(57)【要約】【課題】熱処理工程で発生したガスによる設備トラブルを防止することができるディスプレイパネルの製造方法を提供する。【解決手段】所定の温度プロファイルに基づいて基板を熱処理する熱処理工程を含むディスプレイパネルの製造方法であって、熱処理工程は、位置によって温度の異なる加熱空間と、加熱空間の雰囲気ガスを排気する複数の排気配管路２１，２２と、を備えた熱処理装置１Ａを用いて実施され、熱処理工程において、加熱空間の異なる温度帯域に属する位置毎に異なる排気配管路２１，２２を用いて排気を行うことを特徴とする。【選択図】図５
2008181804.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の温度プロファイルに基づいて基板を熱処理する熱処理工程を含むディスプレイパネルの製造方法であって、
前記熱処理工程は、
位置によって温度の異なる加熱空間と、
前記加熱空間の雰囲気ガスを排気する複数の排気配管路と、
を備えた熱処理装置を用いて実施され、
前記熱処理工程において、前記加熱空間の異なる温度帯域に属する位置毎に異なる排気配管路を用いて排気を行う
ことを特徴とするディスプレイパネルの製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載のディスプレイパネルの製造方法であって、
前記熱処理装置の前記加熱空間は、前記熱処理工程において前記基板の温度を昇温させる昇温部を備え、
前記加熱空間の昇温部において、異なる温度帯域に属する位置毎に異なる前記排気配管路を用いて排気を行う
ことを特徴とするディスプレイパネルの製造方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載のディスプレイパネルの製造方法であって、
前記熱処理工程は、
前記基板を乾燥する乾燥工程と、
前記基板を焼成する焼成工程と、
を実施し、
前記乾燥工程において前記基板から発生したガスは、前記複数の排気配管路のいずれかにより排気され、
前記焼成工程において前記基板から発生したガスは、他の前記排気配管路により排気される
ことを特徴とするディスプレイパネルの製造方法。
【請求項４】
請求項３に記載のディスプレイパネルの製造方法であって、
前記基板は、溶剤およびバインダを含有する構造物を有し、
前記溶剤は、前記乾燥工程において前記構造物から除去され、
前記バインダは、前記焼成工程において前記構造物から分解除去される
ことを特徴とするディスプレイパネルの製造方法。
【請求項５】
請求項１ないし請求項４のいずれかに記載のディスプレイパネルの製造方法であって、
前記熱処理装置の前記加熱空間は、連続して設けられそれぞれを異なる温度に設定可能な複数の区画室を備え、
前記複数の区画室のそれぞれは、前記複数の排気配管路のいずれか一つに連通され前記区画室内の雰囲気ガスを排気する排気部を有し、
前記熱処理工程において、前記基板は、前記複数の区画室内に順次搬送される
ことを特徴とするディスプレイパネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板上に形成された構造物または基板自体に熱処理を施す熱処理工程を含むディスプレイパネルの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ディスプレイパネルとして、例えば、プラズマディスプレイパネルや液晶表示パネル、有機ＥＬ（Electro Luminescence）パネル、ＦＥＤ（Field Emission Display）、電気泳動ディスプレイパネル等がある。
これらディスプレイパネルは、表示面を構成する前面基板、および、この背面側に設けられた背面基板を備えており、これら基板上には発光領域を構成する様々な構造物が適宜設けられている。このような構造物としては、例えば、プラズマディスプレイパネルにおいては、発光領域を複数の単位発光領域に区画する隔壁や、各単位発光領域において放電発光させるためのアドレス電極およびバス電極等、これら電極等を被覆する誘電体層等が挙げられる。
【０００３】
