(57)【要約】【課題】単チャネルトランジスタ構成のメモリ内蔵画素方式の表示装置において、表示に悪影響を及ぼすフリッカが生じることなしに、フレーム周波数が１Hz程度で画像信号メモリをリフレッシュし、画像の更新を行う。【解決手段】走査線１０９と同期して基準電圧線１０８を走査し、走査線に同期して基準電圧線の電位を共通電極１２０の電位にし、画像信号メモリ１２４と第２のトランジスタ１２２との間のノード１２５の電位を、第２のトランジスタをオフ状態とする電位にする画素においては、基準電圧線が共通電位である間に第２のトランジスタをオフ状態とし、画像信号メモリと第２のトランジスタとの間のノードの電位を、第２のトランジスタをオン状態とする電位にする画素においては、少なくとも走査線の電位がハイレベルからローレベルに切り替わる時点では信号線１１０の電位をハイレベルにする。【効果】単チャネルトランジスタ構成による印刷物並超高精細表示性能と低周波駆動による低消費電力性を兼ね備えた表示装置が実現できる。【選択図】図２
2008176330.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マトリクス状に配置された複数の画素を備え、
前記画素は少なくとも、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、画像信号メモリと、電気光学媒体と、共通電極とを備え、
前記画素は少なくとも信号線と走査線と基準電圧線とに接続され、
前記第１のトランジスタのドレインないしソースの一方は前記信号線に接続され、
前記第１のトランジスタのドレインないしソースの他方は第２のトランジスタのゲートに接続され、
前記第１のトランジスタのゲートは前記走査線に接続され、
前記第２のトランジスタのドレインないしソースの一方は前記電気光学媒体に接続され、
前記第２のトランジスタのドレインないしソースの他方は前記基準電圧線に接続され、
前記画像信号メモリは前記第２のトランジスタのゲートと前記基準電圧線に接続され、
前記電気光学媒体は前記第２のトランジスタのドレインないしソースの一方と前記共通電極とに接続されており、
前記電気光学媒体は表示のメモリ性を備えていることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
請求項１の表示装置において、
前記電気光学媒体は少なくとも絶縁性溶媒と前記絶縁性溶媒中に分散された帯電粒子とからなることを特徴とする表示装置。
【請求項３】
請求項１の表示装置において、
前記電気光学媒体は少なくとも電圧印加により可逆的に着色、消色を示す材料からなることを特徴とする表示装置。
【請求項４】
請求項１の表示装置において、
前記電気光学媒体は少なくともコレステリック液晶材料からなることを特徴とする表示装置。
【請求項５】
マトリクス状に配置された複数の画素を備え、
前記画素は少なくとも、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、画像信号メモリと、表示のメモリ性を有する電気光学媒体と、共通電極とを備え、
前記画素は少なくとも信号線と走査線と基準電圧線とに接続され、
前記第１のトランジスタのドレインないしソースの一方は前記信号線に接続され、
前記第１のトランジスタのドレインないしソースの他方は第２のトランジスタのゲートに接続され、
前記第１のトランジスタのゲートは前記走査線に接続され、
前記第２のトランジスタのドレインないしソースの一方は前記電気光学媒体に接続され、
前記第２のトランジスタのドレインないしソースの他方は前記基準電圧線に接続され、
前記画像信号メモリは前記第２のトランジスタのゲートと前記基準電圧線に接続され、
前記電気光学媒体は前記第２のトランジスタのドレインないしソースの一方と前記共通電極とに接続されており、
前記電気光学媒体の表示状態を書き換えることことを特徴とする表示装置の駆動方法。
【請求項６】
請求項５の表示装置の駆動方法において、
前記基準電圧線の電位は前記共通電極の電位と同等の電位を含む少なくとも３つの電位を順次とることを特徴とする表示装置の駆動方法。
【請求項７】
請求項５の表示装置の駆動方法において、
前記電気光学媒体は少なくとも２つの表示状態を備え、各々の表示状態に書き換えるための走査期間を夫々設けたことを特徴とする表示装置の駆動方法。
【請求項８】
請求項５の表示装置の駆動方法において、
前記第２のトランジスタをオフ状態にするための走査期間を設けたことを特徴とする表示装置の駆動方法。
【請求項９】
請求項５の表示装置の駆動方法において、
画像表示に有効な全ての画素の画素電極の電位を前記共通電極の電位と同等の電位として画像の書き換え期間を終了すること特徴とする表示装置の駆動方法。
【請求項１０】
請求項５の表示装置の駆動方法において、
前記第２のトランジスタをオフ状態にするための走査期間において前記基準電圧線の電位を前記共通電極の電位と同等の電位としたことを特徴とする表示装置の駆動方法。
【請求項１１】
請求項１０の表示装置の駆動方法において、前記基準電圧線を走査線の走査に同期して走査することを特徴とする表示装置の駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は表示装置及びその駆動方法に係り、特に低消費電力用のTFT（Thin Film Trans
istor）アクティブマトリクス液晶表示装置ないしはTFTアクティブマトリクス電気泳動表示装置の駆動方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
書籍や新聞など、従来紙で提供されてきたコンテンツを電子化するためには印刷物並の表示性能を備えた表示装置が望まれるが、現状の表示装置の精細度は最も高いものでも高々200ppi（pixels per inch）程度であり、印刷物の精細度には遙かに及ばない。
【０００３】
また、従来の表示装置は200ppi程度の精細度においても画素数の大幅な増大による消費電力の増大が問題である。消費電力を低減する最も効果的な方法としてはフレーム周波数の低減が挙げられる。それを実現する方法としては画素にメモリを備える方式が挙げられる。
【０００４】
画素にメモリを備える方式の液晶表示装置において、本発明に関連する画素回路構成の従来例としては、例えば、下記特許文献１に開示されている。従来の電気泳動表示装置としては、例えば、下記特許文献２に開示されている。透明な絶縁溶媒を用いた従来の電気泳動表示装置としては、例えば、下記特許文献３に開示されている。アクティブマトリクス駆動の電気泳動表示装置の従来例としては、例えば、下記特許文献４に開示されている。
【特許文献１】特開平２−２７２５２１号公報
【特許文献２】特開平９−１８５０８７号公報
【特許文献３】特開平１１−２０２８０４号公報
【特許文献４】特開２００２−１１６７３４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
印刷物並超高精細表示を行うためには単位面積当たりの画素数を従来の表示装置に比較して大幅に増大させる必要がある。しかしながら、従来の表示装置の駆動法を用いて超高精細画像表示を行おうとすると基準となるクロックの周波数を大幅に高める必要があり消費電力が大幅に増大し現実的でない。
【０００６】
高精細を低消費電力で実現する方法として画素にメモリを内蔵してフレーム周波数を低減する方式が考えられる。ただし、スタティックRAM等の複雑な構成のメモリ回路やCMOSトランジスタ構成のメモリ回路構成とした場合には高精細を実現することが困難である。
【０００７】
高精細と低消費電力とを両立させるために、最も単純な構成である単チャネルトランジスタ構成のメモリ内蔵画素方式を選択する。単チャネルトランジスタ構成のメモリ内蔵画素方式は１画素当たり２つの単チャネルトランジスタで構成される。
【０００８】
CMOSトランジスタ構成の場合には２つの基準電源線の一方を選択する方式をとれるが、
単チャネルトランジスタ構成の場合には基準電源線は１本であるため、画像表示に悪影響を与えずに一方の状態から他方の状態に切り替える方法がこれまでなかった。
【０００９】
本発明の目的は、単チャネルトランジスタ構成のメモリ内蔵画素方式の液晶表示装置ないし電気泳動表示装置において、フレーム周波数を低減しても表示に悪影響を及ぼさずに画像信号メモリのリフレッシュと、画像の更新を行い、単チャネルトランジスタ構成による印刷物並超高精細表示性能とフレーム周波数の低減による低消費電力性を兼ね備えた表示装置を実現することにある。
【００１０】
なお、電気泳動の材料の比抵抗は、液晶に比べて低いため従来のアクティブマトリクス駆動では、画素に書き込まれた電気信号の更新頻度であるフレーム周波数として一般的な60Hz程度では必要な駆動電圧を画素に書き込むことができない。
【００１１】
必要な駆動電圧を画素に書き込むためにはフレーム周波数を増大させたり、あるいは駆動電圧を高く設定する方法が考えられるが、消費電力の上昇につながり現実的ではない。
【００１２】
また、電気泳動表示方式は液晶表示方式と異なり、基本的に2階調表示でかつ、直流電圧で駆動する表示方式である。
【００１３】
多階調表示を行うためには面積階調表示を行う必要があるが、これは実質的に画素数の増加を招く。画素数の増加が消費電力の増加につながらないように配慮する必要がある。
