(57)【要約】【課題】高いＳＮＲが得られる薄膜積層体としての磁気記録媒体、その製造方法および磁気記録媒体製造装置、さらにこの磁気記録媒体を用いた磁気記録再生装置を提供する。【解決手段】成膜用基板を複数のスパッタチャンバ内に順次搬送し、スパッタチャンバ内で、前記成膜用基板上に、スパッタ法を用いて薄膜を形成する際、スパッタチャンバ内に、複数の成膜用基板を同時に収容し、このうち、いずれかの成膜用基板に薄膜を形成しつつ、成膜前の待機中の他の成膜用基板を加熱する第１の工程と、成膜用基板のうち、いずれかの成膜用基板に薄膜を形成しつつ、前記第１の工程で薄膜を形成した後の成膜用基板を加熱する第２の工程のうち、少なくとも一方を有することを特徴とする。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
成膜用基板を、接続された複数のスパッタチャンバ内に順次搬送し、前記スパッタチャンバ内で、前記成膜用基板上に、スパッタ法を用いて薄膜を形成することによって、複数の薄膜を積層形成する薄膜積層体の製造方法であって、
前記スパッタチャンバ内に、複数の成膜用基板を同時に収容し、このうち、いずれかの成膜用基板に薄膜を形成しつつ、成膜前の待機中の他の成膜用基板を加熱する第１の工程と、
前記成膜用基板のうち、いずれかの成膜用基板に薄膜を形成しつつ、前記第１の工程で薄膜を形成した後の成膜用基板を加熱する第２の工程のうち、少なくとも一方を有することを特徴とする薄膜積層体の製造方法。
【請求項２】
前記成膜用基板を加熱する手段として、前記成膜前あるいは成膜後の待機中の基板をスパッタチャンバの内部に設けたシールド板により保護し、このシールド板に設けた加熱手段により待機中の基板を加熱することを特徴とする請求項１に記載の薄膜積層体の製造方法。
【請求項３】
前記成膜前の待機中の基板を加熱する温度を成膜温度に対し＋２００〜−１００℃の範囲とすることを特徴とする請求項１または２に記載の薄膜積層体の製造方法。
【請求項４】
前記成膜後の待機中に基板を加熱する温度を成膜温度に対し＋２００〜−１００℃の範囲とすることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の薄膜積層体の製造方法。
【請求項５】
成膜前の搬送中の基板を加熱する温度を成膜温度に対し＋２００〜−１００℃の範囲とすることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の薄膜積層体の製造方法。
【請求項６】
前記第１の工程または第２の工程において、前記成膜用基板に薄膜を形成する際に、前記スパッタチャンバ内に、加熱したスパッタガスを供給することを特徴とする請求項１〜５のうちいずれか１項に記載の薄膜積層体の製造方法。
【請求項７】
前記第１の工程および第２の工程において、前記成膜用基板に薄膜を形成する際に、該成膜用基板の近傍に、シールド板を介してスパッタガスを供給する請求項１〜６のうちいずれか１項に記載の薄膜積層体の製造方法。
【請求項８】
前記シールド板に形成した細孔を介してスパッタガスを供給することを特徴とする請求項７に記載の薄膜積層体の製造方法。
【請求項９】
接続された複数のスパッタチャンバを有し、各スパッタチャンバ内に成膜用基板を順次搬送し、前記成膜用基板上に、スパッタ法を用いて薄膜を形成することによって、複数の薄膜を積層形成する薄膜積層体製造装置であって、
各スパッタチャンバは、複数の成膜用基板が同時に収容され、このうち、いずれかの成膜用基板に薄膜を形成している間、この後に薄膜を形成する成膜用基板、および、この前に薄膜を形成した成膜用基板を加熱する加熱手段を有することを特徴とする薄膜積層体製造装置。
【請求項１０】
複数の成膜用基板が装着されるキャリアを有し、前記複数の成膜用基板をキャリアごと前記各スパッタチャンバ内に搬送自在な構成とされてなることを特徴とする請求項９に記載の薄膜積層体製造装置。
【請求項１１】
前記各スパッタチャンバ内において、前記キャリアは、該キャリアに装着された成膜用基板のうち、いずれかの成膜用基板がターゲットと対向する位置で停止し、この状態で、前記ターゲットと対向する成膜用基板に薄膜が形成された後、この薄膜が形成された成膜用基板以外の成膜用基板のうち、いずれかの成膜用基板がターゲットと対向する位置に移動して停止し、この状態で、前記ターゲットと対向する成膜用基板に薄膜が形成されるという移動操作を少なくとも１サイクル行う機能を有することを特徴とする請求項１０に記載の薄膜積層体製造装置。
【請求項１２】
前記各スパッタチャンバのターゲットの周囲に、シールド板が配設され、
前記シールド板が、前記成膜用基板に薄膜を形成している間、この後に薄膜を形成する成膜用基板、および、この前に薄膜を形成した成膜用基板を加熱する加熱手段の機能を有することを特徴とする請求項９〜１１のうちいずれか１項に記載の薄膜積層体製造装置。
【請求項１３】
前記各スパッタチャンバ内にスパッタガスを供給するスパッタガス供給管を有し、前記スパッタガス供給管の途中に、スパッタガスを加熱する加熱手段を有することを特徴とする請求項９〜１２のうちいずれか１項に記載の薄膜積層体製造装置。
【請求項１４】
前記各スパッタチャンバのターゲットは、その略中央部に、スパッタガスが放出される放出口が設けられていることを特徴とする請求項９〜１３のうちいずれか１項に記載の薄膜積層体製造装置。
【請求項１５】
前記各スパッタチャンバのターゲットの周囲に、シールド板が配設され、前記シールド板に、スパッタガスが放出される細孔が設けられていることを特徴とする請求項９〜１４のうちいずれか１項に記載の薄膜積層体製造装置。
【請求項１６】
成膜用基板上に下地層と磁性層と保護層を少なくとも備え、請求項１〜８のうちいずれか１項に記載の薄膜積層体の製造方法によって製造されたものであることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項１７】
請求項１６に記載の磁気記録媒体と、該磁気記録媒体に情報を記録再生する磁気ヘッドとを備えていることを特徴とする磁気記録再生装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気ディスク装置等に用いられる磁気記録媒体などの薄膜積層体と、その製造方法および製造装置、さらには磁気記録媒体を用いた磁気記録再生装置に関し、特に磁気記録媒体としての信号対ノイズ比を改善する技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ハードディスク装置（ＨＤＤ）は、情報の記録再生を行う磁気記憶装置として、大容量の記録ができ、低コストであることに加え、データのアクセスが速く、データ保持の信頼性が高いなどの多くの利点を有する。このことから、コンピュータを中心とした利用から、徐々にその利用範囲が広がっており、家庭用ビデオデッキ、オーディオ機器や車載ナビゲーションシステムなど、様々な分野でも利用されるようになってきている。ＨＤＤの利用範囲がこうして広がるにつれ、ＨＤＤの記憶容量の大容量化への要求が高まり、これに応じて、磁気記録媒体の記録密度を高密度化することによるＨＤＤの大容量化が急激に進められている。また、その生産性の向上も求められ、磁気記録媒体を構成する各膜を、効率よく形成できる製造装置の開発も進められている。
【０００３】
ＨＤＤの高記録密度化は、例えば、磁気記録媒体の信号対ノイズ比（ＳＮＲ）を改善することによりなされる。
磁気記録媒体の高ＳＮＲ化を達成するために、例えば、磁気記録膜（磁性層）材料の磁気異方性を高めることにより、その保磁力を向上させる手段がとられる。
