(57)【要約】【目的】所望とする磁性パターンを確実に作ることができる磁気記録媒体製造方法を提供する。【構成】本発明の磁気記録媒体製造方法は、導電下地膜１４および磁性膜１２’を積層した構造をもつ磁気記録媒体の中間部材に対して凹凸面を有するスタンパ２１を用い、このスタンパ２１の凹凸面における凸部２１ｂ先端に補助導電膜２２を付着させた状態で凹凸面を磁性膜１２’に当接させる工程と、中間部材の導電下地膜１４とスタンパ２１との間に電圧を印加する工程とを含むことを特徴とする。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電下地膜および磁性膜を積層した構造をもつ磁気記録媒体の中間部材に対して凹凸面を有するスタンパを用い、このスタンパの凹凸面における凸部先端に補助導電膜を付着させた状態で上記凹凸面を上記磁性膜に当接させる工程と、
上記中間部材の導電下地膜と上記スタンパとの間に電圧を印加する工程と、
を含むことを特徴とする、磁気記録媒体製造方法。
【請求項２】
磁性膜の一方側に導電下地膜を積層し、その他方側に金属拡散膜を積層した構造をもつ磁気記録媒体の中間部材に対して凹凸面を有するスタンパを用い、このスタンパの凹凸面における凸部先端に補助導電膜を付着させた状態で上記凹凸面を上記金属拡散膜に当接させる工程と、
上記中間部材の導電下地膜と上記スタンパとの間に電圧を印加する工程と、
を含むことを特徴とする、磁気記録媒体製造方法。
【請求項３】
強磁性材料と非磁性材料とが過飽和に固溶した状態にある非磁性膜および導電下地膜を積層した構造をもつ磁気記録媒体の中間部材に対して凹凸面を有するスタンパを用い、このスタンパの凹凸面における凸部先端に補助導電膜を付着させた状態で上記凹凸面を上記非磁性膜に当接させる工程と、
上記中間部材の導電下地膜と上記スタンパとの間に電圧を印加する工程と、
を含むことを特徴とする、磁気記録媒体製造方法。
【請求項４】
上記補助導電膜は、粘性をもつ液体もしくは膠化体からなる、請求項１ないし３のいずれかに記載の磁気記録媒体製造方法。
【請求項５】
上記補助導電膜には、導電性および磁性をもつ微粒子が含まれており、電圧を印加する際もしくはその直前には、上記スタンパに対してその厚み方向に磁界を印加する、請求項４に記載の磁気記録媒体製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、たとえばディスクリートトラックメディアあるいはパターンドメディアといった磁気記録媒体を製造する際にスタンパを用いる磁気記録媒体製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気ディスクの技術分野においては、高記録密度化を図るのに好ましい媒体として、いわゆるディスクリートトラックメディア（ＤＴＭ）やパターンドメディア（ＰＭ）など、所定パターンの記録磁性部を記録層内に有する磁気ディスクが知られている。これらの磁気ディスクについては、たとえば下記の特許文献１〜３に記載されている。
【０００３】
このような磁気ディスクの製造方法としては、たとえば下記の特許文献４、５に示されるように、いわゆるスタンパを用いたナノインプリント法がある。このナノインプリント法とは、ナノメートル単位のピッチで微細な凹凸面をもつスタンパを、磁気ディスクのベースとなる樹脂基板あるいは基板上の樹脂層に押圧することにより、基板の表面にトラックやサーボパターンなどに相当する凹凸パターンを直接転写する技術である。基板上に形成された凹凸パターンの凹部には、たとえば磁性材料が充填され、これにより、記録磁性部が非記録磁性部によって物理的に分断された構造のＤＴＭやＰＭが製作される。
【０００４】
ところで、本願発明者らは、上述のナノインプリント法とは異なり、スタンパを間接的に用いることでＤＴＭやＰＭを簡易に製造する方法を発明した。これは、図１１（ａ）および（ｂ）に示すように、導電下地膜１４および磁性膜１２’を積層した構造をもつ磁気ディスクの中間部材Ｘ’に対し、スタンパ２１の凹凸面２１Ａを磁性膜１２’に当接させ、その後、中間部材Ｘ’の導電下地膜１４とスタンパ２１との間に電圧を印加するといった製造方法である。このような製造方法によれば、磁性膜１２’において電圧が印加されない部分（スタンパ２１の凹凸面２１Ａにおける凹部と対向する部分）が垂直磁気異方性を有する記録磁性部１２Ａとして残る一方、電圧が印加された部分（スタンパ２１の凹凸面２１Ａにおける凸部２１ｂと接する部分）が非磁性に変質して非記録磁性部１２Ｂとなる。すなわち、上述の製造方法によれば、機械的に凹凸パターンを形成する必要がないので、記録面全体の平坦性の高い磁気ディスクを効率よく製造することができる。
