(57)【要約】【課題】アイランドの一面上に搭載された半導体チップを、その外周に位置するリード部とボンディングワイヤによって接続し、これらをモールド樹脂で封止してなる半導体装置において、樹脂クラック寿命の確保とワイヤボンディング性との両立を図る。【解決手段】アイランド１１は、半導体チップ２０が搭載される一面１１ａから見た平面形状が中空部１１ｃを有する額縁板状をなすものであり、半導体チップ２０は、中空部１１ｃを覆いつつ半導体チップ２０の周辺部をアイランド１１の額縁部１１ｂに支持させた状態で、アイランド１１の一面１１ａ上にダイボンド剤３０を介して接着されており、アイランド１１において中空部１１ｃを含めた一面１１ａの面積をアイランド面積としたとき、このアイランド面積中に占める中空部１１ｃの面積の割合が、２５％以上５０％以下である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップ（２０）と、
一面（１１ａ）上に前記半導体チップ（２０）が搭載される板状のアイランド（１１）と、
前記半導体チップ（２０）の外周に設けられ前記半導体チップ（２０）とボンディングワイヤ（５０）を介して電気的に接続されたリード部（１２）とを備え、
前記半導体チップ（２０）、前記アイランド（１１）、前記ボンディングワイヤ（５０）、および前記リード部（１２）における前記ボンディングワイヤ（５０）との接続部が、モールド樹脂（４０）により封止されてなる半導体装置において、
前記アイランド（１１）は、前記一面（１１ａ）から見た平面形状が中空部（１１ｃ）を有する額縁板状をなすものであり、
前記半導体チップ（２０）は、前記中空部（１１ｃ）を覆いつつ前記半導体チップ（２０）の周辺部を前記アイランド（１１）の額縁部（１１ｂ）に支持させた状態で、前記アイランド（１１）の一面（１１ａ）上に搭載されており、
前記アイランド（１１）において前記中空部（１１ｃ）を含めた前記一面（１１ａ）の面積をアイランド面積としたとき、このアイランド面積中に占める前記中空部（１１ｃ）の面積の割合は、２５％以上５０％以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記アイランド（１１）は、前記一面（１１ａ）から見た平面形状が四角形であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記中空部（１１ｃ）は、前記アイランド（１１）の中央部に設けられた１つの貫通穴であることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記中空部（１１ｃ）は、前記アイランド（１１）の中央部に設けられた複数個の貫通穴（１１ｅ）の集合体であることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記アイランド（１１）の額縁部（１１ｂ）には、当該額縁部（１１ｂ）の外周端部から切り込まれたスリット（１１ｆ）が設けられ、
前記額縁部（１１ｂ）のうち前記スリット（１１ｆ）の部分ではそれ以外の部位よりも細くなっており、
前記アイランド面積は、前記スリット（１１ｆ）の面積も含むものであることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項６】
前記スリット（１１ｆ）の幅は、前記額縁部（１１ｂ）における外周端部寄りの部位の方が内周端部寄りの部位よりも狭くなっていることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アイランドの一面上に搭載された半導体チップを、その外周に位置するリード部とボンディングワイヤによって接続し、これらをモールド樹脂で封止してなる樹脂封止型の半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、一般的な樹脂封止型の半導体装置として、半導体チップと、一面上に半導体チップが搭載される板状のアイランドと、半導体チップの外周に設けられ半導体チップとボンディングワイヤを介して電気的に接続されたリード部とを備え、これら半導体チップ、アイランド、ボンディングワイヤ、およびリード部におけるボンディングワイヤとの接続部をモールド樹脂により封止してなるものが提案されている。
