(57)【要約】【課題】複数のコンタクトホールを積層した積層コンタクトホール構造において、コンタクトホールの境界部での導電層の段切れを防止し、信頼性に優れた液晶装置を提供する。【解決手段】本発明の液晶装置１００は、第１導電層３５ｄ上に設けられた複数の層間絶縁膜１２，１５と、前記複数の層間絶縁膜１２，１５にそれぞれ連通して設けられた複数のコンタクトホール４５，４７ｂと、前記複数のコンタクトホール４５，４７ｂの内壁面を覆って前記第１導電層３５ｄと電気的に接続された第２導電層（ドレイン電極３２及び画素電極９）と、を備え、前記複数のコンタクトホール４５，４７ｂは、上層側に設けられたコンタクトホール４７ｂが下層側に設けられたコンタクトホール４５よりも大きく形成されている。【選択図】図３
2008122758.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電層上に設けられた複数の層間絶縁膜と、
前記複数の層間絶縁膜にそれぞれ連通して設けられた複数のコンタクトホールと、
前記複数のコンタクトホールの内壁面を覆って前記第１導電層と電気的に接続された第２導電層と、を備え、
前記複数のコンタクトホールは、上層側に設けられたコンタクトホールが下層側に設けられたコンタクトホールよりも大きく形成されていることを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
前記第２導電層は１層又は複数層の導電層を含み、
前記１層又は複数層の導電層のうちのいずれか１層は透明導電膜からなることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項３】
前記第２導電層は、第１の層と、前記第１の層の前記コンタクトホールのエッジ部に形成された面取り部と、前記面取り部を覆って前記第１の層上に設けられた第２の層と、を備えることを特徴とする請求項２に記載の液晶装置。
【請求項４】
前記第２導電層上に絶縁膜を介して設けられた第３導電層と、
前記第２導電層と前記第３導電層との間に生じる電界によって駆動される液晶層と、を備えることを特徴とする請求項１〜３のいずれかの項に記載の液晶装置。
【請求項５】
第１導電層上に設けられた複数の層間絶縁膜と、前記複数の層間絶縁膜にそれぞれ連通して設けられた複数のコンタクトホールと、前記複数のコンタクトホールの内壁面を覆って前記第１導電層と電気的に接続された第２導電層と、を備えた液晶装置の製造方法であって、
前記複数のコンタクトホールを形成する工程は、
第１コンタクトホールが形成された第１層間絶縁膜上に第２層間絶縁膜を形成する工程と、
前記第２層間絶縁膜上に前記第１コンタクトホールよりも広い開口部を有するマスク材を形成する工程と、
前記マスク材を用いて前記第２層間絶縁膜に前記第１コンタクトホールと連通する第２コンタクトホールを形成する工程と、を含むことを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項６】
前記第２導電層を形成する工程は、
前記第１層間絶縁膜上に前記第１コンタクトホールの内壁面を覆って前記第１導電層と電気的に接続する第１の層を形成する工程と、
前記第１の層の前記第１コンタクトホールのエッジ部に形成された部分をエッチングにより面取りする工程と、
前記第１の層の前記面取りされた部分を覆って第２の層を形成する工程と、を含むことを特徴とする請求項５に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項７】
前記第１の層を面取りする工程は、前記第１の層上に前記第２層間絶縁膜及び前記第２コンタクトホールを形成する際に前記第１の層を前記第２層間絶縁膜のエッチング材によってオーバーエッチングすることにより行われることを特徴とする請求項６に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項８】
前記マスク材は、前記第１導電層と前記第２導電層との間に配置される第３層間絶縁膜を構成し、
前記第２導電層は、前記マスク材の開口部である第３コンタクトホールの内壁面を覆って前記第１導電層と電気的に接続されることを特徴とする請求項５〜６のいずれかの項に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項９】
