(57)【要約】【課題】映像表示に影響を与えることなく、信号配線を迅速かつ正確に判別することができるようにする。【解決手段】ＴＦＴアレイ基板１０上に形成された複数の信号配線１２の下に形成された半導体膜４０に、スリット９２や、切り欠き部９４による識別表示を設けることによって、信号配線１２にその識別のためのナンバー等が付されていなくとも、プロービングによりチェックすべき所定の信号配線１２を迅速かつ確実に識別可能とした。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス基板上に形成された半導体膜上に複数の信号配線が形成されたＴＦＴアレイ基板であって、前記半導体膜に前記信号配線に関する識別表示が付されていることを特徴とするＴＦＴアレイ基板。
【請求項２】
前記信号配線はその延在方向で分割されていることを特徴とする請求項１に記載のＴＦＴアレイ基板。
【請求項３】
前記識別表示は前記信号配線が分割された個所の略近傍に付されていることを特徴とする請求項２に記載のＴＦＴアレイ基板。
【請求項４】
前記識別表示は前記半導体膜に切り欠きが形成されることにより付されていることを特徴とする請求項１〜３に記載のＴＦＴアレイ基板。
【請求項５】
前記識別表示は前記半導体膜にスリットが形成されることにより付されていることを特徴とする請求項１〜４に記載のＴＦＴアレイ基板。
【請求項６】
請求項１〜５いずれかに記載のＴＦＴアレイ基板を備えてなることを特徴とする液晶表示パネル。  
【請求項７】
請求項６に記載の液晶表示パネルを備えてなることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項８】
ガラス基板上に複数の信号配線および絵素電極が形成されたＴＦＴアレイ基板であって、前記信号配線はその延在方向で分割されており、前記信号配線と前記絵素電極との寄生容量が変化しないように前記信号配線にその識別表示が付されていることを特徴とするＴＦＴアレイ基板。
【請求項９】
請求項８に記載のＴＦＴアレイ基板を備えてなることを特徴とする液晶表示パネル。  
【請求項１０】
請求項９に記載の液晶表示パネルを備えてなることを特徴とする液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）アレイ基板、液晶表示パネルおよび液晶表示装置に関し、更に詳しくは、ＴＦＴアレイ基板上に形成された信号配線の評価試験等の作業効率向上に寄与するＴＦＴアレイ基板、液晶表示パネルおよび液晶表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置に使用される液晶表示パネルは、一般的に、ＴＦＴアレイ基板と、カラーフィルタ基板の間に液晶が充填されて構成される。液晶表示装置の設計において、このＴＦＴアレイ基板の設計（アレイ設計）は、表示装置の性能を決定する重要な要素である。
【０００３】
液晶表示装置の開発段階において、アレイ設計後、その設計に基づき試作されたＴＦＴアレイ基板上に形成された信号配線は、その抵抗値等を測定することにより、設計通りに動作可能か評価される。一般的に、信号配線の両端付近には、映像表示に影響のない個所に信号配線のラインナンバーが付されている。そのため、信号配線の技術的配線抵抗評価は、このラインナンバーや、ＴＦＴアレイ基板側縁に取り付けられているＴＡＢ（Tape Automated Bonding）の位置を目安として、何本かの信号配線の両端をプロービングすること等によりなされる
【０００４】
一方、近年、大画面かつ高画質の液晶表示装置に対する需要が増し、上記ＴＦＴアレイ基板には、高い技術的特性が求められている。
【０００５】
例えば特許文献１には、ＴＦＴアレイ基板上に形成される信号配線をその延在方向に２分割し、それぞれの信号配線と接続された各ソースドライバＩＣより、２方向からソース信号（映像データ）が供給されるようにした液晶表示装置が記載されている。この液晶表示装置によれば、１絵素あたりのソース信号を入力するための時間を長くすることができ、液晶表示装置の画質向上につながる。
【０００６】
【特許文献１】特開２００１−３４３９４６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
