(57)【要約】【課題】本発明は、カップリングノイズを除去してセンサの誤動作を防止することができるタッチパネル一体型液晶表示装置を提供する。【解決手段】絶縁基板、絶縁基板上に第１方向に延長されて形成された複数のゲート線と、複数のゲート線と交差するように第２方向に形成された複数のデータ線、複数のゲート線と複数のデータ線が交差する領域によって規定された複数の薄膜トランジスタ、複数のゲート線及び複数のデータ線と同じ方向に形成されたセンサライン及びセンサラインと同じ方向に形成されたダミーラインを含むタッチパネル一体用液晶表示装置が提供される。【選択図】図１
2008122913.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板と、
前記絶縁基板上に第１方向に延長されて形成された複数のゲート線と、前記複数のゲート線と交差するように第２方向に形成された複数のデータ線と、
前記複数のゲート線と複数のデータ線が交差する領域によって規定された複数の薄膜トランジスタと、
前記複数のゲート線及び複数のデータ線と同じ方向に形成されたセンサラインと、
前記センサラインと同じ方向に形成されたダミーラインと、
を含むことを特徴とするタッチパネル一体型液晶表示装置。
【請求項２】
前記センサラインは第１及び第２方向にそれぞれ形成された第１及び第２センサラインを含み、
前記ダミーラインは前記第１及び第２センサラインと同じ方向に形成された第１及び第２ダミーラインを含むことを特徴とする請求項１に記載のタッチパネル一体型液晶表示装置。
【請求項３】
前記ダミーラインには基準電圧が印加されることを特徴とする請求項２に記載のタッチパネル一体型液晶表示装置。
【請求項４】
前記第１センサライン及び前記第１ダミーラインに接続されて前記第１センサラインと前記第１ダミーラインの電圧差を増幅して出力する第１比較器と、
前記第２センサライン及び前記第２ダミーラインに接続されて前記第２センサラインと前記第２ダミーラインの電圧差を増幅して出力する第２比較器と、
を含むことを特徴とする請求項２に記載のタッチパネル一体型液晶表示装置。
【請求項５】
前記第１及び第２センサラインは第１及び第２電極にそれぞれ接続されて、
外部から圧力が印加された場合、前記第１及び第２電極を介して共通電圧が印加されることを特徴とする請求項２に記載のタッチパネル一体型液晶表示装置。
【請求項６】
前記第１センサラインと第１ダミーラインは前記ゲート線と同じ層に形成さていることを特徴とする請求項２に記載のタッチパネル一体型液晶表示装置。
【請求項７】
前記第２センサラインと第２ダミーラインは前記データ線と同じ層に形成されていることを特徴とする請求項２に記載のタッチパネル一体型液晶表示装置。
【請求項８】
前記センサラインは第１及び第２方向にそれぞれ形成された第１及び第２センサラインを含み、
前記ダミーラインは前記絶縁基板の縁に沿って形成された第１ダミーラインと、前記第１及び第２方向にそれぞれ形成された第２及び第３ダミーラインとを含み、
前記第１ダミーラインと第２及び第３ダミーラインは相互に接続されていることを特徴とする請求項１に記載のタッチパネル一体型液晶表示装置。
【請求項９】
前記ダミーラインには基準電圧が印加されることを特徴とする請求項８に記載のタッチパネル一体型液晶表示装置。
【請求項１０】
前記第１センサライン及び前記第２ダミーラインに接続されて前記第１センサラインと前記第２ダミーラインの電圧差を増幅して出力する第１比較器と、
前記第２センサライン及び前記第３ダミーラインに接続されて前記第２センサラインと前記第３ダミーラインの電圧差を増幅して出力する第２比較器と、
を含むことを特徴とする請求項８に記載のタッチパネル一体型液晶表示装置。
【請求項１１】
前記ダミーラインには前記センサラインに印加される初期電圧が印加されることを特徴とする請求項８に記載のタッチパネル一体型液晶表示装置。
【請求項１２】
前記初期電圧は共通電圧より低い電圧であることを特徴とする請求項１１に記載のタッチパネル一体型液晶表示装置。
【請求項１３】
前記第１比較器の出力端子及び第４ダミーラインに接続されて前記出力端子と前記第４ダミーラインの電圧差を増幅して出力する第３比較器と、
前記第２比較器の出力端子及び第５ダミーラインに接続されて前記出力端子と前記第５ダミーラインの電圧差を増幅して出力する第４比較器と、
を含むことを特徴とする請求項１０に記載のタッチパネル一体型液晶表示装置。
【請求項１４】
前記第３及び第４ダミーラインには基準電圧が印加されることを特徴とする請求項１３に記載のタッチパネル一体型液晶表示装置。
【請求項１５】
絶縁基板上に第１方向に延長されて形成された複数のゲート線と、前記複数のゲート線と交差するように第２方向に形成された複数のデータ線と、
前記複数のゲート線と複数のデータ線が交差する領域によって規定された複数の薄膜トランジスタと、前記複数のゲート線及び複数のデータ線と同じ方向に形成されたセンサライン及び前記センサラインと同じ方向に形成されたダミーラインとを含む薄膜トランジスタ表示板と、
前記ダミーラインに所定の電圧を印加するための第１ 配線と, 前記 ゲートラインと繋がれているゲート駆動部にゲートオフ電圧を印加するための第２ 配線と、前記第１配線と前記第２配線間にカップリングされて、カップリングノイズを除去するキャパシタとを含む印刷回路基板と、
を含むことを特徴とするタッチパネル一体型液晶表示装置。
【請求項１６】
前記センサラインは第１及び第２方向にそれぞれ形成された第１及び第２センサラインを含み、
前記ダミーラインは第１及び第２方向にそれぞれ形成された第１及び第２ダミーラインと、前記第１及び第２ダミーラインに接続されている第３ダミーラインと、
を含むことを特徴とする請求項１５に記載のタッチパネル一体型液晶表示装置。
【請求項１７】
前記第１センサライン及び前記第１ダミーラインに接続されて前記第１センサラインと前記第１ダミーラインの電圧差を増幅して出力する第１比較器と、
前記第２センサライン及び前記第２ダミーラインに接続されて前記第２センサラインと前記第２ダミーラインの電圧差を増幅して出力する第２比較器と、
を含むことを特徴とする請求項１６に記載のタッチパネル一体型液晶表示装置。
【請求項１８】
前記第１及び第２センサラインは第１及び第２電極にそれぞれ接続されて、
外部から圧力が印加された場合、前記第１及び第２電極を介して共通電圧が印加されることを特徴とする請求項１６に記載のタッチパネル一体型液晶表示装置。
【請求項１９】
前記第１センサラインと第１ダミーラインは前記ゲート線と同じ層に形成されていることを特徴とする請求項１６に記載のタッチパネル一体型液晶表示装置。
