(57)【要約】【課題】高調波歪みが小さく、全体に小型化であり、且つ低コストな複合高周波部品を構成する。【解決手段】送信信号入力ポート、受信信号出力ポート、および、アンテナへ送信信号を出力するまたはアンテナから受信信号を入力するアンテナポートを有し、アンテナポートを送信信号入力ポートまたは受信信号出力ポートに切り替えて接続するスイッチ素子ＳＷ１０を多層基板に搭載し、送信信号入力ポートに接続され、送信信号の高次高調波を減衰させる送信フィルタを多層基板内に設け、スイッチ素子の送信信号入力ポートと送信フィルタとの間に接続され、送信信号入力ポートから送信フィルタ方向を見た場合の高次高調波のインピーダンスが無限大から０へ近づく方向で変化する位相条件を備えた位相設定回路を多層基板内に設け、スイッチ素子を搭載した多層基板の一方の主面と送信フィルタとの間の誘電体層に接地電極Ｇ１を設ける。【選択図】図４
2008034980.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
送信信号を入力する送信信号入力ポート、受信信号を出力する受信信号出力ポート、および、アンテナへ前記送信信号を出力するまたは前記アンテナから前記受信信号を入力するアンテナポートを有し、該アンテナポートを送信信号入力ポートまたは受信信号出力ポートに切り替えて接続するスイッチ素子と、
前記送信信号入力ポートに接続され、前記送信信号の高次高調波を減衰させる送信フィルタと、を備えた複合高周波部品において、
前記送信フィルタを、複数の誘電体層を積層してなる多層基板内に設け、
前記スイッチ素子の送信信号入力ポートと前記送信フィルタとの間に接続され、前記送信信号入力ポートから前記送信フィルタ方向を見た場合の前記高次高調波のインピーダンスが無限大から０へ近づく方向で変化する位相条件を備えた位相設定回路を前記多層基板内に設け、
前記多層基板の一方の主面に前記スイッチ素子を搭載し、
前記位相設定回路と前記送信フィルタとの間の誘電体層に接地電極を設けた複合高周波部品。
【請求項２】
送信信号を入力する送信信号入力ポート、受信信号を出力する受信信号出力ポート、および、アンテナへ前記送信信号を出力するまたは前記アンテナから前記受信信号を入力するアンテナポートを有し、該アンテナポートを送信信号入力ポートまたは受信信号出力ポートに切り替えて接続するスイッチ素子と、
前記送信信号入力ポートに接続され、前記送信信号の高次高調波を減衰させる送信フィルタと、を備えた複合高周波部品において、
前記送信フィルタを、複数の誘電体層を積層してなる多層基板内に設け、
前記スイッチ素子の送信信号入力ポートと前記送信フィルタとの間に接続され、前記送信信号入力ポートから前記送信フィルタ方向を見た場合の前記高次高調波のインピーダンスが無限大から０へ近づく方向で変化する位相条件を備えた位相設定回路を前記多層基板内に設け、
前記多層基板の一方の主面に前記スイッチ素子を搭載し、
前記多層基板の前記一方の主面と前記位相設定回路との間の誘電体層に接地電極を設けた複合高周波部品。
【請求項３】
前記送信信号入力ポートおよび前記受信信号出力ポートを、前記送信信号の入力および前記受信信号の出力を兼ねる送受信信号入出力ポートとした請求項１または２に記載の複合高周波部品。
【請求項４】
前記多層基板の一方の主面に少なくとも一つのキャビティを備え、前記スイッチ素子を前記キャビティの底部に搭載してなる請求項１〜３のうちいずれか１項に記載の複合高周波部品。
【請求項５】
前記位相設定回路は、前記スイッチ素子と前記送信フィルタとのインピーダンス整合をとるインピーダンス整合回路を兼ねるものである請求項１〜４のうちいずれか１項に記載の複合高周波部品。
【請求項６】
前記位相設定回路は、前記送信信号の基本波でのインピーダンスの絶対値を実質的に変化させない電気長の伝送線路である請求項１〜５のうちいずれか１項に記載の複合高周波部品。
【請求項７】
前記電気長は前記高次高調波の波長の１／４未満の長さである請求項６に記載の複合高周波部品。
【請求項８】
前記送信フィルタは前記高次高調波の周波数を阻止域に含むローパスフィルタである請求項１〜７のうちいずれか１項に記載の複合高周波部品。
【請求項９】
前記多層基板の一方の主面上または他方の主面上に前記スイッチ素子の受信信号出力ポートに接続される受信フィルタを搭載した請求項１〜８のうちいずれか１項に記載の複合高周波部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
特定周波数の通信信号の送受信を切り替えるスイッチ素子を備えた複合高周波部品に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
現在、携帯電話等の無線通信方式には複数の仕様が存在し、例えばヨーロッパではマルチバンドのＧＳＭ方式が採用されている。ＧＳＭ方式では使用する周波数帯が異なる複数の通信信号（送受信信号）が存在し、各周波数帯としては８５０ＭＨｚ帯、および９００ＭＨｚ帯が存在する。さらには、１８００ＭＨｚ帯や１９００ＭＨｚ帯も存在する。このようなそれぞれに異なる周波数帯を利用する複数の通信信号を端末側で１つのアンテナを用いて送受信する場合、目的とする通信信号の送信信号の伝送経路や目的とする通信信号の受信信号の伝送経路を切り替える必要があり、これらの切り替えにスイッチ素子を用いた通信端末用フロントエンド回路が例えば特許文献１に開示されている。
【０００３】
