(57)【要約】【課題】フォトマスクに装着したペリクルの剥離が不要で、また溶液洗浄のような大掛かりの装置が不要で、洗浄・検査の工程数が少なく、製造コストが増大しないフォトマスクの洗浄方法を提供する。【解決手段】ペリクルを装着したフォトマスクの洗浄方法であって、ペリクルフレームにはガス導入孔とガス排出孔が設けられており、フォトマスクとペリクルとで囲まれたペリクル内部空間にガス導入孔よりガス状の置換性物質を導入し、フォトマスク上の異物を置換性物質により置換し、ガス排出孔より前記異物を排出する工程と、次に、前記ガス導入孔より空気または窒素ガスまたは希ガスを導入しながら前記フォトマスクを紫外線照射し、前記置換した置換性物質を分解してガス状とし前記ガス排出孔より排出する工程と、を有することを特徴とする。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ペリクルフレームと該ペリクルフレームの上面に接着されたペリクル膜とからなるペリクルを装着したフォトマスクの洗浄方法であって、
前記ペリクルフレームにはガス導入孔とガス排出孔が設けられており、前記フォトマスクと前記ペリクルとで囲まれたペリクル内部空間に前記ガス導入孔よりガス状の置換性物質を導入し、フォトマスク上の異物を前記置換性物質により置換し、前記ガス排出孔より前記異物を排出する工程と、
次に、前記ガス導入孔より空気または窒素ガスまたは希ガスを導入しながら前記フォトマスクを紫外線照射し、前記置換した置換性物質を分解してガス状とし前記ガス排出孔より排出する工程と、
を有することを特徴とするフォトマスクの洗浄方法。
【請求項２】
前記異物が硫酸イオンおよび／またはアンモニウムイオンを含むことを特徴とする請求項１に記載のフォトマスクの洗浄方法。
【請求項３】
前記置換性物質が、極性が大きく分子量が小さい有機化合物であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のフォトマスクの洗浄方法。
【請求項４】
前記有機化合物が、アルコール類、エーテル類、有機酸エステル類の中のいずれか１種類、または２種類以上の混合物であることを特徴とする請求項３に記載のフォトマスクの洗浄方法。
【請求項５】
前記有機化合物が、エチレングリコールであることを特徴とする請求項３に記載のフォトマスクの洗浄方法。
【請求項６】
前記置換した置換性物質の分解が、紫外線による光分解もしくは空気雰囲気中でのオゾン酸化分解であることを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載のフォトマスクの洗浄方法。
【請求項７】
前記空気または窒素ガスまたは希ガスが、水蒸気を添加した空気または窒素ガスまたは希ガスであることを特徴とする請求項１〜請求項６のいずれか１項に記載のフォトマスクの洗浄方法。
【請求項８】
前記紫外線が、前記フォトマスク使用時の露光波長よりも長波長であることを特徴とする請求項１〜請求項７のいずれか１項に記載のフォトマスクの洗浄方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体製造に使用するフォトマスクを使用中に洗浄する方法に関わり、特にペリクルを装着したフォトマスクをペリクル装着したままで洗浄する洗浄方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス等の製造で用いられるフォトリソグラフィ技術においては、フォトマスクに付着した塵埃等の異物がウェハ上に転写されることを防止するため、マスクの片面または両面に粘着材や接着剤を用いてペリクルが装着される。このペリクルは、フッ素樹脂フィルム等からなるペリクル膜と、ペリクル膜をマスクから一定の距離に離すために所定の厚さを持つペリクルフレームとからなり、ペリクルフレームの上面にペリクル膜が接着され容器状に形成され、ペリクルとフォトマスクにより空間（以後、ペリクル内部空間と記す。）が形成されている。