【請求項２０】
前記第２センサラインと第２ダミーラインは前記データ線と同じ層に形成されていることを特徴とする請求項１６に記載のタッチパネル一体型液晶表示装置。
【請求項２１】
前記所定電圧は基準電圧または前記センサラインに印加される初期電圧であることを特徴とする請求項１５に記載のタッチパネル一体型液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はタッチパネル一体型液晶表示装置に係り、さらに詳細にはカップリングノイズを除去してセンサの誤動作を防止することができるタッチパネル一体型液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
画像を表示するディスプレイ（Ｄｉｓｐｌａｙ）は陰極線管、液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイパネル等のように多様な種類がある。このようなディスプレイは、画面上から入力情報を手軽に入力するためにユーザーがペンまたは指で表面を加圧すればその位置に対応する情報を入力させるタッチパネルを備えて入力装置として用いる。
【０００３】
タッチパネルの厚さ及び大きさ問題に対応するためにタッチパネルを内蔵した液晶ディスプレイ装置が開発されている。これはタッチパネルの厚さ及び大きさの問題以外にもタッチセンサの厚さを減らすことができて、薄型化に有利であり、別途のモジュール組立作業がなくて生産性向上効果がある。
【０００４】
一方、タッチパネルを内蔵した液晶ディスプレイ装置は、外部から圧力が印加された場合、共通電極表示板の共通電極が薄膜トランジスタ表示板のセンサ電極と接触してセンサラインに一定の電圧が印加され、センサラインの一定の電圧がセンサに提供されてセンサでは一定レベルを有する信号を出力する。
【０００５】
しかし、薄膜トランジスタ表示板に形成されているデータ線と共通電極表示板に形成されている共通電極のカップリングにより共通電圧が歪む現象が発生し、データ線に印加されるデータ電圧が印加される毎に、共通電圧が非常に歪む。これにより、歪んだ共通電圧がセンサラインを介してセンサに提供されて、センサでは二つの信号すなわち, 一定レベルを持つ基準電圧と歪んだ共通電圧の相対的な極性を誤って判断するようになって外部から力が印加されない場合に外部から力が印加されたと判断るとか又は外部で力が印加された場合にもタッチ地点の座標信号を認識しなくなる。
【特許文献１】韓国特許公報第０６４０９９７号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明が解決しようとする技術的課題は、カップリングノイズを除去してセンサの誤動作を防止することができるタッチパネル一体型液晶表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記技術的課題を達成するための本発明の一実施形態によるタッチパネル一体型液晶表示装置は、絶縁基板、絶縁基板上に第１方向に延長されて形成された複数のゲート線と、複数のゲート線と交差するように第２方向に形成された複数のデータ線、複数のゲート線と複数のデータ線が交差する領域によって規定された複数の薄膜トランジスタ、複数のゲート線及び複数のデータ線と同じ方向に形成されたセンサライン及びセンサラインと同じ方向に形成されたダミーラインを含む。
【０００８】
前記技術的課題を達成するための本発明の他の実施形態によるタッチパネル一体型液晶表示装置は、絶縁基板上に第１方向に延長されて形成された複数のゲート線と、複数のゲート線と交差するように第２方向に形成された複数のデータ線、複数のゲート線と複数のデータ線が交差する領域によって規定された複数の薄膜トランジスタ、複数のゲート線及び複数のデータ線と同じ方向に形成されたセンサライン及びセンサラインと同じ方向に形成されたダミーラインを含む薄膜トランジスタ表示板及びダミーラインに所定の電圧を印加するための第１配線と、ゲート線を駆動するためにゲートオフ電圧を印加するための第２配線と、第１配線と前記第２配線間にカップリングされて、カップリングノイズを除去するキャパシタを含む印刷回路基板を含む。
【０００９】
その他実施形態の具体的な事項は詳細な説明及び図面に含まれている。
【発明の効果】
【００１０】
前記したような本発明によるタッチパネル一体型液晶表示装置によれば、カップリングノイズを除去してセンサの誤動作を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
明細書全体をとおして同一の参照符号は同一の構成要素を指す。
【００１２】
以下、添付した図面を参照して本発明の実施形態を詳細に説明する。
【００１３】
まず、図１ないし図３Ｃを参照して本発明の第１実施形態によるタッチパネル一体型液晶表示装置に関し説明する。
【００１４】
図１は本発明の第１実施形態によるタッチパネル一体型液晶表示装置を示す図面であって、図２は図１のＡ部分の拡大図であって、図３Ａは本発明の第１実施形態によるタッチパネル一体型液晶表示装置の薄膜トランジスタ表示板の配置図であって、図３Ｂは図３Ａの薄膜トランジスタ表示板をIIIｂ−IIIｂ'線に沿って切開した断面図であって、図３Ｃは図３Ａの薄膜トランジスタ表示板をIIIｃ−IIIｃ'線及びIIIｃ'−IIIｃ"線に沿って切開した断面図である。
【００１５】
図１を参照すると、本発明の第１実施形態によるタッチパネル一体型液晶表示装置の薄膜トランジスタ表示板１００は外部から圧力が印加された場合、タッチ地点の座標信号を出力するタッチパネルを含む。
【００１６】
薄膜トランジスタ表示板１００の絶縁基板上には第１及び第２方向に複数の第１及び第２センサライン（ＳＬ１＿１ないしＳＬ１＿４、ＳＬ２＿１ないしＳＬ２＿５）と、第１及び第２センサライン（ＳＬ１＿１ないしＳＬ１＿４、ＳＬ２＿１ないしＳＬ２＿５）と同じ方向に複数の第１及び第２ダミーライン（ＡＬ１＿１ないしＡＬ１＿４、ＡＬ２＿１ないしＡＬ２＿５）が形成されている。ここで、第１及び第２ダミーライン（ＡＬ１＿１ないしＡＬ１＿４、ＡＬ２＿１ないしＡＬ２＿５）にはそれぞれ基準電圧Ｖｒｅｆが印加される。
【００１７】
ここで、第１及び第２センサライン（ＳＬ１＿１ないしＳＬ１＿４、ＳＬ２＿１ないしＳＬ２＿５）は第１及び第２センサ電極２８ａおよび６３ａにそれぞれ接続されている。外部から圧力が印加された場合、共通電極表示板２００に形成されているセンサスペーサ９２が薄膜トランジスタ表示板１００の第１及び第２センサ電極２８ａおよび６３ａと導通して第１及び第２センサライン（ＳＬ１＿１ないしＳＬ１＿４、ＳＬ２＿１ないしＳＬ２＿５）に所定の電圧が伝送される。
