(57)【要約】【課題】エッジ部にも十分な厚さを有し、半導体基板の開口部の内壁面に均一に成膜された絶縁膜を備える半導体基板の製造方法を提供する。【解決手段】開口部が形成された半導体基板の所定箇所に、帯電粒子を静電付着させ、絶縁膜を形成することを含む半導体基板の製造方法であって、前記開口部の開口面積に対して、１．１〜５倍の開口面積を有する貫通孔が形成されたマスク材を、前記半導体基板の一の面であって前記帯電粒子が静電付着される面側に、前記貫通孔が前記開口部に対応するように配置する工程、及び前記半導体基板の一の面の一部及び開口部の内壁面に、前記帯電粒子を静電付着させる工程を備える半導体基板の製造方法。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
開口部が形成された半導体基板の所定箇所に、帯電粒子を静電付着させ、絶縁膜を形成することを含む半導体基板の製造方法であって、
前記開口部の開口面積に対して、１．１〜５倍の開口面積を有する貫通孔が形成されたマスク材を、前記半導体基板の一の面であって前記帯電粒子が静電付着される面側に、前記貫通孔が前記開口部に対応するように配置する工程、及び
前記半導体基板の一の面の一部及び開口部の内壁面に、前記帯電粒子を静電付着させる工程を備える半導体基板の製造方法。
【請求項２】
前記帯電粒子が、熱硬化性樹脂により構成された粒子である請求項１に記載の半導体基板の製造方法。
【請求項３】
前記帯電粒子を２種以上静電付着させる請求項１または２に記載の半導体基板の製造方法。
【請求項４】
前記帯電粒子を複数の噴霧装置によって、それぞれ噴霧して静電付着させる請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体基板の製造方法。
【請求項５】
前記複数種の帯電粒子が、熱硬化性樹脂により構成された粒子、及び硬化剤により構成された粒子を含むものである請求項４に記載の半導体基板の製造方法。
【請求項６】
更に、前記帯電粒子が静電付着された前記半導体基板を５０〜３００℃で熱処理する工程を備える請求項１〜５のいずれか一項に記載の半導体基板の製造方法。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか一項に記載の半導体基板の製造方法によって得られる半導体基板であって、
下記条件（ａ）及び（ｂ）を満たす絶縁膜を備えた半導体基板。
（ａ）開口部の内壁面及びこの内壁面に連なる半導体基板の一の面の一部に連続して形成されている。
（ｂ）半導体基板の絶縁膜が形成される一の面に直交する断面上において、
前記開口部の開口端を通り、前記一の面により形成される基準直線とのなす角度θが４５°である第一の仮想直線上の、前記開口部の開口端上の点と前記第一の仮想直線が絶縁膜に交わる点との距離Ｘが、
前記断面上において前記開口部の前記内壁面に垂直な第二の仮想直線上の、前記内壁面の中心点と前記第二の仮想直線が絶縁膜に交わる点との距離Ｙに対して、０．８〜１．２の比率で形成されている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、絶縁膜が形成された半導体基板の製造方法及び半導体基板に関し、更に詳しくは、開口部を備える半導体基板の、前記開口部の開口付近にも十分な厚さを有する絶縁膜を形成した半導体基板の製造方法及びこの方法により製造される半導体基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体回路を形成したシリコンチップからデバイスパッケージへの配線引き出しは、金属の微細配線で行われていた。しかし、情報の大容量化の要請から半導体デバイスの実装の分野において高密度実装が要求されており、上記微細配線では十分ではなくなっている。そこで、最近では、高密度実装を実現するため、実装サイズを小さくする観点から、積層パッケージ技術が開発されている。この積層パッケージ技術は、配線部分の面積をなくすため、具体的には、以下のような手法が知られている。
【０００３】
まず、シリコンチップ上の信号取り出し電極部にシリコンチップを貫通する穴（貫通孔）を形成する。そして、形成した貫通孔の内壁面にシリコンの熱酸化で酸化シリコン（熱酸化シリコン）の絶縁膜を形成した後、上記貫通孔を金属材料（Ａｌ，Ｃｕ等）で埋めることにより、シリコンチップ下面に電極を形成する。一方、このシリコンチップと同サイズ程度のインターポーザー（変換器）を予め準備しておき、このインターポーザーの信号取り出し電極とシリコンチップ下面の電極とをハンダバンプにより接続する。このようにして、シリコンチップの電極配列を実装用の電極配列に変換して実装する手法が提案されている（例えば、特許文献１、非特許文献１）。なお、シリコンチップ上にシリコンチップを積層する場合にも同様の手法が採用されている。
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−５３２１８号公報
【非特許文献１】２００１  Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ  Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ  ｏｎＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ  Ｐａｃｋａｇｉｎｇ  予稿集３９〜４３ページ
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、これらの方法において、貫通孔の内壁面に均一に絶縁膜を成膜することは困難であった。特に、貫通孔内壁面の開口付近（以下、「エッジ部」という場合がある）の厚さを十分に有する絶縁膜を成膜することは困難であった。従って、エッジ部の厚さを十分に有する絶縁膜を効率的に成膜する方法が切望されている。
【０００６】
