(57)【要約】【課題】光電効果の薄膜トランジスターに対する影響を早期に検出し、製品の信頼性および工程に関連する問題を早期に反映させることのできる検査方法を提供する。【解決手段】液晶ディスプレイ薄膜トランジスターアレイ基板の欠陥を検査することに適用する検査方法であって：検査設備を提供することであり、前記検査設備がシャンバー、前記シャンバー中に配置されるプラットホーム、発光機構および電気特性テスト機構を含むものと；前記液晶ディスプレイ薄膜トランジスターアレイ基板をプラットホーム上に載置することと；前記発光機構を利用して前記液晶ディスプレイ薄膜トランジスターアレイ基板を照射することと；前記電気特性テスト機構を利用して前記発光機構の照射を経た前記液晶ディスプレイ薄膜トランジスターアレイ基板の電気特性を検査することとを含むものである。【選択図】図６
2008122893.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶ディスプレイ薄膜トランジスターアレイ基板の欠陥を検査することに適用する検査設備であって：
シャンバーと；
前記シャンバー中に設置され、前記液晶ディスプレイ薄膜トランジスターアレイ基板を載置するために用いるプラットホームと；
前記シャンバー中に設置され、前記液晶ディスプレイ薄膜トランジスターアレイ基板を照射するために用いる発光機構と；
前記シャンバー中に設置され、前記発光機構の照射を経た前記液晶ディスプレイ薄膜トランジスターアレイ基板の電気特性を検査するために用いる電気特性テスト機構と
を含む検査設備。
【請求項２】
前記発光機構の光源が、前記液晶ディスプレイ薄膜トランジスターアレイ基板の上方から入射される請求項１記載の検査設備。
【請求項３】
前記発光機構の光源が、前記液晶ディスプレイ薄膜トランジスターアレイ基板の下方から入射される請求項１記載の検査設備。
【請求項４】
前記発光機構の光源が、前記液晶ディスプレイ薄膜トランジスターアレイ基板の四方から入射される請求項１記載の検査設備。
【請求項５】
前記発光機構の光源が、前記液晶ディスプレイ薄膜トランジスターアレイ基板を照射する入射角が０°〜１８０°の間である請求項１記載の検査設備。
【請求項６】
前記発光機構が、単一の光源からなる請求項１記載の検査設備。
【請求項７】
前記発光機構が、多数の光源からなる請求項１記載の検査設備。
【請求項８】
前記電気特性テスト機構が、誘導式電気特性テスト機構または電子ビーム式電気特性テスト機構あるいはプローブ式電気特性テスト機構である請求項１記載の検査設備。
【請求項９】
前記検査設備が、さらに、シャンバーを含み、前記電気特性テスト機構および前記発光機構を前記シャンバー中に設置するものである請求項１記載の検査設備。
【請求項１０】
前記発光機構が、スイッチを備えて、前記発光機構の電源のオンおよびオフを制御するものである請求項１記載の検査設備。
【請求項１１】
液晶ディスプレイ薄膜トランジスターアレイ基板の欠陥を検査することに適用する検査方法であって：
検査設備を提供することであり、前記検査設備がシャンバー、前記シャンバー中に配置されるプラットホーム、発光機構および電気特性テスト機構を含むものと；
前記液晶ディスプレイ薄膜トランジスターアレイ基板をプラットホーム上に載置することと；
前記発光機構を利用して前記液晶ディスプレイ薄膜トランジスターアレイ基板を照射することと；
前記電気特性テスト機構を利用して前記発光機構の照射を経た前記液晶ディスプレイ薄膜トランジスターアレイ基板の電気特性を検査することと
を含む検査方法。
【請求項１２】
前記検査方法が、前記発光機構を利用して前記液晶ディスプレイ薄膜トランジスターアレイ基板を照射すると同時に、前記電気特性テスト機構を利用して前記液晶ディスプレイ薄膜トランジスターアレイ基板の電気特性を検査するものである請求項１１記載の検査方法。
【請求項１３】
前記発光機構の光源が、前記液晶ディスプレイ薄膜トランジスターアレイ基板の上方から入射される請求項１１記載の検査方法。
【請求項１４】
前記発光機構の光源が、前記液晶ディスプレイ薄膜トランジスターアレイ基板の下方から入射される請求項１１記載の検査方法。
