(57)【要約】【課題】光学特性の変化を抑制可能な位相差フィルムを製造できる製造方法を提供する。【解決手段】製造方法は、基板の表面に無機材料の粒子を供給して、基板の表面に位相差フィルムを形成する動作と、形成された位相差フィルムにシランカップリング剤を供給する動作と、を含む。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面に位相差フィルムを形成する製造方法であって、
前記基板の表面に無機材料の粒子を供給して、前記基板の表面に前記位相差フィルムを形成する動作と、
前記形成された位相差フィルムにシランカップリング剤を供給する動作と、を含む製造方法。
【請求項２】
前記位相差フィルムを洗浄する動作を含み、
前記洗浄した後の前記位相差フィルムに前記シランカップリング剤を供給する請求項１記載の製造方法。
【請求項３】
前記洗浄によって、前記位相差フィルムの表面にヒドロキシ基を生成する請求項２記載の製造方法。
【請求項４】
前記基板の表面に前記無機材料の粒子を斜め方向から入射させて、前記基板の表面に前記位相差フィルムを形成する請求項１〜３のいずれか一項記載の製造方法。
【請求項５】
前記粒子は、無機材料の蒸気を含む請求項１〜４のいずれか一項記載の製造方法。
【請求項６】
前記粒子は、無機材料をスパッタすることによって生成されるスパッタ粒子を含む請求項１〜４のいずれか一項記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、位相差フィルムの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
光学フィルムの一つとして位相差フィルムが知られている。位相差フィルムは、例えば液晶装置の光学補償を行うために使用される。従来において、位相差フィルムは、有機材料で形成される。位相差フィルムを有機材料で形成した場合、その有機材料で形成された位相差フィルムは、使用環境、使用時間等により劣化しやすい。また、有機材料で形成された位相差フィルムを有する液晶装置を、例えばプロジェクタのライトバルブとして用いる場合、そのライトバルブには高い照度の光が照射されるので、劣化しやすい。そこで、位相差フィルムを無機材料で形成する試みがなされている。位相差フィルムを無機材料で形成することで、耐熱性及び耐光性を向上できる。
【特許文献１】特開平１０−１２３３２３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
無機材料は水分を吸収しやすいので、無機材料で位相差フィルムを形成した場合、位相差フィルムが水分を吸収したり、あるいは一旦吸収した水分が位相差フィルムから放出されたりする可能性がある。その場合、位相差フィルムの光学特性（例えばリタデーション値）が変化してしまう可能性がある。
【０００４】
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、光学特性の変化を抑制可能な位相差フィルムを製造できる製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記の課題を解決するため、本発明は以下の構成を採用する。
【０００６】
本発明の第１の観点によると、基板の表面に位相差フィルムを形成する製造方法であって、前記基板の表面に無機材料の粒子を供給して、前記基板の表面に前記位相差フィルムを形成する動作と、前記形成された位相差フィルムにシランカップリング剤を供給する動作と、を含む製造方法が提供される。
【０００７】
本発明の第１の観点によれば、無機材料を主成分とする位相差フィルムを形成する場合において、その形成された位相差フィルムにシランカップリング剤を供給することによって、その位相差フィルムが水分を吸収することを抑制できる。したがって、水分に起因する位相差フィルムの光学特性の変化（劣化）を抑制できる。
【０００８】
本発明の製造方法において、前記位相差フィルムを洗浄する動作を含み、前記洗浄した後の前記位相差フィルムに前記シランカップリング剤を供給する構成を採用できる。これによれば、洗浄された清浄な位相差フィルムにシランカップリング剤を供給できる。
【０００９】
本発明の製造方法において、前記洗浄によって、前記位相差フィルムの表面にヒドロキシ基を生成する構成を採用できる。これによれば、シランカップリング剤を用いて、位相差フィルムの表面を均一に撥液化(撥水化）できる。
【００１０】
