(57)【要約】【課題】電極の厚さのばらつきに抵抗体の抵抗値が影響されることなく、その抵抗値のばらつきを防止することができる配線基板及びその製造方法を提供する。【解決手段】、配線基板１０において、絶縁層３と、絶縁層３上において互いに離間された第１の電極２及び第２の電極２と、第１の電極２と第２の電極２との間の絶縁層３表面部分に配設された抵抗体膜厚調整溝７と、第１の電極２に一端が電気的に接続され、第２の電極２に他端が電気的に接続され、抵抗体膜厚調整溝７の内部に埋設されるとともに、抵抗体膜厚調整溝７の深さにより膜厚が厚く調整された抵抗体１とを備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層と、
前記絶縁層上において互いに離間された第１の電極及び第２の電極と、
前記第１の電極と前記第２の電極との間の絶縁層表面部分に配設された抵抗体膜厚調整溝と、
前記第１の電極に一端が電気的に接続され、前記第２の電極に他端が電気的に接続され、前記抵抗体膜厚調整溝の内部に埋設されるとともに、前記抵抗体膜厚調整溝の深さにより膜厚が厚く調整された抵抗体と、
を備えたことを特徴とする配線基板。
【請求項２】
絶縁層の表面上において互いに離間された第１の電極及び第２の電極を形成する工程と、
前記第１の電極及び前記第２の電極をマスクとして使用し、前記絶縁層の表面部分を除去して抵抗体膜厚調整溝を形成する工程と、
前記第１の電極及び前記第２の電極に電気的に接続され、前記抵抗体膜厚調節溝に印刷により埋め込まれ、前記抵抗体膜厚調整溝の深さにより膜厚が厚く調整された抵抗体を形成する工程と、
を備えたことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記第１の電極及び前記第２の電極の厚さを測定する工程と、
前記第１の電極及び前記第２の電極の測定された厚さに基づき、前記抵抗体膜厚調整溝の深さを決定する工程と、
前記絶縁層の表面部分に決定された深さにおいて前記抵抗体膜厚調整溝を形成する工程と、
を更に備えたことを特徴とする請求項２に記載の配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記第１の電極及び前記第２の電極が形成された後に、前記第１の電極上、前記第２の電極上及び前記第１の電極と前記第２の電極との間の前記絶縁層上が開口されたマスクを形成する工程と、
前記マスクの開口から露出された前記第１の電極上及び前記第２の電極上に耐酸化性金属膜を形成する工程と、を更に備え、
前記マスクを形成した後、前記耐酸化性金属膜を形成する前に、又は更に前記耐酸化性金属膜を形成した後に、前記マスクの開口内から露出する前記絶縁層の表面部分に前記抵抗体膜厚調整溝を形成することを特徴とする請求項２又は請求項３に記載の配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記抵抗体調整溝を形成する工程は、ウエットブラスト法を使用し前記絶縁層を部分的に除去する工程であることを特徴とする請求項２乃至請求項４のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
【請求項６】
前記請求項１に記載の配線基板を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板、その製造方法及び電子機器に関し、特に抵抗体を有する配線基板、この配線基板の製造方法、及び配線基板を備えた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
