(57)【要約】【課題】ウェハの端面を保護した状態で、ウェハ端面の被研磨膜を除去する研磨方法および研磨装置を提供する。【解決手段】表面側に砥粒４３が固定された研磨テープ４０を用いて、ウェハＷの端面を研磨する研磨方法において、ウェハの端面側に酸化剤を含む研磨液Ｌを供給した状態で、ウェハの端面を研磨することを特徴とする研磨方法である。また、異なる研磨液をウェハＷの表面に供給するための、複数のノズルを備えたウェハの端面を研磨する研磨装置である。【選択図】図３
2008036783.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
研磨テープを用いて、ウェハの端面を研磨する研磨方法において、
ウェハの端面側に酸化剤を含む研磨液を供給した状態で、ウェハの端面を研磨する
ことを特徴とする研磨方法。
【請求項２】
請求項１記載の研磨方法において、
前記研磨テープは、表面側に固定化された砥粒または凹凸を有しており、
前記研磨テープの表面側を前記ウェハの端面に押し付けて、前記ウェハの端面を研磨する
ことを特徴とする研磨方法。
【請求項３】
請求項１記載の研磨方法において、
前記ウェハの端面に酸化膜からなる保護膜を形成しながら、前記ウェハの端面を研磨する
ことを特徴とする研磨方法。
【請求項４】
請求項１記載の研磨方法において、
前記ウェハの端面側には金属膜が露出されており、
前記金属膜を酸化しながら、前記ウェハの端面を研磨することで、前記金属膜を除去する
ことを特徴とする研磨方法。
【請求項５】
請求項１記載の研磨方法において、
前記酸化剤を含む前記研磨液とともに、金属錯化剤を含む研磨液を供給した状態で、前記ウェハの端面を研磨する
ことを特徴とする研磨方法。
【請求項６】
研磨テープを用いて、ウェハの端面を研磨する研磨装置において、
ウェハを回転可能に保持するウェハ保持部と、
前記ウェハ保持部に保持された状態のウェハの表面に研磨液を供給するノズルを有する研磨液供給部と、
前記ウェハ保持部に保持された状態のウェハの端面側に、張設した状態で前記研磨テープを保持するテープ保持部と、
前記テープ保持部により張設された状態の前記研磨テープを、裏面側から前記ウェハ保持部に保持された状態のウェハの端面側に押し付けるパッドを有するテープ押圧部とを備え、
前記研磨液供給部には、複数のノズルが設けられている
ことを特徴とする研磨装置。
【請求項７】
請求項６記載の研磨装置において、
前記複数のノズルは、前記ウェハの表面の略中心部に前記研磨液を供給する第１のノズルと、前記ウェハの表面の端面側に前記研磨液を供給する第２のノズルとを備えている
ことを特徴とする研磨装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、研磨方法および研磨装置に関し、さらに詳しくは、表面側に固定された砥粒または凹凸を有する研磨テープを用いた研磨方法および研磨装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの製造においては、ウェハ表面にデバイスを作る過程で、成膜、エッチング、平坦化などの加工が繰り返し行われていく。従来までは、それぞれの工程の加工状況が、ウェハ面内で均一であれば良かったが、ウェハの直径が大口径化するに従い、面内の均一性を保つことが難しくなり、特にウェハ端面では、ウェハ面内の均一性を維持しながら、端面の加工を制御することが難しくなっている。
【０００３】
