(57)【要約】【課題】電子部品の各突起電極とそれぞれ対応する基板の各端子電極との接合時に、位置ずれを自動補正することを目的としている。【解決手段】半導体素子に突起電極１１よりも高い位置合わせ突起１２が形成されていて、基板上の前記位置合わせ突起１２に対応して凹部１４が形成されていて、まず位置合わせ突起１２が、基板の前記凹部１４に挿入されたことにより変形し、前記突起電極１１が前記基板の配線電極１３に近づくように電子部品を横滑りさせて自動補正する。【選択図】図１
2008147317.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
突起電極が形成された電子部品を、基板の上に形成された配線電極に電気的に接続して前記基板に前記電子部品を実装するに際し、
前記電子部品の前記突起電極が設けられている同じ面に、前記突起電極よりも高い少なくとも２個の位置合わせ突起を形成し、
前記突起電極に対応する配線電極を有する前記基板の側には、前記位置合わせ突起の位置にそれぞれ対応して配置され内周面が底部に向かって狭くなるように傾いた斜面を有する凹部を形成し、
前記突起電極よりも高い前記位置合わせ突起の先端を、前記基板の前記斜面に当接させて、前記位置合わせ突起を前記凹部の底部中央にガイドして前記電子部品の前記突起電極を前記基板の配線電極に位置合わせする
電子部品の実装方法。
【請求項２】
前記基板の側の凹部は、前記基板の表面よりも窪んでいることを特徴とする
請求項１記載の電子部品の実装方法。
【請求項３】
前記基板の側の凹部は、前記基板の表面に突出したガイド片で構成されていることを特徴とする
請求項１記載の電子部品の実装方法。
【請求項４】
前記基板と前記電子部品の間に熱硬化性樹脂を介装して結合する
請求項１記載の電子部品の実装方法。
【請求項５】
前記基板の前記凹部の形状を、前記基板の一方の面から他方の面に貫通させない
ことを特徴とする
請求項２記載の電子部品の実装方法。
【請求項６】
前記基板の前記凹部の形状を、前記基板の一方の面から他方の面に貫通させた
ことを特徴とする
請求項２記載の電子部品の実装方法。
【請求項７】
前記基板の前記凹部の片側の面を配線電極で閉塞した
ことを特徴とする
請求項６記載の電子部品の実装方法。
【請求項８】
前記基板に前記配線電極の形成時に、前記基板の前記凹部の周辺と前記斜面のうちの少なくとも一方に電極を形成する
請求項２記載の電子部品の実装方法。
【請求項９】
前記基板に前記配線電極の形成時に、前記基板の表面に前記ガイド片としての電極を形成することを特徴とする
請求項３記載の電子部品の実装方法。
【請求項１０】
前記突起電極が前記基板の前記配線電極に当接した状態で、前記位置合わせ突起に当接する検出電極を前記凹部の底部に形成し、前記位置合わせ突起と前記検出電極との導通から実装状態を判定する
請求項１記載の電子部品の実装方法。
【請求項１１】
前記位置合わせ突起を、前記突起電極よりも少なくとも台座高さ分だけ高くすることを特徴とする請求項１記載の電子部品の実装方法。
【請求項１２】
前記位置合わせ突起を、前記突起電極よりも高さが１．４倍以上にすることを特徴とする
請求項１記載の電子部品の実装方法。
【請求項１３】
前記位置合わせ突起を、電子部品に矩形状に広がって前記突起電極が配置された突起電極群に対してこの突起電極群を横切る対角位置またはその近傍に配置する
ことを特徴とする
請求項１記載の電子部品の実装方法。
【請求項１４】
前記凹部の開口の最大幅は、前記位置合わせ突起の先端径に電気的接続用配線幅の５０％〜１００％未満を加えた幅とすることを特徴とする
請求項１記載の電子部品の実装方法。
【請求項１５】
前記位置合わせ突起を前記凹部の底部中央にガイドして前記電子部品の前記突起電極を前記基板の配線電極に位置合わせして、前記位置合わせ突起を変形させる
