(57)【要約】【課題】配光分布を電気的に制御可能な半導体発光装置及び配光分布制御方法を提供する。【解決手段】凹部を有するパッケージと、前記凹部の中に設けられた複数の半導体発光素子と、前記複数の半導体発光素子のうちのいずれか２つ以上の半導体発光素子からなる第１の組み合わせと、前記複数の半導体発光素子のうちの他のいずれか２つ以上の半導体発光素子からなる第２の組み合わせと、に対してそれぞれに独立に給電可能な複数の電極と、を備え、前記第１及び第２の組み合わせの駆動条件を独立に制御することにより配光分布を可変としたことを特徴とする半導体発光装置が提供される。【選択図】図１
2008147485.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
凹部を有するパッケージと、
前記凹部の中に設けられた複数の半導体発光素子と、
前記複数の半導体発光素子のうちのいずれか２つ以上の半導体発光素子からなる第１の組み合わせと、前記複数の半導体発光素子のうちの他のいずれか２つ以上の半導体発光素子からなる第２の組み合わせと、に対してそれぞれに独立に給電可能な複数の電極と、
を備え、
前記第１及び第２の組み合わせの駆動条件を独立に制御することにより配光分布を可変としたことを特徴とする半導体発光装置。
【請求項２】
前記半導体発光素子の側面には空気との界面よりも高い反射率を有する反射膜が設けられ、前記半導体発光素子の発光層からの放射光の少なくとも一部を前記凹部の側壁に向かって反射させ、
前記側壁に向かった前記放射光は、前記側壁において反射された後に外部に放出されることを特徴とする請求項１記載の半導体発光装置。
【請求項３】
前記凹部の中に設けられ、前記凹部の底面に対して略垂直なマウント面を有する支持部材をさらに備え、
前記半導体発光素子は、前記マウント面にマウントされたことを特徴とする請求項１または２に記載の半導体発光装置。
【請求項４】
前記凹部の中心を囲むように配置された前記半導体発光素子の側面のうち、少なくとも前記中心に最も近い側面に前記反射膜が設けられたことを特徴とする請求項１または２に記載の半導体発光装置。
【請求項５】
撮影範囲内にある被写体の位置を検出し、
前記位置近傍において照度が最大となるように請求項１乃至４に記載の半導体発光装置を駆動することを特徴とする配光分布の制御方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体発光装置及びこれを用いた配光分布制御方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
デジタルカメラ、ビデオカメラを含む撮影装置には、ストロボなどのフラッシュ機能を有する照明装置が備えられている。このような照明装置としては、これまでキセノン管などが用いられてきた。近年、窒化物系半導体発光装置の技術進展がめざましい。この結果、白色半導体発光装置がキセノン管に置き換わることが期待されている。
【０００３】
また、国内の携帯電話機の９０％程度に撮影装置が搭載されるようになってきている。しかしながら、その撮影機能は、デジタルカメラと比較すると不十分である。特に、暗所や逆光撮影におけるフラッシュ機能には改善の余地が多い。この理由のひとつは、携帯電話機を含む携帯電子機器においてはバッテリ容量に限界があるためにキセノン管の使用が困難なことによる。つまり、携帯電話機の場合も、キセノン管に代わって、消費電力が小さく低電圧駆動可能な白色半導体発光装置を使用することが望ましい。
【０００４】
しかし、白色半導体発光装置は、キセノン管と比較すると光量がまだ少ない。この結果、例えば撮影範囲の中央近傍で必要な照度が得られても、撮影範囲の周辺近傍において必要な照度が得られないために暗所コントラストが確保できないなどの問題があった。
【０００５】
キセノン管及びこれに隣接した反射板からの配光分布を、遮光板の回動角度を変化させることにより、被写体位置に応じて制御する技術開示例がある（特許文献１）。
【特許文献１】特開２００３−１４０２３４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
