(57)【要約】【課題】マスクを用いること無く埋め込み成長を行うことを可能にする、化合物半導体光素子を作製する方法を提供する。【解決手段】ＩｎＰ基板１１の所定の面方位の主面上に半導体領域１３を形成した後に、所定の結晶軸の方向に伸びるマスクを用いて異方性ドライエッチングにより半導体メサ１３ａを形成する。そして、マスク２５ａを除去した後に、半導体メサ１３ａの側面および上面を覆うように、埋め込みＩｎＰ半導体２９を形成する。これ故に、マスク２５ａに起因した異常成長は生じない。半導体メサ１３ａ上に堆積されたＩｎＰ半導体は、塩酸・酢酸系水溶液を用いた異方性エッチングにより除去される。塩酸・酢酸系水溶液を用いて埋め込みＩｎＰ半導体２９およびＩｎＰ半導体キャップ層２３ａがエッチングされると、ＧａＩｎＡｓ半導体２１ａが露出される。【選択図】図５
2008034531.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
化合物半導体光素子を作製する方法であって、
第１導電型ＩｎＰ半導体層、活性層、第２導電型ＩｎＰ半導体層、ＧａＩｎＡｓ半導体層およびＩｎＰ半導体キャップ層を含む半導体領域を、所定の面方位のＩｎＰからなる主面を有する基板上に順に成長する工程と、
所定の結晶軸の方向に伸びるマスクを前記半導体領域上に形成する工程と、
前記マスクを用いて前記半導体領域の異方性ドライエッチングを行って、エッチングされた第１導電型ＩｎＰ半導体層、エッチングされた活性層、エッチングされた第２導電型ＩｎＰ半導体層、エッチングされたＧａＩｎＡｓ半導体層およびエッチングされたＩｎＰ半導体キャップ層を含む半導体メサを形成する工程と、
前記半導体メサを形成した後に、前記マスクを除去する工程と、
前記マスクを除去した後に、前記半導体メサの側面および上面を覆うように、埋め込みＩｎＰ半導体を形成する工程と、
塩酸・酢酸系水溶液を用いて前記埋め込みＩｎＰ半導体および前記半導体メサのＩｎＰ半導体キャップ層をエッチングして、前記所定の結晶軸の方向に伸びる半導体ストライプを埋め込むＩｎＰ領域を形成する工程と
を備える、ことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記所定の面方位は（００１）面から［０１１］方向にプラス５度マイナス５度の範囲内にある、ことを特徴とする請求項１に記載された方法。
【請求項３】
前記所定の結晶軸は＜０１１＞軸からプラス５度マイナス５度の範囲内にある、ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載された方法。
【請求項４】
埋め込みＩｎＰ半導体を形成する前記工程では、前記埋め込みＩｎＰ半導体は、前記半導体メサを覆うように盛り上がるリッジ形状を成すように成長され、前記埋め込みＩｎＰ半導体の前記リッジ形状の側面は、前記主面に対して３５度以上５５度以下の範囲で傾斜する、ことを特徴とする請求項１に記載された方法。
【請求項５】
前記塩酸・酢酸系水溶液は塩酸および酢酸を含み、
前記塩酸と前記酢酸との比は１より大きく、
前記所定の結晶軸は、＜０１１＞軸からプラス５度マイナス５度の範囲内にあり、
前記所定の面方位は、（００１）面からプラス５度マイナス５度の範囲内にある、ことを特徴とする請求項４に記載された方法。
【請求項６】
