(57)【要約】【課題】有機電界発光表示装置に含まれる画素及び駆動部が静電気放電によって破壊されることを防止しながら突出電極を通じて静電気放電を比較的容易に誘導するための有機電界発光表示装置を提供する。【解決手段】本発明による有機電界発光表示装置は、基板の非画素領域に形成され、第１電極層、第１電極層に形成される第１絶縁層、第１絶縁層に形成される第２電極層を含む静電気放電回路において、第１電極層及び第２電極層に水平方向に形成される突出電極を含む。【選択図】図２
2008176256.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素領域及び非画素領域を含む基板と、
前記非画素領域に形成され、前記基板に形成される第１電極層、前記第１電極層に形成される第１絶縁層、及び前記第１絶縁層に形成される第２電極層を含む静電気放電回路と、を含み、
前記第１電極層及び前記第２電極層の中から選択されるいずれか１つは、
水平方向に延びるように形成される突出電極を含むことを特徴とする有機電界発光表示装置。
【請求項２】
前記突出電極は、鋸歯型、三角形、四角形、五角形及び台形の中から選択されるいずれか１つの形状で形成されることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項３】
前記突出電極は、
前記第１電極層に含まれる第１突出電極を含み、
前記第１突出電極は水平方向に前記第２電極層に向かって形成されることを特徴とする請求項２に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項４】
前記突出電極は、
前記第２電極層に含まれる第２突出電極を含み、
前記第２突出電極は水平方向に前記第１電極層に向かって形成されることを特徴とする請求項３に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項５】
前記静電気放電回路は、
前記第１突出電極及び前記第２突出電極をすべて含むように形成されることを特徴とする請求項４に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項６】
前記静電気放電回路は、
前記第１突出電極及び前記第２突出電極が、
互いに対向するように形成されることを特徴とする請求項５に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項７】
前記静電気放電回路は、
前記基板と前記第１電極層との間に形成される半導体層をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項８】
前記静電気放電回路は、
前記半導体層と前記第１電極層との間に形成される第２絶縁層をさらに含むことを特徴とする請求項７に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項９】
前記静電気放電回路は、
前記基板と前記半導体層との間に形成されるバッファ層をさらに含むことを特徴とする請求項７に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１０】
前記静電気放電回路は、
前記第２電極層に形成される保護層をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１１】
前記静電気放電回路は、
前記保護層に形成されて前記第２電極層とビアホールを通じて電気的に繋がれる第３電極層をさらに含むことを特徴とする請求項１０に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１２】
前記非画素領域は、
前記画素領域の画素を駆動するための少なくとも１つの駆動部と、
前記画素及び前記駆動部を外部モジュールと電気的に連結するためのパッド部をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１３】
前記パッド部は、
前記基板内周の少なくとも一辺に形成されることを特徴とする請求項１２に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１４】
前記静電気放電回路は、
前記基板内周から前記パッド部が形成された領域を除いた残りの辺から選択される少なくとも一辺に形成されることを特徴とする請求項１３に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１５】
前記静電気放電回路は、
前記基板内周の各辺に独立的に形成されることを特徴とする請求項１４に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１６】
前記静電気放電回路は、
前記基板内周を包むように一体型で形成されることを特徴とする請求項１４に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１７】
前記第１電極層及び前記第２電極層の中から選択されるいずれか１つは、
前記パッド部に形成されるグランドパッドと電気的に繋がれることを特徴とする請求項１２に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１８】
前記第１電極層及び前記第２電極層はそれぞれ、
アルミニウム、アルミニウム−ネオジウム、クロム、モリブデン、モリブデン−タングステン及びチタニウムの中から選択されるいずれか１つまたはこれらの組み合わせで形成されることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１９】
前記第１絶縁層は、
シリコン酸化膜、シリコン窒化膜及び無機物の中から選択されるいずれか１つの材質で形成されることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項２０】
画素領域及び非画素領域を含む基板と、
前記基板の前記非画素領域に形成され、前記基板に形成される半導体層、前記半導体層に形成されるゲート絶縁膜、前記ゲート絶縁膜に形成されるゲート電極、前記ゲート電極を覆うように形成される層間絶縁膜、及び前記層間絶縁膜に形成されるソース／ドレーン電極を含む静電気放電回路と、を含み、
前記ゲート電極は、
前記ソース／ドレーン電極に向かって水平方向に延びるように形成される第１突出電極を含むことを特徴とする有機電界発光表示装置。
【請求項２１】
前記ソース／ドレーン電極は、
前記ゲート電極に向かって水平方向に延びるように形成される第２突出電極を含むことを特徴とする請求項２０に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項２２】
前記第１突出電極及び第２突出電極はそれぞれ、
鋸歯型、三角形、四角形、五角形及び台形の中から選択されるいずれか１つの形状で形成されることを特徴とする請求項２１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項２３】
前記静電気放電回路は、
前記第１突出電極と前記第２突出電極とが互いに対向するように形成されることを特徴とする請求項２２に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項２４】
前記ゲート電極及び前記ソース／ドレーン電極の中から選択されるいずれか１つは、
グランドパッドと電気的に繋がれることを特徴とする請求項２０に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項２５】