磁気記録膜の磁気異方性を高める方法については多数の報告がある。例えば、コバルト合金系の磁性膜をスパッタ法で形成するに際し、スパッタガス圧力や、基板温度を制御する方法（例えば、特許文献１参照。）、磁性層の合金組成比を磁気異方性が高められる組成に特定する方法（例えば、特許文献２参照。）、表面にテクスチャー条痕を有する磁気ディスク用非磁性基板上に、配向調整層等を設けて、磁性層の磁気異方性を発現させる方法等が報告されている（例えば、特許文献３参照。）。
【０００４】
この他、磁気記録媒体の特性を改善する方法としては、基板の近傍に導入されたスパッタガスを加熱しながら、磁性膜を基板上に堆積させることにより、スパッタに用いるガスの分解を促進させる方法（例えば、特許文献４参照。）、スパッタ装置のシールドを加熱することにより、シールドに堆積した薄膜の剥離を防止すること（例えば、特許文献５参照。）が開示されている。
【０００５】
一方、磁気記録媒体の製造装置としては、一般的に、接続された複数のスパッタチャンバを有し、非磁性基板（成膜用基板）を、各スパッタチャンバ内に順次搬送し、この非磁性基板上に薄膜を形成することによって、複数の薄膜を積層形成するインライン式のスパッタ装置が用いられる。このようなスパッタ装置では、生産性を高めるため、スパッタチャンバ内に複数枚の成膜用基板を同時に収容し、これら成膜用基板に一枚ずつ薄膜を形成する場合が多い。
【０００６】
このようにスパッタチャンバ内に複数枚の成膜用基板を同時に収容し、薄膜を形成する方法としては、非磁性基板であるディスクを、回転可能なパレットに保持し、パレットを回転させつつ、対向するターゲットを順次用いてスパッタリング法により膜を積層する方法（例えば、特許文献６参照。）、複数個のディスク基板を基板ホルダー上に並べ、このホルダーをインライン式スパッタ装置に通過させて、膜を順次ディスク基板上に積層させる方法が開示されている（例えば、特許文献７参照。）。
【特許文献１】特開平０７−２４４８３１号公報
【特許文献２】特開平１０−２７５３２０号公報
【特許文献３】特開２００６−０８５８８８号公報
【特許文献４】特開２００３−１３２５３２号公報
【特許文献５】特開平１０−１０２２３４号公報
【特許文献６】特開平１１−１１０７５６号公報
【特許文献７】特開平０６−１９５７０６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、ＨＤＤの記憶容量の大容量化への要求はますます高まり、これに応じて、磁気記録媒体には、今まで以上のＳＮＲの改善が求められている。このような点から見たときに、従来の製造方法によって得られた磁気記録媒体は、ＳＮＲが十分高いとは言えず、大容量ＨＤＤに対応し得ないのが実情である。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、高いＳＮＲが得られる磁気記録媒体、その製造方法および製造装置、さらにこの磁気記録媒体を用いた磁気記録再生装置を提供することを目的とする。また、本発明は、磁気記録媒体の製造方法から発展し、薄膜積層体の製造方法と製造装置に関する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために、本発明は以下の構成を採用した。
（１）第１の発明は、成膜用基板を、接続された複数のスパッタチャンバ内に順次搬送し、前記スパッタチャンバ内で、前記成膜用基板上に、スパッタ法を用いて薄膜を形成することによって、複数の薄膜を積層形成する薄膜積層体の製造方法であって、記スパッタチャンバ内に、複数の成膜用基板を同時に収容し、このうち、いずれかの成膜用基板に薄膜を形成しつつ、成膜前の待機中の他の成膜用基板を加熱する第１の工程と、記成膜用基板のうち、いずれかの成膜用基板に薄膜を形成しつつ、前記第１の工程で薄膜を形成した後の成膜用基板を加熱する第２の工程のうち、少なくとも一方を有する。
（２）第２の発明は、前記成膜用基板を加熱する手段として、前記成膜前あるいは成膜後の待機中の基板をスパッタチャンバの内部に設けたシールド板により保護し、このシールド板に設けた加熱手段により待機中の基板を加熱する。
（３）第３の発明は、前記成膜前の待機中の基板を加熱する温度を成膜温度に対し＋２００〜−１００℃の範囲とすることを特徴とする。
【０００９】
（４）第４の発明は、前記成膜後の待機中に基板を加熱する温度を成膜温度に対し＋２００〜−１００℃の範囲とすることを特徴とする。
（５）第５の発明は、成膜前の搬送中の基板を加熱する温度を成膜温度に対し＋２００〜−１００℃の範囲とすることを特徴とする。
（６）第６の発明は、前記第１の工程または第２の工程において、前記成膜用基板に薄膜を形成する際に、前記スパッタチャンバ内に、加熱したスパッタガスを供給することを特徴とする。
（７）第７の発明は、前記第１の工程および第２の工程において、前記成膜用基板に薄膜を形成する際に、該成膜用基板の近傍に、シールド板を介してスパッタガスを供給することを特徴とする。
（８）第８の発明は、前記シールド板に形成した細孔を介してスパッタガスを供給することを特徴とする。
（９）第９の発明は、接続された複数のスパッタチャンバを有し、各スパッタチャンバ内に成膜用基板を順次搬送し、前記成膜用基板上に、スパッタ法を用いて薄膜を形成することによって、複数の薄膜を積層形成する薄膜積層体製造装置であって、
各スパッタチャンバは、複数の成膜用基板が同時に収容され、このうち、いずれかの成膜用基板に薄膜を形成している間、この後に薄膜を形成する成膜用基板、および、この前に薄膜を形成した成膜用基板を加熱する加熱手段を有することを特徴とする。
（１０）第１０の発明は、複数の成膜用基板が装着されるキャリアを有し、前記複数の成膜用基板をキャリアごと前記各スパッタチャンバ内に搬送自在な構成とされてなることを特徴とする。
（１１）第１１の発明は、前記各スパッタチャンバ内において、前記キャリアは、該キャリアに装着された成膜用基板のうち、いずれかの成膜用基板がターゲットと対向する位置で停止し、この状態で、前記ターゲットと対向する成膜用基板に薄膜が形成された後、この薄膜が形成された成膜用基板以外の成膜用基板のうち、いずれかの成膜用基板がターゲットと対向する位置に移動して停止し、この状態で、前記ターゲットと対向する成膜用基板に薄膜が形成されるという移動操作を少なくとも１サイクル行う機能を有することを特徴とする。
（１２）第１２の発明は、前記各スパッタチャンバのターゲットの周囲に、シールド板が配設され、前記シールド板が、前記成膜用基板に薄膜を形成している間、この後に薄膜を形成する成膜用基板、および、この前に薄膜を形成した成膜用基板を加熱する加熱手段の機能を有することを特徴とする。
【００１０】
（１３）第１３の発明は、前記各スパッタチャンバ内にスパッタガスを供給するスパッタガス供給管を有し、前記スパッタガス供給管の途中に、スパッタガスを加熱する加熱手段を有することを特徴とする。
（１４）第１４の発明は、前記各スパッタチャンバのターゲットは、その略中央部に、スパッタガスが放出される放出口が設けられていることを特徴とする。
（１５）第１５の発明は、前記各スパッタチャンバのターゲットの周囲に、シールド板が配設され、前記シールド板に、スパッタガスが放出される細孔が設けられていることを特徴とする。
【００１１】
（１６）第１６の発明は、（１）〜（８）のうちいずれか１つに記載の薄膜積層体の製造方法によって製造されたものであることを特徴とする磁気記録媒体である。
（１７）第１７の発明は、（１６）に記載の磁気記録媒体と、該磁気記録媒体に情報を記録再生する磁気ヘッドとを備えていることを特徴とする磁気記録再生装置である。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、インライン式のスパッタ装置を用いて磁気記録媒体などの薄膜積層体を製造するに際して、各スパッタチャンバ内に複数の成膜用基板を同時に収容し、このうちいずれかの成膜用基板に薄膜を形成しつつ、この後に薄膜を形成するために待機する成膜用基板、および、先に薄膜を形成した成膜用基板（次のスパッタチャンバに搬送するために待機する成膜用基板）を加熱するので、ＳＮＲの高い磁気記録媒体を製造することが可能となる。これにより、高記録密度を達成するＨＤＤを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
