(57)【要約】【課題】所定パターンの記録磁性部を記録層内に有し且つ記録面の平坦性の高い磁気記録媒体を製造するのに適した方法を、提供すること。【解決手段】本発明に係る方法は、例えば、ディスク基板１１上に形成された磁性膜１２’と、凹部２１１および凸部２１１からなる所定の凹凸パターンを有し且つ導電体からなる板状部材２１との間に金属イオンを含む溶液３１を介在させて、磁性膜１２’と板状部材２１との間に電圧を印加することにより、磁性膜１２’から、板状部材２１の凸部２１１に対応する箇所の磁気特性が変調されて非磁性部１２Ｂとなる記録層を形成する工程を含む。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された磁性膜または非磁性膜と、凹部および凸部からなる所定の凹凸パターンを有し且つ導電体からなる板状部材との間に、金属イオンを含む溶液を介在させて、上記磁性膜または上記非磁性膜と上記板状部材との間に電圧を印加することにより、上記磁性膜または上記非磁性膜から、上記板状部材の上記凸部に対応する箇所の磁気特性が変調されて非磁性部または磁性部となる記録層を形成する工程を含む、磁気記録媒体製造方法。
【請求項２】
基板上に形成された磁性膜または非磁性膜と、所定のパターン形状を有するレジストが導電板上に形成された板状部材との間に、金属イオンを含む溶液を介在させて、上記磁性膜または上記非磁性膜と上記導電板との間に電圧を印加することにより、上記磁性膜または上記非磁性膜から、上記導電板の上記レジストが形成されていない領域に対応する箇所の磁気特性が変調されて非磁性部または磁性部となる記録層を形成する工程を含む、磁気記録媒体製造方法。
【請求項３】
上記記録層を形成する工程は、上記磁性膜または上記非磁性膜と上記板状部材とを、上記金属イオンを含む溶液中に浸漬させた状態で行う、請求項１または２に記載の磁気記録媒体製造方法。
【請求項４】
上記記録層を形成する工程は、上記磁性膜または上記非磁性膜の表面に上記金属イオンを含む溶液を塗布し、当該塗布溶液に上記板状部材の上記凸部を当接させた状態で行う、請求項１に記載の磁気記録媒体製造方法。
【請求項５】
上記板状部材の上記凹部には、非導電体または誘電体が充填されている、請求項１、３、または４のいずれかに記載の磁気記録媒体製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、所定パターンの記録磁性部を記録層内に有する磁気記録媒体を製造するための方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ハードディスクなどの記憶装置を構成するための記録媒体として、磁気ディスク（磁気記録媒体）が知られている。磁気ディスクは、ディスク基板と所定の磁性構造を有する記録層とを含む積層構造を有する。コンピュータシステムにおける情報処理量の増大に伴い、磁気ディスクについては高密度記録化の要求が高まっている。
【０００３】
磁気ディスクへの情報記録に際しては、磁気ディスクの記録面に対して記録用の磁気ヘッドが近接配置（浮上配置）され、当該磁気ヘッドにより、記録層に対し、その保磁力より強い記録磁界が印加される。磁気ディスクに対して磁気ヘッドを相対移動させつつ磁気ヘッドからの記録磁界の向きを順次反転させることにより、記録層の情報トラックにて、磁化方向が順次反転する複数の記録マーク（磁区）がディスク周方向に連なって形成される。このとき、記録磁界方向を反転させるタイミングが制御されることにより、各々に所定の長さで記録マークが形成される。このようにして、記録層において、磁化方向の変化として所定の信号ないし情報が記録される。
【０００４】
また、磁気ディスクの技術分野においては、高密度記録化を図るのに好ましい媒体として、いわゆるディスクリートトラックメディア（ＤＴＭ）やパターンドメディア（ＰＭ）など、所定パターンの記録磁性部を記録層内に有する磁気ディスクが知られている。このような磁気ディスクについては、例えば下記の特許文献１〜３に記載されている。
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−７１４６７号公報
【特許文献２】特開２００５−１６６１１５号公報
【特許文献３】特開２００５−２９３７３０号公報
【０００６】
図１８および図１９は、ＤＴＭである従来の磁気ディスク４０を表す。図１８は、磁気ディスク４０の平面図であり、図１９は、磁気ディスク４０のディスク径方向に沿った部分拡大断面図である。
【０００７】
