(57)【要約】【目的】薄膜磁気誘導素子のインダクタンス値の向上および電極で発生する誘導起電力の低減を図ることができる超小型電力変換装置を提供する。【解決手段】フェライト基板１１の第１主面および第２主面の外周部に形成する電極１５ａ、１５ｂをソレノイドコイルの軸方向の互いに対向する２辺に集中配置することで、コイル長さを長くし、フェライト基板１１のサイズが同じでもインダクタンス値を大きくでき、また、フェライト基板１１の周辺部に図示しないスリット状の隙間を設けることで電極１５ａ、１５ｂに発生する誘導起電力の低減を図ることができる。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体集積回路が形成された半導体基板と、薄膜磁気誘導素子とコンデンサを有する超小型電力変換装置において、磁性絶縁基板と該磁性絶縁基板の第1主面に形成された第１導体と前記磁性絶縁基板の第２主面に形成された第２導体と前記磁性絶縁基板を貫通する第１貫通孔に形成された第１接続導体とをそれぞれに接続してなるソレノイド状コイル導体からなる薄膜磁気誘導素子を有し、前記磁性絶縁基板の周辺部に形成された第２貫通孔と該第２貫通孔に形成された第２接続導体と該第２接続導体を介して接続され前記第１主面および前記第２主面に互いに対向して形成される複数の電極とを有し、該電極が前記磁性絶縁基板の１辺もしくは対向する２辺に集中配置されていることを特徴とする超小型電力変換装置。
【請求項２】
半導体集積回路が形成された半導体基板と、薄膜磁気誘導素子とコンデンサを有する超小型電力変換装置において、磁性絶縁基板と該磁性絶縁基板の第1主面に形成された第１導体と前記磁性絶縁基板の第２主面に形成された第２導体と前記磁性絶縁基板を貫通する第１貫通孔に形成された第１接続導体とをそれぞれに接続してなるソレノイド状コイル導体からなる薄膜磁気誘導素子を有し、前記磁性絶縁基板の周辺部に形成された第２貫通孔と該第２貫通孔に形成された第２接続導体と該第２接続導体を介して接続され前記第１主面および前記第２主面に互いに対向して形成される複数の電極とを有し、前記磁性絶縁基板の外周部に間隙が形成されることを特徴とする超小型電力変換装置。
【請求項３】
前記間隙が、前記第２貫通孔と接して形成されるかもしくは離して形成されることを特徴とする請求項２に記載の超小型電力変換装置。
【請求項４】
前記隙間が、隣接する前記電極の間に形成されることを特徴とする請求項２に記載の超小型電力変換装置。
【請求項５】
前記電極が、前記磁性絶縁基板の１辺もしくは対向する２辺に集中配置されていることを特徴とする請求項２〜４のいずれか一項に記載の超小型電力変換装置。
【請求項６】
前記電極が集中配置されている前記磁性絶縁基板の１辺もしくは対向する２辺が、前記第１導体もしくは前記第２導体の延長線上にある辺であることを特徴とする請求項１または５に記載の超小型電力変換装置。
【請求項７】
前記間隙の形状が、前記磁性絶縁基板を貫通するスリット状の隙間であることを特徴とする請求項２〜５のいずれか一項に記載の超小型電力変換装置。
【請求項８】
前記間隙が、前記磁性絶縁基板を貫通しないスリット状の溝であることを特徴とする請求項２〜５のいずれか一項の超小型電力変換装置。
【請求項９】
前記間隙が、前記磁性絶縁基板の外周端に達することを特徴とする請求項２、３、４、６または８のいずれか一項に記載の超小型電力変換装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体基板上に形成した半導体集積回路（以下ＩＣと記す）と、コイルやコンデンサ、抵抗などの受動部品で形成されるＤＣ−ＤＣコンバータなどの超小型電力変換装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子情報機器、特に携帯型の各種電子情報機器の普及が著しい。それらの電子情報機器は、電池を電源とするものが多く、ＤＣ−ＤＣコンバータなどの電力変換装置を内蔵している。通常その電力変換装置は、スイッチング素子、整流素子、制御用ＩＣなどの能動素子と、磁気部品、コンデンサ、抵抗などの受動素子の各個別部品とをセラミック基板やプラスチックなどのプリント基板などの上に実装することでハイブリッド型電源モジュールとして構成されている。
【０００３】
前記した携帯用を含めた各種電子情報機器の小型、薄型、軽量化の要望に伴い、内蔵される電力変換装置の小型、薄型、軽量化の要求も強い。ハイブリッド型電源モジュールの小型化は、ＭＣＭ（マルチチップモジュール）技術や、積層セラミック部品などの技術により進歩してきている。
しかしながら、個別の部品を同一基板上に、並べて実装するため、電源モジュールの実装面積の縮小化が制限されている。特にインダクタやトランスなどの磁気部品は、集積回路と比較すると体積が非常に大きいために電子機器の小型、薄型化をはかる上で最大の制約となっている。
【０００４】
これら磁気部品の小型、薄型化に対する今後の方向としては、チップ部品として限りなく小さく、薄くして、面実装する方向と、シリコン基板上に薄膜で形成する方向の２つが考えられる。近年、半導体技術の適用により、半導体基板上に薄型のマイクロ磁気素子（コイル、トランス）を搭載した例も報告されている。
特に、平面型磁気部品として、スイッチング素子や制御回路などの半導体部品を作り込んだ半導体基板の表面上に、薄膜コイルを磁性基板とフェライト基板とで挟んだ形の平面型磁気部品（薄型インダクダ：薄膜磁気誘導素子）を薄膜技術により形成したものが開示されている（例えば、特許文献１など）。これにより、磁気素子の薄型化とその実装面積の削減が可能となった。
【０００５】
しかし、真空プロセスでの製造でコストが高くなる。また、電流の大きい所で使用する場合などは、磁性膜と絶縁膜との多数の積層化が必要であり、コストが非常に高くなるという問題があった。
平面型磁気素子は、スパイラル（渦巻き状）のコイル導体の隙間に磁性を帯びた微粒子を帯びた微粒子を混入した樹脂を充填し、上面、下面をフェライト基板で挟み込んで形成したものが開示されている（例えば、特許文献２など）。
