(57)【要約】【課題】半導体装置の製造歩留まりを向上させる。【解決手段】半導体装置の製造に用いる多数個取りの配線基板３１の下面３１ｂにおいて、配線基板３１の切断位置の位置決め用のターゲットマークをダイシング領域毎に形成し、ターゲットマークの近傍にパターンずれ検出部３６を設ける。パターンずれ検出部３６は、配線基板３１の基材層１１の上面１１ａに形成されたスルーホール用ランド３７ａと、基材層１１の下面１１ｂに形成されたスルーホール用ランド３７ｂと、基材層１１に形成されたスルーホール３８とを有している。スルーホール３８を基準にして、スルーホール用ランド３７ａとスルーホール用ランド３７ｂとの平面位置のずれ量（第３のずれ量Ｄ３）を調べ、それを用いて、ターゲットマークに基づく切断位置を補正し、補正された切断位置で配線基板３１を切断する。【選択図】図２８
2008034681.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
そこからそれぞれ半導体装置が製造される複数の単位基板領域を有する配線基板の第１主面上に半導体チップを搭載し、前記配線基板の前記第１主面上に前記半導体チップを覆うように封止樹脂を形成してから、前記配線基板の前記第１主面の反対側の第２主面側から前記各単位基板領域の間のダイシング領域に沿って前記配線基板および前記封止樹脂を切断する半導体装置の製造方法であって、
前記配線基板には、前記配線基板の切断位置の位置決め用のターゲットマークが前記第２主面に前記ダイシング領域毎に形成され、前記第２主面の前記各ターゲットマークの近傍に第１導体パターンが形成され、前記第１主面における前記第１導体パターンに対応した位置に第２導体パターンが形成され、前記第１導体パターンおよび前記第２導体パターンに平面的に重なる位置に第１開口部が形成され、
（ａ）前記配線基板の前記第１主面における前記第２導体パターンと前記第１開口部との平面位置の第１のずれ量を検出する工程、および
（ｂ）前記配線基板の前記第２主面における前記第１導体パターンと前記第１開口部との平面位置の第２のずれ量を検出する工程、
を有し、
前記（ｂ）工程で検出した前記第２のずれ量を用いて、前記ターゲットマークに基づく切断位置を補正し、補正された切断位置で前記配線基板の前記第２主面側から前記配線基板および前記封止樹脂を切断することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記配線基板では、前記第１開口部内に絶縁体が埋め込まれていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記配線基板の前記第１主面および前記第２主面には、前記第１導体パターンおよび前記第２導体パターンを覆うようにソルダレジスト層が形成されており、前記第１開口部内に前記ソルダレジスト層の一部が埋め込まれていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１導体パターンと前記第２導体パターンと前記第１開口部とは、前記配線基板の前記ダイシング領域に配置されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記配線基板では、前記第１導体パターンおよび前記第２導体パターンは円形状のパターンであり、それら円形状のパターンの平面内に前記第１開口部が形成されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｂ）工程の後、前記（ａ）工程で検出した前記第１のずれ量と前記（ｂ）工程で検出した前記第２のずれ量とから求められる前記第２主面の前記第１導体パターンと前記第１主面の前記第２導体パターンとの平面位置の第３のずれ量を用いて、前記ターゲットマークに基づく切断位置を補正し、補正された切断位置で前記配線基板の前記第２主面側から前記配線基板および前記封止樹脂を切断することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特に、配線基板に半導体チップを搭載した半導体パッケージ形態の半導体装置の製造方法に適用して有効な技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
配線基板上に半導体チップを搭載し、半導体チップの電極と配線基板の接続端子をボンディングワイヤで電気的に接続し、半導体チップおよびボンディングワイヤを樹脂封止し、配線基板の裏面に半田ボールを接続することで、半導体パッケージ形態の半導体装置が製造される。このような半導体装置には、例えば、ＣＳＰ（Chip Size Package）と呼ばれるチップサイズもしくは半導体チップより僅かに大きい程度の小形の半導体パッケージがある。
【０００３】
特開２００１−７７２３５号公報（特許文献１）には、複数の半導体装置を一括して樹脂封止し、その後ダイシングすることにより各半導体装置単位に分離するタイプの半導体素子搭載用基板において、ダイシングすべき各半導体装置の境界部が位置する個所の延長上にあらかじめ目印をつけた半導体素子搭載用基板に関する技術が記載されている。
【０００４】
特開平１１−１８６４８１号公報（特許文献２）には、リードフレームの枠体部に合わせマークを形成する技術が記載されている。
【特許文献１】特開２００１−７７２３５号公報
【特許文献２】特開平１１−１８６４８１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明者の検討によれば、次のことが分かった。
【０００６】
主面に複数のデバイス領域が形成された多数個取り配線基板を準備し、前記複数のデバイス領域それぞれに半導体チップを固定し、前記半導体チップ固定後、前記複数の半導体チップを一括で樹脂封止して一括封止部を形成し、一括封止部および多数個取り配線基板をダイシングにより前記デバイス領域ごとに分割することで、半導体装置を製造することができる。
【０００７】
半導体装置に半田ボールなどの外部端子を形成する場合、ダイシングにより個片化された半導体装置に半田ボールを接続するのは容易ではなく、半導体装置のスループットが低下するため、ダイシングによる個片化を行う前に、多数個取り配線基板に半田ボールを接続して外部端子を形成する必要がある。
【０００８】
このため、一括封止部を形成した後、多数個取り配線基板の下面に半田ボールを接続してから、ダイシングによる個片化を行うことが考えられる。この場合、多数個取り配線基板の下面に半田ボールを接続した状態でダイシングを行うため、配線基板の下面側を固定しようとすると半田ボールが邪魔になって上手く固定することができないので、一括封止部の上面側を固定して、多数個取り配線基板の下面側から配線基板および一括封止部を切断することになる。
【０００９】
配線基板の下面側からダイシングを行う際には、配線基板の下面に形成されたターゲットマークを基にダイシングを行うことができる。しかしながら、配線基板の下面に形成されたターゲットマークは、配線基板の下面側の導体層やソルダレジスト層のパターンにより形成されるので、配線基板の下面側のパターンとの相対的な位置は精度よく形成することが可能であるのに対して、配線基板の上面側のパターンとは、ずれが生じやすい。このため、配線基板の下面に形成されたターゲットマークと配線基板の上面側のパターン（例えばボンディングワイヤの接続端子など）との相対的な位置の精度は、低くなりやすい。これは、例えば、配線基板の上面側と下面側とに、それぞれ異なるフォトマスクを用いて異なる露光工程により導体パターンを形成するので、配線基板の上面側の導体パターンと下面側の導体パターンの相対的な位置精度が低下しやすいためである。
【００１０】
このため、配線基板の下面に形成されたターゲットマークを基に、配線基板の下面側からダイシングによる個片化を行うと、配線基板の上面側のパターン、例えばボンディングワイヤを接続する接続端子などに対するダイシング位置の相対的な位置精度が低くなる。ダイシング位置がずれると、一括封止部の切断面、すなわち製造された半導体装置の封止樹脂の側面で接続端子やボンディングワイヤが露出する可能性がある。これは、特にＣＳＰ型の半導体装置の場合、半導体チップの平面サイズと切断により形成される半導体装置の平面サイズがほぼ同じ大きさであるため、配線基板の上面側に設けられたワイヤを接続する接続端子から一括封止部の切断面までの距離が近いことに原因がある。この結果、半導体装置の製造歩留まりを低下させる。また、ダイシング位置がずれても、一括封止部の切断面、すなわち製造された半導体装置の封止樹脂の側面から接続端子やボンディングワイヤが露出しないようにするには、ダイシング領域のマージンを多くする必要があるが、これは、半導体装置の大型化を招いてしまう。
【００１１】
本発明の目的は、半導体装置の製造歩留まりを向上させることができる技術を提供することにある。
【００１２】
また、本発明の目的は、半導体装置を小型化できる技術を提供することにある。
【００１３】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
【００１５】
本発明は、半導体装置の製造に用いる多数個取りの配線基板において、配線基板の第２主面に配線基板の切断位置の位置決め用のターゲットマークを、配線基板の第２主面のターゲットマークの近傍に第１導体パターンを、第１主面の反対側の第２主面において前記第１導体パターンに対応した位置に第２導体パターンを、第１導体パターンおよび第２導体パターンに平面的に重なる位置に第１開口部を設け、第１開口部を基準にして、第１導体パターンと第２導体パターンとの平面位置のずれ量を調べるものである。また、調べた第１導体パターンと第２導体パターンとの平面位置のずれ量を用いて、ターゲットマークに基づく配線基板の切断位置を補正するものである。
【００１６】
また、本発明は、そこからそれぞれ半導体装置が製造される複数の単位基板領域を有する配線基板の第１主面上に半導体チップを搭載し、前記配線基板の前記第１主面上に前記半導体チップを覆うように封止樹脂を形成してから、前記配線基板の前記第１主面の反対側の第２主面側から前記各単位基板領域の間のダイシング領域に沿って前記配線基板および前記封止樹脂を切断する半導体装置の製造方法であって、前記配線基板には、前記配線基板の切断位置の位置決め用のターゲットマークが前記第２主面に前記ダイシング領域毎に形成され、前記第２主面の前記各ターゲットマークの近傍に第１導体パターンが形成され、前記第１主面における前記第１導体パターンに対応した位置に第２導体パターンが形成され、前記第１導体パターンおよび前記第２導体パターンに平面的に重なる位置に第１開口部が形成され、（ａ）前記配線基板の前記第１主面における前記第２導体パターンと前記第１開口部との平面位置の第１のずれ量を検出する工程、および（ｂ）前記配線基板の前記第２主面における前記第１導体パターンと前記第１開口部との平面位置の第２のずれ量を検出する工程を有し、前記（ｂ）工程で検出した前記第２のずれ量を用いて、前記ターゲットマークに基づく切断位置を補正し、補正された切断位置で前記配線基板の前記第２主面側から前記配線基板および前記封止樹脂を切断するものである。
