(57)【要約】【課題】半導体チップを搭載するためのダイパットと、このダイパットを中央に位置させて設定された仮想の四辺のうちの対向する二辺から外向きに延びるように配置された放熱フィンと、前記四辺のうちの残りの二辺に向かう方向に形成された複数のインナーリードとを有した半導体装置において、アウターリードと放熱フィンとのカットベンド工程における半導体装置の生産性の向上を図る。【解決手段】リードフレームが吊りリード８を有する。吊りリード８は、半導体装置における樹脂封止エリア１７の内部と、リードフレームにおける封止樹脂から露出した放熱フィン４の部分以外の部分とにわたって配置されている。【選択図】図２
2008181983.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップを搭載するためのダイパットと、このダイパットを中央に位置させて設定された仮想の四辺のうちの対向する二辺から外向きに延びるように配置された放熱フィンと、前記四辺のうちの残りの二辺に向かう方向に形成された複数のインナーリードとを有する半導体装置用リードフレームであって、吊りリードを有し、この吊りリードは、半導体装置における樹脂封止エリアの内部と、リードフレームにおける封止樹脂から露出した放熱フィンの部分以外の部分とにわたって配置されていることを特徴とする半導体装置用リードフレーム。
【請求項２】
半導体チップは高耐圧用素子であり、吊りリードは、ダイパットと連なっているとともに、四辺のうちの放熱フィンの存在する辺に設けられていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置用リードフレーム。
【請求項３】
請求項１または２に記載の半導体装置用リードフレームを用い、ダイパットと半導体チップと放熱フィンの一部とインナーリードと吊りリードの一部とを樹脂で封止し、封止樹脂から露出した放熱フィンの部分とアウターリードとをリードフレームからカットしたうえでガルウイング状に屈曲させ、その後、封止樹脂から露出した吊りリードの部分をリードフレームからカットすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
ハンマーゲート方式によって樹脂による封止を行うことを特徴とする請求項３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
封止樹脂から露出した放熱フィンの部分をガルウイング状に屈曲させる工程と、アウターリードをガルウイング状に屈曲させる工程とを同時に行うことを特徴とする請求項３または４記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
ガルウイング状に屈曲された放熱フィンの先端をカットする工程と、ガルウイング状に屈曲されたアウターリードの先端をカットする工程とを同時に行うことを特徴とする請求項３から５までのいずれか１項記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項３から６までのいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法を用いて製造されたものであることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば高耐圧用素子などを備えて高放熱性を必要とする半導体装置のための、半導体装置用リードフレームおよびそれを用いた半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、高耐圧用素子などを備えて高放熱性を必要とする半導体装置のためのリードフレームは、図１０に示すような構成を有している。
すなわち図１０に示す半導体装置用リードフレームは、半導体チップを搭載すべきダイパット３を備えている。ダイパット３を中央に位置させて、仮想の四辺を設定することができる。そして図示のリードフレームは、ダイパット３について想定した四辺のうち、対向する二辺から外向きに延びるように配置された放熱フィン４と、ダイパット３について想定した残りの二辺に向かう方向に形成された複数のインナーリード５とを有する。
【０００３】
また、１０はリードフレーム枠、１２はアウターリード、１３はＧＮＤリード、１４は、ＧＮＤリード１３に対応したインナーリードの部分に設けられた屈曲部、１６はタイバーである。１７は、図示のリードフレームを用いて得られる半導体装置における樹脂封止エリアである。