また、配線に銅（Ｃｕ）などのトランジスタ特性に影響がある材料が使われるようになり、例えばシリコン（Ｓｉ）ウェハを用いた半導体デバイスの製造ではＣｕ配線の加工工程でウェハ裏面や端面を保護しつつ加工を行う必要があるため、ますます加工工程が複雑になっている。そして、加工工程が複雑化することで、ウェハの表面と裏面の間にあるウェハ端面は、パーティクルの制御などが非常にし難い状態にある。したがって、近年では半導体デバイスを形成する過程で、ウェハ端面を研磨することで端面からの異常物の発生を抑制している（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
ウェハ端面を研磨する方法としては、スピン回転しているウェハ上に砥粒を含む研磨用スラリーを吐出させて、研磨布をウェハ端面に押し当てて研磨を行う方法がある（例えば、特許文献２参照）。この方法によれば、砥粒が研磨布に固定されていない状態で研磨が行われるため、ウェハ端面に砥粒の研磨痕が付き難いという利点がある。しかし、研磨後に、砥粒を除去するための、強力な洗浄作用を有する洗浄液を用いた洗浄処理が必要になり、ウェハ上に半導体デバイスが搭載された状態で行うことは難しく、適用できる工程が制限されてしまう。
【０００５】
そこで、表面側に砥粒が固定された研磨テープ（研磨フィルム）を用いたウェハ端面の研磨方法が報告されている（例えば、特許文献３参照）。ここで、この研磨方法の一例を、図８を用いて説明すると、フィルム基材４１の表面側に設けられた接着層４２に砥粒４３が固定された状態の研磨テープ４０を、回転した状態のウェハＷの端面側に押し付けて研磨する。この研磨方法では、ウェハ上に砥粒を含む研磨用スラリーを供給せずに、一般的に、研磨液として純水を用いることから、研磨後にあまり強力な洗浄処理を必要としない、という利点があり、半導体デバイスの製法に適用し易い。
【０００６】
【特許文献１】特開２００１−３４５２９４号公報
【特許文献２】特開２００３−２０９０７５号公報
【特許文献３】特開２００３−１６３１８８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、上述した研磨方法では、特に砥粒として硬質なダイヤモンドを用いた場合、図８の領域Ｙの拡大図に示すように、ウェハＷの端面に砥粒の研磨痕Ｄ’が付き易く、クラック等の損傷が発生し易い、という問題があった。
【０００８】
そこで、本発明は、ウェハの端面を保護した状態で、ウェハ端面の被研磨膜を除去する研磨方法および研磨装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上述したような目的を達成するために、本発明の研磨方法は、研磨テープを用いて、ウェハの端面を研磨する研磨方法において、ウェハの端面側に酸化剤を含む研磨液を供給した状態で、ウェハの端面を研磨することを特徴としている。
【００１０】
このような研磨方法によれば、ウェハの端面側に酸化剤を含む研磨液を供給した状態で、ウェハの端面を研磨することで、研磨により、ウェハを構成するシリコンが露出される場合であっても、酸化膜からなる保護膜を形成しながら、研磨を行うことができるため、ウェハの端面に砥粒の研磨痕が付き難くなる。また、ウェハの端面側に絶縁膜を介して露出された金属膜を、研磨により除去する場合には、金属膜の表面が酸化することで、脆弱化されるため、金属膜を選択的に除去しながら、ウェハの端面は下地となる絶縁膜で保護された状態で、研磨を行うことが可能である。
【００１１】
また、本発明の研磨装置は、研磨テープを用いて、ウェハの端面を研磨する研磨装置において、ウェハを回転可能に保持するウェハ保持部と、ウェハ保持部に保持された状態のウェハの表面に研磨液を供給するノズルを有する研磨液供給部と、ウェハ保持部に保持された状態のウェハの端面側に砥粒を向けて、張設された状態で研磨テープを保持するテープ保持部と、テープ保持部により張設された状態の研磨テープを、裏面側からウェハ保持部に保持された状態のウェハの端面側に押し付けるパッドを有するテープ押圧部とを備え、研磨液供給部には、複数のノズルが設けられていることを特徴としている。
