(57)【要約】【課題】バックイルミネーション方式の光磁気記録媒体において、高い記録密度を達成すること。【解決手段】本発明の光磁気記録媒体Ｘ１は、光透過性を有する基材Ｓと、記録機能および再生機能を担う磁性部１１と、基材Ｓおよび磁性部１１の間に介在し、光透過性を有した酸化金属膜で形成され、且つ、磁性部１１に接して当該磁性部１１の垂直磁気異方性を高めるためのコラム構造１２ａ面を有する、補助層１２と、を備える。【選択図】図１
2008181664.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光透過性を有する基材と、
記録機能および再生機能を担う磁性部と、
前記基材および前記磁性部の間に介在し、光透過性を有した酸化金属膜で形成され、且つ、前記磁性部に接して当該磁性部の垂直磁気異方性を高めるためのコラム構造面を有する、補助層と、を備える、光磁気記録媒体。
【請求項２】
前記酸化金属膜は、Ａｇ，Ａｌ，Ｎｉ，Ｔｉ，Ｚｒ，ＹおよびＲｕからなる群より選択される金属の酸化物、若しくは、Ａｇ，Ａｌ，Ｎｉ，Ｔｉ，Ｚｒ，ＹおよびＲｕからなる群より選択される金属を含む合金の酸化物よりなる、請求項１に記載の光磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、バックイルミネーション方式の光磁気記録媒体、および、その製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、光磁気記録媒体が注目を集めている。光磁気記録媒体は、磁性材料における種々の磁気特性を利用して構成され、熱磁気的な記録および磁気光学効果を利用した再生という２つの機能を担う書換え可能な記録媒体である。光磁気記録媒体は、垂直磁化膜からなる記録層を有し、当該記録層において、磁化方向の変化として所定の信号が記録されている。この記録信号は、再生信号読み取り用の所定の光学系で読み取られる。このような光磁気記録媒体については、例えば下記の特許文献１，２に開示されている。
【０００３】
【特許文献１】特開平６−１１１４０５号公報
【特許文献２】特開平６−２９０４９６号公報
【０００４】
光磁気記録媒体の技術の分野では、再生信号読取り用の光学系における分解能の限界を超えて高密度に記録された信号を実用的に再生するための、種々の再生方式が開発されている。例えば、ＭＳＲ(magnetic super resolution)、ＭＡＭＭＯＳ(magnetic amplifying magneto-optical system）、および、ＤＷＤＤ(domain wall displacement detection)である。
【０００５】
ＤＷＤＤ方式の光磁気記録媒体においては、記録層と、再生層と、これらの間の中間層とによる積層構造を有する磁性材料部が、所定の基板の上に設けられている。これら３層は、各々、一般に希土類−遷移金属アモルファス合金よりなる垂直磁化膜であり、非加熱時において隣接２層間に交換相互作用が働くように積層されている。記録層は相対的に大きな磁壁抗磁力を呈し、再生層は相対的に小さな磁壁抗磁力を呈し、中間層は他の２層より低いキュリー温度を有する。
【０００６】
記録層には、媒体の走査方向に沿って所定の信号が記録されている。具体的には、記録層には、媒体走査方向に連続して交互に磁化が反転し且つ記録信号に応じた所定の長さを各々が有する複数の磁区が形成されており、従って、走査方向に沿って記録信号に応じた間隔で起立する複数の磁壁が形成されている。再生層および中間層は、媒体温度が中間層のキュリー温度より低い温度条件の下では中間層を介して記録層と再生層とが交換結合し、且つ、媒体温度が中間層のキュリー温度を越える所定の温度条件の下では再生層内で磁壁移動現象が起こるように構成されている。媒体温度が中間層のキュリー温度より低い温度条件の下では、中間層を介して記録層と交換結合している再生層には、記録層と同方向に磁化された磁区と、磁区間の磁壁とが固定されている。媒体温度が中間層のキュリー温度より高い温度条件の下では、中間層の自発磁化が消失し、当該中間層を介する記録層および再生層の交換結合は切断される。その結果、磁壁抗磁力の小さな再生層において磁壁が移動可能となる。当該磁壁は、再生層内に温度勾配が存在する場合に、より高温な領域へと移動する。
【０００７】
上述のような構成の磁性材料部よりなる情報トラックが形成されているＤＷＤＤ方式光磁気ディスクの再生動作においては、当該ディスクを回転させつつ情報トラックに再生用のレーザビームを照射することによって、当該情報トラックを走査する。このとき、磁性材料部よりなる情報トラックの内部には、ビーム照射領域において当該走査方向に温度勾配が生ずる。ビーム照射領域における、中間層のキュリー温度の等温線を、再生層の磁壁が当該走査に伴って低温領域から高温領域へと通過する瞬間に、当該磁壁は再生層内をより高温側へと移動する。再生層内をこのように磁壁が移動すると、当該磁壁移動領域の磁化は反転する。この磁化反転を、反射光の偏光面の変化として所定の光学系で検出することにより、磁壁移動が検知される。情報トラックに沿って再生用レーザビームを照射して磁壁移動を順次検知することにより、当該媒体の記録信号が読み取られることとなる。
【０００８】
このようなＤＷＤＤ方式に基づく再生においては、再生用レーザビームのスポット全体ではなく、ビームスポット内の等温線（中間層のキュリー温度の等温線）により、情報トラックを構成する再生層ないし記録層の記録パターンが弁別される。したがって、ＤＷＤＤ方式においては、再生信号読取り用の光学系における分解能の限界を超えて記録層に高密度に記録された信号であっても、即ち最小記録マーク長がスポット径よりも小さな記録パターンであっても、再生することが可能なのである。例えば、再生用レーザビームとして赤レーザ（ビームスポット径：約１μｍ）を採用する場合であっても、長さ０．１μｍ以下の記録マークは再生され得る。
【０００９】
光磁気記録媒体においては、記録層に形成される安定な記録マークの長さが小さいほど、記録密度が大きくなる。上述のＭＳＲ方式、ＭＡＭＭＯＳ方式、ＤＷＤＤ方式の光磁気記録媒体においては、これらの再生分解能を充分に発揮すべく、記録層の高記録密度化に対する要求は特に強い。例えば、長さ０．１μｍ以下の連続した記録マークを安定に記録することが可能な記録層が望まれる。
【００１０】
このような微小な記録マークを形成するためには、記録層の構造を微細化する必要がある。すなわち、記録層において、その垂直磁気異方性を高めることによって、微小な磁区を安定に形成可能な磁性状態とする必要がある。
【００１１】
