(57)【要約】【課題】増幅器のゲイン抵抗を信号レベルに応じて切り替える半導体増幅回路において、異なるゲイン抵抗を選択した場合でも良好な出力信号の周波数特性を得ることができるようにすること。【解決手段】増幅器４と、前記増幅器４の増幅率を定める複数の抵抗１０，１１と、前記複数の抵抗１０，１１を切り替える第１の切り替え手段１２と、前記増幅器４で増幅された信号を出力するための出力回路５と、前記第１の切り替え手段１２と連動して前記出力回路５の出力抵抗値を出力する前記信号に応じて切り替える第２の切り替え手段とを備える。【選択図】 図１
2008147869.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
増幅器と、前記増幅器の増幅率を定める複数の抵抗と、前記複数の抵抗を切り替える第１の切り替え手段と、前記増幅器で増幅された信号を出力するための出力回路と、前記第１の切り替え手段と連動して前記出力回路の出力抵抗値を出力する前記信号に応じて切り替える第２の切り替え手段とを備えたことを特徴とする増幅回路。
【請求項２】
前記第２の切り替え手段が、前記出力回路に接続された複数の出力抵抗を切り替えるスイッチである請求項１記載の増幅回路。
【請求項３】
前記第２の切り替え手段が、それぞれ異なる前記出力抵抗が接続された複数の前記出力回路を切り替えるものである請求項１記載の増幅回路。
【請求項４】
前記第２の切り替え手段が、電界効果トランジスタのゲート電圧値によって電界効果トランジスタのＯＮ抵抗を切り替えるものである請求項１記載の増幅回路。
【請求項５】
前記第２の切り替え手段が、互いに並列に接続された複数の前記出力抵抗を、前記出力抵抗の各々に直列に接続された電界効果トランジスタのＯＮ／ＯＦＦを切り替えることにより選択して出力抵抗の値を切り替えるものである請求項１記載の増幅回路。
【請求項６】
前記第２の切り替え手段が、互いに直列に接続された複数の前記出力抵抗を、前記出力抵抗の各々に並列に接続された電界効果トランジスタのＯＮ／ＯＦＦを切り替えることにより選択して出力抵抗の値を切り替えるものである請求項１記載の増幅回路。
【請求項７】
前記第２の切り替え手段が、可変電流源の電流値を調整することにより、前記出力回路に接続されたバイポーラトランジスタのエミッタ抵抗を変化させて前記出力抵抗の値を切り替えるものである請求項１記載の増幅回路。
【請求項８】
前記増幅器が光電気変換ＩＣの光電気変換アンプであり、前記複数の抵抗が前記変換アンプの帰還抵抗である請求項１〜７のいずれか１項に記載の増幅回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光電気変換ＩＣなどに用いられ、得られた電気信号を増幅して出力するための増幅回路に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
異なるレベルの複数の信号を出力する場合に、それぞれを同じような出力レベルとするために、増幅器のゲイン抵抗を出力する信号毎に切り替える機能を備えた増幅回路を半導体装置内部に設けることが行われている。
【０００３】
例えば、光ディスク装置、光磁気ディスク装置等の、光学的に情報の記録／再生を行う装置において、ディスクからの反射光を電気信号に変換する光ピックアップは、主に光を集光させるレンズ系と、光信号を電圧に変換する半導体装置である光電気変換ＩＣ（PDIC: Photo Detector IC）と、ＰＤＩＣから装置本体の信号処理基板までを接続するフレキシブルプリント配線基板（FPC: Flexible Printed Circuit Board）とで構成されている。ＰＤＩＣの出力は、ＦＰＣを介して光ディスク装置等の装置本体の信号処理基板に入力される。ここで、光ディスクへの情報の記録と再生の両方に使用される光ピックアップにおいては、このＰＤＩＣ内部の増幅器のゲイン抵抗である光電流−電圧変換抵抗（ＩＶ変換抵抗）の値を記録時と再生時で切り替えることにより、両方の場合において元々はレベルが異なっていた出力信号を適宜の倍率で増幅して、出力値として好ましい値になるように設計されている。