前記静電気放電回路は、
前記基板と前記半導体層との間に形成されるバッファ層をさらに含むことを特徴とする請求項２０に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項２６】
前記静電気放電回路は、
前記ソース／ドレーン電極に形成される保護層をさらに含むことを特徴とする請求項２０に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項２７】
前記静電気放電回路は、
前記保護層に形成され、前記ソース／ドレーン電極と電気的に繋がれる電極層をさらに含むことを特徴とする請求項２６に記載の有機電界発光表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機電界発光表示装置に関し、より詳しくは、有機電界発光表示装置に含まれる画素及び駆動部が静電気放電によって破壊されることを防止しながら、静電気放電を比較的に容易に誘導するための有機電界発光表示装置を提供する。
本願は、韓国で２００７年１月１９日に出願された韓国特許出願第１０−２００７−０００６３０６号明細書に対し優先権を主張し、その内容をここに援用する。
【背景技術】
【０００２】
有機電界発光表示装置（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ）は、カソード（ｃａｔｈｏｄｅ）から供給される電子（ｅｌｅｔｒｏｎ）とアノード（ａｎｏｄｅ）から供給される正孔（ｈｏｌｅ）との再結合によって光を発生させる有機電界発光素子（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ：ＯＬＥＤ）を用いたものであって、平板表示装置（Ｆｌａｔ Ｐａｎｅｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）の一種である。このような有機電界発光表示装置は薄くて視野角が広く、応答速度が速い長所がある。
【０００３】
前記有機電界発光表示装置は、駆動方法によって受動駆動（ｐａｓｓｉｖｅ ｍａｔｒｉｘ）方式と能動駆動（ａｃｔｉｖｅ ｍａｔｒｉｘ）方式とに分けられる。受動駆動方式は基板上に陽極と陰極とを直交させて形成した後、ラインを選択して駆動する方式である。一方、能動駆動方式は、画素毎に形成される薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：ＴＦＴ）を用いてデータ信号に対応する駆動電流を有機電界発光素子（ＯＬＥＤ）に供給し、有機電界発光素子（ＯＬＥＤ）から光が発光して画像を具現する方式であって、受動駆動方式に比べて安定的な輝度を表すことができ、電力消耗が少なく、高解像度及び大型ディスプレイの適用に有利であるという長所がある。
【０００４】
従来の有機電界発光表示装置は、マトリクス状に配列される画素を含む画素領域と、画素を駆動するための電源及び駆動部を含む非画素領域と、を含む。画素領域の画素は駆動（ｄｒｉｖｉｎｇ）またはスイッチング（ｓｗｉｔｈｉｎｇ）動作に必要な薄膜トランジスタと有機電界発光素子を含む。画素領域と非画素領域は多数のラインを通じて電気的に繋がれる。
【０００５】
上述した従来の有機電界発光表示装置は、大きく、薄膜トランジスタ形成段階、有機電界発光素子形成段階、封止（ｅｎｃａｐｓｕｌａｔｉｏｎ）段階、モジューリング（ｍｏｄｕｌｉｎｇ）段階を経て製造される。有機電界発光表示装置は、このような製造段階において、内部環境要因またはその他の外部環境要因によって静電気が発生することがある。静電気は有機電界発光表示装置を製造するための蒸着、エッチングなどを含むほとんどすべての製造工程で発生し得る。または、有機電界発光表示装置に画像が表示される途中に外部環境によっても発生することがある。
【０００６】
従来の有機電界発光表示装置は、上述した製造段階及び外部の環境要因によって発生する静電気放電（ＥｌｅｃｔｒｏＳｔａｔｉｃ Ｄｉｓｃａｒｇｅ：ＥＳＤ）によって内部回路が損傷される問題点が生ずる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、上述した従来の有機電界発光表示装置の問題点を解消するためのものであって、特に有機電界発光表示装置に含まれる画素及び駆動部が静電気放電によって破壊されることを防止しながら、静電気放電を比較的に容易に誘導するための有機電界発光表示装置を提供するところにその目的がある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記目的を達成するための本発明の有機電界発光表示装置は、画素領域及び非画素領域を含む基板と、前記非画素領域に形成され、前記基板に形成される第１電極層、前記第１電極層に形成される第１絶縁層、及び前記第１絶縁層に形成される第２電極層を含む静電気放電回路と、を含み、前記第１電極層及び前記第２電極層の中から選択されるいずれか１つは水平方向に延びるように形成される突出電極を含むことを特徴としている。
【０００９】
また、本発明によれば、前記突出電極は鋸歯型、三角形、四角形、五角形及び台形の中から選択されるいずれか１つの形状で形成できる。このとき、前記突出電極は前記第１電極層に含まれる第１突出電極を含み、前記第１突出電極は水平方向に前記第２電極層に向かって形成できる。また、前記突出電極は前記第２電極層に含まれる第２突出電極を含み、前記第２突出電極は水平方向に前記第１電極層に向かって形成できる。
【００１０】
また、本発明によれば、前記静電気放電回路は前記第１突出電極及び前記第２突出電極をすべて含むように形成できる。このとき、前記静電気放電回路は前記第１突出電極及び前記第２突出電極が互いに対向するように形成できる。
【００１１】
また、本発明によれば、前記静電気放電回路は前記基板と前記第１電極層との間に形成される半導体層をさらに含むことができる。このとき、前記静電気放電回路は、前記半導体層と前記第１電極層との間に形成される第２絶縁層をさらに含むことができる。また、前記静電気放電回路は、前記基板と前記半導体層との間に形成されるバッファ層をさらに含むことができる。
【００１２】
また、本発明によれば、前記静電気放電回路は前記第２電極層に形成される保護層をさらに含むことができる。このとき、前記静電気放電回路は、前記保護層に形成されて前記第２電極層とビアホールを通じて電気的に繋がれる第３電極層をさらに含むことができる。
【００１３】
また、本発明によれば、前記非画素領域は前記画素領域の画素を駆動するための少なくとも１つの駆動部、及び前記画素及び前記駆動部を外部モジュールと電気的に連結するためのパッド部をさらに含むことができる。このとき、前記パッド部は、前記基板内周の少なくとも一辺に形成できる。また、前記静電気放電回路は、前記基板内周から前記パッド部が形成された領域を除いた残りの辺から選択される少なくとも一辺に形成できる。
【００１４】
また、本発明によれば、前記静電気放電回路は前記基板内周の各辺に独立的に形成されることを特徴としている。
【００１５】
また、本発明によれば、前記静電気放電回路は前記基板内周を包むように一体型で形成できる。
【００１６】
また、本発明において、前記第１電極層及び前記第２電極層の中から選択されるいずれか１つは、前記パッド部に形成されるグランドパッドと電気的に繋がれることができる。
【００１７】
また、本発明において、前記第１電極層及び前記第２電極層はそれぞれ、アルミニウム、アルミニウム−ネオジウム、クロム、モリブデン、モリブデン−タングステン及びチタニウムの中から選択されるいずれか１つまたはこれらの組み合わせで形成できる。