配線基板は、図６（ｄ）に示すように、絶縁ベース基板９と、絶縁ベース基板９上の絶縁層３と、絶縁層３上において互いに離間して配設された電極２と、電極２に電気的に接続された配線４と、電極２間に配設された印刷抵抗体１とを備えている。印刷抵抗体１には例えば導電性ペーストが使用されている。導電性ペーストは例えば熱硬化性樹脂に導電性フィラ具体的には銀やカーボンを含ませたものである。電極２は、配線４の一端と、その一端上に積層された耐酸化性金属膜５とを備えている。配線４には例えばシート抵抗値が小さい銅箔が使用されている。耐酸化性金属膜５は、配線４の一端と印刷抵抗体１との間に配設され、例えば無電解銀めっき膜により形成されている。この無電解銀めっき膜においては、温度や湿度の環境負荷に基づく印刷抵抗体１（導電性ペースト）に含まれるポリマーと配線４の一端の銅箔との接触面の腐食を防止することができる。
【０００３】
このような構造を有する配線基板の製造方法は、例えば下記特許文献１及び特許文献２に開示されており、以下の通りである。まず絶縁ベース基板９上の段差のない絶縁層３上に銅箔が形成される。銅箔は配線４並びに電極２を形成する導電層である。この銅箔上にフォトリソグラフィ技術によりレジストマスクを形成し、このレジストマスクを用いて銅箔にパターンニングを行い、銅箔から配線４が形成される（図６（ａ））。
【０００４】
ここで、図示しないが、銅箔にはその下層の配線に電気的に接続するためのビアホールとビアホール配線とが形成される。ビアホールの形成方法としては、絶縁層３上に銅箔を積層しプレスした後、直接ＹＡＧレーザを使用してビアホールを形成する方法がある。また、ビアホールの他の形成方法としては、銅箔上の前述のレジストマスクを使用し、銅箔のビアホール部分をエッチングにより除去し、レジストマスクを剥離後、露出した絶縁層３に炭酸ガスレーザを用いてビアホールを形成する方法である。そして、ビアホール内表面及び銅箔（配線４のビアホール部分）表面には無電解めっき及び電気めっきにより銅が析出され、ビアホール配線が形成される（図示しない。）。
【０００５】
図６（ａ）に示すように、配線４の一端であって電極２の形成領域とその電極２間に形成される印刷抵抗体１の形成領域が開口されたレジストマスク６が形成される。レジストマスク６はフォトリソグラフィ技術により形成される。レジストマスク６を用いて、図６（ｂ）に示すように、レジストマスク６から露出する配線４の一部の表面上に耐酸化性金属膜５を形成する。耐酸化性金属膜５は無電解めっき法により配線４の一部の表面上に選択的に形成される。耐酸化性金属膜５が形成されると、この耐酸化性金属膜５とその下層の配線４の一部とにより電極２が形成される。図６（ｃ）に示すように、レジストマスク６は除去される。
【０００６】
図６（ｄ）に示すように、互いに対向する一対の電極２間に、それぞれに電気的に接続されるように印刷抵抗体１が形成される。印刷抵抗体１は例えばスクリーン印刷により形成される。そして、この印刷抵抗体１が形成されることにより、配線基板を製造することができる。
【０００７】
【特許文献１】特開昭６−２６３４９９号公報
【特許文献２】特開平３−６２５０１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、前述の配線基板においては、以下の点について配慮がなされていなかった。スクリーン印刷において形成される印刷抵抗体１の厚さ（絶縁層３表面からの高さ）は、印刷条件が一定のとき、電極２の厚さ（配線４の膜厚に耐酸化性金属膜５の厚さを加えた全体の厚さ）に影響を受ける。つまり、電極２が実際の厚さに比べて薄い場合、印刷抵抗体１の厚さは薄くなり、電極２が実際の厚さに比べて厚い場合、印刷抵抗体１の厚さは厚くなる。この印刷抵抗体１の厚さのばらつきは抵抗値のばらつきを意味する。
【０００９】
