(57)【要約】      （修正有）【課題】ウェーハ上に印刷されるフィーチャを含むターゲットパターンを複数パターンに分解するための方法を提供する。【解決手段】複数パターンを結像するために使用されるプロセスに伴う最小クリティカルディメンションおよびピッチを決定するステップ１２、第１領域を規定するために所定の量だけアンカーリングフィーチャを成長させ、第１領域内のいずれかのフィーチャをパターンＡに割り当てるステップ１４、第２領域を規定するために所定の量だけアンカーリングフィーチャを成長させ、第２領域内のいずれかのフィーチャをパターンＢに割り当てるステップ１８を含む。ターゲットパターン内の密な間隔のフィーチャがパターンＡまたはパターンＢのいずれかに割り当てられるまで繰り返される。【選択図】図１
2008122928.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウェーハ上に印刷されるフィーチャを含むターゲットパターンを複数パターンに分解するための方法であって、
（ａ）前記複数パターンを結像するために利用されるプロセスに伴う最小クリティカルディメンションおよびピッチを決定するステップ、
（ｂ）アンカーリングフィーチャを生成するステップ、
（ｃ）前記アンカーリングフィーチャを前記ターゲットパターンの第１フィーチャに隣接して配置するステップ、
（ｄ）第１領域を規定するために所定の量だけ前記アンカーリングフィーチャを成長させるステップ、
（ｅ）前記第１領域内のいずれかのフィーチャを第１パターンに割り当てるステップ、
（ｆ）前記アンカーリングフィーチャを前記ターゲットパターンの第２フィーチャに隣接して配置するステップ、
（ｇ）第２領域を規定するために前記所定の量だけ前記アンカーリングフィーチャを成長させるステップ、および
（ｈ）前記第２領域内のいずれかのフィーチャを第２パターンに割り当てるステップ、
を含む、ターゲットパターンを分解するための方法。
【請求項２】
ステップ（ｃ）から（ｈ）は、前記ターゲットパターンに含まれる全ての密な間隔のフィーチャを処理するために繰り返し行われる、請求項１に記載のターゲットパターンを分解するための方法。
【請求項３】
前記アンカーリングフィーチャの幅は前記最小クリティカルディメンションの半分以下である、請求項１に記載のターゲットパターンを分解するための方法。
【請求項４】
前記所定の量は前記ピッチに等しい、請求項３に記載のターゲットパターンを分解するための方法。
【請求項５】
前記ターゲットパターンに含まれている全ての密でない間隔のフィーチャは前記第１パターンまたは前記第２パターンのいずれかに配置される、請求項１に記載のターゲットパターンを分解するための方法。
【請求項６】
前記第１パターンおよび前記第２パターンに光近接効果補正を適用するステップをさらに含む、請求項１に記載のターゲットパターンを分解するための方法。
【請求項７】
ウェーハ上に印刷されるフィーチャを含むターゲットパターンを複数パターンに分解するためのコンピュータプログラムを記憶するコンピュータ読取可能記憶媒体であって、実行時、
（ａ）前記複数パターンを結像するために使用されるプロセスに伴う最小クリティカルディメンションおよびピッチを決定するステップ、
（ｂ）アンカーリングフィーチャを生成するステップ、
（ｃ）前記アンカーリングフィーチャを前記ターゲットパターンの第１フィーチャに隣接して配置するステップ、
（ｄ）第１領域を規定するために所定の量だけ前記アンカーリングフィーチャを成長させるステップ、
（ｅ）前記第１領域内のいずれかのフィーチャを第１パターンに割り当てるステップ、
（ｆ）前記アンカーリングフィーチャを前記ターゲットパターンの第２フィーチャに隣接して配置するステップ、
（ｇ）第２領域を規定するために前記所定の量だけ前記アンカーリングフィーチャを成長させるステップ、および
（ｈ）前記第２領域内のいずれかのフィーチャを第２パターンに割り当てるステップ、
をコンピュータに実行させる、コンピュータ読取可能記憶媒体。
【請求項８】
ステップ（ｃ）から（ｈ）は、前記ターゲットパターンに含まれている全ての密な間隔のフィーチャを処理するために繰り返し行われる、請求項７に記載のコンピュータ読取可能記憶媒体。
【請求項９】
前記アンカーリングフィーチャの幅は前記最小クリティカルディメンションの半分以下である、請求項７に記載のコンピュータ読取可能記憶媒体。
【請求項１０】
前記所定の量は前記ピッチに等しい、請求項９に記載のコンピュータ読取可能記憶媒体。
【請求項１１】
前記ターゲットパターンに含まれている全ての密でない間隔のフィーチャは前記第１パターンまたは前記第２パターンのいずれかに配置される、請求項７に記載のコンピュータ読取可能記憶媒体。
【請求項１２】
前記第１パターンおよび前記第２パターンに光近接効果補正を適用するステップをさらに含む、請求項７に記載のコンピュータ読取可能記憶媒体。
【請求項１３】
（ａ）放射感応性材料の層により少なくとも部分的に覆われている基板を設けるステップ、
（ｂ）結像システムを使用して放射投影ビームを提供するステップ、
（ｃ）前記投影ビームに前記投影ビームの断面においてパターンを与えるためのマスク上のパターンを使用するステップ、
（ｄ）パターニングされた放射ビームを放射感応性材料の層のターゲット部分に投影するステップ、
を含み、
前記ステップ（ｃ）において、マスクにパターンを提供するステップは、
（ａ１）前記複数パターンを結像するために使用されるプロセスに伴う最小クリティカルディメンションおよびピッチを決定するステップ、
（ｂ１）アンカーリングフィーチャを生成するステップ、
（ｃ１）前記アンカーリングフィーチャを前記ターゲットパターンの第１フィーチャに隣接して配置するステップ、
（ｄ１）第１領域を規定するために所定の量だけ前記アンカーリングフィーチャを成長させるステップ、
（ｅ１）前記第１領域内のいずれかのフィーチャを第１パターンに割り当てるステップ、
（ｆ１）前記アンカーリングフィーチャを前記ターゲットパターンの第２フィーチャに隣接して配置するステップ、
（ｇ１）第２領域を規定するために前記所定の量だけ前記アンカーリングフィーチャを成長させるステップ、および