磁性材料の技術分野においては、磁性膜の磁性状態ないし磁気特性は、当該磁性膜が積層形成される下地膜の影響を受け得ることが知られている。そのため、例えば、記録および再生に際して光の照射を伴わない磁気記録媒体では、記録層（磁性膜）の磁性状態を所望に調整すべく、様々な材料よりなる下地膜が採用されている。
【００１２】
しかしながら、記録および再生に際して基板の側からの光の照射を伴うバックイルミネーション方式の従来の光磁気記録媒体において、磁気記録媒体で採用されている従来の下地膜を、記録層の垂直磁気異方性向上のために採用するのは現実的でない。当該光磁気記録媒体では、記録用および再生用の光（レーザ）が、基板と記録層を含む磁性材料部との間を充分に透過する必要があるのに対し、磁気記録媒体で採用されている従来の下地膜は充分な光透過性を有さないからである。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
本発明はこのような状況の下で考え出されたものであって、バックイルミネーション方式の光磁気記録媒体において、高い記録密度を達成することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明の第１の側面によると光磁気記録媒体が提供される。この光磁気記録媒体は、光透過性を有する基材と、記録機能および再生機能を担う磁性部と、基材および磁性部の間に介在し、光透過性を有した酸化金属膜で形成され、且つ、磁性部に接して当該磁性部の垂直磁気異方性を高めるためのコラム構造面を有する、補助層と、を備える。光透過性を有するとは、本光磁気記録媒体の磁性部に対して照射される記録用レーザおよび再生用レーザを充分に透過させることをいう。
【００１５】
このような構成によると、バックイルミネーション方式の光磁気記録媒体において、高い記録密度を達成することができる。本発明の第１の側面における磁性部は、記録機能および再生機能を担い、従って、少なくとも記録層を含む。補助層は、このような磁性部と基材との間に介在し、磁性部と接触する面を有する。すなわち、基材の側から材料を成膜することによって各層が順次形成される本発明の光磁気記録媒体においては、磁性部は、補助層を下地膜として形成されるものである。本発明において、補助層における磁性部との接触面は、複数の細いコラムを含むコラム構造を有し、磁性部は、当該コラム構造上に所定の磁性材料が成膜されることによって形成される。補助層表面の細いコラムを核すなわち基点として磁性材料が堆積成長することによって、形成される磁性部したがってこれに含まれる記録層において、高い垂直磁気異方性が得られるのである。記録層の垂直磁気異方性が高いほど、当該記録層において、安定な記録マークをより微小に形成することが可能となり、その結果、記録層の記録密度を向上するうえで好適となる。
【００１６】
また、補助層は、記録用レーザおよび再生用レーザに対して光透過性を有する。したがって、当該補助層の存在は、本光磁気記録媒体の記録処理および再生を阻害しない。
【００１７】
このように、本発明の第１の側面に係る光磁気記録媒体においては、記録層を含む磁性部の下地膜として設けられる補助層が、磁性部したがって記録層の垂直磁気異方性を高めるためのコラム構造を当該磁性部との界面にて有し、且つ、充分な光透過性を有する。したがって、第１の側面に係る光磁気記録媒体によると、適切に高記録密度化を達成することができるのである。
【００１８】
本発明の第１の側面において、好ましくは、コラム構造面は複数のコラムを有し、当該複数のコラムの平均直径は５〜３５ｎｍである。この場合、コラム構造面は、０．６ｎｍ以下の平均表面粗さＲａを有するのが好ましい。このような微細なコラム構造によると、磁性部したがって記録層の垂直磁気異方性を適切に確保することができる。
【００１９】
好ましくは、補助層をなす酸化金属膜は、Ａｇ，Ａｌ，Ｎｉ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｙ，およびＲｕからなる群より選択される金属の酸化物、若しくは、Ａｇ，Ａｌ，Ｎｉ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｙ，およびＲｕからなる群より選択される金属を含む合金の酸化物よりなる。本発明の補助層は、これらのような金属酸化物によって適切に形成することが可能である。
【００２０】
好ましくは、補助層は０．２〜５ｎｍの厚さを有する。スパッタリング法などによる補助層の形成に際して補助層における磁性部との接触面においてコラム構造を充分に成長させ、且つ、補助層の光透過性を確保する、という観点からは、補助層の厚さはこのような範囲が好ましい。
【００２１】
好ましくは、補助層は２層以上の金属酸化物膜からなる。この場合、隣接する２つの金属酸化物膜は、異なる化学組成を有するのが好ましい。金属酸化物膜を積層形成することによって、補助層のコラム構造面の各コラムを細長く成長させることが可能な場合がある。
【００２２】
好ましくは、磁性部は、記録機能を担う記録層および再生機能を担う再生層を含む多層構造を有する。この場合、再生層はコラム構造面と接するのが好ましい。また、好ましくは、磁性部は、再生方式としてＭＳＲ方式、ＭＡＭＭＯＳ方式、またはＤＷＤＤ方式を実現するための多層構造を有する。本発明は、垂直磁化膜よりなる記録層を具備する光磁気記録媒体において実施することができ、再生分解能に優れたＭＳＲ方式、ＭＡＭＭＯＳ方式、およびＤＷＤＤ方式の光磁気記録媒体において実施する場合に特に実益が高い。
【００２３】
本発明の第２の側面によると、光透過性を有する基材と、記録機能および再生機能を担う磁性部と、基材および磁性部の間に介在して光透過性を有し、且つ、磁性部に接して当該磁性部の垂直磁気異方性を高めるためのコラム構造面を有する、補助層と、を備える光磁気記録媒体を製造するための方法が提供される。この製造方法は、基材の上に金属膜を形成するための工程と、金属膜を酸化することによって補助層を形成するための酸化工程と、補助層上に磁性材料を成膜することによって磁性部を形成するための工程と、を含む。ここで、基材とは、補助層が積層形成されるベースとなる部材であって、基板単体、および、積層面に誘電体層などが既に積層形成された基板を含む。
【００２４】
このような方法によると、第１の側面に係る光磁気記録媒体を製造することができる。したがって、本発明の第２の側面によっても、製造される光磁気記録媒体において、第１の側面に関して上述したのと同様の効果が奏される。
【００２５】
