷を選択的に消去するためのガス放電（選択消去放電）が起きることを意味する。図１に明示されていないが、先頭サブフィールドＳＦ1の表示期間では、最初に全ての放電セルを発光可能状態（emissive state）に設定するリセット放電が起こり、全ての放電セルに壁電荷を蓄積させる。図１に示されているように、黒レベルを示す階調レベル「０」の発光パターンを除き、サブフィールドＳＦ2〜ＳＦ15の表示期間のうちのいずれかで放電セルを発光可能状態から非発光状態（non-emissive state）に設定する選択消去放電が発生するまで、時間的に連続するサブフィールドの表示期間各々で発光維持放電が発生して放電セルに可視光を放出させる。階調レベル「０」を表示する放電セルは、先頭サブフィールドＳＦ1の表示期間で発光可能状態から非発光状態に設定されるので、全てのサブフィールドＳＦ1〜ＳＦ15の表示期間において当該放電セルで発光維持放電が発生しないこととなる。
【０００６】
図１の階調制御技術の場合、前述の如く、先頭サブフィールドＳＦ1の表示期間で全ての放電セルにリセット放電を起こす必要があるが、このリセット放電により生じた光（背景発光）が表示画像のコントラスト、特に暗室コントラストを低下させ、これにより画質が劣化するという問題がある。ここで、一般に「暗所コントラスト」とは、白レベルの画像表示時における発光輝度（＝Ｌｇ）と、黒レベルの画像表示時における背景発光輝度（＝Ｌｂ）との比率（＝Ｌｇ／Ｌｂ）として定義されている。暗所コントラストは、特に低輝度画像表示時における画質の優劣を決めるパラメータの１つである。特許文献５（特開２００１−３１２２４４号公報）および特許文献６（米国特許出願公開第２００２／０１８０３０号公報）は、暗所コントラストを向上させ得る階調制御技術を開示している。この階調制御技術は、暗室コントラストの改善のために、先頭サブフィールドＳＦ1において、黒レベルの輝度表示がなされるべき放電セルにはリセット放電を生起させず、その他の放電セルにのみ選択的にリセット放電を生起させるものである。
【特許文献１】特開２００３−２９６９８号公報
【特許文献２】米国特許出願公開第２００３／０１１５４３号公報（特許文献１に係る特許出願を優先権主張の基礎とする米国特許出願の公開公報）
【特許文献３】特開２０００−２３１３６２号公報
【特許文献４】米国特許出願公開第２００２／０５４０００号公報（特許文献３に係る特許出願を優先権主張の基礎とする米国特許出願の公開公報）
【特許文献５】特開２００１−３１２２４４号公報
【特許文献６】米国特許出願公開第２００２／０１８０３０号公報（特許文献５に係る特許出願を優先権主張の基礎とする米国特許出願の公開公報）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上述の通り、特許文献３に開示される階調制御技術は、先頭サブフィールドＳＦ1の表示期間にプラズマディスプレイパネルの全ての放電セルにリセット放電を起こして全ての放電セルを発光可能状態に設定する。このため、先頭サブフィールドＳＦ1に続く後続サブフィールドＳＦ2〜ＳＦ15の表示期間において、放電セル内の壁電荷量の分布を比較的容易に制御できるという利点がある。一方、特許文献５に開示される階調制御技術は、先頭サブフィールドＳＦ1の表示期間には放電セルに選択的にリセット放電を起こして特定の放電セルのみを発光可能状態に設定し、その他の放電セルを非発光状態に維持する。このため、後続サブフィールドＳＦ2〜ＳＦ15の表示期間においては、放電セル内の壁電荷分布を制御することが比較的難しく、たとえば、放電セルにおいて予期せぬ誤放電が発生したり、壁電荷の消去に失敗したりして画質を低下させるという問題がある。
【０００８】
上記に鑑みて本発明の主な目的は、先頭サブフィールドの表示期間に放電セルを選択的に発光可能状態に設定して暗所コントラストを向上させつつ、後続サブフィールドの表示期間において放電セル内の壁電荷分布を最適に制御し得、これにより画質を向上させ得るプラズマディスプレイ装置およびその表示パネルの制御方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成すべく、請求項１記載の発明は、前面基板と、前記前面基板の一方の面と離間する対向面を持つ背面基板と、前記前面基板の一方の面に形成された複数の行電極対と、前記背面基板の対向面に形成された複数の列電極と、前記前面基板と前記背面基板間における前記複数の行電極対と前記複数の列電極との交差領域にそれぞれ形成された複数の放電セルとを有し、前記各放電セル内に放電ガスが封入され且つ蛍光体層が設けられている表示パネルの駆動方法であって、（ａ） 入力映像信号の各フィールドを複数のサブフィールドに分解するステップと、（ｂ） 前記サブフィールドにそれぞれ輝度の重みを割り当てるステップと、（ｃ） 前記各サブフィールドの表示期間を少なくともアドレス期間および発光期間を含む複数期間に分割し、前記複数期間の各々で前記表示パネルに前記複数のサブフィールドを順次表示させるステップと、を有し、前記ステップ（ｃ）は、（ｃ−１） 前記サブフィールドのうちの先頭サブフィールドのアドレス期間には、前記複数の行電極対の走査電極に走査パルスを順次印加するとともに前記各走査パルスに同期した書込パルスを前記列電極に印加して前記放電セルに選択的に書込放電を起こすことにより、前記放電セルのうち黒レベルの輝度表示がなされるべき放電セルを除く初期選択セルでのみ前記走査電極と前記列電極間に前記書込放電を起こして前記初期選択セルを発光可能状態に設定するステップと、（ｃ−２） 前記先頭サブフィールドのアドレス期間後の発光期間には、前記各行電極対の走査電極および共通電極に放電維持パルスを前記先頭サブフィールドに割り当てられた奇数回だけ印加することにより、前記初期選択セルでのみ前記行電極対の走査電極および共通電極間に維持放電を起こして前記蛍光体層を発光させるステップと、（ｃ−３） 前記サブフィールドのうちの先頭サブフィールドを除く各後続サブフィールドのアドレス期間には、前記走査電極に走査パルスを順次印加するとともに前記各走査パルスに同期した選択消去パルスを前記列電極に選択的に印加して前記初期選択セルに選択的に消去放電を起こすことにより、前記初期選択セルを選択的に非発光状態に設定するステップと、（ｃ−４） 前記各後続サブフィールドのアドレス期間の直後に設定された電荷調整期間には、前記各行電極対の走査電極および共通電極にそれぞれ調整パルスを同時に印加するステップと、（ｃ−５） 前記各後続サブフィールドの電荷調整期間後の発光期間には、前記各行電極対の走査電極および共通電極に交互に放電維持パルスを前記各後続サブフィールドに割り当てられた回数だけ印加することにより、前記発光可能状態の放電セルでのみ前記走査電極および共通電極間に維持放電を起こして前記蛍光体層を発光させるステップと、を含むことを特徴としている。
【００１０】
請求項２３記載の発明は、前面基板と、前記前面基板の一方の面と離間する対向面を持つ背面基板と、前記前面基板の一方の面に形成された複数の行電極対と、前記背面基板の対向面に形成された複数の列電極と、前記前面基板と前記背面基板間における前記複数の行電極対と前記複数の列電極との交差領域にそれぞれ形成された複数の放電セルとを有し、前記各放電セル内に放電ガスが封入され且つ蛍光体層が設けられている表示パネルを含むプラズマディスプレイ装置であって、入力映像信号の各フィールドを複数のサブフィールドに分解する信号処理部と、前記サブフィールドにそれぞれ輝度の重みを割り当てる重み割り当て部と、前記表示パネルを駆動するパネル駆動部と、前記各サブフィールドの表示期間を少なくともアドレス期間および発光期間を含む複数期間に分割し、前記複数期間の各々で前記パネル駆動部を制御して前記表示パネルに前記複数のサブフィールドを順次表示させる駆動制御部と、を備え、前記パネル駆動部は、（ａ） 前記サブフィールドのうちの先頭サブフィールドのアドレス期間には、前記行電極対の走査電極に走査パルスを順次印加するとともに前記各走査パルスに同期した書込パルスを前記列電極に印加して前記放電セルに選択的に書込放電を起こすことにより、前記放電セルのうち黒レベルの輝度表示がなされるべき放電セルを除く初期選択セルでのみ前記走査電極と前記列電極間に前記書込放電を起こして前記初期選択セルを発光可能状態に設定する書込動作と、（ｂ） 前記先頭サブフィールドのアドレス期間後の発光期間には、前記各行電極対の走査電極および共通電極に放電維持パルスを前記先頭サブフィールドに割り当てられた奇数回だけ印加することにより、前記初期選択セルでのみ前記行電極対の走査電極および共通電極間に維持放電を起こして前記蛍光体層を発光させる発光動作と、（ｃ） 前記サブフィールドのうちの先頭サブフィールドを除く各後続サブフィールドのアドレス期間には、前記走査電極に走査パルスを順次印加するとともに前記各走査パルスに同期した選択消去パルスを前記列電極に選択的に印加して前記初期選択セルに選択的に消去放電を起こすことにより、前記初期選択セルを選択的に非発光状態に設定する消去動作と、（ｄ） 前記各後続サブフィールドのアドレス期間の直後に設定された電荷調整期間には、前記各行電極対の走査電極および共通電極にそれぞれ調整パルスを同時に印加する電荷調整動作と、（ｅ） 前記各後続サブフィールドの電荷調整期間後の発光期間には、前記各行電極対の走査電極および共通電極に交互に放電維持パルスを前記各後続サブフィールドに割り当てられた回数だけ印加することにより、前記発光可能状態の放電セルでのみ前記走査電極および共通電極間に維持放電を起こして前記蛍光体層を発光させる発光動作と、を実行することを特徴としている。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明に係る種々の実施例について説明する。
【００１２】
図２は、本発明の実施例に係るプラズマディスプレイ装置１の概略構成を示す図である。プラズマディスプレイ装置１は、ＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）である表示パネル２を有し、さらに、この表示パネル２内の放電セルＣＬ，…，ＣＬを駆動する列電極駆動部１５、第１行電極駆動部１６Ａおよび第２行電極駆動部１６Ｂを有している。これら列電極駆動部１５、第１行電極駆動部１６Ａおよび第２行電極駆動部１６Ｂによって本発明に係る「パネル駆動部」が構成され得る。
【００１３】
