(57)【要約】【課題】電磁波吸収性が周波数に依存しない電磁波吸収体を提供する。【解決手段】電磁波吸収体１８の面抵抗値を３０π（Ω□）〜１２０π（Ω□）とすることにより、照射された電磁波エネルギーの４５％〜５０％を吸収することができる。また、単層の導電層２６によって電磁波吸収特性が周波数に依存しない。よって、広帯域の電磁波に対して利用できる。また、この導電層２６は、所定のパターンに形成されているので、安定して形成することができる範囲の面抵抗値とした導電層２６を用いることができ、この導電層２６のパターン形状の違いによって電磁波吸収体１８の面抵抗値を制御する。これにより、電磁波吸収体１８の面抵抗値を特定の値に容易に制御することができる。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
単層の導電層を備え、
面抵抗値が３０π（Ω□）〜１２０π（Ω□）であることを特徴とする電磁波吸収体。
【請求項２】
前記導電層は、所定のパターンに形成されていることを特徴とする請求項１に記載の電磁波吸収体。
【請求項３】
溶剤溶解性材料で誘電体上にマスク部を印刷する工程と、
真空蒸着によって前記誘電体上の全面に導電性材料を積層させる工程と、
前記マスク部を溶剤で除去して前記導電層を形成する工程と、
で製造されることを特徴とする請求項２に記載の電磁波吸収体。
【請求項４】
前記溶剤溶解性材料は水溶性樹脂を含有する印刷材料であり、
所定のパターンに形成された前記導電層の線幅は１０μｍ〜２００μｍであり、
前記線幅の精度は±１０％以内であり、
前記真空蒸着はアルミニウムの真空蒸着であって該真空蒸着量が可視光透過率換算の値で２０％〜６０％であることを特徴とする請求項３に記載の電磁波吸収体。
【請求項５】
誘電体の表面に粗面化処理を施す工程と、
導電性ナノ金属粉末を含有する導電性インクで前記誘電体上に所定のパターンを印刷する工程と、
印刷された前記導電性インクを加熱し、金属を析出させて前記導電層を形成する工程と、
前記誘電体上を洗浄する工程と、
で製造されることを特徴とする請求項２に記載の電磁波吸収体。
【請求項６】
誘電体の表面に粗面化処理を施す工程と、
還元液を混合した無電解メッキ液で前記誘電体上に所定のパターンを印刷して金属を析出させる工程と、
析出させた前記金属を定着させて前記導電層を形成する工程と、
前記誘電体上を洗浄する工程と、
で製造されることを特徴とする請求項２に記載の電磁波吸収体。
【請求項７】
誘電体の表面に粗面化処理を施す工程と、
無電解メッキ液を前記誘電体上の全面に印刷する工程と、
還元液で前記誘電体上に所定のパターンを印刷し、金属を析出させる工程と、
析出させた前記金属を定着させて前記導電層を形成する工程と、
前記還元液が印刷されていない前記誘電体上に金属が析出する前に、前記誘電体上を洗浄する工程と、
で製造されることを特徴とする請求項２に記載の電磁波吸収体。
【請求項８】
無電解メッキ液で誘電体上に所定のパターンを印刷し、前記誘電体中に浸透させる工程と、
前記無電解メッキ液を浸透させた誘電体に還元液を印刷し、前記誘電体中に浸透させ、前記誘電体中の構造に絡めて金属を析出及び固定させる工程と、
前記誘電体上を洗浄する工程と、
で製造されることを特徴とする請求項２に記載の電磁波吸収体。
【請求項９】
メッキ液の透過を阻止し、電子を透過させる薄膜を備えた誘電体をメッキ液に浸す工程と、
前記薄膜をメッキ処理し、金属を前記薄膜上に付着させて前記導電層を形成する工程と、
前記誘電体上を洗浄する工程と、
で製造されることを特徴とする請求項２に記載の電磁波吸収体。
【請求項１０】
誘電体の表面極性を化学的処理及び光エネルギーの付与の少なくとも一方によってパターニングする工程と、
パターニングされた表面に導電性素材を含有する親水性液体又は疎水性液体を付与して、前記パターニングに対応した形状に前記導電層を形成する工程と、
で製造されることを特徴とする請求項２に記載の電磁波吸収体。
【請求項１１】
誘電体上にパターン状に印刷されたインク樹脂の表面に、平均粒子径が０．１ｎｍ〜１００ｎｍの導電性ナノ金属粉末を付着させる工程と、
前記導電性ナノ金属粉末に圧力を加えて前記インク樹脂の表面に付着した前記導電性ナノ金属粉末同士を密着させる工程と、
前記導電性ナノ金属粉末及び前記インク樹脂を加熱して、前記導電性ナノ金属粉末を融着し、加熱硬化させる前記インク樹脂の表面に導電性金属被膜を形成して前記導電層を形成する工程と、
で製造されることを特徴とする請求項２に記載の電磁波吸収体。
【請求項１２】
スパッタ法、レーザーアブレーション法、クラスターイオン蒸着法、イオンプレーティング法、分子線エピタキシー法、化学気相成長法、真空蒸着法、電子ビーム蒸着法、ゾルゲル法、水溶液電解法、スピンコート法、又はスプレー熱分解法によって、ＩＴＯ系、ＺｎＯ系、ＳｎＯ２系、ＣｕＩ、ＩｎＳｂＯ４、ＺｎＭｇＯ、ＣｕＩｎＯ２、ＭｇＩｎ２Ｏ４、ＣｄＯ、又はＺｎＳｎＯ３の透明導電膜を誘電体上に蒸着させて前記導電層を形成することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の電磁波吸収体。
【請求項１３】
誘電体上の全面に導電性材料を真空蒸着する工程と、
真空蒸着した前記導電性材料の一部を前記誘電体と一体に型抜きして前記導電層を形成する工程と、
で製造されることを特徴とする請求項２に記載の電磁波吸収体。
【請求項１４】
誘電体上の全面に導電性材料を真空蒸着する工程と、
真空蒸着した前記導電性材料と、該導電性材料と一体化した前記誘電体とに、互い違いになるように複数列の切れ目を入れる工程と、
前記誘電体及び真空蒸着した前記導電性材料の両端を前記切れ目に対して直交方向外側に引っ張って前記導電層を形成する工程と、
で製造されることを特徴とする請求項２に記載の電磁波吸収体。
【請求項１５】
格子構造又はハニカム構造を構成する板状の誘電体の側面の一方、又は上端面及び下端面の少なくとも一方に導電性材料を真空蒸着させて前記導電層を形成することを特徴とする請求項２に記載の電磁波吸収体。
【請求項１６】
前記導電層は、導電性を有する複数の導電糸を所定の間隔で平行に配置することによって形成されていることを特徴とする請求項２に記載の電磁波吸収体。
【請求項１７】
前記溶剤溶解性材料、前記導電性ナノ金属粉末を含有する導電性インク、前記無電解メッキ液、又は前記還元液は、グラビア印刷又はインクジェット印刷で印刷されることを特徴とする請求項３〜８の何れか１項に記載の電磁波吸収体。
【請求項１８】
前記導電層は金属であり、
該導電層を加熱して、前記導電層の表面に絶縁層を生成することを特徴とする請求項１〜１６の何れか１項に記載の電磁波吸収体。
【請求項１９】
前記導電層は、導電性樹脂であることを特徴とする請求項１〜３及び１３〜１６の何れか１項に記載の電磁波吸収体。
【請求項２０】
前記誘電体は、透明であることを特徴とする請求項３〜１５の何れか１項に記載の電磁波吸収体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電磁波を吸収する電磁波吸収体に関する。
【背景技術】
【０００２】
電磁波を放射する機器を扱う室内から外部への電磁波の漏洩を防ぐために、電磁波の反射率が高い金属材料で室全体を覆うシールド技術が一般に用いられている。
【０００３】
しかし、この場合、機器から放射された電磁波が多重反射を起こすために室内の電磁エネルギー密度が高くなり、機器の使用に支障を来すことが問題となる。また、このような室空間は人間に対しても好ましい環境ではなく、特に、ペースメーカをつけている人などは危険度が高くなる。
【０００４】
このような問題を解決する方法として、室内に電磁波吸収体を配置することが考えられている。
【０００５】
しかし、例えば、厚さを波長の１／４程度にした電磁波吸収体は、特定の周波数に合わせて設計されているために、室内に設置する機器の変更等によって機器から放射される電磁波の周波数が変わる場合には、その周波数に対応できる電磁波吸収体に変えなければならない。また、異なる比誘電率を有する複数の誘電体を重ねた多重膜による電磁波吸収体は厚さを有するので、設置場所の自由度に制約があり、価格も高価になる。
【０００６】
また、導電性部材を支持体表面に積層した導電性基材が電磁波吸収体として提案されている。
【０００７】
導電性基材の面抵抗値の制御は、導電性部材の塗工量の調節によって行う。例えば、導電性塗料の塗布量調節やアルミニウム等の金属の蒸着量調節によって面抵抗値の制御を行う。
【０００８】
引用文献１の透明導電体の製造方法は、透明基体の表面極性を、化学的処理や光エネルギーの付与によってパターニングし、この表面に導電性素材を含有する親水性液体又は疎水性液体を付与することにより、パターニングした形状に導電性素材を形成するものである。これにより、低温で任意のパターンの透明導電性素材を簡便に形成することができる。
【０００９】
引用文献２の回路の製造方法は、図２９に示すように、まず、印刷法を用いて予め基板２５０上に印刷したパターン状のインキ樹脂２５２の表面２５２Ａに、平均粒子径が０．１ｎｍ〜１００ｎｍの導電性ナノ金属粉末２５４を付着させる。次に、導電性ナノ金属粉末２５４に圧力を加えた後に、導電性ナノ金属粉末２５４及びインキ樹脂２５２を加熱して、インキ樹脂２５２の表面２５２Ａに導電性金属被膜を形成するものである。これにより、簡易な工程で導電性の極めて良好な回路を容易に形成することができる。
【００１０】
そして、優れた電磁波吸収性を得るためには、電磁波吸収体の面抵抗値を電磁波エネルギーが吸収される割合が最も高くなる付近の特定の値に制御する必要がある。
【特許文献１】特開平１１−２３２９４０号公報
【特許文献２】特開２００４−１７２２８３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明は係る事実を考慮し、電磁波吸収性が周波数に依存しない電磁波吸収体を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
請求項１に記載の発明は、単層の導電層を備え、面抵抗値が３０π（Ω□）〜１２０π（Ω□）であることを特徴としている。
【００１３】
請求項１に記載の発明では、電磁波吸収体の面抵抗値が３０π（Ω□）〜１２０π（Ω□）なので、優れた電磁波吸収性（照射された電磁波エネルギーの４５％〜５０％を吸収）を得ることができる。
また、導電層が単層なので電磁波吸収特性が周波数に依存しない。よって、広帯域の電磁波に対して利用できる。
【００１４】
請求項２に記載の発明は、前記導電層は、パターン状に形成されていることを特徴としている。
【００１５】
請求項２に記載の発明では、導電層がパターン状になっているので、安定して形成することができる範囲の面抵抗値で導電層を形成することができる。そして、この導電層のパターン形状の違いによって電磁波吸収体の面抵抗値を制御する。
【００１６】
これにより、電磁波吸収体の面抵抗値を特定の値に容易に制御することができる。
【００１７】
請求項３に記載の発明は、溶剤溶解性材料で誘電体上にマスク部を印刷する工程と、真空蒸着によって前記誘電体上の全面に導電性材料を積層させる工程と、前記マスク部を溶剤で除去して前記導電層を形成する工程と、で製造されることを特徴としている。
【００１８】
請求項３に記載の発明では、誘電体上に溶剤溶解性材料でマスク部を印刷し、この誘電体上の全面に真空蒸着によって導電性材料を積層させる。
【００１９】
そして、マスク部を溶剤で除去することによって導電層が形成される。
【００２０】
よって、従来の印刷技術を利用することができるので、容易に電磁波吸収体を製造することができる。
【００２１】
請求項４に記載の発明は、前記溶剤溶解性材料は水溶性樹脂を含有する印刷材料であり、パターン状に形成された前記導電層の線幅は１０μｍ〜２００μｍであり、前記線幅の精度は±１０％以内であり、前記真空蒸着はアルミニウムの真空蒸着であって該真空蒸着量が可視光透過率換算の値で２０％〜６０％であることを特徴としている。
【００２２】
請求項４に記載の発明では、溶剤溶解性材料を水溶性樹脂を含有する印刷材料とし、パターン状の導電層の線幅が１０μｍ〜２００μｍとなっている。この線幅の精度は±１０％以内である。
【００２３】
また、アルミニウムの真空蒸着によって導電性材料を積層させ、この真空蒸着量を可視光透過率換算の値で２０％〜６０％としている。
【００２４】
よって、真空蒸着量を可視光透過率換算の値で２０％〜６０％とすることによって、より安定した面抵抗値を有する電磁波吸収体を製造することができる。
