(57)【要約】【課題】ウェーハのエッジ面の形状を安定化させる。【解決手段】枚葉式エッチング装置１０は、半導体インゴットをスライスして得られた薄円板状のウェーハ１１を回転させながら、ウェーハ１１の上面１１ａにエッチング液を供１５給してウェーハ１１の上面１１ａ及びエッジ面１１ｂをエッチングする装置である。ウェーハ１１の上面１１ａにエッチング液１５を供給する第１ノズル１４に加えて、ウェーハ１１のエッジ面１１ｂに対向して設けられウェーハ１１のエッジ面１１ｂにエッチング液１５を供給する第２ノズル１６を更に備える。第２ノズル１６は、ウェーハ１１の外周端からウェーハ半径方向内側に向って０〜２０ｍｍの範囲内の所定の位置に固定して設けられ、ウェーハのエッジ面を伝わって流下するエッチング液をガスの噴射によりウェーハの半径方向外側に吹き飛ばす下面ブロー機構を備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体インゴットをスライスして得られた薄円板状のウェーハを回転させながら、前記ウェーハの上面にエッチング液を供給して前記ウェーハの上面及びエッジ面をエッチングする枚葉式エッチング装置において、
前記ウェーハの上面にエッチング液を供給する第１ノズルに加えて前記ウェーハのエッジ面に対向して設けられ前記ウェーハのエッジ面にエッチング液を供給する第２ノズルを備えた
ことを特徴とするウェーハの枚葉式エッチング装置。
【請求項２】
第２ノズルがウェーハの外周端からウェーハ半径方向内側に向って−１０〜２０ｍｍの範囲内の所定の位置に固定して設けられた請求項１記載のウェーハの枚葉式エッチング装置。
【請求項３】
ウェーハのエッジ面を伝わって流下するエッチング液をガスの噴射により前記ウェーハの半径方向外側に吹き飛ばす下面ブロー機構を備えた請求項１又は２記載のウェーハの枚葉式エッチング装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウェーハを水平に保持した状態で回転させながら、このウェーハを１枚ずつエッチングする装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に半導体ウェーハの製造工程は、単結晶インゴットから切出し、スライスして得られたウェーハを、面取り、機械研磨（ラッピング）、エッチング、鏡面研磨（ポリッシング）及び洗浄する工程から構成され、高精度の平坦度を有するウェーハとして生産される。ブロック切断、外径研削、スライシング、ラッピング等の機械加工プロセスを経たウェーハはその上面にダメージ層、即ち加工変質層を有している。加工変質層はデバイス製造プロセスにおいてスリップ転位等の結晶欠陥を誘発し、ウェーハの機械的強度を低下させ、また電気的特性に悪影響を及ぼすため、完全に除去しなければならない。この加工変質層を取除くためにエッチング処理が施される。エッチング処理としては、浸漬式エッチングや枚葉式エッチングが行われている。
【０００３】
上記枚葉式エッチングは大口径化したウェーハの表面粗さとテクスチャーサイズの制御を行うことができるため、最適なエッチング方法として検討されている。枚葉式エッチングは、平坦化した単一のウェーハの上面へエッチング液を滴下し、ウェーハを水平回転（スピン）させることにより滴下したエッチング液をウェーハ上面全体に拡げてエッチングする方法である。ウェーハ上面に供給したエッチング液は、ウェーハを水平回転させることにより生じた遠心力により、供給した箇所からウェーハ上面全体に拡がり、ウェーハのエッジ面に至るため、ウェーハ上面と同時にウェーハのエッジ面もエッチングされることになる。供給したエッチング液の大部分は、遠心力によりウェーハのエッジ面から吹き飛んで、エッチング装置に設けられたカップ等により回収される。しかしエッチング液の一部はウェーハのエッジ面からウェーハ下面へと回り込み、ウェーハのエッジ面及びウェーハ下面をもエッチングしてしまう不具合があった。
【０００４】
