(57)【要約】【課題】有機ＥＬ素子に隣接して光散乱層を配置した場合に有機ＥＬ素子の電極同士が短絡するのを抑制する。【解決手段】本発明の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの製造方法は、透明材料ＴＭとこの中で分散した複数の透明粒子ＰＴＣとを含むと共にパターニングされた光散乱層ＬＳを凝集剤を含んだ洗浄液で洗浄する工程と、前記光散乱層ＬＳ上に光透過性を有する第１電極ＰＥを形成する工程と、前記第１電極ＰＥ上に発光層を含んだ有機物層ＯＲＧを形成する工程と、前記有機物層ＯＲＧ上に第２電極ＣＥを形成する工程とを含む。【選択図】      図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明材料とこの中で分散した複数の透明粒子とを含むと共にパターニングされた光散乱層を凝集剤を含んだ洗浄液で洗浄する工程と、
前記光散乱層上に光透過性を有する第１電極を形成する工程と、
前記第１電極上に発光層を含んだ有機物層を形成する工程と、
前記有機物層上に第２電極を形成する工程とを含んだことを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項２】
前記洗浄剤で洗浄する工程と前記第１電極を形成する工程との間に、前記光散乱層を純水を主成分とする溶液で超音波洗浄又は高圧スプレー洗浄する工程をさらに含んだことを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
蒸着法により前記有機物層を形成することを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ表示装置は自己発光表示装置であるため、視野角が広く、応答速度が速い。また、バックライトが不要であるため、薄型軽量化が可能である。これらの理由から、近年、有機ＥＬ表示装置は、液晶表示装置に代わる表示装置として注目されている。
【０００３】
ところで、有機ＥＬ素子の輝度は、これに流す電流の大きさに応じて増加する。しかしながら、電流密度を高めると、消費電力が大きくなるのに加え、有機ＥＬ素子の寿命が著しく短くなる。したがって、高輝度、低消費電力、長寿命を同時に実現するには、発光層が放出する光を有機ＥＬ素子の外部へとより効率的に取り出すこと，すなわち光の取り出し効率を向上させること，が重要である。
【０００４】
この問題に対し、特許文献１には、有機ＥＬ素子の一方の電極に回折格子又はゾーンプレートの機能を付与することが記載されている。しかしながら、そのような構造を採用した有機ＥＬ表示装置は製造が難しい。
【０００５】
高い光取り出し効率は、有機ＥＬ素子に隣接して光散乱層を配置することでも実現可能である。この構造を採用した有機ＥＬ表示装置は、製造が比較的容易である。しかしながら、本発明者らは、本発明を為すに際し、有機ＥＬ素子に隣接して光散乱層を配置すると、有機ＥＬ素子の電極同士が短絡し易くなることを見出している。
【特許文献１】特開平１１−２８３７５１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、有機ＥＬ素子に隣接して光散乱層を配置した場合に有機ＥＬ素子の電極同士が短絡するのを抑制することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一側面によると、透明材料とこの中で分散した複数の透明粒子とを含むと共にパターニングされた光散乱層を凝集剤を含んだ洗浄液で洗浄する工程と、前記光散乱層上に光透過性を有する第１電極を形成する工程と、前記第１電極上に発光層を含んだ有機物層を形成する工程と、前記有機物層上に第２電極を形成する工程とを含んだことを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