【０００４】
一方、ＦＰＣはコイルと容量とで構成された等価回路で表すことができるので、装置本体の信号処理基板に入力されるＰＤＩＣの周波数特性に影響を与え、ＦＰＣのコイルと容量とで構成される回路の伝達特性により、信号が減衰したりピーキングが現れたりする。光ディスク再生時に、ＲＦ信号の周波数特性が減衰したりピーキングが現れたりすると、ジッタ劣化と呼ばれる信号自体のなまりや信号レベルの低下の原因となる。また、光ディスク記録時には、トラッキングサーボ信号にピーキングによるアンダーシュートが発生すると、セトリングタイムが悪化し、サーボ信号をサンプリングできない原因となる。
【０００５】
このため、通常の光ディスク装置では、ピーキング防止のためＰＤＩＣの内部に出力抵抗が付加されている。ピーキングが発生しないように、出力抵抗をＦＰＣのコイル等の容量との値に合わせて、ＰＤＩＣの出力インピーダンスを最適化しているのである。この技術を利用して、ＦＰＣのインダクタンス値、容量値に応じてＰＤＩＣの出力抵抗を外部から調整することができる回路が知られている。
【０００６】
また、増幅器の周波数特性を可変にするため、ピーキング回路を制御信号に応じて増幅器に段接するトランジスタスイッチ回路が知られている（特許文献１参照）。
【特許文献１】特開昭６２−２６４７２１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、光ディスクへの情報の記録と再生の、両方に使用される光ピックアップにおいては、記録時と再生時でＩＶ変換抵抗の値が約数十倍も異なる。従来のＰＤＩＣにおいては、ＩＶ変換抵抗の切り替えに応じて、増幅器であるＩＶ変換アンプに内蔵される差動増幅回路に流す電流値を最適となるように調整したり、ゲイン抵抗に付加されているフィードバック容量の値を、それぞれのゲイン抵抗に対して最適な設計とすることなどにより、ＩＶ変換抵抗を切り替えた場合でも、出力信号の周波数特性が良好になるような最適化設計を行っていた。しかしながら、これらの手法だけでは、情報記録時と再生時とで約数１０倍も異なるそれぞれのゲイン抵抗に対し、ＰＤＩＣの周波数特性を最適化することは非常に難しく、例えば再生時のＩＶ変換抵抗に対しては周波数特性を使用帯域内でフラットに設計し得たとしても、記録時のＩＶ変換抵抗に対しては周波数特性にピーキングが現れてしまうことを十分に回避することはできなかった。
【０００８】
本発明は、上記従来の課題を解決するもので、増幅器のゲイン抵抗を信号レベルに応じて切り替える半導体増幅回路において、異なるゲイン抵抗を選択した場合でも良好な出力信号の周波数特性を得ることができるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記の課題を解決するため、本発明の増幅回路は、増幅器と、前記増幅器の増幅率を定める複数の抵抗と、前記複数の抵抗を切り替える第１の切り替え手段と、前記増幅器で増幅された信号を出力するための出力回路と、前記第１の切り替え手段と連動して前記出力回路の出力抵抗値を出力する前記信号に応じて切り替える第２の切り替え手段とを備えたことを特徴とする。このようにすることで、選択された増幅器の抵抗に合った出力抵抗値を得ることができ、出力端子に接続される回路特性の影響で生じるピーキングの発生や信号の減衰を回避することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
