(57)【要約】【課題】目標厚さの異なるチップが混在するウェーハから、個片化した目標厚さのチップを効率的に得る。【解決手段】ウェーハ１の各チップ３を検査してチップ３の目標厚さに関するマッピングデータを取得する。次に切断予定ライン２に、チップ３の最大厚さを超える溝加工か、もしくは切断加工を施し、表面に保護テープ５を貼着してから、研削加工装置１０のチャックテーブル１７上に裏面を露出させてウェーハ１を保持する。次に、裏面研削してウェーハ１を第１の目標厚さに薄化し、この後、マッピングデータに基づきピックアップ装置４０によって第１の目標厚さのチップ３をピックアップする。引き続き裏面研削による目標厚さまでのウェーハ１の薄化とその目標厚さのチップ３のピックアップといった工程を繰り返し、個片化したチップ３を厚さ別に得る。【選択図】図２
2008218599.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に形成された複数のチップが切断予定ラインによって区画されているウェーハから、各チップを異なる厚さグループに分けながら薄化して個片化するウェーハの加工装置であって、
ウェーハの各チップを検査装置により検査してチップごとの検査データを取得する検査データ取得工程と、
検査後のウェーハの前記切断予定ラインに、得るべきチップの最大厚さを超える深さの溝を形成するか、もしくは該切断予定ラインを切断する溝形成工程と、
該溝形成工程を経たウェーハの表面に保護テープを貼着する保護テープ貼着工程と、
前記保護テープが貼着された前記ウェーハの保護テープ側を前記吸着テーブルに吸着し、かつ裏面側が露出する状態に保持するウェーハ保持工程と、
前記吸着テーブルに保持したウェーハの露出する裏面を研削して、該ウェーハをチップの最大厚さの第１の目標厚さまで薄化する第１薄化工程と、
前記検査データ取得工程で取得した検査データに基づき、前記ウェーハの中から、前記第１の目標厚さで使用されるチップを選択して当該チップを前記吸着テーブルからピックアップする第１ピックアップ工程と、
該第１ピックアップ工程を経たウェーハの裏面を引き続き研削して、該ウェーハをチップの２番目の厚さの第２の目標厚さまで薄化する第２薄化工程と、
前記検査データ取得工程で取得した検査データに基づき、前記ウェーハの中から、前記第２の目標厚さで使用されるチップを選択して当該チップを前記吸着テーブルからピックアップする第２ピックアップ工程と
を少なくとも備えることを特徴とするウェーハの加工方法。
【請求項２】
前記保護テープが、外的刺激によって粘着力が低下する粘着材によって前記ウェーハの表面に貼着されていることを特徴とする請求項１に記載のウェーハの加工方法。
【請求項３】
表面に形成された複数のチップが切断予定ラインによって区画されているウェーハから、各チップを異なる厚さグループに分けながら薄化して個片化するウェーハの加工装置であって、
薄化前のウェーハの各チップを検査して得られたチップごとの検査結果からマッピングデータを記憶する検査結果記憶手段と、
裏面側が露出する状態にウェーハを吸着、保持する吸着テーブルと、
該吸着テーブルに保持したウェーハの裏面を研削してウェーハを薄化する薄化手段と、
該薄化手段によって薄化されるウェーハから、前記検査結果に基づいて目標厚さに到達したチップを、前記吸着テーブルからピックアップするピックアップ手段
とを備えることを特徴とするウェーハの加工装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、異なる厚さで使用するチップが混在して形成されたウェーハから、所望厚さのチップを個片化して得るウェーハの加工方法および加工装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体チップは、シリコンウェーハ等の半導体ウェーハの表面に同一品種のものが多数形成され、ウェーハをチップごとに分割して個片化することにより得られる。