(57)【要約】【課題】ワイヤボンディングの密着性の信頼性向上を確保した上で、小型化された半導体装置を提供する。【解決手段】ワイヤボンディング用のボンディング領域５５と、ボンディング領域５５に隣接して配置され、試験用プローブを上方斜め方向から進入させて、ボンディング領域５５と同一平面上で異なる２方向から試験用プローブを測定可能に接触させるプロービング領域５３と、を含むボンディングパッド５１を備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ワイヤボンディング用のボンディング領域と、
前記ボンディング領域に隣接して配置され、試験用プローブを上方斜め方向から進入させて、前記ボンディング領域と同一平面上で異なる２方向から前記試験用プローブを測定可能に接触させるプロービング領域と、を含むボンディングパッドを備える半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記ボンディングパッドは、２つの矩形の前記プロービング領域を有し、
前記２つの矩形のプロービング領域は、その短手方向の一辺を前記ボンディング領域にそれぞれ隣接させ、接触する前記試験用プローブに対して平行となる長手方向を前記異なる２方向に向けて設けられる半導体装置。
【請求項３】
請求項２に記載の半導体装置において、
前記ボンディングパッドは、矩形の前記ボンディング領域を有し、
前記２つの矩形のプロービング領域が、前記ボンディング領域の隣り合う２辺に設けられ、
前記ボンディングパッドは、前記ボンディング領域を基端部とし、前記２つの矩形のプロービング領域を両端部とするＬ字形状に形成される半導体装置。
【請求項４】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記ボンディングパッドは、矩形の前記ボンディング領域と、前記ボンディング領域の一辺に隣接し、前記一辺より長く、かつ前記試験用プローブを測定可能に接触させるのに最小限必要な長さの辺を有する正方形の前記プロービング領域とを含む半導体装置。
【請求項５】
請求項４に記載の半導体装置において、
前記ボンディングパッドは、前記ボンディング領域の他の一辺と、前記プロービング領域の一辺が一直線上に配置されるように設けられ、Ｌ字形状に形成される半導体装置。
【請求項６】
請求項３または５に記載の半導体装置において、
２つの前記Ｌ字形状の前記ボンディングパッドは、互いに組み合うように対向させて配置される半導体装置。
【請求項７】
試験用プローブを用いた半導体装置の試験方法であって、
前記半導体装置のボンディングパッドのボンディング用のボンディング領域に隣接したプロービング領域に、前記試験用プローブを上方斜めの異なる２方向から接触させ、測定試験を行う試験方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置およびその試験方法に関し、特に、試験用プローブを用いて測定試験される半導体装置およびその試験方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置は回路素子を含み、その回路素子と外部電極との間に電気的接続を行う電極（ボンディングパッド）が半導体装置の表面に複数個配列されている。ウェハ工程の最後で行われるウェハプローブ検査ではボンディングパッドにテストプローブの先端を接触させ（プロービング）、電気的接触を取ることにより半導体装置の動作検査を行う。
【０００３】
従来の半導体ＩＣチップなどの回路素子に用いる電極端子として、特許文献１に記載されたものがある。同文献に記載された電極端子は、ボンディング用の接合領域とテスト用の接触領域とをそれぞれ異なる位置に設け、テスト用の接触領域はボンディング用の接合領域よりも幅が狭く形成されている。そして、回路素子には、複数の電極端子が千鳥上に配置されてなり、配列方向に隣り合う電極端子のボンディング用の接合領域の間隔はボンディング用の接合領域より狭く設定されている。このようにボンディング用の接合領域とテスト用の接触領域とをそれぞれ異なる位置に設けているので、電気的なテストの際にスクラブなどにより電極端子の接触領域に傷などが残ったとしても、電気的な接続は接触領域とは別の領域で行われるため、傷などがボンディングの接合を弱めて接合強度の不良や導通不良などを起こすことがなく強度的にも電気的にも接合の信頼性が高くなる。
【０００４】