【０００３】
近年、ＬＳＩパターンの微細化・高集積化に伴い、パターン形成に用いるフォトリソグラフィ技術においては、露光装置の光源が、高圧水銀灯のｇ線（４３６ｎｍ）、ｉ線（３６５ｎｍ）から、ＫｒＦエキシマレーザ（２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ（１９３ｎｍ）へと短波長化が進んでいる。このような短波長の露光光源は短波長で高出力のために、光のエネルギーが高く、露光に用いられているフォトマスク上に時間の経過と共に成長する異物が生じるという現象があり、この成長性異物は露光光が短波長であるほど顕著となることが指摘されている。フォトマスク上に生じた異物はウェハに転写され、半導体素子の回路の断線やショートを引き起こしてしまう。
【０００４】
この短波長の露光光源を用いたときのフォトマスクにおける成長性異物の発生は、その大きな要因の一つとして、フォトマスク製造後にマスク表面に残存するマスク洗浄などに用いた酸性物質である硫酸イオンと、マスク使用環境に存在するアンモニアなどの塩基性物質とが、パターン転写の際のエキシマレーザ照射により反応を起こし、硫酸アンモニウム等を生じることにより異物となると言われている（例えば、特許文献１、特許文献２参照）。
このため、フォトマスク製造後の検査では無欠陥の良好な品質状態であっても、露光装置でエキシマレーザ照射を繰り返すうちに、フォトマスク上に異物が生じ、ウェハへの良好なパターン転写像が得られなくなるという問題があった。
【０００５】
上記の異物の問題に関し、従来技術によるペリクル付きフォトマスクの洗浄方法では、ペリクル内部空間内のマスク上に成長性異物が発生した場合、ペリクルを装着したままでは洗浄できないので、ペリクルをフォトマスクから一度剥離し、フォトマスクに接着しているペリクル用の粘着材や接着剤を除去するために、ピラニア溶液と称される硫酸過水（硫酸と過酸化水素水の混合液）、あるいは有機溶媒、あるいはＳＣ−１溶液と称されるアンモニア過水（アンモニア水と過酸化水素水の混合液）等の溶液を使ってフォトマスクを洗浄し、洗浄後、再び新しいペリクルを装着していた。また上記の洗浄方法ではペリクルが再使用できないため、破損しやすいペリクル膜を取り外せるようにペリクルフレームを二分割し、洗浄時にはペリクル膜を外して洗浄液で洗浄するフォトマスク洗浄方法が開示されている（例えば、特許文献３参照）。
【特許文献１】特開２００６−１１０４８号公報
【特許文献２】特開２００４−５３８１７号公報
【特許文献３】特開２００６−９１６６７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記の従来技術による方法では、ペリクルを剥離して洗浄した後に、フォトマスク上に異物がないかどうかを検査し、再び新たなペリクルを装着し、さらに装着後に再度異物の検査をする必要があった。そのため、粘着材や接着剤の除去に主眼を置いた洗浄、微小な異物を除去する洗浄、ペリクル装着前の検査、ペリクル装着後の検査と少なくとも洗浄工程２回と検査工程２回が必要となり、工程が多く時間がかかり、マスク製造コストが増加し、マスク納期が長くなるという問題があった。
【０００７】
また特許文献３に開示されたフォトマスク洗浄方法は、上部フレームと下部フレームに二分割し得る特殊なペリクルフレームを必要とし、洗浄の前後でフレームの分離と再接合が必要となり、洗浄に溶液を使用するため、環境対策を含め大掛かりな装置が必要となり、マスク製造コストも増大するという問題があった。また、下部フレームはマスク基板に接着しているので強い洗浄液を使うことは難しく、洗浄液は純水等しか使えないという制約があり、洗浄効果は不十分であり、洗浄後には洗浄液の乾燥工程も必要であるという問題があった。
【０００８】
