(57)【要約】【課題】基板上に、一対の電極を有する電子放出素子を複数個と、該電子放出素子を駆動するためのマトリクス配線とを備えた電子源の製造方法において、放電が生じた場合の、周囲の電子放出素子への影響を抑制する。【解決手段】一対の電極の一方４と第１配線１０とを接続する接続電極７が表面に露出しないように、第１配線１０と第２配線６とを絶縁する層間絶縁層８と、該層間絶縁層８上に積層される第１配線１０によって該接続配線７を覆う。【選択図】図１
2008077960.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、各々が一対の電極を有する複数の電子放出素子と、前記一対の電極の一方と接続された第１配線と前記一対の電極の他方と接続された第２配線とが層間絶縁層を介して交差するマトリクス配線と、を備えた電子源であって、
上記電子放出素子の一方の電極と第１配線とが該電極よりも低抵抗で且つ厚膜の接続電極を介して接続されており、該一方の電極が接続電極によって部分的に覆われ、さらに、該電極上の接続電極端部が上記層間絶縁層によって覆われていることを特徴とする電子源。
【請求項２】
基板上に、第１配線と第２配線とが層間絶縁層を介して交差するマトリクス配線と、一対の素子電極を有する電子放出素子を複数個備えた電子源の製造方法であって、
基板上に、複数個の電極対を形成する工程と、各電極対の一方の電極を部分的に覆って、該電極よりも低抵抗で厚膜の接続電極を形成する工程と、上記電極対の他方の電極とを接続する第２配線を形成する工程と、上記接続電極が露出しないように且つ上記接続電極と第１配線とが接続するように、層間絶縁層と第１配線とを積層形成する工程と、上記電極対に上記第１配線及び第２配線を介して電圧を印加する工程と、を少なくとも備えたことを特徴とする電子源の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、画像表示装置の構成部材であり、基板上に複数の電子放出素子と、該電子放出素子を駆動するためのマトリクス配線とを備えた電子源とその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
平板型の画像表示装置の電子源として、表面伝導型電子放出素子のように、一対の電極を備えた電子放出素子を複数個基板上に配列し、個々の電子放出素子をマトリクス配線を介して駆動する電子源が知られている。マトリクス配線は、層間絶縁層を介して交差する列方向配線と行方向配線とで構成される。そして、一対の電極のそれぞれは、層間絶縁層を介して交差する列方向配線と行方向配線のいずれか一方に接続されている。すなわち、一対の電極の一方の電極は列方向配線に接続され、他方の電極は行方向配線に接続される。
【０００３】
ここで、上側に配置する行方向配線とこれと接続される電極とは層間絶縁層に設けられたコンタクトホールを介して接続されるが、層間絶縁層が厚膜であるため、接続不良を生じる恐れがあった。そのため、係る電極と行方向配線との良好な接続を図るため、電極と行方向配線との間に接続電極或いは付加電極と呼ばれる部材を配置した構成が提案されている（特許文献１乃至３）。
【０００４】
例えば、特許文献１には、図３に示すように、基板１０１上に複数の行方向配線１０８と、絶縁層１０６によって該行方向配線１０８とは電気的に絶縁された複数の列方向配線１０５とにそれぞれ電気的に接続された一対の電極１０２が開示されている。一対の電極１０２間には間隙を備える導電性膜１０３が配置されている。該一対の電極１０２の一方の電極は列方向配線１０５に直接電気的に接続され、他方の電極は接続電極１０４を介して行方向配線１０８に接続されている。行方向配線１０８は、絶縁層１０６に設けられたコンタクトホール１０７を通じて接続電極１０４に電気的に接続されている。
【０００５】
