(57)【要約】【課題】基板正面がチャンバ内で露出するような基板用の受け面を有する基板支持体を備える処理チャンバ内で基板を処理する。【解決手段】励起させた処理ガスを用いて基板正面を処理する。基板を基板支持体の受け面上方の上昇位置へと上昇させ、基板の背面を励起させたクリーニングガスに曝露することで基板背面周縁部をクリーニングする。【選択図】図１Ａ
2008218997.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
受け面を有する基板支持体を備えた処理チャンバ内での基板処理方法であり、
（ａ）基板を処理チャンバ内の基板支持体の受け面上に配置し、
（ｂ）基板正面を励起させた処理ガスに曝露して基板正面を処理し、
（ｃ）（１）基板を基板支持体の受け面上方の上昇位置へと上昇させ、
（２）背面をクリーニングするために、基板をその上昇位置で維持しながら基板の背面を励起させたクリーニングガスに曝露することで基板背面の周縁部をクリーニングすることを含む基板処理方法。
【請求項２】
工程（ｃ）が、基板を基板支持体の基板受け面から距離ｄだけ上昇させることを含み、距離ｄが処理チャンバ内の励起させたクリーニングガスの圧力と関連させて選択される請求項１記載の方法。
【請求項３】
処理チャンバが基板支持体の導管を通って伸長可能な複数の昇降ピンを備え、工程（ｃ）が昇降ピンを移動させることで基板を上昇させることを含み、昇降ピンは基板支持体を通って伸長し基板背面と接触して基板を持ち上げる請求項１記載の方法。
【請求項４】
工程（ｃ）が以下の、
（１）基板を基板支持体から距離約１ｍｍ〜約５ｍｍだけ上昇させる、
（２）基板の背面をＨ２及びＨ２Ｏを含む励起させたクリーニングガスに曝露させる、
（３）基板背面を励起させたクリーニングガスに約３０〜約６０秒間に亘って曝露することの少なくとも１つを含む請求項１記載の方法。
【請求項５】
工程（ｂ）が基板の正面をＨＣｌ、ＢＣｌ３、ＨＢｒ、Ｂｒ２、Ｃｌ２、ＣＣｌ４、ＳｉＣｌ４、ＳＦ６、Ｆ２、ＮＦ３、ＨＦ、ＣＦ３、ＣＦ４、ＣＨ３Ｆ、ＣＨＦ３、Ｃ２Ｈ２Ｆ２、Ｃ２Ｈ４Ｆ６、Ｃ２Ｆ６、Ｃ３Ｆ８、Ｃ４Ｆ８、Ｃ２ＨＦ５、Ｃ４Ｆ１０、ＣＦ２Ｃｌ２、ＣＦＣｌ３、Ｏ２、Ｎ２、Ｈｅ、ＣＯ、Ｃ４Ｆ６、Ｃ５Ｆ８、Ａｒ、Ｘｅ、ＣＨ４、Ｈ２、ＣＯ２又はその混合物を含む励起させた処理ガスに曝露することを含む請求項１記載の方法。
【請求項６】
基板が低ｋ誘電体層上にフォトレジスト層を含み、
工程（ｂ）がフォトレジスト層を励起させた処理ガスに曝露することでフォトレジスト層をエッチングすることを含み、
工程（ｃ）が工程（ｂ）をエッチング残留物のアッシングによる基板背面の周縁部のクリーニングと同時に行うことを含み、背面のクリーニングを基板を上昇位置に維持した状態で、基板の背面を励起させたクリーニングガスに曝露することで行う請求項１記載の方法。
【請求項７】
工程（ｃ）が基板の背面をＨ２とＨ２Ｏを含む励起させたクリーニングガスに曝露することを含む請求項７記載の方法。
【請求項８】
（１）基板用の受け面を備えた基板支持体と、
（２）基板支持体内を通過可能な複数の昇降ピンと、
（３）チャンバ内で処理ガスを分配するためのガス分配装置と、
（４）処理ガスを励起するためのガス・エナジャイザと、
（５）処理ガスを排気するためのガス排気部を備える（ａ）処理チャンバと、
昇降ピン、ガス分配装置、ガス・エナジャイザ及びガス排気部を操作するための制御装置を備えた基板処理装置であり、制御装置が
（１）昇降ピンを操作して基板を基板支持体の受け面より上方の上昇位置まで上昇させ、
（２）基板をその上昇位置で維持しながら、ガス分配装置、ガス・エナジャイザ、及びガス排気部を操作して基板を励起させたクリーニングガスへと曝露し、基板背面の周縁部をクリーニングするための命令を含むプログラムコードを含む基板処理装置。
【請求項９】
プログラムコードが、昇降ピンを操作して基板を基板支持体の基板受け面から距離ｄだけ上昇させるための命令を含み、距離ｄが処理チャンバ内の励起させたクリーニングガスの圧力と関連させて選択される請求項８記載の装置。
【請求項１０】
プログラムコードが、
（１）昇降ピンを操作して基板支持体を距離約１ｍｍ〜約５ｍｍだけ上昇させること、
（２）ガス分配装置とガス・エナジャイザを操作して基板をＨ２及びＨ２Ｏを含む励起させたクリーニングガスに曝露させること、
（３）ガス分配装置とガス・エナジャイザを操作して基板を励起させたクリーニングガスに約３０〜約１８０秒間に亘って曝露させることの少なくとも１つを実行するための命令を含む請求項８記載の装置。
【請求項１１】
プログラムコードが、ガス分配装置とガス・エナジャイザを操作して、基板背面のクリーニングに先立って基板を励起させた処理ガスへと曝露してそのエッチングを行うための命令を含む請求項８記載の装置。
【請求項１２】
第１処理チャンバを備え、第１処理チャンバが基板背面を受けとめるための第１受け面を有する第１基板支持体を備え、これにより基板の正面が第１処理チャンバ内で露出し、更に第２処理チャンバを備え、第２処理チャンバが基板背面を受けとめるための第２受け面を有する第２基板支持体を備え、第２基板支持体の第２受け面の直径が第１基板支持体の第１受け面の直径より小さい装置において基板を処理するための方法であり、
（ａ）基板を第１処理チャンバ内の第１基板支持体の第１受け面上に配置し、
（ｂ）第１処理チャンバ内で基板を第１励起処理ガスに曝露することで基板正面を処理し、
（ｃ）基板を第１処理チャンバ内の第１基板支持体の第１受け面から第２処理チャンバ内の第２基板支持体の第２受け面へと搬送することで基板背面の周縁部が第２基板支持体の第２受け面の幅を超えて延びるようにし、
（ｄ）第２処理チャンバ内で基板背面を第２励起ガスに曝露することで基板背面の周縁部をクリーニングすることを含む基板処理方法。
【請求項１３】
工程（ｄ）が以下の
（１）基板の背面をＨ２及びＨ２Ｏを含む第２励起処理ガスに曝露させること、
（２）基板の背面を第２励起処理ガスに約３０〜約６０秒間に亘って曝露することの少なくとも１つを含む請求項１２記載の方法。
【請求項１４】
工程（ｂ）が基板の正面をＨＣｌ、ＢＣｌ３、ＨＢｒ、Ｂｒ２、Ｃｌ２、ＣＣｌ４、ＳｉＣｌ４、ＳＦ６、Ｆ２、ＮＦ３、ＨＦ、ＣＦ３、ＣＦ４、ＣＨ３Ｆ、ＣＨＦ３、Ｃ２Ｈ２Ｆ２、Ｃ２Ｈ４Ｆ６、Ｃ２Ｆ６、Ｃ３Ｆ８、Ｃ４Ｆ８、Ｃ２ＨＦ５、Ｃ４Ｆ１０、ＣＦ２Ｃｌ２、ＣＦＣｌ３、Ｏ２、Ｎ２、Ｈｅ、ＣＯ、Ｃ４Ｆ６、Ｃ５Ｆ８、Ａｒ、Ｘｅ、ＣＨ４、Ｈ２、ＣＯ２又はその混合物を含む第１励起処理ガスに曝露することを含む請求項１２記載の方法。
【請求項１５】
工程（ｃ）が基板を第１処理チャンバ内の第１基板支持体の第１受け面から第２処理チャンバ内の第２基板支持体の第２受け面へと搬送することを含み、ここで第２基板支持体の第２受け面の直径が約２００ｍｍ〜約３００ｍｍである請求項１２記載の方法。
【請求項１６】
工程（ａ）が第１処理チャンバ内の第１基板支持体の第１受け面上に基板を配置して基板背面の周縁部の第１部分を露出させることを含み、工程（ｃ）が基板を第２処理チャンバ内の第２基板支持体の第２受け面に搬送して基板背面の周縁部の、第１部分より大きい第２部分を露出させることを含む請求項１８記載の方法。
【請求項１７】
基板を第２処理チャンバ内の第２基板支持体の第２受け面に搬送することを含み、露出する基板背面周縁部の第２部分が第１部分よりも少なくとも約１ｍｍ分大きくなる請求項１２記載の方法。
【請求項１８】
基板が低ｋ誘電体層上にフォトレジスト層を含む請求項１２記載の方法。
【請求項１９】
（１）基板用の第１受け面を備える第１基板支持体と、（２）第１処理ガスをチャンバ内で分配するための第１ガス分配装置と、（３）第１処理ガスを励起するための第１ガス・エナジャイザと、（４）第１処理ガスを排気するための第１ガス排気部を備える（ａ）第１処理チャンバと、
（１）第１処理チャンバ内の第１基板支持体の第１受け面の直径よりも小さい直径を有する、基板用の第２受け面を備える第２基板支持体と、（２）第２処理ガスをチャンバ内で分配するための第２ガス分配装置と、（３）第２処理ガスを励起するための第２ガス・エナジャイザと、（４）第２処理ガスを排気するための第２ガス排気部を供える（ｂ）第２処理チャンバと、