例えば、基板上に誘電体層を形成する際には、基板上に所定のパターンでガラスペーストを塗布し、乾燥、焼成することにより所定のパターンを有する誘電体層が得られる。
ここで、ガラスペーストは、ガラスフリット、溶剤およびバインダ等を含有している。塗布後の乾燥工程においてガラスペーストから溶剤が取り除かれた後、焼成工程においてバインダが分解除去され、ガラスフリットが融着されて誘電体層が形成される。
【０００４】
従来、乾燥工程や焼成工程のような熱処理工程には、複数の炉室を有する連続式の焼成炉等の熱処理装置が用いられる。連続式の焼成炉によれば、それぞれ別個に温度制御される複数の炉室内に、基板を順次搬送することで、昇温、定温維持、冷却等の任意の温度プロファイルで基板に熱処理を施すことができる。これにより、例えば、乾燥工程と焼成工程のような、熱処理温度の異なる工程を一度にまとめて実施することも可能である。
このような従来の熱処理装置として、例えば、特許文献１には、特定形状の開口部を有する給気配管を備え、気体を均一に供給することができる焼成炉が開示されている。
【０００５】
【特許文献１】２００４−２０７２２５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１記載のような従来の熱処理装置では、例えば、熱処理温度の異なる工程を一度にまとめて実施しようとした場合に、以下のような問題が一例として挙げられる。
図１に、従来の連続式の焼成炉の模式図と、溶剤およびバインダを含有する構造物を有する基板に、乾燥工程と焼成工程とを一度にまとめて実施する場合の熱処理の温度プロファイルを示す。
図１に示すように、従来の連続式の焼成炉１は、連続して設けられそれぞれを異なる温度に設定可能な複数の炉室１０と、それぞれの炉室１０内に設けられた排気部１１に連通され炉室１０の空気を排気する排気配管路２０と、を備える。ここで、排気配管路２０は、その末端部２０Ａにおいて一本の配管に統合されている。熱処理工程において、基板（図示省略）は、左側の炉室１０Ａから右側の炉室１０Ｑに順次搬送される。
【０００７】
図１のグラフの縦軸は、基板の温度を示し、基板の位置に合わせて焼成炉１が示されている。図１に示すように、炉室１０Ａ，１０Ｂは、基板を乾燥温度Ａまで昇温させる昇温部１８Ａを構成し、炉室１０Ｃ，１０Ｄは、基板を乾燥温度Ａに維持する維持部１９Ａを構成する。炉室１０Ｅ，１０Ｆは、基板を焼成温度Ｂまで昇温させる昇温部１８Ｂを構成し、炉室１０Ｇ，１０Ｈは、基板を焼成温度Ｂに維持する維持部１９Ｂを構成する。炉室１０Ｉ，１０Ｊは、基板を焼成温度Ｃまで昇温させる昇温部１８Ｃを構成し、炉室１０Ｋ，１０Ｌ，１０Ｍは、基板を焼成温度Ｃに維持する維持部１９Ｃを構成する。炉室１０Ｎ，１０Ｏ，１０Ｐ，１０Ｑは、基板を冷却する冷却部１８Ｆを構成する。
【０００８】
このような焼成炉１の維持部１９Ａにおいては、基板に乾燥工程が施され、構造物に含有される溶剤が除去される。一方、維持部１９Ｂ，１９Ｃにおいては、基板に焼成工程が施され、構造物に含まれるバインダが分解除去される。
ここで、基板を乾燥温度Ａに維持する維持部１９Ａおよび基板を焼成温度Ｂに維持する維持部１９Ｂ，１９Ｃを構成する炉室１０内の空気は、一本の排気配管路２０により排気される。このため、維持部１９Ａにおいて構造物から発生した溶剤のガスと、維持部１９Ｂ，１９Ｃにおいて構造物から発生したバインダの分解ガスは、排気配管路２０内で混合されることになる。
通常、溶剤やバインダは、熱処理により分解されるが、熱処理温度が低い等の理由で熱処理が不十分だった場合等に、分解が不十分となることがある。このような十分に分解されていない溶剤およびバインダが混合されると、相互に化学反応を起こし、その反応生成物により排気配管路２０が詰まる等の設備トラブルが発生する問題が一例として挙げられる。
【０００９】
本発明は、このような実情等に鑑みて、熱処理工程で発生したガスによる設備トラブルを防止することができるディスプレイパネルの製造方法を提供することを１つの目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