本発明を実施するための最良の形態を、図を用いて詳細に説明する。
まず、本発明の磁気記録媒体の製造方法によって製造される薄膜積層体の一例である磁気記録媒体について説明する。
図１は、本発明の製造方法によって製造される磁気記録媒体（薄膜積層体）の一例を示す模式的な縦断面図である。
図１に示すように、この磁気記録媒体は、例えば、非磁性基板８０と、非磁性基板８０の両面あるいは片面上に順次積層されたシード層８１、下地膜８２、磁気記録膜８３、保護膜８４および潤滑剤層８５から構成されている。
【００１４】
非磁性基板８０としては、磁気記録媒体用基板として一般的に用いられているＮｉＰメッキ膜が形成されたＡｌ合金基板（以下、ＮｉＰメッキＡｌ基板）の他、ガラス基板、セラミックス基板、可曉性樹脂基板、さらに、これら非磁性基板にＮｉＰをメッキあるいはスパッタ法により被着せしめた基板などを用いることができる。
また、非磁性基板８０には、より良好な電磁変換特性を得る、面内磁気異方性を付与して熱揺らぎ特性を良くする、また、研磨痕を消す等の目的でテクスチャー処理が施されているものでもよい。
【００１５】
非磁性基板８０上に形成されるシード層（下部下地層）８１は、直上の膜の結晶配向性を制御する。このシード層８１の構成材料としては、例えばＴｉ，ＴｉＣｒ，Ｈｆ，Ｐｔ，Ｐｄ，ＮｉＦｅ，ＮｉＦｅＭｏ，ＮｉＦｅＣｒ，ＮｉＡｌ、ＮｉＴａおよびＮｉＮｂを直上の膜に合わせて適宜使用することができる。
また、シード層８１は一層のみから構成される場合のみならず、必要に応じて同一組成の膜、もしくは異なる組成の膜を複数積層させた多層構造としても良い。
【００１６】
下地膜８２としては、従来公知の非磁性下地膜、例えば、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｗ等の単一組成膜、または、それらの結晶性を損なわない範囲で他の元素を含有する合金を使用できるが、後述する磁気記録膜４３との関係では、Ｃｒ単一組成、または、ＣｒにＭｏ、Ｗ、Ｖ、Ｔｉのうちの１種または２種以上の元素を含有させた合金からなる下地膜４２であることが望ましい。とくに、非磁性基板４０の種類によっては、下地膜４２としてＮｉＡｌを積層させると格段のＳＮＲの向上が達成され、好ましい場合がある。
【００１７】
下地膜８２の厚さは、所望の保磁力が得られる範囲であれば制限されるものではないが、５ｎｍ〜４０ｎｍが好ましい範囲であり、１０ｎｍ〜３０ｎｍにするとさらに好ましい。下地膜８２の膜厚が薄くなりすぎると、下地膜８２上の磁気記録膜８３、または、必要に応じて、下地膜８２と磁気記録膜８３の間に設ける非磁性中間膜の結晶配向性が悪くなって、ＳＮＲが低くなるので好ましくない。逆に、下地膜８２の膜厚が厚すぎると、下地膜８２の粒子径が大きくなり、下地膜８２上の磁気記録膜８３、または非磁性中間膜の粒子径が下地膜８２の粒子径の増加に伴って大きくなって、ＳＮＲが低くなるので好ましくない。
また、下地膜８２は一層のみから構成される場合のみならず、必要に応じて同一組成の膜、もしくは異なる組成の膜を複数積層させた多層構造としても良い。
【００１８】
磁気記録膜８３は、所望の保磁力が得られる磁性膜であれば特に制限されるものではないが、ＣｏａＣｒｂＰｔｃＴａｄＺｒｅＣｕｆＮｉｇ（但し、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｆ、ｇは組成比を示し、それぞれ、ｂ：１６〜２５ａｔ％、ｃ：０〜１０ａｔ％、ｄ：１〜７ａｔ％、ｅ：０〜４ａｔ％、ｆ：０〜３ａｔ％、ｇ：０〜１０ａｔ％、ａ：残部である）で表されるＣｏ合金層とすることで磁気異方性を高め、より保磁力を向上させることができる。
このようなＣｏ合金層において、Ｃｒの組成比を示すｂを１６〜２５ａｔ％とするのは、１６ａｔ％未満では、Ｃｒの偏析によるＣｏ粒子の分散が不十分であり、磁性粒子の磁気的結合を弱め、低ノイズ化することができないからであり、２６ａｔ％を超えると、保磁力の低下が著しくなり、所望の保磁力が得られなくなるからである。
【００１９】
Ｐｔの組成比を示すｃを０〜２０ａｔ％とするのは、２０ａｔ％を超えると、ＳＮＲが悪化するからである。
Ｔａの組成比を示すｄを０〜７ａｔ％とするのは、７ａｔ％を超えると、高い保磁力を得ることが困難になるからである。
また、Ｚｒを０〜４ａｔ％、Ｃｕを０〜３ａｔ％、および／または、Ｎｉを０〜１０ａｔ％の組成比で添加するのは、Ｚｒ、Ｃｕおよび／またはＮｉを加えることでさらに高保磁力、高ＳＮＲの磁気記録媒体が得られるからである。
【００２０】
磁気記録膜８３の厚さは、特に限定されるものではないが、再生ヘッドとして磁気抵抗効果素子を利用したものを用いる場合には、残留磁化（Ｂｒ）とその膜厚（ｔ）の積（Ｂｒ・ｔ）が０．２〜１．０ｍｅｍｕ／ｃｍ２の範囲内になるように調整することが望ましい。Ｂｒ・ｔが０．２ｍｅｍｕ／ｃｍ２未満では、適切な再生出力が得られにくく、１．０ｍｅｍｕ／ｃｍ２を超えると、ＳＮＲが極端に低くなるからである。よって、磁気記録膜４３の膜厚としては、１０〜４０ｎｍが好ましく、さらに好ましくは１０〜２５ｎｍである。
【００２１】
磁気記録膜８３の保磁力は２５００〜６０００Ｏｅとすることが好ましい。２５００Ｏｅ未満では、ビット間遷移領域が広がり、ＰＷ５０が悪化するとともにノイズも増大し、ＳＮＲが低下するからである。また、現状では、磁気記録媒体として使用可能で、且つ、保磁力が６０００Ｏｅを超えるものは製造が困難である。最適な保磁力の範囲は、使用する記録ヘッドにも依存するが、信号を十分に書き込むことが可能な記録ヘッドを用いる場合には、高い程良い。なお、本実施例では３０００Ｏｅ以上で好ましい結果が得られているが、信号を十分に書き込むことが可能な記録ヘッドを用いる場合は、保磁力は３５００Ｏｅ以上あることが望ましい。なお、１ Ｏｅは７９Ａ／ｍである。
【００２２】
本実施形態の磁気記録媒体においては、ヘッドと媒体表面の接触による損傷を防ぐために、磁気記録膜８３上に保護膜８４が形成される、保護膜８４を構成する物質としては、従来公知のもので良く、例えば、Ｃ、ＳｉＯ２、ＺｒＯ２等の単一成分またはそれぞれを主成分とし、これに添加元素を含有させた膜を使用することができる。
保護膜８４は、スパッタリング法、イオンビーム法、プラズマＣＶＤ法等を用いて成膜することができる。
保護膜８４厚さは、通常２〜２０ｎｍとされる。さらに、保護膜８４の厚さを、２〜９ｎｍとすると、スペーシングロスを少なくできるため好ましい。
【００２３】
保護膜８４の表面には、潤滑剤層８５が形成される。潤滑剤としては、パーフルオロエーテル（ＰＦＰＥ）等の弗化系液体潤滑剤、脂肪酸等の固体潤滑剤が使用される。潤滑剤の塗布方法としては、ディッピング法、スピンコート法など従来公知の方法を使用すればよい。
【００２４】
次に、本発明の薄膜積層体の１例である磁気記録媒体の製造方法について説明する。
まず、本発明の磁気記録媒体の製造方法で用いる磁気記録媒体製造装置について説明する。
図２は、本発明の磁気記録媒体製造装置の一例を示す模式図、図３は、本発明の磁気記録媒体製造装置のスパッタチャンバを示す模式図、図４は、本発明の磁気記録媒体製造装置が備えるキャリアを示す側面図、図５は、本発明の磁気記録媒体製造装置が備えるターゲット保持部を示す模式図、図６、図７は、本発明の磁気記録媒体の製造方法を工程順に示す模式的な縦断面図である。なお、図３において、実線で示すキャリアは、第１成膜位置に停止した状態を示し、破線で示すキャリアは、第２成膜位置に停止した状態を示す。