【請求項１５】
前記発光機構の光源が、前記液晶ディスプレイ薄膜トランジスターアレイ基板の四方から入射される請求項１１記載の検査方法。
【請求項１６】
前記発光機構の光源が、前記液晶ディスプレイ薄膜トランジスターアレイ基板を照射する入射角が０°〜１８０°の間である請求項１１記載の検査方法。
【請求項１７】
前記発光機構が、単一の光源からなる請求項１１記載の検査方法。
【請求項１８】
前記発光機構が、多数の光源からなる請求項１１記載の検査方法。
【請求項１９】
前記電気特性テスト機構が、誘導式電気特性テスト機構または電子ビーム式電気特性テスト機構あるいはプローブ式電気特性テスト機構である請求項１１記載の検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、検査設備とその検査方法とに関し、特に、液晶ディスプレイ薄膜トランジスターアレイ基板（LCD TFT アレイ基板）の検査設備とその検査方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、液晶ディスプレイ薄膜トランジスターアレイ基板の電気特性（electrical character）検査設備は、液晶ディスプレイ薄膜トランジスターアレイ基板が光線照射された後での光電効果が薄膜トランジスターに及ぼす影響を知ることができないので、薄膜トランジスターの光線照射により発生する隠れた欠陥（Hidden Defect）および微細な弱点（Soft Weakness）を検出することができない。
【０００３】
従って、もしも薄膜トランジスターに対して光線照射した後の信頼性テストを行う必要がある時、先ず、液晶ディスプレイ薄膜トランジスターアレイ基板につき液晶（Cell）工程を行ってから、パネル（Panel）に切り分けた後、甚だしくはモジュール（Module）工程を行った後、つまり、液晶ディスプレイ製造工程全体の中・後段になって初めて薄膜トランジスターに対して光線照射を行う信頼性テストできるものとなっている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、液晶ディスプレイ製造工程全体の中・後段になって初めて薄膜トランジスターの光線照射により発生する隠れた欠陥および微細な弱点を発見できるのでは、商品開発の時間を長引かせるだけでなく、同時に液晶ディスプレイの修復または廃棄により発生する製造コストを大幅に増大させるものとなる。
【０００５】
そこで、この発明の目的は、光電効果の薄膜トランジスターに対する影響を早期に検出できる検査設備を提供することにある。  
【０００６】
この発明の別な目的は、製品の信頼性および工程に関連する問題を早期に反映させることができる検査方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この発明は、検査設備を提供するものであって、液晶ディスプレイ薄膜トランジスターアレイ基板の欠陥を検査することに適用するものであり、シャンバーと；前記シャンバー中に設置され、前記液晶ディスプレイ薄膜トランジスターアレイ基板を載置するために用いるプラットホームと；前記シャンバー中に設置され、前記液晶ディスプレイ薄膜トランジスターアレイ基板を照射するために用いる発光機構と；前記シャンバー中に設置され、前記発光機構の照射を経た前記液晶ディスプレイ薄膜トランジスターアレイ基板の電気特性を検査する電気特性テスト機構とを含むものである。
【０００８】
この発明の好適な実施形態中、前記発光機構の光源が、前記液晶ディスプレイ薄膜トランジスターアレイ基板の上方から入射されるものである。
【０００９】
この発明の好適な実施形態中、前記発光機構の光源が、前記液晶ディスプレイ薄膜トランジスターアレイ基板の下方から入射されるものである。
【００１０】
この発明の好適な実施形態中、前記発光機構の光源が、前記液晶ディスプレイ薄膜トランジスターアレイ基板の四方から入射されるものである。
【００１１】
この発明の好適な実施形態中、前記発光機構の光源が、前記液晶ディスプレイ薄膜トランジスターアレイ基板を照射する入射角が０°〜１８０°の間である。
