(57)【要約】【課題】三重項励起状態からの発光を示す化合物と混合した組成物を有機エレクトロルミネッセンス素子に用いた場合に、最大発光効率が高くなる高分子化合物を提供する。【解決手段】繰り返し単位として置換基を有していてもよいフルオレンジイル基および置換基を１個以上有するフェニレン基を含み、かつ、下記式（１）で表される繰り返し単位および／または下記式（２）で表される基を含む高分子化合物。2008255344.tif 000134〔式（１）において、Ａｒ1およびＡｒ2は、アリーレン基または２価の芳香族複素環基を表し、Ａｒ1とＡｒ2は、同一でも異なっていてもよい。〕2008255344.tif 000135〔式（２）において、Ａｒ1は前記と同じ意味を表す。また、Ａｒ3は、アリール基または１価の芳香族複素環基を表す。〕【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
繰り返し単位として置換基を有していてもよいフルオレンジイル基および置換基を１個以上有するフェニレン基を含み、かつ、下記式（１）で表される繰り返し単位および／または下記式（２）で表される基を含む高分子化合物。
2008255344.tif 000123
〔式（１）において、Ａｒ1およびＡｒ2は、アリーレン基または２価の芳香族複素環基を表し、Ａｒ1とＡｒ2は、同一でも異なっていてもよい。〕
2008255344.tif 000124
〔式（２）において、Ａｒ1は前記と同じ意味を表す。また、Ａｒ3は、アリール基または１価の芳香族複素環基を表す。〕
【請求項２】
前記式（１）で表される繰り返し単位を含む請求項１に記載の高分子化合物。
【請求項３】
前記式（１）で表される繰り返し単位が、下記式（１−１）で表される請求項２に記載の高分子化合物。
2008255344.tif 000125
〔式（１−１）において、Ｒ1は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基または１価の複素環基を表す。ｐは独立に０から４の整数を表す。Ｒ1が複数個存在する場合は、それらは同一であっても異なっていてもよい。〕
【請求項４】
前記式（１−１）で表される繰り返し単位が、下記式（１−２）で表される請求項３記載の高分子化合物。
2008255344.tif 000126
【請求項５】
前記式（２）で表される基を、高分子化合物の末端基の少なくとも１つとして有する請求項１〜４のいずれかに記載の高分子化合物。
【請求項６】
前記式（２）で表される基が、下記式（２−１）で表される請求項５に記載の高分子化合物。
2008255344.tif 000127
〔式（２−１）において、ｑは０から５の整数を表す。Ｒ1およびｐは前記と同じ意味を表す。〕
【請求項７】
前記式（２−１）で表される基が、下記式（２−２）で表される請求項６に記載の高分子化合物。
2008255344.tif 000128
【請求項８】
置換基を有していてもよいフルオレンジイル基が下記式（３）で表される請求項１〜７のいずれかに記載の高分子化合物。
2008255344.tif 000129
〔式（３）において、Ｒ2は置換基を表し、Ｒ3はアルキル基、アルコキシ基、アリール基または１価の複素環基を表し、ｍは独立に０から３の整数を表す。Ｒ2が複数個存在する場合には、それらは同一であっても異なっていてもよい。また、複数個のＲ3は同一でもあっても異なっていてもよい。〕
【請求項９】
前記式（３）が、下記式（３−１）である請求項８に記載の高分子化合物。
2008255344.tif 000130
〔式（３−１）において、Ｒ2及びｍは、前記と同じ意味を表し、Ｒ4は、置換基を表し、ｈは、０〜５の整数を表す。Ｒ2及びＲ4が複数個存在する場合には、それらは、各々、同一であっても異なっていてもよい。複数個存在するｍ及びｈは、各々、同一であっても異なっていてもよい。〕
【請求項１０】
前記式（３−１）が、下記式（３−２）である請求項９に記載の高分子化合物。
2008255344.tif 000131
〔式（３−２）において、Ｒ4およびｈは、前記と同じ意味を表す。Ｒ4が複数個存在する場合には、それらは、同一であっても異なっていてもよい。複数個存在するｈは、各々、同一であっても異なっていてもよい。〕
【請求項１１】
置換基を１個以上有するフェニレン基が下記式（４）で表される請求項１〜１０のいずれかに記載の高分子化合物。
2008255344.tif 000132
〔式（４）において、Ｒ5はアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基または１価の複素環基を表す。ｎは１から４の整数を表す。Ｒ5が複数個存在する場合は、それらは同一であっても異なっていてもよい。
【請求項１２】
前記式（４）が、下記式（４−１）である請求項１１に記載の高分子化合物。
2008255344.tif 000133
〔式中、Ｒ5は、前記と同じ意味を表す。〕
【請求項１３】
前記式（１−２）で表される繰り返し単位、前記式（３−２）で表される繰り返し単位および前記式（４−１）で表される繰り返し単位を含む請求項１に記載の高分子化合物。
【請求項１４】
前記式（３−２）で表される繰り返し単位および前記式（４−１）で表される繰り返し単位を含み、かつ、前記式（２−２）で表される基を、高分子化合物の末端基の少なくとも１つとして有する請求項１に記載の高分子化合物。
【請求項１５】
さらに三重項励起状態からの発光を示す化合物の１価の残基を、高分子化合物の末端基の少なくとも１つとして有する請求項１〜１４のいずれかに記載の高分子化合物。
【請求項１６】
さらに三重項励起状態からの発光を示す化合物の２価または３価の残基を主鎖に含む請求項１〜１５のいずれかに記載の高分子化合物。
【請求項１７】
さらにアリーレン基または２価の複素環基であって、三重項励起状態からの発光を示す化合物の１価の残基を置換基として有する基を含む請求項１〜１６のいずれかに記載の高分子化合物。
【請求項１８】
ポリスチレン換算の重量平均分子量が３×１０3〜１×１０8である請求項１〜１７のいずれかに記載の高分子化合物。
【請求項１９】
請求項１〜１８のいずれかに記載の高分子化合物と三重項励起状態からの発光を示す化合物とを含む組成物。
【請求項２０】
前記三重項励起状態からの発光を示す化合物の含有量が、前記高分子化合物１００重量部に対して、０．０１〜５０重量部である請求項１９に記載の組成物。
【請求項２１】
正孔輸送材料、電子輸送材料および発光材料からなる群から選ばれる少なくとも１種類の材料をさらに含む請求項１９または２０に記載の組成物。
【請求項２２】
前記式（１）で表される繰り返し単位および前記式（２）で表される基を有しない高分子化合物を含む請求項１９〜２１のいずれかに記載の組成物。
【請求項２３】
溶媒と請求項１〜１８のいずれかに記載の高分子化合物を含む液状組成物。
【請求項２４】
溶媒と請求項１９〜２２のいずれかに記載の組成物を含む液状組成物。
【請求項２５】
請求項１〜１８のいずれかに記載の高分子化合物を含む薄膜。
【請求項２６】
請求項１９〜２２のいずれかに記載の組成物を含む薄膜。
【請求項２７】
陽極および陰極からなる電極と、該電極間に請求項２５または２６に記載の薄膜を有する高分子発光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高分子化合物およびそれを含む組成物に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、「有機ＥＬ素子」と略する場合がある。）の分野において、さまざまな発光材料の研究開発が活発に行われている。中でも、三重項励起状態からの発光を示す化合物（以下、「三重項化合物」と略する場合がある。
）を含む発光材料は、高発光効率で発光する材料として期待されている。
三重項化合物を含む発光材料を用いた有機ＥＬ素子を製造するに際し、該発光材料を有する薄膜を作製する方法として、三重項化合物に、高分子化合物を混合した組成物を溶媒に溶解させて、塗布法により薄膜を形成する方法が知られている。このように、三重項化合物に高分子化合物を混合して使用する場合、該高分子化合物が有機ＥＬ素子の特性に大きな影響を与えうるため、該組成物に好適に用いることができる高分子化合物について様々な検討がなされている。このような高分子化合物として、例えば、２、７−フルオレンジイル基と４、４’−ベンゾフェノンジイル基を含む高分子化合物（特許文献１）が知られている。
【０００３】
【特許文献１】国際公開第２００５／４０３０２号パンフレット
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、上記公知の高分子化合物と三重項化合物とを含む組成物を用いて有機ＥＬ素子を作製した場合、その素子の最大発光効率が未だ十分でない。
【０００５】
そこで、本発明の目的は、最大発光効率が高い高分子発光素子を与えうる高分子化合物を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は第一に、繰り返し単位として置換基を有していてもよいフルオレンジイル基および置換基を１個以上有するフェニレン基を含み、かつ、下記式（１）で表される繰り返し単位および／または下記式（２）で表される基を含む高分子化合物を提供する。
2008255344.tif 000002
〔式（１）において、Ａｒ1およびＡｒ2は、アリーレン基または２価の芳香族複素環基を表し、Ａｒ1とＡｒ2は、同一でも異なっていてもよい。〕
2008255344.tif 000003
〔式（２）において、Ａｒ1は前記と同じ意味を表す。また、Ａｒ3は、アリール基または１価の芳香族複素環基を表す。〕
【０００７】
本発明は第二に、前記高分子化合物と三重項化合物とを含む組成物を提供する。
【０００８】
本発明は第三に、前記高分子化合物または前記組成物を含む高分子発光素子を提供する。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の高分子化合物、組成物は、有機ＥＬ素子の作製に用いた場合に、最大発光効率が高くなる。このように、本発明の高分子化合物、組成物は、発光材料として有用である。
したがって、本発明の高分子化合物、組成物を用いてなる有機ＥＬ素子は、曲面状光源、平面状光源等の面状光源（例えば、照明等）；セグメント表示装置（例えば、セグメントタイプの表示素子等）、ドットマトリックス表示装置（例えば、ドットマトリックスのフラットディスプレイ等）、液晶表示装置（例えば、液晶表示装置、液晶ディスプレイのバックライト等）等の表示装置等に好適である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
＜高分子化合物＞
本発明の高分子化合物は、繰り返し単位として置換基を有していてもよいフルオレンジイル基および置換基を１個以上有するフェニレン基を含み、かつ、前記式（１）で表される繰り返し単位および／または前記式（２）で表される基を含むものである。
【００１１】
−フルオレンジイル基−
本発明の高分子化合物が繰り返し単位として有するフルオレンジイル基とは、フルオレンから水素原子２個を除いて誘導される２価の基をいい、フルオレンの１位から９位（好ましくは、１位から８位）の水素原子の中から２個の水素原子を取り除いた基をいう。高分子化合物の重合の行いやすさの観点からは、フルオレンの１位から４位の水素原子の中から１個の水素原子を除き、かつ、５位から８位の水素原子の中から１個の水素原子を除いた基が好ましい。なお、フルオレンジイル基は置換基を有していてもよい。本発明の高分子化合物は、この置換基を有していてもよいフルオレンジイル基を繰り返し単位として含み、かつ、置換基を１個以上有するフェニレン基を繰り返し単位として含み、かつ、前記式（１）で表される繰り返し単位および／または前記式（２）で表される基を含む。
【００１２】
前記フルオレンジイル基が有していてもよい置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、ニトロ基、シアノ基または前記式（２）で表される基等が挙げられる。これらの置換基に含まれる水素原子は、フッ素原子に置換されていてもよい。
【００１３】
前記アルキル基は、直鎖、分岐または環状のいずれでもよく、炭素数が通常１〜２０程度、好ましくは３〜２０である。アルキル基の例としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、イソアミル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基、３，７−ジメチルオクチル基、ラウリル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基等が挙げられ、高分子化合物の有機溶媒への溶解性、素子特性、高分子化合物の合成の行いやすさ等の観点と耐熱性とのバランスからは、ペンチル基、イソアミル基、ヘキシル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、デシル基、３，７−ジメチルオクチル基が好ましい。
【００１４】
前記アルコキシ基は、直鎖、分岐または環状のいずれでもよく、炭素数が通常１〜２０程度、好ましくは３〜２０である。アルコキシ基の例としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロピルオキシ基、ｉ−プロピルオキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基、ラウリルオキシ基、トリフルオロメトキシ基、ペンタフルオロエトキシ基、パーフルオロブトキシ基、パーフルオロヘキシルオキシ基、パーフルオロオクチルオキシ基、メトキシメチルオキシ基、２−メトキシエチルオキシ基等が挙げられ、高分子化合物の有機溶媒への溶解性、素子特性、高分子化合物の合成の行いやすさ等の観点と耐熱性とのバランスからは、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基が好ましい。
【００１５】
前記アルキルチオ基は、直鎖、分岐または環状のいずれでもよく、炭素数が通常１〜２０程度、好ましくは３〜２０である。アルキルチオ基の例としては、メチルチオ基、エチルチオ基、ｎ−プロピルチオ基、ｉ−プロピルチオ基、ｎ−ブチルチオ基、ｉ−ブチルチオ基、ｓ−ブチルチオ基、ｔ−ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、シクロヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基、２−エチルヘキシルチオ基、ノニルチオ基、デシルチオ基、３，７−ジメチルオクチルチオ基、ラウリルチオ基、トリフルオロメチルチオ基等が挙げられ、高分子化合物の有機溶媒への溶解性、素子特性、高分子化合物の合成の行いやすさ等の観点と耐熱性とのバランスからは、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、２−エチルヘキシルチオ基、デシルチオ基、３，７−ジメチルオクチルチオ基が好ましい。
【００１６】
前記アリール基は、芳香族炭化水素から、水素原子１個を除いた原子団であり、ベンゼン環をもつもの、縮合環をもつもの、独立したベンゼン環または縮合環２個以上が直接またはビニレン等の基を介して結合したものから水素原子１個を除いた原子団等が含まれる。アリール基は、炭素数が通常６〜６０程度、好ましくは７〜４８である。アリール基の例としては、フェニル基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル基（「Ｃ1〜Ｃ12アルコキシ」は、アルコキシ部分の炭素数が１〜１２であることを意味する。以下、同様である。）、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル基（「Ｃ1〜Ｃ12アルキル」は、アルキル部分の炭素数が１〜１２であることを意味する。以下、同様である。）、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基、ペンタフルオロフェニル基等が挙げられ、高分子化合物の有機溶媒への溶解性、素子特性、高分子化合物の合成の行いやすさ等の観点からは、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル基が好ましい。
Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル基としては、メトキシフェニル基、エトキシフェニル基、プロピルオキシフェニル基、ｉ−プロピルオキシフェニル基、ブトキシフェニル基、ｉ−ブトキシフェニル基、ｔ−ブトキシフェニル基、ペンチルオキシフェニル基、ヘキシルオキシフェニル基、シクロヘキシルオキシフェニル基、ヘプチルオキシフェニル基、オクチルオキシフェニル基、２−エチルヘキシルオキシフェニル基、ノニルオキシフェニル基、デシルオキシフェニル基、３，７−ジメチルオクチルオキシフェニル基、ラウリルオキシフェニル基等が例示される。Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル基としては、メチルフェニル基、エチルフェニル基、ジメチルフェニル基、プロピルフェニル基、メシチル基、メチルエチルフェニル基、ｉ−プロピルフェニル基、ブチルフェニル基、ｉ−ブチルフェニル基、ｔ−ブチルフェニル基、ペンチルフェニル基、イソアミルフェニル基、ヘキシルフェニル基、ヘプチルフェニル基、オクチルフェニル基、ノニルフェニル基、デシルフェニル基、ドデシルフェニル基等が例示される。
【００１７】