によると、有機ＥＬ素子に隣接して光散乱層を配置した場合に有機ＥＬ素子の電極同士が短絡するのを抑制することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、本発明の態様について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図において、同様又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。
【００１０】
図１は、本発明の一態様に係る方法を利用して製造可能な表示装置の一例を概略的に示す平面図である。図２は、図１の表示装置に採用可能な構造の一例を概略的に示す断面図である。なお、図２では、表示装置を、その表示面，すなわち前面又は光出射面，が上方を向き、背面が下方を向くように描いている。
【００１１】
図１の表示装置は、アクティブマトリクス型駆動方式を採用した上面発光型の有機ＥＬ表示装置である。この表示装置は、表示パネルＤＰと、映像信号線ドライバＸＤＲと、走査信号線ドライバＹＤＲと、図示しないコントローラとを含んでいる。
【００１２】
表示パネルＤＰは、例えば、ガラス基板などの絶縁基板ＳＵＢを含んでいる。  
基板ＳＵＢ上には、図２に示すアンダーコート層ＵＣとして、例えば、ＳｉＮx層とＳｉＯx層とが順次積層されている。
【００１３】
アンダーコート層ＵＣ上では、例えばソース及びドレインが形成されたポリシリコン層である半導体層ＳＣが配列している。
【００１４】
半導体層ＳＣは、ゲート絶縁膜ＧＩで被覆されている。ゲート絶縁膜ＧＩは、例えばＴＥＯＳ（tetraethyl orthosilicate）などを用いて形成され得る。
【００１５】
ゲート絶縁膜ＧＩ上では、ゲートＧが配列している。半導体層ＳＣとゲートＧとゲート絶縁膜ＧＩとは、トップゲート型のＴＦＴを構成している。この例では、これらＴＦＴは、ｐチャネルＴＦＴであり、図１の画素ＰＸが含む駆動制御素子ＤＲ及びスイッチＳＷａ乃至ＳＷｃとして利用している。
【００１６】
ゲート絶縁膜ＧＩ上には、走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２がさらに配置されている。走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２は、各々が画素ＰＸの行方向（Ｘ方向）に延びており、画素ＰＸの列方向（Ｙ方向）に交互に配列している。これら走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２は、走査信号線ドライバＹＤＲに接続されている。
【００１７】
ゲート絶縁膜ＧＩ上では、後述するキャパシタＣの下部電極（図示せず）がさらに配列している。下部電極は、駆動制御素子ＤＲのゲートＧに接続されている。
【００１８】
ゲートＧと走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２と下部電極とは、同一の工程で形成可能である。これらの材料としては、例えば、モリブデンとタングステンとの合金を使用することができる。
【００１９】
ゲート絶縁膜ＧＩ、ゲートＧ、走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２、並びに下部電極は、図２に示す層間絶縁膜ＩＩで被覆されている。層間絶縁膜ＩＩは、例えばプラズマＣＶＤ法などにより成膜されたＳｉＯxなどからなる。この層間絶縁膜ＩＩのうち下部電極上の部分は、キャパシタＣの誘電体層として利用する。
【００２０】
