(57)【要約】【課題】基板、特に、有機ポリマー製基板に（Ｚｎ1-xＣｕx）Ｓｅ薄膜を有する薄膜付き基板を提供する。【解決手段】基板およびこの基板の表面の少なくとも一部に設けられた（Ｚｎ1-xＣｕx）Ｓｅ薄膜（但し、０＜ｘ≦０．２）を含むことを特徴とする薄膜付き基板。基板を配設した真空蒸着器内において、ＺｎＳｅを加熱し、かつＣｕＳｅおよび／またはＣｕ2Ｓｅを加熱し、前記基板の表面上に（Ｚｎ1-xＣｕx）Ｓｅ薄膜（但し、０＜ｘ≦０．２）を形成することを特徴とする、薄膜付き基板の製造方法。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板およびこの基板の表面の少なくとも一部に設けられた（Ｚｎ1-xＣｕx）Ｓｅ薄膜（但し、０＜ｘ≦０．２）を含むことを特徴とする薄膜付き基板。
【請求項２】
ｘは、０．１以下である請求項１に記載の薄膜付き基板。
【請求項３】
前記薄膜は、結晶性を有する請求項１または２に記載の薄膜付き基板。
【請求項４】
前記薄膜はＣｕ2Ｓｅ結晶相を含まない請求項１〜３のいずれかに記載の薄膜付き基板。
【請求項５】
前記薄膜は電気伝導率が、10-5〜100Scm-1の範囲である請求項１〜４のいずれかに記載の薄膜付き基板。
【請求項６】
基板が透明基板である請求項１〜５のいずれかに記載の薄膜付き基板。
【請求項７】
基板が有機ポリマー製である請求項１〜５のいずれかに記載の薄膜付き基板。
【請求項８】
基板を配設した真空蒸着器内において、ＺｎＳｅを加熱し、かつＣｕＳｅおよび／またはＣｕ2Ｓｅを加熱し、前記基板の表面上に（Ｚｎ1-xＣｕx）Ｓｅ薄膜（但し、０＜ｘ≦０．２）を形成することを特徴とする、薄膜付き基板の製造方法。
【請求項９】
基板の温度を１００℃以下に維持しながら前記薄膜形成を行う、請求項８に記載の製造方法。
【請求項１０】
真空蒸着器内の圧力は１×１０-6〜１×１０-10Torrの範囲である請求項８または９に記載の製造方法。
【請求項１１】
（Ｚｎ1-xＣｕx）Ｓｅ薄膜にアニール処理を施すことをさらに含む請求項８または９に記載の製造方法。
【請求項１２】
アニール処理は、レーザー照射である請求項１１に記載の製造方法。
【請求項１３】
前記レーザー照射は、前記薄膜の形成と並行して行なう、請求項１２に記載の製造方法。
【請求項１４】
前記レーザー照射は、前記薄膜の形成後に行う、請求項１２に記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、蛍光体や半導体として用いられるＺｎＣｕＳｅ化合物薄膜が形成された基板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ポリマー基板を用いたフレキシブルデバイスは、ユビキタス社会における種々の携帯デバイスを作製する上で大切である。フレキシブルデバイスの中でも、特に光デバイスの実現には、透明半導体薄膜を有機ポリマー基板上に形成する技術が必要になる。従来、有機ポリマー基板上に室温成膜可能な透明半導体薄膜には、amorphous In2O3（非特許文献１参照）、amorphous In2O3-ZnO（非特許文献２参照）、amorphous InZnGaO4（非特許文献３参照）などが報告されているが、いずれもn型極性しか発現することができない。このため、透明電極膜として利用したり、ＦＥＴを作製するにとどまっている。しかし、発光ダイオード（ＬＥＤ）、レーザーダイオード（ＬＤ）や太陽電池などｐｎ接合に基づいて設計された機能デバイスを実現するには、有機ポリマー基板上に形成可能な透明ｐ型半導体材料の設計が決定的に重要である。また、有機ＥＬディスプレイ用正孔注入電極に透明ｐ型半導体材を用いると、発光効率が向上する。
