(57)【要約】【課題】表示装置において、製造コストを極力抑えつつ、外光の反射による視認性の低下を抑止すると共に、光源から発せられた光の利用効率の低下を抑止する。【解決手段】画素１０Ｐでは、有機ＥＬ素子Ｅ１の発光領域の面積が、その発光領域を除いた黒色樹脂層１２の形成領域の面積よりも小さくなるように構成されている。即ち、陽極である第１の電極１３、有機発光層１６、及び陰極である第２の電極１７が重畳する領域の面積は、その領域を除いた黒色樹脂層１２の形成領域の面積に対して、約５分の１以下である。これにより、画素１０Ｐ内に入射した外光の多くは、黒色樹脂層１２によって吸収されるため、画素トランジスタＴＲ１、駆動トランジスタＴＲ２、配線１１等により反射されない。即ち、外光の観察者側への反射が抑止される。【選択図】図２
2008218074.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に複数の画素を備え、各画素は、前記基板上に形成され光の反射を抑える領域と、発光領域と、を具備していることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記各画素において、前記発光領域の面積は、前記反射を抑える領域の面積よりも小さいことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記反射を抑える領域は反射防止層を含み、当該反射防止層は、少なくとも黒色顔料が添加された樹脂層と光を吸収する無機膜とのいずれかを含むことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
各画素は、第１の電極、前記第１の電極上に形成された有機発光層、及び前記有機発光層上に形成された第２の電極により構成された発光素子を含み、
前記発光領域は、前記発光素子の前記第１の電極、前記有機発光層、及び前記第２の電極が重畳した領域であることを特徴とする請求項３に記載の表示装置。
【請求項５】
前記第１の電極は前記反射防止層の上層に形成された透明金属層であり、
前記第２の電極は透明金属層又は半透明金属層であり、
前記有機発光層の光が前記第２の電極を透過し表示光として出射されることを特徴とする請求項４に記載の表示装置。
【請求項６】
前記反射防止層は、互いに隣接する前記第１の電極の間を埋めるように延在し、互いに隣接する前記第１の電極間における絶縁膜を兼ねることを特徴とする請求項４に記載の表示装置。
【請求項７】
前記基板は透明基板であり、
前記反射防止層は、前記発光領域と重畳する領域に開口部を有し、
前記第１の電極は、前記反射防止層の前記開口部内に形成された透明金属層であり、
前記第２の電極は、光を反射する金属層であり、
前記有機発光層の光が前記第２の電極で反射されて、前記開口部及び前記基板を通して表示光として出射されることを特徴とする請求項４に記載の表示装置。
【請求項８】
各画素において、前記発光領域の面積は、前記光の反射を抑える領域の面積に対して、５分の１以下であることを特徴とする請求項１、２、３、４、５、６、７のいずれかに記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置に関し、特に、外光の反射による視認性の低下を抑止する表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス（以降、「有機ＥＬ」と略称する」）素子を光源とする複数の画素を備えた表示装置として、有機ＥＬ表示パネルが知られている。明るい環境下での視認の際には、各画素の表示面に外光が入射し、その外光は、各画素内に形成された有機ＥＬ素子を構成する電極、トランジスタを構成する電極、配線等の金属層によって、観察者側に反射される。この反射光により、視認性が低下するという問題があった。
【０００３】
