(57)【要約】【課題】厚さの薄い有機電界発光表示装置を製造し、製造工程中または製造工程後、紫外線が基板を通じて有機電界発光素子に伝達されないようにし、製造工程中の基板の反り及び損傷を防止し、かつ、製造工程時間を短縮できる有機電界発光表示装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明の有機電界発光表示装置は、基板と、前記基板上に形成されたバッファ層と、前記バッファ層上に形成された半導体層と、前記半導体層上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、前記ゲート絶縁膜上に形成された非透過層と、前記ゲート電極及び非透過層上に形成された層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に形成されたソース／ドレイン電極と、前記ソース／ドレイン電極上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された有機電界発光素子とを有する。【選択図】図２
2008122905.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板に形成されたバッファ層と、
前記バッファ層に形成された半導体層と、
前記半導体層に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜に形成されたゲート電極と、
前記ゲート絶縁膜に形成された非透過層と、
前記ゲート電極及び前記非透過層に形成された層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜に形成されたソース／ドレイン電極と、
前記ソース／ドレイン電極に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜に形成された有機電界発光素子と、
を備えることを特徴とする、有機電界発光表示装置。
【請求項２】
前記非透過層は、前記半導体層の外周を囲むように形成されたことを特徴とする、請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項３】
前記半導体層と前記ソース／ドレイン電極とは、前記ゲート絶縁膜及び前記層間絶縁膜を貫通する導電性コンタクトによって相互に電気的に接続され、
前記非透過層は、前記導電性コンタクトの外周を囲むように形成されたことを特徴とする、請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項４】
前記非透過層は、少なくとも一部が前記ソース／ドレイン電極と前記層間絶縁膜を介して重なるように形成されたことを特徴とする、請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項５】
前記非透過層は、少なくとも一部が前記有機電界発光素子と前記層間絶縁膜及び前記絶縁膜を介して重なるように形成されたことを特徴とする、請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項６】
前記非透過層は、前記有機電界発光素子と対応しない下部に形成されたことを特徴とする、請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項７】
前記非透過層は、前記ゲート電極と同じ材質で形成されたことを特徴とする、請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項８】
前記非透過層は、前記ゲート電極の厚さと同じ厚さに形成されたことを特徴とする、請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項９】
前記非透過層は、モリブデン（Ｍｏ）、モリブデン−タングステン（ＭｏＷ）、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム−ネオジウム（ＡｌＮｄ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン合金、銅合金、アルミニウム合金及びドープされたポリシリコンからなる群より選択された少なくともいずれか１つで形成されたことを特徴とする、請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１０】
前記非透過層は、紫外線遮断層であることを特徴とする、請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１１】
前記非透過層は、紫外線の透過されない金属、透明紫外線遮断剤及び不透明紫外線遮断済からなる群より選択された少なくともいずれか１つで形成されたことを特徴とする、請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１２】
前記非透過層は、クロム（Ｃｒ）、酸化クロム（Ｃｒ２Ｏ３）、アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）及び銀合金（ＡＴＤ）からなる群より選択された少なくともいずれか１つで形成されたことを特徴とする、請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１３】
前記非透過層は、５０〜３００ｎｍの厚さに形成されたことを特徴とする、請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１４】
前記基板は、０．０５〜１ｍｍの厚さに形成されたことを特徴とする、請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１５】
前記基板は、ガラス、プラスチック、金属及びポリマーからなる群より選択されたいずれか１つで形成されたことを特徴とする、請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１６】
前記基板の下面には、摩擦防止層がさらに形成されたことを特徴とする、請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１７】
前記基板の下面には、１０〜１００μｍ厚さの摩擦防止層がさらに形成されたことを特徴とする、請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１８】
前記基板の下面には、有機材料及び無機材料のうち選択されたいずれか１つの摩擦防止層がさらに形成されたことを特徴とする、請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１９】
２枚の基板を用意するステップと、
前記ステップで用意した２枚の基板を合着するステップと、
前記各基板のうち合着面の反対面にバッファ層を形成するステップと、
前記バッファ層上に半導体層を形成するステップと、
前記半導体層の外周を囲むように非透過層を形成するステップと、
前記半導体層及び前記非透過層上に絶縁膜を形成するステップと、
前記絶縁膜上に有機電界発光素子を形成するステップと、
前記合着された２枚の基板をそれぞれ分離するステップと、
を含むことを特徴とする、有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項２０】
前記半導体層形成ステップと前記非透過層形成ステップとの間に、前記半導体層上にゲート絶縁膜を形成するステップと、前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成するステップとをさらに含むことを特徴とする、請求項１９に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項２１】
前記非透過層形成ステップは、前記ゲート電極形成ステップと共に行われることを特徴とする、請求項２０に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項２２】
前記非透過層形成ステップで、前記非透過層を前記ゲート電極の外周縁であるゲート絶縁膜上に形成することを特徴とする、請求項２０に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項２３】
前記非透過層形成ステップで、前記非透過層を前記ゲート電極と同じ材質で形成することを特徴とする、請求項２０に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項２４】
前記非透過層形成ステップで、前記非透過層を、少なくとも一部が前記有機電界発光素子と前記層間絶縁膜及び前記絶縁膜を介して重なるように形成することを特徴とする、請求項１９に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項２５】
