(57)【要約】  【課題】ウエハの温度を放射温度計によって正確に測定する。  【解決手段】ウエハ１を処理する処理室２１を減圧状態に維持する筐体２２と、ウエハ１を加熱する上側ランプ４１および下側ランプ４２と、上側ランプ４１および下側ランプ４２の光７１の波長と異なる波長の光７２でウエハ１の温度を測定する放射温度計６１と、処理室２１に連通する窓孔６２に設けられた対物フィルタ６３と、放射温度計６１に連通する導波管６４にシールリング６６を介して設けられた接眼フィルタ６７とを有し、対物フィルタ６３を上側ランプ４１および下側ランプ４２の光７１を遮り放射温度計６１が測定する光７２を透過するように構成する。放射温度計の温度上昇を防止できるので処理室内の温度を適正に測定できる。  【選択図】図２
2008218698.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する処理室を形成し、この処理室を減圧状態に維持可能な筐体と、
該処理室の前記基板を加熱する加熱手段と、
該加熱手段が前記基板を加熱する光のピーク波長と異なる波長で前記基板の温度を測定する放射温度計と、
前記筐体に連設され、前記放射温度計と前記処理室とを連通する連通部と、
該連通部に設けられ、前記処理室内を密閉する密閉部材を介して取り付けられる接眼フィルタと、
前記接眼フィルタから間隔を置いて前記処理室側に密閉部材を設けずに取り付けられ、前記加熱手段の前記基板を加熱する光のピーク波長を遮り前記放射温度計が測定する波長を透過する対物フィルタと、
を備えている熱処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、熱処理装置に関し、特に、被処理基板の温度を測定する技術に係り、例えば、半導体集積回路装置（以下、ＩＣという。）の製造方法において、半導体素子を含む集積回路が作り込まれる半導体ウエハ（以下、ウエハという。）に成膜やアニール、酸化膜成長および拡散等の各種の熱処理（thermal treatment ）を施すのに利用して有効なものに関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣの製造方法において成膜やアニール、酸化膜成長および拡散等の各種の熱処理を施す熱処理装置としては、加熱源にタングステン−ハロゲン直線ランプ（以下、加熱ランプという。）を使用したＲＴＰ（Rapid Thermal Processing）装置がある。
このＲＴＰ装置は、被処理基板としてのウエハを収容する処理室と、この処理室においてウエハを保持する保持部材（以下、サセプタという。）と、サセプタの上のウエハをサセプタの下方から加熱する複数本の加熱ランプと、サセプタの上方に設置されてウエハの温度を測定する温度測定装置と、処理室を大気圧よりも若干低めに排気する排気口と、ウエハを保持したサセプタを回転させるサセプタ回転装置とを備えている。
そして、従来のこの種のＲＴＰ装置としては、温度測定装置に放射温度計を使用したものがある（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−１２０７３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
前記した放射温度計を使用したＲＴＰ装置においては、減圧中に、ウエハ裏面からピーク波長が０．９μｍ程度の光（電磁波）を使用して熱処理する場合であって、測定波長が１０μｍ程度の長波長の放射温度計を使用してウエハの温度を測定する場合には、減圧に耐え、かつ、測定波長を透過させる測定用窓（ウインドシールド）が必要である。
ところが、測定波長を透過させる材質のウインドシールドを設置しても、ウエハの加熱用の光の波長０．９μｍを透過させてしまう場合には、放射温度計自体が加熱されてしまうので、放射温度計を冷却する必要があり、その結果、使用環境が限定されてしまう。