前記マスク材は感光性樹脂を塗布することによって形成されることを特徴とする請求項８に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項１〜４のいずれかの項に記載の液晶装置又は請求項５〜９のいずれかの項に記載の液晶装置の製造方法により製造されてなる液晶装置を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置、液晶装置の製造方法並びに電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、液晶装置の開口率を向上する技術として、複数の配線や駆動素子を層間絶縁膜を介して積層する方法が知られている。この液晶装置においては、積層された複数の層は、層間絶縁膜に開孔したコンタクトホールによって接続される。しかし、それぞれのコンタクトホールを別々の場所に形成すると、開口率が低下して明るい表示が実現できなくなる。そこで、特許文献１では、複数のコンタクトホールを同一平面領域内に重ねて配置する技術（積層コンタクトホール構造）が開示されている。
【特許文献１】特開平１０−３０７３０５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、コンタクトホールを重ねて配置すると、その境界部において導電層の段切れが発生する場合がある。これは、層間絶縁膜にコンタクトホールを開孔し、その上に導電層を堆積した際に、コンタクトホールの内壁面で導電層の膜厚が薄くなり、切断されるためである。このような段切れを防止するためには、導電層を厚く形成しなければならないが、導電層を厚く形成すると、プロセス時間が増加したり、製造コストが増加する等の問題が発生する。また、導電層として画素電極を形成する場合、画素電極は通常透明電極とする必要があり、その膜厚を増やすと、透明性が失われ、十分な明るさが得られなくなる。例えば、画素電極を透明電極とした場合、画素電極の厚みは通常１００ｎｍ以下とするが、このように薄い厚みで画素電極を形成すると、コンタクトホールの境界部で段切れが発生し易くなり、歩留まりを低下させる原因となる。
【０００４】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、複数のコンタクトホールを積層した積層コンタクトホール構造において、コンタクトホールの境界部での導電層の段切れを防止し、信頼性に優れた液晶装置及びその製造方法を提供することを目的とする。また、このような液晶装置を備えることにより、明るく、信頼性に優れた液晶表示部を備えた電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記の課題を解決するため、本発明の液晶装置は、第１導電層上に設けられた複数の層間絶縁膜と、前記複数の層間絶縁膜にそれぞれ連通して設けられた複数のコンタクトホールと、前記複数のコンタクトホールの内壁面を覆って前記第１導電層と電気的に接続された第２導電層と、を備え、前記複数のコンタクトホールは、上層側に設けられたコンタクトホールが下層側に設けられたコンタクトホールよりも大きく形成されていることを特徴とする。この構成によれば、複数のコンタクトホールが互いに平面的に重なるように形成されるので、開口率の高い液晶装置が提供できる。また、上層側のコンタクトホールが下層側のコンタクトホールよりも広く形成されているので、各コンタクトホールの境界部に段差ができ、その段差部分に形成された導電部によって各コンタクトホールに形成された導電層を良好に接続することができる。したがって、コンタクトホールの境界部で段切れが発生しにくい信頼性の高い液晶装置が提供できる。
【０００６】
本発明においては、前記第２導電層は１層又は複数層の導電層を含み、前記１層又は複数層の導電層のうちのいずれか１層は透明導電膜からなることが望ましい。この構成によれば、第２導電層に透明導電膜を用いることで、液晶装置の開口率を向上できる。また、透明導電膜を厚く形成しなくてもコンタクトホールの境界部で段切れが発生しないため、明るい表示が実現できる。
【０００７】
