(57)【要約】【課題】高い搬送速度および電流密度で電解粗面化処理などの電解処理を行なう場合においてもチャターマークの発生を効果的に抑制できる電解処理装置および電解処理方法などの提供。【解決手段】複数個の電解槽２Ａ、２Ｂが直列に配置され、電解槽２Ａ、２Ｂには、アルミニウムウェブＷの走行経路に面するように配設され、交番電流が印加される電極８Ａ、８Ｂが設けられ、電解槽２Ａ、２Ｂにおける前記交番電流の電流密度は、最下流側の電解槽２Ｂにおいて最も低くなるように設定され、電解槽２Ａにおいては、金属ウェブが導出される出口部分に低電流密度ゾーン８７Ａが設けられている電解処理装置である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一定方向に走行する金属ウェブを電解処理する電解処理装置であって、
酸性電解液中で交番電流により連続的に電解処理する複数個の電解槽が直列に配置され、
夫々の電解槽には、前記金属ウェブの走行経路に面するように配設されて前記交番電流が印加される１個または２個以上の電極が設けられるとともに、前記電極の金属ウェブが導入される入口部分にソフトスタート部が設けられ、
前記複数個の電解槽における前記交番電流の電流密度は、金属ウェブの走行方向に沿って最下流側に位置する電解槽において最も低くなるように設定されているとともに、
少なくとも前記最下流側に位置する電解槽以外の電解槽においては、金属ウェブが導出される出口部分に低電流密度ゾーンが設けられていることを特徴とする電解処理装置。
【請求項２】
前記最下流側に位置する電解槽以外の電解槽においては、金属ウェブの走行方向に沿って最も下流側に位置する電極における金属ウェブが導出される側の端部である出口側端部に低電流密度ゾーンが設けられている請求項１に記載の電解処理装置。
【請求項３】
前記最下流側に位置する電解槽以外の電解槽においては複数の電極が設けられ、且つ前記複数の電極の夫々における出口側端部に低電流密度ゾーンが設けられている請求項１に記載の電解処理装置。
【請求項４】
前記最下流側に位置する電解槽においても複数の電極が設けられ、且つ前記複数の電極のうち、最も出口側に位置する電極以外の電極の出口側端部に低電流密度ゾーンが設けられている請求項３に記載の電解処理装置。
【請求項５】
前記低電流密度ゾーンにおける金属ウェブの処理時間Ｔは、電解槽内部における金属ウェブの全処理時間の６％以上に設定されているとともに、前記電解槽における前記低電流密度ゾーンの電流密度をｄ（Ａ／ｄｍ２）、前記低電流密度ゾーン以外の区間の電流密度をＤ（Ａ／ｄｍ２）とすると、ｄ／Ｄ≦０．７５、且つｄ≦３０（Ａ／ｄｍ２）となるようにｄが設定されている請求項１〜４の何れか１項に記載の電解処理装置。
【請求項６】
前記電極の出口側端部が、前記金属ウェブの走行方向に沿って前記金属ウェブの走行経路から連続的に遠ざかるように形成されることにより、前記電極の低電流密度ゾーンが形成されている請求項１〜５の何れか１項に記載の電解処理装置。
【請求項７】
前記電極は、少なくとも前記低電流密度ゾーンにおいて互いに絶縁された複数の小電極に分割され、前記小電極に交番電流を供給する電源と前記小電極との間に、電流を絞る電流絞り手段が設けられている請求項１〜５の何れか１項に記載の電解処理装置。
【請求項８】
前記電流絞り手段はインダクタンスコイルである請求項７に記載の電解処理装置。
【請求項９】
前記電流絞り手段は抵抗器である請求項７に記載の電解処理装置。
【請求項１０】
前記電極は、出口側端部に位置して低電流密度ゾーンを形成する出口側電極と、前記金属ウェブの搬送方向に沿って前記出口側電極よりも上流側の中央部電極とに区分され、前記出口側電極と中央部電極とは別個の電源に接続されている請求項１〜５の何れか１項に記載の電解処理装置。
【請求項１１】
前記最下流側に位置する電解槽とそれ以外の電解槽とにおける電流密度比が１：１．２〜１：２の範囲に設定されている請求項１〜１０の何れか１項に記載の電解処理装置。
【請求項１２】
アルミニウムウェブを、請求項１〜１１の何れか１項に記載の電解処理装置で電解粗面化処理したことを特徴とする平版印刷版用支持体。
【請求項１３】
請求項１２に記載の平版印刷版用支持体と、前記平版印刷版用支持体における粗面化面に形成された製版層とを備えることを特徴とする平版印刷原版。
【請求項１４】
一定方向に走行する金属ウェブを電解処理する電解処理方法であって、
酸性電解液中で交番電流を印加する複数の電解槽に、前記金属ウェブを順次通過させることにより、前記金属ウェブを電解処理するとともに、
各電解槽においては、前記交番電流が印加される１個または２個以上の電極を前記金属ウェブの走行経路に面するように配設するとともに、前記電極の金属ウェブの入口部の電流密度を前記部分よりも金属ウェブの走行方向に沿って下流側の部分における電流密度よりも低く設定し、