【００１８】
また、本発明によれば、前記第１絶縁層はシリコン酸化膜、シリコン窒化膜及び無機物の中から選択されるいずれか１つの材質で形成できる。
【００１９】
また、本発明は画素領域及び非画素領域を含む基板と、前記基板の前記非画素領域に形成され、前記基板に形成される半導体層、前記半導体層に形成されるゲート絶縁膜、前記ゲート絶縁膜に形成されるゲート電極、前記ゲート電極を覆うように形成される層間絶縁膜、及び前記層間絶縁膜に形成されるソース／ドレーン電極を含む静電気放電回路と、を含み、前記ゲート電極は前記ソース／ドレーン電極に向かって水平方向に延びるように形成される第１突出電極を含むことを特徴とする。
【００２０】
また、本発明によれば、前記ソース／ドレーン電極は前記ゲート電極に向かって水平方向に形成される第２突出電極を含むことを特徴としている。このとき、前記第１突出電極及び第２突出電極は、それぞれ、鋸歯型、三角形、四角形、五角形及び台形の中から選択されるいずれか１つの形状で形成できる。このとき、前記静電気放電回路は、前記第１突出電極と前記第２突出電極とが互いに対向するように形成できる。
【００２１】
また、本発明によれば、前記ゲート電極及び前記ソース／ドレーン電極の中から選択されるいずれか１つは、グランドパッドと電気的に繋がれることを特徴としている。
【００２２】
また、本発明によれば、前記静電気放電回路は前記基板と前記半導体層との間に形成されるバッファ層をさらに含むことができる。
【００２３】
また、本発明によれば、前記静電気放電回路は前記ソース／ドレーン電極に形成される保護層をさらに含むことができる。このとき、前記静電気放電回路は前記保護層に形成され、前記ソース／ドレーン電極と電気的に繋がれる電極層をさらに含むことができる。
【発明の効果】
【００２４】
本発明の有機電界発光表示装置によれば、基板内周の少なくとも一辺に静電気放電回路を形成し、静電気放電から画素及び駆動部が損傷されることを防止する効果がある。
【００２５】
また、本発明によれば、静電気放電回路のソース／ドレーン電極とゲート電極に水平方向に延びるように突出電極をそれぞれ形成し、突出電極の間に絶縁破壊がより容易に行われることで、静電気放電を比較的に容易に誘導する効果がある。
【００２６】
また、本発明によれば、静電気放電回路に半導体層を含み、ゲート電極とソース／ドレーン電極の以外にも半導体層を用いて静電気放電を誘導することで、より多様な経路を使用した静電気放電を誘導する効果がある。
【００２７】
また、本発明によれば、基板の内周の各辺毎に静電気放電回路を独立的に形成することで、静電気放電が頻繁な領域またはその他の必要な領域に選択的に形成できる効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下、添付された図面と実施例を参照して本発明による有機電界発光表示装置について詳しく説明する。図面において、本発明を明確に説明するために説明と関係ない部分は省略し、明細書の全体に亘って類似の部分に対しては類似の参照符号を付して説明する。
【００２９】
まず、本発明の一実施例による有機電界発光表示装置について説明する。
【００３０】
図１は、本発明の一実施例による有機電界発光表示装置１００を概略的に示す図面である。
【００３１】
本発明の一実施例による有機電界発光表示装置１００は、図１を参照すれば、マトリクス状に配列される画素Ｐ（Ｐｉｘｅｌ）を含む画素領域１１０ａ及び非画素領域１１０ｂを含む基板１１０、及び非画素領域１１０ｂ上に形成される静電気放電回路１２０を含む。
【００３２】
前記基板１１０は略四角形状の画素領域１１０ａ及び画素領域１１０ａの外周縁に形成される非画素領域１１０ｂを含む。このとき、基板１１０にはデータ駆動部１３０、スキャン駆動部１４０及び発光制御駆動部１５０を電気的にさらに繋ぐことができる。
【００３３】
前記画素領域１１０ａは、マトリクス状に配列された多数の画素（Ｐｉｘｅｌ）が駆動されて画像が具現される領域である。それぞれの画素はデータライン（図示せず）、スキャンライン（図示せず）及び発光制御ライン（図示せず）が交差する領域に形成される。画素Ｐは、図１には示されていないが、薄膜トランジスタで形成される駆動素子及び少なくとも１つのスイッチング素子、容量性素子及び有機電界発光素子を含むことができる。
【００３４】
前記非画素領域１１０ｂは、基板１１０上に画素領域１１０ａを囲む領域に形成される。非画素領域１１０ｂには、静電気放電回路１２０、画素Ｐを定義するそれぞれのデータライン、スキャンライン及び発光制御ラインに駆動信号を供給するためのデータ駆動部１３０、スキャン駆動部１４０及び発光制御駆動部１５０が形成できる。また、非画素領域１１０ｂには、画素Ｐ、データ駆動部１３０、スキャン駆動部１４０及び発光制御駆動部１５０と外部モジュールを電気的に連結（ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ ｃｏｕｐｌｅ）するためのパッド部１６０を含むことができる。
【００３５】
前記静電気放電回路１２０は、基板１１０のうち非画素領域１１０ｂに形成される。静電気放電回路１２０は、基板１１０の端の少なくとも一辺に形成できる。静電気放電回路１２０は、基板１１０のうち、後述するパッド部１６０が形成される部分を除いた残りの各辺に形成される。このとき、静電気放電回路１２０は、基板１１０の各辺を包むように一体型で形成できる。このような静電気放電回路１２０は、有機電界発光表示装置１００の製造工程または以後の取り扱いの際に発生し得る静電気放電（ＥＳＤ：ＥｌｅｃｔｒｏＳｔａｔｉｃ Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ）から内部回路、例えば、画素Ｐに含まれる駆動素子、スイッチング素子または有機電界発光素子の損傷を防止する役割をする。静電気放電回路１２０は、後述するデータ駆動部１３０、スキャン駆動部１４０、発光制御駆動部１５０及びパッド部１６０などの非画素領域１１０ｂに形成される回路の保護もできる。本発明による静電気放電回路１２０は、基板の端に形成されるものとして説明しているが、本発明はこれに限られず、基板１１０のうち静電気放電に脆弱な他の部分に形成できることは勿論である。静電気放電回路１２０のより詳細な構造は以下でさらに詳しく説明する。
【００３６】
前記データ駆動部１３０、スキャン駆動部１４０及び発光制御駆動部１５０は、集積回路（ＩＣ：Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）の形態で基板１１０のうち非画素領域１１０ｂに形成できる。データ駆動部１３０、スキャン駆動部１４０及び発光制御駆動部１５０は、画素領域１１０ａのうち画素Ｐに含まれる薄膜トランジスタ（図示せず）を形成する層と同じ層に形成できる。一方、データ駆動部１３０、スキャン駆動部１４０及び発光制御駆動部１５０は、基板１１０に形成されずに別の基板に形成されることもできる。別の基板（図示せず）に形成された各駆動部１３０、１４０、１５０は、ＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）、ＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）、ＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）及びその等価物の中から選択されるいずれか１つの形態で基板１１０と電気的に繋ぐことができ、本発明において駆動部１３０、１４０、１５０の形態及び形成位置などを限定することはない。