【０００４】
図１１〜図１９は、図１０に示したリードフレームを用いた半導体装置の製造方法を示す。
すなわち、まず、図１１に示すように、図１０に示したリードフレームのダイパット３に半導体チップ２がダイボンドされ、この半導体チップ２の電極パッド７とインナーリード５のボンディング部とが金属細線９でワイヤーボンドされる。
【０００５】
次に、図１２に示すように、半導体チップ２、ダイパット３、インナーリード５、放熱フィン４の一部は、封止樹脂１１によって封止される。そして封止樹脂１１の端面から、放熱フィン４の一部とアウターリード１２とＧＮＤリード１３とが露出される。次に、アウターリード１２と連結するタイバー１６がタイバーカットされる。図１３は、図１２に示すタイバー１６がカットされた状態を示す。
【０００６】
次に、アウターリード１２とリードフレーム枠１０との間がカットされる。図１４は、そのカット後の状態を示す。また、図１５に示すように、アウターリード１２およびＧＮＤリード１３がガルウイング状に折り曲げられる。１９は、その折り曲げ屈曲部である。さらに、図１６に示すように、ガルウイング状に折り曲げられたアウターリード１２の先端がカットされる。図１４から図１６に示す状態では、放熱フィン４が吊りリードとして働いており、それぞれの図に示されている部分は、この放熱フィン４を介して図外のリードフレーム枠１０に保持される。
【０００７】
その後、図１７に示すように、吊りリードとして働いていた放熱フィン４がカットされ、それによって得られた図示の半導体装置が個片化される。その後、図１８に示すように、放熱フィン４がガルウイング状に折り曲げられる。２０は、その折り曲げ屈曲部である。さらに、図１９に示すように、ガルウイング状に折り曲げられた放熱フィン４の先端がカットされて、半導体装置が完成される。
【０００８】
上述したとおりに、また特許文献１において開示されているように、図示の半導体装置においては、放熱フィン４は、リードフレーム枠１０とダイパット３とを繋いでダイパット３をリードフレーム枠１０に保持するための吊りリードとして用いられているとともに、電源用リードとしても用いられている。
【特許文献１】特開平４−１３０６５３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
特許文献１に記載された先行技術を図１０〜図１９を参照してさらに説明する。これらの図に示すように、半導体チップ２を搭載するダイパット３と、このダイパット３について想定された対向二辺から延在する放熱フィン４と、ダイパット３について想定された残りの二辺に向かうように設けられた複数のインナーリード５とを有するリードフレームを用いた半導体装置では、放熱フィン４を設けたことによって高放熱性を発揮することが可能である。この放熱フィン４は、リードフレーム枠１０とダイパット３とを繋いでいることで、ダイパット３をリードフレーム枠１０に保持するための吊りリードとして用いられる。このため、上述のように、放熱フィン４とアウターリード１２とをガルウイング状に折り曲げ加工する工程において、まずアウターリード１２をカットベンドすることでガルウイング状に加工し、その後、放熱フィン４をカットして、リードフレーム枠１０から半導体装置を個片化した後に、各半導体装置の１つずつについて、放熱フィン４をガルウイング状に曲げ加工しなければならない。このため、生産性が非常に悪いという課題がある。
【００１０】
ここで、放熱フィン４とアウターリード１２とをガルウイング状に加工する工程において、リードフレーム枠１０から半導体装置を個片化してから折り曲げ加工せずに、まずアウターリード１２をカットし、その後ベンドすることでガルウイング状に加工し、その後、放熱フィン４について、カットとベンドを同時に行うことで、リードフレーム枠１０から個片化すると同時にガルウイング状に加工することも可能である。しかし、この場合は、アウターリード１２をガルウイング状に加工する方法および工程と、放熱フィン４をガルウイング状に加工する方法および工程とが別々になってしまう。このため、アウターリード１２および放熱フィン４の平坦度が悪くなりやすく、したがって半導体装置の実装不良を起こしやすいという課題がある。
【００１１】