【０００３】
この点、Ａｌｉらの報告は大変意義深い（非特許文献４、５参照）。すなわち、CuまたはAgを用いた多結晶ZnSe薄膜p型導電性を示すというものである。ZnSeは結晶化温度が低いので、有機ポリマー基板上にｐ−ｎデバイスを作製できる可能性がある。ZnSeは禁制帯幅2.7eVの直接半導体であり、青色LED用半導体として単結晶膜について精力的な研究がなされてきた。可視域全域で透明性を付与するには3eV以上の禁制帯幅が必要であるが、MgやSを用いたバンドエンジニアリングに関してはよく調べられている。ｐ型ドーパントとしては、LiやNが知られているが、いずれも単結晶性が少しでも劣化すると顕著に絶縁体化してしまう。これまで多結晶体がｐ型半導体特性を示したとする報告例は無い。CuやAgドープによりp-ZnSe多結晶膜が得られるとすれば革新的な発見である。
【０００４】
Ａｌｉらの報告では、蒸着法でガラス基板上に加熱成膜したZnSe薄膜をCuNO3-H2O溶液中に浸漬し、さらに400℃でアニールして、Cuを最大2.4％ドープした。この薄膜(膜厚400nmt)は波長500nm以上で平均70％の透過率を持ち、0.6Scm-1の導電率（1.6Ωcmの抵抗率）を示した。キャリアの極性はAgの場合について、熱プローブ法で確認された。しかし、予期しない不純物を取り除き、半導体特性を制御するためには、すべての元素を真空プロセスによって与えることが適当である。また、有機ポリマー基板上に成膜するためには、低温成膜プロセスを調べる必要がある。
【０００５】
ここで、ZnSe成膜法としては、標準的なものとして分子線エピタキシー（ＭＢＥ）法、もう一つ広く利用されているものとして有機金属化学輸送（ＭＯＣＶＤ）法、また、古くから産業的に使われている化学輸送（ＣＶＤ）法が挙げられる。
【非特許文献１】J. R. Bellingham, W. A. Phillips, and C. J. Adkins, J. Phys. Condens. Matter. 2, 6207 (1990).
【非特許文献２】A. Kaijo, K. Inoue, S. Matsuzaki, and Y. Shigesato, Proceedings of "The Forth Pacific Rim International Conference on Advanced Materials and Processing (PRICM-4)" 2, 1787 (2001).
【非特許文献３】M. Orita, H. Ohta, M. Hirano, S. Narushima, H. Hosono, Philoso. Mag. B 81, 501 (2001).
【非特許文献４】Z. Ali, A. K. S. Aqili, A. Maqsood and S. M. J. Akhtar, Vacuum 80, 302 (2005).
【非特許文献５】Z. Ali, A. K. S. Aqili, S. M. J. Akhtar and A. Maqsood, J. Non-cryst. Solids 352, 409 (2006).
【非特許文献６】A. Ashida, Y. Hachiuma, N. Yamamoto, T. Ito, and Y. Cho, Jpn. J. Appl. Phys. 32, Suppl. 32-3, 84 (1993).
