(57)【要約】【課題】  下部アドレッシング構造の圧電アクチュエータの信頼性を向上させること。【解決手段】  絶縁性基板３１の上面を、凹部３６及び凸部３７を有する凹凸面に加工する工程（Ａ）、絶縁性基板３１の凹部３６に個別電極として下部電極膜３２を成膜して、下部電極膜３２の上面と絶縁性基板３１の凸部３７の上面とで段差のない平坦面を形成する工程（Ｂ）及び（Ｃ）、平坦面上に圧電体膜３３を成膜する工程（Ｄ）、圧電体膜３３上に上部電極膜３４を成膜する工程（Ｅ）を含む。基板の一方の面に、凹凸膜を成膜し、この凹凸膜の凹部に下部電極膜３２を成膜して、下部電極膜３２の上面と前記凹凸膜の凸部の上面とで段差のない平坦面を形成してもよい。また、基板上の下部電極膜３２が形成されていない領域に、下部電極膜３２の厚みと同じ厚みを有する段差吸収膜を成膜して、この段差吸収膜の上面と下部電極膜３２の上面とで段差のない平坦面を形成してもよい。【選択図】  図３
2008218917.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
個別電極膜、圧電体膜、及び、共通電極膜の順に積層された圧電アクチュエータの製造方法において、
少なくとも表面が絶縁性材料からなる基板の一方の面を、凹部及び凸部を有する凹凸面に加工する工程と、
前記基板の前記凹部に前記個別電極膜を成膜して、該個別電極膜の上面と前記基板の前記凸部の上面とで段差のない平坦面を形成する平坦面形成工程と、
前記平坦面上に前記圧電体膜を成膜する工程と、
前記圧電体膜上に前記共通電極膜を成膜する工程と、
を含むことを特徴とする圧電アクチュエータの製造方法。
【請求項２】
個別電極膜、圧電体膜、及び、共通電極膜の順に積層された圧電アクチュエータの製造方法において、
所定の基板の一方の面に、絶縁性材料からなり凹部及び凸部を有する凹凸膜を成膜する工程と、
前記凹凸膜の前記凹部に前記個別電極膜を成膜して、該個別電極膜の上面と前記凹凸膜の前記凸部の上面とで段差のない平坦面を形成する平坦面形成工程と、
前記平坦面上に前記圧電体膜を成膜する工程と、
前記圧電体膜上に前記共通電極膜を成膜する工程と、
を含むことを特徴とする圧電アクチュエータの製造方法。
【請求項３】
個別電極膜、圧電体膜、及び、共通電極膜の順に積層された圧電アクチュエータの製造方法において、
所定の基板の一方の面に、前記個別電極膜を成膜する工程と、
前記基板上の前記個別電極膜が形成されていない領域に、絶縁性材料からなり前記個別電極膜の厚みと同じ厚みを有する段差吸収膜を成膜して、該段差吸収膜の上面と前記個別電極膜の上面とで段差のない平坦面を形成する平坦面形成工程と、
前記平坦面上に前記圧電体膜を成膜する工程と、
前記圧電体膜上に前記共通電極膜を成膜する工程と、
を含むことを特徴とする圧電アクチュエータの製造方法。
【請求項４】
請求項１に記載の圧電アクチュエータの製造方法において、
前記平坦面形成工程は、
前記基板の前記凹凸面の全面に導電性膜を成膜する工程と、
前記導電性膜を平坦化して前記個別電極膜とする工程と、
を含むことを特徴とする圧電アクチュエータの製造方法。
【請求項５】
請求項２に記載の圧電アクチュエータの製造方法において、
前記平坦面形成工程は、
前記凹凸膜の全面に導電性膜を成膜する工程と、
前記導電性膜を平坦化して前記個別電極膜とする工程と、
を含むことを特徴とする圧電アクチュエータの製造方法。
【請求項６】
請求項３に記載の圧電アクチュエータの製造方法において、
前記平坦面形成工程は、
前記個別電極膜が形成された前記基板上の凹凸状の全面に絶縁性膜を成膜する工程と、
前記絶縁性膜を平坦化して前記段差吸収膜とする工程と、
を含むことを特徴とする圧電アクチュエータの製造方法。
【請求項７】
請求項１乃至６の何れか１項に記載の圧電アクチュエータの製造方法において、
前記絶縁性材料として、前記基板中の物質が前記圧電体膜へ拡散することを防止する酸化物又は窒化物又は酸窒化物を用いることを特徴とする圧電アクチュエータの製造方法。
【請求項８】
絶縁性材料からなる基板上に、個別電極膜、圧電体膜、及び、共通電極膜の順に積層され、
前記基板の上面は、前記個別電極膜の厚みと同じ高さの凸部を有する凹凸面であり、
前記個別電極膜の上面と前記基板の前記凸部の上面とで段差のない平坦面が構成されており、該平坦面上に前記圧電体膜が配置されていることを特徴とする圧電アクチュエータ。
【請求項９】
所定の基板上に、絶縁性材料からなる凹凸膜、個別電極膜、圧電体膜、及び、共通電極膜の順に積層され、
前記凹凸膜は、前記個別電極膜の厚みと同じ高さの凸部を有し、
前記個別電極膜の上面と前記凹凸膜の凸部の上面とで段差のない平坦面が構成されており、該平坦面上に前記圧電体膜が配置されていることを特徴とする圧電アクチュエータ。
【請求項１０】
所定の基板上に、個別電極膜、圧電体膜、及び、共通電極膜の順に積層され、
前記基板上の前記個別電極膜が形成されていない領域に、絶縁性材料からなり前記個別電極膜の厚みと同じ厚みの段差吸収膜が配置され、
前記個別電極膜の上面と前記段差吸収膜の上面とで段差のない平坦面が構成されており、該平坦面上に前記圧電体膜が配置されていることを特徴とする圧電アクチュエータ。
【請求項１１】
液体を吐出する吐出口と、
前記吐出口に連通する圧力室と、
前記圧力室の容積を変化させることにより前記吐出口から液体を吐出させる請求項８乃至１０の何れか１項に記載の圧電アクチュエータと、
を備えたことを特徴とする液体吐出ヘッド。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板側の下部電極を個別電極として用いるアドレッシング構造を有する圧電アクチュエータの製造方法、圧電アクチュエータ及び液体吐出ヘッドに関する。
【背景技術】
【０００２】
液体を吐出するノズル、ノズルに連通する圧力室、及び、圧力室内の容積を変化させる圧電アクチュエータからなる液体吐出素子を複数備えた液体吐出ヘッドが知られている。ここで、圧電アクチュエータは、一般に、圧力室の一壁面を構成する振動板を基板として、この基板上に、下部電極、圧電体膜、及び、上部電極の順に積層されているものが用いられる。
【０００３】
液体吐出ヘッドの各液体吐出素子毎に個別に圧電アクチュエータを駆動するためのアドレッシング構造としては、基板側の下部電極を共通電極として用いて上部電極を個別電極として用いる構造（上部アドレッシング構造）が一般的である。
