(57)【要約】【課題】本発明は、プラズマ−エンハンスドコーティングプロセスをサポートする装置（８）に関する。【解決手段】該装置は、プラズマ及び／又はコートされる基板及び／又はプラズマ生成のために設けられた電極の近傍に配置可能であり、プラズマ領域の側部又は面、又は基板又は基板を運搬する運搬要素を配置できる面、又は電極の１つ又はその一部を少なくとも部分的に囲む、又は制限するフレームが設けられていて、ガス状媒体を吸引可能な１つ又はいくつかの吸引開口部１０のあるキャビティ又は吸引チャネル１３が含まれている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマ−エンハンスドコーティングプロセスをサポートする装置であって、プラズマ及び／又はコートされる基板及び／又はプラズマ又はコーティングチャンバにおいてプラズマを生成するための電極近傍に配置することができるように設計された装置において、
フレームが設けられ、これは、前記装置を前記プラズマ又はコーティングチャンバに配置したときに、前記プラズマ領域の側部又は面、前記基板又は前記基板を運搬する運搬要素を配置できる面、又は、電極の１つ又はその一部を少なくとも部分的に囲む、又は制限し、ガス状媒体を吸引できる１つ又はいくつかの吸引開口部（１０）を備えたキャビティ又は吸引チャネル（１３）を含むことを特徴とする装置。
【請求項２】
コーティング又はプラズマチャンバにおいて、特に脱着可能な配置を提供する手段、及び／又は前記キャビティ又は吸引チャネルを、コーティング又はプラズマチャンバの吸引出口に特に脱着可能に接続するための接続手段が設けられていることを特徴とする請求項１記載の装置。
【請求項３】
プラズマが生成されるプラズマ領域及び基板がコートされるコーティング領域を備えた、基板のプラズマ−エンハンスドコーティングのためのコーティングチャンバであって、
プラズマ及び／又はコーティング領域に、前記プラズマ及び／又はコーティング領域の少なくとも一部を囲む、又は制限する少なくとも１つのフレームが設けられており、前記フレームが、１つ以上の吸引開口部（１０）を有し、ガス状媒体が吸引されるキャビティ又は吸引チャネル（１３）を含むことを特徴とするコーティングチャンバ。
【請求項４】
前記フレーム及び／又は吸引チャネル（１３）が、閉環として設けられていることを特徴とする請求項１、２記載の装置、又は請求項３記載のコーティングチャンバ。
【請求項５】
前記フレーム及び／又は吸引チャネル（１３）が、矩形、多角形、円、楕円又はループ形の基本形状を有していることを特徴とする請求項１、２又は４記載の装置、又は請求項３又は４記載のコーティングチャンバ。
【請求項６】
前記フレーム及び／又は前記吸引チャネル（１３）が、広域構造を有していて、前記フレーム及び／又は前記吸引チャネルが、１つの面で実質的に配置されようになっており、特に、長手方向および幅の広がりが、厚さよりも遥かに大きいことを特徴とする請求項１、２又は４〜５のいずれか１項記載の装置、又は請求項３〜５のいずれか１項記載のコーティングチャンバ。
【請求項７】
前記吸引チャネル（１３）が、前記フレームに設けられていることを特徴とする請求項１、２又は４〜６のいずれか１項記載の装置、又は請求項３〜６のいずれか１項記載のコーティングチャンバ。
【請求項８】
前記吸引チャネル（１３）又はキャビティが、前記フレームの１つ以上の側部、特に、反対の側部、好ましくは前記フレームの２つの反対の側部に、吸引開口部（１０）を有しており、特に、前記吸引開口部が、前記長さに沿って、好ましくは等距離離れて、均一に分配されていることを特徴とする請求項１、２又は４〜７のいずれか１項記載の装置、又は請求項３〜７のいずれか１項記載のコーティングチャンバ。
【請求項９】
前記吸引開口部が、その吸引方向で、前記装置が広がる前記面に垂直に、且つ／又は前記装置が広がる前記面において前記装置の中心に向って並んでいることを特徴とする請求項１、２又は４〜８のいずれか１項記載の装置、又は請求項３〜８のいずれか１項記載のコーティングチャンバ。
【請求項１０】
前記吸引開口部（１０）が、フェースプレート開口部（１２）を備えた交換可能なフェースプレート（１１）により特にカバーされていることを特徴とする請求項１、２又は４〜９のいずれか１項記載の装置、又は請求項３〜９のいずれか１項記載のコーティングチャンバ。
