(57)【要約】【課題】接着層内の多重干渉によるノイズの影響を抑制して信号検出の信頼性を向上させ、製造上の歩留まりを向上させる光ディスク装置、光ピックアップおよび複合光学装置を提供する。【解決手段】プリズム３０は、光入射面となる斜面３０ａ、上面３０ｂ、第１底面３０ｃ、第２底面３０ｄ、端面３０ｅおよび端面３０ｆを有する。第１底面３０ｃおよび第２底面３０ｄは、フォトダイオード１および２の配列方向に対し傾斜して設けられている。これらの境界腺３０ｇは、フォトダイオード１および２間の中央部の上方に位置し、フォトダイオード１および２の配列方向に対し直交する方向に延在する。第１底面３０ｃおよび第２底面３０ｄは、フォトダイオード１および２の配列方向におけるこれらの両端から境界腺３０ｇに到るにつれて高さが低くなるように下方に突出した山状に形成されている。【選択図】図１
2008077811.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フォトディテクタとプリズムとを備え、
前記フォトディテクタは、互いに離間して配列された光信号検出用の第１および第２の受光部を有し、
前記プリズムは、前記第１および第２の受光部を覆うように前記フォトディテクタ上に接着層により接着された底面を有し、
前記プリズムの光入射面から前記プリズムの内部に入った光を分岐して前記第１および第２受光部に入射させるようにした複合光学装置において、
前記プリズムの底面は、前記第１および第２の受光部が配列された方向に対し傾斜した第１の平面と第２の平面とを有し、
前記第１の平面と前記第２の平面との境界部は、前記第１の受光部と前記第２の受光部との間の中央部の上方に位置し、
前記第１および第２の平面は、前記第１および第２の受光部が配列された方向における前記底面の両端から前記境界部に至るにつれて高さが低くなるように下方に突出した山状に形成されている、
ことを特徴とする複合光学装置。
【請求項２】
前記第１の平面および前記第２の平面の傾斜は、０．０５°より大きいことを特徴とする請求項１記載の複合光学装置。
【請求項３】
前記境界部は、前記第１および第２の受光部が配列された方向に対し直交する方向に延在することを特徴とする請求項１記載の複合光学装置。
【請求項４】
フォトディテクタとプリズムとを備え、
前記フォトディテクタは、互いに離間して配列された光信号検出用の第１および第２の受光部を有し、
前記プリズムは、前記第１および第２の受光部を覆うように前記フォトディテクタ上に接着層により接着された底面を有し、
前記プリズムの光入射面から前記プリズムの内部に入った光を分岐して前記第１および第２受光部に入射させるようにした複合光学装置において、
前記プリズムの底面のうち前記第１および第２の受光部が配列された方向の第１の受光部と第２の受光部とが含まれる間の部分に面する底面は、前記第１および第２の受光部が配列された方向に対し傾斜した第１の平面と第２の平面とを有し、
前記第１の平面と第２の平面との境界部は、前記第１の受光部と前記第２の受光部との間の中央部の上方に位置し、
前記第１および第２の平面は、前記第１および第２の受光部が配列された方向における前記第１および第２の平面の両端から前記境界部に至るにつれて高さが低くなるように下方に突出した山状に形成されている、
ことを特徴とする複合光学装置。
【請求項５】
前記第１の平面および前記第２の平面の傾斜は、０．０５°より大きいことを特徴とする請求項４記載の複合光学装置。
【請求項６】
前記境界部は、前記第１および第２の受光部が配列された方向に対し直交する方向に延在することを特徴とする請求項１記載の複合光学装置。
【請求項７】
光を出射する光源と、
前記光源から出射された光を集光して光記録媒体に照射する対物レンズと、
複合光学装置とを備え、
前記複合光学装置は、
前記光記録媒体により反射された光を受光するフォトディテクタと、
前記光記録媒体により反射された光を前記フォトディテクタに導くプリズムとを有し、
前記フォトディテクタは、互いに離間して配列された光信号検出用の第１および第２の受光部を有し、
前記プリズムは、前記第１および第２の受光部を覆うように前記フォトディテクタ上に接着層により接着された底面を有し、
前記プリズムの光入射面から前記プリズムの内部に入った光を分岐して前記第１および第２受光部に入射させるようにした光ピックアップにおいて、
前記プリズムの底面は、前記第１および第２の受光部が配列された方向に対し傾斜した第１の平面と第２の平面とを有し、