前記複数の電解槽においては、金属ウェブの走行方向に沿って最下流側に位置する電解槽の電流密度を最も低く設定し、
前記最下流側に位置する電解槽以外の電解槽においては、金属ウェブが導出される出口部分における電流密度を、前記出口部分よりも金属ウェブの走行方向に対して上流側の部分における電流密度よりも低く設定する
ことを特徴とする電解処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電解処理装置、平版印刷版支持体、平版印刷原版、および電解処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
本発明は、電解処理装置および電解処理方法に関し、特に、連続した帯状の金属板を、高い電流密度および搬送速度で電解処理するときにも、前記金属板の表面におけるチャターマークの発生を効果的に抑制できる電解処理装置および電解処理方法に関する。
【０００３】
平版印刷版の原版である平版印刷原版は、一般的に、純アルミニウムまたはアルミニウム合金（以下、「アルミニウム等」ということがある。）の板の表面を粗面化し、次いで前記表面を陽極酸化処理することにより、陽極酸化皮膜を形成して平版印刷版用支持体を得、前記平版印刷版用支持体における陽極酸化皮膜が形成された表面に感光性または感熱性の製版層を形成するという手順に従って作製される。
【０００４】
そして、前記平版印刷原版の製版層に文字および絵などの印刷画像を焼き付け、現像することにより、平版印刷版が作製される。
【０００５】
前記アルミニウム板は、ナイロンなどの毛を有するブラシローラまたは表面が研磨布からなる研磨ローラ等による機械的粗面化処理、アルカリ溶液中で前記アルミニウム板の表面を化学的に粗面化するエッチング処理、および前記アルミニウム板を電極の一方として電解粗面化する電解粗面化処理などにより、粗面化される。
【０００６】
しかしながら、前記電解粗面化処理は、通常、酸性電解液中で前記アルミニウム板に正弦波電流、矩形波電流、または台形波電流などの交番電流を印加して行なうので、電解槽の入口において、前記アルミニウム板に正電圧および負電圧が交互に印加される。
【０００７】
前記アルミニウム板においては、正電圧が印加されるとカソード反応が起き、負電圧が印加されるとアノード反応が起きる。そしてカソード反応時には、水酸化アルミニウムを主体とする酸化皮膜が生成し、アノード反応時には、前記酸化皮膜が溶解してピットと称する蜂の巣状の小孔が生じる。
【０００８】
したがって、前記電解槽内を通過するアルミニウム板は、前記電解槽の入口において正電圧が印加されると先ずカソード反応をし、負電圧が印加されると先ずアノード反応をするから、前記電解槽の入口において印加される電流の極性によって前記アルミニウム板の表面状態が異なり、前記アルミニウム板の幅方向に伸びる縞状の面質ムラすなわちチャターマークが生じることがある。特に、高い搬送速度および高い電流密度で電解粗面化処理を行なうときには、前記チャターマークの発生が顕著に見られることがあった。
【０００９】
前記チャターマークの発生を抑える方法として、たとえば、電解槽の入り口部分に低電流密度処理を行うソフトゾーンを設けた電解処理装置（特許文献１）、電解槽の各電極の前端、後端に低電流密度ゾーンを設け、残余の部分は一定電流密度ゾーンとした電解処理装置（特許文献２）、および電解槽の入り口部にソフトスタート部を設けた電解処理装置において、ソフトスタート部の電流密度、区間長、および金属ウェブの搬送速度について特定の関係式が成り立つように前記ソフトスタート部の長さを設定した電解処理装置（特許文献３）が提案された。
【００１０】
また、複数の電解槽を直列に配列した電解処理装置において、最下流の電解槽の電流密度が最も低くなるように電流密度を設定したもの（特許文献４）も提案された。
【００１１】
【特許文献１】特開昭６０−０６７７００号公報
【特許文献２】特開平１−２３０８００号公報
【特許文献３】特開２００３−００３２２９号公報
【特許文献４】特開２００３−１７１８００号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかしながら、これらの電解処理装置においても、高い搬送速度および高い電流密度で電解粗面化処理をおこなう場合には、チャターマークの発生を完全に抑制することは困難であった。
【００１３】
本発明は、上記問題を解決すべく成されたもので、高い搬送速度および電流密度で電解粗面化処理などの電解処理を行なう場合においてもチャターマークの発生を効果的に抑制できる電解処理装置および電解処理方法、並びに前記電解処理装置で製造され、チャターマークのような面質ムラの発生の無い平版印刷版支持体、および前記平版印刷版支持体を有する平版印刷原版の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