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
従来は、透明ｐ型半導体を成膜した有機ポリマー基板は存在しなかった。Aliらが見いだしたCuドープZnSeは多結晶膜でもｐ型導電性を示すので有用であるが、有機ポリマー基板上に形成する手段については、これまで検討されてきていない。本発明は、CuドープZnSe膜を有機ポリマー基板上に形成する方法を提供するものである。ここで有機ポリマー基板とは、広く有機ポリマー材料を用いて作製した物体であり、ブロック状でもよく、板状でもよく、フィルム状でも良い。フレキシブルデバイスを作製するためには、フィルム状基板が好適である。
【０００７】
上述してきたZnSe成膜法として、ＭＢＥ法は、高純度Znと高純度Seのロッドを原料として用いており、Seフラックスを制御して化学量論的なZn/Se比を得ることは、Knudsenセルを用いても困難である。これは、Seの蒸気圧は150℃付近で急激に上昇するのであるが、150℃という低温を安定的に保持することが通常困難であるためである。そのため、化学量論組成は、基板を300℃付近に上昇させ、ZnSe結晶相を析出させ、過剰なSe成分を蒸発させて得るのが通常である。この方法は温度が高すぎて、有機ポリマー基板には適用できない。
【０００８】
有機金属化学蒸着（ＭＯＣＶＤ）法は、ここでは、ジメチル亜鉛やジエチル亜鉛とセレン化水素と石英反応管中において300℃付近で反応させるとすると、加熱が必要であることによって有機ポリマー基板に適用できないだけでなく、セレン化水素は猛毒であることが問題となる。
【０００９】
化学蒸着（ＣＶＤ）法は、Zn金属とセレン化水素を反応させるとすれば、基板は730℃まで昇温させなくてはならず、やはり有機ポリマー基板に適用できない。
【００１０】
ここで、ZnSe成膜法として蒸着法が挙げられる。蒸着法は有機ポリマーフィルム上の大面積成膜に適した方法で、タッチパネル用ITO膜の成膜などに利用されている。この蒸着法は、装置構造が単純で安価で、成膜スピードが大きく、量産性がある。しかしながら、ZnSe膜の場合、蒸着源にZnとSeを用いるならば、ＭＢＥ法と同様に、Se蒸気圧を安定させにくいという問題がある。また、基板を加熱する必要があるため、やはり有機ポリマー基板を採用することができないという問題がある。
【００１１】
蒸着法における問題を解決する手法として、ZnSe化合物粉を用いた蒸着法が適用できる可能性がある。ここで、ZnSeを加熱した際の蒸気成分について、幾つか詳しい報告がある。これらによると、ZnSe(s)は分解してZn(g)とSe2(g)となり、ZnSe(g)の分圧は全圧の0.1％を超えず、したがって、蒸気はZn:Se=1:1の組成比を持ち、このガスが露出された基板上にそのまま堆積すれば、ZnSe膜が得られる。一方、Cuがドープされた構成とするために、蒸着法を用いたCu源としてSe化合物であるCu2Seを用いた報告例がある（非特許文献６参照）が、この報告例のCu2SeはCuInSe2化合物半導体薄膜の蒸着源として用いており、化学量論組成が得られにくいという課題がある。
【００１２】
そこで本発明の目的は、基板、特に、有機ポリマー製基板に（Ｚｎ1-xＣｕx）Ｓｅ薄膜を有する薄膜付き基板を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明は、以下のとおりである。
［１］基板およびこの基板の表面の少なくとも一部に設けられた（Ｚｎ1-xＣｕx）Ｓｅ薄膜（但し、０＜ｘ≦０．２）を含むことを特徴とする薄膜付き基板。
［２］ｘは、０．１以下である［１］に記載の薄膜付き基板。
［３］前記薄膜は、結晶性を有する［１］または［２］に記載の薄膜付き基板。