前記第１の平面と前記第２の平面との境界部は、前記第１の受光部と前記第２の受光部との間の中央部の上方に位置し、
前記第１および第２の平面は、前記第１および第２の受光部が配列された方向における前記底面の両端から前記境界部に至るにつれて高さが低くなるように下方に突出した山状に形成されている、
ことを特徴とする光ピックアップ。
【請求項８】
光記録媒体を保持して回転駆動する駆動手段と、
前記駆動手段によって回転駆動する光記録媒体に対し記録および／または再生用の光を照射し、前記記録媒体により反射された光を検出する光ピックアップとを備え、
前記光ピックアップは、
光を出射する光源と、
前記光源から出射された光を集光して光記録媒体に照射する対物レンズと、
複合光学装置とを有し、
前記複合光学装置は、
前記光記録媒体により反射された光を受光するフォトディテクタと、
前記光記録媒体により反射された光を前記フォトディテクタに導くプリズムとを有し、
前記フォトディテクタは、互いに離間して配列された光信号検出用の第１および第２の受光部を有し、
前記プリズムは、前記第１および第２の受光部を覆うように前記フォトディテクタ上に接着層により接着された底面を有し、
前記プリズムの光入射面から前記プリズムの内部に入った光を分岐して前記第１および第２受光部に入射させるようにした光ディスク装置において、
前記プリズムの底面は、前記第１および第２の受光部が配列された方向に対し傾斜した第１の平面と第２の平面とを有し、
前記第１の平面と前記第２の平面との境界部は、前記第１の受光部と前記第２の受光部との間の中央部の上方に位置し、
前記第１および第２の平面は、前記第１および第２の受光部が配列された方向における前記底面の両端から前記境界部に至るにつれて高さが低くなるように下方に突出した山状に形成されている、
ことを特徴とする光ディスク装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光ディスクに対し情報の記録や再生を行う光ディスク装置、光ピックアップおよび複合光学装置に関し、接着層の多重干渉によるノイズを抑制し製造上の歩留まりを向上させる光ディスク装置、光ピックアップおよび複合光学装置複合光学装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、光ディスク装置の光ピックアップに使用される複合光学装置として、レーザカプラが知られている。
図６は、従来のレーザカプラの斜視図、図７はこのレーザカプラの長手方向に沿っての断面図、図８はレーザカプラの部分拡大断面図である。
図６〜図８に示すように、このレーザカプラは、フォトディテクタ１００の上の長手方向にＬＯＰ（Laser on Photodiode）チップ２００とプリズム３００とを並べてマウントしたものである。
【０００３】
フォトディテクタ１００は、光信号検出用の一対のフォトダイオード１０１および１０２と、これらフォトダイオード１０１および１０２の出力電流信号の電流−電圧（Ｉ−Ｖ）変換アンプと演算処理部（いずれも図示せず）とをＩＣ化したもので、例えばシリコンＩＣにより構成されている。フォトダイオード１０１および１０２は、フォトディテクタ１００の長手方向に互いに離間して配列されている。
【０００４】
ＬＯＰチップ２００は、半導体レーザ２０１をフォトダイオード２０２に搭載したものである。半導体レーザ２０１は、フォトディテクタ１００の長手方向に光を射出する。フォトダイオード２０２は、半導体レーザ２０１のリア側の端面からの光出力をモニターし、それによってフロント側の端面からの光出力をモニターする。
【０００５】
フォトディテクタ１００上には、フォトダイオード１０１の表面を覆うようにＳｉＮ（窒化シリコン）膜１１１が形成され、さらにこのＳｉＮ膜１１１およびフォトダイオード１０２の表面を覆うようにパッシベーション膜としてのＳｉＯ２  （二酸化シリコン膜）１１２が形成されている。フォトダイオード１０１上には、ＳｉＮ膜１１１およびその上部のＳｉＯ２  膜１１２により、ハーフミラーが構成されている。
【０００６】
プリズム３００は、光入射面となる斜面３００ａ、上面３００ｂ、底面３００ｃ、端面３００ｄおよび端面３００ｅを有する。斜面３００ａにはハーフミラー３０１が形成されている。上面３００ｂには全反射膜３０２が形成されている。端面３００ｄは鏡面に形成されている。端面３００ｅには光吸収膜３０３が形成されている。プリズム３００の底面３００ｃには、反射防止膜３０４が形成され、さらにこの反射防止膜３０４上に、ＳｉＯ２  膜３０５が形成されている。
【０００７】
