(57)【要約】【課題】滴下貼り合わせ方式で作成されるアクティブマトリクス型液晶表示装置における滴下痕の発生を防止すると共に、残像特性等に優れた液晶表示装置を提供する。【解決手段】酸性化合物（例えばフェノール誘導体４１２）を液晶組成に添加して比誘電率を調整して残像特性を改良し、滴下時に酸性化合物と水４０９との水素結合を防止するため、液晶組成に酸性化合物と水素結合し得る化合物（例えばアルコキシ化合物４１３）を添加し、滴下痕の発生を防止する。プログレッシブ方式では、前記酸性化合物の含有量は０．０００１０規定以上、前記酸性化合物と水素結合を形成する化合物の添加量は０．２６５ｍｏｌ／ｌ以下であり、かつ、前記酸性化合物に対して１０当量以上とする。インターレース方式では、前記酸性化合物の含有量は０．００１００規定以上、前記酸性化合物と水素結合を形成する化合物の含有量は１．３２４ｍｏｌ／ｌ以下であり、かつ、前記酸性化合物に対して１５０当量以上とする。【選択図】図５
2008231360.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸性メソゲン化合物と、該酸性メソゲン化合物と水素結合を形成するメソゲン化合物とを添加した液晶組成物が滴下貼り合わせ方式により充填され、かつ、信号源から信号変換回路にプログレッシブ方式の映像信号が入力されることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
酸性メソゲン化合物と、該酸性メソゲン化合物と水素結合を形成するメソゲン化合物とを添加した液晶組成物が滴下貼り合わせ方式により充填され、かつ、信号源から信号変換回路にインターレース方式の映像信号が入力されることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
酸性メソゲン化合物の添加量が０．０００１０規定以上であり、酸性メソゲン化合物と水素結合を形成するメソゲン化合物の添加量が０．２６５ｍｏｌ／ｌ以下であり、かつ、前記酸性化合物に対して１０当量以上であることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
酸性メソゲン化合物の添加量が０．００１００規定以上であり、酸性メソゲン化合物と水素結合を形成するメソゲン化合物の添加量が１．３２４ｍｏｌ／ｌ以下であり、かつ、前記酸性化合物に対して１５０当量以上であることを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
酸性メソゲン化合物がフェノール誘導体であることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
酸性メソゲン化合物と水素結合を形成するメソゲン化合物がアルコキシ化合物であることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
酸性メソゲン化合物が下記一般式（Ｉ）で表され、アルコキシ化合物が下記一般式（ＩＩ）で表されることを特徴とする請求項６に記載の液晶表示装置。
【化１】
2008231360.tif 000034
（式中、Ｒは炭素数７以下のアルキル基又はアルケニル基を示す。）
【化２】
2008231360.tif 000035
（式中、Ｒ１は炭素数７以下のアルキル基又はアルケニル基を示し、ＯＲ２は炭素数１０以下のアルコキシ基を示す。）
【請求項８】
液晶組成物にカイラル剤が添加されないことを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
横電界駆動方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置である請求項１乃至８のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
クリーンルーム等の湿度のある雰囲気で液晶組成物を基板に滴下する滴下貼り合わせ方式の液晶注入方法にて作製された横電界駆動方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置において、残像特性に優れ、滴下痕の発生しない液晶表示装置に関する。 
【背景技術】
【０００２】
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）に代表されるアクティブ素子を備えたアクティブマトリクス型液晶表示装置は、ＣＲＴに匹敵する高画質、並びに薄い、軽量という特徴から表示端末として広く普及している。アクティブマトリクス型液晶表示装置は携帯機器、カーナビゲーションシステム、パーソナルコンピュータ（ＰＣ）などの比較的小さなサイズの表示端末に利用されていたが、マザーガラスの大型化により表示サイズの大型化が可能となり、近年はテレビ用途にも広く用いられるようになっている。液晶表示装置には高輝度、高コントラスト比、豊かな階調性、高色度域などの特性が要求されるが、テレビ用途では特に高い動画表示性能、広い視野角特性が必要とされている。
【０００３】
アクティブマトリクス型液晶表示装置としては、横電界駆動方式、ＶＡ（Vertical Alignment）方式、ＴＮ（Twist Nematic）方式がある。中でも、横電界駆動方式は、中間調での液晶の応答時間が短い点で高い動画表示性能の実現に有利であり、正面視野と斜め視野での階調−輝度特性の変化が小さく、かつ、斜め視野でのコントラスト比が高く広い視野角特性が得られることからテレビ用途に適している。ＶＡ方式及びＴＮ方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置は、液晶を駆動する電極を２枚の基板表面上に形成し、相対向させた電極を用いて基板に垂直な方向の電界を印加し液晶を動作させている。一方、横電界駆動方式は１枚の基板上に設けた一対の櫛歯電極に電圧を印加し、基板に対して平行な方向に電界を発生し液晶を動作させている。
【０００４】
横電界駆動方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置は、ＶＡ方式及びＴＮ方式に比べ電極構造が異なることにより、液晶の容量が小さく、電界による影響を受けやすい。このため、異常な電界により配向乱れが生じることがあり、特に何らかの理由により液晶表示装置の液晶層近傍に静電荷が蓄積した場合、その静電荷に起因する電界により生じた配向乱れが、表示での残像として問題となりやすい。
【０００５】
このような配向乱れを防止する方法として、特許文献１（特開平７−３０６４１７号公報）には、比抵抗の低い液晶を用いる技術が開示されている。本公知例では、横電界方式における開口率を向上させるために電極間ギャップを広げると液晶の容量がさらに小さくなるため静電気によって配向を乱しやすくなるので、その対策として、液晶の抵抗を小さくすることが有効な手段となると記載している。また、特許文献２（特開平１１−３０２６５２号公報）には、液晶の比抵抗を予め特定された値に調整する手段として、フェノール誘導体等の酸性メソゲン化合物を１０ｐｐｍから１０ｗｔ％添加する技術が開示されている。本公知例では、開示されているフェノール誘導体等の酸性メソゲン化合物を液晶組成物に添加すると液晶組成物の比抵抗が下がり、液晶表示装置の液晶層近傍への静電荷の蓄積が阻害されるため、液晶組成物の比抵抗が高いと問題となる残像が抑制されることが記載されている。代表するフェノール誘導体等の酸性メソゲン化合物として、２−シアノ−３−フルオロ−５−（４−ｎ−プロピル−トランス−シクロヘキシル）フェノールがあり、上述した添加の範囲で比較的緩やかに比抵抗が変化することが示されており、横電界方式に必要な液晶の低抵抗化を制御する材料として適していると考えられる。
【０００６】
液晶表示装置の製造において、２枚の基板の間に液晶を充填する方法としては、特許文献３（特開２００６−１３３２５１号公報）の「背景技術」に記載されている滴下貼り合わせ方式が広く行われている。
【０００７】
滴下貼り合わせ方式は、クリーンルーム雰囲気中で、一方の基板にシール材を塗布して液晶を滴下し、他方の基板を貼り合わせた後、加圧又は一対の基板の内側と外側との圧力差によりシール材を押し潰してギャップを形成した後、シール材を硬化させる方法であり、液晶を基板上に直接滴下するために作業時間を大幅に短縮することができ、また、必要最小限の液晶があればよいため高価な液晶の所要量を削減することができるという特徴がある。この滴下貼り合わせ方式について、図８を用いて説明する。
【０００８】
まず、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を備えた基板（ＴＦＴ基板）とカラーフィルタ及び柱状スペーサを備えた対向基板の双方の基板の表面に、印刷装置を用いてポリイミドの溶液を塗布し、仮焼成、本焼成を行って均一な膜厚の配向膜を形成し（工程（Ａ））、焼成後に配向膜表面を回転金属ローラに巻き付けたバフ布などで一定方向に擦ってラビング処理を行う（工程（Ｂ））。そして、基板表面の残留物を除去するために両基板を洗浄し乾燥させる（工程（Ｃ））。
【０００９】
次に、一対の対向する基板の一方（例えばＴＦＴ基板）上に、スクリーン印刷法やディスペンサ描画法等を用いて紫外線硬化樹脂や熱硬化樹脂等からなるシール材を塗布すると共にＡｇを塗布し、他方の基板（例えば対向基板）にポリマービーズ、シリカビーズ等のスペーサを湿式散布又は乾式散布により散布し、該スペーサを固着させる（工程（Ｄ）、（Ｅ））。
【００１０】
次に、一方の基板（ここではＴＦＴ基板）のシール材に囲まれた表示領域に液晶滴下用ディスペンサなどの液晶滴下装置を用いて常圧で液晶を適量滴下した後（工程（Ｆ））、気泡が混入しないように真空中で他方の基板（ここでは対向基板）と位置合わせして貼り合わせる（工程（Ｇ））。その後、一対の基板を両外側から押圧してシール材を潰して所望のギャップを形成した後、基板（ここではＴＦＴ基板）の裏面から紫外線などを照射してシール材を仮硬化させ（工程（Ｈ））、更に所定の温度で加熱してシール材を本硬化させ（工程（Ｉ））、シール材の外側の所定の部分で一対の基板を切断して（工程（Ｊ））、液晶表示パネルが形成される。
【００１１】
このような滴下貼り合わせ方式で作製された液晶表示装置では、滴下痕（液晶を基板に滴下した痕）が表示ムラとなる場合がある。この課題に対して、特許文献４（特開２００３−１５６７５３号公報）では、液晶貯蔵容器と液晶滴下治具との間に脱水装置を設け、液晶中の水分を除去することにより、滴下痕を無くす技術が開示されている。また、特許文献５（特開２００３−１３１２４４号公報）では、予め冷却した液晶を滴下し配向膜への液晶が吸着する速度を遅くさせ、かつ液晶を基板の主面の広がり方向に高速で均一に拡散させ基板の貼り合わせを行うことにより、滴下痕を無くす技術が開示されている。 
【００１２】
液晶表示装置は直流電圧を印加すると残像（画像の焼き付き）などの現象を起しやすいため、交流駆動をする必要がある。液晶表示装置では通常１枚の画面（１フレーム）の周波数は６０Ｈｚであり、映像信号の極性を画面（フレーム）毎に３０Ｈｚの周波数で反転させて液晶に印加する反転駆動が行われている。この反転駆動には、画面全体で同一極性の信号を入力し、かつ、所定フレーム数を駆動する毎に極性を反転させるフレーム反転駆動、所定の走査線（ライン）数毎に異なる極性の信号を入力し、かつ、所定フレーム数を駆動する毎に極性を反転するライン反転駆動、所定の画素（ドット）毎に異なる極性の信号を入力し、かつ、所定フレーム数を駆動する毎に極性を反転するドット反転駆動がある。
【００１３】
