(57)【要約】【課題】直流−直流コンバータが動作しない場合に電流経路を完全に遮断して電力消費を最小化し、かつ直流−直流コンバータの大きさおよび重量を減少できる有機電界発光表示装置を提供する。【解決手段】本発明の有機電界発光表示装置は、電源部に電気的に接続された第１スイッチング素子、有機電界発光表示パネルに電気的に接続されてフリーホイールダイオードとして機能する第２スイッチング素子とからなるブーストコンバータと、電源部に電気的に接続された第３スイッチング素子、有機電界発光表示パネルに電気的に接続されてフリーホイールダイオードとして機能する第４スイッチング素子とからなるインバータと、ブーストコンバータおよびインバータに電気的に接続されたスイッチング制御部を含み、フリーホイールダイオードとして機能する第２スイッチング素子および第４スイッチング素子がスイッチング制御部に集積された直流−直流コンバータを有する。【選択図】図４
2008176306.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電源部と、直流−直流コンバータと、走査駆動部と、データ駆動部と、有機電界発光表示パネルとを備える有機電界発光表示装置において、
前記直流−直流コンバータは、
前記電源部に電気的に接続された第１スイッチング素子と、前記電源部、前記第１スイッチング素子および前記有機電界発光表示パネルに電気的に接続された第２スイッチング素子とからなるブーストコンバータと、
前記電源部に電気的に接続された第３スイッチング素子と、前記第３スイッチング素子および前記有機電界発光表示パネルに電気的に接続された第４スイッチング素子とからなるインバータと、
前記ブーストコンバータおよび前記インバータに電気的に接続されたスイッチング制御部と、
からなることを特徴とする、有機電界発光表示装置。
【請求項２】
前記スイッチング制御部は、前記第１スイッチング素子、前記第２スイッチング素子、前記第３スイッチング素子および前記第４スイッチング素子を集積して形成されることを特徴とする、請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項３】
前記ブーストコンバータには、前記電源部、前記第１スイッチング素子および前記第２スイッチング素子の間に第１誘導性素子が電気的にさらに接続されることを特徴とする、請求項１または２に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項４】
前記ブーストコンバータには、前記第２スイッチング素子と前記有機電界発光表示パネルとの間に第１容量性素子が電気的にさらに接続されることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の有機電界発光表示装置。
【請求項５】
前記インバータには、前記第１スイッチング素子、前記第３スイッチング素子および前記第４スイッチング素子の間に第２誘導性素子が電気的にさらに接続されることを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の有機電界発光表示装置。
【請求項６】
前記インバータには、前記第４スイッチング素子と前記有機電界発光表示パネルとの間に第２容量性素子が電気的にさらに接続されることを特徴とする、請求項１〜５のいずれかに記載の有機電界発光表示装置。
【請求項７】
前記第２スイッチング素子には、第１抵抗および第２抵抗が直列に接続され、
前記第１抵抗と第２抵抗との間の接点は、前記スイッチング制御部に電気的に接続されることを特徴とする、請求項１〜６のいずれかに記載の有機電界発光表示装置。
【請求項８】
前記スイッチング制御部には、前記第１抵抗と前記第２抵抗との間の接点に電気的に接続された第１比較器が内蔵されることを特徴とする、請求項７に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項９】
前記インバータの第４スイッチング素子には、第３抵抗および第４抵抗が直列に接続され、
前記第３抵抗と第４抵抗との間の接点は、前記スイッチング制御部に電気的に接続されることを特徴とする、請求項１〜８のいずれかに記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１０】
前記スイッチング制御部には、前記第３抵抗と前記第４抵抗との間の接点に電気的に接続された第２比較器が内蔵されたことを特徴とする、請求項９に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１１】
前記スイッチング制御部には、イネーブル端子が電気的に接続され、
前記イネーブル端子を通じてディセイブル信号が入力されると、前記ブーストコンバータの第２スイッチング素子および前記インバータの第４スイッチング素子がそれぞれターンオフされることを特徴とする、請求項１〜１０のいずれかに記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１２】
前記ブーストコンバータの第１スイッチング素子は、制御電極を有するＮチャネル電界効果トランジスタであり、
前記ブーストコンバータの第２スイッチング素子は、制御電極を有するＰチャネル電界効果トランジスタであることを特徴とする、請求項１〜１１のいずれかに記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１３】
前記スイッチング制御部には、前記第１スイッチング素子および前記第２スイッチング素子に同じ制御信号を印加する第１ドライバが内蔵されることを特徴とする、請求項１２に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１４】
前記インバータの第３スイッチング素子は、制御電極を有するＰチャネル電界効果トランジスタであり、
前記インバータの第４スイッチング素子は、制御電極を有するＮチャネル電界効果トランジスタであることを特徴とする、請求項１〜１３のいずれかに記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１５】
前記スイッチング制御部には、前記第３スイッチング素子および前記第４スイッチング素子に同じ制御信号を印加する第２ドライバが内蔵されることを特徴とする、請求項１４に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１６】
前記ブーストコンバータは、
前記第１スイッチング素子がターンオン状態であるとき、前記第２スイッチング素子はターンオフ状態であり、
前記第１スイッチング素子がターンオフ状態であるとき、前記第２スイッチング素子はターンオン状態であることを特徴とする、請求項１〜１５のいずれかに記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１７】
前記インバータは、
前記第３スイッチング素子がターンオン状態であるとき、前記第４スイッチング素子はターンオフ状態であり、
前記第３スイッチング素子がターンオフ状態であるとき、前記第４スイッチング素子はターンオン状態であることを特徴とする、請求項１〜１６のいずれかに記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１８】
前記ブーストコンバータの第１スイッチング素子がターンオン状態であるとき、前記インバータの第３スイッチング素子はターンオフ状態であり、
前記ブーストコンバータの第１スイッチング素子がターンオフ状態であるとき、前記インバータの第３スイッチング素子はターンオン状態であることを特徴とする、請求項１〜１７のいずれかに記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１９】
前記ブーストコンバータの第２スイッチング素子は、前記有機電界発光表示パネルに陽極性の第１電源電圧を出力することを特徴とする、請求項１〜１８のいずれかに記載の有機電界発光表示装置。
【請求項２０】
