(57)【要約】【課題】  本発明の目的は、高温環境においての表示品質の低下を防止することができる液晶表示パネル及びその製造方法を提供することにある。【解決手段】  本発明に係る液晶表示パネルは、液晶を介して互いに対向する上部アレイ基板及び下部アレイ基板と；前記上部アレイ基板及び下部アレイ基板のそれぞれに形成され、前記液晶を配向させる配向膜とを備え、前記配向膜は、ポリベンゾオキサゾール系化合物、ポリベンゾチアゾール系化合物、ポリベンゾイミダゾール系化合物の中のいずれか一つに光活性基が作用基として結合された高分子からなる。【選択図】図３
2008077050.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶を介して互いに対向する上部アレイ基板及び下部アレイ基板と；
前記上部アレイ基板及び下部アレイ基板のそれぞれに形成され、前記液晶を配向させる配向膜と
を備え、前記配向膜は、ポリベンゾオキサゾール系化合物、ポリベンゾチアゾール系化合物、ポリベンゾイミダゾール系化合物の中のいずれか一つに光活性基が作用基として結合された高分子からなることを特徴とする液晶表示パネル。
【請求項２】
前記ポリベンゾオキサゾール系化合物は、フェニレンジカルボン酸及びジアミノベンゼンジオール二塩酸塩の重縮合反応により製造されることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示パネル。
【請求項３】
前記ポリベンゾチアゾール系化合物は、フェニレンジカルボン酸及びジアミノベンゼンジチオール二塩酸塩の重縮合反応により製造されることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示パネル。
【請求項４】
前記ポリベンゾイミダゾール系化合物は、フェニレンジカルボン酸及びテトラアミンの重縮合反応により製造されることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示パネル。
【請求項５】
前記光活性基は、光重合、光異性化、光分解及び光再配列の中のいずれか一つの反応ができる基であることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示パネル。
【請求項６】
前記光重合ができる基を有する反応物質としては、シンナミック酸誘導体、カルコン誘導体、クマリン誘導体、マレイミド誘導体の中のいずれか一つであり、前記光異性化ができる基を有する反応物質としては、アゾ化合物、スチルベン化合物の中のいずれか一つであり、前記光分解ができる基を有する反応物質としては、シクロブタン、カルボニル系化合物の中のいずれか一つであり、前記光再配列ができる基を有する反応物質としては、アロマティックエステル系化合物であることを特徴とする請求項５に記載の液晶表示パネル。
【請求項７】
液晶を介して位置し、前記液晶を配向させる上部配向膜及び下部配向膜を形成する段階を含む液晶表示パネルの製造方法において、前記上部配向膜及び下部配向膜の中の少なくともいずれか一つを形成する段階は：
上部アレイ基板及び下部アレイ基板のそれぞれに、作用基に光活性基を有するポリベンゾオキサゾール系化合物、ポリベンゾチアゾール系化合物及びポリベンゾイミダゾール系化合物からなる群から選択される配向物質を形成する段階と；
前記配向物質に紫外線を照射する段階と
を含むことを特徴とする液晶表示パネルの製造方法。
【請求項８】
前記ポリベンゾオキサゾール系化合物からなる配向物質を形成する段階は：