そして、プリズム３００の底面３００ｃに形成されたＳｉＯ２  膜３０５が接着層４００よりフォトディテクタ１００上のＳｉＯ２  膜１１２に接着されて、プリズム３００がフォトディテクタ１００上にマウントされている。プリズム３００のＳｉＯ２  膜３０５およびフォトディテクタ１００のＳｉＯ２  膜１１２は、接着層４００の接着力を強化するために形成されている。
【０００８】
このようなレーザカプラでは、半導体レーザ２０１のフロント側の端面から出射されたレーザ光は、プリズム３００の斜面３００ａ上のハーフミラー３０１で反射された後、上方の図示しない光学系に送られて集光され、信号の読み取りを行う光ディスクに入射する。この光ディスクにより反射されたレーザ光は、下方に戻りプリズム３００のハーフミラー３００を通ってこのプリズム３００の内部に入る。このプリズム３００の内部に入った光のうち半分（５０％）の光はフォトダイオード１０１に入射し、残りの半分（５０％）の光はこのフォトダイオード１０１上に形成されたハーフミラー（ＳｉＮ膜１１１およびＳｉＯ２  膜１１２）とプリズム３００の上面３００ｂ上の全反射膜３０２により順次反射されてフォトダイオード１０２に入射する。
【０００９】
光ディスクの記録面上にレーザ光が焦点を結んでいるときには、フォトダイオード１０１および１０２のスポットサイズが同じになり、レーザ光の焦点の位置が記録面からずれると、フォトダイオード１０１および１０２のスポットサイズに違いが生ずる。そこで、フォトダイオード１０１とフォトダイオード１０２との出力信号の差を焦点の位置ずれに対応させると、フォーカスエラー信号を検出することができる。フォーカスエラー信号のゼロ点が、焦点位置が光ディスクの記録面に一致した点、つまりジャストフォーカス点に対応する。このため、フォーカスエラー信号がゼロとなるようにフォーカスサーボ系にフィードバックが与えられる。このようにして、ジャストフォーカス状態が維持され、ディスクの再生が支障なく行われる。
【００１０】
このような従来のレーザカプラでは、フォトダイオード１０１および１０２への入射光量比がレーザカプラ毎にばらつき、これが原因で光信号検出に悪影響が生じてしまうという問題があった。
前述のように、レーザカプラでは、フォトディテクタ１００のフォトダイオード１０１および１０２上に接着層４００によりプリズム３００が接着される。この接着を行う際には、紫外線硬化型樹脂をエアー式のディスペンサーによりフォトディテクタ１００上の接着部位に微量（例えば、約１／２００００ｃｃ）塗布して接着層４００を形成し、その上にプリズム３００をマウントして仮止めした後、接着層４００に紫外線を照射することにより紫外線硬化型樹脂を硬化させて接着を行っていた。
【００１１】
図９は、接着層４００内の光の干渉の説明図である。
図９に示すように、プリズム３００の底面がフォトディテクタ１００の表面に対し平行になるようにプリズム３００が接着層４００を介してフォトディテクタ１００にマウントされた場合には、接着層４００内に光の多重反射が発生する。
なお、接着層４００に使用される紫外線硬化型樹脂の屈折率ｎ１  は約１．５であり、プリズム３００の屈折率ｎ０  およびフォトダイオード１０１の表面屈折率ｎ２は約１．８である。
【００１２】
そして、プリズム３００の内部に反射される光は、プリズム３００と接着層４００との界面で直接反射されてきた光と、接着層４００内で多重反射された後にプリズム３００に入射してきた光とを重ね合わせたものとなるが、接着層４００とフォトダイオード１０１との界面でｍ回反射された光は、プリズム３００と接着層４００との界面で直接反射されてきた光に対し
δ＝４πｍｎ１  ｄ／λｃｏｓθ  
だけ位相が遅れる。ただし、
ｄは接着層４００の厚さ、
λはレーザ光Ｌの波長、
θはマイクロプリズム１０２の内部に入ったレーザ光Ｌのフォトダイオード１０１への入射角
を示す。
【００１３】
この位相差の大きさによって、反射光は強められたり弱められたりして、光の多重干渉現象が起こる。多重干渉の効果はλとｄとによるが、λは半導体レーザ１０４によって決まるので、ｄのばらつきによりこの多重干渉効果もばらつき、結果としてフォトダイオード１０２および１０２への入射光量比がレーザカプラ毎にばらつくことになる。このことから、接着層４００の厚さを６μｍ以上９μｍ以下として多重干渉の影響を抑制したものが提案されている（特許文献１）。
【００１４】