前記インバータの第４スイッチング素子は、前記有機電界発光表示パネルに陰極性の第２電源電圧を出力することを特徴とする、請求項１〜１９のいずれかに記載の有機電界発光表示装置。
【請求項２１】
前記有機電界発光表示パネルは、
前記走査駆動部およびデータ駆動部にそれぞれ走査線およびデータ線を通じて電気的に接続されたスイッチング素子と、
前記スイッチング素子に電気的に接続された容量性素子と、
前記容量性素子に電気的に接続された駆動トランジスタと、
前記駆動トランジスタに電気的に接続された有機電界発光素子と、
からなることを特徴とする、請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項２２】
前記駆動トランジスタおよび前記有機電界発光素子には、それぞれ前記直流−直流コンバータが電気的に接続されることを特徴とする、請求項２１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項２３】
前記駆動トランジスタには、前記直流−直流コンバータのうちブーストコンバータが電気的に接続され、
前記有機電界発光素子には、前記直流−直流コンバータのうちインバータが電気的に接続されることを特徴とする、請求項２１または２２に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項２４】
前記駆動トランジスタは、多結晶薄膜トランジスタであることを特徴とする、請求項２１〜２３のいずれかに記載の有機電界発光表示装置。
【請求項２５】
前記多結晶薄膜トランジスタは、レーザー結晶化方法で形成されたことを特徴とする、請求項２４に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項２６】
前記多結晶薄膜トランジスタは、金属触媒結晶化方法で形成されたことを特徴とする、請求項２４に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項２７】
前記有機電界発光素子の発光層は、蛍光材料であることを特徴とする、請求項２１〜２６のいずれかに記載の有機電界発光表示装置。
【請求項２８】
前記有機電界発光素子の発光層は、燐光材料であることを特徴とする、請求項２１〜２６のいずれかに記載の有機電界発光表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機電界発光表示装置に関し、より詳しくは、直流−直流コンバータを有する有機電界発光表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、直流−直流コンバータは、電源部の直流電源を携帯電話、ＰＤＡ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ  Ｄｉｇｉｔａｌ  Ａｓｓｉｓｔａｎｔｓ）、ＰＭＰ（Ｐｏｔａｂｌｅ  Ｍｕｌｔｉｍｅｄｉａ  Ｐｌａｙｅｒ）、ＭＰ３プレーヤー、デジタルカメラおよびカムコーダーのような電子機器の使用電圧に適するように変換するものである。
【０００３】
一方、電子器機の表示装置として有機電界発光表示装置を用いる場合、直流−直流コンバータは、有機電界発光表示装置に陽極性の電源電圧（ｐｏｓｉｔｉｖｅ  ｐｏｗｅｒ  ｖｏｌｔａｇｅ）と陰極性の電源電圧（ｎｅｇａｔｉｖｅ  ｐｏｗｅｒ  ｖｏｌｔａｇｅ）を同時に供給しなければならない。
【０００４】
このために、直流−直流コンバータは、陽極性の電源電圧を出力するブーストコンバータ（ｂｏｏｓｔ  ｃｏｎｖｅｒｔｅｒ）と、陰極性の電源電圧を出力するインバータ（ｉｎｖｅｒｔｅｒ）とを備える。ブーストコンバータおよびインバータは、それぞれインダクタ、スイッチング素子、フリーホイールダイオードおよびキャパシタなどから構成される。さらに、直流−直流コンバータは、ブーストコンバータおよびインバータの各スイッチング素子を制御するためのスイッチング制御部を有する。このように、２つの出力電圧を出力する直流−直流コンバータを、通常、デュアル出力コンバータ（ｄｕａｌ  ｏｕｔｐｕｔ  ｃｏｎｖｅｒｔｅｒ）と称し、スイッチング制御部は通常１つの半導体チップとして集積して形成されている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上述したように、ブーストコンバータとインバータを有する直流−直流コンバータは、エネルギー還流用として通常２つのフリーホイールダイオードを有する。ところが、このようなフリーホイールダイオードは、１つの半導体チップをなすスイッチング制御部の外部に電気的に接続され、また約０．４〜０．７Ｖの電圧降下が発生することにより、消費電力が大きくなることはもちろん、全体的な直流−直流コンバータの大きさおよび重量が増加する。
【０００６】
さらに、フリーホイールダイオードは、電源供給方向、すなわち、順方向（ｆｏｒｗａｒｄ）に接続されているため、スイッチング制御部が動作しない期間にも電源部の電源を持続的に有機電界発光表示装置に供給する。すなわち、従来の直流−直流コンバータは、フリーホイールダイオードのために完全な電流遮断（ｔｒｕｅ  ｓｈｕｔ  ｄｏｗｎ）とならない。よって、直流−直流コンバータまたはスイッチング制御部が動作しないにもかかわらず、電源部からの電源が有機電界発光表示装置に持続的に流れることで、電源部の電源が消費され、さらに有機電界発光表示装置が劣化するという問題がある。
【０００７】
そこで、本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的とするところは、消費電力が小さく、かつ重量およびサイズの小さい、スイッチング制御部が動作しないときに完全に電流を遮断することの可能な直流−直流コンバータを有する、新規かつ改良された有機電界発光表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明のある観点によれば、電源部と、直流−直流コンバータと、走査駆動部と、データ駆動部と、有機電界発光表示パネルとからなる有機電界発光表示装置が提供される。かかる有機電界発光表示装置の直流−直流コンバータは、電源部に電気的に接続された第１スイッチング素子と、電源部、第１スイッチング素子および有機電界発光表示パネルに電気的に接続された第２スイッチング素子とからなるブーストコンバータと、電源部に電気的に接続された第３スイッチング素子と、第３スイッチング素子および有機電界発光表示パネルに電気的に接続された第４スイッチング素子とからなるインバータと、ブーストコンバータおよびインバータに電気的に接続されたスイッチング制御部と、からなることを特徴とする。
【０００９】
ここで、スイッチング制御部は、第１スイッチング素子、第２スイッチング素子、第３スイッチング素子および第４スイッチング素子を集積して形成することができる。
【００１０】
また、ブーストコンバータには、電源部、第１スイッチング素子および第２スイッチング素子の間に第１誘導性素子を電気的にさらに接続させることもできる。さらに、ブーストコンバータには、第２スイッチング素子と有機電界発光表示パネルとの間に第１容量性素子を電気的にさらに接続させてもよい。
【００１１】
インバータには、第１スイッチング素子、第３スイッチング素子および第４スイッチング素子の間に第２誘導性素子を電気的にさらに接続させてもよい。また、インバータには、第４スイッチング素子と有機電界発光表示パネルとの間に第２容量性素子を電気的にさらに接続させてもよい。
【００１２】
また、第２スイッチング素子には、第１抵抗および第２抵抗が直列に接続され、第１抵抗と第２抵抗との間の接点をスイッチング制御部に電気的に接続させてもよい。ここで、スイッチング制御部には、第１抵抗と第２抵抗との間の接点に電気的に接続された第１比較器を内蔵することもできる。
【００１３】
インバータの第４スイッチング素子には、第３抵抗および第４抵抗が直列に接続され、第３抵抗と第４抵抗との間の接点をスイッチング制御部に電気的に接続させてもよい。ここで、スイッチング制御部には、第３抵抗と第４抵抗との間の接点に電気的に接続された第２比較器を内蔵することもできる。
【００１４】