このようなマトリクス構造の電子源では、行方向配線に走査信号を印加し、列方向配線に変調信号を印加することで、行方向配線の電位と列方向配線の電位との差電圧に依存して、各電子放出素子からの電子放出量を制御することができる。そして、上記電子源は、発光体を備えたアノードに対向するように配置されることで、画像表示装置が構成される。アノードと電子源との間には、典型的には１ｋＶ以上３０ｋＶ以下の高い電圧が印加される。これによって、電子放出素子から放出された電子が発光体に衝突し、画像が表示される。
【０００６】
また、表面伝導型電子放出素子の製造過程では、特許文献３や特許文献４に開示される、「活性化」工程が好ましく適用される。この「活性化」工程は、炭素化合物ガス（典型的には炭化水素ガス）または金属化合物ガスを含む雰囲気中で、電子放出素子を構成する一対の電極に互いに異なる電位を繰返し印加することで行われる。上記電位の印加は、行方向配線と列方向配線を介して一対の電極に電気的に接続された電源から一対の電極間に電圧を繰返し印加することで行われる。この「活性化」工程によって、前述した一対の電極間に第１の導電性膜と第２の導電性膜が、間隙を挟んで対向して設けられる。第１の導電性膜は一対の電極の一方に電気的に接続され、第２の導電性膜は一対の電極の他方に電気的に接続される。「活性化」工程で堆積する導電性膜は、「活性化」工程で炭化水素ガスを用いた場合はカーボン膜（炭素を主成分とする膜）であり、金属化合物ガスを用いた場合は金属含有膜（典型的には金属と炭素とを含む膜）である。
【０００７】
【特許文献１】特許第３１３５８１３号公報
【特許文献２】特開２００２−２１６６１６号公報
【特許文献３】特開平９−５０７５７号公報
【特許文献４】特開２０００−２３１８７２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
「活性化」工程では、上述した一対の電極間に何らかの理由で一旦放電が生じると、「活性化」を行うために上述した配線に接続された電源から大量の電荷が、若しくは配線に蓄積された電荷が、一気に、一対の電極間を流れてしまう場合があった。
【０００９】
上記のように大電流が流れると、電極材料の蒸発を伴う場合があり、前記したように、電極と配線との間に接続電極や付加電極などの導電材料が介在する場合には、これら導電材料が蒸発を起こす場合があった。上記接続電極や付加電極の厚みが厚いと、その分、蒸発する量も多くなり、これら蒸発した材料は周囲に飛散する場合もあり、その結果、周囲の電子放出素子に放電が移行したり、或いは、周囲の電子放出素子の特性が変化する場合があった。尚、上記した大電流の流れ込みは、「活性化」工程を有する電子放出素子の製造方法において顕著ではあるが、「活性化」工程を有する電子放出素子の製造方法に限られるものではない。配線を介して各電子放出素子に電圧を印加する工程を製造時に必要とする電子源においては多少なりとも同様の課題が生じる。また、駆動時においても、何らかの故障などの理由で、電源から過剰な電流が配線に流れ込むと多少なりとも上述の課題と同様の課題が生じる。
【００１０】
本発明の課題は、特には、上記したような「活性化」工程時において予期しない大電流が生じた場合の、周囲の電子放出素子への影響が抑制された電子源及びその製造方法を提供することにある。また、本発明は、各電子放出素子に接続する配線を介して電圧を電子放出素子に印加する必要のある電子源の製造時または駆動時に予期しない大電流が配線を流れた場合の、周囲への影響が抑制された電子源及びその製造方法を提供する事にある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の第１は、基板上に、各々が一対の電極を有する複数の電子放出素子と、前記一対の電極の一方と接続された第１配線と前記一対の電極の他方と接続された第２配線とが層間絶縁層を介して交差するマトリクス配線と、を備えた電子源であって、
上記電子放出素子の一方の電極と第１配線とが該電極よりも低抵抗で且つ厚膜の接続電極を介して接続されており、該一方の電極が接続電極によって部分的に覆われ、さらに、該電極上の接続電極端部が上記層間絶縁層によって覆われていることを特徴とする。
