(57)【要約】【課題】被研磨テープを替えることなく、ウェハ端面の表面粗さが抑制される研磨方法および研磨装置を提供する。【解決手段】フィルム基材４１の表面に設けられた接着層４２に砥粒４３が固定された研磨テープ４０を用い、ウェハＷの端面側に研磨液を供給した状態で、ウェハＷの端面を研磨する研磨方法において、接着層４２のガラス転移温度（Ｔｇ）よりも低い処理温度で、ウェハＷの端面を研磨する第１研磨工程と、接着層４２のＴｇ以上の処理温度で、ウェハの端面Ｗを研磨する第２研磨工程とを有することを特徴とする研磨方法およびこの研磨方法に用いる研磨装置である。【選択図】図４
2008036784.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フィルム基材の表面に設けられた接着層に砥粒が固定された研磨テープを用い、ウェハの端面側に研磨液が供給された状態で、前記研磨テープの砥粒側をウェハの端面に押し付けて、ウェハの端面を研磨する研磨方法において、
処理温度の異なる複数の研磨工程を有する
ことを特徴とする研磨方法。
【請求項２】
請求項１記載の研磨方法において、
前記研磨テープの温度を制御することで、前記処理温度を制御する
ことを特徴とする研磨方法。
【請求項３】
請求項１記載の研磨方法において、
前記研磨テープを前記ウェハの端面に押し付けるテープ押圧部の温度または前記研磨液の温度により、前記処理温度を制御する
ことを特徴とする研磨方法。
【請求項４】
請求項１記載の研磨方法において、
前記複数の研磨工程は、
前記接着層のガラス転移温度よりも低い前記処理温度で、前記ウェハの端面を研磨する第１研磨工程と、
前記接着層のガラス転移温度以上の前記処理温度で、前記ウェハの端面を研磨する第２研磨工程とを有する
ことを特徴とする研磨方法。
【請求項５】
請求項１記載の研磨方法において、
前記接着層のガラス転移温度が液体の温度範囲にある
ことを特徴とする研磨方法。
【請求項６】
フィルム基材の表面に設けられた接着層に砥粒が固定された研磨テープを用い、ウェハの端面側に研磨液が供給された状態で、前記研磨テープの砥粒側をウェハの端面に押し付けて、ウェハの端面を研磨する研磨装置において、
ウェハを回転可能に保持するウェハ保持部と、
前記ウェハ保持部に保持された状態のウェハの表面に前記研磨液を供給するノズルを有する研磨液供給部と、
前記ウェハ保持部に保持された状態のウェハの端面側に前記砥粒を向けて、張設された状態で前記研磨テープを保持するテープ保持部と、
前記テープ保持部により張設された状態の前記研磨テープを、前記フィルム基材側から前記ウェハ保持部に保持された状態のウェハの端面に押し付けるパッドを有するテープ押圧部とを備え、
前記研磨液供給部または前記テープ押圧部には、温度制御手段が設けられている
ことを特徴とする研磨装置。
【請求項７】
請求項６記載の研磨装置において、
前記パッドには、温度制御された液体を通過させる配管が設けられている
ことを特徴とする研磨装置。
【請求項８】
請求項６記載の研磨装置において、
前記研磨液供給部には、異なる温度の前記研磨液を前記ウェハの表面に供給する複数のノズルが設けられている
ことを特徴とする研磨装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、研磨方法および研磨装置に関し、さらに詳しくは、表面側に砥粒が固定された研磨テープを用いた研磨方法および研磨装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの製造においては、ウェハ表面にデバイスを作る過程で、成膜、エッチング、平坦化などの加工が繰り返し行われていく。従来までは、それぞれの工程の加工状況が、ウェハ面内で均一であれば良かったが、ウェハの直径が大口径化するに従い、面内の均一性を保つことが難しくなり、特にウェハ端面では、ウェハ面内の均一性を維持しながら、端面の加工を制御することが難しくなっている。
