(57)【要約】【課題】熱揺らぎ耐性と、媒体ＳＮｍとの向上を両立させる。【解決手段】異方性磁界Ｈｋと飽和磁化量Ｍｓが、２＜Ｈｋ／４πＭｓ＜５を満足し、垂直方向に磁界ＭＨループにおいて、その傾斜の度合いをαとしたとき、異方性磁界Ｈｋ、飽和磁化量Ｍｓ、及び保磁力Ｈｃが、式０．０１＜｛（α−１）Ｈｃ＋４πＭｓ｝／Ｈｋ＜０．２を満足し、かつ面内残留磁化量Ｍｒが、垂直飽和磁化量Ｍｓの０．２未満となる磁気特性を有する垂直磁気記録媒体。【選択図】      図１
2008034104.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、該基板上に形成された第１の下地層と、該第１の下地層上に形成された第２の下地層と、該第２の下地層上に形成された垂直磁性層とを有する磁気記録媒体において、該第１の下地層及び該第２の下地層はルテニウムを含み、該第１の下地層が該第２の下地層より高配向であることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】
基板と、該基板上に形成された第１の下地層と、該第１の下地層上に形成された第２の下地層と、該第２の下地層上に形成された垂直磁性層とを有する磁気記録媒体において、該第１の下地層及び該第２の下地層はルテニウムを含み、該第２の下地層が該第１の下地層より微粒子であることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項３】
基板と、該基板上に形成された第１の下地層と、該第１の下地層上に形成された第２の下地層と、該第２の下地層上に形成された垂直磁性層とを有する磁気記録媒体において、該第１の下地層及び該第２の下地層はルテニウムを含み、該第１の下地層が該第２の下地層より高配向であり、該第２の下地層が該第１の下地層より微粒子であることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項４】
前記垂直磁性層は、クロム及び酸素のうち少なくとも１つが添加されたコバルトプラチナ系合金磁性層を含む請求項１ないし３のいずれか１項に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項５】
前記第１の下地層は第１の気圧の不活性ガス雰囲気で製膜され、前記第２の下地層は第１の気圧より高い第２の気圧の不活性ガス雰囲気で製膜されたことを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項６】
前記基板と下地層との間に、軟磁性層をさらに設けた請求項５に記載の磁気記録媒体。
【請求項７】
磁気記録媒体と、
前記磁気記録媒体を支持及び回転駆動する駆動手段と、
前記磁気記録媒体に対して情報の記録再生を行う磁気ヘッドとを具備する磁気記録再生装置において、
前記磁気記録媒体は、基板上に形成された第１の下地層と、該第１の下地層上に形成された第２の下地層と、該第２の下地層上に形成された垂直磁性層とを有し、該第１の下地層及び該第２の下地層はルテニウムを含み、該第１の下地層が該第２の下地層より高配向であることを特徴とする磁気記録再生装置。
【請求項８】
磁気記録媒体と、
前記磁気記録媒体を支持及び回転駆動する駆動手段と、
前記磁気記録媒体に対して情報の記録再生を行う磁気ヘッドとを具備する磁気記録再生装置において、
前記磁気記録媒体は、基板上に形成された第１の下地層と、該第１の下地層上に形成された第２の下地層と、該第２の下地層上に形成された垂直磁性層とを有し、該第１の下地層及び該第２の下地層はルテニウムを含み、該第２の下地層が該第１の下地層より微粒子であることを特徴とする磁気記録再生装置。
