(57)【要約】【課題】半導体素子に設けられた可動部の動作を阻害することなく、可動部を外部雰囲気から保護することができる半導体装置を容易に製造することができる半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】センサ基体１１に可動部１２が形成されたセンサ素子１０において、可動部１２の周辺に４つのセンサ側バンプ１３を形成し（突起部形成工程）、可動部１２に対向する領域を含む４つのセンサ側バンプ１３によって囲まれる領域を覆いつつ、その領域の外部まで達する接着フィルム２０を４つのセンサ側バンプ１３上に被せ（被覆工程）、センサ素子１０における接着フィルム２０との対向面の反対面からホットプレート５０によって加熱して、接着フィルム２０とセンサ基体１１とを接着して可動部１２と接着フィルム２０との間に中空部４０を形成する（中空部形成工程）。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の半導体基板に可動部が形成された半導体素子において、前記可動部の周辺に複数の突起部を設ける突起部形成工程と、
前記可動部に対向する領域を含む前記複数の突起部によって囲まれる領域を覆いつつ、前記領域の外部まで達する樹脂フィルムを前記複数の突起部上に被せる被覆工程と、
前記樹脂フィルムを前記複数の突起部上に被せた状態で、前記領域の外部において前記樹脂フィルムと前記第１の半導体基板とを接着することによって、前記可動部と前記樹脂フィルムとの間に中空部を形成する中空部形成工程と、
を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記半導体素子はチップ状に分割されたものであり、前記突起部は熱伝導性の部材にて形成するものであって、前記中空部形成工程は、前記半導体素子における前記樹脂フィルムとの対向面の反対面から加熱することによって前記樹脂フィルムと前記第１の半導体基板とを接着することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記第１の半導体基板はウェハ状の基板からなり、前記半導体素子は前記ウェハ状の基板に複数形成され、前記突起部は熱伝導性の部材にて形成するものであって、前記樹脂フィルムは前記複数の半導体素子をまとめて覆う程度の大きさを有するものであり、
前記中空部形成工程は、前記第１の半導体基板における前記樹脂フィルムとの対向面の反対面から加熱しつつ、前記領域の外部に対応する位置に突部を有する押え治具の当該突部にて前記樹脂フィルムを押圧することによって前記樹脂フィルムと前記第１の半導体基板とを接着することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記第１の半導体基板はウェハ状の基板からなり、前記半導体素子は前記ウェハ状の基板に複数形成されるものであって、前記樹脂フィルムは前記複数の半導体素子をまとめて覆う程度の大きさを有するものであり、
前記中空部形成工程は、加熱機構と前記領域の外部に対応する位置に突部とを有する押え治具の当該突部にて前記樹脂フィルムを加熱しつつ押圧することによって前記樹脂フィルムと前記第１の半導体基板とを接着することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記押え治具は、前記可動部に対応する位置に設けられる貫通孔を有するものであり、前記押え治具の前記突部に前記樹脂フィルムを当接させた状態で、前記貫通孔から吸引することによって前記樹脂フィルムに凹部を形成する凹部形成工程を有し、前記押え治具にて前記凹部が形成された状態の前記樹脂フィルムを当該凹部が前記可動部と対向するように前記複数の突起部上に被せることを特徴とする請求項３又は請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記押え治具は、前記可動部に対応する位置に貫通孔を有することを特徴とする請求項３又は請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記押え治具にて前記樹脂フィルムを押圧している際に、前記貫通孔から吸引する吸引工程を備えることを特徴とする請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記押え治具は、透明な部材からなることを特徴とする請求項３乃至請求項７のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記押え治具は、シリコンからなることを特徴とする請求項３乃至請求項７のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記中空部形成工程後に、赤外線を前記樹脂フィルムに照射することを特徴とする請求項１乃至請求項９のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記押え治具は、前記複数の突起部によって囲まれる領域に対応する位置に赤外線が透過可能な窓部を備え、前記中空部形成工程後に、前記窓部から赤外線を前記樹脂フィルムに照射することを特徴とする請求項３乃至請求項５のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記中空部形成工程後に、前記ウェハ状の基板をダイシングすることによって、当該ウェハ状の基板に複数形成された前記半導体素子をチップ状に分割するダイシング工程を備えることを特徴とする請求項３乃至請求項１１のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
前記突起部は、前記半導体素子の電気接続用のバンプ電極であることを特徴とする請求項１乃至請求項１２のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
前記半導体素子は、電気接続用のバンプ電極を備え、第２の半導体基板に前記バンプ電極に対応する回路側電極が形成された回路素子に実装されるものであり、
前記中空部形成工程後に、前記半導体素子を前記回路素子上に前記樹脂フィルムを介して載置し、前記中空部を保持した状態で、前記バンプ電極と前記回路側電極とを接合する接合工程を備えることを特徴とする請求項１乃至請求項１２のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
前記バンプ電極は、前記突起部を兼ねることを特徴とする請求項１４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
前記バンプ電極と前記回路側電極とは、超音波接合によって接合することを特徴とする請求項１４又は請求項１５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