請求項１記載の電子部品の実装方法。
【請求項１６】
加圧して前記電子部品を前記基板に仮実装して前記電子部品の前記突起電極を前記基板の配線電極に位置合わせし、
仮実装した前記電子部品を加熱しながら押圧して前記電子部品と前記基板との間に介装された熱硬化性樹脂を前記電子部品の周辺に押し出しながら硬化させ、前記位置合わせ突起を変形させる
請求項１記載の電子部品の実装方法。
【請求項１７】
突起電極が形成された電子部品を、基板の上に形成された配線電極に電気的に接続して実装した半導体装置であって、
前記電子部品には、前記突起電極が設けられている同じ面に、前記突起電極よりも高い少なくとも２個の位置合わせ突起を設け、
前記基板には、前記位置合わせ突起の位置にそれぞれ対応して配置され内周面が底部に向かって狭くなるように傾いた斜面を有する凹部を設け
前記突起電極が基板の上に形成された配線電極に当接するとともに、前記位置合わせ突起が前記凹部に係合している
半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、狭ピッチの配線電極へ半導体チップなどの電子部品を正確に実装する電子部品の実装方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器は軽薄短小傾向を強め、高機能集積化及び信号処理の高速化が進んできており、これに伴い半導体チップの電極間ピッチも１００〔μｍ〕以下が要求されている。
【０００３】
このような電極間ピッチ、幅の狭い電極に対して、半導体チップをバンプを用いて配線基板上に実装することは技術的に極めて困難であり、狭ピッチでも組み立て容易な構造、方法が検討されている。
【０００４】
このような方法において代表的なものとしては、特許文献１がある。
図１５（ｂ）に示すように基板１に電子部品としての半導体チップ２を実装する場合には、図１５（ａ）に示すように、半導体チップ２の電極３上に金の突起電極４を形成する。突起電極４は引きちぎることによって先端が細く形成されている。基板１の上に形成された配線電極５は、その中央に形成されている凹部６の形状が入口よりも奥端が広く形成されている。そして、基板１の凹部６の中央に、突起電極４の先端が来るように基板１に対する半導体チップ２の位置を合わせる。そして、基板１に半導体チップ２を押圧することによって、突起電極４の先端は基板１の凹部６の底部に当接して変形して配線電極５に係合して実装が完了する。
【特許文献１】特開平１１−２０４９１３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、特許文献１の場合、各突起電極４とそれぞれ対応する各配線電極５との接合時に、Ｘ、Ｙ、θの位置ずれがある場合、その位置ずれが配線電極５に対し数μｍでもあると、各突起電極４を各対応の配線電極５に正確に実装できない。または、半導体チップ２側から荷重をかけていく途中で、配線電極５の微妙な形状により配線電極５から突起電極４がずり落ちたり、基板１と半導体チップ２との間に熱硬化性樹脂を介装している場合には、配線電極５から突起電極４がずり落ちた状態のまま樹脂硬化してしまう。
【０００６】
本発明は、配線電極が狭ピッチの基板に対して、半導体チップの突起電極を正確に実装できる半導体素子の実装方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の請求項１記載の電子部品の実装方法は、突起電極が形成された電子部品を、基板の上に形成された配線電極に電気的に接続して前記基板に前記電子部品を実装するに際し、前記電子部品の前記突起電極が設けられている同じ面に、前記突起電極よりも高い少なくとも２個の位置合わせ突起を形成し、前記突起電極に対応する配線電極を有する前記基板の側には、前記位置合わせ突起の位置にそれぞれ対応して配置され内周面が底部に向かって狭くなるように傾いた斜面を有する凹部を形成し、前記突起電極よりも高い前記位置合わせ突起の先端を、前記基板の前記斜面に当接させて、前記位置合わせ突起を前記凹部の底部中央にガイドして前記電子部品の前記突起電極を前記基板の配線電極に位置合わせすることを特徴とする。
