(57)【要約】      （修正有）【課題】優れた転写精度を有する転写マスクおよびその製造方法を提供すること。【解決手段】メンブレン形成領域を取り囲む形状の第１のシリコン層からなる支持層１１と、第１のシリコン層上に直接形成され、メンブレン形成領域を覆い、メンブレン形成領域において所定の荷電粒子線透過孔が形成された第２のシリコン層からなる薄膜層１３と、を有することを特徴とする転写マスク１７であって、支持層の表面のうち、メンブレン形成領域上に第１の薄膜層を選択的に形成し、第１の薄膜層を選択的に形成した支持層の表面に第２の薄膜層を形成し、第２の薄膜層を所定の厚さまで研磨し、支持層のうち、メンブレン形成領域における支持層を裏面から除去して開口部１５を形成し、開口部１５を通じて、第１の薄膜層を除去し、第２の薄膜層を、所定のパターンで除去することにより荷電粒子線透過孔を形成することを特徴とする転写マスクの製造方法。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
メンブレン形成領域を取り囲む形状の第１のシリコン層からなる支持層と、
前記第１のシリコン層上に直接形成され、前記メンブレン形成領域を覆い、前記メンブレン形成領域において所定の荷電粒子線透過孔が形成された第２のシリコン層からなる薄膜層と、を有することを特徴とする転写マスク。
【請求項２】
請求項１記載の転写マスクにおいて、前記第１のシリコン層は単結晶シリコンであり、前記第２のシリコン層は多結晶シリコンであることを特徴とする転写マスク。
【請求項３】
請求項１又は２のいずれかに記載の転写マスクにおいて、前記薄膜層の前記支持層に接していない領域は、前記支持層に接している領域よりも薄くされていることを特徴とする転写マスク。
【請求項４】
支持層の表面のうち、メンブレン形成領域上に第１の薄膜層を選択的に形成し、
前記第１の薄膜層を選択的に形成した前記支持層の表面に第２の薄膜層を形成し、
前記第２の薄膜層を所定の厚さまで研磨し、
前記支持層のうち、メンブレン形成領域における前記支持層を裏面から除去して開口部を形成し、
前記開口部を通じて、前記第１の薄膜層を除去し、
前記第２の薄膜層を、所定のパターンで除去することにより荷電粒子線透過孔を形成することを特徴とする転写マスクの製造方法。
【請求項５】
前記第１の薄膜層の選択的な形成は、前記支持層の表面に前記第１の薄膜層を形成し、前記第１の薄膜層を選択的に除去することにより行うことを特徴とする請求項４記載の転写マスクの製造方法。
【請求項６】
前記支持層は第１のシリコン層で構成され、前記第１の薄膜層はシリコン酸化膜で構成され、前記第２の薄膜層は第２のシリコン層で構成されていることを特徴とする請求項４又は５いずれかに記載の転写マスクの製造方法。
【請求項７】
前記第１のシリコン層は単結晶シリコン層であり、前記第２のシリコン層は多結晶シリコン層であることを特徴とする請求項６記載の転写マスクの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、転写マスクおよびその製造方法に関する。より詳細には、電子線やイオンビーム等の荷電粒子線露光に用いられる転写マスクおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＬＳＩ等の微細化が急速に進み、これらの素子の更なる微細な回路パターンを形成するためのリソグラフィー技術の開発が進められている。特に、線幅６５ｎｍ以下のパターン形成においては、従来のＡｒＦエキシマレーザーを露光光源として用いた露光方式では解像限界に達し、パターン形成が困難となっている。このため、これに代わるリソグラフィー技術として、レンズと露光対象ウェハ間を空気よりも屈折率の高い媒体で満たし、実効的な解像度を向上させる液浸リソグラフィー法が注目されている。この方法によれば、従来のＡｒＦエキシマレーザーで形成が困難であった６５ｎｍ以下のパターンを形成することが可能であると期待されている。
