(57)【要約】【課題】ＭＥＭＳスイッチ（１４）を静電作動させるゲート電圧制御システムを提供する。【解決手段】閉状態／開状態を切り替えるため、ギャップを通って移動可能な静電応答性のアクチュエータを備える。駆動回路（１０）はゲート電圧制御シーケンスにしたがってデバイスのゲート端子（１６）にゲート電圧を印加する。ゲート電圧制御シーケンスは、アクチュエータを加速させてアクチュエータがギャップの一部を横断して各作動状態に達するのに十分な静電力を発生する電圧レベルまで、ゲート電圧を一定比率で増加させる第１の時間間隔（Ｔ１）と、移動可能なアクチュエータに作用する静電力を低減するのに十分なレベルまで、ゲート電圧を一定比率で減少させる第２の時間間隔（Ｔ２）を含む。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
微小電子機械システムスイッチ（１４）を静電作動させるゲート電圧制御システムにおいて、前記スイッチが、前記スイッチを作動させて閉切換え状態および開切換え状態の１つに対応する各切換え状態とするため、ギャップを通って移動可能な静電応答性のアクチュエータを備え、前記ゲート電圧制御システムが、
ゲート電圧を印加するため、前記スイッチのゲート端子（１６）に電気的に結合された駆動回路（１０）と、
ゲート電圧制御シーケンスにしたがって前記ゲート端子に印加される前記ゲート電圧を制御するため、前記駆動回路に電気的に結合されたコントローラ（１２）とを備え、
前記ゲート電圧制御シーケンスが、前記アクチュエータを加速させて前記アクチュエータが前記ギャップの一部を横断して前記各作動状態に達するのに十分な静電力を発生する電圧レベルまで、前記ゲート電圧を一定比率で増加させる第１の時間間隔（Ｔ１）を含み、前記ゲート電圧制御シーケンスが、前記移動可能なアクチュエータに作用する前記静電力を低減するのに十分なレベルまで、前記ゲート電圧を一定比率で減少させる第２の時間間隔（Ｔ２）をさらに含み、それによって、前記閉切換え状態を確立するため前記アクチュエータがスイッチ接点を係合する力の量を低減するか、または前記アクチュエータが前記開切換え状態に達する間その行過ぎ位置を回避する制御システム。
【請求項２】
前記ゲート電圧制御シーケンスが、前記アクチュエータが前記スイッチ接点を係合して前記閉切換え状態を確立する際、前記アクチュエータと前記スイッチ接点の間の所望量の機械的圧力を維持するのに十分な静電力を発生する電圧レベルまで、前記ゲート電圧を一定比率で増加させる第３の時間間隔をさらに含む、請求項１記載の制御システム。
【請求項３】
前記アクチュエータがカンチレバービームを含む、請求項１記載の制御システム。
【請求項４】
前記微小電子機械システムスイッチが、微小電子機械システムスイッチのアレイを含む、請求項３記載の制御システム。
【請求項５】
前記スイッチアレイの各カンチレバービームが、複数の対応するスイッチ接点を係合する前に、前記ギャップ内における互いに対するそれぞれの位置を安定させることができるのに十分な長さの期間、前記第２の時間間隔の間に達した前記ゲート電圧が印加される、請求項１記載の制御システム。
【請求項６】
前記コントローラが開ループコントローラとして構成された、請求項１記載の制御システム。
【請求項７】
前記コントローラが、前記スイッチを作動させて前記各切換え状態とするため、前記カンチレバーが前記ギャップを通って移動すると、前記カンチレバーの動きを監視するように結合され、さらに、前記コントローラが、少なくとも前記監視されたカンチレバーの動きに基づいて、閉ループゲート電圧制御シーケンスを行うように構成された、請求項１記載の制御システム。
【請求項８】
微小電子機械システムデバイス（１４）を静電作動させるゲート電圧制御システムにおいて、前記デバイスが、前記デバイスを作動させて第１の作動状態および第２の作動状態の１つに対応する各作動状態とするため、ギャップを通って移動可能な静電応答性のアクチュエータを備え、前記制御システムが、
ゲート電圧を印加するため、前記デバイスのゲート端子（１６）に電気的に結合された駆動回路（１０）と、
ゲート電圧制御シーケンスにしたがって前記ゲート端子に印加される前記ゲート電圧を制御するため、前記駆動回路に電気的に結合されたコントローラ（１２）とを備え、