【０００８】
本発明の請求項２記載の電子部品の実装方法は、請求項１において、前記基板の側の凹部は、前記基板の表面よりも窪んでいることを特徴とする。
本発明の請求項３記載の電子部品の実装方法は、請求項１において、前記基板の側の凹部は、前記基板の表面に突出したガイド片で構成されていることを特徴とする。
【０００９】
本発明の請求項４記載の電子部品の実装方法は、請求項１において、前記基板と前記電子部品の間に熱硬化性樹脂を介装して結合することを特徴とする。
本発明の請求項５記載の電子部品の実装方法は、請求項２において、前記基板の前記凹部の形状を、前記基板の一方の面から他方の面に貫通させないことを特徴とする。
【００１０】
本発明の請求項６記載の電子部品の実装方法は、請求項２において、前記基板の前記凹部の形状を、前記基板の一方の面から他方の面に貫通させたことを特徴とする。
本発明の請求項７記載の電子部品の実装方法は、請求項６において、前記基板の前記凹部の片側の面を配線電極で閉塞したことを特徴とする。
【００１１】
本発明の請求項８記載の電子部品の実装方法は、請求項２において、前記基板に前記配線電極の形成時に、前記基板の前記凹部の周辺と前記斜面のうちの少なくとも一方に電極を形成することを特徴とする。
【００１２】
本発明の請求項９記載の電子部品の実装方法は、請求項３において、前記基板に前記配線電極の形成時に、前記基板の表面に前記ガイド片としての電極を形成することを特徴とする。
【００１３】
本発明の請求項１０記載の電子部品の実装方法は、請求項１において、前記突起電極が前記基板の前記配線電極に当接した状態で、前記位置合わせ突起に当接する検出電極を前記凹部の底部に形成し、前記位置合わせ突起と前記検出電極との導通から実装状態を判定することを特徴とする。
【００１４】
本発明の請求項１１記載の電子部品の実装方法は、請求項１において、前記位置合わせ突起を、前記突起電極よりも少なくとも台座高さ分だけ高くすることを特徴とする。
本発明の請求項１２記載の電子部品の実装方法は、請求項１において、前記位置合わせ突起を、前記突起電極よりも高さが１．４倍以上にすることを特徴とする。
【００１５】
本発明の請求項１３記載の電子部品の実装方法は、請求項１において、前記位置合わせ突起を、電子部品に矩形状に広がって前記突起電極が配置された突起電極群に対してこの突起電極群を横切る対角位置またはその近傍に配置することを特徴とする。
【００１６】
本発明の請求項１４記載の電子部品の実装方法は、請求項１において、前記凹部の開口の最大幅は、前記位置合わせ突起の先端径に電気的接続用配線幅の５０％〜１００％未満を加えた幅とすることを特徴とする。
【００１７】
本発明の請求項１５記載の電子部品の実装方法は、請求項１において、前記位置合わせ突起を前記凹部の底部中央にガイドして前記電子部品の前記突起電極を前記基板の配線電極に位置合わせして、前記位置合わせ突起を変形させることを特徴とする。
【００１８】
本発明の請求項１６記載の電子部品の実装方法は、請求項１において、加圧して前記電子部品を前記基板に仮実装して前記電子部品の前記突起電極を前記基板の配線電極に位置合わせし、仮実装した前記電子部品を加熱しながら押圧して前記電子部品と前記基板との間に介装された熱硬化性樹脂を前記電子部品の周辺に押し出しながら硬化させ、前記位置合わせ突起を変形させることを特徴とする。
【００１９】