【００１８】
また、薄膜トランジスタ表示板１００は、第１センサライン（ＳＬ１＿１ないしＳＬ１＿４）及び第１ダミーライン（ＡＬ１＿１ないしＡＬ１_４）に接続されて第１センサライン（ＳＬ１＿１ないしＳＬ１＿４）と第１ダミーライン（ＡＬ１＿１ないしＡＬ１＿４）の電圧差を増幅して出力する複数の第１比較器（ｃｏｍｐａｒａｔｏｒ）（ＡＭＰ１＿１ないしＡＭＰ１＿４）と、第２センサライン（ＳＬ２＿１ないしＳＬ２＿５）及び第２ダミーライン（ＡＬ２＿１ないしＡＬ２＿５）に接続されて第２センサライン（ＳＬ２＿１ないしＳＬ２＿５）と第２ダミーライン（ＡＬ２＿１ないしＡＬ２＿５）の電圧差を増幅して出力する複数の第２比較器（ＡＭＰ２＿１ないしＡＭＰ２＿５）とを含む。
【００１９】
本発明の第１実施形態で第１及び第２センサライン（ＳＬ１＿１ないしＳＬ１＿４、ＳＬ２＿１ないしＳＬ２＿５）と同じ方向に第１及び第２ダミーライン（ＡＬ１＿１ないしＡＬ１＿４、ＡＬ２＿１ないしＡＬ２＿５）を形成する理由は次のとおりである。
【００２０】
従来、薄膜トランジスタ表示板１００に形成されているデータ線（図示せず）と共通電極表示板２００に形成されている共通電極（図示せず）のカップリングにより共通電圧が歪む現象が生じた。この共通電圧の歪みはデータ線に印加されるデータ電圧が変わる毎に共通電圧を非常に歪ませる。これにより、歪んだ共通電圧が第１及び第２センサライン（ＳＬ１＿１ないしＳＬ１＿４、ＳＬ２＿１ないしＳＬ２＿５）を介して伝送されて、第１及び第２比較器（ＡＭＰ１＿１ないしＡＭＰ１＿４、ＡＭＰ２＿１ないしＡＭＰ２＿５）において２信号の相対的な極性、すなわち、歪んだ共通電圧から伝送された信号と特定の基準を有する基準信号（ｒｅｆｅｒｅｎｃｅ  ｓｉｇｎａｌ）を誤判するようになる。このように、外部から圧力が印加されない場合にも外部から圧力が印加されたと判断したり、または外部から圧力が印加された場合にもタッチ地点の座標信号をわからなくなる。
【００２１】
このような問題点を解決するために、第１及び第２センサライン（ＳＬ１＿１ないしＳＬ１＿４、ＳＬ２＿１ないしＳＬ２＿５）と同じ方向に第１及び第２ダミーライン（ＡＬ１＿１ないしＡＬ１＿４、ＡＬ２＿１ないしＡＬ２＿５）を形成して、第１及び第２センサライン（ＳＬ１＿１ないしＳＬ１＿４、ＳＬ２＿１ないしＳＬ２＿５）が共通電極表示板の共通電極からカップリング影響を受けるときに、第１及び第２ダミーライン（ＡＬ１＿１ないしＡＬ１＿４、ＡＬ２＿１ないしＡＬ２＿５）も第１及び第２センサライン（ＳＬ１＿１ないしＳＬ１＿４、ＳＬ２＿１ないしＳＬ２＿５）のようにカップリング影響を受けるようにするためである。
【００２２】
第１及び第２ダミーライン（ＡＬ１＿１ないしＡＬ１＿４、ＡＬ２＿１ないしＡＬ２＿５）は第１及び第２センサライン（ＳＬ１＿１ないしＳＬ１＿４、ＳＬ２＿１ないしＳＬ２＿５）と実質的に同時に同じ位相を有する。それゆえ、第１及び第２比較器（ＡＭＰ１＿１ないしＡＭＰ１＿４、ＡＭＰ２＿１ないしＡＭＰ２＿５）には同時に同じ位相の共通電圧が第１及び第２センサライン（ＳＬ１＿１ないしＳＬ１＿４、ＳＬ２＿１ないしＳＬ２＿５）に印加されて、共通電圧と同じ位相を有する基準電圧が第１及び第２ダミーライン（ＡＬ１＿１ないしＡＬ１＿４、ＡＬ２＿１ないしＡＬ２＿５）に印加される。そうすれば、第１及び第２比較器（ＡＭＰ１＿１ないしＡＭＰ１＿４、ＡＭＰ２＿１ないしＡＭＰ２＿５）は同時に同じ位相の共通電圧と基準電圧を比較してその結果によって第１及び第２比較器（ＡＭＰ１＿１ないしＡＭＰ１＿４、ＡＭＰ２＿１ないしＡＭＰ２＿５）の出力端子にタッチ地点の座標を示す所定のセンシング電圧を出力する。このとき、第１及び第２比較器（ＡＭＰ１＿１ないしＡＭＰ１＿４、ＡＭＰ２＿１ないしＡＭＰ２＿５）は同じ位相の共通電圧と基準電圧を比較するようになるので、相対的な極性判断時における誤判することを防止することができる。
【００２３】
図２はタッチパネルを含む表示信号線と画素の等価回路を示す。表示信号線は図面符号ＧＬで示したゲート線および図面符号ＤＬで示したデータ線を含む。
【００２４】
図２を参照すると、各画素ＰＸは該ゲート線ＧＬ及びデータ線ＤＬに接続されているスイッチング素子Ｑと、これに接続された液晶キャパシタ（ｌｉｑｕｉｄ  ｃｒｙｓｔａｌ  ｃａｐａｃｉｔｏｒ）と、蓄積キャパシタ（ｓｔｏｒａｇｅ  ｃａｐａｃｉｔｏｒ）とを含む。
【００２５】
また、ゲート線ＧＬと同じ方向に形成された第１センサライン（ＳＬ１＿１）及び第１ダミーライン（ＡＬ１＿１）と、データ線ＤＬと同じ方向に形成されている第２センサライン（ＳＬ２＿４）と第２ダミーライン（ＡＬ２＿４）と、第１及び第２センサライン（ＳＬ１＿１、ＳＬ２＿４）にそれぞれ接続されている第１及び第２センサ電極２８ａ、６３ａと、第１センサライン（ＳＬ１＿１）及び第１ダミーライン（ＡＬ１＿１）に接続されている第１比較器（ＡＭＰ１＿１）及び第２センサライン（ＳＬ２＿４）と第２ダミーライン（ＡＬ２＿４）に接続されている第２比較器（ＡＭＰ２＿４）とを含む。
【００２６】
図３Ａないし図３Ｃを参照すると、絶縁基板１０上に横方向に配置されたゲート線２２と、ゲート線２２に突起の形状で構成されたゲート電極２６が形成されている。そしてゲート線２２の端には他の層または外部からゲート信号の印加を受けてゲート線２２に伝送するゲート線の終端２４が形成されており、ゲート線の終端２４は外部回路との接続のために幅が拡張されている。このようなゲート線２２、ゲート電極２６及びゲート線の終端２４をゲート配線と言う。
【００２７】
また、蓄積電極２５は後述する画素電極８２と一部分が重なって画素の電荷保持能力を向上させる維持容量を形成する。このような蓄積電極２５の形状及び配置等は多様な形態で変形してもよい。
【００２８】
絶縁基板１０上にはゲート線２２と同じ方向に配置した第１センサライン２８ｂと、第１センサライン２８ｂに突起状で構成されて幅が拡張された第１センサ電極２８ａが形成されている。第１センサ電極２８ａはタッチパネルセンサの一端子で第１センサパッド８４とコンタクトホール７２を介して接続されて、外部から圧力が印加された場合に後述するセンサスペーサ（図４の図面符号９２参照）上の共通電極と導通されて外部圧力が印加された位置情報を提供する。このような第１センサ電極２８ａ及び第１センサライン２８ｂを第１センサ配線と言う。そして、第１センサ配線２８ａ、２８ｂと同じ方向に配置した第１ダミーライン２９が形成されている。ここで、第１センサ配線２８ａ、２８ｂと第１ダミーライン２９はゲート配線２２、２４、２６と同じ層に形成されている。
