(57)【要約】【課題】配向膜の耐湿性を向上させる。【解決手段】無機材料からなり、分極した水酸基を表面に備える無機配向膜１６，２２を各基板１０，２０上に形成し、第２級の飽和炭化水素化合物と、窒素原子および炭素原子を含むヘテロ環状化合物とによる気相化学成長法により、第２級の飽和炭化水素化合物の２位の炭素原子をカルボカチオン化し、カルボカチオン化により脱離した陽子と無機配向膜１６，２２の表面に存在する水酸基とを結合させ、カルボカチオン化された第２級の飽和炭化水素化合物と無機配向膜１６，２２とを結合させる表面処理を行う。【選択図】図２
2008122660.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無機材料からなり、分極した水酸基を表面に備える下地膜を基板上に形成し、
第２級の飽和炭化水素化合物と、窒素原子および炭素原子を含むヘテロ環状化合物とによる気相化学成長法により、前記第２級の飽和炭化水素化合物の２位の炭素原子をカルボカチオン化し、該カルボカチオン化により脱離した陽子と前記下地膜表面に存在する前記水酸基とを結合させ、前記カルボカチオン化された前記第２級の飽和炭化水素化合物と前記下地膜とを結合させて配向膜とする表面処理を前記下地膜に行うことを特徴とする配向膜形成方法。
【請求項２】
前記下地膜を、斜方蒸着法またはスパッタ法により形成することを特徴とする請求項１に記載の配向膜形成方法。
【請求項３】
互いに対向する一対の基板間に液晶を挟持してなる液晶装置であって、前記一対の基板の各内面は無機配向膜を備え、
前記無機配向膜は、第２級の飽和炭化水素化合物と、窒素原子および炭素原子を含むヘテロ環状化合物とによる気相化学成長法により表面が処理されていることを特徴とする液晶装置。
【請求項４】
請求項３に記載の液晶装置を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は配向膜形成方法および液晶装置および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、例えば液晶装置の液晶分子の配向を制御する配向膜として、有機物からなる配向膜に比べて、耐光性および耐熱性を向上させ、配向不良の発生を抑制した無機材料からなる配向膜が知られている（例えば特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００４−１７０７４４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ところで、上記従来技術の一例に係る無機配向膜において、例えば無機配向膜が酸化珪素から構成されている場合等のように、膜表面に分極した水酸基が存在している状態では、これらの水酸基によって、例えば水等の極性基を有する化合物が吸着され易く、配向膜の耐湿性を向上させることが困難となる虞がある。
このような問題に対して、例えばシランカップリング剤等による表面処理によって、配向膜表面の水酸基の活性を消失させることができる。しかしながら、シランカップリング剤による表面処理が行われた無機配向膜の表面にシロキサン結合（Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ）が存在する場合には、このシロキサン結合の酸素原子に起因する水素結合性によって無機配向膜表面の撥水性が低下する虞があり、無機配向膜の耐湿性を、より一層、向上させることが望まれている。
【０００４】
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、配向膜の耐湿性を向上させることが可能な配向膜形成方法および液晶装置および電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題を解決して係る目的を達成するために、この発明の配向膜形成方法は、無機材料からなり、分極した水酸基を表面に備える下地膜（例えば、実施の形態での無機配向膜１６，２２）を基板（例えば、実施の形態でのＴＦＴアレイ基板１０、対向基板２０）上に形成し、第２級の飽和炭化水素化合物（例えば、実施の形態での２−メチルペンタン、２−メチルヘプタン、２−メチルオクタン、２−メチルノナン）と、窒素原子および炭素原子を含むヘテロ環状化合物（例えば、実施の形態でのイミダゾール）とによる気相化学成長法により、前記第２級の飽和炭化水素化合物の２位の炭素原子をカルボカチオン化し、該カルボカチオン化により脱離した陽子と前記下地膜表面に存在する前記水酸基とを結合させ、前記カルボカチオン化された前記第２級の飽和炭化水素化合物と前記下地膜とを結合させて配向膜（例えば、実施の形態での無機配向膜１６，２２）とする表面処理を前記下地膜に行うことを特徴としている。
