(57)【要約】【課題】電気的に絶縁した電気回路相互の信号伝送において、通常印加電圧以上の電圧がかかった場合に、デバイスの破壊を防止すること。【解決手段】信号伝送装置１は、互いに絶縁して隔てられた第一の電極２および第二の電極３のどちらか一方に、互いに絶縁して隔てられた一次側から二次側へ信号が伝送される絶縁信号伝送デバイス４が実装され、絶縁信号伝送デバイス４の一次側が第一の電極２に接続され、絶縁信号伝送デバイス４の二次側が第二の電極３に接続される。そして、第一の電極２と第二の電極３との間の距離Ｌ１が、通常印加電圧より高く絶縁信号伝送デバイス４の絶縁耐圧よりも低い電圧で放電を開始する距離Ｌ１に設定されることで、絶縁信号伝送デバイス４の破壊を防止する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに絶縁されて隔てられた第一の電極および第二の電極のどちらか一方に、互いに絶縁されて隔てられた一次側から二次側へ信号が伝送される信号伝送デバイスが実装され、当該信号伝送デバイスの一次側が当該第一の電極に接続され、当該信号伝送デバイスの二次側が当該第二の電極に接続された信号伝送装置において、
前記第一の電極と前記第二の電極との間の距離が、通常印加電圧より高く前記信号伝送デバイスの絶縁耐圧よりも低い電圧で放電を開始する距離に設定された信号伝送装置。
【請求項２】
前記信号伝送デバイスは、前記第一の電極に接続された一次側と、前記第二の電極に接続された二次側と、が絶縁物を介して対向していることを特徴とする請求項１に記載の信号伝送装置。
【請求項３】
前記第一の電極および前記第二の電極には、当該第一の電極と当該第二の電極との間が最短距離となる突起部分が形成されることを特徴とする請求項１または２に記載の信号伝送装置。
【請求項４】
前記突起部分が曲率半径を持ち、当該突起部分の曲率半径が前記第一の電極と前記第二の電極との間の最短距離と同程度より小さく設定されることを特徴とする請求項３に記載の信号伝送装置。
【請求項５】
前記突起部分は、前記第一の電極および前記第二の電極が対向する辺以外の辺から形成されることを特徴とする請求項３または４に記載の信号伝送装置。
【請求項６】
前記第一の電極および前記第二の電極は、無機系絶縁材料を介して対向していることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一つに記載の信号伝送装置。
【請求項７】
前記第一の電極と前記第二の電極との間が最短距離となるように形成された突起部分が、無機系絶縁材料に覆われることを特徴とする請求項３〜６のいずれか一つに記載の信号伝送装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、電気的に絶縁された電気回路間で信号伝送をおこなう際に用いられる信号伝送装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、電気的に絶縁された電気回路間での信号伝送をおこなうにあたって、いくつかの方式が提案されている。たとえば、ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）を用いたフォトカプラ方式がある。しかしながら、フォトカプラ方式には、ＬＥＤの寿命の問題や、１００℃以上の高温での使用が困難であるという問題や、実質のスイッチング時間が数μｓと長いという問題がある。このような問題を解決する手段の一つとしては、磁場カップリングによって信号を伝送するトランスを用いる方式（以下、「トランス方式」という）がある。最近のＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍｓ）技術の進展などにより、トランスは、より小型で集積回路との集積化が可能になってきている。以下、この小型のトランスを用いる方式をマイクロトランス（ＭＴ）方式と呼ぶこととする。ＭＴは、送信側コイルと、受信側コイルと、からなり、トランスを形成しており、各コイルが相互に絶縁物によって隔てられている。ＭＴ方式は、送信側コイルから発生した磁場を、受信側コイルで電気信号に変換して信号を受け取ることで、信号を伝送する方式である。