さらに、プリズム３００の端面ｅ側を端面ｄ側より０μｍを超え１０μｍ以下となるように高くしてフォトディテクタ１００に対しプリズム３００全体を傾斜させるようにしたものが提案されている（特許文献１）。実際には、フォトディテクタ１００に対しプリズム３００を約０．０５°傾けて接着し、フォトディテクタ１００へのプリズム３００のマウントが行われていた。
【特許文献１】特開２００４−１３４００５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
しかしながら、フォトディテクタに対しプリズムを約０．０５°傾斜させた従来の複合光学装置では、プリズムの傾きの制御が困難であり、プリズムのマウント精度のばらつきにより多重干渉が発生する場合があり、製造上の歩留まりが低下してしまう場合があった。
【００１６】
本発明は、このような事情に鑑みなされたものであり、その目的は、接着層内の多重干渉によるノイズの影響を抑制して信号検出の信頼性を向上させ、これにより製造上の歩留まりを向上させる複合光学装置を提供するにある。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
上記目的を達成するため、本発明の複合光学装置は、フォトディテクタとプリズムとを備え、前記フォトディテクタは、互いに離間して配列された光信号検出用の第１および第２の受光部を有し、前記プリズムは、前記第１および第２の受光部を覆うように前記フォトディテクタ上に接着層により接着された底面を有し、前記プリズムの光入射面から前記プリズムの内部に入った光を分岐して前記第１および第２受光部に入射させるようにした複合光学装置において、前記プリズムの底面は、前記第１および第２の受光部が配列された方向に対し傾斜した第１の平面と第２の平面とを有し、前記第１の平面と前記第２の平面との境界部は、前記第１の受光部と前記第２の受光部との間の中央部の上方に位置し、前記第１および第２の平面は、前記第１および第２の受光部が配列された方向における前記底面の両端から前記境界部に至るにつれて高さが低くなるように下方に突出した山状に形成されていることを特徴とする。
また、本発明の複合光学装置は、フォトディテクタとプリズムとを備え、前記フォトディテクタは、互いに離間して配列された光信号検出用の第１および第２の受光部を有し、前記プリズムは、前記第１および第２の受光部を覆うように前記フォトディテクタ上に接着層により接着された底面を有し、前記プリズムの光入射面から前記プリズムの内部に入った光を分岐して前記第１および第２受光部に入射させるようにした複合光学装置において、前記プリズムの底面のうち前記第１および第２の受光部が配列された方向の第１の受光部と第２の受光部とが含まれる間の部分に面する底面は、前記第１および第２の受光部が配列された方向に対し傾斜した第１の平面と第２の平面とを有し、前記第１の平面と第２の平面との境界部は、前記第１の受光部と前記第２の受光部との間の中央部の上方に位置し、前記第１および第２の平面は、前記第１および第２の受光部が配列された方向における前記第１および第２の平面の両端から前記境界部に至るにつれて高さが低くなるように下方に突出した山状に形成されていることを特徴とする。
【００１８】
また、本発明の光ピックアップは、光を出射する光源と、前記光源から出射された光を集光して光記録媒体に照射する対物レンズと、複合光学装置とを備え、前記複合光学装置は、前記光記録媒体により反射された光を受光するフォトディテクタと、前記光記録媒体により反射された光を前記フォトディテクタに導くプリズムとを有し、前記フォトディテクタは、互いに離間して配列された光信号検出用の第１および第２の受光部を有し、前記プリズムは、前記第１および第２の受光部を覆うように前記フォトディテクタ上に接着層により接着された底面を有し、前記プリズムの光入射面から前記プリズムの内部に入った光を分岐して前記第１および第２受光部に入射させるようにした光ピックアップにおいて、前記プリズムの底面は、前記第１および第２の受光部が配列された方向に対し傾斜した第１の平面と第２の平面とを有し、前記第１の平面と前記第２の平面との境界部は、前記第１の受光部と前記第２の受光部との間の中央部の上方に位置し、前記第１および第２の平面は、前記第１および第２の受光部が配列された方向における前記底面の両端から前記境界部に至るにつれて高さが低くなるように下方に突出した山状に形成されていることを特徴とする。