【０００３】
ここにおいて、従来では、アイランド上に位置する半導体チップのサイズが大きくなると、アイランドの下に位置するモールド樹脂の部分に大きな応力が掛かる。すると、冷熱衝撃などにより樹脂クラックが発生し、その樹脂クラックが外部まで到達して、パッケージの信頼性を損なうという問題があった。
【０００４】
このような問題に対して、従来では、特許文献１に示されるように、アイランドを、半導体チップの一部に対面する複数の接着部と、この接着部同士を連結する細い連結部とからなるものとした半導体装置が提案されている。このものによれば、アイランドの下に位置するモールド樹脂に掛かる応力を低減でき、樹脂クラック寿命を確保できるとされている。
【特許文献１】特開平９−１３９４５７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記した特許文献１に記載されている半導体装置では、半導体チップとアイランドとの接触面積が小さいため、半導体チップへのワイヤボンディングを行うときに、アイランドによる半導体チップの支持が不十分となり、ワイヤボンディングにおける接合信頼性の確保が困難になる。
【０００６】
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、アイランドの一面上に搭載された半導体チップを、その外周に位置するリード部とボンディングワイヤによって接続し、これらをモールド樹脂で封止してなる樹脂封止型の半導体装置において、樹脂クラック寿命の確保とワイヤボンディング性との両立を図ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するため、本発明者は、この種の樹脂封止型の半導体装置において、アイランドの形状等を種々変えたものを試作し、これらの試作品について鋭意検討を行った。その結果、アイランドとして、半導体チップを搭載する一面から見た平面形状が中空部を有する額縁板状をなすものを採用することとした。
【０００８】
このような中空部を有するアイランドであれば、中央部が開口した穴となっているため、アイランドの下に位置するモールド樹脂に掛かる応力を低減できると考えられる。また、アイランドをこのような額縁状のものにすることで、半導体チップの周辺部をアイランドの額縁部に支持した状態で、半導体チップをアイランド上に搭載できるため、アイランドによる半導体チップの支持を十分なものにできる。
【０００９】
そして、このような本発明者の考えに基づき、さらに実験検討を行った。その結果、後述する図３および図４に示されるように、樹脂クラック寿命の確保とワイヤボンディング性との両立を図るためには、アイランドにおいて中空部を含めた一面の面積に占める中空部の面積の割合を、２５％以上５０％以下とすればよいことを実験的に確認した。
【００１０】
このような本発明者の行った検討に基づき、本発明は創出されたものであり、アイランド（１１）は、半導体チップ（２０）が搭載される一面（１１ａ）から見た平面形状が中空部（１１ｃ）を有する額縁板状をなすものであり、半導体チップ（２０）は、中空部（１１ｃ）を覆いつつ半導体チップ（２０）の周辺部をアイランド（１１）の額縁部（１１ｂ）に支持させた状態で、アイランド（１１）の一面（１１ａ）上に搭載されており、アイランド（１１）において中空部（１１ｃ）を含めた一面（１１ａ）の面積をアイランド面積としたとき、このアイランド面積中に占める中空部（１１ｃ）の面積の割合が、２５％以上５０％以下であることを特徴とする。
【００１１】
それによれば、上記検討結果にて述べたように、樹脂封止型の半導体装置において、樹脂クラック寿命の確保とワイヤボンディング性との両立を図ることができる。