前記アリールオキシ基は、炭素数が通常６〜６０程度、好ましくは７〜４８である。アリールオキシ基の例としては、フェノキシ基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェノキシ基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、ペンタフルオロフェニルオキシ基等が挙げられ、高分子化合物の有機溶媒への溶解性、素子特性、高分子化合物の合成の行いやすさ等の観点からは、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェノキシ基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェノキシ基が好ましい。Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェノキシ基としては、メトキシフェノキシ基、エトキシフェノキシ基、ｎ−プロピルオキシフェノキシ基、ｉ−プロピルオキシフェノキシ基、ｎ−ブトキシフェノキシ基、ｉ−ブトキシフェノキシ基、ｓ−ブトキシフェニル基、ｔ−ブトキシフェノキシ基、ペンチルオキシフェノキシ基、ヘキシルオキシフェノキシ基、シクロヘキシルオキシフェノキシ基、ヘプチルオキシフェノキシ基、オクチルオキシフェノキシ基、２−エチルヘキシルオキシフェノキシ基、ノニルオキシフェノキシ基、デシルオキシフェノキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシフェノキシ基、ラウリルオキシフェノキシ基等が例示される。Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェノキシ基としては、メチルフェノキシ基、エチルフェノキシ基、ジメチルフェノキシ基、プロピルフェノキシ基、１,３,５−トリメチルフェノキシ基、メチルエチルフェノキシ基、ｉ−プロピルフェノキシ基、ブチルフェノキシ基、ｉ−ブチルフェノキシ基、ｔ−ブチルフェノキシ基、ペンチルフェノキシ基、イソアミルフェノキシ基、ヘキシルフェノキシ基、ヘプチルフェノキシ基、オクチルフェノキシ基、ノニルフェノキシ基、デシルフェノキシ基、ドデシルフェノキシ基等が例示される。
【００１８】
前記アリールチオ基は、炭素数が通常６〜６０程度である。アリールチオ基の例としては、フェニルチオ基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニルチオ基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニルチオ基、１−ナフチルチオ基、２−ナフチルチオ基、ペンタフルオロフェニルチオ基等が挙げられ、高分子化合物の有機溶媒への溶解性、素子特性、高分子化合物の合成の行いやすさ等の観点からは、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニルチオ基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニルチオ基が好ましい。
【００１９】
前記アリールアルキル基は、炭素数が通常７〜６０程度、好ましくは７〜４８である。
アリールアルキル基の例としては、フェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキル基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキル基、１−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルキル基、２−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルキル基等が挙げられ、高分子化合物の有機溶媒への溶解性、素子特性、高分子化合物の合成の行いやすさ等の観点からは、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキル基が好ましい。
【００２０】
前記アリールアルコキシ基は、炭素数が通常７〜６０程度、好ましくは７〜４８である。アリールアルコキシ基の例としては、フェニルメトキシ基、フェニルエトキシ基、フェニルブトキシ基、フェニルペンチロキシ基、フェニルヘキシロキシ基、フェニルヘプチロキシ基、フェニルオクチロキシ基等のフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルコキシ基、１−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルコキシ基、２−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルコキシ基等が挙げられ、高分子化合物の有機溶媒への溶解性、素子特性、高分子化合物の合成の行いやすさ等の観点からは、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルコキシ基が好ましい。
【００２１】
前記アリールアルキルチオ基は、炭素数が通常７〜６０程度、好ましくは７〜４８である。アリールアルキルチオ基の例としては、フェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルチオ基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルチオ基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルチオ基、１−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルチオ基、２−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルチオ基等が挙げられ、高分子化合物の有機溶媒への溶解性、素子特性、高分子化合物の合成の行いやすさ等の観点からは、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルチオ基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルチオ基が好ましい。
【００２２】
前記アリールアルケニル基は、炭素数が通常８〜６０程度である。アリールアルケニル基の例としては、フェニル−Ｃ2〜Ｃ12アルケニル基（「Ｃ2〜Ｃ12アルケニル」は、アルケニル部分の炭素数が２〜１２であることを意味する。以下、同様である。）、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ2〜Ｃ12アルケニル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ2〜Ｃ12アルケニル基、１−ナフチル−Ｃ2〜Ｃ12アルケニル基、２−ナフチル−Ｃ2〜Ｃ12アルケニル基等が挙げられ、高分子化合物の有機溶媒への溶解性、素子特性、高分子化合物の合成の行いやすさ等の観点からは、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ2〜Ｃ12アルケニル基、Ｃ2〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルケニル基が好ましい。
【００２３】
前記アリールアルキニル基は、炭素数が通常８〜６０程度である。アリールアルキニル基の例としては、フェニル−Ｃ2〜Ｃ12アルキニル基（「Ｃ2〜Ｃ12アルキニル」は、アルキニル部分の炭素数が２〜１２であることを意味する。以下、同様である。）、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ2〜Ｃ12アルキニル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ2〜Ｃ12アルキニル基、１−ナフチル−Ｃ2〜Ｃ12アルキニル基、２−ナフチル−Ｃ2〜Ｃ12アルキニル基等が挙げられ、高分子化合物の有機溶媒への溶解性、素子特性、高分子化合物の合成の行いやすさ等の観点からは、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ2〜Ｃ12アルキニル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ2〜Ｃ12アルキニル基が好ましい。
【００２４】
前記置換アミノ基としては、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基及び１価の複素環基から選ばれる１個または２個の基で置換されたアミノ基が挙げられる。これらのアルキル基、アリール基、アリールアルキル基及び１価の複素環基は置換基を有していてもよい。置換アミノ基の炭素数は該置換基の炭素数を含めないで、通常、１〜６０程度、好ましくは２〜４８である。置換アミノ基の例としては、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基、プロピルアミノ基、ジプロピルアミノ基、ｉ−プロピルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基、ブチルアミノ基、ｉ−ブチルアミノ基、ｔ−ブチルアミノ基、ペンチルアミノ基、ヘキシルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、ヘプチルアミノ基、オクチルアミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基、ノニルアミノ基、デシルアミノ基、３，７−ジメチルオクチルアミノ基、ラウリルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、ジシクロペンチルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、ジシクロヘキシルアミノ基、ピロリジル基、ピペリジル基、ジトリフルオロメチルアミノ基フェニルアミノ基、ジフェニルアミノ基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニルアミノ基、ジ（Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル）アミノ基、ジ（Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル）アミノ基、１−ナフチルアミノ基、２−ナフチルアミノ基、ペンタフルオロフェニルアミノ基、ピリジルアミノ基、ピリダジニルアミノ基、ピリミジルアミノ基、ピラジルアミノ基、トリアジルアミノ基フェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルアミノ基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルアミノ基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルアミノ基、ジ（Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキル）アミノ基、ジ（Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキル）アミノ基、１−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルアミノ基、２−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルアミノ基等が挙げられる。
【００２５】
前記置換シリル基としては、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基及び１価の複素環基から選ばれる１個、２個または３個の基で置換されたシリル基が挙げられる。置換シリル基の炭素数は、通常、１〜６０程度、好ましくは３〜４８である。これらのアルキル基、アリール基、アリールアルキル基及び１価の複素環基は置換基を有していてもよい。置換シリル基の例としては、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリプロピルシリル基、トリ−ｉ−プロピルシリル基、ジメチル−ｉ−プロピリシリル基、ジエチル−ｉ−プロピルシリル基、ｔ−ブチルシリルジメチルシリル基、ペンチルジメチルシリル基、ヘキシルジメチルシリル基、ヘプチルジメチルシリル基、オクチルジメチルシリル基、２−エチルヘキシル−ジメチルシリル基、ノニルジメチルシリル基、デシルジメチルシリル基、３，７−ジメチルオクチル−ジメチルシリル基、ラウリルジメチルシリル基、フェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルシリル基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルシリル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルシリル基、１−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルシリル基、２−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルシリル基、フェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルジメチルシリル基、トリフェニルシリル基、トリ−ｐ−キシリルシリル基、トリベンジルシリル基、ジフェニルメチルシリル基、ｔ−ブチルジフェニルシリル基、ジメチルフェニルシリル基等が挙げられる。
【００２６】
前記ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が例示される。
【００２７】
前記アシル基は、炭素数が、通常、２〜２０程度、好ましくは２〜１８である。アシル基の例としては、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、ピバロイル基、ベンゾイル基、トリフルオロアセチル基、ペンタフルオロベンゾイル基等が挙げられる。
【００２８】
前記アシルオキシ基は、炭素数が、通常、２〜２０程度、好ましくは２〜１８である。
アシルオキシ基の例としては、アセトキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基、イソブチリルオキシ基、ピバロイルオキシ基、ベンゾイルオキシ基、トリフルオロアセチルオキシ基、ペンタフルオロベンゾイルオキシ基等が挙げられる。
【００２９】
前記イミン残基としては、イミン化合物（即ち、分子内に、−Ｎ＝Ｃ−を持つ有機化合物のことをいう。その例として、アルジミン、ケチミン及びこれらのＮ上の水素原子が、アルキル基等で置換された化合物等が挙げられる。）から水素原子１個を除いた残基が挙げられる。イミン残基の炭素数は、通常、２〜２０程度であり、好ましくは２〜１８である。イミン残基の例としては、以下の構造式で示される基等が挙げられる。
【００３０】
2008255344.tif 000004
（式中、Ｍｅはメチル基を表す。また、波線は、結合手を表し、イミン残基の種類によっては、シス体、トランス体等の幾何異性体を持つ場合があることを意味する。）
【００３１】
前記アミド基は、炭素数が通常２〜２０程度、好ましくは２〜１８である。アミド基の例としては、ホルムアミド基、アセトアミド基、プロピオアミド基、ブチロアミド基、ベンズアミド基、トリフルオロアセトアミド基、ペンタフルオロベンズアミド基、ジホルムアミド基、ジアセトアミド基、ジプロピオアミド基、ジブチロアミド基、ジベンズアミド基、ジトリフルオロアセトアミド基、ジペンタフルオロベンズアミド基等が挙げられる。
【００３２】
前記酸イミド基としては、酸イミドからその窒素原子に結合した水素原子１個を除いて得られる残基が挙げられ、炭素数が通常４〜２０程度である。酸イミド基の例としては、以下に示す基等が挙げられる。
【００３３】
2008255344.tif 000005
【００３４】
前記１価の複素環基とは、複素環化合物から水素原子１個を除いた残りの原子団をいう。１価の複素環基の炭素数は通常４〜６０程度、好ましくは４〜２０である。なお、１価の複素環基の炭素数には、置換基の炭素数は含まれない。前記複素環化合物とは、環式構造をもつ有機化合物のうち、環を構成する元素が炭素原子だけでなく、酸素、硫黄、窒素、燐、硼素、珪素等のヘテロ原子を環内に含むものをいう。１価の複素環基の中では、１価の芳香族複素環基が好ましい。
１価の複素環基の例としては、チエニル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルチエニル基、ピロリル基、フリル基、ピリジル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルピリジル基、ピペリジル基、キノリル基、イソキノリル基等が挙げられ、チエニル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルチエニル基、ピリジル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルピリジル基が好ましい。
【００３５】
前記置換カルボキシル基としては、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または１価の複素環基で置換されたカルボキシル基等が挙げられる。なお、前記のアルキル基、アリール基、アリールアルキル基または１価の複素環基は置換基を有していてもよい。置換カルボキシル基の炭素数は、通常、２〜60程度、好ましくは２〜48である。置換カルボキシル基の例としては、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基、ｉ−プロポキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基、ｉ−ブトキシカルボニル基、ｔ−ブトキシカルボニル基、ペンチルオキシカルボニル基、ヘキシロキシカルボニル基、シクロヘキシロキシカルボニル基、ヘプチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、２−エチルヘキシロキシカルボニル基、ノニルオキシカルボニル基、デシロキシカルボニル基、３，７−ジメチルオクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基、トリフルオロメトキシカルボニル基、ペンタフルオロエトキシカルボニル基、パーフルオロブトキシカルボニル基、パーフルオロヘキシルオキシカルボニル基、パーフルオロオクチルオキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基、ナフトキシカルボニル基、ピリジルオキシカルボニル基等が挙げられる。これらの基はさらに置換基を有していてもよい。なお、置換カルボキシル基の炭素数には該置換基の炭素数は含まれない。
【００３６】
置換基を有していてもよいフルオレンジイル基としては、下記式（３）で表される基があげられる。
