(57)【要約】【課題】固体撮像素子に与える悪影響を抑えることができる固体撮像素子カバー及び固体撮像装置を提供する。【解決手段】固体撮像素子カバー１４は、パッケージ１３に収納された固体撮像素子１２を保護するために用いられ、パッケージ１３に固定されている。固体撮像素子カバー１４は、カバー１６と、カバー１６上に成膜された反射防止膜２０とを有する。カバー１６は、水晶板であり、水晶板の主面が固体撮像素子１２と対向するようにパッケージ１３に固定されている。また、反射防止膜２０は、４層構造で構成されており、カバー１６側から順に第１層、第２層、第３層、第４層の薄膜が積層されている。第１層及び第３層は、主成分がＴｉ（チタン）とＬａ（ランタン）との混合酸化膜である。第２層及び第４層は、主成分がＳｉＯ2（シリコン酸化膜）である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
パッケージの中に収納された固体撮像素子を保護するべく前記パッケージと固定される固体撮像素子カバーであって、
前記固体撮像素子カバーは、水晶板を有し、前記水晶板の主面と前記固体撮像素子とが対向するように前記パッケージと固定されていることを特徴とする固体撮像素子カバー。
【請求項２】
パッケージの中に収納された固体撮像素子を保護するべく前記パッケージと固定される固体撮像素子カバーであって、
前記固体撮像素子カバーは、主面が前記固体撮像素子と対向するように前記パッケージと固定される水晶板と、
前記水晶板に成膜された、チタン（Ｔｉ）とランタン（Ｌａ）の混合酸化膜を主成分とする層と、シリコン酸化膜（ＳｉＯ2）を主成分とする層と、から構成された４層構造の反射防止膜と、を有することを特徴とする固体撮像素子カバー。
【請求項３】
請求項２に記載の固体撮像素子カバーであって、
前記反射防止膜は、前記水晶板側から第１層、第２層、第３層、第４層の薄膜が積層される４層構造で構成されており、
前記第１層及び前記第３層は、チタン（Ｔｉ）とランタン（Ｌａ）の混合酸化膜であり、
前記第２層及び前記第４層は、シリコン酸化膜（ＳｉＯ2）であることを特徴とする固体撮像素子カバー。
【請求項４】
請求項３に記載の固体撮像素子カバーであって、
前記第１層、前記第２層、前記第３層、前記第４層の屈折率及び膜厚をｎ１，ｎ２，ｎ３，ｎ４及びｄ１，ｄ２，ｄ３，ｄ４とするとともに、設計主波長をλ０としたときに、
０．０５２λ０≦ｎ１ｄ１≦０．０６３λ０、
０．０７０λ０≦ｎ２ｄ２≦０．０８５λ０、
０．４３２λ０≦ｎ３ｄ３≦０．５２８λ０、
０．２００λ０≦ｎ４ｄ４≦０．２４５λ０、
の関係にしたことを特徴とする固体撮像素子カバー。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の固体撮像素子カバーの主面と、
前記パッケージの中に収納された前記固体撮像素子とが対向するように前記固体撮像素子カバーと前記パッケージとを固定したことを特徴とする固体撮像装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、固体撮像素子カバー及び固体撮像装置に関し、特に、固体撮像装置を構成するパッケージに収納された固体撮像素子を保護する固体撮像素子カバーに関する。
【背景技術】
【０００２】
上記した固体撮像装置は、例えば、デジタルスチルカメラに用いられ、対象物の入射光を受光する固体撮像素子と、固体撮像素子を収納するパッケージと、パッケージに固定され固体撮像素子を外部（例えば、塵など）から保護する固体撮像素子カバーとを有する。固体撮像素子カバーは、例えば、特許文献１に記載のように、ガラスで構成されている。
【０００３】
また、固体撮像素子によって入射光を受光する際、表面反射による光量の低下を防ぐため、固体撮像素子カバーに、例えば、特許文献２に記載のような反射防止（ＡＲ:Anti-Reflection）膜が成膜される。反射防止膜は、例えば、チタン（Ｔｉ）とランタン（Ｌａ）を主成分とする混合酸化物の層を有する５層構造の積層薄膜が用いられる。これらの積層薄膜は、例えば、真空加熱蒸着法を用いて成膜される。