【００１２】
このような研磨装置によれば、研磨液供給部に複数のノズルが設けられていることから、例えば配線形成後等の絶縁膜を介して金属膜が露出された状態のウェハ端面の処理を行う場合に、酸化剤を含む研磨液とともに、金属錯化剤を含む研磨液を供給することが可能となる。これにより、金属膜の表面が酸化することで、脆弱化されるため、金属膜を選択的に除去しながら、ウェハの端面を下地となる絶縁膜で保護した状態で、研磨を行うことが可能である。
【発明の効果】
【００１３】
以上、説明したように、本発明の研磨方法および研磨装置によれば、ウェハの端面を保護した状態で研磨を行うことができるため、ウェハ端面のクラックの発生を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明に係る研磨方法および研磨装置について、図面に基づいて詳細に説明する。
【００１５】
（第１実施形態）
＜研磨装置＞
まず、本実施形態の研磨装置について説明する。図１は、研磨装置１の概略構成を示す斜視図である。ここで説明する研磨装置１は、ウェハＷを回転可能に保持するウェハ保持部１０と、ウェハ保持部１０に保持された状態のウェハＷの表面に研磨液Ｌを供給する研磨液供給部２０と、ウェハ保持部１０に保持され、回転した状態のウェハＷの端面を研磨する研磨ヘッド３０とを備えている。
【００１６】
上記ウェハ保持部１０は、外部のモーター（図示省略）に連結された回転軸１１と、この回転軸１１の上端部に固定された保持台１２とを備えている。保持台１２は、例えば外部の真空ポンプ（図示省略）に連通する複数の孔（図示省略）を有しており、真空ポンプの駆動により、ウェハＷが保持台１２に吸着される真空チャック方式で、ウェハ保持部１０に保持されるように構成されている。ウェハ保持部１０に保持された状態のウェハＷは、上記外部のモーターを駆動して、回転軸１１を回転させることにより、例えば矢印Ｒ１の方向に回転される。
【００１７】
また、研磨液供給部２０は、ウェハ保持部１０に保持された状態のウェハＷの表面に、酸化剤を含む薬液からなる研磨液Ｌを供給するノズル２１を備えている。ここでの図示は省略するが、ノズル２１は、フローメーターが設けられた配管を介して研磨液Ｌの貯留タンクに接続されており、研磨液Ｌを、回転されたウェハＷの表面の略中心に供給するように、配置されている。ここで、貯留タンクには、加熱機構が設けられていることとする。これにより、加温した状態の研磨液ＬをウェハＷの表面に供給することができる。ノズル２１から供給された研磨液Ｌは、遠心力により、ウェハＷの端面側に供給される。なお、ここでは、回転されたウェハＷの表面の略中心に研磨液Ｌを供給するように、ノズル２１が配置された例について説明するが、ウェハ保持部１０に保持された状態のウェハＷの端面側に、直接研磨液Ｌを供給するように、ノズル２１が配置されていてもよい。
【００１８】
また、研磨ヘッド３０は、ウェハ保持部１０に保持された状態のウェハＷの端面側に、砥粒が設けられた表面側を向けて、張設した状態で研磨テープ４０を保持するテープ保持部３１と、テープ保持部３１により張設された状態の研磨テープ４０を、この研磨テープ４０の裏面側から、ウェハ保持部１０に保持された状態のウェハＷの端面側に押し付けるパッドを有するテープ押圧部３２を備えている。
【００１９】
上記テープ保持部３１は、ウェハ保持部１０に隣接する位置に対向配置された支持板（図示省略）の間に、それぞれ水平方向に平行に配置された４つの第１〜第４のローラー３３ａ、３３ｂ、３３ｃ、３３ｄを備えている。また、ここでの図示は省略したが、上記支持板間には、テープ送出部とテープ巻取部が各ローラー３３ａ〜３３ｄと平行に配置されており、テープ送出部には、研磨テープ４０のロールが取り付けられるように、構成されている。そして、テープ巻取部に連結したモーターを駆動することで、テープ送出部（図示省略）から引き出された研磨テープ４０が、矢印Ａ方向に移動し、第１のローラー３３ａ、第２のローラー３３ｂ、第３のローラー３３ｃおよび第４のローラー３３ｄを順次介して、テープ巻取部（図示省略）で巻き取られるように構成されている。
