(57)【要約】【課題】加工精度を維持しつつ、装置重量及び費用的負担等を軽減することを可能とする基板加工装置及び基板支持装置等を提供する。【解決手段】基板加工装置１は、Ｘ方向移動装置５、θ方向回転装置７、エア浮上装置１１等を備える。Ｘ方向移動装置５は、ベース２４のＸ方向中央部に設置される。θ方向回転装置７は、Ｘ方向移動装置５の上部に設けられ、Ｘ方向に移動可能である。θ方向回転装置７の上部には、吸着盤４が設けられる。エア浮上装置１１は、基板３を空気圧で押し上げあるいは吸引することにより、非接触に支持する装置である。吸着盤４のＹ方向長は、基板３のＹ方向長より小さい。基板加工装置１は、基板３の略全面を吸着盤４及びエア浮上装置１１により支持するので、撓みやばたつきが生じず、Ｚ方向精度を維持する。また、吸着盤４の大きさを小さくすることができるので、装置重量や装置製作費用を軽減することができる。【選択図】図１
2008147291.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の支持を行う基板支持装置であって、
所定方向に移動可能な少なくとも１軸の移動装置と、
前記移動装置の上部に設けられ、前記所定方向に対して垂直方向の幅が前記基板の幅より小さい領域において前記基板を吸着する吸着盤と、
前記吸着盤により吸着される領域以外の領域をエア浮上により非接触支持するエア浮上装置と、
を具備することを特徴とする基板支持装置。
【請求項２】
前記吸着盤は、前記基板の少なくとも中央部を吸着して支持することを特徴とする請求項１に記載の基板支持装置。
【請求項３】
前記移動装置の上部に、前記吸着盤を回転させる回転装置を具備することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の基板支持装置。
【請求項４】
前記エア浮上装置による前記基板の浮上量は、前記吸着盤の吸着面と前記エア浮上装置のエア供給面との高低差であることを特徴とする請求項１から請求項３までのいずれかに記載の基板支持装置。
【請求項５】
前記移動装置の上部に、前記吸着盤により吸着される領域の前後少なくともいずれかの領域をエア浮上により非接触支持するエアフロートユニットを具備することを特徴とする請求項１から請求項４までのいずれか基板支持装置。
【請求項６】
基板の支持を行う基板支持方法であって、
前記所定方向に対して垂直方向の幅が前記基板の幅より小さい領域において前記基板を吸着する吸着ステップと、
前記吸着盤により吸着される領域以外の領域をエア浮上により非接触支持するエア浮上ステップと、
前記吸着された基板を所定方向に移動させる移動ステップと、
を具備することを特徴とする基板支持方法。
【請求項７】
前記吸着ステップは、前記基板の少なくとも中央部を吸着して支持することを特徴とする請求項６に記載の基板支持方法。
【請求項８】
前記吸着された基板を回転させる回転ステップを具備することを特徴とする請求項６または請求項７に記載の基板支持方法。
【請求項９】
前記エア浮上ステップは、前記吸着ステップにおける吸着面と前記エア浮上ステップにおけるエア供給面との高低差を前記基板の浮上量とすることを特徴とする請求項６から請求項８までのいずれかに記載の基板支持方法。
【請求項１０】
前記エア浮上ステップは、前記吸着ステップにより吸着される領域の前後少なくともいずれかの領域をエア浮上により非接触支持することを特徴とする請求項６から請求項９までのいずれかに記載の基板支持方法。
【請求項１１】
基板の加工を行う基板加工装置であって、
所定方向に移動可能な少なくとも１軸の移動装置と、
前記移動装置の上部に設けられ、前記所定方向に対して垂直方向の幅が前記基板の幅より小さい領域において前記基板を吸着する吸着盤と、
前記吸着盤により吸着される領域以外の領域をエア浮上により非接触支持するエア浮上装置と、
前記基板に加工処理を行う加工装置と、
を具備することを特徴とする基板加工装置。
【請求項１２】
前記吸着盤は、前記基板の少なくとも中央部を吸着して支持することを特徴とする請求項１１に記載の基板加工装置。
【請求項１３】
前記移動装置の上部に、前記吸着盤を回転させる回転装置を具備することを特徴とする請求項１１または請求項１２に記載の基板加工装置。
【請求項１４】
