(57)【要約】      （修正有）【課題】簡単な光学部材を用いて簡単にレーザーによりテーパーレスのスルーホールを加工することができるスルーホール加工方法、スルーホール加工システム、およびそこで用いられるマスクを提供する。【解決手段】パルスレーザービームにより被加工物にスルーホールを加工する方法であって、マスク１１を通して、パルスレーザービーム５のレーザフルーエンスのプロファイルをガウス分布都市、そのガウス分布における最大フルーエンスの１／（ｅ１／２）のレーザフルーエンスが被加工物のアブレーション閾値未満となるようにして被加工物７に照射してスルーホールを加工する。【選択図】図３
2008055466.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パルスレーザービームにより被加工物にスルーホールを加工する方法であって、
前記パルスレーザービームが前記被加工物に照射される際、レーザーフルーエンスのプロファイルがガウス分布に合うものとして、そのガウス分布における最大フルーエンスの１／（ｅ１/２）のレーザーフルエンスが前記被加工物のアブレーション閾値未満となるようにして、前記パルスレーザービームを前記被加工物に照射してスルーホールを加工することを特徴とする、スルーホール加工方法。
【請求項２】
前記パルスレーザービームを前記被加工物に、マスクを通して照射し、該マスクの非開口部を通るレーザのフルーエンスを最大フルーエンスの１／（ｅ１/２）以下とすることを特徴とする、請求項１に記載のスルーホール加工方法。
【請求項３】
パルスレーザービームにより被加工物にスルーホールを加工するシステムであって、
前記パルスレーザーを発振するレーザー発振機と、
前記被加工物を固定する被加工物固定部と、
前記被加工物固定部と前記レーザー発振機との間に配置され、前記スルーホールに対応する開口をもつマスクとを備えることを特徴とする、スルーホール加工システム。
【請求項４】
パルスレーザービームにより被加工物にスルーホールを加工する際に用いられるマスクであって、
前記スルーホールの形状に合った開口が設けられたことを特徴とする、マスク。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パルスレーザーによってスルーホールを加工するスルーホール加工方法、スルーホール加工システム、ならびにそこで用いられるマスクに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、高密度多層配線基板などの配線基板には、ドリル等を用いて機械加工によりスルーホールが加工されてきた。しかし、配線基板の高密度化が進み、スルーホール径が微小化し、またスルーホールピッチ間隔も小さくなったため、機械加工では対応が容易ではなくなった。これらの問題の解決と、さらに能率向上を目指して、レーザービームを用いたレーザー加工が用いられる趨勢にある。しかし、パルスレーザーによるスルーホールは、スルーホールにテーパー形状が生じ、めっき不具合などの問題を生じる。このような問題を解消するため、パルスレーザーによる高精度のスルーホール形成技術の開発が望まれている。
【０００３】
上記の要求に応えるべく、精度を高めたレーザー加工方法の提案がなされてきた。たとえば、レーザーによるスルーホール加工に際し、可動式ミラーであるガルバノミラーにより、レーザーショットごとに被加工物に対するレーザー入射角度を変化させる方法が提案されている（特許文献１）。この方法によれば、穴の上部（レーザー入り側）と底部（レーザー出側）の径が揃ったスルーホールを得ることができる。また、光強度分布調整部材や反射鏡を用いて、レーザー強度プロファイルを制御して、レーザー強度プロファイルの中心部と周辺部との差を小さくすることによりスルーホールを設ける方法の提案がなされている（特許文献２）。この方法によれば、開口率（レーザー抜け側径／レーザー入り側径：レーザー加工では１以下となる）が大きなスルーホールを形成することができる。
【特許文献１】特開２００４−２４３４０４号公報