この問題に対して、図１４に示すように、複数の有機ＥＬ素子が配置された有機ＥＬ表示パネル１０１の表示面１０１Ｄ側に、外光の反射を抑止するための円偏光板１０２が設けられていた。円偏光板１０２は、外光を直線偏光する直線偏光板１０２ＰＬと、いわゆる４分の１位相差板１０２ＲＴとの積層体である。直線偏光板１０２ＰＬにより直線偏光された外光は、４分の１位相差板１０２ＲＴによって円偏光となって、画素内の金属層によって反射される。反射された円偏光は、その回転方向が反転され、再び４分の１位相差板１０２ＲＴを通って、直線偏光板１０２ＰＬの偏光軸と直交する直線偏光となるため、直線偏光板１０２ＰＬに吸収され、視認されない。
【０００４】
一方、有機ＥＬ表示パネル１０１から観察者に向かって出射された表示光は、円偏光板１０２の４分の１位相差板１０２ＲＴによって円偏光となるが、直線偏光板１０２ＰＬの光透過軸と一致する光成分が、直線偏光板１０２ＰＬから出射されて視認される。
【０００５】
なお、円偏光板を備えた有機ＥＬ表示パネルについては、特許文献１に記載されている。
【特許文献１】特開２００６−２９４４４８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、有機ＥＬ表示パネル１０１上に円偏光板１０２を設けると、製造コストが高くなるという問題があった。また、表示光の視認の際には、有機ＥＬ素子から発せられた光が円偏光板１０２の４分の１位相差板１０２ＲＴによって円偏光され、その円偏光の一部の光成分のみが直線偏光板１０２ＰＬを透過して視認されるため、光の利用効率が約４０％以下に至るまで低下していた。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の表示装置は、上記課題に鑑みて為されたものであり、基板上に複数の画素を備え、各画素は、基板上に形成され光の反射を抑える領域と、発光領域と、を具備し、各画素において、発光領域の面積は、反射を抑える領域の面積よりも小さいことを特徴とする。
【０００８】
かかる構成によれば、発光領域を小さくして、他の領域に反射を抑える領域を配置することにより、外光が反射する領域が小さくなり、従来例のような円偏光板を設けることなく、外光の反射を抑止することができる。そのため、製造コストの増大や、発光素子から発せられた光の利用効率の低下を抑止できる。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の表示装置によれば、製造コストを極力抑えつつ、外光の反射による視認性の低下を抑止すると共に、光源から発せられた光の利用効率の低下を抑止できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
最初に、本発明の第１の実施形態に係る表示装置の概略構成について図面を参照して説明する。図１は、本実施形態にかかる表示装置を説明する等価回路図である。
【００１１】
この表示装置は、光源として有機ＥＬ素子１を備えたアクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示パネルである。即ち、行方向に延びた画素選択信号線ＧＬと列方向に延びた表示信号線ＤＬに囲まれた領域に、有機ＥＬ素子Ｅ１を光源とする複数の画素１０Ｐがマトリクス状に配置されている。なお、図１では、複数の画素１０Ｐの中から、その一部を示している。
【００１２】
各画素１０Ｐには、例えばＮチャネル型の画素トランジスタＴＲ１と例えばＰチャネル型の駆動トランジスタＴＲ２が配置されている。画素トランジスタＴＲ１のゲートは、画素選択信号線ＧＬに接続されており、そのドレインは、表示信号線ＤＬに接続されている。画素トランジスタＴＲ１のソースは、駆動トランジスタＴＲ２のゲートに接続されている。駆動トランジスタＴＲ２のソースは、正電源電位ＰＶｄｄに接続されている。駆動トランジスタＴＲ２のドレインは発光素子である有機ＥＬ素子Ｅ１の陽極に接続されている。有機ＥＬ素子Ｅ１の陰極は負電源電位ＣＶに接続されている。