【００１４】
本発明が解決しようとする他の1つの課題は、電気泳動表示装置において多階調表示を低消費電力で実現することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
マトリクス状に配置された複数の画素を備え、前記画素には少なくとも、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、画像信号メモリと、電気光学媒体と、共通電極とを備え、前記画素は少なくとも信号線と走査線と基準電圧線とに接続され、前記第１のトランジスタのドレインないしソースの一方は前記信号線に接続され、前記第１のトランジスタのドレインないしソースの他方は第２のトランジスタのゲートに接続され、前記第１のトランジスタのゲートは前記走査線に接続され、前記第２のトランジスタのドレインないしソースの一方は前記電気光学媒体に接続され、前記第２のトランジスタのドレインないしソースの他方は前記基準電圧線に接続され、前記画像信号メモリは前記第２のトランジスタのゲートと前記基準電圧線に接続され、前記電気光学媒体は前記第２のトランジスタのドレインないしソースの一方と前記共通電極とに接続されており、前記基準電圧線を前記走査線に同期して走査する駆動方法により、上記の課題を解決する。
【００１６】
さらに、上記駆動方法において、走査線に同期して基準電圧線の電位を共通電位(コモン電位)にし、画像信号メモリと第２のトランジスタとの間のノードの電位を第２のトランジスタをオフ状態とする電位にする画素においては、基準電圧線が共通電位である間に第２のトランジスタをオフ状態とし、画像信号メモリと第２のトランジスタとの間のノードの電位を第２のトランジスタをオン状態とする電位にする画素においては、少なくとも走査線の電位がハイレベルからローレベルに切り替わる時点では信号線の電位をハイレベルにしておくことにより上記課題を解決する。
【００１７】
あるいはまた、走査線を走査する走査期間と、走査線の走査を休止して画像表示状態を保持する画像保持期間とが設けられ、前記画像保持期間において信号線の電位を第２のトランジスタをオフ状態とする電位にすることにより、上記課題を解決する。
【発明の効果】
【００１８】
以上、本発明によれば、単チャネルトランジスタ構成のメモリ内蔵画素方式の表示装置において、表示に悪影響を及ぼさずに画像信号メモリのリフレッシュと、画像の更新を行うことができ、印刷物並超高精細表示性能と低消費電力性を兼ね備えた表示装置を実現することが可能となる。
【００１９】
また、本発明によれば、表示のメモリ性を備えた表示方式を用いかつ高精細な表示を行う表示装置において画像の更新を速やかに行うことがでる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明の実施例を詳細に説明する。
【実施例１】
【００２１】
図１に本発明の表示装置のブロック図を示す。本発明の表示装置は、マトリクス状に配置された複数の画素１０２からなる表示部１０７を備えた、いわゆるアクティブマトリクス基板であるパネル部１０１と、走査線１０９を駆動する走査線駆動回路１０３と、前記走査回路１０３に同期して基準電圧線１０８を駆動する基準電圧線駆動回路１０４と、タイミングコントローラ１０５と、信号線１１０とセレクタスイッチ１０６と信号線駆動回路１１１とからなる。パネル部１０１は電気光学媒体１２３を備え、各画素１０２を電気的に独立に制御して、各画素の輝度を制御することにより、任意の画像を表示することができる。
【００２２】
本発明の表示装置を備えた機器からのタイミング信号と画像信号はタイミングコントローラ１０５に入力される。タイミングコントローラ１０５は、信号線駆動回路１１１、走査線駆動回路１０３、基準電圧線駆動回路１０４を制御する。
【００２３】
図１は走査線駆動回路１０３と基準電圧線駆動回路１０４とを独立に設ける構成を示しているが、かならずしもこの構成にこだわる必要はない。走査線駆動回路１０３と基準電圧線駆動回路１０４とは両方の機能を併せ持つ回路構成としてもよい。また、図１はパネル部１０１の左側に走査線駆動回路１０３、右側に基準電圧線駆動回路１０４を設けたが、これも一例であって、他の構成例としては走査線駆動回路１０３及び基準電圧線駆動回路１０４の一方ないしは両方を分割してパネル部１０１の両側に設ける構成としてもよい。
【００２４】
セレクタスイッチ１０６は、隣接する信号線１１０同士の間隔が狭く、信号線駆動回路１１１との１対１の接続が困難である場合に設けられる。セレクタスイッチ１０６は、信号線駆動回路１１１と信号線１１０との間に備えられ、時分割で信号線駆動回路１１１からの信号を信号線１１０に分配する機能を備える。ただし、信号線駆動回路１１１と信号線１１０とを１対１に接続可能であるのなら必ずしも設ける必要は無い。信号線駆動回路１１１やタイミングコントローラ１０５等の制御回路は図１ではパネル部とは別に設けたが、パネル部１０１に直接形成してもよい。
【００２５】
図２に画素１０２の回路構成を示す。第１のトランジスタ１２１は、ゲートが走査線１０９に接続されドレインないしソースの一方が信号線１１０に接続され、ドレインないしソースの他方が画像信号メモリ１２４及び第２のトランジスタ１２２のゲートに接続されている。第２のトランジスタ１２２のドレインないしソースの一方は基準電圧線１０８に接続され、ドレインないしソースの他方は電気光学媒体１２３に接続される。電気光学媒体１２３の第２のトランジスタ１２２と反対側は共通電極１２０に接続される。電気光学媒体１２３の種類に応じて共通電極１２０はTFTと同一基板上ないしは対向基板上のいずれか一方あるいは双方に設ける。
【００２６】
本実施例におけるトランジスタは薄膜トランジスタ（TFT：Thin Film Transistor）である。TFTとしては、アモルファスシリコンTFTや、ポリシリコンTFTを用いることができる。また、有機半導体を用いた有機TFTを用いてもよい。
【００２７】
本実施例においては、電気光学媒体１２３として液晶を用いた液晶表示方式を適用した場合について述べる。具体的な液晶表示方式の例としては、反射型ツイストネマティック方式や、コレステリック液晶表示方式、ゲストホスト液晶方式、反射型ホメオトロピックECB（Electrically Controlled Birefringence）方式等が挙げられる。あるいはまた、反射型インプレーンスイッチング方式も可能である。その場合には、共通電極１２０はTFT
と同一基板上に設ける。
【００２８】
本発明の駆動方法について図３から図７を用いて説明する。図３から図５はi行目の基準電圧線１０８の駆動波形(電位)１３６の例を示している。
【００２９】
基準電圧線１０８の駆動波形（電位）１３６は、走査期間１２６と画像保持期間１２７とに分けられる。走査期間１２６は画像信号メモリ１２４のリフレッシュ及び電気光学媒体１２３に印加される電圧の状態の更新、すなわち表示画像の更新を行う期間である。一方、画像保持期間１２７は、画面の走査を休止して、画像信号メモリ１２４の状態に応じて決まる各画素の表示状態を保持する期間である。
【００３０】
基準電圧線１０８の駆動波形（電位）１３６は、基本的には共通電位(コモン電位)１３７に対し一定期間毎に極性を反転する交流矩形波であるが、走査期間１２６においてのみ対応する走査線を走査するタイミングにおいて共通電位１３７にする駆動を行う。基準電圧線１０８の駆動波形（電位）１３６の交流周期と、走査期間１２６の長さとの関係は任意である。
【００３１】
図４のように基準電圧線１０８の駆動波形（電位）１３６の交流周期を走査期間１２６に設ける周期と同一としてもよいし、あるいは図示してはいないが走査期間１２６を設ける周期よりも交流周期を長くしてもよい。また、図３では極性切り替えのタイミングと走査期間１２６を同期させているが、必ずしも同期させる必要はない。図５がこれに相当する。あるいはまた、対応する走査線１０９を走査するタイミングにおいて基準電圧線１０８の電位を共通電位１３７に一定期間設定する前後で極性を切り替えてもよい。
【００３２】
図６は、画像信号メモリ１２４のリフレッシュ及び電気光学媒体１２３に印加される電圧の状態の更新、すなわち表示画像の更新を行う各走査期間１２６の駆動シーケンスを示しており、各走査期間１２６に対応するi-1、i、i+1行目の各走査線１０９を選択するゲートパルス信号１３１と信号線１１０の駆動波形１３２と、i-1、i、i+1行目の各基準電圧線１０８の駆動波形（電位）１３６の例を示している。
【００３３】
各ゲートパルス信号１３１に対応して信号線の電圧制御がなされるが、i走査線の選択期間１３３は２つのステージに分かれる。まず、最初のステージとしてリセット期間１３４があり、次のステージとして画像信号書き込み期間１３５が続く。
【００３４】
リセット期間１３４の信号線１１０の電位１３２は、第２のトランジスタ１２２をオン状態にする電位(ON)である。画像信号書き込み期間１３５の信号線１１０の電位１３２は、書き込む画像信号がオンかオフかによって２状態の電位(ON,OFF)のうちいずれかが、ゲートパルス信号１３１の立下りの時点で選択され、画像信号メモリ１２４に書き込まれる。
【００３５】