【０００３】
しかし、液浸リソグラフィー法を用いた場合、実効的な解像度は向上させることが可能であるが焦点深度が低くなるため、高アスペクト比のホールパターンの形成が困難となる。また、液浸リソグラフィー法によっても４５ｎｍノード以下の微細パターンに対しては解像限界に達する可能性があり、この問題を解決する方法のひとつに荷電粒子線リソグラフィーが挙げられる。
【０００４】
荷電粒子線リソグラフィーは、従来用いられてきたＡｒＦやＫｒＦ等のエキシマレーザーの代わりに、電子線やイオンビーム等の荷電粒子線を露光光源として利用する技術である。
【０００５】
荷電粒子線リソグラフィーでは露光光源となる荷電粒子線を所望の荷電粒子線透過孔パターンが形成された転写マスクに照射し、ウェハ上のレジストを感光させ微細パターンの形成を行う。従来のエキシマレーザーを用いた露光方法に比べて焦点深度および解像度の向上が期待できる。
【０００６】
荷電粒子線露光に用いられる転写マスクの製造にはＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）ウェハが多く用いられている。図３（ａ）に示すように、ＳＯＩウェハ（１４）は単結晶シリコンからなる支持層（１１）上にシリコン酸化膜からなるエッチングストッパー層（１２）が形成され、前記エッチングストッパー層（１２）の上に単結晶シリコンからなる薄膜層（１３）が形成された３層構造となっている。転写マスクの製造に用いられるＳＯＩウェハは通常、支持層の厚みが５００μｍ〜７２５μｍ、エッチングストッパー層の厚みが０．５μｍ〜１．０μｍ、薄膜層の厚みが０．５μｍ〜２．０μｍ程度であり、これらの各層の膜厚は露光方式により使い分けられる。
【０００７】
ＳＯＩウェハを用いた転写マスク（１７）の構造例を図３（ｂ）に示す。支持層（１１）には荷電粒子線を透過させるための開口部（１５）が形成され、薄膜層（１３）には荷電粒子線を微細パターンに形成するための荷電粒子線透過孔（１６）が形成される。なお、薄膜層（１３）は単層自立膜（以下、メンブレンと記述）となっている。メンブレンの厚さは露光に使用する荷電粒子線の加速電圧や露光方式により異なるが、荷電粒子線透過孔（１６）を透過する荷電粒子線以外はメンブレンにより遮蔽もしくは散乱され、荷電粒子線透過孔（１６）を透過した荷電粒子線によってレジストが露光される。このようにメンブレン上に微細パターンが形成された転写マスクはステンシルマスクと呼ばれる。
【０００８】
通常ステンシルマスクの製造では、荷電粒子線透過孔と開口部を別個に形成するため、荷電粒子線透過孔及び開口部を形成する際にエッチングストッパー層が必要となる。ステンシルマスクの製造にＳＯＩウェハを使用する利点は、薄膜層をメンブレンとして、シリコン酸化膜をエッチングストッパー層として利用することが可能である点である。シリコンウェハ上に薄膜層及びエッチングストッパー層をＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法やＰＶＤ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により形成する場合、各層の膜厚の精密な制御や、膜欠陥の管理が必要となり、ステンシルマスク製造にかかる工程数と製造コストが増加する。
【０００９】
これに対し技術完成度の高いＳＯＩウェハをステンシルマスク製造用ウェハとして用いることで、ステンシルマスク製造にかかる工程数とコストを削減することが可能となる。このためＳＯＩウェハは荷電粒子線露光用のステンシルマスク製造用基板として多く用いられている。
【００１０】