前記非透過層形成ステップで、前記非透過層は、モリブデン（Ｍｏ）、モリブデン−タングステン（ＭｏＷ）、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム−ネオジウム（ＡｌＮｄ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン合金、銅合金、アルミニウム合金及びドープされたポリシリコンからなる群から選択された少なくともいずれか１つで形成されることを特徴とする、請求項１９に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項２６】
前記非透過層形成ステップで、前記非透過層を紫外線遮断層として形成することを特徴とする、請求項１９に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項２７】
前記非透過層形成ステップで、前記非透過層は、紫外線の透過されない金属、透明紫外線遮断剤及び不透明紫外線遮断済からなる群より選択された少なくともいずれか１つで形成されることを特徴とする、請求項１９に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項２８】
前記非透過層形成ステップで、前記非透過層は、酸化クロム（Ｃｒ２Ｏ３）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）及び銀合金（ＡＴＤ）からなる群より選択された少なくともいずれか１つで形成されることを特徴とする、請求項１９に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項２９】
前記基板合着ステップで、２枚の基板間に摩擦防止層を形成することを特徴とする、請求項１９に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項３０】
前記基板分離ステップの後に、摩擦防止層を除去するステップをさらに含むことを特徴とする、請求項２９に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機電界発光表示装置及びその製造方法に関し、より詳しくは、厚さの薄い有機電界発光表示装置を製造し、製造工程中または製造工程後、紫外線が基板を通じて有機電界発光素子に伝達されず、製造工程中の基板の反り及び損傷を防止し、かつ、製造工程時間を短縮することができる有機電界発光表示装置及びその製造方法に関する。
本願は、韓国で２００６年１１月１０日に出願された韓国特許出願Ｎｏ．特願１０−２００６−０１１１２９９号に対し優先権を主張し、その内容をここに援用する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、有機電界発光表示装置は蛍光性または燐光性有機化合物に電流を流すことで、電子と正孔とが結合し自発光する表示装置である。また、このような有機電界発光表示装置は、例えばｎ×ｍ個の有機電界発光素子を電圧駆動または電流書込みして映像を表示するようになっている。
【０００３】
また、このような有機電界発光素子は、図１に示されたようにアノード（ＩＴＯ）、有機薄膜及びカソード電極（ｍｅｔａｌ）の構造を基本構造とする。前記有機薄膜は、電子と正孔とが会って励起子（ｅｘｃｉｔｏｎ）を形成して発光する発光層（ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｌａｙｅｒ、ＥＭＬ）、電子の移動速度を適切に調節する電子輸送層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｔｒａｎｓｐｏｒｔ  ｌａｙｅｒ、ＥＴＬ）、正孔の移動速度を適切に調節する正孔輸送層（ｈｏｌｅ  ｔｒａｎｓｐｏｒｔ  ｌａｙｅｒ、ＨＴＬ）でなり得る。また、前記電子輸送層には、電子の注入効率を向上させる電子注入層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｉｎｊｅｃｔｉｎｇ  ｌａｙｅｒ、ＥＩＬ）が形成され、前記正孔輸送層には正孔の注入効率を向上させる正孔注入層（ｈｏｌｅ  ｉｎｊｅｃｔｉｎｇ  ｌａｙｅｒ、ＨＩＬ）がさらに形成され得る。
【０００４】
このような有機電界発光表示装置は、広視野角、超高速回答、自体発光などの長所から、小型から大型に至るまで、いかなる動画表示装置としても遜色なく、消費電力が小さくバックライト（ｂａｃｋ  ｌｉｇｈｔ）が必要ないため、軽量及び薄型で製作することができる。また、低温で製造が可能であり、製造工程が簡単であって低価格化が可能である。さらに、近年有機薄膜材料技術及び工程技術が急速に成長し、既存の平板表示装置に代替する技術として思われている。
【０００５】
ところが、近年の携帯電話、ＰＤＡ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ  Ｄｉｇｉｔａｌ  Ａｓｓｉｓｔａｎｔ）、ノートブックコンピュータ、コンピュータモニタ及びテレビなどのような電子製品のスリム（ｓｌｉｍ）化の趨勢により、前記有機電界発光表示装置も徐々に約１ｍｍ以下の厚さに製造することが求められている。しかし、現在の有機電界発光表示装置は封止技術に代替するほどの保護膜技術が十分開発されていない状況であるため、１ｍｍ以下の厚さに製造することは困難である。
【０００６】
これによって、厚さ１ｍｍ以下の有機電界発光表示装置を製造するため、例えば、特許文献１、特許文献２及び特許文献３によると、２枚のガラス基板にそれぞれ素子層（半導体層及び有機電界発光素子など）を形成し、前記各素子層を対向させてガラス基板を合着した後、素子層のない表面をエッチングまたは研磨工程によって除去することで、スリム有機電界発光表示装置を製造する方法が開示されている。
【０００７】
【特許文献１】特開２００５−３４０１８２号公報
【特許文献２】特開２００５−２２２９３０号公報
【特許文献３】特開２００５−２２２７８９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかし、このような特許文献１から３に記載された方法は、それぞれのガラス基板に半導体層や有機電界発光素子をそれぞれ形成した後、これを合着してエッチングまたは研磨することで、製造工程時間が非常に長くなる問題がある。さらに、このような従来の方法はある程度完成されたガラス基板を合着することで、合着工程中、ガラス基板、半導体層及び有機電界発光素子が損傷されたり破損されたりする場合が多くて生産歩留まりが低く、したがって製造コストも高くなる問題がある。
【０００９】
勿論、ガラス基板の厚さを予め１ｍｍ以下に製造した後、その表面に発光素子層を形成する方法も考えられるが、この場合、前記ガラス基板の厚さが非常に薄く、移送工程中に前記ガラス基板が反ったり、移送装置に機械的に接触して破損される問題がある。
【００１０】
そこで、本発明は、このような問題に鑑みてなされたもので、その目的は、薄型の有機電界発光表示装置及びその製造方法において、製造工程中または製造工程後、紫外線が基板を通じて有機電界発光素子に入射しないようにし、製造工程中の基板の反り現象及び破損現象を防止し、製造工程時間を短縮することで生産性を高め、かつ製造原価を節減することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するために、本発明のある観点によれば、基板と、前記基板に形成されたバッファ層と、前記バッファ層に形成された半導体層と、前記半導体層に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜に形成されたゲート電極と、前記ゲート絶縁膜に形成された非透過層と、前記ゲート電極及び前記非透過層に形成された層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜に形成されたソース／ドレイン電極と、前記ソース／ドレイン電極に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜に形成された有機電界発光素子と、を備える有機電界発光表示装置が提供される。
【００１２】
前記非透過層は前記半導体層の外周を囲むように形成され得る。
【００１３】
前記半導体層と前記ソース／ドレイン電極とは、前記ゲート絶縁膜及び層間絶縁膜を貫通する導電性コンタクトによって相互電気的に接続され、前記非透過層は前記導電性コンタクトの外周を囲むように形成され得る。
【００１４】
前記非透過層は、少なくとも一部が前記ソース／ドレイン電極と前記層間絶縁膜を介して重なるように形成され得る。
【００１５】
前記非透過層は、少なくとも一部が前記有機電界発光素子と前記層間絶縁膜及び前記絶縁膜を介して重なるように形成され得る。
【００１６】
前記非透過層は、前記有機電界発光素子と対応しない下部に形成され得る。
【００１７】
前記非透過層は、前記ゲート電極と同じ材質で形成され得る。
【００１８】
前記非透過層は、前記ゲート電極の厚さと同じ厚さに形成され得る。
【００１９】
前記非透過層は、モリブデン（Ｍｏ）、モリブデン−タングステン（ＭｏＷ）、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム−ネオジウム（ＡｌＮｄ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン合金、銅合金、アルミニウム合金及びドープされたポリシリコンのうち選択された少なくともいずれか１つで形成され得る。
【００２０】