（ｃ）第１処理チャンバ内の基板を第２処理チャンバへと搬送するための基板搬送機構と、
（ｄ）第１ガス分配装置、第１ガス・エナジャイザ、第１ガス排気部、第２ガス分配装置、第２ガス・エナジャイザ、第２ガス排気部、及び基板搬送機構を操作する制御装置を備えた基板処理装置であり、制御装置は（１）第１ガス分配装置、第１ガス・エナジャイザ、及び第１ガス排気部を操作して基板を第１励起ガスへと曝露して基板を処理し、（２）基板搬送機構を操作して基板を第１処理チャンバ内の第１基板支持体の第１受け面から第２処理チャンバ内の第２基板支持体の第２受け面へと搬送することで基板背面の周縁部が第２基板支持体の第２受け面の幅を超えて延びるようにし、（３）第２ガス分配装置、第２ガス・エナジャイザ、及び第２ガス排気部を操作して基板を第２励起ガスへと曝露して基板背面の周縁部をクリーニングするための命令を含むプログラムコードを含む基板処理装置。
【請求項２０】
第２処理チャンバ内の第２基板支持体の第２受け面の直径が約２００ｍｍ〜約３００ｍｍである請求項１９記載の装置。
【請求項２１】
プログラムコードが、以下の
（１）基板をＨ２及びＨ２Ｏを含む第２励起ガスに曝露させること、
（２）基板を第２励起ガスに約３０〜約６０秒間に亘って曝露させること、
（３）第１ガス分配装置と第１ガス・エナジャイザを操作して、基板背面のクリーニングに先立って基板を第１励起処理ガスへと曝露してそのエッチングをすることの少なくとも１つを実行するための命令を含む請求項１９記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【発明の背景】
【０００１】
本発明の実施形態は、レジストのアッシング及び基板上に形成される処理残留物の除去に関する。
【０００２】
基板製造過程においては、半導体、誘電体、及び導体材料を基板上に形成し、エッチングすることでゲート、ビア、コンタクトホール及び相互接続特徴部のパターンを形成する。これらの材料は典型的には化学気相蒸着（ＣＶＤ）、物理気相蒸着（ＰＶＤ）、酸化及び窒化処理によって形成される。例えば、ＣＶＤ処理においては反応ガスを用いて基板上に材料層を堆積し、ＰＶＤ処理においてはターゲットをスパッタして材料を基板上に堆積する。酸化及び窒化処理においては、典型的にはそれぞれ二酸化ケイ素又は窒化ケイ素である酸化物又は窒化物の層を、基板を適切なガス環境に曝露することで形成する。エッチング処理においては、フォトレジストのパターン形成エッチング抵抗性マスク又はハードマスクをフォトリソグラフィ法を用いて基板上に形成し、基板の露出部を励起させたガスでエッチングする。
【０００３】
基板上に形成する回路特徴部のサイズが縮小し続け、特徴部の形状がより進歩するにつれ、低ｋ誘電体材料の相互接続特徴部の被覆における使用が増加してきている。低ｋ誘電体材料は、典型的には約３未満である低誘電率「ｋ」を有する。低ｋ誘電体材料の例にはケイ素、酸素、炭素、更には水素をも含む組成物、例えばＣＶＤによって形成される誘電体であるブラックダイヤモンド（商標名）が含まれる。低ｋ誘電体層により集積回路におけるＲＣ遅延時間を短縮し、相互接続特徴部の密度をこれに対応して上昇させることが可能となる。
【０００４】
しかしながら、低ｋ誘電体材料をエッチングすると過剰な量の処理残留物が基板上に形成されることが多い。これは処理ガスが、低ｋ誘電体層にエッチングされる特徴部の側壁部上にサイドウォールポリマーを堆積するように設計されているからである。例えば、デュアルダマシンパターニングにおいては、エッチング対象である低ｋ誘電体材料はサイドウォールポリマーの堆積に依存することで、フォトレジストとバリア膜ついての所望の選択性を達成している。ポリマーの堆積を利用することでフォトレジストを保護し、基板上でのピンホール形成及びストライエーションを最小限に抑えているのである。しかしながら、例えば基板が基板支持体上に載置され、かつその幅を若干超えて延びる場合、この同じポリマーが基板背面等の望ましくない場所にも処理残留物として堆積してしまう。これらの残留堆積物が剥落し、基板とチャンバ環境を汚染することがしばしばある。
【０００５】
慣用の処理残留物除去法では、基板を励起させたガス内で処理し、基板の露出した正面側の残留物を除去する。しかしながら、慣用の残留物除去法では基板の背面から処理残留物を適切に除去することが出来ないことが多い。更に、上手く残留物を除去できる方法では、基板上の低ｋ誘電体材料の損傷を招く場合が多い。基板背面をクリーニングするための別の技法、例えば研削では基板表面を過剰に傷つけてしまうか別の形で損傷してしまう。慣用のクリーニング方法はまた、クリーニング過程中にその下の基板を過剰に侵食してしまうことが多いため、基板の再使用回数が限られてしまう。従って、慣用のクリーニング技法では常に満足のいく処理残留物除去を行うことができない。
【０００６】
従って、処理残留堆積物を基板の背面から除去することが望ましい。更に、こういった処理残留物を基板上の低ｋ誘電体材料を過剰に損傷することなく除去することが望ましい。
【発明の概要】
【０００７】
受け面を有する基板支持体を備える処理チャンバ内での基板処理方法は、（ａ）基板を処理チャンバ内の基板支持体の受け面上に配置し、（ｂ）基板正面を励起させた処理ガスに曝露して基板正面を処理し、（ｃ）基板を基板支持体の受け面上方の上昇位置へと上昇させ、背面をクリーニングするために基板をその上昇位置で維持しながら基板の背面を励起させたクリーニングガスに曝露して基板背面の周縁部をクリーニングすることを含む。
【０００８】
基板処理装置は、基板用の受け面を備えた基板支持体と、基板支持体内を通過可能な複数の昇降ピンと、チャンバ内で処理ガスを分配するためのガス分配装置と、処理ガスを励起するためのガス・エナジャイザと、処理ガスを排気するためのガス排気部を備える処理チャンバを備える。制御装置により昇降ピン、ガス分配装置、ガス・エナジャイザ及びガス排気部を操作し、制御装置は（１）昇降ピンを操作して基板を基板支持体の受け面より上方の上昇位置まで上昇させ、（２）基板をその上昇位置で維持しながら、ガス分配装置、ガス・エナジャイザ、及びガス排気部を操作して基板を励起させたクリーニングガスへと曝露し、基板背面の周縁部をクリーニングするための命令を含むプログラムコードを含む。
【０００９】
第１処理チャンバを備え、第１処理チャンバが基板背面を受けとめるための第１受け面を有する第１基板支持体を備え、これにより基板の正面が第１処理チャンバ内で露出し、更に第２処理チャンバを備え、第２処理チャンバが基板背面を受けとめるための第２受け面を有する第２基板支持体を備え、第２基板支持体の第２受け面の直径が第１基板支持体の第１受け面の直径より小さい装置において基板を処理するための方法であり、
（ａ）基板を第１処理チャンバ内の第１基板支持体の第１受け面上に配置し、
（ｂ）第１処理チャンバ内で基板を第１励起処理ガスに曝露することで基板正面を処理し、
（ｃ）基板を第１処理チャンバ内の第１基板支持体の第１受け面から第２処理チャンバ内の第２基板支持体の第２受け面へと搬送することで基板背面の周縁部が第２基板支持体の第２受け面の幅を超えて延びるようにし、
（ｄ）第２処理チャンバ内で基板背面を第２励起ガスに曝露することで基板背面の周縁部をクリーニングすることを含む。
【００１０】
基板処理装置は、
（１）基板用の第１受け面を備える第１基板支持体と（２）第１処理ガスをチャンバ内で分配するための第１ガス分配装置と、（３）第１処理ガスを励起するための第１ガス・エナジャイザと、（４）第１処理ガスを排気するための第１ガス排気部を備える（ａ）第１処理チャンバと、
（１）第１処理チャンバ内の第１基板支持体の第１受け面の直径よりも小さい直径を有する、基板用の第２受け面を備える第２基板支持体と（２）第２処理ガスをチャンバ内で分配するための第２ガス分配装置と、（３）第２処理ガスを励起するための第２ガス・エナジャイザと、（４）第２処理ガスを排気するための第２ガス排気部を供える（ｂ）第２処理チャンバと、
