(57)【要約】      （修正有）【課題】ウエハ上の既存のパターンに対する位置合せに習熟や高価な機構を必要とせずに精度良く、しかも１台だけで済む劈開法とその装置を提供する。【解決手段】劈開すべき位置１２に光を他の部分より効率的に吸収し発熱する部分を印１０３としてウエハ工程で他のパターンと同時に形成し、この劈開を期待する線を含む周辺領域に、ウエハ表面１０をそれ以外の領域より多く引っ張る力を加えた状態で、上記印１０３を目標にレーザ光を照射すれば、ビームの僅かなずれやビーム形状の違いなどに係わりなく、ウエハ１０を構成する結晶の内部でこの印部分１０３が強く発熱し、この発熱による局部的膨張により、ウエハ１０の隅に楔を打込んだ効果を生じ、劈開１３を起こさせ、これを上記引っ張る力でウエハ１０の他端まで誘導・延伸し、正確で綺麗な劈開面を得る。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄い脆性材料板に光ビームを照射し、割断或は劈開する方法に於いて、当該脆性材料板の割断或は劈開を期待する線を跨ぎ、その起点となるべき当該脆性材料板の縁端またはその近傍に、照射する光を周辺より多く吸収し局所的発熱を誘起する印部を設け、この印部周辺へ光ビームを照射することで当該印部の局所的発熱に伴う熱応力で割断或は劈開を誘起することを特徴とする割断或は劈開法
【請求項２】
上記請求項１記載の割断或は劈開法に於いて、割断或は劈開を期待する線を跨ぐ印部の形状の少なくとも一方が凸状であることを特徴とする割断或は劈開法
【請求項３】
請求項１および請求項２記載の割断或は劈開法に於いて、脆性材料の表面の印部に対応する裏面部分を通る劈開を期待する直線と、一端が細く他端が太い円錐形様或は全て同じ太さの円柱形の全円周面或は一部の凸状断面を持つ枕材の少なくとも細い部分とを、直接或は間接に同時或は順次押し当て圧力を印加した状態で、上記印部へ光ビームを照射することを特徴とする請求項１乃至請求項２記載の劈開法並びに劈開装置
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体レーザの製造工程の中でもウエハの劈開工程における劈開方法とそこで用いる装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体レーザは、ＧａＡｓやＩｎＰといった脆性が高く特定の面に沿って劈開性を有する結晶を基板として形成され、幅の狭いストライプ状の活性領域へキャリアを高密度に注入することで光の増幅作用をもたせると共に、上記ストライプ状の活性領域の光の進行方向に垂直なチップ両端面における反射に依る正帰還を掛けることでレーザ発振させるのが一般的である。また、この結晶端面における反射には、通常チップを構成する結晶の劈開面を用いる。
【０００３】
従来、大学や研究所などにおける半導体レーザの製作工程では、ウエハに活性領域や電極を形成し、必要な厚さに基板ウエハを研磨したウエハを、濾紙など比較的厚く柔軟性に富む紙の上に置き、劈開を期待する線上の一端に手術用メスなどの鋭利な刃を強く押し当て、上記濾紙の当該部分がへこみそれに伴ってウエハが反り、遂には劈開に至る現象を使っている。
【０００４】
この場合、実体顕微鏡でウエハ上の電極パターンなどを目安にメスを当て、押さえるのであるが、メスの刃の位置、角度、押さえ加減などは強く作業者の技能に依存し、劈開面の長さとその一様性で成功する確率は必ずしも高くはない。また、その劈開位置精度も５０ミクロン程度が限界である。更に、劈開する幅もウエハ厚の３倍程度が限界で、それより狭い劈開幅を狙っても、劈開が途中から狭い方向へ逸れ、難度が一段と増す。
【０００５】
