(57)【要約】【課題】  エピタキシャルシリコンウエーハを製造する際に多数の貫通孔を有するサセプタを用いた場合に、第二主表面に生じるナノトポロジーの凹凸が発生することを低減することができるエピタキシャルシリコンウエーハの製造方法を提供する。【解決手段】  自然酸化膜除去工程とエピタキシャル成長工程とを含むエピタキシャルシリコンウエーハの製造方法において、多数の貫通孔が形成されているサセプタを用い、前記エピタキシャル成長工程において流す水素ガスの流量と原料ガスの流量との比を、水素流量（ｓｌｍ）／原料ガス流量（ｓｌｍ）≧４としてエピタキシャルシリコン層の成長を行うエピタキシャルシリコンウエーハの製造方法。【選択図】  図１
2008105914.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも、チャンバー内に配置され、シリコンウエーハが載置される座ぐり部を有するサセプタの上面に、前記シリコンウエーハを、その第二主表面をサセプタに対向させて載置し、前記チャンバー内に水素ガスを流して加熱する水素処理を行って前記シリコンウエーハの自然酸化膜を除去する自然酸化膜除去工程と、前記チャンバー内に少なくとも原料ガスと水素ガスとを流すとともに加熱して前記シリコンウエーハの第一主表面上にエピタキシャルシリコン層を成長させるエピタキシャル成長工程とを含むエピタキシャルシリコンウエーハの製造方法において、
前記サセプタの座ぐり部に、多数の貫通孔が形成されているサセプタを用い、該サセプタ上に載置された前記シリコンウエーハの第二主表面側が、前記水素処理の際にその全面において前記水素ガスと接触するようにして水素処理を行い、前記エピタキシャル成長工程において流す水素ガスの流量と原料ガスの流量との比を、水素流量（ｓｌｍ）／原料ガス流量（ｓｌｍ）≧４として前記エピタキシャルシリコン層の成長を行うことを特徴とするエピタキシャルシリコンウエーハの製造方法。
【請求項２】
前記多数の貫通孔が、前記サセプタの座ぐり部に均等に配置されているサセプタを用いることを特徴とする請求項１に記載のエピタキシャルシリコンウエーハの製造方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の方法により製造されたエピタキシャルシリコンウエーハであって、前記第二主表面におけるナノトポロジーが１２ｎｍ以下であることを特徴とするエピタキシャルシリコンウエーハ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シリコンウエーハにエピタキシャルシリコン層を成長させるエピタキシャルシリコンウエーハの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスを作製する場合、シリコンウエーハ上にエピタキシャルシリコン層が形成されたエピタキシャルシリコンウエーハを用いる場合がある。
【０００３】
エピタキシャルシリコンウエーハの一般的な製造方法は以下の通りである。まず、鏡面研磨されたシリコンウエーハ（シリコン単結晶ウエーハ）を用意し、ＲＣＡ洗浄等によって洗浄を行う。ＲＣＡ洗浄工程中のＳＣ−１洗浄やＳＣ−２洗浄によって、シリコンウエーハの表面全体に自然酸化膜が形成される。次に、チャンバー内のサセプタ上にシリコンウエーハを載置する。次に、チャンバー内に水素ガス等の還元ガスを供給することによって、エピタキシャル成長を行う面（以下、第一主表面と言うことがある）を覆う酸化膜（自然酸化膜を含む）が取り除かれる。次に、チャンバー内にシリコンを含む原料ガス（モノシランやトリクロロシラン、四塩化珪素等）と、キャリアガスとなる水素ガスを導入し、高温に加熱されたシリコン単結晶ウエーハの第一主表面上にシリコン単結晶層（エピタキシャルシリコン層）を成長させる（以下、単に、「エピタキシャル成長」と言うことがある）。
【０００４】