【００２５】
また、線幅及びこの線幅の精度を限定することによって、特定の面抵抗値に精度よく制御することができる。
【００２６】
請求項５に記載の発明は、誘電体の表面に粗面化処理を施す工程と、導電性ナノ金属粉末を含有する導電性インクで前記誘電体上にパターンを印刷する工程と、印刷された前記導電性インクを加熱し、金属を析出させて前記導電層を形成する工程と、前記誘電体上を洗浄する工程と、で製造されることを特徴としている。
【００２７】
請求項５に記載の発明では、誘電体の表面に粗面化処理を施し、この誘電体上に導電性ナノ金属粉末を含有する導電性インクでパターンを印刷する。
【００２８】
次に、印刷された導電性インクを加熱して金属を析出させる。ここで、この析出した金属が導電層となる。
【００２９】
そして、導電層を形成した後に誘電体上を洗浄する。
【００３０】
よって、従来の印刷技術を利用することができるので、容易に電磁波吸収体を製造することができる。
【００３１】
請求項６に記載の発明は、誘電体の表面に粗面化処理を施す工程と、還元液を混合した無電解メッキ液で前記誘電体上に所定のパターンを印刷して金属を析出させる工程と、析出させた前記金属を定着させて前記導電層を形成する工程と、前記誘電体上を洗浄する工程と、で製造されることを特徴としている。
【００３２】
請求項６に記載の発明では、誘電体の表面に粗面化処理を施し、この誘電体上に還元液を混合した無電解メッキ液で所定のパターンを印刷して金属を析出させる。析出時に、誘電体の表面の凹凸や繊維等に絡めることで金属を定着（固定化）する。ここで、この定着させた金属が導電層となる。
【００３３】
そして、金属を定着させた後に誘電体上を洗浄する。
【００３４】
よって、従来の印刷技術を利用することができるので、容易に電磁波吸収体を製造することができる。
【００３５】
請求項７に記載の発明は、誘電体の表面に粗面化処理を施す工程と、無電解メッキ液を前記誘電体上の全面に印刷する工程と、還元液で前記誘電体上に所定のパターンを印刷し、金属を析出させる工程と、析出させた前記金属を定着させて前記導電層を形成する工程と、前記還元液が印刷されていない前記誘電体上に金属が析出する前に、前記誘電体上を洗浄する工程と、で製造されることを特徴としている。
【００３６】
請求項７に記載の発明では、誘電体の表面に粗面化処理を施し、この誘電体上の全面に無電解メッキ液を印刷する。
【００３７】
次に、全面に導電性インクが印刷された誘電体上に還元液でパターンを印刷する。これによって金属を析出させる。
【００３８】
次に、金属が析出された部分を例えば収束レーザーにより加熱して析出させた金属を定着させる。または、誘電体上の凹凸部、又は繊維等に絡めて定着させる。ここで、この定着させた金属が導電層となる。
【００３９】
そして、還元液が印刷されていない誘電体上に金属が析出する前に、誘電体上を洗浄する。
【００４０】
よって、従来の印刷技術を利用することができるので、容易に電磁波吸収体を製造することができる。
【００４１】
また、還元液の作用によって金属の析出が早まるので、電磁波吸収体の製造時間を短縮することができる。
【００４２】
請求項８に記載の発明は、無電解メッキ液で前記誘電体上に所定のパターンを印刷し、前記誘電体中に浸透させる工程と、前記無電解メッキ液を浸透させた誘電体に還元液を印刷し、前記誘電体中に浸透させ、誘電体中の構造に絡めて金属を析出及び固定させる工程と、前記誘電体上を洗浄する工程と、で製造されることを特徴としている。
【００４３】
請求項８に記載の発明では、誘電体上に無電解メッキ液で所定のパターンを印刷して、無電解メッキ液を誘電体中に浸透させる。
【００４４】
次に、無電解メッキ液を浸透させた誘電体に還元液を印刷し、還元液を誘電体中に浸透させて、金属を析出させる。
【００４５】
次に、析出させた金属を誘電体中の構造に絡めて定着させる。ここで、この定着させた金属が導電層となる。
【００４６】
そして、金属を定着させた後に誘電体上を洗浄する。
【００４７】
よって、従来の印刷技術を利用することができるので、容易に電磁波吸収体を製造することができる。
【００４８】
請求項９に記載の発明は、メッキ液の透過を阻止し、電子を透過させる薄膜を備えた誘電体をメッキ液に浸す工程と、前記薄膜をメッキ処理し、金属を前記薄膜上に付着させて前記導電層を形成する工程と、前記誘電体上を洗浄する工程と、で製造されることを特徴としている。
【００４９】
請求項９に記載の発明では、誘電体をメッキ液に浸す。この誘電体は、メッキ液の透過を阻止するが、電子を透過させる薄膜を備えている。
【００５０】
次に、メッキ処理によって薄膜上に金属を付着させる。ここで、この付着させた金属が導電層となる。
【００５１】
そして、金属を付着させた後に誘電体上を洗浄する。
【００５２】
よって、印刷によりパターニングする場合に必要となる表面処理を行わなくてよい。
【００５３】
請求項１０に記載の発明は、誘電体の表面極性を化学的処理及び光エネルギーの付与の少なくとも一方によってパターニングする工程と、パターニングされた表面に導電性素材を含有する親水性液体又は疎水性液体を付与して、前記パターニングに対応した形状に前記導電層を形成する工程と、で製造されることを特徴としている。
【００５４】
請求項１０に記載の発明では、化学的処理及び光エネルギーの付与の少なくとも一方によって、誘電体の表面極性をパターニングする。
【００５５】
次に、パターニングされた表面に導電性素材を含有する親水性液体又は疎水性液体を付与する。
【００５６】
これにより、誘電体に施された表面極性のパターニングに対応した形状の導電層が形成されるので、低温で任意のパターンの導電層を簡便に形成することができる。
【００５７】
請求項１１に記載の発明は、誘電体上にパターン状に印刷されたインク樹脂の表面に、平均粒子径が０．１ｎｍ〜１００ｎｍの導電性ナノ金属粉末を付着させる工程と、前記導電性ナノ金属粉末に圧力を加えて前記インク樹脂の表面に付着した前記導電性ナノ金属粉末同士を密着させる工程と、前記導電性ナノ金属粉末及び前記インク樹脂を加熱して、前記導電性ナノ金属粉末を融着し、加熱硬化させる前記インク樹脂の表面に導電性金属被膜を形成して前記導電層を形成する工程と、で製造されることを特徴としている。
【００５８】
請求項１１に記載の発明では、誘電体上にインク樹脂でパターンを印刷し、このインク樹脂の表面に、平均粒子径が０．１ｎｍ〜１００ｎｍの導電性ナノ金属粉末を付着させる。
【００５９】
次に、導電性ナノ金属粉末に圧力を加えてインク樹脂の表面に付着した導電性ナノ金属粉末同士を密着させる。
【００６０】
そして、導電性ナノ金属粉末及びインク樹脂を加熱して、導電性ナノ金属粉末を融着し、インク樹脂を加熱硬化させる。
【００６１】
これによって、インク樹脂の表面に導電性金属被膜が形成されて導電層となる。
【００６２】
よって、簡易な工程で導電性の極めて良好な導電層を容易に形成することができる。
【００６３】
請求項１２に記載の発明は、スパッタ法、レーザーアブレーション法、クラスターイオン蒸着法、イオンプレーティング法、分子線エピタキシー法、化学気相成長法、真空蒸着法、電子ビーム蒸着法、ゾルゲル法、水溶液電解法、スピンコート法、又はスプレー熱分解法によって、ＩＴＯ系、ＺｎＯ系、ＳｎＯ２系、ＣｕＩ、ＩｎＳｂＯ４、ＺｎＭｇＯ、ＣｕＩｎＯ２、ＭｇＩｎ２Ｏ４、ＣｄＯ、又はＺｎＳｎＯ３の透明導電膜を誘電体上に蒸着させて前記導電層を形成することを特徴としている。
【００６４】
請求項１２に記載の発明では、既存の蒸着法により、誘電体上に透明導電膜を蒸着させることによって、電磁波吸収体を構築することができる。
【００６５】
特に、ＩＴＯ系の透明導電膜は５０Ω□以上の範囲においても安定した面抵抗値を得ることができ、ベタの蒸着においても面抵抗値の安定的な制御が可能なので、パターニングする必要がない。
【００６６】
請求項１３に記載の発明は、誘電体上の全面に導電性材料を真空蒸着する工程と、真空蒸着した前記導電性材料の一部を前記誘電体と一体に型抜きして前記導電層を形成する工程と、で製造されることを特徴としている。
【００６７】
請求項１３に記載の発明では、誘電体上の全面に導電性材料を真空蒸着する。
【００６８】
次に、真空蒸着した導電性材料の一部を誘電体と一体に型抜きする。ここで、型抜きされて残った導電性材料が導電層を形成する。
【００６９】
よって、真空蒸着した後の堅い導電性部材を型抜きしてパターニングするので、印刷等によるパターニングよりも導電層のパターン形状を精度よく形成することができる。
【００７０】
請求項１４に記載の発明は、誘電体上の全面に導電性材料を真空蒸着する工程と、真空蒸着した前記導電性材料と、該導電性材料と一体化した前記誘電体とに、互い違いになるように複数列の切れ目を入れる工程と、前記誘電体及び真空蒸着した前記導電性材料の両端を前記切れ目に対して直交方向外側に引っ張って前記導電層を形成する工程と、
で製造されることを特徴としている。
【００７１】
請求項１４に記載の発明では、誘電体上の全面に導電性材料を真空蒸着する。
【００７２】
次に、真空蒸着した導電性材料と、導電性材料と一体化した誘電体とに複数列の切れ目を入れる。この複数列の切れ目は互い違いになっている。
【００７３】
そして、切れ目に対して直交方向外側に、誘電体及び真空蒸着した導電性材料の両端を引っ張る。ここで、真空蒸着した導電性材料に開口が形成されて導電層となる。
【００７４】
よって、導電層を構成する各線間の導通性が保たれるので、より安定した面抵抗値を確保でき、長期間の使用においても面抵抗値が変化せずに、初期の電磁波吸収性を維持できる。
【００７５】
請求項１５に記載の発明は、格子構造又はハニカム構造を構成する板状の誘電体の側面の一方、又は上端面及び下端面の少なくとも一方に導電性材料を真空蒸着させて前記導電層を形成することを特徴としている。
【００７６】
請求項１５に記載の発明では、板状の誘電体によって格子構造又はハニカム構造が構成されている。
【００７７】
そして、この誘電体の側面の一方、又は上端面及び下端面の少なくとも一方に導電性材料を蒸着させて導電層を形成する。
【００７８】
よって、格子構造又はハニカム構造を構成する板状の誘電体のスパンを変更するだけの簡単な方法で、面抵抗値を制御することができる。
【００７９】
請求項１６に記載の発明は、前記導電層は、導電性を有する複数の導電糸を所定の間隔で平行に配置することによって形成されていることを特徴としている。
【００８０】
請求項１６に記載の発明では、導電性を有する導電糸が所定の間隔で平行に複数配置されて導電層を形成している。
【００８１】
よって、市販品である導電糸を用いることができ、低コストで電磁波吸収体を製造できる。
【００８２】
請求項１７に記載の発明は、前記溶剤溶解性材料、前記導電性ナノ金属粉末を含有する導電性インク、前記無電解メッキ液、又は前記還元液は、グラビア印刷又はインクジェット印刷で印刷されることを特徴としている。
【００８３】
請求項１７に記載の発明では、溶剤溶解性材料、導電性ナノ金属粉末を含有する導電性インク、無電解メッキ液、又は還元液での印刷は、グラビア印刷又はインクジェット印刷なので、マスク部又はパターンを精度よく印刷することができる。
【００８４】
特にグラビア印刷の場合、印刷される導電性インクの厚さを厚くすることができるので、面抵抗値の制御範囲が広くなる。
【００８５】
請求項１８に記載の発明は、前記導電層は金属であり、該導電層を加熱して、前記導電層の表面に絶縁層を生成することを特徴としている。
【００８６】
請求項１８に記載の発明では、金属の導電層を加熱し、この導電層の表面に絶縁層を生成する。
【００８７】
よって、生成する絶縁層の量を調節することにより、面抵抗値を制御することができる。
【００８８】
請求項１９に記載の発明は、前記導電層は、導電性樹脂であることを特徴としている。
【００８９】
請求項１９に記載の発明では、導電層となる導電性樹脂は錆びないので、長期間の使用においても面抵抗値が変化せずに、初期の電磁波吸収性を維持できる。
【００９０】
請求項２０に記載の発明は、前記誘電体は、透明であることを特徴としている。
【００９１】
請求項２０に記載の発明では、誘電体が透明なので、窓ガラス等の透き通った部材に、電磁波吸収体を貼った場合においても、視界を遮ることなく、また採光性も確保することができる。
【発明の効果】
【００９２】
本発明は上記構成としたので、電磁波吸収性が周波数に依存しない電磁波吸収体を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００９３】