各走査線１０９に対応する基準電圧線１０８の駆動波形（電位）１３６は走査線毎に極性を共通電位１３７に対して反転しており、いわゆる行毎反転駆動となっている。各走査線１０９に対応する基準電圧線１０８の駆動波形（電位）１３６は、ゲートパルス信号１３１に同期して共通電位１３７に設定する。
【００３６】
ゲートパルス信号１３１により対応する走査線に接続された第１のトランジスタ１２１がオン状態となり、リセット期間１３４においては信号線１１０の電位が第２のトランジスタ１２２をオン状態にする電位にあるので、それまでの画像信号メモリ１２４の状態によらず第２のトランジスタ１２２がオン状態となり、基準電圧線１０８と電気光学媒体１２３との間が低抵抗状態となる。
【００３７】
そのとき基準電圧線１０８の電位は共通電位１３７にあるので、電気光学媒体１２３の両端は概ね同電位となる。すなわち、リセット期間１３４において、電気光学媒体１２３の両端の電位差は概ね0Vにリセットされる。
【００３８】
その後の画像信号書き込み期間１３５において、信号線１１０の駆動波形１３２における画像信号電圧が画像信号メモリ１２４に書き込まれる。画像信号メモリ１２４の状態に応じて第２のトランジスタ１２２のオン状態ないしオフ状態が制御される。
【００３９】
画像信号書き込み期間１３５において、画像信号メモリ１２４のノード１２５の電位が第２のトランジスタ１２２をオン状態にする電位にある場合には、すなわち、信号線１１０の駆動波形１３２がONの場合には、基準電圧線１０８と電気光学媒体１２３との間が低抵抗状態となり、該走査線に対応する画像信号書き込み期間の後、第１のトランジスタ１２１がオフ状態になった後にも、基準電圧線１０８と共通電極１２０との間の電位差が電気光学媒体１２３に印加される状態が保持される。
【００４０】
一方、画像信号書き込み期間１３５において、画像信号メモリ１２４のノード１２５の電位が第２のトランジスタ１２２をオフ状態にする電位にある場合には、すなわち、信号線１１０の駆動波形１３２がOFFの場合には、基準電圧線１０８と電気光学媒体１２３との間が高抵抗状態となり、実質的に電気光学媒体１２３はフローティング状態となる。基準電圧線１０８の電位が共通電位１３７にあるうちに第２のトランジスタ１２２がオフ状態となるために電気光学媒体１２３の両端の電位差が概ね0Vの状態で保持される。
【００４１】
以上の駆動シーケンスによって、画像信号メモリ１２４のリフレッシュと、電気光学媒体１２３に印加される電圧の状態の更新、すなわち表示画像の更新が行われる。
【００４２】
図７は、画像信号メモリ１２４のリフレッシュ及び電気光学媒体１２３に印加される電圧の状態の更新、すなわち表示画像の更新を行う各走査期間１２６における駆動シーケンスの第２の実施例を示しており、i-1、i、i+1行目の各走査線１０９を選択するゲートパルス信号１３１と信号線１１０の駆動波形１３２と、i-1、i、i+1行目の各基準電圧線１０８の駆動波形（電位）１３６の例を示している。
【００４３】
信号線１１０の駆動波形１３２は、電気光学媒体１２３の両端の電位差を概ね0Vとする場合と、基準電圧線１０８の電位１３６と共通電位１３７との差分の電位差とする場合とで異なった波形とする。
【００４４】
図７の信号線の駆動波形１３２（ＯＦＦ）は電気光学媒体１２３の両端の電位差を概ね0Vとする場合の信号線の駆動波形を示しており、信号線の駆動波形１３２（ＯＮ）は電気光学媒体１２３の両端の電位差を基準電圧線１０８の電位１３６と共通電位１３７との差分の電位差とする場合の信号線の駆動波形を示している。信号線１１０の駆動波形１３２は、ゲートパルス信号１３１の立下りの時点でサンプリングされて、画像信号メモリ１２４に書き込まれる。すなわち、駆動波形１３２（ＯＦＦ）は低レベルが、駆動波形１３２（ＯＮ）は高レベルがサンプリングされ、書き込まれる。
【００４５】
図７の信号線の駆動波形１３２は列方向に連続した数画素を全てＯＦＦ状態ないしＯＮ状態とする波形を示しているが、実際の駆動波形は画像信号に応じて両者が時間的に入り混じった波形となる。
【００４６】
前記図６の駆動シーケンスにおいては、前走査期間において画像信号メモリ１２４のノード１２５の電位が第２のトランジスタ１２２をオン状態にする電位で、かつ現走査期間においても同様の電位とする場合においても、リセット期間１３４において、電気光学媒体１２３の両端の電位差が概ね0Vとなっていた。そのため、電気光学媒体１２３の応答時間がリセット期間１３４に比べて十分長い場合には、たかだかリセット期間１３４の間だけ電気光学媒体１２３の両端の電位差を概ね0Vとしても電気光学媒体１２３が応答しないので表示に影響は与えないが、応答時間がリセット期間１３４と同等な気光学媒体１２３を用いた場合、応答して表示に影響、たとえばフリッカとして、表示に悪影響を与える可能性がある。
【００４７】
一方、図７に示した駆動シーケンスにおいては、第１のトランジスタ１２１が選択され、かつ基準電圧線１０８の駆動波形１３６が共通電位１３７電位に制御される期間内において、第２のトランジスタ１２２をオン状態にするのは、電気光学媒体１２３の両端の電位差を概ね0Vとしようとしている画素のみとすることができる。
【００４８】
図７の駆動シーケンスによれば、応答時間がリセット期間１３４と同等な気光学媒体１２３を用いた場合でも表示に悪影響を与えずに、画像信号メモリ１２４のリフレッシュと、フローティング状態の画素の電気光学媒体１２３の両端の電位を概ね0Vにリセットする動作と、画像表示の更新とを同時に行うことができる。
【００４９】
図８を用いて画像保持期間１２７における信号線１１０の駆動シーケンスについて説明する。同図は、基準電圧線１０８、走査線１０９、信号線１１０の駆動シーケンスを示す図である。
【００５０】
低周波駆動のためには、第１のトランジスタ１２１及び第２のトランジスタ１２２のオフ抵抗に配慮する必要がある。オフ抵抗とは、トランジスタのゲート電圧を制御してソース-ドレイン間を高抵抗状態に保ったときの電気抵抗を指す。第１のトランジスタ１２１のオフ抵抗は、画像信号メモリ１２４の状態を維持するために重要である。
【００５１】
第１のトランジスタ１２１のオフ抵抗が低い場合には、信号線１１０の電位の影響を受け画像信号メモリ１２４の状態が変化する。画像信号メモリ１２４の状態が変化して、第２のトランジスタ１２２のソース-ドレイン間の電気抵抗が変化すると、電気光学媒体１２３の両端の電位差が変動して輝度変動を生じる恐れがある。
【００５２】
オフ状態にある画像信号メモリ１２４の電位状態が保たれないと、第２のトランジスタ１２２の抵抗が変動しフローティング状態が保たれず、基準電圧線１０８の電位変動により電気光学媒体１２３の第２のトランジスタ１２２側の電位が変動し、電気光学媒体１２３の両端の電位差を0Vに維持できなくなる。その結果、表示状態が意図しない輝度に変化し、画質劣化が生じる。輝度状態の変化は、時間的に進行し、画像信号メモリのリフレッシュ時に望ましい輝度状態にリセットされる。したがって、画像信号メモリのリフレッシュ周期に同期したフリッカが生じてしまう。
【００５３】
保持期間１２７の信号線１１０の電位１３２を一定電位に設定することにより画像信号メモリ１２４の電位状態を制御できる。前記一定電位を第２のトランジスタ１２２をオフにする信号電位（オフ電位）とほぼ同等の電位にすると、オフ電位状態にある画像信号メモリ１２４のノード１２５の電位は変動せず、第２のトランジスタ１２２のオフ状態が保たれる。
【００５４】
あるいは、保持期間１２７において信号線１１０の電位をフローティングとする場合においても、前記一定電位を一度第２のトランジスタ１２２をオフにする信号電位（オフ電位）とほぼ同等の電位にしてからフローティングとする駆動シーケンスをとることが望ましい。
【００５５】
第２のトランジスタ１２２のオフ抵抗は、電気光学媒体１２３の両端の電位差を維持するために重要である。第２のトランジスタ１２２のオフ抵抗が低い場合には、電気光学媒体１２３と第２のトランジスタ１２２との間の点における電位が基準電圧線１０８の電位の影響を受けて時間とともに変動する。これにより電気光学媒体１２３の両端の電位差が変動するため、意図しない輝度変動が生じ、フリッカとして視認される。
【００５６】
第２のトランジスタ１２２がオフ状態にある場合の、電気光学媒体１２３の第２のトランジスタ１２２側の電位は、基準電圧線１０８の電位と共通電極１２０の電位との電位差を第２のトランジスタ１２２のオフ抵抗と電気光学媒体１２３の抵抗との分圧で決定される。したがって、電気光学媒体１２３の第２のトランジスタ１２２側の電位変動を抑制するためには、第２のトランジスタ１２２に接続された画素電極(反射電極)と共通電極１２０との間の電気光学媒体１２３の抵抗が、第２のトランジスタ１２２のオフ抵抗よりも低い方が望ましい。
【００５７】
一方、画像信号メモリ１２４のノード１２５の電位が第２のトランジスタ１２２をオンにする電位（オン電位）にある場合について説明する。
【００５８】
保持期間１２７の間、オン電位にある画像信号メモリ１２４のノード１２５の電位は、時間とともに、ほぼオフ電位と同等の電位に設定された信号線１１０の電位に漸近していく。基準電圧線１０８と共通電極１２０との間の電圧は第２のトランジスタ１２２と電気光学媒体１２３とで分圧されるが、第２のトランジスタ１２２の抵抗が電気光学媒体１２３の抵抗に比べて十分に低いうちには、基準電圧線１０８と共通電極１２０との間の電圧のうち第２のトランジスタ１２２への分圧は無視できる程度である。