【００１２】
本発明の第２は、基板上に、第１配線と第２配線とが層間絶縁層を介して交差するマトリクス配線と、一対の素子電極を有する電子放出素子を複数個備えた電子源の製造方法であって、
基板上に、複数個の電極対を形成する工程と、各電極対の一方の電極を部分的に覆って、該電極よりも低抵抗で厚膜の接続電極を形成する工程と、上記電極対の他方の電極とを接続する第２配線を形成する工程と、上記接続電極が露出しないように且つ上記接続電極と第１配線とが接続するように、層間絶縁層と第１配線とを積層形成する工程と、上記電極対に上記第１配線及び第２配線を介して電圧を印加する工程と、を少なくとも備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、電極と配線とを接続する接続電極が層間絶縁層及び配線によって覆われているため、放電電流が接続電極に流れ込んでも、該接続電極の材料が周囲に蒸発飛散することがなく、周囲の電子放出素子への影響が防止される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
本発明の電子源は、基板上に複数の電子放出素子と該電子放出素子を駆動するためのマトリクス配線とを備える。マトリクス配線は、層間絶縁層を介して交差する列方向配線と行方向配線とで構成される。
【００１５】
本発明において電子放出素子としては、表面伝導型電子放出素子を好ましく適用することができるが、一対の電極を備えるその他の電子放出素子も用いることができる。そして、一対の電極のそれぞれは、層間絶縁層を介して交差する列方向配線（第２配線）と行方向配線（第１配線）のいずれか一方に接続されている。すなわち、一対の電極の一方の電極は列方向配線に接続され、他方の電極は行方向配線に接続される。
【００１６】
一般に、マトリクス配線を備えた電子源の場合、走査信号は行方向配線（第１配線）に印加し、変調信号は列方向配線（第２配線）に印加することが好ましい。この時、行方向とは画像表示装置の表示画像に向かって水平方向（横方向）に相当し、列方向は垂直方向（縦方向）に相当する。
【００１７】
駆動時（電子放出時）において、一対の電極間に流れる電流のうち、アノードに到達しない電流が無視できないタイプの電子放出素子（典型的には表面伝導型電子放出素子やＭＩＭ型電子放出素子）を用いた電子源では、走査信号が印加される行方向配線（第１配線）の抵抗を変調信号が印加される列方向配線（第２配線）の抵抗よりも低く設定する。そして、行方向配線（第１配線）は、絶縁層を介して、列方向配線（第２配線）の上に積層される。また、行方向配線（第１配線）に接続される電極の電位を列方向配線（第２配線）に接続される電極の電位よりも高くして駆動する。すなわち、行方向配線（第１配線）に接続される電極がカソード電極に相当し、列方向配線（第２配線）に接続される電極がゲート電極（引き出し電極）に相当する。尚、行方向配線（第１配線）と行方向配線に電気的に接続される電極とは、接続電極を介して接続される。このような形態の電子源に用いられる電子放出素子としては例えば表面伝導型電子放出素子やＭＩＭ型の電子放出素子が挙げられるが本発明に適用できる電子放出素子はこれらに限定されるものではない。そして、画像表示装置を駆動している際にアノードと電子放出素子や配線との間で放電が生じた場合に放電電流が、許容電流量が列方向配線（第２配線）よりも大きな行方向配線（第１配線）に流れるように誘導することが好ましい。そのため、行方向配線と該行方向配線と接続する一対の電極のうちの一方の電極との間の抵抗を、列方向配線と当該列方向配線と接続する他方の電極との間の抵抗よりも小さく設定することが好ましい。
【００１８】
以下、図面を参照して本発明を説明する。
【００１９】
