(57)【要約】【課題】放熱性を向上させることができる半導体発光素子を提供する。【解決手段】本発明の半導体発光素子アセンブリは，第１及び第２リードと，第１リード上にダイボンディングされ，第２リードにワイヤーボンディングされた半導体発光素子チップと，絶縁性接着層を介して第１及び第２リードに固着された放熱用金属体と，第１及び第２リード上に固着され，前記チップからの光を反射させる反射器とを備える半導体発光素子と，前記反射器を収容可能な開口部を有する配線基板と，前記放熱用金属体に接触するように配置された放熱器と，放熱器と配線基板との間を締め付け固定する締め付け固定部とを備え，前記反射器が前記開口部に収容されるように，第１及び第２リードが前記配線基板に固着され，前記放熱器と前記配線基板の間に，前記放熱器と前記配線基板の間の間隔を所定距離以上に保つ間隔保持部を設けたことを特徴とする。【選択図】図１
2008034622.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１及び第２リードと，第１リード上にダイボンディングされ，第２リードにワイヤーボンディングされた半導体発光素子チップと，絶縁性接着層を介して第１及び第２リードに固着された放熱用金属体と，第１及び第２リード上に固着され，前記チップからの光を反射させる反射器とを備える半導体発光素子と，
前記反射器を収容可能な開口部を有する配線基板と，
前記放熱用金属体に接触するように配置された放熱器と，
放熱器と配線基板との間を締め付け固定する締め付け固定部とを備え，
前記反射器が前記開口部に収容されるように，第１及び第２リードが前記配線基板に固着され，
前記放熱器と前記配線基板の間に，前記放熱器と前記配線基板の間の間隔を所定距離以上に保つ間隔保持部を設けたことを特徴とする半導体発光素子アセンブリ。
【請求項２】
前記間隔保持部は，第１及び第２リードが延びる方向に直交する方向に前記放熱用金属体が延長されて形成される前記放熱用金属体の延長部によって構成される請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項３】
前記間隔保持部は，スペーサからなる請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項４】
前記スペーサは，前記締め付け固定部と，前記放熱用金属体との間に配置される請求項３に記載のアセンブリ。
【請求項５】
前記半導体発光素子は，第１及び第２リードと，第１リード上にダイボンディングされ，第２リードにワイヤーボンディングされた半導体発光素子チップからなる発光モジュールを複数備え，
複数の発光モジュールは，第１及び第２リードが延びる方向に直交する方向に沿って並べられる請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項６】
前記絶縁性接着層は，絶縁性接着シートからなる請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項７】
前記絶縁性接着シートは，絶縁性支持層と，絶縁性支持層の両面に接着層とを備える請求項６に記載のアセンブリ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は，半導体発光素子アセンブリに関し，より詳しくは，効率的に放熱をすることができる半導体発光素子アセンブリに関する。
【背景技術】
【０００２】
まず，図６を用いて，従来の半導体発光素子の一例である表面実装型発光ダイオードについて説明する（例えば，特許文献１を参照）。
【０００３】
この発光ダイオードは，絶縁基板５１と，絶縁基板５１の上面から側面を通って下面に延びるダイボンド電極パターン５３及びセカンド電極パターン５５と，ダイボンド電極パターン５３上に導電性接着剤５７を介して固着された発光ダイオード素子５９と，発光ダイオード素子５９とセカンド電極パターン５５とを接続するボンディングワイヤー６１と，発光ダイオード素子５９とボンディングワイヤー６１を封止する透光性樹脂体６３とを備える。この発光ダイオードの配線基板（図示せず）への実装は，電極パターン５３，５５の下面を配線基板のランドにはんだ付けすることによって行う。