【０００４】
その一方で、基板側の下部電極を個別電極として用いて上部電極を共通電極として用いる構造（下部アドレッシング構造）も知られている（例えば特許文献１を参照）。
【０００５】
圧電体膜の形成方法としては、例えば、エアロゾルデポジション法、スパッタリング法、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法、ゾルゲル法などが挙げられる（例えば特許文献２を参照）。
【０００６】
振動板を構成する基板としては、例えば、Ｓｉ（シリコン）基板が用いられる。この場合、その表面が二酸化珪素（ＳｉＯ２）膜や、窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）、酸窒化珪素（ＳｉＯＮ）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）などで覆われている基板が用いられる（例えば特許文献３、４を参照）。
【特許文献１】特開２００６−６０９６号公報
【特許文献２】特開２００６−１９７１８号公報
【特許文献３】特開平１１−３０９８５８号公報
【特許文献４】特開２００４−１７９５４９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
スパッタリングにより振動板上に成膜した圧電体膜は、配向性が高い分極状態を持つ一方で、通常の上部アドレッシング構造の液体吐出ヘッドにおける分極方向とは反対の分極方向を持つ。具体的には、５００℃近傍の温度条件で成膜したＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）あるいは変性ＰＺＴ（他材料をドーピングしたＰＺＴである）からなる圧電体膜では、振動板上の成膜面に対して垂直上向き（膜厚方向上向き）に分極された状態で成膜される。このような分極方向のままで圧電体膜を用いる方法としては、マイナス駆動も考えられるが、マイナス駆動では一般に駆動系が複雑になるので、コストアップになるといった問題がある。分極方向を反転させる方法も考えられるが、同じ電圧で得られる変位が２〜３割下がってしまうといった問題がある。
【０００８】
したがって、スパッタリングにより成膜して得られた配向性の高い分極状態を維持しつつ、低コストを維持しようとすると、下部アドレッシング構造とせざるを得ない。すなわち、基板としての振動板側の下部電極を個別電極としてアドレッシングし、上部電極を共通電極として用いる構造にする必要がある。
【０００９】
しかしながら、図１５に示すように、下部アドレッシング構造の圧電アクチュエータ９０では、基板９１を介して個別電極９２同士が導通しないように基板９１に対する絶縁処理をする必要があるだけでなく、振動板９１上の個別電極としての下部電極９２が有るところと無いところとの境界に段差９５が生じ、そのような段差９５の上に圧電体膜９３を成膜することになる。そうすると、圧電体膜９３の上面には凹凸が生じ、圧電体膜９３上の上部電極９４にはクラック９６が発生して、クラック９６の発生箇所で共通電極としての上部電極９４が絶縁されてしまうといった課題がある。
【００１０】
また、圧電体膜９３の焼成、成膜時に、下部電極９２の有るところと無いところとが同時に加熱されるので、圧電体膜９３の成長や、圧電体膜９３への振動板９１からの物質の拡散状態が、圧電体膜９３の下部電極９２上の部分とそれ以外の部分とで異なってしまい、圧電体膜９３が振動板９１から剥離し易くなるなどの別の課題もある。具体的には、圧電体膜９３の下部電極９２上の部分はいわゆる柱状ペロブスカイト構造となるが、圧電体膜９３の下部電極９２上でない部分（すなわち振動板９１上の部分）は、いわゆるパイロクロア相になり、図１５中の矢印９７に示す方向において振動板９１から圧電体膜９３が剥離してしまうことになる。
【００１１】
このような従来の圧電アクチュエータ９０を備えた液体吐出ヘッドの一部を図１６（Ａ）の平面図に示し、その１６Ｂ−１６Ｂ線に沿った断面を図１６（Ｂ）に示す。図１６（Ａ）に示す液体吐出ヘッド９５０において、複数の圧電アクチュエータ９０の共通電極としての上部電極９４は、その共通配線部９４ａにおいて互いに連結している。図１６（Ｂ）中に符号１５で示す部分は、図１５に示した構造部分に相当する。このような符号１５で示した構造部分は、下部アドレッシング構造（すなわち下部電極９２が個別電極であって上部電極９４が共通電極である構造）ではどうしても必要であり、前述したように段差９５に因りクラック９６が発生してしまう。このようなクラック９６の発生箇所（すなわち図１６（Ａ）及び（Ｂ）における上部電極９４の狭窄形状の支線部９４ｂ）では絶縁が生じることになり、共通電極としての上部電極９４の接続信頼性が低下するという課題があった。
【００１２】
特許文献１〜４には、上記の課題についても、その解決手段についても、記載がない。
【００１３】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、基板側の下部電極を個別電極として用いる下部アドレッシング構造の圧電アクチュエータについて信頼性を向上させることができる圧電アクチュエータの製造方法、圧電アクチュエータ及び液体吐出ヘッドを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
前記目的を達成するために、請求項１に記載の発明は、個別電極膜、圧電体膜、及び、共通電極膜の順に積層された圧電アクチュエータの製造方法において、少なくとも表面が絶縁性材料からなる基板の一方の面を、凹部及び凸部を有する凹凸面に加工する工程と、前記基板の前記凹部に前記個別電極膜を成膜して、該個別電極膜の上面と前記基板の前記凸部の上面とで段差のない平坦面を形成する平坦面形成工程と、前記平坦面上に前記圧電体膜を成膜する工程と、前記圧電体膜上に前記共通電極膜を成膜する工程と、を含むことを特徴とする圧電アクチュエータの製造方法を提供する。
【００１５】
ここで、圧電体膜の成膜方法としては、スパッタリング、ゾルゲル法、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）といった堆積法を用いることができ、これらの堆積法によって得られる性能の高い安定した分極方向を利用する。
