(57)【要約】      （修正有）【課題】はんだ接合により機能素子をウェハレベルで気密封止する構造において、はんだの濡れ性に優れ、接合性の高い接合構造を提供し、製造歩留りを向上させ、安価な機能素子パッケージを提供する。【解決手段】機能素子と、内部表面にメタライズ２２Ａが施された凹部２５を形成した第１のＳｉ基板１と、凹部２５に対向する位置にメタライズ２２Ｂを施した第２のＳｉ基板５とを備え、第１のＳｉ基板１に形成された凹部２５の内部表面に施されたメタライズ２２Ａと、凹部２５に対向する第２のＳｉ基板５の位置に施されたメタライズ２２Ｂとの間をはんだ２３を溶融して接続し、第１のＳｉ基板１と第２のＳｉ基板５とを接合して前記機能素子を気密封止する。【選択図】図２
2008218811.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
機能素子と、
内部表面にメタライズが施された凹部を形成した第１のＳｉ基板と、
前記凹部に対向する位置にメタライズを施した第２のＳｉ基板とを備え、
前記第１のＳｉ基板に形成された前記凹部の内部表面に施されたメタライズと、前記凹部に対向する前記第２のＳｉ基板の位置に施されたメタライズとの間をはんだを溶融して接続し、前記第１のＳｉ基板と第２のＳｉ基板とを接合して前記機能素子を気密封止したことを特徴とする機能素子パッケージ。
【請求項２】
前記機能素子が前記凹部に囲まれて前記第１のＳｉ基板に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の機能素子パッケージ。
【請求項３】
前記機能素子が前記凹部に対向する位置に施されたメタライズに囲まれて前記第２のＳｉ基板に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の機能素子パッケージ。
【請求項４】
前記凹部が複数列形成されていることを特徴とする請求項１に記載の機能素子パッケージ。
【請求項５】
前記凹部がＶ型の溝であり、隣り合う前記凹部の側面により山型の凸部を形成していることを特徴とする請求項４に記載の機能素子パッケージ。
【請求項６】
前記凹部の深さが数μｍ〜２０μｍであることを特徴とする請求項１に記載の機能素子パッケージ。
【請求項７】
前記はんだが、Ａｕ−Ｓｎ、Ｓｎ−Ａｇ、Ｓｎ−Ｃｕ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ、Ｓｎ−Ｚｎ、Ｓｎ−Ｐｂ、Ｓｎ−Ｂｉなどの合金を主成分とするはんだ材であることを特徴とする請求項１に記載の機能素子パッケージ。
【請求項８】
前記メタライズが、Ｓｉ基板との接着層として形成されるＴｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｖなどの金属の少なくとも一つを含む薄膜の表面に、前記はんだとの反応を抑制するためにＮｉ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｐｄの少なくとも一つを含む薄膜を形成し、さらにその表面に酸化防止のためのＡｕ膜を形成した構成であることを特徴とする請求項１に記載の機能素子パッケージ。
【請求項９】
前記第１のＳｉ基板の表面の前記凹部の外側にメタライズが形成され、前記凹部の内部表面に形成されるメタライズと、
前記第１のＳｉ基板の表面の前記凹部の外側のメタライズが連結していることを特徴とする請求項１に記載の機能素子パッケージ。
【請求項１０】
前記第１のＳｉ基板の前記凹部の内部表面のメタライズ、および前記第１のＳｉ基板の表面の前記凹部の外側のメタライズと、
前記凹部に対向する前記第２のＳｉ基板の位置に施されたメタライズとの間をはんだを溶融して接続し、前記第１のＳｉ基板と第２のＳｉ基板とを接合して前記機能素子を気密封止したことを特徴とする請求項１に記載の機能素子パッケージ。
【請求項１１】
前記第１のＳｉ基板及び前記第２のＳｉ基板が、Ｓｉウェハまたは内部にＳｉＯ２絶縁層を有するＳｉ／ＳｉＯ２／Ｓｉのサンドイッチ構造を有するウェハであることを特徴とする請求項１に記載の機能素子パッケージ。
【請求項１２】
いずれか一方に複数の機能素子を形成した２枚のＳｉ基板を重ね合わせてはんだにより接合して、ウェハレベルで気密封止した後、個々に切断・分離されたパッケージ構造を有する機能素子パッケージであって、
分離された１個の前記機能素子を囲むように連続して一列または複数列に形成され、かつ表面にメタライズが施された凹部を設けた機能素子側のＳｉ基板と、
前記機能素子側のＳｉ基板と重ね合わせたときに、前記凹部が形成された領域に対向する表面にメタライズが施された蓋側のＳｉ基板とを備え、
前記機能素子側のＳｉ基板に設けられた前記凹部のメタライズが施された表面と、前記蓋側のＳｉ基板の前記凹部が形成された領域に対向する表面との間がはんだにより接合されて、前記１個の機能素子を気密封止したパッケージ構造を有することを特徴とする機能素子パッケージ。
【請求項１３】
機能素子を有し、前記機能素子を取り囲むように形成されかつ表面にメタライズを施した凹部を設けた機能素子側のＳｉ基板と、
前記機能素子側のＳｉ基板の前記凹部に対向する位置の表面にメタライズを施した蓋側のＳｉ基板と、
前記機能素子と電気的に連結し、かつ前記機能素子側のＳｉ基板に前記凹部より内側に設けられた凹部形状の第１の電極メタライズと、
前記第１の電極メタライズに対向する前記蓋側のＳｉ基板の位置に設けられた第２の電極メタライズと、
前記第１の電極メタライズに対向する前記蓋側のＳｉ基板の位置に貫通して設けられた貫通穴とを備え、
前記機能素子側のＳｉ基板に設けられた前記凹部のメタライズが施された表面と前記蓋側のＳｉ基板の前記凹部が形成された領域に対向する表面との間、および前記機能素子側のＳｉ基板に設けられた前記第１の電極メタライズと前記蓋側のＳｉ基板に設けられた第２の電極メタライズとの間がはんだにより接合されて、前記機能素子を気密封止したパッケージ構造を有することを特徴とする機能素子パッケージ。