本発明の製造方法において、前記基板の表面に前記無機材料の粒子を斜め方向から入射させて、前記基板の表面に前記位相差フィルムを形成する構成を採用できる。これによれば、基板の表面に射方柱（カラム、柱状構造体）を含む位相差フィルムを製造でき、所望の光学特性を有する位相差フィルムを製造できる。
【００１１】
本発明の製造方法において、前記粒子は、無機材料の蒸気を含む構成を採用できる。すなわち、蒸着法を用いて位相差フィルムを製造できる。
【００１２】
本発明の製造方法において、前記粒子は、無機材料をスパッタすることによって生成されるスパッタ粒子を含む構成を採用できる。すなわち、スパッタ法を用いて位相差フィルムを製造できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。そして、水平面内の所定方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれと直交する方向（すなわち鉛直方向）をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわりの回転（傾斜）方向をそれぞれ、θＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。また、以下の説明においては、ＹＺ平面内において、Ｙ軸に対してＺ軸に向かって所定角度θ１だけ傾斜した方向を適宜、Ｕ軸方向、と称する。したがって、ＸＵ平面内において、Ｘ軸とＵ軸とは直交する。また、物体（基板など）がＵ軸方向に移動するとき、その移動成分は、Ｙ軸方向への移動成分とＺ軸方向への移動成分とを含む。したがって、物体（基板など）がＵ軸方向へ移動した場合、必然的に（実質的に）、Ｙ軸方向へも移動することとなる。
【００１４】
図１は、本実施形態に係る液晶装置（液晶表示装置）１を模式的に示す断面図である。図１において、液晶装置１は、アレイ基板（ＴＦＴアレイ基板）２と、アレイ基板２と対向するように配置された対向基板（カラーフィルタ基板）３と、アレイ基板２と対向基板３との間に配置された液晶層４と、アレイ基板２に設けられた第１配向膜５と、アレイ基板２に設けられた第１偏光膜６と、対向基板３に設けられた第２配向膜７と、対向基板３に設けられた第２偏光膜８とを備えている。また、液晶装置１は、アレイ基板２に設けられた第１位相差フィルム９と、対向基板３に設けられた第２位相差フィルム１０と、対向基板３に設けられた反射防止膜１１とを備えている。
【００１５】
アレイ基板２は、基材、及び基材の−Ｚ側の面（液晶層４側の面）に形成された画素電極を含む。また、アレイ基板２は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、蓄積コンデンサ、及び画素に電気信号等を供給する配線等を含む。また、アレイ基板２は、基材上に形成された種々の金属膜、絶縁膜、半導体層、及び不純物層等を含む。
【００１６】
第１配向膜５は、アレイ基板２の−Ｚ側の面（液晶層側４の面）に配置されている。第１位相差フィルム９は、アレイ基板２のうち、第１配向膜５が配置された面とは反対側の面、すなわち＋Ｚ側の面（液晶層４と反対側の面）に配置されている。第１偏光膜６は、第１位相差フィルム９の＋Ｚ側の面に配置されている。
【００１７】
対向基板３は、基材、及び基材の＋Ｚ側の面（液晶層４側の面）に形成された共通電極を含む。また、対向基板３は、着色パターン（カラーフィルタ）、ブラックマトリクス、及び保護膜等を含む。
【００１８】
第２配向膜７は、対向基板３の＋Ｚ側の面（液晶層４側の面）に配置されている。第２位相差フィルム１０は、対向基板３のうち、第２配向膜７が配置された面とは反対側の面、すなわち−Ｚ側の面（液晶層４と反対側の面）に配置されている。反射防止膜１１は、第２位相差フィルム１０の−Ｚ側の面に配置されている。第２偏光膜８は、反射防止膜１１の−Ｚ側の面に配置されている。
【００１９】
基材は、透明基板であって、例えば石英等の硝材で形成される。なお、基材は、ポリエチレンテレフタレート等の合成樹脂で形成することもできる。
【００２０】
画素電極及び共通電極は、透明電極であって、例えばインジウムティンオキサイド（ＩＴＯ）で形成される。なお、画素電極及び共通電極は、インジウムオキサイド（ＩＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ２）等で形成することもできる。
【００２１】
