(57)【要約】【課題】本発明は、表面電気抵抗が小さく、かつ、表面電気抵抗を任意に制御可能なディップ成形物を提供することを主目的とする。【解決手段】本発明は、共役ジエン系ゴムからなるディップ成形体と、上記ディップ成形物の表面に形成され、エチレンオキサイド５０〜９９．９モル％、不飽和エポキサイド０．１〜１５モル％、並びに上記エチレンオキサイド及び不飽和エポキサイドと共重合可能な他のオキシラン化合物０〜３５モル％が共重合されてなるポリエーテル系共重合体を含有する低電気抵抗層と、を有することを特徴とするディップ成形物を提供することにより、上記課題を解決するものである。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
共役ジエン系ゴムからなるディップ成形体と、前記ディップ成形体の表面に形成され、エチレンオキサイド５０モル％〜９９．９モル％、不飽和エポキサイド０．１モル％〜１５モル％、並びに前記エチレンオキサイド及び前記不飽和エポキサイドと共重合可能な他のオキシラン化合物０モル％〜３５モル％が共重合されてなるポリエーテル系共重合体を含有する低電気抵抗層と、を有することを特徴とするディップ成形物。
【請求項２】
前記共役ジエン系ゴムが、エチレン性不飽和酸単量体が共重合されてなることを特徴とする、請求項１に記載のディップ成形物。
【請求項３】
前記ポリエーテル系共重合体のムーニー粘度が２５０以下であることを特徴とする、請求項１または請求項２に記載のディップ成形物。
【請求項４】
前記共役ジエン系ゴムが、エチレン性不飽和酸単量体およびエチレン性不飽和ニトリル単量体が共重合されてなることを特徴とする、請求項１から請求項３までのいずれかの請求項に記載のディップ成形物。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はディップ成形法によって成形されたディップ成形物に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ゴム手袋、指サックなどのディップ成形物は、柔軟で十分な機械的強度を有することから、様々な分野で用いられている。ここで、ディップ成形物とは、ディップ成形法によって形成された成形物を指すものであり、一般的に、手、指などの所定の形状を有する成形型を、ディップ成形用組成物に浸漬（ディップ）して引き上げることにより、当該成形型の表面に塗膜（ディップ成形層）を形成させた後、該成形型を加熱してディップ成形層を架橋（加硫）することにより成形される。
【０００３】
このようなディップ成形物の用途は医療分野、電子・半導体部品分野、精密工業分野等の広範な分野に渡るが、なかでも種々の産業分野におけるゴム手袋としての用途が代表的である。ディップ成形物であるゴム手袋は主として医療分野等において使用されてきたが、近年では精密化学工業の発展に伴い、クリーンルーム用の手袋としても広く用いられるに至っている。
【０００４】
ディップ成形物に求められる物性としては、例えば、引張強度、破断点伸度及び応力保持率等の機械的物性、導電性や酸素透過性等の物理的特性、表面物性や化学的物性は勿論のこと、その用途によって人の皮膚に接した際のアレルギー反応の有無までもが求められており、その要求特性は用途によって大きく異なるものである。換言するとディップ成形物には、その用途に応じて種々の物性を両立させることが求められている。ここで、上述したクリーンルーム用の手袋を例に挙げると、従来のゴム手袋に要求されてきた機械的物性及び物理的物性等以外に表面の電気抵抗が低いこと、すなわち表面の導電性が高いことが求められている。これはクリーンルーム内ではその性質上、精密電子部品等を取り扱うことが多いことから、手袋に帯電された静電気によって上記精密電子部品が損傷を受けることを防止するためである。
【０００５】
ディップ成形物の物性を制御する方法としては、対象となる物性の種類によって様々な方法が知られているが、上記表面電気抵抗を低下させる方法としてはディップ成形用組成物に表面電気抵抗を低下させることに寄与する添加剤を含有させ、当該添加剤が混合されたディップ成形物を形成する方法が知られている。例えば、特許文献１には、カルボキシル基を有する単量体を共重合して成るアクリロニトリル−ブタジエンゴムラテックスに予め特定の両性界面活性剤を配合することによって、表面電気抵抗が低くされたディップ成形物が開示されている。また、特許文献２にはカチオン性界面活性剤を配合することにより表面電気抵抗が低いディップ成形物を得ることができる旨が開示されている。
【０００６】
このように、所定の添加剤を配合することによって表面電気抵抗の低いディップ成形物を得る方法は単一の工程で表面電気抵抗の低いディップ成形物を得ることができる点においては有用である。しかしながら、このような方法用いる場合は、ディップ成形用組成物中に添加剤を含ませることになるため、当該組成物中に含まれるゴムとの関係で上記ゴムの分散性を損なわないことが求められる。このため、上記添加剤としては使用可能な化合物に制約があり、ディップ成形物の用途によっては所望の表面電気抵抗を実現することが困難であるという問題点があった。
【０００７】
【特許文献１】特開２００４−３００３８６号公報
【特許文献２】特開２００４−２３８４５０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は上記のような事情に鑑みてなされたものであり、表面電気抵抗が低く、かつ、表面電気抵抗を任意に制御可能なディップ成形物を提供することを主目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者は上記課題を解決するために鋭意検討した結果、特定の単量体が共重合されてなるポリエーテル系共重合体を用いることにより、ディップ成形物の表面に表面電気抵抗が低く、かつ、表面電気抵抗を任意に制御可能な低電気抵抗層を形成することができることを見出し、本発明を完成するに至った。
【００１０】
かくして本発明によれば、以下の１〜３の発明が提供される。
１．共役ジエン系ゴムからなるディップ成形体と、前記ディップ成形体の表面に形成され、エチレンオキサイド５０モル％〜９９．９モル％、不飽和エポキサイド０．１モル％〜１５モル％、並びに前記エチレンオキサイド及び前記不飽和エポキサイドと共重合可能な他のオキシラン化合物０モル％〜３５モル％が共重合されてなるポリエーテル系共重合体を含有する低電気抵抗層と、を有することを特徴とするディップ成形物。
