(57)【要約】【課題】発光装置において、製造工程を複雑にすることなく、低消費電力で十分に高い表示品質を得ることができるようにする。【解決手段】発光装置１０を提供する。発光装置１０は、複数の画素Ｐを有する。各画素Ｐは、四つのサブ画素１を有する。各画素Ｐのサブ画素１の各々は、赤サブ画素１Ｒ、緑サブ画素１Ｇ、青サブ画素１Ｂおよび白サブ画素１Ｗである。赤サブ画素１Ｒは、赤発光材料で形成された赤発光層１６Ｒと、赤発光層１６Ｒに重なっている赤カラーフィルタ１９２Ｒとを有する。緑サブ画素１Ｇは、白発光材料で形成された白発光層１６Ｗと、発光層１６Ｗに重なっている緑カラーフィルタ１９２Ｇとを有する。青サブ画素１Ｂは、青発光材料で形成された青発光層１６Ｂと、青発光層１６Ｂに重なっている青カラーフィルタ１９２Ｂとを有する。白サブ画素１Ｗは、白発光層１６Ｗを有する。【選択図】図３
2008218300.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画面を構成する複数の画素を有する発光装置において、
前記複数の画素の各々は、前記画面を構成する四つのサブ画素を有し、
前記複数の画素の各々の前記四つのサブ画素は、赤サブ画素、緑サブ画素、青サブ画素および白サブ画素であり、
前記複数の画素の各々において、
赤サブ画素は、赤色光を発する赤発光材料で形成されて前記画面に沿って広がっている発光層と、この発光層に重なって赤色光を透過させるカラーフィルタとを有し、
緑サブ画素は、白色光を発する白発光材料で形成されて前記画面に沿って広がっている発光層と、この発光層に重なって緑色光を透過させるカラーフィルタとを有し、
青サブ画素は、青色光を発する青発光材料で形成されて前記画面に沿って広がっている発光層と、この発光層に重なって青色光を透過させるカラーフィルタとを有し、
白サブ画素は、前記白発光材料で形成されて前記画面に沿って広がっている発光層を有する、
ことを特徴とする発光装置。
【請求項２】
平板状の素子基板を有し、
前記複数の画素の各々において、前記四つのサブ画素の各々の発光層は前記素子基板上に形成され、赤サブ画素、緑サブ画素および青サブ画素の各々の発光層はそのカラーフィルタと前記素子基板との間に挟まれ、前記四つのサブ画素の各々はその発光層と前記素子基板との間に光透過性の透過層を有し、
前記複数の画素の各々の赤サブ画素、緑サブ画素および青サブ画素の各々は、その透過層と前記素子基板との間に光反射性の反射層を有する、
ことを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
平板状の素子基板を有し、
前記複数の画素の各々について、前記四つのサブ画素の各々の発光層は前記素子基板上に形成され、赤サブ画素、緑サブ画素および青サブ画素の各々の発光層はそのカラーフィルタと前記素子基板との間に挟まれ、
前記素子基板下に形成されて光を吸収する光吸収層を有する、
ことを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項４】
平板状の素子基板を有し、
前記複数の画素の各々について、前記四つのサブ画素の各々の発光層は前記素子基板上に形成され、赤サブ画素、緑サブ画素および青サブ画素の各々の発光層はそのカラーフィルタと前記素子基板との間に挟まれ、前記四つのサブ画素の各々はその発光層と前記素子基板との間に光透過性の透過層を有し、
前記複数の画素の各々の白サブ画素は、その透過層と前記素子基板との間に光反射性の反射層を有し、
前記複数の画素の各々の白サブ画素の透過層は、厚みが互いに異なる複数の部分を有する、
ことを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項５】
前記白発光材料の発光スペクトルには複数のピークがあり、
前記複数の画素の各々において、白サブ画素の透過層の複数の部分の各々の厚みは、前記複数のピークのいずれか一つの波長の光が干渉によって強められる厚みである、
ことを特徴とする請求項４に記載の発光装置。
【請求項６】
前記複数の画素の各々において、白サブ画素の透過層の前記部分は三つであり、
前記白発光材料の発光スペクトルの前記ピークは三つであり、
前記白発光材料の発光スペクトルの前記三つのピークのうち、第１のピークの波長の光は赤色光であり、第２のピークの波長の光は緑色光であり、第３のピークの波長の光は青色光である、
ことを特徴とする請求項５に記載の発光装置。
【請求項７】
平板状の素子基板を有し、
前記複数の画素の各々について、前記四つのサブ画素の各々の発光層は前記素子基板上に形成され、赤サブ画素、緑サブ画素および青サブ画素の各々のカラーフィルタはその発光層と前記素子基板との間に挟まれ、赤サブ画素、緑サブ画素および青サブ画素の各々はその発光層とそのカラーフィルタとの間に光透過性かつ光反射性の半反射層を有する、
ことを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項８】
前記複数の画素の各々において、緑サブ画素と白サブ画素とが隣り合って配置され、緑サブ画素の発光層は共通層の一部であり、白サブ画素の発光層は前記共通層の他の一部である、
ことを特徴とする請求項１ないし７のいずれか一項に記載の発光装置。
【請求項９】
請求項１ないし８のいずれか一項に記載の発光装置を有する電子機器。
【請求項１０】
画面を構成する複数の画素を有し、
前記複数の画素の各々は、前記画面を構成する四つのサブ画素を有し、
前記複数の画素の各々の前記四つのサブ画素は赤サブ画素、緑サブ画素、青サブ画素および白サブ画素であり、
前記複数の画素の各々において、赤サブ画素は、赤色光を発する赤発光材料で形成されて前記画面に沿って広がっている発光層と、この発光層に重なって赤色光を透過させるカラーフィルタとを有し、緑サブ画素は、白色光を発する白発光材料で形成されて前記画面に沿って広がっている発光層と、この発光層に重なって緑色光を透過させるカラーフィルタとを有し、青サブ画素は、青色光を発する青発光材料で形成されて前記画面に沿って広がっている発光層と、この発光層に重なって青色光を透過させるカラーフィルタとを有し、白サブ画素は、前記白発光材料で形成されて前記画面に沿って広がっている発光層を有し、緑サブ画素と白サブ画素とが隣り合って配置される発光装置の製造方法であって、
前記画面に沿って延在する素子基板上に、前記複数の画素の各々について、緑サブ画素の発光層と白サブ画素の発光層を前記白発光材料で一括して形成する、
ことを特徴とする製造方法。
【請求項１１】
画面を構成する複数の画素を有し、
前記複数の画素の各々は前記画面を構成する四つのサブ画素を有し、
前記複数の画素の各々の前記四つのサブ画素は赤サブ画素、緑サブ画素、青サブ画素および白サブ画素であり、
前記複数の画素の各々において、赤サブ画素は、赤色光を発する赤発光材料で形成されて前記画面に沿って広がっている発光層と、この発光層に重なって赤色光を透過させるカラーフィルタとを有し、緑サブ画素は、白色光を発する白発光材料で形成されて前記画面に沿って広がっている発光層と、この発光層に重なって緑色光を透過させるカラーフィルタとを有し、青サブ画素は、青色光を発する青発光材料で形成されて前記画面に沿って広がっている発光層と、この発光層に重なって青色光を透過させるカラーフィルタとを有し、白サブ画素は、前記白発光材料で形成されて前記画面に沿って広がっている発光層を有し、
平板状の素子基板を有し、
前記複数の画素の各々について、前記四つのサブ画素の各々の発光層は前記素子基板上に形成され、赤サブ画素、緑サブ画素および青サブ画素の各々の発光層はそのカラーフィルタと前記素子基板との間に挟まれ、前記四つのサブ画素の各々はその発光層と前記素子基板との間に光透過性の透過層を有し、