（ｃ）第１処理チャンバ内の基板を第２処理チャンバへと搬送するための基板搬送機構と、
（ｄ）第１ガス分配装置、第１ガス・エナジャイザ、第１ガス排気部、第２ガス分配装置、第２ガス・エナジャイザ、第２ガス排気部、及び基板搬送機構を操作する制御装置を備え、制御装置は（１）第１ガス分配装置、第１ガス・エナジャイザ、及び第１ガス排気部を操作して基板を第１励起ガスへと曝露して基板を処理し、（２）基板搬送機構を操作して基板を第１処理チャンバ内の第１基板支持体の第１受け面から第２処理チャンバ内の第２基板支持体の第２受け面へと搬送することで基板背面の周縁部が第２基板支持体の第２受け面の幅を超えて延びるようにし、（３）第２ガス分配装置、第２ガス・エナジャイザ、及び第２ガス排気部を操作して基板を第２励起ガスへと曝露して基板背面の周縁部をクリーニングするための命令を含むプログラムコードを含む。
【説明】
【００１１】
エッチング法は、基板１５の正面１２上のレジスト層１０をエッチングし、基板１５の背面２０の周縁部１８からエッチング残留物をクリーニングすることで行う。基板１５の周縁部１８とは、基板１５の縁部から半径方向内側に向かって最初の３ｍｍ以内の区域として定義される。この処理方法により基板１５の背面２０の周縁部１８がクリーニングされ、基板１５の更なる使用を妨げる可能性のある過剰な基板表面下の損傷や、基板１５の正面１２上の材料の過剰なエッチング又は研削を伴うことなく基板１５の背面２０の周縁部１８上の処理残留物及び堆積物が実質的に全て除去される。ある構成においては、基板１５は低ｋ誘電体層２６上にフォトレジスト層２４を含む。
【００１２】
基板１５を処理するためには、基板１５を、処理チャンバの処理区域内の基板支持体の基板受け面上に処理チャンバ内のスリット弁を通して基板搬送機構を用いて配置する。静電チャックから基板１５へと静電気を印加することで、基板１５を基板支持体の受け面に固定してもよい。任意で、基板１５の温度をガスランプ又は支持体内の抵抗ヒータの使用により制御することが可能である。更に、熱伝達ガスを基板支持体内の導管を通して基板１５下に供給することで基板１５の温度を制御してもよい。
【００１３】
処理チャンバ内の処理条件を設定し、基板１５の下層材料、例えば低ｋ誘電体材料への損傷を最小限に抑える又は回避しながら基板１５の正面１２上のレジスト層１０を処理する。処理条件には処理ガス組成物及び体積流量、ガス・エナジャイザの電力レベル、ガス圧、及び基板温度の１つ以上が含まれる。
【００１４】
エッチング処理中は、基板１５をエッチング可能な処理ガスを励起させてプラズマを形成する。プラズマは、レジストを有する基板１５の正面１２のエッチングに適した処理条件で維持する。基板１５上の層のエッチングに適した処理ガスには、例えば、ＨＣｌ、ＢＣｌ３、ＨＢｒ、Ｂｒ２、Ｃｌ２、ＣＣｌ４、ＳｉＣｌ４、ＳＦ６、Ｆ２、ＮＦ３、ＨＦ、ＣＦ３、ＣＦ４、ＣＨ３Ｆ、ＣＨＦ３、Ｃ２Ｈ２Ｆ２、Ｃ２Ｈ４Ｆ６、Ｃ２Ｆ６、Ｃ３Ｆ８、Ｃ４Ｆ８、Ｃ２ＨＦ５、Ｃ４Ｆ１０、ＣＦ２Ｃｌ２、ＣＦＣｌ３、Ｏ２、Ｎ２、Ｈｅ、ＣＯ、Ｃ４Ｆ６、Ｃ５Ｆ８、Ａｒ、Ｘｅ、ＣＨ４、Ｈ２、ＣＯ２及びその混合物が含まれる。例えば、基板１５上の低ｋ誘電体層は、Ｃ４Ｆ６、Ｎ２、Ａｒ、ＣＨ２Ｆ２、ＣＦ４、ＣＨＦ３、Ｃ４Ｆ８、ＣＨ３Ｆ、Ｏ２、ＣＯ及びＨ２及びその混合物のいずれを用いてもエッチング可能である。ある構成では、フォトレジスト層２４を低ｋ誘電体層２６の上に備える基板１５の正面１２を、Ｏ２、ＣＯ、ＣＦ４、ＣＯ２、ＮＨ３、Ｎ２、Ｈ２及びＨ２Ｏを含む励起処理ガスに曝露することでフォトレジスト層２４をエッチングする。
【００１５】
基板１５の正面１２、つまりレジスト層１０をエッチングした後、クリーニング処理を行って残留堆積物と、処理した基板１５の背面２０の周縁部１８上に堆積されたポリマーを実質的に除去する。クリーニング処理により、基板１５の正面１２を含む下の基板１５を過剰に侵食すること或いは別の形で損傷することなく、基板１５の背面２０上に堆積されたエッチング残留物が実質的に全て望ましく除去される。
【００１６】
クリーニング処理においては、支持体内部の昇降ピンアセンブリを作動させることで、支持体の受け面から基板１５を持ち上げる。基板１５を支持体から持ち上げるためには、昇降ピンが支持体中の導管内で伸長して基板１５の背面と接触し、基板が、基板支持体の受け面からその高さ又は距離ｄまで持ち上がるように昇降ピンを移動させる。基板１５を基板支持体の基板受け面から持ち上げる距離ｄは、処理チャンバ内に存在する、励起されたクリーニングガスの圧力に関連して選択される。ある構成においては、基板１５を基板支持体の受け面から、少なくとも約１ｍｍである距離ｄ分だけ上昇させる。昇降ピンを十分な高さまで上昇させないと、電場の集中によりプラズマがアーク放電及びグロー放電を基板背面と支持体表面との間で起こす可能性がある。従って、ある構成においては、昇降ピンを上昇させ、基板１５を基板支持体から約１〜約５ｍｍの距離まで持ち上げる。
【００１７】
基板１５を基板支持体の受け面上方の上昇位置で維持した状態で、クリーニングガスをチャンバに導入する。クリーニングガスの組成は、エッチング副生成物ポリマーの種類等に依存し、それに応じて調整する。クリーニングガスは、ＲＦ又はマイクロ波エネルギーで励起すると基板背面上のポリマー堆積物を除去するのに適したガス組成物を含む。ある構成において、クリーニングガスはＨ２及びＨ２Ｏを含む。このガス組成物により背面のポリマー堆積物が除去されるが、これは水素が正面側上の膜を保護することができ、水蒸気が背面ポリマーのクリーニングを担当するからである。しかしながら、ＮＨ３、Ｎ２、ＣＯ、ＣＯ２を含むその他のガスも使用可能であり、典型的にはＮ２及びＨ２ガス供給源を用いて生成される。チャンバに導入するガスの流量は、典型的には、水素が約５０〜約５００ｓｃｃｍ、水蒸気が約５０〜約４０００ｓｃｃｍである。
【００１８】
クリーニングガスは、ガス・エナジャイザによってガスに印加されるＲＦエネルギーによって励起される。ガス・エナジャイザはエネルギーをクリーニングガスに容量的又は誘導的に結合することで稼動可能である。ある構成においては、ガス・エナジャイザを用いて電力レベル約５０００から約６０００ワットのＲＦエネルギーをガスに印加することで、プラズマを生成する。クリーニングチャンバ内で、クリーニングガスは電極により励起される。
【００１９】
基板１５を基板支持体の受け面から距離ｄの上昇位置に維持し、かつチャンバ内のクリーニングガスの圧力を約１Ｔｏｒｒに維持しながら、基板背面を励起させたクリーニングガスに曝露し、基板１５の背面２０の周縁部１８をクリーニングする。基板１５を励起させたクリーニングガスに曝露する時間の長さは、通常、堆積物の厚さに依存する。ある構成においては、基板１５の背面２０をクリーニングガスに約３０〜約１８０秒に亘って曝露する。この曝露時間は、基板１５の処理済み正面を損傷することなく基板１５の背面上の残留物をクリーニングするのに適しているが、これは基板１５を励起させたクリーニングガスに曝露する時間が３０秒未満だと、励起させたクリーニングガスにより堆積されたポリマーと残留物を基板１５の背面周縁部１８から効果的に除去するに十分な基板曝露時間が得られないからである。しかしながら、このガスであっても超過して曝露させると、基板１５の正面及び／又は背面が損なわれる可能性がある。ある構成においては、基板１５の背面２０をクリーニングガスに約３０〜約６０秒間に亘って曝露する。基板背面を励起させたクリーニングガスに曝露するのに必要とされる時間が過ぎた後、使用済みの処理ガスをガス排気システムにより排気する。
【００２０】
上記のクリーニング法で使用の還元反応の有効性を図１Ａ及び１Ｂで示す。各ケースにおいて、Ｃ４Ｆ６、Ｎ２及びＡｒを含む処理ガスを用いて、基板１５には厚くポリマーが堆積されている。約４００オングストロームのフルオロカーボンポリマーが、基板１５の背面２０上の基板１５の周縁部１８から約０．１ｍｍの位置に堆積される。図１Ａ及び１Ｂから見て取れるように、各基板１５はＨ２及びＨ２Ｏを含むクリーニングガスを用いてクリーニングされており、低ｋ材料のトレンチ３０の側壁の損傷は最小限に抑えられている。