また、プラズマディスプレイ装置１は、表示パネル２に表示すべき映像信号を処理する信号処理部として、コントローラ１０、階調調整部１２、駆動データ生成部１３およびメモリ回路１４を有している。コントローラ１０は、デジタル信号である入力映像信号ＶＳｉに信号処理を施して映像信号ＶＳａを生成し、この映像信号ＶＳａを階調調整部１２に転送する。また、コントローラ１０は、重み割り当て部１０Ａおよびセル検出部１０Ｂを処理ブロックとして含む。重み割り当て部１０Ａは、入力映像信号ＶＳｉの平均輝度レベルを算出し、当該平均輝度レベルに応じた輝度の重みを、入力映像信号ＶＳｉの各フィールドを構成するサブフィールドにそれぞれ割り当てる機能を有する。セル検出部１０Ｂは、入力映像信号ＶＳｉに基づいて、放電セルＣＬ，…，ＣＬの中から所定条件に合致する発光パターンを示す放電セルを検出する機能を有する。このセル検出部１０Ｂの機能の詳細については後述する。なお、コントローラ１０は、外部信号源（図示せず）から供給される同期信号（水平同期信号と垂直同期信号含む。）およびクロック信号を用いて、駆動制御部１１の動作を制御する機能をも有する。
【００１４】
上記処理ブロック１０〜１３の全部または一部は、ハードウェアの回路構成で実現されてもよいし、あるいは、不揮発性メモリや光ディスクなどの記録媒体に記録されたプログラムまたはプログラムコードで実現されてもよい。そのようなプログラムまたはプログラムコードは、ＣＰＵなどのプロセッサに上記処理ブロック１０〜１３の全部または一部の処理を実行させるものである。
【００１５】
階調調整部１２は、コントローラ１０から入力された映像信号ＶＳａに誤差拡散処理およびディザ処理を施して階調調整信号ＶＳｂを生成する。階調調整部１２は、たとえば、８ビットの映像信号ＶＳａの画素データの下位２ビットを周辺画素データの上位６ビットに拡散する誤差拡散を実行して６ビット信号を得ることができる。また階調調整部１２は、たとえば、誤差拡散により得られた６ビット信号にディザマトリクスの要素を加算した後にビットシフトを施すことで上位４ビットの階調調整信号ＶＳｂを得ることが可能である。
【００１６】
駆動データ生成部１３は、サブフィールド法の駆動シーケンスに対応する変換テーブルに従って、階調調整信号ＶＳｂを駆動データ信号ＤＤに変換する機能を有する。メモリ回路１４は、駆動データ生成部１３の出力である駆動データ信号ＤＤを一時的に記憶する。同時にメモリ回路１４は、駆動制御部１１による制御に従って、記憶データをサブフィールド単位で読み出し、当該読み出されたデータ信号ＤＤａを列電極駆動部１５に転送する。このように駆動データ生成部１３とメモリ回路１４は協働して、階調調整信号ＶＳｂの各フィールドを複数のサブフィールドに分解し、これらサブフィールドを表すデータ信号ＤＤａを生成する機能を発揮する。
【００１７】
列電極駆動部１５は、メモリ回路１４から転送されたデータ信号ＤＤａに基づいてアドレスパルスを発生し、これらアドレスパルスを所定のタイミングで表示パネル２の列電極Ｄ1，…，Ｄm（ｍは２以上の整数）に印加することとなる。
【００１８】
表示パネル２は、面状に且つマトリクス状に配列されている複数の放電セルＣＬ，…，ＣＬと、列電極駆動部１５から列方向に伸長するｍ本の列電極（すなわち、アドレス電極）Ｄ1，…，Ｄmと、第１行電極駆動部１６Ａから行方向に伸長するｎ本（ｎは２以上の整数）の共通電極Ｘ1，…，Ｘnと、第２行電極駆動部１６Ｂから行方向に伸長するｎ本の走査電極Ｙ1，…，Ｙnと、を有する。共通電極Ｘj（ｊは正整数）とこれに対応する走査電極Ｙjとで１つの行電極対が構成される。行電極対Ｘj，Ｙjと列電極Ｄk（ｋは正整数）との交差領域、言い換えれば、行電極対Ｘj，Ｙjと列電極Ｄkとの交差点に対応する領域に放電セルＣＬが形成されている。電極対Ｘj，Ｙjと列電極Ｄkとは、表示パネル２の基板の厚み方向に離間しており、各放電セルＣＬ内の放電空間は、これら電極対Ｘj，Ｙjと列電極Ｄkとの間に形成されている。
【００１９】
図３は、表示パネル２の構成の一例を示す平面図である。図４は、図３に示される表示パネル２のＶ３−Ｖ３切断線での断面図であり、図５は、図３に示される表示パネル２のＷ２−Ｗ２切断線での断面図である。
【００２０】
図４および図５に示されるように、表示パネル２は、透明基板（前面基板）２２と背面基板２４とを有する。透明基板２２の内面には、行電極対Ｘj，ＹjおよびＸj+1，Ｙj+1が形成されている。各共通電極Ｘjは、第１透明電極Ｘａと当該第１透明電極Ｘａに接続する第１バス電極Ｘｂとからなり、各走査電極Ｙjは、第２透明電極Ｙａと当該第２透明電極Ｙａに接続する第２バス電極Ｙｂとからなる。第１および第２透明電極Ｘａ，Ｙａは、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）やＳｎＯ2などの透明電極材料からなり、第１および第２バス電極Ｘｂ，Ｙｂは、行電極対Ｘj，ＹjおよびＸj+1，Ｙj+1のインピーダンス低減のため、Ｃｒ（クロム）やＣｕ（銅）などの比較的低い電気抵抗を持つ導電材料からなる。また、行電極対Ｘj，Ｙjと行電極対Ｘj+1，Ｙj+1との間には、透明基板２２の内面に黒色または暗色の光吸収層（ブラックストライプ）２１が形成されている。
【００２１】
共通電極Ｘj，Ｘj+1と走査電極Ｙj，Ｙj+1と光吸収層２１とを被覆する保護層として誘電体層２３が形成されている。誘電体層２３は、たとえばガラス材料からなる単層または複数層の誘電体膜と、この誘電体膜を被覆する保護膜とで構成されればよい。保護膜としては、たとえばアルカリ土類金属の酸化物膜（たとえば、ＭｇＯ膜）が挙げられる。図３に示されるように、共通電極Ｘj，Ｘj+1の第１バス電極Ｘｂは行方向に伸長し、第１透明電極Ｘａは、第１バス電極Ｘｂから列方向に突出し且つＴ字状の先端部を有する。同様に、走査電極Ｙj，Ｙj+1の第２バス電極Ｙｂは行方向に伸長し、第２透明電極Ｙａは、第２バス電極Ｙｂから列方向に突出し、且つ第１透明電極ＸａのＴ字状先端部に対向するＴ字状の先端部を有している。そして、行電極対Ｘj，Ｙjと行電極対Ｘj+1，Ｙj+1との間に介在する光吸収層２１は、行方向に伸長しており、外光反射率を低下させてコントラストを改善する機能を発揮する。
【００２２】
一方、図３〜図５に示されるように、背面基板２４の対向面には、列方向に伸長する列電極Ｄk，Ｄk+1，Ｄk+2が形成されている。これら列電極Ｄk，Ｄk+1，Ｄk+2を被覆する白色誘電体からなる保護層２５が成膜されている。保護層２５の上には、各放電セルＣＬが有する放電空間ＤＳを形成する隔壁２０が設けられている。各隔壁２０は、図３に示されるように、行方向に伸長する一対の隔壁２０Ａ，２０Ａと、前記一対の隔壁２０Ａ，２０Ａを接続するように列方向に伸長する複数の隔壁２０Ｂ，２０Ｂ，…とで構成されている。図４および図５に示されるように、電極対Ｘj，ＹjおよびＸj+1，Ｙj+1の下方において隔壁２０の側壁と保護層２５の上面とに蛍光体層２６が塗布されている。これら隔壁２０と蛍光体層２６と誘電体層２３とで囲まれる領域各々が各放電空間ＤＳを形成することとなる。放電空間ＤＳには、キセノンなどの放電ガスが封入されており、この放電ガスは、共通電極Ｘjと走査電極Ｙjとの間の電位差、あるいは共通電極Ｘjおよび走査電極Ｙjのいずれか一方と列電極Ｄk+1との間の電位差が放電空間ＤＳ内に形成する電界によりガス放電を起こし、紫外線を発生させる。この紫外線は、蛍光体層２６の励起子（たとえば、電子やホール）を励起させ、蛍光体層２６に当該蛍光体層２６の発光色（赤色、緑色または青色）の可視光を放出させる。
【００２３】
なお、１個の画素セルは複数個の表示セルＣＬ，…，ＣＬで構成される。たとえば、赤色発光の表示セルＣＬ，緑色発光の表示セルＣＬおよび青色発光の表示セルＣＬで１個の画素セルを構成すればよい。
【００２４】
図６および図７は、表示パネル２の構成の他の例を示す断面図である。図６は、図３に示される表示パネル２のＶ３−Ｖ３切断線での断面図であり、図７は、図３に示される表示パネル２のＷ２−Ｗ２切断線での断面図である。図６および図７の表示パネル２では、誘電体層２３を被覆するように電子放出層３０が形成されている。電子放出層３０を除く構成は、図４および図５の構成と略同じである。電子放出層３０は、電子ビーム蒸着法またはスパッタリング法により成膜することができる。
【００２５】
電子放出層３０は、イオン照射を受けて二次電子（Ion-Induced Secondary Electron）を高い二次電子放出率（γ値）をもって放出し、且つ電界を受けて電子（以下、「初期電子」という。）を放出する電子放出材料を含むものである。プラズマディスプレイ装置１の高精細化を実現するために放電セルＣＬが微細化されると、発光効率の低下とともに放電遅れの増大が問題となる。二次電子や初期電子は、放電開始電圧を低下させるプライミング効果を起こして放電遅れを改善させるものである。特に電子放出材料として酸化マグネシウムの結晶体を使用すると、放電遅れを改善することができる。この酸化マグネシウムの結晶体は、酸化マグネシウム蒸気と酸素とを気相酸化反応させて結晶核を生成し、当該生成された結晶核を成長させるプロセスにより得ることが可能である。
【００２６】
放電遅れを大幅に改善する観点からは、酸化マグネシウムの結晶体として、２００〜３００ナノメートルの波長域内で発光ピークを持つカソード・ルミネッセンス材料を含む材料を使用することが好ましく、特に２３０〜２５０ナノメートルの波長域内に発光ピークを持つカソード・ルミネッセンス材料を含む材料を使用することが好ましい。このような酸化マグネシウムの結晶体は、高い二次電子放出率（γ値）だけでなく高い初期電子放出率を有するので、プライミング効果を増大させる効果を奏する。
【００２７】
また、放電遅れの改善のために、上記電子放出材料からなる薄膜を蛍光体層２６上に成膜してもよいし、あるいは、上記電子放出材料からなる結晶体粒子を放電空間ＤＳに露出する状態で蛍光体層２６に混在させてもよい。図８は、蛍光体層２６上に成膜された電子放出膜２６ａを概略的に示す図であり、図９は、蛍光体層２６内に散在する電子放出材料の結晶体粒子２６ｅ，２６ｅ，…を概略的に示す図である。図９に示されるように、結晶体粒子２６ｅ，…は、放電空間ＤＳに露出した状態で蛍光体粒子２６ｐ，２６ｐ，…とともに蛍光体層２６を構成している。図８の電子放出膜２６ａと図９の電子放出材料の結晶体粒子２６ｅとを使用すると、列電極Ｄkに負の電圧極性のパルスを印加し共通電極Ｘjまたは走査電極Ｙjに正の電圧極性のパルスを印加することにより放電空間ＤＳに対向放電を起こす場合に、電子放出膜２６ａと結晶体粒子２６ｅとから二次電子および初期電子（プライミング粒子）が放出され、プライミング効果を起こして放電遅れを改善させる。このプライミング効果については後述する。