前記半導体ストライプを埋め込む前記ＩｎＰ領域を形成した後に、前記半導体ストライプの前記エッチングされたＧａＩｎＡｓ半導体層に電気的に接続された電極を形成する工程を更に備える、ことを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれか一項に記載された方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、化合物半導体光素子を作製する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、半導体レーザの製造方法が記載されている。この作製方法では、塩化水素（ＨＣｌ）が、III 族原料ガス比で例えば０．１〜１．０の範囲で添加された原料ガスを用い、２０〜１００ｔｏｒｒ程度の減圧有機金属気相成長法によってメサ構造の周囲にＩｎＰ等の埋め込み層を形成する。この際、成長温度を摂氏６２５度以下にして、既に導入されている不純物の拡散を防ぐと共に、ＭＱＷ等の多層構造の界面の劣化を防いで、マストランスポートによるメサ構造の変形を避けることができる。この半導体レーザの製造方法によれば、特性を均一化し歩留りを向上することができると共に、メサ構造を平坦に埋め込む工程において排ガス処理を必要としない。
【特許文献１】特開平８−７８７９３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
特許文献１に記載された半導体レーザの製造方法では、塩化水素（ＨＣｌ）およびIII 族原料ガスからなる成膜ガスを用いて、メサ構造の周囲にＩｎＰ埋め込み層を形成する。しかしながら、この方法では、減圧有機金属気相成長炉に接続された塩化水素ラインおよび塩化水素ソースが必要である。また、エッチングガスおよび原料ガスの比率に依存して埋め込みの形状が変化することに加えて、埋め込みの形成のためにマスクを用いているので、マスクに起因した形状のバラツキが生じる。したがって、埋め込み領域の形状およびこの形状のウエハ面にわたるバラツキが小さくない。
【０００４】
本発明は、このような事情を鑑みて為されたものであり、マスクを用いること無く埋め込み成長を行うことを可能にする、化合物半導体光素子を作製する方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一側面は、化合物半導体光素子を作製する方法である。この方法は、（ａ）第１導電型ＩｎＰ半導体層、活性層、第２導電型ＩｎＰ半導体層、ＧａＩｎＡｓ半導体層およびＩｎＰ半導体キャップ層を含む半導体領域を、所定の面方位のＩｎＰからなる主面を有する基板上に順に成長する工程と、（ｂ）所定の結晶軸の方向に伸びるマスクを前記半導体領域上に形成する工程と、（ｃ）前記マスクを用いて前記半導体領域の異方性ドライエッチングを行って、エッチングされた第１導電型ＩｎＰ半導体層、エッチングされた活性層、エッチングされた第２導電型ＩｎＰ半導体層、エッチングされたＧａＩｎＡｓ半導体層およびエッチングされたＩｎＰ半導体キャップ層を含む半導体メサを形成する工程と、（ｄ）前記半導体メサを形成した後に、前記マスクを除去する工程と、（ｅ）前記マスクを除去した後に、前記半導体メサの側面および上面を覆うように、埋め込みＩｎＰ半導体を形成する工程と、（ｆ）塩酸・酢酸系水溶液を用いて前記埋め込みＩｎＰ半導体および前記半導体メサのＩｎＰ半導体キャップ層をエッチングして、前記所定の結晶軸の方向に伸びる半導体ストライプを埋め込むＩｎＰ領域を形成する工程とを備える。
【０００６】
この方法によれば、ＩｎＰ基板の所定の面方位の主面上に半導体領域を形成した後に、所定の結晶軸の方向に伸びるマスクを用いて異方性ドライエッチングにより半導体メサを形成する。そして、マスクを除去した後に、半導体メサの側面および上面を覆うように、埋め込みＩｎＰ半導体を形成する。これ故に、マスクに起因した異常成長は生じない。半導体メサ上に堆積されたＩｎＰ半導体は、塩酸・酢酸系水溶液を用いて除去される。
【０００７】