【００１６】
この発明によれば、基板の凹部に形成された個別電極膜の上面と基板の個別電極膜が形成されていない凸部の上面とで段差のない平坦面が形成され、この平坦面上に圧電体膜が成膜されるので、圧電体膜も段差なく一様に形成できて、圧電体膜上に成膜された共通電極膜にクラックが発生することが防止され、もって共通電極膜の接続信頼性が向上されることになる。
【００１７】
請求項２に記載の発明は、個別電極膜、圧電体膜、及び、共通電極膜の順に積層された圧電アクチュエータの製造方法において、所定の基板の一方の面に、絶縁性材料からなり凹部及び凸部を有する凹凸膜を成膜する工程と、前記凹凸膜の前記凹部に前記個別電極膜を成膜して、該個別電極膜の上面と前記凹凸膜の前記凸部の上面とで段差のない平坦面を形成する平坦面形成工程と、前記平坦面上に前記圧電体膜を成膜する工程と、前記圧電体膜上に前記共通電極膜を成膜する工程と、を含むことを特徴とする圧電アクチュエータの製造方法を提供する。
【００１８】
この発明によれば、基板上の凹凸膜の凹部に形成された個別電極膜の上面と凹凸膜の個別電極膜が形成されていない凸部の上面とで段差のない平坦面が形成され、この平坦面上に圧電体膜が成膜されるので、圧電体膜も段差なく一様に形成できて、圧電体膜上に成膜された共通電極膜にクラックが発生することが防止され、もって共通電極膜の接続信頼性が向上されることになる。
【００１９】
請求項３に記載の発明は、個別電極膜、圧電体膜、及び、共通電極膜の順に積層された圧電アクチュエータの製造方法において、所定の基板の一方の面に、前記個別電極膜を成膜する工程と、前記基板上の前記個別電極膜が形成されていない領域に、絶縁性材料からなり前記個別電極膜の厚みと同じ厚みを有する段差吸収膜を成膜して、該段差吸収膜の上面と前記個別電極膜の上面とで段差のない平坦面を形成する平坦面形成工程と、前記平坦面上に前記圧電体膜を成膜する工程と、前記圧電体膜上に前記共通電極膜を成膜する工程と、を含むことを特徴とする圧電アクチュエータの製造方法を提供する。
【００２０】
この発明によれば、基板上に形成された個別電極膜の上面と、基板上の個別電極膜が形成されていない領域に形成された段差吸収膜の上面とで、段差のない平坦面が形成され、この平坦面上に圧電体膜が成膜されるので、圧電体膜も段差なく一様に形成されて、圧電体膜上に成膜された共通電極膜にクラックが発生することが防止され、もって共通電極膜の接続信頼性が向上されることになる。
【００２１】
請求項４に記載の発明は、請求項１に記載の圧電アクチュエータの製造方法において、前記平坦面形成工程は、前記基板の前記凹凸面の全面に導電性膜を成膜する工程と、前記導電性膜を平坦化して前記個別電極膜とする工程と、を含むことを特徴とする圧電アクチュエータの製造方法を提供する。
【００２２】
この発明によれば、平坦面の平坦性を容易に高めることができる。
【００２３】
請求項５に記載の発明は、請求項２に記載の圧電アクチュエータの製造方法において、前記平坦面形成工程は、前記凹凸膜の全面に導電性膜を成膜する工程と、前記導電性膜を平坦化して前記個別電極膜とする工程と、を含むことを特徴とする圧電アクチュエータの製造方法を提供する。
【００２４】
この発明によれば、平坦面の平坦性を容易に高めることができる。
【００２５】
請求項６に記載の発明は、請求項３に記載の圧電アクチュエータの製造方法において、前記平坦面形成工程は、前記個別電極膜が形成された前記基板上の凹凸状の全面に絶縁性膜を成膜する工程と、前記絶縁性膜を平坦化して前記段差吸収膜とする工程と、を含むことを特徴とする圧電アクチュエータの製造方法を提供する。
【００２６】
この発明によれば、平坦面の平坦性を容易に高めることができる。また、個別電極膜、段差吸収膜の成膜順として、段差吸収膜の平坦化を行うようにしたことにより、平坦化の精度を容易に向上させることができる。
【００２７】
請求項７に記載の発明は、請求項１乃至６の何れか１項に記載の圧電アクチュエータの製造方法において、前記絶縁性材料として、前記基板中の物質が前記圧電体膜へ拡散することを防止する酸化物又は窒化物又は酸窒化物を用いることを特徴とする圧電アクチュエータの製造方法を提供する。
【００２８】
酸化物としては例えばＺｒＯ２、Ａｌ２Ｏ３が挙げられる。窒化物としては例えばＳｉＣＮ、ＴｉＡｌＮ、Ｓｉ３Ｎ４、ＴｉＡｌＣｒＮが挙げられる。酸窒化物としては例えばＳｉＯＮが挙げられる。
【００２９】
この発明によれば、圧電体膜を焼成しても、基板中の物質が圧電体膜へ拡散することが防止されるので、圧電体膜中にいわゆるパイロクロア相が生じなくなり、圧電体膜の基板側の境界面での密着強度が向上して、圧電体膜の剥離が防止され、もって圧電アクチュエータの性能の信頼性が向上する。
【００３０】
なお、絶縁性材料は、基板中の物質が圧電体膜へ拡散することを防止するとともに、圧電体膜中の物質が基板へ拡散することも防止する材料であることが、好ましい。また、絶縁性材料自体が圧電体膜及び基板へ拡散しないことが、好ましい。
【００３１】
請求項８に記載の発明は、絶縁性材料からなる基板上に、個別電極膜、圧電体膜、及び、共通電極膜の順に積層され、前記基板の上面は、前記個別電極膜の厚みと同じ高さの凸部を有する凹凸面であり、前記個別電極膜の上面と前記基板の前記凸部の上面とで段差のない平坦面が構成されており、該平坦面上に前記圧電体膜が配置されていることを特徴とする圧電アクチュエータを提供する。
【００３２】
請求項９に記載の発明は、所定の基板上に、絶縁性材料からなる凹凸膜、個別電極膜、圧電体膜、及び、共通電極膜の順に積層され、前記凹凸膜は、前記個別電極膜の厚みと同じ高さの凸部を有し、前記個別電極膜の上面と前記凹凸膜の凸部の上面とで段差のない平坦面が構成されており、該平坦面上に前記圧電体膜が配置されていることを特徴とする圧電アクチュエータを提供する。
【００３３】
請求項１０に記載の発明は、所定の基板上に、個別電極膜、圧電体膜、及び、共通電極膜の順に積層され、前記基板上の前記個別電極膜が形成されていない領域に、絶縁性材料からなり前記個別電極膜の厚みと同じ厚みの段差吸収膜が配置され、前記個別電極膜の上面と前記段差吸収膜の上面とで段差のない平坦面が構成されており、該平坦面上に前記圧電体膜が配置されていることを特徴とする圧電アクチュエータを提供する。
【００３４】