【請求項９】
磁気記録媒体と、
前記磁気記録媒体を支持及び回転駆動する駆動手段と、
前記磁気記録媒体に対して情報の記録再生を行う磁気ヘッドとを具備する磁気記録再生装置において、
前記磁気記録媒体は、基板上に形成された第１の下地層と、該第１の下地層上に形成された第２の下地層と、該第２の下地層上に形成された垂直磁性層とを有し、該第１の下地層及び該第２の下地層はルテニウムを含み、該第１の下地層が該第２の下地層より高配向であり、該第２の下地層が該第１の下地層より微粒子であることを特徴とする磁気記録再生装置。
【請求項１０】
前記垂直磁性層は、クロム及び酸素のうち少なくとも１つが添加されたコバルトプラチナ系合金磁性層を含む請求項７ないし９のいずれか１項に記載の磁気記録再生装置。
【請求項１１】
第１の下地層は第１の気圧の不活性ガス雰囲気で製膜され、前記第２の下地層は第１の気圧より高い第２の気圧の不活性ガス雰囲気で製膜されたことを特徴とする請求項７ないし１０のいずれか１項に記載の磁気記録再生装置。
【請求項１２】
前記基板と下地層との間に、軟磁性層をさらに設けた請求項１１に記載の磁気記録再生装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、垂直磁気記録方式の磁気記録再生装置及びこれに用いられる垂直磁気記録媒体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
磁気記録の記録密度を向上させようとする場合、媒体ノイズを低減させることと、熱揺らぎ耐性を向上させるということの両立が問題であることが明らかになってきている。
【０００３】
この解決方法の１つは、媒体磁性膜の磁気異方性エネルギーを高めた材料を用いることである。しかし、媒体磁性膜の磁気異方性エネルギーを高めるために、磁気異方性磁界を大きくした材料を用いると、記録ヘッドで十分書き込むことができないという問題が生じ、磁気異方性磁界を大きくしないで、飽和磁化量が大きい材料を用いると、静磁作用が大きくなって、低ノイズ化が難しいとの問題が生じる。
【０００４】
一方、従来から、磁化を垂直方向に記録する垂直磁気記録方式が検討されている。この方式では、面内磁気記録のように磁化遷移領域に隣接ビットからの反磁界が働かず、逆に、隣接ビットからは磁化遷移領域では磁化が安定する方向に働くために、高密度な記録状態において安定であり、高密度記録に有利と考えられているからである。最近、この垂直磁気記録は、面内磁気記録媒体と比較して、厚い膜厚でも高分解能が維持できることから、熱揺らぎ耐性においても有利と考えられ、この点からも注目されはじめてきた。しかし、垂直磁気記録の場合には、低密度側では、薄膜形状効果により自ビット内での反磁界の影響を強く受け、低密度でより再生出力の低下が大きいことが報告されている。従って、垂直磁気記録でも、耐熱揺らぎ性の検討を行うことが必要になってきている。
【０００５】
垂直磁気記録媒体においても、面内磁気記録媒体と同様に、磁性膜の異方性エネルギーを高めることが有効となるが、ヘッドによる書き込みが困難となる。さらに、垂直磁気記録媒体では、遷移ノイズを低下させるため磁性粒子の微細化を進めると、飽和磁化領域でのノイズの増大がおこり、媒体Ｓ／Ｎｍ自体を高めることが難しい。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、上記の課題を解決するためになされたものであり、垂直磁気記録媒体において、磁性膜粒子の熱揺らぎ耐性と、媒体Ｓ／Ｎｍとがより向上された垂直磁気記録媒体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、該基板上に形成された第１の下地層と、該第１の下地層上に形成された第２の下地層と、該第２の下地層上に形成された垂直磁性層とを有する磁気記録媒体において、該第１の下地層及び該第２の下地層はルテニウムを含み、少なくとも、該第１の下地層が第２の下地層より高配向であるか、または第２の下地層が第１の下地層より微粒子であることを特徴とする磁気記録媒体を提供する。