請求項１に記載の発明は、所定の温度プロファイルに基づいて基板を熱処理する熱処理工程を含むディスプレイパネルの製造方法であって、前記熱処理工程は、位置によって温度の異なる加熱空間と、前記加熱空間の雰囲気ガスを排気する複数の排気配管路と、を備えた熱処理装置を用いて実施され、前記熱処理工程において、前記加熱空間の異なる温度帯域に属する位置毎に異なる排気配管路を用いて排気を行うことを特徴とするディスプレイパネルの製造方法である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の実施形態について図面に基づいて説明する。
なお、本実施形態では、ディスプレイパネルとしてプラズマディスプレイパネルを例示するが、これに限らず、本発明は液晶表示パネルや、有機ＥＬパネル、ＦＥＤ、電気泳動ディスプレイパネル等のディスプレイパネルに対しても適用可能である。
【００１２】
［プラズマディスプレイパネルの構成］
図２に、本実施形態におけるプラズマディスプレイパネルの内部構造を示す。
図２において、プラズマディスプレイパネル１００は、プラズマ放電による発光を利用して画像を表示するディスプレイパネルであり、放電空間（発光領域）Ｈを介して対向配置された背面基板１０２および前面基板１０３を備えている。
これら背面基板１０２および前面基板１０３は、それぞれの外周縁部に図示しないシールフリットが設けられて封着されており、封着された空間内部は減圧状態とされた上で不活性ガスが充填されている。
【００１３】
背面基板１０２は、例えばガラス板材等の透明板を略長方形状に形成したものである。この背面基板１０２の内面には、図２に示すように、アドレス電極１２１と、アドレス電極保護層１２２と、隔壁１２３と、蛍光体層（１２４Ｒ,１２４Ｇ,１２４Ｂ）等がそれぞれ設けられている。
アドレス電極１２１は、例えばアルミニウム等の導電性材料にて、背面基板１０２の長手方向（行方向）に直交する方向（列方向）に略沿う直線状に形成され、行方向に一定の間隔を置いて複数本配設されている。
アドレス電極保護層１２２は、例えば誘電体ペースト等にてアドレス電極１２１を被覆する状態に形成され、背面基板１０２の略全面に亘り設けられている。
隔壁１２３は、例えば誘電体ペースト等にて略梯子状に形成され、アドレス電極保護層１２２上に積層して設けられている。この隔壁１２３により放電空間Ｈが複数に区画され、これにて複数の矩形状の放電セル１２５（単位発光領域）が形成されている。
蛍光体層（１２４Ｒ,１２４Ｇ,１２４Ｂ）は、複数の放電セル１２５内部にそれぞれ順に充填された赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３原色の蛍光体ペースト層である。これら蛍光体層（１２４Ｒ,１２４Ｇ,１２４Ｂ）は、それぞれの放電セル１２５で放電発光した際の紫外光により励起され、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３原色の可視光を発光するようになっている。
【００１４】
前面基板１０３は、プラズマディスプレイパネル１００の表示面を構成し、背面基板１０２と同様に、例えばガラス板材等の透明板を略長方形状に形成したものである。この前面基板１０３の内面には、図２に示すように、表示電極対１３１と、ブラックストライプ１３２と、誘電体層１３３と、保護層１３４と等がそれぞれ設けられている。
表示電極対１３１は、前面基板１０３上において、アドレス電極１２１と略直交して列方向に一定の間隔で複数配列されており、それぞれ複数対の透明電極１３５Ａ，１３５Ｂと、一対のバス電極１３６Ａ，１３６Ｂとを備えて構成されている。
透明電極１３５Ａ，１３５Ｂは、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明導電膜で略Ｔ字形状に形成されており、所定の放電セル１２５に対応して一対ずつ設けられている。
バス電極１３６Ａ，１３６Ｂは、例えば銀等の導電性材料にて直線状に形成され、複数対の透明電極１３５Ａ，１３５Ｂの一端部にそれぞれ積層して設けられている。