層間絶縁膜ＩＩ上では、図２に示すソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥが配列している。ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥは、層間絶縁膜ＩＩに設けられたコンタクトホールを介してＴＦＴのソース及びドレインに電気的に接続されている。
【００２１】
層間絶縁膜ＩＩ上には、図１に示す映像信号線ＤＬ及び電源線ＰＳＬがさらに配置されている。映像信号線ＤＬは、図１に示すように、各々がＹ方向に延びており、Ｘ方向に配列している。これら映像信号線ＤＬは、映像信号線ドライバＸＤＲに接続されている。また、電源線ＰＳＬは、本態様では、各々がＹ方向に延びており、Ｘ方向に配列している。
【００２２】
層間絶縁膜ＩＩ上では、図１に示すキャパシタＣの上部電極（図示せず）がさらに配列している。上部電極は、定電位端子ＮＤ１’に接続されている。
【００２３】
上部電極と映像信号線ＤＬと電源線ＰＳＬとソース電極ＳＥとドレイン電極ＤＥとは、同一工程で形成可能である。これらは、例えば、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏの三層構造を有している。
【００２４】
ソース電極ＳＥ、ドレイン電極ＤＥ、映像信号線ＤＬ、電源線ＰＳＬ、及び上部電極は、図２に示すパッシベーション膜ＰＳで被覆されている。パッシベーション膜ＰＳは、例えばＳｉＮxなどからなる。
【００２５】
パッシベーション膜ＰＳ上では、図２に示す反射層ＲＦが配列している。反射層ＲＦの材料としては、例えばアルミニウムなどの金属又は合金を使用することができる。
【００２６】
パッシベーション膜ＰＳ及び反射層ＲＦは、光散乱層ＬＳで被覆されている。光散乱層ＬＳは、透明材料ＴＭと、この中で分散すると共に透明材料ＴＭとは屈折率が異なる複数の透明粒子ＰＴＣとを含んでいる。透明材料ＴＭは、例えば透明樹脂からなる。透明粒子ＰＴＣは、例えば、透明無機材料又は透明樹脂からなる。典型的には、透明粒子ＰＴＣは透明無機材料からなり、透明材料ＴＭと比較して屈折率がより大きい。ここでは、一例として、透明粒子ＰＴＣは、透明材料ＴＭと比較して屈折率がより大きいこととする。
【００２７】
パッシベーション膜ＰＳ及び光散乱層ＬＳには、スイッチＳＷａのドレインに接続されたドレイン電極ＤＥに対応した位置に貫通孔が形成されている。これら貫通孔は、順テーパ状である。
【００２８】
パッシベーション膜ＰＳ上では、背面電極として、光透過性の画素電極ＰＥが配列している。各画素電極ＰＥは、図２に示すように、先の貫通孔を介して、スイッチＳＷａのドレイン電極ＤＥに接続されている。
【００２９】
画素電極ＰＥは、本態様では陽極である。画素電極ＰＥの材料としては、例えば、ＩＴＯ（indium tin oxide）などの透明導電性酸化物を使用することができる。
【００３０】
パッシベーション膜ＰＳ上には、さらに、隔壁絶縁層ＰＩが配置されている。隔壁絶縁層ＰＩには、画素電極ＰＥに対応した位置に貫通孔が設けられているか、或いは、画素電極ＰＥが形成する列又は行に対応した位置にスリットが設けられている。ここでは、一例として、隔壁絶縁層ＰＩには、画素電極ＰＥに対応した位置に貫通孔が設けられていることとする。
【００３１】
隔壁絶縁層ＰＩは、例えば、有機絶縁層である。隔壁絶縁層ＰＩは、例えば、フォトリソグラフィ技術を用いて形成することができる。
【００３２】
画素電極ＰＥ上には、発光層を含んだ有機物層ＯＲＧが配置されている。発光層は、例えば、発光色が赤色、緑色、又は青色のルミネセンス性有機化合物を含んだ薄膜である。この有機物層ＯＲＧは、発光層に加え、正孔注入層、正孔輸送層、正孔ブロッキング層、電子輸送層、電子注入層などもさらに含むことができる。
【００３３】