【０００４】
発光ダイオード素子５９で発生した熱は，主に，絶縁基板５１及び電極パターン５３，５５を通って，配線基板に放出される。
【特許文献１】特開平１１−４６０１８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
発光ダイオード素子５９は，その温度が高くなるほど発光効率が下がり，その寿命も短くなる。このため，さらに効率的に発光ダイオード素子５９からの熱を除去することが望まれている。このことは，半導体発光素子一般についても当てはまる。
【０００６】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり，放熱性を向上させることができる半導体発光素子アセンブリを提供するものである。
【課題を解決するための手段及び発明の効果】
【０００７】
本発明の半導体発光素子アセンブリは，第１及び第２リードと，第１リード上にダイボンディングされ，第２リードにワイヤーボンディングされた半導体発光素子チップと，絶縁性接着層を介して第１及び第２リードに固着された放熱用金属体と，第１及び第２リード上に固着され，前記チップからの光を反射させる反射器とを備える半導体発光素子と，前記反射器を収容可能な開口部を有する配線基板と，前記放熱用金属体に接触するように配置された放熱器と，放熱器と配線基板との間を締め付け固定する締め付け固定部とを備え，前記反射器が前記開口部に収容されるように，第１及び第２リードが前記配線基板に固着され，前記放熱器と前記配線基板の間に，前記放熱器と前記配線基板の間の間隔を所定距離以上に保つ間隔保持部を設けたことを特徴とする。
【０００８】
本発明では，放熱用金属体が，絶縁性接着層を介して第１及び第２リードに固着されている。放熱用金属体は，通常，熱伝導度が大きいので，半導体発光素子チップから第１リードに伝わった熱は，絶縁性接着層を通って放熱用金属体に移動し，放熱用金属体全体に速やかに拡散し，外部に放出される。このように，本発明では，放熱用金属体を新たに設けることによって半導体発光素子チップから第１リードに伝わった熱が第１リードに留まることがないので，放熱性を向上させることができる。
さらに，本発明では，放熱用金属体に接触するように放熱器が配置されており，放熱器と配線基板は，締め付け固定部によって締め付け固定されている。放熱器が配線基板に締め付け固定されているので，放熱器のサイズを大きくした場合でも放熱器を配線基板に確実に固定することができる。放熱器のサイズを大きくすることによって，放熱性を向上させることができる。
【０００９】
ところで，締め付け固定部によって放熱器と配線基板との間を締め付け過ぎると，配線基板が変形することがある。配線基板が変形すると，配線基板に固着された第１及び第２リードが変形したり，第１及び第２リードが配線基板から外れたりするといった問題が生じ得る。そこで，本発明では，放熱器と配線基板の間に，放熱器と配線基板の間の間隔を所定距離以上に保つ間隔保持部を設けることによって，ビスの締め過ぎ等による配線基板の変形を抑制した。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下，本発明の一実施形態を図面を用いて説明する。図面は，説明の便宜のために用いられるものであり，本発明の範囲は，以下の記載や図面に示す実施形態に限定されない。
【００１１】
１．第１実施形態
図１（ａ）〜（ｃ）を用いて，本発明の第１実施形態の半導体発光素子アセンブリ（以下，「アセンブリ」ともいう。）について説明する。図１（ａ）は，本実施形態のアセンブリの平面図，図１（ｂ）は，図１（ａ）のＩ−Ｉ断面図，図１（ｃ）は，図１（ａ）のＩＩ−ＩＩ断面図である。
