(57)【要約】【課題】ＴＦＴの劣化を改善してアモルファスＳｉで駆動する安価な有機ＥＬ表示装置を得る。【解決手段】有機ＥＬの画素駆動回路として、画素選択スイッチング用の第１のＴＦＴと、有機ＥＬを駆動するためのドライブ用第２のＴＦＴとを備える有機ＥＬ表示装置であって、前記第１と第２のＴＦＴは、１つのゲート電極１０上に、アモルファスＳｉでなる半導体層２０が形成され、当該半導体層２０の上に、ドレイン電極の終端のない円形でなる電極先端部３０ａ，３０ｂ，・・・とソース電極４０の終端のない円形でなる電極先端部４０ａ，４０ｂ，・・・とが複数配列されてそれぞれ形成された。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機ＥＬの画素駆動回路として、画素選択スイッチング用の第１のＴＦＴと、有機ＥＬを駆動するためのドライブ用第２のＴＦＴとを備える有機ＥＬ表示装置であって、
前記第１と第２のＴＦＴは、１つのゲート電極上に、アモルファスＳｉでなる半導体層が形成され、当該半導体層の上に、ドレイン電極の円形でなる電極先端部とソース電極の円形でなる電極先端部とが複数配列されてそれぞれ形成された
ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置において、
前記ドレイン電極とソース電極との間に、ソースとドレインが共通接続された複数のＴＦＴが直列接続され、かつ左右隣接するＴＦＴ同士が並列接続されてなる
ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、有機ＥＬ液晶表示装置に関し、特にＴＦＴ劣化を改善する有機ＥＬ液晶表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、有機ＥＬをＴＦＴで駆動するためには、最低限２個のトランジスタを使うことが知られている（例えば、特許文献１参照）。すなわち、前段の画素選択スイッチング用ＴＦＴと後段のドライブ用ＴＦＴとが用いられる。特に、有機ＥＬは、ダイオード特性を持ち、電流に比例した輝度を出すことから、後段に電流駆動をするドライブ用ＴＦＴが必要であるとされている。ここで、ＴＦＴ、特にアモルファスＳｉ ＴＦＴが液晶ディスプレイでは主流であり、これを使うことはコスト的に大きなメリットがある。
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−１７６０６３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、アモルファスＳｉ ＴＦＴはバイアス条件によってＶｔｈシフトを起こすので、この改善は大きな課題となっている。すなわち、ソース電極及びソース電極と対向するドレイン電極にはチャネル幅方向の終端部が存在し、１フレーム期間の間、画素に電流を流し続けるので、電流ストレスによって劣化が生じ、Ｖｔｈシフトが起こる。このような劣化は、ソースまたはドレイン電極に終端部がない断面構造が円状のＴＦＴの場合にも、円形の中に島を作るので終端部はわずかに残り、ソースドレインの端起因による劣化を起こすことが知られている。
【０００５】
この発明は上述した点に鑑みてなされたもので、ＴＦＴの劣化を改善してアモルファスＳｉで駆動する安価な有機ＥＬ表示装置を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
この発明に係る有機ＥＬ表示装置は、有機ＥＬの画素駆動回路として、画素選択スイッチング用の第１のＴＦＴと、有機ＥＬを駆動するためのドライブ用第２のＴＦＴとを備える有機ＥＬ表示装置であって、前記第１と第２のＴＦＴは、１つのゲート電極上に、アモルファスＳｉでなる半導体層が形成され、当該半導体層の上に、ドレイン電極の円形でなる電極先端部とソース電極の円形でなる電極先端部とが複数配列されてそれぞれ形成されたことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
この発明によれば、ドレイン電極及びソース電極に終端部画存在しないことから終端部の存在に起因する劣化を防止でき、ＴＦＴの劣化を改善してアモルファスＳｉで駆動する安価な有機ＥＬ表示装置を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
図１は、一般的な有機ＥＬ表示装置の画素駆動回路の等価回路図である。有機ＥＬ表示装置の画素駆動回路の等価回路図としては、図１に示すように、二つのＴＦＴ、すなわち、１フレーム期間の間、画素に電流を流し続けるための画素選択スイッチング用のＴＦＴ１と、有機ＥＬ３を駆動するためのドライブ用ＴＦＴ２とを備えている。
【０００９】
図２と図３は、この発明の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置における前記ＴＦＴ１及び２として用いられるＴＦＴの１つのゲート電極上に形成されるソース電極とドレイン電極の配置構成を示す平面図と等価回路図である。図２に示すように、１つのゲート電極１０上に、アモルファスＳｉでなる半導体層２０が形成され、半導体層２０の上に、ドレイン電極３０の終端のない構造の円形でなる電極先端部３０ａ，３０ｂ，・・・とソース電極４０の終端のない円形でなる電極先端部４０ａ，４０ｂ，・・・とが複数配列されてなり、後述する図３に示す如く、ソース電極の電極先端部が次のＴＦＴのドレイン電極にもなるように構成されており、複数のＴＦＴ、例えばＴ１，Ｔ２，Ｔ３，Ｔ４が直列接続される。また、左右隣接するＴＦＴは並列接続される。
【００１０】
すなわち、等価回路図としては、図２に示すドレイン電極３０とソース電極４０の円形でなる電極先端部の間に形成される半導体層２０によってＴＦＴの機能を持ち、図３に示すように、チャネルドレイン電極３０とソース電極４０との間に、ソースとドレインが共通接続された複数のＴＦＴ、例えばＴ１，Ｔ２，Ｔ３及びＴ４が直列接続され、左右隣接するＴＦＴ、例えばＴ１，Ｔ５，Ｔ９が並列接続されている。
【００１１】
従って、図２及び図３に示す実施の形態によれば、画素選択スイッチング用の第１のＴＦＴと、有機ＥＬを駆動するためのドライブ用第２のＴＦＴとを、１つのゲート電極上に形成された、アモルファスＳｉでなる半導体層上に、ドレイン電極の円形でなる電極先端部とソース電極の円形でなる電極先端部とを複数配列してそれぞれ形成し、前記ドレイン電極とソース電極との間に、ソースとドレインが共通接続された複数のＴＦＴを直列接続し、かつ左右隣接するＴＦＴ同士を並列接続して構成したので、終端部の存在に起因する劣化を防止でき、また、ドレインからソースに流れる電流を複数のＴＦＴで分散させることで面積当たりの電流密度を小さくして劣化が生じてもその影響を少なくすることができ、ＴＦＴの劣化を改善してアモルファスＳｉで駆動する安価な有機ＥＬ表示装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】一般的な有機ＥＬ表示装置の画素駆動回路の等価回路図である。
【図２】この発明の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置におけるＴＦＴ１及び２として用いられるＴＦＴの１つのゲート電極上に形成されるソース電極とドレイン電極の配置構成を示す平面図である。
【図３】図２の等価回路図である。
【符号の説明】
【００１３】
１  画素選択スイッチング用のＴＦＴ、２  ドライブ用ＴＦＴ、３  有機ＥＬ、１０  ゲート電極、２０  半導体層、３０  ドレイン電極、３０ａ，３０ｂ，・・・  電極先端部、４０  ソース電極、４０ａ，４０ｂ，・・・  電極先端部、Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３及びＴ４  直列接続されたＴＦＴ、Ｔ１，Ｔ５，Ｔ９  並列接続された隣接するＴＦＴ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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