前記非透過層は、紫外線遮断層であり得る。
【００２１】
前記非透過層は、紫外線の透過されない金属、透明紫外線遮断剤及び不透明紫外線遮断済のうち選択された少なくともいずれか１つで形成され得る。
【００２２】
前記非透過層は、クロム（Ｃｒ）、酸化クロム（Ｃｒ２Ｏ３）、アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）及び銀合金（ＡＴＤ）のうち選択された少なくともいずれか１つで形成され得る。
【００２３】
前記非透過層は、５０〜３００ｎｍの厚さに形成され得る。
【００２４】
前記基板は、０．０５〜１ｍｍの厚さに形成され得る。
【００２５】
前記基板は、ガラス、プラスチック、金属及びポリマーのうち選択されたいずれか１つで形成され得る。
【００２６】
前記基板の下面には摩擦防止層がさらに形成され得る。
【００２７】
前記基板の下面には、１０〜１００μｍ厚さの摩擦防止層がさらに形成され得る。
【００２８】
前記基板の下面には、有機材料及び無機材料のうち選択されたいずれか１つの摩擦防止層がさらに形成され得る。
【００２９】
上記課題を達成するために、本発明の別の観点によれば、２枚の基板を用意するステップと、前記ステップで用意した２枚の基板を合着するステップと、前記各基板のうち合着面の反対面にバッファ層を形成するステップと、前記バッファ層上に半導体層を形成するステップと、前記半導体層の外周を囲むように非透過層を形成するステップと、前記半導体層及び前記非透過層上に絶縁膜を形成するステップと、前記絶縁膜上に有機電界発光素子を形成するステップと、前記合着された２枚の基板をそれぞれ分離するステップと、を含む有機電界発光表示装置の製造方法が提供される。
【００３０】
前記半導体層形成ステップと非透過層形成ステップとの間に、前記半導体層上にゲート絶縁膜を形成するステップと、前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成するステップをさらに含み得る。
【００３１】
前記非透過層形成ステップは、前記ゲート電極形成ステップとともに行われ得る。
【００３２】
前記非透過層形成ステップで、前記非透過層を前記ゲート電極の外周縁であるゲート絶縁膜上に形成し得る。
【００３３】
前記非透過層形成ステップで、前記非透過層を前記ゲート電極と同じ材質で形成し得る。
【００３４】
前記非透過層形成ステップで、前記非透過層を、少なくとも一部が前記有機電界発光素子と前記層間絶縁膜及び前記絶縁膜を介して重なるように形成し得る。
【００３５】
前記非透過層形成ステップで、前記非透過層がモリブデン（Ｍｏ）、モリブデン−タングステン（ＭｏＷ）、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム−ネオジウム（ＡｌＮｄ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン合金、銅合金、アルミニウム合金及びドープされたポリシリコンのうち選択された少なくともいずれか１つで形成されてなり得る。
【００３６】
前記非透過層形成ステップで、前記非透過層を紫外線遮断層として形成し得る。
【００３７】
前記非透過層形成ステップで、前記非透過層は、紫外線の透過されない金属、透明紫外線遮断剤及び不透明紫外線遮断済のうち選択された少なくともいずれか１つで形成され得る。
【００３８】
前記非透過層形成ステップで、前記非透過層は、酸化クロム（Ｃｒ２Ｏ３）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）及び銀合金（ＡＴＤ）のうち選択された少なくともいずれか１つで形成されてなり得る。
【００３９】
前記基板合着ステップで、２枚の基板間に摩擦防止層を形成し得る。
【００４０】
前記基板分離ステップの後に、摩擦防止層を除去するステップをさらに含み得る。
【００４１】
上記のようにして本発明による有機電界発光表示装置は、例えば、０．０５〜１ｍｍの厚さを有する薄型の基板を含むことで、近年スリム化趨勢にある携帯電話、ＰＤＡ、ノートブックコンピュータ、コンピュータモニタ及びテレビなどのような各種ディスプレイ用電子製品に適用し易くなる。
【００４２】
また、前記のようにして本発明による有機電界発光表示装置は、半導体層の外周を囲むように非透過層を形成することで、製品の使用中、紫外線が基板を通じて有機電界発光素子に影響を及ぼさなくなる。
【００４３】
前記のように本発明による有機電界発光表示装置の製造方法は、例えば、０．０５〜１ｍｍの厚さを有する基板を２枚合着し、半導体工程及び有機薄膜工程（勿論、各工程には洗浄、エッチング、露光、現像及び熱処理などが含まれる）を同時に行うことで、全工程時間を略５０％程度短縮させることができる。
【００４４】
また、前記のようにして本発明による製造方法は、半導体層の外周縁として有機電界発光素子と対応する下部に非透過層を予め形成することで、露光工程中、紫外線が反対側の他の基板に伝達され難くする。
【００４５】
また、前記のようにして本発明による製造方法は、合着される基板間に所定厚さの摩擦防止層を形成して剛性を補強することで、製造工程中、基板が反ったり破損されないようにする。
【００４６】
また、前記のようにして本発明による製造方法は、合着される基板間に摩擦防止層を形成することで、２枚の基板合着の際にも基板同士の接触を防止して基板損傷を防止できるようになる。
【発明の効果】
【００４７】
前記のようにして本発明による有機電界発光表示装置は、例えば、０．０５〜１ｍｍの厚さを有する基板に含むことで、近年スリム化趨勢にある携帯電話、ＰＤＡ、ノートパソコン、コンピューターモニター及びテレビなどのような各種ディスプレイ用電子製品に適用し易くなる。
【００４８】
また、前記のようにして本発明による有機電界発光表示装置は、半導体層の外周縁に非透過層を形成することで、製品の使用中、紫外線が基板を通じて有機電界発光素子に影響を及ぼさなくなる。
【００４９】
前記のように本発明による有機電界発光表示装置の製造方法は、例えば、０．０５〜１ｍｍの厚さを有する基板を２枚合着し、半導体工程及び有機薄膜工程（勿論、各工程には洗浄、エッチング、露光、現像及び熱処理などが含まれる）を同時に行うことで、全工程時間を略５０％程度短縮させることができる。
【００５０】
また、前記のようにして本発明による製造方法は、半導体層の外周縁として有機電界発光素子と対応する下部に非透過層を予め形成することで、露光工程中、紫外線が反対側の他の基板に伝達され難くする。
【００５１】
また、前記のようにして本発明による製造方法は、合着される基板間に所定厚さの摩擦防止層を形成して剛性を補強することで、製造工程中、基板が反ったり破損されないようにする。
【００５２】
また、前記のようにして本発明による製造方法は、合着される基板間に摩擦防止層を形成することで、２枚の基板合着の際にも基板同士の接触を防止して基板損傷を防止できるようになる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５３】
以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００５４】
図２を参照すれば、本発明の一実施形態による有機電界発光表示装置の断面図が示されている。
【００５５】
図２に示されたように、本発明の一実施形態による有機電界発光表示装置１００は、基板１１０と、前記基板１１０上に形成されたバッファ層１２０と、前記バッファ層１２０上に形成された半導体層１３０と、前記半導体層１３０上に形成されたゲート絶縁膜１４０と、前記ゲート絶縁膜１４０上に形成されたゲート電極１５０と、前記ゲート絶縁膜１４０上に形成された非透過層１６０と、前記ゲート電極１５０及び前記非透過層１６０上に形成された層間絶縁膜１７０と、前記層間絶縁膜１７０上に形成されたソース／ドレイン電極１８０と、前記ソース／ドレイン電極１８０上に形成された絶縁膜１９０と、前記絶縁膜１９０上に形成された有機電界発光素子２００と、前記有機電界発光素子２００の外周縁である絶縁膜１９０に形成された画素定義膜２１０と、前記基板１１０の下面に形成された摩擦防止層２２０と、を含むことができる。
【００５６】
前記基板１１０は、上面と下面が略扁平であり、上面と下面との間の厚さは約０．０５〜１ｍｍ程度に形成され得る。前記基板１１０の厚さが約０．０５ｍｍ以下である場合には、工程中洗浄、エッチング及び熱処理工程などによって損傷され易く、また外力に弱い短所がある。また、前記基板１１０の厚さが約１ｍｍ以上である場合には、近年スリム化趨勢にある各種表示装置への適用が困難である。また、前記基板１１０は通常のガラス、プラスチック、金属、ポリマー及びその等価物のうち選択されたいずれか１つで形成され得るが、このような材質で本発明は限定されない。
【００５７】
前記バッファ層１２０は、前記基板１１０の上面に形成され得る。このようなバッファ層１２０は、下記する半導体層１３０や有機電界発光素子２００の方へ湿気（Ｈ２Ｏ）、水素（Ｈ２）または酸素（Ｏ２）などが前記基板１１０を貫通して浸透しないようにする役割をする。このために、前記バッファ層１２０は、半導体工程中に容易に形成できるシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）、シリコン窒化膜（Ｓｉ３Ｎ４）、無機膜及びその等価物のうち選択された少なくともいずれか１つで形成できるが、このような材質で本発明は限定されない。勿論、このようなバッファ層１２０は必要によって省略されることもあり得る。
