(57)【要約】【課題】本発明はフィーチャーからＢＡＲＣ層を除去する方法を提供する。【解決手段】一実施形態において、本方法は、ＢＡＲＣ層で充填されたフィーチャーを有する基板を、エッチングチャンバに提供する工程と、ＮＨ３ガスを含む第１のガス混合物を、チャンバに供給して、フィーチャーを充填しているＢＡＲＣ層の第１の部分をエッチングする工程と、Ｏ２ガスを含む第２のガス混合物を、エッチングチャンバに供給して、フィーチャーに配置されたＢＡＲＣ層の残りの部分をエッチングする工程とを含む。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＢＡＲＣ層をフィーチャーから除去する方法であって、  ＢＡＲＣ層で充填されたフィーチャーを有する基板を、エッチングチャンバに提供する工程と、  ＮＨ３ガスを含む第１のガス混合物を、前記チャンバに供給して、前記フィーチャーを充填している前記ＢＡＲＣ層の第１の部分をエッチングする工程と、  Ｏ２ガスを含む第２のガス混合物を、前記エッチングチャンバに供給して、前記フィーチャーに配置された前記ＢＡＲＣ層の残りの部分をエッチングする工程とを含む方法。
【請求項２】
前記第１のガス混合物を供給する工程が、  ＮＨ３を、５０ｓｃｃｍ〜１０００ｓｃｃｍの流量で、前記エッチングチャンバに流す工程を含む請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記第１のガス混合物を供給する工程が、  処理圧力を、約５ミリトル〜約３００ミリトルに維持する工程を含む請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記第１のガス混合物を供給する工程が、  基板温度を、摂氏約−１０度〜摂氏約５５度に維持する請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記第１のガス混合物を供給する工程が、  プラズマ電力を、約１５０ワット〜約２０００ワットで印加する工程を含む請求項１記載の方法。
【請求項６】
前記第１のガス混合物を供給する工程が、  前記フィーチャーを充填している前記ＢＡＲＣ層の前記第１の部分を、約２０秒〜約２００秒の処理時間でエッチングする工程を含む請求項１記載の方法。
【請求項７】
前記第２のガス混合物を供給する工程が、  Ｏ２ガスを、５０ｓｃｃｍ〜５００ｓｃｃｍの流量で、前記エッチングチャンバに流す工程を含む請求項１記載の方法。
【請求項８】
前記第２のガス混合物を供給する工程が、  処理圧力を、約５ミリトル〜約５０ミリトルに維持する工程を含む請求項１記載の方法。
【請求項９】
前記第２のガス混合物を供給する工程が、  基板温度を、摂氏約−１０度〜摂氏約５５度に維持する請求項１記載の方法。
【請求項１０】
前記第２のガス混合物を供給する工程が、  プラズマ電力を、約１５０ワット〜約２０００ワットで印加する工程を含む請求項１記載の方法。
【請求項１１】
前記第２のガス混合物を供給する工程が、  前記フィーチャーを充填している前記ＢＡＲＣ層の前記残りの部分を、約１０秒〜約６０秒の処理時間でエッチングする工程を含む請求項１記載の方法。
【請求項１２】
前記第１のガス混合物供給と前記第２のガス混合物供給の間のエッチング時間が、約１：１〜約４：１の比を有する請求項１記載の方法。
【請求項１３】
前記ダマシン構造が、３．５未満の誘電率を有する誘電体絶縁層を含む請求項１記載の方法。
【請求項１４】
前記ダマシン構造が、炭素ドープ酸化ケイ素を含む誘電体絶縁層を含む請求項１記載の方法。
【請求項１５】
基板を提供する工程であって、前記基板が、前記基板の上部表面に配置されたフォトレジスト層を有している、工程を含む請求項１記載の方法。
【請求項１６】
前記ＢＡＲＣ層をエッチングしている間、前記エッチングチャンバに供給された前記第１のガス混合物及び前記第２のガス混合物が、前記フォトレジスト層をエッチングする請求項１５記載の方法。
【請求項１７】
ＢＡＲＣ層をフィーチャーから除去する方法であって、  誘電体絶縁層に形成され、ＢＡＲＣ層で充填されたフィーチャーを有する基板を、エッチングチャンバに提供する工程と、  ＮＨ３ガスを含む第１のガス混合物を、前記チャンバに供給して、前記フィーチャーを充填している前記ＢＡＲＣ層の第１の部分をエッチングする工程と、  Ｏ２ガスを含む第２のガス混合物を、前記チャンバに供給して、前記フィーチャーの前記ＢＡＲＣ層の残りの部分をエッチングする工程とを含む方法。