半導体装置の検査では、多数のプローブを備えたプローブカードを使用し、半導体装置の各ボンディングパッド上にプローブの先端を同時にプロービングする。検査には、半導体装置単体に検査を行う単体検査と、ウェハ上のＸ軸またはＹ軸方向にマトリクス状に形成された複数の半導体装置に同時に検査を行う複数同時検査とがある。
【０００５】
ウェハプローブ検査でプローブをボンディングパッドに接触した時にパッド表面にプローブ痕が発生する。検査の終了後、ボンディングワイヤの先端のボールをプローブ痕の付いたボンディングパッドに圧着させ、ボンディングパッド表面と先端のボールを合金化することにより、半導体装置とパッケージの外部電極を電気的に接続する。近年の半導体素子の微細化と集積化によりボンディングパッドおよびワイヤ先端のボール径も微細化されている。ボンディングパッドの微細化によりパッド上におけるプローブ痕の占める割合が増加するためボールとプローブ痕の無い領域との接触面積が減少し、合金化される領域も小さくなる。そのためボンディングパッドとボールとの接続不良や電気抵抗が増大し電気的導通不良を起こす場合がある。そこでボンディングパッドをプロービング領域とボンディング領域に分けることにより、十分な接続強度と密着性に対する信頼性向上を確保することができる。
【０００６】
たとえば、図９に示すような形状を有するボンディングパッド１は、長辺Ａ、短辺Ｂを有する矩形であり、その長手方向にそってプロービング領域３とボンディング領域５を有している。ウェハプローブ検査ではプローブ（不図示）はプロービング領域３に接触し、プローブ痕７が生じるが、ボンディングワイヤ９はプローブ痕７の無いボンディング領域５にボンディングされるため、ボンディングパッド１とボール１１は合金化され、強い接合を与えることができる。またプロービング領域３とボンディング領域５の境界に指標として図１０（ａ）のように境界位置の両側に切り欠き部１５や突き出し部１７、または図１０（ｂ）のようにボンディングパッド１９上にポリイミドの境界線２１を形成する。この指標を作ることにより、ボンディングの際の画像処理でボンディングパッド１内のボンディング領域５の認識が良好になり、ボンディングが確実に行えるようになる。
【０００７】
図１１は、複数の従来のボンディングパッド１を半導体装置２３に配置したものを示している。半導体装置２３の外周の各辺に沿って、矩形の短手方向の辺が半導体装置２３の中心に向くようにボンディングパッド１は配列される。また半導体装置２３の電気回路の構成により半導体装置２３の各辺からボンディングパッド１との長さは各ボンディングパッド１によって異なる場合がある。
【０００８】
図１２は、従来のボンディングパッドの配列例とプローブの進入例を示す図である。隣り合うボンディングパッド１はピッチＰＰで配置され、プローブ２５は上方斜め方向から、矩形のボンディングパッド１の長手方向と平行に進入することになる。
【０００９】
図１３は、半導体装置単体に対するウェハ検査工程（単体検査）時のプローブの進入方向を示す平面図である。単体検査の場合、それぞれのボンディングパッド１に対してプローブ２５が半導体装置２３の上方斜めより４辺に対して垂直に進入する。
【００１０】
図１４は、ウェハ上のＸ軸に並列に配置された二つの半導体装置２３を同時にプローブ検査する場合の平面図であり、図１５はその断面図である。複数検査する半導体装置２３が互いに接触して隣接する辺に沿って配置されたボンディングパッド２７に対してはプローブの進入方向が単体検査の場合から変更される。これはプローブカードに半導体装置２個分のプローブを取り付けるときに、プローブカードのプローブ取り付け制限に引っかかってしまうためであり、ボンディングパッド２７に対する一部のプローブ２９は１８０度進入方向が変わることになる。
【特許文献１】特開２００１−２６４３９１号公報
【特許文献２】特開２００２−３２９７４２号公報
【特許文献３】特開２００１−２８４３８３号公報
【特許文献４】特開２００１−３３８９５５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
ところで、図１６に示すように、複数検査時に半導体装置２３が互いに接触して隣接する辺に沿って配置されたボンディングパッド２７に対して進入するプローブ２９の進入方向を、一律に単体検査の場合から１８０度変更した場合、複数検査時に半導体装置の角のボンディングパッドにプロービングを行うプローブ２９は別の辺から進入するプローブ２５と干渉３７が発生する。そのため、図１４のプローブ３１のように進入方向を９０度の回転に変更させる必要が生じていた。なお、半導体装置２３の角には、ワイヤボンディング後のワイヤ変形によるショートを防止するためにパッド配置禁止領域３５が存在し、そのサイズは３００ｕｍから５００ｕｍ角である。
