(57)【要約】【課題】ＳＮＲを改善した垂直磁気記録媒体を提供する。【解決手段】  基板上に設けられた垂直磁気記録層と、基板と前記垂直磁気記録層との間に設けられた軟磁性下地層とを具備する垂直磁気記録媒体である。この垂直磁気記録媒体では、軟磁性下地層は飽和磁化の相異なる複数の軟磁性下地層を含み、少なくとも１つの軟磁性下地層は半径方向に磁化容易軸を有することを特徴とする。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に設けられた垂直磁気記録層と、前記基板と前記垂直磁気記録層との間に設けられた軟磁性下地層とを具備する垂直磁気記録媒体において、
前記軟磁性下地層は、飽和磁化の相異なる複数の軟磁性下地層を含み、少なくとも１つの軟磁性下地層は、その半径方向に磁化容易軸を有することを特徴とする垂直磁気記録媒体。
【請求項２】
基板上に設けられた垂直磁気記録層と、前記基板と前記垂直磁気記録層との間に設けられた軟磁性下地層とを具備する垂直磁気記録媒体において、
前記軟磁性下地層は、飽和磁化の相異なる複数の軟磁性下地層を含み、少なくとも１つの軟磁性下地層は、その半径方向に磁化容易軸を有し、全体の厚さが２００ｎｍ以下であり、前記垂直磁気記録層に近い軟磁性下地層の厚さが５０ｎｍ以下であることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
【請求項３】
前記軟磁性下地層は、強磁性物質または反強磁性物質と強磁性物質との組合わせで形成されることを特徴とする請求項１または２に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項４】
前記軟磁性下地層は、ＮｉＦｅ系合金、Ｆｅ系合金及びＣｏ系合金を含むグループのうちから選択された少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項３に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項５】
前記軟磁性下地層は、ＮｉＦｅ、ＮｉＦｅＮｂ、ＮｉＦｅＣｒ及びこれらを含む三元合金または四元合金、ＦｅＡｌＳｉ、ＦｅＴａＣ、ＦｅＴａＮ及びこれらを含む四元合金、ＣｏＦｅ、ＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＺｒＴａ及びこれらを含む三元合金または四元合金を含むグループのうちから選択された少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項４に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項６】
前記垂直磁気記録層は、Ｃｏ系及び／またはＦｅ系合金よりなる強磁性物質を含むことを特徴とする請求項１または２に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項７】
前記Ｃｏ系及び／またはＦｅ系合金はＣｏＣｒＰｔＸ（Ｘ＝Ｎｂ,Ｂ,Ｔａ,ＳｉＯｘ,Ｏ）タイプの合金または整頓されたＬ１０型ＦｅＰｔ合金を含むことを特徴とする請求項６に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項８】
前記軟磁性下地層と前記垂直磁気記録層との間に、前記垂直磁気記録層の結晶配向性を向上させる垂直配向下地層をさらに含むことを特徴とする請求項１または２に記載の垂直磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は垂直磁気記録媒体に係り、より詳細には信号対ノイズ比（ＳＮＲ：ｓｉｇｎａｌ−ｔｏ−ｎｏｉｓｅ ｒａｔｉｏ）を改善できる垂直磁気記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
代表的な磁気情報記録媒体であり、記録密度の急激な増加を促すＨＤＤ（Ｈａｒｄ Ｄｉｓｋ Ｄｒｉｖｅ）は、現在リングタイプヘッド及び水平磁気記録媒体を含む水平磁気記録方式を採用している。ところが、従来の水平磁気記録方式は記録媒体の熱的不安定性のために記録密度の向上が限界に至っており、新たな記録方式である垂直磁気記録方式が現在盛んに開発されている。現在、水平磁気記録方式のＨＤＤ製品の記録密度は約９０〜１００Ｇｂ／ｉｎ2程度である。垂直磁気記録方式を利用すれば、記録密度の限界を約２００Ｇｂ／ｉｎ2から５００Ｇｂ／ｉｎ2まで増加させることができると期待されている。