そこで、本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものである。すなわち、フォトマスクに装着したペリクルの剥離が不要であり、また溶液洗浄のような大掛かりの装置が不要で、洗浄・検査の工程数が少なく、洗浄・検査時間が短く、製造コストが増大しないペリクルを装着したままでのフォトマスクの洗浄方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記の課題を解決するために、請求項１の発明に係るフォトマスクの洗浄方法は、ペリクルフレームと該ペリクルフレームの上面に接着されたペリクル膜とからなるペリクルを装着したフォトマスクの洗浄方法であって、前記ペリクルフレームにはガス導入孔とガス排出孔が設けられており、前記フォトマスクと前記ペリクルとで囲まれたペリクル内部空間に前記ガス導入孔よりガス状の置換性物質を導入し、フォトマスク上の異物を前記置換性物質により置換し、前記ガス排出孔より前記異物を排出する工程と、次に、前記ガス導入孔より空気または窒素ガスまたは希ガスを導入しながら前記フォトマスクを紫外線照射し、前記置換した置換性物質を分解してガス状とし前記ガス排出孔より排出する工程と、を有することを特徴とするものである。
【００１０】
請求項２の発明に係るフォトマスクの洗浄方法は、請求項１に記載のフォトマスクの洗浄方法において、前記異物が硫酸アンモニウムであることを特徴とするものである。
【００１１】
請求項３の発明に係るフォトマスクの洗浄方法は、請求項１または請求項２に記載のフォトマスクの洗浄方法において、前記置換性物質が、極性が大きく分子量が小さい有機化合物であることを特徴とするものである。
【００１２】
請求項４の発明に係るフォトマスクの洗浄方法は、請求項３に記載のフォトマスクの洗浄方法において、前記有機化合物が、アルコール類、エーテル類、有機酸エステル類の中のいずれか１種類、または２種類以上の混合物であることを特徴とするものである。
【００１３】
請求項５の発明に係るフォトマスクの洗浄方法は、請求項３に記載のフォトマスクの洗浄方法において、前記有機化合物が、エチレングリコールであることを特徴とするものである。
【００１４】
請求項６の発明に係るフォトマスクの洗浄方法は、請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載のフォトマスクの洗浄方法において、前記置換した置換性物質の分解が、紫外線による光分解もしくは空気雰囲気中でのオゾン酸化分解であることを特徴とするものである。
【００１５】
請求項７の発明に係るフォトマスクの洗浄方法は、請求項１〜請求項６のいずれか１項に記載のフォトマスクの洗浄方法において、前記空気または窒素ガスまたは希ガスが、水蒸気を添加した空気または窒素ガスまたは希ガスであることを特徴とする。
【００１６】
請求項８の発明に係るフォトマスクの洗浄方法は、請求項１〜請求項７のいずれか１項に記載のフォトマスクの洗浄方法において、前記紫外線が、前記フォトマスク使用時の露光波長よりも長波長であることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１７】
本発明のフォトマスクの洗浄方法は、溶液を使ったウエット洗浄方法ではなく、ガスを使って成長性異物を除去するドライ洗浄方法であり、半導体製造に使用するフォトマスクにペリクルを装着したままで洗浄することが可能であり、大掛かりな装置を用いずに、効率よく異物が除去できるため生産性の効率化を図ることができる。またペリクルを剥離、再装着する必要がないため、ペリクル材料費、ペリクル装着費が低減され、検査・洗浄工程数も少なくてすみ、マスク製造コストが削減され、マスク納期が短縮するという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、図面を参照して、本発明のフォトマスクの洗浄方法の実施形態について説明する。