個人的技能を極力脱し、位置を再現性良く制御して確実に劈開することを必要とする半導体レーザメーカなどでは、自動ウエハ送り機構を備えたウエハスクライバを使い、ダイアモンドスクライバでウエハの隅に劈開を期待する方向に短く傷を入れ、更にウエハ劈開機と称する装置に上記ウエハを設定して、上記傷の裏側に相当する所を通り劈開を期待する線に沿って刃状の金属をウエハ裏面から衝撃的に打ちつけ劈開を行っている。
【０００６】
この場合は、共に機械であることから傷の大きさ深さ或は衝撃の大きさなどは、属人的技能から脱却し再現性は良くなるが、それぞれの装置にウエハを設定し直す作業は残り、ウエハ工程でつけたパターンと傷の位置や、この傷と裏面からの衝撃位置と方向など微妙なズレを生じ易い。
【０００７】
この修正を可能にするには、これら装置にパターン認識機構を設けることが必要になる。このようなパターン認識とこれを補正する機構を入れた装置は一般に高価になる。それでも、この工程にスクライバと劈開機と２台必要なことに変わりは無く、この工程だけで数千万円の設備投資が必要となる。このように高価な２台の自動装置を導入しても、ウエハパターンと劈開位置の精度は、現実には２０μｍ程度に留まっているのが現状である。
【０００８】
一方、特開平１−１０８００６に見られるように、脆性材料にレーザビームを照射すると局所的発熱による熱応力で裂割が発生することを使って、脆性材料を割断する手法や装置が発明され、この手法を半導体レーザの劈開工程に応用する試みも為されている。しかし、これは照射レーザビームのスポットサイズが数十μｍを超える大きさで、しかもスポットの形状を変えられない為、この円形のスポットに照射された何処から劈開が始まるかは、照射レーザビームの横モードやウエハの表面状態などの要素が絡んで正確には予測できず、劈開精度は２０μｍ程度に留まる。スポットサイズを小さくすると発熱領域が小さくなり、局所的温度は上がるが熱応力は必ずしも大きくならず、ある程度以上に絞るとウエハ表面が分解昇華する。
【０００９】
劈開位置を予めスクライバで傷を付けることで、ある程度位置精度を改善されるかに見えるが、照射レーザビームスポット位置とスクライバによってつけた傷の位置との位置合せ問題が残り、この位置合せが最善の状態になっても結局スクライバの精度が残る。ついでに、レーザビームを、劈開を期待する面に沿って掃引して割断する場合について考える。これは初期亀裂の先端部にレーザビームを照射・掃引することから考えて、位置精度はスクライバの精度とその上はパターンとの位置合せ技能に掛かる。しかし、一番重要な割断面は劈開面に比べて、格段に劣る。これはオングストローム単位で並ぶ結晶の特定に結合を次々と切って行く劈開は、原子間隔のオングストローム単位で平坦なのに対して、割断は光ビームの掃引という機械精度で決まり、数百オングストロームの平坦度を得るのも簡単ではない。
【００１０】
割断、劈開の別を問わず、光ビームを照射する形態のものはその熱膨張による楔効果を期待しているが、そのビーム形状の整形が容易でないため、単なる円形のスポットとせざるを得なかった。この結果、熱応力の集中も正確には制御できず、初期亀裂に任すかその物質の状況によって、若干のズレが生ずることも止むを得ず、最終的に初期亀裂の精度より良くはならない。結局、ウエハパターンと各装置との位置合せは残り、現実には２０μｍ程度の精度に留まるのが現状である。
【００１１】
このように、劈開位置の精度が悪いと、レーザ設計の時点から、端面付近だけ形状や組成を変化させることは出来ない。また、反射面間の間隔（共振器長）を１５０μｍに短くする場合を想定すると、ある物は１７０μｍ、ある物は１３０μｍとなることを想定しなければならない。こうなると、閾値などの特性、寿命などの信頼性にも大きな差がでて、製品にできない。これは、価格にも反映し、原価低減に制限が出来ることにも繋がる。