【０００６】
上記の配向膜形成方法によれば、基板上に形成され、無機材料からなり、分極した水酸基を表面に備える下地膜に対し、β位の水素を脱離し易い第２級の飽和炭化水素化合物による表面処理を行うことから、表面処理後の下地膜に酸素原子が含まれることを防止し、酸素原子に起因する水素結合性によって表面処理後の下地膜の表面の撥水性が低下することを防止することができる。
しかも、第２級の飽和炭化水素化合物による表面処理では、窒素原子および炭素原子を含むヘテロ環状化合物を用いることで、第２級の飽和炭化水素化合物の２位の炭素原子のカルボカチオン化による陽子の脱離状態を安定に維持することができ、第２級の飽和炭化水素化合物を水素結合的に下地膜の表面に吸着させ易くすることができ、下地膜の表面処理を効率よく行うことができる。
【０００７】
さらに、この発明の配向膜形成方法は、前記下地膜を、斜方蒸着法またはスパッタ法により形成することを特徴としている。
【０００８】
上記の配向膜形成方法によれば、斜方蒸着法により下地膜を形成することにより、成膜分子に過大なエネルギーを与える必要無しに、成膜分子を斜めに整列させることができる。また、スパッタ法により下地膜を形成することにより、成膜分子の基板に対する付着性を向上させることができる。
【０００９】
また、この発明の液晶装置は、互いに対向する一対の基板間に液晶を挟持してなる液晶装置であって、前記一対の基板（例えば、実施の形態でのＴＦＴアレイ基板１０、対向基板２０）の各内面は無機配向膜（例えば、実施の形態での無機配向膜１６，２２）を備え、前記無機配向膜は、第２級の飽和炭化水素化合物（例えば、実施の形態での２−メチルペンタン、２−メチルヘプタン、２−メチルオクタン、２−メチルノナン）と、窒素原子および炭素原子を含むヘテロ環状化合物（例えば、実施の形態でのイミダゾール）とによる気相化学成長法により表面が処理されていることを特徴としている。
【００１０】
上記の液晶装置によれば、基板上に形成され、無機材料からなり、分極した水酸基を表面に備える下地膜は、第２級の飽和炭化水素化合物と、窒素原子および炭素原子を含むヘテロ環状化合物とによる気相化学成長法により表面が処理されていることから、例えばシランカップリング剤により表面が処理されている場合等のように、表面処理が行われた下地膜の表面に存在する酸素原子に起因する水素結合性によって下地膜の撥水性が低下してしまうことを防止し、液晶装置の耐湿性を向上させることができる。
しかも、相対的に配向規制力が弱い下地膜に対して、第２級の飽和炭化水素化合物とヘテロ環状化合物とによる表面処理を行うことで、配向規制力を向上させることができる。
【００１１】
また、この発明の電子機器は、上述した液晶装置（例えば、実施の形態での液晶装置１００）を備えることを特徴としている。
上記の電子機器によれば、電子機器の耐用期間を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明の液晶装置および配向膜形成方法および電子機器の一実施形態について添付図面を参照しながら説明する。
【００１３】
（液晶装置）
本実施の形態による液晶装置１００は、例えば図１および図２に示すように、対向配置された一対のＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶５０が挟持されて構成されている。
なお、図２は、後述する図４でのＡ−Ａ’線に沿った断面図である。
ＴＦＴアレイ基板１０の中央には、例えば図１に示すように、画像作製領域１０１が形成されている。
この画像作製領域１０１の周縁部にはシール材１９が配設されており、これによって画像作製領域１０１には、例えば図２に示すように、液晶５０が封止されている。この液晶５０は、ＴＦＴ基板１０の表面上に液晶材料が直接塗布されて形成されたもので、シール材１９には液晶材料の注入口が設けられていない、いわゆる封口レス構造となっている。