【請求項１４】
いずれか一方に複数の機能素子を形成した２枚のＳｉ基板を重ね合わせてはんだにより接合して、ウェハレベルで気密封止した後、個々に切断・分離されたパッケージ構造を有する機能素子パッケージであって、
分離された１個の前記機能素子を囲むように連続して表面にメタライズが施された機能素子側のＳｉ基板と、
前記機能素子側のＳｉ基板と重ね合わせたときに、前記メタライズが形成された領域に対向する表面に、一列または複数列に形成され、かつ表面にメタライズが施された凹部を設けた蓋側のＳｉ基板とを備え、
前記機能素子側のＳｉ基板に設けられた前記メタライズと
前記蓋側のＳｉ基板の前記メタライズが形成された領域に対向する表面に、一列または複数列に形成され、かつ表面にメタライズが施された凹部との間がはんだにより接合されて、前記１個の機能素子を気密封止したパッケージ構造を有することを特徴とする機能素子パッケージ。
【請求項１５】
機能素子を有し、前記機能素子を取り囲むように連続して表面にメタライズを施した機能素子側のＳｉ基板と、
前記機能素子側のＳｉ基板の前記メタライズに対向する位置の表面に、メタライズを施した凹部を設けた蓋側のＳｉ基板と、
前記機能素子と電気的に連結し、かつ前記機能素子側のＳｉ基板に前記メタライズより内側に設けられた第１の電極メタライズと、
前記第１の電極メタライズに対向する前記蓋側のＳｉ基板の位置に、貫通して設けられた貫通穴および前記貫通穴を取り囲む連続した凹部と、少なくとも前記凹部表面を覆う第２の電極メタライズを備え、
前記機能素子側のＳｉ基板に設けられた前記メタライズと、
前記蓋側のＳｉ基板の前記メタライズに対向する位置の表面に、メタライズを施した凹部との間、および前記機能素子側のＳｉ基板に設けられた前記第１の電極メタライズと前記蓋側のＳｉ基板に設けられた第２の電極メタライズとの間がはんだにより接合されて、前記機能素子を気密封止したパッケージ構造を有することを特徴とする機能素子パッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍｓ）技術等により、Ｓｉ基板(ここで、Ｓｉ基板とは、Ｓｉウェハ、ＳｉＯ２、あるいは内部にＳｉＯ２絶縁層を有するＳｉ／ＳｉＯ２／Ｓｉのサンドイッチ構造を有するウェハも含む（以下同じ）)をエッチングにより加工し、製造される各種のセンサ、アクチュエータ等の機能素子パッケージに関する。
【背景技術】
【０００２】
ＭＥＭＳ技術を用いた各種のセンサや高周波フィルタ、ミラー機能素子などの機能素子が製造されている。例えば加速度のセンサでは、一般的に、錘を含む構造体をエッチング技術を駆使して形成し、錘に連結した電極における静電容量変化や、錘に連結した薄い梁上に形成した歪み検出素子の抵抗変化などを読み取ることで、錘に加わった加速度を読み取ることができる。高周波フィルタでは、例えばＦＢＡＲ（Ｆｉｌｍ  Ｂｕｌｋ  Ａｃｏｕｓｔｉｃ  Ｒｅｓｏｎａｔｏｒ）と呼ばれる構造では、Ｓｉ基板上に空洞が形成され、この空洞をまたぐように、電極に挟まれたＡｌＮ圧電膜が形成される。ミラーデバイスでは、Ｓｉのミラー部が駆動され、光路を調整することで画像を発生させる。いずれのＭＥＭＳ機能素子においても、錘、圧電膜、あるいはミラーなどの可動部を含む。このような可動部の動作特性は、当然のことながら、可動部を取り巻く雰囲気の影響を受ける。したがって可動部の存在する空間の気圧は一定に保つ必要があり、気密封止が必要となる。
【０００３】
これまでは、気密封止を行いつつ、機能素子からの電気信号を外に取り出すために、セラミック製のパッケージと蓋が用いられていた。このセラミックパッケージには、内部にワイヤーボンディングを接続するための電極パッドが形成され、この電極と連結し、かつリークを起こさないように、セラミックパッケージ内から外へ配線が取り出されている。セラミックパッケージの外側では、この内部から出てきた配線と連結した電極パッドが形成されている。
【０００４】
しかし近年、小形化、低価格化への要求は強く、それを実現する手段として、ウェハレベルでのパッケージングが必要とされている。ウェハレベルでのパッケージングとは、各種の機能素子を形成したウェハに、封止のための別のウェハを接合してパッケージングを完了する方法である。ウェハの接合により、何千、何万という機能素子の封止を一括して行うことができるので、低コスト化に有利である。また、フォトリソグラフィー技術により、精密な封止部の設計ができるので、パッケージの小形化にも有利である。
【０００５】
ウェハを接合する手段としては、Ｓｉ−Ｓｉの直接接合、ガラスウェハとＳｉの陽極接合など、いくつかの新しい方法も発表されているが、従来、半導体部品のパッケージングで用いられ、実績のある接合方法としては、はんだ接合を挙げることができる。
【０００６】
ここで、これまでに開示された技術として、ウェハレベルパッケージではないが、はんだ接合により機能素子をパッケージ化する方法と、ウェハレベルでのはんだによるパッケージ方法の二つについて説明する。
【０００７】
下記の特許文献１には、特に発振回路を形成する高周波ＩＣを気密封入するパッケージに好適であり、振動対策としてキャップの肉厚を厚くしてヘッダ側との接合面積が増大しても、充分な接着強度を得て所用の気密封止を維持するパッケージ構造が記載されている。その方法として、キャップに接合するヘッダの接合面の内周側と外周側に二重に環状凹溝を設け、この内外周の環状凹溝で囲まれる内側接合部のヘッダとキャップとをろう材によって溶着すると共に、外周側の環状凹溝よりも外部の外側接合のヘッダとキャップとをレーザ溶接によって溶着している。そして、この接合部に形成された内外周の環状凹溝は、ろう材の高周波ＩＣ部への流れ込みを防止するための溝であることが示されている。
【０００８】
