(57)【要約】【課題】基板などの被加工物を切断する方法において、切断加工中のトラブルを抑え、所望の加工精度にて効率的に被加工物の切断が行える切断方法を提供する。【解決手段】パッケージ母材８を保持テーブル１１に保持し、Ｘ・Ｙ・Ｚ移動機構６０を動かし一次切断ライン３ａの開始点を合わせる。次いで、加工水供給手段１４を動かしてウォータジェットをパッケージ母材８へ噴射し、Ｘ・Ｙ・Ｚ移動機構６０によりパッケージ母材８を一次切断ライン３ａに沿って移動させ、パッケージ母材８を切断する。このとき、全てのチップ積層部４を同じ形状に切断するとともに、一次切断エリア８ｂをパッケージ母材８と一体に保持する。全ての一次切断ライン３ａを切断したら、ダイシングテープ９を貼着する。次いで、二次切断工程により二次切断ライン３ｂを一次切断工程と同様に切断する。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
板状の被加工物を保持する保持手段と、
高圧の加工水を供給する加工水供給手段と、
該加工水供給手段から供給された加工水を、前記保持手段に保持された被加工物に噴射するノズルと、
該ノズルと前記保持手段とを相対移動させて、ノズルから噴射される加工水の被加工物への噴射位置を可変とする噴射位置移動手段と
を備えるウォータジェット加工装置によって、
加工水を、被加工物に設定される直線状および／または曲線状の切断予定ラインに沿って噴射して該切断予定ラインによって区画された複数の同一形状部位を切り出すウォータジェット加工方法において、
前記同一形状部位を区画する各切断予定ラインの全てに対して、該切断予定ラインの同一部分を一部残存させて他の部分を切断し、該残存部分で被加工物としての一体状態を保持するとともに、切断部分は被加工物の端縁の内側にとどめる一次切断工程を行い、
次いで、被加工物の一の面に粘着部材を貼着する粘着部材貼着工程を行い、
次いで、前記切断予定ラインの前記残存部を切断する二次切断工程を行うことを特徴とするウォータジェット加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板等の被加工物を切断する方法に係り、特に高圧の加工水を被加工物に噴射して切断する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体チップ等のデバイスは、ウェーハの表面に区画された多数の格子状の矩形領域にＩＣやＬＳＩ等の電子回路を形成し、それら矩形領域の境界の分割予定ラインを切断することにより個片化されている。ウェーハを切断するには、切削ブレードで切断するダイシング装置や、レーザ光線を照射するレーザ装置が用いられている。個片化されたデバイスは、小型化が図られるＣＳＰ（Chip Size Package）と呼ばれるパッケージング技術でパッケージされる場合がある。
【０００３】
ＣＳＰ技術のひとつであるＱＦＮパッケージは、デバイスサイズの多数のリードフレームが区画された銅板等からなる基板の各リードフレーム上にデバイスを積層して実装し、これらデバイスを樹脂で封止してＣＳＰ基板を製造し、次いでこのＣＳＰ基板をリードフレームごとに切断して得ている。ＣＳＰ基板の切断は、上記ダイシング装置が一般的に用いられていたが、切断で生じたバリがリード端子の短絡を招き品質を低下させる場合があったので、近年では、砥粒を混入した高圧の加工水をＣＳＰ基板に噴射し、ＣＳＰ基板を切断するウォータジェット加工装置が用いられてきている。
【０００４】
このような、ウォータジェット加工装置によるＣＳＰ基板の切断加工方法として、例えば特許文献１に記載の方法がある。この方法は、ＣＳＰ基板に格子状に形成されている分割予定ラインを二回に分けて、それぞれ一筆書きの要領でＣＳＰ基板の切断を行うものである。この方法では、第一の切断工程と第二の切断工程との間に、ＣＳＰ基板の表面に保護シートを貼着する保護シート貼着工程を行うため、第二の切断工程後に個片化されたＣＳＰ基板が分散してしまうのを防ぐことができる。
