(57)【要約】【課題】ＬＣフィルタとして用いられたときのフィルタ特性の劣化が抑制されたＬＣ複合型の電子部品を提供すること。【解決手段】基板１と、基板１上に設けられた下部導体層２と、下部導体層２を覆う無機誘電体膜５と、無機誘電体膜５上に設けられた上部電極部３Ｃを有する上部導体層３と、を備え、下部導体層２は、上部電極部３Ｃ及び無機誘電体膜５とともにコンデンサＣ１を構成する下部電極部２Ｃと、インダクタＬ１を構成するコイル部２Ｌと、を有し、無機誘電体膜５全体が一体に形成されており、下部導体層２は基板１、無機誘電体膜５及び上部導体層３にのみ接している、電子部品１００。【選択図】図２
2008034626.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
該基板上に設けられた下部導体層と、
該下部導体層を覆う無機誘電体膜と、
該無機誘電体膜上に設けられた上部電極部を有する上部導体層と、を備え、
前記下部導体層は、前記上部電極部及び前記無機誘電体膜とともにコンデンサを構成する下部電極部と、インダクタを構成するコイル部と、を有し、
前記無機誘電体膜全体が一体に形成されており、
前記下部導体層は前記基板、前記無機誘電体膜及び前記上部導体層にのみ接している、電子部品。
【請求項２】
基板と、
該基板上に設けられた下部導体層と、
該下部導体層を覆う無機誘電体膜と、
該無機誘電体膜の前記基板と反対側の面上に設けられ、前記無機誘電体膜を底部とする開口部が形成されるようにパターン化された有機絶縁層と、
前記開口部内で前記無機誘電体膜上に設けられた上部電極部を有する上部導体層と、を備え、
前記下部導体層は、前記上部電極部及び前記無機誘電体膜とともにコンデンサを構成する下部電極部と、インダクタを構成するコイル部と、を有し、
前記無機誘電体膜全体が一体に形成されており、
前記下部導体層と前記有機絶縁層とは、前記無機誘電体膜を介して互いに離間している、電子部品。
【請求項３】
前記下部導体層は前記基板、前記無機誘電体膜及び前記上部導体層にのみ接している、請求項２記載の電子部品。
【請求項４】
前記下部導体層はめっきにより形成された銅めっき層を含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載の電子部品。
【請求項５】
帯域透過フィルタである、請求項１〜４のいずれか一項に記載の電子部品。
【請求項６】
基板上に設けられた下部導体層を覆う無機誘電体膜を形成する工程と、
前記無機誘電体膜上に形成された上部電極部を有する上部導体層を形成する工程と、を備え、
前記下部導体層は、前記無機誘電体膜及び前記上部電極部とともにコンデンサを構成する下部電極部と、インダクタを構成するコイル部と、を有し、前記下部電極部及び前記コイル部は一体に形成されており、
前記無機誘電体膜は全体が一体に形成され、
前記無機誘電体膜及び前記上部導体層は、前記下部導体層が前記基板、前記無機誘電体膜及び前記上部導体層にのみ接するように形成される、電子部品の製造方法。
【請求項７】
基板上に設けられた下部導体層を覆う無機誘電体膜を形成する工程と、
該無機誘電体膜の前記基板と反対側の面上に、前記無機誘電体膜を底部とする開口部が形成されるようにパターン化された有機絶縁層を形成する工程と、
前記開口部内で前記無機誘電体膜上に形成された上部電極部を有する上部導体層を形成する工程と、を備え、
前記下部導体層は、前記無機誘電体膜及び前記上部電極部とともにコンデンサを構成する下部電極部と、インダクタを構成するコイル部と、を有し、前記下部電極部及び前記コイル部は一体に形成されており、
前記無機誘電体膜は全体が一体に形成され、
前記無機誘電体膜及び前記有機絶縁層は、前記下部導体層と前記有機絶縁層とが前記無機誘電体膜を介して互いに離間するように形成される、電子部品の製造方法。
【請求項８】
前記無機誘電体膜及び前記上部導体層は、前記下部導体層が前記基板、前記無機誘電体膜及び前記上部導体層にのみ接するように形成される、請求項７記載の製造方法。
【請求項９】
前記有機絶縁層を形成する工程は、
前記無機誘電体膜上に形成された感光性樹脂層への露光及び現像によりこれをパターン化する工程と、