本実施形態のアセンブリは，半導体発光素子１と，配線基板１９と，放熱器２３と，締め付け固定部３１と，間隔保持部とを備える。以下，各構成要素について説明する。
【００１２】
（１）半導体発光素子
半導体発光素子１は，第１及び第２リード２，５と，第１リード２上にダイボンディングされ，第２リード５にワイヤーボンディングされた半導体発光素子チップ３と，絶縁性接着層７を介して第１及び第２リード２，５に固着された放熱用金属体９と，第１及び第２リード２，５上に固着され，チップ３からの光を反射させる反射器１５とを備える。
【００１３】
チップ３は，導電性接着層１１を介して，第１リード２上にダイボンディングされている。チップ３は，ボンディングワイヤー１３を介して第２リード５にワイヤーボンディングされている。
第１及び第２リード２，５上には，チップ３からの光を反射させる反射器１５が固着されている。反射器１５は，反射面１５ａでチップ３からの光を反射させる。反射器１５の反射面１５ａよりも内側の空間には，チップ３およびボンディングワイヤーを保護するための透明樹脂１６が充填されている。第１及び第２リード２，５は，それぞれの先端２ａ，５ａまで，チップ３の光出射方向（矢印Ａ）に垂直な方向に延びている。第１及び第２リード２，５は，同一直線上で反対方向に延びている。第１及び第２リード２，５は，放熱用金属体９等に接触して短絡することが無ければ屈曲又は湾曲していてもよい。
チップ３は，発光ダイオード（ＬＥＤ）チップなどからなる。絶縁性接着層７の厚さは，好ましくは２０〜１００μｍ程度であるが，絶縁性が確保できるのであればこれよりも薄くてもよい。絶縁性接着層７は，絶縁性接着シートなどからなる。放熱用金属体は，アルミなどの熱伝導度の高い金属板などからなる。
【００１４】
本実施形態では，放熱用金属体９が，絶縁性接着層７を介して第１及び第２リード２，５に固着されている。放熱用金属体９は，通常，熱伝導度が大きいので，チップ３から第１リード２に伝わった熱は，絶縁性接着層７を通って放熱用金属体９に移動し，放熱用金属体９全体に速やかに拡散し，外部に放出される。このように，絶縁性接着層７を介しているにもかかわらずチップ３で発生した熱がスムーズに放熱用金属体９に伝わるのは絶縁性接着層９が薄いからである。また，絶縁性接着層７を薄くできるのは絶縁性接着シートを用いているため，リード２，５と放熱用金属体９とを圧力を加えて接着しても短絡しないことによる。接着剤だけで圧着した場合，圧力が均一に加えられずに部分的に短絡する恐れがある。本実施形態では，放熱用金属体９を備えるのでチップ３から第１リード２に伝わった熱が第１リード２に留まることがないので，放熱性が高い。
【００１５】
（２）配線基板，放熱器
配線基板１９は，反射器１５を収容可能な開口部２５を有する。放熱器２３は，放熱用金属体９に接触するように配置されている。第１及び第２リード２，５は，反射器１５が開口部２５に収容されるように配線基板１９に固着されている。第１及び第２リード２，５は，はんだ層２１を介して配線基板１９に固着されている。配線基板１９の，第１及び第２リード２，５を固着させる部分には，第１及び第２リード２，５を固着させるためのランドが形成されている。
配線基板１９に取り付ける半導体発光素子１の数は，１つであっても，２つ以上であってもよい。２つ以上の半導体素子は，例えば，例えばマトリックス状に配置することができる。半導体発光素子１の数が２つ以上である場合，それぞれの半導体発光素子１に放熱器２３や後述する締め付け固定部及び間隔保持部を設けることができる。または，放熱器２３を複数の半導体発光素子１に共用してもよい。この場合，締め付け固定部及び間隔保持部は，半導体発光素子１ごとに設けられることが好ましい。
放熱器２３は，冷却フィンや水冷冷却器などからなる。放熱器２３は，はんだや接着剤などからなる固着層を介して間接的に放熱用金属体９に接触させてもよく，放熱用金属体９に直接接触させてもよい。好ましくは，放熱器２３は，放熱器２３と放熱用金属体９とが対向する面の面積が，放熱用金属体９よりも大きいことが好ましい。放熱器２３が大きいほど，放熱性が向上するからである。