【００２８】
以上の構成を有するプラズマディスプレイ装置１の種々の動作を以下に説明する。
【００２９】
＜第１実施例＞
図１０は、本発明の第１実施例に係る駆動シーケンスの例を概略的に示す図である。図１０の駆動シーケンスでは、映像信号の１フィールドは、表示順に連続的に配列されたＮ個（Ｎは２以上の整数）のサブフィールドＳＦ1，…，ＳＦNに分解されている。プラズマディスプレイ装置１は、これらサブフィールドＳＦ1，…，ＳＦNを表示パネル２に順次表示することにより人間の眼に１枚の多階調画像を視覚させる。
【００３０】
図１０を参照すると、先頭サブフィールドＳＦ1の表示期間は、初期調整期間Ｔｒ、選択書込期間（アドレス期間）Ｔｗおよび発光期間Ｔ1に分割されている。また、先頭サブフィールドＳＦ1に続く後続サブフィールドＳＦq（ｑは２〜Ｎ−１の整数）の表示期間は、選択消去期間（アドレス期間）Ｔｅ、電荷調整期間Ｔａおよび発光期間Ｔqに分割されている。そして、最後の後続サブフィールドである最終サブフィールドＳＦNの表示期間は、選択消去期間（アドレス期間）Ｔｅ、電荷調整期間Ｔａ、発光期間ＴNおよび消去期間Ｔｂに分割されている。図２の重み割り当て部１０Ａは、先頭サブフィールドＳＦ1に正整数の輝度の重みＷ（１）を割り当て、後続サブフィールドＳＦ2，…，ＳＦNにはそれぞれ正整数の輝度の重みＷ（２），…，Ｗ（Ｎ）を割り当てる。サブフィールドＳＦ1，…，ＳＦNの発光期間Ｔ1，…，ＴNの長さは、それぞれ、輝度の重みＷ（１），…，Ｗ（Ｎ）に比例する時間長を有するように制御される。本実施例では、輝度の重みＷ（１），…，Ｗ（Ｎ）は、それぞれ、サブフィールドＳＦ1，…，ＳＦNの発光期間Ｔ1，…，ＴNに印加されるべき放電維持パルスの個数あるいはこれに略比例する値を有する。
【００３１】
図１１は、図１０の駆動シーケンスによる駆動信号の波形を概略的に例示するタイミングチャートである。図１１には、列電極Ｄ1〜Ｄnに印加される信号波形、共通電極Ｘ1〜Ｘnに印加される信号波形、並びに、走査電極Ｙ1，…，Ｙnにそれぞれ印加される信号波形が示されている。
【００３２】
以下、図１１の信号波形を参照しつつ図１０の駆動シーケンスを説明する。
【００３３】
先頭サブフィールドＳＦ1の表示期間における初期調整期間Ｔｒでは、図２の列電極駆動部１５は、図１１に示されるように、列電極Ｄ1〜ＤmにはＧＮＤレベル（接地レベル）の電圧が印加される。このとき、図２の第１行電極駆動部１６Ａは、電圧レベルがＧＮＤレベルから漸次増大する緩やかな電圧勾配を持つ正極性の初期調整パルスＰｘｒを共通電極Ｘ1〜Ｘnに印加する。同時に、図２の第２行電極駆動部１６Ｂは、電圧レベルがＧＮＤレベルから漸次増大する緩やかな電圧勾配を持つ正極性の初期調整パルスＰｙｒ，…，Ｐｙｒを、それぞれ、走査電極Ｙ1，…，Ｙnに印加する。これにより、共通電極Ｘ1〜Ｘnに近い誘電体層２３（図４）の壁面には正イオン粒子が蓄積され、走査電極Ｙ1〜Ｙnに近い誘電体層２３の壁面には正イオン粒子が蓄積され、列電極Ｄ1〜Ｄmに近い蛍光体層２６（図４）の壁面には負イオン粒子が蓄積される。
【００３４】
なお、本明細書では、「正極性」のパルスとは、所定の基準レベル（たとえば、ＧＮＤレベル）よりも大きい電圧レベルを持つパルスを意味する。また「負極性」のパルスとは、前記基準レベル未満の電圧レベルを持つパルスを意味することとする。
【００３５】
次に、先頭サブフィールドＳＦ1の選択書込期間Ｔｗでは、最初に、第１行電極駆動部１６Ａは、図１１に示されるように電圧レベルがＧＮＤレベルから漸次低下する負の電圧勾配を持つくさび状の調整パルスＰｘｃを共通電極Ｘ1〜Ｘnに印加する。同時に、第２行電極駆動部１６Ｂは、電圧レベルがＧＮＤレベルから漸次低下する負の電圧勾配を持つくさび状の調整パルスＰｙｃ，…，Ｐｙｃをそれぞれ走査電極Ｙ1，…，Ｙnに印加する。このとき、列電極駆動部１５は、列電極Ｄ1〜ＤmにＧＮＤレベルの電圧を印加している。
【００３６】
続いて、第２行電極駆動部１６Ｂは、走査電極Ｙ1，…，Ｙnに負極性の走査パルスＰｓを順次印加する。同時に、列電極駆動部１５は、正極性の書込パルス群Ｄｗ1，…，Ｄｗnの各々を各走査パルスＰｓに同期させて列電極Ｄ1，…，Ｄmに印加する。たとえば、１番目の走査電極Ｙ1に走査パルスＰｓが印加されている間に、この走査パルスＰｓに同期した書込パルス群Ｄｗ1が列電極Ｄ1，…，Ｄmに印加される。続いて２番目の走査電極Ｙ2に走査パルスＰｓが印加されている間に、この走査パルスＰｓに同期した書込パルス群Ｄｗ2が列電極Ｄ1，…，Ｄmに印加される。一般に、ｊ番目の走査電極Ｙjに走査パルスＰｓが印加されている間に、この走査パルスＰｓに同期した書込パルス群Ｄｗjが列電極Ｄ1，…，Ｄmに印加される。これにより、表示パネル２の放電セルＣＬ，…，ＣＬに選択的に書込放電が生起されて、黒レベルの輝度表示がなされるべき特定の放電セルを除く初期選択セルＣＬのみが発光可能状態に設定される。
【００３７】
より具体的には、図４を参照すると、走査電極Ｙjに負極性の走査パルスＰｓが印加されている間に当該走査パルスＰｓに同期した書込パルス群Ｄｗjの正極性パルスが選択的に列電極Ｄk+1に印加されたとき、陰極である走査電極Ｙjと陽極である列電極Ｄk+1間の電位差に起因して放電空間ＤＳにガス放電（すなわち書込放電）が発生し、これによりイオン粒子が生成される。当該生成されたイオン粒子のうち、正イオン粒子は陰極Ｙjに近い誘電体層２３の壁面に誘引され、負イオン粒子は陽極Ｄk+1に近い蛍光体層２６の壁面に誘引されるので、放電電圧が低下して書込放電は停止する。書込放電の発生時、全共通電極Ｘ1〜Ｘnには、走査電極Ｙjの電圧極性（すなわち負極性）とは逆極性（すなわち正極性）のオフセットパルスＰｏｐが印加されているので、共通電極Ｘjに近い誘電体層２３の壁面には負イオン粒子が蓄積される。この結果、共通電極Ｘjに近い壁面と走査電極Ｙjに近い壁面とに、互いに電荷極性の異なるイオン粒子すなわち壁電荷が蓄積される。このような壁電荷分布を有する放電セルＣＬは発光可能状態に設定されている。
【００３８】
一方、走査電極Ｙjに負極性の走査パルスＰｓが印加されている間に当該走査パルスＰｓに同期した書込パルスが列電極Ｄk+1に印加されないときは、放電空間ＤＳにはガス放電は発生しない。よって、共通電極Ｘjに近い壁面と走査電極Ｙjに近い壁面とに同一電荷極性のイオン粒子が蓄積される。このような壁電荷分布を有する放電セルＣＬは非発光状態に設定されている。
【００３９】
上述の通り、走査パルスＰｓとオフセットパルスＰｏｐとが印加される直前に、くさび状の調整パルスＰｘｃ，Ｐｙｃが共通電極Ｘ1〜Ｘnと走査電極Ｙ1〜Ｙnとに印加されている。これら調整パルスＰｘｃ，Ｐｙｃは、書込放電を安定して生起させるために放電空間ＤＳ内の壁電荷分布を最適化するものであり、各電極に近い壁面の電荷極性を反転させ得る程の強放電を生起させるものではない。
【００４０】
次に、先頭サブフィールドＳＦ1の発光期間Ｔ1（図１０）では、第２行電極駆動部１６Ｂは、正極性の電圧パルスを放電維持パルスとして各行電極対に印加する。放電維持パルスは、先頭サブフィールドＳＦ1に割り当てられた奇数回だけ印加される。図１１の例では、列電極Ｄ1〜ＤmにはＧＮＤレベルの電圧が印加されている。このとき、走査電極Ｙ1〜Ｙnの各々に１個の正極性の放電維持パルスＰ+が印加され、同時に、共通電極Ｘ1〜Ｘnの各々にはＧＮＤレベルの電圧パルスＰ-が印加される。放電維持パルスの印加直前には、発光可能状態に設定された初期選択セルＣＬでは、共通電極Ｘjに近い壁面に蓄積された負イオン粒子と、走査電極Ｙjに近い壁面に蓄積された正イオン粒子とが放電空間ＤＳ内に弱電界を形成している。この状態で、走査電極Ｙjに放電維持パルスＰ+を印加し且つ共通電極Ｘjに電圧パルスＰ-を印加すれば、これらパルスＰ+，Ｐ-により放電空間ＤＳ内に形成された電界が既存の弱電界に重畳される。当該重畳電界は、強いガス放電（すなわち維持放電）を引き起こし、これによりイオン粒子が生成される。当該生成されたイオン粒子のうち、負イオン粒子は走査電極Ｙjに誘引され、正イオン粒子は共通電極Ｘjに誘引されるので、共通電極Ｘjに近い壁面の電荷極性と走査電極Ｙjに近い壁面の電荷極性は反転する。また維持放電により発生した紫外線は、蛍光体層２６の励起子を励起して可視光を放出させる。
【００４１】
ここで、図１１の例では、低輝度領域での画質向上のために、走査電極Ｙ1〜Ｙnの各々に１個の放電維持パルスＰ+を印加したが、これに限定されるものではない。各行電極対の走査電極Ｙjおよび共通電極Ｘjに交互に放電維持パルスＰ+を印加してもよい。この場合、発光期間Ｔ1に各行電極対の走査電極Ｙjに印加される放電維持パルスＰ+の個数と、対応する共通電極Ｘjに印加される放電維持パルスＰ+の個数との合計が奇数個になるように調整される。
【００４２】
次に、後続サブフィールドＳＦ2の選択消去期間Ｔｅ（図１０）では、最初に、第１行電極駆動部１６Ａは、図１１に示されるように電圧レベルがＧＮＤレベルから漸次低下する負の電圧勾配を持つくさび状の調整パルスＰｘｃを共通電極Ｘ1〜Ｘnに印加する。同時に、第２行電極駆動部１６Ｂは、電圧レベルがＧＮＤレベルから漸次低下する負の電圧勾配を持つくさび状の調整パルスＰｙｃ，…，Ｐｙｃをそれぞれ走査電極Ｙ1，…，Ｙnに印加する。このとき、列電極駆動部１５は、列電極Ｄ1〜ＤmにＧＮＤレベルの電圧を印加している。これら調整パルスＰｘｃ，Ｐｙｃは、先頭サブフィールドＳＦ1の選択書込期間Ｔｗに印加された調整パルスＰｘｃ，Ｐｙｃと同様に、選択消去放電を安定して生起させるべく放電空間ＤＳ内の壁電荷分布を最適化するものである。
【００４３】
続いて、第２行電極駆動部１６Ｂは、走査電極Ｙ1，…，Ｙnに負極性の走査パルスＰｓを順次印加する。同時に、列電極駆動部１５は、正極性の選択消去パルス群Ｄｅ1，…，Ｄｅnの各々を各走査パルスＰｓに同期させて列電極Ｄ1，…，Ｄmに印加する。たとえば、１番目の走査電極Ｙ1に走査パルスＰｓが印加されている間に、この走査パルスＰｓに同期した選択消去パルス群Ｄｅ1が列電極Ｄ1，…，Ｄmに印加される。続いて２番目の走査電極Ｙ2に走査パルスＰｓが印加されている間に、この走査パルスＰｓに同期した選択消去パルス群Ｄｅ2が列電極Ｄ1，…，Ｄmに印加される。一般に、ｊ番目の走査電極Ｙjに走査パルスＰｓが印加されている間に当該走査パルスＰｓに同期した選択消去パルス群Ｄｅjが列電極Ｄ1，…，Ｄmに印加される。これにより、表示パネル２の初期選択セルＣＬ，…，ＣＬに選択的にガス放電（すなわち選択消去放電）が生起されて、初期選択セルＣＬは選択的に発光可能状態から非発光状態に設定される。