【００２５】
図２に示すように、この磁気記録媒体製造装置は、基板供給・収容室１、基板取り付け室２、キャリア転送室３、第１コーナー室４、第１シード層形成室（スパッタチャンバ）５、第１加熱室６、第２コーナー室７、第２加熱室８、第２シード層形成室（スパッタチャンバ）９、第１下地層形成室（スパッタチャンバ）１０および第２下地層形成室（スパッタチャンバ）１１、第１磁気記録膜形成室（スパッタチャンバ）１２および第２磁気記録膜形成室（スパッタチャンバ）１３、第３コーナー室１４、第３磁気記録膜形成室（スパッタチャンバ）１５および第４磁気記録膜形成室（スパッタチャンバ）１６、第４コーナー室１７、予備室１８、第１保護膜形成室１９および第２保護膜形成室２０、予備室２１および基板取り外し室２２と、複数の成膜用基板（非磁性基板）２３、２４が装着される複数のキャリア２５とを有している。
これら各室１〜２２には、それぞれ真空ポンプが接続されており、これらの真空ポンプの動作によって減圧状態となされた各室１〜２２内に、キャリア２５を順次搬送し、各形成室内において、装着された成膜用基板２３、２４の両面に薄膜（シード層８１、下地層８２、磁気記録膜８３および保護膜８４）を形成することによって薄膜積層体の一例としての磁気記録媒体が得られるように構成されている。
例えば、この形態の磁気記録媒体製造装置は、インライン式の成膜装置として構成されている。なお、この形態の磁気記録媒体製造装置では、シード層８１、下地層８２、磁気記録膜８３および保護膜８４を、それぞれ、２層構成、２層構成、４層構成および２層構成で形成することができる。
【００２６】
図４に示すように、キャリア２５は、支持台２６と、支持台２６の上面に設けられた複数の基板装着部２７（本実施形態では２基搭載）とを有している。
基板装着部２７は、成膜用基板（非磁性基板）２３、２４の厚さとほぼ等しい厚さを有する板体２８に、成膜用基板２３、２４の外周より若干大径となされた円形状の貫通穴２９が形成されて構成され、貫通穴２９の周囲には、該貫通穴２９の内側に向かって突出する複数の支持部材３０が設けられている。この基板装着部２７には、貫通穴２９の内部に成膜用基板２３、２４が嵌め込まれ、その縁部に支持部材３０が係合することによって、成膜用基板２３、２４が保持される。この基板装着部２７は、装着された２枚の成膜用基板２３、２４の主面が支持台２６の上面に対して略直交し、且つ、略同一面上となるように、支持台２６の上面に並列して設けられている。以下、これら基板装着部２７に装着される２枚の成膜用基板２３、２４を、それぞれ、第１成膜用基板２３および第２成膜用基板２４と称する。
【００２７】
基板供給・収容室１は、成膜用基板２３、２４を基板取り付け室２に供給するとともに、基板取り外し室２２で取り外された磁気ディスク（各薄膜８１〜８４が形成された成膜用基板２３、２４）を収容しておく室である。この基板供給・収容室１の一側壁には、外部に開放された開口と、この開口を開閉する第１扉５０が設けられている。また、この基板供給・収容室１の内部には、第１搬送路３１にディスクを供給したり、第２搬送路３２を通過して、該基板供給・収容室１内に搬送されてきた磁気ディスクを重ねたりする等の操作を行う操作アーム３３が設けられている。
【００２８】
基板供給・収容室１は、基板取り付け室２と第１搬送路３１を介して接続されており、基板取り外し室２２と第２搬送路３２を介して接続されている。第１搬送路３１と基板取り付け室２との境界、および、第２搬送路３２と基板取り外し室２２との境界には、それぞれ、開口と、この開口を開閉する第２扉５１および第６扉５５が設けられている。
基板取り付け室２の内部には、成膜用基板２３、２４を、各キャリア２５の基板装着部２７に取り付ける操作アーム３４が設けられている。第１搬送路３１を通過して、基板取り付け室２内に搬入された成膜用基板２３、２４は、この操作アーム３４によって、キャリア転送室２内のキャリアに例えば２枚づつ装着された後、キャリア２５とともに、図２中左（−Ｘ方向）に搬送される。
【００２９】
キャリア転送室３は、基板取り付け室２および基板取り外し室２２と連結されている。キャリア転送室３と、基板取り付け室２および基板取り外し室２２との境界には、それぞれ、開口と、この開口を開閉する第３扉５２および第４扉５３が設けられている。
【００３０】
また、キャリア転送室３と、後述する第１コーナー室４、第１シード層形成室５、第１加熱室６、第２コーナー室７、第２加熱室８、第２シード層形成室９、第１下地層形成室１０および第２下地層形成室１１、第１磁気記録膜形成室１２および第２磁気記録膜形成室１３、第３コーナー室１４、第３磁気記録膜形成室１５および第４磁気記録膜形成室１６、第４コーナー室１７、予備室１８、第１保護膜形成室１９および第２保護膜形成室２０は、この順に接続されており、このうち各コーナー室に隣り合う２つの室は、各コーナー室の隣接する２つの壁部にそれぞれ接続されており、また、各形成室または各加熱室に隣り合う２つの室は、各形成室または各加熱室の対向する２つの壁部にそれぞれ接続されている。また、これら各室の接続部には、それぞれ第１ゲートバルブ５５〜第１８ゲートバルブ７２が設けられており、これらゲートバルブ５５〜７２が閉状態のとき、各室内は、それぞれ独立の密閉空間となる。
【００３１】
第１コーナー室１〜第４コーナー室１７は、キャリア２５の移動方向を変更する室であり、その内部に、図示しないキャリア載置面を有する搬送テーブルが設けられている。各コーナー室に搬入されたキャリア２５は、このキャリア載置面で停止する。この状態で搬送テーブルが右回りに略９０°回転することにより、第１コーナー室１および第３コーナー室１４では、キャリア２５の移動方向が、−Ｘ方向からＹ方向に変更される。また、第２コーナー室７および第４コーナー室１７では、キャリア２５の移動方向がＹ方向からＸ方向に変更される。
【００３２】
第１シード層形成室５は、第１成膜用基板２３および第２成膜用基板２４の両面に、スパッタ法によって第１シード層８１１を形成する室である。図３に示すように、第１シード層形成室５には、図示しないスパッタガス供給管および真空ポンプ３６が接続されている。スパッタガス供給管には、図示しない制御機構によって開閉が制御されるバルブが設けられ、真空ポンプ３６と第１シード層形成室５の間には、図示しない制御手段によって開閉が制御されるポンプ用ゲートバルブが設けられている。
これらバルブおよびポンプ用ゲートバルブを開閉操作することにより、スパッタガス供給管からのガスの供給、第１シード層形成室５内の圧力およびガスの排出が制御される。
【００３３】
また、本実施形態では、スパッタガス供給管の途中に、スパッタガスを加熱する加熱手段を設けることが好ましい。
スパッタガスを加熱する加熱手段としては、例えば、ヒータ加熱または誘導加熱等によって加熱された焼結金属製のガスフィルタ等を用いることができる。スパッタガスの加熱手段としてガスフィルタを用いる場合、スパッタガス供給管の途中に、ガスフィルタを配設し、スパッタガス供給管内を流れるスパッタガスが、ガスフィルタを通過した後、スパッタチャンバ内に供給されるようにする。これにより、スパッタガスが、ガスフィルタを通過する際に加熱され、加熱されたスパッタガスが第１シード層形成室５内に供給される。ガスフィルタを設置する箇所は、第１シード層形成室５により近い箇所であるのが好ましく、マスフローコントローラと第１シード層形成室５の間に設置するのが好ましい。
スパッタガスを加熱する加熱手段としては、例えば、ヒータ加熱または誘導加熱等によって加熱された焼結金属製のガスフィルタ等を用いることができる。
また、本実施形態では、スパッタガス供給管の一端が、後述するターゲット収容部４２ａ、４２ｂの略中央部に配設されていることが好ましい。これにより、スパッタガスが、成膜用基板２３、２４に近い領域に供給される。