本発明に係る化合物半導体光素子を作製する方法では、前記所定の面方位は（００１）面から［０１１］方向にプラス５度マイナス５度の範囲内にあることが好ましい。この方法によれば、埋め込みＩｎＰの形状が良好になる。また、本発明に係る化合物半導体光素子を作製する方法では、前記所定の結晶軸は＜０１１＞軸からプラス５度マイナス５度の範囲内にあることが好ましい。この方法によれば、埋め込みＩｎＰの形状が良好になる。
【０００８】
本発明に係る化合物半導体光素子を作製する方法においては、埋め込みＩｎＰ半導体を形成する前記工程では、前記埋め込みＩｎＰ半導体は、前記半導体メサを覆うように盛り上がるリッジ形状を成すように成長され、前記埋め込みＩｎＰ半導体の前記リッジ形状の側面は、前記主面に対して３５度以上５５度以下の範囲で傾斜する。
【０００９】
本発明によれば、リッジ部の側面がＩｎＰ基板の主面に対して３５度以上５５度以下の範囲で傾斜するように結晶成長されるので、半導体メサ上に堆積されたＩｎＰ半導体は塩酸・酢酸系水溶液を用いて除去される。
【００１０】
本発明に係る化合物半導体光素子を作製する方法では、前記塩酸・酢酸系水溶液は塩酸および酢酸を含み、前記塩酸と前記酢酸との比は１より大きく、前記所定の結晶軸は、＜０１１＞軸からプラス５度マイナス５度の範囲内にあり、前記所定の面方位は、（００１）面からプラス５度マイナス５度の範囲内にある。
【００１１】
この方法によれば、塩酸と酢酸とに比が１より大きいエッチャントを用いてＩｎＰをエッチングするとき、ＩｎＰに対するエッチング速度およびエッチング特性が好適になる。また、上記エッチャントを用いたエッチングでは、ＧａＩｎＡｓ半導体のエッチング速度がＩｎＰ半導体のエッチング速度より小さいので、半導体メサを埋め込むＩｎＰ領域を形成した後に、エッチングされたＧａＩｎＡｓ半導体層を露出させることができる。
【００１２】
本発明に係る化合物半導体光素子を作製する方法では、前記半導体ストライプの前記エッチングされたＧａＩｎＡｓ半導体層を埋め込む前記ＩｎＰ領域を形成した後に、前記半導体ストライプに電気的に接続された電極を形成する工程を更に備えることが好ましい。
【００１３】
この方法によれば、半導体メサがＧａＩｎＡｓ半導体層を含むので、半導体メサおよび埋め込みＩｎＰ半導体上に、ＩｎＰ半導体層およびＧａＩｎＡｓコンタクト層を成長すること無く、化合物半導体光素子を作製できる。
【００１４】
本発明の上記の目的および他の目的、特徴、並びに利点は、添付図面を参照して進められる本発明の好適な実施の形態の以下の詳細な記述から、より容易に明らかになる。
【発明の効果】
【００１５】
以上説明したように、本発明によれば、マスクを用いること無く埋め込み成長を行うことを可能にする、化合物半導体光素子を作製する方法が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
本発明の知見は、例示として示された添付図面を参照して以下の詳細な記述を考慮することによって容易に理解できる。引き続いて、添付図面を参照しながら、本発明の化合物半導体光素子を作製する方法に係る実施の形態を説明する。可能な場合には、同一の部分には同一の符号を付する。
【００１７】
（第１の実施の形態）
図１（Ａ）および図１（Ｂ）は、本実施の形態に係る化合物半導体光素子を作製する方法の工程を模式的に示す図面である。化合物半導体光素子としては、例えば半導体レーザの構造を例示的に説明する。図１（Ａ）に示されるように、基板１１を準備する。この基板１１は、所定の面方位を有しＩｎＰ半導体からなる主面１１ａを持つ。主面１１ａの結晶面方位は、（００１）面を基準にしてプラス５度からマイナス５度の範囲にあり、また好適には（００１）面である。一実施例では、基板１１は、例えばＩｎＰ基板であることができる。「（００１）面」という記載は（００１）面と結晶学的に等価な面も示す。