本発明は、このような従来技術の有する問題点に鑑みてなされたものであり、その課題とするところは、エッジ部にも十分な厚さを有し、半導体基板の開口部（貫通孔を含む）の内壁面に均一に成膜された絶縁膜を備える半導体基板及びその製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らは上記課題を達成すべく鋭意検討した結果、噴霧装置と半導体基板との間に、前記半導体基板に形成した開口部の開口面積よりも大きな開口面積の貫通孔が形成されたマスク材を配置して、このマスク材の貫通孔を通過した帯電粒子によって前記半導体基板の一の面の一部及び前記開口部の内壁面に帯電粒子を静電付着させることによって、上記課題を達成することが可能であることを見出し、本発明を完成するに至った。
【０００８】
即ち、本発明によれば、以下に示す、半導体基板及びその製造方法が提供される。
【０００９】
［１］  開口部が形成された半導体基板の所定箇所に、帯電粒子を静電付着させ、絶縁膜を形成することを含む半導体基板の製造方法であって、前記開口部の開口面積に対して、１．１〜５倍の開口面積を有する貫通孔が形成されたマスク材を、前記半導体基板の一の面であって前記帯電粒子が静電付着される面側に、前記貫通孔が前記開口部に対応するように配置する工程、及び前記半導体基板の一の面の一部及び開口部の内壁面に、前記帯電粒子を静電付着させる工程を備える半導体基板の製造方法。
【００１０】
［２］前記帯電粒子が、熱硬化性樹脂により構成された粒子である前記［１］に記載の半導体基板の製造方法。
【００１１】
［３］  前記帯電粒子を２種以上静電付着させる前記［１］または［２］に記載の半導体基板の製造方法。
【００１２】
［４］  前記帯電粒子を複数の噴霧装置によって、それぞれ噴霧して静電付着させる前記［１］〜［３］のいずれか一項に記載の半導体基板の製造方法。
【００１３】
［５］  前記複数種の帯電粒子が、熱硬化性樹脂により構成された粒子、及び硬化剤により構成された粒子を含むものである前記［４］に記載の半導体基板の製造方法。
【００１４】
［６］  更に、前記帯電粒子が静電付着された前記半導体基板を５０〜３００℃で熱処理する工程を備える前記［１］〜［５］のいずれかに記載の半導体基板の製造方法。
【００１５】
［７］前記［１］〜［６］のいずれかに記載の半導体基板の製造方法によって得られる半導体基板であって、下記条件（ａ）及び（ｂ）を満たす絶縁膜を備えた半導体基板。
（ａ）開口部の内壁面及びこの内壁面に連なる半導体基板の一の面の一部に連続して形成されている。
（ｂ）半導体基板の絶縁膜が形成される一の面に直交する断面上において、前記開口部の開口端を通り、前記一の面により形成される基準直線とのなす角度θが４５°である第一の仮想直線上の、前記開口部の開口端上の点と前記第一の仮想直線が絶縁膜に交わる点との距離Ｘが、前記断面上において前記開口部の前記内壁面に垂直な第二の仮想直線上の、前記内壁面の中心点と前記第二の仮想直線が絶縁膜に交わる点との距離Ｙに対して、０．８〜１．２の比率で形成されている。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の半導体基板の製造方法は、エッジ部にも十分な厚さを有し、半導体基板の開口部の内壁面に均一に成膜された絶縁膜を備える半導体基板を得ることができるという効果を奏するものである。
【００１７】
本発明の半導体基板は、エッジ部にも十分な厚さを有し、半導体基板の開口部の内壁面に均一に成膜された絶縁膜を備えるという効果を奏するものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の実施の最良の形態について説明するが、本発明は以下の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、当業者の通常の知識に基づいて、以下の実施の形態に対し適宜変更、改良等が加えられたものも本発明の範囲に入ることが理解されるべきである。
【００１９】
［１］半導体基板の製造方法：
本発明の半導体基板の製造方法は、開口部が形成された半導体基板の所定箇所に、帯電粒子を静電付着させ、絶縁膜を形成することを含む半導体基板の製造方法であって、前記開口部の開口面積に対して、１．１〜５倍の開口面積を有する貫通孔が形成されたマスク材を、前記半導体基板の一の面であって前記帯電粒子が静電付着される面側に、前記貫通孔が前記開口部に対応するように配置する工程（以下、「マスク材配置工程」と記す場合がある）、及び前記半導体基板の一の面の一部及び開口部の内壁面に、前記帯電粒子を静電付着させる工程（以下、「静電付着工程」と記す場合がある）を備えるものである。なお、開口部の形状は、半導体基板を貫通した形状（貫通形状）のもの、凹形状のものが含まれる。
【００２０】
このような工程を有することにより、エッジ部にも十分な厚さを有し、半導体基板の開口部の内壁面に均一に成膜された絶縁膜を備える半導体基板を製造することができる。
【００２１】
［１−１］マスク材配置工程：
本発明の半導体基板の製造方法は、開口部の開口面積に対して、１．１〜５倍の開口面積を有する貫通孔が形成されたマスク材を、前記半導体基板の一の面であって前記帯電粒子が静電付着される面側に、貫通孔が開口部に対応するように配置する工程を備える。なお、開口部が貫通形状である場合には、半導体基板を支持体等に固定して、一の面にマスク材を配置してもよく、また一の面と他の面の両面にマスク材を配置することもできる。
【００２２】
［１−１−１］半導体基板：
上記半導体基板は、上記開口部が形成されたものである限りその材質は特に制限はないが、例えば、単元素半導体、及び／または周期律表の、ＩＩＩ族とＶ族、ＩＩ族とＶＩ族、及びＩＶ族同士なる群より選択される少なくとも１の組み合わせからなる化合物半導体により構成されたものであることが好ましい。
【００２３】