【００１２】
矩形のボンディングパッド１の短手方向の辺が半導体装置２３の中心に向くように配置したボンディングパッド１に対して、複数検査でプローブの進入方向が９０度回転した場合、図１７に示すように、矩形ボンディングパッド１の短辺と平行な方向からプローブが進入することになる。ボンディングパッドの微細化が進む一方、プローブとボンディングパッド間の電気的接触抵抗を抑えるためには、プローブとボンディングパッドが接触するプロービング領域に加えてプローブのすべり量として１０〜２０ｕｍ程度必要とする。従って図１８に示すように矩形の短手方向の辺の長さではプロービング領域が確保できなくなる。
【００１３】
そこで矩形のボンディングパッドで２方向からのプロービングに対応するため、１つの入出力端子にそれぞれのプロービング方向にボンディングパッドの長辺が平行になるように、２つのボンディングパッドを配置するか、図１９に示すように、複数検査用のプローブ２９、３９の進入方向に合わせてパッド配置をする必要がある。前者の場合は一つのパッドにつきもう一つのパッドを追加配置する必要がある。後者は９０度回転したボンディングパッド２８と半導体装置２３内の電気回路との引き回しに制限がかかるため、２つのボンディングパッド２８を図の上下方向にずらして配列する必要がある。このため、半導体装置２３の端から、パッド配置禁止領域３５と２つのボンディングパッド２８を間に挟んだ、ボンディングパッド２７の端までの距離Ｌ２は、パッドの回転前の配置の長さＬ１に比べて長くなり、半導体装置２３も大きくなってしまう。
【００１４】
具体的にはボンディングパッドの長辺Ａを１３５ｕｍ、短辺Ｂを６５ｕｍ、パッド間隔を５ｕｍ、パッド配置禁止領域３３の一辺を３００ｕｍとすると、距離Ｌ１の３００ｕｍ＋６５ｕｍ×２＋５ｕｍ×２＝４４０ｕｍに対して、距離Ｌ２は３００ｕｍ＋１３５ｕｍ×２＋５ｕｍ×２＝５８０ｕｍとなり、１４０ｕｍだけ半導体装置は大きくなる。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明によれば、ワイヤボンディング用のボンディング領域と、
前記ボンディング領域に隣接して配置され、試験用プローブを上方斜め方向から進入させて、前記ボンディング領域と同一平面上で異なる２方向から前記試験用プローブを測定可能に接触させるプロービング領域と、を含むボンディングパッドを備える半導体装置が提供される。
【００１６】
この発明によれば、試験時にプローブの進入方向を適宜変更することができ、かつプローブ同士が干渉し合うのを防ぐことができ、半導体装置のワイヤボンディングの密着性の信頼性の向上を確保した上で、半導体装置を小さくできる。また、ボンディングパッドの形状そのものが、ボンディング時の画像処理におけるボンディング領域の認識の指標となるので、ボンディングを確実に行うことができる。
【００１７】
本発明によれば、試験用プローブを用いた半導体装置の試験方法であって、
前記半導体装置のボンディングパッドのボンディング用のボンディング領域に隣接したプロービング領域に、前記試験用プローブを上方斜めの異なる２方向から接触させ、測定試験を行う試験方法が提供される。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、ワイヤボンディングの密着性の信頼性向上を確保した上で、小型化された半導体装置が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
【００２０】
（第一の実施の形態）
図１は、本発明の実施の形態に係る半導体装置のボンディングパッドの平面図を示す。本実施形態の半導体装置は、ワイヤボンディング用のボンディング領域５５と、ボンディング領域５５に隣接して配置され、試験用プローブを上方斜め方向から進入させて、ボンディング領域５５と同一平面上で異なる２方向から試験用プローブを測定可能に接触させるプロービング領域５３と、を含むボンディングパッド５１を備える。
【００２１】
また、ボンディングパッド５１は、２つの矩形のプロービング領域５３を有し、２つの矩形のプロービング領域５３は、その短手方向の一辺（境界５７）をボンディング領域５５にそれぞれ隣接させ、接触する試験用プローブに対して平行となる長手方向を異なる２方向に向けて設けられる。本実施形態において、ボンディングパッド５１は、矩形のボンディング領域５５を有し、２つの矩形のプロービング領域５３が、ボンディング領域５５の隣り合う２辺（境界５７）に設けられ、ボンディングパッド５１は、ボンディング領域５５を基端部とし、２つの矩形のプロービング領域５３を両端部とするＬ字形状に形成される。２つのＬ字形状のボンディングパッド５１は、互いに組み合うように対向させて配置させることができる。