【００２１】
ある構成においては、低ｋ誘電体層２６上にフォトレジスト層２４を備える基板１５を処理チャンバ内の基板支持体の受け面上に配置し、支持体の受け面から上昇位置へと持ち上げることで励起させた処理ガスに基板１５を曝露させエッチングを行い、それと同時に基板１５はアッシングされ、背面２０の周縁部１８からエッチング残留物がクリーニングされる。
【００２２】
エッチング及びクリーニング処理の終了時に、例えばロボット移送手段を備える基板搬送機構を基板１５と基板支持体の受け面との間に挿入して、基板１５を昇降ピンから持ち上げる。その後、昇降ピンは基板支持体内に格納され、ロボットアームがチャンバから真空環境に維持された搬送チャンバへと基板１５を搬送する。
【００２３】
次に、上述の方法による基板１５の処理に適した装置を説明する。基板１５の低ｋ誘電体材料上にあるレジスト層１０のエッチングが可能なエッチングチャンバの一実施形態を、例えば図２に示す。図２はカリフォルニア州サンタクララのアプライドマテリアル社から入手可能なイネーブラ（Ｅｎａｂｌｅｒ：商標名）エッチシステムとして知られ、かつダニエル・ホフマンその他に発行された米国特許第６５２８７５１号に開示の基板処理装置１００の断面図であり、文献の開示内容は参照により本願に全て組み込まれる。装置１００の基板処理チャンバ１０２は、電気、配管、及びその他のサポート機能を有するプラットフォーム（図示せず）上に設置される。プラットフォームは、典型的には、ロードロックチャンバ及び基板搬送チャンバを支持する。基板搬送チャンバは、処理に向けて基板１５をプラットフォーム上の別のチャンバとの間で搬入・搬出するためのチャンバ基板搬送機構１０４、例えば基板ブレードを備えたロボットを含む。
【００２４】
基板処理装置１００は、側壁部１０６、底部１０８、及びその上に配置された天井部１１１を含む筐体壁部を備えた処理チャンバ１０２を備え、筐体壁部により隔離された処理環境が形成されている。チャンバ１０２の側壁部１０６はチャンバ１０２内の処理環境から磁気分離を用いて隔離してもよい。或いは、側壁部１０２はその上に誘電体コーティングを有していてもよく、又は環状の誘電性で不活性な又は取外し可能なライナを側壁部１０２に隣接して設置してもよい。天井部１１１は平坦な表面を有する。
【００２５】
チャンバ１０２はチャンバ１０２内で基板１５を支持するための基板支持体１０５を更に備える。基板支持体１０５は通常、ステンレススチール、アルミニウム、又は導電性かつ基板処理に耐えうるように適合されたその他の材料等の材料から形成される。基板支持体１０５は、典型的には少なくとも部分的に電極１１４を覆う誘電体を含む静電チャックを備え、かつ基板受け面１１６を含む。電極１１４は処理電極として機能するものであってもよい。電極１１４は、基板１５を静電チャックに静電的に保持するための静電気を発生可能であってもよい。例えば、電極１１４を、例えばタングステン、タンタル又はモリブデン等の金属から形成してもよい。チャック電圧源によりＤＣチャック電圧を電極１１４に印加する。プラズマを基板支持体１０５に向かって及び離れて電気的にバイアスするために、第１電気バイアス源１１８及び第２電気バイアス源１２２を電極１１４に連結してもよい。
【００２６】
基板支持体１０５は昇降ピンアセンブリ１２３ａを更に備える。図３Ａ及び３Ｂを参照するが、昇降ピンアセンブリ１２３ａは基板１５を基板支持体１０５の受け面１１６から上昇位置（図３Ｂ）まで持ち上げるのに適した複数の昇降ピン１２３ｂを備える。通常、昇降ピン１２３ｂは、基板１５の背面２０に接触することによる、基板支持体１０５の受け面１１６又は静電チャックからの基板１５の上げ下ろしに適した先端部を有する可動式伸長部材を備えている。昇降ピン１２３ｂの導電性の上部及び下部は金属又は電流に対しての抵抗が低いその他の剛性導電材料から成る。上部は、昇降ピン１２３ｂを基板１５に向かって上方向に押しつけた際に基板１５を損傷から保護する柔軟な材料の層も備える場合がある。昇降ピン１２３ｂは基板支持体１０５内を延びる導管１２３ｃ内を通る。昇降ピン１０５は、基板支持体１０５の受け面１１６にある、導管１２３ｃ最上部の昇降ピン穴部１２３ｄを通って拡張及び収縮可能である。基板１５を基板支持体１０５の基板受け面１０６から上方向に向かって上昇させ、かつ基板１５を基板支持体１０５の受け面１１６へと降下させる昇降ピン１２３ｂの動きは、制御装置１２１により制御される。
【００２７】
リングアセンブリ１２４が基板支持体１０５の外縁部を取り巻いていてもよい。リングアセンブリ１２４は石英等の誘電体から成る堆積リング１２６とカバーリング１２８とを備える。堆積リング１２６は接地されたチャンバ本体部１２７上に支持されており、カバーリング１２８は堆積リング１２６によって支持されている。
【００２８】
稼働中、処理ガスをチャンバ１０２内へとガス供給システム１３０を通して導入する。ガス供給システムはガス分配装置１３２と、複数のガス源を備えた処理ガス供給源１３５を含み、ガス源はそれぞれ質量流量制御装置等のガス制御弁を有し、設定した流量のガスをそれぞれ流す導管を各自有する。導管によりガスを混合マニホルドへと送り、そこでガスは混合され所望の処理ガス組成物となる。混合マニホルドは混合処理ガスを金属性のガス管１４０を通して、チャンバ１０２内のガス出口１４２を有するガス分配装置１３２へと送る。
【００２９】
使用済みの処理ガス及び副生成物はガス排気部１４４を経由してチャンバ１０２から排気される。排気部１４４は使用済み処理ガスを受け取り、チャンバ１０２内のガス圧を制御するための絞り弁１４９をその内部に有する排気導管１４８へとガスを送る１つ以上の排気ポート１４６を含む。排気導管１４８は１つ以上の排気ポンプ１５２へと使用済み処理ガスを送る。排気ポンプ１５２はポンピング弁（図示せず）を介して真空源１５４と流体的に連通している。（図示されるように）排気ポンプ１５２はチャンバ１０２に連結された別個の要素であることが想定される。ガスパージ又は真空処理においては、単一の真空源１５４を用いて排気ガスを急速に排除しながら、ポンピング弁により真空源をポート１４６へと半導体処理に望ましい圧力で連結する。
【００３０】
同軸スタブ１５５がチャンバ１０２の天井部１１１に取り付けられており、流体的に連通している。スタブ１５５は内側の円筒状導体１６０と外側の同心である円筒状導体１６５とを含む。好ましくは相対誘電率が１である絶縁体１６７が内側及び外側導体１６０、１６５の間の空間を充填している。内側及び外側導体１６０、１６５はニッケルコーティングされたアルミニウムから形成されている。スタブ１５５の特性インピーダンスは、内側及び外側導体１６０、１６５の半径及び絶縁体１６７の誘電率によって決定される。概して、スタブ１５５の特性インピーダンスはソース電力出力インピーダンスを約２０〜４０％、好ましくは約３０％上回っている。スタブ１５５の軸長は約２９インチであり、２１０ＭＨｚの好ましいＶＨＦソース電力周波数からは若干ずれているが、２２０ＭＨｚ付近で概して整合する共振を得るためには約２２０ＭＨｚで１／４波長である。
【００３１】
スタブ１５５の軸長に沿った特定の位置には、ＲＦ発生装置１２２からスタブ１５５にＲＦ電力を印加するためのタップ１７０が設けられている。発生装置１２２のＲＦ電力端子１７２及びＲＦ戻り端子１７４はスタブ１５５上のタップ１７０上で内側及び外側同軸スタブ導体１６０、１６５にそれぞれ接続されている。これらの接続は、典型的には約５０Ωである、発生装置１２２の出力インピーダンスに整合する特性インピーダンスを有する発生装置・スタブ同軸ケーブル１７６を介して行われる。スタブ１５５の遠端の終端導体１７８により内側及び外側導体１６０、１６５が共に短絡されるため、スタブ１５５はこの遠端で短絡される。
【００３２】
処理ガスは、エネルギーをチャンバ１０２内の処理ガスに結合させるガス・エナジャイザ１８８により励起され、基板１５を処理する。ガス・エナジャイザ１８８は天井部１１１に隣接してアンテナ１９０を備える。アンテナ１９０は、ＲＦコイル１９２が整合回路（図示せず）を介してソースＲＦ電力発生装置１９４に結合され、ＲＦエネルギーをチャンバ１０２に誘導的に結合するものとして構成してもよい。