スイッチング制御部には、イネーブル端子が電気的に接続される。そして、イネーブル端子を通じてディセイブル信号が入力されると、ブーストコンバータの第２スイッチング素子およびインバータの第４スイッチング素子がそれぞれターンオフされるように構成することもできる。
【００１５】
また、ブーストコンバータの第１スイッチング素子には、制御電極を有するＮチャネル電界効果トランジスタを用い、ブーストコンバータの第２スイッチング素子には、制御電極を有するＰチャネル電界効果トランジスタを用いてもよい。ここで、スイッチング制御部には、第１スイッチング素子および第２スイッチング素子に同じ制御信号を印加する第１ドライバを内蔵してもよい。
【００１６】
インバータの第３スイッチング素子には、制御電極を有するＰチャネル電界効果トランジスタを用い、インバータの第４スイッチング素子には、制御電極を有するＮチャネル電界効果トランジスタを用いてもよい。ここで、スイッチング制御部には、第３スイッチング素子および第４スイッチング素子に同じ制御信号を印加する第２ドライバを内蔵してもよい。
【００１７】
また、ブーストコンバータは、第１スイッチング素子がターンオン状態であるとき、第２スイッチング素子はターンオフ状態であり、第１スイッチング素子がターンオフ状態であるとき、第２スイッチング素子はターンオン状態であるように構成することができる。
【００１８】
さらに、インバータは、第３スイッチング素子がターンオン状態であるとき、第４スイッチング素子はターンオフ状態であり、第３スイッチング素子がターンオフ状態であるとき、第４スイッチング素子はターンオン状態であるように構成することもできる。
【００１９】
また、ブーストコンバータの第１スイッチング素子がターンオン状態であるとき、インバータの第３スイッチング素子はターンオフ状態であり、ブーストコンバータの第１スイッチング素子がターンオフ状態であるとき、インバータの第３スイッチング素子はターンオン状態であるように構成してもよい。
【００２０】
さらに、ブーストコンバータの第２スイッチング素子は、有機電界発光表示パネルに陽極性の第１電源電圧を出力するようにしてもよい。また、インバータの第４スイッチング素子は、有機電界発光表示パネルに陰極性の第２電源電圧を出力するようにしてもよい。
【００２１】
有機電界発光表示パネルは、走査駆動部およびデータ駆動部にそれぞれ走査線およびデータ線を通じて電気的に接続されたスイッチング素子と、スイッチング素子に電気的に接続された容量性素子と、容量性素子に電気的に接続された駆動トランジスタと、駆動トランジスタに電気的に接続された有機電界発光素子と、から構成することができる。ここで、駆動トランジスタおよび有機電界発光素子には、それぞれ直流−直流コンバータを電気的に接続させることができる。また、駆動トランジスタには、直流−直流コンバータのうちブーストコンバータを電気的に接続してもよく、有機電界発光素子には、直流−直流コンバータのうちインバータを電気的に接続してもよい。
【００２２】
さらに、駆動トランジスタは、多結晶薄膜トランジスタを用いることができる。多結晶薄膜トランジスタは、レーザー結晶化方法で形成することもでき、金属触媒結晶化方法で形成することもできる。
【００２３】
また、有機電界発光素子の発光層は、蛍光材料であってもよく、燐光材料であってもよい。
【００２４】
このように、本発明にかかる有機電界発光表示装置は、フリーホイールダイオードを電圧降下の小さいスイッチング素子に変更することにより、直流−直流コンバータの消費電力を小さくすることができる。また、フリーホイールダイオードをスイッチング素子に変更すると同時に、これをスイッチング制御部とともに集積して形成することにより、直流−直流コンバータの重量およびサイズを小さくすることができる。
【００２５】
また、本発明にかかる有機電界発光表示装置は、スイッチング制御部が動作しないとき、フリーホイールダイオードの役割をするブーストコンバータのスイッチング素子およびインバータのスイッチング素子を完全にターンオフさせることにより、直流−直流コンバータの電流を完全に遮断することができる。
【発明の効果】
【００２６】
以上説明したように本発明によれば、消費電力が小さく、かつ重量およびサイズの小さい、スイッチング制御部が動作しないときに完全に電流を遮断することの可能な直流−直流コンバータを有する有機電界発光表示装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、本明細書および図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。また、ある部分が他の部分と電気的に接続されているとするとき、直接的に接続されている場合だけでなく、その間に他の素子を介在して接続されている場合も含む。
【００２８】
まず、図１に基づいて、本発明の実施形態にかかる直流−直流コンバータを有する有機電界発光表示装置について説明する。なお、図１は、本実施形態にかかる直流−直流コンバータを有する有機電界発光表示装置を示すブロック図である。
【００２９】
本実施形態にかかる有機電界発光表示装置１００は、図１に示すように、電源部１１０、直流−直流コンバータ１２０、走査駆動部１３０、データ駆動部１４０、エミッション駆動部１５０および有機電界発光表示パネル１６０から構成される。
【００３０】
電源部１１０は、直流電源を提供するバッテリー（ｂａｔｔｅｒｙ）または交流電源を直流電源に変換して出力する整流装置である。本実施形態において、電源部１１０の種類は特に限定されない。
【００３１】
直流−直流コンバータ１２０は、電源部１１０と有機電界発光表示パネル１６０との間に電気的に接続して設けられる。直流−直流コンバータ１２０は、電源部１１０からの電源を有機電界発光表示装置１００の駆動に必要な陽極性の第１電源電圧ＥＬＶＤＤと陰極性の第２電源電圧ＥＬＶＳＳとに変換し、有機電界発光表示装置１００に供給する。もちろん、このために直流−直流コンバータ１２０は、陽極性の第１電源電圧線ＥＬＶＤＤおよび陰極性の第２電源電圧線ＥＬＶＳＳを通じて有機電界発光表示装置１００に電気的に接続することができる。
【００３２】
より具体的には、直流−直流コンバータ１２０は、第１電源電圧線ＥＬＶＤＤを通じて陽極性の第１電源電圧ＥＬＶＤＤを有機電界発光表示パネル１６０に供給する。また、直流−直流コンバータ１２０は、第２電源電圧線ＥＬＶＳＳを通じて陰極性の第２電源電圧ＥＬＶＳＳを有機電界発光表示パネル１６０に供給する。ここで、説明の便宜上、図面において、第１電源電圧と第１電源電圧線、第２電源電圧と第２電源電圧線には同一符号を付した。
【００３３】
さらに、直流−直流コンバータ１２０には、イネーブル端子Ｅｎａがさらに形成されている。イネーブル端子Ｅｎａを通じて直流−直流コンバータ１２０にイネーブル信号（ｅｎａｂｌｅ  ｓｉｇｎａｌ）が入力されると、直流−直流コンバータ１２０が動作する。一方、イネーブル端子Ｅｎａを通じてディセイブル信号（ｄｉｓａｂｌｅ  ｓｉｇｎａｌ）が入力されると、直流−直流コンバータ１２０は動作しない。さらに後述するが、イネーブル端子Ｅｎａを通じてディセイブル信号が入力されると、電源部１１０から直流−直流コンバータ１２０を通じて有機電界発光表示パネル１６０に消費される電源はほとんどない。すなわち、イネーブル端子Ｅｎａを通じてディセイブル信号が入力されると、直流−直流コンバータ１２０は完全に電流遮断された状態になる。
【００３４】
走査駆動部１３０は、有機電界発光表示パネル１６０に電気的に接続して設けられる。すなわち、走査駆動部１３０は、多数の走査線Ｓ１、…、Ｓｎを通じて有機電界発光表示パネル１６０に電気的に接続することができる。走査駆動部１３０は、走査線を通じて走査信号を有機電界発光表示パネル１６０に順次供給する。
【００３５】
データ駆動部１４０は、有機電界発光表示パネル１６０に電気的に接続して設けられる。すなわち、データ駆動部１４０は、多数のデータ線Ｄ１、…、Ｄｍを通じて有機電界発光表示パネル１６０に電気的に接続することができる。データ駆動部１４０は、データ線を通じてデータ信号を有機電界発光表示パネル１６０に供給する。
【００３６】