【０００３】
また、配線に銅（Ｃｕ）などのトランジスタ特性に影響がある材料が使われるようになり、例えばシリコン（Ｓｉ）ウェハを用いた半導体デバイスの製造ではＣｕ配線の加工工程でウェハ裏面や端面を保護しつつ加工を行う必要があるため、ますます加工工程が複雑になっている。そして、加工工程が複雑化することで、ウェハの表面と裏面の間にあるウェハ端面は、パーティクルの制御などが非常にし難い状態にある。したがって、近年では半導体デバイスを形成する過程で、ウェハ端面を研磨することで端面からの異常物の発生を抑制している（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
ウェハ端面を研磨する方法としては、スピン回転しているウェハ上に砥粒を含む研磨用スラリーを吐出させて、研磨布をウェハ端面に押し当てて研磨を行う方法がある（例えば、特許文献２参照）。この方法によれば、砥粒が研磨布に固定されていない状態で研磨が行われるため、ウェハ端面に研磨痕が付き難いという利点がある。しかし、研磨後に、砥粒を除去するための、強力な洗浄作用を有する洗浄液を用いた洗浄処理が必要になり、ウェハ上に半導体デバイスが搭載された状態で行うことは難しく、適用できる工程が制限されてしまう。
【０００５】
そこで、表面側に砥粒が固定された研磨テープ（研磨フィルム）を用いた研磨方法が報告されている（例えば、特許文献３参照）。この研磨方法では、ウェハ上に砥粒を含む研磨用スラリーを供給しないことから、研磨後にあまり強力な洗浄処理を必要としない、という利点があり、半導体デバイスの製法に適用し易い。
【０００６】
【特許文献１】特開２００１−３４５２９４号公報
【特許文献２】特開２００３−２０９０７５号公報
【特許文献３】特開２００３−１６３１８８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、上述した研磨方法では、特に砥粒として硬質なダイヤモンドを用いた場合、ウェハ端面に砥粒の研磨痕が付き易く、ウェハ端面の表面粗さが悪くなってしまう。ウェハ端面の表面粗さが悪くなるとクラックが発生し易くなるだけでなく、パーティクルが付着し易くなり、半導体デバイスの汚染につながり易い。このため、初めに砥粒のサイズが大きい研磨テープを用いて、研磨レートの高い状態でウェハの端面を研磨する工程を行い、その後、砥粒のサイズが小さい研磨テープに変えた仕上げの研磨により、ウェハ端面の平坦化を行う必要があり、工程が煩雑である、という問題があった。
【０００８】
そこで、本発明は、研磨テープを替えることなく、ウェハ端面の表面粗さを抑制することが可能な研磨方法および研磨装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上述したような目的を達成するために、本発明の研磨方法は、フィルム基材の表面に設けられた接着層に砥粒が固定された研磨テープを用い、ウェハの端面側に研磨液が供給された状態で、研磨テープの砥粒側をウェハの端面に押し付けて、ウェハの端面を研磨する研磨方法において、処理温度の異なる複数の研磨工程を有することを特徴としている。
【００１０】
このような研磨方法によれば、処理温度の異なる複数の研磨工程を有するため、各研磨工程の処理温度を、研磨テープの接着層のガラス転移温度（Ｔｇ）以上の温度またはＴｇよりも低い温度に制御することで、砥粒の接着層への固定状態を変化させることが可能となる。例えば、接着層のＴｇよりも低い温度で研磨を行う場合には、砥粒が接着層に強固に固定されるため、研磨レートが高い状態で、ウェハの端面が粗削りされる。一方、接着層のＴｇ以上の温度で研磨を行う場合には砥粒と接着層との固定状態が弱くなるため、砥粒が接着層から外れ易くなる。このため、研磨レートが低くなるとともに、ウェハ端面の研磨痕の残存が抑制される。これにより、研磨テープを替えることなく、研磨レートを制御し、ウェハ端面の表面粗さを抑制することが可能となる。