第１配向膜５及び第２配向膜７は、液晶層４を挟むように配置されている。第１配向膜５及び第２配向膜７は、ＳｉＯｘ（ＳｉＯ２、ＳｉＯなど）等の珪素酸化物、Ａｌ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＭｇＯ、及びＩＴＯ等の金属酸化物等を含む無機材料で形成可能である。
【００２２】
液晶層４は、液晶分子を含む。液晶分子は、ネマチック液晶、スメクチック液晶など、配向可能なものであればいかなる液晶分子でも構わない。
【００２３】
第１偏光膜６及び第２偏光膜８は、例えば、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）等で形成可能である。
【００２４】
第１位相差フィルム９及び第２位相差フィルム１０は、無機材料の酸化物で形成されている。無機材料としては、シリコン（Ｓｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、及びハフニウム（Ｈｆ）等が上げられる。第１位相差フィルム９及び第２位相差フィルム１０は、例えばＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、ＴｉＯ２、ＨｆＯ２で形成可能である。
【００２５】
次に、本実施形態に係る位相差フィルムの製造方法について説明する。以下の説明においては、上述の対向基板３の表面に位相差フィルム１０を形成する場合を例にして説明する。
【００２６】
図２は、本実施形態に係る位相差フィルムの製造方法の一例を説明するためのフローチャート図である。図２に示すように、本実施形態では、基板３の表面に無機材料の粒子を供給して、基板３の表面に位相差フィルム１０を形成する工程Ｓ１と、位相差フィルム１０を洗浄する工程Ｓ２と、洗浄した後の位相差フィルム１０にシランカップリング剤を供給する工程Ｓ３とが実行される。位相差フィルム１０にシランカップリング剤が供給された後、その位相差フィルム１０上に、反射防止膜１１が形成される。
【００２７】
以下、各工程について説明する。
【００２８】
（位相差フィルム形成工程Ｓ１）
本実施形態においては、位相差フィルム１０は、スパッタ法に基づいて形成される。図３は、スパッタ法に基づいて位相差フィルム１０を形成可能な製造装置１２の一例を示す図である。本実施形態においては、製造装置１２が、無機材料の酸化物の位相差フィルム１０、具体的には二酸化珪素（ＳｉＯ２）の位相差フィルム１０を基板３の表面に形成する場合を例にして説明する。
【００２９】
図３において、製造装置１２は、位相差フィルム１０を形成するための無機材料の粒子ｐｆを基板３に供給する供給部１３、２０を有する供給源１４と、基板３を保持しながら移動可能であり、供給部１３、２０からの粒子ｐｆが供給可能な位置を含む所定領域内で基板３の表面をＵ軸方向に移動させる基板保持部材１５と、製造装置１２全体の動作を制御する制御装置１６とを備えている。
【００３０】
製造装置１２は、スパッタ法に基づいて、基板３の表面に位相差フィルム１０を形成する。製造装置１２は、ターゲット材料Ｔにイオン粒子ｐｓを照射して、ターゲット材料Ｔより位相差フィルム１０を形成するためのスパッタ粒子ｐｆを生成して、そのスパッタ粒子ｐｆを基板３の表面に供給可能なスパッタ装置１７を含む。本実施形態においては、供給源１４は、スパッタ装置１７の少なくとも一部、及びスパッタ粒子ｐｆを供給するためにスパッタされるターゲット材料Ｔを含む。ターゲット材料Ｔは、無機材料を含む。本実施形態においては、ターゲット材料Ｔは、無機材料の酸化物を含む。本実施形態においては、ターゲット材料Ｔとして、二酸化珪素（ＳｉＯ２）を用いる。
【００３１】
また、製造装置１２は、チャンバ（成膜室）１８を備える。スパッタ装置１７の少なくとも一部、及び基板保持部材１５のそれぞれは、チャンバ１８の内側に配置されている。製造装置１２は、チャンバ１８の内側において、基板３の表面に位相差フィルム１０を形成する。また、製造装置１２は、そのチャンバ１８内の環境を調整する空調ユニット１９を備える。
【００３２】
また、製造装置１２は、ターゲット材料Ｔと基板３との間に配置され、ターゲット材料Ｔからのスパッタ粒子ｐｆの少なくとも一部が通過可能な開口２０を有する仕切部材２１を備えている。仕切部材２１は、チャンバ１８内の空間を第１空間２２と第２空間２３とに仕切る。開口２０は、第１空間２２及び第２空間２３のそれぞれに接続される。ターゲット材料Ｔは、第１空間２２に配置され、基板３（基板保持部材１５）は、第２空間２３に配置される。開口２０は、ターゲット材料Ｔの上面１３、及び位相差フィルム１０が形成される基板３の表面のそれぞれと対向可能である。