【０００４】
詳しくは、図４に示すように、基板１１１側から順に、フッ化マグネシウム膜１１２（ＭｇＦ2、屈折率ｎ１＝１．３８５、膜厚ｄ１＝２５．８ｎｍ）、酸化アルミニウム膜１１３（Ａｌ2Ｏ3、屈折率ｎ２＝１．８２０、膜厚ｄ２＝９８．０ｎｍ）、チタンとランタンの混合酸化膜１１４（屈折率ｎ３＝２．１００、膜厚ｄ３＝１２１．４ｎｍ）、シリコン酸化膜１１５（ＳｉＯ2、屈折率ｎ４＝１．４８０、膜厚ｄ４＝１７．５ｎｍ）、フッ化マグネシウム膜１１６（ＭｇＦ2、屈折率ｎ５＝１．３８５、膜厚ｄ５＝７５．５ｎｍ）が成膜されている。これらの膜（反射防止膜１０１）の総膜厚は、３３８．２ｎｍである。また、波長と反射率との関係を示す反射特性は、図５に示すグラフのようになっている。横軸は波長（ｎｍ）を示し、縦軸は反射率（％）を示す。
【０００５】
【特許文献１】特開平９−６９６１８号公報
【特許文献２】特開２０００−２２７５０４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、近年、固体撮像素子カバーにガラスが用いられていることから、ガラスに含まれる重金属類からα線が発生し、このα線が固体撮像素子に悪影響を及ぼすことによって特性に劣化が生じるという問題があった。更に、反射防止膜１０１を構成するフッ化マグネシウム膜１１２，１１６を成膜する際、フッ化マグネシウム膜１１２，１１６の融点が低いことから（例えば、１２６０℃）加熱の制御が難しく、完全に気化されずに蒸発することがあり、固まった状態で基板１１１などに付着する場合がある。これにより、固まった状態で付着した部分に光が透過しないなどの点欠陥が発生し、外観不良が発生するという問題があった。加えて、反射防止膜１０１が５層構造になっており、成膜する工程数も比較的多いことから、成膜する際にゴミなどが含まれる可能性が高い。また、５層構造であり総膜厚も比較的厚いことから、膜の材料に含まれる不純物の量が多くなり、その結果、外観不良が発生するという問題があった。
【０００７】
本発明は、上述の如き問題を解決したものであって、固体撮像素子に与える悪影響を抑えることができ、且つ外観不良の発生を抑えることができる固体撮像素子カバー及び固体撮像装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明に係る固体撮像素子カバーは、パッケージの中に収納された固体撮像素子を保護するべく前記パッケージと固定される固体撮像素子カバーであって、前記固体撮像素子カバーは、水晶板を有し、前記水晶板の主面と前記固体撮像素子とが対向するように前記パッケージと固定されていることを特徴とする。
【０００９】
この構成によれば、固体撮像素子カバーに水晶板を用いるので、固体撮像素子カバーにガラスを用いた場合のように、ガラスに含まれる重金属類から発生するα線が固体撮像素子に悪影響を及ぼすことを防ぐことができる。これにより、固体撮像素子によって、固体撮像素子カバーを通過した入射光（光学像）を正規の状態で受光することができる。
【００１０】
本発明に係る固体撮像素子カバーでは、パッケージの中に収納された固体撮像素子を保護するべく前記パッケージと固定される固体撮像素子カバーであって、前記固体撮像素子カバーは、主面が前記固体撮像素子と対向するように前記パッケージと固定される水晶板と、前記水晶板に成膜された、チタン（Ｔｉ）とランタン（Ｌａ）の混合酸化膜を主成分とする層と、シリコン酸化膜（ＳｉＯ2）を主成分とする層と、から構成された４層構造の反射防止膜と、を有することを特徴とする。
【００１１】
この構成によれば、水晶板上に、チタンとランタンの混合酸化膜の層とシリコン酸化膜の層とから構成された４層構造の反射防止膜を形成するので、固体撮像素子カバーにガラスを用いた場合のように、ガラスに含まれる重金属類から発生するα線が固体撮像素子に悪影響を及ぼすことを防ぐことができるとともに、反射防止膜にフッ化マグネシウムを用いた場合のように、融点の低さに起因して点欠陥を含む外観不良になることを抑えることができる。更に、反射防止膜を４層構造にすることにより、比較的膜厚を薄くすることが可能となるとともに、成膜する工程数を少なくすることが可能となる。よって、成膜する際に反射防止膜にゴミや不純物が含まれることを抑えることが可能となり、外観不良を発生させることを抑えることができる。加えて、固体撮像素子によって、固体撮像素子カバーを通過した正規の状態に近い入射光を受光することができる。