【００２９】
ゲート配線２２、２４、２６、蓄積電極２５、第１センサ配線２８ａ、２８ｂ及び第１ダミーライン２９はアルミニウム（ＡＬ）とアルミニウム合金等アルミニウム系列の金属、銀（Ａｇ）と銀合金等銀系列の金属、銅（Ｃｕ）と銅合金等銅系列の金属、モリブデン（Ｍｏ）とモリブデン合金等モリブデン系列の金属、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）等で構成してもよい。またゲート配線２２、２４、２６、蓄積電極２５、第１センサ配線２８ａ、２８ｂ及び第１ダミーライン２９は、物理的性質異なる２つの導電膜（図示せず）を含む多重膜構造を有してもよい。上記２つの導電膜のうち１つの導電膜は、ゲート配線２２、２４、２６、蓄積電極２５、第１センサ配線２８ａ、２８ｂ及び第１ダミーライン２９の信号遅延や電圧降下を減らすことができるように低い抵抗率（ｒｅｓｉｓｔｉｖｉｔｙ）の金属、例えばアルミニウム系列金属、銀系列金属、銅系列金属等で構成されることが望ましい。これとは違って、もう一方の導電膜は他の物質、特にＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）及びＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）との接触特性が優れた物質、例えばモリブデン系列金属、クロム、チタン、タンタル等で構成されることが望ましい。このような組合の良い例としてはクロム下部膜とアルミニウム上部膜及びアルミニウム下部膜とモリブデン上部膜を挙げることができる。但し、本発明はこれに限られず、ゲート配線２２、２４、２６、蓄積電極２５、第１センサ配線２８ａ、２８ｂ及び第１ダミーライン２９は多様な金属と導電体で形成されてもよい。
【００３０】
ゲート配線２２、２４、２６、蓄積電極２５、第１センサ配線２８ａ、２８ｂ及び第１ダミーライン２９上に窒化シリコン（ＳｉＮｘ）等で構成されたゲート絶縁膜３０を形成する。
【００３１】
ゲート絶縁膜３０上には水素化アモルファスシリコン（ｈｙｄｒｏｇｅｎａｔｅｄ ａｍｏｒｐｈｏｕｓ ｓｉｌｉｃｏｎ）または多結晶シリコン等で構成された半導体層４０を形成する。このような半導体層４０は島状、線形等のように多様な形状を有してもよｌく、例えば本実施形態のようにゲート電極２６上に島状に形成してもよい。またデータ線６２下に位置してゲート電極２６上部まで延長された形状を有する線形で形成してもよい。線形半導体層４０を形成する場合、データ線６２と同じくパターニングして形成してもよい。
【００３２】
半導体層４０の上にはシリサイド（ｓｉｌｉｃｉｄｅ）またはｎ型不純物が高農度でドーピングされているｎ＋水素化アモルファスシリコン等の物質で形成されたオーミックコンタクト層５５、５６を形成する。このようなオーミックコンタクト層５５、５６は島状、線形等のように多様な形状を有してもよく、例えば本実施形態でのように島状のオーミックコンタクト層５５、５６の場合は、ドレイン電極６６及びソース電極６５の下に位置して、線形のオーミックコンタクト層の場合は、データ線６２の下まで延長されて形成してもよい。
【００３３】
オーミックコンタクト層５５、５６及びゲート絶縁膜３０上にはデータ線６２及びドレイン電極６６を形成する。データ線６２は縦方向に長くのびていてゲート線２２と交差する。ソース電極６５は、データ線６２から枝状で半導体層４０の上部まで延長されて形成される。そしてデータ線６２の端には他の層または外部からデータ信号の印加を受けてデータ線６２に伝送するデータ線の終端６８が形成されており、データ線の終端６８は外部回路との接続のために幅が拡張されている。ドレイン電極６６は、ソース電極６５と分離されていてゲート電極２６を中心にしてソース電極６５と対向するように半導体層４０上部に配置される。
【００３４】
ドレイン電極６６は半導体層４０上部の棒状パターンと、棒状パターンから延長されて広い面積を有してコンタクトホール７６が位置するドレイン電極拡張部６７とを含む。
【００３５】
このようなデータ線６２、ソース電極６５、ドレイン電極６６、ドレイン電極拡張部６７及びデータ線の終端６８をデータ配線と言う。
【００３６】
そしてゲート絶縁膜３０上にはデータ線６２と同じ方向に配置した第２センサライン６３ｂと、第２センサライン６３ｂに突起状で構成されて幅が拡張された第２センサ電極６３ａが形成されている。第２センサ電極６３は、タッチパネルセンサの一端子で第２センサパッド８５とコンタクトホール７３を介して接続され、外部から圧力が印加される場合に後述したセンサスペーサ（図４の図面符号９２参照）上の共通電極と導通されて外部圧力が印加される位置情報を提供する。このような第２センサ電極６３ａ及び第２センサライン６３ｂを第２センサ配線と言う。外部圧力が印加される位置に対して第１センサ配線２８ａ、２８ｂは横方向の座標を、第２センサ配線６３ａ、６３ｂは縦方向の座標を提供する。そして、第２ センサーライン６３ｂと同じ方向に配置した第２ダミーライン６４が形成される。ここで、第２センサーライン６３ａ、６３ｂと第２ダミーライン６４はデータ配線６２、６５、６６、６７、６８と同じ層に形成される。
【００３７】
データ配線６２、６５、６６、６７、６８及び第２センサ配線６３ａ、６３ｂ及び第２ダミーライン６４は、アルミニウム、クロム、モリブデン、タンタル及びチタンからなるグループから選択された一つ以上の物質で構成された単一膜または多層膜で形成してもよい。例えば、データ配線６２、６５、６６、６７、６８及び第２センサ配線６３ａ、６３ｂ及び第２ダミーライン６４はクロム、モリブデン系列の金属、タンタル及びチタン等耐火性金属で構成されることが望ましく、高融点金属等の下部膜（図示せず）とその上に配置された低抵抗物質の上部膜（図示せず）で構成された多層膜構造を有してもよい。多層膜構造の例としては、先に説明したクロム下部膜とアルミニウム上部膜またはアルミニウム下部膜とモリブデン上部膜の二重膜以外にもモリブデン膜−アルミニウム膜−モリブデン膜の三重膜を挙げることができる。
【００３８】
ソース電極６５は半導体層４０と少なくとも一部分が重なって、ドレイン電極６６はゲート電極２６を中心にしてソース電極６５と対向して半導体層４０と少なくとも一部分が重なる。ここで、オーミックコンタクト層５５、５６は半導体層４０とソース電極６５及び半導体層４０とドレイン電極６６の間に介在して、これらの間の接触抵抗を低くする役割を果たす。
【００３９】