図面を参照しながら、本発明の実施形態に係る電磁波吸収体を説明する。
【００９４】
なお、本実施形態の電磁波吸収体は、電磁波の吸収を必要とする様々な場所に配置することができ、例えば、壁、天井、床やパーテション等に設けることができる。
【００９５】
まず、本実施形態の電磁波吸収体の面抵抗値が３０π（Ω□）〜１２０π（Ω□）である場合に、優れた電磁波吸収性が得られることについて説明する。
【００９６】
図１の各曲線は、フィルムに電磁波を照射したときの、フィルムの面抵抗値（横軸）に対する電磁波の反射、透過、及び吸収エネルギーの割合（縦軸）を示している。実線１０は吸収エネルギー、一点鎖線１２は透過エネルギー、二点鎖線１４は反射エネルギーをそれぞれ示している。これらの値は、有限要素法シミュレーションにより計算した結果である。
【００９７】
例えば、フィルムの面抵抗値が十分に低い１．Ｅ−０１Ω□程度の金属等の場合には、照射された電磁波は、ほぼ全て反射される。また逆に、フィルムの面抵抗値が十分に高い１．Ｅ＋０６（Ω□）程度のビニールシート等の絶縁膜の場合には、照射された電磁波は、ほぼ全て透過される。
【００９８】
そして、フィルムの面抵抗値が６０π（Ω□）（Ａ１点）のときに吸収エネルギーが最大となり、入射エネルギーの５０％が吸収されて、２５％が透過され、２５％が反射される。
【００９９】
このように電磁波の吸収特性は、面抵抗値が６０π（Ω□）（Ａ１点）のときの吸収エネルギーの値５０％を頂点とする正規分布の曲線になり、さらに、図１より、面抵抗値が３０π（Ω□）（Ｂ１点）、１２０π（Ω□）（Ｂ２点）のときに入射エネルギーの４５％が吸収され、面抵抗値が４５π（Ω□）（Ｃ１点）、９０π（Ω□）（Ｃ２点）のときに入射エネルギーの４７．５％が吸収されるので、優れた電磁波吸収性（照射された電磁波エネルギーの４５％〜５０％を吸収）を得るためには、電磁波吸収体の面抵抗値を３０π（Ω□）〜１２０π（Ω□）とすればよく、４５π（Ω□）〜９０π（Ω□）とするのが好ましく、６０π（Ω□）とするのがより好ましい。
【０１００】
また、これらの特性は、電磁波吸収体の導電層が単層であれば周波数に依存しないので、広帯域の電磁波に対して利用できる。
【０１０１】
後述する第１〜１４の実施形態の電磁波吸収体は、面抵抗値がこれらの条件（３０π（Ω□）〜１２０π（Ω□）とすればよく、４５π（Ω□）〜９０π（Ω□）とするのが好ましく、６０π（Ω□）とするのがより好ましい）を満たし、単層の導電層を備えるものなので、優れた電磁波吸収性を得ることができ、広帯域の電磁波に対して利用できる。
【０１０２】
なお、面抵抗値が６０π（Ω□）のときの吸収エネルギーの値が最大になることは、等価回路をキルヒホッフの法則によって解くことからも立証できる。
【０１０３】
図２に示す、フィルムに電磁波を照射したモデルの等価回路１６にキルヒホッフの法則を適用し、フィルムに到達する電磁波の起電力をＶ、等価回路に流れる電流をＩ１、Ｉ２、空間のインピーダンスをＺ０、フィルムの面抵抗値をＲとすると、式（１）、（２）が得られる。
【０１０４】
【数１】
2008034651.tif 000003
【０１０５】
【数２】
2008034651.tif 000004
この式（１）、（２）より、フィルムで消費される電力Ｐは式（３）によって算出される。
【０１０６】
【数３】
2008034651.tif 000005
さらに、フィルムの面抵抗値Ｒで式（３）を偏微分して電力吸収の極値を求め、空間のインピーダンスＺ０を１２０π（Ω）とすると、式（４）よりフィルムの面抵抗値は６０π（Ω）となり、シミュレーション結果と一致する。
【０１０７】
【数４】
2008034651.tif 000006
次に、本発明の第１の実施形態に係る電磁波吸収体１８について説明する。
【０１０８】
電磁波吸収体１８は、図３（Ａ）〜（Ｃ）の手順によって製造される。
【０１０９】
まず、図３（Ａ）に示すように、誘電体としての透明な支持体２０上に、溶剤溶解性材料としての印刷材料でマスク部２２を印刷する。
【０１１０】
支持体２０には、フィルム等の絶縁性材料が用いられる。比誘電率が低く、対象とする電磁波の波長に対して厚さが薄いものの方が、高い電磁波吸収性が得られるので好ましい。
【０１１１】
フィルムには、例えば、ポリエステルフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム等のプラスチックフィルムを用いることができるが、ポリエステルフィルムが好ましい。
【０１１２】
フィルムの場合、厚さは１０μｍ〜４００μｍ程度であることが好ましい。また、表面にコロナ放電処理等を施してもよい。なお、厚さが比較的厚い１００μｍ程度を超えるものの場合、シートと称することもある。
【０１１３】
印刷材料としては、印刷に適する溶剤溶解性の材料であればよく、樹脂を主成分とする材料を用いてもよい。水溶性樹脂成分を含有する材料は、溶剤の取り扱いが容易であるので溶剤溶解性材料として適しており、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、ポリビニルアルコール樹脂等を用いることができる。
【０１１４】
これらの印刷材料の中でも、より好ましい例として、例えば、以下の水溶性アクリル樹脂を主成分とする印刷材料を挙げることができる。
【０１１５】
例えば、酸価が５０〜２００、Ｔｇが５０゜Ｃ〜１００゜Ｃの水溶性アクリル樹脂を５質量％〜２５質量％と、酸化チタン、炭酸マグネシウム及び沈降性硫酸バリウムから成る群から選ばれる一種類以上の無機顔料を５質量％〜３０質量％とを含有する印刷材料が挙げられる。
【０１１６】
酸価は水洗性の観点から、より好ましくは１００〜１４０であり、Ｔｇは良好な網点を形成するために、より好ましくは６０゜Ｃ〜９０゜Ｃである。
【０１１７】
また、無機顔料としては、沈降性硫酸バリウムが水洗性及び網点形成に優れた好適な材料である。
【０１１８】
そして、これらの印刷材料で、グラビア印刷、インクジェット印刷、フレキソ印刷、スクリーン印刷等の印刷方法によってマスク部２２を支持体２０に印刷し、図３（Ｂ）に示すように、アルミニウムの真空蒸着によって支持体２０の全面に導電性材料としてのアルミニウム２４を積層させる。
【０１１９】
印刷方法としては、マスク部２２を精度よく印刷することができるグラビア印刷やインクジェット印刷が好ましい。
【０１２０】
第１の実施形態の電磁波吸収体１８は、マスク部２２の印刷精度とアルミニウム２４の蒸着量制御の組合せによって、特定の面抵抗値を精度よく得ることができる。
【０１２１】
マスク部２２のパターン形状としては、直交格子、斜め格子等の各種の形状が可能であるが、面抵抗値を特定の値に設定するために計算しやすい点で、直交格子状のパターン形状が好ましい。
【０１２２】
以下、直交格子状のパターン形状の場合について説明する。最終的な図３（Ｃ）の段階ではマスク部２２が除去されて、図４に示すように、支持体２０上に蒸着したアルミニウム２４によって格子状の導電層２６が形成される。
【０１２３】
よって、図３（Ａ）の段階でマスク部２２は、図４の領域Ｕ上に正方形状又は長方形状に印刷される。このとき、導電層としてのアルミニウム２４の線幅ｄを１０μｍ〜２００μｍ程度、アルミニウム２４の線間隔ｗを１００μｍ〜１０００μｍ程度となるようにする。
【０１２４】
また、支持体２０上に蒸着させたアルミニウム２４の線幅をｄ（μｍ）、線間隔をｗ（μｍ）、面抵抗値をＲＳ（Ω□）とすると、電磁波吸収体１８の面抵抗値Ｒ（Ω□）は、式（５）によって算出される。
【０１２５】
【数５】
2008034651.tif 000007
ここで、先に述べたように、優れた電磁波吸収性（照射された電磁波エネルギーの４５％〜５０％を吸収）を得るためには、電磁波吸収体の面抵抗値を３０π（Ω□）〜１２０π（Ω□）とする必要があるので、アルミニウム２４の線幅ｄ（μｍ）、線間隔ｗ（μｍ）、面抵抗値ＲＳ（Ω□）は、電磁波吸収体１８の面抵抗値Ｒ（Ω□）が式（６）の関係を満たす値であればよい。
【０１２６】
また、電磁波が電磁波吸収体１８を透過してしまわないように、線幅ｄ（μｍ）を吸収対象となる電磁波の波長の１／１０〜１／２０としている。
【０１２７】
【数６】
2008034651.tif 000008
また、式（７）の関係を満たすことが好ましく、さらには、式（８）の関係を満たすことがより好ましい。
【０１２８】
【数７】
2008034651.tif 000009
【０１２９】
【数８】
2008034651.tif 000010
例えば、アルミニウム２４の線幅ｄを１００μｍ、線間隔ｗを５００μｍとし、面抵抗値ＲＳを、安定して形成することができる範囲の３８Ω□とした格子状のパターンが繰り返される電磁波吸収体１８の場合、図３（Ａ）では、一辺が４００μｍの正方形のマスク部２２が複数印刷される。また、式（５）より面抵抗値Ｒは１９０Ω□となり、式（８）の条件をほぼ満たす好適な電磁波吸収体１８となる。
【０１３０】
また、特定の面抵抗値を精度よく得るためには、格子を形成するアルミニウム２４の線幅ｄの精度を±１０％以内とすることが望ましく、これを実現するためにはグラビア印刷が有効である。グラビア印刷は印刷精度以外にも、版のセルの大きさ、深さを製版時に自由に調節できるといった利点を有する。以下、グラビア印刷での好ましい条件を説明する。
【０１３１】
通常の印刷条件における印刷材料の粘度は、例えば、株式会社トキメック製のＢ型粘度計による測定（ローター＃３、６０回転）において、５００ｍＰａ・Ｓ〜３０００ｍＰａ・Ｓ程度が好ましく、より好ましくは７００ｍＰａ・Ｓ〜１５００ｍＰａ・Ｓである。
【０１３２】
グラビア印刷によってマスク部分を印刷する場合の印刷スピードは、２５ｍ／分〜７５ｍ／分が好ましい。より好ましくは３０ｍ／分〜５０ｍ／分である。
【０１３３】
一例として、富士機械工業株式会社製グラビア輪転印刷機（型式ＦＤ０９５−３−４１３）を用いて印刷する場合を示すと、ドクター圧は０．８ｋｇ／ｃｍ２〜３ｋｇ／ｃｍ２が好ましい。より好ましいドクター圧は０．８ｋｇ／ｃｍ２〜２．５ｋｇ／ｃｍ２である。
【０１３４】
好ましい印刷条件の一例を挙げると、印刷スピードは５０ｍ／分、印圧は４ｋｇ／ｃｍ２、ドクター圧は１ｋｇ／ｃｍ２、乾燥温度は８０°Ｃ程度である。
【０１３５】
真空蒸着では、例えば、面抵抗値として２００Ω□を設定し、パターン無しの全面ベタで蒸着をした場合、面抵抗値は概ね５０Ω□〜３００Ω□とバラツキ、安定した面抵抗値を得ることは難しい。
【０１３６】
そこで、アルミニウムの真空蒸着量の制御方法としては、透明な支持体２０に蒸着する場合、蒸着部分の可視光透過率と面抵抗値との相関を検量線に取る方法が採用されている。それでも、可視光透過率が７０％〜９０％程度の蒸着量の場合、面抵抗値は場所によって１００Ω□〜１０００Ω□と大きくバラツキ、安定した蒸着量を確保することは困難である。
【０１３７】
これに対して、可視光透過率が２０％〜６０％程度の範囲では、可視光透過率すなわち蒸着量と面抵抗値の相関が制御しやすいことが判明した。そこで、印刷精度とのバランスから、例えば、面抵抗値を２００Ω□程度に設定した場合、マスク部２２の印刷において、導電層としてのアルミニウム２４の線間隔ｗを５００μｍ、線幅ｄを１２０μｍ程度とし、蒸着における制御項目として可視光透過率を約４０％とすることで、安定した面抵抗値を有する電磁波吸収体１８を製造することができる。
【０１３８】
支持体２０上に導電性材料としてのアルミニウム２４が積層された後、溶剤によってマスク部２２を溶解して除去する。このとき、除去されるマスク部２２と共に、その上に積層されたアルミニウム２４も除去されて、単層の導電層２６が支持体２０上にパターン状に形成される（図３（Ｃ））。
【０１３９】
溶剤としては印刷材料に用いた樹脂を溶解するものであればよい。環境への負荷を考慮して、水溶性樹脂を用いた印刷材料で印刷し、その除去には水又は温水を用いることが好ましい。
【０１４０】
同様に、例えば、面抵抗値を３００Ω□程度に設定し、面抵抗値が２００Ω□のときと同様の線間隔ｗ及び線幅ｄとした場合、可視光透過率を約５０％とすることで安定した面抵抗値を有する電磁波吸収体１８を得ることができる。
【０１４１】
次に、本発明の第１の実施形態に係る電磁波吸収体１８の作用及び効果について説明する。
【０１４２】
第１の実施形態の電磁波吸収体１８は、面抵抗値が３０π（Ω□）〜１２０π（Ω□）であるので、優れた電磁波吸収性（照射された電磁波エネルギーの４５％〜５０％を吸収）を得ることができる。
