(57)【要約】【課題】外部に導出される導電部材の切断を容易且つ確実に行うことができる導電部材の切断方法および回路装置の製造方法を提供する。【解決手段】本発明では、上金型４０および下金型４２から成る金型３８とパンチ４４を使用して、樹脂封止体１２から側方に導出されるリード１４を、所定の箇所で切断している。具体的には、先ず、上金型４０と下金型４２にて、樹脂封止体１２から外部に導出されるリード１４を厚み方向に押圧して固定する。次に、金型のパンチ４４を上方から下方に移動させて、その下端に設けられた当接部４６をリード１４の上面に接触させる。更に、パンチ４４を下方に移動させることにより、リード１４を所定の箇所にて切断させる。従って、リード１４の切断の工程に於いて、リード１４の搬送および移動を行わないので、搬送等に伴う位置ズレに起因する諸問題を回避することができる。【選択図】図５
2008218525.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路素子と、前記回路素子と電気的に接続された導電部材と、前記回路素子および前記導電部材を被覆する樹脂封止体とを有する回路装置の、前記樹脂封止体から外部に突出する前記導電部材を切断する切断方法であり、
一方向からのプレス加工により前記導電部材を切断する工程を有することを特徴とする導電部材の切断方法。
【請求項２】
前記樹脂封止体および前記導電部材は、相対向する第１主面および第２主面を有し、
前記導電部材の前記第１主面は、前記樹脂封止体の前記第１主面と同一平面上に位置し、
前記切断する工程は、前記導電部材に前記第１主面側から切り込みを入れる工程と、前記第１主面側から前記樹脂封止体および前記導電部材を押圧して、前記切り込みを入れた箇所にて前記導電部材を分離する工程と、から成ることを特徴とする請求項１記載の導電部材の切断方法。
【請求項３】
前記導電部材の切断には、切り刃を備えた第１金型と、前記切り刃に対応して設けられた平坦部を備えた第２金型とが使用され、
前記切り込みを入れる工程では、前記導電部材の第２主面側を、前記第２金型の平坦部に載置し、前記第１金型の前記切り刃を前記導電部材に食い込ませて、前記切り込みを形成し、
前記分離する工程では、前記第１金型の前記切り刃を前記導電部材に食い込ませたまま、前記導電部材および前記樹脂封止体を前記第１主面側から押圧して、前記切り込みが形成された部分で前記導電部材を分離することを特徴とする請求項２記載の導電部材の切断方法。
【請求項４】
回路素子と導電部材とを樹脂封止体により一体的に被覆し、前記樹脂封止体から前記導電部材を外部に突出させる工程と、
外部に突出する前記導電部材を所定の箇所で切断する工程とを有し、
前記切断する工程では、一方向からのプレス加工により前記導電部材を切断することを特徴とする回路装置の製造方法。
【請求項５】
前記樹脂封止体および前記導電部材は、相対向する第１主面および第２主面を有し、
前記導電部材の前記第１主面は、前記樹脂封止体の前記第１主面と同一平面上に位置し、
前記切断する工程は、前記導電部材に前記第１主面側から切り込みを入れる工程と、前記第１主面側から前記樹脂封止体および前記導電部材を押圧して、前記切り込みを入れた箇所にて前記導電部材を分離する工程と、から成ることを特徴とする請求項４記載の回路装置の製造方法。
【請求項６】
前記導電部材の切断には、切り刃を備えた第１金型と、前記切り刃に対応して設けられた平坦部を備えた第２金型とが使用され、
前記切り込みを入れる工程では、前記導電部材の第２主面側を、前記第２金型の平坦部に載置し、前記第１金型の前記切り刃を前記導電部材に食い込ませて、前記切り込みを形成し、
前記分離する工程では、前記第１金型の前記切り刃を前記導電部材に食い込ませたまま、前記導電部材および前記樹脂封止体を前記第１主面側から押圧して、前記切り込みが形成された部分で前記導電部材を分離することを特徴とする請求項５記載の回路装置の製造方法。
【請求項７】
前記切断する工程により露出する前記導電部材を部分的にメッキ膜により被覆することを特徴とする請求項４記載の回路装置の製造方法。
【請求項８】
前記導電部材の表面はメッキ膜により被覆され、