【請求項１８】
前記第１のガス混合物を供給する工程が、  ＮＨ３ガスを、約５０ｓｃｃｍ〜約１０００ｓｃｃｍの流量で流す工程を含む請求項１７記載の方法。
【請求項１９】
前記第２のガス混合物を供給する工程が、  Ｏ２ガスを、約５０ｓｃｃｍ〜約５００ｓｃｃｍの流量で流す工程を含む請求項１７記載の方法。
【請求項２０】
前記第１のガス混合物供給と前記第２のガス混合物供給の間のエッチング時間が、約１：１〜約４：１の比を有する請求項１７記載の方法。
【請求項２１】
前記誘電体絶縁層の誘電率が、３．５未満である請求項１７記載の方法。
【請求項２２】
ＢＡＲＣ層をフィーチャーから除去する方法であって、  誘電体絶縁層に形成され、ＢＡＲＣ層で充填されたフィーチャーを有する基板を、エッチングチャンバに提供する工程であって、前記誘電体層が、３．５未満の誘電率を有する工程と、  ＮＨ３ガスを含む第１のガス混合物を、約５０ｓｃｃｍ〜約１０００ｓｃｃｍで、前記エッチングチャンバに供給して、前記フィーチャーを充填している前記ＢＡＲＣ層の第１の部分をエッチングする工程と、  Ｏ２ガスを含む第２のガス混合物を、約５０ｓｃｃｍ〜約５００ｓｃｃｍで、前記エッチングチャンバに供給して、前記フィーチャーの前記ＢＡＲＣ層の残りの部分をエッチングする工程とを含む方法。
【発明の詳細な説明】
【発明の背景】
【０００１】（発明の分野）  本発明は、概して、半導体処理技術に関し、特に、デュアルダマシンエッチングプロセスにおける下面反射防止コーティング（ＢＡＲＣ）層のエッチング方法に関する。
【０００２】（関連技術の説明）  集積回路は、何百万個ものコンポーネント（例えば、トランジスタ、キャパシタ及びレジスタ）を単一チップに含めることのできる複雑なデバイスへと進化している。チップ設計を進化させるために、より速い回路、より大きな回路密度が必要とされ続けている。回路密度を大きくするには、集積回路コンポーネントの寸法を減じる必要がある。
【０００３】  集積回路コンポーネントの寸法が減じると（例えば、サブミクロンの寸法に）、かかるコンポーネントを製造するのに用いる材料が、電気的性能に影響する。例えば、低抵抗の金属相互接続（例えば、銅及びアルミニウム）は、集積回路のコンポーネント間に導電性パスを与える。
【０００４】  銅は、その所望の電気的特性のために、相互接続構造に用いるのに特に有利である。銅相互接続システムは、典型的に、トレンチ及びビアが、誘電体層へとエッチングされるダマシンプロセスを用いて製造される。トレンチ及びビアに銅を充填してから、例えば、化学機械研磨（ＣＭＰ）プロセスを用いて平坦化される。
【０００５】  銅相互接続は、絶縁材料により、互いに電気的に分離されている。近接する金属相互接続間の距離及び／又は絶縁材料の厚さがサブミクロンの寸法の時は、かかる相互接続間に容量結合が生じる可能性がある。近接する金属相互接続間の容量結合によって、クロストーク及び／又は抵抗−容量（ＲＣ）遅延が生じて、集積回路の全体の性能が下がる恐れがある。近接する金属相互接続間の容量結合を防ぐために、低誘電率（低ｋ）の絶縁材料（例えば、約４．０未満の誘電率）が必要である。
【０００６】  図１Ａ〜１Ｄに、「ビアファースト」処理シーケンスにより形成された例示のデュアルダマシン構造を示す。図１Ａを参照すると、誘電体バルク絶縁層１１０及び下にある誘電体バリア層１０８が、導電性層１０６を有する他の形成済みの相互接続にスタックされている。導電性層１０６は、他の誘電体バルク絶縁層１０４に埋め込まれており、これらは、基板１０２上に配置されている。任意の研磨ストップ層又は反射防止コーティング（ＡＲＣ）１１２が、誘電体バルク絶縁層１１０上に配置されていてもよい。誘電体バルク絶縁層１１０は、典型的に、ＦＳＧ、ポリマー材料、炭素含有ケイ素層（ＳｉＯＣ）等といった、誘電率が４．０未満の誘電体材料から形成されている。