【００３３】
装置は、チャンバ内で実行される処理を監視するように適合された処理モニタを更に備えていてもよい。処理モニタは干渉計であっても或いはプラズマ発光分析装置であってもよい。
【００３４】
チャンバ１０２は、ハードウェアインターフェースを介して命令を送ってチャンバコンポーネントを操作するコンピュータを備えた制御装置１２１によって操作し、コンポーネントには基板支持体１５の昇降を行う基板支持体１０５、昇降ピン１２３ｂによる基板支持体１０５の基板受け面１１６からの基板１５の上げ下ろしを行う昇降ピンアセンブリ１２３ａ、ガス分配装置１３２のガス流量制御弁、ガス・エナジャイザ１８８、及びガス排気システム１４４のガス絞り弁が含まれる。チャンバ１０２内の異なる検出機器によって測定された処理条件及びパラメータは、ガス流量制御弁、圧力モニタ、絞り弁、及びその他類似のデバイス等の制御デバイスによってフィードバック信号として送られ、電気信号として制御装置１２１に伝達される。本発明の説明を簡略化するために、制御装置１２１を例示的に単一の制御デバイスとして図示しているが、当然ながら、制御装置１２１は相互接続可能な複数の制御デバイスであっても、或いはチャンバ１０２Ｂの別のコンポーネントに接続される複数の制御デバイスであってもよい。従って、本発明は本願に記載の説明上の例示的な実施形態に制限されるべきではない。
【００３５】
制御装置１２１はチャンバ及びその周辺コンポーネントの操作に適した集積回路を備えた電気回路を含む電子ハードウェアを備える。通常、制御装置１２１はデータ入力を受け取り、アルゴリズムを実行し、有用な出力信号を生成し、検出装置及びその他のチャンバコンポーネントからのデータ信号を検出し、チャンバ内の処理条件を監視又は制御するように適合されている。例えば、制御装置１２１は（ｉ）例えばＣＤ又はフロッピードライブ等のリムーバブル記憶媒体やハードドライブ又はＲＯＭ及びＲＡＭ等のノンリムーバブル記憶媒体を含むメモリに連結される中央演算処理装置（ＣＰＵ）、例えばインテル社の慣用のマイクロプロセッサと、（ｉｉ）特定のタスク、例えばチャンバからのデータ及びその他の情報の回収、又は特定のチャンバコンポーネントの操作等に向けて設計及び事前プログラムされた特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）と、（ｉｉｉ）特異な信号処理タスクで使用される、例えばアナログ及びデジタル入力及び出力ボード、通信インターフェースボード、及びモーターコントローラボードを含むインターフェースボードを備えるコンピュータを備えていてもよい。制御装置インターフェースボードは、例えば、処理モニタからの信号を処理し、データ信号をＣＰＵへと送る。コンピュータはサポート回路も有しており、例えばコプロセッサ、クロック回路、キャッシュ、電源及びその他のＣＰＵと通信する周知のコンポーネントを含む。プロセス実行中、ＲＡＭを用いて本発明のソフトウェア実装を保存することが可能である。本発明の様々な命令を含む１つ以上の命令行は、典型的には記憶媒体に保存され、ＣＰＵに実行された際にＲＡＭ内で一時記憶するために呼び出される。オペレータと制御装置１２１との間のユーザーインターフェースは、例えば、ディスプレイやデータ入力装置２０４、例えばキーボード又はライトペンを介して可能である。特定のスクリーン又は機能を選択するために、オペレータはデータ入力装置を用いて選択項目を入力し、ディスプレイ上で選択項目を確認することが可能である。
【００３６】
制御装置２１２はコンピュータ可読性であり、例えばノンリムーバブル記憶媒体又はリムーバブル記憶媒体上のメモリに保存し得るコンピュータプログラム２０６を備える。コンピュータプログラム２０６は、通常、チャンバ１０２及びそのコンポーネントを操作するための命令を含むプログラムコードを含む処理制御ソフトウェアと、チャンバ１０２内で実行されている処理を監視するための処理監視ソフトウェアと、安全システムソフトウェア及びその他の制御ソフトウェアを備える。コンピュータプログラム２０６は例えばアセンブリ言語、Ｃ＋＋、パスカル、フォートラン等のいずれの慣用のプログラム言語で書いてもよい。適切なプログラムコードは単一ファイル又は複数のファイルに慣用のテキストエディタを用いて入力される、メモリのコンピュータ使用可能媒体に保存又は統合される。入力したコードテキストが高水準言語で書かれている場合、コードはコンパイルされ、次に得られたコンパイラコードを事前にコンパイルしたライブラリルーチンのオブジェクトコードとリンクさせる。リンクさせたコンパイル済みオブジェクトコードを実行するために、ユーザはオブジェクトを呼び出し、ＣＰＵにコードの読解と実行を行わせ、プログラムにおいて識別されたタスクを行う。
【００３７】
本発明によるコンピュータプログラム２０６の特定の実施形態の階層的制御構造の説明ブロック図を図４に示す。データ入力装置２０４を用い、例えば、ユーザはプロセスセレクタ２１０により生成されたディスプレイ上のメニュー又はスクリーンに応答してプロセスセットをコンピュータプログラム２０６に入力する。コンピュータプログラム２０６には、チャンバ処理を監視するための命令セットのみならず、基板位置、ガス流量、ガス圧、温度、ＲＦ電力レベル、及び特定の処理のその他のパラメータを制御するための命令セットが含まれる。
【００３８】
プロセスシーケンサ２１２はコンピュータプログラム２０６又はプロセスセレクタ２１０から処理パラメータセットを受け取り、その動作を制御する命令セットを含む。プロセスシーケンサ２１２がチャンバ１０２における複数のタスクを制御するチャンバマネージャ２１８へと特定の処理パラメータを送ることで、プロセスセットの実行が開始される。チャンバマネージャ２１８は命令セットを含んでいてもよく、例えば基板位置決め命令セット２２２、ガス流制御命令セット２２６、ガス圧制御命令セット２２８、温度制御命令セット２３０、ガス・エナジャイザ制御命令セット２３４、処理監視命令セット２４０が挙げられる。
【００３９】
基板位置決め命令セット２２２は、基板１５の支持体１０５でのそのローディングとアンローディングに使用するチャンバコンポーネントを制御するためのプログラムコードを含む。命令セット２２２は、基板支持体を操作して基板支持体１０５をチャンバ１０２内の所望の高さ間で昇降させるためのコードを更に含む。命令セット２２２は昇降ピンアセンブリ１２３aを操作して、基板１５を基板支持体１０５の受け面１１６からその上方の距離又は高さｄの上方位置まで昇降させ、同様に基板１５を降下させて支持体１０５の基板受け面１１６上に接触させる又は載置するコードを含む。一実施形態において、制御装置１２１は昇降ピン１２３ｂを操作して基板１５を基板支持体１０５の受け面１１６より上の上昇位置まで持ち上げ、基板１５をその上昇位置で維持しながらガス分配装置１３２、ガス・エナジャイザ１８８、及びガス排気部２３８を操作して基板１５を励起させたクリーニングガスに曝露し、基板１５の背面２０の周縁部１８をクリーニングするための命令を含むプログラムコードを含む。一実施形態において、制御装置１２１は昇降ピン１２３ｂを操作して基板１５を基板支持体１０５の受け面１１６より上へと持ち上げるための命令を含むプログラムコードを含み、持ち上げる距離ｄは処理チャンバ１０２内の励起させたクリーニングガスの圧力と関連させて選択される。ある構成においては、プログラムコードは昇降ピン１２３ｂを操作して基板１５を基板支持体１０５の基板受け面１１６から１〜５ｍｍの距離分持ち上げるための命令を含む。
【００４０】