しかし、このような従来のエピタキシャルシリコンウエーハの製造方法によると、次のような問題点があった。
前記の水素処理の際に、第一主表面だけでなく、第一主表面とは反対側の面（以下、第二主表面と言うことがある）にも水素ガスがわずかに回り込み、第二主表面の自然酸化膜を不均一に除去してしまう。そして、次のエピタキシャル成長の際に、自然酸化膜が除去された部分に、局所的にシリコンが成長して凹凸を形成してしまう。なお、このような微小な凹凸は、「ハロー」と呼ばれる濃淡のある「くもり」として目視で観察できることもある。このような微小な凹凸はパーティクル測定を行う際に、パーティクルとしてカウントされてしまい、正確にパーティクル測定を行うことができないなどの問題があった。
また、第二主表面側から外方拡散したドーパントが第一主表面側に回り込んでエピタキシャルシリコン層に取り込まれるオートドーピングなどによって面内抵抗率分布が悪化するという問題があった。
【０００５】
このような問題点を解決するため、特許文献１では、サセプタとして、ウエーハを載置する部分に多数の貫通孔を有するサセプタを用い、ウエーハの第二主表面側にも十分に還元ガスを供給することによって第二主表面の自然酸化膜を全面にわたって除去した後にエピタキシャル成長を行う方法が開示されている。この方法により、オートドーピングによるエピタキシャルシリコン層の面内抵抗率分布の悪化を防止するとともに、第二主表面に生じるハローを低減でき、第二主表面において安定したパーティクル測定を行うことができるようになった。
しかし、このように多数の貫通孔を有するサセプタを用いた場合エピタキシャル成長の際に、ウエーハの第二主表面に、サセプタの貫通孔に相当する位置にシリコンが堆積し、ナノトポロジーと一般に称されるような、ウエーハの局部表面領域における厚さの微小な変化（ナノトポロジーの凹凸）が形成されてしまう等の問題があった。
【０００６】
【特許文献１】特表２００３−５３２６１２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
そこで、本発明は、このような問題点に鑑みなされたもので、エピタキシャルシリコンウエーハを製造する際に多数の貫通孔を有するサセプタを用いた場合に、第二主表面に生じるナノトポロジーの凹凸が発生することを低減することができるエピタキシャルシリコンウエーハの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、少なくとも、チャンバー内に配置され、シリコンウエーハが載置される座ぐり部を有するサセプタの上面に、前記シリコンウエーハを、その第二主表面をサセプタに対向させて載置し、前記チャンバー内に水素ガスを流して加熱する水素処理を行って前記シリコンウエーハの自然酸化膜を除去する自然酸化膜除去工程と、前記チャンバー内に少なくとも原料ガスと水素ガスとを流すとともに加熱して前記シリコンウエーハの第一主表面上にエピタキシャルシリコン層を成長させるエピタキシャル成長工程とを含むエピタキシャルシリコンウエーハの製造方法において、前記サセプタの座ぐり部に、多数の貫通孔が形成されているサセプタを用い、該サセプタ上に載置された前記シリコンウエーハの第二主表面側が、前記水素処理の際にその全面において前記水素ガスと接触するようにして水素処理を行い、前記エピタキシャル成長工程において流す水素ガスの流量と原料ガスの流量との比を、水素流量（ｓｌｍ）／原料ガス流量（ｓｌｍ）≧４として前記エピタキシャルシリコン層の成長を行うことを特徴とするエピタキシャルシリコンウエーハの製造方法を提供する（請求項１）。
【０００９】