上記単元素半導体としては、例えば、シリコン、ゲルマニウムなどを挙げることができる。周期律表のＩＩＩ族とＶ族の組み合わせからなる化合物半導体としては、例えば、ＧａＡｓ、ＧａＰ、ＩｎＰ等を挙げることができる。周期律表のＩＩ族とＶＩ族の組み合わせからなる化合物半導体としては、例えば、ＣｄＴｅ、ＺｎＳｅ、ＣｄＳ、ＺｎＴｅ、ＨｇＣｄＴｅ、ＣｄＺｎＴｅ等を挙げることができる。周期律表のＩＶ族同士の組み合わせからなる化合物半導体としては、ＳｉＣ、ＳｉＧｅなどを挙げることができる。
【００２４】
なお、本発明の半導体基板の製造方法は、上記半導体基板の一の面及び開口部の内壁面に絶縁膜を形成する方法であるため、絶縁膜による被覆の必要がない樹脂基板は対象としていない。
【００２５】
上記開口部の形状は、特に制限はなく、埋め込まれる電極などの形状に合わせて、例えば、三角柱状、四角柱状、多角柱状、円柱状、楕円柱状、円錐状、及びこれらの形状の一部にテーパーを有する形状などとすることができる。これらの中でも、円錐状（すり鉢状にテーパーを付けて形成された形状）であることが好ましい。このような形状とすることにより、その後に行う埋め込み配線形成の形状制御性、形成効率がよいという利点がある。
【００２６】
また、上記開口部の大きさは、埋め込む電極などの大きさに合わせて適宜選択することができる。
【００２７】
なお、上記開口部の開口面積は、５〜２００００μｍ２であることが好ましく、５〜７０００μｍ２であることが更に好ましく、５〜３０００μｍ２であることが特に好ましい。開口面積が５μｍ２未満であると、埋め込み配線が形成できなくなるおそれがある。一方、２００００μｍ２超であると、貫通配線の素子に占める面積が大きくなりすぎ、素子性能が十分確保できなくなるおそれがあり、また、素子の強度が劣るなどのおそれがある。
【００２８】
更に、上記開口部の深さは、１０〜３００μｍであることが好ましく、２０〜２００μｍであることが更に好ましく、２０〜１００μｍであることが特に好ましい。深さが１０μｍ未満であると、半導体基板の強度が不足し、上記開口部形成後の加工工程が実施できなくなるおそれがある。一方、３００μｍ超であると、開口部の内壁面に形成した絶縁膜の膜厚均一性が十分に保てなくなり、絶縁性が損なわれるおそれがある。なお、開口部の「開口面積」というときは、マスク材側の開口部分の面積を意味するものとする。
【００２９】
このような開口部は、リアクティブイオンエッチング法、ウェットエッチング法、レーザー穴あけ法、ドリル穴あけ、放電加工など既知の方法で形成することができる。
【００３０】
［１−１−２］噴霧装置：
本発明の半導体基板の製造方法において絶縁膜を形成する際に用いられる帯電粒子を供給する方法としては、例えば、特開平９−１０３７１４号公報、特開２００６−１１０４４９号公報などに記載されている一般的な静電噴霧装置、静電噴霧ガンなどを用いることができる。本発明の半導体基板の製造方法に用いる静電噴霧装置としては、ウエハに付着した塗膜中の溶剤、分散媒を極力排除して付着膜の流動性を抑え、膜厚の均一性を確保する観点から、その噴霧ノズル部に加熱ヒーターを付属した構成を有するものが好ましい。なお、上記静電噴霧装置は、一つのノズルを有するものを単独で、または複数台使用するものであってもよいし、複数のノズルを有するものであって、この複数のノズルから異なる材料を吐出することができるものであってもよい。ノズルを複数使用する場合には、ノズル毎に噴霧条件（例えば、噴霧温度、噴霧速度など）を設定できることが好ましい。
【００３１】
［１−１−２−１］帯電粒子：
帯電粒子とは、ノズルから霧化して吐出させた飛沫に数ｋＶ〜数十ｋＶの電位差を加えて帯電させられた粒子を意味する。この帯電粒子は、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂、ポリイソシアネートなどの熱硬化性樹脂、アルミナ、チタニア、酸化シリコンなどの、塗膜の熱変形量を調節するためのフィラー、用いる熱硬化樹脂に応じた硬化剤などを霧化した飛沫を帯電させることにより得られるものである。これらの中でも、熱硬化性樹脂により構成された粒子を帯電したもの（帯電粒子）は、熱酸化シリコンにより絶縁膜を形成する場合に比べて低温（例えば、５０〜２００℃）で成膜することができ、熱により半導体基板を損傷するおそれがなく、成膜に時間がかからないという観点から好ましい。なお、帯電粒子は、単独で、または２種以上を使用することができるが、２種以上を静電付着させることが好ましい。
【００３２】
ポリイミド、ポリベンゾオキサゾールなど縮合系樹脂の場合、用いるモノマー原料を分けて静電噴霧し、これらのモノマー原料が半導体基板上に静電付着したときに縮合反応を起こさせる方法でもよく、例えば、酸無水物とジアミンとを別々に噴霧し、静電付着時に、これらの酸無水物とジアミンとが反応して得られるポリアミド酸を加熱処理してポリイミドとする方法、ビス−ｏ−アミノフェノールとジカルボン酸とを別々に噴霧し、静電付着時に、これらのビス−ｏ−アミノフェノールとジカルボン酸とを反応させてポリベンゾオキサゾールを得る方法、ジフルオリドとビスフェノールとを別々に噴霧し、静電付着時に、ジフルオリドとビスフェノールとを反応させてポリベンゾオキサゾールを得る方法などがある。
【００３３】
エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ、ビスフェノールＦ型エポキシ、ビスフェノールＡ型エポキシ、水添ビスフェノールＡ型エポキシ、水添ビスフェノールＦ型エポキシ、ビスフェノールＳ型エポキシ、臭素化ビスフェノールＡ型エポキシ、ビスフェニル型エポキシ、ナフタレン型エポキシ、フルオレン型エポキシ、スピロ環型エポキシ、ビスフェノールアルカン類エポキシ、フェノールノボラック型エポキシ、オルソクレゾールノボラック型エポキシ、臭素化クレゾールノボラック型エポキシ、トリスヒドロキシメタン型エポキシ、テトラフェニロールエタン型エポキシ、脂環型エポキシ、アルコール型エポキシ、ブチルグリシジルエーテル、フェニルグリシジルエーテル、クレジルグリシジルエーテル、ノニルグリシジルエーテル、ジエチレングリコールジグリシジルエーテル、ポリエチレングリコールジグリシジルエーテル、ポリプロピレングリコールジグリシジルエーテル、グリセリンポリグリシジルエーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル、１，６−ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、ヘキサヒドロフタル酸ジグリシジルエーテル、脂肪酸変性エポキシ、トルイジン型エポキシ、アニリン型エポキシ、アミノフェノール型エポキシ、１，３−ビス（Ｎ，Ｎ−ジグリシジルアミノメチル）シクロヘキサン、ヒンダトイン型エポキシ、トリグリシジルイソシアヌレート、テトラグリシジルジアミノジフェニルメタン、ジフェニルエーテル型エポキシ、ジシクロペンタジエン型エポキシ、ダイマー酸ジグリシジルエステル、ヘキサヒドロフタル酸ジグリシジルエステル、ダイマー酸時グリシジルエーテル、シリコン変性エポキシ、ケイ素含有エポキシ、ウレタン変性エポキシ、ＮＢＲ変性エポキシ、ＣＴＢＮ変性エポキシ、エポキシ化ポリブタジエンなどを挙げることができる。
【００３４】
フェノール樹脂としては、例えば、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、アルキルフェノールノボラック樹脂、レゾール樹脂、ポリビニルフェノール樹脂などを挙げることができる。
【００３５】
上記ノボラック樹脂は、フェノール類とアルデヒド類とを触媒の存在下で縮合させることにより得ることができる。上記フェノール類としては、例えば、フェノール、ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、ｏ−エチルフェノール、ｍ−エチルフェノール、ｐ−エチルフェノール、ｏ−ブチルフェノール、ｍ−ブチルフェノール、ｐ−ブチルフェノール、２，３−キシレノール、２，４−キシレノール、２，５−キシレノール、２，６−キシレノール、３，４−キシレノール、３，５−キシレノール、２，３，５−トリメチルフェノール、３，４，５−トリメチルフェノール、カテコール、レゾルシノール、ピロガロール、α−ナフトール、β−ナフトールなどを挙げることができる。上記アルデヒド類としては、例えば、ホルムアルデヒド、パラホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、ベンズアルデヒドなどが挙げられる。
【００３６】
このようにして得られるノボラック樹脂としては、具体的には、フェノール／ホルムアルデヒド縮合ノボラック樹脂、クレゾール／ホルムアルデヒド縮合ノボラック樹脂、フェノール−ナフトール／ホルムアルデヒド縮合ノボラック樹脂などを挙げることができる。
【００３７】
また、ポリヒドリキシスチレン、及びその共重合体、フェノール−キシリレングリコール縮合樹脂、クレゾール−キシリレングリコール縮合樹脂、フェノールジシクロペンタジエン縮合樹脂などを挙げることができる。
【００３８】
ポリイミドとしては、例えば、半導体コーティング用に用いられるポリイミドワニス（ＣＴ４２００Ｈ、ＣＴ４１１２、以上、京セラ社製）、溶剤に可溶なポリイミドワニス（ＳＮ２０、新日本理化社製）、可溶性ブロック共重合ポリイミド（Ｑ−ＰＩＬＯＮ、ピーアイ技術研究所社製）などを挙げることができる。
【００３９】
ポリベンゾオキサゾールとしては、例えば、特願２００５−５１３２９８号、特開２００６−２９９０２１号公報に記載されているポリベンゾオキサゾール前躯体、ポリベンゾオキサゾール、モノマー原料となるビスアミノフェノールとポリカルボン酸などを挙げることができる。
【００４０】
ポリイソシアネートは、低分子のポリイソシアネート（Ａ１）であっても、この低分子のポリイソシアネート（Ａ１）と２以上の活性水素を有する化合物（以下、「活性水素化合物」と記す場合がある）とをイソシアネート基過剰の条件で反応させた末端イソシアネート基プレポリマー（Ａ２）のいずれでもあってもよい。
【００４１】
低分子のポリイソシアネート（Ａ１）としては、例えば、２，４−トリレンジイソシアネ−ト（ＴＤＩと略す）、６５／３５−ＴＤＩ、８０／２０−ＴＤＩ、４，４’ジフェニルメタンジイソシアネ−ト（ＭＤＩと略す）、ジアニシジンジイソシアネ−ト、トリデンジイソシアネ−ト、メタキシリレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、フェニレンジイソシアネート、１，５−ナフタレンジイソシアネート、ポリメチレンポリフェニルポリイソシアネート、水添化ＭＤＩ、水添化ＴＤＩなどの芳香族ジイソシアネート類、脂環族ジイソシアネート類などを挙げることができる。
【００４２】
上記活性水素化合物としては、例えば、ポリエステルポリオール類、ポリエーテルポリオール類、ポリエステルポリアミドポリオール類、ポリカーボネートポリオール類、ポリカプロラクトンポリエステルポリオール類、ポリブタジエンポリオール類、ポリペンタジエンポリオール類、ひまし油系ポリオール、低分子量ジオール類、トリメチロールプロパン、グリセリン、ソルビトール、マンニトール、ズルシトールなどを挙げることができる。
【００４３】
なお、上記低分子量ジオール類とは、分子量２００以下の化合物であり、例えば、エチレングリコール、プロピレングリコール、ブタンジオール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、１，４−ブタンジオール，１，６−ヘキサンジオール、ネオペンチルグリコール、ビスフェノールＡ等を挙げることができる。
【００４４】