予め、薄膜層やエッチングストッパー層が形成されたＳＯＩウェハを用いることでステンシルマスクの製造自体は容易となる一方で、ＳＯＩウェハ全体にエッチングストッパー層が有する圧縮応力に起因した反りが発生するという問題がある。一般に、薄膜の応力は引っ張り応力と圧縮応力に分けられ、引っ張り応力は膜自体が収縮する方向に力が働き、引っ張り応力を有する薄膜が形成された基板は薄膜側に凹型に反る。圧縮応力は薄膜自身が伸長する方向に力が働くため、成膜後の基板は薄膜側に凸型に反る。
【００１１】
ＳＯＩウェハの反りの原因となるシリコン酸化膜からなるエッチングストッパー層は圧縮応力であり、この圧縮応力はエッチングストッパー層側に凸型に反った変形を発生させる。この反り量はＳＯＩウェハの製造方法により多少のばらつきは生じるが、概ねエッチングストッパー層の応力と膜厚により決定する。エッチングストッパー層を構成するシリコン酸化膜は加熱処理により形成される熱酸化膜であり、その応力は約３００ＭＰａの圧縮応力である。
【００１２】
ＳＯＩウェハ全体の反り量はエッチングストッパー層の応力の他にＳＯＩウェハを構成する各層の膜厚や口径等によっても異なるが、例えばＥＰＬ用のステンシルマスク製造用ウェハとして用いられる薄膜層の膜厚が２μｍ、エッチングストッパー層の膜厚が１μｍ、支持層の膜厚が７２５μｍの８インチＳＯＩウェハでは、ＳＯＩウェハ全体で薄膜層側に８５μｍ程度膨らんだ形の反りが発生することが予想される。
【００１３】
ＳＯＩウェハに上記のような大きな反りが発生した場合、メンブレンに形成される荷電粒子線透過孔の位置精度に悪影響を及ぼす。例えば、ステンシルマスクは静電チャック方式のマスクホルダーに設置された状態で、露光機の中に設置されるが、大きな反りを有するステンシルマスクをマスクホルダーに設置すると、ステンシルマスク全体に変形が生じる。この変形は再現性及び規則性がなく、変形を予測して荷電粒子線透過孔の位置を決定する等の回避手段を採ることが出来ない。
【００１４】
また、このＳＯＩウェハの反りは、ステンシルマスクの製造の際にも悪影響を及ぼす。例えば、メンブレン上に形成される荷電粒子線透過孔は、荷電粒子線描画により形成されたレジストパターンをエッチングマスクとしてプラズマエッチングにより形成されるが、荷電粒子線描画機にＳＯＩウェハを設置する際に、露光機の場合と同様にＳＯＩウェハ自体に再現性のない変形が発生するため、メンブレン上に形成される荷電粒子線透過孔のレジストパターンの位置精度も悪化することになる。
【００１５】
このため、転写精度の高いステンシルマスクを製造し、かつ、露光機に設置されたマスクの転写精度の悪化を防止するためには反り変形の少ないＳＯＩウェハを用いてステンシルマスクを製造することが必要となる。
【００１６】
ＳＯＩウェハの反りを緩和する方法としては、例えば、予めＳＯＩウェハの支持層裏面に形成されているシリコン酸化膜を反り調整層として用いる方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。この方法は効果があるものの、シリコン酸化膜からなるエッチングストッパー層を除去する際に、同時に上記反り調整層として用いるシリコン酸化膜がエッチングされないよう対策をとる必要が生じる。また、ステンシルマスク裏面に絶縁性のシリコン酸化膜が残存することになるため、実際の荷電粒子線描画時にステンシルマスク裏面に荷電粒子線が照射されると、ステンシルマスク自体がチャージアップし、荷電粒子線が偏向して転写精度が大幅に悪化するという問題も発生する。
【特許文献１】特開２００２−１５１３８５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