本発明においては、前記第２導電層は、第１の層と、前記第１の層の前記コンタクトホールのエッジ部に形成された面取り部と、前記面取り部を覆って前記第１の層上に設けられた第２の層と、を備えることが望ましい。この構成によれば、第１の層に面取り部が形成されるので、この面取り部において第１の層と第２の層との電気的接続を良好なものとすることができる。これにより、さらに信頼性の高い液晶装置が提供できる。
【０００８】
本発明においては、前記第２導電層上に絶縁膜を介して設けられた第３導電層と、前記第２導電層と前記第３導電層との間に生じる電界によって駆動される液晶層と、を備えることが望ましい。この構成によれば、信頼性が高く、明るい表示が可能な横電界方式の液晶装置が提供できる。例えば、横電界方式の一種であるＦＦＳ（Fringe Field Switching）方式の液晶装置では、第２導電層と第３導電層との間で蓄積容量が形成されるため、別途蓄積容量を形成する必要がなく、蓄積容量の面積分だけ開口率が向上するからである。ただし、蓄積容量が形成されないため、コンタクトホールを形成すると、その分開口率が低下することになる。しかし、本発明の液晶装置では、このような開口率の低下が最小限に抑えられるため、従来に比べて明るく信頼性に優れた液晶装置が提供できる。なお、このような事情は、ＩＰＳ（In-Plane Swiching）方式等の他の横電界方式の液晶装置でも同様である。
【０００９】
本発明の液晶装置の製造法は、第１導電層上に設けられた複数の層間絶縁膜と、前記複数の層間絶縁膜にそれぞれ連通して設けられた複数のコンタクトホールと、前記複数のコンタクトホールの内壁面を覆って前記第１導電層と電気的に接続された第２導電層と、を備えた液晶装置の製造方法であって、前記複数のコンタクトホールを形成する工程は、第１コンタクトホールが形成された第１層間絶縁膜上に第２層間絶縁膜を形成する工程と、前記第２層間絶縁膜上に前記第１コンタクトホールよりも広い開口部を有するマスク材を形成する工程と、前記マスク材を用いて前記第２層間絶縁膜に前記第１コンタクトホールと連通する第２コンタクトホールを形成する工程と、を含むことを特徴とする。この方法によれば、複数のコンタクトホールが互いに平面的に重なるように形成されるので、開口率の高い液晶装置が提供できる。また、上層側のコンタクトホールが下層側のコンタクトホールよりも広く形成されているので、各コンタクトホールの境界部に段差ができ、その段差部分に形成された導電部によって各コンタクトホールに形成された導電層を良好に接続することができる。したがって、コンタクトホールの境界部で段切れが発生しにくい信頼性の高い液晶装置が提供できる。
【００１０】
本発明においては、前記第２導電層を形成する工程は、前記第１層間絶縁膜上に前記第１コンタクトホールの内壁面を覆って前記第１導電層と電気的に接続する第１の層を形成する工程と、前記第１の層の前記第１コンタクトホールのエッジ部に形成された部分をエッチングにより面取りする工程と、前記第１の層の前記面取りされた部分を覆って第２の層を形成する工程と、を含むことが望ましい。この方法によれば、第１の層に面取り部が形成されるので、この面取り部において第１の層と第２の層との電気的接続を良好なものとすることができる。これにより、さらに信頼性の高い液晶装置が提供できる。
【００１１】
本発明においては、前記第１の層を面取りする工程は、前記第１の層上に前記第２層間絶縁膜及び前記第２コンタクトホールを形成する際に前記第１の層を前記第２層間絶縁膜のエッチング材によってオーバーエッチングすることにより行われることが望ましい。この方法によれば、工程を増やさずに容易に面取り部を形成することができる。
【００１２】
本発明においては、前記マスク材は、前記第１導電層と前記第２導電層との間に配置される第３層間絶縁膜を構成し、前記第２導電層は、前記マスク材の開口部である第３コンタクトホールの内壁面を覆って前記第１導電層と電気的に接続されることが望ましい。この方法によれば、第２層間絶縁膜よりも厚い絶縁膜を容易に形成することができる。
【００１３】
本発明においては、前記マスク材は感光性樹脂を塗布することによって形成されることが望ましい。この方法によれば、マスク材のパターニングを容易にすることができる。また、マスク材を塗布により形成することで、マスク材が平坦化膜として機能し、マスク材の上層側に配置される層（第２導電層等）の段切れを防止することができる。これにより、さらに信頼性に優れた液晶装置が提供できる。
【００１４】