フェニレンジカルボン酸及びジアミノベンゼンジオール二塩酸塩の中のいずれか一つに前記光活性基を導入する段階と；
１００〜３００℃で前記フェニレンジカルボン酸及びジアミノベンゼンジオール二塩酸塩を重縮合反応させる段階と
を含むことを特徴とする請求項７に記載の液晶表示パネルの製造方法。
【請求項９】
前記ポリベンゾチアゾール系化合物からなる配向物質を形成する段階は：
フェニレンジカルボン酸及びジアミノベンゼンジチオール二塩酸塩の中のいずれか一つに前記光活性基を導入する段階と；
１００〜３００℃で前記フェニレンジカルボン酸及びジアミノベンゼンジチオール二塩酸塩を重縮合反応させる段階と
を含むことを特徴とする請求項７に記載の液晶表示パネルの製造方法。
【請求項１０】
前記ポリベンゾイミダゾール系化合物からなる配向物質を形成する段階は：
フェニレンジカルボン酸及びテトラアミンの中のいずれか一つに前記光活性基を導入する段階と；
１００〜３００℃で前記フェニレンジカルボン酸及びテトラアミンを重縮合反応させる段階と
を含むことを特徴とする請求項７に記載の液晶表示パネルの製造方法。
【請求項１１】
前記光活性基は、光重合、光異性化、光分解及び光再配列の中のいずれか一つの反応ができる基であることを特徴とする請求項７に記載の液晶表示パネルの製造方法。
【請求項１２】
前記光重合ができる基を有する反応物質としては、シンナミック酸誘導体、カルコン誘導体、クマリン誘導体、マレイミド誘導体の中のいずれか一つであり、前記光異性化ができる基を有する反応物質としては、アゾ化合物、スチルベン化合物の中のいずれか一つであり、前記光分解ができる基を有する反応物質としては、シクロブタン、カルボニル系化合物の中のいずれか一つであり、前記光再配列ができる基を有する反応物質としては、アロマティックエステル系化合物であることを特徴とする請求項１１に記載の液晶表示パネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示パネルに関し、特に、高温環境においての表示品質の低下を防止することができる液晶表示パネル及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
通常、液晶表示装置（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ：ＬＣＤ）において、ビデオ信号に応じて液晶セルの光透過率を調節することにより、液晶セルがマトリクス状に配列された液晶表示パネルに、ビデオ信号に該当する画像を示すようになる。このため、液晶表示装置は、液晶セルがアクティブマトリクス（Ａｃｔｉｖｅ  Ｍａｔｒｉｘ）状に配列された液晶表示パネルと、液晶表示パネルを駆動するための駆動回路とを含む。
【０００３】
液晶表示パネルは、ブラックマトリクス、カラーフィルター、上部配向膜等からなる上部アレイ基板（または、「カラーフィルターアレイ基板」）と、薄膜トランジスタ、画素電極、下部配向膜等からなる下部アレイ基板（または、「薄膜トランジスタアレイ基板」）とが、液晶を介して合着される構造を有する。
【０００４】
ここで、液晶配向のための上／下部配向膜は、ポリイミド等のような配向物質を塗布した後、ラビング工程を行うことによって形成される。
【０００５】