そこで本発明は、上記課題を解決するために、半導体装置６をリードフレーム枠１０に支持したまま、封止樹脂１１から露出したアウターリード１２および放熱フィン４をカットしベンドすることを可能として、生産性を改善できるようにすることを目的とする。また本発明は、放熱フィン４をガルウイング状に屈曲させる工程と、アウターリード１２をガルウイング状に屈曲させる工程とを同時に行うことを可能とし、かつ放熱フィン４の先端とアウターリード１２の先端とをカットする工程を同時に行うことを可能として、アウターリード１２と放熱フィン４とについて良好な平坦度を得ることができるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記課題を解決するため、本発明の半導体装置用リードフレームは、半導体チップを搭載するためのダイパットと、このダイパットを中央に位置させて設定された仮想の四辺のうちの対向する二辺から外向きに延びるように配置された放熱フィンと、前記四辺のうちの残りの二辺に向かう方向に形成された複数のインナーリードとを有する半導体装置用リードフレームであって、吊りリードを有し、この吊りリードは、半導体装置における樹脂封止エリアの内部と、リードフレームにおける封止樹脂から露出した放熱フィンの部分以外の部分とにわたって配置されていることを特徴とするものである。
【００１３】
本発明によれば、上記の半導体装置用リードフレームにおいて、半導体チップは高耐圧用素子であり、吊りリードは、ダイパットと連なっているとともに、四辺のうちの放熱フィンの存在する辺に設けられているものであることが好適である。
【００１４】
本発明の半導体装置の製造方法は、上記の半導体装置用リードフレームを用い、ダイパットと半導体チップと放熱フィンの一部とインナーリードと吊りリードの一部とを樹脂で封止し、封止樹脂から露出した放熱フィンの部分とアウターリードとをリードフレームからカットしたうえでガルウイング状に屈曲させ、その後、封止樹脂から露出した吊りリードの部分をリードフレームからカットするものである。
【００１５】
本発明によれば、上記の半導体装置の製造方法において、ハンマーゲート方式によって樹脂による封止を行うことが好適である。
また本発明によれば、上記の半導体装置の製造方法において、封止樹脂から露出した放熱フィンの部分をガルウイング状に屈曲させる工程と、アウターリードをガルウイング状に屈曲させる工程とを同時に行うことが好適である。
【００１６】
また本発明によれば、上記の半導体装置の製造方法において、ガルウイング状に屈曲された放熱フィンの先端をカットする工程と、ガルウイング状に屈曲されたアウターリードの先端をカットする工程とを同時に行うことが好適である。
【００１７】
本発明の半導体装置は、上記の半導体装置の製造方法を用いて製造されたものであることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１８】
本発明の半導体装置用リードフレームおよびそれを用いた半導体装置の製造方法によれば、半導体装置における樹脂封止エリアの内部と、リードフレームにおける封止樹脂から露出した放熱フィンの部分以外の部分とにわたって配置されている吊りリードを有するため、この吊りリードによって半導体装置をリードフレーム枠に支持したまま、アウターリードと、封止樹脂から露出した放熱フィンの部分とをカットベンドすることができ、このため半導体装置の生産性を改善することができる。
【００１９】
また本発明によれば、半導体装置をリードフレーム枠に支持したまま、アウターリードと封止樹脂から露出した放熱フィンの部分とを加工することが可能であり、このため、封止樹脂から露出した放熱フィンの部分をガルウイング状に屈曲させる工程と、アウターリードをガルウイング状に屈曲させる工程とを同時に行うことができ、さらに、ガルウイング状に屈曲した放熱フィンの先端をカットする工程と、ガルウイング状に屈曲したアウターリードの先端をカットする工程とを同時に行うことが可能であり、その結果、アウターリードと封止樹脂から露出した放熱フィンの部分との平坦度を良好とすることができ、それによって半導体装置の実装不良の発生を低減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明の実施の形態について図１〜図９を参照して説明する。
（第１の実施の形態）