このような信号配線が分割されたＴＦＴアレイ基板の信号配線をプロービングにより評価する場合、信号配線が分割された部分にプローブを接触させる必要がある。ところが、信号配線が分割されている個所は、液晶表示パネルのほぼ中央の映像表示部に相当するため、信号配線の分割部分にラインナンバーを付すことはできない。
【０００８】
したがって、分割された信号配線をプロービングにより評価する際には、例えば、ＴＦＴアレイ基板をスライドさせながら測定すべき信号配線をＴＦＴアレイ基板の側縁から中央に向かって顕微鏡で追っていき、その信号配線の分割部分を見出すといった作業が必要であった。このように、ラインナンバー等の信号配線を識別する目安となるものを付すことができない場合、プロービングによるＴＦＴアレイ基板の評価作業の効率が非常に悪いという問題があった。
【０００９】
そこで、本発明が解決しようとする課題は、映像表示に影響を与えることなく、所定の信号配線を迅速かつ正確に判別することができるＴＦＴアレイ基板、液晶表示パネルおよび液晶表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するために本発明に係るＴＦＴアレイ基板は、ガラス基板上に形成された半導体膜上に複数の信号配線が形成されたＴＦＴアレイ基板であって、前記半導体膜に前記信号配線に関する識別表示が付されていることを要旨とするものである。
【００１１】
また、この場合、前記信号配線はその延在方向で分割されていれば好適であり、前記識別表示は前記信号配線が分割された個所の略近傍に付されていればさらによい。
【００１２】
また、前記識別表示は前記半導体膜に切り欠きやスリットが形成されることにより付されていることが好ましい。
【００１３】
そして、このようなＴＦＴアレイ基板を備えてなることを特徴とする液晶表示パネルや液晶表示装置をも要旨とするものである。  
【００１４】
さらに、上記課題を解決するために他の本発明に係るＴＦＴアレイ基板は、ガラス基板上に複数の信号配線および絵素電極が形成されたＴＦＴアレイ基板であって、前記信号配線はその延在方向で分割されており、前記信号配線と前記絵素電極との寄生容量が変化しないように前記信号配線にその識別表示が付されていることを要旨とするものである。
【００１５】
また、このようなＴＦＴアレイ基板を備えてなる液晶表示パネルや液晶表示装置をも要旨とするものである。
【発明の効果】
【００１６】
本発明に係るＴＦＴアレイ基板によれば、ガラス基板上に形成された半導体膜に信号配線の位置等を示す識別表示が付されているため、プロービング等によりＴＦＴアレイ基板上の信号配線を評価する場合において、チェックすべき信号配線の特定が容易になり、ＴＦＴアレイ基板の評価を迅速かつ正確に行うことができる。しかも、この識別表示は、信号配線の断線防止目的等で信号配線の下に形成された半導体膜に付されるため、ＴＦＴアレイ基板の性能、品質等に影響を与えることはない。
【００１７】
また、上記ＴＦＴアレイ基板が、その信号配線がその延在方向で分割されているもの（ソース信号（映像データ）が２方向から供給されるもの）であって、さらに、その分割部分の略近傍の半導体膜に識別表示が付されておれば、信号配線の分割部分における所定の信号配線の特定が容易となり、プロービング等によるＴＦＴアレイ基板の技術的評価を迅速に行うことができる。
【００１８】
また、上記識別表示が半導体膜に切り欠きやスリットにより付されていれば、信号配線を確実かつ容易に判別することができる。
【００１９】
そして、このようなＴＦＴアレイ基板を備えた液晶表示パネルおよび液晶表示装置は、液晶表示パネルや液晶表示装置組立後に点灯不良等が発見され、信号配線を分析しなければならない場合等、液晶表示パネルや液晶表示装置組立後の不良解析に極めて有用である。
【００２０】
さらに、他の本発明に係るＴＦＴアレイ基板によれば、その延在方向で分割された信号配線自体に識別表示が付されているため、信号配線をプロービング等する際に、信号配線を特定する目安とすることができる。そして、この識別表示は、信号配線と絵素電極との寄生容量が変化しないように付されているため、ＴＦＴアレイ基板の性能、品質等に影響を与えることはない。
【００２１】
