(57)【要約】【課題】ノイズの放射を抑制することができる信頼性の高いインバータ装置を提供することを目的とする。【解決手段】スイッチング素子６を有する力率改善回路８と、力率改善回路８の出力に接続されたインバータ回路１０とを備え、インバータ回路１０の高電位側、低電位側のスイッチング素子１１、１２は、それぞれ第１、第２のヒートシンク１３、１４に熱的に結合し、スイッチング素子６は、スイッチング素子に接続される基板のパターンとともにとともに第３のヒートシンク１８に熱的に結合してその下面に設置したものである。これによって、特に、ハードスイッチング制御で動作するスイッチング素子６とその基板に接続されるパターンはヒートシンク１８によるシールド効果によってノイズの放射が抑制され、同基板の制御回路部に与えるノイズや、放射される輻射ノイズの増大を防止できる。【選択図】図１
2008099450.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
商用電源整流後に接続され、少なくとも１つ以上のスイッチング素子によって力率を改善すると同時に商用電源電圧以上の電圧に昇圧する力率改善回路と、前記力率改善回路の出力に接続され、負荷に高周波電力を供給するインバータ回路とを備え、前記インバータ回路は高電位側スイッチング素子と低電位側スイッチング素子を有するハーフブリッジ回路を有し、前記高電位側スイッチング素子および前記低電位側スイッチング素子は、それぞれ第１、第２のヒートシンクに熱的に結合し、前記力率改善回路のスイッチング素子は、スイッチング素子に接続される基板のパターンとともに第３のヒートシンクに熱的に結合して第３のヒートシンクの下面に設置したインバータ装置。
【請求項２】
商用電源整流後に接続され、少なくとも１つ以上のスイッチング素子によって力率を改善すると同時に商用電源電圧以上の電圧に昇圧する力率改善回路と、前記力率改善回路の出力に接続され、負荷に高周波電力を供給するインバータ回路とを備え、前記インバータ回路は高電位側スイッチング素子と低電位側スイッチング素子を有するハーフブリッジ回路を有し、前記高電位側スイッチング素子および前記低電位側スイッチング素子は、それぞれ第１、第２のヒートシンクに熱的に結合し、前記力率改善回路のスイッチング素子は、電気的に絶縁された第３のヒートシンクに熱的に結合したインバータ装置。
【請求項３】
商用電源整流後に接続され、少なくとも１つ以上のスイッチング素子によって力率を改善すると同時に商用電源電圧以上の電圧に昇圧する力率改善回路と、前記力率改善回路の出力に接続され、負荷に高周波電力を供給するインバータ回路とを備え、前記インバータ回路は高電位側スイッチング素子と低電位側スイッチング素子を有するハーフブリッジ回路を有し、前記高電位側スイッチング素子および前記低電位側スイッチング素子は、それぞれ第１、第２のヒートシンクに熱的に結合し、前記力率改善回路のスイッチング素子は、スイッチング素子に接続される基板のパターンとともに電気的に絶縁された第３のヒートシンクの下面に熱的に結合して設置したインバータ装置。
【請求項４】
第１のヒートシンクと第３のヒートシンクを一体化して同一のヒートシンクとし、このヒートシンクにインバータ回路の高電位側スイッチング素子と力率改善回路のスイッチング素子を熱的に結合させ、電気的には力率改善回路のスイッチング素子のみを絶縁するように接続した請求項１〜３のいずれか１項に記載のインバータ装置。
【請求項５】
第２のヒートシンクと第３のヒートシンクを一体化して同一のヒートシンクとし、このヒートシンクにインバータ回路の低電位側スイッチング素子と力率改善回路のスイッチング素子を熱的に結合させ、電気的には力率改善回路のスイッチング素子のみを絶縁するように接続した請求項１〜３のいずれか１項に記載のインバータ装置。
【請求項６】
第１〜第３のヒートシンクを一体化して同一のヒートシンクとし、このヒートシンクにインバータ回路の高電位側、低電位側スイッチング素子と力率改善回路のスイッチング素子を熱的に結合させ、電気的にはインバータ回路のどちらか一方のスイッチング素子と力率改善回路のスイッチング素子を絶縁するように接続した請求項１〜３のいずれか１項に記載のインバータ装置。
【請求項７】
第３のヒートシンクを第１、２のヒートシンクより投影面積で見て小さくする請求項１に記載のインバータ装置。
【請求項８】