【特許文献２】特許第３７１７４５６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記特許文献１に開示の方法は、ガルバノミラー等、複数のミラーを用いるので高価になるという欠点を持ち、また、高精度なレーザー入射角の制御を必要とするという問題点がある。また、特許文献２に開示の方法では、ビーム径が１００μｍ程度以下の小さいものに対しては、光強度分布調整部材の作製が難しく、かつ作製できたとしても非常に工数を要する。さらに中心部の強度を低下させるので、スルーホールを加工するのに時間が延長してしまう。
【０００５】
本発明は、簡単な光学部材を用いて簡単にレーザーによりテーパーレスのスルーホールを加工することができるスルーホール加工方法、スルーホール加工システム、およびそこで用いられるマスクを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明のスルーホール加工方法は、パルスレーザービームにより被加工物にスルーホールを加工する方法である。この加工方法では、パルスレーザービームが被加工物に照射される際、レーザーフルーエンスのプロファイルがガウス分布に合うものとして、そのガウス分布における最大フルーエンスの１／（ｅ１/２）のレーザーフルエンスが被加工物のアブレーション閾値未満となるようにして、パルスレーザービームを被加工物に照射してスルーホールを加工することを特徴とする。
【０００７】
この構成により、レーザーフルーエンスの勾配の緩い裾の部分は、被加工物の穴あけには寄与しなくなり、緩い傾斜がついた壁の形成は抑制され、上記のビーム径より内側範囲の勾配の大きい部分によって穴が掘られるので、テーパーレスの壁が形成されやすくなる。上記のレーザービームのフルーエンスについての要件は、レーザーエネルギーを下げることによっても、また別の方法によって実現してもよい。なお、本説明においてテーパーレスは、テーパーが障害にならないほど小さければよく、厳密にテーパーがないという意味ではない。以後の説明でも同様である。
【０００８】
また、パルスレーザービームを被加工物に、マスクを通して照射し、該マスクの非開口部を通るレーザのフルーエンスを最大フルーエンスの１／（ｅ１/２）以下とすることができる。
【０００９】
この構成により、マスクの開口形状を、望ましいスルーホール断面形状に合わせることにより、非開口部を通るレーザフルーエンスを被加工物のアブレーション閾値未満として、テーパーレスの貫通穴を被加工物に加工することができる。とくにマスクは、パルスレーザービームの周縁部をカットする開口形状を持つようにされる。
【００１０】
上記のマスクを形成する材料のアブレーション閾値は、当然、被加工物の材料のアブレーション閾値より大きくすることができる。これにより、マスクの材料を選択することにより、マスクの取り替え頻度を低下させて能率よくスルーホールを加工することができる。
【００１１】
また、上記のマスクを形成する材料のアブレーション閾値が、被加工物の材料のアブレーション閾値の１０倍以上であってもよい。これにより、よりマスクの取り替え頻度を低下させて、より能率よくスルーホールを加工することができる。
【００１２】
本発明のスルーホール加工システムは、パルスレーザービームにより被加工物にスルーホールを加工するシステムである。この加工システムは、パルスレーザーを発振するレーザー発振機と、被加工物を固定する被加工物固定部と、被加工物固定部とレーザー発振機との間に配置され、スルーホールに対応する開口をもつマスクとを備えることを特徴とする。この構成により、マスクの開口形状を、望ましいスルーホール断面形状に合わせることにより、テーパーレスの貫通穴を被加工物に加工することができる。とくにマスクは、パルスレーザービームの周縁部をカットする開口形状を持つようにされる。
【００１３】
本発明のマスクは、パルスレーザービームにより被加工物にスルーホールを加工する際に用いられるマスクであって、スルーホールの形状に合った開口が設けられたことを特徴とする。
【００１４】
上記構成により、所望のスルーホール断面形状に合わせて開口を設け、その開口によりレーザービームのプロファイル周縁部をカットして、裾が急峻にカットされた所定値以上の急峻度の外周端プロファイルを得ることができる。すなわち端から急峻に立ち上がる外周端プロファイルのレーザービームを得て、それを被加工物に照射することにより、テーパーレスのスルーホールを得ることができる。
【００１５】
上記のマスクを形成する材料のアブレーション閾値を、被加工物の材料のアブレーション閾値より大きくすることができる。これにより、マスクの耐久性を高め、マスク取り替え頻度を抑制し、マスクに要するコストおよびスルーホール加工能率を向上させることができる。