図１は特許文献１に示されている通信端末用フロントエンド回路の構成を示すブロック図である。この通信端末用フロントエンド回路は、第１通信信号の送信信号（第１送信信号）と第２通信信号の送信信号（第２送信信号）とが入力される送信ポートＲＦ１０１、第１通信信号の受信信号（第１受信信号）を出力する第１受信ポートＲＦ１０２、第２通信信号の受信信号（第２受信信号）を出力する第２受信ポートＲＦ１０３、アンテナに対して第１、第２送信信号、第１受信信号、および第２受信信号の入出力を行うアンテナポートＡＮＴ０、をそれぞれ有する多重スイッチＳＷ１００を備えている。この多重スイッチＳＷ１００としては、ＧａＡｓ  ＦＥＴやＣＭＯＳ  ＦＥＴからなる半導体スイッチが用いられている。そして、この通信端末用フロントエンド回路は、第１、第２送信信号の高調波を減衰するローパスフィルタＬＰＦ２０１を送信ポートＲＦ１０１に接続し、第１受信信号の基本波を通過するバンドパスフィルタＢＰＦ３０１を第１受信ポートＲＦ１０２に接続し、第２受信信号の基本波を通過するバンドパスフィルタＢＰＦ３０２を第２受信ポートＲＦ１０３に接続している。
【特許文献１】特開２００２−１８５３５６公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
前述のような通信端末用フロントエンド回路では、多重スイッチＳＷ１００の送信ポートＲＦ１０１にローパスフィルタＬＰＦ１０１を介して接続された送信信号入力端子Ｔｘ１へ送信信号が入力される。この送信信号は通常前段に接続されたパワーアンプＰＡにより増幅されて入力されるが、この増幅の際に送信信号の基本周波数ｆｏに対する高次高調波が発生して、基本周波数ｆｏの送信信号とともに入力される。ここで、図１に示す通信端末用フロントエンド回路のローパスフィルタＬＰＦ２０１を、前記高次高調波を減衰させる設定にしておけば、多重スイッチＳＷ１００に入力される送信信号の高次高調波を抑制することができる。例えば、ローパスフィルタＬＰＦ２０１を、基本周波数ｆｏの２次高調波（２ｆｏ）を減衰させるローパスフィルタと、基本周波数ｆｏの３次高調波（３ｆｏ）を減衰させるローパスフィルタと、から構成することで、これら２次高調波および３次高調波が抑制される。
【０００５】
しかしながら、多重スイッチＳＷ１００が半導体スイッチで構成されている場合、高周波の送信信号が入力されると、半導体スイッチの非直線性に起因して、多重スイッチＳＷ１００で高調波歪みが発生し、各ポートに対して均等に２次高調波や３次高調波等の高調波が出力される。この高調波の周波数で送信ポートＲＦ１０１からローパスフィルタＬＰＦ２０１を見ると、インピーダンスが無限大に近いオープン状態となり、多重スイッチＳＷ１００で発生した高調波がローパスフィルタＬＰＦ２０１の送信ポートＲＦ１０１側端で全反射して多重スイッチＳＷ１００に入力される。この結果、最初の高調波を「Ｘ」、全反射による高調波の増加分を「α」とすると、アンテナポートＡＮＴ０からは「Ｘ＋α」の高調波が出力されてしまう。
【０００６】
一方、ダイオードスイッチを用いれば、高調波は発生し難いが、それぞれの通信信号の送受信の切り替えに対して少なくとも各２個のダイオードが必要であり、さらにこれらダイオードに付加する回路が必要であるので、通信端末用フロントエンド回路が大型化してしまう。また、ダイオードスイッチを複数利用することで消費電力が増加し、通信端末に内蔵されている電池の寿命が短くなってしまう。特に多重スイッチのポート数が増加すると、この問題が顕著になる。
【０００７】
また、上記通信端末用フロントエンド回路は多重スイッチと複数のフィルタとで構成されるものであるので、これら多数の素子の通信端末内での占有空間が大きくなるという問題もあった。
【０００８】
さらに、上記通信端末用フロントエンド回路は複数の無線通信方式や複数の周波数帯域に対応可能であっても、実際には通信端末のバリエーション毎に用途や特性の異なった半導体スイッチを選択使用することになり、それらのピン配置がそれぞれ異なるため、通信端末のバリエーション毎にフィルタの設計が必要であった。そのため開発・製造コストが嵩むという問題もあった。
【０００９】
そこで、この発明の目的は、高調波歪みが小さく、全体に小型化であり、且つ低コストな複合高周波部品を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
前記課題を解決するために、この発明の複合高周波部品は次のように構成する。
（１）送信信号を入力する送信信号入力ポート、受信信号を出力する受信信号出力ポート、および、アンテナへ前記送信信号を出力するまたは前記アンテナから前記受信信号を入力するアンテナポートを有し、該アンテナポートを送信信号入力ポートまたは受信信号出力ポートに切り替えて接続するスイッチ素子と、前記送信信号入力ポートに接続され、前記送信信号の高次高調波を減衰させる送信フィルタと、を備え、
前記送信フィルタを、複数の誘電体層を積層してなる多層基板内に設け、
前記スイッチ素子の送信信号入力ポートと前記送信フィルタとの間に接続され、前記送信信号入力ポートから前記送信フィルタ方向を見た場合の前記高次高調波のインピーダンスが無限大から０へ近づく方向で変化する位相条件を備えた位相設定回路を前記多層基板内に設け、
前記多層基板の一方の主面に前記スイッチ素子を搭載し、
前記位相設定回路と前記送信フィルタとの間の誘電体層に接地電極を設ける。
【００１１】
（２）送信信号を入力する送信信号入力ポート、受信信号を出力する受信信号出力ポート、および、アンテナへ前記送信信号を出力するまたは前記アンテナから前記受信信号を入力するアンテナポートを有し、該アンテナポートを送信信号入力ポートまたは受信信号出力ポートに切り替えて接続するスイッチ素子と、前記送信信号入力ポートに接続され、前記送信信号の高次高調波を減衰させる送信フィルタと、を備え、
前記送信フィルタを、複数の誘電体層を積層してなる多層基板内に設け、
前記スイッチ素子の送信信号入力ポートと前記送信フィルタとの間に接続され、前記送信信号入力ポートから前記送信フィルタ方向を見た場合の前記高次高調波のインピーダンスが無限大から０へ近づく方向で変化する位相条件を備えた位相設定回路を前記多層基板内に設け、
前記多層基板の一方の主面に前記スイッチ素子を搭載し、