【請求項１１】
前記吸引開口部又はフェースプレート開口部（１２）が、穴及び／又はスリット、特に、複数の均一に分配された穴及び／又はスリットにより形成されていることを特徴とする請求項１、２又は４〜１０のいずれか１項記載の装置、又は請求項３〜１０のいずれか１項記載のコーティングチャンバ。
【請求項１２】
加熱手段（１９）が設けられていて、それによって、前記装置のコンポーネント、特に、前記フレーム及び／又は吸引チャネルを加熱することができることを特徴とする請求項１、２又は４〜１１のいずれか１項記載の装置、又は請求項３〜１１のいずれか１項記載のコーティングチャンバ。
【請求項１３】
電極、基板及び／又は基板が提供される運搬要素のためのストップ面（１４）が設けられていることを特徴とする請求項１、２又は４〜１２のいずれか１項記載の装置、又は請求項３〜１２のいずれか１項記載のコーティングチャンバ。
【請求項１４】
前記装置が、電極（１２）、特にガス入口のある電極の反対又は周囲に設けられていることを特徴とする請求項３〜１３のいずれか１項記載のコーティングチャンバ。
【請求項１５】
前記装置が、基板、電極及び／又は前記基板用の運搬要素のための特に調節可能なストップ要素に近接して提供されていることを特徴とする請求項３〜１４のいずれか１項記載のコーティングチャンバ。
【請求項１６】
前記コーティングチャンバ（１）が、プラズマ−エンハンスド化学蒸着用のセットアップであることを特徴とする請求項３〜１５のいずれか１項記載のコーティングチャンバ。
【請求項１７】
前記基板を、コーティング中、前記装置に対して配置して、ガスフローが、前記基板の主表面に向って、その側部に沿って進むようにすることを特徴とする請求項３〜１６のいずれか１項記載のコーティングチャンバ。
【請求項１８】
前記装置が、調節可能、特に、スライド可能で、好ましくは、反対の電極に向っていることを特徴とする請求項３〜１７のいずれか１項記載のコーティングチャンバ。
【発明の詳細な説明】
【発明の背景】
【０００１】
（発明の分野）
本発明は、プラズマ−エンハンスドコーティングプロセスをサポートする装置及び対応のプラズマ又はコーティングチャンバに関する。
【０００２】
（先行技術）
ＰＥＣＶＤ（プラズマエンハンスド化学蒸着）方法又は反応性陰極線スパッタリング（反応性スパッタリング）の形態のプラズマ−エンハンスドコーティングプロセスは、コーティングの目的で業界で広く使われている。例えば、窒化ケイ素、ケイ素又は酸化ケイ素の薄膜の堆積のためのＰＥＣＶＤ方法は、薄膜トランジスタ、超小型電子コンポーネント又は太陽電池の製造に用いられている。ＰＥＣＶＤ方法では、ガス状コーティング材料を、気相から、コートされる基板上に堆積し、気相にある層形成半製品を反応させて、最終的にコーティング材料となるものを形成している。これは、プラズマを与えることによって促進することができる。
【０００３】
上述した方法においては、対応のガス状コーティング材料を、コーティングチャンバ又はプラズマが点火されるプラズマチャンバへ導入してから、余剰のプロセスガスをチャンバから除去する必要がある。
【０００４】
これは、通常、コーティングチャンバの中心に設けられた排出開口部によってなされる。この中央排出開口部には、例えば、ポンピングラインが取り付けられ、余剰のプロセスガスが、対応のポンプにより吸引できるようになっている。
【０００５】
均質な層形成のためには、コートされる基板の全表面にわたって均一な層堆積パラメータが必要である。このため、コーティングチャンバ壁の中央吸引点だと問題がある。余剰のプロセスガスの中央吸引だと、コーティングチャンバにおけるガスフロー条件が好ましいものとならない恐れがあるためである。
【０００６】
この問題を解決するために、ドイツ特許ＤＥ第１９７  ２７  ８５７  Ｃ１号には、ガス分配チャンバとガス吸引チャンバを備えた電極を有するプラズマリアクタが提案されている。しかしながら、かかる電極は、ガスの供給とガスの除去を同時に行うため、設計が非常に複雑で、堆積の効率に関して問題がある。
【０００７】