２．前記共役ジエン系ゴムが、エチレン性不飽和酸単量体が共重合されてなることを特徴とする、前記１に記載のディップ成形物。
３．前記ポリエーテル系共重合体のムーニー粘度が２５０以下であることを特徴とする、前記１または前記２に記載のディップ成形物。
４．前記共役ジエン系ゴムが、エチレン性不飽和酸単量体およびエチレン性不飽和ニトリル単量体が共重合されてなることを特徴とする、前記１から前記３までのいずれかに記載のディップ成形物。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、表面電気抵抗が低く、かつ、表面電気抵抗を任意に制御されたディップ成形物が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
本発明のディップ成形物は、共役ジエン系ゴムからなるディップ成形体と、上記ディップ成形体の表面に形成され、エチレンオキサイド５０モル％〜９９．９モル％、不飽和エポキサイド０．１モル％〜１５モル％、並びに上記エチレンオキサイド及び上記不飽和エポキサイドと共重合可能な他のオキシラン化合物０モル％〜３５モル％が共重合されてなるポリエーテル系共重合体を含有する低電気抵抗層と、を有することを特徴とするものである。
【００１３】
まず、本発明における低電気抵抗層について説明する。本発明における低電気抵抗層は、後述するディップ成形体の表面に形成されるものであり、本発明のディップ成形物に所望の表面電気抵抗を付与する機能を有するものである。また、本発明に用いられる低電気抵抗層は、所定の単量体が特定の組成で共重合されてなるポリエーテル系共重合体を含有することを特徴とするものである。
【００１４】
まず、本発明に用いられるポリエーテル系共重合体について説明する。本発明に用いられるポリエーテル系共重合体は、エチレンオキサイド５０モル％〜９９．９モル％、不飽和エポキサイド０．１モル％〜１５モル％、並びに上記エチレンオキサイド及び上記不飽和エポキサイドと共重合可能な他のオキシラン化合物０モル％〜３５モル％が共重合されてなるものである。
【００１５】
本発明に用いられる不飽和エポキサイドとしては、分子内に少なくとも一つのエチレン性不飽和結合と、少なくとも一つのエポキシ基を有する化合物であれば特に限定されるものではなく、分子内に２以上のエチレン性不飽和結合を有するものであってもよく、あるいは、２以上のエポキシ基を有するものであってもよい。本発明に用いられる不飽和エポキサイドの具体例としては、アリルグリシジルエーテル、ブテニルグリシジルエーテル、オクテニルグリシジルエーテルなどのアルケニルグリシジルエーテル；グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレートなどのグリシジルエステル；３，４−エポキシ−１−ブテン、１，２−エポキシ−５−ヘキセン、１，２−エポキシ−９−デセンなどのアルケニルエポキサイド；ビニルシクロヘキセンモノオキサイドなどを挙げることができる。本発明においてはこれらのいずれの不飽和エポキサイドであっても好適に用いることができるが、なかでも引張強さに優れるディップ成形物を得られる点でアルケニルグリシジルエーテルを用いることが好ましく、特にアリルグリシジルエーテルを用いることが好ましい。
【００１６】
なお、本発明に用いられる不飽和エポキサイドは１種類のみであってもよく、あるいは、２種類以上であってもよい。
【００１７】
本発明に用いられるポリエーテル系共重合体を得るための全単量体中に占める不飽和エポキサイドの割合は、０．１モル％〜１５モル％の範囲内である。不飽和エポキサイドの割合が上記範囲よりも多いと、低電気抵抗層の表面電気抵抗を所望の程度に制御することが難しくなる。一方、不飽和エポキサイドの割合が上記範囲よりも少ないと不飽和エポキサイドが重合されてなるポリエーテル系共重合体を用いて均質な低電気抵抗層を形成することが困難になる。すなわち、後述するように本発明に用いられる低電気抵抗層は、ディップ成形法によって好適に形成することができるものである。通常、ディップ成形法においてはポリエーテル系共重合体を含有するディップ成形用組成物中に、ディップ成形体あるいは所定の成形型を浸漬して引揚げることにより当該組成物の塗膜を形成する工程と、当該塗膜を架橋（加硫）する工程と、塗膜を水洗する工程とが用いられる。ここで、上記不飽和エポキサイドの割合が上記範囲よりも少ないと、上記水洗の工程においてポリエーテル系共重合体が溶出されてしまい、当初予定した表面電気抵抗を実現できなくなる。
【００１８】
本発明に用いられるポリエーテル系共重合体を得るための全単量体中に占める不飽和エポキサイドの割合は、好ましくは０．５モル％〜１２．５モル％、より好ましくは１モル％〜１０モル％の範囲内である。
【００１９】
本発明に用いられるポリエーテル系共重合体を得るための全単量体中に占めるエチレンオキサイドの割合は、５０モル％〜９９．９モル％の範囲内である。エチレンオキサイドの割合が上記範囲よりも少ないと低電気抵抗層の表面電気抵抗を所望の程度に制御することが難しくなる。また、エチレンオキサイドの割合が上記範囲よりも多いと、上述の水洗の工程においてポリエーテル系共重合体が溶出されてしまい、ポリエーテル系共重合体を用いて均質な低電気抵抗層を形成することが困難になる。
【００２０】
本発明に用いられるポリエーテル系共重合体を得るための全単量体中に占めるエチレンオキサイドの割合は、好ましくは６０モル％〜９８．５モル％、より好ましくは７０モル％〜９７モル％の範囲内である。
【００２１】
任意成分である、エチレンオキサイド及び不飽和エポキサイドと共重合可能な他のオキシラン化合物としては、例えば、エピハロヒドリン類や、エチレンオキサイドを除くアルキレンオキサイド類等を挙げることができる。
【００２２】
エピハロヒドリン類としては、例えば、エピクロロヒドリン、エピブロモヒドリン、エピヨードヒドリン及びエピフルオロヒドリン等を挙げることができる。
【００２３】
エチレンオキサイドを除くアルキレンオキサイド類としては、例えば、プロピレンオキサイド、１，２−エポキシブタン、１，２−エポキシイソブタン、２，３−エポキシブタン、１，２−エポキシヘキサン、１，２−エポキシオクタン、１，２−エポキシデカン、１，２−エポキシテトラデカン、１，２−エポキシヘキサデカン、１，２−エポキシオクタデカン等を挙げることができる。
【００２４】