そして、このようなＴＦＴアレイ基板を備えた液晶表示パネルおよび液晶表示装置は、液晶表示パネルや液晶表示装置組立後に点灯不良等が発見され、信号配線を分析しなければならない場合等、液晶表示パネルや液晶表示装置組立後の不良解析に極めて有用である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明に係るＴＦＴアレイ基板、液晶表示パネルおよび液晶表示装置の一実施形態を図面を用いて詳細に説明する。まず、本発明に係るＴＦＴアレイ基板の第１実施形態を図１〜９を用いて詳細に説明する。なお、以下の説明における上下左右方向とは、図１における上下左右方向をいうものとする。
【００２３】
図１は、本発明の第１実施形態に係るＴＦＴアレイ基板全体の概略構成図を示したものである。図１に示されるように、本実施形態に係るＴＦＴアレイ基板１０には、ガラス基板１００上に複数の信号配線１２（Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，・・・Ｓｎ）および複数の走査配線１４（Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３・・・Ｇｍ）とがマトリクス状に設けられている。この信号配線１２および走査配線１４により区画された領域が絵素部１１となる。
【００２４】
ここで、図示されるように、信号配線１２は、ガラス基板１００の上下に縦断する方向に配設され、その延在方向の略中央で第１信号配線１２ａおよび第２信号配線１２ｂに分割（分割部９０）されている。このように信号配線１２を分割したＴＦＴアレイ基板１０を備えた液晶表示装置では、ソース信号（映像データ）をＴＦＴアレイ基板１０の上下２方向から供給することとなる。
【００２５】
図２は、図１の信号配線１２の分割部９０付近（領域Ａ）における絵素部１１（１１ａ，１１ｂ）の拡大図である。なお、本図におけるＸ軸が、ＴＦＴアレイ基板１０を用いた場合の映像表示領域のセンターラインとなる。また、本図において、絵素部１１ｂの構成については、絵素部１１ａと同様であるので番号を省略した。
【００２６】
図示される信号配線１２と走査配線１４は、その交差部において、信号配線１２が上側、走査配線１４が下側となるように交差しており、両者は電気的に絶縁されている。この信号配線１２および走査配線１４に囲まれる領域に絵素電極２２（透明導電膜）が形成されている。なお、保持容量を形成する為の保持容量配線は説明を簡単にする為省略してある。
【００２７】
信号配線１２と走査配線１４の交差部には、この絵素電極２２のスイッチング素子であるＴＦＴ（薄膜トランジスタ）２０が設けられている。このＴＦＴ２０の断面図（図２のＡ−Ａ断面図）を図３に示す。ＴＦＴ２０は、ガラス基板１００上にゲート電極２４、第１の絶縁膜２６、半導体層３０（第１の半導体層３０ａおよび第２の半導体層３０ｂ）、ソース電極３２、ドレイン電極３４、第２の絶縁膜３６とが積層されることにより形成されている。また、第２の絶縁膜３６の表面からドレイン電極３４に達するコンタクトホール３８が形成され、このコンタクトホール３８により、絵素電極２２は、ドレイン電極３４と電気的に接続されている。
【００２８】
ここで、信号配線１２は、映像表示領域のセンターライン付近で分割されており、図２における絵素部１１ａおよび１１ｂはそれぞれ別のソースドライバにより制御されることとなる。また、信号配線１２の下には、半導体膜４０が形成されている。本実施形態では、Ｓｘ番目（ｘ＜ｎ）の信号配線１２の分割部９０付近の半導体膜４０にスリット９２が形成されている。なお、この半導体膜４０は、信号配線１２と同じ幅かそれ以下で形成されるものであるが、説明のため、図２では信号配線１２より幅を大きくして記載している。  
【００２９】
このように構成されるアレイ基板１０の製造方法について図４〜８を参照して以下説明する。図４〜８は、アレイ基板１０の製造工程における各工程の状態を模式的に示す断面図である。ここで図４〜８の（ａ）は、図２におけるＴＦＴ２０のＡ−Ａ断面、図４〜８の（ｂ）は、図２における分割部９０付近のＢ−Ｂ断面を各工程順に表している。
【００３０】
まず、図４に示すように、ガラス基板１００の上にＴＦＴ２０のゲート電極２４を形成する。また、図４には図示されないが、ゲート電極２４と一体的に走査配線１４を形成する。
【００３１】