図１は、本発明の第１の実施形態である、例えば高放熱性を必要とする素子のために用いられるリードフレームの平面図である。このリードフレームは、熱伝導性の良い金属、例えば銅合金の薄板（例えば厚み０．２５ｍｍ程度）から成型される。このリードフレームは、半導体チップを搭載することのできる面積を有するダイパット３と、ダイパット３について設定される仮想の四辺のうちの対向する二辺から外向きに延びるように形成された放熱フィン４と、ダイパット３について想定した残りの二辺に向かう方向に形成された８本のインナーリード５とを備えている。なお、インナーリード５の本数は上記に限定されるものではなく、素子として必要な本数であればよい。インナーリード５は、タイバー１６を挟んで、アウターリード１２と連結されている。
【００２１】
タイバー１６は、樹脂による封止を行うときに放熱フィン部４の側部に樹脂バリ（樹脂性異物）が付着することを防止するために設けられたものである。樹脂バリは、以下の事項を原因として発生する。すなわち、樹脂封止の工程において、トランスファー・モールディング法によって、成型金型にリードフレームを位置決めし、その後に成型金型のキャビティの中に封止樹脂を注入する際に、成型金型の外形サイズが、封止樹脂から露出する放熱フィン４の部分よりも大きくなっており、しかも、樹脂が注入されるキャビティと連なっていることにより、封止樹脂から露出する放熱フィン４の側部において樹脂封止体と連なる形で形成されるものである。
【００２２】
放熱フィン４の側部に付着した樹脂バリは、封止工程以後のカットベンド工程における切断時のストレスなどにより亀裂が入りやすく、それが原因となって、落下したり、もしくは落下せずに露出した放熱フィン４の側部に残ったものが、リードフレーム１の搬送中に落下して搬送不良を招く要因となったり、半導体装置の実装工程において実装基板に落下して実装不良を招く要因となったりする。放熱フィン４の側部に付着する樹脂バリは、ウォータージェットなどの方法で除去することが出来るが、手間がかかり、しかも樹脂封止体へのダメージがあるため、歩留の低下や製造コストの増大を招く。
【００２３】
図１に示されるリードフレームにおいては、放熱フィン４の側方にタイバー１６が形成されていることによって、露出する放熱フィン部４の根元からタイバー１６までの領域における樹脂バリの発生が抑制され、樹脂バリを除去する必要がなくなるため、歩留の向上や製造コストの低減を図ることが出来る。
【００２４】
図１に示されるリードフレームの特徴は、放熱フィン４とは別に、樹脂封止エリア内から樹脂封止エリア外へ延びるように形成された吊りリード８を有することにある。
なお、図１に示されるリードフレームでは、吊りリード８は４本であり、ダイパット３と樹脂による封止エリア１７の四隅との間にわたされるように形成されているが、これに限定されず、樹脂封止後の半導体装置をリードフレーム枠１０に保持できる本数と太さを有すればよく、またたとえばダイパット３と矩形状の樹脂封止エリア１７の四辺との間にわたされるように形成されたものであってもよい。また、吊りリード８は、ダイパット３と接続している必要はなく、樹脂封止エリア１７の内部とその外部との間に配置されていればよい。
【００２５】
このように吊りリード８が設けられていることによって、半導体装置の製造工程において、半導体装置をリードフレーム枠１０に支持したまま、アウターリード１２と、樹脂封止エリア１７に形成される封止樹脂から露出した放熱フィン４の部分とをカットベンドすることが可能となり、生産性を改善することができる。また、封止樹脂から露出した放熱フィン４をガルウイング状に屈曲させる工程と、アウターリード１２をガルウイング状に屈曲させる工程とを同時に行うことができるとともに、それらの先端を同時に切断することができ、したがってアウターリード１２と放熱フィン４とについて良好な平坦度を得ることができる。
【００２６】
なお、吊りリード８は、放熱フィン４をカットするときにも半導体装置を支持しておくことが求められる。このため、封止樹脂から露出した放熱フィン４の部分以外の部分につながっていることが必要である。
【００２７】
（第２の実施の形態）
図２は、本発明の第２の実施形態である、例えば高耐圧用素子を用いた小型半導体装置に用いられるリードフレームの平面図である。このリードフレームは、高耐圧用素子である半導体チップを搭載することのできる面積を有するダイパット３と、ダイパット３について設定される仮想の四辺のうちの対向する二辺から外向きに延びるように形成された放熱フィン４と、ダイパット３について想定した残りの二辺に向かう方向に形成された７本のインナーリード５とを備えている。複数のインナーリード５のうちの１本は、ダイパッド３と連結されたＧＮＤ（接地）リード１３を構成している。ここでは、インナーリード５を７本とし、そのうち１本をＧＮＤリード１３としたが、素子として必要な本数を有すればよく、これに限定されるものではない。図示のものでは、ＧＮＤリード１３が抜きピンとなったインナーリード５の領域に屈曲部１４を有し、これは、インナーリード５と連結していないアウターリード１２の延長線上でダイパット３と連結することによって、ＧＮＤリード１３を有しても余分に面積を取ることがないようにすることができる。このため、高耐圧用素子用半導体装置の小型化が可能となる。