本発明の請求項１７記載の半導体装置は、突起電極が形成された電子部品を、基板の上に形成された配線電極に電気的に接続して実装した半導体装置であって、前記電子部品には、前記突起電極が設けられている同じ面に、前記突起電極よりも高い少なくとも２個の位置合わせ突起を設け、前記基板には、前記位置合わせ突起の位置にそれぞれ対応して配置され内周面が底部に向かって狭くなるように傾いた斜面を有する凹部を設け、前記突起電極が基板の上に形成された配線電極に当接するとともに、前記位置合わせ突起が前記凹部に係合していることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２０】
この構成によると、電子部品の突起電極が設けられている同じ面に、突起電極よりも高い少なくとも２個の位置合わせ突起を形成し、前記突起電極が基板の上に形成された配線電極に当接するとともに、前記位置合わせ突起を前記凹部に係合させて押圧して位置合わせ突起が変形するので、突起電極の位置を基板側の正常な電極位置に自動補正して、突起電極が基板の配線電極に接続されることによって、狭ピッチや微細配線基板への位置ずれ実装（接続）による、信頼性の低下を回避できる。
【００２１】
また、従来の半導体チップの実装時の位置合わせ時にプロセス条件のマージンが多くとれるため、タクトを短くすることも可能で、組み立ても容易になるため、低コスト化が可能になる。具体的には、実装の完了状態における突起電極の高さを揃えることができるので、半導体チップを基板に押し付けて突起電極を塑性変形させる時の実装荷重のばらつきを小さくすることができるので、再現性が良好である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明の電子部品の実装方法を具体的な各実施の形態に基づいて説明する。
（実施の形態１）
図１〜図４は本発明の実施の形態１を示す。
【００２３】
図２は基板１に電子部品としての半導体チップ２をフリップチップ実装した拡大平面図で、厚みが０．２ｍｍの半導体チップ２の下面には電極群７を構成する電極が、半導体チップ２の外周部に沿って２列で配列されている。
【００２４】
図３は理解しやすいように図２を切断線Ａ−ＡＡで切断して簡略的に図示した断面図で、電極群７を横切る対角位置の近傍に配置する電極８１，８２を除く各電極９には、突起電極１１が図１（ｂ）に示すように構成されている。電極８１，８２には、突起電極１１よりも高さが高い位置合わせ突起１２が形成されている。突起電極１１と位置合わせ突起１２はともに材質が金である。例えば、突起電極１１の台座２１径は６０μｍである。
【００２５】
この位置合わせ突起１２は、電極９，８１，８２に均一に突起電極１１を形成した後に、電極８１，８２の上にだけ同じ突起電極１１をもう一度ずつ打ち付けることによって実現できる。この場合、位置合わせ突起１２は、突起電極１１より少なくとも台座２１の高さ分だけ高くなる。ここでは、電極８１，８２の場所に、台座２１の直径が突起電極１１の台座径の１．５倍以上、高さが突起電極１１の高さの１．４倍以上の突起電極を重ね打ちして位置合わせ突起１２とした。
【００２６】
電極８１，８２は、その他の電極９から電気的に孤立していてもよいし、グランドや電源に繋がっていてもよい。
基板１に半導体チップ２をフリップチップ実装する工程は、図１（ａ）〜図１（ｅ）の工程で実行する。
【００２７】
基板１は材質がガラスエポキシで、その厚みが０．３ｍｍ、実装位置には図１（ｂ）に示すように半導体チップ２の突起電極１１に対応して狭ピッチで形成されている配線電極１３が銅（ニッケル＋Ａｕメッキしてもよい）で形成されている。
【００２８】
なお、基板１には、半導体チップ２の位置合わせ突起１２に対応する位置に、それぞれ凹部１４が形成されている。