前記多層基板の前記一方の主面と前記位相設定回路との間の誘電体層に接地電極を設ける。
【００１２】
（３）前記送信信号入力ポートおよび前記受信信号出力ポートを、前記送信信号の入力および前記受信信号の出力を兼ねる送受信信号入出力ポートとする。
【００１３】
（４）また、前記多層基板の一方の主面に少なくとも一つのキャビティを備え、前記スイッチ素子を前記キャビティの底部に搭載する。
【００１４】
（５）また、前記位相設定回路は、前記スイッチ素子と前記送信フィルタとのインピーダンス整合をとるインピーダンス整合回路を兼ねるように構成する。
【００１５】
（６）また、前記位相設定回路は、前記送信信号の基本波でのインピーダンスの絶対値を実質的に変化させない電気長の伝送線路とする。
【００１６】
（７）また、前記電気長は前記高次高調波の波長の１／４未満の長さとする。
【００１７】
（８）また、前記送信フィルタは前記高次高調波の周波数を阻止域に含むローパスフィルタとする。
【００１８】
（９）また、前記多層基板の一方の主面上または他方の主面上に前記スイッチ素子の受信信号出力ポートに接続される受信フィルタを搭載する。
【発明の効果】
【００１９】
（１）スイッチ素子の送信信号入力ポートと送信フィルタとの間に接続された位相設定回路は、送信信号入力ポートから送信フィルタ方向を見た場合の高次高調波のインピーダンスが無限大から０へ近づく方向で変化させるので、スイッチ素子により発生した高調波歪みにより送信入力ポートから出力される高調波が送信入力側のフィルタのアースに流れ易くなり、高調波が分散されて全反射せず、スイッチ素子へ戻る高調波の量が抑制される。この結果、スイッチ素子のアンテナポートから出力される高調波が低減する。
【００２０】
しかも複数の誘電体層を積層してなる多層基板内に送信フィルタと位相設定回路を設けているので、全体の部品点数は大幅に削減され小型化・軽量化が図れる。
【００２１】
また、スイッチ素子を送信フィルタとの間に設けた位相設定回路によって、スイッチ素子との接続箇所や電気長を設定できるので、例えば通信端末のバリエーション毎に用途や特性によりピン配置の異なった半導体スイッチを選択使用する場合でも送信フィルタの再設計が不要となる。
【００２２】
さらに、多層基板の一方の主面にスイッチ素子を搭載し、位相設定回路と送信フィルタとの間の誘電体層に接地電極を設けることにより、受信ポートに接続される受信回路と送信フィルタ（送信回路）との間の結合を抑えてアイソレーション特性や減衰特性を向上させることができる。
【００２３】
（２）スイッチ素子の送信信号入力ポートと送信フィルタとの間に接続された位相設定回路は、送信信号入力ポートから送信フィルタ方向を見た場合の高次高調波のインピーダンスが無限大から０へ近づく方向で変化させるので、スイッチ素子により発生した高調波歪みにより送信入力ポートから出力される高調波が送信入力側のフィルタのアースに流れ易くなり、高調波が分散されて全反射せず、スイッチ素子へ戻る高調波の量が抑制される。この結果、スイッチ素子のアンテナポートから出力される高調波が低減する。
【００２４】
しかも複数の誘電体層を積層してなる多層基板内に送信フィルタと位相設定回路を設けているので、全体の部品点数は大幅に削減され小型化・軽量化が図れる。
【００２５】
また、スイッチ素子を送信フィルタとの間に設けた位相設定回路によって、スイッチ素子との接続箇所や電気長を設定できるので、例えば通信端末のバリエーション毎に用途や特性によりピン配置の異なった半導体スイッチを選択使用する場合でも送信フィルタの再設計が不要となる。
【００２６】
さらに、多層基板の一方の主面にスイッチ素子を搭載し、多層基板の前記一方の主面と前記位相設定回路との間の誘電体層に接地電極を設けたことにより、送信フィルタ（送信回路）と受信信号出力ポートに接続される受信回路との間の結合を抑えてアイソレーション特性や減衰特性を向上させることができる。また、受信信号出力ポートに接続される受信回路と位相回路との間の結合を抑えてアイソレーション特性を向上させることができる。
【００２７】
（３）前記送信信号入力ポートおよび前記受信信号出力ポートを、前記送信信号の入力および前記受信信号の出力を兼ねる送受信信号入出力ポートとすることにより、送信と受信を同じ周波数帯で行う通信方式にも対応することができる。またこの場合、端子数の少ない通信端末用フロントエンド回路を構成できる。
【００２８】
（４）多層基板の一方の主面に少なくとも一つのキャビティを備え、このキャパシタの底部にスイッチ素子を搭載することにより、搭載されたスイッチ素子が保護された構造となり、他の電子部品と同様に単一の部品として回路基板上に実装可能となる。そのため、製造コストを削減できる。
【００２９】
（５）前記位相設定回路を前記スイッチ素子と前記送信フィルタとのインピーダンス整合をとるインピーダンス整合回路を兼ねるように構成することにより、スイッチ素子と送信フィルタとのインピーダンス整合がとれて挿入損失が低減できる。
【００３０】
（６）前記位相設定回路は、送信信号の基本波でのインピーダンスの絶対値を実質的に変化させない電気長の伝送線路とすることにより送信信号に悪影響を与えることなく位相調整が行える。そのため送信信号の挿入損失が低下することもない。
【００３１】
（７）前記電気長は前記高次高調波の波長の１／４未満の長さとすることにより高調波が抑制されるとともに送信信号の損失が抑制される。
【００３２】
（８）前記送信フィルタは前記高次高調波の周波数を阻止域に含むローパスフィルタとすることにより、基本波の送信信号とともに前段のパワーアンプから高調波が伝送されても、その高調波成分が抑制され、高調波成分をより一層抑制した複合高周波部品を構成できる。
【００３３】