【００４４】
より具体的には、図４を参照すると、走査電極Ｙjに負極性の走査パルスＰｓが印加されている間に当該走査パルスＰｓに同期した選択消去パルス群Ｄｅjの正極性パルスが選択的に列電極Ｄk+1に印加されたとき、陰極である走査電極Ｙjと陽極である列電極Ｄk+1間の電位差に起因して初期選択セルＣＬの放電空間ＤＳに選択消去放電が発生し、これによりイオン粒子が生成される。当該生成されたイオン粒子のうち正イオン粒子は陰極Ｙjに近い壁面に誘引され、負イオン粒子は陽極Ｄk+1に近い壁面に誘引されるので、放電電圧が低下して選択消去放電は停止する。選択消去放電の発生時、全共通電極Ｘ1〜Ｘnには、走査電極Ｙjの電圧極性（すなわち負極性）とは同一極性（すなわち負極性）のオフセットパルスＰｏｍが印加されるので、共通電極Ｘjに近い壁面には正イオン粒子が蓄積される。この結果、共通電極Ｘjに近い壁面と走査電極Ｙjに近い壁面とに同一電荷極性のイオン粒子が蓄積され、選択消去放電が発生した放電セルＣＬは非発光状態に設定される。
【００４５】
一方、選択消去放電が発生しない初期選択セルＣＬでは、共通電極Ｘjに近い壁面と走査電極Ｙjに近い壁面とに、互いに異なる電荷極性のイオン粒子が蓄積されたままである。このような壁電荷分布を有する放電セルＣＬの状態は発光可能状態に維持されている。
【００４６】
次に、後続サブフィールドＳＦ2の電荷調整期間Ｔａでは、図１１に示されるように、第１行電極駆動部１６Ａは、共通電極Ｘ1〜Ｘnに正極性の調整パルスＰｘａを印加する。同時に、第２行電極駆動部１６Ｂは、調整パルスＰｘａの電圧極性と同一極性の調整パルスＰｙａを走査電極Ｙ1〜Ｙnの各々に印加する。これら調整パルスＰｘａ，Ｐｙａの電圧レベルは、発光期間Ｔ2に印加される放電維持パルスの電圧と略同一のレベルに制御される。
【００４７】
電荷調整期間Ｔａの直後の発光期間Ｔ2では、第２行電極駆動部１６Ｂは、正極性の放電維持パルスＰ+を各行電極対の走査電極Ｙjおよび共通電極Ｘjに交互に印加する。ここで、各行電極対の走査電極Ｙjに放電維持パルスＰ+が印加されているとき、対応する共通電極Ｘjには基準電位（ＧＮＤレベル）の電圧パルスＰ-が印加され、各行電極対の共通電極Ｘjに放電維持パルスＰ+が印加されているときは、対応する走査電極Ｙjに基準電位の電圧パルスＰ-が印加される。発光期間Ｔ2に各行電極対の走査電極Ｙjに印加される放電維持パルスＰ+の個数と、対応する共通電極Ｘjに印加される放電維持パルスＰ+の個数との合計は、放電セルＣＬ内の壁電荷分布が発光期間Ｔ2の前後で略変化しないように偶数個となるように調整される。
【００４８】
図１１を参照すると、発光期間Ｔ2には、列電極Ｄ1〜ＤmにＧＮＤレベルの電圧が印加されている。このとき、各行電極対の走査電極Ｙjとこれに対応する共通電極Ｘjとに交互に放電維持パルスＰ+が印加される。このように各行電極対Ｘj，Ｙj間に電位差を与える電圧パルスＰ+，Ｐ-が印加されることにより、発光可能状態の放電セルＣＬの放電空間ＤＳでは、共通電極Ｘjと走査電極Ｙjとの間に維持放電が繰り返し発生する。この維持放電により発生した紫外線は、蛍光体層２６の励起子を励起して可視光を放出させる。
【００４９】
ここで、図１１の信号波形では、図１２（Ａ）の部分拡大図に示されるように、第１行電極駆動部１６Ａは、電荷調整期間Ｔａで共通電極Ｘ1〜Ｘnに調整パルスＰｘａを印加した後、第２行電極駆動部１６Ｂは放電維持パルスＰ+を共通電極Ｘ1〜Ｘnに印加している。よって、調整パルスＰｘａと放電維持パルスＰ+とは時間的に連続して共通電極Ｘ1〜Ｘnに印加されており、調整パルスＰｘａの電圧レベルがＧＮＤレベルに立ち下がる前に放電維持パルスＰ+が印加されているが、この代わりに、図１２（Ｂ）に示されるように、調整パルスＰｘａの電圧レベルがＧＮＤレベルに完全に立ち下がった後に、放電維持パルスＰ+が印加されてもよい。
【００５０】
後続サブフィールドＳＦ3〜ＳＦNの表示期間でも、それぞれ、後続サブフィールドＳＦ2の表示期間の場合と同様の動作が実行される。
【００５１】
最終サブフィールドＳＦNの表示期間は、選択消去期間Ｔｅ、電荷調整期間Ｔａおよび発光期間ＴNの他に、当該発光期間ＴNの直後に設定された消去期間Ｔｂを有する。この消去期間Ｔｂでは、第１行電極駆動部１６Ａおよび第２行電極駆動部１６Ｂは、各行電極対の走査電極ＹjにはＧＮＤレベルの電圧を印加し、同時に対応する共通電極Ｘjには、走査電極Ｙjの電位よりも高い正極性電圧の細幅パルスＰｅ１を印加する。続いて、第１行電極駆動部１６Ａおよび第２行電極駆動部１６Ｂは、各行電極対の共通電極Ｘjおよび走査電極Ｙjにそれぞれ正極性の電圧パルスＰｅ２，Ｐｅを同時に印加する。
【００５２】
上述の通り、後続サブフィールドＳＦ2〜ＳＦNの選択消去期間Ｔｅで選択消去放電が起きない放電セルＣＬは、消去期間Ｔｂの直前まで発光可能状態に設定され続ける。この放電セルＣＬは、最終サブフィールドＳＦNの発光期間ＴNの終了時には、共通電極Ｘjに近い壁面に正イオン粒子が蓄積され且つ走査電極Ｙjに近い壁面に負イオン粒子が蓄積された壁電荷分布を持つ。この状態で、消去期間Ｔｂにおいて、共通電極Ｘjに細幅の正極性パルスＰｅ１が印加され且つ走査電極ＹjにＧＮＤレベルの電圧パルスが印加されたとき、各行電極対Ｘj，Ｙj間に放電空間ＤＳ内で弱放電が生起される。続いて、各行電極対Ｘj，Ｙjにそれぞれ正極性の電圧パルスＰｅ２，Ｐｅが同時に印加されることで、放電空間ＤＳ内の負イオン粒子は、各行電極対Ｘj，Ｙjの近傍の壁面に誘引され、正イオン粒子は、ＧＮＤレベルの電圧が印加された各列電極Ｄkの近傍の壁面に誘引される。
【００５３】
一方、先頭サブフィールドＳＦ1の選択書込期間Ｔｗで書込放電が起きない放電セルＣＬは、終始、非発光状態に設定される。この放電セルＣＬは、最終サブフィールドＳＦNの発光期間ＴNの終了時には、共通電極Ｘjに近い壁面に負イオン粒子が蓄積され且つ走査電極Ｙjに近い壁面に負イオン粒子が蓄積された壁電荷分布を持つ。このため、消去期間Ｔｂの前後で、共通電極Ｘjに近い壁面の電荷極性（負極性）は変化せず、走査電極Ｙjに近い壁面の電荷極性（負極性）は変化しない。
【００５４】
他方、最終サブフィールドＳＦNの発光期間ＴNに達する前にいずれかの後続サブフィールドＳＦp（ｐは２〜Ｎのいずれか）の選択消去期間Ｔｅで放電セルＣＬが発光可能状態から非発光状態に設定された場合、この放電セルＣＬは、最終サブフィールドＳＦNの発光期間ＴNの終了時に、共通電極Ｘjに近い壁面に負イオン粒子が蓄積され且つ走査電極Ｙjに近い壁面に負イオン粒子が蓄積された壁電荷分布を持つ。このため、消去期間Ｔｂの前後で、共通電極Ｘjに近い壁面の電荷極性（負極性）は変化せず、走査電極Ｙjに近い壁面の電荷極性（負極性）は変化しない。
【００５５】
図１３に、図１０の駆動シーケンスを採用した場合に実現され得る放電セルＣＬの発光パターンを例示する。図１３は、映像信号の各フィールドを１２個のサブフィールドＳＦ1〜ＳＦ12に分解した場合の映像信号の階調レベルとこれに対応する発光パターンとの関係を示すものである。また、図１３には、階調レベルとこれに対応する階調調整信号ＶＳｂの値との関係、並びに、階調調整信号ＶＳｂの値と駆動データ信号ＤＤの値との関係（変換テーブル）が示されている。図１３において、記号「◎」は、先頭サブフィールドＳＦ1の選択書込期間Ｔｗで選択的に書込放電が発生し、且つ発光期間Ｔ1で維持放電が発生することを意味する。また、記号「○」は、サブフィールドＳＦ2〜ＳＦ12の発光期間Ｔ2〜Ｔ12のいずれかで維持放電が発生することを意味し、記号「●」は、サブフィールドＳＦ2〜ＳＦ12の選択消去期間Ｔｅのいずれかで選択消去放電が発生することを意味する。
【００５６】
映像信号の階調レベルｇの輝度をＬ（ｇ）で表すとき、輝度Ｌ（ｇ）は次式で与えられる。
【００５７】
【数１】
2008122684.tif 000003
【００５８】
ここで、Ｎは、サブフィールドＳＦ1〜ＳＦNの総数であり、図１３の場合は、Ｎ＝１２となる。Ｂ（ｇ；ｉ）は、輝度レベルｇについてｉ番目サブフィールドＳＦiで放電セルＣＬが発光可能状態のときは値「１」をとり、放電セルＣＬが非発光状態のときは値「０」をとる。Ｗ（ｉ）は、上述の通り、ｉ番目サブフィールドＳＦiに割り当てられた輝度の重みである。たとえば、Ｗ（１）＝１、Ｗ（２）＝２、Ｗ（３）＝４、Ｗ（４）＝８、Ｗ（５）＝１２、Ｗ（６）＝１６、Ｗ（８）＝２２、Ｗ（９）＝２８、Ｗ（１０）＝３４、Ｗ（１１）＝４０、Ｗ（１２）＝４６、Ｗ（１３）＝４２、のように輝度の重みが設定されれば、図１３のテーブルに示される輝度Ｌ（ｇ）が実現される。
【００５９】
図１３に示される発光パターンによれば、１フィールドの表示期間における放電セルＣＬの状態変化は以下の３種類のパターンに分類することができる。すなわち、１） 放電セルＣＬの状態が先頭サブフィールドＳＦ1の選択書込期間Ｔｗで書込放電により非発光状態（「黒」状態）から発光可能状態（「白」状態）に設定された後、最終サブフィールドＳＦNの消去期間Ｔｂの直前まで発光可能状態（「白」状態）に維持される最大階調レベル「Ｎ」に対応する第１のパターンと、２） 放電セルＣＬの状態が先頭サブフィールドＳＦ1の選択書込期間Ｔｗで書込放電により非発光状態（「黒」状態）から発光可能状態（「白」状態）に設定された後、後続サブフィールドＳＦ2〜ＳＦN-1のいずれかの選択消去期間Ｔｅで選択消去放電により非発光状態（「黒」状態）に設定される階調レベル「１」〜「Ｎ−１」に対応する第２のパターンと、３） 放電セルＣＬの状態が非発光状態（「黒」状態）から始まり非発光状態（「黒」状態）で終わる階調レベル「０」に対応する第３のパターンと、である。
【００６０】
図１４（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）に、それぞれ、第１、第２および第３のパターンに対応する壁電荷分布の推移を示す。図１４（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）では、いずれも、放電セルＣＬは、現在のフィールド（カレント・フィールド）に対して直前のフィールドの消去期間Ｔｂにおいて、共通電極Ｘjに近い壁面に負イオン粒子が蓄積され、走査電極Ｙjに近い壁面に負イオン粒子が蓄積され且つ列電極Ｄkに近い壁面に正イオン粒子が蓄積された壁電荷分布を表す「黒」状態（すなわち非発光状態）に設定される。