前記エア浮上装置による前記基板の浮上量は、前記吸着盤の吸着面と前記エア浮上装置のエア供給面との高低差であることを特徴とする請求項１１から請求項１３までのいずれかに記載の基板加工装置。
【請求項１５】
前記移動装置の上部に、前記吸着盤により吸着される領域の前後少なくともいずれかの領域をエア浮上により非接触支持するエアフロートユニットを具備することを特徴とする請求項１１から請求項１４までのいずれか基板加工装置。
【請求項１６】
基板の加工を行う基板加工方法であって、
前記所定方向に対して垂直方向の幅が前記基板の幅より小さい領域において前記基板を吸着する吸着ステップと、
前記吸着盤により吸着される領域以外の領域をエア浮上により非接触支持するエア浮上ステップと、
前記吸着された基板を所定方向に移動させる移動ステップと、
前記基板に加工処理を行う加工ステップと、
を具備することを特徴とする基板加工方法。
【請求項１７】
前記吸着ステップは、前記基板の少なくとも中央部を吸着して支持することを特徴とする請求項１６に記載の基板加工方法。
【請求項１８】
前記吸着された基板を回転させる回転ステップを具備することを特徴とする請求項１６または請求項１７に記載の基板加工方法。
【請求項１９】
前記エア浮上ステップは、前記吸着ステップにおける吸着面と前記エア浮上ステップにおけるエア供給面との高低差を前記基板の浮上量とすることを特徴とする請求項１６から請求項１８までのいずれかに記載の基板加工方法。
【請求項２０】
前記エア浮上ステップは、前記吸着ステップにより吸着される領域の前後少なくともいずれかの領域をエア浮上により非接触支持することを特徴とする請求項１６から請求項１９までのいずれかに記載の基板加工方法。
【請求項２１】
前記加工装置が行う加工処理は、塗布処理またはレーザ描画処理を含むことを特徴とする請求項１１から請求項１５までのいずれかに記載の基板加工装置。
【請求項２２】
請求項１６から請求項２０に記載の基板加工方法を用いて表示装置の構成部材を製造する表示装置構成部材の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ガラス基板等の基板の加工処理を行う基板加工装置、当該基板を支持する基板支持装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、基板加工装置は、ガラス基板等の薄板状の基板（ワーク）をステージ上に載置し、当該ステージを介して位置決めを行い、基板上に精密パターニング加工を行う。基板上にパターン形成を行う場合、相当の精度が要求され、加工対象の基板を定盤上の所定の位置に精度よく載置することが要求される。
近年、液晶カラーフィルター等のディスプレイの分野では、Ｇ６世代（１５００ｍｍ×１８００ｍｍ）、Ｇ７世代（１８７０ｍｍ×２２００ｍｍ）等、ガラス基板のサイズが大型化すると共に、装置重量、装置コスト等が増大する傾向にある。
また、装置重量の軽量化、低コスト化を図るべく、エアスライダ方式の薄板搬送装置が提案されている（例えば、［特許文献１］参照。）。
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−２３８１３３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、従来の基板加工装置では、装置の大型化に起因する設備費用が増大するという問題点がある。
基板の搬送及び加工にステージが必要であり、石製ステージの移動定盤は、基板のサイズよりも大きい。また、移動定盤、移動定盤を走行させるスライダ及びスライドレール、これらを支持するベースは、相応の剛性を維持すべく設計される。
従って、装置の大型化、装置重量、設置場所の耐荷重、装置搬送コスト等が増大し、また、大型移動定盤の平面研削やハンドラップによる精度出し加工等に要する費用的負担が増大するという問題点がある。
また、［特許文献１］に示される薄板搬送装置は、アライメント装置を備えておらず、カラーフィルター等の精密パターニングに用いることが困難であるという問題点がある。
【０００５】
また、以下の（１）〜（３）に示す理由等により、加工装置と基板との間のＺ方向の相対位置精度を維持することが必要である。