【００２８】
なお、図示のものでは、上記のようにＧＮＤリード１３はインナーリード５と連結していないアウターリード１２の延長線上でダイパット３と連結されているが、ＧＮＤリード１３の屈曲部１４が４つのコーナーを有したコの字状に形成されていてもよい。すなわち、インナーリード５と連結していないアウターリード１２の延長線上でダイパット３と連結しなくてもよい。
【００２９】
この図２に示されるリードフレームの特徴は、吊りリード８が封止エリア１７の内部でダイパット３と連なっており、したがってダイパット３および放熱フィン４と同一の電位であり、また吊りリード８が前述の仮想の四辺のうちの放熱フィン４の存在する辺に設けられていることにある。
【００３０】
吊りリード８が樹脂による封止エリア１７の内部におけるリードフレーム構成物と連結していない場合は、半導体装置の製造時に吊りリード８をカットするときの機械的応力によって引抜かれてしまわないように、吊りリード８における封止エリア１７の内部に位置する部分に突出部を設けることが必要となり、このため突出部を設けるための領域を確保することが必要となるため、パッケージサイズが大型化してしまう。これに対し、吊りリード８を、樹脂による封止エリア１７の内部におけるリードフレーム構成物であるインナーリード５またはダイパット３と連結させると、それによるアンカー効果が得られるため、吊りリード８をカットするときの機械的応力による引抜きを防ぐことが可能である。これにより、上述の突出部を設けるための領域が不要になって、パッケージの小型化を図ることができる。
【００３１】
ここで、高耐圧素子を有する半導体チップをリードフレームに保持する場合は、ＧＮＤリード１３の延長線上に配置されたアウターリード１２およびこれと同一電位である放熱フィン４と、ＧＮＤリード１３に隣接するインナーリード５についての外方への延長線上に配置されたアウターリード１２との間に、比較的に高い電位差が生じる。このため、ＧＮＤリード１３に接続されたアウターリード１２および放熱フィン４と、他のアウターリード１２との絶縁距離を大きくとる必要がある。この絶縁距離は、具体的には、電位差１０００Ｖに対して１ｍｍほどであればよい。
【００３２】
パッケージの小型化を図る観点にもとづき検討すると、吊りリード８を、樹脂による封止エリア１７の内部におけるリードフレーム構成物であるインナーリード５と連結すると、これらインナーリード５と吊りリード８とが同一電位となってしまい、吊りリード８が上述のように放熱フィン４の存在する辺に設けられた場合は、吊りリード８に対して高い電位差を有する放熱フィン４との絶縁距離が必要となり、半導体装置はインナーリード５が設けられている方向に大型化しなければならなくなる。また、吊りリード８がアウターリード１２の存在する辺に設けられた場合は、同様に吊りリード８に対して高い電位差を有するＧＮＤリード１３との絶縁距離が必要となり、しかも吊りリード８を設ける領域を確保しなければならないため、半導体装置のパッケージを放熱フィン４の存在する方向に大型化しなければならなくなる。
【００３３】
吊りリード８が放熱フィン４に連続するダイパット３と連結するように設けられた場合は、この吊りリード８は放熱フィン４と同一電位となる。しかし、この放熱フィン４と同一電位となる吊りリード８がアウターリード１２の存在する辺に設けられた場合は、放熱フィン４および吊りリード８に対して比較的に高い電位差を有するインナーリード５についての外方への延長線上に配置されたアウターリード１２に対して相応の絶縁距離が必要となるため、半導体装置６を放熱フィン４が存在する方向に大型化しなければならなくなる。
【００３４】
しかし、図示のように、放熱フィン４に連続したダイパット３に連結され放熱フィン４と同一電位とされた吊りリード８が、放熱フィン４の存在する辺から樹脂による封止エリア１７の領域外へと延びるように設けられた場合は、吊りリード８との間に比較的に高い電位差を有するインナーリード５の外側延長線上に配置されたアウターリード１２に対して、封止エリア１７に対応して形成される樹脂パッケージの角部を介して長い沿面距離を有することが可能となるため、半導体装置を大型化する必要がなくなり、その小型化を図ることが可能となる。