この方法では、コイル導体のインダクタンスは、スパイラルの回数（ターン数）にほぼ比例するため、大きなインダクタンスを得るためには、ターン数を増やす必要がある。実装面積を増やさずにターン数を増やすと、コイル導体の断面積を小さくする必要がある。
つまり、大きなインダクタンスを得るためには、コイル導体の断面積を小さく、導体線長を長くしなければならない。しかし、コイル断面積を小さく、コイル導体線長を長くすると、コイル導体の直流抵抗が増大するため電力損失が増大してしまうという課題があった。
【０００６】
その点を解消するために、磁性絶縁基板と、該磁性絶縁基板の第１主面に形成された第１コイル導体と前記磁性絶縁基板の第２主面に形成された第２コイル導体と前記磁性絶縁基板を貫通する貫通孔に形成された接続導体とをそれぞれ接続してなるソレノイド状コイル、からなる薄型磁気素子が開示されている（例えば、特許文献３など）。
これらの構造は、磁性絶縁基板に貫通孔を形成し、コイル導体を形成する際、同時に半導体素子や、実装基板などと接続するための実装端子（電極）を形成し、ソレノイド状コイルが形成される磁性絶縁基板にＩＣチップを実装するだけで、新たな実装基板を不要とする、超小型・薄型の電力変換装置を実現するものである。
【０００７】
前記の超小型電力変換装置は、特徴としては、磁性絶縁基板に貫通孔を形成し、その貫通孔を通して電気的に接続されたコイル導体を第１主面、第２主面に具備し、さらに同様に第１主面に半導体素子との電気的接続をするための電極（接合端子）、第２主面に実際に使用される場合のプリント板などとの電気的接続のための電極（実装端子）を具備していることである。本提案構造を適用することにより、デバイスを構成する部品を最小限に留め、超小型、薄型化を実現した電力変換装置を得ることができる。
【０００８】
また、フェライト基板の外周部に形成される端子（電極）を磁束密度の低いソレノイドコイルの軸方向（Ｘ軸）に垂直なＹ軸に配置することで回路の誤動作が生じ難くくできることが報告されている（例えば、特許文献４など）。
【特許文献１】特開２００１−１９６５４２号公報
【特許文献２】特開２００２−２３３１４０号公報（図１）
【特許文献３】特開２００４−２７４００４号公報
【特許文献４】特開２００６−２８０１２７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
前述の特許文献１〜４に示した構造では、図１１に示すように、薄膜磁気誘導素子の外周部に半導体素子（ＩＣチップ８０）との接合電極（第２主面上の電極８２および第１主面上の電極８８）がある。これは薄膜磁気誘導素子のコイルの形状がソレノイド状であるために、フェライト基板８６の中央部にコイルを配置しなければならず、必然的にＩＣチップ８０との接合電極（電極８２、８８）は、フェライト基板８６の外周部に配置しなければならなくなる。図１１のように電極８２、８８が外周４辺に配置してある場合など電極がコイル幅方向の辺に配置されていると、コイルの長さやターン数は当該コイル幅方向の辺に配置される電極Ａにより制約される。
【００１０】
薄膜磁気誘導素子の特性のうちインダクタンス値は、コイル軸方向の長さ（素子のサイズ）に大きく依存するために、必要な特性を得るためには素子サイズが大きく影響する。一方で、半導体素子（ＩＣチップ８０）のサイズについては、特性でサイズが制限されることはもちろんであるが、機能によってサイズを大幅に低減できる場合もある。
従って、半導体素子と薄膜磁気誘導素子のサイズには本来相関はないが、本構造の場合には、半導体素子を磁気誘導素子上に実装するために、電極が外周に配置されていることから、半導体素子のサイズが磁気誘導素子のサイズによって制限されてしまうという問題があった。
【００１１】
このため、半導体素子の小型化が可能であっても、薄膜磁気誘導素子の小型化ができない場合は、半導体素子はサイズを大きくしなければならず、コスト低減を妨げる要因になっていた。逆に、半導体素子のサイズに合わせて薄膜磁気誘導素子を小型化すると、磁気誘導素子の特性が悪化し、結果として、電力変換装置の電源効率などの特性が悪化するという結果になっていた。また、電極に発生する誘導起電力（コイルの磁場が電極の接続導体に作用することにより発生する起電力）が大きく、半導体素子（ＩＣ）の誤動作が起こり易くなっていた。
【００１２】
尚、図１１の符号について、８１はＩＣチップ８０と電極８８を電気的に接続するスタッドバンプ、８３、８５は表裏の電極および表裏のコイル導体を接続する接続導体を形成するための貫通孔、８７はコイルを保護する保護膜および８９はアンダーフィル樹脂である。
この発明の目的は、前記の課題を解決して、薄膜磁気誘導素子のインダクタンス値の向上および電極で発生する誘導起電力の低減を図ることができる超小型電力変換装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
前記の目的を達成するために、半導体集積回路が形成された半導体基板と、薄膜磁気誘導素子とコンデンサを有する超小型電力変換装置において、磁性絶縁基板と該磁性絶縁基板の第1主面に形成された第１導体と前記磁性絶縁基板の第２主面に形成された第２導体と前記磁性絶縁基板を貫通する第１貫通孔に形成された第１接続導体とをそれぞれに接続してなるソレノイド状コイル導体からなる薄膜磁気誘導素子を有し、前記磁性絶縁基板の周辺部に形成された第２貫通孔と該第２貫通孔に形成された第２接続導体と該第２接続導体を介して接続され前記第１主面および前記第２主面に互いに対向して形成される複数の電極とを有し、該電極が前記磁性絶縁基板の１辺もしくは対向する２辺に集中配置されている構成とする。
【００１４】
また、半導体集積回路が形成された半導体基板と、薄膜磁気誘導素子とコンデンサを有する超小型電力変換装置において、磁性絶縁基板と該磁性絶縁基板の第1主面に形成された第１導体と前記磁性絶縁基板の第２主面に形成された第２導体と前記磁性絶縁基板を貫通する第１貫通孔に形成された第１接続導体とをそれぞれに接続してなるソレノイド状コイル導体からなる薄膜磁気誘導素子を有し、前記磁性絶縁基板の周辺部に形成された第２貫通孔と該第２貫通孔に形成された第２接続導体と該第２接続導体を介して接続され前記第１主面および前記第２主面に互いに対向して形成される複数の電極とを有し、前記磁性絶縁基板の外周部に間隙が形成される構成とする。