尚、Ｚ軸は鉛直方向回転軸を示し、θ方向はその回転方向を示す。Ｙ軸は加工幅方向を示し、Ｘ軸は加工方向を示し、Ｚ軸、Ｙ軸、Ｘ軸は、互いに直角をなす。
（１）加工装置がインクジェットヘッドユニットの場合、基板がインクジェットヘッドに対して、Ｘ方向またはＹ方向に相対的に移動する場合、基板がＺ方向にばたつくと、インクジェットヘッドと基板との間のギャップが変動し、Ｘ方向またはＹ方向の着弾位置がずれてしまう。
（２）加工装置がダイヘッドユニットの場合、基板がダイヘッドに対して、Ｘ方向またはＹ方向に相対的に移動する場合、基板がＺ方向にばたつくと、ダイヘッドと基板との間のギャップが変動することにより、塗布膜厚も変動してしまう。
（３）加工装置がレーザー照射ヘッドユニットの場合、基板がレーザー照射ヘッドに対して、Ｘ方向またはＹ方向に相対的に移動する場合、基板がＺ方向にばたつくと、レーザー照射ヘッドと基板との間のギャップが変動することにより、焦点距離が変化し、描画状態が変動する。
【０００６】
本発明は、以上の問題点に鑑みてなされたものであり、加工精度を維持しつつ、装置重量及び費用的負担等を軽減することを可能とする基板加工装置及び基板支持装置等を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前述した目的を達成するために第１の発明は、基板の支持を行う基板支持装置であって、所定方向に移動可能な少なくとも１軸の移動装置と、前記移動装置の上部に設けられ、前記所定方向に対して垂直方向の幅が前記基板の幅より小さい領域において前記基板を吸着する吸着盤と、前記吸着盤により吸着される領域以外の領域をエア浮上により非接触支持するエア浮上装置と、を具備することを特徴とする基板支持装置である。
【０００８】
第１の発明の基板支持装置は、移動装置と吸着盤とエア浮上装置とを備える。吸着盤は、移動装置の上部に設けられる。吸着盤は、基板の全面ではなく一部の領域を吸着する。吸着盤が吸着する領域は、移動方向に対して垂直方向の幅が基板の幅より小さい。所定方向（移動方向）に対して垂直方向とは、所定方向（移動方向）及び鉛直方向の双方に垂直な方向であり、基板あるいは吸着盤の幅方向を示す。
【０００９】
また、吸着盤は、基板の少なくとも中央部を吸着することが望ましい。また、移動装置の上部に吸着盤を回転させて基板のアライメントを行う回転装置を設けてもよい。また、エア浮上装置による基板の浮上量は、吸着盤の吸着面とエア浮上装置のエア供給面との高低差であることが望ましい。また、移動装置の上部であって吸着盤の前後にエアフロートユニットを設けてもよい。
【００１０】
第１の発明では、基板支持装置は、基板の一部の領域を吸着盤により吸着固定して支持し、基板の他の領域をエア浮上装置によりエア浮上させて支持する。基板加工装置は、基板の略全面を吸着盤及びエア浮上装置により支持するので、撓みやばたつきが生じず、Ｚ方向精度を維持する。加工精度を向上させることができる。また、吸着盤の大きさを小さくすることができるので、装置重量や装置製作費用を軽減することができる。
【００１１】
第２の発明は、基板の支持を行う基板支持方法であって、前記所定方向に対して垂直方向の幅が前記基板の幅より小さい領域において前記基板を吸着する吸着ステップと、前記吸着盤により吸着される領域以外の領域をエア浮上により非接触支持するエア浮上ステップと、前記吸着された基板を所定方向に移動させる移動ステップと、を具備することを特徴とする基板支持方法である。
【００１２】
第２の発明は、基板の支持を行う基板支持方法に関する発明である。
【００１３】
第３の発明は、基板の加工を行う基板加工装置であって、所定方向に移動可能な少なくとも１軸の移動装置と、前記移動装置の上部に設けられ、前記所定方向に対して垂直方向の幅が前記基板の幅より小さい領域において前記基板を吸着する吸着盤と、前記吸着盤により吸着される領域以外の領域をエア浮上により非接触支持するエア浮上装置と、前記基板に加工処理を行う加工装置と、を具備することを特徴とする基板加工装置である。
【００１４】
第３の発明は、第１の発明の基板支持装置により基板支持を行い、基板に加工装置による加工処理を行う基板加工装置に関する発明である。基板加工装置は、インクジェットヘッド、ダイコート、レーザ照射ヘッド等の加工装置により基板に加工処理を行う装置である。基板加工装置は、例えば、コータ、インクジェット装置、レーザ描画装置等である。