【０００８】
本発明は、また、
磁気記録媒体と、
前記磁気記録媒体を支持及び回転駆動する駆動手段と、
前記磁気記録媒体に対して情報の記録再生を行う磁気ヘッドとを具備する磁気記録再生装置において、
前記磁気記録媒体は、基板上に形成された第１の下地層と、該第１の下地層上に形成された第２の下地層と、該第２の下地層上に形成された垂直磁性層とを有し、該第１の下地層及び該第２の下地層はルテニウムを含み、少なくとも、該第１の下地層が第２の下地層より高配向であるか、または第２の下地層が第１の下地層より微粒子であることを特徴とする磁気記録再生装置を提供する。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、磁性膜粒子の熱揺らぎ耐性と、媒体ＳＮｍとがより向上した垂直磁気記録媒体が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
本発明の磁気記録媒体は、基板と、当該基板上に形成された垂直磁性層とを有する磁気記録媒体であって、その磁気特性が、下記３つの条件を満たす。
【００１１】
第１の条件では、異方性磁界Ｈｋと飽和磁化量Ｍｓが、式２＜Ｈｋ／４πＭｓ＜５…（１）で表される関係を有する。
【００１２】
第２の条件では、垂直磁性層に垂直な方向に磁界Ｈを加えたときの磁化の強さＭの変化を表すヒステリシス曲線（ＭＨループ）において、その傾斜の度合いをαとしたとき、異方性磁界Ｈｋ、飽和磁化量Ｍｓ、及び保磁力Ｈｃが、式０．０１＜｛（α−１）Ｈｃ＋４πＭｓ｝／Ｈｋ＜０．２…（２）を満足する。
【００１３】
第３の条件では、面内残留磁化量Ｍｒが、垂直飽和磁化量Ｍｓの０．２倍未満となる。
【００１４】
また、本発明の磁気録再生装置は、上述の磁気記録媒体を適用した装置であって、
上記磁気記録媒体と、
磁気記録媒体を支持及び回転駆動する駆動手段と、
磁気記録媒体に対して情報の記録再生を行う磁気ヘッドとを具備する。
【００１５】
本発明によれば、まず、Ｈｋ／４πＭｓの値を２より大きく５未満にすることにより、粒子の異方性エネルギー変化が、反磁界の変化と相殺され、各粒子の熱揺らぎ耐性が均一化される。このように、各磁性粒子の熱ゆらぎ耐性を同程度とすることで、磁化遷移位置のバラ付きがなくなり、磁化遷移が急竣となり記録分解能が向上し、媒体ノイズが少なくなって媒体Ｓ／Ｎが向上する。
【００１６】
また、本発明によれば、Ｈｋ／４πＭｓの値を規定することに加えて、ＭＨループの傾斜の度合いをαとした時、０．０１＜｛（α−１）Ｈｃ＋４πＭｓ｝／Ｈｋ＜０．２とすることで、高熱揺らぎ耐性と遷移領域の低ノイズ化を両立させることができる。ここでαの値は、粒子間相互作用や、膜の個々の粒子サイズ比（粒子の直径と高さの比）やパッキングの状態に関係した膜の反磁界係数と関係し、これらを変化させて制御する。さらに、本発明によれば、面内残留磁化量を垂直飽和磁化量の０．２倍未満とする条件をさらに規定することで、磁化飽和領域のノイズも低減できる。
【００１７】
Ｈｋ／４πＭｓの値は、好ましくは２．５ないし４．５である。これにより、各粒子の熱揺らぎ耐性をより均一化させ、熱揺らぎ耐性にさらに優れた磁気記録媒体が得られる。