上記ポリエーテルポリオール類としては、例えば、低分子量ジオール、グリセリン、トリメチロールプロパン、ヘキサントリオール、トリエタノールアミン、ペンタエリスリトール、エチレンジアミン、トリレンジアミン、ジフェニルメタンジアミン、テトラメチロールシクロヘキサン、メチルグルコシド、２，２，６，６−テトラキス（ヒドロキシルメチル）シクロヘキサノール、ジエチレントリアミン、ソルビトール、マンニトール、シュクロース等を出発物質としてアルキレンオキサイド、例えば、エチレンオキサイド、プロピレンオキサイド等を付加して得られるものを挙げることができる。このポリブタジエンポリオール類としては、具体的には、商品名ｐｏｌｙｂｄ  Ｒ−４５ＨＴ、同Ｒ−４５Ｍ、Ｒ−１５ＨＴ（出光石油化学工業社製）、ＮＩＳＳＯ−ＰＢ  Ｇ−１０００、Ｇ−２０００（日本曹達社製）等を挙げることができる。
【００４５】
上記硬化剤は、硬化樹脂との組み合わせで用いられ、硬化樹脂がエポキシ樹脂の場合は上記フェノール樹脂またはアミン類、カルボン酸類、酸無水物、ジシアンジアミド、二塩基酸ジヒドラジド、イミダゾール類、有機ボロン、有機ホスフィン、グアニジン類、及びこれらの塩などを挙げることができ、硬化樹脂がポリイソシアネートの場合は上記活性水素化合物が硬化剤となる。なお、これら硬化剤は単独でまたは２種以上を混合して使用することができる。
【００４６】
上記硬化剤の使用量は、硬化樹脂としてエポキシ樹脂を用いる場合、エポキシ樹脂１００質量部に対して、０．１〜５０質量部であることが好ましく、０．５〜４０質量部であることが更に好ましい。また、必要に応じて、上記硬化剤とともに、硬化反応を促進する目的で硬化促進剤を併用することもできる。
【００４７】
上記帯電粒子は、予め対極とした半導体基板に付着するものであり、この帯電粒子の堆積層が、熱処理されることによって絶縁膜を構成する。なお、半導体基板、及びノズルの極性は、陰極、陽極のいずれでも良く、塗布する粒子（帯電させる粒子）の帯電性に応じて選択すればよい。また、霧化して吐出することができる限りその材料は、粉体、液体のいずれの形態であっても良い。
【００４８】
このような帯電粒子は、その粒子径（μｍ）が、０．００１〜２μｍであることが好ましく、０．００１〜１μｍであることが更に好ましく、０．０１〜０．５μｍであることが特に好ましい。上記粒子径が、０．００１μｍ未満であると、成膜するスピードが遅く、膜厚も薄くなるおそれがある。一方、２μｍ超であると、開口部を塞いでしまうおそれがある。
【００４９】
［１−１−３］マスク材：
上記マスク材は、開口部の開口面積に対して、通常１．１〜５倍の開口面積を有する貫通孔が形成され、前記半導体基板の一の面であって前記帯電粒子が噴霧される面側に配置されるものであって、貫通孔が、上記半導体基板の開口部に対応するように配置するものである限り材質などは特に制限はない。上記マスク材としては、例えば、フォトリソプロセスで形成した半導体基板上に接着しているレジストマスク、半導体基板上に接着若しくは接着させずに配置したメタルマスクまたは樹脂マスクなどを挙げることができる。これらの中でも、レジストマスクに比べて工程数が少なく（レジストパターン形成の工程を必要とせず）、静電付着後の剥離工程が不要であるなどの観点から、半導体基板上に接着させずに配置したメタルマスクまたは樹脂マスクであることが好ましい。
【００５０】
上記メタルマスクの材料としては、例えば、ステンレス、ニッケル、ニッケル−鉄合金、ニッケル−コバルト合金、ガラスなどを挙げることができる。これらの中でも、ステンレス製のマスク、ガラスなどが好ましい。また、樹脂マスクとしては、ポリテトラフロロエチレン（ＰＴＦＥ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）などのエンジニアリングプラスチックなどを挙げることができる。これらの中でも、ＰＴＦＥ，ＰＥＥＫなどが好ましい。
【００５１】
上記マスク材の厚さは、０．００１〜２ｍｍであることが好ましく、０．０１〜１ｍｍであることが更に好ましい。上記厚みが、０．００１ｍｍ未満であると、メタルマスク、樹脂マスクの場合はマスクの強度が不足し、破損するおそれがある。一方、２ｍｍ超であると、膜厚が不均一になるおそれがある。
【００５２】
従来の半導体基板の製造方法は、半導体基板上（半導体基板の一の面であって前記帯電粒子が静電付着される面側）にマスク材を配置していないため、噴霧装置等から噴霧された帯電粒子の、半導体基板表面への付着が優勢となる。従って、開口部内壁面との付着量に差が生じやすく、開口部内壁面、特にエッジ部分にも均一に制御された膜厚を有する絶縁膜を形成することが困難となる。
【００５３】
一方、本発明の半導体基板の製造方法は、上記マスク材を、半導体基板上に配置することにより、開口部以外への成膜を抑制する。そのため、開口部壁面への帯電粒子の付着を均一化させることに有効に作用する。なお、上述のように、上記マスク材は、帯電粒子の付着制限を行う目的で配置するものあり、帯電粒子の性質に合わせてマスク材を親水処理または疎水処理することにより、帯電粒子が付着し難くなるようにすることも好ましい。
【００５４】
上記マスク材は、上記半導体基板と密着している状態が好ましく、マスク材と半導体基板との対向する面の距離が、大きいほどマスクと基板の間隙への回り込み成膜が増し、開口部の膜厚均一性を損なうおそれがある。
【００５５】
上記マスク材の貫通孔は、上記条件を満たすものである限り、その形状は、特に制限はなく、例えば、三角柱状、四角柱状、多角柱状、円柱状、楕円柱状、円錐状、及びこれらの形状の一部にテーパーを有する形状などとすることができる。
【００５６】
即ち、貫通孔の形状は、上述した半導体基板の開口部の形状に関わらず、適宜選択することができるが、貫通孔の半導体基板側の開口形状は、開口部のマスク材側の開口形状を回転させることなく拡大した相似形であることが好ましい。このような相似形とすることによって、更に均一な絶縁膜を形成することができるという利点がある。具体的には、開口部の開口形状が円錐状（すり鉢状にテーパーを付けて形成された形状）である場合、貫通孔の開口形状は、円形であることが好ましい。なお、上記の場合、貫通孔の開口形状が円形であれば良いので、貫通孔の形状は、円柱状であっても、円錐状であってもよい。