【００１２】
更に、スクライブ傷にせよレーザビーム照射にしても、ウエハの一端に初期劈開が生じても、幅の狭い領域を長く劈開することが必要な半導体レーザ用の劈開に於いては、期待する劈開線に沿って初期劈開を延伸する工夫が必要で、これが弱いと相対的に弱い幅の狭い方向に割れが逸れ、必要とする長さの劈開片を得ることが出来ない。
【００１３】
この観点から、半導体レーザ用の劈開装置では、当初よりウエハの裏面から衝撃的な線状衝撃を加えていた。この構造では、初期スクライブ傷と、劈開装置の線状打撃とが、必ずしも同一劈開面ではなく、僅かにずれるのが普通である。実際には厚さの十から数十倍の距離を割れが進むうちに、適当な一つの劈開面に収束するのが一般的である。しかし、このように一つの劈開面に収束するように両者の位置合せをするのは経験と慣れが必要で、一朝一夕で実現できるものではない。
【００１４】
この点を改良するため、例えば特許３３２６３８４号や特開２００２−１２７３２号に示されている様に、期待する劈開線の左右に上下の支持部を設けてウエハを割る応力を加え、より早く或は簡単に妥協的な一つの劈開面に収束させて、ウエハの他端まで綺麗な劈開を誘導しようとしている。しかし、これでも剪断力をゼロにする領域は狭く、改良の程度は高くはない。
【００１５】
特開２００３−３３８４６６号に示されている、被劈開ウエハを円周面に押し当てて劈開を誘引する方法は、曲面の曲率半径にも依るが、ウエハの曲面に沿う面の中央部以外に周辺部にも剪断力を伴わない引っ張り曲げ応力が働き、最初のスクライブ傷を広げる方向に働くので、ほぼ正確に劈開を誘引できる筈である。しかも、ウエハは劈開で来た瞬間に二つに分かれ、分かれた面が相互に離れる方向に動く為、劈開面を傷付けることが少なく、この面でも望ましい。しかし、曲率半径が一定であると最初のスクライブ傷だけで劈開を開始させるのは難しい。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
本発明は、このような状況に鑑みてなされたもので、ウエハ上の既存のパターンに対する位置合せに習熟や高価な機構を必要とせずに精度良く、しかも１台だけで済む劈開法とその装置を提供しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明は、劈開すべき位置に光を他の部分より効率的に吸収し発熱する部分を印としてウエハ工程で他のパターンと同時に形成し、この劈開を期待する線を含む周辺に、ウエハ表面をより多く引っ張る力を加えた状態で、上記目標にレーザ光を照射すれば、ビームの僅かなずれやビーム形状の違いなどに係わりなく、ウエハ結晶の内部でこの印部分が強く発熱し、この発熱による局部的膨張により、ウエハの隅に楔を打込んだ効果を生じ、劈開を起こさせ、これを上記引っ張り力でウエハの他端まで誘導・延伸し、正確で綺麗な劈開面を得ようとするものである。
【００１８】
請求項２は、照射されたレーザ光による楔の効果が期待する劈開線に際立って集中して、劈開が正確に起こるように、ウエハにつける印の形状に関するものである。
【００１９】
請求項３では、所望の劈開期待線を中心にその周辺に引き裂くような静応力を予め加えておき、劈開を僅かな熱応力で可能にし、更にウエハの他端までその劈開を誘引しようとする装置構造に関するものである。
【発明の効果】
【００２０】
本発明により、劈開位置精度を５μｍ以下へと簡単に向上できるので、半導体レーザの短共振器化が可能になる他、半導体レーザの端面近傍に形状や組成の変化をもたせた高性能化や高機能化を行うなども可能になる。
【００２１】