前記複数の画素の各々の白サブ画素は、その透過層と前記素子基板との間に光反射性の反射層を有し、
前記複数の画素の各々の白サブ画素の透過層は、厚みが互いに異なる複数の部分を有する発光装置の製造方法であって、
前記複数の画素の各々において、白サブ画素の前記素子基板に平行な断面を覆うサブ透過層を光透過性の材料で形成する形成ステップと、前記形成ステップで形成されたサブ透過層の一部を除去する除去ステップとを繰り返し行う、
ことを特徴とする製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光装置およびその製造方法ならびに電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光装置（フルカラー表示装置）として、画面を構成する複数の画素を有し、各画素は複数のサブ画素を有し、各サブ画素は有機ＥＬ（Electro Luminescent）素子や無機ＥＬ素子などのＥＬ素子を有し、画面にカラー画像を表示するものが開発されている。この種の発光装置としては、各画素が赤サブ画素、緑サブ画素および青サブ画素を有するＲＧＢ発光装置と、各画素が赤サブ画素、緑サブ画素、青サブ画素および白サブ画素を有するＲＧＢＷ発光装置を例示することができる。
【０００３】
ＲＧＢ発光装置としては、各サブ画素の発光層が当該サブ画素の色の光を発するＥＬ材料で形成される第１装置、各サブ画素の発光層が白色の光を発するＥＬ材料で形成され、各サブ画素がその色に応じた特性のカラーフィルタを有する第２装置（特許文献１参照）、および、各サブ画素の発光層が青色の光を発するＥＬ材料で形成され、各画素の赤サブ画素および緑サブ画素がその色に応じた特性の色変換層を有する第３装置が挙げられる。
【０００４】
ＲＧＢＷ発光装置としては、各サブ画素の発光層が白色の光を発するＥＬ材料で形成され、各画素において、赤サブ画素、緑サブ画素および青サブ画素の各々は、その色に応じた特性のカラーフィルタを有する第４装置が挙げられる。第４装置は、第２装置に白色画素を追加して得られるものであり、その各画素では、当該画素が白色を表す場合、その白サブ画素の発光層の発光が用いられる。
【特許文献１】特開２００１−５７２９０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
第１装置では、外光反射を防ぐために偏光板が必須となるため、発光の利用効率が低く抑えられてしまう。第２装置では、発光のカラーフィルタによる損失が大きいため、発光の利用効率が低く抑えられてしまう。第３装置では、不要光の遮断のためにカラーフィルタを用いる必要があり、色変換層およびカラーフィルタにおいて発光の損失が生じるため、発光の利用効率が低く抑えられてしまう。このように、第１〜第３装置では、発光の利用効率が低く抑えられてしまう。このため、第１〜第３装置には、十分に高い表示品質を得るために消費電力を高くせざるを得ない、という問題がある。
【０００６】
第４装置では、画素が白色を表す場合、その白サブ画素において発光をそのまま射出すればよいから、発光の利用効率が十分に高くなる。しかし、画素が赤色、緑色または青色を表す場合、第４装置における発光の利用効率は、第２装置と同様となる。ところで、赤色および青色は、緑色に比較して、人間に認識され難い。このため、通常、画素が赤色または青色を表す場合の消費電力は、画素が緑色を表す場合の消費電力よりも高くなる。したがって、消費電力を低減するためには、画素が赤色または青色を表す場合の発光の利用効率の向上が重要となる。しかし、上述のように、第４装置では、画素が赤色または青色を表す場合の発光の利用効率が、３０％や１０％といったように、低く抑えられてしまう。したがって、第４装置にも、十分に高い表示品質を得るために消費電力を高くせざるを得ない、という問題がある。
【０００７】
ここで、第４装置を変形して得られる第５装置を想定する。第５装置は、各サブ画素の発光層が当該サブ画素の色の光を発するＥＬ材料で形成されたものである。第５装置によれば、各サブ画素における発光の利用効率が十分に高くなるから、低消費電力を実現可能である。しかし、第５装置の製造工程では、四種類のＥＬ材料を塗り分ける必要がある。第１装置の製造工程（三種類のＥＬ材料の塗り分け）と比較すれば明らかであるが、第５装置の製造工程は複雑に過ぎる。
【０００８】
そこで、本発明は、製造工程を複雑にすることなく、低消費電力で十分に高い表示品質を得ることができる発光装置およびその製造方法ならびに電子機器を提供することを解決課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、画面を構成する複数の画素を有する発光装置において、前記複数の画素の各々は、前記画面を構成する四つのサブ画素を有し、前記複数の画素の各々の前記四つのサブ画素は、赤サブ画素、緑サブ画素、青サブ画素および白サブ画素であり、前記複数の画素の各々において、赤サブ画素は、赤色光を発する赤発光材料で形成されて前記画面に沿って広がっている発光層と、この発光層に重なって赤色光を透過させるカラーフィルタとを有し、緑サブ画素は、白色光を発する白発光材料で形成されて前記画面に沿って広がっている発光層と、この発光層に重なって緑色光を透過させるカラーフィルタとを有し、青サブ画素は、青色光を発する青発光材料で形成されて前記画面に沿って広がっている発光層と、この発光層に重なって青色光を透過させるカラーフィルタとを有し、白サブ画素は、前記白発光材料で形成されて前記画面に沿って広がっている発光層を有する、ことを特徴とする発光装置を提供する。各サブ画素は、一つの発光素子（例えば有機ＥＬ素子等のＥＬ素子）を含む。
この発光装置では、白サブ画素、赤サブ画素および青サブ画素の各々において、発光層の発光の利用効率が十分に高くなる。したがって、この発光装置によれば、低消費電力で十分に高い表示品質を得ることができる。また、この発光装置では、緑サブ画素の発光層と白サブ画素の発光層とが同種の材料で形成されており、その製造のために発光層について塗り分けるべき材料は三種類で足りる。したがって、この発光装置によれば、製造工程が複雑化しない。よって、この発光装置によれば、製造工程を複雑にすることなく、低消費電力で十分に高い表示品質を得ることができる。
【００１０】
上記の発光装置において、平板状の素子基板を有し、前記複数の画素の各々において、前記四つのサブ画素の各々の発光層は前記素子基板上に形成され、赤サブ画素、緑サブ画素および青サブ画素の各々の発光層はそのカラーフィルタと前記素子基板との間に挟まれ、前記四つのサブ画素の各々はその発光層と前記素子基板との間に光透過性の透過層を有し、前記複数の画素の各々の赤サブ画素、緑サブ画素および青サブ画素の各々は、その透過層と前記素子基板との間に光反射性の反射層を有する、ようにしてもよい。
この態様は、発光層の発光が素子基板の反対側から出射するトップエミッション型である。この態様によれば、光の干渉を考慮して透過層の厚みを適宜に設計することにより、赤サブ画素、緑サブ画素および青サブ画素のうち少なくとも一つにおいて、その輝度を上げることができる。また、この態様によれば、透過層の厚みを、赤サブ画素、緑サブ画素および青サブ画素で互いに相違するように、光の干渉を考慮して適宜に設計することにより、赤サブ画素、緑サブ画素および青サブ画素の各々において、その輝度を上げることができる。つまり、この態様によれば、光の干渉を考慮して透過層の厚みを適宜に設計することにより、消費電力の更なる低減および表示品質の更なる向上を達成することができる。
【００１１】