【０００３】
その他の方式としては、電磁カップリングを用いたコンデンサ方式がある。コンデンサ方式は、構造的には、ＭＴ方式と類似しており、絶縁物によって隔てられた導電体平板間で、静電容量を用いて信号を伝送する方式である。ＭＴ方式およびコンデンサ方式では、０．１μｓ以下の高速伝送が可能であり、しかも高温での特性劣化が無い。また、寿命要素が無いことから長寿命が期待される。
【０００４】
しかし、ＭＴ方式やコンデンサ方式では、対向するコイル間や導電体平板間が絶縁物によって隔てられており、絶縁物に隔たれたコイル間や導電体平板間の距離（絶縁距離）が遠いほど、デバイスの特性が劣化する。具体的には、フォトカプラとは異なり、磁気カップリングや電磁カップリングの特性が、直接コイル間や導電体平板間の距離に依存しているため、絶縁距離が遠いほど、デバイスの特性が劣化することとなる。したがって、絶縁距離は、このデバイスに要求される特性を満たすように設定される。
【０００５】
このため、電子装置の絶縁耐圧は、このＭＴまたはコンデンサの部分のコイル間または導電体平板間を隔てる絶縁物の絶縁性能によって決まってしまう。ここで、絶縁耐圧のうち信号伝送処理においてもっとも要求される耐圧としては、静電放電（ＥＳＤ：Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｓｔａｔｉｃ  Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ）耐量がある。これは、静電気による突然のサージ電圧が印加されても素子が破壊しないという耐性を示したものである。ＥＳＤ耐量は、１５ｋＶに達することがある。
【０００６】
ＥＳＤによる素子の破壊を回避する方法としては、トランスを含む回路に、スパーク・ギャップを用いる方法がある（たとえば、下記特許文献１参照。）。この特許文献１の技術によれば、スパーク・ギャップは、一方の電極がトランスのセンタータップ（または差動信号の一方の導体）に接続され、他方の電極がアースまたはＥＳＤによって放電される電荷を除去する回路に結合される。このように、スパーク・ギャップによって素子に過度の電圧がかからないようにする。
【０００７】
また、その他の方法としては、回路基板上のランド間で静電気が飛んでＩＣ側にダメージを与えないように、ランドの近傍に静電気吸収導体を備え、静電気吸収導体とランドとの距離を、ランド間の距離よりも短くする方法がある（たとえば、下記特許文献２参照。）。この特許文献２の技術によれば、一方のランドにおいて発生した静電気が、ランドからの距離が短い静電気吸収体に吸収される。
【０００８】
さらに、その他の方法としては、電源供給ラインとフレームグランドとの間に、いずれの回路パターンとも接続されていないフローティングパターンを配置する方法がある（たとえば、下記特許文献３参照。）。この特許文献３の技術によれば、電源供給ラインおよびフレームグランドと、フローティングパターンとが対峙する部分を先端が鋭角な形状に形成し、放電をしやすくする構成となっている。
【０００９】
図８は、従来の信号伝送装置の構成を示している。図８においては、信号伝送装置１は、互いに絶縁して隔てられた第一の電極２と第二の電極３とが絶縁距離Ｌ６をおいて対向しており、第一の電極２に絶縁信号伝送デバイス４が実装されている。絶縁信号伝送デバイス４は、たとえば、トランスまたはコンデンサが含まれており、波形成形などの回路が接続された一次側のコイルまたは導電体平板と、二次側のコイルまたは導電体平板と、が絶縁して隔てられた構成となっている。さらに、絶縁信号伝送デバイス４は、一次側が第一の電極２に接続され、二次側が第二の電極３に接続された構成となっている。そして、絶縁信号伝送デバイス４から、第二の電極３の上に載置された信号処理ＩＣ５へ配線が接続されている。