ブラックストライプ１３２は、例えば黒色無機顔料等にて直線状に形成され、複数の表示電極対１３１間にそれぞれ設けられている。
誘電体層１３３は、例えば誘電体ペースト等にて表示電極対１３１およびブラックストライプ１３２を被覆する状態に形成され、背面基板１０２の略全面に亘り設けられている。この誘電体層１３３上におけるバス電極１３６Ａ，１３６Ｂに対向する部分には、放電空間Ｈ側に向かって突出した嵩上げ誘電体層１３７が設けられている。この嵩上げ誘電体層１３７により、列方向に互いに隣接する放電セル１２５同士間での誤放電が防止されるようになっている。
保護層１３４は、例えばＭｇＯ（酸化マグネシウム）等の透明層であり、誘電体層１３３の略全面を被覆する状態に設けられている。
【００１５】
［プラズマディスプレイパネルの製造方法］
上述した構成のプラズマディスプレイパネル１００の製造方法について説明する。
まず、背面基板１０２の製造ラインにおいて、十分に洗浄された透明基板上に、例えばオフセット印刷法や凸版印刷法、凹版印刷法、グラビア印刷法等の各種印刷法、ディスペンサ法、ダイコータ法等を用いて、アドレス電極１２１となる導電性ペーストパターンを形成する。そして、この状態の背面基板１０２に対して熱処理を施す熱処理工程を実施して、アドレス電極１２１を形成する。この熱処理工程は、乾燥工程や焼成工程等を含むものである。
次に、アドレス電極１２１上にガラスペーストを塗布して、このガラスペーストを所定形状に成形する。このような状態の背面基板１０２に対しても熱処理工程を実施し、これにてアドレス電極保護層１２２および隔壁１２３を形成する。
さらに、放電セル１２５内部にスクリーン印刷法等により赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３原色の蛍光体ペーストを塗布する。そして、この状態の背面基板１０２に対しても熱処理工程を実施し、蛍光体層（１２４Ｒ,１２４Ｇ,１２４Ｂ）を形成する。これにて、プラズマディスプレイパネル１００の背面基板１０２が完成する。
【００１６】
次に、前面基板１０３の製造ラインでは、十分に洗浄された透明基板上に透明電極材料層を形成して、例えばフォトリソグラフィ法等により複数の透明電極１３５Ａ，１３５Ｂを形成する。
そして、これら透明電極１３５Ａ，１３５Ｂ上に、例えばオフセット印刷法等により、バス電極１３６Ａ，１３６Ｂとなる導電性ペーストの印刷パターンを積層形成した後、これに対して熱処理工程を実施する。これにより、バス電極１３６Ａ，１３６Ｂが形成される。
さらに、透明電極１３５Ａ，１３５Ｂおよびバス電極１３６Ａ，１３６Ｂにて構成される複数の表示電極対１３１間に、例えばスクリーン印刷法等により黒色ペーストのパターンを形成し、これに対して後述する熱処理工程を実施する。これにより、複数のブラックストライプ１３２が形成される。
次に、例えばダイコータ等により表示電極対１３１およびブラックストライプ１３２を被覆する状態にガラスペーストを塗布した後に、このガラスペーストを所定形状に成形する。これに対しても熱処理工程を実施し、嵩上げ誘電体層１３７を有した誘電体層１３３を形成する。
この後、誘電体層１３３の上に例えば蒸着法やスパッタリング法等によりＭｇＯ層を成膜して保護層１３４を形成する。これにて、プラズマディスプレイパネル１００の前面基板１０３が完成する。
【００１７】
上記のようにして製造した背面基板１０２および前面基板１０３に対して封着工程を実施する。この封着工程では、まず背面基板１０２の外周縁にガラスペーストを設けた後に、所定の位置関係で背面基板１０２および前面基板１０３を重ね合わせる。そして、この状態の両基板に対して熱処理工程を実施し、これにて背面基板１０２および前面基板１０３間の内部空間をシールフリットにて封着する。
この封着工程の後は、当該内部空間の気体を排気してから、当該内部空間に放電ガスを注入する。これにてプラズマディスプレイパネル１００が完成する。
【００１８】
［熱処理工程］