このような従来の液晶表示パネルの上部アレイ基板及び下部アレイ基板の上部及び下部配向膜は、ポリイミド等の配向物質が塗布された後、ラビング布を用いたラビング工程が行われることによって形成される。しかし、ラビング工程によって配向膜を形成する場合、ラビング布を用いて配向物質をラビングする際に静電気が発生されて配向物質が損傷されたり、あるいは、パーティクル等が発生して、液晶の配向不良がよく発生される。または、ラビング布による物理的な加圧により、配向物質にスクラッチ等が発生されることもある。
【０００６】
このようなラビング布による配向の問題を解決するために、紫外線（ＵＶ）を用いた光配向技術が提案された。
【０００７】
図１は、光配向のできる配向膜を成すポリイミド系高分子を示す構造式である。
【０００８】
図１に示すように、ポリイミド系光配向物質は、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）系高分子５に光活性基（Ｒ）が作用基として結合されている構造を有する。図１に示すような基を有する物質からなる配向物質が塗布された後、紫外線を照射すると、配向物質内の等方性の分子鎖構造が、光によって光化学反応をするようになる。具体的には、等方性の分子鎖構造が、異方性の分子鎖構造に変わることによって、異方性の配向膜が形成される。このように、光配向による配向膜は、ラビング布による配向においての問題が発生されなくなる。
【０００９】
一方、図１に示すように、ポリイミド系化合物５からなる材料は、耐熱性が良好である材料であるにもかかわらず、高温環境で液晶表示装置を駆動させる場合、高温に弱かった。つまり、高温環境では配向膜による液晶の配向能力が弱くなるため、液晶表示装置を駆動させて画像を具現化させる場合、残像が発生する等、表示品質が低下される問題がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
従って、本発明の目的は、高温環境においての表示品質の低下を防止することができる液晶表示パネル及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
前記目的の達成のため、本発明に係る液晶表示パネルは、液晶を介して互いに対向する上部アレイ基板及び下部アレイ基板と；前記上部アレイ基板及び下部アレイ基板のそれぞれに形成され、前記液晶を配向させる配向膜とを備え、前記配向膜は、ポリベンゾオキサゾール（ｐｏｌｙｂｅｎｚｏｘａｚｏｌｅ）系化合物、ポリベンゾチアゾール（ｐｏｌｙｂｅｎｚｏｔｈｉａｚｏｌｅ）系化合物、ポリベンゾイミダゾール（ｐｏｌｙｂｅｎｚｉｍｉｄａｚｏｌｅ）系化合物の中のいずれか一つに光活性基が作用基として結合された高分子からなる。
【００１２】
前記ポリベンゾオキサゾール系化合物は、フェニレンジカルボン酸（ｐｈｅｎｙｌｅｎｅｄｉｃａｒｂｏｘｙｌｉｃ  ａｃｉｄ）及びジアミノベンゼンジオール二塩酸塩（ｄｉａｍｉｎｏｂｅｎｚｅｎｅｄｉｏｌ  ｄｉｈｙｄｒｏｃｈｌｏｒｉｄｅ）の重縮合反応により製造される。
【００１３】
前記ポリベンゾチアゾール系化合物は、フェニレンジカルボン酸及びジアミノベンゼンジチオール二塩酸塩（ｄｉａｍｉｎｏｂｅｎｚｅｎｅｄｉｔｈｉｏｌ  ｄｉｈｙｄｒｏｃｈｌｏｒｉｄｅ）の重縮合反応により製造される。
【００１４】
前記ポリベンゾイミダゾール系化合物は、フェニレンジカルボン酸及びテトラアミン（ｔｅｔｒａａｍｉｎｅ）の重縮合反応により製造される。
【００１５】
前記光活性基は、光重合、光異性化、光分解及び光再配列の中のいずれか一つの反応ができる基である。
【００１６】