【０１４３】
また、透明な支持体２０上に積層されたアルミニウム２４による導電層２６が単層であるので、電磁波吸収特性が周波数に依存しない。よって、広帯域の電磁波に対して利用することができる。
【０１４４】
また、図４に示すように、導電層２６が所定のパターンに形成されている。
【０１４５】
よって、安定して形成することができる範囲の面抵抗値で導電層を形成することができる。そして、この導電層のパターン形状の違いによって電磁波吸収体１８の面抵抗値を制御する。
【０１４６】
これにより、電磁波吸収体１８の面抵抗値を特定の値に容易に制御することができる。
【０１４７】
導電性材料を支持体の表面に積層した電磁波吸収体を製造する場合、この面抵抗値の制御は、例えば導電性塗料の塗布量の調節やアルミニウム等の金属の蒸着量の調節といった、導電性材料の塗工量の調節によって行う。
【０１４８】
面抵抗値が１Ω□〜５０Ω□程度の低い抵抗値の範囲では、導電性塗料の塗工や真空蒸着等で比較的安定して導電層を形成することができるが、５０Ω□程度以上の特定の抵抗値を有する全面ベタの導電層を形成することは極めて困難であった。例えば、アルミニウム真空蒸着の場合には蒸着ムラを生じ易く、５０Ω□程度以上の面抵抗値を有するアルミニウム薄膜を形成することは難しい。
【０１４９】
第１の実施形態の電磁波吸収体１８は、安定して形成することができる範囲の面抵抗値で導電層２６を形成し、この導電層のパターン形状の違いによって電磁波吸収体１８の面抵抗値を制御するものなので、５０Ω□程度以上の特定の面抵抗値にも安定して制御することができる。
【０１５０】
また、マスク部２２は従来の印刷技術によって形成することができるので、容易に電磁波吸収体１８を製造することができる。
【０１５１】
さらに、真空蒸着量を可視光透過率換算の値で２０％〜６０％とすることによって、より安定した面抵抗値を有する電磁波吸収体１８を製造することができる。
【０１５２】
なお、電磁波吸収体１８に照射する電磁波の垂直及び水平の偏波面に対応させる場合には、図４に示すような、直交格子状パターンの導電層にする必要があるが、
どちらか一方の偏波面のみに対応させる場合には、並行格子状パターンの導電層であっても構わない。
【０１５３】
また、第１の実施形態では、導電層となる蒸着したアルミニウム２４の面抵抗値を３８（Ω□）としたが、これに限らず、安定して形成することができる範囲の面抵抗値を用いればよい。
【０１５４】
次に、本発明の第２の実施形態に係る電磁波吸収体２８とその作用及び効果について説明する。
【０１５５】
第２の実施形態は、第１の実施形態の支持体２０上に導電性ナノ金属粉末を含有する導電性インクでパターンを印刷して導電層を形成するものである。
【０１５６】
第２の実施形態の電磁波吸収体２８は、図５（Ａ）〜（Ｄ）の手順によって製造される。
【０１５７】
まず、図５（Ａ）に示すように、誘電体としての透明な支持体２０の表面Ｓに粗面化処理を施して、後述する導電性インク３０が付着しやすい表面を形成しておく。
【０１５８】
次に、図５（Ｂ）に示すように、インクジェットプリンタ３２によって、導電性ナノ金属粉末を含有する導電性インク３０で、支持体２０上に並行格子状のパターンを任意の線間隔で印刷すると共に、導電性インク３０の照射量を調節することによって面抵抗値を制御する。
【０１５９】
ナノ金属粉末は、導電性インク３０に印刷材料としての性状を持たせるために、平均粒子径が０．１ｎｍ〜１００ｎｍ程度の金属であればよく、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ等を用いることができる。
【０１６０】
次に、図５（Ｃ）に示すように、支持体２０上に印刷された導電性インク３０を加熱し、金属３４を析出させて、単層の導電層３６をパターン状に形成する（図５（Ｄ））。
【０１６１】
そして、金属３４を析出させた後に、支持体２０上を洗浄する。
【０１６２】
ここで、並行格子状のパターンを形成する金属３４の線の単位長さ当りの抵抗値をＲＬ（Ω／ｍ）、線間隔をｗ（ｍ）とすると、１ｍ当たり１／ｗ（本）の線が存在することになるので、電磁波吸収体２８の面抵抗値Ｒ（Ω□）は、式（９）によって算出される。
【０１６３】
【数９】
2008034651.tif 000011
そして、抵抗値ＲＬ（Ω／ｍ）、線間隔ｗ（ｍ）は、式（９）によって算出される面抵抗値Ｒ（Ω□）が、第１の実施形態と同様に式（６）〜（８）の関係を満たす値であればよい。
【０１６４】
第２の実施形態では、パターンの印刷をインクジェットプリンタ３２によって行ったが、凸版印刷、グラビア印刷、オフセット印刷を用いてもよい。この場合は、線間隔のパターンと導電性インク３０の盛り具合を調節して転写し、面抵抗値を制御する。特に、図６に示すようなインクローラ３８によるグラビア印刷の場合、印刷される導電性インク３０の厚さを厚くすることができるので、面抵抗値の制御範囲が広くなる。
【０１６５】
また、導電性インク３０を重ねるように複数回印刷したり、支持体２０の両面に導電性インク３０を印刷したり、複数の支持体２０を重ね合わせて電磁波吸収体２８の面抵抗値を制御してもよい。
【０１６６】
これらのことから、電磁波吸収体が３０π（Ω□）〜１２０π（Ω□）の面抵抗値を有することによって優れた電磁波吸収性を発揮し、単層の導電層によって広帯域の電磁波への利用が可能であり、パターン状に形成された導電層によって面抵抗値の容易な制御ができるといった、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【０１６７】
また、導電性インク３０のパターンは、従来の印刷技術によって形成することができるので、容易に電磁波吸収体２８を製造することができる。
【０１６８】
次に、本発明の第３の実施形態に係る電磁波吸収体４０とその作用及び効果について説明する。
【０１６９】
第３の実施形態は、第１の実施形態の支持体２０上に無電解メッキ液でパターンを印刷して導電層を形成するものである。
【０１７０】
第３の実施形態の電磁波吸収体４０は、図７（Ａ）〜（Ｄ）の手順によって製造される。
【０１７１】
まず、図７（Ａ）に示すように、誘電体としての透明な支持体２０の表面Ｓに粗面化処理を施して、後述する無電解メッキ液４２が付着しやすい表面を形成しておく。
【０１７２】
次に、図７（Ｂ）に示すように、インクジェットプリンタ３２によって、無電解メッキ液４２で、支持体２０上に並行格子状のパターンを任意の線間隔で印刷して金属４４を析出させる。面抵抗値の制御は、無電解メッキ液４２の照射量を調節することによって行う。
【０１７３】
無電解メッキ液４２は、析出させる金属を含む溶剤に還元剤を混ぜて金属を析出させればよく、金属としては、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ等を用いることができる。
【０１７４】
次に、図７（Ｃ）に示すように、支持体２０上に印刷された無電解メッキ液４２を加熱し、析出させた金属４４を定着させて、単層の導電層４６をパターン状に形成する（図７（Ｄ））。
【０１７５】
そして、金属４４を定着させた後に、支持体２０上を洗浄する。
【０１７６】
並行格子状のパターンを形成する金属４４の線の単位長さ当りの抵抗値ＲＬ（Ω／ｍ）、線間隔ｗ（ｍ）は、第２の実施形態と同様に、式（９）によって算出される電磁波吸収体４０の面抵抗値Ｒ（Ω□）が、式（６）〜（８）の関係を満たす値であればよい。
【０１７７】
第３の実施形態では、パターンの印刷をインクジェットプリンタ３２によって行ったが、凸版印刷、グラビア印刷、オフセット印刷を用いてもよい。この場合は、線間隔のパターンと無電解メッキ液４２の盛り具合を調節して転写し、面抵抗値を制御する。特に、図８に示すようなインクローラ３８によるグラビア印刷の場合、印刷される無電解メッキ液４２の厚さを厚くすることができるので、面抵抗値の制御範囲が広くなる。
【０１７８】
また、無電解メッキ液４２を重ねるように複数回印刷したり、支持体２０の両面に無電解メッキ液４２を印刷したり、複数の支持体２０を重ね合わせて電磁波吸収体４０の面抵抗値を制御してもよい。
【０１７９】
また、金属４４の析出を早めるために、インクジェットノズルから射出する直前に、金属４４の析出を促進する還元液を混合してもよい。
【０１８０】
これらのことから、電磁波吸収体が３０π（Ω□）〜１２０π（Ω□）の面抵抗値を有することによって優れた電磁波吸収性を発揮し、単層の導電層によって広帯域の電磁波への利用が可能であり、パターン状に形成された導電層によって面抵抗値の容易な制御ができるといった、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【０１８１】
また、無電解メッキ液４２のパターンは、従来の印刷技術によって形成することができるので、容易に電磁波吸収体４０を製造することができる。
【０１８２】
次に、本発明の第４の実施形態に係る電磁波吸収体とその作用及び効果について説明する。
【０１８３】
第４の実施形態は、第１の実施形態の支持体２０の全面に無電解メッキ液を印刷し、この上に還元液でパターンを印刷して導電層を形成するものである。
【０１８４】
第４の実施形態の電磁波吸収体４８は、第３の実施形態の手順において、図７（Ｂ）の工程を図９の工程に換えることによって製造される。
【０１８５】
まず、図７（Ａ）と同様に、誘電体としての透明な支持体２０の表面Ｓに粗面化処理を施して、無電解メッキ液４２が付着しやすい表面を形成しておく。
【０１８６】
次に、図９に示すように、平版のインクローラ５２によって支持体２０上の全面に無電解メッキ液４２を印刷する。そして、インクジェットプリンタ３２によって、この印刷された無電解メッキ液４２上に還元液５０で並行格子状のパターンを任意の線間隔で印刷して金属５４を析出させる。面抵抗値の制御は、無電解メッキ液４２の転写量（盛り具合）を調節することによって行う。
【０１８７】
次に、図７（Ｃ）と同様に、析出させた金属５４を支持体表面の凹凸部または繊維状の構成体に絡めて定着させて、単層の導電層４６をパターン状に形成する。
【０１８８】
そして、金属５４を定着させた後、還元液が印刷されていない支持体２０上に金属が析出する前に支持体２０上を洗浄する。
【０１８９】
並行格子状のパターンを形成する金属５４の線の単位長さ当りの抵抗値ＲＬ（Ω／ｍ）、線間隔ｗ（ｍ）は、第３の実施形態と同様に、式（９）によって算出される面抵抗値Ｒ（Ω□）が、式（６）〜（８）の関係を満たす値であればよい。
【０１９０】
これらのことから、電磁波吸収体が３０π（Ω□）〜１２０π（Ω□）の面抵抗値を有することによって優れた電磁波吸収性を発揮し、単層の導電層によって広帯域の電磁波への利用が可能であり、パターン状に形成された導電層によって面抵抗値の容易な制御ができるといった、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【０１９１】
また、無電解メッキ液４２及び還元液５０は、従来の印刷技術によって形成することができるので、容易に電磁波吸収体を製造することができる。
【０１９２】
また、還元液５０の作用によって金属５４の析出を早めて製造時間を短縮することができる。
【０１９３】
次に、本発明の第５の実施形態に係る電磁波吸収体とその作用及び効果について説明する。
【０１９４】
第５の実施形態は、第３の実施形態の支持体２０を紙材とし、この紙材に無電解メッキ液で所定のパターンを印刷して導電層を形成するものである。
【０１９５】
第５の実施形態の電磁波吸収体は、第３の実施形態の図７の手順において、図７（Ｂ）の工程を図１０の工程に換えることによって製造される。
【０１９６】
まず、図７（Ａ）と同様の方法で、誘電体としての紙材６０に無電解メッキ液４２及び還元液５０が浸透し易くかつ過度に滲まないようにしておく。
【０１９７】
次に、図１０に示すように、インクジェットプリンタ３２によって、無電解メッキ液４２で、紙材６０上に並行格子状のパターンを任意の線間隔で印刷して紙材６０中に浸透させる。
【０１９８】
次に、無電解メッキ液４２を浸透させた紙材６０に、裏側からインクジェットプリンタ５８によって還元液５０を印刷し、この還元液５０を紙材６０中に浸透させて金属６２を析出させる。面抵抗値の制御は、無電解メッキ液４２の噴射量を調整することによって行う。
【０１９９】
次に、紙材６０中で金属を析出させ、析出した金属６２を紙の繊維に絡めて定着させて、単層の導電層４６をパターン状に形成する。
【０２００】