【００１５】
また、前記間隙が、前記第２貫通孔と接して形成されるかもしくは離して形成されるとよい。
また、前記隙間が、隣接する前記電極の間に形成されるとよい。
また、前記電極が、前記磁性絶縁基板の１辺もしくは対向する２辺に集中配置されている構成とする。
また、前記電極が集中配置されている前記磁性絶縁基板の１辺もしくは対向する２辺が、前記第１導体もしくは前記第２導体の延長線上にある辺であるとよい。
【００１６】
また、前記間隙の形状が、前記磁性絶縁基板を貫通するスリット状の隙間であるとよい。
また、前記間隙が、前記磁性絶縁基板を貫通しないスリット状の溝であるとよい。
また、前記間隙が、前記磁性絶縁基板の外周端に達するとよい。
【発明の効果】
【００１７】
この発明によれば、磁性絶縁基板の第１主面および第２主面の外周部に形成する電極をソレノイドコイルの軸方向で互いに対向する２辺に集中配置するかもしくは１辺に集中配置することで、コイル長さを長くし、ターン数を多くして磁性絶縁基板のサイズが同じでもインダクタンス値が大きく、特性の良い薄膜磁気誘導素子を用いた超小型電力変換装置を得ることができる。特に、電力変換効率に悪影響を与えるコイルの直列抵抗を上げずにインダクタンス値のみを大きくすることができる。
【００１８】
また、本発明の超小型電力変換装置は、同サイズで性能向上が図れることから、同性能の場合はサイズの低減を実現することができるため、コスト低減を図ることができる。
また、磁性絶縁基板の外周部に間隙を形成することで電極の外側を回る外周磁束を低減し、この電極に発生する誘導起電力を低減できて、電極で発生するノイズが小さい超小型電力変換装置を形成することができる。
【００１９】
この間隙を貫通孔から磁性絶縁基板の外周端まで伸びるように形成することで、インダクタンス値は間隙を形成しない場合とほぼ同等で、電極に発生する誘導起電力を極めて小さく抑制することができる。誘導起電力が極めて小さく抑制されることで、一層のノイズ低減を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
この発明の実施の形態は、薄膜磁気誘導素子において、磁性絶縁基板の外周部に形成される電極をソレノイドコイルのコイル軸方向と平行な１辺もしくは対向する２辺に集中配置することで、コイル長を長くできて、インダクタンス値（Ｌ値）を大きくすることができる。
また、磁性絶縁基板の外周部に間隙を形成することで電極の外側を流れる外周磁束を低減できて、互いに対向する表裏の電極間に発生する誘起起電力を低く抑えることができる。誘起起電力が低く抑えられることで電極で発生するノイズを小さくできる超小型電力変換装置を製作できる。具体的な実施の形態を以下の実施例にて説明する。尚、電極の配置は２辺配置を例に挙げて説明する。但し、間隙を形成したものは電極の配置は１辺配置や２辺配置は勿論のこと３辺配置や４辺配置にも適用できる。
【実施例１】
【００２１】
図１は、この発明の第１実施例の超小型電力変換装置の要部構成図であり、同図（ａ）は薄膜磁気誘導素子を第１主面（表面）から透視した平面図、同図（ｂ）は同図（ａ）のＹ−Ｙ線で切断したときの断面図である。尚、超小型電力変換装置としては、図１１に示したようにＩＣチップ等の他の構成部品もあるが、図１ではそれを省略して薄膜磁気誘導素子のみを示している。
【００２２】
この薄膜磁気誘導素子は、磁性絶縁基板であるフェライト基板１１と、このフェライト基板１１の中央部に形成したソレノイドコイルと、フェライト基板１１の外周部でコイル軸方向の辺にフェライト基板１１を挟んで互いに対向するように配置された電極１５ａ、１５ｂと保護膜１７で構成される。ソレノイドコイルはコイル導体１６ａ，１６ｂと、このコイル導体１６ａ、１６ｂを電気的に接続する接続導体１３ｂで構成される。また電極１５ａ、１５ｂは接続導体１２ｂで電気的に接続する。これらの接続導体１２ｂ、１３ｂは磁性絶縁基板１１に形成された貫通孔１２ａ、１３ａの側壁に導電膜を形成することで作られる。
【００２３】
従来構造の薄膜磁気誘導素子は、図１１に示したように、ＩＣチップ８０との実装電極（電極８８、８２）が４辺に（均等に）配置してあり（以下、４辺配置と呼ぶ）、コイル幅方向（コイル軸と直角の方向）の辺に配置された電極８２、８８によって、コイル導体８４の幅およびコイルのターン数が制限されていた。
この発明では、図１に示すようにコイル幅方向に配置される電極をコイル軸方向の辺（図１では上下の２辺に対応）に集中配置することで（以下、２辺配置と呼ぶ）、コイル軸方向の長さ（コイル長さ）を長くし、コイル導体１６ａ、１６ｂの幅およびコイルのターン数を増加させることができる。同じ配線ルール（コイル導体１６ａ、１６ｂの長さと膜厚およびコイルの直列抵抗が一定）でコイルを形成した場合、２辺配置は４辺配置よりターン数が数ターン増加することができ（ターン数をおおくしてもコイル導体１６ａ、１６ｂの配線幅を大きくすることによりコイルの直列抵抗を一定に保つことができる）、電力変換効率を低下させるコイルの直列抵抗を増大させることなく、インダクタンス値（Ｌ値）のみを向上することができる。
【００２４】
コイルの直列抵抗の増大が問題にならない場合は、コイル導体の配線幅を調整することにより、さらにインダクタンス値を向上することができる。電極数が少ない場合には１辺配置にするとコイル軸に対して直角方向のコイル幅を増大できてコイル断面積を増大できるのでインダクタンス値をさらに増やすことができる。
図２は、図１の薄膜磁気誘導素子の製造方法を示し、同図（ａ）〜同図（ｆ）は工程順に示した要部製造工程断面図である。この図２は図１のＹ−Ｙ線で切断した断面図に相当する要部断面図である。また図２は１つのチップ部分のみについて拡大して示してあるが、実際はこのようなチップを多数形成した基板として製造した。