【００１６】
また、上記のマスクを形成する材料のアブレーション閾値を、被加工物の材料のアブレーション閾値の１０倍以上としてもよい。これにより、さらにマスクの耐久性を向上させることができる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明のスルーホール加工方法、スルーホール加工システムおよびマスクを用いることにより、簡単な光学部材を用いて簡単にレーザーによりテーパーレスのスルーホールを加工することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
次に図面を用いて本発明の実施の形態について説明する。
（本発明の原理−スルーホールにテーパーができる原因−）
パルスレーザービームのレーザーフルーエンス（エネルギー密度）は、図１に示すように、中央部で高く周縁部で低い空間分布、通常は近似的にガウス分布をとる。したがって、Ｏをビーム中心位置、Ａ１，Ａ２をアブレーションフルーエンスの閾値に等しい位置とすると、ほぼＯＡ１＝ＯＡ２であり、近似的に軸対称性を有している。レーザーフルーエンスが被加工物のアブレーションが生じる閾値以上の中央側では、アブレーションによって穴が掘られてゆくが、フルーエンスは中央部ほど高いので中央側ほど深く掘られる傾向がある。このため穴の壁面は、図２に示すように、傾斜面Ｗとなる。図２は、穴１７が開口した直後の被加工物７を示す断面図である。穴１７が、被加工物７の表面から裏面へと貫通した後は、フルーエンスの低いレーザービーム外周端でも、アブレーション閾値以上の部分では、アブレーションされるので、パルスショット数を多くしてゆくと徐々に掘れてゆき、やがてはテーパー角が０°（ストレート）になると考えられる。しかし、実際はそうならず、パルスショット数を増加させてもテーパー角はゼロに近づかずに、一定のテーパー角を維持する。
【００１９】
本発明者らはこれらの現象を洞察して、「上記のような現象は、初期のショットにより傾斜壁が形成されるが、その傾斜壁においてはアブレーションに使われるレーザーフルーエンスは、平面に照射される場合と比較して、低下する。すなわち傾斜壁ではそこで吸収されるエネルギーが少なくなり、アブレーションに向けられるエネルギーが減少する。」との考えに到達した。この考えによれば、傾斜壁においてアブレーションに使われるレーザーフルーエンスが減少し、傾斜壁では、アブレーション閾値に届かない領域は少し中央側に広がり、そのアブレーション閾値未満の領域では、パルスショット数を増やしても穴は掘られない。その結果、図２に示すようなテーパーが付いた穴があけられることになる。
【００２０】
（実施の形態１）
図３は、本発明の実施の形態１におけるスルーホール形成方法を説明するための図である。図３において、パルスレーザー発振機から発振してビーム形状を整えられたレーザービーム２は、集光レンズ１２によって集光されて絞られたレーザービーム３となって、マスク１１に向かう。マスク１１を通る前のレーザービームのプロファイルは、図１に示すように、ガウス分布を示し、裾を外周側に延ばしている。裾の部分では、レーザーフルーエンスの勾配は緩い（急峻ではない）。本発明の実施の形態１では、マスク１１により裾の部分をカットして急峻な外周端プロファイルを形成する点に特徴がある。マスク１１により所望の断面形状に整えられ、急峻な外周端プロファイルを持つレーザービーム５は、被加工物７に照射されてスルーホール（図示せず）を加工する。
【００２１】
図４は、マスク１１を模式的に示す図である。マスク１１の開口部１１ａは、マスク１１を通る前のレーザービーム３の断面形状に含まれる。マスクの遮蔽部１１ｂは、上述のようにガウス分布の裾部分をカットするものであり、被加工物７のアブレーション閾値よりも余裕をもって十分大きいアブレーション閾値の材料で形成されることが望ましい。たとえば被加工物７のアブレーション閾値の１０倍以上大きいアブレーション閾値を持つことが望ましい。これは、繰り返しレーザー照射されてマスクにアブレーションが生じると、開口部１１ａの寸法精度が劣化したり、またマスク１１が反ったりするからである。このためアブレーション耐性の高い材料で、マスク遮蔽部１１ｂを形成するのがよい。しかし、マスクの材料が被加工物のアブレーション閾値以上である必要はない。