【００１６】
本実施形態のアセンブリは，予め配線基板１９に開口部２５を形成しておき，開口部２５に反射器１５を嵌め込んだ状態で第１及び第２リード２，５を配線基板１９にはんだ付けすることによって作製することができる。本実施形態のアセンブリでは，チップ３で発生した熱は，第１リード２を経由して配線基板１９に放出されるのに加えて，放熱用金属体９からも放出されるので，放熱性が高い。また，放熱器２３が放熱用金属体９に接触するように配置されることによって放熱性がさらに高められている。
【００１７】
さらに，第１及び第２リード２，５が矢印Ａに垂直な方向に延びているので，第１及び第２リード２，５は，配線基板１９に対向する面全体で，配線基板１９に固着されている。これによって，第１リード２と配線基板１９との間の接触面積が大きくなり，放熱性がさらに高くなっている。
【００１８】
（３）締め付け固定部，間隔保持部
放熱器２３と配線基板１９は，締め付け固定部３１によって締め付け固定される。また，放熱器２３と配線基板１９の間に，放熱器２３と配線基板１９の間の間隔を所定距離以上に保つ間隔保持部が設けられている。本実施形態では，間隔保持部は，第１及び第２リード２，５が延びる方向（図１（ａ）の直線Ｉ−Ｉ方向）に直交する方向（図１（ａ）の直線ＩＩ−ＩＩ方向）に放熱用金属体９が延長されて形成される放熱用金属体９の延長部９ａによって構成される。
【００１９】
締め付け固定部３１は，放熱器２３と配線基板１９との間を締め付け固定できるものであればよく，その構成は限定されない。例えば，放熱器２３にタップが切られている場合には，締め付け固定部３１は，ボルトと放熱器のタップの組み合わせからなり，放熱器２３にタップが切られていない場合には，締め付け固定部３１は，ボルトとナットの組み合わせからなる。図１（ｃ）では，放熱器２３にタップが切られていて，締め付け固定部３１が，ボルト(六角穴付ボルト) と放熱器のタップの組み合わせからなる場合を示している。
また，締め付け固定部３１の数や設置位置は，特に限定されないが，放熱器２３を確実に固定するために，締め付け固定部３１は，２つ以上設けられることが好ましい。また，締め付け固定部３１が２つである場合，２つの締め付け固定部３１は，半導体発光素子１の中心に対して点対称となる位置に設置されることが好ましい。この場合，放熱器２３がより確実に固定されるからである。さらに，第１及び第２リード２，５の変形を小さくするために，２つの締め付け固定部３１は，半導体発光素子１の中心に対して点対称となり，かつ第１及び第２リード２，５が延びる方向に平行であって半導体発光素子１の中心を通る直線に対して線対称となるように配置されることがさらに好ましい。
【００２０】
ところで，締め付け固定部３１によって放熱器２３と配線基板１９との間を締め付け過ぎると，配線基板１９が図１（ｃ）の矢印Ｂの方向に変形し，これによって，配線基板１９に固着された第１及び第２リード２，５が変形したり，第１及び第２リード２，５が配線基板から外れたりするといった問題が生じ得る。しかし，本実施形態では，配線基板１９がある程度変形すると，配線基板１９が，放熱用金属体９の延長部９ａに当接し，配線基板１９が，それ以上変形しないようになっている。このため，配線基板１９の変形に起因する第１及び第２リード２，５の変形が抑制され，上記問題の発生が抑制される。
【００２１】
２．第２実施形態
図２（ａ）〜（ｃ）を用いて，本発明の第２実施形態の半導体発光素子アセンブリについて説明する。図２（ａ）は，本実施形態のアセンブリの平面図，図２（ｂ）は，図２（ａ）のＩ−Ｉ断面図，図２（ｃ）は，図２（ａ）のＩＩ−ＩＩ断面図である。
本実施形態のアセンブリは，第１実施形態のアセンブリに類似しているが，間隔保持部の構成が異なっている。本実施形態では，間隔保持部は，スペーサ３３からなる。
