(57)【要約】【課題】  上側容器と下側容器との相互の接合面をシールリングによりシールする基板処理装置において、分割面相互の接触を防止する。【解決手段】  金属製の取付け基部に接合され、基板を高温・真空雰囲気中で処理するための処理室２０１を区画する石英、アルミナを含む耐熱性ガラス製の処理容器と、前記処理容器と前記取付け基部との接合面間に配置され、これら接合面間で圧縮荷重を支持することにより接合面間に所定クリアランスを形成する支持部材１５と、前記処理容器と前記取付け基部との接合面間に介設され、これら接合面間の圧縮荷重により弾性変形してシールするシールリングとを備え、前記支持部材がポリエーテルイミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリベンゾイミダゾールの中から選択された一つの耐熱性高分子樹脂から形成されたものである。【選択図】  図２
2008147420.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属製の取付け基部に接合され、基板を高温・真空雰囲気中で処理するための処理室を区画する石英、アルミナを含む耐熱性ガラス製の処理容器と、前記処理容器と前記取付け基部との接合面間に配置され、これら接合面間で圧縮荷重を支持することにより前記接合面間に所定クリアランスを形成する支持部材と、前記処理容器と前記取付け基部との接合面間に介設され、これら接合面間の圧縮荷重により弾性変形してシールするＯリングとを備え、前記支持部材がポリエーテルイミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリベンゾイミダゾールの中から選択された一つの耐熱性高分子樹脂から形成されたことを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は基板を所定温度、所定圧力で処理するための処理容器を備えた基板処理装置に関するものであり、特に、処理容器のシール構造に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
図４はこの種、従来の枚葉型基板処理装置の処理容器のシール構造を示す解説図である。
基板処理装置の処理容器２０３は、石英、アルミナ等の耐熱性ガラス製の上側容器２１０と金属製の下側容器２１１と、上側容器２１０と下側容器２１１とを連結するためのアタッチメントとから構成される。
アタッチメントは、上側容器２１０に取付ける上側容器側のアタッチメントと、下側容器２１１に取り付ける下側容器２１１側のアタッチメントに分離して形成されている。
上側容器は、ドーム状に形成されていて、その基部に鍔状のフランジ２１０ａが設けられており、下側容器２１１は椀型に形成されていてその側壁２１１ａに前記アタッチメントを介して上側容器２１０側のアタッチメントと連結するようになっている。
【０００３】
上側容器２１０のアタッチメントは、上側容器２１０の胴部２１０ｂに胴部２１０ｂの上端部から嵌合され上側容器２１０の下端部のフランジ２１０ａの上面に着座するリング状のパッキン８と、同じく、胴部２１０ｂに嵌合され、前記パッキン８を介してフランジ２１０ａに着座するリング状の上蓋４とで構成されており、下側容器２１１側のアタッチメントは、下側容器２１１の側壁２１１ａの上部から分離されたリング状の下蓋２から構成されている。上蓋４の外周部下面には、下蓋２との連結のための連結部材４ａが設けられ、下蓋２の上面には、フランジ２１０ａとのシールのための溝９が設けられ、シールリングとしてのＯリング６が取り付けられている。
下蓋２を下側容器２１１の側壁２１１ａに締結した状態で、上側容器２１０のフランジ２１０ａを、取付け基部としての下蓋２に載置し、この状態で上蓋４を下蓋２に締結すると、溝９のＯリング６が溝９の底とフランジ２１０ａの下面とに押圧されて密着する。この状態で、連結部材４ａは、下蓋２の上面に着座している。つまり、連結部材４ａは、上蓋4と下蓋２とを連結するだけでなく、フランジ２１０ａの下面と、溝９の底との間隔を