この実施の形態の凹部１４は、図１（ａ）に示すように基板１の表面よりも窪ませて形成された平面形状が環状の凹部本体１５と、この凹部本体１５の内側と凹部本体１５の周囲にわたって形成された電極１６とで構成されている。凹部本体１５は内周面が底部に向かって狭くなるように傾いた斜面１７を有しており、この上に形成されている電極１６の表面も斜面１７に沿って傾いている。また、電極１６の基板１の表面に形成されている部分の内周側の角１８も凹部本体１５の中心に向かって傾斜している。このような電極１６は、配線電極１３を形成する工程において形成されている。図４は基板１の要部を示しており、半導体チップ２の実装位置を仮想線で示している。
【００２９】
フリップチップ実装に際しては、基板１の実装位置に熱硬化性エポキシ樹脂１９が液状であればディスペンサーを用いて塗布する。熱硬化性エポキシ樹脂１９がフィルム状であれば貼付装置を使って実装位置に貼り付ける。今回、１５０℃で硬化するフィルム状の熱硬化性エポキシ樹脂１９を５０℃程度１００Ｎで貼り付けを行った。
【００３０】
熱硬化性エポキシ樹脂１９の上に、半導体チップ２の突起電極１１を基板１の側に向けて配置し、半導体チップ２の上面に加圧ツールを押し当てて加熱しながら基板１の側に押圧した。
【００３１】
図１（ｂ）に示したように実装位置に対して半導体チップ２の位置がずれていても、位置合わせ突起１２の方が突起電極１１よりも高いため、図１（ｃ）に示すように突起電極１１が配線電極１３に接触する前に、凹部本体１５の斜面１７の上に形成された電極１６に位置合わせ突起１２が当接する。
【００３２】
凹部本体１５の斜面１７の上に形成された電極１６も凹部本体１５の中心に向かって傾斜しているため、半導体チップ２は図１（ｄ）に示すように凹部本体１５の斜面１７に沿って横ずれしながら降下して、位置合わせ突起１２が凹部本体１５の底部の電極１６に当接する。この時点で突起電極１１は配線電極１３に当接していない。ここで、突起電極１１の高さは例えば５５μｍであった。
【００３３】
この状態からさらに前記加圧ツールで加熱しながら半導体チップ２を押圧すると、凹部本体１５の底部の電極１６に当接している位置合わせ突起１２が、加圧ツールによる押圧が進むにつれて塑性変形し、半導体チップ２は位置合わせ突起１２の中心Ｂ１が凹部本体１５の中心Ｓ１に近づくように更に横ずれする。この過程で突起電極１１が配線電極１３に当接して図１（ｅ）に示すように塑性変形する。ここで、塑性変形した後の突起電極１１の高さは例えば２５μｍであった。
【００３４】
図１（ｅ）に示す状態で熱硬化性エポキシ樹脂１９が硬化して、基板１と半導体チップ２の位置が固定される。
凹部１４の大きさを、更に詳しく説明する。
【００３５】
Ｃ１は突起電極１１の中心位置、Ｓ２は基板１の配線電極１３の（断面）中心、Ｄ１は凹部１４の半径で、この例では凹部本体１５の表面を電極１６によってメタライズして構成しているため、電極１６の内径がこれに相当する。Ｄ２は配線電極１３の半分の幅であって、
Ｄ１  ＜  Ｄ２
に形成することによって、半導体チップの基板実装時の位置ずれを防止することができる。
【００３６】
また、基板１に対する半導体チップ２の位置ずれが配線電極１３の半分のＤ２だけ発生した場合であってもこれを自動補正するために必要なＤ１は、位置合わせ突起１２の先端径Ｅ１に配線電極１３の幅Ｄ２を加えた幅とすることにより、位置合わせ突起１２が電極１６の内側に当接する。Ｄ２は配線電極１３の幅の５０％を越えて１００％未満で前記自動補正を期待できる。
【００３７】
このように、半導体チップ２の各突起電極１１が基板１の配線電極１３上に接続されることによって、狭ピッチや微細配線基板への位置ずれ実装（接続）による、信頼性の低下を回避することが可能となる。位置合わせ突起１２の高さは突起電極１１の高さの１．４倍以上、位置合わせ突起１２の台座２１の径は突起電極の台座径の１．５倍以上にした場合に好適な結果が得られた。