このように、多数の貫通孔を有するサセプタを用い、自然酸化膜除去工程を行った後、エピタキシャル成長工程において流す水素ガスの流量と原料ガスの流量との比を、水素流量（ｓｌｍ）／原料ガス流量（ｓｌｍ）≧４としてエピタキシャルシリコン層の成長を行うエピタキシャルシリコンウエーハの製造方法であれば、エピタキシャルシリコン層の面内抵抗分布が良好であり、第二主表面において安定したパーティクル測定を行うことができ、かつ、第二主表面のナノトポロジーの凹凸が低減されたエピタキシャルシリコンウエーハを製造することができる。
【００１０】
この場合、前記多数の貫通孔は、前記サセプタの座ぐり部に均等に配置されていることが好ましい（請求項２）。
【００１１】
このように、多数の貫通孔がサセプタの座ぐり部に均等に配置されていれば、水素処理の際に、より均一に水素ガスをサセプタに載置されたシリコンウエーハの第二主表面に供給することができるので、より均一に第二主表面の自然酸化膜を取り除くことができる。その結果、エピタキシャルシリコン層の面内抵抗分布が良好であり、第二主表面においてより安定したパーティクル測定を行うことができる品質のエピタキシャルシリコンウエーハにおいて、第二主表面のナノトポロジーの凹凸を低減することができる。
【００１２】
また、本発明は、前記の方法により製造されたエピタキシャルシリコンウエーハであって、前記第二主表面におけるナノトポロジーが１２ｎｍ以下であることを特徴とするエピタキシャルシリコンウエーハを提供する（請求項３）。
【００１３】
このように、前記の方法により製造され、第二主表面のナノトポロジーが１２ｎｍ以下（２×２ｍｍウィンドーを用いた場合、ナノトポロジーの表面変位量が１２ｎｍ以下になったときに、欠陥判定される面積割合が０．０５％を超える）であるエピタキシャルシリコンウエーハであれば、エピタキシャルシリコン層の面内の抵抗率分布が良好であり、第二主表面において安定したパーティクル測定を行うことができ、かつ、第二主表面のナノトポロジーの凹凸が低減されたエピタキシャルシリコンウエーハである。
【発明の効果】
【００１４】
本発明に係るエピタキシャルシリコンウエーハの製造方法によれば、エピタキシャルシリコン層の良好な面内抵抗率分布を得ることができるとともに第二主表面において安定したパーティクル測定を行うことができるエピタキシャルシリコンウエーハを得ること等を目的として、サセプタとして多数の貫通孔を有するサセプタを使用した場合であっても、第二主表面のナノトポロジーの凹凸を低減してエピタキシャルシリコンウエーハを製造することができる。その結果、エピタキシャルシリコン層の面内抵抗分布が良好であり、第二主表面において安定したパーティクル測定を行うことができ、かつ、第二主表面のナノトポロジーの凹凸が低減された高品質のエピタキシャルシリコンウエーハを製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明についてより具体的に説明する。
前述のように、多数の貫通孔を有するサセプタを用いてエピタキシャル成長を行った場合、ウエーハの第二主表面に、サセプタの貫通孔に相当する位置にシリコンが堆積し、ナノトポロジーの凹凸が形成されてしまう等の問題があった。そして、近年、このようなナノトポロジーの凹凸であっても、その悪影響が無視できなくなってきており、ウエーハ品質のさらなる向上が望まれている。
【００１６】
本発明者らは、サセプタとして多数の貫通孔を有するサセプタを用いた場合にこのようなナノトポロジーの凹凸の発生を抑制するための方法について検討を重ね、その結果、エピタキシャル成長工程におけるキャリアガスとなる水素ガスの流量を多くすることによって、原料ガスを希釈し、第二主表面側への原料ガスの回り込みを低減すればよいことを見出した。すなわち、本発明者らは、多数の貫通孔を有するサセプタを用いて水素処理をした後にエピタキシャル成長を行う際に、原料ガス流量に対する水素ガス流量の比を所定の値以上にすれば、第二主表面に局所的にナノトポロジーの凹凸が生じることを抑制してエピタキシャルシリコンウエーハを製造できることに想到し、本発明を完成させた。
【００１７】