請求項１に記載の発明は、一定方向に走行する金属ウェブを電解処理する電解処理装置であって、酸性電解液中で交番電流により連続的に電解処理する複数個の電解槽が直列に配置され、夫々の電解槽には、前記金属ウェブの走行経路に面するように配設されているとともに、前記交番電流が印加される１個または２個以上の電極が設けられるとともに、前記電極の金属ウェブが導入される入口部分にソフトスタート部が設けられ、前記複数個の電解槽における前記交番電流の電流密度は、金属ウェブの走行方向に沿って最下流側に位置する電解槽において最も低くなるように設定されているとともに、少なくとも前記最下流側に位置する電解槽以外の電解槽においては、金属ウェブが導出される出口部分に低電流密度ゾーンが設けられていることを特徴とする。
【００１５】
前記電解処理装置においては、前記最下流側に位置する電解槽以外の電解槽においては、金属ウェブが導出される出口部分に低電流密度ゾーンが設けられている。また、各電極における金属ウェブの入口部分にソフトスタート部が設けられている。
【００１６】
ここで、ソフトスタート部は、前記電極の金属ウェブの走行方向に沿ってより下流側の部分と比較して電流密度がより低く設定されている。同様に、低電流密度ゾーンにおいても、前記電極の金属ウェブの走行方向に沿ってより上流側の部分よりも低い電流密度で電解処理が行われる。したがって、ソフトスタート部においては、カソード反応およびアノード反応が抑制される。また、前記最下流側に位置する電解槽以外の電解槽における出口部分に低電流密度ゾーンが形成することにより、最下流側の電解槽におけるチャターマークの発生が抑制される。
【００１７】
したがって、前記電解処理装置によれば、金属ウェブ上におけるチャターマークのような面質ムラの発生を抑制できる。
【００１８】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の電解処理装置において、前記最下流側に位置する電解槽以外の電解槽においては、金属ウェブの走行方向に沿って最も下流側に位置する電極における金属ウェブが導出される側の端部である出口側端部に低電流密度ゾーンが設けられていることを特徴とする。
【００１９】
電解処理装置においては、電極と金属ウェブとの間に交番電流が印加されることにより、前記金属ウェブが粗面化される。
【００２０】
したがって、前記最下流側に位置する電解槽以外の電解槽において、最も下流側に位置する電極における出口側端部に低電流密度ゾーンを設けることにより、前記電解槽における出口部分に低電流密度ゾーンが形成されるから、下流側において隣接する電解槽におけるチャターマークの発生が抑制される。
【００２１】
請求項３に記載の発明は、請求項１に記載の電解処理装置において、前記最下流側に位置する電解槽以外の電解槽には複数の電極が設けられ、且つ前記複数の電極の夫々における出口側端部に低電流密度ゾーンが設けられていることを特徴とする。
【００２２】
請求項３に記載の電解処理装置においては、前記最下流側に位置する電解槽以外の電解槽には複数の電極が設けられているから、１つの電解槽内部においても、一の電極と、前記一の電極の下流側に位置する他の電極との間でチャターマークが発生する可能性がある。
【００２３】
しかしながら、前記電解処理装置においては、前記複数の電極の夫々における出口側端部に低電流密度ゾーンが設けられているから、１つの電解槽内部においてもチャターマークのような面質ムラが生じることが効果的に抑制される。
【００２４】
請求項４に記載の発明は、請求項３に記載の電解処理装置において、前記最下流側に位置する電解槽においても複数の電極が設けられ、且つ前記複数の電極のうち、最も出口側に位置する電極以外の電極の出口側端部に低電流密度ゾーンが設けられていることを特徴とする。
【００２５】
最下流の電解槽に複数の電極を設けたときは、前記電解槽内部においても、一の電極と、前記一の電極の下流側に位置する他の電極との間でチャターマークが発生する可能性がある。しかしながら、請求項４に記載の電解処理装置においては、前記最下流に位置する電解槽においても、上流側に位置する電極の出口側端部に低電流密度ゾーンが設けられているから、電解槽内部でのチャターマークなどの面質ムラの発生が効果的に抑制される。
【００２６】
請求項５に記載の発明は、請求項１〜４の何れか１項に記載の電解処理装置において、前記低電流密度ゾーンにおける金属ウェブの処理時間Ｔが、電解槽内部における金属ウェブの全処理時間の６％以上に設定されているとともに、前記電解槽における前記低電流密度ゾーンの電流密度をｄ（Ａ／ｄｍ２）、前記低電流密度ゾーン以外の区間の電流密度をＤ（Ａ／ｄｍ２）とすると、ｄ／Ｄ≦０．７５、且つｄ≦３０（Ａ／ｄｍ２）となるようにｄが設定されていることを特徴とする。