（ｈ１）前記第２領域内のいずれかのフィーチャを第２パターンに割り当てるステップ、
を含む、デバイス製造方法。
【請求項１４】
ステップ（ｃ）から（ｈ）は、前記ターゲットパターンに含まれている全ての密な間隔のフィーチャを処理するために繰り返し行われる、請求項１３に記載のデバイス製造方法。
【請求項１５】
前記アンカーリングフィーチャの幅は前記最小クリティカルディメンションの半分以下である、請求項１３に記載のデバイス製造方法。
【請求項１６】
前記所定の量は前記ピッチに等しい、請求項１５に記載のデバイス製造方法。
【請求項１７】
フォトリソグラフィプロセスで使用されるマスクを生成するための方法であって、
（ａ）前記マスクを結像するために使用される前記プロセスに伴う最小クリティカルディメンションおよびピッチを決定するステップ、
（ｂ）アンカーリングフィーチャを生成するステップ、
（ｃ）前記アンカーリングフィーチャをターゲットパターンの第１フィーチャに隣接して配置するステップ、
（ｄ）第１領域を規定するために所定の量だけ前記アンカーリングフィーチャを成長させるステップ、
（ｅ）前記第１領域内のいずれかのフィーチャを第１パターンに割り当てるステップ、
（ｆ）前記アンカーリングフィーチャを前記ターゲットパターンの第２フィーチャに隣接して配置するステップ、
（ｇ）第２領域を規定するために前記所定の量だけ前記アンカーリングフィーチャを成長させるステップ、
（ｈ）前記第２領域内のいずれかのフィーチャを第２パターンに割り当てるステップ、および
（ｉ）前記第１パターンに対応する第１マスク、および前記第２パターンに対応する第２マスクを生成するステップ、
を含む、マスクを生成するための方法。
【請求項１８】
ステップ（ｃ）から（ｈ）は、前記ターゲットパターンに含まれている全ての密な間隔のフィーチャを処理するために繰り返し行われる、請求項１７に記載のマスクを生成するための方法。
【請求項１９】
前記アンカーリングフィーチャの幅は前記最小クリティカルディメンションの半分以下である、請求項１７に記載のマスクを生成するための方法。
【請求項２０】
前記所定の量は前記ピッチに等しい、請求項１９に記載のマスクを生成するための方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[01]  本明細書は、参照により全文を本明細書に援用される２００６年９月１３日出願の米国特許出願第６０／８４４０７３号に基づく優先権を主張する。
【０００２】
[02]  本発明の技術分野は、全般に、ターゲットパターンが、例えばマルチ照明プロセスにおいて複数マスクを利用して結像されることを可能にするために、複数パターンへのターゲットパターンの分解を行うための方法、プログラム、および装置に関する。
【背景技術】
【０００３】
[03]  リソグラフィ装置は、例えば集積回路（ＩＣ）の製造において使用することができる。このような場合、マスクはＩＣの個々の層に対応した回路パターンを含むことができ、このパターンは、放射感応性材料（レジスト）の層でコーティングされた基板（シリコンウェーハ）上の（例えば、１つまたは複数のダイを含む）ターゲット部分上に結像することができる。一般に、単一のウェーハは、１回に１つずつ投影システムを介して連続して照射される隣接したターゲット部分のネットワーク全体を含む。１つのタイプのリソグラフィ投影装置において、各ターゲット部分は、１回の工程実施においてターゲット部分上にマスクパターン全体を露光することにより照射される。このような装置は一般にウェーハステッパと呼ばれる。一般にステップアンドスキャン装置と呼ばれる代替装置においては、各ターゲット部分が所与の基準方向（「スキャン」方向）において投影ビーム下でマスクパターンを漸進的にスキャンさせることにより照射される一方、これと同期して、この方向に平行または逆平行に基板テーブルをスキャンさせている。一般に、この投影システムは拡大係数Ｍ（一般に＜１）を有するため、基板テーブルがスキャンされる速度Ｖは、マスクテーブルがスキャンされる速度の係数Ｍ倍となる。本明細書に説明されているリソグラフィデバイスに関するより多くの情報は、例えば、参照により本明細書に援用される米国特許第６０４６７９２号より収集することができる。
【０００４】
[04]  リソグラフィ投影装置を使用した製造プロセスにおいて、マスクパターンは、放射感応性材料（レジスト）の層により少なくとも部分的には覆われた基板上に結像される。この結像ステップに先立ち、基板は、下塗り、レジスト塗布、およびソフトベーキングなどの様々な手順を施すことができる。露光の後、基板は、露光後ベーキング（ＰＥＢ）、現像、ハードベーキング、および結像されたフィーチャの測定／検査などの他の手順を受けることができる。この手順の並びは、例えばＩＣなどのデバイスの個々の層をパターニングするための基礎として使用されている。このようなパターン形成された層は、次いで、全てが個々の層を仕上げることを意図されているエッチング、イオン注入（ドーピング）、メタライゼーション、酸化、化学機械式研磨などの様々なプロセスを施すことができる。もしいくつかの層が必要であれば、手順全体、またはその変形は、各々の新しい層のために反復されなければならない。その結果、デバイスのアレイが基板（ウェーハ）上に存在することとなる。これらのデバイスは、次いで、ダイシングまたはソーイングなどの技術により互いから分離され、その後、個々のデバイスはキャリアに搭載され、ピンに接続されるなどを行うことができる。
【０００５】
[05]  簡略さのために、投影システムは、以下、「レンズ」と呼ぶこともできるが、この用語は、例えば、屈折光学系、反射光学系、および反射屈折光学系などを含めた様々なタイプの投影システムを包含するとして広義に解釈されたい。放射システムは、放射投影ビームを誘導し、整形し、または制御するためのこれらの設計タイプのいずれかにより動作するコンポーネントも含むことができ、かつ、このようなコンポーネントは、以下、まとめて、または、単独で「レンズ」とも呼ぶことができる。さらに、リソグラフィ装置は、２つ以上の基板テーブル（および／または、２つ以上のマスクテーブル）を有するタイプのものとすることができる。このような「マルチステージ」デバイスにおいては、追加のテーブルを並行して使用することができ、または、１つまたは複数のテーブルが露光に使用されている間、準備ステップを１つまたは複数の他のテーブル上で実行することができる。例えば、参照により本明細書に援用される米国特許第５９６９４４１号においては、ツインステージリソグラフィ装置が説明されている。