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−７１４６７号公報
【特許文献２】特開２００５−１６６１１５号公報
【特許文献３】特開２００５−２９３７３０号公報
【特許文献４】特開平０９−２０１８７４号公報
【特許文献５】特開２００１−２６６４１７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、図１１に示すような製造方法では、スタンパ２１の凹凸面２１Ａにおける凸部２１ｂと中間部材Ｘ’の磁性膜１２’との接触状態が問題となる。具体的には、電圧を印加する際、スタンパ２１の凸部２１ｂは、磁性膜１２’に対して確実に接触していなければならないが、スタンパ２１の凹凸面２１Ａには、断面から見て凹凸パターンよりは緩やかな波面状のうねりＷがある（図１２参照）。このようなうねりＷの波長λは、たとえば５０μｍ以上もある。これにより、スタンパ２１と磁性膜１２’との間には、比較的大きな非接触領域が形成されるおそれがある。このような非接触領域においては、所望とする部位で通電状態が発生しないことから、記録磁性部１２Ａおよび非記録磁性部１２Ｂからなる所望の磁性パターンを作ることができなくなる。
【０００７】
本発明は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、所望とする磁性パターンを確実に作ることができる磁気記録媒体製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するため、本発明では、次の技術的手段を講じている。
【０００９】
本発明の第１の側面により提供される磁気記録媒体製造方法は、導電下地膜および磁性膜を積層した構造をもつ磁気記録媒体の中間部材に対して凹凸面を有するスタンパを用い、このスタンパの凹凸面における凸部先端に補助導電膜を付着させた状態で上記凹凸面を上記磁性膜に当接させる工程と、上記中間部材の導電下地膜と上記スタンパとの間に電圧を印加する工程とを含むことを特徴としている。
【００１０】
本発明の第２の側面により提供される磁気記録媒体製造方法は、磁性膜の一方側に導電下地膜を積層し、その他方側に金属拡散膜を積層した構造をもつ磁気記録媒体の中間部材に対して凹凸面を有するスタンパを用い、このスタンパの凹凸面における凸部先端に補助導電膜を付着させた状態で上記凹凸面を上記金属拡散膜に当接させる工程と、上記中間部材の導電下地膜と上記スタンパとの間に電圧を印加する工程とを含むことを特徴としている。
【００１１】
本発明の第３の側面により提供される磁気記録媒体製造方法は、強磁性材料と非磁性材料とが過飽和に固溶した状態にある非磁性膜および導電下地膜を積層した構造をもつ磁気記録媒体の中間部材に対して凹凸面を有するスタンパを用い、このスタンパの凹凸面における凸部先端に補助導電膜を付着させた状態で上記凹凸面を上記非磁性膜に当接させる工程と、上記中間部材の導電下地膜と上記スタンパとの間に電圧を印加する工程とを含むことを特徴としている。
【００１２】
好ましくは、上記補助導電膜は、粘性をもつ液体もしくは膠化体からなる。
【００１３】
好ましくは、上記補助導電膜には、導電性および磁性をもつ微粒子が含まれており、電圧を印加する際もしくはその直前には、上記スタンパに対してその厚み方向に磁界を印加する。
【００１４】
このような構成によれば、たとえば中間部材の磁性膜、金属拡散膜、あるいは非磁性膜に対してスタンパの凹凸面における凸部を当接させる際、凹凸面全体にうねりがあっても凸部先端に付着した補助導電膜が媒介となって凸部が磁性膜などに必ず接触する。そのため、スタンパに電圧を印加する際には、所望とする接触部分以外を確実に非通電状態とすることができ、記録磁性部および非記録磁性部からなる所望とする磁性パターンを確実に作ることができる。
【００１５】
本発明のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の好ましい実施の形態を、図面を参照して具体的に説明する。
【００１７】