この点を解消するために、半導体基板固定手段のテーブル部が円板状の半導体基板の中央部を真空吸引させて保持し、回転駆動昇降手段が半導体基板固定手段ごと半導体基板を回転させかつ昇降させ、エッチング液供給手段が半導体基板固定手段に保持された半導体基板の表面にノズルからエッチング液を供給するように構成された半導体基板処理装置が開示されている（例えば、特許文献１参照。）。この半導体基板処理装置では、テーブル部にリング状スリットとガイド部とを有するリングブローノズルが半導体基板固定手段と完全に独立して設けられる。リング状スリットは、テーブル部の外側位置でかつテーブル部に搭載された半導体基板の裏面側下方に設けられ、テーブル部に搭載された半導体基板の裏面外周部の半径方向外側に向けて斜め上方向に気体を均一に噴出するように構成される。またガイド部は、上記噴出された気体をテーブル部に搭載された半導体基板の裏面側に沿って半導体基板の厚み方向中心位置の外側端部まで導くように構成される。
【０００５】
このように構成された半導体基板処理装置では、リング状スリットから半導体基板の裏面外周部に均一に噴出される気体がガイド部により半導体基板の厚み方向中心位置の外側端部まで導かれるので、この外側端部より下面側にエッチング液が回り込むのを防ぎ、半導体基板の厚み方向中心位置でエッチングを止めることができる。この結果、半導体基板の両面をエッチングした場合において、エッジ面を均一にエッチングできるとしている。
【特許文献１】特開２００６−２３７５０２号公報（請求項１、段落［０００９］）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、上記従来の特許文献１に示された半導体基板処理装置では、エッチング液が半導体基板のエッジ面の最外周縁に十分に供給されないため、このエッジ面の最外周縁の形状を安定化させることができない問題点があった。即ち、上記従来の特許文献１に示された半導体基板処理装置のように、裏面からの噴射流体ガイドを用いても、ウェーハのエッジ面又は裏面へのエッチング液の回りこみは、遠心力、重力、表面でのエッチング液の乱れ、などが複雑に絡んだ現象である。ウェーハの上面にエッチング液を供給する第１ノズルはそのウェーハの上面において移動するものであるため、ウェーハの表面に第１ノズルを介して供給されたエッチング液はその表面において乱れ、ウェーハのエッジ面をエッチングするエッチング液の流量にも乱れが生じることから、そのエッジ面の最外周縁の形状を安定化させることができずに、エッジ面の形状における品質制御は困難であるという未だ解決すべき課題が残存していた。
本発明の目的は、ウェーハのエッジ面の形状を安定化させ得るウェーハの枚葉式エッチング装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
請求項１に係る発明は、図１に示すように、半導体インゴットをスライスして得られた薄円板状のウェーハ１１を回転させながら、ウェーハ１１の上面１１ａにエッチング液１５を供給してウェーハ１１の上面１１ａ及びエッジ面１１ｂをエッチングする枚葉式エッチング装置１０の改良である。
その特徴ある構成は、ウェーハ１１の上面１１ａにエッチング液１５を供給する第１ノズル１４に加えて、ウェーハ１１のエッジ面１１ｂに対向して設けられウェーハ１１のエッジ面１１ｂにエッチング液１５を供給する第２ノズル１６を備えたところにある。
この請求項１に記載されたウェーハの枚葉式エッチング装置では、先ずウェーハ１１を回転させ、この状態でウェーハ１１の上面１１ａにエッチング液１５を供給すると、ウェーハ１１をその面内での回転に伴って生じた遠心力により、エッチング液１５はその供給箇所からウェーハ１１のエッジ面１１ｂ側へとウェーハ１１の上面１１ａをエッチングしながら徐々に移動し、ウェーハ１１のエッジ面１１ｂをエッチングする。そしてウェーハ１１上のエッチング液１５は上記ウェーハ１１の回転に伴う遠心力によりウェーハ１１外方へ飛散する。
【０００８】
一方、ウェーハ１１のエッジ面１１ｂに対向して設けられた第２ノズル１６からはウェーハ１１のエッジ面１１ｂに十分な量のエッチング液１５が供給されるので、ウェーハ１１の上面１１ａに第１ノズル１４を介して供給されたエッチング液１５が上面１１ａにおいて乱れたとしても、ウェーハ１１のエッジ面１１ｂに常に所定量のエッチング液１５が均一に供給されることにより、ウェーハ１１のエッジ面１１ｂへ回り込むエッチング液１５に乱れは生じない。このため、ウェーハ１１の上面１１ａにエッチング液１５を供給する第１ノズル１４をそのウェーハ１１の上面１１ａにおいて移動させたとしても、ウェーハ１１のエッジ面１１ｂへ回り込むエッチング液１５を均一にすることにより、そのエッジ面１１ｂの最外周縁の形状を安定化させることができる。