【００５９】
さらに、電気光学媒体１２３を用いた表示方式として、上記の第２のトランジスタ１２２への分圧分の電圧低下では輝度変動がほとんどない方式を適用すれば、１Hzないしはそれ以下の超低周波駆動も可能となる。
【００６０】
図９に駆動シーケンスの第３の実施例を示す。図９の図７との相違点は、信号線１１０の駆動波形１３２（ON）のパルスの立下りを対応する走査線１０９のゲートパルス１３１の立下りよりも前に変更したことである。本駆動法において、信号線１１０の駆動波形１３２（OFF）の駆動シーケンスは図７と同様である。
【００６１】
一方、信号線１１０の駆動波形１３２（ON）の駆動シーケンスは次のようになる。ある走査線１０９のゲートパルス１３１が立ち上がった状態では第１のトランジスタ１２１がオン状態にあり、さらに信号線１１０の駆動波形１３２（ON）が立ち上がると第２のトランジスタ１２２がオン状態となる。このとき基準電圧線１０８の電位１３６は正極性電位又は負極性電位にあり、電気光学媒体１２３には前記正極性電位又は負極性電位と共通電位１３７との間の電圧が印加される。
【００６２】
その後、信号線１１０の駆動波形１３２（ON）が立下り第２のトランジスタ１２２はオフ状態となるが、このとき電気光学媒体１２３には、基準電圧線１０８の正極性電位又は負極性電位１３６が保持され、この保持された電位が印加される。さらにその後走査線１０９のゲートパルス１３１が立下り画像信号メモリ１２４のノード１２５の電位は第２のトランジスタ１２２をオフ状態に保持する電位がサンプリングされる。
【００６３】
本駆動法を適用することにより、第２のトランジスタ１２２として特にアモルファスシリコンTFTを適用した場合に生じる可能性のあるしきい値電圧の変動を抑制することができる。
【００６４】
図９では、基準電圧線１０８の電位１３６を共通電位１３７とするタイミングをゲートパルス１３１に対して前よりにしているが、信号線１１０の駆動波形１３２（OFF）と１３２（ON）のタイミングを入れ替えて、後よりにしてもよい。
【００６５】
また、本駆動法においてはゲートパルス１３１が立ち上がった状態にあるとき以外の基準電圧線１０８の電位１３６は基本的には任意であり、例えば画像保持期間１２７中はフローティング状態としてもよい。
【００６６】
本駆動法を適用する場合には、画素回路において図１０のように、共通線１２９を設け、共通線と電気光学媒体１２３の第２のトランジスタ１２２側との間に保持容量１２８を設けると、第２のトランジスタ１２２と電気光学媒体１２３との間の電位が安定してよい。
【００６７】
画像信号メモリ１２４のノード１２５の電位は本駆動法においては常に第２のトランジスタ１２２をオフ状態に保持する電位である。画像信号メモリ１２４は第２のトランジスタ１２２のゲートと共通線１２９との間に形成すると、ノード１２５の電位が安定してなおよい。
【００６８】
図１１及び図１２に本発明のアクティブマトリクスにおける画素１０２のレイアウト例を示す。画素１０２は信号線１１０と走査線１０９との交差部にアモルファスシリコン層１４５を有する第１のトランジスタ１２１を備え、さらに前記第１のトランジスタ１２１の信号線１１０とは反対側のソース電極に画像信号メモリ１２４及びスルーホールコンタクト１４２を介してゲートが接続された第２のトランジスタ１２２を備える。
【００６９】
本実施例における第１のトランジスタ１２１及び第２のトランジスタ１２２は、半導体層としてアモルファスシリコン層１４５を用いたアモルファスシリコンTFTである。前記第１のトランジスタ１２１のソース電極は、基準電圧線１０８及び第２のトランジスタ１２２のソースないしドレインとスルーホールコンタクト１４３を介して接続された電極１４４との間で容量を形成し、画像信号メモリ１２４として機能する。前記第２のトランジスタ１２２のソースないしドレインの一方は基準電圧線１０８にスルーホールコンタクト１４３を介して接続され、他の一方はスルーホールコンタクト１４１を介して図１２に示す反射電極(画素電極)１４６に接続される。
【００７０】
図１１及び図１２における断面A-A'、断面B-B'、断面C-C'、断面D-D'、断面E-E'を夫々図１３、図１４、図１５、図１６、図１７に示す。図１７だけは、液晶層１６６及び基板１６３も含んだ断面図であり、他はアクティブマトリクス側の基板１５０の断面図である。図１４ないし図１６において、４層の金属配線１５１、１５２、１４４、１４６が、その層間に絶縁膜１４７、１４８、１４９を介して積層されている。
【００７１】
図１３において、スルーホールコンタクト１４１は、第２のトランジスタ１２２のソースないしドレインに相当する金属配線１５１と反射電極１４６とを接続している。
【００７２】
図１４において、スルーホールコンタクト１４２は、第２のトランジスタ１２２のゲートに相当する金属配線１５２と第１のトランジスタ１２１のソースないしドレインに相当する金属配線１５１とを接続している。
【００７３】
図１５において、スルーホールコンタクト１４３は、基準電圧線１０８に相当する金属配線１５２と第２のトランジスタ１２２のソースないしドレインに相当する金属配線１５１と画像信号メモリ１２４を形成する電極１４４とを接続している。
【００７４】
図１６において、画像信号メモリ１２４を形成する電極１４４は、基準電圧線１０８に相当する金属配線１５２に、前記図１５に示すスルーホールコンタクト１４３を介して接続されて、画像信号メモリ１２４の一方の電極を形成し、電極１４４と金属配線１５２との間に、第１のトランジスタ１２１のソースないしドレインに相当する金属配線１５１が形成されて、画像信号メモリ１２４の他方の電極を形成する。このように、画像信号メモリ１２４は、２層以上の配線層と１層以上の絶縁層から形成されている。
【００７５】
図１３ないし図１６において、絶縁膜１４７及び絶縁膜１４８はCVD(Chemical Vapor Deposition)法により形成したシリコンナイトライド膜を用いた。絶縁膜１４９としては光
可塑性の樹脂を用いた。反射電極１４６としては光の反射率を高めるためにアルミニウムを用いた。電極１４４としては、図示されていない基板外部との電気的接続のための端子部の最上層の電極層と兼用してITO（Indium Tin Oxide）を用いた。金属配線層１５１及び金属配線層１５２としてはモリブデンとクロムの合金を用いた。
【００７６】
図１７は、アクティブマトリクス側の基板１５０と対向させた基板１６３との間に配向膜１６５及び１６７と、液晶層１６６と、透明電極１６４と、遮光層(ブラックマトリクス)１６８と、保護層１６９とを備え、前記基板１６３の前記液晶層１６６とは反対側の側面に位相差フィルム１６１及び１６２と、偏光板１６０とを備える。図１７はモノクローム表示の例を示しており、カラー表示を行うためにはさらにカラーフィルタ層が追加される。
【００７７】
また、図１７中には示していないが、散乱フィルムを貼付することにより適度な散乱性が得られ、視野角が広くなり、より紙に近い表示が可能となる。また、偏光板１６０に散乱性を付与してもよい。あるいはまた、絶縁層１４９を凹凸加工するか、絶縁層１４９と反射電極１４６との間に凹凸加工を施した絶縁層を新たに追加するなどして、その上に形成する反射電極１４６を凹凸加工することにより、反射光に適度な散乱性を付与することができ、視野角が広くなり、より紙に近い表示が可能となる。解像度の観点からも反射電極１４６に散乱性を付与することはより望ましい。
【００７８】
本実施例においては第１のトランジスタ１２１及び第２のトランジスタ１２２としてアモルファスシリコンTFTを用いた例について述べたが、必ずしもこれに限定されるわけではなく、ポリシリコンTFTを用いてもよい。
【実施例２】
【００７９】
本発明の表示装置における電気光学媒体１２３として電気泳動表示媒体を用いた実施例について説明する。図１８は、本発明の電気泳動表示装置の断面図である。電気泳動表示媒体は帯電粒子１７１と絶縁性溶媒１８１とからなる。
【００８０】
帯電粒子１７１としては各種有機顔料、無機顔料を用いることができ、その材質により様々な色を選択できる。黒色では例えばカーボンブラック、グラファイト、黒色酸化鉄、アイボリーブラック、二酸化クロム等がいずれも利用可能であり単体またはこれらを調合して用いれば良い。さらにこれら顔料をアクリル系ポリマー等の分散剤でコーティングすることで分散性を向上し、界面活性剤で粒子のゼータ電位を高めたものを用いると帯電粒子の安定性、応答速度が向上し好適である。
【００８１】
絶縁性溶媒１８１としては、キシレン、トルエン、シリコンオイル、流動パラフィン、塩化有機物、各種炭化水素、各種芳香族炭化水素等がいずれも利用可能であり単体またはこれらを調合して用いればよい。光利用効率の面からは透過率が高く、寿命の面からは電圧印加時のイオンを生じない高い絶縁性を持ち、移動速度の面からは粘度が低いものが好ましい。シリコンオイルを絶縁性溶媒１８１として、これに樹脂でコーティングした直径0.2μｍのカーボンブラック粒子を4wt%の濃度で分散させ、これを両基板間に封入、封止した。
【００８２】