2008255344.tif 000006
〔式（３）において、Ｒ2は置換基を表し、Ｒ3はアルキル基、アルコキシ基、アリール基または１価の複素環基を表し、ｍは独立に０から３の整数を表す。Ｒ2が複数個存在する場合には、それらは同一であっても異なっていてもよい。また、複数個のＲ3は同一でもあっても異なっていてもよい。〕
【００３７】
前記式（３）中、ｍは独立に０から３の整数を表すが、高分子化合物の合成の行いやすさの観点からは、ｍが０または１であることが好ましく、両方のｍが０であるかまたは両方のｍが１であることがより好ましい。Ｒ2で表される置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、ニトロ基、シアノ基等が挙げられ、これらの基の例としては、前述のフルオレンジイル基の置換基の例示と同様の基があげられる。
【００３８】
これらの置換基の中では、高分子化合物の有機溶媒への溶解性、高分子化合物の合成の行いやすさの観点からは、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、１価の複素環基が好ましく、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、１価の複素環基がより好ましい。
【００３９】
前記式（３）中、Ｒ3がアリール基である場合、高分子化合物の合成の行いやすさ、素子特性等の観点から、Ｒ3が、フェニル基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基、ペンタフルオロフェニル基であることが好ましく、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル基あることがより好ましい。また、Ｒ3が１価の複素環基である場合、高分子化合物の合成の行いやすさ、素子特性等の観点から、Ｒ3が、チエニル基、ピロリル基、フリル基、ピリジル基、ピペリジル基、キノリル基、イソキノリル基等であることが好ましい。
【００４０】
素子特性等の観点からは、Ｒ3は、アルキル基またはアリール基であることが好ましい。
【００４１】
前記式（３）で表される基としては、高分子化合物の合成の行いやすさ、素子特性等の観点から、下記式（３−１）：
【００４２】
2008255344.tif 000007
〔式（３−１）において、Ｒ2及びｍは、前記と同じ意味を表し、Ｒ4は、置換基を表し、ｈは、独立に０〜５の整数を表す。Ｒ2及びＲ4が複数個存在する場合には、それらは、各々、同一であっても異なっていてもよい。複数個存在するｍ及びｈは、各々、同一であっても異なっていてもよい。〕
で表される基が好ましい。
【００４３】
Ｒ4で表される置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、ニトロ基、シアノ基等が挙げられる。これらの置換基に含まれる水素原子は、フッ素原子またはその他の基で置換されていてもよい。これらの置換基の中では、高分子化合物の有機溶媒への溶解性、高分子化合物の合成の行いやすさの観点からは、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、１価の複素環基が好ましく、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、１価の複素環基がより好ましい。また、これらの置換基の中では、素子特性の観点からは、非置換または置換のアルキル基、非置換または置換のアルコキシ基（炭素数は、通常、１〜１２であり、好ましくは５〜８である。）、置換カルボキシル基が好ましい。Ｒ4で表される置換基は、前述でフルオレンジイル基の置換基として説明し例示したものと同じである。
【００４４】
Ｒ4が非置換または置換のアルコキシ基の場合、素子特性等の観点から、下記式（ａ）：
＊−Ｏ−（ＣＨ2）n1ＣＨ3      （ａ）
〔式（ａ）において、ｎ１は０〜９の整数を表す。式中の水素原子は炭素数１〜５のアルキル基で置換されていてもよい。また、＊の位置で前記式（３−１）中のベンゼン環と結合する。〕
または下記式（ｂ）：
＊−Ｏ−（ＣＨ2）n2−Ｏ−（ＣＨ2）n3ＣＨ3      （ｂ）
〔式（ｂ）において、ｎ２は１〜１０の整数、ｎ３は１〜９の整数を表す。式中の水素原子は炭素数１〜５のアルキル基で置換されていてもよい。また、＊の位置で前記式（３−１）中のベンゼン環と結合する。〕
で表されるものが好ましい。
【００４５】
高分子化合物の耐熱性の観点からは、ｈは１〜５の整数であることが好ましい。
【００４６】
前記式（３−１）で表される基としては、下記式（３−２）：
【００４７】
2008255344.tif 000008
（式（３−２）において、Ｒ4及びｈは、それぞれ独立に、前記と同じ意味を表す。Ｒ4が複数個存在する場合には、それらは、各々、同一であっても異なっていてもよい。複数個存在するｈは、同一であっても異なっていてもよい。）
で表される基、または、下記式（３−３）：
【００４８】
2008255344.tif 000009
（式（３−３）において、ＲAは、アルキル基を表す。複数個存在するＲAは、同一であっても異なっていてもよい。）
で表される基がより好ましい。
【００４９】
−置換基を１個以上有するフェニレン基−
本発明の高分子化合物が繰り返し単位として含むフェニレン基は、ｏ−フェニレン基、ｍ−フェニレン基、ｐ−フェニレン基があり、高分子化合物の重合の行いやすさの観点からは、ｐ−フェニレン基が好ましい。なお、本発明の高分子化合物に用いるフェニレン基は置換基を１個以上有するる。
【００５０】
フェニレン基が有する置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、１価の複素環基または前記式（２）で表される基等があげられる。これらの置換基に含まれる水素原子は、フッ素原子に置換されていてもよい。
【００５１】
置換基を１個以上有するフェニレン基としては、下記式（４）で表される基があげられる。
2008255344.tif 000010
〔式（４）において、Ｒ5はアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基または１価の複素環基を表す。ｎは１から４の整数を表す。Ｒ5が複数個存在する場合は、それらは同一であっても異なっていてもよい。〕
【００５２】
前記式（４）中、Ｒ5としては、高分子化合物の有機溶媒への溶解性、高分子化合物の合成の行いやすさの観点からは、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、１価の複素環基が好ましく、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、１価の複素環基がより好ましい。
【００５３】
ここで、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、１価の複素環基の説明としては、前述のフルオレンジイル基の置換基として説明し例示したものと同じである。
【００５４】
前記式（４）中、ｎは１から４の整数を表すが、高分子化合物の合成の行いやすさの観点からは、ｎが１または２であることが好ましい。Ｒ4が複数個存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。
【００５５】
前記式（４）で表される基の例としては、下記の基が例示される。
2008255344.tif 000011
【００５６】
2008255344.tif 000012
【００５７】
2008255344.tif 000013
【００５８】
2008255344.tif 000014
【００５９】
2008255344.tif 000015
【００６０】
2008255344.tif 000016
【００６１】
2008255344.tif 000017
【００６２】
2008255344.tif 000018
【００６３】
2008255344.tif 000019
【００６４】
2008255344.tif 000020
【００６５】
2008255344.tif 000021
【００６６】
本発明の高分子化合物は、繰り返し単位として置換基を有していてもよいフルオレンジイル基および置換基を１個以上有するフェニレン基を含み、かつ、前記式（１）で表される繰り返し単位および／または前記式（２）で表される基を含むことを特徴とする。前記式（１）中、Ａｒ1およびＡｒ2は、アリーレン基または２価の芳香族複素環基を表し、Ａｒ1とＡｒ2は、同一でも異なっていてもよい。
【００６７】
ここでアリーレン基とは、芳香族炭化水素から、水素原子２個を除いた原子団であり、独立したベンゼン環または縮合環をもつものから水素原子２個を除いた原子団等が含まれる。アリーレン基は、炭素数が通常６〜６０程度、好ましくは６〜４８であり、より好ましくは６〜３０であり、好ましくは６〜１８であり、より好ましくは６〜１０であり、好ましくは６である。該炭素数に置換基の炭素数は含まない。アリーレン基の例としては、１，４−フェニレン基、１，３−フェニレン基、１，２−フェニレン基、１,４−ナフタレンジイル基、１,５−ナフタレンジイル基、２,６−ナフタレンジイル基、１,４−アントランジイル基、１,５−アントランジイル基、２,６−アントランジイル基、９，１０−アントランジイル基、２，７−フェナントレンジイル基、１,７−ナフタセンジイル基、２,８−ナフタセンジイル基などが挙げられ、好ましくは１，４−フェニレン基、１，３−フェニレン基、１，２−フェニレン基、１,５−ナフタレンジイル基、２,６−ナフタレンジイル基、１,４−アントランジイル基、１,５−アントランジイル基、２,６−アントランジイル基、９，１０−アントランジイル基であり、より好ましくは１，４−フェニレン基、１，３−フェニレン基、１，２−フェニレン基、１,５−ナフタレンジイル基、２,６−ナフタレンジイル基であり、好ましくは１，４−フェニレン基、１，３−フェニレン基、１，２−フェニレン基であり、より好ましくは１，４−フェニレン基である。
【００６８】
２価の芳香族複素環基とは、芳香族複素環化合物から水素原子２個を除いた残りの原子団をいい、炭素数は通常４〜６０程度、好ましくは４〜２０であり、より好ましくは４〜９であり、さらに好ましくは４〜５である。２価の芳香族複素環基の例としては、２，５−チオフェンジイル基、Ｎ−メチル−２，５−ピロールジイル基、２，５−フランジイル基、２，５−ピリジンジイル基、２，６−ピリジンジイル基、２，４−キノリンジイル基、２，６−キノリンジイル基、１，４−イソキノリンジイル基、１，５−イソキノリンジイル基などが例示され、２，５−チオフェンジイル基、２，５−ピリジンジイル基、２，６−ピリジンジイル基、２，４−キノリンジイル基、２，６−キノリンジイル基、１，４−イソキノリンジイル基、１，５−イソキノリンジイル基が好ましく、２，５−チオフェンジイル基、２，５−ピリジンジイル基、２，６−ピリジンジイル基がより好ましく、２，５−ピリジンジイル基、２，６−ピリジンジイル基がさらに好ましい。
【００６９】
Ａｒ1およびＡｒ2が置換基を有する場合、有機溶媒への溶解性、素子特性、高分子化合物の合成の行いやすさ等の観点からは、置換基が、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、ニトロ基およびシアノ基から選ばれるものであることが好ましい。より好ましくはアルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換シリル基、アシル基、置換カルボキシル基およびシアノ基から選ばれるものであり、より一層好ましくは、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基およびアリールアルコキシ基から選ばれるものであり、さらに好ましくはアルキル基、アルコキシ基、アリール基から選ばれるものであり、特に好ましくはアルキル基である。
【００７０】
前記式（１）で表される繰り返し単位としては、下記式（１−１）で表される繰り返し単位が好ましい。
【００７１】
2008255344.tif 000022
〔式（１−１）において、Ｒ1は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基または１価の複素環基を表す。ｐは独立に０から４の整数を表す。Ｒ1が複数個存在する場合は、それらは同一であっても異なっていてもよい。〕
【００７２】
前記式（１−１）で表される繰り返し単位としては、下記式（１−２）で表される繰り返し単位が好ましい。
【００７３】
2008255344.tif 000023
【００７４】
前記式（１）で表される繰り返し単位としては、以下の化合物（式Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆ、Ｇ、Ｈ、Ｉ、Ｊ、Ｋ、Ｌ、Ｍ、Ｎ、Ｏ、Ｐ、Ｑ、Ｓ、Ｔ、Ｕ、ＶおよびＷ）から水素原子を２個取り除いた残基、以下の化合物から水素原子を２個取り除いた残基であって、さらに１個以上の水素原子をアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、ニトロ基およびシアノ基等の置換基で置換した残基が挙げられる。
【００７５】
2008255344.tif 000024
【００７６】
2008255344.tif 000025
【００７７】
前記式（１）の例としては、下記の繰り返し単位が挙げられる。
【００７８】
2008255344.tif 000026
【００７９】
2008255344.tif 000027
【００８０】
2008255344.tif 000028
【００８１】
2008255344.tif 000029
【００８２】
2008255344.tif 000030
【００８３】
2008255344.tif 000031
【００８４】
2008255344.tif 000032
【００８５】
前式（Ａ−１）〜（Ｑ−４）および（Ｓ−１）〜（Ｗ−６）中の芳香環からでている実線は、結合手を表す。例えば上式（Ｂ−１）で表される繰り返し単位は、その、ｂ１〜ｂ５のいずれかの部位に１つの結合手を有し、ｂ７〜ｂ１０のいずれかの部位に１つの結合手を有する。
2008255344.tif 000033
【００８６】
本発明の高分子化合物が前記式（２）で表される基を含む場合、前記式（２）におけるＡｒ3がアリール基である場合の例としては、前述でフルオレンジイル基の置換基として説明し、例示したものと同じものがあげられる。アリール基の中でも、フェニル基、ナフチル基、アントラセニル基が好ましい。
【００８７】
Ａｒ3が１価の複素環基である場合の例としては、前述でフルオレンジイル基の置換基として説明し、例示したものと同じものがあげられる。１価の複素環基の中でも、チエニル基、ピロリル基、フリル基、ピリジル基、ピペリジル基、キノリル基、イソキノリル基が好ましい。
【００８８】
Ａｒ3が置換基を有する場合、有機溶媒への溶解性、素子特性、高分子化合物の合成の行いやすさ等の観点からは、置換基が、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、ニトロ基およびシアノ基から選ばれるものであることが好ましい。より好ましくはアルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換シリル基、アシル基、置換カルボキシル基およびシアノ基から選ばれるものであり、より一層好ましくは、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基およびアリールアルコキシ基から選ばれるものであり、さらに好ましくはアルキル基、アルコキシ基、アリール基から選ばれるものであり、特に好ましくはアルキル基である。
【００８９】
前記式（２）で表される基としては、下記式（２−１）で表される基が好ましい。
【００９０】
2008255344.tif 000034
〔式（２−１）において、ｑは０から５の整数を表す。Ｒ1およびｐは前記と同じ意味を表す。〕
【００９１】
前記式（２−１）で表される基としては、下記式（２−２）で表される基が好ましい。
【００９２】
2008255344.tif 000035
【００９３】
前記式（２）で表される基の例としては、前記化合物（式Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆ、Ｇ、Ｈ、Ｉ、Ｊ、Ｋ、Ｌ、Ｍ、Ｎ、Ｏ、Ｐ、Ｑ、Ｓ、Ｔ、Ｕ、ＶおよびＷ）から水素原子を１個取り除いた残基、前記化合物から水素原子を１個取り除いた残基であって、さらに１個以上の水素原子をアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、ニトロ基およびシアノ基等の置換基で置換した残基が挙げられる。
【００９４】
前記式（２）で表される基の例としては、下記の基が挙げられる。
【００９５】
2008255344.tif 000036
【００９６】
2008255344.tif 000037
【００９７】
2008255344.tif 000038
【００９８】
2008255344.tif 000039
【００９９】
2008255344.tif 000040
【０１００】
2008255344.tif 000041
【０１０１】
2008255344.tif 000042
【０１０２】
2008255344.tif 000043
【０１０３】
前式（ＴＡ−１）〜（ＴＱ−３）および（ＴＳ−１）〜（ＴＷ−５）中の芳香環からでている実線は、前式（Ｂ−１）と同じ意味である。
【０１０４】
本発明の高分子化合物は、置換基を有していてもよいフルオレンジイル基、置換基を１個以上有するフェニレン基および前記式（１）で表される繰り返し単位以外の繰り返し単位を有していてもよい。該繰り返し単位としては、例えば、下記式（５）：
−Ａｒ4−          （５）
〔式中、Ａｒ4は、アリーレン基、２価の複素環基、または２価の芳香族アミン基を表す。ただし、置換基を有していてもよいフルオレンジイル基、置換基を１個以上有するフェニレン基および前記式（１）で表される繰り返し単位を除く。〕
で表される繰り返し単位が挙げられる。
【０１０５】