【００１２】
本発明に係る固体撮像素子カバーでは、前記反射防止膜は、前記水晶板側から第１層、第２層、第３層、第４層の薄膜が積層される４層構造で構成されており、前記第１層及び前記第３層は、チタン（Ｔｉ）とランタン（Ｌａ）の混合酸化膜であり、前記第２層及び前記第４層は、シリコン酸化膜（ＳｉＯ2）であることを特徴とする。
【００１３】
この構成によれば、反射防止膜を構成する第１層及び第３層にチタンとランタンとの混合酸化膜を使用し、第２層及び第４層にシリコン酸化膜を使用するので、反射防止膜にフッ化マグネシウムを用いた場合のような融点の低さに起因して点欠陥を含む外観不良になることを抑えることができる。更に、４層構造にすることにより、比較的膜厚を薄くすることが可能となるとともに、成膜する工程数を少なくすることが可能となる。よって、成膜する際に反射防止膜にゴミや不純物が含まれることを抑えることが可能となり、外観不良を発生させることを抑えることができる。
【００１４】
本発明に係る固体撮像素子カバーでは、前記第１層、前記第２層、前記第３層、前記第４層の屈折率及び膜厚をｎ１，ｎ２，ｎ３，ｎ４及びｄ１，ｄ２，ｄ３，ｄ４とするとともに、設計主波長をλ０としたときに、０．０５２λ０≦ｎ１ｄ１≦０．０６３λ０、０．０７０λ０≦ｎ２ｄ２≦０．０８５λ０、０．４３２λ０≦ｎ３ｄ３≦０．５２８λ０、０．２００λ０≦ｎ４ｄ４≦０．２４５λ０、の関係にしたことを特徴とする。
【００１５】
この構成によれば、第１層〜第４層を上記のような屈折率及び膜厚にするので、可視光領域（例えば、３９０ｎｍ〜７８０ｎｍ）において低い反射率（例えば、１．０％以下）を得ることができる。その結果、固体撮像素子カバー（反射防止膜及び固体撮像素子）を介して通過した光量などの低下が抑えられた入射光を固体撮像素子によって受光することができる。
【００１６】
本発明に係る固体撮像装置では、固体撮像素子カバーの主面と、前記パッケージの中に収納された前記固体撮像素子とが対向するように前記固体撮像素子カバーと前記パッケージとを固定したことを特徴とする。
【００１７】
この構成によれば、固体撮像素子カバーに水晶板を用いるので、固体撮像素子カバーにガラスを用いた場合のように、ガラスに含まれる重金属類から発生するα線が固体撮像素子に悪影響を及ぼすことを防ぐことができる。これにより、固体撮像素子によって、固体撮像素子カバーを通過した入射光（光学像）を正規の状態で受光することができる。
【００１８】
上記の固体撮像装置において、前記固体撮像素子カバーは、前記水晶板に成膜された、チタン（Ｔｉ）とランタン（Ｌａ）の混合酸化膜を主成分とする層と、シリコン酸化膜（ＳｉＯ2）を主成分とする層と、から構成された４層構造の反射防止膜を有することを特徴とする。
【００１９】
この構成によれば、水晶板上に、チタンとランタンの混合酸化膜の層とシリコン酸化膜の層とから構成された４層構造の反射防止膜を形成するので、固体撮像素子カバーにガラスを用いた場合のように、ガラスに含まれる重金属類から発生するα線が固体撮像素子に悪影響を及ぼすことを防ぐことができるとともに、反射防止膜にフッ化マグネシウムを用いた場合のように、融点の低さに起因して点欠陥を含む外観不良になることを抑えることができる。更に、反射防止膜を４層構造にすることにより、比較的膜厚を薄くすることが可能となるとともに、成膜する工程数を少なくすることが可能となる。よって、成膜する際に反射防止膜にゴミや不純物が含まれることを抑えることが可能となり、外観不良を発生させることを抑えることができる。加えて、固体撮像素子によって、固体撮像素子カバーを通過した正規の状態に近い入射光を受光することができる。
【００２０】