【０００６】
[06]  上述したフォトリソグラフィマスクは、シリコンウェーハ上に集積されることになる回路コンポーネントに対応するジオメトリパターンを含んでいる。このようなマスクを作成するために使用されているパターンはＣＡＤ（computer-aided design）プログラムを利用して製作されており、このプロセスはしばしばＥＤＡ（electronic design automation）と呼ばれる。ほとんどのＣＡＤプログラムは、機能性マスクを製作するために所定の設計ルールセットに従っている。これらのルールはプロセスおよび設計の制限により設定されている。例えば、設計ルールは、回路デバイスまたは配線が望ましくない形で互いに相互作用しないことを確実にするために、（ゲート、コンデンサなどの）回路デバイス間または相互接続（インターコネクトライン）間の空間的許容範囲を規定している。設計ルールの制限は通常「クリティカルディメンション」（ＣＤ）と呼ばれている。回路のクリティカルディメンションは、配線（ライン）もしくは孔（ホール）の最小幅、または、２本の配線もしくは２つの孔の間の最小空間として規定することができる。そのため、ＣＤは設計された回路の全体的なサイズおよび密度を決定する。
【０００７】
[07]  当然、集積回路製造の目標の１つは（マスクを介して）ウェーハ上に本来の回路設計を忠実に再現することである。ターゲットパターンのクリティカルディメンションが益々小さくなるに従い、ターゲットパターンをウェーハ上に再現することは益々困難になってくる。しかし、ウェーハ内に結像または再現することができる最小ＣＤにおける減少を可能にする既知の技術がある。１つのそのような技術は、ターゲットパターンのフィーチャが２回の別々の露光で結像される二重露光技術である。
【０００８】
[08]  例えば、１つの一般に知られている二重露光技術はダブルパターニングまたはＤＰＴと呼ばれている。この技術は、所望のパターンを形成するために、与えられたターゲットパターンのフィーチャが２つの異なったマスク内に分離され、続いて別々に結像されることを可能にする。このような技術は、ターゲットフィーチャが、個々のフィーチャが結像されることが可能とならないほどに一緒に密な間隔で配置されている際に一般的に利用されている。このような状況では、与えられたマスク上の全てのフィーチャが互いから十分に離れて間隔を空けられ、それにより、各フィーチャが個別に結像できるように、ターゲットフィーチャが２つのマスク内に分離されている。続いて、（適切な遮蔽を使用して）双方のマスクを連続した形で結像することにより、単一のマスクでは適切な結像が不可能な密な間隔のフィーチャを有するターゲットパターンを得ることができる。
【０００９】
[09]  したがって、与えられたマスク上の各フィーチャ間のピッチが結像システムの解像度能力より大きくなるように、ターゲットフィーチャを２つの別々のマスクに分離することにより、結像性能を改善することが可能となる。確かに、上述の二重露光技術は、ｋ１＜０．２５を可能にする。しかし、現在知られている二重露光技術には未だに問題および制限が存在している。
【００１０】
[10]  例えば、現在の分解アルゴリズムは基本的に、今日の益々複雑な設計を扱うための過剰に多くのルールを必要とするルールベースアルゴリズム(rule-based algorithm)である。より詳細には、事前構築されたジオメトリのルールセットを使用すれば、ピッチ分割分解(pitch-split decomposition)を開始することができる。これは、偶数および奇数のピッチフィーチャを２つの別々のジオメトリのグループまたはパターンに分離（カラリング(coloring)とも呼ばれる）することを必要とする。概念的には、これは単純なプロセスである。しかし、実際のＩＣ回路設計において、局所的な二次元ジオメトリ環境は非常に複雑である。これだけでも、局所化された高密度のパターングループのいずれかから「奇数」および「偶数」のピッチフィーチャを識別することはしばしば困難となる。その結果、現行のルールベース手法は、追加の例外的ルールを必要とする多数のカラリングの衝突を引き起こし、および／またはこれらの衝突を解決するためにオペレータの介入を引き起こしている。このような追加のルールまたはオペレータの介入に対する必要性は、与えられたターゲットデザインに対して設定されたルールを調節するために膨大な時間がしばしば取られなければならないので、現在のルールベースシステムを利用するには非常に時間がかかり、問題の多いものにしている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
[11]  本発明の目的は、既知のルールベースパターン分解技術(rule-based pattern decomposition techniques)におけるこのような短所を克服することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
[12]  上記を鑑みて、本発明の目的は、広範なルールベースセットの生成を必要とせず、実質的にいずれのターゲットパターンとの使用にも適した簡略化された分解プロセスを提供することにより、既知の従来技術の短所を克服することである。
【００１３】
