(57)【要約】【課題】配向膜及び位相差フィルムを備える液晶装置を短時間で製造することに寄与できる製造方法を提供する。【解決手段】基板に位相差フィルム及び配向膜を備える液晶装置の製造方法は、無機材料の位相差フィルムを形成する動作と、無機材料の配向膜を形成する動作と、を含み、位相差フィルムと配向膜とを接続するように形成する。【選択図】図１
2008176026.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に位相差フィルム及び配向膜を備える液晶装置の製造方法であって、
無機材料の位相差フィルムを形成する動作と、
無機材料の配向膜を形成する動作と、を含み、
前記位相差フィルムと前記配向膜とを接続するように形成する製造方法。
【請求項２】
前記基板の表面に前記位相差フィルムを形成した後、
前記形成された前記位相差フィルムに接続するように前記配向膜を形成する請求項１記載の製造方法。
【請求項３】
第１材料より第１粒子を生成し、前記基板の表面に前記第１粒子を斜め方向から入射させて、前記基板の表面に前記位相差フィルムを形成し、
第２材料より第２粒子を生成し、前記位相差フィルムの表面に前記第２粒子を斜め方向から入射させて、前記位相差フィルムに接続するように、前記配向膜を形成する請求項１又は２記載の製造方法。
【請求項４】
前記第１、第２粒子が供給可能な位置を含む所定領域内で前記基板の表面を第１方向に移動させつつ、前記基板の表面に前記第１、第２粒子を斜め方向から入射させ、
前記第１材料と前記第２材料とは前記第１方向に沿って配置されている請求項３記載の製造方法。
【請求項５】
前記第１粒子は、前記第１材料の蒸気を含み、前記第２粒子は、前記第２材料の蒸気を含む請求項３又は４記載の製造方法。
【請求項６】
前記第１粒子は、前記第１材料をスパッタすることによって生成されるスパッタ粒子を含み、前記第２粒子は、前記第２材料をスパッタすることによって生成されるスパッタ粒子を含む請求項３又は４記載の製造方法。
【請求項７】
製造条件を調整して、前記位相差フィルムのリタデーションを調整する請求項３〜６のいずれか一項記載の製造方法。
【請求項８】
前記位相差フィルムは無機材料の複数の射方柱によって形成され、
前記製造条件を調整して、前記射方柱の構造を調整することによって、前記リタデーションを調整する請求項７記載の製造方法。
【請求項９】
前記位相差フィルムは無機材料の酸化物の複数の射方柱によって形成され、
前記製造条件を調整して、前記射方柱の化学量論比を調整することによって、前記リタデーションを調整する請求項７記載の製造方法。
【請求項１０】
前記製造条件は、前記基板の表面に対する前記第１粒子の入射角度条件を含む請求項７〜９のいずれか一項記載の製造方法。
【請求項１１】
前記製造条件は、前記第１粒子が供給される前記基板の温度条件、圧力条件、及び前記基板の表面と前記第１材料との距離条件の少なくとも一つを含む請求項７〜１０のいずれか一項記載の製造方法。
【請求項１２】
前記製造条件は、少なくとも前記基板の表面と前記第１材料との間の酸素濃度条件を含む請求項７〜１１のいずれか一項記載の製造方法。
【請求項１３】
基板に位相差フィルム及び配向膜を備える液晶装置の製造装置であって、
前記位相差フィルムを形成するための第１粒子を供給可能な第１材料を保持する第１保持部材と、
前記配向膜を形成するための第２粒子を供給可能な第２材料を保持する第２保持部材と、
前記基板を保持しながら移動可能であり、前記第１、第２材料それぞれからの前記第１、第２粒子が供給可能な位置を含む所定領域内で前記基板の表面を第１方向に移動させる基板保持部材と、を備え、
前記第１保持部材と前記第２保持部材とは前記第１方向に沿って配置されている製造装置。
【請求項１４】
前記第１、第２材料は無機材料を含み、前記基板の表面に前記第１、第２粒子を斜め方向から入射させる請求項１３記載の製造装置。
【請求項１５】
前記第１材料と前記基板との間に配置され、前記基板に対する前記第１粒子の供給領域を規定する第１開口と、
前記第２材料と前記基板との間に配置され、前記基板に対する前記第２粒子の供給領域を規定する第２開口とを備えた請求項１３又は１４記載の製造装置。
【請求項１６】
基板に位相差フィルム及び配向膜を備える液晶装置の製造装置であって、
粒子を供給可能な材料を保持する材料保持部材と、
前記材料からの前記粒子が供給可能な位置を含む所定領域内で前記基板を保持しながら移動可能な基板保持部材と、
前記位相差フィルムを形成するために、前記基板を保持した前記基板保持部材を第１の移動条件で移動させ、前記配向膜を形成するために、前記基板を保持した前記基板保持部材を第２の移動条件で移動させる駆動装置と、を備えた製造装置。
【請求項１７】
前記移動条件は、前記材料に対する前記基板の移動方向、及び移動速度の少なくとも一方を含む請求項１６記載の製造装置。
【請求項１８】
無機材料の位相差フィルムと、
前記位相差フィルムと接続するように配置された無機材料の配向膜と、を備えた液晶装置。
【請求項１９】
位相差フィルム及び配向膜を備えたデバイス製造用基板の製造方法であって、
無機材料の位相差フィルムを形成する動作と、
無機材料の配向膜を形成する動作と、を含み、
前記位相差フィルムと前記配向膜とを接続するように形成する製造方法。
【請求項２０】
位相差フィルム及び配向膜を備えたデバイス製造用基板の製造装置であって、
前記位相差フィルムを形成するための第１粒子を供給可能な第１材料を保持する第１保持部材と、
前記配向膜を形成するための第２粒子を供給可能な第２ターゲット材料を保持する第２保持部材と、
前記基板を保持しながら移動可能であり、前記第１、第２材料それぞれからの前記第１、第２粒子が供給可能な位置を含む所定領域内で前記基板の表面を第１方向に移動させる基板保持部材と、を備え、
前記第１保持部材と前記第２保持部材とは前記第１方向に沿って配置されている製造装置。
【請求項２１】
無機材料の位相差フィルムと、
前記位相差フィルムと接続するように配置された無機材料の配向膜と、を備えたデバイス製造用基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置の製造方法及び製造装置、デバイス製造用基板の製造方法及び製造装置、並びに液晶装置及びデバイス製造用基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶装置は、液晶分子を配向させる配向膜を備えている。配向膜として、ポリイミド等の有機材料からなる配向膜、すなわち有機配向膜を用いる場合が多いが、近時においては、耐熱性及び耐光性の向上等を目的として、窒化珪素等の無機材料からなる配向膜、すなわち無機配向膜を用いることが提案されている。下記特許文献１には、無機配向膜を形成する技術の一例が開示されている。また、液晶装置は、光学補償のために位相差フィルムを備える場合がある。下記特許文献２には、位相差フィルムを形成する技術の一例が開示されている。
【特許文献１】特開２００４−１７０７４４号公報
【特許文献２】特開平１０−１２３３２３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
従来において、配向膜及び位相差フィルムのそれぞれを製造する場合、異なる基板が用いられる。配向膜は、例えば斜方蒸着法に基づいて、石英等の基板上に形成された透明電極の上に形成される。一方、位相差フィルムは、配向膜が形成される基板のうち、その配向膜が形成される面とは異なる面に形成される。あるいは、位相差フィルムは、配向膜が形成される基板とは別の基板に形成された後、配向膜が形成される基板と接合される。この場合、配向膜及び位相差フィルムのそれぞれを製造するのに時間がかかり、十分な量産性が得られない可能性がある。そのため、配向膜及び位相差フィルムのそれぞれを短時間で製造できる技術の案出が望まれる。
【０００４】
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、配向膜及び位相差フィルムを備える液晶装置を短時間で製造することに寄与できる製造方法及び製造装置を提供することを目的とする。また本発明は、配向膜及び位相差フィルムを備えるデバイス製造用基板を短時間で製造することに寄与できる製造方法及び製造装置を提供することを目的とする。また本発明は、良好な量産性を実現することに寄与できる液晶装置及びデバイス製造用基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記の課題を解決するため、本発明は以下の構成を採用する。
【０００６】
本発明の第１の観点によると、基板に位相差フィルム及び配向膜を備える液晶装置の製造方法であって、無機材料の位相差フィルムを形成する動作と、無機材料の配向膜を形成する動作と、を含み、前記位相差フィルムと前記配向膜とを接続するように形成する製造方法が提供される。
【０００７】
本発明の第１の観点によれば、位相差フィルムと配向膜とを接続するように形成するので、それら位相差フィルムと配向膜とを連続的に製造できる。したがって、位相差フィルム及び配向膜を有する液晶装置を短時間で製造できる。また、無機材料の位相差フィルム及び配向膜を形成するので、耐熱性、耐光性、耐久性に優れた位相差フィルム及び配向膜を製造できる。
【０００８】
本発明の製造方法において、前記基板の表面に前記位相差フィルムを形成した後、前記形成された前記位相差フィルムに接続するように前記配向膜を形成する構成を採用できる。これによれば、位相差フィルムの上に配向膜を形成できる。
【０００９】
本発明の製造方法において、第１材料より第１粒子を生成し、前記基板の表面に前記第１粒子を斜め方向から入射させて、前記基板の表面に前記位相差フィルムを形成し、第２材料より第２粒子を生成し、前記位相差フィルムの表面に前記第２粒子を斜め方向から入射させて、前記位相差フィルムに接続するように、前記配向膜を形成する構成を採用できる。これによれば、基板の表面に射方柱（カラム、柱状構造体）を含む位相差フィルム及び配向膜を製造でき、所望の光学特性を有する位相差フィルム及び配向膜を製造できる。