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−２７１１２０公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記特許文献の第一の切断工程では、ＣＳＰ基板を櫛形状に切断する。これによって、切断されたエリアは基板に対して片持ちの状態になる。この切断されたエリアは、基板に元々存在する応力により反り上がってしまい、厚み方向に突出する形になる。ＣＳＰ基板がこのような反り上がった状態になると、次工程である保護テープ貼着工程や第二の切断工程において、基板の搬送エラーや保護テープの貼着ミスなどのトラブルが発生するおそれがある。また、反り上がった状態で第二の切断加工を行うと、加工精度を低下させるおそれがある。
【０００７】
よって本発明は、基板などの被加工物をウォータジェット加工装置により切断加工する方法において、切断加工中のトラブルを抑え、所望の加工精度にて効率的に被加工物の切断加工を行える被加工物の切断方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、板状の被加工物を保持する保持手段と、高圧の加工水を供給する加工水供給手段と、加工水供給手段から供給された加工水を、保持手段に保持された被加工物に噴射するノズルと、ノズルと保持手段とを相対移動させて、ノズルから噴射される加工水の被加工物への噴射位置を可変とする噴射位置移動手段とを備えるウォータジェット加工装置によって、加工水を、被加工物に設定される直線状および／または曲線状の切断予定ラインに沿って噴射して切断予定ラインによって区画された複数の同一形状部位を切り出すウォータジェット加工方法において、同一形状部位を区画する各切断予定ラインの全てに対して、切断予定ラインの同一部分を一部残存させて他の部分を切断し、残存部分で被加工物との一体状態を保持するとともに、切断部分は被加工物の端縁の内側にとどめる一次切断工程を行い、次いで、被加工物の一の面に粘着部材を貼着する粘着部材貼着工程を行い、次いで、切断予定ラインの残存部を切断する二次切断工程を行うことを特徴としている。
【０００９】
本発明の切断加工方法は、被加工物の切断を一次切断工程と二次切断工程とに分けて行うものである。この一次切断工程と二次切断工程との間には、切断後の被加工物が分散しないように粘着部材を被加工物の一の面に貼着する粘着部材貼着工程を行う。一次切断工程では、全ての同一形状部位を同じ形状に切断するとともに、同一形状部位を被加工物と一体に保持する。このため、従来技術のように一回目の切断で被加工物に対して片持ちになる部分が必ず発生するとは限らない。また、一回目の切断で被加工物に対して片持ちの部分が発生したとしても、この被加工物に対して片持ちになる部分の長さを比較的短くすることができる。この結果、被加工物の反りや突出の度合いを抑えることができる。
【００１０】
次いで、粘着部材貼着工程で被加工物の一の面に粘着部材を貼着して、二次切断工程により一次切断工程で残存させた切断予定ラインを切断して、所望の形状に切断された被加工物が得られる。これらの結果、粘着部材貼着工程での被加工物への粘着部材貼着ミスなどの一次切断工程以降でのトラブルの発生を抑えることができるため、円滑に被加工物の切断作業が行えるとともに、切断後の被加工物の加工精度の向上が図れる。
【００１１】
本発明の切断加工方法は、一次切断工程および／または二次切断工程での切断予定ラインに対する切断を、少なくとも２つの同一形状部位にわたって連続して行うことが好ましい。これにより、被加工物の切断加工中に加工水の噴射を停止させる時間を極力抑えることができるため、切断加工時間が短縮し、より効率的な切断加工が可能になる。