また、本発明の光ディスク装置は、光記録媒体を保持して回転駆動する駆動手段と、前記駆動手段によって回転駆動する光記録媒体に対し記録および／または再生用の光を照射し、前記記録媒体により反射された光を検出する光ピックアップとを備え、前記光ピックアップは、光を出射する光源と、前記光源から出射された光を集光して光記録媒体に照射する対物レンズと、複合光学装置とを有し、前記複合光学装置は、前記光記録媒体により反射された光を受光するフォトディテクタと、前記光記録媒体により反射された光を前記フォトディテクタに導くプリズムとを有し、前記フォトディテクタは、互いに離間して配列された光信号検出用の第１および第２の受光部を有し、前記プリズムは、前記第１および第２の受光部を覆うように前記フォトディテクタ上に接着層により接着された底面を有し、前記プリズムの光入射面から前記プリズムの内部に入った光を分岐して前記第１および第２受光部に入射させるようにした光ディスク装置において、前記プリズムの底面は、前記第１および第２の受光部が配列された方向に対し傾斜した第１の平面と第２の平面とを有し、前記第１の平面と前記第２の平面との境界部は、前記第１の受光部と前記第２の受光部との間の中央部の上方に位置し、前記第１および第２の平面は、前記第１および第２の受光部が配列された方向における前記底面の両端から前記境界部に至るにつれて高さが低くなるように下方に突出した山状に形成されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１９】
本発明の複合光学装置、光ピックアップおよび光ディスク装置によれば、前記プリズムの底面は、前記第１および第２の受光部が配列された方向に対し傾斜した第１の平面と第２の平面とを有し、前記第１の平面と前記第２の平面との境界部は、前記第１の受光部と前記第２の受光部との間の中央部の上方に位置し、前記第１および第２の平面は、前記第１および第２の受光部が配列された方向における前記底面の両端から前記境界部に至るにつれて高さが低くなるように下方に突出した山状に形成されている。
このため、プリズムの内部に入り、接着層内に発生した干渉光は、フォトディテクタ表面とこれに対し傾斜した第１の平面および第２の平面により反射され、発散して接着層外に放出されるので、接着層内の多重干渉の影響を抑制することができる。したがって、信号検出の信頼性を向上させ、その製造歩留まりを向上させることができる。
【００２０】
また、本発明の複合光学装置によれば、前記プリズムの底面のうち前記第１および第２の受光部が配列された方向の第１の受光部と第２の受光部とが含まれる間の部分に面する底面は、前記第１および第２の受光部が配列された方向に対し傾斜した第１の平面と第２の平面とを有し、前記第１の平面と第２の平面との境界部は、前記第１の受光部と前記第２の受光部との間の中央部の上方に位置し、前記第１および第２の平面は、前記第１および第２の受光部が配列された方向における前記第１および第２の平面の両端から前記境界部に至るにつれて高さが低くなるように下方に突出した山状に形成されている。
このため、プリズムの内部に入り、接着層内に発生した干渉光は、フォトディテクタ表面とこれに対し傾斜した第１の平面および第２の平面により反射され、発散して接着層外に放出されるので、接着層内の多重干渉の影響を抑制することができる。したがって、信号検出の信頼性を向上させ、その製造歩留まりを向上させることができる。
また、第１の平面および第２の平面以外の平面はフォトディテクタ表面と平行に形成することができるので、接着層の厚さは、第１の平面および第２の平面の部分だけ薄くすることができ、全体として接着層の厚さを均一にすることができる。したがって、フォトディテクタに対するプリズムのマウントを安定に行うことがきるので、いっそう信号検出の信頼性を向上させ、その製造歩留まりを向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明の複合光学装置の実施形態について図面を参照して説明する。
図１は、本発明の一実施形態のレーザカプラ（複合光学装置）の要部断面図であり、図２は、このレーザカプラの部分拡大断面図である。
図１および図２に示すように、このレーザカプラ５は、フォトディテクタ１０上の長手方向にＬＯＰ（Laser on Photodiode）チップ２０とプリズム３０とを並べてマウントしたものである。
【００２２】
フォトディテクタ１０は、光信号検出用の一対のフォトダイオード１および２と、これらフォトダイオード１および２の出力電流信号の電流−電圧（Ｉ−Ｖ）変換アンプと演算処理部（いずれも図示せず）とをＩＣ化したもので、具体的にはＳｉＩＣ（例えば、バイポーラＩＣ）により構成されている。フォトダイオード１および２は、フォトディテクタ１００の長手方向に互いに離間して配列されている。フォトダイオード１および２としては、例えば四分割型のものや八分割型のものが用いられる。