前記式（５）中、Ａｒ4で表されるアリーレン基とは、芳香族炭化水素から水素原子２個を除いた原子団であり、ベンゼン環をもつもの、縮合環をもつもの、独立したベンゼン環または縮合環２個以上が直接またはビニレン等の基を介して結合したものから水素原子２個を除いた原子団等が含まれる。アリーレン基は置換基を有していてもよい。アリーレン基における置換基を除いた部分の炭素数は、通常、６〜６０程度であり、好ましくは６〜２０である。また、アリーレン基の置換基を含めた全炭素数は、通常、６〜１００程度である。
【０１０６】
Ａｒ4で表されるアリーレン基としては、置換基を有さないフェニレン基（例えば下式１〜３）、ナフタレンジイル基（例えば、下式４〜１３）、アントラセン−ジイル基（例えば、下式１４〜１９）、ビフェニル−ジイル基（例えば、下式２０〜２５）、ターフェニル−ジイル基（例えば、下式２６〜２８）、縮合環化合物基（例えば、下式２９〜３５）、ベンゾフルオレン−ジイル基（例えば、下式３６〜３８）、ジベンゾフルオレン−ジイル基（例えば、下式Ｚ）、スチルベン−ジイル基（下式３９〜４２）、ジスチルベン−ジイル基（例えば、下式４３、４４）等が例示される。
【０１０７】
2008255344.tif 000044
【０１０８】
2008255344.tif 000045
【０１０９】
2008255344.tif 000046
【０１１０】
2008255344.tif 000047
【０１１１】
2008255344.tif 000048
【０１１２】
2008255344.tif 000049
【０１１３】
2008255344.tif 000050
【０１１４】
2008255344.tif 000051
（式中、Ｒは、水素原子または置換基を表す。複数個存在するＲは、同一であっても異なっていてもよい。）
【０１１５】
上式１〜４４及びＺ中、Ｒで表される置換基としては、例えば、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基または前記式（２）で表される基等が挙げられる。これらの置換基に含まれる水素原子は、フッ素原子に置換されていてもよい。これらの基、残基、原子は、前記フルオレンジイル基の置換基の項で説明し例示したものと同じである。Ｒで表される置換基は、高分子化合物の有機溶媒への溶解性、素子特性の観点から、少なくとも１個のＲが水素原子以外であることが好ましい。また、Ｒで表される置換基は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、１価の複素環基が好ましく、アルキル基、アルコキシ基、アリール基がより好ましい。
【０１１６】
Ａｒ4で表される２価の複素環基とは、複素環化合物から水素原子２個を除いた残りの原子団をいう。２価の複素環基は置換基を有していてもよい。前記複素環化合物とは、環式構造をもつ有機化合物のうち、環を構成する元素が炭素原子だけでなく、酸素、硫黄、窒素、リン、ホウ素、ヒ素等のヘテロ原子を環内に含むものをいう。２価の複素環基の中では、芳香族複素環基が好ましい。２価の複素環基における置換基を除いた部分の炭素数は通常３〜60程度である。また、２価の複素環基の置換基を含めた全炭素数は、通常３〜１００程度である。
【０１１７】
Ａｒ4で表される２価の複素環基としては、例えば、ピリジン−ジイル基（例えば、下式４５〜５０）、ジアザフェニレン基（例えば、下式５１〜５４）、キノリンジイル基（例えば、下式５５〜６９）、キノキサリンジイル基（例えば、下式７０〜７４）、アクリジンジイル基（例えば、下式７５〜７８）、ビピリジルジイル基（例えば、下式７９〜８１）、フェナントロリンジイル基（例えば、下式８２〜８４）、カルバゾール構造を有する基（例えば、下式８５〜８７）等の、ヘテロ原子として窒素を含む２価の複素環基；ヘテロ原子として酸素、けい素、窒素、硫黄、セレン等を含む５員環複素環基（例えば、下式８８〜９２）；ヘテロ原子として酸素、けい素、窒素、セレン等を含む５員環縮合複素環基（例えば、下式９３〜１０３）；ヘテロ原子として酸素、けい素、窒素、硫黄、セレン等を含む５員環複素環基でそのヘテロ原子のα位で結合し２量体やオリゴマーになっている基（例えば、下式１０４〜１０５）；ヘテロ原子として酸素、けい素、窒素、硫黄、セレン等を含む５員環複素環基でそのヘテロ原子のα位でフェニル基に結合している基（例えば、下式１０６〜１１２）；ヘテロ原子として酸素、窒素、硫黄等を含む５員環縮合複素環基にフェニル基やフリル基、チエニル基が置換した基（例えば、下式１１３〜１１８）等が挙げられる。
【０１１８】
2008255344.tif 000052
【０１１９】
2008255344.tif 000053
【０１２０】
2008255344.tif 000054
【０１２１】
2008255344.tif 000055
【０１２２】
2008255344.tif 000056
【０１２３】
2008255344.tif 000057
【０１２４】
2008255344.tif 000058
【０１２５】
2008255344.tif 000059
【０１２６】
2008255344.tif 000060
（式中、Ｒは、前記で定義したとおりである。複数個存在するＲは、同一であっても異なっていてもよい。）
【０１２７】
Ａｒ4で表される２価の芳香族アミン基としては、芳香族第三級アミンまたは芳香族第三級アミンから誘導される化合物の芳香環から水素原子を２個除いて得られる原子団が挙げられる。２価の芳香族アミン基の中では、下記式（２−Ａ）：
【０１２８】
2008255344.tif 000061
〔式中、Ａｒ5、Ａｒ6、Ａｒ7及びＡｒ8は、それぞれ独立に、アリーレン基または２価の複素環基を表す。Ａｒ9、Ａｒ10及びＡｒ11は、それぞれ独立に、アリール基または１価の複素環基を表す。ｘ及びｙは、それぞれ独立に、０または正の整数である。〕
で表される基が、発光波長を変化させる観点、電荷のバランスを取る観点、最大発光効率を高める観点、耐熱性を向上させる観点から好ましい。
【０１２９】
前記式（２−Ａ）中、ｘは、最大発光効率、輝度半減寿命等の素子特性や高分子化合物の合成の行いやすさから、０〜２の整数であることが好ましく、０または１であることがより好ましい。また、前記式（２−Ａ）中、ｙは、最大発光効率、輝度半減寿命等の素子特性や高分子化合物の合成の行いやすさから、０〜２の整数であることが好ましく、０または１であることがより好ましい。
【０１３０】
前記式（２−Ａ）で表される基の例としては、以下の式１１９〜１２６で表されるものが挙げられる。
【０１３１】
2008255344.tif 000062
【０１３２】
2008255344.tif 000063
【０１３３】
2008255344.tif 000064
（式中、Ｒは、前記で定義したとおりである。複数個存在するＲは、同一であっても異なっていてもよい。）
【０１３４】
式（5）で示される繰り返し単位におけるＡｒ4の中では、下記式（５−１）〜（５−５）：
【０１３５】
2008255344.tif 000065
〔式中、Ｒ6は置換基を表し、ｍ１は０〜３の整数を表し、ｍ２は０〜５の整数を表す。
Ｒ6が複数個存在する場合には、それらは同一であっても異なっていてもよい。式（５−１）において、Ｘ’は、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｓ（＝Ｏ）−、−Ｓ（＝Ｏ）2−、−Ｓｉ（Ｒ7）2−Ｓｉ（Ｒ7）2−、−Ｓｉ（Ｒ7）2−、−Ｂ（Ｒ7）−、−Ｐ（Ｒ7）−、−Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ7）−、−Ｏ−Ｃ（Ｒ7）2−またはＮ＝Ｃ（Ｒ7）−を表し、式（５−２）、（５−３）、（５−４）及び（５−５）において、Ｘ’’は、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｓ（＝Ｏ）−、−Ｓ（＝Ｏ）2−、−Ｃ（Ｒ7）2−、−Ｓｉ（Ｒ7）2−Ｓｉ（Ｒ7）2−、−Ｓｉ（Ｒ7）2−、−Ｂ（Ｒ7）−、−Ｐ（Ｒ7）−、−Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ7）−、−Ｏ−Ｃ（Ｒ7）2−、−Ｃ（Ｒ7）2−Ｏ−、−Ｃ（Ｒ7）＝Ｎ−またはＮ＝Ｃ（Ｒ7）−を表し、Ｒ7は水素原子または置換基を表す。Ｒ7が複数個存在する場合には、それらは同一であっても異なっていてもよい。〕
で表される繰り返し単位、及び前記式１０２、１０３、１１９、１２０、１２３、１２４で表される基（該基を繰り返し単位とするもの）が、最大発光効率等の素子特性の観点から好ましい。
【０１３６】
Ｒ6で表される置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、ニトロ基、シアノ基等が挙げられる。これらの基、残基に含まれる水素原子は、フッ素原子に置換されていてもよい。これらの基は、フルオレンジイル基の置換基として説明し例示したものと同じである。
【０１３７】
Ｒ7は置換基であることが好ましく、Ｒ7で表される置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、ニトロ基、シアノ基等が挙げられる。これらの基、残基に含まれる水素原子は、フッ素原子に置換されていてもよい。前記Ｒ7の中では、輝度半減寿命等の素子特性の観点からは、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、１価の複素環基が好ましく、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、１価の複素環基がより好ましく、アルキル基、アリール基が特に好ましい。これらの基は、フルオレンジイル基の置換基として説明し例示したものと同じである。
【０１３８】
本発明の高分子化合物は、置換基を有していてもよいフルオレンジイル基を２種類以上含んでいてもよく、また置換基を１個以上有するフェニレン基を２種類以上含んでいてもよく、前記式(１)で表される繰り返し単位を２種類以上含んでいてもよい。また、前記式（２）で表される基を２種類以上含んでいてもよい。
【０１３９】
本発明の高分子化合物は、さらに下記式（６）：
−ＣＲ8＝ＣＲ9−      （６）
（式中、Ｒ8及びＲ9は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を表す。）
で表される繰り返し単位、および／または下記式（７）：
−Ｃ≡Ｃ−      （７）
で表される繰り返し単位を含んでいてもよい。
【０１４０】
前記式（６）中、Ｒ8及びＲ9で表されるアルキル基、アリール基、１価の複素環基、置換カルボキシル基は、フルオレンジイル基の置換基の項で説明し例示したとおりである。
【０１４１】
本発明の高分子化合物は、末端基の少なくとも１つとして三重項励起状態からの発光を示す化合物の１価の残基を含んでいてもよい。
【０１４２】
−三重項励起状態からの発光を示す化合物（三重項化合物）−
ここで、三重項化合物は、通常、室温（即ち、25℃）で三重項励起状態からの発光を示す化合物であり、例えば、燐光発光や、この燐光発光に加えて蛍光発光が観測される錯体も含まれる。
【０１４３】
前記三重項化合物としては、中心金属が遷移金属またはランタノイドである金属錯体が挙げられ、その例として、イリジウムを中心金属とするIr(ppy)3、Btp2Ir(acac)、白金を中心金属とするPtOEP、ユーロピウムを中心金属とするEu(TTA)3phen等が挙げられる。
【０１４４】
三重項化合物のなかで、錯体化合物としては（以下、「三重項発光錯体化合物」と略す場合がある。）、例えば、従来から低分子系のEL発光性材料として利用されてきた金属錯体化合物があげられる。これらは、例えば、Nature, (1998), 395, 151、Appl. Phys. Lett. (1999), 75(1), 4、Proc. SPIE-Int. Soc. Opt. Eng. (2001), 4105(Organic Light-Emitting Materials and DevicesＩＶ), 119、J. Am. Chem. Soc., (2001), 123, 4304、Appl. Phys. Lett., (1997), 71(18), 2596、Syn. Met., (1998), 94(1), 103、Syn. Met., (1999), 99(2), 1361、Adv. Mater., (1999), 11(10), 852等に開示されている。
【０１４５】
三重項発光錯体化合物の中心金属としては、通常、原子番号５０以上の原子で、該錯体にスピン−軌道相互作用があり、一重項状態と三重項状態間の項間交差を起こしうる金属であり、その例としては、レニウム、イリジウム、オスミウム、スカンジウム、イットリウム、白金、金、およびランタノイド類のユーロピウム、テルビウム、ツリウム、ディスプロシウム、サマリウム、プラセオジウム、ガドリニウムなどが挙げられ、レニウム、イリジウム、白金、金、ユーロピウム、テルビウムが好ましい。
【０１４６】
三重項発光錯体化合物の配位子としては、例えば、８−キノリノールおよびその誘導体、ベンゾキノリノールおよびその誘導体、２−フェニル−ピリジンおよびその誘導体、２−フェニル−ベンゾチアゾールおよびその誘導体、２−フェニル−ベンゾオキサゾールおよびその誘導体、ポルフィリンおよびその誘導体などが挙げられる。
【０１４７】
三重項発光錯体化合物としては、例えば、以下のものがあげられる。
2008255344.tif 000066
【０１４８】
2008255344.tif 000067
【０１４９】
2008255344.tif 000068
【０１５０】
2008255344.tif 000069
【０１５１】
2008255344.tif 000070
【０１５２】
2008255344.tif 000071
【０１５３】
2008255344.tif 000072
【０１５４】
2008255344.tif 000073
【０１５５】
2008255344.tif 000074
【０１５６】
2008255344.tif 000075
【０１５７】
2008255344.tif 000076
【０１５８】
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【０１５９】
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【０１６０】
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【０１６１】
2008255344.tif 000080
【０１６２】
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【０１６３】
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【０１６４】
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【０１６５】
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【０１６６】
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【０１６７】
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【０１６８】
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【０１６９】
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【０１７０】
2008255344.tif 000090
【０１７１】
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【０１７２】
2008255344.tif 000092
【０１７３】
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【０１７４】
2008255344.tif 000094
【０１７５】
2008255344.tif 000095
【０１７６】
2008255344.tif 000096
【０１７７】
2008255344.tif 000097
【０１７８】
2008255344.tif 000098
【０１７９】
2008255344.tif 000099
【０１８０】
2008255344.tif 000100
【０１８１】
2008255344.tif 000101
【０１８２】
2008255344.tif 000102
【０１８３】
その他にも、Jpn.J.Appl.Phys.,34, 1883 (1995)、WO01/41512、WO03/33617、04-2有機EL研究会予稿集 (2004)、WO2005113704、WO2006014599等に記載されている公知のもの、下記の構造式で表されるもの等が例示される。
【０１８４】
2008255344.tif 000103
（式中、Ｒは前述と同じ意味を表す。複数個存在するＲは、同一であっても異なっていてもよい。）
【０１８５】
さらに、三重項化合物としては、三重項励起状態からの発光を示すデンドリマーがより好ましい。ここに三重項励起状態からの発光を示すデンドリマーとしては、例えば、燐光発光や、この燐光発光に加えて蛍光発光が観測される化合物も含まれる。デンドリマーの例としては、たとえばＷＯ０２／０６６５５２に開示されている。また、デンドリマーの発光部としては、たとえば、上記に示した金属錯体構造が例としてあげられる。
【０１８６】
ここでデンドリマーは、コア(core)と呼ばれる中心分子と、デンドロン(dendron)と呼ばれる側鎖部分から構成される。また、デンドロン部分の分岐回数を世代(generation)という。デンドリマーの例としては、たとえば文献(高分子第４７巻11月号８１２頁、１９９８年)やＷＯ０２／０６６５７５に紹介されており、さまざまな機能を目的として設計、合成されている。デンドリマーの例として、下式のものがあげられる。
ＣＯＲＥ−[Ｄ1]Z1［Ｄ2］Z2
〔式中、ＣＯＲＥは（Ｚ１＋Ｚ２）価の原子または原子団を表し、Ｚ１およびＺ２は１以上の整数を表す。Ｄ1およびＤ2は、それぞれ独立に樹枝構造を有するデンドロンを表し、Ｄ1およびＤ2が複数個存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよく、Ｄ1およびＤ2の少なくとも１つはヘテロ原子を含んでいてもよい芳香環を含む共役系である。〕