図１に本発明の電子源の好ましい実施形態の一部平面模式図を示す。本例は、電子放出素子として表面伝導型の電子放出素子を用いた例である。また、本例は、層間絶縁層を介して交差する第１配線と第２配線のうち、上側の第２配線が走査信号を印加する走査配線、下側の第２配線が変調信号を印加する信号配線である。
【００２０】
図１中、１は基板、２，３は抵抗膜、４，５は電極（電子放出素子を構成する電極）、６は信号配線（第２配線）、７は接続電極、８は層間絶縁層、９はコンタクトホール、１０は走査配線（第１配線）、１１は導電性膜、１２は間隙である。
【００２１】
図２−ａ〜図２−ｆに、図１の電子源の製造工程を示す。以下、図２を参照して本発明を詳細に説明する。
【００２２】
先ず、基板１を用意する。基板１としては、ガラス基板の表面にＳｉＯ2膜を設けた基板を採用することが好ましい。ＳｉＯ2膜の形成手段は、スパッタリング法が好適である。
【００２３】
次に抵抗膜２，３を形成する（図２−ａ）。抵抗膜２，３は、後述する電極４と接続電極７との間、及び、電極５と信号配線６との間のそれぞれの抵抗を制御するための部材であり、必要に応じて形成する。従って、抵抗膜２、３は一方だけ形成しても良いし、両方とも形成しなくても良い。即ち、導電性膜１１あるいは間隙１２から変調信号が印加される配線（６）までの抵抗よりも走査信号が印加される第１配線（１０）までの抵抗が低く設定することができれば抵抗膜２、３はあってもなくてもよい。図２−ａに示した形態は、抵抗膜３をジグザグ状に形成することで抵抗を高く設定した例である。また、これら抵抗膜２，３は本発明においては電極４，５の一部として扱うことができる。即ち、電極４（５）と抵抗膜２（３）とで、電子放出素子を構成する一対の電極の一方の電極と見なすことができる。この様に、電子放出素子を構成する一対の電極の各々が、複数の導電性部材を接続することで構成することができる。これら抵抗膜２，３の形成方法としては、真空蒸着法・スパッタリング法・プラズマＣＶＤ法等の真空系を用いた薄膜形成手段とレジストをフォトリソパターニングする手段を組み合わせたエッチング法・リフトオフ法が挙げられる。また、導電性ペースト（導電性粒子を含有したペースト）を用いた印刷法等も挙げられる。低コストで高精度の薄膜を形成する手段としては、金属成分を含む溶液を吸収可能な感光性樹脂のパターンをフォトリソグラフィーにより基板上に予め形成する。次いで、係る樹脂パターンを形成した基板を、金属成分を含む溶液に浸漬することで、樹脂パターンに金属成分を含む溶液を吸収させ、最後に焼成工程を経て所定の金属または金属化合物パターンを得る手法が適当である。
【００２４】
次に第１電極４及び第２電極５を形成し、抵抗膜２，３とそれぞれ接続する（図２−ｂ）。形成方法は、抵抗膜２，３と同様の方法が好ましく用いられる。電極４，５の厚さは１０ｎｍ以上０．５μｍ以下が実用上適当である。
【００２５】
次に、信号配線６及び接続電極７を形成する（図２−ｃ）。信号配線６と接続電極７は同時に形成することもできるし、別々に形成することもできる。好ましくは、同時に形成する。係る信号配線６の厚膜化による配線抵抗の低減は、電子源を駆動するドライバーの負荷軽減につながり、ひいてはパネルコストの低減・表示品位の向上等につながる。この配線として金属薄膜を真空成膜して作製する薄膜配線の適用も可能であるが、配線抵抗値を下げる為に膜厚を厚くするには成膜に多大な時間が必要であることが問題になる場合があった。
【００２６】
それに対し、近年、厚膜ペースト印刷にフォトリソグラフィー技術を導入した配線形成技術が開発されている。大画面・高精細ディスプレイに要求される高精細化配線や、大面積の表示部に対応した長いスパンの位置精度に対しては、厚膜フォトペーストパターニング法が有効に適用される。厚膜フォトペーストは、溶媒・導電性フィラーとなる金属粒子・フリットガラス成分・感光剤・有機バインダー等から構成される。係る厚膜フォトペーストを印刷・露光現像・焼成することにより所定のパターンが形成される。ここで、接続電極７は、走査配線１０と抵抗膜２の電気的接続のために利用される。
【００２７】
