(57)【要約】【課題】隣接ワイヤ間での接触を防止し、ワイヤ結線の自由度が高く、小型で高性能な半導体装置及びその効率的な製造方法の提供。【解決手段】本発明の半導体装置は、表面に電極２１が配設された基板１０と、表面に電極２２が配設され前記基板１０に支持された第１の半導体素子１１Ａとを具備する半導体装置であって、  前記基板１０上及び前記第１の半導体素子１１Ａ上の少なくともいずれかに配設された少なくとも一つの電極（電極２１及び電極２２の少なくともいずれか）に、第１のバンプ３１を介して第１のワイヤ４１が接続され、当該第１のワイヤ４１の被接続部に、第２のバンプ３２を介して第２のワイヤ４２が接続されてなる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に電極が配設された基板と、
表面に電極が配設され前記基板に支持された第１の半導体素子と
を具備する半導体装置であって、
前記基板上及び前記第１の半導体素子上の少なくともいずれかに配設された少なくとも一つの電極に、第１のバンプを介して第１のワイヤが接続され、
当該第１のワイヤの被接続部に、第２のバンプを介して第２のワイヤが接続されてなる
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１のワイヤ及び第２のワイヤは、それぞれ第１のバンプ及び第２のバンプに対してスティッチボンディングされてなる請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
第１のバンプと第２のバンプとの間に、少なくとも１つの第３のバンプが配設された請求項１から２のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項４】
第２のワイヤの被接続部に第４のバンプが配設され、更に第３のワイヤが接続されてなる請求項１から３のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項５】
表面に電極が配設され第１の半導体素子に支持された第２の半導体素子を更に具備する請求項１から４のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項６】
第１の半導体素子及び第２の半導体素子の電極は電源端子であり、
当該電極が、前記第２の半導体素子の中央部近傍に位置する第３の電極と第４のワイヤにて電気的に接続される請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
表面に電極が配設された第１の半導体素子と、
表面に電極が配設され前記第１の半導体素子に支持された基体と
を具備する半導体装置であって、
前記基体上及び前記第１の半導体素子上の少なくともいずれかに配設された少なくとも一つの電極に、第１のバンプを介して第１のワイヤが接続され、
当該第１のワイヤの被接続部に、第２のバンプを介して第２のワイヤが接続されてなる
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
第１の半導体素子上及び基体上の少なくともいずれかに第２の半導体素子が配設される請求項７に記載の半導体装置。
【請求項９】
表面に電極が配設された基板上に、表面に電極が配設された半導体素子を搭載する工程と、
前記基板上及び前記半導体素子上の少なくともいずれかに配設された少なくとも一つの電極に、第１のバンプを介して第１のワイヤを接続する工程と、
前記第１のワイヤの被接続部に、第２のバンプを介して第２のワイヤを接続する工程と
を少なくとも含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
第１のバンプ及び第２のバンプに対し、それぞれ第１のワイヤ及び第２のワイヤをスティッチボンディング法により接続する請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及びその製造方法に関し、特に隣接するワイヤ間に於ける接触が防止されてワイヤ結線の自由度が高められた半導体装置及びその効率的な製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置に於ける電極間の電気的接続にあっては、従来、半導体チップ（半導体素子）上の１つの電極端子に対し、複数のワイヤを接続することにより行われる場合がある（例えば、特許文献１〜８参照）。
このような場合、半導体チップ上の１つの電極端子に対し複数、例えば２本のワイヤを接続することにより、電極端子数を低減して半導体チップの小型化を図ることができ、もって半導体装置の小型化を実現することができる。
尚、前記特許文献１〜８にあっては、複数の半導体チップを積層配置し、半導体チップ間をそれぞれワイヤで接続した半導体装置が提案されている。
【０００３】
これらの場合、１つの半導体装置内に複数の半導体チップを具備するため、半導体装置の高機能化及び多機能化を図ることができ、しかも、半導体チップが積層配置されているため、半導体装置をシステムボード等に実装する際、半導体装置の占有面積を低減させることができる。
更に、前記半導体装置に於いては、積層配置された複数の半導体チップに於ける、２つの半導体チップ同士の電極パッド間がワイヤで結線され、当該結線された電極パッドのうちの１つと、別の半導体チップの電極パッド又は配線基板のボンディングパッド若しくはリードフレームのボンディングリードとが別のワイヤを用いて結線されている。
このような構成に於いては、個々の半導体チップに於ける電極パッドと配線基板のボンディングパッド又はリードフレームのボンディングリードとを個別にワイヤで結線する場合に比して、ワイヤの長さが長くなり過ぎなくて済むという利点がある。ワイヤの長さが長いと、ワイヤループを安定した形状に制御して形成することが困難となり、ワイヤ形成時に、隣接ワイヤと接触することがあり、製造歩留りが低下してしまう。また、ワイヤのループ高さが高くなり、半導体装置の小型化（薄型化）の要求に応ずることができない。更に、ワイヤが変形し易くなり、ワイヤを樹脂封止する際、樹脂の流動により、隣接するワイヤ同士が接触し、半導体装置が正常に機能しない状態を生じてしまう。
【０００４】
このように、これらの構成は、半導体装置の小型化の実現を図るという観点からは好適であるものの、ワイヤボンディングにより以下に示す問題が生じる。即ち、特許文献１〜３にあっては、ワイヤ結線形状（ループ形状及びワイヤの形成方法）が具体的に開示されておらず、ワイヤ形成時に前記隣接ワイヤとの接触が生じる可能性が高いと考えられる。
また、特許文献５及び特許文献９には、１つの電極パッド上に第１及び第２の２本のワイヤをボンディングする方法が開示されている。具体的には、２本のワイヤをボンディングする、半導体チップの電極パッド上に、予めバンプを配設し、他の半導体チップの電極パッド又は配線基板のボンディングパッド若しくはリードフレームのボンディングリードに、第１ボンディングを行い、次いで、前記バンプ上に第２ボンディングを行うことにより第１のワイヤを形成する。その後、更に別の半導体チップの電極パッド又は配線基板のボンディングパッド若しくはリードフレームのボンディングリードに、第１ボンディングを行い、次いで、前記バンプ上に第２ボンディングを行うことにより、第２のワイヤを形成する。
尚、通常のワイヤボンディングに於いては、前記第１ボンディングは、ワイヤの一端をスパークさせてボールを形成し、当該ボールをボンディングキャピラリを介して、荷重及び超音波を印加することにより電極パッド等に押し付けてボンディングする、所謂ボールボンディング（ネイルヘッドボンディングと称することもある）法により行われる。また、前記第２ボンディングは、ボンディングキャピラリの先端部（フェイス部）でワイヤを電極パッド等に押し付けてボンディングする、所謂スティッチボンディング法により行われる。しかし、これらの場合、バンプ上に２本のワイヤの第２ボンディング側端を重ねて、又は隣接してボンディングする際、第２のワイヤを第２ボンディングするときに、先に形成した第１のワイヤの第２ボンディング部にボンディングキャピラリが接触し、第１ワイヤの第２ボンディング部の接続を劣化させてしまうという問題がある。
【０００５】
また、特許文献４〜８にも、１つの電極パッド上に２本のワイヤをボンディングする方法が開示されている。
具体的には、２本のワイヤがボンディングされる半導体チップの電極パッド上に、予めバンプを配設し、他の半導体チップの電極パッド又は配線基板のボンディングパッド若しくはリードフレームのボンディングリードに、第１ボンディングを行い、次いで、前記バンプ上に第２ボンディングを行うことにより第１のワイヤを形成する。その後、前記バンプ上に第１ボンディングを行い、更に別の半導体チップの電極パッド又は配線基板のボンディングパッド若しくはリードフレームのボンディングリードに、第２ボンディングを行うことにより、第２のワイヤを形成する。尚、上述の通り、通常、前記第１ボンディングは所謂ボールボンディングで行われ、前記第２ボンディングは所謂スティッチボンディングにより行われる。
【０００６】
このような通常のワイヤボンディングにより形成されるワイヤループの形状は、第１ボンディング側では、第１ボンディング部から上方向に立ち上がった形状となり、第２ボンディング側では、第２ボンディング部にて寝た状態のワイヤが緩やかに持ち上がる形状となる。この為、第１ボンディング側ではループ高さが高く、第２ボンディング側ではループ高さが低くなり、ワイヤループとしては、階段状に同じようなループ形状のワイヤが連続的に形成される。
一方、ワイヤを封止樹脂により封止する際、半導体チップに於ける電極パッド、配線基板に於けるボンディングパッド、及びリードフレームに於けるボンディングリードの配置構成によっては、隣接するワイヤ同士が交差するように結線する必要があり、ワイヤボンディングを行うのが困難となることがある。また、ワイヤが交差すると、隣接するワイヤ同士が接触し、半導体装置が正常に機能しないことがあるという問題がある。例えば、前記特許文献１に記載の第１図（ａ）に示すように、階段状に同じようなループ形状のワイヤが連続的に形成される場合、ワイヤ同士が交差する部分でショートが発生することがある。
【０００７】
従って、半導体装置に於ける電極間の電気的接続をワイヤボンディングで行う場合、隣接ワイヤ間での接触を防止し、ワイヤ結線の自由度を向上させる技術は、未だ提供されていないのが現状であり、更なる開発が望まれている。
【０００８】
【特許文献１】特開平４−１４２０７３号公報
【特許文献２】特開平６−３７２５０号公報
