(57)【要約】【課題】白色光の色の偏りを抑制可能な半導体白色発光素子及び半導体白色発光素子の製造方法を提供する。【解決手段】半導体白色発光素子２は、青色発光層１５と、黄色変換層１８とを備えている。青色発光層１５は、青色光を発光するためのものである。黄色変換層１８は、半導体（ＡｌＧａＩｎＰ層）からなり、青色発光層１５により発光された青色光を黄色光に変換するためのものであって、ｐ型コンタクト層１７上に貼り付けられている。また、青色発光層１５及び黄色変換層１８は別々の基板１１、２５に形成された後、熱圧着によって貼り付けられている。【選択図】図２
2008147419.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光層と、
前記発光層により発光された光を異なる波長の光に変換するためのものであって半導体からなる光変換層とを備えたことを特徴とする半導体白色発光素子。
【請求項２】
前記光変換層は、前記発光層よりも光の照射側に貼り付けられていることを特徴とする  請求項１に記載の半導体白色発光素子。
【請求項３】
前記発光層は、青色発光層を有し、
前記光変換層は、発光層からの光を黄色光に変換するための黄色変換層を有することを特徴とする請求項１又は２のいずれか１項に記載の半導体白色発光素子。
【請求項４】
前記発光層は、青色発光層を有し、
前記光変換層は、発光層からの光を赤色光に変換するための赤色変換層及び発光層からの光を緑色光に変換するための緑色変換層を有することを特徴とする請求項１又は２のいずれか１項に記載の半導体白色発光素子。
【請求項５】
前記発光層は、青色発光層及び緑色発光層を有し、
前記光変換層は、発光層からの光を赤色光に変換するための赤色変換層を有することを特徴とする請求項１又は２のいずれか１項に記載の半導体白色発光素子。
【請求項６】
発光層を含む第１半導体層を第１基板上に成長させる第１半導体層成長工程と、
前記発光層により発光された光を変換するための光変換層を含む第２半導体層を第２基板上に成長させる第２半導体層成長工程と、
前記第１半導体層と前記第２半導体層とを貼り付ける貼付工程とを備えたことを特徴とする半導体白色発光素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、白色光を照射するための半導体白色発光素子及び半導体白色発光素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体発光素子を備え、異なる色の光を混色させて白色光を発光させることが可能な半導体白色発光装置が知られている。
【０００３】
例えば、特許文献１には、赤色光を発光可能な赤色発光層及び青色光を発光可能な青色発光層を有する半導体発光素子と、黄緑色光を照射できる蛍光体を含むパッケージとを備えた半導体白色発光装置が開示されている。
【０００４】
この半導体白色発光装置では、半導体発光素子に電流が供給されると、赤色発光層及び青色発光層からそれぞれ赤色光及び青色光が発光される。そして、赤色光は、パッケージをそのまま透過して外部へと照射される。一方、青色光は、一部はそのまま透過して外部へ照射され、残りの一部は蛍光体によって黄緑色光に変換された後、外部へと照射される。これによって、赤色光、青色光及び黄緑色光の３色が混色されて白色光が外部へと照射される。
【特許文献１】特開２００５−２１７３８６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上述した特許文献１の半導体白色発光装置では、黄緑色光を蛍光体により発光させているが、パッケージ内に混入させる蛍光体の分量によって黄緑色光の光量を制御することは容易ではなく、また、パッケージ内に均一に蛍光体を分散させることも容易ではない。このため、外部へ照射される白色光に色の偏りが生じるとといった課題がある。
【０００６】
本発明は、上述した課題を解決するために創案されたものであり、白色光の色の偏りを抑制可能な半導体白色発光素子及び半導体白色発光素子の製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、請求項１に記載の発明は、発光層と、前記発光層により発光された光を異なる波長の光に変換するためのものであって半導体からなる光変換層とを備えたことを特徴とする半導体白色発光素子である。
【０００８】