[13]  要約すると、本発明は、ウェーハ上に印刷されるフィーチャを含むターゲットパターンを複数パターンに分解するための方法を提供する。この方法は、（ａ）複数パターンを結像するために使用されるプロセスに伴う最小クリティカルディメンションおよびピッチを決定するステップ、（ｂ）アンカーリングフィーチャを生成するステップ、（ｃ）アンカーリングフィーチャをターゲットパターンの第１フィーチャに隣接して配置するステップ、（ｄ）第１領域を規定するために所定の量だけアンカーリングフィーチャを成長させるステップ、（ｅ）第１領域内のいずれかのフィーチャを第１パターンに割り当てるステップ、（ｆ）アンカーリングフィーチャをターゲットパターンの第２フィーチャに隣接して配置するステップ、（ｇ）第２領域を規定するために所定の量だけアンカーリングフィーチャを成長させるステップ、および（ｈ）第２領域内のいずれかのフィーチャを第２パターンに割り当てるステップ、を含む。続いて、ステップ（ｃ）から（ｈ）は、ターゲットパターン内の密間隔のフィーチャが第１または第２パターンのいずれかに割り当てられるまで繰り返される。
【００１４】
[14]  以下にさらに詳細に説明されるように、本発明のプロセスは既知の分解プロセスに対して多くの長所を提供する。最も重要なことに、このプロセスは、ターゲットパターンを分解する迅速かつ効率的な方法を提供し、ならびに、パターンの分解を支配する複雑なルールセットの生成に対する必要性を排除する。特に、本発明のプロセスは、いずれの局所的な密間隔のパターングループをも分解する効率的な方法を可能にする。
【００１５】
[15]  本発明のさらなる長所は、本発明の例示的な実施形態の以下の詳細な説明から当業者に明らかとなろう。
【００１６】
[16]  本文書においては、ＩＣの製造における本発明の使用について特に言及しているかもしれないが、本発明が多くの他の可能な用途を有することを明示的に理解されたい。例えば、本発明は、集積光学システム、磁気ドメインメモリのための誘導および検出パターン、液晶ディスプレイパネル、薄膜磁気ヘッドなどの製造に採用することができる。当業者は、このような代替用途の文脈において、本文書における用語「レチクル」、「ウェーハ」、または「ダイ」のいずれの使用も、より一般的な用語「マスク」、「基板」、および「ターゲット部分」によりそれぞれ置き換えられると考えられることを理解されよう。
【００１７】
[17]  本発明自体は、さらなる目的および利点とともに、以下の詳細な説明および添付の図面を参照することによってより良く理解することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
[24]  以下にさらに詳細に説明されるように、本発明の分解プロセスは、与えられたプロセスのための最小許容クリティカルディメンション（ＣＤ）およびピッチに基づく所定のサイズを有する幾何学的空間または領域を規定し、続いてターゲットパターンの密間隔のフィーチャのセグメントを別々のパターンに、代わりに割り当てまたはカラリングするためにこの事前規定された空間を使用する。ターゲットパターンを第１と第２パターンに交互にセグメント化するために使用された事前規定された空間のサイズを、与えられたプロセスの最小ＣＤおよびピッチに基づかせることにより、各パターン内のフィーチャが適切に結像されるように、第１および第２パターンに含まれるフィーチャが互いから十分に間隔を空けて離されることを確実にすることが可能となる。言い換えれば、第１および第２パターンの双方のフィーチャの間隔が与えられたプロセスの最小解像度要件より大きくなる。
【００１９】
[25]  図１は本発明の第１実施形態を示す例示的なフローチャートである。図１を参照すると、プロセスの第１ステップ（ステップ１０）は、２つ以上のパターンに分解される原ターゲットパターン(original target pattern)を規定することである。与えられた例において、ターゲットパターンは２つの別々のパターンに分解されている。しかし、ターゲットを３つ以上のパターンに分解することも可能である。次のステップ（ステップ１２）において、与えられたプロセスのために結像できる最小許容ＣＤおよび最小許容ピッチが決定される。最小許容ＣＤおよびピッチが、ターゲットパターンを結像するために使用される照明プロセスおよびシステムに依存し、経験的またはシミュレーションの技術により決定できることに留意されたい。ステップ１２において、ターゲットデザインにおける密間隔のフィーチャ、および非密間隔のフィーチャを識別し、非密間隔のフィーチャを分離することも可能であり、それがこれらのフィーチャが分解プロセスからもたらされるいずれかのパターンに置くことができるからであることに留意されたい。この段階で非密フィーチャを分離することにより、分解プロセスが完了するために必要な時間を短縮することができる。密フィーチャは、例えば、与えられたプロセスの最小許容ピッチより小さなピッチを有するフィーチャとして規定されることにさらに留意されたい（すなわち、フィーチャは適切に結像するには隣接したフィーチャと近すぎる）。非密フィーチャは、密フィーチャの分解プロセスが完了した後に、いずれかのパターンに追加し戻すことができる。図２はプロセスのステップ１２を示している。示された例において、フィーチャ間のピッチに基づき、４つの密間隔のフィーチャ２１と３つの非密間隔のフィーチャ２２が識別されている。密フィーチャのプロセスの後に、非密フィーチャが分解パターンの１つに再結合することを可能にするために、非密フィーチャは分離され、保存される（ステップ１６）。
【００２０】
[26]  図３を参照すると、次のステップ（ステップ１４）において、与えられたプロセスのクリティカルディメンションの半分（ＣＤ／２）以下のエッジからエッジの幅（または隔たり）を有するアンカーリングフィーチャ３１が、ステップ１２で識別された密間隔のフィーチャのうちの最も左または最も右のフィーチャに隣接して置かれている。続いて、密間隔のフィーチャに隣接したアンカーリングフィーチャ３１の側面は、ステップ１２で規定された最小許容ピッチに等しい量だけ成長または延長させられる。続いて、アンカーリングフィーチャを拡大することにより規定されているこの領域３３内の全てのフィーチャが決定かつ／または捕捉され、第１パターンに割り当てられる。与えられた例において、フィーチャ３２は、フィーチャ３２が領域３３内に該当するために、パターンＡ（またはグループＡ）に割り当てられる。図３の例が、延長された領域３３に含まれたライン３２を例示するのみである一方、他のフィーチャまたは部分的フィーチャもこの領域に含まれることが可能であり、もしそうであれば、それらのフィーチャは取り除かれ、フィーチャ３２とともにパターンＡに割り当てられることに留意されたい。１つの例は、フィーチャ３２をフィーチャ３４に接続する垂直フィーチャがある場合である。このような場合、この垂直フィーチャは効果的にセグメント化され、領域３３内にあった垂直フィーチャのいずれの部分もフィーチャ３２とともに取り除かれ、パターンＡ内に置かれる。再び図３を参照すると、このステップの完了後、フィーチャ３２はパターンＡに割り当てられ、密間隔のフィーチャの原パターンから取り除かれる。