更に、上記の固体撮像装置において、前記固体撮像素子カバーは、前記反射防止膜は、前記水晶板側から第１層、第２層、第３層、第４層の薄膜が積層される４層構造で構成されており、前記第１層及び前記第３層は、チタン（Ｔｉ）とランタン（Ｌａ）の混合酸化膜であり、前記第２層及び前記第４層は、シリコン酸化膜（ＳｉＯ2）であることを特徴とする。
【００２１】
この構成によれば、反射防止膜を構成する第１層及び第３層にチタンとランタンとの混合酸化膜を使用し、第２層及び第４層にシリコン酸化膜を使用するので、反射防止膜にフッ化マグネシウムを用いた場合のような融点の低さに起因して点欠陥を含む外観不良になることを抑えることができる。更に、４層構造にすることにより、比較的膜厚を薄くすることが可能となるとともに、成膜する工程数を少なくすることが可能となる。よって、成膜する際に反射防止膜にゴミや不純物が含まれることを抑えることが可能となり、外観不良を発生させることを抑えることができる。
【００２２】
また更に、上記の固体撮像装置において、前記固体撮像素子カバーでは、前記第１層、前記第２層、前記第３層、前記第４層の屈折率及び膜厚をｎ１，ｎ２，ｎ３，ｎ４及びｄ１，ｄ２，ｄ３，ｄ４とするとともに、設計主波長をλ０としたときに、０．０５２λ０≦ｎ１ｄ１≦０．０６３λ０、０．０７０λ０≦ｎ２ｄ２≦０．０８５λ０、０．４３２λ０≦ｎ３ｄ３≦０．５２８λ０、０．２００λ０≦ｎ４ｄ４≦０．２４５λ０、の関係にしたことを特徴とする。
【００２３】
この構成によれば、第１層〜第４層を上記のような屈折率及び膜厚にするので、可視光領域（例えば、３９０ｎｍ〜７８０ｎｍ）において低い反射率（例えば、１．０％以下）を得ることができる。その結果、固体撮像素子カバー（反射防止膜及び固体撮像素子）を介して通過した光量などの低下が抑えられた入射光を固体撮像素子によって受光することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明を具体化した実施形態について、図面を参照しながら説明する。
【００２５】
図１は、固体撮像素子カバーを有する固体撮像装置の構成を示す模式断面図である。以下、固体撮像装置の構成を、図１を参照しながら説明する。
【００２６】
図１に示すように、固体撮像装置１１は、例えばデジタルスチルカメラに用いられ、対象物の入射光を受光する固体撮像素子１２と、固体撮像素子１２を収納するパッケージ１３と、パッケージ１３に収納された固体撮像素子１２を外部（例えば、塵など）から保護する固体撮像素子カバー１４とを有する。
【００２７】
固体撮像素子１２は、例えば、ＣＣＤ（Charge Coupled Device）であり、入射光の光の強さに応じて蓄電容量が変化するフォトダイオードからなる光電素子（画素）をマトリクス状に配列して構成されている。この固体撮像素子１２を用いて対象物を撮影すると、規則的に配列された画素上の蓄電容量が変化し、これを空間的にサンプリングすることにより、対象物に対応する電気信号を生成し、それを変換して像を構成する。このような固体撮像素子１２によって、固体撮像素子カバー１４を介して入射される入射光が電気信号に変換される。
【００２８】
パッケージ１３は、上記したように固体撮像素子１２を収納し、収納された固体撮像素子１２の上方が開口する凹状に形成されている。
【００２９】
固体撮像素子カバー１４は、接着材料１５を介して、パッケージ１３の開口する領域を覆うように固定されている。また、この接着材料１５によって、固体撮像素子カバー１４とパッケージ１３との間が密封されている。また、固体撮像素子カバー１４は、カバー１６と反射防止膜２０とを有して構成されている。
【００３０】
図２は、固体撮像素子カバーの構成を示す模式断面図である。以下、固体撮像素子カバーの構成を、図２を参照しながら説明する。
【００３１】
図２に示すように、固体撮像素子カバー１４は、上記したようにカバー１６と反射防止膜２０とを有する。
【００３２】
カバー１６は、例えば、Ｚカット水晶板で構成されており、その主面１６ａが固体撮像素子１２と向き合うように、パッケージ１３（図１参照）に固定されている。Ｚカット水晶板とは、光軸に対して垂直にカットされた水晶板である。また、主面１６ａとは、光軸と接する面であり、一般に水晶板（カバー１６）における広い面を指していう。カバー１６の厚みは、例えば０．８ｍｍである。なお、カバー１６（Ｚカット水晶板）の屈折率（ｎｓ）は、１．５３であり、複屈折（常光屈折率と異常光屈折率とによる）は生じない。