前記第２の半導体基板はウェハ状の基板からなり、前記回路素子は前記ウェハ状の基板に複数形成されることを特徴とする請求項１４乃至請求項１６のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１８】
前記第２の半導体基板は、前記半導体素子と対向する位置から当該第２の半導体基板の外部に達するエアー抜き部を備えることを特徴とする請求項１４乃至請求項１７のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１９】
前記接合工程は、減圧雰囲気下で行うことを特徴とする請求項１４乃至請求項１８のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、可動部を備える半導体素子を含む半導体装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体素子に設けられた可動部の動作を阻害することなく、可動部を外部雰囲気から保護するために、接着フィルムを用いるものがあった（特許文献１参照）。
【０００３】
特許文献１における接着フィルムは、可動部に対応する部位が可動部から離れる方向へ凸となった凸部を構成している。この凸部は、半導体素子を実装する回路素子の半導体素子と対向する面に突起部を形成し、この突起部を利用して接着フィルムを湾曲させて形成する。そして、接着フィルムを半導体素子に接着した状態において、凸部によって可動部と接着フィルムとを適切に離間させることができるとともに、この凸部にて可動部が覆われるため、可動部の動作を阻害することなく、可動部への異物の侵入などを防止することができるものである。
【特許文献１】特開２００６−１８９４１８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１には、凸部を形成する場合、回路素子に突起部を形成して、この突起部を利用して接着フィルムを湾曲させると記載されている程度に過ぎない。
【０００５】
この場合、高圧の雰囲気にて半導体素子を回路素子に実装すると共に、半導体素子と接着フィルムとを接着した後に常圧の雰囲気に戻すことによって凸部を形成することが考えられる。つまり、このようにすることによって、接着フィルムは、可動部の周囲においては突起部に押さえられて半導体素子と接着し、可動部に対向する部分においては突起部にて押さえられず気圧の変化によって凸部が形成されると考えられる。
【０００６】
ところが、上述の製造方法の場合、高圧の雰囲気にて半導体素子を回路素子に実装すると共に、半導体素子と接着フィルムとを接着した後に常圧の雰囲気に戻す必要があり、製造が困難である。
【０００７】
本発明は、上記問題点に鑑みなされたものであり、半導体素子に設けられた可動部の動作を阻害することなく、可動部を外部雰囲気から保護することができる半導体装置を容易に製造することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために請求項１に記載の半導体装置の製造方法は、第１の半導体基板に可動部が形成された半導体素子において、可動部の周辺に複数の突起部を設ける突起部形成工程と、可動部に対向する領域を含む複数の突起部によって囲まれる領域を覆いつつ、領域の外部まで達する樹脂フィルムを複数の突起部上に被せる被覆工程と、樹脂フィルムを複数の突起部上に被せた状態で、領域の外部において樹脂フィルムと第１の半導体基板とを接着することによって、可動部と樹脂フィルムとの間に中空部を形成する中空部形成工程とを備えることを特徴とするものである。
【０００９】
このように、可動部の周辺に設けた複数の突起部上に樹脂フィルムを被せ、複数の突起部によって囲まれる領域の外部において、樹脂フィルムと第１の半導体基板とを接着して中空部を形成することによって、高圧の雰囲気などで製造する必要がないため、可動部の動作を阻害することなく、可動部を外部雰囲気から保護することができる半導体装置を容易に製造することができる。
【００１０】
また、請求項２に示すように、半導体素子はチップ状に分割されたものであり、突起部は熱伝導性の部材にて形成するものであって、中空部形成工程は、半導体素子における樹脂フィルムとの対向面の反対面から加熱することによって樹脂フィルムと第１の半導体基板とを接着するようにしてもよい。
【００１１】
半導体素子がチップ状である場合、樹脂フィルムは、複数の突起部によって囲まれる領域の内部においては複数の突起部にて支持されており、その領域の外部においては支持されない状態となる。このような状態において、半導体素子における樹脂フィルムとの対向面の反対面から加熱すると、樹脂フィルムは、突起部を介して熱が伝達されるため、その突起部に接触する部分から軟化する。そして、樹脂フィルムの複数の突起部によって囲まれる領域の外部にある部分（複数の突起部にて支持されていない部分）が、第１の半導体基板の方向へ垂れ下がり第１の半導体基板と接着することとなる。これによって、可動部と樹脂フィルムとの間に中空部を形成することができる。
【００１２】
ここで、半導体素子がウェハ状の基板に複数形成されている場合、複数の突起部は、隣接する半導体素子の突起部と隣接することとなる。そして、樹脂フィルムが複数の半導体素子をまとめて覆う程度の大きさを有するものである場合、樹脂フィルムは、複数の突起部によって囲まれる領域の外部において、隣接する半導体素子の複数の突起部にも支持されることとなる。したがって、このような場合は、樹脂フィルムにおける複数の突起部によって囲まれる領域の外部にある部分が第１の半導体基板と接着しにくくなり、中空部を形成しにくい。
【００１３】
そこで、請求項３に示すように、第１の半導体基板はウェハ状の基板からなり、半導体素子はウェハ状の基板に複数形成され、突起部は熱伝導性の部材にて形成するものであって、樹脂フィルムは複数の半導体素子をまとめて覆う程度の大きさを有するものであり、中空部形成工程は、第１の半導体基板における樹脂フィルムとの対向面の反対面から加熱しつつ、領域の外部に対応する位置に突部を有する押え治具の突部にて樹脂フィルムを押圧することによって樹脂フィルムと第１の半導体基板とを接着するようにしてもよい。
【００１４】
このようにすることによって、樹脂フィルムは、突起部から伝達された熱によって突起部に接触する部分から軟化し、その軟化した箇所を押え治具の突部にて押圧されるので第１の半導体基板と接着する。したがって、第１の半導体基板がウェハ状の基板からなり、樹脂フィルムが複数の半導体素子をまとめて覆うような場合に、可動部と樹脂フィルムとの間に中空部を形成することができる。
【００１５】
また、請求項４に示すように、第１の半導体基板はウェハ状の基板からなり、半導体素子はウェハ状の基板に複数形成されるものであって、樹脂フィルムは複数の半導体素子をまとめて覆う程度の大きさを有するものであり、中空部形成工程は、加熱機構と領域の外部に対応する位置に突部とを有する押え治具の突部にて樹脂フィルムを加熱しつつ押圧することによって樹脂フィルムと第１の半導体基板とを接着するようにしてもよい。