【００５８】
前記半導体層１３０は、前記バッファ層１２０の上面に形成され得る。このような半導体層１３０は相互対向する両側に形成されたソース／ドレイン領域１３２と、前記ソース／ドレイン領域１３２間に形成されたチャネル領域１３４と、でなり得る。一例として、前記半導体層１３０は薄膜トランジスタであり得る。このような薄膜トランジスタとしては、例えば、アモルファスシリコン（ａｍｏｒｐｈｏｕｓ  Ｓｉ）薄膜トランジスタ、ポリシリコン（ｐｏｌｙ  Ｓｉ）薄膜トランジスタ、有機薄膜トランジスタ、マイクロシリコン（ｍｉｃｒｏ  Ｓｉ）、アモルファスシリコンとポリシリコンとの中間のグレインサイズを有するシリコン）薄膜トランジスタまたはその等価物のうち選択された少なくともいずれか１つで形成され得るが、本発明で前記薄膜トランジスタの種類は限定しない。また、前記薄膜トランジスタがポリシリコン薄膜トランジスタである場合、前記ポリシリコン薄膜トランジスタは、低温でレーザーを用いて結晶化する方法、金属を用いて結晶化する方法、高い圧力を用いて結晶化する方法及びその等価方法のうち選択されたいずれか１つの方法であり得るが、本発明で前記ポリシリコンの結晶化方法は限定しない。前記レーザーを用いて結晶化する方法はＥＬＡ（Ｅｘｃｉｍｅｒ  Ｌａｓｅｒ  Ａｎｎｅａｌｉｎｇ）、ＳＬＳ（Ｓｅｑｕｅｎｔｉａｌ  Ｌａｔｅｒａｌ  Ｓｏｌｉｄｉｆｉｃａｔｉｏｎ）、ＴＤＸ（Ｔｈｉｎ  Ｂｅａｍ  Ｄｉｒｅｃｔｉｏｎ  Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ）などの方式が可能であるが、このような方法で本発明は限定されない。また、金属を用いて結晶化する方法としては、ＳＰＣ（Ｓｏｌｉｄ  Ｐｈａｓｅｓ  Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ）、ＭＩＣ（Ｍｅｔａｌ  Ｉｎｄｕｃｅｄ  Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ）、ＭＩＬＣ（Ｍｅｔａｌ  Ｉｎｄｕｃｅｄ  Ｌａｔｅｒａｌ  Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ）、ＳＧＳ（Ｓｕｐｅｒ  Ｇｒａｉｎｅｄ  Ｓｉｌｉｃｏｎ）などが可能であるが、このような方式で本発明は限定されない。勿論、前記薄膜トランジスタはＰＭＯＳ、ＮＭＯＳ及びその等価形態のうち選択された少なくともいずれか１つであり得るが、本発明で前記薄膜トランジスタの導電形態が限定されることもない。
【００５９】
前記ゲート絶縁膜１４０は、前記半導体層１３０の上面に形成され得る。勿論、このようなゲート絶縁膜１４０は、前記半導体層１３０の外周縁であるバッファ層１２０上にも形成され得る。また、前記ゲート絶縁膜１４０は半導体工程中、容易に得られるシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、無機膜またはその等価物のうち選択された少なくともいずれか１つで形成されることができるが、ここでその材質を限定することはない。
【００６０】
前記ゲート電極１５０は、前記ゲート絶縁膜１４０の上面に形成され得る。より具体的に、前記ゲート電極１５０は前記半導体層１３０のうちチャネル領域１３４と対応するゲート絶縁膜１４０上に形成され得る。公知のように、このようなゲート電極１５０は前記ゲート絶縁膜１４０下部のチャネル領域１３４に電界を印加することで、前記チャネル領域１３４に正孔または電子のチャネルを形成させる。また、前記ゲート電極１５０は、通常の金属（Ｍｏ、ＭｏＷ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ａｌ、ＡｌＮｄ、Ｃｒ、Ｍｏ合金、Ｃｕ合金、Ａｌ合金など）、ドープされたポリシリコン及びその等価物のうち選択された少なくともいずれか１つで形成され得るが、ここでその材質は限定されない。
【００６１】
前記非透過層１６０は、前記ゲート電極１５０の外周縁として（の外周を囲むようにして）前記ゲート絶縁膜１４０の上面に形成され得る。また、このような非透過層１６０は、前記半導体層１３０及び下記する導電性コンタクト１８６の外周縁（外周を囲むようにして）に形成され得る。さらに、このような非透過層１６０は、下記の有機電界発光素子２００の下部と対応する領域に形成され得る。勿論、前記非透過層１６０は前記有機電界発光素子２００の下部と対応する領域だけではなく、対応しない領域にも形成され得る。すなわち、非透過層１６０は、少なくとも一部が有機電界発光素子２００と下記層間絶縁膜１７０及び下記絶縁膜１９０を介して重なるように形成することができる。また、前記非透過層１６０は下記するソース／ドレイン電極１８０と一定領域が重なるように形成することができる。
【００６２】
このような非透過層１６０は、２枚の基板１１０を合着して、有機電界発光素子２００などを形成する製造工程中に、露光のための紫外線を反対側の他の基板方へ透過させない役割をする。勿論、前記非透過層１６０は、基板１１０が個別に分離された後、外部の紫外線が有機電界発光素子２００の方へ透過できないようにする役割もする。
【００６３】
このような非透過層１６０は、実質的に前記ゲート電極１５０と同じ材質で形成され得る。すなわち、前記非透過層１６０は、Ｍｏ、ＭｏＷ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ａｌ、ＡｌＮｄ、Ｃｒ、Ｍｏ合金、Ｃｕ合金、Ａｌ合金、ドープされたポリシリコン及びその等価物のうち選択された少なくともいずれか１つで形成され得るが、ここでその材質は限定されない。勿論、このような非透過層１６０の厚さも前記ゲート電極１５０の厚さと同じであり得る。
【００６４】
また、前記非透過層１６０は、紫外線遮断剤及びその等価物のうち選択されたいずれか１つで形成され得る。さらに、前記非透過層１６０は紫外線の透過されない金属、透明紫外線遮断剤、不透明紫外線遮断剤及びその等価物のうち選択されたいずれか１つで形成されることもできる。さらに、前記非透過層１６０が金属である場合、これはクロム（Ｃｒ）、酸化クロム（Ｃｒ２Ｏ３）、アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、銀合金（ＡＴＤ）及びその等価物のうち選択されたいずれか１つで形成され得るが、ここでその材質は限定されない。また、このような非透過層１６０は５０〜３００ｎｍの厚さに形成することができる。前記非透過層１６０の厚さが５０ｎｍ以下である場合には、紫外線遮断率が低く製造工程中や工程後に前記半導体層１３０や有機電界発光素子２００に影響を与えることがあり、また前記非透過層１６０の厚さが３００ｎｍ以上である場合には、十分な紫外線遮断効率にもかかわらず厚さが過度に厚くなる恐れがある。
【００６５】
前記層間絶縁膜１７０は、前記ゲート電極１５０及び非透過層１６０の上面に形成され得る。勿論、このような層間絶縁膜１７０は、前記ゲート電極１５０及び非透過層１６０の外周縁であるゲート絶縁膜１４０上にも形成され得る。また、前記層間絶縁膜１７０は、ポリマー系列、プラスチック系列、ガラス系列またはその等価系列のうち選択されたいずれか１つで形成され得るが、ここで前記層間絶縁膜１７０の材質は限定されない。
【００６６】
前記ソース／ドレイン電極１８０は、前記層間絶縁膜１７０の上面に形成され得る。勿論、前記ソース／ドレイン電極１８０と半導体層１３０間には、層間絶縁膜１７０を貫通する導電性コンタクト１８６（ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ  ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  ｃｏｎｔａｃｔ）が形成され得る。すなわち、前記導電コンタクト１８６によって前記半導体層１３０とソース／ドレイン電極１８０とが電気的に接続される。また、前記導電コンテック１８６は前記非透過層１６０と接触しないように形成され得る。言い換えれば、前記非透過層１６０は前記導電性コンタクト１８６の外周縁に形成される。さらに、前記ソース／ドレイン電極１８０は、前記ゲート電極１５０と同じ金属材質で形成でき、ここでその材質は限定されない。一方、前記のような半導体層１３０（すなわち、薄膜トランジスタ）は、通常、同一平面構造（ｃｏｐｌａｎａｒ  ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）で定義される。しかし、本発明に開示された半導体層１３０は同一平面構造だけに限定されるものではなく、公知のすべての薄膜トランジスタの構造、例えば、反転同一平面構造（ｉｎｖｅｒｔｅｄ  ｃｏｐｌａｎａｒ  ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）、ジグザグ型構造（ｓｔａｇｇｅｒｅｄ  ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）、反転ジグザグ型構造（ｉｎｖｅｒｔｅｄ  ｓｔａｇｇｅｒｅｄ  ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）及びその等価構造のうち選択された少なくともいずれか１つが可能であり、本発明で前記半導体層１３０の構造を限定することはない。