また、半導体レーザの劈開工程で使用する装置が比較的簡単で安価な装置一台で済むようになり、設備導入価格の低減や設置スペースの低減といった以外に装置の維持管理に習熟したベテランを配する必要性がなくなるため、製造コストの低減が図れる。
【００２２】
この短共振器化を積極的に使えば、低閾値化、高速応答化が可能になる。これをレーザアレイに適用すれば、面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）と互換性を有する１．３ミクロン帯、単一横モード発振のファブリペロー型レーザアレイを得ることもできるという副次的効果も得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、本発明に係る劈開法を半導体レーザの製造工程に適用した場合の実施形態を、添付図面を参照して説明する。
【実施例】
【００２４】
（第１実施形態）
図１は、本発明の第一実施形態の第一の実施例を示す。同図（a）は、ＩｎＰを基板とする劈開対象のウエハ（１０）を表面から見た図である。表面には、Ｔｉ/Ｐｔ/Ａｕを順次蒸着して形成した電極パターン（１０１）と共に劈開位置を示す印（１０３）が、金属部（１０２)中に抜きパターンで形成されている。このウエハ（１０）の側面（１１）は劈開面で、劈開開始用の印（１０３）は劈開期待線（１２）の上にあって、ウエハ（１０）の片側(同図では、上)に配置されている。
【００２５】
劈開作業に際しては、この印（１０３）に例えば出力最大３０ＷのＹＡＧレーザ光をほぼ円形に絞って照射すると、ウエハが劈開し、同図（ｂ）に示すバー（１０ａ）ができる。
【００２６】
同図（ｃ）は、本発明による劈開の過程を物理的理解に基づいて図解した物である。同図の（1）は、ウエハの上端にある印（１０３）部分を拡大して示している。印（１０３）は、長径が３５μｍで短径が２５μｍの楕円形をしており、長径は劈開を期待する方向に向いて一致している。
【００２７】
同図の（２）は、この印（１０３）部分にＹＡＧレーザビームを照射した状態を示している。ここでは、レーザビームは直径１００μｍ程度のほぼ円形で、印（１０３）より大きい。
【００２８】
この印(１０３)の周辺は蒸着されたＴｉ/Ｐｔ/Ａｕの金（Ａｕ)が最表面にあり、照射されたレーザビームの殆どを反射するのに対し、印（１０３）の内側は抜きパターンなので、半導体レーザの最終層ＩｎＧａＡｓ層が最表面に出ている。このＩｎＧａＡｓは、１．０６μｍのレーザ光を殆ど吸収するので、レーザビームの照射により、当該印（１０３）部の温度が上昇し、これによって当該部分が膨張して、ウエハを左右に押し広げる力となる。これを図示したのが、同図の（３）である。
【００２９】
この図に示すように、この膨張する印（１０３）部分がウエハの上端である為上下方向の応力は、開放端に近い上部に逃れ、且つ左右に押し広げる力に対抗する周囲ウエハの力は上部に少なく下部に大きい。従って、ウエハの上端部丸１が裂け、続いて丸２が裂ける。これが下部へ伝播する。この結果、同図の（４）に図示するように、劈開線（１３）が下に伸びる。
【００３０】
照射エネルギー密度が高い或は吸収係数が大きい場合、表面温度がウエハを構成する結晶の分解温度より高くなり、ごく表面だけが分解し、昇華することもある。ＧａＡｓなどでは１ＭＷ/ｃｍ2以上で昇華が起こる。表面が昇華しても、応力が増加するわけではないのでこの場合は、出力を減らすか、密度を低減すべく収束を弱めるのが良い。
【００３１】
この実施例で用いるＴｉ/Ｐｔ/Ａｕによる印の形成は、電極を形成する際のマスクパターンに印のパターンも入れておけば、新たな工程を設けたり、マスク枚数を増やしたりせずに形成することが出来る。
【００３２】