隔壁絶縁層ＰＩ及び有機物層ＯＲＧは、前面電極である対向電極ＣＥで被覆されている。対向電極ＣＥは、画素ＰＸ間で互いに接続された共通電極であり、本態様では光透過性の陰極である。対向電極ＣＥは、例えば、パッシベーション膜ＰＳと隔壁絶縁層ＰＩとに設けられたコンタクトホールを介して、映像信号線ＤＬと同一の層上に形成された電極配線（図示せず）に電気的に接続されている。各々の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、画素電極ＰＥ、有機物層ＯＲＧ及び対向電極ＣＥで構成されている。
【００３４】
各画素ＰＸは、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤと画素回路とを含んでいる。本態様では、画素回路は、図１に示すように、駆動制御素子ＤＲと、出力制御スイッチＳＷａと、選択用スイッチＳＷｂと、ダイオード接続スイッチＳＷｃと、キャパシタＣとを含んでいる。上記の通り、本態様では、駆動制御素子ＤＲ及びスイッチＳＷａ乃至ＳＷｃはｐチャネルＴＦＴである。また、本態様では、選択用スイッチＳＷｂとダイオード接続スイッチＳＷｃとは、駆動制御素子ＤＲのドレインと映像信号線ＤＬと駆動制御素子ＤＲのゲートとの接続状態を、それらが互いに接続された第１状態と、それらが互いから遮断された第２状態との間で切り替えるスイッチ群を構成している。
【００３５】
駆動制御素子ＤＲと出力制御スイッチＳＷａと有機ＥＬ素子ＯＬＥＤとは、第１電源端子ＮＤ１と第２電源端子ＮＤ２との間で、この順に直列に接続されている。本態様では、第１電源端子ＮＤ１は高電位電源端子であり、第２電源端子ＮＤ２は低電位電源端子である。
【００３６】
出力制御スイッチＳＷａのゲートは、走査信号線ＳＬ１に接続されている。選択用スイッチＳＷｂは映像信号線ＤＬと駆動制御素子ＤＲのドレインとの間に接続されており、そのゲートは走査信号線ＳＬ２に接続されている。ダイオード接続スイッチＳＷｃは駆動制御素子ＤＲのドレインとゲートとの間に接続されており、そのゲートは走査信号線ＳＬ２に接続されている。キャパシタＣは、駆動制御素子ＤＲのゲートと定電位端子ＮＤ１’との間に接続されている。
【００３７】
なお、この有機ＥＬ表示装置のうち絶縁基板ＳＵＢから画素電極ＰＥまでの構造がアレイ基板に相当している。アレイ基板は、隔壁絶縁層ＰＩをさらに含むことができる。また、アレイ基板は、映像信号線ドライバＸＤＲ及び走査信号線ドライバＹＤＲをさらに含むことができる。
【００３８】
この有機ＥＬ表示装置で画像を表示する場合、例えば、走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２の各々を線順次駆動する。そして、或る画素ＰＸに映像信号を書き込む書込期間では、まず、走査信号線ドライバＹＤＲから、先の画素ＰＸが接続された走査信号線ＳＬ１にスイッチＳＷａを開く走査信号を電圧信号として出力し、続いて、先の画素ＰＸが接続された走査信号線ＳＬ２にスイッチＳＷｂ及びＳＷｃを閉じる走査信号を電圧信号として出力する。この状態で、映像信号線ドライバＸＤＲから、先の画素ＰＸが接続された映像信号線ＤＬに映像信号を電流信号として出力し、駆動制御素子ＤＲのゲート−ソース間電圧を、先の映像信号に対応した大きさに設定する。その後、走査信号線ドライバＹＤＲから、先の画素ＰＸが接続された走査信号線ＳＬ２にスイッチＳＷｂ及びＳＷｃを開く走査信号を電圧信号として出力し、続いて、先の画素ＰＸが接続された走査信号線ＳＬ１にスイッチＳＷａを閉じる走査信号を電圧信号として出力する。
【００３９】
スイッチＳＷａを閉じている表示期間では、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤには、駆動制御素子ＤＲのゲート−ソース間電圧に対応した大きさの駆動電流が流れる。有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、駆動電流の大きさに対応した輝度で発光する。