ＰＣなどの信号源から液晶表示装置の信号変換回路に入力される映像信号は、すべての走査線を１回の走査で描くプログレッシブ走査方式（プログレッシブ方式）が一般的である。一方、現在のテレビ放送における映像信号は一般的にＮＴＳＣ方式のインターレース走査方式（インターレース方式）が用いられている。このＮＴＳＣ方式のインターレース方式については、特許文献６（特開平９−２３６７８７号公報）の「従来技術」にて説明されている。インターレース方式は、１枚の画面（１フレーム）の映像信号を奇数番の走査線のみを集めた奇数フィールドと偶数番の走査線のみを集めた偶数フィールドに分け、奇数フィールドと偶数フィールドを交互に表示する方式であり、情報量を半分にしつつＣＲＴなどのディスプレイで滑らかな映像を表示する技術である。ＮＴＳＣ方式では、１フレームが５２５本の走査線からなっており、２：１のインターレース走査を行っている。また、１フレームの周波数は３０Ｈｚであり、１フィールド（奇数フィールドまたは偶数フィールド分）の周波数は６０Ｈｚである。なお、ＣＲＴの表示領域で実際に表示するのは、５２５本の走査線のうちの４８０本程度である。
【００１４】
インターレース方式の映像信号を液晶表示装置で表示するには、インターレースしない方式（ノンインターレース方式、または、プログレッシブ方式）の映像信号に変換する必要がある。映像信号をインターレース方式からプログレッシブ方式に変換することをインターレース−プログレッシブ変換（ＩＰ変換）といい、これを行う回路をＩＰ変換回路という。走査線数が４８０本程度であり、フレーム毎に３０Ｈｚの周波数で反転駆動を行っている液晶表示装置に、ＮＴＳＣ方式のインターレース走査方式で伝送される映像信号を表示する場合、以下に示す方法でＩＰ変換される。奇数フィールドと偶数フィールドのインターレース方式の映像信号のうち、奇数フィールドのインターレース方式の映像信号のみから、液晶表示装置の奇数（または偶数）番目のフレームを合成し、偶数フィールドの方式の映像信号のみから、液晶表示装置の偶数（または奇数）番目のフレームを合成する。例えば、インターレース方式の奇数フィールドの２Ｎ−１番目（Ｎは１以上の整数）の各走査線の表示で、液晶表示装置の奇数番目のフレームの第２Ｎ−１番目の走査線と、第２Ｎ番目の走査線を表示し、次にインターレース方式の偶数フィールドの第２Ｎ番目の各走査線の表示で、液晶表示装置の偶数番目のフレームの第２Ｎ−１番目の走査線と、第２Ｎ番目の走査線を表示する。
【００１５】
インターレース方式の映像信号を上記の方法でＩＰ変換した場合、横縞の固定パターンなど特定のパターンを表示した場合に直流電圧が液晶に印加される問題が生じる。図９は、ノーマリーブラック方式であり、かつ、１フレーム毎に映像信号が反転される液晶表示装置にインターレース方式の映像信号を入力した場合に、任意の１画素の液晶にかかる電圧を示す図であり、図９（ａ）は白表示のときに液晶にかかる電圧を示し、図９（ｂ）は黒表示のときに液晶にかかる電圧を示し、図９（ｃ）は水平方向の１走査線毎に白、黒の入れ替わる横縞表示のときに１画素にかかる電圧を示す。白表示の液晶印加電圧をＥ（Ｖ）、黒表示の液晶印加電圧を０（Ｖ）とすると、図９（ａ）に示すように、白表示のときは奇数フィールドでは＋Ｅ（Ｖ）（または−Ｅ（Ｖ））、偶数フィールドでは−Ｅ（Ｖ）（または＋Ｅ（Ｖ））の電圧が液晶に印加され、図９（ｂ）に示すように、黒表示のときは奇数フィールド、偶数フィールドともに液晶印加電圧は０（Ｖ）となる。また、図９（ｃ）に示すように、横縞表示の場合は、奇数フィールドで＋Ｅ（Ｖ）（または−Ｅ（Ｖ））、偶数フィールドで０（Ｖ）、または、奇数フィールドで０（Ｖ）、偶数フィールドで＋Ｅ（Ｖ）（または−Ｅ（Ｖ））の電圧が液晶に印加されることになる。このような液晶表示装置の駆動方法では、白表示、黒表示などでは液晶に直流電圧がかからないが、図９（ｃ）に示すように横縞表示のときに正極性の電圧のみが印加され、平均するとＥ／２（Ｖ）の直流電圧が液晶に印加されることになり、残像などの表示品質の低下を生じるという問題がある。なお、横縞の固定パターンを例に説明したが、第２Ｎ−１番目と第２Ｎ番目の走査線上の隣接する画素にそれぞれ黒（または白）と白（または黒）を表示した場合には、反転駆動の種類（フレーム反転、ライン反転、ドット反転）に関わらず、同様の問題が発生する。
【００１６】
この問題を解決する手段として、所定フレーム数を表示する毎に液晶に印加される電圧の極性を反転する反転駆動方法において、所定フレーム数毎にさらに極性を反転する方法が、特許文献６の「発明の実施の形態」に開示されている。
【特許文献１】特開平７−３０６４１７号公報
【特許文献２】特開平１１−３０２６５２号公報
【特許文献３】特開２００６−１３３２５１号公報
【特許文献４】特開２００３−１５６７５３号公報
【特許文献５】特開２００３−１３１２４４号公報
【特許文献６】特開平９−２３６７８７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
しかしながら上述した従来技術には、次のような課題があった。
【００１８】
第１の課題は、液晶組成物を低抵抗化して残像を抑制すると滴下痕が発生することである。特許文献２には、横電界駆動方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置に充填する液晶組成物にフェノール誘導体等の酸性メソゲン化合物を添加することで残像を抑制する技術が開示されているが、滴下貼り合わせ方式で製造した液晶表示装置に発生する滴下痕に関する開示は一切されていない。
【００１９】
一方、滴下痕を解決する手段として、特許文献５には、予め冷却した液晶を滴下し、配向膜へ液晶が吸着する速度を遅くさせ、かつ液晶を基板の主面の広がり方向に高速で均一に拡散させ基板の貼り合わせを行うことにより、滴下痕を無くす技術が開示されている。また、他の手段として特許文献４には、液晶貯蔵容器と液晶滴下治具との間に脱水装置を設け、液晶中の水分を除去することにより滴下痕を防止する技術が開示されている。しかしながら、上述した２つの公知例では残像を解決する技術は開示されておらず、また、残像と密接に関係する液晶の組成に関する知見についてもまったく開示されていないため、液晶組成物の低抵抗化に対する滴下痕の因果関係を示すものでない。
【００２０】
第２の課題は、信号源から信号変換回路にインターレース方式の映像信号が入力される液晶表示装置では、残像が抑制されにくくなることである。プログレッシブ方式に対し、インターレース方式の映像信号が入力される液晶表示装置では、水平方向の１走査線毎に白、黒の入れ替わる横縞表示を行うと、最も液晶に大きな直流電圧が印加されるため、残像が課題となる。特許文献２で開示されているフェノール誘導体等の酸性メソゲン化合物は、残像改善を目的として液晶組成物に添加されるものであるが、本公知例にはインターレース方式の映像信号が入力される場合など、液晶に過大な直流電圧が印加された場合に発生する残像の改善方法に関する技術開示がなされていないため、依然インターレース方式での残像の課題が残る。
【００２１】
また、滴下痕の出現程度は液晶表示装置に入力される映像信号及びその変換方法と密接に関係すると考えられるが、特許文献５及び特許文献４には、映像信号及びその変換方法とを関連付ける知見はまったく開示されていない。
【００２２】
上記課題の対策として、特許文献６にて開示されている駆動信号を変換するＩＰ変換方法は、残像の発生防止に有効であるが、前記ＩＰ変換方法は信号処理手順が複雑であるため、駆動回路の価格が高くなる問題がある。安価なテレビ用液晶表示装置を実現するために、従来の駆動回路は変えずに残像の発生を防止する技術として、例えば、液晶組成材料や製造条件変更のみでの対応などのコストアップにならない方法が望まれる。
【００２３】
第３の課題として、表示シミ発生の懸念である。特許文献２には、フェノール誘導体等の酸性メソゲン化合物を添加することにより特定の比抵抗を有する液晶組成物を提供する技術が開示されているが、表示シミの発生しないフェノール誘導体等の酸性メソゲン化合物の添加量及び比抵抗についての開示がされていない。
【００２４】
上述した課題に対して、本発明の発明者は、特許文献２に開示されているフェノール誘導体等の酸性メソゲン化合物を含有する液晶組成物を充填した横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置では滴下痕が発生し、フェノール誘導体等の酸性メソゲン化合物を含有しない場合では滴下痕が発生しないことから、前記フェノール誘導体等の酸性メソゲン化合物が関与する現象であることを見出した。つまり、特許文献２に開示される液晶組成物では滴下痕が解決できず、また、残像を抑制し、かつ、表示シミを防止することはできない。また、特許文献４，５で開示される滴下痕を解決する技術では、残像を抑制する液晶組成物を充填した液晶表示装置の滴下痕を防止することができないことを意味している。
【００２５】
本発明の目的は、通常のプログレッシブ方式の映像信号が入力される滴下貼り合わせ方式にて作製された横電界駆動方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置において、従来の技術では成し得なかった、残像、表示シミ、滴下痕の発生がなく、高速応答である液晶表示装置を提供するものである。
【００２６】
さらには、インターレース方式の映像信号が入力される滴下貼り合わせ方式にて作製された横電界駆動方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置において、従来の技術では成し得なかった、残像、表示シミ、滴下痕の発生がなく、さらに液晶組成物が広い温度範囲でネマチック相を示すことで広い温度範囲の使用に耐える液晶表示装置を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００２７】
本発明の発明者は、２枚の基板間に滴下貼り合わせ方式にてフェノール誘導体等の酸性メソゲン化合物を添加した液晶組成物を充填する横電界駆動方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置において課題である滴下痕に対して、液晶組成物に前記フェノール誘導体等の酸性メソゲン化合物と水素結合を形成するメソゲン化合物を添加することが有効であり、さらにその添加量は入力される映像信号により異なる所定当量以上とすることが有効であることを見出した。信号変換回路にプログレッシブ方式の映像信号が入力されるなどして、液晶に大きな直流電圧が印加されない場合には、前記酸性メソゲン化合物の含有量は０．０００１０規定以上で残像発生防止が可能であり、前記酸性メソゲン化合物と水素結合を形成するメソゲン化合物の添加量は０．２６５ｍｏｌ／ｌ以下であり、かつ、前記酸性メソゲン化合物に対して１０当量以上とすることで滴下痕の発生防止が可能であることを見出した。さらに、信号変換回路にインターレース方式の映像信号が入力されるなどして、液晶に大きな直流電圧が印加される場合には、前記酸性メソゲン化合物の含有量は０．００１００規定以上で残像発生防止が可能であり、前記酸性メソゲン化合物と水素結合を形成するメソゲン化合物の含有量は１．３２４ｍｏｌ／ｌ以下であり、かつ、前記酸性メソゲン化合物に対して１５０当量以上とすることで、滴下痕の発生防止が可能であることを見出した。
【００２８】
すなわち、本発明は、酸性メソゲン化合物と、該酸性メソゲン化合物と水素結合を形成するメソゲン化合物とを添加した液晶組成物が滴下貼り合わせ方式により充填され、かつ、信号源から信号変換回路にプログレッシブ方式の映像信号が入力されることを特徴とする液晶表示装置、特に、酸性メソゲン化合物の添加量が０．０００１０規定以上であり、酸性メソゲン化合物と水素結合を形成するメソゲン化合物の添加量が０．２６５ｍｏｌ／ｌ以下であり、かつ、前記酸性メソゲン化合物に対して１０当量以上であることを特徴とする液晶表示装置に関する。
【００２９】
また、本発明は、酸性メソゲン化合物と、該酸性メソゲン化合物と水素結合を形成するメソゲン化合物とを添加した液晶組成物が滴下貼り合わせ方式により充填され、かつ、信号源から信号変換回路にインターレース方式の映像信号が入力されることを特徴とする液晶表示装置、特に、酸性メソゲン化合物の添加量が０．００１００規定以上であり、酸性メソゲン化合物と水素結合を形成するメソゲン化合物の添加量が１．３２４ｍｏｌ／ｌ以下であり、かつ、前記酸性メソゲン化合物に対して１５０当量以上であることを特徴とする液晶表示装置に関する。 