所定間隔に保持し、Ｏリング６をシールに十分なつぶれ代に弾性変形させるための部材として機能する。
【０００４】
なお、下側容器２１１の側壁２１１ａの上端面部には、下蓋２の下面との間でシールするための環状の溝１２が設けられ、シールシングとしてＯリング１１が取り付けられている。また、下側容器２１１の側壁２１１ａには排気管（図示せず）を介して減圧排気装置としての真空ポンプ（図示せず）が接続されており、処理容器２０３には、基板に向けて基板処理ガスを供給するためのシャワーヘッド２３６と、基板２００の上方、すなわち、上側容器２１０内に基板処理ガスの活性化を促すためのプラズマ領域を生成するための装置（図示せず）と、基板２００を支持しヒータ７により基板を加熱するためのサセプタ２１７とが備えられる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
このように従来は、処理容器を上側容器と下側容器とに分割して両者を接合する構造とするか、又はドーム型の処理容器を取付け基部に着座させて接合することによりメンテナンスを可能とし、さらに、上側容器、処理容器をそれぞれ石英又はアルミナ等の耐熱性ガラスで形成することで、耐熱性、耐プラズマ性を向上し、基板処理ガス及びその活性ガス
との化学変化を防止している。
しかし、上側容器２１０等の処理容器と下蓋２等の金属製の取付け基部との間のＯリング１１が真空ポンプによる減圧の際の取り付け基部に対する処理容器の引き付けによって圧縮を受け、さらに、基板処理の加熱による金属製の取付け基部の軸方向の熱膨張によって、Ｏリングのつぶれが大きくなり、フランジ２１０ａが下蓋２に接触すると、上側容器２１０等の処理容器と下蓋２などの金属製の取付け基部との熱膨張差による半径方向の摩擦力によってフランジ２１０ａが下蓋２に引っ張られ、耐熱性ガラスからなる処理容器に内部応力に起因した損傷が発生してしまうことがある。
【０００６】
本発明は、前記課題に鑑みて案出されたものであり、その目的は、金属製の取付け基部にＯリングを介して処理容器を接合する基板処理装置において、処理容器と取付け基部との間の圧縮荷重を支持部材に支持させることにより、両者間の熱膨張差に起因した処理容器の損傷を回避することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
第１の手段は、金属製の取付け基部に接合され、基板を高温・真空雰囲気中で処理するための処理室を区画する石英、アルミナを含む耐熱性ガラス製の処理容器と、前記処理容器と前記取付け基部との接合面間に配置され、これら接合面間で圧縮荷重を支持することにより前記接合面間に所定クリアランスを形成する支持部材と、前記処理容器と前記取付け基部との接合面間に介設され、これら接合面間の圧縮荷重により弾性変形してシールするＯリングとを備え、前記支持部材がポリエーテルイミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリベンゾイミダゾールの中から選択された一つの耐熱性高分子樹脂から形成されたものである。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、処金属製の取付け基部にＯリングを介して処理容器を接合する基板処理装置において、処理容器と取付け基部との熱膨張差による圧縮荷重を吸収ないし緩和することができ、処理容器の内部応力に起因した損傷を防止できる、という優れた効果が発揮される。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下にプラズマ処理炉に本発明を適用した本発明の一実施の形態を説明する。