請求項１１に記載の発明は、液体を吐出する吐出口と、前記吐出口に連通する圧力室と、前記圧力室の容積を変化させることにより前記吐出口から液体を吐出させる請求項８乃至１０の何れか１項に記載の圧電アクチュエータと、を備えたことを特徴とする液体吐出ヘッドを提供する。
【発明の効果】
【００３５】
本発明によれば、基板側の下部電極を個別電極として用いる下部アドレッシング構造の圧電アクチュエータについて信頼性を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３６】
以下、添付図面に従って、本発明の実施形態について、詳細に説明する。
【００３７】
（第１実施形態）
図１は、第１実施形態に係る圧電アクチュエータ３０ａを備えた液体吐出ヘッド５０ａの一部を示す平面図である。図１の２Ａ−２Ａ線に沿った垂直断面を図２（Ａ）に示し、２Ｂ−２Ｂ線に沿った垂直断面を図２（Ｂ）に示す。
【００３８】
図１において、本実施形態における圧電アクチュエータ３０ａは、絶縁性材料からなる絶縁性基板３１と、導電性材料からなる下部電極膜３２と、圧電性材料からなる圧電体膜３３と、導電性材料からなる上部電極膜３４によって、構成されている。
【００３９】
本圧電アクチュエータ３０ａは、下部電極膜３２を個別電極として用い、上部電極膜３４を共通電極として用いる構造（以下「下部アドレッシング構造」という）を有する。また、下部電極膜３２を「個別電極膜」といい、上部電極膜３４を「共通電極膜」ということもある。
【００４０】
図２（Ａ）及び（Ｂ）において、絶縁性基板３１の上面（下部電極膜３２を形成する側の面である）は凹部３６及び凸部３７を有する凹凸面となっており、凸部３７の高さ（すなわち凹部３６の深さ）は下部電極膜３２の厚みと同じである。絶縁性基板３１の凹部３６内に一定膜厚の下部電極膜３２が配置されている。下部電極膜３２の上面と絶縁性基板３１の凸部３７の上面とで段差のない平坦面が構成されている。この平坦面上に一定膜厚の圧電体膜３３が配置され、圧電体膜３３上に上部電極膜３４が配置されている。
【００４１】
このように本実施形態では、個別電極として用いる下部電極膜３２の有無に因る段差を、絶縁性基板３１の凹凸面によって吸収している。このような絶縁性基板３１を「段差吸収基板」ということもある。
【００４２】
例えば、下部電極膜３２の膜厚は０．１〜０．５μｍ、圧電体膜３３の膜厚は３〜１０μｍ、上部電極膜３４の膜厚は０．１〜０．３μｍである。
【００４３】
図２（Ａ）及び（Ｂ）において、液体を吐出するノズル５１（液体吐出口）、ノズル５１に連通する圧力室５２と、圧力室５２へ液体を供給するための液体供給口５３、及び、圧力室５２の容積を変化させることによりノズル５１から液体を吐出させる圧電アクチュエータ３０ａによって、液体吐出素子５４が構成されている。このような液体吐出素子５４が２次元配列されて、液体吐出ヘッド５０ａが構成されている。
【００４４】
また、絶縁性基板３１は、圧力室５２が形成された圧力室形成板となっている。絶縁性基板３１のうち、圧力室５２の天面板となっている部分、すなわち圧力室５２内の液体に接する部分は、振動板として機能する。
【００４５】
絶縁性基板３１の下面に固着されているノズル形成板２１には、ノズル５１と、複数の圧力室５２へ液体を供給するための共通流路５５が形成されている。
【００４６】
上部電極膜３４は、図１に示すように、共通配線部３４ａ、支線部３４ｂ及び電極部３４ｃによって構成されている。言い換えると、各圧力室５２毎の電極部３４ｃは、それぞれ支線部３４ｂを介して、複数の圧力室５２で共通の共通配線部３４ａに接続されている。これらの共通配線部３４ａ、支線部３４ｂ及び電極部３４ｃは、図２（Ａ）に示すように、下部電極膜３２の上面と絶縁性基板３１の凸部３７の上面とで構成されている平坦面上の膜厚一定の圧電体膜３３上に配置されている。すなわち、上部電極膜３４の全体が圧電体膜３３の平坦な上面に形成されている。
【００４７】
また、図１に示すように、下部電極膜３２の短辺幅Ｗｌは圧電体膜３３の短辺幅Ｗｐよりも小さく、また、上部電極膜３４の電極部３４ｃの短辺幅Ｗｕは圧電体膜３３の短辺幅Ｗｐよりも小さい。すなわち、各圧力室５２上で、各圧力室５２の水平開口断面における短辺に沿って、Ｗｌ＜Ｗｐ、且つ、Ｗｕ＜Ｗｐとなっている。これにより、薄膜の圧電体膜３３の側面に沿った沿面放電が防止され、圧電アクチュエータ３０ａの信頼性が向上する。
【００４８】
図３（Ａ）〜（Ｈ）及び図４（Ａ）〜（Ｈ）は、図１、図２（Ａ）及び（Ｂ）に示した圧電アクチュエータ３０ａの製造方法の一例を示す工程図である。ここで、図３（Ａ）〜（Ｈ）は図１の２Ａ−２Ａ線に沿った断面に相当し、図４（Ａ）〜（Ｈ）は図１の２Ｂ−２Ｂ線に沿った断面に相当する。
【００４９】
これらの図３（Ａ）〜（Ｈ）及び図４（Ａ）〜（Ｈ）を用いて、本実施形態の圧電アクチュエータ３０ａ及び液体吐出ヘッド５０ａの製造処理について説明する。
【００５０】
まず、図３（Ａ）及び図４（Ａ）に示すように、絶縁性基板３１の上面（下部電極膜３２を成膜する側の面である）を、凹部３６及び凸部３７からなる凹凸面に加工する。すなわち、絶縁性基板３１の上面に対して段差加工を施す。
【００５１】
絶縁性基板３１に用いる絶縁性材料としては、ＺｒＯ２、Ａｌ２Ｏ３などの酸化物、ＳｉＣＮ、ＴｉＡｌＮ、Ｓｉ３Ｎ４、ＴｉＡｌＣｒＮなどの窒化物、ＳｉＯＮなどの酸窒化物が挙げられる。
【００５２】
絶縁性基板３１の凹部３６の水平方向Ｈにおける平面形状（垂直方向Ｖから見た形状である）は、形成しようとする下部電極膜３２の水平方向Ｈにおける平面形状に等しい。
【００５３】
絶縁性基板３１の凸部３７は、形成しようとする下部電極膜３２の高さと同じ高さで形成する。なお、形成しようとする下部電極膜３２の高さよりも凸部３７を高く形成しておき、図３（Ｃ）及び図４（Ｃ）に示す後の研磨工程で凸部３７の高さが下部電極膜３２の高さと同じになるように研磨してもよい。
【００５４】
段差加工は、具体的には、サンドブラスト、      ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）、ウェットエッチング等の加工法で行う。
【００５５】