【０１８７】
ＣＯＲＥは（Ｚ１＋Ｚ２）価の原子または原子団を表し、たとえばＩＥＥＥ２００２,p１９５(Conference Proceeds)、ＷＯ02/066575、ＷＯ02/066552に記載されているものが例として挙げられる。
また、上記樹枝構造とは、たとえば  高分子  ５２巻、８月号、ｐ５７８（２００３年）、Ｍ＆ＢＥ、vol.１４、Ｎｏ３、ｐ１６９（２００３）に示されており、分岐構造とも表現されることがある。
【０１８８】
ヘテロ原子を含んでいてもよい芳香環としては、ベンゼン環、ピリジン環、ピリミジン環、ナフタレン環、キノリン環、イソキノリン環、カルバゾール、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン等であらわされるような環が例としてあげられる。
デンドリマーをさらに、模式的に表すと下記のように表される。
2008255344.tif 000104
上図中、ＣＯＲＥは発光性の構造単位をあらわし、たとえば金属錯体構造を有する。Ｄ1、Ｄ2、Ｄ3はデンドロンを表し、分岐単位である。上図ではＤ3までを記載しているが、Ｄ3以降も分岐単位が繰り返されていてもよい。また分岐単位は同じでもよいし、異なる構造でもよい。ｇは１以上の整数で、ｇが２以上の場合に、各々のグループに属する分岐単位は同じでも異なっていてもよい。分岐単位は、たとえば３価の芳香環、縮合環、複素環などの構造を有する。また、分岐が終了する末端に、表面基を有していてもよい。表面基は水素以外の原子、アルキル基、アルコキシ基などである。
【０１８９】
溶解性向上の点でデンドリマーの表面基の少なくとも１つが、水素原子以外であることが好ましい。
【０１９０】
デンドリマーのなかで発光性デンドリマーとしては、発光性の構造単位を中心(上図のＣＯＲＥ)に有する樹枝状多分岐構造からなるものである。
【０１９１】
本発明の高分子化合物の末端基として含まれる三重項化合物の１価の残基とは、前記三重項化合物の水素原子を１個除いた残りの基を意味する。
【０１９２】
本発明の高分子化合物は、さらに三重項励起状態からの発光を示す化合物の２価または３価の残基を主鎖に含んでいてもよい。ここで、三重項化合物の２価または３価の残基とは、前記三重項化合物の水素原子を２個または３個除いた残りの基を意味する。
【０１９３】
本発明の高分子化合物が、前記三重項化合物の３価の残基を主鎖に含む場合、該三重項化合物の３価の残基の部位で、本発明の高分子化合物は分岐している。
【０１９４】
本発明の高分子化合物が、前記三重項化合物の２価または３価の残基を主鎖に含む場合主鎖に含まれる三重項化合物の２価または３価の残基の数は、１個でもよく、繰り返し単位として２個以上含んでいてもよい。
【０１９５】
本発明の高分子化合物が三重項化合物の２価または３価の残基を繰り返し単位として有する場合、置換基を有していてもよいフルオレンジイル基からなる繰り返し単位と置換基を１個以上有するフェニレン基からなる繰り返し単位との合計を１００モルとすると、三重項化合物の２価または３価の残基を０．０１〜６０モル含むことが好ましく、０．１〜２５モル含むことがより好ましい。
【０１９６】
本発明の高分子化合物は、さらにアリーレン基または２価の複素環基であって、三重項励起状態からの発光を示す化合物の１価の残基を有する基を含んでいてもよい。ここで、アリーレン基または２価の複素環基であって、三重項励起状態からの発光を示す化合物の１価の残基を有する基としては、例えば、下記式（８）で示される基があげられる。
【０１９７】
2008255344.tif 000105
〔式中、Ａｒ12は、アリーレン基、または酸素原子、ケイ素原子、ゲルマニウム原子、スズ原子、リン原子、ホウ素原子、硫黄原子、セレン原子及びテルル原子からなる群から選ばれる原子を一個以上有する２価の複素環基を表す。但し、Ａｒ12は、−Ｌ−Ｘで表される基を１〜４個有する。ここで、Ｘは独立に、三重項化合物の１価の残基を表し、Ｌは、複数個存在する場合には同一であっても異なっていてもよく、単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、―ＣＯ−、−ＣＯ2−、−ＳＯ−、−ＳＯ2−、−ＳｉＲ10Ｒ10−、ＮＲ10−、−ＢＲ10−、−ＰＲ10−、−Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ10）−、置換されていてもよいアルキレン基、置換されていてもよいアルケニレン基、置換されていてもよいアルキニレン基、置換されていてもよいアリーレン基、または置換されていてもよい２価の複素環基を表す。但し、該アルキレン基、該アルケニレン基、該アルキニレン基が−ＣＨ2−基を含む場合、該アルキレン基に含まれる−ＣＨ2−基の一個以上、該アルケニレン基に含まれる−ＣＨ2−基の一個以上、該アルキニレン基に含まれる−ＣＨ2−基の一個以上が、各々、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＯ2−、−ＳＯ−、−ＳＯ2−、−ＳｉＲ11Ｒ11−、ＮＲ11−、−ＢＲ11−、−ＰＲ11−及び−Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ11）−からなる群から選ばれる基で置換されていてもよい。ここで、Ｒ10およびＲ11は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基及びシアノ基からなる群より選ばれる基を表し、前述でフルオレンジイル基の置換基として説明し例示したものと同じである。Ａｒ12は、−Ｌ−Ｘで表される基以外に、さらに、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基及びシアノ基からなる群から選ばれる置換基を有していてもよい。これらの置換基の例は、前述でフルオレンジイル基の置換基として説明し例示したものと同じである。Ａｒ12が複数の置換基を有する場合には、それらは、同一であってもよいし、それぞれ異なっていてもよい。〕
【０１９８】
Ａｒ12で表される２価の基におけるアリーレン基としては、例えば、フェニレンフルオレンジイル基、ベンゾフルオレンジイル基、ナフチレン基等が、２価の複素環基としては、ピリジニレン基、ピリミジレン基等が挙げられる。
【０１９９】
本発明の高分子化合物が、前記式（８）で示される基を含む場合、前記式（８）を高分子化合物中に１個含んでいてもよく、繰り返し単位として２個以上含んでいてもよい。
【０２００】
本発明の高分子化合物が前記式（８）を表される基を繰り返し単位として有する場合、置換基を有していてもよいフルオレンジイル基からなる繰り返し単位と置換基を１個以上有するフェニレン基からなる繰り返し単位との合計を１００モルとすると、前記式（８）で表される繰り返し単位を０．０１〜６０モル含むことが好ましく、０．１〜２５モル含むことがより好ましい。
【０２０１】
本発明の高分子化合物は、三重項化合物の１価の残基を高分子化合物の末端基の少なくとも１つとして有し、かつ、三重項化合物の２価または３価の残基を主鎖に含んでいてもよく、さらにアリーレン基または２価の複素環基であって、三重項化合物の１価の残基を置換基として有する基を含んでいてもよい。また、三重項化合物の２価または３価の残基を主鎖に含んでおり、かつ、アリーレン基または２価の複素環基であって、三重項励起状態からの発光を示す化合物の１価の残基を置換基として有する基を含んでいてもよく、三重項化合物の１価の残基を高分子化合物の末端基の少なくとも１つとして有し、かつ、アリーレン基または２価の複素環基であって、三重項励起状態からの発光を示す化合物の１価の残基を置換基として有する基を含んでいてもよい。
【０２０２】
本発明の高分子化合物は、発光特性や電荷輸送特性を損なわない範囲で、さらに、置換基を有していてもよいフルオレンジイル基、置換基を１個以上有するフェニレン基、前記式（１）、（５）〜（８）で表される繰り返し単位以外の繰り返し単位を含んでいてもよく、前記式（２）で表される基以外の基を含んでいてもよい。
【０２０３】
本発明の高分子化合物中の繰り返し単位は、非共役構造で連結されていてもよいし、該繰り返し単位の中に該非共役構造が含まれていてもよい。この非共役構造としては、以下に示すもの、及びそれらを２個以上組み合わせたもの等が例示される。
【０２０４】
2008255344.tif 000106
（式中、Ｒは独立に、前記で定義したとおりであり、Ａｒはヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数６〜６０の炭化水素基を表す。Ｒが複数個存在する場合には、それらは同一であっても異なっていてもよい。）
【０２０５】
前記式中、前記ヘテロ原子としては、酸素、硫黄、窒素、珪素、硼素、燐、セレン等が挙げられる。
【０２０６】
本発明の高分子化合物は、ランダム共重合高分子化合物、グラフト共重合高分子化合物、交互共重合高分子化合物のいずれであってもよい。また、主鎖に枝分かれがあり、末端基が３個以上ある場合やデンドリマーも含まれる。
【０２０７】
本発明の高分子化合物が、置換基を有していてもよいフルオレンジイル基、置換基を１個以上有するフェニレン基および前記式（１）で表される繰り返し単位を含む場合、高分子化合物が有する全繰り返し単位の合計を１００モルとすると、置換基を有していてもよいフルオレンジイル基は１０〜４８モルであることが好ましく、２０〜４５モルであることがより好ましい。置換基を１個以上有するフェニレン基は５０〜８０モルであることが好ましく、５０〜７０モルであることがより好ましい。前記式（１）で表される繰り返し単位は２〜３０モルであることが好ましい。
【０２０８】
本発明の高分子化合物が、置換基を有していてもよいフルオレンジイル基、置換基を１個以上有するフェニレン基および前記式（２）で表される基を含む場合、高分子化合物が有する全繰り返し単位の合計を１００モルとすると置換基を有していてもよいフルオレンジイル基は２０〜５０モルであることが好ましく、置換基を１個以上有するフェニレン基は５０〜８０モルであることが好ましい。また、高分子化合物が含む前記式（２）で表される基の数は全繰り返し単位の合計数を１００とすると０．１〜４であることが好ましい。
【０２０９】
最大発光効率の高さの観点からは、本発明の高分子化合物の好ましい１つの態様として、前記式（１−２）で表される繰り返し単位、前記式（３−２）で表される繰り返し単位および前記式（４−１）で表される繰り返し単位を含む高分子化合物があげられる。
【０２１０】
最大発光効率の高さの観点からは、本発明の高分子化合物の好ましい他の態様として、前記式（３−２）で表される繰り返し単位および前記式（４−１）で表される繰り返し単位を含み、かつ、前記式（２−２）で表される基を高分子化合物の末端基の少なくとも１つとして有する高分子化合物があげられる。
【０２１１】
本発明の高分子化合物のポリスチレン換算の数平均分子量は、通常、１×103〜１×108程度であり、好ましくは１×104〜１×106である。また、ポリスチレン換算の重量平均分子量は、通常、３×103〜１×108程度であり、成膜性の観点及び素子にした場合の発光効率の観点から、好ましくは５×104以上であり、１×105以上がさらに好ましいが、高分子化合物の有機溶媒への溶解性の観点からは、１×105〜５×106であることが好ましい。数平均分子量及び重量平均分子量がかかる範囲の高分子化合物を１種単独で素子に用いた場合でも該高分子化合物の２種類以上を併用して素子に用いた場合でも、得られる素子は高発光効率である。また、本発明の組成物の成膜性を向上させる観点から、重量平均分子量／数平均分子量で規定される分散度が３以下であることが好ましい。
【０２１２】
本発明の高分子化合物の分子鎖末端に位置する基（即ち、末端基）に重合に関与する基（通常、重合活性基と呼ばれる。）が残っていると、該組成物を発光素子に用いたときの発光特性、寿命が低下する可能性があるので、前記式（２）で表される基または三重項化合物の１価の残基で保護されていることが好ましい。これらの基以外であっても、重合に関与しない安定な基であればよく、分子鎖主鎖の共役構造と連続した共役結合を有しているものが好ましい。例えば、炭素―炭素結合を介してアリール基または複素環基と結合している構造が例示される。具体的には、特開平9-45478号公報の化10に記載の置換基等が例示される。
【０２１３】
本発明の高分子化合物の分子鎖末端を、前記式（２）で表される基または三重項化合物の１価の残基、または、１価の複素環基、１価の芳香族アミン基およびアリール基から選ばれる芳香族末端基で封止することにより、高分子化合物に様々な特性を付加することが期待される。このような特性としては、素子の輝度低下に要する時間を長くする効果、電荷注入性、電荷輸送性、発光特性等を高める効果、高分子化合物間の相溶性や相互作用を高める効果、アンカー的な効果等が挙げられる。
【０２１４】
本発明の高分子化合物の製造方法は、モノマーとなる、反応性置換基を複数有する化合物を、必要に応じ、有機溶媒に溶解し、例えばアルカリや適当な触媒を用い、有機溶媒の融点以上沸点以下で行うことができる。例えば、“オルガニック  リアクションズ（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｒｅａｃｔｉｏｎｓ）”，第１４巻，２７０−４９０頁，ジョンワイリー  アンド  サンズ（Ｊｏｈｎ  Ｗｉｌｅｙ＆Ｓｏｎｓ，Ｉｎｃ．），１９６５年、  “オルガニック  シンセシス（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｓｙｎｔｈｅｓｅｓ）”，コレクティブ第６巻（Ｃｏｌｌｅｃｔｉｖｅ  Ｖｏｌｕｍｅ  ＶＩ），４０７−４１１頁，ジョンワイリー  アンド  サンズ（Ｊｏｈｎ  Ｗｉｌｅｙ＆Ｓｏｎｓ，Ｉｎｃ．），１９８８年、ケミカル  レビュー（Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．），第９５巻，２４５７頁（１９９５年）、ジャーナル  オブ  オルガノメタリック  ケミストリー（Ｊ．Ｏｒｇａｎｏｍｅｔ．Ｃｈｅｍ．），第５７６巻，１４７頁（１９９９年）、マクロモレキュラー  ケミストリー  マクロモレキュラー  シンポジウム（Ｍａｋｒｏｍｏｌ．Ｃｈｅｍ．，Ｍａｃｒｏｍｏｌ．Ｓｙｍｐ．），第１２巻，２２９頁（１９８７年）などに記載の公知の方法を用いることができる。
【０２１５】
本発明の高分子化合物の製造方法において、縮合重合させる方法としては、既知の縮合反応を用いることにより製造できる。縮合重合において、二重結合を生成する場合は、例えば特開平５−２０２３５５号公報に記載の方法が挙げられる。すなわち、ホルミル基を有する化合物とホスホニウムメチル基を有する化合物との、もしくはホルミル基とホスホニウムメチル基とを有する化合物のＷｉｔｔｉｇ反応による重合、ビニル基を有する化合物とハロゲン原子を有する化合物とのＨｅｃｋ反応による重合、モノハロゲン化メチル基を２つあるいは２つ以上有する化合物の脱ハロゲン化水素法による重縮合、スルホニウムメチル基を２つあるいは２つ以上有する化合物のスルホニウム塩分解法による重縮合、ホルミル基を有する化合物とシアノ基を有する化合物とのＫｎｏｅｖｅｎａｇｅｌ反応による重合などの方法、ホルミル基を２つあるいは２つ以上有する化合物のＭｃＭｕｒｒｙ反応による重合などの方法が例示される。
本発明の高分子化合物が縮合重合によって主鎖に三重結合を生成する場合には、例えば、Ｈｅｃｋ反応が利用できる。
【０２１６】
また、二重結合や三重結合を生成しない場合には、例えば該当するモノマーからＳｕｚｕｋｉカップリング反応により重合する方法、Ｇｒｉｇｎａｒｄ反応により重合する方法（共立出版、高分子機能材料シリーズ第２巻、高分子の合成と反応（２）、432〜433頁）、Ｎｉ（０）錯体により重合する方法（プログレッシブ  ポリマー  サイエンス（Prog.Polym.Sci.）,第17巻,1153〜1205頁，1992年）、ＦｅＣｌ3等の酸化剤により重合する方法、電気化学的に酸化重合する方法（丸善、実験化学講座第４版、28巻、339〜340頁）、あるいは適当な脱離基を有する中間体高分子の分解による方法などが例示される。
【０２１７】
これらのうち、Ｗｉｔｔｉｇ反応による重合、Ｈｅｃｋ反応による重合、Ｋｎｏｅｖｅｎａｇｅｌ反応による重合、およびＳｕｚｕｋｉカップリング反応により重合する方法、Ｇｒｉｇｎａｒｄ反応により重合する方法、ニッケルゼロ価錯体により重合する方法が、構造制御がしやすいので好ましい。
【０２１８】
本発明に用いる高分子化合物の原料モノマーが有する反応性置換基が、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基またはアリールアルキルスルホネート基である場合は、ニッケルゼロ価錯体存在下で縮合重合する製造方法が好ましい。
原料化合物としては、ジハロゲン化化合物、ビス（アルキルスルホネート）化合物、ビス（アリールスルホネート）化合物、ビス（アリールアルキルスルホネート）化合物あるいはハロゲン−アルキルスルホネート化合物、ハロゲン−アリールスルホネート化合物、ハロゲン−アリールアルキルスルホネート化合物、アルキルスルホネート−アリールスルホネート化合物、アルキルスルホネート−アリールアルキルスルホネート化合物、アリールスルホネート−アリールアルキルスルホネート化合物が挙げられる。
【０２１９】
また、本発明に用いる高分子化合物の原料モノマーが有する反応性置換基が、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基、アリールアルキルスルホネート基、ホウ酸基、またはホウ酸エステル基である場合は、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基およびアリールアルキルスルホネート基のモル数の合計と、ホウ酸基およびホウ酸エステル基のモル数の合計の比が実質的に１（通常０．７〜１．２の範囲）であり、ニッケル触媒またはパラジウム触媒を用いて縮合重合する製造方法が好ましい。
原料化合物の組み合わせの例としては、ジハロゲン化合物、ビス（アルキルスルホネート）化合物、ビス（アリールスルホネート）化合物またはビス（アリールアルキルスルホネート）化合物とジホウ酸化合物またはジホウ酸エステル化合物との組み合わせが挙げられる。