【００３３】
反射防止膜２０は、４層構造で構成されており、カバー１６側から順に、第１層２１、第２層２２、第３層２３、第４層２４の薄膜が積層されている。第１層２１〜第４層２４は、例えば、真空加熱蒸着法で成膜される。なお、設計主波長（λ０）は、５８０ｎｍである。
【００３４】
第１層２１は、主成分がＴｉ（チタン）とＬａ（ランタン）との混合酸化物である。詳述すると、第１層２１は、ＴｉとＬａとを混合したものの酸化物であり、屈折率（ｎ１）が２．０００±０．２００である。また、膜厚（ｄ１）が１６．７ｎｍであり、光学膜厚（ｎｄ１）が０．０５８λ０ｎｍである。
【００３５】
第２層２２は、主成分がＳｉＯ2（シリコン酸化膜）である。詳しくは、第２層２２の屈折率（ｎ２）が１．４６０±０．２００であり、膜厚（ｄ２）が３０．８ｎｍである。また、光学膜厚（ｎｄ２）は０．０７８λ０ｎｍである。
【００３６】
第３層２３は、主成分がＴｉ（チタン）とＬａ（ランタン）との混合酸化膜である。詳述すると、第３層２３は、第１層２１と同様にＴｉとＬａとを混合したものの酸化物であり、屈折率（ｎ３）が２．０００±０．２００である。また、膜厚（ｄ３）が１３９．２ｎｍであり、光学膜厚（ｎｄ３）が０．４８０λ０ｎｍである。
【００３７】
第４層２４は、主成分がＳｉＯ2（シリコン酸化膜）である。詳述すると、第４層２４の屈折率（ｎ４）が１．４６０±０．２００であり、膜厚（ｄ４）が８８．４ｎｍである。また、光学膜厚（ｎｄ４）は０．２２２λ０ｎｍである。ここで、設計主波長λ０における膜厚ｄと光学膜厚ｎｄ・λ０との関係は、屈折率ｎを用いて、ｎ・ｄ＝ｎｄ・λ０で表すことができる。
【００３８】
以上のように、カバー１６にＺカット水晶板を用いることにより、従来のようなカバーにガラスを用いた場合のように、ガラスに含まれる重金属類から発生するα線によって、固体撮像素子１２に悪影響を及ぼすことを防ぐことができる。
【００３９】
更に、第１層２１（チタンとランタンの混合酸化膜）、第２層２２（シリコン酸化膜）、第３層２３（チタンとランタンの混合酸化膜）、第４層２４（シリコン酸化膜）の４層構造で反射防止膜２０を構成することにより、従来の反射防止膜にフッ化マグネシウム膜を用いた場合のように、点欠陥のような外観不良が発生することを防ぐことができる。更に、４層構造で反射防止膜２０を構成することにより、総膜厚を２７５．１ｎｍとすることが可能となる。よって、従来の総膜厚より薄くすることができるとともに、成膜する工程数を少なくすることができる。これにより、成膜する際に反射防止膜２０の中にゴミや不純物などが含まれる量を抑えることが可能となり、外観不良が発生することを抑えることができる。
【００４０】
図３は、反射防止膜の反射特性（波長−反射率）を示すグラフである。以下、図３を参照しながら、反射防止膜の反射特性について説明する。
【００４１】
図３に示すように、横軸は波長（ｎｍ）を示し、縦軸は反射率（％）を示す。図３に示す実線Ａは本実施形態の反射防止膜２０の反射特性であり、破線Ｂは従来の反射防止膜の反射特性である。第１層２１、第２層２２、第３層２３、第４層２４の屈折率及び膜厚をｎ１，ｎ２，ｎ３，ｎ４及びｄ１，ｄ２，ｄ３，ｄ４とするとともに、設計主波長をλ０としたときに、以下の式（１）〜（４）を満足していれば、可視光領域のほぼ全域（例えば、３９０ｎｍ〜７８０ｎｍ）において低い反射率（例えば、１．０％以下）を得ることができる。
（１）０．０５２λ０≦ｎ１ｄ１≦０．０６３λ０
（２）０．０７０λ０≦ｎ２ｄ２≦０．０８５λ０
（３）０．４３２λ０≦ｎ３ｄ３≦０．５２８λ０
（４）０．２００λ０≦ｎ４ｄ４≦０．２４５λ０
【００４２】
以上のように、従来の反射特性（破線Ｂ参照）を低下させることなく、ほぼ同様の反射特性（実線Ａ参照）を得ることができる。また、このような構成及び特性の反射防止膜２０をカバー１６に形成するので、受光する入射光の品質（光量など）が固体撮像素子カバー１４によって低下（劣化）することを抑えることができる。