アクティブマトリクス側の基板１５０は概ね実施例１と同様である。基板１６３にはパターニングされた共通電極１７７が形成されている。共通電極１７７の一部は隔壁１７０と重畳して形成されており、隣接する画素間で共有されている。これは、開口部の画素に占める割合である開口率を最大化するための重要な構成である。共通電極１７７は透明導電膜ないし金属薄膜で形成するとよい。
【００８３】
カーボンブラック粒子１７１はプラスに帯電し、反射電極１４６と共通電極１７７を同電位にするとカーボンブラック粒子１７１は反射電極１４６上に分散し、基板１６３側から黒表示が確認できた。一方反射電極１４６の電位が共通電極１７７の電位より10V高くなるように電圧を印加するとカーボンブラック粒子１７１は共通電極１７７に集まり、基板１６３側から白表示が確認できた。
【００８４】
隣り合う画素において、互いに異なる表示状態の時には隣接画素間に横電界が発生する。隣接画素間に隔壁１７０がないと帯電粒子１７１が画素の境界をまたいで移動する可能性がある。この現象が極端に進行すると図１に示す表示部１０７の場所毎の帯電粒子濃度が変化して表示むらが発生してしまう。この現象を防止するためには、ある範囲以上に帯電粒子が拡散しないように隔壁１７０を設けて空間的に領域を分離する必要がある。前記領域とは少なくとも一つの副画素(図３７に示す)ないし画素を含む領域である。本実施例においては、画素毎に電気泳動表示媒体を空間的に分離するための隔壁１７０を設けた。
隔壁１７０は光可塑性の樹脂を用いて形成した。
【００８５】
図１９から図２１を用いて、本発明の表示装置に用いた電気泳動表示媒体の電気光学特性について説明する。図１９から図２１の各図面の上図は反射電極１４６の共通電極１７７に対する電位、すなわち画素電圧であり、駆動波形に相当する。一方図１９から図２１の各図面の下図は輝度の応答波形である。横軸は何れの図面も時間である。
【００８６】
図１９の駆動波形は、500msから2500ms及び4500msから5000msにかけて反射電極１４６の電位を8Vとし、他の期間においては共通電極１７７と同電位としている。500ms及び450
0ms近傍で反射電極１４６の電位が0Vから8Vに切り替わった直後に輝度が急激に増加し明状態となり、2500ms近傍で反射電極１４６の電位が8Vから0Vに切り替わった直後からゆっくりと輝度が低下して暗状態になっている。しかしながら、明状態から暗状態への変化は遅く、たとえば新聞並みのコントラスト比である5:1のコントラスト比を得るまでには１秒以上の応答時間を要している。明状態から暗状態への移行は、共通電極１７７に引き寄せられた帯電粒子１７１が画素全体に自然に拡散することにより実現されるが、応答時間が遅い。
【００８７】
図２０の駆動波形は、500msから2500ms及び4500msから5000msにかけて反射電極１４６の電位を8Vとして、他の期間においては-5Vとしている。500ms及び4500ms近傍で反射電極１４６の電位が-5Vから8Vに切り替わった直後に輝度が急激に増加し明状態となり、2500ms近傍で反射電極１４６の電位が8Vから-5Vに切り替わった直後に急激に輝度が低下して暗状態になっている。しかしながら、コントラスト比は３以下と低い。これは、反射電極１４６の電位を-5Vとしたことにより、共通電極１７７に引き寄せられていた帯電粒子１７１を効果的に引き剥がしているが、帯電粒子１７１は共通電極１７７と概ね対向する反射電極１４６に引き寄せられてそこに留まり、画素全体への拡散が抑制されてしまうため暗状態の輝度が低くならず到達コントラスト比が低い。
【００８８】
図１９及び図２０に示した駆動方法の問題点を解決する駆動方法を図２１に示す。図２１の駆動波形は、500msから2500ms及び4500msから5000msにかけて反射電極１４６の電位を8Vとして、2500msで短期間反射電極１４６の電位を-5Vとした後共通電極１７７と同電位としている。500ms及び4500ms近傍で反射電極１４６の電位が0Vから8Vに切り替わった直後に輝度が急激に増加し明状態となり、2500ms近傍で反射電極１４６の電位が8Vから-5Vに切り替わりさらに0Vになる過程で急激に輝度が低下して暗状態になっている。
暗状態の到達輝度も図１９及び図２０よりも低くなっており、コントラスト比の高い表示が得られている。
【００８９】
図２２に基準電圧線１０８、走査線１０９、信号線１１０の駆動シーケンスを示す。駆動シーケンスは大まかに走査期間１２６(１２６Aと１２６B)と画像保持期間１２７の２つのステージに分けられる。走査期間１２６は画像信号メモリ１２４のリフレッシュ及び電気光学媒体１２３に印加される電圧の状態の更新、すなわち表示画像の更新を行う期間である。一方、画像保持期間１２７は、画面の走査を休止して、画像信号メモリ１２４の状態に応じて決まる各画素の表示状態を保持する期間である。走査期間１２６はさらに第一の走査期間１２６Aと第二の走査期間１２６Bとに分けられる。
【００９０】
基準電圧線１０８の駆動波形１３６は、第一の走査期間１２６Aにおいて対応する走査線を走査するタイミングにおいてリセット電位１７３に一定期間設定され、第二の走査期間１２６Bにおいて対応する走査線を走査するタイミングにおいて共通電位１３７に一定期間設定され、他の期間は共通電極１７７に対して正極性の電位に設定される。
【００９１】
各走査線１０９は、第一の走査期間１２６A及び第二の走査期間１２６Bの夫々において走査が行われる。信号線１１０は、第一の走査期間１２６A及び第二の走査期間１２６Bの夫々において、画像データに応じた駆動波形を供給し、画像保持期間１２７においては、第２のトランジスタ１２２をオフ状態にする電位１３２を設定する。これは、画像保持期間１２７において、特に第２のトランジスタ１２２をオフ状態に保つ画像信号メモリ１２４のノード１２５の電位が、第１のトランジスタのオフ抵抗を通じて変動するのを防止するためである。
【００９２】
図２３及び図２４を用いて本駆動方法をより詳細に説明する。図２３は第一の走査期間１２６Aのうちの任意の３本の走査線を走査する期間のタイミングチャートである。図２４は第二の走査期間１２６Bのうちの任意の３本の走査線を走査する期間のタイミングチャートである。
【００９３】
信号線１１０の駆動波形１３２は、電気光学媒体１２３の両端の電位差を概ね0Vとする場合と、基準電圧線１０８の電位１３６と共通電位１３７との差分の電位差とする場合とで異なった波形とする。信号線１１０の駆動波形１３２(OFF)は電気光学媒体１２３の両端の電位差を概ね0Vとする場合の信号線の駆動波形を示しており、信号線１１０の駆動波形１３２(ON)は電気光学媒体１２３の両端の電位差を基準電圧線１０８の電位１３６と共通電位１３７との差分の電位差とする場合の信号線の駆動波形を示している。
【００９４】
図２３及び図２４の信号線１１０の駆動波形１３２は列方向に連続した数画素を全てＯＦＦ状態ないしＯＮ状態とする波形を示しているが、実際の駆動波形は画像信号に応じて両者が時間的に入り混じった波形となる。
【００９５】
図２３において、信号線１１０に駆動波形１３２（OFF）が印加されている場合について、例えばi番目の走査線１０９について説明する。i番目の走査線１０９に対応するゲートパルス１３１が立ち上がり、第１のトランジスタ１２１がオン状態になるのに同期して、対応する基準電圧線１０８の駆動波形１３６を正極性電位からリセット電位１７３とする。その直後に信号線１１０の駆動波形１３２（OFF）が立ち上がり、第１のトランジスタ１２１がオン状態であるので第２のトランジスタ１２２もオン状態となる。
【００９６】
基準電圧線１０８の駆動波形１３６の電位はリセット電位１７３にあるので、電気光学媒体１２３には共通電極１２０に対して負極性の電圧が印加される。続いて信号線１１０の駆動波形１３２（OFF）が立下り、第１のトランジスタ１２１がオン状態であるので、電気光学媒体１２３には共通電極１２０に対して負極性の電圧が印加された状態を維持したまま第２のトランジスタ１２２がオフ状態となる。続いて基準電圧線１０８の駆動波形１３６の電位をリセット電位１７３から正極性電位に戻し、信号線１１０の駆動波形１３２（OFF）の電位がローレベルの状態でゲートパルス１３１を立ち下げる。したがって、画像信号メモリ１２４のノード１２５の電位が第２のトランジスタ１２２をオフ状態に保持する電位となった状態で、第１のトランジスタ１２１がオフ状態となる。
【００９７】
次に、図２３において、信号線１１０に駆動波形１３２（ON）が印加されている場合について、例えばi番目の走査線１０９について説明する。i番目の走査線１０９に対応するゲートパルス１３１が立ち上がり、第１のトランジスタ１２１がオン状態になるのに同期して、対応する基準電圧線１０８の駆動波形１３６を正極性電位からリセット電位１７３として再び正極性電位とする。その後信号線１１０の駆動波形１３２（ON）が立ち上がり、第１のトランジスタ１２１がオン状態であるので第２のトランジスタ１２２もオン状態となる。基準電圧線１０８の駆動波形１３６の電位は正極性電位にあるので、電気光学媒体１２３には共通電極１２０に対して正極性の電圧が印加される。
【００９８】