【００１８】
垂直磁性層は、クロム及び酸素のうち少なくとも１つが添加されたコバルトプラチナ系合金磁性層を含むことが好ましい。このような組成の磁性層は、Ｈｋ／４πＭｓが２より大きく、５より小さくなる垂直磁性層が容易に得られると共にα値を変化させやすい。
【００１９】
図１に、本発明に係る磁気記録媒体の構成の一例を表す図を示す。
【００２０】
図示するように、本発明の磁気記録媒体１０は、少なくとも基板１と基板１上に設けられた垂直磁性層２とを含む。
【００２１】
本発明の磁気記録媒体は、垂直磁性層の下地膜として、高圧アルゴン雰囲気で製膜されたルテニウムを含む層と、低圧アルゴン雰囲気で製膜されたルテニウムを含む層を有する積層体をさらに有することが好ましい。低圧アルゴン雰囲気で製膜されたルテニウムを含む層は、磁性層が高配向となる効果を奏し、また、高圧アルゴン雰囲気で製膜されたルテニウムを含む層は、磁性層が微粒子となる効果を奏する。このような下地膜を使用すると、α値を変化させやすいと共に、面内残留磁化量がＨｒが垂直飽和磁化量Ｍｓの０．２未満となりやすい。
【００２２】
図２に、下地層を設けた磁気記録媒体の構成の一例を表す図を示す。
【００２３】
図示するように、この磁気記録媒体２０は、基板１上に、低圧アルゴン雰囲気で製膜されたルテニウム含有層３と、高圧アルゴン雰囲気で製膜されたルテニウム含有層４と、垂直磁性層２とが順に形成された構成を有する。
【００２４】
垂直磁性層と基板との間に、軟磁性層をさらに設けることができる。これにより、ＤＣノイズをさらに低下することができる。
【００２５】
図３に、軟磁性層を設けた磁気記録媒体の構成の一例を表す図を示す。
【００２６】
図示するように、この磁気記録媒体３０は、基板１上に、軟磁性層５と、低圧アルゴン雰囲気で製膜されたルテニウム含有層３と、高圧アルゴン雰囲気で製膜されたルテニウム含有層４と、垂直磁性層２とが順に形成された構成を有する。
【００２７】
本発明において、Ｈｋ／４πＭｓの適切な値は、以下のようにして求めた。
【００２８】
まず、２．５インチ径化学強化アルミノ・珪酸ガラスを基板として用い、垂直配向を向上する目的でＴｉ系シード層、及びＲｕ系下地膜を順に形成した。その後、ＣｏＰｔＣｒ系ターゲットを用いて、ＣｏＰｔＣｒＯ系垂直磁性膜をスパッタによって形成し、例えばカーボン等の保護膜、及び例えばパーフロロポリエーテル等の潤滑層を順に形成して試験用の磁気記録媒体を得た。
【００２９】
この磁気記録媒体の磁気的な特性を、振動試料型磁力計（ＶＳＭ）によって測定し、熱揺らぎ耐性を残留磁化Ｍｒの時間変化ΔＭｒ／Ｍｒで評価した。このΔＭｒ／Ｍｒは、初期磁化量に対する所定時間経過後の磁化量の割合である。
【００３０】
また、この媒体をリングタイプ記録・ＧＭＲ再生ヘッドと組み合わせて使用し、オーバーライトモジュレーション（ＯＷＭ）と媒体Ｓ／Ｎを評価した。
【００３１】
膜の磁気特性は、ＣｏＰｔＣｒターゲットの組成・製膜条件を変化させることで制御した。ＯＷＭは、１０ｋＦＣＩの出力が最大となる記録電流に対して、１００ｋＦＣＩ上に２００ＦＣＩを記録して測定した。
【００３２】
また、媒体Ｓ／Ｎは、得られた１０ｋＦＣＩのダイパルスのピーク・ピーク値とｒｍｓノイズ値の比として、１μｍトラック幅に換算して求めた。
【００３３】
なお、Ｈｋは、面内のＭＨループから得られる値として定める。
【００３４】
図４に、面内方向に磁界をかけた場合のＭＨループを表すグラフ図を示す。
【００３５】
図示するように、本発明に用いられるＨｋは、面内のＭＨループを測定し、＋磁化印加側の曲線１００と−磁化印加側の曲線１０２を平均した曲線１０１を求め、この曲線１０１上で磁化量が飽和磁化Ｍｓの２／３となる点１０３と原点とを結んだ直線１０４が飽和磁化量となるときの磁界で定義される。