また、下記の特許文献２においては、大口径のウェハどうしを良好に接合したマイクロパッケージを提供することを課題として、マイクロセンサまたはマイクロアクチュエータの複数の能動部分をウェハに形成した素子ウェハと、蓋部材とを、接合部により素子ウェハの各能動部分の周囲で気密に封止する方法が記載されている。この接合には、はんだが使用されることが開示されている。
【０００９】
【特許文献１】特開平１０−３０３３２３
【特許文献２】特開２００４−２３５４４０
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
特許文献１においては、ヘッダとキャップの接合部の内外周に、環状凹溝を形成することにより、ろう材のはみ出しを抑制することが特徴である。しかしウェハレベルでの接合材の濡れ性を確保した接合により、機能素子の気密封止を実現することは考慮されていない。
【００１１】
また特許文献２は、ウェハレベルではんだ接合を行いパッケージ化するものであるが、高い歩留りで気密封止を実現するために、はんだの濡れ性を確保することに関しては充分に考慮されていない。マイクロセンサやマイクロアクチュエータのパッケージングでは、ごみや異物の混入を防ぐために、はんだ接合時にフラックスを使用することは一般的には困難である。したがって、フラックスレスではんだの充分な濡れを実現し、はんだ接合を行うことが必須である。
【００１２】
本発明は、上記のような課題を解決するために為されたものである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記課題を解決するために、本発明は、
機能素子と、
内部表面にメタライズが施された凹部を形成した第１のＳｉ基板と、
前記凹部に対向する位置にメタライズを施した第２のＳｉ基板とを備え、
前記第１のＳｉ基板に形成された前記凹部の内部表面に施されたメタライズと、前記凹部に対向する前記第２のＳｉ基板の位置に施されたメタライズとの間をはんだを溶融して接続し、前記第１のＳｉ基板と第２のＳｉ基板とを接合して前記機能素子を気密封止したことを特徴とする。
【００１４】
また、前記機能素子が前記凹部に囲まれて前記第１のＳｉ基板に形成されていることを特徴とする。
【００１５】
また、前記機能素子が前記凹部に対向する位置に施されたメタライズに囲まれて前記第２のＳｉ基板に形成されていることを特徴とする。
【００１６】
また、前記凹部が複数列形成されていることを特徴とする。
【００１７】
また、凹部がＶ型の溝であり、隣り合う前記凹部の側面により山型の凸部を形成していることを特徴とする。
【００１８】
また、前記凹部の深さが数μｍ〜２０μｍであることを特徴とする。
【００１９】
また、前記はんだが、Ａｕ−Ｓｎ、Ｓｎ−Ａｇ、Ｓｎ−Ｃｕ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ、Ｓｎ−Ｚｎ、Ｓｎ−Ｐｂ、Ｓｎ−Ｂｉなどの合金を主成分とするはんだ材であることを特徴とする。
また、前記第１のＳｉ基板の表面の前記凹部の外側にメタライズが形成され、前記凹部の内部表面に形成されるメタライズと、
前記第１のＳｉ基板の表面の前記凹部の外側のメタライズが連結していることを特徴とする。
また、前記第１のＳｉ基板の前記凹部の内部表面のメタライズ、および前記第１のＳｉ基板の表面の前記凹部の外側のメタライズと、
前記凹部に対向する前記第２のＳｉ基板の位置に施されたメタライズとの間をはんだを溶融して接続し、前記第１のＳｉ基板と第２のＳｉ基板とを接合して前記機能素子を気密封止したことを特徴とする。  また、前記メタライズが、Ｓｉ基板との接着層として形成されるＴｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｖなどの金属の少なくとも一つを含む薄膜の表面に、前記はんだとの反応を抑制するためにＮｉ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｐｄの少なくとも一つを含む薄膜を形成し、さらにその表面に酸化防止のためのＡｕ膜を形成した構成であることを特徴とする。
【００２０】
また、前記第１のＳｉ基板及び前記第２のＳｉ基板が、Ｓｉウェハまたは内部にＳｉＯ２絶縁層を有するＳｉ／ＳｉＯ２／Ｓｉのサンドイッチ構造を有するウェハであることを特徴とする。
【００２１】
また、いずれか一方に複数の機能素子を形成した２枚のＳｉ基板を重ね合わせてはんだにより接合して、ウェハレベルで気密封止した後、個々に切断・分離されたパッケージ構造を有する機能素子パッケージであって、
分離された１個の前記機能素子を囲むように連続して一列または複数列に形成され、かつ表面にメタライズが施された凹部を設けた機能素子側のＳｉ基板と、
前記機能素子側のＳｉ基板と重ね合わせたときに、前記凹部が形成された領域に対向する表面にメタライズが施された蓋側のＳｉ基板とを備え、
前記機能素子側のＳｉ基板に設けられた前記凹部のメタライズが施された表面と、前記蓋側のＳｉ基板の前記凹部が形成された領域に対向する表面との間がはんだにより接合されて、前記１個の機能素子を気密封止したパッケージ構造を有することを特徴とする。
【００２２】
また、機能素子を有し、前記機能素子を取り囲むように形成されかつ表面にメタライズを施した凹部を設けた機能素子側のＳｉ基板と、
前記機能素子側のＳｉ基板の前記凹部に対向する位置の表面にメタライズを施した蓋側のＳｉ基板と、
前記機能素子と電気的に連結し、かつ前記機能素子側のＳｉ基板に前記凹部より内側に設けられた凹部形状の第１の電極メタライズと、
前記第１の電極メタライズに対向する前記蓋側のＳｉ基板の位置に設けられた第２の電極メタライズと、
前記第１の電極メタライズに対向する前記蓋側のＳｉ基板の位置に貫通して設けられた貫通穴とを備え、
