(57)【要約】【課題】一度に多量の基板に熱処理を施すことができ、多数枚処理による問題が発生しにくいディスプレイパネルの製造方法を提供する。【解決手段】本発明のディスプレイパネルの製造方法は、二つの基板４１，４２を重ね合わせた状態で熱処理を施す熱処理工程を含むことを特徴とする。二つの基板４１，４２は、各々の片面（処理面４１Ａ，４２Ａ）に構造物４０を有し、処理面４１Ａ，４２Ａと逆側の面（裏面４１Ｂ，４２Ｂ）を互いに対向させた状態において、熱処理工程が実施される。二つの基板４１，４２は、複数のクリップ７によりその端部が固定され、スペーサ６を介してセッタ５上に搭載される。【選択図】図６
2008181803.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
二つの基板を重ね合わせた状態で熱処理を施す熱処理工程を含む
ことを特徴とするディスプレイパネルの製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載のディスプレイパネルの製造方法であって、
前記二つの基板は、複数の固定治具により端部が固定されている
ことを特徴とするディスプレイパネルの製造方法。
【請求項３】
請求項１に記載のディスプレイパネルの製造方法であって、
前記二つの基板は、吸着板を介して固定されている
ことを特徴とするディスプレイパネルの製造方法。
【請求項４】
請求項１に記載のディスプレイパネルの製造方法であって、
前記二つの基板は、真空吸着により固定されている
ことを特徴とするディスプレイパネルの製造方法。
【請求項５】
請求項３に記載のディスプレイパネルの製造方法であって、
前記吸着板が加熱された状態で前記熱処理工程を実施する
ことを特徴とするディスプレイパネルの製造方法。
【請求項６】
請求項１ないし請求項５のいずれかに記載のディスプレイパネルの製造方法であって、
前記二つの基板は、
各々の片面に構造物を有し、
前記二つの基板の前記構造物が設けられた面と逆側の面を互いに対向させた状態で前記熱処理工程を実施する
ことを特徴とするディスプレイパネルの製造方法。
【請求項７】
請求項１ないし請求項６のいずれかに記載のディスプレイパネルの製造方法であって、
前記二つの基板がスペーサを介してセッタ上に搭載された状態で前記熱処理工程を実施する
ことを特徴とするディスプレイパネルの製造方法。
【請求項８】
請求項１ないし請求項７のいずれかに記載のディスプレイパネルの製造方法であって、
前記二つの基板の各々の表面に対して給排気流路を形成した状態で前記熱処理工程を実施する
ことを特徴とするディスプレイパネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板上に形成された構造物または基板自体に熱処理を施す熱処理工程を含むディスプレイパネルの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ディスプレイパネルとして、例えば、プラズマディスプレイパネルや液晶表示パネル、有機ＥＬ（Electro Luminescence）パネル、ＦＥＤ（Field Emission Display）、電気泳動ディスプレイパネル等がある。
これらディスプレイパネルは、表示面を構成する前面基板、および、この背面側に設けられた背面基板を備えており、これら基板上には発光領域を構成する様々な構造物が適宜設けられている。このような構造物としては、例えば、プラズマディスプレイパネルにおいては、発光領域を複数の単位発光領域に区画する隔壁や、各単位発光領域において放電発光させるためのアドレス電極およびバス電極等、これら電極等を被覆する誘電体層等が挙げられる。
【０００３】
このような構造物は、例えばオフセット印刷法やスクリーン印刷法、ディスペンサ法、ダイコータ法等を用いて、各種構造物となるペースト材料を基板上に塗布した後、この基板に対して熱処理を施す熱処理工程を実施することにより形成されることがある。
熱処理工程として、例えば、被加熱物の温度変化率を温度センサにより検出しながら、被加熱物の加熱温度を目標温度に一致させるようにフィードバック制御を行う熱処理方法が知られている（特許文献１参照）。
【０００４】
ところで、従来の熱処理工程は、例えば、図１に示すように、セッタ５と呼ばれる基台上に基板４を載置し、基板４が載置されたセッタ５を、図２に示すように、熱処理炉１００内において搬送させながら所定の温度で乾燥や焼成等の処理を施すものである。
図２において、基板４は、構造物４０を備えた処理面４Ａを上向きにしてセッタ５上に載置され、裏面４Ｂはセッタ５に接している。
セッタ５は、熱処理炉１００の搬送ローラ１０１により、熱処理炉１００の左側面に設けられた入口１０２から、右側面に設けられた出口１０３に向かって搬送される。また、セッタ５は、熱容量の大きい材料により形成され、基板４面内の温度分布を均一に保つ作用がある。