パターン化された前記感光性樹脂層を加熱する工程と、を含む、請求項６〜８のいずれか一項に記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＬＣ回路を有する電子部品及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
パーソナルコンピュータ、携帯電話機等の電子機器においては、薄膜形成技術を用いて製造された薄膜電子部品が用いられる。薄膜電子部品としては、コンデンサ及びインダクタを有するＬＣ回路が形成されたＬＣ複合型の電子部品等がある。ＬＣ複合型の電子部品は、例えば、低域透過フィルタ（Ｌｏｗ  Ｐａｓｓ  Ｆｉｌｔｅｒ）、高域透過フィルタ（Ｈｉｇｈ  Ｐａｓｓ  Ｆｉｌｔｅｒ）、帯域透過フィルタ（Ｂａｎｄ  Ｐａｓｓ  Ｆｉｌｔｅｒ）、所定の周波数範囲の信号を除去するトラップフィルタ（Ｔｒａｐ  Ｆｉｌｔｅｒ）等のＬＣフィルタとして用いられる。
【０００３】
ところで、基板上に下部電極、誘電体層及び上部電極がこの順で積層された薄膜キャパシタ素子において、下部電極の周縁部を覆う絶縁体層が感光性樹脂を用いて形成され、この絶縁体層の開口内に上部電極が形成された構成を有するものが提案されている（特許文献１）。また、ＬＣ複合型の電子部品に関する文献として、特許文献２〜５がある。
【特許文献１】特開２００２−２５８６４号公報
【特許文献２】特開平１０−５１２５７号公報
【特許文献３】特開平１０−６５４７６号公報
【特許文献４】特開平１０−１５０３３７号公報
【特許文献５】特開２０００−２２３３６１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、本発明者らの知見によれば、コンデンサ及びインダクタを有するＬＣ複合型の電子部品において、コンデンサの電極部分等の導体層に有機絶縁層等が接している場合、電子部品をＬＣフィルタとして用いたときにフィルタ特性が劣化し易い傾向にある。より具体的には、例えば、長期使用後にＬＣフィルタとしての周波数の選択性が低下し易い傾向にある。
【０００５】
そこで、本発明は、ＬＣフィルタとして用いられたときのフィルタ特性の劣化が抑制されたＬＣ複合型の電子部品を提供することを目的とする。また、本発明は、ＬＣフィルタとして用いられたときのフィルタ特性の劣化が抑制されたＬＣ複合型の電子部品を製造することを可能にする製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、基板と、該基板上に設けられた下部導体層と、該下部導体層を覆う無機誘電体膜と、該無機誘電体膜上に設けられた上部電極部を有する上部導体層と、を備え、下部導体層は、上部電極部及び無機誘電体膜とともにコンデンサを構成する下部電極部と、インダクタを構成するコイル部と、を有し、無機誘電体膜全体が一体に形成されており、下部導体層は基板、無機誘電体膜及び上部導体層にのみ接している、電子部品である。
【０００７】
あるいは、本発明は、基板と、該基板上に設けられた下部導体層と、該下部導体層を覆う無機誘電体膜と、該無機誘電体膜の基板と反対側の面上に設けられ、無機誘電体膜を底部とする開口部が形成されるようにパターン化された有機絶縁層と、開口部内で無機誘電体膜上に設けられた上部電極部を有する上部導体層と、を備え、下部導体層は、上部電極部及び無機誘電体膜とともにコンデンサを構成する下部電極部と、インダクタを構成するコイル部と、を有し、無機誘電体膜全体が一体に形成されており、下部導体層と有機絶縁層とは、無機誘電体膜を介して互いに離間している、電子部品である。この場合も、下部導体層は基板、無機誘電体膜及び上部導体層にのみ接していてもよい。
【０００８】
上記本発明に係る電子部品においては、有機絶縁層が設けられる場合であっても、有機絶縁層が無機誘電体膜を介して下部導体層と離間するように形成される。これにより、下部導体層を構成する金属成分の有機絶縁層へのエレクトロマイグレーションが防止される。このエレクトロマイグレーションが発生すると、有機絶縁層の絶縁抵抗が低下して、コンデンサを構成する上部電極及び下部電極の間や、インダクタのコイル部においてリーク電流が増大する。本発明に係る電子部品の場合、有機絶縁層と下部導体層とが離間していることによりこのリーク電流の増大が防止され、その結果、ＬＣフィルタとして用いられたときのフィルタ特性の劣化が抑制されると考えられる。