上記の発光装置において、平板状の素子基板を有し、前記複数の画素の各々について、前記四つのサブ画素の各々の発光層は前記素子基板上に形成され、赤サブ画素、緑サブ画素および青サブ画素の各々の発光層はそのカラーフィルタと前記素子基板との間に挟まれ、前記素子基板下に形成されて光を吸収する光吸収層を有する、ようにしてもよい。この態様は、発光層の発光が素子基板の反対側から出射するトップエミッション型である。この態様には、光吸収層が存在するため、光透過性の素子基板を用いてもコントラストが低下しない、という利点がある。
【００１２】
上記の発光装置において、平板状の素子基板を有し、前記複数の画素の各々について、前記四つのサブ画素の各々の発光層は前記素子基板上に形成され、赤サブ画素、緑サブ画素および青サブ画素の各々の発光層はそのカラーフィルタと前記素子基板との間に挟まれ、前記四つのサブ画素の各々はその発光層と前記素子基板との間に光透過性の透過層を有し、前記複数の画素の各々の白サブ画素は、その透過層と前記素子基板との間に光反射性の反射層を有し、前記複数の画素の各々の白サブ画素の透過層は、厚みが互いに異なる複数の部分を有する、ようにしてもよい。
この態様は、発光層の発光が素子基板の反対側から出射するトップエミッション型である。この態様では、白サブ画素の発光層と素子基板との間に反射層が存在する。したがって、光の干渉を考慮して、発光層と素子基板との間の透過層の厚みを適宜に設計すれば、白サブ画素の輝度を上げることができる。ただし、通常、白サブ画素において、その発光層の発光スペクトルは広帯域に広がるから、その発光層の発光のうち一つの波長の光だけが干渉によって強められると、白サブ画素が白色以外の色を表してしまう虞がある。つまり、白サブ画素の色純度が低下してしまう虞がある。これに対し、この態様によれば、白サブ画素において、透過層の複数の部分の厚みが互いに異なるため、複数の波長の光が干渉によって強められる。したがって、この態様によれば、白サブ画素の色純度の低下を抑制しつつ、白サブ画素の輝度を上げることができる。
【００１３】
この態様において、前記白発光材料の発光スペクトルには複数のピークがあり、前記複数の画素の各々において、白サブ画素の透過層の複数の部分の各々の厚みは、前記複数のピークのいずれか一つの波長の光が干渉によって強められる厚みである、ようにしてもよい。この態様によれば、より一層、白サブ画素の色純度の低下を抑制し、かつ、白サブ画素の輝度を上げることができる。
【００１４】
この態様において、前記複数の画素の各々において、白サブ画素の透過層の前記部分は三つであり、前記白発光材料の発光スペクトルの前記ピークは三つであり、前記白発光材料の発光スペクトルの前記三つのピークのうち、第１のピークの波長の光は赤色光であり、第２のピークの波長の光は緑色光であり、第３のピークの波長の光は青色光である、ようにしてもよい。この態様によれば、緑サブ画素における発光の利用効率がより一層高くなるという効果も得られる。
【００１５】
上記の発光装置において、平板状の素子基板を有し、前記複数の画素の各々について、前記四つのサブ画素の各々の発光層は前記素子基板上に形成され、赤サブ画素、緑サブ画素および青サブ画素の各々のカラーフィルタはその発光層と前記素子基板との間に挟まれ、赤サブ画素、緑サブ画素および青サブ画素の各々はその発光層とそのカラーフィルタとの間に光透過性かつ光反射性の半反射層を有する、ようにしてもよい。この態様は、発光層の発光が素子基板を透過して出射するボトムエミッション型である。この態様によれば、製造工程を複雑にすることなく、低消費電力で十分に高い表示品質を得ることができる。この態様において、複数の画素の各々の赤サブ画素、緑サブ画素および青サブ画素の各々において、その半反射層は、その電極として機能する、ようにしてもよい。
【００１６】
上記の発光装置または各態様において、前記複数の画素の各々において、緑サブ画素と白サブ画素とが隣り合って配置され、緑サブ画素の発光層は共通層の一部であり、白サブ画素の発光層は前記共通層の他の一部である、ようにしてもよい。この態様によれば、その製造工程において、各画素について、その緑サブ画素の発光層とその白サブ画素の発光層とを容易に一括形成することができる。
【００１７】
本発明は、上記の発光装置または各態様に係る発光装置を有する電子機器を提供する。この電子機器によれば、この電子機器が有する発光装置により得られる効果と同様の効果を得ることができる。
【００１８】
本発明は、画面を構成する複数の画素を有し、前記複数の画素の各々は、前記画面を構成する四つのサブ画素を有し、前記複数の画素の各々の前記四つのサブ画素は赤サブ画素、緑サブ画素、青サブ画素および白サブ画素であり、前記複数の画素の各々において、赤サブ画素は、赤色光を発する赤発光材料で形成されて前記画面に沿って広がっている発光層と、この発光層に重なって赤色光を透過させるカラーフィルタとを有し、緑サブ画素は、白色光を発する白発光材料で形成されて前記画面に沿って広がっている発光層と、この発光層に重なって緑色光を透過させるカラーフィルタとを有し、青サブ画素は、青色光を発する青発光材料で形成されて前記画面に沿って広がっている発光層と、この発光層に重なって青色光を透過させるカラーフィルタとを有し、白サブ画素は、前記白発光材料で形成されて前記画面に沿って広がっている発光層を有し、緑サブ画素と白サブ画素とが隣り合って配置される発光装置の製造方法であって、前記画面に沿って延在する素子基板上に、前記複数の画素の各々について、緑サブ画素の発光層と白サブ画素の発光層を前記白発光材料で一括して形成することを特徴とする製造方法を提供する。
この製造方法によって製造される発光装置では、白サブ画素、赤サブ画素および青サブ画素の各々において、発光層の発光の利用効率が十分に高くなる。また、この製造方法では、各画素について、その緑サブ画素の発光層とその白サブ画素の発光層とが一括して形成される。よって、この製造方法によれば、製造工程を複雑にすることなく、低消費電力で十分に高い表示品質を得ることができる発光装置を製造することができる。
【００１９】
本発明は、画面を構成する複数の画素を有し、前記複数の画素の各々は前記画面を構成する四つのサブ画素を有し、前記複数の画素の各々の前記四つのサブ画素は赤サブ画素、緑サブ画素、青サブ画素および白サブ画素であり、前記複数の画素の各々において、赤サブ画素は、赤色光を発する赤発光材料で形成されて前記画面に沿って広がっている発光層と、この発光層に重なって赤色光を透過させるカラーフィルタとを有し、緑サブ画素は、白色光を発する白発光材料で形成されて前記画面に沿って広がっている発光層と、この発光層に重なって緑色光を透過させるカラーフィルタとを有し、青サブ画素は、青色光を発する青発光材料で形成されて前記画面に沿って広がっている発光層と、この発光層に重なって青色光を透過させるカラーフィルタとを有し、白サブ画素は、前記白発光材料で形成されて前記画面に沿って広がっている発光層を有し、平板状の素子基板を有し、前記複数の画素の各々について、前記四つのサブ画素の各々の発光層は前記素子基板上に形成され、赤サブ画素、緑サブ画素および青サブ画素の各々の発光層はそのカラーフィルタと前記素子基板との間に挟まれ、前記四つのサブ画素の各々はその発光層と前記素子基板との間に光透過性の透過層を有し、前記複数の画素の各々の白サブ画素は、その透過層と前記素子基板との間に光反射性の反射層を有し、前記複数の画素の各々の白サブ画素の透過層は、厚みが互いに異なる複数の部分を有する発光装置の製造方法であって、前記複数の画素の各々において、白サブ画素の前記素子基板に平行な断面を覆うサブ透過層を光透過性の材料で形成する形成ステップと、前記形成ステップで形成されたサブ透過層の一部を除去する除去ステップとを繰り返し行う、ことを特徴とする製造方法を提供する。