図１および図２は、本発明に係る磁気ディスク製造方法により製造することのできる磁気ディスクＸを表す。図１は、磁気ディスクＸの平面図であり、図２は、図１の磁気ディスクＸのディスク径方向に沿った部分拡大断面図である。
【００１８】
磁気ディスクＸは、ディスク基板１１、記録層１２、軟磁性層１３、導電下地膜１４、および保護膜１５を含む積層構造を有し、ディスクリートトラックメディアとして構成されたものである。
【００１９】
ディスク基板１１は、主に、磁気ディスクＸの剛性を確保するための部位であり、たとえば、アルミニウム合金、ガラス、または樹脂よりなる。
【００２０】
記録層１２は、図２に示すように、複数の記録磁性部１２Ａおよび複数の非記録磁性部１２Ｂを有する。記録磁性部１２Ａは、図１に一部を模式的に太線で示すように、磁気ディスクＸの回転軸心Ａを共通中心として同心円状に配置され、垂直磁気異方性を有して情報トラックを構成する。非記録磁性部１２Ｂは、面内磁気異方性あるいは非磁性の磁気特性を有し、記録磁性部１２Ａ間に介在する。記録層１２は、連続膜体であり、従って、記録磁性部１２Ａおよび非記録磁性部１２Ｂは共に同一材料よりなる。記録層１２の構成材料としては、たとえば、ＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ2、ＦｅＰｔ、ＳｍＣｏなどを採用することができる。記録層１２の厚さは、たとえば５〜２０ｎｍであり、記録磁性部１２Ａの幅は、たとえば２５〜１００ｎｍであり、非記録磁性部１２Ｂの幅は、たとえば１０〜５０ｎｍである。
【００２１】
軟磁性層１３は、記録時等に稼働する磁気ヘッドからの磁束を再び磁気ヘッドに還流させる磁路を磁気ディスクＸ内に効率よく形成するためのものである。このような軟磁性層１３は、高透磁率を有して大きな飽和磁化を有するとともに小さな保磁力を有する軟磁性材料よりなる。軟磁性層１３を構成するための軟磁性材料としては、たとえば、ＦｅＣ、ＦｅＮｉ、ＦｅＣｏＢ、ＦｅＣｏＳｉＣ、およびＦｅＣｏ−ＡｌＯが挙げられる。軟磁性層１３の厚さは、たとえば１０〜２００ｎｍである。
【００２２】
導電下地膜１４は、導電性を有し、その構成材料としては、たとえばＲｕ、Ｔａよりなる。導電下地膜１４の厚さは、たとえば１０〜１００ｎｍである。
【００２３】
保護膜１５は、記録層１２や軟磁性層１３などを外界から物理的および化学的に保護するための部位であり、たとえば、ＳｉＮ、ＳｉＯ2、またはダイアモンドライクカーボンよりなる。保護膜１５の露出面は、磁気ディスクＸの記録面１６をなす。
【００２４】
以上のようなディスク基板１１、記録層１２、軟磁性層１３、導電下地膜１４、および保護膜１５を含む磁気ディスクＸの積層構造中には、必要に応じて他の層が含まれてもよい。
【００２５】
このような磁気ディスクＸの情報記録時には、磁気ディスクＸの記録面１６に対して記録用の磁気ヘッド（図示略）が浮上配置され、この磁気ヘッドによる記録磁界の印加により、記録層１２の一の記録磁性部１２Ａに対して磁化方向が順次反転する複数の記録マーク（磁区）がディスク周方向に連なるように形成される。このとき、情報記録進行中であって磁界が順次印加される記録磁性部１２Ａと、その隣りにある記録磁性部１２Ａとは、非記録磁性部１２Ｂにより分断されているため、情報記録部位に近接する記録磁性部１２Ａの記録マークが消失ないし劣化するというクロスライト現象が抑制される。クロスライト現象が抑制される磁気ディスクは、トラックの狭ピッチ化ないし高記録密度化を図る上で好ましい。
【００２６】
図３および図４は、本発明の第１実施形態に係る磁気ディスク製造方法を表す。本方法は、磁気ディスクＸを製造するための方法である。
【００２７】
本方法においては、まず、図３（ａ）に示すように、ディスク基板１１上に軟磁性層１３、導電下地膜１４、および磁性膜１２’を順次形成することにより、磁気ディスクＸの中間部材Ｘ’を作製する。軟磁性層１３の形成においては、たとえばスパッタリング法により、ディスク基板１１上に上述の軟磁性材料を成膜する。導電下地膜１４の形成においては、たとえばスパッタリング法により、導電下地膜１４に関して上述した構成材料を軟磁性層１３上に成膜する。磁性膜１２’は、全体にわたって垂直磁気異方性を有する垂直磁化連続膜である。磁性膜１２’の形成においては、たとえばスパッタリング法により、記録層１２に関して上述した構成材料を導電下地膜１４上に成膜する。
【００２８】