以下、本発明について図面を参照しながらさらに具体的に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
本発明が適用されるエピタキシャルシリコンウエーハの製造方法の手順の概略を図５に示した。
まず、工程（ａ）では、エピタキシャルシリコン層を成長させるシリコンウエーハを準備する。仕様に応じて、所定の直径、導電型、抵抗率、面方位を有するシリコン鏡面ウエーハを用意すればよい。
【００１８】
次に、工程（ｂ）において、シリコンウエーハに対し、適宜ＲＣＡ洗浄等の洗浄を行う。この洗浄工程における洗浄法は、典型的なＲＣＡ洗浄の他、薬液の濃度や種類を通常行われる範囲で変更したものであってもよい。例えば、オゾン水等による洗浄に替えてもよい。また、工程（ｂ）の洗浄は、パーティクルの付着を防ぐために、シリコンウエーハの表面を親水性に保つことが多いがこれに限定されるものではない。ＲＣＡ洗浄やオゾン水による洗浄であればシリコンウエーハの表面を親水性に保つことができ、このときシリコンウエーハの表面には自然酸化膜が形成される。このような薬液による洗浄の後、さらに、純水での洗浄や乾燥を行ってもよい。
【００１９】
工程（ｃ）以降では、エピタキシャル成長装置にシリコンウエーハを移送して処理を行う。工程（ｃ）以降で用いるエピタキシャル成長装置の一例の概略図を図２に示した。
エピタキシャル成長装置５１は、チャンバー５２と、チャンバー内部に配置されたサセプタ７１、サセプタを下方から支持し、回転上下動自在なサセプタ支持手段５３、チャンバー５２内にウエーハを搬入したり、逆に外へと搬出したりするためのウエーハ搬送口５４、チャンバー内に各種ガスを供給するガス導入管５５、ガス導入管５５に接続され、チャンバー内に水素ガスを供給する図示しない水素ガス供給手段及びシラン等の原料ガスを供給する図示しない原料ガス供給手段、チャンバー内から各種ガスを排出するガス排出管５７、チャンバー５２の外部に備えられた加熱手段５８、チャンバー内にシリコンウエーハを移送し、また、チャンバー５２内からシリコンウエーハを移送する図示しないウエーハ移送手段等から構成される。
【００２０】
さらに、本発明で用いるサセプタ７１の拡大概略図を図３に示した。図３（ａ）は平面図であり、図３（ｂ）は断面図である。サセプタ７１には、リフトピン用貫通孔７３が形成されているものであってもよい。リフトピン用貫通孔７３には、リフトピン７５が挿通される。
また、チャンバー５２の内部にはリフトピン７５をサセプタに対して相対的に上下させることができるリフトピン昇降手段を設けてもよい。
サセプタ７１には、載置するシリコンウエーハを位置決めする座ぐり７２が形成され、座ぐり７２の略全面に多数の貫通孔７４が形成されている。貫通孔７４はスムーズにガスが流通できるような大きさ、形状であればどのようなものであってもよいが、例えば、円筒状であり、その直径が１ｍｍとすることができる。また、貫通孔の数も特に限定されるものではないが、例えば、開口密度が０．１開口／ｃｍ２以上となるように形成すれば、ガスがウエーハの第二主表面側により一様に供給されるようにすることができるので好ましい。
【００２１】
なお、サセプタ７１の貫通孔は、その開口密度が座ぐり部７２においてほぼ均一になるように、均等に配置されるように形成することが好ましい。
また、シリコンウエーハの第二主表面に接触するガスが、より入れ替わり易くするために、サセプタ７１の形状を図４のように、載置されるシリコンウエーハＷとの間に空間ができるように、シリコンウエーハの周縁部のみを下方から支持するようにしてもよい他、公知の形状を有するサセプタの座ぐり部に、多数の貫通孔７４が形成されているものであれば本発明を適用することができる。
【００２２】
このようなサセプタ７１を具備したエピタキシャル成長装置５１を用いて、以下のようにして、シリコンウエーハの第一主表面上にエピタキシャルシリコン層を成長させる。