【０００９】
更に、本発明は、基板上に設けられた下部導体層を覆う無機誘電体膜を形成する工程と、無機誘電体膜上に形成された上部電極部を有する上部導体層を形成する工程と、を備え、下部導体層は、無機誘電体膜及び上部電極部とともにコンデンサを構成する下部電極部と、インダクタを構成するコイル部と、を有し、下部電極部及びコイル部は一体に形成されており、無機誘電体膜は全体が一体に形成され、無機誘電体膜及び上部導体層は、下部導体層が基板、無機誘電体膜及び上部導体層にのみ接するように形成される、電子部品の製造方法である。
【００１０】
あるいは、本発明は、基板に隣接して設けられた下部導体層を覆う無機誘電体膜を形成する工程と、該無機誘電体膜の下部導体層と反対側の面上に、無機誘電体膜を底部とする開口部が形成されるようにパターン化された有機絶縁層を形成する工程と、開口部内で無機誘電体膜と隣接して形成された上部電極部を有する上部導体層を形成する工程と、を備え、無機誘電体膜及び有機絶縁層は、下部導体層と有機絶縁層とが無機誘電体膜を介して互いに離間するように形成される、電子部品の製造方法である。この方法の場合も、無機誘電体膜及び上部導体層が、下部導体層が基板、無機誘電体膜及び上部導体層にのみ接するように形成されてもよい。
【００１１】
上記本発明に係る電子部品によれば、ＬＣフィルタとして用いられたときのフィルタ特性の劣化が抑制されたＬＣ複合型の電子部品を製造することが可能である。
【００１２】
上記本発明に係る方法により得られる電子部品の場合、下部導体層の下部電極部及びインダクタ部が一体に形成されており、これらを覆う無機誘電体膜も一体に形成される。これにより、得られる電子部品における下部導体層は、下部電極部及びインダクタ部をそれぞれ別個に形成してから接続した場合と比べて、その表面状態がより均一な状態となる。また、電子部品として使用を重ねていくと、下部導体層の表面粗さが増大するとともに表面状態のばらつきが増大する傾向にあるが、上記本発明に係る方法により得られる電子部品の場合、下部電極部及びインダクタ部をそれぞれ別個に形成してから接続した場合と比べて、下部導体層の表面状態のばらつきが小さくなる。すなわち、本発明に係る方法により得られる電子部品は、下部電極部及びインダクタ部をそれぞれ別個に形成してから接続したものと比較して、表面粗さの均一性の点で大きく異なる。高周波用途の電子部品の場合、いわゆる表皮効果によって導体層の表層に電流が流れ易くなるため、この表面粗さの均一性が高いことが極めて重要である。表面粗さの均一性が高いと電流がより均一に流れるようになり、その結果、電子部品の特性向上とともに電子部品間の品質のばらつきの抑制が可能となる。このような特性のばらつき抑制は、電子部品の小型化にともなってより重要となる。
【００１３】
有機絶縁層を形成する工程は、無機誘電体膜上に形成された感光性樹脂層への露光及び現像によりこれをパターン化する工程と、パターン化された感光性樹脂層を加熱する工程と、を含むことが好ましい。
【００１４】
感光性樹脂層を用いることにより、高精細且つ高精度な有機絶縁層を低コストで効率的に形成することが可能である。更に、パターン化された感光性樹脂層を加熱することにより、耐熱性に優れた有機絶縁層が形成される。
【００１５】
ここで、下部導体層は一般にＣｕ等の金属から構成されており、金属から構成された下部導体層が有機絶縁層と接している場合、感光性樹脂層の加熱の際に下部導体層が高温に曝されると、有機絶縁層と接している部分の表面が著しく粗面化される場合がある。下部導体層の表面が粗面化されると、電流損失が大きくなる傾向にある。特に高周波用途の電子部品の場合、いわゆる表皮効果によって導体層の表層に電流が流れ易くなるため、粗面化による電流損失の影響が大きくなる。
【００１６】
これに対して、本発明者らの知見によれば、無機誘電体膜に覆われた状態で感光性樹脂層を加熱することにより、下部導体層表面の粗面化が効果的に抑制される。また、得られる電子部品において下部導体層表面が無機誘電体膜によって均一に覆われた状態となるため、下部導体層の表面粗さがより均一化されて、表面粗さの１つの電子部品内でのばらつき、及び複数の電子部品間におけるばらつきが抑制される。