また、本発明における他のオキシラン化合物としては、上記エピハドリン類や、上記エチレンオキサイドを除くアルキレンオキサイド類以外にも、例えば、シクロヘキセンオキサイド等の環式脂肪族エポキサイド類；スチレンエポキサイド、グリシジルフェニルエーテル等のアリールエポキサイド類；メチルグリシジルエーテル、エチルグリシジルエーテル、ブチルグリシジルエーテル等のアルキルグリシジルエーテル類；ｐ−クロロスチレンオキサイド、ジブロモフェニルグリシジルエーテルのようなハロゲン置換オキシラン化合物が挙げられる。さらには、ブタジエンジオキサイド、エチレングリコールジグリシジルエーテル、ポリエチレングリコールジグリシジルエーテル、ビニルシクロヘキセンジオキサイドなどの重合体に分岐構造を導入させるジエポキシ化合物等も用いることができる。
【００２５】
他のオキシラン化合物を併用することにより、ポリエーテル系共重合体中のエチレンオキサイド単位に由来する結晶性を低下させることができ、より低抵抗化される。但し、使用上、ポリエーテル系共重合体の水溶性を維持することが肝要であり、このような観点からすると、本発明においては、他のオキシラン化合物のなかでも、エチレンオキサイドを除くアルキレンオキサイド類を用いることが好ましい。そのなかでも、プロピレンオキサイド、ブチレンオキサイド、イソブチレンオキサイド等の低級アルキレンオキサイドを用いることがより好ましく、低電気抵抗層の機械強度を向上させることができる点で特にプロピレンオキサイドを用いることが好ましい。
なお、本発明に用いられる水溶性オキシラン化合物は１種類のみであってもよく、あるいは、２種類以上であってもよい。
【００２６】
上記他のオキシラン化合物の使用量は、本発明に用いられるポリエーテル系共重合体を得るための全単量体に対して０モル％〜３５モル％、好ましくは１モル％〜３０モル％、より好ましくは２モル％〜２５モル％である。
【００２７】
本発明に用いられるポリエーテル系共重合体は、上記エチレンオキサイド、不飽和エポキサイド、及び、必要に応じて他のオキシラン化合物が上記所定の割合で用いられて共重合されてなるものであれば特に限定されるものではない。本発明に好適に用いられるポリエーテル系共重合体としては、例えば、エチレンオキサイド・不飽和エポキサイド共重合体、及びエチレンオキサイド・プロピレンオキサイド・不飽和エポキサイド三元共重合体を挙げることができ、より具体的には、エチレンオキサイド・アリルグリシジルエーテル共重合体、エチレンオキサイド・プロピレンオキサイド・アリルグリシジルエーテル三元共重合体などを挙げることができる。
【００２８】
なお、本発明に用いられるポリエーテル系共重合体は１種類のみであってもよく、あるいは、２種類以上であってもよい。
【００２９】
本発明に用いられるポリエーテル系共重合体の分子量は、本発明に用いられる低電気抵抗層を製造する方法や、低電気抵抗層に付与する機械強度等に応じて適宜調整することができるものである。例えば、本発明に用いられる低電気抵抗層を形成する方法としてディップ方式を用いる場合、上記ポリエーテル系重合体の分子量は、所望の厚みの低電気抵抗層を形成できる程度にディップ成形用組成物の粘度を調整できる範囲内で任意に決定することができる。なかでも本発明に用いられるポリエーテル系共重合体の分子量は、ムーニー粘度（ＭＬ１＋４，１００℃）が２５０以下となる程度が好ましく、１〜２００の範囲内となる程度がより好ましく、２〜１５０の範囲内となる程度であることがさらに好ましい。
【００３０】
なお、本発明に用いられるポリエーテル系共重合体は、通常、低電気抵抗層において架橋（加硫）された状態で存在する。
【００３１】
本発明に用いられるポリエーテル系共重合体は、溶液重合法又は溶媒スラリー重合法などにより、単量体中のオキシラン環を開環共重合して得られる。重合触媒としては、例えば、有機アルミニウムに水、アセチルアセトンを反応させた系（特公昭３５−１５７９７号公報）、トリイソブチルアルミニウムにリン酸、トリエチルアミンを反応させた系（特公昭４６−２７５３４号公報）、トリイソブチルアルミニウムにリン酸、ジアザビシクロウンデセンの有機酸塩を反応させた系（特公昭５６−５１１７１号公報）などの均一系触媒；アルミニウムアルコキシドの部分加水分解物と有機亜鉛化合物とからなる系（特公昭４３−２９４５号公報）、有機亜鉛化合物と多価アルコールとからなる系（特公昭４５−７７５１号公報）、ジアルキル亜鉛と水とからなる系（特公昭３６−３３９４号公報）などの不均一系触媒が挙げられる。溶媒スラリー重合法を採用する場合には、重合溶媒に可溶な重合体を与える単量体と、該重合溶媒に不溶な重合体を与える単量体との両者を用いて、予め処理した触媒を用いる方法（特開平１０−１９５１９０号公報）が、重合反応系の安定性の観点から好ましい。
【００３２】
上記重合溶媒としては、例えば、ベンゼン、トルエン、エチルベンゼン、キシレンなどの芳香族炭化水素；ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−オクタン、イソオクタンなどの脂肪族炭化水素；シクロペンタン、メチルシクロペンタン、シクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、シクロオクタンなどの脂環式炭化水素；などが用いられる。溶媒スラリー重合法を採用する場合には、例えば、溶媒に不溶な重合体を与えるエチレンオキサイド等と、溶媒に可溶な重合体を与えるプロピレンオキサイド等とを用いて、予め触媒を処理しておくことが、重合反応系の安定性の観点から好ましい。触媒の処理は、触媒成分と少量の各単量体とを混合し、０℃〜１００℃、好ましくは３０℃〜８０℃の温度で熟成させればよい。
【００３３】
重合反応は、単量体成分、触媒成分、重合溶媒などを反応器内に仕込み、０℃〜１００℃、好ましくは３０℃〜８０℃の温度で、回分式、半回分式、連続式など任意の方式で行うことができる。
【００３４】
本発明に用いられる低電気抵抗層の厚みとしては、上述したポリエーテル系共重合体の種類等に応じて、所望の表面電気抵抗値を実現できる範囲内であれば特に限定されるものではないが、０．００１ｍｍ〜５ｍｍの範囲内にあることが好ましく、０．００３ｍｍ〜４ｍｍの範囲内にあることがより好ましく、さらに０．００５ｍｍ〜３ｍｍの範囲内にあることがさらに好ましい。
【００３５】
次に、本発明における共役ジエン系ゴムからなるディップ成形体について説明する。