【０００７】  下面再帰反射コーティング（ＢＡＲＣ）層１１４は、スピン適用されて、ビアエッチングプロセスにより形成されたビア１２８を充填し、トレンチリソグラフィーの前、誘電体バルク絶縁層１１０をカバーする。フォトレジスト層１１６は、ＢＡＲＣ層１１４上に配置され、パターン化されて、トレンチ形成のための開口部１３０が画定される。ＢＡＲＣエッチングプロセスを実施すると、図１Ｂに示すように、トレンチをエッチングする前に、パターン化されたフォトレジスト層１１６にマスクされたビア開口部１２８を覆うＢＡＲＣ層の一部が除去される。図１Ｂに示すように、フォトレジスト層１１６により画定された任意の研磨ストップ層１１２が露出し、ビア１２８を充填しているＢＡＲＣ層１１４がエッチングされるまで、ＢＡＲＣエッチングプロセスを行う。続いて、トレンチエッチングプロセスを行って、図１Ｃに示すように、パターン化されたフォトレジスト層１１６により画定される露出した研磨ストップ層１１２及び下にある誘電体バルク絶縁層１１０をエッチングする。トレンチエッチングプロセスで、誘電体バルク絶縁層１１０を、所定の深さまでエッチングし、誘電体バルク絶縁層１１０にトレンチ１２２を画定する。トレンチ１２２が形成されたら、ビア１２８を充填している残りのＢＡＲＣ層１１４及び誘電体バルク絶縁層１１０の上面のフォトレジスト層１１６を、基板１０２から除去することによって、図１Ｄに示すように、基板１０２上にデュアルダマシン構造が形成される。
【０００８】  典型的に、ＢＡＲＣ１１４又はフォトレジスト層１１６除去プロセス中、酸素含有プラズマエッチングプロセスを行って、基板１０２上の残りのＢＡＲＣ層１１４及びフォトレジスト層１１６と反応させる。これによって、酸化炭素ポリマーが形成されるが、これは、処理チャンバから排出される。しかしながら、ＢＡＲＣ層及びフォトレジスト層１１６の除去中、酸素の存在するプラズマによって、露出した側壁１２０及びトレンチ１２２の表面１２６及び／又は誘電体バルク絶縁層１１０に形成されたビア１２８が攻撃される恐れがある。酸素は、誘電体バルク絶縁層１１０の表面にＳｉ−Ｏ結合を形成する恐れがあり、これは、誘電体バルク絶縁層１１０の誘電特性に悪影響を及ぼす。例えば、酸素は、低ｋ誘電体バルク絶縁層１１０の側壁１２０又は露出面１２６に蓄積して、多孔性の低ｋ誘電体へと透過して、フィルム表面で炭素が失われてしまう。炭素が失われると、低ｋ材料の誘電率が増大してしまい、材料誘電特性の「ｋ損失」となる。その結果、ＢＡＲＣ及びフォトレジストエッチングプロセス後のクロストーク及びＲＣ遅延が増加する。
【０００９】  更に、ＢＡＲＣ除去及び／又はフォトレジスト層除去プロセスによってまた、残渣ＢＡＲＣ、残渣フォトレジスト層、不純物、有機又は無機副生成物等の汚染物質１２４も、ビア１２８及び／又はトレンチ１２２に残る恐れがある。ビア１２８及び／又はトレンチ１２２に汚染物質１２４があると、相互接続構造の全体の統合に悪影響を及ぼして、デバイス信頼性及び電機性能が乏しくなる恐れがある。  従って、相互接続構造において、ＢＡＲＣを除去するプロセスを改善することが必要とされている。
【発明の概要】
【００１０】  本発明は、フィーチャーからＢＡＲＣ層を除去する方法を提供する。一実施形態において、本方法は、ＢＡＲＣ層で充填されたフィーチャーを有する基板を、エッチングチャンバに提供する工程と、ＮＨ３ガスを含む第１のガス混合物を、エッチングチャンバに供給して、フィーチャーを充填しているＢＡＲＣ層の第１の部分をエッチングする工程と、Ｏ２ガスを含む第２のガス混合物を、エッチングチャンバに供給して、フィーチャーに配置されたＢＡＲＣ層の残りの部分をエッチングする工程とを含む。
【００１１】  他の実施形態において、ＢＡＲＣ層をフィーチャーから除去する方法は、誘電体絶縁層に形成され、ＢＡＲＣ層で充填されたフィーチャーを有する基板を、エッチングチャンバに提供する工程と、ＮＨ３を含む第１のガス混合物を、チャンバに供給して、フィーチャーを充填しているＢＡＲＣ層の第１の部分をエッチングする工程と、Ｏ２ガスを含む第２のガス混合物を、チャンバに供給して、フィーチャーのＢＡＲＣ層の残りの部分をエッチングする工程とを含む。
【００１２】  更に他の実施形態において、ＢＡＲＣ層をフィーチャーから除去する方法は、誘電体絶縁層に形成され、ＢＡＲＣ層で充填されたフィーチャーを有する基板を、エッチングチャンバに提供する工程であって、誘電体層が、３．５未満の誘電率を有する工程と、ＮＨ３ガスを含む第１のガス混合物を、約５０ｓｃｃｍ〜約１０００ｓｃｃｍで、エッチングチャンバに供給して、フィーチャーを充填しているＢＡＲＣ層の第１の部分をエッチングする工程と、Ｏ２ガスを含む第２のガス混合物を、約５０ｓｃｃｍ〜約５００ｓｃｃｍで、エッチングチャンバに供給して、フィーチャーに配置されたＢＡＲＣ層の残りの部分をエッチングする工程とを含む。