配光分布を電気的に制御可能な半導体発光装置及び配光分布制御方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様によれば、凹部を有するパッケージと、前記凹部の中に設けられた複数の半導体発光素子と、前記複数の半導体発光素子のうちのいずれか２つ以上の半導体発光素子からなる第１の組み合わせと、前記複数の半導体発光素子のうちの他のいずれか２つ以上の半導体発光素子からなる第２の組み合わせと、に対してそれぞれに独立に給電可能な複数の電極と、を備え、前記第１及び第２の組み合わせの駆動条件を独立に制御することにより配光分布を可変としたことを特徴とする半導体発光装置が提供される。
【０００８】
また、本発明の他の一態様によれば、上記の半導体発光装置を備え、前記複数の電極に独立に給電することにより被写体への配光分布を制御することを特徴とする撮影装置が提供される。
【発明の効果】
【０００９】
配光分布を電気的に制御可能な半導体発光装置及び配光分布制御方法が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態につき説明する。図１は、本発明の第１具体例にかかる半導体発光装置を表し、同図（ａ）は模式平面図、同図（ｂ）は部分切断模式断面図である。本具体例の半導体発光装置においては、複数の半導体発光素子２０ａ〜２０ｄが、セラミックなどからなるパッケージ４０の凹部４６の中に配置されている。凹部４６の底面には、４条の底面メタライズ部４１設けられている。これら底面メタライズ部４１は、パッケージ４０を貫通しその側面に形成されたカソード電極４２と接続されている。半導体発光素子２０の一方の電極は、底面メタライズ部４１とボンディングワイヤ２１でそれぞれ接続されている。また、半導体発光素子２０の他方の電極は、例えば、パッケージ４０に設けられたスルーホールなどを介してパッケージ裏面に設けられたアノード電極４４と接続される。
【００１１】
従って、パッケージ４０の側面に設けられた４個のカソード電極４２のそれぞれに独立に給電することにより、４つの半導体発光素子２０ａ〜２０ｄの動作を独立に制御できる。ここで、複数の半導体発光素子２０のすべてを独立に制御しなくとも良い。例えば、複数の半導体発光素子２０のうちから選択されたいずれか２つ以上の半導体発光素子をひとつめの組み合わせとし、複数の半導体発光素子２０のうちから選択された他のいずれか２つ以上の半導体発光素子をふたつめの組み合わせとし、これら２つの組み合わせに対して、それぞれ独立に前記組み合わせ数以上の数に対応した電極に給電する。この結果、組み合わせごとにそれぞれ独立に駆動条件を設定できる。
【００１２】
例えば、図１（ａ）に表した４つの半導体発光素子２０ａ〜２０ｄのうちで、上方の２つの半導体発光素子２０ａ、２０ｃとをひとつの組み合わせとし、下方の２つの半導体発光素子２０ｂ、２０ｄをふたつめの組み合わせとし、これら２つの組み合わせを独立に制御することができる。このようにすると、上下方向の配向特性を制御することができる。
【００１３】
一方、例えば、図１（ａ）に表した４つの半導体発光２０ａ〜２０ｄのうちで、左上の半導体発光素子２０ａと右下の半導体発光素子２０ｄとをひとつの組み合わせとし、左下の半導体発光素子２０ｂと右上の半導体発光素子２０ｃとをふたつめの組み合わせとして、これら２つの組み合わせを独立に制御することもできる。この場合には、斜め方向の配向特性を制御することができる。  
これらいずれの場合も、同一組み合わせ内の半導体発光素子２０はパッケージ４０の内部の電極により接続しても、パッケージ４０の外部の回路で接続しても良い。
【００１４】
なお、本具体例においては、半導体発光素子２０が４個（２０ａ、２０ｂ、２０ｃ、２０ｄ）配置され、４条の底面メタライズ部４１が十字型に配置されて、カソード電極４２がパッケージ４０の４箇所の角部側面に曲面をなすように配置されている、しかし、本発明は、これらの構造や配置に限定されない。変形例については、後に説明する。
【００１５】
図２は、本具体例を構成する半導体発光素子２０を表し、同図（ａ）は模式平面図、同図（ｂ）は模式断面図である。例えば、基板２２の上部に、発光層２４が設けられ、さらにその上部にｎ型電極２６が設けられている。一方、基板２２の裏面にはｐ型電極２８が設けられている。半導体材料としてはＩｎＧａＡｌＰ系、ＡｌＧａＡｓ系、ＩｎＧａＡｌＮ系などとすることができる。