【００３６】
本発明に用いられる共役ジエン系ゴムは、通常、水分散体（ラテックス）の形態で用いられる。かかる共役ジエン系ゴムには、合成共役ジエン系ゴム及び天然ゴムがあるが、ディップ成形物の諸特性を随意調整できる点から、合成共役ジエン系ゴムが好ましい。合成共役ジエン系ゴムは、共役ジエン単量体を重合して、又は、共役ジエン単量体及びこれと共重合可能な単量体を共重合して製造される。重合法は特に限定されないが、乳化重合法によるラジカル重合が好ましく採用される。共役ジエン単量体と共重合可能な単量体の中では、エチレン性不飽和酸単量体を用いると引張強度により優れたディップ成形物が得られるので好ましい。
【００３７】
共役ジエン単量体としては、共役ジエン部分を有する炭素数４〜１２の化合物であれば特に限定されない。かかる共役ジエン単量体の例としては、１，３-ブタジエン、イソプレン、２，３-ジメチル-１，３-ブタジエン、２-エチル-１，３-ブタジエン、１，３-ペンタジエン及びクロロプレンなどが挙げられる。なかでも、１，３-ブタジエン及びイソプレンが好ましい。これらの共役ジエン単量体は１種類のみであってもよく、あるいは、２種類以上であってもよい。
共役ジエン単量体の使用量は、共役ジエン系ゴムを得るための全単量体に対して、通常、３０〜１００質量％、好ましくは３５〜８４.５質量％、より好ましくは３９〜７９質量％の範囲である。この量が少なすぎると風合いに劣る傾向があり、逆に多すぎると引張強度に劣る傾向がある。
【００３８】
エチレン性不飽和酸単量体としては、酸としての性質を示す官能基を有する単量体であれば特に限定されるものではない。本発明に用いられるエチレン性不飽和酸単量体としては、例えば、カルボキシル基含有エチレン性不飽和単量体、スルホン酸基含有エチレン性不飽和単量体、リン酸基含有エチレン性不飽和単量体等を挙げることができる。
【００３９】
カルボキシル基含有エチレン性不飽和単量体としては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸等のエチレン性不飽和モノカルボン酸；フマル酸、マレイン酸、イタコン酸、無水マレイン酸、無水イタコン酸等のエチレン性不飽和多価カルボン酸及びその無水物；マレイン酸メチル、イタコン酸メチル等のエチレン性不飽和多価カルボン酸の部分エステル化物等を挙げることができる。
【００４０】
スルホン酸基含有エチレン性不飽和単量体としては、例えば、ビニルスルホン酸、メチルビニルスルホン酸、スチレンスルホン酸、（メタ）アリルスルホン酸、（メタ）アクリル酸−２−スルホン酸エチル、２−アクリルアミド−２−ヒドロキシプロパンスルホン酸等を挙げることができる。
【００４１】
リン酸基含有エチレン性不飽和単量体としては、例えば、（メタ）アクリル酸−３−クロロ−２−リン酸プロピル、（メタ）アクリル酸−２−リン酸エチル、３−アリロキシ−２−ヒドロキシプロパンリン酸等を挙げることができる。
【００４２】
本発明においては、これらのエチレン性不飽和酸単量体のなかでもカルボキシル基含有エチレン性不飽和単量体を用いることが好ましく、エチレン性不飽和モノカルボン酸を用いることがより好ましく、メタクリル酸を用いることがさらに好ましい。
【００４３】
なお、エチレン性不飽和酸単量体は１種類のみであってもよく、あるいは、２種類以上であってもよい。さらに上述したエチレン性不飽和酸単量体をアルカリ金属塩又はアンモニウム塩として用いてもよい。
【００４４】
本発明に用いられる共役ジエン系ゴムを得るための全単量体中に占めるエチレン性不飽和酸単量体の割合としては、本発明のディップ成形物の引張強度等の機械強度を所望の範囲内にできる程度であれば特に限定されるものではないが、通常、０質量％〜２０質量％、好ましくは０.５質量％〜１８質量％、より好ましくは１質量％〜１６質量％の範囲内である。
【００４５】
本発明に用いられる共役ジエン系ゴムは、通常は、上記共役ジエン単量体と、上記エチレン性不飽和酸単量体と、当該単量体と共重合可能な他の単量体とが共重合されたものが用いられる。他の単量体としては特に限定されるものではなく、本発明のディップ成形物に所望の性質を付与できるものを任意に選択して用いることができる。なかでも本発明においては上記他の単量体として、エチレン性不飽和ニトリル単量体が用いられることが好ましい。エチレン性不飽和ニトリル単量体が用いられることにより、本発明に用いられる共役ジエン系ゴムからなるディップ成形体と、上述した低電気抵抗層との密着性を向上させることができる。
【００４６】
本発明に用いられるエチレン性不飽和ニトリル単量体としては、例えば、アクリロニトリル、メタクリロニトリル、２−クロロプロペンニトリル、２−ブテンニトリル等を挙げることができる。これらのなかでもアクリロニトリルおよびメタクリロニトリルを用いることが好ましく、アクリロニトリルを用いることがより好ましい。
【００４７】
なお、本発明に用いられるエチレン性不飽和ニトリル単量体は、１種類のみであってもよく、あるいは、２種類以上であってもよい。
【００４８】
上記共役ジエン系ゴムを得るための単量体にエチレン性不飽和ニトリル単量体が用いられる場合、共役ジエン系ゴムを得るための全単量体中に占めるエチレン性不飽和ニトリル単量体の割合としては、上述した低電気抵抗層に含まれるポリエーテル系共重合体の種類等に応じて、共役ジエン系ゴムからなるディップ成形体と低電気抵抗層との密着性を所望の程度にできる範囲内で適宜決定することができるが、通常、０質量％〜５０質量％、好ましくは１５質量％〜４７質量％、より好ましくは２０質量％〜４５質量％の範囲内であることが好ましい。
【００４９】
上記エチレン性不飽和ニトリル単量体以外に、本発明に用いられる他の単量体としては、例えば、スチレン、α−メチルスチレン、モノクロルスチレン、ジクロルスチレン、トリクロルスチレン、モノメチルスチレン、ジメチルスチレン、トリメチルスチレン、ヒドロキシメチルスチレン等の芳香族ビニル単量体；アクリルアミド、メタクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミド、Ｎ−メチロールアクリルアミド等のエチレン性不飽和カルボン酸アミド単量体；（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸ブチル、（メタ）アクリル酸２−エチルヘキシル等のエチレン性不飽和カルボン酸アルキルエステル単量体；酢酸ビニル、プロピオン酸ビニル、バーサチック酸ビニル等のカルボン酸ビニルエステル単量体；塩化ビニル、塩化ビニリデン、フッ化ビニル、フッ化ビニリデン等のハロゲン化ビニル単量体；エチレン、プロピレン、１−ブテン、イソブテン等のオレフィン単量体；メチルビニルエーテル、ｎ−プロピルビニルエーテル、イソブチルビニルエーテル、ドデシルビニルエーテル等のビニルエーテル単量体；酢酸アリル、酢酸メタリル、塩化アリル、塩化メタリル等の（メタ）アリル化合物；ビニルトリメトキシシラン等のビニルシリル化合物；ビニルピリジン；Ｎ−ビニルピロリドン；などを挙げることができる。本発明においては、これらの他の単量体は１種類のみであってもよく、あるいは、２種類以上であってもよい。