また、請求項２に記載の発明は、前記光変換層は、前記発光層よりも光の照射側に貼り付けられていることを特徴とする  請求項１に記載の半導体白色発光素子である。
【０００９】
また、請求項３に記載の発明は、前記発光層は、青色発光層を有し、前記光変換層は、発光層からの光を黄色光に変換するための黄色変換層を有することを特徴とする請求項１又は２のいずれか１項に記載の半導体白色発光素子である。
【００１０】
また、請求項４に記載の発明は、前記発光層は、青色発光層を有し、前記光変換層は、発光層からの光を赤色光に変換するための赤色変換層及び発光層からの光を緑色光に変換するための緑色変換層を有することを特徴とする請求項１又は２のいずれか１項に記載の半導体白色発光素子である。
【００１１】
また、請求項５に記載の発明は、前記発光層は、青色発光層及び緑色発光層を有し、前記光変換層は、発光層からの光を赤色光に変換するための赤色変換層を有することを特徴とする請求項１又は２のいずれか１項に記載の半導体白色発光素子である。
【００１２】
また、請求項６に記載の発明は、発光層を含む第１半導体層を第１基板上に成長させる第１半導体層成長工程と、前記発光層により発光された光を変換するための光変換層を含む第２半導体層を第２基板上に成長させる第２半導体層成長工程と、前記第１半導体層と前記第２半導体層とを貼り付ける貼付工程とを備えたことを特徴とする半導体白色発光素子の製造方法である。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の半導体白色発光素子によれば、光変換層を備えているので、発光層から発光された光を異なる波長の光に変換することができる。ここで、光変換層は半導体からなるので、膜厚などによって、発光層から発光された光のうち、透過させてそのまま外部へ照射させる光の光量や、光変換層によって変換される光の光量を設定できる。これにより、白色光を生成するために必要な複数の色の光の比率を容易に設定できるので、外部へ照射される白色光が特定の色に偏ることを抑制することができる。また、光変換層を半導体により構成することにより、容易に膜厚を均一にすることができるので、これによっても白色光の色の偏りを抑制することができる。
【００１４】
また、光変換層を貼り付けにより設置しているので、発光層と光変換層とをそれぞれ別の基板に形成することができる。これにより、発光層を含む半導体層と光変換層との格子定数が異なっても、それぞれの結晶性を向上させることができる。
【００１５】
また、発光層に青色発光層を設け、光変換層に黄色変換層を設けることによって、光変換層を黄色変換層からなる単層にすることができるので、構成を簡単化することができる。
【００１６】
また、発光層に青色発光層を設け、光変換層に赤色変換層及び緑色変換層を設けることにより、青色光、赤色光及び緑色光の３色を混色させて白色光を生成できるので、白色光の色の偏りをより抑制できる。
【００１７】
また、発光層に青色発光層及び緑色発光層を設け、光変換層に赤色変換層を設けることにより、青色光、緑色光及び赤色光の３色を混色させて白色光を生成できるので、白色光の色の偏りをより抑制できる。更に、発光層に青色発光層及び緑色発光層を設けることにより、青色光及び緑色光の光量を向上させることができるので、外部へ照射される白色光の光量を向上させることができる。
【００１８】
本発明の半導体白色発光素子の製造方法によれば、発光層を含む第１半導体層と光変換層を含む第２半導体層とを別々の基板上に成長させた後、貼り付けているので、第１半導体層及び第２半導体層の格子定数の違いなどに影響を受けることなくそれぞれを成長させることができる。これにより、各半導体層の結晶性を向上させることができる。また、光変換層を半導体により構成することによって、光変換層を透過する光の光量や変換される光の光量を膜厚などによって容易に制御できるので、白色光の色の偏りを抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、図面を参照して本発明による半導体白色発光素子を備えた第１実施形態を説明する。図１は、本発明の第１実施形態による半導体白色発光装置の概略図である。図２は、半導体白色発光素子の断面図である。図３は、半導体白色発光素子の発光層の断面図である。
【００２０】
図１に示すように、半導体白色発光装置１は、半導体白色発光素子２と、パッケージ３と、支持部材４と、外部端子５とを備えている。
