(57)【要約】【課題】各基板の周囲にブレイクパターンを効率的且つ高精度に形成することができ、このブレイクパターンに沿って各基板を良好に分離することができるシリコンウェハの加工方法及び液体噴射ヘッドの製造方法を提供する。【解決手段】貫通孔２０１を異方性エッチングによって形成する前又は形成中に、第１及び第２の（１１１）面と第３又は第４の（１１１）面とで構成される貫通孔の端部で且つ第１又は第２の（１１１）面と第３又は第４の（１１１）面との交差する角度が鋭角である鋭角部２０５となる部分に、レーザ加工によりシリコンウェハ１３０をその厚さ方向に貫通する少なくとも一つの穴部２１０を形成するようにする。【選択図】図９
2008230141.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面が（１１０）面であるシリコンウェハに複数の貫通孔が所定間隔で列設されたブレイクパターンを異方性エッチングによって形成し、このブレイクパターンに沿って前記シリコンウェハを分割することで複数のシリコン基板とする際に、
前記貫通孔のそれぞれが（１１０）面に垂直な第１の（１１１）面及びこの第１の（１１１）面に相対向する第２の（１１１）面と、（１１０）面に垂直で且つ第１の（１１１）面と所定の角度で交差する第３の（１１１）面及びこの第３の（１１１）面に相対向し、前記第２の（１１１）面と所定の角度で交差する第４の（１１１）面とで構成されるように前記ブレイクパターンを形成し、
且つ前記貫通孔を異方性エッチングによって形成する前又は形成中に、前記第１及び第２の（１１１）面と前記第３又は第４の（１１１）面とで構成される前記貫通孔の端部で且つ前記第１又は第２の（１１１）面と前記第３又は第４の（１１１）面との交差する角度が鋭角である鋭角部となる部分に、レーザ加工により前記シリコンウェハをその厚さ方向に貫通する少なくとも一つの穴部を形成することを特徴とするシリコンウェハの加工方法。
【請求項２】
前記第１の（１１１）面に沿って形成される前記ブレイクパターンを、各貫通孔の前記第１の（１１１）面と前記第２の（１１１）面とが交互に直線上配置されるように形成することを特徴とする請求項１に記載のシリコンウェハの加工方法。
【請求項３】
ノズルに連通すると共に当該ノズルから液滴を噴射するための圧力が付与される圧力発生室が形成された流路形成基板と、該流路形成基板に接合される接合基板とを有する液体噴射ヘッドの製造方法であって、
表面が（１１０）面であるシリコンウェハからなる接合基板用ウェハに前記接合基板を複数一体的に形成した後、請求項１又は２に記載のシリコンウェハの加工方法によって当該接合基板用ウェハを分割して複数の前記接合基板とすることを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数のシリコン基板を一体的に有するシリコンウェハの加工方法、及び液滴を噴射する液体噴射ヘッドの製造方法、特に、シリコンウェハを用いて製造され液滴としてインク滴を吐出するインクジェット式記録ヘッドの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、例えば、圧電素子等の圧力発生手段によって圧力発生室内の液体に圧力を付与することで、ノズルから液滴を吐出する液体噴射ヘッドが知られており、その代表例としては、液滴としてインク滴を吐出するインクジェット式記録ヘッドが挙げられる。そして、このインクジェット式記録ヘッドとしては、圧力発生室が形成された流路形成基板の一方面側に圧電素子等の圧力発生手段が設けられると共に、流路形成基板の他方面側にノズルが穿設されたノズルプレートが接合されたものが知られている。
【０００３】
ここで、このようなインクジェット式記録ヘッドを構成する流路形成基板は、例えば、表面が（１１０）面であるシリコン単結晶基板によって形成される。そして、この流路形成基板は、シリコンウェハに複数一体的に形成した後、シリコンウェハを分割することによって形成されている。