【００１２】
また、本発明の切断加工方法では、一次切断工程および／または二次切断工程での切断予定ラインに対する切断の開始点および終点を、切断予定ラインから外れた箇所に設定することが好ましい。砥粒を混入した加工水を用いるウォータジェット加工装置の切断加工では、噴射された加工水を受ける被加工物の表面にエロージョンという腐食が生じるおそれがある。このエロージョンは、砥粒が含まれている加工水が被加工物の噴射地点周辺に飛散するため、加工水中の砥粒や、削られた粒状の被加工物材料などが被加工物に付着することで発生するものである。特に開始点および終点は、加工水が噴射される時間が比較的長いため、切断予定ラインの他の地点よりエロージョンの影響を大いに受けるおそれがある。そのため、開始点および終点を切断予定ラインより外側へ設けることにより、被加工物の同一形状部位へのエロージョンの影響を抑えることができる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、一次切断工程後の被加工物の反りを抑えることで、一次切断工程以降でのトラブルの発生を防止することができ、その結果、所望の加工精度にて効率的に被加工物の切断加工を行うことができるといった効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、図面を参照して本発明の一実施形態を説明する。
［１］パッケージ母材
図１は、本発明に係るパッケージ母材の製造手順を示しており、図中符号１は長方形状に形成された半導体パッケージ用の基板である。この基板１の表面には図１（ａ）に示すように複数（この場合は２つ）の矩形状のチップ実装領域２が設けられ、該領域２内に、切断予定ライン３によって多数のチップ積層部４が格子状に区画されている。パッケージ母材を得るには、まず、基板１の各チップ積層部４に、図１（ｂ）に示すように第１の半導体チップ５と第２の半導体チップ６を積層して接合するとともに、チップ５，６どうしやチップ５，６と基板１とを電気的に結線して実装する。
【００１５】
次いで、チップ実装領域２ごとに図示せぬモールド金型を基板１に被せ、このモールド金型内に液状の樹脂を充填し、固化させる。モールド金型は、チップ実装領域２の形状および寸法に対応した矩形の薄いケース状のものである。モールド金型内の樹脂が固化した後、モールド金型を樹脂から剥離して取り外し、図１（ｃ）に示す基板１上に積層された半導体チップ５，６（図１（ｃ）では見えない）が樹脂７でモールドされたパッケージ母材８を得る。
【００１６】
［２］ウォータジェット加工装置の構成
図２には、一実施形態のウォータジェット加工装置を示している。同図には、互いに直交する水平なＸ方向・Ｙ方向と、鉛直方向であるＺ方向を矢印で示している。このウォータジェット加工装置１０は、Ｘ・Ｙ・Ｚ方向に移動自在とされた保持テーブル（保持手段）１１に基板１を保持し、保持した基板１に向けて噴射ノズル（ノズル）１３からウォータジェット（水に砥粒が混合された高圧の加工水）を噴射して切断加工するものである。
【００１７】
保持テーブル１１は、Ｙ方向に延びる直方体状の固定ベース２０に対して、Ｙ軸移動ベース３０、Ｚ軸移動ベース４０およびＸ軸移動ベース５０からなるＸ・Ｙ・Ｚ移動機構（噴射位置移動手段）６０を介して取り付けられている。固定ベース２０の一側面には長手方向（Ｙ方向）に延びる一対のガイドレール２１が形成されており、これらガイドレール２１に、Ｙ軸移動ベース３０がＹ方向に摺動自在に取り付けられている。
【００１８】