【００１６】
このようにすることによって、樹脂フィルムは、押え治具から伝達された熱によって突部に接触する部分から軟化し、その軟化した箇所を押え治具の突部にて押圧されるので第１の半導体基板と接着する。したがって、第１の半導体基板がウェハ状の基板からなり、樹脂フィルムが複数の半導体素子をまとめて覆うような場合に、可動部と樹脂フィルムとの間に中空部を形成することができる。
【００１７】
また、樹脂フィルムは、確実に可動部と離間させるために、中空部に対応する領域（可動部に対応する領域）においては、可動部から離れる方向に凸形状であると好ましい。そこで、請求項５に示すように、押え治具は、可動部に対応する位置に設けられる貫通孔を有するものであり、押え治具の突部に樹脂フィルムを当接させた状態で、貫通孔から吸引することによって樹脂フィルムに凹部を形成する凹部形成工程を有し、押え治具にて凹部が形成された状態の樹脂フィルムを凹部が可動部と対向するように複数の突起部上に被せるようにしてもよい。このように、予め樹脂フィルムに凹部を設けておくことによって、樹脂フィルムの中空部に対応する領域（可動部に対応する領域）を可動部から離れる方向に凸形状としやすくて好ましい。
【００１８】
また、請求項６に示すように、押え治具は、可動部に対応する位置に貫通孔を有するようにしても、樹脂フィルムの中空部に対応する領域（可動部に対応する領域）を可動部から離れる方向に凸形状としやすくて好ましい。
【００１９】
さらに、請求項７に示すように、押え治具にて樹脂フィルムを押圧している際に、貫通孔から吸引する吸引工程を備えるようにすると、より確実に樹脂フィルムの中空部に対応する領域（可動部に対応する領域）を可動部から離れる方向に凸形状としやすくて好ましい。
【００２０】
また、請求項８に示すように、押え治具は、透明な部材からなるようにしてもよい。このようにすることによって、押え治具と半導体素子との位置関係が目視できるので、押え治具と半導体装置との位置合わせが容易となる。
【００２１】
また、請求項９に示すように、押え治具は、シリコンからなるようにしてもよい。このようにすることによって、赤外線カメラを用いると押え治具と半導体素子との位置関係が目視できるので、押え治具と半導体装置との位置合わせが容易となる。
【００２２】
また、請求項１０に示すように、中空部形成工程後に、赤外線を前記樹脂フィルムに照射するようにしてもよい。このようにすることによって、樹脂フィルムが赤外線の照射によって硬化するので中空部を維持しやすくすることができる。
【００２３】
また、請求項１１に示すように、押え治具は、複数の突起部によって囲まれる領域に対応する位置に赤外線が透過可能な窓部を備え、中空部形成工程後に、窓部から赤外線を樹脂フィルムに照射するようにしてもよい。複数の突起部によって囲まれる領域の樹脂フィルムは、中空部を形成する領域である。したがって、請求項１１に示すようにすることによって、赤外線の照射によって中空部を確実に硬化することができる。
【００２４】
また、請求項１２に示すように、中空部形成工程後に、ウェハ状の基板をダイシングすることによって、ウェハ状の基板に複数形成された半導体素子をチップ状に分割するダイシング工程を備えるようにしてもよい。このようにすることによって、ダイシング工程などによって生じる切屑などが可動部に付着したりすることを抑制できるので好ましい。
【００２５】
また、請求項１３に示すように、突起部は、半導体素子の電気接続用のバンプ電極としてもよい。このようにすることによって、バンプ電極とは別に突起部を設ける必要がないので好ましい。
【００２６】
また、請求項１４に示すように、半導体素子は、電気接続用のバンプ電極を備え、第２の半導体基板にバンプ電極に対応する回路側電極が形成された回路素子に実装されるものであり、中空部形成工程後に、半導体素子を回路素子上に樹脂フィルムを介して載置し、中空部を保持した状態で、バンプ電極と回路側電極とを接合する接合工程を備えるようにしてもよい。このようにすることによって、半導体素子と回路素子とを積層配置することができる。
【００２７】
また、請求項１５に示すように、バンプ電極は、突起部を兼ねるようにしてもよい。このようにすることによって、バンプ電極とは別に突起部を設ける必要がないので好ましい。
【００２８】
また、バンプ電極と回路側電極とを接合する場合は、請求項１６に示すように、超音波接合によって接合するとよい。
【００２９】
また、請求項１７に示すように、第２の半導体基板はウェハ状の基板からなり、回路素子はウェハ状の基板に複数形成されるようにしてもよい。
【００３０】
また、請求項１８に示すように、第２の半導体基板は、半導体素子と対向する位置から第２の半導体基板の外部に達するエアー抜き部を備えるようにしてもよい。半導体素子を回路素子に実装する際に、樹脂フィルムと回路素子との間に空気が残留すると中空部が変形して、樹脂フィルムが可動部に接触する可能性がある。そこで、請求項１８に示すようにすることによって、半導体素子を回路素子に実装する際に、樹脂フィルムと回路素子との間に空気が残留することを抑制でき、中空部を維持しやすくすることができるので好ましい。
【００３１】
また、請求項１９に示すように、接合工程は、減圧雰囲気下で行うようにしてもよい。このようにすることによって、中空部を維持しやすくすることができるので好ましい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
以下、本発明の実施の形態を図に基づいて説明する。
【００３３】
（第１の実施の形態）
まず、第１の実施の形態について説明する。図１は、本発明の第１の実施の形態における半導体装置の概略構成を示す平面図である。図２は、図１のＩＩ−ＩＩ断面図である。図３（ａ）〜（ｄ）は、本発明の第１の実施の形態における半導体装置の製造方法（封止工程）を示す工程別の平面図及び断面図である。図４は、本発明の第１の実施の形態における半導体装置の製造方法（実装工程）を示す断面図である。図５（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第１の実施の形態における半導体装置の実装例を示す部分的断面図である。
【００３４】
本実施の形態においては、センサ素子１０を回路素子３０に実装してなる、いわゆるスタック構造の半導体装置の製造方法に適用した例を用いて説明する。すなわち、本実施の形態における半導体装置は、力学量の変化に応じた信号を出力するセンサ素子１０とセンサ素子１０の信号処理回路が形成された回路素子３０との２つの半導体素子を、相対する位置にバンプ（センサ側バンプ１３、回路側バンプ３２）がそれぞれ形成された電極形成面を対向させて積層し、バンプを介して電気的に接続してなるものである。
【００３５】