続いてゲートパルス１３１が立下り、画像信号メモリ１２４のノード１２５の電位が第２のトランジスタ１２２をオン状態に保持する電位の状態で第１のトランジスタ１２１がオフ状態となる。さらに、信号線１１０の駆動波形１３２（ON）を立ち下げる。この場合、第２のトランジスタ１２２は次の走査期間１２６を迎えるまで画像信号メモリ１２４のノード１２５の電位によりオン状態を保持される。したがって、画像保持期間１２７の間、電気光学媒体１２３には第２のトランジスタ１２２を介して基準電圧線１０８と共通電極１２０との間の電圧が印加される。
【００９９】
図２４は、図２３における基準電圧線１０８の駆動波形１３６のゲートパルス１３１に同期したパルスの設定電位をリセット電位１７３から共通電位１３７に変更した駆動シーケンスである。
【０１００】
本発明の回路構成並びに駆動方法を適用すれば、高速応答性とコントラスト比とを両立させることが可能となる。なぜならば、第二の電極１４６への黒電圧書き込みにより、インク粒子１７１が第二の電極１４６に引き寄せられるが、第２のトランジスタ１２２がオフでかつインクの比抵抗が低いことにより、第一の電極１７７と第二の電極１４６との間の電位差が時間とともに小さくなる。第一の電極１７７と第二の電極１４６との間の電位差が小さくなるにつれてインク粒子１７１は電極上から拡散していき均一に分散する。このため所望の黒輝度が得られ、高コントラスト比を実現することができる。
【０１０１】
図２３や図２４の駆動シーケンスを変更して、実施例１における図９のように、信号線１１０の駆動波形１３２（ON）のパルスの立下りを対応する走査線１０９のゲートパルス１３１の立下りよりも前に変更することも可能である。
【０１０２】
図２５を用いて本駆動法の変形を説明する。図２３との相違点は基準電圧線１０８の駆動波形１３６にある。図２５では走査線１０９のゲートパルス１３１に同期してリセット電位１７３にした後、画像信号メモリ１２４のノード１２５の電位を第２のトランジスタ１２２をオフ状態にする電位にするための信号線１１０の駆動波形１３２（OFF）がハイレベルにあるうちに共通電位１３７にする。本駆動法により、１回の走査でリセット及び帯電粒子の拡散を行うことができる。
【０１０３】
図２６から図３４は隔壁１７０及び共通電極１７７の構成の実施例である。図２６は図１８の隔壁１７０の部分の拡大図である。アクティブマトリクス基板において反射電極１４６間に隔壁１７０を設け、他方の基板１６３上に設けた共通電極１７７と重ね合わせて張り合わされる。共通電極１７７は隣接する画素の双方にとって共通電極として寄与するので全面積に占める表示に寄与する面積の比である開口率を高めることができる。隔壁１７０として光吸収性の材料を適用すると、共通電極１７７が透明電極であっても、外光が反射電極１４６間の隙間からTFT領域に侵入するのを防止することができる。
【０１０４】
図２７と図２６との相違点は遮光層１６８を基板１６３と共通電極１７７との間に設けたことである。遮光層１６８は共通電極１７７を透明導電膜で形成した場合には隣接する画素の間隙から光が侵入するのを防止する機能を備える。一方、共通電極１７７を金属薄膜で形成した場合には共通電極１７７の不要反射を防止する機能を備える。
【０１０５】
図２８では共通電極１７７上に密着層１７４を形成している。密着層１７４は例えば有機透明絶縁膜で形成され、２つの基板１５０、１６３間の密着性を増す効果がある。
【０１０６】
図２９では反射電極１４６上に保護層１７５を設けている。これは反射電極１４６の腐食防止のためである。
【０１０７】
図３０では反射電極１４６上の保護層１７６を塗布により隔壁１７０まで形成した実施
例を示している。
【０１０８】
図３１は隔壁１７８を共通電極１７７上に形成した実施例を示している。
【０１０９】
図３２は隔壁１７８を基板１６３上に形成した後、共通電極１７７が前記隔壁１７８を覆うように形成した実施例を示している。反射電極１４６上には共通電極１７７との絶縁性を保つために保護層１７９が設けられている。本構成によれば、共通電極１７７は壁電極となり帯電粒子１７１を吸着する面積が増大する一方、表示装置の観測者からは帯電粒子１７１が集められたときの面積が縮小するため、開口率を高めることができる。
【０１１０】
図３３は図３２の共通電極１７７を透明導電膜で形成した場合に必要となる遮光層１６８を設けた実施例である。
【０１１１】
図３４は、共通電極１７７と反射電極１４６との絶縁性を保つための保護層１８０を共通電極１７７に積層して設けた実施例である。もちろん共通電極１７７と反射電極１４６との絶縁性を保つための保護層は両方の基板１５０、１６３に設けてもよい。
【０１１２】
図３５は画素１０２と共通電極１７７のレイアウト例を示し、共通電極１７７を外部に引き出すための電極がその側面に形成されている。
【０１１３】
図３６は、帯電粒子１７１及び絶縁性溶媒１８１の印刷形成の実施例を示している。本発明の電気泳動表示装置は画素単位で隔壁が設けられているため、液晶表示装置のように２枚の基板を張り合わせて空のセルを作製してから液晶材料を封入するような工程でのパネル形成は困難である。各画素に均一に帯電粒子１７１及び絶縁性溶媒１８１を分散する方法としてはインクジェット印刷が好適である。表示領域の周辺に設けた隔壁１９２内をプリンタヘッド１９０で走査することにより、表示領域前面に渡って帯電粒子１７１及び絶縁性溶媒１８１からなるインク１９１が均一に分散される。
【０１１４】
本発明の表示装置は１画素単位では２値表示であるので、階調はディザ階調表示を行う必要がある。すべて正方形の画素でモノクローム表示の表示装置を構成した場合には、２×２画素単位で５階調、３×３画素単位で１０階調、４×４画素単位で１７階調、５×５画素単位で２６階調というように、ｎ×ｎ画素単位で（ｎ2＋１）階調の階調表示が可能である。ただし、階調表示時の精細度はｎ分の１に低下する。また、カラー表示を行う場合にはさらに精細度が３分の１に低下する。
【０１１５】
図３７に示すように、副画素を用いることにより階調表示時の精細度の低下を抑制することができる。図３７を用いて、副画素を用いた場合の階調表示方法を説明する。一つの画素２０１は２つの副画素２０１Ａ、２０１Ｂとから構成される。Ｒ画素の場合副画素は例えば２０１ＲＡ、２０１ＲＢのように記載する。ｍ×ｍ個の画素２０１により階調表示を行う。副画素の面積比はｎ：１であり、このときｎ＝ｍ2＋１の関係にある。いくつかのｍについての階調数について下記表１に示す。
【０１１６】
【表１】
2008176330.tif 000003
【０１１７】
例えば、ｍ＝１の場合には、ｎ＝２で画素２０１が２：１の面積比となる副画素に分割する。階調１としては、面積比１の副画素のみをONとし、階調２としては、面積比２の副画素のみをONとし、階調３としては、両副画素をONとする。このようにして、階調０を含めて４階調を表示することができる。また、ｍ＝２の場合には、ｎ＝５で画素２０１が５：１の面積比となる副画素に分割する。階調１としては、面積比１の副画素の１つのみをONとし、階調２としては、面積比１の副画素の２つのみをONとし、階調３としては、面積比１の副画素の３つのみをONとし、階調４としては、面積比１の副画素全てをONとする。次に、階調５としては、面積比５の副画素の１つのみをONとし、階調６としては、面積比５の副画素の１つと面積比１の副画素の１つのみをONとする。このようにして、階調０を含めて２５階調を表示することができる。
【０１１８】
このように、例えば３×３画素の場合において正方画素と比較すると、正方画素の場合階調数は１０階調であるのに対し、本階調表示方式では１００階調が表示できる。
【０１１９】
次にアクティブマトリクス基板１５０側に、隔壁１７０、共通電極１７７及び遮光層１６８を印刷により形成した場合について述べる。
【０１２０】
図３８は、反転印刷法により形成した隔壁構造を適用したパネル断面図である。反転印刷法により、隔壁１７０のパターンを版として使うことにより、隔壁１７０上に共通電極層１７７とブラックマトリクス１６８が順次積層形成されている。
【０１２１】
図３９は、反転印刷法により隔壁１７０を形成する工程の模式図である。反転印刷法とは撥インク性を主体とした印刷法であり、印刷工程は次の工程（１）（２）（３）からなる。
【０１２２】
（１）インク塗布装置２２３によりインク転写胴２２１の撥インク性ブランケット２２０上にインクを塗布してインク塗布面２２２を形成する工程
【０１２３】
（２）所望の印刷パターンの反転パターンが凸部になる画像形成版２２４により前記転写胴２２１のインク塗布面２２２よりインクを転写除去する工程
【０１２４】
（３）前記転写胴２２１に残ったインクを基板１５０上に転写する転写工程
【０１２５】
図４０は、反転印刷法の応用により、隔壁１７０上に共通電極１７７を形成する工程の模式図である。下層構造である隔壁１７０を画像形成版として用いているため、各層を下層構造に対してセルフアラインでインク塗布面２２５からのインクを転写・積層することができ、かつ共通電極１７７を形成するための画像形成版２２４（図３９）は不要である。また、セルフアラインで積層されるため共通電極層１７７を厚く形成することも可能である。金属層１７７を厚く形成することのメリットは帯電粒子１７１を共通電極層１７７に集めたときのディスプレイ面内方向への粒子の広がりが抑えられ、高開口率を確保できることである。
【０１２６】