データ配線６２、６５、６６、６７、６８、第２センサ配線６１、６３、第２ダミーライン６４及び露出した半導体層４０上には絶縁膜で構成された保護膜７０が形成される。ここで保護膜７０は窒化シリコンまたは酸化シリコンで構成された無機物、あるいは、平坦化特性に優れ、感光性（ｐｈｏｔｏｓｅｎｓｉｔｉｖｉｔｙ）を有する有機物またはプラズマ化学気相蒸着（ｐｌａｓｍａ ｅｎｈａｎｃｅｄ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＰＥＣＶＤ）で形成されるａ−Ｓｉ:Ｃ:Ｏ、ａ−Ｓｉ:Ｏ:Ｆ等の低誘電率絶縁物質等で構成されることが望ましい。また、保護膜７０を有機物質で形成する場合にはソース電極６５とドレイン電極６６の間の半導体層４０が露出された部分に保護膜７０の有機物質が接触することを防止するために、保護膜７０は,窒化シリコン（ＳｉＮｘ）または酸化シリコン（ＳｉＯ２）で構成された下部無機膜と上部有機膜の二重膜構造を有してもよい。
【００４０】
保護膜７０には第２センサ電極６３ａ、ドレイン電極６６及びデータ線の終端６８をそれぞれ露出するコンタクトホール（ｃｏｎｔａｃｔ  ｈｏｌｅ）７３、７６、７８が形成されており、保護膜７０とゲート絶縁膜３０には第１センサ電極２８ａ及びゲート線終端２４を露出するコンタクトホール７２、７４が形成される。
【００４１】
保護膜７０上にはコンタクトホール７６を介してドレイン電極６６と電気的に接続されて画素の形状に沿って画素電極８２が形成される。データ電圧が印加された画素電極８２は上部表示板の共通電極と共に電界を生成することによって画素電極８２と共通電極の間の液晶層の液晶分子の配列を決定する。
【００４２】
また、保護膜７０上にはコンタクトホール７４、７８を介してそれぞれゲート線の終端２４とデータ線の終端６８に接続されているゲート線パッド８６及びデータ線パッド８８が形成される。そして保護膜７０上にはコンタクトホール７２、７３を介してそれぞれ第１センサ電極２８ａと第２センサ電極６３ａに接続されている第１センサパッド８４及び第２センサパッド８５が形成されている。ここで画素電極８２、第１センサパッド８４、第２センサパッド８５、ゲート線パッド８６及びデータ線パッド８８はＩＴＯまたはＩＺＯ等の透明導電体またはアルミニウム等の反射性導電体で形成される。補助ゲート線及びデータ線の終端８６、８８はゲート線終端２４及びデータ線の終端６８と外部装置を接合する役割を果たす。
【００４３】
画素電極８２、第１センサパッド８４、第２センサパッド８５、ゲート線パッド８６、データ線パッド８８及び保護膜７０上には液晶層を配向することができる配向膜（図示せず）が塗布されてもよい。
【００４４】
以下、図４ないし図５Ｂを参照して本発明の第１実施形態によるタッチパネル一体用液晶表示装置の共通電極表示板について説明する。
【００４５】
図４は本発明の第１実施形態によるタッチパネル一体用液晶表示装置の共通電極表示板の配置図であって、図５Ａは図３Ａの薄膜トランジスタ表示板と図４の共通電極表示板を含むタッチパネル一体型液晶表示装置の配置図であって、図５Ｂは図５ＡのIIIｂ−IIIｂ'線に沿って切開した断面図である。
【００４６】
図４ないし図５Ｂを参照すると、ガラス等の透明な絶縁物質からなる絶縁基板９６上に光漏れを防止するためのブラックマトリックス９４と画素に順次に配列されている赤色、緑色、青色のカラーフィルタ９８が形成される。例えば、本実施形態に示された画素には赤色カラーフィルタ９８が形成されている。
【００４７】
センサスペーサ９２は、ブラックマトリックス９４上に形成される。ここでセンサスペーサ９２はカラーフィルタ９８として形成してもよい。
【００４８】
ブラックマトリックス９４、カラーフィルタ９８及びセンサスペーサ９２上にはＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）またはＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）等の透明な導電物質からなる共通電極９０が形成される。
【００４９】
そして共通電極９０上には支持スペーサ９３が形成される。ここで支持スペーサ９３は薄膜トランジスタ表示板１００と共通電極表示板２００の間を支持して一定のセルギャップ（ｃｅｌｌ  ｇａｐ）を形成する。支持スペーサ９３は例えば感光性樹脂で形成してもよい。支持スペーサ９３とセンサスペーサ９２は、全てブラックマトリックス９４と重なるように配置されることが望ましいがこれに限られない。
【００５０】
共通電極９０上には液晶分子を配向する配向膜（図示せず）を塗布してもよい。
【００５１】
外部圧力が印加されない初期状態で、センサスペーサ９２は薄膜トランジスタ表示板１００と分離されており、外部圧力が印加される場合にセンサスペーサ９２上の共通電極９０が第１センサパッド８４及び第２センサパッド８５と接触して導通される。
【００５２】
図５Ｂに示したように、このような構造の薄膜トランジスタ表示板１００と共通電極表示板２００を位置あわせをして結合し、その間に液晶層３００を形成すれば本発明の一実施形態によるタッチスクリーン表示装置の基本構造が形成される。薄膜トランジスタ表示板１００と共通電極表示板２００は画素電極８２がカラーフィルタ９８に対応して正確に重なるように位置あわせをする。
【００５３】
タッチスクリーン表示装置はこのような基本構造に偏光板、バックライト等の各要素を配置して形成される。このとき偏光板（図示せず）は基本構造の両側にそれぞれ一つずつ配置されて、その一つの透過軸はゲート線２２に対して平行で、残りの一つはこれに垂直をなすように配置する。
【００５４】
図６は、本発明の第２実施形態によるタッチパネル一体型液晶表示装置を示す図面である。
【００５５】
図６を参照すると、本発明の第２実施形態によるタッチパネル一体型液晶表示装置の薄膜トランジスタ表示板１００の絶縁基板１０上には第１及び第２方向に複数の第１及び第２センサライン（ＳＬ１＿１ないしＳＬ１＿４、ＳＬ２＿１ないしＳＬ２＿５）が形成されており、絶縁基板１０の縁に沿って第１ダミーライン（ＡＬ１）が形成されていて、第１及び第２方向にそれぞれ第２及び第３ダミーライン（ＡＬ２＿１ないしＡＬ２＿４、ＡＬ３＿１ないしＡＬ３＿５）が形成される。このとき、第１ダミーライン（ＡＬ１）は第２及び第３ダミーライン（ＡＬ２＿１ないしＡＬ２＿４、ＡＬ３＿１ないしＡＬ３＿５）と相互に接続されている。ここで、第１、第２及び第３ダミーライン（ＡＬ１、ＡＬ２＿１ないしＡＬ２＿４、ＡＬ３＿１ないしＡＬ３＿５）には基準電圧Ｖｒｅｆが印加される。