熱処理炉１００内上方の、出口１０３近傍には外部から雰囲気ガスを供給する給気手段１０４が、入口１０２近傍には熱処理炉１００内の雰囲気ガスを排出する排気手段１０５が設けられ、基板４の処理面４Ａに雰囲気ガスを供給および排気する給排気流路Ｆが矢印で示すように設定されている。
【０００５】
このような従来の熱処理工程では、一度に処理できる基板４の枚数は、セッタ５に並べて載置できる基板４の枚数（例えば、図１（Ａ）においては１枚、図１（Ｂ）においては３枚）までに限定されており、一度に多量の基板４に対して熱処理を施すことができない問題が一例として挙げられる。
そこで、例えば、図３および図４に示すように、スペーサを介して複数の基板を積層し、一度に多量の基板に対して熱処理を施す方法が試みられている。
【０００６】
図３において、熱処理炉１００の搬送ローラ１０１に搬送される第１のセッタ５１の上面の端部には、セッタ５１と略垂直に略柱状のスペーサ６が設けられ、このスペーサ６により、第１のセッタ５１より小さい第２のセッタ５２が、第１のセッタ５１と略平行に支持されている。そして、それぞれのセッタ５１，５２上に、基板４が載置される。
図４においては、セッタ５に載置された第１の基板４１の処理面４１Ａの端部に、略柱状のスペーサ６が設けられ、このスペーサ６により、第２の基板４２が、第１の基板４１と略平行に支持されている。なお基板４１，４２は基板４と同じものである。
【０００７】
【特許文献１】特開２００３−３０３０２５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、図３および図４に示す従来の熱処理工程においては、下方の基板４について給排気流路Ｆが確保されておらず、基板４から発生した脱溶媒やバインダの分解物等の除去が不十分となる等の原因により、構造物４０の形状が不均一となる問題が一例として挙げられる。また、上方のセッタ５２または基板４から下方の基板４に異物が落下する問題が一例として挙げられる。
基板４の裏面４Ｂがセッタ５に接している場合、焼成時の基板４の熱膨張とセッタ５の熱膨張との差により基板４の裏面４Ｂに傷が発生する問題が一例として挙げられる。図４の基板４２については、セッタ５を省略したため基板４２の裏面４２Ｂに傷が発生する問題は回避することができるが、基板４２が熱容量の大きいセッタ５と接しなくなったことにより、基板４２面内の温度分布が不均一になり焼成ムラが発生する問題が一例として挙げられる。
【０００９】
本発明は、上述したような問題点に鑑みて、一度に多量の基板に熱処理を施すことができ、多数枚処理による問題が発生しにくいディスプレイパネルの製造方法を提供することを１つの目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
請求項１に記載の発明は、二つの基板を重ね合わせた状態で熱処理を施す熱処理工程を含むことを特徴とするディスプレイパネルの製造方法である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
（１）第１実施形態
以下、本発明の第１実施形態について図面に基づいて説明する。図５に、本実施形態におけるプラズマディスプレイパネルの内部構造を示す。
なお、以下に示す各実施形態では、ディスプレイパネルとしてプラズマディスプレイパネルを例示するが、これに限らず、本発明は液晶表示パネルや、有機ＥＬパネル、ＦＥＤ、電気泳動ディスプレイパネル等のディスプレイパネルに対しても適用可能である。
【００１２】
(1-1)プラズマディスプレイパネルの構成
図５において、プラズマディスプレイパネル１は、プラズマ放電による発光を利用して画像を表示するディスプレイパネルであり、放電空間（発光領域）Ｈを介して対向配置された背面基板２および前面基板３を備えている。
これら背面基板２および前面基板３は、それぞれの外周縁部に図示しないシールフリットが設けられて封着されており、封着された空間内部は減圧状態とされた上で不活性ガスが充填されている。
【００１３】
背面基板２は、例えばガラス板材等の透明板を略長方形状に形成したものである。この背面基板２の内面には、図５に示すように、アドレス電極２１と、アドレス電極保護層２２と、隔壁２３と、蛍光体層（２４Ｒ,２４Ｇ,２４Ｂ）等がそれぞれ設けられている。
アドレス電極２１は、例えばアルミニウム等の導電性材料にて、背面基板２の長手方向（行方向）に直交する方向（列方向）に略沿う直線状に形成され、行方向に一定の間隔を置いて複数本配設されている。
アドレス電極保護層２２は、例えば誘電体ペースト等にてアドレス電極２１を被覆する状態に形成され、背面基板２の略全面に亘り設けられている。
隔壁２３は、例えば誘電体ペースト等にて略梯子状に形成され、アドレス電極保護層２２上に積層して設けられている。この隔壁２３により放電空間Ｈが複数に区画され、これにて複数の矩形状の放電セル２３１（単位発光領域）が形成されている。