次に、図３（ｂ）および図３（ｃ）に示すように、スタンパ２１の凹凸面２１Ａを磁性膜１２’の表面に当接させる。スタンパ２１は、スタンパ本体２１ａと凹凸面２１Ａをなす凸部２１ｂとからなる。凸部２１ｂは、上述の非記録磁性部１２Ｂに対応したパターン形状を有する。また、凸部２１ｂの高さ（すなわち、凸部２１ｂ間の溝の深さ）は、たとえば１０〜２００ｎｍである。本製造方法においては、スタンパ２１の凸部２１ｂの先端に補助導電膜２２を付着させた後、この補助導電膜２２を介して凸部２１ｂを磁性膜１２’に接触させる。補助導電膜２２は、たとえば導電性ポリマのポリアセチレンを含む溶液、あるいはゲル状の膠化体からなり、ある程度の粘性をもつとともに導電性を有する。これにより、スタンパ２１の凹凸面２１Ａに図１２に示すような多少のうねりがあっても、補助導電膜２２を介してスタンパ２１の凸部２１ｂを磁性膜１２’に確実に接触させることができる。
【００２９】
図５および図６は、スタンパ２１の作製方法を表す。スタンパ２１の作製においては、まず、図５（ａ）に示すように、例えばスピンコーティング法により、ディスク状のシリコン基板３１上にフォトレジスト膜３２を形成する。
【００３０】
次に、図５（ｂ）に示すように、リソグラフィ法により、フォトレジスト膜３２をパターニングしてレジストパターン３３を形成する。このリソグラフィ法においては、たとえば、所定の電子ビーム描画装置によって所定パターン（潜像）３３ａをフォトレジスト膜３２に露光形成した後、そのフォトレジスト膜３２に現像処理を施す。レジストパターン３３は、スタンパ２１の凸部２１ｂに対応したパターン形状を有する。
【００３１】
次に、図５（ｃ）に示すように、レジストパターン３３をマスクとして利用してシリコン基板３１に対して異方性ドライエッチングを施すことにより、シリコン基板３１に凹部３１ａを形成する。この凹部３１ａは、スタンパ２１の凸部２１ｂ間の溝に対応するパターン形状を有する。異方性ドライエッチングとしては、たとえば反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）を採用することができる。このようにして形成された、凹部３１ａを有するシリコン基板３１は、スタンパ２１の原盤に相当する。本工程の後、図５（ｄ）に示すように、レジストパターン３３を除去する。
【００３２】
次に、図６（ａ）および図６（ｂ）に示すように、凹部３１ａが形成されたシリコン基板３１とガラス基板３４との間にフォトポリマ３５を挟み込み、その後、ガラス基板３４の側から紫外線を照射することにより、フォトポリマ３５を硬化させる。このような硬化により、シリコン基板３１表面の凹凸形状がフォトポリマ３５表面に転写され、かつ、フォトポリマ３５は、ガラス基板３４に接合することとなる。本工程の後、フォトポリマ３５からシリコン基板３１を取り外す。
【００３３】
次に、上述のようにして硬化されたフォトポリマ３５を鋳型として、図６（ｃ）に示すように、電鋳法により、たとえばニッケルよりなるスタンパ２１を形成する。スタンパ２１表面には、フォトポリマ３５表面の凹凸形状が転写されることにより、凹凸面２１Ａが形成される。この後、フォトポリマ３５からスタンパ２１を取り外す。このようにして作製されたスタンパ２１を用いて、上述の磁気ディスク製造方法を反復実施することができる。
【００３４】
磁気ディスクＸの製造においては、補助導電膜２２を介してスタンパ２１の凹凸面２１Ａを磁性膜１２’に当接させた後、図４（ａ）に示すように、導電下地膜１４およびスタンパ２１の間に電圧を印加する。これにより、磁性膜１２’においては、スタンパ２１の凸部２１ｂ間に対応してこの凸部２１ｂと接触しない部分が垂直磁気異方性を有する記録磁性部１２Ａとして残り、凸部２１ｂと当接した部分が面内磁気異方性あるいは非磁性の非記録磁性部１２Ｂとして形成される。すなわち、本工程では、全体が垂直磁化状態にある磁性膜１２’を、部分的に面内磁化状態または非磁性状態に変化させるのである。
【００３５】