上記した増幅回路では、前記第２の切り替え手段が、前記出力回路に接続された複数の出力抵抗を切り替えるスイッチであることが好ましい。また、前記第２の切り替え手段を、それぞれ異なる前記出力抵抗が接続された複数の前記出力回路を切り替えるもの、電界効果トランジスタのゲート電圧値によって電界効果トランジスタのＯＮ抵抗を切り替えるもの、互いに並列に接続された複数の前記出力抵抗を、前記出力抵抗の各々に直列に接続された電界効果トランジスタのＯＮ／ＯＦＦを切り替えることにより選択して出力抵抗の値を切り替えるもの、互いに直列に接続された複数の前記出力抵抗を、前記出力抵抗の各々に並列に接続された電界効果トランジスタのＯＮ／ＯＦＦを切り替えることにより選択して出力抵抗の値を切り替えるもの、可変電流源の電流値を調整することにより、前記出力回路に接続されたバイポーラトランジスタのエミッタ抵抗を変化させて前記出力抵抗の値を切り替えるもの、などとすることができる。
【００１１】
さらに、前記増幅器が光電気変換ＩＣの光電気変換アンプであり、前記複数の抵抗が前記変換アンプの帰還抵抗であることが好ましい。
【００１２】
以下、本発明の実施形態について図面に基づいて詳細に説明する。
【００１３】
（実施の形態１）
図１は本発明に係る増幅回路の第１の実施の形態として、本発明の増幅回路を、情報の記録と再生、両方に使用される光ディスク装置の光ピックアップとして使用される光電気変換ＩＣ（ＰＤＩＣ）に用いた場合の具体的な回路構成を示している。
【００１４】
図１において、ＰＤＩＣ１は、受光素子３で得られた電気信号を増幅器であるＩＶ変換アンプ４で増幅し、出力回路５を介して出力する構成となっている。情報の記録時と再生時とでＩＶ変換アンプ４での増幅率を切り替えるため、ＩＶ変換アンプ４にはその増幅率を定める複数の抵抗として、第１のＩＶ変換抵抗１０と第２のＩＶ変換抵抗１１とが並列に接続されている。また、出力回路５の後段には、第１の出力抵抗１３と第２の出力抵抗１４とが並列に接続されていて、いずれかを選択することで出力回路の出力抵抗値を出力される信号に応じて変更できるようになっている。これら２つの抵抗の並列接続体を切り替えるための切り替え信号がＳＷ回路６から出力され、制御線１６を通って第１の切り替え手段であるＩＶ変換抵抗切替スイッチ１２に、また、制御線１７を通って第２の切り替え手段である出力抵抗切替スイッチ１５に入力され、これらを同時に切り替える。また、ＰＤＩＣ１の出力端子７には、フレキシブルプリント配線基板（ＦＰＣ）２が接続される。図１ではＦＰＣ２の回路定数を、インダクタンス成分を集中定数化したコイル８とキャパシタンス成分を集中定数化した容量９として表している。
【００１５】
次に、図１のＰＤＩＣ１で行われる光ディスクにより反射した光の光／電圧変換について説明する。受光素子３で発生した光電流の信号は、ＩＶ変換アンプ４で電流／電圧変換され、出力回路５、第１の出力抵抗１１又は第２の出力抵抗１２を介して、ＰＤＩＣ１の出力端子７に電圧として出力され、この出力信号はＦＰＣ２を介して光ディスク装置の後段の回路に伝達される。ＰＤＩＣ１の第１のＩＶ変換抵抗１０および第２のＩＶ変換抵抗１１は、光ディスクの再生もしくは記録のどちらかに対応している。ＳＷ回路６は再生もしくは記録の用途に応じて外部から信号を受け、制御線１６を介してＩＶ変換抵抗切替スイッチ１２を切り替え、第１のＩＶ変換抵抗１０または第２のＩＶ変換抵抗１１のどちらかが接続されるようにスイッチング制御を行う。
【００１６】
ここで、例として、第１のＩＶ変換抵抗１０を再生時のＩＶ変換抵抗、第２のＩＶ変換抵抗１１を記録時のＩＶ変換抵抗とし、それぞれの抵抗値を、第１のＩＶ変換抵抗が４０ｋΩ、第２のＩＶ変換抵抗が２ｋΩであるとする。このような場合の、再生モード時および記録モード時のそれぞれにおける、出力信号の周波数特性のＰＤＩＣ１内部出力抵抗値依存性を示したものが図２である。
【００１７】