蛍光体層（２４Ｒ,２４Ｇ,２４Ｂ）は、複数の放電セル２３１内部にそれぞれ順に充填された赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３原色の蛍光体ペースト層である。これら蛍光体層（２４Ｒ,２４Ｇ,２４Ｂ）は、それぞれの放電セル２３１で放電発光した際の紫外光により励起され、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３原色の可視光を発光するようになっている。
【００１４】
前面基板３は、プラズマディスプレイパネル１の表示面を構成し、背面基板２と同様に、例えばガラス板材等の透明板を略長方形状に形成したものである。この前面基板３の内面には、図５に示すように、表示電極対３１と、ブラックストライプ３２と、誘電体層３３と、保護層３４と等がそれぞれ設けられている。
表示電極対３１は、前面基板３上において、アドレス電極２１と略直交して列方向に一定の間隔で複数配列されており、それぞれ複数対の透明電極３１１ａ，３１１ｂと、一対のバス電極３１２ａ，３１２ｂとを備えて構成されている。
透明電極３１１ａ，３１１ｂは、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明導電膜で略Ｔ字形状に形成されており、所定の放電セル２３１に対応して一対ずつ設けられている。
バス電極３１２ａ，３１２ｂは、例えば銀等の導電性材料にて直線状に形成され、複数対の透明電極３１１ａ，３１１ｂの一端部にそれぞれ積層して設けられている。
ブラックストライプ３２は、例えば黒色無機顔料等にて直線状に形成され、複数の表示電極対３１間にそれぞれ設けられている。
誘電体層３３は、例えば誘電体ペースト等にて表示電極対３１およびブラックストライプ３２を被覆する状態に形成され、背面基板２の略全面に亘り設けられている。この誘電体層３３上におけるバス電極３１２ａ，３１２ｂに対向する部分には、放電空間Ｈ側に向かって突出した嵩上げ誘電体層３３１が設けられている。この嵩上げ誘電体層３３１により、列方向に互いに隣接する放電セル２３１同士間での誤放電が防止されるようになっている。
保護層３４は、例えばＭｇＯ（酸化マグネシウム）等の透明層であり、誘電体層３３の略全面を被覆する状態に設けられている。
【００１５】
(1-2)プラズマディスプレイパネルの製造方法
上述した構成のプラズマディスプレイパネル１の製造方法について説明する。
まず、背面基板２の製造ラインにおいて、十分に洗浄された透明基板上に、例えばオフセット印刷法や凸版印刷法、凹版印刷法、グラビア印刷法等の各種印刷法、ディスペンサ法、ダイコータ法等を用いて、アドレス電極２１となる導電性ペーストパターンを形成する。そして、この状態の背面基板２に対して熱処理を施す熱処理工程を実施して、アドレス電極２１を形成する。この熱処理工程は、乾燥工程や焼成工程等を含むものである。
次に、アドレス電極２１上にガラスペーストを塗布して、このガラスペーストを所定形状に成形する。このような状態の背面基板２に対しても熱処理工程を実施し、これにてアドレス電極保護層２２および隔壁２３を形成する。
さらに、放電セル２３１内部にスクリーン印刷法等により赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３原色の蛍光体ペーストを塗布する。そして、この状態の背面基板２に対しても熱処理工程を実施し、蛍光体層（２４Ｒ,２４Ｇ,２４Ｂ）を形成する。これにて、プラズマディスプレイパネル１の背面基板２が完成する。
【００１６】
次に、前面基板３の製造ラインでは、十分に洗浄された透明基板上に透明電極材料層を形成して、例えばフォトリソグラフィ法等により複数の透明電極３１１ａ，３１１ｂを形成する。
そして、これら透明電極３１１ａ，３１１ｂ上に、例えばオフセット印刷法等により、バス電極３１２ａ，３１２ｂとなる導電性ペーストの印刷パターンを積層形成した後、これに対して熱処理工程を実施する。これにより、バス電極３１２ａ，３１２ｂが形成される。
さらに、透明電極３１１ａ，３１１ｂおよびバス電極３１２ａ，３１２ｂにて構成される複数の表示電極対３１間に、例えばスクリーン印刷法等により黒色ペーストのパターンを形成し、これに対して後述する熱処理工程を実施する。これにより、複数のブラックストライプ３２が形成される。
次に、例えばダイコータ等により表示電極対３１およびブラックストライプ３２を被覆する状態にガラスペーストを塗布した後に、このガラスペーストを所定形状に成形する。これに対しても熱処理工程を実施し、嵩上げ誘電体層３３１を有した誘電体層３３を形成する。
この後、誘電体層３３の上に例えば蒸着法やスパッタリング法等によりＭｇＯ層を成膜して保護層３４を形成する。これにて、プラズマディスプレイパネル１の前面基板３が完成する。
【００１７】