本発明の電子機器は、前述した本発明の液晶装置又は前述した本発明の液晶装置の製造方法により製造されてなる液晶装置を備えることを特徴とする。この構成によれば、明るく、信頼性の高い液晶表示部を備えた電子機器を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。かかる実施の形態は、本発明の一態様を示すものであり、この発明を限定するものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で任意に変更可能である。また、以下の図面においては、各構成をわかりやすくするために、実際の構造と各構造における縮尺や数等が異なっている。
【００１６】
また、以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。この際、水平面内における所定方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれに直交する方向（すなわち鉛直方向）をＺ軸方向とする。例えば本実施形態においては、Ｘ軸方向を走査線の延在方向、Ｙ軸方向をデータ線の延在方向、Ｚ軸方向を観察者による液晶パネルの観察方向としている。
【００１７】
図１は、本発明の液晶装置の一実施形態の回路構成図である。本実施形態の液晶装置１００は、液晶に対し略基板面方向の電界を印加して配向を制御することにより画像表示を行う方式のうち、ＦＦＳ方式と呼ばれる方式を採用したアクティブマトリクス方式の透過型液晶装置である。また本実施形態の液晶装置は、基板上にカラーフィルタを具備したカラー液晶装置であり、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の各色光を出力する３個のサブ画素で１個の画素を構成するものとなっている。したがって表示の最小単位を構成する領域を「サブ画素領域」、一組（Ｒ，Ｇ，Ｂ）のサブ画素から構成される領域を「画素領域」と称する。
【００１８】
図１に示すように、液晶装置１００の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数のサブ画素領域には、それぞれ画素電極９と画素電極９をスイッチング制御するためのＴＦＴ３０とが形成されており、データ線駆動回路から延びるデータ線６ａがＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線駆動回路１０１は、画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎをデータ線６ａを介して各サブ画素に供給する。前記画像信号Ｓ１〜Ｓｎはこの順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。
【００１９】
また、ＴＦＴ３０のゲートには、走査線駆動回路１０２から延びる走査線３ａが電気的に接続されており、走査線駆動回路１０２から所定のタイミングで走査線３ａにパルス的に供給される走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍが、この順に線順次でＴＦＴ３０のゲートに印加されるようになっている。画素電極９は、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されている。スイッチング素子であるＴＦＴ３０が走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎが所定のタイミングで画素電極９に書き込まれるようになっている。画素電極９を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、画素電極９と液晶を介して対向する共通電極との間で一定期間保持される。なお、符号３ｂを付して示す配線は、各サブ画素内の共通電極間を電気的に接続する共通線である。
【００２０】
図２は、本実施形態の液晶装置を構成するマトリクス状に形成されたサブ画素領域の平面構成図である。液晶装置１００には、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）等の透明導電膜からなる平面視略矩形状の複数の画素電極９が設けられている。画素電極９はＸ軸方向及びＹ軸方向に配列されており、該画素電極９の間隙に沿ってＹ軸方向に延在する複数のデータ線６ａとＸ軸方向に延在する複数の走査線３ａとが設けられている。画素電極９の配置された領域は表示の最小単位であるサブ画素を構成し、該サブ画素がＸ軸方向及びＹ軸方向に配列することにより全体としての表示領域が形成されている。