【０００９】
請求項２に係る発明は、請求項１に係る発明であって、第２ノズル１６がウェーハ１１の外周端からウェーハ半径方向内側に向って−１０〜２０ｍｍの範囲内の所定の位置に固定して設けられたことを特徴とする。
この請求項２に記載されたウェーハの枚葉式エッチング装置では、ウェーハ１１のエッジ面１１ｂへ回り込むエッチング液１５の均一な回り込みを実現させることが可能となる。
【００１０】
請求項３に係る発明は、請求項１又は２に係る発明であって、第ウェーハのエッジ面を伝わって流下するエッチング液をガスの噴射によりウェーハの半径方向外側に吹き飛ばす下面ブロー機構を備えたことを特徴とする。
この請求項３に記載されたウェーハの枚葉式エッチング装置では、ウェーハ１１の裏面へのエッチング液の回りこみを防止することができ、ウェーハ１１のエッジ面１１ｂの最外周縁の形状を安定化させて、そのエッジ面１１ｂの形状における品質制御を比較的容易にすることができる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、ウェーハの上面に第１ノズルからエッチング液を供給し、ウェーハのエッジ面に対向して設けられた第２ノズルからウェーハのエッジ面にエッチング液を供給することにより、第２ノズルからウェーハのエッジ面に常に所定量のエッチング液を均一に供給できるので、ウェーハのエッジ面の形状を整えて安定化させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
次に本発明を実施するための最良の形態を図面に基づいて説明する。
図１に示すように、枚葉式エッチング装置１０は、チャンバに収容され単一の薄円板状のシリコンウェーハ１１を載せて水平に保持するウェーハチャック１２と、ウェーハ１１をその鉛直中心線を中心に水平面内で回転させる回転手段１３と、チャック１２により保持されたウェーハ１１の上面１１ａにエッチング液１５を供給する第１ノズル１４と、チャック１２により保持されたウェーハ１１のエッジ面１１ｂにエッチング液１５を供給する第２ノズル１６とを備える。ウェーハ１１はシリコン単結晶インゴットをスライスして得られ、このウェーハ１１の外周縁、即ちウェーハ１１のエッジ面１１ｂには所定の曲率半径を有する凸状の面取り加工が施される。
【００１３】
またチャック１２は、鉛直方向に延びて設けられた軸部１２ａと、この軸部１２ａの上面に軸部１２ａと一体的に形成された大径のウェーハ受け部１２ｂと、軸部１２ａ及びウェーハ受け部１２ｂの中心に軸部１２ａの下面からウェーハ受け部１２ｂの中央まで鉛直方向に延びて形成された透穴１２ｃ（図３）と、一端が透穴１２ｃの上端に連通接続され透穴１２ｃを中心としてウェーハ受け部１２ｂの半径方向外側に放射状に延び他端が閉止された複数の連通穴（図示せず）と、ウェーハ受け部１２ｂの上面に同心状に形成された複数のリング溝１２ｄ（図２）と、連通穴とリング溝１２ｄとを連通接続する複数の小孔１２ｅ（図２）と、上記透穴１２ｃの下端に接続された真空ポンプ（図示せず）とを有する（図１及び図２）。ウェーハ受け部１２ｂの上面にはこのウェーハ受け部１２ｂと同心状にウェーハ１１が載せられ、真空ポンプが駆動されて透穴１２ｃ、連通穴、小孔１２ｅ及びリング溝１２ｄ内が負圧になると、ウェーハ１１の下面１１ｃがウェーハ受け部１２ｂに吸着されてウェーハ１１が水平に保持されるようになっている。また回転手段１３は、上記軸部１２ａを回転させる駆動モータ（図示せず）を有する。駆動モータにより軸部１２ａを回転させることにより、ウェーハ受け部１２ｂにて保持されたウェーハ１１が軸部１２ａ及びウェーハ受け部１２ｂとともに回転するように構成される。
【００１４】
