(57)【要約】【課題】上部及び下部電極が短絡する不良を低減することができる有機ＥＬ表示パネルの製造方法を提供する。【手段】基板上に複数の第１電極を形成する工程と、第１電極上に有機機能層を形成する有機機能層形成工程と、有機機能層上に第２電極材料膜を形成して、第２電極材料膜の一部を光照射によって除去して複数の第２電極を形成する第２電極形成工程と、を含む有機ＥＬ表示パネルの製造方法であって、第２電極形成工程において、光を第２電極材料膜へ間欠的に複数回照射しつつ走査して、第２電極材料膜上の光の照射パターンのそれぞれを重畳させ重なり部分を画定し、重なり部分を隣接する第１電極間のギャップ部分に位置させる。【選択図】図１１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機エレクトロルミネッセンス表示パネルの製造方法であって、基板上に複数の第１電極を形成する工程と、前記第１電極上に有機機能層を形成する有機機能層形成工程と、前記有機機能層上に第２電極材料膜を形成して、前記第２電極材料膜の一部を光照射によって除去して複数の第２電極を形成する第２電極形成工程と、を含み、
前記第２電極形成工程において、光を前記第２電極材料膜へ間欠的に複数回照射しつつ走査して、前記第２電極材料膜上の前記光の照射パターンのそれぞれを重畳させ重なり部分を画定し、前記重なり部分を隣接する前記第１電極間のギャップ部分に位置させること、を特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示パネルの製造方法。
【請求項２】
前記基板上に第１電極を形成する工程において、同じ形状の第１電極ラインを等間隔のピッチで並列に形成し、前記第２電極形成工程において、前記光の照射パターンは、その走査方向において、前記光の照射パターン同士の重なり幅をＤ、隣接する前記第１電極間のギャップ幅をＧ、前記第１電極の幅をＫ、１以上の整数をｎとするとき、０＜Ｄ＜Ｇでかつ、Ｓ＝ｎ×（Ｋ＋Ｇ）＋Ｄを満たす長さＳ、を有することを特徴とする請求項１記載の製造方法。
【請求項３】
前記光照射が、パルス状のレーザ光の照射であることを特徴とする請求項１記載の製造方法。
【請求項４】
前記パルス状のレーザ光が、ＹＡＧレーザもしくはＹＡＧレーザの高調波、または、エキシマレーザであることを特徴とする請求項３記載の製造方法。
【請求項５】
前記第２電極形成工程の後に、前記光照射の波長に対して前記第２電極材料膜の光吸収率よりも高い光吸収率の光吸収層を前記第２電極材料膜上に形成する工程を更に含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の製造方法。
【請求項６】
各々が第１及び第２電極並びに前記第１及び第２電極間に挟持されかつ発光層を含む有機機能層からなる複数の有機エレクトロルミネッセンス素子と、前記有機エレクトロルミネッセンス素子を担持する基板と、を有する有機エレクトロルミネッセンス表示パネルであって、前記第１及び第２電極の交差する前記有機エレクトロルミネッセンス素子以外の前記第１電極上を覆うように前記有機機能層の残渣が残存していることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示パネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス表示パネル及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス表示パネル（以下、有機ＥＬ表示パネルという）は、電流の注入によって発光するＥＬを呈する有機化合物材料からなる発光層を含む２以上の有機膜の積層（以下、有機機能層という）を備えた有機ＥＬ素子（以下、有機ＥＬ素子という）の複数が基板上に形成された表示装置として知られている。