前記ゲート電圧制御シーケンスが、前記アクチュエータを加速させて前記アクチュエータが前記ギャップの一部を横断して前記各作動状態に達するのに十分な静電力を発生する電圧レベルまで、前記ゲート電圧を一定比率で増加させる第１の時間間隔（Ｔ１）を含み、前記ゲート電圧制御シーケンスが、前記移動可能なアクチュエータに作用する前記静電力を低減するのに十分なレベルまで、前記ゲート電圧を一定比率で減少させる第２の時間間隔（Ｔ２）をさらに含み、それによって、前記第１の作動状態を確立するため前記アクチュエータが接点を係合する力の量を低減するか、または前記アクチュエータが前記第２の作動状態に達する間その行過ぎ位置を回避する制御システム。
【請求項９】
前記ゲート電圧制御シーケンスが、前記アクチュエータが前記接点を係合して前記第１の作動状態を確立する際、前記アクチュエータと前記接点の間の所望量の機械的圧力を維持するのに十分な静電力を発生する電圧レベルまで、前記ゲート電圧を一定比率で増加させる第３の時間間隔をさらに含む、請求項８記載の制御システム。
【請求項１０】
前記微小電子機械システムデバイスが微小電子機械システムスイッチを含み、前記アクチュエータがカンチレバービームを含み、前記第１の作動状態が閉切換え状態を含み、かつ前記第２の作動状態が開切換え状態を含む、請求項８記載の制御システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般に、微小電子機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスを作動させる回路群に関し、より具体的には、ゲート電圧制御システムおよびＭＥＭＳスイッチを静電作動させる方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
静電作動に応答するアクチュエータ（例えば、カンチレバービーム）を含んでもよい微小電子機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスを、静電作動させることが知られている。例えば、ＭＥＭＳスイッチでは、静電作動は、一般に、三端子デバイスの場合はゲート端子とソース端子の間に、あるいは四端子デバイスの場合はゲート端子とゲート接地の間に、電圧源から電圧を印加することによって生じる。作動電圧は、約３Ｖ〜約１００Ｖ超過の範囲であることができ、一般的には、階段関数または階段関数の実現可能な近似として印加されてもよい。
【特許文献１】米国特許第７，０６１，６６０号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
例えば、階段関数電圧が低いとき（例えば、０Ｖ）、常時開スイッチは開いたままである。階段関数電圧が高く（例えば、１００Ｖ）なるとき、スイッチは閉じられて導電性切換え状態となる。電圧源の制御の実現は、この種の静電作動の場合、複雑ではない傾向がある。例えて言うと、これは、車両（例えば、カンチレバービーム）を加速させて、可能な限り速く（ブレーキを作用させずに）ポスト（例えば、スイッチ接点）に到達させることに類似している。
【０００４】
また、この形態の静電作動（例えば、階段関数）は、スイッチを閉じる間またはスイッチを開く間のどちらかにおいて望ましくない影響を引き起こすことがあることが知られている。例えば、スイッチを閉じる際、カンチレバービームがスイッチ接点に接近するにつれて、ゲートとカンチレバーの間の漸減するギャップが減少し、カンチレバーに作用する静電力の増加（１／ｇａｐ２に比例）を引き起こす。その結果、カンチレバービームは、接点に接近するにつれて大幅に加速し、相当な力で接点に衝撃を与える（例えば、高速衝撃）ことがある。
【０００５】
この高速衝撃はいくつかの結果を有することがある。第一に、最初の高速衝撃の後、ビームおよび／または接点は、作動電圧によって駆動されて連続的な接点を確立する前に、反発する（例えば、機械的振動またははね返り）ことがある。このはね返りは、ビームが最終的に安定する前に１回以上生じることがある。高速衝撃（および付随するはね返り）を解決するいくつかの方策は、一般に、面倒で高価な方策を必要としてきたが、それらは、例えば、ビームをより剛性にするため、その物理的寸法および／または材料を変えたり、緩衝構造を使用してスイッチが動作する環境を変えるなど、ＭＥＭＳデバイスの構造設計に影響を及ぼす可能性がある。他の方策は、作動電圧の強さを引き下げて、印加される静電力を減少させることを必要としてきた（例えて言うと、これは、車両を実現可能な限り速くポストに到達させるのに加速しないことと概念的に説明することができる）。しかし、これは、スイッチの作動時間を許容できないレベルまで増加させる傾向がある。高速衝撃による別の結果は、時間とともにスイッチ接点を急速に劣化させる傾向である。スイッチがその寿命にわたって行うように定格化されている動作サイクル数は、接点の磨耗によって限定される場合が多い。例えば、衝突するスイッチ接点に対する物理的な衝撃の量を低減することができた場合、はね返りの量は低減されるか、または排除され、スイッチの定格に相当数の動作サイクルを追加することができる。