Ｙ軸移動ベース３０は、Ｙ軸移動機構３１によりガイドレール２１に沿ってＹ方向に移動させられる。Ｙ軸移動機構３１は、ガイドレール２１間に配され、固定ベース２０に回転可能に支持されたＹ方向に延びるねじロッド３２と、このねじロッド３２を正逆回転させるパルスモータ３３とで構成されている。ねじロッド３２はＹ軸移動ベース３０に螺合して貫通しており、また、回転自在ではあるが軸方向には移動不能とされている。Ｙ軸移動ベース３０は、Ｙ軸移動機構３１のパルスモータ３３が作動してねじロッド３２が回転すると、その回転方向に応じたＹ方向に、ガイドレール２１に沿って移動するようになっている。
【００１９】
Ｚ軸移動ベース４０はＹ軸移動ベース３０に、また、Ｘ軸移動ベース５０はＺ軸移動ベース４０に、それぞれ取り付けられているが、取り付け構造は、Ｙ軸移動ベース３０が固定ベース２０に取り付けられている構造と同様であり、そして移動機構も同様の構造である。
【００２０】
Ｚ軸移動ベース４０は、Ｙ軸移動ベース３０に形成されたＺ方向に延びる一対のガイドレール３４に摺動自在に取り付けられ、Ｚ軸移動機構４１によりガイドレール３４に沿ってＺ方向に昇降させられる。Ｚ軸移動機構４１は、Ｙ軸移動ベース３０に回転可能に支持され、Ｚ軸移動ベース４０に螺合して貫通するＺ方向に延びるねじロッド４２と、このねじロッド４２を正逆回転させるパルスモータ４３とで構成され、パルスモータ４３によってねじロッド４２が回転すると、その回転方向に応じたＺ方向にＺ軸移動ベース４０が移動（昇降）するようになっている。
【００２１】
Ｘ軸移動ベース５０は、Ｚ軸移動ベース４０に形成されたＸ方向に延びる一対のガイドレール４４に摺動自在に取り付けられ、Ｘ軸移動機構５１によりガイドレール４４に沿ってＸ方向に移動させられる。Ｘ軸移動機構５１は、Ｚ軸移動ベース４０に回転可能に支持され、Ｘ軸移動ベース５０に螺合して貫通するＹ方向に延びるねじロッド（図示省略）と、このねじロッドを正逆回転させるパルスモータ５３とで構成され、パルスモータ５３によってねじロッドが回転すると、その回転方向に応じたＸ方向にＸ軸移動ベース５０が移動するようになされている。
【００２２】
Ｘ軸移動ベース５０の、Ｚ軸移動ベース４０への取り付け側とは反対側の面には、Ｙ方向に延びる平板状の上記保持テーブル１１が取り付けられている。保持テーブル１１の先端側には、Ｙ方向に長い長方形状の装着口１１ａが開口しており、この装着口１１ａの周囲の四隅には、上方に突出する位置決めピン１２が設けられている。保持テーブル１１には、位置決めピン１２を利用して基板１が位置決めされ、基板１は保持テーブル１１ごと、上記Ｘ・Ｙ・Ｚ移動機構６０によってＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向に移動させられる。基板１の位置決めは、基板１を保持し、位置決めピン１２に着脱可能に装着される図示せぬ治具が用いられる。
【００２３】
保持テーブル１１の上方には、上記噴射ノズル１３がウォータジェットの噴射方向を鉛直下方に向けた状態で配設されている。この噴射ノズル１３は、加工水供給手段１４に接続されており、この加工水供給手段１４から高圧の加工水が供給され、保持テーブル１１に保持された基板１へウォータジェットを噴射する。また、噴射ノズル１３の周囲には、水平方向に長く延びたドーム形状で保持テーブル１１側に開口しているダクト１５が配設されている。このダクト１５には、噴射ノズル１３と並ぶようにしてダクト管１６が配設されている。このダクト管１６は、吸引手段１７に接続されている。吸引手段１７は、ウォータジェットが周囲に拡散してミスト状になった加工水を、ダクト１５からダクト管１６を経由して吸引する。噴射ノズル１３とダクト１５とは、ブラケット１８とノズル支持アーム１９とを介して固定ベース２０に固定されている。
【００２４】
Ｘ軸移動機構５１やＹ軸移動機構３１を作動させて保持テーブル１１をＸ・Ｙ方向に移動させることで、保持テーブル１１に保持された基板１に対する噴射ノズル１３からのウォータジェットの噴射位置が調整可能になっている。一方、Ｚ軸移動機構４１を作動させて保持テーブル１１をＺ方向に昇降させることで、保持テーブル１１に保持された基板１に対する噴射ノズル１３からのウォータジェットの噴射距離が調整可能になっている。