【００１６】
例えば、基板２２として炭化シリコン（ＳｉＣ）を用い、ＩｎＧａＡｌＮ系半導体などの窒化物系材料で発光層を含む半導体積層体を成長させると、発光波長が３８０乃至６００ｎｍの範囲の半導体発光素子が得られる。この場合、波長４０５ｎｍ近傍の青色半導体発光素子を用い、かつ黄色蛍光体を封止樹脂に混合して凹部４６を充填することにより、波長変換により得られた黄色光と青色との混合により白色光が得られる。この白色光はフラッシュ照明光として好ましい。半導体発光装置は３乃至５Ｖと低電圧で駆動し、動作寿命時間も長く、小型とできるので携帯電子機器に搭載する照明装置として好ましい。この場合、基板２２としてこの波長帯において透明な材料であるＳｉＣ，サファイヤ、ＧａＰなどを用いると光取り出し効率を上げることができる。
【００１７】
さらに半導体発光素子２０の隣接する２側面には、例えば、プラズマＣＶＤ法により形成されたＳｉＯ２膜（厚み０．２μｍ）、真空蒸着法で形成された銀膜（厚み１μｍ）がこの順に積層され反射膜３０を構成している。発光層２４からの放射光は各側面から放射されるが、反射膜３０が形成された側面からは、光は放射されない。反射膜３０の反射率は、５０％以上であることが好ましい。
【００１８】
図１（ａ）に例示されるように、半導体発光素子２０の反射膜３０が設けられた隣接した２側面は互いに対向するように配置されている。なお、他の側面との区別を容易にするために、反射膜３０を破線にて表した。半導体発光素子２０の発光層からの放射光のうち反射膜３０で反射された光の多くは半導体発光素子２０内を経由して、外部へ放射される。なお、図１には、反射膜３０がそれぞれの半導体発光素子２０同士が隣接する内側の側面に設けられているが、本発明はこれには限定されない。これ以外にも、例えば、図１（ａ）に表した半導体発光素子２０において反射膜３０が設けられた２側面と対向する２側面のいずれか一方または両方に反射膜３０を設けてもよい。
【００１９】
次に、本第１具体例にかかる半導体発光装置５０における指向特性につき説明する。  
図３は、半導体発光素子２０ａ及び２０ｂを発光させた指向特性を説明する図であり、同図（ａ）は半導体発光装置における放射光の進路を表し、同図（ｂ）は指向特性を表す。底面メタライズ部４１に隣接する半導体発光素子２０の側面には反射膜３０が形成されているので光が反射膜３０を通しては殆ど放射されない。反射膜３０で反射された光は、図３（ａ）のように、外周部方向及び上方に向かう。これらのうち外周部方向への放射光の多くはパッケージ４０の凹部４６の側壁にあたる。側壁で反射された光は図３（ａ）のように進むが、パッケージ４０の垂直中心軸ＡＡ近傍では、反射膜３０のために放射光が少ない。
【００２０】
図３（ａ）の断面における放射光の指向特性が同図（ｂ）である。ＡＡ軸からの角度に対して、放射強度の相対値を半径方向に表している。半導体発光装置５０の垂直中心軸を表わす一点鎖線ＡＡの近傍では放射強度が小さくなる。本図において、放射光が最大となる角度は約２０度である。
【００２１】
次に、本具体例にかかる半導体発光装置５０により配光分布を制御できることを、カメラを例にとり説明する。
【００２２】
図４は、本第１具体例にかかる半導体発光装置５０をフラッシュとしたカメラを説明する図であり、同図（ａ）はその構成を模式的に表した図であり、同図（ｂ）は撮影範囲の中央近傍にフラッシュを照射した配光特性、同図（ｃ）は左側にフラッシュを照射した配光特性、同図（ｄ）は右側にフラッシュを照射した配光特性をそれぞれに表す。半導体発光装置５０の主面が図４（ａ）のように垂直となるように、かつ半導体発光素子２０ａ及び２０ｂが垂直軸に平行となるように配置された場合、水平面内の指向特性は図３（ｂ）に例示されるようになる。
【００２３】
一般には、半導体素子２０は同時に全て発光しているので、撮影範囲６０内において被写体１４の位置にかかわり無く等方的な放射パターンを有する光が放射される。この結果、図４（ａ）のように撮影範囲６０の中央近傍において照度が最大となり配光分布がほぼ左右対称となる。しかし、フラッシュを照射したい右側の被写体１４を充分には照射することができない。
【００２４】