【発明の効果】
【００１７】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。
【００１８】
半導体装置の製造歩留まりを向上させることができる。
【００１９】
また、半導体装置を小型化することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下の実施の形態においては便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明等の関係にある。また、以下の実施の形態において、要素の数等（個数、数値、量、範囲等を含む）に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも良い。さらに、以下の実施の形態において、その構成要素（要素ステップ等も含む）は、特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。同様に、以下の実施の形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうでないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。このことは、上記数値および範囲についても同様である。
【００２１】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。また、以下の実施の形態では、特に必要なとき以外は同一または同様な部分の説明を原則として繰り返さない。
【００２２】
また、実施の形態で用いる図面においては、断面図であっても図面を見易くするためにハッチングを省略する場合もある。また、平面図であっても図面を見易くするためにハッチングを付す場合もある。
【００２３】
本発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法および半導体装置を図面を参照して説明する。
【００２４】
図１は、本発明の一実施の形態である半導体装置１の上面図、図２はその下面図、図３はその断面図（全体断面図）、図４はその要部断面図（部分拡大断面図）、図５はその側面図である。図６は、封止樹脂５を透視したときの半導体装置１の平面透視図（上面図）である。図１および図６のＡ−Ａ線の断面が図３にほぼ対応し、図３の端部近傍領域の拡大図が図４にほぼ対応する。
【００２５】
図１〜図６に示される本実施の形態の半導体装置１は、半導体チップ２が配線基板３に搭載（接合、接続、実装）された半導体装置（半導体パッケージ）であり、例えば、チップサイズもしくは半導体チップ２より僅かに大きい程度の小形の半導体パッケージであるＣＳＰ（Chip Size Package）形態の半導体装置である。
【００２６】
本実施の形態の半導体装置１は、半導体チップ２と、半導体チップ２を支持または搭載する配線基板３と、半導体チップ２の表面の複数の電極２ａとこれに対応する配線基板３の複数の接続端子１５とを電気的に接続する複数のボンディングワイヤ４と、半導体チップ２およびボンディングワイヤ４を含む配線基板３の上面３ａを覆う封止樹脂５と、配線基板３の下面３ｂに外部端子としてエリアアレイ配置で設けられた複数の半田ボール６とを有している。
【００２７】
半導体チップ２は、その厚さと交差する平面形状が正方形であり、例えば、単結晶シリコンなどからなる半導体基板（半導体ウエハ）の主面に種々の半導体素子または半導体集積回路を形成した後、必要に応じて半導体基板の裏面研削を行ってから、ダイシングなどにより半導体基板を各半導体チップ２に分離したものである。半導体チップ２は、互いに対向する表面（半導体素子形成側の主面、上面）２ｂおよび裏面（半導体素子形成側の主面とは逆側の主面、下面）２ｃを有し、その表面２ｂが上方を向くように配線基板３の上面（チップ支持面）３ａ上に搭載（配置）され、半導体チップ２の裏面２ｃが配線基板３の上面３ａに接着材（ダイボンド材、接合材）８を介して接着され固定されている。接着材８は、例えば絶縁性または導電性のペースト材やフィルム状の接着材（ダイボンディングフィルム、ダイアタッチフィルム）などを用いることができる。接着材８の厚みは、例えば２０〜３０μｍ程度とすることができる。半導体チップ２は、その表面２ｂに、複数の電極（ボンディングパッド、パッド電極）２ａを有しており、電極２ａは、半導体チップ２内部または表層部分に形成された半導体素子または半導体集積回路に電気的に接続されている。
【００２８】
配線基板３は、一方の主面である上面（第１主面）３ａと、上面３ａの反対側の主面である下面（第２主面）３ｂと、上面３ａに形成された複数の接続端子１５と、下面３ｂに形成された複数のランド（ランド部）１６とを有している。
【００２９】
配線基板３は、絶縁性の基材層（絶縁基板、コア材）１１と、基材層１１の上面１１ａおよび下面１１ｂ上に形成された導体層（導体パターン、導体膜パターン、配線層）１２と、基材層１１の上面１１ａおよび下面１１ｂ上に導体層１２を覆うように形成された絶縁層（絶縁体層、絶縁膜）としてのソルダレジスト層（絶縁膜、半田レジスト層）１４とを有している。他の形態として、配線基板３を、複数の絶縁層と複数の配線層とを積層した多層配線基板により形成することもできる。
【００３０】
導体層１２（１２ａ，１２ｂ）はパターン化されており、配線基板３の端子、配線または配線層となる導体パターンである。導体層１２は、導電性材料からなり、例えばめっき法で形成された銅薄膜などにより形成することができる。配線基板３の導体層１２は、基材層１１の上面１１ａ上に形成された導体層１２ａと、基材層１１の下面１１ｂ上に形成された導体層１２ｂと、基材層１１の開口部１７の側壁上に形成された導体層１２ｃとを有している。
【００３１】
基材層１１の上面１１ａに形成された導体層１２ａにより、ボンディングワイヤ４を接続するための接続端子（電極、ボンディングパッド、パッド電極）１５が複数形成されている。また、基材層１１の下面１１ｂに形成された導体層１２ｂにより、半田ボール６を接続するための導電性のランド（電極、パッド、端子）１６が複数形成されている。また、基材層１１には複数の開口部（スルーホール、ビア、貫通孔）１７が形成されており、各開口部１７の側壁上に、導体層１２ｃが形成されている。
【００３２】
基材層１１の上面１１ａの接続端子１５は、基材層１１の上面１１ａの導体層１２ａ（導体層１２ａからなる引き出し配線）、開口部１７の側壁上の導体層１２ｃ、および基材層１１の下面１１ｂの導体層１２ｂを介して、基材層１１の下面１１ｂのランド１６に電気的に接続されている。従って、半導体チップ２の複数の電極２ａは、複数のボンディングワイヤ４を介して配線基板３の複数の接続端子１５に電気的に接続され、更に配線基板３の導体層１２を介して配線基板３の複数のランド１６に電気的に接続されている。ボンディングワイヤ４は、例えば金線などの金属細線からなる。
【００３３】
ソルダレジスト層１４は、導体層１２を保護する絶縁層（絶縁膜）としての機能を有しており、例えば有機系樹脂材料などの絶縁体材料からなる。また、ソルダレジスト層１４は、基材層１１の上面１１ａおよび下面１１ｂ上に導体層１２を覆うように形成されており、ソルダレジスト層１４が基材層１１の開口部１７の内部を埋めている。ソルダレジスト層１４が基材層１１の開口部１７を埋めているので、半導体チップ２を配線基板３に接合するための接着材８が開口部１７から配線基板３の下面３ｂ側に漏れてしまうのを防止することができ、また、開口部１７から半導体チップ２の裏面２ｃが露出してしまうのを防止することができる。また、配線基板３の導体層１２のうち、接続端子１５とランド１６とは、ソルダレジスト層１４の開口部１９ａ，１９ｂから露出されている。また、基材層１１の上面１１ａおよび下面１１ｂ上のソルダレジスト層１４の厚みは、例えば２０〜３０μｍ程度とすることができる。半導体チップ２は、配線基板３の上面３ａ側のソルダレジスト層１４上に、接着材８を介して搭載され接着されている。また、配線基板３の上面３ａ側のソルダレジスト層１４には、パッケージインデックスとしての開口部（開口部から露出する導体部）１８も形成されている。ソルダレジスト層１４に形成されたパッケージインデックスとしての開口部（開口部から露出する導体部）１８は、半導体装置１の製造工程（後述の封止樹脂５ａを形成するまでの工程）中の位置決めや向きの認識などに用いることができる。
【００３４】
複数のランド１６は、配線基板３の下面３ｂにアレイ状に配置されている。各ランド１６の隣または近傍に開口部１７が形成されている。また、各ランド１６には半田ボール（ボール電極、突起電極、電極、外部端子、外部接続用端子）６が接続（形成）されている。このため、配線基板３の下面３ｂに複数の半田ボール６がアレイ状に配置されている。半田ボール６は、半導体装置１の外部端子（外部接続用端子）として機能することができる。このため、本実施の形態の半導体装置１は、配線基板３の下面３ｂの複数のランド１６上にそれぞれ形成された複数の外部接続用端子（ここでは半田ボール６）を有している。従って、半導体チップ２の複数の電極２ａは、複数のボンディングワイヤ４を介して配線基板３の複数の接続端子１５に電気的に接続され、更に配線基板３の導体層１２を介して配線基板３の複数のランド１６および複数のランド１６に接続された複数の半田ボール６に電気的に接続されている。なお、図２の半田ボール６の数と図６の接続端子１５の数とは一致していないが、図１〜図６は半導体装置１の構造を模式的に示したものであり、半導体装置１における半田ボール６の数や接続端子１５の数は必要に応じて種々変更可能であり、半導体装置１における半田ボール６の数と接続端子１５の数とを同じにすることもでき、また異ならせることもできる。また、半導体チップ２の電極２ａと電気的に接続していない半田ボール６は、放熱用に用いることもできる。また、外部接続用端子として半田ボールを接続しない導体ランドを外部接続端子とするＬＧＡ（Land Grid Array）構造の場合も同様である。
【００３５】