図１及び図２に示すように、センサ素子１０は、本発明の半導体素子に相当するものであり、シリコンなどからなるチップ状のセンサ基体（チップ状に分割されたものである第１の半導体基板）１１の一面に可動部１２を有すると共に、可動部１２が形成される面と同じ側の面に回路素子３０との電気的接続部であるセンサ側バンプ（バンプ電極、突起部）１３などを備える。
【００３６】
具体的には、このセンサ素子１０としては、櫛歯状の梁構造体からなる振動子を有する角速度センサや、櫛歯状の梁構造体からなる可動電極および固定電極を有する加速度センサや、半導体ダイアフラムを有する圧力センサなどである。
【００３７】
可動部１２は、例えば、加速度、角速度あるいは圧力などの力学量により変位するものであり、センサ基体１１の一面の略中央に形成される。そして、可動部１２の輪郭は、略矩形形状をなすものである。また、可動部１２は、接着フィルム２０（樹脂フィルム）にて封止されている。換言すると、可動部１２と接着フィルム２０との間には、中空部４０が形成されている。
【００３８】
なお、接着フィルム２０は、ポリイミドなどからなる所謂ＮＣＦ（Non Conductive Film）などの電気絶縁性の接着部材を採用することができる。また、接着フィルム２０は、センサ素子１０と回路素子３０とを機械的に接続するものでもある。つまり、センサ素子１０と回路素子３０とは、センサ側バンプ１３と回路側バンプ３２とが接合することによって、機械的及び電気的に接続されるものであるが、接着フィルム２０によって、より一層強固に機械的に接続されている。
【００３９】
センサ側バンプ１３は、例えば金などの金属材料からなるものであり、回路素子３０との電気的な接続を行う際に用いられると共に、中空部４０を形成する際に接着フィルム２０を支持するために用いられるものである。センサ側バンプ１３は、可動部１２の周辺に４箇所、具体的には可動部１２の各辺に対応する位置に設けられる。
【００４０】
なお、センサ側バンプ１３は、可動部１２の周辺に複数設けてあれば本発明の目的は達成できるが、安定的に中空部４０を形成するためには、３つ、もしくは４つ以上設けると好ましい。これは、センサ側バンプ１３は、３つ、もしくは４つ以上設けると接着フィルム２０を安定的に支持することができるからである。さらに、センサ側バンプ１３は、可動部１２の周辺に均等配置すると、接着フィルム２０をより一層安定的に支持することができるので好ましい。
【００４１】
図１及び図２に示すように、回路素子３０は、センサ素子１０の信号処理回路が形成されたシリコンなどからなるチップ状の回路基体３１（第２の半導体基板）の一面にセンサ素子１０との電気的な接続を行うため回路側バンプ３２（回路側電極）、及びセンサ素子１０と回路素子３０とが電気的に接続されてなる半導体装置と外部との電気的な接続のための電極３３などを備える。
【００４２】
なお、回路素子３０は、センサ素子１０との電気的な接続を行うために回路側バンプ３２を備える例を説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、回路側バンプ３２以外にも金などの金属材料からなるメッキを備えるようにしてもよい。
【００４３】
ここで、本発明の特徴部分である半導体装置の製造方法に関して説明する。
【００４４】
まず、図３を用いてセンサ素子１０の封止工程を説明する。封止工程は、まず図３（ａ）、（ｂ）に示すように、センサ基体１１に可動部１２が形成されたセンサ素子１０において、可動部１２の周辺に４つのセンサ側バンプ１３を形成する（突起部形成工程）。そして、可動部１２に対向する領域を含む４つのセンサ側バンプ１３によって囲まれる領域を覆いつつ、その領域の外部まで達する接着フィルム２０を４つのセンサ側バンプ１３上に被せる（被覆工程）。なお、図３（ａ）は、可動部１２及びセンサ側バンプ１３が形成されたセンサ基体１１に接着フィルム２０を被せた状態の平面図であり、図３（ｂ）は、図３（ａ）のｂ−ｂ断面図である。
【００４５】
そして、図３（ｃ）に示すように、接着フィルム２０を４つのセンサ側バンプ１３上に被せた状態で、４つのセンサ側バンプ１３によって囲まれる領域の外部において接着フィルム２０とセンサ基体１１とを接着するために、センサ素子１０（センサ基体１１）における接着フィルム２０との対向面の反対面から加熱（例えば、８０℃程度）する（中空部形成工程）。具体的には、センサ側バンプ１３の上に接着フィルム２０を被せた状態のセンサ基体１１をホットプレート５０上に配置する。このとき、センサ基体１１は、接着フィルム２０との対向面の反対面がホットプレート５０と対向するように配置する。なお、センサ基体１１における接着フィルム２０との対向面の反対面は、単に裏面とも称する。
【００４６】
このように、センサ側バンプ１３の上に接着フィルム２０を被せた状態のセンサ基体１１を裏面から加熱すると、センサ側バンプ１３から接着フィルム２０に熱が伝達される。よって、接着フィルム２０は、４つのセンサ側バンプ１３に接触する部分から軟化する。また、接着フィルム２０は、４つのセンサ側バンプ１３によって囲まれる領域の内部においては４つのセンサ側バンプ１３にて支持されており、その領域の外部においては支持されない状態となっている。したがって、図３（ｃ）に示すように、接着フィルム２０の４つのセンサ側バンプ１３によって囲まれる領域の外部にある部分は、４つのセンサ側バンプ１３にて支持されていないためセンサ基体１１の方向（重力方向）へ垂れ下がる。一方、接着フィルム２０の４つのセンサ側バンプ１３によって囲まれる領域の内部にある部分は、センサ基体１１の方向（重力方向）へ多少垂れ下がるものの、４つのセンサ側バンプ１３にて支持されているためセンサ基体１１と離間された状態を維持することができる。
【００４７】
そして、上述のようにセンサ基体１１を裏面から加熱していくと、図３（ｄ）に示すように、接着フィルム２０は、４つのセンサ側バンプ１３によって囲まれる領域の内部においてはセンサ基体１１と離間された状態を維持しつつ、その領域の外部にある部分がセンサ基体１１と接着する。このようにして、可動部１２と接着フィルム２０との間に中空部４０が形成される（中空部形成工程）。なお、接着フィルム２０は、４つのセンサ側バンプ１３に接触する部分から軟化して、４つのセンサ側バンプ１３によって囲まれる領域の外部からセンサ基体１１と接着（硬化）していくため、加熱後には可動部１２から遠ざかる方へ凸状態となる。
【００４８】
このように、可動部１２の周辺に設けた４つのセンサ側バンプ１３上に接着フィルム２０を被せ、４つのセンサ側バンプ１３によって囲まれる領域の外部において、接着フィルム２０とセンサ基体１１とを接着して中空部４０を形成することによって、高圧の雰囲気などで製造する必要がないため、可動部１２の動作を阻害することなく、可動部１２を外部雰囲気（異物、水分など）から保護することができる半導体装置を容易に製造することができる。
【００４９】