本発明は、上記問題点に鑑みなされたもので、ＳＯＩウェハを用いて作製される転写マスク（ステンシルマスク）に発生するエッチングストッパー層の圧縮応力に起因した反りという転写マスクの欠陥を低減し、優れた転写精度を有する転写マスク（ステンシルマスク）およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
上記目的を達成するため、本発明では、メンブレン形成領域を取り囲む形状の第１のシリコン層からなる支持層と、第１のシリコン層上に直接形成され、メンブレン形成領域を覆い、メンブレン形成領域において所定の荷電粒子線透過孔が形成された第２のシリコン層からなる薄膜層と、を有することを特徴とする転写マスクを提供する。
【００１９】
上記第１のシリコン層は単結晶シリコンであり、上記第２のシリコン層は多結晶シリコンであることが望ましい。
【００２０】
薄膜層の支持層に接していない領域は、支持層に接している領域よりも薄くされていることが望ましい。
【００２１】
また、上記目的を達成するため、本発明では、支持層の表面のうち、メンブレン形成領域上に第１の薄膜層を選択的に形成し、第１の薄膜層を選択的に形成した支持層の表面に第２の薄膜層を形成し、第２の薄膜層を所定の厚さまで研磨し、支持層のうち、メンブレン形成領域における支持層を裏面から除去して開口部を形成し、開口部を通じて、第１の薄膜層を除去し、第２の薄膜層を、所定のパターンで除去することにより荷電粒子線透過孔を形成することを特徴とする転写マスクの製造方法を提供する。
【００２２】
上記第１の薄膜層の選択的な形成は、支持層の表面に第１の薄膜層を形成し、第１の薄膜層を選択的に除去することにより行なってもよい。
【００２３】
上記支持層は第１のシリコン層で構成され、上記第１の薄膜層はシリコン酸化膜で構成され、上記第２の薄膜層は第２のシリコン層で構成されることが望ましい。
【００２４】
上記第１のシリコン層は単結晶シリコン層であり、上記第２のシリコン層は多結晶シリコン層であることが望ましい。
【発明の効果】
【００２５】
本発明の転写マスクは、ＳＯＩウェハを用いて作製される従来の転写マスクと異なり、大きな圧縮応力を有するシリコン酸化膜からなるエッチングストッパー層が存在しない。すなわち、ＳＯＩウェハを用いて作製される従来の転写マスクに比べ、転写マスクの欠陥である反りが大幅に低減され、優れた転写精度を有する転写マスクとなる。
【００２６】
本発明の転写マスクの製造方法によると、ＳＯＩウェハを用いて作製される従来の転写マスクと異なり、大きな圧縮応力を有するシリコン酸化膜からなるエッチングストッパー層が残存しない転写マスクを製造することができる。すなわち、ＳＯＩウェハを用いて作製される従来の転写マスクに比べ、転写マスクの致命的欠陥である反りが大幅に低減され、優れた転写精度を有する転写マスクを得ることができる。
【００２７】
その結果、本発明の転写マスクや本発明の製造方法によって作製された転写マスクを用いると、半導体デバイス等のパターンの製造を高い歩留りで行うことが出来る。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
本発明の転写マスク（２１０）を図２（ｄ）に示す。
【００２９】
本発明の転写マスク（２１０）は、メンブレン形成領域を取り囲む形状の第１のシリコン層からなる支持層（２１）と、支持層（２１）上に、シリコン酸化膜等の膜を介さずに、直接形成された第２のシリコン層からなる薄膜層（２４）からなる。この薄膜層（２４）は、メンブレン形成領域を覆い、メンブレン形成領域において所定の荷電粒子線透過孔（２９）が形成されている。第１のシリコン層は単結晶シリコンであり、第２のシリコン層は多結晶シリコンである。さらに、薄膜層（２４）の支持層（２１）に接していない領域は、支持層（２１）に接している領域よりも薄くされている。
【００３０】