前記機能素子側のＳｉ基板に設けられた前記凹部のメタライズが施された表面と前記蓋側のＳｉ基板の前記凹部が形成された領域に対向する表面との間、および前記機能素子側のＳｉ基板に設けられた前記第１の電極メタライズと前記蓋側のＳｉ基板に設けられた第２の電極メタライズとの間がはんだにより接合されて、前記機能素子を気密封止したパッケージ構造を有することを特徴とする。
【００２３】
また、いずれか一方に複数の機能素子を形成した２枚のＳｉ基板を重ね合わせてはんだにより接合して、ウェハレベルで気密封止した後、個々に切断・分離されたパッケージ構造を有する機能素子パッケージであって、
分離された１個の前記機能素子を囲むように連続して表面にメタライズが施された機能素子側のＳｉ基板と、
前記機能素子側のＳｉ基板と重ね合わせたときに、前記メタライズが形成された領域に対向する表面に、一列または複数列に形成され、かつ表面にメタライズが施された凹部を設けた蓋側のＳｉ基板とを備え、
前記機能素子側のＳｉ基板に設けられた前記メタライズと
前記蓋側のＳｉ基板の前記メタライズが形成された領域に対向する表面に、一列または複数列に形成され、かつ表面にメタライズが施された凹部との間がはんだにより接合されて、前記１個の機能素子を気密封止したパッケージ構造を有することを特徴とする。
【００２４】
さらに、機能素子を有し、前記機能素子を取り囲むように連続して表面にメタライズを施した機能素子側のＳｉ基板と、
前記機能素子側のＳｉ基板の前記メタライズに対向する位置の表面に、メタライズを施した凹部を設けた蓋側のＳｉ基板と、
前記機能素子と電気的に連結し、かつ前記機能素子側のＳｉ基板に前記メタライズより内側に設けられた第１の電極メタライズと、
前記第１の電極メタライズに対向する前記蓋側のＳｉ基板の位置に、貫通して設けられた貫通穴および前記貫通穴を取り囲む連続した凹部と、少なくとも前記凹部表面を覆う第２の電極メタライズを備え、
前記機能素子側のＳｉ基板に設けられた前記メタライズと、
前記蓋側のＳｉ基板の前記メタライズに対向する位置の表面に、メタライズを施した凹部との間、および前記機能素子側のＳｉ基板に設けられた前記第１の電極メタライズと前記蓋側のＳｉ基板に設けられた第２の電極メタライズとの間がはんだにより接合されて、前記機能素子を気密封止したパッケージ構造を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によれば、ＭＥＭＳ等による機能素子をウェハ状態で一括して気密封止を行うことができ、信頼性が高く、低価格の機能素子パッケージを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、本発明を実施するための最良の形態について、図を参照しながら説明する。
【実施例１】
【００２７】
まず、本発明の第１の実施例を図１と図２を用いて説明する。図１は、ウェハレベルで気密封止を行う様子を示すウェハ状態での接合の模式図である。図２は気密封止部の接続プロセスを示す詳細な断面構造図である。
【００２８】
図１において、２は機能素子１個分のパターンを表している。Ｓｉ基板（機能素子側）１に設けられた機能素子４の外周に気密封止部（機能素子側）３が形成されている。一方、蓋側のＳｉ基板（蓋側）５には、機能素子側の気密封止部（機能素子側）３と接続できるように、対向する位置に気密封止部（蓋側）６が形成されている。Ｓｉ基板（機能素子側）１とＳｉ基板（蓋側）５の気密封止部が重なるように位置合わせを行い、これをクランプ、あるいは螺子止めなどで治具に仮固定する。この治具を接合装置のチャンバ内にセットし、基板全体に数１０００Ｎ〜１００００Ｎ（数１００ｋｇｆ〜１０２０ｋｇｆ）程度の荷重を負荷し、気密封止部に形成されたはんだの融点以上に加熱することで、はんだを溶融させて接続を行い、ウェハレベルで気密封止を行うことができる。このウェハレベルで気密封止した後、個々に切断・分離し、１個毎の製品として、機能素子２をパッケージングした構造を有する機能素子パッケージを製造する。
【００２９】
ここで、Ｓｉ基板として、要求されるＳｉ基板の特性によって、Ｓｉウェハあるいは内部にＳｉＯ２絶縁層を有するＳｉ／ＳｉＯ２／Ｓｉのサンドイッチ構造を有するウェハを使いわけると、より低価格にすることができる。
【００３０】
次に、気密封止部の詳細構造を、その接続プロセスもあわせて、図２（ａ）〜（ｄ）に基づき詳細に説明する。まず接合前の状態を図２（ａ）により説明する。Ｓｉ基板（機能素子側）１には、フォトリソグラフィー技術によるパターン形成と、ドライエッチングやウェットエッチングの技法を用いて、凹部２５が形成される。単結晶のＳｉウェハの場合は、凹部下面が曲面になることも考えられるが、凹部下面の細かい形状は、本実施例の効果には大きな影響を及ぼさないので、曲面形状の凹部も本実施例に含まれる。また、凹部は垂直な側面を有するが、エッチング工程におけるサイドエッチの影響などにより、多少斜めになることもあるが、これらも本実施例に含まれる。なお、本実施例のような、比較的垂直な側面で、底面が平坦な凹部は、ＭＥＭＳでは頻繁に用いられるＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板を用いて、高速なドライエッチングを行った場合に形成できる。
【００３１】
本実施例では二列の凹部２５が機能素子の外周に形成されており、図２（ａ）はその一部の断面を示している。凹部２５の深さは、はんだ膜２３の厚さ、体積に依存して設計する必要があるが、概ね、数μｍ〜２０μｍ程度の深さが好適である。
凹部２５を形成後、Ｓｉ基板（機能素子側）１は熱酸化などの処理が施され、Ｓｉ酸化膜２１Ａが形成される。Ｓｉ酸化膜２１Ａは、一般的に機能素子を形成した場合に、ウェハ上の配線間の電気的な短絡を防止するために、Ｓｉ基板（機能素子側）１の表面を絶縁するために形成されるので図示したが、接合へ特別な効果は特になく、気密封止のみが目的の場合は、Ｓｉ酸化膜２１Ａは形成しななくても良い。
【００３２】