【００２３】
まず、工程（ｃ）において、図示しないウエーハ移送手段を用いてチャンバー５２内にシリコンウエーハを移送し、第二主表面を対向させてサセプタ７１の座ぐり部７２に載置する。シリコンウエーハのサセプタ７１への載置方法は、リフトピン７５を用いる方法の他、通常用いられる載置方法を適用できる。
チャンバー内にシリコンウエーハを搬入した時点で、シリコンウエーハの表面には、自然酸化膜がわずかに成長している。
【００２４】
次に、自然酸化膜除去工程（ｄ）では、チャンバー５２内に、水素ガス供給手段からガス導入管５５を通して、チャンバー５２内に水素ガスを導入し、加熱手段５８によって加熱して水素処理を行い、シリコンウエーハ表面に生じた自然酸化膜を除去する。
水素ガスはシリコンウエーハの第一主表面側に多く供給され、加熱によって第一主表面の酸化膜を除去する。一方、サセプタ７１に形成されている多数の貫通孔７４によって、シリコンウエーハの第二主表面側にも水素ガスは十分に供給され、自然酸化膜をほぼ均一に除去するが、前述のように局所的に不均一に除去される領域が残る。このとき、サセプタ７１に形成されている多数の貫通孔７４が座ぐり部７２に均等に配置されていれば、より確実に水素ガスを第二主表面に均一に接触させることができ、第二主表面側の自然酸化膜をより均一に除去することができる。
この水素処理の際の加熱温度及び加熱時間は、シリコンウエーハ表面の自然酸化膜、特に第二主表面の自然酸化膜を効率よく除去できれば、どのように設定してもよいが、例えば、８００℃以上、１分以上とすることができる。
【００２５】
次に、工程（ｅ）において、シリコンウエーハの第一主表面に、エピタキシャルシリコン層の成長を行う。このエピタキシャル成長は、モノシランやトリクロロシラン、四塩化珪素などの原料ガスと、キャリアガスとなる水素ガスとをチャンバー５２内に導入し、加熱することによって行う。このとき、キャリア水素ガスの流量を所定の値以上にする。望ましいキャリア水素ガスの流量は原料ガスの濃度に依存するので、水素ガスの流量と原料ガス流量との比で規定するが、この具体的な数値については後述する。キャリア水素ガスの流量を大きくしたことによって、原料ガスは十分に希釈され、また、シリコンウエーハの第二主表面側に回り込んで供給される原料ガスの量が低減される。このため、第二主表面における局所的なナノトポロジーの凹凸の発生は抑制される。
【００２６】
このようにして、シリコンウエーハの第一主表面上にエピタキシャルシリコン層が形成されたエピタキシャルシリコンウエーハを製造することができる。そして、このエピタキシャルシリコンウエーハは、エピタキシャルシリコン層の面内の抵抗率分布が良好であり、第二主表面において安定したパーティクル測定を行うことができるものであり、かつ、第二主表面のナノトポロジーの凹凸が低減されたものとなる。
【００２７】
本発明の効果が得られるような水素ガスの流量と原料ガス流量との比の具体的な数値を求めるため、以下のように、エピタキシャルシリコンウエーハを実際に製造する実験を行った。
【００２８】
（実験）
図５に示した手順でエピタキシャルシリコンウエーハを製造した。
シリコンウエーハとして、直径３００ｍｍ、面方位（１００）のｐ型シリコン単結晶ウエーハを準備し（ａ）、オゾン水による洗浄を行った（ｂ）。
【００２９】
シリコンウエーハを図３に示したような、多数の貫通孔を有するサセプタを具備するエピタキシャル成長装置に搬入した（ｃ）。なお、チャンバーの容積は約３．５ｌである。また、搬入時の温度は７００℃であった。次に、６０ｓｌｍの流量で水素ガスをチャンバー内に導入しつつ１１３０℃まで４５秒間で昇温したのち、１１３０℃で１分間水素処理した（ｄ）。次に、キャリア水素ガスを所定の流量で流しながらシリコンを含む原料ガスとしてトリクロロシランをチャンバー内に導入して１１３０℃のまま１２０秒間エピタキシャル成長を行った（ｅ）。なお、トリクロロシランの流量は１６ｓｌｍで一定とし、キャリア水素ガスの流量を変化させてそれぞれエピタキシャルシリコンウエーハを製造した。キャリア水素ガスの流量、及びこれに対応するキャリア水素流量とトリクロロシラン流量との比は、表１中に記載した。これらの場合についてそれぞれ上記のようにエピタキシャルシリコンウエーハの製造を行った。なお、表１中の「ＴＣＳ」とはトリクロロシランの略である。