磁気ディスク４０は、ディスク基板４１、記録層４２、および保護層４３（図１８では図示略）からなる積層構造を有する。記録層４２は、複数の記録磁性部４２Ａと複数の非磁性部４２Ｂとからなる。記録磁性部４２Ａは、図１８にて一部を模式的に太線で示すように磁気ディスク４０の回転軸心Ａ’を共通中心としてディスク基板４１上にて同心円状に配置され、情報トラックを構成する。また、記録磁性部４２Ａは所定の磁性材料よりなる。一方、非磁性部４２Ｂは、所定の非磁性材料よりなり、記録磁性部４２Ａ間に介在する。保護層４３の露出面は磁気ディスク４０の記録面４４をなす。
【０００８】
このような磁気ディスク４０への情報記録時には、磁気ディスク４０の記録面４４に対して記録用の磁気ヘッドが浮上配置され、当該磁気ヘッドによる記録磁界の印加によって、記録層４２の一の記録磁性部４２Ａにて、磁化方向が順次反転する複数の記録マーク（磁区）がディスク周方向に連なって形成される。
【０００９】
従来の磁気ディスク４０の製造においては、例えば、ディスク基板４１上に磁性膜が形成され、リソグラフィ法およびエッチングにより磁性膜のうち所定の領域が除去されて記録磁性部４２Ａがパターン形成される。次に、スパッタリング法により、記録磁性部４２Ａ間の隙間および記録磁性部４２Ａ上に非磁性材料が堆積される。次に、堆積された非磁性材料において記録磁性部４２Ａ間の隙間にない過剰部分を、たとえばエッチングやＣＭＰにより除去する。本工程により非磁性部４２Ｂが形成され、記録層４２が形成されることとなる。この後、記録層４２上に保護層４３が形成される。以上のようにして、所定パターンの記録磁性部４２Ａを記録層４２内に有する磁気ディスク４０が製造される。
【００１０】
本方法によると、記録面４４において充分な平坦性を得ることが困難である。本方法では、上述したように、磁性膜に対するエッチングにより記録磁性部４２Ａがパターン形成された後、記録磁性部４２Ａ間の隙間を充填すべく非磁性材料が堆積され、非磁性材料における過剰部分が除去されて記録層４２が形成される。このような過程を経て形成される非連続膜である記録層４２の図中上面については、充分な平坦性を得ることが困難であり、従って、記録層４２の表面平坦性が反映される記録面４４において充分な平坦性を得ることは困難なのである。
【００１１】
一般に、磁気ディスクでは高密度記録化において、記録再生の観点から磁気ディスクに対して浮上配置される磁気ヘッドについては、より小さな浮上量（磁気ヘッドと記録面の間の距離）が要求される傾向にあるが、小さな浮上量にて磁気ヘッドが適切に動作するためには、磁気ディスクの記録面は充分に平坦でなければならない。要求される浮上量が小さいほど（即ち、磁気ディスクの面記録密度が大きいほど）、記録面に求められる平坦性は高くなる傾向にある。
【００１２】
しかしながら、上述の従来の方法によると、記録層４２ないし記録面４４において充分な平坦性を得ることは困難である。このような方法により得られる磁気ディスク４０は、磁気ヘッドの低浮上量化を図るうえで好ましくなく、従って、高密度記録化を図るうえで好ましくない。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
本発明は、以上のような事情の下で考え出されたものであり、所定パターンの記録磁性部を記録層内に有し且つ記録面の平坦性の高い磁気記録媒体を製造するのに適した方法を、提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明の第１の側面によると磁気記録媒体製造方法が提供される。この方法は、基板上に形成された磁性膜または非磁性膜と、凹部および凸部からなる所定の凹凸パターンを有し且つ導電体からなる板状部材との間に、金属イオンを含む溶液、例えば、金属錯体などを介在させて、上記磁性膜または上記非磁性膜と上記板状部材との間に電圧を印加することにより、上記磁性膜または上記非磁性膜から、上記板状部材の上記凸部に対応する箇所の磁気特性が変調されて非磁性部または磁性部となる記録層を形成する工程を含む。
【００１５】
本発明の第２の側面によると磁気記録媒体製造方法が提供される。この方法は、基板上に形成された磁性膜または非磁性膜と、所定のパターン形状を有するレジストが導電板上に形成された板状部材との間に、金属イオンを含む溶液、例えば、金属錯体などを介在させて、上記磁性膜または上記非磁性膜と上記導電板との間に電圧を印加することにより、上記磁性膜または上記非磁性膜から、上記導電板の上記レジストが形成されていない領域に対応する箇所の磁気特性が変調されて非磁性部または磁性部となる記録層を形成する工程を含む。
【００１６】