図２は、本発明の第一実施形態の第二の実施例を示す。ウエハ（２０）の表面には、ストライプ部を形成する際の誘電体、例えば、窒化珪素膜（２０２）が形成されていて、その上に電極パターン（１０１）が形成されている。ウエハの一方の縁端部の窒化珪素膜を選択的に除去することで、印（１０３）を形成している。ここで用いる窒化珪素膜は、厚さをほぼ２８０ｎｍと照射光の波長の１/２にしてあるので、波長１．０６μｍのＹＡＧレーザ光を良く反射する。用いるマスクパターンに、この印（１０３）を抜くパターンを入れておけば、何等工程やマスク枚数を増やすことなく形成することが可能である。
【００３３】
劈開作業に際しては、この印（１０３）に例えば出力約３０ＷのＹＡＧレーザ光を照射すると、上述の窒化珪素膜領域（２０２）に照射された光は反射されてウエハ面に殆ど到達しないのに対し、印（２０１）の内側には窒化珪素膜が無い為、照射されたレーザビームは結晶の屈折率と空気の屈折率差による反射（約３０％）以外は効率良く結晶ウエハの面に達し、劈開に寄与する。
【００３４】
図３は、本発明の第一実施形態の第三の実施例を示す。この例では、上述の例とは逆に窒化珪素膜を残して印（３０２）にしている。窒化珪素膜の厚さを反射率が下がるように１４０ｎｍに調整してある。ここで、印（３０２）を設けるために特別に窒化珪素膜形成工程を加える必要はなく、先の例同様、他の工程で使う窒化珪素膜の厚さを、反射率を下げる厚さに調整して成膜するだけで済み、工程数やマスク枚数を増加させていない点は、先の例と同じである。
【００３５】
劈開作業に際しては、この印（３０２）に例えば約３０ＷのＹＡＧレーザ光を照射すると、印（３０２）からはみ出した光の約３０％は反射して、ウエハ面に到達しないのに対し、印（３０１）の内側では反射率が例えば５％と低い為、照射されたレーザビームのほぼ９５％はウエハ面に達し、劈開に寄与する。
【００３６】
通常のＩｎＰ結晶を使う半導体レーザでは、先述のように、ウエハの最上層にはバンドギャップの小さいＩｎＧａＡｓ層があり、ＹＡＧレーザ光を初め、ファーバーレーザや高出力半導体レーザの光の多くを吸収する筈であるが、ＧａＡｓ系の半導体レーザでは、最終層にＧａＡｓ層が来る。その下の層も全てバンドギャップの広い結晶が形成されていて、例えばＹＡＧレーザの１．０６μｍの光に対して透明である。この様な場合には、ウエハの表面近傍のウエハ内部に吸収係数の大きい部分を形成する。
【００３７】
図４は、本発明の第一実施形態の第四の実施例を示す。既に述べたように半導体レーザでは、電極材として金（Ａｕ)を含んでいる。この場合、白金（Ｐｔ)やタングステン(Ｗ)を結晶ウエハと金の間に挟んで、金の結晶中への拡散を防いでいるのだが、直接上記結晶に金をメッキ或は蒸着して被着せしめ熱処理（４００℃で１０秒加熱）すれば、簡単に金が結晶中へ拡散する。以下に、この吸収係数の大きな印（４０２）の形成法を、図４を使って順に説明する。
【００３８】
先ず（１）金を蒸着し、パターニングする。出来た印（４０１）は金色でハッキリ見えている。次に（２）電極形成工程の熱処理（４００℃で１０秒）を施す。被着せしめた金の厚さが１００ｎｍ程度或はそれ以下と薄い場合は、この熱処理で金は全て結晶中へ拡散して、表面は金色でなくなる。但し、拡散領域の表面の色が若干周囲と異なることから、見当は付けられる。この表面から見て微かに判別できる程度の印（４０１）の下に相当するウエハ内部の拡散の様子を想像して（３）示す。この領域は広い波長範囲に亘って光を吸収する。
【００３９】
吸収領域（４０２）がどの程度の深さまで浸入しているかは処理条件に依存するが、通常の電極形成工程で用いられる熱処理工程で得られる値は０．１μｍから１μｍ程度である。従って、劈開作業に際しては、この印（４０２）に例えば約３０ＷのＹＡＧレーザ光を照射すると、印（４０２）内側ではレーザビームの照射による温度上昇とこれに伴う熱応力も、ウエハ内部に強く、ウエハを劈開するに有効に働く。