前記切り込みを入れる工程では、前記切り込みを前記導電部材に形成することにより、前記導電部材の表面から前記メッキ膜を前記導電部材の破断面まで延在させることを特徴とする請求項５記載の回路装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リードフレーム等の導電部材の切断に適した導電部材の切断方法および回路装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的な樹脂封止型の回路装置の製造方法は、拡散工程等により所定の素子を半導体素子の内部に形成する工程と、この半導体素子をリード等の導電部材に電気的に接続する工程と、半導体素子および導電部材が封止されるように封止樹脂により封止する工程とを主要に具備する。
【０００３】
上記工程により製造される回路装置では、内蔵される回路素子と電気的に接続されたリードは、全体を一体的に封止する樹脂封止体から外部に突出する。そして、半導体装置を実装基板等に接続する場合は、外部に突出するリードに半田を溶着させて、実装基板上の導電路に半導体装置を接合する。
【０００４】
上記のような接合方法を行う場合、リードが外部に突出する長さが長くなると、半導体装置の実装に必要とされる面積が大きくなり、半導体装置が内蔵されるセット（例えば携帯電話等）の大型化を招く。従って、半導体装置の実装に必要とされる面積を狭くするために、リードを短くカットすることが従来から良く行われている。
【０００５】
図８を参照して、回路装置のリードを短くカットする従来の方法を説明する。ここで示す半導体装置は、内蔵される不図示の半導体素子と、リード１０２と、これらを一体に被覆する樹脂封止体１００とからなり、樹脂封止体１００から外部に導出されるリード１０２を、以下に説明する方法により切断している。概略的には、従来のリードの切断方法では、リード１０２の切断予定の部分に、上下両方向から切れ込みを入れ、その後に樹脂封止体１００を厚み方向に押圧することにより、リード１０２が所定の長さになるように切断している。
【０００６】
図８の各図を参照して、上記したリード１０２の切断方法を詳細に説明する。図８の各図は、金型を使用したリード１０２の切断方法を示す断面図である。
【０００７】
図８（Ａ）および図８（Ｂ）を参照して、先ず、金型を使用してリード１０２の上部に切り込みを入れる。リード１０２の切断に使用する金型は、上金型１０４および下金型１０６とから成る。下金型１０６の上部には、各々のリード１０２に対応して突起部１０８が設けられている。また、上金型１０４には、下金型の突起部１０８に対応した平坦部が形成されている。そして、図８（Ｂ）に示すように、上金型１０４と下金型１０６とを互いに接近させることにより、下金型１０６の突起部１０８を下方からリード１０２に食い込ませて、リード１０２の所定の箇所に切り込み部を設ける。
【０００８】
次に、図８（Ｃ）および図８（Ｄ）を参照して、各々のリード１０２に上面から切り込み部を設ける。具体的には、本工程では、上記した工程で使用したものとは異なる金型を使用し、具体的には下金型１１０および上金型１１２、１１４を使用する。ここでは、上金型１１２の下端に突起部が設けられており、この突起部と対応した箇所に平坦部を有する下金型１１０が使用される。ここでは、上金型１１４を下降させて樹脂封止体１００の位置を固定した後に、突起部が下端に設けられた上金型１１２を下降させることにより、リード１０２の上面に切り込み部を設けている。
【０００９】
次に、図８（Ｅ）および図８（Ｆ）を参照して、リード１０２が所定の長さになるように切断する。ここでも、上記した工程で用いられたものとは異なる下金型１１６および上金型１２０、１１８を使用する。上金型１１８はリード１０２の上面に当接する部位であり、上金型１２０は、樹脂封止体１００を上方から下方に押圧する部位である。また、下金型１１６は除去される部分のリード１０２の下面に接触している。図８（Ｆ）を参照して、上金型１１８および下金型１１６にて、除去される部分のリード１０２を厚み方向に固定した後に、上金型１２０を上方から下方に移動させている。このことにより、樹脂封止体１００が上方から下方に押圧され、上記工程で切り込み部が形成された部分にて、リード１０２が切断されて所望の長さに成形される。