本発明に係る磁気記録媒体製造方法においては、記録層における非磁性部または磁性部を形成するための手法として、所定の溶液中における電界発生によるイオン注入を行う点に特徴を有する。具体的には、本発明の第１の側面に係る方法では、磁性膜または非磁性膜と所定の凹凸パターンを有する板状部材との間に金属イオンを含む溶液、例えば、金属錯体などを介在させて、これら磁性膜または非磁性膜と板状部材との間に電圧を印加することにより、板状部材の凸部と磁性膜または非磁性膜との間において局所的に強い電界が発生する。そうすると、溶液中の金属イオンが磁性膜または非磁性膜に向かって移動し、磁性膜または非磁性膜においては、板状部材の凸部に対応する箇所に金属イオンが注入される。磁性膜または非磁性膜におけるイオン注入箇所は、磁気特性が変調されて非磁性部または磁性部となり、これにより、所定パターンを有する磁性部および非磁性部を含む記録層が形成される。また、本発明の第２の側面に係る方法では、磁性膜または非磁性膜と所定のパターン形状を有するレジストが導電板上に形成された板状部材との間に金属イオンを含む溶液、例えば、金属錯体を介在させて、これら磁性膜または非磁性膜と導電板との間に電圧を印加することにより、導電板のレジストが形成されていない領域と磁性膜または非磁性膜との間において局所的に強い電界が発生する。そうすると、溶液中の金属イオンが磁性膜または非磁性膜に向かって移動し、磁性膜または非磁性膜においては、導電板のレジストが形成されていない領域に対応する箇所に金属イオンが注入される。磁性膜または非磁性膜におけるイオン注入箇所は、磁気特性が変調されて非磁性部または磁性部となり、これにより、所定パターンを有する磁性部および非磁性部を含む記録層が形成される。
【００１７】
本発明の第１および第２の側面に係る方法においては、記録層を構成することとなる磁性膜または非磁性膜をスパッタリング法などのいわゆる薄膜形成技術により連続膜として形成することができる。薄膜形成技術により形成される連続膜においては、上述の従来の磁気ディスク４０における記録層４２のような非連続膜におけるよりも、小さな表面凹凸すなわち高い表面平坦性を、達成しやすい。したがって、本方法は、記録層の表面平坦性が反映される記録面において、充分な平坦性を得るのに適する。
【００１８】
また、本方法においては、溶液中においてイオン注入を行うため、真空下におけるイオン注入を行う場合に比べて、イオン注入に係る工程やイオン注入に係る装置構成を簡素化することが可能である。従って、本方法は、磁気記録媒体を低コストで量産するのに適する。
【００１９】
以上のように、本発明の第１および第２の側面に係る磁気記録媒体製造方法は、所定パターンの記録磁性部を記録層内に有し且つ記録面の平坦性の高い磁気記録媒体を製造するのに、適するのである。記録面の平坦性の高い磁気記録媒体は、磁気ヘッドの低浮上量化を図るうえで好ましく、従って、高密度記録化を図るうえで好ましい。
【００２０】
本発明の第１および第２の側面において、一つの実施形態によれば、上記記録層を形成する工程は、上記磁性膜または上記非磁性膜と上記板状部材とを、上記金属イオンを含む溶液中、例えば、金属錯体などに浸漬させた状態で行う。
【００２１】
本発明の第１の側面において、他の実施形態によれば、上記記録層を形成する工程は、上記磁性膜または上記非磁性膜の表面に上記金属イオンを含む溶液、例えば、金属錯体などを塗布し、当該塗布溶液に上記板状部材の上記凸部を当接させた状態で行う。
【００２２】
好ましい実施の形態においては、上記板状部材の上記凹部には、非導電体または誘電体が充填されている。
【００２３】
好ましい実施の形態においては、上記板状部材の上記凸部は、先端に向かうほど窄む形状とされている。
【００２４】
好ましい実施の形態においては、上記金属イオンを含む溶液は、非プロトン系溶媒にリチウム塩を溶解したものである。
【００２５】
好ましい実施の形態においては、上記板状部材における上記凹部のアスペクト比が２以上とされている。
【００２６】
本発明のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
本発明の好ましい実施の形態について図面を参照しつつ具体的に説明する。図１および図２は、本発明に係る磁気記録媒体製造方法によって得られた磁気ディスクＸ１を表す。図１は、磁気ディスクＸ１の平面図であり、図２は、図１の磁気ディスクＸ１のディスク径方向に沿った部分拡大断面図である。
【００２８】
磁気ディスクＸ１は、ディスク基板１１、記録層１２、軟磁性層１３、および保護層１４（図１では図示略）を含む積層構造を有し、ディスクリートトラックメディア（ＤＴＭ）として構成されたものである。
【００２９】
ディスク基板１１は、主に、磁気ディスクＸ１の剛性を確保するための部位であり、例えば、アルミニウム合金、ガラスよりなる。
【００３０】