【００３３】
スパッタ装置１７は、ＲＦスパッタ装置を含み、高周波電源２４と、高周波電源２４に接続され、ターゲット材料Ｔを保持可能な電極２５とを有する。本実施形態においては、ターゲット材料Ｔは、直方体状である。製造装置１２は、チャンバ１８内におけるターゲット材料Ｔの上面１３の近傍、すなわち、ターゲット材料Ｔの＋Ｚ側の所定領域において、プラズマを発生させる。電極２５は、プラズマが発生したプラズマ発生領域ＰＵと対向するターゲット材料Ｔの上面１３とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、ターゲット材料Ｔを保持する。
【００３４】
空調ユニット１９は、チャンバ１８の内側の空間の温度、湿度、及び圧力を調整可能である。空調ユニット１９は、真空システムを含み、チャンバ１８の内側の空間を減圧したり、真空状態にすることができる。また、空調ユニット１９は、プラズマ発生領域ＰＵに、アルゴンガス（Ａｒガス）及び酸素ガス（Ｏ２ガス）の少なくとも一方を放電用ガスとして供給可能である。
【００３５】
制御装置１６は、空調ユニット１９を用いて、プラズマ発生領域ＰＵに放電用ガスを供給することによって、その放電用ガスに基づくイオン粒子ｐｓを生成する。スパッタ装置１７を含む製造装置１２は、生成したイオン粒子ｐｓをターゲット材料Ｔに照射して、ターゲット材料Ｔより、位相差フィルム１０を形成するためのスパッタ粒子ｐｆを放出させる。開口２０と対向するターゲット材料Ｔの上面１３は、スパッタされることによって、基板３の表面に向けてスパッタ粒子ｐｆを放出可能（供給可能）である。
【００３６】
仕切部材２１は、電極２５によって保持されるターゲット材料Ｔと、基板保持部材１５によって保持される基板３との間に配置されている。ターゲット材料Ｔからのスパッタ粒子ｐｆの少なくとも一部は、仕切部材２１の開口２０を通過可能である。開口２０は、基板３に対するスパッタ粒子ｐｆの供給領域を規定する。
【００３７】
基板保持部材１５は、ターゲット材料Ｔ（開口２０）からのスパッタ粒子ｐｆが供給可能な位置に基板３の表面を配置可能であるとともに、そのスパッタ粒子ｐｆが供給可能な位置を含む所定領域内で基板３の表面をＵ軸方向に移動可能である。基板保持部材１５は、位相差フィルム１０が形成される基板３の表面とＸＵ平面とがほぼ平行となるように、基板３を保持する。
【００３８】
製造装置１２は、基板保持部材１５を移動可能な駆動装置（不図示）を備える。制御装置１６は、駆動装置を制御して、基板３を保持した基板保持部材１５を少なくともＵ軸方向に移動可能である。また、本実施形態においては、制御装置１６は、駆動装置を制御して、基板３を保持した基板保持部材１５を、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向にも移動可能（微動可能）である。
【００３９】
製造装置１２は、基板保持部材１５に保持されている基板３の温度を調整可能な温度調整装置２６を備えている。温度調整装置２６は、基板保持部材１５に保持されている基板３を加熱可能な加熱装置、及び基板保持部材１５に保持されている基板３を冷却可能な冷却装置を有する。加熱装置は、例えば基板保持部材１５の内部に配置された電熱線等のヒータ部材を含む。冷却装置は、例えば基板保持部材１５の内部に配置された冷媒が流れる流路形成部材を含む。加熱装置及び冷却装置を含む温度調整装置２６は、基板３の裏面と対向する基板保持部材１５の保持面の温度を調整し、その基板保持部材１５の保持面を介して、基板保持部材１５に保持された基板３を所望の温度に調整可能である。
【００４０】
次に、上述の構成を有する製造装置１２を用いて、基板３の表面に位相差フィルム１０を形成する方法について説明する。
【００４１】
まず、成膜処理されるべき基板３が、チャンバ１８内に搬送される。チャンバ１８内に搬送された基板３は、基板保持部材１５に保持される。基板３がチャンバ１８内に搬送されたされた後、制御装置１６は、空調ユニット１９を使って、チャンバ１８内を真空状態に調整する。
【００４２】
そして、制御装置１６は、温度調整装置２６の加熱装置を用いて、基板保持部材１５に保持されている基板３を、例えば２５０℃〜３００℃に加熱し、基板３の表面に付着している水分を除去する脱水処理、及び基板３の表面に付着しているガスを除去する脱ガス処理の少なくとも一方を実行する。