【００２５】
保持テーブル１１の下方には、噴射ノズル１３から噴射されるウォータジェットを受け止める緩衝槽８０が配設されている。この緩衝槽８０の中には、ウォータジェットの水勢を減衰させるための水が貯留されている。緩衝槽８０内の水は、図示しない排水手段により排水され、常に一定の量になるようにされている。
【００２６】
［３］ウォータジェット加工装置によるパッケージ母材の切断方法
以上がウォータジェット加工装置１０の構成であり、続いて、本実施形態のウォータジェット加工装置１０による切断加工方法を図２〜図４を用いて説明する。
【００２７】
（Ｉ）一次切断工程
パッケージ母材８を、位置決めピン１２により位置合わせして、保持テーブル１１上にセットする。パッケージ母材８は、長手方向がＹ方向と平行に配置され、一次切断工程では、図３に示すように長手方向、すなわちＹ方向に延びる一次切断予定ライン３ａを切断する。Ｘ・Ｙ・Ｚ移動機構６０のＹ軸移動ベース３０およびＸ軸移動ベース５０をそれぞれ適宜に移動させることにより、パッケージ母材８を噴射ノズル１３の下方の加工領域に移動させ、さらに噴射ノズル１３から噴射するウォータジェットＷのターゲットに、一つの一次切断予定ライン３ａの一端を切断開始点として合わせる。そして、Ｚ軸移動ベース４０を上昇させて噴射ノズル１３の先端の噴射口１３ａとパッケージ母材８との間隔を適宜なものに調整する。
【００２８】
なお、はじめに切断する一次切断予定ライン３ａは、平行に配列されている複数の一次切断予定ライン３ａの最も外側の２本のうち一方が選択される。また、一次切断予定ライン３ａの両端は、切断の開始点と終点になるが、本実施形態でのこれら両端の位置は、最も外側にある二次切断予定ライン３ｂを超えてはみ出している。これと同様に、一次切断予定ライン３ａに直交する二次切断予定ライン３ｂの両端の位置は、最も外側にある一次切断予定ライン３ａを超えてはみ出している。すなわち、各切断予定ライン３ａ、３ｂの切断の開始点および終点は、パッケージ母材８における切断領域の外側に設定される。
【００２９】
次いで、加工水供給手段１４を作動させて噴射ノズル１３から所定圧力で加工水を噴射させ、加工水の噴射状態であるウォータジェットＷを一次切断予定ライン３ａの開始点に当て、パッケージ母材８を貫通させる。このとき、吸引手段１７を同時に作動させ、ウォータジェットＷが周囲に拡散してミスト状になった加工水や削られて粒状になった基板材料を、ダクト１５から吸引する。ウォータジェットＷがパッケージ母材８を貫通したら、図３（ａ）に示すようにＹ軸移動ベース３０を移動させ、一次切断ライン２２ａを形成する。ウォータジェットＷが終点まで到達し、一次切断予定ライン３ａの一つが切断できたら、加工水の噴射を一端停止させる。
【００３０】
次いで、Ｘ軸移動ベース５０を移動させて、ウォータジェットＷのターゲットを切断されていない隣の一次切断ライン３ａの切断開始点に合わせる。そして、再び噴射ノズル１３からウォータジェットＷを噴射させ、パッケージ母材８を一次切断ライン３ａの開始点から終点までを切断する。この一次切断予定ライン３ａの切断の繰り返しによって、パッケージ母材８に一次切断ライン２２ａを形成させる。一次切断工程では、全てのチップ積層部４を同じ形状に切断するとともに、一次切断エリア８ｂをパッケージ母材８と一体に保持する。
【００３１】
（II）粘着部材貼着工程
一次切断工程終了後、全ての一次切断予定ライン３ａの切断が終了したら、Ｘ・Ｙ・Ｚ移動機構６０により、パッケージ母材８を待機領域に移動させる。次いで、保持テーブル１１からパッケージ母材８を取り外し、パッケージ母材の下面８ａに粘着部材を貼着する。本実施形態では粘着部材として、アクリルなどの合成樹脂フィルムの表面に紫外線を照射することによって粘着力が低下する接着剤が塗布されているダイシングテープ９を用いる。この粘着部材は、パッケージ母材８の切断加工の妨げにならず、二次切断工程終了後にパッケージ母材８の切断部分の落下を防止できるものであれば、ダイシングテープ９以外のものを用いても構わない。