第３のヒートシンクを第１、２のヒートシンクより投影面積で見て大きくする請求項２に記載のインバータ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、誘導加熱調理器や、誘導加熱式の湯沸かし器、加湿器あるいはアイロン、エアコンなどのインバータ装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来使用されている誘導加熱調理器のインバータ装置は、そのスイッチング素子を冷却するためにヒートシンクと接続している（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平９−１３５７７２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、前記従来の構成では、スイッチング素子の制御方法として、力率改善回路のスイッチング素子はハードスイッチング制御され、インバータ回路のスイッチング素子はソフトスイッチング制御されている。このようにハードスイッチング制御とソフトスイッチング制御が混在している中で、スイッチング素子それぞれにヒートシンクが熱的に接続され、さらに冷却能力を向上させるため、電気的に絶縁することなく接続すると、ヒートシンク自体がスイッチング素子の高電位電圧（コレクタまたはドレイン電圧）と同じ電位となっている。それぞれのスイッチング素子が異なったスイッチング電圧値また周波数で動作することでヒートシンク自体がそれぞれノイズの発振源となってしまい、またスイッチング素子に接続される基板のパターンからのノイズの放射も大きくなってしまうため、同基板の制御回路部に与えるノイズや、機器から放射される輻射ノイズが増大するという課題を有していた。
【０００４】
本発明は、前記従来の課題を解決するものであり、ノイズの放射を抑制することができる信頼性の高いインバータ装置を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
前記従来の課題を解決するために、本発明のインバータ装置は、商用電源整流後に接続され、少なくとも１つ以上のスイッチング素子によって力率を改善すると同時に商用電源電圧以上の電圧に昇圧する力率改善回路と、前記力率改善回路の出力に接続され、負荷に高周波電力を供給するインバータ回路とを備え、前記インバータ回路は高電位側スイッチング素子と低電位側スイッチング素子を有するハーフブリッジ回路を有し、前記高電位側スイッチング素子および前記低電位側スイッチング素子は、それぞれ第１、第２のヒートシンクに熱的に結合し、前記力率改善回路のスイッチング素子は、スイッチング素子に接続される基板のパターンとともにとともに第３のヒートシンクに熱的に結合して第３のヒートシンクの下面に設置したものである。
【０００６】
これによって、特に、ハードスイッチング制御で動作するスイッチング素子とその基板に接続されるパターンをヒートシンク下に設置したため、ヒートシンクによるシールド効果によってノイズの放射が抑制され、同基板の制御回路部に与えるノイズや、放射される輻射ノイズの増大を防止できる信頼性の高いインバータ装置とすることができる。
【発明の効果】
【０００７】
本発明のインバータ装置は、ノイズの放射を抑制することができる信頼性の高いインバータ装置が提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
第１の発明は、商用電源整流後に接続され、少なくとも１つ以上のスイッチング素子によって力率を改善すると同時に商用電源電圧以上の電圧に昇圧する力率改善回路と、前記力率改善回路の出力に接続され、負荷に高周波電力を供給するインバータ回路とを備え、前記インバータ回路は高電位側スイッチング素子と低電位側スイッチング素子を有するハーフブリッジ回路を有し、前記高電位側スイッチング素子および前記低電位側スイッチング素子は、それぞれ第１、第２のヒートシンクに熱的に結合し、前記力率改善回路のスイッチング素子は、スイッチング素子に接続される基板のパターンとともに第３のヒートシンクに熱的に結合して第３のヒートシンクの下面に設置したことにより、ヒートシンクによるシールド効果によってノイズの放射が抑制されるため、同基板の制御回路部に与えるノイズや、放射される輻射ノイズの増大を防止できる効果を有している。
【０００９】
第２の発明は、商用電源整流後に接続され、少なくとも１つ以上のスイッチング素子によって力率を改善すると同時に商用電源電圧以上の電圧に昇圧する力率改善回路と、前記力率改善回路の出力に接続され、負荷に高周波電力を供給するインバータ回路とを備え、前記インバータ回路は高電位側スイッチング素子と低電位側スイッチング素子を有するハーフブリッジ回路を有し、前記高電位側スイッチング素子および前記低電位側スイッチング素子は、それぞれ第１、第２のヒートシンクに熱的に結合し、前記力率改善回路のスイッチング素子は、電気的に絶縁された第３のヒートシンクに熱的に結合したことにより、ヒートシンク自体から放射されるノイズが抑制されるため、同基板の制御回路部に与えるノイズや、放射される輻射ノイズの増大を防止できる。
【００１０】