【００３５】
なお、ダイパット３と連結した吊りリード８の本数は、アウターリード１２と放熱フィン４とをカットする工程後において半導体装置をリードフレーム枠１０に支持することが可能である本数であればよく、そのため３本以上であることが望ましい。
【００３６】
また吊りリード８は、放熱フィン４と連結したタイバー１６をカットするときに切れない位置に設ければよい。つまり、タイバーカットのための刃が当たらない位置に設ければよい。
【００３７】
（第３の実施の形態）
図３〜図７に、図２に表わされたリードフレームを用いた小型半導体装置の製造方法を示す。なお、図１に表わされたリードフレームを用いてもよい。
【００３８】
図３に示すように、ダイパット３に、高耐圧用素子である半導体チップ２が搭載される。このとき半導体チップ２は、導電性接着剤でダイパット３にダイボンドされる。なお、本実施の形態では上記のようにダイボンド材として導電性接着剤を用いたが、それに限定されるものではなく、たとえば半田を用いてもよい。なお、本実施の形態では上記のように半導体チップ２は高耐圧用素子であるが、それに限定されるものではなく、半導体装置に高放熱性を必要とする半導体チップ２であってもよい。搭載された半導体チップ２の電極パット７とインナーリード５のボンディング部とが、金属細線９でワイヤーボンドされて、電気的接続が取られる。
【００３９】
次に、図４に示すように、半導体チップ２と電気的接続が取られたリードフレームは、例えばエポキシ樹脂といった封止樹脂１１を用いてトランスファーモールド法などにより封止される。図中における仮想線は、そのための樹脂供給経路２１すなわちゲートを概念的に示したものである。１５は、樹脂供給後のゲート残りである。この樹脂封止工程によって、放熱フィン４の一部と、タイバー１６と、インナーリード５に連結したアウターリード１２と、吊りリード８とが、封止樹脂１１の端面から露出される。このとき、樹脂封止１１による封止は、ハンマーゲート方式によって行われていることが望ましい。
【００４０】
ハンマーゲート方式ではなく、スルーゲート方式で樹脂封止を行った場合は、矩形状のパッケージの二辺にゲート残りが発生する。すると、ゲート残りとなった樹脂をカットして除去する工程において、図示のものでは、樹脂封止エリア内から樹脂封止エリア外にわたって存在する吊りリード８のうち、少なくとも２本がカットされてしまう。これにより、アウターリード１２と放熱フィン４とをカットする工程の後において、半導体装置をリードフレーム枠１０に支持する強度が低くなって、その後の加工性、搬送性を悪化させてしまう。また、スルーゲート残りの樹脂によって、放熱フィン４にバリが付着してしまう。これらを防ぐためには、スルーゲートが放熱フィン４や吊りリード８にかからないようにすることを目的として、スルーゲートを細くするか、半導体装置を大きくしなければならない。スルーゲートを細くすると、キャビティへの封止樹脂１１の充填性が悪化し、生産性や歩留が悪化してしまうという問題点が発生する。
【００４１】
それに対して、ハンマーゲート方式で樹脂封止を行った場合は、樹脂封止エリア内から樹脂封止エリア外へと延びるように設けられた吊りリード８を有する少なくとも三辺、もしくは吊りリード８を有する矩形状のパッケージにおける少なくとも３点の角部が、その後のゲートカットにおいて取り除かれることがない。このため、アウターリード１２と封止樹脂１１から露出した放熱フィン４の部分とのカット工程後においても、半導体装置をリードフレーム枠１０に確実に支持することが可能となり、また、放熱フィン４にゲート残り１５によるバリが発生しない。このため、半導体装置６の小型化が可能となるのである。
【００４２】
その後、ゲートカットによって、樹脂封止で発生したゲート残り１５が除去され、タイバー１６はタイバーカットによって除去される。
次に、図５に示すタイバーカットされた半導体装置は、アウターリード１２の先端部と、封止樹脂１１から露出した放熱フィン４における先端部とがカットされる。１８は、カットのための切断線である。このようなカットがなされても、半導体装置は、吊りリード８によって、リードフレーム枠１０に支持される。
【００４３】