この製造方法によって製造される発光装置では、白サブ画素、赤サブ画素および青サブ画素の各々において、発光層の発光の利用効率が十分に高くなる。さらに、この製造方法によれば、エッチングを採用可能であり、蒸着マスクでは形成困難な微細な構造、具体的には白サブ画素の透過層における厚みが互いに異なる複数の部分を形成することができる。つまり、この製造方法によって製造される発光装置では、白サブ画素の色純度の低下が抑制され、かつ、白サブ画素の輝度が上がる。以上より、この製造方法によれば、製造工程を複雑にすることなく、低消費電力で十分に高い表示品質を得ることができる発光装置を製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、添付の図面を参照しながら、本発明に係る実施の形態を説明する。これらの図面においては、各層や各部材の寸法の比率は、実際のものとは適宜に異なっている。
【００２１】
＜第１の実施の形態＞
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る発光装置１０の平面図である。発光装置１０は、長方形の画面Ｓを構成する複数の画素Ｐを有するフルカラー表示装置である。複数の画素Ｐは、画面Ｓに沿ってマトリクス状に配列されている。画素Ｐは、画面Ｓを構成する四つのサブ画素１を有する。これら四つのサブ画素１は、赤色光を射出して赤色を表す赤サブ画素１Ｒ、緑色光を射出して緑色を表す緑サブ画素１Ｇ、青色光を射出して青色を表す青サブ画素１Ｂおよび白色光を射出して白色を表す白サブ画素１Ｗであり、画面Ｓに沿ってストライプ状に配列されている。また、画素Ｐにおいて、緑サブ画素１Ｇと白サブ画素１Ｗは互いに隣り合って配置されており、両者間に他のサブ画素１は配置されていない。
【００２２】
図２は、発光装置１０を構成する画素Ｐの平面図であり、図３は、画素Ｐの断面図である。これらの図において、共通する要部には同一のハッチングを施してある。図３に示すように、発光装置１０は、素子基板１１を有する。素子基板１１は、複数の発光素子Ｅが形成される平板状の基板である。発光素子Ｅは、具体的には有機ＥＬ素子である。発光素子Ｅはサブ画素１と１対１で対応しており、各発光素子Ｅは対応するサブ画素１に含まれている。具体的には、赤サブ画素１Ｒには赤発光素子ＥＲが、緑サブ画素１Ｇには緑発光素子ＥＧが、青サブ画素１Ｂには青発光素子ＥＢが、白サブ画素１Ｗには白発光素子ＥＷが含まれている。
【００２３】
素子基板１１は、その上にＴＦＴ（Thin Film Transistor）等の能動素子を形成可能であり、例えばガラス、セラミックまたは金属で形成されている。素子基板１１上には、光を全反射する反射層１２が、サブ画素１毎に形成されている。反射層１２の形成材料は、例えば、銀であってもよいし、アルミニウムであってもよいし、銀またはアルミニウムの一方または両方を含む合金であってもよい。図示を略すが、素子基板１１および反射層１２上には、図示しないパシベーション層が形成されている。このパシベーション層は、その厚みが例えば２００ｎｍであり、例えば窒化珪素で形成されている。また、素子基板１１および反射層１２上（すなわちパシベーション層上）には、発光素子Ｅが、サブ画素１毎に形成されている。以下、具体的に述べる。
【００２４】
素子基板１１および反射層１２上（すなわちパシベーション層上）には、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の光透過性の透明電極（透過層）１３が、サブ画素１毎に、反射層１２を覆って形成されている。画素Ｐは四つの透明電極１３を有する。これら四つの透明電極１３は、赤透明電極１３Ｒ、緑透明電極１３Ｇ、青透明電極１３Ｂおよび白透明電極１３Ｗである。赤透明電極１３Ｒの厚みは例えば１３０ｎｍ、緑透明電極１３Ｇの厚みは例えば１１０ｎｍ、青透明電極１３Ｂの厚みは例えば８５ｎｍ、白透明電極１３Ｗの厚みは例えば７０ｎｍ以上１３０ｎｍ以下の範囲内の任意の長さである。なお、透明電極１３は発光素子Ｅの陽極として機能するが、本実施の形態を変形し、透明電極１３は発光素子Ｅの陰極として機能するようにしてもよい。
【００２５】
素子基板１１および透明電極１３上（すなわちパシベーション層および透明電極１３上）には、透明電極１３と協働して、全ての発光素子Ｅについて有機層領域を画定する隔壁１４が形成されている。画素Ｐにおける有機層領域の数は三つであり、これら三つの有機層領域のうち、赤発光素子ＥＲの有機層領域では、赤透明電極１３Ｒ上に赤正孔注入層１５Ｒが形成され、その上に赤発光層１６Ｒが形成され、その上に赤電子注入層（図示略）が形成されており、青発光素子ＥＢの有機層領域では、青透明電極１３Ｂ上に青正孔注入層１５Ｂが形成され、その上に青発光層１６Ｂが形成され、その上に青電子注入層（図示略）が形成されており、緑発光素子ＥＧと白発光素子ＥＷに共通の有機層領域では、素子基板１１、緑透明電極１３Ｇおよび白透明電極１３Ｗ上に白正孔注入層１５が形成され、その上に白発光層１６Ｗが形成され、その上に白電子注入層（図示略）が形成されている。
【００２６】
画素Ｐにおいて、白発光層１６Ｗは、緑サブ画素１Ｇおよび白サブ画素１Ｗに共通の共通層である。したがって、画素Ｐにおいて、共通層である白発光層１６Ｗの一部が緑サブ画素１Ｇの発光層となっており、共通層である白発光層１６Ｗの他の一部が白サブ画素１Ｗの発光層となっている。発光層１６は、画面Ｓ（素子基板１１）に沿って広がっており、その厚みは例えば３０ｎｍである。また、正孔注入層１５の厚みは例えば８０ｎｍであり、電子注入層の厚みは例えば２０ｎｍである。正孔注入層および正孔輸送層など、直接発光しない有機機能層については全画素共通で形成してもよい。
【００２７】
以上の説明から明らかなように、画素Ｐの四つのサブ画素１の各々は、その発光層と素子基板１１との間に光透過性の透過層（透明電極１３）を有し、画素Ｐの各サブ画素１は、その透過層（透明電極１３）と素子基板１１との間に反射層１２を有する。また、赤発光層１６Ｒは赤色光を発する有機ＥＬ材料（以降、「赤発光材料」）、青発光層１６Ｂは青色光を発する有機ＥＬ材料（以降、「青発光材料」）、白発光層１６Ｗは、白色光を発する有機ＥＬ材料（以降、「白発光材料」）で形成されている。白発光材料の発光スペクトルのピークは三つであり、これら三つのピークのうち、第１のピークの波長の光は赤色光であり、第２のピークの波長の光は緑色光であり、第３のピークの波長の光は青色光である。
【００２８】
電子注入層上には、全ての発光素子Ｅに共通する共通電極１７が形成されている。共通電極１７は、光透過性かつ光反射性の半反射層であり、その厚みが例えば１０ｎｍであり、例えばマグネシウム銀で形成されている。以上説明したことから明らかなように、素子基板１１上には、サブ画素１毎に、反射層１２および赤発光素子Ｅが形成されている。また、前述した透明電極１３の厚みは、各発光素子Ｅにおいて、直下の反射層１２と共通電極１７との光学的距離が、その発光層１６の発光のうち、そのサブ画素１が表す色の光が、光の干渉によって強まる距離となるように定められている。
【００２９】
素子基板１１および共通電極１７上には、全ての発光素子Ｅを覆うように封止層１８が形成されている。封止層１８は、発光素子Ｅを封止して保護するための層であり、光透過性の材料（例えば窒酸化珪素または酸化珪素）で形成されている。封止層１８上には、カラーフィルタ基板１９が張り合わせられている。カラーフィルタ基板１９は、平板状かつ光透過性の透明基板１９１と、サブ画素１と１対１で対応するカラーフィルタ１９２と、遮光性のブラックマトリクス１９３とを有する。
【００３０】