【特許文献１】特開平８−７００１４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、上記したリード１０２の切断方法では、３種類の異なる打ち抜き金型が使用される。このことから、リード１０２が導出する樹脂封止体の載置および搬送が２回必要とされる。従って、樹脂封止体１００の位置がずれて金型に配置されると、所定の箇所に切り込み部が形成されずに、安定してリード１０２が切断できない問題があった。具体的には、図８（Ｃ）および図８（Ｄ）に示す工程にて、樹脂封止体１００およびリード１０２がずれて配置されると、リード１０２に上方から形成される切り込みと、下方から形成される切り込みとが、ずれて形成される。結果的に、図８（Ｆ）に示す工程にて、樹脂封止体１００を上方から下方に押圧しても、切り込み部が形成された箇所にて容易にリード１０２を切断することができない。更には、この工程にて、リード１０２が容易に切断されないと、上金型１２０の押圧力により、樹脂封止体１００にクラックが発生する虞もある。
【００１１】
本発明は、上述した問題を鑑みて成されたものである。本発明の主な目的は、外部に導出される導電部材の切断を容易且つ確実に行うことができる導電部材の切断方法および回路装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の導電部材の切断方法は、回路素子と、前記回路素子と電気的に接続された導電部材と、前記回路素子および前記導電部材を被覆する樹脂封止体とを有する回路装置の、前記樹脂封止体から外部に突出する前記導電部材を切断する切断方法であり、一方向からのプレス加工により前記導電部材を切断する工程を有することを特徴とする。
【００１３】
本発明の回路装置の製造方法は、回路素子と導電部材とを樹脂封止体により一体的に被覆し、前記樹脂封止体から前記導電部材を外部に突出させる工程と、外部に突出する前記導電部材を所定の箇所で切断する工程とを有し、前記切断する工程では、一方向からのプレス加工により前記導電部材を切断することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の導電部材の切断方法および回路装置の製造方法によれば、回路装置の導電部材を一方向から切断することにより、搬送および再配置に伴う位置ズレに起因した上記問題を回避することができる。即ち、リード等の導電部材に対して、両主面からのプレス加工が必要とされないので、搬送作業の回数が低減される。従って、リードを良好に切断することが可能となり、パッケージクラックを抑止して歩溜まりを向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
図１を参照して、先ず、本実施の形態により製造される半導体装置１０（回路装置）の構造を説明する。図１（Ａ）は半導体装置１０の斜視図であり、図１（Ｂ）は半導体装置１０の断面図であり、図１（Ｃ）はリード１４の端部である破断面１６を示す斜視図である。
【００１６】
図１（Ａ）および図１（Ｂ）を参照して、半導体装置１０は、半導体素子２０と、金属細線２２を経由して半導体素子２０と電気的に接続されたリード１４と、樹脂封止体１２とから成る。更に、樹脂封止体１２は、半導体素子２０、金属細線２２、リード１４およびアイランド１８を被覆している。ここで、リード１４およびアイランド１８の下面は、樹脂封止体１２の下面から外部に露出しており、これらは同一平面上に位置している。
【００１７】
半導体素子２０は、ＬＳＩまたはディスクリート型のトランジスタ等であり、シリコン等から成る半導体基板の内部に拡散技術により所定の素子が形成されている。更に、半導体素子２０の上面には、これらの素子と配線を介して接続された不図示のパッドが設けられており、このパッドに金属細線２２の一端が接続されている。また、半導体素子２０の下面は、導電性接着材または絶縁性接着剤を介して、アイランド１８の上面に載置される。
【００１８】
ここでは、樹脂封止体１２により封止される回路素子として、１つの半導体素子２０が採用されているが、内蔵される回路素子としてはチップ抵抗やチップコンデンサ等の受動素子でも良い。更には、これら複数の回路素子が樹脂封止体１２に内蔵されても良い。
【００１９】
リード１４およびアイランド１８は、厚みが例えば０．５ｍｍ程度の導電箔を加工（エッチング加工やプレス加工）することにより成形されている。リード１４は、半導体素子２０と金属細線２２を経由して接続される部分が樹脂封止体１２により被覆され、他の部分が樹脂封止体１２から外部に導出している。更に、図１（Ａ）を参照すると、複数のリード１４は、樹脂封止体１２の対向する２つの側辺から外部に導出している。ここで、リード１４は、樹脂封止体１２の１つの側辺から外部に導出されても良いし、４つの側辺から外部に導出されても良い。さらにここでは、リード１４およびアイランド１８の下面は、樹脂封止体１２から外部に露出している。
【００２０】