次に、気密封止部（機能素子側）３の領域にメタライズ２２Ａを施す。メタライズ２２Ａのパターン形成は、主に二つの方法を用いることができる。まず、フォトリソグラフィー技術によりレジストパターンを形成し、その上からメタライズして、レジスト上の余分なメタライズを除去するリフトオフ法がある。次に、最初に、Ｓｉ酸化膜２１Ａ上にメタライズを形成し、その上からレジストを塗布し、フォトリソグラフィー技術によりレジストパターンを形成し、レジストパターンの開口部のメタライズをミリングにより除去する方法がある。あるいは、ミリングの代わりに、ウェットエッチングによってレジスト開口部のメタライズを除去することもできる。
【００３３】
例えばリフトオフでメタライズパターンを形成する場合、レジストパターンは、凹部２５の外側でパターンを形成する。その理由は、凹部２５の内部では、露光されるレジスト厚が他の場所と異なり、明瞭なパターンが得られないためである。また、後述するように、本実施例では凹部２５、あるいは凸部２６の側面にメタライズされていることが、効果を生み出す重要なポイントでもある。このため、この側面部に確実にメタライズが形成されるためには、凹部２５の外側で、正確にレジストパターンを形成する必要がある。したがって、図中の２２Ｃのように、必ず、凹部２５の外側で、かつＳｉ基板（機能素子側）１の表面に、メタライズ２２Ａが形成される。
【００３４】
ミリングやウェットエッチングによりメタライズパターンを形成する場合も、２２Ｃのように、Ｓｉ基板（機能素子側）１の表面で凹部２５の外側にメタライズ２２Ａが形成される。これらの工程では、まずメタライズ２２ＡがＳｉ基板（機能素子側）１の全面に形成され、次に、レジスト塗布、レジストパターン形成が行われるが、やはり凹部２５の内部では、明瞭なパターン形成は困難である。凹部２５の外側までレジストパターンを残しておかないと、凹部２５の内部までミリングのイオンや、ウェットエッチングの液が侵入し、凹部２５や凸部２６の側面のメタライズを除去してしまう可能性が極めて高い。したがって、これらの工程でも、必ず２２Ｃのように、凹部２５の外側で、かつＳｉ基板（機能素子側）１の表面の部分に、メタライズ２２Ａが連続して形成されることになる。
【００３５】
次に、メタライズ２２Ａの構成について説明する。メタライズ２２Ａは、Ｓｉ酸化膜２１Ａとの接着層として、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｖなどの金属の少なくとも一つを含む薄膜が、スパッタあるいは蒸着で形成される。それらの厚さは、０．１μｍ〜０．３μｍ程度が好適である。その上に、これら接着層の保護膜として、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｐｄなどの金属の薄膜が形成される。これらの厚さは、０．２〜５μｍなどの厚さが好適である。このプロセスでもスパッタや蒸着を使用することができるが、ＮｉやＣｕのメタライズの場合は、めっき法の適用も可能である。スパッタや蒸着の場合は、保護膜の厚さは薄くなり、めっきの場合は、比較的厚くなる傾向がある。最後に、表面にＡｕを成膜する。Ａｕメタライズもスパッタや蒸着法により成膜することができるが、それ以外には電界、または無電解でのめっきを行うことができる。Ａｕの厚さは、スパッタや蒸着の場合は０．２〜０．５μｍ、めっきの場合は０．１〜３μｍなどが好適である。
【００３６】
これらの工程は、全てスパッタや蒸着で行う場合は、成膜装置に投入した後は、大気中に取り出すことなく、連続して成膜を行うのが一般的である。めっき法を用いる場合は、始めに接着層のＴｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｖなどの金属をスパッタあるいは蒸着で形成し、その後の保護膜および表面のＡｕ膜は、めっき法で形成されるのが一般的である。
【００３７】
蓋側のＳｉ基板（蓋側）５も、機能素子側のＳｉ基板（機能素子側）１と同様に、Ｓｉ酸化膜２１Ｂ上に、メタライズ２２Ｂを形成する。さらに、はんだ膜２３を形成する。
【００３８】
はんだ膜の形成方法には、フォトリソグラフィー技術によりレジストパターンを形成し、蒸着、スパッタなどの方法ではんだ膜を堆積後、リフトオフ法によりはんだパターンを形成する方法が適用できる。この他には、スクリーンマスクやメタルマスクを使用して、はんだペーストを印刷し、Ｓｉ基板（蓋側）５全体をリフローしてはんだ膜２３を形成することもできる。あるいは、メタライズ２２上に、はんだめっきを施すことで形成することも可能である。また、溶融吐出法と呼ばれる方法で、溶融したはんだの微粒を直接メタライズに吹き付けてはんだ膜を形成する方法を適用することもできる。
【００３９】
はんだとして用いることのできる金属は、例えば、Ａｕ−２０〜３７．６Ｓｎ（ｗｔ％）、Ａｕ−９０Ｓｎ、Ｓｎ−９Ｚｎ、Ｓｎ−３．５Ａｇ、Ｓｎ−３Ａｇ−０．５Ｃｕ、Ｐｂ-５Ｓｎ、Ｐｂ-１０Ｓｎ、Ｓｎ−３７Ｐｂ、Ｓｎ−５７Ｂｉなど、電子部品実装に広く用いられるはんだ材を適用することができる。はんだの組成はこれらに限定されるものではなく、微量な合金元素を含むものや、多少組成がずれたものも含まれる。
【００４０】
上記はんだ組成について説明する。Ａｕ−Ｓｎの二元系のはんだでは、一般的にＡｕ−２０Ｓｎ共晶が使用される。しかし、本実施例のような微量のはんだを使用する接合では、はんだとメタライズとの反応を考慮したはんだ組成の設計が必要となる。すなわち、メタライズ２２Ａ、あるいはメタライズ２２Ｂの表面にはＡｕが存在するため、このＡｕがはんだ中に溶解することで、はんだの濡れ性が変化することがある。一般的には、はんだの組成がＡｕ−２０ＳｎよりもＡｕリッチなレベルになると濡れ性が低下する。したがって、その分、組成をＳｎ側にずらしておくことが有効であり、それはＡｕ−２０Ｓｎでの共晶反応が含まれる範囲では、Ａｕ−３７．６Ｓｎまで可能である。これらのはんだでの接続温度は、一般的には２８０℃（共晶温度）から３５０℃程度までの範囲が選択される。