本発明の第３の側面によると、光透過性を有する基材と、記録機能および再生機能を担う磁性部と、基材および磁性部の間に介在して光透過性を有し、且つ、磁性部に接して当該磁性部の垂直磁気異方性を高めるためのコラム構造面を有する、補助層と、を備える光磁気記録媒体を製造するための他の方法が提供される。この製造方法は、基材の上に第１金属膜を形成するための工程と、第１金属膜を酸化することによって第１金属酸化物膜を形成するための第１酸化工程と、第１金属酸化物膜上に第２金属膜を形成するための工程と、第２金属膜を酸化して第２金属酸化物膜を形成することによって補助層を形成するための第２酸化工程と、補助層上に磁性材料を成膜することによって磁性部を形成するための工程と、を含む。
【００２６】
このような方法によると、第１の側面に係る光磁気記録媒体を製造することができる。したがって、本発明の第３の側面によっても、製造される光磁気記録媒体において、第１の側面に関して上述したのと同様の効果が奏される。
【００２７】
本発明の第４の側面によると、光透過性を有する基材と、記録機能および再生機能を担う磁性部と、基材および磁性部の間に介在して光透過性を有し、且つ、磁性部に接して当該磁性部の垂直磁気異方性を高めるためのコラム構造面を有する、補助層と、を備える光磁気記録媒体を製造するための他の方法が提供される。この製造方法は、基材の上に第１金属膜を形成するための工程と、第１金属膜上に第２金属膜を形成するための工程と、第１金属膜および第２金属膜を酸化することによって補助層を形成するための酸化工程と、補助層上に磁性材料を成膜することによって磁性部を形成するための工程と、を含む。
【００２８】
このような方法によると、第１の側面に係る光磁気記録媒体を製造することができる。したがって、本発明の第４の側面によっても、製造される光磁気記録媒体において、第１の側面に関して上述したのと同様の効果が奏される。
【００２９】
本発明の第２から第４の側面において、好ましくは、酸化工程では、金属膜は酸素雰囲気に晒される。或は、酸化工程では、金属膜は加熱されてもよい。或は、酸化工程では、金属膜には酸素プラズマエッチングが施されてもよい。一旦成膜された金属を酸化するためのこれらの手法は、微細なコラム構造を形成するうえ好適である。
【００３０】
本発明の第２の側面における金属膜、並びに、第３および第４の側面における第１金属膜および／または第２金属膜は、Ａｇ，Ａｌ，Ｎｉ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｙ，およびＲｕからなる群より選択される単体金属、または、Ａｇ，Ａｌ，Ｎｉ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｙ，およびＲｕからなる群より選択される２つ以上の金属を含む合金である。これらの金属は、微細なコラム構造面を有する補助層を形成するうえで好適である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
図１および図２は、本発明の第１の実施形態に係る光磁気記録媒体Ｘ１を表す。光磁気記録媒体Ｘ１は、熱磁気的な記録および磁気光学効果を利用した再生という２つの機能を担う書換え可能な、バックイルミネーション方式の光磁気ディスクとして構成されたものであり、基板Ｓと、磁性部１１と、補助層１２と、誘電体層１３，１４と、放熱層１５とを備える。図１は、光磁気記録媒体Ｘ１の部分断面を模式的に表したものであり、図２は、光磁気記録媒体Ｘ１の情報トラックとして利用されるランド部および／またはグルーブ部における積層構成を表す。
【００３２】
基板Ｓは、ランドおよびグルーブを含む所定の凹凸形状を有し、且つ、光磁気記録媒体Ｘ１の記録用レーザおよび再生用レーザに対して充分な透過性を有する。そのような基板Ｓは、例えば、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）樹脂、エポキシ樹脂、またはポリオレフィン樹脂よりなる。
【００３３】
磁性部１１は、熱磁気的な記録および磁気光学効果を利用した再生という２つの機能を担うことが可能な、１または２以上の磁性膜よりなる磁性構造を有し、光磁気記録媒体Ｘ１における情報トラックを構成する。例えば、磁性部１１は、記録機能および再生機能を併有する単一の記録層よりなる。或は、磁性部１１は、相対的に保磁力が大きくて記録機能を担う記録層と、再生用レーザにおけるカー回転角が相対的に大きくて再生機能を担う再生層とからなる、２層構造を有する。或は、磁性部１１は、ＭＳＲ方式、ＭＡＭＭＯＳ方式、またはＤＷＤＤ方式を実現するための、記録層、再生層、およびこれらの間の中間層よりなる３層構造を有する。
【００３４】
磁性部１１のとり得る各構造における各層は、希土類元素と遷移金属とのアモルファス合金よりなり、垂直磁気異方性を有して垂直方向に磁化された垂直磁化膜である。垂直方向とは、各層を構成する磁性膜の膜面に対して垂直な方向をいう。希土類元素としては、Ｔｂ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｎｄ，またはＰｒなどを用いることができる。遷移金属としては、ＦｅやＣｏなどを用いることができる。
【００３５】
より具体的には、記録層は、例えば、所定の組成を有するＴｂＦｅＣо，ＤｙＦｅＣо，またはＴｂＤｙＦｅＣоよりなる。再生層を設ける場合、当該再生層は、例えば、所定の組成を有するＧｄＦｅＣо，ＧｄＤｙＦｅＣо，ＧｄＴｂＤｙＦｅＣо，ＮｄＤｙＦｅＣо，ＮｄＧｄＦｅＣо，またはＰｒＤｙＦｅＣоよりなる。中間層を設ける場合、当該中間層は、例えば、所定の組成を有するＧｄＦｅ，ＴｂＦｅ，ＧｄＦｅＣо，ＧｄＤｙＦｅＣо，ＧｄＴｂＤｙＦｅＣо，ＮｄＤｙＦｅＣо，ＮｄＧｄＦｅＣо，またはＰｒＤｙＦｅＣоよりなる。各層の厚さは、磁性部１１に所望される磁性構造に応じて決定される。
【００３６】
補助層１２は、その上に積層形成される磁性部１１の垂直磁気異方性を高めるためのコラム構造１２ａを磁性部１１との界面にて有する。コラム構造１２ａには複数のコラムが含まれる。複数のコラムの平均直径は、好ましくは５〜３５ｎｍである。また、このようなコラム構造を有する補助層表面の平均粗さＲａは、好ましくは０．６ｎｍ以下である。また、補助層１２は、光磁気記録媒体Ｘ１に対する記録用レーザおよび再生用レーザに対して充分な透過性を有する。
【００３７】
磁性部１１の垂直磁気異方性を高めるためのコラム構造１２ａを有するとともに、充分な光透過性を有するこのような補助層１２は、Ａｇ，Ａｌ，Ｎｉ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｙ，またはＲｕの酸化物、若しくは、Ａｇ，Ａｌ，Ｎｉ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｙ，およびＲｕから選択される金属を含む合金の酸化物により構成されている。好ましくは、補助層１２は、Ａｇ2Ｏ，Ａｌ2Ｏ3，ＮｉＯ，Ｎｉ2Ｏ3，ＴｉＯ，ＴｉＯ2，ＺｒＯ，ＺｒＯ2，Ｙ2Ｏ3，ＲｕＯ2，Ｒｕ2Ｏ3，ＡｌＴｉＯ，ＡｌＣｒＯ，ＮｉＲｕＯ，またはＺｒＲｕＯよりなる。また、補助層１２の厚さは０．２〜５．０ｎｍの範囲が好ましい。