【０００３】
有機ＥＬ表示パネルの製造方法において、複数の有機ＥＬ素子を基板上に形成する場合、有機ＥＬ素子の第２電極（これは通常、基板側にある第１電極上の有機機能層上にある）にレーザ光などの光照射を行って、パターニングする方法が知られている。
【０００４】
特許文献１には、フォトリソグラフィー工程の使用を減らすために、有機ＥＬ素子の何れかの膜をレーザエッチングによってパターニングする技術が開示される。例えば同特許文献段落［００２０］には、第１電極（ＩＴＯ膜、陽極）を、波長３５５ｎｍまたは５３２ｎｍのパルスレーザ光を用い、ビームスポット径１０μｍとし、ビームスポットを５μｍオーバーラップさせてエッチングする技術が開示される。また、同段落［００２８］には、第２電極（陰極）を第１電極（陽極）とほぼ同様の条件でパターニングする技術が開示される。更に、同段落［００２３］には、第１電極と第２電極が短絡することを防止するために、図１に示すように絶縁膜である隔壁１２をレーザ光の照射部分に形成する技術も開示される。特許文献１は、第１電極と第２電極のショートを、絶縁膜の形成によって防止する技術を開示している。
【０００５】
特許文献２では、同特許文献段落［０００５］に、従来のキセノンレーザで加工した場合、レーザ加工は元々熱加工法であるため目標の陰極だけでなくその下層、有機層や陽極にまで熱が拡散し、除去されたり、陰極エッジ部にバリ、剥がれが発生したりする結果、陰極と陽極がショートしたりするという問題点が指摘される。同段落［０００７］等に、波長１００〜４００ｎｍかつパルス幅が５００ｎｍ以下の短パルスレーザ光を使用することにより、この問題を解決できることが記載される。更に、特許文献２では、図１に示すように、陰極４０は、透明なガラス基板１０上の陽極２０とは直交する方向に延びるストライプ状にパターニングされ、両電極２０、４０が重なり合う部分が、画素として構成され、レーザ光を、陰極４０におけるストライプの隙間となる部分に沿って走査していく方法が例示される。
【０００６】
その他の特許文献３〜１０にも、光照射を行って、パターニングする方法が教示され
ている。
【特許文献１】特開２００６−４０７１１公報
【特許文献２】特開２００２−１６４１６７公報
【特許文献３】特開２００３−２９７５６８公報
【特許文献４】特開２００２−１２４３８０公報
【特許文献５】特開２００２−１６４１６９公報
【特許文献６】特開２００２−１５８６９公報
【特許文献７】特開平９−３２０７６０公報
【特許文献８】特開平５−３０７６公報
【特許文献９】特開２００４−３４２４５５公報
【特許文献１０】特開２００１−２４４０７３公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献２の技術では、レーザ熱拡散を抑制し、レーザ光照射部周辺の熱拡散によるダメージを抑えることができるはずであるが、かかる技術に従い、実際に、波長１００〜４００ｎｍかつパルス幅が５００ｎｓ以下の短パルスレーザ光を使用して加工した場合、加工の重なり部分では陰極と陽極のショートが起きてしまうことが確認された。
【０００８】
さらに、特許文献１の技術では、レーザ光スポットをオーバーラップさせてエッチングする技術であるが、絶縁膜の形成を省いた場合、図３の部分平面図に示すような有機ＥＬ表示パネルができ上がる。図中、１０は基板、１３は第１電極、１４は有機機能層、１５は第２電極を示す。その場合、図示した通り、第１電極パターン上にあるレーザ加工の重なり部分ＤＦでは、２度目のレーザ光照射を行う際、有機機能層１４に直接レーザ光が照射されて欠損が生じ、第１電極１３と第２電極１５のショートが生じる可能性が高いことが確認された。しかし、同文献において、この様な問題は、指摘も示唆もされていない。例えば、同文献段落［００２０］の加工条件では、ビームスポット径１０μｍとし、ビームスポットを５μｍオーバーラップさせてエッチングする技術が開示されるが、この条件においては、加工部分がほとんど全てオーバーラップ部分となってしまうため、上記のようなショートが多発してしまう。