【００２７】
請求項５に記載の電解処理装置においては、低電流密度ゾーンにおける金属ウェブの処理時間Ｔおよび電流密度ｄが上のように設定されていることにより、チャターマークなどの面質ムラの発生をより効果的に抑制できる。
【００２８】
請求項６に記載の発明は、請求項１〜５の何れか１項に記載の電解処理装置において、前記電極の出口側端部が、前記金属ウェブの走行方向に沿って前記金属ウェブの走行経路から連続的に遠ざかるように形成されることにより、前記電極の低電流密度ゾーンが形成されていることを特徴とする。
【００２９】
電解処理装置においては、電極と金属ウェブの搬送面との間隔が大きいと、前記電極と前記搬送面との間に存在する酸性電解液の層が厚くなるから、前記電極と前記金属ウェブとの間の電気抵抗が高い。一方、前記間隔が小さいと、前記酸性電解液の層の厚さが小さくなるから、前記電極と前記金属ウェブとの間の電気抵抗が低い。
【００３０】
ここで、請求項６に記載の電解処理装置においては、電極の出口側端部が、前記金属ウェブの走行方向に沿って前記金属ウェブの走行経路から連続的に遠ざかるように形成される。
【００３１】
したがって、前記電極と前記金属ウェブとの間の電気抵抗は、前記金属ウェブの搬送方向に対して下流側に行くほど増大するから、前記電極と前記金属ウェブとの間に流れる電流は、下流側に行くほど減少する。
【００３２】
このように、請求項６に記載の電解処理装置は、従来の電解槽に何らの装置や部品を付加することなく低電流密度ゾーンを形成できるから、構成が簡略化できる。
【００３３】
請求項７に記載の発明は、請求項１〜５の何れか１項に記載の電解処理装置において、前記電極が、少なくとも前記低電流密度ゾーンにおいて互いに絶縁された複数の小電極に分割され、前記小電極に交番電流を供給する電源と前記小電極との間に、電流を絞る電流絞り手段が設けられていることを特徴とする。
【００３４】
請求項７に記載の電解処理装置においては、電解槽に形成された低電流密度ゾーンでは電極は互いに絶縁された小電極に分割されている。そして、前記小電極と電源との間に電流絞り手段が設けられている。
【００３５】
したがって、前記電極における交番電流の密度は、前記電極における中央部、即ち出口側端部と入り口側端部との間の部分に比較して前記電極の出口側端部のほうが低いから、一の電極を通過した金属ウェブが他の電極を通過することによるチャターマークなどの面質ムラの発生が効果的に抑制される。
【００３６】
請求項８に記載の発明は、請求項７に記載の電解処理装置において、前記電流絞り手段がインダクタンスコイルであるものに関する。
【００３７】
請求項８に記載の電解処理装置においては、電流絞り手段としてインダクタンスコイルを用いている。
【００３８】
前記電解処理装置においては、前記電流から小電極に交番電流が供給されるから、前記交番電流がインダクタンスコイルを通過することにより、インダクタンスを生じ、電流が絞られる。したがって、抵抗損失なく電流を絞ることができる。また、インダクタンスコイルには何らの制御装置も必要ないから、前記電解処理装置は構成が簡略であるという特長も有する。
【００３９】
インダクタンスコイルは、また、インダクタとも称され、鉄心を有するコイルも有しないコイルも使用できる。
【００４０】
請求項９に記載の発明は、請求項７に記載の電解処理装置において、電流絞り手段として抵抗器を用いたことを特徴とする。
【００４１】
請求項９に記載の電解処理装置においては、前記電流絞り手段として抵抗器を使用しているから、前記電源と前記小電極との間には抵抗負荷しかない。したがって、力率が１である。
【００４２】
請求項１０に記載の発明は、請求項１〜５の何れか１項に記載の電解処理装置において、前記電極が、出口側端部に位置して低電流密度ゾーンを形成する出口側電極と、前記金属ウェブの搬送方向に沿って前記出口側電極よりも上流側の中央部電極とに区分され、前記出口側電極と中央部電極とは別個の電源に接続されていることを特徴とする。
【００４３】
請求項１０に記載の電解処理装置においては、前述のように前記電極が出口側電極と中央部電極とに区分され、しかも両者は夫々別個の電源に接続されているから、出口側電極における電流密度、即ち低電流密度ゾーンにおける電流密度を中央部電極とは別個独立に制御できる。
【００４４】
請求項１１に記載の発明は、請求項１〜１０の何れか１項に記載の電解処理装置において、最下流側に位置する電解槽とそれ以外の電解槽とにおける電流密度比が１：１．２〜１：２の範囲に設定されていることを特徴とする。
【００４５】
