(57)【要約】      （修正有）【課題】音響光学素子を用いた音響光学偏向手段によってレーザー光線の光軸を偏向しても均一な加工を施すことができるレーザー光線照射装置およびレーザー加工機の提供。【解決手段】音響光学偏向手段と、音響光学偏向手段によって偏向されたレーザー光線を集光する集光器と、制御手段とを具備し、音響光学偏向手段の音響光学素子と集光器との間に配設され音響光学素子によって偏向されたレーザー光線の一部を分光するビームスプリッターと、ビームスプリッターによって分光されたレーザー光線を受光するレーザー光線出力検出手段を具備し、制御手段はレーザー光線出力検出手段から送られる受光信号に基づいてレーザー光線の実出力を求め、実出力の最低値を基準として各制御信号に対応した実出力の比率を演算し、実出力の比率に対応した補正値を演算して制御マップを作成し、制御マップに基づいて音響光学偏向手段の出力調整手段を制御する。【選択図】図２
2008036667.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザー光線を発振するレーザー光線発振手段と、該レーザー光線発振手段が発振したレーザー光線の光軸を偏向する音響光学偏向手段と、該音響光学偏向手段によって偏向されたレーザー光線を集光する集光器とを具備し、該音響光学偏向手段が該レーザー光線発振手段が発振したレーザー光線の光軸を偏向する音響光学素子と、該音響光学素子にRFを印加するRF発振器と、該RF発振器から出力されるRFの周波数を調整する偏向角度調整手段と、RF発振器によって生成されるRFの振幅を調整する出力調整手段と、該偏向角度調整手段および該出力調整手段を制御する制御手段とを具備しているレーザー光線照射装置において、
該音響光学素子と該集光器との間に配設され該音響光学素子によって偏向されたレーザー光線の一部を分光するビームスプリッターと、該ビームスプリッターによって分光されたレーザー光線を受光する受光素子とを備え、該受光素子によって受光した受光信号を該制御手段に送るレーザー光線出力検出手段を具備しており、
該制御手段は、偏向角度調整手段を制御する制御信号に対応して該レーザー光線出力検出手段から送られる受光信号に基づいてレーザー光線の実出力を求め、該実出力の最低値を基準として各制御信号に対応した実出力の比率を演算し、該実出力の比率に対応した補正値を演算して制御マップを作成し、該制御マップに基づいて該出力調整手段を制御する、
ことを特徴とするレーザー光線照射装置。
【請求項２】
該音響光学偏向手段は、レーザー光線発振手段が発振したレーザー光線の光軸を互いに直交する方向に偏向する第１の音響光学偏向手段と第２の音響光学偏向手段とからなっている、請求項１記載のレーザー光線照射装置。
【請求項３】
被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物にレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段と、該チャックテーブルと該レーザー光線照射手段を加工送り方向（X軸方向）に相対的に移動せしめる加工送り手段と、該チャックテーブルと該レーザー光線照射手段を該加工送り方向（X軸方向）と直交する割り出し送り方向(Y軸方向)に相対移動せしめる割り出し送り手段と、を具備するレーザー加工機において、
該レーザー光線照射手段は、請求項１又は２のレーザー光線照射装置からなっている、
ことを特徴とするレーザー加工機。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被加工物にレーザー光線を照射するレーザー光線照射装置およびレーザー光線照射装置を装備したレーザー加工機に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に配列されたストリートと呼ばれる分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスを形成する。そして、半導体ウエーハを分割予定ラインに沿って切断することによりデバイスが形成された領域を分割して個々の半導体チップを製造している。
【０００３】
装置の小型化、高機能化を図るため、複数の半導体チップを積層し、積層された半導体チップの電極を接続するモジュール構造が実用化されている。このモジュール構造は、半導体ウエーハにおける電極が形成された箇所に貫通孔（ビアホール）を形成し、この貫通孔（ビアホール）に電極と接続するアルミニウム等の導電性材料を埋め込む構成である。（例えば、特許文献１参照。）
【特許文献１】特開２００３−１６３３２３号公報
【０００４】
上述した半導体ウエーハに設けられる貫通孔（ビアホール）は、ドリルによって形成されている。しかるに、半導体ウエーハに設けられる貫通孔（ビアホール）は直径が１００〜３００μmと小さく、ドリルによる穿孔では生産性が悪いという問題がある。
【０００５】
上記問題を解消するために本出願人は、半導体ウエーハ等の被加工物に効率よく細孔を形成することができるレーザー加工装置を特願２００５−６４８６７号として提案した。このレーザー加工装置は、被加工物を保持するチャックテーブルとレーザー光線照射手段との相対的な加工送り量を検出する加工送り量検出手段と、被加工物に形成する細孔のX,Y座標値を記憶する記憶手段と、記憶手段に記憶された細孔のX,Y座標値と加工送り量検出手段からの検出信号に基づいてレーザー光線照射手段を制御する制御手段とを具備し、被加工物に形成する細孔のX,Y座標値がレーザー光線照射手段の集光器の直下に達したら１パルスのレーザー光線を照射するように構成したものである。
【０００６】
しかるに、被加工物に貫通孔を形成するには、同一個所に複数回パルスレーザー光線を照射する必要があるが、上述したレーザー加工装置を用いると、被加工物の移動を複数回実施しなければならず、生産性の面で必ずしも満足し得るものではない。
また、被加工物を加工送り方向（X軸方向）と直交する割り出し送り方向（Y軸方向）に割り出し送りすることなく、加工送りするだけで被加工物に複数のレーザー加工溝を形成できることが望ましい。
【０００７】
このような要求に対応するため本出願人は、音響光学素子を用いた音響光学偏向手段を備えたレーザー光線照射手段を装備し、レーザー光線発振手段が発振したレーザー光線の光軸を音響光学素子を通過する際に偏向することにより、被加工物を加工送りしつつ同一加工位置にレーザー光線を照射するようにしたレーザー加工装置を特願２００５−３６２２３６号として提案した。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
而して、レーザー光線を音響光学素子によって偏向すると、偏向角度によって回折効率が異なりレーザー光線の出力が変化するため、均一に加工することができないという問題生じた。
【０００９】