（９）前記多層基板の一方の主面上または他方の主面上に前記スイッチ素子の受信信号出力ポートに接続される受信フィルタを搭載することによって、受信フィルタも含む単一の複合高周波部品を構成でき、例えば通信端末全体の小型・軽量化が図れる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
《第１の実施形態》
第１の実施形態に係る複合高周波部品について図２〜図４を参照して説明する。
【００３５】
図２はこの第１の実施形態に係る複合高周波部品の構成を示すブロック図である。
図２において、送信信号入力端子Ｔｘ１からＧＳＭ８５０ＭＨｚの送信信号またはＧＳＭ９００ＭＨｚの送信信号を入力し、送信信号入力端子Ｔｘ２からＧＳＭ１８００ＭＨｚの送信信号またはＧＳＭ１９００ＭＨｚの送信信号を入力し、受信信号出力端子Ｒｘ１からＧＳＭ８５０ＭＨｚの受信信号を出力し、受信信号出力端子Ｒｘ２からＧＳＭ９００ＭＨｚの受信信号を出力し、受信信号出力端子Ｒｘ３からＧＳＭ１８００ＭＨｚの受信信号を出力し、受信信号出力端子Ｒｘ４からＧＳＭ１９００ＭＨｚの受信信号を出力し、送受信信号入出力端子ＴｘＲｘ１からＵＭＴＳ１（ＵＭＴＳの第１の周波数帯）の送受信信号を入出力し、送受信信号入出力端子ＴｘＲｘ２からＵＭＴＳ２（ＵＭＴＳの第２の周波数帯）の送受信信号を入出力する。また、アンテナポートＡＮＴ０にはアンテナＡＮＴを接続する。
【００３６】
なお、ＵＭＴＳ(Universal Mobile Telecommunications System)は、時分割複信技術（ＴＤＤ）のシステムであり、同一の周波数帯で送信と受信を交互に切り替えて行う。ＵＭＴＳの周波数帯域には８００ＭＨｚ帯、１．９ＧＨｚ帯、２．１ＧＨｚ等がある。
【００３７】
半導体スイッチであるスイッチ素子ＳＷ１０は、アンテナＡＮＴに接続するアンテナポートＡＮＴ０、ＧＳＭ８５０ＭＨｚまたはＧＳＭ９００ＭＨｚの送信信号入力ポートＲＦ１１、ＧＳＭ１８００ＭＨｚまたはＧＳＭ１９００ＭＨｚの送信信号入力ポートＲＦ１２、ＧＳＭ８５０ＭＨｚの受信信号、ＧＳＭ９００ＭＨｚの受信信号、ＧＳＭ１８００ＭＨｚの受信信号、ＧＳＭ１９００ＭＨｚの受信信号、をそれぞれ出力する受信信号出力ポートＲＦ１３〜ＲＦ１６、ＵＭＴＳ１の送受信信号、ＵＭＴＳ２の送受信信号をそれぞれ入出力する送受信信号入出力ポートＲＦ１７，ＲＦ１８を備えている。これらのポートＲＦ１１〜ＲＦ１８を以下、単に「ＲＦ１１ポート」〜「ＲＦ１８ポート」という。
【００３８】
また、スイッチ素子ＳＷ１０は、図示しないが、電源電圧が入力される電源電圧入力ポートと、スイッチ切り替え制御に用いる制御信号が入力される制御信号入力ポートとを備え、制御信号入力ポートに入力される制御信号により、アンテナポートＡＮＴ０をＲＦ１１ポート〜ＲＦ１６ポートのいずれかに導通させる。なお、ＲＦ１１ポート，ＲＦ１２ポートが本発明の「送信信号入力ポート」に相当し、ＲＦ１３ポート〜ＲＦ１６ポートが本発明の「受信信号出力ポート」に相当し、ＲＦ１７ポートとＲＦ１８ポートとが本発明の「送受信信号入出力ポート」に相当する。
【００３９】
スイッチ素子ＳＷ１０のＲＦ１１ポートには、伝送線路からなる位相設定素子ＧＬを接続していて、位相設定素子ＧＬのＲＦ１１ポートと対向する側の端部にはローパスフィルタＬＰＦ１１，ＬＰＦ１２を接続している。
【００４０】
この位相設定素子ＧＬの電気長は、伝送する送信信号すなわちＧＳＭ８５０ＭＨｚの送信信号およびＧＳＭ９００ＭＨｚの送信信号に対して、送信信号の波長の略１／４の長さに設定している。言い換えれば、位相設定素子ＧＬの電気長を「Ａ」として、送信信号の波長を「λA」すると、０＜Ａ＜λA／４を満たす長さに設定している。ここで、送信信号の波長λAはＧＳＭ８５０ＭＨｚの送信信号とＧＳＭ９００ＭＨｚの送信信号とで若干異なるが、例えば、波長の長いＧＳＭ８５０ＭＨｚの送信信号の波長を前記「λ」に設定する。
【００４１】
前記位相設定素子ＧＬはスイッチ素子ＳＷ１０とローパスフィルタＬＰＦ１１との基本波周波数（ＧＳＭ８５０／９００）でのインピーダンス整合をとるインピーダンス整合回路を兼ねている。この構成により、スイッチ素子ＳＷ１０とローパスフィルタＬＰＦ１１とのインピーダンス整合がとれて挿入損失が低減できる。
前記位相設定素子ＧＬは伝送線路からなり、本発明の「位相設定回路」に相当する。
【００４２】
ローパスフィルタＬＰＦ１１は位相設定素子ＧＬとローパスフィルタＬＰＦ１２との間に接続し、このローパスフィルタＬＰＦ１１と送信信号入力端子Ｔｘ１との間にローパスフィルタＬＰＦ１２を接続している。
【００４３】
ローパスフィルタＬＰＦ１１は、一方端を位相設定素子ＧＬに接続し、他方端をローパスフィルタＬＰＦ１２に接続するインダクタＧＬｔ１、このインダクタＧＬｔ１に並列接続したキャパシタＧＣｃ１、インダクタＧＬｔ１の位相設定素子ＧＬ側と接地との間に接続したキャパシタＧｃｕ１を備える。このローパスフィルタＬＰＦ１１はＧＳＭ８５０ＭＨｚの送信信号およびＧＳＭ９００ＭＨｚの送信信号の２次高調波の周波数が阻止域に存在し、基本波の周波数が通過域に存在するように減衰特性を設定している。
【００４４】
ローパスフィルタＬＰＦ１２は、一方端をローパスフィルタＬＰＦ１１に接続し、他方端を送信信号入力端子Ｔｘ１に接続するインダクタＧＬｔ２、このインダクタＧＬｔ２に並列接続したキャパシタＧＣｃ２、インダクタＧＬｔ２のローパスフィルタＬＰＦ１１側と接地との間に接続したキャパシタＧｃｕ２を備える。このローパスフィルタＬＰＦ１２はＧＳＭ８５０ＭＨｚの送信信号およびＧＳＭ９００ＭＨｚの送信信号の３次高調波の周波数が阻止域に存在し、基本波の周波数が通過域に存在するように減衰特性を設定している。
【００４５】
なお、キャパシタＧｃｕ３は、ローパスフィルタＬＰＦ１２と送信信号入力端子Ｔｘ１とのインピーダンス整合のために設けている。
【００４６】
スイッチ素子ＳＷ１０のＲＦ１２ポートには、伝送線路からなる位相設定素子ＤＬが接続していて、位相設定素子ＤＬのＲＦ１２ポートと対向する側の端部にはローパスフィルタＬＰＦ２１を接続している。