【００３８】
誘電体層１３，１４は、磁性部１１に対する外部からの磁気的影響を回避ないし抑制するための部位であり、例えば、ＳｉＮ，ＳｉＯ2，ＹＳｉＯ2，ＺｎＳｉＯ2，ＡｌＯ，またはＡｌＮよりなる。
【００３９】
放熱層１５は、レーザ照射時などに磁性部１１などにて発生する熱を効率よく拡散させるための部位であり、例えば、Ａｇ，Ａｇ合金，Ａｌ合金（ＡｌＴｉ，ＡｌＣｒなど），Ａｕ，またはＰｔなどの高熱伝導材料よりなる。光磁気記録媒体Ｘ１は、必要に応じて、このような放熱層１５の上に更に所定の保護膜を有してもよい。
【００４０】
このような構造を有する光磁気記録媒体Ｘ１の製造においては、基板Ｓに平滑化表面処理を施した後、まず、当該基板Ｓに対して誘電体層１３を積層形成する。誘電体層１３は、所定の材料からなる単一の又は複数のターゲットを用いたスパッタリング法により形成される。
【００４１】
次に、スパッタリング法により、誘電体層１３の上に所定の金属を成膜する。当該金属は、Ａｇ，Ａｌ，Ｎｉ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｙ，またはＲｕの単体金属、若しくは、これらから選択される２つ以上の金属を含む合金である。
【００４２】
次に、形成された金属膜を酸化する。酸化により、金属膜の表面は針状化すなわち微細化し、その結果、補助層１２が、その露出面にコラム構造１２ａを有して形成されることとなる。本工程では、金属膜を酸素雰囲気に晒すことによって酸化を達成することができる。或は、本工程では、金属膜を加熱してもよい。或は、本工程では、金属膜に対して酸素プラズマエッチングを施してもよい。或は、本工程では、これら酸化手法を組み合わせて金属膜を酸化させてもよい。酸素プラズマエッチングを採用する場合、金属膜の一部はエッチング除去されるので、前工程で形成される金属膜は、エッチング除去される量を考慮して厚く形成される。
【００４３】
次に、補助層１２の上に磁性部１１を形成する。具体的には、磁性部１１の磁性構造に応じて、スパッタリング法により所定の磁性材料を補助層１２の上に積層することによって、磁性部１１を形成する。
【００４４】
次に、スパッタリング法により、磁性部１１の上に誘電体層１４および放熱層１５を順次形成する。このようにして、光磁気記録媒体Ｘ１を作製することができる。
【００４５】
光磁気記録媒体Ｘ１においては、高い記録密度を達成することができる。光磁気記録媒体Ｘ１の有する磁性部１１は、記録機能および再生機能を担い、従って、少なくとも記録層を含む。補助層１２は、このような磁性部１１と光透過性の基板Ｓとの間に介在し、磁性部１１との接触面を有する。補助層１２における磁性部１１との接触面は、複数の細いコラムを含むコラム構造１２ａを有し、磁性部１１は、当該コラム構造１２ａの上に所定の磁性材料が成膜されることによって形成される。補助層表面の細いコラムを核として磁性材料が堆積成長することによって、形成される磁性部１１したがってそれに含まれる記録層において、高い垂直磁気異方性が得られるのである。記録層の垂直磁気異方性が高いほど、安定な記録マークをより微小に形成することが可能となり、その結果、当該記録層の記録密度を向上するうえで好適となる。
【００４６】
また、補助層１２は、記録用レーザおよび再生用レーザに対して光透過性を有する。したがって、補助層１２の存在は、光磁気記録媒体Ｘ１の記録処理および再生を阻害しない。
【００４７】
このように、光磁気記録媒体Ｘ１においては、記録層を含む磁性部１１の下地膜として設けられる補助層１２が、磁性部１１したがって記録層の垂直磁気異方性を高めるためのコラム構造１２ａを磁性部１１との界面にて有し、且つ、充分な光透過性を有する。したがって、光磁気記録媒体Ｘ１によると、適切に高記録密度化を達成することができるのである。このような光磁気記録媒体は、再生分解能に優れたＭＳＲ方式、ＭＡＭＭＯＳ方式、およびＤＷＤＤ方式の光磁気ディスクとして実施する場合に特に実益が高い。
【００４８】
図３は、本発明の第２の実施形態に係る光磁気記録媒体Ｘ２の部分断面模式図である。光磁気記録媒体Ｘ２は、基板Ｓと、磁性部１１と、補助層２０と、誘電体層１３，１４と、放熱層１５とを備え、情報トラックとして利用されるランド部および／またはグルーブ部において、光磁気記録媒体Ｘ１と同様の、図２に示すような積層構成を有する。光磁気記録媒体Ｘ２は、補助層１２とは異なる補助層２０を備える点において光磁気記録媒体Ｘ１と相違し、他の構成については光磁気記録媒体Ｘ１と同様である。
【００４９】
補助層２０は、金属酸化物膜２１およびその上の金属酸化物膜２２よりなる積層構造を有する。金属酸化物膜２１は、金属酸化物膜２２との界面にて、複数のコラムを含むコラム構造を有する。また、金属酸化物膜２２は、その上に積層形成される磁性部１１の垂直磁気異方性を高めるためのコラム構造２２ａを磁性部１１との界面にて有する。コラム構造２２ａには複数のコラムが含まれ、本実施形態では、当該複数のコラムの平均直径は５〜３５ｎｍである。また、本実施形態では、このようなコラム構造を有する補助層２０の表面の平均粗さＲａは０．６ｎｍ以下である。
【００５０】
また、補助層２０を構成する金属酸化物膜２１，２２は、光磁気記録媒体Ｘ２に対する記録用レーザおよび再生用レーザに対して充分な透過性を有する。
【００５１】
金属酸化物膜２１，２２の構成材料としては、第１の実施形態における補助層１２の構成材料として上掲した金属酸化物を採用することができる。
【００５２】
このような構造を有する光磁気記録媒体Ｘ２の製造においては、第１の実施形態において上述したのと同様に、まず、表面平滑化処理を施した基板Ｓに対して誘電体層１３を積層形成する。
【００５３】
次に、第１金属膜形成工程において、スパッタリング法により、誘電体層１３の上に所定の金属を成膜する。当該金属は、Ａｇ，Ａｌ，Ｎｉ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｙ，またはＲｕ、若しくは、これらから選択される２つ以上の金属を含む合金である。次に、第１酸化工程において、形成された金属膜を酸化する。これにより、金属酸化物膜２１が形成されることとなる。
【００５４】
次に、第２金属膜形成工程において、スパッタリング法により、金属酸化物膜２１の上に所定の金属を成膜する。当該金属は、Ａｇ，Ａｌ，Ｎｉ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｙ，またはＲｕ、若しくは、これらから選択される２つ以上の金属を含む合金である。好ましくは、第２金属膜形成工程にて形成される金属膜は、第１金属膜形成工程にて形成される金属膜とは異なる化学種よりなる。