一方、図３に例示されるように半導体発光素子２０ａ及び２０ｂを発光させた半導体発光装置５０であれば、図４（ｄ）のように照度の最大を右側とした配光分布とできる。この結果、右側の被写体１４を効率的に照射することができる。図４（ｃ）はその逆に左側の被写体にフラッシュを照射したい場合の配光分布を表し、図１（ａ）における半導体発光素子２０ｃ及び２０ｄを発光させることにより可能となる。
【００２５】
また、上下で配光分布を制御することも可能である。すなわち、例えば、半導体発光素子２０ａ及び２０ｄを発光させることにより上側の被写体１４にフラッシュを照射することができ、半導体発光素子２０ｂ及び２０ｃを発光させることにより下側の被写体１４にフラッシュを照射することができる。なお、半導体発光素子２０の駆動状態は、オン−オフの切り替えだけでなく、駆動電流を段階的に変化させることもできる。
【００２６】
以上は、２個の半導体発光素子２０を発光させた場合であるが、駆動状態はこれに限定されない。例えば、半導体発光素子２０ａにより右上側、２０ｂにより右下側、２０ｃにより左下側、２０ｄにより左上側を照度最大とできる。さらに、例えば、半導体発光素子２０ａ、２０ｂ、２０ｃの３個を発光させた場合、左上側を除く範囲を明るく照射できる。他の３個を発光させた場合も同様である。
【００２７】
図５は、第１具体例の第１変形例を表し、同図（ａ）は模式平面図、同図（ｂ）は模式正面図である。なお、図１と同様の構成要素には、同一番号を付し説明を省略する。  
また、図６は、第１変形例に配置される半導体発光素子２０を表し、同図（ａ）は模式平面図、同図（ｂ）は模式断面図である。図６についても、図２と同様の構成要素には同一番号を付して説明を省略する。  
まず、図６に表したように、半導体発光素子２０の３側面に反射膜３０を形成する。半導体発光素子２０において反射膜３０が形成されていない一方の側面が、パッケージ５０の外側にそれぞれ向かうように配置されている。なお、図５（ａ）において他の側面との区別を容易にできるように反射膜３０を破線にて表した。底面メタライズ部４１は半導体発光素子２０に隣接してそれぞれの位置に配置され、半導体発光素子２０も一方の電極とボンディングワイヤ２１により接続される。
【００２８】
本第１変形例においては、半導体発光素子２０ａにより右側を、２０ｂにより下側を、２０ｃにより左側を、２０ｄにより上側を照射できる。  
また、半導体発光素子２０ａ及び２０ｄにより右上側、２０ａ及び２０ｂにより右下側、２０ｂ及び２０ｃにより左下側、２０ｃ及び２０ｄにより左上側を照射最大とできる。２０ａ、２０ｄ、２０ｃの３個を発光させると下側を除いて明るく照射ができる。他の３個の組み合わせも同様である。また、４個を同時に発光させると、撮影範囲６０内でほぼ等方的な配光分布とできる。なお、本具体例においては反射膜３０が３側面に設けられているので、図１の第１具体例より指向特性を狭くすることができる。  
なお、図５に例示したものとは逆に、それぞれの半導体発光素子２０において反射膜３０が形成されていない外側の１側面のみに反射膜３０を設けてもよい。
【００２９】
図７は、第１具体例の第２変形例を表し、同図（ａ）は模式平面図、同図（ｂ）は半導体発光素子の模式平面図、同図（ｃ）は半導体発光素子の模式断面図である。本図において、図１及び図２と同様の構成要素には同一番号を付して説明を省略する。この場合、反射膜３０は半導体発光素子２０の１側面のみに形成されており、反射膜３０がパッケージ５０の中央部近傍で対向するように配置されている。
【００３０】
半導体発光素子２０ａにより撮影範囲６０の右側、２０ｂにより下側、２０ｃにより左側、２０ｄにより上側をそれぞれより照射できる。また、半導体発光素子２０ａ及び２０ｂにより、右下側を照射することができる。さらに、２０ａ、２０ｂ、２０ｃの３個により上側を除いた領域を照射できる。他の３個の組み合わせも同様である。なお、本具体例においては、反射膜３０がパッケージ４０の中心に向かった１面にのみ設けられているので図１の第１具体例より指向特性を広くできる。
【００３１】