以下、本発明の転写マスクの製造方法の一例について説明する。図１（ａ）〜（ｆ）及び図２（ａ）〜（ｄ）は本発明の転写マスクの製造方法の一例を示す断面図である。
【００３１】
まず、図１（ａ）に示すとおり、支持層（２１）の表面および裏面に第１の薄膜層（２２）を形成する。なお、便宜上、支持層（２１）における荷電粒子線透過孔を形成する面を表面、前記表面と反対側の面を裏面とする。ここで、後に実施する第１の薄膜層（２２）の加工を精度良く行うために、支持層（２１）はできるだけ小さい反りを有するものを用いることが望ましい。また、後に形成する第２の薄膜層（２４）からなるメンブレンの膜厚を基板面内でできるだけ均一にするために、第１の薄膜層（２２）を形成する際には第１の薄膜層（２２）の膜厚が基板面内でできるだけ均一になるように形成することが望ましい。
【００３２】
次に、図１（ｂ）に示すとおり、支持層（２１）の表面側に形成した第１の薄膜層（２２）上にフォトレジストをスピンナー等で塗布して感光層を形成し、パターン露光、現像等のパターニング処理を行って、メンブレン形成領域（Ａ）にレジストパターン（２３）を形成する。
【００３３】
次に、図１（ｃ）に示すとおり、レジストパターン（２３）をエッチングマスクにしてドライエッチング等により、支持層（２１）をエッチングストッパー層として支持層（２１）の表面側に形成した第１の薄膜層（２２）をエッチングして除去する。その後、残存するレジストパターン（２３）をレジスト剥離液等により除去する。
【００３４】
次に、図１（ｄ）に示すとおり、支持層（２１）の裏面側に形成した第１の薄膜層（２２）を除去する。
【００３５】
次に、図１（ｅ）に示すとおり、上記支持層（２１）の表面側におけるメンブレン形成領域（Ａ）にのみ第１の薄膜層（２２）が形成された基板において、支持層（２１）の表面側に第２の薄膜層（２４）を形成する。
【００３６】
ここで、支持層（２１）の表面側に形成する第２の薄膜層（２４）の膜厚は、後に第２の薄膜層（２４）の研磨を行うことを考慮し、所望の膜厚よりも大きくしておく必要がある。また、支持層（２１）の表面側に第２の薄膜層（２４）を形成する際には、第２の薄膜層（２４）形成後における基板の反りができるだけゼロに近くなるように、第２の薄膜層（２４）の応力を制御することが望ましい。
【００３７】
次に、図１（ｆ）に示すとおり、上記支持層（２１）表面に形成された第２の薄膜層（２４）を所望の厚さに研磨する。
【００３８】
次に、図２（ａ）に示すとおり、支持層（２１）の裏面上にフォトレジストをスピンナー等で塗布して感光層を形成し、パターン露光、現像等のパターニング処理を行って、レジストパターン（２５）を形成する。
【００３９】
次に、図２（ｂ）に示すとおり、レジストパターン（２５）をエッチングマスクにしてドライエッチング等により、支持層（２１）表面上のメンブレン形成領域（Ａ）に形成された第１の薄膜層（２２）をエッチングストッパー層として支持層（２１）のエッチング加工を行い、開口部（２６）を形成する。その後、メンブレン形成領域（Ａ）に残存する第１の薄膜層（２２）およびレジストパターン（２５）を除去し、メンブレン形成領域（Ａ）を第２の薄膜層（２４）からなるメンブレンとすることにより転写マスクブランク（２７）を得る。
【００４０】
次に、図２（ｃ）に示すとおり、第２の薄膜層（２４）からなるメンブレン上に電子線レジストをスピンナー等で塗布して感光層を形成し、電子ビーム描画、現像等のパターニング処理を行って、レジストパターン（２８）を形成する。
【００４１】
次に、図２（ｄ）に示すとおり、レジストパターン（２８）をエッチングマスクにして、ドライエッチング等によるエッチング加工によりメンブレンに荷電粒子線透過孔（２９）を形成する。その後、残存するレジストパターン（２８）を除去することにより転写マスク（２１０）を得る。
【００４２】
