(57)【要約】【課題】特にロールトゥーロールプロセスによるＬＣＤ、特にＰＤＬＣＤの製造プロセスを提供する。【解決手段】第一のプロセスステップにおいて、第一の接触層（１２）と、該接触層から間隔をおいて設けられた第一の電極層（１４）とが担体基盤（１０）に設けられる。第一及び第二の区切り層（１８，２０）が次に担体基盤（１０）に設けられる。その後、多孔質支持マトリックスで提供されたＰＤＬＣＤ混合物を備える機能層（２６）が第一及び第二の区切り層（１８及び２０）の間に設けられる。次に保護層（２８）が第一及び第二の区切り層（１８及び２０）の間の機能層（２６）に設けられ、最後に第一の接触層（１２）と接触する第二の電極層（３０）が保護層（２８）に設けられる。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＬＣＤ、特に、ＰＤＬＣＤの製造プロセスであって、
第一の接触層（１２）と、分離面（１６）により前記第一の接触層から間隔を置いて設けられた第一の電極層（１４）とを担体基盤（１０）に設け、
電気的に絶縁された第一の区切り層（１８）を分離面（１６）で前記担体基盤（１０）に設け、電気的に絶縁された第二の区切り層（２０）を前記第一の電極層（１４）に設け、    
機能領域（２２）と、前記第一の接触層（１２）から離れた第二の接触面（２４）とが前記第一の電極層（１４）において開放しており、
多孔質支持マトリックスで提供されたＰＤＬＣＤ混合物を備える機能層（２６）を前記第一及び第二の区切り層（２８）の間の前記機能領域（２２）に設け、前記機能層（２６）を硬化させ、
保護層（２８）を前記第一及び第二の区切り層（１８及び２０）の間の前記機能層（２６）に設け、
第二の電極層（３０）を前記保護層（２８）に設け、
前記第二の電極層（３０）は、前記保護層（２８）を越えて前記第一の接触層（１２）に向け突出部分（３２）だけ突出し、該突出部分（３２）は、導電性接続層（３４）により前記第一の接触層（１２）に接触することを特徴とするプロセス。
【請求項２】
柔軟性の担体が前記担体基盤（１０）として使用されることを特徴とする請求項１に記載のプロセス。
【請求項３】
ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ又はＩＴＯ電極材料が前記第一の電極層（１４）として使用されることを特徴とする請求項１に記載のプロセス。
【請求項４】
架橋された多孔質支持マトリックスの粘着性ＰＤＬＣＤ混合物が前記機能層（２６）として使用されることを特徴とする請求項１に記載のプロセス。
【請求項５】
前記ＰＤＬＣＤ混合物は、異なる濃度関係で提供されることを特徴とする請求項４に記載のプロセス。
【請求項６】
ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ層が前記保護層（２８）として使用されることを特徴とする請求項１に記載のプロセス。
【請求項７】
非導電性薄膜形成層が前記保護層（２８）として使用されることを特徴とする請求項１に記載のプロセス。
【請求項８】
前記第二の電極層（３０）には、カバー担体（３６）が設けられ、前記第二の電極層は、前記保護層（２８）に積層されることを特徴とする請求項１に記載のプロセス。
【請求項９】
柔軟性のカバー担体が前記カバー担体（３６）として使用されることを特徴とする請求項８に記載のプロセス。
【請求項１０】
ロールトゥーロールプロセスが実行されることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載のプロセス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＬＣＤ（液晶ディスプレー）の製造プロセスに関する。特に、それらのＬＣＤは、例えばロールトゥーロール（Ｒｏｌｌ−ｔｏ−Ｒｏｌｌ）プロセスで製造されるＰＤＬＣＤ（高分子分散液晶）である。
【背景技術】
【０００２】
多孔質ポリマー、即ち、ＬＣ材料で満たされたマトリックスのサポートを備える各ＰＤＬＣＤの機能層が表面で閉鎖されないという事実から、これまで、ロールトゥーロールプロセスでのＰＤＬＣＤの製造は妨げられてきた。マトリックスの硬化後、ＬＣは架橋性のない流体状態で存在する。マトリックスの表面における流体ＬＣにより、これまで、通常、多段階のロールトゥーロールプロセスを実行することは不可能であり、これは、機能層が接触する他の表面にくっついてしまうからである。それは、機能層にダメージをもたらす結果となる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明の目的は、機能層の接触する他の表面への粘着が防止され、結果的に機能層へのダメージが回避される本明細書の冒頭部分に記載した種類のプロセスを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
上記目的が請求項１、即ち、以下のプロセスステップにより達成される本発明によると、    
第一の接触層と、分離面により第一の接触層から間隔を置いて設けられた第一の電極層とを担体基盤に設け、
電気的に絶縁された第一の区切り層を分離面で担体基盤に設け、電気的に絶縁された第二の区切り層を第一の電極層に設け、機能領域及び第一の接触層から離れた第二の接触面が第一の電極層において開放しており、
多孔質支持マトリックスで提供されたＰＤＬＣＤ混合物を備える機能層を第一及び第二の区切り層の間の機能領域に設け、機能層を硬化させ、
保護層を第一及び第二の区切り層の間での硬化したＰＤＬＣＤ混合物に設け、
第二の電極層を保護層に設け、第二の電極層は、保護層を越えて第一の接触層に向け突出部分だけ突出し、この突出部分は、導電性接続層部分により第一の接触層に接触する。
【０００５】
第一及び第二の電極層を印刷、蒸着、スパッタリング、エンボス加工、又はラミネート加工により設けることができる。同様に、例えば金網のような導電性布から２つの電極を形成することも可能である。２つの電極を透明、非透明又は半透明とすることができる。また、一方の電極を透明、他方の電極を非透明又は半透明とすることもできる。少なくとも２つの電極中１つを構造化することもできる、つまり、例えばパターン、ホログラム又は同等のものを設けることもできる。２つの電極が共に透明の場合、ホログラム又は同等のものを本発明に係るＬＣＤの別の層に設けることができる。
