(57)【要約】【課題】絶縁性材料から成る絶縁領域の所望の箇所に選択的に光を照射して、前記絶縁領域中に存在する複数の孤立した導電領域を形成することによって、絶縁領域と導電領域とが境界調整され、導電領域のピッチが狭く、サイズが小さく、環境温度の変化に強く、安定した性能を発揮することができるようにする。【解決手段】絶縁性材料から成る絶縁領域と、該絶縁領域内に存在する複数の孤立した導電領域とを有する集積電気配列コネクタであって、前記導電領域は、前記絶縁領域に選択的に光を照射して形成される。【選択図】図１
2008077904.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）絶縁性材料から成る絶縁領域（１１、１７）と、
（ｂ）該絶縁領域（１１、１７）中に存在する複数の孤立した導電領域（６１、６８）とを有する集積電気配列コネクタ（１、２）であって、
（ｃ）前記導電領域（６１、６８）は、前記絶縁領域（１１、１７）に選択的に光を照射して形成されることを特徴とする集積電気配列コネクタ（１、２）。
【請求項２】
前記絶縁領域（１１）は、光が照射されることによって相変化を起こして絶縁性から導電性に変化する相変化材料から成る請求項１に記載の集積電気配列コネクタ（１）。
【請求項３】
前記絶縁領域（１１）は、カルコゲン化合物重合体から成る請求項１に記載の集積電気配列コネクタ（１）。
【請求項４】
（ａ）前記絶縁領域（１１）は、相手側コネクタと当接する当接面（６６）を備える板状の領域であり、
（ｂ）前記導電領域（６１）は、前記絶縁領域（１１）の厚さ方向に延在する柱状の領域であり、少なくとも一方の端面が前記当接面（６６）に露出する請求項１に記載の集積電気配列コネクタ（１）。
【請求項５】
前記絶縁領域（１７）は、光が照射されることによって還元されて絶縁性から導電性に変化する酸化材料から成る請求項１に記載の集積電気配列コネクタ（２）。
【請求項６】
前記絶縁領域（１７）は、アルミナから成る請求項１に記載の集積電気配列コネクタ（２）。
【請求項７】
（ａ）前記絶縁領域（１７）は板状の領域であり、
（ｂ）前記導電領域（６８）は、前記絶縁領域（１７）の一方の面に沿って延在する帯状の領域であり、導電性金属層（６９）が上面に形成される請求項１に記載の集積電気配列コネクタ（２）。
【請求項８】
（ａ）前記導電領域（６１）は、一方の端面が前記当接面（６６）に露出するとともに、他方の端面が前記当接面（６６）と対向する背面（６７）に露出し、
（ｂ）前記他方の端面に電極が接続されている請求項４に記載の集積電気配列コネクタ（１）。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、集積電気配列コネクタに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、デジタル通信システム、特に、無線デジタル通信システムの発展に伴い、デジタル通信システムにおいて使用される電気素子及び電子素子は、性能が向上するとともに、構造が複雑化している。その結果、帯域幅が広く、サイズが小さい電気素子及び電子素子が製造されている。そして、このような小型の電気素子又は電子素子同士を接続するために、サイズが小さく、信頼性の高い電気コネクタが必要とされている。
【０００３】
従来、電気コネクタは、２個の電気素子又は電子素子を接続するために、多数の電気配線を利用する。この場合、電気コネクタの電極は、通常、２つのグループから成り、各グループの幾何学的パターンが画一的に繰返されている。このような電極のグループは電極配列又は電極アレイと呼ばれ、該電極アレイが含まれている電気コネクタが電気配列コネクタ又は電気アレイコネクタと呼ばれる。また、電極アレイにおける電極と電極との間の幅が電極ピッチと呼ばれる。
【０００４】