図８は、本第１具体例の第３変形例を表し、同図（ａ）は模式平面図、同図（ｂ）はその指向特性、同図（ｃ）は配光分布である。なお、図１と同様の構成要素には同一番号を付して説明を省略する。半導体発光素子２０は、垂直中心軸と同一中心を有し反射膜が形成されておらず主として撮影範囲６０の中央に向う放射光を有する１個（２０ｅ）と、これを取り囲むように配置され、図６に例示された３側面に反射膜３０が設けられた４個（２０ａ、２０ｂ、２０ｃ、２０ｄ）とを含む。本図において、反射膜３０が形成されていない側面からの放射光は撮影範囲６０の斜め上側、斜め下側を照射する。すなわち、半導体発光素子２０ａにより右上側、２０ｂにより右下側、２０ｃにより左下側、２０ｄにより左上側を照射する。
【００３２】
第３変形例においては、配光分布の制御の自由度が増す。例えば、図８（ｂ）は、半導体発光素子２０ａ、２０ｂ，２０ｅが発光している場合の指向特性であり、０度から３０度の広い範囲において光強度をほぼ一定値とできている。図８（ｃ）の分布Ａは半導体発光素子２０ａ，２０ｂ，２０ｅが発光している場合、分布Ｂは半導体発光素子２０ａ，２０ｂが発光している場合、分布Ｃは半導体発光素子２０ｅが発光している場合の配光分布をそれぞれに表す。２０ａ及び２０ｂにより右側を照射できるが（分布Ｂ）、２０ｅを発光させないので分布Ａと比較して中央における照度は下がる。また、２０ａ、２０ｂ、２０ｃ、２０ｅの４個を発光させると、左上側を除く領域を照射することができる。
【００３３】
このように、発光させる半導体発光素子２０（２０ａ、２０ｂ、２０ｃ、２０ｄ、２０ｅ）の組み合わせを変える事により、配光分布の制御が容易になる。以上の第１具体例及びこれに付随する第１乃至第３具体例においては、半導体発光素子の側面の反射膜３０を形成することにより全体の配光分布を制御した。
以上の具体例及びこれに付随する変形例において、凹部４６の中心を囲むように配置された半導体発光素子２０の側面のうち、少なくとも中心に最も近い側面に反射膜３０が設けられる。第１具体例（図１）では２側面に、第１変形例（図５）では３側面に、第２変形例（図７）では１側面に、第３変形例（図８）では中心に配置された半導体発光素子以外は３側面に設けられる。また、凹部４６の側壁に向かう少なくとも１面には反射膜３０は形成されない。さらに、反射膜３０が設けられる半導体発光素子２０の側面は垂直面でなく傾斜していても良い。
【００３４】
本発明はこれらに限定されない。反射膜が無くとも、半導体発光素子２０の駆動条件をそれぞれに変化させることにより配光分布の制御は可能である。図９は、反射膜を形成することなく配光分布を制御する本発明の第２具体例にかかる半導体発光装置７０を表し、同図（ａ）は模式斜視図、同図（ｂ）は模式平面図、同図（ｃ）は模式断面図である。  
また、図１０は、半導体発光素子２０をサブマウント基板に搭載する構造を説明する図であり、同図（ａ）は模式平面図、模式正面図、側面図であり、同図（ｂ）は模式斜視図である。第１具体例並びにこれに付随する第１乃至第３変形例においては、半導体発光素子２０の裏面がパッケージ４０の凹部４６の底面にマウントされている。これに対して、第２具体例においては、半導体発光素子２０がセラミックなどからなるサブマウント基板（支持部材）７２のカソード電極（マウント面）７３の上にマウントされている。サブマウント基板７２にはアノード電極７４が設けられており、半導体発光素子２０の一電極とワイヤボンディングにより接続されている。
【００３５】
また、半導体発光素子２０の主面と、セラミックなどからなるパッケージ７０の凹部７８の底面とはほぼ９０度となるように配置される。半導体発光素子２０の主面のほぼ垂直方向へ放射された光はパッケージ７０の凹部７８の傾斜側面により反射されて上方へ向かう。本第２具体例においては、サブマウント基板７２がパッケージ７０の凹部７８の側面に対向するように複数配置されており、その駆動条件を変化させることにより配光分布を制御する。例えば、半導体発光素子２０ａにより右側、２０ｂにより下側、２０ｃにより左側、２０ｄにより上側を照射できる。２０ａ及び２０ｂにより右下側、２０ｂ及び２０ｃにより左下側、２０ｃ及び２０ｄにより左上側、２０ｄ及び２０ａにより右上側を照射できる。さらに、２０ａ、２０ｂ、２０ｃの３個を発光させると、上側を除く領域を照射できる。この結果、第１具体例と同様な効果を得ることができる。この場合、半導体発光素子２０の側面へ反射膜３０を形成する工程を省略することができる。
【００３６】