図１は、本発明のペリクルを装着したままでのフォトマスクの洗浄方法を示す工程断面模式図である。
【００１９】
図１（ａ）は、洗浄前のペリクルを装着したフォトマスクを示す断面図であり、エキシマレーザ露光によるフォトリソグラフィ中にマスク上に成長性の異物を生じ、マスク洗浄が必要になった状態を示すものである。
図１（ａ）に示すペリクルを装着したフォトマスクは、透明基板上に所定のマスクパターンを有するフォトマスク１１と、このフォトマスク１１に粘着材１２で接着されたペリクルフレーム１３と、ペリクルフレーム１３に接着されてフォトマスク１１を保護するペリクル膜１４とを備えたペリクル１５を装着したフォトマスク１１である。ペリクルフレーム１３にはガス導入孔１６とガス排出孔１７が設けられており、ペリクル１５とフォトマスク１１によりペリクル内部空間１８が形成されている。
【００２０】
本発明の洗浄方法を適用し得るフォトマスク１１としては、ペリクル１５を装着し、成長性の異物が生じたマスクはすべて洗浄の対象とすることができる。フォトマスク１１は、従来公知のマスクが使用でき、例えば、合成石英等の透明基板上にクロム等でマスクパターンを形成したバイナリマスク、あるいはモリブデンシリサイド化合物等でマスクパターンを形成した位相シフトマスク等が挙げられる。
【００２１】
ペリクルフレーム１３は、通常、アルミニウム合金あるいはプラスチック等により形成されている。ペリクル膜１４は、フッ素系樹脂等の有機ポリマーを薄膜にしたもの、あるいは合成石英ガラスを薄膜にしたものが用いられる。
ガス導入孔１６とガス排出孔１７は、ペリクルフレーム１３にそれぞれ１箇所以上設けられ、複数形成されていてもよい。ガス導入用・排出用なので、その孔形状は丸形が好ましく、孔径は０．１ｍｍ〜２ｍｍ程度の範囲が好ましい。近年のペリクルは、空輸中等の気圧変動によるペリクル膜の破損防止のために、ペリクルフレームに１箇所以上の貫通孔が設けられ、ペリクル内部空間と外部とで大気の流通が図られている。本発明のガス導入孔、排出孔としては、これらの既設の貫通孔を利用することも可能である。さらに本発明においては、大気の流入時の塵埃の進入を防ぐために、ガス導入孔１６とガス排出孔１７にフィルタが取り付けられているペリクルであってもよい。
【００２２】
ペリクル内部空間１８のフォトマスク１１の透明基板である合成石英基板上には、成長性の異物が付着している（図示はしてない）。フォトマスク上の成長性異物としては、一般に硫酸イオンおよびアンモニウムイオン等の酸イオンあるいはアルカリイオンを含む場合が多く、例えば硫酸アンモニウム、硫酸イオンと有機物、アンモニウムイオンと有機物等が異物として挙げられ、これらの異物の中でも硫酸イオンとアンモニウムイオンよりなる硫酸アンモニウムが代表的である。異物の存在は、投光器下の目視検査や顕微鏡検査で検出することができ、異物の分析・計測には、有機物の異物にはガスクロマトグラフィ（ＧＣ）やガスクロ質量分析装置（ＧＣ−ＭＳ）等、イオン性の異物にはイオンクロマトグラフィ（ＩＣ）等の公知の分析方法を用いることができる。
【００２３】
本発明の洗浄方法は、硫酸アンモニウム以外の上記の異物に対しても適用することができるが、特に硫酸イオンおよび／またはアンモニウムイオンを含む異物に適用した場合に洗浄効果が著しいのでより好ましい。
上記のような成長性異物は、フォトマスクを使用する際に、高エネルギーの光を照射するためにフォトマスクの表面あるいは表面付近で光化学反応が起こることによって生成する。この異物が生じると、マスクパターン露光時の透過率が変動して転写に影響を与えることが問題となるのであり、転写に影響のある異物はフォトマスクの透過部、すなわち合成石英基板であるＳｉＯ2上の異物であることが多い。
【００２４】