【００２１】
走査線３ａとデータ線６ａとの交差部近傍には、画素スイッチング素子であるＴＦＴ３０が設けられている。ＴＦＴ３０は、平面視略Ｌ字状のポリシリコン膜からなる半導体層３５を備えている。半導体層３５の一端側はデータ線６ａと交差しており、半導体層３５とデータ線６ａとが平面的に重なる位置にソースコンタクトホール４４が設けられている。そして、このソースコンタクトホール４４を介して半導体層３５とデータ線６ａとが電気的に接続されている。一方、半導体層３５の他端側は画素電極９と平面的に重なるように配置されており、半導体層３５と画素電極９とが平面的に重なる位置にドレインコンタクトホール４５及び画素コンタクトホール４７が設けられている。ドレインコンタクトホール４５と画素コンタクトホール４７とは互いに連通しており、このドレインコンタクトホール４５及び画素コンタクトホール４７を介して半導体層３５と画素電極９とが電気的に接続されている。さらに、半導体層３５の中央部は走査線３ａと交差しており、半導体層３５の走査線３ａと平面的に重なる部分がＴＦＴ３０のチャネル領域とされ、該チャネル領域と対向する部分の走査線３ａがＴＦＴ３０のゲート電極３３となっている。
【００２２】
画素電極９の上層側には、画素電極９と対向してＩＴＯ等の透明導電膜からなる平面視ベタ状の共通電極１９が設けられている。共通電極１９は複数のサブ画素領域に跨って設けられている。画素電極９と共通電極１９とが平面視で重なる領域は、当該サブ画素領域の容量として機能する。また、共通電極１９と画素電極９とが対向する対向領域には、共通電極１９を部分的に除去して形成された複数のスリット（開口部）１９ｓが設けられている。スリット１９ｓは走査線３ａと略平行な方向（Ｘ軸方向）に延在しており、複数のスリット１９ｓが互いに均等な間隔でデータ線６ａの延在方向（Ｙ軸方向）に沿って配列している。そして、スリット１９ｓを介して画素電極９と共通電極１９との間に走査線３ａと略直交する方向（Ｙ軸方向）の横電界が発生するようになっている。
【００２３】
図３は、図２のＡ−Ａ’線に沿う断面構成図である。液晶装置１００は、互いに対向するＴＦＴアレイ基板（第１基板）１０及び対向基板（第２基板）２０と、該ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０との間に挟持された液晶層５０とを備えている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが対向する対向領域の周縁部には図示略のシール材が設けられており、該シール材とＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０との間に形成された空間（セルギャップ）に、液晶層５０が封止されている。
【００２４】
ＴＦＴアレイ基板１０は、ガラスや石英、プラスチック等の透光性の基板本体１０Ａを基体として備えている。基板本体１０Ａの液晶層５０側には半導体層３５が形成されており、半導体層３５を覆ってシリコン酸化物等の透明絶縁膜からなるゲート絶縁膜１１が形成されている。ゲート絶縁膜１１上には走査線３ａが形成されている。そして、走査線３ａと対向する部分の半導体層３５がＴＦＴ３０のチャネル領域３５ｃとなり、半導体層３５と対向する部分の走査線３ａがゲート電極３３となっている。また、半導体層３５のチャネル領域３５ｃを挟んだ両側には、それぞれソース領域３５ｓとドレイン領域３５ｄとが形成されている。
【００２５】
ゲート絶縁膜１１上には、走査線３ａ（ゲート電極３３）及びゲート絶縁膜１１を覆ってシリコン酸化物等からなる第１層間絶縁膜１２が形成されている。第１層間絶縁膜１２及びゲート絶縁膜１１のソース領域３５ｓに対向する部分には、第１層間絶縁膜１２及びゲート絶縁膜１１を貫通するソースコンタクトホール４４が形成されている。第１層間絶縁膜１２上にはデータ線６ａが形成されており、ソースコンタクトホール４４の内壁面を覆って形成された導電膜を介して、ソースコンタクトホール４４の底部に露出したソース領域３５ｓと電気的に接続されている。また、第１層間絶縁膜１２及びゲート絶縁膜１１のドレイン領域３５ｄに対向する部分には、第１層間絶縁膜１２及びゲート絶縁膜１１を貫通するドレインコンタクトホール（第１コンタクトホール）４５が形成されている。第１層間絶縁膜１２上にはドレイン電極３２が形成されており、ドレインコンタクトホール４５の内壁面を覆って形成された導電膜を介して、ドレインコンタクトホール４５の底部に露出したドレイン領域３５ｄと電気的に接続されている。