他方、測定用ウインドシールドがウエハの加熱用の光の波長を吸収する場合には、ウインドシールド自体の耐熱温度よりも、気密シール部材の材料による制約が発生してしまう。すなわち、ウインドシールドの温度は気密シール部材の耐熱温度以下に設定する必要がある。
ところが、ウインドシールドはウエハの加熱用の光の波長を直接吸収することにより、迅速に加熱されてしまうため、他の冷却媒体を用いて冷却しても冷却しきれず、気密シール部材を劣化させてしまう要因の一つとなっていた。
【０００５】
本発明の目的は、従来技術の問題点である長波長を使用する放射温度計を設置する場合のウインドシールドの材質による放射温度計または気密シール部材の温度が上昇してしまう問題点を回避しつつ、基板の温度を放射温度計によって正確に測定することができる熱処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前記した課題を解決するための手段のうち代表的なものは、次の通りである。
（１）基板を処理する処理室を形成し、この処理室を減圧状態に維持可能な筐体と、
該処理室の前記基板を加熱する加熱手段と、
該加熱手段が前記基板を加熱する光の波長と異なる波長で前記基板の温度を測定する放射温度計と、
前記筐体に連設され、前記放射温度計と前記処理室とを連通する連通部と、
該連通部に設けられ、前記処理室内を密閉する密閉部材を介して取り付けられる接眼フィルタと、
前記接眼フィルタから間隔を置いて前記処理室側に密閉部材を設けずに取り付けられ、前記加熱手段の前記基板を加熱する光の波長を遮り前記放射温度計が測定する光の波長を透過する対物フィルタと、
を備えている熱処理装置。
（２）基板を処理する処理室を形成し、この処理室を減圧状態に維持可能な筐体と、
該処理室の前記基板を加熱する加熱手段と、
前記基板の温度を測定する放射温度計と、
前記筐体の隔壁に設けられる開口部と、
該開口部で前記処理室内外を隔離するように密閉部材を介して前記放射温度計により前記基板の温度を測定するために設けられる接眼フィルタと、
前記放射温度計および前記接眼フィルタを前記加熱手段からの加熱から保護するために前記開口部に設けられる対物フィルタと、
を備えている熱処理装置。
（３）前記基板を加熱する光のピーク波長は０．９μｍ程度であり、前記放射温度計が前記処理室内の温度を測定する光の波長は１０μｍ程度である前記（１）ないし（２）の熱処理装置。
【発明の効果】
【０００７】
前記した手段によれば、密閉部材を溶融させることなく、放射温度計を保護することができ、適正に処理室内の温度を測定することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下、本発明の一実施の形態を図面に即して説明する。
【０００９】
本実施の形態において、本発明に係る熱処理装置は、図１に示されているように、ウエハ１に様々な熱処理を施すのに適した枚葉式の熱処理装置２として構成されている。
【００１０】
こうした熱処理の例としては、ＩＣの製造方法におけるウエハの熱アニール、ホウ素−リンから成るガラスの熱リフロー、高温酸化膜、低温酸化膜、高温窒化膜、ドープポリシリコン、ノンドープポリシリコン、シリコンエピタキシャル、タングステン金属またはケイ化タングステン等の薄膜を形成するための化学蒸着が挙げられる。
【００１１】
なお、本実施の形態で好適に用いられる熱処理装置２は、図１に示されているように、メインコントローラとしての主制御部１０を備えており、主制御部１０により熱処理装置２を構成する各部の動作等が制御される。
また、主制御部１０は、主制御部１０に支配される温度検出部１１、駆動制御部１２、加熱制御部１３、ガス制御部１４から主に構成される。
【００１２】
熱処理装置２は処理室２１を形成した筐体２２を備えている。筐体２２は本体２３、蓋体２４および底板２５から構成されている。
本体２３は様々な金属材料から形成することができる。
例えば、幾つかのアプリケーションではアルミニウムが適しており、他のアプリケーションではステンレス鋼が適している。