【００１１】
また、本発明の研磨装置は、フィルム基材の表面に設けられた接着層に砥粒が固定された研磨テープを用い、ウェハの端面側に研磨液が供給された状態で、研磨テープの砥粒側をウェハの端面に押し付けて、ウェハの端面を研磨する研磨装置において、ウェハを回転可能に保持するウェハ保持部と、ウェハ保持部に保持された状態のウェハの表面に研磨液を供給するノズルを有する研磨液供給部と、ウェハ保持部に保持された状態のウェハの端面側に砥粒を向けて、張設された状態で研磨テープを保持するテープ保持部と、テープ保持部により張設された状態の研磨テープを、フィルム基材側からウェハ保持部に保持された状態のウェハの端面側に押し付けるパッドを有するテープ押圧部とを備えている。そして、研磨液供給部またはテープ押圧部には、温度制御手段が設けられていることを特徴としている。
【００１２】
このような研磨装置によれば、研磨液供給部またはテープ押圧部に、温度制御手段が設けられていることから、処理温度の異なる複数の研磨工程を有する本発明の研磨方法を行うことが可能である。これにより、上述したように、研磨テープを替えることなく、研磨レートを制御し、ウェハ端面の研磨痕を抑制することが可能となる。
【発明の効果】
【００１３】
以上、説明したように、本発明の研磨方法および研磨装置によれば、研磨テープを替えることなく、研磨レートを制御し、ウェハ端面の表面粗さを抑制することができるため、効率よく研磨工程を行うことができるとともに、ウェハ端面のクラックの発生や、ウェハ端面へのパーティクルの付着を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明に係る研磨方法および研磨装置について、図面に基づいて詳細に説明する。
【００１５】
（第１実施形態）
＜研磨装置＞
まず、本実施形態の研磨装置について説明する。図１は、研磨装置１の概略構成を示す斜視図である。ここで説明する研磨装置１は、ウェハＷを回転可能に保持するウェハ保持部１０と、ウェハ保持部１０に保持された状態のウェハＷの表面に研磨液Ｌを供給する研磨液供給部２０と、ウェハ保持部１０に保持され、回転した状態のウェハＷの端面を研磨する研磨ヘッド３０とを備えている。
【００１６】
上記ウェハ保持部１０は、外部のモーター（図示省略）に連結された回転軸１１と、この回転軸１１の上端部に固定された保持台１２とを備えている。保持台１２は、例えば外部の真空ポンプ（図示省略）に連通する複数の孔（図示省略）を有しており、真空ポンプの駆動により、ウェハＷが保持台１２に吸着される真空チャック方式で、ウェハ保持部１０に保持されるように構成されている。ウェハ保持部１０に保持された状態のウェハＷは、上記外部のモーターを駆動して、回転軸１１を回転させることにより、例えば矢印Ｒ１の方向に回転される。
【００１７】
また、研磨液供給部２０は、ウェハ保持部１０に保持された状態のウェハＷの表面に、例えば純水からなる研磨液Ｌを供給するノズル２１を備えている。ここでの図示は省略するが、ノズル２１は、フローメーターが設けられた配管を介して研磨液Ｌの貯留タンクに接続されており、研磨液Ｌを、回転されたウェハＷの表面の略中心に供給するように、配置されている。供給された研磨液Ｌは、遠心力により、ウェハＷの端面側に供給される。なお、ここでは、回転されたウェハＷの表面の略中心に研磨液Ｌを供給するように、ノズル２１が配置された例について説明するが、ウェハ保持部１０に保持された状態のウェハＷの端面側に、直接研磨液Ｌを供給するように、ノズル２１が配置されていてもよい。
【００１８】
また、研磨ヘッド３０は、ウェハ保持部１０に保持された状態のウェハＷの端面側に、砥粒が設けられた表面側を向けて、張設した状態で研磨テープ４０を保持するテープ保持部３１と、テープ保持部３１により張設された状態の研磨テープ４０を、この研磨テープ４０の裏面側から、ウェハ保持部１０に保持された状態のウェハＷの端面側に押し付けるパッドを有するテープ押圧部３２を備えている。