請求項１１に記載の電解処理装置においては、最下流側に位置する電解槽とそれ以外の電解槽とにおける電流密度比が特定の比率になるように設定されているから、前記面質ムラの発生をさらに効果的に抑制できる。
【００４６】
請求項１２に記載の発明は、平版印刷版用支持体において、アルミニウムウェブを、請求項１〜１１の何れか１項に記載の電解処理装置で電解粗面化処理したことを特徴とする。
【００４７】
前記電解処理装置によれば、アルミニウムウェブを交番電流で電解粗面化する際の面質ムラの発生を最小限に抑えることができる。したがって、得られる平版印刷版用支持体は面質ムラが極めて少ない。
【００４８】
請求項１３に記載の発明は、平版印刷原版において、請求項１３に記載の平版印刷版用支持体と、前記平版印刷版用支持体における粗面化面に形成された製版層とを備えることを特徴とする。
【００４９】
請求項１３に記載の平版印刷原版に使用されている平版印刷版用支持体は、チャターマークのような面質ムラが極めて少ない。したがって、前記平版印刷原版によれば、印刷画面に、前記面質ムラに起因する印刷ムラが生じるのを効果的に抑制できる。
【００５０】
請求項１４の発明は、一定方向に走行する金属ウェブを電解処理する電解処理方法であって、酸性電解液中で交番電流を印加する複数の電解槽に、前記金属ウェブを順次通過させることにより、前記金属ウェブを電解処理するとともに、各電解槽においては、前記交番電流が印加される１個または２個以上の電極を前記金属ウェブの走行経路に面するように配設するとともに、前記電極の金属ウェブの入口部の電流密度を前記部分よりも金属ウェブの走行方向に沿って下流側の部分における電流密度よりも低く設定し、前記複数の電解槽においては、金属ウェブの走行方向に沿って最下流側に位置する電解槽の電流密度を最も低く設定し、前記最下流側に位置する電解槽以外の電解槽においては、金属ウェブが導出される出口部分における電流密度を、それよりも金属ウェブの走行方向に対して上流側の部分における電流密度よりも低く設定することを特徴とする。
【００５１】
請求項１４に記載の電解処理方法においては、請求項１のところで述べたのと同様の理由により、金属ウェブ上におけるチャターマークのような面質ムラの発生を抑制できる。
【発明の効果】
【００５２】
以上説明したように、本発明によれば、高い搬送速度および電流密度で電解粗面化処理などの電解処理を行なう場合においても面質ムラの発生を効果的に抑制できる電解処理装置および電解処理方法、並びに前記電解処理装置で製造される平版印刷版支持体が提供される。更に、前記電解処理装置で製造され、チャターマークのような面質ムラの発生の無い平版印刷版支持体、および前記平版印刷版支持体を有する平版印刷原版も提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５３】
１．実施形態１
本発明の電解処理装置の一例であって、アルミニウムウェブを電解粗面化処理して平版印刷版用支持体とする電解粗面化処理装置の一例について以下に説明する。
【００５４】
図１に示すように、実施形態１に係る電解粗面化処理装置１００は、アルミニウムウェブＷの搬送方向ｔに対して上流側に位置する電解槽２Ａと、前記搬送方向ｔに対して電解槽２Ａよりも下流側に位置する電解槽２Ｂとを備える。
【００５５】
電解槽２Ａ、電解槽２Ｂの何れも、酸性電解液が貯留される電解槽本体４と、電解槽本体４の内部に水平方向に配設され、軸線の周りに図１における時計方向に回転してアルミニウムウェブＷを搬送方向ｔに沿って送る送りローラ６とを備えている。
【００５６】
電解槽本体４の内壁面は、略円筒状に形成され、前記内壁面上には、半円筒状の電極８Ａおよび８Ｂが送りローラ６を囲むように設けられている。
【００５７】
電極８Ａおよび８Ｂは、それぞれ円周方向に沿って複数の小電極８２Ａおよび８２Ｂに分割され、各小電極８２Ａおよび８２Ｂの間には、それぞれ絶縁層８４Ａおよび８４Ｂが介装された分割型電極である。
【００５８】
小電極８２Ａおよび８２Ｂは、例えば、グラファイトや金属などを用いて形成でき、絶縁層８４Ａおよび８４Ｂは、例えば塩化ビニル樹脂などにより形成できる。
【００５９】
絶縁層８４Ａおよび８４Ｂの厚さは、１〜１０ｍｍが好ましい。
【００６０】
また、電極８Ａおよび８Ｂの何れにおいても、小電極８２Ａおよび８２Ｂは、それぞれ電源ＡＣに接続されている。小電極８２Ａ、８２Ｂ、および絶縁層８４Ａ、８４Ｂは、何れも絶縁性の電極ホルダー８６によって保持されて電極８Ａおよび８Ｂを形成している。
【００６１】
前記電源ＡＣは、交番電流を電極８Ａ、８Ｂに印加する。前記電源ＡＣは、誘導電圧調整器および変圧器を用いて商用交流を電流・電圧調整することにより正弦波を発生させる正弦波発生回路、前記商用交流を整流するなどの手段により得られた直流から台形波電流または矩形波電流を発生させるサイリスタ回路などが挙げられる。