【０００６】
同様に、スイッチを開く間、カンチレバービームはその中立の（例えば、通常の）開位置を行き過ぎる傾向があり、また、そのような中立位置に最終的に達するまで振動することがある。この振動運動により、スイッチを開く間、変動するスタンドオフ電圧がもたらされることがある。振動運動とは、ＭＥＭＳスイッチが開き、公称の定格電圧スタンドオフに達した後であっても、スイッチ（例えば、カンチレバー位置）が、最終的に中立位置で安定し、電圧スタンドオフの公称値を恒久的に満たす前に、１回以上その定格スタンドオフ電圧よりも下に瞬間的に下がる可能性があることを意味する。スイッチがその定格スタンドオフ電圧よりも下に下がる瞬間の間、このことによって、電圧スタンドオフがソース（負荷）電圧に対して必要な絶縁分離よりも下がることがあり、望ましくないアーク（電圧ブレークダウン）状態、または静電引力による瞬間的な再閉止に結び付くことがある。
【０００７】
上述の考慮点に鑑みて、改善された静電制御が必要とされている。例えば、スイッチの作動時間を大幅に低減することなく、ＭＥＭＳデバイス（例えば、スイッチ）におけるカンチレバービームの衝突の衝撃を低減する（または、スイッチを開く間のカンチレバービームの振動運動（例えば、行過ぎ）を低減する）ため、ゲート作動電圧を適切に調節（整形）するシステムおよび／または技術を提供することが望ましい。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
一般に、本発明は、その１つの態様では、微小電子機械システム（ＭＥＭＳ）スイッチを静電作動させるゲート電圧制御システムを提供する。スイッチは、スイッチを作動させて閉切換え状態および開切換え状態の１つに対応する各切換え状態とするため、ギャップを通って移動可能な静電応答性のアクチュエータを備えてもよい。制御システムは、ゲート電圧を印加するため、スイッチのゲート端子に電気的に結合された駆動回路を備える。制御システムは、ゲート電圧制御シーケンスにしたがってゲート端子に印加されるゲート電圧を制御するため、駆動回路に電気的に結合されコントローラをさらに備える。ゲート電圧制御シーケンスは、アクチュエータを加速させてアクチュエータがギャップの一部を横断して各作動状態に達するのに十分な静電力を発生する電圧レベルまで、ゲート電圧を一定比率で増加させる第１の時間間隔を含んでもよい。ゲート電圧制御シーケンスは、移動可能なアクチュエータに作用する静電力を低減するのに十分なレベルまで、ゲート電圧を一定比率で減少させる第２の時間間隔をさらに含んでもよい。これにより、閉切換え状態を確立するためアクチュエータがスイッチ接点を係合する力の量を低減するか、またはアクチュエータが開切換え状態に達する間その行過ぎ位置を回避することが可能になる。
【０００９】
本発明は、その別の態様では、微小電子機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスを静電作動させるゲート電圧制御システムを提供する。デバイスは、デバイスを作動させて第１の作動状態および第２の作動状態の１つに対応する各作動状態とするため、ギャップを通って移動可能な静電応答性のアクチュエータを備えてもよい。ゲート電圧制御システムは、ゲート電圧を印加するため、デバイスのゲート端子に電気的に結合された駆動回路を備えてもよい。ゲート電圧制御システムは、ゲート電圧制御シーケンスにしたがってゲート端子に印加されるゲート電圧を制御するため、駆動回路に電気的に結合されたコントローラをさらに備えてもよい。ゲート電圧制御シーケンスは、アクチュエータを加速させてアクチュエータがギャップの一部を横断して各作動状態に達するのに十分な静電力を発生する電圧レベルまで、ゲート電圧を一定比率で増加させる第１の時間間隔を含んでもよい。ゲート電圧制御シーケンスは、移動可能なアクチュエータに作用する静電力を低減するのに十分なレベルまで、ゲート電圧を一定比率で減少させる第２の時間間隔をさらに含んでもよい。これにより、第１の作動状態を確立するためアクチュエータが接点を係合する力の量を低減するか、またはアクチュエータが第２の作動状態に達する間その行過ぎ位置を回避することが可能になる。