【００２１】
図２に示すように、半導体白色発光素子２は、サファイア基板１１上に、バッファー層１２と、ｎ型コンタクト層１３と、ｎ型クラッド層１４と、青色発光層１５と、ｐ型クラッド層１６と、ｐ型コンタクト層１７と、黄色変換層１８とが順に積層されている。また、半導体白色発光素子２は、外部と電気的に接続するための一対のｐ側電極１９とｎ側電極２０とを備えている。
【００２２】
バッファー層１２は、約２００Åの厚みを有するＡｌＮからなる。ｎ型コンタクト層１３は、約４μｍの厚みを有し、ｎ型のドーパントとしてＳｉがドープされたｎ型ＧａＮ層からなる。ｎ型コンタクト層１３の上面の一部が露出するようにｎ型コンタクト層１３よりも上層の各層１４〜１９がエッチングされている。ｎ型クラッド層１４は、約３００ｎｍの厚みを有し、ｎ型のドーパントとしてＳｉがドープされたｎ型ＡｌＧａＮ層からなる。尚、Ａｌ及びＧａ内でのＡｌの比率は、約５％〜約２０％に構成されている。
【００２３】
青色発光層１５は、青色光（波長約４３０ｎｍ〜約４９０ｎｍ）を発光するためのものである。青色発光層１５は、井戸層１５ａとバリア層１５ｂとが交互に周期的に８ペア積層されたＭＱＷ構造を有する。井戸層１５ａは、約３ｎｍの厚みを有し、ＩｎとＧａ内でのＩｎの比率が約１０％〜約２５％のＩｎＧａＮ層からなる。バリア層１５ｂは、約１０ｎｍの厚みを有し、ＡｌとＧａ内でのＡｌの比率が約２５％以下のＡｌＧａＮ層からなる。
【００２４】
ｐ型クラッド層１６は、約１００ｎｍの厚みを有し、ｐ型のドーパントしてＭｇがドープされたｐ型ＡｌＧａＮ層からなる。尚、Ａｌ及びＧａ内でのＡｌの比率は、約５％〜約２０％に構成されている。ｐ型コンタクト層１７は、約２００ｎｍの厚みを有し、ｐ型のドーパントとしてＭｇがドープされたｐ型ＧａＮ層からなる。
【００２５】
黄色変換層１８は、青色発光層１５から発光された青色光を黄色光（波長約５６０ｎｍ〜約６１０ｎｍ）に変換するためのものである。黄色変換層１８は、約１０ｎｍ〜約５００ｎｍの厚みを有し、ｐ型のドーパントしてＺｎがドープされたｐ型（Ａｌ０．２Ｇａ０．８）０．５Ｉｎ０．５Ｐ層からなる。
【００２６】
ｐ側電極１９は、黄色変換層１８とオーミック接続された約３０００ｎｍの厚みを有するＴｉ／Ａｕの積層構造からなる。ｎ側電極２０は、ｎ型コンタクト層１３の露出した上面とオーミック接続されている。ｎ側電極２０は、約２５００ｎｍの厚みを有するＡｌ／Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕの積層構造からなる。
【００２７】
パッケージ３は、光を透過可能な合成樹脂からなり、半導体白色発光素子２を保護するためのものである。
【００２８】
支持部材４は、半導体白色発光素子２を支持するためのものであり、導体からなる。また、支持部材４は、ｎ側電極２０とワイヤ７によって接続され、外部端子４ａを介して半導体白色発光素子２のｎ側電極２０と外部とを電気的に接続する。
【００２９】
外部端子５は、導体からなり、ワイヤ８を介して半導体白色発光素子２のｐ側電極１９と外部とを電気的に接続するためのものである。
【００３０】
次に、上述した半導体白色発光装置１の動作説明をする。
【００３１】
まず、外部端子４ａ、５を介して外部から電流が供給されると、ホールがｐ側電極１９から注入され、電子がｎ側電極２０から注入される。その後、ホールは黄色変換層１８、ｐ型コンタクト層１７及びｐ型クラッド層１６を介して青色発光層１５に注入される。一方、電子は、ｎ型コンタクト層１３及びｎ型クラッド層１４を介して青色発光層１５に注入される。そして、ホール及び電子は、青色発光層１５において結合し、青色光を発光する。
【００３２】
発光された青色光は、ｐ型クラッド層１６及びｐ型コンタクト層１７を透過して黄色変換層１８に入射する。黄色変換層１８に入射した青色光のうち一部は、黄色変換層１８及びパッケージ３を透過して青色光のまま外部へ照射され、残りの青色光は黄色変換層１８によって黄色光に変換された後、パッケージ３を透過して外部へ照射される。この結果、外部へ照射された青色光及び黄色光が混色されて白色光となる。
【００３３】
次に、上述した半導体白色発光装置の製造方法について説明する。図４〜図６は、半導体白色発光素子の製造工程を説明するための断面図である。
【００３４】