【００２０】
そして、上記第２のローラー３３ｂと第３のローラー３３ｃにより、研磨テープ４０は砥粒が設けられた表面側をウェハ保持部１０に保持された状態のウェハＷに向けて、張設した状態で保持される。ここで、第２のローラー３３ｂと第３のローラー３３ｃにより張設された研磨テープ４０の略中央部にウェハＷの端面が配置される。
【００２１】
また、テープ押圧部３２は、パッド３４と、パッド３４が固定されたシャフト３５と駆動によりシャフト３５を進退移動させるピストンシリンダ３６とを備えている。そして、ピストンシリンダ３６の駆動により、シャフト３５を前進させることで、パッド３４を介して、研磨テープ４０の裏面側から、研磨テープ４０をウェハ保持部１０に保持された状態のウェハＷの端面側に押し付ける。なお、ウェハＷ端面への研磨テープ４０の押し付け圧力は、シャフト３５の進退移動の量を調節することで行われる。
【００２２】
ここで、研磨テープ４０は、図２の要部拡大図に示すように、例えばＰＥＴからなるフィルム基材４１の表面に例えばポリエステル系樹脂からなる接着層４２が設けられており、この接着層４２に例えばダイヤモンドからなる砥粒４３が固定されている。なお、ここでは、接着層４２がポリエステル系樹脂で構成される例について説明したが、本発明はこれに限定されず、ポリウレタン系樹脂等の他の樹脂材料で構成されてもよく、これらを発泡させたものを用いてもよい。また、砥粒４３についてもダイヤモンドに限定されることなく、炭化シリコン（ＳｉＣ）、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、酸化クロム（Ｃｒ2Ｏ3）、酸化鉄（Ｆｅ2Ｏ3）、酸化セリウム（Ｃｅ2Ｏ3）、シリカ等を用いることができる。
【００２３】
＜研磨方法＞
次に、以上のように構成された研磨装置による処理動作例、すなわち本発明の第１実施形態における研磨方法について、図３を用いて説明する。なお、上記研磨装置１の各構成については、図１〜図２で示した各構成の符号を用いて説明する。
【００２４】
まず、ウェハ保持部１０に真空チャック方式でウェハＷを保持し、回転軸１１を回転させることで、保持台１２とともにウェハＷを回転させる。
【００２５】
次に、ウェハ保持部１０に保持されたウェハＷの表面の略中心に、研磨液供給部２０のノズル２１から、例えば過酸化水素からなる酸化剤を含む研磨液Ｌを供給する。この際、ウェハＷは回転されていることから、研磨液ＬはウェハＷの端面側に供給される。ここで、ウェハＷの表面の略中心に、研磨液Ｌを供給することで、ウェハＷの回転による跳ね返りにより付着するパーティクルを除去しながら、研磨を行うことが可能である。
【００２６】
また、後述するように、酸化剤を含む研磨液Ｌを供給することで、Ｓｉ表面に酸化膜（ここではＳｉＯ2膜）５１を形成し、保護膜として機能させるため、研磨液Ｌに含まれる過酸化水素の濃度は３wt％以上３０wt％以下であることが好ましく、研磨液Ｌの温度は２５℃以上８０℃以下に調整することが好ましい。研磨液Ｌの温度は上述した範囲で高い程Ｓｉ表面に酸化膜５１を形成し易くなるため、好ましい。
【００２７】
一方、テープ保持部３１のテープ巻取部に接続されたモーターを駆動させることで、ウェハ保持部１０に保持されたウェハＷの端面側に、表面側に設けられた砥粒４３を向けて、第２のローラー３３ｂと第３のローラー３３ｃの間に研磨テープ４０を張設する。続いて、テープ押圧部３２のピストンシリンダ３６を駆動し、シャフト３５に固定されたパッド３４を前進させて、研磨テープ４０の砥粒４３側を回転した状態のウェハＷの端面に押し付ける。これにより、ウェハＷ端面の研磨が行われる。