このシール材１９の外側には、例えば図１に示すように、後述する走査線３ａに走査信号を供給する走査線駆動素子１１０と、後述するデータ線６ａに画像信号を供給するデータ線駆動素子１２０とが実装されている。
そして、各駆動素子１１０、１２０から、ＴＦＴ基板１０の端部の接続端子７９にかけて、配線７６が引き廻されている。
【００１４】
また、ＴＦＴ基板１０に貼り合わされる対向基板２０には、例えば図２に示すように、共通電極２１が形成されている。この共通電極２１は、例えば図１に示すように、画像作製領域１０１の略全域に形成されたもので、共通電極２１の４つの隅部には基板間導通部７０が設けられている。この基板間導通部７０からは、接続端子７９にかけて配線７８が引き廻されている。
そして、外部から入力された各種信号が、接続端子７９を介して画像作製領域１０１に供給されることにより、液晶装置１００が駆動されるようになっている。
【００１５】
液晶装置１００の画像作製領域１０１には、例えば図３に示すように、複数のドットがマトリクス状に配置されており、これら各ドットには、それぞれ画素電極９が形成されている。また、画素電極９の側方には、この画素電極９への通電制御を行うためのスイッチング素子であるＴＦＴ素子３０が形成されている。このＴＦＴ素子３０のソースにはデータ線６ａが接続されている。各データ線６ａには、データ線駆動素子１２０から画像信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎ（ｎは任意の自然数）が供給されるようになっている。
【００１６】
また、ＴＦＴ素子３０のゲートには走査線３ａが接続されている。走査線３ａには、走査線駆動素子１１０から所定のタイミングでパルス的に走査信号Ｇ１，Ｇ２，…，Ｇｍ（ｍは任意の自然数）が供給される。また、ＴＦＴ素子３０のドレインには画素電極９が接続されている。そして、走査線３ａから供給された走査信号Ｇ１，Ｇ２，…，Ｇｍにより、スイッチング素子であるＴＦＴ素子３０を一定期間だけオンにすると、データ線６ａから供給された画像信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎが、画素電極９を介して各ドットの液晶５０に所定のタイミングで書き込まれるようになっている。
【００１７】
液晶５０に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎは、画素電極９と後述する共通電極２１との間に形成される液晶容量で一定期間保持される。なお、保持された画像信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎがリークするのを防止するため、画素電極９と容量線３ｂとの間に蓄積容量１７が形成され、液晶容量と並列に配置されている。このように、液晶５０に電圧信号が印加されると、印加された電圧レベルにより液晶分子の配向状態が変化する。これにより、液晶５０に入射した光源光が変調されて、画像光が作製されるようになっている。
【００１８】
また、本実施形態の液晶装置１００では、例えば図４に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０上に、インジウム錫酸化物（Indium Tin Oxide；以下ＩＴＯと呼ぶ）等の透明導電性材料からなる矩形状の輪郭部９ａを有する画素電極９が、マトリクス状に配列形成されている。さらに、画素電極９の縦横の境界に沿って、データ線６ａおよび走査線３ａおよび容量線３ｂが設けられている。
この液晶装置１００では、各画素電極９の形成された矩形領域がドットであり、マトリクス状に配置されたドットごとに表示を行うことが可能な構造になっている。
【００１９】
ＴＦＴ素子３０は、ポリシリコン膜等からなる半導体層１ａを中心として形成されている。半導体層１ａの後述するソース領域には、コンタクトホール５を介して、データ線６ａが接続されている。また、半導体層１ａの後述するドレイン領域には、コンタクトホール８を介して、画素電極９が接続されている。一方、半導体層１ａにおける走査線３ａとの対向部分には、チャネル領域１ａ’が形成されている。