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術的課題は、音響光学素子を用いた音響光学偏向手段によってレーザー光線の光軸を偏向しても均一な加工を施すことができるレーザー光線照射装置およびレーザー加工機を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、レーザー光線を発振するレーザー光線発振手段と、該レーザー光線発振手段が発振したレーザー光線の光軸を偏向する音響光学偏向手段と、該音響光学偏向手段によって偏向されたレーザー光線を集光する集光器とを具備し、該音響光学偏向手段が該レーザー光線発振手段が発振したレーザー光線の光軸を偏向する音響光学素子と、該音響光学素子にRFを印加するRF発振器と、該RF発振器から出力されるRFの周波数を調整する偏向角度調整手段と、RF発振器によって生成されるRFの振幅を調整する出力調整手段と、該偏向角度調整手段および該出力調整手段を制御する制御手段とを具備しているレーザー光線照射装置において、
該音響光学素子と該集光器との間に配設され該音響光学素子によって偏向されたレーザー光線の一部を分光するビームスプリッターと、該ビームスプリッターによって分光されたレーザー光線を受光する受光素子とを備え、該受光素子によって受光した受光信号を該制御手段に送るレーザー光線出力検出手段を具備しており、
該制御手段は、偏向角度調整手段を制御する制御信号に対応して該レーザー光線出力検出手段から送られる受光信号に基づいてレーザー光線の実出力を求め、該実出力の最低値を基準として各制御信号に対応した実出力の比率を演算し、該実出力の比率に対応した補正値を演算して制御マップを作成し、該制御マップに基づいて該出力調整手段を制御する、
ことを特徴とするレーザー光線照射装置が提供される。
【００１１】
上記音響光学偏向手段は、レーザー光線発振手段が発振したレーザー光線の光軸を互いに直交する方向に偏向する第１の音響光学偏向手段と第２の音響光学偏向手段とからなっている。
【００１２】
また、本発明によれば、被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物にレーザー光線を照射するレーザー光線照射装置と、該チャックテーブルと該レーザー光線照射装置を加工送り方向（X軸方向）に相対的に移動せしめる加工送り手段と、該チャックテーブルと該レーザー光線照射装置を該加工送り方向（X軸方向）と直交する割り出し送り方向(Y軸方向)に相対移動せしめる割り出し送り手段と、を具備するレーザー加工機において、
該レーザー光線照射手段は、上述したレーザー光線照射装置からなっている、
ことを特徴とするレーザー加工機が提供される。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によるレーザー光線照射装置においては、制御手段が偏向角度調整手段を制御する制御信号に対応してレーザー光線出力検出手段から送られる受光信号に基づいてレーザー光線の実出力を求め、該実出力の最低値を基準として各制御信号に対応した実出力の比率を演算し、該実出力の比率に対応した補正値を演算して制御マップを作成し、該制御マップに基づいて出力調整手段を制御するので、音響光学素子による回折効率が変化しても音響光学素子によって偏向される実出力が等しくなり、全てのパルスレーザー光線の照射位置で均一な加工を施すことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明に従って構成されたレーザー光線照射装置およびレーザー加工機の好適な実施形態について、添付図面を参照して、更に詳細に説明する。
【００１５】
図１には、本発明に従って構成されたレーザー加工機の斜視図が示されている。図１に示すレーザー加工機は、静止基台２と、該静止基台２に矢印Ｘで示す加工送り方向（X軸方向）に移動可能に配設され被加工物を保持するチャックテーブル機構３と、静止基台２に上記矢印Ｘで示す方向（X軸方向）と直角な矢印Ｙで示す割り出し送り方向（Y軸方向）に移動可能に配設されたレーザー光線照射ユニット支持機構４と、該レーザー光線ユニット支持機構４に矢印Ｚで示す方向（Z軸方向）に移動可能に配設されたレーザー光線照射ユニット５とを具備している。
【００１６】
上記チャックテーブル機構３は、静止基台２上に矢印Ｘで示す加工送り方向（X軸方向）に沿って平行に配設された一対の案内レール３１、３１と、該案内レール３１、３１上に矢印Ｘで示す加工送り方向（X軸方向）に移動可能に配設された第一の滑動ブロック３２と、該第１の滑動ブロック３２上に矢印Ｙで示す割り出し送り方向（Y軸方向）に移動可能に配設された第２の滑動ブロック３３と、該第２の滑動ブロック３３上に円筒部材３４によって支持されたカバーテーブル３５と、被加工物保持手段としてのチャックテーブル３６を具備している。このチャックテーブル３６は多孔性材料から形成された吸着チャック３６１を具備しており、吸着チャック３６１上に被加工物である例えば円盤状の半導体ウエーハを図示しない吸引手段によって保持するようになっている。このように構成されたチャックテーブル３６は、円筒部材３４内に配設された図示しないパルスモータによって回転せしめられる。なお、チャックテーブル３６には、後述する環状のフレームを固定するためのクランプ３６２が配設されている。
【００１７】
上記第１の滑動ブロック３２は、その下面に上記一対の案内レール３１、３１と嵌合する一対の被案内溝３２１、３２１が設けられているとともに、その上面に矢印Ｙで示す割り出し送り方向（Y軸方向）に沿って平行に形成された一対の案内レール３２２、３２２が設けられている。このように構成された第１の滑動ブロック３２は、被案内溝３２１、３２１が一対の案内レール３１、３１に嵌合することにより、一対の案内レール３１、３１に沿って矢印Ｘで示す加工送り方向（X軸方向）に移動可能に構成される。図示の実施形態におけるチャックテーブル機構３は、第１の滑動ブロック３２を一対の案内レール３１、３１に沿って矢印Ｘで示す加工送り方向（X軸方向）に移動させるための加工送り手段３７を具備している。加工送り手段３７は、上記一対の案内レール３１と３１の間に平行に配設された雄ネジロッド３７１と、該雄ネジロッド３７１を回転駆動するためのパルスモータ３７２等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド３７１は、その一端が上記静止基台２に固定された軸受ブロック３７３に回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ３７２の出力軸に伝動連結されている。なお、雄ネジロッド３７１は、第１の滑動ブロック３２の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された貫通雌ネジ穴に螺合されている。従って、パルスモータ３７２によって雄ネジロッド３７１を正転および逆転駆動することにより、第一の滑動ブロック３２は案内レール３１、３１に沿って矢印Ｘで示す加工送り方向（X軸方向）に移動せしめられる。
【００１８】
図示の実施形態におけるレーザー加工機は、上記チャックテーブル３６の加工送り量を検出するための加工送り量検出手段３７４を備えている。加工送り量検出手段３７４は、案内レール３１に沿って配設されたリニアスケール３７４aと、第１の滑動ブロック３２に配設され第１の滑動ブロック３２とともにリニアスケール３７４aに沿って移動する読み取りヘッド３７４bとからなっている。この送り量検出手段３７４の読み取りヘッド３７４bは、図示に実施形態においては1μm毎に１パルスのパルス信号を後述する制御手段に送る。そして後述する制御手段は、入力したパルス信号をカウントすることにより、チャックテーブル３６の加工送り量を検出する。なお、上記加工送り手段３７の駆動源としてパルスモータ３７２を用いた場合には、パルスモータ３７２に駆動信号を出力する後述する制御手段の駆動パルスをカウントすることにより、チャックテーブル３６の加工送り量を検出することもできる。また、上記加工送り手段３７の駆動源としてサーボモータを用いた場合には、サーボモータの回転数を検出するロータリーエンコーダが出力するパルス信号を後述する制御手段に送り、制御手段が入力したパルス信号をカウントすることにより、チャックテーブル３６の加工送り量を検出することもできる。