【詳細な説明】
【００１３】  本発明の実施形態には、デュアルダマシン構造において、ＢＡＲＣ層を２ステップでエッチングする方法が含まれる。本方法は、デュアルダマシン製造プロセスにおいて、別々のＢＡＲＣ層エッチングステップで、異なるガス混合物を用いることにより、高除去レートを維持しながら、低ｋ誘電体フィルムの品質を保つ。
【００１４】  本明細書に記載したエッチングプロセスは、任意の好適なプラズマエッチングチャンバで実施してよい。かかるエッチングチャンバの１つは、カリフォルニア州、サンタクララ（Ｓａｎｔａ  Ｃｌａｒａ，Ｃａｌｉｆｏｒｎｉａ）のアプライドマテリアルズ社（Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃ．）より入手可能なイナーブラー（ＥＮＡＢＬＥＲ）（登録商標）処理チャンバである。他のエッチングリアクタを適合させても、本発明による利点を得ることができるものと考えられる。
【００１５】  図２に、本発明の１つ以上のステップを実施するのに好適なプラズマエッチングシステム２０２の一実施形態の概略断面図を示す。プラズマエッチングシステム２０２は、導電性壁２３０及び蓋２１３を有するプロセスチャンバ本体２１０を有する。導電性チャンバ壁２３０の温度は、導電性チャンバ壁２３０に、且つ／又はその周囲に位置する液体含有管（図示せず）を用いて制御される。導電性チャンバ壁２３０は、電気接地２３４に接続されている。ライナ２３１がプロセスチャンバ本体２１０に配置されていて、導電性チャンバ壁２３０の内側表面をカバーしている。ライナ２３１は、表面保護層として作用して、プロセスチャンバ本体２１０のチャンバ壁２３０の内側表面を保護している。一実施形態において、ライナ２３１は、Ａｌ２Ｏ３、ＡＩＮ、炭化ケイ素、Ｙ２Ｏ３等をはじめとするセラミック材料により製造されている。
【００１６】  プロセスチャンバ本体２１０は、スロットルバルブ２２７を通して、真空ポンプ２３６に結合された真空容器である。サポート台座２１６は、プロセスチャンバ本体２１０の下部に配置されていて、処理中、その上に配置された基板２６０をサポートする。サポート台座２１６は、基板２６０を保持するための静電チャック２２６を有していてもよい。ＤＣ電源２２０を利用して、静電チャック２２６に供給される電力を制御する。サポート台座２１６は、整合ネットワーク２２４を通して、無線周波数（ＲＦ）バイアス電源２２２に結合されている。バイアス電源２２２は、通常、約５０ｋＨｚ〜約６０ＭＨｚの調節可能な周波数及び約０〜約５，０００ワットのバイアス電力を有するＲＦ信号を生成することができる。バイアス電源２２２は、約１３．５６ＭＨｚ及び約２ＭＨｚのように、複数の周波数の信号を与えることがある。任意で、バイアス電源２２２は、ＤＣ又はパルスＤＣ源であってもよい。
【００１７】  基板２６０の温度は、サポート台座２１６の温度を調整することにより、少なくとも部分的に制御される。一実施形態において、サポート台座２１６は、冷却剤が流れるチャネルを有する冷却板（図示せず）を含む。更に、裏側ガス、ヘリウム（Ｈｅ）ガス等は、基板２６０の裏側と、静電チャック２２６の表面に形成された溝（図示せず）の間に配置されたチャネルに提供される。裏側ガスは、台座２１６と基板２６０の間で効率的な熱伝達を行う。静電チャック２２６はまた、チャック２２６内に配置された抵抗発熱体（図示せず）も有していて、処理中、基板２６０を加熱してもよい。一実施形態において、基板２６０は、摂氏約１０〜約５００度の温度に維持される。
【００１８】  シャワーヘッド２３２が、基板２６０に対向する基板台座１１６に対して間隔を空けて、プロセスチャンバ本体２１０の蓋２１３に装着されている。ガスパネル２３８は、シャワーヘッド２３２と蓋２１３の間で画定されるプレナム（図示せず）に流体結合されている。シャワーヘッド２３２は、複数の穴を有していて、ガスパネル２３８からプレナムにガスを提供して、プロセスチャンバ本体２１０に入る。シャワーヘッド２３２の穴は、異なるゾーンに配置されていて、様々なガスが、異なる体積流量でチャンバ本体２１０に放出できるようになっている。