次に、図４を用いてセンサ素子１０を回路素子３０に実装する実装工程を説明する。まず、実装工程は、図４に示すように、回路基体３１に回路側バンプ３２が形成された回路素子３０上に、センサ素子１０を配置する。センサ素子１０を回路素子３０上に配置する場合、センサ素子１０に形成された接着フィルム２０が回路素子３０と対向すると共に、センサ側バンプ１３と回路側バンプ３２とが対応するように位置合わせして配置する。
【００５０】
このとき、回路素子３０は、センサ素子１０との対向面の反対面がステージ７０と対向するように、ステージ７０上に配置しておく。このステージ７０は、回路素子３０を固定するための吸引チャック（図示省略）、ヒーターなどの加熱機構（図示省略）などを備える。また、センサ素子１０は、接着フィルム２０の形成面の反対面側を超音波接合装置６０で吸引された状態で回路素子３０上に配置される。この超音波接合装置６０は、超音波振動する機構（図示省略）、センサ素子１０を固定するための吸引チャック（図示省略）などを備える。
【００５１】
そして、ステージ７０の加熱機構にて回路素子３０側から加熱（例えば、温度１５０℃）しつつ、超音波接合装置６０にて、センサ素子１０を押圧しながら振動（例えば、超音波振幅１μｍ、発振時間０．６ｓ、ピーク荷重４Ｎ／４バンプ）させて、中空部４０を保持した状態で、センサ側バンプ１３と回路側バンプ３２とを接合する（接合工程）。よって、センサ素子１０と回路素子３０とは、センサ側バンプ１３と回路側バンプ３２とが接合することによって、機械的及び電気的に接続される。このようにして、センサ素子１０と回路素子３０とを積層配置（センサ素子１０を回路素子３０に実装）することができる。
【００５２】
なお、センサ素子１０に設けられた接着フィルム２０は、センサ側バンプ１３を覆っているが、この接合工程において、加熱などにより軟らかくなり、センサ側バンプ１３及び回路側バンプ３２によって突き破られる。従って、センサ側バンプ１３は、接着フィルム２０によって覆われていても、回路側バンプ３２と接合することができる。
【００５３】
また、接着フィルム２０は、熱によって軟化してセンサ側バンプ１３と回路側バンプ３２との周囲において、センサ素子１０と回路素子３０とに接着する。これによって、センサ素子１０と回路素子３０とは、より一層強固に機械的に接続される。換言すると、上述のようにすることによって、センサ素子１０と回路素子３０との接合強度を向上することができ、センサ素子１０と回路素子３０との接合信頼性を向上することができる。
【００５４】
なお、この超音波接合する場合、センサ素子１０のコーナー部にアライメントマークを設けておき、そのマークを画像認識して、位置合わせするようにしてもよい。この場合、接着フィルム２０によって、アライメントマークが隠れてしまう可能性がある。したがって、予め接着フィルム２０のコーナー部（アライメントマークに対応する部分）を除去しておくと好ましい。
【００５５】
また、センサ素子１０に形成された接着フィルム２０が可動部１２から離れる方へ凸形状となっているため、回路素子３０上に残留する外気の巻き込みを防止でき、接着フィルム２０がセンサ基体１１側へ押し上げられる（即ち、接着フィルム２０が可動部１２に接触する）のを防止できる。また、接着フィルム２０が可動部１２から離れる方へ凸形状となっているため、接着フィルム２０が先に加熱されている回路素子３０へ接触・付着し、可動部１２に接触するのを防止することができる。
【００５６】
また、この実装工程を減圧雰囲気下で実施すれば、接着フィルム２０の中空部４０の維持が容易になる。
【００５７】
また、接着フィルム２０は、中空部４０が形成された後にホットプレート１３０によって追加過熱するようにしてもよい。このようにすることによって、接着フィルム２０とセンサ基体１１との接着性を補強することができる。
【００５８】
また、接着フィルム２０は、中空部４０が形成された後に赤外線を照射するようにしてもよい。このようにすることによって、接着フィルム２０の完全な硬化状態とすることができ、中空部４０（凸形状）を維持しやすくすることができる。
【００５９】
また、本実施の形態においては、回路素子３０との電気的接続を行うためのセンサ側バンプ１３が、接着フィルム２０を支持するための突起部を兼ねる例を採用したが、本発明はこれに限定されるものではない。センサ側バンプ１３とは別に、接着フィルム２０を支持する熱伝導性の突起部を設けるようにしても本発明の目的は達成できるものである。しかしながら、回路素子３０との電気的接続を行うためのセンサ側バンプ１３が、接着フィルム２０を支持するための突起部を兼ねるようにすることによって、センサ側バンプ１３とは別に突起部を設ける必要がないので好ましい。
【００６０】
なお、センサ素子１０が実装された回路素子３０は、ＥＣＵを構成する一つの電子部品として実装基板（マザーボードなど）に搭載されたり、リードフレームに搭載されたりする。例えば、図５（ａ）には、一部に凹部８１ａを持った実装基板８０ａ上に、センサ素子１０が実装された回路素子３０を実装した例を示す。このとき、実装基板８０ａに形成される電極（図示省略）と回路素子３０に予め形成した外部との接続用の電極３３とを導電性接着剤などで接続する。また、図５（ｂ）には、一部に貫通孔８１ｂを持った実装基板８０ｂ上に、センサ素子１０が実装された回路素子３０を実装した例を示す。このとき、実装基板８０ｂに形成される電極（図示省略）と回路素子３０に予め形成した外部との接続用の電極３３とを導電性接着剤などで接続する。また、図５（ｃ）には、一部に貫通孔８１ｃを持ったリードフレーム８０ｃに、センサ素子１０が実装された回路素子３０を実装した例を示す。このとき、リードフレーム８０ｃに形成される電極（図示省略）と回路素子３０に予め形成した外部との接続用の電極３３とをボンディングワイヤ８２ｃにより接続する。
【００６１】
（第２の実施の形態）
次に、本発明の第２の実施の形態について説明する。図６は、本発明の第２の実施の形態におけるセンサ基板の概略構成を示す部分的平面図である。図７は、図６のＶＩＩ−ＶＩＩ断面図である。図８は、本発明の第２の実施の形態における押え治具の概略構成を示す部分的平面図である。図９は、図８のＩＸ−ＩＸ断面図である。図１０は、本発明の第２の実施の形態における半導体装置の製造方法おいて熱圧着されているときの半導体装置の概略構成を示す全体的断面図である。図１１（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第２の実施の形態における半導体装置の製造方法（封止工程）を示す工程別の断面図である。
【００６２】
第２の実施の形態における半導体装置の製造法は、上述の第１の実施の形態によるものと共通するところが多いので、以下、共通部分についての詳しい説明は省略し、異なる部分を重点的に説明する。第２の実施の形態において、上述の第１の実施の形態と異なる点は押え治具を用いる点である。
【００６３】