また、絶縁性基板３１と同じ材料をその絶縁性基板３１上に成膜することで段差加工を行ってもよい。具体的には、まず、絶縁性基板３１の平坦面において凸部３７を形成しない領域にレジストを形成し、次に、レジストで覆われていない領域に絶縁性基板３１と同じ材料を成膜することで、凸部３７を形成する。成膜手法としては、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）、スパッタリング、イオンプレーティングがある。
【００５６】
次に、図３（Ｂ）及び図４（Ｂ）に示すように、絶縁性基板３１の凹凸面の全面に、スパッタリング又は蒸着により、導電性膜３２０を成膜する。これにより、絶縁性基板３１の凹部３６及び凸部３７は、導電性膜３２０によって覆われる。
【００５７】
導電性膜３２０の材料としては、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｔｉ等の導電性材料が挙げられる。
【００５８】
次に、図３（Ｃ）及び図４（Ｃ）に示すように、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）により、導電性膜３２０を研磨して下部電極膜３２を形成する。このような研磨により、下部電極膜３２の上面と絶縁性基板３１の凸部３７の上面とで段差のない平坦面が形成される。ここで、絶縁性基板３１の凹部３６に形成された下部電極膜３２の厚みは、絶縁性基板３１の凸部３７の高さに等しい。
【００５９】
次に、図３（Ｄ）及び図４（Ｄ）に示すように、下部電極膜３２の上面と絶縁性基板３１の凸部３７の上面とからなる平坦面上に、スパッタリングにより、圧電体膜３３を成膜する。なお、圧電体膜３３の成膜方法は、スパッタリングに特に限定されず、ゾルゲル法、ＣＶＤ法などの他の堆積法を用いてもよい。圧電体膜３３の材料としては、例えばＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）が用いられる。
【００６０】
次に、図３（Ｅ）及び図４（Ｅ）に示すように、スパッタリングにより、圧電体膜３３上に上部電極膜３４を成膜し、図３（Ｆ）及び図４（Ｆ）に示すように、上部電極膜３４をエッチングし、図３（Ｇ）及び図４（Ｇ）に示すように、圧電体膜３３をエッチングする。
【００６１】
上部電極膜３４の材料としては、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｔｉ、Ａｕ等の導電性材料が挙げられる。
【００６２】
次に、図３（Ｈ）及び図４（Ｈ）に示すように、エッチングにより、絶縁性基板３１に圧力室５２としての開口を形成する。
【００６３】
その後、図２（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、絶縁性基板３１の下面にノズル形成板２１を接着することにより、本実施形態の圧電アクチュエータ３０ａを備えた液体吐出ヘッド５０ａが得られる。
【００６４】
（第２実施形態）
図５は、第２実施形態に係る圧電アクチュエータ３０ｂを備えた液体吐出ヘッド５０ｂの一部を示す平面図である。図５の６Ａ−６Ａ線に沿った断面を図６（Ａ）に示し、６Ｂ−６Ｂ線に沿った断面を図６（Ｂ）に示す。なお、図５、図６（Ａ）及び（Ｂ）において、図１、図２（Ａ）及び（Ｂ）に示した第１実施形態における要素と同じ要素は、同じ符号が付されており、既に説明した内容については、その説明を省略する。
【００６５】
本実施形態における圧電アクチュエータ３０ｂは、下部アドレッシング構造であり、絶縁性材料からなる凹凸膜４１、導電性材料からなる個別電極としての下部電極膜３２、圧電性材料からなる圧電体膜３３、及び、導電性材料からなる共通電極としての上部電極膜３４によって、構成されている。
【００６６】
図６（Ａ）及び（Ｂ）において、導電性材料からなる導電性基板２２上に配置されている凹凸膜４１は凹部４６及び凸部４７を有し、凸部４７の高さは（すなわち凹部４６の深さ）は下部電極膜３２の厚みと同じである。凹凸膜４１の凹部４６内に一定膜厚の下部電極膜３２が配置されている。下部電極膜３２の上面と凹凸膜４１の凸部４７の上面とで段差のない平坦面が構成されている。この平坦面上に一定膜厚の圧電体膜３３が配置され、圧電体膜３３上に上部電極膜３４が配置されている。
【００６７】
このように、本実施形態では、個別電極として用いる下部電極膜３２の有無に因る段差を、凹凸膜４１によって吸収している。
【００６８】
導電性基板２２（「圧力室形成板」ともいう）には、圧力室５２が形成されている。凹凸膜４１は、振動板として機能する。
【００６９】
上部電極膜３４を構成している共通配線部３４ａ、支線部３４ｂ及び電極部３４ｃは、図６（Ａ）に示すように、下部電極膜３２の上面と凹凸膜４１の凸部４７の上面とで構成されている平坦面上の膜厚一定の圧電体膜３３上に配置されている。すなわち、上部電極膜３４の全体が圧電体膜３３の平坦な上面に形成されている。
【００７０】
また、図１に示すように、下部電極膜３２の短辺幅Ｗｌ、圧電体膜３３の短辺幅Ｗｐ、及び、上部電極膜３４の電極部３４ｃの短辺幅Ｗｕは、Ｗｌ＜Ｗｐ、且つ、Ｗｕ＜Ｗｐとなっている。
【００７１】
また、凹凸膜４１が成膜されている導電性基板２２は、圧力室５２が形成された圧力室形成板となっている。また、凹凸膜４１は、振動板として機能する。
【００７２】
導電性基板２２の材料としては、ＳＵＳ（ステンレス材）、Ｔｉなどの金属を用いることができる。なお、導電性基板２２を用いる代わりに、Ｓｉ基板を用いてもよいし、ＺｒＯ２、Ａｌ２Ｏ３などの酸化物、ＳｉＣＮなどの窒化物、ＳｉＯＮなどの酸窒化物、樹脂などの絶縁性材料からなる絶縁性基板を用いてもよい。
【００７３】
図７（Ａ）〜（Ｈ）及び図８（Ａ）〜（Ｈ）は、図５、図６（Ａ）及び（Ｂ）に示した圧電アクチュエータ３０ｂの製造方法の一例を示す工程図である。ここで、図７（Ａ）〜（Ｈ）は図５の６Ａ−６Ａ線に沿った断面に相当し、図８（Ａ）〜（Ｈ）は図１の６Ｂ−６Ｂ線に沿った断面に相当する。
【００７４】
これらの図７（Ａ）〜（Ｈ）及び図８（Ａ）〜（Ｈ）を用いて、本実施形態の圧電アクチュエータ３０ｂ及び液体吐出ヘッド５０ｂの製造処理について説明する。
【００７５】
まず、図７（Ａ）及び図８（Ａ）に示すように、導電性基板２２の上面に、絶縁性材料からなり、凹部４６及び凸部４７を有する凹凸膜４１を成膜する。すなわち、導電性基板２２の上面に段差構造の絶縁膜である凹凸膜４１を形成する。
【００７６】