前記光重合ができる基を有する反応物質としては、シンナミック酸（ｃｉｎｎａｍｉｃ  ａｃｉｄ）誘導体、カルコン（ｃｈａｌｃｏｎｅ）誘導体、クマリン（ｃｏｕｍａｒｉｎｅ）誘導体、マレイミド（ｍａｌｅｉｍｉｄｅ）誘導体の中のいずれか一つであり、前記光異性化ができる基を有する反応物質としては、アゾ（ａｚｏ）化合物、スチルベン（ｓｔｉｌｂｅｎ）化合物の中のいずれか一つであり、前記光分解ができる基を有する反応物質としては、シクロブタン（ｃｙｃｌｏｂｕｔａｎｅ）、カルボニル（ｃａｒｂｏｎｙｌ）系化合物の中のいずれか一つであり、前記光再配列ができる基を有する反応物質としては、アロマティックエステル（ａｒｏｍａｔｉｃ  ｅｓｔｅｒ）系化合物である。
【００１７】
本発明は、液晶を介して位置し、前記液晶を配向させる上部配向膜及び下部配向膜を形成する段階を含む液晶表示パネルの製造方法において、前記上部配向膜及び下部配向膜の中の少なくともいずれか一つを形成する段階は、上部アレイ基板及び下部アレイ基板のそれぞれに、作用基に光活性基を有するポリベンゾオキサゾール（ｐｏｌｙｂｅｎｚｏｘａｚｏｌｅ）系化合物（高分子）、ポリベンゾチアゾール（ｐｏｌｙｂｅｎｚｏｔｈｉａｚｏｌｅ）系化合物（高分子）及びポリベンゾイミダゾール（ｐｏｌｙｂｅｎｚｉｍｉｄａｚｏｌｅ）系化合物（高分子）からなる群から選択される配向物質を形成する段階と；前記配向物質に紫外線を照射する段階とを含むことを特徴とする。
【００１８】
前記ポリベンゾオキサゾール系高分子からなる配向物質を形成する段階は、フェニレンジカルボン酸（ｐｈｅｎｙｌｅｎｅｄｉｃａｒｂｏｘｙｌｉｃ  ａｃｉｄ）及びジアミノベンゼンジオール二塩酸塩（ｄｉａｍｉｎｏｂｅｎｚｅｎｅｄｉｏｌ  ｄｉｈｙｄｒｏｃｈｌｏｒｉｄｅ）の中のいずれか一つに前記光活性基を導入する段階と；１００〜３００℃で前記フェニレンジカルボン酸及びジアミノベンゼンジオール二塩酸塩を重縮合反応させる段階とを含む。
【００１９】
前記ポリベンゾチアゾール系高分子からなる配向物質を形成する段階は、フェニレンジカルボン酸（ｐｈｅｎｙｌｅｎｅｄｉｃａｒｂｏｘｙｌｉｃ  ａｃｉｄ）及びジアミノベンゼンジチオール二塩酸塩（ｄｉａｍｉｎｏｂｅｎｚｅｎｅｄｉｔｈｉｏｌ  ｄｉｈｙｄｒｏｃｈｌｏｒｉｄｅ）の中のいずれか一つに前記光活性基を導入する段階と；１００〜３００℃で前記フェニレンジカルボン酸及びジアミノベンゼンジチオール二塩酸塩を重縮合反応させる段階とを含む。
【００２０】
前記ポリベンゾイミダゾール系高分子からなる配向物質を形成する段階は、フェニレンジカルボン酸及びテトラアミン（ｔｅｔｒａａｍｉｎｅ）の中のいずれか一つに前記光活性基を導入する段階と；１００〜３００℃で前記フェニレンジカルボン酸及びテトラアミン（ｔｅｔｒａａｍｉｎｅ）を重縮合反応させる段階とを含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００２１】
本発明に係る液晶表示パネル及びその製造方法は、耐熱性が良好であるポリベンゾオキサゾール（ｐｏｌｙｂｅｎｚｏｘａｚｏｌｅ）系高分子、ポリベンゾチアゾール（ｐｏｌｙｂｅｎｚｏｔｈｉａｚｏｌｅ）系高分子、ポリベンゾイミダゾール（ｐｏｌｙｂｅｎｚｉｍｉｄａｚｏｌｅ）系高分子からなる配向物質を用いて、液晶表示パネルの配向膜を形成する。
【００２２】
その結果、高温環境で液晶表示パネルが駆動されても、耐熱性が向上された配向膜により、液晶が正常に制御されるようになる。その結果、画像の具現化の際に残像が残らない等、表示品質の低下が防止される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、図２〜図８を参照して、本発明の好ましい実施の形態について説明する。