配線基板３の上下両面にソルダレジスト層１４が形成されているが、配線基板３の上面３ａに形成されたソルダレジスト層１４は、接続端子１５を露出するための開口部１９ａを有している。ソルダレジスト層１４の開口部１９ａから露出する接続端子１５に、ボンディングワイヤ４が接続されている。接続端子１５へのボンディングワイヤ４の接続を容易または確実にするために、ソルダレジスト層１４の開口部１９ａから露出する接続端子１５の上面（ボンディングワイヤ４の接続面）には金めっき層（またはニッケルめっき層（下層側）と金めっき層（上層側）の積層膜）などが形成されている。配線基板３の下面３ｂに形成されたソルダレジスト層１４は、ランド１６を露出するための開口部１９ｂを有している。ソルダレジスト層１４の開口部１９ｂから露出するランド１６に、半田ボール６が接続されている。
【００３６】
封止樹脂（封止樹脂部、封止部、封止体）５は、例えば熱硬化性樹脂材料などの樹脂材料などからなり、フィラーなどを含むこともできる。例えば、フィラーを含むエポキシ樹脂などを用いて封止樹脂５を形成することもできる。封止樹脂５は、配線基板３の上面３ａ上に半導体チップ２およびボンディングワイヤ４を覆うように形成されている。すなわち、封止樹脂５は、配線基板３の上面３ａ上に形成され、半導体チップ２およびボンディングワイヤ４を封止する。封止樹脂５により、半導体チップ２およびボンディングワイヤ４が封止され、保護される。
【００３７】
次に、本実施の形態の半導体装置の製造方法（製造工程）について説明する。
【００３８】
図７は、本実施の形態の半導体装置の製造工程を示す製造プロセスフロー図である。図８〜図１４は、本実施の形態の半導体装置の製造工程の説明図（断面図）である。なお、図８〜図１４には、同じ領域（２つの半導体装置領域３２ａに跨る領域）の各工程段階の断面が示され、図面を見易くするために、断面図であるがハッチングを省略している。
【００３９】
なお、本実施の形態では、複数の配線基板３（半導体装置領域３２ａ）がアレイ状に繋がって形成された多数個取りの配線基板（配線基板母体）３１を用いて個々の半導体装置１を製造する。この配線基板３１は、上記配線基板３の母体であり、配線基板３１を後述する切断工程で切断し、各半導体装置領域（基板領域、単位基板領域、デバイス領域）３２ａに分離したものが半導体装置１の配線基板３に対応する。配線基板３１は、そこから１つの半導体装置１が形成される領域である半導体装置領域３２ａがマトリクス状に複数配列した構成を有している。
【００４０】
まず、図８に示されるように、配線基板３１を準備する（ステップＳ１）。配線基板３１の構造上の特徴などについては、後でより詳細に説明する。ステップＳ１では、そこからそれぞれ半導体装置１が製造される単位基板領域である半導体装置領域３２ａを複数の有する配線基板３１であって、上面３１ａ（第１主面）と、上面３１ａの反対側の下面３１ｂ（第２主面）とを有し、各半導体装置領域３２ａの上面３１ａに複数の接続端子１５を、各半導体装置領域３２ａの下面３１ｂに複数のランド１６を有する配線基板３１が準備される。
【００４１】
ステップＳ１で配線基板３１を準備した後、ダイボンディング工程を行って、図９に示されるように、配線基板３１の上面３１ａの各半導体装置領域３２ａ上に、半導体チップ２を上記接着材８を介して搭載して接合（ダイボンディング、チップマウント）する（ステップＳ２）。接着材８としては、ペースト状の接着材やフィルム状の接着材などを用いることができる。
【００４２】
次に、図１０に示されるように、ワイヤボンディング工程を行って、半導体チップ２の各電極２ａと、これに対応する配線基板３１に形成された接続端子１５とをボンディングワイヤ４を介して電気的に接続する（ステップＳ３）。すなわち、配線基板３１の上面３１ａの各半導体装置領域３２ａの複数の接続端子１５とその半導体装置領域３２ａ上に接合された半導体チップ２の複数の電極２ａとを複数のボンディングワイヤ４を介して電気的に接続する。
【００４３】
次に、図１１に示されるように、モールド工程（樹脂成形工程、例えばトランスファモールド工程）による樹脂封止を行って、配線基板３１上に半導体チップ２およびボンディングワイヤ４を覆うように封止樹脂（封止部、一括封止部）５ａを形成し、半導体チップ２およびボンディングワイヤ４を封止樹脂５ａによって封止する（ステップＳ４）。
【００４４】
ステップＳ４のモールド工程では、配線基板３１の上面３１ａの複数の半導体装置領域３２ａを封止樹脂５ａで一括して封止する一括封止（一括成形）を行う。すなわち、配線基板３１の上面３１ａの複数の半導体装置領域３２ａ全体上に、それらの半導体装置領域３２ａの半導体チップ２およびボンディングワイヤ４を覆うように、封止樹脂５ａを形成する。このため、封止樹脂５ａは、配線基板３１の上面３１ａの複数の半導体装置領域３２ａ全体を覆うように形成される。封止樹脂５ａは、例えば熱硬化性樹脂材料などの樹脂材料などからなり、フィラーなどを含むこともできる。例えば、フィラーを含むエポキシ樹脂などを用いて封止樹脂５ａを形成することができる。配線基板３１および配線基板３１上の封止樹脂５ａ（封止樹脂５ａ内に封止された半導体チップ２およびボンディングワイヤ４も含む）により、封止体（一括封止体、組立体）４１が形成される。すなわち、多数個取りの配線基板３１上に一括封止部である封止樹脂５ａが形成された構造体を封止体４１と呼ぶ。
【００４５】
次に、図１２に示されるように、配線基板３１の下面３１ｂのランド１６に半田ボール６を接続（接合、形成）する（ステップＳ５）。ステップＳ５の半田ボール６接続工程では、例えば、配線基板３１の下面３１ｂを上方に向け、配線基板３１の下面３１ｂの各半導体装置領域３２ａの複数のランド１６上にそれぞれ半田ボール６を配置（搭載）してフラックスなどで仮固定し、リフロー処理（半田リフロー処理、熱処理）を行って半田を溶融し、半田ボール６と配線基板３１の下面３１ｂのランド１６とを接合することができる。その後、必要に応じて洗浄工程を行い、半田ボール６の表面に付着したフラックスなどを取り除くこともできる。このようにして、半導体装置１の外部端子（外部接続用端子）としての半田ボール６が接合（形成）される。
【００４６】
なお、本実施の形態では、半導体装置１の外部端子として半田ボール６を接合する場合について説明したが、これに限定されるものではなく、例えば半田ボール６の代わりに印刷法などによりランド１６上に半田を供給して半導体装置１の半田からなる外部端子（バンプ電極、半田バンプ）を形成することもできる。この場合、配線基板３１の下面の各半導体装置領域３２ａの複数のランド１６上にそれぞれ半田を供給してから、半田リフロー処理を行って、複数のランド１６上にそれぞれ半田からなる外部端子（バンプ電極、半田バンプ）を形成することができる。
【００４７】
また、半導体装置１の外部端子（ここでは半田ボール６）の材質は、鉛含有半田や鉛を含有しない鉛フリー半田を用いることができ、また、めっきにより半導体装置１の外部端子（バンプ電極）を形成することもできる。
【００４８】
このように、ステップＳ５では、配線基板３１の下面３１ｂの各半導体装置領域３２ａの複数のランド１６に、それぞれ外部接続用端子（ここでは半田ボール６）を形成する。
【００４９】
次に、必要に応じて、マーキングを行って、封止樹脂５ａの上面（表面）５ｂに製品番号などのマークを付す（ステップＳ６）。ステップＳ６では、例えば、レーザによりマーキングを行うレーザマークを行うことができるが、インクによりマーキングを行うインクマークを行うこともできる。また、ステップＳ５の半田ボール６の接続工程とステップＳ６のマーキング工程の順番を入れ換え、ステップＳ６のマーキング工程を行った後に、ステップＳ５の半田ボール６の接続工程を行うこともできる。また、不要であれば、ステップＳ６のマーキング工程を省略することもできる。
【００５０】
次に、図１３に示されるように、ダイシングブレード（ダイシングソー、ブレード）４３などを用い、各半導体装置領域３２ａ間のダイシング領域（ダイシングライン、各半導体装置領域３２ａの境界部）３２ｂに沿って、配線基板３１の下面３１ｂ側から、ダイシング（切断、切削）を行い、封止体４１（配線基板３１および封止樹脂５ａ）を切断（分割）する（ステップＳ７）。例えば、ステップＳ７では、封止樹脂５ａの上面５ｂをパッケージ固定テープ（固定用テープ）４２に貼り付けて封止体４１を固定した状態で、ダイシングブレード４３によるダイシング工程を行うことができる。これにより、図１４に示されるように、封止体４１（配線基板３１および封止樹脂５ａ）がダイシング領域３２ｂに沿って切断されて、それぞれの半導体装置領域３２ａ（ＣＳＰ領域）が個々の（個片化された）半導体装置１（ＣＳＰ）に切断分離（個片化）される。すなわち、封止体４１（配線基板３１および封止樹脂５ａ）が各半導体装置領域３２ａに切断されて分割され、各半導体装置領域３２ａから半導体装置１が形成される。
【００５１】
このように、切断・個片化を行って、上記図１〜図６に示されるような半導体装置１を製造することができる。各半導体装置領域３２ａに切断され分離（分割）された配線基板３１が配線基板３に対応し、各半導体装置領域３２ａに切断され分離（分割）された封止樹脂５ａが封止樹脂５に対応する。
【００５２】
次に、本実施の形態の半導体装置１の製造に用いる上記配線基板３１について、より詳細に説明する。
【００５３】
図１５は、本実施の形態の半導体装置１の製造に用いられる上記配線基板３１の全体を示す上面図（全体平面図）、図１６は、配線基板３１の全体を示す下面図（全体平面図）である。図１７は、配線基板３１の部分拡大上面図（要部平面図）、図１８は、配線基板３１の部分拡大下面図（要部平面図）である。例えば、図１５および図１７のＢ−Ｂ線の断面図が、上記図８に対応する。なお、図１５〜図１８では、各半導体装置領域３２ａ間のダイシング領域３２ｂが、点線で模式的に示されている。また、図１９は、配線基板３１の断面図であり、図１５および図１７のＣ−Ｃ線の断面にほぼ対応する。図２０は、配線基板３１の上面透視図であり、図１７において、ソルダレジスト層１４に相当するものの図示を省略した（すなわちソルダレジスト層１４を透視した）ものに対応する。図２１は、配線基板３１の下面透視図であり、図１８において、ソルダレジスト層１４に相当するものの図示を省略した（すなわちソルダレジスト層１４を透視した）ものに対応する。また、図面を見易くするために、図１５および図１６では、Ｘ方向に配列する半導体装置領域３２ａの数を７つとし、図１７、図１８、図２０および図２１では、Ｘ方向に配列する半導体装置領域３２ａの数を６つとしているが、実際には、両者の数は一致している。
【００５４】
本実施の形態で用いる配線基板３１は、図１５〜図２１に示されるように、そこからそれぞれ半導体装置１が製造される単位基板領域である半導体装置領域３２ａを複数有しており、これら複数の半導体装置領域３２ａが、Ｘ方向およびＹ方向にマトリクス状（アレイ状、行列状）に配列した構成を有している。ここで、Ｘ方向とＹ方向は互いに交差（好ましくは直交）する方向である。なお、一つの配線基板３１において、Ｘ方向およびＹ方向に配列する半導体装置領域３２ａの数は、必要に応じて変更することができる。
【００５５】