本実施形態のプラズマディスプレイパネル１００の製造方法は、上述のように、背面基板１０２または前面基板１０３（以下、これらを基板１０４と記載する）に熱処理を施す熱処理工程を含む。
以下、基板１０４を熱処理する熱処理工程について、図面に基づいて説明する。
なお、本実施形態において、基板１０４は、溶剤およびバインダを含有する構造物を有し、熱処理工程は、基板１０４を乾燥する乾燥工程と、基板１０４を焼成する焼成工程と、を実施するものとする。ここで、基板１０４に設けられた構造物は、基板１０４が背面基板１０２である場合においては、アドレス電極１２１、アドレス電極保護層１２２、隔壁１２３、蛍光体層（１２４Ｒ,１２４Ｇ,１２４Ｂ）等であり、基板１０４が前面基板１０３である場合においては、表示電極対１３１、ブラックストライプ１３２、誘電体層１３３、保護層１３４等である。
【００１９】
図３に、本実施形態の熱処理工程に用いる熱処理装置の概略構成を示す。
図３に示すように、本実施形態の熱処理工程に用いる熱処理装置１Ａは、連続式の焼成炉１である。
焼成炉１は、往路用レール２Ａおよび復路用レール２Ｂと、カート３と、トラバーサ４，５と、連続炉６と、制御部７と、を備える。
往路用レール２Ａおよび復路用レール２Ｂは、互いに略並行に敷設され、カート３は、これらの各レール２Ａ，２Ｂ上を走行する。トラバーサ４，５は、これらの各レール２Ａ，２Ｂの端部間を連絡するように配置されて一方のレールから他方のレールにカート３を移載する。連続炉６は、往路用レール２Ａが内部を通過するように構築され、その加熱動作等は、制御部７により制御される。焼成炉１は、基板１０４を搭載したカート３を加熱動作中の連続炉６中に搬送することにより基板１０４に熱処理を施すものである。
【００２０】
連続炉６は、連続して設けられそれぞれを異なる温度に設定可能な１７個の区画室１０Ｓである炉室１０（１０Ａ〜１０Ｑ）を備える。この１７個の炉室１０の内部が、熱処理装置１Ａの加熱空間６Ａである。したがって、加熱空間６Ａは、その位置によって温度が異なる。
各炉室１０Ａ〜１０Ｑは、搬入されて来たカート３上の基板１０４に対して所定の熱処理をする最小単位の処理室となるものである。各炉室１０Ａ〜１０Ｑは、共通の大きさで、それぞれ、一台のカート３が入る広さを備える。各炉室１０Ａ〜１０Ｑ間を区分する連続炉６内の仕切壁２３には、カート３の出入りを可能にする開口２３Ａが設けられている。また、先頭の第１炉室１０Ａのトラバーサ４側の端部、および最後尾の炉室１０Ｑのトラバーサ５側の端部には、炉室１０内と外部との間を仕切る仕切壁２５が設けられ、この仕切壁２５は、仕切壁２３と同様に、カート３の出入りを可能にする開口２５Ａを備えている。
【００２１】
制御部７は、各炉室１０Ａ〜１０Ｑ内の昇温や降温等、カート３による基板１０４の搬送等を制御する。
復路用レール２Ｂ上には、連続炉６内での処理を終えて戻って来るカート３から処理済みの基板１０４を降ろす積み降ろし作業領域２６と、積み降ろしを終えたカート３にこれから処理すべき基板１０４を積み込むパネル搭載領域２７とが設けられている。
【００２２】
図４に、炉室１０およびカート３をレール２Ａに沿った方向から見た断面図を示す。
カート３は、図４に示すように、基板１０４を載置する略平板状の車体３Ａと、レール２Ａに係合されレール２Ａに垂直な方向を中心に回転し車体３Ａすなわち基板１０４をレール２Ａに沿って搬送する車輪３Ｂと、を有する。
炉室１０の両側面、上面および底面は、図４に示すように、上壁１２、底壁１３、側壁１４，１５によって覆われている。そして、各上壁１２、底壁１３、側壁１４，１５の内面には、断熱材が全面的に貼付されている。すなわち、各炉室１０Ａ〜１０Ｑは、上記の開口２３Ａ以外は周囲が囲われた互いに独立の処理空間となっている。
【００２３】
各炉室１０Ａ〜１０Ｑ内は、図４に示すように、上壁１２、底壁１３のそれぞれに設けられたヒータ１６，１７によって昇温され、その各炉室１０Ａ〜１０Ｑに収容されている基板１０４を所定温度で熱処理する。