印刷抵抗体１の抵抗値にばらつきが発生した場合、スクリーン印刷の印刷スピードや印圧等を調整する事により、抵抗値のばらつきを減少することは可能である。しかしながら、印刷条件を規定の条件から変更する場合、１つの印刷抵抗体１の抵抗値のばらつきに合わせて抵抗値の調整を行うと、他の１つの抵抗値の大きさが違う印刷抵抗体１の抵抗値に今度はばらつきが生じる。つまり、配線基板のすべての印刷抵抗体１を通して、抵抗値のばらつきが一番少ない条件を探し出す必要があるが、かえって配線基板の全体としては印刷抵抗体１の抵抗値のばらつきは大きくなる。
【００１０】
また、配線基板の電極２の設計上の厚さに対して例えば５μｍ以上のばらつきが生じると、印刷抵抗体１の抵抗値を調節することは困難であった。例えば、電極２の設計上の厚さに対して極端に電極２の厚さが薄い場合、スクリーン印刷の印刷速度を極端に上げ、印刷抵抗体１の厚さを厚くした場合、印刷抵抗体１の厚さのばらつきが大きくなる。また、極端に電極２の厚さが厚い場合、スクリーン印刷の印刷速度を極端に下げ、印刷抵抗体１の厚を薄くすると配線基板の生産性が悪くなる。
【００１１】
また、印刷抵抗体１の抵抗値のばらつきを抑える方法として、電極２の厚さが厚い場合、電極２をエッチングして電極２の厚さを薄くする方法がある。また、電極２の厚さが薄い場合、スクリーン印刷に使用されるスクリーン版において、印刷抵抗体１の幅寸法を太くする設計変更を行い、スクリーン版の再作製並びにスクリーン印刷の再試行を行う方法がある。しかしながら、いずれの方法も、配線基板の製造コストが増大し、製造時間が増大する。
【００１２】
本発明は上記課題を解決するためになされたものであり、本発明の目的は、電極の厚さのばらつきに印刷抵抗体の抵抗値が影響されることなく、印刷抵抗体のばらつきを防止することができる配線基板を提供することである。また、本発明の他の目的は、上記目的を達成することができる配線基板の製造方法を提供することである。更に、印刷抵抗体の抵抗値のばらつきを防止することができる配線基板を組み込んだ電子機器を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の実施の形態に係る第１の特徴は、配線基板において、絶縁層と、絶縁層上において互いに離間された第１の電極及び第２の電極と、第１の電極と第２の電極との間の絶縁層表面部分に配設された抵抗体膜厚調整溝と、第１の電極に一端が電気的に接続され、第２の電極に他端が電気的に接続され、抵抗体膜厚調整溝の内部に埋設されるとともに、抵抗体膜厚調整溝の深さにより膜厚が厚く調整された抵抗体とを備える。
【００１４】
本発明の実施の形態に係る第２の特徴は、配線基板の製造方法において、絶縁層の表面上において互いに離間された第１の電極及び第２の電極を形成する工程と、第１の電極及び第２の電極をマスクとして使用し、絶縁層の表面部分を除去して抵抗体膜厚調整溝を形成する工程と、第１の電極及び第２の電極に電気的に接続され、抵抗体膜厚調節溝に印刷により埋め込まれ、抵抗体膜厚調整溝の深さにより膜厚が厚く調整された抵抗体を形成する工程とを備える。
【００１５】
本発明の実施の形態に係る第３の特徴は、第２の特徴に係る配線基板の製造方法において、第１の電極及び第２の電極の厚さを測定する工程と、第１の電極及び第２の電極の測定された厚さに基づき、抵抗体膜厚調整溝の深さを決定する工程と、絶縁層の表面部分に決定された深さにおいて抵抗体膜厚調整溝を形成する工程とを更に備える。
【００１６】
本発明の実施の形態に係る第４の特徴は、電子機器において、第１の特徴に係る配線基板を備える。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、電極の厚さのばらつきに印刷抵抗体の抵抗値が影響されることなく、印刷抵抗体のばらつきを防止することができる配線基板を提供することができる。また、本発明によれば、上記効果を得られる配線基板の製造方法を提供することができる。更に、本発明によれば、印刷抵抗体の抵抗値のばらつきを防止することができる配線基板を組み込んだ電子機器を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照しつつ説明する。なお、実施の形態の説明において、前述の図６において説明した構成要素と同一の構成要素には同一符号を付け、その説明は重複するので省略する。