プラズマ処理炉は、電界と磁界により高密度プラズマを生成する変形マグネトロン型プラズマ源（Ｍｏｄｉｆｉｅｄ  Ｍａｇｎｅｔｒｏｎ  Ｔｙｐｅｄ  Ｐｌａｓｍａ  Ｓｏｕｒｃｅ）を用いてウエハ等の基板２００をプラズマ処理する基板処理炉（以下、ＭＭＴ装置と称する）である。ＭＭＴ装置は、気密性を確保した処理室に基板を設置し、シャワーヘッドを介して反応ガスを処理室に導入し、処理室をある一定の圧力に保ち、放電用電極に高周波電力を供給して電界を形成するとともに磁界を形成し、マグネトロン放電を励起する。放電用電極から放出された電子がドリフトしながらサイクロイド運動を続けて周回することにより長寿命となって電離生成率を高めるので高密度プラズマを生成できる。このように反応ガスを励起分解させて基板表面を酸化または窒化等の拡散処理、または基板表面に薄膜を形成する、または基板表面をエッチングする等、基板へ各種のプラズマ処理を施すことができる。
図１に、このようなＭＭＴ装置の概略構成図を示す。
ＭＭＴ装置は、処理容器２０３を有し、この処理容器２０３は、第１の容器であるドーム型の上側容器２１０と第２の容器である碗型の下側容器２１１により形成され、上側容器２１０は下側容器２１１の上に被せられている。上側容器２１０は酸化アルミニウム又は石英等の非金属材料で形成されており、下側容器２１１はアルミニウムで形成されている。また後述するヒータ一体型の基板保持具（基板保持手段）であるサセプタ２１７を窒化アルミニウムや、セラミックス又は石英等の非金属材料で構成することによって、基板
処理の際に成膜中に取り込まれる金属汚染を低減している。
【００１０】
シャワーヘッド２３６は、処理室２０１の上部に設けられ、キャップ状の蓋体２３３と、ガス導入口２３４と、バッファ室２３７と、開口２３８と、遮蔽プレート２４０と、ガス噴出孔２３９とを備えている。バッファ室２３７は、ガス導入口２３４より導入されたガスを分散するための分散空間として設けられる。
【００１１】
ガス導入口２３４には、ガスを供給するガス供給管２３２が接続されており、ガス供給管２３２は、開閉弁であるバルブ２４３ａ、流量制御器（流量制御手段）であるマスフローコントローラ２４１を介して図中省略の反応ガス２３０のガスボンベに繋がっている。シャワーヘッド２３６から反応ガス２３０が処理室２０１に供給され、また、サセプタ２１７の周囲から処理室２０１の底方向へ基板処理後のガスが流れるように下側容器２１１の側壁２１１ａにガスを排気するガス排気口２３５が設けられている。ガス排気口２３５にはガスを排気するガス排気管２３１が接続されており、ガス排気管２３１は、圧力調整器であるＡＰＣ２４２、開閉弁であるバルブ２４３ｂを介して排気装置である真空ポンプ２４６に接続されている。
【００１２】
供給される反応ガス２３０を励起させる放電機構（放電手段）として、筒状、例えば円筒状に形成された第１の電極である筒状電極２１５が設けられる。筒状電極２１５は処理容器２０３（上側容器２１０）の外周に設置されて処理室２０１内のプラズマ生成領域２２４を囲んでいる。筒状電極２１５にはインピーダンスの整合を行う整合器２７２を介して高周波電力を印加する高周波電源２７３が接続されている。
【００１３】
また、筒状、例えば円筒状に形成された磁界形成機構（磁界形成手段）である筒状磁石２１６は筒状の永久磁石となっている。筒状磁石２１６は、筒状電極２１５の外表面の上下端近傍に配置される。上下の筒状磁石２１６、２１６は、処理室２０１の半径方向に沿った両端（内周端と外周端）に磁極を持ち、上下の筒状磁石２１６、２１６の磁極の向きが逆向きに設定されている。従って、内周部の磁極同士が異極となっており、これにより、筒状電極２１５の内周面に沿って円筒軸方向に磁力線を形成するようになっている。
【００１４】
処理室２０１の底側中央には、基板２００を保持するための基板保持具（基板保持手段）としてサセプタ２１７が配置されている。サセプタ２１７は、例えば窒化アルミニウムやセラミックス、又は石英等の非金属材料で形成され、内部に加熱機構（加熱手段）としてのヒータ（図中省略）が一体的に埋め込まれており、基板２００を加熱できるようになっている。ヒータは電力が印加されて基板２００を５００℃程度にまで加熱できるようになっている。
【００１５】