また、各炉室１０Ａ〜１０Ｑ内には、レール２Ａおよびカート３の通り道を覆うように、耐熱性のガラス上板１２Ａ、ガラス側板１４Ａ，１５Ａが設けられている。ガラス上板１２Ａ、ガラス側板１４Ａ，１５Ａは、ヒータ１６や上壁１２等からの異物の落下による基板１０４の汚染を防止する。
各炉室１０Ａ〜１０Ｑの側壁１４，１５のそれぞれには、炉室１０内の雰囲気ガスである空気を排気する排気部１１が設けられている。排気部１１は、炉室１０内に開口部１１Ａを有する略円筒形の部材であり、側壁１４，１５およびガラス側板１４Ａ，１５Ａを貫通して設けられる。
【００２４】
図５に、焼成炉１の模式図と、基板１０４に熱処理工程を実施する際の熱処理の温度プロファイルを示す。
炉室１０の排気部１１は、図５に示すように、炉室１０の外部において二つの排気配管路２１，２２のいずれか一つに連通されている。すなわち、炉室１０Ａ〜１０Ｅの排気部１１は、第１の排気配管路２１に、炉室１０Ｆ〜１０Ｌの排気部１１は、第２の排気配管路２２に連通されている。
第１の排気配管路２１は、その末端部２１Ａにおいて一本の配管に統合され、吸引ポンプ等の排気手段（図示省略）に接続されている。また、第２の排気配管路２２も、その末端部２２Ａにおいて一本の配管に統合され、排気手段に接続されている。これにより、排気手段が、排気配管路２１，２２および排気部１１を介して炉室１０内の雰囲気ガスを排気する。
【００２５】
熱処理工程において、カート３に載置された基板１０４は、先頭の第１炉室１０Ａから最後尾の炉室１０Ｑに順次搬送され、所定の温度プロファイルに基づいた熱処理が施される。
図５のグラフの縦軸は、基板１０４の温度を示し、基板１０４の位置に合わせて焼成炉１が示されている。
図５に示すように、炉室１０Ａ，１０Ｂは、基板１０４を乾燥温度Ａまで昇温させる昇温部１８Ａを構成し、炉室１０Ｃ，１０Ｄは、基板１０４を乾燥温度Ａに維持する維持部１９Ａを構成する。炉室１０Ｅ，１０Ｆは、基板１０４を焼成温度Ｂまで昇温させる昇温部１８Ｂを構成し、炉室１０Ｇ，１０Ｈは、基板１０４を焼成温度Ｂに維持する維持部１９Ｂを構成する。炉室１０Ｉ，１０Ｊは、基板１０４を焼成温度Ｃまで昇温させる昇温部１８Ｃを構成し、炉室１０Ｋ，１０Ｌ，１０Ｍは、基板１０４を焼成温度Ｃに維持する維持部１９Ｃを構成する。炉室１０Ｎ，１０Ｏ，１０Ｐ，１０Ｑは、基板１０４を冷却する冷却部１８Ｆを構成する。
ここで、例えば、乾燥温度Ａは８０〜１５０℃、焼成温度Ｂは３００〜４５０℃、焼成温度Ｃは５００〜６００℃程度である。
【００２６】
このような焼成炉１の維持部１９Ａにおいては、基板１０４に乾燥工程が施され、基板１０４に設けられた構造物に含有される溶剤が除去される。一方、維持部１９Ｂ，１９Ｃにおいては、基板１０４に焼成工程が施され、構造物に含まれるバインダが分解除去される。
このとき、炉室１０Ａ〜１０Ｅの排気部１１は、第１の排気配管路２１に、炉室１０Ｆ〜１０Ｌの排気部１１は、第２の排気配管路２２に連通されているので、乾燥工程において基板１０４から発生したガス（溶剤）は、第１の排気配管路２１により排気され、焼成工程において基板１０４から発生したガス（バインダの分解物）は、第２の排気配管路２２により排気される。
【００２７】
［実施形態の作用効果］
上述の実施形態によれば、例えば、次の作用効果を奏することができる。
（１）本実施形態のプラズマディスプレイパネル１００の製造方法は、所定の温度プロファイルに基づいて基板１０４を熱処理する熱処理工程を含むディスプレイパネルの製造方法であって、熱処理工程は、位置によって温度の異なる加熱空間６Ａと、加熱空間６Ａの空気を排気する複数の排気配管路２１，２２と、を備えた熱処理装置１Ａを用いて実施され、熱処理工程において、加熱空間６Ａの異なる温度帯域に属する位置毎に異なる排気配管路２１，２２を用いて排気を行うので、低温の熱処理により基板１０４から発生したガスと、高温の熱処理により基板１０４から発生したガスと、が排気配管路２１，２２内において混合されることがなく、両者が反応して排気配管路２１，２２を詰まらせる等の問題を防止することができる。
つまり、本発明のディスプレイパネルの製造方法によれば、熱処理工程で発生したガスによる設備トラブルを防止することができる。