【００１３】
画素選択信号線ＧＬにハイレベルの画素選択信号が供給されると、画素トランジスタＴＲ１がオンし、表示信号線ＤＬに供給される表示信号を駆動トランジスタＴＲ２のゲートに印加する。駆動トランジスタＴＲ２は、表示信号に応じた駆動電流を有機ＥＬ素子Ｅ１に供給し、発光が行われる。
【００１４】
なお、駆動トランジスタＴＲ２のゲートと保持容量線ＳＣの間には保持容量Ｃｓが接続されている。保持容量線ＳＣは例えば一定の電位に固定されている。保持容量Ｃｓは、画素トランジスタＴＲ１を通して駆動トランジスタＴＲ２のゲートに印加される表示信号を一水平期間保持する。
【００１５】
上記構成の有機ＥＬ表示パネルにおいて、各画素１０Ｐ内に、外光の反射を抑止する反射防止層として、黒色樹脂層が配置されている。有機ＥＬ素子Ｅ１の発光領域の面積は、その発光領域を除く黒色樹脂層の形成領域の面積よりも小さい。
【００１６】
以下に、有機ＥＬ素子Ｅ１をトップエミッション型とした場合の上記有機ＥＬ表示パネルの詳細な構造について、図面を参照して説明する。図２は、本実施形態にかかる表示装置、即ち有機ＥＬ表示パネルを説明する平面図である。図３は、図２のＡ−Ａ線に沿った断面図である。図２では、点線で囲まれた領域が図１の画素１０Ｐの形成領域に対応している。説明の簡便のため、図２では画素トランジスタＴＲ１、駆動トランジスタＴＲ２、保持容量Ｃｓ等の図示を省き、有機ＥＬ素子Ｅ１のみを図示している。
【００１７】
基板１０上には、各画素１０Ｐにおいて、画素トランジスタＴＲ１、駆動トランジスタＴＲ２、保持容量Ｃｓ、及びそれらに接続される複数の配線１１が形成されている。基板１０は、ガラス等の透明基板、又はシリコン基板等の非透明基板である。配線１１は、画素選択信号線ＧＬ及び表示信号線ＤＬ、保持容量線ＳＣ等を含む。
【００１８】
各画素１０Ｐ内の基板１０上において、画素トランジスタＴＲ１、駆動トランジスタＴＲ２、保持容量Ｃｓ、及び配線１１を覆って、黒色樹脂層１２が配置されている。黒色樹脂層１２は、黒色顔料が添加された樹脂層であり、基板１０に向かって入射する外光の反射を抑止する反射防止層として機能する。反射防止層として良好に機能するためには、黒色樹脂層１２の厚さは、約１〜３μｍである。
【００１９】
各画素１０Ｐにおける黒色樹脂層１２上には、トップエミッション型の有機ＥＬ素子Ｅ１が配置されている。有機ＥＬ素子Ｅ１は、正電源電圧ＰＶｄｄが供給される第１の電極１３（即ち陽極）、その上層に配置された有機発光層１６、及び負電源電圧ＣＶが供給される負電源配線１４と接続して有機発光層１６を覆う第２の電極（即ち陰極）１７を含む積層体である。図示されていないが、黒色樹脂層１２にはコンタクトホールが形成され、第１の電極１３と駆動トランジスタＴＲ２のソース電極は導通されている。
【００２０】
第１の電極１３は、下層にアルミニウム（Ａｌ）層、上層にＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）層の２層構造をとっている。下層のアルミニウム層は有機発光層１６からの光を反射して、光の利用効率を向上させる働きを、上層のＩＴＯ層は有機ＥＬ素子Ｅ１の陽極の働きをしている。第２の電極１７は光を透過又は半透過する金属からなり、例えばマグネシウム（Ｍｇ）／銀（Ａｇ）合金は（以降、「ＭｇＡｇ合金と略称する」）である。負電源配線１４は、それに入射する外光の反射を抑えるため、ＩＴＯ等の透明金属からなり、各有機ＥＬ素子Ｅ１の第２の電極１７を電気的に連結するために、基板１０の上層において延在する。
【００２１】