記録層１２は、図２に示すように、複数の記録磁性部１２Ａおよび複数の非磁性部１２Ｂを有する。記録磁性部１２Ａは、図１にて一部を模式的に太線で示すように磁気ディスクＸ１の回転軸心Ａを共通中心として同心円状に配置され、垂直磁気異方性を有して情報トラックを構成する。非磁性部１２Ｂは、記録磁性部１２Ａ間に介在して実質的に磁性を有しない（即ち、少なくとも記録磁性部１２Ａに対して充分に磁化の小さい）部位である。非磁性部１２Ｂは、後述するように、所定の溶液中における局所的な電界発生を利用した金属イオンの注入により形成されている。
【００３１】
記録磁性部１２Ａおよび非磁性部１２Ｂからなる記録層１２は、連続膜であり、従って、記録磁性部１２Ａおよび非記録磁性部１２Ｂは共に同一材料よりなる。記録層１２の構成材料としては、主成分としてＣｏを含む磁性材料を採用するのが好ましい。そのような磁性材料としては、例えば、ＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ2、ＣｏＣｒ−ＳｉＯ2、およびＣｏＰｔ−ＳｉＯ2を挙げることができる。これら磁性材料は、垂直磁気異方性を有し、グラニュラ構造をとり得る。記録層１２の厚さは例えば１３〜３０ｎｍであり、記録磁性部１２Ａの幅はトラックピッチに対し、例えば、６０〜２０％であり、非磁性部１２Ｂの幅は例えば４０〜８０％である。
【００３２】
軟磁性層１３は、記録時等に稼働する磁気ヘッドからの磁束を再び当該磁気ヘッドに還流させる磁路を磁気ディスクＸ１内に効率よく形成するためのものであり、高透磁率を有して大きな飽和磁化を有するとともに小さな保磁力を有する軟磁性材料よりなる。軟磁性層１３を構成するための軟磁性材料としては、例えば、ＣｏＺｒＮｂ、ＦｅＣ、ＦｅＮｉ、ＦｅＣｏＢ、ＦｅＣｏＳｉＣ、およびＦｅＣｏ−ＡｌＯが挙げられる。軟磁性層１３の厚さは、例えば２５〜２００ｎｍである。
【００３３】
保護層１４は、記録層１２や軟磁性層１３などを外界から物理的および化学的に保護するための部位であり、例えば、ＳｉＮ、ＳｉＯ2、またはダイアモンドライクカーボンよりなる。保護層１４の露出面は磁気ディスクＸ１の記録面１５をなす。
【００３４】
以上のようなディスク基板１１、記録層１２、軟磁性層１３、および保護層１４を含む磁気ディスクＸ１の構造中には、必要に応じて他の層や要素が含まれてもよい。
【００３５】
このような磁気ディスクＸ１の情報記録時には、磁気ディスクＸ１の記録面１５に対して記録用の磁気ヘッド（図示略）が浮上配置され、当該磁気ヘッドによる記録磁界の印加によって、記録層１２の一の記録磁性部１２Ａにて、磁化方向が順次反転する複数の記録マーク（磁区）がディスク周方向に連なって形成される。このとき、情報記録進行中であって磁界が順次印加される記録磁性部１２Ａと、これの隣りの記録磁性部１２Ａとが、非磁性部１２Ｂにより分断されているため、当該隣りの記録磁性部１２Ａの記録マークが消失ないし劣化するというクロスライト現象が抑制される。クロスライト現象が抑制される磁気ディスクＸ１は、トラックの狭ピッチ化ないし高密度記録化を図るうえで、好ましい。
【００３６】
次に、磁気ディスクＸ１の第１の製造方法について、図３〜図６を参照して説明する。本方法においては、まず、図３に示すように、ディスク基板１１上に軟磁性層１３および磁性膜としてのプレ記録層１２’を順次形成する。軟磁性層１３の形成においては、例えばスパッタリング法により、ディスク基板１１上に上述の軟磁性材料を成膜する。プレ記録層１２’の形成においては、例えばスパッタリング法により、軟磁性層１３上に上述の磁性材料を成膜する。
【００３７】
次に、図４に示すように、板状部材としてのスタンパ２１をプレ記録層１２’に対して所定間隔を隔てて対向配置し、当該スタンパ２１およびプレ記録層１２’が形成されたディスク基板１１を所定の溶液３１中に浸漬する。スタンパ２１は、ディスク基板１１に対応する形態を有する平板状の導電体であり、例えばＮｉやＮｉ合金からなる。スタンパ２１の一面は、交互に配列された複数の凸部２１１および凹部２１２を有し、これにより、所定の凹凸パターンを有する。複数の凸部２１１は、上述の非磁性部１２Ｂのパターン形状に対応するパターンで設けられている。凸部２１１の形態の一例としては、図４に表れているように、断面矩形状が挙げられる。この場合、凹部２１２の深さＤ１を幅Ｗ１で除したいわゆるアスペクト比が所定の値をとるように設定されている。
【００３８】