【００１９】
上記テープ保持部３１は、ウェハ保持部１０に隣接する位置に対向配置された支持板（図示省略）の間に、それぞれ水平方向に平行に配置された４つの第１〜第４のローラー３３ａ、３３ｂ、３３ｃ、３３ｄを備えている。また、ここでの図示は省略したが、上記支持板間には、テープ送出部とテープ巻取部がローラー３３ａ〜３３ｄと平行に配置されており、テープ送出部には、研磨テープ４０のロールが取り付けられるように、構成されている。そして、テープ巻取部に連結したモーターを駆動することで、テープ送出部（図示省略）から引き出された研磨テープ４０が、矢印Ａ方向に移動し、第１のローラー３３ａ、第２のローラー３３ｂ、第３のローラー３３ｃおよび第４のローラー３３ｄを順次介して、テープ巻取部（図示省略）で巻き取られるように構成されている。
【００２０】
そして、上記第２のローラー３３ｂと第３のローラー３３ｃにより、研磨テープ４０は砥粒が設けられた表面側をウェハ保持部１０に保持された状態のウェハＷに向けて、張設した状態で保持される。ここで、第２のローラー３３ｂと第３のローラー３３ｃにより張設された研磨テープ４０の略中央部にウェハＷの端面が配置される。
【００２１】
また、テープ押圧部３２は、パッド３４と、パッド３４が固定されたシャフト３５と駆動によりシャフト３５を進退移動させるピストンシリンダ３６とを備えている。そして、ピストンシリンダ３６の駆動により、シャフト３５を前進させることで、パッド３４を介して、研磨テープ４０の裏面側から、研磨テープ４０をウェハ保持部１０に保持された状態のウェハＷの端面側に押し付ける。なお、ウェハＷ端面への研磨テープ４０の押し付け圧力は、シャフト３５の進退移動の量を調節することで行われる。
【００２２】
そして、本発明の特徴的な構成として、図２に示すように、テープ押圧部３２には、温度制御手段５０が設けられている。この温度制御手段５０が設けられることで、テープ押圧部３２により、ウェハ保持部１０に保持された状態のウェハＷの端面に押し付けられる研磨テープ４０の温度が制御されるため、研磨工程の処理温度が制御される。
【００２３】
具体的には、温度制御手段５０は、例えば５℃から常温に冷却された純水（冷水）が貯留された冷水貯留タンク５１と９０℃〜１００℃に加温された純水（温水）が貯留された温水貯留タンク５２とを備えている。冷水貯留タンク５１には、冷水貯留タンク５１から冷水を流出する配管５１ａと、冷水貯留タンク５１に冷水を流入する配管５１ｂとが接続されており、これらは切り換えバルブ５３、５４にそれぞれ接続されている。一方、温水貯留タンク５２には、温水貯留タンク５２から温水を流出する配管５２ａと、温水貯留タンク５２に温水を流入する配管５２ｂとが接続されており、これらも切り換えバルブ５３、５４にそれぞれ接続されている。
【００２４】
そして、上記切り換えバルブ５３、５４の間は、配管５５で接続されており、切り換えバルブ５３、５４を調整することで、配管５５は冷水ラインまたは温水ラインに切り換えられる。具体的には、上記切り換えバルブ５３、５４を、冷水ラインに切り換えた場合には、冷水貯留タンク５１からの冷水が配管５１ａ、配管５５、配管５１ｂを介して冷水貯留タンク５１まで循環する。一方、上記切り換えバルブ５３、５４を、温水ラインに切り換えた場合には、温水貯留タンク５２からの温水が配管５２ａ、配管５５、配管５２ｂを介して温水貯留タンク５２まで循環する。
【００２５】