あるいはまた、隔壁１７０の材料として有機材料を用いた場合、熱処理によって形状を制御可能である。基板１５０に接する下面の寸法に比べ上面の寸法を細くすることができる。積層する共通電極層１７７並びに遮光層(ブラックマトリクス)１６８の寸法は、隔壁１７０の上面の寸法を基準に形成されるので、隔壁１７０下面寸法に比べて小さくすることができる。この構造により画素内に生成されるスペースは、共通電極１７７に帯電粒子１７１を引き寄せたときのバッファ領域となり、開口率を高める効果が得られる。
【０１２７】
また、図３８に示した構成においては、反射電極１４６の下層には凹凸構造２４０及びレベリング層１４９からなる凹凸層が形成されている。したがって、反射電極１４６の形状は下層の凹凸層の形状に倣って凹凸面となっており、表示装置への入射光を散乱する機能を有する。凹凸構造２４０は、パターニング形成された樹脂層を加熱処理により凸面形状加工して形成されている。
【０１２８】
レベリング層１４９は、塗布形成され、かつ反射電極１４６と下層電極との接続部が除去加工されている。レベリング層１４９は、一層の膜により形成してもよいが、二層以上の膜により形成してもよい。また、レベリング層１４９を構成する膜の少なくとも一層は黒色樹脂を用いて形成することが望ましい。
【０１２９】
図３８は、透明樹脂からなる第一のレベリング層１４９Ａと黒色樹脂からなる第二のレベリング層１４９Ｂの積層構成例を示している。レベリング層として黒色樹脂を用いる理由は、表示装置への入射光が反射電極１４６の隙間を通って第１のトランジスタ１２１や第２のトランジスタ１２２に入射することを防止するためである。すなわち黒色樹脂からなるレベリング層１４９Ｂは遮光層としての働きを有する。
【０１３０】
第１のトランジスタ１２１や第２のトランジスタ１２２における半導体層に光が照射されると光誘起電気伝導が生じ意図しない動作を生じてしまう。しかも、本発明の表示装置は従来の表示装置と異なりフレーム周波数６０Ｈｚ以下の低周波駆動を行うことを特徴としているので、光誘起電気伝導による動作異常の影響が従来の表示装置よりも大きい。
【０１３１】
対向基板１６３上ないしは共通電極層１７７上に形成した遮光層１６８も表示装置外部からの入射光を遮光する機能を備えるが、斜め方向から表示装置に入射した光が反射電極１４６の隙間を通過することを防止することはできない。
【０１３２】
一方、黒色樹脂からなるレベリング層１４９Ｂは、反射電極１４６の隙間を全て覆うように形成されているので、反射電極１４６の隙間から入射する光を全て遮光することが可能である。凹凸層を形成する他の方法としては、塗布形成した黒色樹脂層を加熱処理により相分離させて形成する方法もある。あるいはまた、凹凸構造を備えた感光性フィルムを用いてもよい。
【実施例３】
【０１３３】
本実施例と実施例１、実施例２との相違点は、表示のメモリ性を備えた表示方式を採用している点である。ここでいう「表示のメモリ性を備えた」とは、電源を切っても表示された状態が維持されるという意味である。
【０１３４】
メモリ性を備えた表示方式の例としては、電気泳動表示方式、エレクトロクロミック表示方式、コレステリック液晶表示方式、液体移動表示方式、バイステーブルツイストネマティック液晶表示方式、強誘電性液晶表示方式、反強誘電性液晶表示方式等が挙げられる。本実施例に好適な表示方式はここに挙げた表示方式のみに限られるわけではなく、表示のメモリ性を備えた表示方式であれば適用可能である。
【０１３５】
メモリ性表示方式の第１の問題点は、画像の書き換え時に応答が完了するまで継続して電圧ないし電流を供給することが必要な点である。従来の１トランジスタ１キャパシタ構成のアクティブマトリクスでメモリ性表示方式を駆動する場合、電気光学媒体の応答時間が画面を走査する１フレーム期間よりも長いと画面走査を何度も繰り返して所望の電圧を電気光学媒体１２３に印加しつづける必要がある。
【０１３６】
また、メモリ性表示方式の第２の問題点は、電気光学媒体の比抵抗が通常の液晶に比べて低い点である。従来の１トランジスタ１キャパシタ構成のアクティブマトリクスでメモリ性表示方式を駆動すると、電気光学媒体の比抵抗が低いことが原因でリークが生じ、キャパシタに書き込まれた電圧を１フレーム期間保持することができない。このため電気光学媒体への実効的な印加電圧は低下するため、画像書き換えの際の画面走査回数はさらに増加し、また画像書き換えに要する時間は、電気光学媒体に連続して同じ電位の駆動電圧を印加しつづけた場合の応答時間よりも長くなってしまう。
【０１３７】
これらの問題点は、ディスプレイのライン数が、ごく少ないうちには大きくはないが、ディスプレイが高精細化し、ライン総数が大幅に増加した場合には、深刻な問題となる。
【０１３８】
トランジスタのオン抵抗の制限から取り得る１ライン選択期間には下限があるので、大幅なライン総数の増加は１フレーム分の走査期間の増加に繋がる。また、１フレーム分の走査期間の増加により、電気光学媒体への実効的な印加電圧はさらに低下するため必要な走査回数も増加する。したがって、従来の１トランジスタ１キャパシタ構成のアクティブマトリクスでメモリ性表示方式を駆動するディスプレイにおいては、ディスプレイの高精細化に伴い、画像書き換えに要する時間が大幅に増加してしまう。このような画面の切り換えに長い期間を要するディスプレイを備えた装置の操作性は著しく悪い。
【０１３９】
この問題を解決するための画素回路構成並びにその駆動方法について以下に述べる。画素回路構成は実施例１と同じく図２に示す回路構成である。すなわち、第１のトランジスタ１２１は、そのゲートが走査線１０９に接続され、そのドレインないしソースの一方が信号線１１０に接続され、ドレインないしソースの他方が画像信号メモリ１２４及び第２のトランジスタ１２２のゲートに接続されている。
【０１４０】
第２のトランジスタ１２２のドレインないしソースの一方は基準電圧線１０８に接続され、ドレインないしソースの他方は電気光学媒体１２３に接続される。電気光学媒体１２３の第２のトランジスタ１２２と反対側は共通電極１２０に接続される。電気光学媒体１２３の種類に応じて共通電極１２０はＴＦＴと同一基板上ないしは対向基板上のいずれか一方あるいは双方に設ける。
【０１４１】
図４１は、本実施例の駆動波形の模式図である。横軸は時間を示しており、画像書き換え期問２１８と画像保持期間２１７とに大きく分けられる。画像書換期間２１８は、さらに細かく走査期間（ａ）２１０から走査期間（ｄ）２１５及び保持期間（Ａ）２１１及び保持期間（Ｂ）２１４に分けられる。
【０１４２】
基準電圧線の電位１３６は、走査期間（ａ）から保持期間（Ａ）にかけてはＶRHとし、走査期間（ｂ）においては原則共通電位（コモン電位（Ｖcom）)とし、走査期間（ｃ）から保持期間（Ｂ）にかけてはＶRLとし、走査期間（ｄ）及び保持期間（Ｃ）２１７にかけてはコモン電位とする。
【０１４３】
走査期間（ａ）においては、画像信号が黒から白に変化する画素のみ走査線を選択するタイミングで信号線電位１３２をＨレベル（ＶDH）にする。Ｈレベル（ＶDH）にされた画素における第２トランジスタ１２２はオン状態となり、基準電圧線の電位１３６(ＶRH)が電気光学媒体１２３に印加される。ここで、走査期間（ａ）における走査回数は１回としているが、複数回走査してもよい。
【０１４４】
保持期間（Ａ）においては、信号線電位１３２はＬレベル（ＶDL）とし、走査は休止する。保持期間（Ａ）では、Ｈレベル（ＶDH）にされた画素における第２トランジスタ１２２はオン状態で、電気光学媒体１２３には、基準電圧線の電位１３６(ＶRH)が印加・保持される。なお、保持期間（Ａ）は、黒から白に変化する画素における光学応答が十分に飽和する時間を確保するとよい。
【０１４５】
走査期間（ｂ）２１２においては、信号線電位１３２をＬレベル（ＶDL）として走査線を走査することにより全ての第２のトランジスタ１２２をオフ状態にする。走査期間（ｂ）においては、基準電圧線の電位１３６をコモン電位にしておくとなおよい。
【０１４６】
走査期間（ｃ）２１３においては、画像信号が白から黒に変化する画素のみ走査線を選択するタイミングで信号線電位１３２をＨレベル（ＶDH）にする。Ｈレベル（ＶDH）にされた画素における第２トランジスタ１２２はオン状態となり、基準電圧線の電位１３６(ＶRL)が電気光学媒体１２３に印加される。ここで、走査期間（ｃ）における走査回数は１回としているが、複数回走査してもよい。
【０１４７】
保持期間（Ｂ）においては、信号線電位１３２はＬレベル（ＶDL）とし、走査は休止する。保持期間（Ｂ）では、Ｈレベル（ＶDH）にされた画素における第２トランジスタ１２２はオン状態で、電気光学媒体１２３には、基準電圧線の電位１３６(ＶRL)が印加・保持される。なお、保持期間（Ｂ）は白から黒に変化する画素における光学応答が十分に飽和する時間を確保するとよい。
【０１４８】
走査期間（ｄ）においては、信号線電位１３２をＬレベル（ＶDL）として走査線を走査することにより、前記走査期間（ｂ）と同様に、全ての画素電位をコモン電位とする。
【０１４９】
保持期問（Ｃ）においては、信号線電位１３２はＬレベル（ＶDL）とし、走査線の走査は休止する。
【０１５０】
先にも述べたように、メモリ性を備えた表示方式の電気光学媒体１２３は、一般に比抵抗が低く、従来方式では電気光学媒体１２３への駆動電圧印加を１フレーム期間維持できない。このため、画像書き換え期間に電気光学媒体１２３の本来の応答時間よりも大幅に長い期間を要してしまう。
【０１５１】