【００１０】
本発明の製造方法において、前記第１、第２粒子が供給可能な位置を含む所定領域内で前記基板の表面を第１方向に移動させつつ、前記基板の表面に前記第１、第２粒子を斜め方向から入射させ、前記第１材料と前記第２材料とは前記第１方向に沿って配置されている構成を採用できる。これによれば、例えば第１材料から供給された第１粒子に基づいて基板に形成された位相差フィルムの上に、第２材料から供給された第２粒子に基づいて配向膜を形成できる。したがって、位相差フィルム及び配向膜を短時間で製造できる。
【００１１】
本発明の製造方法において、前記第１粒子は、前記第１材料の蒸気を含み、前記第２粒子は、前記第２材料の蒸気を含む構成を採用できる。すなわち、本発明は蒸着法に適用でき、蒸着法を用いて位相差フィルム及び配向膜を短時間で製造できる。
【００１２】
本発明の製造方法において、前記第１粒子は、前記第１材料をスパッタすることによって生成されるスパッタ粒子を含み、前記第２粒子は、前記第２材料をスパッタすることによって生成されるスパッタ粒子を含む構成を採用できる。すなわち、本発明はスパッタ法に適用でき、スパッタ法を用いて位相差フィルム及び配向膜を短時間で製造できる。また、スパッタ法を用いることにより、基板と位相差フィルムとの密着性を高めることができ、パーティクルの発生を抑制できる。
【００１３】
本発明の製造方法において、製造条件を調整して、前記位相差フィルムのリタデーションを調整する構成を採用できる。すなわち、本発明者は、位相差フィルムを製造する際の製造条件を調整することによって、位相差フィルムのリタデーションを調整できることを見出した。したがって、製造条件を調整することで、所望の光学特性を有する位相差フィルムを製造できる。
【００１４】
本発明の製造方法において、前記位相差フィルムは無機材料の複数の射方柱によって形成され、前記製造条件を調整して、前記射方柱の構造を調整することによって、前記リタデーションを調整する構成を採用できる。すなわち、本発明者は、製造条件を調整することによって、無機材料の射方柱の構造を調整でき、無機材料の射方柱の構造を調整することによって、位相差フィルムのリタデーションを調整できることを見出した。したがって、射方柱の構造を調整することによって、所望の光学特性を有する位相差フィルムを製造できる。
【００１５】
本発明の製造方法において、前記位相差フィルムは無機材料の酸化物の複数の射方柱によって形成され、前記製造条件を調整して、前記射方柱の化学量論比を調整することによって、前記リタデーションを調整する構成を採用できる。すなわち、本発明者は、製造条件を調整することによって、無機材料の酸化物の射方柱の化学量論比を調整でき、無機材料の酸化物の射方柱の化学量論比を調整することによって、位相差フィルムのリタデーションを調整できることを見出した。したがって、射方柱の化学量論比を調整することによって、所望の光学特性を有する位相差フィルムを製造できる。
【００１６】
本発明の製造方法において、前記製造条件は、前記基板の表面に対する前記第１粒子の入射角度条件を含む構成を採用できる。すなわち、本発明者は、基板の表面に対する第１粒子の入射角度条件を調整することによって、基板に形成される斜方柱の傾斜角度を調整でき、その射方柱の傾斜角度を調整することによって、位相差フィルムのリタデーションを調整できることを見出した。したがって、基板の表面に対する第１粒子の入射角度条件を調整することによって、所望の光学特性を有する位相差フィルムを製造できる。
【００１７】
本発明の製造方法において、前記製造条件は、前記第１粒子が供給される前記基板の温度条件、圧力条件、及び前記基板の表面と前記第１材料との距離条件の少なくとも一つを含む構成を採用できる。すなわち、本発明者は、第１粒子が供給される基板の温度条件、圧力条件、及び基板の表面と第１材料との距離条件の少なくとも一つを調整することによって、基板に形成される射方柱の高さ、射方柱の幅、及び射方柱同士の間隔の少なくとも一つを調整でき、その射方柱の高さ、射方柱の幅、及び射方柱同士の間隔の少なくとも一つを調整することによって、位相差フィルムのリタデーションを調整できることを見出した。したがって、第１粒子が供給される基板の温度条件、圧力条件、及び基板の表面と第１材料との距離条件の少なくとも一つを調整することによって、所望の光学特性を有する位相差フィルムを製造できる。
【００１８】
本発明の製造方法において、前記製造条件は、少なくとも前記基板の表面と前記第１材料との間の酸素濃度条件を含む構成を採用できる。すなわち、本発明者は、基板の表面と第１材料との間の酸素濃度条件を調整することによって、基板に形成される斜方柱の化学量論比を調整でき、その射方柱の化学量論比を調整することによって、位相差フィルムのリタデーションを調整できることを見出した。したがって、基板の表面と第１材料との間の酸素濃度条件を調整することによって、所望の光学特性を有する位相差フィルムを製造できる。また、酸素濃度条件を調整することによって、基板に形成される斜方柱の構造を調整することもできる。
【００１９】
なお、上述のリタデーション（リタデーション値）Ｒ’は、Ｒ’＝（ｎｔ−ｎｐ）×ｄで表される。ここで、ｎｔは位相差フィルムの厚み方向の屈折率、ｎｐは位相差フィルムの面内平均屈折率、ｄは位相差フィルムの厚みである。
【００２０】
本発明の第２の観点によると、基板に位相差フィルム及び配向膜を備える液晶装置の製造装置であって、前記位相差フィルムを形成するための第１粒子を供給可能な第１材料を保持する第１保持部材と、前記配向膜を形成するための第２粒子を供給可能な第２材料を保持する第２保持部材と、前記基板を保持しながら移動可能であり、前記第１、第２材料それぞれからの前記第１、第２粒子が供給可能な位置を含む所定領域内で前記基板の表面を第１方向に移動させる基板保持部材と、を備え、前記第１保持部材と前記第２保持部材とは前記第１方向に沿って配置されている製造装置が提供される。
【００２１】
本発明の第２の観点によれば、例えば第１材料から供給された第１粒子に基づいて基板に形成された位相差フィルムの上に、第２材料から供給された第２粒子に基づいて配向膜を形成できる。したがって、位相差フィルム及び配向膜を有する液晶装置を短時間で製造できる。
【００２２】
本発明の製造装置において、前記第１、第２材料は無機材料を含み、前記基板の表面に前記第１、第２粒子を斜め方向から入射させる構成を採用できる。これによれば、基板の表面に射方柱（カラム、柱状構造体）を含む位相差フィルム及び配向膜を製造でき、所望の光学特性を有する位相差フィルム及び配向膜を製造できる。
【００２３】
本発明の製造装置において、前記第１材料と前記基板との間に配置され、前記基板に対する前記第１粒子の供給領域を規定する第１開口と、前記第２材料と前記基板との間に配置され、前記基板に対する前記第２粒子の供給領域を規定する第２開口とを備えた構成を採用できる。これによれば、所望の領域に第１粒子及び第２粒子を供給できる。
【００２４】
本発明の第３の観点によると、基板に位相差フィルム及び配向膜を備える液晶装置の製造装置であって、粒子を供給可能な材料を保持する材料保持部材と、前記材料からの前記粒子が供給可能な位置を含む所定領域内で前記基板を保持しながら移動可能な基板保持部材と、前記位相差フィルムを形成するために、前記基板を保持した前記基板保持部材を第１の移動条件で移動させ、前記配向膜を形成するために、前記基板を保持した前記基板保持部材を第２の移動条件で移動させる駆動装置と、を備えた製造装置が提供される。
【００２５】
本発明の第３の観点によれば、材料から供給された粒子で、基板上に第１の移動条件に基づく位相差フィルムを形成でき、その形成された位相差フィルムの上に、第２の移動条件に基づく配向膜を形成できる。したがって、所望の光学特性を有する位相差フィルム及び配向膜を短時間で製造できる。第１の移動条件で位相差フィルムを形成するための第１粒子（第１材料）を供給し、第２の移動条件で配向膜を形成するための第２粒子（第２材料）を供給する際、それぞれの光学設計に基づいた方位角が定められる。方位角は、基板に対する粒子の入射方向で調整され、基板を所定角度で回転させて成膜する。
【００２６】
本発明の製造装置において、前記移動条件は、前記材料に対する前記基板の移動方向、及び移動速度の少なくとも一方を含む構成を採用できる。これによれば、基板の移動方向、及び移動速度に応じた光学特性を有する位相差フィルム及び配向膜を製造できる。
【００２７】
本発明の第４の観点によると、無機材料の位相差フィルムと、前記位相差フィルムと接続するように配置された無機材料の配向膜と、を備えた液晶装置が提供される。
【００２８】
本発明の第４の観点によれば、位相差フィルムと配向膜とを接続するように配置するので、それら位相差フィルムと配向膜とを有する液晶装置を良好に量産できる。また、位相差フィルム及び配向膜は無機材料を含むので、耐熱性、耐光性、耐久性を向上できる。
【００２９】
本発明の第５の観点によると、位相差フィルム及び配向膜を備えたデバイス製造用基板の製造方法であって、無機材料の位相差フィルムを形成する動作と、無機材料の配向膜を形成する動作と、を含み、前記位相差フィルムと前記配向膜とを接続するように形成する製造方法が提供される。
【００３０】
本発明の第５の観点によれば、位相差フィルムと配向膜とを接続するように形成するので、それら位相差フィルムと配向膜とを連続的に製造できる。したがって、位相差フィルム及び配向膜を有するデバイス製造用基板を短時間で製造できる。また、無機材料の位相差フィルム及び配向膜を形成するので、耐熱性、耐光性、耐久性に優れた位相差フィルム及び配向膜を製造できる。
【００３１】