ここで、上記配管５５は、例えばウェハ保持部１０に保持された状態のウェハＷの接線方向に、テープ押圧部３２のパッド３４（前記図１参照）を貫通する状態で配置されている。これにより、配管５５を５℃〜常温の冷水が通過する冷水ラインにするか、９０℃〜１００℃の温水が通過する温水ラインにするかで、テープ押圧部３２によりウェハＷの端面に押し付けられる研磨テープ４０の温度も、配管５５を通過する液体の温度に制御される。ここでは、図３の要部拡大図に示すように、配管５５がパッド３４内で例えば４本に分岐されてパッド３４の表面に平行に配置されることとする。このように、パッド３４内で配管５５が複数に分岐されることにより、より効率よく研磨テープ４０の温度制御を行うことが可能となる。上記配管５５は、パッド３４を介して研磨テープ４０の温度を制御することから、熱伝導性の高い金属材料で構成されることが好ましく、ここでは、例えばステンレス（ＳＵＳ）配管で構成されることとするが、配管５５の材質は、中を通過させる液体により、適宜規定されることとする。
【００２６】
ここで、研磨テープ４０は、例えばＰＥＴ（poly(ethylene terephthalate))からなるフィルム基材４１の表面に例えばポリエステル系樹脂からなる接着層４２が設けられており、この接着層４２に例えばダイヤモンドからなる砥粒４３が固定されている。ここで、ポリエステル系樹脂からなる接着層４２のＴｇは９０℃であることから、上記温度制御手段５０の配管５５を冷水ラインにした場合には、接着層４２のＴｇより低い温度で研磨が行われる。また、上記温度制御手段５０の配管５５を温水ラインにした場合には、接着層４２のＴｇ以上の温度で研磨が行われる。これにより、各研磨工程における、砥粒４３と接着層４２との固定状態が変化する。
【００２７】
ここで、上記接着層４２は、配管５５を通過させることが可能な液体の温度範囲内にＴｇを有する材質で構成されることが好ましい。さらに、接着層４２のＴｇが１００℃以下である場合には、上述したように、配管５５を通過させる液体として純水を用いることができる。なお、ここでは、接着層４２がポリエステル系樹脂で構成される例について説明したが、本発明はこれに限定されず、ポリウレタン系樹脂等の他の樹脂材料で構成されてもよく、これらを発泡させたものを用いてもよい。また、砥粒４３についてもダイヤモンドに限定されることなく、炭化シリコン（ＳｉＣ）、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、酸化クロム（Ｃｒ2Ｏ3）、酸化鉄（Ｆｅ2Ｏ3）、酸化セリウム（Ｃｅ2Ｏ3）、シリカ等を用いることができる。
【００２８】
さらに、配管５５を通過させる液体は、純水に限定されるものではなく、上記接着層４２のＴｇに応じて、適宜変更する。本実施形態の研磨装置１によれば、配管５５を通過させる液体はウェハＷと接触しないため、ウェハＷへの影響を考えずに、温度制御のみで、配管５５に通過させる液体を選択できるため好ましい。
【００２９】
なお、ここでは、温度制御手段５０として、冷水貯留タンク５１と温水貯留タンク５２とを備え、切り替えバルブ５３、５４により、配管５５を温水ラインと冷水ラインとを切り換えることで、研磨テープ４０の温度を制御する例について説明した。しかし、本発明は、これに限定されず、温度制御可能な１つの貯留タンクを備え、貯留タンクを冷却または加温することで、配管５５を通過する液体の温度制御を行ってもよい。ただし、上述したように、冷水貯留タンク５１と温水貯留タンク５２とを備えた方が、配管５５を通過する液体の温度切り換えを迅速に行うことができるため、好ましい。
【００３０】
＜研磨方法＞
次に、以上のように構成された研磨装置による処理動作例、すなわち本発明の第１実施形態における研磨方法について、説明する。なお、上記研磨装置１の各構成については、図１〜図３で示した各構成の符号を用いて説明する。
【００３１】
まず、ウェハ保持部１０に真空チャック方式でウェハＷを保持し、回転軸１１を回転させることで、保持台１２とともにウェハＷを回転させる。
【００３２】
次に、ウェハ保持部１０に保持されたウェハＷの表面の略中心に、研磨液供給部２０のノズル２１から、例えば純水からなる研磨液Ｌを供給する。この際、ウェハＷは回転されていることから、研磨液ＬはウェハＷの端面側に供給される。