【０００９】
本発明の解決しようとする課題には、上部及び下部電極が短絡する不良を低減することができる有機ＥＬ表示パネル及びその製造方法を提供することが一例として挙げられる。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
請求項１記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法は、基板上に複数の第１電極を形成する工程と、
前記第１電極上に有機機能層を形成する有機機能層形成工程と、
前記有機機能層上に第２電極材料膜を形成して、前記第２電極材料膜の一部を光照射によって除去して複数の第２電極を形成する第２電極形成工程と、を含む有機ＥＬ表示パネルの製造方法であって、
前記第２電極形成工程において、光を前記第２電極材料膜へ間欠的に複数回照射しつつ走査して、前記第２電極材料膜上の前記光の照射パターンのそれぞれを重畳させ重なり部分を画定し、前記重なり部分を隣接する前記第１電極間のギャップ部分に位置させること、を特徴とする。
【００１１】
請求項６記載の有機ＥＬ表示パネルは、各々が第１及び第２電極並びに前記第１及び第２電極間に挟持されかつ発光層を含む有機機能層からなる複数の有機ＥＬ素子と、前記有機ＥＬ素子を担持する基板と、を有する有機ＥＬ表示パネルであって、前記第１及び第２電極の交差する前記有機ＥＬ素子以外の前記第１電極上を覆うように前記有機機能層の残渣が残存していることを特徴とする。
【００１２】
このように、本発明によれば、第１及び第２電極の交差する有機ＥＬ素子以外の第１電極上を覆うように有機機能層の残渣が残存しているので、電極が短絡する不良を低減することができる。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下に本発明の実施形態の有機ＥＬ表示パネルを図面を参照しつつ説明する。
【００１４】
図４は基板１０上にマトリクス状に配置された複数の有機ＥＬ素子を備えたパッシブ駆動型有機ＥＬ表示パネルの部分拡大背面図である。
【００１５】
図示の有機ＥＬ表示パネルは、透明電極層を含む行電極の複数の第１電極１３と、有機機能層と、該行電極に交差する金属電極層を含む列電極の複数の第２電極１５と、が基板１０上に順次積層されて構成されている。行電極は、各々が帯状に形成されるとともに、所定の等間隔をおいて互いに平行となるように配列されており、列電極も同様である。このように、マトリクス表示パネルは、複数の行と列の電極の交差点に形成された複数の有機ＥＬ素子の発光部からなる表示領域を有している。第２電極１５は、接続部Ｃｎを介して配線電極１９に接続されている。
【００１６】
基板１０には、ガラスや樹脂を用いるのが一般的である。基板１０は、有機ＥＬ素子を駆動するためのトランジスタなどの素子、カラーフィールタ、色変換層などを含んでいてもよい。
【００１７】
第１電極１３及び第２電極１５は、有機ＥＬ素子の陽極もしくは陰極である。一方が陽極の場合は他方を陰極とする。電極材料としては、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）、Ａｌ等、既知の有機ＥＬ素子の陽極、陰極材料を用いることができ、光の取り出し側の電極に透光性材料を用いる。パッシブ駆動型のパネルを作製するために、直交する両電極のパターンをストライブ状としてもよいしアクティブ駆動型のパネル作製するために、所定のパターンを画素（発光部）に対応した島状としてもよい。