【０００４】
シリコンウェハの分割方法としては、例えば、シリコンウェハに形成される各流路形基板（シリコン基板）間の切断予定線上に、複数の貫通孔が所定間隔で列設されてなるブレイクパターンを形成しておき、シリコンウェハをこのブレイクパターンに沿って分割する方法がある（例えば、特許文献１参照）。
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−１７５６６８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
このような複数の貫通孔からなるブレイクパターンを形成する際には、貫通孔内の一部にシリコンウェハの表面に対して傾斜する（１１１）面で構成される残存部が形成されてしまう。特許文献１に係る発明では、残存部を意図的に残している。このような残存部を残すことにより、ブレイクパターンを補強することはできる。ただし逆を言えば、ブレイク性が低下することになり、そればかりか残存部が存在することで切断予定線が安定しないという問題が生じる虞もある。このため、残存部は常に残せばよいというものではなく、シリコンウェハの厚さ等の各種条件によっては残存部を残すことなく各貫通孔を形成する必要がある。
【０００７】
しかしながら、上述のように残存部の表面は（１１１）面で構成されているため、この残存部をウェットエッチングで除去するには比較的長い時間を要し、製造効率が低くなってしまうという問題がある。
【０００８】
なお、このような問題は、インクジェット式記録ヘッド等の液体噴射ヘッドの製造方法だけでなく、シリコンウェハを分割して複数のシリコン基板を得る場合には同様に存在する。
【０００９】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、各基板の周囲にブレイクパターンを効率的且つ高精度に形成することができ、このブレイクパターンに沿って各基板を良好に分離することができるシリコンウェハの加工方法及び液体噴射ヘッドの製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決する本発明は、表面が（１１０）面であるシリコンウェハに複数の貫通孔が所定間隔で列設されたブレイクパターンを異方性エッチングによって形成し、このブレイクパターンに沿って前記シリコンウェハを分割することで複数のシリコン基板とする際に、前記貫通孔のそれぞれが（１１０）面に垂直な第１の（１１１）面及びこの第１の（１１１）面に相対向する第２の（１１１）面と、（１１０）面に垂直で且つ第１の（１１１）面と所定の角度で交差する第３の（１１１）面及びこの第３の（１１１）面に相対向し、前記第２の（１１１）面と所定の角度で交差する第４の（１１１）面とで構成されるように前記ブレイクパターンを形成し、且つ前記貫通孔を異方性エッチングによって形成する前又は形成中に、前記第１及び第２の（１１１）面と前記第３又は第４の（１１１）面とで構成される前記貫通孔の端部で且つ前記第１又は第２の（１１１）面と前記第３又は第４の（１１１）面との交差する角度が鋭角である鋭角部となる部分に、レーザ加工により前記シリコンウェハをその厚さ方向に貫通する少なくとも一つの穴部を形成することを特徴とするシリコンウェハの加工方法にある。
かかる本発明では、ブレイクパターンを構成する各貫通孔を比較的短時間で効率的に且つ良好に形成することができる。したがって、シリコンウェハのブレイク性を向上することができ、且つ製造コストの削減を図ることができる。
【００１１】
ここで、前記第１の（１１１）面に沿って形成される前記ブレイクパターンを、各貫通孔の前記第１の（１１１）面と前記第２の（１１１）面とが交互に直線上配置されるように形成することが好ましい。これにより、シリコンウェハのブレイク性がさらに向上すると共にブレイク精度が向上する。つまり、シリコンウェハを切断予定線に沿って容易且つ良好に形成することができる。