【００２２】
たとえば被加工物７を多孔質樹脂シートとして、その多孔質樹脂シートに導通部を設けて異方導電性シートを作製する際、導通部を形成するためにスルーホールを加工しなければならない。この場合、多孔質樹脂シートに多孔質ポリテトラフルオロエチレン膜（多孔質ＰＴＦＥ膜）が好適に用いられるが、多孔質ＰＴＦＥ膜のアブレーション閾値は０．４４Ｊ／ｃｍ２である。マスク遮蔽部１１ｂには、これより高いアブレーション閾値をもつ材料が用いられることが好ましい。しかし、上述のように必須ではない。
【００２３】
図５は、マスク１１を通ったあとのレーザーフルーエンスのプロファイルを示す図である。図５によれば、図１に示すガウス分布の緩い勾配の裾部分はカットされ、急峻な外周端プロファイルを示す。このようなレーザービーム５を用いた場合、最初のショットの際、被加工物に傾斜の緩やかな壁をもつ穴が掘られず、また何らかの原因により、傾斜の緩やかな壁が形成されても、次のショットでは十分なレーザーフルーエンスがその緩傾斜の壁部分に供給されるため、緩傾斜の壁は急峻な壁へと加工される。この結果、テーパーレス（実質的にストレートな）スルーホールを加工することができる。
【００２４】
（実施の形態２−プロファイルの裾の傾きの影響−）
レーザープロファイルがガウス分布をとるレーザービーム（比較例）と、外周端が急峻なプロファイルのレーザービーム（本発明例）とを用いて、多孔質ＰＴＦＥ膜を加工したときの加工跡をシミュレートした。本発明例および比較例のレーザービームのフルーエンスプロファイルを図６に示す。計算には、上記のように被加工物を多孔質ＰＴＦＥ膜（アブレーション閾値０．４４Ｊ／ｃｍ２）とし、レーザーにチタンサファイアレーザー（波長８００ｎｍ、ビーム径１０μｍ、１００μＪ）を用い、また実験的に求めたフッ素樹脂のアブレーションレートを使用した。
【００２５】
シミュレーション結果を図７（比較例）および図８（本発明例）に示す。図７の比較例の結果では、第１ショット照射によってできた緩い傾斜の壁Ｓは、その後のショットによっても深く掘られることはなく、動いていない。これは、本発明の原理−貫通穴にテーパーができる原因−において説明したように、第１ショットで壁Ｓを形成したレーザービームの周縁部は、もともとフルーエンスが低くアブレーション閾値直上の値しか持たなかった。第２ショット以降では、最初は平坦部であった箇所が傾斜が付いた壁となっている。被加工物の平坦部に照射する際、アブレーション閾値直上のフルーエンスであれば被加工物はアブレーションされ、穴掘りされるのに比べて、傾斜が付いていると、第２ショット照射以後、アブレーションに向けられるエネルギーは減少して、材料自体が受け取るフルーエンスはアブレーション閾値未満になってしまう。このため、第２ショット以降、傾斜部Ｓは掘られることなくそのままの形状を維持する。
【００２６】
このような傾斜壁Ｓは、第２ショット照射によりさらに内側に延長して、壁の勾配を大きくするように形成される。このため、第３ショット照射では、第２ショット照射で形成された延長傾斜壁をほとんど動かさずに、穴堀りが行われる。このため、第２ショット照射と第３ショット照射とでほとんど重複している壁部分を生じる。このような傾斜部は順に内側に延長され、第３ショット照射と第４ショット照射とでほとんど重複している壁部分ができる。この結果、第４ショット照射のあと深さ８０μｍ位置で、直径５μｍ程度の穴が掘られる。入口側では直径４０μｍ程度の開口が加工されている。（出口側径／入口側径）は（５／４０）であり、約０．１３である。これより、被加工物を貫通するスルーホールが開通しても、入口側の径が大きく、出口側の径が小さい、テーパーが付いたスルーホールが加工されることになる。
【００２７】
一方、図８に示す本発明例では、第１ショット照射でも周縁部に傾斜壁はできず、ほとんどストレートな穴が掘られる。とくに第１ショット照射で掘られた穴の底部がフラットで広いこと、および側壁が急峻な勾配をもつことが特徴的である。第２ショット照射以降も穴底部のフラットな広い形状と、側壁の急峻な勾配は変わらない。この結果、第４ショット照射のあと深さ８０μｍ位置で、直径１５μｍ程度の穴が掘られる。入口側では直径２０μｍ程度の開口が加工されているので、（出口側径／入口側径）は（１５／２０）であり、約０．７５である。これより、比較例の開口率０．１３に比べて本発明例では開口率が５．７７倍まで改善されることが分かる。