材料の選択は、アニールや化学蒸着等の処理に用いられる化学物質の種類および選択された金属に対するこれら化学物質の反応性に左右される。
通常、筐体２２の壁は、本技術分野において周知の循環式冷水フローシステム（図２参照）により華氏約４５〜４７度まで水冷される。
【００１３】
蓋体２４には処理ガス２６を供給するガス供給管２７が貫通して設けられており、ガス供給管２７は処理室２１に処理ガス２６を供給し得るようになっている。
ガス供給管２７は開閉バルブ２８、２８および流量制御手段であるマスフローコントローラ（以下、ＭＦＣという。）２９、２９を介し、第一ガス供給源３０Ａおよび第二ガス供給源３０Ｂに接続されている。
第一ガス供給源３０Ａおよび第二ガス供給源３０Ｂで使用されるガスは、アルゴンや窒素等の不活性ガスや水素、六フッ化タングステン等の所望のガスである。
また、開閉バルブ２８およびＭＦＣ２９は、ガス制御部１４にて制御され、ガスの供給や停止およびガスの流量が制御される。
【００１４】
筐体２２の本体２３の上部には排気口３１が開設されており、ガスは排気口３１には真空ポンプ等からなる排気装置（図示せず）が接続されている。
ガス供給管２７から供給された処理ガス２６は処理室２１内にてウエハ１への所望の処理に用いられ、残余ガスは排気口３１から図示しない真空ポンプ等からなる排気装置を介し、処理室２１外へ排出される。
【００１５】
本体２３の排気口３１と反対側にはウエハ搬入搬出口３２が開設されており、ウエハ搬入搬出口３２はゲートバルブ３３によって開閉されるように構成されている。ゲートバルブ３３によって開かれた状態で、ウエハ１がウエハ搬入搬出口３２から処理室２１に搬入搬出し得るように構成されている。
底板２５の下面の中心線上には駆動機構３４が設置されており、駆動機構３４は支持ピン３５を回転させるように構成されている。支持ピン３５は底板２５を上下方向に挿通されて回転自在に支持されており、支持ピン３５の上端にはサセプタ３６が水平に設置されている。
処理室２１内の支持ピン３５周りには、複数本の突き上げピン３７が配置されており、突き上げピン３７は駆動機構３４によって昇降されるように構成されている。突き上げピン３７は上昇した状態で、サセプタ３６の上方に突き出てウエハ１を持ち上げるように構成されている。
駆動機構３４は駆動制御部１２にて制御されるように構成されている。
なお、支持ピン３５の回転速度は、個々の処理に応じて適切な速度に設定されるが、５〜６０ｒｐｍ程度であることが好ましい。
【００１６】
サセプタ３６はウエハ１の外側において円形リング形状の均熱リング３８を支持しており、均熱リング３８はウエハ１の外周に近接して取り囲むようになっている。
例えば、均熱リング３８は炭化ケイ素で被覆したグラファイト、クォーツ、純炭化ケイ素、アルミナ、ジルコニア、アルミニウムまたは鋼等の好適な材料によって形成されている。
均熱リング３８の外周側には、ドーナッツ形の平板形状に形成された遮光プレート３９が均熱リング３８の上面を覆うように配置されており、遮光プレート３９は本体２３によって下から支持されている。
遮光プレート３９は、例えば、炭化ケイ素によって形成されている。
【００１７】
熱処理装置２は複数の上側ランプ４１および下側ランプ４２から成るヒータアッセンブリを備えている。このヒータアッセンブリはウエハ温度がほぼ均一になるように放射熱をウエハ１に供給する。
好ましい形態においては、ヒータアッセンブリは放射ピーク値が０．９５μｍで照射し、複数の加熱ゾーンを形成して、ウエハ１の中心部より多くの熱をウエハ１の周辺部に加える集中的加熱プロファイルを提供する一連のタングステン−ハロゲン直線ランプ等の加熱要素を、含む。
上側ランプ４１および下側ランプ４２には電力を供給する電極４３がそれぞれ接続されており、上側ランプ４１および下側ランプ４２の加熱具合は、加熱制御部１３によって制御される。
【００１８】
上側ランプ４１および下側ランプ４２のそれぞれのランプは、石英管４４にてそれぞれ覆われており、石英管４４はＯリング等のシールリング４５により、本体２３に対して気密に固定されている。