【００２１】
[27]  次に、図４に示されたように、ステップ１８において、アンカーリングフィーチャ３１は（この場合、フィーチャ３４である）密間隔のパターンにおける次に最も左にあるフィーチャに追加され、上記のように、続いてアンカーリングフィーチャは最小許容ピッチに等しい量だけ成長または延長させられる。続いて、アンカーリングフィーチャを拡大することにより規定されたこの成長済み領域内の全てのフィーチャが決定／捕捉され、第２パターンに割り当てられる。与えられた例において、フィーチャ３４はパターンＢ（またはグループＢ）に割り当てられる。続いて、原ターゲットパターンの密間隔のフィーチャの全てにプロセスが行われるまで、ステップ１４および１８が（ループの形で）繰り返し行われる。図５は一例パターンの残っている２つの密フィーチャに適用されるプロセスを示している。このプロセスがグループＡとグループＢにフィーチャを交互に割り当てており、そのことが適切な分解に必要であることに留意されたい。さらに、前述のプロセスは、デザイン内の最も左または最も右に所在するフィーチャのいずれかに対して最初に開始することができる。しかし、一旦デザインの左側または右側が選択されれば、全てのフィーチャにプロセスが行われるまで、プロセスが同じ方向において（すなわち、もし最も左のフィーチャが最初に選択されれば、右に移動し、もし最も右のフィーチャが最初に選択されれば、左に移動して）適用し続けられなければならない。
【００２２】
[28]  一旦密間隔のフィーチャの全てにプロセスが行われ、パターン（またはグループ）に割り当てられれば、次のステップ（ステップ１９）において、非密フィーチャはパターンの１つに追加し戻される。図６に示された例において、非密パターン２２はパターンＡ（またはグループＡ）内に追加し戻される。上記のように、非密パターン２２は分解パターンのいずれかに追加し戻すことができる。
【００２３】
[29]  上述のプロセスの最終結果は図７に示されている。示されたように、密間隔のフィーチャ３３および非密間隔のフィーチャ２２がパターンＡ内に置かれ、密間隔のフィーチャ３４はパターンＢ内に置かれている。続いて、これらのパターンは、実際の結像プロセスで使用される第１および第２マスクを生成するために使用される。図８は前述の例の全体的な流れを示している。
【００２４】
[30]  任意選択のステップ（ステップ２５）において、ステップ１９の結果として生成されたパターンが、双方のパターンの組合せ露光からもたらされたイメージが許容可能誤差許容範囲内で所望のターゲットパターンを生成することを確認するために、２つのパターンの結像性能をシミュレートする検証プロセスを受けることができることに留意されたい。この検証プロセスはいずれの適切なシミュレーションプロセスを介しても行うことができる。
【００２５】
[31]  図９はフラッシュメモリ構造に適用される分解プロセスの例を示している。図９を参照すると、原パターンの密間隔のフィーチャは、アンカーリングフィーチャの使用を含む前述のプロセスを使用して、分解され、または別々のマスクに割り当てられる。パターンがラインフィーチャの各々の端部に非密間隔のパッドを含むことに留意されたい。一旦フィーチャが分解されれば、パッドはパターンに置き戻される。示された例において、パッドは、所与のパッドが接続される所与のラインフィーチャのカラリングを続けるために、それぞれカラリングされる。図１０および１１は本発明のプロセスを使用して分割されたターゲットパターンの追加の例を示している。
【００２６】
[32]  上記に詳述したように、本発明のプロセスは既知の分解プロセスに対する多くの長所を提供する。最も重要なことに、このプロセスは、ターゲットパターンを分解する迅速かつ効率的な方法を提供し、ならびに、パターンの分解を支配する複雑なルールセットの生成に対する必要性を排除する。特に、本発明のプロセスは、いずれの局所的に密間隔のパターングループも分解する効率的な方法を可能にする。さらに、このプロセスは、特定のルールを生成する必要性なしに複雑な二次元のフィーチャ形状を直ちに分解することができる。
【００２７】
[33]  上で詳述した例示的プロセスの変形例も可能である。例えば、いずれの適切なデータフォーマットもパターンデータを処理するために使用することができる。パターン内のフィーチャの位置を直ちに識別できるようになるので、パターンが一般的にＸＹ座標系を使用して表されていることにも留意されたい。このフォーマットもアンカーリングフィーチャの成長を直ちに提供する。
【００２８】
[34]  他の変形例において、本発明のプロセスからもたらされる分解パターンに対して光近接効果補正処理を適用することが可能である。さらに、ルールベース、またはモデルベースＯＰＣ処理のいずれも、分解パターンに対して使用することができる。
【００２９】
[35]  さらに他の変形例において、上で開示された長方形以外の異なった形状も、アンカーリングフィーチャを成長させる際に使用することができる。また、アンカーリングフィーチャも異なった形状を取ることができる。所与の実施形態において、「成長済み領域」の形状は、この領域がアンカーリングフィーチャに隣接したフィーチャを包含し、ＣＤおよびピッチに関して上で規定されたサイズのルールに従うように選択されている。さらに、本プロセスは、局所パターン内に異なったサイズおよび形状（例えば不均一なラインおよび長さ）を有する局所高密度パターンを分解するために使用することができる（すなわち、分解されている隣接したフィーチャが異なったサイズおよび形状を有することができる）。
【００３０】