本発明の第６の観点によると、位相差フィルム及び配向膜を備えたデバイス製造用基板の製造装置であって、前記位相差フィルムを形成するための第１粒子を供給可能な第１材料を保持する第１保持部材と、前記配向膜を形成するための第２粒子を供給可能な第２ターゲット材料を保持する第２保持部材と、前記基板を保持しながら移動可能であり、前記第１、第２材料それぞれからの前記第１、第２粒子が供給可能な位置を含む所定領域内で前記基板の表面を第１方向に移動させる基板保持部材と、を備え、前記第１保持部材と前記第２保持部材とは前記第１方向に沿って配置されている製造装置が提供される。
【００３２】
本発明の第６の観点によれば、例えば第１材料から供給された第１粒子に基づいて基板に形成された位相差フィルムの上に、第２材料から供給された第２粒子に基づいて配向膜を形成できる。したがって、位相差フィルム及び配向膜を有するデバイス製造用基板を短時間で製造できる。
【００３３】
本発明の第７の観点によると、無機材料の位相差フィルムと、前記位相差フィルムと接続するように配置された無機材料の配向膜と、を備えたデバイス製造用基板が提供される。
【００３４】
本発明の第７の観点によれば、位相差フィルムと配向膜とを接続するように配置するので、それら位相差フィルムと配向膜とを有するデバイス製造用基板を良好に量産できる。また、位相差フィルム及び配向膜は無機材料を含むので、耐熱性、耐光性、耐久性を向上できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３５】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。そして、水平面内の所定方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれと直交する方向（すなわち鉛直方向）をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわりの回転（傾斜）方向をそれぞれ、θＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。また、以下の説明においては、ＹＺ平面内において、Ｙ軸に対してＺ軸に向かって所定角度θ１だけ傾斜した方向を適宜、Ｕ軸方向、と称する。したがって、ＸＵ平面内において、Ｘ軸とＵ軸とは直交する。また、物体（基板など）がＵ軸方向に移動するとき、その移動成分は、Ｙ軸方向への移動成分とＺ軸方向への移動成分とを含む。したがって、物体（基板など）がＵ軸方向へ移動した場合、必然的に（実質的に）、Ｙ軸方向へも移動することとなる。
【００３６】
＜第１実施形態＞
第１実施形態について説明する。図１は、第１実施形態に係る液晶装置（液晶表示装置）１を模式的に示す断面図である。図１において、液晶装置１は、アレイ基板（ＴＦＴアレイ基板）２と、アレイ基板２と対向するように配置された対向基板（カラーフィルタ基板）３と、アレイ基板２と対向基板３との間に配置された液晶層４と、アレイ基板２に設けられた第１位相差フィルム９と、第１位相差フィルム９に接続するように配置された第１配向膜５と、アレイ基板２に設けられた第１偏光膜６と、対向基板３に設けられた第２位相差フィルム１０と、第２位相差フィルム１０に接続するように配置された第２配向膜７と、対向基板３に設けられた第２偏光膜８と、対向基板３に設けられた反射防止膜１１とを備えている。
【００３７】
アレイ基板２は、基材、及び基材の−Ｚ側の面（液晶層４側の面）に形成された画素電極を含む。また、アレイ基板２は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、蓄積コンデンサ、及び画素に電気信号等を供給する配線等を含む。また、アレイ基板２は、基材上に形成された種々の金属膜、絶縁膜、半導体層、及び不純物層等を含む。
【００３８】
第１位相差フィルム９は、アレイ基板２の−Ｚ側の面（液晶層側４の面）に配置されている。上述のように、アレイ基板２の−Ｚ側の面には、画素電極、ＴＦＴ等が配置されており、第１位相差フィルム９は、画素電極、ＴＦＴ等を覆うように配置されている。
【００３９】
第１配向膜５は、第１位相差フィルム９の−Ｚ側の面と接続するように、第１位相差フィルム９の−Ｚ側に配置されている。第１偏光膜６は、アレイ基板２のうち、第１位相差フィルム９及び第１配向膜５が配置された面とは反対側の面、すなわち＋Ｚ側の面（液晶層４と反対側の面）に配置されている。
【００４０】
対向基板３は、基材、及び基材の＋Ｚ側の面（液晶層４側の面）に形成された共通電極を含む。また、対向基板３は、着色パターン（カラーフィルタ）、ブラックマトリクス、及び保護膜等を含む。
【００４１】
第２位相差フィルム１０は、対向基板３の＋Ｚ側の面（液晶層側４の面）に配置されている。上述のように、対向基板３の＋Ｚ側の面には、共通電極が配置されており、第２位相差フィルム１０は、共通電極を覆うように配置されている。
【００４２】
第２配向膜７は、第２位相差フィルム１０の＋Ｚ側の面と接続するように、第２位相差フィルム１０の＋Ｚ側に配置されている。反射防止膜１１は、対向基板３のうち、第２位相差フィルム１０及び第２配向膜７が配置された面とは反対側の面、すなわち−Ｚ側の面（液晶層４と反対側の面）に配置されている。第２偏光膜８は、反射防止膜１１の−Ｚ側の面に配置されている。
【００４３】
基材は、透明基板であって、例えば石英等の硝材で形成される。なお、基材は、ポリエチレンテレフタレート等の合成樹脂で形成することもできる。
【００４４】
画素電極及び共通電極は、透明電極であって、例えばインジウムティンオキサイド（ＩＴＯ）で形成される。なお、画素電極及び共通電極は、インジウムオキサイド（ＩＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ２）等で形成することもできる。
【００４５】
第１配向膜５及び第２配向膜７は、液晶層４を挟むように配置されている。第１配向膜５及び第２配向膜７は、ＳｉＯｘ（ＳｉＯ２、ＳｉＯなど）等の珪素酸化物、Ａｌ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＭｇＯ、及びＩＴＯ等の金属酸化物等を含む無機材料で形成可能である。
【００４６】
液晶層４は、液晶分子を含む。液晶分子は、ネマチック液晶、スメクチック液晶など、配向可能なものであればいかなる液晶分子でも構わない。
【００４７】
第１偏光膜６及び第２偏光膜８は、例えば、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）等で形成可能である。
【００４８】
第１位相差フィルム９及び第２位相差フィルム１０は、無機材料の酸化物で形成されている。無機材料としては、シリコン（Ｓｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、及びハフニウム（Ｈｆ）等が上げられる。第１位相差フィルム９及び第２位相差フィルム１０は、例えばＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、ＴｉＯ２、ＨｆＯ２で形成可能である。
【００４９】
次に、第１実施形態に係る位相差フィルム９、１０及び配向膜５、７の製造装置１２について説明する。図２は、第１実施形態に係る製造装置１２の一例を示す概略構成図である。以下の説明においては、製造装置１２が、上述の対向基板３に位相差フィルム１０及び配向膜７を形成する場合を例にして説明する。
【００５０】
また、以下の説明においては、製造装置１２が、無機材料の酸化物の位相差フィルム１０、具体的には二酸化珪素（ＳｉＯ２）の位相差フィルム１０を基板３上に形成するとともに、無機材料の酸化物の配向膜７、具体的には二酸化珪素（ＳｉＯ２）の配向膜７を位相差フィルム１０上に形成する場合を例にして説明する。
【００５１】
図２において、製造装置１２は、位相差フィルム１０及び配向膜７を形成するための材料の粒子ｐｆを供給可能な供給源１４と、基板３を保持しながら移動可能であり、供給源１４からの粒子ｐｆが供給可能な位置を含む所定領域内で基板３を保持しながら移動可能な基板保持部材１５と、製造装置１２全体の動作を制御する制御装置１６とを備えている。
【００５２】
本実施形態においては、製造装置１２は、スパッタ法に基づいて、基板３に位相差フィルム１０及び配向膜７を形成する。製造装置１２は、ターゲット材料Ｔにイオン粒子ｐｓを照射して、ターゲット材料Ｔより位相差フィルム１０及び配向膜７を形成するためのスパッタ粒子ｐｆを生成して、そのスパッタ粒子ｐｆを基板３に供給可能なスパッタ装置１７を含む。本実施形態においては、供給源１４は、スパッタ粒子ｐｆを供給可能なターゲット材料Ｔ、及びそのターゲット材料Ｔを保持する材料保持部材２５を含む。材料保持部材２５は、スパッタ装置１７の電極を含む。ターゲット材料Ｔは、無機材料を含む。本実施形態においては、ターゲット材料Ｔは、無機材料の酸化物を含む。本実施形態においては、ターゲット材料Ｔとして、二酸化珪素（ＳｉＯ２）を用いる。
【００５３】
また、製造装置１２は、チャンバ（成膜室）１８を備える。材料保持部材（電極）２５を含むスパッタ装置１７の少なくとも一部、及び基板保持部材１５のそれぞれは、チャンバ１８の内側に配置されている。製造装置１２は、チャンバ１８の内側において、基板３の表面に位相差フィルム１０及び配向膜７を形成する。また、製造装置１２は、そのチャンバ１８内の環境を調整する空調ユニット１９を備える。
【００５４】
また、製造装置１２は、ターゲット材料Ｔと基板３との間に配置され、ターゲット材料Ｔからのスパッタ粒子ｐｆの少なくとも一部が通過可能な開口２０を有する仕切部材２１を備えている。仕切部材２１は、チャンバ１８内の空間を第１空間２２と第２空間２３とに仕切る。開口２０は、第１空間２２及び第２空間２３のそれぞれに接続される。ターゲット材料Ｔは、第１空間２２に配置され、基板３（基板保持部材１５）は、第２空間２３に配置される。開口２０は、ターゲット材料Ｔの上面１３、及び位相差フィルム１０と配向膜７とが形成される基板３の表面のそれぞれと対向可能である。