【００６１】
先頭サブフィールドＳＦ1の初期調整期間Ｔｒの終了後には、図１４（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）に示されるように、放電セルＣＬの状態は、共通電極Ｘjに近い壁面に負イオン粒子が蓄積され、走査電極Ｙjに近い壁面に負イオン粒子が蓄積され且つ列電極Ｄkに近い壁面に正イオン粒子が蓄積された壁電荷分布を表す「黒」状態にある。
【００６２】
この初期調整期間Ｔｒでは、図１１に示されるように、列電極Ｄ1〜ＤmにＧＮＤレベルの電圧が印加され、共通電極Ｘ1〜Ｘnに正極性の初期調整パルスＰｘｒが印加され、走査電極Ｙ1〜Ｙnに正極性の初期調整パルスＰｙｒが印加される。この初期調整期間Ｔｒを通じて放電セルＣＬ内の壁電荷分布が最適分布となるように初期化される。すなわち、放電セルＣＬ内の壁電荷分布が最適分布ではないときには、初期調整パルスＰｘｒ，Ｐｙｒが放電空間ＤＳ内に形成する電界により、イオン粒子が移動し、あるいは微少放電が生起されて壁電荷分布が調整される。微少放電が生起される場合、この微少放電の強度は、電極Ｘj，Ｙj，Ｄkに近い壁面上のイオン粒子の電荷極性を反転させ得るものではなく、微弱である。このため、かかる微少放電により蛍光体層２６から放出される可視光は、背景発光輝度にほとんど寄与せず、暗所コントラストをほとんど低下させない。
【００６３】
図１４（Ａ）に示される第１のパターンについて以下に説明する。先頭サブフィールドＳＦ1の選択書込期間Ｔｗには、図１１に示されるように、共通電極Ｘjに正極性のオフセットパルスＰｏｐが印加され、走査電極Ｙjに負極性の走査パルスＰｓが印加され、この走査パルスＰｓに同期した正極性の書込パルスが列電極Ｄkに印加される。これにより、列電極Ｄkと走査電極Ｙjとの間に放電空間ＤＳ内で書込放電が生起される。この結果、図１４（Ａ）に示されるように選択書込期間Ｔｗの終了後は、走査電極Ｙjに近い壁面に正イオン粒子が蓄積され、共通電極Ｘjに近い壁面には負イオン粒子が蓄積され、且つ列電極Ｄkに近い壁面には負イオン粒子が蓄積される。共通電極Ｘjには正極性のオフセットパルスＰｏｐが印加されるため、当該共通電極Ｘjに近い壁面には負イオン粒子が誘引され、安定して存在することができる。したがって、放電セルＣＬは、電極Ｘj，Ｙjに近い壁面にそれぞれ互いに逆の電荷極性のイオン粒子が蓄積された壁電荷分布の「白」状態（すなわち発光可能状態）に設定される。
【００６４】
その後、先頭サブフィールドＳＦ1の発光期間Ｔ1には、図１１に示されるように、列電極Ｄkには、走査電極Ｙjに印加される放電維持パルスＰ+の電圧よりも低い負極性側の電圧（ＧＮＤレベルの電圧）が印加される。また走査電極Ｙjに放電維持パルスＰ+が印加され、同時に共通電極Ｘjに電圧パルスＰ-が印加される。これにより、行電極対Ｘj，Ｙj間に放電空間ＤＳ内で維持放電が生起され、陽極である走査電極Ｙjと陰極である列電極Ｄkとの間に放電空間ＤＳ内で対向放電が生起される。この結果、図１４（Ａ）に示されるように発光期間Ｔ1の終了後は、共通電極Ｘjに近い壁面に正イオン粒子が蓄積され、走査電極Ｙjに近い壁面に負イオン粒子が蓄積され且つ列電極Ｄkに近い壁面に正イオン粒子が蓄積される。
【００６５】
第１のパターンの場合、後続サブフィールドＳＦ2〜ＳＦNの選択消去期間Ｔｅには、走査パルスＰｓに同期した選択消去パルスが列電極Ｄkに印加されないので、放電セルＣＬ内の壁電荷分布はほとんど変化しない。また、選択消去期間Ｔｅに続く電荷調整期間Ｔａには、列電極Ｄkに近い壁面に正イオン粒子が蓄積されているので、放電空間ＤＳ内でガス放電は生起されない。
【００６６】
また、電荷調整期間Ｔａに続く発光期間Ｔp（ｐは２〜Ｎの整数）には、図１１に示されるように、各電極対の走査電極Ｙjおよび共通電極Ｘjに交互に放電維持パルスＰ+が印加される。このとき、走査電極Ｙjに印加される放電維持パルスＰ+の個数と、対応する共通電極Ｘjに印加される放電維持パルスＰ+の個数との合計は偶数個となるように調整される。これにより、行電極対Ｘj，Ｙj間に放電空間ＤＳ内で維持放電が繰り返し生起され、蛍光体層２６を励起して可視光を放出させる。この結果、図１４（Ａ）に示されるように発光期間Ｔpの終了後には、共通電極Ｘjに近い壁面に正イオン粒子が蓄積され、走査電極Ｙjに近い壁面に負イオン粒子が蓄積され、且つ列電極Ｄkに近い壁面に正イオン粒子が蓄積される。
【００６７】
最終サブフィールドＳＦNの消去期間Ｔｂには、図１１に示されるように、共通電極Ｘjに細幅で正極性の消去パルスＰｅ１が印加され、同時に、走査電極ＹjにＧＮＤレベルの電圧が印加されるので、行電極対Ｘj，Ｙj間に放電空間ＤＳ内で弱放電が発生する。続けて、共通電極Ｘjと走査電極Ｙjとにそれぞれ正極性パルスＰｅ２，Ｐｅが印加されるので、共通電極Ｘjに近い壁面に負イオン粒子が誘引され、走査電極Ｙjに近い壁面に負イオン粒子が誘引される。この結果、図１４（Ａ）に示されるように消去期間Ｔｂの終了後には、共通電極Ｘjに近い壁面に負イオン粒子が蓄積され、走査電極Ｙjに近い壁面に負イオン粒子が蓄積され、且つ列電極Ｄkに近い壁面に正イオン粒子が蓄積される。
【００６８】
次に、図１４（Ｂ）に示される第２のパターンについて以下に説明する。先頭サブフィールドＳＦ1の選択書込期間Ｔｗには、上記第１のパターンの場合と同様に列電極Ｄkと走査電極Ｙjとの間に放電空間ＤＳ内で書込放電が生起される。この結果、図１４（Ｂ）に示されるように選択書込期間Ｔｗの終了後は、走査電極Ｙjに近い壁面に正イオン粒子が蓄積され、共通電極Ｘjに近い壁面には負イオン粒子が蓄積され、且つ列電極Ｄkに近い壁面には負イオン粒子が蓄積される。したがって、放電セルＣＬは「白」状態に設定される。
【００６９】
その後、サブフィールドＳＦ1の発光期間Ｔ1には、上記第１のパターンの場合と同様に走査電極Ｙjに放電維持パルスＰ+が印加され、列電極DkにＧＮＤレベルの電圧が印加される。これにより、行電極対Ｘj，Ｙj間に放電空間ＤＳ内で維持放電が生起され、陽極である走査電極Ｙjと陰極である列電極Ｄkとの間に放電空間ＤＳ内で対向放電が生起される。この結果、図１４（Ｂ）に示されるように発光期間Ｔ1の終了後は、共通電極Ｘjに近い壁面に正イオン粒子が蓄積され、走査電極Ｙjに近い壁面に負イオン粒子が蓄積され且つ列電極Ｄkに近い壁面に正イオン粒子が蓄積される。図１１の例では、走査電極Ｙjに印加される放電維持パルスＰ+の個数は１個だけであるが、これに限らず、各行電極対の走査電極Ｙjおよび共通電極Ｘjに交互に放電維持パルスＰ+を印加して、走査電極Ｙjに印加される放電維持パルスＰ+の個数と共通電極Ｘjに印加される放電維持パルスＰ+の個数との合計を奇数個にしてもよい。放電維持パルスＰ+の合計を奇数個とする理由は、後続サブフィールドの選択消去期間Ｔｅにおいて、列電極Ｄkを陽極とし走査電極Ｙjを陰極として走査電極Ｙjと列電極Ｄk間に対向放電を起こし得る壁電荷分布を形成するためである。
【００７０】
第２のパターンの場合、後続サブフィールドＳＦ2〜ＳＦNのいずれかの選択消去期間Ｔｅにおいて、図１１に示されるように、共通電極Ｘjに負極性のオフセットパルスＰｏｍが印加され、走査電極Ｙjに負極性の走査パルスＰｓが印加され、この走査パルスＰｓに同期した正極性の選択消去パルスが列電極Ｄkに印加される。これにより、列電極Ｄkを陽極とし走査電極Ｙjを陰極として列電極Ｄkと走査電極Ｙjとの間に選択消去放電が生起される。この結果、図１４（Ｂ）に示されるように選択消去期間Ｔｅの終了後は、走査電極Ｙjに近い壁面に正イオン粒子が蓄積され、列電極Ｄkに近い壁面に負イオン粒子が蓄積される。共通電極Ｘjには負極性のオフセットパルスＰｏｍが印加されるため、当該共通電極Ｘjに近い壁面には正イオン粒子が誘引され、安定して存在することができる。
【００７１】
前記選択消去期間Ｔｅに続く電荷調整期間Ｔａには、図１１に示されるように、共通電極Ｘjに正極性の調整パルスＰｘａが印加され、同時に、走査電極Ｙjに正極性の調整パルスＰｙａが印加される。これにより、陽極である共通電極Ｘjと陰極である列電極Ｄkとの間に対向放電が生起され、同時に、陽極である走査電極Ｙjと陰極である列電極Ｄkとの間に対向放電が生起される。この結果、図１４（Ｂ）に示されるように電荷調整期間Ｔａの終了後は、共通電極Ｘjに近い壁面に負イオン粒子が蓄積され、走査電極Ｙjに近い壁面に負イオン粒子が蓄積され、且つ列電極Ｄkに近い壁面に正イオン粒子が蓄積される。したがって、放電セルＣＬは「黒」状態に設定される。このように選択消去期間Ｔｅの直後に共通電極Ｘjと列電極Ｄk間、並びに走査電極Ｙjと列電極Ｄk間にそれぞれ対向放電を起こすので、これら対向放電を安定して発生させることができる。
【００７２】
その後、最終サブフィールドＳＦNの消去期間Ｔｂでは、放電空間ＤＳ内でガス放電は生起されない。
【００７３】
次に、図１４（Ｃ）に示される第３のパターンについては、先頭サブフィールドＳＦ1の初期調整期間Ｔｒが終了した後、放電空間ＤＳ内にガス放電は生起されない。したがって、放電セルＣＬは、先頭サブフィールドＳＦ1の初期調整期間Ｔｒの終了後は、全てのサブフィールドＳＦ1〜ＳＦNの表示期間に亘って「黒」状態に設定され続ける。
【００７４】
上記の通り、第１実施例に係る階調制御法は、先頭サブフィールドＳＦ1の選択書込期間Ｔｗにおいて、黒レベルの輝度表示がなされるべき放電セルを除く初期選択セルＣＬのみを発光可能状態に設定するので、選択書込期間Ｔｗにおいて表示輝度Ｌ（ｇ）に寄与しない背景発光輝度を抑制して暗所コントラストの向上を可能にする。
【００７５】
この選択書込期間Ｔｗに続く発光期間Ｔ1では、初期選択セルＣＬに維持放電を生起させるために特に奇数個の放電維持パルスが印加されるので、後続サブフィールドＳＦ2〜ＳＦNのいずれかの選択消去期間Ｔｅにおいて、走査電極Ｙjと列電極Ｄk間に対向放電を起こし得る壁電荷分布を形成することができる。たとえば、図１４（Ａ）および（Ｂ）に示されるように、先頭サブフィールドＳＦ1の発光期間Ｔ1の終了後に、走査電極Ｙjに近い壁面に負イオン粒子を、共通電極Ｘjに近い壁面に正イオン粒子を、列電極Ｄkに近い壁面に正イオン粒子をそれぞれ蓄積することができる。
【００７６】