【００１２】
ここで、アイランド（１１）は、一面（１１ａ）から見た平面形状が四角形であるものにできる。また、中空部（１１ｃ）は、アイランド（１１）の中央部に設けられた１つの貫通穴や、アイランド（１１）の中央部に設けられた複数個の貫通穴（１１ｅ）の集合体であるものにできる。
【００１３】
また、アイランド（１１）の額縁部（１１ｂ）に、当該額縁部（１１ｂ）の外周端部から切り込まれたスリット（１１ｆ）を設けることで、額縁部（１１ｂ）のうちスリット（１１ｆ）の部分ではそれ以外の部位よりも細くなるようにし、アイランド面積を、スリット（１１ｆ）の面積も含むものとしてもよい。
【００１４】
それによれば、額縁部（１１ｂ）にスリット（１１ｆ）を入れてその部分を細くすることで弾性に富むものとなり、それによって、アイランド（１１）に発生する応力を小さくできるため、樹脂クラック寿命を確保するためには好ましいものとなる。
【００１５】
この場合、スリット（１１ｆ）の幅を、額縁部（１１ｂ）における外周端部寄りの部位の方が内周端部寄りの部位よりも狭くなっているものとすることにより、額縁部（１１ｂ）のうちスリット（１１ｆ）を入れた部位を適切に細くしつつ、スリット（１１ｆ）による額縁部（１１ｂ）における半導体チップ（２０）の支持面積の減少を極力抑制することができる。
【００１６】
なお、特許請求の範囲およびこの欄で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。
【００１８】
（第１実施形態）
図１（ａ）は、本発明の第１実施形態に係る半導体装置１００の概略断面構成を示す図であり、（ｂ）は、（ａ）における半導体装置１００を上方から見たときのリードフレーム１０の概略平面図である。なお、図１（ｂ）では、半導体チップ２０の平面形状を破線にて示してある。
【００１９】
本実施形態の半導体装置１００は、たとえばエンジンのＥＣＵ、ＡＢＳのＥＣＵ等に用いるＳＭＤ（表面実装）パッケージ、具体的にはＱＦＰ（クワッドフラットパッケージ）、ＳＯＰ（スモールアウトラインパッケージ）、ＱＦＮ（クワッドフラットノンリーデッドパッケージ）などに適用可能である。
【００２０】
まず、本実施形態の半導体装置１００におけるリードフレーム１０は、板状のアイランド１１とアイランド１１の周囲に位置するリード部１２とを備えている。このリードフレーム１０は、Ｃｕからなるものであり、プレス加工やエッチング加工などにより形成することができる。
【００２１】
ここで、本実施形態では、アイランド１１は、その一面１１ａ（図１（ａ）中の上側の面）から見た平面形状が四角形である板状をなす。特に、図１に示される例では、アイランド１１は平面正方形のものである。リード部１２は、アイランド１１の４辺の外周において複数個のものが配列されている。
【００２２】
また、アイランド１１の一面１１ａ上には、半導体チップ２０が搭載されている。この半導体チップ２０は、半導体プロセスにより形成されたシリコン半導体よりなるＩＣチップなどである。
【００２３】
本実施形態では、半導体チップ２０は、アイランド１１と同様に、その平面形状が四角形である板状をなすものであり、特に、図１に示される例では、半導体チップ２０は平面正方形のものである。
【００２４】
ここでは、半導体チップ２０は、ダイボンド材３０を介してアイランド部１１に接着固定されている。本実施形態では、ダイボンド材３０は、この種の半導体装置に通常用いられる樹脂にＡｇフィラーを混合したＡｇペーストよりなる。
【００２５】
また、リード部１２は、モールド樹脂４０内にてアイランド１１とは分離されているが、本リードフレーム１０では、さらに、モールド樹脂４０内にてアイランド１１と一体に連結されている吊りリード１３が設けられている（図１（ｂ）参照）。
【００２６】