また第１ノズル１４はウェーハ１１の上方にウェーハ１１の上面１１ａを臨むように設けられ、第２ノズル１６はウェーハ１１のエッジ面１１ｂの上方にウェーハ１１のエッジ面１１ｂを臨むように設けられる。第１ノズル１４は主供給管２１を通って主供給ポンプ（図示せず）に接続され、第２ノズル１６は補助供給管２２を通って補助供給ポンプ（図示せず）に接続される。第１ノズル１４は第１ノズル移動手段（図示せず）によりウェーハ１１の上面１１ａの中心に対向する位置と退避位置との間を水平方向に移動可能に構成され、第２ノズル１６は第２ノズル移動手段（図示せず）によりウェーハ１１のエッジ面１１ｂに対向する位置と退避位置との間を水平方向に移動可能に構成される。ウェーハ１１をエッチングするときには、第１ノズル１４は第１ノズル移動手段によりウェーハ１１の上面１１ａの中心とウェーハ１１の周縁との間を移動し、第２ノズル１６は第２ノズル移動手段によりウェーハ１１のエッジ面１１ｂに対向する位置に固定される。
また、この実施の形態における枚葉式エッチング装置１０は、チャック１２に載せられたウェーハ１１のエッジ面１１ｂを伝わって流下するエッチング液１５をガスの噴射によりウェーハ１１の半径方向外側に吹き飛ばす下面ブロー機構１７を更に備える。
【００１５】
下面ブロー機構１７は、ウェーハ１１のエッジ面１１ｂ付近の下面を臨むリング状の噴射口１７ａと、上端が噴射口１７ａに連通しかつ下方に向うに従って直径が小さくなるリング状の噴射溝１７ｂと、噴射溝１７ｂに連通し噴射溝１７ｂを通って噴射口１７ａに圧縮されたガスを供給するガス供給手段（図示せず）とを有する（図１及び図２）。噴射溝１７ｂは、ベース部材１７ｃの上面にこのベース部材１７ｃと同心状にコーン部材１７ｄ及びテーパ部材１７ｅを取付けることにより形成される（図１）。ベース部材１７ｃはウェーハ１１より大径に形成され、その中心には軸部１２ａに遊嵌するための通孔１７ｆが形成される。またコーン部材１７ｄの中心には大径の孔１７ｇが形成され、コーン部材１７ｄの外周面は下方に向うに従って直径が小さくなるコーン状に形成される。テーパ部材１７ｅの外径はウェーハ１１の外径より大きくかつベース部材１７ｃの外径より小さく形成され、テーパ部材１７ｅの内周面は下方に向うに従って直径が小さくなるテーパ状に形成される。テーパ部材１７ｅをベース部材１７ｃ上に載置した後にコーン部材１７ｄをベース部材１７ｃに載置することにより、テーパ部材１７ｅの内周面とコーン部材１７ｄの外周面との間にリング状の隙間が形成され、このリング状の隙間が噴射溝１７ｂとなる。更に噴射溝１７ｂはベース部材１７ｃに形成された４つのガス供給孔１７ｈの一端に連通され（図１及び図３）、これらのガス供給孔１７ｈの他端はガス供給手段に接続される。ガス供給手段は、窒素ガス又は空気等のガスを圧縮するコンプレッサ等により構成され、このガス供給手段により圧縮されたガスはガス供給孔１７ｈ及び噴射溝１７ｂを通って噴射口１７ａに供給される。
【００１６】
また、チャック１２により保持されたウェーハ１１の外周面から所定の間隔をあけた外側には液吸引機構（図示せず）が設けられる。この液吸引機構は、図示しないが、ウェーハ１１から飛散したエッチング液１５を受ける液受け具と、液受け具が受けたエッチング液１５を吸引する液吸引手段とを有する。
【００１７】
なお、第２ノズル１６の固定位置ＮＰはウェーハ外周端からウェーハ半径方向内側に向って−１０〜２０ｍｍ、好ましくは１〜５ｍｍの範囲内に設定される。また第２ノズル１６から吐出されるエッチング液１５の流量ＮＦは０．１〜３リットル／分、好ましくは０．２〜１リットル／分に設定され、噴射口１７ａの位置ＢＰはウェーハ外周端からウェーハ半径方向内側に向って０〜１０ｍｍ、好ましくは１〜５ｍｍの範囲内に設定される。また噴射口１７ａから噴射されるガスの流量ＢＦは５０〜１０００リットル／分、好ましくは１００〜５００リットル／分に設定され、噴射口１７ａからのガスの流量をＧリットル／分とし、噴射口１７ａの幅をＢｍｍとするとき、Ｇ／Ｂが５０〜１０００、好ましくは１００〜５００に設定される。更にウェーハ１１の回転速度は２００〜８００ｒｐｍ、好ましくは３００〜５００ｒｐｍの範囲内に設定される。
【００１８】