電気配列コネクタが正しく２個の電気素子又は電子素子を接続するためには、電気配列コネクタの一方の電極グループと他方の電極グループとの境界を調整し、対応する電極同士を接触させる必要がある。すなわち、短絡あるいはオープンといったコネクタの機能不全を起こさないため、一方の電極グループの電極の配列、形状及び大きさ等を調整するとともに、他方の電極グループもそれに合せ調整する必要がある（以下、このような電極の配列、形状及び大きさ等を調整することを境界調整という）。この条件が満足されると、電気信号は、一方の電極グループの電極から他方の電極グループの電極へ流れることができる。
【０００５】
従来の電気配列コネクタにおいて、電極及びハウジングは、それぞれ、金属及び電気的絶縁性を備えるプラスチックによって形成される。このように、材料が相違するので、電極の温度膨張係数とハウジングの温度膨張係数とは同一ではない。そのため、電気配列コネクタの環境温度が変化すると、電極グループの境界に影響があり、その結果、電気配列コネクタの機能が不全になる可能性がある。さらに、電極とハウジングとが物理的に異なる部分であるため、電気配列コネクタの接続及び分離の繰返しが電極グループの境界に影響を及ぼし、その結果、電気配列コネクタの機能が不全になる可能性がある。
【０００６】
電気配列コネクタの基本的な幾何学的フォームを維持しながら、電気配列コネクタの全体的なサイズを減少するためには、電極ピッチを狭くすることが１つの方法である。しかし、電極ピッチを狭くすると、電極グループの境界調整の公差が付随的に小さくなるという問題があった。
【０００７】
もっとも、電気素子又は電子素子を実装する基板において、電気素子又は電子素子の小型化に対応して、金属やプラスチック以外の材料を使用して配線等を微細化する技術が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００８】
図４は従来の基板上に配線を形成する方法を示す図である。
【０００９】
図において、８００は配線基板であり、ベース基板８０２及び該ベース基板８０２上に積層された相変化層８０１を有する。ここで、該相変化層８０１は、カルコゲナイド（ｃｈａｌｃｏｇｅｎｉｄｅ）化合物から成る半導体である。そして、半導体レーザ８０５のレーザ光８０６を相変化層８０１の所望の箇所に照射することによって、前記半導体を相変化させ、導電性線路としてビア８０３を形成することができる。該ビア８０３の直径は、例えば、１〔μｍ〕以下にすることができる。
【特許文献１】特開２００５−２９４８１１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、前記カルコゲナイド化合物を使用する方法においては、配線基板８００にビア８０３等の配線を形成する技術は開示されていても、電気配列コネクタを製造する技術は何ら開示されていない。
【００１１】
本発明は、前記従来の問題点を解決して、絶縁性材料から成る絶縁領域の所望の箇所に選択的に光を照射して、前記絶縁領域中に存在する複数の孤立した導電領域を形成することによって、絶縁領域と導電領域とが境界調整され、導電領域のピッチが狭く、サイズが小さく、環境温度の変化に強く、安定した性能を発揮することができる集積電気配列コネクタを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
そのために、本発明の集積電気配列コネクタにおいては、絶縁性材料から成る絶縁領域と、該絶縁領域中に存在する複数の孤立した導電領域とを有する集積電気配列コネクタであって、前記導電領域は、前記絶縁領域に選択的に光を照射して形成される。
【００１３】
本発明の他の集積電気配列コネクタにおいては、さらに、前記絶縁領域は、光が照射されることによって相変化を起こして絶縁性から導電性に変化する相変化材料から成る。
【００１４】
本発明の更に他の集積電気配列コネクタにおいては、さらに、前記絶縁領域は、カルコゲン化合物重合体から成る。
【００１５】
本発明の更に他の集積電気配列コネクタにおいては、さらに、前記絶縁領域は、相手側コネクタと当接する当接面を備える板状の領域であり、前記導電領域は、前記絶縁領域の厚さ方向に延在する柱状の領域であり、少なくとも一方の端面が前記当接面に露出する。