この吊りリード１３は、リードフレーム１０の単体の状態において、アイランド１１をフレーム部（図示せず）に連結しておくためのものであり、通常のリードフレームに備えられるものである。ここでは、吊りリード１３は、矩形板状のアイランド１１の４隅部から、矩形板状のモールド樹脂４０の４隅部に向かって延びている。
【００２７】
そして、図１に示されるように、半導体チップ２０の上面と各リード部１２のインナーリードの部分とは、ボンディングワイヤ５０により結線され電気的に接続されている。このボンディングワイヤ５０は、Ａｕやアルミニウムなどからなるもので、通常のワイヤボンディング法により形成可能である。
【００２８】
そして、モールド樹脂４０は、これらアイランド１１、リード部１２、吊りリード１３、半導体チップ２０およびボンディングワイヤ５０を包み込むように封止している。モールド樹脂４０は、通常のモールド材料を用いてトランスファーモールド法などにより形成できるものである。本実施形態では、モールド樹脂４０は、線膨張係数αが８×１０-6／℃〜１０×１０-6／℃程度のエポキシ樹脂である。
【００２９】
このような半導体装置１００において、本実施形態では、さらに次のような構成を有する。すなわち、図１に示されるように、アイランド１１は、一面１１ａから見た平面形状が中空部１１ｃを有する額縁板状をなすものとなっている。
【００３０】
本例においては、平面正方形をなすアイランド１１は、正方形額縁状の額縁部１１ｂと、その内周部に位置し半導体チップ２０よりも一回り小さな正方形の開口形状をなす中空部１１ｃとにより構成されている。この中空部１１ｃは、リードフレーム１０を作製するときに、プレス加工やエッチング加工などにより形成され、アイランド１１に対して厚さ方向に貫通する貫通穴として構成されている。
【００３１】
そして、半導体チップ２０は、この中空部１１ｃを覆った状態でアイランド１１の一面１１ａ上に搭載されている。つまり、この半導体チップ２０の搭載においては、半導体チップ２０の周辺部がアイランド１１の額縁部１１ｂに支持された状態となっている。
【００３２】
そして、この半導体チップ２０と額縁部１１ｂとの支持部つまり半導体チップ２０と額縁部１１ｂとの重なり部では、当該両者１１ｂ、２０間に、ダイボンド材３０が介在し、当該両者１１ｂ、２０が接着されている。
【００３３】
ここで、中空部１１ｃは、半導体チップ２０の平面サイズよりも小さなものであるが、その具体的なサイズについて、図２を参照して述べる。図２は、アイランド１１に占める中空部１１ｃの面積を説明するための平面図である。
【００３４】
図２では、アイランド１１のうち矩形枠状の額縁部１１ｂを片側斜線ハッチングにて示し、正方形状の中空部１１ｃをクロス斜線ハッチングにて示してある。ここで、本実施形態では、アイランド１１において中空部１１ｃを含めた一面１１ａの面積をアイランド面積とする。
【００３５】
つまり、このアイランド面積は、中空部１１ｃが埋まっているものとした場合のアイランド１１の一面１１ａ（もちろん吊りリード１３は除く）の面積であり、図２中の両ハッチング部分、すなわち額縁部１１ｂの面積と中空部１１ｃの面積との合計面積である。そして、本実施形態においては、このアイランド面積中に占める中空部１１ｃの面積の割合を、２５％以上５０％以下としている。
【００３６】
ここで、本実施形態の半導体装置１００における各部の寸法の一具体例について述べておく。半導体チップ２０は一辺の長さＬ１が１０ｍｍの正方形、アイランド１１は一辺の長さＬ２が１１ｍｍの正方形、中空部１１ｃは一辺の長さが６ｍｍ〜８ｍｍの正方形である。したがって、この例の場合、半導体チップ２０と額縁部１１ｂとの重なり部の幅は１ｍｍ〜２ｍｍ程度である。また、モールド樹脂４０は１辺の長さが２０ｍｍの正方形である。
【００３７】
次に、この半導体装置１００の製造方法について述べる。まず、リードフレーム１０を用意する。このリードフレーム１０は、プレス加工やエッチング加工などによって、上記中空部１１ｃを有するアイランド１１、リード部１２および吊りリード１３を形成する。ここで、リードフレーム１０において、アイランド１１は、その外周に位置する図示しないフレーム部に対して吊りリード１３を介して連結され支持されている。