【００４７】
この位相設定素子ＤＬの電気長は、伝送する送信信号すなわちＧＳＭ１８００ＭＨｚの送信信号およびＧＳＭ１９００ＭＨｚの送信信号に対して、送信信号の波長の略１／４の長さに設定している。言い換えれば、位相設定素子ＤＬの電気長を「Ｂ」として、送信信号の波長を「λB」すると、０＜Ｂ＜λB／４を満たす長さに設定している。ここで、送信信号の波長λBはＧＳＭ１８００ＭＨｚの送信信号とＧＳＭ１９００ＭＨｚの送信信号とで若干異なるが、例えば、波長の長いＧＳＭ１８００ＭＨｚの送信信号の波長を前記「λB」に設定する。
【００４８】
前記位相設定素子ＤＬはスイッチ素子ＳＷ１０とローパスフィルタＬＰＦ２１との基本波周波数（ＧＳＭ１８００／１９００）でのインピーダンス整合をとるインピーダンス整合回路を兼ねている。この構成により、スイッチ素子ＳＷ１０とローパスフィルタＬＰＦ２１とのインピーダンス整合がとれて挿入損失が低減できる。
前記位相設定素子ＤＬは伝送線路からなり、本発明の「位相設定回路」に相当する。
【００４９】
ローパスフィルタＬＰＦ２１は位相設定素子ＤＬとローパスフィルタＬＰＦ２２との間に接続し、このローパスフィルタＬＰＦ２１と送信信号入力端子Ｔｘ２との間にローパスフィルタＬＰＦ２２を接続している。
【００５０】
ローパスフィルタＬＰＦ２１は、一方端を位相設定素子ＤＬに接続し、他方端をローパスフィルタＬＰＦ２２に接続するインダクタＤＬｔ１、このインダクタＤＬｔ１に並列接続したキャパシタＤＣｃ１、インダクタＤＬｔ１の位相設定素子ＤＬ側と接地との間に接続したキャパシタＤｃｕ１を備える。このローパスフィルタＬＰＦ２１はＧＳＭ１８００ＭＨｚの送信信号およびＧＳＭ１９００ＭＨｚの送信信号の２次高調波の周波数が阻止域に存在し、基本波の周波数が通過域に存在するように減衰特性を設定している。
【００５１】
ローパスフィルタＬＰＦ２２は、一方端をローパスフィルタＬＰＦ２１に接続し、他方端を送信信号入力端子Ｔｘ２に接続するインダクタＤＬｔ２、インダクタＤＬｔ２のローパスフィルタＬＰＦ２１側と接地との間に接続したキャパシタＤｃｕ２を備える。このローパスフィルタＬＰＦ２２はＧＳＭ１８００ＭＨｚの送信信号およびＧＳＭ１９００ＭＨｚの送信信号の３次高調波の周波数が阻止域に存在し、基本波の周波数が通過域に存在するように減衰特性を設定している。
【００５２】
なお、キャパシタＤｃｕ３は、ローパスフィルタＬＰＦ２２と送信信号入力端子Ｔｘ２とのインピーダンス整合のために設けている。
【００５３】
スイッチ素子ＳＷ１０のＲＦ１３ポートにはＧＳＭ８５０ＭＨｚの受信信号出力端子Ｒｘ１、ＲＦ１４ポートにはＧＳＭ９００ＭＨｚの受信信号出力端子Ｒｘ２、ＲＦ１５ポートにはＧＳＭ１８００ＭＨｚの受信信号出力端子Ｒｘ３、ＲＦ１６ポートにはＧＳＭ１９００ＭＨｚの受信信号出力端子Ｒｘ４、ＲＦ１７ポートにはＵＭＴＳ１の送受信信号入出力端子ＴｘＲｘ１、ＲＦ１８ポートにはＵＭＴＳ２の送受信信号入出力端子ＴｘＲｘ２をそれぞれ接続している。
【００５４】
次に、この第１の実施形態に係る複合高周波部品でのＧＳＭ８５０ＭＨｚ送信信号およびＧＳＭ９００ＭＨｚ送信信号（以下、総称して第１群ＧＳＭ送信信号）の伝送時の動作について説明する。なお、これら２つの送信信号は同時には入力されず、一方の送信信号のみが入力される。
【００５５】
スイッチ素子ＳＷ１０の制御信号入力ポートにＲＦ１１ポートとアンテナポートＡＮＴ０とを導通するための制御信号が入力されると、スイッチ素子ＳＷ１０はＲＦ１１ポートとアンテナポートＡＮＴ０とを導通させる。この状態で、送信信号入力端子Ｔｘ１に第１群ＧＳＭ送信信号が入力されると、ローパスフィルタＬＰＦ１１で第１群ＧＳＭ送信信号の基本波とともに入力される２次・３次を含む高次の高調波が減衰されて、位相設定素子ＧＬを介してＲＦ１１ポートに入力される。
【００５６】
スイッチ素子ＳＷ１０に第１群ＧＳＭ送信信号が入力されると、半導体スイッチの非線形性から高調波歪みが発生して、各ポート（ＲＦ１１ポート〜ＲＦ１８ポート、およびアンテナポートＡＮＴ０）へ均等に所定の大きさ「Ｙ」の高調波が出力される。
【００５７】
ＲＦ１１ポートから出力された高調波は位相設定素子ＧＬに伝送される。
【００５８】
ここで、位相設定素子ＧＬは、以下に示す条件から所定の電気長に設定している。この電気長とは、ＲＦ１１ポートから出力された第１群ＧＳＭ送信信号の高調波を位相設定素子ＧＬで伝送することで位相変化（移相）させて、この高調波に対してＲＦ１１ポートからローパスフィルタＬＰＦ１１側を見たインピーダンスを無限大から０方向へ所定量変化させる電気長である。これにより、ＲＦ１１ポートから見るとローパスフィルタＬＰＦ１１側がオープン状態からショート状態となる方向に変化する。この際、位相設定素子ＧＬのみで、第１群ＧＳＭ送信信号の２次高調波のインピーダンスを所定量変化させ、位相設定素子ＧＬとローパスフィルタＬＰＦ１１を構成する各素子の素子値（インダクタンス、キャパシタンス）とで第１群ＧＳＭ送信信号の３次高調波のインピーダンスを所定量変化させるように、位相設定素子ＧＬの電気長を設定する。
【００５９】
これにより、ＲＦ１１ポートから出力された高調波はローパスフィルタＬＰＦ１１で全反射してＲＦ１１ポートに戻るのではなく、その一部がローパスフィルタLＰＦ１１，ＬＰＦ１２側に伝送される。そして、ローパスフィルタＬＰＦ１１，ＬＰＦ１２に伝送された高調波（２次高調波および３次高調波を含む）はアースに導かれてＲＦ１１ポート側には戻らない。すなわち、ＲＦ１１ポートに戻る高調波の大きさを「γ」とすると、従来の複合高周波部品における戻り高調波の大きさを「α」とした場合に、「γ＜α」の関係となる。
【００６０】
一方、ＲＦ１２ポートから出力された高調波はローパスフィルタＬＰＦ２１およびローパスフィルタＬＰＦ２２からなる回路で減衰されるのでＲＦ１２ポートには殆ど戻らない。