【００５５】
補助層２０の形成においては、次に、第２酸化工程において、第２金属膜形成工程にて形成された金属膜を酸化する。これにより、金属酸化物膜２２が、その露出面にコラム構造２２ａを有して形成されることとなる。第１および第２酸化工程における金属膜の酸化手法については、第１の実施形態における酸化工程に関して上述したのと同様である。
【００５６】
金属酸化物膜２２のコラム構造２２ａは、当該金属酸化物膜２２が金属酸化物膜２１の微細なコラム構造の上に形成されるため、より針状化すなわち微細化する傾向にある。金属酸化物膜２２のコラム構造２２ａは、金属酸化物膜２１のコラム構造上に成長形成されると考えられる。
【００５７】
補助層２０の形成においては、上述のような手法に代えて、第１金属膜形成工程において形成した金属膜を酸化する前に、当該金属膜上に、第２金属膜形成工程にて更なる金属膜を積層形成し、その後、これら２つの金属膜を単一の酸化工程にて酸化してもよい。各金属膜形成工程にて用いられる金属材料、および、酸化工程における酸化方法については、上述の手法と同様である。このような手法によっても、金属酸化物膜２１と微細なコラム構造２２ａを有する金属酸化物膜２２とからなる補助層２０を形成することができる。
【００５８】
光磁気記録媒体Ｘ２の製造においては、次に、このようにして形成された補助層２０の上に、第１の実施形態に関して上述したのと同様にして、磁性部１１、誘電体層１４、および放熱層１５を順次形成する。このようにして、光磁気記録媒体Ｘ２を作製することができる。
【００５９】
光磁気記録媒体Ｘ２においては、記録層を含む磁性部１１の下地膜として設けられる補助層２０が、磁性部１１したがって記録層の垂直磁気異方性を高めるためのコラム構造２２ａを磁性部１１との界面にて有し、且つ、充分な光透過性を有する。したがって、光磁気記録媒体Ｘ２によると、光磁気記録媒体Ｘ１と同様に、適切に高記録密度化を達成することができるのである。
【００６０】
加えて、光磁気記録媒体Ｘ２においては、金属酸化物膜２１のコラム構造上に金属酸化物膜２２が積層形成されているので、金属酸化物膜２２ないし補助層２０のコラム構造２２ａは、微細化する傾向にある。コラム構造２２ａが微細であるほど、その上に積層形成される磁性部１１の垂直磁気異方性は高まる。
【００６１】
このような光磁気記録媒体Ｘ２は、再生分解能に優れたＭＳＲ方式、ＭＡＭＭＯＳ方式、およびＤＷＤＤ方式の光磁気ディスクとして実施する場合に特に実益が高い。
【００６２】
〔実施例１〕
図４に示す積層構成を有する光磁気ディスクとして、本実施例の光磁気記録媒体を作製した。本実施例の光磁気記録媒体では、磁性部は単一の記録層よりなる。
【００６３】
本実施例の光磁気記録媒体の作製においては、まず、ＤＣマグネトロンスパッタリング装置を使用して行うＤＣマグネトロンスパッタリング法により、光磁気ディスク用基板（ポリカーボネート製）の上に、厚さ７５ｎｍとなるまでＳｉＮを成膜することにより、誘電体層を形成した。具体的には、Ｓｉターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガスおよびＮ2ガスを使用して行う反応性スパッタリングにより、基板上にＳｉＮを成膜した。基板は、誘電体層積層面に所定のランドおよびグルーブを有する。本スパッタリングでは、ＡｒガスおよびＮ2ガスの流量比を２：１とし、スパッタガス圧力を０．３Ｐａとし、スパッタ電力を０．５ｋＷとした。以降の成膜についても、同一の装置を使用して行うＤＣマグネトロンスパッタリング法により行った。
【００６４】
次に、誘電体層上に、厚さ０．５ｎｍとなるまでＡｇを成膜することにより、補助層形成用の金属膜を形成した。本スパッタリングでは、Ａｇターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガスを使用し、スパッタガス圧力を０．１Ｐａとし、スパッタ電力を０．５ｋＷとした。
【００６５】
次に、上述のようにして形成された金属膜を酸化した。具体的には、金属膜形成後のＤＣマグネトロンスパッタリング装置のスパッタリングチャンバ内にＯ2ガスを導入した後、ガス圧力１Ｐａの条件で当該金属膜を３分間放置した。Ｏ2ガスを導入した後、ガス圧
力１Ｐａの条件で金属膜を１０分間放置することによっても、当該金属膜を酸化することができることを確認している。また、Ｏ2ガスを導入せずに、基板温度８０℃の条件でチ
ャンバ内に金属膜を１０分間放置することによっても、当該金属膜を酸化することができることを確認している。加えて、当該金属膜の酸化は、酸素プラズマエッチングにより行うことができることも確認している。この場合、例えば、チャンバ内の酸素ガス圧力を０．５Ｐａとし、エッチング時間を２０秒とする。
【００６６】
本実施例の光磁気記録媒体の作製においては、次に、補助層上に、厚さ２５ｎｍとなるまでＴｂＦｅＣоアモルファス合金（Ｔｂ20Ｆｅ70Ｃо10）を成膜することによって、記録層を形成した。本スパッタリングでは、ＴｂＦｅＣо合金ターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガスを使用し、スパッタガス圧力を０．５Ｐａとし、且つ、スパッタ電力を０．５ｋＷとした。形成されたＴｂ20Ｆｅ70Ｃо10記録層のキュリー温度は２００℃程度であった。
【００６７】
次に、記録層上に、厚さ１５ｎｍとなるまでＳｉＮを成膜することにより、誘電体層を形成した。具体的条件については、本実施例における上述のＳｉＮ誘電体層の形成に関して上述したのと同様である。
【００６８】
次に、誘電体層上に、厚さ３０ｎｍとなるまでＡｇを成膜することにより、放熱層を形成した。本スパッタリングでは、Ａｇターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガスを使用し、スパッタガス圧力を０．１Ｐａとし、スパッタ電力を０．５ｋＷとした。以上のようにして、本実施例の光磁気記録媒体を作製した。
【００６９】
〔実施例２〜７〕
補助層形成用の金属膜を、Ａｇの成膜に代えて、Ａｌ（実施例２）、Ｎｉ（実施例３）、Ｔｉ（実施例４）、Ｚｒ（実施例５）、Ｙ（実施例６）、またはＲｕ（実施例７）の成膜により形成し、且つ、その後の酸化処理において各金属膜に応じた条件（ガス圧力および放置時間）に変更した以外は、実施例１と同様にして、誘電体層（ＳｉＮ，厚さ７５ｎｍ）の形成から放熱層（Ａｇ，厚さ３０ｎｍ）の形成までを行うことによって、各実施例の光磁気記録媒体を作製した。
【００７０】