【００５０】
本発明に用いられる共役ジエン系ゴムを構成する単量体の好適な組み合わせとしては、例えば、イソプレン、イソプレン／メタクリル酸、１，３−ブタジエン、１，３−ブタジエン／メタクリル酸、スチレン／１，３−ブタジエン、スチレン／１，３−ブタジエン／メタクリル酸、スチレン／１，３−ブタジエン／イソプレン／メタクリル酸、アクリロニトリル／１，３−ブタジエン、アクリロニトリル／１，３−ブタジエン／メタクリル酸、アクリロニトリル／イソプレン／メタクリル酸、アクリロニトリル／１，３−ブタジエン／イソプレン／メタクリル酸、を挙げることができる。
【００５１】
なお、本発明に用いられる共役ジエン系ゴムは１種類のみであってもよく、あるいは、２種類以上であってもよい。
【００５２】
本発明に用いられる共役ジエン系ゴムは、例えば、各単量体の混合物を、乳化重合することによって製造することができる。乳化重合方法としては、従来公知の乳化重合法を用いることができ、また、乳化重合するに際しては、乳化剤、重合開始剤、分子量調整剤等の通常用いられる重合副資材を使用することができる。
【００５３】
乳化剤としては、例えば、アニオン性界面活性剤、ノニオン性界面活性剤、カチオン性界面活性剤、及び、両性界面活性剤等を挙げることができる。本発明においてはこれらの乳化剤のなかでも、アルキルベンゼンスルホン酸塩、脂肪族スルホン酸塩、高級アルコールの硫酸エステル塩、α−オレフィンスルホン酸塩、アルキルエーテル硫酸エステル塩等のアニオン性界面活性剤が好適に用いられる。また、乳化剤の使用量は、全単量体１００質量部に対して０．５質量部〜１０質量部の範囲内であることが好ましく、１質量部〜８質量部の範囲内であることがより好ましい。
【００５４】
重合開始剤としては、ラジカル重合開始剤を好適に用いることができる。ラジカル重合開始剤としては、例えば、過硫酸ナトリウム、過硫酸カリウム、過硫酸アンモニウム、過リン酸カリウム、過酸化水素等の無機過酸化物；ｔ−ブチルパーオキサイド、クメンハイドロパーオキサイド、ｐ−メンタンハイドロパーオキサイド、ジ−ｔ−ブチルパーオキサイド、ｔ−ブチルクミルパーオキサイド、アセチルパーオキサイド、イソブチリルパーオキサイド、オクタノイルパーオキサイド、ジベンゾイルパーオキサイド、３，５，５−トリメチルヘキサノイルパーオキサイド、ｔ−ブチルパーオキシイソブチレート等の有機過酸化物；アゾビスイソブチロニトリル、アゾビス−２，４−ジメチルバレロニトリル、アゾビスシクロヘキサンカルボニトリル、アゾビスイソ酪酸メチル等のアゾ化合物等を挙げることができる。本発明においては、これらのラジカル重合開始剤を、単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。これらラジカル重合開始剤のなかでも無機過酸化物又は有機過酸化物を用いることが好ましく、無機過酸化物を用いることがより好ましく、過硫酸塩を用いることがさらに好ましい。
【００５５】
なお、重合開始剤の使用量は、全単量体１００質量部に対して０．０１質量部〜２質量部の範囲内であることが好ましく、特に０．０５質量部〜１．５質量部の範囲内であることが好ましい。
【００５６】
また、分子量調整剤としては、例えば、α−メチルスチレンダイマー；ｔ−ドデシルメルカプタン、ｎ−ドデシルメルカプタン、オクチルメルカプタン等のメルカプタン類；四塩化炭素、塩化メチレン、臭化メチレン等のハロゲン化炭化水素；テトラエチルチウラムダイサルファイド、ジペンタメチレンチウラムダイサルファイド、ジイソプロピルキサントゲンダイサルファイド等の含硫黄化合物；等を挙げることができる。本発明においてはこれらの分子量調整剤を単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。なかでも本発明においてはメルカプタン類を用いることが好ましく、メルカプタン類のなかでもｔ−ドデシルメルカプタンを用いることがより好ましい。分子量調整剤の使用量は、その種類によって異なるが、全単量体１００質量部に対して、０．１質量部〜０．８質量部の範囲内であることが好ましく、０．２質量部〜０．７質量部の範囲内であることがより好ましい。
【００５７】
本発明においては、さらに必要に応じて、上記以外の重合副資材を用いてもよい。このような重合副資材としては、例えば、キレート剤、分散剤、ｐＨ調整剤、脱酸素剤及び粒子径調整剤等を挙げることができる。
【００５８】
乳化重合は、上記各単量体及び各重合副資材を用い、通常、水媒体中で行われ、重合温度は、通常、０℃〜９５℃、好ましくは５℃〜７０℃である。重合反応を停止した後、所望により、未反応の単量体を除去し、固形分濃度やｐＨを調整することにより共役ジエン系ゴムを得ることができる。
【００５９】
本発明における共役ジエン系ゴムからなるディップ成形体の厚みは、本発明のディップ成形物の種類や用途等に応じて適宜決定すればよいものであり特に限定されるものではないが、通常０．０５ｍｍ〜６ｍｍの範囲内であることが好ましく、０．１ｍｍ〜３．５ｍｍの範囲内であることがより好ましい。
【００６０】
本発明に用いられる共役ジエン系ゴムからなるディップ成形体には、必要に応じて、ディップ成形に通常使用される、他の任意の添加剤を含有させることができる。他の任意の添加剤としては、本発明のディップ成形物の表面電気抵抗を損なわないものであれば特に限定されるものではなく、形成されるディップ成形物の用途等に応じて任意の添加剤を用いることができる。このような添加剤としては、例えば、架橋剤（加硫剤）、加硫促進剤、加硫助剤、防腐剤、抗菌剤、ワックス、サイズ剤、ｐＨ調整剤、増粘剤、老化防止剤、分散剤、顔料、充填剤、補強剤及び軟化剤等を挙げることができる。
【００６１】