【００２２】
本実施形態では，スペーサ３３によって，放熱器２３と配線基板１９の間の間隔が保持されるので，締め付け固定部３１によって放熱器２３と配線基板１９との間を締め付け過ぎた場合でも，第１及び第２リード２，５の変形が抑制される。
スペーサ３３を配置する位置は，特に限定されない。スペーサ３３は，例えば，図２（ａ）に示すように，締め付け固定部３１と，放熱用金属体９との間に配置される。このような位置にスペーサ３３が配置されると，締め付け固定部３１による締め付けによって生じる配線基板１９の変形が，第１及び第２リード２，５に伝わりにくく，第１及び第２リード２，５の変形をさらに抑制することができる。
スペーサ３３の数は限定されず，１つであっても２つ以上であってもよい。図２（ａ），（ｃ）に示すように，２つの締め付け固定部３１によって放熱器２３と配線基板１９との間を締め付ける場合には，スペーサ３３の数は２つ以上にすることが好ましく，各スペーサ３３は，各締め付け固定部３１と放熱用金属体９との間に配置されることが好ましい。
【００２３】
３．第３実施形態
図３（ａ）〜（ｃ）を用いて，本発明の第３実施形態の半導体発光素子アセンブリについて説明する。図３（ａ）は，本実施形態のアセンブリの平面図，図３（ｂ）は，図３（ａ）のＩ−Ｉ断面図，図３（ｃ）は，図３（ａ）のＩＩ−ＩＩ断面図である。
本実施形態のアセンブリは，第２実施形態のアセンブリに類似しているが，スペーサ３３の配置位置が異なっている。本実施形態では，スペーサ３３は，２つであり，２つのスペーサ３３は，第１及び第２リード２，５が延びる方向の延長線上にそれぞれ配置されている。スペーサ３３は，このような位置に配置された場合でも，第１及び第２リード２，５の変形を抑制することができる。
【００２４】
４．第４実施形態
図４（ａ）〜（ｃ）を用いて，本発明の第４実施形態の半導体発光素子アセンブリについて説明する。図４（ａ）は，本実施形態のアセンブリの平面図，図４（ｂ）は，図４（ａ）のＩ−Ｉ断面図，図４（ｃ）は，図４（ａ）のＩＩ−ＩＩ断面図である。
本実施形態のアセンブリは，第１実施形態のアセンブリに類似しているが，半導体発光素子１の構成が異なっている。本実施形態では，半導体発光素子１は，複数の発光モジュール３５を有している。各発光モジュール３５は，第１及び第２リード２，５と，第１リード２上にダイボンディングされ，第２リード５にワイヤーボンディングされた半導体発光素子チップ３とから構成される。また，複数の発光モジュール３５は，第１及び第２リード２，５が延びる方向に直交する方向に沿って並べられる。
半導体発光素子１が複数の発光モジュール３５を有する場合，半導体発光素子１からの総発熱量が多くなるので，それだけ放熱が重要になるが，本実施形態では，比較的大きな放熱器２３を使用し，この放熱器２３と配線基板１９との間を締め付け固定部３１によって締め付け固定することにより，高い放熱性を実現している。
【００２５】
５．半導体発光素子アセンブリの製造方法
次に，図１（ａ）〜（ｃ）に示すような半導体発光素子アセンブリの製造方法の一実施形態について，図５（ａ）〜（ｅ）を用いて説明する。図５（ａ）〜（ｅ）は，本実施形態の半導体発光素子アセンブリの製造工程を示す，図１（ｂ）に対応する断面図である。
【００２６】
５−１．半導体発光素子製造工程
まず，半導体発光素子アセンブリに含まれる半導体発光素子を製造する。以下，半導体発光素子を製造するための種々の工程について説明する。
【００２７】
（１）反射器形成工程
まず，半導体発光素子チップ用の第１及び第２リード部２ｂ，５ｂを有するリードフレーム２７上に，反射面１５ａを有する反射器１５を形成し，図５（ａ）に示す構造を得る。反射器１５は，トランスファー成形によってテーパー上の開口部を有する樹脂層を形成し，この開口部の内面にアルミニウムや銀などの可視光に対して反射率の高い金属を蒸着して反射面１５ａを形成することによって，形成することができる。樹脂層の材料は，特に限定されないが，例えば，エポキシ樹脂にフィラ−（例えばシリカ）を混ぜたものを用いることができる。また，樹脂層の材料に酸化チタンを含んだ白色の樹脂を用いると，テーパー面をそのまま反射面とすることができるので，アルミニウムなどの蒸着工程を省略することができる。