【００１９】  シャワーヘッド２３２及び／又はそれに近接配置された上部電極２２８は、インピーダンス変成器２１９（例えば、１／４波長整合スタブ）を通して、ＲＦプラズマ電源２１８に結合されている。ＲＦ電源２１８は、通常、約５０ｋＨｚ〜約１６０ＭＨｚの調節可能な周波数及び約０〜約５０００ワットの電力を有するＲＦ信号を生成することができる。ＲＦプラズマ電源２１８は、約１３．５６ＭＨｚ及び約２ＭＨｚのように、複数の周波数の信号を与えることがある。
【００２０】  プラズマエッチングシステム２０２はまた、チャンバ蓋２１３近傍のチャンバ壁２３０の外部に位置する１つ以上のコイルセグメント又は磁石２１２を有していてもよい。コイルセグメント２１２への電力は、ＤＣ電源又は低周波数ＡＣ電源２５４により制御される。  基板処理中、チャンバ本体２１０内部のガス圧は、ガスパネル２３８及びスロットルバルブ２２７を用いて制御される。一実施形態において、チャンバ本体２１０内部のガス圧は、約０．１〜約９９９ミリトル（ｍＴｏｒｒ）に維持される。
【００２１】  中央演算処理装置（ＣＰＵ）２４４、メモリ２４２及びサポート回路２４６をはじめとするコントローラ２４０が、システム２０２の様々なコンポーネントに結合されており、本発明のプロセスの制御を促す。メモリ２４２は、システム２０２又はＣＰＵ２４４に対してローカル又はリモートの、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、リードオンリーメモリ（ＲＯＭ）、フロッピー（商標名）ディスク、ハードディスク、又はデジタル記憶等のその他の形態のような任意のコンピュータ読取り可能な媒体とすることができる。サポート回路２４６は、ＣＰＵ２４４を従来のやり方でサポートするために、ＣＰＵ２４４に結合されている。これらの回路は、キャッシュ、電源、クロック回路、入力／出力回路及びサブステム等を含む。メモリ２４２にストアされたソフトウェアルーチン又は一連のプログラム命令がＣＰＵ２４４により実行されると、プラズマエッチングシステム２０２が、本発明のエッチングプロセスを実施する。
【００２２】  図２は、本発明を実施するのに用いることのできる様々な種類のプラズマエッチングチャンバの一例の構成を示すに過ぎない。例えば、異なる種類の電源及びバイアス電力を、異なる結合機構を用いて、プラズマチャンバに結合させることができる。電源とバイアス電力の両方を用いると、プラズマに対して、プラズマ密度と基板のバイアス電圧を独立して制御することができる。用途によっては、電源は必要なく、プラズマは、バイアス電力によってのみ維持される。プラズマ密度は、低周波数（例えば、０．１〜０．５ヘルツ）のＡＣ電源又はＤＣ源で駆動する、磁石２１２等電磁石を用いて、真空チャンバに印加された磁場により高めることができる。他の用途においては、プラズマは、基板が配置されているのとは異なるチャンバ、例えば、リモートプラズマ源で生成してから、業界に公知の技術を用いて、チャンバに誘導してもよい。
【００２３】  図３は、本発明の一実施形態によるデュアルダマシン製造プロセスに用いるのに好適なＢＡＲＣ除去プロセス３００のフロー図である。図４Ａ〜４Ｂは、ＢＡＲＣ除去プロセス３００を図解するプロセス３００の異なる段階を示す連続概略断面図である。コントローラ２４０により実行されると、プロセス３００がチャンバ２０２で実施される命令として、プロセス３００をメモリ２４２にストアしてもよい。
【００２４】  デュアルダマシン構造を製造するのに好適なフィルムスタックを有する基板を提供することにより、ステップ３０２で、プロセス３００が始まる。図４Ａに示す通り、フィルムスタックはエッチングされて、ビア４２０にトレンチ４２２を有するデュアルダマシン構造が形成される。フィルムスタックは、下にある誘電体絶縁層４０４にスタックされた誘電体バリア層４０８に配置された誘電体バルク絶縁層４１０を有する。誘電体バリア層４０８がない実施形態では、誘電体バルク絶縁層４１０は、下にある誘電体絶縁層４０４上に直接配置されている。下にある誘電体絶縁層４０４は、基板４０２上に配置されていて、その中に埋め込まれた銅線等の導電性層４０６を少なくとも有する。