エミッション駆動部１５０は、有機電界発光表示パネル１６０に電気的に接続して設けられる。すなわち、エミッション駆動部１５０は、多数のエミッション線Ｅ１、…、Ｅｎを通じて有機電界発光表示パネル１６０に電気的に接続することができる。エミッション駆動部１５０は、エミッション線を通じてエミッション信号を有機電界発光表示パネル１６０に順次供給する。
【００３７】
有機電界発光表示パネル１６０には、列方向に複数の走査線Ｓ１、…、Ｓｎおよび複数のエミッション線Ｅ１、…、Ｅｎが配列され、行方向に複数のデータ線Ｄ１、…、Ｄｍが配列されている。これらの走査線Ｓ１、…、Ｓｎ、エミッション線Ｅ１、…、Ｅｎおよびデータ線Ｄ１、…、Ｄｍによって規定される領域に画素回路１６１が形成される。さらに、画素回路１６１は、隣接する２つの走査線（またはエミッション線）と隣接する２つのデータ線によって規定される領域に形成される。
【００３８】
一方、図１に示す走査駆動部１３０、データ駆動部１４０、エミッション駆動部１５０、有機電界発光表示パネル１６０は、１つの基板にすべて形成することができる。特に、駆動部は集積回路形態に１つの基板に形成することができる。さらに、駆動部は、走査線Ｓ１、…、Ｓｎ、データ線Ｄ１、…、Ｄｍ、エミッション線Ｅ１、…、Ｅｎおよび画素回路のトランジスタ（図示せず。）を形成する層と同一層に形成することもできる。もちろん、駆動部は、基板と別の他の基板（図示せず）に形成し、これを基板に電気的に連結することもできる。さらに、駆動部は、基板に電気的に連結するＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）、ＴＣＰ（Ｔａｐｅ  Ｃａｒｒｉｅｒ  Ｐａｃｋａｇｅ）、ＴＡＢ（Ｔａｐｅ  Ａｕｔｏｍａｔｉｃ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）およびその等価物のうち選択されたいずれか１つの形態で形成することができる。なお、駆動部の形態および形成位置などは限定されない。
【００３９】
ここで、図２Ａに有機電界発光表示装置の画素回路の一例を示し、図２Ｂに駆動タイミングを示す。なお、図２Ａに示す画素回路は、本発明の理解のための一例にすぎず、本発明はかかる画素回路に限定されない。すなわち、本実施形態にかかる直流―直流コンバータは、すべての有機電界発光表示装置の画素回路に対して適用可能である。
【００４０】
図２Ａに示すように、画素回路１６１は、走査信号を供給する走査線Ｓｎと、データ信号を供給するデータ線Ｄｍと、オートゼロ信号を供給するオートゼロ線Ａｎと、エミッション信号を供給するエミッション線Ｅｎと、陽極性の第１電源電圧を供給する第１電源電圧線ＥＬＶＤＤと、陰極性の第２電源電圧を供給する第２電源電圧線ＥＬＶＳＳと、駆動トランジスタＤＴと、第１スイッチングトランジスタＳＴ１および第２スイッチングトランジスタＳＴ２と、エミッショントランジスタＥＴと、第１容量性素子Ｃ１および第２容量性素子Ｃ２と、有機電界発光素子ＯＬＥＤとから構成される。
【００４１】
ここで、陽極性の第１電源電圧線ＥＬＶＤＤおよび陰極性の第２電源電圧線ＥＬＶＳＳは、直流−直流コンバータ１２０に電気的に接続されており、走査線Ｓｎは走査駆動部１３０に電気的に接続され、データ線Ｄｍはデータ駆動部１４０に電気的に接続され、エミッション線Ｅｎはエミッション駆動部１５０に電気的に接続される。もちろん、オートゼロ線Ａｎもエミッション駆動部１５０に電気的に接続させたり、または別の駆動部に電気的に接続させたりすることもできる。
【００４２】
このような画素回路１６１は、第１スイッチングトランジスタＳＴ１の制御電極にオートゼロ線Ａｎからローレベルのオートゼロ信号が供給されると、第１スイッチングトランジスタＳＴ１がターンオンされる。次いで、エミッショントランジスタＥＴの制御電極にエミッション線Ｅｎからハイレベルのエミッション信号が供給されると、エミッショントランジスタＥＴがターンオフされる。すると、駆動トランジスタＤＴがダイオード形態に接続され、第１容量性素子Ｃ１に駆動トランジスタＤＴの閾値電圧が保存される。
【００４３】
また、オートゼロ信号がハイレベルになり、続いて第２スイッチングトランジスタＳＴ２の制御電極に走査線Ｓｎからローレベルの走査信号が供給されると、第２スイッチングトランジスタＳＴ２がターンオンされる。すると、データ線Ｄｍから表示しようとする階調に相応するデータ電圧が、第２容量性素子Ｃ２に印加される、これにより、第１容量性素子Ｃ１と第２容量性素子Ｃ２とのカップリング比（ｃｏｕｐｌｉｎｇ  ｒａｔｉｏ）によって閾値電圧が補償された形態のデータ電圧が駆動トランジスタＤＴの制御電極に供給される。
【００４４】
次いで、エミッショントランジスタＥＴの制御電極にエミッション線Ｅｎからローレベルのエミッション信号が印加されると、エミッショントランジスタＥＴがターンオンされる。これにより、第１電源電圧線ＥＬＶＤＤからの電流がデータ電圧によって電流ソースの役割をする駆動トランジスタＤＴを通じて有機電界発光素子ＯＬＥＤに流れて発光が行われる。
【００４５】
ここで、駆動トランジスタは、例えば多結晶シリコン薄膜トランジスタ、非晶質シリコン薄膜トランジスタ、有機薄膜トランジスタ、マイクロ薄膜トランジスタおよびその等価物のうち選択されたいずれか１つからなるが、その材質または種類は限定されない。
【００４６】
例えば、駆動トランジスタが多結晶シリコン薄膜トランジスタである場合、エキシマレーザー技術を用いたエキシマレーザーアニール（ＥＬＡ：Ｅｘｃｉｍｅｒ  Ｌａｓｅｒ  Ａｎｎｅａｌｉｎｇ）方法や、約６００℃程度の温度に熱処理して結晶化する固相結晶化（ＳＰＣ：Ｓｏｌｉｄ  Ｐｈａｓｅ  Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ）方法、結晶化を促進する金属を非晶質シリコンに接触させて熱処理する金属誘導結晶化（ＭＩＣ：Ｍｅｔａｌ  Ｉｎｄｕｃｅｄ  Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ）方法、ＭＩＣの後これをシード（ｓｅｅｄ）として側面成長させる金属誘導側面結晶化（ＭＩＬＣ：Ｍｅｔａｌ  Ｉｎｄｕｃｅｄ  Ｌａｔｅｒａｌ  Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ）方法、キャピィング層（ｃａｐｐｉｎｇ  ｌａｙｅｒ）を用いて触媒金属層を非晶質シリコンと間接的に接触させて薄膜内の金属量を減らすＭＩＣＣ（Ｍｅｔａｌ  Ｉｎｄｕｃｅｄ  Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ  ｗｉｔｈ  Ｃａｐｐｉｎｇ  Ｌａｙｅｒ）方法、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）のような蒸着法で多結晶シリコンを直接蒸着する直接蒸着方法、そして、金属触媒を用いた結晶化の後、燐のような元素を注入してから熱処理または不活性ガスでの熱処理で金属触媒をゲッタリング（ｇｅｔｔｅｒｉｎｇ）して薄膜内の金属濃度を減らす金属触媒除去方法などがある。
【００４７】
ここで、エキシマレーザー結晶化（ＥＬＡ）方法は、非晶質シリコンを基板に蒸着させた後、エキシマレーザーで非晶質シリコンを部分的に溶融（ｍｅｌｔｉｎｇ）させながら結晶化する方法である。このようなレーザー結晶化方法は、非晶質シリコンを多結晶シリコンに結晶化する方法のうち最も多く用いられている方法のうちの１つである。かかる方法は、既存の多結晶液晶表示装置の結晶化方法をそのまま用いることができるだけでなく、工程が簡単であり工程に関する技術開発が完了した方法である。
【００４８】
固相結晶化（ＳＰＣ）方法は、非晶質シリコンを基板に蒸着させた後、これを約６００℃程度の炉（ｆｕｒｎａｃｅ）に約１０時間入れて熱処理することで結晶化する方法である。ＳＰＣ方法は工程が比較的単純であり、設備投資費が低いという長所がある。
【００４９】
金属誘導結晶化（ＭＩＣ）方法は、非晶質シリコンを基板に蒸着させた後、金属触媒金属であるＮｉ、Ｃｏ、Ｐｄ、Ｔｉなどを蒸着またはスピンコートして、金属触媒金属を非晶質シリコンの表面に直接浸透させて非晶質シリコンの相を変化させながら結晶化する方法である。ＭＩＣ方法は、低温で結晶化できる長所がある。