溶液３１は、所定濃度の金属イオンを含み、例えば、溶媒としての非プロトン系溶媒に（溶質としての）リチウム塩を溶解することにより得ることができる。非プロトン系溶媒としては、例えば、ＤＭＣ（ジメチルカーボネート）やＥＣ（エチルカーボネート）を採用することができる。リチウム塩としては、例えば、ＬｉＢＦ4（四フッ化ホウ酸リチウム）やＬｉＰＦ6（六フッ化リン酸リチウム）を採用することができる。また、溶液３１は、リチウムイオンなどの金属イオンを含むものに代えて金属錯体を含むものであってもよい。この場合、溶媒としてメタノール、エタノール、イソプロピルアルコールなどの極性溶媒を採用することができ、金属錯体としては、アンミン錯体（テトラアンミン銅錯体；［Ｃｕ（ＮＨ3）4］2+）、シアノ錯体（ヘキサシアノ金錯体；［Ａｕ（ＣＮ）6］6-）などを採用することができる。溶液３１の濃度については、例えば１０〜２０ｍｏｌ％とされる。当該濃度はプレ記録層１２’の厚さに依存して変化させる必要がある。
【００３９】
次に、図５に示すように、スタンパ２１およびプレ記録層１２’を溶液３１の外部で導通接続し、両者間に所定の大きさの電圧を印加する。そうすると、溶液３１を介してスタンパ２１とプレ記録層１２’との間に電流が流れる。ここで、スタンパ２１の凸部２１１とプレ記録層１２’とは近接しているので、当該凸部２１１とプレ記録層１２’との間において局所的に強い電界が発生し、溶液３１中の金属イオンがプレ記録層１２’に向かって移動する。そして、プレ記録層１２’においては、凸部２１１に対応する箇所に金属イオンが注入される。
【００４０】
スタンパ２１とプレ記録層１２’との間隔Ｌ１は、凸部２１１からプレ記録層１２’へ向かう移動イオン（金属イオン）の拡散を防止して当該移動イオンの直進性を保つ観点から、小さいほうが好ましく、特に、凹部２１２の幅Ｗ１に対し上記間隔Ｌ１が２倍もしくはそれよりも小さくされているのが好ましい。また、スタンパ２１における凹部２１２の幅Ｗ１が相対的に大きくなると、凹部２１２からプレ記録層１２’へのイオン移動速度が速くなる傾向にあり、プレ記録層１２’における凹部２１２に対応する箇所にも金属イオンが不当に取り込まれる虞がある。これに対し、凹部２１２のアスペクト比（凹部２１２の深さＤ１÷凹部２１２の幅Ｗ１）が一定以上（例えば２以上）となるように各部の寸法を設定することにより、凹部２１２からプレ記録層１２’へのイオン移動速度を適切に遅延させることができる。この場合、スタンパ２１およびプレ記録層１２’間における印加電圧の大きさや印加時間を適切に設定することにより、凹部２１２からの金属イオンがプレ記録層１２’中に取り込まれることは、回避される。
【００４１】
プレ記録層１２’におけるイオン注入箇所は、磁気特性が変調して非磁性化される。本工程においては、この現象を利用して、プレ記録層１２’における、スタンパ２１の凸部２１１に対応する箇所に、非磁性部１２Ｂをパターン形成する。そして、プレ記録層１２’において非磁性部１２Ｂが形成されない箇所は、記録磁性部１２Ａを構成することになる。本工程では、このようにして、磁性膜たるプレ記録層１２’から、記録磁性部１２Ａおよび非磁性部１２Ｂを含む連続膜としての記録層１２が形成される。
【００４２】
次に、記録層１２が形成されたディスク基板１１を溶液３１から取り出して洗浄した後、図６に示すように、記録層１２上に保護層１４を形成する。保護層１４の形成においては、例えばスパッタリング法により、保護層１４に関して上述した構成材料を記録層１２上に成膜する。以上のようにして、所定パターンの記録磁性部１２Ａと非磁性部１２Ｂとを記録層１２内に有する磁気ディスクＸ１を製造することができる。
【００４３】
本方法においては、図５を参照して上述したように、記録層１２内に非磁性部１２Ｂをパターン形成することができる。また、本方法においては、図３を参照して上述したように、記録層１２を構成することとなる磁性膜たるプレ記録層１２’を、スパッタリング法などのいわゆる薄膜形成技術により連続膜として形成することができる。薄膜形成技術により形成される連続膜においては、上述の従来の磁気ディスク４０における記録層４２のような非連続膜におけるよりも、小さな表面凹凸すなわち高い表面平坦性を、達成しやすい。また、本方法においては、プレ記録層１２’の所定箇所に非磁性部１２を形成するための手法として溶液３１を利用したイオン注入を採用するので、これによって形成される記録層１２の表面状態（高い表面平坦性）を維持することができる。したがって、本方法は、記録層１２の表面平坦性が反映される記録面１５において、充分な平坦性を得るのに適する。
【００４４】
また、本方法においては、溶液３１を利用してイオン注入を行うため、真空下におけるイオン注入を行う場合に比べて、イオン注入に係る工程やイオン注入に係る装置構成を簡素化することが可能である。従って、本方法は、磁気ディスクＸ１を低コストで量産するのに適する。
【００４５】
以上のように、本方法は、所定パターンの記録磁性部１２Ａおよび非磁性部１２Ｂを記録層１２内に有し且つ記録面１５の平坦性の高い磁気ディスクＸ１を製造するのに、適する。記録面１５の平坦性の高い磁気ディスクＸ１は、磁気ヘッドの低浮上量化を図るうえで好ましく、従って、高密度記録化を図るうえで好ましい。