また、石英管４４と各ランプ４１、４２との間の空間には、駆動制御部１２によって制御される空冷ガス用ブロア４６から空冷ガスが供給され、各ランプ４１、４２の外側の温度上昇を抑え、所定の温度に保っている。
【００１９】
熱処理装置２は様々な製造工程においてウエハ１の放射率（エミシビティ）を測定し、その温度を計算するための非接触式の放射率測定装置（放射率測定手段）も含む。
この放射率測定手段は、主として放射率測定用プローブ５１、放射率測定用リファレンスランプ（参照光）５２、温度検出部１１、プローブ５１と温度検出部１１とを結ぶ光ファイバー通信ケーブル５３を含む。
このケーブル５３はサファイア製の光ファイバー通信ケーブルによって構成することが好ましい。
プローブ５１はプローブ回転機構５４により回転自在に設けられ、プローブ５１の先端をウエハ１または参照光であるリファレンスランプ５２の方向に方向付けることが可能となっている。
また、プローブ５１は光ファイバー通信ケーブル５３とスリップ結合にて結合されているので、前述したようにプローブ５１が回転しても接続状態は維持される。
【００２０】
プローブ回転機構５４は放射率測定用プローブ５１を回転させ、プローブ５１の先端がほぼ上側（すなわち放射率測定用リファレンスランプ５２側）に向けられる第一ポジションと、プローブ５１の先端がほぼ下側（すなわちウエハ１側）に向けられる第二ポジションとの間でプローブ５１の向きを変えることができるように構成されている。
したがって、プローブ５１の先端は、プローブ５１の回転軸に対し直角方向に向けられていることが好ましい。
このようにして、プローブ５１はリファレンスランプ５２から放射された光子の密度と、ウエハ１から反射された光子の密度とを検知することができる。
リファレンスランプ５２は、ウエハ１における光の透過率が最小となる波長、好ましくは０．９５μｍの波長の光を放射する白色光源から構成するとよい。
つまり、放射率測定手段は、リファレンスランプ５２からの放射とウエハ１からの放射を比較することにより、ウエハ１の温度を測定する。
【００２１】
ヒータアッセンブリと放射率測定用プローブ５１との間には、遮光プレート３９、均熱リング３８およびウエハ１が設けられているので、ヒータアッセンブリによる放射率測定用プローブ５１の読み取り誤差の影響を抑制することができる。
【００２２】
熱処理装置２は温度検出装置（温度検出手段）である複数の温度測定用プローブ（以下、プローブという。）６０を含む。これらのプローブ６０は蓋体２４に固定され、すべての処理条件においてウエハ１のデバイス面から放射される光子密度を常に測定する。
好ましくは、ウエハ１の異なる部分の温度を測定するために位置決めされた３個のプローブ６０を含む。これによって処理サイクル中の温度の均一性が確保される。
プローブ６０によって測定された光子密度に基づき温度検出部１１にてウエハ温度に算出され、主制御部１０にて設定温度と比較される。主制御部１０は比較の結果、あらゆる偏差を計算し、加熱制御部１３を介してヒータアッセンブリ内の加熱装置（加熱手段）である上側ランプ４１、下側ランプ４２の複数のゾーンへの電力供給量を制御する。
なお、温度測定用プローブ６０によって算出されたウエハ温度は、放射率測定用プローブ５１によって算出されたウエハ温度と比較され、補正されることでより正確なウエハ温度の検出を可能としている。
【００２３】
本実施の形態において、プローブ６０は加熱手段である上側ランプ４１および下側ランプ４２の光（電磁波）のピーク波長と異なる波長の光（電磁波）によってウエハ１の温度を測定する放射温度計６１を備えており、図２に示されているように構成されている。
プローブ６０は放射温度計６１と処理室２１とを連通する連通部の一部である開口部を構成する窓孔６２を備えており、窓孔６２は蓋体２４に処理室２１内外を連通させるように開設されている。