【００５０】
金属誘導側面結晶化（ＭＩＬＣ）方法は、金属誘導結晶化方法と類似の方法であるが、非晶質シリコンの表面に金属層を介在させるとき、マスク（ｍａｓｋ）を用いて所定領域にだけ介在させることで、側面方向に多結晶シリコンが形成されるようにする方法である。したがって、多結晶シリコン薄膜トランジスタにおいて、ニッケルシリサイドのような汚染物の濃度を最大限抑制することができるという長所がある。金属誘導側面結晶化方法に用いられるマスクとしては、例えば、線形マスクまたは点型マスクのシャドーマスク（ｓｈａｄｏｗ  ｍａｓｋ）がある。
【００５１】
ＭＩＣＣ方法は、非晶質シリコンの表面に金属触媒層を蒸着あるいはスピンコートする際に、キャッピング層をまず介在させて非晶質シリコンに流入される金属触媒量を制御する。キャッピング層としては、例えばシリコン窒化膜（Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｎｉｔｒｉｄｅ）を用いることができる。金属触媒層から非晶質シリコンに流入される金属触媒量は、シリコン窒化膜の厚さに応じて変化する。このとき、シリコン窒化膜に流入される金属触媒はシリコン窒化膜の全体に形成することもでき、シャドーマスクなどを用いて選択的に形成することもできる。
【００５２】
金属触媒層により非晶質シリコンを多結晶シリコンに結晶化させた後、選択的にキャッピング層を除去することができる。キャッピング層の除去方法には、湿式エッチング（Ｗｅｔ  Ｅｃｔｈｉｎｇ）方法あるいは乾式エッチング（Ｄｒｙ  Ｅｃｔｈｉｎｇ）方法を用いることができる。さらに、多結晶シリコンが形成された後、ゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する。そして、ゲート電極上に層間絶縁膜（Ｉｎｔｅｒｌａｙｅｒ）を形成することができる。この層間絶縁膜上にビアホール（Ｖｉａ  Ｈｏｌｅ）を形成した後、不純物をビアホールを通じて結晶化された多結晶シリコン上に投入することにより、内部の形成された金属触媒不純物を追加的に除去することができる。金属触媒不純物を追加的に除去する方法をゲッタリング工程（Ｇａｔｔｅｒｉｎｇ  Ｐｒｏｃｅｓｓ）という。ゲッタリング工程には、不純物を注入する工程の他、低温で薄膜トランジスタを加熱する加熱工程（Ｈｅａｔｉｎｇ  Ｐｒｏｃｅｓｓ）がある。ゲッタリング工程を通じて良質の薄膜トランジスタを具現することができる。
【００５３】
また、非晶質シリコンと多結晶シリコン間の結晶粒の大きさを有するマイクロシリコン（ｍｉｃｒｏ  ｓｉｌｉｃｏｎ）技術がある。マイクロシリコンとは、通常、結晶粒の粒径が約１ｎｍ〜１００ｎｍであるものをいう。マイクロシリコンの電子移動度は約１〜５０以下であり、正孔移動度は約０．０１〜０．２以下であることを特徴とする。また、マイクロシリコンは、多結晶シリコンに比べて結晶粒が小さい。このため、マイクロシリコンは、多結晶シリコンに比べて結晶粒間の突出部領域が小さく形成されるので結晶粒間に電子が移動する場合に遮ることがなく、均一な特性を見せることができる。マイクロシリコンの結晶化方法には、大きく熱結晶化方法（Ｔｈｅｒｍａｌ  Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ  Ｍｅｔｈｏｄ）とレーザー結晶化方法（Ｌａｓｅｒ  Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ  Ｍｅｔｈｏｄ）がある。熱結晶化方法としては、例えば非晶質シリコンを蒸着すると同時に結晶化構造を得る方法と再加熱（ｒｅｈｅａｔｉｎｇ）方法などがある。このようなマイクロシリコンの結晶化方法は既に公知の技術であるため、詳細な説明は省略する。
【００５４】
ここで、図３に有機電界発光表示装置のうち画素領域の有機電界発光素子の一例を示す。図３に示すように、有機電界発光素子ＯＬＥＤは、両側面に陽極（Ａｎｏｄｅ）および陰極（Ｃａｔｈｏｄｅ）がそれぞれ形成されている。有機電界発光素子ＯＬＥＤは、電子と正孔とがあって励起子（Ｅｘｃｉｔｏｎ）を形成して発光する発光層（ＥＭＬ：ＥＭｉｔｔｉｎｇ  Ｌａｙｅｒ）と、電子を輸送する電子輸送層（ＥＴＬ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ  Ｌａｙｅｒ）と、正孔を輸送する正孔輸送層（ＨＴＬ：Ｈｏｌｅ  Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ  Ｌａｙｅｒ）とからなる。また、電子輸送層の一側面には電子を注入する電子注入層（ＥＩＬ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｉｎｊｅｃｔｉｎｇ  Ｌａｙｅｒ）が形成され、正孔輸送層の一側面には正孔を注入する正孔注入層（ＨＩＬ：Ｈｏｌｅ  Ｉｎｊｅｃｔｉｎｇ  Ｌａｙｅｒ）がさらに形成されている。さらに、蛍光型でなく燐光型有機電界発光素子の場合には、正孔抑制層（ＨＢＬ：ｃＨｏｌｅ  Ｂｌｏｃｋｉｎｇ  Ｌａｙｅｒ）を発光層ＥＭＬと電子輸送層ＥＴＬとの間に選択的に形成することができ、電子抑制層（ＥＢＬ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｂｌｏｃｋｉｎｇ  Ｌａｙｅｒ）を発光層ＥＭＬと正孔輸送層ＨＴＬとの間に選択的に形成することができる。
【００５５】
また、有機電界発光素子は、２種の層を混合してその厚さを減少させるスリム型有機電界発光素子（ｓｌｉｍ  ＯＬＥＤ）から形成することもできる。例えば、正孔注入層と正孔輸送層とを同時に形成する正孔注入輸送層（ＨＩＴＬ：Ｈｏｌｅ  Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ  Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ  Ｌａｙｅｒ）構造、および電子注入層と電子輸送層とを同時に形成する電子注入輸送層（ＥＩＴＬ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ  Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ  Ｌａｙｅｒ）構造を選択的に形成することができる。このようなスリム型有機電界発光素子を用いることにより、発光効率を増加させることができる。
【００５６】
陽極と発光層との間には、選択層としてバッファ層（ｂｕｆｆｅｒ  ｌａｙｅｒ）を形成することができる。バッファ層は、電子をバッファリングする電子バッファ層（ＥＢＬ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｂｕｆｆｅｒ  Ｌａｙｅｒ）と、正孔をバッファリングする正孔バッファ層（ＨＢＬ：Ｈｏｌｅ  Ｂｕｆｆｅｒ  Ｌａｙｅｒ）とに区分することができる。電子バッファ層は、陰極と電子注入層ＥＩＬとの間に選択的に形成することができ、電子注入層ＥＩＬに代わって機能する。このとき、有機電界発光素子の積層構造は、発光層ＥＭＬ／電子輸送層ＥＴＬ／電子バッファ層ＥＢＬ／陰極となる。また、正孔バッファ層は、陽極と正孔注入層ＨＩＬとの間に選択的に形成することができ、正孔注入層ＨＩＬに代わって機能する。このとき、有機電界発光素子の積層構造は陽極／正孔バッファ層ＨＢＬ／正孔輸送層ＨＴＬ／発光層ＥＭＬとなる。
【００５７】
有機電界発光素子の積層構造については、以下のような積層構造とすることが可能である。
【００５８】
（ａ）正常積層構造（Ｎｏｒｍａｌ  Ｓｔａｃｋ  Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）としては、以下の構造をとることができる。
（１）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
（２）陽極／正孔バッファ層／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