【００２６】
第１層間絶縁膜１２上には、データ線６ａ及びドレイン電極３２を覆ってシリコン窒化膜等からなる第２層間絶縁膜１５が形成されている。また、第２層間絶縁膜１５を覆って、アクリル等の樹脂膜からなる第３層間絶縁膜１３が形成されている。第３層間絶縁膜１３は、基板本体１０Ａ上にＴＦＴ３０等を形成することにより生じた凹凸を平坦化する平坦化膜として機能するものである。第３層間絶縁膜１３のドレイン電極３２に対向する部分には、第３層間絶縁膜１３を貫通する開口部（第３コンタクトホール）４７ａが形成されている。また、第２層間絶縁膜１５には第３層間絶縁膜１３の開口部４７ａと連通する開口部（第２コンタクトホール）４７ｂが形成されており、これらの開口部４７ａ及び４７ｂによって画素コンタクトホール４７が形成されている。画素コンタクトホール４７はドレインコンタクトホール４５の直上に形成されている。画素コンタクトホール４７はドレインコンタクトホール４５よりも大きな面積で形成されており、画素コンタクトホール４７の底部には、ドレインコンタクトホール４５の内壁面を覆って第１層間絶縁膜１２の上面に配置されたドレイン電極３２の一部が露出している。第３層間絶縁膜１３上には、ＩＴＯ等の透明導電膜からなる平面視略矩形状の画素電極９が形成されており、画素コンタクトホール４７の内壁面を覆って形成された導電膜を介して、画素コンタクトホール４７の底部に露出したドレイン電極３２と電気的に接続されている。
【００２７】
第３層間絶縁膜１３上には、画素電極９を覆ってシリコン窒化膜等からなる電極部絶縁膜１８が形成されている。電極部絶縁膜１８上には、ＩＴＯ等の透明導電膜からなる平面視ベタ状の共通電極１９が形成されている。共通電極１９には、画素電極９と対向する部部に複数のスリット１９ｓが形成されている。また、共通電極１９及び電極部絶縁膜１８を覆って、ポリイミド等の配向膜１６が形成されている。配向膜１６はラビング処理等を施されて液晶を所定方向に配向させるようになっている。配向膜１６による配向規制方向は、例えば走査線３ａの延在方向（Ｘ軸方向）と平行であり、共通電極１９のスリット１９ｓの延在方向とは交差する方向である。
【００２８】
対向基板２０は、ガラスや石英、プラスチック等の透光性の基板本体２０Ａを基体として備えている。基板本体２０Ａの液晶層５０側には、カラーフィルタ２２と配向膜２８とが順に設けられている。カラーフィルタ２２は、各サブ画素領域に対応して設けられた色材層を具備している。配向膜２８はＴＦＴアレイ基板１０側の配向膜１６と同様の構成であり、配向膜２８による配向規制方向は、配向膜１６の配向規制方向と略平行であり、したがって液晶層５０は、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で、水平配向の初期配向状態を呈するものとなっている。
【００２９】
ＴＦＴアレイ基板１０の液晶層５０とは反対側には、偏光板１４が設けられている。偏光板１４のＴＦＴアレイ基板１０とは反対側には、導光板９１及び反射板９２を備えた照明装置９０が配設されている。また、対向基板２０の液晶層５０とは反対側には、偏光板２４が設けられている。そして、走査線３ａ及びデータ線６ａを介した信号入力によって、スリット１９ｓに臨む共通電極１９の端縁と画素電極９との間に電界を発生させて液晶を駆動し、所望のカラー表示を行うようになっている。
【００３０】
次に、図４及び図５を用いて、液晶装置１００の製造方法を説明する。なお、図４及び図５では、第１導電層としての半導体層３５（ドレイン領域３５ｄ）と、第２導電層としての画素電極９及びドレイン電極３２とを電気的に接続するための工程を中心に説明し、他の工程の詳細な説明は省略する。
【００３１】