【００４６】
図７は、上記した磁気ディスクＸ１の第１の製造方法に適用可能なスタンパの変形例を表す。同図に示すスタンパ２１’は、凹部２１２に非導電体または誘電体からなる充填物２２が充填されている点において、図４に表れているスタンパ２１とは異なる。充填物２２の構成材料としては、例えばＳｉＯ2、ＴｉＯ2などの誘電体や非導電性ポリマーなどの樹脂などが挙げられる。このように凹部２１２に充填物２２が充填された構成では、スタンパ２１’とプレ記録層１２’との間に電圧を印加しても、凹部からは電界が発生せずに、凸部２１１からのみ電界が発生することとなる。このため、本変形例では、スタンパ２１’における電界発生領域が正確に規定され、その結果、非磁性部１２Ｂの形成領域がより正確に規定されることになる。
【００４７】
図８は、本方法に適用可能なスタンパの他の変形例を表す。同図に示すスタンパ２１”において、凸部２１１は、先端側に向けて窄む先鋭形状とされており、断面矩形状の基端部２１１ａと、断面三角形状の先鋭部２１１ｂとからなる。このように先鋭部２１１ｂを有する構成においては、凸部２１１からプレ記録層１２’へ向かう移動イオン（金属イオン）の拡散を防止することができる。したがって、このような構成によれば、実質的に非磁性部１２Ｂの幅を小さくすることが可能であり、磁気ディスクＸ１におけるトラックの挟ピッチ化を図るうえで、好ましい。
【００４８】
図９〜図１３は、磁気ディスクＸ１の第２の製造方法を表す。本方法においては、まず、図９に示すように、ディスク基板１１上に軟磁性層１３およびプレ記録層１２’を順次形成する。軟磁性層１３およびプレ記録層１２’の形成手法については、第１の製造方法に関して上述したのと同様である。
【００４９】
次に、図１０に示すように、プレ記録層１２’の表面に所定の溶液を塗布し、塗膜３２を形成する。当該塗布溶液としては、第１の製造方法における溶液３１と同様のものを用いることができる。塗膜３２の厚さは、例えば２０〜５００ｎｍである。
【００５０】
次に、図１１に示すように、スタンパ２１を塗膜３２に押し当てる。スタンパ２１の材質および形状については、第１の製造方法に関して上述したスタンパ２１と同様である。本工程では、スタンパ２１の凸部２１１の先端を、位置合わせしつつ、塗膜３２に対して当接させる。このとき、塗膜３２を構成する溶液の粘度を凹部２１２の幅Ｗ１に応じて所定値に設定しておく、或いは、スタンパ２１の凹部２１２を包囲する表面部分に撥水処理を施しておくなどにより、塗膜３２の一部が凹部２１２に進入することを回避することができる。
【００５１】
次に、図１２に示すように、スタンパ２１およびプレ記録層１２’を導通接続し、両者間に所定の大きさの電圧を印加する。そうすると、塗膜３２を介してスタンパ２１の凸部２１１とプレ記録層１２’との間で電流が流れる。ここで、スタンパ２１の凸部２１１とプレ記録層１２’とは近接しているので、当該凸部２１１とプレ記録層１２’との間において局所的に強い電界が発生し、塗膜３２中の金属イオンがプレ記録層１２’に向かって移動する。これにより、プレ記録層１２’においては、凸部２１１に対応する箇所に金属イオンが注入される。プレ記録層１２’におけるイオン注入箇所は、磁気特性が変調して非磁性化される。本工程においては、この現象を利用して、プレ記録層１２’における、スタンパ２１の凸部２１１に対応する箇所に、非磁性部１２Ｂをパターン形成する。そして、プレ記録層１２’において非磁性部１２Ｂが形成されない箇所は、記録磁性部１２Ａを構成することになる。本工程では、このようにして、磁性膜たるプレ記録層１２’から、記録磁性部１２Ａおよび非磁性部１２Ｂを含む連続膜としての記録層１２が形成される。
【００５２】
次に、記録層１２上の塗膜３２を除去し、その後、図１３に示すように、記録層１２上に保護層１４を形成する。保護層１４の形成手法については、第１の製造方法に関して上述したのと同様である。以上のようにして、所定パターンの記録磁性部１２Ａと非磁性部１２Ｂとを記録層１２内に有する磁気ディスクＸ１を製造することができる。
【００５３】
本方法においては、図１２を参照して上述したように、記録層１２内に非磁性部１２Ｂをパターン形成することができる。また、本方法においては、図９を参照して上述したように、記録層１２を構成することとなる磁性膜たるプレ記録層１２’を、スパッタリング法などのいわゆる薄膜形成技術により連続膜として形成することができる。薄膜形成技術により形成される連続膜においては、上述の従来の磁気ディスク４０における記録層４２のような非連続膜におけるよりも、小さな表面凹凸すなわち高い表面平坦性を、達成しやすい。また、本方法においては、プレ記録層１２’の所定箇所に非磁性部１２Ｂを形成するための手法として溶液（塗布溶液にて形成された塗膜３２）を利用したイオン注入を採用するので、これによって形成される記録層１２の表面状態（高い表面平坦性）を維持することができる。したがって、本方法は、記録層１２の表面平坦性が反映される記録面１５において、充分な平坦性を得るのに適する。