カラーフィルタ１９２は、透明基板１９１上に形成された層であり、基本的には、特定の色の光のみを透過させる。例えば、赤カラーフィルタ１９２Ｒは赤色光のみ、緑カラーフィルタ１９２Ｇは緑色光のみ、青カラーフィルタ１９２Ｂは青色光のみを透過させる。一方、白カラーフィルタ１９２Ｗは、あらゆる光を透過させる透光層であり、例えば光透過性樹脂で形成されている。ブラックマトリクス１９３は、透明基板１９１上に形成された層であり、カラーフィルタ１９２間の隙間を埋めるように配置されている。
【００３１】
封止層１８には、カラーフィルタ基板１９のカラーフィルタ１９２側の面が接触している。画素Ｐにおいて、赤カラーフィルタ１９２Ｒは赤発光層１６Ｒに、青カラーフィルタ１９２Ｂは青発光層１６Ｂに、緑カラーフィルタ１９２Ｇおよび白カラーフィルタ１９２Ｗはそれぞれ白発光層１６Ｗに重なっている。つまり、画素Ｐにおいて、各サブ画素１の発光層１６は、素子基板１１上に形成され、対応するカラーフィルタ１９２と素子基板１１との間に挟まれている。
【００３２】
つまり、画素Ｐにおいて、赤サブ画素１Ｒは、赤発光層１６Ｒと赤発光層１６Ｒに重なっている赤カラーフィルタ１９２Ｒとを有し、青サブ画素１Ｂは、青発光層１６Ｂと青発光層１６Ｂに重なっている青カラーフィルタ１９２Ｂを有し、緑サブ画素１Ｇは、白発光層１６Ｗの一部（緑発光素子ＥＧの発光層）と当該一部に重なっている緑カラーフィルタ１９２Ｇを有し、白サブ画素１Ｇは、白発光層１６Ｗの他の一部（白発光素子ＥＷの発光層）と当該他の一部に重なっている白カラーフィルタ１９２Ｗを有する。
【００３３】
以上の説明から明らかなように、発光装置１０は、トップエミッション型の有機ＥＬ装置である。したがって、発光層１６の発光は、素子基板１１の反対側、すなわちカラーフィルタ基板１９側から出射する。出射光の光路上にはカラーフィルタ１９２が存在するから、赤サブ画素１Ｒの出射光（Ｒ光）の色は赤となり、青サブ画素１Ｂの出射光（Ｂ光）の色は青となり、緑サブ画素１Ｇの出射光（Ｇ光）の色は緑となる。また、カラーフィルタ１９２Ｗは透光層であるから、白サブ画素１Ｗの出射光（Ｗ光）の色は白となる。
【００３４】
以上説明したように、発光装置１０は、複数の画素Ｐを有し、各画素Ｐは、四つのサブ画素１を有し、各画素Ｐのサブ画素１の各々は、赤サブ画素１Ｒ、緑サブ画素１Ｇ、青サブ画素１Ｂおよび白サブ画素１Ｗであり、各画素において、赤サブ画素１Ｒは、赤発光材料で形成された赤発光層１６Ｒと、赤発光層１６Ｒに重なっている赤カラーフィルタ１９２Ｒとを有し、緑サブ画素１Ｇは、白発光材料で形成された白発光層１６Ｗの一部と、発光層１６Ｗに重なっている緑カラーフィルタ１９２Ｇとを有し、青サブ画素１Ｂは、青発光材料で形成された青発光層１６Ｂと、青発光層１６Ｂに重なっている青カラーフィルタ１９２Ｂとを有し、白サブ画素１Ｗは、白発光層１６Ｗの他の一部を有する。したがって、発光装置１０によれば、白サブ画素１Ｗ、赤サブ画素１Ｒおよび青サブ画素１Ｂの各々において、発光層１６の発光の利用効率が十分に高くなるから、低消費電力で十分に高い表示品質を得ることができる。また、発光装置１０では、緑サブ画素１Ｇの発光層と白サブ画素１Ｗの発光層とが同種の材料（白発光材料）で形成されており、その製造のために発光層１６について塗り分けるべき材料は三種類（赤発光材料、青発光材料および白発光材料）で足りる。したがって、発光装置１０によれば、製造工程が複雑化しない。よって、発光装置１０によれば、製造工程を複雑にすることなく、低消費電力で十分に高い表示品質を得ることができる。
【００３５】
上述したように、発光装置１０は、トップエミッション型の有機ＥＬ装置であり、素子基板１１を有し、各画素Ｐにおいて、各サブ画素１の発光層は、素子基板１１上に形成され、そのカラーフィルタ１９２と素子基板１１との間に挟まれ、各サブ画素１はその発光層と素子基板１１との間に光透過性の透過層（透明電極１３）を有し、各サブ画素１は、その透過層と素子基板１１との間に反射層１２を有する。また、上述したように、発光装置１０では、各発光素子Ｅにおいて、直下の反射層１２と共通電極１７との光学的距離が、その発光層１６の発光のうち、そのサブ画素１が表す色の光が、光の干渉によって強まる距離となっている。よって、発光装置１０によれば、各サブ画素１において、その輝度を上げることができる。
【００３６】
図４は、発光装置１０の赤サブ画素１Ｒおよび青サブ画素１Ｂにおける発光の利用効率を示すグラフである。このグラフには、赤サブ画素１Ｒおよび青サブ画素１Ｂの各々について、その発光層１６の発光スペクトルと、そのカラーフィルタ１９２の透過特性と、その出射光（Ｒ光またはＢ光）のスペクトルが示されている。このグラフから、赤サブ画素１Ｒおよび青サブ画素１Ｂにおいて、発光の利用効率が６０〜８０％程度となること、すなわち十分に高い利用効率となることが分かる。赤色および青色は、緑色に比較して、人間に認識され難い色であるから、赤色および青色について発光の利用効率が十分に高いことは、消費電力の低減に直結する。
【００３７】
図５は、発光装置１０の緑サブ画素１Ｇにおける発光の利用効率を示すグラフである。このグラフには、緑サブ画素１Ｇについて、その発光層の発光スペクトルと、その緑カラーフィルタ１９２Ｇの透過特性と、その出射光（Ｇ光）のスペクトルが示されている。このグラフから、緑サブ画素１Ｇにおいて、発光の利用効率が５０％程度となること、すなわち十分に高い利用効率となることが分かる。これには、緑サブ画素１Ｇの発光層を形成している白発光材料の発光スペクトルが緑色光の波長にピークを有することも寄与している。
【００３８】
次に、発光装置１０の製造方法について説明する。
まず、図６に示すように、素子基板１１上に、反射層１２を、サブ画素１毎に形成し、素子基板１１および反射層１２上にパシベーション層（図示略）を形成し、その上に、透明電極１３を、サブ画素１毎に、反射層１２を覆うように形成し、パシベーション層（図示略）および透明電極１３上に隔壁１４を形成して全ての発光素子Ｅについて有機層領域を形成し、各有機層領域内に正孔注入層１５を蒸着または塗布により形成する。必要に応じて正孔輸送層を正孔注入層の上に形成する。
【００３９】
透明電極１３を形成する工程では、形成する透明電極１３の厚みを、サブ画素１の種類に応じた厚みとする必要がある。このような厚みの制御は、例えばマスクを用いた蒸着を繰り返すことにより実現可能である。また、正孔注入層１５を形成する工程では、三種類の材料が塗り分けられ、赤発光素子ＥＲの有機層領域には赤正孔注入層１５Ｒ、青発光素子ＥＢの有機層領域には青正孔注入層１５Ｂ、緑発光素子ＥＲと白発光素子ＥＷに共通の有機層領域には白正孔注入層１５Ｗが形成される。通常の場合、正孔注入層は共通でよい場合が多いため、全発光画素共通で製膜してもよい。
【００４０】
次に、図７に示すように、各画素Ｐについて、赤発光素子ＥＲの有機層領域内に赤発光材料を蒸着または塗布して赤発光層１６Ｒを形成する。次に、図８に示すように、各画素Ｐについて、青発光素子ＥＢの有機層領域内に青発光材料を蒸着または塗布して青発光層１６Ｂを形成する。次に、図９に示すように、各画素Ｐについて、緑発光素子ＥＧと白発光素子ＥＷに共通の有機層領域内に白発光材料を蒸着または塗布して白発光層１６Ｗを形成する。つまり、発光層１６を形成する工程では、三種類の材料が塗り分けられ、白発光層１６Ｗを形成する工程では、各画素Ｐについて、緑サブ画素１Ｇの発光層および白サブ画素１Ｗの発光層が白発光材料で一括して形成される。
【００４１】
次に、図１０に示すように、各有機層領域内に電子注入層（図示略）を蒸着または塗布により形成し、形成した電子注入層および隔壁１４上に共通電極１７を形成し、共通電極１７および素子基板１１上に封止層１８を形成し、その上にカラーフィルタ基板１９を張り合わせる。こうして、図３に示す発光装置１０が完成する。以上の説明からも、製造工程が複雑化しないことが分かる。