【００１０】
本発明は、図面に照らして以下の記載において説明される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
本発明の実施形態にしたがって、微小電子機械システム（ＭＥＭＳ）スイッチに基づくスイッチアレイなどに対して、ゲート電圧制御を提供する（例えば、所望の切換え状態を満たす）のに使用されてもよい、構造上かつ／または動作上の関係を本明細書に記載する。現在、ＭＥＭＳとは、一般に、例えば、微細加工技術によって、複数の機能的に別個の要素、例えば機械的要素、電子機械的要素、センサ、アクチュエータ、および電子部品を共通の基板上に集積することができる、ミクロン規模の構造を指す。ただし、ＭＥＭＳデバイスに現在利用可能な多数の技術および構造が、ナノ技術に基づくデバイスによって、例えば１００ナノメートルよりも小さなサイズであってもよい構造によって、わずか数年間のうちに利用可能になるであろうことが考えられる。したがって、本書全体にわたって記載される例示的な実施形態は、ＭＥＭＳに基づくデバイスに言及するものであり得るものの、本発明の発明の態様は広く解釈されるべきであり、ミクロンサイズのデバイスに限定されるべきではないと考えられる。
【００１２】
以下の詳細な説明では、本発明の様々な実施形態を十分に理解できるように、多数の特定の詳細が説明される。しかし、当業者であれば、本発明の実施形態はこれらの特定の詳細なしに実施されてもよく、本発明は記述される実施形態に限定されず、また本発明は多種多様な代替実施形態の形で実施されてもよいことを理解するであろう。他の場合には、周知の方法、手順、および構成要素は詳細には記載されていない。
【００１３】
さらに、本発明の実施形態を理解するのに有用な形で行われる複数の別個の段階として、様々な動作が記載されている可能性がある。ただし、記載の順序は、これらの動作を示される順序で行う必要があることや、さらにはそれらが順序に依存することを示唆するものと解釈されるべきではない。さらに、「一実施形態では」という語句が繰り返し使用されていても、必ずしも同じ実施形態を指すものではないが、同じ実施形態を指すこともある。最後に、「備える」、「含む」、「有する」などの用語は、本出願で使用されるとき、特に示されない限り同義であるものとする。
【００１４】
本発明の発明者らは、スイッチなどの微小電子機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスにおいて、移動可能なアクチュエータ（例えば、カンチレバービーム型のアクチュエータ）を静電作動させるため、ゲート電圧を選択的に調節するシステムおよび／または技術を、革新的であるものと認識している。例えば、スイッチを閉じる間、本発明の態様にしたがってゲート電圧を調節することにより、スイッチ接点に対する緩衝効果を提供できるようになる可能性がある。反対に、スイッチを開く間、本発明の態様にしたがってゲート電圧を調節することにより、カンチレバービームの振動運動（例えば、行過ぎ位置）を低減できるようになる可能性がある。
【００１５】
図１は、本発明の態様による、ＭＥＭＳスイッチ１４の静電作動を行うように構成されたコントローラ１２に応答するゲートドライバ１０を含んでいてもよい、ゲート電圧制御システムの概略図である。静電作動は、ゲートドライバ１０によって印加される適切に構成されたゲート電圧を、例えば、三端子デバイスの場合はゲート端子１６とソース端子１８（例えば、カンチレバービーム）の間に、あるいは四端子デバイスの場合はゲート端子とゲート接地の間に印加することによって行われてもよい。図１は、開いた三端子スイッチの状態を示す。移動可能なビームが作動されて閉状態となると、カンチレバービーム１８の少なくとも一区画が、ＭＥＭＳスイッチのドレイン端子２０（例えば、スイッチ接点）に物理的に接するようになる。
【００１６】
図２は、ＭＥＭＳスイッチの本発明の態様にしたがって静電作動するように構成されていてもよい、ゲート電圧（即ち、縦軸）の波形の例示的な一実施形態のグラフである。実例となるガイド原理を説明するため、グラフは、時間軸（即ち、水平軸）に沿って一連の時間間隔（例えば、４つ）に細分化されてもよい。図２に図式的に描かれるような例示的な時間間隔は、いずれも、実際に実現する場合、所与の用途の要件に応じてより重要視されるか、またはより重要視されなくなることがあるので、本発明の態様を厳格に分類することを意図するものではないことが理解されるであろう。