【００１８】
有機発光層を含む有機機能層１４は、単層であっても、複数の層からなっていてもよい。
【００１９】
有機機能層１４は、例えば、第１電極１３及び第２電極１５が陽極及び陰極である場合、陽極の第１電極１３から陰極の第２電極１５へ順に積層されたホール注入層／ホール輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層のそれぞれの機能を持つ複数の機能有機材料の膜からなる。さらに、ホール輸送層及び発光層間に電子ブロック層を、発光層及び電子輸送層にホールブロック層を機能有機膜として設けることもできる。なお、発光層を除き、ホール注入層、ホール輸送層、電子輸送層、電子注入層、電子ブロック層及びホールブロック層のいずれかを省略してもよい。
【００２０】
有機機能層１４の材料としては、低分子、デンドリマー、ポリマーなどの公知のものを用いることができる。便宜上「有機機能層１４」と呼ぶが、一部に無機材料が含まれていてもよい。
【００２１】
有機機能層１４は、例えば、蒸着法やスパッタ法などのドライプロセス、スピンコート、インクジェット法やスプレー法など塗布法によるウエットプロセス、により形成することができる。
【００２２】
配線電極１９は第１電極１３や第２電極１５を外部に引き出すためのもので、有機ＥＬ表示パネルやＬＣＤで用いられる既知の配線材料を用いることができる。配線電極１９及び電極の間の接続部Ｃｎを通して、素子は外部の駆動回路に接続される。配線電極１９は、低抵抗、耐環境性が求められる。配線電極１９材料としては、例えば、Ｃｒ、Ｔｉ、Ａｌ、Ａｌ−Ｎｄ合金、Ａｇ合金、ＩＴＯ等、の単層膜、及びこれらの積層膜を用いることができる。
【００２３】
配線電極１９は、例えば、蒸着法やスパッタ法で成膜し、フォトリソグラフィー技術によってパターニングしてもよい。パターンが粗ければ、マスク蒸着のような方法も可能である。配線電極は省略してもよい。
【００２４】
有機ＥＬ表示パネルの製造方法を、図４のＡＡの断面を示す図５などを用いて説明する。
【００２５】
図５に示すように、基板１０上の表示領域（発光部が配列されるべき領域）に、第１電極１３を、例えば、蒸着法やスパッタ法で成膜し、フォトリソグラフィーによってパターニングする。また、図示はしないが、必要に応じ表示領域の外側に、第２電極を外部に引き出すための配線電極１９を形成する。配線電極は、後の工程で画定する接続部を確保するために所定の面積を有している。配線電極の形成は第１電極形成の前に行ってもよいし、第１電極と同一材料で配線電極を構成してそれらを同時に形成してもよい。また、基板自身に導電性を有する場合は、基板を配線電極の代わりにして基板表面を所定面積で露出させてもよい。これら同時形成及び基板利用の場合、配線電極の形成工程が不要となる。
【００２６】
図６に示すように、たとえば、有機機能層１４は、第２電極１５よりも大なる面積の領域に、第１電極１３上に略全面にいわゆるベタに形成される。有機機能層１４は蒸着法で形成してもよい。また有機機能層１４を塗布方法で形成してもよいが、具体的な塗布方法としては、スピンコート、ブレードコート、ロールコート、スプレーなどの基板１０の略全面に塗布する方法、インクジェット、フレキソ印刷法、ディスペンス法などの各種印刷法など、所定のパターンに塗布する方法がある。なお、「略全面」とは、発光部間のギャップ部分などに形成されていない部分があってもよいことを言い、隙間なく完全に連続して形成される場合も当然含む。有機機能層１４の各々の層は、発光色毎に塗り分けて形成してもよい。
【００２７】