【００３０】
【表１】
2008105914.tif 000003
【００３１】
このようにして製造したそれぞれのエピタキシャルシリコンウエーハについて、第二主表面のナノトポロジーを測定した。
本明細書中におけるナノトポロジーの測定方法は以下の通りである。
まず、光学干渉の原理を用いて、波長２０ｍｍ以下の凹凸を抽出する。次に、これに対し、２ｍｍ×２ｍｍの大きさの領域（これをウィンドーと呼ぶ）でウエーハ全面をスキャンし、高低差を求める。この高低差の値をウィンドーの中心に与える。次に、横軸に閾値（スレッシュホールド値）とする高低差の値を取り、縦軸に、ウィンドー内でその閾値を超える高低差を有する部分の面積割合を取り、閾値曲線を描く。この閾値曲線において、縦軸が０．０５％となる閾値をナノトポロジーの数値とした。
【００３２】
このようにして得られた第二主表面のナノトポロジーと、水素流量（ｓｌｍ）／原料ガス流量（ｓｌｍ）との関係を図１に示した。グラフ中の曲線は近似曲線である。
【００３３】
図１の結果より、水素ガスの流量と原料ガス流量との比とナノトポロジーの値は、きわめて強い相関関係を有し、特に、水素ガスの流量と原料ガス流量との比が、水素流量（ｓｌｍ）／原料ガス流量（ｓｌｍ）≧４であれば、第二主表面のナノトポロジーは約１２ｎｍ以下とすることができることがわかる。このようなナノトポロジーのレベルであれば目視では確認できず、また、後の工程での悪影響が少ない高品質なエピタキシャルシリコンウエーハである。
【００３４】
すなわち、エピタキシャル成長工程において、水素流量（ｓｌｍ）／原料ガス流量（ｓｌｍ）を４以上にすれば、ナノトポロジーの凹凸を十分に低減できる。さらにナノトポロジーの凹凸を低減するには、水素流量（ｓｌｍ）／原料ガス流量（ｓｌｍ）を５以上にすることが好ましい。この場合、第二主表面のナノトポロジーは約１０ｎｍ以下とすることができる。また、この水素ガスの流量と原料ガス流量との比の上限値は特に限定されるものではないが、装置の仕様等によって上限値が制限され、例えば、水素流量（ｓｌｍ）／原料ガス流量（ｓｌｍ）は９以下とする。
なお、通常のエピタキシャル成長に用いられるチャンバーであれば、本発明の水素ガスの流量と原料ガス流量との比の規定をそのまま適用することができる。
【００３５】
また、チャンバーの容量が異なる他のタイプのエピタキシャル成長装置でも、同様の結果が得られた。
【実施例】
【００３６】
以下、本発明の実施例を示して本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
（実施例１）
実験と同様に、図５に示した手順でエピタキシャルシリコンウエーハを製造した。
【００３７】
シリコンウエーハとして、直径３００ｍｍ、面方位（１００）のｐ型シリコン単結晶ウエーハを準備し（ａ）、ＲＣＡ洗浄を行った（ｂ）。
【００３８】
シリコンウエーハを図３に示したような、多数の貫通孔を有するサセプタを具備するエピタキシャル成長装置に搬入した（ｃ）。また、搬入時の温度は７００℃であった。次に、６０ｓｌｍの流量で水素ガスをチャンバー内に導入しつつ１１３０℃まで４５秒間で昇温したのち、１１３０℃で１分間水素処理した（ｄ）。次に、キャリア水素ガスを８０ｓｌｍの流量で流しながらトリクロロシランを１６ｓｌｍの流量でチャンバー内に導入して１１３０℃のまま１２０秒間エピタキシャル成長を行った（ｅ）。このとき、水素流量（ｓｌｍ）／原料ガス流量（ｓｌｍ）はおよそ５になる。