半導体チップは１つ１つがパッケージングされて製品化されるが、例えばコンピュータの演算処理デバイスであるＭＰＵ（Micro Processing Unit）用のチップなどは、１枚のウェーハ内に同一品種のチップを形成した後に、各チップの製品性能を検査し、その結果に応じて異なる最終製品向けに選別している。ところが製品によってパッケージの厚さが異なる場合があり、その場合には、チップの厚さもパッケージ厚さに応じたものとされ、したがって、１つのウェーハ内に使用時の厚さが異なるチップが混在している。また、１枚のウェーハ内に異なるタイプのチップを形成する場合もあり、この場合には、当然タイプごとにパッケージ厚さが異なるためチップ厚さもタイプごとに異なり、したがってこの場合もウェーハ内に目標厚さが異なるチップが混在するということになる。
【０００３】
このように目標厚さが異なるチップが混在するウェーハから目標厚さのチップを得るには、まずウェーハを分割して複数のチップに個片化し、それらチップ１つ１つに対して裏面研削を行う方法がある。また、ウェーハを複数のチップに個片化して同一目標厚さのグループに分け、グループごとに複数のチップの裏面を一括して研削する技術も知られている（特許文献１参照）。
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−７５９４１公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところが、ウェーハから個片化して得た多数のチップを目標厚さごとに選別して同一目標厚さのグループに分けたり、それらチップを１つずつ研削装置にセットする作業は手間がかかって非効率的であり、これは、近年のチップの短小化および量産化に伴い、小さければ小さいほど顕著であるといった面がある。
【０００６】
よって本発明は、目標厚さの異なるチップが混在するウェーハから目標厚さのチップを効率的に得ることができるウェーハの加工方法および加工装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明のウェーハの加工方法は、表面に形成された複数のチップが切断予定ラインによって区画されているウェーハから、各チップを異なる厚さグループに分けながら薄化して個片化するウェーハの加工装置であって、ウェーハの各チップを検査装置により検査してチップごとの検査データを取得する検査データ取得工程と、検査後のウェーハの切断予定ラインに、得るべきチップの最大厚さを超える深さの溝を形成するか、もしくは該切断予定ラインを切断する溝形成工程と、該溝形成工程を経たウェーハの表面に保護テープを貼着する保護テープ貼着工程と、保護テープが貼着されたウェーハの保護テープ側を吸着テーブルに吸着し、かつ裏面側が露出する状態に保持するウェーハ保持工程と、吸着テーブルに保持したウェーハの露出する裏面を研削して、該ウェーハをチップの最大厚さの第１の目標厚さまで薄化する第１薄化工程と、検査データ取得工程で取得した検査データに基づき、ウェーハの中から、第１の目標厚さで使用されるチップを選択して当該チップを吸着テーブルからピックアップする第１ピックアップ工程と、該第１ピックアップ工程を経たウェーハの裏面を引き続き研削して、該ウェーハをチップの２番目の厚さの第２の目標厚さまで薄化する第２薄化工程と、検査データ取得工程で取得した検査データに基づき、ウェーハの中から、第２の目標厚さで使用されるチップを選択して当該チップを吸着テーブルからピックアップする第２ピックアップ工程とを少なくとも備えることを特徴としている。
【０００８】
上記方法では、検査データ取得工程で各チップが検査され、検査データに基づき、各チップが、使用時の厚さである目標厚さが少なくとも第１の目標厚さと第２の目標厚さの２種類に選別される。次いで、チップの最大厚さ（これは第１の目標厚さに相当する）を超える深さの溝を切断予定ラインに形成するか、もしくはウェーハの切断予定ラインを完全に切断する溝形成工程を行う。この後、ウェーハの表面に保護テープを貼着する。次の第１薄化工程ではウェーハ裏面を研削して第１の厚さまでウェーハを薄化する。切断予定ラインに溝を形成した場合には、この時点でその溝は表出し、全てのチップが保護テープで連結した状態で個片化される。切断予定ラインを完全に切断した場合には、その時点でチップは個片化している。