また，トランスファー成型で反射層を作成する場合，リードと反射層をしっかりと固定するために，例えば，リードに貫通孔を設けて反射器を形成する樹脂をリードの裏側に回すと良い。該貫通孔はリードの下に放熱層が無い部分に設ければよい。
また，反射器を成型しておき，絶縁性接着シートでリードに圧着しても良い。
【００２８】
リードフレーム２７には，枠部２９が付いているが，枠部２９は，後工程において，一点鎖線の位置で切り離される。枠部２９の切り離し後に，第１及び第２リード部２ｂ，５ｂが，それぞれ，第１及び第２リード２，５となる。
【００２９】
なお，半導体発光素子チップからの光出力検出用のフォトダイオードチップを設ける場合には，反射器１５の形成前にフォトダイオードチップをリードフレーム２７にダイボンディング及びワイヤーボンディングしておくことができる。フォトダイオードチップは，反射器１５内に埋め込まれる位置にダイボンディングしてもよい。半導体発光素子チップからの光の一部は，反射面１５ａで反射されずに透過するので，フォトダイオードチップが反射器１５に埋め込まれていても，半導体発光素子チップからの光出力の検出は可能である。
【００３０】
（２）放熱用金属体固着工程
次に，リードフレーム２７に，絶縁性接着層７を介して放熱用金属体９を固着し，図５（ｂ）に示す構造を得る。
【００３１】
放熱用金属体９は，アルミなどの熱伝導度の高い金属板などからなる。放熱用金属体９とリードフレーム２７とは，絶縁性接着シートからなる絶縁性接着層７を間に挟んで，熱圧着することによって，互いに固着することができる。接着剤や溶融樹脂などで放熱用金属体９とリードフレーム２７を熱圧着すると，両者の間から接着剤や溶融樹脂がはみ出すことがあるが，絶縁性接着シートを用いると，このようなはみ出しが起こり難い。絶縁性接着シートには，例えば，ポリエステルやポリ塩化ビニル等からなる絶縁性支持層の両面に，アクリル系ポリマーなどからなる接着層を有するものを用いることができる。このように絶縁性支持層を有する絶縁性接着シートを用いると，放熱用金属体９とリードフレーム２７の間を確実に絶縁することができ，両者の間の短絡を防止することができる。両面の接着層は，互いに同一であっても異なっていてもよい。このような絶縁性接着シートは，市販されており，例えば，リンテック株式会社社製の型式ＬＥ５００４や日立化成工業株式会社製の型式ＧＦ−３６００を用いることができる。
【００３２】
（３）ダイボンディング，ワイヤーボンディング，透明樹脂充填工程
第１リード部２ｂ上に半導体発光素子チップ３をダイボンディングし，チップ３と第２リード部５ｂをワイヤーボンディングする。ダイボンディング及びワイヤーボンディングは，それぞれ，導電性接着層１１及びボンディングワイヤー１３を介して行うことができる。
【００３３】
次に，反射器１５の反射面１５ａよりも内側の空間に，透明樹脂１６を充填し，図５（ｃ）に示す構造を得る。透明樹脂１６は，エポキシ樹脂などからなる。
【００３４】
（４）第１及び第２リード部を切り出し工程
次に，リードフレーム２７から枠部２９を切り離すことによって，第１及び第２リード部２ｂ，５ｂを切り出して，図５（ｄ）に示す第１及び第２リード２，５を有する半導体発光素子１を得る。
【００３５】
５−２．半導体発光素子アセンブリ製造工程
次に，半導体発光素子１に配線基板や放熱器を取り付けて，半導体発光素子アセンブリを製造する工程について説明する。
（１）配線基板の取り付け工程