【００５７】
また、上記貫通孔は、開口部に対応するように配置されるものである。ここで、「対応するように配置」とは、貫通孔の半導体基板側の開口の内側に、上記開口部のマスク材側の開口の全てが位置していることを意味する。即ち、貫通孔を通過した帯電粒子は、開口部の内壁面全周に付着することが可能になる。なお、貫通孔の、半導体基板側の開口形状が、開口部の、マスク材側の開口形状を回転させることなく拡大した相似形である場合、開口部の、マスク材側の開口の中心と貫通孔の半導体基板側の開口の中心が一致するように配置することが好ましい。このように配置すると、開口部の内壁面に形成する絶縁膜の膜厚を、更に均一に形成することができるという利点がある。
【００５８】
上記貫通孔は、上述した半導体基板の開口部の開口面積に対して、１．１〜５倍の開口面積を有するものである。この開口面積は、１．３〜４倍であることが好ましく、１．５〜３倍であることが更に好ましい。上記開口面積が、１．１倍未満であると、絶縁膜のエッジ部への成膜が不足するおそれがある。一方、５倍超であると、開口部内壁面の膜厚均一性が低下するおそれがある。なお、「貫通孔の開口面積」というときは、半導体基板側の開口部分の面積を意味するものとする。
【００５９】
なお、上記貫通孔は、マスク材に一箇所だけ形成することもできるし、複数形成することもできる。
【００６０】
［１−２］静電付着工程：
本発明の半導体基板の製造方法は、上記半導体基板の一の面の一部及び開口部の内壁面に、帯電粒子を静電付着させる工程を備えるものである。即ち、噴霧装置により噴霧された後、帯電した帯電粒子は、上記マスク材によって静電付着位置が制限されるため、開口部の内壁面及び半導体基板上であって開口部の周辺部分（半導体基板の一の面の一部）に堆積される。
【００６１】
例えば、図１は、貫通孔２ａが形成されたマスク材２を、半導体基板４と噴霧装置の間であって、貫通孔２ａが、半導体基板４の開口部４ａに対応するように配置し、半導体基板４の噴霧装置側（マスク材２側）の面の一部４ｂ、及び開口部４ａの内壁面に帯電粒子１を静電付着させることによって、帯電粒子１の堆積層（絶縁膜３）を形成した状態を模式的に示す断面図である。このように、マスク材２を用いると、半導体基板４の噴霧装置側（マスク材２側）の面の一部４ｂ、及び開口部４ａの内壁面に、帯電粒子１の堆積層（絶縁膜３）を均一に形成することができる。特に、帯電粒子１の堆積層（絶縁膜３）のエッジ部の厚さＸを十分に厚くすることができる。
【００６２】
上記静電付着の条件は、特に制限はなく適宜選択することができる。例えば、帯電粒子の噴霧温度（ノズル温度）は、０〜２００℃であることが好ましく、２５〜１５０℃であることが更に好ましい。０℃未満であると、蒸発した溶剤などがノズルで凝縮して噴出が不安定になるおそれがある。一方、２００℃超であると、帯電粒子同士が融着しやすくなるため粒子の粒径を制御しにくくなるおそれがある。
【００６３】
絶縁膜の厚さは帯電粒子の堆積層の厚さによって制御することができ、堆積層の厚みは帯電粒子の噴霧量（噴霧時間、噴霧濃度）によって調整することができる。絶縁膜の厚みは、開口部の口径や求められる耐電圧性能によって適宜決定することができるが、開口部の半導体基板側の開口の０．１〜１０％であることが好ましく、更に好ましくは０．１〜５％である。例えば、開口部の半導体基板側の開口が５０μｍφであるとき、２〜１０μｍである。絶縁膜の厚みが、２μｍ未満であると、エッジ部の被覆のバラツキが大きくなるおそれがある。
【００６４】
また、本発明の半導体基板に形成された絶縁膜は、下記条件（ａ）及び（ｂ）を満たすものである。（ａ）開口部の内壁面及びこの内壁面に連なる半導体基板の一の面の一部に連続して形成されている。（ｂ）半導体基板の絶縁膜が形成される一の面に直交する断面上において、開口部の開口端を通り、一の面により形成される基準直線とのなす角度θが４５°である第一の仮想直線上の、開口部の開口端上の点と第一の仮想直線が絶縁膜に交わる点との距離（膜厚）Ｘが、断面上において開口部の内壁面に垂直な第二の仮想直線上の、内壁面の中心点と第二の仮想直線が絶縁膜に交わる点との距離（膜厚）Ｙに対して、０．８〜１．２の比率で形成されている。この比率は、０．９〜１．１であることが好ましい。なお、膜厚が厚い方が耐電圧性能は良好であるが、厚くなるほど、後工程で形成する埋め込み配線が行いにくくなる傾向がり、材料、穴形状に応じた適正値がある。
【００６５】
本発明の半導体基板は、上記条件（ａ）及び（ｂ）を満たす絶縁膜が形成されているもの、即ち、エッジ部にも十分な厚さを有し、半導体基板の開口部の内壁面に均一に成膜された絶縁膜を備えるものである。そのため、本発明の半導体基板は、良好な耐電圧性能を有するものである。
【００６６】
例えば、図２に示す半導体基板４の絶縁膜３は、（ａ）貫通孔である開口部４ａの内壁面及びこの内壁面に連なる半導体基板の一の面の一部４ｂに連続して形成されている。そして、（ｂ）半導体基板４上の絶縁膜３が形成される一の面に直交する断面（図２の紙面）上において、開口部４ａの開口端を通り、半導体基板４の一の面と上記断面により形成される基準直線Ｌとのなす角度θが４５°である第一の仮想直線Ｍ上の、開口部４ａの開口端上の点ａと第一の仮想直線Ｍが絶縁膜３に交わる点ｂとの距離（膜厚）Ｘが、上記断面（図２の紙面）上において開口部４ａの内壁面に垂直な第二の仮想直線Ｎ上の、内壁面の中心点ｃと第二の仮想直線Ｎが絶縁膜３に交わる点ｄとの距離（膜厚）Ｙに対して、１．０の比率で形成されている例である。
【００６７】