有機機能層１４は、第１電極１３と第２電極１５の短絡を防ぐため、第１電極１３のエッジを十分に覆うことが好ましい。そのような有機機能層１４を形成するためには、具体的には、基板１０を自公転させた蒸着法や、塗布法を用いればよい。一部の有機機能層１４の形成に塗布法を用いると、第１電極１３のエッジの被覆性が良く、特に好ましい。
【００２８】
図７に示すように、第２電極材料膜１５ａを、少なくとも表示領域を覆う領域に、ベタ形成する。
【００２９】
本工程では、第２電極材料膜１５ａをベタ形成するため、パターンが比較的粗い。よって、マスク蒸着、マスクスパッタ等の方法で容易にパターン形成可能である。
【００３０】
図８に示すように、第２電極材料膜１５ａをレーザ光等の光照射にてその一部を除去して、第２電極のパターニングする。
【００３１】
本工程では、主に第２電極の画素間のギャップとなるべき部分を第２電極材料膜１５ａから除去しパターニングする。光照射を第２電極材料膜１５ａへ間欠的に複数回照射しつつ走査して、図９に示すように、第２電極材料膜１５ａ上の光照射パターンのそれぞれを重畳させ重なり部分OLPを画定し、重なり部分を隣接する第１電極１３間のギャップ部分に位置させ、光を第２電極材料膜１５ａ上に走査すると、図１０に示すように、レーザ光が照射された部分が蒸発、除去され、第１及び第２電極の交差する有機ＥＬ素子以外の第１電極１３上を覆うように有機機能層１４の残渣を残存させつつ、第１電極１３に垂直なストライプ状第２電極のパターンを形成する。第１電極１３間のギャップ部の重なり部分OLPの部分の基板１０上には有機機能層１４の欠損が生じる。図８では、重なり部分OLPにおいて、有機機能層１４が完全に欠損した場合を示したが、レーザ光の照射条件により、有機機能層１４の一部が残存してもよい。
【００３２】
本実施形態では、複数回のパルス光照射によってパターニングを行う。具体的には、目標面における１度目のパルス光照射パターンと、それに隣接する２度目のパルス光照射パターンとが、重なり部分を有するようにして、光照射を複数回行う。その際、重なり部分が、第１電極１３の存在しない部分、つまり隣接する第１電極１３のパターン間のギャップに位置するように設定する。これを、１回の走査で順次繰り返して連続したパターンで第２電極ストライプを画定する。
【００３３】
１回の走査光照射で、第２電極間のギャップ対応部分を十分に除去しきれない場合は、１度目、２度目の光照射において、それぞれ複数回の光照射を行い、第２電極間のギャップ対応部分を完全に除去してもよい。つまり、それぞれ複数回の走査光照射を同じ位置で行ってもよい。
【００３４】
光照射は、集光したレーザ光を用いることができる。パルス状のレーザ光はパワー密度を大きくとることができ、好適である。用いるレーザ光は、特に限定されないが、パワーが十分大きく取れることから、ＹＡＧレーザを好適に用いることができる。また、ＹＡＧレーザの高調波を用い、より波長の短いレーザ光を用いて加工すると、加工時の熱的影響が少なくなり、より好ましい。
【００３５】
光照射のパターンLRPとしては、例えば、図１１のように１画素（第１電極１３）の幅毎に行ってもよいし、図１２のように複数の画素例えば２画素（２つの第１電極１３とそのギャップ）の幅毎に行ってもよい。
【００３６】
また、面状に広がった光を、所望の第２電極の開口形状に対応した所定のマスクを通して照射してもよい。このような面状の光として、いわゆるエキシマレーザが挙げられる。
【００３７】
面状に光照射する場合は、図１３のように、複数箇所を１度の光照射で除去してもよい。
【００３８】