【００６７】
前記絶縁膜１９０は、前記ソース／ドレイン電極１８０及び層間絶縁膜１７０の上面に形成され得る。このような絶縁膜１９０はさらに保護膜１９２と、前記保護膜１９２の上面に形成された平坦化膜１９４と、を含んでなり得る。前記保護膜１９２は前記ソース／ドレイン電極１８０及び層間絶縁膜１７０を覆い、前記ソース／ドレイン電極１８０などを保護する役割をする。このような保護膜１９２は通常の無機膜及びその等価物のうち選択されたいすれか１つで形成され得るが、本発明で前記保護膜１９２の材質は限定しない。さらに、前記平坦化膜１９４は前記保護膜１９２を覆う。このような平坦化膜１９４は素子全体の表面を扁平にするものであって、ＢＣＢ（Ｂｅｎｚｏ  Ｃｙｃｌｏ  Ｂｕｔｅｎｅ）、アクリル及びその等価物のうち選択された少なくともいずれか１つで形成され得るが、ここでその材質は限定しない。
【００６８】
前記有機電界発光素子２００は、前記絶縁膜１９０、すなわち平坦化膜１９４の上面に形成され得る。このような有機電界発光素子２００は、さらにアノード２０２、前記アノード２０２の上面に形成された有機電界発光薄膜２０４及び前記有機電界発光薄膜２０４の上面に形成されたカソード２０６を含むことができる。前記アノード２０２は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｕｉｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、ＩＴＯ／Ａｇ、ＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯ（ＩＺＯ：Ｉｎｄｉμｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）またはその等価物のうち選択されたいすれか１つで形成され得るが、本発明で前記アノード２０２の材質は限定しない。前記ＩＴＯは仕事関数が均一であって有機電界発光薄膜２０４に対する正孔注入障壁の小さい透明導電膜であり、前記Ａｇは前面発光方式で、特に有機電界発光薄膜２０４からの光を上面に反射させる膜である。一方、前記有機電界発光薄膜２０４は電子と正孔とが再結合して励起子（ｅｘｃｉｔｏｎ）を形成して発光する発光層（ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｌａｙｅｒ、ＥＭＬ）、電子の移動速度を適切に調節する電子輸送層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｔｒａｎｓｐｏｒｔ  ｌａｙｅｒ、ＥＴＬ）、正孔の移動速度を適切に調節する正孔輸送層（ｈｏｌｅ  ｔｒａｎｓｐｏｒｔ  ｌａｙｅｒ、ＨＴＬ）でなり得る。また、前記電子輸送層には電子の注入効率を向上させる電子注入層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｉｎｊｅｃｔｉｎｇ  ｌａｙｅｒ、ＥＩＬ）が形成され、前記正孔輸送層には正孔の注入効率を向上させる正孔注入層（ｈｏｌｅ  ｉｎｊｅｃｔｉｎｇ  ｌａｙｅｒ、ＨＩＬ）がさらに形成され得る。さらに、前記カソード２０６は、Ａｌ、ＭｇＡｇ合金、ＭｇＣａ合金及びその等価物のうち選択された少なくともいずれか１つであり得るが、本発明で前記カソード２０６の材質は限定しない。但し、本発明において、前面発光方式を選ぶ場合、前記Ａｌは非常に薄くせねばならないが、そのような場合、抵抗が高くなって電子注入障壁が大きくなる短所がある。前記ＭｇＡｇ合金は前記Ａｌに比べて電子注入障壁が小さく、前記ＭｇＣａ合金は前記ＭｇＡｇ合金に比べて電子注入障壁がさらに低い。しかし、このようなＭｇＡｇ合金及びＭｇＣａ合金は周辺環境に敏感であって酸化されて絶縁層を形成できるため、外部と完全に遮断させなければならない。さらに、前記有機電界発光素子２００のうちアノード２０２と前記ソース／ドレイン電極１８０とは、前記絶縁膜１９０（保護膜１９２、平坦化膜１９４）を貫通して形成された導電性ビア２０８（ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ  ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  ｖｉａ）によって相互電気的に接続されることができる。一方、ここで本発明は基板１１０の上部方向に発光する前面発光方式を中心に説明したが、ここに限定されず、基板１１０の下部方向に発光する背面発光方式または基板１１０の上部及び下部方向に同時に発光する両面発光にもすべて適用可能である。
【００６９】
前記画素定義膜２１０は、前記有機電界発光素子２００の外周縁として前記絶縁膜１９０の上面に形成され得る。このような画素定義膜２１０は赤色有機電界発光素子、緑色有機電界発光素子、青色有機電界発光素子の間の境界を明確にさせ画素間の発光境界領域を明確にさせる。また、このような画素定義膜２１０はポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）及びその等価物のうち選択された少なくともいずれか１つで形成され得るが、ここで前記画素定義膜２００の材質は限定されない。
【００７０】
一方、本発明の一実施形態による有機電界発光表示装置１００は、前記基板１１０の下面に摩擦防止層２２０がさらに形成され得る。このような摩擦防止層２２０は、２枚の基板１１０を合着して半導体層１３０及び有機電界発光素子２００などを形成する工程中、両基板１１０が相互接触しないようにする役割をする。さらに、このような摩擦防止層２２０は２枚の基板１１０が合着された状態で、全体的な厚さを厚くすることで所定剛性を確保し、基板の移送工程などで反り現象や破損現象を防止する。このような摩擦防止層２２０は、有機材料、無機材料及びその等価物のうち選択されたいずれか１つを用いて形成することができるが、ここでその材質は限定されない。また、前記摩擦防止層２２０は１０〜１００μｍの厚さに形成することが望ましい。前記摩擦防止層２２０の厚さが１０μｍ以下である場合には、製造工程中、基板同士が接触することがあり、前記摩擦防止層２２０の厚さが１００μｍ以上である場合には、基板１１０の全体厚さが過度に厚くなる恐れがある。
【００７１】
図３を参照すれば、本発明の一実施形態による有機電界発光表示装置の製造方法がフローチャートとして示されている。
【００７２】
図３に示すように、本発明の一実施形態による有機電界発光表示装置の製造方法は、基板用意ステップＳ１と、基板合着ステップＳ２と、バッファ層形成ステップＳ３と、半導体層形成ステップＳ４と、非透過層形成ステップＳ５と、絶縁膜形成ステップＳ６と、有機電界発光素子形成ステップＳ７と、基板分離ステップＳ８と、摩擦防止層除去ステップＳ９と、を含むことができる。
【００７３】
図４ａから図４ｊを参照すれば、本発明の一実施形態による有機電界発光表示装置の製造方法が断面図として示されている。前記図３及び図４ａから図４ｊを参照して、本発明の一実施形態の一有機電界発光表示装置の製造方法を順次説明する。
【００７４】
まず、図４ａに示されたように前記基板用意ステップＳ１においては、上面と下面が略扁平であって一定の厚さを有する基板１１０を提供する。
【００７５】
前記基板１１０は通常のガラス、プラスチック、ポリマー、金属及びその等価物のうち選択されたいずれか１つで用意できるが、本発明で前記基板１１０の材質や種類は限定されない。また、前記基板１１０は厚さが約０．０５〜１ｍｍ程度であるものを用意することがよい。前記基板１１０の厚さが約０．０５ｍｍ以下である場合には、製造工程中に洗浄、エッチング及び熱処理工程などによって損傷され易く取り扱いが困難であり、また外力に破損され易い短所がある。また、前記基板１１０の厚さが約１ｍｍ以上である場合には、近年スリム化の趨勢にある各種表示装置への適用が困難である短所がある。
【００７６】
図４ｂに示されたように前記基板合着ステップＳ２においては、前記のような基板１１０を２枚用意して相互合着する。
【００７７】
このとき、前記基板１１０と基板１１０との直接的な摩擦を避け、また製造工程中、一定の剛性を維持できるように、前記基板１１０と基板１１０間には、摩擦防止層２２０をさらに介在することができる。このような摩擦防止層２２０は、通常の有機材料、無機材料またはその等価物のうち選択された少なくともいずれか１つを蒸着するか、コーティングして形成することができるが、本発明で前記摩擦防止層２２０の材質及び形成方法は限定されない。勿論、このような摩擦防止層２２０は、有機電界発光表示装置を完成した後に除去するならば、容易に除去できる材質で形成することがよい。このような材質として、例えば有機物質であるフォトレジスト（ｐｈｏｔｏ  ｒｅｓｉｓｔ）が可能であるが、ここでその材質は限定されない。さらに、前記基板１１０の縁または全体領域には、製造工程中２枚の基板１１０が相互分離されないように合着剤（図示せず）をさらに介在することもできる。このような合着剤は通常のエポキシ接着剤、紫外線硬化接着剤及びその等価物のうち選択された少なくともいずれか１つを用いることができるが、ここでその材質は限定されない。また、前記摩擦防止層２２０は各基板１１０に予め形成した後、これを相互合着することもできるが、２枚の基板１１０を合着剤を介在して合着した後、前記両基板１１０の間に形成された隙間に液体成分の摩擦防止層２２０を注入して形成することもできる。すなわち、前記２枚の基板１１０間に液体成分の摩擦防止層２２０を注入すれば、毛細管現象によって容易に注入できるためである。勿論、このような液体成分の摩擦防止層２２０の形成後には、所定温度で基板１１０を熱処理することで、前記摩擦防止層２２０を硬化させることがよい。