【００１２】
さらに本発明は、ノズルに連通すると共に当該ノズルから液滴を噴射するための圧力が付与される圧力発生室が形成された流路形成基板と、該流路形成基板に接合される接合基板とを有する液体噴射ヘッドの製造方法であって、表面が（１１０）面であるシリコンウェハからなる接合基板用ウェハに前記接合基板を複数一体的に形成した後、上述したシリコンウェハの加工方法によって当該接合基板用ウェハを分割して複数の前記接合基板とすることを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法にある。かかる本発明では、液体噴射ヘッドを良好に形成することができると共に、製造コストを大幅に抑えることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下に本発明を実施形態に基づいて詳細に説明する。
（実施形態１）
図１は、本発明の実施形態１に係る製造方法によって製造されるインクジェット式記録ヘッドの分解斜視図であり、図２は、図１の平面図及び断面図である。
【００１４】
図示するように、流路形成基板１０は、本実施形態では結晶面方位が（１１０）であるシリコン単結晶基板からなり、その一方面には酸化膜からなる弾性膜５０が形成されている。流路形成基板１０には、隔壁１１によって区画された複数の圧力発生室１２がその幅方向に並設されている。
【００１５】
また、流路形成基板１０の圧力発生室１２の長手方向一端部側には、隔壁１１によって区画され各圧力発生室１２に連通するインク供給路１３と連通路１４とが設けられている。さらに、連通路１４の外側には、各連通路１４と連通する連通部１５が設けられている。この連通部１５は、後述する保護基板３０のリザーバ部３２と連通して、各圧力発生室１２の共通のインク室（液体室）となるリザーバ１００の一部を構成する。
【００１６】
ここで、インク供給路１３は、圧力発生室１２よりも狭い断面積となるように形成されており、連通部１５から圧力発生室１２に流入するインクの流路抵抗を一定に保持している。例えば、本実施形態では、インク供給路１３は、リザーバ１００と各圧力発生室１２との間の圧力発生室１２側の流路を幅方向に絞ることで、圧力発生室１２の幅より小さい幅で形成されている。なお、本実施形態では、流路の幅を片側から絞ることでインク供給路を形成したが、流路の幅を両側から絞ることでインク供給路を形成してもよい。また、流路の幅を絞るのではなく、厚さ方向から絞ることでインク供給路を形成してもよい。各連通路１４は、圧力発生室１２の幅方向両側の隔壁１１を連通部１５側に延設してインク供給路１３と連通部１５との間の空間を区画することで形成されている。
【００１７】
流路形成基板１０の開口面側には、複数のノズル２１が穿設されたノズルプレート２０が、例えば、接着剤や熱溶着フィルム等によって固着されており、各ノズル２１は、各圧力発生室１２のインク供給路１３とは反対側の端部近傍にそれぞれ連通している。なお、ノズルプレート２０は、例えば、ガラスセラミックス、シリコン単結晶基板、ステンレス鋼などからなる。
【００１８】
一方、流路形成基板１０の開口面とは反対側の面には、上述したように弾性膜５０が形成され、この弾性膜５０上には、弾性膜５０とは異なる材料の酸化膜からなる絶縁体膜５５が形成されている。さらに、この絶縁体膜５５上には下電極膜６０と、圧電体層７０と、上電極膜８０とからなる圧電素子３００が形成されている。ここで、圧電素子３００は、下電極膜６０、圧電体層７０及び上電極膜８０を含む部分をいう。本実施形態では、下電極膜６０を圧電素子３００の共通電極とし、上電極膜８０を圧電素子３００の個別電極としているが、駆動回路や配線の都合でこれを逆にしても支障はない。なお、各圧電素子３００の上電極膜８０には、例えば、金（Ａｕ）等からなるリード電極９０がそれぞれ接続され、このリード電極９０を介して各圧電素子３００に選択的に電圧が印加されるようになっている。