【００４０】
この有機ＥＬ表示装置では、光散乱層ＬＳは、以下に説明するように、光の取り出し効率を高める役割を果たす。
【００４１】
光散乱層ＬＳを省略した場合、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの発光層が放出する光の一部は、画素電極ＰＥと有機物層ＯＲＧとの積層体又は画素電極ＰＥと有機物層ＯＲＧと対向電極ＣＥの積層体（以下、導波層という）内で反射又は全反射を繰り返しながら膜面方向に伝播する。この膜面方向に伝播する光は、導波層の主面に対する入射角が大きいと、外部に取り出すことができない。
【００４２】
図２の構造では、導波層の近傍に光散乱層ＬＳを配置している。また、透明粒子ＰＴＣから画素電極ＰＥまでの距離の最小値は、画素電極ＰＥと透明材料ＴＭとの界面に臨界角よりも大きな入射角で入射したときに生じるエバネッセント波のしみ出し深さの最大値未満である。そのため、このエバネッセント波の少なくとも一部は、透明材料ＴＭと透明粒子ＰＴＣとの界面で伝播光へと変換され、反射層ＲＦへ向けて進行する。なお、「エバネッセント波のしみ出し深さ」は、上記界面におけるエバネッセント波のエネルギーを１としたときに、エバネッセント波のエネルギーが１／ｅにまで減少する深さを意味する。
【００４３】
この伝播光は、透明材料ＴＭと透明粒子ＰＴＣとの界面を通過する毎に進行方向を変化させる。それゆえ、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤへと戻った伝播光の少なくとも一部は、界面に臨界角よりも小さな入射角で入射する。したがって、発光層が放出する光を、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの外部へと、より高い効率で取り出すことが可能となる。
【００４４】
この表示装置は、例えば、以下の方法により製造する。  
図３乃至図７は、図１及び図２の表示装置の製造方法の一例を概略的に示す断面図である。
【００４５】
まず、基板ＳＵＢの一主面上に、アンダーコート層ＵＣから反射層ＲＦまでの層構造を形成する。次に、この層構造上に、透明材料ＴＭの前駆体と透明粒子ＰＴＣとを含有した塗工液を塗布する。さらに、この塗膜をプリベークすることにより、図３に示すように、パターニング前の光散乱層ＬＳを得る。
【００４６】
次に、光散乱層ＬＳをパターニングする。この例では、光散乱層ＬＳに、出力制御スイッチＳＷａのドレインに接続されたドレイン電極ＤＥに連絡する貫通孔を形成する。
【００４７】
光散乱層ＬＳは、例えば、先の塗膜の現像液に対する溶解度が光照射によって変化する場合には、光散乱層ＬＳをパターン露光し、さらに現像することによりパターニングすることができる。この現像には、例えばパドル現像を利用することができる。また、先の塗膜が感光性を有していない場合には、例えば、光散乱層ＬＳ上にレジストパターンを形成し、これをマスクとして用いたエッチングを行うことにより光散乱層ＬＳをパターニングすることができる。
【００４８】
光散乱層ＬＳをパターニングすると、その除去した部分が含んでいた透明粒子ＰＴＣが、図４に示すように、光散乱層ＬＳの主面やこれに形成した開口内に付着する。通常の洗浄では、これら透明粒子ＰＴＣを光散乱層ＬＳから完全に除去することは難しい。
【００４９】
そこで、この方法では、以下に説明する洗浄を行う。  
すなわち、光散乱層ＬＳを、凝集剤を含んだ洗浄液で洗浄する。例えば、光散乱層ＬＳが下方を向くように基板ＳＵＢを支持して、光散乱層ＬＳを、凝集剤を含んだ洗浄液ＣＦに浸漬させる。これにより、光散乱層ＬＳの主面やこれに形成した開口内に付着している透明粒子ＰＴＣを凝集させ、凝集体ＡＧを生成する。凝集体ＡＧは、透明粒子ＰＴＣと比較してより沈降し易い。したがって、この洗浄により、光散乱層ＬＳから、その主面やこれに形成した開口内に付着している透明粒子ＰＴＣの多くを除去することができる。