上記のようにして製造した背面基板２および前面基板３に対して封着工程を実施する。この封着工程では、まず背面基板２の外周縁にガラスペーストを設けた後に、所定の位置関係で背面基板２および前面基板３を重ね合わせる。そして、この状態の両基板に対して熱処理工程を実施し、これにて背面基板２および前面基板３間の内部空間をシールフリットにて封着する。
この封着工程の後は、当該内部空間の気体を排気してから、当該内部空間に放電ガスを注入する。これにてプラズマディスプレイパネル１が完成する。
【００１８】
(1-3)熱処理工程
本実施形態のプラズマディスプレイパネル１の製造方法は、上述のように、背面基板２または前面基板３（以下、これらを基板４と記載する）に熱処理を施す熱処理工程を含む。ここで、熱処理工程には、乾燥工程や焼成工程等が含まれる。
以下、熱処理工程について、図面に基づいて説明する。
【００１９】
図６に、本実施形態の熱処理工程を実施する熱処理炉の断面図を示す。
まず、本実施形態の熱処理工程に用いる熱処理装置である熱処理炉１００について説明する。
熱処理炉１００は、例えば、図６に示すように、基板４を搬入する入口１０２および基板４を搬出する出口１０３を有する略矩形状の本体１００Ａと、本体１００Ａの内部に設けられ本体１００Ａ内を加熱するヒータ（図示省略）と、セッタ５に載置された基板４を搬送する複数の搬送ローラ１０１と、外部から雰囲気ガスとしての空気を供給する給気手段１０４と、熱処理炉１００内の空気を排出する排気手段１０５と、を備える。
複数の搬送ローラ１０１は、軸が基板４の搬送方向と垂直になるように、等間隔で設けられた略円柱状の部材である。セッタ５を搬送ローラ１０１に載置し、搬送ローラ１０１を軸方向に回転することでセッタ５およびセッタ５に載置された基板４を熱処理炉１００の入口１０２から出口１０３に搬送することができる。
【００２０】
給気手段１０４は、熱処理炉１００の出口１０３近傍に、略錐状形状の頂点を熱処理炉１００内部側に向けて設置されている。給気手段１０４は、その略錐状形状の頂点から雰囲気ガスを噴出する。
排気手段１０５は、熱処理炉１００の入口１０２近傍に、略錐状形状の頂点を熱処理炉１００内部側に向けて設置されている。排気手段１０５は、その略錐状形状の頂点から熱処理炉１００内の空気を吸引する。
このような給気手段１０４および排気手段１０５により、二つの基板４１，４２の各々の表面（処理面４１Ａ，４２Ｂ）に対して空気を供給および排気する給排気流路Ｆが矢印で示すように設定されている。
なお、給気手段１０４および排気手段１０５は、セッタ５およびセッタ５に載置された基板４の搬送を妨げないような位置に設けられている。
【００２１】
熱処理工程は、図６に示すように、セッタ５と呼ばれる基台上に二つの基板４１，４２を載置し、二つの基板４１，４２が載置されたセッタ５を、熱処理炉１００内において搬送させながら所定の温度で乾燥、焼成等をするものである。なお、二つの基板４１，４２は同一の基板４である。
熱処理工程は、図６に示すように、二つの基板４１，４２を重ね合わせた状態で実施される。
二つの基板４１，４２は、各々の片面（処理面４１Ａ，４２Ａ）に構造物４０を有し、処理面４１Ａ，４２Ａと逆側の面（裏面４１Ｂ，４２Ｂ）を互いに対向させた状態において、熱処理工程が実施される。ここで、構造物４０は、基板４１，４２が背面基板２である場合においては、アドレス電極２１、アドレス電極保護層２２、隔壁２３、蛍光体層（２４Ｒ,２４Ｇ,２４Ｂ）等であり、基板４１，４２が前面基板３である場合においては、表示電極対３１、ブラックストライプ３２、誘電体層３３、保護層３４等である。なお、図６においては、説明のため、構造物４０が略台形形状の側面を有するものとし、大きさを誇張して示している。
【００２２】
二つの基板４１，４２は、複数のクリップ７などの固定治具によりその端部が固定されている。
クリップ７は、金属や樹脂等の弾性材料から形成され、断面略コの字状の本体７１と、本体７１のコの字状の先端部に設けられ外側に傾斜したガイド部７２と、を有する。ここで、コの字状の開口部は、二つの基板４１，４２を重ねた厚さより若干狭く形成されている。クリップ７のガイド部７２を、上述の状態に重ね合わせた二つの基板４１，４２の端部に当接させ、本体７１を二つの基板４１，４２側に押圧することで、二つの基板４１，４２の端部が本体７１のコの字状の先端部に挟み込まれ、二つの基板４１，４２を弾性的に固定することができる。
二つの基板４１，４２は、スペーサ６を介してセッタ５上に搭載される。
スペーサ６は、略柱状の形状を有し、セッタ５の上面端部にセッタ５に略垂直に設けられ、その上端面が基板４１の処理面４１Ａの端部を係止している。これによりスペーサ６は、二つの基板４１，４２をセッタ５と略平行に支持している。
このような状態において、二つの基板４１，４２が熱処理炉１００内を搬送され、二つの基板４１，４２の処理面４１Ａ，４２Ａに設けられた構造物４０に、所定温度の乾燥、焼成等が施される。