【００３４】
また、第１シード層形成室５は、キャリア２５が停止して成膜が行われる第１成膜位置３８および第２成膜位置３９を有しており、キャリア２５が第１成膜位置３８に停止した状態で、第１成膜用基板２３の両面に第１シード層８１１を成膜しつつ、第２成膜用基板２４を加熱し、キャリア２５が第２成膜位置３９に停止した状態で、第２成膜用基板２４の両面に第１シード層８１１を成膜しつつ、第１成膜用基板２３を加熱するように構成されている。
【００３５】
具体的には、第１シード層形成室５には、対向する２つの壁部に、それぞれ第１ターゲット保持部４１ａおよび第２ターゲット保持部４１ｂが設けられている。
図５に示すように、第１ターゲット保持部４１ａおよび第２ターゲット保持部４１ｂは、それぞれ、ターゲット収容部４２ａ、４２ｂと、各ターゲット収容部４２ａ、４２ｂの両側に配設された第１ヒータ部４３ａ、４３ｂおよび第２ヒータ部４４ａ、４４ｂと、第１ヒータ部４３ａ、４３ｂおよび第２ヒータ部４４ａ、４４ｂによる加熱温度をそれぞれ制御する第１加熱制御手段および第２制御手段（いずれも図示略）を有している。
【００３６】
各ターゲット収容部４２ａ、４２ｂには、第１シード層８１１に対応するターゲット８００ａ、８００ｂが収容される。各ターゲット８００ａ、８００ｂは、各ターゲット８００ａ、８００ｂと各成膜用基板２３、２４との間に電圧を印加する図示しない電源と接続される。
また、前述のように各ターゲット収容部４２ａ、４２ｂの略中央部には、スパッタガス供給管の一端が配設されており、これに対応して、これに収容される各ターゲット８００ａ、８００ｂの略中央部に貫通孔８１３ａ、８１３ｂが設けられている。スパッタガス供給管と貫通孔８１３ａ、８１３ｂとは連通しており、スパッタガス供給管内を流れて供給されるスパッタガスは、この貫通孔８１３ａ、８１３ｂを通過して第１シード層形成室５内に供給される。すなわち、貫通孔８１３ａ、８１３ｂは、スパッタガスの放出口を構成する。
【００３７】
このような第１ターゲット保持部４１ａおよび第２ターゲット保持部４１ｂは、キャリア２５が第１成膜位置３８に停止した状態で、各ターゲット収容部４２ａ、４２ｂに収容された各ターゲット８００ａ、８００ｂおよび各第１ヒータ部４３ａ、４３ｂが、それぞれ、第１成膜用基板２３の各主面および第２成膜用基板２４の各主面と対向し、キャリア２５が第２成膜位置３９に停止した状態で、各ターゲット収容部４２ａ、４２ｂに収容された各ターゲット８００ａ、８００ｂおよび各第２ヒータ部４４ａ、４４ｂが、それぞれ、第２成膜用基板２４の各主面および第１成膜用基板２３の各主面と対向する。
【００３８】
この第１シード層形成室５では、薄膜形成時に、室内に、加熱されたスパッタガスが供給され、各ヒータ部４３ａ、４３ｂ、４４ａ、４４ｂがオンとされる。そして、キャリア２５が第１成膜位置３８に停止した状態で、各ターゲット８００ａ、８００ｂと第１成膜用基板２３との間に電圧が印加されると、室内に供給された不活性ガスがイオン化し、各ターゲット８００ａ、８００ｂに衝突することによって、各ターゲット８００ａ、８００ｂからターゲット物質（スパッタ粒子）がはじき飛ばされる。このスパッタ粒子が、第１成膜用基板２３の両面に被着することにより、第１シード層８１１が形成される。また、キャリア２５が第１成膜位置３８で停止している間、各第１ヒータ部４３ａ、４３ｂの熱によって第２成膜用基板２４が加熱される。
【００３９】
また、キャリア２５が第２成膜位置３９で停止した状態で、各ターゲット８００ａ、８００ｂと第２成膜用基板２４との間に電圧が印加されると、第１成膜用基板２３と同様に、ターゲット８００ａ、８００ｂからはじき飛ばされたスパッタ粒子が、第２成膜用基板２４の両面に被着することにより、第１シード層８１１が形成される。また、キャリア２５が第２成膜位置３９で停止している間、各第２ヒータ部４４ａ、４４ｂの熱によって第１成膜用基板２３が加熱される。
【００４０】
第２シード層形成室９、第１下地膜形成室１０および第２下地膜形成室１１、第１磁気記録膜形成室１３〜第４磁気記録膜形成室１６は、それぞれの室に対応する各薄膜を、第１成膜用基板２３および第２成膜用基板２４に形成された最上層の表面に、スパッタ法によって形成する室である。これら各形成室は、ターゲット収容部４２ａ、４２ｂに収容されるターゲット８００ａ、８００ｂが各薄膜に対応するものであること以外は、前記第１シード層形成室５と同様の構成とされている。
【００４１】
第１加熱室６および第２加熱室８は、それぞれ、第１シード層８１が形成された第１成膜用基板２３および第２成膜用基板２４を加熱する室である。各加熱室６、８には、図示しない不活性ガス供給管および真空ポンプ３６が接続されている。不活性ガス供給管には、図示しない制御機構によって開閉が制御されるバルブが設けられ、真空ポンプ３６と各加熱室６、８の間には、図示しない制御手段によって開閉が制御されるポンプ用ゲートバルブが設けられている。これらバルブおよびポンプ用ゲートバルブを開閉操作することにより、不活性ガス供給管からのガスの供給、各加熱室６、８内の圧力およびガスの排出が制御される。
【００４２】
また、各加熱室６、８は、対向する２つの壁部に、それぞれ第１加熱部４５ａおよび第２加熱部４５ｂが設けられており、また、第１加熱部４５ａおよび第２加熱部４５ｂによる加熱温度をそれぞれ制御する第１加熱制御手段および第２加熱制御手段（いずれも図示せず）を有している。
キャリア２５が所定の停止位置に停止した状態で、第１加熱部４５ａは、第１成膜用基板２３の一方の主面および第２成膜用基板２４の一方の主面と対向し、第２加熱部４５ｂは、第１成膜用基板２３の他方の主面および第２成膜用基板２４の他方の主面と対向する。各加熱部４５ａ、４５ｂがオンとされ、キャリア２５がこの停止位置に停止することにより、キャリア２５に装着された第１成膜用基板２３および第２成膜用基板２４が加熱される。
【００４３】
第１保護膜形成室１９は、第１成膜用基板２３および第２成膜用基板２４に形成された最上層の表面に、ＣＶＤ法によって、第１保護膜８４１を形成する室である。第１保護膜形成室１９には、図示しない反応性ガス供給管および真空ポンプ３６が接続されている。反応性ガス供給管には、図示しない制御機構によって開閉が制御されるバルブが設けられ、真空ポンプ３６と第１保護膜形成室１９の間には、図示しない制御手段によって開閉が制御されるポンプ用ゲートバルブが設けられている。これらバルブおよびポンプ用ゲートバルブを開閉操作することにより、スパッタガス供給管からのガスの供給、第１保護膜形成室１９内の圧力およびガスの排出が制御される。
【００４４】
また、第１保護膜形成室１９には、キャリア２５が停止して成膜が行われる第１成膜位置４６および第２成膜位置４７が設けられており、キャリア２５が第１成膜位置４６に停止した状態で、第１成膜用基板２３に形成された最上層の表面に、第１保護膜８４１を成膜し、キャリア２５が第２成膜位置４７に停止した状態で、第２成膜用基板２４に形成された最上層の表面に、第１保護膜８４１を成膜するように構成されている。
【００４５】
具体的には、第１保護膜形成室１９には、対向する２つの壁部に、第１電極部４８ａおよび第２電極部４８ｂがそれぞれ設けられている。第１電極部４８ａおよび第２電極部４８ｂは、各電極部４８ａ、４８ｂと成膜用基板２３、２４との間に高周波電圧を印加する図示しない高周波電源に接続されている。
第１電極部４８ａおよび第２電極部４８ｂは、キャリア２５が第１成膜位置４６に停止した状態で、それぞれ、第１成膜用基板２３の各主面と対向し、キャリア２５が第２成膜位置４７で停止した状態で、それぞれ、第２成膜用基板２４の各主面と対向する。
【００４６】