また、ハロゲン−ホウ酸化合物、ハロゲン−ホウ酸エステル化合物、アルキルスルホネート−ホウ酸化合物、アルキルスルホネート−ホウ酸エステル化合物、アリールスルホネート−ホウ酸化合物、アリールスルホネート−ホウ酸エステル化合物、アリールアルキルスルホネート−ホウ酸化合物、アリールアルキルスルホネート−ホウ酸化合物、アリールアルキルスルホネート−ホウ酸エステル化合物挙げられる。
有機溶媒としては、用いる化合物や反応によっても異なるが、一般に副反応を抑制するために、用いる溶媒は十分に脱酸素処理を施し、不活性雰囲気化で反応を進行させることが好ましい。また、同様に脱水処理を行うことが好ましい。但し、Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応のような水との２相系での反応の場合にはその限りではない。
【０２２０】
反応させるために適宜アルカリや適当な触媒を添加する。これらは用いる反応に応じて選択すればよい。該アルカリまたは触媒は、反応に用いる溶媒に十分に溶解するものが好ましい。アルカリまたは触媒を混合する方法としては、反応液をアルゴンや窒素などの不活性雰囲気下で攪拌しながらゆっくりとアルカリまたは触媒の溶液を添加するか、逆にアルカリまたは触媒の溶液に反応液をゆっくりと添加する方法が例示される。
【０２２１】
本発明の高分子化合物を高分子発光素子等に用いる場合、高分子化合物の純度が発光特性等の素子の性能に影響を与えるため、重合前のモノマーを蒸留、昇華精製、再結晶等の方法で精製した後に重合することが好ましい。また、重合後、再沈精製、クロマトグラフィーによる分別等の純化処理をすることが好ましい。
【０２２２】
＜組成物＞
本発明の組成物は、前記高分子化合物と前記三重項励起状態からの発光を示す化合物（三重項化合物）を含む。
【０２２３】
本発明の組成物において、前記高分子化合物と前記三重項化合物との割合は、組み合わせる高分子化合物の種類や、最適化したい特性により異なるので、特に限定されないが、前記高分子化合物１００重量部に対して、前記三重項化合物は、通常、０．０１〜５０重量部であり、好ましくは０．１〜４０重量部、より好ましくは５〜４０重量部である。
【０２２４】
本発明の組成物において、前記高分子化合物及び前記三重項化合物は、各々、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。
【０２２５】
本発明の組成物は、正孔輸送材料、電子輸送材料及び発光材料からなる群から選ばれる少なくとも１種類の材料をさらに含んでいてもよい。
【０２２６】
本発明の組成物が含んでいてもよい発光材料としては、低分子蛍光材料または前記式（１）で表される繰り返し単位および前記式（２）で表される基を有しない高分子化合物が挙げられる。
【０２２７】
本発明の組成物が含んでいてもよい低分子蛍光材料は、通常、400〜700nmの波長範囲に光ルミネッセンス発光ピークを有するものである。低分子蛍光材料の分子量は、通常、3000未満であり、好ましくは100〜1000程度であり、より好ましくは100〜500程度である。
【０２２８】
前記低分子蛍光材料としては、例えば、ナフタレン誘導体、アントラセン、アントラセン誘導体、ペリレン、ペリレン誘導体、ポリメチン系色素、キサンテン系色素、クマリン系色素、シアニン系色素、８−ヒドロキシキノリンの金属錯体を配位子として有する金属錯体、８−ヒドロキシキノリン誘導体を配位子として有する金属錯体、その他の蛍光性金属錯体、芳香族アミン、テトラフェニルシクロペンタジエン、テトラフェニルシクロペンタジエン誘導体、テトラフェニルシクロブタジエン、テトラフェニルシクロブタジエン誘導体、スチルベン系、含ケイ素芳香族系、オキサゾール系、フロキサン系、チアゾール系、テトラアリールメタン系、チアジアゾール系、ピラゾール系、メタシクロファン系、アセチレン系等の低分子化合物の蛍光性材料が挙げられる。具体的には、例えば、特開昭57-51781号公報、特開昭59-194393号公報等に記載されているもの、公知のものが挙げられ
る。以下、該低分子蛍光材料の例示において、式中のＲは前述と同じ意味を表し、中でも、水素原子、アルキル基、１価の複素環基、置換アミノ基、シアノ基またはハロゲン原子であることが好ましい。また、これらの基に含まれる水素原子は、フッ素原子に置換されていてもよい。
【０２２９】
また、前記式（１）で表される繰り返し単位および前記式（２）で表される基を共に有しない高分子化合物としては、前記式（３）で表される繰り返し単位のみを有する高分子化合物、前記式（３）で表される繰り返し単位および前記式（４）で表される繰り返し単位のみを有する高分子化合物、前記式（３）で表される繰り返し単位および前記式（５）で表される繰り返し単位のみを有する高分子化合物、前記式（５）で表される繰り返し単位のみを有する高分子化合物等があげられる。
【０２３０】
本発明の組成物が含有してもよい正孔輸送材料としては、例えば、ポリビニルカルバゾール及びその誘導体、ポリシラン及びその誘導体、側鎖または主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリピロール及びその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）及びその誘導体、ポリ（２，５−チエニレンビニレン）及びその誘導体等が挙げられる。
【０２３１】
本発明の組成物が含有してもよい電子輸送材料としては、例えば、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタン及びその誘導体、ベンゾキノン及びその誘導体、ナフトキノン及びその誘導体、アントラキノン及びその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタン及びその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン及びその誘導体、ジフェノキノン誘導体、８−ヒドロキシキノリン及びその誘導体の金属錯体、ポリキノリン及びその誘導体、ポリキノキサリン及びその誘導体、ポリフルオレン及びその誘導体等が挙げられる。
【０２３２】
その他にも、本発明の組成物は、溶媒、安定剤、粘度及び／または表面張力を調節するための添加剤、酸化防止剤等を含んでいてもよい。これらの任意成分は、各々、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。
【０２３３】
本発明の組成物が含有してもよい安定剤としては、例えば、フェノール系酸化防止剤、リン系酸化防止剤等が挙げられる。
【０２３４】
本発明の組成物が含有してもよい粘度及び／または表面張力を調節するための添加剤としては、例えば、粘度を高めるための高分子量の化合物（増粘剤）や貧溶媒、粘度を下げるための低分子量の化合物、表面張力を下げるための界面活性剤等を適宜組み合わせて使用すればよい。
【０２３５】
前記の高分子量の化合物としては、発光や電荷輸送を阻害しないものであればよく、組成物が溶媒を含む場合には、通常、該溶媒に可溶性のものである。高分子量の化合物としては、例えば、高分子量のポリスチレン、高分子量のポリメチルメタクリレート等を用いることができる。前記の高分子量の化合物のポリスチレン換算の重量平均分子量は50万以上が好ましく、100万以上がより好ましい。また、貧溶媒を増粘剤として用いることもできる。即ち、本発明の組成物が溶媒を含む場合（即ち、後述の液状組成物である場合）、該組成物中の固形分に対して少量の貧溶媒を添加することで、該組成物の粘度を高めることができる。この目的で貧溶媒を添加する場合、該組成物中の固形分が析出しない範囲で、貧溶媒の種類と添加量を選択すればよい。保存時の安定性も考慮すると、貧溶媒の量は、組成物全体に対して50重量％以下であることが好ましく、30重量％以下であることがより好ましい。
【０２３６】
本発明の組成物が含有してもよい酸化防止剤としては、発光や電荷輸送を阻害しないものであればよく、組成物が溶媒を含む場合には、通常、該溶媒に可溶性のものである。酸化防止剤としては、フェノール系酸化防止剤、リン系酸化防止剤等が例示される。酸化防止剤を用いることにより、本発明の組成物、溶媒の保存安定性を改善し得る。
【０２３７】
本発明の組成物が正孔輸送材料を含有する場合には、該組成物中の正孔輸送材料の割合は、通常、１重量％〜80重量％であり、好ましくは５重量％〜60重量％である。本発明の組成物が電子輸送材料を含有する場合には、該組成物中の電子輸送材料の割合は、通常、１重量％〜80重量％であり、好ましくは５重量％〜60重量％である。
【０２３８】
＜液状組成物＞
本発明の組成物は、特に液状組成物として高分子発光素子等の発光素子に有用である。
液状組成物は、本発明の組成物が必要に応じて溶媒を含んでなるものである。本明細書において、「液状組成物」とは、素子作製時において液状であるものを意味し、典型的には、常圧（即ち、１気圧）、25℃において液状のものを意味する。また、液状組成物は、一般的には、インク、インク組成物、溶液等と呼ばれることがある。
【０２３９】
高分子発光素子の作製の際に、この液状組成物（例えば、溶液状態の組成物）を用いて成膜する場合、該液状組成物を塗布した後、乾燥により溶媒を除去するだけでよく、また電荷輸送材料や発光材料を混合した場合においても同様な手法が適用できるので、製造上非常に有利である。なお、乾燥の際には、50〜150℃程度に加温した状態で乾燥してもよく、また、10-3Ｐａ程度に減圧して乾燥させてもよい。
【０２４０】
液状組成物からの成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スリットコート法、キャピラリーコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法、ノズルコート法、ディスペンサー法、マイクロディスペンサー法、等の塗布法を用いることができる。
パターン形成や多色の塗分けが容易であるという点で、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の印刷法が好ましい。
また、溶液の使用効率の点で、インクジェットプリント法、ノズルコート法、ディスペンサー法が好ましい。
さらに、成膜速度の観点からは、マイクログラビアコート法、スピンコート法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法が好ましい。
【０２４１】
液状組成物中の溶媒の割合は、該液状組成物の全重量に対して、通常、１重量％〜99．9重量％であり、好ましくは60重量％〜99.9重量％であり、さらに好ましく90重量％〜99.8重量％である。液状組成物の粘度は印刷法によって異なるが、25℃において0.5〜500mPa・sの範囲が好ましく、インクジェットプリント法等液状組成物が吐出装置を経由するものの場合には、吐出時の目づまりや飛行曲がりを防止するために粘度が25℃において0.5〜20mPa・sの範囲であることが好ましい。また、前記式（１）で表される繰り返し単位を含む高分子化合物及び低分子蛍光材料の重量の和が液状組成物から溶媒を除いた全成分の合計重量に対して、通常は20重量％〜100重量％であり、好ましくは40重量％〜100重量％である。
【０２４２】
液状組成物に含まれる溶媒としては、該組成物中の該溶媒以外の成分を溶解または分散できるものが好ましい。該溶媒としては、クロロホルム、塩化メチレン、１，２−ジクロロエタン、１，１，２−トリクロロエタン、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン、トリメチルベンゼン、メシチレン等の芳香族炭化水素系溶媒、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−へプタン、ｎ−オクタン、ｎ−ノナン、ｎ−デカン等の脂肪族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、メチルベンゾエート、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒、エチレングリコール、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジメトキシエタン、プロピレングリコール、ジエトキシメタン、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、グリセリン、１，２−ヘキサンジオール等の多価アルコール及びその誘導体、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、シクロヘキサノール等のアルコール系溶媒、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等のアミド系溶媒が例示される。また、これらの溶媒は、１種単独で用いても複数組み合わせて用いてもよい。前記溶媒のうち、ベンゼン環を少なくとも１個以上含む構造を有し、かつ融点が０℃以下、沸点が１００℃以上である有機溶媒を１種類以上含むことが、粘度、成膜性等の観点から好ましい。
【０２４３】
溶媒の種類としては、液状組成物中の溶媒以外の成分の有機溶媒への溶解性、成膜時の均一性、粘度特性等の観点から、芳香族炭化水素系溶媒、脂肪族炭化水素系溶媒、エステル系溶媒、ケトン系溶媒が好ましく、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、ジエチルベンゼン、トリメチルベンゼン、メシチレン、ｎ−プロピルベンゼン、ｉ−プロピルベンゼン、ｎ−ブチルベンゼン、ｉ−ブチルベンゼン、ｓ−ブチルベンゼン、アニソール、エトキシベンゼン、１−メチルナフタレン、シクロヘキサン、シクロヘキサノン、シクロヘキシルベンゼン、ビシクロヘキシル、シクロヘキセニルシクロヘキサノン、ｎ−ヘプチルシクロヘキサン、ｎ−ヘキシルシクロヘキサン、メチルベンゾエート、２−プロピルシクロヘキサノン、２−ヘプタノン、３−ヘプタノン、４−ヘプタノン、２−オクタノン、２−ノナノン、２−デカノン、ジシクロヘキシルケトンが好ましく、キシレン、アニソール、メシチレン、シクロヘキシルベンゼン、ビシクロヘキシルメチルベンゾエートのうち少なくとも１種類を含むことがより好ましい。
【０２４４】
液状組成物に含まれる溶媒の種類は、成膜性の観点や素子特性等の観点から、２種類以上であることが好ましく、２〜３種類であることがより好ましく、２種類であることがさらに好ましい。
【０２４５】
液状組成物に２種類の溶媒が含まれる場合、そのうちの１種類の溶媒は25℃において固体状態でもよい。成膜性の観点から、１種類の溶媒は沸点が180℃以上のものであり、他の１種類の溶媒は沸点が180℃未満のものであることが好ましく、１種類の溶媒は沸点が200℃以上のものであり、他の１種類の溶媒は沸点が180℃未満のものであることがより好ましい。また、粘度の観点から、60℃において、液状組成物から溶媒を除いた成分の0.2重量％以上が溶媒に溶解することが好ましく、２種類の溶媒のうちの１種類の溶媒には、25℃において、液状組成物から溶媒を除いた成分の0.2重量％以上が溶解することが好ましい。
【０２４６】
液状組成物に３種類の溶媒が含まれる場合、そのうちの１〜２種類の溶媒は25℃において固体状態でもよい。成膜性の観点から、３種類の溶媒のうちの少なくとも１種類の溶媒は沸点が180℃以上の溶媒であり、少なくとも１種類の溶媒は沸点が180℃未満の溶媒であることが好ましく、３種類の溶媒のうちの少なくとも１種類の溶媒は沸点が200℃以上300℃以下の溶媒であり、少なくとも１種類の溶媒は沸点が180℃未満の溶媒であることがより好ましい。また、粘度の観点から、３種類の溶媒のうちの２種類の溶媒には、60℃において、液状組成物から溶媒を除いた成分の0.2重量％以上が溶媒に溶解することが好ましく、３種類の溶媒のうちの１種類の溶媒には、25℃において、液状組成物から溶媒を除いた成分の0.2重量％以上が溶媒に溶解することが好ましい。
【０２４７】
液状組成物に２種類以上の溶媒が含まれる場合、粘度及び成膜性の観点から、最も沸点が高い溶媒が、液状組成物に含まれる全溶媒の重量の40〜90重量％であることが好ましく、50〜90重量％であることがより好ましく、65〜85重量％であることがさらに好ましい。
【０２４８】
液状組成物に含まれる溶媒としては、粘度及び成膜性の観点から、アニソール及びビシクロヘキシルの組み合わせ、アニソール及びシクロヘキシルベンゼンの組み合わせ、キシレン及びビシクロヘキシルの組み合わせ、キシレン及びシクロヘキシルベンゼンの組み合わせ、メシチレン及びメチルベンゾエートの組み合わせが好ましい。
【０２４９】
液状組成物に含まれる溶媒以外の成分の溶媒への溶解性の観点から、溶媒の溶解度パラメータと、本発明の組成物に含まれる高分子化合物の溶解度パラメータとの差が10以下であることが好ましく、７以下であることがより好ましい。これらの溶解度パラメータは、「溶剤ハンドブック（講談社刊、1976年）」に記載の方法で求めることができる。
【０２５０】
＜薄膜＞
次いで、本発明の薄膜について説明する。この薄膜は、前記組成物、前記高分子化合物または前記液状組成物を用いてなるものである。薄膜の種類としては、発光性薄膜、導電性薄膜、有機半導体薄膜が例示される。
【０２５１】
発光性薄膜は、素子の輝度や発光電圧等の観点から、発光の量子収率が50％以上であることが好ましく、60％以上であることがより好ましく、70％以上であることがさらに好ましい。
【０２５２】
導電性薄膜は、表面抵抗が１ＫΩ／□以下であることが好ましい。薄膜に、ルイス酸、イオン性化合物等をドープすることにより、電気伝導度を高めることができる。表面抵抗が100Ω／□以下であることがより好ましく、10Ω／□以下であることがさらに好ましい。
【０２５３】
有機半導体薄膜は、電子移動度または正孔移動度のいずれかの値が大きいほうが好ましく、その値として、好ましくは10-5ｃｍ2／Ｖｓ以上であり、より好ましくは10-3ｃｍ2／Ｖｓ以上であり、さらに好ましくは10-1ｃｍ2／Ｖｓ以上である。
【０２５４】
＜高分子化合物、組成物の用途＞
次に本発明の高分子化合物、組成物（液状組成物を含む。）の用途について説明する。