また、図１１〜図１３では、１回の光照射のパターンを略矩形としているが、その形状は任意である。例えば矩形の角が丸まったものや、楕円形、円形でもよい。また、光照射の操作パターンを直線のみではなく、蛇行させたり屈曲させたりすれば、任意の形状に第２電極をパターニングすることができることは言うまでもない。本実施形態の要点は、光照射の重なり部分OLPを、目標面における第１電極１３間のギャップに位置させることである。
【００３９】
このようにして、本発明による有機ＥＬ素子が完成する。
【００４０】
なお、このあとに、素子を外気から遮断するために、既知の方法で封止を行ってもよい。また、素子を駆動するための回路を接続してもよい。
【００４１】
本実施形態では、第２電極材料膜上にて複数回の光照射によって、第２電極材料膜を除去する際、複数の光照射が重なり部分を有し、かつ、その重なり部分が下層の第１電極間のギャップに位置するようにする。
【００４２】
図８の１回のレーザ光照射では、レーザ光が直接照射されるのは、第２電極材料膜１５ａの表面のみである。第２電極材料膜１５ａはエネルギー密度が非常に高いレーザ光を吸収し、その結果、急激に温度上昇することにより、蒸発し除去される。一般に、第２電極材料として用いられる金属等の導電体は、下層の有機機能層１４よりも熱伝導度が高い。よって、レーザ光による熱は第２電極材料膜１５ａの中で効率良く伝わり、第２電極材料膜１５ａの温度が急上昇する一方、有機機能層１４は第２電極材料膜１５ａの熱が伝わりにくく、温度が上昇しにくい。その結果、図８のように、第２電極材料膜１５ａのみが除去され、有機機能層１４は一部除去されることはあるかも知れないが、そのほとんどが除去されずに残る。
【００４３】
図９の隣の次の回のレーザ光照射において、レーザ光は、前回のレーザ光照射との重なり部分OLPでは、有機機能層１４の表面に、その他の部分では、第２電極材料膜１５ａの表面に直接照射される。その他の部分では、前回レーザ光照射と同様、ほぼ第２電極材料膜１５ａのみが除去される。照射の重なり部分では、有機機能層１４がレーザ光を直接吸収する。有機機能層１４のレーザ光の光吸収率が高かったり、光吸収率が低い場合でもレーザ光のパワーが大きかったりする場合は、有機機能層１４の温度が急激に上昇し、有機機能層１４が蒸発することとなる。言い換えれば、照射するレーザ光のパワーが、有機機能層１４の加工閾値を超える場合は、有機機能層１４が蒸発除去される。
【００４４】
すると、図９のように、照射の重なり部分OLPで有機機能層１４は欠損が生じた状態となる。一般に、有機ＥＬ素子では、有機機能層１４が欠けたり、薄くなったりすると、第１電極１３と第２電極１５がショートする問題が生じる。しかし、本発明による製造方法で作製した有機ＥＬ素子は、有機機能層１４が欠ける部分が、発光する部分ではない第１電極１３間のギャップに位置しているため、上記のような第１及び第２電極間のショートが生じない。なお、図９では、便宜上、完全に有機機能層１４が除去された場合を示しているが、有機機能層１４がレーザ光により一部除去され、薄くなった場合でも同様の効果が得られることは自明である。
【００４５】
このようなレーザ光照射を順次繰り返すことにより、図１４のように、有機機能層１４の欠損ＤＦが第１電極１３間のギャップに位置するように、有機ＥＬ表示パネルを作製でき、第１電極１３と第２電極１５のショートを防止できる。
【００４６】
図１〜図１４で説明したように、作製する有機ＥＬ表示パネルの第１電極１３が、ある決まった繰り返しのパターン（ピッチＰ＝Ｋ＋Ｇ）である場合、図８のように、光照射の方法は、以下の通りで説明できる。
【００４７】