まず、サファイア基板（請求項６の第１基板に相当）１１をＭＯＣＶＤ装置に導入し、基板温度を約５００℃〜約１１００℃に設定する。
【００３５】
次に、図４に示すように、キャリアガス（Ｈ２ガス）によってトリメチルアルミニウム（以下、ＴＭＡ）及びアンモニアを供給して、サファイア基板１１上にＡｌＮからなるバッファー層１２を形成する。
【００３６】
次に、キャリアガスによってトリメチルガリウム（以下、ＴＭＧ）、アンモニア及びシランを供給して、シリコンがドープされたｎ型ＧａＮ層からなるｎ型コンタクト層１３を形成する。
【００３７】
次に、キャリアガスによってＴＭＧ、ＴＭＡ、アンモニア及びシランを供給して、シリコンがドープされたｎ型ＡｌＧａＮ層からなるｎ型クラッド層１４を形成する。
【００３８】
次に、キャリアガスによってＴＭＧ、トリメチルインジウム（以下、ＴＭＩ）及びアンモニアを供給してＩｎＧａＮ層からなる井戸層１５ａを形成する。その後、ＴＭＩをＴＭＡに切り換えてＡｌＧａＮ層からなるバリア層１５ｂを形成する。このようにして井戸層１５ａ及びバリア層１５ｂを交互に８ペア成長させて、青色発光層１５を形成する。
【００３９】
次に、キャリアガスによってＴＭＧ、ＴＭＡ、アンモニア及びビスシクロペンタジエニルマグネシウム（以下、Ｃｐ２Ｍｇ）を供給して、Ｍｇがドープされたｐ型ＡｌＧａＮ層からなるｐ型クラッド層１６を形成する。
【００４０】
次に、キャリアガスによってＴＭＧ、アンモニア及びＣｐ２Ｍｇを供給して、Ｍｇがドープされたｐ型ＧａＮ層からなるｐ型コンタクト層１７を形成する。尚、バッファー層１２〜ｐ型コンタクト層１７が請求項６の第１半導体層に相当する。
【００４１】
次に、ＧａＡｓ基板（請求項６の第２基板に相当）２５をＭＯＣＶＤ装置に導入し、基板温度を約６００℃〜約８００℃に設定する。その後、図５に示すように、キャリアガスによってＴＭＧ及びアルシンを供給して、ＧａＡｓ基板２５上にＧａＡｓからなる厚さ約５００ｎｍ以下のバッファー層２６を形成した後、キャリアガスによってＴＭＡ、ＴＭＩ、ＴＭＧ、ホスフィン及びジメチルジンクを供給して、Ｚｎがドープされたｐ型（Ａｌ０．２Ｇａ０．８）０．５Ｉｎ０．５Ｐ層からなる黄色変換層１８を形成する。更に、黄色変換層１８上にＧａＡｓからなるキャップ層（図示略）を形成する。尚、バッファー層２６、黄色変換層１８及びキャップ層が請求項６の第２半導体層に相当する。
【００４２】
次に、図６に示すように、チャンバー内において、サファイア基板１１上に形成されたｐ型コンタクト層１７上に、ＧａＡｓ基板２５上に形成された黄色変換層１８をキャップ層を介して設置する。その後、チャンバー内を約１．０×１０−１Ｐａ以下の気圧に設定した状態で、温度を約２００℃〜約１０００℃まで昇温して、ｐ型コンタクト層１７と黄色変換層１８とを熱圧着により貼り付ける。
【００４３】
次に、ＧａＡｓ基板２５を研磨により数百μｍ除去した後、アンパー液などを用いたウェットエッチングにより黄色変換層１８が露出するまでＧａＡｓ基板２５及びバッファー層２６を除去する。
【００４４】
次に、ｎ型コンタクト層１３が露出するように黄色変換層１８〜ｎ型クラッド層１４の一部をエッチングによって除去する。
【００４５】
次に、ｐ側電極１９及びｎ側電極２０を順次形成した後、各半導体白色発光素子２に分割して、半導体白色発光素子２が完成する。
【００４６】
次に、半導体白色発光素子２を支持部材４に接着した後、半導体白色発光素子２と支持部材４及び外部端子５とをワイヤボンディングする。最後に、パッケージ３によって半導体白色発光素子２などを被覆して半導体白色発光装置１が完成する。
【００４７】
上述したように第１実施形態における半導体白色発光素子２では、黄色変換層１８によって、青色発光層１５から発光された青色光の一部を透過させ、一部を黄色光に変換させて白色光を生成している。ここで黄色変換層１８は半導体（ＡｌＩｎＧａＰ層）からなるので、膜厚などによって、青色発光層１５から発光された光のうち、透過させて外部へ照射する青色光の光量や、変換される黄色光の光量を容易に設定することができる。これにより、白色光を生成するための青色光と黄色光との比率を容易に設定することができるので、白色光の色の偏りを抑制することができる。また、黄色変換層１８を半導体により構成することにより、容易に膜厚を均一にすることができるので、これによっても白色光の色の偏りを抑制することができる。
【００４８】