さらに、第１実施例に係る階調制御法は、後続サブフィールドＳＦ2〜ＳＦNのいずれかの選択消去期間Ｔｅで走査電極Ｙjと列電極Ｄkとの間に選択消去放電を起こし、この直後の電荷調整期間Ｔａで走査電極Ｙjと列電極Ｄk間並びに共通電極Ｘjと列電極Ｄk間にそれぞれ対向放電を起こすことにより、共通電極Ｘjに近い壁面と走査電極Ｙjに近い壁面とに同一極性のイオン粒子が蓄積された壁電荷分布を持つ非発光状態の放電セルＣＬを得ることが可能である。それら対向放電は安定して生起されるので、最適な壁電荷分布を安定的に実現し得る。たとえば、図１４（Ｂ）に示されるように、後続サブフィールドＳＦ2〜ＳＦNの電荷調整期間Ｔａの終了後に、走査電極Ｙjに近い壁面に負イオン粒子を、共通電極Ｘjに近い壁面に負イオン粒子を、列電極Ｄkに近い壁面に正イオン粒子をそれぞれ蓄積した非発光状態の放電セルＣＬが得られる。
【００７７】
このような壁電荷分布を実現することにより、第１実施例に係るプラズマディスプレイ装置１は、暗所コントラストを向上させつつ、予期せぬ誤放電の発生を抑制して画質を向上させることが可能である。
【００７８】
＜第１変形例＞
上記第１実施例に係る駆動シーケンス（図１０）は、図４および図５に示される構造を有する表示パネル２に適用されてもよいし、あるいは図６および図７に示される構造を有する表示パネル２に適用されてもよい。さらには、図８および図９に示される構造を有する表示パネル２に適用することも可能である。
【００７９】
上述の通り、図１０および図１１に示される初期調整期間Ｔｒは、放電セルＣＬ内の壁電荷分布を調整するために設けられた期間である。図６および図７のパネル構造は、初期電子および二次電子によるプライミング効果を向上させて放電遅れを改善するので、駆動電圧の広いマージン（余裕度）を確保することができる。図６および図７の構造と図８および図９の構造とを併用すれば、さらなる放電遅れの改善と広い駆動電圧マージンとを実現できる。したがって、図６〜図９のパネル構造を採用すれば、初期調整期間Ｔｒを省略することができ、暗所コントラストを大幅に向上させることが可能である。
【００８０】
＜第２実施例＞
次に、本発明の第２実施例について説明する。図１５は、第２実施例に係る駆動シーケンスの例を概略的に示す図である。図１５の駆動シーケンスは、図１０に示した最終サブフィールドＳＦNの消去期間Ｔｂを持たない点を除いて、図１０の駆動シーケンスと同じである。また、１フィールドを構成する各期間において表示パネル２に印加されるべき駆動信号の波形も、最終サブフィールドＳＦNの消去期間Ｔｂの信号波形を持たない点を除いて、図１１に示した信号波形と同じである。
【００８１】
かかる場合、図１５に示されるように、最終サブフィールドＳＦNの発光期間ＴNの後には直ちに次のフィールドの先頭サブフィールドＳＦ1の表示期間が開始される。各フィールドにおいて、最終サブフィールドＳＦNの発光期間ＴNが終了した後は、放電セルＣＬの発光可能状態は非発光状態に切り換えられないので、発光可能状態（「白」状態）に設定された放電セルＣＬが次のフィールドの先頭サブフィールドＳＦ1の直前に存在し得る。一方、図１４に示した第１実施例の発光パターンでは、最終サブフィールドＳＦNの消去期間Ｔｂにおいて、放電セルＣＬの発光可能状態は必ず非発光状態に切り換えられるので、次のフィールドの先頭サブフィールドＳＦ1の直前には非発光状態（「黒」状態）の放電セルＣＬのみが存在し得る。
【００８２】
よって、第２実施例に係る駆動シーケンスでは、１フィールドの表示期間における放電セルＣＬの状態変化は以下の６種類のパターンに分類することができる。すなわち、１） 図１６（Ａ）に示されるように、放電セルＣＬの状態が「白」状態から始まり「白」状態で終わる第１のパターンと、２） 図１６（Ｂ）に示されるように、放電セルＣＬの状態が「白」状態から始まり、先頭サブフィールドＳＦ1の選択書込期間Ｔｗで書込放電により「白」状態に設定された後、後続サブフィールドＳＦ2〜ＳＦN-1のいずれかの選択消去期間Ｔｅで選択消去放電により「黒」状態に設定される第２のパターンと、３） 図１６（Ｃ）に示されるように、放電セルＣＬの状態が「白」状態から始まり、先頭サブフィールドＳＦ1の初期調整期間Ｔｒおよび選択書込期間Ｔｗで「黒」状態に設定された後、「黒」状態で終わる第３のパターンと、４） 図１７（Ａ）に示されるように、放電セルＣＬの状態が「黒」状態から始まり、先頭サブフィールドＳＦ1の選択書込期間Ｔｗで書込放電により「白」状態に設定された後、「白」状態で終わる第４のパターンと、５） 図１７（Ｂ）に示されるように、放電セルＣＬの状態が「黒」状態から始まり、先頭サブフィールドＳＦ1の選択書込期間Ｔｗで書込放電により「白」状態に設定された後、後続サブフィールドＳＦ2〜ＳＦN-1のいずれかの選択消去期間Ｔｅで選択消去放電により「黒」状態に設定される第５のパターンと、６） 図１７（Ｃ）に示されるように、放電セルＣＬの状態が「黒」状態から始まり、「黒」状態で終わる第６のパターンと、である。
【００８３】
図１６（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）では、いずれも、放電セルＣＬは、現在のフィールド（カレント・フィールド）に対して直前のフィールドの表示期間終了後、共通電極Ｘjに近い壁面に正イオン粒子が蓄積され、走査電極Ｙjに近い壁面に負イオン粒子が蓄積され且つ列電極Ｄkに近い壁面に正イオン粒子が蓄積された壁電荷分布を表す「白」状態に設定される。
【００８４】
かかる場合、先頭サブフィールドＳＦ1の初期調整期間Ｔｒの終了後には、図１６（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）に示されるように、放電セルＣＬの状態は、共通電極Ｘjに近い壁面に負イオン粒子が蓄積され、走査電極Ｙjに近い壁面に負イオン粒子が蓄積され且つ列電極Ｄkに近い壁面に正イオン粒子が蓄積された壁電荷分布を表す「黒」状態にある。この初期調整期間Ｔｒでは、図１１に示されるように、列電極Ｄ1〜ＤmにＧＮＤレベルの電圧が印加され、共通電極Ｘ1〜Ｘnに正極性の初期調整パルスＰｘｒが印加され、走査電極Ｙ1〜Ｙnに正極性の初期調整パルスＰｙｒが印加される。この結果、初期調整パルスＰｘｒ，Ｐｙｒが放電空間ＤＳ内に形成する電界により、イオン粒子が移動し、あるいは微少放電が生起されて壁電荷分布が調整される。この結果、初期調整期間Ｔｒの終了後は、図１６（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）に示される壁電荷分布が生成される。
【００８５】
図１６（Ａ）に示される第１のパターンについて以下に説明する。この場合、先頭サブフィールドＳＦ1の選択書込期間Ｔｗには、図１１に示されるように、共通電極Ｘjに正極性のオフセットパルスＰｏｐが印加され、走査電極Ｙjに負極性の走査パルスＰｓが印加され、この走査パルスＰｓに同期した正極性の書込パルスが列電極Ｄkに印加される。これにより、走査電極Ｙjと列電極Ｄkとの間に放電空間ＤＳ内で対向放電が生起される。この結果、図１６（Ａ）に示されるように選択書込期間Ｔｗの終了後は、走査電極Ｙjに近い壁面に正イオン粒子が蓄積され、共通電極Ｘjに近い壁面に負イオン粒子が蓄積され、且つ列電極Ｄkに近い壁面に負イオン粒子が蓄積される。共通電極Ｘjには正極性のオフセットパルスＰｏｐが印加されるため、当該共通電極Ｘjに近い壁面には負イオン粒子が誘引され、安定して存在することができる。したがって、放電セルＣＬは、電極Ｘj，Ｙjに近い壁面にそれぞれ互いに逆の電荷極性のイオン粒子が蓄積された壁電荷分布の「白」状態に設定される。
【００８６】
その後、先頭サブフィールドＳＦ1の発光期間Ｔ1には、図１１に示されるように、列電極ＤkにＧＮＤレベルの電圧が印加され、走査電極Ｙjに正極性の放電維持パルスＰ+が印加され、同時に共通電極ＸjにＧＮＤレベルの電圧パルスＰ-が印加される。これにより、行電極対Ｘj，Ｙj間に放電空間ＤＳ内で維持放電が生起され、陽極である走査電極Ｙjと陰極である列電極Ｄkとの間に放電空間ＤＳ内で対向放電が生起される。この結果、図１６（Ａ）に示されるように発光期間Ｔ1の終了後は、共通電極Ｘjに近い壁面に正イオン粒子が蓄積され、走査電極Ｙjに近い壁面に負イオン粒子が蓄積され且つ列電極Ｄkに近い壁面に正イオン粒子が蓄積される。
【００８７】
第１のパターンの場合、後続サブフィールドＳＦ2〜ＳＦNの選択消去期間Ｔｅには、走査パルスＰｓに同期した選択消去パルスが列電極Ｄkに印加されないので、放電セルＣＬ内の壁電荷分布はほとんど変化しない。また、選択消去期間Ｔｅに続く電荷調整期間Ｔａには、列電極Ｄkに近い壁面に正イオン粒子が蓄積されているので、放電空間ＤＳ内でガス放電は生起されない。
【００８８】
この電荷調整期間Ｔａに続く発光期間Ｔp（ｐは２〜Ｎの整数）には、図１１に示されるように、走査電極Ｙjおよび共通電極Ｘjに交互に放電維持パルスＰ+が印加されるが、走査電極Ｙjに印加される放電維持パルスＰ+の個数と、共通電極Ｘjに印加される放電維持パルスＰ+の個数との合計は偶数個となるように調整される。これにより、行電極対Ｘj，Ｙj間に放電空間ＤＳ内で維持放電が繰り返し生起され、蛍光体層２６を励起して可視光を放出させる。この結果、図１６（Ａ）に示されるように発光期間Ｔpの終了後には、共通電極Ｘjに近い壁面に正イオン粒子が蓄積され、走査電極Ｙjに近い壁面に負イオン粒子が蓄積され、且つ列電極Ｄkに近い壁面に正イオン粒子が蓄積される。
【００８９】
次に、図１６（Ｂ）に示される第２のパターンについて以下に説明する。この場合、先頭サブフィールドＳＦ1の選択書込期間Ｔｗには、上記第１のパターンの場合と同様に列電極Ｄkと走査電極Ｙjとの間に放電空間ＤＳ内で書込放電が生起される。続けて、発光期間Ｔ1には、上記第１のパターンの場合と同様に、行電極対Ｘj，Ｙj間に放電空間ＤＳ内で維持放電が生起され、陽極である走査電極Ｙjと陰極である列電極Ｄkとの間に放電空間ＤＳ内で対向放電が生起される。この結果、図１６（Ｂ）に示されるように発光期間Ｔ1の終了後は、共通電極Ｘjに近い壁面に正イオン粒子が蓄積され、走査電極Ｙjに近い壁面に負イオン粒子が蓄積され、列電極Ｄkに近い壁面に正イオン粒子が蓄積される。
【００９０】