【００２２】
具体的には、図１に示すように、ボンディングパッド５１の形状はＬ字型とし、ボンディング領域とプロービング領域は兼用せず、そのＬ字の両先端部をプロービング領域５３、基端部をボンディング領域５５とする。Ｌ字型ボンディングパッド５１は、プロービング領域５３とボンディング領域５５の境界５７の延長上にパッド端５９を有する形状とする。プローブ検査時に、２つのプロービング領域５３にそれぞれ異なる方向からプローブを進入させることができる。プロービング領域５３にプローブ（不図示）が接触すると、プローブ痕６１がプロービング領域５３上に残る。
【００２３】
本実施形態の半導体装置は、プローブ検査後、各Ｌ字型ボンディングパッド５１のボンディング領域５５にボール６５を介してボンディングワイヤ６３がワイヤリングされる。Ｌ字型ボンディングパッド５１のパッド端５９が、プロービング領域５３とボンディング領域５５の境界５７の延長上に位置することにより、ボンディング時の画像処理における、ボンディング領域５５の認識の指標としてパッド端５９を使用できる。そのため、Ｌ字型ボンディングパッド５１自体がボンディング時の画像処理におけるボンディング領域５５の認識の指標となり、ボンディング領域５５へのボンディングを確実に行うことができる。したがって、図１０の従来のボンディングパッド１３、１９における切り欠き部１５、突き出し部１７や境界線２１などの指標が不要となる。
【００２４】
図２は、本実施形態の半導体装置におけるＬ字型ボンディングパッド５１の配置例を示した図である。半導体装置の外周の４辺に対して複数の矩形のボンディングパッド７１を矩形の短手方向の辺が半導体装置の中心に向くように配置する。矩形のボンディングパッド７１の配置のピッチＰＰ１は７０ｕｍとする。一方、半導体装置７３の複数同時プローブ検査においてプローブの進入方向が単体検査の時から９０度変わるボンディングパッドは、図１の長辺Ｃが１３５ｕｍ、短辺Ｄが６５ｕｍであるＬ字型ボンディングパッド５１とし、図２に示すように、そのＬ字型を対向した配置にする。矩形のボンディングパッド７１とＬ字型ボンディングパッド５１間とのピッチＰＰ２は７０ｕｍ、Ｌ字型ボンディングパッド５１同士のピッチＰＰ３は１３５ｕｍとする。
【００２５】
このように、Ｌ字型ボンディングパッド５１を対向して配置することにより、半導体装置７３の端から、パッド配置禁止領域７５と２つのボンディングパッド５１を間に挟んだ、ボンディングパッド７１端までの距離Ｌ３は、３００ｕｍ（パッド配置禁止領域７５の辺）＋１３５ｕｍ（Ｌ字型ボンディングパッド５１の長辺Ｃ）＋６５ｕｍ（Ｌ字型ボンディングパッド５１の短辺Ｄ）＋５ｕｍ（パッド間）×２＝５１０ｕｍとなる。図１９で示したような、ボンディングパッド１を回転配置する場合の距離Ｌ２の５８０ｕｍに比べて７０ｕｍ短くなり、短くした分だけ半導体装置７３を小さくすることが可能である。このようにＬ字型を対向して組み合わせることにより、従来のボンディングパッド７１を使用したときより、ボンディングパッドの配置に必要な面積が少なくなるので、半導体装置７３を小さくすることができる。
【００２６】
図３は、Ｌ字型ボンディングパッド５１を半導体装置７３の角に配列し、単体プローブ検査を行った際のプローブ７７の進入方向を示している。本発明の実施の形態に係る試験用プローブを用いた半導体装置の試験方法において、半導体装置７３のボンディングパッド５１のボンディング用のボンディング領域５５（図１）に隣接したプロービング領域５３（図１）に、試験用プローブを上方斜めの異なる２方向から接触させ、測定試験を行う。
【００２７】
具体的には、単体検査の場合、全てのプローブ７７は、半導体装置７３の四辺の斜め上方から、四辺に対して垂直に進入して、Ｌ字型ボンディングパッド５１のプロービング領域５３（図１）に接触する。半導体装置７３の角に配置されたパッド配置禁止領域７５に図の上側で隣接するＬ字型ボンディングパッド５１へは図の右側からプローブ７７を進入させることができる。
【００２８】
一方、図４は、Ｌ字型ボンディングパッド５１を半導体装置７３の角に配列し、複数同時プローブ検査を行った際のプローブの進入方向を示している。複数同時検査では、プローブの進入方向が一部変更になる。すなわち、プローブ７９は、図３の場合の進入方向から１８０度回転させて、プローブ先端を進入させ、ボンディングパッド７１のプロービング領域に接触する。また、半導体装置７３の角に配置されパッド配置禁止領域７５に図の上側で隣接するＬ字型ボンディングパッド５１へは、図の下側からプローブ８１の先端を進入させ、Ｌ字型ボンディングパッド５１のプロービング領域５３（図１）に接触させることができる。