次に、図１（ｂ）に示すように、ペリクルフレーム１３のガス導入孔１６からペリクル内部空間１８に置換性ガス１９を一定時間導入し、ガス排出孔１７から排出する。このとき、フォトマスク上の異物は置換性ガス１９により置換され、フォトマスクから脱離した異物は置換性ガス１９とともにガス流に乗ってガス排出孔１７から強制的に排出される。
【００２５】
上記の異物と置換性ガスによる置換について、さらに詳しく説明する。ペリクル内部空間１８のフォトマスク１１の合成石英基板ＳｉＯ2の周囲には、通常、ガス層が存在している。合成石英基板の表面上の異物の成長は、このガス層への脱離速度とガス層から表面への吸着速度に大きな影響を受ける。
ガス層への脱離速度が遅い物質ほどＳｉＯ2表面に濃縮され最終的に汚染源となりやすい。ここでペリクル内部空間１８にあるＳｉＯ2の表面積は一定であるため、異物となる汚染物質は無限に吸着するわけではなく、ペリクル内部空間１８のフォトマスク１１の表面を完全に覆った時点が汚染の最大値となる。この際、汚染しやすさによって汚染物質が置き換わることがある。すなわち、「椅子取りゲーム現象」と呼ばれる汚染物質の置換現象が生じる。例えば、清浄化された表面に最初に付着したプロピオン酸エステルは、時間の経過とともにＤＯＰ（フタル酸ジオクチル）に置き換わることが知られている。
【００２６】
ここで「椅子取りゲーム現象」に関し、羽深等は特開２００１−３４９８８１号公報に記載されるように、有機物を付着していない清浄表面を有する固体を環境空気に暴露し、経時的に変化していく固体表面上に吸着している複数の有機物の表面濃度について、次式（１）を提唱しており、式（１）に基づいて汚染物質の置換現象が解析できることが提案されている。
ｄＳｉ／ｄｔ＝（Ｓｍａｘ−Ｓ）×ｋａｄ，ｉ×Ｃｉ−ｋｄｅ，ｉ×Ｓｉ        （１）
ただし、Ｃｉは環境空気中の有機物ｉの濃度、Ｓｉは固体表面上に吸着している有機物ｉの濃度、Ｓは固体表面上に吸着している有機物ｉの濃度Ｓｉの合計、Ｓｍａｘは固体表面上に吸着している有機物ｉの濃度Ｓｉの合計Ｓの最大値、ｋａｄ，ｉは有機物ｉの固体表面上への吸着速度定数、ｋｄｅ，ｉは有機物ｉの固体表面上からの脱離速度定数である。
【００２７】
本発明者は、上記の「椅子取りゲーム現象」に関する羽深等の式（１）が、フォトマスク上の異物を置換性物質により置換する場合にも適用できることに着眼し、本発明を完成させたものである。
【００２８】
本発明において、ガス状にして用いる置換性物質１９としては、異物との置換反応性が高くガス状にするのが容易な有機化合物が用いられ、そのためには極性が大きく分子量が小さい有機化合物が好ましい。すなわち、置換性物質１９としての有機化合物は、アルコール類、エーテル類、有機酸エステル類の中のいずれか１種類、または２種類以上の混合物であることが好ましい。
例えば、アルコール類としてはメチルアルコール、エチルアルコール、イソプロピルアルコール等が挙げられ、エーテル類としてはメチルエーテル、エチルエーテル、メチルエチルエーテル等が挙げられ、有機酸エステル類としてはギ酸メチル、酢酸エチル等が挙げられる。これらの置換性物質の中では、有機化合物としてエチレングリコールが、硫酸イオンおよび／またはアンモニウムイオンを含む異物物質よりも脱離速度が遅く、ＳｉＯ2表面でこれらの異物に置き換わり、かつ空気雰囲気で短波長の紫外線で容易にＣＯ2とＨ2Ｏに分解するのでより好ましい。
【００２９】
上記のガス状態の置換性物質をペリクル内部空間１８に導入する方法としては、置換性物質を加熱して気体状態にし、エアフィルタを通したクリーンな空気や窒素ガス等のガスをキャリアガスとして導入する方法、液体状の置換性物質に空気や窒素ガス等のキャリアガスを注入してバブリングし、キャリアガスとともにペリクル内部空間１８に導入する方法等を行なうことができる。ガス状の置換性物質およびキャリアガスはフィルタを通して用いるのが好ましい。キャリアガス中に含まれるガス状とした置換性物質の濃度は特に限定はされないが、濃度が高く流速が大きいほど置換速度が大きくなるため、５％〜飽和濃度の範囲で用いるのが好ましい。濃度５％未満では異物との置換に時間がかかりすぎ、一方、飽和濃度を超えると置換性物質が析出して無駄に消耗されることになるからである。