【００１８】
化合物半導体の分野では、（００１）面といった特定の結晶面から僅かに傾斜させた面を有する基板（オフ角基板）を用いて、化合物半導体光素子を作製することがある。図２（Ａ）および図２（Ｂ）は、ＩｎＰ基板の主面に関するオフ角を示す図面である。図２（Ａ）を参照すると、ＩｎＰ基板ＳＵＢ１が示されている。ＩｎＰ基板ＳＵＢ１は、オリエンテーションフラットＯＦ１を有している。基準面Ｒｅｆ１は、ＩｎＰ基板ＳＵＢ１の（００１）面に沿って伸びている。基準面Ｒｅｆ１はＩｎＰ基板ＳＵＢ１の主面ＳＵＲＦ１と例えば［０１１］方向にプラス５度のオフ角Ａｎｇｌｅ１を成す。また、図２（Ｂ）を参照すると、ＩｎＰ基板ＳＵＢ２が示されている。ＩｎＰ基板ＳＵＢ２は、オリエンテーションフラットＯＦ２を有している。基準面Ｒｅｆ２は、ＩｎＰ基板ＳＵＢ２の（００１）面に沿って伸びている。基準面Ｒｅｆ２はＩｎＰ基板ＳＵＢ２の主面ＳＵＲＦ２と例えば［０１１］方向にマイナス５度のオフ角Ａｎｇｌｅ２を成す。基板１１の主面１１ａは、基準面Ｒｅｆ１と基準面Ｒｅｆ２との間に位置する。
【００１９】
図１（Ｂ）に示されるように、基板１１上に、半導体領域１３の複数の半導体膜を順に形成する。この半導体領域１３は、第１導電型ＩｎＰ半導体層１５、活性層１７、第２導電型ＩｎＰ半導体層１９、ＧａＩｎＡｓ半導体層２１およびＩｎＰ半導体キャップ層２３を含む。この成長は、例えば有機金属気相成長法を用いて行われる。
【００２０】
一実施例の半導体積層は、
基板１１：ＩｎＰ基板、面方位（００１）プラス０．１度〜マイナス０．１度
第１導電型ＩｎＰ半導体層１５（クラッド層）：
ｎ型ＩｎＰ、厚さ０．５マイクロメートル、キャリア濃度１×１０１８ｃｍ−３
活性層１７：
ＩｎＧａＡｓＰ多重量子井戸構造、厚さ０．３マイクロメートル
第２導電型ＩｎＰ半導体層１９（クラッド層）：
ｐ型ＩｎＰ、厚さ２．０マイクロメートル、キャリア濃度１×１０１８ｃｍ−３
ＧａＩｎＡｓ半導体層２１：
ｐ型ＧａＩｎＡｓ、厚さ０．２マイクロメートル、キャリア濃度１×１０１９ｃｍ−３
ＩｎＰ半導体キャップ層２３：
ｐ型ＩｎＰ、厚さ０．２マイクロメートル、キャリア濃度１×１０１８ｃｍ−３
である。この半導体積層は、コンタクト層のためのＧａＩｎＡｓ半導体層２１が第２導電型ＩｎＰ半導体層１９の上に設けられている。
【００２１】
半導体領域１３を基板１１上に成長した後に、メサ構造を作製するマスクを形成する。引き続いて、マスク形成の一実施例を説明する。図３（Ａ）に示されるように、半導体領域１３上にシリコン系無機化合物膜といったマスク膜２５を堆積する。シリコン系無機化合物膜としては、例えば、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜等を用いることができる。このマスク膜は、後のドライエッチングに耐え得る膜厚および材料から成る。例えば、０．１〜０．３マイクロメートル厚のプラズマＳｉＮ膜をマスク膜として用いることができる。
【００２２】
図３（Ｂ）に示されるように、フォトリソグラフィ法を用いてマスク２５ａを形成する。例えば、レジストマスク２７を用いてマスク膜２５を選択的にエッチングしてマスク２５ａを形成する。マスク２５ａを形成した後に、レジストマスク２７を除去する。この結果、所定の結晶軸の方向に伸びるマスク２５ａが半導体領域１３上に形成される。所定の結晶軸の方位は、＜０１１＞方向を基準にしてプラス５度からマイナス５度の範囲にあり、また好適には＜０１１＞方向である。これによれば、埋め込みＩｎＰの形状が良好になる。「＜０１１＞」という記載は＜０１１＞方向と結晶学的に等価な方向も示す。例えば、（００１）面を有するＩｎＰ基板では、図２（ａ）および図２（ｂ）に示されるように、このＩｎＰ基板のオリエンテーションフラットに垂直な方向である。