【００２９】
このように、ボンディングパッド５１をＬ字型に形成することにより、ボンディングパッド５１への複数方向からのプローブ進入は、必ずＬ字型ボンディングパッド５１の長辺方向に平行な進入となる。Ｌ字型ボンディングパッド５１の基端部のボンディング領域５５（図１）にはプローブが接触していないため、Ｌ字型ボンディングパッド５１とボール６５（図１）の密着性に対する信頼性向上を確保することができる。
【００３０】
（第二の実施の形態）
図５は、本発明の実施の形態に係る半導体装置のボンディングパッドの平面図である。
本実施形態のＬ字型ボンディングパッド９１は、同一プロービング領域で複数回のプロービングが可能とした点、および複数方向からのプロービング用の領域を共通にした点で上記実施形態とは相違する。
【００３１】
本実施形態の半導体装置のボンディングパッド９１は、矩形のボンディング領域９５と、ボンディング領域９５の一辺（境界９７）に隣接し、その一辺より長く、かつ試験用プローブを測定可能に接触させるのに最小限必要な長さの辺を有する正方形のプロービング領域９３とを含む。ボンディングパッド９１は、ボンディング領域９５の他の一辺と、プロービング領域９３の一辺が一直線上に配置されるように設けられ、Ｌ字形状に形成される。２つのＬ字形状のボンディングパッド９１は、互いに組み合うように対向させて配置させることができる。
【００３２】
具体的には、Ｌ字の長手方向の先端部をボンディング領域９５、Ｌ字の基端部およびＬ字の短手方向をプロービング領域９３とする。上記実施形態と同様に、Ｌ字型ボンディングパッド９１は、プロービング領域９３とボンディング領域９５の間の境界９７の延長線上に、パッド端９９を有する形状とする。
【００３３】
Ｌ字型ボンディングパッド９１のパッド端９９が、プロービング領域９３とボンディング領域９５の境界９７の延長上に位置することにより、ボンディング時の画像処理における、ボンディング領域９５の認識の指標としてパッド端９９を使用できる。そのため、Ｌ字型ボンディングパッド９１自体がボンディング時の画像処理のボンディング領域９５の認識の指標になり、図１０の従来のボンディングパッド１３、１９のような指標が不要となる。
【００３４】
図６は、本実施形態の半導体装置におけるＬ字型ボンディングパッド９１の配置例を示した図である。
上記実施形態では、複数方向のプロービングに対して別個にプロービング領域を配置しているため、Ｌ字形のパッドの長さは必ずボンディング領域とプロービング領域の長さの合計になる。一方、本実施形態では、プロービング領域９３を共通化したことにより、Ｌ字型ボンディングパッド９１の一辺だけはプロービング領域９３分の長さＥ（図５）のみとなる。
【００３５】
従って図５のプロービング領域９３のみのパッドの長さＥを８０ｕｍとすると、図６に示すように半導体装置７３端から、パッド配置禁止領域７５と２つのＬ字型ボンディングパッド９１を間に挟んだ、ボンディングパッド７１端までの距離Ｌ４は、３００ｕｍ（パッド配置禁止領域７５の辺）＋８０ｕｍ（Ｌ字型ボンディングパッド９１の辺Ｅ）×２＋５ｕｍ（パッド間）×２＝４７０ｕｍとなり、従来の長さＬ２の５８０ｕｍに比べて１１０ｕｍ短くなり、更に半導体装置７３を小さくすることが可能である。このようにＬ字型を対向して組み合わせることにより、従来のボンディングパッド７１を使用したときより、ボンディングパッドの配置に必要な面積が少なくなるので、半導体装置７３を小さくすることができる。
【００３６】
図７は、図６における半導体装置７３の単体検査時のプロービング例、図８は、半導体装置７３の複数検査時のプロービング例を示す図である。単体検査の場合、Ｌ字型のボンディングパッドへは図５および図７の右側からプローブを進入することになり、プローブ痕は図５のプローブ痕１０１となる。一方、複数同時プローブ検査でプローブの進入方向が９０度回転する場合はＬ字型ボンディングパッド９１の図５、図８の下側からプローブ先端を進入し、プローブ痕は図５のプローブ痕１０３になる。
【００３７】
したがってウェハプローブ検査におけるＬ字型ボンディングパッド９１へのプローブの進入が複数方向から可能とするとともに、プロービング領域９３とボンディング領域９５を分離している。またプロービング領域９３とボンディング領域９５の境界９７の延長上にＬ字型ボンディングパッド９１のパッド端９９が位置することにより、Ｌ字型ボンディングパッド９１のパッド端９９がボンディング時の画像処理におけるボンディング領域の認識の指標になる。