まず、図４（ａ）に示すように、半導体層３５上にゲート絶縁膜１１、ゲート電極３３及び第１層間絶縁膜１２を形成する。そして、半導体層３５のソース領域３５ｓに対応する部分に、第１層間絶縁膜１２及びゲート絶縁膜１１を貫通するソースコンタクトホール４４を形成し、第１層間絶縁膜１２上にソースコンタクトホール４４を介してソース領域３５ｓと電気的に接続するデータ線６ａを形成する。また、半導体層３５のドレイン領域３５ｄに対応する部分に、第１層間絶縁膜１２及びゲート絶縁膜１１を貫通するドレインコンタクトホール（第１コンタクトホール）４５を形成し、第１層間絶縁膜１２上にドレインコンタクトホール４５を介してドレイン領域３５ｄと電気的に接続するドレイン電極３２を形成する。
【００３２】
ソースコンタクトホール４４とドレインコンタクトホール４５とは、同一のエッチング工程によって同時に形成する。また、データ線６ａとドレイン電極３２とは、同一の成膜工程によって同時に形成する。ドレイン電極３２はドレインコンタクトホール４５よりも広い面積で形成する。これにより、第２導電層の第１の層であるドレイン電極３２が、第１層間絶縁膜１２の上面及びドレインコンタクトホール４５の内壁面を覆って、ドレインコンタクトホール４５の底部に露出した第１導電層としての半導体層３５と電気的に接続される。
【００３３】
次に、図４（ｂ）に示すように、第１層間絶縁膜１２上にデータ線６ａおよびドレイン電極３２を覆ってシリコン窒化膜等の無機絶縁膜からなる第２層間絶縁膜１５を形成する。さらに、第２層間絶縁膜１５上にアクリル等の感光性樹脂膜を塗布し、第２層間絶縁膜１５上に平坦化膜としての第３層間絶縁膜１３を形成する。
【００３４】
次に、図４（ｃ）に示すように、第３層間絶縁膜１３に現像処理及び露光処理を施して、ドレインコンタクトホール４５に対向する部分に開口部（第３コンタクトホール）４７ａを形成する。この開口部４７ａはドレインコンタクトホール４５よりも広い面積で形成する。例えば、ドレインコンタクトホール４５の径を３μｍとした場合、開口部４７ａの径はそれよりも大きい５μｍ程度とする。そして、開口部４７ａの底部に、第１層間絶縁膜１２上に配置されたドレイン電極３２の一部が配置されるようにする。これにより、第３層間絶縁膜１３を露光する際、焦点深度差による露光不良を抑制でき、これによる導電層の段切れも抑制できる。
【００３５】
次に、図５（ａ）に示すように、第３層間絶縁膜１３をマスク材として第２層間絶縁膜１５をエッチングし、第２層間絶縁膜１５に開口部（第２コンタクトホール）４７ｂを形成する。これにより、第３層間絶縁膜１３及び第２層間絶縁膜１５を貫通する画素コンタクトホール４７が形成される。この際、画素コンタクトホール４７の底部に露出したドレイン電極３２をオーバーエッチングし、ドレイン電極３２のドレインコンタクトホール４５のエッジ部Ｋに形成された部分を面取りする。
【００３６】
次に、図５（ｂ）に示すように、第３層間絶縁膜１３上に画素コンタクトホール４７を介してドレイン電極３２と電気的に接続する画素電極９を形成する。画素電極９は、画素コンタクトホール４７の内壁面及び該画素コンタクトホール４７の底部に露出したドレイン電極３２の表面を覆ってドレインコンタクトホール４５の底部まで形成する。これにより、第２導電層の第２の層としての画素電極９が、第１の層であるドレイン電極３２を介して、第１導電層としての半導体層３５と電気的に接続される。画素電極９の一部は、画素コンタクトホール４７がドレインコンタクトホール４５よりも広い面積で形成されているので、第１層間絶縁膜１２上に露出したドレイン電極３２上に堆積される。そして、この第１層間絶縁膜１２上に堆積した部分によってドレイン電極３２と良好に接続される。
【００３７】
この後、画素電極９上に電極部絶縁膜１８を形成し、電極部絶縁膜１８を覆って第３導電層としての共通電極１９を形成する。そして、共通電極１９上に配向膜１６を形成し、ラビング処理等を施した後、対向基板２０と貼り合わせ、対向基板２０とＴＦＴアレイ基板１０との間隙（セルギャップ）に液晶を注入する。そして、必要に応じて、ＴＦＴアレイ基板１０の外面側及び対向基板２０の外面側にそれぞれ偏光板１４及び２４を貼着し、さらにＴＦＴアレイ基板１０の外面側にバックライト等の照明装置９０を配置する。以上により、液晶装置１００が完成する。
【００３８】