【００６１】
従って、スイッチ素子ＳＷ１０に戻る反射高調波の大きさは、位相設定素子ＧＬが設けられていない従来の複合高周波部品（図１）よりも小さくなる。この結果、アンテナポートＡＮＴ０に出力される高調波の大きさは、「Ｙ＋γ」となり、従来の複合高周波部品（図１）の高調波の大きさ「Ｙ＋α」よりも小さくなる。
【００６２】
このようにして、アンテナに出力される高調波が低減されて送信特性が改善される。また、位相設定素子ＧＬは、目的とする高調波に対してのみインピーダンスが変化するように設定しているので、第１群ＧＳＭ送信信号の基本波に対しては位相が変化するのみで、インピーダンスは殆ど変化することがない。
【００６３】
次に、この第１の実施形態に係る複合高周波部品でのＧＳＭ１８００ＭＨｚ送信信号およびＧＳＭ１９００ＭＨｚ送信信号（以下、総称して第２群ＧＳＭ送信信号）の伝送時の動作について説明する。なお、これら２つの送信信号は同時には入力されず、一方の送信信号のみが入力される。さらに、前述のＧＳＭ８５０ＭＨｚ送信信号やＧＳＭ９００ＭＨｚ送信信号とも同時に入力されない。
【００６４】
スイッチ素子ＳＷ１０の制御信号入力端子にＲＦ１２ポートとアンテナポートＡＮＴ０とを導通するための制御信号が入力されると、スイッチ素子ＳＷ１０はＲＦ１２ポートとアンテナポートＡＮＴ０とを導通させる。この状態で、送信信号入力端子Ｔｘ２に第２群ＧＳＭ送信信号が入力されると、ローパスフィルタＬＰＦ２２で第２群ＧＳＭ送信信号の基本波とともに入力される３次高調波が減衰されて、さらにローパスフィルタＬＰＦ２１で第２群ＧＳＭ送信信号の基本波とともに入力される２次高調波が減衰されて、位相設定素子ＤＬを介してＲＦ１２ポートに入力される。
【００６５】
スイッチ素子ＳＷ１０に第２群ＧＳＭ送信信号入力されると、半導体スイッチの非線形性から高調波歪みが発生して、各ポート（ＲＦ１１ポート〜ＲＦ１８ポート、およびアンテナポートＡＮＴ０）へ均等に所定の大きさ「Ｚ」の高調波が出力される。
【００６６】
ＲＦ１２ポートから出力された高調波は位相設定素子ＤＬに伝送される。
【００６７】
ここで、位相設定素子ＤＬは、以下に示す条件から所定の電気長に設定している。この電気長とは、ＲＦ１２ポートから出力された第２群ＧＳＭ送信信号の高調波を位相設定素子ＤＬで伝送することで位相変化させて、この高調波に対してＲＦ１２ポートからローパスフィルタＬＰＦ２１，ＬＰＦ２２側を見たインピーダンスを無限大から０方向へ所定量変化させる電気長である。これにより、ＲＦ１２ポートから見るとローパスフィルタＬＰＦ２１，ＬＰＦ２２側がオープン状態からショート状態となる方向に変化する。この際、位相設定素子ＤＬのみで、第２群ＧＳＭ送信信号の２次高調波のインピーダンスを所定量変化させ、位相設定素子ＤＬとローパスフィルタＬＰＦ２１を構成する各素子の素子値（インダクタンス、キャパシタンス）とで第２群ＧＳＭ送信信号の３次高調波のインピーダンスを所定量変化させるように、位相設定素子ＤＬの電気長を設定する。
【００６８】
これにより、ＲＦ１２ポートから出力された高調波は全反射してＲＦ１２ポートに戻るのではなく、その一部がローパスフィルタＬＰＦ２１，ＬＰＦ２２側に伝送される。そして、ローパスフィルタＬＰＦ２１，ＬＰＦ２２に伝送された高調波（２次高調波および３次高調波を含む）はアースに導かれてＲＦ１２ポート側には戻らない。すなわち、ＲＦ１２ポートに戻る高調波の大きさを「δ」とすると、従来の複合高周波部品における戻り高調波の大きさを「α」とした場合に、「δ＜α」の関係となる。
【００６９】
一方、ＲＦ１１ポートから出力された高調波はローパスフィルタＬＰＦ１２およびローパスフィルタＬＰＦ１１からなる回路に伝送されて減衰されるのでＲＦ１１ポートには殆ど戻らない。
【００７０】
従って、スイッチ素子ＳＷ１０に戻る反射高調波の大きさは、位相設定素子ＤＬが設けられていない従来の複合高周波部品（図１）よりも小さくなる。この結果、アンテナポートＡＮＴ０に出力される高調波の大きさは、「Ｚ＋δ」となり、従来の複合高周波部品（図６）の高調波の大きさ「Ｚ＋α」よりも小さくなる。
【００７１】
このようにして、アンテナに出力される高調波が低減されて送信特性が改善される。また、位相設定素子ＤＬは、高調波に対してのみインピーダンスが変化するように設定しているので、第２群ＧＳＭ送信信号の基本波に対しては位相が変化するのみで、インピーダンスは殆ど変化することがない。
【００７２】
次に、図２に示した複合高周波部品の積層体の構造について図３，図４を参照して説明する。
図３は上記複合高周波部品の積み図である。この図３は、複合高周波部品の各誘電体層（１）〜（１８）の下面図であり、誘電体層（１９）は誘電体層（１８）の裏面すなわち複合高周波部品の上面である。図３に示す記号は図２に示した各素子の記号に対応する。また、図３において同径の円形は全てスルーホールである。
【００７３】
誘電体層（１）を最下層として、番号順に下から順に誘電体層（１）〜誘電体層（１９）を積層することにより多層基板を構成している。最下層の誘電体層（１）の裏面には、接地電極を含む外部接続用電極を形成していて、これらの電極によりこの複合高周波部品は外部の回路基板に実装する。
【００７４】
誘電体層（２），（１６）には接地電極Ｇ１，Ｇ２を形成している。誘電体層（３）にはキャパシタ電極ＧＣｃ１，ＧＣｃ２，ＤＣｃ１を形成している。誘電体層（４）（５）にはシャントに接続したキャパシタ電極Ｇｃｕ２，Ｇｃｕ３，Ｄｃｕ１，Ｄｃｕ２，Ｄｃｕ３を形成している。誘電体層（９）〜（１２）にはインダクタＧＬｔ１，ＧＬｔ２，ＤＬｔ１，ＤＬｔ２を形成している。
【００７５】
誘電体層（１８）には位相設定素子ＧＬ，ＤＬに相当する線路を形成している。
【００７６】
誘電体層（６）〜（８），（１３）（１４）（１７）にはスルーホールのみを形成している。