【０００６】
機能層が保護層により外側から密閉されることにより、第二の電極層を保護層に問題なく設けることができる。
【０００７】
本発明に係るプロセスは、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ層又は非導電性薄膜形成層を保護層として使用することができる。導電又は非導電保護層が使用される状況に関わらず、該状況は、多孔質支持マトリックスで提供されるＰＤＬＣＤ混合物を備える機能層のＬＣで満たされた細孔の閉鎖を含む。これほどに表面が乾燥した機能層に、印刷工程、積層工程又は同様の従来工程により更なる処理を施すことができる。
【０００８】
本発明に係るこのプロセスは、柔軟性のある担体を担体基盤として使用することができる。同様に、担体が柔軟でなくても良く、つまり、形状が安定していればよい。担体をその全面積又は一部に渡り透明、半透明、又は非透明とすることができる。担体はそれ自体で電極の一つを形成することができる。このような前記種類の構成において、第二の電極を設ける前に電気的絶縁層を設けることが必要である。
【０００９】
担体を収縮性フィルムの形式とすることができ、印刷又非印刷することができ、エンボス膜の場合、中間担体だけ形成することができ、複製又は非複製することができ、選択的に光を吸収することができ、その他いろいろである。
【００１０】
本発明に係るＬＣＤは、長方形又は四角形のベース面を有することができ、又は他のベース面構造をも含むことができる。
【００１１】
第二の電極層をカバー担体上に設けることができ、保護層上に積層することができる。担体基盤の場合のようにカバー担体が柔軟性のあるカバー担体である場合、本発明に係るプロセスを高生産性のロールトゥーロールプロセスで容易に実施することができる。このような方法でＰＤＬＣＤを連続生産することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
更なる詳細、特徴及び有益な構成は、以下の本発明に係るＰＤＬＣＤの製造プロセスを一例とする図示の実施例の一連のプロセスステップの記載から明らかになる。
【実施例】
【００１３】
図１は第一のプロセスステップを示し、この場合、第一の接触層１２及び第一の電極層１４は、担体基盤１０に設けられ、第一の接触層１２及び第一の電極層１４は分離され、即ち、分離面１６により互いに間隔を置いて設けられている。              
【００１４】
担体基盤１０を例えばプラスチック材料の膜のような柔軟性の担体とすることができる。上記したように、担体は、他の機械的及び光学的性質も備えることができる。
【００１５】
第一のプロセスステップの後、図２に示された後続のプロセスステップにおいて、電気的に絶縁された第一の区切り層１８が分離面１６で担体基盤１０に設けられ、電気的に絶縁された第二の区切り層２０が第一の電極層１４に設けられ、この場合、機能領域２２及び第一の接触層１２から離れた第二の接触面２４は、第一の区切り層１８と第二の区切り層２０との間の第一の電極層１４において開放している。
【００１６】
図３は、図２のプロセスステップに続くプロセスステップを明確に示し、このプロセスステップでは、多孔質支持マトリックスで提供されたＰＤＬＣＤ混合物を備える機能層２６が機能領域２２に設けられ、乾燥する。
【００１７】
図３のプロセスステップに続くプロセスステップでは、保護層２８が第一の区切り層１８及び第二の区切り層２０の間で、多孔質支持マトリックスで提供された硬化ＰＤＬＣＤ混合物を備える機能層２６に設けられる。保護層２８を例えば導電性のＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ層又は非導電性の薄膜形成層とすることができる。その第四のプロセスステップは図４に示されている。
【００１８】
図５に示す後続のプロセスステップでは、第二の電極層３０が保護層２８に設けられる。第二の電極層３０は、保護層２８を越えて第一の接触層１２に向け突出部分３２だけ突出している。突出部分３２は、導電性接続層３４により第一の接触層１２に接触する。
【００１９】
第二の電極層３０をカバー担体３６に設けることができ、保護層２８上に積層させることができる。カバー担体３６を、担体基盤１０と同様に、柔軟性のカバー担体とすることが好ましく、その結果、図１乃至図５に示されたプロセスをロールトゥーロールプロセスで実行することができる。該プロセスが実行された後、担体基盤１０及び／又はカバー担体３６を取り除くことができる。第一の電極層１４が不透明な場合、第二の電極層３０を光伝達性のものとする必要があり、逆の場合も同じである。同様に、例えば、電極層１４及び３０の両方を光伝達性のものとすることができる。
【００２０】
同一の詳細がそれぞれ同一の参照符号により図１乃至図５で特定されるため、すべての図に関連してすべての詳細を完全に記述する必要がなくなる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】第一のプロセスステップを示す図である。
【図２】第一のプロセスステップ後のプロセスステップを示す図である。
【図３】図２に示されたプロセスステップに続くプロセスステップを示す図である。
【図４】図３に示されたプロセスステップに続くプロセスステップを示す図である。
【図５】その後のプロセスステップを示す図である。
【符号の説明】
【００２２】
１０  担体基盤
１２  １０での第一の接触層
１４  １０での第一の電極層
１６  １０での１２及び１４の間の分離面
１８  １６での第一の区切り層
２０  １４での第二の区切り層
２２  １８及び２０の間の機能領域
２４  １４の第二の接触面
２６  ２２での機能層
２８  １８及び２０の間の２６上の保護層
３０  ２８上の第二の電極層
３２  １８での３０の突出部分
３４  ３２及び１２の間の接続層部分
３６  ３０のカバー担体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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