【００１６】
本発明の更に他の集積電気配列コネクタにおいては、さらに、前記絶縁領域は、光が照射されることによって還元されて絶縁性から導電性に変化する酸化材料から成る。
【００１７】
本発明の更に他の集積電気配列コネクタにおいては、さらに、前記絶縁領域は、アルミナから成る。
【００１８】
本発明の更に他の集積電気配列コネクタにおいては、さらに、前記絶縁領域は板状の領域であり、前記導電領域は、前記絶縁領域の一方の面に沿って延在する帯状の領域であり、導電性金属層が上面に形成される。
【００１９】
本発明の更に他の集積電気配列コネクタにおいては、さらに、前記導電領域は、一方の端面が前記当接面に露出するとともに、他方の端面が前記当接面と対向する背面に露出し、前記他方の端面に電極が接続されている。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、集積電気配列コネクタは、絶縁性材料から成る絶縁領域の所望の箇所に選択的に光を照射して形成された前記絶縁領域中に存在する複数の孤立した導電領域を有する。これにより、絶縁領域と導電領域とが精度よく境界調整され、導電領域のピッチが狭く、サイズが小さく、環境温度の変化に強く、安定した性能を発揮する集積電気配列コネクタを得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。
【００２２】
図１は本発明の第１の実施の形態における集積電気配列コネクタを示す斜視図である。
【００２３】
図において、１Ａ及び１Ｂは本実施の形態における集積電気配列コネクタとしての第１コネクタ及び第２コネクタであり、例えば、図示されない電気素子又は電子素子同士を電気的に接続するために使用されるものであるが、電気素子又は電子素子と電気ケーブルとを電気的に接続するために使用されてもよく、電気素子又は電子素子と回路基板等の基板とを電気的に接続するために使用されてもよく、電気ケーブル同士を電気的に接続するために使用されてもよく、いかなる用途に使用されるものであってもよい。そして、前記第１コネクタ１Ａと第２コネクタ１Ｂとは互いに双方の相手側コネクタとして機能する。
【００２４】
なお、本実施の形態において、第１コネクタ１Ａと第２コネクタ１Ｂとは互いに同様の構造を有し、第１コネクタ１Ａに付随するものと第２コネクタ１Ｂに付随するものとも互いに同様の構造を有するので、第１コネクタ１Ａ及びそれに付随するものに「第１」の呼称を付すとともに符号の末尾に「Ａ」の文字を追加し、第２コネクタ１Ｂ及びそれに付随するものに「第２」の呼称を付すとともに符号の末尾に「Ｂ」の文字を追加することによって識別を行うこととする。また、第１コネクタ１Ａ及びそれに付随するものと第２コネクタ１Ｂ及びそれに付随するものとを識別することなく説明する場合には、「第１」及び「第２」の呼称並びに「Ａ」及び「Ｂ」の文字を省略することとする。
【００２５】
さらに、本実施の形態において、コネクタ１の各部の構成及び動作を説明するために使用される上、下、左、右、前、後等の方向を示す表現は、絶対的なものでなく相対的なものであり、コネクタ１が図に示される姿勢である場合に適切であるが、コネクタ１の姿勢が変化した場合には姿勢の変化に応じて変更して解釈されるべきものである。
【００２６】
ここで、１１は絶縁性材料から成る絶縁領域としてのハウジング部であり、６１は該ハウジング部１１中に形成された導電領域としてのコンタクト部であり、６２は金属等の導電性材料から成る電極であり、コンタクト部６１に接続されている。そして、各電極６２には電気素子、電子素子、電気ケーブル、基板等の備える導電線の各々が接続される。
【００２７】