【００２４】
図２は、本発明に係る液晶表示パネルを示す断面図である。
【００２５】
図２に示す液晶表示パネル１９０は、上部基板１０２上に順次形成されたブラックマトリクス１０４、カラーフィルター１０５、及び共通電極１１８を含むカラーフィルターアレイ並びに上部配向膜１０８から構成される上部アレイ基板（または、カラーフィルターアレイ基板）１７０と、下部基板１３２上に形成された薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）１０６、画素電極１１６等を含む薄膜トランジスタアレイ及び下部配向膜１３８から構成される下部アレイ基板１８０と、上部アレイ基板１７０及び下部アレイ基板１８０の間の内部空間に注入される液晶１５２とを備える。一方、ＩＰＳモード液晶表示パネルにおいては、共通電極１１８が下部基板１３２上に形成され、上部基板１０２上のカラーフィルター１０５上に、カラーフィルター１０５の段差を補償するための平坦化層が形成される。
【００２６】
上部アレイ基板１７０において、ブラックマトリクス１０４は、下部基板上のＴＦＴ１０６領域と未図示のゲートライン及びデータライン領域に対応して上部基板１０２上に形成され、カラーフィルター１０５が形成されるセル領域を設ける。ブラックマトリクス１０４は、光漏れを防止すると共に、外部光を吸収してコントラストを高める役割をする。カラーフィルター１０５は、ブラックマトリクス１０４によって分離されたセル領域及びブラックマトリクス１０４に渡って形成される。このカラーフィルター１０５はそれぞれ、Ｒ、Ｇ、Ｂ別に形成され、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）色を具現化させる。共通電極１１８には、液晶の動きを制御するための共通電圧が供給される。スペーサ１１３は、上部アレイ基板と下部アレイ基板との間のセルギャップを保持する役割をする。
【００２７】
下部アレイ基板１８０において、ＴＦＴ１０６は、ゲートラインと共に下部基板１３２上に形成されるゲート電極１０９と、このゲート電極１０９とゲート絶縁膜１４４とを介して重畳される半導体層１１４、１４７と、半導体層１１４、１４７を介してデータライン（図示せず）と共に形成されるソース／ドレイン電極１４０、１４２とを備える。このようなＴＦＴ１０６は、ゲートラインからのスキャン信号に応じて、データラインからの画素信号を画素電極１１６に供給する。画素電極１１６は、光透過率の高い透明電導性物質であり、保護膜１５０を介してＴＦＴ１０６のドレイン電極１４２と接触される。
【００２８】
液晶配向のための上／下部配向膜１０８、１３８は、従来のポリイミド系高分子より耐熱性が良好である材料で形成される。
【００２９】
即ち、液晶表示パネルが高温環境で駆動される場合、液晶配向能力の低下による表示品質の低下を防止するため、ポリイミド系高分子より耐熱性が良好である材料を用いて配向膜を形成する。耐熱性の良い材料は、一般的に、熱的、機械的、電気的ストレスに対する抵抗力が大きいため、耐熱性が更に良い物質で配向膜を形成すると、高温環境でも液晶の配向能力を正常に保持することができるようになる。
【００３０】
本願発明では、このような作用効果を示す高耐熱性の材料として、宇宙航空材料として用いられる物質に光活性基を結合させた高分子からなる配向膜を提案する。
【００３１】
図３は、第１の実施の形態に係る配向膜物質として、ポリベンゾオキサゾール（ｐｏｌｙｂｅｎｚｏｘａｚｏｌｅ）系化合物１０に、作用基として光活性基（Ｒ）が結合されたポリベンゾオキサゾール系高分子（ｐｏｌｙｍｅｒ）を示す構造式である。