【００６２】
電解槽２Ａおよび２Ｂの上部には、アルミニウムウェブＷが導入・導出される開口部２０が形成されている。開口部２０における電極８Ｂの下流側末端近傍には、電解槽本体４に酸性電解液を補充する酸性電解液補充流路１０が設けられている。前記酸性電解液に配合される酸性電解質としては硝酸、硫酸、塩酸、燐酸、スルホン酸が挙げられる。前記酸性電解質は１種類のみであってもよく、２種類以上を使用してもよい。また前記酸性電解液には酸性電解質のほか、アルミニウムイオンなどを含んでいてもよい。
【００６３】
電解槽２Ａおよび２Ｂの上方における開口部２０近傍には、アルミニウムウェブＷを電解槽２Ａおよび２Ｂ内部に案内する一群の上流側案内ローラ１２と、電解槽２Ａまたは２Ｂ内で電解粗面化処理されたアルミニウムウェブＷを電解槽２Ａまたは２Ｂの外部に案内する下流側案内ローラ１４とが配設されている。
【００６４】
電解槽２Ａおよび２Ｂには、それぞれ、電解槽本体４の上流側に隣接して補助電解槽１６が設けられている。補助電解槽１６は、電解槽本体４よりも浅く、底面１６Ａが平面状に形成されている。そして、底面１６Ａ上には、板状の補助電極１８が設けられている。
【００６５】
補助電極１８は、白金などの高耐食性の金属またはフェライトなどから形成されたものが好ましく、また、棒状であってもよい。
【００６６】
補助電極１８は、交流電源ＡＣにおける電極８Ｂが接続される側に、電極８Ｂに対して並列に接続され、中間には、ダイオード２２が、交流電源ＡＣから補助電極１８に向う方向に電流が流れるように接続されている。
【００６７】
電解槽２Ａおよび２Ｂにおける電極８Ａおよび８Ｂの上流側端部には、それぞれソフトスタート部８８Ａおよび８８Ｂが設けられている。
【００６８】
ソフトスタート部８８Ａおよび８８Ｂは、それぞれ搬送方向ｔに沿って送りローラ６の表面に漸近する区間である漸近部８８Ａ２および８８Ｂ２と、前記漸近部の下流側に位置し、小電極８２Ａおよび８２Ｂと交流電源ＡＣとの間にインダクタンスコイル２４が挿入された区間であるインダクタンス挿入部８８Ａ４および８８Ｂ４とを有する。
【００６９】
更に、上流側の電解槽２Ａにおいては、搬送方向ｔに沿って下流側、即ちアルミニウムウェブＷの導出側に位置する電極８Ａの出口側の小電極８２Ａと交流電源ＡＣとの間にインダクタンスコイル２５が装入されて低電流密度ゾーン８７Ａが形成されている。低電流密度ゾーン８７Ａは、アルミニウムウェブＷの処理時間が、電解槽２Ａ内におけるアルミニウムウェブＷの全処理時間の６％以上になるように形成されていることが好ましい。
【００７０】
電解槽２Ａにおける電極８Ａおよび８Ｂに印加される交番電流の電流密度は、電解槽２Ｂにおける電極８Ａおよび８Ｂに印加される交番電流の電流密度よりも高く、好ましくは、前者は後者の１．２〜２倍である。なお、電解槽２Ａ、２Ｂにおける電流密度は、ソフトスタートゾーン８８Ａ、８８Ｂ、および低電流密度ゾーン８７Ａを含んだ槽内の平均電流密度として定義される。
【００７１】
電解槽２Ｂにおける電極８Ａおよび８Ｂに印加される交番電流の電流密度は、１５〜３０Ａ／ｄｍ２の範囲が好ましい。また、８Ａにおいては、低電流密度ゾーン８７Ａにおける電流密度ｄ（Ａ／ｄｍ２）とそれ以外の部分における電流密度Ｄ（Ａ／ｄｍ２）との比率ｄ／Ｄが０．７５以下、好ましくは０．３〜０．７５の範囲になるようにインダクタンスコイル２５のインダクタンスが設定されている。
【００７２】
なお、ソフトスタート部８８Ａ，８８Ｂ，および低電流密度ゾーン８７Ａにおいては、インダクタンスコイル２５に代えて抵抗器を使用してもよいし、また、電極８Ａ、８Ｂの残余の部分とは異なる電源に接続してもよい。
【００７３】
図１に示す電解粗面化処理装置１００の作用について以下に説明する。
【００７４】
図１における右方から電解槽２Ａに案内されたアルミニウムウェブＷは、先ず補助電解槽１６に導入されて陽極反応する。そして、上流側案内ローラ１２によって電解槽本体４に導入される。
【００７５】
アルミニウムウェブＷは、電解槽本体４の内部を送りローラ６によって搬送方向ｔに沿って搬送され、先ず、ソフトスタート部８８Ａを通過する。ソフトスタート部８８Ａにおいては、電流密度は、上流側端部すなわち始点においては、電解槽２Ａに印加される交番電流の電流密度ＭＣＡよりも遥かに小さく、アルミニウムウェブＷが下流側に向って移動するにつれ、電流密度が増大し、ソフトスタート部８８Ａの下流側端部すなわち終点においては、前記電流密度ＭＣＡに等しくなる。
【００７６】
アルミニウムウェブＷは、ソフトスタート部８８Ａを通過したのち、電解槽本体４の電極８Ａに沿って搬送され、電源ＡＣから電極８Ａに印加された交番電流により、電極８Ａに向いた側の面がアノードまたはカソード反応する。そして、最後に低電流密度ゾーン８７Ａを通過する。