【００２５】
まず、磁性絶縁基板として、厚さ５２５μｍのＮｉ−Ｚｎ系フェライト基板１１を用いた。なお、基板の厚さは必要なインダクタンス、コイル電流値、磁性基板の特性から決定されるものであり、今回の実施例での厚さに限ったものではない。
なお、磁性絶縁基板としてフェライト基板１１を用いたが、磁性絶縁材料であればフェライトに限らない。今回は、容易に基板状に成型し得る材料としてフェライト基板を用いた。
【００２６】
まず、同図（ａ）のようにフェライト基板に貫通孔１２ａ、１３ａを形成する。第１主面、第２主面に形成された電極１５ａ、１５ｂ同士を電気的に接続するために必要となる貫通孔が１２ａ、コイル導体１６ａ、１６ｂ同士を電気的に接続するために必要となる貫通孔が１３ａである。加工方法は、レーザ加工、サンドブラスト加工、放電加工、超音波加工、機械加工などいずれの方法も適用でき、加工コスト、加工寸法などで決定する必要がある。今回の実施例では、最小加工寸法幅が０．１３ｍｍと微小なこと、加工個所が多いことからサンドブラスト法を用いた。
【００２７】
つぎに、貫通孔１２ａ、１３ａとフェライト基板１１の第１主面、第２主面に接続導体１２ｂ、１３ｂおよびコイル導体１６ａ、１６ｂ、電極１５ａ、１５ｂをそれぞれ形成する。その形成方法を説明する。
まず、基板全面に導電性を付与するために、Ｃｒ／Ｃｕをスパッタ法で成膜し、めっきシード層２１を形成する（同図（ｂ））。このとき、貫通孔１２ａ、１３ａへも導電性は付与されるが、必要であれば、無電解めっきなどを施しても良い。また、スパッタ法にかぎらず真空蒸着法、ＣＶＤ（ケミカルベイパーデポジション）法、などを用いても良い。無電解めっきのみで形成する方法でも良い。ただし、基板との密着性を十分得られる方法が望ましい。
【００２８】
なお、導電性材料については導電性を持つ材料であればなんでも良い。密着性を得るための密着層として今回はＣｒを用いたが、Ｔｉ、Ｗ、Ｎｂ、Ｔａなども用いることができる。また、Ｃｕが後工程の電解めっき工程でめっきが生成されるシード層となるが、これもＮｉ、Ａｕなどを用いることができる。今回は、後工程での加工の容易さも考慮し、Ｃｒ／Ｃｕの膜構成とした。
【００２９】
つぎに、第１主面、第２主面に形成されるべきコイル導体１６ａ、１６ｂ、電極１５ａ、１５ｂのパターンをフォトレジスト２２を用いて形成する（同図（ｃ））。本実施例ではネガ型のフィルムタイプのレジストを用いてこれらのパターンを形成した。
次にレジストパターンの開口部へ電解めっきでコイル導体１６ａ、１６ｂ、電極１５ａ、１５ｂとなるＣｕを形成させる（同図（ｄ））。このとき、貫通孔１２ａ、１３ａ部へもＣｕがめっきされる。このメッキで接続導体１２ｂ、１３ｂが形成され第１主面と第２主面のコイル導体１６ａ，１６ｂおよび電極１５ａ、１５ｂが接続される。またソレノイド状のコイルパターン１６ａ、ｂおよび電極１５ａ、１５ｂも同時に形成される。電解めっき後、不要なフォトレジスト２２、メッキシード層２１（導電層）を除去することで、所望のコイル導体１６ａ、１６ｂと電極１５ａ、１５ｂが形成される（同図（ｅ））。
【００３０】
つぎにコイル導体１６ｂ上に保護膜１７を形成する（同図（ｆ））。
本実施例ではフォトレジスト２２にはフィルム型の感光性絶縁材料を用いた。保護膜１７は、第２主面のコイル導体１６ｂを湿気などの環境から保護する役割を果たす。また、フォトレジスト２２および保護膜１７は貫通孔１２ａ、１３ａの内部を充填する機能も持ち凹凸を埋める機能をもつ。コイル導体１６ａ、１６ｂは複雑な凹凸構造であるために、十分導体間を保護膜１７で埋め込み、かつ貫通孔１２ａ、１３ａの内部もボイドなく埋め込むために、真空ラミネート法を用いた。
【００３１】
また、保護膜１７は感光性であるため、通常のフォトレジストのように露光、現像を実施し、電極開口部２３も同時形成した。使用した感光性絶縁材料は熱硬化型であるため、加工後に１８０℃で熱硬化した。なお、この絶縁膜１７の形成方法はフィルム型の材料に限定されるものではなく、液状の絶縁材料をスクリーン印刷でパターン形成し、熱硬化させても良い。
【００３２】
また、今回の実施例では第一主面側には絶縁膜や保護膜を形成していないが、必要あれば形成しても良い。
上記工程で、薄膜磁気誘導素子を製作した。このあと、図１１で示すように半導体素子（例えば、ＩＣチップ８０など）との接合には、スタッドバンプ８１を用いた超音波接合法を用い、ＩＣチップ８０と薄膜磁気誘導素子の間はアンダーフィル樹脂８９で封止する。接合方法として本実施例ではスタッドバンプ８１と超音波接合を用いたが、本構造ではこれに限定されるものではなく、はんだ接合、導電接着材などを用いても問題はない。ワイヤーボンディング法など、面実装方式ではない方法でも可能である。
【００３３】
また、ＩＣチップ８０と薄膜磁気誘導素子の固定にはアンダーフィル樹脂８９を用いたが、これは必要に応じて材料を選定すれば良く、エポキシ樹脂などの封止材などでも良い。
図３は、直流抵抗（Ｒｄｃ）とインダクタンス値（Ｌ値）の相関図である。図３では、同じ配線ルールに従い、本実施例を用いた場合と従来構造による場合を比較して示した。また、例として薄膜磁気誘導素子の外形（フェライト基板の外形）が３．０ｍｍ×３．０ｍｍのものを用いた。コイル導体１６ａ、１６ｂの膜厚が３５μｍ一定としたときの実施例として、３１が本実施例を適用した薄膜磁気誘導素子（２辺配置の場合）の特性、３２が従来例の４辺配置の場合の例である。また、コイル導体１６ａ、１６ｂの膜厚が６０μｍ一定としてときの実施例として、３３が本実施例を適用した薄膜磁気誘導素子（２辺配置の場合）の特性、３４が従来例の４辺配置の場合の例である。
【００３４】
なお、インダクタンス値は直流電流３００ｍＡを印加したときの、周波数２ＭＨｚ時の測定値を代表例として記した。なお、この両者のコイル導体幅の最大値は同一である。