【００４０】
これらの作製工程は、全て本来の半導体レーザの作製工程に含まれ、工程数やマスク枚数を増加させない点は、先の例と同じである。
【００４１】
本発明のポイントは、期待する劈開線上に熱応力を集中して劈開を誘起するにある。図５は、発熱の元になる印の形状例を示している。図中（１）は本発明の第一の実施形態における第一の実施例で示した楕円形の印を示す。同図中（２）に示す円形であっても、応力は等方的に生ずるが、当該印がウエハの縁端に近いと、印の縁端側の耐力はその反対側より弱く、図中に破線で示す期待する方向に劈開する。しかし、応力を期待する劈開線に一層集中させるという意図からは（３）の様に多角形であっても良い。
【００４２】
第一の実施例に於ける金（Ａｕ）や、第二の実施例における反射膜としての窒化珪素膜や酸化珪素膜が、印周辺で繋がっていると、印部が熱膨張によりウエハ表面を押し広げようとしているのに対し、第一の実施例に於ける金（Ａｕ）や、第二の実施例における反射膜としての窒化珪素膜が逆に縮めようとする方向に働き、結果として劈開を妨げる方向に働くことが危惧される。これを和らげる為、同図の（４）で示すように、期待する劈開線上からこれらの材料を予め除去した印とすることも考えられる。
【００４３】
図５の（５）は、第三の実施例に於ける低反射率化を図った印の例で、円を含んだ楕円形を、（６）は、多角形の一つ六角形を示している。この他、（７）の菱形でも良い。また、反射防止膜としての窒化珪素膜や酸化珪素膜が、劈開を妨げる方向に働くのを避けるため、（８）の様に中央に切れ目を入れたパターンであっても良い。更に、これらの組合せであっても良い。
【００４４】
これらの考え方は、第四の実施例に於ける吸収率を高くした領域を印にする場合にも適用できることは明らかである。
【００４５】
また、劈開を一層容易にする為や、被劈開ウエハの縁端部に印を設けるため、或は、隣接領域の劈開用の印と兼ねる場合に、縁端に印を設けることが考えられる。図５の（９）、（１０）及び（１１）はその例を示している。また、細い矩形或は線状パターンの集合であって、例えば（１２）の様にその包絡線が上述の（１０）や（１１）と同じような形状をしている場合も含まれる。
【００４６】
以上、被劈開ウエハに対する本発明の実施形態を説明したが、以下はウエハの一端に生じた初期劈開をウエハの他端まで誘導する装置部分にかかわるものである。図６は、上述の実施形態一の各実施例を基にした被劈開ウエハ（６０）を劈開する劈開装置の主要部分を図解した物である。次に作業の順にそれぞれの働きを説明する。
【００４７】
先ず（１）は、劈開を期待する線（６１）上に印（６０１）を持つ被劈開ウエハ（６０）を、円錐形の一部の形状をした枕材（７０）で劈開する準備状況を示す。次に（２）では、ウエハ（６０）を枕材（７０）の基準線（７１）にあてがい、位置と方向を合せる。（３）では、ウエハ（６０）を極力枕材（７０）の曲面に沿わせるよう、ウエハ（６０）の劈開を期待する線（６１）より左を押さえ材（８１）で、右側を押さえ材（８２）で抑える準備をする。押さえた状態で（４）の様に、ＹＡＧレーザ光を導く光ファイバの先端を印（６０１）部に設定し、レーザ光を照射する。（６）は劈開が済んだ瞬間で、右側押さえ材（８２）への反発力が無くなり、右側押さえ材（８２）が僅かに右側へ傾いた様子を表している。枕材（７０）の上部の太さが下部より細い、即ち曲率半径が小さいので、右側押さえ材（８２）の右上は下部より右側に強く傾く筈である。（６）は、左右の押さえ材（８１）と（８２）をどけた状態を示す。劈開して出来たバー（６１）が完全にウエハ（６０）から外れている。