本静電付着工程において、複数の上記噴霧装置または複数の噴霧ノズルを有する噴霧装置を用いることによって、複数種の上記帯電粒子を、それぞれ異なる噴霧装置または噴霧ノズルから噴霧して半導体基板上の所定の位置に静電付着させることができる。このように複数の上記噴霧装置または複数の噴霧ノズルを有する噴霧装置を用いることによって、複数の帯電粒子をその種類毎に分けて静電付着させることができるため、例えば、硬化の非常に早い樹脂と、その触媒となるフェノール樹脂を静電付着させる場合であっても、予め混合する必要がないため、これらを混合することに起因する保存安定性の悪さを解消することができる。このように、硬化速度の速い帯電粒子を用いる場合であっても均一な塗膜を形成することができ、良好に絶縁膜を形成することができる。
【００６８】
なお、複数種の帯電粒子は、例えば、熱硬化性樹脂により構成された粒子、及び硬化剤により構成された粒子を含むものとすることもできる。具体的には、エポキシ樹脂と、硬化剤としてのフェノール樹脂と、硬化促進剤とを別々に噴霧して混合付着させることによって、通常は安定性が非常に悪く、組成物化が困難なエポキシ樹脂含有組成物であっても塗膜として形成することができる。
【００６９】
また、例えば、上記フィラーと熱硬化性樹脂とを、それぞれ異なる噴霧装置または噴霧ノズルから噴霧する場合、噴霧するフィラーの量を調節することによって、得られる絶縁膜の熱膨張係数を任意に設定することもできる。
【００７０】
［１−３］熱処理工程：
本発明の半導体基板の製造方法は、上記帯電粒子が静電付着された半導体基板を５０〜３００℃で熱処理する工程を備えることが好ましい。上記熱処理温度は、５０〜２５０℃であることが好ましく、１００〜２００℃であること好ましい。５０℃未満であると、帯電粒子の堆積層（付着膜）の硬化が不十分となるおそれがある。一方、３００℃超であると、硬化樹脂の熱分解が著しくなり、半導体基板への密着が不十分になるおそれがある。帯電粒子を熱硬化性樹脂により構成された粒子とした場合、上記半導体基板を上記温度範囲で熱処理することにより絶縁膜を形成することができるため、半導体基板を損傷させることがないという利点がある。
【００７１】
上記熱処理の時間は、付着膜の硬化に必要な熱量によって設定することができ、加熱方法によっても異なる。例えば、オーブンの場合は通常３０〜１２０ｍｉｎ、ホットプレートの場合は５〜３０ｍｉｎである。上記熱処理は、オーブン、ホットプレート、赤外線炉などの公知の手段により行うことができる。
【実施例】
【００７２】
以下、本発明を実施例に基づいて具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。なお、実施例、比較例中の「部」及び「％」は、特に断らない限り質量基準である。
【００７３】
（実施例１）
６インチのシリコンウエハ（以下、「ウエハ」と記す場合がある）を研削・研磨し、その厚みを１００μｍに薄化した後、研磨面に、スパッタ法にてＮｉ層を０．２μｍ形成した。形成したＮｉ層上に、１００μｍφの開口パターンを有するレジスト膜を形成した後、塩化第二鉄溶液にてエッチングすることで、上記ウエハに、１００μｍφの開口パターンを１ｍｍ間隔で形成した。得られたウエハを、８５℃の４０％ＫＯＨ水溶液に浸してテーパー（開口径１００μｍ、底径６０μｍ）を有する開口部を形成した。このようにして、開口部が形成されたＳｉウエハ（Ａ）（以下、「ウエハ（Ａ）」と記す場合がある）を得た。
【００７４】
このウエハ（Ａ）と噴霧装置（型番ＥＳ−２０００、フューエンス社製）との間に、開口部の形成パターンに合わせて１１０μｍφの開口径の穴を予め作製しておいたステンレス製のメタルマスク（厚み０．５ｍｍ）を配置した後、帯電粒子（Ｉ−１）及び（ＩＩ−１）を静電付着させた。帯電粒子（Ｉ−１）及び（ＩＩ−１）は、上記噴霧装置の２本の各ノズルから、それぞれ一定の吐出流量（固形分量として１５ｍｇ／ｍｉｎ）で噴霧させた。このとき、帯電粒子（Ｉ−１）を噴霧する上記噴霧装置のノズルの温度は、４０℃とし、帯電粒子（ＩＩ−１）を噴霧する上記噴霧装置のノズルの温度は、１１０℃とした。また、上記噴霧装置のノズルは、陽極（＋）に帯電させて、その印加電圧は、１５ｋＶとした。なお、帯電粒子の噴霧は、キャリアガスとして窒素ガスを導入しながら、ウエハ（Ａ）にアースを取った状態で、ウエハ（Ａ）を３０ｒｐｍで回転させながら行った。
【００７５】
帯電粒子の噴霧後、上記メタルマスクを除き、ウエハ（Ａ）を２５０℃のオーブンで３０分間、熱処理することにより帯電粒子（Ｉ−１）及び（ＩＩ−１）の混合層を硬化させることにより、絶縁膜を有するウエハ（ｉ）（以下、「ウエハ（ｉ）」と記す場合がある）を得た。なお、上記絶縁膜は、メタルマスクのパターン（貫通孔の形状）から大きくはみ出すことなく成膜していた。このウエハ（ｉ）に形成した絶縁膜について、熱膨張係数（ｐｐｍ／℃）、鉛筆硬度、膜厚、絶縁抵抗率（Ω・ｃｍ）を測定した。測定方法は、下記の要領で行った。
【００７６】
［熱膨張係数（ｐｐｍ／℃）］：
上記ウエハ（Ａ）に代えて、離形処理したＰＥＴフィルム上に、５０μｍ厚の絶縁膜を成膜してフィルム状サンプルとした。このフィルム状サンプルを、熱機械分析装置（ＴＭＡ−６０、島津製作所社製）を用いて２５〜２００℃の温度域の熱膨張係数を測定した。
【００７７】
［鉛筆硬度］：
上記熱膨張係数の測定と同様にして成膜したフィルム状サンプルの鉛筆硬度を、ＪＩＳ−Ｋ５４００に準拠して鉛筆硬度計（ＰＥＮＣＩＬ  ＳＣＲＡＴＣＨ  ＨＡＲＤＮＥＳＳ  ＴＥＳＴＥＲ、安田精機製作所社製）にて測定した。
【００７８】
［膜厚］：
上記ウエハ（ｉ）を、開口部部分で切断し、その端面をＳＥＭ観察（Ｑｕａｎｔａ２００ＦＥＧ、ＦＥＩ社製）にて、図２に示した、半導体基板４上の絶縁膜３が形成される一の面に直交する断面（図２の紙面）上において、開口部４ａの開口端を通り、半導体基板４の一の面と上記断面により形成される基準直線Ｌとのなす角度θが４５°である第一の仮想直線Ｍ上の、開口部４ａの開口端上の点ａと第一の仮想直線Ｍが絶縁膜３に交わる点ｂとの距離（膜厚）Ｘ（表１中、「エッジ部膜厚」と示す）、及び、半導体基板４上の絶縁膜３が形成される一の面に直交する断面（図２の紙面）上において、開口部４ａの内壁面に垂直な第二の仮想直線Ｎ上の、内壁面の中心点ｃと第二の仮想直線Ｎが絶縁膜３に交わる点ｄとの距離（膜厚）Ｙ（表１中、「内壁面中央膜厚」と示す）を測定した。