【００１７】
下部導体層はめっきにより形成された銅めっき層を含むことが好ましい。銅めっき層の場合エレクトロマイグレーションや加熱による表面粗さの増大が発生し易く、上記本発明を適用することが特に有用である。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、ＬＣフィルタとして用いられたときのフィルタ特性の劣化が抑制されたＬＣ複合型の電子部品が提供される。
【００１９】
また、本発明によれば、ＬＣフィルタとして用いられたときのフィルタ特性の劣化が抑制されたＬＣ複合型の電子部品を製造することを可能にする製造方法が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。ただし、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。なお、図面中、同一又は相当する部分には原則として同一符号を付することとする。
【００２１】
図１は、本発明の一実施形態に係る電子部品を示す平面図及び等価回路図である。図２は、図１の（ａ）におけるＩＩ−ＩＩ線に沿った端面図である。
【００２２】
図１、２に示す電子部品１００は、基板１と、基板１の主面上で基板１に隣接して設けられた下部導体層２と、下部導体層２を覆う無機誘電体膜５と、無機誘電体膜５の基板１と反対側の面上に設けられ、無機誘電体膜５を底部とする開口部７ａが形成されるようにパターン化された有機絶縁層７と、基板１、下部導体層２、無機誘電体膜５及び有機絶縁層７から構成される積層体の有機絶縁層７側の面上に形成された上部導体層３と、を備える。なお、図１の（ａ）は無機誘電体膜５及び有機絶縁層７を省略して描画されている。
【００２３】
有機絶縁層７と下部導体層２とは互いに接することなく配置されている。すなわち、両者は無機誘電体膜５を介して互いに離間している。言い換えると、下部導体層２は、連結部３Ｂと接している部分以外の表面は単一の相から構成された無機誘電体膜５によって完全に覆われており、下部導体層２は、基板１、無機誘電体膜５及び上部導体層３にのみ接している。
【００２４】
上部導体層３は、開口部７ａ内で無機誘電体膜５と隣接して形成された上部電極部３Ｃと、上部電極部３Ｃと一体に形成され、電子部品１００の端部に露出する引き出し導体部３Ａ１と、有機絶縁層７上に形成され、電子部品１００の端部に露出する引き出し導体部３Ａ２と、有機絶縁層７及び無機誘電体膜５を貫通して引き出し導体部３Ａ２と下部導体層２とを連結する連結部３Ｂと、を有している。連結部３Ｂは引き出し導体部３Ａ２と一体に形成されている。
【００２５】
上部導体層３は、引き出し導体部３Ａ１及び３Ａ２により外部と接続される。上部導体層３は、有機絶縁層７上でスパイラル状等にパターン化されたコイル部を更に有していてもよい。
【００２６】
下部導体層２は、上部電極部３Ｃ及び無機誘電体膜５とともにコンデンサＣ１を構成する下部電極部２Ｃと、インダクタＬ１を構成するコイル部２Ｌとを有している。言い換えると、下部導体層２のうち、上部電極部３Ｃと対向している部分が下部電極部２Ｃであり、スパイラル状のコイルパターンが形成されている部分がコイル部２Ｌである。両者は一体に形成されている。下部電極部２Ｃ及び上部電極部３Ｃとこれらに挟まれる部分の無機誘電体膜５とから構成されるコンデンサＣ１と、コイル部２Ｌから構成されるインダクタＬ１とにより、ＬＣ回路としての直列共振回路が形成されている。すなわち、電子部品１００はＬＣ複合型の薄膜電子部品である。
【００２７】
下部導体層２は、基板１と隣接して形成されたシード層２１と、シード層２１上に形成されためっき層２２とを含む。上部導体層３は、有機絶縁層７、無機誘電体膜５又は下部導体層３と隣接して形成されたシード層３１と、シード層３１上に形成されためっき層３２とを含む。
【００２８】
めっき層２２，３２はシード層２１，３１上に電解めっき法により形成された層である。シード層２１，３１及びめっき層２２，３２は、それぞれ、Ｃｕ、Ｔｉ又はこれらを含む合金から形成されることが好ましい。めっき層２２がＣｕを含んでいる銅めっき層である場合、加熱による表面粗さの増大や、エレクトロマイグレーションが発生しやすいため、本実施形態のような構成を有する電子部品を採用することが特に有用である。