ガス流制御命令セット２２６はガス流制御弁の開口サイズを調整することで異なる処理ガス構成成分の流量を制御し、ガス出口１４２からガスチャンバ１０２へのガス流量を所望のものとするコードを含む。ガス・エナジャイザ制御命令セット１８８は、例えば、電極１１４に印加するＲＦ電力レベルを設定するためのコードを含む。一実施形態において、制御装置１２１はガス分配装置１３２とガス・エナジャイザ１８８を操作して基板１５をＨ２及びＨ２Ｏを含む励起クリーニングガスに曝露するための命令を含むプログラムコードを含む。ある構成においては、プログラムコードはガス流量及び圧力命令セット２２６、２２８を含み、基板１５を昇降ピン１２３ｂにより支持体１０５の基板受け面１１６より上に持ち上げながら、ガス分配装置１３２を操作して７０００ｓｃｃｍのＨ２と９０ｓｃｃｍのＨ２Ｏを含むガスを蒸気相線温度１００℃で基板１５の背面に送る。ガスにはエネルギーを印加しない。ある構成においては、プログラムコードはガス分配装置１３２とガス・エナジャイザ１８８を操作して、基板１５を励起させたクリーニングガスへと約３０〜約６０秒間に亘って曝露するための命令を含む。ある構成において、プログラムコードはガス分配装置１３２とガス・エナジャイザ１８８を操作して、基板１５の背面２０のクリーニングに先立って基板１５を励起させた処理ガスへと曝露してそのエッチングを行うための命令を含む。
【００４１】
ガス圧制御命令セット２２８は絞り弁１４９の位置を調整することでチャンバ１０２内の圧力を制御するプログラムコードを含む。例えば、絞り弁１４９の位置は絞り弁の開閉程度により調整される。
【００４２】
温度制御命令セット２３０はエッチング中に、例えばガス入り電球又は基板支持体１０５内の抵抗ヒータにより基板支持体１０５の温度を制御するためのコードを含んでいてもよい。温度制御命令セット２３０は、側壁部１０６又は天井部１１１の温度等のチャンバ１０２の壁部の温度を制御するためのコードを更に含んでいてもよい。ある構成においては、温度制御命令セット２３０により静電チャックを約１０〜約１００℃、チャンバ壁部温度を約２０〜約２００℃に維持する。
【００４３】
処理監視命令セット２４０はチャンバ１０２内の処理を監視するためのプログラムコードを含んでいてもよい。例えば、処理監視命令セット２４０は基板１５から反射した放射線又は励起させたガスからの放射光の検出波長強度に関連して生成した信号を分析するためのプログラムコードを含んでいてもよい。ある構成において、処理監視命令セット２４０はブレイクスルー及びオーバーエッチング時に励起ガスによって発生した放射光を監視し、これらのエッチング工程の終点を求めるためのプログラムコードを含んでいてもよい。
【００４４】
一連のタスクを実行するための個別の命令セットとして記載したが、当然ながらこれらの命令セットをそれぞれ互いに統合する、又はあるプログラムコードセットのタスクを別のプログラムコードセットのタスクと統合することで所望のタスクセットを実行することが可能である。従って、本願に記載の制御装置１２１及びコンピュータプログラム２０６は本願に記載の機能ルーチンの特定の構成に限定されるべきではなく、又、同等の機能セットを実行するその他のルーチンセット又はマージプログラムコードもまた本発明の範囲内に含まれる。又、制御装置１２１をチャンバの一構成と関連させて説明したが、その他のチャンバと互換性であってもよい。更に、当然ながら、多様なタイプの基板処理チャンバを使用し得ることから、上述したような装置１００はイネーブラ（ＥＮＡＢＬＥＲ：商標名）チャンバ、つまりエッチングチャンバに限定されない。
【００４５】
基板１５の背面周縁部１８の別のクリーニング法は、例えば、図６Ａに図示の装置３００等の装置で実行してもよいがこれに限定されるものではなく、装置３００は図６Ｂに詳細に図示の第１及び第２処理チャンバ３０２ａ、ｂを備え、チャンバはそれぞれ基板支持体３０４ａ、ｂを有する。しかしながら、第２チャンバ３０２ｂ内の基板支持体３０４ｂの受け面３０６ｂの直径は第１チャンバ３０２ａ内の基板支持体３０４ａの受け面３０６ａの直径よりも小さい。第１及び第２処理チャンバ３０２ａ、ｂはカリフォルニア州サンタクララのアプライドマテリアル社から市販のＡＸＩＯＭチャンバであってもよい。
【００４６】
低ｋ誘電体層２６上にレジスト層１０を備える基板１５は、例えばウェハブレード等の基板搬送機構１０４を用いて第１処理チャンバ３０２a内の基板支持体３０４ａの受け面３０６ａ上に配置する。ある構成においては、基板１５は低ｋ誘電体層２６上にフォトレジスト層２４を備える。基板１５の正面１２は、基板１５を第１処理チャンバ３０２ａ内の励起処理ガスに曝露し、基板１５からレジスト層１０をエッチングすることで処理される。ある構成において、基板１５の正面１２のエッチングに使用するこの励起させた処理ガスはＯ２、ＣＯ、ＣＯ２、Ｈ２、Ｎ２、ＮＨ３、Ｈ２Ｏ及びＣＦ４を含む。
【００４７】
エッチング処理後、基板１５を第１処理チャンバ３０２ａ内の基板支持体３０４ａの受け面３０６ａから第２処理チャンバ３０２ｂ内の基板支持体３０４ｂの受け面３０６ｂへと搬送すると、基板１５の背面２０の周縁部１８は第２処理チャンバ３０２ｂの基板支持体３０４ｂの受け面３０６ｂの幅を超えて延びる。ある構成において、基板１５は第１処理チャンバ３０２ａの基板支持体３０４ａの受け面３０６ａから第２処理チャンバ３０２ｂの基板支持体３０４ｂの受け面３０６ｂへと搬送し、ここで第２基板支持体３０４ｂの受け面３０６ｂの直径は約２００ｍｍ〜約３００ｍｍである。第２処理チャンバ３０２ｂ内の支持体３０４ｂ上に載置した基板１５の背面２０を次に第２励起ガスに曝露し、エッチング残留物のアッシングにより基板１５の背面２０の周縁部１８をクリーニングする。ある構成においては、基板１５を第１処理チャンバ３０２ａ内の基板支持体３０４ａの受け面３０６ａ上に載置し、基板１５の背面２０の周縁部１８の第１部分３０８を曝露し、続いて基板１５を第２処理チャンバ３０２ｂ内の基板支持体３０４ｂの受け面３０６ｂに搬送することで、基板１５の背面２０の周縁部１８の第２部分３１０を露出させ、ここで第２部分３１０は基板１５の背面２０の周縁部１８の第１部分３０８よりも大きい。ある構成において、露出する基板１５の背面２０の周縁部１８の第２部分３１０は第１部分３０８よりも少なくとも約１ｍｍ大きい。ある構成において、励起させたクリーニングガスはＨ２及びＨ２Ｏを含む。ある構成において、基板１５の背面２０は第２の励起処理ガスに約３０〜約６０秒に亘って曝露される。
【００４８】
図５Ａ及び５Ｂは、基板１５の背面２０上のポリマー１０の厚さ対基板１５の周縁部１８からのポリマー１０の距離を表わしており、堆積直後３０９、３１１及び酸化（図５Ａ）及び還元反応（図５Ｂ）を用いての６０秒間のクリーニング３１５、３１７後のものである。図５Ａと５Ｂを比較するとＨ２及びＨ２Ｏを含むクリーニングガスを用いた記載のクリーニング処理の有効性が明らかであり、低ｋ材料への損傷を最小限に留めながら基板１５の背面２０上のポリマーを効率的に除去している。図５Ａにおいては、圧力２Ｔｏｒｒに維持されたチャンバ内で、ガス・エナジャイザを用いて２５００ワットを７５００ｓｃｃｍのＯ２と７５０ｓｃｃｍのＮ２に印加した。この酸化反応により基板１５の背面２０の周縁部１８からは約２０％のポリマーが除去された。図５Ｂにおいては、圧力３Ｔｏｒｒに維持されたチャンバ内で、ガス・エナジャイザを用いて２５００ワットを７５００ｓｃｃｍのＨ２と３５０ｓｃｃｍのＨ２Ｏに印加した。この還元反応により基板１５の背面２０の周縁部１８からほぼ１００％のポリマーが除去された。
【００４９】
図６Ａ〜６Ｄを参照するが、装置３００の各処理チャンバ３０２ａ、ｂは基板３０６用の受け面を備える基板支持体３０４と、処理ガスをチャンバ３０２に分配するためのガス分配装置３１４と、処理ガスを励起するためのガス・エナジャイザ３１６と、処理ガスを排気するためのガス排気部３１８を備える。
【００５０】
各処理チャンバ３０２は一般的に真空槽であり、第１部分３２０と第２部分３２２とを含む。第１部分３２０は基板支持体３０４と、側壁部３２４及びガス排気部３１８を備える。第２部分３２２は蓋部３２８とガス分配装置３１４を含み、ガス混合容積３３０と反応容積３３３とを規定している。蓋部３２８及び側壁部３２４は、通常、金属（例えば、アルミニウム、ステンレススチール等）から形成され、接地基準３３５に電気的に結合されている。
【００５１】