【００２３】
図４（Ａ）は、半導体領域をドライエッチングする工程を模式的に示す図面である。マスク２５ａを用いた反応性イオンエッチングにより半導体領域１３をドライエッチングして、メサ構造を有する半導体領域１３ａ（「半導体メサ」として参照する）を形成する。半導体領域１３を異方性ドライエッチングすることによって、エッチングされた第１導電型ＩｎＰ半導体層１５ａ、エッチングされた活性層１７ａ、エッチングされた第２導電型ＩｎＰ半導体層１９ａ、エッチングされたＧａＩｎＡｓ半導体層２１ａおよびエッチングされたＩｎＰ半導体キャップ層２３ａを含む半導体メサ１３ａが形成される。半導体メサ１３ａは、上記所定の結晶軸の方向に伸びている。半導体メサ１３ａは、ドライエッチングにより形成されるので、半導体メサ１３ａの側面は、基板１１の主面に対してほぼ垂直である。また、半導体メサ１３ａの幅は、例えば０．８〜１．５マイクロメートル程度である。半導体メサ１３ａの幅が０．８マイクロメートル以上であれば、横モードシングル条件が満たされる。また、半導体メサ１３ａの幅が１．５マイクロメートル以下であれば、横モードシングル条件が満たされる。
【００２４】
次いで、図４（Ｂ）に示されるように、半導体メサ１３ａを形成した後に、マスク２５ａを除去する。この除去は、フッ化水素酸系のエッチャントを用いてＳｉＮマスクを除去できる。
【００２５】
図５（Ａ）は、埋め込み成長を行う工程を示す図面である。マスク２５ａを除去した後に、埋め込みＩｎＰ半導体２９を堆積する。この堆積は、例えば有機金属気相成長法を用いて行われる。埋め込みＩｎＰ半導体２９の厚みは、半導体メサ１３ａの高さとほぼ同じ程度である。この堆積中に、ＩｎＰ半導体は、半導体メサ１３ａの側面に堆積されて半導体メサ１３ａを埋め込むと共に、半導体メサ１３ａ上にもせり上がる。この結果、半導体メサ１３ａの側面および上面を覆うように、埋め込みＩｎＰ半導体２９が形成される。埋め込み成長のための半導体としては、例えばＦｅドープＩｎＰを用いることができる。
【００２６】
埋め込みＩｎＰ半導体２９は、半導体メサ１３ａを覆うように盛り上がるリッジ部２９ａと、半導体メサ１３ａを埋め込んでいる埋め込み部２９ｂとを有している。埋め込みＩｎＰ半導体２９のリッジ部２９ａは、主面１１ａに対して３５度以上５５度以下の範囲の角度Ａｎｇｌｅ３で傾斜する側面を有する。所定の面方位の基板１１上に成長されたIII−Ｖ化合物半導体では、上記の角度範囲の結晶面が現れると、安定な結晶成長が可能になり、結果的に、埋め込み成長中に異常成長が発生する可能性が小さくなる。これ故に、埋め込みの均一性が向上される。
【００２７】
図５（Ｂ）は、埋め込みＩｎＰ半導体をエッチングする工程を示す図面である。塩酸・酢酸系水溶液を用いると、埋め込みＩｎＰ半導体２９が部分的にエッチングされると共に、半導体メサ１３ａのＩｎＰ半導体キャップ層２３ａがエッチングされる。このようにして、上記所定の結晶軸の方向に伸びる半導体ストライプ１３ｂを埋め込むＩｎＰ領域３１を形成する。
【００２８】
この方法によれば、基板１１の所定の面方位の主面上に半導体領域１３を形成した後に、所定の結晶軸の方向に伸びるマスクを用いて異方性ドライエッチングにより半導体メサ１３ａを形成する。そして、マスク２５ａを除去した後に、半導体メサ１３ａの側面および上面を覆うように、埋め込みＩｎＰ半導体２９を形成する。これ故に、マスク２５ａに起因した異常成長は生じない。半導体メサ１３ａ上に堆積されたＩｎＰ半導体は、塩酸・酢酸系水溶液を用いた異方性エッチングにより除去される。塩酸・酢酸系水溶液を用いて埋め込みＩｎＰ半導体２９およびＩｎＰ半導体キャップ層２３ａがエッチングされると、ＧａＩｎＡｓ半導体２１ａが露出されると共に、ＩｎＰ領域３１によって埋め込まれた半導体ストライプが作製される。