【００５０】
典型的には、この洗浄に続き、光散乱層ＬＳを、水でさらに洗浄する。例えば、光散乱層ＬＳを、純水を用いた超音波洗浄に供する。これにより、光散乱層ＬＳに付着している洗浄液ＣＦを凝集体ＡＧと共に洗い流す。この洗浄でも、凝集体ＡＧは、透明粒子ＰＴＣと比較して、光散乱層ＬＳからより容易に除去することができる。
【００５１】
以上の洗浄を行うことにより、図６の構造を得る。その後、必要に応じ、光散乱層ＬＳをポストベークに供する。
【００５２】
次に、光散乱層ＬＳ上に、例えばマスクスパッタリングにより画素電極ＰＥを形成する。続いて、光散乱層ＬＳ上に、隔壁絶縁層ＬＳを形成する。さらに、画素電極ＰＥ上に、例えば蒸着法により、有機物層ＯＲＧ及び対向電極ＣＥを順次形成する。以上のようにして、図２及び図７の表示パネルＤＰを完成する。
【００５３】
その後、表示パネルＤＰに、映像信号線ドライバＸＤＲ及び走査信号線ドライバＹＤＲを実装する。さらに、映像信号線ドライバＸＤＲ及び走査信号線ドライバＹＤＲを、図示しないコントローラと接続する。以上のようにして、図１の表示装置を得る。
【００５４】
この方法によると、光散乱層ＬＳから、その主面やこれに形成した開口内に付着している透明粒子ＰＴＣの殆どを除去することができる。したがって、画素電極ＰＥと対向電極ＣＥとの短絡を生じるのを抑制することができる。
【００５５】
なお、光散乱層ＬＳの主面に透明粒子ＰＴＣが付着したまま有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを形成した場合には、典型的には、以下に説明する理由で、画素電極ＰＥと対向電極ＣＥとの短絡が生じ易い。
【００５６】
図８は、光散乱層の主面に付着した透明粒子に起因して生じる電気的短絡の一例を概略的に示す断面図である。
【００５７】
光散乱層ＬＳの主面に透明粒子ＰＴＣが付着したまま画素電極ＰＥを形成すると、図８に示すように、この透明粒子ＰＴＣの位置で画素電極ＰＥが隆起する。有機物層ＯＲＧを特に蒸着法によって形成した場合には、画素電極ＰＥの隆起部近傍で有機物層ＯＲＧに開口を生じ易い。画素電極ＰＥ上で有機物層ＯＲＧが開口すると、この開口部で画素電極ＰＥと対向電極ＣＥとの短絡を生じる。このような理由で、光散乱層ＬＳの主面に透明粒子ＰＴＣが付着したまま有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを形成すると、画素電極ＰＥと対向電極ＣＥとの短絡が生じ易い。
【００５８】
これに対し、図３乃至図７を参照しながら説明した方法によると、光散乱層ＬＳから、その主面やこれに形成した開口内に付着している透明粒子ＰＴＣの殆どを除去することができる。したがって、画素電極ＰＥと対向電極ＣＥとの短絡を生じるのを抑制することができる。
【００５９】
透明材料ＴＭとしては、例えば、アクリル系感光性透明樹脂を使用することができる。
【００６０】
透明粒子ＰＴＣは、透明材料ＴＭとは屈折率が異なっている。透明粒子ＰＴＣの材料としては、例えば、酸化チタンや酸化ジルコニウムなどのアクリル樹脂と屈折率差が大きい透明無機物を使用することができる。
【００６１】
洗浄液ＣＦは、溶剤として、例えば、純水やアルカリ性イオン水などの機能水を使用することができる。洗浄液ＣＦが含む凝集剤としては、例えば、高分子凝集剤などを使用することができる。洗浄液ＣＦ中の凝集剤の濃度は、例えば、１０ｐｐｍ程度とする。
【実施例】
【００６２】
以下、本発明の実施例について説明する。
【００６３】
本例では、図３乃至図７を参照しながら説明した方法により、図１及び図２に示す表示パネルＤＰを製造した。
【００６４】