ここで、第２ノズル１６の固定位置ＮＰをウェーハ外周端からウェーハ半径方向内側に向って−１０〜２０ｍｍの範囲内に限定したのは、−１０ｍｍ未満では第２ノズル１６からの薬液がウェーハにかからないという不具合があり、２０ｍｍを越えると面内の平坦度に影響を与えるという不具合があるからである。また第２ノズル１６から吐出されるエッチング液１５の流量ＮＦを０．１〜３リットル／分の範囲内に限定したのは、０．１リットル／分未満では第２ノズル１６からの薬液の効果が十分に得られないという不具合があり、３リットル／分を越えると面内の平坦度に影響を与えるという不具合があるからである。Ｇ／Ｂを５０〜１０００の範囲内に限定したのは、５０未満ではガスの供給が容易でなく、１０００を越えるとガスの供給流速を十分に得られないからである。ウェーハ１１の回転速度を２００〜８００ｒｐｍの範囲内に限定したのは、２００ｒｐｍ未満では薬液の回りこみが強くなりすぎるという不具合があり、８００ｒｐｍを越えると加工後にウェーハの平坦度を確保することが困難になるという不具合があるからである。
【００１９】
このように構成されたウェーハ１１の枚葉式エッチング装置１０の動作を説明する。
先ずチャック１２上にウェーハ１１を載せた状態で、真空ポンプを作動させて透穴１２ｃ、連通穴、小孔１２ｅ及びリング溝１２ｄ内を負圧にし、この負圧によりウェーハ１１を水平に保持する。この状態で回転手段１３の駆動モータを作動させてチャック１２の軸部１２ａ及びウェーハ受け部１２ｂとともにウェーハ１１を水平面内で回転させる。次いで下面ブロー機構１７のガス供給手段を作動させて窒素ガス又は空気からなる圧縮ガスをガス供給孔１７ｈ及び噴射溝１７ｂを通って噴射口１７ａから噴射させることにより、ウェーハ１１の半径方向外側に向って流れるガス流が作られる。ここで、液吸引機構の吸引手段を作動させることにより液受け具内が負圧に保たれる。次に第１ノズル移動手段を作動させて第１ノズル１４をウェーハ１１の中心に対向させ、第２ノズル移動手段を作動させて第２ノズル１６をウェーハ１１のエッジ面１１ｂに対向させた状態で、主供給ポンプを作動させることにより、第１ノズル１４からエッチング液１５をウェーハ１１の上面１１ａに供給するとともに、補助供給ポンプを作動させることにより、第２ノズル１６からエッチング液１５をウェーハ１１のエッジ面１１ｂに供給する。
【００２０】
第１ノズル１４からウェーハ１１の上面１１ａに供給されたエッチング液１５は、ウェーハ１１の水平面内での回転に伴って生じた遠心力により、エッチング液１５の供給した箇所（例えばウェーハ１１の上面１１ａの中心付近）からウェーハ１１のエッジ面１１ｂに向ってウェーハ１１の上面１１ａの加工変質層をエッチングしながら徐々に移動した後に、ウェーハ１１のエッジ面１１ｂに達したときにこのエッジ面１１ｂをエッチングする。このとき第２ノズル１６からウェーハ１１のエッジ面１１ｂにエッチング液１５が供給されるので、ウェーハ１１のエッジ面１１ｂに十分な量のエッチング液１５が供給される。そしてウェーハ１１のエッジ面１１ｂのエッチング液１５の大部分は上記ウェーハ１１の回転に伴う遠心力により液滴となってウェーハ１１外方へ飛散する。この飛散したエッチング液１５は負圧に保たれた液受け具に入り、その負圧により吸引パイプを通ってチャンバ外に排出される。一方、ウェーハ１１のエッジ面１１ｂからウェーハ１１の下面１１ｃに回り込もうとする一部のエッチング液１５はチャック１２の上面とウェーハ１１の下面１１ｃとの間のギャップＧＰをウェーハ１１の半径方向外側に流れるガス流により、ウェーハ１１の半径方向外側に吹き飛ばされ、ウェーハ１１外方へ飛散する。飛散したエッチング液１５は、負圧に保たれた液受け具にスムーズに入り、その負圧により吸引パイプを通ってチャンバ外に排出される。
【００２１】
ここで、第２ノズル１６からウェーハ１１のエッジ面１１ｂにエッチング液１５が供給されるので、ウェーハ１１の上面１１ａに第１ノズル１４を介して供給されたエッチング液１５が上面１１ａにおいて乱れたとしても、ウェーハ１１のエッジ面１１ｂに十分な量のエッチング液１５が供給されることにより、ウェーハ１１のエッジ面１１ｂへ回り込むエッチング液１５に乱れは生じない。このため、ウェーハ１１の上面１１ａにエッチング液１５を供給する第１ノズル１４をそのウェーハ１１の上面１１ａにおいて移動させたとしても、ウェーハ１１のエッジ面１１ｂへ回り込むエッチング液１５の均一な回り込みを実現させることにより、そのエッジ面１１ｂの最外周縁の形状を安定化させることができる。よって、そのエッジ面１１ｂの形状における品質制御を比較的容易にすることができる。