【００１７】
時間間隔Ｔ１
この最初の時間間隔では、ゲート電圧は、高速で上昇する電圧（ｒａｐｉｄ  ｒａｔｅ  ｏｆ  ｒｉｓｅ  ｖｏｌｔａｇｅ）を提供するように選択されてもよい。これにより、加速を獲得し、ギャップ（文字ｇで示される）を横断するのに十分なエネルギーをカンチレバービームに付与することが可能になる。例示的な一実施形態では、ゲート電圧の大きさ（電圧Ｖ１として示される）は、そのような大きさがギャップ電圧ブレークダウンを回避する値以内で保たれることを前提として、十分に高いように選択されてもよい。例示的な一実施形態では、カンチレバーに作用するばね力を克服するのに十分な運動量が確実に提供されるように、時間間隔Ｔ１の持続時間は数百ナノ秒程度であってもよい。当業者には理解されるように、ゲート電圧の大きさＶ１は、カンチレバーのサイズ（例えば、質量）および剛性とゲートにおけるギャップとに基づいて選択することができる。このようにして、ビームのサイズに比例してカンチレバービームの運動を付与することができる。
【００１８】
時間間隔Ｔ２
この例示的な時間間隔では、ゲート電圧は、カンチレバーが惰行できるようにするのに十分に速い速度で、一定比率で減少するように選択されてもよい。この速度は、分析によって概算され（または実験によって導き出され）、次にコントローラ１２にプログラムされてもよい。時間領域内でカンチレバーの動力学（例えば、運動）とゲート作動との間の適切な関係が確立されれば、時間に応じて変わるギャップ内におけるカンチレバーの位置が概算されてもよいことが理解されるであろう。
【００１９】
時間間隔Ｔ３
ゲート電圧の一定比率での減少は、予め定められた電圧（電圧Ｖ２として示される）に達すると終了してもよい。電圧Ｖ２の値は、カンチレバービームの先端をドレインのわずかに上で保持するように選択されてもよい。例示的な一実施形態では、この保持電圧Ｖ２は、ＭＥＭＳスイッチアレイ内の本質的にすべてのカンチレバーが、ほぼ均一に弛緩し、ギャップ内でドレイン接点のわずかに上の位置でそれぞれ安定する能力を有するようにして、時間間隔Ｔ３の持続時間の間印加されてもよい。保持電圧Ｖ２を印加する持続時間は、ＭＥＭＳスイッチアレイ内のカンチレバーの平均弛緩時間に応じて、数ナノ秒程度であってもよい。同様に、保持電圧Ｖ２の値および保持電圧Ｖ２を印加する持続時間などのパラメータは、分析によって概算され（または実験によって導き出され）、コントローラ１２にプログラムされてもよい。
【００２０】
時間間隔Ｔ４
本質的にすべてのカンチレバーの位置がほぼ安定した状態になると、例えば、スイッチ接点のわずかに上に位置付けられると、ドレイン端子との接触を確立するため、ゲート電圧をある電圧値（Ｖ３で示される）まで一定比率で増加させることができる。クローズ電圧Ｖ３の大きさは、接触圧力の所望量に基づいて選択されてもよい。
【００２１】
カンチレバーはすべて、制御された速度および力を提供するように構成されたゲート電圧に応答してギャップを横断するので、はね返りの量は排除されるか大幅に低減されることが想到される。さらに、クローズ電圧Ｖ３の適切な値を選択することによって、比較的低い接触抵抗レジームに対して接触圧力を調整することができる。
【００２２】
上述の電圧ゲーティング制御は開ループ制御を含み、動作中、ＭＥＭＳスイッチアレイを構成する複数のカンチレバービームの閉止時間のばらつきを低減するとともに、比較的速い作動時間を維持し、またはね返りなしに適切な接触圧力を一定して確立することが想定される。本発明の態様を具体化する電圧ゲーティング制御は、閉ループ制御を行うように適合されてもよいことが理解されるであろう。例えば、適切なセンサ（例えば、静電容量に基づくセンサ、トンネル電流に基づくセンサなど）が、カンチレバーの運動（例えば、位置、速度）を監視するために使用されてもよく、また、この情報は、ゲート信号を適宜調節するため、コントローラに供給されてもよい。例示的な一実施形態では、Ｔ１＋Ｔ２＋Ｔ３＋Ｔ４などの一連の時間間隔に対する合計作動時間は、５マイクロ秒程度であってもよいことが予期される。
【００２３】