【００３７】
前記パッド部１６０は、基板１１０のうち非画素領域１１０ｂに形成される。パッド部１６０は基板１１０の一辺に形成され、外部回路モジュール（図示せず）と駆動部１３０、１４０、１５０または外部回路モジュールと画素Ｐを電気的に連結するために形成される。静電気放電回路１２０は、パッド部１６０の少なくとも一側に形成されるグランドパッド１６０ａと電気的に繋ぐことができる。
【００３８】
次に、本発明の一実施例による有機電界発光表示装置１００に使われる静電気放電回路１２０についてより詳しく説明する。
【００３９】
図２は図１のＡ部分を示す平面図であり、図３は図２をＩ−Ｉ線に沿って垂直方向に切断した静電気放電回路１２０の断面図である。以下説明する静電気放電回路１２０は、基板１１０の一部分（図１のＡ）だけに該当するものではなく、他のすべての部分に形成される静電気放電回路１２０に適用できることは勿論である。
【００４０】
本発明の一実施例による有機電界発光表示装置１００の静電気放電回路１２０は、図２及び図３を参照すれば、基板１１０の上部に形成されるバッファ層１２１、バッファ層１２１の上部に形成されるゲート絶縁膜１２２、ゲート絶縁膜１２２の上部に形成されるゲート電極（または「第１電極層」という）１２３、ゲート電極１２３を覆うように形成される層間絶縁膜（または「第１絶縁層」という）１２４及び層間絶縁膜１２４の上部に形成されるソース／ドレーン電極（または「第２電極層」という）１２５を含む。また、静電気放電回路１２０はソース／ドレーン電極１２５を覆うように形成される第１保護層１２６、第２保護層１２７及び第２保護層１２７の上面に形成され、ソース／ドレーン電極１２５と電気的に繋がれる第３電極層１２８をさらに含むように形成できる。本発明によれば、ゲート電極１２３はゲート電極１２３から水平方向に延びるように形成される第１突出電極１２３ａを含むことができる。また、静電気放電回路１２０のソース／ドレーン電極１２５は、ソース／ドレーン電極１２５から水平方向に延びるように形成される第２突出電極１２５ａを含むことができる。
【００４１】
前記基板１１０は上面と下面を有する板状に形成され、上面と下面間の厚さは０．０５ないし１ｍｍ程度の厚さに形成される。基板１１０の厚さが０．０５ｍｍより薄い場合には、工程のうち洗浄、エッチング及び熱処理工程などによって損傷され易く、また外力に弱い短所がある。逆に、基板１１０の厚さが１ｍｍより厚い場合には、近年のスリム化趨勢にある各種表示装置に適用し難い短所がある。基板１１０は、通常のガラス、プラスチック、ステンレススチール、ナノ複合材料及びその等価物の中から選択されるいずれか１つから形成できるが、このような材質に本発明は限定されない。基板１１０は、異物が含まれないように洗浄される段階及び他の構成要素を製造する段階において、熱または圧力によって基板１１０が容易に変形されないように圧密（ｐｒｅ−ｃｏｍｐａｃｔｉｏｎ）される段階を含めて形成される。このような基板１１０は、薄膜トランジスタ及び有機電界発光素子を含む画素領域１１０ａと各種駆動部が形成される非画素領域１１０ｂとに分けることができる。
【００４２】
前記バッファ層１２１は、静電気放電回路１２０に湿気（Ｈ２Ｏ）、水素（Ｈ２）または酸素（Ｏ２）などが基板１１０を貫通して侵透しないようにする役割をする。このために、バッファ層１２１は半導体工程のうちで容易に形成できるシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）、シリコン窒化膜（Ｓｉ３Ｎ４）、無機膜及びその等価物の中から選択される少なくともいずれか１つで形成できるが、このような材質に本発明は限定されない。バッファ層１２１は、多層の構造に形成することもでき、必要によっては省略されることもできる。
【００４３】
前記ゲート絶縁膜１２２は、バッファ層１２１の上面に形成される。ゲート絶縁膜１２２は、後述するゲート電極１２３とバッファ層１２１間に電気的絶縁性を得るために形成される。このようなゲート絶縁膜１２２は、半導体工程のうちで容易に得られるシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、無機膜またはその等価物の中から選択されるいずれか１つで形成できるが、本発明において使われるゲート絶縁膜１２２の材質は限定されない。このようなゲート絶縁膜１２２は、ＰＥＣＶＤ、ＬＰＣＶＤ、スパッタリング法及びその等価な方式の中からいずれか１つの方法をもって形成できる。
【００４４】
前記ゲート電極１２３は、ゲート絶縁膜１２２の上部に形成される。ゲート電極１２３は、パッド部（図１の１６０）に含まれるグランドパッド（図１の１６０ａ）と電気的に繋ぐことができる。ゲート電極１２３はアルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム−ネオジウム（ＡｌＮｄ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、モリブデン−タングステン（ＭｏＷ）、チタニウム（Ｔｉ）の中から選択されるいずれか１つまたはこれらの組み合わせから形成される金属材質で形成できるが、本発明においてゲート電極１２３の材質は限定されない。ゲート電極１２３は、ゲート絶縁膜１２２に蒸着された後、フォトレジスト塗布、露光、現像、エッチング及びフォトレジスト剥離などの工程を通じて所望の位置に所望の個数で形成できる。ゲート電極１２３は、後述する層間絶縁膜１２４の絶縁破壊を誘導して静電気を放電させる役割をする。また、ゲート電極１２３は、パッド部(図１の１６０)に含まれるグランドパッド１６０ａを通じて静電気を接地させることもできる。このようなゲート電極１２３は、静電気放電を比較的に容易に誘導するための第１突出電極１２３ａを含むことができる。
【００４５】
前記第１突出電極１２３ａは、ゲート電極１２３から後述するソース／ドレーン電極１２５に向かう水平方向に延びるように形成される。第１突出電極１２３ａは、図２に示されるように、ゲート電極１２３の一部に連続的に形成される鋸歯型で形成できる。また、第１突出電極１２３ａはゲート電極１２３と一体で形成され、ゲート電極１２３を形成する過程においてゲート電極１２３と同時に形成できる。第１突出電極１２３ａは、終端部ｅ１がソース／ドレーン電極１２５またはソース／ドレーン電極１２５に含まれる第２突出電極１２５ａに向かうように形成できる。第１突出電極１２３ａの終端部ｅ１は、静電気の電荷が比較的速い時間内に集中できるように角張った構造で形成できる。第１突出電極１２３ａは、後述する第２突出電極１２５ａと互いに対向するように形成できる。第１突出電極１２３ａは、前記ゲート電極１２３に静電気放電が発生する場合、角張った終端部ｅ１に静電気の電荷量を集中させて高い電界を形成する役割をする。参考までに、本発明において図２の一実施例で使われる第１突出電極１２３ａの形状を限定せず、静電気の電荷量が集中できる構造内の他の形状で形成できることは勿論である。
【００４６】
前記層間絶縁膜１２４は、ゲート電極１２３の上部に形成される。勿論、層間絶縁膜１２４はゲート電極１２３の外周縁に形成されるゲート絶縁膜１２２上にも形成できる。層間絶縁膜１２４は、ゲート絶縁膜１２２と同じシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、無機物などの絶縁材質で形成できる。しかし、本発明においてこれを限定することはなく、層間絶縁膜１２４は絶縁材質にあたるポリマー系列、プラスチック系列、ガラス系列またはこれに等価な系列の中から選択されるいずれか１つで形成されることもできる。層間絶縁膜１２４は、ゲート電極１２３またはソース／ドレーン電極１２５を通じて流入される静電気による絶縁破壊を誘導する役割をする。