[36]  他の変形例において、アンカーリングフィーチャが成長させられる量は、最小許容ピッチより大きな値と等しい。シミュレーションプロセスが与えられたプロセスのための最小ＣＤおよびピッチを決定するために使用でき、したがって、これらの値が本発明のプロセスで使用できることに留意されたい。
【００３１】
[37]  図１２は、上で詳述したパターン分解プロセスを実施することができるコンピュータシステム１００を示すブロック図である。コンピュータシステム１００は、情報を通信するバス１０２または他の通信機構、および情報を処理するためにバス１０２に接続されたプロセッサ１０４を含む。コンピュータシステム１００は、プロセッサ１０４によって実行される情報および命令を記憶するためにバス１０２に結合されたランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）または他のダイナミックストレージデバイスなどのメインメモリ１０６も含む。メインメモリ１０６は、プロセッサ１０４によって実行される命令の実行中に一時変数または他の中間情報を記憶するためにも使用することができる。コンピュータシステム１００はさらに、プロセッサ１０４用の静的情報および命令を記憶するためにバス１０２に結合されたリードオンリーメモリ（ＲＯＭ）１０８または他のスタティックストレージデバイスを含む。情報および命令を記憶するために、磁気ディスクまたは光ディスクなどのストレージデバイス１１０が提供され、バス１０２に結合される。
【００３２】
[38]  コンピュータシステム１００は、コンピュータのユーザに情報を表示するために、バス１０２を介して陰極線管（ＣＲＴ）またはフラットパネルもしくはタッチパネルディスプレイなどのディスプレイ１１２に結合することができる。情報およびコマンド選択をプロセッサ１０４へ通信するために、英数字および他のキーを含む入力デバイス１１４が、バス１０２に結合される。他のタイプのユーザ入力デバイスは、方向情報およびコマンド選択をプロセッサ１０４に通信し、ディスプレイ１１２上のカーソルの動きを制御するマウス、トラックボール、またはカーソル方向キーなどのカーソルコントロール機器１１６である。この入力デバイスは通常、第１軸（例えばｘ）および第２軸（例えばｙ）にという２つの自由度を有し、デバイスが平面内の位置を指定することを可能にする。タッチパネル（スクリーン）ディスプレイも入力デバイスとして使用することができる。
【００３３】
[39]  本発明の一実施形態によれば、カラリングプロセスは、メインメモリ１０６に含まれる１つまたは複数の命令の１つまたは複数のシーケンスを実行するプロセッサ１０４に応答して、コンピュータシステム１００によって実行することができる。このような命令は、ストレージデバイス１１０などの他のコンピュータ読取可能媒体からメインメモリ１０６に読み込ませることができる。メインメモリ１０６に含まれる命令のシーケンスを実行すると、プロセッサ１０４は本明細書で述べたプロセスステップを実行する。マルチプロセス構成内の１つまたは複数のプロセッサも、メインメモリ１０６に含まれた命令のシーケンスを実行するために使用することができる。代替実施形態では、ハードワイヤの回路を、ソフトウェア命令の代わりに、またはそれと組み合わせて使用し、本発明を実施することができる。したがって、本発明の実施形態は、ハードウェア回路およびソフトウェアのいずれの特定の組合せにも限定されない。
【００３４】
[40]  本明細書において使用されている用語「コンピュータ読取可能媒体」とは、実行するために命令をプロセッサ１０４に提供することに関与する任意の媒体を指す。このような媒体は、不揮発性媒体、揮発性媒体、および伝送媒体を含めて、これらに限定されない多くの形態を取ることができる。不揮発性媒体は、ストレージデバイス１１０などの例えば光または磁気ディスクを含む。揮発性媒体は、メインメモリ１０６などのダイナミックメモリを含む。伝送媒体は、同軸ケーブル、銅線、および光ファイバを含み、バス１０２を構成するワイヤを含む。伝送媒体は、無線周波数（ＲＦ）および赤外線（ＩＲ）のデータ通信中に発生するような音波または光波の形態もとることができる。コンピュータ読取可能媒体の一般的形態は、例えば、フロッピー（登録商標）ディスク、フレキシブルディスク、ハードディスク、磁気テープ、任意の他の磁気媒体、ＣＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ、任意の他の光学的媒体、パンチカード、紙テープ、孔のパターンを持つ任意の他の物理的媒体、ＲＡＭ、ＰＲＯＭ、およびＥＰＲＯＭ、フラッシュＥＰＲＯＭ、任意の他のメモリチップまたはカートリッジ、以下に説明される搬送波、またはコンピュータが読み取ることができるいかなる他の媒体をも含む。
【００３５】
[41]  様々な形態のコンピュータ読取可能媒体も、１つまたは複数の命令の１つまたは複数のシーケンスを実行のためにプロセッサ１０４に搬送することに従事することができる。例えば、命令は、最初に、遠隔コンピュータの磁気ディスクに担持させることができる。遠隔コンピュータは命令を自身のダイナミックメモリにロードし、モデムを使用して電話回線を介して命令を送信することができる。コンピュータシステム１００にローカルなモデムが電話回線でデータを受信し、赤外送信機を使用してデータを赤外線信号に変換することができる。バス１０２に結合された赤外ディテクタは赤外線信号で搬送されたデータを受信し、バス１０２上にデータを配置することができる。バス１０２は、データをメインメモリ１０６へ搬送し、そこからプロセッサ１０４が命令を検索し、実行する。メインメモリ１０６が受信した命令は、プロセッサ１０４による実行の前または後のいずれかに、任意選択でストレージデバイス１１０に記憶することができる。
【００３６】