いわゆるプラズマボックス（ユナクシス（Ｕｎａｘｉｓ）という会社の商品名）には、ガスフローを均一に制御しようとする他の可能性である。この解決策における真空又はプラズマチャンバには、真空又はプラズマチャンバ内側の追加のボックスという特徴があって、このボックスは、コーティング及びプラズマ領域に完全に囲まれていて、真空チャンバとプラズマボックスの２段階排気が可能となっている。このように、例えば、コーティング中、囲んでいる真空チャンバをプラズマボックスよりも低圧に設定して、汚染物質がプラズマボックスに入らないようにすることができる。更に、囲んでいる真空チャンバに対して、対応の周囲開口部を配置することによって、プラズマボックスが、プラズマボックスからの均一なガスの除去を促す。プラズマボックスの説明は、ジェロームぺラン（Ｊｅｒｏｍｅ  Ｐｅｒｒｉｎ）、ジャックシュミット（Ｊａｑｕｅｓ  Ｓｃｈｍｉｔｔ）、クリストフホーレンシュタイン（Ｃｈｒｉｓｔｏｐｈ  Ｈｏｌｌｅｎｓｔｅｉｎ）、アランハウリング（Ａｌａｎ  Ｈｏｗｌｉｎｇ）及びローレントサンソネン（Ｌａｕｒｅｎｔ  Ｓａｎｓｏｎｎｅｎｓ）の文献、大面積コーティングのためのプラズマ−エンハンスド化学蒸着の物理学：フラットパネルディスプレイ及び太陽電池への工業的応用（Ｔｈｅ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  ｏｆ  Ｐｌａｓａｍａ−Ｅｎｈａｎｃｅｄ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｕｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ  ｆｏｒ  Ｌａｒｇｅ−Ａｒｅａ  Ｃｏａｔｉｎｇ：Ｉｎｄｕｓｔｒｉａｌ  Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ  ｔｏ  Ｆｌａｔ  Ｐａｎｅｌ  Ｄｉｓｐｌａｙｓ  ａｎｄ  Ｓｏｌａｒ  Ｃｅｌｌｓ，Ｐｌａｓｍａ  Ｐｈｙｓ．Ｃｏｎｔｒｏｌ．Ｆｕｓｉｏｎ４２（２０００）Ｂ３５３〜Ｂ３６３、ホーレンシュタイン（Ｈｏｌｌｅｎｓｔｅｉｎ）、ハウリング（Ｈｏｗｌｉｎｇ）、クルテーユ（Ｃｏｕｒｔｅｉｌｌｅ）、ドリエ（Ｄｏｒｉｅｒ）、サンソネン（Ｓａｎｓｏｎｎｅｎｓ）、マーニ（Ｍａｇｎｉ）及びミューラー（Ｍｕｅｌｌｅｒ）、ケイ素及び酸化ケイ素フィルムのＲＦプラズマ堆積におけるダスト粒子診断法（Ｄｕｓｔ  Ｐａｒｔｉｃｌｅ  Ｄｉａｇｎｏｓｔｉｃｓ  ｉｎ  ＲＦ  Ｐｌａｓａｍ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ  ｏｆ  Ｓｉｌｉｃｏｎ  ａｎｄ  Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｏｘｉｄｅ  Ｆｉｌｍｓ）、Ｍａｔ．Ｒｅｓ．Ｓｏｃ．Ｓｙｍｐ．Ｐｒｏｃ．Ｖｏｌ．５０７（１９９８）材料学会（Ｍａｔｅｒｉａｌｓ  Ｒｅｓｅａｒｃｈ  Ｓｏｃｉｅｔｙ）にある。
この概念の欠点は、同じく、プラズマボックスの非常に高い費用である。
【発明の開示】
【０００８】
（発明の目的）
従って、本発明の目的は、プラズマ又はコーティングチャンバ、対応のプラズマ又はコーティングチャンバのための装置を使用可能として、大面積の基板であっても均一且つ均質なコーティングが得られるようプラズマ−エンハンスドコーティングプロセスを改善することである。更に、対応の装置及びプラズマ又はコーティングチャンバは、単純な設計で、操作が容易、且つ、多用途のものでなければならない。
【０００９】
（技術的解決）
本目的は、請求項１記載の特徴を有する装置と、請求項３記載の特徴を有するコーティングチャンバにより達成される。有利な実施形態は、従属請求項によるものである。
【００１０】
本発明は、煩雑なプラズマボックスの代わりに、真空コーティングチャンバ又はプラズマチャンバにおけるガスフローを、いわゆる吸引フレーム（以降、吸引装置と呼ぶ）により十分に改善することを実現することに着手するものである。吸引フレームは、フレーム及び／又は余剰のプロセスガスを吸引するための開口部を備えた吸引チャネルを有している。フレームとは、ここでは、好ましくは、吸引チャネルを含むプレート−、格子−又はボックス状の構造を意味する。しかしながら、フレームは、立方形又はその他キャビティのようなチャネル状の構造とは異なる吸引容積（キャビティ）を囲んでいてもよい。或いは、十分な剛性を有する吸引チャネルにより、純粋なチャネル構造を実現して、追加の構造要素を省いてもよい。