ここで、支持層（２１）および第１の薄膜層（２２）を構成する材料としては、例えばＳＯＩウェハを用いて作製される従来の転写マスクにおける加工技術を適用できるため、それぞれ単結晶シリコン、シリコン酸化膜を好適に用いることができる。また、第２の薄膜層（２４）を構成する材料としては、例えば上記と同様の理由で単結晶シリコンを用いることが望ましいが、支持層（２１）表面上のメンブレン形成領域（Ａ）に第１の薄膜層（２２）が形成された基板における表面上に単結晶シリコン層を形成することが困難な場合には、代わりに多結晶シリコンを好適に用いることができる。
【００４３】
なお、上記例においては、支持層（２１）に開口部（２６）を形成した後に第２の薄膜層（２４）からなるメンブレンに荷電粒子線透過孔（２９）を形成したが、逆に第２の薄膜層（２４）に荷電粒子線透過孔（２９）を形成した後に支持層（２１）に開口部（２６）を形成しても良い。
【００４４】
上記した本発明の転写マスクの製造方法によると、ＳＯＩウェハを用いて作製される従来の転写マスクと異なり、大きな圧縮応力を有するシリコン酸化膜からなるエッチングストッパー層が残存しない転写マスクを製造することができる。すなわち、ＳＯＩウェハを用いて作製される従来の転写マスクに比べ、転写マスクの致命的欠陥である反りが大幅に低減され、優れた転写精度を有する転写マスクを得ることができる。その結果、本発明の転写マスクの製造方法によって作製された転写マスクを用いると、半導体デバイス等のパターンの製造を高い歩留りで行うことが出来る。
【実施例】
【００４５】
以下実施例により、本発明の転写マスクの製造方法について説明する。
【００４６】
まず、図１（ａ）に示すとおり、７２５μｍ厚の単結晶シリコンからなる２００ｍｍΦの支持層（２１）の表面および裏面に熱酸化法により１．０μｍ厚のシリコン酸化膜からなる第１の薄膜層（２２）を形成した。便宜上、支持層（２１）における荷電粒子線透過孔を形成する面を表面、前記表面と反対側の面を裏面とする。支持層（２１）の表面および裏面に第１の薄膜層（２２）を形成する前後における基板が有する反り量を測定したところ、ともに＋３．０μｍであった。なお、反り量の符号は支持層（２１）の表面側に膨らんでいる場合を＋（プラス）、裏面側に膨らんでいる場合を−（マイナス）と定義する。また、基板の自重による影響を除外するため、支持層（２１）表面側を上面にして測定した反り量と支持層（２１）裏面側を上面にして測定した反り量の差の１／２を基板の反り量とした。
【００４７】
次に、図１（ｂ）に示すとおり、支持層（２１）の表面側に形成した第１の薄膜層（２２）上にフォトレジストおよび帯電防止剤をスピンナーで塗布して２．０μｍ厚の感光層を形成し、パターン露光、現像等のパターニング処理を行って、一辺３０ｍｍの正方形からなるメンブレン形成領域（Ａ）にレジストパターン（２３）を形成した。
【００４８】
次に、図１（ｃ）に示すとおり、レジストパターン（２３）をエッチングマスクにしてフロロカーボン系の混合ガスプラズマを用いたドライエッチングにより、支持層（２１）をエッチングストッパー層として支持層（２１）の表面側に形成した第１の薄膜層（２２）をエッチングして除去した。その後、残存するレジストパターン（２３）をレジスト剥離液により除去した。
【００４９】
次に、図１（ｄ）に示すとおり、支持層（２１）の裏面側を濃度５％のフッ化水素酸溶液に浸漬することにより、支持層（２１）の裏面側に形成した第１の薄膜層（２２）を除去した。ここで、基板の反り量を測定したところ、＋５．７μｍであった。
【００５０】