【００１９】
上記第２の滑動ブロック３３は、その下面に上記第１の滑動ブロック３２の上面に設けられた一対の案内レール３２２、３２２と嵌合する一対の被案内溝３３１、３３１が設けられており、この被案内溝３３１、３３１を一対の案内レール３２２、３２２に嵌合することにより、矢印Ｙで示す割り出し送り方向（Y軸方向）に移動可能に構成される。図示の実施形態におけるチャックテーブル機構３は、第２の滑動ブロック３３を第１の滑動ブロック３２に設けられた一対の案内レール３２２、３２２に沿って矢印Ｙで示す割り出し送り方向（Y軸方向）に移動させるための第１の割り出し送り手段３８を具備している。第１の割り出し送り手段３８は、上記一対の案内レール３２２と３２２の間に平行に配設された雄ネジロッド３８１と、該雄ネジロッド３８１を回転駆動するためのパルスモータ３８２等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド３８１は、その一端が上記第１の滑動ブロック３２の上面に固定された軸受ブロック３８３に回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ３８２の出力軸に伝動連結されている。なお、雄ネジロッド３８１は、第２の滑動ブロック３３の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された貫通雌ネジ穴に螺合されている。従って、パルスモータ３８２によって雄ネジロッド３８１を正転および逆転駆動することにより、第２の滑動ブロック３３は案内レール３２２、３２２に沿って矢印Ｙで示す割り出し送り方向（Y軸方向）に移動せしめられる。
【００２０】
図示の実施形態におけるレーザー加工機は、上記第２の滑動ブロック３３の割り出し加工送り量を検出するための割り出し送り量検出手段３８４を備えている。割り出し送り量検出手段３８４は、案内レール３２２に沿って配設されたリニアスケール３８４aと、第２の滑動ブロック３３に配設され第２の滑動ブロック３３とともにリニアスケール３８４aに沿って移動する読み取りヘッド３８４bとからなっている。この送り量検出手段３８４の読み取りヘッド３８４bは、図示に実施形態においては1μm毎に１パルスのパルス信号を後述する制御手段に送る。そして後述する制御手段は、入力したパルス信号をカウントすることにより、チャックテーブル３６の割り出し送り量を検出する。なお、上記割り出し送り手段３８の駆動源としてパルスモータ３８２を用いた場合には、パルスモータ３８２に駆動信号を出力する後述する制御手段の駆動パルスをカウントすることにより、チャックテーブル３６の割り出し送り量を検出することもできる。また、上記加工送り手段３７の駆動源としてサーボモータを用いた場合には、サーボモータの回転数を検出するロータリーエンコーダが出力するパルス信号を後述する制御手段に送り、制御手段が入力したパルス信号をカウントすることにより、チャックテーブル３６の割り出し送り量を検出することもできる。
【００２１】
上記レーザー光線照射ユニット支持機構４は、静止基台２上に矢印Ｙで示す割り出し送り方向（Y軸方向）に沿って平行に配設された一対の案内レール４１、４１と、該案内レール４１、４１上に矢印Ｙで示す方向に移動可能に配設された可動支持基台４２を具備している。この可動支持基台４２は、案内レール４１、４１上に移動可能に配設された移動支持部４２１と、該移動支持部４２１に取り付けられた装着部４２２とからなっている。装着部４２２は、一側面に矢印Ｚで示す方向（Z軸方向）に延びる一対の案内レール４２３、４２３が平行に設けられている。図示の実施形態におけるレーザー光線照射ユニット支持機構４は、可動支持基台４２を一対の案内レール４１、４１に沿って矢印Ｙで示す割り出し送り方向（Y軸方向）に移動させるための第２の割り出し送り手段４３を具備している。第２の割り出し送り手段４３は、上記一対の案内レール４１、４１の間に平行に配設された雄ネジロッド４３１と、該雄ねじロッド４３１を回転駆動するためのパルスモータ４３２等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド４３１は、その一端が上記静止基台２に固定された図示しない軸受ブロックに回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ４３２の出力軸に伝動連結されている。なお、雄ネジロッド４３１は、可動支持基台４２を構成する移動支持部４２１の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された雌ネジ穴に螺合されている。このため、パルスモータ４３２によって雄ネジロッド４３１を正転および逆転駆動することにより、可動支持基台４２は案内レール４１、４１に沿って矢印Ｙで示す割り出し送り方向（Y軸方向）に移動せしめられる。
【００２２】
図示の実施形態のおけるレーザー光線照射ユニット５は、ユニットホルダ５１と、該ユニットホルダ５１に取り付けられたレーザー光線照射装置５２を具備している。ユニットホルダ５１は、上記装着部４２２に設けられた一対の案内レール４２３、４２３に摺動可能に嵌合する一対の被案内溝５１１、５１１が設けられており、この被案内溝５１１、５１１を上記案内レール４２３、４２３に嵌合することにより、矢印Ｚで示す方向（Z軸方向）に移動可能に支持される。
【００２３】
図示の実施形態におけるレーザー光線照射ユニット５は、ユニットホルダ５１を一対の案内レール４２３、４２３に沿って矢印Ｚで示す方向（Z軸方向）に移動させるための移動手段５３を具備している。移動手段５３は、一対の案内レール４２３、４２３の間に配設された雄ネジロッド（図示せず）と、該雄ネジロッドを回転駆動するためのパルスモータ５３２等の駆動源を含んでおり、パルスモータ５３２によって図示しない雄ネジロッドを正転および逆転駆動することにより、ユニットホルダ５１およびレーザビーム照射手段５２を案内レール４２３、４２３に沿って矢印Ｚで示す方向（Z軸方向）に移動せしめる。なお、図示の実施形態においてはパルスモータ５３２を正転駆動することによりレーザー光線照射装置５２を上方に移動し、パルスモータ５３２を逆転駆動することによりレーザー光線照射装置５２を下方に移動するようになっている。
【００２４】
上記レーザー光線照射装置５２は、実質上水平に配置された円筒形状のケーシング５２１と、図２に示すようにケーシング５２１内に配設されたパルスレーザー光線発振手段６と、出力調整手段７と、パルスレーザー光線発振手段６が発振したレーザー光線の光軸を加工送り方向（X軸方向）に偏向する第１の音響光学偏向手段８１と、レーザー光線発振手段６が発振したレーザー光線の光軸を割り出し送り方向（Y軸方向）に偏向する第２の音響光学偏向手段８２を具備している。また、レーザー光線照射手段５２は、第１の音響光学偏向手段８１および第２の音響光学偏向手段８２を通過したパルスレーザー光線を上記チャックテーブル３６に保持された被加工物に照射する集光器９を具備している。