【０００３】
垂直磁気記録方式は、既存の水平磁気記録方式とは違って媒体に記録される単位ビットの磁化方向を垂直に立てて記録密度を増加させる方式である。このような垂直磁気記録方式を適用すれば、ビットサイズが小さくなっても、データの安定性を改善することができる。
垂直磁気記録方式では、二重磁性層構造の垂直磁気記録媒体を使用する。すなわち、垂直磁気記録を行うためには、既存の水平磁気記録とは違って、垂直磁気記録媒体の記録層の下に軟磁性下地層が必要とされる。
【０００４】
図１を参照すれば、従来の垂直磁気記録媒体１０は、基板１１と、書込みヘッドにより磁気情報が記録される垂直磁気記録層（以下、適宜「記録層」とも称する。）１７と、記録層１７の結晶配向性と垂直磁気記録層１７の磁気的特性を向上させるために、記録層１７の蒸着前に形成される垂直配向下地層１５と、を具備する。そして、垂直磁気記録媒体１０は、磁気記録時にポールタイプの書込みヘッドから発生する磁場の強度と磁場の空間的変化率を増加させるために、垂直配向下地層１５の下部に軟磁性下地層１３が形成される。従来の垂直磁気記録媒体１０では、基板１１上に軟磁性下地層１３、垂直配向下地層１５、記録層１７、保護膜１９が順に配置される。
垂直配向下地層１５は中間層と称することもある。
二重磁性層構造の垂直磁気記録媒体１０において、軟磁性下地層１３は高密度記録を可能とする極めて重要な部分である。
【０００５】
図２は、従来の垂直磁気記録媒体１０を使用した垂直磁気記録システムの概略図を示す。垂直磁気記録媒体１０に情報を書き込み、垂直磁気記録媒体１０から情報を読み取る磁気ヘッド３０は、図２に示したように、記録層１７に磁気情報を書き込む書込みポール３３とリターンポール３５とを含む書込みヘッド３１と、記録層１７に記録された磁気情報を読み取るための読取りヘッド３７、例えば磁気抵抗ヘッドを具備する。ここで、垂直磁気記録媒体１０と磁気ヘッド３０の基本的な構造は公知であるので、詳細な説明は省略する。
【０００６】
記録層１７の下に軟磁性下地層１３を形成すると、図２に示したように、書込みヘッド３１のポール構造に相応する仮想のイメージヘッドが軟磁性下地層１３内に形成されるために、軟磁性下地層１３が存在しない場合に比べてさらに強くて鋭い記録磁場を得られる。軟磁性下地層１３を形成する場合、磁場強度は約２倍程度強くなり、磁場変化度は約３〜４倍程度高くなる。
軟磁性下地層１３を用いることにより、異方性磁場と保磁力が極めて大きい物質を記録層１７として使用しても記録が可能であるために、記録密度をさらに高めることが可能となる。
このように、軟磁性下地層１３は垂直磁気記録方法には不可欠となっている。
【０００７】
ところが、このような軟磁性下地層１３はそれ自体も磁性体、例えば強磁性体であるために、軟磁性下地層１３の表面から外部に磁場が漏れることがある。このような漏れ磁場が読取りヘッド３７に感知され、ノイズとして作用すると、ＳＮＲを低下させるという問題が生じる。
また、軟磁性下地層１３内に不安定な磁壁が存在する場合、このような磁壁が記録層１７に記録されたビット遷移領域と相互に作用して、記録層１７から発生するノイズソースの１つである遷移ノイズを増加させる原因になることもある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は前記のような問題点を改善するために案出されたもので、軟磁性下地層の構成を変更してより高いＳＮＲを得られるようにした垂直磁気記録媒体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記目的を解決するために本発明は、基板上に設けられた垂直磁気記録層と、前記基板と前記垂直磁気記録層との間に設けられた軟磁性下地層とを具備する垂直磁気記録媒体において、前記軟磁性下地層は、飽和磁化の相異なる複数の軟磁性下地層を含み、少なくとも１つの軟磁性下地層は、その半径方向に磁化容易軸を有することを特徴とする。
【００１０】
前記目的を解決するために本発明は、基板上に設けられた垂直磁気記録層と、前記基板と垂直磁気記録層との間に設けられた軟磁性下地層とを具備する垂直磁気記録媒体において、前記軟磁性下地層は、飽和磁化の相異なる複数の軟磁性下地層を含み、少なくとも１つの軟磁性下地層は、その半径方向に磁化容易軸を有し、全体の厚さが２００ｎｍ以下であり、前記垂直磁気記録層に近い軟磁性下地層の厚さが５０ｎｍ以下であることを特徴とする。
【００１１】