第３の発明は、商用電源整流後に接続され、少なくとも１つ以上のスイッチング素子によって力率を改善すると同時に商用電源電圧以上の電圧に昇圧する力率改善回路と、前記力率改善回路の出力に接続され、負荷に高周波電力を供給するインバータ回路とを備え、前記インバータ回路は高電位側スイッチング素子と低電位側スイッチング素子を有するハーフブリッジ回路を有し、前記高電位側スイッチング素子および前記低電位側スイッチング素子は、それぞれ第１、第２のヒートシンクに熱的に結合し、前記力率改善回路のスイッチング素子は、スイッチング素子に接続される基板のパターンとともに電気的に絶縁された第３のヒートシンクの下面に熱的に結合して設置したことにより、より一層、ノイズの放射を抑制することができる信頼性の高いインバータ装置が提供できる。
【００１１】
第４の発明は、特に、第１〜第３のいずれか１つの発明において、インバータ回路の高電位側スイッチング素子と力率改善回路のスイッチング素子を同一ヒートシンクに熱的に結合させ、電気的には力率改善回路のスイッチング素子だけ絶縁するように接続することにより、ハードスイッチング制御によるノイズの放射が抑制されるため、同基板の制御回路部に与えるノイズや、放射される輻射ノイズの増大を防止できる。
【００１２】
第５の発明は、特に、第１〜第３のいずれか１つの発明において、インバータ回路の低電位側スイッチング素子と力率改善回路のスイッチング素子を同一ヒートシンクに熱的に結合させ、電気的には力率改善回路のスイッチング素子だけ絶縁するように接続することにより、ハードスイッチング制御によるノイズの放射が抑制されるため、同基板の制御回路部に与えるノイズや、放射される輻射ノイズの増大を防止できる。
【００１３】
第６の発明は、特に、第１〜第３のいずれか１つの発明において、インバータ回路の高電位側、低電位側スイッチング素子と力率改善回路のスイッチング素子を同一ヒートシンクに熱的に結合させ、電気的にはインバータ回路のどちらか一方のスイッチング素子と力率改善回路のスイッチング素子を絶縁するように接続することにより、ハードスイッチング制御によるノイズの放射が抑制されるため、同基板の制御回路部に与えるノイズや、放射される輻射ノイズの増大を防止できる。
【００１４】
第７の発明は、特に、第１の発明において、第３のヒートシンクを第１、２のヒートシンクより投影面積で見て小さくすることにより、第３のヒートシンクの投影面積が小さくノイズの放射が抑制されるため、基板の制御回路部に与えるノイズや、放射される輻射ノイズの増大を防止できる。
【００１５】
第８の発明は、特に、第２の発明において、第３のヒートシンクを第１、２のヒートシンクより投影面積で見て大きくすることにより、第３のヒートシンクの放熱効果が大きく基板の制御回路部に与えるノイズや、放射される輻射ノイズの増大を防止できる。
【００１６】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。なお、この実施の形態によって本発明が限定されることはない。
【００１７】
（実施の形態）
図１、図２は、本発明の実施の形態におけるインバータ装置を備えた誘導加熱装置の回路構成を示すものである。
【００１８】
図１において、電源１は２００Ｖ商用電源であり、ダイオードブリッジからなる整流手段２と、第１の平滑コンデンサ３とチョークコイル４とダイオード５とＭＯＳＦＥＴよりなるスイッチング素子６と力率改善制御手段７からなる力率改善回路８によって商用電源を昇圧した直流に変換し、第２の平滑コンデンサ９に蓄電しつつ商用電源の力率を１に近くなるように制御を行う。
【００１９】
鍋などの負荷に高周波電力を供給するインバータ回路１０は、ハーフブリッジ回路を有し、高電位側スイッチング素子１１と低電位側スイッチング素子１２とを有している。高電位側スイッチング素子１１、低電位側スイッチング素子１２は冷却する目的でそれぞれ第１、第２のヒートシンク１３、１４に熱的に結合されている。また、高電位側スイッチング素子１１と低電位側スイッチング素子１２は制御手段１５で制御され、このインバータ回路１０により高周波に変換され、高周波磁界を加熱コイル１６に発生させる。
【００２０】
共振コンデンサ１７は、加熱コイル１６とともに直列の共振回路を構成している。さらにまた力率改善回路８のダイオード５とスイッチング素子６も冷却する目的で第３のヒートシンク１８に熱的に結合されている。冷却能力を向上させる目的と、スイッチング素子はそれぞれ異なった電位を有しているので、絶縁する目的のため、それぞれ独立してヒートシンクと接続されている。
【００２１】
スイッチング素子の制御方法としては、インバータ回路１０のスイッチング素子１１、１２についてはソフトスイッチング制御であり、力率改善回路８のスイッチング素子６についてはハードスイッチング制御となっている。図２（ａ）に示すように、ソフトスイッチング制御で動作しているスイッチング素子１１、１２については、スイッチング素子１１、１２を立てる構成でヒートシンク１３、１４と接続して基板面積を有効活用し、ハードスイッチング制御で動作しているスイッチング素子６は寝かせて第３のヒートシンク１８と接続している。つまり、図２（ｂ）に示すように、第３のヒートシンク１８の側面形状は逆Ｕ字状であり、その天井内面の下面に、スイッチング素子６とこれに接続されるパターンも設置する構成としている。また、第３のヒートシンク１８は、電気的に絶縁されたものである。