【００３０】
酸性メソゲン化合物がフェノール誘導体であることが好ましく、酸性メソゲン化合物と水素結合を形成するメソゲン化合物がアルコキシ化合物であることが好ましい。
【発明の効果】
【００３１】
本発明によれば、滴下貼り合わせ方式にてフェノール誘導体等の酸性メソゲン化合物を添加した液晶組成物を充填する横電解駆動方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置において、液晶組成物に酸性メソゲン化合物と水素結合し得るメソゲン化合物を予め添加しておくことにより、酸性メソゲン化合物が製造過程で水と水素結合することにより発生する滴下痕を防止でき、また、プログレッシブ方式とインターレース方式との差違による異なる最適量を使用したことで、プログレッシブ方式では、残像特性、滴下痕特性、表示シミ特性、応答特性が良好な液晶表示装置が提供でき、インターレース方式では、残像特性、滴下痕特性、表示シミ特性、低温特性（液晶相溶性）が良好な液晶表示装置が提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
本発明において、「メソゲン化合物」とは、 単体で液晶性を示す化合物、或いは、他の単数または複数のメソゲン化合物と混合した場合に液晶性を示す化合物をいう。
【００３３】
この滴下痕の発生原因は次のように推定される。
【００３４】
図３は、一方の基板１０１にシール材１０２を塗布した後から、シール材１０２に囲まれた領域に液晶１０４を滴下し、真空中で貼り合わせるまでの工程を示している。液晶組成物を滴下する側の基板１０１（図３ではＴＦＴ基板）を、ラビング後に基板表面の残留物を除去するため洗浄乾燥（図８の工程（Ｃ））してから、シール材１０２に囲まれた表示領域に液晶滴下用ディスペンサなどの液晶滴下装置を用いて滴下するまでの工程をクリーンルーム雰囲気で行うと、基板１０１表面の配向膜が雰囲気中の水分を吸着し、基板の最表面に薄い水の層１０３が形成される（図３（Ａ））。クリーンルーム雰囲気には剥離帯電防止を目的として、２５℃で湿度６０％前後となるように水分が含まれており、この水分が基板最表面にある配向膜に吸着されるためである。一般的に、配向膜の主成分であるポリイミドは、有機高分子材料の中でも比較的吸湿しやすい材料でもある。
【００３５】
次に、一方の基板のシール材に囲まれた領域に液晶滴下ディスペンサなどの液晶滴下装置を用いて、予め５０Ｐａの圧力で１時間脱水及び脱気した液晶を滴下する（図３（Ｂ））。このとき、基板最表面に吸着された水分が液晶中に取り込まれ、液晶組成物に含有されるフェノール誘導体等の酸性メソゲン化合物の酸性基と水素結合を形成する。例えば、下記式（Ｉ）
【００３６】
【化１】
2008231360.tif 000003
【００３７】
（式中、Ｒは炭素数７以下のアルキル基又はアルケニル基を示す。）
で表されるフェノール誘導体の水酸基は、水と水素結合を形成しやすく、水分子の酸素とフェノール誘導体の水酸基の水素が配位結合を形成してオキソニウムイオンとなり、結果としてフェノール誘導体の水酸基の水素イオンが解離することにより、フェノキシドイオンが生成される解離平衡を示す（下記スキームＡ）。
【００３８】
【化２】
2008231360.tif 000004
【００３９】
次に、一方の基板１０１と対向基板１０５を真空中で貼り合わせる前に、液晶組成物を滴下した一方の基板１０１を真空中で保持する。このとき、基板最表面に付着した水分のうち、液晶組成物を滴下していない部分のものは揮発してなくなるが、液晶組成物の下の水分は揮発せず基板と液晶の間に残留する（図３（Ｃ））。その後、一方の基板１０１と対向基板１０５を貼り合わせると液晶１０４は拡がり、シール１０２に囲まれた領域全体に行き渡る。しかし、オキソニウムイオンとフェノキシドイオンは、一方の基板１０１と液晶の界面側にのみ存在するため、シール１０２に囲まれた領域全体には行き渡らず滴下位置に留まる（図３（Ｄ））。すなわち、滴下位置の内側ではオキソニウムイオンとフェノキシドイオンが多量に存在するが、滴下位置の外側ではほとんど存在しないことになる。
【００４０】
図４は従来の横電界駆動方式アクティブマトリクス型液晶表示装置の表示画素の断面を表した図であり、図４（ａ）は液晶滴下位置の内側、図４（ｂ）は液晶滴下位置の外側の状態を表す図である。液晶表示装置では配線抵抗の増加に伴うゲート信号の鈍りによってフィードスルー電圧が表示部内で分布を持つ。液晶に印加される駆動電圧は、所定フレーム毎に極性反転するドレイン電圧からこのフィードスルー電圧分だけずれるが、共通電極電位は表示部内で均一である。このため、表示部の一部で液晶に直流電圧が印加されることとなる。特に近年液晶表示装置の大型高精細化により、端部から中央部への距離は長くなり、配線幅は狭くなる傾向にあり、フィードスルー電圧の不均一性は増大する方向にある。例えば、画面サイズ２１．３インチのＵＸＧＡ（縦：１２００画素、横：１６００画素）の液晶表示装置では、表示部内で共通電極電位は最大で０．３Ｖ程度の分布を持っている。したがって、上記液晶装置では最大で０．３Ｖの直流電圧が液晶に印加されることとなる。
【００４１】
このように液晶に０．３Ｖ程度の直流電圧がかかると、図４（ａ）に示す滴下位置の内側では配向膜４０６表面の水分１０９とフェノール誘導体から発生したオキソニウムイオン４１１とフェノキシドイオン４１０により液晶の比抵抗が著しく低下するため、液晶に印加される直流電圧は短時間に打ち消されてしまう。これは分子レベルで見た場合、液晶にかかる直流電圧を打ち消すようにオキソニウムイオン４１１とフェノキシドイオン４１０が移動することを意味している。一方、図４（ｂ）に示す滴下位置の外側にも滴下位置と同濃度でフェノール誘導体４１２が存在するが、水がほとんど存在しないため、オキソニウムイオンとフェノキシドイオンはほとんど生成されない。したがって、滴下位置の外側ではオキソニウムイオンとフェノキシドイオンの存在量が滴下位置の内側と比較して少なく、液晶の比抵抗は相対的に高いままであるため、直流電圧が全て打ち消されてしまうことはない。ノーマリーブラックモードである横電界駆動方式の液晶表示装置では、直流電圧が打ち消される滴下位置の内側は直流電圧がかかり続ける外側に比べて暗くなり、滴下痕として視認されることとなる。
【００４２】
なお、図４において、４０１は第１の透明基板（ＴＦＴ基板）、４０２は第１の層間絶縁膜、４０３は共通電極、４０４は第２の層間絶縁膜、４０５は画素電極、４０７は液晶４０８は第２の透明基板（対向基板）を示す。
【００４３】
これに対し、本発明では、フェノール誘導体と水素結合しうるメソゲン化合物、特に液晶組成物との相溶性に優れる下記式（II）のアルコキシ化合物を添加することで、フェノール誘導体が水分と反応して、オキソニウムイオンとフェノキシドイオンとが生成することを防止している。例えば、フェノール誘導体の添加された液晶組成物に、下記式（II）のアルコキシ化合物
【００４４】
【化３】
2008231360.tif 000005
【００４５】
（式中、Ｒ１は炭素数７以下のアルキル基又はアルケニル基を示し、ＯＲ２は炭素数１０以下のアルコキシ基を示す。）
を当量以上添加することにより、フェノール誘導体のほとんどがアルコキシ化合物と下記スキームＢで表されるように水素結合を形成している。
【００４６】
【化４】
2008231360.tif 000006
【００４７】
図５は、本発明の実施の横電界駆動方式アクティブマトリクス型液晶表示装置の表示画素の断面を表した図であり、図５（ａ）は液晶滴下位置の内側、図５（ｂ）は液晶滴下位置の外側の状態を表す図である。図５（ａ）に示す滴下位置の内側には配向膜４０６表面に水分４０９が存在するが、液晶組成物にはフェノール誘導体４１２に対してアルコキシ化合物４１３が当量以上に含有されているため、ほとんどのフェノール誘導体４１２はアルコキシ化合物４１３と水素結合を形成している。したがって、オキソニウムイオンとフェノキシドイオンはほとんど生成されない。また、図５（ｂ）に示す滴下位置の外側では、水分が少なく、更にフェノール誘導体４１２とアルコキシ化合物４１３が水素結合を形成しているため、オキソニウムイオンとフェノキシドイオンは生成されない。したがって、液晶滴下位置の外側と内側で液晶にかかる直流電圧はほぼ同等であるため、滴下痕は発生しない。
【００４８】
また、液晶に直流電圧がかかると、フェノール誘導体４１２が添加されておらず比抵抗が高い液晶組成物では、液晶層近傍に静電荷が蓄積するため残像となる。しかし、本発明の液晶組成物ではフェノール誘導体を添加し比抵抗を下げているため、液晶層近傍への静電荷の蓄積が阻害され、残像特性が良好となる。
【００４９】
本発明の実施例１及び実施例２では酸性化合物として後述するフェノール誘導体（Ｉ−１）を用いているが、液晶組成物に溶解し、かつ、水素の解離定数が前記フェノール誘導体と同等の酸性化合物であって、１．０×１０１３Ωｃｍから１．０×１０１４Ωｃｍの比抵抗の液晶組成物に０．０００５０規定添加することにより、１．０×１０１１Ωｃｍから１．０×１０１２Ωｃｍに比抵抗を低下させる化合物であれば使用することができる。
【００５０】
本発明の液晶組成物に含有される酸性メソゲン化合物は、式（１）又は式（２）で表される置換フェノールや、式（３）又は式（４）で表される置換安息香酸であっても良い。
【００５１】
【化５】
2008231360.tif 000007
【００５２】
（式（１）において、ＲはＨ、それぞれ１又は２から１５の炭素原子を有するアルキル又はアルケニルであり、それらは未置換であるか、ＣＮ又はＣＦ３により一置換されているか又は多置換され、さらにこれらの基の１個又は多数のＣＨ２基が互いに独立して、−Ｏ−、−Ｓ−、
【００５３】
【化６】
2008231360.tif 000008
【００５４】
、−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−により２つのＯ原子が直接互いに結合されない条件で交換でき、Ｒは又、ＣＮ，Ｆ，Ｃｌ又はＣＯＯＲ’、適当であればＯＨであり、Ｒ’はＨ又はＲであり（ここでＣＮ，Ｆ，ＯＨ又はＣＯＯＲ’は除かれる）、
Ａ１、Ａ２、Ａ３は互いに独立して、それぞれ、
（ａ）１，４−シクロへキシレン又はトランス−１，４−シクロヘキセニレンであり、式においてさらに、１個又は多数の非−隣接ＣＨ２基がＯ及び／又はＳで交換でき、
（ｂ）１，４−フェニレン、その中でさらに、１個又は２個のＣＨ２基がＮで交換でき、
（ｃ）１，４−ビシクロ［２，２，２］オクチレン、ピペリジン−１，４−ジイル、ナフタレン−２，６−ジイル、デカハイドロナフタレン−３，６−ジイル、又は１，２，３，４−テトラハイドロナフタレン−２，６−ジイルであり、
この一般式において、（ａ）及び（ｂ）はＦ原子により一置換体又は多置換体であることができ；
Ｚ１、Ｚ２及びＺ３は互いに独立して、それぞれ−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−ＣＯＣＨ２−、−ＣＨ２−ＣＯ−、−ＣＨ２Ｏ−、−ＯＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、トラン基、−（ＣＨ２）４−、−（ＣＨ２）３ＣＯ−、−（ＣＨ２）２−Ｏ−ＣＯ−、−（ＣＨ２）２−（ＣＯ−Ｏ）−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ２−ＣＨ２−、−ＣＨ２−ＣＨ２−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ２−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ２−又は単結合であり、
n、m、oは互いに独立してそれぞれ０又は１であり、
Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ５は互いに独立して、それぞれＯＨ、Ｆ、Ｃｌ、ＣＯＯＲ’、ＮＯ２、ＣＮ、ＣＯＯＨ又はＨであり、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ５の少なくとも１つはＯＨである）
【００５５】
【化７】
2008231360.tif 000009
【００５６】
（式（２）において、Ｒ1 、Ｒ２は独立して、それぞれＨ、それぞれ１又は２から１５の炭素原子を有するアルキル又はアルケニルであり、それらは未置換であるか、ＣＮ又はＣＦ３により一置換されているか又は多置換され、さらにこれらの基の１個又は多数のＣＨ２基が互いに独立して、−Ｏ−、−Ｓ−、
【００５７】
【化８】
2008231360.tif 000010
【００５８】
、−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−により２つのＯ原子が直接互いに結合されない条件で交換でき、Ｒ１ 、Ｒ２は又、ＣＮ，Ｆ，Ｃｌ又はＣＯＯＲ’、適当であればＯＨであり、Ｒ’はＨ又はＲであり（ここでＣＮ，Ｆ，ＯＨ又はＣＯＯＲ’は除かれる）、
Ａ１、Ａ２、Ａ３は互いに独立して、それぞれ、
（ａ）１，４−シクロへキシレン又はトランス−１，４−シクロヘキセニレンであり、式においてさらに、１個又は多数の非−隣接ＣＨ２基がＯ及び／又はＳで交換でき、
（ｂ）１，４−フェニレン、その中でさらに、１個又は２個のＣＨ２基がＮで交換でき、
（ｃ）１，４−ビシクロ［２，２，２］オクチレン、ピペリジン−１，４−ジイル、ナフタレン−２，６−ジイル、デカハイドロナフタレン−３，６−ジイル、又は１，２，３，４−テトラハイドロナフタレン−２，６−ジイルであり、
この一般式において、（ａ）及び（ｂ）はＦ原子により一置換体又は多置換体であることができ；
Ｚ１、Ｚ２及びＺ３は互いに独立して、それぞれ−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−ＣＯＣＨ２−、−ＣＨ２−ＣＯ−、−ＣＨ２Ｏ−、−ＯＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、トラン基、−（ＣＨ２）４−、−（ＣＨ２）３ＣＯ−、−（ＣＨ２）２−Ｏ−ＣＯ−、−（ＣＨ２）２−（ＣＯ−Ｏ）−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ２−ＣＨ２−、−ＣＨ２−ＣＨ２−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ２−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ２−又は単結合であり、
n、m、oは互いに独立してそれぞれ０又は１であり、
Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４は互いに独立して、それぞれＯＨ、Ｆ、Ｃｌ、ＣＯＯＲ’、ＮＯ２、ＣＮ、ＣＯＯＨ又はＨであり、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４の少なくとも１つはＯＨである）
【００５９】
【化９】
2008231360.tif 000011
【００６０】
（式（３）において、ＲはＨ、それぞれ１又は２から１５の炭素原子を有するアルキル又はアルケニルであり、それらは未置換であるか、ＣＮ又はＣＦ３により一置換されているか又は多置換され、さらにこれらの基の１個又は多数のＣＨ２基が互いに独立して、−Ｏ−、−Ｓ−、
【００６１】
【化１０】
2008231360.tif 000012
【００６２】
、−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−により２つのＯ原子が直接互いに結合されない条件で交換でき、Ｒは又、ＣＮ，Ｆ，Ｃｌ又はＣＯＯＲ’、適当であればＯＨであり、Ｒ’はＨ又はＲであり（ここでＣＮ，Ｆ，ＯＨ又はＣＯＯＲ’は除かれる）、
Ａ１、Ａ２、Ａ３は互いに独立して、それぞれ、
（ａ）１，４−シクロへキシレン又はトランス−１，４−シクロヘキセニレンであり、式においてさらに、１個又は多数の非−隣接ＣＨ２基がＯ及び／又はＳで交換でき、
（ｂ）１，４−フェニレン、その中でさらに、１個又は２個のＣＨ２基がＮで交換でき、
（ｃ）１，４−ビシクロ［２，２，２］オクチレン、ピペリジン−１，４−ジイル、ナフタレン−２，６−ジイル、デカハイドロナフタレン−３，６−ジイル、又は１，２，３，４−テトラハイドロナフタレン−２，６−ジイルであり、
この一般式において、（ａ）及び（ｂ）はＦ原子により一置換体又は多置換体であることができ；
Ｚ１、Ｚ２及びＺ３は互いに独立して、それぞれ−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−ＣＯＣＨ２−、−ＣＨ２−ＣＯ−、−ＣＨ２Ｏ−、−ＯＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、トラン基、−（ＣＨ２）４−、−（ＣＨ２）３ＣＯ−、−（ＣＨ２）２−Ｏ−ＣＯ−、−（ＣＨ２）２−（ＣＯ−Ｏ）−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ２−ＣＨ２−、−ＣＨ２−ＣＨ２−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ２−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ２−又は単結合であり、
n、m、oは互いに独立してそれぞれ０又は１であり、
Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ５は互いに独立して、それぞれＯＨ、Ｆ、Ｃｌ、ＣＯＯＲ’、ＮＯ２、ＣＮ、ＣＯＯＨ又はＨであり、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ５の少なくとも１つはＣＯＯＨである）
【００６３】
【化１１】
2008231360.tif 000013
【００６４】
（式（４）において、Ｒ1 、Ｒ２は独立して、それぞれ、Ｈ、１又は２から１５の炭素原子を有するアルキル又はアルケニルであり、それらは未置換であるか、ＣＮ又はＣＦ３により一置換されているか又は多置換され、さらにこれらの基の１個又は多数のＣＨ２基が互いに独立して、−Ｏ−、−Ｓ−、
【００６５】
【化１２】
2008231360.tif 000014
【００６６】
、−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−により２つのＯ原子が直接互いに結合されない条件で交換でき、Ｒ１ 、Ｒ２は又、ＣＮ，Ｆ，Ｃｌ又はＣＯＯＲ’、適当であればＯＨであり、Ｒ’はＨ又はＲであり（ここでＣＮ，Ｆ，ＯＨ又はＣＯＯＲ’は除かれる）、
Ａ１、Ａ２、Ａ３は互いに独立して、それぞれ、
（ａ）１，４−シクロへキシレン又はトランス−１，４−シクロヘキセニレンであり、式においてさらに、１個又は多数の非−隣接ＣＨ２基がＯ及び／又はＳで交換でき、
（ｂ）１，４−フェニレン、その中でさらに、１個又は２個のＣＨ２基がＮで交換でき、
（ｃ）１，４−ビシクロ［２，２，２］オクチレン、ピペリジン−１，４−ジイル、ナフタレン−２，６−ジイル、デカハイドロナフタレン−３，６−ジイル、又は１，２，３，４−テトラハイドロナフタレン−２，６−ジイルであり、
この一般式において、（ａ）及び（ｂ）はＦ原子により一置換体又は多置換体であることができ；
Ｚ１、Ｚ２及びＺ３は互いに独立して、それぞれ−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−ＣＯＣＨ２−、−ＣＨ２−ＣＯ−、−ＣＨ２Ｏ−、−ＯＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、トラン基、−（ＣＨ２）４−、−（ＣＨ２）３ＣＯ−、−（ＣＨ２）２−Ｏ−ＣＯ−、−（ＣＨ２）２−（ＣＯ−Ｏ）−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ２−ＣＨ２−、−ＣＨ２−ＣＨ２−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ２−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ２−又は単結合であり、
n、m、oは互いに独立してそれぞれ０又は１であり、
Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４は互いに独立して、それぞれＯＨ、Ｆ、Ｃｌ、ＣＯＯＲ’、ＮＯ２、ＣＮ、ＣＯＯＨ又はＨであり、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４の少なくとも１つはＣＯＯＨである）
【００６７】
また、酸性メソゲン化合物と水素結合を形成するメソゲン化合物としては、上記酸性メソゲン化合物のＯＨ基あるいはＣＯＯＨ基と水素結合し得る化合物であれば使用することができ、中でも、式（５）〜（８）で表されるアルコキシ化合物のうち、式（１）及び式（２）で表されるフェノール誘導体のＯＨ基、及び、式（３）及び式（４）で表される安息香酸誘導体のＣＯＯＨ基と水素結合を形成するアルコキシ化合物を選択することが可能である。
【００６８】
【化１３】
2008231360.tif 000015
【００６９】
（式（５）において、ＲはＨ、１又は２から１５の炭素原子を有するアルキル又はアルケニルであり、それらは未置換であるか、ＣＮ又はＣＦ３により一置換されているか又は多置換され、さらにこれらの基の１個又は多数のＣＨ２基が互いに独立して、−Ｏ−、−Ｓ−、
【００７０】
【化１４】
2008231360.tif 000016
【００７１】
、−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−により２つのＯ原子が直接互いに結合されない条件で交換でき、Ｒは又、ＣＮ，Ｆ，Ｃｌ又はＣＯＯＲ’、適当であればＯＨであり、Ｒ’はＨ又はＲであり（ここでＣＮ，Ｆ，ＯＨ又はＣＯＯＲ’は除かれる）、
Ａ１、Ａ２、Ａ３は互いに独立して、それぞれ、
（ａ）１，４−シクロへキシレン又はトランス−１，４−シクロヘキセニレンであり、式においてさらに、１個又は多数の非−隣接ＣＨ２基がＯ及び／又はＳで交換でき、
（ｂ）１，４−フェニレン、その中でさらに、１個又は２個のＣＨ２基がＮで交換でき、
（ｃ）１，４−ビシクロ［２，２，２］オクチレン、ピペリジン−１，４−ジイル、ナフタレン−２，６−ジイル、デカハイドロナフタレン−３，６−ジイル、又は１，２，３，４−テトラハイドロナフタレン−２，６−ジイルであり、
この一般式において、（ａ）及び（ｂ）はＦ原子により一置換体又は多置換体であることができ；
Ｚ１、Ｚ２及びＺ３は互いに独立して、それぞれ−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−ＣＯＣＨ２−、−ＣＨ２−ＣＯ−、−ＣＨ２Ｏ−、−ＯＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、トラン基、−（ＣＨ２）４−、−（ＣＨ２）３ＣＯ−、−（ＣＨ２）２−Ｏ−ＣＯ−、−（ＣＨ２）２−（ＣＯ−Ｏ）−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ２−ＣＨ２−、−ＣＨ２−ＣＨ２−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ２−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ２−又は単結合であり、
n、m、oは互いに独立してそれぞれ０又は１であり、
Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ５は互いに独立して、それぞれＯＨ、Ｆ、Ｃｌ、ＣＯＯＲ’、ＮＯ２、ＣＮ、ＣＯＯＨ、ＯＲ’’又はＨであり、Ｒ’’はＨ、１又は２から１５の炭素原子を有するアルキル又はアルケニルであり、それらは未置換であるか、ＣＮ又はＣＦ３により一置換されているか又は多置換され、さらにこれらの基の１個又は多数のＣＨ２基が互いに独立して、−Ｏ−、−Ｓ−、
【００７２】
【化１５】
2008231360.tif 000017
【００７３】
、−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−により２つのＯ原子が直接互いに結合されない条件で交換でき、Ｒ’’は又、ＣＮ，Ｆ，Ｃｌ又はＣＯＯＲ’’’、適当であればＯＨであり、Ｒ’’’はＨ又はＲ’’であり（ここでＣＮ，Ｆ，ＯＨ又はＣＯＯＲ’’は除かれる）、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ５の少なくとも１つはＯＲ’である）
【００７４】
【化１６】
2008231360.tif 000018
【００７５】
（式（６）において、ＲはＨ、１又は２から１５の炭素原子を有するアルキル又はアルケニルであり、それらは未置換であるか、ＣＮ又はＣＦ３により一置換されているか又は多置換され、さらにこれらの基の１個又は多数のＣＨ２基が互いに独立して、−Ｏ−、−Ｓ−、
【００７６】
【化１７】
2008231360.tif 000019
【００７７】
、−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−により２つのＯ原子が直接互いに結合されない条件で交換でき、Ｒは又、ＣＮ，Ｆ，Ｃｌ又はＣＯＯＲ’、適当であればＯＨであり、Ｒ’はＨ又はＲであり（ここでＣＮ，Ｆ，ＯＨ又はＣＯＯＲ’は除かれる）、
Ａ１、Ａ２、Ａ３は互いに独立して、それぞれ、
（ａ）１，４−シクロへキシレン又はトランス−１，４−シクロヘキセニレンであり、式においてさらに、１個又は多数の非−隣接ＣＨ２基がＯ及び／又はＳで交換でき、
（ｂ）１，４−フェニレン、その中でさらに、１個又は２個のＣＨ２基がＮで交換でき、
（ｃ）１，４−ビシクロ［２，２，２］オクチレン、ピペリジン−１，４−ジイル、ナフタレン−２，６−ジイル、デカハイドロナフタレン−３，６−ジイル、又は１，２，３，４−テトラハイドロナフタレン−２，６−ジイルであり、この一般式において、（ａ）及び（ｂ）はＦ原子により一置換体又は多置換体であることができ；
Ｚ１、Ｚ２及びＺ３は互いに独立して、それぞれ−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−ＣＯＣＨ２−、−ＣＨ２−ＣＯ−、−ＣＨ２Ｏ−、−ＯＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、トラン基、−（ＣＨ２）４−、−（ＣＨ２）３ＣＯ−、−（ＣＨ２）２−Ｏ−ＣＯ−、−（ＣＨ２）２−（ＣＯ−Ｏ）−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ２−ＣＨ２−、−ＣＨ２−ＣＨ２−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ２−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ２−又は単結合であり、
n、m、oは互いに独立してそれぞれ０又は１であり、
Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ５は互いに独立して、それぞれＯＨ、Ｆ、Ｃｌ、ＣＯＯＲ’、ＮＯ２、ＣＮ、ＣＯＯＨ、ＯＲ’’又はＨであり、Ｒ’’はＨ、１又は２から１５の炭素原子を有するアルキル又はアルケニルであり、それらは未置換であるか、ＣＮ又はＣＦ３により一置換されているか又は多置換され、さらにこれらの基の１個又は多数のＣＨ２基が互いに独立して、−Ｏ−、−Ｓ−、
【００７８】
【化１８】
2008231360.tif 000020
【００７９】
、−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−により２つのＯ原子が直接互いに結合されない条件で交換でき、Ｒ’’は又、ＣＮ，Ｆ，Ｃｌ又はＣＯＯＲ’’’、適当であればＯＨであり、Ｒ’’’はＨ又はＲ’’であり（ここでＣＮ，Ｆ，ＯＨ又はＣＯＯＲ’’は除かれる）、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ５の少なくとも１つはＯＲ’である）
【００８０】
【化１９】
2008231360.tif 000021
【００８１】
（式（７）において、Ｒ1 、Ｒ２は独立して、それぞれ、Ｈ、１又は２から１５の炭素原子を有するアルキル又はアルケニルであり、それらは未置換であるか、ＣＮ又はＣＦ３により一置換されているか又は多置換され、さらにこれらの基の１個又は多数のＣＨ２基が互いに独立して、−Ｏ−、−Ｓ−、
【００８２】
【化２０】
2008231360.tif 000022
【００８３】
、−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−により２つのＯ原子が直接互いに結合されない条件で交換でき、Ｒ１ 、Ｒ２は又、ＣＮ，Ｆ，Ｃｌ又はＣＯＯＲ’、適当であればＯＨであり、Ｒ’はＨ又はＲであり（ここでＣＮ，Ｆ，ＯＨ又はＣＯＯＲ’は除かれる）、
Ａ１、Ａ２、Ａ３は互いに独立して、それぞれ、
（ａ）１，４−シクロへキシレン又はトランス−１，４−シクロヘキセニレンであり、式においてさらに、１個又は多数の非−隣接ＣＨ２基がＯ及び／又はＳで交換でき、
（ｂ）１，４−フェニレン、その中でさらに、１個又は２個のＣＨ２基がＮで交換でき、
（ｃ）１，４−ビシクロ［２，２，２］オクチレン、ピペリジン−１，４−ジイル、ナフタレン−２，６−ジイル、デカハイドロナフタレン−３，６−ジイル、又は１，２，３，４−テトラハイドロナフタレン−２，６−ジイルであり、この一般式において、（ａ）及び（ｂ）はＦ原子により一置換体又は多置換体であることができ；
Ｚ１、Ｚ２及びＺ３は互いに独立して、それぞれ−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−ＣＯＣＨ２−、−ＣＨ２−ＣＯ−、−ＣＨ２Ｏ−、−ＯＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、トラン基、−（ＣＨ２）４−、−（ＣＨ２）３ＣＯ−、−（ＣＨ２）２−Ｏ−ＣＯ−、−（ＣＨ２）２−（ＣＯ−Ｏ）−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ２−ＣＨ２−、−ＣＨ２−ＣＨ２−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ２−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ２−又は単結合であり、
n、m、oは互いに独立してそれぞれ０又は１であり、
Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４は互いに独立して、それぞれＯＨ、Ｆ、Ｃｌ、ＣＯＯＲ’、ＮＯ２、ＣＮ、ＣＯＯＨ、ＯＲ’’又はＨであり、Ｒ’’はＨ、１又は２から１５の炭素原子を有するアルキル又はアルケニルであり、それらは未置換であるか、ＣＮ又はＣＦ３により一置換されているか又は多置換され、さらにこれらの基の１個又は多数のＣＨ２基が互いに独立して、−Ｏ−、−Ｓ−、
【００８４】
【化２１】
2008231360.tif 000023
【００８５】
、−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−により２つのＯ原子が直接互いに結合されない条件で交換でき、Ｒ’’は又、ＣＮ，Ｆ，Ｃｌ又はＣＯＯＲ’’’、適当であればＯＨであり、Ｒ’’’はＨ又はＲ’’であり（ここでＣＮ，Ｆ，ＯＨ又はＣＯＯＲ’’は除かれる）、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４の少なくとも１つはＯＲ’である）
【００８６】
【化２２】
2008231360.tif 000024
【００８７】
（式（８）において、Ｒ1 、Ｒ２は独立して、それぞれ、Ｈ、１又は２から１５の炭素原子を有するアルキル又はアルケニルであり、それらは未置換であるか、ＣＮ又はＣＦ３により一置換されているか又は多置換され、さらにこれらの基の１個又は多数のＣＨ２基が互いに独立して、−Ｏ−、−Ｓ−、
【００８８】
【化２３】
2008231360.tif 000025
【００８９】
、−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−により２つのＯ原子が直接互いに結合されない条件で交換でき、Ｒ１ 、Ｒ２は又、ＣＮ，Ｆ，Ｃｌ又はＣＯＯＲ’、適当であればＯＨであり、Ｒ’はＨ又はＲであり（ここでＣＮ，Ｆ，ＯＨ又はＣＯＯＲ’は除かれる）、
Ａ１、Ａ２、Ａ３は互いに独立して、それぞれ、
（ａ）１，４−シクロへキシレン又はトランス−１，４−シクロヘキセニレンであり、式においてさらに、１個又は多数の非−隣接ＣＨ２基がＯ及び／又はＳで交換でき、
（ｂ）１，４−フェニレン、その中でさらに、１個又は２個のＣＨ２基がＮで交換でき、
（ｃ）１，４−ビシクロ［２，２，２］オクチレン、ピペリジン−１，４−ジイル、ナフタレン−２，６−ジイル、デカハイドロナフタレン−３，６−ジイル、又は１，２，３，４−テロラハイドロナフタレン−２，６−ジイルであり、この一般式において、（ａ）及び（ｂ）はＦ原子により一置換体又は多置換体であることができ；
Ｚ１、Ｚ２及びＺ３は互いに独立して、それぞれ−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−ＣＯＣＨ２−、−ＣＨ２−ＣＯ−、−ＣＨ２Ｏ−、−ＯＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、トラン基、−（ＣＨ２）４−、−（ＣＨ２）３ＣＯ−、−（ＣＨ２）２−Ｏ−ＣＯ−、−（ＣＨ２）２−（ＣＯ−Ｏ）−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ２−ＣＨ２−、−ＣＨ２−ＣＨ２−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ２−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ２−又は単結合であり、
n、m、oは互いに独立してそれぞれ０又は１であり、
Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４は互いに独立して、それぞれＯＨ、Ｆ、Ｃｌ、ＣＯＯＲ’、ＮＯ２、ＣＮ、ＣＯＯＨ、ＯＲ’’又はＨであり、Ｒ’’はＨ、１又は２から１５の炭素原子を有するアルキル又はアルケニルであり、それらは未置換であるか、ＣＮ又はＣＦ３により一置換されているか又は多置換され、さらにこれらの基の１個又は多数のＣＨ２基が互いに独立して、−Ｏ−、−Ｓ−、
【００９０】
【化２４】
2008231360.tif 000026
【００９１】
、−ＣＯ−、ＣＯ−Ｏ−、Ｏ−ＣＯ−、Ｏ−ＣＯ−Ｏ−により２つのＯ原子が直接互いに結合されない条件で交換でき、Ｒ’’は又、ＣＮ，Ｆ，Ｃｌ又はＣＯＯＲ’’’、適当であればＯＨであり、Ｒ’’’はＨ又はＲ’’であり（ここでＣＮ，Ｆ，ＯＨ又はＣＯＯＲ’’は除かれる）、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４の少なくとも１つはＯＲ’である）
【００９２】
これらのアルコキシ化合物は、かつては液晶組成に含まれていたが、昨今の応答速度の向上が求められる液晶表示装置では、その使用が避けられる傾向にある。本発明では、滴下貼り合わせ方式にて作製される液晶表示装置に、昨今使用が避けられているこれらアルコキシ化合物を使用することで、酸性メソゲン化合物の偏在化による滴下痕を防止できるという極めて顕著な効果を奏するものである。