具体的には、まず、ガラス基板１００の表面に、アルミニウム、クロム、タングステン、モリブデン等からなる単層又は多層の第１の導体膜を形成する。この第１の導体膜の形成には、スパッタリング法等が適用できる。そして、フォトリソグラフィ法によりレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとして第１の導体膜をエッチングする。最後に、パターン形成のために使用したレジストを剥離液で除去し、走査配線１４およびゲート電極２４を所定の形状に形成する。
【００３２】
次に、図５に示すように、前記工程を経たガラス基板１００の表面に第１の絶縁膜（いわゆるゲート絶縁膜）２６を形成する。この第１の絶縁膜２６には、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）等が適用できる。また、膜形成方法としては、プラズマＣＶＤ法等を例示することができる。
【００３３】
次に、図６（ａ）に示すように、ＴＦＴ２０において、第１の絶縁膜２６の表面の所定の個所に、第１の半導体層３０ａおよび第２の半導体層３０ｂからなる半導体層３０を形成する。これと同時に、図６（ｂ）に示すように、後工程で信号配線１２が重畳して形成される個所に半導体膜４０を形成する。この半導体膜４０は、上記第１の半導体層３０ａおよび第２の半導体層３０ｂと同じ物質で形成された第１の半導体膜４０ａおよび第２の半導体膜４０ｂとからなる。第１の半導体層３０ａおよび第１の半導体膜４０ａには、アモルファスシリコン等が適用できる。また、第２の半導体層３０ｂおよび第２の半導体膜４０ｂには、ｎ＋型のアモルファスシリコン等が適用できる。
【００３４】
この半導体層３０および半導体膜４０の形成方法としては、プラズマＣＶＤ法によりアモルファスシリコン等を堆積させる方法が例示できる。そして、半導体層３０および半導体膜４０をフォトリソグラフィ法等を用いて、所定の形状にウエットエッチングによりパターニングする。ここで、本実施形態では、図６（ｂ）に示すように、後工程でＳｘ番目の信号配線１２が重畳する半導体膜４０の一部をエッチングにより除去することで、半導体膜４０にスリット９２を形成し、Ｓｘ番目の信号配線１２の識別表示とする。
【００３５】
次に、図７に示すように、半導体層３０および半導体膜４０上にＴＦＴ２０のソース電極３２および信号配線１２を形成する。具体的には、まず、半導体層３０および半導体膜４０が形成されたガラス基板１００上に第２の導体膜を形成する。この第２の導体膜としては、チタン、アルミニウム、クロム、モリブデン等からなる単層または多層の導体膜が例示できる。また、第２の導体膜の形成方法としては、プラズマＣＶＤ法などが適用できる。
【００３６】
そして、このように形成した第２の導体膜をフォトリソグラフィ法により、所定の形状にパターニングする。ここで、図７（ｂ）に示すように、信号配線１２には、図２に示した表示領域のセンターラインＸ付近の第２の導体膜を一部除去し、分割部９０を形成する。この工程を経て、ガラス基板１００上には、信号配線１２、ソース電極３２、ドレイン電極３４が形成される。
【００３７】
次に、図８に示すように、第２の絶縁膜３６（いわゆるパッシベーション膜）を形成する。この第２の絶縁膜３６には、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）等が適用できる。また、膜形成方法としては、プラズマＣＶＤ法等を例示することができる。
【００３８】
成膜後、フォトリソグラフィ法により、第２の絶縁膜３６をパターニングする。具体的には、図８（ａ）に示すように、ドレイン電極３４と絵素電極２２を電気的に接続するためのコンタクトホール３８を形成する。
【００３９】
コンタクトホール３８の形成後、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide：インジウム酸化スズ）からなる透明導電膜を形成する。この透明導電膜の形成方法としては、プラズマＣＶＤ法が例示できる。そして、フォトリソグラフィ法により、この透明導電膜を所定の形状にパターニングし、絵素電極２２を得る。
【００４０】