【００２３】
(1-4)第１実施形態の作用効果
上述した第１実施形態によれば、例えば、次の作用効果を奏することができる。
(1-4-1)本実施形態のプラズマディスプレイパネル１の製造方法は、二つの基板４１，４２を重ね合わせた状態で熱処理を施す熱処理工程を含むので、一度に多量の基板４に熱処理を施すことができ、多数枚処理による問題が発生しにくい。
すなわち、二つの基板４１，４２を重ね合わせた状態で熱処理を施すので、従来の二倍の枚数の基板４に一度に熱処理を施すことができる。このとき、二つの基板４１，４２が重ね合わされており、二つの基板４１，４２の間に空間がないので、例えば、スペーサを介して二つの基板を積層する従来の方法のように、一方の基板４から他方の基板４に異物が落下することがない。
【００２４】
(1-4-2)二つの基板４１，４２は、複数のクリップ７により端部が固定されているので、二つの基板４１，４２がしっかりと固定され、作業時の取り扱いが容易である。また、二つの基板４１，４２がしっかりと固定されるので、例えば、熱処理工程中に振動や衝撃等の理由で二枚の基板４１，４２のいずれか一方に対して他方が摺動ないし滑落したり、互いに当接する二枚の基板４１，４２の裏面４１Ｂ，４２Ｂが擦れて傷が発生したりする可能性が低い。
【００２５】
(1-4-3)二つの基板４１，４２は、各々の片面（処理面４１Ａ，４２Ａ）に構造物４０を有し、二つの基板４１，４２の構造物４０が設けられた面と逆側の面（裏面４１Ｂ，４２Ｂ）を互いに対向させた状態で熱処理工程を実施するので、多量の基板４に対して一度に構造物４０の乾燥工程や焼成工程等を実施することができる。
また、熱処理の対象となる構造物４０の設けられた処理面４１Ａ，４２Ａが外側になるように、二つの基板４１，４２が重ね合わせられるので、処理面４１Ａ，４２Ａに対する空気の流れを確保しやすい。したがって、熱処理により二つの基板４１，４２の構造物４０から発生する脱溶媒やバインダの分解物等のガスを適切に除去することができ、例えば、脱溶媒が不十分等の原因で、構造物４０の形状が不均一となる等の問題の発生を防止することができる。
【００２６】
さらに、従来の方法では、基板４と接するセッタ５を省略すると、基板４面内の温度分布が不均一になり焼成ムラが発生する場合があったが、本実施形態の熱処理工程においては、重ね合わされた二枚の基板４１，４２の一方が他方に対してセッタ５と同様の作用を示すので、二枚の基板４１，４２の面内の温度分布が均一になり焼成ムラが発生しにくい。
したがって、基板４面内の温度分布を均一にするためセッタ５を設ける必要がなくなる。セッタ５を省略すれば、熱処理工程における基板４の熱膨張とセッタ５の熱膨張との差により基板４のセッタ５との当接面に傷が発生する問題を回避することができる。また、セッタ５を省略すれば、熱処理炉１００のヒータから放出された熱エネルギがセッタ５の加熱に使用されることがなくなるので、熱処理工程での消費エネルギを抑え、効率的にプラズマディスプレイパネル１を製造することができる。
【００２７】
(1-4-4)二つの基板４１，４２は、スペーサ６を介してセッタ５上に搭載され、この二つの基板４１，４２に対して熱処理工程を実施するので、二つの基板４１，４２とセッタ５とが接触せず、焼成時の基板４の熱膨張とセッタ５の熱膨張との差により基板４のセッタ５との当接面に傷が発生することがない。また、スペーサ６により、二つの基板４１，４２とセッタ５との間にスペースが設けられるので、二つの基板４１，４２に対する空気の流れが確保しやすい。これにより、熱処理工程において二つの基板４１，４２から発生する脱溶媒やバインダの分解物等のガスを適切に除去することができ、例えば、脱溶媒が不十分等の原因で、構造物４０の形状が不均一となる等の問題の発生を防止することができる。
【００２８】
(1-4-5)給気手段１０４および排気手段１０５により、二つの基板４１，４２の各々の表面（処理面４１Ａ，４２Ａ）に対して給排気流路Ｆを形成した状態で熱処理工程を実施するので、熱処理により二つの基板４１，４２の各々の表面（処理面４１Ａ，４２Ａ）から発生する脱溶媒やバインダの分解物等のガスを適切に除去することができ、例えば、脱溶媒が不十分等の原因で、構造物の形状が不均一となる等の問題の発生を防止することができる。
【００２９】
(1-4-6)本実施形態の熱処理炉１００の給気手段１０４および排気手段１０５は、従来のディスプレイパネルの製造方法に用いられる熱処理炉１００にも設けられていたものであり、その配置のみが従来の熱処理炉１００と異なる。したがって、従来の熱処理炉１００の給気手段１０４および排気手段１０５の配置を変更するだけで、本実施形態のプラズマディスプレイパネル１の製造方法に用いるための熱処理炉１００とすることができ、新しい装置を用意することなく、従来の熱処理炉１００を用いて本実施形態の熱処理工程を実施することができ、上述のような優れた効果を得ることができる。