有機発光層１６は、例えば、ホール輸送層、発光層、電子輸送層を含む。ホール輸送層は、例えば、ＭＴＤＡＴＡ（４，４−ｂｉｓ（３−ｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｏ）ｂｉｐｈｅｎｙｌ）からなる第１のホール輸送層と、ＴＰＤ（４，４，４−ｔｒｉｓ（３−ｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｏ）ｔｒｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｅ）からなる第２のホール輸送層により形成される。発光層は、例えばキナクリドン（Ｑｕｉｎａｃｒｉｄｏｎｅ）誘導体を含むＢｅｂｑ２（１０−ベンゾ〔ｈ〕キノリノール−ベリリウム錯体）により形成される。電子輸送層は、例えばＢｅｂｑ２により形成される。
【００２２】
また、黒色樹脂層１２上には、第１の電極１３、及び有機発光層１６の周囲を覆うシリコン酸化膜等の絶縁膜１５が配置されている。絶縁膜１５、第２の電極１７は、透明材料からなる封止樹脂層１８に覆われている。
【００２３】
この有機ＥＬ素子Ｅ１の発光領域は、第１の電極１３、有機発光層１６、及び第２の電極１７が重畳する領域である。本実施形態では、有機発光層１６の形成領域が発光領域に対応する。発光領域では、有機発光層１６から発せられた光が、ＭｇＡｇ合金からなる第２の電極１７及び封止樹脂層１８を透過して、表示光として出射される。
【００２４】
画素１０Ｐでは、有機ＥＬ素子Ｅ１の発光領域の面積が、その発光領域を除いた黒色樹脂層１２の形成領域の面積よりも小さくなるように構成されている。この構成を観察者側から平面的にみれば、図４のようになる。図４は、図２の画素１０Ｐの概略平面図であり、反射防止層である黒色樹脂層１２と、発光領域に対応する有機発光層１６のみを示している。
【００２５】
即ち、陽極である第１の電極１３、有機発光層１６、及び陰極である第２の電極１７が重畳する領域、即ち発光領域の面積は、その領域を除いた黒色樹脂層１２の形成領域の面積よりも小さい。好ましくは、第１の電極１３、有機発光層１６、及び第２の電極１７が重畳する領域の面積は、その領域を除いた黒色樹脂層１２の形成領域の面積に対して、約５分の１以下である。
【００２６】
この構成により、観察者側から平面的にみれば、各画素１０Ｐ内における発光領域の占める割合は小さく、その発光領域以外の領域には、反射防止層である黒色樹脂層１２が延在する。これにより、画素１０Ｐ内に入射した外光の多くは、黒色樹脂層１２によって吸収されるため、画素トランジスタＴＲ１、駆動トランジスタＴＲ２、配線１１等の金属層により反射されない。即ち、外光の観察者側への反射が抑止される。その際、従来例のような円偏光板１０２を必要としないため、製造コストの増大を抑えることができる。また、発光領域の有機発光層１６から発せられた光の利用効率が従来例のように低下することはない。
【００２７】
より確実に外光の反射を抑止するためには、封止樹脂層１８上に、屈折率の異なる複数の透明材料層からなるＡＲコーティング（Ａｎｔｉ−Ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｅ  Ｃｏａｔｉｎｇ）層１９が設けられてもよい。
【００２８】
さらに、第２の実施形態として、第１の実施形態の構成において、黒色樹脂層１２が、絶縁膜１５を兼ねる構成を有してもよい。以下に、本発明の第２の実施形態にかかる表示装置について図面を参照して説明する。図５は、本実施形態にかかる表示装置、即ち有機ＥＬ表示パネルを説明する平面図である。図６は、図５のＢ−Ｂ線に沿った断面図である。図５では、点線で囲まれた領域が図１の画素１０Ｐの形成領域に対応しており、第１の実施形態の有機ＥＬ素子Ｅ１に対応して、本実施形態の有機ＥＬ素子Ｅ２が示されている。説明の簡便のため、図５では画素トランジスタＴＲ１、駆動トランジスタＴＲ２、保持容量Ｃｓ等の図示を省いている。なお、図５及び図６では、図１乃至図３に示したものと同一の構成要素については同一の符号を付して参照する。