【００２５】
上記パルスレーザー光線発振手段６は、ＹＡＧレーザー発振器或いはＹＶＯ４レーザー発振器からなるパルスレーザー光線発振器６１と、これに付設された繰り返し周波数設定手段６２とから構成されている。上記出力調整手段７は、パルスレーザー光線発振手段６から発振されたパルスレーザー光線LBを所定の出力に調整する。
【００２６】
上記第１の音響光学偏向手段８１は、レーザー光線発振手段６が発振したレーザー光線の光軸を加工送り方向（X軸方向）に偏向する第１の音響光学素子８１１と、該第１の音響光学素子８１１に印加するRF（radio frequency）を生成する第１のRF発振器８１２と、該第１のRF発振器８１２によって生成されたRFのパワーを増幅して第１の音響光学素子８１１に印加する第１のRFアンプ８１３と、第１のRF発振器８１２によって生成されるRFの周波数を調整する第１の偏向角度調整手段８１４と、第１のRF発振器８１２によって生成されるRFの振幅を調整する第１の出力調整手段８１５を具備している。上記第１の音響光学素子８１１は、印加されるRFの周波数に対応してレーザー光線の光軸を偏向する角度を調整することができるとともに、印加されるRFの振幅に対応してレーザー光線の出力を調整することができる。なお、上記第１の偏向角度調整手段８１４および第１の出力調整手段８１５は、後述する制御手段によって制御される。
【００２７】
上記第２の音響光学偏向手段８２は、レーザー光線発振手段６が発振したレーザー光線の光軸を加工送り方向（X軸方向）と直交する割り出し送り方向（Y軸方向：図２において紙面に垂直な方向）に偏向する第２の音響光学素子８２１と、該第２の音響光学素子８２１に印加するRFを生成する第２のRF発振器８２２と、該RF発振器８２２によって生成されたRFのパワーを増幅して第２の音響光学素子８２１に印加する第２のRFアンプ８２３と、第２のRF発振器８２２によって生成されるRFの周波数を調整する第２の偏向角度調整手段８２４と、第２のRF発振器８２２によって生成されるRFの振幅を調整する第２の出力調整手段８２５を具備している。上記第２の音響光学素子８２１は、印加されるRFの周波数に対応してレーザー光線の光軸を偏向する角度を調整することができるとともに、印加されるRFの振幅に対応してレーザー光線の出力を調整することができる。なお、上記第２の偏向角度調整手段８２４および第２の出力調整手段８２５は、後述する制御手段によって制御される。
【００２８】
また、図示の実施形態におけるレーザー光線照射装置５２は、上記第１の音響光学素子８１１に所定周波数のRFが印加された場合に、図２において破線で示すように第１の音響光学素子８１１によって偏向されたレーザー光線を吸収するためのレーザー光線吸収手段８３を具備している。
【００２９】
上記集光器９は、ケーシング５２１の先端に装着されており、上記第１の音響光学偏向手段８１および第２の音響光学偏向手段８２によって偏向されたパルスレーザー光線を下方に向けて方向変換する方向変換ミラー９１と、該方向変換ミラー９１によって方向変換されたレーザー光線を集光する集光レンズ９２を具備している。
【００３０】
図示の実施形態におけるレーザー光線照射装置５２は、上記第１の音響光学偏向手段８１および第２の音響光学偏向手段８２によって偏向されたパルスレーザー光線の出力を掲出するレーザー光線出力検出手段１０を具備している。このレーザー光線出力検出手段１０は、第１の音響光学偏向手段８１および第２の音響光学偏向手段８２と集光器９との間に配設され第１の音響光学偏向手段８１および第２の音響光学偏向手段８２によって偏向されたレーザー光線の一部を分光するビームスプリッター１０１と、該ビームスプリッター１０１によって分光されたレーザー光線を受光する受光素子１０２を具備し、該受光素子１０２によって受光した受光信号をA／D変換器１０３を介して後述する制御手段に送る。
【００３１】
図示の実施形態におけるパルスレーザー照射装置５２は以上のように構成されており、以下その作用について図２を参照して説明する。
第１の音響光学偏向手段８１の第１の偏向角度調整手段８１４に例えば５Vの電圧を印加し、第１の音響光学素子８１１に５Vに対応する周波数のRFが印加された場合には、パルスレーザー光線発振手段６から発振されたパルスレーザー光線は、その光軸が図２において実線で示すように偏向され集光点Paに集光される。また、第１の偏向角度調整手段８１４に例えば１０Vの電圧を印加し、第１の音響光学素子８１１に１０Vに対応する周波数のRFが印加された場合には、パルスレーザー光線発振手段６から発振されたパルスレーザー光線は、その光軸が図２において１点鎖線で示すように偏向され、上記集光点Paから加工送り方向（X軸方向）に図２において左方に所定量変位した集光点Pbに集光される。一方、第１の偏向角度調整手段８１４に例えば０Vの電圧を印加し、第１の音響光学素子８１１に０Vに対応する周波数のRFが印加された場合には、パルスレーザー光線発振手段６から発振されたパルスレーザー光線は、その光軸が図２において２点鎖線で示すように偏向され、上記集光点Pcから加工送り方向（X軸方向）に図２において右方に所定量変位した集光点Pcに集光される。また、第１の音響光学偏向手段８１の第１の偏向角度調整手段８１４に例えば１５Vの電圧を印加し、第１の音響光学素子８１１に１５Vに対応する周波数のRFが印加された場合には、パルスレーザー光線発振手段６から発振されたパルスレーザー光線は、図２において破線で示すようにレーザー光線吸収手段８３に導かれる。このように、第１の音響光学素子８１１によって偏向されたレーザー光線は、第１の偏向角度調整手段８１４に印加される電圧に対応して加工送り方向（X軸方向）に偏向せしめられる。
【００３２】
なお、第２の音響光学偏向手段８２も上記第１の音響光学偏向手段８１と同様に、第２の偏向角度調整手段８２４に印加する電圧を調整し、第２の音響光学素子８２１に印加するRFの周波数を調整することにより、パルスレーザー光線発振手段６から発振されたパルスレーザー光線の光軸を加工送り方向（X軸方向）と直交する割り出し送り方向（Y軸方向：図２において紙面に垂直な方向）に偏向することができる。
【００３３】
次に、レーザー光線出力検出手段１０の作用について説明する。
第１の音響光学偏向手段８１および第２の音響光学偏向手段８２を通過したレーザー光線は、図示の実施形態においてはビームスプリッター１０１によって９９％が第１の音響光学偏向手段８１に向けて分光され、１％が受光素子１０２に向けて分光される。ビームスプリッター１０１によって分光された１％のレーザー光線を受光した受光素子１０２は、受光した光度に対応した電圧信号を出力する。この電圧信号は、A／D変換器１０３によってデジタル信号に変換されて後述する制御手段に送られる。
【００３４】
図１に戻って説明を続けると、図示の実施形態におけるレーザー加工機は、ケーシング５２１の前端部に配設され上記レーザー光線照射装置５２によってレーザー加工すべき加工領域を検出する撮像手段１１を備えている。この撮像手段１１は、可視光線によって撮像する通常の撮像素子（ＣＣＤ）の外に、被加工物に赤外線を照射する赤外線照明手段と、該赤外線照明手段によって照射された赤外線を捕らえる光学系と、該光学系によって捕らえられた赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子（赤外線ＣＣＤ）等で構成されており、撮像した画像信号を後述する制御手段に送る。