【００３８】
上記の「電極１６が配線電極１３を形成する工程において形成される」とは、例えば、基板銅箔上にレジストを塗布したのち、電極パターンを写真露光したのち、配線以外の部分レジストを除去し、酸で銅箔をエッチングして行う。エッチングされなかったレジスト部を溶解させて、配線電極を形成する。これをサブトラクト法という。他に、先に配線電極１３のレジストパターンを形成しておき、電解もしくは無電解メッキで銅等を析出させてレジスト厚み分に成長させて配線電極を形成する。これをアディティブ法という。
【００３９】
凹部本体１５の表面に電極１６を形成してメタライズしたため、基板１の材質が位置合わせ突起１２に比べて柔らかな材質の場合であってもこれを補強することができる。また、電極１６と電極８１，８２との導通状態を確認することによって、位置の修正が正しく行われたかどうかを確認できる。
【００４０】
基板４としては、セラミックス基板、樹脂基板、樹脂シート（ポリイミドフレキ）、シリコンの基板でもよい。
また、実装の完了状態における突起電極１１の高さを揃えることができるので、半導体チップ２を基板１に押し付けて突起電極１１を塑性変形させる時の実装荷重のばらつきを小さくすることができるので、再現性が良好である。
【００４１】
（実施の形態２）
図５は本発明の実施の形態２を示す。
実施の形態１における凹部１４は、凹部本体１５とこの凹部本体１５の内側と凹部本体１５の周囲にわたって形成された電極１６とで構成されていたが、図５では、電極１６が存在していない。また図５では電極９，８１，８２に均一に突起電極１１を形成した後に、電極８１，８２の上にだけ同じ突起電極１１をもう一度ずつ打ち付けて位置合わせ突起１２を形成した場合を示している。その他は実施の形態１と同じである。
【００４２】
基板１が位置合わせ突起１２に比べて丈夫な材質である場合には、メタライズを必要としない。その他は実施の形態１と同じである。凹部本体１５はドリル加工，レーザー加工，化学的エッチングなどで形成することもできる。
【００４３】
（実施の形態３）
図６は本発明の実施の形態３を示す。
実施の形態１における凹部１４は、凹部本体１５とこの凹部本体１５の内側と凹部本体１５の周囲にわたって形成された電極１６とで構成されていたが、図６では、電極１６ａが凹部本体１５の底部に設けられており、凹部本体１５の斜面１７と凹部本体１５の周囲には電極１６が存在していない。また図６では電極９，８１，８２に均一に突起電極１１を形成した後に、電極８１，８２の上にだけ同じ突起電極１１をもう一度ずつ打ち付けて位置合わせ突起１２を形成した場合を示している。その他は実施の形態１と同じである。
【００４４】
更に詳しくは、図６における電極１６ａは基板１に内装されている電極を使用することによって、凹部１４の深さを電極１６ａにより正確にコントロールすることができる。
この構成によると、位置合わせ突起１２を凹部本体１５の底部に設けられ電極１６ａによって安定に変形させるこができ、半導体チップ２の突起電極１１を基板１の配線電極１３に位置ずれなく接続できる。
【００４５】
（実施の形態４）
図７は本発明の実施の形態４を示す。
実施の形態１における凹部１４は、凹部本体１５と電極１６とで構成されており、凹部本体１５の内側と凹部本体１５の周囲にわたって形成された電極１６は、基板１に配線電極１３を形成する工程で作成したが、図７では、実施の形態３の図６のように内装電極からなる電極１６ａが底部に設けられた凹部本体１５を有する基板１を作成し、基板１の表面に配線電極１３を形成する工程で、凹部本体１５の斜面１７と凹部本体１５の周囲にわたる電極１６ｂを形成して、電極１６ａと電極１６ｂとを導通させて構成している。また図７では電極９，８１，８２に均一に突起電極１１を形成した後に、電極８１，８２の上にだけ同じ突起電極１１をもう一度ずつ打ち付けて位置合わせ突起１２を形成した場合を示している。その他は実施の形態１と同じである。