【００２９】
基板１０上に、画素トランジスタＴＲ１、駆動トランジスタＴＲ２、保持容量Ｃｓ、配線１１、及び、正電源電圧ＰＶｄｄが供給される第１の電極２３（即ち陽極）が配置されている。これらを覆って、第１の実施形態の黒色樹脂層１２と同様の材質からなり、第１の電極２３の一部を露出する開口部２２Ａを有した黒色樹脂層２２が配置されている。即ち、黒色樹脂層２２は、互いに隣接する第１の電極２３の間を埋めるように延在する。黒色樹脂層２２は、互いに隣接する第１の電極２３間における絶縁膜を兼ねるため、第１の実施形態の絶縁膜１５は形成される必要はない。これにより、第１の実施形態における上記効果に加えて、さらに製造コストの増大を抑えることができる。
【００３０】
なお、反射防止層兼絶縁膜として良好に機能するためには、黒色樹脂層２２の厚さは、約１〜３μｍである。
【００３１】
本実施形態の有機ＥＬ素子Ｅ２は、トップエミッション型であり、第１の電極２３（即ち陽極）、その上層であって黒色樹脂層２２の開口部２２Ａ内に配置された有機発光層２５、及び第２の電極２６（即ち陰極）を含む積層体である。第１の電極２３は、下層にアルミニウム（Ａｌ）層、上層にＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）層の２層構造をとっている。下層のアルミニウム層は有機発光層２５からの光を反射して、光の利用効率を向上させる働きを、上層のＩＴＯ層は有機ＥＬ素子Ｅ２の陽極の働きをしている。また図示されていないが、第１の電極２３と駆動トランジスタＴＲ２のソース電極は導通されている。有機発光層２５は、例えば第１の実施形態の有機発光層１６と同様の構成を有している。第２の電極２６は光を透過又は半透過する金属からなり、例えばＭｇＡｇ合金である。
【００３２】
第２の電極２６上には、負電源電圧ＣＶが供給され、第２の電極２６と接続された負電源配線２７が配置されている。負電源配線２７は、ＩＴＯ等の透明金属からなり、各有機ＥＬ素子Ｅ２の第２の電極２６を電気的に連結するために、基板１０の上層において延在する。第２の電極２６及び負電源配線２７は、封止樹脂層１８により覆われている。また、必要に応じて、封止樹脂層１８上には、ＡＲコーティング層１９が設けられてもよい。
【００３３】
本実施形態においても、第１の実施形態と同様に、画素１０Ｐでは、有機ＥＬ素子Ｅ２の発光領域の面積が、その発光領域を除いた黒色樹脂層２２の形成領域の面積よりも小さくなるように構成されている。この構成を観察者側から平面的にみれば、図７のようになる。図７は、図５の画素１０Ｐの概略平面図であり、反射防止層である黒色樹脂層２２と、発光領域に対応する有機発光層２５のみを示している。
【００３４】
即ち、陽極である第１の電極２３、有機発光層２５、及び陰極である第２の電極２６が重畳する領域の面積は、その領域を除いた黒色樹脂層２２の形成領域の面積よりも小さい。好ましくは、第１の電極２３、有機発光層２５、及び第２の電極２６が重畳する領域の面積は、その領域を除いた黒色樹脂層２２の形成領域の面積に対して、約５分の１以下である。
【００３５】
なお、本発明は、ボトムエミッション型の有機ＥＬ素子を光源とする場合についても適用される。以下に、本発明の第３の実施形態として、ボトムエミッション型の有機ＥＬ素子Ｅ３を光源とした場合の有機ＥＬ表示パネルの詳細な構造について、図面を参照して説明する。
【００３６】
図８は、本実施形態にかかる表示装置、即ち有機ＥＬ表示パネルを説明する平面図である。図９は、図８のＣ−Ｃ線に沿った断面図である。図８では、点線で囲まれた領域が図１の画素１０Ｐの形成領域に対応しており、第１の実施形態の有機ＥＬ素子Ｅ１に対応して、本実施形態の有機ＥＬ素子Ｅ３が示されている。説明の簡便のため、図８では画素トランジスタＴＲ１、駆動トランジスタＴＲ２、保持容量Ｃｓ等の図示を省いている。なお、図８及び図９では、図１乃至図３に示したものと同一の構成要素については同一の符号を付して参照する。