【００４３】
以上詳述したように、本実施形態によれば、以下に示す効果が得られる。
【００４４】
（１）本実施形態によれば、Ｚカット水晶板からなるカバー１６上に、チタンとランタンの混合酸化膜の層（第１層２１及び第３層２３）とシリコン酸化膜の層（第２層２２及び第４層２４）とから構成された４層構造の反射防止膜２０を形成するので、カバーにガラスを用いた場合のように、ガラスに含まれる重金属類から発生するα線が固体撮像素子１２に悪影響を及ぼすことを防ぐことができるとともに、反射防止膜２０にフッ化マグネシウムを用いた場合のように、融点の低さに起因して点欠陥を含む外観不良になることを抑えることができる。更に、反射防止膜２０を従来の５層構造から４層構造にすることにより、総膜厚を薄くすることが可能となるとともに、成膜する工程数を少なくすることが可能となる。よって、成膜する際に反射防止膜２０にゴミや不純物が含まれることを抑えることが可能となり、外観不良を発生させることを抑えることができる。その結果、固体撮像素子カバー１４によって、入射光の品質（例えば、光量など）が低下（劣化）することを抑えることができる。
【００４５】
（２）本実施形態によれば、反射防止膜２０を構成する第１層２１〜第４層２４を上記のような屈折率及び膜厚にするので、従来の反射特性を低下させることなく、可視光領域（例えば、３９０ｎｍ〜７８０ｎｍ）において低い反射率（例えば、１．０％以下）を得ることができる。
【００４６】
なお、本実施形態は上記に限定されず、以下のような形態で実施することもできる。
【００４７】
（変形例１）上記したように、Ｚカット水晶板からなるカバー１６に反射防止（ＡＲ）膜２０を形成することに代えて、例えば、同様のカバー１６に赤外線（ＩＲ）吸収膜、紫外線（ＵＶ）吸収膜、紫外線・赤外線（ＵＶＩＲ）吸収膜を形成するようにしてもよい。これによれば、それぞれの膜を用いた効果を得ることができるとともに、上記した効果と同様、カバーにガラスを用いた場合のようにα線によるフォトダイオードに悪影響を与えることを防ぐことができる。
【００４８】
（変形例２）上記したように、固体撮像素子１２はＣＣＤに限定されず、例えば、ＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）、ＣＰＤ（Charge Priming Device）などであってもよい。
【００４９】
（変形例３）上記したように、カバー１６にＺカット水晶板を用いることに限定されず、例えば、水晶板の主面の法線が水晶の光学軸であるＺ軸に対して０°〜９０°の範囲となるような角度でカットされた水晶板を使うようにしてもよい。水晶板のカットアングルを０°（Ｚカット）ではなく、例えば、４５°（水晶板の主面の法線とＺ軸とのなす角度）でカットしてなるカバー１６を用いれば、２点分離タイプのローパスフィルターとして使用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明の実施形態に係る固体撮像装置の構成を示す模式断面図。
【図２】固体撮像素子カバーの構成を示す模式断面図。
【図３】反射防止膜の反射特性を示すグラフ。
【図４】従来の反射防止膜の構成を示す模式断面図。
【図５】従来の反射防止膜の反射特性を示すグラフ。
【符号の説明】
【００５１】
１１…固体撮像装置、１２…固体撮像装置を構成する固体撮像素子、１３…固体撮像装置を構成するパッケージ、１４…固体撮像装置を構成する固体撮像素子カバー、１５…固体撮像装置を構成する接着材料、１６…固体撮像素子カバーを構成するカバー、１６ａ…主面、２０…固体撮像素子カバーを構成する反射防止膜、２１…反射防止膜を構成する第１層、２２…反射防止膜を構成する第２層、２３…反射防止膜を構成する第３層、２４…反射防止膜を構成する第４層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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