【００５５】
スパッタ装置１７は、ＲＦスパッタ装置を含み、高周波電源２４と、高周波電源２４に接続され、ターゲット材料Ｔを保持可能な電極２５とを有する。本実施形態においては、ターゲット材料Ｔは、直方体状である。製造装置１２は、チャンバ１８内におけるターゲット材料Ｔの上面１３の近傍、すなわち、ターゲット材料Ｔの＋Ｚ側の所定領域において、プラズマを発生させる。電極２５は、プラズマが発生したプラズマ発生領域ＰＵと対向するターゲット材料Ｔの上面１３とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、ターゲット材料Ｔを保持する。
【００５６】
空調ユニット１９は、チャンバ１８の内側の空間の温度、湿度、及び圧力を調整可能である。空調ユニット１９は、真空システムを含み、チャンバ１８の内側の空間を減圧したり、真空状態にすることができる。また、空調ユニット１９は、プラズマ発生領域ＰＵに、アルゴンガス（Ａｒガス）及び酸素ガス（Ｏ２ガス）の少なくとも一方を放電用ガスとして供給可能である。
【００５７】
制御装置１６は、空調ユニット１９を用いて、プラズマ発生領域ＰＵに放電用ガスを供給することによって、その放電用ガスに基づくイオン粒子ｐｓを生成する。スパッタ装置１７を含む製造装置１２は、生成したイオン粒子ｐｓをターゲット材料Ｔに照射して、ターゲット材料Ｔより、位相差フィルム１０及び配向膜７を形成するためのスパッタ粒子ｐｆを放出させる。開口２０と対向するターゲット材料Ｔの上面１３は、スパッタされることによって、基板３の表面に向けてスパッタ粒子ｐｆを放出可能（供給可能）である。
【００５８】
仕切部材２１は、電極２５によって保持されるターゲット材料Ｔと、基板保持部材１５によって保持される基板３との間に配置されている。ターゲット材料Ｔからのスパッタ粒子ｐｆの少なくとも一部は、仕切部材２１の開口２０を通過可能である。開口２０は、基板３に対するスパッタ粒子ｐｆの供給領域を規定する。
【００５９】
基板保持部材１５は、ターゲット材料Ｔ（開口２０）からのスパッタ粒子ｐｆが供給可能な位置に基板３の表面を配置可能であるとともに、そのスパッタ粒子ｐｆが供給可能な位置を含む所定領域内で基板３の表面をＵ軸方向に移動可能である。基板保持部材１５は、位相差フィルム１０及び配向膜７が形成される基板３の表面とＸＵ平面とがほぼ平行となるように、基板３を保持する。
【００６０】
製造装置１２は、基板保持部材１５を移動可能な駆動装置１５Ｄを備える。制御装置１６は、駆動装置１５Ｄを制御して、基板３を保持した基板保持部材１５を少なくともＵ軸方向に移動可能である。また、本実施形態においては、制御装置１６は、駆動装置１５Ｄを制御して、基板３を保持した基板保持部材１５を、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向にも移動可能である。
【００６１】
製造装置１２は、基板保持部材１５に保持されている基板３の温度を調整可能な温度調整装置２６を備えている。温度調整装置２６は、基板保持部材１５に保持されている基板３を加熱可能な加熱装置、及び基板保持部材１５に保持されている基板３を冷却可能な冷却装置を有する。加熱装置は、例えば基板保持部材１５の内部に配置された電熱線等のヒータ部材を含む。冷却装置は、例えば基板保持部材１５の内部に配置された冷媒が流れる流路形成部材を含む。加熱装置及び冷却装置を含む温度調整装置２６は、基板３の裏面と対向する基板保持部材１５の保持面の温度を調整し、その基板保持部材１５の保持面を介して、基板保持部材１５に保持された基板３を所望の温度に調整可能である。
【００６２】
図３は、基板３、開口２０、及びターゲット材料Ｔの関係を説明するための模式図である。図３に示すように、本実施形態においては、基板３の表面は長方形状である。また、本実施形態においては、ＸＹ平面内におけるターゲット材料Ｔの上面１３の形状は、Ｘ軸方向に長い長方形状（スリット状）である。また、ＸＹ平面内における開口２０の形状も、Ｘ軸方向に長いスリット状である。そして、基板３の表面の移動方向（Ｕ軸方向）と交差するＸ軸方向に関して、ターゲット材料Ｔの上面１３、及び開口２０は、基板３の表面よりも大きい（長い）。なお、Ｙ軸方向（Ｕ軸方向）に関しては、ターゲット材料Ｔの上面１３、及び開口２０は、基板３の表面よりも小さい（短い）。
【００６３】
次に、上述の構成を有する製造装置１２を用いて、基板３の表面に位相差フィルム１０及び配向膜７を形成する方法について説明する。
【００６４】
まず、成膜処理されるべき基板３が、チャンバ１８内に搬送される。チャンバ１８内に搬送された基板３は、基板保持部材１５に保持される。基板３がチャンバ１８内に搬送されたされた後、制御装置１６は、空調ユニット１９を使って、チャンバ１８内を真空状態に調整する。
【００６５】
そして、制御装置１６は、温度調整装置２６の加熱装置を用いて、基板保持部材１５に保持されている基板３を、例えば２５０℃〜３００℃に加熱し、基板３の表面に付着している水分を除去する脱水処理、及び基板３の表面に付着しているガスを除去する脱ガス処理の少なくとも一方を実行する。
【００６６】
制御装置１６は、温度調整装置２６の加熱装置による加熱処理を実行した後、スパッタリングによる基板３の温度上昇を抑制するため、温度調整装置２６の冷却装置を用いて、基板保持部材１５に保持されている基板３を所定の温度（例えば２３℃程度の室温）に調整する。なお、このとき、制御装置１６は、基板３を所定の温度（室温）に調整するために、加熱装置と冷却装置とを並行して作動させてもよい。
【００６７】
制御装置１６は、基板３を所定の温度に調整した後、ターゲット材料Ｔをスパッタする。すなわち、制御装置１６は、チャンバ１８内に、アルゴンガス及び酸素ガスの少なくとも一方を含む放電用ガスを、単位時間当たり所定量で供給するとともに、空調ユニット１９を用いて、チャンバ１８内を所定の圧力（例えば１〜１０Ｐａ）に調整する。そして、制御装置１６は、高周波電源２４より、ターゲット材料Ｔを保持している電極２５に電力を供給し、チャンバ１８内におけるターゲット材料Ｔの上面１３の近傍の所定領域において、プラズマを発生させる。
【００６８】
プラズマ発生領域ＰＵに放電用ガスが供給されることによって、その放電用ガスに基づくイオン粒子ｐｓが生成される。生成されたイオン粒子ｐｓは、ターゲット材料Ｔの上面１３に照射される。ターゲット材料Ｔの上面１３にイオン粒子ｐｓが照射されることによって、そのターゲット材料Ｔの上面１３より位相差フィルム１０を形成するためのスパッタ粒子ｐｆが生成される。ターゲット材料Ｔより生成され、そのターゲット材料Ｔから放出されたスパッタ粒子ｐｆの少なくとも一部は、仕切部材２１の開口２０を通過する。
【００６９】
制御装置１６は、基板保持部材１５の駆動装置１５Ｄを制御して、ターゲット材料Ｔからのスパッタ粒子ｐｆが供給可能な位置に基板３を配置する。具体的には、制御装置１６は、開口２０と対向する位置に基板３を配置する。仕切部材２１の開口２０を通過したスパッタ粒子ｐｆは、第２空間２３に配置されている基板保持部材１５に保持されている基板３の表面に供給される。
【００７０】
そして、本実施形態においては、制御装置１６は、スパッタ粒子ｐｆが供給可能な位置を含む第２空間２３の所定領域内で、基板保持部材１５に保持された基板３の表面をＵ軸方向に移動させつつ、基板３の表面にスパッタ粒子ｐｆを供給する。
【００７１】
上述のように、Ｕ軸方向は、ＹＺ平面内においてＹ軸に対して所定角度θ１だけ傾斜した方向である。ターゲット材料Ｔから放出され、開口２０を通過したスパッタ粒子ｐｆは、所定角度θ１に応じて、基板３の表面に斜め方向から入射する。本実施形態においては、所定角度（ターゲット材料Ｔの上面と基板３の表面とがなす角度）θ１は、５度〜８５度、好ましくは約４５度に設定される。
【００７２】
基板３の表面をＵ軸方向に移動しつつ、開口２０を介したスパッタ粒子ｐｆを基板３の表面に斜め方向から連続的に供給することによって、基板３の表面に、スパッタ粒子ｐｆに基づく無機材料の位相差フィルム１０が形成される。すなわち、本実施形態においては、製造装置１２は、斜めスパッタ法に基づいて、基板３の表面に位相差フィルム１０を形成する。
【００７３】
本実施形態においては、基板３の表面の移動方向（Ｕ軸方向）と交差するＸ軸方向に関するターゲット材料Ｔの上面１３の大きさ及び開口２０の大きさを、基板３の表面の大きさよりも大きくしているので、基板３をＵ軸方向へ１回のみ移動するだけで、基板３の表面のほぼ全域にスパッタ粒子ｐｆを供給できる。したがって、所望の厚みを有する位相差フィルム１０を短時間で製造できる。また、均一な厚みを有する位相差フィルム１０を製造できる。
【００７４】
本実施形態においては、位相差フィルム１０を形成するために、制御装置１６は、駆動装置１５Ｄを用いて、基板３を保持した基板保持部材１５を第１の移動条件で移動させつつ、スパッタ粒子ｐｆを基板３に供給する。
【００７５】
図４（Ａ）は、位相差フィルム１０を形成する動作の一例を示す模式図である。一例として、本実施形態においては、位相差フィルム１０を形成するために、駆動装置１５Ｄは、基板３を保持した基板保持部材１５を、−Ｕ方向に、第１の速度Ｖ１で移動する。これにより、基板３の表面には、無機材料の位相差フィルム１０が形成される。
【００７６】
基板３の表面に位相差フィルム１０を形成した後、制御装置１６は、その形成された位相差フィルム１０に接続するように、無機材料の配向膜７を形成する。
【００７７】
基板３の表面に位相差フィルム１０を形成した後、配向膜７を形成するために、制御装置１６は、基板保持部材１５で基板３を保持したまま、駆動装置１５Ｄを用いて、基板３を保持した基板保持部材１５を、上述の第１の移動条件とは異なる第２の移動条件で移動させつつ、スパッタ粒子ｐｆを基板３に供給する。
【００７８】