【００３７】
ガラス等の透明基板である基板３０上に、画素トランジスタＴＲ１、駆動トランジスタＴＲ２、保持容量Ｃｓ、配線１１、及び、正電源電圧ＰＶｄｄが供給される第１の電極３３（即ち陽極）が配置されている。これらを覆って、第１の電極３３の一部を露出する開口部３２Ａを有した黒色樹脂層３２が配置されている。黒色樹脂層３２は、黒色顔料が添加された樹脂層であり、観察者側から基板３０に向かって入射する外光の反射を抑止する反射防止層として機能する。反射防止層として良好に機能するためには、黒色樹脂層３２の厚さは、約１〜３μｍである。
【００３８】
有機ＥＬ素子Ｅ３は、第１の電極３３（即ち陽極）、その上層であって黒色樹脂層３２の開口部３２Ａ内に配置された有機発光層３５、及び、有機発光層３５の上層に配置された第２の電極３６（即ち陰極）を含む積層体である。
【００３９】
第１の電極３３は、ＩＴＯ等の透明金属からなる。有機発光層３５は、例えば第１の実施形態の有機発光層１６と同様の構成を有している。第２の電極３６は、光を反射する金属、例えばアルミニウム（Ａｌ）又はアルミニウム合金からなる。
【００４０】
第２の電極３６上には、負電源電圧ＣＶが供給され、第２の電極３６と接続された負電源配線３７が配置されている。負電源配線３７は、ＩＴＯ等の透明金属又は非透明金属からなり、各有機ＥＬ素子Ｅ３各有機ＥＬ素子Ｅ１の第２の電極３６を電気的に連結するために、基板３０の上層において延在する。第２の電極３６及び負電源配線３７は、透明材料又は非透明材料からなる封止樹脂層３８に覆われている。
【００４１】
この有機ＥＬ素子Ｅ３の発光領域は、第１の電極３３、有機発光層３５、及び第２の電極３６が重畳する領域である。本実施形態では、有機発光層３６の形成領域が発光領域に対応する。発光領域では、有機発光層３５から発せられた光が、透明金属である第１の電極３３、及び透明基板である基板３０を透過して、表示光として出射される。
【００４２】
本実施形態においても、第１の実施形態と同様に、画素１０Ｐでは、有機ＥＬ素子Ｅ３の発光領域の面積が、その発光領域を除いた黒色樹脂層３２の形成領域の面積よりも小さくなるように構成されている。この構成を観察者側から平面的にみれば、図１０のようになる。図１０は、図８の画素１０Ｐの概略平面図であり、反射防止層である黒色樹脂層３２と、発光領域に対応する有機発光層３５のみを示している。
【００４３】
即ち、陽極である第１の電極３３、有機発光層３５、及び陰極である第２の電極３６が重畳する領域の面積は、その領域を除いた黒色樹脂層３２の形成領域の面積よりも小さい。好ましくは、第１の電極３３、有機発光層３５、及び第２の電極３６が重畳する領域の面積は、その領域を除いた黒色樹脂層３２の形成領域の面積に対して、約５分の１以下である。
【００４４】
この構成により、基板３０を通して画素１０Ｐ内に入射した外光は、黒色樹脂層３２によって吸収されるため、有機ＥＬ素子Ｅ３の第２の電極３６（即ち光を反射する金属）により反射されない。即ち、外光の観察者側への反射が抑止される。その際、従来例のような円偏光板１０２を必要としないため、製造コストの増大を抑えることができる。また、発光領域の有機発光層３５から発せられた光の利用効率が従来例のように低下することはない。
【００４５】
より確実に外光の反射を抑止するためには、基板３０上に、屈折率の異なる複数の透明材料層からなるＡＲコーティング層１９が設けられてもよい。
【００４６】
なお、上述した第１乃至第３の実施形態では、反射防止層として黒色樹脂層１２，２２，３２を用いたが、黒色樹脂層１１，２２，３２に替わって、光を吸収する黒色顔料以外の有色顔料が添加された樹脂層を用いてもよい。