架橋剤（加硫剤）の例としては硫黄や過酸化物などが挙げられ、その使用量は、共役ジエン系ゴム（の固形分）１００質量部に対して、通常、０．１質量部〜１０質量部、好ましくは０．２質量部〜５質量部、より好ましくは０．５質量部〜３質量部である。架橋剤（加硫剤）の量が少なすぎると、ディップ成形物の引張強さが低くなり、一方、架橋剤（加硫剤）の量が多すぎると、ディップ成形物が硬くなってしまう。
加硫促進剤の例としてはジエチルジチオカルバミン酸やジエチルジチオカルバミン酸亜鉛などが挙げられ、その使用量は、共役ジエン系ゴム（の固形分）１００質量部に対して、通常、０．１質量部〜５質量部、好ましくは０．２質量部〜３質量部、より好ましくは０．５質量部〜２質量部である。加硫促進剤の量が少なすぎると、加硫が進みにくく、ディップ成形物の引張強さが低くなり、一方、加硫促進剤の量が多すぎると、ディップ成形物が脆くなってしまう。
加硫助剤の例としては酸化亜鉛や酸化チタンなどが挙げられ、その使用量は、共役ジエン系ゴム（の固形分）１００質量部に対して、通常、０．１質量部〜２０質量部、好ましくは０．２質量部〜１５質量部、より好ましくは０．５質量部〜１０質量部である。加硫助剤の量が少なすぎると、加硫が進みにくく、ディップ成形物の引張強さが低くなり、一方、加硫助剤の量が多すぎると、ディップ成形物が脆くなってしまう。
【００６２】
次に、本発明のディップ成形物の製造方法について説明する。本発明のディップ成形物を製造する方法としては、次の２つの方法を挙げるができる。
第１の方法は、上記共役ジエン系ゴム及び架橋剤（加硫剤）を含有するラテックス状のディップ成形用組成物中に、所定の形状を有する成形型を浸漬して引き上げることにより、当該成形型の表面に上記ディップ成形用組成物の塗膜を形成させた後、該成形型を加熱して上記塗膜を乾燥することよって上記成形型上に共役ジエン系ゴムからなるディップ成形体を形成する。次に、ポリエーテル系共重合体及び架橋剤（加硫剤）を含有する低電気抵抗層形成用組成物（通常は水溶液である）中に、上記成形型上に形成された共役ジエン系ゴムからなるディップ成形体を成形型ごと浸漬して引き上げることにより、上記共役ジエン系ゴムからなるディップ成形体の表面上に低電気抵抗層形成用組成物の塗膜を形成させた後、上記成形型を加熱して上記塗膜を乾燥、架橋（加硫）することよって上記共役ジエン系ゴムからなるディップ成形体の表面上に低電気抵抗層を形成することによりディップ成形物を製造する方法である。
【００６３】
一方、第２の方法は第１の方法とは逆の順序でディップ成形物を製造する方法である。すなわち、所定の形状を有する成形型を上記ポリエーテル系共重合体及び加硫剤を含有する低電気抵抗層用組成物（通常は水溶液である）中に浸漬して引き上げることにより、当該成形型の表面に上記低電気抵抗層用組成物の塗膜を形成させた後、該成形型を加熱して上記塗膜を乾燥することよって上記成形型上に低電気抵抗層を形成する。次に、共役ジエン系ゴム及び架橋剤（加硫剤）を含有するラテックス状のディップ成形用組成物中に、上記成形型上に形成された低電気抵抗層を成形型ごと浸漬して引き上げることにより、上記低電気抵抗層の表面上にディップ成形用組成物の塗膜を形成させた後、上記成形型を加熱して上記塗膜を乾燥及び架橋（加硫）することよって上記停電気抵抗層の表面上にディップ成形体を形成することによりディップ成形物を製造する方法である。
【００６４】
本発明に用いられるポリエーテル系共重合体からなる低電気抵抗層形成用組成物及び低電気抵抗層には、必要に応じて、ディップ成形に通常使用される、他の任意の添加剤を含有させることができる。他の任意の添加剤としては、本発明のディップ成形物の表面電気抵抗を損なわないものであれば特に限定されるものではなく、形成されるディップ成形物の用途等に応じて任意の添加剤を用いることができる。このような添加剤としては、例えば、架橋剤（加硫剤）、加硫促進剤、加硫助剤、防腐剤、抗菌剤、ワックス、サイズ剤、ｐＨ調整剤、増粘剤、老化防止剤、分散剤、顔料、充填剤、補強剤及び軟化剤等を挙げることができる。
【００６５】
架橋剤（加硫剤）、加硫促進剤、及び加硫助剤の例、並びにその使用量の範囲及びその理由については、共役ジエン系ゴムからなるディップ成形体に用いる上記の架橋剤（加硫剤）、加硫促進剤、及び加硫助剤の例、並びにその使用量の範囲及びその理由と同じである。
【００６６】
本発明のディップ成形物の用途としては、例えば、哺乳瓶用乳首、スポイト、同感、水枕等の医療用品；風船、人形、ボール等の玩具や運動具；加工成形用バッグ、ガス貯蔵用バッグ等の工業用品；手術用、家庭用、農業用、漁業用及び工業用のアンサポート型手袋又はサポート型手袋；指サック等を挙げることができる。なかでも本発明のディップ成形物は表面電気抵抗が小さいという特徴を有するものであるため、精密電子部品用、半導体部品製造用の手袋として好適に用いることができる。
【００６７】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【実施例】
【００６８】
以下、実施例を示すことにより、本発明についてさらに具体的に説明する。なお、実施例において、「％」及び「部」は特に断らない限りすべて質量基準である。
【００６９】
各物性の評価は、以下の方法にて行った。
（１）水溶液の粘度
Ｂ型粘度計（ＢＬ型）（株式会社  東京計器社製）を用い、２５℃の条件で測定した。
（２）破断時の引張強さ及び破断時伸び
ＡＳＴＭ  Ｄ４１２に準じて、ディップ成形物として得られたゴム手袋をダンベルＤｉｅ−Ｃで打ち抜いて、引張速度５００ｍｍ／分で引っ張り、破断時の引張強さ及び伸びを測定した。
（３）表面電気抵抗
ディップ成形物（手袋）の掌部分から、１０ｃｍ×１０ｃｍの試験片を切り抜き、試験片を温度２０℃、相対湿度６５％の恒温恒湿室で２４時間以上放置した後、ＡＳＴＭ  Ｄ２５７−９３に準じて、測定電圧２５０Ｖで試験片（ディップ成形時に手袋用手型に接触していない層）の表面電気抵抗率を測定した。なお、この測定における測定上限界値は、５．６５×１０１０Ω／ｓｑｕａｒｅである。
（４）厚み
ディップ成形物（手袋）の掌部分の平らなところを一部切り取り、その平坦な面に対して、垂直に切断した。その切断面が上を向くように測定用の台に張りつけ、光学顕微鏡（キーエンス社製：デジタルマイクロスコープＶＨＸ-２００）を用いて写真を撮影した。写真から、低電気抵抗層の厚みとディップ成形物の厚みを任意に１０点計測し、それを単純平均して、厚みとした。