【００３２】
ポリベンゾオキサゾール（ｐｏｌｙｂｅｎｚｏｘａｚｏｌｅ）系化合物１０は、一般的に、ポリイミド系化合物より耐熱性が良好である材料であり、航空宇宙材料として用いられている。このポリベンゾオキサゾール（ｐｏｌｙｂｅｎｚｏｘａｚｏｌｅ）系化合物１０に液晶配向のための光活性基を結合して製造されたポリベンゾオキサゾール（ｐｏｌｙｂｅｎｚｏｘａｚｏｌｅ）系高分子からなる物質で配向膜を形成する。
【００３３】
ポリベンゾオキサゾール（ｐｏｌｙｂｅｎｚｏｘａｚｏｌｅ）系高分子からなる配向膜は、従来のポリイミド系高分子からなる配向膜に比べて耐熱性が向上されることにより、機械的、電気的、熱的ストレスに対する抵抗力が大きくなる。その結果、高温環境で液晶表示パネルが駆動されても、液晶が正常に配向される等、正常に液晶が制御されるようになる。その結果、画像の具現化の際に残像が残らない等、表示品質の低下が防止される。
【００３４】
図４は、ポリベンゾオキサゾール（ｐｏｌｙｂｅｎｚｏｘａｚｏｌｅ）系高分子の製造方法を示す合成スキームである。
【００３５】
まず、作用基として、光活性基（Ｒ）をフェニレンジカルボン酸（ｐｈｅｎｙｌｅｎｅｄｉｃａｒｂｏｘｙｌｉｃ  ａｃｉｄ）２０及びジアミノベンゼンジオール二塩酸塩（ｄｉａｍｉｎｏｂｅｎｚｅｎｅｄｉｏｌ  ｄｉｈｙｄｒｏｃｈｌｏｒｉｄｅ）３０の中のいずれか一つに結合させる。図４は、化合物２０に結合させている場合を示す。以後、フェニレンジカルボン酸（ｐｈｅｎｙｌｅｎｅｄｉｃａｒｂｏｘｙｌｉｃ  ａｃｉｄ）２０とジアミノベンゼンジオール二塩酸塩（ｄｉａｍｉｎｏｂｅｎｚｅｎｄｉｏｌ  ｄｉｈｙｄｒｏｃｈｌｏｒｉｄｅ）３０とを１００〜３００℃の環境で重縮合反応（ｓｔｅｐ  ｐｏｌｙｍｅｒｉｚａｔｉｏｎ）させると、脱塩酸（−ＨＣ１）と脱水（−Ｈ２Ｏ）によって、ポリベンゾオキサゾール（ｐｏｌｙｂｅｎｚｏｘａｚｏｌｅ）系高分子１０が製造される。
【００３６】
ここで、光活性基として、光反応形態によって、光重合、光異性化、光分解及び光再配列等の反応ができる基を有する物質が用いられる。例えば、光重合ができる基を有する反応物質としては、シンナミック酸（ｃｉｎｎａｍｉｃ  ａｃｉｄ）誘導体、カルコン（ｃｈａｌｃｏｎｅ）誘導体、クマリン（ｃｏｕｍａｒｉｎｅ）誘導体、マレイミド（ｍａｌｅｉｍｉｄｅ）誘導体等が用いられ、光異性化ができる基を有する反応物質としては、アゾ（ａｚｏ）化合物、スチルベン（ｓｔｉｌｂｅｎ）化合物等が用いられ、光分解ができる基を有する反応物質としては、シクロブタン（ｃｙｃｌｏｂｕｔａｎｅ）、カルボニル（ｃａｒｂｏｎｙｌ）系化合物等が用いられ、光再配列ができる基を有する反応物質としては、アロマティックエステル（ａｒｏｍａｔｉｃ  ｅｓｔｅｒ）系化合物等が用いられる。
【００３７】
図５は、第２の実施の形態に係る配向膜物質として、ポリベンゾチアゾール（ｐｏｌｙｂｅｎｚｏｔｈｉａｚｏｌｅ）系化合物１２に、作用基として光活性基（Ｒ）が結合されたポリベンゾチアゾール系高分子（ｐｏｌｙｍｅｒ）を示す構造式である。
【００３８】