［４］前記薄膜はＣｕ2Ｓｅ結晶相を含まない［１］〜［３］のいずれかに記載の薄膜付き基板。
［５］前記薄膜は電気伝導率が、10-5〜100Scm-1の範囲である［１］〜［４］のいずれかに記載の薄膜付き基板。
［６］基板が透明基板である［１］〜［５］のいずれかに記載の薄膜付き基板。
［７］基板が有機ポリマー製である［１］〜［５］のいずれかに記載の薄膜付き基板。
［８］基板を配設した真空蒸着器内において、ＺｎＳｅを加熱し、かつＣｕＳｅおよび／またはＣｕ2Ｓｅを加熱し、前記基板の表面上に（Ｚｎ1-xＣｕx）Ｓｅ薄膜（但し、０＜ｘ≦０．２）を形成することを特徴とする、薄膜付き基板の製造方法。
［９］基板の温度を１００℃以下に維持しながら前記薄膜形成を行う、［８］に記載の製造方法。
［１０］真空蒸着器内の圧力は１×１０-6〜１×１０-10Torrの範囲である［８］または［９］に記載の製造方法。
［１１］（Ｚｎ1-xＣｕx）Ｓｅ薄膜にアニール処理を施すことをさらに含む［８］または［９］に記載の製造方法。
［１２］アニール処理は、レーザー照射である［１１］に記載の製造方法。
［１３］前記レーザー照射は、前記薄膜の形成と並行して行なう、［１２］に記載の製造方法。
［１４］前記レーザー照射は、前記薄膜の形成後に行う、［１２］に記載の製造方法。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、ＺｎＣｕＳｅ[以下（Ｚｎ1-xＣｕx）ＳｅをＺｎＣｕＳｅと略記することがある]薄膜を有する基板、特に、有機ポリマー基板を提供することができる。、ＺｎＣｕＳｅ前記ＺｎＣｕＳｅ薄膜は、結晶性を有し、不純物としてのＣｕ2Ｓｅを含有せず、さらには、10-5〜100Scm-1の範囲の電気伝導率を有する透明ｐ型半導体である。大面積の有機ポリマー基板上に上記薄膜を形成することもできるので、発光ダイオード（ＬＥＤ）、レーザーダイオード（ＬＤ）や太陽電池等、ｐｎ接合に基づいて設計された機能デバイスを実現することが可能となる。また、有機ＥＬディスプレイ用正孔注入電極に本発明の透明ｐ型半導体薄膜を用いれば、発光効率の向上が期待できる。
【００１５】
また、本発明では、上記薄膜形成に蒸着法を採用し、これにより、基板温度を100℃以下の低温に維持しながらＺｎＣｕＳｅ薄膜を形成でき、そのため、耐熱性に劣る有機ポリマー製の基板上においても、ＺｎＣｕＳｅ薄膜を形成することが可能になった。
【００１６】
さらに、上記本発明の蒸着法においては、ＺｎＣｕＳｅ薄膜にアニール処理を行なうことによってＺｎＣｕＳｅ薄膜の結晶性を改善することもできる。結晶性を改善したＺｎＣｕＳｅ薄膜は、透明性が向上し、半導体特性が向上する効果がある。このアニール処理は、ＺｎＣｕＳｅ薄膜の蒸着と並行して行なうことによって結晶性が膜厚方向に均一な膜を作製できるという効果や、100nm厚以上の厚みを有する膜を作製できるという効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
本発明は、基板およびこの基板の表面の少なくとも一部に設けられた（Ｚｎ1-xＣｕx）Ｓｅ薄膜（但し、０＜ｘ≦０．２）を含むことを特徴とする薄膜付き基板である。ｘは、好ましくは０．１以下であり、下限は、好ましくは０．１である。（Ｚｎ1-xＣｕx）Ｓｅ薄膜において、ＺｎおよびＣｕとＳｅとは、実質的に化学量論比で含まれる。ここで化学量論比とは、Ｚｎ+ＣｕとＳｅの原子比(Ｚｎ+Ｃｕ)/Ｓｅが0.99〜1.01の範囲であることを意味する。好ましくは原子比(Ｚｎ+Ｃｕ)/Ｓｅが1.00である。
【００１８】