第２のパターンの場合、後続サブフィールドＳＦ2〜ＳＦNのいずれかの選択消去期間Ｔｅにおいて、図１１に示されるように、共通電極Ｘjに負極性のオフセットパルスＰｏｍが印加され、走査電極Ｙjに負極性の走査パルスＰｓが印加され、この走査パルスＰｓに同期した正極性の選択消去パルスが列電極Ｄkに印加される。これにより、列電極Ｄkを陽極とし走査電極Ｙjを陰極として列電極Ｄkと走査電極Ｙjとの間に選択消去放電が生起される。この結果、図１６（Ｂ）に示されるように選択消去期間Ｔｅの終了後は、走査電極Ｙjに近い壁面に正イオン粒子が蓄積され、列電極Ｄkに近い壁面に負イオン粒子が蓄積される。共通電極Ｘjには負極性のオフセットパルスＰｏｍが印加されるため、当該共通電極Ｘjに近い壁面には正イオン粒子が誘引され、安定して存在することができる。
【００９１】
前記選択消去期間Ｔｅに続く電荷調整期間Ｔａには、図１１に示されるように、共通電極Ｘjに正極性の調整パルスＰｘａが印加され、同時に、走査電極Ｙjに正極性の調整パルスＰｙａが印加される。これにより、陽極である共通電極Ｘjと陰極である列電極Ｄkとの間に対向放電が生起され、同時に、陽極である走査電極Ｙjと陰極である列電極Ｄkとの間に対向放電が生起される。この結果、図１６（Ｂ）に示されるように電荷調整期間Ｔａの終了後は、共通電極Ｘjに近い壁面に負イオン粒子が蓄積され、走査電極Ｙjに近い壁面に負イオン粒子が蓄積され、且つ列電極Ｄkに近い壁面に正イオン粒子が蓄積される。したがって、放電セルＣＬは「黒」状態に設定される。このように選択消去期間Ｔｅの直後に共通電極Ｘjと列電極Ｄk間、並びに走査電極Ｙjと列電極Ｄk間にそれぞれ対向放電を起こすので、これら対向放電を安定して発生させることができる。
【００９２】
次に、図１６（Ｃ）に示される第３のパターンについて以下に説明する。この場合、先頭サブフィールドＳＦ1の初期調整期間Ｔｒが終了した後、放電空間ＤＳ内にガス放電は生起されない。したがって、放電セルＣＬは、先頭サブフィールドＳＦ1の初期調整期間Ｔｒの終了後は、全てのサブフィールドＳＦ1〜ＳＦNの表示期間に亘って「黒」状態に設定され続ける。
【００９３】
次に、図１７（Ａ）に示される第４のパターンについて以下に説明する。この場合、先頭サブフィールドＳＦ1の選択書込期間Ｔｗには、図１１に示されるように、共通電極Ｘjに正極性のオフセットパルスＰｏｐが印加され、走査電極Ｙjに負極性の走査パルスＰｓが印加され、この走査パルスＰｓに同期した正極性の書込パルスが列電極Ｄkに印加される。これにより、走査電極Ｙjと列電極Ｄkとの間に放電空間ＤＳ内で対向放電が生起される。この結果、図１７（Ａ）に示されるように選択書込期間Ｔｗの終了後は、走査電極Ｙjに近い壁面に正イオン粒子が蓄積され、列電極Ｄkに近い壁面に負イオン粒子が蓄積される。共通電極Ｘjには正極性のオフセットパルスＰｏｐが印加されるため、当該共通電極Ｘjに近い壁面には負イオン粒子が誘引され、安定して存在することができる。したがって、放電セルＣＬは、電極Ｘj，Ｙjに近い壁面にそれぞれ互いに逆の電荷極性のイオン粒子が蓄積された壁電荷分布の「白」状態に設定される。
【００９４】
その後、先頭サブフィールドＳＦ1の発光期間Ｔ1には、図１１に示されるように、列電極ＤkにＧＮＤレベルの電圧が印加され、走査電極Ｙjに正極性の放電維持パルスＰ+が印加され、同時に共通電極ＸjにＧＮＤレベルの電圧Ｐ-が印加される。これにより、行電極対Ｘj，Ｙj間に放電空間ＤＳ内で維持放電が生起され、陽極である走査電極Ｙjと陰極である列電極Ｄkとの間に放電空間ＤＳ内で対向放電が生起される。この結果、図１７（Ａ）に示されるように発光期間Ｔ1の終了後は、共通電極Ｘjに近い壁面に正イオン粒子が蓄積され、走査電極Ｙjに近い壁面に負イオン粒子が蓄積され且つ列電極Ｄkに近い壁面に正イオン粒子が蓄積される。
【００９５】
第４のパターンの場合、後続サブフィールドＳＦ2〜ＳＦNの選択消去期間Ｔｅには、走査パルスＰｓに同期した選択消去パルスが列電極Ｄkに印加されないので、放電セルＣＬ内の壁電荷分布はほとんど変化しない。また、選択消去期間Ｔｅに続く電荷調整期間Ｔａには、列電極Ｄkに近い壁面に正イオン粒子が蓄積されているので、放電空間ＤＳ内でガス放電は生起されない。この電荷調整期間Ｔａに続く発光期間Ｔp（ｐは２〜Ｎの整数）には、図１１に示されるように、走査電極Ｙjおよび共通電極Ｘjに交互に放電維持パルスＰ+が印加される。このとき印加される放電維持パルスＰ+の個数は偶数個となるように調整される。これにより、行電極対Ｘj，Ｙj間に放電空間ＤＳ内で維持放電が繰り返し生起され、蛍光体層２６を励起して可視光を放出させる。この結果、図１７（Ａ）に示されるように発光期間Ｔpの終了後には、共通電極Ｘjに近い壁面に正イオン粒子が蓄積され、走査電極Ｙjに近い壁面に負イオン粒子が蓄積され、且つ列電極Ｄkに近い壁面に正イオン粒子が蓄積される。
【００９６】
次に、図１７（Ｂ）に示される第５のパターンについて以下に説明する。この場合、先頭サブフィールドＳＦ1の選択書込期間Ｔｗには、上記第４のパターンの場合と同様に列電極Ｄkと走査電極Ｙjとの間に放電空間ＤＳ内で書込放電が生起される。続けて、発光期間Ｔ1には、上記第４のパターンの場合と同様に、行電極対Ｘj，Ｙj間に放電空間ＤＳ内で維持放電が生起され、陽極である走査電極Ｙjと陰極である列電極Ｄkとの間に放電空間ＤＳ内で対向放電が生起される。この結果、図１７（Ｂ）に示されるように発光期間Ｔ1の終了後は、共通電極Ｘjに近い壁面に正イオン粒子が蓄積され、走査電極Ｙjに近い壁面に負イオン粒子が蓄積され、列電極Ｄkに近い壁面に正イオン粒子が蓄積される。
【００９７】
第５のパターンの場合、後続サブフィールドＳＦ2〜ＳＦNのいずれかの選択消去期間Ｔｅにおいて、図１１に示されるように、共通電極Ｘjに負極性のオフセットパルスＰｏｍが印加され、走査電極Ｙjに負極性の走査パルスＰｓが印加され、この走査パルスＰｓに同期した正極性の選択消去パルスが列電極Ｄkに印加される。これにより、列電極Ｄkを陽極とし走査電極Ｙjを陰極として列電極Ｄkと走査電極Ｙjとの間に選択消去放電が生起される。この結果、図１７（Ｂ）に示されるように選択消去期間Ｔｅの終了後は、走査電極Ｙjに近い壁面に正イオン粒子が蓄積され、列電極Ｄkに近い壁面に負イオン粒子が蓄積される。共通電極Ｘjには負極性のオフセットパルスＰｏｍが印加されるため、当該共通電極Ｘjに近い壁面には正イオン粒子が誘引され、安定して存在することができる。
【００９８】
前記選択消去期間Ｔｅに続く電荷調整期間Ｔａには、図１１に示されるように、共通電極Ｘjに正極性の調整パルスＰｘａが印加され、同時に、走査電極Ｙjに正極性の調整パルスＰｙａが印加される。これにより、陽極である共通電極Ｘjと陰極である列電極Ｄkとの間に対向放電が生起され、同時に、陽極である走査電極Ｙjと陰極である列電極Ｄkとの間に対向放電が生起される。この結果、図１７（Ｂ）に示されるように電荷調整期間Ｔａの終了後は、共通電極Ｘjに近い壁面に負イオン粒子が蓄積され、走査電極Ｙjに近い壁面に負イオン粒子が蓄積され、且つ列電極Ｄkに近い壁面に正イオン粒子が蓄積される。したがって、放電セルＣＬは「黒」状態に設定される。このように選択消去期間Ｔｅの直後に共通電極Ｘjと列電極Ｄk間、並びに走査電極Ｙjと列電極Ｄk間にそれぞれ対向放電を起こすので、これら対向放電を安定して発生させることができる。
【００９９】
次に、図１７（Ｃ）に示される第６のパターンについて以下に説明する。この場合、先頭サブフィールドＳＦ1の初期調整期間Ｔｒが終了した後、放電空間ＤＳ内にガス放電は生起されない。したがって、放電セルＣＬは、先頭サブフィールドＳＦ1の初期調整期間Ｔｒの終了後は、全てのサブフィールドＳＦ1〜ＳＦNの表示期間に亘って「黒」状態に設定され続ける。
【０１００】
上記の通り、第２実施例に係る階調制御法は、上記第１実施例の階調制御法と同様に、後続サブフィールドＳＦ2〜ＳＦNのいずれかの選択消去期間Ｔｅで走査電極Ｙjと列電極Ｄkとの間に選択消去放電を起こし、この直後の電荷調整期間Ｔａで走査電極Ｙjと列電極Ｄk間並びに共通電極Ｘjと列電極Ｄk間にそれぞれ対向放電を起こすことにより、共通電極Ｘjに近い壁面と走査電極Ｙjに近い壁面とに同一極性のイオン粒子が蓄積された壁電荷分布を持つ非発光状態の放電セルＣＬを得ることが可能である。それら対向放電は安定して生起されるので、最適な壁電荷分布を安定的に実現し得る。たとえば、図１６（Ｂ）および図１７（Ｂ）に示されるように、後続サブフィールドＳＦ2〜ＳＦNの電荷調整期間Ｔａの終了後に、走査電極Ｙjに近い壁面に負イオン粒子を、共通電極Ｘjに近い壁面に負イオン粒子を、列電極Ｄkに近い壁面に正イオン粒子をそれぞれ蓄積した非発光状態の放電セルＣＬが得られる。
【０１０１】
このような壁電荷分布を実現することにより、第２実施例に係る階調制御法は、暗所コントラストを向上させつつ、予期せぬ誤放電の発生を抑制して画質を向上させることが可能である。また、図１５に示されるように、最終サブフィールドＳＦNは第１実施例に係る消去期間Ｔｂを持たないため、表示輝度Ｌ（ｇ）に寄与しない背景発光輝度が抑制され、暗所コントラストの向上が可能となる。
【０１０２】
＜第３実施例＞
次に、本発明の第３実施例について説明する。図１８は、第３実施例に係る駆動シーケンスの例を概略的に示す図である。図１８の駆動シーケンスは、図１０に示した第Ｎ番目サブフィールドＳＦNの消去期間Ｔｂを持たないが、第（Ｎ＋１）番目サブフィールドＳＦN+1を有する点を除いて、図１０の駆動シーケンスと同じである。第（Ｎ＋１）番目サブフィールドＳＦN+1は選択消去期間Ｔｅのみを有する。
【０１０３】
サブフィールドＳＦN+1の選択消去期間Ｔｅにおいては、サブフィールドＳＦ2の選択消去期間Ｔｅ（図１１）と同様に、くさび状の調整パルスＰｘｃが共通電極Ｘ1〜Ｘnに印加され、同時にくさび状の調整パルスＰｙｃ，…，Ｐｙｃがそれぞれ走査電極Ｙ1，…，Ｙnに印加される。続いて、走査電極Ｙ1，…，Ｙnに負極性の走査パルスＰｓが順次印加され、正極性の選択消去パルス群Ｄｅ1，…，Ｄｅnの各々が各走査パルスＰｓに同期して列電極Ｄ1，…，Ｄmに印加される。これにより、表示パネル２において発光可能状態にある放電セルＣＬの全てが非発光状態に設定される。
【０１０４】
図１９に、図１８の駆動シーケンスを採用した場合に実現され得る放電セルＣＬの発光パターンを例示する。図１９は、映像信号の各フィールドを１３個のサブフィールドＳＦ1〜ＳＦ13に分解した場合の映像信号の階調レベルとこれに対応する発光パターンとの関係を示すものである。また、図１９には、階調レベルとこれに対応する階調調整信号ＶＳｂの値との関係、並びに、階調調整信号ＶＳｂの値と駆動データ信号ＤＤの値との関係（変換テーブル）が示されている。図１９において、記号「◎」は、先頭サブフィールドＳＦ1の選択書込期間Ｔｗで選択的に書込放電が発生し、且つ発光期間Ｔ1で維持放電が発生することを意味する。また、記号「○」は、サブフィールドＳＦ2〜ＳＦ12の発光期間Ｔ2〜Ｔ12のいずれかで維持放電が発生することを意味し、記号「●」は、サブフィールドＳＦ2〜ＳＦ13の選択消去期間Ｔｅのいずれかで選択消去放電が発生することを意味する。