【００１１】
吸引装置を設計して、それをプラズマ又はコーティング領域近傍に配置できるようにして、フレーム及び／又は吸引チャネルが、コーティング領域の少なくとも一部を囲む、又は制限して、余剰のプロセスガスの吸引を、プラズマ及び／又はコーティング領域の近傍で直接行えるようにすることができる。
【００１２】
ここで、プラズマ領域とは、プラズマ又はコーティングチャンバ内のプラズマが操作中に存在する領域のことを意味する。コーティング領域とは、コーティング材料の相当の堆積がなされる領域、即ち、実質的に、コーティング中に基板が配置される領域のことを意味する。プラズマ領域とコーティング領域は、このように、少なくとも部分的に同一となり得る。
【００１３】
特に、吸引装置は、プラズマ又はコーティング領域の少なくとも部分的な側部又は環状限界とみなすことができる。吸引装置はまた、コーティング中に基板が配置される、又は基板を運搬する運搬要素（キャリア）が提供される面に、少なくとも部分的に提供された境界として実現することもできる。従って、吸引装置は、少なくとも部分的に電極又はその一部を囲むこともできる。
【００１４】
１つ以上の吸引開口部を有する吸引装置は、プラズマ及び／又はコーティング領域近傍にあるのが有利である。
【００１５】
吸引装置は、プラズマ又はコーティングチャンバに交換可能に提供できる別の装置として、又はコーティングチャンバにおいて永続的に一体化されたコンポーネントとして実現することができる。従って、本発明は、一方で、吸引装置（吸引フレーム）そのものに関わり、他方で、対応してこれを備えたプラズマ又はコーティングチャンバに関する。
【００１６】
吸引装置の吸引チャネルは、周囲が無限ループの形態にある閉環として形成することができ、これによって、広い領域に分配されたいくつかの吸引点により均一な吸引が促される。同様に、フレームの吸引開口部は、環状構成で配置してもよい。
【００１７】
フレーム及び／又はチャネルの基本形状は、矩形、正方形、六角形や八角形等の、一般に、多角形、丸や楕円、又は異なるループ形状であってよい。このように、フレーム及び／又は吸引チャネルは、異なる要件に適合させることができる。
【００１８】
フレーム及び／又は吸引チャネルは、実質的に平坦な形状を有することができ、装置は、長手方向及び幅方向に対して、非常に薄くしか膨張しないため、フレーム及び／又は吸引チャネルを備えた吸引装置は、実質的に１つの面に形成される。これによって、吸引装置の構造を非常に単純なものにすることができる。
【００１９】
吸引チャネルがフレームに提供され、特に、吸引装置が、同時に吸引チャネルを形成する中空断面、例えば、角管又は円筒管、から形成されるという事実によっても、構造は単純化させることができる。
【００２０】
余剰のプロセスガスをフレーム及び／又は吸引チャネルに流す吸引開口部は、フレーム及び／又は吸引チャネルの１つ以上の側部、特に、吸引装置の２つの反対の側又は全ての側部に設けることができる。
【００２１】
フレーム及び／又は吸引チャネルの吸引開口部は、吸引装置が広がる面に対して垂直と、この面に対して平行の両方で配向でき、吸引開口部は、装置の中心か、外側かのいずれかに向けることができる。同様に、吸引開口部は、装置レベルに対して垂直に配向した場合は、プラズマ及び／又は反対の電極配置に向けて、又はその反対の方向に配置することができる。
【００２２】
有利な実施形態において、吸引開口部は、特に、フェースプレート開口部を備えた交換可能なフェースプレートによりカバーして、フェースプレート中のフェースプレート開口部の形状及び数によって、ガスフローを決めることができる。フェースプレートを用いることによって、第１に、吸引チャネルに、粗いガスフローにつながるだけの大きな開口部を設けることが可能になる。第２に、フェースプレートの交換の場合には、フェースプレート開口部の形態、形状及び数を、異なるコーティングプロセスの異なる要件に対して、簡単に調節することができる。吸引開口部及び／又はフェースプレート開口部は、特に、円形の穴、スリット又はその他設計により実現することができる。