【００４２】
＜第２の実施の形態＞
図１１は、本発明の第２の実施の形態に係る発光装置の画素Ｐ２の断面図である。画素Ｐ２は発光装置１０における画素Ｐに相当する。この図に示す発光装置が発光装置１０と異なる点は、白サブ画素１Ｗに代えて白サブ画素２Ｗを有する点と、素子基板１１の下に光を吸収する光吸収層２４が形成されている点と、素子基板１１の形成材料が光透過性の材料（例えば、ガラス）に限られる点である。白サブ画素２Ｗが白サブ画素１Ｗと異なる点は、反射層１２を備えていない点と、白透明電極１３Ｗに代えて白透明電極２３Ｗを備えている点である。白透明電極２３Ｗが白透明電極１３Ｗと異なる点は、反射層１２の不在に起因する形状の相違のみである。なお、白透明電極２３Ｗは、遮光性の材料で形成されてもよい。
【００４３】
この発光装置では、白サブ画素２Ｗが反射層１２を備えていないから、白サブ画素２Ｗの発光層の発光のうち特定の波長の光が干渉により強められて色味が変わってしまう事態が生じ難い。したがって、この発光装置によれば、白サブ画素２Ｗが表す色の純度を低下させずに済む。また、この発光装置によれば、不要な光が光吸収層２４で吸収されるから、光透過性の素子基板１１を用いているにも関わらず、白サブ画素２Ｗのコントラストを低下させずに済む。なお、第２の実施の形態において、発光スペクトルにおけるピークの数が１または０の白発光材料を用いてもよい。
【００４４】
＜第３の実施の形態＞
図１２は、本発明の第３の実施の形態に係る発光装置の画素Ｐ３の断面図であり、図１３は、画素Ｐ３の平面図である。画素Ｐ３は発光装置１０における画素Ｐに相当する。この図に示す発光装置が発光装置１０と異なる点は、赤サブ画素１Ｒ、青サブ画素１Ｂ、緑サブ画素１Ｇおよび白サブ画素１Ｗに代えて、赤サブ画素３Ｒ、青サブ画素３Ｂ、緑サブ画素３Ｇおよび白サブ画素３Ｗを有する点である。
【００４５】
緑サブ画素３Ｇおよび白サブ画素３Ｗが、緑サブ画素１Ｇおよび白サブ画素１Ｗと大きく異なる点は、白サブ画素３Ｗが白透明電極１３Ｗに代えて白透明電極３３（透過層）Ｗを有する点である。白透明電極３３Ｗが白透明電極１３Ｗと異なる点は、厚みが互いに異なる部分３３１Ｗ、部分３３２Ｗおよび部分３３３Ｗを有する点である。部分３３１Ｗ、部分３３２Ｗおよび部分３３３Ｗの厚みは、それぞれ、白発光材料の発光スペクトルの三つのピークのうちいずれか一つの波長の光が干渉によって強められる厚みである。具体的には、部分３３１Ｗの厚みは赤色光、部分３３２Ｗの厚みは緑色光、部分３３３Ｗの厚みは青色光が干渉によって強められる厚みである。
【００４６】
白透明電極３３Ｗの形状が白透明電極１３Ｗの形状と異なることに起因して、本実施の形態では、白正孔注入層、白発光層、電子注入層（図示略）、共通電極および封止層の形状が、第1の実施の形態における形状と異なっている。これが、赤サブ画素１Ｒ、青サブ画素１Ｂおよび緑サブ画素１Ｇに代えて赤サブ画素３Ｒ、青サブ画素３Ｂおよび緑サブ画素３Ｇを有していることの理由である。
【００４７】
この発光装置では、白サブ画素３Ｗにおいて、白サブ画素３Ｗの発光層の発光のうち特定の波長の光が干渉により強められる。したがって、この発光装置によれば、白サブ画素３Ｗの輝度を上げることができる。また、白サブ画素３Ｗでは、その発光層の発光スペクトルの三つのピーク波長のうち全部のピーク波長の光（赤色光、緑色光および青色光）が光の干渉によって強められるから、特定の波長の光が干渉により強められて色味が変わってしまう事態が生じ難い。したがって、この発光装置によれば、白サブ画素３Ｗが表す色の純度を低下させずに済む。
【００４８】
次に、この発光装置の製造方法について説明する。
まず、図１４に示すように、素子基板１１上に、反射層１２を、サブ画素３毎に形成し、素子基板１１および反射層１２上にパシベーション層（図示略）を形成する。次に、図１５〜図１７に示すように、パシベーション層（図示略）上に、透明電極３３を、サブ画素３毎に、反射層１２を覆うように形成する。
【００４９】
透明電極３３の形成工程は次の通りである。
まず、図１５に示すように、透明電極３３の形成材料（透明材料）で、パシベーション層（図示略）上に、サブ透過層Ａ１およびサブ透過層Ａ２を一括して形成する。具体的には、まず、全ての反射層１２を覆うように厚みがＡのサブ透過層を形成し（形成ステップ）、次に、このサブ透過層の不要な部分をエッチングによって除去する（除去ステップ）。残った部分が、サブ透過層Ａ１およびサブ透過層Ａ２となる。サブ透過層Ａ１は赤サブ画素３Ｒの反射層１２を、サブ透過層Ａ２は白サブ画素３Ｗの反射層１２の一部（白サブ画素３Ｗの素子基板１１に平行な断面）を覆っている。
【００５０】
その上に、図１６に示すように、透明電極３３の形成材料で、サブ透過層Ｂ１〜Ｂ３を一括して形成する。具体的には、まず、全ての反射層１２を覆うように厚みがＢのサブ透過層を形成し、次に、このサブ透過層の不要な部分をエッチングによって除去する。残った部分が、サブ透過層Ｂ１〜Ｂ３となる。サブ透過層Ｂ１は赤サブ画素３Ｒの反射層１２を、サブ透過層Ｂ２は白サブ画素３Ｗの反射層１２の一部（白サブ画素３Ｗの素子基板１１に平行な断面）を、サブ透過層Ｂ３は緑サブ画素３Ｇの反射層１２を覆っている。
【００５１】
その上に、図１７に示すように、透明電極３３の形成材料で、サブ透過層Ｃ１〜Ｃ４を一括して形成する。具体的には、まず、全ての反射層１２を覆うように厚みがＣのサブ透過層を形成し、次に、このサブ透過層の不要な部分をエッチングによって除去する。残った部分が、サブ透過層Ｃ１〜Ｃ４となる。サブ透過層Ｃ１は赤サブ画素３Ｒの反射層１２を、サブ透過層Ｃ２は白サブ画素３Ｗの反射層１２の一部（白サブ画素３Ｗの素子基板１１に平行な断面）を、サブ透過層Ｃ３は緑サブ画素３Ｇの反射層１２を、サブ透過層Ｃ４は青サブ画素３Ｂの反射層１２を覆っている。
【００５２】
こうして、全ての透明電極３３が形成される。
以上の説明から明らかなように、赤透明電極３３Ｒの厚みはＡ＋Ｂ＋Ｃ、緑透明電極３３Ｇの厚みはＢ＋Ｃ、青透明電極３３Ｂの厚みはＣとなる。また、白透明電極３３Ｗにおいて、部分３３１Ｗの厚みはＡ＋Ｂ＋Ｃ、部分３３２Ｗの厚みはＢ＋Ｃ、部分３３３Ｗの厚みはＣとなる。したがって、サブ透過層の形成工程において、Ａ、ＢおよびＣは、赤透明電極３３Ｒの理想的な厚みをＸ、緑透明電極３３Ｇの理想的な厚みをＹ、青透明電極３３Ｂの理想的な厚みをＺとしたとき、Ａ＝Ｘ−Ｙ、Ｂ＝Ｙ−Ｚ、Ｃ＝Ｚ−０＝Ｚとなるように定められる。つまり、ｎ番目に形成されるサブ透過層の厚みは、ｎ番目に厚い透明電極３３の厚みとｎ＋１番目に厚い透明電極３３の厚みとの差分に一致する。ただし、存在しないサブ透過層の厚みは０として扱われる。
【００５３】
本実施の形態に係る発光装置の製造方法では、白サブ画素３Ｗの素子基板１１に平行な断面を覆うサブ透過層を光透過性の材料で形成する形成ステップと、この形成ステップで形成されたサブ透過層の一部を除去する除去ステップとが繰り返し行われる。したがって、この発光装置によれば、蒸着マスクでは形成困難な微細な構造、具体的には白サブ画素３Ｗの白透明電極３３Ｗにおける厚みが互いに異なる複数の部分３３１Ｗ、３３２Ｗおよび３３３Ｗを形成することができる。
【００５４】
＜第４の実施の形態＞
図１８は、本発明の第４の実施の形態に係る発光装置の画素Ｐ４の断面図である。画素Ｐ４は発光装置１０における画素Ｐに相当する。この図に示す発光装置が発光装置１０と異なる点は、赤サブ画素１Ｒ、青サブ画素１Ｂ、緑サブ画素１Ｇおよび白サブ画素１Ｗに代えて、赤サブ画素４Ｒ、青サブ画素４Ｂ、緑サブ画素４Ｇおよび白サブ画素４Ｗを有する点である。
【００５５】