【００３８】
次に、このリードフレーム１０において、アイランド１１の一面１１ａ上に、半導体チップ２０を、ダイマウント材３０を介して搭載固定する。続いて、このアイランド１１に半導体チップ２０を支持した状態で、半導体チップ２０とリード部１２との間でワイヤボンディングを行い、これらの間を上記ボンディングワイヤ５０で結線する。
【００３９】
次に、ここまでの工程に供されたワークを、樹脂成型用の金型に設置し、トランスファーモールド成形などによりモールド樹脂４０による封止を行う。それにより、アイランド１１、リード部１２、吊りリード１３、半導体チップ２０、ボンディングワイヤ５０がモールド樹脂４０により封止される。
【００４０】
その後、モールド樹脂４０から突出するリード部１２および吊りリード１３の部分をカットして上記フレーム部から切り離すとともに、モールド樹脂４０から突出するリード部１２の部分すなわちアウターリードを成形する。このようにして、本実施形態の半導体装置１００ができあがる。
【００４１】
ところで、本実施形態によれば、アイランド１１を、その一面１１ａから見た平面形状が中空部１１ｃを有する額縁板状をなすものとし、半導体チップ２０は、中空部１１ｃを覆いつつ半導体チップ２０の周辺部をアイランド１１の額縁部１１ｂに支持させた状態で、アイランド１１の一面１１ａ上に搭載されたものとしている。
【００４２】
そして、本実施形態では、上述したように、アイランド１１において中空部１１ｃを含めた一面１１ａの面積をアイランド面積とし、このアイランド面積中に占める中空部１１ｃの面積の割合を、２５％以上５０％以下としている。以下、アイランド面積中に占める中空部１１ｃの面積の割合をアイランド空間率ということにする。
【００４３】
このように、アイランド空間率を２５％以上５０％以下としたのは、本発明者の行った実験検討の結果に基づくものである。この検討結果について具体的に述べることとするが、本検討は、本実施形態の半導体装置１００において、上記具体例に示した材質、寸法、形状を有する構成について行ったものである。
【００４４】
まず、中空部１１ｃを有するアイランド１１であれば、中央部が開口した穴となっているため、アイランド１１の下に位置するモールド樹脂４０に掛かる応力を低減することができると考えられる。つまり、中空部１１ｃが大きいほど、すなわち、アイランド空間率が大きいほど、当該モールド樹脂４０に掛かる応力を低減することができ、樹脂クラックを抑制できると考えられる。
【００４５】
そこで、まず、アイランド空間率と樹脂クラックの発生率との関係について調査した。ここで、樹脂クラックは、図１（ａ）におけるアイランド１１の下部からモールド樹脂４０の下側の外面にまで到達する樹脂クラックであり、特に、アイランド１１の外周端部の下部から発生しやすい。
【００４６】
図３は、アイランド空間率（％）と樹脂クラック発生率（％）との関係を示すグラフである。これは、アイランド空間率を種々変えたサンプルを作製し、冷熱衝撃試験を行って樹脂クラック発生率を求めたものである。樹脂クラック発生率は、実験サンプル数中に占める上記樹脂クラックの発生数の割合である。
【００４７】
また、図３には、上記したモールド樹脂４０に掛かる応力すなわち樹脂部の応力（単位：ＭＰａ）とアイランド空間率との関係も示してあるが、この樹脂部の応力は、各試験サンプルについて、ＦＥＭ解析を行い、計算で求めたものである。
【００４８】
この図３より、アイランド空間率が２５％以上ならば、樹脂部の応力が小さく樹脂クラックが実質的に発生しないことが確認された。そこで、樹脂クラックを防止するという点から、アイランド空間率は２５％以上とする。
【００４９】
また、アイランド１１を額縁状のものにすることで、半導体チップ２０の周辺部をアイランド１１の額縁部１１ｂに支持した状態で、半導体チップ２０をアイランド１１の一面１１ａ上に搭載できるため、アイランド１１による半導体チップ２０の支持を十分なものにできると考えられる。