【００３０】
次に、図１（ｃ）に示すように、ガス導入孔１６より空気または窒素ガスまたは希ガス２０を導入しながらペリクル１５を装着したフォトマスク１１を紫外線２１で照射し、異物と置換されてフォトマスク表面に付着している置換性物質を光分解してガス状とするか、あるいはガスとして空気を用いた場合には、紫外線照射により発生したオゾンの活性酸素により置換性物質を酸化分解してガス状とし、ガス排出孔１７より空気または窒素ガスまたは希ガス２０とともにペリクル１５の外に排出する。空気雰囲気における置換性物質のオゾン酸化分解は、ガス洗浄システムの構築が容易で洗浄コストも低減できるという利点がある。
【００３１】
図１（ｃ）においては、紫外線２１はペリクル１５の上方向から全面照射した場合を示しているが、ペリクル１５の反対側の透明基板側からも同時に紫外線照射してもよく、また、異物が存在していた箇所を局所的に紫外線照射する方法であってもよい。通常は、作業性が良いという観点から、ペリクル１５の上方向から全面照射するのが好ましい。
【００３２】
本発明において、ガス導入孔１６より導入する空気または窒素ガスまたは希ガス２０は、塵埃の侵入を避けるために、ペリクル空間１８へ導入する前にエアフィルタを通すのが好ましい。希ガスとしては、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒガスのいずれかのガスが用いられるが、入手が容易で安価な点から空気または窒素ガスがより好ましい。
上記において、乾燥したガスを導入すると、マスクパターンが静電気破壊される現象が生じることがあるので、上記の空気または窒素ガスまたは希ガスに水蒸気を添加して帯電防止をしたガスを用いるのが好ましい。水蒸気を添加したガスの相対湿度は、一般的なクリーンルームの湿度である４０％〜６０％程度の範囲が好ましい。
【００３３】
本発明において用いる紫外線２１は、置換性物質を光分解もしくは空気雰囲気中で酸化分解し、かつペリクル膜１４に影響を与えない波長が用いられ、フォトマスク使用時の露光波長またはそれよりも長波長の紫外線が用いられる。ペリクル膜１４への影響が少ない点では、置換性物質を光分解もしくは空気雰囲気中で酸化分解し得る範囲において、露光波長よりも長波長の紫外線がより好ましい。例えば、露光光に波長１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザを用いる場合には、紫外線２１としてはＫｒＦエキシマレーザ（波長２４８ｎｍ）、あるいは水銀灯の波長２５３．７ｎｍの紫外線、あるいはｉ線（波長３６５ｎｍ）がより好ましい。
【００３４】
上記のようにしてペリクル内部空間１８を洗浄することにより、図１（ｄ）に示すように、ペリクル内部空間１８のフォトマスク１１上に硫酸アンモニウム等の異物が存在しない清浄なフォトマスクを再び得ることができる。このマスクは洗浄後の検査も１回でよく、工程が短く、マスク製造コストを低減することができる。
なお、本発明の洗浄方法は、成長性の異物がフォトマスク１１上ではないペリクル空間１８を構成しているペリクル膜１４やペリクルフレーム１３の上に存在する場合にも適用できるものである。
【実施例】
【００３５】
（実施例１）
厚さ０．２５インチで６インチ角の光学研磨された合成石英基板上に、厚さ６０ｎｍのクロムよりなるハーフピッチ６５ｎｍのマスクパターン（マスク上では４倍体）を有するバイナリマスクを形成した。このマスクに、アルミニウム合金でペリクルフレームを形成し、フッ素樹脂でペリクル膜を設けたペリクルを接着し、ペリクルを装着したフォトマスクとした。このペリクルフレームには、孔径１ｍｍのガス導入孔とガス排出孔を各１箇所設けた。