【００２０】
例えば図２に示すように、ＴＦＴ基板１０は、ガラスや石英等の透光性材料からなる基板本体１０Ａと、基板本体１０Ａの内側に形成されたＴＦＴ素子３０と、画素電極９と、無機配向膜１６などを主体として構成されている。
また、対向基板２０は、ガラスや石英等の透光性材料からなる基板本体２０Ａと、基板本体２０Ａの内側に形成された共通電極２１と、無機配向膜２２などを主体として構成されている。
【００２１】
ＴＦＴ基板１０の表面には、第１遮光膜１１ａおよび第１層間絶縁膜１２が形成されている。そして、第１層間絶縁膜１２の表面に半導体層１ａが形成され、この半導体層１ａを中心としてＴＦＴ素子３０が形成されている。半導体層１ａにおける走査線３ａとの対向部分にはチャネル領域１ａ’が形成され、その両側にソース領域及びドレイン領域が形成されている。このＴＦＴ素子３０はＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を採用しているため、ソース領域及びドレイン領域に、それぞれ不純物濃度が相対的に高い高濃度領域と、相対的に低い低濃度領域（ＬＤＤ領域）とが形成されている。すなわち、ソース領域には低濃度ソース領域１ｂと高濃度ソース領域１ｄとが形成され、ドレイン領域には低濃度ドレイン領域１ｃと高濃度ドレイン領域１ｅとが形成されている。
【００２２】
半導体層１ａの表面には、ゲート絶縁膜２が形成されている。そして、ゲート絶縁膜２の表面に走査線３ａが形成されて、チャネル領域１ａ’との対向部分がゲート電極を構成している。また、ゲート絶縁膜２及び走査線３ａの表面には、第２層間絶縁膜４が形成されている。そして、第２層間絶縁膜４の表面にデータ線６ａが形成され、第２層間絶縁膜４に形成されたコンタクトホール５を介して、そのデータ線６ａが高濃度ソース領域１ｄに接続されている。さらに、第２層間絶縁膜４およびデータ線６ａの表面には、第３層間絶縁膜７が形成されている。そして、第３層間絶縁膜７の表面に画素電極９が形成され、この画素電極９は、第２層間絶縁膜４および第３層間絶縁膜７に形成されたコンタクトホール８を介して、高濃度ドレイン領域１ｅに接続されている。さらに、画素電極９を覆うように無機配向膜１６が形成され、非選択電圧印加時における液晶分子の配向が規制されるようになっている。
【００２３】
なお、本実施形態では、半導体層１ａを延設して第１蓄積容量電極１ｆが形成されている。また、ゲート絶縁膜２を延設して誘電体膜が形成され、この誘電体膜の表面に容量線３ｂが配置されて第２蓄積容量電極が形成されている。これらにより、蓄積容量１７が構成されている。
また、ＴＦＴ素子３０の形成領域に対応する基板本体１０Ａの表面に、第１遮光膜１１ａが形成されている。第１遮光膜１１ａは、液晶装置に入射した光が、半導体層１ａのチャネル領域１ａ’および低濃度ソース領域１ｂおよび低濃度ドレイン領域１ｃに侵入することを防止するものである。
【００２４】
また、対向基板２０における基板本体２０Ａの表面には、第２遮光膜２３が形成されている。第２遮光膜２３は、液晶装置に入射した光が半導体層１ａのチャネル領域１ａ’や低濃度ソース領域１ｂおよび低濃度ドレイン領域１ｃ等に侵入するのを防止するものであり、平面視において半導体層１ａと重なる領域に設けられている。また、対向基板２０の表面には、略全面にわたってＩＴＯ等の導電体からなる共通電極２１が形成されている。さらに、共通電極２１の表面には無機配向膜２２が形成され、非選択電圧印加時における液晶分子の配向が規制されるようになっている。
【００２５】
ここで、ＴＦＴ基板１０側の無機配向膜１６および対向基板２０側の無機配向膜２２には、後述するように、第２級の飽和炭化水素化合物と、窒素原子および炭素原子を含むヘテロ環状化合物とによる気相化学成長法により、表面処理が施されており、各無機配向膜１６，２２の表面に配置される液晶５０の配向が所定方向に規制されるようになっている。
【００２６】
そして、表面処理が施された無機配向膜１６，２２を有するＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に、正の誘電率異方性を有するネマチック液晶等からなる液晶５０が挟持され、シール材１９によって封止されている。