【００１９】
このような圧電素子３００が形成された流路形成基板１０上には、圧電素子３００を接合するための圧電素子保持部３１を有する接合基板である保護基板３０が、例えば、接着層３５によって接合されている。なお、圧電素子保持部３１によって画成される空間は、密封されていても、密封されていなくてもよい。また、保護基板３０には、複数の圧力発生室１２に供給するインクが貯留されるリザーバ１００の少なくとも一部を構成するリザーバ部３２が設けられている。このリザーバ部３２は、本実施形態では、保護基板３０を厚さ方向に貫通して圧力発生室１２の幅方向に亘って形成されており、上述のように流路形成基板１０の連通部１５と連通されてリザーバ１００を構成している。なお、流路形成基板１０の連通部１５を圧力発生室１２毎に複数に分割して、リザーバ部３２のみをリザーバとしてもよい。さらに、例えば、流路形成基板１０に圧力発生室１２のみを設け、流路形成基板１０と保護基板３０との間に介在する部材（例えば、弾性膜５０、絶縁体膜５５等）にリザーバと各圧力発生室１２とを連通するインク供給路１３を設けるようにしてもよい。また、保護基板３０には、その厚さ方向に貫通する露出孔３３が設けられており、各圧電素子３００から引き出されたリード電極９０の端部近傍は、この露出孔３３内に露出されている。
【００２０】
このような保護基板３０としては、流路形成基板１０と同一の材料である、シリコン単結晶基板を用いている。
【００２１】
さらに、このような保護基板３０上には、封止膜４１及び固定板４２とからなるコンプライアンス基板４０が接合されている。ここで、封止膜４１は、剛性が低く可撓性を有する有機材料からなり、この封止膜４１によってリザーバ部３２の一方面が封止されている。また、固定板４２は、金属等の硬質の材料で形成される。この固定板４２のリザーバ１００に対向する領域は、厚さ方向に完全に除去された開口部４３となっており、リザーバ１００の一方面は可撓性を有する封止膜４１のみで封止されている。
【００２２】
このような本実施形態のインクジェット式記録ヘッドでは、図示しない外部インク供給手段と接続されたインク導入口からインクを取り込み、リザーバ１００からノズル２１に至るまで内部をインクで満たした後、駆動回路（図示なし）からの記録信号に従い、圧力発生室１２に対応するそれぞれの下電極膜６０と上電極膜８０との間に電圧を印加し圧電素子３００を撓み変形させることによって、各圧力発生室１２内の圧力が高まりノズル２１からインク滴が吐出される。
【００２３】
ここで、このような本実施形態に係るインクジェット式記録ヘッドを構成する、例えば、流路形成基板１０、保護基板３０等は、上述したように表面が（１１０）面であるシリコン単結晶基板からなる。例えば、図３に示すように、保護基板３０は、６インチ程度のシリコンウェハである保護基板用ウェハ１３０に複数一体的に形成された後、すなわち、保護基板用ウェハ１３０を異方性ウェットエッチングすることによって圧電素子保持部３１、リザーバ部３２等を複数形成した後、保護基板用ウェハ１３０を図中一点鎖線で示す第１及び第２の切断予定線１５０Ａ，１５０Ｂに沿って分割することによって形成されている。
【００２４】
なお、第１の切断予定線１５０Ａは、（１１０）面に垂直な第１の（１１１）面に沿って配され、第２の切断予定線１５０Ｂは、第１の（１１１）面の軸方向に沿って配されている。本実施形態では、保護基板用ウェハ１３０のオリフラ（オリエンタル・フラット）が、第１の（１１１）面に沿って形成されているため、第１の切断予定線１５０Ａは、オリフラに沿った方向となり、第２の切断予定線１５０Ｂは、オリフラに垂直な方向となる。