（３）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／電子バッファ層／陰極
（４）陽極／正孔バッファ層／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／電子バッファ層／陰極
（５）陽極／正孔注入層／正孔バッファ層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
（６）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子バッファ層／電子注入層／陰極
【００５９】
（ｂ）正常スリム構造（Ｎｏｒｍａｌ  Ｓｌｉｍ  Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）としては、以下の構造をとることができる。
（１）陽極／正孔注入輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
（２）陽極／正孔バッファ層／正孔注入輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
（３）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子注入輸送層／電子バッファ層／陰極
（４）陽極／正孔バッファ層／正孔輸送層／発光層／電子注入輸送層／電子バッファ層／陰極
（５）陽極／正孔注入輸送層／正孔バッファ層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
（６）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子バッファ層／電子注入輸送層／陰極
【００６０】
（ｃ）逆相積層構造（Ｉｎｖｅｒｔｅｄ  Ｓｔａｃｋ  Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）としては、以下の構造をとることができる。
（１）陰極／電子注入層／電子輸送層／発光層／正孔輸送層／正孔注入層／陽極
（２）陰極／電子注入層／電子輸送層／発光層／正孔輸送層／正孔注入層／正孔バッファ層／陽極
（３）陰極／電子バッファ層／電子注入層／電子輸送層／発光層／正孔輸送層／正孔注入層／陽極
（４）陰極／電子バッファ層／電子注入層／電子輸送層／発光層／正孔輸送層／正孔バッファ層／陽極
（５）陰極／電子注入層／電子輸送層／発光層／正孔輸送層／正孔バッファ層／正孔注入層／陽極
（６）陰極／電子注入層／電子バッファ層／電子輸送層／発光層／正孔輸送層／正孔注入層／陽極
【００６１】
（ｄ）逆相スリム構造（Ｉｎｖｅｒｔｅｄ  Ｓｉｌｍ  Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）としては、以下の構造をとることができる。
（１）陰極／電子注入層／電子輸送層／発光層／正孔注入輸送層／陽極
（２）陰極／電子注入層／電子輸送層／発光層／正孔注入輸送層／正孔バッファ層／陽極
（３）陰極／電子バッファ層／電子注入輸送層／発光層／正孔輸送層／正孔注入層／陽極
（４）陰極／電子バッファ層／電子注入輸送層／発光層／正孔輸送層／正孔バッファ層／陽極
（５）陰極／電子注入層／電子輸送層／発光層／正孔バッファ層／正孔注入輸送層／陽極
（６）陰極／電子注入輸送層／電子バッファ層／発光層／正孔輸送層／正孔注入層／陽極
【００６２】
ここで、発光層は、低分子または高分子のうち選択されたいずれか１つを用いることができるが、その材料は限定されない。低分子は、材料特性が広く知られており、開発が容易で早期量産が可能である。一方、高分子は、低分子に比べて熱的安全性が高く機械的強度に優れ、自然色のような色感を有する。また、発光層は、発光メカニズムに応じて蛍光材料または燐光材料のうち選択されたいずれか１つを用いることができるが、その材料は限定されない。
【００６３】
蛍光材料は、ホスト材料として、例えばトリス（８−キノリノラト）アルミニウム錯体（Ａｌｑ３）、ビス（ベンゾキノリノラト）ベリリウム錯体（ＢｅＢｑ２）、Ａｌｍｑ（４−ｍｅｔｈｙｌ−８−ｈｙｄｒｏｘｙｑｕｉｎｏｌｉｎｅ）、ＢＡｌｑ、ヒドロキシフェニルオキサゾール、ヒドロキシフェニルジアゾール（ＺｎＰＢＯ、ＺｎＰＢＴ）、アゾメチン金属錯体、ジスチリルベンゼン誘導体、ＤＴＶＢｉ誘導体、ＤＳＢ誘導体、およびこれらの等価物質を用いることができる。また、蛍光材料のゲスト材料として、例えばクマリン誘導体、ＤＣＭ（ｄｉｃｙａｎｏｍｅｔｈｙｌｅｎｅ）、キナクリドン、ルブレン、ペリレン、およびこれらの等価物質を用いることが可能であるが、かかる例に限定されない。そして、燐光材料としては、例えばＢｔｐ２Ｉｒ（ａｃａｃ）、Ｉｒ（ｐｐｙ）３、Ｉｒ（ｔｈｐｙ）３、Ｉｒ（ｔ５ｍ−ｔｈｐｙ）３、Ｉｒ（ｔ−５ＣＦ３−ｐｙ）３、Ｉｒ（ｔ−５ｔ−ｐｙ）３、Ｉｒ（ｍｔ−５ｍｔ−ｐｙ）３、Ｉｒ（ｂｔｐｙ）３、Ｉｒ（ｔｆｌｐｙ）３、Ｉｒ（ｐｉｑ）３、およびＩｒ（ｔｉｑ）３を含むＩｒ化合物や、白金、金、オスミウム（Ｏｓｍｉｕｍ）、Ｒｕ、Ｒｅ錯体、およびこれらの等価物を用いることができる。
【００６４】
図４は、直流−直流コンバータを示した回路図である。図４に示すように、直流−直流コンバータ１２０は、ブーストコンバータ１２１と、インバータ１２２と、スイッチング制御部１２３とからなる。なお、電源部１１０は、直流−直流コンバータ１２０に直流電源を供給する。また、ＥＬＶＤＤは陽極性の第１電源電圧を、ＥＬＶＳＳは陰極性の第２電源電圧を意味する。
【００６５】
ブーストコンバータ１２１は、電源部１１０に電気的に接続された第１誘導性素子Ｌ１１と、第１誘導性素子Ｌ１１に電気的に接続された第１スイッチング素子Ｍ１１と、第１誘導性素子Ｌ１１および第１スイッチング素子Ｍ１１に電気的に接続された第２スイッチング素子Ｍ１２と、第２スイッチング素子Ｍ１２に電気的に接続された第１抵抗Ｒ１１および第２抵抗Ｒ１２と、第２スイッチング素子Ｍ１２に電気的に接続された第１容量性素子Ｃ１１とからなる。
【００６６】
ここで、第１スイッチング素子Ｍ１１にＮチャネル電界効果トランジスタを、第２スイッチング素子Ｍ１２にＰチャネル電界効果トランジスタを用いることができるが、本発明はかかる例に限定されない。もちろん、第１スイッチング素子Ｍ１１にＰチャネル電界効果トランジスタを、第２スイッチング素子Ｍ１２にＮチャネル電界効果トランジスタを用いることもできる。さらに、第１スイッチング素子Ｍ１１がターンオン状態であれば第２スイッチング素子Ｍ１２はターンオフ状態であり、第１スイッチング素子Ｍ１１がターンオフ状態であれば第２スイッチング素子Ｍ１２はターンオン状態を維持する。
【００６７】
インバータ１２２は、電源部１１０に電気的に接続された第３スイッチング素子Ｍ２１と、第１スイッチング素子Ｍ１１と第３スイッチング素子Ｍ２１との間に電気的に接続された第２誘導性素子Ｌ２１と、第３スイッチング素子Ｍ２１および第２誘導性素子Ｌ２１に電気的に接続された第４スイッチング素子Ｍ２２と、第４スイッチング素子Ｍ２２に電気的に接続された第３抵抗Ｒ３および第４抵抗Ｒ４と、第４スイッチング素子Ｍ２２に電気的に接続された第２容量性素子Ｃ２１とからなる。
【００６８】
ここで、第３スイッチング素子Ｍ２１にＰチャネル電界効果トランジスタを、第４スイッチング素子Ｍ２２にＮチャネル電界効果トランジスタを用いることができるが、本発明はかかる例に限定されない。もちろん、第３スイッチング素子Ｍ２１にＮチャネル電界効果トランジスタを、第４スイッチング素子Ｍ２２にＰチャネル電界効果トランジスタを用いることができる。さらに、第３スイッチング素子Ｍ２１がターンオン状態であれば第４スイッチング素子Ｍ２２はターンオフ状態であり、第３スイッチング素子Ｍ２１がターンオフ状態であれば第４スイッチング素子Ｍ２２はターンオン状態を維持する。
【００６９】
なお、ブーストコンバータ１２１の第１スイッチング素子Ｍ１１がターンオン状態であればインバータ１２２の第２スイッチング素子Ｍ１２はターンオフ状態であり、ブーストコンバータ１２１の第１スイッチング素子Ｍ１１がターンオフ状態であればインバータ１２２の第４スイッチング素子Ｍ２２はターンオン状態を維持する。