【００１２】
この発明の好適な実施形態中、前記発光機構が、単一の光源からなるものである。
【００１３】
この発明の好適な実施形態中、前記発光機構が、多数の光源からなるものである。
【００１４】
この発明の好適な実施形態中、前記電気特性テスト機構が、誘導式電気特性テスト機構または電子ビーム式電気特性テスト機構あるいはプローブ式電気特性テスト機構である。
【００１５】
この発明の好適な実施形態中、前記発光機構が、スイッチを備えて、前記発光機構の電源のオンおよびオフを制御するものである。
【００１６】
この発明は、検査方法を提出するものであって、液晶ディスプレイ薄膜トランジスターアレイ基板の欠陥を検査することに適用するものであり、検査設備を提供することであって、前記検査設備がシャンバー、前記シャンバー中に配置されるプラットホーム、発光機構および電気特性テスト機構を含むものと；前記液晶ディスプレイ薄膜トランジスターアレイ基板をプラットホーム上に載置することと；前記発光機構を利用して前記液晶ディスプレイ薄膜トランジスターアレイ基板を照射することと；前記電気特性テスト機構を利用して前記発光機構の照射を経た前記液晶ディスプレイ薄膜トランジスターアレイ基板の電気特性を検査することとを含むものである。
【００１７】
この発明の好適な実施形態中、前記検査方法が、前記発光機構を利用して前記液晶ディスプレイ薄膜トランジスターアレイ基板を照射すると同時に、前記電気特性テスト機構を利用して前記液晶ディスプレイ薄膜トランジスターアレイ基板の電気特性を検査するものである。
【００１８】
＜作用＞
上記に基づいて、この発明の提出する検査設備中、発光機構を有するので、発光機構の光源を利用して液晶ディスプレイ薄膜トランジスターアレイ基板に対する照射を行うため、液晶ディスプレイ薄膜トランジスターアレイ基板に対して電気特性テストを行うことができると同時に、薄膜トランジスターの光線照射による劣化を加速させて、液晶ディスプレイ薄膜トランジスターアレイ基板の光線照射後に発生する光電効果が薄膜トランジスターに与える影響を知ることができる。
【００１９】
また、この発明の提出する検査方法は、電気特性テスト機構を利用して液晶ディスプレイ薄膜トランジスターアレイ基板に対する電気特定テストを行う時、発光機構の光源を利用して液晶ディスプレイ薄膜トランジスターアレイ基板に対する照射を行い、液晶ディスプレイ薄膜トランジスターアレイ基板が光線照射後において、薄膜トランジスターに発生する隠れた欠陥および微弱な弱点を発見することによって、製品の信頼性ならびに工程に関連する問題を早期に反映させることができるため、製品の開発時間を短縮することができる。
【００２０】
その一方で、この発明の検査方法は、液晶ディスプレイ製造工程全体の前段において、つまり液晶ディスプレイ薄膜トランジスターアレイ基板に対する電気特性テストを行うと同時に、光電効果の薄膜トランジスターに対する影響を検査するものであって、後続する液晶製造工程中においてパネルに切り分けた後、またはモジュール製造工程など中・後段製造工程中に初めて光線照射の電気特性テストを行うものではないので、修復または廃棄により発生する製造コストを有効に減少させることができる。
【発明の効果】
【００２１】
この発明は、少なくとも下記する利点を有する。
１．この発明が提出する検査設備は、発光機構を備えており、計測により液晶ディスプレイ薄膜トランジスターアレイ基板が光線照射後に発生させる光電効果の薄膜トランジスターに対する電気特性上の影響を知ることができる。
２．この発明の提出する検査方法を利用して、液晶ディスプレイの前段製造工程中に、薄膜トランジスターの光線照射により発生する隠れた欠陥および微弱な弱点を早期に発見することができる。
３．この発明の提出する検査方法は、製品の信頼性および工程に関連する問題を早期に反映させることができるため、製品の開発時間を短縮することができる。
４．この発明の検査方法は、液晶ディスプレイ製造工程全体の前段において、検査により光電効果の薄膜トランジスターに対する影響を知ることができるので、製造コストを有効に減少させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、この発明を実施するための最良の形態を図面に基づいて説明する。