【００３２】
（III）二次切断工程
ダイシングテープ９をパッケージ母材８の下面に貼着したら、一次切断工程と同様に、再びパッケージ母材８をウォータジェット加工装置１０の保持テーブル１１上にセットする。次に、Ｘ・Ｙ・Ｚ移動機構６０のＹ軸移動ベース３０およびＸ軸移動ベース５０をそれぞれ適宜に移動させ、パッケージ母材８を噴射ノズル１３の下方の加工領域に移動させる。さらに噴射ノズル１３から噴射するウォータジェットのターゲットにパッケージ母材８の二次切断を開始する開始点を合わせる。なお、はじめに切断する二次切断予定ライン３ｂは、平行に配列されている複数の二次切断予定ライン３ｂの最も外側の２本のうち一方が選択される。
【００３３】
次いで、一次切断工程と同様に噴射ノズル１３から加工水をパッケージ母材８に噴射させ、パッケージ母材８の切断を開始する。このとき、図４（ａ）に示すようにＸ軸移動ベース５０を移動させ、二次切断ライン２２ｂを形成する。ウォータジェットＷが終点まで到達し、二次切断予定ライン３ｂの一つが切断できたら、加工水の噴射を一端停止させ、Ｙ軸移動ベース３０を移動させてウォータジェットのターゲットを切断されていない隣の二次切断予定ライン３ｂの切断開始点に合わせる。そして、噴射ノズル１３からウォータジェットＷを噴射させ，パッケージ母材８の切断を再度開始し二次切断ライン２２ｂを形成させる。この繰り返しによって、全ての二次切断予定ライン３ｂを切断する。
【００３４】
全ての二次切断予定ライン３ｂの切断が終了したら、パッケージ母材８を待機領域に移動させる。以上が本実施形態のウォータジェット加工装置１０による切断加工方法であり、この切断加工方法が繰り返し行われて、所定の大きさに切断された半導体パッケージが多数得られる。なお、Ｘ・Ｙ・Ｚ移動機構６０の動作や噴射ノズル１３からのウォータジェットの噴射等の動作は、予め必要データが記憶されて、それに基づき制御を行う制御手段（図示省略）によって適宜に制御される。また、ダイシングテープ９は、切断後に紫外線が照射され、粘着力を低下させた後に個片化した部分をピックアップする。本実施形態では、一次切断工程でＹ方向に延びる切断予定ライン３、二次切断工程でＸ方向に延びる切断予定ライン３を切断したが、切断の順序を逆にしても本実施形態と同様の効果が得られる。
【００３５】
図５（ａ）、（ｂ）に示すように従来技術では、二回の切断工程を一筆書きの要領で行っている。そのため、図５（ｂ）に示すように一回目の切断工程後のパッケージ母材８は、パッケージ母材８に元々存在する応力により反り上がってしまい、切断加工された一次切断エリア８ｂが厚み方向に突出する形になってしまう。この状態のまま、次工程である粘着部材貼着工程や二次切断工程を行うと、パッケージ母材８の搬送エラーや粘着部材の貼着ミスなどのトラブルが発生するおそれがあった。また、反り上がった状態で二次切断加工を行うと、加工精度を低下させるおそれがあった。
【００３６】
しかしながら、本実施形態での一次切断エリア８ｂは、図３（ｂ）に示すようにパッケージ母材８に対して両持ちの状態になる。これにより、パッケージ母材８の反りを抑えることができるため、一次切断エリア８ｂの突出を抑えることができる。その結果、従来技術で発生していた種々のトラブルを抑えることができ、一次切断加工以降も効率的に切断加工が行える。また、一次切断工程後の反りを抑えることで加工精度を向上させることができるため、所望の加工精度の半導体パッケージを得ることができる。
【００３７】