そして、金属６２を析出させた後に、紙材６０上を洗浄する。
【０２０１】
並行格子状のパターンを形成する金属６２の線の単位長さ当りの抵抗値ＲＬ（Ω／ｍ）、線間隔ｗ（ｍ）は、第２の実施形態と同様に、式（９）によって算出される電磁波吸収体の面抵抗値Ｒ（Ω□）が、式（６）〜（８）の関係を満たす値であればよい。
【０２０２】
これらのことから、電磁波吸収体が３０π（Ω□）〜１２０π（Ω□）の面抵抗値を有することによって優れた電磁波吸収性を発揮し、単層の導電層によって広帯域の電磁波への利用が可能であり、パターン状に形成された導電層によって面抵抗値の容易な制御ができるといった、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【０２０３】
また、無電解メッキ液４２及び還元液５０は、従来の印刷技術によって形成することができるので、容易に電磁波吸収体を製造することができる。
【０２０４】
また、還元液５０の作用によって金属６２の析出を早めて製造時間を短縮することができる。
【０２０５】
なお、第５の実施形態では、無電解メッキ液４２及び還元液５０をインクジェットプリンタ３２、５８によって印刷したが、凸版印刷、グラビア印刷、オフセット印刷によって印刷してもよい。この場合は、線間隔のパターンと導電性インク４２の盛り具合を調整して転写し、電磁波吸収体の面抵抗値を制御する。特に、グラビア印刷の場合、印刷される導電性インク４２の厚さを厚くすることができるので、面抵抗値の制御範囲が広くなる。
【０２０６】
また、誘電体として紙材６０を用いたが、両面から無電解メッキ液４２及び還元液５０を浸透させることができる誘電性材料であればよく、透明であってもよいし、石膏ボード、岩綿吸音板、不織布、布地、塗膜等を用いてもよい。
【０２０７】
また、紙材６０の裏から還元液５０を印刷したが、無電解メッキ液４２を印刷したのと同じ側から還元液５０を印刷してもよい。
【０２０８】
次に、本発明の第６の実施形態に係る電磁波吸収体７２とその作用及び効果について説明する。
【０２０９】
第６の実施形態は、第１の実施形態の支持体２０を紙材とし、この紙材にメッキ処理によってパターン状の導電層を形成するものである。
【０２１０】
第６の実施形態の電磁波吸収体７２は、図１１（Ａ）〜（Ｄ）の手順によって製造される。
【０２１１】
まず、図１１（Ａ）に示すような、下面にメッキ液の透過を阻止する薄膜７４が設けられた紙材７６を、メッキ液７８に浸して紙材７６全体にメッキ液７８を浸透させる（図１１（Ｂ））。
【０２１２】
次に、図１１（Ｃ）に示すように、薄膜７４の下面に接し、かつ導電層のパターンを形成する位置の下方にカソード電極８０を設け、また、メッキ液７８の上面に接するようにアノード電極８２を設置する。
【０２１３】
そして、アノード電極８２からカソード電極８０へ電流を流し、メッキ処理によって、薄膜７４上に金属８４を付着させて単層の導電層８６をパターン状に形成する。薄膜７４は電子を透過し、紙材７６はメッキ液７８を透過するので、アノード電極８２とカソード電極８０の間には電流が流れる。
【０２１４】
カソード電極８０は移動可能であり、カソード電極８０を順次移動させることによって、任意の線間隔のパターン形状を形成することができる。電磁波吸収体７２の面抵抗値の制御は、アノード電極８２からカソード電極８０へ流す電流の強さや時間を調節することによって行う。
【０２１５】
そして、金属８４を付着させた後に、紙材７６上を洗浄する。このとき、薄膜７４は必要に応じて除去してもよい。
【０２１６】
並行格子状のパターンを形成する金属８４の線の単位長さ当りの抵抗値ＲＬ（Ω／ｍ）、線間隔ｗ（ｍ）は、第２の実施形態と同様に、式（９）によって算出される電磁波吸収体７２の面抵抗値Ｒ（Ω□）が、式（６）〜（８）の関係を満たす値であればよい。
【０２１７】
これらのことから、電磁波吸収体が３０π（Ω□）〜１２０π（Ω□）の面抵抗値を有することによって優れた電磁波吸収性を発揮し、単層の導電層によって広帯域の電磁波への利用が可能であり、パターン状に形成された導電層によって面抵抗値の容易な制御ができるといった、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【０２１８】
また、導電層８６を従来のメッキ処理技術によって形成することができるので、容易に電磁波吸収体７２を製造することができる。
【０２１９】
また、導電層を印刷によりパターニングする場合に必要となる表面処理を行わなくてよい。第６の実施形態では、メッキ処理によって紙材７６の下側から金属８４を析出させるので、金属８４が紙材７６のセルロース繊維に絡むことにより、確実な導通性が確保できると共に、強固なメッキが実現できる。
【０２２０】
なお、第６の実施形態で用いる薄膜７４は、電圧をかけて電子を透過させたり、異方性導電膜（厚さ方向のみ導電率がある）、又は電極で引掻いて電極がメッキ液と導通できる程度の薄い膜、高周波を重畳させて高周波損により溶けたり物性が変化して導通するものであればよく、極薄樹脂膜、シリコン膜、疎水膜、蝋材等を用いることができる。
【０２２１】
また、誘電体として紙材７６を用いたが、メッキ液７８を透過するものであればよく、透明でもよいし、不織布、布地、塗膜等を用いてもよい。例えば、極薄なフィルムがラミネートされた紙や、一方の面に防水処理が施された紙を用いてもよい。
【０２２２】
また、図１２に示すように、紙材７６を用いずに、電子を透過すると共にメッキ液の透過を阻止する誘電性の極薄フィルム８８のみにより、図１１と同じ方法で金属９０を極薄フィルム８８上に付着させて、導電層９２を形成してもよい。
【０２２３】
次に、本発明の第７の実施形態に係る電磁波吸収体とその作用及び効果について説明する。
【０２２４】
第７の実施形態の電磁波吸収体の製造方法は、まず、化学的処理及び光エネルギーの付与の少なくとも一方によって、誘電体としての透明基体の表面極性をパターニングする。
【０２２５】
次に、パターニングされた表面に導電性素材を含有する親水性液体又は疎水性液体を付与する。
【０２２６】
これにより、透明基体に施された表面極性のパターニングに対応した形状の単層の導電層が形成されるので、低温で任意のパターンの導電層を簡便に形成することができる。
【０２２７】
透明基体は、透明なものであればよく、透明合成樹脂フィルム、例えば、アクリル系樹脂、塩化ビニル系樹脂、スチレン系樹脂、ポリウレタン樹脂、メラニン樹脂、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、ポリアクリロニトリル系樹脂、ポリアリレート系樹脂、フッ素樹脂、シリコーン樹脂、セルロース系樹脂、ポリスルホン系樹脂、ポリビニルアルコール系樹脂、ノルボルネン樹脂等の熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、又は光硬化性樹脂等が用いられる。
【０２２８】
具体的にはポリエチレンテレフタート、ポリエチレンナフタート、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリアミド、ポリカーボネート、ポリアクリロニトリル、ポリアリレート、ポリ塩化ビニル、セルローストリアセテート、セルロースジアセテート、ポリエーテルスホン、ポリメチル（メタ）アクリレート等が用いられる。
【０２２９】
樹脂フィルムの厚みは１０μｍ〜５００μｍが好ましく、５０μｍ〜２００μｍがより好ましい。
【０２３０】
透明基体上に設けられる透明塗膜としては、透明なポリマー膜ならばよく、例えば、表面に光を照射して酸を発生させたり、架橋させることにより極性や親和性を変化させたり、架橋によって導電性素材を含有する液の速度を変化させたりすることができる。
【０２３１】
ポリマー膜の厚みは０．００１μｍ〜１０μｍが好ましく、０．０１μｍ〜２μｍがより好ましい。
【０２３２】
光学的なパターニング法としては、いわゆるフォトマスクを介して各種光線を照射して光エネルギーを付与し、表面特性をパターン化することができる。
【０２３３】
光線種としては、紫外線、ガンマ線、Ｘ線、電子線、可視光、赤外光、レーザー光の他、グロー放電光やアーク放電光等も用いることができる。紫外線、電子線、レーザー光、グロー放電光、アーク放電光が好ましい。
【０２３４】
光照射により、例えば、疎水性的な極性を持つ表面の結合の一部が切断されたり、結合や極性基の回転で表面を親水性にすることができる。
【０２３５】
また、基体上に化学的にパターニングする方法としては何でも良いが、例えば親水性基体の上にパターン付与したフォトレジストエッチングを行い、その後に導電性素材を含む疎水性液を付与するとか、逆に疎水性基体の上にパターン付与したフォトレジストエッチングを行い、その後に導電性素材を含む親水性液を付与するなどの手法が可能である。
【０２３６】
このようにして基体表面上に親水及び疎水の少なくとも一方のパターンを作成した上に導電性素材を付与することができる。
【０２３７】
また、導電性素材は、アルミニウム、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ等の金属や、Ｇｅ、Ｓｉ等の半導体を用いることができる。
【０２３８】
ここで、形成される導電層のパターンを直交格子状にする場合には、式（５）によって算出される電磁波吸収体の面抵抗値Ｒ（Ω□）が、式（６）〜（８）の関係を満たす線幅ｄ（μｍ）、線間隔ｗ（μｍ）、付与された導電性素材の面抵抗値ＲＳ（Ω□）であればよく、並行格子状にする場合には、式（９）によって算出される電磁波吸収体の面抵抗値Ｒ（Ω□）が、式（６）〜（８）の関係を満たす抵抗値ＲＬ（Ω／ｍ）、線間隔ｗ（ｍ）であればよい。
【０２３９】
これらのことから、電磁波吸収体が３０π（Ω□）〜１２０π（Ω□）の面抵抗値を有することによって優れた電磁波吸収性を発揮し、単層の導電層によって広帯域の電磁波への利用が可能であり、パターン状に形成された導電層によって面抵抗値の容易な制御ができるといった、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【０２４０】
次に、本発明の第８の実施形態に係る電磁波吸収体９８とその作用及び効果について説明する。
【０２４１】
第８の実施形態の電磁波吸収体９８の製造方法は、図１３に示すように、まず、誘電体としての透明な支持体２０上にインク樹脂１００でパターンを印刷し、このインク樹脂１００の表面１００Ａに、平均粒子径が０．１ｎｍ〜１００ｎｍの導電性ナノ金属粉末１０２を付着させる。
【０２４２】
次に、導電性ナノ金属粉末１０２に圧力を加えてインク樹脂１００の表面に付着した導電性ナノ金属粉末１０２同士を密着させる。
【０２４３】
そして、導電性ナノ金属粉末１０２及びインク樹脂１００を加熱して、導電性ナノ金属粉末１０２を融着し、インク樹脂１００を加熱硬化する。
【０２４４】
これによって、インク樹脂１００の表面１００Ａに導電性金属被膜が形成されて単層の導電層１０４がパターン状に形成される。
【０２４５】
支持体２０の材料は、第１の実施形態の材料と同様である。
【０２４６】
導電性ナノ金属粉末には、金、銀、銅、白金、パラジウムの何れか、又はこれらの混合物からなることが好ましい。これらの金属は、ある程度の導電性を有する上に、ナノ粒子とすることができる。特に、コスト面と導電性の面から銀が好ましい。
【０２４７】
金属粉末の形状は、球状、楕円球状、柱状、鱗片上、繊維状等の種々の形状とすることができる。
【０２４８】
導電性金属粉末の粒子径を０．１ｎｍ〜１００ｎｍ程度に小さくすることで、金属表面の活性が非常に高くなり、金属の融着温度が著しく低下し、金属粉末同士が低温で融着可能となる。
【０２４９】
インク樹脂は、非導電性樹脂又は導電度が低い樹脂を用いることができる。第８の実施形態によれば、このような非導電性又は導電度が低い樹脂を用いた場合でも導電層１０４に良好な導電性を付与することができる。
【０２５０】
なお、インク樹脂として導電性樹脂を用いることもでき、このような導電性を有するインク樹脂の表面に金属被膜を形成することで、導電性をより高めることができる。
【０２５１】
ここで、形成される導電層のパターンを直交格子状にする場合には、式（５）によって算出される電磁波吸収体９８の面抵抗値Ｒ（Ω□）が、式（６）〜（８）の関係を満たす線幅ｄ（μｍ）、線間隔ｗ（μｍ）、インク樹脂１００の表面１００Ａに形成された導電性ナノ金属粉末の面抵抗値ＲＳ（Ω□）であればよく、並行格子状にする場合には、式（９）によって算出される電磁波吸収体９８の面抵抗値Ｒ（Ω□）が、式（６）〜（８）の関係を満たす抵抗値ＲＬ（Ω／ｍ）、線間隔ｗ（ｍ）であればよい。