具体的には、まず、基板ＳＵＢの一主面上に、アンダーコート層ＵＣから反射層ＲＦまでの層構造を形成した。
【００６５】
次に、この層構造上に、透明材料ＴＭと透明粒子ＰＴＣとを含有した塗工液を塗布した。光散乱層ＬＳを形成するための塗工液としては、酸化チタンからなる平均粒径が０．０６μｍの透明粒子ＰＴＣと感光性樹脂とを含有した混合物を使用した。なお、ここで使用した感光性樹脂は、アクリル系樹脂である。さらに、この塗膜を約９０℃のプリベークに供した。これにより、図３に示すように、パターニング前の光散乱層ＬＳを得た。
【００６６】
次に、光散乱層ＬＳを、紫外線を用いたパターン露光に供し、続いて、パドル現像した。これにより、光散乱層ＬＳに、出力制御スイッチＳＷａのドレインに接続されたドレイン電極ＤＥに連絡する貫通孔を形成した。
【００６７】
その後、光散乱層ＬＳが下方を向くように基板ＳＵＢを支持して、光散乱層ＬＳを、常温の洗浄液ＣＦに３分間浸漬させた。洗浄液ＣＦとしては、高分子凝集剤を純水中に１０ｐｐｍの濃度で溶解させてなる溶液を使用した。続いて、光散乱層ＬＳを、純水を用いた超音波洗浄に供した。
【００６８】
光散乱層ＬＳを約２２０℃のポストベークに供した後、光散乱層ＬＳ上に、スパッタリングとフォトリソグラフィとエッチングとによりＩＴＯからなる厚さ５０ｎｍの画素電極ＰＥを形成した。続いて、光散乱層ＬＳ上に、樹脂からなる隔壁絶縁層ＬＳを形成した。さらに、画素電極ＰＥ上に、例えば蒸着法により、厚さ２００ｎｍの有機物層ＯＲＧと厚さ１００ｎｍの対向電極ＣＥとを順次形成した。以上のようにして、図２及び図７の表示パネルＤＰを完成した。
【００６９】
その後、表示パネルＤＰに、映像信号線ドライバＸＤＲ及び走査信号線ドライバＹＤＲを実装した。さらに、映像信号線ドライバＸＤＲ及び走査信号線ドライバＹＤＲを、図示しないコントローラと接続した。以上のようにして、図１の表示パネルＤＰを得た。
【００７０】
この表示パネルＤＰについて画素電極ＰＥと対向電極ＣＥとの短絡の有無を調べた。その結果、画素電極ＰＥと対向電極ＣＥとの短絡は全く生じていなかった。
【図面の簡単な説明】
【００７１】
【図１】本発明の一態様に係る方法を利用して製造可能な表示装置の一例を概略的に示す平面図。
【図２】図１の表示装置に採用可能な構造の一例を概略的に示す断面図。
【図３】図１及び図２の表示装置の製造方法の一例を概略的に示す断面図。
【図４】図１及び図２の表示装置の製造方法の一例を概略的に示す断面図。
【図５】図１及び図２の表示装置の製造方法の一例を概略的に示す断面図。
【図６】図１及び図２の表示装置の製造方法の一例を概略的に示す断面図。
【図７】図１及び図２の表示装置の製造方法の一例を概略的に示す断面図。
【図８】光散乱層の主面に付着した透明粒子に起因して生じる電気的短絡の一例を概略的に示す断面図。
【符号の説明】
【００７２】
Ｃ…キャパシタ、ＣＥ…対向電極、ＤＥ…ドレイン電極、ＤＬ…映像信号線、ＤＰ…表示パネル、ＤＲ…駆動制御素子、Ｇ…ゲート、ＧＩ…ゲート絶縁膜、ＩＩ…層間絶縁膜、ＬＳ…光散乱層、ＮＤ１…電源端子、ＮＤ１’…定電位端子、ＮＤ２…電源端子、ＯＬＥＤ…有機ＥＬ素子、ＯＲＧ…有機物層、ＰＥ…画素電極、ＰＩ…隔壁絶縁層、ＰＳ…パッシベーション膜、ＰＳＬ…電源線、ＰＴＣ…透明粒子、ＰＸ…画素、ＲＦ…反射層、ＳＣ…半導体層、ＳＥ…ソース電極、ＳＬ１…走査信号線、ＳＬ２…走査信号線、ＳＵＢ…絶縁基板、ＳＷａ…出力制御スイッチ、ＳＷｂ…選択用スイッチ、ＳＷｃ…ダイオード接続スイッチ、ＴＭ…透明材料、ＵＣ…アンダーコート層、ＸＤＲ…映像信号線ドライバ、ＹＤＲ…走査信号線ドライバ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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