本発明の高分子化合物、組成物は、通常、固体状態で発光し、高分子発光体（即ち、高分子量の発光材料）として用いることができる。また、本発明の組成物は優れた電荷輸送能を有しており、高分子化合物を含む有機ＥＬ素子（以下、「高分子発光素子」と略する場合がある。）用材料や電荷輸送材料として好適に用いることができる。該高分子発光体を用いた高分子発光素子は低電圧、高発光効率で駆動できる高性能の高分子発光素子である。従って、本発明の組成物は、曲面状光源、平面状光源等の面状光源（例えば、照明等）；セグメント表示装置（例えば、セグメントタイプの表示素子等）、ドットマトリックス表示装置（例えば、ドットマトリックスのフラットディスプレイ等）、液晶表示装置（例えば、液晶表示装置、液晶ディスプレイのバックライト等）等の表示装置等の材料として有用である。また、本発明の組成物は、レーザー用色素、有機太陽電池用材料、導電性薄膜、有機半導体薄膜等の伝導性薄膜用材料、発光性薄膜材料等としても用いることができる。
【０２５５】
＜高分子発光素子＞
次に、本発明の高分子発光素子について説明する。
本発明の高分子発光素子は、陽極及び陰極からなる電極と、該電極間に設けられ前記組成物及び／または前記高分子化合物を含む有機層（即ち、有機物を含む層）とを有するものである。前記有機層は、発光層、正孔輸送層、電子輸送層等のいずれであってもよいが、有機層が発光層であることが好ましい。本発明の高分子発光素子は、本発明の組成物が正孔輸送層及び／または電子輸送層に含まれているものも含む。
【０２５６】
発光層とは、発光する機能を有する層をいう。正孔輸送層とは、正孔を輸送する機能を有する層をいう。電子輸送層とは、電子を輸送する機能を有する層をいう。なお、正孔輸送層と電子輸送層を総称して電荷輸送層という。発光層、正孔輸送層、電子輸送層は、それぞれ独立に２層以上存在してもよい。
【０２５７】
本発明の高分子発光素子が発光層を有する場合、該発光層の厚さは、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、例えば、１ｎｍ〜１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜500ｎｍ、さらに好ましくは５ｎｍ〜200ｎｍである。
【０２５８】
発光層の形成方法としては、例えば、液状組成物からの成膜による方法が挙げられる。
液状組成物からの成膜には、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の塗布法を用いることができる。パターン形成や多色の塗分けが容易であるという点で、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の印刷法が好ましい。
【０２５９】
本発明の高分子発光素子は、素子の輝度等の観点から陽極と陰極との間に電圧を印加したときの最大外部量子収率が１％以上であることが好ましく、1.5％以上であることがより好ましい。
【０２６０】
本発明の高分子発光素子としては、例えば、陰極と発光層との間に電子輸送層を設けた高分子発光素子、陽極と発光層との間に正孔輸送層を設けた高分子発光素子、陰極と発光層との間に電子輸送層を設け、かつ陽極と発光層との間に正孔輸送層を設けた高分子発光素子等が挙げられる。
【０２６１】
本発明の高分子発光素子としては、以下のａ）〜ｄ）の構造が例示される。
ａ）陽極／発光層／陰極
ｂ）陽極／正孔輸送層／発光層／陰極
ｃ）陽極／発光層／電子輸送層／陰極
ｄ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
（ここで、／は各層が隣接して積層されていることを示す。以下同じ。）
【０２６２】
本発明の組成物が正孔輸送層に用いられる場合には、本発明の組成物が正孔輸送性基（例えば、芳香族アミノ基、チエニル基等）を有する高分子化合物を含むか、または前記式（１）で表される繰り返し単位を含む高分子化合物が該正孔輸送性基を有することが好ましい。正孔輸送性基を含む高分子化合物の例としては、芳香族アミンを含む高分子化合物、スチルベンを含む高分子化合物等が挙げられる。
【０２６３】
本発明の組成物が電子輸送層に用いられる場合には、本発明の組成物が電子輸送性基（例えば、オキサジアゾール基、オキサチアジアゾール基、ピリジル基等）を有する高分子化合物を含むか、または前記式（１）で表される繰り返し単位を含む高分子化合物が該電子輸送性基を有することが好ましい。電子輸送性基を含む高分子化合物の例としては、オキサジアゾールを含む高分子化合物、トリアゾールを含む高分子化合物、キノリンを含む高分子化合物、キノキサリンを含む高分子化合物、ベンゾチアジアゾールを含む高分子化合物等が挙げられる。
【０２６４】
本発明の高分子発光素子が正孔輸送層を有する場合、通常、該正孔輸送層には正孔輸送材料（低分子、高分子のものがある。）が用いられる。この正孔輸送材料としては、前述の本発明の組成物が含有してもよい正孔輸送材料で例示したものが挙げられる。
【０２６５】
該正孔輸送材料としては、特開昭63-70257号公報、特開昭63-175860号公報、特開平2-135359号公報、特開平2-135361号公報、特開平2-209988号公報、特開平3-37992号公報、特開平3-152184号公報に記載されているもの等が例示される。
【０２６６】
これらの中で、正孔輸送層に用いる正孔輸送材料としては、ポリビニルカルバゾール及びその誘導体、ポリシラン及びその誘導体、側鎖または主鎖に芳香族アミン化合物基を有するポリシロキサン誘導体、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）及びその誘導体、ポリ（２，５−チエニレンビニレン）及びその誘導体等の高分子の正孔輸送材料が好ましく、ポリビニルカルバゾール及びその誘導体、ポリシラン及びその誘導体、側鎖または主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体がさらに好ましい。
【０２６７】
また、低分子の正孔輸送材料としては、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体が例示される。低分子の正孔輸送材料の場合には、高分子バインダーに分散させて用いることが好ましい。
【０２６８】
高分子バインダーとしては、電荷輸送を極度に阻害しないものが好ましく、また可視光に対する吸収が強くないものが好適に用いられる。高分子バインダーとしては、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）及びその誘導体、ポリ（２，５−チエニレンビニレン）及びその誘導体、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリシロキサン等が例示される。
【０２６９】
ポリビニルカルバゾール及びその誘導体は、例えば、ビニルモノマーからカチオン重合またはラジカル重合によって得られる。
【０２７０】
ポリシラン及びその誘導体としては、ケミカル・レビュー（Chem.Rev.）第89巻、1359頁（1989年）、英国特許第2300196号公開明細書に記載の化合物等が例示される。合成方法もこれらに記載の方法を用いることができるが、特にキッピング法が好適に用いられる。
【０２７１】
ポリシロキサン及びその誘導体は、シロキサン骨格構造には正孔輸送性がほとんどないので、側鎖または主鎖に上記低分子の正孔輸送材料の構造を有するものが好適に用いられる。特に正孔輸送性の芳香族アミンを側鎖または主鎖に有するものが例示される。
【０２７２】
正孔輸送層の成膜の方法に制限はないが、低分子の正孔輸送材料では、高分子バインダーとの混合溶液からの成膜による方法が例示される。高分子の正孔輸送材料では、溶液（即ち、正孔輸送材料を溶媒と混合したもの）からの成膜による方法が例示される。
【０２７３】
溶液からの成膜に用いる溶媒としては、正孔輸送材料を溶解または均一に分散できるものが好ましい。該溶媒としては、クロロホルム、塩化メチレン、１，２−ジクロロエタン、１，１，２−トリクロロエタン、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−へプタン、ｎ−オクタン、ｎ−ノナン、ｎ−デカン等の脂肪族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒、エチレングリコール、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジメトキシエタン、プロピレングリコール、ジエトキシメタン、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、グリセリン、１，２−ヘキサンジオール等の多価アルコール及びその誘導体、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、シクロヘキサノール等のアルコール系溶媒、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等のアミド系溶媒が例示される。これらの有機溶媒は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。
【０２７４】
溶液からの成膜には、溶液からのスピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の塗布法を用いることができる。
【０２７５】
正孔輸送層の膜厚は、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、少なくともピンホールが発生しないような厚さが必要であり、あまり厚いと素子の駆動電圧が高くなることがあり好ましくない。従って、正孔輸送層の膜厚は、通常、１ｎｍ〜１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜500ｎｍ、さらに好ましくは５ｎｍ〜200ｎｍである。
【０２７６】
本発明の高分子発光素子が電子輸送層を有する場合、通常、該電子輸送層には電子輸送材料（低分子、高分子のものがある。）が用いられる。この電子輸送材料としては、前述の本発明の組成物が含有してもよい電子輸送材料で例示したものが挙げられる。
【０２７７】
該電子輸送材料としては、特開昭63-70257号公報、特開昭63-175860号公報、特開平2-135359号公報、特開平2-135361号公報、特開平2-209988号公報、特開平3-37992号公報、特開平3-152184号公報に記載されているもの等が例示される。
【０２７８】
これらのうち、オキサジアゾール誘導体、ベンゾキノン及びその誘導体、アントラキノン及びその誘導体、８−ヒドロキシキノリン及びその誘導体の金属錯体、ポリキノリン及びその誘導体、ポリキノキサリン及びその誘導体、ポリフルオレン及びその誘導体が好ましく、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、ベンゾキノン、アントラキノン、トリス（８−キノリノール）アルミニウム、ポリキノリンがさらに好ましい。
【０２７９】
電子輸送層の成膜法としては特に制限はないが、低分子の電子輸送材料では、粉末からの真空蒸着法、及び溶液または溶融状態からの成膜による方法が例示され、高分子電子輸送材料では溶液または溶融状態からの成膜による方法が例示される。溶液または溶融状態からの成膜時には、前記高分子バインダーを併用してもよい。
【０２８０】
溶液からの成膜に用いる溶媒としては、電子輸送材料及び／または高分子バインダーを溶解または均一に分散できるものが好ましい。溶媒の例としては、前記正孔輸送層の項において、正孔輸送層の溶液からの成膜に用いる溶媒として例示したものが挙げられる。この溶媒は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。
【０２８１】
溶液または溶融状態からの成膜方法としては、前記正孔輸送層の項において、正孔輸送層の溶液からの成膜方法として例示したものが挙げられる。
【０２８２】
電子輸送層の膜厚としては、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、少なくともピンホールが発生しないような厚さが必要であり、あまり厚いと、素子の駆動電圧が高くなり好ましくない。従って、電子輸送層の膜厚は、通常、１ｎｍ〜１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜500ｎｍ、さらに好ましくは５ｎｍ〜200ｎｍである。
【０２８３】
また、電極に隣接して設けた正孔輸送層、電子輸送層のうち、電極からの電荷注入効率を改善する機能を有し、素子の駆動電圧を下げる効果を有するものは、それぞれ、特に正孔注入層、電子注入層（以下、これらの総称を「電荷注入層」ということがある。）と一般に呼ばれることがある。
【０２８４】
さらに電極との密着性向上や電極からの電荷注入の改善のために、電極に隣接して前記の電荷注入層または絶縁層を設けてもよく、また、界面の密着性向上や混合の防止等のために電荷輸送層や発光層の界面に薄いバッファー層を挿入してもよい。
【０２８５】
積層する層の順番や数、及び各層の厚さは、発光効率や素子寿命を勘案して適宜調整することができる。
【０２８６】
本発明において、電荷注入層を設けた高分子発光素子としては、例えば、陰極に隣接して電荷注入層を設けた高分子発光素子、陽極に隣接して電荷注入層を設けた高分子発光素子が挙げられる。高分子発光素子の構造の例としては、以下のｅ）〜ｐ）の構造が挙げられる。
ｅ）陽極／正孔注入層／発光層／陰極
ｆ）陽極／発光層／電子注入層／陰極
ｇ）陽極／正孔注入層／発光層／電子注入層／陰極
ｈ）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／陰極
ｉ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子注入層／陰極
ｊ）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子注入層／陰極
ｋ）陽極／正孔注入層／発光層／電子輸送層／陰極
ｌ）陽極／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
ｍ）陽極／正孔注入層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
ｎ）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
ｏ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
ｐ）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
【０２８７】
本発明の高分子発光素子としては、前述のとおり、本発明の組成物が正孔輸送層及び／または電子輸送層に含まれているものも含む。また、本発明の高分子発光素子としては、本発明の組成物が正孔注入層及び／または電子注入層に含まれているものも含む。
【０２８８】
本発明の組成物が正孔注入層に用いられる場合には、電子受容性化合物と同時に用いられることが好ましい。本発明の組成物が電子輸送層に用いられる場合には、電子供与性化合物と同時に用いられることが好ましい。ここで、同時に用いるためには、混合、共重合、側鎖としての導入等の方法がある。
【０２８９】
電荷注入層の例としては、導電性高分子を含む層、陽極と正孔輸送層との間に設けられ、陽極材料と正孔輸送層に含まれる正孔輸送材料との中間の値のイオン化ポテンシャルを有する材料を含む層、陰極と電子輸送層との間に設けられ、陰極材料と電子輸送層に含まれる電子輸送材料との中間の値の電子親和力を有する材料を含む層等が挙げられる。
【０２９０】
電荷注入層が導電性高分子を含む層の場合、該導電性高分子の電気伝導度は、10-5Ｓ／ｃｍ以上103Ｓ／ｃｍ以下であることが好ましく、発光画素間のリーク電流を小さくするためには、10-5Ｓ／ｃｍ以上102Ｓ／ｃｍ以下がより好ましく、10-5Ｓ／ｃｍ以上101Ｓ／ｃｍ以下がさらに好ましい。通常、該導電性高分子の電気伝導度を10-5Ｓ／ｃｍ以上103Ｓ／ｃｍ以下とするために、該導電性高分子に適量のイオンをドープする。
【０２９１】
ドープするイオンの種類は、正孔注入層であればアニオン、電子注入層であればカチオンである。アニオンの例としては、ポリスチレンスルホン酸イオン、アルキルベンゼンスルホン酸イオン、樟脳スルホン酸イオン等が挙げられる。カチオンの例としては、リチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、テトラブチルアンモニウムイオン等が挙げられる。
【０２９２】
電荷注入層の膜厚は、通常、１ｎｍ〜100ｎｍであり、２ｎｍ〜50ｎｍが好ましい。
【０２９３】
電荷注入層に用いる材料は、電極や隣接する層の材料との関係で適宜選択すればよく、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリピロール及びその誘導体、ポリフェニレンビニレン及びその誘導体、ポリチエニレンビニレン及びその誘導体、ポリキノリン及びその誘導体、ポリキノキサリン及びその誘導体、芳香族アミン構造を主鎖または側鎖に含む高分子化合物等の導電性高分子、金属フタロシアニン（銅フタロシアニン等）、カーボン等が例示される。
【０２９４】
絶縁層は、通常、膜厚0.5〜4.0ｎｍであり、電荷注入を容易にする機能を有するものである。絶縁層の材料としては、金属フッ化物、金属酸化物、有機絶縁材料等が挙げられる。
【０２９５】
絶縁層を設けた高分子発光素子としては、陰極に隣接して絶縁層を設けた高分子発光素子、陽極に隣接して絶縁層を設けた高分子発光素子が挙げられ、その例として、以下のｑ）〜ａｂ）の構造の素子が挙げられる。
ｑ）陽極／絶縁層／発光層／陰極
ｒ）陽極／発光層／絶縁層／陰極
ｓ）陽極／絶縁層／発光層／絶縁層／陰極
ｔ）陽極／絶縁層／正孔輸送層／発光層／陰極
ｕ）陽極／正孔輸送層／発光層／絶縁層／陰極
ｖ）陽極／絶縁層／正孔輸送層／発光層／絶縁層／陰極
ｗ）陽極／絶縁層／発光層／電子輸送層／陰極
ｘ）陽極／発光層／電子輸送層／絶縁層／陰極
ｙ）陽極／絶縁層／発光層／電子輸送層／絶縁層／陰極
ｚ）陽極／絶縁層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
ａａ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／絶縁層／陰極
ａｂ）陽極／絶縁層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／絶縁層／陰極
【０２９６】