【００７７】
誘電体層（１５）にはキャパシタ電極Ｇｃｕ１を形成している。
【００７８】
複数の誘電体層を積層してなる多層基板の上面にはスイッチ素子ＳＷ１０を搭載している。このスイッチ素子ＳＷ１０はフリップチップ型のＩＣであり、多層基板にバンプ接続する。
【００７９】
図４は上記複合高周波部品の主要部の断面図である。ここで「送信フィルタ」は図２に示したローパスフィルタＬＰＦ１１，ＬＰＦ１２，ＬＰＦ２１，ＬＰＦ２２である。この送信フィルタと位相設定回路との間には、図３の誘電体層（２）に形成した接地電極Ｇ１を配置している。また、この送信フィルタの下部（上記接地電極Ｇ１の反対側であり、実装基板側）には、図３の誘電体層（１６）に形成した接地電極Ｇ２を配置している。
【００８０】
このように、位相設定回路と送信フィルタとの間の誘電体層に接地電極を設けたことにより、送信フィルタ（送信回路）と受信回路との間の結合を抑えてアイソレーション特性や減衰特性を向上させることができる。
【００８１】
《第２の実施形態》
第２の実施形態に係る複合高周波部品について図５〜図７を参照して説明する。
【００８２】
図５は本実施形態の複合高周波部品の構成を示すブロック図である。図２に示した例と異なるのは、受信フィルタを備えていることとスイッチ素子の受信ポートの数である。
【００８３】
図５において、半導体スイッチであるスイッチ素子ＳＷ２０は、アンテナＡＮＴに接続するアンテナポートＡＮＴ０、ＧＳＭ８５０ＭＨｚまたはＧＳＭ９００ＭＨｚの送信信号入力ポートＲＦ２１、ＧＳＭ１８００ＭＨｚまたはＧＳＭ１９００ＭＨｚの送信信号入力ポートＲＦ２２、ＧＳＭ８５０ＭＨｚの受信信号、ＧＳＭ９００ＭＨｚの受信信号、ＧＳＭ１８００ＭＨｚの受信信号、ＧＳＭ１９００ＭＨｚの受信信号、をそれぞれ出力する受信信号出力ポートＲＦ２３〜ＲＦ２６、ＵＭＴＳ１の送受信信号、ＵＭＴＳ２の送受信信号、ＵＭＴＳ３の送受信信号をそれぞれ入出力する送受信信号入出力ポートＲＦ２７〜ＲＦ２９を備えている。これらのポートＲＦ２１〜ＲＦ２９を以下、単に「ＲＦ２１ポート」〜「ＲＦ２９ポート」という。
【００８４】
スイッチ素子ＳＷ２０のＲＦ２３ポートには、ＧＳＭ８５０ＭＨｚの受信信号の周波数が通過域内に存在するバンドパスフィルタを接続していて、このバンドパスフィルタに受信信号出力端子Ｒｘ１を接続している。また、スイッチ素子ＳＷ２０のＲＦ２４ポートには、ＧＳＭ９００ＭＨｚの受信信号の周波数が通過域内に存在するバンドパスフィルタを接続していて、このバンドパスフィルタに受信信号出力端子Ｒｘ２を接続している。このＧＳＭ８５０／９００ＭＨｚの受信信号用のバンドパスフィルタはＳＡＷフィルタＳＡＷ１０で構成している。また、スイッチ素子ＳＷ２０のＲＦ２５ポートには、ＧＳＭ１８００ＭＨｚの受信信号の周波数が通過域内に存在するバンドパスフィルタを接続していて、このバンドパスフィルタに受信信号出力端子Ｒｘ３を接続している。また、スイッチ素子ＳＷ２０のＲＦ２６ポートには、ＧＳＭ１９００ＭＨｚの受信信号の周波数が通過域内に存在するバンドパスフィルタを接続していて、このバンドパスフィルタに受信信号出力端子Ｒｘ４を接続している。このＧＳＭ１８００／１９００ＭＨｚの受信信号用のバンドパスフィルタはＳＡＷフィルタＳＡＷ２０で構成している。
【００８５】
スイッチ素子ＳＷ２０のＲＦ２７ポートにはＵＭＴＳ１（ＵＭＴＳの第１の周波数帯）の送受信信号入出力端子ＴｘＲｘ１、ＲＦ２８ポートにはＵＭＴＳ２（ＵＭＴＳの第２の周波数帯）の送受信信号入出力端子ＴｘＲｘ２、ＲＦ２９ポートにはＵＭＴＳ３（ＵＭＴＳの第３の周波数帯）の送受信信号入出力端子ＴｘＲｘ３、をそれぞれ接続している。
【００８６】
次に、図５に示した複合高周波部品の積層体の構造について図６，図７を参照して説明する。
図６は上記複合高周波部品の積み図である。この図６は、複合高周波部品の各誘電体層（１）〜（１６）の下面図であり、誘電体層（１７）は誘電体層（１６）の裏面すなわち複合高周波部品の上面である。図６に示す記号は図５に示した各素子の記号に対応する。また、図６において同径の円形は全てスルーホールである。
【００８７】
誘電体層（１）を最下層として、番号順に下から順に誘電体層（１）〜誘電体層（１７）を積層することにより多層基板を構成している。最下層の誘電体層（１）の裏面には、接地電極を含む外部接続用電極を形成していて、これらの電極によりこの複合高周波部品は外部の回路基板に実装する。
【００８８】
誘電体層（２），（１４）には接地電極Ｇ１，Ｇ２を形成している。誘電体層（３）（４）（５）（１３）にはキャパシタ電極ＧＣｃ１，ＧＣｃ２，ＤＣｃ１，Ｇｃｕ１，Ｇｃｕ２，Ｇｃｕ３，Ｄｃｕ１，Ｄｃｕ２，Ｄｃｕ３を形成している。誘電体層（８）〜（１１）にはインダクタＧＬｔ１，ＧＬｔ２，ＤＬｔ１，ＤＬｔ２を形成している。
【００８９】
誘電体層（１６）には位相設定素子ＧＬ，ＤＬに相当する線路を形成している。
【００９０】
誘電体層（６）（７），（１２）（１５）にはスルーホールのみを形成している。
複数の誘電体層を積層してなる多層基板の上面にはスイッチ素子ＳＷ２０、ＳＡＷフィルタＳＡＷ１０，ＳＡＷ２０をそれぞれ搭載している。これらはいずれもフリップチップ型であり、多層基板にバンプ接続する。
【００９１】
図７は上記複合高周波部品の主要部の断面図である。ここで「送信フィルタ」は図５に示したローパスフィルタＬＰＦ１１，ＬＰＦ１２，ＬＰＦ２１，ＬＰＦ２２である。この送信フィルタと位相設定回路との間には、図６の誘電体層（２）に形成した接地電極Ｇ１を配置している。また、この送信フィルタの下部（上記接地電極Ｇ１の反対側であり、実装基板側）には、図６の誘電体層（１４）に形成した接地電極Ｇ２を配置している。
【００９２】
このように、位相設定回路と送信フィルタとの間の誘電体層に接地電極を設けたことにより、送信フィルタ（送信回路）と受信回路との間の結合を抑えてアイソレーション特性や減衰特性を向上させることができる。