【００２３】
コーティング材料の過剰の堆積が、吸引装置で生じるのを防ぐため、且つ／又は熱永動現象による装置領域における汚染を排除するために、吸引装置の対応するコンポーネントを加熱し、吸引装置の対応のコールドスポットを排除する目的で、吸引装置に加熱手段を設けることができる。
【００２４】
本発明の吸引装置は、ＰＥＣＶＤコーティングチャンバで特に用いることができ、そこで用いる場合、電極、特に、シャワーヘッド電極の反対又は周囲に吸引装置を設けると有利である。これによって、プラズマ及び／又はコーティング領域において、特に好ましいガスフローが得られる。
【００２５】
保護が独立して請求される更なる態様によれば、電極及び／又は基板及び／又は基板が配置される運搬要素（キャリア）のうち少なくとも１つを面で並べることによって、ストップ要素が設けられる。電極及び／又は基板の電極として用いられることが多いキャリア及び／又は基板を、ストップ要素に対して適当な強さで押すと、これらの要素の不均一なコーティングとなる恐れのある湾曲やねじれが相殺される。均一なコーティングは、プラズマ生成に用いられる電極間の電磁場の均一な形成に特に依存しているため、均一なコーティングのためには、電極の面に平行に並べることが特に重要である。これは、例えば、コーティングチャンバ（キャリア）に出し入れしたり、通すために基板が配置された電極と並んだストップ要素を用いることにより、非常に簡単に達成できる。特に、ストップ要素は、吸引装置のフレーム及び／又は吸引チャネルと一体化させたり、装置と組み合わせて用いることができる。吸引装置は、中空断面で形成されているために、非常に高いねじれ剛性を既に有していることから、対応のストップ要素は、非常に簡単なやり方で実現することができる。
吸引装置及びストップ要素の別の実施形態において、要素は、互いに近接配置させると有利である。
【００２６】
ストップ要素は、ストップ面を有しており、これは、基板、キャリア及び／又は電極が、ストップ面に対して押されると、基板、キャリア及び／又は電極等の対応の要素が、まさに平らな表面、特に、対向電極と面で平行に並ぶ。ストップ面は、例えば、吸引装置の周辺又は十字状又は格子状バーとして、配置することができる。
【００２７】
ストップ要素は、電極ギャップを調節するために、調節可能な、特に、可動又はスライド可能な設計とすることができる。
吸引装置のストップ要素の一体化配置における電極ギャップも変更できるようにするためには、吸引装置も、好ましくは、反対又は対向する電極に対して、調節可能に配置、特に、可動とする。
【実施形態】
【００２８】
図１は、プラズマ−エンハンスド化学蒸着相堆積を実施するためのＰＥＣＶＤ（プラズマエンハンスド化学蒸着堆積）コーティングチャンバ１の概略図である。
【００２９】
これには、２つの電極２及び３があって、基板４は電極３の１つに配置されている。電極３は、このように、基板４の運搬要素として形成されており、キャリアとも呼ばれるこの運搬要素は、コーティング設備を通した搬送全般にわたって、基板４を運搬することができる。運搬要素又はキャリアの形態の電極３は、コーティング中は電極として用いられるだけである。従って、このコンポーネントは、以降、電極、そして運搬要素及び／又はキャリアの両方として設定されている。電極２、３は、垂直か、水平か、のいずれかに配置することができる。
【００３０】
電極２と３の間のプラズマ６は、電圧源５により点火できる。該プラズマは、ガス状形態で導入されたコーティング材料の化学反応を起こすことと、一般に、コーティングを促進することの両方を行う。基板４の対応の化学反応後、その最中又はその前に、ガス状コーティング材料を堆積して、そこにコーティングを形成する。
【００３１】
ガス状コーティング材料を、プラズマ領域６に均一に導入するために、図示した実施形態では、中空のいわゆるシャワーヘッド電極２を用いている。ガス状コーティング材料を、電極２のキャビティを通しフィード７を介して、電極表面にある電極開口部１６まで搬送するためであり、そこでは、ガス状コーティング材料が、プラズマ領域６に均一に流れる。
【００３２】
電極２と３の間の矢印により図１に示される、ガス状コーティング材料の均一且つ均質なフローを得るために、電極またはキャリア３の背後にある吸引装置８が、キャリア３及びその上に配置された基板４の側部に突き出ていて、余剰のプロセスガスがそこで吸引される。