【００４７】
前記ソース／ドレーン電極１２５は、層間絶縁膜１２４の上部に形成される。前記ソース／ドレーン電極１２５は、層間絶縁膜１２４の上部に形成できる。ソース／ドレーン電極１２５は、ゲート電極１２３と水平方向に離隔させて形成できる。このとき、ソース／ドレーン電極１２５は、パッド部（図１の１６０）に形成されるグランドパッド（図１の１６０ａ）と電気的に繋ぐことができる。ソース／ドレーン電極１２５は、ゲート電極１２３との間に形成される層間絶縁膜１２４の絶縁破壊を誘導して静電気を放電させる役割をする。このとき、ソース／ドレーン電極１２５は、グランドパッド（図１の１６０ａ）を通じて静電気を接地させることもできる。ソース／ドレーン電極１２５は、上述したゲート電極１２３のような金属材質で形成できるが、本発明においてソース／ドレーン電極１２５の材質は限定されない。ソース／ドレーン電極１２５は、ＰＥＣＶＤ、ＬＰＣＶＤ、スパッタリング法及びそれに等価する方式の中から選択されるいずれか１つの方法によって蒸着された後、フォトレジスト塗布、露光、現像、エッチング及びフォトレジスト剥離などの工程を通じて所望の位置に所望の個数でパターニングされることができる。一方、本発明によれば、ソース／ドレーン電極１２５はソース／ドレーン電極１２５から水平方向に延びるように形成される第２突出電極１２５ａを含むことができる。
【００４８】
前記第２突出電極１２５ａは、ソース／ドレーン電極１２５からゲート電極１２３に向かう水平方向に延びるように形成される。第２突出電極１２５ａは、図２に示されるように、ソース／ドレーン電極１２５の一部に連続的に形成される鋸歯型で形成できる。また、第２突出電極１２５ａは、ソース／ドレーン電極１２５と一体で形成され、ソース／ドレーン電極１２５を形成する過程でソース／ドレーン電極１２５と同時に形成できる。第２突出電極１２５ａは、終端部ｅ２がゲート電極１２３またはゲート電極１２３に含まれる第１突出電極１２３ａに向かうように形成できる。第２突出電極１２５ａの終端部ｅ１は、第１突出電極１２３ａの終端部ｅ１と同様に静電気の電荷の集中できるように角張った構造で形成できる。第２突出電極１２５ａは、ソース／ドレーン電極１２５に静電気放電が発生する場合、角張った終端部ｅ２に静電気の電荷量を集中させて高い電界を形成する役割をする。
【００４９】
一方、ソース／ドレーン電極１２５とゲート電極１２３間の距離（水平方向）は、制御しようとする静電気の電圧レベル及び非表示領域１１０ｂに形成しようとする静電気放電回路１２０の面積によって変わり得る。もし、制御しようとする静電気の電圧レベルが比較的に高い（例えば、数千ボルト以上である場合）と、ソース／ドレーン電極１２５とゲート電極１２３間の距離（水平方向）は静電気放電回路１２０を形成可能な面積内で最大限長く形成することが有利であり得る。しかし、本発明においてソース／ドレーン電極１２５とゲート電極１２３間の距離（水平方向）は制限されない。
【００５０】
前記静電気放電回路１２０は、ソース／ドレーン電極１２５に形成される保護層をさらに含むことができる。保護層は、第１保護層１２６及び第２保護層１２７を含むことができる。第１保護層１２６は、ソース／ドレーン電極１２５及び層間絶縁膜１２４を覆うように形成され、ソース／ドレーン電極１２５及びゲート電極１２３を保護する役割をする。第１保護層１２６は、通常の無機膜及びその等価物の中から選択されるいずれか１つで形成できるが、本発明で使われる第１保護層１２６の材質は限定されない。また、第２保護層１２７は、第１保護層１２６を覆うように形成され、静電気放電回路１２０の表面が全体的に平坦に形成されることを助ける。このような第２保護層１２７は、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ：Ｂｅｎｚｏ Ｃｙｃｌｏ Ｂｕｔｅｎｅ）、アクリル及びその等価物の中から選択される少なくともいずれか１つで形成できるが、本発明においてこれは限定されない。
【００５１】
また、静電気放電回路１２０は、第２保護層１２７の上面に第３電極層１２８をさらに含むことができる。第３電極層１２８は、導電性ビアホールｖ１（ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ ｖｉａ ｈｏｌｅ）を通じてソース／ドレーン電極１２５と電気的に繋がれる。第３電極層１２８は、上述したゲート電極１２３及びソース／ドレーン電極１２５と同じ金属材質で形成できるが、本発明において第３電極層１２８の材質は限定されない。第３電極層１２８は、外部で静電気が発生した際、導電性ビアホールｖ１を通じてソース／ドレーン電極１２５に静電気が放電することを助ける。
【００５２】
上述した本発明の一実施例によれば、有機電界発光表示装置１００の表示領域１１０ａの外周縁に形成される非表示領域１１０ｂの少なくとも一辺に静電気放電回路１２０が形成されることで、画素Ｐ及び駆動部１３０、１４０、１５０が静電気放電によって破壊されることを防止することができる。
【００５３】
より詳細に説明すれば、静電気放電回路１２０はゲート電極１２３とソース／ドレーン電極１２５間の層間絶縁膜１２４を通じて静電気放電が誘導される。ゲート電極１２３またはソース／ドレーン電極１２５で発生したり、または、流入された静電気は層間絶縁膜１２４の絶縁破壊を通じて放電される。このとき、静電気の一部はゲート電極１２３及びソース／ドレーン電極１２５の中から選択されるいずれか１つを通じて接地されることができる。また、静電気放電回路１２０の外部で発生する静電気は、第３電極層１２８を通じてソース／ドレーン電極１２５に伝達されて放電されることもできる。
【００５４】
前記静電気放電回路１２０は、第１突出電極１２３ａ及び第２突出電極１２５ａを形成し、静電気電荷の集中により高い電界を形成して絶縁破壊し易くすることで、静電気放電がより容易に誘導される効果がある。
【００５５】
より詳しく説明すれば、第１突出電極１２３ａ及び第２突出電極１２５ａはそれぞれ終端部ｅ１、ｅ２が角張った形態で形成される。これにより、静電気発生の際、終端部ｅ１、ｅ２は静電気電荷が集中的に集まる部分となって、終端部ｅ１、ｅ２は比較的高い電界が形成できるようになる。このとき、第１突出電極１２３ａの終端部ｅ１と第２突出電極１２５ａの終端部ｅ２とが互いに対向する形態で形成され、第１突出電極１２３ａと第２突出電極１２５ａ間の層間絶縁膜１２４は静電気による絶縁破壊がより容易になる。よって、第１突出電極１２３ａと第２突出電極１２５ａによって静電気放電をより容易に誘導することができる。
【００５６】
次に、上述した静電気放電回路１２０において突出電極１２３ａ、１２５ａの変形された例を説明する。
【００５７】
図４は変形された静電気放電回路１２０’で図２に対応する部分を示す図面であって、図５は図４の突出電極１２３ａ’、１２５ａ’の他の形状を示す図面である。
【００５８】
前記静電気放電回路１２０’は、突出電極１２３ａ’、１２５ａ’の形成形状を除き図２及び図３の静電気放電回路１２０と構成が同じであるため、以下においては突出電極１２３ａ’、１２５ａ’を中心に説明する。
【００５９】
前記静電気放電回路１２０’は、ゲート電極１２３から水平方向に延長されて形成される第１突出電極１２３ａ’、及びソース／ドレーン電極１２５から水平方向に延長されて形成される第２突出電極１２５ａ’を含む。