【００２５】  一実施形態において、誘電体絶縁層４１０は、誘電率が４．０未満、例えば、３．５未満の誘電体材料である。好適な材料としては、アプライドマテリアルズ社（Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃ．）より入手可能なブラックダイヤモンド（ＢＬＡＣＫ  ＤＩＡＭＯＮＤ）（登録商標）誘電体材料等の炭素ドープ酸化ケイ素（ＳｉＯＣ）、及びポリアミド等のその他ポリマーが例示される。誘電体バリア層４０８は、誘電率が約５．５以下の材料から選択される。一実施形態において、誘電体バリア層４０８は、炭素含有ケイ素層（ＳｉＣ）、窒素ドープ炭素含有ケイ素層（ＳｉＣＮ）等である。例えば、誘電体バリア層４０８は、アプライドマテリアルズ社（Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃ．）より入手可能なブロック（ＢＬＯＫ）（登録商標）誘電体材料であってもよい。
【００２６】  トレンチ４２２は、誘電体絶縁層４１０に形成され、パターン化されたフォトレジスト層４１２を通して開いている。ビア４２０を充填しているＢＡＲＣ層４１４は、トレンチ４２２の下部で露出している。一実施形態において、フォトレジスト層４１２は、集積回路をパターン化するのに用いられる従来の炭素系有機又はポリマー材料であってよい。ＢＡＲＣ４１４は、ビア４２０から、トレンチ４２２の下部表面４２８を超える高さまで延びていて、ビア４２０から僅かに突出している。ＢＡＲＣ層４１４は、例えば、典型的に、水素及び炭素含有元素を有するポリアミド及びポリスルフィド等の有機材料、又は窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、炭化ケイ素等の無機材料を含んでいてよい。図４Ａに示す実施形態において、ＢＡＲＣ層４１４は、基板４０２上にスピンされた有機材料である。他の例示の実施形態において、ＢＡＲＣ層４１４は、任意のその他の好適なやり方で、コート、堆積又は充填されていてもよい。
【００２７】  パターン化されたフォトレジスト層４１２は、誘電体絶縁層４１０に、所定のパターン及び／又はフィーチャーを転写する。所定のパターン及び／又はフィーチャー形成のプロセス中、パターン化されたフォトレジスト層４１２は消費又はトリムされて、誘電体絶縁層４１０の上部表面４１６に、パターン化されたフォトレジスト層４１２の一部が残る。或いは、パターン化されたフォトレジスト層４１２を実質的に除去することによって、誘電体絶縁層４１０の上部表面４１６を露出してもよい。図４Ａに示す実施形態においては、所定のパターン及び／又はフィーチャーが、誘電体絶縁層４１０において、トレンチ４２２に転写された後、パターン化されたフォトレジスト層４１２の一部がデュアルダマシン構造４００に残る。フォトレジスト層４１２が存在していない実施形態においては、２ステップエッチングプロセスを実施して、ビア４２０に残ったＢＡＲＣ層４１４を除去してもよい。
【００２８】  ステップ３０４で、第１のエッチングステップを実施して、エッチングチャンバ２０２に第１のガス混合物を供給することにより、ビア４２０を充填していて、トレンチ４２２を通して露出しているＢＡＲＣ層４１４の一部をまずエッチングする。パターン化されたフォトレジスト層４１２の一部が基板表面に残っている場合には、第１のＢＡＲＣエッチングステップで、パターン化されたフォトレジスト層４１２もエッチングしてよい。
【００２９】  一実施形態において、第１のガス混合物は、エッチングチャンバ２０２に供給されたアンモニアガス（ＮＨ３）を含有している。第１のガス混合物を用いて、有機ポリマー及びフォトレジストクラストを除去する。これらは、前のエッチングプロセスから生成され、且つ／又は基板表面に存在しているものである。第１のガス混合物中の水素元素が、揮発性水素炭素化合物を形成することにより、有機残渣を清浄にする。この化合物は、基板表面を損傷することなく、エッチングシステム２０２から排出される。第１のガス混合物は、誘電体絶縁層４１０の側壁４２６又は露出表面４２８もパッシベートして、下にある低ｋ誘電体基板を、ｋ値変動及び誘電率増大から保護してもよい。第１のガス混合物はまた、エッチングチャンバ２０２に残っている前のエッチングプロセスからの残渣ガス、例えば、フッ素含有ガスを、パージし、流し出すことによって、欠陥の発生や、誘電体絶縁層表面を更に攻撃する恐れのある残渣のフッ素化学薬品との化学反応を防いでもよい。