【特許文献３】特開平１１−２０４７２０号公報
【特許文献４】特開２０００−１１４４５２号公報
【特許文献５】特開２０００−３０７０５７号公報
【特許文献６】特開２００２−１１０８９８号公報
【特許文献７】特開２００３−２４３４３６号公報
【特許文献８】特開２００３−２４３４４２号公報
【特許文献９】特開２００４−２２１２６４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、従来に於ける前記問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、本発明は、隣接ワイヤ間での接触を防止し、ワイヤ結線の自由度が高く、小型で高性能な半導体装置及びその効率的な製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
前記課題を解決するための手段としては、以下の通りである。即ち、
本発明の半導体装置は、表面に電極が配設された基板と、表面に電極が配設され前記基板に支持された第１の半導体素子とを具備する半導体装置であって、前記基板上及び前記第１の半導体素子上の少なくともいずれかに配設された少なくとも一つの電極に、第１のバンプを介して第１のワイヤが接続され、当該第１のワイヤの被接続部に、第２のバンプを介して第２のワイヤが接続されてなることを特徴とする。
当該半導体装置に於いては、前記基板上及び前記第１の半導体素子上の少なくともいずれかに配設された少なくとも一つの電極に対し、前記第１のワイヤ及び前記第２のワイヤが、前記第２のバンプを介した状態にて接続されているので、前記第１のワイヤの被接続部の劣化が防止される。また、隣接ワイヤ間での接触が防止され、特に、ワイヤがクロスして配置される場合にも隣接ワイヤ間での接触によるショートの発生が防止され、ワイヤ結線の自由度が高い。この為、ワイヤ配線の高密度化を図ることができ、小型で高性能である。
【００１１】
本発明の半導体装置は、表面に電極が配設された第１の半導体素子と、表面に電極が配設され前記第１の半導体素子に支持された基体とを具備する半導体装置であって、前記基体上及び前記第１の半導体素子上の少なくともいずれかに配設された少なくとも一つの電極に、第１のバンプを介して第１のワイヤが接続され、当該第１のワイヤの被接続部に、第２のバンプを介して第２のワイヤが接続されてなることを特徴とする。
該半導体装置に於いても、前記基体上及び前記第１の半導体素子上の少なくともいずれかに配設された少なくとも一つの電極に対し、前記第１のワイヤ及び前記第２のワイヤが、前記第２のバンプを介した状態にて接続されているので、前記第１のワイヤの被接続部の劣化が防止されるだけでなく、隣接ワイヤ間での接触が防止され、ワイヤ結線の自由度が高い。
【００１２】
本発明の半導体装置の製造方法は、表面に電極が配設された基板上に、表面に電極が配設された半導体素子を搭載する工程と、前記基板上及び前記半導体素子上の少なくともいずれかに配設された少なくとも一つの電極に、第１のバンプを介して第１のワイヤを接続する工程と、前記第１のワイヤの被接続部に、第２のバンプを介して第２のワイヤを接続する工程とを少なくとも含むことを特徴とする。
当該半導体装置の製造方法では、先ず、表面に電極が配設された前記基板上に、表面に電極が配設された前記半導体素子が搭載される。前記基板上及び前記半導体素子上の少なくともいずれかに配設された少なくとも一つの電極に、前記第１のバンプを介して前記第１のワイヤが接続される。前記第１のワイヤの被接続部に、前記第２のバンプを介して前記第２のワイヤが接続される。その結果、隣接ワイヤ間での接触が防止され、ワイヤ結線の自由度が向上し、特に、ワイヤがクロスして配置される場合にも隣接ワイヤ間での接触によるショートの発生が防止され、ワイヤ配線の高密度化が実現された、半導体装置が効率的に得られる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によると、従来に於ける問題を解決することができ、隣接ワイヤ間での接触を防止し、ワイヤ結線の自由度が高く、小型で高性能な半導体装置及びその効率的な製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明による半導体装置、及びその製造方法について、実施例をもって詳細に説明する。但し、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【００１５】
（実施例１）
本発明による半導体装置の第１の実施例を、図１に示す。
本実施例に於ける半導体装置１００は、所謂ＢＧＡ（ボールグリッドアレイ）タイプと称される半導体装置である。
かかる半導体装置１００にあっては、基板１０の主面（上面）上に、二つの半導体チップ（半導体素子）１１Ａ及び半導体チップ１１Ｂが、それぞれ接着剤１２Ａ及び１２Ｂを介して積層されて搭載されている。
かかるチップ積層構造は、異なる種類の半導体素子の組合せによる半導体装置の多機能化、メモリの大容量化による高機能化などを目的として適用される。
【００１６】
当該基板１０の上面に於いて、半導体チップ１１Ａの近傍には、所謂フォトエッチング法、選択メッキ法などにより形成された電極（電極パッドとも称される）２１が、選択的に配設されており、また当該半導体チップ１１Ａの上面（電子回路形成面）には、所謂ウエハプロセス工程に於いて形成された電極（電極パッド）２２が複数個配設されている。同様に半導体チップ１１Ｂの上面（電子回路形成面）にも、所謂ウエハプロセス工程に於いて形成された電極（電極パッド）２３が複数個配設されている。
そして、前記基板１０に於いて選択された電極２１と、半導体チップ１１Ａに於いて選択された電極２２とは、ボンディングワイヤ（接続線、接続用リード線、以下、「ワイヤ」と称する）４１により相互に接続され、また当該半導体チップ１１Ａに於いて選択された電極２２と、半導体チップ１１Ｂに於いて選択された電極２３とはワイヤ４２によって相互に接続されている。
【００１７】
更に、前記基板１０の上面、半導体チップ１１Ａ及び半導体チップ１１Ｂは、ワイヤ４１、ワイヤ４２と共に封止用樹脂１３により樹脂封止され、一方、前記基板１０の他方の主面（下面）には、外部接続端子１４としてのハンダボールが複数個配設されている。
尚、図１にあっては、当該半導体装置に於ける半導体チップの積層方向とは垂直の方向から見た構成が示される為、前記基板１０に於ける電極２１、半導体チップ１１Ａに於ける電極２２、半導体チップ１１Ｂに於ける電極２３は、それぞれ１個が示されるのみであるが、勿論当該基板１０、半導体チップ１１Ａ及び半導体チップ１１Ｂには、それぞれ複数個の電極が配設されている。
【００１８】
図示される本実施例にあっては、半導体チップ１１Ａに於ける電極２２に対し、２本のワイヤが接続されている。
当該電極２２は、当該半導体チップ１１Ａに於ける複数個の電極のうちの一つ或いは複数個であって、半導体チップ１１Ｂの電極２３と、同一の電圧或いは同一の電気信号が印加される電極である。
そして、当該半導体チップ１１Ａに於ける電極２２上には、バンプ３１が配設されている。
前記ワイヤ４１の一端（始端）は、球（ボール）状部Ｂとされて、基板１０に於いて選択された電極２１に対して所謂ボールボンディング法により接続され、また当該ワイヤ４１の他端（終端）は半導体チップ１１Ａの電極２２上に配設された前記バンプ３１に対してスティッチボンディング法により接続されている。
【００１９】
本実施例の特徴的構成として、当該ワイヤ４１の被スティッチボンディング部Ｓ上に、バンプ３２が配設されている。
そして、前記ワイヤ４２の一端（始端）は、球（ボール）状部Ｂとされて、半導体チップ１１Ｂに於いて選択された電極２３に対してボールボンディング法により接続され、その他端（終端）は前記バンプ３２に対しスティッチボンディング法により接続されている。
即ち、半導体チップ１１Ａに於いて選択された電極２２にあっては、当該電極２２上に配設されたバンプ３１に対してワイヤ４１がスティッチボンディングされ、更に当該ワイヤ４１の被スティッチボンディング部Ｓ上にはバンプ３２が配設され、当該バンプ３２に対してワイヤ４２がスティッチボンディングされており、ワイヤ４１及びワイヤ４２の被スティッチボンディング部Ｓは、当該半導体チップ１１Ａに於ける電極２２上にあって、バンプ３２を介して積層状態とされて接続されている。
尚、当該ワイヤ４１及びワイヤ４２の接続順はこれに限られるものではなく、バンプ３１に対してワイヤ４２をスティッチボンディングし、その被スティッチボンディング部Ｓ上にバンプ３２を配設し、当該バンプ３２に対してワイヤ４１をスティッチボンディングすることも勿論実施可能である。
【００２０】
かかる構成に於いて、前記基板１０は、ガラスエポキシ、ガラスＢＴ、ポリイミドなどの有機絶縁材料、或いはセラミック、ガラスなどの無機絶縁材料から形成され、その表面、或いは内部に、銅（Ｃｕ）等からなる配線層が配設される。必要であれば、当該配線層は絶縁層を介して複数積層され、当該基板１０は、所謂多層配線構造とされる。
前記電極２１も、当該配線層と同様の材料から形成されている。
また、前記半導体チップ１１Ａに配設された電極２２、及び半導体チップ１１Ｂに配設された電極２３は、電極パッドとも称され、所謂ウエハプロセス工程に於いて、アルミニウム（Ａｌ）合金、或いは銅（Ｃｕ）合金などから形成される。
前記半導体チップ１１Ａ及び半導体チップ１１Ｂは、シリコン（Ｓｉ）或いはガリウム砒素（ＧａＡｓ）等の半導体材料からなり、その一方の主面に、所謂ウエハプロセス工程をもって能動素子、受動素子を含む電子回路が形成されており、電極２２及び電極２３はそれぞれ、当該電子回路形成面に絶縁層或いは多層配線層を介して配設されている。前記能動素子、受動素子及び電極相互間は、配線層を介して接続されている。
【００２１】
また、前記ワイヤ４１及びワイヤ４２としては、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、或いはこれらの合金からなる線材が適用され、その直径は、１８μｍφ〜３０μｍφ程のものが選択される。
また、前記バンプ３１及びバンプ３２は、前記ワイヤ４１及びワイヤ４２と同様の材料が適用され、その形成方法としては、所謂ボールボンディング法を適用することができる。
一方、前記接着剤１２Ａ及び１２Ｂとしては、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂、或いはアクリル系樹脂等の絶縁性樹脂接着剤を適用することができる。
更に、前記封止用樹脂１３としては、エポキシ樹脂が適用され得る。
【００２２】