【００１５】
第４の発明は、基板の加工を行う基板加工方法であって、前記所定方向に対して垂直方向の幅が前記基板の幅より小さい領域において前記基板を吸着する吸着ステップと、前記吸着盤により吸着される領域以外の領域をエア浮上により非接触支持するエア浮上ステップと、前記吸着された基板を所定方向に移動させる移動ステップと、前記基板に加工処理を行う加工ステップと、を具備することを特徴とする基板加工方法である。
【００１６】
第４の発明は、基板の加工処理を行う基板加工方法に関する発明である。
【００１７】
第５の発明は、第４の発明の基板加工方法を用いて表示装置の構成部材を製造する表示装置構成部材の製造方法である。表示装置構成部材は、例えば、有機ＥＬ（ｏｒｇａｎｉｃ  ＥｌｅｃｔｒｏＬｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子やカラーフィルタ等である。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、加工精度を維持しつつ、装置重量及び費用的負担等を軽減することを可能とする基板加工装置及び基板支持装置等を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、添付図面を参照しながら、本発明に係る基板加工装置等の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、以下の説明及び添付図面において、略同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略することにする。
【００２０】
（１．基板加工装置１の構成）
最初に、図１及び図２を参照しながら、本発明の実施形態に係る基板加工装置１の構成について説明する。
図１は、基板加工装置１の概略斜視図である。
図２は、基板加工装置１のＹＺ平面断面図である。
尚、Ｘ方向は基板３の搬送方向を示し、Ｙ方向は加工装置１７の移動方向や基板３あるいは吸着盤４の幅方向を示し、Ｚ方向は鉛直方向回転軸を示し、θ方向はその回転方向を示す。Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸は、互いに直角をなす。
【００２１】
基板加工装置１は、Ｘ方向移動装置５、θ方向回転装置７、エア浮上装置１１、加工装置１７、Ｙ方向移動装置１９、アライメントカメラ２１、ガントリ２３、ベース２４等から構成される。
【００２２】
基板加工装置１は、基板３に対して加工装置１７により加工処理を施し、カラーフィルタ、電子回路等の微細ピッチのパターン等を形成する装置である。
基板３は、加工処理の対象物であり、例えば、ガラス基板、シリコンウェハ、プリント基板等の基板である。
【００２３】
Ｘ方向移動装置５は、ベース２４のＸ方向中央部に設置される。Ｘ方向移動装置５は、基板３を支持し、Ｘ方向に移動させると共に、Ｘ方向の位置決めを行う装置である。Ｘ方向移動装置５は、ガイド機構２７、移動用アクチュエータ２９を備える。ガイド機構２７は、例えば、スライダ及びスライドレール、エアースライドである。移動用アクチュエータ２９は、例えば、ステップモータ、サーボモータ、リニアモータである。
【００２４】
θ方向回転装置７は、Ｘ方向移動装置５の上部に設けられ、Ｘ方向に移動可能である。θ方向回転装置７の上部には、吸着盤４が設けられる。θ方向回転装置７は、吸着盤４に吸着された基板３をθ方向に回転させてアライメント処理を行う。θ方向回転装置７は、例えば、ダイレクトドライブモータである。
【００２５】
吸着盤４は、基板３を吸着して固定支持する装置である。基板３の吸着は、吸着盤４と基板３との間の空気を減圧あるいは真空にすることにより行われる（バキューム、吸気）。吸着盤４には、空気を吸引するための小孔（図示しない）が設けられる。
【００２６】
エア浮上装置１１は、エアフロートであり、基板３を空気圧で押し上げあるいは吸引することにより、非接触に支持する装置である。エア浮上装置１１は、複数のエアフロートユニットや多孔質板等により構成することができる。エア浮上装置１１は、所定のＺ方向精度（基板３と加工装置１７との間の相対距離精度）を実現する。