また、本実施形態では、Ｓｘ番目の信号配線１２が積層された半導体膜４０に、スリット９２による識別表示が形成されているのに加え、その他の信号配線１２については、半導体膜４０に異なる識別表示が形成されている。例えば、図９に示すように、Ｓｙ（ｙ＜ｎ）番目の信号配線１２には切り欠き部９４を、Ｓｚ（ｚ＜ｎ）番目の信号配線１２にはスリットを２つ（９２ａ，９２ｂ）それぞれ半導体膜４０に形成している。例えば、ソースＴＡＢ（Tape Automated Bonding）の最初、最後の信号に対する信号配線１２に対して切り欠き部９４、ソースＴＡＢ中心の信号に対する信号配線１２にスリットを２つ（９２ａ，９２ｂ）というようするのも有効である。なぜなら、一つのＴＡＢに接続する端子から表示領域までの引き出し配線の長さが場所によって異なっており、それぞれの場所の配線抵抗評価をする場合があるからである。このように、本実施形態では、所定の信号配線１２が積層された半導体膜４０に、スリット９２や切り欠き部９４による識別表示を設け、その識別表示により所定の信号配線１２が視覚により識別可能となっている。なお、この識別表示は、スリット９２や切り欠き部９４に限られるものではなく、丸や三角といったマークによるものや、半導体層３０の長短によるものであってもよい。
【００４１】
以上のような工程を経て、本発明の第１実施形態に係るＴＦＴアレイ基板１０を得ることができる。
【００４２】
このような構成のＴＦＴアレイ基板１０によれば、ガラス基板１００上に形成された半導体膜４０に、所定の信号配線１２を識別するため、スリット９２や切り欠き部９４等による識別表示が形成されている。そのため、プロービング等により信号配線１２を評価する場合において、チェックすべき信号配線１２を特定する際の目安となり、ＴＦＴアレイ基板１０の評価等を迅速かつ正確に行うことができる。しかも、スリット９２や切り欠き部９４が形成された半導体膜４０は、信号配線１２の断線防止等を目的として形成されるものであり、電気的な役割を果たすものではないため、ＴＦＴアレイ基板１０の性能、品質等に影響を与えることはない。
【００４３】
また、上記ＴＦＴアレイ基板１０は、その信号配線１２が延在方向で分割され、ソース信号が２方向から供給されたものである。そして、その信号配線１２の分割部９０付近の半導体膜４０に識別表示が付されている。したがって、映像表示面であるため信号配線１２の分割部分にラインナンバー等を付すことができず、その特定が困難であったこの種のＴＦＴアレイ基板１０であっても、容易に信号配線１２を特定することができる。
【００４４】
次に、図１０および図１１を参照して、本発明の第２実施形態に係るＴＦＴアレイ基板１５について説明する。図１０は、信号配線１２の分割部９０付近における絵素部１１の拡大図、図１１は、図１０におけるＣ−Ｃ断面図を示している。なお、第１実施形態に係るＴＦＴアレイ基板１０と同じ構成である個所は、同一の符号を付してその説明を省略する。このＴＦＴアレイ基板１５は、上記第１実施形態に係るＴＦＴアレイ基板１０と以下の点で異なる。
【００４５】
図示されるように、ＴＦＴアレイ基板１５は、信号配線１２の下に形成された半導体膜４０ではなく、信号配線１２自体に識別表示が形成されている。本実施形態では、Ｓｘ番目の信号配線１２にスリット９６による識別表示が付されている。この識別表示は、ソース信号の転送速度およびスイッチングの速度変化や、表示ムラが発生しないよう、信号配線１２と絵素電極２２との間に生じる寄生容量が変化しないような形状で付されている。つまり、識別表示の有無により、信号配線１２と絵素電極２２との間に生じる寄生容量が変化しないような形状であれば、第１実施形態と同様、信号配線１２を切り欠いたり、丸や三角といったマークによる識別表示としてもよい。
【００４６】
このような構成のＴＦＴアレイ基板１５によれば、信号配線１２の分割部９０付近には、その位置等を示すスリットや切り欠き部等の識別表示が形成されている。そのため、第１実施形態と同様に、プロービング等により信号配線１２を評価する場合において、チェックすべき信号配線１２を特定する目安となり、ＴＦＴアレイ基板１０の評価等を迅速かつ正確に行うことができる。しかも、この識別表示は、信号配線１２と絵素電極２２の寄生容量に影響を与えないように付されているため、ＴＦＴアレイ基板１０の性能、品質等に影響を与えることはない。
【００４７】
次に、上記第１実施形態に係るＴＦＴアレイ基板１０、または第２実施形態に係るＴＦＴアレイ基板１５を用いた液晶表示パネルについて説明する。
【００４８】
図１２は、後述するＴＡＢ８ａ，８ｂ，８ｃやプリント基板９ａ，９ｂ，９ｃが実装された状態の液晶表示パネル５を模式的に示した斜視図である。図に示すように、液晶表示パネル５は、主として、上記ＴＦＴアレイ基板１０（１５）とカラーフィルタ基板６により構成される。