図４（Ｂ）は、配向膜７を形成する動作の一例を示す模式図である。一例として、本実施形態においては、配向膜７を形成するために、駆動装置１５Ｄは、基板３を保持した基板保持部材１５を、＋Ｕ方向に、上述の第１の速度Ｖ１とは異なる第２の速度Ｖ２で移動する。これにより、基板３上において、位相差フィルム１０と配向膜７とが接続するように形成される。
【００７９】
スパッタ粒子ｐｆを基板３に供給するときの基板３の移動条件を調整することによって、基板３に入射するスパッタ粒子ｐｆの供給条件（例えば入射角度、基板３上でのスパッタ粒子ｐｆの密度等）を調整できるので、基板３に形成される位相差フィルム１０及び配向膜７の表面形状（構造）を調整できる。そのため、上述の第１の移動条件は、位相差フィルム１０の表面の目標形状（構造）に応じて定められ、第２の移動条件は、配向膜７の表面の目標形状（構造）に応じて定められる。
【００８０】
また、位相差フィルム１０及び配向膜７の表面形状（構造）によって、位相差フィルム１０及び配向膜７それぞれの特性（光学特性等）が変化するので、制御装置１６は、位相差フィルム１０及び配向膜７のそれぞれが所望の特性を有するように、第１の移動条件及び第２の移動条件のそれぞれを調整しつつ、スパッタ粒子ｐｆを供給する。
【００８１】
なお、基板３（基板保持部材１５）の移動条件と、その移動条件に応じた位相差フィルム１０及び配向膜７の表面形状（ひいては光学特性等）との関係は、実験又はシミュレーションによって予め求めることができる。そのため、制御装置１６は、予め求めておいた上述の関係に基づいて、位相差フィルム１０及び配向膜７のそれぞれが所望の特性（光学特性等）を有するように、スパッタ粒子ｐｆを供給するときの基板３の移動条件（第１の移動条件及び第２の移動条件）を調整できる。
【００８２】
このように、本実施形態においては、位相差フィルム１０を形成するときの基板３の移動条件、及び配向膜７を形成するときの基板３の移動条件のそれぞれが最適化されているので、所望の表面形状（特性）をそれぞれ有する位相差フィルム１０及び配向膜７を形成できる。
【００８３】
なお、基板３（基板保持部材１５）の移動条件は、ターゲット材料Ｔ（スパッタ粒子ｐｆ）に対する基板３の移動方向、及び移動速度の少なくとも一方を含む。図４を用いた説明では、基板３の表面とＸＵ平面とをほぼ平行にした状態で、基板３の表面をＵ軸方向に移動しつつスパッタ粒子ｐｆを供給しているが、例えば位相差フィルム１０を形成するときには、基板３の表面をＸＵ平面に対して所定角度傾斜させた状態で、その基板３を移動しつつスパッタ粒子ｐｆを供給し、配向膜７を形成するときには、位相差フィルム１０を形成したときの向きとは異なる向きに基板３の表面を向けた状態で、基板３を移動しつつスパッタ粒子ｐｆを供給するようにしてもよい。すなわち、位相差フィルム１０を形成するときと、配向膜７を形成するときとで、ターゲット材料Ｔ（スパッタ粒子ｐｆ）に対する基板３の姿勢（基板３の表面の向き）を異ならせてもよい。
【００８４】
そして、位相差フィルム１０を形成するときと、配向膜７を形成するときとで、基板３の姿勢を含む基板３の移動条件を異ならせることによって、例えば、位相差フィルム１０を形成するときの基板３に対するスパッタ粒子ｐｆの入射角度と、配向膜７を形成するときの基板３（位相差フィルム１０）に対するスパッタ粒子ｐｆの入射角度とを異ならせることもできる。
【００８５】
図５（Ａ）は、位相差フィルム１０を形成するためのスパッタ粒子ｐｆが基板３の表面に入射している状態を示す模式図である。基板３の表面には、電極（対向電極、画素電極等）が形成されており、位相差フィルム１０を形成するためのスパッタ粒子ｐｆは、基板３の表面に第１の入射角度で入射する。これにより、基板３の表面には、電極を覆うように位相差フィルム１０が形成される。
【００８６】
図５（Ｂ）は、配向膜７を形成するためのスパッタ粒子ｐｆが位相差フィルム１０の表面に入射している状態を示す模式図である。配向膜７を形成するためのスパッタ粒子ｐｆは、位相差フィルム１０の表面に第２の入射角度で入射する。これにより、位相差フィルム１０の上に配向膜７が形成される。
【００８７】
なお、基板３の表面にスパッタ粒子ｐｆを供給しつつ、開口２０に対して基板３の表面を複数回移動（例えば往復移動）してもよい。複数回移動することによって、スパッタ粒子ｐｆに基づく膜を積み重ねることができるので、厚みが厚い位相差フィルム１０及び／又は配向膜７を製造できる。
【００８８】
上述のように、本実施形態においては、基板３の表面にスパッタ粒子ｐｆを斜め方向から入射させており、基板３の表面において、位相差フィルム１０は、無機材料の酸化物の複数の射方柱（カラム、柱状構造体）によって形成される。
【００８９】
図６は、位相差フィルム１０の近傍を模式的に示す拡大図、図７は、図６を更に拡大した図である。図６及び図７に示すように、本実施形態においては、位相差フィルム１０は、無機材料の酸化物からなる複数の射方柱（カラム、柱状構造体）１０Ａを含む。射方柱１０Ａを含む位相差フィルム１０の表面の形状は、左右非対称である。
【００９０】
本実施形態においては、位相差フィルム１０が所望のリタデーションを有するように、射方柱１０Ａの構造が調整（最適化）されている。
【００９１】
なお、リタデーション（リタデーション値）Ｒ’は、例えば特開平１０−１２３３２３号公報に記載されているように、Ｒ’＝（ｎｔ−ｎｐ）×ｄで表される。ここで、ｎｔは位相差フィルムの厚み方向の屈折率、ｎｐは位相差フィルムの面内平均屈折率、ｄは位相差フィルムの厚みである。
【００９２】
具体的には、位相差フィルム１０が所望のリタデーションを有するように、射方柱１０Ａの高さＨ、射方柱の幅（太さ）Ｄ、射方柱の傾斜角度θｃ、及び射方柱１０Ａ同士の間隔Ｌの少なくとも一つが調整（最適化）されている。
【００９３】
なお、高さＨは、複数の射方柱１０Ａの高さの平均値（平均高さ）であり、幅Ｄは、複数の射方柱１０Ａの幅の平均値（平均幅）であり、傾斜角度θｃは、複数の射方柱１０Ａの傾斜角度の平均値（平均傾斜角度）であり、間隔Ｌは、射方柱１０Ａ同士の複数の間隔の平均値（平均間隔）である。また、本実施形態においては、射方柱１０Ａの高さＨは、位相差フィルム１０の厚みに相当する。また、射方柱１０Ａ同士の間隔Ｌは、互いに隣り合う射方柱１０Ａの上端（頂点部分）同士の間隔を意味する。
【００９４】
本発明者は、無機材料の射方柱１０Ａの構造を調整することによって、位相差フィルム１０のリタデーションを調整できることを見出した。また本発明者は、位相差フィルム１０を製造するときの製造条件を調整することによって、無機材料の射方柱１０Ａの構造を調整できることを見出した。すなわち、本発明者は、位相差フィルム１０を製造するときの製造条件を調整することによって、位相差フィルム１０のリタデーションを調整できることを見出した。
【００９５】
製造条件は、スパッタ粒子ｐｆが供給される基板３の温度条件、圧力条件、及び基板３の表面とターゲット材料Ｔの上面１３との距離条件の少なくとも一つを含む。スパッタ粒子ｐｆが供給される基板３の温度条件、圧力条件、及び基板３の表面とターゲット材料Ｔの上面１３との距離条件の少なくとも一つを調整することによって、基板３に形成される射方柱１０Ａの高さＨ、射方柱１０Ａの幅Ｄ、及び射方柱１０Ａ同士の間隔Ｌの少なくとも一つを調整できる。そして、その射方柱１０Ａの高さＨ、射方柱１０Ａの幅Ｄ、及び射方柱１０Ａ同士の間隔Ｌの少なくとも一つを調整することによって、位相差フィルム１０のリタデーションを調整できる。
【００９６】
基板３の温度条件は、基板３の表面の温度に関する条件を含み、温度調整装置２６によって調整可能である。また、基板３の温度条件は、チャンバ１８内の温度（基板３の表面とターゲット材料Ｔの上面１３との間の温度）に関する条件を含み、空調ユニット１９によって調整可能である。また、基板３の圧力条件は、チャンバ１８内の圧力（基板３の表面とターゲット材料Ｔの上面１３との間の圧力）に関する条件を含み、空調ユニット１９によって調整可能である。また、基板３の表面とターゲット材料Ｔの上面１３との距離に関する条件は、例えば基板保持部材１５の駆動装置によって調整可能である。
【００９７】
また、製造条件は、ターゲット材料Ｔに供給する電力に関する条件、基板３にスパッタ粒子ｐｆを供給する時間に関する条件も含む。電力に関する条件、時間に関する条件を調整することによっても、基板３に形成される射方柱１０Ａの高さＨ、射方柱１０Ａの幅Ｄ、及び射方柱１０Ａ同士の間隔Ｌの少なくとも一つを調整できる。
【００９８】
例えば、上述の製造条件を調整して、射方柱１０Ａの高さＨを高くすることによって、位相差フィルム１０のリタデーションを大きくすることができる。また、射方柱１０Ａの幅Ｄを小さくしたり、射方柱１０Ａ同士の間隔Ｌを小さくすることによって、位相差フィルム１０のリタデーションを大きくすることができる。また、射方柱１０Ａの高さＨを低くしたり、射方柱１０Ａの幅Ｄを大きくしたり、射方柱１０Ａ同士の間隔Ｌを大きくすることによって、位相差フィルム１０のリタデーションを小さくすることができる。
【００９９】
なお、上述の温度条件、圧力条件、距離条件、電力条件、及び時間条件のそれぞれに応じて、射方柱１０Ａの高さＨ、射方柱１０Ａの幅Ｄ、及び射方柱１０Ａ同士の間隔Ｌは、様々に変化する。所望のリタデーションを得るための製造条件は、実験又はシミュレーションによって求めることができる。制御装置１６は、位相差フィルム１０のリタデーションを調整するために、実験又はシミュレーションによって求めた製造条件を設定し、その設定した製造条件に基づいて、位相差フィルム１０を形成する。
【０１００】
また、製造条件は、基板３の表面に対するスパッタ粒子ｐｆの入射角度条件を含む。基板３の表面に対するスパッタ粒子ｐｆの入射角度条件を調整することによって、基板３に形成される射方柱１０Ａの傾斜角度θｃを調整できる。そして、その射方柱１０Ａの傾斜角度θｃを調整することによって、位相差フィルム１０のリタデーションを調整できる。入射角度条件は、水平面（ＸＹ平面）に対する基板３の表面の所定角度θ１に関する条件を含み、基板保持部材１５及びその基板保持部材１５を移動する駆動装置によって調整可能である。