次に、図６に示すように、それぞれ先端がカットされたアウターリード１２と放熱フィン４とは、ガルウイング状に曲げ加工される。この時、封止樹脂１１から露出した放熱フィン４をガルウイング状に屈曲させる工程と、アウターリード１２をガルウイング状に屈曲させる工程とは、同時に行われることが望ましい。これらの屈曲工程を同時に行うことによって、アウターリード１２と放熱フィン４とについて同様な曲げ形状を得ることができる。１９はアウターリード１２の折り曲げ屈曲部、２０は放熱フィン４の折り曲げ屈曲部である。
【００４４】
次に、図７に示すように、ガルウイング状に曲げ加工されたアウターリード１２と放熱フィン４は、長さを揃えるため、その先端をカットされる。このとき、ガルウイング状に屈曲した放熱フィン４の先端をカットする工程と、ガルウイング状に屈曲したアウターリード１２の先端をカットする工程とが、同時に行われることが望ましい。両者の先端カットを同時に行うことによって、アウターリード１２と放熱フィン４について良好な平坦度を得ることができ、その結果、半導体装置の実装不良の発生を低減することができる。
【００４５】
このようにアウターリード１２と封止樹脂１１から露出した放熱フィン４とを加工した後、半導体装置をリードフレーム枠１０に保持していた吊りリード８は切断され、それによって小型半導体装置が単品化される。図８および図９は、それによって得られた小型半導体装置を示す。図９（ａ）は図８（ａ）におけるＡ−Ａ′線に沿った断面図、図９（ｂ）は図８（ａ）におけるＢ−Ｂ′線に沿った断面図である。
【００４６】
上述のとおり、本発明の実施の形態の半導体装置の製造方法は、吊りリード８によって半導体装置をリードフレーム枠１０に支持したまま、アウターリード１２と、封止樹脂１１から露出した放熱フィン４とをカットベンドすることができ、良好な生産性を得ることが可能である。
【００４７】
また、上述の方法によって製造された本発明の実施の形態の半導体装置は、封止樹脂１１から露出した放熱フィン４をガルウイング状に屈曲させる工程と、アウターリード１２をガルウイング状に屈曲させる工程とが同時に行われることによって、また、ガルウイング状に屈曲した放熱フィン４の先端をカットする工程と、ガルウイング状に屈曲したアウターリード１２の先端をカットする工程とが同時に行われることによって、アウターリード１２と封止樹脂１１から露出した放熱フィン４との平坦度が良好であり、その結果、実装不良の発生を低減することが可能である。
【産業上の利用可能性】
【００４８】
本発明の半導体装置用リードフレームおよびそれを用いた半導体装置の製造方法は、アウターリードおよび放熱フィンをリードフレーム枠に支持したままカットベンドすることが可能なものであり、このため、生産性が改善され、またアウターリードと放熱フィンとの平坦度が良好となり、実装不良の発生の低減が可能となるため、種々の電子機器に適用される高放熱性半導体装置などに有用である。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明の第１の実施の形態のリードフレームの構成を示す平面図
【図２】本発明の第２の実施の形態のリードフレームの構成を示す平面図
【図３】本発明の第３の実施の形態にもとづく半導体装置の製造過程を示す平面図
【図４】図３の次の段階の過程を示す平面図
【図５】図４の次の段階の過程を示す平面図
【図６】図５の次の段階の過程を示す平面図
【図７】図６の次の段階の過程を示す平面図
【図８】本発明の実施の形態の半導体装置を示す図
【図９】図８の半導体装置の断面図
【図１０】従来の高耐圧用素子などの半導体装置のためのリードフレームの構成を示す平面図
【図１１】従来の半導体装置の製造過程を示す平面図
【図１２】図１１の次の段階の過程を示す平面図
【図１３】図１２の次の段階の過程を示す平面図
【図１４】図１３の次の段階の過程を示す平面図
【図１５】図１４の次の段階の過程を示す平面図
【図１６】図１５の次の段階の過程を示す平面図
【図１７】図１６の次の段階の過程を示す平面図
【図１８】図１７の次の段階の過程を示す平面図
【図１９】図１８の次の段階の過程を示す平面図
【符号の説明】
【００５０】
３    ダイパット
４    放熱フィン
５    インナーリード
８    吊りリード
１０    リードフレーム枠
１２    アウターリード
１７    封止エリア
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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