【００７０】
スイッチング制御部１２３は、ブーストコンバータ１２１の第１スイッチング素子Ｍ１１および第２スイッチング素子Ｍ１２を制御する。また、スイッチング制御部１２３は、インバータ１２２の第３スイッチング素子Ｍ２１および第４スイッチング素子Ｍ２２を制御する。さらに、スイッチング制御部１２３には、イネーブル端子Ｅｎａが電気的に接続されている。イネーブル端子Ｅｎａには、スイッチング制御部１２３を動作させるためのイネーブル信号またはスイッチング制御部１２３を停止させるためのディセイブル信号が入力される。
【００７１】
一方、ブーストコンバータ１２１の第１スイッチング素子Ｍ１１および第２スイッチング素子Ｍ１２と、インバータ１２２の第３スイッチング素子Ｍ２１および第４スイッチング素子Ｍ２２とは、スイッチング制御部１２３と共に集積して形成することができる。すなわち、図４では、第１スイッチング素子Ｍ１１および第４スイッチング素子Ｍ２２をスイッチングコンバータの外に示したが、実質的に第１スイッチング素子Ｍ１１および第４スイッチング素子Ｍ２２はスイッチング制御部１２３の内部に集積して形成することができる。したがって、本実施形態によれば、全体的な直流−直流コンバータ１２０の大きさおよび重さを大幅に軽減することができる。
【００７２】
さらに、ブーストコンバータ１２１を通じて、陽極性の第１電源電圧ＥＬＶＤＤが出力され、インバータ１２２を通じて、陰極性の第２電源電圧ＥＬＶＳＳが出力される。もちろん、陽極性の第１電源電圧ＥＬＶＤＤおよび陰極性の第２電源電圧ＥＬＶＳＳは、上述した有機電界発光表示パネルに供給される。
【００７３】
図５は、直流−直流コンバータのうちスイッチング制御部の構成を示すブロック図である。図５に示すように、スイッチング制御部１２３は、第１比較器１２３ａと、第２比較器１２３ｂと、制御ロジック部１２３ｃと、第１ドライバ１２３ｄと、第２ドライバ１２３ｅとからなる。また、制御ロジック部１２３ｃには、外部からイネーブル信号またはディセイブル信号が入力されるイネーブル端子Ｅｎａが電気的に接続されている。
【００７４】
第１比較器１２３ａには、ブーストコンバータ１２１のうち第１抵抗Ｒ１１と第２抵抗Ｒ１２との間の接点が電気的に接続されている。第１抵抗Ｒ１１および第２抵抗Ｒ１２による分圧電圧が第１比較器１２３ａに入力されると、第１比較器１２３ａは陽極性の第１電源電圧ＥＬＶＤＤを常に一定にする制御信号を制御ロジック部１２３ｃに出力する。もちろん、制御ロジック部１２３ｃが第１ドライバ１２３ｄに所定制御信号を出力することにより、第１ドライバ１２３ｄに電気的に接続され、スイッチング制御部１２３に共に集積された第１スイッチング素子Ｍ１１および第２スイッチング素子Ｍ１２のスイッチング周波数が適切に変更される。これにより、常に一定な陽極性の第１電源電圧ＥＬＶＤＤを出力させることができる。
【００７５】
また、第２比較器１２３ｂには、インバータ１２２のうち第３抵抗Ｒ２１と第４抵抗Ｒ２２との間の接点が電気的に接続されている。第３抵抗Ｒ２１および第４抵抗Ｒ２２による分圧電圧が第２比較器１２３ｂに入力されると、第２比較器１２３ｂは陰極性の第２電源電圧ＥＬＶＳＳを常に一定にする制御信号を制御ロジック部１２３ｃに出力する。もちろん、制御ロジック部１２３ｃが第２ドライバ１２３ｅに所定制御信号を出力することにより、第２ドライバ１２３ｅに電気的に接続され、スイッチング制御部１２３に共に集積された第３スイッチング素子Ｍ２１および第４スイッチング素子Ｍ２２のスイッチング周波数が適切に変更される。これにより、常に一定な陰極性の第２電源電圧ＥＬＶＳＳを出力させることができる。
【００７６】
一方、イネーブル端子Ｅｎａを通じてイネーブル信号が入力されると、制御ロジック部１２３ｃが第１ドライバ１２３ｄおよび第２ドライバ１２３ｅに動作命令が含まれた制御信号を出力する。これにより、結果的に第１スイッチング素子Ｍ１１、第２スイッチング素子Ｍ１２、第３スイッチング素子Ｍ２１、および第４スイッチング素子Ｍ２２が動作される。一方、イネーブル端子Ｅｎａを通じてディセイブル信号が入力されると、制御ロジック部１２３ｃが第１ドライバ１２３ｄおよび第２ドライバ１２３ｅに動作停止命令が含まれた制御信号を出力すると、結果的に第１スイッチング素子Ｍ１１、第２スイッチング素子Ｍ１２、第３スイッチング素子Ｍ２１、および第４スイッチング素子Ｍ２２の動作が停止される。特に、第２スイッチング素子Ｍ１２および第４スイッチング素子Ｍ２２がターンオフ状態を維持することで、有機電界発光表示パネルに電源が全く供給されなくなる。すなわち、直流−直流コンバータが完全に電流遮断された状態になる。
【００７７】
図６は、直流−直流コンバータのうちブーストコンバータの第１スイッチング素子および第２スイッチング素子、インバータの第３スイッチング素子および第４スイッチング素子のターンオン状態を示したグラフである。図６に示すように、直流−直流コンバータは、ブーストコンバータの第１スイッチング素子Ｍ１１がターンオン状態であれば、第２スイッチング素子Ｍ１２はターンオフ状態であり、第１スイッチング素子Ｍ１１がターンオフ状態であれば、第２スイッチング素子Ｍ１２はターンオン状態を維持する。
【００７８】
また、図６に示すように、直流−直流コンバータはインバータの第３スイッチング素子Ｍ２１がターンオン状態であれば、第４スイッチング素子Ｍ２２はターンオフ状態であり、第３スイッチング素子Ｍ２１がターンオフ状態であれば、第４スイッチング素子Ｍ２２はターンオン状態を維持する。
【００７９】
さらに、図６に示すように、直流−直流コンバータはブーストコンバータの第１スイッチング素子Ｍ１１がターンオン状態であれば、インバータの第３スイッチング素子Ｍ２１はターンオフ状態であり、ブーストコンバータの第１スイッチング素子Ｍ１１がターンオフ状態であれば、インバータの第３スイッチング素子Ｍ２１はターンオン状態である。
【００８０】
次に、図７Ａ〜図７Ｄに基づいて、直流−直流コンバータの動作を説明する。なお、図７Ａ〜図７Ｄは、直流−直流コンバータの動作を説明するための説明図である。ここで、ブーストコンバータ１２１およびインバータ１２２は互いに同時に動作するが、説明の便宜上、ブーストコンバータ１２１およびインバータ１２２の動作を分けて説明する。
【００８１】
まず、図７Ａに示すように、直流−直流コンバータ１２０は、ブーストコンバータ１２１の第１スイッチング素子Ｍ１１および第２スイッチング素子Ｍ１２にハイ信号を印加する。これにより、ブーストコンバータ１２１の第１スイッチング素子Ｍ１１はターンオンされ、ブーストコンバータ１２１の第２スイッチング素子Ｍ１２はターンオフされる。こうして、ブーストコンバータ１２１の第１誘導性素子Ｌ１１と第１スイッチング素子Ｍ１１との間に閉回路が形成され、電源部１１０からの電源が第１誘導性素子Ｌ１１に誘導される。すなわち、第１誘導性素子Ｌ１１に電源部１１０からの電源が保存される。このとき、スイッチング制御部１２３はブーストコンバータ１２１の第１スイッチング素子Ｍ１１に対するデューティー比（ｄｕｔｙ  ｒａｔｉｏ）を調整することで、第１誘導性素子Ｌ１１に誘導される電源を調節することができる。すなわち、第１スイッチング素子Ｍ１１のターンオン時間によって第１誘導性素子Ｌ１１に誘導される電圧レベルが異なるようになる。
【００８２】
次いで、図７Ｂに示すように、直流−直流コンバータ１２０はブーストコンバータ１２１の第１スイッチング素子Ｍ１１および第２スイッチング素子Ｍ１２にロー信号を印加する。これにより、ブーストコンバータ１２１の第１スイッチング素子Ｍ１１はターンオフされ、ブーストコンバータ１２１の第２スイッチング素子Ｍ１２はターンオンされる。こうして、ブーストコンバータ１２１の第１誘導性素子Ｌ１１の両端電圧が、第２スイッチング素子Ｍ１２を通じて第１容量性素子Ｃ１１にそのまま伝達される。すなわち、第１容量性素子Ｃ１１に第１誘導性素子Ｌ１１の電圧が充電される。これと共に第２スイッチング素子Ｍ１２および第１容量性素子Ｃ１１は、有機電界発光表示パネルに陽極性の第１電源電圧ＥＬＶＤＤを出力する。
【００８３】