【００４３】
制御装置１６は、温度調整装置２６の加熱装置による加熱処理を実行した後、スパッタリングによる基板３の温度上昇を抑制するため、温度調整装置２６の冷却装置を用いて、基板保持部材１５に保持されている基板３を所定の温度（例えば２３℃程度の室温）に調整する。なお、このとき、制御装置１６は、基板３を所定の温度（室温）に調整するために、加熱装置と冷却装置とを並行して作動させてもよい。
【００４４】
制御装置１６は、基板３を所定の温度に調整した後、ターゲット材料Ｔをスパッタする。すなわち、制御装置１６は、チャンバ１８内に、アルゴンガス及び酸素ガスの少なくとも一方を含む放電用ガスを、単位時間当たり所定量で供給するとともに、空調ユニット１９を用いて、チャンバ１８内を所定の圧力（例えば０．１〜１０Ｐａ）に調整する。そして、制御装置１６は、高周波電源２４より、ターゲット材料Ｔを保持している電極２５に電力を供給し、チャンバ１８内におけるターゲット材料Ｔの上面１３の近傍の所定領域において、プラズマを発生させる。
【００４５】
プラズマ発生領域ＰＵに放電用ガスが供給されることによって、その放電用ガスに基づくイオン粒子ｐｓが生成される。生成されたイオン粒子ｐｓは、ターゲット材料Ｔの上面１３に照射される。ターゲット材料Ｔの上面１３にイオン粒子ｐｓが照射されることによって、そのターゲット材料Ｔの上面１３より位相差フィルム１０を形成するためのスパッタ粒子ｐｆが生成される。ターゲット材料Ｔより生成され、そのターゲット材料Ｔから放出されたスパッタ粒子ｐｆの少なくとも一部は、仕切部材２１の開口２０を通過する。
【００４６】
制御装置１６は、基板保持部材１５の駆動装置を制御して、ターゲット材料Ｔからのスパッタ粒子ｐｆが供給可能な位置に基板３を配置する。具体的には、制御装置１６は、開口２０と対向する位置に基板３を配置する。仕切部材２１の開口２０を通過したスパッタ粒子ｐｆは、第２空間２３に配置されている基板保持部材１５に保持されている基板３の表面に供給される。
【００４７】
そして、本実施形態においては、制御装置１６は、スパッタ粒子ｐｆが供給可能な位置を含む第２空間２３の所定領域内で、基板保持部材１５に保持された基板３の表面をＵ軸方向に移動させつつ、基板３の表面にスパッタ粒子ｐｆを供給する。
【００４８】
上述のように、Ｕ軸方向は、ＹＺ平面内においてＹ軸に対して所定角度θ１だけ傾斜した方向である。ターゲット材料Ｔから放出され、開口２０を通過したスパッタ粒子ｐｆは、所定角度θ１に応じて、基板３の表面に斜め方向から入射する。本実施形態においては、所定角度（ターゲット材料Ｔの上面と基板３の表面とがなす角度）θ１は、５度〜８５度、好ましくは６０度〜８０度に設定される。
【００４９】
基板３の表面をＵ軸方向に移動しつつ、開口２０を介したスパッタ粒子ｐｆを基板３の表面に斜め方向から連続的に供給することによって、基板３の表面に、スパッタ粒子ｐｆに基づく無機材料からなる位相差フィルム１０が形成される。すなわち、本実施形態においては、製造装置１２は、斜めスパッタ法に基づいて、基板３の表面に位相差フィルム１０を形成する。
【００５０】
本実施形態においては、基板３の表面にスパッタ粒子ｐｆを斜め方向から入射させており、基板３の表面において、位相差フィルム１０は、無機材料の酸化物の複数の射方柱（カラム、柱状構造体）によって形成される。
【００５１】
図４は、位相差フィルム１０の近傍を模式的に示す拡大図である。図４に示すように、本実施形態においては、位相差フィルム１０は、無機材料の酸化物からなる複数の射方柱（カラム、柱状構造体）１０Ａを含む。射方柱１０Ａを含む位相差フィルム１０の表面の形状は、左右非対称である。
【００５２】
（洗浄工程Ｓ２）
基板３の表面に位相差フィルム１０が形成された後、その位相差フィルム１０を洗浄処理する工程が実行される。洗浄処理は、純水洗浄、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）洗浄、及びＯ２プラズマ洗浄の少なくとも１つの処理を含む。本実施形態では、洗浄処理として、Ｏ２プラズマ洗浄、及び純水洗浄の手法を用いる。
【００５３】
本実施形態では、まず、位相差フィルム１０に対して、Ｏ２プラズマ洗浄が実行される。すなわち、酸素ガスを含む気体中でプラズマが発生され、そのエネルギーによって、位相差フィルム１０が洗浄される。これにより、位相差フィルム１０の表面に付着していた有機物質が除去される。