【００６０】
前記第１突出電極１２３ａ’及び第２突出電極１２５ａ’は、それぞれ、ゲート電極１２３及びソース／ドレーン電極１２５の少なくとも一部に三角形で形成できる。第１突出電極１２３ａ’及び第２突出電極１２５ａ’は、それぞれ、一辺がゲート電極１２３及びソース／ドレーン電極１２５に形成され、一辺に対向する頂点が反対側の電極に向かうように形成できる。すなわち、三角形で形成される第１突出電極１２３ａ’及び第２突出電極１２５ａ’は、上述した頂点が終端部ｅ１’、ｅ２’となり得る。第１突出電極１２３ａ’の終端部ｅ１’と第２突出電極１２５ａ’の終端部ｅ２’とは、互いに対向するように形成できる。上述によれば、突出電極１２３ａ’、１２５ａ’のそれぞれに形成される終端部ｅ１’、ｅ２’が頂点として形成され、上述した一実施例と同じ作用をすることになる。すなわち、ゲート電極１２３及びソース／ドレーン電極１２５を通じて伝達された静電気電荷が終端部ｅ１’、ｅ２’に集中され、これによって終端部ｅ１’、ｅ２’の間に比較的高い電界が形成されることで、ゲート電極１２３とソース／ドレーン電極１２５間の絶縁破壊（層間絶縁膜１２４を通じた絶縁破壊）がより容易になる。
【００６１】
前記第１突出電極１２３ａ’及び第２突出電極１２５ａ’は、それぞれ、図５に示されるように、四角形ａ１’、五角形ａ２’、台形ａ３’の中から選択されるいずれか１つの形状で形成することもできる。しかし、本発明において第１突出電極１２３ａ’及び第２突出電極１２５ａ’の形状は限定されず、静電気の電荷を集中できる構造に限って変形できることは勿論である。
【００６２】
上述した第１突出電極１２３ａ’及び第２突出電極１２５ａ’は、それぞれ、ゲート電極１２３及びソース／ドレーン電極１２５の所望の位置に所望の個数だけ形成できるという長所がある。したがって、静電気が集中的に発生する部分または静電気に脆弱な部分に集中的に突出電極１２３ａ’、１２５ａ’を形成し、静電気による絶縁破壊を比較的容易に誘導することができる。
【００６３】
次に、本発明の他の実施例による有機電界発光表示装置について説明する。
【００６４】
図６は本発明の他の実施例による有機電界発光表示装置として図２に対応する部分を示した平面図であって、図７は図６のＩＩ−ＩＩ線による垂直断面を示す図面である。本発明の他の実施例による有機電界発光表示装置は、図１ないし図４の一実施例と大部分の構成が同じであるか類似するため、以下においては構成が相異なる部分を中心に説明する。
【００６５】
本発明の他の実施例による有機電界発光表示装置の静電気放電回路２２０は、図６ないし図７を参照すれば、基板２１０の上部に形成されるバッファ層２２１、バッファ層２２１の上部に形成される半導体層２２９、半導体層２２９の上部に形成されるゲート絶縁膜２２２、ゲート絶縁膜２２２の上部に形成されるゲート電極２２３、ゲート電極２２３を覆うように形成される層間絶縁膜２２４、及び層間絶縁膜２２４の上部に形成されるソース／ドレーン電極２２５を含む。また、静電気放電回路２２０は、ソース／ドレーン電極２２５を覆うように形成される第１保護層２２６、第２保護層２２７、及び第２保護層２２７の上面に形成されてソース／ドレーン電極２２５とビアホールｖ２を通じて電気的に繋がれる第３電極層２２８をさらに含むように形成できる。このとき、ゲート電極２２３はゲート電極２２３から水平方向に延びるように形成される第１突出電極２２３ａを含むことができる。また、静電気放電回路２２０のソース／ドレーン電極２２５は、ソース／ドレーン電極２２５から水平方向に延びるように形成される第２突出電極２２５ａを含むことができる。本発明の他の実施例は、バッファ層２２１上部に半導体層２２９が形成される点を除き本発明の一実施例と同じ構造と同じ材質で形成できる。
【００６６】
前記半導体層２２９は、バッファ層２２１または基板２１０に形成できる。半導体層２２９は、ゲート電極２２３及びソース／ドレーン電極２２５と共に静電気放電を誘導する役割をする。このような半導体層２２９は、非晶質シリコン（Ａｍｏｒｐｈｏｕｓ Ｓｉｌｉｃｏｎ）、マイクロシリコン（Ｍｉｃｒｏ Ｓｉｌｉｃｏｎ、非晶質シリコンと多結晶シリコンとの間のグレインサイズ（ｇｒａｉｎ ｓｉｚｅ）を有するシリコン）、有機物及びその等価物の中から選択されるいずれか１つであるが、本発明において半導体層２２９の材質は限定されない。半導体層２２９は、層間絶縁膜２２４を貫通して形成される導電性コンタクトｃ１（ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ ｃｏｎｔａｃｔ）を通じてソース／ドレーン電極２２５と電気的に繋ぐことができる。半導体層２２９は、相互対向する両側に形成されたソース及びドレーン領域（図示せず）と、ソースとドレーン領域間に形成されるチャネル領域（図示せず）を含む。半導体層２２９は、非晶質シリコンまたはマイクロシリコンを多結晶シリコンに結晶化した後、パターニング（ｐａｔｔｅｒｎｉｎｇ）段階を通じて所望の位置と形状で形成できる。
【００６７】
前記非晶質シリコンは、エキシマレーザー（Ｅｘｃｉｍｅｒ Ｌａｓｅｒ）を使ったレーザー結晶化方法（ＥＬＡ）、金属触媒（Ｐｒｏｍｏｔｉｎｇ Ｍａｔｅｒｉａｌ）を使った金属触媒結晶化方法（ＭＩＣ：Ｍｅｔａｌ Ｉｎｄｕｃｅｄ Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ）及び、固相結晶化（ＳＰＣ：Ｓｏｌｉｄ Ｐｈａｓｅ Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ）方法などを通じて結晶化することができる。また、従来のレーザー結晶化方法にマスクを付け加えて使用する順次側面結晶化（ＳＬＳ：Ｓｅｑｕｅｎｔｉａｌ Ｌａｔｅｒａｌ Ｓｏｌｉｄｉｆｉｃａｔｉｏｎ）方法がある。前記レーザー結晶化方法はもっとも多く使われる方法であって、従来の多結晶液晶表示装置の結晶化方法をそのまま利用できるだけではなく、工程方法が簡単であり工程方法に関する技術開発が完了した状態である。
【００６８】
前記金属触媒結晶化方法は、前記レーザー結晶化方法を使わず低温で結晶化できる方法のうち１つである。初期には、非晶質シリコンの表面に金属触媒金属であるＮｉ、Ｃｏ、Ｐｄ、Ｔｉなどを蒸着あるいはスピンコートし、前記金属触媒金属が前記非晶質シリコンの表面に直接侵透して前記非晶質シリコンの相を変化させながら結晶化する方法であり、低温で結晶化できる長所がある。
【００６９】
前記金属触媒結晶化方法の他の１つは、前記非晶質シリコンの表面に金属層を介在させる際にマスクを用いて前記薄膜トランジスタの特定領域にニッケルシリサイドのような汚染物が介在されることを最大限抑制することができる長所がある。このような結晶化方法を金属触媒誘導側面結晶化方法（ＭＩＬＣ：Ｍｅｔａｌ Ｉｎｄｕｃｅｄ Ｌａｔｅｒａｌ Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ）と言う。金属触媒誘導側面結晶化方法に使われるマスクとしては、シャドーマスク（Ｓｈａｄｏｗ ｍａｓｋ）があるが、前記シャドーマスクは線形マスクあるいは点形マスクであり得る。
【００７０】