【００４７】
以下に、本発明の第４の実施形態の詳細な構造について図面を参照して説明する。本実施形態の有機ＥＬ素子はボトムエミッション型であるが、第３の実施形態とは異なり、反射防止層として、黒色樹脂層３２の替わりに、光を吸収して反射を抑える無機膜を用いている。この場合、反射防止層として樹脂ではなく無機膜を用いることから、反射防止層の熱に対する耐性が高くなり、製造工程に加熱工程を含めることができるという利点を有する。
【００４８】
図１１は、本実施形態にかかる表示装置、即ち有機ＥＬ表示パネルを説明する平面図である。図１２は、図１１のＤ−Ｄ線に沿った断面図である。図１１では、点線で囲まれた領域が図１の画素１０Ｐの形成領域に対応しており、第１の実施形態の有機ＥＬ素子Ｅ１に対応して、本実施形態の有機ＥＬ素子Ｅ４が示されている。説明の簡便のため、図１１では画素トランジスタＴＲ１、駆動トランジスタＴＲ２、保持容量Ｃｓ等の図示を省いている。なお、図１１及び図１２では、図１、図８及び図９に示したものと同一の構成要素については同一の符号を付して参照する。
【００４９】
ガラス等の透明基板である基板３０上に、観察者側から基板３０に向かって入射する外光の反射を抑止する反射防止層として、反射防止無機膜４２が配置されている。反射防止無機膜４２には、例えばフォトリソグラフィ工程及びエッチング工程により、基板３０の一部を露出する開口部４２Ａが設けられている。反射防止無機膜４２は、光を吸収して反射を抑える無機膜であり、好ましくは、酸化クロム又は酸化クロムを含む無機膜からなる。熱に対する耐性の高い反射防止層として良好に機能するためには、反射防止無機膜４２の厚さは、約１００〜５００ｎｍである。
【００５０】
開口部４２Ａ内には、本実施形態の有機ＥＬ素子Ｅ４の構成要素として、正電源電圧ＰＶｄｄが供給される第１の電極４３（即ち陽極）が配置されている。有機ＥＬ素子Ｅ４は、第１の電極４３、その上層に配置された有機発光層４５、及び、有機発光層４５の上層に配置された第２の電極４６（即ち陰極）を含む積層体である。
【００５１】
第１の電極４３は、ＩＴＯ等の透明金属からなる。有機発光層４５は、例えば第１の実施形態の有機発光層１６と同様の構成を有している。第２の電極４６は、光を反射する金属、例えばアルミニウム（Ａｌ）又はアルミニウム合金からなる。
【００５２】
第２の電極４６上には、負電源電圧ＣＶが供給され、第２の電極４６と接続された負電源配線４７が配置されている。負電源配線４７は、ＩＴＯ等の透明金属又は非透明金属からなり、各有機ＥＬ素子Ｅ３の第２の電極４６を電気的に連結するために、基板３０の上層において延在する。
【００５３】
なお、反射防止無機膜４２、第１の電極４３及び有機発光層４５の周囲は、シリコン酸化膜等の絶縁膜４４に覆われている。反射防止金属層４２と重畳する絶縁膜４４上には、画素トランジスタＴＲ１、駆動トランジスタＴＲ２、保持容量Ｃｓ、及び配線１１が配置されている。それらの上層は、封止樹脂層３８に覆われている。
【００５４】
この有機ＥＬ素子Ｅ４の発光領域は、第１の電極４３、有機発光層４５、及び第２の電極４６が重畳する領域である。本実施形態では、有機発光層４５の形成領域が発光領域に対応する。発光領域では、有機発光層４５から発せられた光が、第１の電極４３、及び基板３０を透過して、表示光として出射される。
【００５５】
本実施形態においても、第１の実施形態と同様に、画素１０Ｐでは、有機ＥＬ素子Ｅ４の発光領域の面積が、その発光領域を除いた反射防止無機膜４２の形成領域の面積よりも小さくなるように構成されている。この構成を観察者側から平面的にみれば、図１３のようになる。図１３は、図１１の画素１０Ｐの概略平面図であり、反射防止層である反射防止金属層４２と、発光領域に対応する有機発光層４５のみを示している。
【００５６】