次に、上記具体例にかかる半導体発光装置を用いた配光分布制御方法につき説明する。  図１１は、本発明の実施の形態にかかる半導体発光装置を備えた撮影装置を例示する模式図であり、同図（ａ）はその液晶画面、同図（ｂ）は配光分布を表す。また、図１２は、被写体８５の位置に応じて半導体発光素子２０の駆動条件を選択して半導体発光素子２０を点灯するフロー図を表す。まず、デジタルカメラ８０のような撮影装置において、シーンモードを選択する（Ｓ２００）。シーンモードには、ポートレート、スポーツ、遠景、夜景、夜景ポートレートスノー、キャンドルライト等があり、撮影者が選択できる。
【００３７】
続いて、ＣＣＤやＣＭＯＳセンサにより画像認識が行われる（Ｓ２０２）。この画像認識により得られた被写体８５の位置情報を半導体発光装置制御回路へインプットする場合、自動または撮影者による手動のいずれかが選択される。自動インプットの場合、画像認識の位置情報は自動的に半導体発光装置制御回路へインプットされ（２０６）、半導体発光素子２０の駆動条件が決定される（Ｓ２０８）。一方、照射方向を撮影者が決定する場合、その情報が半導体発光装置制御回路へ撮影者によりインプットされ（Ｓ２０７）、半導体発光素子２０の駆動条件が決定される（Ｓ２０８）。この駆動条件により、半導体発光素子が点灯される（Ｓ２１０）。この結果、選択された被写体８５で照度が最大である配光分布となるようにフラッシュが照射できるので、限られたバッテリ容量を効率的に使用できる。また、半導体発光装置を用いることによりカメラの小型化、照明装置の長寿命化が可能となる。さらに、点灯後のチャージアップ時間が不要となるので、連続点灯が可能となる。
【００３８】
なお撮影装置は、静止画像を感光性フィルムに記録するカメラであってもよく、動画を記録するビデオカメラも含む。さらに、携帯電話やＰＤＡ（Personal Data Assistant）あるいはその他各種の電子機器に搭載され静止画像または動画を記録可能なあらゆる装置を包含する。
【００３９】
以上、図面を参照しつつ本発明の実施の形態につき説明した。しかし、本発明は、これらに具体例及びこれらに付随する変形例に限定されない。例えば、半導体発光装置を構成する半導体素子、反射膜、パッケージ、画像認識手段などに関して、当業者が各種設計変更を行ったものであっても、本発明の主旨を逸脱しない限り本発明の範囲に包含される。
【００４０】
なお、本明細書において「窒化物系材料」とは、ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，ｘ＋ｙ≦１）なる化学式において組成比ｘ及びｙをそれぞれの範囲内で変化させたすべての組成の半導体を含むものとする。またさらに、上記化学式において、ボロン（Ｂ）を含むものや、Ｎ（窒素）以外のＶ族元素もさらに含むもの、あるいは導電型などを制御するために添加される各種のドーパントのいずれかをさらに含むものも、「窒化物系材料」に含まれるものとする。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明の第１具体例にかかる半導体発光装置を表す模式図。
【図２】第１具体例を構成する半導体発光素子の模式図。
【図３】第１具体例における指向特性を説明する図。
【図４】第１具体例における配光分布を説明する図。
【図５】第１具体例の第１変形例の模式図。
【図６】第１変形例を構成する半導体発光素子の模式図。
【図７】第１具体例の第２変形例の模式図。
【図８】第１具体例の第３変形例の模式図。
【図９】本発明の第２具体例にかかる半導体発光装置の模式図。
【図１０】第２具体例を構成するサブマウント基板の模式図。
【図１１】実施形態にかかるデジタルカメラの配光分布の制御方法を説明する図。
【図１２】配光分布制御方法のフロー図。
【符号の説明】
【００４２】
１０・・・半導体発光素子、１４・・・被写体、３０・・・反射膜、４０・・・パッケージ、４６・・・凹部、５０・・・半導体発光装置、６０・・・撮影範囲、８０・・・デジタルカメラ、８５・・・被写体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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