【００５６】
ここで、第１及び第２センサライン（ＳＬ１＿１ないしＳＬ１＿４、ＳＬ２＿１ないしＳＬ２＿５）は、第１及び第２センサ電極２８ａ、６３ａとそれぞれ接続されている。外部から圧力が印加された場合、共通電極表示板２００に形成されているセンサスペーサ９２が薄膜トランジスタ表示板１００の第１及び第２センサ電極２８ａ、６３ａと導通されて第１及び第２センサライン（ＳＬ１＿１ないしＳＬ１＿４、ＳＬ２＿１ないしＳＬ２＿５）に所定の電圧が伝送される。
【００５７】
また、薄膜トランジスタ表示板１００は、第１センサライン（ＳＬ１＿１ないしＳＬ１＿４）及び第２ダミーライン（ＡＬ２＿１ないしＡＬ２＿４）に接続されて第１センサライン（ＳＬ１＿１ないしＳＬ１＿４）と第２ダミーライン（ＡＬ２＿１ないしＡＬ２＿４）の電圧差を増幅して出力する複数の第１比較器（ＡＭＰ１＿１ないしＡＭＰ１＿４）と、第２センサライン（ＳＬ２＿１ないしＳＬ２＿５）及び第３ダミーライン（ＡＬ３＿１ないしＡＬ３_５）に接続されて第２センサライン（ＳＬ２＿１ないしＳＬ２＿５）と第３ダミーライン（ＡＬ３_１ないしＡＬ３＿５）の電圧差を増幅して出力する複数の第２比較器（ＡＭＰ２＿１ないしＡＭＰ２＿５）とを含む。
【００５８】
本発明の第２実施形態で絶縁基板の縁に沿って第１ダミーライン（ＡＬ１）を形成して、これとそれぞれ接続される第２及び第３ダミーライン（ＡＬ２＿１ないしＡＬ２＿４、ＡＬ３＿１ないしＡＬ３＿５）を形成する理由は次のとおりである。
【００５９】
第１及び第２センサライン（ＳＬ１＿１ないしＳＬ１＿４、ＳＬ２＿１ないしＳＬ２＿５）が共通電極表示板２００の共通電極からカップリング影響を受けるとき、第１ダミーライン（ＡＬ１）が第１及び第２センサライン（ＳＬ１＿１ないしＳＬ１＿４、ＳＬ２＿１ないしＳＬ２＿５）のカップリング影響を受けて、第１ダミーライン（ＡＬ１）も第１及び第２センサライン（ＳＬ１＿１ないしＳＬ１＿４、ＳＬ２＿１ないしＳＬ２＿５）と実質的に同時に同じ位相の信号を受ける。したがって、本発明の第２実施形態は本発明の第１実施形態と同じように、第１及び第２比較器（（ＡＭＰ１＿１ないしＡＭＰ１＿４、ＡＭＰ２＿１ないしＡＭＰ２＿５）で第１及び第２センサライン（ＳＬ１＿１ないしＳＬ１＿４、ＳＬ２＿１ないしＳＬ２＿５）と第２及び第３ダミーライン（ＡＬ２＿１ないしＡＬ２＿４、ＡＬ３＿１ないしＡＬ３＿５）の相対的な極性判断時に誤判することを防止することができる。
【００６０】
図７は本発明の第３実施形態によるタッチパネル一体型液晶表示装置を示す図面である。
【００６１】
図７を参照すると、本発明の第３実施形態によるタッチパネル一体型液晶表示装置の薄膜トランジスタ表示板１００の絶縁基板１０上には第１及び第２方向に複数の第１及び第２センサライン（ＳＬ１＿１ないしＳＬ１＿４、ＳＬ２＿１ないしＳＬ２＿５）が形成されており、絶縁基板の縁に沿って第１ダミーライン（ＡＬ１）が形成されて、第１及び第２方向に形成されている複数の第２及び第３ダミーライン（ＡＬ２＿１ないしＡＬ２＿４、ＡＬ３＿１ないしＡＬ３＿５）が形成されている。このとき、第１ダミーライン（ＡＬ１）は第２及び第３ダミーライン（ＡＬ２＿１ないしＡＬ２＿４、ＡＬ３＿１ないしＡＬ３＿５）と相互に接続されている。ここで、第１、第２及び第３ダミーライン（ＡＬ１、ＡＬ２＿１ないしＡＬ２＿４、ＡＬ３＿１ないしＡＬ３＿５）には第１及び第２センサライン（ＳＬ１＿１ないしＳＬ１＿４、ＳＬ２＿１ないしＳＬ２＿５）に印加される初期電圧Ｖｓが印加される。このとき、初期電圧Ｖｓは共通電圧より低い電圧である。
【００６２】
ここで、第１及び第２センサライン（ＳＬ１＿１ないしＳＬ１＿４、ＳＬ２＿１ないしＳＬ２＿５）は第１及び第２センサ電極２８ａ、６３ａにそれぞれ接続されている。外部から圧力が印加された場合、共通電極表示板２００に形成されているセンサスペーサー９２が薄膜トランジスタ表示板１００の第１及び第２センサ電極２８ａ、６３ａと導通して第１及び第２センサライン（ＳＬ１＿１ないしＳＬ１＿４、ＳＬ２＿１ないしＳＬ２＿５）に所定の電圧が伝送される。
【００６３】
また、薄膜トランジスタ表示板１００は第１センサライン（ＳＬ１＿１ないしＳＬ１＿４）及び第２ダミーライン（ＡＬ２＿１ないしＡＬ２＿４）に接続されて第１センサライン（ＳＬ１＿１ないしＳＬ１＿４）と第２ダミーライン（ＡＬ２＿１ないしＡＬ２＿４）の電圧差を増幅して出力する複数の第１比較器（ＡＭＰ１＿１ないしＡＭＰ１＿４）と、第２センサライン（ＳＬ２＿１ないしＳＬ２＿５）及び第３ダミーライン（ＡＬ３_１ないしＡＬ３_５）に接続されて第２センサライン（ＳＬ２＿１ないしＳＬ２＿５）と第３ダミーライン（ＡＬ３＿１ないしＡＬ３＿５）の電圧差を増幅して出力する複数の第２比較器（ＡＭＰ２＿１ないしＡＭＰ２＿５）とを含む。
【００６４】
そして、薄膜トランジスタ表示板１００は、第１比較器（ＡＭＰ１＿１ないしＡＭＰ１＿４）の出力端子（ＯＬ１＿１ないしＯＬ１＿４）及び第４ダミーライン（ＡＬ４_１ないしＡＬ４_４）に接続された出力端子（ＯＬ１＿１ないしＯＬ１＿４）と第４ダミーライン（ＡＬ４＿１ないしＡＬ４＿４）の電圧差を増幅して出力する複数の第３比較器（ＡＭＰ３＿１ないしＡＭＰ３＿4）と、第２比較器（ＡＭＰ２＿１ないしＡＭＰ２＿５）の出力端子（ＯＬ２＿１ないしＯＬ２＿５）及び第５ダミーライン（ＡＬ５_１ないしＡＬ５_５）に接続されて出力端子（ＯＬ２＿１ないしＯＬ２＿５）と第５ダミーライン（ＡＬ５＿１ないしＡＬ５＿５）の電圧差を増幅して出力する複数の第４比較器（ＡＭＰ４＿１ないしＡＭＰ４＿５）とをさらに含む。このとき、第４及び第５ダミーライン（ＡＬ４＿１ないしＡＬ４＿４、ＡＬ５＿１ないしＡＬ４＿５）には基準電圧Ｖｒｅｆが印加される。
【００６５】
本発明の第３実施形態は、本発明の第２実施形態の変形実施形態で、第１、第２及び第３ダミーライン（ＡＬ１、ＡＬ２＿１ないしＡＬ２＿４、ＡＬ３＿１ないしＡＬ３＿５）に第１及び第２センサライン（ＳＬ１＿１ないしＳＬ１＿４、ＳＬ２＿１ないしＳＬ２＿５）に印加される初期電圧を印加して、第１及び第２比較器（ＡＭＰ１＿１ないしＡＭＰ１＿４、ＡＭＰ２＿１ないしＡＭＰ２＿５）の出力端子に第３及び第４比較器（ＡＭＰ３＿１ないしＡＭＰ３＿４、ＡＭＰ４＿１ないしＡＭＰ４＿５）を接続する理由は次のとおりである。
【００６６】
第１、第２及び第３ダミーライン（ＡＬ１、ＡＬ２＿１ないしＡＬ２＿４、ＡＬ３＿１ないしＡＬ３＿５）に第１及び第２センサライン（ＳＬ１＿１ないしＳＬ１＿４、ＳＬ２＿１ないしＳＬ２＿５）に印加される初期電圧Ｖｓを印加するようにすれば、第１及び第２センサライン（ＳＬ１＿１ないしＳＬ１＿４、ＳＬ２＿１ないしＳＬ２＿５）と第１、第２及び第３ダミーライン（ＡＬ１、ＡＬ２＿１ないしＡＬ２＿４、ＡＬ３＿１ないしＡＬ３＿５）に同じ電圧がかかるようになる。