【０２５２】
これらのことから、電磁波吸収体が３０π（Ω□）〜１２０π（Ω□）の面抵抗値を有することによって優れた電磁波吸収性を発揮し、単層の導電層によって広帯域の電磁波への利用が可能であり、パターン状に形成された導電層によって面抵抗値の容易な制御ができるといった、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【０２５３】
また、簡易な工程で導電性の極めて良好な導電層１０４を容易に形成することができる。
【０２５４】
次に、本発明の第９の実施形態に係る電磁波吸収体とその作用及び効果について説明する。
【０２５５】
第９の実施形態は、導電性材料を透明導電膜とし、各種の蒸着方法によって支持体２０に透明導電膜を積層させるものである。
【０２５６】
第９の実施形態の電磁波吸収体は、スパッタ法、レーザーアブレーション法、クラスターイオン蒸着法、イオンプレーティング法、分子線エピタキシー法、化学気相成長法、真空蒸着法、電子ビーム蒸着法、ゾルゲル法、水溶液電解法、スピンコート法、又はスプレー熱分解法によって、ＩＴＯ系、ＺｎＯ系、ＳｎＯ２系、ＣｕＩ、ＩｎＳｂＯ４、ＺｎＭｇＯ、ＣｕＩｎＯ２、ＭｇＩｎ２Ｏ４、ＣｄＯ、又はＺｎＳｎＯ３の透明導電膜を支持体２０上に蒸着させて単層の導電層をパターン状に形成する。
【０２５７】
ここで、形成される導電層のパターンを直交格子状にする場合には、式（５）によって算出される電磁波吸収体の面抵抗値Ｒ（Ω□）が、式（６）〜（８）の関係を満たす線幅ｄ（μｍ）、線間隔ｗ（μｍ）、蒸着された透明導電膜の面抵抗値ＲＳ（Ω□）であればよく、並行格子状にする場合には、式（９）によって算出される電磁波吸収体の面抵抗値Ｒ（Ω□）が、式（６）〜（８）の関係を満たす抵抗値ＲＬ（Ω／ｍ）、線間隔ｗ（ｍ）であればよい。
【０２５８】
これらのことから、電磁波吸収体が３０π（Ω□）〜１２０π（Ω□）の面抵抗値を有することによって優れた電磁波吸収性を発揮し、単層の導電層によって広帯域の電磁波への利用が可能であり、パターン状に形成された導電層によって面抵抗値の容易な制御ができるといった、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【０２５９】
また、透明導電膜は、既存の蒸着法によって蒸着することができるので、容易に電磁波吸収体を製造することができる。
【０２６０】
特に、ＩＴＯ系の透明導電膜は５０Ω□以上の範囲においても安定した面抵抗値を作ることができるので、ベタの蒸着においても面抵抗値の制御が可能であり、パターニングする必要がない。この場合には、電磁波吸収体の面抵抗値Ｒが式（６）〜（８）を満たすように透明導電膜の蒸着量を調整する。
【０２６１】
また、スパッタ法、レーザーアブレーション法、クラスターイオン蒸着法、イオンプレーティング法、分子線エピタキシー法、化学気相成長法、真空蒸着法、電子ビーム蒸着法、ゾルゲル法、水溶液電解法、スピンコート法、又はスプレー熱分解法の方法を用いて半導体膜を支持体２０に蒸着する。そして、キャリア濃度を変化させるドナー、アクセプタ等の種類や濃度、半導体膜に照射する光、又は半導体の温度を変化させたり、キャリア移動度に関係する欠陥密度、又はダングリングボンド密度等を変化させて、この電磁波吸収体の面抵抗値Ｒが式（６）〜（８）を満たすようにしてもよい。
【０２６２】
次に、本発明の第１０の実施形態に係る電磁波吸収体１１０とその作用及び効果について説明する。
【０２６３】
第１０の実施形態は、第１の実施形態の支持体２０の全面に導電性材料としてのアルミニウムを蒸着させ、この蒸着したアルミニウムを支持体２０と一体に型抜きして導電層を形成するものである。
【０２６４】
第１０の実施形態の電磁波吸収体１１０は、図１４（Ａ）〜（Ｃ）の手順によって製造される。
【０２６５】
まず、図１４（Ａ）に示すように、誘電体としての透明な支持体２０の全面に導電性材料としてのアルミニウム２４を真空蒸着する。
【０２６６】
次に、図１４（Ｂ）に示すように、水ジェット１１２によって、真空蒸着したアルミニウム２４の一部を支持体２０と一体に四角形状に型抜きする。
【０２６７】
そして、図１４（Ｃ）に示すように、型抜きされて残ったアルミニウム２４の部分がパターン形状の単層の導電層１１４になる。
【０２６８】
ここで、形成された導電層１１４のパターンは、図４と同じ直交格子状なので、式（５）によって算出される電磁波吸収体１１０の面抵抗値Ｒ（Ω□）が、式（６）〜（８）の関係を満たす線幅ｄ（μｍ）、線間隔ｗ（μｍ）、導電層の面抵抗値ＲＳ（Ω□）であればよい。
【０２６９】
これらのことから、電磁波吸収体が３０π（Ω□）〜１２０π（Ω□）の面抵抗値を有することによって優れた電磁波吸収性を発揮し、単層の導電層によって広帯域の電磁波への利用が可能であり、パターン状に形成された導電層によって面抵抗値の容易な制御ができるといった、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【０２７０】
また、真空蒸着した後の堅いアルミニウム２４の膜を型抜きしてパターニングするので、印刷等によるパターニングよりも導電層のパターン形状を精度よく形成することができる。
【０２７１】
なお、第１０の実施形態では、水ジェット１１２による型抜きの例を示したが、精度のよい型抜きができるものであればよく、レーザー加工、放電加工、ケミカルエッチング、型による打ち抜き、カッティングプロッター等によって型抜きを行ってもよい。
【０２７２】
また、四角状に型抜いた例を示したが、丸や多角形状に型抜いてもよい。例えば、図１５（Ａ）に示すように、誘電体としての支持体２０の全面に面抵抗値がＲＳ（Ω□）となるように、誘電性材料としてのアルミニウム２４をベタで真空蒸着する。そして、図１５（Ｂ）に示すように、円筒状の型１１６により、アルミニウム２４の膜及び支持体２０を一体に打ち抜いて、図１５（Ｃ）に示すような複数の穴１２２を有するパンチメタル状の導電層１１８を有する電磁波吸収体１２０にしてもよい。図１６に示すように、穴１２２の配列によって、さまざまなパターン形状を形成することができる。
【０２７３】
図１６（Ａ）の場合、隣接する穴間の距離をＬ、穴の半径をｒ、蒸着された導電膜の面抵抗値をＲＳ（Ω□）として、図１７のグラフに示すような、ｘ（＝ｒ／Ｌ）に対する面抵抗値ＲＳ（Ω□）の関係を満足させれば、電磁波吸収体１２０の面抵抗値Ｒ（Ω□）をほぼ６０πにすることができる。このことは、有限要素法シミュレーションの計算により判明した。図１７は、穴間の距離Ｌを１ｍｍとし、３ＧHzの電磁波を対象として行った有限要素法シミュレーション結果であるが、他の穴間の距離Ｌや周波数においても同様の効果を得ることができる。
【０２７４】
図１６（Ｂ）の場合は、４５゜回転させれば図１６（Ａ）と同じになるので、図１６（Ａ）と同様の考え方により、Ｌ、ｒ、ＲＳの調節で電磁波吸収体１２０の面抵抗値Ｒをほぼ６０πにすることができる。
【０２７５】
なお、図１７のグラフの典型的な近似式は、２ｒ＜Ｌのときに式（１０）のようになるので、この式（１０）を満たすＬ、ｒ、ＲＳであればよい。ただし、グラフからＲ２が０．９以上であれば、多項式の係数は変化してもよいものとする。近似式の係数は多少ばらつくので、式（１０）に限らずに、図１７のグラフの曲線上におおよそ乗る式を用いればよい。
【０２７６】
【数１０】
2008034651.tif 000012
また、導電性材料としてのアルミニウム２４を透明な支持体２０に蒸着した例を示したが、導電性を有する材料の蒸着であればよいし、支持体２０は透明でなくてもよい。
【０２７７】
また、電磁波吸収体１２０には穴が開いているため、音や空気を透過させる用途に向いている。さらに、接着剤で合板を作る際に挟み込めば、開口を通して接着剤が有効に上下の板を接着することが可能になる。
【０２７８】
また、穴が円形であるため、力が加わっても、特定の角部に力が加わることがなく、丈夫なシートとして使用することができる。
【０２７９】
次に、本発明の第１１の実施形態に係る電磁波吸収体１２４とその作用及び効果について説明する。
【０２８０】
第１１の実施形態は、第１の実施形態の支持体２０の全面に導電性材料としてのアルミニウムを蒸着させ、この蒸着したアルミニウムを支持体２０と一体に複数の切り目を入れて引っ張ることによって開口を形成し、導電層を形成するものである。
【０２８１】
第１１の実施形態の電磁波吸収体１２４は、図１８（Ａ）、（Ｂ）の手順によって製造される。
【０２８２】
まず、図１８（Ａ）に示すように、誘電体としての透明な支持体２０の全面に導電性材料としてのアルミニウム２４を真空蒸着する。
【０２８３】
さらに、この真空蒸着したアルミニウム２４と、アルミニウム２４と一体化した支持体２０とに複数の切れ目１２６を入れる。この複数の切れ目は互い違いになっている。
【０２８４】
そして、切れ目１２６に対して直角方向（矢印Ｊ）に、支持体２０及び真空蒸着したアルミニウム２４の両端を引っ張る。
【０２８５】
これによって、図１８（Ｂ）に示すように、開口部Ｅが形成されてアルミニウム２４がエキスパンドされた膜となり、パターン形状の単層の導電層１２８になる。
【０２８６】
図１８、１９に示すように、切れ目１２６の長さｗ（ｍ）で導電層１２８のメッシュ粗さが決まり、切れ目１２６同士の縦方向の間隔ｄ（ｍ）で導電層の線幅が決まる。さらに、切れ目の横方向の間隔ｈ（ｍ）で接合部の大きさが決まる。
【０２８７】
ここで、図１８（Ｂ）に示す開口部Ｅの角度θが９０゜の場合、ｈを最小にしてｄも極力小さくし、導電層１２４の線幅をｄ（μｍ）、線間隔をｗ（μｍ）、蒸着されたアルミニウム２４の面抵抗値をＲＳ（Ω□）とすれば、電磁波吸収体１２４の面抵抗値Ｒは、近似的に式（１１）によって算出される。
【０２８８】
【数１１】
2008034651.tif 000013
よって、この式（１１）によって算出される面抵抗値Ｒ（Ω□）が、式（６）〜（８）の関係を満たす線幅ｄ（μｍ）、線間隔ｗ（μｍ）、面抵抗値ＲＳ（Ω□）であればよい。
【０２８９】
また、角度θは、電磁波吸収体１２４の面抵抗値Ｒが式（６）〜（８）の関係を満たせば９０゜でなくてもよく、この開口部Ｅの角度θを変えることによって電磁波吸収体１２４の面抵抗値Ｒを自由に調整することができる。
【０２９０】
これらのことから、電磁波吸収体が３０π（Ω□）〜１２０π（Ω□）の面抵抗値を有することによって優れた電磁波吸収性を発揮し、単層の導電層によって広帯域の電磁波への利用が可能であり、パターン状に形成された導電層によって面抵抗値の容易な制御ができるといった、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【０２９１】
また、導電層を構成する各線間の導通性が保たれるので、より安定した面抵抗値を確保でき、長期間の使用においても表面抵抗値が変化せずに、初期の電磁波吸収性を維持できる。
【０２９２】
なお、導電性材料としてのアルミニウム２４を透明な支持体２０に蒸着した例を示したが、導電性を有する材料の蒸着であればよいし、支持体２０は透明でなくてもよい。透明な支持体２０を用いれば窓ガラス等の透き通った部材に電磁波吸収体を貼っても、視界を遮ることなく、また採光性も確保することができる。
【０２９３】
次に、本発明の第１２の実施形態に係る電磁波吸収体１３０とその作用及び効果について説明する。
【０２９４】
第１２の実施形態は、第１の実施形態の支持体２０を短冊状に切って、これらの側面に導電性材料を蒸着し、さらに平織りすることによって導電層を形成するものである。
【０２９５】
第１２の実施形態の電磁波吸収体１３０は、図２０（Ａ）〜（Ｃ）の手順によって製造される。
【０２９６】
まず、図２０（Ａ）に示すように、誘電体としての支持体２０を切り、板状の誘電体としての短冊部材２０Ａに分割する。
【０２９７】
次に、図２０（Ｂ）に示すように、短冊部材２０Ａを複数重ね合わせて揃え、側面の一方にアルミニウム２４を真空蒸着する。
【０２９８】
次に、図２０（Ｃ）に示すように、短冊部材２０Ａを平織りすることによって格子構造体１４４を構築し、単層の導電層１３２をパターン状に形成する。図２０（Ｃ）では、縦の短冊部材２０Ａの左側面と横の短冊部材２０Ａの下側面にアルミニウム２４が蒸着されている。
【０２９９】