【０００９】
この第１薄化工程でウェーハは第１の目標厚さまで薄化され、したがって第１の目標厚さのチップはその目標厚さに到達したことになる。そのチップは、次の第１ピックアップ工程で吸着テーブルからピックアップされる。ウェーハは第１の目標厚さが除去された状態になるが、この後、第２薄化工程に移行し、ウェーハの裏面研削が引き続きなされウェーハは２番目の厚さである第２の目標厚さまで薄化される。ここで第２の目標厚さがその目標厚さに到達し、そのチップは、次の第２ピックアップ工程で吸着テーブルからピックアップされる。
【００１０】
以上により、１枚のウェーハから、個片化された第１の目標厚さのチップと個片化された第２の目標厚さのチップとが一連の動作で得られる。本方法では、ウェーハを吸着テーブルに保持したまま、ウェーハの薄化をチップの目標厚さに合わせて段階的に行い、その都度チップをピックアップするものである。このため、チップ１つ１つを研削したり、同一目標厚さの複数のチップを集めて一括して研削したりする従来法と比べると、きわめて効率的に目標厚さのチップを得ることができる。なお本発明は、１枚のウェーハ内のチップの目標厚さが少なくとも２種類の場合に適用され、したがって２種類を超える数の目標厚さのチップを有するウェーハに適用可能である。その場合には、目標厚さの数に応じて薄化工程とピックアップ工程が増加する。
【００１１】
チップを吸着テーブルからピックアップする時は、表面に貼着されている保護テープからチップを剥離させることになるが、保護テープの粘着力が強い場合にはピックアップにしくい場合がある。そこで、保護テープが、外的刺激によって粘着力が低下する粘着材によってウェーハの表面に貼着された形態とすることにより、チップのピックアップ時に外的刺激を粘着材に与えれば、粘着力が低下してチップを容易にピックアップすることができるようになるので好ましい。
【００１２】
次に、本発明のウェーハの加工装置は、上記本発明のウェーハの加工方法を好適に実施し得るものであって、薄化前のウェーハの各チップを検査して得られたチップごとの検査結果からマッピングデータを記憶する検査結果記憶手段と、裏面側が露出する状態にウェーハを吸着、保持する吸着テーブルと、該吸着テーブルに保持されたウェーハの裏面を研削してウェーハを薄化する薄化手段と、該薄化手段によって薄化されるウェーハから、検査結果に基づいて目標厚さに到達したチップを、吸着テーブルからピックアップするピックアップ手段とを備えることを特徴としている。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、吸着テーブルにウェーハを保持したまま、チップの目標厚さにウェーハを薄化した後にその目標厚さのチップをピックアップするといった工程を、目標厚さに応じて段階的に行うものであり、目標厚さが異なるチップが混在して形成されたウェーハから、所望厚さの個片化したチップをきわめて効率的に得ることができるといった効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、図面を参照して本発明の一実施形態を説明する。
［１］半導体ウェーハ
図１の符合１は、円盤状の半導体ウェーハ（以下ウェーハと略称）を示している。このウェーハ１はシリコンウェーハ等であって、加工前の厚さは例えば７００μｍ程度である。ウェーハ１の表面には格子状の切断予定ライン２によって多数の矩形状の半導体チップ（以下チップと略称）３が区画されている。これらチップ３の表面には、ＩＣやＬＳＩ等の図示せぬ電子回路が形成されている。また、ウェーハ１の周面の所定箇所には、半導体の結晶方位を示すＶ字状の切欠き（ノッチ）４が形成されている。