【００５４】
図１４〜図１７は、磁気ディスクＸ１の第３の製造方法を表す。本方法においては、まず、図１４に示すように、ディスク基板１１上に軟磁性層１３およびプレ記録層１２’を順次形成する。軟磁性層１３およびプレ記録層１２’の形成手法についは、第１の製造方法に関して上述したのと同様である。
【００５５】
次に、図１５に示すように、導電板２３をプレ記録層１２’に対して所定間隔を隔てて対向配置し、当該導電板２３およびプレ記録層１２’が形成されたディスク基板１１を溶液３１中に浸漬する。当該溶液３１としては、第１の製造方法に関して上述した溶液３１と同様のものを用いることができる。導電板２３は、ディスク基板１１に対応する形態を有する平板状とされており、例えばＮｉやＮｉ合金からなる。導電板２３の一面には、所定のパターン形状を有するレジスト２４が形成されている。レジスト２４は、例えばフォトレジストもしくはＥＢレジストなどの絶縁材料で構成されている。レジスト２４の形成は、例えば、導電板２３上にレジスト膜を形成し、リソグラフィ法により不要部分を除去することにより行う。導電板２３とプレ記録層１２’との間隔Ｌ２については、後述する電界が発生する面（レジスト２４が形成されていない領域２３１の表面）がレジスト２４の先端面よりも下がった位置にあるので、レジスト２４とプレ記録層１２'とを密着させることにより、レジスト２４の厚さで制御することができる。上記間隔Ｌ２は、レジスト２４の幅Ｗ２に対し２倍もしくはそれよりも小さくされているのが好ましい。なお、図１５に示す態様とは異なり、レジスト２４とプレ記録層１２’とを密着させずに、レジスト２４およびプレ記録層１２’の間に隙間を設けつつ上記間隔Ｌ２が所望の寸法となるようにして、導電板２３を配置してもよい。
【００５６】
次に、図１６に示すように、導電板２３およびプレ記録層１２’を溶液３１の外部で導通接続し、両者間に所定の大きさの電圧を印加する。そうすると、溶液３１を介して導電板２３のレジスト２４が形成されていない領域２３１とプレ記録層１２’との間で電流が流れる。ここで、導電板２３とプレ記録層１２’とは近接しているので、上記領域２３１とプレ記録層１２’との間において局所的に強い電界が発生し、溶液３１中の金属イオンがプレ記録層１２’に向かって移動する。そして、プレ記録層１２’においては、領域２３１に対応する箇所に金属イオンが注入される。プレ記録層１２’におけるイオン注入箇所は、磁気特性が変調して非磁性化される。本工程においては、この現象を利用して、プレ記録層１２’における、導電板２３の領域２３１に対応する箇所に、非磁性部１２Ｂをパターン形成する。そして、プレ記録層１２’において非磁性部１２Ｂが形成されない箇所は、記録磁性部１２Ａを構成することになる。本工程では、このようにして、磁性膜たるプレ記録層１２’から、記録磁性部１２Ａおよび非磁性部１２Ｂを含む連続膜としての記録層１２が形成される。
【００５７】
次に、記録層１２が形成されたディスク基板１１を溶液３１から取り出して洗浄した後、図１７に示すように、記録層１２上に保護層１４を形成する。保護層１４の形成手法については、第１の製造方法に関して上述したのと同様である。以上のようにして、所定パターンの記録磁性部１２Ａと非磁性部１２Ｂとを記録層１２内に有する磁気ディスクＸ１を製造することができる。
【００５８】
本方法においては、図１６を参照して上述したように、記録層１２内に非磁性部１２Ｂをパターン形成することができる。また、本方法においては、図１４を参照して上述したように、記録層１２を構成することとなる磁性膜たるプレ記録層１２’を、スパッタリング法などのいわゆる薄膜形成技術により連続膜として形成することができる。薄膜形成技術により形成される連続膜においては、上述の従来の磁気ディスク４０における記録層４２のような非連続膜におけるよりも、小さな表面凹凸すなわち高い表面平坦性を、達成しやすい。また、本方法においては、プレ記録層１２’の所定箇所に非磁性部１２を形成するための手法として溶液３１を利用したイオン注入を採用するので、これによって形成される記録層１２の表面状態（高い表面平坦性）を維持することができる。したがって、本方法は、記録層１２の表面平坦性が反映される記録面１５において、充分な平坦性を得るのに適する。
【００５９】