【００２９】
好適な実施例の塩酸・酢酸系水溶液は、
塩酸：酢酸＝１：ｘ
において５＜ｘ＜７である。比率ｘが５より小さいと、側面方向のエッチング量が小さくなり、表面に凹凸が残ってしまう。比率ｘが７より大きいと、表面方向のエッチング量が小さくなり、コンタクト層（ＧａＩｎＡｓ層）上にＩｎＰが残ってしまう。一実施例では、塩酸：酢酸：水＝１：６：１である。この異方性エッチャントを用いると、半導体メサ１３ａ上に成長されたＩｎＰ半導体２９ａの側面におけるエッチング速度が大きく、基板表面（例えば、（００１）面）上のＩｎＰ半導体２９ｂのエッチングレートは小さい。この結果として、半導体メサ１３ａ上に成長されたＩｎＰ半導体を選択的に除去できる。また、このエッチャントでは、ＩｎＰ半導体のエッチング速度は大きいけれども、ＩｎＧａＡｓのエッチング速度は小さい。半導体メサ１３ａ内のＩｎＧａＡｓコンタクト層２３ａを利用してエッチングを停止させることができる。
【００３０】
図６は、埋め込み成長を行う工程における半導体生産物の断面を撮影したＳＥＭ写真を示す図面である。この図面に示されるように、リッジ部２９ａの側面がＩｎＰ基板１１の主面１１ａに対して３５度以上５５度以下の範囲で傾斜するので、半導体メサ１３ａ上に堆積されたＩｎＰ半導体２９は塩酸・酢酸系水溶液により異方的にエッチングされる。図６を参照すると、リッジ部２９ａの麓の付近の側面の傾斜角は比較的小さく、３５度に近い傾斜である。また、リッジ部２９ａの頂上に近い側面の傾斜角は比較的大きく、５５度に近い角度である。
【００３１】
図７（Ａ）は、絶縁膜を形成する工程を示す図面である。半導体ストライプ１３ｂおよび埋め込みＩｎＰ領域３１上に、絶縁膜３３を堆積する。絶縁膜は、例えばシリコン酸化物から成ることができる。絶縁膜３３は、半導体ストライプ１３ｂに沿って伸びる開口３３ａを有する。開口３３ａには、ＩｎＧａＡｓ半導体層２３ａが露出している。
【００３２】
図７（Ｂ）に示されるように、半導体ストライプ１３ｂのエッチングされたＧａＩｎＡｓ半導体層（コンタクト層）２３ａを埋め込むＩｎＰ領域３１を形成した後に、半導体ストライプ１３ｂに電気的に接続された電極３５を形成する。また、基板１１の裏面１１ｂに別の電極３７を形成する。電極３５は例えばアノード電極であり、電極３７は例えばカソード電極である。
【００３３】
この化合物半導体光素子では、半導体メサ１３ａがＧａＩｎＡｓ半導体層２３ａを含むので、半導体ストライプ１３ｂおよび埋め込みＩｎＰ半導体３１上に、ＩｎＰ半導体クラッド層およびＧａＩｎＡｓ半導体コンタクト層を成長すること無く、化合物半導体光素子を作製できる。したがって、作製工程が短縮される。
【００３４】
本実施の形態に係る方法では、塩酸・酢酸系水溶液は塩酸および酢酸を含む。塩酸と酢酸との比は１より大きい。また、所定の結晶軸は＜０１１＞軸からプラス５度マイナス５度の範囲内にあり、所定の面方位は（００１）面からプラス５度マイナス５度の範囲内にある。このため、塩酸と酢酸とに比が１より大きいエッチャントを用いてＩｎＰをエッチングするとき、ＩｎＰに対するエッチング速度およびエッチング異方性が好適になる。また、上記エッチャントを用いたエッチングでは、ＧａＩｎＡｓ半導体のエッチング速度は、ＩｎＰ半導体のエッチング速度より小さいので、半導体メサを埋め込むＩｎＰ領域を形成した後に、半導体ストライプ１３ｂ内のＧａＩｎＡｓ半導体層を露出させることができる。
【００３５】