図６及び図７に示すように、センサ素子１０がセンサ基板１００（ウェハ状の基板である第１の半導体基板）に複数形成されている場合、つまり、センサ基板１００に複数のセンサ領域ａ１〜ａ２（図６、図７では一部のみ表示している）が形成されている場合、センサ素子１０における４つのセンサ側バンプ１３は、隣接するセンサ素子１０の４つのセンサ側バンプ１３と隣接することとなる。そして、接着フィルム２０が複数のセンサ素子１０をまとめて覆う程度の大きさ、つまりウェハ状のセンサ基板１００と同程度もしくはウェハ状のセンサ基板１００以上の大きさを有するものである場合、接着フィルム２０は、４つのセンサ側バンプ１３によって囲まれる領域の外部において、隣接するセンサ素子１０の４つのセンサ側バンプ１３にも支持されることとなる。したがって、このような場合は、接着フィルム２０における４つのセンサ側バンプ１３によって囲まれる領域の外部にある部分がセンサ基板１００と接着しにくくなり、中空部を形成しにくい。
【００６４】
そこで、本実施の形態においては、接着フィルム２０における４つのセンサ側バンプ１３によって囲まれる領域の外部にある部分をセンサ基板１００に接着させて、中空部４０を形成するために、図８乃至図１０に示す押え治具１１０、受け治具１２０、ホットプレート１３０を用いる。
【００６５】
押え治具１１０は、樹脂や金属などからなる基体１１４に４つのセンサ側バンプ１３によって囲まれる領域の外部に対応する位置に突部１１２を有し、可動部１２に対応する位置に貫通孔であるエアー抜き孔１１１を有する。つまり、押え治具１１０は、連続した枠状の突部１１２で囲まれた領域に貫通孔であるエアー抜き孔１１１が設けられた形状を有する。
【００６６】
受け治具１２０は、センサ基板１００の位置ずれを抑制するものであり、センサ基板１００の大きさに対応した形状のズレ防止用の凹部（図示省略）が形成されている。また、押え治具１１０及び受け治具１２０には、互いに対応する位置に位置決め孔１１３及び位置決め孔１２１が設けられている。
【００６７】
ここで、本発明の特徴部分である半導体装置の製造方法における封止工程に関して説明する。
【００６８】
まず、図１０に示すように、接着フィルム２０が配置された状態のウェハ状のセンサ基板１００は、受け治具１２０（ホットプレート１３０）と押え治具１１０によって挟まれた状態とする。
【００６９】
具体的には、可動部１２及びセンサ側バンプ１３を含むセンサ素子１０が複数形成されたウェハ状のセンサ基板１００を受け治具１２０の凹部に配置する。このとき、センサ基板１００は、接着フィルム２０との対向面の反対面が受け治具１２０と対向するように凹部に配置する。
【００７０】
次に、このセンサ基板１００の上に複数のセンサ素子１０をまとめて覆う程度の大きさ、つまりウェハ状のセンサ基板１００と同程度もしくはウェハ状のセンサ基板１００以上の大きさの接着フィルム２０を配置することによって、センサ基板１００の一面を接着フィルム２０で覆う。なお、接着フィルム２０は、一枚でセンサ基板１００の一面を覆う大きさのものを貼付けても良いが、分割した大きさのものを組み合わせて貼ってもよい。
【００７１】
そして、センサ基板１００上に配置された接着フィルム２０上に押え治具１１０を配置する。このとき、押え治具１１０と受け治具１２０とは、位置決め孔１１３及び位置決め孔１２１に位置決めピン１４０が挿入されて互いに位置決めされた状態である。これによって、押え治具１１０とセンサ基板１００とも位置決めされる。その後、受け治具１２０ごとホットプレート１３０上に配置する。
【００７２】
この状態においては、図１１（ａ）に示すように、ホットプレート１３０、受け治具１２０、センサ基板１００が積層された状態であり、センサ基板１００のセンサ側バンプ１３上に接着フィルム２０が配置され、接着フィルム２０上に突部１１２が接触した状態で押え治具１１０が配置された状態となっている。
【００７３】
そして、図１１（ｂ）に示すように、センサ基板１００をホットプレート１３０で約２５秒間加熱後（例えば、ホットプレート１３０の温度約９０℃、受け治具１２０の表面温度約７０℃程度である）に、押え治具１１０に荷重（例えば、約３ＭＰａ）を８秒間負荷する。このようにして、接着フィルム２０における４つのセンサ側バンプ１３によって囲まれる領域の外部にある部分を押え治具１１０の突部１１２で押さえてセンサ基板１００に接着（熱圧着）させて、可動部１２と接着フィルム２０との間に中空部４０が形成される（中空部形成工程）。その後、センサ素子１０毎に中空部４０が形成されたセンサ基板１００を受け治具１２０ごとホットプレート１３０から降ろし、押え治具１１０を外し、センサ基板１００を取り出す。
【００７４】
このようにすることによって、接着フィルム２０は、センサ側バンプ１３から伝達された熱によってセンサ側バンプ１３に接触する部分から軟化し、その軟化した箇所を押え治具１１０の突部１１２にて押圧されるのでセンサ基板１００と接着（熱圧着）する。したがって、センサ基板１００がウェハ状の基板からなり、接着フィルム２０が複数のセンサ素子１０をまとめて覆うような場合に、可動部１２と接着フィルム２０との間に中空部４０を形成することができる。
【００７５】
また、本実施の形態においては、押え治具１１０の可動部１２に対応する位置にエアー抜き孔１１１を設けているで、押え治具１１０にて接着フィルム２０を押圧する際に、接着フィルム２０と押え治具１１０との間に空気が残留することを抑制できるので、接着フィルム２０が可動部１２に接着することを抑制できる。さらに、接着フィルム２０は、押え治具１１０との間に空気が残留するが抑制され、４つのセンサ側バンプ１３に接触する部分から軟化して、４つのセンサ側バンプ１３によって囲まれる領域の外部からセンサ基体１１と接着（硬化）していくため、加熱後には可動部１２から遠ざかる方へ凸形状としやすい。
【００７６】
また、本実施の形態に示すように、押え治具１１０を用いることにより、接着フィルムをセンサ側バンプ１３の根元付近まで近接させて接着することができるので、チップサイズ低減の効果も奏することができる。
【００７７】
そして、取り出したセンサ基板１００をダイシング（例えば、セミオートダイシング装置を用いて、切削水量０．８Ｌ／min、送りスピード７ｍｍ／ｓ）することによって、図１１（ｃ）に示すように、センサ基板１００に複数形成されたセンサ素子１０をチップ状に分割する（ダイシング工程）。このように中空部形成工程後に、ダイシング工程を行うことによって、ダイシング工程などによって生じる異物（切屑）や水分などが可動部１２に付着したりすることを抑制できるので好ましい。また、このようにダイシング工程において可動部１２に切屑（異物）や水分が付着したりすることが抑制できるので、その異物（切屑）や水分などが可動部１２に付着したりすることを別部材（保護専用の部材）で保護する工程、その異物（切屑）や水分などが可動部１２に付着したか否かを検査する工程などを省略することができるので製造コストを低減できる。
【００７８】