【００９３】
《第３の実施形態》
第３の実施形態に係る複合高周波部品について図８〜図１０を参照して説明する。
【００９４】
図８は本実施形態の複合高周波部品の構成を示すブロック図である。この例では、スイッチ素子ＳＷ３０がアンテナＡＮＴに接続するアンテナポートＡＮＴ０、ＧＳＭ８５０ＭＨｚまたはＧＳＭ９００ＭＨｚの送信信号入力ポートＲＦ３１、ＧＳＭ１８００ＭＨｚまたはＧＳＭ１９００ＭＨｚの送信信号入力ポートＲＦ３２、ＧＳＭ８５０ＭＨｚまたはＧＳＭ９００ＭＨｚの受信信号出力ポートＲＦ３３、ＧＳＭ１８００ＭＨｚまたはＧＳＭ１９００ＭＨｚの受信信号出力ポートＲＦ３４（以下、単に「ＲＦ３１ポート」〜「ＲＦ３４ポート」という。）を備えている。
【００９５】
ＲＦ３３ポートとＳＡＷフィルタＳＡＷ１０との間にはインピーダンス整合回路としてのインダクタＬａおよびキャパシタＣｇを設けている。また、ＲＦ３４ポートとＳＡＷフィルタＳＡＷ２０との間にインピーダンス整合回路としてのインダクタＬｄ，ＬｐおよびキャパシタＣｄ、Ｃｐを設けている。
【００９６】
次に、図８に示した複合高周波部品の積層体の構造について図９を参照して説明する。
図９は上記複合高周波部品の積み図である。この図９は、複合高周波部品の各誘電体層（１）〜（１６）の上面図であり、誘電体層（１７）は誘電体層（１６）の裏面、すなわち複合高周波部品の下面である。図９に示す記号は図８に示した各素子の記号に対応する。また、図９において同径の円形は全てスルーホールである。
【００９７】
誘電体層（１７）を最下層として、番号順に下から順に誘電体層（１７）〜誘電体層（１）を積層することにより多層基板を構成している。最下層の誘電体層（１７）の裏面には、接地電極を含む外部接続用電極を形成していて、これらの電極によりこの複合高周波部品は外部の回路基板に実装する。
【００９８】
誘電体層（４），（１６）には接地電極Ｇ３，Ｇ２を形成している。誘電体層（５）（１３）〜（１５）にはキャパシタ電極ＧＣｃ１，ＧＣｃ２，ＤＣｃ１，Ｇｃｕ１，Ｇｃｕ２，Ｇｃｕ３，Ｄｃｕ１，Ｄｃｕ２，Ｄｃｕ３を形成している。誘電体層（９）〜（１１）にはインダクタＧＬｔ１，ＧＬｔ２，ＤＬｔ１，ＤＬｔ２を形成している。
【００９９】
誘電体層（７）には位相設定素子ＧＬ，ＤＬに相当する線路を形成している。
誘電体層（６）（１２）にはスルーホールのみを形成している。
【０１００】
複数の誘電体層を積層してなる多層基板の上面にはスイッチ素子ＳＷ３０、ＳＡＷフィルタＳＡＷ１０，ＳＡＷ２０をそれぞれ搭載している。これらはいずれもフリップチップ型であり、多層基板にバンプ接続する。
【０１０１】
図１０は上記複合高周波部品の主要部の断面図である。ここで「送信フィルタ」は図８に示したローパスフィルタＬＰＦ１１，ＬＰＦ１２，ＬＰＦ２１，ＬＰＦ２２である。多層基板の上面（スイッチ素子と受信フィルタが搭載される主面）と位相設定回路との間には、図９の誘電体層（１６）に形成した接地電極Ｇ３を配置している。また、送信フィルタの下部（実装基板側）には、図９の誘電体層（４）に形成した接地電極Ｇ２を配置している。
【０１０２】
このように、多層基板の上面（スイッチ素子と受信フィルタが搭載される主面）と位相設定回路との間の誘電体層に接地電極を設けたことにより、送信フィルタと位相設定回路を含む送信回路と受信フィルタを含む受信回路との間の不要結合を抑えてアイソレーション特性や減衰特性を向上させることができる。また、受信回路と位相回路との間の結合を抑えてアイソレーション特性を向上させることができる。
【０１０３】
なお、各実施形態では、スイッチ素子ＳＷ１０，ＳＷ２０，ＳＷ３０を多層基板の上面に搭載する構造を示したが、多層基板にキャビティを形成して、そのキャビティの底部にスイッチ素子ＳＷ１０，ＳＷ２０，ＳＷ３０を実装しても良い。そのキャビティの開口部は金属板で覆うか樹脂モールドしてもよい。また、多層基板に対するスイッチ素子や受信フィルタの搭載は、バンプ接続以外にワイヤボンディングで行ってもよい。
【０１０４】
さらに、誘電体層としてはセラミックや樹脂材料等、誘電体材料であれば何でも構わない。また誘電体層に形成する電極材料としてはＡｇ，Ｃｕなどの導電率の高い材料を用いることにより良好な電気的特性を得ることができ、スクリーン印刷や転写による厚膜形成法またはフォトリソグラフィによる薄膜形成法を用いて形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１０５】
【図１】従来の複合高周波部品の構成を示すブロック図である。
【図２】第１の実施形態に係る複合高周波部品の構成を示すブロック図である。
【図３】第１の実施形態に係る複合高周波部品の積み図である。
【図４】第１の実施形態に係る複合高周波部品の主要部の断面図である。
【図５】第２の実施形態に係る複合高周波部品の構成を示すブロック図である。
【図６】第２の実施形態に係る複合高周波部品の積み図である。
【図７】第２の実施形態に係る複合高周波部品の主要部の断面図である。
【図８】第３の実施形態に係る複合高周波部品の構成を示すブロック図である。
【図９】第３の実施形態に係る複合高周波部品の積み図である。
【図１０】第３の実施形態に係る複合高周波部品の主要部の断面図である。
【符号の説明】
【０１０６】
ＡＮＴ−アンテナ
ＳＷ１０，ＳＷ２０，ＳＷ３０−スイッチ素子
ＬＰＦ１１，ＬＰＦ１２，ＬＰＦ２１，ＬＰＦ２２−ローパスフィルタ
Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３−接地電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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