基板支持体３０４は基板１５の背面２０を受け止めるための受け面３０６を備える。第２チャンバ３０２ｂは受け面３０６ｂを有する基板支持体３０４ｂを備え、受け面の直径は第１処理チャンバ３０２ａ内の基板支持体３０４ａの受け面３０６ａの直径よりも小さい。第１チャンバ３０２ａの基板支持体３０４ａの受け面３０６ａの直径は、通常、約２８０〜約３００ｍｍである。ある構成において、第２チャンバ３０２ｂ内の基板支持体３０４ｂの受け面３０６ｂの直径は約２００〜約３００ｍｍである。基板直径が約２９５〜３００ｍｍだった場合、基板を第２チャンバ３０２ｂの支持体３０４ｂの受け面３０６ｂ上に配置すると、基板は受け面からかなり張り出す。つまり、基板の背面周縁部１８がチャンバ３０２ｂ内の処理区域３３３に露出し、基板支持体３０４ｂの受け面３０６ｂとは接触していないことになる。基板１５は基板支持体３０４ｂの受け面３０６ｂ上に載置されることから、基板１５は支持体３０４ｂの受け面３０６ｂから少なくとも約１〜２ミリ以上、約５ｍｍ以下だけ張り出す。一実施形態において、基板支持体３０４は埋設した抵抗ヒータ３４０及び導管３４２のみならず、ガスを充填した電球３３８等の放射熱源を備えていてもよい。導管３４２によりヘリウム等のガスが供給源３４４から基板１５の背面へと支持体３０４の受け面３０６の溝部（図示せず）を通って供給される。ガスにより支持体３０４と基板１５との間の熱交換が促進される。基板１５の温度は約２０〜４００℃との間で制御することができる。
【００５２】
ガス分配装置３１４はガスパネル３４５を備え、パネルは導管３４８を用いて処理ガスを遠隔位置にあるプラズマチャンバ３５０へと供給する。ガスパネル３４４（又は導管３４８）は質量流量制御装置や遮断弁等のチャンバ３５０に供給される個々のガスについてガス圧と流量を制御するための手段を備えている。チャンバ３５０において、処理ガスはイオン化、解離されて反応種を形成する。
【００５３】
ガス・エナジャイザ３１６は、電源３５６と、ガスパネル３４５と、遠隔プラズマチャンバ３５０を備える遠隔プラズマ供給源３５４を備える。一実施形態において、電源３５６は高周波（ＲＦ）発生装置３５８と、同調アセンブリ３６０と、アプリケータ３６２を備える。ＲＦ発生装置３５８は、周波数約２００〜６００ｋＨｚで約２００〜３０００Ｗを発生可能である。アプリケータ３６２は遠隔プラズマチャンバ３５０に誘導結合されており、処理ガスを励起してチャンバ３５０内のプラズマとする。この実施形態において、遠隔プラズマチャンバ３５０は、プラズマの電子温度を低下させるだけでなくプラズマを閉じ込め、ラジカル種の効率的な発生を促進するトロイダル形状を有している。別の実施形態においては、遠隔プラズマ源３５４はマイクロ波プラズマ源であってもよいが、誘導結合プラズマを用いると、概して、ストリッピング速度が高い。
【００５４】
ガス排気部３１８は処理チャンバ３０２の側壁部３２４に形成された排気ポート３６６と、絞り弁３６８とポンプ３７０を備える。ガス排気部３１８を用いることで、使用済みガス及びその他の揮発性化合物をチャンバ３０２から排気するだけでなく、処理チャンバ３０２内のガス圧を所望のものに維持する。
【００５５】
前述の基板搬送機構１０４を用いて、基板１５を第１処理チャンバ３０２ａ内の支持体３０４ａの受け面３０６ａ上に配置し、基板１５を第１処理チャンバ３０２ａの支持体３０４ａの受け面３０６ａから第２処理チャンバ３０２ｂの支持体３０４ｂの受け面３０６ｂへと搬送し、同様に基板１５を第２処理チャンバ３０２から取り除く。
【００５６】
装置は上述の制御装置１２１も備える。制御装置１２１は基板搬送機構１０４のみならず各チャンバ３０２ａ、ｂ内のガス分配装置３１４、ガス・エナジャイザ３１６、ガス排気部３１８の制御を行う。制御装置１２１はガス分配装置、ガス・エナジャイザ、及び第１処理チャンバ３０２ａ内のガス排気部を操作して基板１５を励起ガスへと曝露し、そのエッチングを行うための命令を含むプログラムコードを含む。制御装置１２１は、基板搬送機構１０４を操作して基板１５を第１処理チャンバ３０２ａ内の基板支持体３０４ａの受け面３０６ａから第２処理チャンバ３０２ｂの基板支持体３０４ｂの受け面３０６ｂへと搬送することで基板１５の背面２０の周縁部１８が第２基板支持体３０４ｂの第２受け面３０６ｂから張り出して延びる状態にし、第２ガス分配装置、第２ガス・エナジャイザ、第２ガス排気部を操作して基板１５を第２励起ガスへと曝露することで基板１５の背面２０の周縁部１８のクリーニングを行うためのプログラムコードを含む。ある構成において、プログラムコードは、基板１５の背面２０のクリーニングに先立って、第１処理チャンバ内のガス分配装置とガス・エナジャイザを操作して基板１５を励起させた処理ガスに曝露しそのエッチングを行うための命令を含む。ある構成において、プログラムコードは第２処理チャンバ内で基板１５をＨ２及びＨ２Ｏを含む励起させたガスに曝露するための命令を含む。ある構成において、プログラムコードは、基板１５を第２処理チャンバ内で励起させたガスに約３０〜約６０秒間に亘って曝露するための命令を含む。
【００５７】
本発明をその特定の好ましい構成を挙げて説明したが、その他の構成も可能である。例えば、当業者には明白なように、様々なタイプの基板処理チャンバに改変を加え、本願に記載の基板処理装置で使用することが可能である。その他のタイプのクリーニング工程も使用可能である。更に、当業者には明白であるように、クリーニング処理について記載したものと同等の別の工程を記載の実装のパラメータに従って用いることが可能である。従って、添付の特許請求の範囲の精神及び範囲は本願に含まれる好ましい構成の記載に限定されるべきではない。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
本発明のこれらの構成、態様及び利点は、説明、添付の特許請求の範囲及び本発明の実施例を図示している添付図面を参照することでより良く理解することができる。当然ながら、各構成は特定の図面のみとの関連だけでなく本発明全般で使用可能であり、本発明はこれらの構成のいずれの組合せも含む。
【００５９】
【図１Ａ】〜
【図１Ｂ】Ｈ２及びＨ２Ｏを含むクリーニングガスに曝露された後の、ポリマーが堆積され、トレンチがエッチングされた基板の各ＳＥＭ画像である。
【図２】基板処理装置の一実施形態の部分側部断面図である。
【図３Ａ】〜
【図３Ｂ】基板支持体における昇降ピンアセンブリの部分側部断面図であり、昇降ピンが静止位置（３Ａ）にある場合と上昇位置（３Ｂ）にある場合とを図示している。
【図４】チャンバ操作に適したコンピュータプログラムの一実施形態の階層制御構造のブロック図である。
【図５Ａ】〜
【図５Ｂ】基板背面上のポリマー厚さと基板縁部からのポリマーの距離を示すグラフであり、堆積直後のものと６０秒間の酸化（５Ａ）と還元（５B）反応後のものである。
【図６Ａ】複数のチャンバを有する基板処理装置の簡略図である。
【図６Ｂ】図６Ａに図示の装置の基板処理チャンバの一実施形態の部分側部断面図である。
【図６Ｃ】その上に基板が載置された基板支持体の部分側部断面図である。
【図６Ｄ】基板支持体の一実施形態の部分側部断面図であり、その上には基板が載置され、基板支持体の基板受け面を超えて延びている。
【図１Ａ】
2008218997.tif 000003
【図１Ｂ】
2008218997.tif 000004
【図２】
2008218997.tif 000005
【図３Ａ】
2008218997.tif 000006
【図３Ｂ】
2008218997.tif 000007
【図４】
2008218997.tif 000008
【図５Ａ】
2008218997.tif 000009
【図５Ｂ】
2008218997.tif 000010
【図６Ａ】
2008218997.tif 000011
【図６Ｂ】
2008218997.tif 000012
【図６Ｃ】
2008218997.tif 000013
【図６Ｄ】
2008218997.tif 000014
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月1日(2008.6.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
受け面を有する基板支持体を備えた処理チャンバ内での基板処理方法であり、