凹凸膜４１に用いる絶縁性材料としては、例えば、ＺｒＯ２、Ａｌ２Ｏ３などの酸化物、ＳｉＣＮ、ＴｉＡｌＮ、Ｓｉ３Ｎ４、ＴｉＡｌＣｒＮなどの窒化物、ＳｉＯＮなどの酸窒化物が挙げられる。
【００７７】
凹凸膜４１の凹部４６の水平方向Ｈにおける平面形状（垂直方向Ｖから見た形状である）は、形成しようとする下部電極膜３２の水平方向Ｈにおける平面形状に等しい。
【００７８】
凹凸膜４１の凸部４７は、形成しようとする下部電極膜３２の高さと同じ高さで形成する。なお、形成しようとする下部電極膜３２の高さよりも凸部４７を高く形成しておいて、図７（Ｃ）及び図８（Ｃ）に示す後の研磨工程で凸部４７の高さが下部電極膜３２の高さと同じになるように研磨するようにしてもよい。
【００７９】
凹凸膜４１の成膜は、具体的には、ＣＶＤ、スパッタリング、イオンプレーティング法で行う。凸部４７は、例えば、成膜を２回に分けてリフトオフ法で段差を付ける方法や、厚く成膜した後に凸部４７にしたい部分にレジストを形成しエッチングする方法などにより作成できる。
【００８０】
次に、図７（Ｃ）及び図８（Ｃ）に示すように、凹凸膜４１の全面に、スパッタリング又は蒸着により、導電性膜３２０を成膜する。これにより、凹凸膜４１の凹部４６及び凸部４７は、導電性膜３２０によって覆われる。
【００８１】
導電性膜３２０の材料としては、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｔｉ等の導電性材料が挙げられる。
【００８２】
次に、図７（Ｃ）及び図８（Ｃ）に示すように、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing ）により、導電性膜３２０を研磨して下部電極膜３２とする。このような研磨により、下部電極膜３２の上面と凹凸膜４１の凸部４７の上面とで段差のない平坦面が形成される。ここで、凹凸膜４１の凹部４６に形成された下部電極膜３２の厚みは、凹凸膜４１の凸部４７の高さに等しい。
【００８３】
次に、図７（Ｄ）及び図８（Ｄ）に示すように、下部電極膜３２の上面と凹凸膜４１の凸部４７の上面とからなる平坦面上に、スパッタリングにより、圧電体膜３３を成膜する。なお、圧電体膜３３の成膜方法は、スパッタリングに特に限定されず、ゾルゲル法、ＣＶＤ法などの他の堆積法を用いてもよい。圧電体膜３３の材料としては、例えばＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）が用いられる。
【００８４】
次に、図７（Ｅ）及び図８（Ｅ）に示すように、スパッタリングにより、圧電体膜３３上に上部電極膜３４を成膜し、図７（Ｆ）及び図８（Ｆ）に示すように、上部電極膜３４をエッチングし、図７（Ｇ）及び図８（Ｇ）に示すように、圧電体膜３３をエッチングする。上部電極膜３４の材料としては、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｔｉ、Ａｕ等の導電性材料が挙げられる。
【００８５】
次に、図７（Ｈ）及び図８（Ｈ）に示すように、エッチングにより、導電性基板２２に圧力室５２としての開口を形成する。
【００８６】
その後、図６（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、導電性基板２２の下面にノズル形成板２１を接着することにより、本実施形態の圧電アクチュエータ３０ｂを備えた液体吐出ヘッド５０ｂが得られる。
【００８７】
（第３実施形態）
図９は、第３実施形態に係る圧電アクチュエータ３０ｃを備えた液体吐出ヘッド５０ｃの一部を示す平面図である。図９の１０Ａ−１０Ａ線に沿った断面図を図１０（Ａ）に示し、１０Ｂ−１０Ｂ線に沿った断面図を図１０（Ｂ）に示す。なお、図９、図１０（Ａ）及び（Ｂ）において、図１、図２（Ａ）及び（Ｂ）に示した第１実施形態における要素と同じ要素、及び、図５、図６（Ａ）及び（Ｂ）に示した第２実施形態における要素と同じ要素は、同じ符号が付されており、既に説明した内容については、その説明を省略する。
【００８８】
本実施形態の圧電アクチュエータ３０ｃは、下部アドレッシング構造であり、絶縁性材料からなる振動板２６、絶縁性材料からなる段差吸収膜２７、導電性材料からなる個別電極としての下部電極膜３２、圧電性材料からなる圧電体膜３３、及び、導電性材料からなる共通電極としての上部電極膜３４によって、構成されている。
【００８９】
図１０（Ａ）及び（Ｂ）において、振動板２６上に一定膜厚の下部電極膜３２が形成されているとともに、振動板２６上の下部電極膜３２が形成されていない領域に一定膜厚の段差吸収膜２７が形成されており、段差吸収膜２７の厚みは下部電極膜３２の厚みと同じである。下部電極膜３２の上面と段差吸収膜２７の上面とで段差のない平坦面が構成されている。この平坦面上に一定膜厚の圧電体膜３３が配置され、圧電体膜３３上に上部電極膜３４が配置されている。
【００９０】
このように本実施形態では、個別電極として用いる下部電極膜３２の有無に因る段差を、段差吸収膜２７によって吸収している。
【００９１】
上部電極膜３４を構成している共通配線部３４ａ、支線部３４ｂ及び電極部３４ｃは、図１０（Ａ）に示すように、下部電極膜３２の上面と段差吸収膜２７の上面とで構成されている平坦面上の膜厚一定の圧電体膜３３上に配置されている。すなわち、上部電極膜３４の全体が圧電体膜３３の平坦な上面に形成されている。
【００９２】
また、図１に示すように、下部電極膜３２の短辺幅Ｗｌ、圧電体膜３３の短辺幅Ｗｐ、及び、上部電極膜３４の電極部３４ｃの短辺幅Ｗｕは、Ｗｌ＜Ｗｐ、且つ、Ｗｕ＜Ｗｐとなっている。
【００９３】
図１１（Ａ）〜（Ｈ）及び図１２（Ａ）〜（Ｈ）は、図９、図１０（Ａ）及び（Ｂ）に示した圧電アクチュエータ３０ｃの製造方法の一例を示す工程図である。ここで、図１１（Ａ）〜（Ｈ）は図９の１０Ａ−１０Ａ線に沿った断面に相当し、図１２（Ａ）〜（Ｈ）は図９の１０Ｂ−１０Ｂ線に沿った断面に相当する。
【００９４】
これらの図１１（Ａ）〜（Ｈ）及び図１２（Ａ）〜（Ｈ）を用いて、本実施形態の圧電アクチュエータ３０ｃ及び液体吐出ヘッド５０ｃの製造処理について説明する。
【００９５】
図１１（Ａ）及び図１２（Ａ）に示すように、圧力室形成板としての導電性基板２２上に絶縁性材料からなる振動板２６が既に形成されている基板構造体２０を用意し、形成しようとする圧電アクチュエータ３０ｃの基板としての振動板２６上に、導電性材料からなる下部電極膜３２を成膜する。