第１保護膜形成室１９では、室内に反応性ガスが供給され、キャリア２５が第１成膜位置４６に停止した状態で、第１電極部４８ａおよび第２電極部４８ｂと、第１成膜用基板２３との間に高周波電圧が印加されると、これらの間に放電が生じ、この放電によって室内に導入された反応性ガスがプラズマ状態となる。このプラズマ中で生じた活性ラジカルやイオンの反応物が第１成膜用基板２３に形成された最上層の表面に被着することによって第１保護膜８４１が形成される。
【００４７】
また、キャリア２５が第２成膜位置４７に停止した状態で、第１電極部４８ａおよび第２電極部４８ｂと、第２成膜用基板２４との間に電圧が印加されると、第１成膜用基板２３の場合と同様に、プラズマ中で生じた活性ラジカルやイオンの反応物が、第２成膜用基板２４に形成された最上層の表面に被着することによって第１保護膜８４１が形成される。
【００４８】
第２保護膜形成室２０は、第２保護膜８４２を、第１成膜用基板２３および第２成膜用基板２４の両側に形成された第１保護膜８４１の表面に、スパッタ法によって形成する室である。第２保護膜形成室２０は、第１保護膜形成室１９と同様の構成とされている。
【００４９】
第２保護膜形成室２０は、予備室２１と、第１８ゲートバルブを介して接続されている。
予備室２１は、キャリア転送室３と連結されている。予備室２１とキャリア転送室３との境界には、開閉用の第５扉５４が設けられている。また、前述の予備室１８、２１においても、基板を成膜前、成膜後の場合に各室において加熱した後と同様に搬送中の基板を加熱できるように構成されている。
【００５０】
基板取り外し室２２の内部には、キャリア２５に装着された第１成膜用基板２３および第２成膜用基板２４を取り外し、これら成膜用基板２３、２４を第２搬送路３２に順次供給する操作アーム４９が設けられている。この操作アーム４９によって、キャリア２５から取り外され、第２搬送路３２に供給された各成膜用基板２３、２４は、第２搬送路３２を通過して、基板供給・収容室１に搬入される。
【００５１】
次に、本発明の磁気記録媒体の製造方法を、図２〜図５に示す磁気記録媒体製造装置を用いる場合を例にして説明する。
まず、第１扉５０〜第６扉５５および第１ゲートバルブ５５〜第１８ゲートバルブ７２を閉じた状態としておく。また、各バルブを閉じた状態としておき、各真空ポンプ３６を動作させることにより、基板供給・収容室１を除いた各室内を減圧状態にする。
【００５２】
次に、図６（ａ）に示すように、未成膜の成膜用基板２３、２４を用意する。
そして、第１扉５０を開き、基板供給・収容室１内に、未成膜の複数の成膜用基板２３、２４を搬入した後、第１扉５０を閉じる。その後、真空ポンプの動作により、基板供給・収容室１内を減圧状態とする。
次に、第２扉５１を開き、操作アーム３３によって、２枚の成膜用基板２３、２４を第１搬送路３１に順次供給する。第１搬送路３１に供給された成膜用基板２３、２４は、第１搬送路３１を通過して、基板取り付け室２に供給される。
【００５３】
次に、第３扉５２を開き、基板取り付け室２に供給された２枚の成膜用基板２３、２４を、操作アーム３４によって、キャリア転送室３内のキャリア２５に装着する。その後、第３扉５２を閉じる。
【００５４】
次に、第１ゲートバルブ５５を開き、キャリア転送室２内のキャリア２５を、図２中Ｘ方向に移動させ、第１コーナー室４に搬送した後、第１ゲートバルブ５５を閉じる。そして、第１コーナー室４に搬送されたキャリア２５を、ターンテーブルのキャリア載置面で停止させ、ターンテーブルを右回りに略９０°に回転させる。これにより、キャリア２５の移動方向が、図２中−Ｘ方向からＹ方向に変更される。
【００５５】
次に、第２ゲートバルブ５６を開き、第１コーナー室４内のキャリア２５を、第１シード層形成室５に搬送した後、第２ゲートバルブ５６を閉じる。そして、第１シード層形成室５に搬送されたキャリア２５を、第１成膜位置３８まで移動させ、この位置で停止させる。このとき、第１成膜用基板２３の各主面および第２成膜用基板２４の各主面は、それぞれ、各ターゲット収容部４２ａ、４２ｂに収容された各ターゲット８００ａ、８００ｂおよび各第１ヒータ部４３ａ、４３ｂと対向した状態となる。
【００５６】
また、ガス放出口から、加熱されたスパッタガスを放出させるとともに、電源および第１ヒータ部４３ａ、４３ｂおよび第２ヒータ部４４ａ、４４ｂをオンにする。電源がオンとされることにより、各ターゲット８００ａ、８００ｂと第１成膜用基板２３の間に電圧が印加され、スパッタガスがイオン化する。このスパッタガスのイオンは、各ターゲット８００ａ、８００ｂに衝突し、各ターゲット８００ａ、８００ｂからターゲット物質（スパッタ粒子）が弾き出され、第１成膜用基板２３の両面に被着する。また、このようにしてスパッタによる成膜が行われている間、第１ヒータ部４３ａ、４３ｂの熱により、第２の成膜用基板２４が加熱される。ここで基板２４を加熱する場合の温度は、成膜温度に対して＋２００〜−１００℃程度の範囲が好ましい。
そして、第１成膜用基板２３上のスパッタ粒子の層（第１シード層８１１）が所定の厚さとなったところで、電源をオフにする。
【００５７】
次に、キャリア２５を、第２成膜位置３９まで移動させ、この位置で停止させる。このとき、第２成膜用基板２４の各主面および第１成膜用基板２３の各主面は、それぞれ、各ターゲット収容部４２ａ、４２ｂに収容された各ターゲット８００ａ、８００ｂおよび各第２ヒータ部４３ａ、４３ｂと対向した状態となる。また、電源をオンにする。これにより、第１成膜用基板２３の場合と同様に、第２成膜用基板２４の両面に、各ターゲット８００ａ、８００ｂから弾き出されたスパッタ粒子が被着する。また、このようにしてスパッタによる成膜が行われている間、第２ヒータ部４４ａ、４４ｂの熱により、第１の成膜用基板２３が加熱される。ここで基板２３を加熱する場合の温度は、成膜温度に対して＋２００〜−１００℃程度の範囲が好ましい。
【００５８】
そして、第２成膜用基板２４上のスパッタ粒子の層（第１シード層８１１）が所定の厚さとなったところで、電源および各ヒータ部をオフにする。また、スパッタガス供給管のバルブを閉じ、ポンプ用ゲートバルブを開く。これにより、第１シード層形成室５内のスパッタガスが排気される。
【００５９】
また、前記ヒータ部４３ａ、４３ｂの温度に応じてスパッタガスの温度も、同様に、成膜中の成膜用基板の温度＋２００〜−１００℃程度の範囲であるのが望ましく、＋１００〜−５０℃の範囲であるのがより望ましい。
以上の工程により、図６（ｂ）に示すように、第１成膜用基板２３および第２成膜用基板２４の両面上に、それぞれ、第１シード層８１１が形成される。
【００６０】
次に、第３ゲートバルブ５７を開き、第１シード層形成室５内のキャリア２５を、第１加熱室６に搬送した後、第３ゲートバルブ５７を閉じる。そして、第１加熱室６に搬送されたキャリア２５を、停止位置まで移動させ、停止させる。また、第１加熱部４５ａおよび第２加熱部４５ｂをオンにする。これにより、第１成膜用基板２３および第２成膜用基板２４が加熱される。
第１加熱室６における第１成膜用基板２３および第２成膜用基板２４の加熱温度は、成膜中の成膜用基板の温度＋２００〜−１００℃程度の範囲であるのが望ましく、＋１００〜−５０℃の範囲であるのがより望ましい。なお、この加熱温度の関係は、予備室１８、２１においても同様であり、予備室１８、２１中を搬送途中の基板に対して前記の温度範囲に加熱することが望ましい。
【００６１】
次に、第４ゲートバルブ５８を開き、第１加熱室６内のキャリア２５を、第２コーナー室７に搬送した後、第４ゲートバルブ５８を閉じる。そして、第２コーナー室７に搬送されたキャリア２５を、ターンテーブルのキャリア載置面で停止させ、ターンテーブルを右回りに略９０°回転させる。これにより、キャリア２５の移動方向が、図２中Ｙ方向からＸ方向に変更される。