図３は、ＭＥＭＳスイッチの本発明の態様にしたがって静電作動するように構成されていてもよい、時間の関数としてプロットされたゲート電圧２０の波形の別の例示的な実施形態のグラフである。図３は、やはり時間の関数としてプロットされた、カンチレバー位置２２のグラフをさらに示す。図３に示されるように、例示的な時間間隔Ｔ１では、ゲート電圧は、電圧レベルＶ１までの高速で上昇する電圧を提供するように選択されてもよい。これにより、加速を獲得するのに十分なエネルギーをカンチレバービームに付与することが可能になる。スイッチ接点との衝突が生じる前のある予め定められた時間において、例示的な時間間隔Ｔ２の間、カンチレバーが本質的に加速しない形（例えば、惰行）でスイッチ接点に接近し続けるにつれて、ゲート電圧は一定比率で減少する（例えば、オフにされる）。例示的な時間間隔Ｔ３では、カンチレバービームが最初に接触した後（または、そのような接触が成される直前）、そのような最初の接触を維持する（または確立する）ように構成された保持電圧Ｖ２に達するように、ゲート電圧が再印加される。静電力の加速効果が縮小され（例えば、Ｔ２時間間隔の間ゲート電圧をオフにすることによって）、スイッチ接点が、ビームに作用する慣性力によって主に駆動される比較的柔らかい最初の接触を成すことが可能になるので、このゲート電圧制御は、同様に、カンチレバービームとスイッチ接点の高速衝突を回避することが予期される。次に、強固な接触をもたらすため、ゲート電圧が再印加され、ビームのばね力を受けて接点が再び開かないように保たれる。動作中、この技術によって、同様に接点が衝撃時にはね返らないように保たれる。
【００２４】
当業者には理解されるように、カンチレバービームに対する加速力は静電力とばね力のベクトル和である。ばね力は休止位置ではゼロなので、最初の力は完全にゲート電圧によるものである。ただし、静電力は、ゲート・ソース電圧（Ｖ＾２）に応じて変わり、かつゲートとソースの間のギャップ距離（ｄ＾２）に反比例して変わる。したがって、ビームがゲートに接近するにつれて、静電力は二乗関係に基づいて増加するが、ばね力は線形的に増加する。したがって、静電エネルギーは、ばねに注がれるとともに、ビームの運動エネルギーに注がれている。上述したように、ある時点では、電圧は低減され、このことによって、固定の接点（ドレイン）と接触する直前でビームの運動をほぼ停止させるなど、ばねがビームの運動エネルギーの大半を吸収することが可能になる。ビームとドレインが触れると、印加電圧は、弾性的なはね返り力を克服するのに十分な速度で、かつ十分に低い抵抗で接点を共に保持するのに十分な高さまで増加されてもよい。ビームを開く際、印加電圧は、ビームが静止位置に接近するにしたがって、ばねに保存されていたエネルギーとほぼ同等のビームの運動エネルギーを急速に吸収する必要がある。これは、振動システムに臨界減衰を提供することが一般に知られており、例示的な一実施形態では、約１０％の行過ぎを可能にする減衰は、ギャップを一時的に低減することなく、スタンドオフ電圧の比較的高速な回復を提供してもよい。
【００２５】
本発明の様々な実施形態を本明細書に示し、記載してきたが、そのような実施形態は単に例示として提供されることに留意されたい。本明細書における本発明の態様から逸脱することなく、多数の変形、変更、および置換えが行われてもよい。したがって、本発明は、添付の特許請求の範囲の趣旨および範囲によってのみ限定されるものとする。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】ＭＥＭＳデバイスの本発明の態様にしたがって静電作動を行うように構成されていてもよい、ゲート電圧制御システムの概略図である。
【図２】ＭＥＭＳデバイスの本発明の態様にしたがって静電作動するように構成されていてもよい、ゲート電圧の波形の例示的な一実施形態のグラフである。
【図３】本発明の態様によるゲート電圧の波形の別の例示的な実施形態のグラフである。
【符号の説明】
【００２７】
１０  ゲートドライバ
１２  コントローラ
１４  ＭＥＭＳスイッチ
１６  ゲート端子
１８  ソース端子
２０  ゲート電圧
２２  カンチレバー位置
Ｔ１  最初の時間間隔
Ｔ２  時間間隔
Ｔ３  時間間隔
Ｔ４  時間間隔
Ｖ１  ゲート電圧
Ｖ２  保持電圧
Ｖ３  クローズ電圧
【図１】
2008218400.tif 000003
【図２】
2008218400.tif 000004
【図３】
2008218400.tif 000005
【外国語明細書】
2008218400000001.pdf