さらに、図７Ｃに示すように、直流−直流コンバータ１２０は、インバータ１２２の第３スイッチング素子Ｍ２１および第４スイッチング素子Ｍ２２にロー信号を印加する。これにより、インバータ１２２の第３スイッチング素子Ｍ２１はターンオンされ、インバータ１２２の第４スイッチング素子Ｍ２２はターンオフされる。こうして、インバータ１２２の第３スイッチング素子Ｍ２１と第２誘導性素子Ｌ２１との間に閉回路が形成され、電源部１１０からの電源は第２誘導性素子Ｌ２１に誘導される。すなわち、第２誘導性素子Ｌ２１に電源部１１０からの電源が保存される。このとき、スイッチング制御部１２３は、インバータ１２２の第３スイッチング素子Ｍ２１に対するデューティー比を調整することで、第２誘導性素子Ｌ２１に誘導される電圧を調節することができる。すなわち、第３スイッチング素子Ｍ２１のターンオン時間によって第２誘導性素子Ｌ２１に誘導される電圧レベルが異なるようになる。
【００８４】
その後、図７Ｄに示すように、直流−直流コンバータ１２０は、インバータ１２２の第３スイッチング素子Ｍ２１および第４スイッチング素子Ｍ２２にハイ信号を印加する。これにより、インバータ１２２の第３スイッチング素子Ｍ２１はターンオフされ、インバータ１２２の第４スイッチング素子Ｍ２２はターンオンされる。こうして、インバータ１２２の第２誘導性素子Ｌ２１の両端電圧が、第３スイッチング素子Ｍ２１を通じて第２容量性素子Ｃ２１にインバーティングされて伝達される。すなわち、第２容量性素子Ｃ２１に第２誘導性素子Ｌ２１の電圧がインバーティングされて充電される。これと共に、第４スイッチング素子Ｍ２２および第２容量性素子Ｃ２１は、有機電界発光表示パネルに陰極性の第２電源電圧ＥＬＶＳＳを出力する。
【００８５】
図８に、直流−直流コンバータの他の動作状態を示す。図８に示すように、スイッチング制御部１２３に電気的に接続されたイネーブル端子Ｅｎａにディセイブル信号を入力させることができる。例えば、有機電界発光表示装置１００の動作を完全に停止させるために、イネーブル端子Ｅｎａにディセイブル信号を入力させることができる。これにより、スイッチング制御部１２３は、ブーストコンバータ１２１の第２スイッチング素子Ｍ１２にはハイ信号を出力し、インバータ１２２の第４スイッチング素子Ｍ２２にはロー信号を出力する。こうして、ブーストコンバータ１２１の第２スイッチング素子Ｍ１２およびインバータ１２２の第４スイッチング素子Ｍ２２がターンオフされる。
【００８６】
したがって、電源部１１０からの電源は、第２スイッチング素子Ｍ１２および第４スイッチング素子Ｍ２２を通じて有機電界発光表示パネルに供給されることがない。すなわち、直流−直流コンバータが完全に電流遮断された状態になる。これにより、有機電界発光表示装置の全体的な電力消費が少なくなり、劣化現象も減少する。
【００８７】
図９Ａおよび図９Ｂに、直流−直流コンバータから出力される第１電源電圧および第２電源電圧の波形を示す。ここで、図９Ａおよび図９Ｂおいて、陽極性の第１電源電圧ＥＬＶＤＤは第１容量性素子Ｃ１１に供給される前の第２スイッチング素子における出力波形であり、陰極性の第２電源電圧ＥＬＶＳＳは第２容量性素子Ｃ２１に供給される前の第４スイッチング素子における出力波形である。もちろん、実質的に、有機電界発光表示パネルに供給される陽極性の第１電源電圧ＥＬＶＤＤは第１容量性素子Ｃ１１による略平坦な直流電圧であり、陰極性の第２電源電圧ＥＬＶＳＳは第２容量性素子Ｃ２１による略平坦な直流電圧である。
【００８８】
まず、図９Ａに示すように、ブーストコンバータ１２１の第１スイッチング素子Ｍ１１がターンオフされた状態で、第１誘導性素子Ｌ１１に保存された陽極性の第１電源電圧ＥＬＶＤＤが出力される。ここで、陽極性の第１電源電圧ＥＬＶＤＤは、以下の数式１によって算出することができる。
【００８９】
ＥＬＶＤＤ＝Ｖｉｎ／（１−Ｄ）      ・・・（数式１）
ここで、Ｖｉｎは電源部１１０による入力電圧であり、Ｄはデューティー比である。
【００９０】
次に、図９Ｂに示すように、インバータ１２２の第３スイッチング素子Ｍ２１がターンオフされた状態で、第２誘導性素子Ｌ２１に保存された陰極性の第２電源電圧ＥＬＶＳＳが出力される。ここで、陰極性の第２電源電圧ＥＬＶＳＳは、以下の数式２によって算出することができる。
【００９１】
ＥＬＶＳＳ＝（Ｄ×Ｖｉｎ）／（１−Ｄ）      ・・・（数式２）
【００９２】
上述したように、数式２によって陰極性の第２電源電圧ＥＬＶＳＳは決定されるが、Ｄ＞０．５の範囲においてはＥＬＶＳＳ＜Ｖｉｎとなり、Ｄ＜０．５の範囲ではＥＬＶＳＳ＞Ｖｉｎとなる。本実施形態では、インバータ１２２はＰチャネルトランジスタを採択し、デューティー比を約０．５以上に制御することによって、第２電源電圧ＥＬＶＳＳが陰極性に変化して出力される。すなわち、インバータ１２２は、要求される陰極性の第２電源電圧ＥＬＶＳＳが約−６Ｖであると仮定すれば、約３Ｖの入力電圧で約６Ｖで昇圧させ、陰極性の第２電源電圧ＥＬＶＳＳでインバーティングして出力する。
【００９３】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明はかかる例に限定されない。本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、これらについても、当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【図面の簡単な説明】
【００９４】
【図１】本発明の実施形態にかかる直流−直流コンバータを有する有機電界発光表示装置を示すブロック図である。
【図２Ａ】有機電界発光表示装置のうち画素領域の一例を示す回路図である。
【図２Ｂ】有機電界発光表示装置のうち画素領域の一例を示す駆動タイミング図である。
【図３】有機電界発光表示装置のうち画素領域の有機電界発光素子の一例を示す断面図である。
【図４】直流−直流コンバータを示す回路図である。
【図５】直流−直流コンバータのうちスイッチング制御部の構成を示すブロック図である。
【図６】直流−直流コンバータのうちブーストコンバータの第１スイッチング素子と第２スイッチング素子、インバータの第３スイッチング素子と第４スイッチング素子のターンオン状態を示すグラフである。
【図７Ａ】直流−直流コンバータの動作説明のための第１の状態を示す回路図である。
【図７Ｂ】直流−直流コンバータの動作説明のための第２の状態を示す回路図である。
【図７Ｃ】直流−直流コンバータの動作説明のための第３の状態を示す回路図である。
【図７Ｄ】直流−直流コンバータの動作説明のための第４の状態を示す回路図である。
【図８】直流−直流コンバータの他の動作説明のための回路図である。
【図９Ａ】直流−直流コンバータから第１電源電圧および第２電源電圧が出力される波形を示したグラフである。
【図９Ｂ】直流−直流コンバータから第１電源電圧および第２電源電圧が出力される波形を示したグラフである。
【符号の説明】
【００９５】
１００      本発明による有機電界発光表示装置
１１０      電源部
１２０      直流−直流コンバータ
１２１      ブーストコンバータ
１２２      インバータ
１２３      スイッチング制御部
１２３ａ    第１比較器
１２３ｂ    第２比較器
１２３ｃ    制御ロジック部
１２３ｄ    第１ドライバ
１２３ｅ    第２ドライバ
１３０      走査駆動部
１４０      データ駆動部
１５０      エミッション駆動部
１６０      有機電界発光表示パネル
【図１】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図７Ｃ】
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【図７Ｄ】
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【図８】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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