【００３３】
一方、テープ保持部３１のテープ巻取部に接続されたモーターを駆動させることで、ウェハ保持部１０に保持されたウェハＷの端面側に、表面側に設けられた砥粒４３を向けて、第２のローラー３３ｂと第３のローラー３３ｃの間に研磨テープ４０を張設する。続いて、テープ押圧部３２のピストンシリンダ３６を駆動し、シャフト３５に固定されたパッド３４を前進させて、研磨テープ４０の砥粒４３側をウェハＷの端面に押し付ける。
【００３４】
そして、テープ押圧部３２に設けられた温度制御手段５０を用いて、研磨テープ４０の温度を制御することで、処理温度を制御する。ここでは、第１研磨工程として、研磨テープ４０の接着層４２のＴｇ（９０℃）よりも低い温度でウェハＷの端面を研磨し、その後、第２研磨工程として、接着層４２のＴｇ以上の温度でウェハＷの端面を研磨する。
【００３５】
具体的には、第１研磨工程として、切り替えバルブ５３、５４を調整し、パッド３４を貫通する配管５５を５℃から常温の冷水が通過する冷水ラインにする。これにより、図４（ａ）に示すように、研磨テープ４０が接着層４２のＴｇより低い温度に冷却されるため、砥粒４３が接着層４２に強固に固定された状態となり、研磨レートが高い状態で、ウェハＷの端面が粗削りされる。これにより、研磨は効率よく進むが、この状態では、領域Ｘの拡大図に示すように、砥粒４３の研磨痕Ｄが残存している。
【００３６】
次いで、第２研磨工程として、切り替えバルブ５３、５４を調整し、パッド３４を貫通する配管５５を９０℃から１００℃の温水が通過する温水ラインにする。これにより、図４（ｂ）に示すように、研磨テープ４０が接着層４２のＴｇ以上に加温されるため、砥粒４３と接着層４２との固定状態が弱くなる。このため、砥粒４３が接着層４２から外れ易くなり、研磨レートが低くなるとともに、小さいサイズの砥粒４３を用いた場合と同様に砥粒の研磨痕の残存が抑制されて、ウェハＷ端面の表面粗さが低減する。
【００３７】
以上説明したように、本実施形態の研磨装置およびこれを用いた研磨方法によれば、第１研磨工程では、研磨テープ４０の接着層４２のＴｇよりも低い温度で研磨を行うことで、研磨レートを高くすることができる。次いで、第２研磨工程では、研磨テープ４０の接着層４２のＴｇ以上の温度で研磨を行うことで、研磨レートが低くなるとともに、ウェハＷ端面に砥粒４３の研磨痕Ｄが付き難くなり、ウェハＷ端面の表面粗さが抑制される。したがって、研磨テープ４０を替えることなく、研磨レートを制御し、ウェハＷ端面の表面粗さを抑制することができるため、効率よく研磨工程を行うことができるとともに、ウェハＷ端面のクラックの発生や、ウェハＷ端面へのパーティクルの付着を防止することができる。
【００３８】
なお、本実施形態においては、冷水の温度範囲を例えば５℃から常温としたが、上述したように、接着層４２のＴｇより低い温度であればよい。
【００３９】
（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態について説明する。ただし、ここでは、上述した第１実施形態の場合との相違点を説明し、同様の内容についてはその説明を省略する。図５は、本発明の第２実施形態における研磨装置２の要部構成例を示す図である。
【００４０】
この図に示す研磨装置２は、第１実施形態で説明した、テープ押圧部３２に温度制御手段５０（前記図２参照）が設けられておらず、研磨液供給部２０に温度制御手段が設けられている。研磨液供給部２０は、ウェハＷの表面に異なる温度の研磨液を供給するノズル２１ａ，２１ｂを備えている。ここでは、研磨液に純水を用いた例について説明する。ノズル２１ａは、フローメーター２２ａが設けられた配管２３ａを介して、例えば５℃から常温に冷却された純水（冷水）からなる研磨液Ｌａが貯留された冷水貯留タンク２４ａに接続されている。また、ノズル２１ａは、ウェハＷの表面の略中心に冷水を供給するように配置されている。