ここで、例えば、図２０（Ｃ）の縦の短冊部材２０Ａの左側面のみにアルミニウム２４が形成されている場合に、蒸着されたアルミニウム２４の線の単位長さ当りの抵抗値をＲＬ（Ω／ｍ）、線間隔をｋ（ｍ）とすると、１ｍ当たり１／ｋ（本）の線が存在することになるので、電磁波吸収体１３０の面抵抗値Ｒ（Ω□）は、式（１２）によって算出される。
【０３００】
【数１２】
2008034651.tif 000014
よって、この式（１２）によって算出される面抵抗値Ｒ（Ω□）が、式（６）〜（８）の関係を満たすような、線間隔ｋ（ｍ）、抵抗値ＲＬ（Ω□）であればよい。
【０３０１】
これらのことから、電磁波吸収体が３０π（Ω□）〜１２０π（Ω□）の面抵抗値を有することによって優れた電磁波吸収性を発揮し、単層の導電層によって広帯域の電磁波への利用が可能であり、パターン状に形成された導電層によって面抵抗値の容易な制御ができるといった、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【０３０２】
また、格子構造を構成する短冊部材２０Ａのスパンを変更するだけの簡単な方法で、電波吸収体１３０の面抵抗値を制御することができる。
【０３０３】
なお、第１２の実施形態では、短冊部材２０Ａを平織りした例を示したが、格子構造を形成できれば他の織り方でもよい。また、必要に応じて、短冊部材２０Ａ同士が交差する部分を接着固定してもよい。
【０３０４】
さらに、第１２の実施形態の変形例として、図２１、２３の電磁波吸収体１３４、１３６が挙げられる。
【０３０５】
電磁波吸収体１３４は、図２１（Ａ）〜（Ｃ）の手順によって製造される。
【０３０６】
まず、図２０（Ａ）と同様に、支持体２０を切って板状の誘電体としての短冊部材２０Ａに分割する。
【０３０７】
次に、図２１（Ａ）に示すように、短冊部材２０Ａを部分的に接合してハニカム構造体１３８を構築する。
【０３０８】
次に、図２１（Ｂ）に示すように、ハニカム構造体１３８を折畳んでから、一方の端面にアルミニウム２４を真空蒸着する。
【０３０９】
そして、図２１（Ｃ）に示すように、折畳まれたハニカム構造体１３８を再度展開して、ハニカム構造体１３８の上面又は下面に単層の導電層１４０をパターン状に形成する。図２１（Ｃ）では、ハニカム構造体１３８の上面にアルミニウム２４が蒸着されている。
【０３１０】
ここで、図２１（Ｃ）に示すハニカム構造体１３８のハニカムの幅をｗ（ｍ）、短冊部材２０Ａの厚さをｄ（ｍ）、蒸着されたアルミニウム２４の面抵抗値をＲＳ（Ω／ｍ）としたときに、電磁波吸収体１３４の面抵抗値Ｒ（Ω□）は、第１の実施形態の電磁波吸収体１８と同様に、式（５）によって算出されるので、この算出される面抵抗値Ｒ（Ω□）が、式（６）〜（８）の関係を満たすような、ハニカムの幅ｗ（ｍ）、短冊部材２０Ａの厚さｄ（ｍ）、蒸着されたアルミニウム２４の面抵抗値ＲＳ（Ω／ｍ）であればよい。
【０３１１】
これによって、電磁波吸収体１３０と同様の効果を得ることができる。
【０３１２】
なお、必要に応じてハニカム構造体１３８を挟み込むように両面に板材や紙材等を張り付けた電磁波吸収体としてもよい。
【０３１３】
ハニカム構造体１３８を再度展開するときに、短冊部材２０Ａの変形する部分にクラック等が生じて導通性が悪くなることを防ぐために、図２１（Ｂ）の状態で、蒸着したアルミニウム２４の上面にメッキ、蒸着、アニール等の処理を施すことが好ましい。
【０３１４】
また、ハニカムは六角形以外の形状にしてもよく、例えば、図２２に示すような円筒形のハニカムにしてもよい。この場合には、電磁波吸収体の面抵抗値Ｒが式（６）〜（８）を満たすような円筒サイズにする。
【０３１５】
電磁波吸収体１３６は、図２３（Ａ）〜（Ｃ）の手順によって製造される。
【０３１６】
まず、図２３（Ａ）では、図２０（Ｂ）と同じ方法で重ねられた短冊部材２０Ａの下面半分に、短冊部材２０Ａの長手方向に等間隔で切り込み１４２を入れる。
【０３１７】
次に、図２３（Ｂ）に示すように、切り込み１４２が下側にくるように、複数の短冊部材２０Ａを並行格子状に並べ、この下方に、切り込み１４２が上側にくるように、複数の短冊部材２０Ａを並行格子状に並べる。このとき、上方に並べられた短冊部材２０Ａと下方に並べられた短冊部材２０Ａは直交し、それぞれの切り込み１４２は対向している。
【０３１８】
そして、図２３（Ｃ）に示すように、上方に並べられた短冊部材２０Ａと下方に並べられた短冊部材２０Ａの切り込み１４２を嵌め合わせて、上方に並べられた短冊部材２０Ａと下方に並べられた短冊部材２０Ａを一体化させた格子構造体１４６を構築し、この格子構造体１４６の上面及び下面にそれぞれ単層の導電層１４８Ａ、１４８Ｂをパターン状に形成する。図２３（Ｃ）では、格子構造体１４６の上面及び下面にアルミニウム２４が蒸着されている。
【０３１９】
ここで、図２３（Ｃ）に示す格子構造体１４６の格子の幅をｗ（ｍ）、短冊部材２０Ａの厚さをｄ（ｍ）、蒸着されたアルミニウム２４の面抵抗値をＲＳ（Ω／ｍ）としたときに、電磁波吸収体１３６の面抵抗値Ｒ（Ω□）は、第１の実施形態の電磁波吸収体１８と同様に、式（５）によって算出されるので、この算出される電磁波吸収体１３６の面抵抗値Ｒ（Ω□）が、式（６）〜（８）の関係を満たすような、格子の幅ｗ（ｍ）、短冊部材２０Ａの厚さｄ（ｍ）、蒸着されたアルミニウム２４の面抵抗値ＲＳ（Ω／ｍ）であればよい。
【０３２０】
これによって、電磁波吸収体１３０と同様の効果を得ることができる。
【０３２１】
なお、必要に応じて格子構造体１４６の両面に補強板を設けてもよいし、短冊部材２０Ａの接合部を接着固定してもよい。
【０３２２】
また、図２４に示すように、支持体２０Ａに穴１５０を設け、格子構造体１４６内の空間に樹脂１５２等を充填して一体化させてもよい。
【０３２３】
次に、本発明の第１３の実施形態に係る電磁波吸収体１５４とその作用及び効果について説明する。
【０３２４】
第１３の実施形態の電磁波吸収体１５４は、図２５（Ａ）に示すように、導電糸１５６が所定の間隔で平行に複数配置されている。そして、この導電糸１５６は、複数の非導電糸１５８によって織り込まれている。導電糸１５６、非導電糸１５８の断面は共に、円形である。
【０３２５】
導電糸１５６は、導電性を有する材料であればよく、ステンレス繊維、カーボンファイバー、カーボナノチューブ、導電糸（例えば、ベルトロン（カネボウ）、導電性ビニロン、金属メッキ糸）、導電性樹脂等を用いることができる。また、非導電糸１５８は、非導電性を有する材料であればよく、ナイロン、アラミド、テトロン等を用いることができる。
【０３２６】
そして、織り込まれた複数の導電糸１５６によって、単層の導電層１６０がパターン状に形成される。
【０３２７】
ここで、図２６（Ａ）に示すように、導電糸１５６の体積抵抗率をρ（Ωｍ）、断面半径をｒ（ｍ）、線間隔をｋ（ｍ）としたときの面抵抗値は、図２６（Ｂ）に示すような、導電糸１５６をｔ（ｍ）の厚さに延ばした平板１６２の面抵抗値と等価なものになり、電磁波吸収体１５４の面抵抗値Ｒ（Ω□）は式（１３）によって算出される。
【０３２８】
【数１３】
2008034651.tif 000015
よって、この式（１３）によって算出される電磁波吸収体１５４の面抵抗値Ｒ（Ω□）が、式（６）〜（８）の関係を満たすような、導電糸１５６の体積抵抗率ρ（Ωｍ）、半径ｒ（ｍ）、線間隔ｋ（ｍ）であればよい。
【０３２９】
例えば、導電糸１５６を、体積抵抗率ρが０．７２μ（Ωｍ）、半径ｒが４μｍのステンレス繊維とし、電磁波吸収体１５４の面抵抗値Ｒを６０π（Ω□）にするためには、式（１３）から逆算すると、線間隔ｋは１３．１ｍｍとなり、約１３ｍｍ毎に１本の導電糸１５６を混紡すればよいことになる。この場合、ＵＨＦ帯よりも波長の長い領域での使用が可能となる。
【０３３０】
また、導電糸１５６を、体積抵抗率ρが０．００１μ（Ωｍ）、半径ｒが１０μｍの導電性繊維とし、電磁波吸収体１５４の面抵抗値Ｒを６０π（Ω□）にするためには、線間隔ｋは５９μｍとなる。この場合、ミリ波帯にも使用することができる。
【０３３１】
なお、第１３の実施形態では、導電糸１５６を平織りした例を示したが、電磁波吸収体１５４の面抵抗値Ｒ（Ω□）が式（６）〜（８）の関係を満たせば、他の織り方でもよい。
【０３３２】
例えば、図２５（Ｂ）に示すように、導電糸１５６の間に非導電糸１５８を設けてもよいし、図２５（Ｃ）に示すように、導電糸１５６のみで平織りしてもよい。
【０３３３】
また、円断面の導電糸１５６と非導電糸１５８を用いた例を示したが、他の断面形状の導電糸１５６や非導電糸１５８を用いてもよい。この場合、式（１３）のπ・ｒ２の値を導電糸１５６の断面積の値に置き換えればよい。
【０３３４】
また、導電糸１５６の単位長さ当りの抵抗値をＲＬ（Ω／ｍ）、線間隔をｋ（ｍ）とすると、電磁波吸収体１５４の面抵抗値Ｒ（Ω□）は、式（１２）によって算出できるので、この面抵抗値Ｒ（Ω□）が式（６）〜（８）の関係を満たすように、単位長さ当りの抵抗値ＲＬ（Ω／ｍ）、線間隔ｋ（ｍ）を調整してもよい。
【０３３５】
これらのことから、電磁波吸収体が３０π（Ω□）〜１２０π（Ω□）の面抵抗値を有することによって優れた電磁波吸収性を発揮し、単層の導電層によって広帯域の電磁波への利用が可能であり、パターン状に形成された導電層によって面抵抗値の容易な制御ができるといった、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【０３３６】
また、市販品である導電糸１５６と非導電糸１５８を編むだけでよいので、多種の工程や設備を必要としない。よって、低コストで製造できる。
【０３３７】
次に、本発明の第１４の実施形態に係る電磁波吸収体６４とその作用及び効果について説明する。
【０３３８】
第１４の実施形態は、第１の実施形態と同様の方法で電磁波吸収体を製造した後に、この電磁波吸収体の面抵抗値を制御するものである。したがって、以下の説明において、第１の実施形態と同じ構成のものは、同符号を付すると共に、適宜省略して説明する。
【０３３９】
第１４の実施形態の電磁波吸収体１６４は、図２７（Ａ）〜（Ｃ）の手順によって製造される。
【０３４０】
まず、図２７（Ａ）に示すように、第１の実施形態の製造方法で、導電性材料としてのアルミニウム２４を誘電体としての透明な支持体２０上に積層して導電層２６を形成する。
【０３４１】
次に、図２７（Ｂ）に示すように、酸素の雰囲気中でレーザー加熱を行い、導電層２６を構成するアルミニウム２４の表層を酸化させて、表面に絶縁層としての酸化物１６６を生成する。
【０３４２】
そして、図２７（Ｃ）に示すように、生成する酸化物１６６の量を調節することにより、電磁波吸収体１６４の面抵抗値を制御して、導電層１７０を形成する。
【０３４３】
図２７（Ｃ）の状態のアルミニウム２４は、図２７（Ａ）の状態に比べて、断面積が小さくなって面抵抗値が大きくなる。
【０３４４】
よって、例えば、第１の実施形態のように、アルミニウム２４の線幅ｄを１００μｍ、線間隔ｗを５００μｍとした図４のパターン形状の導電層２６において、アルミニウム２４の面抵抗値ＲＳが３８Ω□よりも小さくなるように支持体２０上に蒸着しておいて、後からレーザー加熱によってこの面抵抗値を調節し、電磁波吸収体１６４の面抵抗値を制御することができる。
【０３４５】
これらのことから、電磁波吸収体が３０π（Ω□）〜１２０π（Ω□）の面抵抗値を有することによって優れた電磁波吸収性を発揮し、単層の導電層によって広帯域の電磁波への利用が可能であり、パターン状に形成された導電層によって面抵抗値の容易な制御ができるといった、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【０３４６】
また、支持体２０に蒸着した導電層に対して面抵抗値の調整をするものなので、第１の実施形態のような、パターン状の導電層に対してだけでなく、全面ベタの導電層に対しても適用することができる。
【０３４７】
なお、第１４の実施形態では、酸素の雰囲気中でレーザー加熱することによって絶縁層としての酸化物１６６を生成したが、窒素等の雰囲気中で加熱してもよく、また、その加熱方法は、レーザー加熱の他にヒーター加熱、光照射過熱等を用いてもよい。
【０３４８】
さらに、第１４の実施形態では、導電層２６を構成するアルミニウム２４の表層を酸化させ、導電部の断面積を減少させて面抵抗値を下げる調節を行ったが、導電層２６を構成するアルミニウム２４の表層にメッキによって更に金属層を生成し、導電層２６の断面積を増大させて面抵抗値を下げる調整を行うようにしてもよい。
【０３４９】