本発明の薄膜付き基板が有する薄膜は、結晶性を有するものであり、多結晶性である。さらに本発明の前記薄膜は、実質的にＣｕ2Ｓｅ結晶相を含まないものであることが好ましい。Ｃｕ2Ｓｅは着色するため、Ｃｕ2Ｓｅを含まないことで、薄膜は、より透明性に優れる。さらに、前記薄膜は電気伝導率が10-5〜100Scm-1の範囲であることが適当である。10-5 Scm-1未満では高抵抗すぎて発光ダイオード（ＬＥＤ）、レーザーダイオード（ＬＤ）や太陽電池等の用途には不向きである。10-5 Scm-1以上あれば有機ＥＬの正極電極等として有用である。一方、100 Scm-1以上は物質の特性上得られにくい。薄膜の電気伝導率は、好ましくは10-3〜50Scm-1の範囲である。
【００１９】
基板は、例えば、透明基板であることができる。透明基板は、例えば、ガラス基板であること以外に、有機ポリマー製の基板であることもできる。有機ポリマー製の基板としては、特に制限はないが、例えば、ポリエチレンテレフタレート(ＰＥＴ)、ポリメチルメタクリレート(ＰＭＭＡ)、ポリカーボネート(ＰＣ)、ポリイミド、ポリアミド、シリコーン等を挙げることができる。但し、これらに限定される意図ではない。後述するように、本発明の製造方法では、基板を加熱することなく薄膜を形成できることから、比較的耐熱性に劣る有機ポリマー製の基板であっても、薄膜を形成できる。
【００２０】
薄膜の膜厚は、特に制限はなく、本発明の薄膜付き基板の用途等に応じて適宜決定できる。薄膜の膜厚は、例えば、10nm〜1μmの範囲であることができ、好ましくは10nm〜500 nmの範囲、さらに好ましくは10〜300nmの範囲である。
【００２１】
本発明の薄膜付き基板の製造方法について、以下に説明する。
本発明の薄膜付き基板は、基板を配設した真空蒸着器内において、ＺｎＳｅを加熱し、かつＣｕＳｅおよび／またはＣｕ2Ｓｅを加熱し、前記基板の表面上に（Ｚｎ1-xＣｕx）Ｓｅ（但し、０＜ｘ≦０．２）薄膜を形成することを特徴とする。
【００２２】
本発明の製造方法においては、蒸着源として、ＺｎＳｅ、並びにＣｕＳｅおよび／またはＣｕ2Ｓｅを用いる。これらの蒸着源を用いて真空蒸着することで、基板を外部から加熱することなく結晶性を有する（Ｚｎ1-xＣｕx）Ｓｅ薄膜を形成することができる。真空蒸着器内の圧力は、例えば、１×１０-6〜１×１０-10Torrの範囲であることができる。真空蒸着器内の圧力が１×１０-6Torrを超えると、Ｈ2Ｏ分圧、Ｏ2分圧が高過ぎ、ＺｎＳｅ相にＯ（酸素）が混入することがある。１×１０-10Torr未満になると、装置が非常に高価、複雑になり取り扱いが難しくなる。
【００２３】
本発明の製造方法においては、成膜法として蒸着法を用い、Zn源としてZnSe、Cu源としてCu2Seを用いる。ZnSeを、例えば、ＢＮ坩堝に入れ加熱することによって「2ZnSe→2Zn+Se2」の反応が進行し、Zn蒸気とSe2蒸気が発生することによって、これら蒸気が基板上に達し、Zn:Se＝1:1の組成比を有する膜が形成される。一方、Cu2Seを、例えば、ＢＮ坩堝に入れ加熱することによって、その蒸気が基板上に達し、Cu:Se≒1:1の組成比を有する膜が形成される。このように、ZnSeとCu2Seとを共蒸着させると、（Ｚｎ1-xＣｕx）Ｓｅ（但し、０＜ｘ≦０．２）薄膜をほぼ化学量論的に形成することができる。
【００２４】
なお、Cu源としては上述したCu2Seの他に、CuSeを用いることも可能であり、Cu2Seの場合と同様に、有機ポリマー基板には（Ｚｎ1-xＣｕx）Ｓｅ（但し、０．０＜ｘ≦０．２０）膜が化学量論的に形成することができる。
【００２５】