【００３０】
(1-4-7)基板４は、通常、数ｍｍ程度の薄い材料であり、これを二枚重ね合わせ、スペーサ６によりセッタ５との間にスペースを確保したとしても、セッタ５から基板４までの全体の高さは、従来の熱処理炉１００の入口１０２および出口１０３を介して搬送可能なサイズである。したがって、新しい装置を用意することなく、従来の熱処理炉１００を用いて本実施形態の熱処理工程を実施することができ、上述のような優れた効果を得ることができる。
【００３１】
（２）第２実施形態
次に、本発明の第２実施形態について図面に基づいて説明する。図７に、本実施形態の熱処理工程を実施する熱処理炉の断面図を示す。
なお、本第２実施形態の熱処理炉１００は、上述した第１実施形態の熱処理炉１００と略同様の構成であるが、給気手段１０４と排気手段１０５とが、それぞれ二つずつ設けられる点で異なる。また、本第２実施形態は、重ね合わされた二つの基板４１，４２の固定方法が上述した第１実施形態と異なる。このため、第１実施形態と同様の構成については同一の符号を付して説明を適宜省略する。
【００３２】
(2-1)熱処理工程
図７に示すように、本実施形態の熱処理炉１００は、二つの給気手段１０４および二つの排気手段１０５を備える。二つの給気手段１０４は、熱処理炉１００内の出口１０３近傍の上方および下方に、その頂点が熱処理炉１００の中心付近を向くように、それぞれ設けられる。二つの排気手段１０５は、熱処理炉１００内の入口１０２近傍の上方および下方に、その頂点が熱処理炉１００の中心付近を向くように、それぞれ設けられる。熱処理炉１００内の上方に設けられた給気手段１０４および排気手段１０５により、基板４２の処理面４２Ａに対して空気を供給および排気する給排気流路Ｆが矢印で示すように設定されている。同様に、熱処理炉１００内の下方に設けられた給気手段１０４および排気手段１０５により、基板４１の処理面４１Ａに対して空気を供給および排気する給排気流路Ｆが矢印で示すように設定されている。
【００３３】
本実施形態の熱処理工程において、二つの基板４１，４２は、基板４より大きいサイズの吸着板８を介して固定されている。
吸着板８は、その上面に基板４２の裏面４２Ｂを、下面に基板４１の裏面４１Ｂを吸着固定し、その内部に吸着板８の全体を加熱するためのヒータ８１を備える。本実施形態の熱処理工程は、このヒータ８１により吸着板８の全体が加熱された状態で実施される。
スペーサ６は、吸着板８の端部を係止することにより、二つの基板４１，４２をセッタ５と略平行に支持している。
【００３４】
(2-2)第２実施形態の作用効果
上述した第２実施形態によれば、第１実施形態の上記(1-4-1)、(1-4-3)〜(1-4-5)、(1-4-7)に記載の作用効果と略同様の作用効果に加え、例えば、次の作用効果を奏することができる。
(2-2-1)二つの基板４１，４２は、吸着板８を介して固定されているので、例えば、熱処理工程中に振動や衝撃等の理由で二枚の基板４１，４２のいずれか一方または両方が落下等する可能性が非常に低い。
(2-2-2)吸着板８に内蔵されるヒータ８１により、吸着板８の全体が加熱された状態で二つの基板４１，４２に対して熱処理工程を実施するので、二つの基板４１，４２の面内の温度分布を均一に保つことができ、焼成ムラが発生しにくい。
【００３５】
(2-2-3)二つの給気手段１０４および二つの排気手段１０５により、二つの基板４１，４２の処理面４１Ａ，４２Ａそれぞれに対して空気を供給および排気する給排気流路Ｆを形成したので、処理面４１Ａ，４２Ａに対する空気の供給および排気を確実にすることができる。これにより、熱処理工程において二つの基板４１，４２の構造物４０から発生する脱溶媒やバインダの分解物等のガスを適切に除去することができ、例えば、脱溶媒が不十分等の原因で、構造物４０の形状が不均一となる等の問題の発生をより確実に防止することができる。
(2-2-4)本実施形態の熱処理炉１００の給気手段１０４および排気手段１０５は、従来のディスプレイパネルの製造方法に用いられる熱処理炉１００にも設けられていたものであり、その数が従来の熱処理炉１００と異なる。したがって、従来の熱処理炉１００に、給気手段１０４および排気手段１０５を追加するだけで、本実施形態のプラズマディスプレイパネル１の製造方法に用いるための熱処理炉１００を用意することができる。
(2-2-5)上述の第１実施形態においては、スペーサ６の上端面が基板４１の処理面４１Ａの端部に当接されていたため、搬送中にセッタ５が振動した場合等に、スペーサ６の上端面と基板４１の処理面４１Ａの端部とが擦れて、処理面４１Ａの端部に傷が発生するおそれがあった。本実施形態においては、スペーサ６は、吸着板８の端部を係止するので、搬送中にセッタ５が振動した場合等でも、処理面４１Ａの端部に傷が発生することがない。
【００３６】
（３）第３実施形態