【００１５】
ウェーハ１は裏面研削されてチップ３に応じた厚さに薄化され、切断予定ライン２に囲まれる各チップ３に個片化されるが、チップ３の厚さは複数種類（例えば２〜３種類）とされる。これは前述した通り、同一品種であっても製品性能に応じてチップの厚さを異ならせる場合や、異品種で品種ごとにチップの厚さが異なる場合があるからである。すなわちウェーハ１には、目標厚さの異なるチップが混在していると言える。したがってウェーハ１を裏面研削する前に、まず、各チップ３の性能あるいは品種を調べてそれらの検査データを取得することが行われる（検査データ取得工程）。この検査は、プローブと呼ばれる微細な探針によって電子回路を検査する周知のプローバ等の検査装置が用いられる。検査データから、チップ３は、同一の目標厚さグループに分けられるとともに、各厚さのチップがウェーハ１のの位置にあるかというマッピングデータが、目標厚さごとに把握される。このマッピングデータは、後述する検査結果記憶手段４１に供給されて記憶される。
【００１６】
全てのチップ３の検査を終えたウェーハ１には、チップの最大厚さ（後述の第１の目標厚さ）を超える深さの溝を切断予定ライン２に形成するか、もしくは切断予定ライン２を完全に切断する加工が施される（溝形成工程）。溝形成の場合は、ウェーハ１はそのままの状態で表面側から行うことができるが、切断の場合は、裏面にダイシングテープを貼着し、このダイシングテープの厚さの途中まで切り込みが入るように表面側から切断予定ライン２を切断する方法が採られる。また、切断は裏面側から行うことも可能であり、その場合には、表面に保護テープを貼着し、裏面側から赤外線カメラ等によって表面の切断予定ライン２を認識し、保護テープの厚さの途中までに切り込みが入るように切断予定ライン２を切断するなどの方法がある。このような溝形成や切断加工は、高速回転させたダイヤモンドブレードをウェーハ１に切り込ませるダイシング装置や、レーザ光を照射して溶断したり、集光点を起点に割断するレーザ加工装置等が用いられる。
【００１７】
溝形成工程を経たウェーハ１は、次に裏面研削による薄化工程に移されるが、その前に、電子回路を保護するなどの目的で、図１（ｂ）に示すように、ウェーハ１の表面に保護テープ５が貼着される（保護テープ貼着工程）。保護テープ５は、例えば厚さ７０〜２００μｍ程度のポリオレフィン等の柔らかい樹脂製基材シートの片面に５〜２０μｍ程度の粘着材を塗布した構成のものが用いられ、粘着材をウェーハ１の裏面に合わせて貼り付けられる。表面に保護テープ５が貼着されたウェーハ１は、図２に示す研削加工装置１０により、目標厚さまでの研削〜目標厚さの複数のチップ３をピックアップする、といった工程が、目標厚さごとに行われる。以下、研削加工装置１０を詳述する。
【００１８】
［２］研削加工装置の構成
図２に示す研削加工装置１０は、直方体状の基台１１を備えている。図２では、基台１１の長手方向、幅方向および鉛直方向を、それぞれＹ方向、Ｘ方向およびＺ方向で示している。基台１１の上面のＹ方向一端部（奥側の端部）には、コラム１２が立設されている。このコラム１２の前面（基台１１側に向いたＸ・Ｚ方向に沿った面）には、研削ユニット（薄化手段）２０が昇降可能に装備されている。
【００１９】
研削ユニット２０は、図３に示すように、軸方向がＺ方向に延びる円筒状のスピンドルハウジング２１と、このスピンドルハウジング２１内に同軸的、かつ回転自在に支持されたスピンドルシャフト２２と、スピンドルハウジング２１の上端部に固定されてスピンドルシャフト２２を回転駆動するモータ２３と、スピンドルシャフト２２の下端に同軸的に固定された円盤状のフランジ２４とを具備している。そしてフランジ２４の下面に、砥石ホイール２５がねじ止め等の取付手段によって着脱自在に取り付けられる。
【００２０】