【００３８】
このように、ボンディングパッドの形状をＬ字型に形成することにより、ワイヤボンディングの密着性の信頼性の向上を確保した上で、ウェハプローブ検査におけるパッドへのプローブの進入を複数方向から可能とする。そのＬ字型ボンディングパッド９１のパッド端９９がプロービング領域９３とボンディング領域９５の境界９７の指標となり、ボンディング領域９５へのボンディングを確実に行うことができる。
【００３９】
以上説明したように、本発明の実施の形態の半導体装置によれば、ワイヤボンディングの密着性の信頼性向上を確保した上で、小型化された半導体装置が提供される。
【００４０】
以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明の実施の形態に係る半導体装置のボンディングパッドの平面図である。
【図２】図１のＬ字型ボンディングパッドの配置例を示した図である。
【図３】図１のボンディングパッドを角に配置した半導体装置の単体プローブ検査時のプローブ進入方向を説明するための図である。
【図４】図１のボンディングパッドを角に配置した半導体装置の複数同時プローブ検査時のプローブ進入方向を説明するための図である。
【図５】本発明の実施の形態に係る半導体装置のボンディングパッドの平面図である。
【図６】図５のＬ字型ボンディングパッドの配置例を示した図である。
【図７】図５のボンディングパッドを角に配置した半導体装置の単体プローブ検査時のプローブ進入方向を示す平面図である。
【図８】図５のボンディングパッドを角に配置した半導体装置の複数同時プローブ検査時のプローブ進入方向を示す平面図である。
【図９】従来の半導体装置のボンディングパッドの平面図である。
【図１０】従来の半導体装置のボンディングパッドの一例の平面図である。
【図１１】図１０のボンディングパッドの配置例を示す図である。
【図１２】従来のボンディングパッドの配列例とプローブの進入例を示す図である。
【図１３】従来の半導体装置の単体検査時のプローブの進入方向を示す平面図である。
【図１４】従来の半導体装置の複数同時検査時のプローブの進入方向を示す平面図である。
【図１５】図１４の半導体装置の断面図である。
【図１６】複数検査時における、従来の半導体装置の角のボンディングパッドの配列およびプロービングの問題点を説明するための図である。
【図１７】複数検査時における従来の半導体装置のボンディングパッドへのプローブの進入方向を示す図である。
【図１８】従来のボンディングパッドの短手方向にプローブを接触させたときの問題点を説明するための図である。
【図１９】複数検査時における従来の半導体装置のボンディングパッドの配列およびプローブの進入方向を示す図である。
【符号の説明】
【００４２】
５１  Ｌ字型ボンディングパッド
５３  プロービング領域
５５  ボンディング領域
５７  境界
５９  パッド端
７１  ボンディングパッド
７３  半導体装置
７５  パッド配置禁止領域
９１  Ｌ字型ボンディングパッド
９３  プロービング領域
９５  ボンディング領域
９７  境界
９９  パッド端
【図１】
2008218810.tif 000003
【図２】
2008218810.tif 000004
【図３】
2008218810.tif 000005
【図４】
2008218810.tif 000006
【図５】
2008218810.tif 000007
【図６】
2008218810.tif 000008
【図７】
2008218810.tif 000009
【図８】
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【図９】
2008218810.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
2008218810.tif 000013
【図１２】
2008218810.tif 000014
【図１３】
2008218810.tif 000015
【図１４】
2008218810.tif 000016
【図１５】
2008218810.tif 000017
【図１６】
2008218810.tif 000018
【図１７】
2008218810.tif 000019
【図１８】
2008218810.tif 000020
【図１９】
2008218810.tif 000021