エア浮上量１３は、エア浮上装置１１のエア供給面の高さと吸着盤３１の吸着面の高さとの差である。エア浮上量１３は、小さいほどＺ方向精度を向上させることができるので、例えば、５００μｍ以下とすることが望ましい。一方、エア浮上量１３を小さくするに伴いＸ方向移動装置５の上下真直度も向上させる必要があるので、エア浮上量１３は、例えば、１０μｍ以上とすることが望ましい。
間隔１５は、エア浮上装置１１と吸着盤４との間隔である。間隔１５は、基板３のアライメント処理時に吸着盤４が回転可能な間隔とすることが望ましい。
【００２７】
加工装置１７は、基板３に対して加工処理を施す装置であり、例えば、インクジェットヘッドユニット、ダイコートユニット、レーザ照射ヘッドユニット等である。加工装置１７は、Ｙ方向移動装置１９を介してガントリ２３に設けられる。Ｙ方向移動装置１９は、加工装置１７をＹ方向に移動させて位置決めを行う。
【００２８】
アライメントカメラ２１は、θ方向回転装置７に吸着固定された基板３のθ方向角度及びＸＹ座標を検出するために、基板３の所定箇所（基板上に形成されるアライメントマークやパターン等）を撮像するカメラである。アライメントカメラ２１は、基板加工装置１のフレーム２０に固定支持される。アライメントカメラ２１を複数設けてもよいし、異なる視野（例えば、高精度用、粗精度用）のアライメントカメラ２１を設けるようにしてもよい。
【００２９】
（２．プロセス制御）
次に、図３を参照しながら、基板加工装置１のプロセス制御について説明する。
図３は、基板加工装置１のプロセス制御の流れを示す図である。
アライメントカメラ２１の撮像画像は、画像処理装置３７に入力される。画像処理装置３７は、撮像画像に基づいて基板３のθ方向角度及びＸＹ座標を抽出する処理を行う。ステージコントローラ３９は、抽出したデータを所定のデータと比較してそれらの偏差を算出し、偏差を小さくするように制御量を演算する。
【００３０】
サーボアンプθ４１は、ステージコントローラ３９から送られるθ方向制御量に基づいてθ方向回転装置７に制御信号を送出する。θ方向回転装置７は、基板３のθ方向のアライメントを行う。
サーボアンプＸ４３は、ステージコントローラ３９から送られるＸ方向制御量に基づいてＸ方向移動装置５に制御信号を送出する。Ｘ方向移動装置５は、基板３をＸ方向に移動させる。
サーボアンプＹ４５は、ステージコントローラ３９から送られるＹ方向制御量に基づいてＹ方向移動装置１９に制御信号を送出する。Ｙ方向移動装置１９は、加工装置１７をＹ方向に移動させる。
プロセスシステム４７は、ステージコントローラ３９から送られる制御量に基づいて、加工装置１７の加工タイミングを調整する。
【００３１】
（３．基板加工装置１の動作）
次に、図４を参照しながら、基板加工装置１の動作について説明する。
【００３２】
図４は、基板加工装置１の動作を示すフローチャートである。
基板加工装置１は、搬送処理（ステップ１０１）、補正量算出処理（ステップ１０２）、アライメント処理（ステップ１０３）、加工処理（ステップ１０４）の各処理を順次行う。
【００３３】
（３−１．搬送処理：ステップ１０１）
基板加工装置１は、基板３の一部を吸着盤４により吸着固定し、基板３の他の部分をエア浮上装置１１によりエア浮上させて非接触支持する。基板加工装置１は、Ｘ方向移動装置５によりθ方向回転装置７及び基板３をＸ方向に移動させて加工装置１７の下方まで搬送する。
【００３４】
（３−２．補正量算出処理：ステップ１０２）
基板加工装置１は、アライメントカメラ２１により基板３に付されたアライメントマークを撮像し、当該アライメントマークのＸＹ座標に基づいてθ方向の補正量及びＸ方向ずれ量及びＹ方向ずれ量を算出する。
【００３５】
（３−３．アライメント処理：ステップ１０３）
基板加工装置１は、ステップ１０２の処理により算出したθ方向補正量に基づいて、θ方向回転装置７により基板３をθ方向に回転させてアライメント処理を行う。
【００３６】
（３−４．加工処理：ステップ１０４）
基板加工装置１は、Ｙ方向ずれ量に基づいて加工装置１７のＹ方向位置決めを行い、Ｘ方向ずれ量に基づいて加工処理の開始タイミング及び停止タイミングを調整し、加工装置１７により基板３に対して加工処理を行う。
【００３７】