まず，図５（ｅ）に示すように，開口部２５を有する配線基板１９を準備し，反射器１５が開口部２５に収容されるように半導体発光素子１を配置し，はんだ層２１を介して半導体発光素子１の第１及び第２リード２，５を配線基板１９に固着させる。配線基板１９の，第１及び第２リード２，５を固着させる部分には，予め第１及び第２リード２，５固着用のランドを形成しておく。
【００３６】
（２）放熱器の取り付け，締め付け固定工程
次に，図１（ａ）〜（ｃ）に示すように，放熱用金属体９に接触するように放熱器２３を配置し，締め付け固定部３１によって放熱器２３と配線基板１９との間を締め付け固定し，半導体発光素子アセンブリの製造を完了する。本実施形態によれば，締め付け固定部３１による締め付け固定が強すぎても，放熱用金属体９の延長部９ａからなる間隔保持部が存在することによって，第１及び第２リード２，５の変形が抑制される。
なお，配線基板１９には複数個の半導体発光素子１を取り付けてもよく、この場合，上記と同様の方法で，複数個の半導体発光素子１のそれぞれについて，第１及び第２リード２，５を配線基板１９に固着させ、放熱用金属体９に接触するように放熱器２３を配置し，締め付け固定部３１によって放熱器２３と配線基板１９との間を締め付け固定する。または，放熱器２３を複数の半導体発光素子１に共用してもよく、この場合，複数個の半導体発光素子１のそれぞれについて第１及び第２リード２，５を配線基板１９に固着させ、共用される放熱器２３を各半導体発光素子１の放熱用金属体９に接触するように配置し，締め付け固定部３１によって放熱器２３と配線基板１９との間を締め付け固定する。締め付け固定部３１は，好ましくは半導体発光素子１ごとに設けられる。
【００３７】
以上の実施形態で示した種々の特徴は，互いに組み合わせることができる。１つの実施形態中に複数の特徴が含まれている場合，そのうちの１又は複数個の特徴を適宜抜き出して，単独で又は組み合わせて，本発明に採用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】（ａ）は，本発明の第１実施形態の半導体発光素子アセンブリの平面図，（ｂ）は，（ａ）のＩ−Ｉ断面図，（ｃ）は，（ａ）のＩＩ−ＩＩ断面図である。
【図２】（ａ）は，本発明の第２実施形態の半導体発光素子アセンブリの平面図，（ｂ）は，（ａ）のＩ−Ｉ断面図，（ｃ）は，（ａ）のＩＩ−ＩＩ断面図である。
【図３】（ａ）は，本発明の第３実施形態の半導体発光素子アセンブリの平面図，（ｂ）は，（ａ）のＩ−Ｉ断面図，（ｃ）は，（ａ）のＩＩ−ＩＩ断面図である。
【図４】（ａ）は，本発明の第４実施形態の半導体発光素子アセンブリの平面図，（ｂ）は，（ａ）のＩ−Ｉ断面図，（ｃ）は，（ａ）のＩＩ−ＩＩ断面図である。
【図５】（ａ）〜（ｅ）は，本発明の第１実施形態の半導体発光素子アセンブリの製造工程を示す，図１（ｂ）に対応する断面図である。
【図６】従来の半導体発光素子の一例を示す断面図である。
【符号の説明】
【００３９】
１：半導体発光素子  ２：第１リード  ２ａ：第１リードの先端  ２ｂ：リードフレームの第１リード部  ３：半導体発光素子チップ  ５：第２リード  ５ａ：第２リードの先端  ５ｂ：リードフレームの第２リード部  ７：絶縁性接着層  ９：放熱用金属体  ９ａ：放熱用金属体の延長部（間隔保持部）  １１：導電性接着層  １３：ボンディングワイヤー  １５：反射器  １５ａ：反射器の反射面  １６：透明樹脂  １７：配線基板の開口部  １９：配線基板  ２１：はんだ層  ２３：放熱器  ２５：配線基板の開口部  ２７：リードフレーム  ２９：リードフレームの枠部  ３１：締め付け固定部  ３３：スペーサ（間隔保持部）  ５１：絶縁基板  ５３：ダイボンド電極パターン  ５５：セカンド電極パターン  ５７：導電性接着剤  ５９：発光ダイオード素子  ６１：ボンディングワイヤー  ６３：透光性樹脂体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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