【００２７】
また、両基板１０，２０の外側には、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）にヨウ素をドープした材料等からなる偏光板１８、２８が配置されている。なお、各偏光板１８、２８は、サファイヤガラスや水晶等の高熱伝導率材料からなる支持基板上に装着して、液晶装置１００から離間配置することが望ましい。各偏光板１８、２８は、その吸収軸方向の直線偏光を吸収し、透過軸方向の直線偏光を透過する機能を有する。ＴＦＴアレイ基板１０側の偏光板１８は、この偏光板１８の透過軸が無機配向膜１６の配向規制方向と略一致するように配置され、対向基板２０側の偏光板２８は、この偏光板２８の透過軸が無機配向膜２２の配向規制方向と略一致するように配置されている。
【００２８】
（配向膜形成方法）
本実施の形態による液晶装置１００は上記構成を備えており、次に、この液晶装置１００の各無機配向膜１６，２２の形成方法について添付図面を参照しながら説明する。
【００２９】
先ず、各基板１０，２０上に斜方蒸着法によりＳｉＯ２またはＳｉＯ等の珪素酸化物からなる各無機配向膜１６，２２を形成する。
なお、本実施形態においては、斜方蒸着法により無機配向膜１６，２２を形成しているが、これに限定されず、他の方法として、例えばイオンビームスパッタ法やマグネトロンスパッタ法等のスパッタ法、またはゾルゲル法、または自己組織化法等の方法を採用することができる。
【００３０】
ここで、各無機配向膜１６，２２を形成する蒸着装置４０は、例えば図５（ａ）に示すように、無機配向膜材料の蒸気流を発生させる蒸着源５１２と、各基板１０，２０を保持する保持機構５１４とを備えている。各基板１０，２０は、蒸着源５１２と各基板１０，２０の基板面重心位置とを結ぶ基準線Ｘ１と、各基板１０，２０の被成膜面と垂直に交わる直線Ｘ２とのなす角θ０が、所定値となるように、保持機構５１４に保持される。
これにより、例えば図５（ａ），（ｂ）での矢印Ｙ１により示すように、蒸着源５１２から発生した無機材料の進行方向、すなわち無機材料の放出方向と、各基板１０，２０において配向膜が形成される基板面とのなす角度θ１は、角度θ０を変化させることによって調整可能となっている。
なお、この角度θ１は、無機配向膜１６，２２において配向制御を行うための表面形状効果が得られるように、後述する柱状構造物を基板面上に配列させるための所定値に設定されている。ただし、本実施形態では斜方蒸着を行うことから、角度θ１は９０°未満に設定されている。
【００３１】
この蒸着装置４０を用いて各基板１０，２０上に斜方蒸着を行うと、例えば図５（ｂ）での矢印Ｙ１により示すように、蒸着源５１２から昇華した配向膜材料が各基板１０，２０に対して一定の入射角度（傾斜角度）で連続入射する。
これにより、図５（ａ）に示すように、各基板１０，２０に配向膜材料が斜め柱状に堆積し、無機材料の柱状構造体が形成される。つまり、本実施形態において無機配向膜１６，２２は、各基板１０，２０の表面に無数に形成された柱状構造体により構成されている。
【００３２】
次に、第２級の飽和炭化水素化合物と、窒素原子および炭素原子を含むヘテロ環状化合物とによる気相化学成長（ＣＶＤ）法により無機配向膜１６，２２の表面を処理する。
具体的には、無機配向膜１６，２２を形成した各基板１０，２０をＣＶＤ装置（図示略）のチャンバ内に搬送した後、窒素ガスにより真空置換を行い、チャンバ内を窒素雰囲気とする。
そして、所定温度（例えば、３００℃等）かつ所定時間（例えば、１時間等）で各基板１０，２０を加熱し、無機配向膜１６，２２に潜在する水分を除去する。
【００３３】
次に、第２級の飽和炭化水素化合として所定量（例えば、０．１ｇ等）の２−メチルペンタンを貯留するガラス容器と、窒素原子および炭素原子を含むヘテロ環状化合物として所定量（例えば、３００μリットル等）のイミダゾールを貯留するガラス容器とをチャンバ内に導入する。
そして、所定温度（例えば、１８５℃等）かつ所定時間（例えば、４時間等）でチャンバ内を加熱する。