図２（ａ）は、再生モード時（ＩＶ変換抵抗＝４０ｋΩの時）の周波数特性で、破線５１が出力抵抗＝０Ωの時、実線５２が出力抵抗＝３０Ωの時、そして、破線５３が出力抵抗＝６０Ωの時を示している。また、図２（ｂ）は、記録モード時（ＩＶ変換抵抗＝２ｋΩの時）の周波数特性で、破線５４が出力抵抗＝６０Ωの時、実線５５が出力抵抗＝９０Ωの時、そして、破線５６が出力抵抗＝１２０Ωの時を示している。
【００１８】
図２（ａ）の再生モード時では、破線５１で示す出力抵抗値０Ωの場合に、出力信号の周波数特性にはＦＰＣ２のコイル成分８と容量成分９によりピーキングが発生する。また、ＰＤＩＣ１内部の出力抵抗値が大きくなるほどピーキングが減少する傾向があり、実線５２で示す３０Ωの時に、最も好ましい周波数特性を示す。そして、さらに出力抵抗値が大きくなり破線５３で示す６０Ωの場合には、出力抵抗とＦＰＣ２の容量成分９で形成されたフィルター回路の影響で出力信号の周波数特性に減衰が生じる。図２（ｂ）に示す記録モード時にもこれと同じような傾向が生じるが、ＩＶ変換抵抗値が２ｋΩと再生モードの場合と比較して２０分の１であるため、最適な周波数特性が得られる実線５５で示す時の出力抵抗値が９０Ωとなり、これより小さい破線５４で示す出力抵抗値が６０Ωの時にピーキングが生じ、また、破線５６で示す出力抵抗値が１２０Ωの時に減衰が生じている。
【００１９】
ここで、出力信号の周波数特性において、ピーキングがなくかつ減衰も生じないようにＰＤＩＣ１内部の出力抵抗値を最適設計するのであるが、上記のように再生モード時と記録モード時ではＩＶ変換抵抗値が２０倍も異なり、回路の位相余裕が異なるため最適な出力抵抗値が大きく異なる。通常の設計ではこれらの両方を満足させることは困難であるが、本願発明の場合は、図１に示したように、ＩＶ変換抵抗切替スイッチ１２の切り替えを行うタイミングと連動して制御線１７を介して出力抵抗切替スイッチ１５の切り替えを行うことができるので、再生／記録モードの切り替えに合わせて出力抵抗の値をそれぞれのモードでの出力される信号に応じた最適値に変えることが可能となる。すなわち、この場合は出力抵抗として再生モード時には抵抗値３０Ωの第１の出力抵抗１３を選択し、また、記録モード時には抵抗値９０Ωの第２の出力抵抗１４に設定することにより、再生／記録の両方のモードにおいて出力信号の周波数特性の最適化を図ることが出来るのである。
【００２０】
（実施の形態２）
次に、本発明の第２の実施形態を説明する。図３は本発明に係る増幅回路の第２の実施形態として、本発明の増幅回路を、情報の記録と再生、両方に使用される光ディスク装置の光ピックアップとして使用される光電気変換ＩＣ（ＰＤＩＣ）に用いた場合の具体的な回路構成を示している。
【００２１】
図３において、第１の実施形態である図１に示した回路構成と異なるのは、出力回路の出力抵抗値を切り替える第２の切り替え手段として、それぞれ異なる出力抵抗が接続された複数の出力回路自体を切り替える様にしている点である。具体的に本実施形態では、ＳＷ回路６から出力された切り替え信号は、第１のＩＶ変換抵抗１０と第２のＩＶ変換抵抗１１とを切り替える第１の切り替え手段であるＩＶ変換抵抗切替スイッチ１２に入力してこれらのいずれかを選択すると同時に、制御線２０を通して第１の出力回路１８をＯＮするか、もしくは制御線２１を通して第２の出力回路１９をＯＮする。第１の出力回路をＯＮした場合には接続された第１の出力抵抗１３を選択し、第２の出力回路をＯＮした場合には接続された第２の出力抵抗１４を選択したこととなるので、実施の形態１と同様、ＩＶ変換抵抗の切り替えに合わせて、出力回路の出力抵抗として適切なものを選ぶことができる。
【００２２】
出力回路１８、１９としては、例えば図４に示す回路を構成すればよい。図４において、ＳＷ回路６により電流源３１、３２、３３をＯＮし、電流源３４、３５、３６をＯＦＦすれば出力回路１８のみがＯＮし出力抵抗１３が選択される。また、ＳＷ回路６により電流源３４、３５、３６をＯＮし、電流源３１、３２、３３をＯＦＦすれば出力回路１９のみがＯＮし出力抵抗１４が選択される。