砥石ホイール２５は、金属製の環状フレーム２６の下面に、全周にわたって複数の砥石２７が配列されて固着されたものである。砥石２７は、ウェーハ１の材質に応じたものが用いられ、例えば、ボンド材中に適宜な粒度のダイヤモンド砥粒等を混合して成形し、焼結したものなどが用いられる。フランジ２４および砥石ホイール２５には、研削加工の際の冷却や潤滑あるいは研削屑の排出のための研削水を供給する研削水供給機構（図示省略）が設けられている。
【００２１】
このような構成の研削ユニット２０は、図２に示すように、スピンドルハウジング２１が、コラム１２に昇降自在に取り付けられたスライダ１３に固定されている。スライダ１３は、Ｚ方向に延びる一対（図２では１つしか見えない）のガイドレール１４に摺動自在に装着されている。スライダ１３は、サーボモータ１５によって駆動されるボールねじ式のＺ軸送り機構１６によってＺ方向に移動可能とされている。この構成により、研削ユニット２０はスライダ１３とともに昇降する。研削ユニット２０は、スライダ１３に対してスピンドル２２の軸心がＺ方向に延びる状態に固定されており、砥石２７の刃面である下面は水平に設定される。
【００２２】
この研削ユニット２０によると、砥石ホイール２５が回転しながらＺ軸送り機構１６によって下降して砥石ホイール２５の砥石２７がウェーハ１の被研削面（裏面）を押圧することにより、ウェーハ１を裏面研削する。ウェーハ１は、基台１１上にＹ方向に移動自在に設けられたチャックテーブル（吸着テーブル）１７に吸着、保持され、自転しながら研削される。
【００２３】
チャックテーブル１７は、一般周知の真空吸引式であって、図３（ｂ）に示すように円盤状の枠体１７ａの上面に円形の吸着エリア１７ｂが同心状に形成されたもので、この吸着エリア１７ｂに載置されるウェーハ１を吸着、保持する。枠体１７ａと吸着エリア１７ｂの上面は同一平面であって、水平に設定される。このチャックテーブル１７は、基台１１の上面に設けられた矩形状のテーブルベース１８に、鉛直方向を回転軸として回転自在に支持されており、図示せぬ回転駆動機構によって一方向あるいは両方向に回転させられる。テーブルベース１８は、基台１１の手前側からコラム１２の近傍にわたってＹ方向に移動可能に設けられている。テーブルベース１８の移動路には、該移動路に研削屑等が落下することを防ぐ蛇腹状のカバー１９が伸縮自在に設けられている。
【００２４】
チャックテーブル１７は、テーブルベース１８のＹ方向の移動に伴い、基台１１の手前側の端部の着脱位置と、上記研削ユニット２０の下方の研削位置との間を往復移動させられる。ウェーハ１は、着脱位置で待機する真空運転状態のチャックテーブル１７の吸着エリア１７ｂ上に同心状に載置され、テーブルベース１８の移動により加工位置まで送られる。そして加工位置で、研削ユニット２０により裏面研削される。この場合、ウェーハ１の裏面研削は、チャックテーブル１７を回転させてウェーハ１を自転させながら、高速回転させた砥石ホイール２５の砥石２７がウェーハ１の回転中心を通過する位置関係を保持し、Ｚ軸送り機構１６により研削ユニット２０を下降させ、砥石２７をウェーハ１の裏面に押し付けることによりなされる。研削されたウェーハ１の裏面には、図３（ａ）に示すように、多数の弧が放射状に描かれた模様を呈する研削条痕９が残留する。
【００２５】
図２に示すように、基台１１上には、研削位置に位置付けられたチャックテーブル１７上のウェーハ１の厚さを測定する厚さ測定ゲージ３０が配設されている。この厚さ測定ゲージ３０は、図３（ａ）に示すように、基準側ハイトゲージ３１とウェーハ側ハイトゲージ３２との組み合わせで構成される。基準側ハイトゲージ３１は、揺動する基準プローブ３１ａの先端が、ウェーハ１で覆われないチャックテーブル１７の枠体１７ａの上面に接触し、チャックテーブル１７の上面の高さ位置を検出するものである。ウェーハ側ハイトゲージ３２は、揺動する変動プローブ３２ａの先端がチャックテーブル１７に保持されたウェーハ１の上面すなわち被研削面に接触することで、研削されるウェーハ１の裏面の高さ位置を検出するものである。これらハイトゲージ３１，３２は、基台１１に立てられたスタンド３３のゲージ台３３ａに、並列状態で取り付けられている。