〔実施例８〕
図５に示す積層構成を有する光磁気ディスクとして、本実施例の光磁気記録媒体を作製した。本実施例の光磁気記録媒体では、磁性部は、記録層および再生層よりなる２層構造を有する。
【００７１】
本実施例の光磁気記録媒体の作製においては、まず、実施例１と同様に、光磁気ディスク用基板の上に、誘電体層（ＳｉＮ，厚さ７５ｎｍ）および補助層（酸化銀，厚さ０．５ｎｍ）を順次形成した。
【００７２】
次に、補助層上に、厚さ７ｎｍとなるまでＧｄＦｅＣоアモルファス合金（Ｇｄ22Ｆｅ58Ｃо20）を成膜することによって、再生層を形成した。本スパッタリングでは、ＧｄＦｅＣо合金ターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガスを使用し、スパッタガス圧力を０．５Ｐａとし、スパッタ電力を０．５ｋＷとした。
【００７３】
次に、再生層上に、厚さ１８ｎｍとなるまでＴｂＦｅＣоアモルファス合金（Ｔｂ20Ｆｅ70Ｃо10）を成膜することによって、記録層を形成した。本スパッタリングでは、ＴｂＦｅＣо合金ターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガスを使用し、スパッタガス圧力を０．５Ｐａとし、スパッタ電力を０．５ｋＷとした。形成されたＴｂ20Ｆｅ70Ｃо10記録層のキュリー温度は２００℃程度であった。
【００７４】
次に、記録層上に、実施例１と同様に、誘電体層（ＳｉＮ，厚さ１５ｎｍ）および放熱層（Ａｇ，厚さ３０ｎｍ）を順次形成した。以上のようにして、本実施例の光磁気記録媒体を作製した。本実施例の光磁気記録媒体では、記録層は再生層よりも垂直保磁力が大きく、再生層は記録層よりも再生用レーザにおけるカー回転角が大きい。
【００７５】
〔実施例９〕
図６に示す積層構成を有するＭＳＲ方式の光磁気ディスクとして、本実施例の光磁気記録媒体を作製した。本実施例の光磁気記録媒体では、磁性部は、ＭＳＲ方式再生を実現するための、記録層、再生層、およびこれらの間の中間層よりなる３層構造を有する。
【００７６】
本実施例の光磁気記録媒体の作製においては、まず、実施例１と同様に、光磁気ディスク用基板の上に、誘電体層（ＳｉＮ，厚さ７５ｎｍ）および補助層（酸化銀，厚さ０．５ｎｍ）を順次形成した。
【００７７】
次に、補助層上に、厚さ４０ｎｍとなるまでＧｄＦｅＣоアモルファス合金（Ｇｄ25Ｆｅ62Ｃｏ13）を成膜することによって、再生層を形成した。本スパッタリングでは、ＧｄＦｅＣо合金ターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガスを使用し、スパッタガス圧力を０．５Ｐａとし、スパッタ電力を０．５ｋＷとした。形成されたＧｄ25Ｆｅ62Ｃｏ13再生層のキュリー温度は３００℃程度であった。
【００７８】
次に、再生層上に、厚さ４０ｎｍとなるまでＧｄＦｅアモルファス合金（Ｇｄ31Ｆｅ69）を成膜することによって、中間層を形成した。本スパッタリングでは、ＧｄＦｅ合金ターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガスを使用し、スパッタガス圧力を０．５Ｐａとし、スパッタ電力を０．５ｋＷとした。形成されたＧｄ31Ｆｅ69中間層のキュリー温度は２２０℃程度であった。
【００７９】
次に、中間層の上に、厚さ５０ｎｍとなるまでＴｂＦｅＣｏアモルファス合金（Ｔｂ24Ｆｅ59Ｃｏ17）を成膜することによって、記録層を形成した。本スパッタリングでは、ＴｂＦｅＣｏ合金ターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガスを使用し、スパッタガス圧力を０．５Ｐａとし、スパッタ電力を０．５ｋＷとした。形成されたＴｂ24Ｆｅ59Ｃｏ17記録層のキュリー温度は２８０℃程度であった。
【００８０】
次に、記録層上に、実施例１と同様に、誘電体層（ＳｉＮ，厚さ１５ｎｍ）および放熱層（Ａｇ，厚さ３０ｎｍ）を順次形成した。以上のようにして、本実施例の光磁気記録媒体を作製した。本実施例の光磁気記録媒体では、記録層は再生層よりも垂直保磁力が大きく、再生層は記録層よりも再生用レーザにおけるカー回転角が大きく、中間層は他の層よりもキュリー温度が低い。
【００８１】
〔実施例１０〕
図７に示す積層構成を有するＭＡＭＭＯＳ方式の光磁気ディスクとして、本実施例の光磁気記録媒体を作製した。本実施例の光磁気記録媒体では、磁性部は、ＭＡＭＭＯＳ方式再生を実現するための、記録層、再生層、およびこれらの間の中間層よりなる３層構造を有する。
【００８２】
本実施例の光磁気記録媒体の作製においては、まず、実施例１と同様に、光磁気ディスク用基板の上に、誘電体層（ＳｉＮ，厚さ７５ｎｍ）および補助層（酸化銀，厚さ０．５ｎｍ）を順次形成した。
【００８３】
次に、補助層の上に、厚さ３０ｎｍとなるまでＧｄＦｅＣоアモルファス合金（Ｇｄ27Ｆｅ62Ｃｏ11）を成膜することによって、本実施例の再生層を形成した。本スパッタリングでは、ＧｄＦｅＣо合金ターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガスを使用し、スパッタガス圧力を０．５Ｐａとし、スパッタ電力を０．５ｋＷとした。形成されたＧｄ27Ｆｅ62Ｃｏ11再生層のキュリー温度は２４０℃程度であった。
【００８４】
次に、再生層の上に、厚さ１０ｎｍとなるまでＴｂＦｅＣｏアモルファス合金（Ｔｂ20Ｆｅ79Ｃｏ1）を成膜することによって、本実施例の中間層を形成した。本スパッタリングでは、ＴｂＦｅＣｏ合金ターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガスを使用し、スパッタガス圧力を０．５Ｐａとし、スパッタ電力を０．５ｋＷとした。形成されたＴｂ20Ｆｅ79Ｃｏ1中間層のキュリー温度は１３０℃程度であった。
【００８５】
次に、中間層の上に、厚さ６０ｎｍとなるまでＴｂＦｅＣｏアモルファス合金（Ｔｂ27Ｆｅ57Ｃｏ16）を成膜することによって、本実施例の記録層を形成した。本スパッタリングでは、ＴｂＦｅＣｏ合金ターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガスを使用し、スパッタガス圧力を０．５Ｐａとし、スパッタ電力を０．５ｋＷとした。形成されたＴｂ27Ｆｅ57Ｃｏ16記録層のキュリー温度は２６０℃程度であった。
【００８６】
次に、記録層上に、実施例１と同様に、誘電体層（ＳｉＮ，厚さ１５ｎｍ）および放熱層（Ａｇ，厚さ３０ｎｍ）を順次形成した。以上のようにして、本実施例の光磁気記録媒体を作製した。本実施例の光磁気記録媒体では、記録層は再生層よりも垂直保磁力が大きく、再生層は記録層よりも再生用レーザにおけるカー回転角が大きく、中間層は他の層よりもキュリー温度が低い。