【００２２】
以上のように、本実施の形態においては、ハードスイッチング制御で動作しているスイッチング素子６は寝かせてヒートシンク１８と接続させる、つまりヒートシンク１８の下面に設置することで、スイッチング素子６に接続される基板のパターンも第３のヒートシンク１８の下に潜り込む構成となることで、スイッチング素子６に接続されるパターンからのノイズの放射を抑制することができ、同基板の制御回路部に与えるノイズや、機器から放射される輻射ノイズを抑制することができる。
【００２３】
また、本実施の形態のハードスイッチング制御で動作するスイッチング素子６を電気的に絶縁させたヒートシンク１８に接続する構成をとることで、スイッチング素子６に接続されるパターンからのノイズの放射を抑制することに加え、ヒートシンク１８から放射されるノイズを抑制することができ、同基板の制御回路部に与えるノイズや、機器から放射される輻射ノイズを抑制することができる。
【００２４】
また、スイッチング素子６をヒートシンク１８の下面に設置することに加え、スイッチング素子６を電気的に絶縁させたヒートシンク１８に接続する構成をとることで、より一層、ノイズの放射を抑制することができる信頼性の高いインバータ装置が提供できる。
【００２５】
また、インバータ回路１０の高電位側スイッチング素子１１と力率改善回路８のスイッチング素子６を同一ヒートシンクに熱的に結合させ、電気的には力率改善回路８のスイッチング素子６だけ絶縁するように接続することにより、ハードスイッチング制御によるノイズの放射が抑制されるため、同基板の制御回路部に与えるノイズや、放射される輻射ノイズの増大を防止できる。
【００２６】
また、インバータ回路１０の低電位側スイッチング素子１２と力率改善回路８のスイッチング素子６を同一ヒートシンクに熱的に結合させ、電気的には力率改善回路８のスイッチング素子６だけ絶縁するように接続することにより、ハードスイッチング制御によるノイズの放射が抑制されるため、同基板の制御回路部に与えるノイズや、放射される輻射ノイズの増大を防止できる。
【００２７】
また、インバータ回路１０の高電位側、低電位側スイッチング素子１１、１２と力率改善回路８のスイッチング素子６を同一ヒートシンクに熱的に結合させ、電気的にはインバータ回路１０のどちらか一方のスイッチング素子と力率改善回路のスイッチング素子６を絶縁するように接続することにより、ハードスイッチング制御によるノイズの放射が抑制されるため、同基板の制御回路部に与えるノイズや、放射される輻射ノイズの増大を防止できる。
【００２８】
また、第３のヒートシンク１８を第１、２のヒートシンク１３、１４より投影面積で見て小さくすることにより、第３のヒートシンク１８の投影面積が小さくノイズの放射が抑制されるため、基板の制御回路部に与えるノイズや、放射される輻射ノイズの増大を防止できる。
【００２９】
また、第３のヒートシンク１８を第１、２のヒートシンク１３、１４より投影面積で見て大きくすることにより、第３のヒートシンク１８の放熱効果が大きく基板の制御回路部に与えるノイズや、放射される輻射ノイズの増大を防止できる。
【００３０】
上記した実施の形態の各構成は、必要に応じて適宜組み合わせて使用することができるものであり、実施の形態そのものの構成に限定されるものではない。
【産業上の利用可能性】
【００３１】
以上のように、本発明にかかるインバータ装置は、ノイズの放射を抑制することができる信頼性の高いインバータ装置が提供できるので、誘導加熱調理器や、誘導加熱式の湯沸かし器、加湿器あるいはアイロン、エアコンなどのインバータ装置に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】本発明の実施の形態におけるインバータ装置の回路構成図
【図２】（ａ）同インバータ装置のインバータ回路における高電位側、低電位側のスイッチング素子をヒートシンクに取り付けた状態を示す側面図（ｂ）同インバータ装置の力率改善回路におけるスイッチング素子をヒートシンクに取り付けた状態を一部きり欠いて示す平面図
【符号の説明】
【００３３】
１  商用電源
５  ダイオード
６  スイッチング素子
８  力率改善回路
１０  インバータ回路
１１  高電位側スイッチング素子
１２  低電位側スイッチング素子
１３  第１のヒートシンク
１４  第２のヒートシンク
１８  第３のヒートシンク
【図１】
2008099450.tif 000003
【図２】
2008099450.tif 000004