窓孔６２内の下端部には対物フィルタ６３が処理室２１内と窓孔６２内とを遮断するように取り付けられている。対物フィルタ６３は放射温度計６１が測定する波長の光を透過し、かつ、上側ランプ４１および下側ランプ４２のピーク波長の光を吸収する材料が使用されて、窓孔６２の内径よりも大きめの円板形状に形成されている。
例えば、放射温度計６１が測定する光の波長が１０μｍであり、上側ランプ４１および下側ランプ４２の光のピーク波長が０．９μｍである場合の対物フィルタ６３の材料としては、ゲルマニウム（原子記号Ｇｅ）がある。
【００２４】
窓孔６２の上端には連通部の一部を構成する導波管６４が光軸に一致されて接続されている。導波管６４は二重管構造に形成されている。
導波管６４の上端にはフランジ６５が水平に固定されており、フランジ６５の上面には密閉部材としてのシールリング６６を介して、測定する波長（例えば、１０μｍ）の光だけを透過させる接眼フィルタ６７が同心的に配置されている。接眼フィルタ６７はカップリング６８によってフランジ６５に固定されている。
カップリング６８の上面には放射温度計６１が、光軸が接眼フィルタ６７および対物フィルタ６３と一致するように配置されて固定されている。放射温度計６１は温度検出部１１に光学的に接続されている。
なお、蓋体２４の内部には循環式冷水フローシステム７０が敷設されている。
【００２５】
次に、以上の構成に係る熱処理装置２を用いて、ＩＣの製造方法の一工程（プロセス）としてウエハ１に処理を施す方法について説明する。
なお、以下の説明において、熱処理装置２を構成する各部の動作は主制御部１０により制御される。
【００２６】
仕切弁であるゲートバルブ３３を開放し、本体２３に設けられたウエハ搬入搬出口３２を通ってウエハ（ウエハ）１を処理室２１内に搬入する。
搬入されたウエハ１は駆動機構（昇降手段）３４により上昇された突き上げピン３７上に載置される。
その後、駆動機構３４により突き上げピン３７を下降させて、ウエハ１を支持ピン３５に載置する。
ウエハ１を支持ピン３５上に載置後、駆動機構（回転手段）３４によって処理中に支持ピン３５とウエハ１を回転させる。
【００２７】
ウエハ１の放射率の測定時には、プローブ５１の先端はウエハ１の真上のリファレンスランプ５２に向くように回転し（第一ポジション）、リファレンスランプ５２が点灯する。そして、プローブ５１はリファレンスランプ５２からの入射光子密度を測定する。
リファレンスランプ５２が点灯している間、プローブ５１は第一ポジションから第二ポジションへと回転し、回転している間にリファレンスランプ５２真下のウエハ１に向く。このポジションにおいて、プローブ５１はウエハ１のデバイス面（ウエハ１の表面）の反射光子密度を測定する。
続いて、リファレンスランプ５２が消灯される。プローブ５１の先端がウエハ１に直接向いている間、プローブ５１は、加熱されたウエハ１からの放射光子を測定する。
【００２８】
プランクの法則によれば、特定の表面に放出されたエネルギーは表面温度の四乗に関係する。その比例定数はシュテファン・ボルツマン定数と表面放射率との積から成る。
したがって、非接触法における表面温度の決定時には、表面放射率を使用するのが好ましい。
以下の式を用いてウエハ１のデバイス面の全半球反射率を計算し、引き続きキルヒホッフの法則により放射率が得られる。
（１）ウエハ反射率＝反射光強度／入射光強度
（２）放射率＝（１−ウエハ反射率）
一旦、ウエハの放射率が得られると、プランクの式からウエハ温度が得られる。
この技法は、ウエハが高温で、かつ、このような適用において前述した計算の実行前に基本熱放射が減算される場合にも用いられる。
【００２９】
プローブ５１は第二ポジションすなわちウエハに向けられるポジションに留まって、リファレンスランプ５２の点灯時には常に放射率データを提供し続けることが好ましい。
ウエハ１は回転しているので、プローブ５１は、その回転中にウエハ１のデバイス面から反射される光子密度を測定し、ウエハ１にリトグラフされるであろう変化するデバイス構造の平均表面トポロジーからの反射を測定する。