【００９３】
一般的に液晶組成物の調製は、含有される液晶組成物などの成分の重量を測定してから混合することにより行われる（以下、滴下前液晶）。本発明の液晶組成物においても、含有される各成分の重量を測定してから混合しているため、フェノール誘導体とアルコキシ化合物を所定の含有量にすることは容易である。
【００９４】
さらに本発明者は、滴下前液晶の組成と、滴下し液晶表示装置に封入された液晶の組成とを機器分析によって比較したが、両者の液晶組成の差はフェノール誘導体とアルコキシ化合物ともに１０％程度の差であり、本発明の結果に影響を与えない程度であることを確認している。
【００９５】
また、液晶組成物に含有するフェノール誘導体とアルコキシ化合物の含有量のwt％の算出は、ガスクロマトグラフ質量分析法（Gas  Cromatography  Mass  Spectroscopy：GCMS）で行うことが可能である。ガスクロマトグラフ質量分析法は、ガスクロマトグラフ分析法（GC）と質量分析法（MS：マス）を組み合わせた分析法である。GCMS分析では、液晶組成物を1００倍から１００００倍のアセトン等有機溶剤に溶解し、この溶液をガスクロマトグラフ分析装置のカラムと呼ばれる細い分離管に通すことで、液晶組成物に含まれる各成分を分離して複数のピークとして出現させる。次に質量分析装置では質量スペクトルを測定することにより、その分離されたピークがどのような化合物であるかを特定する。
【００９６】
ガスクロマトグラフ分析で出現する各成分のピークの強度は、各成分の含有量とは一般的に一致しない。すなわち、化合物Ａ、Ｂの等重量混合物のガスクロマトグラフ分析を行った場合、両ピーク面積は必ずしも等しくならない。この補正は補正係数によって行われる。例えば、化合物Ａと化合物Ｂの任意の割合での混合物のガスクロマトグラフ分析を行う場合、まず、化合物Ａと化合物Ｂそれぞれについて、トルエン等の基準物質とのピーク面積の比である相対感度を測定し、相対感度の逆数である補正係数を求め、化合物Ａと化合物のＢのピーク面積に補正係数をかけることにより、化合物Ａと化合物Ｂの重量比を求めることができる。任意の液晶組成物に含まれる成分の補正係数は不明であるが、幸いなことに各成分の補正係数はほぼ１であるため、ガスクロマトグラフ分析での各成分のピーク面積比を各成分のｗｔ％と見なすことができる。
【００９７】
ガスクロマトグラフ分析での分析精度は検出器に依存するが、汎用検出器として用いられる水素炎イオン化検出器（ＦＩＤ）を例にとると、導入した溶液に１ｍｇに対して最小検出量は２５ｎｇである。これは液晶組成物をアセトン溶液で４００倍に希釈した場合、元々の液晶組成物に０．００１ｗｔ％含有する成分の量に一致する。
【００９８】
本発明の横電界駆動方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置の画素構造を図１を用いて説明する。
【００９９】
まず、薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor、以下ＴＦＴとする）が形成されたＴＦＴ基板１０の構造を図１−１の平面図と、図１−１のＡ−Ａ線での断面図（図１−２）を用いて説明する。ＴＦＴ基板１０には、第１の透明基板１１の上に第１の層間絶縁膜１２を形成し、前記第１の層間絶縁膜１２上に画素補助電極１３およびデータ線１４を配し、さらに画素補助電極１３とデータ線１４の上に、第２の層間絶縁膜１７を形成してある。第２の層間絶縁膜１７は、基板側から窒化シリコン膜１５と透明アクリル樹脂膜１６が積層された２重構造である。第２の層間絶縁膜１７上には、透明導電膜であるＩＴＯからなる画素電極１８と共通電極１９とが配置されている。画素電極１８と共通電極１９は、互いに平行であり、かつ、データ線１４の延長方向（ラビング方向）に沿ってジグザグ構造をしている。第１の透明基板１１と第１の層間絶縁膜１２との間には走査線３１を配置し、前記データ線１４と前記走査線３１が交差する近傍にはＴＦＴを配している。ＴＦＴは、図１−１のＢ−Ｂ線での断面図（図１−３）に示すように、ゲート電極（走査線３１）上の第１の層間絶縁膜１２の上にアモルファスシリコン３２が形成され、前記アモルファスシリコン３２がオーミック層３３を介してドレイン電極３４とソース電極３５に接続した構造である。ＴＦＴのソース電極３５は、ソース電極３５上に設けられた第２の層間絶縁膜１７のコンタクトホール３６を介して、第２の層間絶縁膜１７上のＩＴＯからなる画素電極１８に接続されている。さらに、第１の透明基板１１と第１の層間絶縁膜１２との間には、図１−１の平面図に示す位置に、共通電極配線３７が設けられている。ＩＴＯからなる共通電極１９は、第１の層間絶縁膜１２および第２の層間絶縁膜１７を通して形成するコンタクトホール３８を介して、共通電極配線３７に接続されている。
【０１００】
前記ＴＦＴ基板１０の対向側にはカラーフィルタ基板２０を配している。カラーフィルタ基板２０には第２の透明基板２２上にブラックマトリクス２３と色層２４が形成されている。前記色層２４と前記ブラックマトリクス２３上にはオーバーコート膜２５を形成し、前記オーバーコート膜２５上には、ギャップ形成のための柱状スペーサ（図示せず）を配している。前記柱状スペーサは、ＴＦＴ基板１０でゲート配線が配され、かつデータ線およびアモルファスシリコンの配されていない領域に対向する位置に配している。
【０１０１】
ＴＦＴ基板１０とカラーフィルタ基板２０の対向する面には、ポリイミド等の均一な膜厚の配向膜４０が形成されており、後述するようにラビング処理が施されている。そして、両基板間には液晶４１が注入される。また、ＴＦＴ基板１０とカラーフィルタ基板２０の外面には偏光板４２がそれぞれ設けられている。なお、カラーフィルタ基板２０の偏光板４２の内側には導電層２１が設けられている。
【０１０２】
次に、本発明の実施例の液晶表示装置の製造方法を図２を用いて説明する。
まず、前記ＴＦＴ基板と前記カラーフィルタ基板（対向基板）の双方の基板を洗浄し、赤外線乾燥（ＩＲ乾燥）し水分を蒸発させた後、両基板の表面に印刷装置を用いてポリイミドの溶液を塗布し、仮焼成、本焼成を行って均一な膜厚の配向膜を形成し（工程（Ａ））、焼成後に配向膜表面を回転金属ローラに巻き付けたバフ布などで一定方向に擦ってラビング処理を行う（工程（Ｂ））。このとき、図１−１に示すように、ラビング方向は走査線３１の延在方向に垂直な方向とした。画素電極１８および共通電極１９は、互いに平行であり、ラビング方向に対称な方向に屈曲させてある。ラビング方向と画素電極１８ないし共通電極１９の長手方向とのなす角（β）は、例えば、１５度とすることができる。その後、基板表面の残留物を除去するために両基板を洗浄し乾燥させる（工程（Ｃ））。
【０１０３】
次に、一対の対向する基板の一方（例えばＴＦＴ基板）上に、スクリーン印刷法やディスペンサ描画法等を用いて紫外線硬化樹脂や熱硬化樹脂等からなるシール材を表示領域の周囲に塗布する（工程（Ｄ））。
【０１０４】
次に、一方の基板（ここではＴＦＴ基板）のシール材に囲まれた表示領域に液晶滴下用ディスペンサなどの液晶滴下装置を用いて、予め真空状態に放置し混入した水分又は気体成分を除去した本発明の液晶組成物をクリーンルーム雰囲気中で適量滴下した後（工程（Ｅ））、気泡が混入しないように空チャンバー内で他方の基板（ここではカラーフィルタ基板）と位置合わせして貼り合わせる（工程（Ｆ））。真空チャンバーでは基板を常圧でステージに載置した後、例えば、約９０秒かけて１Ｐａの圧力まで減圧し、基板を貼り合わせている。その後、一対の基板を両外側から押圧してシール材を潰して所望のギャップを形成した後、基板（ここではＴＦＴ基板）の裏面から紫外線などを照射してシール材を仮硬化させ（工程（Ｇ））、更に所定の温度で加熱してシール材を本硬化させ（工程（Ｈ））、シール材の外側の所定の部分で一対の基板を切断する（工程（Ｉ））。その後、偏光板を貼りつけ、液晶表示パネルを作製した。第１の透明基板上の偏光板は、その偏光透過軸と、第一の透明基板に形成された配向膜のラビング方向とが、略平行になるように貼りつける。また、第二の透明基板上の偏光板は、その偏光透過軸と、第二の透明基板に形成された配向膜のラビング方向とが、略垂直になるように貼りつける。
【０１０５】
次に、液晶表示パネルには、ソースドライバ、ゲートドライバ、バックライト、電源回路と入力されたアナログ方式の映像信号を８ビット（２５６階調）のデジタル方式に変換する信号変換回路とを備えた変換基板、バックライトインバータの制御信号を出力する制御回路を備えたインターフェース基板、信号処理回路を備えた信号処理基板が実装され、液晶表示装置が完成する。
【０１０６】
本発明の液晶表示装置は横電界駆動方式のアクティブマトリクス駆動液晶表示装置であるが、酸性メソゲン化合物を添加した液晶組成物を用いて滴下貼り合わせ方式により作製する液晶表示装置の製造に広く適用することが可能である。
【０１０７】
本発明は、横電界駆動方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置に関するが、ＳＴＮ（Super Twist Nematic）方式など液晶を低抵抗化するために酸性化合物を添加する全ての液晶表示装置の残像及び滴下痕の発生防止に有効である。
【０１０８】
本発明の横電界駆動方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置では、画素電極と共通電極が同層であり、かつ配向膜に接する構造をとったＩＰＳ（In-Plane Switching）方式の液晶表示装置としているが、画素電極と共通電極は異層であっても良い。また、画素電極と共通電極のいずれか片方、または両方が配向膜に接していなくても良い。また、ＦＦＳ（Fringe Field Switching）方式の横電界駆動方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置にも適用できる。
【実施例】
【０１０９】
以下、実施例を参照して、本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例のみに限定されるものではない。
【０１１０】
実施例１
実施例１の液晶表示装置には、例えば、比抵抗が２５℃で５．０×１０１３Ωｃｍである液晶組成物に、前記式（Ｉ）で表されるフェノール誘導体０．０１２５ｗｔ％と、前記式（II）で表されるアルコキシ化合物４ｗｔ％を添加し、カイラル剤は添加していないものである。上記液晶組成物は、主に末端フッ化化合物及び末端フッ素含有化合物から成り、特許文献２の「００３６」に記載される各特許文献（ＧＢ  ２３  １０  ６６９、ＥＰ  ０  ８０７  １５３、ＤＥ  １９５２８１０４、ＤＥ  １９５２８１０７、ＥＰ  ０  ７６８  ３５９、ＤＥ  １９  ６１１０９６及びＤＥ  １９  ６２５  １００）により横電界方式の表示体用液晶混合物及びこれらの液晶表示体用の混合物の概念で構成されるものである。また、上記フェノール誘導体として、２−シアノ−３−フルオロ−５−（４−ｎ−プロピル−トランス−シクロヘキシル）フェノール（以下、フェノール誘導体（Ｉ−１）と称す）は、添加量に対して比較的緩やかに比抵抗が変化することから抵抗値を調整しやすいことが上記公知例で知られており、選定した。さらに、上記アルコキシ化合物は、特表平１１−５１０１９９号公報の請求項９の式XVIIに記載される化合物が知られており、低粘性であり、さらに揮発性が小さいことから、上記式(II)において、Ｒ１がプロピル基、Ｒ２がメチル基である化合物（以下、アルコキシ化合物（II−１）と称す）を選定した。なお、本発明におけるモル濃度は全て２５℃の値である。
【０１１１】
【化２５】
2008231360.tif 000027
【０１１２】
【化２６】
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【０１１３】