緑サブ画素４Ｇおよび白サブ画素４Ｗが、緑サブ画素１Ｇおよび白サブ画素１Ｗと大きく異なる点は、白サブ画素４Ｗが白透明電極１３Ｗに代えて白透明電極４３（透過層）Ｗを有する点と、白発光層１６Ｗに代えて白発光層４６Ｗを有する点である。白透明電極４３Ｗが白透明電極１３Ｗと異なる点は、厚みが互いに異なる部分４３１Ｗおよび部分４３２Ｗを有する点である。
【００５６】
白発光層４６Ｗが白発光層１６Ｗと大きく異なる点は、その形成材料である。白発光層１６Ｗの形成材料の発光スペクトルにおけるピークの数は３であるのに対し、白発光層４６Ｗの形成材料（白発光材料）の発光スペクトルのピークの数は２である。これら二つのピークのうち、第１のピークの波長の光はオレンジ色光であり、第２のピークの波長の光はスカイブルー色光である。
【００５７】
一方、部分４３１Ｗ部分４３２Ｗの厚みは、それぞれ、白発光材料の発光スペクトルの二つのピークのうちいずれか一つの波長の光が干渉によって強められる厚みとなっている。具体的には、部分４３１Ｗの厚みはオレンジ色光、部分４３２Ｗの厚みはスカイブルー色光が干渉によって強められる厚みとなっている。
【００５８】
白透明電極４３Ｗの形状が白透明電極１３Ｗの形状と異なることに起因して、本実施の形態では、白正孔注入層、白発光層、電子注入層（図示略）、共通電極および封止層の形状が、第1の実施の形態における形状と異なっている。これが、赤サブ画素１Ｒおよび青サブ画素１Ｂに代えて赤サブ画素４Ｒおよび青サブ画素４Ｂを有していることの理由である。
【００５９】
この発光装置によれば、白サブ画素４Ｗの輝度を上げることができる。また、この発光装置によれば、白サブ画素４Ｗが表す色の純度を低下させずに済む。
第３の実施の形態および第４の実施の形態から明らかなように、本発明では、発光スペクトルにおいて複数のピークを有する任意の白発光材料を用いることができる。白透明電極において厚みが互いに異なる部分の数は、用いる白発光材料の発光スペクトルにおけるピークの数と同数であることが好ましい。したがって、ピークの数が多い場合には、究極的には、図１９に模式的に示す画素Ｐ５のように、白透明電極の形状はテーパ状に近づく。なお、図１９の画素Ｐ５、赤サブ画素５Ｒ、青サブ画素５Ｂ、緑サブ画素５Ｇ、白サブ画素５Ｗ、白透明電極５３Ｗ、白正孔注入層５５Ｗ、白発光層５６、共通電極５７および封止層５８は、それぞれ、図１８の画素Ｐ４、赤サブ画素４Ｒ、青サブ画素４Ｂ、緑サブ画素４Ｇ、白サブ画素４Ｗ、白透明電極４３Ｗ、白正孔注入層４５Ｗ、白発光層４６、共通電極４７および封止層４８に相当する。
【００６０】
＜第５の実施の形態＞
図２０は、本発明の第５の実施の形態に係る発光装置の画素Ｐ６の断面図である。画素Ｐ６は、図１２の画素Ｐ３に相当する。画素Ｐ６が画素Ｐ３と異なる点は、赤サブ画素３Ｒ、青サブ画素３Ｂ、緑サブ画素３Ｇおよび白サブ画素３Ｗに代えて、赤サブ画素６Ｒ、青サブ画素６Ｂ、緑サブ画素６Ｇおよび白サブ画素６Ｗを有する点である。
【００６１】
白サブ画素６Ｗが白サブ画素３Ｗと大きく異なる点は、白透明電極３３Ｗに代えて白透明電極（透過層）６３Ｗを有する点である。白透明電極６３Ｗは、部分３３２Ｗと等厚の部分６３１Ｗ、部分３３１Ｗと等厚の部分６３２Ｗ、および部分３３３Ｗと等厚の部分６３３Ｗを有する。白透明電極３３Ｗでは、最も厚い部分３３１Ｗと最も薄い部分３３３Ｗとの間に部分３３２Ｗが挟まれているのに対し、白透明電極６３Ｗでは、最も厚い部分６３２Ｗが、他の二つの部分６３１Ｗと６３３Ｗの間に挟まれている。
【００６２】
白透明電極６３Ｗの形状が白透明電極３３Ｗの形状と異なることに起因して、本実施の形態では、白正孔注入層、白発光層、電子注入層（図示略）、共通電極および封止層の形状が、第３の実施の形態における形状と異なっている。これが、赤サブ画素３Ｒ、青サブ画素３Ｂおよび緑サブ画素３Ｇに代えて赤サブ画素６Ｒ、青サブ画素６Ｂおよび緑サブ画素６Ｇを有していることの理由である。
【００６３】
この発光装置でも、第３の実施の形態と同様の効果が得られる。このことから明らかなように、本発明では、白透明電極の断面形状は図示の形状に限られない。例えば、互いに厚みが異なる部分が三つの場合には、最も薄い部分が他の二つの部分に挟まれた形状であってもよいし、三つの部分が図２０の紙面垂直方向に並んだ形状であってもよい。
【００６４】
＜第６の実施の形態＞
図２１は、本発明の第６の実施の形態に係る発光装置の画素Ｐ７の断面図である。この発光装置はボトムエミッション型の発光装置である。したがって、素子基板１１の形成材料は、光透過性の材料（例えば、ガラス）に限られている。また、この発光装置は、ボトムエミション型であるから、反射層１２およびカラーフィルタ基板１９を持たない代わりに、素子基板１１と透明電極１３との間にカラーフィルタ１９２およびブラックマトリクス１９３を有する。
【００６５】
つまり、各画素Ｐ７について、各サブ画素７の発光層は素子基板１１上に形成され、赤サブ画素７Ｒ、緑サブ画素７Ｇおよび青サブ画素７Ｂの各々のカラーフィルタは、その発光層と素子基板１１との間に挟まれている。なお、素子基板１１上にＴＦＴ（Thin Film Transistor）等の能動素子を有する形態を採る場合、これらの能動素子は、その姿が隠れるように、ブラックマトリクス１９３上に形成されるべきこととなる。
【００６６】
画素Ｐ７は、図１１の画素Ｐ２に相当する。画素Ｐ７が画素Ｐ２と異なる点は、赤サブ画素２Ｒ、青サブ画素２Ｂ、緑サブ画素２Ｇおよび白サブ画素２Ｗに代えて、赤サブ画素７Ｒ、青サブ画素７Ｂ、緑サブ画素７Ｇおよび白サブ画素７Ｗを有する点である。以降、各サブ画素７が各サブ画素２と異なる点について説明する。ただし、カラーフィルタ１９２およびブラックマトリクス１９３に関する点については、説明を省略する。
【００６７】
白サブ画素７Ｗおよび緑サブ画素７Ｇが白サブ画素２Ｗおよび緑サブ画素１Ｇと異なる点は、緑透明電極１３Ｇ、白正孔注入層１５Ｗ、白発光層１６Ｗ、共通電極１７および封止層１８に代えて、これらと形状の異なる、緑透明電極７３Ｇ、白正孔注入層７５Ｗ、白発光層７６Ｗ、共通電極７７および封止層７８を有する点である。本実施の形態では、共通電極７７および封止層７８は、共通電極１７および封止層１８と同様に透明な材料で形成されているが、これを変形し、共通電極７７および封止層７８が遮光性の材料で形成された形態としてもよい。
【００６８】
赤サブ画素７Ｒが赤サブ画素１Ｒと異なる点は、赤透明電極１３Ｒ、共通電極１７および封止層１８に代えて、これらと形状の異なる、赤透明電極７３Ｒ、共通電極７７および封止層７８を有する点である。青サブ画素７Ｂが青サブ画素１Ｂと異なる点は、青透明電極１３Ｂ、共通電極１７および封止層１８に代えて、これらと形状の異なる、青透明電極７３Ｂ、共通電極７７および封止層７８を有する点である。
【００６９】
このように、本発明は、ボトムエミッション型の発光装置にも適用可能である。さらに、この発光装置を変形し、第１〜第５の各形態で得られる効果と同様の効果を得ることができるようにしてもよい。例えば、共通電極７７を光反射性の材料で形成し、光の干渉によって出射光を強めるようにしてもよいし、さらに、カラーフィルタ１９２およびブラックマトリクス１９３上に例えば窒化珪素でパシベーション層を形成し、このパシベーション層上に、銀またはアルミニウムなどの反射率の高い材料で５〜１５ｎｍ程度の薄膜層を形成して光透過性かつ光反射性の半反射層（ハーフミラー）とし、その上に透明電極を形成するようにしてもよい。この場合、半反射層と反射層（共通電極）との間の光学的距離は、透明電極の厚み、または透明電極の厚み及び有機層の厚みを適宜に定めることにより調節可能である。また例えば、透明電極を金や銀の薄膜で形成して半反射層として機能させるようにしてもよい。この場合、半反射層と反射層との間の光学的距離は、透明電極の厚み、または透明電極の厚み及び有機層の厚みを適宜に定めることにより調節可能である。つまり、赤サブ画素、緑サブ画素および青サブ画素の各々がその発光層とそのカラーフィルタとの間に半反射層を有する、ようにしてもよい。なお、この場合、補助陽極としてＩＴＯを用いてもよい。また例えば、半反射層を白サブ画素に設け、透明電極が、互いに厚みが異なる複数の部分を有するようにしてもよい。