[42]  コンピュータシステム１００は、バス１０２に結合された通信インターフェイス１１８を含むことが好ましい。通信インターフェイス１１８は、ローカルネットワーク１２２に接続されたネットワークリンク１２０への双方向データ通信結合を提供する。例えば、通信インターフェイス１１８は、対応するタイプの電話回線にデータ通信接続を提供するIntegrated Services Digital Network（ＩＳＤＮ）カードまたはモデムとすることができる。他の例として、通信インターフェイス１１８は、互換性ＬＡＮにデータ通信接続を提供するローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）カードとすることもできる。無線リンクも実施することができる。このような実施例のいずれにおいても、通信インターフェイス１１８は様々なタイプの情報を提示するデジタルデータストリームを搬送する電気、電磁気または光信号を送受信する。
【００３７】
[43]  ネットワークリンク１２０は通常、１つまたは複数のネットワークを介して他のデータデバイスにデータ通信を提供する。例えば、ネットワークリンク１２０は、ローカルネットワーク１２２を介してホストコンピュータ１２４またはインターネットサービスプロバイダ（ＩＳＰ）１２６により運営されるデータ設備への接続を提供することができる。ＩＳＰ１２６は、現在は一般に「インターネット」と呼ばれている世界的なパケットデータ通信網を介してデータ通信サービスを提供する。ローカルネットワーク１２２およびインターネット１２８は双方とも、デジタルデータストリームを搬送する電気、電磁気、または光信号を使用する。コンピュータシステム１００との間でデジタルデータを搬送する、様々なネットワークを介した信号およびネットワークリンク１２０上にあり、通信インターフェイス１１８を介した信号は、情報を伝送する搬送波の例示的形態である。
【００３８】
[44]  コンピュータシステム１００は、ネットワーク、ネットワークリンク１２０、および通信インターフェイス１１８を介して、プログラムコードを含み、メッセージを送信しデータを受信できる。インターネットの例では、サーバ１３０は、アプリケーションプログラムのための要求されたコードをインターネット１２８、ＩＳＰ１２６、ローカルネットワーク１２２、および通信インターフェイス１１８を介して送信することができる。本発明によれば、１つのこのようなダウンロードされたアプリケーションは、例えば本実施形態の照明の最適化を提供する。受信コードは、受信されるとプロセッサ１０４により実行する、および／または、後に実行するためにストレージデバイス１１０もしくは他の不揮発性ストレージに記憶することができる。このようにして、コンピュータシステム１００は搬送波の形態でアプリケーションコードを取得することができる。
【００３９】
[45]  図１３は、本発明の助けでデザインされたマスクとともに使用するのに適したリソグラフィ投影装置の概略を示している。この装置は、
−  放射投影ビームＰＢを供給するための放射システムＥｘ、ＩＬであって、この特定の場合において放射源ＬＡも含むシステムと、
−  マスクＭＡ（例えばレチクル）を保持するマスクホルダが設けられ、アイテムＰＬに対してマスクを正確に位置決めする第１位置決め手段に接続された第１オブジェクトテーブル（マスクテーブル）ＭＴと、
−  基板Ｗ（例えばレジストコートシリコンウェーハ）を保持する基板ホルダが設けられ、アイテムＰＬに対して基板を正確に位置決めする第２位置決め手段に接続された第２オブジェクトテーブル（基板テーブル）ＷＴと、
−  マスクＭＡの照射部分を基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば１つまたは複数のダイを含む）に結像する投影システム（「レンズ」）ＰＬ（例えば屈折、反射、または屈折反射光学システム）と、を含む。
【００４０】
[46]  本明細書に示している装置は透過タイプのもの（つまり透過型マスクを有する）である。しかし、一般に、装置は、例えば（反射性マスクを備えた）反射タイプのものとすることもできる。あるいは、装置はマスクの使用の代替として他の種類のパターニング手段を採用してもよく、その例はプログラマブルミラーアレイまたはＬＣＤマトリクスを含む。
【００４１】
[47]  放射源ＬＡ（例えば水銀ランプまたはエキシマレーザ）は放射ビームを生成する。このビームは、直接的に、または例えばビームエキスパンダＥｘなどの調整手段を横切った後に照明システム（イルミネータ）ＩＬに供給される。イルミネータＩＬは、ビームの強度分布の外側および／または内側半径範囲（一般にそれぞれσ-outerおよびσ-innerと呼ばれる）を設定する調節手段ＡＭを備えても良い。また、イルミネータＩＬは、一般に、インテグレータＩＮおよびコンデンサＣＯなどの様々な他のコンポーネントを備えても良い。このように、マスクＭＡに当たったビームＰＢは、自身の断面にわたって所望の均一性および強度分布を有する。
【００４２】
[48]  図１３に関して、放射源ＬＡは、（ソースＬＡが例えば水銀ランプの場合によくあるように）リソグラフィ投影装置のハウジング内にあってもよいが、リソグラフィ投影装置から離れていて、これが生成する放射ビームを（例えば適切な誘導ミラーの助けにより）装置内に導いてもよく、後者のシナリオは、放射源ＬＡが（例えば、ＫｒＦ、ＡｒＦ、またはＦ２のレージングに基づく）エキシマレーザである場合に多い。本発明はこれらのシナリオの双方を包含している。
【００４３】
[49]  その後、ビームＰＢはマスクテーブルＭＡ上に保持されたマスクＭＡを横切る。マスクＭＡを通り抜けると、ビームＰＢは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームＰＢを集束させるレンズＰＬを通過する。第２位置決め手段（および干渉計測定手段ＩＦ）の助けにより、基板テーブルＷＴを、例えばビームＰＢの経路において異なるターゲット部分Ｃを位置決めするように正確に移動できる。同様に、第１位置決め手段を使用して、例えばマスクライブラリからのマスクＭＡの機械的検索の後に、またはスキャン中に、ビームＰＢの経路に対してマスクＭＡを正確に位置決めすることができる。一般に、オブジェクトテーブルＭＴ、ＷＴの移動は、図１３に明示的には示されていないロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）の助けにより実現される。しかし、ウェーハステッパの場合（ステップアンドスキャンツールとは対照的に）、マスクテーブルＭＴはショートストロークアクチュエータのみに接続できるか、または固定することができる。