以上説明したように、特許文献１と異なり、結晶成長装置に塩化水素の供給ラインが不要である。また、マスクを除去した後に埋め込み成長を行うので、マスクを用いることに起因する異常成長が発生しない。また、埋め込み成長において、安定な結晶面が出るので、面内ばらつきが小さく、均一性、再現性に優れた埋め込み形状が実現できる。
【００３６】
好適な実施の形態において本発明の原理を図示し説明してきたが、本発明は、そのような原理から逸脱することなく配置および詳細において変更され得ることは、当業者によって認識される。本実施の形態では、例えば、半導体レーザといった化合物半導体光素子を説明したけれども、本発明は、本実施の形態に開示された特定の構成に限定されるものではない。ま  た、本実施の形態では、半導体レーザについて例示的に説明しているけれども、半導体光変調器、及び半導体光変調器と半導体レーザとの集積素子などにも適用できる。したがって、特許請求の範囲およびその精神の範囲から来る全ての修正および変更に権利を請求する。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】図１（Ａ）および図１（Ｂ）は、本実施の形態に係る化合物半導体光素子を作製する方法の工程を模式的に示す図面である。
【図２】図２（ａ）および図２（ｂ）は、ＩｎＰ基板の主面に関するオフ角度を模式的に示す図面である。
【図３】図３（Ａ）は、半導体領域上にシリコン系無機化合物膜といったマスク膜２５を堆積する工程を模式的に示す図面である。図３（Ｂ）は、フォトリソグラフィ法を用いてマスク２５ａを形成する工程を模式的に示す図面である。
【図４】図４（Ａ）は、半導体領域のドライエッチングする工程を模式的に示す図面である。図４（Ｂ）は、半導体メサを形成した後にマスク２５ａを除去する工程を模式的に示す図面である。
【図５】図５（Ａ）は、埋め込み成長を行う工程を模式的に示す図面である。図５（Ｂ）は、埋め込みＩｎＰ半導体をエッチングする工程を模式的に示す図面である。
【図６】図６は、埋め込み成長を行う工程における半導体生産物の断面を撮影したＳＥＭ写真を示す図面である。
【図７】図７（Ａ）は、絶縁膜を形成する工程を模式的に示す図面である。図７（Ｂ）は、半導体ストライプに電気的に接続された電極および基板の裏面に接続された電極を形成する工程を模式的に示す図面である。
【符号の説明】
【００３８】
ＳＵＢ１、ＳＵＢ２…ＩｎＰ基板、ＯＦ１、ＯＦ２…オリエンテーションフラット、Ｒｅｆ１、Ｒｅｆ２…基準面、ＳＵＲＦ１、ＳＵＲＦ２…ＩｎＰ基板主面、１１…基板、１１ａ…ＩｎＰ半導体主面、１３…半導体領域、１３ａ…半導体メサ、１３ｂ…半導体ストライプ、１５…第１導電型ＩｎＰ半導体層、１５ａ…エッチングされた第１導電型ＩｎＰ半導体層、１７…活性層、１７ａ…エッチングされた活性層、１９…第２導電型ＩｎＰ半導体層、１９ａ…エッチングされた第２導電型ＩｎＰ半導体層、２１…ＧａＩｎＡｓ半導体層、２１ａ…エッチングされたＧａＩｎＡｓ半導体層、２３…ＩｎＰ半導体キャップ層、２３ａ…エッチングされたＩｎＰ半導体キャップ層、２５…マスク膜、２５ａ…マスク、２７…レジストマスク、２９…埋め込みＩｎＰ半導体、２９ａ…リッジ部、２９ｂ…埋め込み部、３１…ＩｎＰ領域、３３…絶縁膜、３３ａ…絶縁膜の開口、３５、３７…電極
【図１】
2008034531.tif 000003
【図２】
2008034531.tif 000004
【図３】
2008034531.tif 000005
【図４】
2008034531.tif 000006
【図５】
2008034531.tif 000007
【図６】
2008034531.tif 000008
【図７】
2008034531.tif 000009