以上説明したように、本実施形態の液晶装置１００においては、画素コンタクトホール４７がドレインコンタクトホール４５と平面的に重なるように配置されているため、開口率の高い液晶装置が提供できる。また、上層側の画素コンタクトホール４７が下層側のドレインコンタクトホール４５よりも広く形成されているので、各コンタクトホール４５，４７の境界部Ｋに段差ができ、その段差部分に形成された導電部によって各コンタクトホール４５，４７に形成された導電層（ドレイン電極３２及び画素電極９）を良好に接続することができる。したがって、コンタクトホールの境界部で段切れが発生しにくい信頼性の高い液晶装置が提供できる。
【００３９】
また、ドレイン電極３２のドレインコンタクトホール４５のエッジ部Ｋに面取り部が形成されているので、この面取り部においてドレイン電極３２と画素電極９との電気的接続を良好なものとすることができる。この面取り部は、ドレイン電極３２上に第２層間絶縁膜１２、第３層間絶縁膜１３及び画素コンタクトホール４７を形成する際にドレイン電極３２を第２層間絶縁膜１２のエッチング材によってオーバーエッチングすることにより形成されるため、工程を増やさずに、容易に信頼性の高い液晶装置が提供できる。
【００４０】
さらに、画素電極９と共通電極１９との間に生じる電界を利用したＦＦＳ方式を採用しているため、明るい表示が可能な液晶装置が提供できる。ＦＦＳ方式の液晶装置では、画素電極９と共通電極１９との間で蓄積容量が形成されるため、別途蓄積容量を形成する必要がないからである。ただし、蓄積容量が形成されないため、コンタクトホール４５，４７を形成すると、その分開口率が低下することになる。しかし、本実施形態の液晶装置１００では、これらのコンタクトホール４５，４７が平面的に重なるように配置され、開口率の低下が最小限に抑えられるため、従来に比べて明るく信頼性に優れた液晶装置が提供できる。
【００４１】
なお、本実施形態では、液晶装置１００をＦＦＳ方式の透過型液晶装置としたが、本発明はＦＦＳ方式に限らず、ＩＰＳ方式等の他の横電界方式にも適用可能である。また、横電界方式以外の、例えばＴＮ（Twisted Nematic）方式、ＶＡ（Vertical Alignment）方式、ＯＣＢ（Optical Compensated Birefringence）方式等にも広く適用することも可能であり、さらに透過型以外の反射型或いは半透過反射型の液晶装置に適用することも可能である。
【００４２】
［電子機器］
次に、図６を用いて、本発明の液晶装置を備えた電子機器の実施形態について説明する。図６は、本発明の液晶装置の一例である図１の液晶装置を携帯電話の表示部に適用した例についての概略構成図である。同図に示す携帯電話１３００は、上記実施形態の液晶装置を小サイズの表示部１３０１として備え、複数の操作ボタン１３０２、受話口１３０３、及び送話口１３０４を備えて構成されている。上記各実施の形態の液晶装置は、上記携帯電話に限らず、電子ブック、プロジェクタ、パーソナルコンピュータ、ディジタルスチルカメラ、テレビジョン受像機、ビューファインダ型あるいはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等々の画像表示手段として好適に用いることができ、かかる構成とすることで、明るく、信頼性に優れた液晶表示部を備えた電子機器を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】液晶装置の等価回路図である。
【図２】同液晶装置のサブ画素の平面図である。
【図３】図２のＡ−Ａ’線に沿う断面図である。
【図４】同液晶装置の製造方法を説明する工程図である。
【図５】同液晶装置の製造方法を説明する工程図である。
【図６】電子機器の一例である携帯電話機の斜視図である。
【符号の説明】
【００４４】
９…画素電極（第２の層）、１２…第１層間絶縁膜、１３…第３層間絶縁膜、１５…第２層間絶縁膜、１９…共通電極（第３導電層）、３２…ドレイン電極（第１の層）、３５ｄ…ドレイン領域（第１導電層）、４５…ドレインコンタクトホール（第１コンタクトホール）、４７ａ…第３層間絶縁膜の開口部（第３コンタクトホール）４７ｂ…第２層間絶縁膜の開口部（第２コンタクトホール）、５０…液晶層、１００…液晶装置、１３００…携帯電話（電子機器）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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