これにより、２−メチルペンタンとイミダゾールとは蒸発し、２−メチルペンタンの２位の炭素原子がカルボカチオン化し、このカルボカチオン化により陽子が脱離した状態がイミダゾールによって安定に維持される。そして、カルボカチオン化により脱離した陽子と無機配向膜１６，２２表面に存在するシラノール基とが結合し、カルボカチオン化された２−メチルペンタンが水素結合的に無機配向膜１６，２２の表面に吸着される。
【００３４】
次に、チャンバ内を室温まで冷却した後、表面処理が施された各基板１０，２０を、窒素雰囲気においてチャンバ内から搬出し、さらに、所定温度（例えば、３００℃等）かつ所定時間（例えば、数１０分等）で加熱する。この乾燥処理によって脱水縮合反応が生じ、カルボカチオン化された２−メチルペンタンと無機配向膜１６，２２とが結合する。
そして、大気雰囲気において、表面処理後の無機配向膜１６，２２の表面の疎水性の度合い（水に対する接触角）を測定し、一連の処理を終了する。
この２−メチルペンタンとイミダゾールとによるＣＶＤ法による一連の処理では、表面処理後の無機配向膜１６，２２の表面の水に対する接触角は、例えば１０３．２°程度となる。
【００３５】
なお、上述した一連の処理において、イミダゾールを省略した場合には、表面処理後の無機配向膜１６，２２の表面の水に対する接触角は、例えば３３．４°程度となり、２−メチルペンタンの２位の炭素原子のカルボカチオン化による陽子の脱離状態を安定に維持することが困難となることに起因して、表面処理後の無機配向膜１６，２２の疎水性の度合い（水に対する接触角）を向上させることができなくなる。
【００３６】
なお、上述した実施の形態では、無機配向膜１６，２２に対する表面処理を２−メチルペンタンにより行うとしたが、これに限定されず、例えば２−メチルヘプタン、２−メチルオクタン、２−メチルノナン等であってもよく、相対的に電子を吸引する官能基を備えることでβ位の水素を脱離し易く、いわゆるβ−水素脱離を利用して無機配向膜１６，２２の表面に存在する分極した水酸基との脱水縮合反応によって無機配向膜１６，２２の表面に結合する第２級の飽和炭化水素化合物であればよい。
例えば上述した一連の処理において、２−メチルペンタンの代わりに２−メチルヘプタンを用いた場合には、表面処理後の無機配向膜１６，２２の表面の水に対する接触角は、例えば８８．５°程度となり、２−メチルペンタンの代わりに２−メチルオクタンを用いた場合には、表面処理後の無機配向膜１６，２２の表面の水に対する接触角は、例えば６３．７°程度となる。
【００３７】
また、上述した実施の形態では、各基板１０，２０上にＳｉＯ２またはＳｉＯ等の珪素酸化物からなる各無機配向膜１６，２２を形成するとしたが、これに限定されず、例えばＡｌ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＭｇＦ、ＩＴＯ等の金属酸化物等の他の材料からなる無機配向膜１６，２２を形成してもよい。
【００３８】
上述したように、本実施の形態による液晶装置１００によれば、一対のＴＦＴアレイ基板１０および対向基板２０の内面に形成された無機配向膜１６，２２は、第２級の飽和炭化水素化合物と、窒素原子および炭素原子を含むヘテロ環状化合物とによるＣＶＤ法により表面が処理されていることから、例えばシランカップリング剤により表面が処理されている場合等のように、表面処理が行われた無機配向膜１６，２２の表面に存在する酸素原子に起因する水素結合性によって無機配向膜１６，２２の撥水性が低下してしまうことを防止し、液晶装置１００の耐湿性を向上させることができる。
しかも、斜方蒸着により形成された相対的に配向規制力が弱い無機配向膜１６，２２に対して、第２級の飽和炭化水素化合物とヘテロ環状化合物とによる表面処理を行うことで、配向規制力を向上させることができる。
【００３９】
また、本実施の形態による配向膜形成方法によれば、一対のＴＦＴアレイ基板１０および対向基板２０の内面に形成された無機配向膜１６，２２に対し、β位の水素を脱離し易い第２級の飽和炭化水素化合物による表面処理を行うことから、表面処理後の無機配向膜１６，２２に酸素原子が含まれることを防止し、酸素原子に起因する水素結合性によって表面処理後の無機配向膜１６，２２の表面の撥水性が低下することを防止することができる。