また、サセプタ２１７の内部には、さらにインピーダンスを変化させるための電極である第２の電極も装備されており、この第２の電極がインピーダンス可変機構２７４を介して接地されている。インピーダンス可変機構２７４は、コイルや可変コンデンサから構成され、コイルのパターン数や可変コンデンサの容量値を制御することによって、上記電極及びサセプタ２１７を介して基板２００の電位を制御できるようになっている。
【００１６】
基板２００をマグネトロン型プラズマ源でのマグネトロン放電により処理するための処理炉２０２は、少なくとも処理室２０１、処理容器２０３、サセプタ２１７、筒状電極２１５、筒状磁石２１６、シャワーヘッド２３６、及びガス排気口２３５から構成されており、処理室２０１で基板２００をプラズマ処理することが可能となっている。
【００１７】
筒状電極２１５及び筒状磁石２１６の周囲には、この筒状電極２１５及び筒状磁石２１６で形成される電界や磁界を外部環境や他処理炉等の装置に悪影響を及ぼさないように、
電界や磁界を有効に遮蔽する遮蔽板２２３が設けられている。
【００１８】
サセプタ２１７は下側容器２１１と絶縁され、サセプタ２１７を昇降させるサセプタ昇降機構（昇降手段）２６８が設けられている。またサセプタ２１７には貫通孔２１７ａが設けられ、下側容器２１１底面には基板２００を突上げるためのウエハ突上げピン２６６が少なくとも３箇所に設けられている。そして、サセプタ昇降機構２６８によりサセプタ２１７が下降させられた時にはウエハ突上げピン２６６がサセプタ２１７と非接触な状態で貫通孔２１７ａを突き抜けるような位置関係となるよう、貫通孔２１７ａ及びウエハ突上げピン２６６が配置される。
【００１９】
また、下側容器２１１の側壁２１１ａには仕切弁となるゲートバルブ２４４が設けられ、開いている時には図中省略の搬送機構（搬送手段）により処理室２０１に対して基板２００を搬入、または搬出することができ、閉まっている時には処理室２０１を気密に閉じることができる。
【００２０】
また、制御部（制御手段）としてのコントローラ１２１は信号線Ａを通じてＡＰＣ２４２、バルブ２４３ｂ、真空ポンプ２４６を、信号線Ｂを通じてサセプタ昇降機構２６８を、信号線Ｃを通じてゲートバルブ２４４を、信号線Ｄを通じて整合器２７２、高周波電源２７３を、信号線Ｅを通じてマスフローコントローラ２４１、バルブ２４３ａを、さらに図示しない信号線を通じてサセプタ２１７に埋め込まれたヒータやインピーダンス可変機構２７４をそれぞれ制御するよう構成されている。
【００２１】
次に、前記のような構成の処理炉を用いて、半導体デバイスの製造工程の一工程として、基板２００表面に対し、又は基板２００上に形成された下地膜の表面に対し所定のプラズマ処理を施す方法について説明する。尚、以下の説明において、基板処理装置を構成する各部の動作はコントローラ１２１により制御される。
【００２２】
基板２００は処理炉２０２を構成する処理室２０１の外部から基板２００を搬送する図中省略の搬送機構によって処理室２０１に搬入され、サセプタ２１７上に搬送される。この搬送動作の詳細は次の通りである。サセプタ２１７が基板搬送位置まで下降し、ウエハ突上げピン２６６の先端がサセプタ２１７の貫通孔２１７ａを通過する。このときサセプタ２１７表面よりも所定の高さ分だけ突き上げピン２６６が突き出された状態となる。
次に、下側容器２１１に設けられたゲートバルブ２４４が開かれ、図中省略の搬送機構によって基板２００をウエハ突上げピン２６６の先端に載置する。搬送機構が処理室２０１外へ退避すると、ゲートバルブ２４４が閉じられる。サセプタ２１７がサセプタ昇降機構２６８により上昇すると、サセプタ２１７上面に基板２００を載置することができ、更に基板２００を処理する位置まで上昇する。
【００２３】
サセプタ２１７に埋め込まれたヒータは予め加熱されており、搬入された基板２００を室温〜５００℃の範囲の内、所定のウエハ処理温度に加熱する。真空ポンプ２４６、及びＡＰＣ２４２を用いて処理室２０１の圧力を０．１〜１００Ｐａの範囲の内、所定の圧力に維持する。
【００２４】