【００２３】
ＬＯＰチップ２０は、半導体レーザ２１をフォトダイオード２２に搭載したものである。半導体レーザ２１は、フォトディテクタ１０の長手方向に、すなわちフォトダイオード１および２の配列方向と平行な方向に光を射出する。半導体レーザ２１としては、レーザカプラ５がＣＤ用の場合には例えばＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ半導体レーザが用いられ、レーザカプラ５がＣＤおよびディジタルビデオディスク（ＤＶＤ）の両者兼用の場合には例えばＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ半導体レーザおよびＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザが搭載された２波長レーザが用いられる。フォトダイオード２２は、例えばＳｉチップから構成され、半導体レーザ２１のリア側の端面からの光出力をモニターし、それによってフロント側の端面からの光出力をモニターする。
【００２４】
フォトディテクタ１０上には、フォトダイオード１の表面を覆うようにＳｉＮ（窒化シリコン）膜１１が形成され、さらにこのＳｉＮ膜１１およびフォトダイオード２の表面を覆うようにパッシベーション膜としてのＳｉＯ２  （二酸化シリコン膜）１２が形成されている。フォトダイオード１上には、ＳｉＮ膜１１およびその上部のＳｉＯ２  膜１２により、ハーフミラーが構成されている。ＳｉＯ２  膜１２の厚さは、例えば５００ｎｍ程度である。
【００２５】
プリズム３０は、例えば屈折率が約１．８の光学ガラスからなる。プリズム３０は、光入射面となる斜面３０ａ、上面３０ｂ、第１底面３０ｃ、第２底面３０ｄ、端面３０ｅおよび端面３０ｆを有する。
斜面３０ａにはハーフミラー３１が形成されている。ハーフミラー３１としては、例えば誘電体多層膜が用いられ、その反射率は例えば２０％である。上面３０ｂには全反射膜３２が形成されている。全反射膜３２としては、例えば誘電体多層膜が用いられる。これらの誘電体多層膜は、例えばＺｒＯ、ＴｉＯ、ＳｉＯ２  などにより形成される。
端面３０ｅは鏡面に形成されている。端面３０ｆには光吸収膜３３が形成されている。
プリズム３０の第１底面３０ｃおよび第２底面３０ｄには、反射防止膜３４が形成され、さらにこの反射防止膜３４上に、ＳｉＯ２  膜３５が形成されている。反射防止膜３４としては例えばＣｅＦ３  膜やＡｌ２  Ｏ３  膜が用いられ、その厚さは例えば１５０ｎｍ程度、屈折率は約１．６である。ＳｉＯ２  膜３５の厚さは、例えば１５０ｎｍ程度である。
【００２６】
そして、プリズム３０の第１底面３ｃおよび第２底面３０ｄに形成されたＳｉＯ２  膜３５が接着層４０よりフォトディテクタ１０上のＳｉＯ２  膜１２に接着されて、プリズム３０がフォトディテクタ１０上にマウントされている。プリズム３０のＳｉＯ２  膜３５およびフォトディテクタ１０のＳｉＯ２  膜１２は、接着層４０の接着力を強化するために形成されている。
【００２７】
このレーザカプラ５では、フォトディテクタ１０のフォトダイオード１および２上に接着層４０によりプリズム３０が接着される。この接着を行う際には、紫外線硬化型樹脂をエアー式のディスペンサーによりフォトディテクタ１００上の接着部位に微量（例えば、約１／２００００ｃｃ）塗布して接着層４００を形成し、その上にプリズム３００をマウントして仮止めした後、接着層４００に紫外線を照射することにより紫外線硬化型樹脂を硬化させて接着が行われる。
【００２８】
このようなレーザカプラ５では、半導体レーザ２１のフロント側の端面から出射されたレーザ光は、プリズム３０の斜面３０ａ上のハーフミラー３１で反射された後、上方の図示しない光学系に送られて集光され、信号の読み取りを行う光ディスクに入射する。この光ディスクにより反射されたレーザ光は、下方に戻りプリズム３０のハーフミラー３１を通ってこのプリズム３０の内部に入る。このプリズム３０の内部に入った光のうち半分（５０％）の光はフォトダイオード１に入射し、残りの半分（５０％）の光はこのフォトダイオード１上に形成されたハーフミラー（ＳｉＮ膜１１およびＳｉＯ２  膜１２）とプリズム３０の上面３０ｂ上の全反射膜３２により順次反射されてフォトダイオード２に入射する。
【００２９】