【００６７】
すなわち、外部から圧力が印加されない場合には第１及び第２センサライン（ＳＬ１＿１ないしＳＬ１＿４、ＳＬ２＿１ないしＳＬ２＿５）と第１、第２及び第３ダミーライン（ＡＬ１、ＡＬ２＿１ないしＡＬ２＿４、ＡＬ３＿１ないしＡＬ３＿５）に同じ電圧が印加されて第１及び第２比較器（（ＡＭＰ１＿１ないしＡＭＰ１＿４、ＡＭＰ２＿１ないしＡＭＰ２＿５）は‘０’を出力するようになる。
【００６８】
また、外部から圧力が印加された場合には第１及び第２センサライン（ＳＬ１＿１ないしＳＬ１＿４、ＳＬ２＿１ないしＳＬ２＿５）に所定の電圧がかかり、第１及び第２比較器（ＡＭＰ１＿１ないしＡＭＰ１＿４、ＡＭＰ２＿１ないしＡＭＰ２＿５）ではハイレベルの信号を出力し、ハイレベルの信号が第３及び第４比較器（ＡＭＰ３_１ないしＡＭＰ３＿４、ＡＭＰ４＿１ないしＡＭＰ４_５）に入力されて第３及び第４比較器（ＡＭＰ３＿１ないしＡＭＰ３＿４、ＡＭＰ４＿１ないしＡＭＰ４＿５）は基準電圧Ｖｒｅｆと比較して再びハイレベルの信号を出力する。したがって、第１及び第２センサライン（ＳＬ１＿１ないしＳＬ１＿４、ＳＬ２＿１ないしＳＬ２＿５）が共通電極表示板２００の共通電極からのカップリング影響を受けて、第１及び第２センサライン（ＳＬ１＿１ないしＳＬ１＿４、ＳＬ２＿１ないしＳＬ２＿５）にカップリングノイズが発生してもこれを効果的に除去することができる。
【００６９】
図８は本発明の第４実施形態によるタッチパネル一体型液晶表示装置を示す図面である。
【００７０】
図８を参照すると、本発明の第４実施形態によるタッチパネル一体型液晶表示装置の薄膜トランジスタ表示板１００の絶縁基板１０上には第１及び第２方向に複数の第１及び第２センサライン（ＳＬ１＿１ないしＳＬ１＿４、ＳＬ２＿１ないしＳＬ２＿５）が形成されており、絶縁基板の縁に沿って第１ダミーライン（ＡＬ１）が形成されていて、第１及び第２センサライン（ＳＬ１＿１ないしＳＬ１＿４、ＳＬ２＿１ないしＳＬ２＿５）と同じ方向に複数の第２及び第３ダミーライン（ＡＬ２＿１ないしＡＬ２＿４、ＡＬ３＿１ないしＡＬ３＿５）が形成されている。このとき、第１ダミーライン（ＡＬ１）は、第２及び第３ダミーライン（ＡＬ２＿１ないしＡＬ２＿４、ＡＬ３＿１ないしＡＬ３＿５）と相互に接続されている。ここで、第１、第２及び第３ダミーライン（ＡＬ１、ＡＬ２＿１ないしＡＬ２＿４、ＡＬ３＿１ないしＡＬ３＿５）には第１及び第２センサライン（ＳＬ１＿１ないしＳＬ１＿４、ＳＬ２＿１ないしＳＬ２＿５）に印加される初期電圧Ｖｓが印加される。このとき、初期電圧Ｖｓは、共通電圧より低い電圧である。
【００７１】
ここで、第１及び第２センサライン（ＳＬ１＿１ないしＳＬ１＿４、ＳＬ２＿１ないしＳＬ２＿５）は、第１及び第２センサ電極２８ａ、６３ａにそれぞれ接続されている。外部から圧力が印加された場合、共通電極表示板２００に形成されているセンサスペーサー９２が薄膜トランジスタ表示板１００の第１及び第２センサ電極２８ａ、６３ａと導通されて第１及び第２センサライン（ＳＬ１＿１ないしＳＬ１＿４、ＳＬ２＿１ないしＳＬ２＿５）に所定の電圧が伝送される。
【００７２】
また、薄膜トランジスタ表示板１００は、第１センサライン（ＳＬ１＿１ないしＳＬ１＿４）及び第２ダミーライン（ＡＬ２＿１ないしＡＬ２＿４）に接続されて第１センサライン（ＳＬ１＿１ないしＳＬ１＿４）と第２ダミーライン（ＡＬ２＿１ないしＡＬ２＿４）の電圧差を増幅して出力する複数の第１比較器（ＡＭＰ１＿１ないしＡＭＰ１＿４）と、第２センサライン（ＳＬ２＿１ないしＳＬ２＿５）及び第３ダミーライン（ＡＬ３_１ないしＡＬ３_５）に接続されて第２センサライン（ＳＬ２＿１ないしＳＬ２＿５）と第３ダミーライン（ＡＬ３＿１ないしＡＬ３＿５）の電圧差を増幅して出力する複数の第２比較器（ＡＭＰ２＿１ないしＡＭＰ２＿５）とを含む。
【００７３】
そして、薄膜トランジスタ表示板１００は、第１比較器（ＡＭＰ１＿１ないしＡＭＰ１＿４）の出力端子（ＯＬ１＿１ないしＯＬ１＿４）及び第４ダミーライン（ＡＬ４_１ないしＡＬ４_４）に接続されて出力端子（ＯＬ１＿１ないしＯＬ１＿４）と第４ダミーライン（ＡＬ４＿１ないしＡＬ４＿４）の電圧差を増幅して出力する複数の第３比較器（ＡＭＰ３＿１ないしＡＭＰ３＿５）と、第２比較器（ＡＭＰ２＿１ないしＡＭＰ２＿５）の出力端子（ＯＬ２＿１ないしＯＬ２＿５）及び第５ダミーライン（ＡＬ５_１ないしＡＬ５_５）に接続されて出力端子（ＯＬ２＿１ないしＯＬ２＿５）と第５ダミーライン（ＡＬ５＿１ないしＡＬ５＿５）の電圧差を増幅して出力する複数の第４比較器（ＡＭＰ４＿１ないしＡＭＰ４＿５）とをさらに含む。このとき、第４及び第５ダミーライン（ＡＬ４＿１ないしＡＬ４＿４、ＡＬ５＿１ないしＡＬ４＿５）には基準電圧Ｖｒｅｆが印加される。
【００７４】
本発明の第４実施形態は本発明の第３実施形態の変形実施形態で、図7に示すように第２及び第３ダミーライン（ＡＬ２＿１ないしＡＬ２＿４、ＡＬ３＿１ないしＡＬ３＿５）が第１及び第２センサライン（ＳＬ１＿１ないしＳＬ１＿４、ＳＬ２＿１ないしＳＬ２＿５）と同じ方向に相互に交差するように形成されているという点を除いて、本発明の第３実施形態と同一構造を有している。したがって、本発明の第４実施形態は本発明の第３実施形態と同じ効果を得ることができる。
【００７５】
図９は本発明の第５実施形態によるタッチパネル一体型液晶表示装置を示す図面である。
【００７６】
図９を参照すると、本発明の第５実施形態によるタッチパネル一体型液晶表示装置の薄膜トランジスタ表示板１００の絶縁基板１０上には第１及び第２方向に複数の第１及び第２センサライン（ＳＬ１＿１ないしＳＬ１＿４、ＳＬ２＿１ないしＳＬ２＿５）が形成されており、第１及び第２方向に複数の第１及び第２ダミーライン（ＡＬ１＿１ないしＡＬ１＿４、ＡＬ２＿１ないしＡＬ２＿５）が形成されていて、第１及び第２ダミーライン（ＡＬ１＿１ないしＡＬ１＿４、ＡＬ２＿１ないしＡＬ２＿５）とそれぞれ接続されている第３ダミーラインＡＬ３が形成されている。ここで、第１、第２及び第３ダミーライン（ＡＬ１＿１ないしＡＬ１＿４、ＡＬ２＿１ないしＡＬ２＿５、ＡＬ３）には、基準電圧Ｖｒｅｆが印加される。
【００７７】