また、パッケージ３内に蛍光体を混入しないことにより、蛍光体を均一に混入させる必要がないので、パッケージ３で半導体白色発光素子２を被覆する工程を簡略化することができる。
【００４９】
また、青色発光層１５と黄色変換層１８とを別々の基板１１、２５に形成した後、黄色変換層１８を貼り付けによりｐ型コンタクト層１７上に設置しているので、青色発光層１５を含む半導体層１２〜１７と黄色変換層１８との格子定数が異なっても、それぞれの結晶性を向上させることができる。
【００５０】
また、青色光を変換するための光変換層を黄色変換層１８のみによって構成することにより、半導体白色発光素子２の構成を簡単化することができる。
【００５１】
次に、第１実施形態の半導体白色発光素子の一部を変更した第２実施形態の半導体白色発光素子について図面を参照して説明する。図７は、第２実施形態による半導体白色発光素子の断面図である。尚、第１実施形態と同じ構成には同じ符号を付けて説明を省略する。
【００５２】
図７に示すように、第２実施形態による半導体白色発光素子２Ａは、ｐ型コンタクト層１７上に熱圧着によって貼り付けられた赤色変換層３１と緑色変換層３２とを備えている。
【００５３】
赤色変換層３１は、青色発光層１５から発光された青色光を赤色光（波長約６１０ｎｍ〜約７８０ｎｍ）に変換するためのものである。赤色変換層３１は、約１０ｎｍ〜約５００ｎｍのＧａ０．５Ｉｎ０．５Ｐ層からなる。
【００５４】
緑色変換層３２は、青色発光層１５から発光された青色光を緑色光（波長約４９０ｎｍ〜約５７０ｎｍ）に変換するためのものである。緑色変換層３２は、約１０ｎｍ〜約５００ｎｍの（Ａｌ０．３Ｇａ０．７）０．５Ｉｎ０．５Ｐ層からなる。
【００５５】
尚、赤色変換層３１及び緑色変換層３２は、ＴＭＡの流量が異なる以外は第１実施形態の黄色変換層１８と同じ工程によってＧａＡｓ基板上に順次成長させることにより形成することができる。
【００５６】
この半導体白色発光素子２Ａでは、青色発光層１５から発光された青色光の一部は、ｐ型クラッド層１６、ｐ型コンタクト層１７、赤色変換層３１及び緑色変換層３２を透過して青色光のまま外部へ照射される。そして、残りの青色光は、一部が赤色変換層３１によって赤色光に変換され、一部が緑色変換層３２によって緑色光に変換されて外部へ照射される。これにより、青色光、赤色光及び緑色光が混色されて白色光が外部へ照射される。
【００５７】
上述したように半導体白色発光素子２Ａの赤色変換層３１及び緑色変換層３２を半導体層によって構成することにより、第１実施形態と同様に白色光の色の偏りを抑制することができる。
【００５８】
また、半導体白色発光素子２Ａは、青色光を発光する青色発光層１５と、青色光を赤色光及び緑色光に変換する赤色変換層３１及び緑色変換層３２とを設けることによって、青色光、赤色光及び緑色光の３色を混色させて白色光を生成できるので、白色光の色の偏りをより抑制できる。
【００５９】
また、赤色変換層３１と比べてバンドギャップの大きい緑色変換層３２を、赤色変換層３１よりも光の照射側に形成することによって、赤色変換層３１に吸収される緑色光が赤色変換層３１を通ることなく外部へ照射されるので、緑色光の光量を容易に制御できる。
【００６０】
次に、第１実施形態の半導体白色発光素子の一部を変更した第３実施形態の半導体白色発光素子について図面を参照して説明する。図８は、第３実施形態による半導体白色発光素子の断面図である。尚、第１実施形態及び第２実施形態と同じ構成には同じ符号を付けて説明を省略する。
【００６１】
図８に示すように、第３実施形態による半導体白色発光素子２Ｂは、ｎ型クラッド層１４と青色発光層１５との間に、緑色発光層３５が形成されている。また、ｐ型コンタクト層１７上には赤色変換層３１が設けられている。
【００６２】
緑色発光層３５は、緑色光（波長約４９０ｎｍ〜約５７０ｎｍ）を発光するためのものである。緑色発光層３５は、井戸層（図示略）とバリア層（図示略）とが交互に周期的に８ペア積層されたＭＱＷ構造を有する。井戸層は、約３ｎｍの厚みを有し、ＩｎとＧａ内でのＩｎの比率が約２５％〜約５０％のＩｎＧａＮ層からなる。バリア層は、約１０ｎｍの厚みを有し、ＡｌとＧａ内でのＡｌの比率が約２５％以下のＡｌＧａＮ層からなる。
【００６３】
緑色発光層３５は、ＴＭＩ及びＴＭＧの流量を変更する以外は、第１実施形態の青色発光層１５と同じ工程によって形成することができる。
【００６４】