以上、本発明の実施形態を説明したが、本発明の範囲は上記した実施形態に限定されるものではない。本発明に係る磁気記録媒体製造方法の具体的な構成は、発明の思想から逸脱しない範囲内で種々に変更が可能である。例えば、上記実施形態では、ディスク基板１１上に形成された磁性膜（プレ記録層１２’）の所定箇所にイオンを注入して当該イオン注入箇所を非磁性化したが、これとは異なり、ディスク基板上に形成された非磁性膜の所定箇所にイオンを注入して当該イオン注入箇所を磁性化するように構成してもよい。
【００６０】
以上のまとめとして、本発明の構成およびそのバリエーションを以下に付記として列挙する。
（付記１）
基板上に形成された磁性膜または非磁性膜と、凹部および凸部からなる所定の凹凸パターンを有し且つ導電体からなる板状部材との間に、金属イオンを含む溶液を介在させて、上記磁性膜または上記非磁性膜と上記板状部材との間に電圧を印加することにより、上記磁性膜または上記非磁性膜から、上記板状部材の上記凸部に対応する箇所の磁気特性が変調されて非磁性部または磁性部となる記録層を形成する工程を含む、磁気記録媒体製造方法。
（付記２）
基板上に形成された磁性膜または非磁性膜と、所定のパターン形状を有するレジストが導電板上に形成された板状部材との間に、金属イオンを含む溶液を介在させて、上記磁性膜または上記非磁性膜と上記導電板との間に電圧を印加することにより、上記磁性膜または上記非磁性膜から、上記導電板の上記レジストが形成されていない領域に対応する箇所の磁気特性が変調されて非磁性部または磁性部となる記録層を形成する工程を含む、磁気記録媒体製造方法。
（付記３）
上記記録層を形成する工程は、上記磁性膜または上記非磁性膜と上記板状部材とを、上記金属イオンを含む溶液中に浸漬させた状態で行う、付記１または２に記載の磁気記録媒体製造方法。
（付記４）
上記記録層を形成する工程は、上記磁性膜または上記非磁性膜の表面に上記金属イオンを含む溶液を塗布し、当該塗布溶液に上記板状部材の上記凸部を当接させた状態で行う、付記１に記載の磁気記録媒体製造方法。
（付記５）
上記板状部材の上記凹部には、非導電体または誘電体が充填されている、付記１、３、または４のいずれかに記載の磁気記録媒体製造方法。
（付記６）
上記板状部材の上記凸部は、先端に向かうほど窄む形状とされている、付記３に記載の磁気記録媒体製造方法。
（付記７）
上記金属イオンを含む溶液は、非プロトン系溶媒にリチウム塩を溶解したものである、付記１ないし６のいずれかに記載の磁気記録媒体製造方法。
（付記８）
上記板状部材における上記凹部のアスペクト比が２以上とされている、付記１、３ないし７のいずれかに記載の磁気記録媒体製造方法。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】本発明の第１の実施形態に係るに磁気ディスクの平面図である。
【図２】図１に示す磁気ディスクの部分拡大断面図である。
【図３】図１に示す磁気ディスクの第１の製造方法を表す。
【図４】図１に示す磁気ディスクの第１の製造方法を表す。
【図５】図１に示す磁気ディスクの第１の製造方法を表す。
【図６】図１に示す磁気ディスクの第１の製造方法を表す。
【図７】図１に示す磁気ディスクの第１の製造方法に適用可能なスタンパの変形例を表す。
【図８】図１に示す磁気ディスクの第１の製造方法に適用可能なスタンパの変形例を表す。
【図９】図１に示す磁気ディスクの第２の製造方法を表す。
【図１０】図１に示す磁気ディスクの第２の製造方法を表す。
【図１１】図１に示す磁気ディスクの第２の製造方法を表す。
【図１２】図１に示す磁気ディスクの第２の製造方法を表す。
【図１３】図１に示す磁気ディスクの第２の製造方法を表す。
【図１４】図１に示す磁気ディスクの第３の製造方法を表す。
【図１５】図１に示す磁気ディスクの第３の製造方法を表す。
【図１６】図１に示す磁気ディスクの第３の製造方法を表す。
【図１７】図１に示す磁気ディスクの第３の製造方法を表す。
【図１８】ディスクリートトラックメディアである従来の磁気ディスクの平面図である。
【図１９】図１８に示す磁気ディスクの部分拡大断面図である。
【符号の説明】
【００６２】
Ｘ１      磁気ディスク
１１      ディスク基板
１２      記録層
１２’    プレ記録層
１２Ａ    記録磁性部（磁性部）
１２Ｂ    非磁性部
１３      軟磁性層
１４      保護層
１５      記録面
２１，２１’，２１”    スタンパ（板状部材）
２２      充填物
２３      導電板
２４      レジスト
３１      溶液
３２      塗膜（塗布溶液）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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