半導体装置領域３２ａはＸ方向およびＹ方向にマトリクス状に配列しているので、配線基板３１において、各半導体装置領域３２ａ間のダイシング領域（ダイシングライン、各半導体装置領域３２ａの境界部）３２ｂはＸ方向およびＹ方向にそれぞれ複数延在している。上記ステップＳ７のダイシング工程では、Ｘ方向およびＹ方向に延在するダイシング領域（ダイシングライン）３２ｂに沿って、配線基板３１の下面３１ｂ側から、封止体４１（配線基板３１および封止樹脂５ａ）を切断する。すなわち、ステップＳ７のダイシング工程では、Ｘ方向およびＹ方向に沿って、配線基板３１の下面３１ｂ側から、封止体４１をダイシング（切断）する。
【００５６】
配線基板３１を製造するには、種々の手法を用いることができる。例えば、基材層１１の上面１１ａおよび下面１１ｂ上に導体層１２ａ，１２ｂ（のパターン）を形成してから基材層１１にスルーホール（上記開口部１７や後述するスルーホール３８）を形成し、そのスルーホールの側壁上に導体層（上記導体層１２ｃや後述する導体層３７ｃ）をめっき法などで形成してから、基材層１１の上面１１ａおよび下面１１ｂ上に印刷法などでソルダレジスト層１４を形成することで、配線基板３１を製造することができる。あるいは、コア材としての絶縁性の基材層１１にスルーホール（上記開口部１７や後述するスルーホール３８）を形成してから、導体層１２をめっき法などで形成し、基材層１１の上面１１ａおよび下面１１ｂ上にソルダレジスト層１４を印刷法などで形成することで、配線基板３１を製造することができる。
【００５７】
図２０に示されるように、配線基板３１を構成する基材層１１の上面１１ａ上には、パターン化された導体層１２ａが形成されているが、この導体層１２ａのパターンは、接続端子１５用の導体パターンと、給電線（めっき配線）３３ａと、スルーホール用ランド３７ａとを含んでいる。更に、上記開口部１７用の導体パターンや、それを接続端子１５に接続する引き出し配線などのパターンも形成されているが、図２０では、図面を見易くするために、図示を省略している。なお、スルーホール用ランド３７ａについては、後でより詳細に説明する。
【００５８】
また、図２１に示されるように、配線基板３１を構成する基材層１１の下面１１ｂ上には、パターン化された導体層１２ｂが形成されているが、この導体層１２ｂのパターンは、ランド１６用の導体パターンと、給電線（めっき配線）３３ｂと、ターゲットマーク３４と、スルーホール用ランド３７ｂとを含んでいる。なお、ターゲットマーク３４およびスルーホール用ランド３７ｂについては、後でより詳細に説明する。
【００５９】
従って、基材層１１の上面１１ａに形成された同層の導体パターン（導体層１２ａ）により、接続端子１５と、給電線３３ａと、スルーホール用ランド３７ａとが形成され、基材層１１の下面１１ｂに形成された同層の導体パターン（導体層１２ｂ）により、ランド１６と、給電線３３ｂと、ターゲットマーク３４と、スルーホール用ランド３７ｂとが形成されている。
【００６０】
導体層１２ａ，１２ｂ自身の形成や接続端子１５およびランド１６の表面膜の形成などに電解めっき法を用いるので、基材層１１の上面１１ａおよび下面１１ｂには、給電線３３ａ，３３ｂが形成されており、この給電線３３ａ，３３ｂを介して所定の電位（電力）を供給して、電解めっき層を形成することができる。
【００６１】
給電線３３は、配線基板３１を構成する基材層１１の上面１１ａにおいて、各半導体装置領域３２ａ間のダイシング領域３２ｂに沿って延在するように形成されており、図示はしないけれども、ダイシング領域３２ｂに沿って延在する部分から枝分かれして各接続端子１５用の導体パターンに接続されている。給電線３３ｂは、配線基板３１を構成する基材層１１の下面１１ｂにおいて、各半導体装置領域３２ａ間のダイシング領域３２ｂに沿って延在するように形成されており、図示はしないけれども、ダイシング領域３２ｂに沿って延在する部分から枝分かれして各ランド１６用の導体パターンに接続されている。
【００６２】
本実施の形態で用いる配線基板３１は、図１６、図１８および図２１に示されるように、配線基板３１の下面３１ｂにおいて、ダイシング領域３２ｂ（ダイシングライン）毎に、ターゲットマーク（ターゲットパターン、ダイシングマーク、ダイシングターゲット、アライメントパターン、アライメントマーク）３４が形成されている。ターゲットマーク３４は、配線基板３１の下面３１ｂにおいて、各半導体装置領域３２ａ間のダイシング領域（ダイシングライン）３２ｂの延長上の位置に形成されている。
【００６３】
ターゲットマーク３４は、上記ステップＳ７のダイシング工程で配線基板３１の下面３１ｂ側から封止体４１をダイシングブレード４３でダイシング（切断）する際の、ダイシング位置（切断位置）の位置決め用のアライメントマーク（ターゲットマーク）である。すなわち、ターゲットマーク３４は、配線基板３１の切断位置の位置決め用のターゲットマークであり、上記ステップＳ７のダイシング工程においては、配線基板３１の下面３１ｂのターゲットマーク３４を基準にダイシング位置（切断位置）を位置決めして、配線基板３１の下面３１ｂ側から封止体４１をダイシングブレード４３でダイシング（切断）することができる。一本のダイシング領域３２ｂ（ダイシングライン）の両端の延長上の位置にそれぞれターゲットマーク３４が形成されていればより好ましく、この場合、ステップＳ７では、ダイシング領域３２ｂ（ダイシングライン）の両端の延長上に存在する２つのターゲットマーク３４を基準にして、そのダイシング領域（ダイシングライン）３２ｂに沿ったダイシング（切断）を行うことができる。但し、本実施の形態では、詳細は後述するが、ターゲットマーク３４に基づく切断位置を補正する操作を行う。
【００６４】
ターゲットマーク３４は、基材層１１の下面１１ｂ（配線基板３１の下面３１ｂ）に形成された導体層１２ｂ（からなる導体パターン）により構成されている。このため、ターゲットマーク３４は、ランド１６用の導体パターンなどと、同工程で形成された同層の導体パターン（導体層１２ｂ）により形成されている。上記のように、基材層１１の下面１１ｂ上に導体層１２ｂを覆うようにソルダレジスト層１４が形成されているが、ターゲットマーク３４は、ソルダレジスト層１４の開口部３５から露出されている。
【００６５】
ステップＳ７のダイシング工程では、配線基板３１の下面３１ｂ側から封止体４１をダイシング（切断）するので、ターゲットマーク３４は配線基板３１の下面３１ｂ側に設ける必要がある。
【００６６】
更に、本実施の形態で用いる配線基板３１は、図２０および図２１に示されるように、パターンずれ検出部３６を有している。
【００６７】
図２２は、図２１の部分拡大平面図であり、配線基板３１の下面３１ｂのターゲットマーク３４近傍領域が示されている。図２２は、図２１と同様に、ソルダレジスト層１４の図示を省略（すなわちソルダレジスト層１４を透視）している。図２３は、配線基板３１の要部断面図であり、図２２のＥ−Ｅ線の断面に対応する。
【００６８】
各パターンずれ検出部３６は、基材層１１の上面１１ａ（配線基板３１の上面３１ａ）に形成されたスルーホール用ランド（導体パターン）３７ａと、基材層１１の下面１１ｂ（配線基板３１の下面３１ｂ）に形成されたスルーホール用ランド（導体パターン）３７ｂと、基材層１１に形成されたスルーホール（開口部、ビア、貫通孔）３８とを有している。
【００６９】
配線基板３１の上面３１ａ側のスルーホール用ランド３７ａ（第２導体パターン）は、基材層１１の上面１１ａ（配線基板３１の上面３１ａ）に形成された導体層１２ａのパターン（導体パターン）により構成されている。このため、配線基板３１の上面３１ａ側のスルーホール用ランド３７ａは、接続端子１５用の導体パターンおよび給電線３３ａと同工程で形成された同層の導体パターンにより形成されている。
【００７０】
配線基板３１の下面３１ｂ側のスルーホール用ランド３７ｂ（第１導体パターン）は、基材層１１の下面１１ｂ（配線基板３１の下面３１ｂ）に形成された導体層１２ｂのパターン（導体パターン）により構成されている。このため、配線基板３１の下面３１ｂ側のスルーホール用ランド３７ｂは、ランド１６用の導体パターン、給電線３３ｂおよびターゲットマーク３４と同工程で形成された同層の導体パターンにより形成されている。また、スルーホール用ランド３７ｂとターゲットマーク３４とが連続的なパターンにより形成されていれば、より好ましい。
【００７１】
配線基板３１の上面３１ａおよび下面３１ｂにおいて、スルーホール用ランド３７ａ，３７ｂは、ソルダレジスト層１４で覆われている。
【００７２】
各パターンずれ検出部３６においては、スルーホール用ランド３７ａとスルーホール用ランド３７ｂとは互いに対応した位置に形成されており、配線基板３１の上面３１ａにおけるスルーホール用ランド３７ｂに対応した位置にスルーホール用ランド３７ａが設けられている。すなわち、配線基板３１の上面３１ａ側のスルーホール用ランド３７ａと、配線基板３１の下面３１ｂ側のスルーホール用ランド３７ｂとは、設計上は平面的に一致する（重なる）位置および形状に形成されている。但し、後述するように、実際には、スルーホール用ランド３７ａとスルーホール用ランド３７ｂの平面的な位置に、ずれが生じ得る。スルーホール用ランド３７ａ，３７ｂを円形状のパターンにより形成すれば、より好ましい。
【００７３】
各パターンずれ検出部３６において、スルーホール３８（第１開口部）は、スルーホール用ランド３７ａおよびスルーホール用ランド３７ｂに平面的に重なる位置に形成されている。スルーホール用ランド３７ａ，３７ｂが円形状のパターンの場合、それら円形状のパターンの平面内にスルーホール３８が形成されている。
【００７４】
配線基板３１において、ターゲットマーク３４の近傍に、パターンずれ検出部３６が設けられている。すなわち、配線基板３１の下面３１ｂ（基材層１１の下面１１ｂ）において、パターンずれ検出部３６を構成するスルーホール用ランド３７ｂが、ターゲットマーク３４の近傍に配置されている。また、パターンずれ検出部３６（スルーホール用ランド３７ａ，３７ｂおよびスルーホール３８）は、好ましくは、配線基板３１のダイシング領域（ダイシングライン）３２ｂに配置されている。従って、配線基板３１の下面３１ｂ（基材層１１の下面１１ｂ）において、一本のダイシング領域（ダイシングライン）３２ｂのほぼ両端の位置にそれぞれスルーホール用ランド３７ｂが形成され、そのスルーホール用ランド３７ｂの近傍でかつダイシング領域（ダイシングライン）３２ｂの延長上の位置にターゲットマーク３４が形成されていることが好ましい。すなわち、配線基板３１の一本のダイシング領域（ダイシングライン）３２ｂ毎に少なくとも２つのパターンずれ検出部３６と２つのターゲットマーク３４が設けられており、これらパターンずれ検出部３６およびターゲットマーク３４が各ダイシング領域（ダイシングライン）３２ｂ上またはその延長上に配置されていることが好ましい。