更に、本実施の形態では、半導体装置１０の実装に必要とされる面積を狭くするために、樹脂封止体１２から外部に突出するリード１４の長さを短くしている。具体的には、図１（Ｂ）を参照して、樹脂封止体１２の周縁部から側方に突出するリード１４の長さは、例えば０．０５ｍｍ程度である。
【００２１】
樹脂封止体１２は、インジェクションモールドにより形成された熱可塑性樹脂またはトランスファーモールドにより形成された熱硬化性樹脂から成る。本実施の形態では、樹脂封止体１２は、略直方体形状であり、４つの側面は上部が下部よりも内側に傾斜する傾斜面と成っている。樹脂封止体１２の側面が傾斜面である理由は、樹脂封止時に於ける、樹脂封止体１２の金型からの抜けを容易にするためである。
【００２２】
図１（Ｃ）を参照して、実装時の半田の濡れ性を向上させるために、リード１４の表面は、メッキ膜により被覆されている。このメッキ膜１７としては、リード１４の材料である銅（Ｃｕ）やアルミニウム（Ａｌ）よりも半田の濡れ性が良いものが採用される。例えば、銀（Ａｇ）メッキ、金（Ａｕ）メッキ、ニッケル（Ｎｉ）メッキ、半田メッキ、錫（Ｓｎ）メッキ等がメッキ膜１７として採用される。更に、異なる材料から成る複数層のメッキ膜によりリード１４の表面が被覆されても良い。
【００２３】
本実施の形態では、リード１４の表面をメッキ膜１７により被覆した後に、リード１４を所定の長さに切断している。従って、リード１４の端部の破断面１６は、そのままではメッキ膜に覆われずに、リード１４の導電材料が外部に露出している。そして、このままの状態で半田を介して半導体装置１０を実装すると、破断面１６に半田が殆ど付着せずに、半田の接続信頼性が低くなる虞がある。
【００２４】
そこで、本実施の形態では、リード１４の破断面１６の下部を、メッキ膜１７により被覆している。このことにより、リード１４に半田を溶着させると、破断面１６の下部を被覆するメッキ膜１７に良好に半田が付着して、破断面１６が部分的に被覆されて、好適な形状のフィレットが半田により形成される。結果的に、半田による接続の信頼性を向上させることができる。
【００２５】
図２を参照して、次に、上記した構成の半導体装置１０が実装された状態を説明する。図２（Ａ）は実装基板２１に実装された半導体装置１０の状態を示す断面図であり、図２（Ｂ）は拡大された断面図である。ここでは、実装基板２１に半導体装置１０が実装されることにより回路モジュールが形成されている。
【００２６】
図２（Ａ）を参照して、半導体装置１０は、実装基板２１の上面に形成された導電路２３に半田２５を介して接続されている。具体的には、半導体装置１０の両端部にリード１４が位置し、このリード１４が半田２５を介して導電路２３に接合されている。
【００２７】
ここで、実装基板２１としては樹脂製の基板、セラミック等の無機物から成る基板、金属から成る金属基板等が採用され、金属基板が採用された場合はその表面は絶縁物から成る絶縁層により被覆される。
【００２８】
図２（Ｂ）を参照して、半導体装置１０の接続に使用される半田２５は、リード１４の下面および破断面１６を含む側面に付着している。特に、本実施の形態では、破断面１６の下部にまでメッキ膜１７を延在させているので、破断面１６の下端から中央付近にかけて半田２５により被覆される。このことにより、良好な形状の半田フィレットが形成されるので、半田２５による接続信頼性が向上されている。
【００２９】
以上説明したように、本実施の形態の半導体装置１０によると、リード１４が側方に突出する長さを短くすることで、半導体装置１０の実装に必要とされる面積を狭くすると共に、リード１４の破断面１６の下部をメッキ膜１７により被覆することにより半田接続の接続信頼性を向上させている。
【００３０】
ここで、半田２５としては、鉛共晶半田または鉛フリー半田のどちらも採用可能である。特に、例えば錫を主材料とする鉛フリー半田が半田２５として採用された場合、鉛フリー半田は脆い性質を有しているので、リード１４の破断面１６を被覆するメッキ膜１７を利用して、半田フィレットを形成して接続強度を高めることは有用である。
【００３１】
次に、図３から図７を参照して、導電部材の切断方法を含む回路装置の製造方法を説明する。
【００３２】
図３を参照して、先ず、半導体素子２０およびリード１４等を一体的に封止樹脂により封止する。図３は本工程を示す断面図である。
【００３３】