【００２８】
（実施の形態３−マスクによる急峻な外周端プロファイルの形成−）
本発明の実施の形態３では、マスクによって外周端をシャープにカットしたプロファイルを形成した実測例を示す。用いたマスクは、図４に示したマスクと同じ形態ものを用いたが、ニッケル−金の合金製とした。
この金属製マスクには直径１０μｍの穴が多数開いている。このマスクに直径２０μｍのガウス分布のレーザービームを照射して、マスクを通ったあとのレーザープロファイルをＣＣＤ（電荷結合デバイス：Charge Coupled Device）によって撮像した。すなわち、図３において、被加工物７の代わりに、ＣＣＤを配置した測定システムを用いた。
【００２９】
図９は、ＣＣＤによる撮像データを示す図であり、図１０はその説明図である。図９および図１０には、マスクを通ったあとのレーザービームのスポットとともに、スポット中心を通ってｘ方向およびｙ方向にスキャンしたレーザーフルーエンスの分布を示している。ｘ方向スキャンではとくに明瞭に急峻な外周端プロファイルを示し、またｙ方向スキャンにおいてもやはり急峻な外周端プロファイルとなっている。
【００３０】
図９および図１０により、マスクを用いて急峻な外周端プロファイルの形成が簡単にできることが判明した。従来、テーパーレスのスルーホールの必要性が強くなかったために、穴あけ加工用レーザービームについて、マスクを用いてその外周端プロファイルの急峻度を高めた例はきわめて稀である。図９および図１０は、マスクにより簡単に、レーザービームの外周端のプロファイルを急峻にできることを示している。すなわちマスクを用いてマスクの開口形状を、望ましいスルーホール断面形状に合わせることにより、マスクの非開口部を通るレーザのフルーエンスを最大フルーエンスの１／（ｅ１/２）以下とし、非開口部を通るレーザフルーエンスを被加工物のアブレーション閾値未満とすることができる。この結果、テーパーレスの貫通穴を被加工物に加工することができる。
【００３１】
（実施の形態４−低レーザーエネルギーで急勾配プロファイルの場合−）
図１１（ａ）および（ｂ）は、本発明の実施の形態４におけるスルーホール加工方法を説明するための図である。図１１（ａ）に示すレーザーエネルギーは、図１１（ｂ）のレーザーエネルギーより低くされているが、被加工物のアブレーション閾値は同じである。どちらの図でも、レーザーフルーエンスはガウス分布にしたがうが、図１１（ａ）ではレーザーエネルギーを低下させたために見掛け上、被加工物のアブレーション閾値が高くなったように見えるが、実際は図１１（ｂ）に比べて縦軸のエネルギー密度の単位目盛りを大きくしただけである。
【００３２】
被加工物において穴が掘れるのは、照射されるレーザーフルーエンスがアブレーション閾値より高いからであり、穴の開口縁の壁はそのアブレーション閾値と等しくなる径位置のすぐ内側の部分で形成される。このため、レーザービームのアブレーション閾値のすぐ内側の範囲部分のレーザーフルーエンスの勾配（レーザーフルーエンスの距離微分）が重要である。上記のように図１１（ａ）ではレーザーエネルギーを低下させたために、図１１（ｂ）に比べて上記位置でのレーザーフルーエンス勾配が大きくなっている。すなわち、図１１（ａ）では、ガウス分布における最大フルーエンスの１／（ｅ１/２）となる径位置より外側のレーザーフルエンスは、被加工物のアブレーション閾値未満となるようにされ、緩勾配の範囲の影響は除かれている。
【００３３】
図１１（ｂ）では、レーザーエネルギーが大きいため、裾の部分においてさえ被加工物のアブレーション値より大きいため、穴の開口縁の壁を形成するレーザービームのフルーエンス勾配は、図１１（ａ）のそれに比較すると非常に小さい。すなわち、図１１（ｂ）では、ガウス分布の最大フルーエンスの｛１／（ｅ１/２）｝となる径より外側の部分であっても（上記勾配が小さい範囲でも）、被加工物のアブレーション閾値以上とされている。
【００３４】
本実施の形態では、レーザーエネルギーを小さくすることにより、被加工物のアブレーション閾値と同じ径付近またはそのすぐ内側位置のフルーエンス勾配を大きくしたレーザービームを用いる点に特徴がある。すなわち、図１１（ａ）に示すような形態のレーザービームを用いることにより、レーザーエネルギーは小さいが、アブレーション閾値付近のレーザーフルーエンス勾配が急なレーザービームを用いる点に特徴がある。この場合、加工される穴の径は小さくなることは避けられない。