具体的には、スタンパ２１や磁性膜１２’、さらには補助導電膜２２を構成する材料に応じた所定レベルの電圧を導電下地膜１４およびスタンパ２１の間に印加することにより、磁性膜１２’においては、スタンパ２１の凸部２１ｂが接しない部位の垂直磁化状態（磁化容易軸が垂直方向を向く状態）が維持される一方、凸部２１ｂが補助導電膜２２を介して接する部位の磁化状態が、面内磁化状態（磁化容易軸が面内方向を向く状態）または非磁性状態（磁化容易軸を有しない状態）に変化させられる。補助導電膜２２に直接的に接する部位には、印加された電圧の略全てが作用し、印加電圧の大きさによっては、この部位の磁化状態が変化させられ、あるいは事実上消滅させられる。このような磁化状態の変化や消滅は、電圧印加時に生じるジュール熱や絶縁破壊などに起因するものと考えられる。これに対し、記録磁性部１２Ａに相当する部位は、スタンパ２１の凸部２１ｂ間に位置して電気的に絶縁された状態にあり、電圧印加時には、ほとんど通電しないことで垂直磁化状態を維持することが可能である。本方法においては、このような電圧印加工程により、磁気ディスクＸにおいて情報の記録や保持が可能な記録磁性部１２Ａを実質的にパターン形成することができ、そして事実上同時に、記録磁性部１２Ａを内部に含む記録層１２を形成することができる。
【００３６】
次に、図４（ｂ）に示すように、形成された記録層１２からスタンパ２１を離し、その後、たとえば酸素プラズマを利用して行うアッシングにより、補助導電膜２２の残査を記録層１２上から除去する。
【００３７】
次に、図４（ｃ）に示すように保護膜１５を形成する。保護膜１５の形成においては、たとえばスパッタリング法により、保護膜１５に関して上述した構成材料を記録層１２上に成膜する。以上のようにして、所定パターンの記録磁性部１２Ａを記録層１２内に有する磁気ディスクＸを製造することができる。
【００３８】
本方法においては、記録磁性部１２Ａをパターン形成するにあたり、電子ビーム描画装置を使用する必要はない。したがって、本方法は、所定パターンの記録磁性部１２Ａを記録層１２内に有する磁気ディスクＸを効率よく製造することができる。
【００３９】
加えて、本方法によると、所定パターンの記録磁性部１２Ａを構成要素として含む記録層１２を連続膜体として形成することができるので、記録面１６について、充分な平坦性を得ることができる。本方法においては、電圧印加工程を経て記録層１２を構成することとなる磁性膜１２’を、スパッタリング法などの薄膜形成技術により形成することができる。薄膜形成技術により形成される連続膜体においては、高い表面平坦性を達成しやすい。したがって、本方法は、記録層１２の表面平坦性が反映される記録面１６において、充分な平坦性を得ることができるのである。
【００４０】
さらに、電圧印加時には、スタンパ２１の凹凸面２１Ａに多少のうねりがあったとしても、スタンパ２１の凸部２１ｂが補助導電膜２２を介して磁性膜１２’に確実に接するので、接触不良を起こすことなく所定の部位のみを確実に通電状態とすることができ、ひいては所定パターンの記録磁性部１２Ａを確実に形成することができる。
【００４１】
以上のように、本方法によると、所定パターンの記録磁性部１２Ａを記録層１２内に有しかつ記録面１６の平坦性の高い磁気ディスクＸを、効率よく製造することができる。記録面１６の平坦性の高い磁気ディスクＸは、磁気ヘッドの低浮上量化を図るうえで好ましく、ひいては高記録密度化を図るうえで好ましい。
【００４２】
図７は、本発明の第２実施形態に係る磁気ディスク製造方法を表す。本方法も、磁気ディスクＸを製造するための方法である。
【００４３】
本方法においては、まず、図７（ａ）に示すように、ディスク基板１１上に軟磁性層１３、導電下地膜１４、磁性膜１２’、および金属拡散膜２４を順次形成することにより、磁気ディスクＸの中間部材Ｘ’を作製する。軟磁性層１３や導電下地膜１４、磁性膜１２’の形成手法については、第１実施形態の磁気ディスク製造方法に関して上述したのと同様である。金属拡散膜２４は、たとえば、Ｃｕ、Ｉｎ、Ａｇなどの単体金属、または、これらの金属を含む合金よりなる。金属拡散膜２４の形成においては、たとえばスパッタリング法により、当該金属材料を磁性膜１２’上に成膜する。金属拡散膜２４の厚さは、たとえば１〜２０ｎｍである。
【００４４】
本方法においては、次に、図７（ｂ）に示すように、スタンパ２１の凸部２１ｂの先端に補助導電膜２２を付着させた後、この補助導電膜２２を介して凸部２１ｂを金属拡散膜２４に接触させる。補助導電膜２２は、第１実施形態の磁気ディスク製造方法で用いたものと同様である。これにより、スタンパ２１の凹凸面２１Ａに図１２に示すような多少のうねりがあっても、補助導電膜２２を介してスタンパ２１の凸部２１ｂを金属拡散膜２４に確実に接触させることができる。
【００４５】