次に、本発明の第３実施形態について図面に基づいて説明する。図８に、本実施形態の熱処理工程に用いる熱処理炉の概略構成を示す。
なお、本第３実施形態の熱処理炉は、上述した第２実施形態の熱処理炉１００と略同様の構成であり、重ね合わされた二つの基板４１，４２の固定方法のみが上述した第２実施形態と異なる。このため、第１または第２実施形態と同様の構成については同一の符号を付して説明を適宜省略する。
【００３７】
(3-1)熱処理工程
図８に示すように、本実施形態の熱処理工程において、二つの基板４１，４２は、処理面４１Ａ，４２Ａを互いに真空吸着することにより固定されている。
スペーサ６は、基板４１の処理面４１Ａの端部を係止することにより、二つの基板４１，４２をセッタ５と略平行に支持している。
【００３８】
(3-2)第３実施形態の作用効果
上述した第３実施形態によれば、第１および第２実施形態の上記(1-4-1)、(1-4-3)〜(1-4-5)、(1-4-7)、(2-2-3)、(2-2-4)に記載の作用効果と略同様の作用効果に加え、例えば、次の作用効果を奏することができる。
(3-2-1)二つの基板４１，４２が、処理面４１Ａ，４２Ａを互いに真空吸着することにより固定されるので、二つの基板４１，４２を固定するための部材を別途用意する必要がない。真空吸着によって、二つの基板４１，４２がしっかりと固定されるので、例えば、熱処理工程中に振動や衝撃等の理由で二枚の基板４１，４２のいずれか一方に対して他方が摺動ないし滑落したり、互いに当接する二枚の基板４１，４２の裏面４１Ｂ，４２Ｂが擦れて傷が発生したりする可能性が低い。
【００３９】
（４）実施形態の変形
なお、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲で、例えば、以下に示される変形をも含むものである。
【００４０】
上述の各実施形態では、熱処理工程に用いる熱処理装置として、従来の熱処理炉１００の給気手段１０４および排気手段１０５の配置または数を変更した熱処理炉１００を例示したが、これに限定されない。
例えば、図９に示すように、熱処理炉１００内上方の、出口１０３近傍にのみ給気手段１０４を、入口１０２近傍にのみ排気手段１０５を備えた従来の熱処理炉１００によっても、本発明のディスプレイパネルの製造方法における熱処理工程を実施することができる。
この場合、基板４１の処理面４１Ａに対する給排気流路Ｆが形成されないが、スペーサ６により基板４１とセッタ５との間にスペースが設けられているので、基板４１に対する空気の流れが確保されやすく、脱溶媒等が不十分となる可能性は低い。
【００４１】
上述の各実施形態では、熱処理工程に用いる熱処理装置として、給気手段１０４が熱処理炉１００内の出口１０３近傍に、排気手段１０５が入口１０２近傍に設けられ、出口１０３側から入口１０２側に向かう形の給排気流路Ｆが形成される構成の熱処理炉１００を例示したが、これに限定されない。
例えば、給気手段１０４が熱処理炉１００内の一側面の出口１０３と入口１０２との中間の位置に設けられ、排気手段１０５が熱処理炉１００内の反対の側面の出口１０３と入口１０２との中間の位置に設けられ、二つの基板４１，４２の搬送方向と略垂直な方向に給排気流路Ｆが形成される構成としてもよい。
この場合でも、上述の第１実施形態と同様に、一対の給気手段１０４および排気手段１０５により二つの基板４１，４２の処理面４１Ａ，４２Ａそれぞれに対して給排気流路Ｆを形成することができ、各実施形態と同様の優れた作用効果を得ることができる。しかも、給気手段１０４および排気手段１０５が熱処理炉１００内の側面に設けられるので、これらが二つの基板４１，４２の搬送の妨げとならない。
【００４２】
上述の各実施形態において、二つの基板４１，４２が載置されたセッタ５を、搬送ローラ１０１により熱処理炉１００内において搬送させ、所定の温度で熱処理を施す熱処理工程を例示したが、これに限定されない。
例えば、セッタを用いずにウォーキングビーム形式の搬送手段を備える熱処理炉１００を用いて熱処理工程を実施しても良い。
この場合でも、二つの基板４１，４２を、熱処理炉１００内において搬送させ、所定の温度で熱処理を施すことができるので、上述の各実施形態と同様の優れた作用効果を得ることができる。
【００４３】
また、例えば、二つの基板４１，４２を搬送手段を備えない熱処理炉１００内に固定した状態で熱処理工程を実施してもよい。
この場合でも、二つの基板４１，４２に所定の温度で熱処理を施すことができるので、上述の各実施形態と同様の優れた作用効果を得ることができる。この場合、熱処理の温度は常に一定である必要はなく、熱処理工程中に一定の温度プロファイルで変化するように設定してもよい。これによれば、乾燥や焼成の条件を詳細に設定することができ、ディスプレイパネルの品質を向上することができる。
【００４４】