【００５４】
本実施形態では、Ｏ２プラズマ洗浄の後、純水洗浄が実行される。すなわち、位相差フィルム１０が純水に浸漬される。
【００５５】
図５（Ａ）は、洗浄処理後の位相差フィルム１０の表面を示す模式図である。純水洗浄を含む洗浄処理を実行することによって、位相差フィルム１０の表面には、分極したヒドロキシ基（−ＯＨ）が均一に形成される。本実施形態では、位相差フィルム１０の表面には、シラノール基（Ｓｉ−ＯＨ）が均一に生成される。位相差フィルム形成工程Ｓ１を実行後においては、位相差フィルム１０の表面には、ヒドロキシ基とそれ以外の基又は分子（例えば酸素分子）とが混在している可能性がある。ヒドロキシ基とそれ以外の基又は分子とが混在している場合、後述するシランカップリング処理後において、位相差フィルム１０の表面の撥液性（撥水性）が不均一になる可能性がある。本実施形態においては、純水洗浄を含む洗浄処理を実行して、ヒドロキシ基以外の基又は分子を、ヒドロキシ基に変換する。これにより、位相差フィルム１０の表面には、ヒドロキシ基（シラノール基）が均一に形成される。
【００５６】
その後、位相差フィルム１０に対して加熱処理を含む乾燥処理が実行され、残留している水分、主に物理吸着水が除去される。
【００５７】
（シランカップリング剤供給工程Ｓ３）
洗浄処理Ｓ２が実行された後、位相差フィルム１０に対して、例えばシランカップリング剤が供給される。本実施形態では、気相法（ＣＶＤ法）に基づいて、位相差フィルム１０にシランカップリング剤が供給される。以下の説明において、位相差フィルム１０にシランカップリング剤を供給する処理を適宜、シランカップリング処理、と称する。
【００５８】
シランカップリング処理を実行するために、位相差フィルム１０が形成された基板３が、ＣＶＤ装置内に搬送される。そして、シランカップリング剤として、例えばオクタデシルトリメトキシランがＣＶＤ装置内に供給される。本実施形態においては、ＣＶＤ装置内の温度は、例えば１５０℃に調整される。ＣＶＤ装置内に供給されたシランカップリング剤の蒸気は、図５（Ｂ）の模式図に示すように、位相差フィルム１０に供給される。
【００５９】
位相差フィルム１０にシランカップリング剤の蒸気が供給されることによって、図５（Ｃ）の模式図に示すように、シランカップリング剤と位相差フィルム１０の表面のヒドロキシ基（−ＯＨ）とが反応し、位相差フィルム１０の表面の少なくとも一部のヒドロキシ基が除去される。
【００６０】
そして、位相差フィルム１０にシランカップリング剤を所定量供給した後、位相差フィルム１０（基板３）を所定温度で所定時間加熱することによって、シランカップリング剤と位相差フィルム１０の表面のヒドロキシ基との反応が促進され、図５（Ｄ）の模式図に示すように、位相差フィルム１０の表面のヒドロキシ基（−ＯＨ）は十分に除去される。
【００６１】
ヒドロキシ基（−ＯＨ）は水との親和性が高いため、位相差フィルム１０の表面にヒドロキシ基が残留していると、位相差フィルム１０の表面に水分が付着易くなったり、位相差フィルム１０が水分を吸収したりしてしまう可能性が高くなる。本実施形態においては、位相差フィルム１０の表面のヒドロキシ基（−ＯＨ）を十分に除去できるので、位相差フィルム１０が水分を吸収することを抑制できる。
【００６２】
本実施形態においては、洗浄処理によって、一旦、位相差フィルム１０の表面にヒドロキシ基を均一に形成した後、シランカップリング処理が実行される。したがって、シランカップリング剤とヒドロキシ基（−ＯＨ）とを反応させる処理を、位相差フィルム１０の表面において均一に実行することができる。すなわち、位相差フィルム１０の表面に、ヒドロキシ基以外の基又は分子が存在している状態で、シランカップリング処理を実行すると、その部分においてはシランカップリング剤が位相差フィルム１０の表面に十分に結合されず、その部分だけ十分な撥液性（撥水性）を得られなくなってしまう可能性がある。本実施形態においては、位相差フィルム１０の表面に、ヒドロキシ基を均一に形成した後、シランカップリング処理を実行するので、位相差フィルム１０の表面において、シランカップリング剤とヒドロキシ基（−ＯＨ）とを反応させる処理、すなわちヒドロキシ基を除去する処理を均一且つ十分に実行できる。したがって、位相差フィルム１０の表面に均一で十分な撥液性（撥水性）を与えることができる。
【００６３】