【０１０５】
第３実施例に係るプラズマディスプレイ装置１も、上記の第１実施例と同様に、暗所コントラストを向上させつつ、予期せぬ誤放電の発生を抑制して画質を向上させることが可能である。
【０１０６】
＜第２変形例＞
次に、上記第１〜第３実施例の第２変形例について説明する。図２０（Ａ）は、サブフィールドＳＦk（ｋは２以上の整数）の選択消去期間Ｔｅにおいて選択消去放電が正常に発生した場合の壁電荷分布を示す図であり、図２０（Ｂ）は、サブフィールドＳＦkの選択消去期間Ｔｅにおいて選択消去放電が正常に発生しなかった場合の壁電荷分布を示す図である。
【０１０７】
図２０（Ａ）に示されるように、サブフィールドＳＦkの選択消去期間Ｔｅでは、走査電極Ｙjに負極性の走査パルスＰｓが印加され、この走査パルスＰｓに同期した選択消去パルス群Ｄｅjの正極性パルスが列電極Ｄkに印加される。これにより、走査電極Ｙjと列電極Ｄkとの間に放電空間ＤＳ内で対向放電が生起される。続く電荷調整期間Ｔａには、正極性の調整パルスＰｘａ，Ｐｙａがそれぞれ電極Ｘj，Ｙjに印加される。これにより、共通電極Ｘjと列電極Ｄk間に対向放電が生起され、同時に走査電極Ｙjと列電極Ｄk間に対向放電が生起されて、放電セルＣＬは非発光状態に設定される。よって、その後の発光期間Ｔkには、放電セルＣＬに維持放電は生起されず、可視光は放出されない。
【０１０８】
しかしながら、図２０（Ｂ）に示されるように、サブフィールドＳＦkの選択消去期間Ｔｅで選択消去放電が正常に発生しなかった場合は、電荷調整期間Ｔａが終了しても放電セルＣＬは発光可能状態に設定されている可能性がある。かかる場合、発光期間Ｔk，Ｔk+1，Ｔk+2，…において、放電セルＣＬに維持放電すなわち誤放電が発生して画質を劣化させる。
【０１０９】
このような誤放電の発生を確実に抑制するために、プラズマディスプレイ装置１は、サブフィールドＳＦkの選択消去期間Ｔｅで選択消去放電を起こすべき放電セルＣＬにおいて、後続サブフィールドＳＦk+1の選択消去期間Ｔｅに選択消去放電を発生させることができる。図２１に示されるように、サブフィールドＳＦkの選択消去期間Ｔｅで選択消去放電が正常に生起されなかった場合でも、後続のサブフィールドＳＦk+1の選択消去期間Ｔｅで走査電極Ｙjと列電極Ｄkとの間に選択消去放電を発生させれば、発光期間Ｔk+1，…における誤放電の発生を防止することができる。
【０１１０】
図２２に、第２変形例に係る放電セルＣＬの発光パターンを例示する。図２２は、映像信号の各フィールドを１２個のサブフィールドＳＦ1〜ＳＦ12に分解した場合の映像信号の階調レベルとこれに対応する発光パターンとの関係を示すものである。図２２において、記号「◎」は、先頭サブフィールドＳＦ1の選択書込期間Ｔｗで選択的に書込放電が発生し、且つ発光期間Ｔ1で維持放電が発生することを意味する。記号「○」は、サブフィールドＳＦ2〜ＳＦ12の発光期間Ｔ2〜Ｔ11のいずれかで維持放電が発生することを意味する。また、図２２に示される記号「●」は、サブフィールドＳＦ2〜ＳＦ12の選択消去期間Ｔｅのいずれかで選択消去放電が発生することを示す。そして、記号「△」は、サブフィールドＳＦ4〜ＳＦ12の選択消去期間Ｔｅのいずれかで選択消去放電が発生してもよいし、あるいは発生しなくてもよいことを示す。
【０１１１】
図２２に示されるように、プラズマディスプレイ装置１の駆動制御部１１は、或る表示セルＣＬに階調レベル「１」〜「１０」のいずれかの輝度を表示させるとき、当該表示セルＣＬにおいて連続配置された２つのサブフィールドＳＦk，ＳＦk+1（ｋは２〜１１の整数）の選択消去期間Ｔｅ，Ｔｅでそれぞれ選択消去放電を発生させるように駆動回路１５，１６Ａ，１６Ｂを制御する。これにより、サブフィールドＳＦkの選択消去期間Ｔｅで選択消去放電が正常に生起されなかった場合でも、駆動制御部１１は、後続のサブフィールドＳＦk+1の選択消去期間Ｔｅで選択消去放電を発生させて誤放電を防止できる。さらに確実に誤放電を防止するために、駆動制御部１１は、図２２の階調レベル「１」〜「９」に対応する発光パターンに示されるように、サブフィールドＳＦk+1に続くサブフィールドＳＦk+2，…の少なくとも一つの選択消去期間Ｔｅで選択消去放電を発生させてもよい。
【０１１２】
＜第３変形例＞
次に、上記第１〜第３実施例の第３変形例について説明する。図２３は、第３変形例を説明するための図である。図２３を参照すると、時間的に連続する複数のフィールドＦ1，Ｆ2，…，ＦPの表示期間に亘って放電セルＣＬが黒レベルの輝度表示をなす場合、当該放電セルＣＬでガス放電がほとんど発生しないため、他の放電セルＣＬと比べて、プライミング粒子の量が著しく低減する。このようにプライミング粒子の量が低減した放電セルＣＬがフィールドＦP+1の表示期間に発光レベル（黒レベル以外の階調レベル）の輝度表示をなすとき、他の放電セルＣＬと比べて放電遅れが発生し得るという問題がある。
【０１１３】
かかる問題を解決するために、図２に示されるプラズマディスプレイ装置１は、時間的に連続する所定数のフィールドに亘って黒レベルの輝度表示がなされるべき非発光セルＣＬを検出するセル検出部１０Ｂを有している。
【０１１４】
駆動制御部１１は、セル検出部１０Ｂによる検出結果に応じて、時間的に連続する複数のフィールドＦ1，Ｆ2，…，ＦPのうちの最終フィールドＦPの先頭サブフィールドＳＦ1の選択書込期間Ｔｗにおいて、非発光セルＣＬで書込放電を生起させて非発光セルＣＬを発光可能状態に設定する。よって、選択書込期間Ｔｗに続く発光期間Ｔ1では、共通電極Ｘjと走査電極Ｙjとの間で維持放電が発生する。その後、駆動制御部１１は、後続サブフィールドＳＦ2の選択消去期間Ｔｅにおいて、当該非発光セルＣＬで選択消去放電を生起させて当該非発光セルＣＬを非発光状態に設定する。
【０１１５】
前述の如く、非発光セルＣＬで放電を生起させることでプライミング粒子の量が補充され、図２３に示されるフィールドＦP+1の表示期間において放電遅れを改善することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【０１１６】
【図１】放電セルの発光パターンの一例を示す図である。
【図２】本発明の実施例に係るプラズマディスプレイ装置の概略構成を示す図である。
【図３】プラズマディスプレイ装置の表示パネルの構成を示す平面図である。
【図４】図３に示される表示パネルのＶ３−Ｖ３切断線での断面の一例を示す図である。
【図５】図３に示される表示パネルのＷ２−Ｗ２切断線での断面の一例を示す図である。
【図６】図３に示される表示パネルのＶ３−Ｖ３切断線での断面の他の例を示す図である。
【図７】図３に示される表示パネルのＷ２−Ｗ２切断線での断面の他の例を示す図である。
【図８】放電セルの蛍光体層上に成膜された電子放出膜を概略的に示す図である。
【図９】放電セルの蛍光体層内に散在する電子放出材料の結晶体粒子を概略的に示す図である。
【図１０】本発明の第１実施例に係る駆動シーケンスの例を概略的に示す図である。
【図１１】図１０の駆動シーケンスによる駆動信号の波形を概略的に例示するタイミングチャートである。
【図１２】（Ａ）は、図１０に示される調整パルスＰｘａ，Ｐｙａの波形を一例として示す図であり、（Ｂ）は、図１０に示される調整パルスＰｘａ，Ｐｙａの波形の他の例を示す図である。
【図１３】図１０の駆動シーケンスにより実現される発光パターンを例示する図である。
【図１４】（Ａ）は、図１０の駆動シーケンスに従って放電セルの状態が黒状態（非発光状態）、白状態（発光可能状態）、白状態（発光可能状態）の順に遷移する場合の放電セル内の電荷分布の変化を表す説明図であり、（Ｂ）は、放電セルの状態が黒状態、白状態、黒状態の順に遷移する場合の放電セル内の電荷分布の変化を表す説明図であり、（Ｃ）は、放電セルの状態が黒状態、黒状態、黒状態の順に遷移する場合の放電セル内の電荷分布の変化を表す説明図である。
【図１５】本発明の第２実施例に係る駆動シーケンスの例を概略的に示す図である。
【図１６】（Ａ）は、図１５の駆動シーケンスに従って放電セルの状態が白状態、白状態、白状態の順に遷移する場合の放電セル内の電荷分布の変化を表す説明図であり、（Ｂ）は、放電セルの状態が白状態、白状態、黒状態の順に遷移する場合の放電セル内の電荷分布の変化を表す説明図であり、（Ｃ）は、放電セルの状態が白状態、黒状態、黒状態の順に遷移する場合の放電セル内の電荷分布の変化を表す説明図である。
【図１７】（Ａ）は、図１５の駆動シーケンスに従って放電セルの状態が黒状態、白状態、白状態の順に遷移する場合の放電セル内の電荷分布の変化を表す説明図であり、（Ｂ）は、放電セルの状態が黒状態、白状態、黒状態の順に遷移する場合の放電セル内の電荷分布の変化を表す説明図であり、（Ｃ）は、放電セルの状態が黒状態、黒状態、黒状態の順に遷移する場合の放電セル内の電荷分布の変化を表す説明図である。
【図１８】本発明の第３実施例に係る駆動シーケンスの例を概略的に示す図である。
【図１９】図１０の駆動シーケンスにより実現される発光パターンを例示する図である。
【図２０】本発明の第１〜第３実施例の第２変形例に係る階調制御を説明するための図である。
【図２１】第２変形例に係る階調制御を説明するための図である。
【図２２】第２変形例に係る発光パターンを例示する図である。
【図２３】本発明の第１〜第３実施例の第３変形例に係る階調制御を説明するための図である。
【符号の説明】
【０１１７】
１  プラズマディスプレイ装置
２  表示パネル
１０  コントローラ
１０Ａ  重み割り当て部
１０Ｂ  セル検出部
１１  駆動制御部
１２  階調調整部
１３  駆動データ生成部
１４  メモリ回路
１５  列電極駆動部
１６Ａ  第１行電極駆動部
１６Ｂ  第２行電極駆動部
【図１】
2008122684.tif 000004
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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