【００７８】
図４ｃに示されたように前記バッファ層形成ステップＳ３においては、摩擦防止層２２０が形成された面の反対面である各基板１１０の表面に一定厚さのバッファ層１２０を形成する。このようなバッファ層１２０はシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、無機膜及びその等価物のうち選択された少なくともいずれか１つを用いて形成する。前記バッファ層１２０は水分、水素または酸素などが前記基板１１０を通じて半導体層１３０または有機電界発光素子２００に伝達されないようにする役割をする。勿論、このようなバッファ層１２０は、その表面に半導体層１３０などを形成され易くする役割もする。
【００７９】
さらに、このようなバッファ層１２０はある一側の基板にまず形成し、続いて他の基板に順次形成するか、または両側の基板に同時形成することができる。
【００８０】
図４ｄに示されたように前記半導体層形成ステップＳ４においては、前記バッファ層１２０の表面に半導体層１３０を形成し、続いてその表面にゲート絶縁膜１１０を形成する。
【００８１】
前記半導体層１３０は、相互対向する両側にソース／ドレイン領域１３２を形成し、前記ソース／ドレイン領域１３２の間にはチャネル領域１４２を形成してなり得る。一例として、前記半導体層１３０は薄膜トランジスタであり得る。このような薄膜トランジスタは、アモルファスシリコン（ａｍｏｒｐｈｏｕｓ  Ｓｉ）薄膜トランジスタ、ポリシリコン（ｐｏｌｙ  Ｓｉ）薄膜トランジスタ、有機薄膜トランジスタ、マイクロシリコン（ｍｉｃｒｏ  Ｓｉ）薄膜トランジスタまたはその等価物のうち選択された少なくともいずれか１つで形成され得るが、本発明で前記薄膜トランジスタの種類は限定しない。
【００８２】
また、前記薄膜トランジスタがポリシリコン薄膜トランジスタである場合、アモルファスシリコンを前記バッファ層１２０上に形成した後、低温でレーザーを用いて結晶化する方法、金属を用いて結晶化する方法、高い圧力を用いて結晶化する方法及びその等価方法のうち選択されたいずれか１つの方法で結晶化することができる。しかし、本発明で前記ポリシリコンの結晶化方法は限定しない。
【００８３】
勿論、前記アモルファスシリコンは、例えばＰＥＣＶＤ、ＬＰＣＶＤ、スパッタリング及びその等価方式のうち選択された少なくともいずれか１つの方法で形成でき、ここで前記アモルファスシリコンの形成方法は限定されない。さらに、このようなアモルファスシリコンの結晶化の以後には、フォトレジスト塗布、露光、現像、エッチング及びフォトレジスト剥離などの工程を経て所望の位置に所望の個数の半導体層１３０を形成する。
【００８４】
一方、前記レーザーを用いてアモルファスシルリコンをポリシリコンに結晶化する方法としては、ＥＬＡ（Ｅｘｃｉｍｅｒ  Ｌａｓｅｒ  Ａｎｎｅａｌｉｎｇ）、ＳＬＳ（Ｓｅｑｕｅｎｔｉａｌ  Ｌａｔｅｒａｌ  Ｓｏｌｉｄｉｆｉｃａｔｉｏｎ）、ＴＤＸ（Ｔｈｉｎ  Ｂｅａｍ  Ｄｉｒｅｃｔｉｏｎ  Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ）などの方式が可能であるが、このような方法で本発明は限定されない。また、金属を用いて結晶化する方法としては、ＳＰＣ（Ｓｏｌｉｄ  Ｐｈａｓｅｓ  Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ）、ＭＩＣ（Ｍｅｔａｌ  Ｉｎｄｕｃｅｄ  Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ）、ＭＩＬＣ（Ｍｅｔａｌ  Ｉｎｄｕｃｅｄ  Ｌａｔｅｒａｌ  Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ）、ＳＧＳ（Ｓｕｐｅｒ  Ｇｒａｉｎｅｄ  Ｓｉｌｉｃｏｎ）などが可能であるが、このような方式で本発明は限定されない。
【００８５】
勿論、前記薄膜トランジスタはＰＭＯＳ、ＮＭＯＳ及びその等価形態のうち選択された少なくともいずれか１つであり得るが、本発明で前記薄膜トランジスタの導電形態が限定されることもない。
【００８６】
前記半導体層１３０の表面には、例えば、ＰＥＣＶＤ、ＬＰＣＶＤ、スパッタリング及びその等価方法のうち選択されたいずれか１つの方法で一定厚さのゲート絶縁膜１４０を形成する。勿論、このようなゲート絶縁膜１４０は前記半導体層１３０の外周縁であるバッファ層１２０上にも形成することができる。また、前記ゲート絶縁膜１４０は半導体工程中容易に得られるシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、無機膜またはその等価物のうち選択された少なくともいずれか１つで形成することができるが、ここでその材質は限定されない。
【００８７】
図４ｅに示されたように、前記ゲート絶縁膜１４０の上面には、例えばＰＥＣＶＤ、ＬＰＣＶＤ、スパッタリング及びその等価方法のうち選択されたいずれか１つの方法でゲート電極１５０を形成することができる。勿論、前記のような蒸着工程の以後には、フォトレジスト塗布、露光、現像、エッチング及びフォトレジスト剥離などの工程を経て所望の位置に所望の個数のゲート電極１５０を形成する。すなわち、前記ゲート電極１５０は前記半導体層１３０のうちチャネル領域１３４と対応するゲート絶縁膜１４０上に形成することができる。このようなゲート電極１５０は前記ゲート絶縁膜１４０下部のチャネル領域１３４に電界を印加することで、前記チャネル領域１３４に正孔または電子のチャネルを形成する。また、前記ゲート電極１５０は通常の金属（Ｍｏ、ＭｏＷ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ａｌ、ＡｌＮｄ、Ｃｒ、Ｍｏ合金、Ｃｕ合金、Ａｌ合金など）、ドープされたポリシリコン及びその等価物のうち選択された少なくともいずれか１つを用いて形成することができるが、ここでその材質は限定されない。
【００８８】
また、図４ｅに示されたように、前記非透過層形成ステップＳ５においては、実質的に前記非透過層１６０をゲート電極１５０の形成工程と共に行うことができる。勿論、前記非透過層１６０は前記半導体層１３０及びゲート電極１５０と一定距離離隔された位置に形成することで、下記するソース／ドレイン電極１８０とソース／ドレイン領域１３２とを電気的に連結する導電性コンタクト１８６と接触させない。また、このような非透過層１６０は、下記する有機電界発光素子２００と対応する下部領域または対応しない下部領域に幅広く形成することで、一側基板１１０で有機電界発光素子２００を形成する工程中、露光用紫外線が反対側の他の基板の方へ透過されないように反射する役割をする。また、このような非透過層１６０は前記ゲート電極１５０と同一材質及び同一厚さに形成され得る、前記非透過層１６０はＭｏ、ＭｏＷ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ａｌ、ＡｌＮｄ、Ｃｒ、Ｍｏ合金、Ｃｕ合金、Ａｌ合金、ドープされたポリシリコン及びその等価物のうち選択された少なくともいずれか１つを用いて形成することができるが、ここでその材質は限定されない。勿論、前記非透過層１６０は基板１１０が個別に分離された後、外部の紫外線が有機電界発光素子２００の方へ透過できずに反射されるようにする役割もする。
【００８９】
また、前記非透過層１６０は前記ゲート電極１５０と同じ材質ではなく、通常の紫外線遮断剤及びその等価物のうち選択された少なくともいずれか１つで形成することもできる。すなわち、前記非透過層１６０は紫外線の透過されない金属、透明紫外線遮断剤、不透明紫外線遮断剤及びその等価物のうち選択された少なくともいずれか１つで形成されることもできる。また、前記非透過層１６０が金属の場合クロム（Ｃｒ）、酸化クロム（Ｃｒ２Ｏ３）、アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、銀合金（ＡＴＤ）及びその等価物のうち選択された少なくともいずれか１つで形成され得るが、ここでその材質は限定されない。また、このような非透過層１６０は、５０〜３００ｎｍの厚さに形成することが望ましい。前記非透過層１６０の厚さが５０ｎｍ以下である場合には、紫外線遮断率が低く製造工程中や工程後に前記有機電界発光素子２００に影響を与えることがあり、また前記非透過層１６０の厚さが３００ｎｍ以上である場合には十分な紫外線遮断効率にもかかわらず厚さが過度に厚くなる恐れがある。
【００９０】