この実施形態のプリズム３０の第１底面３０ｃおよび第２底面３０ｄは、フォトダイオード１および２の配列方向に対し傾斜して設けられている。第１底面３０ｃと第２底面３０ｄとの境界腺３０ｇは、フォトダイオード１とフォトダイオード２との間の中央部の上方に位置し、フォトダイオード１および２の配列方向に対し直交する方向に延在する。第１底面３０ｃおよび第２底面３０ｄは、フォトダイオード１および２の配列方向におけるこれらの両端から境界腺３０ｇに到るにつれて高さが低くなるように下方に突出した山状に形成されている。
【００３０】
図３は、接着層４０内の光の干渉の説明図である。
図３に示すように、第１底面３０ｃおよび第２底面３０ｄが山状に突出したプリズム３０を用いると、接着層４０内に発生した干渉光は、フォトディテクタ１０の表面とこれに対し傾斜したプリズム３００の第１底面３０ｃおよび第２底面３０ｄにより繰り返し反射され、発散して接着層４０外に放出される。すなわち、フォトダイオード１側に発生した干渉光は、フォトディテクタ１０とプリズム３００の傾斜した第１底面３０ｃと繰り返し反射して発散し接着層４０外に放出される。一方、フォトダイオード２側に発生した干渉光は、フォトディテクタ１０とプリズム３００の傾斜した第２底面３０ｄと繰り返し反射して発散し接着層４０外に放出される。したがって、接着層４０内の多重干渉の影響を抑制することができ、これにより信号検出の信頼性を向上させ、その製造歩留まりを向上させることができる。
【００３１】
第１底面３０ｃおよび第２底面３０ｄの傾斜角は、０．０５°より大きいことが好ましい。第１底面３０ｃおよび第２底面３０ｄの傾斜角は、０．０５°以下のときには、第１底面３０ｃおよび第２底面３０ｄがフォトディテクタ１０に対し平行な状態に近くなり、干渉光の発散が不十分となり、多重干渉の影響が現れる。
【００３２】
図４は、プリズムの他の実施形態を示す図である。
プリズム３０の第１底面３０ｃおよび第２底面３０ｄの傾斜は、プリズム３０のフォトダイオード１および２の配列方向の全体に及ぶ必要はなく、図４に示すように、フォトダイオード１および２の配列方向のフォトダイオード１および２の含まれる部分にのみ傾斜をつけることもできる。
【００３３】
プリズム５０は、例えば屈折率が約１．８の光学ガラスからなる。プリズム５０は、光入射面となる斜面５０ａ、上面５０ｂ、第１底面５０ｃ、第２底面５０ｄ、第３底面５０ｅ、第４底面５０ｆ、端面３０ｇおよび端面３０ｈを有する。
斜面５０ａにはハーフミラー５１が形成されている。上面５０ｂには全反射膜５２が形成されている。端面５０ｇは鏡面に形成されている。端面５０ｈには光吸収膜５３が形成されている。
プリズム５０の第１底面５０ｃ、第２底面５０ｄ、第３底面５０ｅおよび第４底面５０ｆには、反射防止膜５４（図示せず）が形成され、さらにこの反射防止膜３４上に、ＳｉＯ２  膜５５（図示せず）が形成されている。
【００３４】
プリズム５０の第２底面５０ｄがプリズム３０の第１底面３０ｃに相当し、下方にフォトダイオード１が存在する。プリズム５０の第３底面５０ｅがプリズム３０の第２底面３０ｄに相当し、下方にフォトダイオード２が存在する。プリズム５０の第２底面５０ｄと第３底面５０ｅとの境界腺５１ｉは、フォトダイオード１とフォトダイオード２との間の中央部の上方に位置する。第２底面５０ｄおよび第３底面５０ｅは、これらの両端から境界腺５１ｉに到るにつれて高さが低くなるように下方に突出した山状に形成されている。一方、第１底面５０ｃおよび第４底面５０ｆは、フォトダイオード１および２の配列方向に平行な平面となる。
【００３５】
プリズム５０の場合にも、接着層４０内に発生した干渉光は、フォトディテクタ１０の表面とこれに対し傾斜した第２底面５０ｄおよび第３底面５０ｅにより繰り返し反射され、発散して接着層４０外に放出される。このため、接着層４０内の多重干渉の影響を抑制することができ、これにより信号検出の信頼性を向上させ、その製造歩留まりを向上させることができる。
また、第２底面５０ｄおよび第３底面５０ｅ以外の第１底面５０ｃおよび第４底面５０ｆは、フォトディテクタ１０の表面と平行に形成することができるので、接着層４０の厚さは、第２底面５０ｄおよび第３底面５０ｅの部分のみ薄くすることができ、接着層４０の厚さを全体として均一にすることができる。したがって、フォトディテクタ１０に対するプリズム３０のマウントを安定に行うことができるので、いっそう信号検出の信頼性を向上させ、その製造歩留まりを向上させることができる。
【００３６】
図５は、本発明の一実施形態の光ディスク装置のブロック図である。
この光ディスク装置には、図１〜図３または図４に示されるレーザカプラ５が組み込まれる。