【００２６】
この厚さ測定ゲージ３０によれば、ウェーハ側ハイトゲージ３２の測定値から基準側ハイトゲージ３１の測定値を引き、さらに保護テープ５の厚さを考慮した値に基づいて、ウェーハ１の厚さが測定される。ウェーハ１はこの厚さ測定ゲージ３０によって厚さが逐一測定されながら裏面研削され、目標厚さに到達した時点で、研削が停止される。なお、ウェーハ側ハイトゲージ３２の変動プローブ３２ａが接触するウェーハ１の厚さ測定ポイントは、ウェーハ１の外周縁に近い外周部分が好ましい。
【００２７】
図２に示すように、本実施形態の研削加工装置１０には、個片化されたチップ３をウェーハ１から１つずつピックアップするピックアップ装置（ピックアップ手段）４０が設けられている。このピックアップ装置４０は、基台１１上の手前側のＸ方向一端側（図２で左側）にスタンド５９を介して固定されたＹ軸送り機構５０と、このＹ軸送り機構５０の右側に配設され、Ｙ軸送り機構５０によってＹ方向に移動させられるＸ軸送り機構６０と、このＸ軸送り機構６０に取り付けられたＸ軸スライダ７０と、このＸ軸スライダ７０に取り付けられたピックアップシリンダ８０とから構成されている。
【００２８】
Ｙ軸送り機構５０は、スタンド５９に固定されたＹ方向に延びるガイド５１内に、ガイド５１と平行に、サーボモータ５２によって駆動されるボールねじ式の送り機構５３が設けられたものである。また、Ｘ軸送り機構６０も同様の構成であり、Ｘ方向に延びるガイド６１内に、ガイド６１と平行に、サーボモータ６２によって駆動されるボールねじ式の送り機構６３が設けられたものである。Ｘ軸送り機構６０のガイド６１は、その一端部がＹ軸送り機構５０のガイド５１に対しＹ方向に移動自在に係合しているとともに、送り機構５３に螺合している。これにより、送り機構５３が作動するとＸ軸送り機構６０はガイド５１に沿ってＹ方向に移動する。
【００２９】
Ｘ軸スライダ７０は、Ｘ軸送り機構６０のガイド６１に、Ｘ方向に移動自在に係合しているとともに送り機構６３に螺合している。これにより、送り機構６３が作動するとＸ軸スライダ７０はガイド６１に沿ってＸ方向に移動する。ピックアップシリンダ８０は、Ｚ方向下方に向かって伸縮するようにＸ軸スライダ７０に取り付けられており、その先端には、個片化されたチップ３を吸着、保持する真空吸引式のピックアップパッド８１が設けられている。ピックアップパッド８１は、着脱位置に位置付けられたチャックテーブル１７上のウェーハ１の上方において、Ｘ軸送り機構６０のＹ方向移動とＸ軸スライダ７０のＸ方向移動により、ウェーハ１の上面全面に行きわたるように移動可能とされている。そして、ピックアップすべきチップ３上に位置付けたピックアップシリンダ８０を下降させてピックアップパッド８１をチップ３の裏面に接触させ、ピックアップシリンダ８０を上昇させることにより、１つのチップ３がピックアップされるようになっている。
【００３０】
このようにチップ３をピックアップした後は、再びＸ軸送り機構６０およびＸ軸スライダ７０が移動して、ピックアップパッド８１は基台１１の手前に設置されているトレイ台９１上のトレイ９０上に移動し、ピックアップシリンダ８０が下降して真空吸着が停止することにより、ピックアップパッド８１でピックアップされたチップ３がトレイ９０内に収納される。トレイ９０は、チップ３の厚さ種類別に複数がトレイ台９１上に着脱可能に載置され、チップ３は、厚さが該当するトレイ９０に選別されて収納される。このようなチップ３のピックアップ動作は、研削加工装置１０が具備する検査結果記憶手段４１に記憶されたマッピングデータに基づいてなされる。
【００３１】
ウェーハ１のチップ３の厚さ種類で記録されるマッピングデータは、上述した通り、ウェーハ１が研削される前に検査装置によって取得され、検査結果記憶手段４１に記憶される。ウェーハ１は、検査終了後は、その検査装置から研削加工装置１０に移されてチャックテーブル１７上に載置されるが、ノッチ４に基づいて周方向位置が制御されることにより、チャックテーブル１７上でのウェーハ１のマッピングデータは検査装置で取得時のマッピングデータと整合されるようになっている。上記の研削ユニット２０の砥石ホイール２５、Ｚ軸送り機構１６、チャックテーブル１７、テーブルベース１８およびピックアップ装置４０といった駆動系の動作は、基台１１の手前側に設置された操作パネル９５で行われる。