また、放射率測定は薄膜蒸着過程を含む処理サイクルにわたって行われるので、放射率の瞬時の変化がモニターされ、温度補正が動的、かつ、連続的に行われる。
【００３０】
蓋体２４に固定された３本のプローブ６０は、すべての処理条件においてウエハ１のデバイス面から放射される光子密度を常に測定する。
プローブ６０によって測定された光子密度に基づき温度検出部１１にてウエハ温度が算出され、主制御部１０にて設定温度と比較される。
主制御部１０は比較の結果、あらゆる偏差を計算し、加熱制御部１３を介してヒータアッセンブリ内の加熱装置（加熱手段）である上側ランプ４１、下側ランプ４２の複数のゾーンへの電力供給量を制御する。
３本のプローブ６０は、ウエハ１の異なる部分の温度を測定するため、処理サイクル中の温度の均一性を確保することができる。
なお、温度測定用プローブ６０にて算出されたウエハ温度は放射率測定用プローブ５１にて算出されたウエハ温度と比較されて補正されることで、より正確なウエハ温度の検出を可能としている。
【００３１】
そして、所望の処理ガス２６をガス供給管２７から処理室２１内に供給しつつ、排気口３１から排出して、ウエハ１に所望の処理を施す。
【００３２】
ウエハ１の処理後、ウエハ１は、複数の突き上げピン３７により支持ピン３５から持ち上げられ、熱処理装置２内でウエハ１を自動的にアンローディングできるようにするために、ウエハ１の下に空間を形成する。突き上げピン３７は駆動制御部１２の制御のもと、駆動機構３４によって上下する。
【００３３】
ところで、上側ランプ４１および下側ランプ４２の光が放射温度計６１に達してしまうと、放射温度計６１自体が加熱されることにより、放射温度計６１が損傷してしまう危惧がある。そのため、放射温度計６１自体を冷却する必要がある。換言すれば、放射温度計６１の使用環境が限定されてしまう。
しかし、本実施の形態においては、上側ランプ４１および下側ランプ４２のピーク波長０．９μｍ程度の光７１を吸収する対物フィルタ６３が設置されていることにより、上側ランプ４１および下側ランプ４２の光７１は対物フィルタ６３によって遮られるために、放射温度計６１に達することはない。
したがって、下側ランプ４１および下側ランプ４２の光７１によって放射温度計６１自体が加熱されることはないので、加熱によって放射温度計６１が損傷してしまう危惧はない。そのため、放射温度計６１を冷却する必要はなく、使用環境が限定されてしまうこともない。
【００３４】
ここで、対物フィルタ６３は上側ランプ４１および下側ランプ４２のピーク波長０．９μｍ程度の光７１を吸収するために、加熱されてしまう。
しかし、対物フィルタ６３にはシールリングが敷設されていないので、対物フィルタ６３の温度上昇をシールリングの耐熱温度以下に制限する必要はない。
【００３５】
しかし、対物フィルタ６３にシールリングが敷設されていないことにより、放射温度計６１と処理室２１とを連通する連通部を構成した窓孔６２および導波管６４の気密性能が低下するために、処理室２１の気密性能が低下する。
本実施の形態においては、接眼フィルタ６７にシールリング６６が敷設されていることにより、放射温度計６１と処理室２１とを連通する連通部を構成した窓孔６２および導波管６４の気密性能が確保されているので、処理室２１の気密性能が低下するのを未然に防止することができる。
他方、上側ランプ４１および下側ランプ４２の光７１は対物フィルタ６３によって遮られることにより、接眼フィルタ６７には上側ランプ４１および下側ランプ４２のウエハを加熱する光のピーク波長は照射しないので、接眼フィルタ６７の温度の上昇は抑止ないしは抑制することができる。
つまり、接眼フィルタ６７の材料はシールリング６６の耐熱温度を深く配慮する必要はなくなるために、熱衝撃に弱い材料等を含めた選択余地が広がる。
【００３６】
以上のようにして、放射温度計６１にはウエハ１からの光のうち１０μｍ程度の波長の測定光７２だけが入射するので、放射温度計６１はウエハ１の温度を適正に測定することができる。