また、例えば、セッタ５を省略し、スペーサ６の下端部に、二つの基板４１，４２と略平行かつ二つの基板４１，４２の搬送方向に略沿った長手平板状の脚部を設け、この脚部が搬送ローラ１０１に載置および搬送される構成としてもよい。
この場合でも、二つの基板４１，４２を支持するスペーサ６を、熱処理炉１００内において搬送することで、二つの基板４１，４２に所定の温度で熱処理を施すことができるので、上述の各実施形態と同様の優れた作用効果を得ることができる。さらに、セッタ５を省略すれば、熱処理炉１００のヒータから放出された熱エネルギがセッタ５の加熱に使用されることがなくなるので、熱処理工程での消費エネルギを抑え、効率的にプラズマディスプレイパネル１を製造することができる。
【００４５】
上述の各実施形態では、熱処理工程に用いる熱処理装置として、一つの炉室のみを備える構成の熱処理炉１００を例示したが、これに限定されない。
例えば、熱処理工程には、別個に温度制御可能な複数の炉室と、二つの基板４１，４２を順次それぞれの炉室内に搬送する搬送手段と、を備えた連続式の熱処理炉１００を用いてもよい。
この場合、二つの基板４１，４２を一定の温度プロファイルで熱処理することができるので、乾燥や焼成の条件を詳細に設定することができ、上述の各実施形態と同様の優れた作用効果を得られるうえ、さらに、ディスプレイパネルの品質を向上することができる。
また、基板表面に給排気流路Ｆを設ける構成の熱処理を例示したが、これを省略しても良い。
【００４６】
上述の各実施形態では、クリップ７、吸着板８、真空吸着のいずれかにより二つの基板４１，４２を固定した状態で熱処理を施す熱処理工程を例示したが、これに限定されない。また、二つの基板４１，４２は、固定されていなくてもよい。
二つの基板４１，４２が固定されていない場合、二つの基板４１，４２の摺動や滑落が発生しやすくなるが、何らかの理由で振動や衝撃が発生しない限りこのような問題は発生しないので、通常は問題とならない場合が多く、問題が発生しない限りは、上述の各実施形態と同様の優れた作用効果を得られる。
【００４７】
上述の第２実施形態において、ヒータ８１を内蔵する吸着板８を例示したが、これに限定されない。
例えば、ヒータ８１を備えない吸着板８であっても、熱処理工程の前に加熱しておけば、第２実施形態と同様の作用効果を得ることができる。
この場合、吸着板８は、熱容量の大きいものであることが好ましい。吸着板８の熱容量が小さいと、熱処理工程中に吸着板８の温度が低下しやすく、二つの基板４１，４２の面内の温度分布を均一に維持することが困難になるためである。
なお、ヒータを内蔵する吸着板８を用いる場合、熱処理工程中においても、ヒータ８１が吸着板８の全体を加熱し続けるようにすれば、より確実に二つの基板４１，４２の面内の温度分布を均一に維持することができる。
【００４８】
（５）実施形態の作用効果
上述の各実施形態におけるプラズマディスプレイパネル１の製造方法は、二つの基板４１，４２を重ね合わせた状態で熱処理を施す熱処理工程を含むので、一度に多量の基板４に熱処理を施すことができ、多数枚処理による問題が発生しにくい。
すなわち、二つの基板４１，４２を重ね合わせた状態で熱処理を施すので、従来の二倍の枚数の基板４に一度に熱処理を施すことができる。このとき、二つの基板４１，４２が重ね合わされており、二つの基板４１，４２の間に空間がないので、例えば、スペーサを介して二つの基板を積層する従来の方法のように、一方の基板４から他方の基板４に異物が落下することがない。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】従来の熱処理工程において使用されるセッタを模式的に示した平面図であり、（Ａ）は基板が１枚のみ載置されたセッタであり、（Ｂ）は基板が３枚載置されたセッタである。
【図２】従来の熱処理工程を実施する熱処理炉の断面図。
【図３】従来のスペーサを介して複数の基板を積層し熱処理工程を実施する熱処理炉の断面図。
【図４】従来のスペーサを介して複数の基板を積層し熱処理工程を実施する熱処理炉の断面図。
【図５】本発明の第１実施形態におけるプラズマディスプレイパネルの内部構造を示す図。
【図６】本発明の第１実施形態における熱処理工程を実施する熱処理炉の断面図。
【図７】本発明の第２実施形態における熱処理工程を実施する熱処理炉の断面図。
【図８】本発明の第３実施形態における熱処理工程を実施する熱処理炉の断面図。
【図９】本発明の第１〜３実施形態に係るディスプレイパネルの製造方法の変形例において熱処理工程を実施する熱処理炉の断面図。
【符号の説明】
【００５０】
４，４１，４２  基板
５  セッタ
６  スペーサ
７  クリップ
８  吸着板
４０  構造物
Ｆ  給排気流路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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