図１は、この発明の実施形態にかかる検査設備を示す説明図である。図１において、検査設備１００は、液晶ディスプレイ薄膜トランジスターアレイ基板（ＬＣＤ  ＴＦＴ  アレイ基板）１０２の検査することに適用するものである。検査設備１００は、電気特性テスト機構１０４と発光機構１０６とを含む。検査設備１００は、異なる製造工程条件により、真空雰囲気または非真空雰囲気に適用できる。
【００２３】
発光機構１０６は、液晶ディスプレイ薄膜トランジスターアレイ基板１０２を照射するために用いられ、液晶ディスプレイ薄膜トランジスターアレイ基板１０２上の薄膜トランジスター（図示せず）の光線照射により発生する劣化を加速させる。発光機構１０６は、スイッチ（図示せず）を備えて、発光機構１０６の光源のオンおよびオフを制御するために用いる。発光機構１０６は、単一の光源または多数の光源からなり、かつシミュレーションしたい光源環境および使用目的に基づいて、異なる形状・発光タイプまたは波長の光源を選択することができる。
【００２４】
電気特性テスト機構１０４は、発光機構１０６の照射を経た液晶ディスプレイ薄膜トランジスターアレイ基板１０２の電気特性を検査するために用いられ、液晶ディスプレイ薄膜トランジスターアレイ基板１０２中に存在する欠陥、例えば、短絡・断線またはリーク電流などの欠陥を発見するものである。電気特性テスト機構１０４は、例えば、誘導式電気特性テスト機構・電子ビーム式電気特性テスト機構またはプローブ式電気特性テスト機構など電気特性テスト機構のいずれもがこの発明に適用でき、実際の製造工程ニーズに合わせて決定することができる。
【００２５】
図２は、図１中の発光機構の光源が液晶ディスプレイ薄膜トランジスターアレイ基板の上方から入射されることを示す説明図である。図３は、図１中の発光機構の光源が液晶ディスプレイ薄膜トランジスターアレイ基板の下方から入射されることを示す説明図である。図４は、図１中の発光機構の光源が液晶ディスプレイ薄膜トランジスターアレイ基板の四方から入射されることを示す説明図である。図５は、図１中の発光機構の光源が傾斜角をもって液晶ディスプレイ薄膜トランジスターアレイ基板へ入射されることを示す説明図である。
【００２６】
図２と図３と図４と図５とにおいて、発光機構１０６の光源１０８がシミュレーションしたい光源入射方向によって、液晶ディスプレイ薄膜トランジスターアレイ基板１０２の上方から入射（図２を参照）、下方から入射（図３を参照）、四方から入射（図４を参照）あるいは傾斜角をもつ方式で液晶ディスプレイ薄膜トランジスターアレイ基板１０２に入射し、光源１０８が液晶ディスプレイ薄膜トランジスターアレイ基板１０２に照射される入射角θを０°〜１８０°の間（図５を参照）とする。
【００２７】
図１において、検査設備１００中にシャンバー１１０を備えることができる。電気特性テスト機構１０４および発光機構１０６をシャンバー１１０中に設置する。また、検査設備１００中にプラットホーム１１２を設置することができ、例えば、シャンバー１１０中に設置して、液晶ディスプレイ薄膜トランジスターアレイ基板１０２を載置するために用いる。
【００２８】
検査設備１００中に、発光機構１０６を備えるので、発光機構１０６の光源を利用して液晶ディスプレイ薄膜トランジスターアレイ基板１０２に対する照射を行い、薄膜トランジスターが光線照射により発生させる劣化を加速させるため、液晶ディスプレイ薄膜トランジスターアレイ基板１０２に対して電気特性を行うことができると同時に、電気特性表現の計測を経て液晶ディスプレイ薄膜トランジスターアレイ基板１０２が光線照射後に発生させる光電効果の薄膜トランジスターに対する影響を知ることができる。
【００２９】
図６は、この発明の実施形態にかかる検査方法を示すフローチャートである。図７は、この発明の別な実施形態にかかる検査方法を示すフローチャートである。
【００３０】