本発明の高分子発光素子は、上記ａ)〜ａｂ）に例示した素子構造において、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層のうちのいずれかに、本発明の組成物を含む。
【０２９７】
本発明の高分子発光素子は、通常、基板上に形成される。この基板は、電極を形成し、有機物の層を形成する際に変化しないものであればよい。基板の材料としては、例えば、ガラス、プラスチック、高分子フィルム、シリコン等が挙げられる。不透明な基板の場合には、反対の電極（即ち、基板から遠い方の電極）が透明または半透明であることが好ましい。通常、本発明の高分子発光素子が有する陽極及び陰極の少なくとも一方が透明または半透明である。陽極側が透明または半透明であることが好ましい。
【０２９８】
陽極の材料としては、導電性の金属酸化物膜、半透明の金属薄膜等が用いられる。具体的には、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、及びそれらの複合体であるインジウム・スズ・オキサイド（ＩＴＯ）、インジウム・亜鉛・オキサイド等からなる導電性ガラスを用いて作製された膜（ＮＥＳＡ等）や、金、白金、銀、銅等が用いられ、ＩＴＯ、インジウム・亜鉛・オキサイド、酸化スズが好ましい。陽極の作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法等が挙げられる。また、陽極として、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体等の有機の透明導電膜を用いてもよい。
【０２９９】
陽極の膜厚は、光の透過性と電気伝導度とを考慮して、適宜調整することができるが、通常、10ｎｍ〜10μｍであり、好ましくは20ｎｍ〜１μｍ、さらに好ましくは50nm〜500ｎｍである。
【０３００】
陽極上に、電荷注入を容易にするために、フタロシアニン誘導体、導電性高分子、カーボン等からなる層、または金属酸化物や金属フッ化物、有機絶縁材料等からなる層を設けてもよい。
【０３０１】
陰極の材料としては、仕事関数の小さい材料が好ましい。例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウム等の金属、及びそれらのうち２つ以上の合金、またはそれらのうち１つ以上と、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうち１つ以上との合金、グラファイトまたはグラファイト層間化合物等が用いられる。合金の例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金等が挙げられる。陰極を２層以上の積層構造としてもよい。
【０３０２】
陰極の膜厚は、電気伝導度や耐久性を考慮して、適宜調整することができるが、例えば、10ｎｍ〜10μｍであり、好ましくは20ｎｍ〜１μｍ、さらに好ましくは50ｎｍ〜500ｎｍである。
【０３０３】
陰極の作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、また金属薄膜を熱圧着するラミネート法等が用いられる。また、陰極と有機層との間に、導電性高分子からなる層、または金属酸化物や金属フッ化物、有機絶縁材料等からなる層を設けてもよく、陰極作製後、該高分子発光素子を保護する保護層を設けてもよい。高分子発光素子を長期安定的に用いるためには、素子を外部から保護するために、保護層及び／または保護カバーを設けることが好ましい。
【０３０４】
保護層としては、高分子化合物、金属酸化物、金属フッ化物、金属ホウ化物、金属窒化物、有機無機ハイブリッド材料等を用いることができる。保護カバーとしては、ガラス板、表面に低透水率処理を施したプラスチック板等を用いることができ、該カバーを熱硬化樹脂や光硬化樹脂で素子基板と貼り合わせて密閉する方法が好適に用いられる。スペーサーを用いて空間を維持すれば、素子がキズつくのを防ぐことが容易である。該空間に窒素やアルゴンのような不活性なガスを封入すれば、陰極の酸化を防止することができ、さらに酸化バリウム等の乾燥剤を該空間内に設置することにより製造工程で吸着した水分が素子にタメージを与えるのを抑制することが容易となる。これらのうち、いずれか１つ以上の方策をとることが好ましい。
【０３０５】
本発明の高分子発光素子は、例えば、曲面状光源、平面状光源等の面状光源（例えば、照明等）；セグメント表示装置（例えば、セグメントタイプの表示素子等）、ドットマトリックス表示装置（例えば、ドットマトリックスのフラットディスプレイ等）、液晶表示装置（例えば、液晶表示装置、液晶ディスプレイのバックライト等）等の表示装置等に用いることができる。
【０３０６】
本発明の高分子発光素子を用いて面状の発光を得るためには、面状の陽極と陰極が重なり合うように配置すればよい。パターン状の発光を得るためには、面状の発光素子の表面にパターン状の窓を設けたマスクを設置する方法、非発光部の有機物層を極端に厚く形成し実質的に非発光とする方法、陽極または陰極のいずれか一方、または両方の電極をパターン状に形成する方法がある。これらのいずれかの方法でパターンを形成し、いくつかの電極を独立にＯｎ／ＯＦＦできるように配置することにより、数字や文字、簡単な記号等を表示できるセグメントタイプの表示素子が得られる。更に、ドットマトリックス素子とするためには、陽極と陰極をともにストライプ状に形成して直交するように配置すればよい。複数の種類の発光色の異なる高分子蛍光体を塗り分ける方法や、カラーフィルターまたは蛍光変換フィルターを用いる方法により、部分カラー表示、マルチカラー表示が可能となる。ドットマトリックス素子は、パッシブ駆動も可能であるし、ＴＦＴ等と組み合わせてアクティブ駆動してもよい。これらの表示素子は、コンピュータ、テレビ、携帯端末、携帯電話、カーナビゲーション、ビデオカメラのビューファインダー等の表示装置として用いることができる。
【０３０７】
面状の発光素子は、自発光薄型であり、液晶表示装置のバックライト用の面状光源、または面状の照明用光源として好適に用いることができる。フレキシブルな基板を用いれば、曲面状の光源や表示装置としても使用できる。
【０３０８】
＜有機トランジスタ（高分子電界効果トランジスタ）＞
本発明の高分子化合物は、有機トランジスタの材料としても用いることができる。有機トランジスタは、前記薄膜を有するものである。本発明の高分子化合物は、高分子電界効果トランジスタの材料として、中でも活性層として好適に用いることができる。高分子電界効果トランジスタの構造としては、通常は、ソース電極及びドレイン電極が高分子からなる活性層に接して設けられており、さらに活性層に接した絶縁層を挟んでゲート電極が設けられていればよい。
【０３０９】
高分子電界効果トランジスタは、通常は支持基板上に形成される。支持基板としては電界効果トランジスタとしての特性を阻害しなければ材質は特に制限されないが、ガラス基板やフレキシブルなフィルム基板やプラスチック基板も用いることができる。
【０３１０】
高分子電界効果トランジスタは、公知の方法、例えば、特開平5-110069号公報に記載の方法により製造することができる。
【０３１１】
活性層を形成する際に、有機溶媒可溶性の高分子化合物を用いることが製造上非常に有利であり好ましい。有機溶媒可溶性の高分子化合物が溶媒を含んでなる液状組成物からの成膜には、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット印刷法等の塗布法を用いることができる。
【０３１２】
高分子電界効果トランジスタを作製後、封止してなる封止高分子電界効果トランジスタが好ましい。これにより、高分子電界効果トランジスタが、大気から遮断され、高分子電界効果トランジスタの特性の低下を抑えることができる。
【０３１３】
封止する方法としては、紫外線（ＵＶ）硬化樹脂、熱硬化樹脂や無機のＳｉＯＮｘ膜等でカバーする方法、ガラス板やフィルムをＵＶ硬化樹脂、熱硬化樹脂等で張り合わせる方法等が挙げられる。大気との遮断を効果的に行うため高分子電界効果トランジスタを作製後、封止するまでの工程を大気に曝すことなく（例えば、乾燥した窒素雰囲気中、真空中等で）行うことが好ましい。
【実施例】
【０３１４】
以下、本発明をさらに詳細に説明するために実施例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【０３１５】
なお、下記実施例において、フォトルミネッセンス測定は、堀場製作所社製のＦｌｕｏｒｏｌｏｇまたは(株)オプテル社製  有機ＥＬ発光特性評価装置ＩＥＳ−１５０を用い、励起波長は３５０ｎｍにて測定した。また、ポリスチレン換算の数平均分子量は、テトラヒドロフランを溶媒として、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ：ＨＬＣ−８２２０ＧＰＣ、東ソー製若しくはＳＣＬ−１０Ａ、島津製作所製）により求めた。
【０３１６】
（実施例１）
高分子化合物（ＰＯ−１）の合成
高分子化合物（ＰＯ−１）は、特表２００５−５０６４３９号公報記載の方法に準拠して製造した。
不活性ガス雰囲気下、化合物ＭＯ−１（０．４９８４ｇ）、化合物ＭＯ−２（０．６０３１ｇ）および化合物ＭＯ−３（０．０２１５ｇ）をあらかじめ不活性ガスでバブリングしたトルエン７．７ｍＬに溶解した。次に反応マスを８５℃まで昇温し、酢酸パラジウム（０．４５ｍｇ）及びトリス（２−メトキシフェニル）フォスフィン（７．０５ｍｇ）を加え、１００℃まで昇温後、２ｍｏｌ％炭酸ナトリウム水溶液を２．１ｍｌ加え、７時間還流した。メタノール（１５５ｍｌ）に注ぎ込むことで、高分子化合物（ＰＯ−１）０．４０ｇを得た。
また、ポリスチレン換算の数平均分子量及び重量平均分子量は、それぞれＭｎ＝２．９ｘ１０4、Ｍｗ＝６．１ｘ１０4であった。
2008255344.tif 000107
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【０３１７】
（実施例２）
高分子化合物（ＰＯ−２）の合成
不活性ガス雰囲気下、化合物ＭＯ−１（０．４９８４ｇ）、化合物ＭＯ−２（０．５１５４ｇ）および化合物ＭＯ−４（０．０６８０ｇ）をあらかじめ不活性ガスでバブリングしたトルエン１０．０ｍＬに溶解した。次に反応マスを８５℃まで昇温し、酢酸パラジウム（０．７０ｍｇ）及びトリス（２−メトキシフェニル）フォスフィン（７．４０ｍｇ）を加え、１００℃まで昇温後、１７．５重量％炭酸ナトリウム水溶液を２．７ｍｌ加え、７時間還流した。メタノール（１５５ｍｌ）に注ぎ込むことで高分子化合物（ＰＯ−２）０．２９ｇを得た。
ポリスチレン換算の数平均分子量及び重量平均分子量は、それぞれＭｎ＝９．６ｘ１０4、Ｍｗ＝２．５ｘ１０5であった。
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【０３１８】
（実施例３）
高分子化合物（ＰＯ−３）の合成
不活性ガス雰囲気下、化合物ＭＯ−１（０．９９１７ｇ）、化合物ＭＯ−２（０．５１５６ｇ）、化合物ＭＯ−４（０．３４００ｇ）および化合物ＭＯ−５（０．１４７７ｇ）をあらかじめ不活性ガスでバブリングしたトルエン１０．０ｍＬに溶解した。次に反応マスを８５℃まで昇温し、酢酸パラジウム（１．３０ｍｇ）及びトリス（２−メトキシフェニル）フォスフィン（１４．８０ｍｇ）を加え、１００℃まで昇温後、１７．５重量％炭酸ナトリウム水溶液を５．４ｍｌ加え、７時間還流した。メタノール（３００ｍｌ）に注ぎ込むことで高分子化合物（ＰＯ−３）０．３６ｇを得た。ポリスチレン換算の数平均分子量及び重量平均分子量は、それぞれＭｎ＝６．６ｘ１０4、Ｍｗ＝１．４ｘ１０5であった。
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【０３１９】
（合成例１）
高分子化合物（ＰＯ−４）の合成
不活性ガス雰囲気下、化合物ＭＯ−６（０．７３８７ｇ）および化合物ＭＯ−４（０．３３８３ｇ）をあらかじめ不活性ガスでバブリングしたトルエン１０．０ｍＬに溶解した。次に反応マスを８５℃まで昇温し、酢酸パラジウム（０．７０ｍｇ）及びトリス（２−メトキシフェニル）フォスフィン（７．４０ｍｇ）を加え、１００℃まで昇温後、１７．５重量％炭酸ナトリウム水溶液を２．７ｍｌ加え、７時間還流した。メタノール（１５５ｍｌ）に注ぎ込むことで高分子化合物（ＰＯ−４）０．０４ｇを得た。ポリスチレン換算の数平均分子量及び重量平均分子量は、それぞれＭｎ＝３．０ｘ１０4、Ｍｗ＝４．９ｘ１０4であった。
2008255344.tif 000115
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【０３２０】
イリジウム錯体（ＣＯ−１）の合成
ＷＯ０２／０６６５５２に記載の合成法に準拠して合成した。即ち、不活性ガス雰囲気下、２−ブロモピリジンと１．２当量の３−ブロモフェニルホウ酸との鈴木カップリング（触媒：テトラキス（トリフェニルフォスフィン）パラジウム（０）、塩基：２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液、溶媒：エタノール、トルエン）により、２−（３'−ブロモフェニル）ピリジンを得た。
2008255344.tif 000117
【０３２１】
次に、不活性ガス雰囲気下、トリブロモベンゼンと２．２当量の４−ｔｅｒｔブチルフェニルホウ酸との鈴木カップリング（触媒：テトラキス（トリフェニルフォスフィン）パラジウム（０）、塩基：２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液、溶媒：エタノール、トルエン）により下記ブロモ化合物を得た。
2008255344.tif 000118
【０３２２】
不活性ガス雰囲気下、このブロモ化合物を、無水ＴＨＦに溶解後、−７８℃に冷却し、小過剰のｔｅｒｔ−ＢｕＬｉを滴下した。冷却下、さらに、Ｂ（ＯＣ4Ｈ9）3を滴下し、室温にて反応させた。３Ｍ塩酸水により後処理し、下記ホウ酸化合物を得た。
2008255344.tif 000119
【０３２３】
２−（３'−ブロモフェニル）ピリジンと、１．２当量の上記ホウ酸化合物との鈴木カップリング（触媒：テトラキス（トリフェニルフォスフィン）パラジウム（０）、塩基：２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液、溶媒：エタノール、トルエン）により、下記配位子を得た。
【０３２４】
2008255344.tif 000120
【０３２５】
アルゴン雰囲気下、上記配位子と、４当量のＩｒＣｌ3・３Ｈ2Ｏ  、２−ＥｔＯＥｔＯＨ、イオン交換水を仕込み還流させた。析出した固体を吸引濾過した。得られた固体をエタノール、イオン交換水で洗浄後、乾燥し、黄色粉体を得た。
2008255344.tif 000121
【０３２６】
アルゴン雰囲気下、上記で得られた黄色粉体に、２当量の配位子を加え、グリコール系溶媒中で加熱することにより、下記イリジウム錯体（ＣＯ−１）を得た。
2008255344.tif 000122
【０３２７】
（実施例４）
−組成物１の調製−
上記高分子化合物（ＰＯ−１）と上記イリジウム錯体（ＣＯ−１）とを重量比８０：２０で混合してなる混合物の、１．９重量％キシレン溶液（以下、「組成物１」という。）を調製した。
【０３２８】
（実施例５）
−発光素子の作製−
スパッタ法により１５０ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けたガラス基板に、ポリ（エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルホン酸の溶液（バイエル社、ＢａｙｔｒｏｎＰ）を用いてスピンコートにより６５ｎｍの厚みで成膜し、ホットプレート上で２００℃で１０分間乾燥した。次に、上記調製した組成物１を用いてスピンコートにより１８００ｒｐｍの回転速度で成膜した。膜厚は約８０ｎｍであった。これを窒素ガス雰囲気下１３０℃で１時間乾燥した後、陰極としてバリウムを約５ｎｍ、次いでアルミニウムを約８０ｎｍ蒸着して、ＥＬ素子を作製した。なお真空度が、１×１０-4Ｐａ以下に到達したのち、金属の蒸着を開始した。
得られた素子に電圧を引加することにより、緑色のＥＬ発光（ピーク波長５１５ｎｍ）が得られた。該素子は８．５Ｖで１００ｃｄ／ｍ2の発光を示し、３７．９ｃｄ／Ａの最大効率を示した。
【０３２９】
（実施例６）
−組成物２の調製−
上記高分子化合物（ＰＯ−２）と上記イリジウム錯体（ＣＯ−１）とを重量比８０：２０で混合してなる混合物の、１．５重量％キシレン溶液（以下、「組成物２」という。）を調製した。
【０３３０】
（実施例７）
−発光素子の作製−
組成物２を用いて、実施例５と同様にＥＬ素子を作製した。発光層は、スピンコートにより１８００ｒｐｍの回転速度で成膜した。膜厚は約８０ｎｍであった。得られた素子に電圧を引加することにより、緑色のＥＬ発光（ピーク波長５１５ｎｍ）が得られた。該素子は６．９Ｖで１００ｃｄ／ｍ2の発光を示し、３６．１ｃｄ／Ａの最大効率を示した。
【０３３１】
（実施例８）
−組成物３の調製−
上記高分子化合物（ＰＯ−３）と上記イリジウム錯体（ＣＯ−１）とを重量比８０：２０で混合してなる混合物の、１．５重量％キシレン溶液（以下、「組成物３」という。）を調製した。
【０３３２】
（実施例９）
−発光素子の作製−
組成物３を用いて、実施例５と同様にＥＬ素子を作製した。発光層は、スピンコートにより１２００ｒｐｍの回転速度で成膜した。膜厚は約８０ｎｍであった。得られた素子に電圧を引加することにより、緑色のＥＬ発光（ピーク波長５１５ｎｍ）が得られた。該素子は５．２Ｖで１００ｃｄ／ｍ2の発光を示し、２９．９ｃｄ／Ａの最大効率を示した。
【０３３３】
（比較例１）
−組成物４の調製−
高分子化合物（ＰＯ−１）の代わりに、上記高分子化合物（ＰＯ−４）を用いて、高分子化合物（ＰＯ−４）と上記イリジウム錯体（ＣＯ−１）とを重量比８０：２０で混合してなる混合物の、１．０重量％クロロホルム溶液（以下、「組成物４」という。）を調製した。
【０３３４】
（比較例２）
−発光素子の作製−
組成物４を用いて、実施例５と同様にＥＬ素子を作製した。発光層は、スピンコートにより１０００ｒｐｍの回転速度で成膜した。膜厚は約２８０ｎｍであった。得られた素子に電圧を印加することにより、緑色のＥＬ発光（ピーク波長５２５ｎｍ）が得られた。該素子に電圧を１２Vまで印加したが３ｃｄ／ｍ２でしか発光しなかった。該素子は、１．１ｃｄ／Ａの最大効率を示した。