しかも、第２級の飽和炭化水素化合物による表面処理では、窒素原子および炭素原子を含むヘテロ環状化合物としてイミダゾールを用いることで、第２級の飽和炭化水素化合物の２位の炭素原子のカルボカチオン化による陽子の脱離状態を安定に維持することができ、第２級の飽和炭化水素化合物を水素結合的に無機配向膜１６，２２の表面に吸着させ易くすることができ、無機配向膜１６，２２の表面処理を効率よく行うことができる。
【００４０】
（プロジェクタ）
次に、本発明の電子機器の一実施形態としてのプロジェクタについて、図６を用いて説明する。図６は、プロジェクタの要部を示す概略構成図である。このプロジェクタは、上述した実施の形態に係る液晶装置１００を光変調手段として備えたものである。
【００４１】
このプロジェクタは、例えば光源８１０と、ダイクロイックミラー８１３，８１４と、反射ミラー８１５，８１６，８１７と、入射レンズ８１８と、リレーレンズ８１９と、出射レンズ８２０と、液晶装置１００からなる各光変調手段８２２，８２３，８２４と、クロスダイクロイックプリズム８２５と、投射レンズ８２６とを備えて構成され、光源８１０は、メタルハライド等のランプ８１１と、このランプ８１１の光を反射するリフレクタ８１２とを備えて構成されている。
【００４２】
ダイクロイックミラー８１３は、光源８１０からの白色光に含まれる赤色光を透過させると共に、青色光と緑色光とを反射する。このダイクロイックミラー８１３を透過した赤色光は反射ミラー８１７で反射されて、赤色光用光変調手段８２２に入射される。また、ダイクロイックミラー８１３で反射された緑色光は、ダイクロイックミラー８１４によって反射され、緑色光用光変調手段８２３に入射される。さらに、ダイクロイックミラー８１３で反射された青色光は、ダイクロイックミラー８１４を透過する。
なお、青色光に対しては、相対的に長い光路による光損失を防ぐため、入射レンズ８１８およびリレーレンズ８１９および出射レンズ８２０を含むリレーレンズ系からなる導光手段８２１が設けられている。この導光手段８２１を介して、青色光が青色光用光変調手段８２４に入射される。
【００４３】
各光変調手段８２２、８２３、８２４により変調された３つの色光は、クロスダイクロイックプリズム８２５に入射する。このクロスダイクロイックプリズム８２５は４つの直角プリズムを貼り合わせたものであり、隣り合う直角プリズム同士の界面には赤光を反射する誘電体多層膜と青光を反射する誘電体多層膜とがＸ字状に形成されている。これらの誘電体多層膜により３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が形成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ８２６によってスクリーン８２７上に投影され、画像が拡大されて表示される。
【００４４】
このプロジェクタによれば、耐光性及び耐熱性に優れた無機配向膜１６，２２を有する液晶装置１００を備えているため、光源８１０から照射される強い光や熱により無機配向膜１６，２２が劣化することは抑制される。また、このプロジェクタよれば、水分（湿気）に起因する液晶５０の劣化が確実に防止され、長寿命化が図られた液晶装置１００を備えているので、この電子機器自体も長寿命化が図られた信頼性の高いものとなる。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明の一実施形態に係る液晶装置の概略構成を示す平面図である。
【図２】本発明の一実施形態に係るＴＦＴの断面図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る液晶装置の等価回路図である。
【図４】本発明の一実施形態に係るＴＦＴの要部平面図である。
【図５】本発明の一実施形態に係る斜方蒸着装置の概略構成を示す図である。
【図６】本発明の一実施形態に係るプロジェクタの概略構成を示す平面図である。
【符号の説明】
【００４６】
１０  ＴＦＴアレイ基板（基板）  １６  無機配向膜（下地膜、配向膜）  ２０  対向基板（基板）  ２２  無機配向膜（下地膜、配向膜）  １００  液晶装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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