【００７０】
＜他の変形＞
以下に列記するように、上述した各実施の形態を変形してもよい。これらの変形例もまた、本発明の範囲に含まれる。
例えば、反射層と半反射層との間に透明電極と窒化珪素や窒酸化珪素等の透明材料で形成されたパシベーション層が存在する場合には、反射層と半反射層との間の光学的距離を、透明電極の厚み及びパシベーション層の厚みで調節するようにしてもよい。
【００７１】
また例えば、図２２に示すように、カラーフィルタ１９２Ｗに代えて素通し窓ＴＷを設けてもよい。素通し窓ＴＷの実体は透明な気体（例えば空気）である。つまり、上述した各実施の形態ではカラーフィルタ１９２Ｗに占められている領域に透明な気体を充填した形態としてもよい。
【００７２】
また例えば、図２３（Ａ）に示すように、全てのサブ画素をストライプ状に配列し、かつ、緑サブ画素と白サブ画素との間に他のサブ画素（図では青サブ画素）が存在するようにしてもよい。この場合、緑サブ画素の発光層と白サブ画素の発光層は互いに別体となるが、両発光層は同一の材料（白発光材料）で形成されるから、発光装置の製造工程は、複雑化しない。また例えば、図２３（Ｂ）に示すように、全てのサブ画素をマトリクス状に配列し、かつ、緑サブ画素と白サブ画素とが隣接するようにしてもよい。また例えば、図２３（Ｃ）に示すように、図２３（Ｂ）の配列パターンを崩した配列パターンで全てのサブ画素を配列してもよい。この配列パターンでは、奇数行のサブ画素の位置と偶数行のサブ画素の位置とが列方向において揃っていない。図２３（Ｂ）および図２３（Ｃ）の配列パターンを変形し、緑サブ画素と白サブ画素とが隣接しないようにしてもよい。なお、図２３（Ａ）〜図２３（Ｃ）において、Ｒは赤サブ画素を、Ｇは緑サブ画素を、Ｂは青サブ画素を、Ｗは白サブ画素を示す。
【００７３】
また例えば、有機ＥＬ素子の一対の電極のうち、素子基板に近い電極を陰極、素子基板から遠い電極を陽極としてもよい。
また例えば、発光素子として有機ＥＬ素子以外のＥＬ素子（すなわち無機ＥＬ素子）を採用してもよい。
【００７４】
＜応用＞
上述した各種の発光装置は、様々な電子機器に応用可能である。発光装置１０を表示装置として備える電子機器を、図２４〜図２６に例示する。
図２４は、発光装置１０を表示装置として採用したモバイル型のパーソナルコンピュータの構成を示す図である。パーソナルコンピュータ２０００は、表示装置２００３（発光装置１０）と本体部２０１０とを備える。本体部２０１０には、電源スイッチ２００１およびキーボード２００２が設けられている。
【００７５】
図２５は、発光装置１０を表示装置として採用した携帯電話機の構成を示す図である。携帯電話機３０００は、複数の操作ボタン３００１およびスクロールボタン３００２、ならびに表示装置３００３（発光装置１０）を備える。スクロールボタン３００２を操作することによって、発光装置１０に表示される画面がスクロールされる。
【００７６】
図２６は、発光装置１０を表示装置として採用した携帯情報端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistant）の構成を示す図である。情報携帯端末４０００は、複数の操作ボタン４００１および電源スイッチ４００２、ならびに表示装置４００３（発光装置１０）を備える。電源スイッチ４００２を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報が発光装置１０に表示される。
【００７７】
なお、上述した各種の発光装置が応用される電子機器としては、図２４〜図２６に示したもののほか、デジタルスチルカメラ、テレビ、ビデオカメラ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電子ペーパー、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、プリンタ、複写機、ビデオプレーヤ、タッチパネルを備えた機器などが挙げられる。
【図面の簡単な説明】
【００７８】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る発光装置１０の平面図である。
【図２】発光装置１０を構成する画素Ｐの平面図である。
【図３】画素Ｐの断面図である。
【図４】発光装置１０の赤サブ画素１Ｒおよび青サブ画素１Ｂにおける発光の利用効率を示すグラフである。
【図５】発光装置１０の緑サブ画素１Ｇにおける発光の利用効率を示すグラフである。
【図６】発光装置１０の最初の製造工程を示す断面図である。
【図７】図６の次の製造工程を示す断面図である。
【図８】図７の次の製造工程を示す断面図である。
【図９】図８の次の製造工程を示す断面図である。
【図１０】図９の次の製造工程を示す断面図である。
【図１１】本発明の第２の実施の形態に係る発光装置の画素Ｐ２の断面図である。
【図１２】本発明の第３の実施の形態に係る発光装置の画素Ｐ３の断面図である。
【図１３】画素Ｐ３の平面図である。
【図１４】本発明の第３の実施の形態に係る発光装置の最初の製造工程を示す断面図である。
【図１５】図１４の次の製造工程を示す断面図である。
【図１６】図１５の次の製造工程を示す断面図である。
【図１７】図１６の次の製造工程を示す断面図である。
【図１８】本発明の第４の実施の形態に係る発光装置の画素Ｐ４の断面図である。
【図１９】画素Ｐ４の変形例に係る画素Ｐ５を模式的に示す図である。
【図２０】本発明の第５の実施の形態に係る発光装置の画素Ｐ６の断面図である。
【図２１】本発明の第６の実施の形態に係る発光装置の画素Ｐ７の断面図である。
【図２２】本発明の各実施の形態の変形例の一例を説明するための図である。
【図２３】本発明の各実施の形態の変形例の他の例を説明するための図である。
【図２４】発光装置１０を表示装置として採用したモバイル型のパーソナルコンピュータの構成を示す図である。
【図２５】発光装置１０を表示装置として採用した携帯電話機の構成を示す図である。
【図２６】発光装置１０を表示装置として採用した携帯情報端末の構成を示す図である。
【符号の説明】
【００７９】
１〜７…サブ画素、１Ｒ〜７Ｒ…赤サブ画素、１Ｇ〜７Ｇ…緑サブ画素、１Ｂ〜７Ｂ…青サブ画素、１Ｗ〜７Ｗ…白サブ画素、１０…発光装置、１１…素子基板、１２…反射層、１３、２３、３３、４３、５３、６３…透明電極、１３Ｒ，７３Ｒ…赤透明電極、１３Ｇ，７３Ｇ…緑透明電極、１３Ｂ，７３Ｂ…青透明電極、１３Ｗ，２３Ｗ，３３Ｗ，４３Ｗ，５３Ｗ，６３Ｗ…白透明電極、１６…発光層、１６Ｒ…赤発光層、１６Ｇ…緑発光層、１６Ｂ…青発光層、１６Ｗ…白発光層、１９２…カラーフィルタ、１９２Ｒ…赤カラーフィルタ、１９２Ｇ…緑カラーフィルタ、１９２Ｂ…青カラーフィルタ、１９２Ｗ…白カラーフィルタ、２４…光吸収層、３３１Ｗ，３３２Ｗ，３３３Ｗ，４３１Ｗ，４３２Ｗ…部分、Ｅ…発光素子、ＥＲ…赤発光素子、ＥＧ…緑発光素子、ＥＢ…青発光素子、ＥＷ…白発光素子、Ｐ，Ｐ２〜Ｐ７…画素、ＴＷ…素通し窓。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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