【００３３】
このため、吸引装置８は、吸引チャネル１３を有しており、中空断面、特に、角管又は円筒管の形状の吸引装置８の形成により、吸引装置８に一体形成されている。
【００３４】
特に、図２に示される通り、一体吸引チャネル１３を備えた吸引装置８は、閉鎖矩形又は周囲環として形成されており、図１〜４の実施形態において、開口部１０又は１２が、吸引装置８の上下長手方向側にあって、そこを通って、余剰のプロセスガスが吸引される。吸引チャネル１３に直接提供された開口部１０は、図１〜４に示す実施形態においては、フェースプレート１１によりカバーされており、フェースプレート１１は複数のフェースプレート開口部１２を有しており、そこに通すことにより、余剰のプロセスガスの開口部１０への均一なインフローが可能となる。
【００３５】
吸引チャネル１３に対向する複数の小さなフェースプレート開口部を備えたフェースプレートがあると、フェースプレート１１を交換可能に配置できるという利点があり、フェースプレートを、フェースプレート開口部１２の数及び形状に関して、異なるフェースプレート開口部を有する他のフェースプレート１１に交換することによって、変更した堆積条件及びフロー条件への調節を容易に実現することができる。従って、フェースプレート開口部１２の数及び形状のみならず、吸引チャネル１３に直接設けられる開口部１０も変えることができる。
【００３６】
図１〜４に示す実施形態において、フェースプレート又は吸引開口部１２、１０は、吸引装置８の反対の長手方向側にのみ設けられている。この代わりに、対向のフェースプレート及び／又は吸引開口部１０はまた、吸引装置８の両側、又は、吸引装置８の夫々の側に設けることもできる。
【００３７】
図５に、吸引開口部の変形配置を示す。吸引装置８‘の変形実施形態において、開口部１０‘は、追加のフェースプレートを設けずに、吸引チャネル１３‘に直接設けられている。
【００３８】
更に、図５の吸引装置８‘の実施形態は、開口部が、反対の電極２に向って、即ち、吸引装置が広がる面に垂直に並んでおらず、むしろ、吸引装置８‘が広がる面に平行な装置の内側にある、という点で、図１〜４の吸引装置８‘とは異なる。従って、吸引装置８‘の実施形態において、フローは、ストップ面１４‘又はその上に配置された基板４に設けられた電極３に更に平行に調節される。
【００３９】
吸引開口部１０により吸引されたプロセスガスは、吸引チャネル１３を超えて、例えば、ポンプ（図示せず）に接続できるガス出口９へ搬送される。特に、吸引装置８が、コーティングチャンバ１に脱着可能に収容されたコーティングチャンバ１のモジュール形成においては、対応のライン接続を、コーティングチャンバ壁の吸引ノズルに永続的に提供することができる。
【００４０】
基板４に対してプロセスガス又はガス状コーティング材料の均一且つ均質なフローを作成する機能とは別に、図１〜５に示す吸引装置８は、運搬要素又はキャリア３、電極３及び基板４のストップとして機能する追加の機能を有している。コートされる基板表面に対するプロセスガス及び／又はガス状コーティング材料の均一且つ均質な分布とは別に、基板表面及び／又は電極に関する電磁的条件が、同様に、均質且つ均一であるのも均一なコーティングにとっては重要である。従って、電極２及び３の電極表面が、できる限り面に平行であることが必要である。これは、固定電極２では容易に達成可能であるが、更に運搬要素及び／又はキャリアとして機能する可動電極３では、些細な問題ではない。
【００４１】
本発明の吸引装置或いは対応してそれを備えたコーティング又はプラズマチャンバにより、電極３又はキャリア３を、面に平行となるように、電極２の反対の基板４に並べることは簡単なことである。これは、運搬要素又はキャリア３を、基板４と共に、その目的で提供されたストップ面１４を有する吸引装置８に対してプレスすることによりなされる。
【００４２】
図２に示す通り、ストップ面１４は、吸引チャネル１３で、環及び交差状又は格子状バー１７の形態として実現してもよく、これだと、対応の接触圧力を収容することができ、基板４又は電極３を面で並べることができる。
【００４３】