図５に示すように、光ディスク装置６０１は、ＣＤ−ＲやＤＶＤ±Ｒ、ＤＶＤ−ＲＡＭなどの光記録媒体としての光ディスク６０２を回転駆動する駆動手段としてのスピンドルモータ６０３と、光ピックアップ６０４と、その駆動手段としての送りモータ６０５とを備えている。ここで、スピンドルモータ６０３は、システムコントローラ６０７およびサーボ制御部６０９により所定の回転数で駆動制御される構成になっている。
【００３７】
信号変復調部およびＥＣＣブロック６０８は、信号処理部６２０から出力される信号の変調、復調およびＥＣＣ（エラー訂正符号）の付加を行う。
光ピックアップ６０４は、システムコントローラ６０７およびサーボ制御部６０９からの指令に従って回転する光ディスク６０２の信号記録面に対して光ビームを照射する。光ビームの照射は、レーザカプラ５の半導体レーザ２０１により行われる。このような光照射により光ディスク６０２に対する光信号の記録、再生が行われる。
また、光ピックアップ６０４は、光ディスク６０２の信号記録面からの反射光ビームに基づいて、後述するような各種の光ビームを検出し、各光ビームに対応する信号を信号処理部６２０に供給できるように構成されている。光ピックアップ６０４は、図１〜図３または図４に示されるレーザカプラ（複合光学装置）５を含んで構成される。
【００３８】
信号処理部６２０は、各光ビームに対応する検出信号に基づいてサーボ制御用信号、すなわち、フォーカスエラー信号、トラッキングエラー信号、ＲＦ信号、ランニングＯＰＣ処理に必要なモニタ信号（Ｒ−ＯＰＣ信号）、記録時における光ディスクの回転制御を行うために必要なＡＴＩＰ信号などを生成できるように構成されている。また、再生対象とされる記録媒体の種類に応じて、サーボ制御部６０９、信号変調およびＥＣＣブロック６０８等により、これらの信号に基づく復調および誤り訂正処理等の所定の処理が行われる。
ここで、信号変調およびＥＣＣブロック６０８により復調された記録信号が、例えばコンピュータのデータストレージ用であれば、インタフェース６１１を介して外部コンピュータ６３０等に送出される。これにより、外部コンピュータ６３０等は光ディスク６０２に記録された信号を再生信号として受け取ることができるように構成されている。
【００３９】
また、信号変調およびＥＣＣブロック６０８により復調された記録信号がオーディオ・ビジュアル用であれば、Ｄ／Ａ、Ａ／Ｄ変換器１１２のＤ／Ａ変換部でデジタル／アナログ変換され、オーディオ・ビジュアル処理部１１３に供給される。そして、このオーディオ・ビジュアル処理部６１３でオーディオ・ビデオ信号処理が行われ、オーディオ・ビジュアル信号入出力部６１４を介して外部の撮像・映写機器に伝送される。
前記光ピックアップ６０４には、例えば光ディスク６０２上の所定の記録トラックまで移動させるための送りモータ６０５が接続されている。スピンドルモータ６０３の制御と、送りモータ６０５の制御と、光ピックアップ６０４の対物レンズを保持するアクチュエータのフォーカシング方向およびトラッキング方向の制御は、それぞれサーボ制御部６０９により行われる。
すなわち、サーボ制御部６０９は、ＡＴＩＰ信号に基づいてスピンドルモータ６０３の制御を行ない、フォーカスエラー信号およびトラッキングエラー信号に基づいてアクチュエータの制御を行う。
また、レーザ制御部６２１は、光ピックアップ６０４における光源（レーザ光源）の出力を制御する動作を行う。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】本発明の一実施形態のレーザカプラの要部断面図である。
【図２】レーザカプラの部分拡大断面図である。
【図３】接着層４０内の光の干渉の説明図である。
【図４】プリズムの他の実施形態を示す図である。
【図５】本発明の一実施形態の光ディスク装置のブロック図である。
【図６】従来のレーザカプラの斜視図である。
【図７】レーザカプラの長手方向に沿っての断面図である。
【図８】レーザカプラの部分拡大断面図である。
【図９】接着層４００内の光の干渉の説明図である。
【符号の説明】
【００４１】
１……フォトダイオード、２……フォトダイオード、１０……フォトディテクタ、２０……ＬＯＰチップ、２１……半導体レーザ、２２……フォトダイオード、３０……プリズム、３０ａ……斜面、３０ｂ……上面、３０ｃ……第１底面、３０ｄ……第２底面。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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