【００２８】
ここで、研磨中に酸化剤を含む研磨液Ｌが供給されることで、ウェハＷの端面側のＳｉ）が露出された場合でも、Ｓｉ表面にシリコン酸化膜（ＳｉＯ2膜）５１が形成された状態で研磨が行われる。これにより、領域Ｘの拡大図に示すように、このＳｉＯ2膜が保護膜として機能し、砥粒４３の研磨痕Ｄが抑制される。
【００２９】
ここで、図４に、研磨テープ４０の砥粒４３にダイヤモンドを用いた場合の、ＳｉＯ2膜とＳｉでの研磨レートを測定した結果を示す。このグラフに示すように、ＳｉＯ2膜とＳｉとでは、ＳｉＯ2膜の方が顕著に低い研磨レートを示すことが確認された。これにより、ウェハＷの端面にＳｉＯ2膜が形成されることで、ウェハＷの端面が保護されることが示唆された。これは、ＳｉよりもＳｉＯ2膜の方が、砥粒４３が食い込み難いため、と考えられる。
【００３０】
以上説明したように、本実施形態の研磨方法によれば、ウェハＷの端面側に酸化剤を含む研磨液Ｌを供給した状態で、ウェハＷの端面を研磨することで、研磨により、ウェハＷを構成するＳｉが露出される場合であっても、酸化膜５１からなる保護膜を形成しながら、研磨を行うことができるため、ウェハＷの端面に砥粒４３の研磨痕Ｄが付き難くなる。したがって、ウェハＷの端面を保護した状態で研磨を行うことができるため、クラックの発生を防止することができる。
【００３１】
なお、本実施形態においては、研磨液Ｌに含有される酸化剤として過酸化水素を用いた例について説明したが、本発明はこれに限定されず、ＰＩＡ（ＨＩＯ4・２Ｈ2Ｏ)、ＨＤＡ（Ｈ2ＮＯＨ），ＡＰＳ（(ＮＨ4) 2Ｓ2Ｏ8）、Ｃｅ(ＮＨ4)2(ＮＯ3)6、ＳＭＡ（ＳｉＯ2・１２ＭｏＯ3・ｎＨ2Ｏ）、ＩＮ（Ｆｅ(ＮＯ3)3・９Ｈ2Ｏ）等の酸化剤を用いることができる。
【００３２】
（変形例１）
なお、上記第１実施形態においては、表面側に固定化された砥粒４３を有する研磨テープ４０を用いた研磨装置および研磨方法の例について説明したが、以下に示すような表面側に凹凸を有する研磨テープを用いた場合でも本発明は適用可能である。
【００３３】
ここで、表面側に凹凸を有する研磨テープとしては、図５（ａ）に示すように、例えばＰＥＴからなるフィルム基材４１Ａの表面に、例えば発泡ポリウレタンからなる研磨層４２Ａが設けられた研磨テープ４０Ａが挙げられる。この研磨テープ４０Ａは、フィルム基材４１Ａの表面に研磨層４２Ａを付着する際に、発泡剤を含むポリウレタンを発泡させてフィルム基材４１Ａに付着する。これにより、研磨層４２Ａには発泡による空隙Ａが設けられ、表面側に凹凸が設けられた研磨テープ４０Ａが形成される。
【００３４】
また、図５（ｂ）に示すように、表面側に凹凸が設けられた例えばＰＥＴからなるフィルム基材４１Ｂの表面側に、例えばポリウレタンからなる研磨層４２Ｂが設けられた研磨テープ４０Ｂを用いてもよい。この場合には、フィルム基材４１Ｂの表面形状に倣って、研磨層４２Ｂの表面側には凹凸が設けられるため、研磨テープ４０Ｂの表面側は凹凸を有した状態となる。
【００３５】
さらには、図５（ｃ）に示すように、例えばＰＥＴからなるフィルム基材４１Ｃの表面側に設けられた例えばポリウレタンからなる研磨層４２Ｃの表面側を加工してなる研磨テープ４０Ｃを用いてもよい。この場合には、例えば上記研磨層４２Ｃの表面側に、ダイヤモンドコンディショナーを用いて凹部を形成する、または、表面側に凹凸を有する金属性のドラムに上記研磨層４２Ｃを当接させることで、その形状を転写してもよい。これによっても、研磨テープ４０Ｃの表面側は凹凸を有した状態となる。
【００３６】