【００７９】
［絶縁抵抗率（Ω・ｃｍ）］：
まず、形成した絶縁膜上にＡｌ電極を蒸着した。その後、半導体基板の開口部から離れた、半導体基板表面部分に残しておいたＮｉ層を下部電極として、印加電圧５Ｖの条件における、前記Ａｌ電極との間（Ｎｉ−Ａｌ間）の抵抗値をデジタルマルチメーター（Ｒ６５５１、ＡＤＶＡＮＴＥＳＴ社製）により測定した。
【００８０】
本実施例の上記各評価の結果は、熱膨張係数が１２０ｐｐｍ／℃であり、鉛筆硬度がＨであり、エッジ部の膜厚Ｘが１３μｍであり、内壁面中央の膜厚Ｙが１３μｍであり、絶縁抵抗率が２×１０１４Ω・ｃｍであった。
【００８１】
（実施例２）
実施例１と同様の手順によって６インチのシリコンウエハを研削・研磨し、その厚みを５０μｍに薄化した後、研磨面の全面に、スパッタ法にてＮｉ層を０．２μｍ形成した。形成したＮｉ層上に、５０μｍφの開口パターンを有するレジスト膜を形成した後、ＲＩＥにより円柱状の５０μｍφの開口パターン（開口部）が１ｍｍ間隔で並んだウエハを得た。その後、レジスト残渣をアッシングにより除去してＳｉウエハ（Ｂ）を得た。得られたＳｉウエハ（Ｂ）を、表１に示す噴霧条件により処理した以外は、実施例１と同様にして絶縁膜を形成して、絶縁膜を有するウエハ（ｉｉ）を得た。このウエハ（ｉｉ）の絶縁膜について、熱膨張係数（ｐｐｍ／℃）、鉛筆硬度、膜厚、絶縁抵抗率（Ω・ｃｍ）を測定した。その結果を表１に示す。
【００８２】
【表１】
2008147454.tif 000003
【００８３】
（実施例３，４）
表１に示す条件とした以外は、実施例２と同様にして絶縁膜を有するウエハ（ｉｉｉ）、（ｉｖ）を製造し、その後、上記各評価を行った。評価結果を表１に示す。
【００８４】
（実施例５）
表１に示す条件とした以外は、実施例２と同様にして、ウエハ（Ｂ）に帯電粒子を静電付着し。そのウエハを観察した。表１に示すように、帯電粒子の堆積層の硬化が不十分のため、硬度が低く軟らかい塗膜となったが、エッジ部膜厚は内壁面より薄いが成膜はさており絶縁性は保たれた状態であった。
【００８５】
（比較例１）
実施例１と同様にして得たウエハ（Ａ）に、マスク材を配置することなく、実施例４で用いたエポキシ樹脂Ｉ−２とフェノール樹脂ＩＩ−４を混合したアセトン溶液をスプレー塗布した。その後、２５０℃オーブンで３０分の熱処理を行った。熱処理後のウエハについて上記各評価を行った。評価結果は、このウエハの表面には約８μｍ、孔壁面中央で約１５μｍ成膜できた。しかし、エッジ部の膜厚は、バラツキがあり、ほとんど膜が形成されておらず、厚いものでも１μｍの膜厚であった。このようにエッジ部の膜厚が薄いと、所望の絶縁特性に達しない素子が多くなり、ウエハ当たりの素子の歩留まりが悪くなる傾向にある。
【００８６】
（比較例２）
マスク材を配置しないこと以外は、実施例４と同様にして、絶縁膜を有するウエハを製造した。その後、上記各評価を行った。評価結果は、塗膜の硬度、絶縁抵抗については実施例４と同様であった。しかし、開口部と半導体基板表面の膜厚にバラツキがあり、半導体基板表面の膜厚が１７μｍであり、開口部内壁面中央の膜厚が７μｍであり、エッジ部の膜厚が３μｍであった。このように、半導体基板表面の膜厚に比べて、開口部内壁面及びエッジ部の膜厚が薄かった。
【００８７】
（比較例３）
実施例４のエポキシ樹脂ＩＩ−２とフェノール樹脂ＩＩ−４を予め混合したアセトン溶液を用いた以外は、比較例２と同様にして静電付着を行った。しかし、すぐに、噴霧ノズル及びノズルヒーター部に、硬化した樹脂が付着したため、ウエハ上に塗布することができなかった。
【００８８】
なお、表１に示す、半導体基板の製造方法に用いた帯電粒子を以下に示す。
（Ｉ−１）：４−ｔ−ブチルカテコール型エポキシ樹脂（ＥＰＩＣＬＯＮ  ＨＰ８２０、大日本インキ工業社製）  （Ｉ−２）：ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂粉末（エピコート１００１、ジャパンエポキシレジン社製）
（Ｉ−３）：Ｉ−２（７０部）とＩＩ−４（３０部）を混合したアセトン溶液
（ＩＩ−１）：コロイダルシリカ水分散液（ＰＬ−１、扶桑化学社製、一次粒径＝１２ｎｍ）
（ＩＩ−２）：フラーレンＣ６０粉末（ｎａｎｏｍ  ｐｕｒｐｌｅ  ＳＴ、フロンティアカーボン社製）
（ＩＩ−３）：ブタンテトラカルボン酸無水物粉末
（ＩＩ−４）：フェノール樹脂（レジトップ  ＰＳＭ−６８５６、群栄化学工業社製）のアセトン溶液  
【００８９】
表１から明らかなように、実施例１〜４の半導体基板の製造方法により形成した絶縁膜は、比較例１〜４の半導体基板の製造方法に比べて、良好な評価結果を有することが確認できた。
【産業上の利用可能性】
【００９０】
本発明の半導体基板の製造方法は、開口部に均一な絶縁膜が形成された半導体基板の製造方法として特に好適に使用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００９１】
【図１】半導体基板の所定箇所に帯電粒子の堆積層を形成する一の状態を模式的に示す断面図である。
【図２】半導体基板の所定箇所に帯電粒子の堆積層を形成した一の状態を模式的に示す断面図である。
【符号の説明】
【００９２】
１  帯電粒子
２  マスク材
２ａ  貫通孔
３  絶縁膜
４  半導体基板
４ａ  開口部
Ｘ  エッジ部膜厚
Ｙ  内壁面中央膜厚
Ｌ  基準直線
Ｍ  第一の仮想直線
Ｎ  第二の仮想直線
ａ、ｂ、ｃ、ｄ  点
【図１】
2008147454.tif 000004
【図２】
2008147454.tif 000005