【００４１】
一方、ノズル２１ｂは、フローメーター２２ｂが設けられた配管２３ｂを介して、例えば９０℃〜１００℃に加温された純水（温水）からなる研磨液Ｌｂが貯留された温水貯留タンク２４ｂに接続されている。このノズル２１ｂも、ノズル２１ａと同様に、ウェハＷの表面の略中心に温水を供給するように配置されている。
【００４２】
次に、以上のように構成された研磨装置２による処理動作例、すなわち、本発明の第２実施形態における研磨方法について、再び図４を用いて説明する。なお、研磨装置２の構成については図１および図５を用いて説明する。
【００４３】
まず、ウェハ保持部１０に真空チャック方式でウェハＷを保持し、回転させる。
【００４４】
次に、第１研磨工程として、ウェハ保持部１０に保持されたウェハＷの表面の略中心に、研磨液供給部２０のノズル２１ａから、冷水からなる研磨液Ｌａを供給する。この際、ウェハＷは回転していることから、研磨液ＬａはウェハＷの端面側に、研磨テープ４０の接着層４２のＴｇより低い研磨液Ｌａが供給された状態となり、研磨テープ４０の温度も供給された研磨液Ｌａの温度（５℃〜常温）に変化する。
【００４５】
一方、テープ保持部３１では、テープ巻取部に接続されたモーターを駆動させることで、ウェハ保持部１０に保持されたウェハＷの端面側に、表面側に設けられた砥粒４３を向けて、第２のローラー３３ｂと第３のローラー３３ｃの間に研磨テープ４０を張設する。続いて、テープ押圧部３２のピストンシリンダ３６を駆動し、シャフト３５に固定されたパッド３４を前進させて、研磨テープ４０の砥粒４３側をウェハＷの端面に押し付ける。この際、上述したように、研磨テープ４０は接着層４２のＴｇより低い温度に制御されることから、図４（ａ）に示すように、砥粒４３が接着層４２に強固に固定された状態となり、研磨レートが高い状態で、ウェハＷの端面が粗削りされる。これにより、研磨は効率よく進むが、この状態では、領域Ｘの拡大図に示すように、砥粒４３の研磨痕Ｄが残存している。
【００４６】
続いて、第２研磨工程として、ウェハ保持部１０に保持されたウェハＷの表面の略中心に、ノズル２１ｂから、温水からなる研磨液Ｌｂを供給する。この際、ウェハＷは回転していることから、研磨液ＬｂはウェハＷの端面側に供給され、研磨テープ４０の接着層４２のＴｇ以上の研磨液Ｌｂが供給された状態となり、研磨テープ４０の温度も供給された研磨液Ｌｂの温度に変化する。
【００４７】
これにより、図４（ｂ）に示すように、研磨テープ４０が接着層４２のＴｇ以上に加温されるため、砥粒４２と接着層４３との固定状態が弱くなる。このため、砥粒４３が接着層４２から外れ易くなり、研磨レートが低くなるとともに、小さいサイズの砥粒４３を用いた場合と同様に砥粒の研磨痕の残存が抑制されて、ウェハＷ端面の表面粗さが低減する。
【００４８】
以上説明したように、本実施形態の研磨装置および研磨方法であっても、第１研磨工程では、研磨テープ４０の接着層４２のＴｇよりも低い温度で研磨を行い、第２研磨工程では、研磨テープ４０の接着層４２のＴｇ以上の温度で研磨を行うことから、第１実施形態と同様の効果を奏することができる。
【００４９】
なお、ここでは、温度制御手段として、冷水貯留タンク２４ａと温水貯留タンク２４ｂに接続された２つのノズル２１ａ、２１ｂを備えた例について説明したが、本発明は、これに限定されず、１つのノズルから異なる温度の研磨液が供給されるように、調整してもよい。この場合には、温度制御可能な１つの貯留タンクを備え、貯留タンクを冷却または加温することで、ノズルから供給する液体の温度を制御する。
【００５０】