【００７５】
また、給電線３３ａ，３３ｂの一部を円形状の幅広パターンとすることで、スルーホール用ランド３７ａ，３７ｂを形成することもでき、これにより、給電線３３ａ，３３ｂをダイシング領域３２ｂに沿って延在させるとともに、スルーホール用ランド３７ａ，３７ｂをダイシング領域３２ｂに配置させることができる。この場合、給電線３３ａとスルーホール用ランド３７ａとが連続的なパターンにより形成され、給電線３３ｂとスルーホール用ランド３７ｂとが連続的なパターンにより形成される。
【００７６】
スルーホール３８は、そのスルーホール３８が属するパターンずれ検出部３６を構成するスルーホール用ランド３７ａおよびスルーホール用ランド３７ｂと、それらスルーホール用ランド３７ａおよびスルーホール用ランド３７ｂの間の基材層１１とを貫通するように形成されており、スルーホール３８の内部はソルダレジスト層１４（絶縁体、絶縁材料）で埋め込まれている（満たされている）。
【００７７】
また、上記開口部１７の側壁上に導体層１２ｃを形成した際に、スルーホール３８の側壁上にも導体層１２ｃと同様の導体層３７ｃが形成されている。このため、スルーホール３８の側壁上に導体層３７ｃが形成され、スルーホール３８内の導体層３７ｃで埋まらなかった部分が、ソルダレジスト層１４で埋め込まれた（満たされた）状態となっている。なお、開口部１７の側壁上の導体層１２ｃは、接続端子１５とランド１６の電気的接続のために必要であるが、スルーホール３８は、後述するように、基材層１１の上面１１ａ側と下面１１ｂの導体パターンの電気的な接続のために設けたものではないため、スルーホール３８の側壁上の導体層３７ｃは、形成されていなくとも良い。但し、スルーホール用ランド３７ａのパターンを給電線３３ａのパターンと連続的に形成し、スルーホール用ランド３７ｂのパターンを給電線３３ｂのパターンと連続的に形成した場合、スルーホール３８の側壁上に導体層３７ｃを形成しておけば、スルーホール３８の側壁上の導体層３７ｃを介して給電線３３ａと給電線３３ｂとを電気的に接続することができる。
【００７８】
各パターンずれ検出部３６において、スルーホール３８の平面寸法（直径Ｔ２）は、スルーホール用ランド３７ａ，３７ｂの平面寸法（直径Ｔ１）よりも小さい（Ｔ２＜Ｔ１）。また、各パターンずれ検出部３６において、スルーホール３８の中心位置と、スルーホール用ランド３７ａの中心位置とスルーホール用ランド３７ｂの中心位置とは、設計上は一致して形成されているが、後述するように、実際には、ずれが生じ得る。また、スルーホール３８の平面形状は、円形状であることが好ましい。
【００７９】
配線基板３１において、パターンずれ検出部３６は、配線基板３１の上面３１ａ側の導体パターン（導体層１２ａのパターン）と配線基板３１の下面３１ｂ側の導体パターン（導体層１２ｂのパターン）とのずれ（パターンずれ）を検出するために設けたものである。本実施の形態では、パターンずれ検出部３６（すなわちスルーホール用ランド３７ａ，３７ｂおよびスルーホール３８）を用いて配線基板３１の上面３１ａ側の導体パターンと配線基板３１の下面３１ｂ側の導体パターンとのずれ（パターンずれ）を検出し、検出したずれ量（パターンずれ量）を用いて、ステップＳ７のダイシング工程のダイシング位置（配線基板３１の切断位置）の補正を行う。
【００８０】
ここで、本実施の形態と異なり、パターンずれ検出部３６を用いて配線基板３１の上面３１ａ側の導体パターンと配線基板３１の下面３１ｂ側の導体パターンとのずれ（パターンずれ）を検出しない場合の問題点について説明する。
【００８１】
ステップＳ７で配線基板３１の下面３１ｂ側からダイシングを行う際に、配線基板３１の下面３１ｂに形成されたターゲットマーク３４を基にダイシングを行うことができる。配線基板３１の下面３１ｂに形成されたターゲットマーク３４は、配線基板３１の下面３１ｂ側の導体パターン（導体層１２ｂのパターン）により形成されるので、配線基板３１の下面３１ｂ側の他の導体パターン（例えばランド１６用の導体パターンなど）との相対的な位置は精度よく形成することが可能である。
【００８２】
しかしながら、配線基板３１の下面３１ｂに形成されたターゲットマーク３４は、配線基板３１の上面３１ａ側の導体パターン（導体層１２ａのパターン）とは、ずれが生じやすく、配線基板３１の下面３１ｂに形成されたターゲットマーク３４と配線基板３１の上面３１ａ側の導体パターン（例えば接続端子１５）との相対的な位置の精度は、低くなりやすい。これは、例えば、配線基板３１の上面３１ａ側の導体パターン（導体層１２ａのパターン）と配線基板３１の下面３１ｂ側の導体パターン（導体層１２ｂのパターン）とを形成する際に、それぞれ異なるフォトマスクを用いた異なる露光工程を行うことなどにより、配線基板３１の上面３１ａ側の導体パターンと下面３１ｂ側の導体パターンの相対的な位置精度が低下しやすいためである。
【００８３】
このため、配線基板３１の下面３１ｂに形成されたターゲットマーク３４を基に、配線基板３１の下面３１ｂ側から封止体４１をダイシングしても、配線基板３１の上面３１ａ側の導体パターン、例えば接続端子１５、に対するダイシング位置の相対的な位置精度が低くなる。ダイシング位置がずれると、封止樹脂５ａの切断面、すなわち製造された半導体装置の封止樹脂５の側面で接続端子１５やボンディングワイヤ４が露出する可能性があり、これは、半導体装置の製造歩留まりを低下させる。また、ダイシング位置がずれても、封止樹脂５ａの切断面、すなわち製造された半導体装置の封止樹脂５の側面から接続端子１５やボンディングワイヤ４が露出しないようにするには、ダイシング領域３２ｂのマージンを多くする必要があるが、これは、半導体装置の大型化を招いてしまう。
【００８４】
そこで、本実施の形態では、上記のようなパターンずれ検出部３６を有する配線基板３１を用いることで、配線基板３１の上面３１ａ側の導体パターンと配線基板３１の下面３１ｂ側の導体パターンとのずれ（パターンずれ）を検出する。
【００８５】
図２４は、配線基板３１の上面３１ａ側と下面３１ｂ側のパターンずれの検出工程と、検出されたパターンずれでダイシング位置を補正する方法を示す説明図（フローチャート）である。図２５は、配線基板３１の上面３１ａ側の導体パターンと配線基板３１の下面３１ｂ側の導体パターンとのずれ（パターンずれ）が生じた場合の配線基板３１の要部下面図、図２６は、その要部上面図であり、図２５と図２６は互いに対応する領域が示されている。なお、図２５および図２６は、上記図２２にほぼ対応する領域が示されているが、図２５および図２６では、導体層１２ａ，１２ｂのパターン（ここでは給電線３３ａ，３３ｂ、ターゲットマーク３４およびスルーホール用ランド３７ａ，３７ｂ）とスルーホール３８の平面配置（レイアウト）を示し、他の構成要素は図示を省略している。また、図２７は、図２５に、スルーホール用ランド３７ａの平面配置（レイアウト）を重ねた図であり、配線基板３１を下面３１ａ側から透視したときのスルーホール用ランド３７ａを点線で示してある（但し図２７では図２５の右側領域の図示を省略している）。また、図２８は、図２５〜図２７のように配線基板３１の上面３１ａ側と下面３１ｂ側のパターンずれが生じた場合の配線基板３１の要部断面図であり、図２７のＦ−Ｆ線の断面図に対応する。
【００８６】
各パターンずれ検出部３６において、配線基板３１の上面３１ａにおけるスルーホール用ランド３７ｂに対応した位置にスルーホール用ランド３７ａが設けられており、スルーホール３８の中心位置と、スルーホール用ランド３７ａの中心位置とスルーホール用ランド３７ｂの中心位置とは、設計上は一致して形成されている。設計通りにパターンずれ検出部３６が形成されていれば、上記図２２および図２３のような構造となる。しかしながら、実際に製造された配線基板３１においては、図２５〜図２８のように、配線基板３１の上面３１ａ側の導体パターン（導体層１２ａのパターン）と配線基板３１の下面３１ｂ側の導体パターン（導体層１２ｂのパターン）に、ずれが生じ得る。
【００８７】
そこで、以下のようにして配線基板３１の上面３１ａ側の導体パターンと配線基板３１の下面３１ｂ側の導体パターンとのずれ（パターンずれ）を検出する。
【００８８】
まず、配線基板３１の上面３１ａにおいて、各パターンずれ検出部３６を構成するスルーホール用ランド３７ａとスルーホール３８との間の平面位置のずれ量（このずれ量を以下では第１のずれ量Ｄ１と称する）を検出する（ステップＳ１１）。
【００８９】
ステップＳ１１では、Ｘ方向のダイシング用のパターンずれ検出部３６（Ｘ方向に延在するダイシング領域３２ｂの両端に形成されたパターンずれ検出部３６）に対しては、例えば画像認識装置などを用いることにより、図２６に示されるように、スルーホール用ランド３７ａの中心位置と、スルーホール３８の中心位置との間のＹ方向のずれ量を第１のずれ量Ｄ１として検出する。ここで、スルーホール用ランド３７ａの中心位置の座標を（Ｘ１，Ｙ１）、スルーホール３８の中心位置の座標を（Ｘ２，Ｙ２）とすると、Ｄ１＝Ｙ２−Ｙ１と表すことができる。なお、座標（Ｘｎ，Ｙｎ）は、Ｘ方向の座標がＸｎで、Ｙ方向の座標がＹｎであることを表している。
【００９０】
また、ステップＳ１１では、Ｙ方向のダイシング用のパターンずれ検出部３６（Ｙ方向に延在するダイシング領域３２ｂの両端に形成されたパターンずれ検出部３６）に対しては、例えば画像認識装置などを用いることにより、スルーホール用ランド３７ａの中心位置と、スルーホール３８の中心位置との間のＸ方向のずれ量を第１のずれ量Ｄ１として検出する。ここで、スルーホール用ランド３７ａの中心位置の座標を（Ｘ１，Ｙ１）、スルーホール３８の中心位置の座標を（Ｘ２，Ｙ２）とすると、Ｄ１＝Ｘ２−Ｘ１と表すことができる。
【００９１】
それから、配線基板３１の下面３１ｂにおいて、各パターンずれ検出部３６を構成するスルーホール用ランド３７ｂとスルーホール３８との間の平面位置のずれ量（このずれ量を以下では第２のずれ量Ｄ２と称する）を検出する（ステップＳ１２）。
【００９２】
ステップＳ１２では、Ｘ方向のダイシング用のパターンずれ検出部３６（Ｘ方向に延在するダイシング領域３２ｂの両端に形成されたパターンずれ検出部３６）に対しては、例えば画像認識装置などを用いることにより、図２５に示されるように、スルーホール用ランド３７ｂの中心位置と、スルーホール３８の中心位置との間のＹ方向のずれ量を、第２のずれ量Ｄ２として検出する。ここで、スルーホール用ランド３７ｂの中心位置の座標を（Ｘ３，Ｙ３）、スルーホール３８の中心位置の座標を（Ｘ２，Ｙ２）とすると、Ｄ２＝Ｙ３−Ｙ２と表すことができる。
【００９３】