尚、基板３と加工装置１７との間の相対距離精度（Ｚ方向精度）を向上させるべく、加工装置１７側に基板３の位置を測定するセンサを設け、リアルタイムにフィードバックして、エア浮上装置１１の空気圧を制御するようにしてもよい。
【００３８】
以上の過程を経て、基板加工装置１は、基板３の一部を吸着盤４により吸着固定し、基板３の他の部分をエア浮上装置１１によりエア浮上させて非接触支持し、Ｘ方向移動装置５により基板３をＸ方向に搬送し、θ方向回転装置７により基板３のθ方向の位置決め行い、エア浮上装置１１によりＺ方向精度を維持して基板３の加工を行う。
【００３９】
（４．吸着盤４の形態）
次に、図５〜図９を参照しながら、吸着盤４の形態について説明する。
【００４０】
（４−１．吸着盤長と基板長とが同一）
図５は、吸着盤４の一態様である吸着盤４ａを示す図である。
吸着盤４ａのＸ方向長５３ａは、基板３のＸ方向長５１と略同一である。吸着盤４ａのＹ方向長５４は、基板３のＹ方向長５２より小さい。吸着盤４ａは、基板３のＸ方向中央部分６１を吸着することにより固定支持する。エア浮上装置１１は、基板３のＸ方向外側部分６３をエア浮上により非接触支持する。
【００４１】
これにより、基板３は、全面に渡って支持されるので、撓みやばたつきが生じず、Ｚ方向精度を向上させることができる。また、吸着盤４ａの大きさを基板３の大きさより小さくすることができるので、装置重量や装置製作費用を軽減することができる。
【００４２】
（４−２．吸着盤長が基板長より長い）
図６は、吸着盤４の一態様である吸着盤４ｂを示す図である。
図５では、吸着盤４ａのＸ方向長５３ａは、基板３のＸ方向長５１と略同一であるが、図６では、吸着盤４ｂのＸ方向長５３ｂは、基板３のＸ方向長５１より長い。
吸着盤４ｂは、基板３のＸ方向中央部分６１を吸着することにより固定支持する。エア浮上装置１１は、基板３のＸ方向外側部分６３をエア浮上により非接触支持する。
これにより、基板３よりＸ方向長が大きい基板にも対応可能である。
【００４３】
（４−３．吸着盤長が基板長より短い）
図７は、吸着盤４の一態様である吸着盤４ｃを示す図である。
図５では、吸着盤４ａのＸ方向長５３は、基板３のＸ方向長５１と略同一であるが、図７では、吸着盤４ｃのＸ方向長５３ｃは、基板３のＸ方向長５１より短い。
吸着盤４ｃは、基板３の中央部分６５を吸着することにより固定支持する。エア浮上装置１１は、基板３のＸ方向外側部分６３をエア浮上により非接触支持する。尚、基板３のＸ方向前後部分６７は、支持されない。
【００４４】
これにより、吸着盤４ｃの大きさをさらに小さくすることができるので、装置重量や装置製作費用を軽減することができる。
【００４５】
（４−４．吸着盤のＸ方向前後にエアフロートユニット）
図８は、吸着盤４の一態様である吸着盤４ｄを示す図である。
図９は、図８のＡ−Ａ線断面図である。
【００４６】
図７では、吸着盤４ｃのＸ方向長５３ｃは、基板３のＸ方向長５１より短く、基板３のＸ方向前後部分６７は、支持されない。図８及び図９では、吸着盤４ｄのＸ方向前後にエアフロートユニット７１が設けられる。
θ方向回転装置７の上部に支持部材７３が設けられ、支持部材７３の上部に吸着盤４ｄ及びエアフロートユニット７１が設けられる。吸着盤４ｄは、支持部材７３のＸ方向中央部に設けられ、エアフロートユニット７１は、支持部材７３のＸ方向前後部分に設けられる。
【００４７】
吸着盤４ｄは、基板３の中央部分６５を吸着することにより固定支持する。エア浮上装置１１は、基板３のＸ方向外側部分６３をエア浮上により非接触支持する。エアフロートユニット７１は、基板３のＸ方向前後部分６７をエア浮上により非接触支持する。
【００４８】
これにより、吸着盤４ｄの大きさを小さくすることができるので、装置重量や装置製作費用を軽減することができる。また、基板３は、Ｘ方向前後部分６７についても支持されるので、撓みやばたつきが生じず、Ｚ方向精度を向上させることができる。
【００４９】
（４−５．）
以上説明したように、基板加工装置１は、基板３の一部の領域を吸着盤４により吸着固定して支持し、基板３の他の領域をエア浮上装置１１によりエア浮上させて支持する。基板加工装置１は、基板３の略全面を吸着盤４及びエア浮上装置１１により支持するので、撓みやばたつきが生じず、Ｚ方向精度を維持して加工精度を向上させることができる。また、吸着盤４の大きさを小さくすることができるので、装置重量や装置製作費用を軽減することができる。