基板（ウエハ）２００の温度が処理温度に達し、安定化したら、ガス導入口２３４から遮蔽プレート２４０のガス噴出孔２３９を介して、反応ガス（Ｎ２、Ｏ２、Ｈ２等）を処理室２０１に配置されている基板２００の上面（処理面）に向けて導入する。このときのガス流量は所定の流量とする。同時に筒状電極２１５に高周波電源２７３から整合器２７２を介して高周波電力を印加する。印加する電力は、１５０〜２００Ｗの範囲の内、所定の出力値を投入する。このときインピーダンス可変機構２７４は予め所望のインピーダンス値となるように制御しておく。
【００２５】
筒状磁石２１６、２１６の磁界の影響を受けてマグネトロン放電が発生し、基板２００の上方空間に電荷をトラップしてプラズマ生成領域２２４に高密度プラズマが生成される。そして、生成された高密度プラズマにより、サセプタ２１７上の基板２００の表面にプラズマ処理が施される。プラズマ処理が終わった基板２００は、図示略の搬送機構を用いて、基板搬入と逆の手順で処理室２０１外へ搬送される。
【００２６】
図２は処理容器２０３のシール構造を示す解説図であり、図３は図２のＡ部詳細図である。なお、図２、図３は、従来技術と比較が容易とするために図１で説明したＭＭＴ装置を簡略化して示している。以下、図１ないし図３及び図４で説明した構成と同一の構成部については同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００２７】
図２及び図３に示すように、この実施の形態では、基板２００を処理するための処理容器２０３が上側容器２１０と、この上側容器２１０が接合される下側容器２１１とに分割されており、下側容器側の金属製のアタッチメントと上側容器２１０側のアタッチメントとを介して連結される。上側容器２１０側のアタッチメントは、上側容器２１０の胴部２１０ｂの外周面に嵌合されるリング状のパッキン８と、同じく胴部２１０ｂに嵌合される上蓋４とで構成されており、下側容器２１１側のアタッチメントは、下側容器２１１の上部から分離され、上側容器２１０の下面にＯリング６を介して接合されるリング状の下蓋２で構成されている。下蓋２及び上蓋４は、下側容器２１１を構成する金属と同じ金属または線膨張係数が同じ金属、例えば、アルミニウムで形成される。
【００２８】
下蓋２の上面にはシールシングとしてのＯリング６と、リング状の支持部材１５とを同心円に設置するための溝９が設けられ、下側容器２１１の側壁２１１ａの上端面部には、シールリングとしてのＯリング１１を設置するための溝１２が設けられる。連結部材４ａは上蓋４の外周部下面に円周方向に間隔を隔てて複数、設けられているが、上蓋４と同芯のリング状に形成してもよいし、また、上蓋４ではなく下蓋２の上面の外周部に設けられていてもよい。
パッキン８及び支持部材１５の厚みは、下蓋２に連結部材４ａを介して上蓋４を連結したときに、溝９の底とフランジ２１０ａの下面との間に、シールが十分なつぶれ代にＯリング６が弾性変形させるように、且つこのときにフランジ２１０ａの下面と下蓋２の上面との間に相互の接触を回避するためのクリアランスｈを形成できるように定められる。
【００２９】
また、支持部材１５は、上側容器２１０と取り付け基部である下蓋２とが接触しないように上側容器２１０と下蓋２とに熱膨張差があっても支持部材１５を挟むことで熱膨張差を吸収することができ、温度が高温になっても圧縮変形しにくいポリエーテルイミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリベンゾイミダゾールの中から選択された一種の耐熱性高分子樹脂で形成されている。
【００３０】
下側容器２１１の側壁２１１ａに金属製の取付け基部として下蓋２を連結し、下蓋２のＯリング６に上側容器２１０のフランジ２１０ａの下面を支持させた状態で、上蓋４を下蓋２に締結すると、連結部材４ａの下面が下蓋２の上面に着座し、支持部材１５がフランジ２１０ａと溝９の底とに挟持されるので、Ｏリング６はシールに十分なつぶれ代に変形する。このとき、フランジ２１０ａの下面と下蓋２の上面との間には、クリアランスｈが形成され、相互に接触することがない。従って、真空ポンプにより処理室２０１を真空にしてもフランジ２１０ａの下面と下蓋２の上面との間の圧縮荷重が支持部材１５に支持されもクリアランスｈが保持されるので、Ｏリング６には減圧による圧縮力が作用しない。