【００４９】
図１３を参照してカラーフィルタ基板６の構成について説明する。図１３（ａ）は、カラーフィルタ基板６の全体構造を模式的に示した斜視図、図１３（ｂ）は、カラーフィルタ基板６の断面構造を示した図である。図に示されるように、ガラス基板１０２の表面に格子状のブラックマトリクス５０が形成され、各格子の内側に赤色、緑色、青色のいずれかの色からなる着色層５２が所定の順序で形成されてなる。また、ブラックマトリクス５０および着色層５２の表面には、各着色層５２共通の共通電極５４が形成されている。
【００５０】
このカラーフィルタ基板６の製造方法について説明する。まず、ガラス基板１０２の表面にＢＭレジスト（黒色着色剤を含有する感光性樹脂組成物）等を塗布する。次いで、塗布したＢＭレジストをフォトリソグラフィ法等を用いて所定のパターンに形成する。これにより、所定のパターンのブラックマトリクス５０を得る。
【００５１】
次に、ブラックマトリクス５０を形成したガラス基板１０２の表面に、着色感材（所定の色の顔料を分散した溶液）を塗布する。そして、塗布した着色感材をフォトリソグラフィ法等を用いて所定のパターンの着色層５２を得る。
【００５２】
次に、着色層５２の表面に透明導電膜を形成し、共通電極５４を得る。この透明性導電膜としては、ＩＴＯが適用できる。また、膜成形方法としては、スパッタリング法が例示できる。以上の工程を経て、カラーフィルタ基板６を得る。
【００５３】
このカラーフィルタ基板６と、ＴＦＴアレイ基板１０（１５）の表面にポリイミド等からなる図示されない配向膜が形成され、両者の間に液晶が充填されることにより液晶表示パネル５が得られる。
【００５４】
また、この液晶表示パネル５には、ゲートドライバおよびソースドライバＩＣがボンディングされた複数のＴＡＢ８ａ，８ｂ，８ｃが実装されている。
【００５５】
このＴＡＢ８ａ，８ｂ，８ｃは、液晶表示パネル５の長辺および短辺の一方側に実装されている。そして、ＴＡＢ８ａ，８ｂ，８ｃには、コントローラ等が搭載されたプリント基板９ａ，９ｂ，９ｃが接続されている。ここで、ＴＦＴアレイ基板１０（１５）上に形成された信号配線１２ａ，１２ｂには、それぞれＴＦＴアレイ基板１０の相対する長辺に実装されたＴＡＢ８ａ，８ｂ上のソースドライバＩＣより、ソース信号（映像データ）が供給される。一方、走査配線１２ｃには、液晶表示パネル５の短辺の一方側に実装されたＴＡＢ８ｃ上のゲートドライバＩＣより走査信号が供給されることとなる。
【００５６】
以上のように、本発明に係る液晶表示パネル５が構成される。以下、この液晶表示パネル５を適用した液晶表示装置について説明する。
【００５７】
図１４は、上記液晶表示パネル５を備えた液晶表示装置１の分解斜視図である。図に示すように、液晶表示装置１は、主に、液晶表示パネル部６０と、これを背面側から照射するバックライトユニット７０とで構成されている。
【００５８】
液晶表示パネル部６０は、上記液晶表示パネル５の両面に、偏光板６４ａ，６４ｂが貼付されたもので構成されている。偏光板６４ａ，６４ｂは、一軸延伸ポリビニルアルコールフィルムにヨウ素化合物を添加した偏光フィルムが基板フィルムに挟まれることで構成されている。液晶パネル部６０は、枠状の外フレーム６６と内フレーム６８との間に挟まれた状態で、バックライトユニット７０の上方に配置される。
【００５９】
バックライトユニット７０は、光源ユニット７２と、光学シートユニット８０とから構成される。光源ユニット７２は、上面を開口した箱型形状の金属製のベーストレイ７４内に、光源となる複数の管状ランプ７６，７６・・・が平行に配置されて構成されている。
【００６０】
この複数の管状ランプ７６，７６・・・の上に配置される光学シートユニット８０は、管状ランプ７６の輝度分布を均一にするための拡散板８２と、拡散板８２上に配置されるレンズシート等の光学シート類８４，８６，８８とで構成されている。
【００６１】
拡散板８２は、光学シート類８４，８６，８８とほぼ同一の略矩形形状に形成されている。拡散板８２は、やや厚みのある透明な板状をなし、載置したときに撓みが生じ難くなっている。そのため、この上に載置される複数の光学シート類８４，８６，８８は、この拡散板８２上で平面状に支持される。
【００６２】
ベーストレイ７４の周縁には、拡散板７２と光学シート類７４，７６，７８を載置するための載せ代となる周縁部７４ａが所定の厚みで形成されている。この周縁部７４ａには、外周に沿って起立部７４ｂが立設されており、この内側に拡散板８２と光学シート類８４，８６，８８が載置される。