【００５０】
（５．エアフロートの構成及び制御）
図１０は、エアフロートユニットの配置の一態様を示す図である。
図１１は、エアフロートのブロック制御の一態様を示す図である。
エア浮上装置１１の構成及び制御については、様々な形態を採ることができる。
【００５１】
図１０に示すように、複数のエアフロートユニット９１を配置することにより、エア浮上装置１１を構成するようにしてもよい。
エアフロートユニット９１の配置は、要求精度に応じて配置することが望ましい。
【００５２】
図１１に示すように、一体型のエアフロートを用いる場合には、複数のブロック９３毎にエア流路（エア系統）を設け、エア領域の範囲及びエア流量及びエア圧力を制御してもよい。
【００５３】
このように、エアフロートのエア流量やエア圧力を制御することにより、基板３のＺ方向精度を調整することができる。例えば、エアフロートで支持した基板表面に凹凸や傾斜が存在する場合であっても、当該領域近傍のエア流量やエア圧力を制御することにより、精度を改善することができる。尚、石定盤の場合には、設置後に位置精度を改善することは困難である。
【００５４】
（６．その他）
Ｘ方向移動装置５の軸数は、特に限定されない。軸数に関しては、基板３の大きさや形状や重量に応じて少なくとも１軸設ければよい。設置位置に関しては、基板３の中央部を支持する位置とすることが望ましいが、基板３の中央部以外の部分を支持する位置でもよい。尚、Ｘ方向移動装置５の軸数を複数とする場合には、各軸毎に吸着盤４及びθ方向回転装置７を設けることが望ましい。
【００５５】
また、上述の実施の形態では、θ方向回転装置７は、Ｘ方向移動装置５の上部に設けられ、基板３のアライメント処理を行い、Ｘ方向に移動可能であるものとして説明したが、θ方向回転装置をＸ方向移動装置５以外に固定配置するようにしてもよい。
【００５６】
また、上述の実施の形態では、基板を加工する基板加工装置について説明したが、基板や印刷物等の検査対象物を検査する検査装置に適用することもできる。
【００５７】
以上、添付図面を参照しながら、本発明にかかる基板加工装置の好適な実施形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、本願で開示した技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】基板加工装置１の概略斜視図
【図２】基板加工装置１のＹＺ平面断面図
【図３】基板加工装置１のプロセス制御の流れを示す図
【図４】基板加工装置１の動作を示すフローチャート
【図５】吸着盤４の一態様である吸着盤４ａを示す図
【図６】吸着盤４の一態様である吸着盤４ｂを示す図
【図７】吸着盤４の一態様である吸着盤４ｃを示す図
【図８】吸着盤４の一態様である吸着盤４ｄを示す図
【図９】図８のＡ−Ａ線断面図
【図１０】エアフロートユニットの配置の一態様を示す図
【図１１】エアフロートのブロック制御の一態様を示す図
【符号の説明】
【００５９】
１………基板加工装置
３………基板
４、４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄ………吸着盤
５………Ｘ方向移動装置
７………θ方向回転装置
１１………エア浮上装置
１３………エア浮上量
１５………間隔
１７………加工装置
１９………Ｙ方向移動装置
２０………フレーム
２１………アライメントカメラ
２３………ガントリ
２４………ベース
２７………ガイド機構
２９………移動用アクチュエータ
３７………画像処理装置
３９………ステージコントローラ
４１………サーボアンプθ
４３………サーボアンプＸ
４５………サーボアンプＹ
４７………プロセスシステム
５１………基板３のＸ方向長
５２………基板３のＹ方向長
５３ａ、５３ｂ、５３ｃ………吸着盤４のＸ方向長
５４………吸着盤４のＹ方向長
７１………エアフロートユニット
７３………支持部材
９１………エアフロートユニット
９３………ブロック
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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