図６は、シランカップリング処理後の位相差フィルム１０の表面の状態の一例を示す模式図である。図６に示すように、位相差フィルム１０の表面には撥液性（撥水性）の基（例えばアルキレン基）が生成される。ここで、以下の説明において、シランカップリング剤に基づいて位相差フィルム１０の表面に形成される撥水性の基を適宜、撥水基、と称する。
【００６４】
撥水基の種類、直鎖の長さによって、例えば位相差フィルム１０のリタデーションが変化したり、位相差フィルム１０が特定の波長の光を吸収してしまう等、位相差フィルム１０が所望の光学特性を得られなくなる可能性がある。例えば、図６の撥水基（アルキル基）において、ｎの値が大きすぎると、所望の光学特性が得られなくなる可能性があり、ｎの値が小さすぎると、所望の撥液性を得られなくなる可能性がある。
【００６５】
本実施形態においては、図６の撥水基（アルキレン基）において、ｎの値が５〜１３となるように、シランカップリング処理が実行される。これにより、所望の撥液性（表面エネルギー）及び光学特性（リタデーション）を有する位相差フィルム１０が形成される。また、位相差フィルム１０に短波長吸収域を持たない有機物を吸着することで、液層装置１は良好な光学特性を得られる。
【００６６】
以上説明したように、本実施形態によれば、無機材料を主成分とする位相差フィルム１０を形成する場合において、形成された位相差フィルム１０にシランカップリング剤を供給することによって、その位相差フィルム１０に撥液性（撥水性）を与えることができる。したがって、その位相差フィルム１０が水分を吸収することを抑制できる。そのため、水分に起因する位相差フィルム１０の光学特性の変化（劣化）を抑制できる。
【００６７】
なお、本実施形態においては、ＣＶＤ法に基づいて、位相差フィルム１０にシランカップリング剤を供給しているが、例えばスピンコーティング法、ディップコーティング法等を用いて、シランカップリング剤を供給するようにしてもよい。
【００６８】
なお、本実施形態においては、位相差フィルム形成工程Ｓ１の後、Ｏ２プラズマ洗浄によって、位相差フィルム１０の表面に付着していた有機物質を除去しているが、加熱処理、あるいは溶剤を用いた洗浄処理によっても、有機物質を除去できる。
【００６９】
なお、本実施形態においては、位相差フィルム１０がＳｉＯ２で形成される場合を例にして説明したが、上述のように、位相差フィルム１０は、例えばＡｌ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、ＴｉＯ２、ＨｆＯ２で形成可能である。ターゲット材料Ｔは、形成しようとする位相差フィルム１０に応じて適宜選択される。
【００７０】
なお、本実施形態においては、基板３の表面に無機材料（ターゲット材料）をスパッタすることによって生成されるスパッタ粒子を供給して、基板３の表面に位相差フィルム１０を形成しているが、無機材料の蒸気を基板３の表面に供給して、基板３の表面に位相差フィルム１０を形成することもできる。すなわち、蒸着法を用いて、位相差フィルム１０を形成することもできる。
【００７１】
図７は、蒸着法に基づいて位相差フィルム１０を形成可能な製造装置１２Ｃの一例を示す概略構成図である。図７において、製造装置１２Ｃは、位相差フィルム１０を形成するための材料Ｊの粒子ｐｊを基板３に供給する蒸着源３７と、基板３を保持しながら移動可能であり、蒸着源３７からの粒子ｐｊが供給可能な位置を含む所定領域内で基板３の表面をＵ軸方向に移動させる基板保持部材１５と、製造装置１２Ｃ全体の動作を制御する制御装置１６とを備えている。
【００７２】
また、製造装置１２Ｃは、チャンバ（成膜室）１８Ｃを備える。製造装置１２Ｃは、チャンバ１８Ｃの内側において、基板３の表面に位相差フィルム１０を形成する。また、製造装置１２Ｃは、そのチャンバ１８内の環境を調整する空調ユニット１９Ｃを備える。
【００７３】
蒸着源３７は、蒸気（粒子）ｐｊを生成可能な蒸着用材料Ｊを含む。蒸着用材料Ｊは、無機材料を含む。本実施形態においては、蒸着用材料Ｊは、無機材料の酸化物を含む。本実施形態においては、蒸着用材料Ｊとして、二酸化珪素（ＳｉＯ２）を用いる。製造装置１２Ｃは、蒸着用材料Ｊを加熱して、蒸着用材料Ｊより位相差フィルム１０を形成するための蒸気（粒子）ｐｊを生成して、その蒸気ｐｊを基板３の表面に供給可能である。
【００７４】