上述したように、表面側に凹凸を有する研磨テープ４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃを用いることで、表面側に砥粒４３が固定された研磨テープ４０を用いる場合と比較して、機械的な研磨作用が抑制されるため、より確実に、ウェハＷの端面を保護した状態で研磨を行うことが可能となり、クラックの発生を防止することができる。
【００３７】
（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態について説明する。ただし、ここでは、上述した第１実施形態の場合との相違点を説明し、同様の内容についてはその説明を省略する。
【００３８】
ここでは、被研磨物として、銅（Ｃｕ）配線形成後のウェハＷを用いた例について説明する。図６に示すように、Ｃｕ配線形成後のウェハＷは、ウェハＷの表面側から端面にかけて、ウェハＷ上に例えばＳｉＯ2膜５２が層間絶縁膜として設けられており、Ｃｕ配線からのＣｕの拡散を防止するバリアメタル膜５３を介して、Ｃｕ配線膜からなる金属膜５４が形成されている。一方、ウェハＷの裏面側には端面にかけて、シリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）５５が設けられている。
【００３９】
ここで、本実施形態においては、研磨装置のノズル２１をウェハ保持部１０に保持されたウェハＷの端面側に、研磨液Ｌが直接供給される位置に配置することが好ましい。これにより、ウェハＷの端面側に研磨液Ｌを直接供給することで、ウェハＷ表面の端面以外の領域の金属膜５４は酸化されずに維持される。
【００４０】
このような研磨装置を用いて、Ｃｕ配線形成後のウェハＷの端面の金属膜５４およびバリアメタル膜５３を研磨する。この場合には、酸化剤を含む研磨液Ｌが金属膜５４およびバリアメタル膜５３の表面を酸化して脆弱にすることで、研磨が促進されるとともに、ウェハＷの端面側は、ＳｉＯ2膜５２およびＳｉＮ膜５５により保護される。
【００４１】
また、この研磨方法では、ウェハＷを構成するＳｉが端面に露出されると、ウェハＷ内にＣｕが拡散してしまうため、ＳｉＯ2膜５２とＳｉＮ膜５５は確実に残存させる必要がある。このため、研磨テープ４０の砥粒４３としては、ＳｉＯ2膜を研磨し難い＃３００００程度のメッシュサイズの細かいシリカ砥粒を用いることが、好ましい。
【００４２】
このような研磨方法によれば、ウェハＷの端面を保護した状態で、研磨を行うことが可能である。また、本実施形態の研磨方法によれば、金属膜５４およびバリアメタル膜５３を酸化させつつ研磨を行うことで、研磨レートを高めることができる。
【００４３】
（第３実施形態）
次に、本発明の第３実施形態について説明する。ただし、ここでは、上述した第２実施形態の場合との相違点を説明し、同様の内容についてはその説明を省略する。
【００４４】
ここでは、被研磨物として、第２実施形態と同様に、Ｃｕ配線形成後のウェハＷを用いることとする。本実施形態では、２つの異なる研磨液を用いてウェハの端面Ｗを研磨する研磨方法について、説明する。
【００４５】
この場合の研磨方法に用いる研磨装置の概略図を図７に示す。この図に示す研磨装置は、研磨液供給部２０にウェハＷの表面に異なる研磨液Ｌａ、Ｌｂを供給するノズル２１ａ，２１ｂを備えている。ノズル２１ａは、ウェハ保持部１０に保持されたウェハＷの端面側に、例えば過酸化水素を含む酸化剤を含む研磨液Ｌａを直接供給するように構成されている。一方、ノズル２１ｂは、ウェハ保持部１０に保持されたウェハＷの表面の略中心に、例えばキナルジン酸からなる金属錯化剤を含む研磨液Ｌｂを供給するように構成されている。
【００４６】