【００２９】
基板１は、ベース基板１１と、ベース基板１１の一方面上に形成された平坦化膜１２とから構成される。ベース基板１１及び平坦化膜１２は、例えば、アルミナ等のセラミックから形成されている。平坦化膜１２のベース基板１１と反対側の表面、すなわち薄膜部材が形成される側の面は研磨等により平坦化されている。
【００３０】
無機誘電体膜５は、下部導体層２表面全体を覆うとともに、基板１の平坦化膜１２側の面も覆うようにその全体が一体に形成されている。無機誘電体膜５には、コイル部２Ｌの内周側の端部を底部とする断面矩形状の開口部が形成されており、この開口部内で連結部３Ｂと下部導体層２とが連結される。無機誘電体膜５においては、下部電極部２Ｃを覆う部分と、コイル部２Ｌを覆う部分とが一体に形成されている。これにより、下部導体層や無機誘電体膜の剥離が抑制されるという効果も奏される。更には、無機誘電体膜５が一体に形成されている場合、コンデンサとインダクタとを近接して配置することも比較的容易であり、電子部品の高集積化の面でも有利である。また、無機誘電体膜の各部分を別々に形成させることなく一つの工程で一括して形成させることが可能になるため、製造工程の簡略化に関する利点も得られる。
【００３１】
無機誘電体膜５の膜厚（特に、基板１と反対側の面上における厚さｔ）は、下部導体層２の厚さよりも薄い。より具体的には、無機誘電体膜５の厚さｔは好ましくは１０〜１０００ｎｍであり、より好ましくは５０〜５００ｎｍである。この厚さが１０ｎｍ未満であると上部電極部３Ｃと下部電極部２Ｃとの絶縁性を維持することが困難となる傾向にあり、１０００ｎｍを超えると誘電体膜が有する応力に起因してクラックや剥離等の不具合が生じ易くなる傾向がある。
【００３２】
無機誘電体膜５は、アルミナ、窒化アルミニウム、シリカ、窒化珪素、酸化タンタル、酸化ニオブ、酸化チタン、チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウムストロンチウム及びジルコン酸チタン酸鉛からなる群より選ばれる少なくとも１種の誘電体材料を含むことが好ましい。
【００３３】
有機絶縁層７は、所定の開口部が形成されるようにパターン化された絶縁性の有機材料から構成される層である。有機絶縁層７は、無機誘電体膜５を底部とする開口部７ａ、及び連結部３Ｂが形成されている貫通孔が形成されたパターンを有している。有機絶縁層７の厚さは、数μｍ以上、より具体的には３〜２０μｍであることが好ましい。
【００３４】
有機絶縁層７は、典型的には、感光性樹脂の硬化物からなるレジストパターンである。この感光性樹脂としては、耐熱性に優れる点等から感光性ポリイミドが好適に用いられる。
【００３５】
図３、４、５及び６は、電子部品１００の製造方法に係る一実施形態を端面図により示す工程図である。図３〜６に示される製造方法は、基板１の主面上にこれと隣接する下部導体層２を形成する工程と、基板１に隣接して設けられた下部導体層２を覆う無機誘電体膜５を形成する工程と、無機誘電体膜５の基板１と反対側の面上に、無機誘電体膜５を底部とする開口部７ａが形成されるようにパターン化された有機絶縁層７を形成する工程と、開口部７ａ内で無機誘電体膜５と隣接して形成された上部電極部３Ｃを有する上部導体層３を形成する工程と、を備える。
【００３６】
本実施形態に係る製造方法では、まず、基板１の平坦化膜１２側の面上にシード層２１が形成される（図３の（ａ））。基板１は、ベース基板１１上にスパッタリング法等により平坦化膜１２を成膜し、これを研磨により平坦化して準備される。研磨は化学的機械研磨等の方法により行われる。シード層２１は、膜厚３０ｎｍ程度のチタン層、及び膜厚１００ｎｍ程度のＣｕ層が積層された構成を有しており、平坦化膜１２上に各層がスパッタリング法により順次成膜される。続いて、感光性樹脂を用いてシード層２１上にレジストパターン４０が形成され（図３の（ｂ））、レジストパターン４０をマスクとして用いた電解めっきによりめっき層２２が形成される（図３の（ｃ））。
【００３７】