【００３６】
また、Ｍｒの変化は、一度、１４４０Ａ／ｍの磁界を印加後、磁界を取り去った状態でＭｒの変化を測定し、６０００秒後と９０００秒後のＭｒの変化を求めた。また、この結果から１×１０6秒後と１×１０8秒後の磁化量の変化を推定した。
【００３７】
また、図５に、Ｈｋを変化させた場合のＯＷＭとの関係を表すグラフ図を示す。
【００３８】
図示するように、記録の際に、ＯＷＭが３２ｄＢ以上は取れる条件とすると、このヘッドとこのＣｏＰｔＣｒＯ系垂直磁性層との組み合わせにおいては、Ｈｋが９６０Ｋ  Ａ／ｍ程度以下で良好であることがわかった。
【００３９】
そこで、Ｈｋが約９６０Ｋ  Ａ／ｍとなるターゲット組成の１つについて、製膜条件例えばスパッタ時のバリ、スパッタチャンバー内の圧力、スパッタチャンバー内の酸素量、スパッタ時の基板温度、及びスパッタ開始までの時間等を種々変更して磁性層を形成し、サンプル  １−１ないし１−１１の磁気記録媒体を作製した。このときのＣｒ組成は、各々１６ａｔ％であり、Ｐｔは２０ａｔ％であった。また、得られた磁性層中の酸素濃度は、３０ａｔ％であった。
【００４０】
これらについて、媒体Ｓ／Ｎｍと熱揺らぎ耐性評価として残留磁化量Ｍｒの減衰比（ΔＭｒ／Ｍｒ）を種々の時間経過後について測定した。また、記録分解能を与えるＰＷ５０（ｎｍ）は孤立再生信号を微分してその半値幅から求めた。
【００４１】
作製した媒体のＨｋ、４πＭｓ、及びＨｋ／４πＭｓと、媒体Ｓ／Ｎ、熱揺らぎ耐性（ΔＭｒ／Ｍｒ）、Ｓ／Ｎ比、及びＰＷ５０の値を下記表１に示す。
【表１】
2008034104.tif 000003
【００４２】
図６に、サンプル１−１ないし１−１１について、Ｈｋ／４πＭｓと磁化量の減衰比ΔＭｒ／Ｍｒとの関係を表すグラフ図を示す。
【００４３】
図中、２０１は６０００秒経過後のΔＭｒ／Ｍｒ、２０２は９０００秒経過後のΔＭｒ／Ｍｒ、２０３、２０４は各々１×１０6秒後と１×１０8秒後の磁化量の変化の推定値を各々表すグラフである。
【００４４】
図示するように、Ｈｋ／４πＭとＭｒの時間変化の関係を求めると、Ｈｋ／４πＭｓが２〜５の場合には、ほとんどＭｒの変化は無視できる程度であった。しかしながら、Ｈｋ／４πＭｓが２より小さいか、または５より大きい場合にはＭｒの大きな変化が見られ、熱揺らぎ耐性が劣ることがわかった。
【００４５】
６０００秒と９０００秒のＭｒの変化から１×１０6秒後と１×１０8秒後の磁化量の変化を推定すると、１×１０6秒後では、２＜４πＭｓ＜５の場合は、磁化の変化量は１０％以内であるが、それ以外では、急激に変化量が大きくなり、１×１０8秒後では、２．５＜４πＭｓ＜４．５であると、磁化の変化量は、１０％以内であるが、それ以外では変化量は急激に大きくなると予想される結果が得られた。
【００４６】
Ｈｋ／４πＭｓが２より小さい場合、または、Ｈｋ／４πＭｓが５より大きい場合にも、Ｈｋをより大きくした場合には、磁化の変化量は小さくなったが、この場合には、図５に示す結果と同様に、０ＷＭが低下していた。
【００４７】
各媒体のＶＳＭで測定したＭＨループ形状（図示しない）では、Ｈｋ／４πＭｓが２〜５の場合には、垂直ＭＨループの肩の部分にだれが少なく、それ以外の媒体では、垂直ＭＨループの肩の部分がだれ、丸みを帯びる形状になっていた。これは、Ｈｋ／４πＭｓが２〜５の場合に、粒子の熱揺らぎ耐性が均一であることを意味している。
【００４８】