【００３２】
［３］研削加工装置の動作
以上の構成からなる研削加工装置１０では、ウェーハ１を薄化するとともにチップ３を個片化し、さらにそのチップ３をピックアップするといった動作を、得るべきチップ３の目標厚さごとに順次繰り返すといった動作がなされる。以下、その動作を詳述する。
【００３３】
各チップ３が検査されて目標厚さのマッピングデータが取得され、表面に保護テープ５が貼着されたウェーハ１が、オペレータによって、着脱位置で待機し真空運転されているチャックテーブル１７の吸着エリア１７ｂ上に対して、同心状に載置される。ウェーハ１は、保護テープ５側が吸着エリア１７ｂの表面に密着し、かつ裏面が露出する状態で吸着エリア１７ｂに載置され、これによって該吸着エリア１７ｂに吸着、保持される（ウェーハ保持工程）。
【００３４】
次いで、テーブルベース１８が移動してウェーハ１が研削位置に位置付けられ、チャックテーブル１７およびウェーハ１に対して厚さ測定ゲージ３０がセットされる。続いて、厚さ測定ゲージ３０でウェーハ１の厚さを測定しながら、研削ユニット２０によってウェーハ１の裏面研削が行われる。
【００３５】
裏面研削によるウェーハ１の薄化は、まず、チップ３の目標厚さのうちの最大厚さである第１の目標厚さに到達するまで行われる（第１薄化工程）。ウェーハ１の厚さが第１の目標厚さに到達したと判断されたら、厚さ測定および研削が一旦停止して研削ユニット２０が上方に退避し、テーブルベース１８が手前側に移動してウェーハ１が着脱位置に位置付けられる。上記溝形成工程でウェーハ１に切断予定ライン２に沿った溝が形成されている場合、その溝は第１の目標厚さを超える深さであるため、この第１薄化工程を終えた時点で全てのチップ３は保護テープに連結された状態で個片化される。また、ダイシング工程でウェーハ１の切断予定ライン２が完全に切断されていれば、その時点でウェーハ１はチップ３に個片化されている。
【００３６】
続いて、ピックアップ装置４０が、検査結果記憶手段４１に記憶されたマッピングデータに基づいて、第１の目標厚さで使用されるチップ３を選別してピックアップし、第１の目標厚さ用のトレイ９０に収納する（第１のピックアップ工程）。第１の目標厚さのチップ３が複数ある場合は、ピックアップからトレイ９０への収納といった動作が、その数だけ繰り返される。
【００３７】
第１の目標厚さのチップ３が全てピックアップされてトレイ９０に収納されたら、引き続きウェーハ１の裏面研削が次の第２の目標厚さに到達するまで行われる（第２薄化工程）。さて、この時には、ウェーハ１の被研削面である裏面は、第１の目標厚さのチップ３がピックアップされたことにより部分的に凹部が形成されて凹凸面となっているため、厚さ測定ゲージ３０による厚さ測定はできない。そこで、第２の目標厚さにウェーハ１を裏面研削するには、第１の目標厚さに到達した時点での研削ユニット２０のＺ方向位置を記憶し、そこから第２の目標厚さになるまでの送り量に到達するまで研削ユニット２０を下降させることで、ウェーハ１は第２の目標厚さに薄化されたと判断する方策が採られる。これは厚さ測定ゲージ３０が接触式であるから採られる方策であり、ウェーハ１の厚さ測定を、例えば２００１−２０３２４９公報に記載されるような光学式の非接触式厚さ測定装置で行えば、第２の薄化工程以降もウェーハ１の実際厚さを測定することができる。
【００３８】
ウェーハ１が第２の目標厚さまで裏面研削されたら、上記と同様の要領で第２の目標厚さのチップ３がピックアップされる。すなわち、チャックテーブル１７が着脱位置に位置付けられ、ピックアップ装置４０が、検査結果記憶手段４１に記憶されたマッピングデータに基づいて、第２の目標厚さで使用されるチップ３を選別してピックアップする。そしてこのチップ３は、第２の目標厚さ用のトレイ９０に収納される（第２ピックアップ工程）。