前記金属触媒結晶化方法のさらに他の１つは、前記非晶質シリコン表面に金属触媒層を蒸着あるいはスピンコートするとき、キャッピング層（Ｃａｐｐｉｎｇ Ｌａｙｅｒ）をまず介在させて前記非晶質シリコンに流入される金属触媒量をコントロールする金属触媒誘導キャッピング層結晶化方法（ＭＩＣＣ：Ｍｅｔａｌ Ｉｎｄｕｃｅｄ Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ ｗｉｔｈ Ｃａｐｐｉｎｇ Ｌａｙｅｒ）がある。キャッピング層としては、シリコン窒化膜（Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｎｉｔｒｉｄｅ）を使うことができる。シリコン窒化膜の厚さに応じて金属触媒層から前記非晶質シリコンに流入される金属触媒量が変わる。このとき、シリコン窒化膜に流入される金属触媒は、シリコン窒化膜の全体に形成されることもあり、シャドーマスクなどを用いて選択的に形成されることもできる。金属触媒層が非晶質シリコンを多結晶シリコンに結晶化させた後、選択的にキャッピング層を除去することができる。キャッピング層の除去方法には、ウェットエッチング（Ｗｅｔ Ｅｔｃｈｉｎｇ）方法あるいはドライエッチング（Ｄｒｙ Ｅｔｃｈｉｎｇ）方法を使うことができる。
【００７１】
前記マイクロシリコンは、結晶粒の大きさが１ｎｍないし１００ｎｍであるものを通常言う。マイクロシリコンの電子移動度は１から５０以下であって、正孔移動度は０．０１から０．２以下であることが特徴である。マイクロシリコンは多結晶シリコンに比べて結晶粒が小さいことが特徴であり、結晶粒の間の突出部領域が小さく形成され、結晶粒の間に電子が移動する場合に差し支えることなく均一な特性を示すことができる。マイクロシリコンの結晶粒方法には、大きく熱結晶化方法（Ｔｈｅｒｍａｌ Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ Ｍｅｔｈｏｄ）及びレーザー結晶化方法（Ｌａｓｅｒ Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ Ｍｅｔｈｏｄ）がある。前記熱結晶化方法は、非晶質シリコンを蒸着すると同時に結晶化構造を得る方法と再加熱（Ｒｅｈｅａｔｉｎｇ）方法がある。前記レーザー結晶化方法は、非晶質シリコンを化学真空蒸着（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）方法で蒸着した後、レーザーを用いて結晶化する方法であるが、このときに用いられるレーザーの種類は主にダイオードレーザー（Ｄｉｏｄｅ Ｌａｓｅｒ）がある。前記ダイオードレーザーは主に８００ｎｍ帯赤色波長を用いるが、前記赤色波長はマイクロシリコン結晶質の均一な結晶化に寄与する役割をする。
【００７２】
上述した方法によって形成された多結晶シリコンは、フォトレジスト塗布、露光、現像、エッチング及びフォトレジスト剥離などの工程を経て所望の位置に所望の個数で形成される。
【００７３】
前記ソース／ドレーン電極２２５は、ソース領域とドレーン領域に接触される電極が一体型で形成される。したがって、静電気放電回路２２０は一般的な駆動電圧が印加されるときには動作しなくなる。
【００７４】
一方、本発明の他の実施例による第１突出電極２２３ａ及び第２突出電極２２５ａは、上述した本発明の一実施例による第１突出電極１２３ａ及び第２突出電極１２５ａと同様に形成でき、それによる作用も同じである。
【００７５】
上述した本発明の他の実施例によれば、静電気放電回路２２０はゲート電極２２３とソース／ドレーン電極２２５間に形成される層間絶縁膜２２４を通じて静電気が放電されるだけでなく、半導体層２２９が形成されてゲート電極２２３と半導体層２２９間に形成されるゲート絶縁膜２２２、またはソース／ドレーン電極２２５と半導体層２２９間のゲート絶縁膜２２２と層間絶縁膜２２４を通じて静電気放電が誘導できるため、より多様な経路を用いて静電気放電を誘導することができるという長所がある。
【００７６】
また、ゲート電極２２３とソース／ドレーン電極２２５に静電気電荷が集中される第１突出電極２２３ａと第２突出電極２２５ａを形成し、静電気放電をより容易に誘導することができる。第１突出電極２２３ａ及び第２突出電極２２５ａによる作用は、本発明の一実施例と同じであるため詳細な説明は省略する。
【００７７】
図８は、本発明のさらに他の実施例による有機電界発光表示装置を概略的に示す図面である。
【００７８】
本発明のさらに他の実施例による有機電界発光表示装置３００は、図８を参照すれば、画素領域３１０ａ及び非画素領域３１０ｂを含む基板２１０の各辺毎に独立的に形成された静電気放電回路３２０を含む。これにより、静電気放電回路３２０は静電気放電が頻繁な領域、またはその他の必要な領域だけに選択的に形成できるという長所がある。本発明のさらに他の実施例によれば、静電気放電回路３２０はそれぞれが基板３１０に形成されたパッド部３６０のグランドパッド（図示せず）と電気的に繋ぐことができることは勿論である。本発明のさらに他の実施例による静電気放電回路３２０の詳細な構造は、本発明の一実施例または他の実施例と同様に形成でき、それによる静電気放電回路３２０の作用及び効果も本発明の一実施例及び他の実施例と同じであるため、詳細な説明は省略する。
【００７９】
一方、本発明において、画素Ｐに含まれる有機電界発光素子は陽極ＩＴＯ、有機層及び陰極Ｍｅｔａｌからなっている。前記有機層は電子と正孔とが出会って励起子（Ｅｘｃｉｔｏｎ）を形成して発光する発光層（ＥＭｉｔｔｉｎｇ Ｌａｙｅｒ、ＥＭＬ）、電子を輸送する電子輸送層（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ Ｌａｙｅｒ、ＥＴＬ）、正孔を輸送する正孔輸送層（Ｈｏｌｅ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ Ｌａｙｅｒ、ＨＴＬ）からなり得る。また、前記電子輸送層の一側面には電子を注入する電子注入層（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｉｎｊｅｃｔｉｎｇ Ｌａｙｅｒ、ＥＩＬ）が形成され、前記正孔輸送層の一側面には正孔を注入する正孔注入層（Ｈｏｌｅ Ｉｎｊｅｃｔｉｎｇ Ｌａｙｅｒ、ＨＩＬ）がさらに形成できる。さらに、燐光型有機電界発光素子の場合には、正孔抑制層（Ｈｏｌｅ Ｂｌｏｃｋｉｎｇ Ｌａｙｅｒ、ＨＢＬ）が発光層ＥＭＬと電子輸送層ＥＴＬ間に選択的に形成でき、電子抑制層（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｂｌｏｃｋｉｎｇ Ｌａｙｅｒ、ＥＢＬ）が発光層ＥＭＬと正孔輸送層ＨＴＬ間に選択的に形成できる。
【００８０】
また、前記有機層は２種の層を混合してその厚さを減少させるスリム型有機電界発光素子（Ｓｌｉｍ ＯＬＥＤ）構造で形成することもできる。例えば、正孔注入層と正孔輸送層を同時に形成する正孔注入輸送層（Ｈｏｌｅ Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ Ｌａｙｅｒ、ＨＩＴＬ）構造及び電子注入層と電子輸送層を同時に形成する電子注入輸送層（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ Ｌａｙｅｒ、ＥＩＴＬ）構造を選択的に形成することができる。前記のようなスリム型有機電界発光素子は発光効率を増加させるところにその使用の目的がある。また、陽極ＩＴＯと発光層間には選択層としてバッファ層（Ｂｕｆｆｅｒ Ｌａｙｅｒ）を形成することができる。前記バッファ層は、電子をバッファリングする電子バッファ層（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｂｕｆｆｅｒ Ｌａｙｅｒ）と正孔をバッファリングする正孔バッファ層（Ｈｏｌｅ Ｂｕｆｆｅｒ Ｌｅｙｅｒ）とに区分することができる。
【００８１】