基板の温度は、１００℃以下に維持しながら前記薄膜形成を行うことが好ましく、基板の温度は、基板と蒸着源の距離を調整することで、１００℃以下に維持することができる。基板の温度は、７０℃以下、好ましくは５０℃以下に維持することが、耐熱性に劣る有機ポリマー製基板を用いる場合、より好ましい。尚、必要により、基板は、外部から、冷却するなどして温度を上記範囲に維持することもできるが、通常は、基板と蒸着源の距離を調整することのみで１００℃以下に維持ことは可能である。
【００２６】
蒸着源である、ＺｎＳｅ、並びにＣｕＳｅおよび／またはＣｕ2Ｓｅの加熱温度は、薄膜の組成、特にＺｎとＣｕの比率、並びに生産性（蒸気圧）等を考慮して適宜決定できる。ＺｎＳｅの加熱温度は、例えば、６００〜１０００℃の範囲、好ましくは７００〜９００℃の範囲、ＣｕＳｅおよび／またはＣｕ2Ｓｅの加熱温度は、例えば、８００〜１２００℃の範囲、好ましくは８５０〜１１５０℃の範囲、より好ましくは９００〜１１００℃の範囲とすることが適当である。
【００２７】
蒸着時間は、蒸着源の設定温度、薄膜の所望膜厚等を考慮して適宜決定できる。
【００２８】
また、基板は、真空蒸着器内に固定されたものであっても、真空蒸着器内に連続的に移送されるものであってもよい。有機ポリマー製基板がフィルムである場合、真空蒸着器内に有機ポリマー製基板のフィルムを連続的に移送することで、連続的に薄膜を形成することもできる。
【００２９】
本発明の製造方法においては、（Ｚｎ1-xＣｕx）Ｓｅ薄膜にアニール処理を施すことができる。アニール処理を施すことで、薄膜の結晶性を向上することがで、透明性を向上させることができる。但し、基板として有機ポリマー基板を用いる場合、例えば、電気炉中でのアニール処理は不適当である。そこで、有機ポリマー基板に適したアニール方法としてレーザー照射によってアニール処理を行なう方法を採用することが好ましい。レーザー照射によるアニール処理であれば、レーザー照射による昇温のダメージを有機ポリマー基板に与えることなく、薄膜のアニール処理を行なうことが可能である。
【００３０】
上記レーザー照射は、前記薄膜の形成と並行して行なっても、前記薄膜の形成後に行ってもよいが、薄膜の結晶性を効率的に向上させるこという観点からは、薄膜の形成と並行して行なうことが好ましい。
【００３１】
膜中への光の進入波長には限界があるので、例えば100nm厚以上の厚みを有する薄膜を作製する場合には、レーザー照射は成膜中に施すことが好ましい。なお、照射する光はレーザーでなくともよく、結晶性の向上に十分寄与する程度の強度を有する光であればよい。例えば、シンクロトロン光を照射しても良い。
【００３２】
レーザー照射によるアニール処理は、例えば、パルスレーザーを用いることが好ましく、パルスレーザーを用いるアニール処理では、基板温度が殆ど変化することなく、薄膜の結晶性を向上することができる。レーザー照射におけるエネルギーは、例えば、1mJ〜1J/mm2の範囲であることが好ましく、より好ましくは、3〜10mJ/mm2の範囲である。
薄膜上の面積当たりの光のエネルギーは、1mJ/mm2以上であれば結晶化が進む。また、面積当たりの光のエネルギーは、1J/mm2以下であることが適当である。何故なら、1J/mm2を超えるエネルギーを有するレーザーを照射すると、アブレーション現象が発生し、薄膜が失われる恐れがあるからである。
【００３３】
本発明において、化学量論的とは、前記組成式において、有効数字が２桁であることを意味する。例えばＩＣＰ（誘導結合プラズマ：Inductively Coupled Plasma）分析法を用いて本発明の薄膜を組成分析すれば、有効数字２桁以上の精度で組成式を表すことができる。
【実施例】
【００３４】
以下、本発明の実施例について説明する。
【００３５】
実施例１