図示される例において、ハウジング部１１は、矩（く）形の板状部材であるが、いかなる形状の部材であってもよい。ここでは、ハウジング部１１が、厚さが約５〔ｍｍ〕以下、好ましくは、１００〔μｍ〕程度の板状部材であるものとする。また、ハウジング部１１において、互いに対向する面は当接面６６であり、反対側の面は背面６７である。そして、コンタクト部６１は、ハウジング部１１を厚さ方向に延在して貫通するように形成された円柱状の領域であり、その一方の端面が当接面６６に露出して該当接面６６と面一となり、他方の端面が背面６７に露出して該背面６７と面一となっている。そして、コンタクト部６１の背面６７側の端面に電極６２が接続されている。
【００２８】
これにより、第１コネクタ１Ａと第２コネクタ１Ｂとを相互に接近させ、第１コネクタ１Ａの第１当接面６６Ａと第２コネクタ１Ｂの第２当接面６６Ｂとを互いに当接させることによって、第１電極６２Ａに導電線が接続された電気素子、電子素子、電気ケーブル、基板等と、第２電極６２Ｂに導電線が接続された電気素子、電子素子、電気ケーブル、基板等とを電気的に接続することができる。この場合、第１コネクタ１Ａの第１コンタクト部６１Ａと第２コネクタ１Ｂの第２コンタクト部６１Ｂとが互いに当接して電気的に接続される。
【００２９】
本実施の形態において、前記ハウジング部１１は、光が照射されることによって相変化を起こして絶縁性から導電性に変化する相変化材料から成り、具体的には、カルコゲン化合物重合体としてのカルコゲナイド半導体から成る。該カルコゲナイド半導体は、カルコゲン元素、すなわち、６族元素を少なくとも一種必須元素として含む合金である。そして、Ｔｅ−Ｇｅ−Ｓｎ−Ａｕ系、Ｓｎ−Ｔｅ−Ｓｅ系のカルコゲナイド半導体は、光照射によって非結晶又は非晶質、すなわち、アモルファスと結晶との間で相変化を起こすことができる。また、Ｔｅ−Ａｓ−Ｇｅ−Ｓｉ系では、例えば、加熱によって、非晶質の状態と結晶化された状態との間で相変化を起こすことができる。その他のカルコゲナイド半導体としては、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系のものや、ＴｅをベースにしてＡｓ、Ｓｂを添加したものがある。そして、二成分系のカルコゲナイド半導体としては、ＧａＳｂ、ＩｎＳｂ、ＩｎＳｅ、Ｓｂ2 Ｔｅ3 、ＧｅＴｅ等がある。また、三成分系のカルコゲナイド半導体としては、Ｇｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 、ＩｎＳｂＴｅ、ＧａＳｅＴｅ、ＳｎＳｂ2 Ｔｅ4 、ＩｎＳｂＧｅ等がある。さらに、四成分系のカルコゲナイド半導体としては、ＡｇＩｎＳｂＴｅ、（ＧｅＳｎ）ＳｂＴｅ、ＧｅＳｂ（ＳｅＴｅ）、Ｔｅ81Ｇｅ15Ｓｂ2 Ｓ2 等がある。本実施の形態においては、ハウジング部１１の材料が、三成分系のカルコゲナイド半導体としてのＧｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 であるものとして説明する。そして、前記カルコゲナイド半導体は、ハウジング部１１において非晶質の状態で絶縁性を示し、コンタクト部６１においては結晶化された状態で導電性を示している。
【００３０】
次に、前記コネクタ１を製造する方法について説明する。
【００３１】
まず、初期状態において、ハウジング部１１を構成するカルコゲナイド半導体は、非晶質の状態であって絶縁性であるものとする。そして、当接面６６又は背面６７の側からハウジング部１１の所定の箇所、すなわち、コンタクト部６１を形成する部位のみにレーザ光を選択的に照射する。この場合、レーザ光を照射する装置は、一般的にＤＶＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ  Ｄｉｓｋ）レコーダ等に使用される半導体レーザ等であるが、いかなる種類のレーザ光照射装置であってもよい。
【００３２】
そして、ハウジング部１１を構成するカルコゲナイド半導体のうち、レーザ光が照射された部位のカルコゲナイド半導体が、非晶質から相変化して結晶化された状態となる。これにより、図示されるように、レーザ光が照射された部位が導電性のコンタクト部６１となり、レーザ光が照射されなかった部位が絶縁性のハウジング部１１となる。
【００３３】