【００４１】
これ以外の組成、すなわち、Ａｕ−９０Ｓｎ、Ｓｎ−９Ｚｎ、Ｓｎ−３．５Ａｇ、Ｓｎ−３Ａｇ−０．５Ｃｕなどは、概ね、接続温度が２２０℃から２６０℃程度の範囲のものである。これらのはんだは、元々はんだ中にＳｎが多いので、Ａｕ−２０Ｓｎ近傍の組成のはんだのような、Ａｕの溶解に対する詳細な組成の設計は、一般的には不要である。
【００４２】
Ｐｂ-５Ｓｎ、Ｐｂ-１０Ｓｎは、高Ｐｂで３００℃付近で接続を行う高融点のはんだである。このようなはんだ材を適用することも可能であるが、環境への影響を考慮してＰｂフリー化を考えた場合、Ｐｂ含有はんだを使用することは望ましいことではない。
【００４３】
Ｓｎ−３７Ｐｂは、２２０℃程度で接続でき、かつては最も一般的なはんだであった。したがって、このはんだを適用することも可能ではあるが、やはりＰｂフリー化の観点からは、望ましいことではない。
【００４４】
Ｓｎ−５７Ｂｉは、融点が１３８℃近傍の低融点はんだである。接続温度を１６０〜１８０℃程度に下げることができる。機能素子への熱影響を低減できることが利点であるが、パッケージされた機能素子を電子機器に実装する際に、はんだ接合部の耐熱性を考慮した実装設計にしなければならない。
【００４５】
以上、はんだ材について説明したが、これらはんだ材には共通の課題がある。図２のはんだ膜２３を形成した場合、一般的には、Ｓｎや合金元素の酸化膜が表面に形成されることが多い。これが酸化膜２４である。この酸化膜２４は、フラックスレスで接合する場合、濡れ不良を引き起こす原因となる。
【００４６】
冒頭でも述べたように、ＭＥＭＳ機能素子の気密封止でのはんだ接合は、完全なフラックスレスが前提となる。したがって、この酸化膜２４による濡れ不良の回避が必要となる。
【００４７】
本実施例では、このための手段として、まずＳｉ基板（機能素子側）１とＳｉ基板（蓋側）５を正確に位置を合わせ、仮固定後、チャンバ内のヒータ上にセットし、雰囲気を真空か不活性なガスで満たす。雰囲気の種類、気圧は、ＭＥＭＳ機能素子の特性から決定されるが、少なくとも、接続時には、はんだの酸化を起こさない雰囲気とする。この状態が図２(a)である。
【００４８】
次に、凹部２５により形成されたエッジ、本実施例の場合は凸部２６の角の部分を含む上面となるが、これをはんだ膜２３に押し付ける。まずはんだ溶融前に、数１０００Ｎ〜１００００Ｎ（数１００〜１０２０ｋｇｆ）の荷重を矢印の方向に負荷し、凸部２６をはんだ膜２３にめり込ませる。この過程で、酸化膜２４が破れる。雰囲気が不活性なので、酸化膜が破けた部分は酸化しない。これが図２(b)である。
【００４９】
更に、荷重を負荷したまま加熱し、はんだの融点以上まで加熱する。はんだは溶融し、溶融したはんだ２７がメタライズ２２ＡおよびＢへ濡れ広がる。この状態が図２(c)である。
【００５０】
そして、凸部２６上に元々存在した酸化膜２４が、はんだ接続部の内部に一部取り残される場合があるが、大部分のはんだ表面に元々存在する酸化膜２４は、凸部２６の側面にはんだが濡れ広がる過程で、はんだ内に取り込まれることなく、はんだの外へ排出される。酸化膜の比重は、はんだに比べて小さいので、はんだ内に沈降することはない。凹部およびその間の凸部は、ＭＥＭＳ機能素子の外周を取り囲むように形成されているので、凹部（凸部）の側面にはんだが濡れ広がることにより、ＭＥＭＳ機能素子の外周に連続したはんだによる気密封止構造が形成される。これにより、ウェハレベルでの接合材の濡れ性を確保した接合により、確実な機能素子の気密封止を実現することができる。これが図２(d)である。
【００５１】
このように、本実施例の構造で、はんだの濡れ性が良くなるのは、上記に述べたことに加え、凹部２５のエッジ（本実施例の場合は、凸部２６のエッジでもある）と、メタライズ２２Ａで囲まれた領域にはんだがフィレットを形成して濡れ広がることが一つの理由である。このようなメタライズに囲まれた領域では、はんだの表面張力による、いわゆる毛細管現象により、はんだが濡れ広がりやすい。したがって、そのようなフィレットが、機能素子を取り囲んだ凹部のエッジに沿って形成されるので、高い歩留りで気密封止を行うことが出来る。このフィレット形成を積極的に引き起こすためには、凹部２５および凸部２６の側面にメタライズされていることが必須の条件となる。このためには、２２Ｃのように、元々メタライズを形成する際に、メタライズが凹部２５の外側まで形成されるようにする必要がある。この結果、はんだは、接続中に濡れ広がり、図２の（ｄ）のように、凹部２５の外側のメタライズ２２Ａ、すなわち２２Ｃの位置まで濡れ広がるため、ウェハレベルでの確実な機能素子の気密封止を実現することができるのである。
【００５２】
特許文献１では、環状凹溝をろう材のはみ出し防止に使用していたが、本実施例は、ろう材、すなわちはんだのはみ出し防止のために凹部２５を形成するものではない。凹部、および凸部を形成する目的は、その側面にもメタライズを形成することにより、はんだのフィレット形成を利用して、高歩留りで気密封止を実現することであり、また実際に凹部２５の外側まではんだがはみ出すことも、特許文献１とは異なる。
【００５３】
また特許文献２は、ウェハレベルではんだ接合を行うものであるが、はんだの表面酸化による濡れ不良が考慮されていない。フラックスレス接合が前提の機能素子では、はんだの表面酸化は濡れ性を低下させ、歩留りを低下させる決定的な因子である。
【００５４】
したがって、本実施例は、ウェハレベルでのはんだ接合で、かつ高歩留りなはんだ接合を実現するものであって、上記特許文献１や特許文献2とは、その原理と構造が異なる。
【００５５】
なお本実施例では、凹部２５が二列の場合を示したが、凹部２５は一列、あるいはもっとたくさんの列が存在しても構わない。一列の場合は、凹部２５のエッジ部分がはんだ膜２３にめり込み、はんだが凹部２５の側面に濡れ広がる過程で気密封止が行われる。凹部２５がもっと多くの列で形成される場合は、全体としての封止幅が広がるが、より気密封止の歩留りが向上する。