処理室２０１の減圧後、ヒータ７を加熱すると、サセプタ、基板２００からの輻射熱や熱伝導によって支持部材１５も加熱されるが、支持部材１５の温度が通常の基板処理温度に相当する１５０℃未満では、支持部材１５の圧縮クリープ変形は大きくない。このため
、支持部材１５の温度が１５０℃未満では、フランジ２１０ａの下面と下蓋２の上面との間の圧縮荷重が支持部材１５に支持され、フランジ２１０ａの下面と下蓋２の上面との間のクリアランスｈは減圧前に近いクリアランスに保持される。
【００３１】
つまり、前記支持部材１５は安価なＰＴＦＥ製で製作されることが多いが、ＰＴＦＥは１００℃以上で圧縮クリープ変形を開始する、このため、支持部材１５の温度が１５０℃以上になり、上側容器２１０が下蓋２に押し付けられ支持持部材１５の変形量が大きくなる、すなわち、支持部材１５がつぶれて薄くなると、金属製の取付け基部である下蓋２に石英又はアルミナなどの耐熱性ガラスからなる上側容器２１０が接触し、相互間に摩擦力が働く状態となる。そして、この接触状態で下蓋２と上側容器２１０の温度がＰＴＦＥの圧縮クリープ温度を超える温度、すなわち、１５０℃以上に変化すると、金属と耐熱性ガラスの熱膨張差に対応した上側容器２１０と下蓋２との間の半径方向の摩擦力によって、上側容器２１０のフランジ２１０ａが金属製の下蓋２に引っ張られてしまうので、上側容器２１０が過大な内部応力によって破損してしまうことがある。
しかし、本実施の形態においては、支持部材１５は、温度が高くなっても圧縮変形がしにくい、ポリエーテルイミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリベンゾイミダゾールで形成されていて、温度が１００〜１５０℃に高くなっても前記したような熱膨張差に起因する内部応力が上側容器２１０に発生しないので、上側容器２１０の損傷が防止される。
【００３２】
以下、本実施の形態に係る実施の態様を付記する。
【００３３】
［実施の態様１］
金属製の取付け基部に接合され、基板を高温・真空雰囲気中で処理するための処理室を区画する石英、アルミナを含む耐熱性ガラス製の処理容器と、前記処理容器と前記取付け基部との接合面間に配置され、これら接合面間で圧縮荷重を支持することにより前記接合面間に所定クリアランスを形成する支持部材と、前記処理容器と前記取付け基部との接合面間に介設され、これら接合面間の圧縮荷重により弾性変形してシールするＯリングとを備え、前記支持部材がポリエーテルイミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリベンゾイミダゾールの中から選択された一つの耐熱性高分子樹脂から形成された基板処理装置。
ここで、処理室とは、基板に対して、酸化、拡散、成膜を施すための処理空間のことをいう。支持部材は、処理容器と取付け基部との間に配置されていてこれらの間に所定のクリアランスを保持し、Ｏリングは支持部材によって設定されたクリアランス間で弾性変形することにより、処理容器と取付け基部との間をシールする。この状態で処理室を減圧すると、処理室は高温・真空となり、基板処理が可能となる。ポリエーテルイミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリベンゾイミダゾールの高温クリープの開始温度は、１５０℃以上であり、一般に、用いられている安価なＰＴＦＥの圧縮クリープ温度は１５０℃以下である。従って、ＰＴＦＥで支持部材を形成した場合は、１００〜１５０℃の温度で圧縮クリープ変形により支持部材のつぶれが大きくなって取付け基部に支持部材が接触し、取付け基部と処理容器との間に摩擦が発生する。摩擦が発生すると、取付け基部の熱膨張が処理容器よりも大きいので、熱膨張差に対応した摩擦力によって処理容器が半径方向外向きに取付け基部に引っ張られ、このときの内部応力によって処理容器が損傷する。しかし、前記したように、支持部材がポリエーテルイミド、ポリイミド、ポリアミドイミド又はポリベンゾイミダゾールから形成されると、１００〜１５０℃の温度では支持部材の変形は僅かとなって処理容器が取付け基部に接触することがないので、このような損傷から処理容器が保護される。