この様に、本実施例１にあっては、複数本のワイヤが接続される電極２２部に対して接続されるワイヤのそれぞれは、所謂スティッチボンディング法により接続されている。
従って、当該電極２２近傍に於ける、被接続ワイヤ（ワイヤ４１及びワイヤ４２）の形成するループ高さを低くすることができる。
この為、当該ワイヤ４１及びワイヤ４２の上方に、他のワイヤを、そのループ高さを必要以上に高くすることなく配置することができ、ワイヤ結線の自由度が高められる。また、これにより、封止用樹脂１３の高さ（厚さ）を抑制することができ、半導体装置の小型化を図ることができる。
【００２３】
また、電極２２に対してワイヤ４１を接続する際、電極２２上にバンプ３１を配設し、当該バンプ３１に対して当該ワイヤ４１をスティッチボンディング法により接続した後、当該ワイヤ４１の被スティッチボンディング部Ｓを含むバンプ３１上にバンプ３２を配設している。
かかるバンプ３２の積層配設により、バンプ３１とワイヤ４１との接続が補強される。
【００２４】
また、電極２２に対してワイヤ４２を接続する際、前記ワイヤ４１の被スティッチボンディング部Ｓを含むバンプ３１上にバンプ３２が配設され、ワイヤ４２は当該バンプ３２に対してスティッチボンディングされている。
従って、当該ワイヤ４２の被スティッチボンディング部Ｓとワイヤ４１の被スティッチボンディング部Ｓとの間は離間され、ワイヤ４２はワイヤ４１の被スティッチボンディング部に干渉することなく、バンプ３２に対してスティッチボンディング処理される。
更にこのとき、当該バンプ３２の存在によって、ワイヤ４２の被接続方向（導出方向）の自由度が高まり、もってワイヤ４１及びワイヤ４２は、その接続方向（導出方向）に制限を生じない。
【００２５】
（実施例１の変形例その１）
前記実施例１に於ける半導体装置１００は、次の様に変形することができる。
即ち、図２に示すように、基板１０に替えて、所謂リードフレーム構造を適用してもよい。
当該半導体装置１５０に於いては、リードフレーム１５のダイパッド１５Ａ上に、半導体チップ１１Ａ及び半導体チップ１１Ｂが積層されて配置されている。
そして、当該ダイパッド１５Ａ、リードフレーム１５のインナーリード１５Ｂ、半導体チップ１１Ａ及び半導体チップ１１Ｂは、ワイヤ４１及びワイヤ４２と共に封止用樹脂１３により樹脂封止されている。
【００２６】
かかる構成に於いて、前記ワイヤ４１の一端（始端）は、球（ボール）状部Ｂとされて、リードフレーム１５のインナーリード１５Ｂに対して所謂ボールボンディング法により接続され、またその他端（終端）は、半導体チップ１１Ａに於いて選択された電極２２上に配設されたバンプ３１に対して、スティッチボンディング法により接続されている。
そして、当該ワイヤ４１の被スティッチボンディング部Ｓ上に、バンプ３２が配設されている。
更に、前記ワイヤ４２の一端（始端）は、球（ボール）状部Ｂとされて、半導体チップ１１Ｂに於いて選択された電極２３に対して所謂ボールボンディング法により接続され、その他端（終端）は前記バンプ３２に対しスティッチボンディング法により接続されている。
かかる構成に於いても、前記実施例１と同様の効果が発揮される。
【００２７】
（実施例１の変形例その２）
前記半導体装置１００に於いて、電極２２に接続される２本のワイヤ（ワイヤ４１及びワイヤ４２）の接続順を逆にした場合の接続構成を、図３に示す。
即ち、先ず半導体チップ１１Ａ上に配設された電極２２と、半導体チップ１１Ｂ上に配設された電極２３とをワイヤ４２により接続した後に、基板１０に配設された電極２１と、半導体チップ１１Ａ上に配設された電極２２とをワイヤ４１により接続する。
【００２８】
かかる接続手順によれば、電極２２上に配設されたバンプ３１に対して、先ずワイヤ４２の他端（終端）をスティッチボンディングし、その被スティッチボンディング部Ｓ上にバンプ３２を配設し、しかる後当該バンプ３２に対してワイヤ４１の他端（終端）をスティッチボンディングする。
尚、ワイヤ４２は、その一端（始端）が半導体チップ１１Ｂ上に配設された電極２３に対してボールボンディング法により接続される。また、ワイヤ４１は、その一端（始端）が基板１０に配設された電極２１に対してボールボンディング法により接続される。
このような接続手順によっても、前記実施例１と同様の効果が発揮される。
尚、図３及びこれ以降の図に於いては、封止用樹脂１３及び外部接続端子１４としてのハンダボールについて、図示及びその説明を省略する。
【００２９】
（実施例２）
本発明による半導体装置の第２の実施例を、図４に示す。
本実施例に於ける半導体装置２００にあっては、前記実施例１の変形例その２に示す構成に於いて、バンプ３１とバンプ３２との間に、バンプ３３が複数個（２個）積層されて配設されている。
この様にバンプ３１とバンプ３２との間に、更にバンプ３３を配設することにより、ワイヤ４１とワイヤ４２との離間距離が拡大され、もってワイヤ４２に干渉することなく、より確実にワイヤ４１のスティッチボンディングを行うことができる。
また、当該バンプ３３の配設により、電極２２に於けるワイヤ４１の被スティッチボンディング部Ｓの高さが高くされ、もって当該ワイヤ４１のループ高さが高くされる。
従って、当該ワイヤ４１のループの下方に、図示されない他のワイヤを配置させることができ、ワイヤ結線の自由度を高めることができる。
尚、バンプ３３の個数（段数）は、本実施例では２個（段）であるが、勿論これに限られるものではなく、１個（段）であってもよいし、３以上の個（段）数であってもよい。
また、前記実施例１に示す構成にあっても、必要に応じて、ワイヤ４１の被スティッチボンディング部Ｓ上に、当該バンプ３３を配設してもよいことは勿論である。
【００３０】
（実施例３）
本発明による半導体装置の第３の実施例を、図５に示す。
本実施例に於ける半導体装置３００にあっては、電極２２上にあって、バンプ３１上に配設されたバンプ３２に対してスティッチボンディング法により接続されたワイヤ４２の被スティッチボンディング部Ｓ上に、更にバンプ３４が配設される。
当該ワイヤ４２の被スティッチボンディング部Ｓ上に、更に前記バンプ３４が配設されることにより、前記バンプ３２に対するワイヤ４２の被スティッチボンディング部Ｓが補強され、その接続がより強固なものとされる。
また、当該バンプ３４に対して、更に別のワイヤをボンディングすることも可能となり、設計の自由度を高めることができる。
【００３１】
（実施例４）
本発明による半導体装置の第４の実施例を、図６に示す。
本実施例に於ける半導体装置４００にあっては、前記基板１０の上面に選択的に配置された２つの電極２１Ａ及び２１Ｂのそれぞれが、ワイヤ４１Ａ及びワイヤ４１Ｂにより、半導体チップ１１Ａに於ける電極２２へ接続されている。
また、当該半導体チップ１１Ａ上に配設された半導体チップ１１Ｂの電極２３はワイヤ４２により、半導体チップ１１Ａの電極２２へ接続されている。
即ち、当該半導体装置４００にあっては、一つの電極２２に対して、３本のワイヤが接続されている。
【００３２】
かかる構成を実現する為に、先ずワイヤ４１Ａは、その一端（始端）が球（ボール）状部Ｂとされて、基板１０に於ける電極２１Ａに対して所謂ボールボンディング法により接続され、また当該ワイヤ４１Ａの他端（終端）は、半導体チップ１１Ａの電極２２上に配設されたバンプ３１に対してスティッチボンディング法により接続されている。
そして、当該ワイヤ４１Ａの被スティッチボンディング部Ｓ上に、バンプ３２が配設されている。
更に、前記ワイヤ４２の一端（始端）は、球（ボール）状部Ｂとされて、半導体チップ１１Ｂに於ける電極２３に対してボールボンディング法により接続され、その他端（終端）が前記バンプ３２に対してスティッチボンディング法により接続されている。
当該ワイヤ４２の被スティッチボンディング部Ｓ上に、バンプ３４が配設されている。
そして、前記ワイヤ４１Ｂの一端（始端）は、球（ボール）状部Ｂとされて、基板１０に於ける電極２１Ｂに対してボールボンディング法により接続され、その他端（終端）が前記バンプ３４に対してスティッチボンディング法により接続されている。
【００３３】
本実施例４にあっては、１つの電極（電極２２）に多数本のワイヤを接続する際、その被接続部間にバンプが配設されることにより、互いの被接続部に影響を与えることなく接続することができ、ワイヤによる結線の自由度を高めることができる。
尚、前記半導体チップ１１Ａ、半導体チップ１１Ｂに対する電源を強化する必要がある場合、本実施例のワイヤ接続構成に於いて、基板１０に配設された電極２１Ａ及び電極２１Ｂを共に電源端子とすることにより、電源を強化した半導体装置を構成することができる。
【００３４】
（実施例５）
本発明による半導体装置の第５の実施例を、図７に示す。
本実施例に於ける半導体装置５００にあっては、半導体チップ１１Ａ上に、当該半導体チップ１１Ａの電極２２から離間して半導体チップ１１Ｂが搭載され、当該半導体チップ１１Ｂと電極２２との間には、中継部材５０が載置され、接着剤１２を介して半導体チップ１１Ａ上に固着されている。
当該中継部材５０は、板状の半導体部材或いは絶縁性部材からなる基体５１上に、中継用電極５２が選択的に配設されている。そして、当該電極５２上にはバンプ３１が配設されている。
【００３５】
かかる中継部材５０を具備する構成に於いて、半導体チップ１１Ａに於ける電極２２と、当該中継部材５０に於ける電極５２は、ワイヤ４１により接続され、また当該中継部材５０の電極５２と、半導体チップ１１Ｂに於ける電極２３は、ワイヤ４２によって接続されている。
本実施例にあっては、前記ワイヤ４１の一端（始端）は、球（ボール）状部Ｂとされて、半導体チップ１１Ａに於ける電極２２に対して所謂ボールボンディング法により接続され、また当該ワイヤ４１の他端（終端）は、中継部材５０の電極５２上の前記バンプ３１に対してスティッチボンディング法により接続されている。
そして、当該ワイヤ４１の被スティッチボンディング部Ｓ上には、バンプ３２が配設されている。
更に、前記ワイヤ４２の一端（始端）は、球（ボール）状部Ｂとされて、半導体チップ１１Ｂに於ける電極２３に対してボールボンディング法により接続され、その他端（終端）は、前記バンプ３２に対してスティッチボンディング法により接続されている。
尚、当該ワイヤ４１及びワイヤ４２の接続順はこれに限られるものではなく、バンプ３１に対してワイヤ４２の終端をスティッチボンディングし、その被スティッチボンディング部Ｓ上にバンプ３２を配設し、当該バンプ３２に対してワイヤ４１の終端をスティッチボンディングすることも勿論可能である。
【００３６】