図１１のように、光照射パターンLRPは、所定の加工幅Ｔ（隣接する第２電極間のギャップ幅）と、第１電極１３の幅Ｋと隣接する第１電極１３間のギャップ幅Ｇ（すなわちＫ＋Ｇ＝Ｐのピッチ）の和のｎ倍（但しｎは１以上の整数である）の長さに重なり幅Ｄを加えた長さＳと、を有するように、設定される。光照射パターンLRPを、その長手方向に、ｎ倍ピッチずつ間欠照射移動させながら、第２電極材料膜１５ａに光照射して、第２電極材料膜１５ａの不要部分を除去する。光照射パターンLRP同士の「重なり幅Ｄ」は、隣接する第１電極１３間のギャップ幅Ｇよりも小でありかつゼロ以上とする。すなわち、間欠走査の光照射パターンLRPの長さＳを、０＜Ｄ＜Ｇでかつ、Ｓ＝ｎ×（Ｋ＋Ｇ）＋Ｄ（但しｎは１以上の整数）をほぼ満たすように設定することで、レーザ加工の重なり部分は図１１〜図１３に示すような位置となる。
【００４８】
図７に示す第２電極形成工程の後に、光照射の波長に対して第２電極材料膜１５ａの光吸収率よりも高い光吸収率の光吸収層１５ｂを第２電極材料膜１５ａ上に形成してもよい。レーザ加工部に酸化物の光吸収層１５ｂを形成し、第２電極材料膜１５ａの反射を低減し、より低いレーザパワーでレーザ加工を行うことができる（特開２００１−３３２３８２公報参照）。
【００４９】
＜実施例１＞
実施例１として、パッシブ駆動型有機ＥＬ表示パネルを作製した。
【００５０】
第１電極として、ガラス基板上に、ＩＴＯを１５０ｎｍ、スパッタ法とフォトエッチングにより、０．２ｍｍピッチ、ギャップ０．０５ｍｍで２５６本の平行ストライプ状に形成した。
【００５１】
第１電極に重ならないように、配線電極として、Ｔｉ（５０ｎｍ）／Ａｌ（２００ｎｍ）／Ｔｉ（５０ｎｍ）からなる金属膜を、スパッタ法とフォトエッチングにより形成した。
【００５２】
有機機能層として、パネルの額縁部分を除く表示領域（すなわち第１電極の端部以外及び基板上）に、ＣｕＰＣ（３０ｎｍ厚）／ＴＰＤ（５０ｎｍ厚）／Ａｌｑ3（６００ｎｍ厚）／Ｌｉ2Ｏ（１ｎｍ厚）の各膜を、順にマスク蒸着で形成した。
【００５３】
第２電極材料膜として、Ａｌを１００ｎｍ、マスク蒸着法を用いて、有機機能層の領域と配線電極との接続部分にまで、ベタ形成した。
【００５４】
第２電極パターニング工程として、波長３５５ｎｍ、パルス幅１５ｎｓのＹＡＧ第３次高調波のレーザ光をレンズと絞りを用いて、０．２２ｍｍ×０．０３ｍｍの矩形形状に第２電極材料膜へ集光し、１度の照射毎に照射位置を０．２ｍｍ、ＩＴＯのストライプ方向と直交する方向に基板を移動しながら、第２電極材料膜が形成されている領域（目標面）上に順次照射を繰り返した。なお、レーザ光の照射は、照射形状の長手方向が基板の移動方向と一致するように、かつ、照射形状の長手方向の中心が、ＩＴＯストライプの中心線に一致するように行った。この結果、レーザ光照射の重なりが、ＩＴＯストライプと直交する方向の幅が０．０２ｍｍであり、かつ、重なり部分の位置が、ＩＴＯストライプ間のギャップのほぼ中央に位置するような照射形状となった。
【００５５】
このようなレーザ光照射をピッチ０．２ｍｍで６３本分行い、第２電極として６４本の平行ストライプ状に形成した。
【００５６】
最後に所定の封止を行い、駆動回路を接続して、２５６×６４画素の緑色発光する有機ＥＬ表示パネルを得た。
【００５７】
作製したパネルを発光させたところ、第１電極と第２電極が短絡する不良は、見られなかった。
＜実施例２＞
第２電極のパターニング工程を、以下のようにした以外は、実施例１と全く同様にして、本発明による製造方法で有機ＥＬ表示パネルを完成させた。
【００５８】
本実施例では、レーザとしてＫｒＦを用いた波長２４８ｎｍ、パルス幅２５ｎｓのエキシマレーザを、Ｃｒマスクを含む光学系により約４ｍｍ×２ｍｍの面形状に絞ったものを用いた。この面状の光を、基板の第２電極材料膜が形成されている領域（目標面）上に照射することにより、ギャップ部を除去し第２電極をパターニングした。
【００５９】