蒸着器の真空容器として直径400mmのステンレス筒を横に寝かせ、一端にＯリングでシールしたステンレス円盤を付けて開閉できるようにし、他端に排気速度1,500L/sのターボ分子ポンプを付け、到達真空度1×10-7Torrのものを作製した(Eiko Co.)。管の下側中央に、１ccの容量を持つＢＮるつぼを設置できる受け皿を置き、それぞれ100〜1,500℃の範囲で加熱できるように温度制御装置に接続したＰｔヒーターを備えた。坩堝受け皿の直上には、ロールに巻いた有機ポリマーフィルムの一端を引き出して水平に広げ、もう一つのロールに巻き取る構造の自転式基板ホルダーを置いた。坩堝と基板との間の距離は257mmである。
【００３６】
蒸着源として、一方の坩堝にはZnSe（フルウチ化学、99.99%）原料を充填し、他方の坩堝にはCu2Se（フルウチ化学、99.999%）原料を充填した。両坩堝を加熱してZn、CuおよびSeからなる蒸気を発生させるにおいて、ZnとCuが所定のモル比となるように両坩堝の温度を調整した。
【００３７】
両坩堝が設定温度で安定した後、両坩堝と有機ポリマーフィルムの間に置いたシャッターを開放し、10分間成膜した。巻き取り側のロールを回転させることにより、結晶化した透明p型半導体性ＺｎＣｕＳｅ薄膜の形成された有機ポリマーフィルムが巻き取ることができる。基板温度は約５０℃であった。
【００３８】
有機ポリマー基板上に得られた薄膜には、パルスＹＡＧレーザー(Lintron, Nano-3)の３倍波を照射してアニール処理を加えた。
【００３９】
なお、アニール処理のためのレーザー照射は、成膜中に有機ポリマー上に走査することによって行なうこととしても良い。この場合、ＹＡＧレーザー光は波長355nmで行なった。
【００４０】
坩堝の温度設定に関しては、ZnSeをＢＮ坩堝に入れ、800℃に加熱し、Cu2SeをＢＮ坩堝に入れ、1,025〜1,150℃に加熱して蒸発させた。この場合、Cu2Seの坩堝温度に関わらず、(Zn+Cu)/Seの組成比はほぼ１となった（表１）。Cu2Se原料はCu/Se＝2であるから、原料組成が薄膜に転写される場合には、Cu含有量が増えるにつれ、(Zn,Cu)Se膜の化学組成はSe不足になるはずである。しかし、Znの20%に相当するCu成分を加えた場合でさえも、(Zn+Cu)/Se≒1であることをＩＣＰ分析結果は示している。
【００４１】
そこで、この原因はCu2Seの分解、蒸発機構にあると考え、試しにCu2Se坩堝のみを1,100℃または1,150℃に加熱して薄膜試料を作製した。得られた試料のCu/Se比は1.2〜1.3であった（表１）。成膜後の坩堝には、丸まったCu金属が残っていた。Cu2Seは加熱により分解し、蒸気となるが、Cu成分の一部は基板に達せず、非加熱基板上に堆積される成分はCu/Se≒1となっている。このため、ZnSeとCu2Seを共蒸着した場合、(Zn1-xCux)Seを0＜x≦0.2の範囲でＺｎＣｕＳｅ化合物薄膜試料の組成が化学量論量的になることを見出した。
【００４２】
【表１】
2008255444.tif 000002
as depos.:アニール処理無
P.A.:ポストアニール処理
L.A.:レーザアニール処理
【００４３】
図１に、便宜的にＺｎＣｕＳｅ化合物薄膜をガラス基板上に形成した共蒸着膜のＸ線回折パターンを示す。Cu2Se坩堝温度が1,025℃および1,075℃にした場合には、(111)回折線は一本であった。偏析物（Cu2Se）に由来する構造は見あたらない。Cu2Se坩堝温度を1,125℃以上とした場合[Cu/(Zn+Cu)=0.20]には、図１のＸ線回折パターンに於いて、(111)回折線の低角側に新たなピークが生じ、第２相が形成された。そのピーク位置は26.5°であった。Cu2Se相が第２相として析出したことを示している。