かかる構成に於いて、前記中継部材５０は、シリコン（Ｓｉ）、ガラスエポキシ、ガラスＢＴ或いはポリイミドなどの材料から構成される。当該中継部材５０を、シリコン（Ｓｉ）から形成する場合、半導体チップと同様に、所謂ウエハプロセスを適用することにより、シリコン基体上に、電極（電極パッド）を微細かつ高精度に形成することができる。
この場合、中継部材５０を、半導体チップ１１Ｂの製造に用いる設備と同様の設備を用いて製造することができる。
中継部材の厚みは、半導体チップ１１Ｂの厚みと同等であるのが好ましく、例えば、５０〜２００μｍの厚みとされるのが好ましい。
また、当該中継部材５０上には、必要に応じて複数の電極が配設されてもよく、電極間を相互に接続する配線層が設けられてもよい。
【００３７】
この様に、本実施例５にあっては、表面に電極５２を具備する中継部材５０を、半導体チップ１１Ａ上などに配設し、当該中継部材５０をもってワイヤ結線を中継させている。
これにより、ワイヤ結線の自由度を向上させることができる。
また、前記半導体チップ１１Ａに於ける電極２２と、前記半導体チップ１１Ｂに於ける電極２３との間を、１本のワイヤで結線する場合に比して、短いワイヤを用いて結線することができる。この為、ワイヤ長が長過ぎることにより生じる、ワイヤループの変形等による隣接ワイヤ間の接触、及び当該接触による電気的短絡（ショート）の発生を防止することができる。
【００３８】
（実施例５の変形例）
前記実施例５に於ける半導体装置５００は、以下の様に変形することができる。
即ち、図８に示すように、前記中継部材５０を大面積の板状とし、半導体チップ１１Ａと半導体チップ１１Ｂとの間に介在させて配置することもできる。
当該半導体装置５５０にあっては、前記半導体チップ１１Ａ、板状の中継部材５０及び前記半導体チップ１１Ｂが、基板１０の一方の主面（上面）上に、それぞれ接着剤１２Ａ、接着剤１２、及び接着剤１２Ｂを介して順次積層されて搭載されている。
【００３９】
かかる構成にあっては、中継部材５０に於ける電極５２は、半導体チップ１１Ａ及び半導体チップ１１Ｂ双方の電極からのワイヤが接続可能な位置に配設され、例えば両電極から等距離に位置する様、その位置が選択される。
かかる構成に於いても、前記実施例５と同様の効果が発揮され、中継部材５０によってワイヤ結線を中継させることができ、ワイヤ結線の自由度を向上させ、またワイヤショートの発生を防止することができる。
【００４０】
尚、本変形例にあっては、中継部材５０の電極５２に対するワイヤ４１及びワイヤ４２の接続順を、前記図３に示した構成（変形例２）と同様の順番としている。
即ち、半導体チップ１１Ｂ上に配設された電極２３と、中継部材５０上に配設された電極５２とをワイヤ４２により接続した後、当該ワイヤ４２の被スティッチボンディング部Ｓ上にバンプ３２を配設し、当該バンプ３２に対して半導体チップ１１Ａ上に配設された電極２２から導出されたワイヤ４１の終端をスティッチボンディングしている。
勿論、先ずワイヤ４１を接続し、しかる後ワイヤ４２を接続することも選択することができる。
【００４１】
（実施例６）
本発明による半導体装置の第６の実施例を、図９に示す。
本実施例に於ける半導体装置６００にあっては、基板１０の一方の主面（上面）上に、３個の半導体チップ（半導体素子）１１Ａ、１１Ｂ及び１１Ｃが、それぞれ接着剤１２Ａ、１２Ｂ及び１２Ｃを介して積層されて搭載されている。
【００４２】
当該基板１０の上面に於いて、半導体チップ１１Ａの近傍には、電極２１が選択的に配設されており、また当該半導体チップ１１Ａの上面（電子回路形成面）には、所謂ウエハプロセス工程に於いて形成された電極（電極パッド）２２が複数個配設されている。同様に、半導体チップ１１Ｂ及び半導体チップ１１Ｃの上面（電子回路形成面）にも、それぞれ、所謂ウエハプロセス工程に於いて形成された電極（電極パッド）２３及び２４が複数個配設されている。
そして、前記基板１０に於いて選択された電極２１と半導体チップ１１Ａに於いて選択された電極２２とは、ワイヤ４１により相互に接続され、また当該半導体チップ１１Ａの電極２２と半導体チップ１１Ｂに於いて選択された電極２３とはワイヤ４２により相互に接続され、更に当該半導体チップ１１Ｂの電極２３と半導体チップ１１Ｃに於いて選択された電極２４とはワイヤ４３によって相互に接続されている。
尚、図９にあっては、当該半導体装置に於ける半導体チップの積層方向とは垂直の方向から見た構成が示される為、前記基板１０に於ける電極２１、半導体チップ１１Ａに於ける電極２２、半導体チップ１１Ｂに於ける電極２３、及び半導体チップ１１Ｃに於ける電極２４は、それぞれ１個が示されるのみであるが、勿論当該基板１０、及び半導体チップ１１Ａ〜１１Ｃには、それぞれ複数個の電極が配設されている。
また、前記半導体チップ１１Ａの電極２２上にはバンプ３１ａが配設されており、また前記半導体チップ１１Ｂの電極２３上にはバンプ３１ｂが配設されている。
そして、前記ワイヤ４１の一端（始端）は、球（ボール）状部Ｂとされて、基板１０に於ける電極２１に対して所謂ボールボンディング法により接続され、また当該ワイヤ４１の他端（終端）は、半導体チップ１１Ａの電極２２上の前記バンプ３１ａに対してスティッチボンディング法により接続されている。
【００４３】
また、ワイヤ４２の一端（始端）は、球（ボール）状部Ｂとされて、前記ワイヤ４１の被スティッチボンディング部Ｓを含む電極２２上のバンプ３１ａに対してボールボンディング法により接続され、当該ワイヤ４２の他端（終端）は、半導体チップ１１Ｂの電極２３上のバンプ３１ｂに対してスティッチボンディング法により接続されている。
更に、当該ワイヤ４２の被スティッチボンディング部Ｓ上には、バンプ３２が配設されている。
【００４４】
一方、ワイヤ４３の一端（始端）は、球（ボール）状部Ｂとされて、半導体チップ１１Ｃの電極２４に対しボールボンディング法により接続され、当該ワイヤ４３の他端（終端）は、前記半導体チップ１１Ｂの電極２３上のバンプ３２に対しスティッチボンディング法により接続されている。
【００４５】
この様に、本実施例６にあっては、半導体チップ１１Ａに於ける電極２２上にバンプ３１ａを配設し、当該バンプ３１ａ上にワイヤ４１をスティッチボンディングにより接続してなる構成に於いて、当該スティッチボンディング部Ｓに対してワイヤ４２の一端（始端）をボールボンディング法により接続する構成を含む。
また、半導体チップ１１Ｂの電極は、半導体チップ１１Ａと半導体チップ１１Ｃとの間を接続するワイヤの中継を果たしている。
従って、複数個の半導体チップ相互間にワイヤを接続する際、ワイヤの接続構成について、その選択の幅を拡げることができる。
【００４６】
（実施例７）
本発明による半導体装置の第７の実施例を、図１０に示す。
本実施例に於ける半導体装置７００にあっては、基板１０の一方の主面（上面）上に、半導体チップ（半導体素子）１１Ａが、接着剤１２Ａにより固着されて搭載されている。
そして、当該基板１０の上面に於いて、半導体チップ１１Ａの近傍には、電極が選択的に配設されており、また当該半導体チップ１１Ａの上面（電子回路形成面）にも、電極２２が複数個配設されている。そして、前記基板１０の上面に配置された電極の中から、２つの電極２１Ａ及び２１Ｂが選択され、それぞれがワイヤ４１Ａ及びワイヤ４１Ｂにより、前記半導体チップ１１Ａに於いて選択された電極２２と相互に接続されている。
前記半導体チップ１１Ａの電極２２上には、バンプ３１が配設されている。
【００４７】
かかる構成に於いて、前記ワイヤ４１Ａの一端（始端）は、球（ボール）状部Ｂとされて、基板１０の電極２１Ａに対して所謂ボールボンディング法により接続され、またその他端（終端）は、半導体チップ１１Ａの電極２２上に配設された前記バンプ３１に対してスティッチボンディング法により接続されている。
そして、当該ワイヤ４１Ａの被スティッチボンディング部Ｓ上に、バンプ３２が配設されている。
一方、前記ワイヤ４１Ｂの一端（始端）は、球（ボール）状部Ｂとされて、基板１０の電極２１Ｂに対してボールボンディング法により接続され、またその他端（終端）は、前記バンプ３２に対してスティッチボンディング法により接続されている。
【００４８】
この様なワイヤの接続構成によれば、半導体チップ１１Ａに於いて電極２２が電源端子として設定されている場合、当該電極２２に対して基板１０上の複数個の電極から電源を供給することが可能となり、電源の強化を施した半導体装置を構成することができる。
かかる場合、基板１０上の電極数を必要に応じて増加することも容易であり、このとき、先に接続されたワイヤのスティッチボンディング部上にバンプを配設し、当該バンプに対し次のワイヤをスティッチボンディングする。
【００４９】
（実施例８）
本発明による半導体装置の第８の実施例を、図１１に示す。
本実施例に於ける半導体装置８００にあっては、基板１０の一方の主面（上面）上に、二つの半導体チップ（半導体素子）１１Ａ及び半導体チップ１１Ｂが、それぞれ接着剤１２Ａ及び接着剤１２Ｂを介して積層されて搭載されている。
当該基板１０の上面に於いて、半導体チップ１１Ａの近傍には、複数個の電極が選択的に配設されており、また、当該半導体チップ１１Ａの上面（電子回路形成面）及び半導体チップ１１Ｂの上面（電子回路形成面）にも、電極が複数個配設されている。
前記基板１０の上面に配置された複数個の電極に於いて、２つの電極２１Ａ及び２１Ｂが選択され、また、前記半導体チップ１１Ａの上面に配置された電極に於いて電極２２が選択されている。また、前記半導体チップ１１Ｂの上面に配置された電極に於いては、当該半導体チップ１１Ｂの略中央近傍に配設された電極２３Ａと、当該半導体チップ１１Ｂのエッジ近傍に配設された電極２３Ｂとが選択されている。
【００５０】
ここで、基板１０に於いて選択された電極２１Ａと、半導体チップ１１Ａに於いて選択された電極２２とは、ワイヤ４４により相互に接続されている。
一方、基板１０に於いて選択された電極２１Ｂと、半導体チップ１１Ｂに於いて選択された電極２３Ｂとは、ワイヤ４５により相互に接続され、更に半導体チップ１１Ｂに於いて選択された電極２３Ａと前記電極２３Ｂとは、ワイヤ４６により相互に接続されている。
そして、電極２３Ｂ上には、バンプ３１が配設されている。
【００５１】
かかる構成に於いて、前記ワイヤ４４の一端（始端）は、球（ボール）状部Ｂとされて、半導体チップ１１Ａに於ける電極２２にボールボンディング法により接続され、その他端（終端）が、基板１０上の電極２１Ａに対しスティッチボンディング法により接続されている。
また、ワイヤ４６の一端（始端）は、球（ボール）状部Ｂとされて、半導体チップ１１Ｂの略中央近傍に配設された電極２３Ａに対してボールボンディング法により接続され、また当該ワイヤ４６の他端（終端）は、半導体チップ１１Ｂに於ける電極２３Ｂ上のバンプ３１に対してスティッチボンディング法により接続されている。