接続電極７は電子放出素子を構成する一対の電極のうちの一方の電極の一部を覆って形成され、該電極よりも低抵抗で且つ厚膜に形成される。図２−ｃの例では、接続電極７は抵抗膜２の一部を覆うことで第１電極４と接続電極７とが電気的に接続されている。しかしながら、前述したように、電極４と抵抗膜２とで電子放出素子を構成する一対の電極のうちの一方の電極と見なすこともできる。そのため図２−ｃの例においても、接続電極７は、電子放出素子を構成する一対の電極のうちの一方の電極の一部を覆っていることになる。接続電極７の厚みは、実用的には、１μｍ以上１０μｍ以下、好ましくは１μｍ以上５μｍ以下である。
【００２８】
次に層間絶縁層８を形成する（図２−ｄ）。層間絶縁層８の構成材料は信号配線６と走査配線１０とが実質的に絶縁することができるものであればよい。例えば、ガラス成分を主成分とするペーストを印刷し、その後、焼成することで層間絶縁層８を形成することができる。また、感光性を上記ペーストに付与すれば、光を用いた露光・現像を行えるので、高精細なパターンの層間絶縁層８を形成する事ができる。係る層間絶縁層８は、接続電極７を覆って形成される。即ち、電極２上に位置する接続電極７の端部が該層間絶縁層８によって覆われる。尚、層間絶縁層８には、接続電極７上に該接続電極７と接続するためのコンタクトホール９が形成される。即ち、接続電極７の表面は、コンタクトホール９内に位置する部分をのぞいて、全て層間絶縁層８で覆われる。また、通常、層間絶縁層８は上下配線間の絶縁性を十分確保するために、印刷、乾燥、（パターン露光、現像）、焼成を複数回繰り返す場合がある。繰り返し数は、絶縁性を考慮して増減される。尚、ここでは、層間絶縁層８を格子状に配列された多数の開口を備えた形態としたが、層間絶縁層の形態はこのようなものに限定されるものではない。例えば、次の工程で形成する走査配線１０のそれぞれの下に、走査配線と平行に、配置したものであってもよい。
【００２９】
次に、走査配線１０を形成する（図２−ｅ）。形成方法としては、導電性ペーストを印刷法（例えばスクリーン印刷法）で印刷し、焼成する方法が適当である。走査配線１０の一部はコンタクトホール９内に配置され、コンタクトホール９内で走査配線１０と接続電極７とが接続される。また、コンタクトホール９は、典型的には、走査配線１０の構成材料が完全に埋め込まれる。そのため、典型的には、接続電極７は層間絶縁層８と走査配線１０によって全面が覆われ、表面に露出しない。よって、放電が生じた場合であっても、接続電極７が蒸発飛散する恐れがなくなる。尚、コンタクトホール９内は、配線１０で完全に覆われなくても良い。即ち、電極４から走査配線１０側（層間絶縁層８側）に移動してくる放電（陰極）が、電極４と層間絶縁層９との界面付近で止まり、放電が終息すればよい。即ち、接続電極７の電極４側の端部が層間絶縁層９で覆われていれば（好ましくはさらに電極４の一部が層間絶縁層９で覆われていれば良い）。このような形態であれば、放電によって発生する熱によって接続電極７の材料が蒸発・飛散することが抑制できる。
【００３０】
続いて、導電性膜１１を形成する（図２−ｆ）。導電性膜１１の材料としてはＮｉ、Ａｕ、ＰｄＯ、Ｐｄ、Ｐｔ等の導電材料をＲｓ（シート抵抗）が１０2〜１０7Ω／□の抵抗値を示す膜厚で形成したものが好ましく用いられる。尚Ｒｓは、厚さがｔ、幅がｗで長さがｌの薄膜の長さ方向に測定した抵抗Ｒを、Ｒ＝Ｒｓ（ｌ／ｗ）とおいたときに現われる値で、抵抗率をρとすればＲｓ＝ρ／ｔである。上記抵抗値を示す膜厚はおよそ５ｎｍ〜５０ｎｍの範囲にある。この膜厚範囲において、それぞれの材料の薄膜は微粒子膜の形態を有していることが好ましい。例示した材料の中でも、ＰｄＯは、好適な材料である。しかしながら、本発明の効果はＰｄＯに限られることなく、また、上記例示した材料に限られるものではない。導電性膜１１は第１電極４と第２電極５との間に、前記導電性膜１１の材料のＰｄ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｐｔ等の金属を主元素とする有機金属化合物の溶液を塗布し焼成処理し、リフトオフ、エッチング等によりパターニングして形成する。尚、導電性膜４の形成法は、真空蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法、分散塗布法、ディッピング法、スピンナー法、インクジェット法等によって形成される場合もある。