このように、補助導電膜２２を介してスタンパ２１の凹凸面２１Ａを金属拡散膜２４に当接させた後、図７（ｃ）に示すように、導電下地膜１４およびスタンパ２１の間に電圧を印加する。これにより、金属拡散膜２４においてスタンパ２１の凸部２１ｂと接した部位が通電によって部分的に加熱させられ、このような加熱部位から磁性膜１２’に対して金属（たとえばＣｕ、Ｉｎ、Ａｇ）が拡散する。加熱部位の温度は、たとえば１５０〜４５０℃になる。本工程では、主に熱エネルギが駆動力となって金属拡散膜２４から磁性膜１２’に対する金属拡散が進行するが、電界効果も金属拡散作用に寄与しているものと考えられる。このような金属拡散作用により、磁性膜１２’において当初は所定の磁性を有していた部位の磁性が消滅または充分に減弱し、非記録磁性部１２Ｂがパターン形成される。そして、事実上同時に、磁性膜１２’には、記録磁性部１２Ａがパターン形成される。このようにして、磁性膜１２’から、記録磁性部１２Ａおよび非記録磁性部１２Ｂを含む連続膜としての記録層１２が形成される。
【００４６】
この後、補助導電膜２２や金属拡散膜２４の残査を記録層１２上から除去し、そして、記録層１２上に保護層（図７において図示略）を形成する。補助導電膜２２や金属拡散膜２４の除去手法としては、たとえば、酸素プラズマを利用して行うアッシングを採用することができる。保護層の形成手法については、第１実施形態の磁気ディスク製造方法に関して上述したのと同様である。以上のようにして、所定パターンの記録磁性部１２Ａを記録層１２内に有する磁気ディスクＸを製造することができる。
【００４７】
本方法においては、図７（ｃ）を参照して上述した工程にて、磁性膜１２’の所定部位に対する金属拡散作用により非記録磁性部１２Ｂを形成することから、実質的に記録磁性部１２Ａをパターン形成することができ、このような記録磁性部１２Ａを含む記録層１２を形成することができる。また、このような本方法によっても、スタンパ２１の凹凸面２１Ａに多少のうねりがあったとしても、電圧印加時には、スタンパ２１の凸部２１ｂが補助導電膜２２を介して金属拡散膜２４に確実に接するので、接触不良を起こすことなく所定の部位のみを確実に通電状態として部分的に加熱することができ、ひいては所定パターンの記録磁性部１２Ａを確実に形成することができる。したがって、本方法によっても、上述の第１実施形態の磁気ディスク製造方法と同様に、所定パターンの記録磁性部１２Ａを記録層１２内に有し、かつ記録面の平坦性の高い磁気ディスクＸを確実に製造することができる。
【００４８】
図８は、本発明の第３実施形態に係る磁気ディスク製造方法を表す。本方法も、磁気ディスクＸを製造するための方法である。
【００４９】
本方法においては、まず、図８（ａ）に示すように、ディスク基板１１上に、軟磁性層１３、下地導電膜１４、およびプレ記録層１２”を順次形成することにより、磁気ディスクＸの中間部材Ｘ’を作製する。軟磁性層１３や下地導電膜１４の形成手法については、第１実施形態の磁気ディスク製造方法に関して上述したのと同様である。プレ記録層１２”は、強磁性材料と非磁性材料とが過飽和に固溶した状態にある非磁性膜である。強磁性材料は、Ｆｅ、Ｃｏ、およびＮｉを少なくとも一種類含む。非磁性材料は、ＢおよびＣを少なくとも一種類含む。ＢおよびＣは、原子半径が比較的小さく、原子半径の比較的大きなＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉなどとは、これらがなす結晶構造における格子点の隙間に侵入して侵入型の固溶体を構成することができる。プレ記録層１２”は、このような侵入型固溶状態にあり、かつ、強磁性材料と非磁性材料とが過飽和に固溶した状態にあるのである。プレ記録層１２”の形成においては、たとえばスパッタリング法により、そのような状態となる組成比で、Ｆｅ、Ｃｏ、およびＮｉを少なくとも一種類含む強磁性材料と、ＢおよびＣを少なくとも一種類含む非磁性材料とを、堆積成長させる。プレ記録層１２”における強磁性材料の組成比は、好ましくは４５〜７０atom.％である。非磁性材料の組成比は、好ましくは３０〜５５atom.％であり、より好ましくは３５〜５０atom.％である。
【００５０】
本方法においては、次に、図８（ｂ）に示すように、スタンパ２１の凸部２１ｂの先端に補助導電膜２２を付着させた後、この補助導電膜２２を介して凸部２１ｂをプレ記録層１２”に接触させる。補助導電膜２２は、第１実施形態や第２実施形態の磁気ディスク製造方法で用いたものと同様である。これにより、スタンパ２１の凹凸面２１Ａに図１２に示すような多少のうねりがあっても、補助導電膜２２を介してスタンパ２１の凸部２１ｂをプレ記録層１２”に確実に接触させることができる。