【００９６】
振動板２６に用いる絶縁性材料としては、例えば、ＺｒＯ２、Ａｌ２Ｏ３などの酸化物、ＳｉＣＮ、ＴｉＡｌＮ、Ｓｉ３Ｎ４、ＴｉＡｌＣｒＮなどの窒化物、ＳｉＯＮなどの酸窒化物、樹脂が挙げられる。
【００９７】
下部電極膜３２の材料としては、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｔｉ等の導電性材料が挙げられる。
【００９８】
下部電極膜３２の形成方法としては、例えば、スパッタリング又は蒸着により振動板２６上の全面に導電性膜を成膜した後にエッチングするなど、周知の方法を用いることができる。
【００９９】
次に、下部電極膜３２が形成されて凹凸状となっている振動板２６上の全面に、図１１（Ｂ）及び図１２（Ｂ）に示すように、スパッタリング又は蒸着により、絶縁性膜２７０を成膜する。すなわち、振動板２６の下部電極膜３２が形成されていない領域、及び、振動板２６上の下部電極膜３２は、絶縁性膜２７０によって覆われる。
【０１００】
絶縁性膜２７０の材料としては、例えば、ＺｒＯ２、Ａｌ２Ｏ３などの酸化物、ＳｉＣＮなどの窒化物、ＳｉＯＮなどの酸窒化物、樹脂が挙げられる。
【０１０１】
次に、図１１（Ｃ）及び図１２（Ｃ）に示すように、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing ）により、絶縁性膜２７０を研磨して段差吸収膜２７とする。このような研磨により、下部電極膜３２の上面と段差吸収膜２７の上面とで段差のない平坦面が形成される。ここで、段差吸収膜２７の厚みは、下部電極膜３２の厚みに等しい。
【０１０２】
次に、図１１（Ｄ）及び図１２（Ｄ）に示すように、下部電極膜３２の上面と段差吸収膜２７の上面とからなる平坦面上に、スパッタリングにより、圧電体膜３３を成膜する。なお、圧電体膜３３の成膜方法は、スパッタリングに特に限定されず、ゾルゲル法、ＣＶＤ法などの他の堆積法を用いてもよい。圧電体膜３３の材料としては、例えばＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）が用いられる。
【０１０３】
次に、図１１（Ｅ）及び図１２（Ｅ）に示すように、スパッタリングにより、圧電体膜３３上に上部電極膜３４を成膜し、図１１（Ｆ）及び図１２（Ｆ）に示すように、上部電極膜３４をエッチングし、図１１（Ｇ）及び図１２（Ｇ）に示すように、圧電体膜３３をエッチングする。上部電極膜３４の材料としては、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｔｉ、Ａｕ等の導電性材料が挙げられる。
【０１０４】
次に、図１１（Ｈ）及び図１２（Ｈ）に示すように、エッチングにより、導電性基板２２に圧力室５２としての開口を形成する。
【０１０５】
その後、図１０（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、導電性基板２２の下面にノズル形成板２１を接着することにより、本実施形態の圧電アクチュエータ３０ｃを備えた液体吐出ヘッド５０ｃが得られる。
【０１０６】
なお、下部電極膜３２を成膜した後に段差吸収膜２７を成膜した場合を例に説明したが、本発明はこれに限るものではなく、段差吸収膜２７を成膜した後に下部電極膜３２を成膜するようにしてもよい。
【０１０７】
［段差吸収材料］
個別電極としての下部電極膜３２の有無に因る段差を吸収する材料（段差吸収材料）について、以下説明する。ここで、段差吸材料とは、具体的には、図１、図２（Ａ）及び（Ｂ）に示した第１実施形態の圧電アクチュエータ３０ａにおいては絶縁性基板３１の少なくとも表面部分の材料であり、図５、図６（Ａ）及び（Ｂ）に示した第２実施形態の圧電アクチュエータ３０ｂにおいては凹凸膜４１の材料であり、図９、図１０（Ａ）及び（Ｂ）に示した第３実施形態の圧電アクチュエータ３０ｃにおいては段差吸収膜２７の材料である。言い換えると、圧電アクチュエータの下地としての「基板」の側で、下部電極膜３２と接する境界面を有する部材の材料である。ここで、「基板」とは、具体的には、第１実施形態の圧電アクチュエータ３０ａにおいては下部電極膜３２の下側の絶縁性基板３１自体であり、第２実施形態の圧電アクチュエータ３０ｂにおいては導電性基板２２であり、第３実施形態の圧電アクチュエータ３０ｃにおいては振動板２６である。
【０１０８】
段差吸収材料の必要条件は、第１に、絶縁性を有すること、第２に、圧電体膜３３の焼成時に圧電体膜３３中へ「基板」中の物質を圧電体膜３３へ拡散させない拡散防止性を有すること、である。また、圧電体膜３３の焼成時に圧電体膜３３中の物質を「基板」へ拡散させないことが、好ましい。また、段差吸収材料自体を圧電体膜３３中へ拡散しないことが、好ましい。段差吸収材料の拡散防止性により、圧電体膜３３における下部電極膜３２の有無に因る特性差が無くなるとともに境界面での密着性が向上する。すなわち下部電極膜３２の下地に対する下部電極膜３２の親和性が向上するので、圧電アクチュエータの信頼性が向上することになる。
【０１０９】
図１３は、各種の段差吸収材料における評価結果を示す。
【０１１０】
評価１（拡散防止性評価）では、サンプルの断面を研磨により作成し、ＳＥＭ／ＥＤＸ（走査型電子顕微鏡／エネルギー分散型Ｘ線分析装置）により組成分析を行い、圧電体膜内への基板の物質の拡散が無いかを、評価した。圧電体膜（ＰＺＴ：チタン酸ジルコン酸鉛）に基板からの拡散物質（Ｓｉ）がほとんど見られなかった場合を「〇」判定とし、圧電体膜（ＰＺＴ）に基板からの拡散物質（Ｓｉ）が見られた場合を「×」判定とした。具体的には、圧電体膜中に基板からの拡散物質が全く無いか、或いは、拡散物質が若干有っても、圧電体膜中に基板からの拡散物質が全く無い状態での圧電体膜の変位量（ｄ３１定数）を１００％として、圧電体膜の変位量（ｄ３１定数）が９０％以上であれば、「〇」（ほとんど見られない）判定とし、９０％未満であれば「×」判定とした。
【０１１１】
このような拡散防止性評価において、ＳｉＣＮ、ＴｉＡｌＮ、Ｓｉ３Ｎ４、ＴｉＡｌＣｒＮ、ＳｉＯＮ、ＺｒＯ２、Ａｌ２Ｏ３では、圧電体膜に、基板からの拡散物質（Ｓｉ）はほとんど見られなかった（「〇」判定）。ＳｉＯ２では、圧電体膜に、基板から拡散した物質（Ｓｉ）が見られた（「×」判定）。
【０１１２】