【００３１】
そして、次に、不図示の電源を走査配線（第１配線）１０と信号配線（第２配線）６とに接続し、一対の電極の各々に電圧を印加することで公知の「フォーミング」処理及び「活性化」処理を行う。
【００３２】
「フォーミング」処理では、好ましくは、大気圧よりも低い圧力の雰囲気中で、第１配線と第２配線を介して、電源から一対の電極（４、５）間に電圧を印加する。これにより、導電性膜１１に間隙が形成される。導電性膜１１は、基板表面に対して横方向に対向し、間隙を境にして完全に分離されていることが理想ではあるが、充分な電子放出特性を示しさえすれば一部でつながっていても良い。「フォーミング」処理は、より好ましくは、大気圧よりも低い圧力の雰囲気中であって、還元性ガス（典型的には水素ガス）を含有する雰囲気中で行う。尚、第１電極４と第２電極５との間隔を上記「フォーミング」処理で形成される間隙程度に設けることができれば、上記導電性膜１１を形成する工程も、「フォーミング」処理も必ずしも行う必要はない。導電性膜１１を用いない場合には、第１電極４と第２電極５との隙間が、上述した「フォーミング」処理で形成される間隙に相当する。
【００３３】
続いて、「活性化」処理を行う。「活性化」処理では、炭素化合物ガス（典型的には炭化水素ガス）または金属化合物ガスを含む雰囲気中に各電子放出素子（各一対の電極）を配置して、第１配線と第２配線を介して、電源から一対の電極（４、５）間に繰返し電圧を印加する。電圧の印加は、例えば、複数の第１配線１０の中から所定数（１以上）の配線を選択し、当該選択された配線に電源を接続して選択された配線に電位を供給する。また、第１配線１０の中から選択された配線への電位の供給に同期して、複数の第２配線６のうちの２以上の配線（典型的には全ての第２配線）を選択し、選択された配線の電位を同時に所定の電位に設定する。尚、複数の第２配線６の中から選択された２以上の配線のそれぞれの所定の電位は、同じ電位であってもよいが、好ましくは、第１配線における電圧降下を考慮して、電圧降下分を補償するように異なっていても良い。この様に、「活性化」処理では、選択された第１配線１０に接続する多数の電子放出素子（一対の電極）のうちの複数個（好ましくは全部）に同時に電圧を印加する。そして、この電圧の印加は、全ての第１配線に同様の処理が行われるまで繰り返す。つまり、上記した電圧の印加に続いて、第１配線１０のうちの非選択の配線について、上述の電圧印加と同様の動作を行う。
【００３４】
「活性化」処理によって、カーボン膜（または金属含有膜）が形成される。カーボン膜（または金属含有膜）は、第１及び第２のカーボン膜（または金属含有膜）からなる。第１及び第２のカーボン膜（または第１及び第２の金属含有膜）は、基板表面上にナノオーダーの間隙１２を置いて隣り合って配置されている。第１及び第２のカーボン膜（または第１及び第２の金属含有膜）は、間隙１２を境にして完全に分離される事が好ましいが、微少な領域で繋がっていても、充分な電子放出特性を示しさえすれば許容される。第１のカーボン膜（金属含有膜）は第１電極４に電気的に接続され、第２のカーボン膜（金属含有膜）は第２電極５に電気的に接続される。導電性膜１１を用いた場合には、カーボン膜（金属含有膜）と電極（４，５）との間に導電性膜１１が配置される。
【００３５】
係る間隙１２は実質的に電子放出部に相当するが、基板上にアノードや発光体を備えた画像表示部材を基板１に対向配置させ、封止した後に形成することもできる。
【実施例】
【００３６】
図１の電子源を図２の工程に従って製造した。
【００３７】