【００５６】
また、本実施例では、機能素子側のＳｉ基板（機能素子側）１に凹部を形成したが、蓋側のＳｉ基板（蓋側）５に凹部を形成し、Ｓｉ基板（機能素子側）１にはんだ膜を形成しても、本実施例の効果は全く問題なく得られる。
【００５７】
以上、述べたように本実施例によれば、はんだのフィレットが、機能素子を取り囲んだ凹部のエッジに沿って形成されるので、高い歩留りで気密封止を行うことが出来、ウェハレベルでの確実な機能素子の気密封止を実現することができる。
【実施例２】
【００５８】
次に、本発明の実施例２について、図３（ａ）〜（ｄ）を用いて説明する。本実施例は、凹部の内部にはんだ膜を形成して接続する構成である。図３（ａ）のように、蓋側のＳｉ基板（蓋側）５に凹部２５および凸部２６が形成され、それらの表面に、メタライズ２２Ｂおよびはんだ膜２３が形成されている。はんだ膜２３には、基本的には酸化膜２４は無い方がはんだの濡れが良好であるが、本実施例では、はんだ形成方法にも依存するが酸化膜２４が表面に存在する場合を説明する。
【００５９】
ここで、メタライズの構成や形成工程、はんだの組成や形成方法については、実施例１と同様であるので、説明は省略する。
【００６０】
なお、はんだ膜２３は、リフトオフやめっきなどの方法で供給する場合、レジストパターンを凹部２５の内部で精密に形成することは難しいので、一部、凹部２５の外側に形成される場合も考えられる。この場合、はんだのはみ出しが大きくなると予想される。したがって、はんだパターンのためのレジストパターンは、なるべく、凹部２５の側面と一致するように形成し、図３のようにはんだ膜２３が、ちょうど凹部２５の底面と、凸部２６の上面および側面に形成されるようにすることが望ましい。
【００６１】
接合では、基板を位置合わせ後、クランプ、ねじ止め等を用いて仮固定し、チャンバ内にセットする。雰囲気は不活性な状態とする。このような工程は実施例１と同様である。
【００６２】
はんだ溶融前に基板同士に荷重を負荷すると、図３（ｂ）のように、はんだ膜２３が塑性変形する。はんだが横に広がる過程で表面積が増大し、そこで酸化膜２４が破れる。雰囲気が不活性なので、酸化膜２４が破れた部分で新たな酸化は発生しない。
【００６３】
この状態で加熱を開始し、さらに矢印の方向に荷重をかけたままにしておくと、図３（ｃ）のようにはんだが溶融し、酸化膜２４が破けた部分からはんだがメタライズ２２Ａ、Ｂに濡れ広がる。一部に酸化膜２４は取り残されるが、最終的には、凹部２５の中心にボイド５１を残す状態で、凹部内をはんだ接続することができ、図３（ｄ）のように気密封止を行うことができる。このウェハレベルで気密封止した後、個々に切断・分離して、１個毎の製品としてのパッケージ構造を有する機能素子パッケージを製造する。
【００６４】
なお本実施例では、凹部２５が二列の場合を示したが、実施例１と同様に、凹部２５は一列、あるいはもっとたくさんの列が存在しても構わない。一列の場合は、凹部２５のエッジ部分がはんだ膜２３にめり込み、はんだが凹部２５の側面に濡れ広がる過程で気密封止が行われる。凹部２５がもっと多くの列で形成される場合は、全体としての封止幅が広がるが、より気密封止の歩留りが向上する。
【００６５】
また、本実施例では、蓋側のＳｉ基板（蓋側）５に凹部を形成したが、機能素子側のＳｉ基板（機能素子側）１に凹部を形成し、Ｓｉ基板（機能素子側）１にはんだ膜を形成しても、本実施例の効果は全く問題なく得られる。
【００６６】
本実施例で得られる効果としては、実施例１の効果に加え、はんだ接合のための凹部や、はんだ膜形成を、蓋側のＳｉ基板５に行うことで、実施例１に比べて、機能素子を形成するＳｉ基板１の工程を削減することができることである。機能素子を形成後に、はんだ膜などを形成する場合には、レジスト塗布、はんだ膜形成、洗浄などのプロセスに耐えられないような機能素子を形成してしまうと、Ｓｉ基板１側に、はんだ膜を形成するのが難しい。このような場合には、蓋側のＳｉ基板５にはんだ膜を形成する必要があるので、本実施例の構造が好適である。
【実施例３】
【００６７】
本発明の実施例３について、図４を用いて説明する。ここで、メタライズの構成や形成工程、はんだの組成や形成方法については、実施例１と同様であるので、説明は省略するが、凹部２５の形成方法がこれまでの実施例と異なる。
【００６８】
実施例１でも述べたように、凹部２５は、Ｓｉ基板（機能素子側）１をドライエッチングやウェットエッチングで形成することができる。特に、Ｓｉ基板の表面が（１００）面が露出したウェハを用いた場合、ウェットエッチングでは、本実施例のように、最密な（１１１）面が露出し、Ｖ型の溝を形成することができる。この結果、隣り合う前記凹部の側面により山型の凸部２６を形成している。この場合でも、これまでの実施例１や２と同様に、凸部２６を、はんだ溶融前にはんだ膜２３にめり込ませることで、酸化膜２４の一部を破壊し、その後の溶融したはんだの濡れ広がりにより酸化膜２４の巻き込みが少ない接合部が形成され、気密封止を行うことができる。このウェハレベルで気密封止した後、個々に切断・分離して、１個毎の製品としてのパッケージ構造を有する機能素子パッケージを製造する。
【００６９】
なお本実施例では、凹部２５が二列の場合を示したが、実施例１や実施例２と同様に、凹部２５は一列、あるいはもっとたくさんの列が存在しても構わない。一列の場合は、凹部２５のエッジ部分がはんだ膜２３にめり込み、はんだが凹部２５の側面に濡れ広がる過程で気密封止が行われる。凹部２５がもっと多くの列で形成される場合は、全体としての封止幅が広がるが、より気密封止の歩留りが向上する。
【００７０】