ここで、研磨液の温度を変えた場合の研磨レートと、ウェハＷ端面の表面粗さを測定した結果を図６に示す。研磨条件としては、研磨圧を６Ｎ〜１５Ｎ、ウェハＷの回転数を１００ｒｐｍ〜５００ｒｐｍ、供給する研磨液の流量を１Ｌ／ｍｉｎに設定して行った。グラフ中ポイント脇の数字は、砥粒４３のサイズ（直径）を示している。このグラフに示すように、砥粒４３のサイズが大きくなる程、研磨レートは高くなることが確認された。また、処理温度を接着層４２のＴｇ以上の９０℃とすることで、研磨レートは低くなるものの、表面粗さが顕著に抑制されることが確認された。
【００５１】
（変形例１）
なお、上記第２実施形態においては、ノズル２１ａおよびノズル２１ｂが、ウェハ保持部１０に保持されたウェハＷの表面の略中心に、研磨液を供給するように配置された例について説明したが、ノズル２１ａ、２１ｂの配置位置は特に限定されるものではない。例えば、図７に示すように、ノズル２１ａは、ウェハ保持部１０に保持されたウェハＷの表面の略中心に、研磨液を供給するように配置されており、ノズル２１ｂ’はウェハ保持部１０に保持されたウェハＷの端面側に直接、温水からなる研磨液Ｌｂを供給するように構成されていてもよい。これにより、ウェハＷの略中心に供給する場合よりも、加温状態が維持された温水を供給することが可能であるため、好ましい。また、ノズル２１ａ、２１ｂともに、ウェハ保持部１０に保持されたウェハＷの端面側に、直接研磨液を供給するように配置されていてもよい。
【００５２】
なお、上述した第１実施形態、第２実施形態においては、研磨液Ｌ、Ｌａ、Ｌｂとして、純水を用いた例について説明したが、本発明はこれに限定されず、薬液を用いてもよい。ただし、薬液を用いる場合に、薬液が加温により劣化する場合には、第１実施形態で、図２、図３を用いて説明したように、テープ押圧部３２に温度制御手段を設けた構成にすることが好ましい。
【００５３】
また、上述した第１実施形態においては、テープ押圧部３２に温度制御手段５０が設けられ、第２実施形態においては、研磨液供給部２０に温度制御手段が設けられた例について説明したが、温度制御手段をテープ押圧部３２と研磨液供給部２０の両方に備えた研磨装置であってもよい。また、第１実施形態においては、テープ押圧部３２のパッド３４の温度を制御することで、研磨テープ４０の温度を制御し、第２実施形態においては、研磨液Ｌａ、Ｌｂの温度を制御することで、研磨テープ４０の温度を制御する例について説明したが、本発明はこれに限定されず、例えば処理雰囲気の温度を赤外線ランプを用いたランプ加熱による方法で制御してもよい。さらに、第１実施形態、第２実施形態においては、第１研磨工程と第２研磨工程とを１回のみ行う例について説明したが、これらを繰り返して行ってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本発明の研磨装置に係る第１実施形態を説明するための斜視図である。
【図２】本発明の研磨装置に係る第１実施形態を説明するための概略構成を示す斜視図である。
【図３】本発明の研磨装置に係る第１実施形態を説明するための要部拡大断面図である。
【図４】本発明の研磨方法に係る第１実施形態を説明するための工程断面図である。
【図５】処理温度による研磨レートと表面粗さとの関係を示すグラフである。
【図６】本発明の研磨装置に係る第２実施形態を説明するための概略構成を示す斜視図である。
【図７】本発明の研磨装置に係る第２実施形態の変形例を説明するための概略構成を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００５５】
１、２…研磨装置、１０…ウェハ保持部、２０…研磨液供給部、２１，２１ａ，２１ｂ，２１ｂ’…ノズル、３１…テープ保持部、３２…テープ押圧部、３４…パッド、４０…研磨テープ、４２…接着層、４３…砥粒、Ｗ…ウェハ、Ｌ，Ｌａ，Ｌｂ…研磨液
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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