【００２３】
なお、本実施形態の場合には、出力回路自体を切り替えることとなるため、出力回路が少なくとも２系統必要となって全体の回路規模が大きくなってしまう。しかしながら、出力抵抗以外の部分での出力回路の構成を、再生と記録の各モードでの出力信号により適合させた設計とすることができる。また、出力抵抗部にスイッチ等の抵抗値ばらつきを持つ素子を設ける必要が無くなるという利点も有している。
【００２４】
（実施の形態３）
次に、図５を用いて本発明に係る増幅回路の第３の実施形態を説明する。図５も、本発明の増幅回路を情報の記録と再生の両方に使用される光ディスク装置の光ピックアップとして使用される光電気変換ＩＣ（ＰＤＩＣ）に用いた場合の回路構成を示している。
【００２５】
本実施形態が、上記の第１および第２の実施形態と異なる部分は、出力回路の出力抵抗値を切り替える第２の切り替え手段として、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）のゲート電圧値によってＦＥＴのＯＮ抵抗を切り替えるようにしている点である。具体的には、出力回路５の出力端にドレイン端子を接続したＦＥＴ２２を設け、ＦＥＴ２２のゲート端子を可変電圧源２３に、また、ＦＥＴ２２のソース端子をＰＤＩＣ１の出力端子７に接続している。このようにすることで、ＦＥＴ２２は、ＰＤＩＣ１の出力抵抗を担うことになる。
【００２６】
ＳＷ回路６から出力された切り替え信号は、第１のＩＶ変換抵抗１０と第２のＩＶ変換抵抗１１とを切り替える第１の切り替え手段であるＩＶ変換抵抗切替スイッチ１２に入力してこれらのいずれかを選択すると同時に、制御線２４を通して可変電圧源２３の出力電圧を切り替える。ＦＥＴ２２として例えば図６に示すようなゲート電圧−ＯＮ抵抗特性のＦＥＴを用いることにより、ＦＥＴ２２のゲート電圧を変化させることで、ＦＥＴ２２のドレイン・ソース間に発生したＯＮ抵抗の値を任意のものに設定することができる。このようにすることで、本実施の形態でも、実施の形態１および２と同様の効果を得ることが可能である。また、本実施形態の構成は出力抵抗部がＦＥＴ１個だけであるため、出力回路部の回路規模を小さくすることが出来るという利点がある。
【００２７】
また、可変電圧源２３としては例えば図７に示す回路を構成すればよい。図７において、３７は可変電流源、３８はゲート電圧印加用の抵抗であり、可変電流源３７の電流値を制御することにより抵抗３８における電圧降下、すなわちＦＥＴ２２のゲート電圧を可変にすることができる。この回路構成を用いると、出力信号が変動した場合においても抵抗３８における電圧降下は変化しないためゲート電圧を一定に保つことが可能である。
【００２８】
（実施の形態４）
図８は本発明に係る増幅回路の第４の実施形態として、情報の記録と再生の両方に使用される光ディスク装置の光ピックアップとして使用される光電気変換ＩＣ（ＰＤＩＣ）に用いた場合の回路構成を示している。
【００２９】
本実施形態が、上記の第１から第３の各実施形態と異なる部分は、出力回路の出力抵抗値を切り替える第２の切り替え手段として、互いに並列に接続された複数の出力抵抗を、出力抵抗の各々に直列に接続された電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）のＯＮとＯＦＦを切り替えることにより選択して、出力回路の出力抵抗値を切り替えるようにしている点である。具体的には、図８に示すように、出力回路５の出力部に、第１の出力抵抗１３とこれにドレイン端子を接続した第１のＦＥＴ２５、および、第２の出力抵抗１４とこれにドレイン端子を接続した第２のＦＥＴ２６とを有している。第１のＦＥＴ２５と第２のＦＥＴ２６のソース端子は、いずれもＰＤＩＣ１の出力端子７に接続されている。そして、ＳＷ回路６から出力された切り替え信号は、制御線２７または制御線２８を通して、第１のＦＥＴ２５のゲート電圧、または、第２のＦＥＴ２６のゲート電圧を変化させて、これらのいずれかをＯＮする。