【００４６】
この構成によると、さらに位置合わせ突起１２の変形を安定にすることができる。
（実施の形態５）
図８は本発明の実施の形態５を示す。
【００４７】
図５に示す実施の形態２では凹部１４としての凹部本体１５は基板１を貫通していなかったが、この実施の形態５では図８に示すように基板１を貫通して凹部本体１５ａが形成されている点だけが異なっている。
【００４８】
この構成によると、突起電極１１の位置合わせが完了したかどうか、基板１の外側に露出した位置合わせ突起１２を使用して電気的な検査を行うことができる。
（実施の形態６）
図９は本発明の実施の形態６を示す。
【００４９】
図８に示す実施の形態５では凹部本体１５ａが基板１を貫通していたが、この実施の形態６では図９に示すように基板１を貫通した凹部本体１５ａがランド電極２２によって閉塞されており、熱硬化性樹脂１９のはみ出しが無い。その他は実施の形態５と同じである。
【００５０】
（実施の形態７）
図１０は本発明の実施の形態７を示す。
図９に示す実施の形態６では凹部本体１５ａの内周面に電極が形成されていなかったが、この実施の形態７では図１０に示すように、貫通した凹部本体１５ａがランド電極２２によって閉塞された基板１を作成し、基板１の表面に配線電極１３を形成する工程で、凹部本体１５の斜面１７と凹部本体１５の周囲にわたる電極１６ｂを形成して、ランド電極２２と電極１６ｂとを導通させて構成している点だけが異なっている。
【００５１】
（実施の形態８）
図１１は本発明の実施の形態８を示す。
実施の形態５を示す図８では、突起電極１１と同じ大きさのバンプを重ね打ちして位置合わせ突起１２を構成していたが、図１１では突起電極１１よりも台座径の大きなバンプを１度打ちによって形成している。基板１には大きなシングルの位置合わせ突起１２に応じた径の凹部本体１５が凹部１４として形成されている。
その他は実施の形態５と同じである。
【００５２】
なお、位置合わせ突起１２をダブルバンプではなく、図１１のようにシングルで構成する点については、その他の実施の形態においても同様に実施できる。
（実施の形態９）
図１２と図１３は本発明の実施の形態９を示す。
【００５３】
実施の形態１を示す図１では、基板１の側に設けられた凹部１４は、電極１６と基板１の表面よりも窪ませて形成された凹部本体１５とで構成されていたが、図１２では、位置合わせ突起１２に対応して基板１の表面に形成された電極１６だけで凹部１４が形成されている。電極１６の内周側の角１８は凹部１４の中心に向かって傾斜している。
【００５４】
図１２（ａ）に示すように、実装位置に対して半導体チップ２の位置がずれていても、位置合わせ突起１２の方が突起電極１１よりも高いため、加圧ツールで半導体チップ２を押圧すると、図１２（ｂ）に示すように突起電極１１が配線電極１３に接触する前に、電極１６の内周側の傾斜した角１８に位置合わせ突起１２が当接する。
【００５５】
これによって、半導体チップ２は電極１６の内周側の傾斜した角１８に沿って横ずれしながら降下して、位置合わせ突起１２が基板１の表面に当接する。この時点で突起電極１１は配線電極１３に当接していない。
【００５６】
この状態からさらに前記加圧ツールで加熱しながら半導体チップ２を押圧すると、基板１の表面に当接している位置合わせ突起１２が、加圧ツールによる押圧が進むにつれて塑性変形し、半導体チップ２は位置合わせ突起１２の中心が電極１６の中心に近づくように更に横ずれする。この過程で突起電極１１が配線電極１３に当接して図１２（ｃ）に示すように塑性変形する。この状態で熱硬化性エポキシ樹脂１９が硬化して、基板１と半導体チップ２の位置が固定される。
【００５７】
（実施の形態１０）
図１４は本発明の実施の形態１０を示す。