そして、当該ワイヤ４６の被スティッチボンディング部Ｓ上には、バンプ３２が配設されている。
一方、前記ワイヤ４５の一端（始端）は、球（ボール）状部Ｂとされて、基板１０に於ける電極２１Ｂにボールボンディング法により接続され、その他端（終端）がバンプ３２に対して、スティッチボンディング法により接続されている。
【００５２】
尚、前記ワイヤ４４の接続構成は、前記実施例と同様に、基板１０上の電極２１Ａに対し当該ワイヤ４４の一端（始端）をボールボンディング法により接続し、その他端（終端）を半導体チップ１１Ａの電極２２に対してスティッチボンディング法によって接続し得ることは勿論である。
また、当該ワイヤ４４の接続は、ワイヤ４５の接続に先行してなされる。
【００５３】
この様なワイヤの接続構成によれば、半導体チップ１１Ｂ上に配設された電極２３Ａ及び２３Ｂが共通の電源端子として設定される場合、直接半導体チップ１１Ｂの回路中央部の電極２３Ｂに対して電源を供給する構成を容易になすことができ、当該半導体チップ１１Ｂの動作の安定化を図ることができる。
【００５４】
（実施例９）
本発明の半導体装置の製造方法について、前記半導体装置１００の製造方法を掲げ、図面を参照しつつ説明する。
かかる半導体装置１００にあっては、基板１０の主面（上面）上に、二つの半導体素子（半導体チップ）１１Ａ及び１１Ｂが、それぞれ接着剤１２Ａ及び１２Ｂを介して積層されて搭載されている。
当該基板１０の上面に於いて、半導体チップ１１Ａの近傍には、所謂フォトエッチング法、選択メッキ法などにより形成された電極２１（電極パッドとも称される）が選択的に配設されており、また当該半導体チップ１１Ａの上面（電子回路形成面）には、所謂ウエハプロセス工程に於いて形成された電極（電極パッド）２２が複数個配設されている。同様に半導体チップ１１Ｂの上面（電子回路形成面）にも、所謂ウエハプロセス工程に於いて形成された電極（電極パッド）２３が複数個配設されている。
かかる基板、半導体チップの積層構造を得る為、その一方の主面上に接着剤１２Ａ及び１２Ｂを介して半導体チップ１１Ａ及び半導体チップ１１Ｂが順次積層された基板１０を、ボンディングステージ（図示せず）上に載置し、半導体チップ１１Ａ、半導体チップ１１Ｂ及び基板１０を加熱する。この際の加熱温度は、７０℃〜２００℃とされる。
【００５５】
この様に積層配置された、基板１０、半導体チップ１１Ａ及び半導体チップ１１Ｂの電極間を接続（ワイヤボンディング）するため、次の手順が執られる。
【００５６】
先ず、ボンディングキャピラリ６１の先端から導出された金（Ａｕ）ワイヤの先端部に対し、トーチ電極（図示せず）を用いての高電圧スパーク法により溶融し、ボール状部３０を形成する（図１２Ａ参照）。
そして、半導体チップ１１Ａの電極２２上に、ボール部３０を当接させ、ボンディングキャピラリ６１により、当該ボール部３０に荷重を印加すると共に、当該荷重の印加方向に対して垂直方向に超音波振動を付与しつつ、当該ボール状部３０を電極２２にボンディングする（図１２Ｂ参照）。
尚、当該超音波振動の印加は、電極（電極パッド）２２の表面に於ける酸化膜或いは汚染物を除去して、ボール状部３０と電極２２との間のボンディングを確実に行う為に有効である。
【００５７】
しかる後、ボンディングキャピラリ６１を電極２２表面に対して垂直方向に引き上げることにより金（Ａｕ）ワイヤは切断され、電極２２上に金（Ａｕ）バンプ３１が形成される（図１２Ｃ参照）。
尚、ボンディングキャピラリ６１の垂直方向への引き上げに先立って、或いはバンプ３１の形成後に、当該バンプ３１の頂部に対し平坦化処理を施してもよい。
【００５８】
次いで、前記基板１０の電極２１の上方に於いて、ボンディングキャピラリ６１から導出された金ワイヤ（ワイヤ４１）の先端を、ボール形状に溶融し球（ボール）状部Ｂを形成する（図１３Ａ参照）。
球状化処理は、前述のトーチ電極を用いての高電圧スパーク法が適用される。
【００５９】
そして、電極２１に、球（ボール）状部Ｂを当接させ、ボンディングキャピラリ６１により、当該球（ボール）状部Ｂに荷重を印加すると共に、かかる荷重の印加方向に対して垂直方向に超音波振動を付与して、ボンディングを行う（図１３Ｂ参照）。
次いで、前記ボンディングキャピラリ６１を、電極２１に対して垂直方向に引き上げる（図１３Ｃ参照）。
【００６０】
続いて、ボンディングキャピラリ６１から金（Ａｕ）ワイヤ４１を更に引き出しつつ、当該ボンディングキャピラリ６１を、半導体チップ１１Ａの電極２２上に形成された金（Ａｕ）バンプ３１との接続位置まで移動させる（図１３Ｄ参照）。
【００６１】
そして、当該金（Ａｕ）バンプ３１に対し、金（Ａｕ）ワイヤ４１の端部を押圧し、金（Ａｕ）バンプ３１に対し金（Ａｕ）ワイヤ４１をスティッチボンディングする（図１３Ｅ参照）。
尚、かかるボンディングは、同一金属材料（金）間での接続であるため、超音波振動の付与を必要としない。
【００６２】
この結果、前記金（Ａｕ）ワイヤ４１の他端（終端）は、金（Ａｕ）バンプ３１にスティッチボンディングされ、スティッチボンディング部Ｓが形成される（図１３Ｅ参照）。
【００６３】
次いで、前記金（Ａｕ）バンプ３１の形成方法と同様の方法により、金（Ａｕ）ワイヤ４１の被スティッチボンディング部Ｓを有する当該金（Ａｕ）バンプ３１上に、金（Ａｕ）バンプ３２を形成する。
即ち、ボンディングキャピラリ６１から導出された金（Ａｕ）ワイヤの先端に、再度金（Ａｕ）ボール状部３０を形成する（図１４Ａ参照）。
かかる、金（Ａｕ）ワイヤの球状化処理は、前述のトーチ電極を用いての高電圧スパーク法が適用される。
【００６４】
次いで、前記スティッチボンディング部Ｓを含む金（Ａｕ）バンプ３１上に、当該金（Ａｕ）ボール状部３０を当接し、荷重を印加して両ボールをボンディングする（図１４Ｂ参照）。
しかる後、ボンディングキャピラリ６１を引き上げることにより金（Ａｕ）ワイヤは切断され、金（Ａｕ）バンプ３１上に金（Ａｕ）バンプ３２が配置される（図１４Ｃ参照）。
尚、金（Ａｕ）バンプ３２の頂部に対し、適宜平坦化処理を施してもよい。
【００６５】
次いで、半導体チップ１１Ｂの電極２３と半導体チップ１１Ａの電極２２との間を、金（Ａｕ）ワイヤ４２により接続する。
即ち、ボンディングキャピラリ６１を電極２３の上方に配置し、ボンディングキャピラリ６１から導出された金（Ａｕ）ワイヤ４２の先端に、再度金（Ａｕ）ボール状部Ｂを形成する（図１５Ａ参照）。
そして、電極２３上に、金（Ａｕ）ボール状部Ｂを当接させ、ボンディングキャピラリ６１により、当該金（Ａｕ）ボール状部Ｂに荷重を印加すると共に、当該荷重の印加方向に対して垂直方向に超音波振動を付与して、ボンディングを行う（図１５Ｂ参照）。
その後、ボンディングキャピラリ６１を電極２３表面に対して垂直方向に引き上げる（図１５Ｃ参照）。
【００６６】
続いて、ボンディングキャピラリ６１から金（Ａｕ）ワイヤ４２を更に引き出しつつ、当該ボンディングキャピラリ６１を、半導体チップ１１Ａの電極２２上に配設された前記金（Ａｕ）バンプ３２との接続位置まで移動させる（図１５Ｄ参照）。
そして、金（Ａｕ）バンプ３２上に、金（Ａｕ）ワイヤ４２を押圧し、スティッチボンディングを行う（図１５Ｅ参照）。
この結果、前記金（Ａｕ）ワイヤ４２の他端（終端）は、金（Ａｕ）バンプ３２にスティッチボンディングされ、スティッチボンディング部Ｓが形成される（図１５Ｆ参照）。
【００６７】
この様にして、基板１０、半導体チップ１１Ａ及び半導体チップ１１Ｂの電極間の接続（ワイヤボンディング）がなされる。
そして、封止用樹脂１３により樹脂封止を行い、基板１０の裏面にハンダボール１４を形成することにより、前記半導体装置１００が形成される。
【００６８】
この様な本発明の半導体装置の製造方法によれば、バンプ３２をバンプ３１に重ねて形成しているため、バンプ３１に於けるワイヤ４１の被スティッチボンディング部Ｓを、バンプ３２により補強することができる。
また、当該バンプ３２を配設することにより、ワイヤ４２を電極２２に接続する際、ワイヤ４２の被スティッチボンディング部Ｓが、当該バンプ３２を介して電極２２に接続される。この為、ワイヤ４２の被スティッチボンディング部Ｓとワイヤ４１とを離間させることができ、ワイヤ４１に干渉することなく、ワイヤ４２のスティッチボンディングを行うことができる。
【００６９】
（実施例１０）
前述の如く、基板１０、半導体チップ１１Ａ及び半導体チップ１１Ｂの電極間の接続がワイヤボンディング法によりなされる場合、当該基板１０、半導体チップ１１Ａ及び半導体チップ１１Ｂに於ける複数個の電極間を接続するワイヤが、交差する形態を生ずる場合がある。
本実施例にあっては、かかる交差状態を含むワイヤボンディング法について、前記バンプ配設構造を含むワイヤ接続構造を適用した構成を示す。
【００７０】
前記基板１０、半導体チップ１１Ａ及び半導体チップ１１Ｂの電極間を相互に接続するワイヤ結線構成の一例を図１６Ａに示し、当該ワイヤ接続構成に基づいて、基板並びに半導体チップに於ける電極間を、交差するワイヤをもって接続した状態を図１６Ｂに示す。
尚、図１６Ｂに於いて、図１６Ｂ−ｉはワイヤ結線を示す上面図であり、図１６Ｂ−iiは半導体チップの積層方向に対して垂直方向から見た側面図であって、図１６Ｂ−ｉに於ける矢印Ｐ方向より見た状態を示す。
【００７１】
図１６Ａに示すように、基板１０の一方の主面（上面）上に、半導体チップ１１Ａ及び半導体チップ１１Ｂが、この順に積層されて搭載されている。
当該基板１０の上面に於いて、半導体チップ１１Ａの近傍に位置するよう配設された複数個の電極（電極パッド）中、電極２１Ａ、電極２１Ｂ及び電極２１Ｃが、また半導体チップ１１Ａの上面（電子回路形成面）に形成された複数個の電極（電極パッド）中、電極２２Ａ及び電極２２Ｂが、更に半導体チップ１１Ｂの上面（電子回路形成面）に形成された電極（電極パッド）中、電極２３Ａ及び電極２３Ｂが図示されている。
前記半導体チップ１１Ａ上の電極２２Ａ及び２２Ｂは、半導体チップ１１Ａの縁部（エッジ）近傍に配置され、前記半導体チップ１１Ｂ上の電極２３Ａ及び２３Ｂは、半導体チップ１１Ｂの縁部（エッジ）近傍に配置されている。
そして、基板１０に於いて選択された電極２１Ａと、半導体チップ１１Ａに於いて選択された電極２２Ｂとは、金（Ａｕ）ワイヤ１０１により相互に接続される。
また、基板１０に於いて選択された電極２１Ｂと、半導体チップ１１Ｂに於いて選択された電極２３Ｂとは、金（Ａｕ）ワイヤ１０２により相互に接続される。