例えば第１のＦＥＴ２５をＯＮし、第２のＦＥＴ２６をＯＦＦするように設定すれば、出力回路５の出力抵抗値は第１の出力抵抗１３と第１のＦＥＴ２５のＯＮ抵抗の合成抵抗値になる。このように、出力回路５の出力抵抗値の切り替え動作を、ＩＶ変換抵抗切替スイッチ１２の切り替え動作と連動させることで、実施の形態１と同様の効果を得ることができる。また、この第４の実施形態の回路構成は、ＦＥＴのＯＮ／ＯＦＦ動作のみで出力抵抗値を切り替えることができるため、第２の切り替え手段部分の回路規模を小さくすることが出来るという利点がある。
【００３０】
（実施の形態５）
図９は本発明に係る増幅回路の第５の実施形態として、情報の記録と再生の両方に使用される光ディスク装置の光ピックアップとして使用される光電気変換ＩＣ（ＰＤＩＣ）に用いた場合の回路構成を示している。
【００３１】
本実施形態が、上記の各実施形態と異なる部分は、出力回路の出力抵抗値を切り替える第２の切り替え手段として、互いに直列に接続された複数の出力抵抗を、出力抵抗の各々に並列に接続された電界効果トランジスタのＯＮ／ＯＦＦを切り替えることにより選択して出力抵抗の値を切り替えるものとしている点である。具体的には、図９に示すように、出力回路５の出力部に、第１のＦＥＴ２５のドレインとソースの間に第１の出力抵抗１３が並列接続されたものと、第２のＦＥＴ２６のドレインとソースの間に第２の出力抵抗１４が並列接続されたものが直列に接続されている。そして、第１のＦＥＴ２５と第２のＦＥＴ２６それぞれのドレイン−ソース間の抵抗値は、ＦＥＴがＯＮすればＦＥＴのＯＮ抵抗と並列接続された抵抗の合成抵抗になり、ＦＥＴがＯＦＦすればＦＥＴに並列接続された出力抵抗の抵抗値のみとなる。ＳＷ回路６は制御線２７、２８を介して第１のＦＥＴ２５と第２のＦＥＴ２６とを個別にＯＮ／ＯＦＦさせることが出来るようになっており、例えば第１のＦＥＴ２５をＯＦＦ、第２のＦＥＴ２６をＯＦＦに設定すれば出力抵抗値は第１の出力抵抗１３と第２の出力抵抗１４の合成抵抗値になる。ここで、この切り替え動作と、第１および第２のＦＥＴのＯＮ抵抗の値、そして、第１および第２の出力抵抗の値を適宜設定することで、ＩＶ変換抵抗切替スイッチ１２の切り替えと連動して出力回路５の出力抵抗値を所望のものとすることができる。また、本実施形態の構成でも、ＦＥＴのＯＮ／ＯＦＦ動作のみで出力抵抗値を切り替えることができるため、出力抵抗切り替え部の回路規模を小さくすることが出来るという利点を有する。
【００３２】
（実施の形態６）
図１０は本発明に係る増幅回路の第６の実施形態を示している。本実施形態でも、情報の記録と再生の両方に使用される光ディスク装置の光ピックアップとして使用される光電気変換ＩＣ（ＰＤＩＣ）に用いた場合の回路構成として示している。
【００３３】
本実施形態では、第２の切り替え手段による出力抵抗値の切り替えを、可変電流源の電流値を調整することにより、出力回路に接続されたバイポーラトランジスタのエミッタ抵抗を変化させて行うようにした点が、上記の各実施形態と異なる。具体的には、図１０に示すように、出力回路５の出力部にＮＰＮトランジスタ２９のベースが接続されており、このＮＰＮトランジスタ２９のエミッタに可変電流源３０とＰＤＩＣ１の出力端子７が接続されている。つまり、ＮＰＮトランジスタ２９と可変電流源３０とでエミッタフォロア回路を構成している。このようにすることで、ＮＰＮトランジスタ２９のエミッタ抵抗はＰＤＩＣ１の出力抵抗を担うこととなり、このエミッタ抵抗はＮＰＮトランジスタ２９のコレクタ電流を調整することにより任意の値に設定することができる。そして、ＳＷ回路６から制御線３１を介して可変電流源３０の出力電流を切り替える切り替え動作をＩＶ変換抵抗切替スイッチ１２の切り替えと連動して行うことにより、上記各実施形態と同様の効果を得ることができる。本実施形態の構成では、第２の切り替え手段をバイポーラトランジスタのみで構成でき、ＭＯＳトランジスタを必要としないため、ＰＤＩＣ１をバイポーラトランジスタのみの拡散プロセスで実現することができるという利点を有する。