【００７０】
（製造例１）  （ポリエーテル系重合体Ａ１の製造）
（触媒溶液の調整）
攪拌機付オートクレーブを乾燥して窒素置換し、トリイソブチルアルミニウム１５８．７部、トルエン１１７０部及びジエチルエーテル２９６．４部を仕込んだ。内部温度を３０℃に設定し、攪拌しながら、正リン酸２３．５部を徐々に添加し、その後、トリエチルアミン１２．１部を添加し６０℃で２時間反応させて、触媒溶液を得た。
【００７１】
（シードの形成）
攪拌機付オートクレーブを乾燥して窒素置換し、ｎ−ヘキサン２１００部と上記で調製した触媒溶液７３．１部を仕込んだ。内部温度を３０℃に設定し、撹拌しながら、エチレンオキサイドを４部加えて反応させ、次いで、エチレンオキサイドとプロピレンオキサイドとの等重量混合物８．５部を加えて反応させ、シードを形成した。
【００７２】
（ポリエーテル系共重合体の調整）
オートクレーブの内部温度を６０℃にして、上記シードを含有する触媒分散溶液に、エチレンオキサイド３４７部（シードと合わせて３５５．２５部、９０．２モル％）、プロピレンオキサイド１６．４部（シードと合わせて２０．７部、４．０モル％）、アリルグリシジルエーテル５９．８部（５．９モル％）、ｎ−ヘキサン３００部からなる混合溶液を５時間かけて連続的に添加した（単量体の合計モル％は小数点第２位以下を四捨五入しているため、合計が１００．０モル％とはならない場合がある。）。添加終了後、２時間反応を行った。重合反応率は９８％であった。得られた重合体はきれいなスラリー状態であり、オートクレーブ内壁及び撹拌翼は非常にきれいであった。得られたスラリーに老化防止剤として４，４’−チオビス（６−ターシャリーブチルクレゾール）の５％トルエン溶液４２．４部を添加撹拌した。粉体状の重合体を金網で濾過し、４０℃で真空乾燥して、粉末状のポリエーテル系共重合体Ａ１を得た。得られたポリエーテル系重合体Ａ１のムーニー粘度は１０５．２であった。
【００７３】
（製造例２）  （ポリエーテル系重合体Ａ２の製造）
製造例１の触媒溶液の調整工程において、正リン酸を３５部、トリエチルアミンを６．０部に変えたこと以外は、製造例１と同様にしてポリエーテル系共重合体Ａ２を得た。ポリエーテル系重合体Ａ２のムーニー粘度は７であり、粉末状であった。
【００７４】
（製造例３）  （ポリエーテル系重合体Ａ３の製造）
製造例１のシードの形成工程において、エチレンオキサイドを４部仕込んで反応させ、次いで、添加する単量体をエチレンオキサイド９．７５部に変えた。また、製造例１のポリエーテル系共重合体の調製工程において、添加する単量体をエチレンオキサイド３３３部（シードと合わせて３４６．７５部、９０．９モル％）、アリルグリシジルエーテル９０部（９．１モル％）に変えたこと以外は、製造例１と同様にしてポリエーテル系共重合体Ａ３を得た。このポリエーテル系重合体Ａ３のムーニー粘度は９５であり、粉末状であった。
【００７５】
（製造例４）  （ポリエーテル系重合体Ａ４の製造）
製造例１の重合体の調製工程において、添加する単量体をエチレンオキサイド２８６部（シードと合わせて２９４．２５部、８０．１モル％）、プロピレンオキサイド４６部（シードと合わせて５０．２５部、１０．４モル％）、アリルグリシジルエーテル９１部（９．６モル％）に変えたこと以外は、製造例１と同様にしてポリエーテル系共重合体Ａ４を得た（単量体の合計モル％は小数点第２位以下を四捨五入しているため、合計が１００．０モル％とはならない場合がある。）。ポリエーテル系重合体Ａ４のムーニー粘度は８０であり、粉末状であった。
【００７６】
（製造例５）  （ポリエーテル系共重合体Ｂ２の製造）
製造例１の重合体の調製工程において、添加する単量体をエチレンオキサイド３６８部（シードと合わせて３７６．２５部、８９．３モル％）、プロピレンオキサイド５５部（シードと合わせて５９．２５部、１０．７モル％）に変えたこと以外は、製造例１と同様にしてポリエーテル系共重合体Ｂ２を得た。ポリエーテル系共重合体Ｂ２のムーニー粘度は８０であり、粉末状であった。
【００７７】
上述したような方法によって製造したポリエーテル系共重合体Ａ１〜Ａ４及びＢ２の組成を以下の表１に示す。なお、表１中のＢ１はアルドリッチ社製のポリエチレンオキサイド（分子量３０万）である。
【００７８】
【表１】
2008231205.tif 000002
【００７９】
（製造例６）  （共役ジエン系ゴムの製造）
重合反応器に、アクリロニトリル２７部、１，３-ブタジエン６６部、メタクリル酸６部、ｔ-ドデシルメルカプタン０．３部、イオン交換水１３２部、ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウム３部、β-ナフタリンスルホン酸ホルマリン縮合物ナトリウム塩０．５部、過硫酸カリウム０．３部及びエチレンジアミン四酢酸ナトリウム０．０５部を仕込み、重合温度を３７℃に保持して重合を開始した。
次に、重合転化率が６０％になった時点で、ｔ-ドデシルメルカプタン０．１５部を添加して、重合温度を４０℃に昇温し、その後、重合転化率が８０％になった時点で、ｔ-ドデシルメルカプタン０．１５部を添加して重合反応を継続し、重合転化率が９４％に達するまで反応させた。その後、重合停止剤としてジメチルジチオカルバミン酸ナトリウム０．１部を添加して重合反応を停止した。
【００８０】
このようにして得られた共役ジエン系ゴムラテックスから減圧、加熱によって未反応単量体を除去した後、アンモニア水添加によるラテックスのｐＨ調整及び固形分濃度調整を行ない、固形分濃度４５％、ｐＨ８の、共役ジエン系ゴムからなるディップ成形体用ラテックス（Ｌ１）（カルボキシ変性ＮＢＲラテックス）を得た。
【００８１】
（実施例１）
（加硫剤分散液の調整）
硫黄１部、ジエチルジチオカルバミン酸亜鉛０．５部、酸化亜鉛１．５部、酸化チタン１．５部、β−ナフタレンスルホン酸ホルマリン縮合物ナトリウム塩の４５％水溶液０．６７部、水酸化カリウムの５％水溶液０．０３部、水３．８部をボールミルで混合して、加硫剤分散液（Ｖ１）を得た。
【００８２】
（共役ジエン系ディップ成形用組成物の調整）
製造例６で得られた共役ジエン系ゴムからなるディップ成形体用ラテックス（Ｌ１）にアンモニア水とイオン交換水を添加して固形分濃度３０％、ｐＨ９．５に調整した。次いで、２５℃の攪拌下で共役ジエン系ゴムからなるディップ成形体用ラテックス（Ｌ１）の固形分１００部に対し、上記加硫剤分散液（Ｖ１）を固形分で９部添加し、２５℃で２４時間攪拌して熟成し、共役ジエン系ゴムからなるディップ成形体用組成物（Ｃ１）を得た。