前記電子バッファ層は陰極Ｍｅｔａｌと電子注入層ＥＩＬ間に選択的に形成することができ、前記電子注入層ＥＩＬの機能に代わって形成することができる。このとき、前記有機層の積層構造は発光層ＥＭＬ／電子輸送層ＥＴＬ／電子バッファ層（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｂｕｆｆｅｒ Ｌａｙｅｒ）／陰極Ｍｅｔａｌとなり得る。また、前記正孔バッファ層は、陽極ＩＴＯと正孔注入層ＨＩＬ間に選択的に形成することができ、正孔注入層ＨＩＬの機能に代わって形成することができる。このとき、前記有機層の積層構造は陽極ＩＴＯ／正孔バッファ層（Ｈｏｌｅ Ｂｕｆｆｅｒ Ｌｅｙｅｒ）／正孔輸送層ＨＴＬ／発光層ＥＭＬとなり得る。
【００８２】
前記構造について可能な積層構造を記載すると、次のようである。
【００８３】
ａ）正常積層構造（Ｎｏｒｍａｌ Ｓｔａｃｋ Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）
１）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
２）陽極／正孔バッファ層／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
３）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／電子バッファ層／陰極
４）陽極／正孔バッファ層／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／電子バッファ層／陰極
５）陽極／正孔注入層／正孔バッファ層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
６）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子バッファ層／電子注入層／陰極
【００８４】
ｂ）正常スリム構造（Ｎｏｒｍａｌ Ｓｌｉｍ Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）
１）陽極／正孔注入輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
２）陽極／正孔バッファ層／正孔注入輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
３）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子注入輸送層／電子バッファ層／陰極
４）陽極／正孔バッファ層／正孔輸送層／発光層／電子注入輸送層／電子バッファ層／陰極
５）陽極／正孔注入輸送層／正孔バッファ層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
６）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子バッファ層／電子注入輸送層／陰極
【００８５】
ｃ）逆相積層構造（Ｉｎｖｅｒｔｅｄ Ｓｔａｃｋ Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）
１）陰極／電子注入層／電子輸送層／発光層／正孔輸送層／正孔注入層／陽極
２）陰極／電子注入層／電子輸送層／発光層／正孔輸送層／正孔注入層／正孔バッファ層／陽極
３）陰極／電子バッファ層／電子注入層／電子輸送層／発光層／正孔輸送層／正孔注入層／陽極
４）陰極／電子バッファ層／電子注入層／電子輸送層／発光層／正孔輸送層／正孔バッファ層／陽極
５）陰極／電子注入層／電子輸送層／発光層／正孔輸送層／正孔バッファ層／正孔注入層／陽極
６）陰極／電子注入層／電子バッファ層／電子輸送層／発光層／正孔輸送層／正孔注入層／陽極
【００８６】
ｄ）逆相スリム構造（Ｉｎｖｅｒｔｅｄ Ｓｉｌｍ Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）
１）陰極／電子注入層／電子輸送層／発光層／正孔注入輸送層／陽極
２）陰極／電子注入層／電子輸送層／発光層／正孔注入輸送層／正孔バッファ層／陽極
３）陰極／電子バッファ層／電子注入輸送層／発光層／正孔輸送層／正孔注入層／陽極
４）陰極／電子バッファ層／電子注入輸送層／発光層／正孔輸送層／正孔バッファ層／陽極
５）陰極／電子注入層／電子輸送層／発光層／正孔バッファ層／正孔注入輸送層／陽極
６）陰極／電子注入輸送層／電子バッファ層／発光層／正孔輸送層／正孔注入層／陽極
【００８７】
このような有機電界発光素子を駆動する方式としては、受動マトリクス（Ｐａｓｓｉｖｅ ｍａｔｒｉｘ）方式と能動マトリクス（Ａｃｔｉｖｅ ｍａｔｒｉｘ）方式が知られている。前記受動マトリクス方式は、陽極と陰極とを直交させて形成してラインを選択して駆動することで、製作工程が簡単であって投資コストが少ないものの、大画面具現の際に電流消耗量が多いという短所がある。前記能動マトリクス方式は、薄膜トランジスタのような能動素子及び容量性素子を各画素に形成することで、電流消耗量が少なくて画質及び寿命に優れ、中大型まで拡大可能であるという長所がある。
【００８８】
上述した本発明の一実施例ないしさらに他の実施例によれば、有機電界発光表示装置に基板の少なくとも一辺に静電気放電回路が形成されることで、製造工程中の内部要因または他の外部環境によって発生する静電気放電によって画素または駆動部が損傷されることを防止することができる。このとき、静電気放電回路は静電気の電荷が集中されて高い電界が形成される突出電極を含めて静電気放電をより容易に誘導することができる。
【００８９】
本発明は上述した特定の望ましい実施例に限定されず、特許請求の範囲で請求する本発明の要旨を逸脱することなく、当業者であれば誰でも多様な変形の実施が可能であることは勿論であって、そのような変更は特許請求の範囲に記載の範囲内に入る。
【図面の簡単な説明】
【００９０】
【図１】本発明の一実施例による有機電界発光表示装置の概路図。
【図２】図１のＡ部分を示す平面図。
【図３】図２をＩ−Ｉ線に沿って切った垂直断面図。
【図４】静電気放電回路の変形例であって図２に対応する部分を示す平面図。
【図５】図４の突出電極の他の形状を示す図面。
【図６】本発明の他の実施例による有機電界発光表示装置であって図２に対応する部分を示した平面図。
【図７】図６のＩＩ−ＩＩ線による垂直断面図。
【図８】本発明のさらに他の実施例による有機電界発光表示装置の概路図。
【符号の説明】
【００９１】
１００、３００  有機電界発光表示装置
１１０、２１０、３１０  基板
１１０ａ、３１０ａ  画素領域
１１０ｂ、３１０ｂ  非画素領域
１２０、１２０’、２２０、３２０  静電気放電回路
１２１、２２１  バッファ層
１２２、２２２  ゲート絶縁膜
１２３、２２３  ゲート電極
１２５、２２５  ソース／ドレーン電極
１２４、２２４  層間絶縁膜
１２３ａ、１２３ａ’、２２３ａ  第１突出電極
１２５ａ、１２５ａ’、２２５ａ  第２突出電極
１２６、２２６  第１保護層
１２７、２２７  第２保護層
１２８、２２８  第３電極層
２２９  半導体層
１３０  データ駆動部
１４０  スキャン駆動部
１５０  発光制御駆動部
１６０、３６０  パッド部
１６０ａ  グランドパッド
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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