【００３０】  一実施形態において、ＮＨ３ガスを含有する第１のガス混合物からプラズマを形成することにより、ＢＡＲＣ層４１４及び／又はパターン化されたフォトレジスト層４１２を、まずエッチングする。ＢＡＲＣ層４１４及び／又はパターン化されたフォトレジスト層４１２は、図２に示すようなエッチングチャンバ２０２等のエッチングチャンバ、又はその他好適な反応器においてエッチングしてよい。  第１のガス混合物をエッチングシステム２０２に供給しながら、ステップ３０４で、いくつかのプロセスパラメータを調整する。一実施形態において、エッチング反応器中のガス混合物の圧力は、約５ミリトル〜約３００ミリトルの間で調整され、基板温度は、摂氏約−１０度〜摂氏約５５度に維持される。ＲＦ電源は、約１５０ワット〜約２０００ワットの出力で印加される。ＮＨ３ガスは、約５０ｓｃｃｍ〜約１０００ｓｃｃｍ、例えば、約１００ｓｃｃｍ〜約８００ｓｃｃｍの流量で流してよい。Ｎ２、Ａｒ、Ｈｅガス等のその他の不活性ガスを流して、約５０ｓｃｃｍ〜約１０００ｓｃｃｍの流量で第１のガス混合物に供給してもよい。
【００３１】  一実施形態において、第１のエッチングステップは、所定期間の終了により終わらせてもよい。例えば、第１のエッチングステップは、約２０秒〜約２００秒間の処理により終わらせる。他の実施形態において、第１のＢＡＲＣエッチングステップは、例えば、発光をモニタリングすることによるその他の好適な方法又はその他インジケータにより終わらせてもよい。
【００３２】  ステップ３０６で、第２のエッチングステップを実施して、ビア４０２を充填しているＢＡＲＣ層４１４の残りの部分をエッチング及び除去する。第２のステップ３０６は、誘電体絶縁層４１０の上部表面４１６に残るパターン化されたフォトレジスト層４１２も除去する。第２のエッチングステップは、エッチングチャンバ２０２に供給された第２のガス混合物を用いて実施される。一実施形態において、第２のガス混合物は、Ｏ２ガスを含む。Ｏ２ガスを含む第２のガス混合物は、第１のエッチングステップ３０４からの残渣及び副生成物と共に揮発性ポリマーを形成し、基板４０２上の残りのＢＡＲＣ４１４及びフォトレジスト層４１２と反応して、エッチングシステム２０２から出る基板４０２から、残渣、副生成物、残りのＢＡＲＣ４１４及びフォトレジスト層４１２を効率的に除去する。第２のガス混合物中の酸素元素が、早いエッチングレート及びポリマー除去レートを与える。これは、残渣及び汚染物質の除去を促すだけでなく、第１のエッチングプロセス中に完全に除去されない、残渣や副生成物を一掃するので有利である。
【００３３】  一実施形態において、ＢＡＲＣ層４１４及び／又はフォトレジスト層４１２は、Ｏ２を含む第２のガス混合物からプラズマを形成することによりエッチングされる。ＢＡＲＣ層及び／又はフォトレジスト層４１２は、図２に示すエッチングシステム２０２等のエッチングシステムやその他好適な反応器でエッチングしてもよい。
【００３４】  第２のガス混合物をシステム２０２に供給しながら、ステップ３０６で、いくつかのプロセスパラメータを調整する。一実施形態において、エッチングリアクタ中のガス混合物の圧力は、約５ミリトル〜約５０ミリトルに調整され、基板温度は、摂氏約−１０度〜摂氏約５５度に維持される。ＲＦ電源は、約１５０ワット〜約２０００ワットの電力で印加される。Ｏ２ガスは、約５０ｓｃｃｍ〜約５００ｓｃｃｍの流量で流される。エッチング時間は、約２０秒〜約２００秒、例えば、約１０秒〜約６０秒で、処理される。
【００３５】  第２のエッチングステップ３０６は、所定期間の終了により終わらせる。例えば、第２のＢＡＲＣエッチングステップは、約１０秒〜約６０秒の処理により終わらせてよい。一実施形態において、第２のエッチングステップ３０６もまた、上述した第１のエッチングステップ３０４に実質的に等しい処理時間となるように構成してもよい。或いは、第１のエッチングステップ３０４と第２のエッチングステップ３０６の処理時間は、約１：１〜約４：１の時間比となるように構成してもよい。他の実施形態において、第２のエッチングステップ３０６は、発光をモニタリングすることにより、又は、図４Ｂに示すように、ＢＡＲＣ層４１４及び／又はフォトレジスト層４１２が、基板４０２から完全に除去されたこと、又は誘電体絶縁層４１０の上部表面４１６及びビア４２０の下部表面４１８が露出されたことを示すその他インジケータにより終わらせてもよい。