なお、コンタクト部６１は、各々がハウジング部１１中において孤立し、隣接するもの同士が互いに離間した状態となるのであれば、いかなる形状を有するものであってもよいが、図示される例においては、前述のように、ハウジング部１１を厚さ方向に貫通するように形成された円柱状の形状を有している。また、コンタクト部６１の数や配列も任意に設定することができるが、図示される例においては、９個であり、当接面６６及び背面６７において正方格子を形成するように配列されている。さらに、コンタクト部６１の寸法は、任意に設定することができるが、例えば、半径が２００〔μｍ〕であり、長さはハウジング部１１の厚さと同一、すなわち、１００〔μｍ〕程度となっている。さらに、隣接するコンタクト部６１間の距離、すなわち、コンタクト部６１のピッチは約２００〔μｍ〕となっている。
【００３４】
また、コンタクト部６１を形成するために照射される光は、必ずしもレーザ光である必要はなく、コヒーレントでない光であってもよい。この場合、フォトリソグラフィの技術を応用してフォトマスク等を使用し、コンタクト部６１を形成する部位のみに光を選択的に照射する。また、照射される光の波長は、いかなる波長であってもよく、例えば、紫外線〜赤外線のいずれの帯域であってもよいし、電子線であってもよい。
【００３５】
これにより、図示されるように、絶縁性材料から成るハウジング部１１の絶縁領域中に存在する複数、例えば、９個の孤立した導電領域としてのコンタクト部６１を形成することができる。なお、コンタクト部６１の背面６７側の端面には、電極６２が任意の接続手段によって接続される。
【００３６】
次に、前記コネクタ１の抵抗について説明する。
【００３７】
電気コネクタのフイギュア・オブ・メリット（Ｆｉｇｕｒｅ  ｏｆ  Ｍｅｒｉｔ）として最も広く使用されている数値は、端子の動作抵抗Ｒd である。電気コネクタの目的は、電気素子又は電子素子を電気的に接続するため、つまり、接続された電気素子又は電子素子の間に電力を伝導するためであるから、理想的には、前記動作抵抗Ｒd は零である。もっとも、実際の場合、前記動作抵抗Ｒd の値は、電気コネクタの構造や用途に応じて様々に変化しているが、ほとんどの電気コネクタにおいては、前記動作抵抗Ｒd の値が数ミリ〔Ω〕から、大きくても約１〔Ω〕となっている。したがって、実用的な電気コネクタにおいて、前記動作抵抗Ｒd の最大値は、約１〔Ω〕であると言える。
【００３８】
本実施の形態において、コネクタ１の端子としてのコンタクト部６１は断面が円形の円柱状の形状を有する。そこで、コンタクト部６１の半径、長さ及び電気伝導率を、各々、ｒ、Ｌ、及びσとすると、コンタクト部６１の動作抵抗Ｒd は、次の式（１）のように表される。
【００３９】
【数１】
2008077904.tif 000003
そして、コンタクト部６１が前述のようにカルコゲナイド半導体としてのＧｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 から成るものであるところ、Ｇｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 の電気伝導率σが約２０００〔Ω-1ｍ-1〕であり、コンタクト部６１の半径及び長さは２００〔μｍ〕及び１００〔μｍ〕であるから、コンタクト部６１の動作抵抗Ｒd は、約０．８〔Ω〕となる。このことから、本実施の形態におけるコネクタ１は、実際的な電気コネクタであることが分かる。
【００４０】
このように、本実施の形態において、コネクタ１のハウジング部１１は、光が照射されることによって相変化を起こして絶縁性から導電性に変化する相変化材料から成り、該相変化材料から成る絶縁領域の所望の箇所に選択的に光を照射して、前記絶縁領域中に存在する複数の孤立した導電領域としてのコンタクト部６１が形成される。これにより、ハウジング部１１とコンタクト部６１とが境界調整され、コンタクト部６１のピッチが狭く、全体としてのサイズが小さいコネクタ１を得ることができる。すなわち、集積度の高い集積電気配列コネクタを得ることができる。