【００３５】
図１に基づいて説明を続けると、図示の実施形態におけるレーザー加工機は、制御手段２０を具備している。制御手段２０はコンピュータによって構成されており、制御プログラムに従って演算処理する中央処理装置（ＣＰＵ）２０１と、制御プログラム等を格納するリードオンリメモリ（ＲＯＭ）２０２と、後述する被加工物の設計値のデータや演算結果等を格納する読み書き可能なランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）２０３と、カウンター２０４と、入力インターフェース２０５および出力インターフェース２０６とを備えている。制御手段２０の入力インターフェース２０５には、上記加工送り量検出手段３７４、割り出し送り量検出手段３８４、レーザー光線出力検出手段１０の受光素子１０２および撮像手段１１等からの検出信号が入力される。そして、制御手段２０の出力インターフェース２０６からは、上記パルスモータ３７２、パルスモータ３８２、パルスモータ４３２、パルスモータ５３２、パルスレーザー光線発振手段６、出力調整手段７、第１の音響光学偏向手段８１の第１の偏向角度調整手段８１４および第１の出力調整手段８１５、第２の音響光学偏向手段８２の第２の偏向角度調整手段８２４および第２の出力調整手段８２５等に制御信号を出力する。なお、上記ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）２０３は、後述する被加工物の設計値のデータを記憶する第１の記憶領域２０３aや、後述する制御マップを記憶する第２の記憶領域２０３bおよび他の記憶領域を備えている。
【００３６】
次に、レーザー光線出力検出手段１０の作用について説明する。
第１の音響光学偏向手段８１および第２の音響光学偏向手段８２を通過したレーザー光線は、図示の実施形態においてはビームスプリッター１０１によって９９％が集光器９に向けて分光され、１％が受光素子１０２に向けて分光される。ビームスプリッター１０１によって分光された１％のレーザー光線を受光した受光素子１０２は、受光した光度に対応した電圧信号を出力する。この電圧信号は、A／D変換器１０３によってデジタル信号に変換されて上記制御手段２０に送られる。
【００３７】
図示の実施形態におけるレーザー加工機は以上のように構成されており、以下その作用について説明する。
レーザー加工を実施するに際して、制御手段２０は上記レーザー光線照射装置５２を作動し、パルスレーザー光線発振手段６から発振されパルスレーザー光線の実出力を求める実出力検出工程を実施する。即ち、制御手段２０は、上記レーザー光線出力検出手段１０の受光素子１０２によって受光されたパルスレーザー光線の光度から第１の音響光学偏向手段８１の第１の音響光学素子８１１および第２の音響光学偏向手段８２の第２の音響光学素子８２１によって偏向されたパルスレーザー光線の実出力を求める。この実出力は、第１の音響光学素子８１１および第２の音響光学素子８２１によって偏向されたパルスレーザー光線の偏向角度によって異なり、図３に示すように表される。図３に示すマップは、横軸が第１の音響光学偏向手段８１の第１の偏向角度調整手段８１４に印加される電圧で、縦軸が第２の音響光学偏向手段８２の第２の偏向角度調整手段８２４に印加される電圧であり、第１の音響光学偏向手段８１と第２の偏向角度調整手段８２４にそれぞれ印加された電圧に対応した実出力の比率（％）が示されている。なお、図３における実出力の比率（％）は、第１の音響光学偏向手段８１および第２の偏向角度調整手段８２４にそれぞれ５Vの電圧を印加した場合におけるレーザー光線出力検出手段１０の受光素子１０２によって受光されたパルスレーザー光線の出力を１００％として表してある。
【００３８】
図３に示すように、第１の音響光学偏向手段８１の第１の偏向角度調整手段８１４および第２の音響光学偏向手段８２の第２の偏向角度調整手段８２４に印加する電圧によって、第１の音響光学素子８１１および第２の音響光学素子８２１によって偏向されたパルスレーザー光線の実出力が変化するので、第１の音響光学素子８１１および第２の音響光学素子８２１によって偏向されるパルスレーザー光線の実出力を均一にするには、最小の実出力に合わせる必要がある。図３に示す実施形態においては、最小の実出力は７０％であるので、全ての実出力を７０％になるように補正する。この補正は、第１の音響光学偏向手段８１の第１の出力調整手段８１５または第２の音響光学偏向手段８２の第２の出力調整手段８２５に印加する電圧を調整する。なお、図示の実施形態においては第１の出力調整手段８１５または第２の出力調整手段８２５に印加する電圧が０Vであれば第１の音響光学素子８１１および第２の音響光学素子８２１によって偏向されるパルスレーザー光線の実出力は変化しないが、第１の出力調整手段８１５または第２の出力調整手段８２５に０．１Vの電圧を印加すると例えば第１の音響光学素子８１１および第２の音響光学素子８２１によって偏向されるパルスレーザー光線の実出力は１％低減するようになっている。
【００３９】
図４は、上記図３に示す第１の音響光学素子８１１および第２の音響光学素子８２１によって偏向されたパルスレーザー光線の最小の実出力（Pmin：７０％）を基準として第１の音響光学偏向手段８１の第１の出力調整手段８１５または第２の音響光学偏向手段８２の第２の出力調整手段８２５に印加する電圧を設定した制御マップの例である。従って、制御手段２０は、図３に示すように実出力が７０％の偏向領域においては第１の出力調整手段８１５または第２の出力調整手段８２５に印加する電圧は図４に示すように０Vに設定する。そして、制御手段２０は、各偏向領域(P0)における第１の出力調整手段８１５または第２の出力調整手段８２５に印加する補正電圧(Va)を図４に示すように演算する(Va＝（P0−Pmin）×０．1V)。このようにして各偏向領域における第１の出力調整手段８１５または第２の出力調整手段８２５に印加する電圧を設定したならば、制御手段２０は図４に示す制御マップをランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）２０３の第２の記憶領域２０３bに格納する。
【００４０】
次に、上述したレーザー加工機を用いて、被加工物にレーザー加工孔を穿孔する加工方法について説明する。