マスクを通して基板に照射した光のパターンは、３．２２ｍｍ×０．０３ｍｍのストライプ第２電極がピッチ０．２ｍｍで８本並ぶ形状であった。１度の照射毎に照射位置を３．２ｍｍ、ＩＴＯのストライプ方向と直交する方向に基板を移動しながら、第２電極上に順次照射を１６回繰り返した。なお、レーザ光の照射は、光照射形状の長手方向が基板の移動方向と一致するように、かつ、実施例１同様、レーザ光照射の重なりが、ＩＴＯストライプ間のギャップのほぼ中央に位置するような照射形状となるように位置合わせした。次にＩＴＯストライプと平行に、１．６ｍｍずらして計８回同様にレーザ光照射を行った。
【００６０】
この結果、実施例１とほぼ同一のパターンの有機ＥＬ表示パネルを得た。
【００６１】
作製したパネルを発光させたところ、第１電極と第２電極が短絡する不良は、見られなかった。
＜比較例＞
第２電極のパターニング工程を、以下のようにした以外は、実施例１と全く同様にして、有機ＥＬ表示パネルを完成させた。
【００６２】
第２電極のパターニング工程として、波長３５５ｎｍ、パルス幅１５ｎｓのＹＡＧ第３次高調波のレーザ光をレンズと絞りを用いて、０．１２ｍｍ×０．０３ｍｍの矩形形状に集光し、１度の照射毎に照射位置を０．１ｍｍ、ＩＴＯのストライプ方向と直交する方向に基板を移動しながら、第２電極材料膜が形成されている領域上に順次照射を繰り返した。なお、レーザ光の照射は、光照射パターン形状の長手方向が基板の移動方向と一致するように行った。この結果、レーザ光照射の重なり部分の約半数ほどが、ＩＴＯストライプ上に位置する結果となった。
【００６３】
このようなレーザ光照射を、ピッチ０．２ｍｍで６３本分行い、第２電極として６４本の平行ストライプ状に形成した。
【００６４】
この結果、実施例１とほぼ同一のパターンの有機ＥＬ表示パネルを得た。
【００６５】
作製したパネルを発光させたところ、第１電極と第２電極が短絡する不良が１００箇所以上発生し、正常な表示が全くできなかった。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】従来の有機ＥＬ表示パネルの概略部分断面図である。
【図２】従来の有機ＥＬ表示パネルの概略部分斜視図である。
【図３】従来の有機ＥＬ表示パネルの概略部分平面図である。
【図４】本発明による実施形態の、複数の有機ＥＬ素子を備えた有機ＥＬ表示パネルの部分拡大背面図である。
【図５】本発明による実施形態の有機ＥＬ表示パネルの製造過程における基板の部分断面図である。
【図６】本発明による実施形態の有機ＥＬ表示パネルの製造過程における基板の部分断面図である。
【図７】本発明による実施形態の有機ＥＬ表示パネルの製造過程における基板の部分断面図である。
【図８】本発明による実施形態の有機ＥＬ表示パネルの製造過程における基板の部分断面図である。
【図９】本発明による実施形態の有機ＥＬ表示パネルの製造過程における基板の部分断面図である。
【図１０】本発明による実施形態の有機ＥＬ表示パネルの製造過程における基板の部分断面図である。
【図１１】本発明による実施形態の有機ＥＬ表示パネルの製造過程における基板の部分平面図である。
【図１２】本発明による実施形態の有機ＥＬ表示パネルの製造過程における基板の部分平面図である。
【図１３】本発明による他の実施形態の有機ＥＬ表示パネルの製造過程における基板の部分平面図である。
【図１４】本発明による他の実施形態の有機ＥＬ表示パネルの製造過程における基板の部分平面図である。
【符号の説明】
【００６７】
１０  基板
１３  第１電極
１４  有機機能層
１５  第２電極
１５ａ  第２電極材料膜
１６  封止膜
１９  配線電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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