【００３９】
ここまでが、第１の目標厚さと第２の目標厚さにチップを選別してピックアップする工程であり、以降、ウェーハ１の中に第３の目標厚さ、さらにはそれ以上の目標厚さがある場合は、チャックテーブル１７にウェーハ１を保持したまま、チップの目標厚さにウェーハを薄化した後にその目標厚さのチップをピックアップするといった工程を、目標厚さに応じて繰り返し行う。図４は、第１目標厚さ〜第３目標厚さに薄化されたウェーハ１とピックアップされた目標厚さのチップ３を厚さ順（ａ）〜（ｃ）で示している。図４のＡは第１の目標厚さのチップ３のグループ、Ｂは第２の目標厚さのチップ３のグループ、Ｃは第３の目標厚さのチップ３のグループをそれぞれ示している。ピックアップされたチップ３が収納された各トレイ９０はトレイ台９１からパッケージ工程場所へ運搬され、種別（厚さ）ごとに半導体部品にパッケージされる。
【００４０】
以上の本実施形態によれば、ウェーハ１をチャックテーブル１７に保持したまま、裏面研削による目標厚さまでのウェーハ１の薄化とその目標厚さのチップ３のピックアップを一連の動作で繰り返すことにより、１枚のウェーハ１から、個片化された複数種類の厚さのチップ３を、同一厚さのグループに分けて得ることができる。このため、チップ１つ１つを研削したり、チップ３を同一目標厚さのグループに分けてグループごとに複数のチップ３を集めて一括して研削したりする従来法と比べると、個片化した目標厚さのチップをきわめて効率的に得ることができる。
【００４１】
上記実施形態では、チャックテーブル１７からチップ３をピックアップする時には、ウェーハ１の表面に貼着されている保護テープ５からチップ３を剥離させることになるが、保護テープ５の粘着力が強い場合にはピックアップにしくい場合がある。そのような場合には、例えば加熱されることにより発泡して粘着力が低下するか、あるいは無くなるような粘着材で保護テープ５をウェーハ１の表面に貼着するとよい。これによると、ピックアップ時に、ピックアップパッド８１を加熱するなどしてその粘着材を加熱して発泡させることにより、チップ３を容易にピックアップすることができる。
【００４２】
また、研削加工装置１０は研削ユニットが１つで１回の研削工程によりウェーハ１を目標厚さに薄化しているが、研削ユニットが少なくとも粗研削用と仕上げ研削用の２つを備えるとともにチャックテーブル１７も複数備え、これら粗研削と仕上げ研削を順次行ってウェーハ１を薄化する構成の研削加工装置に、上記ピックアップ装置４０を適用することもできる。さらには、仕上げ研削後に裏面を研磨する研磨ユニットを具備する研削／研磨加工装置にも、同様にしてピックアップ装置４０を具備させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明の一実施形態で加工されるウェーハの（ａ）斜視図、（ｂ）側面図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る研削加工装置の斜視図である。
【図３】図１に示した研削加工装置が備える研削ユニットでウェーハを裏面研削している状態を示す（ａ）斜視図、（ｂ）側面図である。
【図４】目標厚さに薄化されたウェーハとピックアップされた目標厚さのチップを厚さ順（ａ）〜（ｃ）で示す図である。
【符号の説明】
【００４４】
１…半導体ウェーハ
２…切断予定ライン
３…半導体チップ
５…保護テープ
１０…研削加工装置
１７…チャックテーブル（吸着テーブル）
２０…研削ユニット（薄化手段）
２７…砥石
４０…ピックアップ装置（ピックアップ手段）
４１…検査結果記憶手段
【図１】
2008218599.tif 000003
【図２】
2008218599.tif 000004
【図３】
2008218599.tif 000005
【図４】
2008218599.tif 000006