次に、図１（ｅ）に示すとおり、上記支持層（２１）の表面側におけるメンブレン形成領域（Ａ）にのみ第１の薄膜層（２２）が形成された基板において、支持層（２１）の表面側にスパッタリング法により多結晶シリコンからなる第２の薄膜層（２４）を形成した。支持層（２１）の表面から第２の薄膜層（２４）の表面までの厚さを基板面内で測定したところ、４．２μｍ〜４．９μｍの範囲で分布していた。また、支持層（２１）の表面側に第２の薄膜層（２４）を形成する際には第２の薄膜層（２４）が有する応力が引っ張り応力になるように成膜圧力等を制御した。第２の薄膜層（２４）形成後における基板の反り量を測定したところ、−０．５μｍであった。
【００５１】
次に、図１（ｆ）に示すとおり、上記支持層（２１）表面に形成された第２の薄膜層（２４）を、支持層（２１）の表面から第２の薄膜層（２４）の表面までの厚さが３．０μｍとなるように研磨した。
【００５２】
次に、図２（ａ）に示すとおり、支持層（２１）の裏面上にフォトレジストをスピンナーで塗布して５０μｍ厚の感光層を形成し、パターン露光、現像等のパターニング処理を行って、レジストパターン（２５）を形成した。
【００５３】
次に、図２（ｂ）に示すとおり、レジストパターン（２５）をエッチングマスクにしてフロロカーボン系の混合ガスプラズマを用いたドライエッチングにより、支持層（２１）表面上のメンブレン形成領域（Ａ）に形成された第１の薄膜層（２２）をエッチングストッパー層として支持層（２１）のエッチング加工を行い、開口部（２６）を形成した。その後、メンブレン形成領域（Ａ）に残存する第１の薄膜層（２２）およびレジストパターン（２５）をそれぞれ濃度５％のフッ化水素酸溶液、レジスト剥離液に基板を浸漬することにより除去し、メンブレン形成領域（Ａ）を２．０μｍ厚の第２の薄膜層（２４）からなるメンブレンとすることにより転写マスクブランク（２７）を得た。
【００５４】
次に、図２（ｃ）に示すとおり、上記第２の薄膜層（２４）からなるメンブレン上に電子線レジストをスピンナーで塗布して１．０μｍ厚の感光層を形成し、電子ビーム描画、現像等のパターニング処理を行って、レジストパターン（２８）を形成した。
【００５５】
次に、図２（ｄ）に示すとおり、レジストパターン（２８）をエッチングマスクにして、フロロカーボン系の混合ガスプラズマを用いたドライエッチングによるエッチング加工によりメンブレンに荷電粒子線透過孔（２９）を形成した。その後、残存するレジストパターン（２８）をレジスト剥離液に基板を浸漬することにより除去し、転写マスク（２１０）を得た。
【００５６】
以上の方法により作製した転写マスク（２１０）の反り量は−２．０μｍと非常に平坦であった。また、転写マスク（２１０）を用いて電子線露光を行い、パターン転写精度を測定したところ、同一パターンが設けられた、ＳＯＩウェハを用いて作製された従来構造の転写マスクを用いた場合に比べて転写パターンの位置精度が大幅に向上していることが確認された。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】本発明の転写マスクの製造方法の工程の一部を示す断面図である。
【図２】本発明の転写マスクの製造方法の工程の一部を示す断面図である。
【図３】(a)はＳＯＩウェハの一例を示す断面図である。(b)は従来の転写マスクの一例を示す断面図である。
【符号の説明】
【００５８】
１１、２１    支持層
１２          エッチングストッパー層
１３          薄膜層
１４          ＳＯＩウェハ
１５、２６    開口部
１６、２９    荷電粒子線透過孔
１７、２１０  転写マスク
２２          第１の薄膜層
２３、２５、２８  レジストパターン
２４          第２の薄膜層
２７          転写マスクブランク
Ａ            メンブレン形成領域
【図１】
2008218673.tif 000003
【図２】
2008218673.tif 000004
【図３】
2008218673.tif 000005