ここで、第１及び第２センサライン（ＳＬ１＿１ないしＳＬ１＿４、ＳＬ２＿１ないしＳＬ２＿５）は、第１及び第２センサ電極２８ａ、６３ａにそれぞれ接続されている。外部からの圧力が印加された場合、共通電極表示板２００に形成されているセンサスペーサー９２が薄膜トランジスタ表示板１００の第１及び第２センサ電極２８ａ、６３ａと導通して第１及び第２センサライン（ＳＬ１＿１ないしＳＬ１＿４、ＳＬ２＿１ないしＳＬ２＿５）に所定の電圧が伝送される。
【００７８】
また、薄膜トランジスタ表示板１００は、第１センサライン（ＳＬ１＿１ないしＳＬ１＿４）及び第１ダミーライン（ＡＬ１_１ないしＡＬ１_４）に接続されて第１センサライン（ＳＬ１＿１ないしＳＬ１＿４）と第１ダミーライン（ＡＬ１＿１ないしＡＬ１＿４）の電圧差を増幅して出力する複数の第１比較器（ＡＭＰ１＿１ないしＡＭＰ１＿４）と、第２センサライン（ＳＬ２＿１ないしＳＬ２＿５）及び第２ダミーライン（ＡＬ２＿１ないしＡＬ２＿５）に連結されて第２センサライン（ＳＬ２＿１ないしＳＬ２＿５）と第２ダミーライン（ＡＬ２＿１ないしＡＬ２＿５）の電圧差を増幅して出力する複数の第２比較器（ＡＭＰ２＿１ないしＡＭＰ２＿５）とを含む。
【００７９】
そして、薄膜トランジスタ表示板１００は、薄膜トランジスタ表示板１００に形成されている薄膜トランジスタを駆動するための複数の部品が実装されている印刷回路基板３００に接続されている。図９に示したように、印刷回路基板３００には、第１、第２及び第３ダミーライン（ＡＬ１＿１ないしＡＬ１＿４、ＡＬ２＿１ないしＡＬ２＿５、ＡＬ３）に所定の電圧を印加するための第１配線３１１と、ゲート線ＧＬ１ないしＧＬｎを駆動するためにゲートオフ電圧Ｖｏｆｆを印加するための第２配線３１３と、第２配線３１３からゲートオフ電圧Ｖｏｆｆを提供を受けて順次にゲートオフ電圧Ｖｏｆｆをゲート線ＧＬ１ないしＧＬｎに印加するゲート駆動部３２０及び第１配線３１１と第２配線３１３の間にカップリングされてカップリングノイズを除去するキャパシタＣ１とを含む。ここで、第１配線３１１には基準電圧Ｖｒｅｆが印加される。
【００８０】
本発明の第５実施形態で第１配線３１１と第２配線３１３の間にキャパシタＣ１を配置する理由は次のとおりである。
【００８１】
ゲートオフ電圧Ｖｏｆｆは、ゲートオン電圧Ｖｏｎが印加されているゲート線ＧＬ１ないしＧＬｎを除いて、ゲート駆動部３２０に接続しているゲート線ＧＬ１ないしＧＬｎに印加される。ここで、薄膜トランジスタ表示板１００に形成されているデータ線と共通電極表示板２００に形成されている共通電極のカップリングにより共通電圧が歪む現象が発生する。この場合、ゲート線ＧＬ１ないしＧＬｎに印加されるゲートオフ電圧Ｖｏｆｆが人家されるゲート船も共通電極またはデータ船とカップルリングされる 。
【００８２】
このような問題点を解決するために、第１配線３１１と第２配線３１３の間にキャパシタＣ１を配置してゲートオフ電圧Ｖｏｆｆを基準電圧Ｖｒｅｆにレベルシフト（ｌｅｖｅｌ  ｓｈｉｆｔ）させれば、第１、第２及び第３ダミーライン（ＡＬ１＿１ないしＡＬ１＿４、ＡＬ２＿１ないしＡＬ２＿５、ＡＬ３）に基準電圧Ｖｒｅｆが印加される。したがって、カップリング現象により第１及び第２センサライン（ＳＬ１＿１ないしＳＬ１＿４、ＳＬ２＿１ないしＳＬ２＿５）と、第１及び第２ダミーライン（ＡＬ１＿１ないしＡＬ１＿４、ＡＬ２＿１ないしＡＬ２＿５）が実質的に同時に同じ位相の信号を受ける。これにより、第１及び第２比較器（ＡＭＰ１＿１ないしＡＭＰ１＿４、ＡＭＰ２＿１ないしＡＭＰ２＿５）が、第１及び第２センサライン（ＳＬ１＿１ないしＳＬ１＿４、ＳＬ２＿１ないしＳＬ２＿５）と第１及び第２ダミーライン（ＡＬ１＿１ないしＡＬ１＿４、ＡＬ２＿１ないしＡＬ２＿５）の相対的な極性判断時に誤判することを防止することができる。
【００８３】
本発明の第５実施形態では第１、第２及び第３ダミーライン（ＡＬ１＿１ないしＡＬ１＿４、ＡＬ２＿１ないしＡＬ２＿５、ＡＬ３）に基準電圧Ｖｒｅｆを印加することについて説明したが、第１及び第２センサライン（ＳＬ１＿１ないしＳＬ１＿４、ＳＬ２＿１ないしＳＬ２＿５）に印加される初期電圧Ｖｓが印加してもよい。この場合、比較器は、本発明の第４実施形態と同じように第１ないし第４比較器の構造を有してもよい。
【００８４】
以上添付した図面を参照して本発明の実施形態を説明したが、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者は、本発明がその技術的思想や必須な特徴を変更しなくて他の具体的な形態で実施できるということを理解することができる。それゆえ以上で記述した実施形態は全ての面で例示的であって限定的でないと理解しなければならない。
【産業上の利用可能性】
【００８５】
本発明はタッチパネル一体型液晶表示装置に適用される。
【図面の簡単な説明】
【００８６】
【図１】本発明の第１実施形態によるタッチパネル一体型液晶表示装置を示す図面である。
【図２】図１のＡ部分の拡大図である。
【図３Ａ】本発明の第１実施形態によるタッチパネル一体型液晶表示装置薄膜トランジスタ表示板の配置図である。
【図３Ｂ】図３Ａの薄膜トランジスタ表示板をIIIｂ−IIIｂ'線に沿って切開した断面図である。
【図３Ｃ】図３Ａの薄膜トランジスタ表示板をIIIｃ−IIIｃ'線及びIIIｃ'−IIIｃ"線に沿って切開した断面図である。
【図４】本発明の第１実施形態によるタッチパネル一体用液晶表示装置の共通電極表示板の配置図である。
【図５Ａ】図３Ａの薄膜トランジスタ表示板と図４の共通電極表示板を含むタッチパネル一体型液晶表示装置の配置図である。
【図５Ｂ】図５ＡのＶｂ−Ｖｂ'線に沿って切開した断面図である。
【図６】本発明の第２実施形態によるタッチパネル一体型液晶表示装置を示す図面である。
【図７】本発明の第３実施形態によるタッチパネル一体型液晶表示装置を示す図面である。
【図８】本発明の第４実施形態によるタッチパネル一体型液晶表示装置を示す図面である。
【図９】本発明の第５実施形態によるタッチパネル一体型液晶表示装置を示す図面である。
【図１】
2008122913.tif 000003
【図２】
2008122913.tif 000004
【図３Ａ】
2008122913.tif 000005
【図３Ｂ】
2008122913.tif 000006
【図３Ｃ】
2008122913.tif 000007
【図４】
2008122913.tif 000008
【図５Ａ】
2008122913.tif 000009
【図５Ｂ】
2008122913.tif 000010
【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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