【００２５】
これら第１及び第２の切断予定線１５０Ａ，１５０Ｂ上には、複数の貫通孔が所定間隔で配列されてなるブレイクパターンが形成されている。例えば、本実施形態では、第１の切断予定線１５０Ａ上に、図４に示すように、開口形状が略矩形である複数の貫通孔２０１Ａを有するブレイクパターン２００Ａが形成されている。一方、第２の切断予定線１５０Ｂ上には、図５に示すように、第２の切断予定線１５０Ｂとは直交する方向に延設される直交部２０１ａと、この直交部２０１ａの両端から、直交部２０１ａとは所定の角度傾斜する方向に第２の切断予定線１５０Ｂまで延設される延設部２０１ｂとで構成される複数の貫通孔２０１Ｂからなるブレイクパターン２００Ｂが形成されている。そして、これら各貫通孔２０１（２０１Ａ，２０１Ｂ）の間が脆弱部２０２となっており、保護基板用ウェハ１３０に外力を加えることでこれら脆弱部２０２に亀裂が入り、ブレイクパターン２００（切断予定線１５０）に沿って保護基板用ウェハ１３０が分割される。つまり、保護基板用ウェハ１３０が各保護基板３０に分離されることになる。
【００２６】
そして、本実施形態に係るブレイクパターン２００Ａ，２００Ｂを構成する各貫通孔２０１Ａ，２０１Ｂは、開口形状は異なるものの、何れも、保護基板用ウェハ１３０の表面（（１１０）面）に垂直な第１の（１１１）面１３０ａ及びこの第１の（１１１）面１３０ａに相対向する第２の（１１１）面１３０ｂと、（１１０）面に垂直で且つ第１の（１１１）面１３０ａと所定の角度で交差する第３の（１１１）面１３０ｃ及びこの第３の（１１１）面１３０ｃに相対向し、第２の（１１１）面１３０ｂと所定の角度で交差する第４の（１１１）面１３０ｄとで構成されている。
【００２７】
なお、各ブレイクパターン２００の各貫通孔２０１の配置は、適宜決定されればよいが、第１の切断予定線１５０Ａ上に設けられるブレイクパターン２００Ａの各貫通孔２０１は、各貫通孔２０１の第１の（１１１）面１３０ａと第２の（１１１）面１３０ｂとが交互に直線上、すなわち、第１の切断予定線１５０Ａ上に配置されるように形成されていることが好ましい（図４参照）。これにより、ブレイクパターン２００（切断予定線１５０）に沿って保護基板用ウェハ１３０を精度よく分割することができる。
【００２８】
そして、このようなブレイクパターン２００を構成する各貫通孔２０１は、以下に説明するように、保護基板用ウェハ１３０にウェットエッチングによってリザーバ部３２等を形成する際に同時に形成される。図６は、圧力発生室の長手方向における保護基板用ウェハ１３０の断面図である。
【００２９】
まず、図６（ａ）に示すように、面方位（１１０）のシリコンウェハである保護基板用ウェハ１３０を熱酸化してその表面に二酸化シリコンからなる保護膜１３１を形成する。次に、図６（ｂ）に示すように、レジスト膜等を介してエッチングすることにより保護膜１３１を所定形状にパターニングする。すなわち、圧電素子保持部３１、リザーバ部３２及び露出孔３３と、ブレイクパターン２００の各貫通孔２０１が形成される部分の保護膜１３１に開口部１３２を形成する。
【００３０】
次いで、この保護膜１３１をマスクとして保護基板用ウェハ１３０をその両面側からそれぞれ異方性ウェットエッチングを開始する。ここで、各貫通孔２０１は、保護基板用ウェハ１３０表面の（１１０）面に垂直な上記第１〜第４の（１１１）面１３０ａ〜１３０ｄが露出されながら深さ方向にエッチングが進行する（図４，図５参照）。
【００３１】