【００５１】
このように、補助導電膜２２を介してスタンパ２１の凹凸面２１Ａをプレ記録層１２”に当接させた後、図８（ｃ）に示すように、導電下地膜１４およびスタンパ２１の間に電圧を印加する。これにより、プレ記録層１２”においてスタンパ２１の凸部２１ｂと接した部位が通電によって部分的に加熱させられる。加熱温度は、たとえば１００〜３００℃である。
【００５２】
強磁性材料と非磁性材料とが過飽和に固溶した状態は、熱力学的に準安定状態にあるので、所定の刺激に誘発されて、より安定な状態（たとえば、真の平衡状態）に至るまで、強磁性材料を主成分とする強磁性相と非磁性材料を主成分とする非磁性相とが相分離（スピノーダル分解）し、強磁性相および非磁性相が混在する強磁性グラニュラ構造を生じ得る。本工程においては、このような現象を利用することにより、記録磁性部１２Ａをパターン形成する。
【００５３】
具体的には、プレ記録層１２”（強磁性材料と非磁性材料とが過飽和に固溶〔侵入型〕した状態にある非磁性膜）において、スタンパ２１の凸部２１ｂに対向して加熱される部位では、熱エネルギに誘発されることにより、Ｆｅ、Ｃｏ、およびＮｉを少なくとも一種類含む強磁性材料が形成する結晶構造（強磁性を示す）から、ＢおよびＣを少なくとも一種類含む過剰な非磁性材料が掃き出される。そして、非磁性材料を掃き出した強磁性材料どうしが凝集し、さらに掃き出された非磁性材料どうしが凝集することにより、強磁性相と非磁性相とが相分離し、これら強磁性相および非磁性相が混在する強磁性グラニュラ構造の記録磁性部１２Ａが生じる。プレ記録層１２”においてスタンパ２１の凸部２１ｂと対向しない部位は、非磁性状態が維持されることで非記録磁性部１２Ｂを構成することとなる。本工程では、このようにして、プレ記録層１２”から、記録磁性部１２Ａおよび非記録磁性部１２Ｂを含む連続膜体としての記録層１２が形成される。
【００５４】
本方法においては、次に、スタンパ２１を記録層１２から離した後、補助導電膜２２の残査を記録層１２上から除去し、さらにその後、記録層１２上に保護層（図８において図示略）を形成する。補助導電膜２２の除去手法や保護層の形成手法は、第１実施形態や第２実施形態の磁気ディスク製造方法に関して上述したのと同様である。以上のようにして、所定パターンの記録磁性部１２Ａを記録層１２内に有する磁気ディスクＸを製造することができる。
【００５５】
本方法においては、図８（ｃ）を参照して上述した工程にて、非磁性膜としてのプレ記録層１２”の所定部位のみに磁性をもたせることにより、実質的に記録磁性部１２Ａを含む記録層１２を形成することができる。また、このような本方法によっても、スタンパ２１の凹凸面２１Ａに多少のうねりがあったとしても、電圧印加時には、スタンパ２１の凸部２１ｂが補助導電膜２２を介してプレ記録層１２”に確実に接するので、接触不良を起こすことなく所定の部位のみを確実に通電状態として部分的に加熱することができ、ひいては所定パターンの記録磁性部１２Ａを確実に形成することができる。したがって、本方法によっても、上述の第１実施形態や第２実施形態の磁気ディスク製造方法と同様に、所定パターンの記録磁性部１２Ａを記録層１２内に有し、かつ記録面の平坦性の高い磁気ディスクＸを確実に製造することができる。
【００５６】
図９は、本発明の第４実施形態に係る磁気ディスク製造方法を表す。本方法は、先述した第１実施形態の磁気ディスク製造方法の変形例に相当する。
【００５７】
本方法においては、図９（ａ）に示すように、スタンパ２１の凹凸面２１Ａを磁性膜１２’の表面に当接させる前、この磁性膜１２’の表面全体に補助導電膜２２を一様に付着させておく。その後、図９（ｂ）に示すように、スタンパ２１の凹凸面２１Ａを磁性膜１２’に当接させ、さらにその後、導電下地膜１４およびスタンパ２１の間に電圧を印加する。その後の工程は、第１実施形態の磁気ディスク製造方法に関して上述したのと同様である。以上のようにして、所定パターンの記録磁性部１２Ａを記録層１２内に有する磁気ディスクＸを製造することができる。
【００５８】