さらに、このような非透過層１６０はＰＥＣＶＤ（Ｐｌａｓｍａ  Ｅｎｈａｎｃｅｄ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｔｉｏｎ）、ＬＰＣＶＤ（Ｌｏｗ  Ｐｒｅｓｓｕｒｅ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｔｉｏｎ）、スパッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）、コーティング及びその等価方式のうち選択されたいずれか１つの方法で形成することができるが、ここでその形成方法は限定されない。
【００９１】
勿論、このような非透過層１６０も、いずれか一側の基板に先に形成し、続いて他の基板に順次形成するか、または両側の基板に同時形成することができる。
【００９２】
図４ｅに示されたように、前記ゲート電極１５０及び非透過層１６０の上面には、層間絶縁膜１７０を形成する。このような層間絶縁膜１７０は前記ゲート電極１５０及び非透過層１６０の外周縁であるゲート絶縁膜１４０上にも形成することができる。また、前記層間絶縁膜１７０はポリマー系列、プラスチック系列、ガラス系列またはその等価系列のうち選択されたいずれか１つで形成することができるが、ここで前記層間絶縁膜１７０の材質は限定されない。勿論、前記層間絶縁膜１７０のうちソース／ドレイン領域１３２と対応する領域は、エッチング工程を経て前記ソース／ドレイン領域１３２が外部に露出する。このような露出した領域を通常コンタクトホールとし、このようなコンタクトホールには以後導電性コンタクトが形成される。
【００９３】
また、図４ｆに示されたように前記層間絶縁膜１７０の上面には、例えばＰＥＣＶＤ、ＬＰＣＶＤ、スパッタリング及びその等価方法のうち選択されたいずれか１つの方法でソース／ドレイン電極１８０を形成する。勿論、前記のような蒸着工程の以後には、フォトレジスト塗布、露光、現像、エッチング及びフォトレジスト剥離などの工程を経て所望の位置に所望の個数のソース／ドレイン電極１８０を形成する。ここで、前記ソース／ドレイン電極１８０は前記非透過層１６０と一定領域が重なり得る。前記ソース／ドレイン電極１８０と半導体層１３０のソース／ドレイン領域１３２間には、前記層間絶縁膜１７０を貫通する導電性コンタクト１８６（ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ  ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  ｃｏｎｔａｃｔ）を形成する。勿論、前記導電コンタクト１８６は、上述したように予め形成されたコンタクトホールを充填して形成される。さらに、上述したように前記導電性コンタクト１８６は前記非透過層１６０と接触することはない。
【００９４】
前記導電コンタクト１８６によって前記半導体層１３０とソース／ドレイン電極１８０とが電気的に相互接続される。このような導電性コンタクト１８６も前記ゲート電極１５０及びソース／ドレイン電極１８０と同じ材料を用いて形成することができるが、ここで前記導電性コンタクト１８６の材質は限定されない。
【００９５】
また、前記ソース／ドレイン電極１８０は、前記ゲート電極１５０と同じ金属材質で形成することができるが、ここでその材質は限定されない。一方、前記のような半導体層１３０（すなわち、薄膜トランジスタ）は通常同一平面構造（ｃｏｐｌａｎａｒ  ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）で定義される。しかし、本発明に開示された半導体層１３０は同一平面構造だけに限定されるものではなく、公知のすべての薄膜トランジスタの構造、例えば、反転同一平面構造（ｉｎｖｅｒｔｅｄ  ｃｏｐｌａｎａｒ  ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）、ジグザグ型構造（ｓｔａｇｇｅｒｅｄ  ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）、反転ジグザグ型構造（ｉｎｖｅｒｔｅｄ  ｓｔａｇｇｅｒｅｄ  ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）及びその等価構造のうち選択された少なくともいずれか１つが可能であり、本発明で前記半導体層１３０の構造を限定することはない。
【００９６】
前記半導体層１３０、ゲート絶縁膜１４０、ゲート電極１５０、非透過層１６０、層間絶縁膜１７０は、一側の基板１１０に先に形成した後、他側の基板１１０に形成することができる。すなわち、一側の基板上で半導体層１３０、ゲート絶縁膜１４０、ゲート電極１５０、非透過層１６０、層間絶縁膜１７０を完成して、他側の基板で再び半導体層１３０、ゲート絶縁膜１４０、ゲート電極１５０、非透過層１６０、層間絶縁膜１７０を完成することができる。さらに、このような構成要素１３０、１４０、１５０、１６０、１７０は、工程別に一側と他側の基板を返しながら順次形成することもできる。さらに、前記構成要素１３０、１４０、１５０、１６０、１７０は工程装備が整うならば、両側の基板で同時に形成して完成することもできる。
【００９７】
図４ｇに示されたように、前記絶縁膜形成ステップＳ６においては、前記半導体層１３０（すなわち、ソース／ドレイン電極１８０及び層間絶縁膜１７０の上面）上に一定厚さの絶縁膜１９０を形成する。
【００９８】
前記絶縁膜１９０は保護膜１９２と平坦化膜１９４でなり得る。勿論、保護膜１９２を先に形成し、続いて前記保護膜１９２の上に平坦化膜１９４を形成する。前記保護膜１９２は前記ソース／ドレイン電極１８０及び層間絶縁膜１７０を覆い、前記ソース／ドレイン電極１８０及びゲート電極１５０などを保護する役割をする。勿論、前記保護膜１９２及び平坦化膜１９４には、前記ソース／ドレイン電極１８０と対応する領域をエッチングしてビアホールを予め形成しておく。このようなビアホールには以後導電性ビアを形成する。前記保護膜１９２は、通常の無機膜及びその等価物のうち選択された少なくともいずれか１つを蒸着またはコーティングして形成することができるが、本発明で前記保護膜１９２の材質や形成方法は限定されない。さらに、保護膜１９２上には平坦化膜１９４を形成する。このような平坦化膜１９４は素子全体の表面を平坦にするものであって、ＢＣＢ（Ｂｅｎｚｏ  Ｃｙｃｌｏ  Ｂｕｔｅｎｅ）、アクリル及びその等価物のうち選択された少なくともいずれか１つをコーティングまたは蒸着して形成することができるが、本発明で前記平坦化膜１９４の材質や形成方法は限定されない。
【００９９】
前記絶縁膜１９０は一側の基板１１０に形成した後、他側の基板１１０に形成することができる。すなわち、一側の基板上で絶縁膜１９０を先に完成して、他側の基板で再び絶縁膜１９０を完成することができる。さらに、このような絶縁膜１９０は、工程別に一側と他側の基板を返しながら順次形成することもできる。さらに、前記絶縁膜１９０は工程装備が整うならば両側の基板で同時に形成して完成することもできる。
【０１００】
図４ｈに示されたように有機電界発光素子形成ステップＳ７においては、前記絶縁膜１９０上に薄膜の形態に有機電界発光素子２００を形成する。
【０１０１】
より具体的に、前記絶縁膜１９０上にアノード２０２、有機電界発光薄膜２０４及びカソード２０６を順次形成する。
【０１０２】
前記アノード２０２は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｕｉｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、ＩＴＯ／Ａｇ、ＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯ（ＩＺＯ：Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）またはその等価物のうち選択されたいずれか１つを蒸着して形成することができるが、本発明で前記アノード２０２の材質や形成方法は限定されない。一例として、前記アノード２０２はＲＦスパッタリング、ＤＣスパッタリング、イオンビームスパッタリング及び真空蒸着方法のうち選択されたいずれか１つの方法で形成することができる。以後、フォトレジスト塗布、露光、現像、エッチング及びフォトレジスト剥離などの工程を経て所望の位置に所望の面積のアノード２０２を形成する。勿論、このとき、前記アノード２０２は前記絶縁膜１９０を貫通する導電性ビア２０８を通じて前記ソース／ドレイン電極１８０に電気的に繋がれる。
【０１０３】
ここで、前記ＩＴＯは、仕事関数が均一であって有機電界発光薄膜２０４に対する正孔注入障壁の小さい透明導電膜役割をし、前記Ａｇは前面発光方式において、特に有機電界発光薄膜２０４からの光を上面に反射させる役割をする。
【０１０４】
前記有機電界発光薄膜２０４は、公知のように正孔の注入効率を向上させる正孔注入層（ｈｏｌｅ  ｉｎｊｅｃｔｉｎｇ  ｌａｙｅｒ、ＨＩＬ）、正孔の移動速度を適切に調節する正孔輸送層（ｈｏｌｅ  ｔｒａｎｓｐｏｒｔ  ｌａｙｅｒ、ＨＴＬ）、電子と正孔とが再結合して励起子（ｅｘｃｉｔｏｎ）を形成して発光する発光層（ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｌａｙｅｒ、ＥＭＬ）、電子の移動速度を適切に調節する電子輸送層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｔｒａｎｓｐｏｒｔ  ｌａｙｅｒ、ＥＴＬ）、電子の注入効率を向上させる電子注入層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｉｎｊｅｃｔｉｎｇ  ｌａｙｅｒ、ＥＩＬ）を順次形成してなり得るが、このような層種類に本発明は限定されない。一例として、このような有機電界発光薄膜２０４は、溶液状態で塗布するスピンコーティング、ディップコーティング、スプレー法、スクリーン印刷法、インクジェットプリンティング法などの湿式コーティング方法で形成するか、またはスパッタリング、真空蒸着などの乾式コーティング方法で形成することができる。