また、ステップＳ１２では、Ｙ方向のダイシング用のパターンずれ検出部３６（Ｙ方向に延在するダイシング領域３２ｂの両端に形成されたパターンずれ検出部３６）に対しては、例えば画像認識装置などを用いることにより、スルーホール用ランド３７ｂの中心位置と、スルーホール３８の中心位置との間のＸ方向のずれ量を、第２のずれ量Ｄ２として検出する。ここで、スルーホール用ランド３７ｂの中心位置の座標を（Ｘ３，Ｙ３）、スルーホール３８の中心位置の座標を（Ｘ２，Ｙ２）とすると、Ｄ２＝Ｘ３−Ｘ２と表すことができる。
【００９４】
なお、配線基板３１の上面３１ａおよび下面３１ｂの両面において、配線基板３１の４つの側面のうちの一つの同じ側面に向かう方向をＸ方向の座標が増大する方向とし、その側面と交差（直交）する他の一つの同じ側面に向かう方向をＹ方向の座標が増大する方向としている。従って、配線基板３１を透視してみたとき、配線基板３１の上面３１ａおよび下面３１ｂでのＸ方向の座標が増大する方向は一致し、配線基板３１の上面３１ａおよび下面３１ｂでのＹ方向の座標が増大する方向は一致している。
【００９５】
配線基板３１の上面３１ａおよび下面３１ｂにおいて、スルーホール用ランド３７ａ，３７ｂはソルダレジスト層１４で覆われているので、ソルダレジスト層１４の材料として、下地（スルーホール用ランド３７ａ，３７ｂやスルーホール３８）のパターン形状が観察可能となる材料（すなわち下地のパターン形状が透けて見える材料）を選択することが好ましい。これにより、ステップＳ１１，Ｓ１２において、ソルダレジスト層１４を透過（透視）してスルーホール用ランド３７ａ，３７ｂおよびスルーホール３８の位置を的確に認識することができる。
【００９６】
また、ステップＳ１１，Ｓ１２で認識するスルーホール３８のパターンは、基材層１１の側壁によって規定されるパターンであっても、スルーホール用ランド３７ａ，３７ｂとスルーホール３８内を埋めるソルダレジスト層１４との界面（境界）によって規定されるパターンであっても、導体層３７ｃとスルーホール３８内を埋めるソルダレジスト層１４との界面（境界）によって規定されるパターンであってもよい。いずれの場合であっても、スルーホール３８の中心位置は、ほぼ同じになる。
【００９７】
ステップＳ１１，Ｓ１２を行って第１のずれ量Ｄ１と第２のずれ量Ｄ２を検出した後、検出した第１のずれ量Ｄ１と第２のずれ量Ｄ２から、各パターンずれ検出部３６を構成するスルーホール用ランド３７ａとスルーホール用ランド３７ｂとの間の平面位置のずれ量（このずれ量を以下では第３のずれ量Ｄ３と称する）を求める（ステップＳ１３）。
【００９８】
ステップＳ１３では、Ｘ方向のダイシング用のパターンずれ検出部３６に対しては、図２７および図２８からも分かるように、第１のずれ量Ｄ１と第２のずれ量Ｄ２の和により、スルーホール用ランド３７ａの中心位置と、スルーホール用ランド３７ｂの中心位置との間のＹ方向のずれ量を、第３のずれ量Ｄ３として算出することができる（すなわちＤ３＝Ｄ１＋Ｄ２）。ここで、スルーホール用ランド３７ｂの中心位置の座標を（Ｘ３，Ｙ３）、スルーホール用ランド３７ａの中心位置の座標を（Ｘ１，Ｙ１）とすると、Ｄ３＝Ｙ３−Ｙ１と表すことができる。これは、スルーホール３８の座標（Ｘ２，Ｙ２）は、配線基板３１の上面３１ａと下面３１ｂで同じになるため、スルーホール３８の中心位置の座標を配線基板３１の上面３１ａと下面３１ｂで共通の（Ｘ２，Ｙ２）とすると、上記のように、Ｄ２＝Ｙ３−Ｙ２かつＤ１＝Ｙ２−Ｙ１であるので、Ｄ２＋Ｄ１＝（Ｙ３−Ｙ２）＋（Ｙ２−Ｙ１）＝Ｙ３−Ｙ１＝Ｄ３の関係が成り立つためである。
【００９９】
また、ステップＳ１３では、Ｙ方向のダイシング用のパターンずれ検出部３６に対しては、第１のずれ量Ｄ１と第２のずれ量Ｄ２の和により、スルーホール用ランド３７ａの中心位置と、スルーホール用ランド３７ｂの中心位置との間のＸ方向のずれ量を、第３のずれ量Ｄ３として算出することができる（すなわちＤ３＝Ｄ１＋Ｄ２）。ここで、スルーホール用ランド３７ｂの中心位置の座標を（Ｘ３，Ｙ３）、スルーホール用ランド３７ａの中心位置の座標を（Ｘ１，Ｙ１）とすると、Ｄ３＝Ｘ３−Ｘ１と表すことができる。これは、スルーホール３８の座標（Ｘ２，Ｙ２）は、配線基板３１の上面３１ａと下面３１ｂで同じになるため、スルーホール３８の中心位置の座標を配線基板３１の上面３１ａと下面３１ｂで共通の（Ｘ２，Ｙ２）とすると、上記のように、Ｄ２＝Ｘ３−Ｘ２かつＤ１＝Ｘ２−Ｘ１であるので、Ｄ２＋Ｄ１＝（Ｘ３−Ｘ２）＋（Ｘ２−Ｘ１）＝Ｘ３−Ｘ１＝Ｄ３の関係が成り立つためである。
【０１００】
このように、スルーホール用ランド３７ａとスルーホール３８との平面位置（中心位置）のずれ（第１のずれ量Ｄ１に相当）、およびスルーホール用ランド３７ｂとスルーホール３８との平面位置（中心位置）のずれ（第２のずれ量Ｄ２に相当）を検出し、それによって、スルーホール用ランド３７ａの平面位置（中心位置）とスルーホール用ランド３７ｂの平面位置（中心位置）との相対的なずれ（第３のずれ量Ｄ３に相当）を求めることができる。すなわち、スルーホール３８が基材層１１をほぼ垂直に貫通して設けられたことにより、スルーホール３８が配線基板３１の上面３１ａおよび下面３１ｂの対応（一致）する位置（Ｘ，Ｙ座標が同じ位置）に形成されていることを利用する。そして、このスルーホール３８を基準にして、配線基板３１の上面３１ａ側のスルーホール用ランド３７ａと配線基板３１の下面３１ｂ側のスルーホール用ランド３７ｂとの平面位置のずれ量（第３のずれ量Ｄ３）を求めることができる。
【０１０１】
ステップＳ７のダイシング工程では、配線基板３１の下面３１ｂ側からダイシングを行うが、この際、配線基板３１の下面３１ｂに形成されたターゲットマーク３４を基にダイシングを行う。但し、本実施の形態では、ターゲットマーク３４を基に決められる切断位置を、上記ステップＳ１３で求めた第３のずれ量Ｄ３を用いて補正し、補正された切断位置で、配線基板３１の下面３１ｂ側から封止体４１（配線基板３１および封止樹脂５ａ）を切断（ダイシング）する。
【０１０２】
本実施の形態とは異なり、第３のずれ量Ｄ３による補正を行わない場合、ステップＳ７では、例えば画像認識装置などを用いることにより、切断動作を行うべきダイシング領域３２ｂの両端の延長上に存在する２つのターゲットマーク３４の中心座標を認識（検出）し、それら２つのターゲットマーク３４の中心座標を結ぶ（通る）線（ライン）５１を切断位置（ダイシングライン）としてダイシングブレード４３により封止体４１を切断する。なお、ターゲットマーク３４とスルーホール用ランド３７ｂはダイシング領域３２ｂまたはその延長上に近接して設けられ、両者は同じ導体層１２ｂのパターンにより形成されているので、ターゲットマーク３４の中心座標を結ぶ線５１は、スルーホール用ランド３７ｂのほぼ中心上を通過している。線５１を切断位置（ダイシングライン）として封止体４１を切断すると、図２７からも分かるように、配線基板３１の上面３１ａ側の導体パターン（導体層１２ａのパターン）に対する切断位置（ダイシング位置）の相対的な位置精度が低くなる。
【０１０３】
それに対して本実施の形態では、上記のように、ステップＳ１１〜Ｓ１３により、ターゲットマーク３４の近傍に設けたパターンずれ検出部３６における、配線基板３１の上面３１ａ側のスルーホール用ランド３７ａと配線基板３１の下面３１ｂ側のスルーホール用ランド３７ｂの平面位置の相対的なずれ（すなわち上記第３のずれ量Ｄ３）を得ている。このため、ステップＳ７のダイシング工程では、第３のずれ量Ｄ３を用いて、ターゲットマーク３４に基づく切断位置を補正し、補正された切断位置で配線基板３１の下面３１ａ側から封止体４１（配線基板３１および封止樹脂５ａ）を切断する（ステップＳ１４）。
【０１０４】
すなわち、ステップＳ７（すなわちステップＳ１４）では、Ｘ方向の切断（Ｘ方向に延在するダイシング領域３２ｂに沿った切断）動作に対しては、例えば画像認識装置などを用いることにより、切断動作を行うべきダイシング領域（ダイシングライン）３２ｂの両端の延長上に存在する２つのターゲットマーク３４の中心座標を認識（検出）し、それら２つのターゲットマーク３４の中心座標を結ぶ（通る）線５１を決める。そして、この線５１を、第３のずれ量Ｄ３の半分（すなわちＤ３／２）だけＹ方向にずらして補正後の切断位置（ダイシング位置、ダイシングライン）５２とし、この補正後の切断位置５２で配線基板３１および封止樹脂５ａ（すなわち封止体４１）をダイシングブレード４３によって切断する。
【０１０５】
具体的には、次のように切断位置を補正することができる。Ｘ方向に切断動作を行うべきダイシング領域３２ｂの両端の延長上に存在する２つのターゲットマーク３４の中心座標をそれぞれ（Ｘ４，Ｙ４）と（Ｘ５，Ｙ５）とする。そして、（Ｘ４，Ｙ４）を中心座標とするターゲットマーク３４の近傍に位置するパターンずれ検出部３６に対して求めた第３のずれ量Ｄ３をＤ３ａとし、（Ｘ５，Ｙ５）を中心座標とするターゲットマーク３４の近傍に位置するパターンずれ検出部３６に対して求めた第３のずれ量Ｄ３をＤ３ｂとする。この場合、補正後の切断位置５２は、座標（Ｘ４，Ｙ４＋Ｄ３ａ／２）と座標（Ｘ５，Ｙ５＋Ｄ３ｂ／２）を通る線とすることができる。あるいは、補正後の切断位置５２を、座標（Ｘ４，Ｙ４＋（Ｄ３ａ＋Ｄ３ｂ）／２）と座標（Ｘ５，Ｙ５＋（Ｄ３ａ＋Ｄ３ｂ）／２）を通る線とすることもできる。
【０１０６】
また、ステップＳ７（すなわちステップＳ１４）では、Ｙ方向の切断（Ｙ方向に延在するダイシング領域３２ｂに沿った切断）動作に対しては、例えば画像認識装置などを用いることにより、切断動作を行うべきダイシング領域（ダイシングライン）３２ｂの両端の延長上に存在する２つのターゲットマーク３４の中心座標を認識（検出）し、それら２つのターゲットマーク３４の中心座標を結ぶ（通る）線５１を決める。そして、この線５１を、第３のずれ量Ｄ３の半分（すなわちＤ３／２）だけＸ方向にずらして補正後の切断位置５２とし、この補正後の切断位置５２で配線基板３１および封止樹脂５ａ（すなわち封止体４１）をダイシングブレード４３によって切断する。
【０１０７】
具体的には、次のように切断位置を補正することができる。Ｙ方向に切断動作を行うべきダイシング領域３２ｂの両端の延長上に存在する２つのターゲットマーク３４の中心座標をそれぞれ（Ｘ４，Ｙ４）と（Ｘ５，Ｙ５）とする。そして、（Ｘ４，Ｙ４）を中心座標とするターゲットマーク３４の近傍に位置するパターンずれ検出部３６に対して求めた第３のずれ量Ｄ３をＤ３ａとし、（Ｘ５，Ｙ５）を中心座標とするターゲットマーク３４の近傍に位置するパターンずれ検出部３６に対して求めた第３のずれ量Ｄ３をＤ３ｂとする。この場合、補正後の切断位置５２は、座標（Ｘ４＋Ｄ３ａ／２，Ｙ４）と座標（Ｘ５＋Ｄ３ｂ／２，Ｙ５）を通る線とすることができる。あるいは、補正後の切断位置５２を、座標（Ｘ４＋（Ｄ３ａ＋Ｄ３ｂ）／２，Ｙ４）と座標（Ｘ５＋（Ｄ３ａ＋Ｄ３ｂ）／２，Ｙ５）を通る線とすることもできる。
【０１０８】