このような方法によっても、電圧印加時には、スタンパ２１の凹凸面２１Ａに多少のうねりがあったとしても、スタンパ２１の凸部２１ｂが補助導電膜２２を介して磁性膜１２’に確実に接するので、接触不良を起こすことなく所定の部位のみを確実に通電状態とすることができ、ひいては所定パターンの記録磁性部１２Ａを確実に形成することができる。
【００５９】
なお、本法のように、磁気ディスクＸの中間部材Ｘ’の方に補助導電膜２２を付着しておく方法は、第２実施形態や第３実施形態の磁気ディスク製造方法にも適用可能である。たとえば、第２実施形態の変形例としては、スタンパの凹凸面を金属拡散膜の表面に当接させる前、この金属拡散膜の表面全体に補助導電膜を一様に付着させておけばよい。また、第３実施形態の変形例としては、スタンパの凹凸面をプレ記録層の表面に当接させる前、このプレ記録層の表面全体に補助導電膜を一様に付着させておけばよい。
【００６０】
図１０は、本発明の第５実施形態に係る磁気ディスク製造方法を表す。本方法も、先述した第１実施形態の磁気ディスク製造方法の変形例に相当する。
【００６１】
本方法においては、図１０に示すように、電圧を印加する際、スタンパ２１に対してその厚み方向に磁界を印加するように、凹凸面２１Ａとは反対側の裏面２１Ｂに磁石３０を当接させる。本方法で用いられる補助導電膜２２は、導電性および磁性をもつフィラー（微粒子）２２ａをバインダ２２ｂに混入したものからなる。フィラー２２ａの粒径は、たとえば１ｎｍ程度である。
【００６２】
本方法では、導電性および磁性をもつフィラー２２ａを含む補助導電膜２２を用いてスタンパ２１の裏面２１Ｂに磁石３０を配置することにより、磁気効果によってスタンパ２１の凸部２１ｂ先端にフィラー２２ａがチェーン状に連なった状態となる。すなわち、数珠繋ぎ状となったフィラー２２ａを介してスタンパ２１の凸部２１ｂが磁性膜（記録層１２）に対して確実に接する。このような状態を維持した状態で導電下地膜１４およびスタンパ２１の間に電圧を印加する。これにより、記録層１２には、所定パターンの記録磁性部１２Ａが確実に形成される。なお、スタンパ２１の凸部２１ｂを記録層１２に当接させた後、スタンパ２１の裏面２１Ｂから磁石３０を離し、その後、導電下地膜１４およびスタンパ２１の間に電圧を印加するのが好ましい。これは、フィラー２２ａを凸部２１ｂ先端に密集させた状態とすれば、その後、磁石３０を離してもそのような状態が維持されるためである。
【００６３】
このような方法によれば、電圧印加時、スタンパ２１の凸部２１ｂ間（凹部となる部分）に補助導電膜２２が余分に付着しにくくなり、凸部２１ｂと記録層１２のみがフィラー２２ａを介して確実につながるので、より接触不良を起こすことなく所定の部位のみを確実に通電状態とすることができ、ひいては所定パターンの記録磁性部１２Ａを確実に形成することができる。
【００６４】
なお、図１０に示すような製造方法も、第２実施形態や第３実施形態の磁気ディスク製造方法に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】本発明に係る磁気ディスク製造方法により製造することのできる磁気ディスクの平面図である。
【図２】図１の磁気ディスクの部分拡大断面図である。
【図３】本発明の第１実施形態に係る磁気ディスク製造方法の工程図である。
【図４】図３の後に続く工程図である。
【図５】スタンパの作製方法の工程図である。
【図６】図５の後に続く工程図である。
【図７】本発明の第２実施形態に係る磁気ディスク製造方法の工程図である。
【図８】本発明の第３実施形態に係る磁気ディスク製造方法の工程図である。
【図９】本発明の第４実施形態に係る磁気ディスク製造方法の工程図である。
【図１０】本発明の第５実施形態に係る磁気ディスク製造方法の説明図である。
【図１１】参考例としての磁気ディスク製造方法の工程図である。
【図１２】図１１の製造方法における問題点を説明するための説明図である。
【符号の説明】
【００６６】
Ｘ      磁気ディスク（磁気記録媒体）
Ｘ’    磁気ディスクの中間部材
１２    記録層
１２’  磁性膜
１２”  プレ記録層（非磁性膜）
１４    導電下地膜
２１    スタンパ
２１Ａ  凹凸面
２１ｂ  凸部
２２    補助導電膜
２２ｂ  フィラー（微粒子）
２４    金属拡散膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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