図５にはレーザー加工される被加工物としての半導体ウエーハ３０の平面図が示されている。図５に示す半導体ウエーハ３０は、シリコンウエーハからなっており、その表面３０ａに格子状に配列された複数の分割予定ライン３０１によって複数の領域が区画され、この区画された領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイス３０２がそれぞれ形成されている。この各デバイス３０２は、全て同一の構成をしている。デバイス３０２の表面にはそれぞれ図６に示すように複数の電極３０３（３０３a〜３０３j）が形成されている。なお、図示の実施形態においては、３０３aと３０３f、３０３bと３０３g、３０３cと３０３h、３０３dと３０３i、３０３eと３０３jは、X方向位置が同一である。この複数の電極３０３（３０３a〜３０３j）部にそれぞれ裏面１０bから電極３０３に達する加工穴（ビアホール）が形成される。各デバイス３０２における電極３０３（３０３a〜３０３j）のX方向（図６おいて左右方向）の間隔Ａ、および各デバイス３０２に形成された電極３０３における分割予定３０１を挟んでX方向（図６において左右方向）に隣接する電極即ち電極３０３eと電極３０３aとの間隔Bは、図示の実施形態においては同一間隔に設定されている。また、各デバイス３０２における電極３０３（３０３a〜３０３j）のY方向（図６において上下方向）の間隔C、および各デバイス３０２に形成された電極３０３における分割予定ライン３０１を挟んでY方向（図６において上下方向）に隣接する電極即ち電極３０３fと電極３０３aおよび電極３０３jと電極３０３eとの間隔Dは、図示の実施形態においては同一間隔に設定されている。このように構成された半導体ウエーハ３０について、図５に示す各行Ｅ1・・・・Enおよび各列F1・・・・Fnに配設されたデバイス３０２の個数と上記各間隔A,B,C,Dは、その設計値のデータが上記ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）２０３の第１に記憶領域２０３aに格納されている。
【００４１】
上述したレーザー加工装置を用い、上記半導体ウエーハ３０に形成された各デバイス３０２の電極３０３（３０３a〜３０３j）部に加工孔（ビアホール）を形成するレーザー加工の実施形態について説明する。
上記のように構成された半導体ウエーハ３０は、図７に示すように環状のフレーム４０に装着されたポリオレフィン等の合成樹脂シートからなる保護テープ５０に表面３０ａを貼着する。従って、半導体ウエーハ３０は、裏面３０bが上側となる。このようにして環状のフレーム４０に保護テープ５０を介して支持された半導体ウエーハ３０は、図１に示すレーザー加工装置のチャックテーブル３６上に保護テープ５０側を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することにより半導体ウエーハ３０は、保護テープ５０を介してチャックテーブル３６上に吸引保持される。また、環状のフレーム４０は、クランプ３６２によって固定される。
【００４２】
上述したように半導体ウエーハ３０を吸引保持したチャックテーブル３６は、加工送り手段３７によって撮像手段１１の直下に位置付けられる。チャックテーブル３６が撮像手段１１の直下に位置付けられると、チャックテーブル３６上の半導体ウエーハ３０は、図８に示す座標位置に位置付けられた状態となる。この状態で、チャックテーブル３６に保持された半導体ウエーハ３０に形成されている格子状の分割予定ライン３０１がX軸方向とY軸方向に平行に配設されているか否かのアライメント作業を実施する。即ち、撮像手段１１によってチャックテーブル３６に保持された半導体ウエーハ３０を撮像し、パターンマッチング等の画像処理を実行してアライメント作業を行う。このとき、半導体ウエーハ３０の分割予定ライン３０１が形成されている表面３０１ａは下側に位置しているが、撮像手段１１が上述したように赤外線照明手段と赤外線を捕らえる光学系および赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子（赤外線ＣＣＤ）等で構成された撮像手段を備えているので、半導体ウエーハ３０の裏面３０１ｂから透かして分割予定ライン３０１を撮像することができる。
【００４３】
次に、チャックテーブル３６を移動して、半導体ウエーハ３０に形成されたデバイス３０２における最上位の行E1の図８において最左端のデバイス３０２を撮像手段１１の直下に位置付ける。そして、更にデバイス３０２に形成された電極３０３（３０３a〜３０３j）における図８において左上の電極３０３aを撮像手段１１の直下に位置付ける。この状態で撮像手段１１が電極３０３aを検出したならばその座標値(a1)を第１の加工送り開始位置座標値として制御手段２０に送る。そして、制御手段２０は、この座標値(a1)を第１の加工送り開始位置座標値としてランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）２０３に格納する（加工送り開始位置検出工程）。このとき、撮像手段１１とレーザー光線照射手段５２の集光器９はX軸方向に所定の間隔を置いて配設されているので、X座標値は上記撮像手段１１と集光器９との間隔を加えた値が格納される。
【００４４】
このようにして図８において最上位の行E1のデバイス３０２における第１の加工送り開始位置座標値(a1)を検出したならば、チャックテーブル３６を分割予定ライン３０１の間隔だけＹ軸方向に割り出し送りするとともにX軸方向に移動して、図８において最上位から２番目の行E2における最左端のデバイス３０２を撮像手段１１の直下に位置付ける。そして、更にデバイス３０２に形成された電極３０３(３０３a〜３０３j）における図８において左上の電極３０３aを撮像手段１１の直下に位置付ける。この状態で撮像手段１１が電極３０３aを検出したならばその座標値(a2)を第２の加工送り開始位置座標値として制御手段２０に送る。そして、制御手段２０は、この座標値(a2)を第２の加工送り開始位置座標値としてランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）２０３に格納する。このとき、撮像手段１１とレーザー光線照射手段５２の集光器９は上述したようにX軸方向に所定の間隔を置いて配設されているので、X座標値は上記撮像手段１１と集光器９との間隔を加えた値が格納される。以後、制御手段２０は、上述した割り出し送りと加工送り開始位置検出工程を図８において最下位の行Ｅｎまで繰り返し実行し、各行に形成されたデバイス３０２の加工送り開始位置座標値（a３〜aｎ）を検出して、これをランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）に格納する。
【００４５】
次に、半導体ウエーハ３０の各デバイス３０２に形成された各電極３０３(３０３a〜３０３j）部にレーザー加工孔（ビアホール）を穿孔する穿孔工程を実施する。穿孔工程は、先ず加工送り手段３７を作動しチャックテーブル３６を移動して、上記ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）１０３に格納されている第１の加工送り開始位置座標値（a１）をレーザー光線照射手段５２の集光器９の直下に位置付ける。このように第１の加工送り開始位置座標値（a１）が集光器９の直下に位置付けられた状態が図９の(a)に示す状態である。図９の(a)に示す状態から制御手段２０は、チャックテーブル３６を図９の(a)において矢印Ｘ１で示す方向に所定の移動速度で加工送りするように上記加工送り手段３７を制御すると同時に、レーザー光線照射手段５２を作動し集光器９から所定時間パルスレーザー光線を照射する。なお、集光器９から照射されるレーザー光線の集光点Pは、半導体ウエーハ３０の表面３０a付近に合わせる。このとき、制御手段２０は、パルスレーザー光線を照射する所定時間の間に、加工送り量検出手段３７４の読み取りヘッド３７４bからの検出信号に基いて第１の音響光学偏向手段８１の第１の偏向角度調整手段８１４および第１の出力調整手段８１５に制御信号を出力する。即ち、制御手段２０は、第１の偏向角度調整手段８１４に０〜１０Vの範囲で制御信号を出力するとともに、第１の出力調整手段８１５に図４に示す制御マップに基づいて補正電圧の制御信号を出力する。なお、図示の実施形態における穿孔工程においてはパルスレーザー光線をY軸方向には偏向しないので、第２の音響光学偏向手段８２の第２の偏向角度調整手段８２４には５Vの電圧が印加される。また、図示の実施形態においては、上記補正電圧を第１の出力調整手段８１５に印加するので、第２の音響光学偏向手段８２の第２の出力調整手段８２５には補正電圧を印加しない。