一方、基板１０に於いて選択された電極２１Ｃと、半導体チップ１１Ａに於いて選択された電極２２Ａとは、金（Ａｕ）ワイヤ１０３により相互に接続され、更に前記半導体チップ１１Ａに於いて選択された電極２２Ａと、半導体チップ１１Ｂに於いて選択された電極２３Ａとは、金（Ａｕ）ワイヤ１０４により相互に接続される。
【００７２】
かかる接続形態にあって、前記ワイヤ１０１は、基板１０の上方に於いてワイヤ１０２及びワイヤ１０３と交差し、一方ワイヤ１０２は、半導体チップ１１Ａの上方に於いてワイヤ１０４と交差する（交差ポイントＸ１〜Ｘ３）。
従って、かかる交差ポイントに於いて、ワイヤ相互間の接触を防止する構成が必要とされる。
【００７３】
図１６Ｂは、図１６Ａに示される基板１０、半導体チップ１１Ａ及び半導体チップ１１Ｂの電極間の接続構成について、本発明によるワイヤ接続構成並びに接続工程を適用した状態を示す。
図示される実施形態にあっては、半導体チップ１１Ａの電極２２Ａに対し、２本のワイヤが接続される。
かかる構成に於いて、半導体チップ１１Ａの電極２２Ａ上にはバンプ３１が配設され、また、半導体チップ１１Ｂに於ける電極２３Ｂ上にもバンプ３１が配設されている。
【００７４】
当該半導体チップ１１Ａに於いて選択された電極２２Ａ上には、バンプ３１が配設されている。また、半導体チップ１１Ｂに於いて選択された電極２３Ｂ上にも、バンプ３１が配設されている。
そして、前記ワイヤ１０１の一端（始端）は球（ボール）状部Ｂとされて、半導体チップ１１Ａに於いて選択された電極２２Ｂに対してボールボンディング法により接続され、その他端（終端）は、基板１０に於いて選択された電極２１Ａに対してスティッチボンディング法により接続されている。
また、ワイヤ１０２の一端（始端）は、基板１０に於いて選択された電極２１Ｂに対してボールボンディング法により接続され、その他端（終端）は、半導体チップ１１Ｂに於いて選択された電極２３Ｂ上のバンプ３１に対してスティッチボンディング法により接続されている。
また、ワイヤ１０３の一端（始端）は、球（ボール）状部Ｂとされて、基板１０に於いて選択された電極２１Ｃに対してボールボンディング法により接続され、また当該ワイヤ１０３の他端（終端）は、半導体チップ１１Ａに於いて選択された電極２２Ａ上のバンプ３１に対してスティッチボンディング法により接続されている。当該ワイヤ１０３の被スティッチボンディング部Ｓ上には、バンプ３２が配設されている。
そして、ワイヤ１０４の一端（始端）は球（ボール）状部Ｂとされて、半導体チップ１１Ｂに於いて選択された電極２３Ａに対してボールボンディング法により接続され、その他端（終端）は、前記半導体チップ１１Ａに於いて選択された電極２２Ａ上のバンプ３１の上に配設された前記バンプ３２に対し、スティッチボンディング法により接続されている。
【００７５】
このように、本実施例にあっては、複数本のワイヤが接続される半導体チップ１１Ａの電極２２Ａに於いて、接続されるワイヤのそれぞれは、所謂スティッチボンディング法により接続されている。
従って、当該電極２２Ａ近傍に於けるワイヤ１０３及びワイヤ１０４の形成するループ高さを低くすることができる。
その結果、ワイヤ１０３及びワイヤ１０４を、電極２２Ａ近傍のワイヤ１０１及びワイヤ１０２から離間させつつ配置することができ、図１６Ａに示すワイヤ交差ポイントＸ１〜Ｘ３の何れに於いても接触・ショートを生じない。
この為、ワイヤが交差する構成を有する半導体装置を製造することができ、半導体装置の小型化を実現することができる。
【００７６】
図１６Ｂに示すワイヤ結線構成の結線順序について、以下に説明する。
まず、積層された半導体チップ１１Ａに於ける電極２２Ａ上にバンプ３１を配設し、また半導体チップ１１Ｂに於ける電極２３Ｂ上にもバンプ３１を配設する。
【００７７】
次いで、ワイヤ１０３の一端（始端）を、基板１０上の電極２１Ｃに対してボールボンディング法により接続し、その他端（終端）を、半導体チップ１１Ａに於ける電極２２Ａ上のバンプ３１に対してスティッチボンディング法により接続する。
しかる後、当該ワイヤ１０３の被スティッチボンディング部Ｓ上に、バンプ３２を配設する。
【００７８】
次いで、ワイヤ１０１の一端（始端）を、半導体チップ１１Ａに於ける電極２２Ｂにボールボンディング法により接続し、その他端（終端）を、基板１０に於ける電極２１Ａにスティッチボンディング法により接続する。
【００７９】
このとき、ワイヤ１０１と前記ワイヤ１０３は、ワイヤの導出方向（結線方向）が異なるため、ワイヤループの最高位部分の位置が異なる。この為、前記図１６Ａに於けるワイヤ交差ポイントＸ１に於いて、ワイヤ１０３とワイヤ１０１との接触が回避される。
【００８０】
次いで、ワイヤ１０２の一端（始端）を、基板１０に於ける電極２１Ｂにボールボンディング法により接続し、その他端（終端）を、半導体チップ１１Ｂに於ける電極２３Ｂ上のバンプ３１にスティッチボンディング法により接続する。
このとき、当該ワイヤ１０１と前記ワイヤ１０２とは、ワイヤの導出方向（結線方向）が異なるため、ワイヤループの最高位部分の位置が異なる。従って、図１６Ａに於けるワイヤ交差ポイントＸ２に於いて、ワイヤ１０１とワイヤ１０２との接触が回避される。
【００８１】
次いで、ワイヤ１０４の一端（始端）を、半導体チップ１１Ｂに於ける電極２３Ａにボールボンディング法により接続し、その他端（終端）を、半導体チップ１１Ａに於ける電極２２Ａ上の前記バンプ３２にスティッチボンディング法により接続する。
この結果、当該ワイヤ１０４と前記ワイヤ１０２とは、ワイヤの導出方向（結線方向）が異なり、ワイヤループの最高位部分の位置が異なる。従って、図１６Ａに於けるワイヤ交差ポイントＸ３でにあっても、ワイヤ１０２とワイヤ１０４との接触が回避される。
【００８２】
即ち、この様に互いに近接し、且つ高さの異なる位置に在る複数個の電極間を接続するワイヤが交差する場合であっても、ワイヤの接続手順を選択することにより、ワイヤループの最高位部分の位置を異ならせ、もって差部分に於ける接触を防止することができる。
また、ワイヤループの最高位部分の位置を異ならせることにより、当該ワイヤにボンディングキャピラリが接触することも回避することができ、効率的に半導体装置を製造することができる。
【００８３】
この様な本発明思想に従うところのワイヤの接続手順を考慮しない場合には、図１６Ｃ及び図１６Ｄに示す様に、ワイヤ間の接触を生ずる可能性が高い接続形態を生じてしまう（参考迄に示す）。
図１６Ｃに於いて、図１６Ｃ−ｉはワイヤ結線を示す上面図であり、図１６Ｃ−iiは半導体チップの積層方向に対して垂直方向から見た側面図であって、図１６Ｃ−ｉに於ける矢印Ｐ方向より見た構成を示す。
図１６Ｄに於いて、図１６Ｄ−ｉはワイヤ結線を示す上面図であり、図１６Ｄ−iiは半導体チップの積層方向に対して垂直方向から見た側面図であって、図１６Ｄ−ｉに於ける矢印Ｐ方向より見た構成を示す。
【００８４】
図１６Ｃに示すワイヤ結線構成にあっては、ワイヤ１０３のボンディング・導出方向が、前記図１６Ｂに示す構成と異なる。
即ち、ワイヤ１０３はその一端（始端）が、半導体チップ１１Ａに於ける電極２２Ａ上の前記バンプ３１に対してボールボンディング法により接続され、その他端（終端）が基板１０に於ける電極２１Ｃに対してスティッチボンディング法により接続されている。
この為、当該ワイヤ１０３と前記ワイヤ１０１は、ワイヤの導出方向（結線方向）が同一であり、ワイヤループの最高位部分の位置がほぼ同一となる。この為、前記図１６Ａに於けるワイヤ交差ポイントＸ１に於いて、ワイヤ１０３とワイヤ１０１との接触が生じてしまう。
【００８５】
また、図１６Ｄに示すワイヤ結線構成にあっては、ワイヤ１０４のボンディング・導出方向が、前記図１６Ｂに示す構成と異なる。
即ち、ワイヤ１０４の一端（始端）が、半導体チップ１１Ａに於ける電極２２Ａ上のバンプ３１に対してボールボンディング法により接続され、その他端（終端）が半導体チップ１１Ｂに於ける電極２３Ａ上のバンプ３１にスティッチボンディング法により接続されている。
この為、当該ワイヤ１０４と前記ワイヤ１０２は、ワイヤループの高さがほぼ同一となる。この為、前記図１６Ａに於けるワイヤ交差ポイントＸ３に於いて、ワイヤ１０２とワイヤ１０４との接触が生じてしまう。
【００８６】
尚、図１６Ｂ乃至図１６Ｄに示す側面図に於いて、重なる場所に位置する構成要素に対する符号については、図中、括弧付の符号で示す。
【００８７】
（実施例１１）
前述の如く、基板１０、半導体チップ１１Ａ及び半導体チップ１１Ｂの電極間の接続がワイヤボンディング法によりなされる場合、当該基板１０、半導体チップ１１Ａ及び半導体チップ１１Ｂに於ける複数個の電極間を接続するワイヤが、交差する形態を生ずる場合がある。
本実施例にあっては、かかる交差状態を含むワイヤボンディング法について、前記バンプ配設構造を含むワイヤ接続構造を、半導体チップに於ける電極が当該半導体チップの中央部に配設された構造に適用した構成を示す。
【００８８】
前記基板１０、半導体チップ１１Ａ及び半導体チップ１１Ｂの電極間を接続しようとするワイヤ結線構成の一例を図１７Ａに示し、当該ワイヤ結線構成に基づいて、二つの半導体チップに於ける電極間を、交差するワイヤをもって接続した状態を図１７Ｂに示す。
図１７Ｂに於いて、図１７Ｂ−ｉはワイヤ結線を示す上面図であり、図１７Ｂ−iiは半導体チップの積層方向に対して垂直方向から見た側面図であって、図１７Ｂ−ｉに於ける矢印Ｐ方向より見た構成を示す。
【００８９】
図１７Ａに示す構成に於いては、半導体チップ１１Ａ上の電極２２Ａ及び２２Ｂは、当該半導体チップ１１Ａの縁部（エッジ）の近傍に配設され、これにより基板１０上の電極２１Ａ及び２１Ｂに対して近接している。
一方、半導体チップ１１Ｂ上の電極２３Ａ及び２３Ｂは、当該半導体チップ１１Ｂの略中央部に位置して配設されている。
【００９０】
そして、基板１０に於いて選択された電極２１Ａと、半導体チップ１１Ａに於いて選択された電極２２Ａとは、ワイヤ１１１により相互に接続され、また当該半導体チップ１１Ａに於いて選択された電極２２Ａと、半導体チップ１１Ｂに於いて選択された電極２３Ｂとは、ワイヤ１１２により相互に接続されている。
また、基板１０に於いて選択された電極２１Ｂと、半導体チップ１１Ａに於いて選択された電極２２Ｂとは、ワイヤ１１３により相互に接続され、また当該半導体チップ１１Ａに於いて選択された電極２２Ｂと、半導体チップ１１Ｂに於いて選択された電極２３Ａとは、ワイヤ１１４により相互に接続されている。
【００９１】
図１７Ｂは、図１７Ａに示される基板１０、半導体チップ１１Ａ及び半導体チップ１１Ｂの電極間の接続構成について、本発明によるワイヤ接続構成並びに接続工程を適用した状態を示す。