【００４８】
本実施例の様に大きな曲面を持つ枕材を使うと、剪断力の殆どゼロの広い領域に引っ張り応力を期待でき、目視して合せた線と本来の劈開線とがずれていた場合も、自然の劈開面に沿って劈開が進み、自動補正する作用になる。
【００４９】
円錐形にしておくと、最初の劈開が始まる際、レーザビーム照射による熱応力に伴う結晶を割く力に、静的引っ張り応力を集中的に加えて補助するのに都合が良い。また、ウエハの印部と枕の基準線に合せる作業は、ウエハ下端を合せるより容易く、作業もやり易い。
【００５０】
図６では、ウエハ（６０）を単独で枕材（７０）に宛がったが、ウエハ裏をエレクトロンシートなどに貼り、或は表面にも貼って、シートごと枕材（７０）に巻き付ける間接的に接する構造とすれば、位置合せの他、劈開後のバー（６１）のその後の処理も容易になる。
【００５１】
また、ここでは枕材の形状を円筒形やそれに近い円錐形として説明したが、直径の太くなるなり方が一様でなく、富士山型にすると上から始まる劈開が下部へ伝播するに伴い、順次その時点の割れ目が枕材に強く押し付けられて、劈開が進み易くなる。また逆に、ビア樽型の枕にすると押さえ材の形状や力の入れる方向に工夫は必要であるが、同じ効果を期待できる。
【００５２】
これまでの説明では、枕材の形状を円筒形或は円錐形としてきたが、円柱形或は円錐形を縦に切った板の様にウエハと接する部分の面だけが大きな曲率半径を持つ曲面であればよい。
【００５３】
枕材は結局、比較的広い領域に剪断力の殆どゼロの引っ張り応力を発生させることに目的があるので、硬い金属を正確な円錐形や円柱形を削るだけでなく、テフロン（登録商標）などの柔らかで弾力性に富む材料を刃物で整形した僅かに角がある物でも同じ効果を得られる。
【００５４】
さらに、照射するレーザビームを上記実施例ではＹＡＧレーザを用いたが、ファイバレーザや半導体レーザでも良いし、その出力も光ファイバを介することなくレンズで絞って直接ウエハへ照射してもよい。
【産業上の利用可能性】
【００５５】
本発明を説明するに当り、半導体レーザの製造工程を基に、劈開法と劈開装置についての実施例を挙げた。しかし、初期亀裂の無いガラス板を既存のパターンに対して正確に割断する場合に本発明の様に光の吸収を制御するパターンをつけておけば、簡単な装置で高い位置精度を以って割断をスタートできる。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】本発明の第一の実施形態に於ける第一の実施例
【図２】本発明の第一の実施形態に於ける第二の実施例
【図３】本発明の第一の実施形態に於ける第三の実施例
【図４】本発明の第一の実施形態に於ける第四の実施例
【図５】本発明の第一の実施形態に於ける印の形状例
【図６】本発明の第二の実施形態に於ける第一の実施例
【符号の説明】
【００５７】
１０：劈開対象の半導体レーザウエハ
１１：既劈開の端面
１２：期待する劈開線
１３：新たに出来た劈開面
１０１：電極パターン
１０２：金パターン
１０３：金を除去した印パターン
１０a ：バー
２０：劈開対象の半導体レーザウエハ
２１：既劈開の端面
２２：期待する劈開線
２０１：
２０２：
３０：劈開対象の半導体レーザウエハ
３１：既劈開の端面
３２：期待する劈開線
４０１：印部の金
４０２：金が拡散して吸収係数が大きくなった場所
６０：劈開対象の半導体レーザウエハ
６１：期待する劈開線
７０：枕材
８１：左押さえ材
８２：右押さえ材
９０：レーザビーム照射用光ファイバ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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