これに対応して、媒体Ｓ／Ｎｍについても、表１に示すように、Ｈｋ／４πＭｓが２〜５の場合には、２５ｄＢ以上のＳ／Ｎが得られ、Ｐｗ５０（ｎｍ）についても、Ｈｋ／４πＭｓが２〜５の場合、１００ｎｍ以下と良好な値となった。
【００４９】
以上の結果から、垂直磁化膜の特性として、Ｈｋ／４πＭｓの値を、２＜Ｈｋ／４πＭｓ＜５、好ましくは２．５＜Ｈｋ／４πＭｓ＜４．５とすることで、熱揺らぎ耐性に優れた媒体が得られることがわかった。
【００５０】
ＣｏＰｔＣｒＯ系垂直磁性層の場合、その組成比は、Ｃｏ  ３０ないし８８ａｔｍ％、Ｐｔ  １２ないし３６ａｔｍ％、Ｃｒ  ０ないし２０ａｔｍ％、Ｏ  ０ないし４０ａｔｍ％の範囲であることが好ましい。これ以外の範囲であると、ＨｋやＭｓが低下しすぎる傾向がある。
【００５１】
本発明によれば、上述の適切なＨｋ／４πＭｓの値に加えて、さらに｛（α−１）Ｈｃ＋４πＭｓ｝／Ｈｋの適切な値が規定される。
【００５２】
図７に、Ｈｋ／４πＭｓが適切な磁気特性を有し、磁性粒子間に相互作用がないと考えた場合の垂直磁気記録媒体に対し、垂直方向に磁界をかけた場合のＭＨループを模式化した図を示す。
【００５３】
図中、ライン２０１は、本発明に係る垂直磁気記録媒体に対し、垂直方向に磁界をかけた場合のＭＨループ２２０の−磁化印加側を表す直線である。本発明の媒体のＭＨループにおいて、−磁化印加側で理想的に磁界の反転が生じるときの磁界の強さに対するその保磁力Ｈｃの比Ｈｃ／ＨｎをＭＨループの傾斜の度合いαとする。
【００５４】
ここで、Ｈｎは、ライン２０１がＭｓの値をもつ磁界であり、理想的にはＭＨループ２２０の反転が開始する印加磁界を表し、Ｈ0は−Ｈc＋４πＭｓで表され、傾き（−Ｈc＋４πＭｓ）／−Ｈcをもつライン２０２の磁化量が飽和磁化量Ｍｓとなるときの磁界の強さを表す。（α−１）Ｈｃ＋４πＭｓは、ＨｎとＨ0との差ｄを表す。本発明では、Ｈｋに対する（α−１）Ｈｃ＋４πＭｓの比を０．０１ないし０．２とすることにより、高熱揺らぎ耐性と遷移領域の低ノイズ化を両立させることができる。
【００５５】
｛（α−１）Ｈｃ＋４πＭｓ｝／Ｈｋが０．０１未満である場合には、熱揺らぎ耐性が不十分となり、０．２を超えると、遷移ノイズが増大となる。
【００５６】
また、本発明によれば、さらに面内残留磁化量Ｍｒが、垂直飽和磁化量Ｍｓの０．２倍以下となることが規定される。０．２倍を超えると、飽和磁化領域のノイズが増大する。
【００５７】
上述の磁気記録媒体は、次のような磁気記録再生装置に適用することができる。
【００５８】
図８に、本発明にかかる磁気記録再生装置の一例を一部分解した斜視図を示す。
【００５９】
本発明に係る情報を記録するための剛構成の磁気ディスク１２１はスピンドル１２２に装着されており、図示しないスピンドルモータによって一定回転数で回転駆動される。磁気ディスク１２１にアクセスして情報の記録再生を行う磁気ヘッドを搭載したスライダー１２３は、薄板状の板ばねからなるサスペンション１２４の先端に取付けられている。サスペンション１２４は図示しない駆動コイルを保持するボビン部等を有するアーム１２５の一端側に接続されている。
【００６０】
アーム１２５の他端側には、リニアモータの一種であるボイスコイルモータ１２６が設けられている。ボイスコイルモータ１２６は、アーム１２５のボビン部に巻き上げられた図示しない駆動コイルと、それを挟み込むように対向して配置された永久磁石および対向ヨークにより構成される磁気回路とから構成されている。
【００６１】
アーム１２５は、固定軸１２７の上下２カ所に設けられた図示しないボールベアリングによって保持され、ボイスコイルモータ１２６によって回転揺動駆動される。すなわち、磁気ディスク１２１上におけるスライダー１２３の位置は、ボイスコイルモータ１２６によって制御される。なお、図９中、１２８は蓋体を示している。