本工程では、モールド金型を使用したトランスファーモールドにより、半導体素子２０等の樹脂封止を行っている。本工程で使用するモールド用の金型３０は、上金型３２および下金型３４から成り、両者を当接させることによりキャビティ３６が形成されている。キャビティ３６の内部に、半導体素子２０、アイランド１８、金属細線２２および封止される部分のリード１４が収納される。
【００３４】
キャビティ３６に半導体素子２０等を収納した後に、不図示のゲートから封止樹脂をキャビティ３６に注入する。注入される樹脂としては、熱可塑性樹脂または熱硬化性樹脂が採用される。また、製造される半導体装置全体の放熱性を向上させるために、注入される樹脂は、シリカ等のフィラーが充填された樹脂から構成されても良い。
【００３５】
上記した封止樹脂の注入が終了した後は、必要に応じて樹脂の加熱硬化を行い、上金型３２と下金型３４とを分離させて樹脂封止体（不図示）を取り出す。
【００３６】
また、本工程では、１つの半導体装置を構成する所定の数のリード１４およびアイランド１８を１つのユニット（要素単位）にして、多数のユニットが形成されたリードフレームが用意されても良い。そして、リードフレームの個々のユニットに対して、同時に上記した樹脂封止の工程が行われても良い。この場合は、後の工程にて、リードフレームから個々のユニットを分離する。
【００３７】
図４を参照して、上記工程により形成された半導体装置１０の構成を説明する。ここでは、半導体素子および金属細線が樹脂封止体１２により覆われている。そして、リード１４も部分的に樹脂封止体１２により被覆されている。
【００３８】
ここで、上記したモールド工程により、樹脂封止体の外面から外部に突出する封止樹脂から成る樹脂バリが存在する場合は、レーザー照射、噴射力、押圧力を用いて、この樹脂バリを除去する。
【００３９】
さらに、本工程が終了した後は、電解メッキまたは無電界メッキにより、リード１４の表面をメッキ膜により被覆する。ここで、メッキ膜の材料としては、リードの材料である銅などの導電材料よりも、半田の濡れ性がよい金属が採用される。
【００４０】
次に、図５、図６および図７を参照して、リードを所定の長さに切断する。本実施の形態では、樹脂封止体１２から外部に導出するリード１４を所定の長さに切断する方法として３つの方法を説明する。第１の方法は、図５を参照して、リード１４が露出する樹脂封止体１２の主面とは反対側の主面から、リード１４に押圧力を加えて（プレス加工して）切断する方法である。第２の方法は、図６を参照して、リード１４が露出する樹脂封止体１２の主面から、リード１４に圧力を加えて切断する方法である。第３の方法は、図７を参照して、第２の方法に加えて、上金型４０に設けた切り刃５０を使用する方法である。
【００４１】
図５を参照して、上記した第１の分離方法を説明する。図５（Ａ）は本方法の断面図であり、図５（Ｂ）はリード１４が切断された状態を示す斜視図である。
【００４２】
図５（Ａ）を参照して、ここでは、上金型４０および下金型４２から成る金型３８とパンチ４４を使用して、樹脂封止体１２から側方に導出されるリード１４を、所定の箇所で切断している。ここで、パンチ４４は、上金型４０の一部である。
【００４３】
先ず、先工程で形成された樹脂封止体１２が載置される状態を説明する。ここでは、樹脂封止体１２の下面（第１主面）と、リード１４の下面（第１主面）とが同一平面上に位置している。更に、樹脂封止体１２の上面（第２主面）は、リード１４の上面（第２主面）よりも上方に位置している（厚み方向に突出している）。
【００４４】
ここでは、金型３８によりリード１４の除去される部分が押圧されることで、リード１４および樹脂封止体１２の厚み方向の位置が固定されている。具体的には、下金型４２の上面に設けられた平坦面が、リード１４の除去される部分の下面に当接している。更に、上金型４０の下面に設けられた平坦面が、除去される部分のリード１４の上面と当接している。
【００４５】
上述したように、本実施の形態では、製造される半導体装置を実装するために必要とされる実装面積を狭くするために、樹脂封止体１２から側方に突出するリード１４の長さを短くする必要がある。このため、ここでは、金型３８と樹脂封止体１２とが離間する距離を小さくしている。例えば、この距離Ｌ１を０．０５ｍｍ程度にしている。
【００４６】
上記のように、リード１４を金型３８で固定した後に、紙面上では上方からパンチ４４を下方に移動させる。パンチ４４の左右両端の下端に位置する当接部４６は、樹脂封止体１２の両側から外側（側方）に導出するリード１４の上面に接触するように位置が調整されている。従って、パンチ４４を下方に移動させると、当接部４６の下端がリード１４の上面に接触する。更に、パンチ４４の下降を進行させると、パンチ４４と金型３８との境界部で、リード１４が切断される。