【００４４】
[50]  図示されたツールは２つの異なるモードで使用することができる。
−  ステップモードにおいては、マスクテーブルＭＴは基本的に静止状態に維持され、マスクイメージ全体が１回でターゲット部分Ｃに投影される（すなわち単一「フラッシュ」）。次いで、別のターゲット部分ＣをビームＰＢにより照射できるように、基板テーブルＷＴがｘ方向および／またはｙ方向にシフトされる。
−  スキャンモードにおいては、基本的に同じシナリオが当てはまるが、任意のターゲット部分Ｃが単一「フラッシュ」では露光されない。代わりに、マスクテーブルＭＴは、任意の方向（いわゆる「スキャン方向」、例えばｙ方向）に速度ｖで移動可能となっており、これにより投影ビームＰＢはマスクイメージにわたり走査させられ、これと同時に、基板テーブルＷＴは、速度Ｖ＝Ｍｖで同一方向または逆方向に同時に移動される。ここで、ＭはレンズＰＬの倍率（一般的にＭ＝１／４または１／５）である。このようにして、解像度を妥協することなく、比較的大きなターゲット部分Ｃを露光することができる。
【００４５】
[51]  加えて、開示された概念を実行するうえで、ソフトウェアが実行または支援できる。コンピュータシステムのソフトウェア機能は、上で説明された結像モデルを実施するために使用することができる実行可能なコードを含むプログラミングを含む。ソフトウェアコードは汎用コンピュータにより実行可能である。動作において、このコード、および場合により関連したデータ記録は、汎用コンピュータプラットフォーム内に保存される。しかし、動作していない時は、このソフトウェアは他の場所に保存することができ、および／または適切な汎用コンピュータシステム内にロードするためにトンラスポートすることができる。そのため、上で検討された実施形態は、少なくとも１つの機械読取可能媒体により搬送されるコードの１つまたは複数のモジュールの形態になった１つまたは複数のソフトウェア製品を含む。コンピュータシステムのプロセッサによるこのようなコードの実行は、プラットフォームが、基本的には、本明細書において論じられ、図示された実施形態において行われる形で、カタログおよび／またはソフトウェアのダウンロード機能を実行することを可能にする。
【００４６】
[52]  本明細書において使用されているコンピュータまたは機械「読取可能媒体」などの用語は、実行するために命令をプロセッサに提供することに関与する任意の媒体を指す。このような媒体は、不揮発性媒体、揮発性媒体、および伝送媒体を含めて、これらに限定されない多くの形態を取ることができる。不揮発性媒体は、例えば、上で論じられたサーバプラットフォームの１つとして動作する任意のコンピュータにおけるあらゆるストレージデバイスなどのような光ディスクまたは磁気ディスクを含む。揮発性媒体は、このようなコンピュータプラットフォームのメインメモリなどのダイナミックメモリを含む。物理的伝送媒体は、同軸ケーブル、銅線、および光ファイバを含み、バス１０２を構成するワイヤを含む。搬送波伝送媒体は、無線周波数（ＲＦ）および赤外線（ＩＲ）のデータ通信中に発生するような電気信号もしくは電磁気信号、または音波もしくは光波の形態もとることができる。したがって、コンピュータ読取可能媒体の一般的形態は、例えば、フロッピー（登録商標）ディスク、フレキシブルディスク、ハードディスク、磁気テープ、任意の他の磁気媒体、ＣＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ、任意の他の光学的媒体、パンチカード、紙テープなどのさほど一般的には使用されていない媒体、孔のパターンを持つ任意の他の物理的媒体、ＲＡＭ、ＰＲＯＭ、およびＥＰＲＯＭ、フラッシュＥＰＲＯＭ、任意の他のメモリチップまたはカートリッジ、データまたは命令を搬送する搬送波、このような搬送波を伝送するケーブルまたはリンク、あるいは、プログラミングコードおよび／またはデータをコンピュータが読み出すことができる任意の他の媒体を含む。コンピュータ読取可能媒体のこれらの形態の多くは、実行のためにプロセッサに１つまたは複数の命令の１つまたは複数のシーケンスを搬送することに従事することができる。
【００４７】
[53]  本発明を詳細に説明、図示してきたが、これは例証および例示にすぎず、限定と見なすものではなく、本発明の範囲は特許請求の範囲の用語によってのみ限定されることを明確に理解されたい。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】[18]ターゲットパターンを複数パターンに分解するために使用される本発明の分解プロセスを示す例示的なフローチャート。
【図２】[19]本発明の分解プロセスを使用して複数セグメントに分解される例示的なターゲットパターンを示す。
【図３】[20]図２のターゲットパターンに適用される本発明の分解プロセスを示す。
【図４】[20]図２のターゲットパターンに適用される本発明の分解プロセスを示す。
【図５】[20]図２のターゲットパターンに適用される本発明の分解プロセスを示す。
【図６】[20]図２のターゲットパターンに適用される本発明の分解プロセスを示す。
【図７】[20]図２のターゲットパターンに適用される本発明の分解プロセスを示す。
【図８】[20]図２のターゲットパターンに適用される本発明の分解プロセスを示す。
【図９】[21]他のターゲットパターンに適用される分解プロセスの追加の例を示す。
【図１０】[21]他のターゲットパターンに適用される分解プロセスの追加の例を示す。
【図１１】[21]他のターゲットパターンに適用される分解プロセスの追加の例を示す。
【図１２】[22]本発明の実施形態による照明最適化を実施できるコンピュータシステムを示すブロック図。
【図１３】[23]開示された概念の助けでデザインされたマスクとともに使用するのに適した例示的なリソグラフィ投影装置を概略的に示す。
【図１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【外国語明細書】
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