図６（ａ）および図７（ａ）は、本発明の切断加工方法の一次切断加工終了時点で、一次切断エリア８ｂがパッケージ母材８に対して片持ちの状態になったものを示している。この場合、一次切断エリア８ｂがパッケージ母材８に対して片持ちの状態になっているため、一次切断エリア８ｂが上記実施形態に比べ突出する。このときの一次切断エリア８ｂは、同じ形状に切断された個片部である。そのため、一次切断エリア８ｂの長さが比較的短くなり、反りや突出の度合いを従来技術より抑えることができる。その結果、従来技術で発生していたトラブルを抑えることができる。この一次切断加工後、ダイシングテープ９を貼着し、図６（ｂ）および図７（ｂ）に示すように二次切断工程で切断予定ライン３の残存部分（図の実線部分）を切断すれば、上記実施形態と同様に加工精度の高い半導体パッケージが得られる。これらの結果、本発明の切断加工方法では、様々な形状に区画した部分を所望の加工精度にて効率的に切断することができる。
【００３８】
また、切断の開始点および終点を切断予定ラインから外れた箇所に設けているため、半導体パッケージへのエロージョンの影響を抑えることができる。特に開始点および終点は、加工水が噴射される時間が比較的長いため、切断予定ラインの他の地点よりエロージョンの影響を大いに受けるおそれがある。また、半導体パッケージがエロージョンの影響を受けてしまうと、製品としての価値が損なわれ不良品になってしまうおそれがある。そのため、切断の開始点および終点を切断予定ラインから外れた箇所に設け、半導体パッケージへのエロージョンの影響を抑えることで、歩留まりを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】本発明の一実施形態で切断加工されるパッケージ母材の製造過程を示す斜視図である。
【図２】本発明の一実施形態に係るウォータジェット加工装置の斜視図である。
【図３】（ａ）は、一実施形態の切断加工方法の一次切断工程の様子を示した斜視図、（ｂ）は、一次切断工程で切断されるパッケージ母材を示した平面図である。
【図４】（ａ）は、一実施形態の切断加工方法の二次切断工程の様子を示した斜視図、（ｂ）は、二次切断工程で切断されるパッケージ母材を示した平面図である。
【図５】（ａ）は、従来技術での一回目の切断工程の切断経路を示した平面図、（ｂ）は、従来技術での一回目の切断工程で切断されたパッケージ母材の側面図、（ｃ）は、従来技術での二回目の切断工程の切断経路を示した平面図である。
【図６】（ａ）は、一実施形態の切断加工方法で一実施形態と切断予定ラインの形状が異なるパッケージ母材の一次切断工程の切断経路を示した平面図、（ｂ）は、そのパッケージ母材の二次切断工程の切断経路を示した平面図である。
【図７】（ａ）は、一実施形態の切断加工方法で一実施形態と切断予定ラインの形状が異なるパッケージ母材の一次切断工程の切断経路を示した平面図、（ｂ）は、そのパッケージ母材の二次切断工程の切断経路を示した平面図である。
【符号の説明】
【００４０】
３…切断予定ライン
４…チップ積層部（同一形状部位）
８…パッケージ母材（被加工物）
８ａ…パッケージ母材の下面（被加工物の一の面）
９…ダイシングテープ（粘着部材）
１０…ウォータジェット加工装置
１１…保持テーブル（保持手段）
１３…噴射ノズル（ノズル）
１４…加工水供給手段
６０…Ｘ・Ｙ・Ｚ移動機構（噴射位置移動手段）
【図１】
2008284635.tif 000003
【図２】
2008284635.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
2008284635.tif 000007
【図６】
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【図７】
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