【００６２】
図９に、本発明に係る垂直磁気記録媒体の構成の一例を表す概略図を示す。
【００６３】
図示するように、この磁気記録媒体４０は、基板１上に、例えばチタン合金からなるシード層５と、低圧アルゴン雰囲気で製膜されたルテニウム含有層３と、高圧アルゴン雰囲気で製膜されたルテニウム含有層４と、例えばＣｏＰｔＣｒＯ系合金からなる垂直磁性層２とが順に形成された構成を有する。
【００６４】
この磁気記録媒体４０は、以下のようにして形成した。
【００６５】
まず、２．５インチ径化学強化アルミノ・珪酸ガラスを基板１として用意した。次に、基板１上に、Ｔｉ合金をスパッタにより形成し、シード層５を形成した。その後、軟磁性層５上にＲｕ合金を２段スパッタにより下地層８を形成した。このとき、第１段のＲｕ層３は低Ａｒ圧で、第２のＲｕ層４は高Ａｒ圧でスパッタを行なった。下地膜を形成した後、Ｃｏ64Ｐｔ20Ｃｒ16組成のＣｏＰｔＣｒ系ターゲットを用いて、高スパッタ圧力時に微量の酸素ガスを添加して、ＣｏＰｔＣｒＯ系垂直磁性層をスパッタ形成した。さらに、カーボンからなる保護膜、パーフロロポリエーテルからなる潤滑層をつけて本発明に係る垂直磁気記録媒体を得た。
【００６６】
得られた垂直磁気記録媒体の垂直方向の磁気特性及び面内方向の磁気特性を、振動試料型磁力計（ＶＳＭ）によって測定した。これらの測定から、Ｈｋ、４πＭｓ、｛（α−１）Ｈｃ＋４πＭｓ｝／Ｈｋ、垂直飽和磁化量Ｍｓに対する面内残留磁化量Ｍｒの比  Ｍｒ（//）／Ｍｓ（⊥）を求めた。得られた結果を下記表１に示す。
【００６７】
また、上述の各磁気記録媒体の構成として、基板とチタン合金の間にさらに、薄いＦｅＡｌＳｉ膜と非磁性膜を積層することにより、ＦｅＡｌＳｉ軟磁性層を形成し、磁気記録媒体を得た。
【００６８】
得られた磁気記録媒体の構成を表す図を図１０に示す。
【００６９】
図示するように、この磁気記録媒体５０は、基板１上に、例えば軟磁性層９と、チタン合金からなるシード層５と、低圧アルゴン雰囲気で製膜されたルテニウム含有層３と、低圧アルゴン雰囲気で製膜されたルテニウム含有層４と、例えばＣｏＰｔＣｒＯ系合金からなる垂直磁性層２とが順に形成された構成を有する。
【００７０】
ここで、軟磁性層を設けた垂直磁気記録媒体の垂直磁性層のＭＨループは、垂直磁性層が飽和してから軟磁性層が飽和する間の磁化の傾きを補正することにより得られる。図１１に補正前のＭＨループ、図１２に補正後のＭＨループを各々示す。図１２から図７と同様にして、Ｈ0、Ｈｃ、Ｍｓ、及びｄ値等を求めることができる。
【００７１】
得られた磁気記録媒体について、垂直記録ヘッドとＧＭＲ再生ヘッドとを組み合わせて適用し、リード／ライト（Ｒ／Ｗ）特性を評価した。
【００７２】
その結果を下記表２に示す。なお、信号と媒体ノイズの比Ｓ／Ｎｍは、媒体ノイズをトータルノイズとシステムノイズを用いて求め、信号と遷移領域ノイズの比Ｓ／Ｎｔｒは、媒体ノイズとＮｍと媒体ＤＣノイズＮｄｃを用いて求めている。Ｓは信号のゼロからピークまでの値である。
【００７３】
比較として下地層８の製膜条件を変化させることで、磁性層の磁気特性の変化を行なう以外は、同様にして磁気記録媒体のサンプル２−１ないし２−５を得た。
【００７４】
サンプル２−１ないし２−４では、Ｒｕ合金下地層を２段スパッタせずに、Ｒｕの製膜圧力を変化させた。また、サンプル２−５では、Ｒｕ膜を２段スパッタし、第１段のＲｕ層を高圧で、第２段のＲｕを低圧で製膜したものを作製した。
【００７５】
これらの磁気記録媒体について本発明と同様に評価を行った。その結果を下記表２及び表３に示す。