【００４７】
図５（Ｂ）に上記切断が終了した後の、樹脂封止体１２およびリード１４の斜視図を示す。本工程の切断により、リード１４の不要な部分が、残余部４８として分離して除去される。
【００４８】
上記した第１の方法によると、一方向（上方）からの１回のプレス加工により、全てのリード１４を同時に切断することができる。従って、リード１４の搬送や配置の位置ズレに起因した背景技術の問題点を排除することができる。更に、本工程では、上記した切断方法により、リード１４の端部にバリが発生しても、このバリは破断面１６の上端から上部に突出する。従って、実装面（リード１４の下面と樹脂封止体１２の下面が位置する平面）側に、リード１４のバリが突出しないので、バリにより半導体装置１０の実装性が低下することが防止される。
【００４９】
図６を参照して、リード１４を切断する第２の方法を説明する。図６（Ａ）はこの方法を示す断面図であり、図６（Ｂ）はこの方法によりリードが切断された状態を示す斜視図である。
【００５０】
図６（Ａ）を参照して、この方法では、樹脂封止体１２およびリード１４を、上記した第１の方法とは上下逆にして、金型３８に配置されている。従って、樹脂封止体１２は下方に厚み方向に突出しており、樹脂封止体１２の上面とリード１４の上面とは同一平面上に位置している。この状態で、除去される部分のリード１４の上面は上金型４０の下面に押圧され、リード１４の下面は下金型４２の上面により押圧されている。
【００５１】
更にこの状態で、上金型の一部であるパンチ４４を下方に移動させる。このことにより、パンチ４４の下端に設けた当接部４６が、リード１４の上面に接触する。そして更に、パンチ４４を下方に移動させる。具体的には、パンチ４４の当接部４６を、リード１４の下面よりも下方に移動させる。このことにより、パンチ４４の側面と、金型３８の内部の側面との境界にて、リード１４が所定の位置で切断される。
【００５２】
本工程では、樹脂封止体１２は上方に突出していないので、リード１４および樹脂封止体１２の上面は連続した平滑面となっている。従って、パンチ４４は樹脂封止体１２を避ける必要がないので、当接部４６の下面は、リード１４の上面および樹脂封止体１２の上面に当接しても良い。このことにより、当接部４６の断面を太くして、その部分の機械的強度を強くすることができる。
【００５３】
また、本工程では、切断時に於いて上方にバリが発生するので、バリが半導体装置の実装を阻害する虞がある。従って、リード１４の端部に発生するバリを除去する工程を更に、設けても良い。
【００５４】
また、この第２の方法は、上述した第１の方法と比較すると、パンチ４４の当接部４６の機械的強度を十分に確保することができる。具体的には、図５に示した第１の方法では、樹脂封止体１２を避けてプレスを行う必要がある。更に、リード１４の側方への突出する長さを短くする必要もある。このことから、当接部４６の幅は、例えば０．０３ｍｍ〜０．０４ｍｍ程度となるので、この箇所の機械的強度が不足する虞がある。一方、ここで説明した第２の方法では、樹脂封止体１２が厚み方向に突出する方向が下方であるので、パンチ４４が樹脂封止体を避ける必要がない。従って、必要とされる機械的強度に応じて、当接部４６を太くすることができる。例えば、当接部４６の幅を０．１ｍｍ程度にすることができる。
【００５５】
図７を参照して、リードを切断する第３の方法を説明する。図７（Ａ）はこの方法を示す断面図であり、図７（Ｂ）は切断した後の状態を示す斜視図である。
【００５６】
図７（Ａ）を参照して、本方法は上記した第２の方法と基本的には同様であるが、使用する金型の形状に相違点がある。本工程では、上金型４０の内側の端部に、直角三角形の形状の切り刃５０が設けられている。この切り刃５０が、上金型４０の下面から突出する長さは、リード１４の厚みよりも短く、例えばリード１４の厚みの半分程度でも良いし、半分以下でも良いし、半分以上でも良い。
【００５７】
本工程では、先ず、樹脂封止体１２が厚み方向に下方に突出するように、リード１４を下金型４２の上面に載置する。このように載置することにより、リード１４および樹脂封止体１２からなる上面は平滑面となる。次に、上金型４０を下降させて、その下面をリード１４の上面に当接させる。
【００５８】