【００８７】
〔実施例１１〕
図８に示す積層構成を有するＭＡＭＭＯＳ方式の光磁気ディスクとして、本実施例の光磁気記録媒体を作製した。本実施例の光磁気記録媒体では、磁性部は、ＭＡＭＭＯＳ方式再生を実現するための、記録層、再生層、およびこれらの間の中間層よりなる３層構造を有する。
【００８８】
本実施例の光磁気記録媒体の作製においては、まず、実施例１と同様に、光磁気ディスク用基板の上に、誘電体層（ＳｉＮ，厚さ７５ｎｍ）を形成した。
【００８９】
次に、誘電体層上に、厚さ０．５ｎｍとなるまでＡｇを成膜することにより、第１の金属膜を形成した。本スパッタリングでは、Ａｇターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガスを使用し、スパッタガス圧力を０．１Ｐａとし、スパッタ電力を０．５ｋＷとした。
【００９０】
次に、第１の金属膜上に、厚さ０．５ｎｍとなるまでＲｕを成膜することにより、第２の金属膜を形成した。本スパッタリングでは、Ｒｕターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガスを使用し、スパッタガス圧力を０．２Ｐａとし、スパッタ電力を０．５ｋＷとした。
【００９１】
次に、上述のようにして形成された第１および第２の金属膜を酸化した。具体的には、金属膜形成後のＤＣマグネトロンスパッタリング装置のスパッタリングチャンバ内にＯ2ガスを導入した後、ガス圧力１Ｐａの条件で当該金属膜を１５分間放置した。このようにして、第１の金属酸化物膜および第２の金属酸化物膜よりなる積層構造を有する本実施例の補助層を形成した。
【００９２】
次に、補助層上に、実施例１０と同様に、再生層（Ｇｄ27Ｆｅ62Ｃｏ11，厚さ３０ｎｍ）、中間層（Ｔｂ20Ｆｅ79Ｃｏ1，厚さ１０ｎｍ）、記録層（Ｔｂ27Ｆｅ57Ｃｏ16，厚さ
６０ｎｍ）、誘電体層（ＳｉＮ，厚さ１５ｎｍ）、および放熱層（Ａｇ，厚さ３０ｎｍ）を順次形成した。以上のようにして、本実施例の光磁気記録媒体を作製した。本実施例の光磁気記録媒体では、記録層は再生層よりも垂直保磁力が大きく、再生層は記録層よりも再生用レーザにおけるカー回転角が大きく、中間層は他の層よりもキュリー温度が低い。
【００９３】
〔実施例１２〜２１〕
補助層の厚さ（補助層形成用金属膜の厚さ）を、０．５ｎｍに代えて、０．１ｎｍ（実施例１２）、０．２ｎｍ（実施例１３）、０．７ｎｍ（実施例１４）、１．０ｎｍ（実施例１５）、１．５ｎｍ（実施例１６）、２．０ｎｍ（実施例１７）、３．０ｎｍ（実施例１８）、４．０ｎｍ（実施例１９）、５．０ｎｍ（実施例２０）、または６．０ｎｍ（実施例２１）とした以外は、実施例１と同様に誘電体層（ＳｉＮ，厚さ７５ｎｍ）の形成から放熱層（Ａｇ，厚さ３０ｎｍ）の形成までを行うことによって、各実施例の光磁気記録媒体を作製した。
【００９４】
〔比較例１〕
図９に示す積層構成を有する光磁気ディスクとして、本比較例の光磁気記録媒体を作製した。具体的には、補助層形成用の金属膜の形成およびその後の酸化処理を行わなかったということ以外は、実施例１と同様に誘電体層（ＳｉＮ，厚さ７５ｎｍ）の形成から放熱層（Ａｇ，厚さ３０ｎｍ）の形成までを行うことによって、本比較例の光磁気記録媒体を作製した。
【００９５】
〔比較例２〜４〕
補助層形成用の金属膜の形成およびその後の酸化処理を行わなかったということ以外は、実施例８、実施例９、および実施例１０と同様に、誘電体層（ＳｉＮ，厚さ７５ｎｍ）の形成から放熱層（Ａｇ，厚さ３０ｎｍ）の形成までを行うことによって、比較例２、比較例３、および比較例４の光磁気記録媒体を作製した。したがって、比較例２の光磁気記録媒体は、実施例８の光磁気記録媒体から補助層を除いた積層構成を有する。同様に、比較例３，４の各光磁気記録媒体は、対応する実施例９，１０の光磁気記録媒体から補助層を除いた積層構成を有する。
【００９６】
〔補助層表面の観察〕
実施例１の媒体作製過程の途中、補助層上に記録層を形成する前に、原子間力顕微鏡（セイコーインスツルメント製）を使用して補助層表面を観察した。観察により得られた表面形状を、図１０にて模式的に表す。図１０においては、補助層の断面にハッチングが付されている。補助層の表面には針状のコラムが複数形成されていた。実施例１における補助層の平均表面粗さＲａは０．３ｎｍであり、コラムの平均直径は１２ｎｍであった。コラムの半分の高さにおける直径を各コラムの直径として、当該平均直径を求めた。これらの結果は、図１２の表に掲げる。
【００９７】
実施例２〜７，１１における媒体作製過程の途中、補助層上に磁性部を形成する前に、実施例１と同様にして補助層表面を観察した。各実施例における補助層について、観察によって得られた平均表面粗さＲａおよびコラム平均直径を、図１２の表に掲げる。
【００９８】
各実施例における補助層のコラム構造は、補助層上に形成される磁性部（記録層）の露出面においても略維持されていることを確認している。
【００９９】
比較例１における媒体作製過程の途中、誘電体層上に記録層を形成する前に、実施例１と同様にして誘電体層表面を観察した。観察により得られた表面形状を、図１１にて模式的に表す。図１１では、誘電体層表面の断面が、ハッチングが付されて、図１０と同一のスケールで表されている。本比較例における誘電体層の平均表面粗さＲａは０．９ｎｍであり、各凸形状をコラムとみなすとコラムの平均直径は５３ｎｍであった。これらの結果は、図１２の表に掲げる。
【０１００】
図１０および図１１の比較より、実施例１における補助層表面のコラム構造は、比較例１における誘電体層表面の凹凸形状よりも、針状化ないし微細化していることが判る。
【０１０１】
図１２の表からは、実施例１〜７，１１における補助層表面のコラム構造は、比較例１における誘電体層表面の凹凸形状よりも、微細であることが判る。
【０１０２】
〔特性評価〕
実施例１，８〜１１および比較例１〜５の各光磁気記録媒体の記録再生特性を調べた。
【０１０３】