【００１０】
第一の電極側の信号端子６から入力された信号は、絶縁信号伝送デバイス４の一次側から二次側へ伝送される。そして、信号処理ＩＣ５によって信号処理され、第二の電極側の信号端子７から信号が出力される。また、第一の電極２および第二の電極３には、アースなどに接続される外部端子８，９がそれぞれ備えられている。また、絶縁信号伝送デバイス４の領域には、絶縁された領域１０が存在する。ここで、第一の電極２と、第二の電極３と、の間に、過度の電圧が印加されると、実装された絶縁信号伝送デバイス４が破壊され、信号伝送装置１が使用できなくなる。
【００１１】
つぎに、図９は、図８の絶縁信号伝送デバイス４部分の断面構造を模式的に示している。図９においては、絶縁物２０を介して、対向する電極２１、２２があり、電極２１、２２相互で磁気的または静電的に信号を送受信する。具体的には、二次側の電極２１は、第二の電極３に接続された絶縁信号伝送デバイス４の二次側であり、一次側の電極２２は、第一の電極２に接続された絶縁信号伝送デバイス４の一次側である。
【００１２】
また、配線２３は、二次側の電極２１に接続され、ＩＣとの間で授受される信号の伝送路である。一次側の電極２２は、絶縁信号伝送デバイス４の基板２４上に配置され、さらに、絶縁物２０が重ならない領域まで延びる引き出し配線２５に接続されている。配線２６は、一次側の電極２２からの引き出し配線２５に接続され、外部との間で授受される信号の伝送路である。また、図９における絶縁物２０は、図８の絶縁された領域１０を示している。さらに、図９における配線２３は、図８の絶縁信号伝送デバイス４と、信号処理ＩＣ５と、を結ぶ配線を示し、図９における配線２６は、図８の絶縁信号伝送デバイス４と、第一の電極側の信号端子６または第一の電極側の外部端子８と、を結ぶ配線を示している。
【００１３】
【特許文献１】特開平１１−２６１８５号公報
【特許文献２】特開２００６−１５６９５５号公報
【特許文献３】特開２００１−１４８２７７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
しかしながら、上述の特許文献１〜３の技術においては、ＥＳＤによる素子の破壊を防ぐことはできるが、図８および図９に示すような信号伝送装置において、ＭＴの一次側が接続される電極と、ＭＴの二次側が接続される電極と、の間において放電させることでＥＳＤによる素子の破壊（以下「ＥＳＤ破壊」という）を回避する構成は提示されていない。
【００１５】
これまでのＭＴ方式やコンデンサ方式のデバイスにおけるＥＳＤ破壊を回避する方法としては、トランスやコンデンサの一次側と二次側との間の距離を大きくとる方法が取られている。この方法においては、製造上および性能上の限界があり、ＥＳＤ耐量は、１０ｋＶ前後が製造技術的に一つの限界となっている。そのため、ＥＳＤ試験をおこなうと、素子自体の基本性能が失われる破壊を起こしていた。このように、ＭＴ方式やコンデンサ方式は、トランスやコンデンサの一次側と二次側との間の距離が遠いとデバイスの特性が劣化し、トランスやコンデンサの一次側と二次側との間の距離が近いとデバイスが破壊してしまうため、実際には限られた応用でしか使用できなかった。
【００１６】
この発明は、上述した従来技術による問題点を解消するため、互いに絶縁された回路相互の信号伝送をおこなうデバイスを実装したパッケージに、デバイスの絶縁耐圧より低い電圧で放電することができる領域を備えた信号伝送装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
上述した課題を解決し、目的を達成するため、請求項１の発明にかかる信号伝送装置は、互いに絶縁されて隔てられた第一の電極および第二の電極のどちらか一方に、互いに絶縁されて隔てられた一次側から二次側へ信号が伝送される信号伝送デバイスが実装され、当該信号伝送デバイスの一次側が当該第一の電極に接続され、当該信号伝送デバイスの二次側が当該第二の電極に接続された信号伝送装置において、前記第一の電極と前記第二の電極との間の距離が、通常印加電圧より高く前記信号伝送デバイスの絶縁耐圧よりも低い電圧で放電を開始する距離に設定されることを特徴とする。