また、熱処理装置１Ａが複数の排気配管路２１，２２を備えるので、排気配管路２１，２２の配管を細くしても十分な量の排気を確保することができる。これにより、熱処理装置１Ａのサイズを縮小することができる。
【００２８】
（２）熱処理装置１Ａの加熱空間６Ａは、熱処理工程において基板１０４の温度を昇温させる昇温部１８Ａ，１８Ｂ，１８Ｃを備え、加熱空間６Ａの昇温部１８Ｂにおいて、異なる温度帯域に属する位置毎に異なる排気配管路２１，２２を用いて排気を行うので、低温の熱処理により基板１０４から発生したガスと、高温の熱処理により基板１０４から発生したガスと、が排気配管路２１，２２内において混合することをより確実に防止することができる。
例えば、図５に示すような温度プロファイルに基づいて熱処理工程を実施する場合、構造物に含まれる溶剤は、その多くが炉室１０Ｃ，１０Ｄにおいて除去されるが、熱処理温度が低い等の理由で熱処理が不十分だった場合等には、炉室１０Ｄを過ぎても構造物中に溶剤が残存することがある。この場合、昇温部１８Ｂの低温側、すなわち炉室１０Ｅにおいても構造物から溶剤のガスが発生する。
このような場合でも、本実施形態のプラズマディスプレイパネル１００の製造方法においては、昇温部１８Ｂの低温側（炉室１０Ｅ）と高温側（炉室１０Ｆ）とが、異なる排気配管路２１，２２により排気されるので、低温の熱処理により基板１０４から発生したガス（溶剤）と、高温の熱処理により基板１０４から発生したガス（バインダの分解物）と、の混合を防止することができる。
【００２９】
（３）熱処理工程は、基板１０４を乾燥する乾燥工程と、基板１０４を焼成する焼成工程と、を実施し、乾燥工程において基板１０４から発生したガスは、複数の排気配管路２１，２２のうちの排気配管路２１により排気され、焼成工程において基板１０４から発生したガスは、他の排気配管路２２により排気されるので、乾燥工程において基板１０４から発生したガスと、焼成工程において基板１０４から発生したガスと、が排気配管路２１，２２内において混合されることがなく、両者が反応して排気配管路２１，２２を詰まらせる等の問題を防止することができる。
【００３０】
（４）基板１０４は、溶剤およびバインダを含有する構造物を有し、溶剤は、乾燥工程において構造物から除去され、バインダは、焼成工程において構造物から分解除去されるが、乾燥工程において構造物から発生する溶剤のガスと、焼成工程において構造物から発生するバインダの分解物と、が異なる排気配管路２１，２２により排気されるので、熱処理温度が低い等の理由で熱処理が不十分だった場合等に、十分に分解されていない溶剤とバインダとが混合して、相互に化学反応を起こし、その反応生成物により排気配管路２１，２２が詰まる等の問題を防止することができる。
【００３１】
（５）熱処理装置１Ａの加熱空間６Ａは、連続して設けられそれぞれを異なる温度に設定可能な複数の区画室１０Ｓである炉室１０を備え、複数の炉室１０のそれぞれは、複数の排気配管路２１，２２のいずれか一つに連通され炉室１０内の空気を排気する排気部１１を有し、熱処理工程において、基板１０４は、複数の炉室１０内に順次搬送される。
ここで、熱処理装置１Ａは、従来の連続式の焼成炉１に、新たな排気配管路を追加したものである。したがって、従来の連続式の焼成炉１に、新たな排気配管路を追加するだけで、容易に本発明のディスプレイパネルの製造方法に適用することができる。
また、作業者が行う製造作業自体には何らの変更もないため、作業者は、これまでの製造方法と同様に作業するだけで上述のような作用効果を得ることができる。
【００３２】
［実施形態の変形］
なお、本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲で以下に示される変形をも含むものである。
【００３３】
上述の実施形態において、炉室１０の側壁１４および側壁１５の双方に排気部１１が設けられる構成を例示したが、これに限定されない。
例えば、図６に示すように、側壁１４および側壁１５のいずれか一方にのみ排気部１１を設ける構成としてもよい。このような場合でも、上述の実施形態と同様の優れた作用効果を得ることができる。