図示される実施形態にあっては、半導体チップ１１Ａの電極２２Ａ、電極２２Ｂに対し、それぞれ２本のワイヤが接続される。
かかる構成に於いて、半導体チップ１１Ａの電極２２Ａ及び電極２２Ｂ上には、それぞれバンプ３１が配設されている。また、半導体チップ１１Ｂに於ける電極２３Ａ上にも、バンプ３１が配設されている。
【００９２】
そして、前記ワイヤ１１１の一端（始端）は、球（ボール）状部Ｂとされて、基板１０に於いて選択された電極２１Ａに対してボールボンディング法により接続され、また当該ワイヤ１１１の他端（終端）は、半導体チップ１１Ａの電極２２Ａ上の前記バンプ３１に対してスティッチボンディング法により接続されている。
本実施例の特徴的構成として、当該電極２２Ａ上のバンプ３１に於けるワイヤ１１１の被スティッチボンディング部Ｓ上には、３個のバンプ３３を介してバンプ３２が配設されている。
一方、前記ワイヤ１１２の一端（始端）は、球（ボール）状部Ｂとされて、半導体チップ１１Ｂに於いて選択された電極２３Ｂに対してボールボンディング法により接続され、その他端（終端）は、前記バンプ３２に対してスティッチボンディング法により接続されている。
また、前記ワイヤ１１３の一端（始端）は、球（ボール）状部Ｂとされて、基板１０に於いて選択された電極２１Ｂに対してボールボンディング法により接続され、その他端（終端）は、半導体チップ１１Ａに於いて選択された電極２２Ｂ上のバンプ３１に対してスティッチボンディング法により接続されている。
更に、前記ワイヤ１１４の一端（始端）は、球（ボール）状部Ｂとされて、前記電極２２Ｂ上のワイヤ１１３の被スティッチボンディング部Ｓを含む前記バンプ３１に対してボールボンディング法により接続され、その他端（終端）は、半導体チップ１１Ｂに於いて選択された電極２３Ａ上の前記バンプ３１に対してスティッチボンディング法により接続されている。
【００９３】
このように、本実施例にあっては、２本のワイヤが接続される半導体チップ１１Ａの電極２２Ａに於いて、接続されるワイヤ１１１、ワイヤ１１２のそれぞれは、所謂スティッチボンディング法により接続されており、しかも、当該電極２２Ａに於けるバンプ３１とバンプ３２との間には複数個（３個）のバンプ３３が配設されている。従って、ワイヤ１１１とワイヤ１１２の被ボンディング位置は、高さ方向（パッドの積層方向）に大きく離間している。
この結果、より確実にワイヤ１１１とワイヤ１１２は互いに干渉することなく、当該ワイヤ１１２のスティッチボンディングがなされる。
また、半導体チップ１１Ａの電極２２Ａに於けるワイヤ１１２の被スティッチボンディング部Ｓの高さが実質的に高くなることから、半導体チップ１１Ｂのエッジとワイヤ１１２との接触が防止される。
しかも、ワイヤ１０２とワイヤ１０４の形成するワイヤループの最高位置が異なることから、図１７Ａに示すワイヤ交差ポイントＸに於けるショートの発生防止することができる。
この為、ワイヤが交差する構成を有する半導体装置を製造することができ、半導体装置の小型化を実現することができる。
【００９４】
次に、図１７Ｂに示すワイヤ結線構成の結線順序について、以下に説明する。
まず、半導体チップ１１Ａに於ける電極２２Ａ及び２２Ｂ上にそれぞれバンプ３１を配設し、一方半導体チップ１１Ｂに於ける電極２３Ａ上にもバンプ３１を配設する。
【００９５】
次いで、ワイヤ１１１の一端（始端）を、基板１０に於いて選択された電極２１Ａにボールボンディング法により接続した後、その他端（終端）を、半導体チップ１１Ａに於いて選択された電極２２Ａ上のバンプ３１上にスティッチボンディング法により接続する。
【００９６】
次いで、ワイヤ１１３の一端（始端）を、基板１０の電極２１Ｂにボールボンディング法により接続した後、その他端を、半導体チップ１１Ａに於いて選択された電極２２Ｂ上のバンプ３１にスティッチボンディング法により接続する。
尚、これらのワイヤ１１１、ワイヤ１１３の結線順序は逆であってもよい。
【００９７】
次いで、電極２２Ａ上の前記バンプ３１に接続された、ワイヤ１１１の被スティッチボンディング部Ｓ上に、複数個のバンプ３３を配設する。ここでは、バンプ３３を３段（個）積層して配設している。
次に、電極２２Ａ上のバンプ３１上に配設された前記バンプ３３上に、バンプ３２を配設する。
このとき、バンプ３２の高さは、積層固着された半導体チップ１１Ｂの表面の高さと同等以上の高さとなるように設定されるのが望ましい。
この為、前記バンプ３３は、当該バンプ３２の高さが半導体チップ１１Ｂの表面の高さと同等以上の高さとなるようにその数が選択される。当該バンプ３２の高さが半導体チップ１１Ｂの上表面の高さと同等以上の高さとなる場合には、バンプ３３は必ずしも必要としない。
【００９８】
そして、ワイヤ１１２の一端（始端）を、半導体チップ１１Ｂの電極２３Ｂに対してボールボンディング法により接続し、その他端（終端）を、電極２２Ａ上のバンプ３２にスティッチボンディング法により接続する。
このとき、バンプ３２（及びバンプ３３）の配設により、電極２２Ａに於けるワイヤ１１２との接続部の高さが高くなっているため、半導体チップ１１Ｂの縁部（エッジ）と当該ワイヤ１１２との接触が回避される。
【００９９】
次いで、ワイヤ１１４の一端（始端）を、半導体チップ１１Ａの電極２２Ｂ上のバンプ３１に対してボールボンディング法により接続し、その他端（終端）を、半導体チップ１１Ｂの電極２３Ａ上のバンプ３１に対してスティッチボンディング法により接続する。
この結果、ワイヤ１１２とワイヤ１１４とは、ワイヤの導出方向（結線方向）が異なり、ワイヤループの最高位置部分が異なる。従って、図１７Ａに於けるワイヤ交差ポイントＸにあっても、ワイヤ１１２とワイヤ１１４との接触が回避される。
即ち、この様に互いに近接し且つ高さの異なる位置に在る複数個の電極間を接続するワイヤが交差する場合であっても、当該ワイヤの接続手順を選択することにより、ワイヤループの最高位部分の位置を異ならせ、もって交差部分に於ける接触を防止することができる。
また、ワイヤループの最高位部分の位置を異ならせることにより、当該ワイヤにボンディングキャピラリが接触することも回避することができ、半導体装置を効率的に製造することができる。
【０１００】
この様な本発明思想に従うところのワイヤの接続手順を考慮しない場合には、図１７Ｃ及び図１７Ｄに示す様に、ワイヤ間の接触を生ずる可能性が高い接続形態を生じてしまう（参考迄に示す）。
【０１０１】
図１７Ｃに示すワイヤ結線構成にあっては、ワイヤ１１２のボンディング・導出方向が、前記図１７Ｂに示す構成と異なる。
即ち、ワイヤ１１２は、その一端（始端）が、半導体チップ１１Ｂに於ける電極２３Ｂ上のバンプ３１に対しボールボンディング法により接続され、他端（終端）が半導体チップ１１Ａに於ける電極２２Ａ上に、バンプ３２（及びバンプ３３）を介すること無く、ワイヤ１１１の被スティッチボンディング部Ｓを含むバンプ３１に対してスティッチボンディング法により接続されている。
この為、当該ワイヤ１１２は半導体チップ１１Ｂの縁部（エッジ）に接触してしまう。
同様に、ワイヤ１１４を用いて、半導体チップ１１Ｂに於ける電極２３Ａと、半導体チップ１１Ａに於ける電極２２Ｂ上の前記バンプ３１とを接続すると、当該ワイヤ１１４は半導体チップ１１Ｂの縁部（エッジ）に接触してしまう。
【０１０２】
図１７Ｄに示すワイヤ結線構成にあっては、ワイヤ１１２並びにワイヤ１１４のボンディング・導出方向が、前記図１７Ｂに示す構成と異なる。
即ち、ワイヤ１１２は、その一端（始端）を前記ワイヤ１１１の被スティッチボンディング部Ｓを含む半導体チップ１１Ａに於ける電極２２Ａ上のバンプ３１に所謂ボールボンディング法により接続され、その他端（終端）が、半導体チップ１１Ｂに於ける電極２３Ｂ上のバンプ３１に対してスティッチボンディング法により接続されている。
一方、ワイヤ１１４も、その一端（始端）を前記ワイヤ１１３の被スティッチボンディング部Ｓを含む半導体チップ１１Ａに於ける電極２２Ｂ上のバンプ３１に所謂ボールボンディング法により接続され、その他端（終端）が、半導体チップ１１Ｂに於ける電極２３Ａ上のバンプ３１に対してスティッチボンディング法により接続されている。
このような結線形態にあっては、ワイヤ１１２とワイヤ１１４は、ボンディング・導出方向が同一であるため、ワイヤのループ形状も同一の形状を呈する。
従って、図１７Ａに於けるワイヤ交差ポイントＸにて、ワイヤ１１２とワイヤ１１４との接触を生じてしまう。
【０１０３】
尚、上述した図１７Ｂ乃至図１７Ｄに示す側面図に於いては、重なる場所に位置する構成要素に対する符号については、図中、括弧付の符号で示している。
【０１０４】
本発明の好ましい態様を付記すると、以下の通りである。
（付記１）  表面に電極が配設された基板と、
表面に電極が配設され前記基板に支持された第１の半導体素子と
を具備する半導体装置であって、
前記基板上及び前記第１の半導体素子上の少なくともいずれかに配設された少なくとも一つの電極に、第１のバンプを介して第１のワイヤが接続され、
当該第１のワイヤの被接続部に、第２のバンプを介して第２のワイヤが接続されてなる
ことを特徴とする半導体装置。
（付記２）  第１のワイヤ及び第２のワイヤは、それぞれ第１のバンプ及び第２のバンプに対してスティッチボンディングされてなる付記１に記載の半導体装置。
（付記３）  第１のバンプと第２のバンプとの間に、少なくとも１つの第３のバンプが配設された付記１から２のいずれかに記載の半導体装置。
（付記４）  第２のワイヤの被接続部に第４のバンプが配設され、更に第３のワイヤが接続されてなる付記１から３のいずれかに記載の半導体装置。
（付記５）  表面に電極が配設され第１の半導体素子に支持された第２の半導体素子を更に具備する付記１から４のいずれかに記載の半導体装置。
（付記６）  第１の半導体素子及び第２の半導体素子の電極は電源端子であり、
当該電極が、前記第２の半導体素子の中央部近傍に位置する第３の電極と第４のワイヤにて電気的に接続される付記５に記載の半導体装置。
（付記７）  第１のワイヤ及び第２のワイヤの少なくともいずれかと交差し、かつ離間して配置された第５のワイヤを有する付記１から６のいずれかに記載の半導体装置。
（付記８）  表面に電極が配設された第１の半導体素子と、
表面に電極が配設され前記第１の半導体素子に支持された基体と
を具備する半導体装置であって、
前記基体上及び前記第１の半導体素子上の少なくともいずれかに配設された少なくとも一つの電極に、第１のバンプを介して第１のワイヤが接続され、
当該第１のワイヤの被接続部に、第２のバンプを介して第２のワイヤが接続されてなる
ことを特徴とする半導体装置。