めっき層２２の形成の後、レジストパターン４０はエッチングにより除去される（図４の（ａ））。そして、めっき層２２によって覆われていない部分のシード層２１がドライエッチング又はウェットエッチングにより除去され、コイル部２Ｌ及び下部電極部２Ｃを有する下部導体層２が形成される（図４の（ｂ））。次いで、下部導体層２の表面のうち基板１と接していない部分の表面全体を覆うとともに、基板１の平坦化膜１２側の面を覆うように、無機誘電体膜５が一体的に形成される（図４の（ｃ））。無機誘電体膜５は、例えばスパッタリング法により形成される。
【００３８】
続いて、無機誘電体膜５上に、上部電極部３Ｃが形成される位置に無機誘電体膜５を底部とする開口部７ａが形成され、連結部３Ｂが形成される位置に開口部７ｂが形成されるようにパターン化された有機絶縁層７が形成される（図５の（ａ））。有機絶縁層７は、例えば、無機誘電体膜５上に感光性樹脂層を形成し、パターン露光及び現像によりこれをパターン化する工程と、パターン化された感光性樹脂層を加熱する工程とを経て形成される。感光性樹脂層の加熱により、耐熱性の優れた有機絶縁層７が得られる。感光性樹脂を用いることにより、高精細且つ高精度にパターン化された有機絶縁層７を低コストで製造することが可能である。
【００３９】
有機絶縁層７を形成するための感光性樹脂として感光性ポリイミドを用いる場合、感光性樹脂層を加熱する温度は通常２００〜４００℃程度である。この加熱の際、下部導体層２は無機誘電体膜５によってその表面が覆われているため、下部導体層２表面の粗面化が抑制される。めっき層２２が有機絶縁層に接した状態で２００〜４００℃に加熱されると、結晶粒の成長によりその表面粗さＲａが大きく増大する。特に銅めっき層の場合に表面粗さの増大が顕著である。これに対して、本実施形態のようにめっき層２２が無機誘電体膜５によって覆われた状態で加熱される場合、そのような表面粗さの増大が抑制されることを本発明者らは見出した。また、加熱による下部導体層の表面粗さの変化の程度は、表面に接している材料の種類に依存すると考えられるが、本実施形態のように無機誘電体膜５が一体的に形成されていることにより、加熱後の下部導体層の表面粗さの均一性も高められる。表面粗さが均一であると、電子部品の特性のばらつきが抑制される。
【００４０】
有機絶縁層７の形成の後、開口部７ｂと連通する開口部４１ｂが形成されたパターンを有するレジストパターン４１が感光性樹脂を用いて形成され、次いで、レジストパターン４１をマスクとするエッチングにより無機誘電体膜５の一部が除去される（図５の（ｂ））。その後、レジストパターン４１が除去される（図５の（ｃ））。これにより、連結部３Ｂが形成される位置において下部導体層２が露出した状態となる。
【００４１】
そして、基板１、下部導体層２、無機誘電体膜５及び有機絶縁層７から構成される積層体の有機絶縁層７側の面上に上部導体層３が形成される。上部導体層３は、シード層３１をスパッタリング法により形成し（図６の（ａ））、シード層３１上に電解めっき法によってめっき層３２を形成させる方法により形成される（図６の（ｂ））。その後、めっき層３２によって覆われていない部分のシード層３１が除去されて、電子部品１００が得られる（図６の（ｃ））。
【００４２】
上部導体層３側の面を覆う保護膜を形成させてもよい。また、単一の基板上に複数の同様の積層構造を形成させてから、個々の電子部品を切り出してもよい。
【００４３】
本発明は以上のような実施形態に限定されるものではない。例えば、電子部品をＬＣフィルタとして用いる場合、図７、８に示す平面図及び等価回路図のようなＬＣ回路が構成されるように、下部導体層、上部導体層、無機誘電体膜、有機絶縁層等が積層される。図７は低域透過フィルタ、図８は高域透過フィルタの例である。図７、８の電子部品の場合、下部導体層２が、電子部品の端部に露出するように形成された引き出し導体部２Ａを、コイル部２Ｌと下部電極部２Ｃとの間の位置に有している。また、本発明の電子部品を帯域透過フィルタとして用いる場合、例えば図９に示される等価回路図が構成されるように、下部導体層、上部導体層、無機誘電体膜、有機絶縁層等が積層される。図９の等価回路図においては、インダクタＬ１及びコンデンサＣ１が直列に接続された部分と、インダクタＬ２及びコンデンサＣ２が並列に接続された部分とが形成されている。フィルタ特性の改善等の観点から、本発明に係る電子部品は帯域透過フィルタとして用いたときに特に有用なものである。