本発明の実施例１の横電界駆動方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置の信号変換回路に、信号源からプログレッシブ方式の映像信号を入力した場合の動作について説明する。
【０１１４】
本発明の実施例１の液晶表示装置は、非常に良い残像特性を有している。これはフェノール誘導体（Ｉ−１）を０．０１２５ｗｔ％含有しているためである。実施例１の液晶表示装置に使われる液晶組成物に、フェノール誘導体（Ｉ−１）とアルコキシ化合物（II−１）を添加する前の液晶組成物の比抵抗は５．０×１０１３Ωｃｍであり、この液晶組成物にアルコキシ化合物（II−１）のみを添加した液晶組成物の比抵抗は５．０×１０１３Ωｃｍであり変化しない。しかし、さらにこの液晶組成物にフェノール誘導体（Ｉ−１）が添加された実施例１の液晶組成物では、フェノール誘導体（Ｉ−１）により比抵抗が５．０×１０１１Ωｃｍに低下しているため、残像特性が良好である。
【０１１５】
さらに、本発明の実施例１では、フェノール誘導体（Ｉ−１）を０．０１２５ｗｔ％含有することに加え、アルコキシ化合物（II−１）を４ｗｔ％含有している。フェノール誘導体（Ｉ−１）の分子量は２６１であり、本発明の液晶組成物の２５℃での密度は１．０５ｇ／ｍｌであるため、液晶組成物１リットル当たりの物質量（モル）であるモル濃度でフェノール誘導体（Ｉ−１）の含有量を表すと０．０００５０ｍｏｌ／ｌとなる。また、フェノール誘導体（Ｉ−１）は１価の酸であるため、規定度で表すと０．０００５０規定となる。ここで、規定度とはモル濃度に酸・塩基の価数を乗じたものである。さらに、アルコキシ化合物（II−１）の分子量は２３８であるため、アルコキシ化合物（II−１）の添加量をモル濃度で表すと、０．１７６ｍｏｌ／ｌとなる。アルコキシ化合物（II−１）はフェノール誘導体（Ｉ−１）の約３５２当量に相当する量含有されており、フェノール誘導体（Ｉ−１）に対してアルコキシ化合物（II−１）が１０当量以上含有されているため、後述する理由により滴下痕が発生しない。すなわち、実施例１によれば、残像特性と滴下痕の２つの課題を共に解決することができる。
【０１１６】
表−１から表−４に、前記した液晶表示装置の製造方法を用いて、液晶表示装置に封入した液晶組成物におけるフェノール誘導体とアルコキシ化合物の含有量と、残像特性、表示シミ特性、滴下痕特性、応答特性の関係を示す。なお、表１から４の液晶表示装置の信号処理回路には信号源からプログレッシブ方式の映像信号が入力されている。また、表−１から表−４の液晶表示装置における液晶組成物のフェノール誘導体とアルコキシ化合物の含有量は液晶表示装置を分解して組成分析をした値である。表−１に示す残像特性の判定は、１辺が１００画素からなる正方形をした黒（０階調）表示部と白（２５５階調）表示部とが、交互に配されたチェッカーフラグパターンを８時間連続表示し、次に１２７階調のベタ画面を３０分間表示した後に行い、前記チェッカーフラグパターンの位置と一致する輝度ムラが１２７階調のベタ画面表示で視認できない場合を「○」、視認できる場合を「×」とした。また、表−２に示す表示シミ特性の判定は、液晶表示装置を温度６０℃、湿度６０％に保持した恒温恒湿槽内に載置し、１０００時間白（２５６階調）表示をした後に行い、１２７階調のベタ画面表示で表示部内に新たに発生した輝度がムラの視認できない場合を「○」、視認できる場合を「×」とした。表−３に示す滴下痕特性の判定は、１７階調ベタ表示画面で、ほぼ円形であり、かつ、液晶の滴下位置に一致する輝度ムラの視認の可否で行い、視認できない場合を「○」、視認できる場合を「×」とした。滴下痕の判定を行った１７階調は、０から２５５階調の全階調でもっとも滴下痕が視認しやすい階調である。また、表−４の応答特性は、表示を黒から白へ切り替えたときの液晶の応答時間と、表示を白から黒へ切り替えたときの応答時間の合計値を示したものであり、フェノール誘導体濃度が０規定（０ｗｔ％）であり、アルコキシ化合物濃度が０ｍｏｌ／ｌ（０ｗｔ％）の液晶組成物の応答時間を１として、相対値を表示している。なお、黒から白の応答時間は、輝度が白表示の輝度に対して１０％から９０％に変化する時間であり、白から黒の応答時間は、輝度が白表示の輝度に対して９０％から１０％に変化する時間としている。
【０１１７】
【表１】
2008231360.tif 000029
【０１１８】
【表２】
2008231360.tif 000030
【０１１９】
表−１に示すように、残像特性は、フェノール誘導体の濃度が０．００００４規定以下（０．００１ｗｔ％以下）であると良くないが、０．０００１０規定以上（０．００２５ｗｔ％以上）で良好であることがわかる。しかしながら、フェノール誘導体の濃度が高過ぎても良くない。表−２に示すようにフェノール誘導体の濃度が０．０４０２３規定（１ｗｔ％）を超えると表示シミが問題となる。これは、液晶の抵抗が低くなり過ぎ、液晶に印加される電圧が１フレーム内で大きく低下するためである。したがって、液晶組成物中のフェノール誘導体の濃度が０．０００１０規定以上０．０４０２３規定以下（０．００２５ｗｔ％以上１ｗｔ％以下）であれば、表示シミ等の不具合なく良好な残像特性が実現できる。
【０１２０】
滴下痕は表−３に示すように、フェノール誘導体の濃度が０．００００４規定以上０．００２０１規定以下（０．００１０ｗｔ％以上０．０５００ｗｔ％以下）の範囲ではアルコキシ化合物濃度が０．０４４ｍｏｌ／ｌ以上（１ｗｔ％以上）で発生せず、フェノール誘導体の濃度が０．００４０２規定（０．１ｗｔ％）ではアルコキシ化合物濃度が０．１７６ｍｏｌ／ｌ以上（４ｗｔ％以上）で発生しない。また、フェノール誘導体濃度が０．０２０１１規定（０．５ｗｔ％）では、アルコキシ化合物濃度が０．２６５ｍｏｌ／ｌ以上（６ｗｔ％以上）で発生せず、フェノール誘導体の濃度が０．０４０２３規定（０．１ｗｔ％）ではアルコキシ化合物濃度が０．３９７ｍｏｌ／ｌ以上（９ｗｔ％以上）で発生しない。
【０１２１】
表−５には、フェノール誘導体に対するアルコキシ化合物の当量を示した。表−５において黒い太線で囲んだ領域が滴下痕の発生しない領域である。液晶組成物にフェノール誘導体に対してアルコキシ化合物が１０当量以上含有されると滴下痕が発生しないが、１０当量未満含有される場合は滴下痕が発生している。したがって、アルコキシ化合物の含有量が０．０４４ｍｏｌ／ｌ以上であり、かつ、フェノール誘導体に対して１０当量以上であれば、滴下痕は発生しない。 
【０１２２】
【表３】
2008231360.tif 000031
【０１２３】
しかしながら、表−４に示すように、アルコキシ化合物濃度が大きくなるに従い、応答時間が遅くなる。表−６には、液晶組成物の回転粘性係数の相対値を、フェノール誘導体濃度が０規定（０ｗｔ％）であり、かつ、アルコキシ化合物濃度が０ｍｏｌ／ｌ（０ｗｔ％）である液晶組成物の回転粘性係数を１として示しているが、応答時間は回転粘性係数に比例するため、アルコキシ化合物濃度が大きくなるに従い、応答時間が遅くなる。液晶組成物に誘電率異方性を持たせるため、液晶組成物には電気陰性度の大きいフッ素原子を含む化合物が添加されているが、このフッ素原子とアルコキシ化合物の酸素の非共有電子対が引きあうことにより液晶組成物の粘度を増大させる。応答時間は液晶組成物の粘度に比例するため、アルコキシ化合物濃度が大きくなるに従い、応答時間が遅くなる。アルコキシ化合物の濃度が０．２６５ｍｏｌ／ｌ以下（６ｗｔ％以下）であれば、アルコキシ化合物０ｗｔ％（０ｍｏｌ／ｌ）の場合と比較しても応答時間の増加は１０％以下と小さく、良好な応答速度を確保できる。
【０１２４】
したがって、液晶組成物中のアルコキシ化合物の含有量が０．０４４ｍｏｌ／ｌ以上０．２６５ｍｏｌ／ｌ以下（１ｗｔ％以上６ｗｔ％以下）であり、かつ、フェノール誘導体に対してアルコキシ化合物が１０当量以上であれば、滴下痕が無く、また、良好な応答時間を確保可能である。
【０１２５】
なお、液晶組成物には製造工程においてナトリウム、カリウム等の不純物の混入を無くすることはできず、液晶組成物には微量の不純物が混入している。これらの不純物量は一定に制御できないため、液晶組成物の比抵抗は幅を持つことになる。本発明の実施例におけるフェノール誘導体とアルコキシ化合物を添加する前と後の液晶組成物の比抵抗は、それぞれ５．０×１０１３Ωｃｍと５．０×１０１１Ωｃｍであるが、同じ組成比、同じ製法で液晶組成物を製造しても、含有する不純物量により前者で１．０×１０１３Ωｃｍから１．０×１０１４Ωｃｍ、後者で１．０×１０１１Ωｃｍから１．０×１０１２Ωｃｍの幅を持つことがわかっている。しかしながら、比抵抗が異なっても、フェノール誘導体の含有量が同じであれば、残像特性、滴下痕特性は変わらないことを確認している。液晶組成物に予め含有される不純物量より液晶表示装置の製造工程において液晶組成物に混入する不純物量の方が多く、さらに製造工程において混入する不純物量がほぼ一定であるため、フェノール誘導体の含有量を一定にすれば、２枚の基板間に封入された液晶組成物の比抵抗も一定になるためと考えられる。
【０１２６】
以上、信号源から信号変換基板にプログレッシブ方式の映像信号が入力される本発明の液晶表示装置場合の効果を図６のダイアフラムにまとめて示す。図６に示すように、フェノール誘導体濃度が０．０００１０規定（０．００２５ｗｔ％）以上で、アルコキシ化合物が０．２６５ｍｏｌ／ｌ（６ｗｔ％）以下で、且つフェノール誘導体に対してアルコキシ化合物が１０当量以上であるハッチングされた領域において残像特性、滴下痕特性、表示シミ特性、応答特性が良好である。
【０１２７】
実施例２
次に、本発明の第２の実施例の横電界駆動方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置について説明する。本発明の第２の実施例の液晶表示装置は第１の実施例と製造方法は同じであり、液晶組成物のみ異なる。本発明の第２の実施例の液晶組成物は主に末端フッ化化合物及び末端フッ素含有化合物から成り、さらに、酸性化合物としてフェノール誘導体（Ｉ−１）を０．０５ｗｔ％と、アルコキシ化合物（II−１）を１４ｗｔ％含有し、カイラル剤を含有しない。
【０１２８】
本発明の第２の実施例の液晶表示装置にはインターレース方式の映像信号を入力し、さらに水平方向の１走査線毎に黒、白の入れ替わる横縞表示を行った場合の動作について説明する。横縞表示を行った場合、ノーマリーブラック表示である横電界駆動方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置では、白電圧の１／２の直流電圧が液晶に印加される。本発明の第２の実施例では白電圧を６Ｖとしており、液晶には平均して３Ｖの直流電圧が印加されることになる。しかしながら、本発明の第２の実施例の液晶表示装置は、良好な残像特性を有している。フェノール誘導体を添加し液晶の比抵抗を下げていることにより、直流電圧による液晶中の電荷の偏りが緩和されるため、残像特性が良好となる。
【０１２９】
さらに、本発明の実施例２では、フェノール誘導体（Ｉ−１）を０．０５ｗｔ％添加することに加え、アルコキシ化合物（ＩＩ−２）を１４ｗｔ％添加している。フェノール誘導体（Ｉ−１）の分子量は２６１であり、本発明の液晶組成物の２５℃での密度は１．０５ｇ／ｍｌであるため、フェノール誘導体の添加量をモル濃度で表すと０．００２０１ｍｏｌ／ｌとなり、また、このフェノール誘導体（Ｉ−１）は１価の酸であるため、規定度で表すと０．００２０１規定となる。さらに、アルコキシ化合物（ＩＩ−１）の分子量は２３８であるため、アルコキシ化合物（ＩＩ−１）の添加量をモル濃度で表すと、０．６１８ｍｏｌ／ｌとなる。アルコキシ化合物（ＩＩ−１）は、フェノール誘導体（Ｉ−１）の約３０７当量に相当する量が添加されており、アルコキシ化合物に対してフェノール誘導体が１５０当量以上含有されているため、後述する理由により、滴下痕が発生しない。
【０１３０】