またその際、第１及び第２の（１１１）面１３０ａ，１３０ｂと第３又は第４の（１１１）面１３０ｃ，１３０ｄとで構成される貫通孔２０１の端部で且つ第１の（１１１）面１３０ａ又は第２の（１１１）面１３０ｂと第３の（１１１）面１３０ｃ又は第４の（１１１）面１３０ｄとの交差角度が鋭角である鋭角部２０５には（図４，図５参照）、図７（ａ）に示すように、保護基板用ウェハ１３０の表面（（１１０）面）と約３５°の角度をなす第５及び第６の（１１１）面が保護基板用ウェハ１３０の厚み方向において露出されながらエッチングが進行する。このため、貫通孔２０１の開口径が小さいと、単に保護基板用ウェハ１３０を異方性エッチングするだけでは、図７（ｂ）に示すように、各鋭角部２０５には、貫通孔２０１内に庇状に張り出した残存部２８０が形成されてしまう。
【００３２】
これに対し、本実施形態では、保護基板用ウェハ１３０に貫通孔２０１を形成中、すなわち、保護基板用ウェハ１３０を異方性エッチングしている途中に、この残存部２８０が形成される領域、つまり保護基板用ウェハ１３０の鋭角部２０５となる部分に、図８及び図９に示すように、保護基板用ウェハ１３０を厚さ方向に貫通する穴部２１０を形成するようにした。この穴部２１０の大ききは、その内部にエッチング液が流れ込む程度の大きさであれば、特に限定されない。また、その数も特に限定されず、少なくとも一つ設けられていればよい。
【００３３】
そして、このように保護基板用ウェハ１３０に穴部２１０を形成した後、再び、保護基板用ウェハ１３０を異方性エッチングする。これにより、図６（ｃ）に示すように、保護基板用ウェハ１３０に圧電素子保持部３１、リザーバ部３２及び露出孔３３が形成される。また、同時にブレイクパターン２００を構成する各貫通孔２０１が形成される。
【００３４】
このように保護基板用ウェハをエッチングして貫通孔を形成している途中に、レーザ加工により穴部を形成することで、エッチング時間を短縮することができる。したがって、各貫通孔を高精度に形成することができる。また、同時に形成する圧電素子保持部３１等も高精度に形成することができる。
【００３５】
上述したように保護基板用ウェハ１３０のエッチングは、鋭角部２０５に対応する部分に残存部２８０が形成されながら深さ（厚み）方向に進行するが、穴部２１０が形成された部分では、（１１１）面以外の面が露出されるため、エッチングがウェハの平面方向にも進行するようになる。したがって、鋭角部２０５に残存部２８０の無い貫通孔２０１を比較的短時間で良好に形成することができる。
【００３６】
勿論、（１１１）面のエッチングレートは遅いものの全くエッチングされない訳ではないので、エッチングによって残存部を完全に除去することは可能である。しかしながら、保護基板用ウェハをかなり長時間に亘ってエッチングする必要があり、製造効率が大幅に低下してしまうだけでなく、リザーバ部３２等、他の部分の形状が不安定になり、インク吐出特性に悪影響を及ぼす虞もある。
【００３７】
なお、このような保護基板用ウェハ１３０は、その後、ブレイクパターンに沿って分割される。すなわち、保護基板用ウェハ１３０は各保護基板３０に分離される。実際には、複数の流路形成基板が一体的に形成される流路形成基板用ウェハに接合された後、この流路形成基板用ウェハと共に分割される。具体的には、図１０（ａ）に示すように、このような保護基板用ウェハ１３０を、成膜及びフォトリソグラフィ法により圧電素子３００が形成された流路形成基板用ウェハ１１０上に、例えば、エポキシ系の接着剤等からなる接着層３５を介して接合する。次いで、図１０（ｂ）に示すように、流路形成基板用ウェハ１１０をある程度の厚さまで薄くした後、図１１（ａ）に示すように、流路形成基板用ウェハ１１０上に、例えば、絶縁膜５２を新たに形成して所定形状にパターニングする。そして、図１１（ｂ）に示すように、この絶縁膜５２をマスクとして流路形成基板用ウェハ１１０を異方性エッチング（ウェットエッチング）して、流路形成基板用ウェハ１１０に圧力発生室１２、インク供給路１３、連通路１４及び連通部１５を形成する。また、弾性膜５０及び絶縁体膜５５を除去して連通部１５とリザーバ部３２とを連通させる。
【００３８】