【００３４】
［実施の態様２］
石英又はアルミナ等の耐熱性ガラスで形成された上側容器と金属で形成された下側容器とに分割して形成され、互いに接合されたとき、基板を高温・真空雰囲気中で処理するた
めの処理室を区画する処理容器と、前記上側容器と前記下側容器との接合面間に配置され、これら接合面間で圧縮荷重を支持することにより前記接合面間に所定クリアランスを形成する支持部材と、前記接合面間に介設され、前記接合面間の圧縮荷重により弾性変形してシールするシールリングとを備え、前記支持部材がポリエーテルイミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリベンゾイミダゾールの中から選択された一つの耐熱性高分子樹脂から形成された基板処理装置。
ここで、上側容器は実施の態様１の処理容器に対応し、下側容器は実施の態様１の金属製の取付け基部に対応する。このようにしても実施の態様１と同様に、上側容器と下側容器との接触及び上側容器と下側容器の熱膨張差に起因する処理容器の内部応力による損傷を防止することができる。
【００３５】
なお、前記支持部材１５は、膜種や基板処理の種別等、基板処理装置の運転仕様に基づいて前記した複数の耐熱性高分子樹脂から形成されるものである。
【００３６】
また、下蓋２を含めたその周辺部の温度を、基板処理ガス、反応ガス、反応副生成物の蒸発温度を越えたその近傍の温度に調節した場合は、上側容器２１０、下側容器２１１に対する反応生成物、反応副生成物の付着を防止することができるので、反応副生成物の剥離、落下に起因するパーティクルを排除することも可能となる。
【００３７】
また、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリベンゾイミダゾールの三種類の支持部材要素でひとつのリング状の支持部材１５を構成してもよい。この場合、これら支持部材要素は、三種類の耐熱性支持部材要素により段階的に圧縮クリープ変形を生じさせるように厚みを調節してもよい。
このようにすると、支持部材要素が温度が高くなるに連れて段階的に変形し、各温度での上側容器２１０のフランジ２１０に対する下蓋２の接触が防止され、それぞれ上側容器２の内部応力により損傷が防止される。なお、別の態様として、上述したように厚みが異なり、圧縮クリープ変形の開始温度が異なる複数のリング状の支持部材１５を、溝９に対して同心円上に配置し、これらの支持部材１５により、同様に、各温度での上側容器２１０のフランジ２１０に対する下蓋２の接触が防止するようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の一例を示す構成図である。
【図２】本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の一例を示す解説図である。
【図３】本発明の実施形態と同時に案出され検討された基板処理装置の一例を示す解説図である。
【図４】従来の基板処理装置の一例を示す解説図である。
【符号の説明】
【００３９】
２      下蓋
３      処理容器
４      上蓋
４ａ    連結部材
６      Ｏリング（シールリング）
７      ヒータ
８      パッキン
９      溝
１１    Ｏリング
１２    溝
１５    支持部材
２００  基板
２０１  処理室
２０３  処理容器
２１０  上側容器
２１０ｂ  胴部
２１０ａ  フランジ
２１１  下側容器（取付け基部）
２１１ａ  側壁
２１７  サセプタ
ｈ      隙間
【図１】
2008147420.tif 000003
【図２】
2008147420.tif 000004
【図３】
2008147420.tif 000005
【図４】
2008147420.tif 000006