【００４４】
以下、電子部品をＬＣフィルタとして用いたときのフィルタ特性の改善効果についてシミュレーション分析により検討する。
【００４５】
図１０は、図７に示される低域透過フィルタの利得−周波数特性の計算結果を示すグラフである。図中のＡは、インダクタＬ１のインダクタンスが３．２５ｎＨ、コンデンサＣ１の容量が１．３ｐＦ、回路抵抗が１００Ωである場合に、１Ｖの交流電圧が印加されたときの利得−周波数特性である。一方、Ｂは、Ａと同様の条件下で、下部電極部−上部電極部間に抵抗値１０００Ωでリーク電流が流れたときに相当する利得−周波数特性である。リーク電流が発生しているＢは、Ａと比較して透過するべき範囲の周波数領域における利得が減少する傾向が認められる。
【００４６】
図１１は、図８に示される高域透過フィルタの利得−周波数特性の計算結果を示すグラフである。図中のＡは、インダクタＬ１のインダクタンスが３．２５ｎＨ、コンデンサＣ１の容量が１．３ｐＦ、回路抵抗が１００Ωである場合に、１Ｖの交流電圧が印加されたときの利得−周波数特性である。一方、Ｂは、Ａと同様の条件下で、下部電極部−上部電極部間に抵抗値１０００Ωでリーク電流が流れたときに相当する利得−周波数特性である。リーク電流が発生しているＢは、Ａと比較して透過するべき範囲の周波数領域における利得が減少する傾向が認められる。
【００４７】
図１２は、図９に示される帯域透過フィルタの利得−周波数特性の計算結果を示すグラフである。図中のＡは、インダクタＬ１及びＬ２のインダクタンスが３．２５ｎＨ、コンデンサＣ１及びＣ２の容量が１．３ｐＦ、回路抵抗が１００Ωである場合に、１Ｖの交流電圧が印加されたときの利得−周波数特性である。一方、Ｂは、Ａと同様の条件下で、下部電極部−上部電極部間に抵抗値１０００Ωでリーク電流が流れたときに相当する利得−周波数特性である。リーク電流が発生しているＢは、Ａと比較して透過するべき範囲の周波数領域における利得が減少する傾向が認められる。
【００４８】
以上のシミュレーション分析の結果から、リーク電流の発生によりＬＣフィルタにおける周波数の選択性が低下すると認められる。したがって、有機絶縁層へのエレクトロマイグレーション等に起因するリーク電流の発生が抑制された本発明の電子部品によれば、ＬＣフィルタとして用いられたときのフィルタ特性の劣化が効果的に抑制されると考えられる。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明に係る電子部品の一実施形態を示す平面図及び等価回路図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ線に沿った端面図である。
【図３】本発明に係る製造方法の一実施形態を示す端面図である。
【図４】本発明に係る製造方法の一実施形態を示す端面図である。
【図５】本発明に係る製造方法の一実施形態を示す端面図である。
【図６】本発明に係る製造方法の一実施形態を示す端面図である。
【図７】本発明に係る電子部品の一実施形態を示す平面図及び等価回路図である。
【図８】本発明に係る電子部品の一実施形態を示す平面図及び等価回路図である。
【図９】本発明に係る電子部品の一実施形態を示す等価回路図である。
【図１０】低域透過フィルタの利得−周波数特性を示すグラフである。
【図１１】高域透過フィルタの利得−周波数特性を示すグラフである。
【図１２】帯域透過フィルタの利得−周波数特性を示すグラフである。
【符号の説明】
【００５０】
１…基板、２…下部導体層、２Ｃ…下部電極部、２Ｌ…コイル部、３…上部導体層、３Ａ１，３Ａ２…引き出し導体部、３Ｂ…連結部、３Ｃ…上部電極部、５…無機誘電体膜、７…有機絶縁層、７ａ…開口部、１００…電子部品、Ｃ１，Ｃ２…コンデンサ、Ｌ１，Ｌ２…インダクタ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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