【００４６】
一方、第１のRF発振器８１２は第１の偏向角度調整手段８１４および第１の出力調整手段８１５からの制御信号に対応したRFを出力する。第１のRF発振器８１２から出力されたRFのパワーは、第１のRFアンプ８１３によって増幅され第１の音響光学素子８１１に印加される。第１のRF発振器８１２から出力されたRFのパワーは、第１のRFアンプ８１３によって増幅され第１の音響光学素子８１１に印加される。また、第２のRF発振器８２２も第２の偏向角度調整手段８２４および第２の出力調整手段８２５からの制御信号に対応したRFを出力する。第２のRF発振器８２２から出力されたRFのパワーは、第２のRFアンプ８２３によって増幅され第２の音響光学素子８２１に印加される。この結果、第１の音響光学素子８１１および第２の音響光学素子８２１は、パルスレーザー光線発振手段６から発振されたパルスレーザー光線の光軸を図２において１点鎖線で示す位置から２点差線で示す位置までの範囲で偏向する。
【００４７】
上記穿孔工程における加工条件の一例について説明する。
光源              ：ＬＤ励起ＱスイッチＮｄ：ＹＶＯ４
波長              ：３５５ｎｍ
繰り返し周波数    ：５０kHz
平均出力          ：５W
集光スポット径    ：φ１５μｍ
加工送り速度      ：３００ｍｍ／秒
このような加工条件によって穿孔工程を実施すると、シリコンウエーハにはパルスレーザー光線の１パルス当たり深さが５μm程度のレーザー加工孔を形成することができる。従って、厚さが５０μmのシリコンウエーハに電極３０３に達する加工穴を形成するにはパルスレーザー光線を１０パルス照射する必要がある。このため、上記加工条件においては３００ｍｍ／秒の加工送り速度で移動しているチャックテーブル３６に保持された半導体ウエーハ３０の第１の加工送り開始位置座標値（a１）に１０パルスのパルスレーザー光線を照射することにより、電極３０３に達する加工孔を形成することができる。
【００４８】
ここで、半導体ウエーハ３０が３００ｍｍ／秒の加工送り速度で移動している際に、半導体ウエーハ３０の第１の加工送り開始位置座標値（a１）に１０パルスのパルスレーザー光線を照射する方法について、図１０を参照して説明する。
上記加工条件においてはパルスレーザー光線の繰り返し周波数が５０kHzであるので、１秒間に５００００パルス（５００００／秒）のパルスレーザー光線が照射される。従って、１０パルスのパルスレーザー光線を照射するための時間は、１／５０００秒となる。一方、３００ｍｍ／秒の加工送り速度でX1で示す方向に移動している半導体ウエーハ２０は、１／５０００秒間に６０μm移動する。従って、半導体ウエーハ３０が６０μm移動する間に１／５０００秒間レーザー光線照射手段５２を作動し、この間にパルスレーザー光線の集光点を第１の加工送り開始位置座標値（a１）に位置付けるように、第１の偏向角度調整手段８１４の第１の第１の偏向角度調整手段８１４および第１の出力調整手段８１５と第２の音響光学偏向手段８２の第２の偏向角度調整手段８２４および第２の出力調整手段８２５を制御すればよい。上述したように加工送り量検出手段３７４の読み取りヘッド３７４bからの検出信号に基いて、制御手段９が上述したように第１の偏向角度調整手段８１４の第１の第１の偏向角度調整手段８１４および第１の出力調整手段８１５と第２の音響光学偏向手段８２の第２の偏向角度調整手段８２４および第２の出力調整手段８２５に印加する電圧を制御し、第１の音響光学偏向手段８１の第１の音響光学素子８１１および第２の音響光学偏向手段８２の第２の音響光学素子８２１に印加するRFパワーの周波数を制御することによって行うことができる。この結果、半導体ウエーハ３０が加工送り方向X1で移動している状態においても第１の加工送り開始位置座標値（a１）に１０パルスのパルスレーザー光線を照射することができるため、図１０の(b)に示すように半導体ウエーハ３０の第１の加工送り開始位置座標値（a１）に電極３０３に達するレーザー加工穴３０４が形成される。このようにして、第１の加工送り開始位置座標値（a１）に１０パルスのパルスレーザー光線を照射したならば、制御手段２０は第１の音響光学偏向手段８１の第１の偏向角度調整手段８１４に１５Vの電圧を印加し、第１の音響光学素子８１１に１５Vに対応する周波数のRF印加し、パルスレーザー光線発振手段６から発振されたパルスレーザー光線を図２において破線で示すようにレーザー光線吸収手段８３に導く。
【００４９】
なお、上記穿孔工程においては、第１の偏向角度調整手段８１４および第２の偏向角度調整手段８２４に印加される電圧に基づいてパルスレーザー光線が偏向されることによって実出力が変化するのに対応して、第１の出力調整手段８１５に補正電圧を印加するので、第１の音響光学素子８１１および第２の音響光学素子８２１によって偏向されるパルスレーザー光線の実出力は等しくなる。従って、図示の実施形態においてはパルスレーザー光線を１０パルス照射することにより、電極３０３に達するレーザー加工穴３０４を正確に加工することができる。もし、第１の出力調整手段８１５に補正電圧を印加しないで加工すると、第１の音響光学素子８１１および第２の音響光学素子８２１による回折効率が変化するため、第１の音響光学素子８１１および第２の音響光学素子８２１によって偏向されるパルスレーザー光線の実出力が変化するため、パルスレーザー光線を１０パルス照射してもレーザー加工孔が電極３０３に達しなかったり、電極３０３を加工してしまうこともある。
【００５０】
一方、制御手段２０は、加工送り量検出手段３７４の読み取りヘッド３７４bからの検出信号を入力しており、この検出信号をカウンター２０４によってカウントしている。そして、カウンター２０４によるカウント値が電極３０３の図６においてX軸方向の間隔Ａに相当する値に達したら、制御手段２０はレーザー光線照射手段５２を制御し上記穿孔工程を実施する。その後も制御手段２０は、カウンター２０４によるカウント値が電極３０３の図６においてX軸方向の間隔ＡおよびBに達する都度、制御手段２０はレーザー光線照射手段５２を作動し上記穿孔工程を実施する。そして、図９の（ｂ）で示すように半導体ウエーハ３０のE1行の最右端のデバイス３０２に形成された電極３０３における図９の（ｂ）において最右端の電極３０３e位置に上記穿孔工程を実施したら、上記加工送り手段３７の作動を停止してチャックテーブル３６の移動を停止する。この結果、半導体ウエーハ３０には、図９の（ｂ）で示すように各電極３０３（図示せず）部にレーザー加工孔３０４が形成される。
【００５１】