【００１８】
また、請求項２の発明にかかる信号伝送装置は、請求項１に記載の発明において、前記信号伝送デバイスは、前記第一の電極に接続された一次側と、前記第二の電極に接続された二次側と、が絶縁物を介して対向していることを特徴とする。
【００１９】
また、請求項３の発明にかかる信号伝送装置は、請求項１または２に記載の発明において、前記第一の電極および前記第二の電極には、当該第一の電極と当該第二の電極との間が最短距離となる突起部分が形成されることを特徴とする。
【００２０】
また、請求項４の発明にかかる信号伝送装置は、請求項３に記載の発明において、前記突起部分が曲率半径を持ち、当該突起部分の曲率半径が前記第一の電極と前記第二の電極との間の最短距離と同程度より小さく設定されることを特徴とする。
【００２１】
また、請求項５の発明にかかる信号伝送装置は、請求項３または４に記載の発明において、前記突起部分は、前記第一の電極および前記第二の電極が対向する辺以外の辺から形成されることを特徴とする。
【００２２】
また、請求項６の発明にかかる信号伝送装置は、請求項１〜５のいずれか一つに記載の発明において、前記第一の電極および前記第二の電極は、無機系絶縁材料を介して対向していることを特徴とする。
【００２３】
また、請求項７の発明にかかる信号伝送装置は、請求項３〜６のいずれか一つに記載の発明において、前記第一の電極と前記第二の電極との間が最短距離となるように形成された突起部分が、無機系絶縁材料に覆われることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２４】
本発明にかかる信号伝送装置によれば、ＥＳＤによって過度の電圧が印加された場合、パッケージ内の絶縁信号伝送デバイスの絶縁耐圧より低い電圧で放電することができる領域において放電が発生し、それ以上の電圧上昇が抑えられ、絶縁信号伝送デバイスの絶縁耐圧に達しないために、絶縁信号伝送デバイスを破壊から防ぐことができるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下に添付図面を参照して、この発明にかかる信号伝送装置の好適な実施の形態を詳細に説明する。なお、以下の実施の形態の説明および添付図面において、同様の構成には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
【００２６】
（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１にかかる信号伝送装置１の構成を示す説明図である。図１においては、信号伝送装置１は、互いに絶縁して隔てられた第一の電極２と第二の電極３とが距離Ｌ１をおいて対向しており、第一の電極２に絶縁信号伝送デバイス４が実装された構成となっている。絶縁信号伝送デバイス４は、互いに絶縁して隔てられた一次側の電極および二次側の電極によって構成されている（図９参照）。また、絶縁信号伝送デバイス４から、第二の電極３の上に載置された信号処理ＩＣ５へ配線が接続されている。換言すれば、第一の電極２に絶縁信号伝送デバイス４の一次側が接続され、第二の電極３に絶縁信号伝送デバイス４の二次側が接続される。さらに、第一の電極２および第二の電極３には、それぞれ信号端子６，７と、外部端子８，９とが接続される。これら信号端子６，７および外部端子８，９を介して外部との間で信号の授受がおこなわれる。
【００２７】
図１においては、第一の電極２と第二の電極３との間の距離Ｌ１が、実装された絶縁信号伝送デバイス４の絶縁耐圧よりも低い電圧で放電が発生するように設定されている。したがって、距離Ｌ１は、図８に示した絶縁距離Ｌ６よりも近い距離に設定されている。具体的には、たとえば、通常のモールドに使用されている樹脂の場合には、１５ｋＶ程度のＥＳＤが発生し、放電を開始する距離は、０．３ｍｍ程度である。そこで、距離Ｌ１は、０．３ｍｍ以下に設定される。