（ａ）基板を処理チャンバ内の基板支持体の受け面上に配置し、
（ｂ）基板正面を励起させた処理ガスに曝露して基板正面を処理し、
（ｃ）（１）基板を基板支持体の受け面上方の上昇位置へと上昇させ、
（２）背面をクリーニングするために、基板をその上昇位置で維持しながら基板
の背面を励起させたクリーニングガスに曝露することで基板背面の周縁部をクリーニング
することを含む基板処理方法。
【請求項２】
工程（ｃ）が、基板を基板支持体の基板受け面から距離ｄだけ上昇させることを含み、
距離ｄが処理チャンバ内の励起させたクリーニングガスの圧力と関連させて選択される請
求項１記載の方法。
【請求項３】
処理チャンバが基板支持体の導管を通って伸長可能な複数の昇降ピンを備え、工程（ｃ
）が昇降ピンを移動させることで基板を上昇させることを含み、昇降ピンは基板支持体を
通って伸長し基板背面と接触して基板を持ち上げる請求項１記載の方法。
【請求項４】
工程（ｃ）が以下の、
（１）基板を基板支持体から距離約１ｍｍ〜約５ｍｍだけ上昇させる、
（２）基板の背面をＨ２及びＨ２Ｏを含む励起させたクリーニングガスに曝露させる、
（３）基板背面を励起させたクリーニングガスに約３０〜約６０秒間に亘って曝露する
ことの少なくとも１つを含む請求項１記載の方法。
【請求項５】
基板が低ｋ誘電体層上にフォトレジスト層を含み、
工程（ｂ）がフォトレジスト層を励起させた処理ガスに曝露することでフォトレジスト
層をエッチングすることを含み、
工程（ｃ）が工程（ｂ）をエッチング残留物のアッシングによる基板背面の周縁部のク
リーニングと同時に行うことを含み、背面のクリーニングを基板を上昇位置に維持した状
態で、基板の背面を励起させたクリーニングガスに曝露することで行う請求項１記載の方
法。
【請求項６】
（１）基板用の受け面を備えた基板支持体と、
（２）基板支持体内を通過可能な複数の昇降ピンと、
（３）チャンバ内で処理ガスを分配するためのガス分配装置と、
（４）処理ガスを励起するためのガス・エナジャイザと、
（５）処理ガスを排気するためのガス排気部を備える（ａ）処理チャンバと、
昇降ピン、ガス分配装置、ガス・エナジャイザ及びガス排気部を操作するための制御装
置を備えた基板処理装置であり、制御装置が
（１）昇降ピンを操作して基板を基板支持体の受け面より上方の上昇位置まで上昇させ
、
（２）基板をその上昇位置で維持しながら、ガス分配装置、ガス・エナジャイザ、及び
ガス排気部を操作して基板を励起させたクリーニングガスへと曝露し、基板背面の周縁部
をクリーニングするための命令を含むプログラムコードを含む基板処理装置。
【請求項７】
プログラムコードが、昇降ピンを操作して基板を基板支持体の基板受け面から距離ｄだ
け上昇させるための命令を含み、距離ｄが処理チャンバ内の励起させたクリーニングガス
の圧力と関連させて選択される請求項６記載の装置。
【請求項８】
プログラムコードが、
（１）昇降ピンを操作して基板支持体を距離約１ｍｍ〜約５ｍｍだけ上昇させること、
（２）ガス分配装置とガス・エナジャイザを操作して基板をＨ２及びＨ２Ｏを含む励起
させたクリーニングガスに曝露させること、
（３）ガス分配装置とガス・エナジャイザを操作して基板を励起させたクリーニングガ
スに約３０〜約１８０秒間に亘って曝露させることの少なくとも１つを実行するための命
令を含む請求項６記載の装置。
【請求項９】
第１処理チャンバを備え、第１処理チャンバが基板背面を受けとめるための第１受け面
を有する第１基板支持体を備え、これにより基板の正面が第１処理チャンバ内で露出し、
更に第２処理チャンバを備え、第２処理チャンバが基板背面を受けとめるための第２受け
面を有する第２基板支持体を備え、第２基板支持体の第２受け面の直径が第１基板支持体
の第１受け面の直径より小さい装置において基板を処理するための方法であり、
（ａ）基板を第１処理チャンバ内の第１基板支持体の第１受け面上に配置し、
（ｂ）第１処理チャンバ内で基板を第１励起処理ガスに曝露することで基板正面を処理し
、
（ｃ）基板を第１処理チャンバ内の第１基板支持体の第１受け面から第２処理チャンバ内
の第２基板支持体の第２受け面へと搬送することで基板背面の周縁部が第２基板支持体の
第２受け面の幅を超えて延びるようにし、
（ｄ）第２処理チャンバ内で基板背面を第２励起ガスに曝露することで基板背面の周縁部
をクリーニングすることを含む基板処理方法。
【請求項１０】
工程（ｄ）が以下の、
（１）基板の背面をＨ２及びＨ２Ｏを含む第２励起処理ガスに曝露させること、
（２）基板の背面を第２励起処理ガスに約３０〜約６０秒間に亘って曝露することの少
なくとも１つを含む請求項９記載の方法。
【請求項１１】
工程（ｃ）が基板を第１処理チャンバ内の第１基板支持体の第１受け面から第２処理チ
ャンバ内の第２基板支持体の第２受け面へと搬送することを含み、ここで第２基板支持体
の第２受け面の直径が約２００ｍｍ〜約３００ｍｍである請求項９記載の方法。
【請求項１２】
工程（ａ）が第１処理チャンバ内の第１基板支持体の第１受け面上に基板を配置して基
板背面の周縁部の第１部分を露出させることを含み、工程（ｃ）が基板を第２処理チャン
バ内の第２基板支持体の第２受け面に搬送して基板背面の周縁部の、第１部分より大きい
第２部分を露出させることを含む請求項９記載の方法。
【請求項１３】
基板を第２処理チャンバ内の第２基板支持体の第２受け面に搬送することを含み、露出
する基板背面周縁部の第２部分が第１部分よりも少なくとも約１ｍｍ分大きくなる請求項９記載の方法。
【請求項１４】
基板が低ｋ誘電体層上にフォトレジスト層を含む請求項９記載の方法。
【請求項１５】
（１）基板用の第１受け面を備える第１基板支持体と、（２）第１処理ガスをチャンバ
内で分配するための第１ガス分配装置と、（３）第１処理ガスを励起するための第１ガス
・エナジャイザと、（４）第１処理ガスを排気するための第１ガス排気部を備える（ａ）
第１処理チャンバと、
（１）第１処理チャンバ内の第１基板支持体の第１受け面の直径よりも小さい直径を有
する、基板用の第２受け面を備える第２基板支持体と、（２）第２処理ガスをチャンバ内
で分配するための第２ガス分配装置と、（３）第２処理ガスを励起するための第２ガス・
エナジャイザと、（４）第２処理ガスを排気するための第２ガス排気部を供える（ｂ）第
２処理チャンバと、
（ｃ）第１処理チャンバ内の基板を第２処理チャンバへと搬送するための基板搬送機構
と、
（ｄ）第１ガス分配装置、第１ガス・エナジャイザ、第１ガス排気部、第２ガス分配装
置、第２ガス・エナジャイザ、第２ガス排気部、及び基板搬送機構を操作する制御装置を
備えた基板処理装置であり、制御装置は（１）第１ガス分配装置、第１ガス・エナジャイ
ザ、及び第１ガス排気部を操作して基板を第１励起ガスへと曝露して基板を処理し、（２
）基板搬送機構を操作して基板を第１処理チャンバ内の第１基板支持体の第１受け面から
第２処理チャンバ内の第２基板支持体の第２受け面へと搬送することで基板背面の周縁部
が第２基板支持体の第２受け面の幅を超えて延びるようにし、（３）第２ガス分配装置、
第２ガス・エナジャイザ、及び第２ガス排気部を操作して基板を第２励起ガスへと曝露し
て基板背面の周縁部をクリーニングするための命令を含むプログラムコードを含む基板処
理装置。
【外国語明細書】
2008218997.tif 000015
2008218997.tif 000016
2008218997.tif 000017
2008218997.tif 000018
2008218997.tif 000019
2008218997.tif 000020
2008218997.tif 000021
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2008218997.tif 000023
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2008218997.tif 000034
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