ポリベンゾチアゾール（ｐｏｌｙｂｅｎｚｏｔｈｉａｚｏｌｅ）系化合物１２も、ポリイミド系化合物より耐熱性が良好である材料であり、航空宇宙材料として用いられている。このようなポリベンゾチアゾール（ｐｏｌｙｂｅｎｚｏｔｈｉａｚｏｌｅ）系化合物１２も、第１の実施の形態において提案されたポリベンゾオキサゾール（ｐｏｌｙｂｅｎｚｏｘａｚｏｌｅ）系化合物と類似する性質及び機能を有するようになる。従って、ポリベンゾチアゾール（ｐｏｌｙｂｅｎｚｏｔｈｉａｚｏｌｅ）系高分子からなる配向膜も、耐熱性、及び、機械的、電気的、熱的ストレスに対する抵抗力が大きくなる。従って、ポリベンゾチアゾール（ｐｏｌｙｂｅｎｚｏｔｈｉａｚｏｌｅ）系高分子からなる配向膜を液晶表示パネルに形成すると、高温環境で液晶表示パネルが駆動されても、液晶が正常に制御されるようになる。その結果、表示品質の低下が防止される。
【００３９】
図６は、ポリベンゾチアゾール（ｐｏｌｙｂｅｎｚｏｔｈｉａｚｏｌｅ）系高分子の製造方法を示す合成スキームである。
【００４０】
まず、作用基として、光活性基（Ｒ）をフェニレンジカルボン酸（ｐｈｅｎｙｌｅｎｅｄｉｃａｒｂｏｘｙｌｉｃ  ａｃｉｄ）２２及びジアミノベンゼンジチオール二塩酸塩（ｄｉａｍｉｎｏｂｅｎｚｅｎｅｄｉｔｈｉｏｌ  ｄｉｈｙｄｒｏｃｈｌｏｒｉｄｅ）３２の中のいずれか一つに結合させる。図６は、化合物２２に結合させている場合を示す。以後、フェニレンジカルボン酸（ｐｈｅｎｙｌｅｎｅｄｉｃａｒｂｏｘｙｌｉｃ  ａｃｉｄ）２２とジアミノベンゼンジチオール二塩酸塩（ｄｉａｍｉｎｏｂｅｎｚｅｎｅｄｉｔｈｉｏｌ  ｄｉｈｙｄｒｏｃｈｌｏｒｉｄｅ）３２とを１００〜３００℃の環境で重縮合反応（ｓｔｅｐ  ｐｏｌｙｍｅｒｉｚａｔｉｏｎ）させると、脱塩酸（−ＨＣ１）と脱水（−Ｈ２Ｏ）とによって、ポリベンゾチアゾール（ｐｏｌｙｂｅｎｚｏｔｈｉａｚｏｌｅ）系高分子が製造される。
【００４１】
ここで、光活性基として、本発明の第１の実施の形態において列挙した基を有する物質を全部用いることができる。
【００４２】
図７は、第３の実施の形態に係る配向膜物質として、ポリベンゾイミダゾール（ｐｏｌｙｂｅｎｚｉｍｉｄａｚｏｌｅ）系化合物１４に、作用基として光活性基（Ｒ）が結合されたポリベンゾイミダゾール（ｐｏｌｙｂｅｎｚｉｍｉｄａｚｏｌｅ）系高分子（ｐｏｌｙｍｅｒ）を示す構造式である。
【００４３】
ポリベンゾイミダゾール（ｐｏｌｙｂｅｎｚｉｍｉｄａｚｏｌｅ）系化合物１４も、ポリイミド系化合物より耐熱性が良好である材料であり、航空宇宙材料として用いられている。このようなポリベンゾイミダゾール（ｐｏｌｙｂｅｎｚｉｍｉｄａｚｏｌｅ）系化合物１４も、第１の実施の形態において提案されたポリベンゾオキサゾール（ｐｏｌｙｂｅｎｚｏｘａｚｏｌｅ）系化合物と類似する性質及び機能を有するようになる。従って、ポリベンゾイミダゾール（ｐｏｌｙｂｅｎｚｉｍｉｄａｚｏｌｅ）系高分子からなる配向膜も、耐熱性、及び、機械的、電気的、熱的ストレスに対する抵抗力が大きくなる。従って、ポリベンゾチアゾール（ｐｏｌｙｂｅｎｚｏｔｈｉａｚｏｌｅ）系高分子等を用いる配向膜と同一な目的及び効果を達成することができる。
【００４４】
図８は、ポリベンゾイミダゾール（ｐｏｌｙｂｅｎｚｉｍｉｄａｚｏｌｅ）系高分子の製造方法を示す合成スキームである。
【００４５】
まず、作用基として、光活性基（Ｒ）をフェニレンジカルボン酸（ｐｈｅｎｙｌｅｎｅｄｉｃａｒｂｏｘｙｌｉｃ  ａｃｉｄ）２４及びテトラアミン（ｔｅｔｒａａｍｉｎｅ）３４の中のいずれか一つに結合させる。図８は、化合物２４に結合させている場合を示す。以後、フェニレンジカルボン酸（ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ  ｄｉｃａｒｂｏｘｙｌ  ａｃｉｄ）２４とテトラアミン（ｔｅｔｒａ  ａｍｉｎｅ）３４化合物を１００〜３００℃の環境で重縮合反応（ｓｔｅｐｐｏｌｙｍｅｒｉｚａｔｉｏｎ）させると、水（Ｈ２Ｏ）が取り出されるこよによって、ポリベンゾイミダゾール（ｐｏｌｙｂｅｎｚｉｍｉｄａｚｏｌｅ）系高分子が製造される。