【００８３】
（ポリエーテル系ディップ成形用組成物の調整）
製造例１で得られたポリエーテル系共重合体Ａ１を、固形分濃度が３％となるようにイオン交換水に溶解した後、上記加硫剤分散液をポリエーテル系共重合体の固形分１００部に対し、上記加硫剤分散液（Ｖ１）を固形分で９部、青色顔料を０．５部添加し、２５℃で２４時間攪拌して熟成し、ポリエーテル系ディップ成形用組成物（ＰＡ１）を得た。得られたポリエーテル系ディップ成形用組成物（ＰＡ１）の粘度は６５００ｍＰａ・ｓであった。
【００８４】
（ディップ成形物の製造）
８０℃に加熱した手袋用手型を、硝酸カルシウム２５％水溶液（凝固剤溶液）に浸漬した後、８０℃で１０分間乾燥した。この凝固剤が付着した手袋用手型を、上記の共役ジエン系ゴムからなるディップ成形体用組成物（Ｃ１）に１０秒間浸漬し、手袋用手型上に共役ジエン系ゴムからなるディップ成形体用組成物（Ｃ１）の層を形成した。８０℃で１０分間乾燥して共役ジエン系ゴムからなるディップ成形体（Ｒ１）を得、次いでポリエーテル系ディップ成形用組成物（ＰＡ１）に１０秒間浸漬し、８０℃で１０分間乾燥した後、１２０℃で２０分間加熱して加硫を行い、ディップ成形物（Ｐ１）を得た。得られたディップ成形物（Ｐ１）を、手型から取り外し、３０℃の純水中で６０分間洗浄した後、８０℃で２０分乾燥し、ディップ成形物としてのゴム手袋を得た。得られたゴム手袋としてのディップ成形物（Ｐ１）は、共役ジエン系ゴムからなるディップ成形体（Ｒ１）と、ポリエーテル系共重合体（Ａ１）を含有する層（低電気抵抗層）との２層構造物であった。得られたディップ成形物（Ｐ１）についての評価結果を表２に示す。
【００８５】
（実施例２）
実施例１のポリエーテル系ディップ成形用組成物の調整において、ポリエーテル系共重合体Ａ１に代えてＡ２を用いた以外は、実施例１と同様にしてディップ成形物としてのゴム手袋を得た。途中、得られたポリエーテル系ディップ成形用組成物（ＰＡ２）の粘度は１２ｍＰａ・ｓであった。得られたディップ成形物（Ｐ２）についての評価結果を表２に示す。
【００８６】
（実施例３）
実施例２のポリエーテル系ディップ成形用組成物の調整において、ポリエーテル系共重合体Ａ２の固形分濃度を１０％にした以外は、実施例２と同様にしてディップ成形物としてのゴム手袋を得た。途中、得られたポリエーテル系ディップ成形用組成物（ＰＡ３）の粘度は１２０ｍＰａ・ｓであった。得られたディップ成形物（Ｐ３）についての評価結果を表２に示す。
【００８７】
（実施例４）
実施例２のポリエーテル系ディップ成形用組成物の調整において、ポリエーテル系共重合体Ａ２の固形分濃度を２０％にした以外は、実施例２と同様にしてディップ成形物としてのゴム手袋を得た。途中、得られたポリエーテル系ディップ成形用組成物（ＰＡ４）の粘度は１７５０ｍＰａ・ｓであった。得られたディップ成形物（Ｐ４）についての評価結果を表２に示す。
【００８８】
（実施例５）
実施例１のポリエーテル系ディップ成形用組成物の調整において、ポリエーテル系共重合体Ａ１に代えてＡ３を用いた以外は、実施例１と同様にしてディップ成形物としてのゴム手袋を得た。途中、得られたポリエーテル系ディップ成形用組成物（ＰＡ５）の粘度は３５００ｍＰａ・ｓであった。得られたディップ成形物（Ｐ５）についての評価結果を表２に示す。
【００８９】
（実施例６）
実施例１のポリエーテル系ディップ成形用組成物の調整において、ポリエーテル系共重合体Ａ１に代えてＡ４を用いた以外は、実施例１と同様にしてディップ成形物としてのゴム手袋を得た。途中、得られたポリエーテル系ディップ成形用組成物（ＰＡ６）の粘度は３０００ｍＰａ・ｓであった。得られたディップ成形物（Ｐ６）についての評価結果を表２に示す。
【００９０】
（比較例１）
実施例１のポリエーテル系ディップ成形用組成物の調整において、ポリエーテル系共重合体Ａ１に代えてＢ１を用いた以外は、実施例１と同様の操作を行い、ディップ成形物としてのゴム手袋を得ようとしたが、加硫後、得られたディップ成形物を、手型から取り外し、３０℃の純水中で６０分間洗浄したところ、Ｂ１が加硫されていなかったため水に溶解して流出し、Ｂ１を含有する層（低電気抵抗層）が消失してしまった。途中、得られたポリエーテル系ディップ成形用組成物（ＰＢ１）の粘度は４１０ｍＰａ・ｓであった。洗浄・乾燥後に最終的に得られたディップ成形物（ＣＰ１）についての評価結果を表２に示す。
【００９１】
（比較例２）
実施例１のポリエーテル系ディップ成形用組成物の調整において、ポリエーテル系共重合体Ａ１に代えてＢ２を用いた以外は、実施例１と同様にしてディップ成形品としてのゴム手袋を得ようとしたが、加硫後、得られたディップ成形物を、手型から取り外し、３０℃の純水中で６０分間洗浄したところ、ポリエーテル系共重合体Ｂ２が加硫さていなかったため水に溶解して流出し、ポリエーテル系共重合体（Ｂ２）を含有する層（低電気抵抗層）が消失してしまった。途中、得られたポリエーテル系ディップ成形用組成物（ＰＢ２）の粘度は１８０ｍＰａ・ｓであった。洗浄・乾燥後に最終的に得られたディップ成形物（ＣＰ２）についての評価結果を表２に示す。
【００９２】
（比較例３）
実施例１において、ポリエーテル系ディップ成形用組成物を用いないで、共役ジエン系ゴムからなるディップ成形体用組成物（Ｃ１）のみを用いた以外は、実施例１と同様にしてディップ成形物としてのゴム手袋を得た。得られたディップ成形物（ＣＰ３）についての評価結果を表２に示す。
【００９３】
【表２】
2008231205.tif 000003
【００９４】
ポリエーテル系共重合体として、不飽和エポキサイドを用いていないものを使用したもの（比較例１及び比較例２）、並びにポリエーテル系ディップ成形用組成物を用いないで、共役ジエン系ゴムからなるディップ成形体用組成物のみを用いたもの（比較例３）では、低電気抵抗層が実質的に存在せず、表面電気抵抗が１×１０１０を超える高いものとなってしまった。
これに対し、本願規定の条件を満足する実施例１〜６では、破断時の引張強さ及び破断時の伸びに優れるのみならず、表面電気抵抗が１×１０８〜１×１０９の間の適正な値まで下がっており、表面電気抵抗を小さくできることが分かる。また、ポリエーテル系共重合体における組成の変化や、ポリエーテル系ディップ成形用組成物の粘度を調整することにより、得られるディップ成形物の表面電気抵抗を調整できることが分かる。