【００６３】
以上ように、本発明に係る液晶表示装置１が構成され、パーソナルコンピュータや、テレビ受像機の表示装置として適用される。
【００６４】
このような構成の本発明に係る液晶表示パネル５、およびこの液晶表示パネル５を用いた液晶表示装置１によれば、液晶表示装置製造工程において、液晶表示パネル５、および液晶表示装置１組立後に点灯不良等が発見された場合、ＴＦＴアレイ基板１０（１５）の信号配線１２を分析しなければならない。この時、信号配線１２に識別表示が付されているため、その識別表示が付されている信号配線１２を基準として、不良が発生している個所の信号配線１２を容易に見出すことができる。したがって、液晶表示パネルや液晶表示装置組立後における不良解析を迅速且つ確実なものとすることができる。
【００６５】
以上、本発明の実施の形態について詳細に説明したが、本発明は上記実施の形態に何ら限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の改変が可能である。
【００６６】
例えば、上記実施形態では、液晶表示装置に適用される液晶表示パネルおよびＴＦＴアレイ基板について説明したが、その他の表示装置、例えば、エレクトロルミネセンスディスプレイ等にも本発明の技術的思想が適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】本発明の第１実施形態に係るＴＦＴアレイ基板全体の概略構成図である。
【図２】図１に示したＴＦＴアレイ基板上の信号配線の分割部付近における絵素部の拡大図である（半導体膜に信号配線の識別表示としてスリットが形成されているもの）。
【図３】図２に示した絵素部におけるＴＦＴ（薄膜トランジスタ）の断面図である。
【図４】図１〜３に示したＴＦＴアレイ基板の製造工程において、ゲート電極を形成した状態を示した断面図である。
【図５】図１〜３に示したＴＦＴアレイ基板の製造工程において、第１の絶縁膜を形成した状態を示した断面図である。
【図６】図１〜３に示したＴＦＴアレイ基板の製造工程において、半導体層および半導体膜を形成した状態を示した断面図である。
【図７】図１〜３に示したＴＦＴアレイ基板の製造工程において、ソース電極、ドレイン電極、信号配線を形成した状態を示した断面図である。
【図８】図１〜３に示したＴＦＴアレイ基板の製造工程において、第２の絶縁膜、絵素電極を形成した状態を示した断面図である。
【図９】図１に示したＴＦＴアレイ基板上の信号配線の分割部付近における絵素部の拡大図である（半導体膜に信号配線の識別表示として切り欠き部、および複数のスリットが形成されているもの）。
【図１０】本発明の第２実施形態に係るＴＦＴアレイ基板上の信号配線の分割部付近における絵素部の拡大図である。
【図１１】図１０に示した信号配線の分割部付近におけるＴＦＴアレイ基板の断面図である。
【図１２】本発明の第１実施形態もしくは第２実施形態に係るＴＦＴアレイ基板を適用した液晶表示パネルを説明するための外観斜視図である。
【図１３】（ａ）は、図１２に示したカラーフィルタ基板の外観斜視図であり、（ｂ）はカラーフィルタ基板の断面図である。
【図１４】図１２に示した液晶表示パネルを適用した液晶表示装置を説明するための分解斜視図である。
【符号の説明】
【００６８】
１      液晶表示装置
５      液晶表示パネル
６      カラーフィルタ基板
１０    ＴＦＴアレイ基板
１２    信号配線
１４    走査配線
２０    ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）
２２    絵素電極
２４    ゲート電極
２６    第１の絶縁膜
３０    半導体層
３２    ソース電極
３４    ドレイン電極
３６    第２の絶縁膜
３８    コンタクトホール
４０    半導体膜
９０    分割部
９２    スリット
９４    切り欠き部
９６    スリット
１００  ガラス基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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