【００３４】
以上、本発明の増幅回路の様々な実施形態について、情報の記録と再生、両方に使用される光ディスク装置の光ピックアップとして使用される光電気変換ＩＣ（ＰＤＩＣ）に用いた場合について説明してきたが、本発明はこれに限られるものではなく、図１１に示すような電圧増幅度を切り替える機能を有し、入力端子と出力端子を備える一般的な増幅回路に対しても使用することができる。この場合にも、実施の形態１で説明した効果と同様の効果を奏することができる。
【産業上の利用可能性】
【００３５】
本発明に係る増幅回路は、増幅率の異なる信号の増幅に当たって、常に好適な周波数特性を得ることができる。このため、特に、再生と記録の両方に対応するＰＤＩＣの光電流−電圧変換抵抗に応じて出力信号を最適化するための手段として有用である。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本発明に係る増幅回路の第１の実施形態を示す回路構成図
【図２】本発明に係る増幅回路の効果を示す出力信号の周波数特性図
【図３】本発明に係る増幅回路の第２の実施形態を示す回路構成図
【図４】出力回路の構成例
【図５】本発明に係る増幅回路の第３の実施形態を示す回路構成図
【図６】ＦＥＴのゲート電圧−ＯＮ抵抗特性を示す図
【図７】可変電圧源の構成例
【図８】本発明に係る増幅回路の第４の実施形態を示す回路構成図
【図９】本発明に係る増幅回路の第５の実施形態を示す回路構成図
【図１０】本発明に係る増幅回路の第６の実施形態を示す回路構成図
【図１１】本発明に係る増幅回路の他の例
【符号の説明】
【００３７】
１  光電流変換ＩＣ（ＰＤＩＣ）
２  フレキシブルプリント配線基板（ＦＰＣ）
３  受光素子
４  ＩＶ変換アンプ
５，１８，１９  出力回路
６  ＳＷ回路
７  出力端子
８  コイル（ＦＰＣ回路定数のインダクタンス成分）
９  容量（ＦＰＣ回路定数のキャパシタンス成分）
１０  第１のＩＶ変換抵抗
１１  第２のＩＶ変換抵抗
１２  ＩＶ変換抵抗切替スイッチ
１３  第１の出力抵抗
１４  第２の出力抵抗
１５  出力抵抗切替スイッチ
１６，１７，２０，２１，２４，２７，２８，３１  制御線
２２  電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）
２３  可変電圧源
２５  第１のＦＥＴ
２６  第２のＦＥＴ
２９  ＮＰＮトランジスタ
３０  可変電流源
３１、３２、３３、３４、３５、３６  電流源
３７  可変電流源
３８  ゲート電圧印加用抵抗
５１  再生モード時の出力抵抗＝０Ωの時の周波数特性
５２  再生モード時の出力抵抗＝３０Ωの時の周波数特性
５３  再生モード時の出力抵抗＝６０Ωの時の周波数特性
５４  記録モード時の出力抵抗＝６０Ωの時の周波数特性
５５  記録モード時の出力抵抗＝９０Ωの時の周波数特性
５６  記録モード時の出力抵抗＝１２０Ωの時の周波数特性
【図１】
2008147869.tif 000003
【図２】
2008147869.tif 000004
【図３】
2008147869.tif 000005
【図４】
2008147869.tif 000006
【図５】
2008147869.tif 000007
【図６】
2008147869.tif 000008
【図７】
2008147869.tif 000009
【図８】
2008147869.tif 000010
【図９】
2008147869.tif 000011
【図１０】
2008147869.tif 000012
【図１１】
2008147869.tif 000013