なお、押え治具１１０として、透明な材質（ガラス、石英等）を用いれば、押え治具１１０とセンサ基板１００との位置関係が目視できるので、押え治具１１０とセンサ基板１００との位置合わせが容易となり、位置決めピン１４０を省略することが可能になる。
【００７９】
また、押え治具１１０として、シリコンを用いれば、赤外線カメラを用い、画像認識により、押え治具１１０とセンサ基板１００との位置関係が目視できるので、押え治具１１０とセンサ基板１００との位置合わせが容易となり、位置決めピン１４０を省略することが可能になる。
【００８０】
また、接着フィルム２０は、押え治具１１０を外した後、つまり中空部４０が形成された後にホットプレート１３０によって追加過熱するようにしてもよい。このようにすることによって、接着フィルム２０とセンサ基板１００との接着性を補強することができる。
【００８１】
また、中空部形成工程中に、押え治具１１０に設けたエアー抜き孔１１１から接着フィルム２０を吸引する吸引工程を行うようにしてもよい。このようにすることによって、より一層中空部４０を可動部１２から遠ざかる方へ凸形状としやすい。
【００８２】
また、押え治具１１０は、各センサ素子１０のコーナー部（角部）に対応する位置、つまり、各センサ素子１０のアライメントマークに対応する位置を突部１１２と同じ方向に突出させておいてもよい。このようにすることによって、各センサ素子１０のコーナー部（角部）に対応する位置に接着した接着フィルム２０の膜厚を比較的薄く（アライメントマークが認識できる程度の膜厚。例えば、３μｍ程度）できる。このようにすることによって、接着フィルム２０を予め除去しなくても超音波接合時の位置合わせが可能になる。
【００８３】
また、本実施の形態においては、押え治具１１０を用いて接着フィルム２０をセンサ基板１００に接着する際に、ホットプレート１３０を用いる例を採用したが、本発明はこれに限定されるものではない。ホットプレート１３０のかわりに、押え治具１１０にヒーターなどの加熱機構を備えて、この加熱機構で接着フィルム２０を加熱してもよい。
【００８４】
すなわち、センサ素子１０がセンサ基板１００（ウェハ状の基板である第１の半導体基板）に複数形成されている場合、つまり、センサ基板１００に複数のセンサ領域ａ１〜ａ２（図６、図７では一部のみ表示している）が形成されている場合であって、接着フィルム２０が複数のセンサ素子１０をまとめて覆う程度の大きさ、つまりウェハ状のセンサ基板１００と同程度もしくはウェハ状のセンサ基板１００以上の大きさを有するものである場合、加熱機構と４つのセンサ側バンプによって囲まれる領域の外部に対応する位置に突部とを有する押え治具にて樹脂フィルム２０を加熱しつつ押圧することによって樹脂フィルム２０とセンサ基板１００とを接着するようにしてもよい。
【００８５】
このようにすることによっても、樹脂フィルム２０は、押え治具から伝達された熱によって突部に接触する部分から軟化し、その軟化した箇所を押え治具にて押圧されるのでセンサ基板と接着する。したがって、センサ基板がウェハ状の基板からなり、樹脂フィルムが複数の半導体素子をまとめて覆うような場合に、可動部１２と樹脂フィルム２０との間に中空部を形成することができる。
【００８６】
（変形例１）
また、変形例１として、接着フィルム２０に予め凹部を設けておき、その状態の接着フィルム２０をセンサ基板１００に接着するようにしてもよい。図１２は、本発明の変形例１における半導体装置の製造方法にて封止する前の状態を示す断面図である。
【００８７】
図１２に示す押え治具１１０は、上述の第２の実施の形態と同様に、樹脂や金属などからなる基体１１４に４つのセンサ側バンプ１３によって囲まれる領域の外部に対応する位置に突部１１２を有し、可動部１２に対応する位置に貫通孔であるエアー抜き孔１１１を有する。
【００８８】
そして、この押え治具１１０の突部１１２に接着フィルム２０を当接させた状態で、エアー抜き孔１１１から吸引することによって接着フィルム２０に凹部を形成する（凹部形成工程）。そして、押え治具１１０にて凹部が形成された状態の接着フィルム２０を凹部が可動部１２と対向するように複数のセンサ側バンプ１３上に被せる。あとは、上述の第２の実施の形態と同様に、ホットプレート１３０によって加熱しつつ、接着フィルム２０を押え治具１１０にて押圧して、接着フィルム２０をセンサ基板１００に接着（熱圧着）する。
【００８９】
このように、予め接着フィルム２０に凹部を設けておくことによって、接着フィルム２０の中空部４０に対応する領域（可動部１２に対応する領域）を可動部１２から離れる方向に凸形状としやすくて好ましい。
【００９０】
また、このように予め接着フィルム２０に凹部を形成する場合、押え治具１１０にヒーターなどの加熱機構を設けると好ましい。そして、接着フィルム２０に凹部を形成する際に、押え治具１１０によって接着フィルム２０を加熱することによって、容易に凹部を形成することができる。
【００９１】
（変形例２）
また、変形例２に示すように、回路素子３０ａにエアー抜き部３４ａを備えるようにしてもよい。図１３は、本発明の変形例２における半導体装置の製造方法にて実装する前の状態を示す平面図である。図１４は、図１３のＸＩＶ−ＸＩＶ断面図である。
【００９２】
図１３、図１４に示すように、回路素子３０ａは、センサ素子１０と対向する位置（具体的には中空部４０が形成される領域に対応する位置）から回路基体３１ａの外部に達する溝部であるエアー抜き部３４ａを備える。
【００９３】
回路側バンプ３２、電極３３などが形成された回路基体３１ａにレーザー加工などによって溝を設けて、エアー抜き部３４ａを設ける（溝形成工程）。そして、上述の第１の実施の形態と同様に、超音波接合によってセンサ側バンプ１３と回路側バンプ３２とを接合して、センサ素子１０と回路素子３０ａとを積層配置する。なお、エアー抜き部３４ａは、超音波接合時に樹脂フィルム２０によって塞がれることとなる。
【００９４】
このようにすることによって、センサ素子１０を回路素子３０ａに実装する際に、接着フィルム２０と回路素子３０ａとの間に空気が残留することを抑制して接着フィルム２０が可動部１２方向へ押し上げられることを抑制でき、中空部４０を維持することができるので好ましい。
【００９５】
なお、変形例２においては、チップ状の回路基体３１ａを例として採用したが、センサ素子１０をウェハ状の回路基体に実装する場合は、ウェハ状の回路基体にエアー抜き部３４ａを設けるようにしてもよい。
【００９６】
（変形例３）
また、変形例３に示すように、エアー抜き部は、貫通孔であってもよい。図１５は、本発明の変形例３における半導体装置の製造方法にて実装する前の状態を示す断面図である。
【００９７】
図１５に示すように、回路素子３０ｂは、センサ素子１０と対向する位置（具体的には中空部４０が形成される領域に対応する位置）から回路基体３１ｂの外部に達する貫通孔であるエアー抜き部３４ｂを備える。
【００９８】