【００７７】
電極８Ａを通過したアルミニウムウェブＷは、次ぎに、電解槽本体４に形成されたソフトスタート部８８Ｂを通過する。ソフトスタート部８８Ｂにおいても、同様に、電流密度は、始点においては、前記電流密度ＭＣＡに比較して遥かに小さく、アルミニウムウェブＷが下流側に向って移動するにつれて増大し、終点においては、前記電流密度ＭＣＡに等しくなる。
【００７８】
アルミニウムウェブＷは、ソフトスタート部８８Ｂを通過したのち、同様に、電極８Ｂに沿って搬送され、電源ＡＣから電極８Ｂに印加された交番電流により、電極８Ａに向いた側の面がアノードまたはカソード反応して、全面にハニカムビットが形成される。
【００７９】
電解槽本体４内部で電解粗面化処理されたアルミニウムウェブＷは、低電流密度ゾーン８７Ａを通過した後、下流側案内ローラ１４によって電解槽２Ａの外部に導出される。
【００８０】
電解槽２Ａから導出されたアルミニウムウェブＷは、次ぎに、電解槽２Ｂに案内される。
【００８１】
電解槽２Ｂに案内されたアルミニウムウェブＷは、先ず、電解槽２Ｂにおける補助電解槽１６に導入されて陽極反応する。
【００８２】
前記アルミニウムウェブＷは、次いで、上流側案内ローラ１２によって電解槽本体４内部に導入される。電解槽２Ｂの備える電解槽本体４の内部においても、ソフトスタート部８８Ａおよび８８Ｂの始点においては、電解槽２Ｂにおける電流密度ＭＣＢよりも小さく、終点においては前記電流密度ＭＣＢに等しくなる。そして、ソフトスタート部８８Ａおよび８８Ｂよりも下流側においては、電流密度ＭＣＢで電解粗面化処理される。
【００８３】
ここで、電解槽２Ｂにおける電流密度ＭＣＢは、電解槽２Ａにおける電流密度ＭＣＡよりも小さく、具体的には、ＭＣＡ／１．２〜ＭＣＡ／２の範囲である。
【００８４】
電解槽２Ｂにおける電解槽本体４を通過したアルミニウムウェブＷは、下流側案内ローラ１４により、電解槽本体４の外部に導出される。
【００８５】
ここで、電解槽２Ａ、２Ｂに印加される交番電流としては、台形波電流のほか、正弦波電流、および矩形波電流が挙げられる。また、前記台形電流、正弦波電流、または矩形波電流に直流を重畳した電流も包含する。
【００８６】
実施形態１に係る電解粗面化装置１００においては、最も下流側に位置する電解槽２Ｂにおいては、上流側の電解槽２Ａの電流密度の１／１．２〜１／２の電流密度で電解粗面化処理を行うから、［発明が解決しようとする課題］の欄で述べた面質ムラが特に生じ難い。
【００８７】
また、電解槽２Ａ、２Ｂにおける電解槽本体４には、ソフトスタート部８８Ａ、８８Ｂ、および低電流密度ゾーン８７Ａが設けられているから、電解槽２Ａ、２Ｂの何れにおいてもアルミニウムウェブＷには最初は低い電流密度の電流が印加され、また、電解槽２Ａの出口には低電流密度ゾーン８７Ａが形成されているから、大電流密度で粗面化を行なう場合において、アルミニウムウェブＷの搬送速度を高くしても、チャターマークが発生することがなく、アルミニウムウェブＷの粗面化面全体に均一なハニカム状ビットが形成される。
【００８８】
２．実施形態２
本発明の電解処理装置に包含される電解粗面化処理装置の他の例について以下に説明する。
【００８９】
図２に示すように、実施形態２に係る電解粗面化処理装置１０２の上流側の電解槽２Ａにおいては、搬送方向ｔに沿って下流側、即ちアルミニウムウェブＷの導出側に位置する電極８Ａの出口側の小電極８２Ａと交流電源ＡＣとの間にインダクタンスコイル２５が装入されて低電流密度ゾーン８７Ａが形成されている。同様に、搬送方向ｔに沿って上流側、即ちアルミニウムウェブＷの導出側に位置する電極８Ｂの出口側の小電極８２Ｂと交流電源ＡＣとの間にインダクタンスコイル２５が装入されて低電流密度ゾーン８７Ｂが形成されている。なお、低電流密度ゾーン８７Ｂは、低電流密度ゾーン８７Ａと同様に、アルミニウムウェブＷの処理時間が、電解槽２Ａ内におけるアルミニウムウェブＷの全処理時間の６％以上になるように形成されていることが好ましい。
【００９０】
電解粗面化処理装置１０２は、これらの点を除いて実施形態１に係る電解粗面化処理装置と同様の構成を有する。なお、電解粗面化処理装置１０２においては、電解槽２Ａ、２Ｂの電流密度は、ソフトスタートゾーン８８Ａ、８８Ｂ、および低電流密度ゾーン８７Ａ、８７Ｂを含んだ槽内の平均電流密度として定義される。
【００９１】
３．実施形態３
本発明の電解処理装置に包含される電解粗面化処理装置の更に別の例について以下に説明する。
【００９２】