【００１９】
（第１の実施の形態）
［配線基板の基本構造と基本製造方法］
図１（ａ）に示すように、本発明の第１の実施の形態に係る配線基板１０は、絶縁ベース基板９と、絶縁層３と、絶縁層３上において互いに離間された第１の電極２（例えば、図中、左側）及び第２の電極２（例えば、図中、右側）と、第１の電極２と第２の電極２との間の絶縁層３表面部分に配設された抵抗体膜厚調整溝７と、第１の電極２に一端が電気的に接続され、第２の電極２に他端が電気的に接続され、抵抗体膜厚調整溝７の内部に埋設されるとともに、抵抗体膜厚調整溝７の深さにより膜厚が厚く調整された抵抗体（印刷抵抗体）１とを備える。
【００２０】
絶縁ベース基板９には、例えばエポキシ系樹脂、エポキシ系樹脂ガラス布又はガラス不織布が使用されている。絶縁層３には例えばエポキシ系樹脂が使用されている。また、絶縁層３は、絶縁ベース基板９に対して特に別部材として備えるのではなく、絶縁ベース基板９そのものであってもよい。抵抗体１には例えば導電性ペーストが使用されている。導電性ペーストは例えば熱硬化性樹脂に導電性フィラ具体的には銀やカーボンを含ませたものである。電極２は、配線４の一端と、その一端上に積層された耐酸化性金属膜５とを備えている。配線４には例えばシート抵抗値が小さい銅が使用されている。耐酸化性金属膜５は、配線４の一端と抵抗体１との間に配設され、例えば無電解銀めっき膜により形成されている。この無電解銀めっき膜においては、温度や湿度の環境負荷に基づく抵抗体１（導電性ペースト）に含まれるポリマーと配線４の一端の銅箔との接触面の腐食を防止することができる。
【００２１】
抵抗体膜厚調整溝７は、絶縁層３の表面からその深さ方向（膜厚方向）に掘り下げて形成されている。抵抗体膜厚調整溝７はその製造方法において電極２に対してセルフアライメントにより形成されており、抵抗体１の抵抗長を決める抵抗体膜厚調整溝７の対向する内壁は電極２の対向する電極側面と一致している。抵抗体膜厚調整溝７は、第１の実施の形態において、図１（ｂ）に示すように、配線４を形成した後にこの配線４をマスクとしてその周囲の絶縁層３の表面を均一に掘り下げることにより形成される。逆に、抵抗体膜厚調整溝７が形成されない、抵抗体１を形成しない領域であって、配線基板４下の領域においては、絶縁層３は厚く形成されている。また、抵抗体膜厚調整溝７は、図１（ｃ）に示すように、一対の電極２の形成領域及び抵抗体１の形成領域にのみ配設されてもよい。この領域は電極２の耐酸化性金属膜５が形成可能な領域であり、配線基板１０の製造方法においてその領域を規定するマスク工程が組み込まれているので、このマスクを利用して抵抗体膜厚調整溝７を形成することができる。同様に、絶縁層３は抵抗体膜厚調整溝７以外の領域において厚く形成されている。
【００２２】
第１の実施の形態に係るこのような配線基板１０においては、以下の手順（工程）を含む製造方法が採用されている。
（１）まず、配線基板１０の絶縁層３上に電極２が形成された後、この電極２の厚さが測定される。ここで、電極２の厚さとは、絶縁層３表面から電極２の上面までの高さであり、配線４の膜厚と耐酸化性金属膜５の膜厚との合計の膜厚である。
（２）図２（ａ）に示すように、測定の結果、電極２の厚さが予め設定された厚さ「ｔ１」であった場合、第１の実施の形態に係る抵抗体膜厚調整溝７は形成されない。