蒸着源３７は、蒸着用材料Ｊが配置される空間３８を形成する内面３９を有する空間形成部材４０と、内面３９を加熱する加熱装置４１とを有する。空間形成部材４０は、底板と４枚の側板とを有する。内面３９は、側板に配置されており、空間形成部材４０の上端には開口３６が形成されている。蒸着用材料Ｊは、空間形成部材４０の空間３８の底面に配置される。加熱装置４１は、蒸着用材料Ｊから発生した粒子（蒸気）ｐｊが内面３９に衝突した際に固化したり付着したりしないように、内面３９を加熱する。内面３９が加熱されることにより、内面３９に衝突した粒子ｐｊは、内面３９で反射する。蒸着用材料Ｊからの粒子ｐｊの少なくとも一部は、開口３６を通過可能である。開口３６は、基板３に対する粒子ｐｊの供給領域を規定する。
【００７５】
基板保持部材１５は、蒸着用材料Ｊ（開口３６）からの粒子ｐｊが供給可能な位置に基板３の表面を配置可能であるとともに、その粒子ｐｊが供給可能な位置を含む所定領域内で基板３の表面をＵ軸方向に移動可能である。基板保持部材１５は、位相差フィルム１０が形成される基板３の表面とＸＵ平面とがほぼ平行となるように、基板３を保持する。
【００７６】
次に、上述の構成を有する製造装置１２Ｃを用いて基板３に位相差フィルム１０を形成する方法について説明する。
【００７７】
制御装置１６は、空調ユニット１９Ｃを用いて、チャンバ１８Ｃ内をほぼ真空状態にする。また、制御装置１６は、加熱装置４１を用いて、内面３９を加熱する。そして、制御装置１６は、蒸着源３７の蒸着用材料Ｊを不図示の加熱機構を用いて加熱して、蒸着用材料Ｊより粒子（蒸気）ｐｊを発生させる。
【００７８】
蒸着用材料Ｊから発生した粒子ｐｊは放射状に拡がり、その放射状に拡がる粒子ｐｊの少なくとも一部は、内面３９に衝突する。内面３９は加熱されているので、粒子ｐｊが内面３９に衝突した際に固化したり付着したりすることが抑制される。そして、内面３９で形成された空間３８内で、粒子ｐｊは、内面３９との衝突、反射を繰り返しつつ、開口３６に向かう。開口３６から射出される粒子ｐｊの分布は均一化される。
【００７９】
本実施形態においては、制御装置１６は、開口３６からの粒子ｐｊが供給可能な位置を含むチャンバ１８Ｃの内側の所定領域内で、基板保持部材１５に保持された基板３の表面をＵ軸方向に移動させつつ、基板３の表面に粒子ｐｊを供給する。
【００８０】
上述のように、Ｕ軸方向は、ＹＺ平面内においてＹ軸に対して所定角度θ１だけ傾斜した方向である。蒸着用材料Ｊから放出され、開口３６を通過した粒子ｐｊは、所定角度θ１に応じて、基板３の表面に斜め方向から入射する。
【００８１】
基板３の表面をＵ軸方向に移動しつつ、開口３６を介した粒子ｐｊを基板３の表面に斜め方向から連続的に供給することによって、基板３の表面に、粒子ｐｊに基づく位相差フィルム１０が形成される。すなわち、本実施形態においては、製造装置１２Ｃは、斜方蒸着法に基づいて、基板３の表面に位相差フィルム１０を形成する。
【００８２】
また、本実施形態においては、蒸着用材料Ｊから放射状に射出される粒子ｐｊの進行方向が内面３９で調整される。したがって、開口３６は、均一な分布で高い密度を有する複数の粒子ｐｊを基板３に供給できる。したがって、基板３に均一で所望の厚みを有する位相差フィルム１０を短時間で形成できる。また、開口３６と基板３の表面とを近づけても、基板３の表面に均一な位相差フィルム１０を形成できるので、製造装置１２Ｃを小型化することもできる。
【００８３】
本実施形態においても、基板３の表面に粒子ｐｊを斜め方向から入射させており、基板３の表面において、位相差フィルム１０は、複数の射方柱（カラム、柱状構造体）によって形成される。
【図面の簡単な説明】
【００８４】
【図１】本実施形態に係る液晶装置の一例を示す断面図である。
【図２】本実施形態に係る製造方法の一例を示すフローチャート図である。
【図３】本実施形態に係る製造装置の一例を示す概略構成図である。
【図４】位相差フィルムの近傍を模式的に示す拡大図である。
【図５】位相差フィルムの表面を模式的に示す図である。
【図６】シランカップリング処理後における位相差フィルムの表面を模式的に示す図である。
【図７】本実施形態に係る製造装置の一例を示す概略構成図である。
【符号の説明】
【００８５】
３…基板、１０…位相差フィルム、１０Ａ…斜方柱、１２…製造装置、１７…スパッタ装置、３７…蒸着源、Ｔ…ターゲット材料
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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