ここで、アルミニウムのような金属は、空気中に放置すると酸化等がさらに進み、工場で初期に設定した面抵抗値からずれてくることがあるが、表面の酸化膜が厚くなると、酸化膜自体がさらなる酸素等の侵入を防止するために、図２８に示すように、安定した面抵抗値が維持できるようになる。
【０３５０】
図２８の符号１６８Ａ、１６８Ｂ、１６８Ｃは、初期の面抵抗値を４８Ω□、１０２Ω□、１８３Ω□に設定したアルミニウム膜を室内に放置したときの経過日数（日）に対する抵抗変化率（％）の値である。
【０３５１】
第１４の実施形態は、第１の実施形態によって形成された導電層に対して、面抵抗値の制御を行ったものであるが、第２〜１３の本実施形態に対しても適用することができる。
【０３５２】
なお、第１〜１２の実施形態では、誘電体を透明な支持体２０としたが、透明でなくてもよい。透明な導電体の場合には、窓ガラス等の透き通った部材に電磁波吸収体を貼っても、視界を遮ることなく、また採光性も確保することができる。
【０３５３】
また、湾曲、引張り、又は圧縮可能な支持体上に導電性材料を真空蒸着して導電層を形成し、この支持体と一体となった導電層を湾曲、引張り、又は圧縮することによって、この電磁波吸収体の面抵抗値Ｒが式（６）〜（８）を満たすようにしてもよい。
【０３５４】
また、淡白質の自己組織化現象を利用して導電層となる膜を形成し、この膜を有する電磁波吸収体の面抵抗値Ｒが式（６）〜（８）を満たすようにしてもよい。この膜の形成方法は、基板上の導電層を形成する位置に、特定の材料を配列させ、この上に特定の材料や物質に対して選択的な結合性を備える淡白質の層と、特定の物質である金属や化合物等の層とをこの順に積層させる。そして、淡白質の自己組織化現象により、特定の材料を配列した位置のみに金属や化合物等の層が残り、導電層となる膜を形成することができる。この膜は、パターン化された膜でも、ベタ膜でもよく、膜を積層してもよい。また、パターン化された膜、ベタ膜、及び積層した膜を組合せて用いてもよい。
【０３５５】
また、第１、１０、１１、１２及び１４の実施形態では、アルミニウムの真空蒸着としたが、導電性を有する材料の蒸着であればよい。
【０３５６】
また、導電層のパターンを、第１及び７〜１３の実施形態では直交格子状、第２〜６、９、及び１３の実施形態では並行格子状としたが、３０π（Ω□）〜１２０π（Ω□）の面抵抗値が得られるパターン形状であればよい。
【０３５７】
また、第１及び１０〜１４の実施形態の導電層に導電性樹脂を用いてもよい。導電層を導電性樹脂にした場合、導電性樹脂は錆びないので、長期間の使用においても面抵抗値が変化せずに、初期の電磁波吸収性を維持することができる。導電性樹脂としては、金属分散高導電プラスチック、ポリアセチレン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリチオフェン等を用いることができる。
【０３５８】
また、第１〜１４の実施形態の導電層に酸化防止フィルム等の保護膜を形成すれば、人の手が触れて面抵抗値すなわち電磁波吸収性が変化してしまうことが防げるので有効である。また、支持体２０に耐紫外線化等の処理を施せば、劣化を防止することができる。
（実施例）
第１の実施形態の実施例によって本発明を具体的に説明する。
【０３５９】
溶剤溶解性材料としての印刷材料Ａの調製は、水溶性アクリル樹脂（大日本インキ化学工業株式会社製：ＷＤＷ−８５９（Ｎ．Ｖ．３０％））５５ｇ（なお、Ｎ．Ｖ．は不揮発分を表す）、顔料（三菱ガス化学株式会社製：沈降性硫酸バリウム）２５ｇ、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）１８ｇ、二酸化珪素（日本アエロジル株式会社製：アエロジルＲ−９７２）２ｇをアトライター（三井三池化工機株式会社製）で１時間練肉分散して行った。Ｂ型粘度計による粘度は１６２０ｍＰａ・Ｓ（２５±２°Ｃ）であった。
［実施例１］
マスク部の印刷は、東洋紡績株式会社製ポリエステルフィルム（厚み２５μｍ）に次の条件でグラビア印刷によりマスクパターンを形成した。
【０３６０】
印刷ピッチ（線間隔）：５００μｍ、グラビア版深：３０μｍ、グラビア版のセルサイズ（正方形の一辺）：３８０μｍ、グラビア版の線幅：１２０μｍ、印刷機：富士機械工業株式会社製グラビア輪転印刷機（型式ＦＤ０９５−３−４１３）、印刷スピード：５０ｍ／分、印圧：４ｋｇ／ｃｍ２、ドクター圧：１ｋｇ／ｃｍ２、乾燥温度：８０゜Ｃ。
【０３６１】
蒸着工程は、マスク部の印刷で得られたマスクパターンを形成したフィルムに、可視光透過率４０％の条件でアルミニウムを蒸着した。このフィルムを４０゜Ｃの温水に浸漬し、ウエス等でふき取る方法で水洗し、導電性パターンを有するフィルムを形成した。
［実施例２］
実施例１と同様の印刷ピッチ５００μｍ、グラビア版深３０μｍ、グラビア版のセルサイズ（正方形の一辺）３８０μｍ、グラビア版の線幅１２０μｍで得られたマスクパターンを形成したフィルムに、可視光透過率５０％の条件でアルミニウムを蒸着した。
【０３６２】
このフィルムを４０゜Ｃの温水に浸漬し、ウエス等でふき取る方法で水洗し、導電性パターンを有するフィルムを形成した。
［比較例１］
実施例１と同様の東洋紡績株式会社製ポリエステルフィルム（厚み２５μｍ）に、実施例１に用いたものと同じ真空蒸着装置で、アルミニウムを計算値で２００Ω□になるべき蒸着量を蒸着した。
［比較例２］
比較例１と同様の東洋紡績株式会社製ポリエステルフィルム（厚み２５μｍ）に、実施例１に用いたものと同じ真空蒸着装置で、アルミニウムを計算値で３００Ω□になるべき蒸着量を蒸着した。
［面抵抗値測定方法］
面抵抗測定器は、ロレスターＧＰ  ＭＣＰ−Ｔ６１０（三菱化学製）を用いた。
【０３６３】
実施例１、２及び比較例１、２で得られたフィルムから、各５箇所についてサンプリングして面抵抗値を測定した。得られた結果を表１に示す。
【０３６４】
【表１】
2008034651.tif 000016
表１において、蒸着量は何れも可視光透過率と面抵抗値の相関を得る検量線に基く可視光透過率（換算）％を表す。
【０３６５】
実施例１、２では、設定した２００Ω□及び３００Ω□の高い抵抗値をバラツキが少ない状態で得られるが、設定が２００Ω□である比較例１では、約５０〜約３００Ω□の間で、設定が３００Ω□である比較例２では、約１００〜約９００Ω□の間でそれぞれバラツキが多く、電磁波吸収体としての導電性フィルムを安定的に製造することが、比較例１、２では困難なことがわかる。
【０３６６】
このように、これまで述べた第１〜１４の実施形態の電磁波吸収体は、優れた電磁波吸収性を有し、その電磁波吸収特性は周波数に依存しない。
【０３６７】
また、これらの電磁波吸収体の製造方法により、特定の面抵抗値を有する電磁波吸収体を安定的かつ低コストで製造することができる。
【０３６８】
このような電磁波吸収体を室内に多数配置することにより、室内で放射される電磁波をこの電磁波吸収体が徐々に吸収し、電磁的に静かな室内環境を構築することができる。
【図面の簡単な説明】
【０３６９】
【図１】本発明の実施形態に係る電磁波吸収体の面抵抗値に対する電磁波エネルギーの反射、透過、及び吸収特性を示す線図である。
【図２】本発明の実施形態に係る電磁波吸収体の等価回路を示す説明図である。
【図３】本発明の第１の実施形態に係る電磁波吸収体の製造方法を示す側面図である。
【図４】本発明の第１の実施形態に係る電磁波吸収体を示す平面図である。
【図５】本発明の第２の実施形態に係る電磁波吸収体の製造方法を示す側面図である。
【図６】本発明の第２の実施形態に係る電磁波吸収体の製造方法を示す側面図である。
【図７】本発明の第３の実施形態に係る電磁波吸収体の製造方法を示す側面図である。
【図８】本発明の第３の実施形態に係る電磁波吸収体の製造方法を示す側面図である。
【図９】本発明の第４の実施形態に係る電磁波吸収体の製造方法を示す側面図である。
【図１０】本発明の第５の実施形態に係る電磁波吸収体の製造方法を示す側面図である。
【図１１】本発明の第６の実施形態に係る電磁波吸収体の製造方法を示す側面図である。
【図１２】本発明の第６の実施形態に係る電磁波吸収体の製造方法を示す側面図である。
【図１３】本発明の第８の実施形態に係る電磁波吸収体を示す側面図である。
【図１４】本発明の第１０の実施形態に係る電磁波吸収体の製造方法を示す説明図である。
【図１５】本発明の第１０の実施形態に係る電磁波吸収体の製造方法を示す説明図である。
【図１６】図１５（Ｃ）の平面拡大図である。
【図１７】本発明の第１０の実施形態に係る電磁波吸収体の穴形状（ｒ／Ｌ）に対する最適シート面抵抗値ＲＳを示す線図である。
【図１８】本発明の第１１の実施形態に係る電磁波吸収体の製造方法を示す説明図である。
【図１９】図１８（Ａ）の拡大図である。
【図２０】本発明の第１２の実施形態に係る電磁波吸収体の製造方法を示す説明図である。
【図２１】本発明の第１２の実施形態に係る電磁波吸収体の製造方法を示す説明図である。
【図２２】本発明の第１２の実施形態に係る電磁波吸収体の変形例を示す斜視図である。
【図２３】本発明の第１２の実施形態に係る電磁波吸収体の製造方法を示す説明図である。
【図２４】本発明の第１２の実施形態に係る電磁波吸収体の変形例を示す斜視図である。
【図２５】本発明の第１３の実施形態に係る電磁波吸収体を示す説明図である。
【図２６】本発明の第１３の実施形態に係る電磁波吸収体の面抵抗値の計算方法を示す説明図である。
【図２７】本発明の第１４の実施形態に係る電磁波吸収体の製造方法を示す側面図である。
【図２８】本発明の第１４の実施形態に係る電磁波吸収体の経過日数に対する抵抗変化率を示す線図である。
【図２９】従来の回路の製造方法を示す側面図である。
【符号の説明】
【０３７０】
１８  電磁波吸収体
２０  支持体（誘電体）
２２  マスク部
２４  アルミニウム（導電性材料）
２６  導電層
２８  電磁波吸収体
３０  導電性インク
３４  金属
３６  導電層
４０  電磁波吸収体
４２  無電解メッキ液
４４  金属
４６  導電層
５０  還元液
５４  金属
６２  金属
７２  電磁波吸収体
７４  薄膜
７８  メッキ液
８４  金属
８６  導電層
９０  金属
９２  導電層
９８  電磁波吸収体
１００  インク樹脂
１０２  導電性ナノ金属粉末
１０４  導電層
１１０  電磁波吸収体
１１４  導電層
１１８  導電層
１２０  電磁波吸収体
１２４  電磁波吸収体
１２６  切れ目
１２８  導電層
１３０  電磁波吸収体
１３２  導電層
１３４  電磁波吸収体
１３６  電磁波吸収体
１３８  ハニカム構造体（ハニカム構造）
１４０  導電層
１４４  格子構造体（格子構造）
１４６  格子構造体（格子構造）
１４８  導電層
１５４  電磁波吸収体
１５６  導電糸
１６０  導電層
１６４  電磁波吸収体
１６６  酸化物（絶縁層）
１７０  導電層
【図１】
2008034651.tif 000017
【図２】
2008034651.tif 000018
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
2008034651.tif 000024
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
2008034651.tif 000028
【図１３】
2008034651.tif 000029
【図１４】
2008034651.tif 000030
【図１５】
2008034651.tif 000031
【図１６】
2008034651.tif 000032
【図１７】
2008034651.tif 000033
【図１８】
2008034651.tif 000034
【図１９】
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【図２０】
2008034651.tif 000036
【図２１】
2008034651.tif 000037
【図２２】
2008034651.tif 000038
【図２３】
2008034651.tif 000039
【図２４】
2008034651.tif 000040
【図２５】
2008034651.tif 000041
【図２６】
2008034651.tif 000042
【図２７】
2008034651.tif 000043
【図２８】
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【図２９】
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