【０１０１】
すなわち、基板３の表面に入射するスパッタ粒子ｐｆの入射角度は、所定角度θ１に応じて変化し、射方柱１０Ａの傾斜角度θｃは、入射角度に応じて変化する。すなわち、射方柱１０Ａの傾斜角度θｃは、所定角度θ１に応じて変化する。そのため、所定角度θ１は、射方柱１０Ａの傾斜角度θｃの目標値に応じて設定される。所定角度θ１を調整して、基板３の表面に入射するスパッタ粒子ｐｆの入射角度を調整することによって、射方柱１０Ａの傾斜角度θｃを調整することができる。
【０１０２】
例えば、入射角度条件を調整して、射方柱１０Ａの傾斜角度θｃを小さくすることによって、位相差フィルム１０のリタデーションを小さくすることができる。また、射方柱１０Ａの傾斜角度θｃを大きくすることによって、位相差フィルム１０のリタデーションを大きくすることができる。
【０１０３】
また、本発明者は、基板３に形成される斜方柱１０Ａの化学量論比を調整することによって、位相差フィルム１０のリタデーションを調整できることを見出した。また、本発明者は、位相差フィルム１０を製造するときの、チャンバ１８内の酸素濃度条件、少なくとも基板３の表面とターゲット材料Ｔの上面１３との間の酸素濃度条件を調整することによって、基板３に形成される斜方柱１０Ａの化学量論比を調整できることを見出した。すなわち、本発明者は、位相差フィルム１０を製造するときの酸素濃度条件を含む製造条件を調整することによって、位相差フィルム１０のリタデーションを調整できることを見出した。酸素濃度条件は、チャンバ１８内の酸素の分圧に関する条件を含む。チャンバ１８内の酸素濃度（酸素分圧）は、空調ユニット１９によって調整可能である。
【０１０４】
例えば、ターゲット材料Ｔの組成が既知であっても、実際に基板３の表面に形成される位相差フィルム１０の組成が変化する可能性がある。すなわち、本実施形態においては、ターゲット材料ＴはＳｉＯ２であるが、そのターゲット材料Ｔの組成が既知であっても、例えばチャンバ１８内のガス雰囲気等を含む製造条件によっては、実際に基板３の表面に形成される位相差フィルム１０の組成は、ＳｉＯ２になるとは限らず、ＳｉＯｘ（Ｘは２以外の数値）となる可能性がある。
【０１０５】
本実施形態においては、チャンバ１８内のガス雰囲気を積極的に変化させて、実際に基板３の表面に形成される位相差フィルム１０の組成（珪素と酸素との化学量論比）を調整することによって、形成される位相差フィルム１０のリタデーションを調整する。本実施形態においては、組成ＳｉＯｘの位相差フィルム１０を基板３に形成する場合において、そのＸの値を、１＜Ｘ＜２の範囲で変化させる。特に、１．５≦Ｘ≦１．９の範囲で変化させる。
【０１０６】
例えば、空調ユニット１９を用いてチャンバ１８内の酸素濃度を高めた状態で、基板３の表面にスパッタ粒子ｐｆを供給することによって、基板３の表面に形成される位相差フィルム１０の酸素成分の比（化学量論比）を高めることができる。この場合、位相差フィルム１０のリタデーションは小さくなる。一方、空調ユニット１９を用いてチャンバ１８内の酸素濃度を低下させた状態で、基板３の表面にスパッタ粒子ｐｆを供給することによって、基板３の表面に形成される位相差フィルム１０の酸素成分の比（化学量論比）を低下させることができる。この場合、位相差フィルム１０のリタデーションは大きくなる。
【０１０７】
なお、スパッタ粒子ｐｆが供給される基板３の温度条件、圧力条件、基板３の表面とターゲット材料Ｔの上面１３との距離条件、電力条件、時間条件、及びターゲット材料Ｔの組成の少なくとも一つを調整することによっても、上述のＸの値を変化させることができる。
【０１０８】
このように、スパッタ粒子ｐｆが供給される基板３の温度条件、圧力条件、基板３の表面とターゲット材料Ｔの上面１３との距離条件、電力条件、時間条件、入射角度条件、及び酸素濃度条件の少なくとも一つを調整することによって、所望の光学特性（リタデーション）を有する位相差フィルムを製造できる。
【０１０９】
以上説明したように、本実施形態によれば、位相差フィルム１０と配向膜７とを接続するように形成するので、例えば基板保持部材１５から基板３をリリースすることなく、位相差フィルム１０と配向膜７とを連続的に製造できる。したがって、位相差フィルム１０及び配向膜７を有する液晶装置１を短時間で製造できる。また、無機材料の位相差フィルム１０及び配向膜７を形成するので、耐熱性、耐光性、耐久性に優れた位相差フィルム１０及び配向膜７を製造できる。
【０１１０】
また、位相差フィルム１０を製造するときの製造条件を最適に設定することで、所望の光学特性を有する位相差フィルム１０を製造できる。
【０１１１】
また、本実施形態においては、ターゲット材料Ｔ（プラズマ発生領域ＰＵ）と基板３との間には、仕切部材２１が配置されているので、基板３がプラズマに晒されるのを抑制することができ、プラズマの影響が基板３側に及ぶのを抑制することができる。Ｘ軸方向に関する開口２０の大きさは基板３の表面の大きさよりも大きいものの、Ｙ軸方向（Ｕ軸方向）に関する大きさは小さいので、開口２０を介してプラズマの一部が基板３側に漏れるのを抑え、基板３に及ぼされるプラズマの影響を最小限に抑えることができる。
【０１１２】
なお、本実施形態においては、位相差フィルム１０及び配向膜７がＳｉＯ２で形成される場合を例にして説明したが、上述のように、位相差フィルム１０は、例えばＡｌ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、ＴｉＯ２、ＨｆＯ２で形成可能である。配向膜７も、ＳｉＯ２に限られず、ＳｉＯ、Ａｌ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＭｇＯ、及びＩＴＯ等でで形成可能である。ターゲット材料Ｔは、形成しようとする位相差フィルム１０及び配向膜７に応じて適宜選択される。
【０１１３】
なお、本実施形態においては、基板３の表面が長方形状である場合を例にして説明したが、もちろん、円形状等、他の形状であってもよい。
【０１１４】
なお、第１空間２２で発生したプラズマにより生成される荷電粒子が第２空間２３に進入することを抑制するために、開口２０に、荷電粒子を捕捉するための捕捉部材を配置してもよい。捕捉部材としては、例えば、荷電粒子を捕捉可能であるとともに、スパッタ粒子ｐｆを通過可能な金属製のメッシュが上げられる。メッシュは、アルミニウム等の非磁性金属によって形成されている。メッシュは、接地（アース）される。これにより、第１空間２２の荷電粒子が、基板３が配置されている第２空間２３に進入することを抑制できる。
【０１１５】
＜第２実施形態＞
次に、第２実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
【０１１６】
図８は、第２実施形態に係る製造装置１２Ａを示す図である。製造装置１２Ａは、スパッタ装置１７を含む。本実施形態の製造装置１２Ａは、位相差フィルム１０を形成するための第１スパッタ粒子ｐｆ１を供給可能な第１供給源１４Ａと、配向膜７を形成するための第２スパッタ粒子ｐｆ２を供給可能な第２供給源１４Ｂとを備える。第１供給源１４Ａと第２供給源１４Ｂとは、Ｙ軸方向に並んでいる。
【０１１７】
第１供給源１４Ａは、第１スパッタ粒子ｐｆ１を供給可能な第１ターゲット材料Ｔ１、及びその第１ターゲット材料Ｔ１を保持する第１材料保持部材２５Ａを含む。第２供給源１４Ｂは、第２スパッタ粒子ｐｆ２を供給可能な第２ターゲット材料Ｔ２、及びその第２ターゲット材料Ｔ２を保持する第２材料保持部材２５Ｂを含む。第１、第２材料保持部材２５Ａ、２５Ｂは、スパッタ装置１７Ａの電極を含む。第１、第２ターゲット材料Ｔ１，Ｔ２は、無機材料を含む。
【０１１８】
チャンバ１８の内側は、仕切部材２１Ａによって第１空間２２と第２空間２３とに仕切られている。第１、第２供給源１４Ａ、１４Ｂは、第１空間２２に配置されている。基板３を保持する基板保持部材１５は、第２空間２３に配置されている。
【０１１９】
本実施形態の仕切部材２１Ａは、第１供給源１４Ａ及び第２供給源１４Ｂに対応するように、第１開口２０Ａ及び第２開口２０Ｂを有する。第１開口２０Ａと第２開口２０ＢとはＹ軸方向に並んでいる。第１開口２０Ａは、第１空間２２の第１ターゲット材料Ｔ１と第２空間２３の基板３との間に配置される。第２開口２０Ｂは、第１空間２２の第２ターゲット材料Ｔ２と第２空間２３の基板３との間に配置される。
【０１２０】
本実施形態においては、第１供給源１４Ａは、第２供給源１４Ｂの＋Ｙ側に配置され、第１開口２０Ａは、第２開口２０Ｂの＋Ｙ側に配置されている。
【０１２１】
第１ターゲット材料Ｔ１は、第１材料保持部材（第１電極）２５Ａに保持されており、イオン粒子ｐｓが照射されることによって第１スパッタ粒子ｐｆ１を放出可能な上面１３Ａを有する。上面１３Ａから放出された第１スパッタ粒子ｐｆ１は、第１ターゲット材料Ｔ１に対応するように配置されている第１開口２０Ａを介して、基板３が配置されている第２空間２３に供給される。
【０１２２】
第２ターゲット材料Ｔ２は、第２材料保持部材（第２電極）２５Ｂに保持されており、イオン粒子ｐｓが照射されることによって第２スパッタ粒子ｐｆ２を放出可能な上面１３Ｂを有する。上面１３Ｂから放出された第２スパッタ粒子ｐｆ２は、第２ターゲット材料Ｔ２に対応するように配置されている第２開口２０Ｂを介して、基板３が配置されている第２空間２３に供給される。
【０１２３】
本実施形態においては、第１空間２２は、第２仕切部材５０によって、第１供給源１４Ａが配置される空間と、第２供給源１４Ｂが配置される空間とに仕切られている。これにより、第１、第２供給源１４Ａ、１４Ｂから発生した第１、第２スパッタ粒子ｐｆ１、ｐｆ２が、基板３に到達する前に混合されることが抑制される。