【００４１】
また、ハウジング部１１とコンタクト部６１とが同一の材料から一体的に形成されているので、コネクタ１の環境温度が変化しても、ハウジング部１１とコンタクト部６１との境界に熱応力が加えられることがなく、ハウジング部１１とコンタクト部６１との境界が安定する。したがって、コネクタ１は、環境温度の変化に対して高い耐性を有し、安定した性能を発揮することができる。
【００４２】
さらに、ハウジング部１１の所望の箇所に選択的に光を照射するだけでコンタクト部６１を形成することができるので、容易に、かつ、正確にコネクタ１を製造することができる。
【００４３】
次に、本発明の第２の実施の形態について説明する。なお、第１の実施の形態と同じ構造を有するものについては、同じ符号を付与することによってその説明を省略する。また、前記第１の実施の形態と同じ動作及び同じ効果についても、その説明を省略する。
【００４４】
図２は本発明の第２の実施の形態における集積電気配列コネクタを製造する方法を示す図、図３は本発明の第２の実施の形態における集積電気配列コネクタを示す斜視図である。なお、図２おいて、（ａ）〜（ｃ）は各製造工程を示している。
【００４５】
本実施の形態においては、集積電気配列コネクタとしてのコネクタ２を製造する方法についてのみ説明する。
【００４６】
図において、１７は絶縁性材料から成る絶縁領域としてのハウジング部であり、具体的にはアルミナ、すなわち、Ａｌ2 Ｏ3 から成る板状部材である。まず、前記ハウジング部１７の一方の面（図における上面）にはカーボンペースト９１が塗布される。そして、図２（ａ）に示されるように、該カーボンペースト９１が塗布された面の側からハウジング部１７の所定の部位のみに、光９２を選択的に照射する。なお、該光９２は、前記第１の実施の形態と同様に、レーザ光照射装置から選択的に照射されるレーザ光であってもよいし、いかなる波長であってもよく、例えば、紫外線〜赤外線のいずれの帯域であってもよいし、電子線であってもよい。そして、光９２がレーザ光でない場合には、フォトリソグラフィの技術を応用してフォトマスク等を使用し、所定の部位のみに光９２を選択的に照射する。
【００４７】
これにより、図２（ｂ）及び次の式（２）に示されるように、光９２が照射された部位に導電性のアルミニウム、すなわち、Ａｌから成る導電領域としてのコンタクト基礎部６８が形成される。なお、図２（ｂ）は、カーボンペースト９１を除去した状態を示している。
２Ａｌ2 Ｏ3 ＋３Ｃ＋光力→４Ａｌ＋３ＣＯ2   ・・・式（２）
ここで、前記コンタクト基礎部６８は、光９２を照射したことによって絶縁領域が変化して形成された導電領域であり、具体的にはＡｌ2 Ｏ3 が還元されてＡｌとなった領域である。そして、前記コンタクト基礎部６８は、各々がハウジング部１７中において孤立し、隣接するもの同士が互いに離間した状態となるのであれば、いかなる形状を有するものであってもよいが、図示される例においては、ハウジング部１７の上面に沿って、図面に垂直な方向に延在するように形成された帯状の形状を有している。
【００４８】
続いて、図２（ｃ）に示されるように、前記コンタクト基礎部６８の上面に導電性金属層としてのコンタクト上部６９が形成される。該コンタクト上部６９は、導電性の高い金、銅等の金属から成る導電領域であり、電解めっき、蒸着、スパッタリング等の方法によって形成され、前記コンタクト基礎部６８の上面に付着させられる。したがって、前記コンタクト上部６９も、コンタクト基礎部６８と同様に、各々がハウジング部１７中において孤立し、隣接するもの同士が互いに離間した状態となり、図示される例においては、図面に垂直な方向に延在するように形成された帯状の形状を有している。
【００４９】
なお、前記コンタクト上部６９は、いかなる種類の金属であってもよいが、導電性の高い金若しくは銅又はそれらの合金であることが望ましい。また、コンタクト上部６９を形成する方法は、電解めっき、蒸着、スパッタリング等の方法に限定されるものではなく、いかなる方法であってもよい。