図３より、同じ設計ルール（寸法精度）で形成した場合、２辺配置の方がインダクタンス値が大きく取れる構造を形成できることが分かる。つまり、同じ製造技術で形成できるインダクタの特性向上をはかることができる。したがって、結果として、電力変換装置の変換効率の向上など、性能向上をはかることができる。
【００３５】
図４は、図１（ａ）に磁束を示した図であり、同図（ａ）はコイル平面図、同図（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ線で切断した要部断面図である。図４中の矢印４１、４２、４３は主磁路を流れる磁束であり、コイルが発生する磁束の流れを模式的に示したものである。コイルに電流を印加すると、コイル導体下部（コイル内）の主磁路に磁束４１が流れる。また磁束４２、４３はコイル外周部にあたる箇所＝還流磁路を流れる（還流磁束と呼ぶ）。  
【００３６】
この還流磁束（磁束４２、４３）は、電極１５ａ、１５ｂ部に形成した貫通孔１２ａ（接続導体１２ｂ）より内側の内周を流れる磁束４２（ここでは内周磁束と呼ぶ）と貫通孔１２ａ（接続導体１２ｂ）より外側の外周を流れる磁束４３（ここでは外周磁束と呼び同一符号の４３を付す）に分かれる。インダクタ（薄膜磁気誘導素子）の特性上は問題ないが、電力変換装置を形成した場合、コイルに電流を印加すると、実装のパターン状態によっては外周磁束４３の作用により電極１５ａ、１５ｂに誘導起電力が発生＝電極ノイズが発生する。この断面からわかるように、電極１５ａ、１５ｂを囲む領域中に磁性体が存在し、外周磁束が流れることで、電極１５ａ、１５ｂ間には誘導起電力が発生する。この誘導起電力は、周波数、印加電流が一定であれば、フェライト基板中の磁束量に比例して増減することになる。
【００３７】
つぎに外周磁束４３を低減する方法について以下の実施例で説明する。
【実施例２】
【００３８】
図５は、この発明の第２実施例の超小型電力変換装置の要部構成図であり、同図（ａ）は薄膜磁気誘導素子を第１主面から透視した平面図、同図（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ線で切断した断面図である。
本発明では、第１主面の電極と第２主面の電極１５ａ、１５ｂをつなぐ貫通孔１２ａに接してフェライト基板１１を貫通したスリット状の隙間５０を形成しており、電極１５ａ、１５ｂは接続導体１２ｂで電気的に接続されている。スリット状の隙間５０を形成することにより、電極１５ａ、１５ｂの外周部にあるフェライト基板１１の部分（幅）を少なくすることができる。これにより電極１５ａ、１５ｂの外周を流れる外周磁束４３を低減することができる。前記の貫通孔１２ａとスリット状の隙間５０を同時に形成すると全体の平面形状がフェライト基板１１の端部方向に長軸が向く長楕円となる場合がある。この場合は長楕円の長軸方向でフェライト基板１１の端部寄りの箇所がスリット状の隙間５０となる。この長楕円をここでは便宜的に長方形で示した。
【００３９】
また、図６に示すように、貫通孔１２ａと離してスリット状の隙間５０を形成した場合も外周磁束４３を低減することができる。しかし、この場合は貫通孔１２ａとスリット状の隙間５０の間にフェライト基板１１が残るため、図５の場合より外周磁束４３の低減率は小さくなる。尚、図６（ａ）は図５のＢ部の詳細図であり、図６（ｂ）は図６（ａ）のＡ−Ａ線で切断した断面図で図５（ｂ）に相当する断面図である。
【００４０】
本発明の構造を製作するためには、図２の第１実施例の磁気誘導素子の製造工程のうち、図２（ａ）の工程のフェライト基板１１への貫通孔形成工程のパターンを変更するだけでよい。従って、スリット状の隙間５０の壁面にも接続導体が形成されるが、本発明の効果には影響がない。なお、図５では、電極１５ａ、１５ｂはフェライト基板１１の外周端から内側へ入り込んでいるが、電極１５ａ、１５ｂがフェリト基板１１の外周端まで伸びていても本発明の効果には影響がなく、同様の効果が得られる。
【実施例３】
【００４１】
図７は、この発明の第３実施例の超小型電力変換装置の要部構成図であり、同図（ａ）は薄膜磁気誘導素子を第１主面から透視した平面図、同図（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ線で切断した断面図である。
第３実施例では、第１主面の電極１５ａと第２主面の電極１５ｂとをつなぐ貫通孔１２ａを長楕円状に形成した第２実施例の図５において、長楕円の貫通孔１２ａをフェライト基板１１の外周端まで形成することで、外周磁束４３を遮蔽できるスリット状の隙間６０を形成している。このスリット状の隙間６０はフェライト基板１１を完全に貫通している。
【００４２】
これにより、電極１５ａ、１５ｂの外周にはフェライト基板部を完全になくすことができるため、電極１５ａ、１５ｂの外周を流れる外周磁束４３を完全になくすことができる。厳密には漏れ磁束があるため誘導起電力は極くわずか発生する（１％程度以下）。
なお、第２実施例と同様に、本発明を製作するためには、図２で示した製造工程のうち、図２（ａ）の工程のフェライト基板１１への貫通孔形成工程のパターンを変更するだけでよい。
【００４３】
なお、図６では、電極１５ａ、１５ｂは外周から内側へ入り込んでいるが、電極１５ａ、１５ｂが外周端まで伸びても本発明の効果には影響がなく、同様の効果が得られる。
【実施例４】
【００４４】
図８は、この発明の第４実施例の超小型電力変換装置の要部構成図であり、同図（ａ）は薄膜磁気誘導素子を第１主面から透視した平面図、同図（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ線で切断した断面図、同図（ｃ）は同図（ａ）のＸ−Ｘ線で切断した断面図である。
第４実施例では、第１主面の電極と第２主面の電極１５ａ、１５ｂとをつなぐ貫通孔１２ａから外周端へ向けてフェライト基板１１を貫通しないスリット状の溝７０を形成し、電極１５ａ、１５ｂの外周部のフェライト基板１１部分を少なくする構造である。これにより電極１５ａ、１５ｂの外周を流れる外周磁束４３を低減することができる。
【００４５】
本発明の構造を製作するためには、図２の製造工程のうち、図２（ａ）の工程のフェライトへの貫通孔形成工程で、第一主面のみのパターンを変更するだけでよい。