【表２】
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【００７６】
表２から明らかなように、全ての媒体は、Ｈｋ／４πＭｓが２より大きく５未満の範囲内であった。本発明の媒体は、Ｍｒ（//）／Ｍｓ（⊥）＜０．２と、０．０１＜｛（α−１）Ｈｃ＋４πＭｓ｝／Ｈｋ＜０．２を同時に満たすが、サンプル２−１のように、Ｒｕを１段のもので製膜し、Ｒｕ製膜時の圧力を変えた場合、スパッタ圧が低い場合Ｍｒ（//）／Ｍｓ（⊥）値は小さいが、｛（α−１）Ｈｃ＋４πＭｓ｝／Ｈｋ値は、逆に大きくなる。また、サンプル２−２ないし２−４のように、Ｒｕ圧力を変化させても、Ｍｒ（//）／Ｍｓ(⊥）＜０．２と０．０１＜｛（α−１）Ｈｃ＋４πＭｓ｝／Ｈｋ＜０．２を同時に満たすものはない。また、比較例５のように、Ｒｕ時の製膜を２段としたものでも、第１段を高スパッタ圧、第２段を低スパッタ圧で形成したものはＭｒ（//）／Ｍｓ（⊥）＜０．２を満たさなかった。
【００７７】
低スパッタ圧と高スパッタ圧にした時の膜構造の違いとして、Ｒｕの配向性と、その上に成長する記録層の配向性および磁性粒子の微細化が考えられる。
【００７８】
本発明の媒体では、ＴＥＭ像、ＴＥＤ像から良好な配向と磁性粒子の微細化がなされていることが確認された。
【表３】
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【００７９】
表２及び表３より、本発明及びサンプル２−３ないし２−５のように、｛（α−１）Ｈｃ＋４πＭｓ｝／Ｈｋ値が０．０１より大きく０．２より小さいと、２６ｄＢ以上の充分に良好な信号と遷移媒体ノイズ比Ｓ／Ｎｔｒが得られた。信号と遷移媒体ノイズ比Ｓ／Ｎｔｒの値が大きいと、垂直用ヘッドで良好な磁化ビットを書き込むことが可能である。
【００８０】
さらに、本発明及びサンプル２−１及び２−２のように、Ｍｒ（//）／Ｍｓ（⊥）が０．２未満の場合には、媒体Ｓ／Ｎｄｃが良好となった。
【００８１】
このように、Ｈｋ／４πＭｓが２より大きく５未満の範囲内であり、かつ｛（α−１）Ｈｃ＋４πＭｓ｝／Ｈｋ値とＭｒ（//）／Ｍｓ（⊥）比の両方を満足することにより、信号と媒体ノイズ比Ｓ／Ｎｍが良好となることがわかった。
【図面の簡単な説明】
【００８２】
【図１】本発明に係る磁気記録媒体の構成の一例を表す図
【図２】本発明に係る磁気記録媒体の構成の他の一例を表す図
【図３】本発明に係る磁気記録媒体の構成のさらに一例を表す図
【図４】面内方向に磁界をかけた場合のＭＨループを表すグラフ図
【図５】Ｈｋを変化させた場合のＯＷＭとの関係を表すグラフ図
【図６】Ｈｋ／４πＭｓと磁化量の減衰比ΔＭｒ／Ｍｒとの関係を表すグラフ図
【図７】垂直方向に磁界をかけた場合のＭＨループを模式化した図
【図８】本発明に係る磁気記録媒体の構成のさらにまた他の一例を表す図
【図９】本発明に係る磁気記録再生装置の一例を表す図
【図１０】本発明に係る磁気記録媒体の構成のまた他の一例を表す図
【図１１】軟磁性層を設けた垂直磁気記録媒体のＭＨループを表す図
【図１２】図１１を補正して得られたＭＨループを表す図
【符号の説明】
【００８３】
１…基板、２…垂直磁性層、３…低圧アルゴン雰囲気で製膜された下地層、４…低圧アルゴン雰囲気で製膜された下地層、５…軟磁性層、１０，２０，３０，４０，５０，１２１…磁気記録媒体、        １２３…スライダー
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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