【００５０】
図３に示されるように、本実施の形態におけるコネクタ２においては、コンタクト基礎部６８及びコンタクト上部６９は、当接面６６に沿って延在し、隣接するもの同士が平行な帯状ないし棒状の形状を有する。
【００５１】
そして、コンタクト上部６９の任意の箇所に、図示されない電極が任意の接続手段によって接続される。これにより、コネクタ２を得ることができる。そして、前記電極を介して、電気素子、電子素子、電気ケーブル、基板等の導電線をコンタクト上部６９に接続することができる。
【００５２】
なお、本実施の形態において、相手側コネクタは、コネクタ２と同様のものであるので、その説明を省略する。
【００５３】
このように、本実施の形態において、コネクタ２のハウジング部１７は、光が照射されることによって還元されて絶縁性から導電性に変化する酸化材料から成り、該酸化材料から成る絶縁領域の所望の箇所に選択的に光を照射して、前記絶縁領域中に存在する複数の孤立した導電領域としてのコンタクト基礎部６８が形成される。これにより、ハウジング部１７とコンタクト基礎部６８とが境界調整され、コンタクト部基礎６６及びその上に形成されるコンタクト上部６９のピッチが狭く、全体としてのサイズが小さいコネクタ２を得ることができる。すなわち、集積度の高い集積電気配列コネクタを得ることができる。
【００５４】
また、ハウジング部１７とコンタクト基礎部６８とが同一の材料から一体的に形成されているので、コネクタ２の環境温度が変化しても、ハウジング部１７とコンタクト基礎部６８との境界に熱応力が加えられることがなく、ハウジング部１７とコンタクト基礎部６８との境界が安定する。したがって、コネクタ２は、環境温度の変化に対して高い耐性を有し、安定した性能を発揮することができる。
【００５５】
さらに、ハウジング部１７の一方の面にカーボンペースト９１を塗布して所望の箇所に選択的に光を照射するだけでコンタクト基礎部６８を形成することができるので、容易に、かつ、正確にコネクタ２を製造することができる。
【００５６】
なお、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨に基づいて種々変形させることが可能であり、それらを本発明の範囲から排除するものではない。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】本発明の第１の実施の形態における集積電気配列コネクタを示す斜視図である。
【図２】本発明の第２の実施の形態における集積電気配列コネクタを製造する方法を示す図である。
【図３】本発明の第２の実施の形態における集積電気配列コネクタを示す斜視図である。
【図４】従来の基板上に配線を形成する方法を示す図である。
【符号の説明】
【００５８】
１Ａ、２Ａ    第１コネクタ
１Ｂ、２Ｂ    第２コネクタ
２    コネクタ
１１Ａ    第１ハウジング部
１１Ｂ    第２ハウジング部
１７    ハウジング部
１７Ａ    第１ハウジング部
１７Ｂ    第２ハウジング部
６１Ａ    第１コンタクト部
６１Ｂ    第２コンタクト部
６２Ａ    第１電極
６２Ｂ    第２電極
６６Ａ    第１当接面
６６Ｂ    第２当接面
６７Ａ    第１背面
６７Ｂ    第２背面
６８    コンタクト基礎部
６８Ａ    第１コンタクト基礎部
６８Ｂ    第２コンタクト基礎部
６９    コンタクト上部
６９Ａ    第１コンタクト上部
６９Ｂ    第２コンタクト上部
９１    カーボンペースト
９２    光
８００    配線基板
８０１    相変化層
８０２    ベース基板
８０３    ビア
８０５    半導体レーザ
８０６    レーザ光
【図１】
2008077904.tif 000004
【図２】
2008077904.tif 000005
【図３】
2008077904.tif 000006
【図４】
2008077904.tif 000007