その後は、流路形成基板用ウェハ１１０の保護基板用ウェハ１３０とは反対側の面に、ノズル２１が穿設されたノズルプレート２０を接合すると共に、保護基板用ウェハ１３０にコンプライアンス基板４０を接合する。そして、これら流路形成基板用ウェハ１１０と共に、保護基板用ウェハ１３０をブレイクパターン２００に沿って分割する。つまり、図１に示すような一つのチップサイズの流路形成基板１０等に分割する。これにより上述した構造のインクジェット式記録ヘッドが製造される。
【００３９】
（他の実施形態）
以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明は、上述した実施形態に限定されるものではない。例えば、上述した実施形態では、保護基板用ウェハに形成されたブレイクパターンを例示して本発明を説明したが、本発明は、例えば、流路形成基板用ウェハにブレイクパターンを形成する際にも勿論適用することができる。
【００４０】
また、上述の実施形態では、保護基板用ウェハ１３０にエッチングにより貫通孔を形成している途中に、穴部を形成するようにしたが、勿論、保護基板用ウェハ１３０のエッチングを開始する前に、穴部を形成するようにしてもよい。この場合でも、勿論、所定形状の貫通孔を良好且つ効率的に形成することができる。
【００４１】
また、上述した実施形態においては、液体噴射ヘッドの一例としてインクジェット式記録ヘッドを挙げて説明したが、本発明は、広く液体噴射ヘッド全般を対象としたものであり、インク以外の液体を噴射する液体噴射ヘッドの製造方法にも勿論適用することができる。その他の液体噴射ヘッドとしては、例えば、プリンタ等の画像記録装置に用いられる各種の記録ヘッド、液晶ディスプレー等のカラーフィルタの製造に用いられる色材噴射ヘッド、有機ＥＬディスプレー、ＦＥＤ（電界放出ディスプレー）等の電極形成に用いられる電極材料噴射ヘッド、バイオｃｈｉｐ製造に用いられる生体有機物噴射ヘッド等が挙げられる。
【００４２】
また、上述した液体噴射ヘッドの製造以外であっても、シリコンウェハを複数のシリコン基板に分割する場合には、勿論、本発明を採用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】記録ヘッドの一例を示す分解斜視図である。
【図２】記録ヘッドの一例を示す平面図及び断面図である。
【図３】保護基板用ウェハを説明する平面図である。
【図４】実施形態１に係るブレイクパターンを説明する概略平面図である。
【図５】実施形態１に係るブレイクパターンを説明する概略平面図である。
【図６】実施形態１の記録ヘッドの製造工程を示す断面図である。
【図７】残存部を説明する図であり、図４のＡ−Ａ′断面図である。
【図８】実施形態１の記録ヘッドの製造工程を示す概略平面図である。
【図９】実施形態１の記録ヘッドの製造工程を示す図８のＢ−Ｂ′断面図である。
【図１０】実施形態１の記録ヘッドの製造工程を示す断面図である。
【図１１】実施形態１の記録ヘッドの製造工程を示す断面図である。
【符号の説明】
【００４４】
１０  流路形成基板、  １２  圧力発生室、  ２０  ノズルプレート、  ２１  ノズル、  ３０  保護基板、  ３１  圧電素子保持部、  ３２  リザーバ部、  ３３  露出孔、  ４０  コンプライアンス基板、  ５０  弾性膜、  ５５  絶縁体膜、  ６０  下電極膜、  ７０  圧電体層、  ８０  上電極膜、  ９０  リード電極、  １００  リザーバ、  １１０  流路形成基板用ウェハ、  １３０  保護基板用ウェハ、  ２００  ブレイクパターン、  ２０１  貫通孔、  ２０２  脆弱部、  ２０５  鋭角部、  ２１０  穴部、  ３００  圧電素子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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