【００５０】
ここで、アイランド空間率が大きすぎると、アイランド１１と半導体チップ２０とのダイボンド材３０を介した接着面積が不十分なものとなり、ダイボンド材３０の剥がれが生じるなどにより、アイランド１１上の半導体チップ２０へのワイヤボンディング性が悪化する。
【００５１】
そこで、次に、アイランド空間率とワイヤボンディング性との関係について調査した。ワイヤボンディング性を確保するには、ワイヤボンディング時にダイボンド材、本例ではＡｇペーストが剥がれないことが必要である。そこで、ワイヤボンディング性については、アイランド空間率と半導体チップ２０の剥がれ発生率との関係を調べた。
【００５２】
図４は、このアイランド空間率（％）と半導体チップ２０の剥がれ発生率すなわちチップ剥がれ発生率（％）との関係について調査した結果を示すグラフである。これは、アイランド空間率を種々変えてサンプルを作製し、冷熱衝撃試験を行ってチップ剥がれ発生率を求めたものである。
【００５３】
モールド樹脂４０内部における半導体チップ２０の剥がれは、ＳＡＴ（超音波探傷測定装置）により検出した。また、図４には、ダイボンド材３０としてのＡｇペーストの破断荷重（単位：Ｎ）とアイランド空間率との関係も示してあるが、これは各試験サンプルについて、一般的な引っ張り試験を行って求めたものである。
【００５４】
この図４より、アイランド空間率が５０％以下ならば、Ａｇペースト破断荷重が小さく実質的に半導体チップ２０の剥がれが発生しないことが確認された。そこで、ワイヤボンディング性を確保するという点から、アイランド空間率は５０％以下とする。
【００５５】
このような図３、図４に示される検討結果から、本実施形態ではアイランド空間率２５％以上５０％以下としている。それにより、本実施形態では、樹脂クラック寿命の確保とワイヤボンディング性との両立を図ることができる。
【００５６】
（第２実施形態）
図５は、本発明の第２実施形態に係る半導体装置の要部を示す図であり、当該半導体装置におけるリードフレーム１０の概略平面図である。なお、図５では、半導体チップ２０の平面形状を破線にて示してある。また、本実施形態および以下の実施形態の各図に示される半導体装置おいて、図示しない装置の部分は、上記図１に示されるものと同様のものにできる。
【００５７】
上記図１に示した例では、アイランド１１の中空部１１ｃの平面形状は、正方形であったが、それ以外の四角形あるいは三角形、五角形、円形などであってもよい。図５に示される中空部１１ｃでは、正方形の四隅に切り込みが入った形状となっている。もちろん、アイランド空間率は２５％以上５０％以下となっている。
【００５８】
図５に示される中空部１１ｃの場合、切り込みが入ることにより額縁部１１ｂの四隅部に細い部位１１ｄが形成された形となっている。そのため、この細い部位１１ｄに作用する弾性によって、アイランド１１に掛かる応力を緩和することが可能となり、樹脂クラックを防止する効果が期待できる。
【００５９】
（第３実施形態）
図６、図７、図８は、本発明の第３実施形態における第１の例、第２の例、第３の例としての半導体装置の要部を示す図であり、それぞれ当該半導体装置におけるリードフレーム１０の概略平面図である。なお、図６〜図８では、半導体チップ２０の平面形状を破線にて示してある。
【００６０】
上記各実施形態に示される例では、中空部１１ｃは、アイランド１１の中央部に設けられた１つの貫通穴であったが、図６〜図８に示されるように、中空部１１ｃは、アイランド１１の中央部に設けられた複数個の貫通穴１１ｅの集合体であってもよい。
【００６１】
具体的に、図６に示される本実施形態の第１の例では、中空部１１ｃは、複数個の円形の貫通穴１１ｅが配列してなる集合体であり、図７に示される本実施形態の第２の例では、中空部１１ｃは、複数個の四角形の貫通穴１１ｅがアイランド１１の辺方向に格子状に配列してなる集合体であり、図８に示される本実施形態の第３の例では、中空部１１ｃは、複数個の四角形の貫通穴１１ｅがアイランド１１の対角方向に格子状に配列してなる集合体である。