【００２８】
加えて、図１においては、第一の電極２と第二の電極３との間において、通常印加電圧（１ｋＶ程度）の範囲で部分放電しないことが必要である。部分放電は、絶縁耐圧のおよそ１０分の１程度で発生するため、距離Ｌ１は、０．２ｍｍ以上必要となる。また、この０．２ｍｍは、１０ｋＶ絶縁耐圧の得られる距離である。
【００２９】
したがって、距離Ｌ１は、１ｋＶで放電しないために０．２ｍｍ以上必要であり、絶縁信号伝送デバイス４の絶縁耐圧以下で放電する必要がある。したがって、距離Ｌ１の上限は、絶縁信号伝送デバイス４の絶縁耐圧に応じて設定される。具体的には、絶縁信号伝送デバイス４の絶縁耐圧が１５ｋＶならば距離Ｌ１の上限が０．３ｍｍとなり、距離Ｌ１の範囲は、０．２ｍｍ以上０．３ｍｍ以下となる。
【００３０】
図２は、図１に示した信号伝送装置１の絶縁信号伝送デバイス４の構成を詳細に示した図である。図２に示したように絶縁信号伝送デバイス４の一次側が第一の電極２に接続され、絶縁信号伝送デバイス４の二次側が第二の電極３に接続されている。また、絶縁信号伝送デバイス４の一次側には、波形成形などの回路３１が接続されている。したがって、通常印加電圧では、絶縁信号伝送デバイス４の一次側から二次側へ信号を伝送し、第一の電極２と第二の電極３との間では、放電しないように、距離Ｌ１を設定する。さらに、通常印加電圧以上、絶縁信号伝送デバイス４の放電耐圧以下で、第一の電極２と第二の電極３との間で放電するように、距離Ｌ１を設定する。
【００３１】
図３は、図１または図２に示した信号伝送装置１の等価回路図である。図３に示したように、信号伝送装置１は、絶縁信号伝送デバイス４において信号を伝送し、スパーク・ギャップ３２において放電をおこなう。スパーク・ギャップ３２は、図１の信号伝送装置１における第一の電極２と第二の電極３とが相対する辺のいずれかであるとする。通常印加電圧の場合、第一の電極２側の信号端子６から入力された信号は、絶縁信号伝送デバイス４の一次側から二次側へ伝送される。そして、信号処理ＩＣ５によって信号処理され、第二の電極３側の信号端子７から信号が出力される。また、通常印加電圧以上の電圧がかかった場合、スパーク・ギャップ３２によって放電し、過度の電圧が絶縁信号伝送デバイス４にかからないようにする。図４は、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ：Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ  Ｇａｔｅ  Ｂｉｐｏｌａｒ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）のゲート信号の伝送に信号伝送装置１を用いた図である。図４に示したように、信号伝送装置１を示す図３の回路は、制御回路３３から信号が入力され、駆動回路３４へ信号を出力する。
【００３２】
上述した実施の形態１によれば、第一の電極２に絶縁信号伝送デバイス４の一次側を接続し、第二の電極３に絶縁信号伝送デバイス４の二次側を接続する。そして、第一の電極２と第二の電極３との間の距離を、通常印加電圧よりも高く絶縁信号伝送デバイス４の絶縁耐圧よりも低い電圧で放電を開始する距離Ｌ１に設定する。これによって、信号伝送装置１は、通常印加電圧の範囲では、絶縁信号伝送デバイス４によって信号が伝送され、電圧が通常印加電圧より大きい場合、絶縁信号伝送デバイス４が絶縁耐圧に達する前に、第一の電極２と第二の電極３との間で放電させることで、絶縁信号伝送デバイス４を破壊させないことができる。
【００３３】
（実施の形態２）