上記のペリクルを装着したフォトマスクは、マスク欠陥検査において異物等の欠陥が存在しないことを確認した。
【００３６】
次に、このフォトマスクをＡｒＦエキシマレーザ露光装置に設置し、感光性レジストを塗布したシリコンウェハを露光した。このフォトマスクを用いた露光時間が累積で長時間に及んだとき、パターン欠陥がウェハ上に生じたため、マスク検査をしたところ、ペリクル内部空間のマスク上に硫酸アンモニウムよりなる成長性異物が発生していた。
【００３７】
上記の成長性異物が発生したペリクルを装着したフォトマスクを洗浄するために、エチレングリコールを加熱して気体とし、エアフィルタを通した空気をキャリアガスとし（エチレングリコール濃度１０％／空気）、水蒸気を添加し（相対湿度４５％）、ペリクルフレームのガス導入孔よりガス状のエチレングリコールをフィルタを通して導入し、ガス排出孔より排出し、ガス状のエチレングリコールを流しながら一定時間放置することで、マスク上の異物をエチレングリコールに置き換えた。
【００３８】
続いて、ペリクル上方側から紫外線として活性酸素が発生する２５３．７ｎｍの波長を含む水銀ランプを全面照射しながらエアフィルタを通したクリーンな空気を０．１リットル／分の流量でガス導入孔より流し、マスク上のエチレングリコールを酸化分解してガス排出孔から除去した。上記のガス洗浄において、ペリクル膜には何の損傷も生じなかった。
【００３９】
次に、このペリクルを装着したフォトマスクをマスク検査したところ、マスク表面は清浄で異物の存在は認められなかった。このマスクを用いて再びＡｒＦエキシマレーザ露光したところ、ウェハ上に欠陥のない良好なパターンが得られた。
【００４０】
（実施例２）
実施例１と同様に、フッ素樹脂でペリクル膜を設けたペリクル内部空間のマスク上に硫酸アンモニウムよりなる成長性異物が発生した６インチ角のＡｒＦエキシマレーザ露光用フォトマスクを準備した。
上記のペリクルを装着したフォトマスクを洗浄するために、エチレングリコールを加熱して気体とし、エアフィルタを通した窒素ガスをキャリアガスとし（エチレングリコール濃度２０％／窒素ガス）、水蒸気を添加し（相対湿度４５％）、ペリクルフレームのガス導入孔よりガス状のエチレングリコールをフィルタを通して導入し、ガス排出孔より排出し、ガス状のエチレングリコールを流しながら一定時間放置することで、マスク上の異物をエチレングリコールに置き換えた。
【００４１】
続いて、ペリクル上方側から紫外線として波長１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザ光を全面照射しながらエアフィルタを通したクリーンな窒素ガスを０．１リットル／分の流量でガス導入孔より流し、マスク上のエチレングリコールを光分解してガス排出孔から除去した。上記のガス洗浄において、ペリクル膜には何の損傷も生じなかった。
【００４２】
このペリクルを装着したフォトマスクをマスク検査したところ、マスク表面は清浄となり異物の存在は認められなかった。このマスクを用いて再びＡｒＦエキシマレーザ露光装置で露光したところ、ウェハ上に欠陥のない良好なパターンが得られた。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明のペリクルを装着したフォトマスクの洗浄方法の一実施形態を示す工程断面模式図である。
【符号の説明】
【００４４】
１１  フォトマスク
１２  粘着材
１３  ペリクルフレーム
１４  ペリクル膜
１５  ペリクル
１６  ガス導入孔
１７  ガス排出孔
１８  ペリクル内部空間
１９  ガス状の置換性物質
２０  空気または窒素ガスまたは希ガス
２１  紫外線
【図１】
2008051986.tif 000003