（３）これに対して、図２（ｂ）に示すように、測定の結果、電極２の厚さが予め設定された厚さ「ｔ１」に対して薄い厚さ「ｔ２」であった場合、抵抗体膜厚調整溝７が形成される。抵抗体膜厚調整溝７の深さは電極２の厚さ「ｔ１」から厚さ「ｔ２」を差し引いた値になる。抵抗体膜厚調整溝７はウエットブラスト法により絶縁層３の表面部分を除去して形成される。また、抵抗体膜厚調整溝７は、ウエットブラスト法と同様の物理的除去法である、サンドブラスト法により絶縁層３の表面部分を除去して形成してもよい。
【００２３】
また、抵抗体膜厚調整溝７は過マンガン酸カリウム水溶液等を使用する化学的除去法により形成することができる。但し、化学的除去法を使用する場合には、電極２下部の絶縁層３の周辺境界部が侵され隙間が発生しやすく、抵抗体１を印刷した際に隙間に空気を巻き込んで不良が発生することがあり、更に抵抗体１と配線（銅箔）４の表面とが接することがあるので、物理的除去法を使用することが好ましい。
【００２４】
（４）そして、抵抗体膜厚調整溝７が形成された後に、第１の電極２と第２の電極２との間にそれぞれに電気的に接続された抵抗体１が形成される。抵抗体１は、スクリーン印刷により導電性ペーストを印刷することにより形成される。電極２が厚さ「ｔ１」と厚い場合にはその厚さ「ｔ１」のまま抵抗体１が形成され、電極２が厚さ「ｔ２」と薄い場合には抵抗体膜厚調整溝７が形成されこの抵抗体膜厚調整溝７を埋設して抵抗体１が形成されるので、双方の抵抗体１の厚さは均一化される。つまり、電極２の厚さのぱらつきに起因する抵抗体１の厚さのばらつきが発生しないので、抵抗体１の抵抗値のばらつきが発生しない。
【００２５】
［配線基板の具体的な製造方法］
次に、第１の実施の形態に係る配線基板１０の具体的な製造方法を図３（ａ）乃至図３（ｃ）を用いて説明する。
【００２６】
まず、絶縁ベース基板９の両面（図示しているのは片面のみである）上に、例えば絶縁層３を介して銅箔が加熱プレスされ接着される（図３（ａ）参照。）。絶縁層３には、例えば７０μｍ厚のプリプレグ（エポキシ系ガラス布等）を実用的に使用することができる。銅箔には例えば１８μｍ厚のものを実用的に使用することができる。
【００２７】
銅箔がすべてエッチングにより除去される。ここで、図示しないが、上下配線間の接続領域となる部分において、絶縁層３には炭酸ガスレーザ等の加工手段によりビアホールが形成される。このビアホール内にはビアホール配線が形成されるとともに、絶縁層３の表面上には導電膜が形成される。ビアホール配線及び導電膜には例えば銅が使用され、この銅は無電解めっき法又は電解めっき法により析出される。
【００２８】
絶縁層３の表面上に形成された銅にパターンニングが行われ、図３（ａ）に示すように、パターンニングされた銅から配線４及び電極２の一部（配線４の一端）が形成される。パターンニングには、フォトリソグラフィ技術により形成されたマスクを用い、塩化二銅液を使用するウエットエッチングにより行われる。配線４及び電極２の一部が形成された後、マスクは除去される。
【００２９】
ここで、電極２となる配線４の一端の厚さが測定される。前述の図２（ａ）及び図２（ｂ）に示すように、電極２の厚さ、この例においては配線４の一端の厚さが薄いと測定され、図３（ｂ）に示すように、この厚さが薄い分、この厚さを補う深さを有する抵抗体膜厚調整溝７が形成される。抵抗体膜厚調整溝７はウエットブラスト法により物理的に絶縁層３を除去することにより形成される。ウエットブラスト法は、第１の実施の形態において、約５μｍ径のアルミナ等の微細砥粒をエアー圧０.２ＭＰａ等でノズルから噴出させ、対象物となる絶縁層３の表面を削る方法である。
【００３０】
図３（ｂ）に示すように、電極２の形成領域において、配線４の一端の表面上に耐酸化性金属膜５が形成され、配線４の一端とその表面上の耐酸化性金属膜５とにより電極２が形成される。耐酸化性金属膜５は無電解銀めっきにより形成される。無電解銀めっきは、配線４の一端及び抵抗体膜厚調整溝７の領域が開口されたレジストマスクをフォトリソグラフィ技術により形成し、このレジストマスクを用いて行われる。