【００３５】
上記のように、レーザーエネルギーによってアブレーション閾値付近のフルーエンス勾配が変わる点に着目して、レーザーエネルギーを変えてスルーホール加工を行った。図１２は、レーザーエネルギーを変えてスルーホール加工を行い、そのスルーホールのテーパー角度を実測した結果を示す図である。半径Ｒ（＝３２μｍ）にはレーザーフルーエンス最大値の１／ｅとなる位置をとっている。また、図１３は、同じスルーホールのテーパー角度をレーザープロファイル強度分布の微分係数（レーザープロファイルの傾き）でプロットした図である。被加工物はＰＴＦＥであり、またレーザーにはチタンサファイアレーザーを用いた。図１２によれば、レーザーエネルギー５０μＪより低エネルギー側でテーパー角度は、約１３°から７°付近へと明らかに小さくなっている。また図１３より、レーザーエネルギー５０μＪより低エネルギー側は、レーザープロファイルの傾きが大きくなる範囲と対応している。
【００３６】
以上により、レーザービームの断面フルーエンス分布がガウス分布にしたがうとして、その裾部分の、たとえばフルーエンス値がピークの１／（ｅ１／２）以下となる部分を、被加工物のアブレーション閾値未満としたレーザービームを用いることが、スルーホールのテーパー角度を小さく抑えるのに有効であることが分かった。上記の場合は、「フルーエンス値がピークの１／（ｅ１／２）以下となる範囲を、被加工物のアブレーション閾値未満とする」を実現するために、レーザーエネルギーを低く抑えたが、それ以外の方法で実現してもよい。
【００３７】
上記において、本発明の実施の形態および実施例について説明を行ったが、上記に開示された本発明の実施の形態および実施例は、あくまで例示であって、本発明の範囲はこれら発明の実施の形態に限定されない。本発明の範囲は、特許請求の範囲の記載によって示され、さらに特許請求の範囲の記載と均等の意味および範囲内でのすべての変更を含むものである。
【産業上の利用可能性】
【００３８】
本発明のスルーホール加工方法、スルーホール加工システム、マスクおよびフィルターを用いることにより、簡単に
テーパーレスのスルーホールを加工できるので、異方導電性シートの作製、各種シートのスルーホール加工などにおいて貢献することが期待される。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】レーザービーム断面のエネルギー密度の空間分布を示すである。
【図２】レーザービームによる開口部形状を定性的に示す模式図である。
【図３】本発明の実施の形態１におけるスルーホール加工方法を説明するための図である。
【図４】マスクを模式的に示す図である。
【図５】マスクを通ったあとのレーザープロファイルを示す図である。
【図６】本発明の実施の形態２のシミュレーションにおいて用いた２種類（本発明例、比較例）のレーザービームのプロファイルを示す図である。
【図７】比較例におけるスルーホール形成経過を示す図である。
【図８】本発明例におけるスルーホール形成経過を示す図である。
【図９】本発明の実施の形態３におけるマスク通過後のレーザービームのＣＣＤデータである。
【図１０】図９の模式図（説明図）である。
【図１１】本発明の実施の形態４におけるスルーホール加工方法を説明するための図であり、（ａ）はレーザーエネルギーを低くし，また（ｂ）は（ａ）よりもレーザーエネルギーを高くした場合の図である。
【図１２】スルーホールのテーパー角度と、レーザーエネルギーとの関係を示す図である。
【図１３】スルーホールのテーパー角度と、レーザープロファイルの傾きとの関係を示す図である。
【符号の説明】
【００４０】
２  レーザービーム、３  マスク前のレーザービーム、５  マスク通過後のレーザービーム、７  被加工物、１１  マスク、１１ａ  開口部、１１ｂ  遮蔽部、１２  集光レンズ、１７  スルーホール、Ｗ  傾斜面、Ｓ  緩傾斜の壁部分。
【図１】
2008055466.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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