【００６２】
これら本実施形態の各例においては、中空部１１ｃの面積は、複数個の貫通穴１１ｅにおける個々の貫通穴１１ｅの面積の総計である。そして、もちろん本実施形態においても、アイランド空間率は２５％以上５０％以下となっており、それによる作用効果は上記実施形態と同様である。
【００６３】
（第４実施形態）
図９は、本発明の第４実施形態に係る半導体装置の要部を示す図であり、当該半導体装置におけるリードフレーム１０の概略平面図である。なお、図９では、半導体チップ２０の平面形状を破線にて示してある。
【００６４】
本実施形態では、図９に示されるように、アイランド１１の額縁部１１ｂに、額縁部１１ｂの外周端部から切り込まれたスリット１１ｆを設けている。ここでは、額縁部１１ｂの各辺の中央部にスリット１１ｆを設けることで、合計４個のスリット１１ｆがアイランド１１に設けられている。
【００６５】
それによって、額縁部１１ｂのうちスリット１１ｆの部分を、それ以外の額縁部１１ｂの部位よりも細いものとしている。このようなスリット１１ｆは、中空部１１ｃと同様に、リードフレーム１０を作製するときに、プレス加工やエッチング加工などにより形成することができる。
【００６６】
ここで、このようにスリット１１ｆを設けた構成においては、上記アイランド面積は、スリット１１ｆの面積も含むものである。つまり、アイランド面積は、アイランド１１において中空部１１ｃおよびスリット１１ｆより除去されている部分が埋まっているものとした場合のアイランド１１の一面１１ａの面積である。
【００６７】
そして、本実施形態においても、アイランド空間率は２５％以上５０％以下となっており、それによる作用効果は上記実施形態と同様である。さらに、本実施形態では、額縁部１１ｂにスリット１１ｆを入れてその部分を細くすることで当該部分は弾性に富むものとなり、それによって、アイランド１１に発生する応力を緩和できる。そのため、樹脂クラック寿命を確保するためにはより好ましい構成となる。
【００６８】
また、図９に示されるように、個々のスリット１１ｆを見てみると、切り込みの入口側が狭く、奥側が広がった形状となっている。つまり、スリット１１ｆの幅は、額縁部１１ｂにおける外周端部寄りの部位の方が内周端部寄りの部位よりも狭くなっている。
【００６９】
スリット１１ｆの目的は、額縁部１１ｂに細い部位を形成することであり、スリット１１ｆの全体が幅の広いものである必要はない。スリット１１ｆの全体が幅の広いものである、つまり、もし、図９において、スリット１１ｆにおける額縁部１１ｂの外周端部寄りの部位の幅が、内周端部寄りの部位の幅と同程度に広いものであった場合には、額縁部１１ｂの面積が小さくなりすぎる可能性がある。
【００７０】
その点、図９に示されるようなスリット１１ｆの形状によれば、額縁部１１ｂのうちスリット１１ｆを入れた部位を適切に細くしつつ、スリット１１ｆによる額縁部１１ｂにおける半導体チップ２０の支持面積の減少を極力抑制することができる。
【００７１】
ここで、本第４実施形態の変形例、すなわちスリット１１ｆを有するアイランド１１の構成の変形例について、図１０〜図１４に示しておく。これら図１０〜図１４は、本実施形態における第１〜第５の変形例としての半導体装置の要部を示す図であり、それぞれ当該半導体装置におけるリードフレーム１０の概略平面図である。なお、図１０〜図１４では、半導体チップ２０の平面形状を破線にて示してある。
【００７２】
図１０に示される第１の変形例では、スリット１１ｆを三角形状とし、その幅を、額縁部１１ｂにおける外周端部寄りの部位の方が内周端部寄りの部位よりも狭くしたものとしている。
【００７３】
図１１に示される第２の変形例では、中空部１１ｃが上記図５に示した第２実施形態の形状を持つものにおいて、図９に示されるものと同様のスリット１１ｆを設けたものである。
【００７４】