スルーホール用ランド３７ａは、配線基板３１の上面３１ａ側の導体パターン（導体層１２ａのパターン）により形成され、スルーホール用ランド３７ｂは、配線基板３１の下面３１ｂ側の導体パターン（導体層１２ｂのパターン）により形成されている。このため、パターンずれ検出部３６に対して検出されたスルーホール用ランド３７ａとスルーホール用ランド３７ｂとの間の平面位置のずれ量（すなわち第３のずれ量Ｄ３）は、配線基板３１の上面３１ａ側の導体パターン（導体層１２ａのパターン）と配線基板３１の下面３１ｂ側の導体パターン（導体層１２ｂのパターン）との間の相対的なずれ量を反映したものである。本実施の形態では、ターゲットマーク３４に基づく切断位置（線５１に対応）を、そのターゲットマーク３４近傍のパターンずれ検出部３６で検出された第３のずれ量Ｄ３を用いて補正し、補正された切断位置（切断位置５２に対応）で封止体４１（配線基板３１および封止樹脂５ａ）を切断する。このため、ステップＳ７（ステップＳ１４）における封止体４１の切断位置（切断位置５２に対応）は、配線基板３１の上面３１ａ側の導体パターンと下面３１ｂ側の導体パターンの間のずれを反映したものとすることができるので、配線基板３１の上面３１ａ側の導体パターン（導体層１２ａのパターン）に対する、封止体４１の切断位置の相対的な位置精度を高めることができる。
【０１０９】
また、上記のように、２つのターゲットマーク３４の中心座標を結ぶ線５１を第３のずれ量Ｄ３の半分（すなわちＤ３／２）だけＸ方向（またはＹ方向）にずらして補正後の切断位置５２とした場合、配線基板３１の上面３１ａ側の導体パターンと配線基板３１の下面３１ｂ側の導体パターンの両方に対して切断位置５２の位置精度を高めることができる。
【０１１０】
また、配線基板３１の上面３１ａ側の導体パターン（導体層１２ａのパターン）に対する切断位置５２の位置精度をより高めたい場合は、２つのターゲットマーク３４の中心座標を結ぶ線５１を第３のずれ量Ｄ３だけＸ方向（またはＹ方向）にずらして補正後の切断位置５２とすればよい。この場合、線５１を第３のずれ量Ｄ３の全量で補正して切断位置５２を決めているので、補正後の切断位置５２は、配線基板３１の下面３１ｂ側の導体パターンからのずれ量は大きくなるが、配線基板３１の上面３１ａ側の導体パターンに対する切断位置５２の位置精度をより高めることができる。
【０１１１】
このように、本実施の形態では、スルーホール３８を基準にして、配線基板３１の上面３１ａのスルーホール用ランド３７ａと配線基板３１の下面３１ｂのスルーホール用ランド３７ｂとの平面位置のずれ量（第３のずれ量Ｄ３）を調べ、その第３のずれ量Ｄ３を用いて、ターゲットマーク３４に基づく切断位置（線５１）を補正し、補正された切断位置５２で配線基板３１を切断する。
【０１１２】
すなわち、配線基板３１の上面３１ａにおけるスルーホール用ランド３７ａとスルーホール３８との平面位置の第１のずれ量Ｄ１をステップＳ１１で検出し、配線基板３１の下面３１ｂにおけるスルーホール用ランド３７ｂとスルーホール３８との平面位置の第２のずれ量Ｄ２をステップＳ１２で検出する。そして、ステップＳ１２で検出した第２のずれ量Ｄ２を用いて、ターゲットマーク３４に基づく切断位置（線５１）を補正し、補正された切断位置５２で配線基板３１の下面３１ｂ側から配線基板３１および封止樹脂５ａを切断する。より具体的には、ステップＳ１１で検出した第１のずれ量Ｄ１とステップＳ１２で検出した第２のずれ量Ｄ２とから求められるスルーホール用ランド３７ａとスルーホール用ランド３７ｂとの平面位置の第３のずれ量Ｄ３を用いて、ターゲットマーク３４に基づく切断位置（線５１）を補正し、補正された切断位置５２で配線基板３１の下面３１ｂ側から配線基板３１および封止樹脂５ａを切断する。
【０１１３】
また、本実施の形態では、ダイシング領域３２ｂ（ダイシングライン）毎にターゲットマーク３４およびパターンずれ検出部３６を設けている。そして、切断動作毎に、その切断すべきダイシング領域３２ｂ用に設けられたターゲットマーク３４を基準として用い、更に、その切断すべきダイシング領域３２ｂ用に設けられたパターンずれ検出部３６で検出されたパターンずれ量（上記第３のずれ量Ｄ３に相当するもの）を用いて、そのターゲットマーク３４を基準とした切断位置を補正する。
【０１１４】
本実施の形態とは異なり、配線基板３１の下面３１ｂに形成されたターゲットマーク３４を基にして決めた線５１に沿って封止体４１を切断した場合、配線基板３１の上面３１ａ側の導体パターン、例えば接続端子１５、に対する、封止体４１の切断位置の相対的な位置精度が低くなる。それに対して、本実施の形態では、第３のずれ量Ｄ３を用いて補正した補正後の切断位置５２で封止体４１を切断するので、配線基板３１の上面３１ａ側の導体パターン、例えば接続端子１５、に対する、封止体４１の切断位置の相対的な位置精度を高めることができる。
【０１１５】
このため、本実施の形態では、配線基板３１の上面３１ａ側の導体パターン、例えば接続端子１５、に対する封止体４１（配線基板３１および封止樹脂５ａ）の切断位置（ダイシング位置）の位置精度を高めることができるので、封止体４１の切断面、すなわち製造された半導体装置１の側面（配線基板３および封止樹脂５の側面）で接続端子１５やボンディングワイヤ４が露出するのを防止することができる。このため、半導体装置の製造歩留まりを向上させることができる。また、配線基板３１の上面３１ａ側の導体パターン、例えば接続端子１５、に対する封止体４１（配線基板３１および封止樹脂５ａ）の切断位置（ダイシング位置）の位置精度を高めることができるので、ダイシング領域３２ｂのマージンを小さくすることが可能となり、半導体装置１の小型化に有利である。
【０１１６】
また、本実施の形態とは異なり、配線基板３１において、パターンずれ検出部３６を構成するスルーホール３８が空隙状態であった場合、ステップＳ４で封止樹脂５ａを形成する際に、配線基板３１の上面３ａ側から封止樹脂５ａ形成用の樹脂材料がスルーホール３８を介して配線基板３１の下面３１ｂ側に漏れる可能性がある。これは、配線基板３１の下面３１ｂへの樹脂の付着を招き、半導体装置の製造歩留まりを低下させる。それに対して、本実施の形態では、配線基板３１において、パターンずれ検出部３６を構成するスルーホール３８内に絶縁体（絶縁体材料、ここではソルダレジスト層１４）が埋め込まれている。すなわち、本実施の形態では、配線基板３１の上面３１ａおよび下面３１ｂには、スルーホール用ランド３７ａ，３７ｂを覆うようにソルダレジスト層１４が形成されており、パターンずれ検出部３６を構成するスルーホール３８内にソルダレジスト層１４の一部が埋め込まれている。このため、ステップＳ４のモールド工程で封止樹脂５ａを形成する際に、配線基板３１の上面３ａ側から封止樹脂５ａ形成用の樹脂材料がスルーホール３８を介して配線基板３１の下面３１ｂ側に漏れるのを防止することができる。従って、配線基板３１の下面３１ｂへの樹脂の付着を防止でき、半導体装置の製造歩留まりを向上させることができる。
【０１１７】
また、上記ステップＳ１１の配線基板３１の上面３１ａ側の第１のずれ量Ｄ１の検出は、上記ステップＳ２のダイボンディング工程（配線基板３１への半導体チップ２の搭載工程）またはステップＳ３のワイヤボンディング工程中に行えば、より好ましい。これにより、ステップＳ２およびステップＳ３では画像認識装置を用いるが、この画像認識装置を、ステップＳ１１の第１のずれ量Ｄ１の検出に用いる（兼用させる）ことができるため、改めて画像認識装置を準備してステップＳ１１の第１のずれ量Ｄ１の検出を行う必要がなくなる。このため、半導体装置の製造工程数の低減やスループットの向上が可能になる。また、配線基板３１の上面３１ａ上に封止樹脂５ａを形成すると、スルーホール用ランド３７ａとスルーホール３８の位置を確認しにくくなるので、ステップＳ１１の配線基板３１の上面３１ａ側の第１のずれ量Ｄ１の検出工程は、少なくとも、上記ステップＳ４の封止樹脂５ａの形成工程の前に行うことが好ましい。
【０１１８】
また、ステップＳ１１の配線基板３１の上面３１ａ側の第１のずれ量Ｄ１の検出を先に行ってから、ステップＳ１２の配線基板３１の下面３１ｂ側の第２のずれ量Ｄ２の検出を行っても、あるいは、ステップＳ１２の配線基板３１の下面３１ｂ側の第２のずれ量Ｄ２の検出を先に行ってから、ステップＳ１１の配線基板３１の上面３１ａ側の第１のずれ量Ｄ１の検出を行ってもよい。
【０１１９】
また、ステップＳ１２の配線基板３１の下面３１ｂ側の第２のずれ量Ｄ２の検出は、配線基板３１（封止体４１）を切断する前に行えばよいが、ステップＳ７において、ターゲットマーク３４を画像認識装置で認識する際に、その画像認識装置を用いてスルーホール用ランド３７ｂとスルーホール３８との間の平面位置の第２のずれ量Ｄ２を検出することもできる。この場合、ステップＳ７において、上記ステップＳ１２〜Ｓ１４が行われることになる。これにより、ステップＳ７のダイシング工程で用いる画像認識装置をステップＳ１２の第２のずれ量Ｄ２の検出に用いる（兼用させる）ことができるため、改めて画像認識装置を準備してステップＳ１２の第２のずれ量Ｄ２の検出を行う必要がなくなり、半導体装置の製造工程数の低減やスループットの向上が可能になる。
【０１２０】
また、ステップＳ２〜Ｓ７による半導体装置の組み立てを行う前に、予め配線基板３１に対して上記ステップＳ１１，Ｓ１２を行って、第１のずれ量Ｄ１および／または第２のずれ量Ｄ２を調べておき、それらのデータを用いて、上記ステップＳ７（Ｓ１４）を行うこともできる。また、配線基板３１の製造途中（例えばソルダレジスト層１４の形成前）にステップＳ１１，Ｓ１２に相当することを行って、第１のずれ量Ｄ１および／または第２のずれ量Ｄ２を調べおいてもよい。
【０１２１】
図２９および図３０は、配線基板３１の第１の変形例である配線基板３１ｃを示す要部上面図および要部下面図であり、図３１および図３２は、配線基板３１の第２の変形例である配線基板３１ｄを示す要部上面図および要部下面図であり、図２９および図３０は、それぞれ上記図２０および図２１に対応し、図３１および図３２は、それぞれ上記図２０および図２１に対応するものである。従って、上記図２０および図２１と同様に、図２９〜図３２では、ソルダレジスト層１４の図示を省略（すなわちソルダレジスト層１４を透視）している。
【０１２２】
上記配線基板３１では、図２０および図２１に示されるように、一本のダイシング領域３２ｂ（ダイシングライン）に対して、２箇所のターゲットマーク３４と２箇所のパターンずれ検出部３６を設けており、各ターゲットマーク３４の近傍にパターンずれ検出部３６を配置している。しかしながら、図２９および図３０に示される第１の変形例の配線基板３１ｃや図３１および図３２に示される第２の変形例の配線基板３１ｄのように、各ターゲットマーク３４の近傍にパターンずれ検出部３６を一つずつ配置したのに加えて、更に、パターンずれ検出部３６と同様の構成のパターンずれ検出部３６ａを、各ダイシング領域３２ｂ（ダイシングライン）に設けることもできる。なお、第１の変形例の配線基板３１ｃおよび第２の変形例の配線基板３１ｄの構成は、パターンずれ検出部３６ａを設けたこと以外は配線基板３１とほぼ同様の構成を有している。