図１４（ａ）は基板１の要部の平面図、図１４（ｂ）は図１４（ａ）のＢ−ＢＢ線に沿った断面図である。
【００５８】
実施の形態９の凹部１４は平面形状が環状で中央に窪みを有した電極１６であったが、この図１４では、基板１の表面に形成された互いに平行なガイド片２３ａ，２３ｂによってガイド片２３ａ，２３ｂの間に窪みを有する凹部１４が構成されている。ガイド片２３ａ，２３ｂによる凹部１４は、前記半導体チップ２の電極８１，８２に形成された位置合わせ突起１２に対応して基板１に形成されている。ガイド片２３ａ，２３ｂの内側は凹部１４の中央にむかって傾いた斜面２４に形成されている。その他は実施の形態９と同じである。
【００５９】
上記の各実施の形態において、基板４は、セラミックス基板、樹脂基板、樹脂シート（ポリイミドフレキ）、シリコンの基板でもよい。シリコン基板（シリコンインターポーザでもよい）の場合は、貫通孔を専用設備で作製する。貫通孔は一部シリコンで止まっていても、他の電極がメタライズされていてもよい。
【００６０】
なお、図１，図７，図１０では、凹部本体１５の周辺と斜面１７の両方に電極１６または電極１６，１６ｂを形成してメタライズしたが、少なくとも一方に電極を形成して構成することもできる。
【００６１】
また、図１５に示した従来例などでは半導体チップ２の突起電極４が、基板１の上に形成された配線電極５の凹部６に必要以上の強固な状態で係合して連結されるので、廃棄された基板１をリサイクルするような場合には、基板１からの半導体チップ２の取り外しが難しいのに対して、本発明の構成ではアンダーフィルとして熱硬化性エポキシ樹脂１９などで連結することによって適度な状態で係合して連結されるので、廃棄された基板１をリサイクルするような場合に半導体チップ２の取り外しが容易で、リサイクル性の点でも優れている。
【産業上の利用可能性】
【００６２】
本発明は狭ピッチや微細配線基板への位置ずれの回避に寄与することができ、フリップチップ実装した半導体素子を有する半導体装置の小型化にともなって低下する信頼性の低下を改善できる。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１】本発明の実施の形態１の実装工程を示す拡大断面図
【図２】同実施の形態の拡大平面図
【図３】同実施の形態の簡略的な拡大断面図
【図４】同実施の形態の基板の要部の拡大平面図
【図５】本発明の実施の形態２の簡略的な拡大断面図
【図６】本発明の実施の形態３の簡略的な拡大断面図
【図７】本発明の実施の形態４の簡略的な拡大断面図
【図８】本発明の実施の形態５の簡略的な拡大断面図
【図９】本発明の実施の形態６の簡略的な拡大断面図
【図１０】本発明の実施の形態７の簡略的な拡大断面図
【図１１】本発明の実施の形態８の簡略的な拡大断面図
【図１２】本発明の実施の形態９の実装工程を示す拡大断面図
【図１３】同実施の形態の基板の要部の拡大平面図
【図１４】本発明の実施の形態１０の基板の要部の拡大平面図
【図１５】従来例の実装工程を示す拡大断面図
【符号の説明】
【００６４】
１    基板
２    半導体チップ（電子部品）
７    電極群
８１，８２，９    電極
１１    突起電極
１２    位置合わせ突起
１３    配線電極
１４    凹部
１５    凹部本体
１６，１６ａ，１６ｂ    電極
１７    斜面
１８    電極１６の内周側の角
１９    熱硬化性エポキシ樹脂
２１    台座
２２    ランド電極
２３ａ，２３ｂ    ガイド片
２４    ガイド片２３ａ，２３ｂの内側の斜面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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