なお、図８では、電極１５ａ、１５ｂは外周から内側へ入り込んでいるが、電極１５ａ、１５ｂが外周までいっても本発明の効果には影響がなく、同様の効果が得られる。
また、本実施例では、貫通孔１２ａから直接、外周にスリット状の溝７０を形成しているが、貫通孔１２ａから直接ではなく、その近傍からスリット状の溝７０形成をしてもほぼ同様の効果が見られる。フェライト基板１１が貫通孔１２ａとスリット状の溝７０の間に介在すると、その箇所で外周磁束４３が増大するため誘導起電力が多少増大する。
【実施例５】
【００４６】
図９は、この発明の第５実施例の超小型電力変換装置の要部構成図であり、薄膜磁気誘導素子を第１主面から透視した平面図である。
第５実施例では、第１主面の電極１５ａと第２主面の電極１５ｂとをつなぐ貫通孔１２ａの近傍に、フェライト基板１１を貫通するスリット状の隙間１００を形成し磁気抵抗を上げて、電極１５ａ、１５ｂの外周へ流れる外周磁束４３を低減している。
【００４７】
本構造は、第２実施例、第４実施例のような外周まで行かないスリット状の隙間５０やフェライト基板１１を貫通しないスリット状の溝７０では効果は少なく、完全に素子外周まで達する貫通したスリット状の隙間１００であることが望ましい。
また、本実施例では、貫通孔１２ａとスリット状の隙間１００の距離が外周磁束４３の低減効果に影響を及ぼす。本発明は、第２〜第４実施例と比較すると、効果は小さいが、電極１５ａ、１５ｂにスリット状の隙間５０、６０や溝７０を形成不可能である場合、後加工でスリット状の隙間１００を形成する場合などに有効である。
【００４８】
尚、第２〜第４実施例ではスリット状の隙間５０、６０や溝７０は全ての電極１５ａ、１５ｂに形成されているが、誘導起電力の影響を受け易いＩＣの信号線と接続する電極にのみ形成して誘導起電力を減らし、電源と接続する電極などは誘導起電力の影響は受けないので形成しない場合もある。こうするとスリット状の隙間５０、６０や溝７０の占める体積が減りＬ値を上げることができる。
【００４９】
図１０は、第１〜第５実施例の電極に発生する誘導起電力の比較例を示したものである。なお、誘導起電力は、印加する電流、周波数、貫通孔の外周からの位置で左右されるため、今回は一例として、３．０ｍｍ角、ターン数１２、交流振幅電流０．６Ａ、周波数２ＭＨｚ、外周から貫通孔１２ａ端部までの距離２００μｍのときの比較を示した。なお、数値は相対比較値で示した。また、図中の９１は第１実施例で間隙がない場合の誘起起電力、９２〜９４は第２実施例でスリット状の隙間の長さを変えた場合の誘起起電力、９５は第３実施例でスリット状の隙間がフェライト基板端部まで達した場合の誘起起電力、９６から９８は第４実施例でスリット状の溝の深さを変えた場合の誘起起電力、９９は第５実施例のスリット状の隙間の長さを４００μｍにした場合の誘起起電力を示す。
【００５０】
第２〜第５実施例に関しては、いずれにおいても、電極１５ａ、１５ｂ間に発生する誘導起電力を低減可能であり、製造工程、構造などの諸条件を考慮して、可能な構造を取れば良い。特に第３実施例では誘導起電力は殆ど発生せず効果が極めて大きい。一方、第３実施例におけるＬ値の低下は、第１実施例のスリット状の隙間がない場合と比べて４％程度と殆んどなかった。また、他の実施例（第２、４、５実施例）ではＬ値の低下はさらに小さかった。
【００５１】
また、第２〜第５実施例の組合せを実施しても勿論構わない。
また、前記のスリット状の隙間を設ける効果は、前記した第２〜第５実施例で示した電極の２辺配置に限るものではなく、電極１５ａ、１５ｂが磁性絶縁基板１１の３辺または４辺に形成された構造においても前記したスリット状の隙間５０、６０、１００や溝７０を設けることで前記の実施例と同様の効果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】この発明の第１実施例の超小型電力変換装置の要部構成図であり、（ａ）は薄膜磁気誘導素子を第１主面（表面）から透視した平面図、（ｂ）は（ａ）のＹ−Ｙ線で切断したときの断面図
【図２】図１の薄膜磁気誘導素子の製造方法を示し、（ａ）〜（ｆ）は工程順に示した要部製造工程断面図
【図３】図３は、直流抵抗（Ｒｄｃ）とインダクタンス値（Ｌ値）の相関図
【図４】図１（ａ）に磁束を示した図であり、（ａ）はコイル平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線で切断した要部断面図
【図５】この発明の第２実施例の超小型電力変換装置の要部構成図であり、（ａ）は薄膜磁気誘導素子を第１主面から透視した平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線で切断した断面図
【図６】スリット状の隙間の別の例を説明する図であり、（ａ）は図５のＢ部の詳細図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線で切断した断面図
【図７】この発明の第３実施例の超小型電力変換装置の要部構成図であり、（ａ）は薄膜磁気誘導素子を第１主面から透視した平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線で切断した断面図
【図８】この発明の第４実施例の超小型電力変換装置の要部構成図であり、（ａ）は薄膜磁気誘導素子を第１主面から透視した平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線で切断した断面図、（ｃ）は同図（ａ）のＸ−Ｘ線で切断した断面図
【図９】この発明の第５実施例の超小型電力変換装置の要部構成図であり、（ａ）は薄膜磁気誘導素子を第１主面から透視した平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線で切断した断面図
【図１０】第１〜第５実施例の電極に発生する誘導起電力を示した図
【図１１】従来の超小型電力変換装置の要部構成図であり、（ａ）は断面図、（ｂ）は薄膜磁気誘導素子の平面図