【００３１】
そして、前述の図１（ａ）に示すように、第１の電極２及び第２の電極２に電気的に接続され、双方の間に予め形成された抵抗体膜厚調整溝７に埋設された抵抗体１が形成される。抵抗体１は、製造条件として決められた印刷条件においてスクリーン印刷により形成される。引き続き、残された一連の配線基板１０の製造工程を実施することにより、第１の実施の形態に係る配線基板１０を完成させることができる。
【００３２】
第１の実施の形態によれば、電極２の厚さのばらつきに抵抗体１の抵抗値が影響されることなく、抵抗体１の抵抗値のばらつきを防止することができる配線基板１０を提供することができる。また、第１の実施の形態によれば、このような配線基板１０が得られる製造方法を提供することができる。
【００３３】
（第２の実施の形態）
本発明の第２の実施の形態は、前述の第１の実施の形態に係る配線基板１０の製造方法において、配線４の一端上に耐酸化性金属膜５を形成して電極２を完成させ、この電極２の厚さを測定してから抵抗体膜厚調整溝７を形成した例を説明するものである。
【００３４】
［配線基板の具体的な製造方法］
第２の実施の形態に係る配線基板１０の具体的な製造方法を図４（ａ）乃至図４（ｄ）を用いて説明する。まず、絶縁ベース基板９の両面（図示しているのは片面のみである）上に、例えば絶縁層３を介して銅箔が加熱プレスされ接着される（図４（ａ）参照。）。絶縁層３には、例えば７０μｍ厚のプリプレグ（エポキシ系ガラス布等）を実用的に使用することができる。銅箔には例えば１８μｍ厚のものを実用的に使用することができる。
【００３５】
銅箔がすべてエッチングにより除去される。ここで、図示しないが、上下配線間の接続領域となる部分において、絶縁層３にはＹＡＧレーザ等の加工手段によりビアホールが形成される。このビアホール内にはビアホール配線が形成されるとともに、絶縁層３の表面上には導電膜が形成される。ビアホール配線及び導電膜には例えば銅が使用され、この銅は無電解めっき法又は電解めっき法により析出される。
【００３６】
絶縁層２の表面上に形成された銅にパターンニングが行われ、パターンニングされた銅から配線４及び電極２の一部（配線４の一端）が形成される（図４（ａ））。パターンニングには、フォトリソグラフィ技術により形成されたマスクを用い、塩化二銅液を使用するウエットエッチングにより行われる。配線４及び電極２の一部が形成された後、マスクは除去される。
【００３７】
図４（ａ）に示すように、電極２の一部（配線４の一端）の領域及び抵抗体膜厚調整溝７を形成する領域が開口されたレジストマスク６が形成される。このレジストマスク６はフォトリソグラフィ技術により形成される。このレジストマスク６を用い、図４（ｂ）に示すように、電極２の形成領域において配線４の一端の表面上に耐酸化性金属膜５が形成される。この配線４の一端とその表面上の耐酸化性金属膜５とにより電極２が形成される。耐酸化性金属膜５は無電解銀めっきにより形成される。
【００３８】
ここで、電極２となる配線４の一端の厚さが測定される。前述の図２（ａ）及び図２（ｂ）に示すように、電極２の厚さ、この例においては配線４の一端の厚さが薄いと測定され、図４（ｃ）に示すように、この厚さが薄い分、この厚さを補う深さを有する抵抗体膜厚調整溝７が形成される。抵抗体膜厚調整溝７はウエットブラスト法により物理的に絶縁層３を除去することにより形成される。ウエットブラスト法は、第１の実施の形態と同様に、約５μｍ径のアルミナ等の微細砥粒をエアー圧０.２ＭＰａ等でノズルから噴出させ、対象物となる絶縁層３の表面を物理的に削る方法である。ここで、抵抗体膜厚調整溝７の形成にはレジストマスク６が配線４を保護するマスクとして使用される。そして、図４（ｄ）に示すように、レジストマスク６は除去される。
【００３９】