また、本実施例では、機能素子側のＳｉ基板（機能素子側）１に凹部を形成したが、蓋側のＳｉ基板（蓋側）５に凹部を形成し、Ｓｉ基板（機能素子側）１にはんだ膜を形成しても、本実施例の効果は全く問題なく得られる。
【００７１】
本実施例で得られる効果としては、実施例１の効果に加え、凸部２６が山型であり、先が尖っているため、はんだ膜２３にめり込みやすく、酸化膜２４を容易に突き破ることができることである。したがって、比較的低い荷重で接合することが可能になる。
【実施例４】
【００７２】
本発明の実施例４について、図５および図６を用いて説明する。本実施例は、これまでの封止構造を適用したＭＥＭＳ機能素子パッケージを説明するものである。図５はＳＯＩウェハを使用したピエゾ抵抗型の３軸加速度センサ１個分の模式図で、図６はその断面構造を示す図である。ピエゾ抵抗型の加速度センサの動作原理や従来の実装構造については多くの文献で説明されているので、ここでは省略する。
【００７３】
ＳＯＩ基板７１には、凹部７２が二列形成され、その上にメタライズ７４Ａが形成される。凹部７２の内側には、ピエゾ素子７５、配線７６が形成される。またＳＯＩ基板７１の下面には、ガラス基板７７が接合されている。
【００７４】
一方のＳｉキャップ基板７８には、メタライズ７４Ｂ上に、はんだ膜７９が形成され、またキャビティ８０も形成されている。
【００７５】
図６はこれらの断面構造を示すが、機能素子側のＳｉ基板７１に、凹部７２より内側（ピエゾ素子７５側）に電極メタライズ７３が設けられている。この電極メタライズ７３の下には貫通電極８１が形成され、電極８２につながる。はんだ膜７９は、これまでの実施例と同様に、凹部７２に押し付けられ、その状態で、はんだの融点以上に加熱されて接合、および気密封止が行われる。
【００７６】
なお、気密封止部の構造は、実施例１から実施例３で述べた、いずれの構造を適用することが可能である。
【００７７】
以上述べたように、本実施例によれば、ウェハ状態で一括して確実な気密封止を行うことができるため、信頼性が高く、小形で低価格の機能素子パッケージを実現することができる。
【実施例５】
【００７８】
本発明の実施例５について、図７を用いて説明する。図7は、本実施例におけるＭＥＭＳ機能素子（加速度センサ）１個分の断面構造を示す図である。本実施例は、実施例４において形成されていた貫通電極８１を不要とする構造に関するものである。なお、図６と同符号のものは同じ構成要素を示し、説明上、一部省略している。
【００７９】
Ｓｉキャップ基板７８に、貫通穴９１がエッチング、あるいはサンドブラスト、レーザ加工などの手法を用いて形成されている。Ｓｉキャップ基板７８の下面、すなわち接合面側には、貫通穴９１の周囲はメタライズ７４Ｂで囲まれており、はんだ膜７９も形成されている。これは、ピエゾ素子７５に配線７６を介して連結した電極メタライズ７３に接続される。
【００８０】
機能素子側のＳｉ基板７１に、凹部７２より内側（ピエゾ素子７５側）に電極メタライズ７３が設けられている。この電極メタライズ７３には、あらかじめ凹部形状に形成されているので、メタライズ７４Ｂと電極メタライズ７３との間でも、これまでの実施例で述べたように、はんだの濡れ広がりやフィレット形成により、高歩留りで気密封止のはんだ接合を行うことができる。実施例４と同様に、実施例１〜３のいずれの構造も全て適用することができる。
【００８１】
本実施例で得られる効果としては、実施例４の効果に加え、まず、機能素子を形成するＳｉ基板７１への貫通穴加工が不要となることである。このため、Ｓｉキャップ基板７８は、機能素子を形成するＳｉ基板７１に比べて薄くすることができるので、貫通穴の加工は実施例４に比べて容易になる。また、一般的に深い穴をあける場合は、深くなるほど穴が小さくなっていくので、大きめの開口部が必要となる。貫通穴が浅くなる本実施例では、貫通穴の開口部の径を小さくすることができるので、更なる小形化にも有利である。
【図面の簡単な説明】
【００８２】
【図１】本発明の実施例におけるウェハ状態での接合の模式図である。
【図２】本発明の実施例における気密封止部の接続プロセスを示す詳細な断面構造図である。
【図３】本発明の実施例における気密封止部の詳細な断面構造を示す図である。
【図４】本発明の実施例における気密封止部の詳細な断面構造を示す図である。
【図５】本発明の実施例におけるＭＥＭＳ機能素子（加速度センサ）１個分の模式図である。
【図６】本発明の実施例におけるＭＥＭＳ機能素子（加速度センサ）１個分の断面構造を示す図である。
【図７】本発明の実施例におけるＭＥＭＳ機能素子（加速度センサ）１個分の断面構造を示す図である。
【符号の説明】
【００８３】
１・・・Ｓｉ基板（機能素子側）、２・・・機能素子１個分のパターン、３・・・気密封止部（機能素子側）、４・・・機能素子、５・・・Ｓｉ基板（蓋側）、６・・・気密封止部（蓋側）、
２１Ａ・・・Ｓｉ酸化膜（機能素子側）、２１Ｂ・・・Ｓｉ酸化膜、２２Ａ・・・メタライズ、２２Ｂ・・・メタライズ、２２Ｃ・・・凹部２５の外側かつＳｉ基板表面のメタライズ、２３・・・はんだ膜、２４・・・酸化膜、２５・・・凹部、２６・・・凸部、２７・・・溶融したはんだ、２８・・・凝固したはんだ、
３１・・・Ａｕバンプ、３２・・・Ａｕ−Ｓｉ共晶融体、３３・・・Ａｕ−Ｓｉ共晶はんだ（凝固）、
４１・・・Ｇｅ膜、４２・・・Ａｕ−Ｇｅ共晶融体、４３・・Ａｕ−Ｇｅ共晶はんだ（凝固）、５１・・・ボイド、
７１・・・ＳＯＩ基板、７２・・・凹部、７３・・・電極メタライズ、７４Ａ・・・メタライズ、７４Ｂ・・・メタライズ、７５・・・ピエゾ素子、７６・・・配線、７７・・・ガラス基板、７８・・・Ｓｉキャップ基板、７９・・・はんだ膜、８０・・・キャビティ、８１・・・貫通電極、８２・・・電極、９１・・・貫通穴。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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