なお、圧電体膜への拡散がある場合には、圧電体膜の配向性が低くなりＸ線分析で異相が見られるので、このような配向性の高低や異相の有無に基づいて、拡散防止性を評価するようにしてもよい。
【０１１３】
また、本評価では、基板から圧電体膜への拡散の有無を評価したが、圧電体膜から基板への拡散の有無についても、併せて評価を行ってもよい。
【０１１４】
評価２（密着強度評価）では、段差吸収材料からなる膜（親和膜）上に圧電体膜を成膜したものを準備し、スクラッチ試験機を用いてダイヤモンド圧子を膜面に押付け、荷重を増加させながら膜面を引っ掻き、圧電体膜の剥離が発生する荷重値（臨界荷重値）からピール強度（密着強度）を求めた。
【０１１５】
このような密着強度評価において、ＳｉＯＮ、ＺｒＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２では基準値（３０ｍＮ）以上のピール強度であった（「〇」又は「◎」判定）。特に、ＳｉＯ２では高いピール強度（４０ｍＮ）であった。なお、ＳｉＣＮでは応力制御により基準値以上のピール強度が得られた。
【０１１６】
以上より、段差吸収材料としては、拡散防止性評価及び密着強度評価の両方において良好な判定が得られたＳｉＣＮ、ＴｉＡｌＮ、Ｓｉ３Ｎ４、ＴｉＡｌＣｒＮ、ＳｉＯＮ、ＺｒＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２を用いることが、好ましい。
【０１１７】
なお、段差吸収材料としては、これらに特に限定されず、拡散防止性を有し、３０ｍＮ以上のピール強度が得られる材料であれば他の材料を用いてもよい。例えば、ＳｉＣＮ、ＴｉＡｌＮ、Ｓｉ３Ｎ４、ＴｉＡｌＣｒＮ以外の窒化物、又は、ＳｉＯＮ以外の酸窒化物、又は、ＺｒＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、以外の酸化物、を用いてもよい。
【０１１８】
［フルラインヘッドの一例］
図１４は、２次元配列の吐出口５１を有する液体吐出ヘッド５０（５０ａ、５０ｂ、５０ｃ）の一例の全体構成を示す平面透視図である。
【０１１９】
図１４に一例として示す液体吐出ヘッド５０は、いわゆるフルライン型の液体吐出ヘッドであり、被吐出媒体１６の搬送方向（図中に矢印Ｓで示す副走査方向）と直交する方向（図中に矢印Ｍで示す主走査方向）において、被吐出媒体１６の幅Ｗｍに対応する長さにわたり、被吐出媒体１６に向けてインクを打滴する多数のノズル５１（液体吐出口）を２次元的に配列させた構造を有している。
【０１２０】
液体吐出ヘッド５０は、液体を吐出するノズル５１、ノズル５１に連通する圧力室５２、圧力室５２へ液体を供給するための液体供給口５３などを含んでなる複数の液体吐出素子５４が、主走査方向Ｍおよび主走査方向Ｍに対して所定の鋭角θ（０度＜θ＜９０度）をなす斜め方向の２方向に沿って配列されている。なお、図１４では、図示の便宜上、一部の液体吐出素子５４のみ描いている。
【０１２１】
ノズル５１は、具体的には、主走査方向Ｍに対して所定の鋭角θをなす斜め方向において、一定のピッチｄで配列されており、これにより、主走査方向Ｍに沿った一直線上にｄ×ｃｏｓθの間隔で配列されたものと等価に取り扱うことができる。
【０１２２】
なお、本発明は、本明細書において説明した例や図面に図示された例には限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、各種の設計変更や改良を行ってよいのはもちろんである。
【図面の簡単な説明】
【０１２３】
【図１】第１実施形態に係る圧電アクチュエータの一例を備えた液体吐出ヘッドの一部を示す平面図
【図２】（Ａ）は図１の２Ａ−２Ａ線に沿った断面図、（Ｂ）は図１の２Ｂ−２Ｂ線に沿った断面図
【図３】第１実施形態に係る圧電アクチュエータの製造処理の一例の説明に用いる、図１の２Ａ−２Ａ線に沿った断面を示す工程図
【図４】第１実施形態に係る圧電アクチュエータの製造処理の一例の説明に用いる、図１の２Ｂ−２Ｂ線に沿った断面を示す工程図
【図５】第２実施形態に係る圧電アクチュエータの一例を備えた液体吐出ヘッドの一部を示す平面図
【図６】（Ａ）は図５の６Ａ−６Ａ線に沿った断面図、（Ｂ）は図５の６Ｂ−６Ｂ線に沿った断面図
【図７】第２実施形態に係る圧電アクチュエータの製造処理の一例の説明に用いる、図５の６Ａ−６Ａ線に沿った断面を示す工程図
【図８】第２実施形態に係る圧電アクチュエータの製造処理の一例の説明に用いる、図５の６Ｂ−６Ｂ線に沿った断面を示す工程図
【図９】第３実施形態に係る圧電アクチュエータの一例を備えた液体吐出ヘッドの一部を示す平面図
【図１０】（Ａ）は図９の１０Ａ−１０Ａ線に沿った断面図、（Ｂ）は図９の１０Ｂ−１０Ｂ線に沿った断面図
【図１１】第３実施形態に係る圧電アクチュエータの製造処理の一例の説明に用いる、図９の１０Ａ−１０Ａ線に沿った断面を示す工程図
【図１２】第３実施形態に係る圧電アクチュエータの製造処理の一例の説明に用いる、図９の１０Ｂ−１０Ｂ線に沿った断面を示す工程図
【図１３】各種の段差吸収材料とその評価結果を示す図
【図１４】２次元配列された吐出口を有する液体吐出ヘッドの一例を示す平面透視図
【図１５】従来の圧電アクチュエータを示す断面図
【図１６】（Ａ）は従来の圧電アクチュエータを備えた液体吐出ヘッドの一部を示す平面図、（Ｂ）は図１６（Ａ）の１６Ｂ−１６Ｂ線に沿った断面図
【符号の説明】
【０１２４】
２１…ノズル板、２２…圧力室形成板、２６…振動板、２７…段差吸収膜、３０（３０ａ、３０ｂ、３０ｃ）…圧電アクチュエータ、３１…絶縁性基板、３２…下部電極膜（個別電極膜）、３３…圧電体膜、３４…上部電極膜（共通電極膜）、３６…絶縁性基板の凹部、３７…絶縁性基板の凸部、４１…凹凸膜、４６…凹凸膜の凹部、４７…凹凸膜の凸部、５０（５０ａ、５０ｂ、５０ｃ）…液体吐出ヘッド、５１…吐出口（ノズル）、５２…圧力室、５３…液体供給口、５４…液体吐出素子、５５…共通流路
【図１】
2008218917.tif 000003
【図２】
2008218917.tif 000004
【図３】
2008218917.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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