赤色変換層３１は、第２実施形態と同様に構成してもよいが、Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ層によって構成してもよい。尚、このように構成する場合は、赤色変換層３１をＭＯＣＶＤ法などの気相成長法のみならず液相成長法によって形成してもよい。
【００６５】
この半導体白色発光素子２Ｂでは、青色発光層１５から発光された青色光及び緑色発光層３５から発光された緑色光は、ｐ型クラッド層１６、ｐ型コンタクト層１７を透過して赤色変換層３１に入射する。赤色変換層３１に入射した青色光及び緑色光の一部は、赤色変換層３１を透過してそのまま外部へ照射され、残りの青色光及び緑色光は、赤色変換層３１によって赤色光に変換されて外部へ照射される。これにより、青色光、緑色光及び赤色光が混色されて白色光が外部へ照射される。
【００６６】
上述したように半導体白色発光素子２Ｂの赤色変換層３１を半導体層によって構成することにより、第１実施形態と同様に白色光の色の偏りを抑制することができる。
【００６７】
また、半導体白色発光素子２Ｂに青色発光層１５、緑色発光層３５及び赤色変換層３１を設けることによって、青色光、緑色光及び赤色光の３色を混色することにより白色光を生成できるので、白色光の色の偏りをより抑制することができる。更に、青色発光層及び緑色発光層を設けることにより、青色光及び緑色光の光量を向上させることができるので、外部へ照射される白色光の光量を向上させることができる。
【００６８】
また、緑色発光層３５と比べてバンドギャップの大きい青色発光層１５を、緑色発光層３５よりも光の照射側に形成することによって、緑色発光層３５に吸収される青色光が緑色発光層３５を通ることなく外部へ照射されるので、青色光の光量を容易に制御できる。
【００６９】
以上、実施形態を用いて本発明を詳細に説明したが、本発明は本明細書中に説明した実施形態に限定されるものではない。本発明の範囲は、特許請求の範囲の記載及び特許請求の範囲の記載と均等の範囲により決定されるものである。以下、上記実施形態を一部変更した変更形態について説明する。
【００７０】
例えば、上述した半導体白色発光素子２、２Ａ、２Ｂの各層などを構成する材料は適宜変更可能である。
【００７１】
また、第２実施形態における変換層３１、３２の順序は適宜変更可能である。
【００７２】
また、第３実施形態における発光層１５、３５の順序は適宜変更可能である。例えば、緑色発光層３５を青色発光層１５よりも光の照射側に配置することにより、緑色発光層３５に入射した青色光によっても緑色光を発光させることができる。これにより、青色発光層１５に比べてＩｎの比率が大きく発光強度の小さい緑色発光層３５の発光強度を高めることができる。
【００７３】
また、上述の実施形態では、サファイア基板１１を一例としてあげたが、ＧａＮ基板、ＳｉＣ基板及びＳｉ基板などを基板として適用してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００７４】
【図１】本発明の第１実施形態による半導体白色発光装置の概略図である。
【図２】半導体白色発光素子の断面図である。
【図３】半導体白色発光素子の発光層の断面図である。
【図４】半導体白色発光素子の製造工程を説明するための断面図である。
【図５】半導体白色発光素子の製造工程を説明するための断面図である。
【図６】半導体白色発光素子の製造工程を説明するための断面図である。
【図７】第２実施形態による半導体白色発光素子の断面図である。
【図８】第３実施形態による半導体白色発光素子の断面図である。
【符号の説明】
【００７５】
１    半導体白色発光装置
２、２Ａ、２Ｂ      半導体白色発光素子
３    パッケージ
１１  サファイア基板
１２  バッファー層
１３  ｎ型コンタクト層
１４  ｎ型クラッド層
１５  青色発光層
１５ａ       井戸層
１５ｂ       バリア層
１６  ｐ型クラッド層
１７  ｐ型コンタクト層
１８  黄色変換層
２５  ＧａＡｓ基板
２６  バッファー層
３１  赤色変換層
３２  緑色変換層
３５  緑色発光層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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