【００３７】
前記実施の形態によれば、次の効果が得られる。
【００３８】
（１）上側ランプおよび下側ランプのピーク波長０．９μｍ程度の光を遮る対物フィルタを設置することにより、上側ランプおよび下側ランプの光が放射温度計に入射するのを防止することができるので、放射温度計自体が温度上昇して損傷してしまう危惧を未然に防止することができる。
【００３９】
（２）放射温度計が温度上昇するのを防止することにより、放射温度計自体を冷却しなくても済むので、放射温度計の使用環境の制約を軽減することができる。
【００４０】
（３）接眼フィルタにシールリングを敷設することにより、放射温度計と処理室とを連通する連通部の気密性能が確保することができるので、処理室の気密性能が低下するのを未然に防止することができる。
【００４１】
（４）上側ランプおよび下側ランプの光は対物フィルタによって遮ることにより、接眼フィルタに上側ランプおよび下側ランプの光が照射するのを阻止することができるので、接眼フィルタの温度の上昇は抑止ないしは抑制することができる。
【００４２】
（５）接眼フィルタの温度上昇を防止することにより、接眼フィルタの材料はシールリングの耐熱温度を深く配慮する必要はなくなるために、熱衝撃に弱い材料等を含めて選択余地を拡大することができる。
【００４３】
（６）放射温度計にはウエハからの光のうち測定のための光だけを入射させることにより、放射温度計はウエハの温度を適正に測定することができる。
【００４４】
なお、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において、種々に変更が可能であることはいうまでもない。
【００４５】
導波管は省略してもよい。
【００４６】
加熱手段としては、加熱ランプを使用するに限らず、抵抗線式ヒータ等を使用してもよい。換言すれば、放射温度計の測定波長が加熱手段からの光（電磁波）の波長と異なればよい。
【００４７】
基板はウエハに限らず、ＬＣＤ装置（液晶表示装置）の製造工程におけるガラス基板やアレイ基板等の基板であってもよい。
【００４８】
前記実施の形態においては枚葉式減圧ＲＴＰ装置に構成した場合について説明したが、本発明は、アニール装置やリフロー装置、酸化膜形成装置等の熱処理装置全般に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明の一実施の形態である熱処理装置を示す正面断面図である。
【図２】プローブを示す正面断面図である。
【符号の説明】
【００５０】
１・・・ウエハ、２・・・熱処理装置、
１０・・・主制御部、１１・・・温度検出部、１２・・・駆動制御部、１３・・・加熱制御部、１４・・・ガス制御部、
２１・・・処理室、２２・・・筐体、２３・・・本体、２４・・・蓋体、２５・・・底板、
２６・・・処理ガス、２７・・・ガス供給管、２８・・・開閉バルブ、２９・・・ＭＦＣ（マスフローコントローラ）、３０Ａ・・・第一ガス供給源、３０Ｂ・・・第二ガス供給源、３１・・・排気口、
３２・・・ウエハ搬入搬出口、３３・・・ゲートバルブ、
３４・・・駆動機構、３５・・・支持ピン、３６・・・サセプタ、３７・・・突き上げピン、３８・・・均熱リング、３９・・・遮光プレート、
４１・・・上側ランプ、４２・・・下側ランプ、４３・・・電極、４４・・・石英管、４５・・・シールリング、４６・・・空冷ガス用ブロア、
５１・・・放射率測定用プローブ、５２・・・放射率測定用リファレンスランプ（参照光）、５３・・・光ファイバー通信ケーブル、５４・・・プローブ回転機構、
６０・・・プローブ温度測定用プローブ、６１・・・放射温度計、６２・・・窓孔（連通部）、６３・・・対物フィルタ、６４・・・導波管（連通部）、６５・・・フランジ、６６・・・シールリング、６７・・・接眼フィルタ、６８・・・カップリング、
７１・・・加熱のための光、７２・・・測定のための光。
【図１】
2008218698.tif 000003
【図２】
2008218698.tif 000004