図１２に示される第３の例では、個々のスリット１１ｆの形状が上記図９に示されるものと同様であり、このようなスリット１１ｆを、額縁部１１ｂの各辺について２個ずつ設けることで、合計８個のスリット１１ｆがアイランド１１に設けられている。
【００７５】
図１３に示される第４の例、および、図１４に示される第５の例では、スリット１１ｆの構成は上記図９に示されるものと同様であるが、中空部１１ｃを、図９とは異ならせ、複数個の貫通穴１１ｅの集合体により構成している。
【００７６】
上記第３実施形態では、中空部１１ｃは、個々の形状やサイズが実質的に同一である貫通穴１１ｅの集合体よりなるものとしたが、これら図１３や図１４に示されるように、個々の貫通穴１１ｅがそれぞれ異なる形状や大きさであってもかまわない。要するに、集合体としての中空部１１ｃについて、アイランド空間率が２５％以上５０％以下であればかまわない。
【００７７】
（他の実施形態）
なお、上記実施形態では、半導体チップ２０はシリコン半導体よりなり、アイランド１１はＣｕよりなり、ダイボンド材３０はＡｇペーストよりなり、モールド樹脂４０は上記したエポキシ樹脂よりなるものとしたが、これら各部の材質はこれに限定されるものではなく、この種の樹脂封止型の半導体装置に適用可能なものであれば、上記材質以外のものであってもよい。
【００７８】
また、半導体チップ２０およびアイランド１１の平面形状も、正方形に限定されるものではなく、長方形などそれ以外の四角形であってもよい。さらには、半導体チップ２０およびアイランド１１の平面形状は、四角形以外の多角形や円形、さらには不定形などであってもよい。
【００７９】
特に、アイランド１１の平面形状は、一面１１ａから見た平面形状が中空部を有する額縁板状をなすものであれば、たとえば四角形以外の多角形枠状や円形枠状、さらには不定形の枠状など、種々の形状が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００８０】
【図１】（ａ）は、本発明の第１実施形態に係る半導体装置の概略断面図であり、（ｂ）は、（ａ）に示される半導体装置におけるリードフレームの概略上面図である。
【図２】アイランドに占める中空部の面積を説明するための平面図である。
【図３】アイランド空間率と樹脂クラック発生率との関係を示すグラフである。
【図４】アイランド空間率とチップ剥がれ発生率との関係を示すグラフである。
【図５】本発明の第２実施形態に係る半導体装置の要部を示す概略平面図である。
【図６】本発明の第３実施形態における第１の例としての半導体装置の要部を示す概略平面図である。
【図７】本発明の第３実施形態における第２の例としての半導体装置の要部を示す概略平面図である。
【図８】本発明の第３実施形態における第３の例としての半導体装置の要部を示す概略平面図である。
【図９】本発明の第４実施形態に係る半導体装置の要部を示す概略平面図である。
【図１０】本発明の第４実施形態における第１の変形例としての半導体装置の要部を示す概略平面図である。
【図１１】本発明の第４実施形態における第２の変形例としての半導体装置の要部を示す概略平面図である。
【図１２】本発明の第４実施形態における第３の変形例としての半導体装置の要部を示す概略平面図である。
【図１３】本発明の第４実施形態における第４の変形例としての半導体装置の要部を示す概略平面図である。
【図１４】本発明の第４実施形態における第５の変形例としての半導体装置の要部を示す概略平面図である。
【符号の説明】
【００８１】
１０…リードフレーム、１１…アイランド、１１ａ…アイランドの一面、
１１ｂ…アイランドの額縁部、１１ｃ…アイランドの中空部、
１１ｅ…複数個の貫通穴、１１ｆ…スリット、１２…リード部、
２０…半導体チップ、４０…モールド樹脂、５０…ボンディングワイヤ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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