【００４４】
なお、図１はガラス基板上に形成したＺｎＣｕＳｅ化合物薄膜試料に関するものであるが、このＸ線回折パターンは有機ポリマー基板上に形成した場合についても基本的に同じ結果が得られている。
【００４５】
ＹＡＧレーザー光によるアニール処理を試みた際、1,075℃試料 (Cu/(Zn+Cu)=0.10) に0.45Scm-1の導電性が発現した。光透過スペクトルにはレーザー照射の効果が殆ど現れていないが（図２）、ＸＲＤパターンの(111)回折線強度は増大し、結晶性の向上が見られる（図３）。
【００４６】
なお、図２および図３についてもまた、ガラス基板上に形成したＺｎＣｕＳｅ化合物薄膜試料に関するものであるが、これら光透過スペクトルは有機ポリマー基板上に形成した場合も基本的に同じ結果が得られている。レーザー照射条件を詳細に検討することにより、電気炉等の中でアニール処理を行なった試料が示す特性と同等程度まで、導電性と透明性を高めることが原理的に可能である。
【００４７】
比較例１
ZnSe + Cu の場合
表２にas deposited膜の化学組成を示す。Cu源に金属Cuを用い、Cuを入れたＢＮ坩堝を1,000℃〜1,075℃の範囲で加熱すると、Cuの含有量は3.7％から10.3％まで増大した。このとき、ZnSe化合物ソースにより供給されるZnとSeの比率は１に保たれる。このため、金属対Seの比率はCuの分だけ過剰となり、(Zn,Cu)Seとしての化学量論量は本質的に得られないことが分かった。
【００４８】
【表２】
2008255444.tif 000003
as depos.:アニール処理無
P.A.:ポストアニール処理
L.A.:レーザアニール処理
【００４９】
比較例２
ZnSe + Cu + Se の場合
次に不足しているSe成分を補給するため、ZnSe、Cuの他に、第三の坩堝からSeを蒸発させた(表３)。Se坩堝は137.5 ℃で加熱した。Zn/Se比は「ZnSe+Cu+Se」を除いて0.67付近でほぼ安定している。ただし(Zn+Cu)/Se比は１を大きく下回った。組成比を合わせるためにSeフラックスを減らす制御を試みたが、うまくいかなかった。坩堝加熱温度が低くなりすぎ、使用した加熱機構では温度の安定化が困難であったからである。
【００５０】
【表３】
2008255444.tif 000004
as depos.:アニール処理無
P.A.:ポストアニール処理
L.A.:レーザアニール処理
【産業上の利用可能性】
【００５１】
本発明の製造方法により作製した透明ｐ型半導体薄膜は、フレキシブル有機ＥＬディスプレイ、フレキシブル電子ペーパーやフレキシブル太陽電池の透明電極等として利用できる。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】実施例１で得られたアニール処理無しの薄膜（表１の３−１〜３−４）のＸ線回折パターンを示す。
【図２】実施例１で得られた薄膜（表１の３−２、アニール処理無し、レーザアニール処理、ポストアニール処理）光透過スペクトルを示す。
【図３】実施例１で得られた薄膜（表１の３−２、アニール処理無し、レーザアニール処理、ポストアニール処理）のＸ線回折パターンを示す。
【図４】実施例１で得られたレーザアニール処理の薄膜（表１の３−１〜３−４）のＸ線回折パターンを示す。
【図５】実施例１で得られたポストアニール処理の薄膜（表１の３−１〜３−４）のＸ線回折パターンを示す。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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