【０１２３】
図２９および図３０に示される配線基板３１ｃでは、各ターゲットマーク３４の近傍にパターンずれ検出部３６を一つずつ配置したことは上記配線基板３１と同様であるが、更に、パターンずれ検出部３６ａを、各ダイシング領域３２ｂ（ダイシングライン）の中央部付近に設けている。各パターンずれ検出部３６ａは、パターンずれ検出部３６と同様に、基材層１１の上面１１ａ（配線基板３１の上面３１ａ）に形成されたスルーホール用ランド３７ａと、基材層１１の下面１１ｂ（配線基板３１の下面３１ｂ）に形成されたスルーホール用ランド３７ｂと、基材層１１に形成されたスルーホール３８とから構成されている。パターンずれ検出部３６ａのスルーホール３８も、パターンずれ検出部３６のスルーホール３８と同様に、側壁上に導体層３７ｃが形成され、スルーホール３８内の導体層３７ｃで埋まらなかった部分が、ソルダレジスト層１４で埋め込まれた（満たされた）状態となっている。
【０１２４】
また、図３１および図３２に示される配線基板３１ｄでは、各ターゲットマーク３４の近傍にパターンずれ検出部３６を一つずつ配置したことは上記配線基板３１と同様であるが、更に、パターンずれ検出部３６ａを、Ｘ方向およびＹ方向に延在するダイシング領域３２ｂ（ダイシングライン）の各交点に設けている。従って、各半導体装置領域３２ａの四隅には、パターンずれ検出部３６またはパターンずれ検出部３６ａのいずれかが設けられている。
【０１２５】
配線基板３１ｃ，３１ｄを用いる場合も、上記配線基板３１を用いる場合とほぼ同様にして、半導体装置１を製造することができる。配線基板３１ｃ，３１ｄを用いて半導体装置１を製造する場合、上記ステップＳ１１〜Ｓ１３の工程を、パターンずれ検出部３６だけでなく、パターンずれ検出部３６ａに対しても行うことができる。この場合、ステップＳ７では、パターンずれ検出部３６に対して検出したパターンずれ量（上記第３のずれ量Ｄ３に対応）だけでなく、パターンずれ検出部３６ａに対して検出したパターンずれ量（上記第３のずれ量Ｄ３に対応）も用いて、ターゲットマーク３４に基づく切断位置（上記線５１に対応）を補正することができる。これにより、切断位置（ダイシング位置）の補正の精度を、より高めることができる。但し、ターゲットマーク３４に基づく切断位置（上記線５１に対応）を補正するには、各ターゲットマーク３４の最も近くに設けたパターンずれ検出部３６に対して検出した第３のずれ量Ｄ３を用いることが最も効果的であるので、ターゲットマーク３４から比較的遠い位置にあるパターンずれ検出部３６ａに対しては、上記ステップＳ１１〜Ｓ１３の工程を行わなくともよい。
【０１２６】
また、図３１および図３２に示される配線基板３１ｄを用いて半導体装置１に相当する半導体装置１ｄを製造した場合、製造された半導体装置１ｄでは、配線基板３の四隅にパターンずれ検出部３６，３６ａの残存部分が形成されることになる。図３３は、配線基板３１ｄを用いて製造した半導体装置１ｄの下面図、図３４は、半導体装置１ｄの要部断面図である。図３３のＧ−Ｇ線の断面図は、上記図３と同じになる。図３３のＨ−Ｈ線の断面図が、図３４にほぼ対応する。また、理解を簡単にするために、図３３では、配線基板３の四隅近傍において、ソルダレジスト層１４を省略（透視）して図示してある。
【０１２７】
配線基板３１ｄを用いて製造した半導体装置１ｄは、図３３および図３４に示されるように、配線基板３（基材層１１）の側面の４つの角部が面取りされた状態になっており、その側壁（側面）５４に、上記導体層３７ｃの残存部分である導体層５５ｃが形成された状態となっている。半導体装置１ｄで、配線基板３の側面の４つの角部（側壁５４）が面取りされた状態となっているのは、配線基板３の四隅に上記スルーホール３８の一部が残存したためである。そして、半導体装置１ｄにおいて、配線基板３の上面３ａ（基材層１１の上面１１ａ）の四隅近傍に、スルーホール用ランド３７ａの残存部分である導体パターン５５ａが形成され、配線基板３の下面３ｂ（基材層１１の下面１１ｂ）の四隅近傍に、スルーホール用ランド３７ｂの残存部分である導体パターン５５ｂが形成された状態となっている。導体パターン５５ａ，５５ｂおよび導体層５５ｃは、ソルダレジスト層１４で覆われている。このような構成は、配線基板３１ｄのように、ダイシング領域３２ｂ（ダイシングライン）の各交点に（すなわち各半導体装置領域３２ａの四隅に）、パターンずれ検出部３６，３６ａを設け、上記スルーホール３８の直径を、ダイシングブレード４３の幅（刃の幅）よりも大きくすることにより、得ることができる。従って、半導体装置１ｄは、配線基板３の四隅において、配線基板３の上面３ａ（基材層１１の上面１１ａ）の導体パターン５５ａと、配線基板３（基材層１１）の側壁５４上の導体層５５ｃと、配線基板３の下面３ｂ（基材層１１の下面１１ｂ）の導体パターン５５ｂとが一体的に繋がった状態となっている。これら導体パターン５５ａ，５５ｂおよび導体層５５ｃにより一体的な導体層５５が形成されている。導体層５５は、銅めっき層などにより構成されている。それ以外の半導体装置１ｄの構造は、上記半導体装置１とほぼ同様であるので、ここではその説明を省略する。
【０１２８】
第２の変形例の配線基板３１ｄを用いて製造した半導体装置１ｄは、配線基板３の四隅の側面（面取りされた角部）に、導体層５５ｃが形成され、この導体層５５ｃによって、配線基板３１の上面３１ａ（基材層１１の上面１１ａ）の導体パターン５５ａと、配線基板３１の下面３１ｂ（基材層１１の下面１１ｂ）の導体パターン５５ｂとが連結された状態となっている。このため、半導体装置１ｄを構成する配線基板３は、熱による上下方向の伸縮応力に強くなり、半導体装置１ｄの信頼性をより向上することができる。
【０１２９】
以上、本発明者によってなされた発明をその実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。
【産業上の利用可能性】
【０１３０】
本発明は、配線基板に半導体チップを搭載した半導体パッケージ形態の半導体装置の製造方法に適用して有効である。
【図面の簡単な説明】
【０１３１】
【図１】本発明の一実施の形態である半導体装置の上面図である。
【図２】本発明の一実施の形態である半導体装置の下面図である。
【図３】本発明の一実施の形態である半導体装置の断面図である。
【図４】本発明の一実施の形態である半導体装置の要部断面図である。
【図５】本発明の一実施の形態である半導体装置の側面図である。
【図６】本発明の一実施の形態である半導体装置の平面透視図である。
【図７】本発明の一実施の形態である半導体装置の製造工程を示す製造プロセスフロー図である。
【図８】本発明の一実施の形態の半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図９】図８に続く半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図１０】図９に続く半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図１１】図１０に続く半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図１２】図１１に続く半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図１３】図１２に続く半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図１４】図１３に続く半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図１５】本発明の一実施の形態の半導体装置の製造に用いられる配線基板の全体を示す上面図である。
【図１６】図１５の配線基板の全体を示す下面図である。
【図１７】図１５の配線基板の部分拡大上面図である。
【図１８】図１５の配線基板の部分拡大下面図である。
【図１９】図１７のＣ−Ｃ線の断面図である。
【図２０】図１７の配線基板の上面透視図である。
【図２１】図１８の配線基板の下面透視図である。
【図２２】図２１の配線基板の部分拡大平面図である。
【図２３】図２２のＥ−Ｅ線の断面図である。
【図２４】パターンずれの検出工程と、検出されたパターンずれでダイシング位置を補正する方法を示す説明図である。
【図２５】パターンずれが生じた場合の配線基板の要部下面図である。
【図２６】パターンずれが生じた場合の配線基板の要部上面図である。
【図２７】パターンずれが生じた場合の配線基板の要部平面図である。
【図２８】パターンずれが生じた場合の配線基板の要部断面図である。
【図２９】本発明の他の実施の形態の配線基板を示す要部上面図である。
【図３０】図２９の配線基板を示す要部下面図である。
【図３１】本発明の他の実施の形態の配線基板を示す要部上面図である。
【図３２】図３１の配線基板を示す要部下面図である。
【図３３】図３１および図３２に示される配線基板を用いて製造した半導体装置の下面図である。
【図３４】図３１および図３２に示される配線基板を用いて製造した半導体装置の要部断面図である。
【符号の説明】
【０１３２】
１，１ｄ  半導体装置
２  半導体チップ
２ａ  電極
２ｂ  表面
２ｃ  裏面
３  配線基板
３ａ  上面
３ｂ  下面
４  ボンディングワイヤ
５，５ａ  封止樹脂
６  半田ボール
８  接着材
１１  基材層
１１ａ  上面
１１ｂ  下面
１２，１２ａ，１２ｂ，１２ｃ  導体層
１４  ソルダレジスト層
１５  接続端子
１６  ランド
１７  開口部
１８  開口部
１９ａ，１９ｂ  開口部
３１  配線基板
３１ａ  上面
３１ｂ  下面
３２ａ  半導体装置領域
３２ｂ  ダイシング領域
３３ａ，３３ｂ  給電線
３４  ターゲットマーク
３５  開口部
３６，３６ａ  パターンずれ検出部
３７ａ，３７ｂ  スルーホール用ランド
３７ｃ  導体層
３８  スルーホール
４１  封止体
４２  パッケージ固定テープ
４３  ダイシングブレード
５１  線
５２  切断位置
５４  側壁
５５ａ，５５ｂ  導体パターン
５５，５５ｃ  導体層
Ｄ１  第１のずれ量
Ｄ２  第２のずれ量
Ｄ３  第３のずれ量
Ｔ１  直径
Ｔ２  直径
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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