このことで、上金型４０に設けた切り刃５０がリード１４に上面から食い込み、結果的に切込５２が形成される。ここで、切込５２が形成されると、リード１４の表面を被覆するメッキ膜が切り刃５０により移動して、切込５２の部分を被覆する。そして、切込５２を被覆するメッキ膜が、製造される半導体装置に残り、この部分が図１（Ｃ）に示すメッキ膜１７となる。このメッキ膜１７は、上記したように、半導体装置１０の実装に寄与する。ここで、切込５２の深さは、リード１４の厚みの半分程度でも良いし、半分以下でも良いし、半分以上でも良い。
【００５９】
次に、切り刃５０をリード１４に食い込ませたまま、パンチ４４を下方に移動させることで、当接部４６をリード１４の上面に接触させて、切込５２が形成された部分にてリード１４を切断する。紙面上では、パンチ４４の側面と金型３８の内部側面とは離間されているが、実際は、両者はほぼ隙間無く密着している。切込５２が形成されていることにより、この部分の機械的強度は弱くなっているので、パンチ４４によるリードの切断は容易に行われる。
【００６０】
図７（Ｂ）を参照して、上記工程により、リード１４は所定の長さに成形され、リード１４の残余部４８と分離される。図示されていないが、リード１４の端部の側面は、上記した切り刃５０の作用により、部分的にメッキ膜により被覆されている。
【００６１】
更に、本工程によれば、切込５２を設けることにより、切断される部分のリード１４の機械的強度が弱くなっているので、パンチ４４によるリード１４の切断を容易にすることができる。
【００６２】
以上が、リード１４を切断する工程の詳細である。
【００６３】
上記工程が終了した後は、内蔵された半導体素子２０をテストする工程等を経て、図１に構造を示すような半導体装置１０が製造される。更に、図２に示したような回路モジュールを構成する場合は、実装基板２１の上面に構成された導電路２３の所定の箇所に半田クリームを塗布する工程と、この半田クリームの上部にリード１４が接触するように半導体装置１０を載置する工程と、半田クリームを加熱溶融して半田２５とする溶融工程が必要とされる。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】本発明の製造方法により製造される半導体装置を示す図であり、（Ａ）は斜視図であり、（Ｂ）は断面図であり、（Ｃ）は拡大された斜視図である。
【図２】本発明に斯かる半導体装置を示す図であり、（Ａ）は断面図であり、（Ｂ）は拡大された断面図である。
【図３】本発明の回路装置の製造方法を示す断面図である。
【図４】本発明の回路装置の製造方法を示す斜視図である。
【図５】本発明の回路装置の製造方法を示す図であり、（Ａ）は断面図であり、（Ｂ）は斜視図である。
【図６】本発明の回路装置の製造方法を示す図であり、（Ａ）は断面図であり、（Ｂ）は斜視図である。
【図７】本発明の回路装置の製造方法を示す図であり、（Ａ）は断面図であり、（Ｂ）は斜視図である。
【図８】背景技術の半導体装置を示す図であり、（Ａ）−（Ｆ）は各工程を示す断面図である。
【符号の説明】
【００６５】
１０            半導体装置
１２            樹脂封止体
１４            リード
１６            破断面
１７            メッキ膜
１８            アイランド
２０            半導体素子
２１            実装基板
２２            金属細線
２３            導電路
２５            半田
３０            金型
３２            上金型
３４            下金型
３６            キャビティ
３８            金型
４０            上金型
４２            下金型
４４            パンチ
４６            当接部
４８            残余部
５０            切り刃
５２            切込
【図１】
2008218525.tif 000003
【図２】
2008218525.tif 000004
【図３】
2008218525.tif 000005
【図４】
2008218525.tif 000006
【図５】
2008218525.tif 000007
【図６】
2008218525.tif 000008
【図７】
2008218525.tif 000009
【図８】
2008218525.tif 000010