【００３６】  誘電体絶縁層４１０の側壁及び表面は、ステップ３０４で、第１のガス混合物への露出により形成されたポリマーにより、パッシベートされ、保護されているため、第２のガス混合物３０６は、残渣、副生成物、残りのＢＡＲＣ層４１４及び／又は基板上に配置されたフォトレジスト層４１２を、主にエッチングする。この際、誘電体絶縁層４１０等の、基板上に配置された、下の構造に悪影響を及ぼしたり、これをエッチングすることはない。更に、第２のエッチングステップ３０６で提供された第２のガス混合物が、ＢＡＲＣ層４１４及び／又はフォトレジスト層４１２と主に反応すると、第２のエッチングステップ３０６により、基板から有機及び／又は無機材料の両方が、有利に、且つ効率的に除去される。
【００３７】  ステップ３０４及びステップ３０６で説明した２ステップエッチングプロセスは、図３に示すループ３０８で示される通り、基板上で繰り返し、且つ連続的に実施してもよい。或いは、ステップ３０４及びステップ３０６で説明した２ステップエッチングプロセスは、逆の順番で実施してもよい。例えば、ステップ３０６で記載したエッチングステップを先に実施してから、ステップ３０４で記載したエッチングプロセスを行ってもよい。
【００３８】  図４に示すデュアルダマシン構造４００は、本発明で説明した２ステップエッチングプロセスを実施するのに用いてよい例示の実施形態を示すに過ぎない。ＢＡＲＣ層が配置された単一ダマシン構造、ビアオンリー構造、トレンチファースト構造等のその他の構造を利用して、上述した２ステップエッチングプロセスを実施してもよい。本方法を利用して、他の基板にあるＢＡＲＣ層をエッチングしてもよい。
【００３９】  このように、本発明は、高除去レート及び清浄化効率で、ＢＡＲＣ層をエッチングする２ステップエッチング法を提供するものである。本方法は、基板上に配置された、下にある誘電体材料を損傷することなく、デュアルダマシン構造において、ＢＡＲＣ層、フォトレジスト層、関連の残渣及び副生成物の、トレンチ及び／又はビアからの除去を有利に促すものである。２ステップエッチングプロセスはまた、良好な側壁及び／又は表面保護も提供する。
【００４０】  上記は本発明の実施形態に係るものであるが、本発明のその他及び更なる実施形態はその基本的な範囲から逸脱することなく創作することができ、その範囲は特許請求の範囲に基づいて定められる。
【図面の簡単な説明】
【００４１】  本発明の上記構成が得られ、詳細に理解できるように、上に簡単にまとめた本発明を、添付図面にいくつか図解された実施形態を参照してより具体的に説明する。【００４２】
【図１Ａ】例示のデュアルダマシン製造プロセスの連続断面図である。
【図１Ｂ】例示のデュアルダマシン製造プロセスの連続断面図である。
【図１Ｃ】例示のデュアルダマシン製造プロセスの連続断面図である。
【図１Ｄ】例示のデュアルダマシン製造プロセスの連続断面図である。
【図２】本発明の一実施形態により用いられるプラズマエッチングチャンバの概略断面図である。
【図３】デュアルダマシン構造において、ＢＡＲＣ層及び／又はフォトレジスト層をエッチングするための２ステップエッチング方法の一実施形態を例示するプロセスフロー図である。
【図４Ａ】本発明の一実施形態によるデュアルダマシン製造プロセスの連続断面図である。
【図４Ｂ】本発明の一実施形態によるデュアルダマシン製造プロセスの連続断面図である。
【００４３】理解を促すために、図面で共通の同一の構成要素を示すのに、可能な場合は、同一の参照番号を用いている。一実施形態の要素及び特徴は、更に列挙することなく、他の実施形態に有利に組み込まれるものと考えられる。【００４４】  しかしながら、添付図面は本発明の代表的な実施形態を例示しているに過ぎないため、その範囲を限定するものとは考えられず、他の等しく有効な実施形態も認められることに留意すべきである。
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図１Ｃ】
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【図１Ｄ】
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【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【外国語明細書】
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