まず、ガラス基板全面にＳｉＯ2膜をスパッタリング法で０．４μｍ形成した基板１に抵抗膜２，３を同時形成した（図２−ａ）。本例では、ルテニウム膜で抵抗膜２，３を形成した。
【００３８】
次に、電極４，５を同時形成した（図２−ｂ）。その際、電極４と抵抗膜２が接続し、電極５と抵抗膜３が接続するパターンとした。ここでは、プラチナを用いた。
【００３９】
次に、信号配線６と接続電極７を同時形成した（図２−ｃ）。接続電極７は、抵抗膜４と接続するように形成し、信号配線６は抵抗膜５と接続するように形成した。形成方法としては、導電性フォトペーストを印刷した後、露光・現像し、さらに焼成することで形成した。使用したペーストは、導体成分となるＡｇ粒子、感光成分と樹脂を含有するペーストである。
【００４０】
次に、絶縁性フォトペーストを使って、層間絶縁層８を形成した。その際、パターン形状は、コンタクトホール９を有するパターンとした（図２−ｄ）。ここでペーストは、酸化ビスマスを主成分としたガラスと樹脂及び感光成分からなる主成分を混合したものである。
【００４１】
次に、スクリーン印刷法により導電性ペーストで走査配線１０を形成した（図２−ｅ）。ここで導電性ペーストは、銀粒子と樹脂とを含むペーストである。
【００４２】
最後に電極４，５間にインクジェット法により、導電性膜１１を形成した（図２−ｆ）。
【００４３】
本例では、導電性膜１１として酸化パラジウム膜を得る目的で、有機パラジウム含有溶液を、ピエゾ素子を用いたインクジェット噴射装置を用い、電極４と電極５との間を接続するように付与した。その後この基板を空気中にて、加熱焼成処理をして酸化パラジウム（ＰｄＯ）膜１１とした。導電性膜１１の直径は約６０μｍ、厚みは最大で１０ｎｍの膜が得られた。
【００４４】
次に「フォーミング」処理及び「活性化」処理により間隙１２を形成し、本発明の電子源が作製された。この後、本例の電子源を、アノード電極と発光体とを備えるフェースプレートに対向させて、内部を所定の真空度に維持して封着することで平板型の画像表示装置を作成した。電子源形成後、画像表示装置を作成するまでの工程は、例えば特許第３７０３４４８号記載の方法が参照できる。
【００４５】
本例による電子源及び画像表示装置の製造過程では、「活性化」工程において、接続電極７が蒸発することもなく、安定に「活性化」処理を行うことができた。また、一部の電極４では放電に起因したと見られる溶融部が見られたが、その影響は周囲の電子放出素子には及んでいなかった。また、形成された画像表示装置は、良好な画像を長期に渡って維持することができた。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明の電子源の一実施形態の平面模式図である。
【図２−ａ】図１の電子源の製造工程を説明する平面模式図である。
【図２−ｂ】図１の電子源の製造工程を説明する平面模式図である。
【図２−ｃ】図１の電子源の製造工程を説明する平面模式図である。
【図２−ｄ】図１の電子源の製造工程を説明する平面模式図である。
【図２−ｅ】図１の電子源の製造工程を説明する平面模式図である。
【図２−ｆ】図１の電子源の製造工程を説明する平面模式図である。
【図３】従来の電子源の構成を示す平面模式図である。
【符号の説明】
【００４７】
１  ガラス基板
２，３  抵抗膜
４，５  電極
６  信号配線
７  接続電極
８層間絶縁層
９  コンタクトホール
１０  走査配線
１１  導電性膜
１２  間隙
【図１】
2008077960.tif 000003
【図２−ａ】
2008077960.tif 000004
【図２−ｂ】
2008077960.tif 000005
【図２−ｃ】
2008077960.tif 000006
【図２−ｄ】
2008077960.tif 000007
【図２−ｅ】
2008077960.tif 000008
【図２−ｆ】
2008077960.tif 000009
【図３】
2008077960.tif 000010