【実施例】
【００２２】
次に本発明の実施例を比較例とともに詳しく説明する。
＜実施例１＞
図１に示すように、枚葉式エッチング装置１０を用いて直径及び厚さがそれぞれ３００ｍｍ及び０．８５ｍｍであるシリコンウェーハ１１をエッチングした。ここで、下面ブロー機構１７の上面とウェーハ１１の下面１１ｃとの間のギャップＧＰを０．５ｍｍに調整し、第２ノズル１６の固定位置ＮＰをウェーハ外周端からウェーハ半径方向内側に向って２ｍｍに設定した。また第２ノズル１６から吐出されるエッチング液１５の流量ＮＦを１リットル／分に設定し、噴射口１７ａの位置ＢＰをウェーハ外周端からウェーハ半径方向内側に向って２ｍｍの位置に設定した。また噴射口１７ａから噴射されるガスの流量ＢＦを５００リットル／分に設定し、噴射口１７ａからのガスの流量をＧリットル／分とし、噴射口の幅をＢｍｍとするとき、Ｇ／Ｂを５００に設定した。更にウェーハ１１の回転速度を６００ｒｐｍに設定し、第１ノズル１４から吐出されるエッチング液１５の流量を５リットル／分に設定した。この装置１０によりエッチングされたウェーハ１１を実施例１とした。
＜比較例１＞
第２ノズルを有しない枚葉式エッチング装置を用いたこと以外は、実施例１と同様にしてウェーハをエッチングした。このウェーハを比較例１とした。
【００２３】
＜比較試験１及び評価＞
実施例１のウェーハ３枚と比較例１のウェーハ３枚の各エッジ面の水平方向における長さＥＬ（図１）をそれぞれ測定し、各ウェーハ毎の長さＥＬのばらつきを求めた。その結果を図４に示す。
図４から明らかなように、比較例１のウェーハではエッジ面の水平方向における長さＥＬが約４００μｍと長かったのに対し、実施例１のウェーハではエッジ面の水平方向における長さＥＬが約３７０μｍと短くなることが分った。また比較例１のウェーハではエッジ面の水平方向における長さＥＬのばらつきが４６〜５２μｍと大きかったのに対し、実施例１のウェーハではエッジ面の水平方向における長さＥＬのばらつきが２０〜３７μｍと小さくなることが分った。
【００２４】
＜比較試験２及び評価＞
実施例１及び比較例１のウェーハのエッジ面形状の面内ばらつきを観察した。この面内ばらつきは１枚のウェーハの外周面を４方向（図５の角度５度の方向、角度９０度の方向、角度１８０度の方向及び角度２７０度の方向）から写真撮影して観察した。その結果を図６に示す。
図６から明らかなように、比較例１のウェーハではエッジ面形状の面内ばらつきが大きかったのに対し、実施例１のウェーハではエッジ面形状の面内ばらつきが小さかったことが分った。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明実施形態のウェーハの枚葉式エッチング装置の要部縦断面構成図である。
【図２】ウェーハを載せる前のエッチング装置を示す図１のＡ矢視図である。
【図３】図１のＢ−Ｂ線断面図である。
【図４】実施例１及び比較例１のウェーハのエッジ面の水平方向における長さＥＬの各ウェーハ毎のばらつきを示す図である。
【図５】実施例１及び比較例１のウェーハのエッジ面形状の面内ばらつきを写真撮影する４つの方向を示す図である。
【図６】実施例１及び比較例１のウェーハのエッジ面形状の面内ばらつきを撮影した写真図である。
【符号の説明】
【００２６】
１０  枚葉式エッチング装置
１１  シリコンウェーハ
１１ａ  ウェーハの上面
１１ｂ  ウェーハのエッジ面
１４  第１ノズル
１５  エッチング液
１６  第２ノズル
【図１】
2008218545.tif 000003
【図２】
2008218545.tif 000004
【図３】
2008218545.tif 000005
【図４】
2008218545.tif 000006
【図５】
2008218545.tif 000007
【図６】
2008218545.tif 000008