図３に示すように、実施形態３に係る電解粗面化処理装置１０４の上流側の電解槽２Ａにおいては、搬送方向ｔに沿って下流側、即ちアルミニウムウェブＷの導出側に位置する電極８Ａの出口側の小電極８２Ａと交流電源ＡＣとの間にインダクタンスコイル２５が装入されて低電流密度ゾーン８７Ａが形成されている。同様に、搬送方向ｔに沿って上流側、即ちアルミニウムウェブＷの導出側に位置する電極８Ｂの出口側の小電極８２Ｂと交流電源ＡＣとの間にインダクタンスコイル２５が装入されて低電流密度ゾーン８７Ｂが形成されている。低電流密度ゾーン８７Ｂは、低電流密度ゾーン８７Ａと同様に、アルミニウムウェブＷの処理時間が、電解槽２Ａ内におけるアルミニウムウェブＷの全処理時間の６％以上になるように形成されていることが好ましい。
【００９３】
更に、下流側の電解槽２Ｂにおいても、搬送方向ｔに沿って上流側、即ちアルミニウムウェブＷの導出側に位置する電極８Ｂの出口側の小電極８２Ｂと交流電源ＡＣとの間にインダクタンスコイル２５が装入されて低電流密度ゾーン８７Ｂが形成されている。電解槽２Ｂにおいても、低電流密度ゾーン８７Ｂは、アルミニウムウェブＷの処理時間が、電解槽２Ａ内におけるアルミニウムウェブＷの全処理時間の６％以上になるように形成されていることが好ましい。
【００９４】
電解粗面化処理装置１０４は、これらの点を除いて実施形態１に係る電解粗面化処理装置と同様の構成を有する。
【実施例】
【００９５】
（実施例１〜５、参考例１、および比較例１〜４）
図４に示す電解粗面化装置１０６を用い、幅１０００ｍｍ、厚さ０．２４ｍｍのアルミニウムウェブに電解粗面化処理を施した。電解槽２Ａ、２Ｂの電流密度比ＭＣＡ／ＭＣＢを１．３に設定し、電解槽２Ａにおいて電極８Ｂの入口側端部および出口側端部を夫々区間Ａ、ａとし、電極８Ａの入口側端部および出口側端部を夫々区間Ｂ、ｂとした。また、電解槽２Ｂにおいて電極８Ｂの入口側端部および出口側端部を夫々区間Ｃ、ｃとし、電極８Ａの入口側端部および出口側端部を夫々区間Ｄ、ｄとした。
【００９６】
図４および表Ｉに示すように、実施例１〜５、参考例１、および比較例１〜４のいずれにおいても区間Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄにソフトスタート部８８Ａ、８８Ｂを形成した。一方、区間Ａ、ｂ、ｃ、ｄの何れに低電流密度ゾーンを形成したかのかは表１に示す通りである。
【００９７】
電解粗面化処理装置１０６で電解粗面化されたアルミニウムウェブＷの品質については、白色濃淡ムラ、チャターマーク、およびスジの有無を目視で観察し、◎：優、○：良、△：不可、×：不可（悪）の４段階で評価した。結果を表１に示す。
【００９８】
【表１】
2008246971.tif 000003
【００９９】
表１に示すように、少なくとも上流側に位置する電解槽２Ａにおける電極８Ａの出口側に位置する領域ｂ低電流密度ゾーンをに設けた実施例１〜５および参考例１においては、電解粗面化処理後のアルミニウムウェブＷの電解粗面化面には、白色濃淡ムラ、チャターマーク、およびスジは殆ど見られず、面質が良好であった。しかし、下流側の電解槽２Ｂのみに低電流密度ゾーンを設けた比較例１および低電流密度ゾーンを設けなかった比較例１〜４においては、得られた平版印刷版用支持体の表面に明らかに白色濃淡ムラ、チャターマーク、およびスジが認められた。
【０１００】
また、上流側に位置する電解槽２Ａの低電流密度ゾーンにおけるアルミニウムウェブＷの処理時間Ｔの、電解槽２ＡにおけるアルミニウムウェブＷの全処理時間に対する割合が６％の実施例１〜５においては、前記割合が４％である参考例１に比較して良好な面質の平版印刷版用支持体が得られた。
【０１０１】
次に、電解槽２Ａ、２Ｂの電流密度比ＭＣＡ／ＭＣＢを１．２〜２の範囲で変化させた以外は、実施例１〜５、参考例１、および比較例１〜４と同様にしてアルミニウムウェブの電解粗面化処理を行ったところ、表Ｉと同様の結果が得られた。
【図面の簡単な説明】
【０１０２】
【図１】図１は実施形態１に係る電解処理装置の構成を示す概略図である。
【図２】図２は実施形態２に係る電解処理装置の構成を示す概略図である。
【図３】図３は実施形態３に係る電解処理装置の構成を示す概略図である。
【図４】図４は実施例１〜５、参考例１、および比較例１〜４で使用した電解処理装置の構成を示す概略図である。
【符号の説明】
【０１０３】
２Ａ      電解槽
２Ｂ      電解槽
４        電解槽本体
６        送りローラ
８Ａ      電極
８Ｂ      電極
１６        補助電解槽
１８        補助電極
８２Ａ      小電極
８４Ａ      絶縁層
８７Ａ      低電流密度ゾーン
８７Ｂ      低電流密度ゾーン
【図１】
2008246971.tif 000004
【図２】
2008246971.tif 000005
【図３】
2008246971.tif 000006
【図４】
2008246971.tif 000007