【００６２】
次に、第５ゲートバルブ５９を開き、第２コーナー室７内のキャリア２５を、第２シード層形成室７に搬送した後、第５ゲートバルブ５９を閉じる。そして、図６（ｃ）に示すように、キャリア２５に装着された第１成膜用基板２３および第２成膜用基板２４に形成された第１シード層８１１の表面に、それぞれ、第１シード層形成室５と同様にして、他方の成膜用基板を加熱しつつ、第２シード層８１２を形成する。
次に、第６ゲートバルブ６０を開き、第２シード層形成室７内のキャリア２５を、第２加熱室８に搬送した後、第６ゲートバルブ６０を閉じる。そして、キャリア２５に装着された第１成膜用基板２３および第２成膜用基板２４を、第１加熱室６と同様にして加熱する。
【００６３】
以下同様な動作を繰り返し、図６（ｄ）に示すように、第１下地層８２１を形成し、第２下地層形成室１１、第１磁気記録膜形成室１２および第２磁気記録膜形成室１３にて、図７（ｅ）に示すように、各磁気記録膜８３３、８３４を形成し、最終的にシード層８１（第１シード層８１１および第２シード層８１２）、下地膜８２（第１下地膜８２１および第２下地膜８２２）、磁気記録膜８３（第１磁気記録膜８３１〜第４磁気記録膜８３４）が得られる。
【００６４】
以上のように、この磁気記録媒体の製造方法では、第１成膜用基板２３に、スパッタ法によって薄膜を形成している間、第２成膜用基板２４（この後に成膜を行うために待機する成膜用基板）を加熱し、第２成膜用基板２４に、スパッタ法によって薄膜を形成している間、第１成膜用基板２３（次の室に搬送するために待機する成膜用基板）を加熱する。これは、以下の知見によるものである。
【００６５】
すなわち、一般的に、インライン式のスパッタ装置を用いた磁気記録媒体の製造では、その生産性を高めるため、スパッタチャンバ内に複数枚の成膜用基板を同時に収容し、これら成膜用基板に一枚ずつ薄膜を形成する。
このようなインライン式のスパッタ装置では、スパッタチャンバ内に、成膜中の成膜用基板の他に、成膜待ちの成膜用基板、成膜後の成膜用基板（次のスパッタチャンバへ移動させるために待機する成膜用基板）が存在することになる。成膜中の成膜用基板は、スパッタに用いるプラズマにより加熱されるため、その基板温度が上昇する。一方、成膜待ちの成膜用基板や、成膜後の成膜用基板は、スパッタチャンバ内に待機している間、成膜時より基板温度が下がる。
【００６６】
本発明者は、このような待機中に生じる基板温度の変化が、成膜用基板上に成膜される薄膜に熱歪みを与え、この薄膜に加えられた熱歪みが、成膜用基板上に成膜される各薄膜のエピタキシャル成長性に悪影響を与えることを見出した。そして、スパッタチャンバ内の成膜待ちの成膜用基板や、成膜後の成膜用基板（次のスパッタチャンバへ移動させるために待機する成膜用基板）の基板温度を高め、その基板温度を、成膜中の基板温度と同一とすることにより、成膜用基板上に形成される各薄膜に加わる熱歪みが低減し、これにより、各薄膜のエピタキシャル成長性が高まるとの知見を得るに至った。各薄膜のエピタキシャル成長性が高まることにより、磁気記録膜の結晶成長が促進される。その結果、磁気記録膜の磁気異方性が高まり、その保磁力が向上する。これにより、得られる薄膜積層体としての磁気記録媒体のＳＮＲが向上する。
【００６７】
また、この磁気記録媒体の製造方法では、各形成室に導入するスパッタガスを加熱するのが好ましい。これは次のような理由による。
すなわち、前述のように、磁気異方性の高い磁気記録膜を得るには、成膜用基板の表面に、磁気記録膜等の薄膜を積層形成する一連のプロセスにおいて、成膜用基板の温度を一定に保って成膜することが重要となる。ここで、この一連のプロセスにおいて、スパッタチャンバに供給されるスパッタガスが、成膜中において、基板温度を不安定にする要因の１つとなる。
【００６８】
これに対して、本実施形態のように、スパッタガスを、薄膜の成膜温度に近い温度に加熱してスパッタチャンバ内に供給すると、磁気記録膜等の薄膜を積層形成する一連のプロセスにおいて、基板温度を一定に保って成膜することが可能となる。その結果、成膜用基板上に形成される各薄膜に加わる熱歪みがより低減し、各薄膜のエピタキシャル成長性が高まり、磁気記録膜の結晶成長が促進される。これにより、磁気記録膜の磁気異方性が高まり、その保磁力が向上し、得られる磁気記録媒体のＳＮＲが向上する効果が得られる。
また、この磁気記録媒体の製造方法では、加熱したスパッタガスを、成膜用基板の近傍に供給するのが好ましい。これにより、スパッタチャンバ中のガスの濃度分布および圧力分布が安定する。その結果、スパッタ成膜における成膜レートが高まると共に、成膜用基板表面内での膜厚分布も安定する。さらに、スパッタ時における異常放電の発生頻度が低下する。
【００６９】
加熱したスパッタガスを、成膜用基板の近傍に供給する方法としては、例えば、パイプを用いてガスを移送し、ガスを成膜用基板の近くで放出する方法がある。しかしながら、このような方法を用いると、パイプの箇所に、スパッタによる薄膜が形成され、その薄膜が剥離してダストが発生する可能性がある。
そのため、加熱したスパッタガスを、成膜用基板の近傍に供給する方法として、ターゲットの周囲に配設されたシールドに細孔を設け、その細孔からガスを放出させるのが好ましい。また、本実施形態のように、ターゲットに貫通孔を設け、この貫通孔からガスを放出させても良い。特に、ターゲットの中央部は、マグネトロンスパッタでは使用されない場合があり、この箇所にガスの放出口を設けても良い。
【００７０】
次に、第１４ゲートバルブ６８を開き、第４磁気記録膜形成室１６内のキャリア２５を、第４コーナー室１７に搬送した後、第１４ゲートバルブ６８を閉じる。そして、キャリア２５の移動方向を、第２コーナー室７と同様にして、図２中Ｙ方向からＸ方向に変更する。
【００７１】
次に、ＲＯＴ室１８内のキャリア２５を、第１保護膜形成室１９に搬送して同様の成膜処理を行い保護膜を形成し、次いで第２成膜位置４７まで移動させて成膜する。各室ではプラズマ中で生じた活性ラジカルやイオンの反応物が被着生成できる。
以上の工程により、図７（ｆ）に示すように、第１保護膜８４１と第２保護膜８４２を形成する。
【００７２】
次に、予備室２１内のキャリア２５をキャリア転送室３に搬送した後、操作アーム５によって、キャリア２５から各基板２３、２４を取り出す。
以上の工程を、製造する磁気記録媒体の枚数に応じて繰り返し行う。
この後、図７（ｇ）に示すように、磁気ディスクの両面に、ディッピング法、スピンコート法等の塗布法によって、潤滑剤を塗布し、潤滑剤層８５を形成する。以上の工程により、薄膜積層体の１例としての磁気記録媒体が得られる。
【００７３】
以上のようにして製造された磁気記録媒体は、各形成室内に複数の成膜用基板２３、２４を同時に収容し、これら成膜用基板２３、２４に１枚ずつ薄膜を形成するに際して、いずれかの成膜用基板２３、２４に成膜を行っている間、この後に成膜を行うために待機する成膜用基板２４、および、この前に成膜を行った成膜用基板２３（次の形成室に搬送するために待機する成膜用基板２３）を加熱するので、複数の成膜用基板２３、２４に順次成膜を行っている間、各成膜用基板２３、２４の温度が、略一定に保たれる。これにより、スパッタ法によって成膜される各薄膜のエピタキシャル成長性が高まるので、磁気異方性に優れ、これにより、高い保磁力を有する磁気記録膜が得られる。その結果、ＳＮＲの高い磁気記録媒体を得ることができる。
【００７４】
次に、各室に設けられるシールド板が成膜用基板２３、２４を加熱する加熱手段として機能するように構成されていても良い。
シールド板は、ターゲットの周囲や各形成室の内壁面に設けられ、定期的に交換される板状の部材であり、ターゲットから放出されたターゲット材が各形成室の内壁面に付着して、各形成室内を汚染し、また付着したターゲット材が剥離してダスト（塵）として発生することのないようにするものである。