図５は、本発明の実施の形態２にかかる信号伝送装置１の構成を示す説明図である。図５においては、第一の電極２および第二の電極３が距離Ｌ２によって対向している。また、第一の電極２および第二の電極３の相対向する辺に、部分的に第一の電極２と第二の電極３との距離を狭くした領域３５、３６を設ける。そして、領域３５と領域３６との間の距離を距離Ｌ３とし、領域３５および領域３６の曲率半径を曲率半径ｒとする。曲率半径ｒは、領域３５と領域３６において、同一でもよいし、異なっていてもよい。領域３５および領域３６は、第一の電極２および第二の電極３の互いに相対する辺のいずれかに設ける。具体的には、領域３５および領域３６は、相対向する箇所、もしくは、第一の電極２と第二の電極３との相対向する辺の距離Ｌ２よりも、領域３５と領域３６との間の距離Ｌ３が近くなる箇所に設ける。距離Ｌ２は、図８に示した絶縁距離Ｌ６と同程度とし、距離Ｌ３は、図１に示した距離Ｌ１と同様の範囲とする。これらによって、領域３５および領域３６の間が、図３に示したスパーク・ギャップ３２となる。
【００３４】
したがって、実施の形態１では、第一の電極２および第二の電極３の相対向する辺が長いために、どこで放電が開始するのかを規定することができないが、実施の形態２においては、放電箇所を限られた領域に設定することができる。これによって、たとえば、放電によって不具合が起きる可能性のある場所を避けて、放電させることができる。また実施の形態２においては、距離Ｌ３だけでなく、局部的に電極の曲率半径ｒを制御することで、放電の制御をおこなうことができる。曲率半径ｒを制御することで、領域３５および領域３６の間の放電を制御することができる。具体的には、曲率半径ｒが距離Ｌ３と同程度より小さくなると、曲率半径ｒを制御することで、距離Ｌ３を実施の形態１で述べた距離Ｌ１よりも長くすることができる。したがって、さらに放電による不具合を防ぐことができる。
【００３５】
また、実施の形態２においては、領域３５および領域３６の先端の形状を半円形として説明したが、領域３５および領域３６の先端の形状は、針形、三角形、凸形などでもよい。また、領域３５の先端の形状と、領域３６の先端の形状とは異なっていてもよい。さらに、たとえば、領域３５または領域３６の先端の形状が、針形の場合、放電によって先端が溶けると、距離Ｌ３が大きくなり、絶縁する方向に向かうので好ましい。
【００３６】
上述した実施の形態２によれば、電圧が通常印加電圧より大きい場合、第一の電極２に形成された領域３５と、第二の電極３に形成された領域３６との間で、放電させることができる。これによって、放電箇所を限られた領域に設定できるため、放電の際におこる不具合発生を抑制する対策を容易に取ることができる。
【００３７】
（実施の形態３）
図６は、本発明の実施の形態３にかかる信号伝送装置の構成を示す説明図である。図６においては、第一の電極２および第二の電極３の相対する辺以外の辺から、第一の電極２と第二の電極３との間の距離Ｌ４より短くなる領域３７および領域３８を設ける。ここで、領域３７と領域３８との間の距離を距離Ｌ５とする。距離Ｌ５は、具体的には、図１に示した距離Ｌ１と同様の範囲とする。また、距離Ｌ４は、図８に示した絶縁距離Ｌ６と同程度とする。これによって、実施の形態３においては、放電場所を限られた箇所に設定でき、さらに放電によって不具合の発生する可能性のある場所、たとえば、絶縁信号伝送デバイス４から離れた場所に放電をおこなう領域３７および領域３８を設けることができるため、より絶縁信号伝送デバイス４を破壊から防ぐことできる。なお、領域３７および領域３８の先端の形状は、半円形、針形、三角形、凸形などでもよい。
【００３８】
なお、実施の形態３においては、領域３７および領域３８の先端の形状が半円形の場合、距離Ｌ５だけでなく、領域３７および領域３８の曲率半径を制御することで、放電の制御をおこなうことができる。具体的には、曲率半径が距離Ｌ５と同程度より小さくなると、曲率半径を制御することで、距離Ｌ５を実施の形態１で述べた距離Ｌ１よりも長くすることができる。したがって、さらに放電による不具合を防ぐことができる。
【００３９】