先ず、図６において、ステップＳ２０２を行うが、ステップＳ２０２は、検査設備を提供することであり、この検査設備は、液晶ディスプレイ薄膜トランジスターアレイ基板（ＬＣＤ  ＴＦＴアレイ基板）の検査に適用するものであり、検査設備が電気特性テスト機構および発光機構を含む。検査設備の構造は、すでに上記の実施形態中で詳細に説明しているので、ここでは繰り返さない。
【００３１】
次に、ステップＳ２０４を行うが、ステップＳ２０４は、発光機構を利用して液晶ディスプレイ薄膜トランジスターアレイ基板を照射し、薄膜トランジスターの光線照射によって発生する劣化を加速するものである。
【００３２】
そして、ステップＳ２０６を行うが、ステップＳ２０６は、電気特性テスト機構を利用して液晶ディスプレイ薄膜トランジスターアレイ基板の電気特性を検査し、液晶ディスプレイ薄膜トランジスターアレイ基板が光線照射後に、薄膜トランジスターが光電効果により発生させる隠れた欠陥および微弱な弱点を発見するものである。
【００３３】
図６と図７とにおいて、図６のステップＳ２０６は、ステップＳ２０４の後に行う。図６の実施形態は、液晶ディスプレイ薄膜トランジスターアレイ基板が発光機構の光源照射を経た後、電気特性テスト機構が液晶ディスプレイ薄膜トランジスターアレイ基板の電気特性表現を検査する状況をシミュレーションする。
【００３４】
しかし、図７中のステップＳ２０４は、ステップＳ２０６と同時進行であり、発光機構を利用して液晶ディスプレイ薄膜トランジスターアレイ基板を照射すると同時に、電気特性テスト機構を利用して液晶ディスプレイ薄膜トランジスターアレイ基板の電気特性表現を検査する状況をシミュレーションする。
【００３５】
この発明の検査方法は、発光機構を利用して液晶ディスプレイ薄膜トランジスターアレイ基板に対する光線照射を行い、薄膜トランジスターの光線照射により発生する隠れた欠陥および微弱な弱点を発見し、液晶ディスプレイ製造工程の前段において製品の信頼性ならびに工程に関連する問題を反映させることができるので、製品の開発時間を加速することができる。
【００３６】
また、この発明の検査方法は、液晶ディスプレイ製造工程全体の前段において、光電効果の薄膜トランジスターに対する影響を検査するものであり、中・後段になって初めて電気特性検査を行うものではないから、液晶ディスプレイの修復または廃棄により発生する製造コストを有効に低減することができる。
【００３７】
以上のごとく、この発明を最良の実施形態により開示したが、もとより、この発明を限定するためのものではなく、当業者であれば容易に理解できるように、この発明の技術思想の範囲内において、適当な変更ならびに修正が当然なされうるものであるから、その特許権保護の範囲は、特許請求の範囲および、それと均等な領域を基準として定めなければならない。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】この発明の実施形態にかかる検査設備を示す説明図である。
【図２】図１中の光源が液晶ディスプレイ薄膜トランジスターアレイ基板の上方から入射されることを示す説明図である。
【図３】図１中の発光機構の光源が液晶ディスプレイ薄膜トランジスターアレイ基板の下方から入射されることを示す説明図である。
【図４】図１中の発光機構の光源が液晶ディスプレイ薄膜トランジスターアレイ基板の四方から入射されることを示す説明図である。
【図５】図１中の発光機構の光源が傾斜角をもって液晶ディスプレイ薄膜トランジスターアレイ基板へ入射されることを示す説明図である。
【図６】この発明の実施形態にかかる検査方法を示すフローチャートである。
【図７】この発明の別な実施形態にかかる検査方法を示すフローチャートである。
【符号の説明】
【００３９】
１００  検査設備
１０２  液晶ディスプレイ薄膜トランジスターアレイ基板（LCD TFTアレイ基板）
１０４  電気特性テスト機構
１０６  発光機構
１０８  光源
１１０  シャンバー
１１２  プラットホーム
Ｓ２０２，Ｓ２０４，Ｓ２０６  各ステップ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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