液晶表示装置にインターレース方式の映像信号で水平方向の１走査線毎に黒、白の入れ替わる横縞表示を行う場合の残像特性、表示シミ特性、滴下痕特性を表−７から表−９に示す。なお、表−７から表−９の液晶表示装置の液晶組成物のフェノール誘導体とアルコキシ化合物の含有量は、液晶表示装置を分解して組成分析をした値である。表−７に示す残像特性の判定は、１辺が１００画素からなる正方形をした黒（０階調）表示部と、水平方向の１走査線毎に白（２５５階調）、黒（０階調）の入れ替わる横縞表示部とが、交互に配されたチェッカーフラグパターンを３０分間連続表示し、次に１２７階調のベタ画面を３０分間表示した後に行い、前記チェッカーフラグパターンの位置と一致する輝度ムラが１２７階調のベタ画面表示で視認できない場合を「○」、視認できる場合を「×」とした。また、表−８に示す表示シミ特性の判定は、液晶表示装置を温度６０℃、湿度６０％に保持した恒温恒湿槽内に載置し、水平方向の１走査線毎に黒、白の入れ替わる横縞表示を１０００時間行った後、１２７階調のベタ画面表示で表示部内に新たに発生した輝度がムラの視認できない場合を「○」、視認できる場合を「×」とした。表−９に示す滴下痕特性の判定は、水平方向の１走査線毎に白（２５５階調）、黒（０階調）の入れ替わる横縞表示を３０分間連続表示した後、１７階調ベタ画面表示に切替えた直後に、ほぼ円形であり、かつ、液晶の滴下位置に一致する輝度ムラの視認の可否で行い、視認できない場合を「○」、視認できる場合を「×」とした。滴下痕の判定を行った１７階調は、０から２５５階調の全階調でもっとも滴下痕が視認しやすい階調である。
【０１３１】
【表４】
2008231360.tif 000032
【０１３２】
また、表−１０には、本発明の第２の実施例と、フェノール誘導体とアルコキシ化合物の含有量のみ異なる液晶組成物の低温特性（相溶性）を示す。表−１０に示す低温特性の判定は、液晶組成物を−２０℃の冷凍庫で１週間静置し、スメクチック相が発生しなかった場合を「○」、スメクチック相が発生した場合を「×」とした。
【０１３３】
【表５】
2008231360.tif 000033
【０１３４】
表−７に示すように本発明の第２の実施例のようにインターレース方式の映像信号が入力された場合の残像特性は、アルコキシ化合物の含有量に依存せず、フェノール誘導体の濃度が０．００１００規定以上（０．０２５ｗｔ以上）で良好であることがわかる。しかしながら、表−８に示すようにフェノール誘導体の濃度が０．０４０２３規定（１ｗｔ％）を超えると表示シミが問題となる。これは、液晶の抵抗が低くなり電導度が増加し、液晶に印加される電圧が１フレームで大きく低下するためと考えられる。したがって、液晶組成物中のフェノール誘導体の濃度は０．００１００規定以上０．０４０２３規定以下（０．０２５ｗｔ％以上１ｗｔ％以下）であれば、表示シミ等の不具合なく良好な残像特性を実現できる。
【０１３５】
滴下痕は表−９に示すように、フェノール誘導体の濃度が０．００１００規定（０．０２５ｗｔ％）ではアルコキシの濃度が０．１７６ｍｏｌ／ｌ以上（４ｗｔ％以上）で発生せず、フェノール誘導体の濃度が０．００２０１規定（０．０５ｗｔ％）ではアルコキシ化合物の濃度が０．３９７ｍｏｌ／ｌ以上（９ｗｔ％以上）で発生しない。また、フェノール誘導体の濃度が０．００４０３規定（０．１ｗｔ％）ではアルコキシ化合物の濃度が０．６１８ｍｏｌ／ｌ以上（１４ｗｔ％以上）で発生しない。
【０１３６】
表−１１には、フェノール誘導体に対するアルコキシ化合物の当量を示した。表−１１において黒い太線で囲んだ領域が滴下痕の発生しない領域である。液晶組成物にフェノール誘導体に対してアルコキシ化合物が１５０当量以上含有されると滴下痕が発生しないが、１５０当量未満含有される場合は滴下痕が発生している。したがって、アルコキシ化合物の含有量がフェノール誘導体に対して１５０当量以上であれば、滴下痕は発生しない。
【０１３７】
液晶組成物には残像特性からフェノール誘導体を０．００１００規定以上（０．０２５ｗｔ％以上）含有する必要があるため、アルコキシ化合物の濃度はフェノール誘導体０．００１００規定の１５０当量に対応する０．１５ｍｏｌ／ｌ（３．４ｗｔ％）以上となる。
【０１３８】
フェノール誘導体に対するアルコキシ化合物の添加量の当量比は、プログレッシブ方式では１０当量以上であるが、インターレース方式では１５０当量以上であり、インターレース方式の方が大きい。プログレッシブ方式では液晶に印加される直流電圧は前述のとおり最大で約０．３Ｖであるが、インターレース方式では約３Ｖである。プログレッシブ方式よりインターレース方式の方が液晶に印加される直流電圧が大きく、滴下痕の発生を防止するためには、インターレース方式ではプログレッシブ方式よりオキソニウムイオンとフェノキシドイオンの生成を少なくする必要があるため、インターレース方式で滴下痕が発生しないフェノール誘導体に対するアルコキシ化合物の添加量の当量比はプログレッシブ方式よりを大きいと考えられる。
【０１３９】
滴下痕発生を防止するためには、液晶組成物は多くのアルコキシ化合物を含有する必要があるが、アルコキシ化合物濃度が１．３２４ｍｏｌ／ｌ（３０ｗｔ％）を超えると、表１０に示すように液晶の相溶性が悪くなり、スメクチック相が発生する。したがって、液晶組成物中のフェノール誘導体の濃度を０．１５ｍｏｌ／ｌ以上１．３２４ｍｏｌ／ｌ以下（３．４ｗｔ％以上３０ｗｔ％以下）であり、かつ、フェノール誘導体に対してアルコキシ化合物が１５０当量以上であれば、滴下痕が無く、また、液晶組成物の相溶性を良好に保つことが出来る。
【０１４０】
なお、アルコキシ化合物の濃度の上限が１．３２４ｍｏｌ／ｌ（３０ｗｔ％）であり、フェノール誘導体に対してアルコキシ化合物は少なくとも１５０当量以上とする必要があるため、フェノール誘導体の添加量の上限は０．００８８３規定（０．２２ｗｔ％）以下となる。
【０１４１】
したがって、信号源から液晶表示装置の信号変換回路にインターレース方式の映像信号が入力される場合、フェノール誘導体の濃度を０．００１００規定以上０．００８８３規定以下（０．０２５ｗｔ％以上０．２２ｗｔ以下）とし、アルコキシ化合物の濃度を０．１５ｍｏｌ／ｌ以上１．３２４ｍｏｌ以下（３．４ｗｔ％以上３０ｗｔ％以下）とし、かつ、フェノール誘導体に対して１５０当量以上とすることにより、残像特性、表示シミ特性、滴下痕特性、液晶組成物の相溶性に対して良好な特性を得ることが出来る。
【０１４２】
以上、インターレース方式の映像信号を入力した場合の効果を図７のダイアフラムにまとめて示す。図７に示すように、フェノール誘導体が０．００１００規定（０．０２５ｗｔ％）以上で、アルコキシ化合物が１．３２４ｍｏｌ／ｌ（３０ｗｔ％）以下で、且つフェノール誘導体に対してアルコキシ化合物が１５０当量以上となるハッチングされた領域で、残像特性、滴下痕特性、表示シミ特性、低温特性（液晶相溶性）が良好となる。
【０１４３】
本発明の第１の実施例では、プログレッシブ方式の映像信号を入力しているが、特許文献６（特開平９−２３６７８７号公報）の「発明の実施の形態」に記載されているようなインターレース−プログレッシブ変換回路（ＩＰ変換回路）を備えている映像信号処理回路を搭載した回路基板を実装した液晶表示装置に、インターレース方式の映像信号を入力した場合にも適用できる。
【０１４４】
本発明の第２の実施例では、水平方向の１走査線毎に黒、白の入れ替わる横縞表示を行った場合の動作について説明しているが、第２Ｎ−１番目（Ｎは１以上の整数）と第２Ｎ番目の走査線上の隣接する画素にそれぞれ黒（または白）と白（または黒）を表示した場合には、反転駆動の種類（フレーム反転、ライン反転、ドット反転）に関わらず同様の問題が発生する。これらの表示において課題となる残像及び滴下痕に対しても、本発明は有効である。また、黒の代わりに黒以外の階調、白の代わりに白以外の階調を表示した場合も、液晶に大きな直流電圧がかかるときには本発明による残像及び滴下痕改善効果がある。
【０１４５】
本発明の第２の実施例では白表示の電圧を６Ｖとしているが、白表示の電圧が４Ｖから８Ｖの範囲で滴下痕特性の評価を行い、この電圧範囲で滴下痕特性が良好であることを確認している。
【０１４６】
本発明の液晶表示装置の製造方法では、一方の基板のシール材に囲まれた表示領域に液晶組成物をクリーンルーム雰囲気中で滴下しているが、クリーンルーム雰囲気中でなく窒素雰囲気中、または、減圧下で液晶を基板に滴下する場合でも滴下痕発生のリスク低減に効果がある。
【図面の簡単な説明】
【０１４７】
【図１−１】本発明の液晶表示装置の画素構造を示す平面図である。
【図１−２】図1−1のＡ−Ａ線での断面図である。
【図１−３】図1−1のＢ−Ｂ線での断面図である。
【図２】本発明の液晶表示装置の製造方法を説明するフローシートである。
【図３】従来技術による液晶表示装置の製造方法を説明するフローシートである。
【図４】従来の横電界駆動方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置の表示画素断面図であり、（ａ）は液晶滴下箇所、（ｂ）はそれ以外の部分を示す。
【図５】本発明の横電界駆動方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置の表示画素断面図であり、（ａ）は液晶滴下箇所、（ｂ）はそれ以外の部分を示す。
【図６】プログレッシブ方式の映像信号を入力した場合の効果を示すダイアフラムである。
【図７】インターレース方式の映像信号を入力した場合の効果を示すダイアフラムである。
【図８】発明の課題を説明するシール塗布から真空貼り合わせまでの工程を表した工程断面図である。
【図９】ノーマリーブラック方式であり、かつ、１フレーム毎に映像信号を反転される液晶表示装置にインターレース方式の映像信号を入力した場合に、任意の１画素の液晶にかかる電圧を示す図であり、（ａ）は白表示のときに液晶にかかる電圧を示し、（ｂ）は黒表示のときに液晶にかかる電圧を示し、（ｃ）は水平方向の１走査線毎に白、黒の入れ替わる横縞表示のときに１画素にかかる電圧を示す。
【符号の説明】
【０１４８】
１０  ＴＦＴ基板
１１  第１の透明基板
１２  第１の層間絶縁膜
１３  画素補助電極
１４  データ線
１５  窒化シリコン膜
１６  透明アクリル樹脂膜
１７  第２の層間絶縁膜
１８  画素電極（ＩＴＯ）
１９  共通電極（ＩＴＯ）
２０  対向基板
２１  導電層
２２  第２の透明基板
２３  ブラックマトリクス
２４  色層
２５  オーバーコート層
４０  配向膜
４１  液晶
４２  偏光板
３１  走査線（ゲート電極）
３２  アモルファスシリコン
３３  オーミック層
３４  ドレイン電極
３５  ソース電極
３６  コンタクトホール（画素電極用）
３７  共通電極配線
３８  コンタクトホール（共通電極用）
１０１  第１の基板（ＴＦＴ基板）
１０２  シール
１０３  水分
１０４  液晶
１０５  第２の基板（対向基板）
４０１  第１の透明基板（ＴＦＴ基板）
４０２  第１の層間絶縁膜
４０３  共通電極
４０４  第２の層間絶縁膜
４０５  画素電極
４０６  配向膜
４０７  液晶
４０８  第２の透明基板（対向基板）
４１０  フェノキシドイオン
４１１  オキソニウムイオン
４１２  フェノール誘導体
４１３  アルコキシ化合物
【図１−１】
2008231360.tif 000036
【図１−２】
2008231360.tif 000037
【図１−３】
2008231360.tif 000038
【図２】
2008231360.tif 000039
【図３】
2008231360.tif 000040
【図４】
2008231360.tif 000041
【図５】
2008231360.tif 000042
【図６】
2008231360.tif 000043
【図７】
2008231360.tif 000044
【図８】
2008231360.tif 000045
【図９】
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