【０１２４】
基板保持部材１５は、基板３の表面とＸＵ平面とがほぼ平行となるように、基板３を保持する。基板保持部材１５は、第２空間２３において、第１、第２ターゲット材料Ｔ１、Ｔ２（第１、第２開口２０Ａ、２０Ｂ）それぞれからの第１、第２スパッタ粒子ｐｆ１、ｐｆ２が供給可能な位置に基板３の表面を配置可能であるとともに、その第１、第２スパッタ粒子ｐｆ１、ｐｆ２が供給可能な位置を含む所定領域内で基板３の表面をＵ軸方向に移動可能である。
【０１２５】
第１開口２０Ａは、基板３に対する第１スパッタ粒子ｐｆ１の供給領域を規定する。第２開口２０Ｂは、基板３に対する第２スパッタ粒子ｐｆ２の供給領域を規定する。制御装置１６は、第１、第２開口２０Ａ、２０Ｂを介した第１、第２スパッタ粒子ｐｆ１、ｐｆ２が供給可能な位置を含む第２空間２３の所定領域内で、基板保持部材１５に保持された基板３の表面をＵ軸方向に移動させつつ、基板３の表面に第１、第２スパッタ粒子ｐｆ１、ｐｆ２を供給する。
【０１２６】
例えば、基板３の表面が第１開口２０Ａと対向した後、第２開口２０Ｂと対向するように、基板３を−Ｕ方向に移動することによって、基板３の表面には、まず、第１ターゲット材料Ｔ１からの第１スパッタ粒子ｐｆ１に基づいて、位相差フィルム１０が形成される。第１ターゲット材料Ｔ１から放出され、第１開口２０Ａを通過した第１スパッタ粒子ｐｆ１は、所定角度θ１に応じて、基板３の表面に斜め方向から入射して、基板３の表面に位相差フィルム１０を形成する。
【０１２７】
その後、その位相差フィルム１０の上に、第２ターゲット材料Ｔ２からの第２スパッタ粒子ｐｆ２に基づいて、配向膜７が形成される。第２ターゲット材料Ｔ２から放出され、第２開口２０Ｂを通過した第２スパッタ粒子ｐｆ２は、所定角度θ１に応じて、位相差フィルム１０の表面に斜め方向から入射して、位相差フィルム１０の表面に配向膜７を形成する。
【０１２８】
上述の第１実施形態と同様、本実施形態においても、製造条件を調整して、基板３に形成される斜方柱１０Ａを調整することによって、リタデーションを調整できる。
【０１２９】
このように、本実施形態によれば、第１ターゲット材料Ｔ１（第１開口２０Ａ）から供給された第１スパッタ粒子ｐｆ１に基づいて基板３に形成された位相差フィルム１０の上に、第２ターゲット材料Ｔ２（第２開口２０Ｂ）から供給された第２スパッタ粒子ｐｆ２に基づいて配向膜７を形成できる。
【０１３０】
第１開口２０Ａを介して基板３に供給される第１スパッタ粒子ｐｆ１と第２開口２０Ｂを介して基板３に供給される第２スパッタ粒子ｐｆ２とは同じ材料（物質）であってもよいし、異なる材料（物質）であってもよい。例えば、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）からなる位相差フィルム１０の上に、二酸化珪素（ＳｉＯ２）からなる配向膜７を形成することもできる。
【０１３１】
また、基板３が第１開口２０Ａと対向する位置を通過するときの移動条件と、第２開口２０Ｂと対向する位置を通過するときの移動条件とが異なっていてもよい。ここで、移動条件は、基板３の移動方向、移動速度、及び移動中の姿勢の少なくとも一つを含む。
【０１３２】
＜第３実施形態＞
次に、第３実施形態について説明する。図９は、第３実施形態に係る製造装置１２Ｂを示す図である。製造装置１２Ｂは、位相差フィルム１０及び配向膜７を形成するスパッタ装置を含む。本実施形態のスパッタ装置は、２つのターゲット材料Ｔ１、Ｔ２を対向するように配置した対向ターゲット型のスパッタ装置である。
【０１３３】
図９において、製造装置１２Ｂは、第１、第２ターゲット材料Ｔ１、Ｔ２が配置される第１空間２２Ｂと、基板３を保持する基板保持部材１５が配置される第２空間２３Ｂとを有する。第１ターゲット材料Ｔ１は第１面Ｔａ１を有し、第２ターゲット材料Ｔ２は第２面Ｔａ２を有する。製造装置１２Ｂは、第１ターゲット材料Ｔ１を保持する第１電極２５Ａと、第２ターゲット材料Ｔ２を保持する第２電極２５Ｂとを有する。製造装置１２Ｂは、第１面Ｔａ１と第２面Ｔａ２とが対向するように、第１、第２ターゲット材料Ｔ１、Ｔ２を第１、第２電極２５Ａ、２５Ｂで保持する。
【０１３４】
第１電極２５Ａには、高周波電源２４Ａが接続され、第２電極２５Ｂには高周波電源２４Ｂが接続されている。また、第１電極２５Ａには第１冷却機構３０が接続され、第２電極２５Ｂには第２冷却機構３１が接続されている。スパッタ装置を含む製造装置１２Ｂは、第１面Ｔａ１と第２面Ｔａ２との間にプラズマ発生領域ＰＵを生成する。
【０１３５】
製造装置１２Ｂは、第１空間２２Ｂのプラズマ発生領域ＰＵに、放電用ガスとしてアルゴンガスを供給する第１ガス供給装置２７と、第２空間２３Ｂに、反応ガスとして酸素ガスを供給する第２ガス供給装置２８とを備える。また、製造装置１２Ｂは、第２空間２３Ｂの圧力、真空度を調整可能な真空システムを含む圧力調整装置２９を備える。
【０１３６】
また、製造装置１２Ｂは、第１空間２２Ｂと第２空間２３Ｂとの間に配置され、第１空間２２Ｂと第２空間２３Ｂとを接続するように形成された開口３２を有する。本実施形態においては、第１空間２２Ｂは、第１電極２５Ａと第２電極２５Ｂとの間の空間を含み、第２空間２３Ｂは、空間形成部材３３の内側の空間を含む。第１、第２電極２５Ａ、２５Ｂと空間形成部材３３との間には、第１空間２２Ｂと第２空間２３Ｂとを接続する通路を形成する通路形成部材３４が配置される。通路形成部材３４で形成される通路は、Ｕ軸方向とほぼ平行である。開口３２は、空間形成部材３３と通路形成部材３４との接続部に形成される。
【０１３７】
本実施形態においては、基板保持部材１５は、基板３の表面とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、且つ基板３の表面が−Ｚ側を向くように、基板３を保持する。開口３２は、基板保持部材１５に保持された基板３の表面と対向可能である。基板保持部材１５は、駆動装置１５Ｄにより、第２空間２３Ｂにおいて、基板３を保持した状態で、開口３２と対向する位置を含む第２空間２３Ｂの所定領域内で、Ｙ軸方向に移動可能である。本実施形態においては、通路形成部材３４で形成される流路と、基板保持部材１５に保持される基板３の表面とは所定角度θ１だけ傾斜している。
【０１３８】
製造装置１２Ｂは、第１ガス供給装置２７よりプラズマ発生領域ＰＵに放電用ガス（アルゴンガス）を供給することによって、その放電用ガスに基づくイオン粒子を生成する。製造装置１２Ｂは、生成したイオン粒子ｐｓを第１、第２ターゲット材料Ｔ１、Ｔ２に照射して、第１、第２ターゲット材料Ｔ１、Ｔ２より、位相差フィルム１０及び配向膜７を形成するためのスパッタ粒子ｐｆを放出させる。第１、第２ターゲット材料Ｔ１、Ｔ２より放出されたスパッタ粒子ｐｆは、通路形成部材３４によって形成された通路を通過し、その通路の上端に形成された開口３２を介して、基板３の表面に供給される。
【０１３９】
また、本実施形態においては、製造装置１２Ｂは、第１空間２２Ｂに発生したプラズマにより生成される荷電粒子を捕捉して、基板３に荷電粒子ｐｋが供給されるのを抑制する捕捉装置３５を備えている。本実施形態においては、捕捉装置３５は、磁力で荷電粒子ｐｋを捕集する磁界生成装置を含む。本実施形態においては、磁界生成装置は、永久磁石を含む。磁界生成装置で生成された磁界に基づく磁力によって、第１空間２２Ｂに発生したプラズマにより生成される荷電粒子ｐ３を捕捉することができる。
【０１４０】
制御装置１６は、基板保持部材１５を用いて基板３をＹ軸方向に第１の移動条件で移動しつつ、第１空間２２Ｂにおいて第１、第２ターゲット材料Ｔ１、Ｔ２より発生したスパッタ粒子ｐｆを、開口３２を介して基板３の表面に供給する。開口３２を介したスパッタ粒子ｐｆは、Ｙ軸方向に移動する基板３の表面に連続的に供給される。これにより、基板３の表面に、位相差フィルム１０が形成される。
【０１４１】
位相差フィルム１０が形成された後、制御装置１６は、基板保持部材１５を用いて基板３をＹ軸方向に第２の移動条件で移動しつつ、第１空間２２Ｂにおいて第１、第２ターゲット材料Ｔ１、Ｔ２より発生したスパッタ粒子ｐｆを、開口３２を介して基板３の表面に供給する。開口３２を介したスパッタ粒子ｐｆは、Ｙ軸方向に移動する位相差フィルム１０の表面に連続的に供給される。これにより、位相差フィルム１０の表面に、配向膜７が形成される。
【０１４２】
本実施形態においては、２つのターゲット材料Ｔ１、Ｔ２が対向するように配置され、第１、第２面Ｔａ１、Ｔａ２は、基板３の表面に対して所定角度θ１だけ傾斜している。また、ターゲット材料Ｔ１、Ｔ２より放出されたスパッタ粒子ｐｆが通過する通路形成部材３４の通路も、基板３の表面に対して所定角度θ１だけ傾斜している。したがって、ターゲット材料Ｔ１、Ｔ２から放射状に放出されたスパッタ粒子ｐｆは、第１ターゲット材料Ｔ１の第１面Ｔａ１と第２ターゲット材料Ｔ２の第２面Ｔａ２との間の第１空間２２Ｂ、及び通路形成部材３４の通路に沿って、基板３の表面に向かって、その基板３の表面に対して傾め方向から入射可能なように進行する。
【０１４３】
上述の第１実施形態と同様、本実施形態においても、製造条件を調整して、基板３に形成される斜方柱１０Ａを調整することによって、位相差フィルムのリタデーションを調整できる。
【０１４４】
また、本実施形態においても、上述の実施形態と同様、スパッタ装置、及びそのスパッタ装置に対応する開口をＹ軸方向に沿って複数配置することができる。
【０１４５】
＜第４実施形態＞
次に、第４実施形態について説明する。上述の第１〜第３実施形態においては、スパッタ法を用いて位相差フィルム１０及び配向膜７を形成する場合を例にして説明したが、第４実施形態においては、蒸着法を用いて位相差フィルム１０及び配向膜７を形成する場合について説明する。
【０１４６】