【０１０５】
前記有機電界発光薄膜２０４のうち電子注入層の表面には、前記カソード２０６を形成する。このようなカソード２０６はＡｌ、ＭｇＡｇ合金、ＭｇＣａ合金及びその等価物のうち選択された少なくともいずれか１つを蒸着して形成することができるが、本発明で前記カソード２０６の材質や形成方法は限定されない。一例として、前記カソード２０６はＲＦスパッタリング、ＤＣスパッタリング、イオンビームスパッタリング及び真空蒸着方法のうち選択されたいずれか１つの方法で形成され得る。以後、フォトレジスト塗布、露光、現像、エッチング及びフォトレジスト剥離などの工程を経て所望の位置に所望の面積のカソード２０６を形成する。
【０１０６】
さらに、本発明において前面発光方式を選ぶ場合、カソード２０６として前記Ａｌを用いることになれば、光放出率を大きくするために厚さを非常に薄くせねばならないが、そのような場合、抵抗が高くなって電子注入障壁が大きくなり得る。したがって、このときにはカソード２０６としてＡｌより電子注入障壁の低いＭｇＡｇ合金、ＭｇＣａ合金及びその等価物のうち選択された少なくともいずれか１つを用いることができる。勿論、この以外にも、前記カソード２０６は前記ＩＴＯ及びＩＺＯのうち選択されたいずれか１つで形成することもできる。
【０１０７】
ここで、前記ＭｇＡｇ合金及びＭｇＣａ合金は、周辺環境に敏感であり酸化されて絶縁層を形成することがあるため、外部と完全に遮断しなければならない。
【０１０８】
さらに、このようなカソード２０６の形成後には、各有機電界発光素子２００間の境界が明確になるように画素定義膜２１０を形成する。このような画素定義膜２１０は、通常のポリイミド及びその等価物のうち選択された少なくともいずれか１つをコーティングするか蒸着して形成する。勿論、このようなコーティングや蒸着の後には、通常のフォトレジスト塗布、露光、現像、エッチング及びフォトレジスト剥離などの工程を経て上述した有機電界発光素子２００を外部に露出する。
【０１０９】
さらに、ここで本発明は基板１１０の上部方向に発光する前面発光方式を中心に説明したが、ここに限定されず、基板１１０の下部方向に発光する背面発光方式、または基板１１０の上部と下部方向に同時に発光する両面発光にもすべて適用可能である。
【０１１０】
前記有機電界発光素子２００は、一側の基板１１０に形成した後、他側の基板１１０に形成することができる。すなわち、一側の基板上で有機電界発光素子２００を完成し、他側の基板で再び有機電界発光素子２００を完成することができる。さらに、このような有機電界発光素子２００は、工程別に一側と他側の基板を返しながら順次形成することもできる。さらに、前記有機電界発光素子２００は工程装備が整うならば、両側の基板で同時に形成して完成することもできる。
【０１１１】
図４ｉに示されたように基板分離ステップＳ８においては、今まで合着されて工程が行われたそれぞれの基板１１０をそれぞれ分離する。すなわち、２枚の基板１１０をそれぞれ接着している合着剤をソーイングツール（ｓａｗｉｎｇ  ｔｏｏｌ）などを用いて除去することで、それぞれの基板１１０を分離する。勿論、このような基板１１０の分離によって前記基板１１０の一側にはまだ摩擦防止層２２０が残存する状態となる。さらに、図示していないが、前記ソーイング前またはソーイング後には、封止材を用いて封止基板を接着する工程が当然含まれ得る。勿論、前記封止基板には水分などを吸収するために透明吸湿剤が形成され得る。
【０１１２】
本発明は前記のような基板１１０の分離ステップを最後に終了できる。すなわち、このような基板１１０の分離ステップの後、セルテスト、ＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）ボンディング、モジュールテスト、信頼性テストを経て製品として出荷されることもできる。勿論、前記セルテストはソーイングステップ前に基板１１０にセルテストのための領域を別に設けて行うこともできる。
【０１１３】
一方、前記のように基板１１０の分離ステップＳ８を最後の工程に採択するようになれば、当然完成された有機電界発光表示装置１００のうち基板１１０の一側表面には、摩擦防止層２３０がそのまま残存することがあり得る。このような摩擦防止層２３０は紫外線の透過を防止すると同時に、基板１１０の表面を外部環境から保護する役割をすることもできる。
【０１１４】
前記のようにして本発明の一実施形態では、例えば基板１１０の厚さが０．５ｍｍである場合、このような基板１１０を２枚合着して製造工程を行うことで、製造工程中には１ｍｍ以上の合着基板１１０として扱うようになる。したがって、製造工程中、合着基板１１０の剛性が高くなり反り現象や破損現象を防止することができ、また半導体層の形成工程、有機電界発光素子の形成工程などを容易に行うことができる。勿論、製品の完成後には、個別の基板１１０に再び分離されることで、約０．５ｍｍ程度のスリム基板が得られる。
【０１１５】
図４ｊに示されたように摩擦防止層の除去ステップＳ９においては、前記基板１１０に形成された摩擦防止層２２０を除去する。すなわち、このような摩擦防止層２２０は、所定の化学溶液を用いて基板１１０から除去するか、または研摩機などを用いて基板１１０から除去する。したがって、このような摩擦防止層２２０を除去すると、完成された有機電界発光表示装置のうち基板１１０の表面にはいずれの摩擦防止層２２０も残存しなく、また厚さはさらに薄くなる。勿論、本発明はこのような摩擦防止層２２０を残存させ、紫外線を遮断するか外部衝撃保護用として使うことができるが（従って、摩擦防止層の除去ステップＳ９はなくてもよいが）、すでに基板１１０の内部に非透過層１６０が形成されているため、前記摩擦防止層２２０を残存させなくてもよい。
【０１１６】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【図面の簡単な説明】
【０１１７】
【図１】通常の有機電界発光素子を示した概路図である。
【図２】本発明の一実施形態による有機電界発光表示装置を示した断面図である。
【図３】本発明の一実施形態による有機電界発光表示装置の製造方法を示したフローチャートである。
【図４ａ】本発明の一実施形態による有機電界発光表示装置の製造手順を示した断面図である。
【図４ｂ】本発明の一実施形態による有機電界発光表示装置の製造手順を示した断面図である。
【図４ｃ】本発明の一実施形態による有機電界発光表示装置の製造手順を示した断面図である。
【図４ｄ】本発明の一実施形態による有機電界発光表示装置の製造手順を示した断面図である。
【図４ｅ】本発明の一実施形態による有機電界発光表示装置の製造手順を示した断面図である。
【図４ｆ】本発明の一実施形態による有機電界発光表示装置の製造手順を示した断面図である。
【図４ｇ】本発明の一実施形態による有機電界発光表示装置の製造手順を示した断面図である。
【図４ｈ】本発明の一実施形態による有機電界発光表示装置の製造手順を示した断面図である。
【図４ｉ】本発明の一実施形態による有機電界発光表示装置の製造手順を示した断面図である。
【図４ｊ】本発明の一実施形態による有機電界発光表示装置の製造手順を示した断面図である。
【符号の説明】
【０１１８】
１００    有機電界発光表示装置
１１０    基板
１２０    バッファ層
１３０    半導体層
１３２    ソース／ドレイン領域
１３４    チャネル領域
１４０    ゲート絶縁膜
１５０    ゲート電極
１６０    非透過層
１７０    層間絶縁膜
１８０    ソース／ドレイン電極
１８６    導電性コンタクト
１９０    絶縁膜
１９２    保護膜
１９４    平坦化膜
２００    有機電界発光素子
２０２    アノード
２０４    有機薄膜
２０６    カソード
２０８    導電性ビア
２１０    画素定義膜
２２０    摩擦防止層
２４０    封止基板
【図１】
2008122905.tif 000003
【図２】
2008122905.tif 000004
【図３】
2008122905.tif 000005
【図４ａ】
2008122905.tif 000006
【図４ｂ】
2008122905.tif 000007
【図４ｃ】
2008122905.tif 000008
【図４ｄ】
2008122905.tif 000009
【図４ｅ】
2008122905.tif 000010
【図４ｆ】
2008122905.tif 000011
【図４ｇ】
2008122905.tif 000012
【図４ｈ】
2008122905.tif 000013
【図４ｉ】
2008122905.tif 000014
【図４ｊ】
2008122905.tif 000015