回路側バンプ３２、電極３３などが形成された回路基体３１ｂにレーザー加工などによって貫通孔を設けて、エアー抜き部３４ｂを設ける（貫通孔形成工程）。そして、上述の第１の実施の形態と同様に、超音波接合によってセンサ側バンプ１３と回路側バンプ３２とを接合して、センサ素子１０と回路素子３０ｂとを積層配置する。なお、エアー抜き部３４ｂは、超音波接合時に樹脂フィルム２０によって塞がれることとなる。
【００９９】
このようにすることによっても、センサ素子１０を回路素子３０ｂに実装する際に、接着フィルム２０と回路素子３０ｂとの間に空気が残留することを抑制して接着フィルム２０が可動部１２方向へ押し上げられることを抑制でき、中空部４０を維持することができるので好ましい。
【０１００】
なお、変形例３においては、チップ状の回路基体３１ｂを例として採用したが、センサ素子１０をウェハ状の回路基体に実装する場合は、ウェハ状の回路基体にエアー抜き部３４ｂを設けるようにしてもよい。
【０１０１】
（変形例４）
また、変形例４に示すように、回路基体は、ウェハ状の基板であってもよい。図１６は、本発明の変形例４における半導体装置の製造方法にて実装した状態を示す断面図である。
【０１０２】
回路基板３０ｃは、ウェハ状のプリント基板３１ｃからなる。そして、このプリント基板３１ｃに複数の回路素子が形成されている。この場合、回路基板３０ｃにセンサ素子１０を実装した後に、ダイシング工程を行うことによってチップ状にする。このように、回路素子は、センサ素子１０を実装した後にダイシングによってチップ状としてもよい。
【０１０３】
（変形例５）
また、変形例５に示すように、接着フィルムを押え治具によって押圧しつつ、センサ素子に接着する場合において、赤外線によって接着フィルムを完全に硬化状態とするようにしてもよい。図１７は、本発明の変形例５における押え治具の概略構成を示す部分的平面図である。図１８は、本発明の変形例５における半導体装置の製造方法にて封止した状態を示す断面図である。
【０１０４】
図１７及び図１８に示す押え治具１１０ａは、４つのセンサ側バンプによって囲まれる領域の外部に対応する位置に突部１１２ａと、その領域の内側に対応する位置に窓部１１１ａとを備える。
【０１０５】
そして、上述の第２の実施の形態と同様に、センサ基板１００と接着フィルム２０とが、押え治具１１０ａと受け治具１２０（ホットプレート１３０）とに挟まれた状態で、センサ基板１００をホットプレート１３０で加熱後に、押え治具１１０ａに荷重を負荷する。このようにして、接着フィルム２０における４つのセンサ側バンプ１３によって囲まれる領域の外部にある部分を押え治具１１０ａの突部１１２ａで押さえてセンサ基板１００に接着（熱圧着）させて、可動部１２と接着フィルム２０との間に中空部４０が形成される（中空部形成工程）。その後、窓部１１１ａから接着フィルム２０に対して、赤外線を照射する。このようにすることによって、接着フィルム２０の完全な硬化状態とすることができ、中空部４０（凸形状）を維持しやすくすることができる。
【０１０６】
なお、第１及び第２の実施の形態、変形例１乃至５は、適宜組み合わせが可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１０７】
【図１】本発明の第１の実施の形態における半導体装置の概略構成を示す平面図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ断面図である。
【図３】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の第１の実施の形態における半導体装置の製造方法（封止工程）を示す工程別の平面図及び断面図である。
【図４】本発明の第１の実施の形態における半導体装置の製造方法（実装工程）を示す断面図である。
【図５】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第１の実施の形態における半導体装置の実装例を示す部分的断面図である。
【図６】本発明の第２の実施の形態におけるセンサ基板の概略構成を示す部分的平面図である。
【図７】図６のＶＩＩ−ＶＩＩ断面図である。
【図８】本発明の第２の実施の形態における押え治具の概略構成を示す部分的平面図である。
【図９】図８のＩＸ−ＩＸ断面図である。
【図１０】本発明の第２の実施の形態における半導体装置の製造方法において熱圧着されているときの半導体装置の概略構成を示す全体的断面図である。
【図１１】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第２の実施の形態における半導体装置の製造方法（封止工程）を示す工程別の断面図である。
【図１２】本発明の変形例１における半導体装置の製造方法にて封止する前の状態を示す断面図である。
【図１３】本発明の変形例２における半導体装置の製造方法にて実装する前の状態を示す平面図である。
【図１４】図１３のＸＩＶ−ＸＩＶ断面図である。
【図１５】本発明の変形例３における半導体装置の製造方法にて実装する前の状態を示す断面図である。
【図１６】本発明の変形例４における半導体装置の製造方法にて実装した状態を示す断面図である。
【図１７】本発明の変形例５における押え治具の概略構成を示す部分的平面図である。
【図１８】本発明の変形例５における半導体装置の製造方法にて封止した状態を示す断面図である。
【符号の説明】
【０１０８】
１０  センサ素子、１１  センサ基体、１２  可動部、１３  センサ側バンプ、２０  接着フィルム、３０  回路素子、３０ａ，３０ｂ  回路素子、３０ｃ  回路基板、３１  回路基体、３１ａ，３１ｂ  回路基体、３１ｃ  プリント基板、３２  回路側バンプ、３３  電極、３４ａ，３４ｂ  エアー抜き部、４０  中空部、５０  ホットプレート、６０  超音波接合装置、７０  ステージ、８０ａ，８０ｂ  実装基板、８０ｃ  リードフレーム、８１ａ  凹部、８１ｂ  貫通孔、８１ｃ  貫通孔、８２ｃ  ボンディングワイヤ、１００  センサ基板、１０１  センサ基体、１１０，１１０ａ  押え治具、１１１  エアー抜き孔、１１１ａ  窓部、１１２  突部、１１２ａ  突部、１１３  位置決め孔、１１４  基体、１２０  受け治具、１２１  位置決め孔、１３０  ホットプレート、１４０  位置決めピン、ａ１，ａ２  センサ領域（センサ素子）
【図１】
2008218744.tif 000003
【図２】
2008218744.tif 000004
【図３】
2008218744.tif 000005
【図４】
2008218744.tif 000006
【図５】
2008218744.tif 000007
【図６】
2008218744.tif 000008
【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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