【００３４】
上述の実施形態において、焼成温度Ｂ、焼成温度Ｃの２段階で焼成工程を施す熱処理工程を例示したが、これに限定されない。
例えば、図６に示すように、焼成温度Ｂでの維持部１９Ｂを設けず、乾燥温度Ａから焼成温度Ｃまで直線的に基板１０４を昇温させる昇温部１８Ｄを設けてもよい。このような場合でも、昇温部１８Ｄの低温側（炉室１０Ｅ）と高温側（炉室１０Ｆ〜Ｊ）とが、異なる排気配管路２１，２２により排気されるので、低温の熱処理により基板１０４から発生したガスと、高温の熱処理により基板１０４から発生したガスと、の混合を防止することができ、上述の実施形態と同様の優れた作用効果を得ることができる。
【００３５】
上述の実施形態において、熱処理装置１Ａが、二つの排気配管路２１，２２を備える構成を例示したが、これに限定されない。例えば、熱処理装置１Ａは、３つ以上の排気配管路を備える構成としてもよい。このような場合でも、上述の実施形態と同様の優れた作用効果を得ることができる。また、３つ以上の排気配管路を設ければ、熱処理工程の温度プロファイルに対応したより適切な排気経路を設定することができ、基板１０４から発生した様々なガスの混合を確実に防止することができる。
【００３６】
上述の実施形態において、カート式の基板搬送手段を備える熱処理装置１Ａを例示したが、これに限らず、例えば、ローラ式の基板搬送手段を備える熱処理装置１Ａを用いてもよい。このような場合でも、上述の実施形態と同様の優れた効果を得ることができる。
上述の実施形態において、構造物を有する基板１０４に熱処理を施す熱処理工程を例示したが、これに限定されない。例えば、熱処理工程は、構造物を有さない基板１０４自体に熱処理を施すものであってもよい。このような場合でも、上述の実施形態と同様の優れた効果を得ることができる。
【００３７】
［実施形態の作用効果］
上記実施形態では、プラズマディスプレイパネル１００の製造方法は、所定の温度プロファイルに基づいて基板１０４を熱処理する熱処理工程を含み、熱処理工程は、位置によって温度の異なる加熱空間６Ａと、加熱空間６Ａの空気を排気する複数の排気配管路２１，２２と、を備えた熱処理装置１Ａを用いて実施され、熱処理工程において、加熱空間６Ａの異なる温度帯域に属する位置毎に異なる排気配管路２１，２２を用いて排気を行うので、低温の熱処理により基板１０４から発生したガスと、高温の熱処理により基板１０４から発生したガスと、が排気配管路２１，２２内において混合されることがなく、両者が反応して排気配管路２１，２２を詰まらせる等の問題を防止することができる。
また、熱処理装置１Ａが複数の排気配管路２１，２２を備えるので、排気配管路２１，２２の配管を細くしても十分な量の排気を確保することができる。これにより、熱処理装置１Ａのサイズを縮小することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】従来の連続式の焼成炉の模式図および熱処理の温度プロファイルを示す図。
【図２】本発明の実施形態に係るプラズマディスプレイパネルの内部構造を示す図。
【図３】本発明の実施形態の熱処理工程に用いる熱処理装置の概略構成を示す図。
【図４】本発明の実施形態の熱処理工程に用いる熱処理装置の炉室およびカートの断面図。
【図５】本発明の実施形態の熱処理工程に用いる熱処理装置の模式図および熱処理の温度プロファイルを示す図。
【図６】本発明の実施形態に係るディスプレイパネルの製造方法の変形例において熱処理工程に用いる熱処理装置の模式図および熱処理の温度プロファイルを示す図。
【符号の説明】
【００３９】
１Ａ  熱処理装置
６Ａ  加熱空間
１０    炉室
１０Ｓ  区画室
１１    排気部
１８Ａ，１８Ｂ，１８Ｃ，１８Ｄ  昇温部
１９Ａ，１９Ｂ，１９Ｃ  維持部
２０，２１，２２  排気配管路
１０４    基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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