【００３９】
このようにして製造したエピタキシャルシリコンウエーハの第二主表面のナノトポロジーの画像から、第二主表面のどの領域においても、ナノトポロジーの凹凸として測定された領域はほとんどなかった。また、目視ではサセプタ貫通孔に対応する跡は全く観察されなかった。
【００４０】
（実施例２）
実施例１と同様に、ただし、エピタキシャル成長工程におけるキャリア水素ガスの流量を７０ｓｌｍとしてエピタキシャルシリコンウエーハの製造を行った。このとき、水素流量（ｓｌｍ）／原料ガス流量（ｓｌｍ）はおよそ４．３８になる。
このようにして製造したエピタキシャルシリコンウエーハの第二主表面のナノトポロジーの画像から、第二主表面のどの領域においても、ナノトポロジーの凹凸として測定された領域はほとんどなかった。また、目視ではサセプタ貫通孔に対応する跡は全く観察されなかった。
【００４１】
（比較例１）
実施例１と同様に、ただし、エピタキシャル成長工程におけるキャリア水素ガスの流量を６０ｓｌｍとしてエピタキシャルシリコンウエーハの製造を行った。このとき、水素流量（ｓｌｍ）／原料ガス流量（ｓｌｍ）はおよそ３．７５になる。
このようにして製造したエピタキシャルシリコンウエーハの第二主表面のナノトポロジーの画像から、第二主表面の周縁部にナノトポロジーの凹凸として測定された領域が現れた。また、目視によって第二主表面の周縁部の、サセプタの貫通孔に対応する箇所の一部にわずかな凹凸が観察された。
【００４２】
（比較例２）
実施例１と同様に、ただし、エピタキシャル成長工程におけるキャリア水素ガスの流量を４０ｓｌｍとしてエピタキシャルシリコンウエーハの製造を行った。このとき、水素流量（ｓｌｍ）／原料ガス流量（ｓｌｍ）はおよそ２．５になる。
このようにして製造したエピタキシャルシリコンウエーハの第二主表面のナノトポロジーの画像から、第二主表面の周縁部にナノトポロジーの凹凸として測定された領域が比較例１よりも広がった。また、目視によって第二主表面の周縁部の、サセプタの貫通孔に対応する箇所の多くにわずかな凹凸が観察された。
【００４３】
以上の結果より、本発明の、第二主表面にナノトポロジーの凹凸がほとんど形成されないという効果が明らかに得られた。
【００４４】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は単なる例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】実験によって得られた、水素ガスの流量と原料ガス流量との比と第二主表面のナノトポロジーの関係を示したグラフである。
【図２】本発明において用いられるエピタキシャル成長装置の概略断面図である。
【図３】本発明において用いられるサセプタの一例を示す拡大概略図であり、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は概略断面図である。
【図４】本発明において用いられるサセプタの別の一例を示した概略断面図である。
【図５】本発明が適用されるエピタキシャルシリコンウエーハの製造方法の処理の流れを示したフロー図である。
【符号の説明】
【００４６】
５１…エピタキシャル成長装置、
５２…チャンバー、  ５３…サセプタ支持手段、  ５４…ウエーハ搬送口、
５５…ガス導入管、  ５７…ガス排出管、  ５８…加熱手段、
７１…サセプタ、  ７２…座ぐり、  ７３…リフトピン用貫通孔、
７４…貫通孔、  ７５…リフトピン、
Ｗ…ウエーハ。
【図１】
2008105914.tif 000004
【図２】
2008105914.tif 000005
【図３】
2008105914.tif 000006
【図４】
2008105914.tif 000007
【図５】
2008105914.tif 000008