上述した実施の形態３によれば、電圧が通常印加電圧より大きい場合、第一の電極２に形成された領域３７と、第二の電極３に形成された領域３８との間で、放電させることができる。これによって、放電箇所を任意の領域に設定できるため、放電の際におこる不具合発生を押さえ込む対策を容易に取ることができる。
【００４０】
（実施の形態４）
図７は、本発明の実施の形態４にかかる信号伝送装置の構成を示す説明図である。図７においては、図１に示した距離Ｌ１によって隔てられた第一の電極２および第二の電極３が相対する領域３９に、周囲のパッケージ封止材料とは異なる絶縁材料を用いる場合について示す。通常のモールドに使用されるパッケージ封止材料は、樹脂材料でカーボンを含む有機材料であることがほとんどである。このため、放電が発生すると炭化してカーボン結晶が析出し導電性を示すようになる。これによって、第一の電極２と第二の電極３とが短絡した状態となってしまう。これを回避するために、本発明ではシリコンを主成分とする絶縁材料など、カーボン含有量の低い無機系材料を用いる。カーボン含有量の低い無機系材料として、具体的には、たとえば、シリコンゲルやシリコンゴムなどが挙げられる。なお、絶縁材料を絶縁信号伝送デバイス４上を含む領域４０に密着させると、絶縁信号伝送デバイス４を構成する一次側の電極と二次側の電極とが短絡した状態になるのを防ぐことができる。
【００４１】
また、たとえば、実施の形態２または実施の形態３に示したように、領域３５および領域３６、または領域３７および領域３８を設けた場合、これらの領域に跨るように絶縁材料を密着させてもよい。これによって、第一の電極２と第二の電極３との間をすべて含む領域に絶縁材料を密着させた場合と同様の効果を得ることができる。
【００４２】
上述した実施の形態４によれば、第一の電極２と第二の電極３との間の距離を、通常印加電圧よりも高く絶縁信号伝送デバイス４の絶縁耐圧よりも低い電圧で放電を開始する距離に設定し、さらに、第一の電極２および第二の電極３の放電箇所に周囲のパッケージ封止材料とは異なる絶縁材料を用いることで、放電による炭化を防ぐことができる。これによって、通常印加電圧よりも高く絶縁信号伝送デバイス４の絶縁耐圧よりも低い電圧で放電を開始する距離を維持することができるため、通常印加電圧より大きい電圧による放電が繰り返しおこなわれても、絶縁信号伝送デバイス４を破壊させないことができる。
【産業上の利用可能性】
【００４３】
以上のように、本発明にかかる信号伝送装置は、サージ電圧などの通常印加電圧より大きい電圧がかかった際の装置内におけるＥＳＤ対策に有用であり、特に、車両用のモジュールなどに適している。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本発明の実施の形態１にかかる信号伝送装置の構成を示す説明図である。
【図２】本発明の実施の形態１にかかる信号伝送装置の構成を示す回路図である。
【図３】本発明の実施の形態１にかかる信号伝送装置の等価回路を示す回路図である。
【図４】本発明の実施の形態１にかかる信号伝送装置と他の回路との関係を示す回路図である。
【図５】本発明の実施の形態２にかかる信号伝送装置の構成を示す説明図である。
【図６】本発明の実施の形態３にかかる信号伝送装置の構成を示す説明図である。
【図７】本発明の実施の形態４にかかる信号伝送装置の構成を示す説明図である。
【図８】従来の信号伝送装置の構成を示す説明図である。
【図９】従来の信号伝送装置の構成を示す断面図である。
【符号の説明】
【００４５】
１  信号伝送装置
２  第一の電極
３  第二の電極
４  絶縁信号伝送デバイス
５  信号処理ＩＣ
６  第一の電極側の信号端子
７  第二の電極側の信号端子
８  第一の電極側の外部端子
９  第二の電極側の外部端子
１０  絶縁された領域
Ｌ１  距離
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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