即ち、陽極である第１の電極４３、有機発光層４５、及び陰極である第２の電極４６が重畳する領域の面積は、その領域を除いた反射防止無機膜４２の形成領域の面積よりも小さい。好ましくは、第１の電極４３、有機発光層４５、及び第２の電極４６が重畳する領域の面積は、その領域を除いた反射防止無機膜４２の形成領域の面積に対して、約５分の１以下である。
【００５７】
この構成により、基板３０を通して画素１０Ｐ内に入射した外光は、反射防止無機膜４２によって吸収されるため、有機ＥＬ素子Ｅ４の第２の電極４６、画素トランジスタＴＲ１、駆動トランジスタＴＲ２、配線１１等の金属層（光を反射する金属）により反射されない。即ち、外光の観察者側への反射が抑止される。その際、従来例のような円偏光板１０２を必要としないため、製造コストの増大を抑えることができる。また、発光領域の有機発光層４５から発せられた光の利用効率が従来例のように低下することはない。
【００５８】
より確実に外光の反射を抑止するためには、基板３０上に、屈折率の異なる複数の透明材料層からなるＡＲコーティング層１９が設けられてもよい。
【００５９】
なお、上記第１乃至第４の実施形態は、発光領域の面積が反射防止層の形成領域の面積よりも小さく、上記と同等の効果を奏するものであれば、図２乃至図１３に示した構成に限定されない。例えば、有機発光層１６，２５，３５，４５が、第１の電極１３，２３，３３，４３又は第２の電極１７，２６，３６，４６よりも広い面積を有して配置されてもよい。
【００６０】
また、本発明は、光源として有機ＥＬ素子Ｅ１，Ｅ２，Ｅ３，Ｅ４以外の発光素子を用いた場合においても適用される。例えば、無機ＥＬ素子が光源として用いられてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】本発明の第１の実施形態にかかる表示装置を説明する等価回路図である。
【図２】本発明の第１の実施形態にかかる表示装置を説明する平面図である。
【図３】図２のＡ−Ａ線に沿った断面図である。
【図４】図２の画素の反射防止層と発光領域を示す概略平面図である
【図５】本発明の第２の実施形態にかかる表示装置を説明する平面図である。
【図６】図５のＢ−Ｂ線に沿った断面図である。
【図７】図５の画素の反射防止層と発光領域を示す概略平面図である
【図８】本発明の第３の実施形態にかかる表示装置を説明する平面図である。
【図９】図８のＣ−Ｃ線に沿った断面図である。
【図１０】図８の画素の反射防止層と発光領域を示す概略平面図である
【図１１】本発明の第４の実施形態にかかる表示装置を説明する平面図である。
【図１２】図１１のＤ−Ｄ線に沿った断面図である。
【図１３】図１１の画素の反射防止層と発光領域を示す概略平面図である
【図１４】従来例にかかる表示装置を説明する概念図である。
【符号の説明】
【００６２】
１０，３０  透明基板                    １０Ｐ  画素  
１１  配線
１２，２２，３２  黒色樹脂層            １３，２３，３３，４３  第１の電極
１４，２７，３７，４７  負電源配線      １５，４４  絶縁膜
１６，２５，３５，４５  有機発光層      １７，２６，３６，４６  第２の電極
１８，３８  封止樹脂層                  １９  ＡＲコーティング層
４２  反射防止無機膜
１０１  有機ＥＬ表示パネル              １０２  円偏光板
１０２ＲＴ  位相差板                    １０２ＰＬ  直線偏光板
Ｅ１，Ｅ２，Ｅ３，Ｅ４  有機ＥＬ素子
ＴＲ１  画素トランジスタ                ＴＲ２  駆動トランジスタ
Ｃｓ    保持容量
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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