一方、表示のメモリ性を備えた表示方式を、本実施例の画素回路構成並びに駆動方法によって駆動することにより、前記保持期間（Ａ）（Ｂ）で説明したように、画像書き換え時において、電気光学媒体１２３が十分に応答するまで第２のトランジスタ１２２を介して基準電圧線１０８の駆動電圧１３６を電気光学媒体１２３に印加し続けることができる。したがって、画像書き換え期間は電気光学媒体１２３の応答時間と同程度である。
【０１５２】
本実施例は、２値表示の場合について述べた。一方、電圧変調による多値表示が可能な表示媒体を適用し、基準電圧線の電位をＶRH、ＶRL以外の電位にした状態で走査・保持する期間を追加すれば、アナログ階調による多値表示も可能であることはいうまでもない。
【０１５３】
図４２は、本実施例における他の駆動波形の模式図である。図４１と異なっている点は、走査期間（ｄ'）２１６を追加したことにある。走査期間（ａ）〜（ｄ）、保持期間（Ａ）〜（Ｃ）の動作については図４１と同じである。
【０１５４】
走査期間（ｄ'）においては、信号線電位１３２をＨレベル（ＶDH）として走査線を走査することにより全ての画素電位をコモン電位とする。走査期間（ｄ'）の追加により、電気光学媒体１２３の両端の電位が等しくなり、残留電荷が表示に悪影響を及ぼすことを防止する。
【０１５５】
本実施例においては、基準電圧線の電位１３６を切り換えるタイミングを全ラインで共通としたが、走査線の走査に同期して基準電圧線の電位を切り換えるタイミングを走査すると、各ラインを選択するタイミングと基準電圧線の電位の切り換えのタイミングとの相対関係が全てのラインで同等となり、画像表示の走査方向依存性が軽減されるのでなおよい。
【０１５６】
また、本実施例においては、書換え前後の画像データを比較し、黒から白ないし白から黒に変化する画素のみ書き換える構成例について述べたが、黒から白への書換え時に、同時に書換え前後の画像データが両方とも白である画素についてもリフレッシュする意味で当該画素を選択する際に信号線電位１３２をＨレベル（ＶDH）としてもよい。白から黒への書き換えについても同様である。すなわち、前記保持期間（Ａ）においては、全ての白を書換え、前記保持期間（Ｂ）においては、全ての黒を書き換える。この場合には、書換え前後の画像データを比較して差分を抽出する駆動シーケンス及びそのための回路構成を省略することができる。
【実施例４】
【０１５７】
図４３は、本実施例における駆動波形の模式図である。図４１と異なっている点は、走査期間（ｂ）及び走査期間（ｃ）を組み合わせて走査期間（ｃ'）２１９とした点と、走査期間（ａ）及び走査期間（ｃ'）において基準電圧線の電位１３６をコモン電位とした点である。
【０１５８】
走査期間（ｃ'）においては、走査期間（ａ）において黒から白に画像を書き換えた画素（第２のトランジスタ１２２をオンにした画素）の走査線を選択するタイミングで信号線電位１３２をＬレベル（ＶDL）にする一方、画像信号が白から黒に変化する画素の走査線を選択するタイミングで信号線電位をＨレベル（ＶDH）にする。
【０１５９】
この動作により、黒から白に画像が書き換えられた画素における電気光学媒体１２３の両端の電位が等しくなる。また当該画素における第２のトランジスタがオフ状態となり、その後の基準電圧線の電位変動の影響を受けなくなる。
【０１６０】
走査期間（ａ）及び走査期間（ｃ'）において、基準電圧線の電位１３６をコモン電位とし、走査期間の終了後に基準電圧線の電位１３６を変化させているのは、画面の上下で黒から白ないし白から黒に変化するタイミングを等しくするためである。
【０１６１】
図４４は本発明に係る表示装置を文庫リーダーに適用したものであって、本体２３０の表示枠２３１内に表示部２３２が備えられ、この表示部２３２に本発明に係る表示装置を採用する。図４４(a)はこの文庫リーダーを開いた場合を示し、その寸法は、例えば、幅が204mm程度で、長さが151mm程度である。図４４(b)は図４４(a)の底面図で、その厚さは、例えば、3mm程度である。図４４(c)はこの文庫リーダーを閉じた場合を示し、その寸法は、例えば、幅が105mm程度で、長さが151mm程度である。図４４(d)は図４４(c)の底面図で、その厚さは、例えば、6mm程度である。なお、本体２３０は開閉軸２３３によって開閉され、指で左右に操作して頁の送り戻しを行う頁操作ボタン２３４と機能操作のためのファンクションボタン２３５及び電源をオンオフするパワーボタン２３６を備えている。
【図面の簡単な説明】
【０１６２】
【図１】本発明の表示装置のブロック図
【図２】画素１０２の回路構成例を示す図
【図３】i行目の基準電圧線１０８の駆動波形(電位)１３６の例１を示す図
【図４】i行目の基準電圧線１０８の駆動波形(電位)１３６の例２を示す図
【図５】i行目の基準電圧線１０８の駆動波形(電位)１３６の例３を示す図
【図６】走査期間１２６の駆動シーケンスの例１を示す図
【図７】走査期間１２６の駆動シーケンスの例２を示す図
【図８】基準電圧線１０８、走査線１０９、信号線１１０の駆動シーケンスを示す図
【図９】走査期間１２６の駆動シーケンスの例３を示す図
【図１０】画素１０２の回路構成例を示す図
【図１１】反射電極１４６より下層の画素部のレイアウト例を示す図
【図１２】反射電極１４６を含む画素部のレイアウト例を示す図
【図１３】図１１及び図１２のＡ−Ａ'部の断面図
【図１４】図１１及び図１２のＢ−Ｂ'部の断面図
【図１５】図１１及び図１２のＣ−Ｃ'部の断面図
【図１６】図１１及び図１２のＤ−Ｄ'部の断面図
【図１７】図１１及び図１２のＥ−Ｅ'部の断面図
【図１８】第二の実施例の表示装置の断面図
【図１９】電気泳動表示媒体の電気光学特性の例を示す図
【図２０】電気泳動表示媒体の電気光学特性の例を示す図
【図２１】電気泳動表示媒体の電気光学特性の例を示す図
【図２２】基準電圧線１０８、走査線１０９、信号線１１０の駆動シーケンスを示す    図
【図２３】走査期間１２６Aの駆動方法の説明図
【図２４】走査期間１２６Bの駆動方法の説明図
【図２５】走査期間１２６A及びBの駆動方法の変形の説明図
【図２６】隔壁１７０及び共通電極１７７の構成の実施例を示す図
【図２７】隔壁１７０及び共通電極１７７の構成の実施例を示す図
【図２８】隔壁１７０及び共通電極１７７の構成の実施例を示す図
【図２９】隔壁１７０及び共通電極１７７の構成の実施例を示す図
【図３０】隔壁１７０及び共通電極１７７の構成の実施例を示す図
【図３１】隔壁１７８及び共通電極１７７の構成の実施例を示す図
【図３２】隔壁１７８及び共通電極１７７の構成の実施例を示す図
【図３３】隔壁１７８及び共通電極１７７の構成の実施例を示す図
【図３４】隔壁１７８及び共通電極１７７の構成の実施例を示す図
【図３５】画素１０２及び共通電極１７７のレイアウトを示す図
【図３６】帯電粒子１７１及び絶縁性溶媒１８１を印刷形成する実施例を示す図
【図３７】階調表示方法の説明図
【図３８】反転印刷法により形成した隔壁構造を適用したパネル断面図
【図３９】反転印刷法による隔壁構造の形成プロセスの模式図
【図４０】反転印刷法による共通電極の形成プロセスの模式図
【図４１】第三の実施例の駆動波形の模式図
【図４２】第三の実施例の駆動波形の模式図
【図４３】第四の実施例の駆動波形の模式図
【図４４】本発明の表示装置を適用した文庫リーダーの概略図
【符号の説明】
【０１６３】
１０１…パネル部、１０２…画素、１０３…走査線駆動回路(走査回路)、１０４…基準
電圧線駆動回路、１０５…タイミングコントローラ、１０６…セレクタスイッチ、１０７
…表示部、１０８…基準電圧線、１０９…走査線、１１０…信号線、１１１…信号線駆動
回路、１２０…共通電極、１２１…第１のトランジスタ、１２２…第２のトランジスタ、
１２３…電気光学媒体、１２４…画像信号メモリ、１２５…ノード、１２６…走査期間、
１２７…画像保持期間、１２８…保持容量、１３１…ゲートパルス信号、１３２…信号線
の駆動波形、１３３…i走査線の選択期間、１３４…リセット期間、１３５…画像信号書
き込み期間、１３６…基準電圧線の駆動波形、１３７…共通電位(コモン電位)、１４１、
１４２、１４３…スルーホールコンタクト、１４４…電極、１４５…アモルファスシリコ
ン層、１４６…反射電極(画素電極)、１４７、１４８、１４９…絶縁層、１４９Ａ…透明
樹脂層、１４９Ｂ…黒色樹脂層、１５０…基板、１５１、１５２…金属配線、１６０…偏
光板、１６１、１６２…位相差フィルム、１６３…基板、１６４…透明電極、１６５…配
向膜、１６６…液晶層、１６７…配向膜、１６８…遮光層(ブラックマトリクス)、１６９
…保護膜、１７０…隔壁、１７１…帯電粒子、１７３…リセット電位、１７４…密着層、
１７５、１７６…保護層、１７７…共通電極、１７８…隔壁、１７９、１８０…保護層、
１８１…絶縁性溶媒、２０１…画素、２１７…画像保持期間、２１８…画像書き換え期問
、２２０…撥インク性ブランケット、２２１…インク転写胴、２２２…インク塗布面、２
２３…インク塗布装置、２２４…画像形成版、２２５…インク塗布面、２３０…文庫リー
ダー本体、２３２…表示部、２４０…凹凸構造
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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