そして、前述の図１（ａ）に示すように、第１の電極２及び第２の電極２に電気的に接続され、双方の間に予め形成された抵抗体膜厚調整溝７に埋設された抵抗体１が形成される。抵抗体１は、製造条件として決められた印刷条件においてスクリーン印刷により形成される。引き続き、残された一連の配線基板１０の製造工程を実施することにより、第２の実施の形態に係る配線基板１０を完成させることができる。
【００４０】
第２の実施の形態によれば、電極２の厚さのばらつきに抵抗体１の抵抗値が影響されることなく、抵抗体１の抵抗値のばらつきを防止することができる配線基板１０を提供することができる。また、第２の実施の形態によれば、このような配線基板１０が得られる製造方法を提供することができる。
【００４１】
（第３の実施の形態）
本発明の第３の実施の形態は、前述の第１の実施の形態又は第２の実施の形態に係る配線基板１０が組み込まれた電子機器の例を説明するものである。
【００４２】
前述の第１の実施の形態に係る配線基板１０又は前述の第２の実施の形態に係る配線基板１０は、図５（ａ）に示すように、ＩＣやＬＳＩを搭載した半導体素子２０１及び２０２を実装し、アッセンブリ２０を構築している。また、図示しないが、アッセンブリ２０においては、半導体素子２０１及び２０２以外の能動素子若しくは受動素子が配線基板１０の表層や内層に実装されている。
【００４３】
このように構成されるアッセンブリ２０は電子機器に組み込まれる。例えば、図５（ｂ）に示すように、アッセンブリ２０はノート型パーソナルコンピュータ２１に組み込まれる。電子機器は、このノート型パーソナルコンピュータ２１に限定されるものではなく、携帯電話機、携帯端末（ＰＤＡ）、デジタルカメラ、ゲーム機等のいずれであってもよい。
【００４４】
前述の第１の実施の形態又は第２の実施の形態に係る配線基板１０及びその製造方法においては、抵抗体１の抵抗値のばらつきを減少することができ、製造時間を短縮し並びに製造コストを減少することができる。第３の実施の形態においては、配線基板１０及びその製造方法により得られる効果をそのまま電子機器に引き継ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】（ａ）は本発明の第１の実施の形態に係る配線基板の断面図、（ｂ）は配線基板の平面図、（ｃ）は第１の実施の形態の他の例を説明する配線基板の平面図である。
【図２】（ａ）及び（ｂ）は第１の実施の形態に係る配線基板の断面図である。
【図３】（ａ）は第１の実施の形態に係る配線基板の製造方法を説明する第１の工程断面図、（ｂ）は第２の工程断面図、（ｃ）は第３の工程断面図である。
【図４】（ａ）は本発明の第２の実施の形態に係る配線基板の製造方法を説明する第１の工程断面図、（ｂ）は第２の工程断面図、（ｃ）は第３の工程断面図、（ｄ）は第４の工程断面図である。
【図５】（ａ）は本発明の第３の実施の形態に係るアッセンブリ２０の斜視図、（ｂ）は第３の実施の形態に係るアッセンブリ２０が組み込まれた電子機器の斜視図である。
【図６】（ａ）本発明に係る先行技術の製造方法を説明する第１の工程断面図、（ｂ）は第２の工程断面図、（ｃ）は第３の工程断面図、（ｄ）は第４の工程断面図である。
【符号の説明】
【００４６】
１…抵抗体
２…電極
３…絶縁層
４…配線
５…耐酸化性金属膜
６…レジストマスク
７…抵抗体膜厚調整溝
９…絶縁ベース基板
１０…配線基板
２０…アッセンブリ
２１…電子機器
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
2008218803.tif 000006
【図５】
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【図６】
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