（付記９）  第１の半導体素子上及び基体上の少なくともいずれかに第２の半導体素子が配設される付記８に記載の半導体装置。
（付記１０）  表面に電極が配設された基板上に、表面に電極が配設された半導体素子を搭載する工程と、
前記基板上及び前記半導体素子上の少なくともいずれかに配設された少なくとも一つの電極に、第１のバンプを介して第１のワイヤを接続する工程と、
前記第１のワイヤの被接続部に、第２のバンプを介して第２のワイヤを接続する工程と
を少なくとも含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
（付記１１）  第１のバンプ及び第２のバンプに対し、それぞれ第１のワイヤ及び第２のワイヤをスティッチボンディング法により接続する付記１０に記載の半導体装置の製造方法。
（付記１２）  第１のバンプの形成が、荷重の印加及び当該荷重の印加方向に対して略直交方向への超音波振動の付与によるボールボンディングにより行われ、
第２のバンプの形成が、荷重の印加によるボールボンディングにより行われる付記１０から１１のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【産業上の利用可能性】
【０１０５】
本発明の半導体装置は、隣接ワイヤ間に於ける接触が防止され、ワイヤ結線の自由度が高く、小型で高性能である。
本発明の半導体装置の製造方法によれば、隣接ワイヤ間に於ける接触が防止され、ワイヤが交差して配置される場合にもワイヤ間の接触が防止されて、ワイヤ配線の高密度化を図ることができ、小型で高性能な半導体装置を効率的に製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１０６】
【図１】本発明による半導体装置の第１の実施例を示す垂直断面図。
【図２】本発明による半導体装置の第１の実施例の変形例を示す垂直断面図。
【図３】本発明による半導体装置の第１の実施例の更なる変形例を示す垂直断面図。
【図４】本発明による半導体装置の第２の実施例を示す垂直断面図。
【図５】本発明による半導体装置の第３の実施例を示す垂直断面図。
【図６】本発明による半導体装置の第４の実施例を示す垂直断面図。
【図７】本発明による半導体装置の第５の実施例を示す垂直断面図。
【図８】本発明による半導体装置の第５の実施例の変形例を示す垂直断面図。
【図９】本発明による半導体装置の第６の実施例を示す垂直断面図。
【図１０】本発明による半導体装置の第７の実施例を示す垂直断面図。
【図１１】本発明による半導体装置の第８の実施例を示す垂直断面図。
【図１２Ａ】本発明による半導体装置の製造方法に於いて、電極上に第１のバンプを形成する工程を示す工程断面図（その１）。
【図１２Ｂ】本発明による半導体装置の製造方法に於いて、電極上に第１のバンプを形成する工程を示す工程断面図（その２）。
【図１２Ｃ】本発明による半導体装置の製造方法に於いて、電極上に第１のバンプを形成する工程を示す工程断面図（その３）。
【図１３Ａ】本発明による半導体装置の製造方法に於いて、第１のワイヤを接続する工程を示す工程断面図（その１）。
【図１３Ｂ】本発明による半導体装置の製造方法に於いて、第１のワイヤを接続する工程を示す工程断面図（その２）。
【図１３Ｃ】本発明による半導体装置の製造方法に於いて、第１のワイヤを接続する工程を示す工程断面図（その３）。
【図１３Ｄ】本発明による半導体装置の製造方法に於いて、第１のワイヤを接続する工程を示す工程断面図（その４）。
【図１３Ｅ】本発明による半導体装置の製造方法に於いて、第１のワイヤを接続する工程を示す工程断面図（その５）。
【図１３Ｆ】本発明による半導体装置の製造方法に於いて、第１のワイヤを接続する工程を示す工程断面図（その６）。
【図１４Ａ】本発明による半導体装置の製造方法に於いて、スティッチボンディング部上に第２のバンプを形成する工程を示す工程断面図（その１）。
【図１４Ｂ】本発明による半導体装置の製造方法に於いて、スティッチボンディング部上に第２のバンプを形成する工程を示す工程断面図（その２）。
【図１４Ｃ】本発明による半導体装置の製造方法に於いて、スティッチボンディング部上に第２のバンプを形成する工程を示す工程断面図（その３）。
【図１５Ａ】本発明による半導体装置の製造方法に於いて、第２のワイヤを接続する工程を示す工程断面図（その１）。
【図１５Ｂ】本発明による半導体装置の製造方法に於いて、第２のワイヤを接続する工程を示す工程断面図（その２）。
【図１５Ｃ】本発明による半導体装置の製造方法に於いて、第２のワイヤを接続する工程を示す工程断面図（その３）。
【図１５Ｄ】本発明による半導体装置の製造方法に於いて、第２のワイヤを接続する工程を示す工程断面図（その４）。
【図１５Ｅ】本発明による半導体装置の製造方法に於いて、第２のワイヤを接続する工程を示す工程断面図（その５）。
【図１５Ｆ】本発明による半導体装置の製造方法に於いて、第２のワイヤを接続する工程を示す工程断面図（その６）。
【図１６Ａ】ワイヤ結線の一例を示す図。
【図１６Ｂ】図１６Ａに示すワイヤ結線について、本発明に従いワイヤを接続した状態を示す、上面図及び側面図。
【図１６Ｃ】図１６Ａに示すワイヤ結線について、本発明を適用せずワイヤを接続した場合に生じる不具合を示す上面図及び側面図。
【図１６Ｄ】図１６Ａに示すワイヤ結線について、本発明を適用せずワイヤを接続した場合に生じる不具合を示す上面図及び側面図。
【図１７Ａ】ワイヤ結線の他の一例を示す図。
【図１７Ｂ】図１７Ａに示すワイヤ結線について、本発明に従いワイヤを接続した状態を示す、平面図及び側面図。
【図１７Ｃ】図１７Ａに示すワイヤ結線について、本発明を適用せずワイヤを接続した場合に生じる不具合を示す側面図。
【図１７Ｄ】図１７Ａに示すワイヤ結線について、本発明を適用せずワイヤを接続した場合に生じる不具合を示す側面図。
【符号の説明】
【０１０７】
１０・・・基板
１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃ・・・半導体チップ
１２，１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃ・・・接着剤
１３・・・封止用樹脂
１４・・・外部接続端子（ハンダボール）
１５・・・リードフレーム
１５Ａ・・・ダイパッド
１５Ｂ・・・インナーリード
２１，２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２２，２２Ａ，２２Ｂ，２３，２３Ａ，２３Ｂ，２４・・・電極
３１，３１ａ，３１ｂ，３２，３３，３４・・・バンプ
４１，４１Ａ，４１Ｂ，４２，４２Ａ，４２Ｂ，４３，４４，４５・・・ワイヤ
５０・・・中継部材
５１・・・基体
５２・・・電極
１００，１５０，２００，３００，４００，５００，５５０，６００・・・半導体装置
１０１〜１０４，１１１〜１１４・・・ワイヤ
Ｂ・・・ワイヤの球（ボール）状部
Ｓ・・・ワイヤのスティッチボンディング部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２Ａ】
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【図１２Ｂ】
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【図１２Ｃ】
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【図１３Ａ】
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【図１３Ｂ】
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【図１３Ｃ】
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【図１３Ｄ】
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【図１３Ｅ】
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【図１３Ｆ】
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【図１４Ａ】
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【図１４Ｂ】
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【図１４Ｃ】
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【図１５Ａ】
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【図１５Ｂ】
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【図１５Ｃ】
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【図１５Ｄ】
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【図１５Ｅ】
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【図１５Ｆ】
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【図１６Ａ】
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【図１６Ｂ】
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【図１６Ｃ】
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【図１６Ｄ】
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【図１７Ａ】
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【図１７Ｂ】
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【図１７Ｃ】
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【図１７Ｄ】
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