本実施形態において、このシールド板が、各形成室内に収容された成膜用基板２３、２４のうちいずれかの成膜用基板２３、２４に薄膜を形成している間、この後に薄膜を形成する成膜用基板２３、および、この前に薄膜を形成した成膜用基板２４を加熱する加熱手段として機能させることができる。
加熱手段として機能するシールド板としては、ヒータによって加熱され、この熱によって成膜用基板を加熱するものであってもよく、通電によって加熱され、この熱によって成膜用基板を加熱するものであってもよい。
【００７５】
この構造においても同様の効果が得られる。
また、構造の磁気記録媒体の製造方法では、特に、シールド板が、成膜用基板２３、２４を加熱する加熱手段として機能することにより、次のような効果が得られる。
すなわち、ターゲット保持部４１ａ、４１ｂにヒータ部４３ａ、４３ｂ、４４ａ、４４ｂが設けられていると、このヒータ部４３ａ、４３ｂ、４４ａ、４４ｂにターゲット材が付着して、これがダストとして発生することが懸念されるのが、シールド板を加熱手段として機能させることにより、このようなダストの発生を防ぐことができる。また、各形成室内の空間を有効に利用し、各形成室内で異常放電等が発生することを防ぐことができる。
なお、従来、シールドに堆積した薄膜の剥離を防止する目的でシールドを加熱することが行われているが、この場合の加熱温度は、あくまで、シールドに付着した膜の熱応力を緩和する程度の温度であり、成膜中の成膜用基板と略同じ温度となるように、他の成膜用基板を加熱するには不十分な温度である。
【００７６】
図８は、上記磁気記録媒体を用いた磁気記録再生装置の一例である。ここに示す磁気記録再生装置は、上記構成の磁気記録媒体９６と、磁気記録媒体９６を回転駆動させる媒体駆動部９７と、磁気記録媒体９６に情報を記録再生する磁気ヘッド９８と、ヘッド駆動部９９と、記録再生信号処理系１００とを備えている。記録再生信号処理系１００は、入力されたデータを処理して記録信号を磁気ヘッド９８に送り、磁気ヘッド９８からの再生信号を処理してデータを出力することができるようになっている。
【実施例】
【００７７】
以下、実施例を挙げて本発明を詳細に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
（実施例）
表面に厚さ１０μｍのＮｉＰメッキ膜が形成されてなる厚さ０．８ｍｍのアルミニウム合金基板上に、表面平均粗さＲａが１ｎｍとなるようにメカニカルテクスチャー加工を施した。
この成膜用基板を用いて、その表面に、スパッタ法を用いて、厚さ８ｎｍのＣｒＷ合金下地膜（２５ａｔ％Ｃｒ−７５ａｔ％Ｗ）と、厚さ３０ｎｍのＣｏＣｒＰｔＴａＣｕ合金磁気記録層膜１８ａｔ％Ｃｒ−８ａｔ％Ｐｔ−３ａｔ％Ｔａ−１ａｔ％Ｃｕ−残部Ｃｏ）を形成し、その上に、プラズマＣＶＤ法を用いて厚さ７ｎｍのカーボン膜を形成した。
【００７８】
成膜には、複数のスパッタチャンバとプラズマＣＶＤチャンバを一列に接続したインライン式の成膜装置であるアネルバ社製３０１０装置を用いた。本装置は、成膜用基板を加熱するチャンバ（加熱室）を２つ、ＣｒＷ合金下地膜を成膜するスパッタチャンバ（下地膜形成室）を１つ、ＣｏＣｒＰｔＴａＣｕ合金磁気記録膜を成膜するスパッタチャンバ（磁気記録膜形成室）を１つ、カーボン膜を成膜するプラズマＣＶＤチャンバ（保護膜形成室）を１つ、この順に一列に接続した構成である。
【００７９】
この一連のチャンバ内を、キャリアが成膜用基板を保持して移動するが、このキャリアには２枚の成膜用基板が保持される。そして、２枚の成膜用基板を保持したキャリアは、スパッタチャンバ内で、１枚ずつ成膜用基板をターゲット位置に対向させて薄膜を成膜する。さらに、チャンバ内には、ターゲットの左右に合計２つのヒータが取り付けられ、成膜前の待機中の成膜用基板、および、成膜後の次チャンバへ移動する前の成膜用基板は、チャンバ内に設置されたそれぞれのヒータによって加熱される。
【００８０】
本実施例では、キャリアに保持した２枚の成膜用基板を、真空度２×１０−７Ｔｏｒｒ（１Ｔｏｒｒは約１３３Ｐａである。）となるまで排気した２つの加熱室に移送し、この成膜用基板を、２００℃まで加熱した後、成膜用基板を次のスパッタチャンバ内に移送した。スパッタチャンバ内では、基板温度が、成膜中および待機中において、２００℃で一定になるように調整した。また、スパッタチャンバ内の成膜用基板付近に供給するスパッタガスのガス温度は２００℃とした。
成膜用基板表面に、非磁性膜、磁気記録膜、カーボン膜を成膜後、ディッピング法によりＰＦＰＥ潤滑剤を塗布することにより磁気記録媒体を作製した。
そして、作製した磁気記録媒体の電磁変換特性としてＳｐＳＮＲ（ベースノイズに対する記録信号の出力レベルを示す値）を測定したところ、１７．７ｄＢであった。なお、ＳｐＳＮＲはその値が高いほど、信号の読み出し特性に優れることを意味する。
【００８１】
（比較例）
実施例と同様の膜構成で、磁気記録媒体を製造したが、スパッタチャンバ内に設けたヒータは作動させなかった。また、スパッタガスの加熱も行わず、スパッタガスは常温で供給した。
そのため、ヒートチャンバ（加熱室）を出たときの成膜用基板の温度は２００℃であったが、下地膜を成膜する前の成膜用基板の温度は約１８０℃、下地膜成膜中の成膜用基板の温度は１８０℃から２００℃へ変化し、磁気記録膜を成膜する前の成膜用基板温度は約１８０℃、磁気記録膜成膜中の基板温度は１８０℃から２００℃へ変化した。
本方法で製造した磁気記録媒体についてＳｐＳＮＲを測定したところ、１７．２ｄＢであり、実施例に比べ、０．５ｄＢ特性が低下した。
【図面の簡単な説明】
【００８２】
【図１】本発明の磁気記録媒体の製造方法によって製造される磁気記録媒体の一例を示す模式的な縦断面図である。
【図２】第１実施形態の磁気記録媒体製造装置を示す模式図である。
【図３】第１実施形態の磁気記録媒体製造装置が備えるスパッタチャンバを示す模式図である。
【図４】第１実施形態の磁気記録媒体製造装置が備えるキャリアを示す側面図である。
【図５】第１実施形態の磁気記録媒体製造装置が備えるターゲット保持部を示す模式図である。
【図６】本発明の磁気記録媒体の製造方法を工程順に示す模式的な縦断面図である。
【図７】本発明の磁気記録媒体の製造方法を工程順に示す模式的な縦断面図である。
【図８】本発明の磁気記録再生装置の一例を示す概略構成図である。
【符号の説明】
【００８３】
８０・・・非磁性基板、８１・・・シード層、８２・・・下地膜、８３…磁気記録膜、８４・・・保護膜、８５…潤滑剤層、５・・・第１シード層形成室  ６・・・第１加熱室、８・・・第２加熱室、９・・・第２シード層形成室、１０・・・第１下地層形成室、１１・・・第２下地層形成室、１２・・・第１磁気記録膜形成室、１３・・・第２磁気記録膜形成室、１５・・・第３磁気記録膜形成室、１６・・・第４磁気記録膜形成室、１９・・・第１保護膜形成室、２０・・・第２保護膜形成室２０、２３・・・第１成膜用基板、２４・・・第２成膜用基板、２５・・・キャリア、２６・・・支持台、２７・・・基板装着部、３６・・・真空ポンプ、４２ａ、４２ｂ…ターゲット収容部、３８・・・第１成膜位置、３９・・・第２成膜位置、４１ａ、４１ｂ…第１ターゲット保持部、４３ａ、４３ｂ・・・第１ヒータ部、４４ａ、４４ｂ・・・第２ヒータ部、８００ａ、８００ｂ・・・ターゲット、８１３ａ、８１３ｂ・・・貫通孔、４５ａ・・・第１加熱部、４５ｂ・・・第２加熱部、４６・・・第１成膜位置、４７・・・第２成膜位置、４８ａ・・・第１電極部、４８ｂ・・・第２電極部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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