ここで、酸化剤を含む研磨液Ｌａとともに、金属錯化剤を含む研磨液Ｌｂを供給することで、金属膜５４およびバリアメタル膜５３を構成する金属材料との錯体が形成されるため、酸化剤を含む研磨液Ｌａのみを供給する場合と比較して、研磨レートをさらに高めることが可能となる。
【００４７】
研磨液Ｌｂに含まれる金属錯化剤としては、研磨液Ｌｂに溶解しない不溶性のものを用いることが好ましく、不溶性の金属錯化剤を含む研磨液ＬｂをウェハＷの表面の略中心に供給することで、酸化剤を含む研磨液Ｌａと混合するまで、錯化作用を呈しないことから、ウェハＷ端面の金属膜５４とバリアメタル膜５３の研磨レートを高めることが可能である。ただし、ノズル２１ｂをウェハＷ端面側に直接研磨液Ｌｂを供給する位置に配置して、ウェハＷ端面側に直接研磨液Ｌｂを供給しても構わない。
【００４８】
このような研磨方法によれば、ウェハＷの端面を保護した状態で、研磨を行うことが可能である。また、本実施形態の研磨方法によれば、金属膜５４およびバリアメタル膜５３を酸化させるとともに、金属錯体を形成しつつ研磨を行うことで、研磨レートを高めることできる。
【００４９】
なお、上述した第２実施形態および第３実施形態の研磨装置および研磨方法であっても、第１実施形態の変形例１で図５を用いて説明した表面側に凹凸を有する研磨テープ４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃを用いてもよい。この場合であっても、表面側に砥粒４３が固定された研磨テープ４０を用いる場合と比較して、機械的な研磨作用が抑制されるため、より確実に、金属膜５４およびバリアメタル膜５３の下層となるＳｉＯ2膜５２とＳｉＮ膜５５とを残存させて、ウェハＷの端面を保護した状態で研磨を行うことが可能となり、クラックの発生を防止することができる。
【００５０】
また、上記第１〜第３実施形態および変形例１では、表面側に固定された砥粒４３が設けられた研磨テープ４０または表面側に凹凸を有する研磨テープ４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃを用いた例について説明したが、表面側に砥粒や凹凸がない研磨テープを用いてもよい。ただし、表面側に固定された砥粒や凹凸を有する研磨テープを用いた方が、研磨レートが高いため、好ましい。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本発明の研磨方法に係る第１実施形態で用いる研磨装置を説明するための斜視図である。
【図２】本発明の研磨方法に係る第１実施形態で用いる研磨装置を説明するための要部拡大断面図である。
【図３】本発明の研磨方法に係る第１実施形態を説明するための断面図である。
【図４】シリコンとシリコン酸化膜の研磨レートを示すグラフである。
【図５】本発明の研磨方法および研磨装置に用いる研磨テープの例を示す断面図である。
【図６】本発明の研磨方法に係る第２実施形態を説明するための断面図である。
【図７】本発明の研磨装置に係る第３実施形態を説明するための斜視図である。
【図８】従来の研磨方法を説明するための斜視図である。
【符号の説明】
【００５２】
１０…ウェハ保持部、２０…研磨液供給部、２１，２１ａ，２１ｂ，２１ｂ’…ノズル、３１…テープ保持部、３２…テープ押圧部、３４…パッド、４０，４０Ａ，４０Ｂ，４０Ｃ…研磨テープ、４３…砥粒、Ｗ…ウェハ、Ｌ、Ｌａ、Ｌｂ…研磨液
【図１】
2008036783.tif 000003
【図２】
2008036783.tif 000004
【図３】
2008036783.tif 000005
【図４】
2008036783.tif 000006
【図５】
2008036783.tif 000007
【図６】
2008036783.tif 000008
【図７】
2008036783.tif 000009
【図８】
2008036783.tif 000010