【００４６】
ここで、光活性基として、本発明の第１の実施の形態において列挙した基を有する物質を全部用いることができる。
【００４７】
このように、第１〜第３の実施の形態において提案された配向物質を、薄膜トランジスタアレイが形成された下部アレイ基板及びカラーフィルターアレイが形成された上部アレイ基板上に塗布する。以後、紫外線を照射すると、配向物質たる高分子の分子鎖構造が、紫外線による光化学反応によって変わることにより、光配向膜が形成されるようになる。
【００４８】
このように、第１〜第３の実施の形態における配向物質を用いる配向膜の形成方法は、ＩＰＳモード及びＴＮモードの液晶表示パネルと共に、ＥＣＢ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ  Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ  Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、更にＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モードの液晶表示パネルにも、容易に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】従来のポリイミド系高分子を示す構造式である。
【図２】本発明に係る液晶表示パネルを示す断面図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態に係るポリベンゾオキサゾール系高分子を示す構造式である。
【図４】ポリベンゾオキサゾール系高分子の製造方法を示す合成スキームである。
【図５】本発明の第２の実施の形態に係るポリベンゾチアゾール系高分子を示す構造式である。
【図６】ポリベンゾチアゾール系高分子の製造方法を示す合成スキームである。
【図７】本発明の第３の実施の形態に係るポリベンゾイミダゾール系高分子を示す構造式である。
【図８】ポリベンゾイミダゾール系高分子の製造方法を示す合成スキームである。
【符号の説明】
【００５０】
１０２：上部基板
１０４：ブラックマトリクス
１０５：カラーフィルター
１０６：薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）
１０８：上部配向膜
１０９：ゲート電極
１１３：スペーサ
１１４：半導体層
１１６：画素電極
１１８：共通電極
１３２：下部基板
１３８：下部配向膜
１４０：ソース／ドレイン電極
１４２：ソース／ドレイン電極
１４４：ゲート絶縁膜
１４７：半導体層
１５０：保護膜
１５２：液晶
１７０：上部アレイ基板
１８０：下部アレイ基板
１９０：液晶表示パネル
５：ポリイミド系化合物
１０：ポリベンゾオキサゾール系化合物
１２：ポリベンゾチアゾール系化合物
１４：ポリベンゾイミダゾール系化合物
２０、２２、２４：フェニレンジカルボン酸
３０：ジアミノベンゼンジオール二塩酸塩
３２：ジアミノベンゼンジチオール二塩酸塩
３４：テトラアミン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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