実施例１の光磁気記録媒体については、まず、実施例１の光磁気記録媒体（光磁気ディスク）における情報トラックに対し、充分に長いスペース（スペース長：２．０μｍ）を介して所定のマーク長の記録マークを繰り返し記録した。当該記録処理は、リード／ライトテスタを使用して光変調記録方式により行った。このテスタの対物レンズの開口数ＮＡは０．６であり、レーザ波長は６５０ｎｍである。当該記録処理では、記録用レーザのパワーを適宜変化させ、レーザ走査速度を６ｍ/ｓとし、印加磁界を１５０Ｏｅとした。次に、当該光磁気記録媒体を再生して、強度が最大となる再生信号のキャリアレベル（Ｃレベル）を測定した。当該再生処理は、同一のリード／ライトテスタを使用して行い、レーザパワーを１．５ｍＷとし、レーザ走査速度を６ｍ/ｓとし、印加磁界を０Ｏｅとした。再生信号のＣレベルは、スペクトルアナライザを使用して測定した。このような記録処理および再生処理を、記録マークのマーク長を変化させて、マーク長ごとに行った。一方、比較例１の光磁気記録媒体についても、同一の条件で記録再生特性を調べた。実施例１および比較例１の各光磁気記録媒体の特性評価の結果を、図１３のグラフにて示す。図１３のグラフにおいては、横軸にてマーク長を表し、縦軸にて、マーク長が充分に長い場合のＣレベルからの変化を表す。横軸および縦軸については、後出の図１４〜１７のグラフにおいても同様である。
【０１０４】
実施例８および比較例２の光磁気記録媒体については、実施例１の光磁気記録媒体と同様にして記録再生特性を調べた。実施例８および比較例２の各光磁気記録媒体の特性評価の結果を、図１４のグラフにて示す。
【０１０５】
実施例９の光磁気記録媒体については、まず、実施例９の光磁気記録媒体における情報トラックに対し、所定のマーク長の記録マークを繰り返し記録した。当該記録処理は、実施例１において使用したのと同一のリード／ライトテスタを使用して光変調記録方式により行った。当該記録処理では、記録用レーザのパワーを適宜変化させ、レーザ走査速度を６ｍ/ｓとし、印加磁界を３００Ｏｅとした。次に、同一のリード／ライトテスタを使用して当該光磁気記録媒体を再生し、再生信号のＣレベルを測定した。当該再生処理では、レーザパワーを２．７ｍＷとし、レーザ走査速度を６ｍ/ｓとし、印加磁界を３００Ｏｅとした。再生信号のＣレベルは、スペクトルアナライザを使用して測定した。このような記録処理および再生処理を、記録マークのマーク長を変化させて、マーク長ごとに行った。比較例３の光磁気記録媒体についても、同一の条件で記録再生特性を調べた。実施例９および比較例３の各光磁気記録媒体の特性評価の結果を、図１５のグラフにて示す。
【０１０６】
実施例１０の光磁気記録媒体については、まず、実施例１０の光磁気記録媒体における情報トラックに対し、所定のマーク長の記録マークを繰り返し記録した。当該記録処理は、実施例１において使用したのと同一のリード／ライトテスタを使用してレーザストローブ磁界調記録方式により行った。当該記録処理では、記録用レーザのパワーを１０ｍＷとし、レーザ走査速度を６ｍ/ｓとし、印加磁界を２５０Ｏｅとした。次に、同一のリード／ライトテスタを使用して当該光磁気記録媒体を再生し、再生信号のＣレベルを測定した。当該再生処理では、レーザパワーを２．２ｍＷとし、レーザ走査速度を６ｍ/ｓとし、印加磁界を０Ｏｅとした。再生信号のＣレベルは、スペクトルアナライザを使用して測定した。このような記録処理および再生処理を、記録マークのマーク長を変化させて、マーク長ごとに行った。比較例４の光磁気記録媒体についても、同一の条件で記録再生特性を調べた。実施例１０および比較例４の各光磁気記録媒体の特性評価の結果を、図１６のグラフにて示す。
【０１０７】
実施例１１の光磁気記録媒体については、実施例１０の光磁気記録媒体と同一の条件で記録再生特性を調べた。実施例１１の光磁気記録媒体の特性評価の結果を、比較例４の結果とともに、図１７のグラフにて示す。
【０１０８】
図１３〜図１７の各グラフに表れているように、マーク長が短い記録マークの再生に際し、本発明の実施例に係る光磁気記録媒体は、補助層を有さない以外は同一の積層構成を有する比較例に係る光磁気記録媒体よりも、高いＣレベルを示す。したがって、実施例１，８〜１１の光磁気記録媒体は、対応する比較例１〜４の光磁気記録媒体よりも、マーク長の短い記録マークを安定に記録するのに有利であることが判る。
【０１０９】
〔補助層の厚さに対するコラム構造の依存性〕
補助層の厚さの異なる実施例１２〜２１の媒体作製過程の途中、補助層上に記録層を形成する前に、原子間力顕微鏡（セイコーインスツルメント製）を使用して補助層表面を観察し、各補助層の平均表面粗さＲａと平均コラム径を調べた。その結果を図１８のグラフにて表す。当該グラフにおいては、横軸にて補助層厚さを表し、左縦軸にて平均表面粗さＲａを表し、右縦軸にて平均コラム径を表す。補助層厚さ０ｎｍにおける２つのプロットは、図１２の表に掲げた比較例１に関するデータに対応する。図１８のグラフでは、線３１は、補助層厚さに対する平均表面粗さＲａの依存性を表し、線３２は、補助層厚さに対する平均コラム径の依存性を表す。
【０１１０】
図１８のグラフに表れているように、平均表面粗さＲａおよびコラム径は、補助層厚さが０．１ｎｍから０．２ｎｍの間において共に急激に小さくなり、補助層厚さが０．２ｎｍでは共に充分に小さい。また、補助層厚さが５ｎｍを超えると、特にコラム径が有意に大きくなる。このように、図１８のグラフからは、補助層厚さが０．２〜５．０ｎｍの範囲において、補助層表面のコラム構造が微細であることが判る。したがって、本発明においては、補助層厚さは０．２〜５．０ｎｍの範囲であるのが好ましいことが理解できよう。
【図面の簡単な説明】
【０１１１】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る光磁気記録媒体の部分断面模式図である。
【図２】本発明に係る光磁気記録媒体の積層構成を表す。
【図３】本発明の第２の実施形態に係る光磁気記録媒体の部分断面模式図である。
【図４】実施例１の光磁気記録媒体の積層構成を表す。
【図５】実施例８の光磁気記録媒体の積層構成を表す。
【図６】実施例９の光磁気記録媒体の積層構成を表す。
【図７】実施例１０の光磁気記録媒体の積層構成を表す。
【図８】実施例１１の光磁気記録媒体の積層構成を表す。
【図９】比較例１の光磁気記録媒体の積層構成を表す。
【図１０】実施例１に関し、補助層表面付近の断面拡大模式図である。
【図１１】比較例１に関し、誘電体層表面付近の断面拡大模式図である。
【図１２】実施例１〜７，１１の補助層および比較例１の誘電体層における平均表面粗さＲａと平均コラム径が掲げられた表である。
【図１３】実施例１および比較例１における特性評価の結果を表す。
【図１４】実施例８および比較例２における特性評価の結果を表す。
【図１５】実施例９および比較例３における特性評価の結果を表す。
【図１６】実施例１０および比較例４における特性評価の結果を表す。
【図１７】実施例１１および比較例４における特性評価の結果を表す。
【図１８】補助層に関し、平均表面粗さＲａの厚さ依存性、および、平均コラム径の厚さ依存性を表す。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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