【符号の説明】
【００５３】
１１    フェライト基板
１２ａ  貫通孔（電極側）
１２ｂ  接続導体（電極側）
１３ａ  貫通孔（コイル側）
１３ｂ  接続導体（コイル導体）
１５ａ  電極（第１主面）
１５ｂ  電極（第２主面）
１６ａ  コイル導体（第１主面）
１６ｂ  コイル導体（第２主面）
１７    保護膜
２１    メッキシード層
２２    フォトレジスト
２３    電極露出部
３１、３３  本発明品に関する測定結果
３２、３４  従来品に関する測定結果
４１、４２  磁束
４３    磁束／外周磁束
５０、６０、１００  スリット状の隙間
７０    スリット状の溝
【図１】
2008147297.tif 000003
【図２】
2008147297.tif 000004
【図３】
2008147297.tif 000005
【図４】
2008147297.tif 000006
【図５】
2008147297.tif 000007
【図６】
2008147297.tif 000008
【図７】
2008147297.tif 000009
【図８】
2008147297.tif 000010
【図９】
2008147297.tif 000011
【図１０】
2008147297.tif 000012
【図１１】
2008147297.tif 000013
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月8日(2007.11.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体集積回路が形成された半導体基板と、薄膜磁気誘導素子とコンデンサを有する超小型電力変換装置において、磁性絶縁基板と該磁性絶縁基板の第1主面に形成された第１導体と前記磁性絶縁基板の第２主面に形成された第２導体と前記磁性絶縁基板を貫通する第１貫通孔に形成された第１接続導体とをそれぞれに接続してなるソレノイド状コイル導体からなる薄膜磁気誘導素子を有し、前記磁性絶縁基板の周辺部に形成された第２貫通孔と該第２貫通孔に形成された第２接続導体と該第２接続導体を介して接続され前記第１主面および前記第２主面に互いに対向して形成される電極対を複数有し、該電極対が前記磁性絶縁基板の１辺もしくは対向する２辺に集中配置されていることを特徴とする超小型電力変換装置。
【請求項２】
半導体集積回路が形成された半導体基板と、薄膜磁気誘導素子とコンデンサを有する超小型電力変換装置において、磁性絶縁基板と該磁性絶縁基板の第1主面に形成された第１導体と前記磁性絶縁基板の第２主面に形成された第２導体と前記磁性絶縁基板を貫通する第１貫通孔に形成された第１接続導体とをそれぞれに接続してなるソレノイド状コイル導体からなる薄膜磁気誘導素子を有し、前記磁性絶縁基板の周辺部に形成された第２貫通孔と該第２貫通孔に形成された第２接続導体と該第２接続導体を介して接続され前記第１主面および前記第２主面に互いに対向して形成される電極対を複数有し、前記磁性絶縁基板の外周部に間隙が形成されることを特徴とする超小型電力変換装置。
【請求項３】
前記間隙が、前記第２貫通孔と接して形成されるかもしくは離して形成されることを特徴とする請求項２に記載の超小型電力変換装置。
【請求項４】
前記隙間が、隣接する前記電極対の間に形成されることを特徴とする請求項２に記載の超小型電力変換装置。
【請求項５】
前記電極対が、前記磁性絶縁基板の１辺もしくは対向する２辺に集中配置されていることを特徴とする請求項２〜４のいずれか一項に記載の超小型電力変換装置。
【請求項６】
前記電極対が集中配置されている前記磁性絶縁基板の１辺もしくは対向する２辺が、前記第１導体もしくは前記第２導体の延長線と交差する辺であることを特徴とする請求項１または５に記載の超小型電力変換装置。
【請求項７】
前記間隙の形状が、前記磁性絶縁基板を貫通するスリット状の隙間であることを特徴とする請求項２〜５のいずれか一項に記載の超小型電力変換装置。
【請求項８】
前記間隙が、前記磁性絶縁基板を貫通しないスリット状の溝であることを特徴とする請求項２〜５のいずれか一項の超小型電力変換装置。
【請求項９】
前記間隙が、前記磁性絶縁基板の外周端に達することを特徴とする請求項２、３、４、６または８のいずれか一項に記載の超小型電力変換装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
前記の目的を達成するために、半導体集積回路が形成された半導体基板と、薄膜磁気誘導素子とコンデンサを有する超小型電力変換装置において、磁性絶縁基板と該磁性絶縁基板の第1主面に形成された第１導体と前記磁性絶縁基板の第２主面に形成された第２導体と前記磁性絶縁基板を貫通する第１貫通孔に形成された第１接続導体とをそれぞれに接続してなるソレノイド状コイル導体からなる薄膜磁気誘導素子を有し、前記磁性絶縁基板の周辺部に形成された第２貫通孔と該第２貫通孔に形成された第２接続導体と該第２接続導体を介して接続され前記第１主面および前記第２主面に互いに対向して形成される電極対を複数有し、該電極対が前記磁性絶縁基板の１辺もしくは対向する２辺に集中配置されている構成とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、半導体集積回路が形成された半導体基板と、薄膜磁気誘導素子とコンデンサを有する超小型電力変換装置において、磁性絶縁基板と該磁性絶縁基板の第1主面に形成された第１導体と前記磁性絶縁基板の第２主面に形成された第２導体と前記磁性絶縁基板を貫通する第１貫通孔に形成された第１接続導体とをそれぞれに接続してなるソレノイド状コイル導体からなる薄膜磁気誘導素子を有し、前記磁性絶縁基板の周辺部に形成された第２貫通孔と該第２貫通孔に形成された第２接続導体と該第２接続導体を介して接続され前記第１主面および前記第２主面に互いに対向して形成される電極対を複数有し、前記磁性絶縁基板の外周部に間隙が形成される構成とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、前記間隙が、前記第２貫通孔と接して形成されるかもしくは離して形成されるとよい。