ストップ面１４に対して適切な接触力を得るためには、対応の駆動又は保持手段１５を与えて、例えば、吸引装置８のリセス１８を通して、キャリア又は電極３の背面と係合させて、それらを、吸引装置８のストップ面１４に近づけることができる。
【００４４】
吸引装置８は、双頭矢印により示される通り、コーティングチャンバ１に調節可能又は可動に装着されており、電極２と３の間の電極ギャップが調節可能となっている。このため、対応の駆動コンポーネント２１は、例えば、空気圧式又は油圧式シリンダ、電気駆動装置等で提供されている。初期位置を調節可能とする単純な機構のスペーサ（図示せず）も考えられる。このように、電極２と３の間のギャップは、電極３又は基板４に対して、吸引装置８の吸引開口部１０の位置を変えることなく、異なるコーティング目的について変えることができる。
【００４５】
ここに図示されていない変形実施形態において、互いに組み合わせで提供されるのが好ましい別々のコンポーネントを用いることにより、吸引装置８の機能を、一方では、余剰プロセスガスの吸引、他方では、電極及び／又はキャリア３並びに基板４へのストップ面の提供、に関して分離することもできる。
【００４６】
図２〜４に、図１のコーティングチャンバに用いるような吸引装置８の詳細を示す。具体的には、吸引装置８の主表面の側面図（図２）、上からの長手方向側の平面図（図３）及び９０°回転した端面の側面図（図４）である。
図２の詳細によれば、吸引装置８は、矩形吸引チャネル１３を有しており、角管のその基本構造は、吸引チャネル１３とフレームの基本構造の両方を構成している。上下長手方向側には、フェースプレート１１が提供されていて、そこに配置された吸引開口部１０をカバーし、複数のフェースプレート開口部１２によって、プラズマ領域６又は基板４の直ぐ周囲のコーティング領域において画定されたフローを促進する。
【００４７】
吸引装置８内側の吸引チャネル１３には、バー１７があり、電極３又はキャリア３、そして基板４のためのストップ面１４を形成する。このように、キャリア３又は基板４を面で並べ、対向電極２に対して対応する面に平行にすることができる。
【００４８】
図３に、コーティングチャンバ１の吸引ノズルに対する接続９を詳細に示す。図示した実施形態は、図４にも示されている通り、吸引チャネル１３、特に垂直領域に２つの出口を有しており、該出口は、共通のラインを介して、コーティングチャンバの吸引ノズルへ導くことができる。
【００４９】
図４にはまた、吸引装置８の上下長手方向側にある吸引開口部１０及びフェースプレート１１の側面図を示す。対応するフェースプレートの開口部がそこに設けられている。更に、コーティングチャンバ１の吸引ノズルへの接続９も見られる。
【００５０】
更に、図４に、例えば、抵抗ヒータの形態にある加熱要素１９を示す。これは、電流又は電圧源２０に接続されている。加熱要素１９は、吸引装置８を加熱するのに用いて、吸引装置８への堆積物の形成を防ぐことができる。
【００５１】
本発明を、添付の図面を用いて、好ましい実施形態に関して詳細に説明してきたが、添付の請求の範囲の保護の範囲を放棄することなしに、特に、記載した別々の特徴の組み合わせの異なる種類、又は、特定の特徴の排除で、修正及び訂正が可能であることは、当業者には明白である。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
本発明の更なる利点、特徴及び構成は、添付図面を用いた好ましい実施形態の詳細な説明から明らかである。図面は単に概略に過ぎない。
【００５３】
【図１】ＰＥＣＶＤコーティングチャンバの概略図である。
【図２】図１のＰＥＣＶＤコーティングチャンバに用いるような本発明の吸引装置の側面図である。
【図３】図２の吸引装置の平面図である。
【図４】９０°回転した図２の吸引装置の側面図である。
【図５】図２の吸引装置の変形実施形態の上端の詳細図である。
【図１】
2008231574.tif 000003
【図２】
2008231574.tif 000004
【図３】
2008231574.tif 000005
【図４】
2008231574.tif 000006
【図５】
2008231574.tif 000007
【外国語明細書】
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