次に、制御手段２０は、レーザー光線照射手段５２の集光器９を図９の（ｂ）において紙面に垂直な方向に割り出し送りするように上記第1の割り出し送り手段３８を制御する。一方、制御手段２０は、割り出し送り量検出手段３８４の読み取りヘッド３８４bからの検出信号を入力しており、この検出信号をカウンター２０４によってカウントしている。そして、カウンター２０４によるカウント値が電極３０３の図６においてY軸方向の間隔Cに相当する値に達したら、第１の割り出し送り手段３８の作動を停止し、レーザー光線照射手段５２の集光器９の割り出し送りを停止する。この結果、集光器９は上記電極３０３eと対向する電極３０３j（図６参照）の直上に位置付けられる。この状態が図１１の(a)に示す状態である。図１１の(a)に示す状態で制御手段２０は、チャックテーブル３６を図１１の(a)において矢印Ｘ２で示す方向に所定の移動速度で加工送りするように上記加工送り手段３７を制御すると同時に、レーザー光線照射手段５２を作動し上記穿孔工程を実施する。そして、制御手段２０は、上述したように加工送り量検出手段３７４の読み取りヘッド３７４bからの検出信号をカウンター２０４によりカウントし、そのカウント値が電極３０３の図６においてX軸方向の間隔ＡおよびBに達する都度、制御手段２０はレーザー光線照射手段５２を作動し上記穿孔工程を実施する。そして、図１１の（ｂ）で示すように半導体ウエーハ３０のE1行の最右端のデバイス３０２に形成された電極３０３f位置に上記穿孔工程を実施したら、上記加工送り手段３７の作動を停止してチャックテーブル３６の移動を停止する。この結果、半導体ウエーハ３０には、図１１の（ｂ）で示すように各電極３０３（図示せず）部にレーザー加工孔３０４が形成される。
【００５２】
以上のようにして、半導体ウエーハ３０のE1行のデバイス３０２に形成された電極３０３部にレーザー加工孔３０４が形成されたならば、制御手段２０は加工送り手段３７および第１の割り出し送り手段３８を作動し、半導体ウエーハ３０のE2行のデバイス３０２に形成された電極３０３における上記ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）２０３に格納されている第２の加工送り開始位置座標値（a2）をレーザー光線照射手段５２の集光器９の直下に位置付ける。そして、制御装置２０は、レーザー光線照射手段５２と加工送り手段３７および第１の割り出し送り手段３８を制御し、半導体ウエーハ３０のE2行のデバイス３０２に形成された電極３０３部に上述した穿孔工程を実施する。以後、半導体ウエーハ３０のE3〜En行のデバイス３０２に形成された電極３０３部に対しても上述した穿孔工程を実施する。この結果、半導体ウエーハ３０の各デバイス３０２に形成された全ての電極３０３部にレーザー加工孔３０４が形成される。
【００５３】
なお、上記穿孔工程において、図６におけるX軸方向の間隔Ａ領域および間隔B領域には半導体ウエーハ３０にパルスレーザー光線を照射しない。このように、半導体ウエーハ３０にパルスレーザー光線を照射しないために、上記制御手段２０は第１の音響光学偏向手段８１の第１の偏向角度調整手段８１４に１５Vの電圧を印加する。この結果、第１の音響光学素子８１１には１５Vに対応する周波数のRFが印加され、パルスレーザー光線発振手段６から発振されたパルスレーザー光線(LB)は図２において破線で示すようにレーザー光線吸収手段８３に導かれるので、半導体ウエーハ３０に照射されることはない。
【００５４】
次に、上述したレーザー光線照射手段５２の第１の音響光学偏向手段８１と第２の音響光学偏向手段８２を作動してレーザー加工する他の実施形態について、図１２を参照して説明する。
即ち、上記チャックテーブル３６に保持された被加工物を加工送りした状態で、第１の音響光学偏向手段８１および第２の音響光学偏向手段８２を作動してパルスレーザー光線の光軸をX軸方向とY軸方向に順次偏向させるとともに、パルスレーザー光線の出力を調整して被加工物にパルスレーザー光線を照射することにより、図１２の(a)に示すようにトレパニング等の２次元加工して複数のレーザー加工孔３０４を形成することにより、図１２の(b)に示すように所望の大きさの穴３０５を開けることができる。このとき、第１の音響光学偏向手段８１の第１の偏向角度調整手段８１４および第２の音響光学偏向手段８２の第２の偏向角度調整手段８２４に印加する制御電圧に対応して、第１の音響光学偏向手段８１の第１の出力調整手段８１５におよび第２の音響光学偏向手段８２の第２の偏向角度調整手段８２４に図４で示す補正電圧を印加するので、第１の音響光学素子８１１および第２の音響光学素子８２１による回折効率が変化しても第１の音響光学素子８１１および第２の音響光学素子８２１によって偏向される実出力が等しくなり、全てのパルスレーザー光線の照射位置で均一な加工を施すことができる。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本発明に従って構成されたレーザー加工機の斜視図。
【図２】図１に示すレーザー加工機に装備されるレーザー光線照射装置の構成ブロック図。
【図３】図２に示すレーザー光線照射装置を構成する第１の音響光学偏向手段および第２の音響光学偏向手段によって偏向されたパルスレーザー光線の実出力を示すマップ。
【図４】図３に示す実出力マップに基づいて作成された補正電圧の制御マップ。
【図５】被加工物としての半導体ウエーハの平面図。
【図６】図５に示す半導体ウエーハの一部を拡大して示す平面図。
【図７】図５に示す半導体ウエーハを環状のフレームに装着された保護テープの表面に貼着した状態を示す斜視図。
【図８】図５に示す半導体ウエーハが図１に示すレーザー加工装置のチャックテーブルの所定位置に保持された状態における座標との関係を示す説明図。
【図９】図１に示すレーザー加工機によって実施する穿孔工程の説明図。
【図１０】図９に示す穿孔工程の詳細を拡大して示す説明図。
【図１１】図１に示すレーザー加工機によって実施する穿孔工程の説明図。
【図１２】図１に示すレーザー加工機によって実施するレーザー加工方法の他の実施形態を示す説明図。
【符号の説明】
【００５６】
２：静止基台
３：チャックテーブル機構
３１：案内レール
３６：チャックテーブル
３７：加工送り手段
３７４：加工送り量検出手段
３８：第１の割り出し送り手段 
４：レーザー光線照射ユニット支持機構
４１：案内レール
４２：可動支持基台
４３：第２の割り出し送り手段 
４３３：割り出し送り量検出手段
５：レーザー光線照射ユニット
５１：ユニットホルダ
５２：レーザー光線加工装置
6：パルスレーザー光線発振手段
６１：パルスレーザー光線発振器
６２：繰り返し周波数設定手段
７：出力調整手段
８１：第１の音響光学偏向手段
８１１：第１の音響光学素子
８１２：第１のRF発振器
８１３：第１のRFアンプ
８１４：第１の偏向角度調整手段
８１５：第１の出力調整手段
８２：第２の音響光学偏向手段
８２１：第２の音響光学素子
８２２：第２のRF発振器
８２３：第２のRFアンプ
８２４：第２の偏向角度調整手段
８２５：第２の出力調整手段
８３：レーザー光線吸収手段
９：集光器
９１：方向変換ミラー
９２：集光レンズ
１０：レーザー光線出力検出手段
１０１：ビームスプリッター
１０２：受光素子
１０３：A／D変換器
１１：撮像手段
２０：制御手段
３０：半導体ウエーハ
３０１：分割予定ライン
３０２：回路
３０３：デバイス
３０４：レーザー加工孔
４０：環状のフレーム
５０：保護テープ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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