また、前記隙間が、隣接する前記電極対の間に形成されるとよい。
また、前記電極対が、前記磁性絶縁基板の１辺もしくは対向する２辺に集中配置されている構成とする。また、前記電極対が集中配置されている前記磁性絶縁基板の１辺もしくは対向する２辺が、前記第１導体もしくは前記第２導体の延長線と交差する辺であるとよい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
また、保護膜１７は感光性であるため、通常のフォトレジストのように露光、現像を実施し、電極露出部２３も同時形成した。使用した感光性絶縁材料は熱硬化型であるため、加工後に１８０℃で熱硬化した。なお、この絶縁膜１７の形成方法はフィルム型の材料に限定されるものではなく、液状の絶縁材料をスクリーン印刷でパターン形成し、熱硬化させても良い。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
図５は、この発明の第２実施例の超小型電力変換装置の要部構成図であり、同図（ａ）は薄膜磁気誘導素子を第１主面から透視した平面図、同図（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ線で切断した断面図である。
本実施例では、第１主面の電極と第２主面の電極１５ａ、１５ｂをつなぐ貫通孔１２ａに接してフェライト基板１１を貫通したスリット状の隙間５０を形成しており、電極１５ａ、１５ｂは接続導体１２ｂで電気的に接続されている。スリット状の隙間５０を形成することにより、電極１５ａ、１５ｂの外周部にあるフェライト基板１１の部分（幅）を少なくすることができる。これにより電極１５ａ、１５ｂの外周を流れる外周磁束４３を低減することができる。前記の貫通孔１２ａとスリット状の隙間５０を同時に形成すると全体の平面形状がフェライト基板１１の端部方向に長軸が向く長楕円となる場合がある。この場合は長楕円の長軸方向でフェライト基板１１の端部寄りの箇所がスリット状の隙間５０となる。この長楕円をここでは便宜的に長方形で示した。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
また、図６に示すように、貫通孔１２ａと離してスリット状の隙間５０を形成した場合も外周磁束４３を低減することができる。しかし、この場合は貫通孔１２ａとスリット状の隙間５０の間にフェライト基板１１が残るため、図５の場合より外周磁束４３の低減率は小さくなる。尚、図６（ａ）は図５のＢ部に相当する部分の詳細図であり、図６（ｂ）は図６（ａ）のＡ−Ａ線で切断した部分を含む図５（ｂ）に相当する断面図である。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
なお、図６では、電極１５ａ、１５ｂは外周から内側へ入り込んでいるが、本実施例のように電極１５ａ、１５ｂが外周端まで伸びても本発明の効果には影響がなく、同様の効果が得られる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
【図１】この発明の第１実施例の超小型電力変換装置の要部構成図であり、（ａ）は薄膜磁気誘導素子を第１主面（表面）から透視した平面図、（ｂ）は（ａ）のＹ−Ｙ線で切断したときの断面図
【図２】図１の薄膜磁気誘導素子の製造方法を示し、（ａ）〜（ｆ）は工程順に示した要部製造工程断面図
【図３】図３は、直流抵抗（Ｒｄｃ）とインダクタンス値（Ｌ値）の相関図
【図４】図１（ａ）に磁束を示した図であり、（ａ）はコイル平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線で切断した要部断面図
【図５】この発明の第２実施例の超小型電力変換装置の要部構成図であり、（ａ）は薄膜磁気誘導素子を第１主面から透視した平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線で切断した断面図
【図６】スリット状の隙間の別の例を説明する図であり、（ａ）は図５のＢ部に相当する部分の詳細図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線で切断した部分を含む図５（ｂ）に相当する断面図
【図７】この発明の第３実施例の超小型電力変換装置の要部構成図であり、（ａ）は薄膜磁気誘導素子を第１主面から透視した平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線で切断した断面図
【図８】この発明の第４実施例の超小型電力変換装置の要部構成図であり、（ａ）は薄膜磁気誘導素子を第１主面から透視した平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線で切断した断面図、（ｃ）は同図（ａ）のＸ−Ｘ線で切断した断面図
【図９】この発明の第５実施例の超小型電力変換装置の要部構成図
【図１０】第１〜第５実施例の電極に発生する誘導起電力を示した図
【図１１】従来の超小型電力変換装置の要部構成図であり、（ａ）は断面図、（ｂ）は薄膜磁気誘導素子の平面図
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
１１    フェライト基板
１２ａ  貫通孔（電極側）
１２ｂ  接続導体（電極側）
１３ａ  貫通孔（コイル側）
１３ｂ  接続導体（コイル側）
１５ａ  電極（第１主面）
１５ｂ  電極（第２主面）
１６ａ  コイル導体（第１主面）
１６ｂ  コイル導体（第２主面）
１７    保護膜
２１    メッキシード層
２２    フォトレジスト
２３    電極露出部
３１、３３  本発明品に関する測定結果
３２、３４  従来品に関する測定結果
４１、４２  磁束
４３    磁束／外周磁束
５０、６０、１００  スリット状の隙間
７０    スリット状の溝