図１０は、蒸着法に基づいて位相差フィルム１０及び配向膜７を形成可能な製造装置１２Ｃの一例を示す概略構成図である。図７において、製造装置１２Ｃは、位相差フィルム１０及び配向膜７を形成するための材料Ｊの粒子ｐｊを基板３に供給する蒸着源３７と、基板３を保持しながら移動可能であり、蒸着源３７からの粒子ｐｊが供給可能な位置を含む所定領域内で基板３の表面をＵ軸方向に移動させる基板保持部材１５と、製造装置１２Ｃ全体の動作を制御する制御装置１６とを備えている。
【０１４７】
また、製造装置１２Ｃは、チャンバ（成膜室）１８Ｃを備える。製造装置１２Ｃは、チャンバ１８Ｃの内側において、基板３の表面に位相差フィルム１０及び配向膜７を形成する。また、製造装置１２Ｃは、そのチャンバ１８内の環境を調整する空調ユニット１９Ｃを備える。
【０１４８】
蒸着源３７は、蒸気（粒子）ｐｊを生成可能な蒸着用材料Ｊを含む。蒸着用材料Ｊは、無機材料を含む。本実施形態においては、蒸着用材料Ｊは、無機材料の酸化物を含む。本実施形態においては、蒸着用材料Ｊとして、二酸化珪素（ＳｉＯ２）を用いる。製造装置１２Ｃは、蒸着用材料Ｊを加熱して、蒸着用材料Ｊより位相差フィルム１０及び配向膜７を形成するための蒸気（粒子）ｐｊを生成して、その蒸気ｐｊを基板３の表面に供給可能である。
【０１４９】
蒸着源３７は、蒸気（粒子）ｐｊを生成可能な蒸着用材料Ｊと、蒸着用材料Ｊを保持するための空間３８を形成する内面３９を有する空間形成部材４０と、内面３９を加熱する加熱装置４１とを有する。空間形成部材４０は、底板と４枚の側板とを有する。内面３９は、側板に配置されており、空間形成部材４０の上端には開口３６が形成されている。蒸着用材料Ｊは、空間形成部材４０の空間３８の底面に配置される。加熱装置４１は、蒸着用材料Ｊから発生した粒子（蒸気）ｐｊが内面３９に衝突した際に固化したり付着したりしないように、内面３９を加熱する。内面３９が加熱されることにより、内面３９に衝突した粒子ｐｊは、内面３９で反射する。蒸着用材料Ｊからの粒子ｐｊの少なくとも一部は、開口３６を通過可能である。開口３６は、基板３に対する粒子ｐｊの供給領域を規定する。
【０１５０】
基板保持部材１５は、蒸着用材料Ｊ（開口３６）からの粒子ｐｊが供給可能な位置に基板３の表面を配置可能であるとともに、その粒子ｐｊが供給可能な位置を含む所定領域内で基板３の表面をＵ軸方向に移動可能である。基板保持部材１５は、位相差フィルム１０が形成される基板３の表面とＸＵ平面とがほぼ平行となるように、基板３を保持する。
【０１５１】
次に、上述の構成を有する製造装置１２Ｃを用いて基板３に位相差フィルム１０及び配向膜７を形成する方法について説明する。
【０１５２】
制御装置１６は、空調ユニット１９Ｃを用いて、チャンバ１８Ｃ内をほぼ真空状態にする。また、制御装置１６は、加熱装置４１を用いて、内面３９を加熱する。そして、制御装置１６は、蒸着源３７の蒸着用材料Ｊを不図示の加熱機構を用いて加熱して、蒸着用材料Ｊより粒子（蒸気）ｐｊを発生させる。
【０１５３】
蒸着用材料Ｊから発生した粒子ｐｊは放射状に拡がり、その放射状に拡がる粒子ｐｊの少なくとも一部は、内面３９に衝突する。内面３９は加熱されているので、粒子ｐｊが内面３９に衝突した際に固化したり付着したりすることが抑制される。そして、内面３９で形成された空間３８内で、粒子ｐｊは、内面３９との衝突、反射を繰り返しつつ、開口３６に向かう。開口３６から射出される粒子ｐｊの分布は均一化される。
【０１５４】
本実施形態においては、制御装置１６は、開口３６からの粒子ｐｊが供給可能な位置を含むチャンバ１８Ｃの内側の所定領域内で、基板保持部材１５に保持された基板３の表面をＵ軸方向に第１の移動条件で移動させつつ、基板３の表面に粒子ｐｊを供給する。
【０１５５】
上述のように、Ｕ軸方向は、ＹＺ平面内においてＹ軸に対して所定角度θ１だけ傾斜した方向である。蒸着用材料Ｊから放出され、開口３６を通過した粒子ｐｊは、所定角度θ１に応じて、基板３の表面に斜め方向から入射する。
【０１５６】
基板３の表面をＵ軸方向に移動しつつ、開口３６を介した粒子ｐｊを基板３の表面に斜め方向から連続的に供給することによって、基板３の表面に、粒子ｐｊに基づく位相差フィルム１０が形成される。すなわち、本実施形態においては、製造装置１２Ｃは、斜方蒸着法に基づいて、基板３の表面に位相差フィルム１０を形成する。
【０１５７】
また、本実施形態においては、蒸着用材料Ｊから放射状に射出される粒子ｐｊの進行方向が内面３９で調整される。したがって、開口３６は、均一な分布で高い密度を有する複数の粒子ｐｊを基板３に供給できる。したがって、基板３に均一で所望の厚みを有する位相差フィルム１０を短時間で形成できる。また、開口３６と基板３の表面とを近づけても、基板３の表面に均一な位相差フィルム１０を形成できるので、製造装置１２Ｃを小型化することもできる。
【０１５８】
本実施形態においても、基板３の表面に粒子ｐｊを斜め方向から入射させており、基板３の表面において、位相差フィルム１０は、複数の射方柱（カラム、柱状構造体）によって形成される。
【０１５９】
位相差フィルム１０が形成された後、制御装置１６は、開口３６からの粒子ｐｊが供給可能な位置を含むチャンバ１８Ｃの内側の所定領域内で、基板保持部材１５に保持された基板３の表面をＵ軸方向に第２の移動条件で移動させつつ、位相差フィルム１０の表面に粒子ｐｊを供給する。
【０１６０】
蒸着用材料Ｊから放出され、開口３６を通過した粒子ｐｊは、所定角度θ１に応じて、基板３の表面に斜め方向から入射する。基板３の表面をＵ軸方向に移動しつつ、開口３６を介した粒子ｐｊを基板３の表面に斜め方向から連続的に供給することによって、位相差フィルム１０の表面に、粒子ｐｊに基づく配向膜７が形成される。配向膜７は、複数の射方柱（カラム、柱状構造体）によって形成される。
【０１６１】
＜第５実施形態＞
次に、第５実施形態について説明する。図１１は、第５実施形態に係る製造装置１２Ｄを示す図である。図１１において、製造装置１２Ｄは、位相差フィルム１０を形成するための第１粒子ｐｊ１を供給可能な第１蒸着源３７Ａと、配向膜７を形成するための第２粒子ｐｊ２を供給可能な第２蒸着源３７Ｂとを備える。第１蒸着源３７Ａと第２蒸着源３７Ｂとは、Ｙ軸方向に並んでいる。
【０１６２】
第１蒸着源３７Ａは、第１粒子ｐｊ１を発生可能な第１蒸着用材料Ｊ１を含み、第２蒸着源３７Ｂは、第２粒子ｐｊ２を発生可能な第２蒸着用材料Ｊ２を含む。第１蒸着用材料Ｊ１から発生した第１粒子ｐｊ１は、第１開口３６Ａを介して、基板３に供給される。第２蒸着用材料Ｊ２から発生した第２粒子ｐｊ２は、第２開口３６Ａを介して、基板３に供給される。
【０１６３】
本実施形態においては、第１、第２開口３６Ａ、３６Ｂが、Ｕ軸方向に移動する基板３の表面の近くに配置されるように、第１、第２蒸着源３７Ａ、３７Ｂそれぞれの空間形成部材４０の形状が調整されている。これにより、第１、第２蒸着源３７Ａ、３７Ｂから発生した第１、第２粒子ｐｊ１、ｐｊ２が、基板３に到達する前に混合されることが抑制される。
【０１６４】
本実施形態においても、第１、第２蒸着用材料Ｊ１、Ｊ２それぞれからの第１、第２粒子ｐｊ１、ｐｊ２が供給可能な位置を含む所定領域内で基板３の表面をＵ軸方向に移動することによって、基板３上に、位相差フィルム１０と配向膜７とを接続するように形成できる。
【０１６５】
なお、本実施形態において、基板３が第１開口３６Ａと対向する位置を通過するときの移動条件と、第２開口３６Ｂと対向する位置を通過するときの移動条件とが異なっていてもよい。
【０１６６】
また、本実施形態において、第１開口３６Ａを介して基板３に供給される第１粒子ｐｊ１と第２開口３６Ｂを介して基板３に供給される第２粒子ｐｊ２とは同じ材料（物質）であってもよいし、異なる材料（物質）であってもよい。例えば、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）からなる位相差フィルム１０の上に、二酸化珪素（ＳｉＯ２）からなる配向膜７を形成することもできる。
【０１６７】
なお、上述の各実施形態においては、液晶装置１の一部を形成する位相差フィルム及び配向膜を形成する場合を例にして説明したが、本発明に係る位相差フィルム及び配向膜は、液晶装置に限られず、各種デバイスに適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１６８】
【図１】第１実施形態に係る液晶装置の一例を示す断面図である。
【図２】第１実施形態に係る製造装置の一例を示す概略構成図である。
【図３】基板、開口、及びターゲット材料の関係を示す模式図である。
【図４】第１実施形態に係る製造方法の一例を示す模式図である。
【図５】第１実施形態に係る製造方法の一例を示す模式図である。
【図６】位相差フィルムの近傍を模式的に示す拡大図である。
【図７】図６を拡大した図である。
【図８】第２実施形態に係る製造装置の一例を示す概略構成図である。
【図９】第３実施形態に係る製造装置の一例を示す概略構成図である。
【図１０】第４実施形態に係る製造装置の一例を示す概略構成図である。
【図１１】第５実施形態に係る蒸着源を示す斜視図である。
【符号の説明】
【０１６９】
３…基板、７…配向膜、１０…位相差フィルム、１０Ａ…斜方柱、１２…製造装置、１３…上面、１４…供給源、１４Ａ…第１供給源、１４Ｂ…第２供給源、１５…基板保持部材、１６…制御装置、１７…スパッタ装置、１９…空調ユニット、２０…開口、２０Ａ…第１開口、２０Ｂ…第２開口、２２…第１空間、２３…第２空間、３６…開口、３６Ａ…第１開口、３６Ｂ…第２開口、３７…蒸着源、３７Ａ…第１蒸着源、３７Ｂ…第２蒸着源、３８…空間、Ｊ…蒸着用材料、Ｊ１…第１蒸着用材料、Ｊ２…第２蒸着用材料、Ｔ…ターゲット材料、Ｔ１…第１ターゲット材料、Ｔ２…第２ターゲット材料、
【図１】
2008176026.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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