前述した垂直磁気記録媒体において、前記軟磁性下地層は、強磁性物質または反強磁性物質と強磁性物質との組合わせで形成しても良い。
また、前記軟磁性下地層は、ＮｉＦｅ系合金、Ｆｅ系合金及びＣｏ系合金を含むグループのうちから選択された少なくとも１つを含んでも良い。
特に、前記軟磁性下地層は、ＮｉＦｅ、ＮｉＦｅＮｂ、ＮｉＦｅＣｒ及びこれらを含む三元合金または四元合金、ＦｅＡｌＳｉ、ＦｅＴａＣ、ＦｅＴａＮ及びこれらを含む四元合金、ＣｏＦｅ、ＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＺｒＴａ及びこれらを含む三元合金または四元合金を含むグループのうちから選択された少なくとも１つを含むことが望ましい。
【００１２】
前記軟磁性下地層と前記垂直磁気記録層との間に、前記垂直磁気記録層の結晶配向性を向上させる垂直配向下地層をさらに含むことが望ましい。
【発明の効果】
【００１３】
本発明による垂直磁気記録媒体は、飽和磁化の相異なる複数層の軟磁性下地層を具備するので、高いＳＮＲを得ることができる。
また、軟磁性下地層が半径方向に磁化容易軸を有することで、遷移ノイズを大幅に改善することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、添付した図面を参照して本発明を詳細に説明する。
図３は、本発明の望ましい一実施例による垂直磁気記録媒体５０の構造を概略的に示す。
図面を参照すれば、本発明による垂直磁気記録媒体５０は、基板５１上に備えられた垂直磁気記録層５７と、基板５１と垂直磁気記録層５７との間に備えられた軟磁性下地層５３を具備する。また、本発明による垂直磁気記録媒体５０は、軟磁性下地層５３と垂直磁気記録層５７との間に垂直配向下地層５５をさらに含むことが望ましい。垂直磁気記録層５７上には、垂直磁気記録層５７を外部から保護する保護膜５９がさらに形成される。また、保護膜５９上には磁気ヘッド３０との衝突及び摺動などによる保護膜５９の摩耗を減少させるための潤滑膜（図示せず）を形成しても良い。
【００１５】
前記垂直磁気記録層５７は、図２に示されたような磁気ヘッド３０の書込みヘッド３１の作用により記録される単位ビットの磁化方向が垂直に立てられて情報が記録される層であって、垂直磁気異方性に優れたＣｏ系及び／またはＦｅ系合金の強磁性物質を使用して形成される。例えば、前記垂直磁気記録層５７は、ＣｏＣｒＰｔＸ（Ｘ＝Ｎｂ,Ｂ,Ｔａ,ＳｉＯｘ,Ｏ）あるいは整頓されたＬ１０型ＦｅＰｔ合金）物質で形成される。
【００１６】
垂直配向下地層５５は、垂直磁気記録層５７の結晶配向性及び磁気的特性の向上を目的として形成される層であって、中間層ともいう。垂直配向下地層５５は、軟磁性下地層５３から磁気的に分離させる。垂直配向下地層５５は、所望の仕様特性を有する範囲内で可能な限り薄く形成されることが望ましい。
【００１７】
軟磁性下地層５３は飽和磁化の相異なる複数の軟磁性下地層、例えば第１及び第２軟磁性下地層５３ａ、５３ｂを含む。
前記第１及び第２軟磁性下地層５３ａ、５３ｂのうち少なくとも何れか１つは、図４に示されたように、半径方向に磁化容易軸Ａを有する。また、第１及び第２軟磁性下地層５３ａ、５３ｂは相異なる厚さに形成され、より望ましくは、第１軟磁性下地層５３ａよりも垂直磁気記録層５７に近く位置する第２軟磁性下地層５３ｂが、第１軟磁性下地層５３ａよりも薄く形成される。また、第１及び第２軟磁性下地層５３ａ、５３ｂを含む軟磁性下地層５３は強磁性物質で形成される。代わりに、軟磁性下地層５３は、反強磁性物質と強磁性物質との組合わせで形成しても良い。すなわち、第１及び第２軟磁性下地層５３ａ、５３ｂを、例えばＦｅＭｎ、ＩｒＭｎ、ＰｔＭｎのような反強磁性物質上に強磁性物質で形成することもできる。
【００１８】
半径方向に磁場を発生させた状態で第１及び第２軟磁性下地層５３ａ、５３ｂを形成すると、半径方向に磁化容易軸Ａを有する第１及び第２軟磁性下地層５３ａ、５３ｂが得られる。本発明による垂直磁気記録媒体５０はディスク形状に製造されＨＤＤに使用されるので、図４では本発明による垂直磁気記録媒体５０の軟磁性下地層５３を円状で示した。ここで、半径方向は垂直磁気記録媒体５０の中心軸方向、または外径方向を意味する。
【００１９】
前記のように磁化容易軸Ａが半径方向に整列されるように第１及び第２軟磁性下地層５３ａ、５３ｂを形成する場合、第１及び第２軟磁性下地層５３ａ、５３ｂ内に磁壁が生じなくなるので、磁壁に起因した遷移ノイズの問題が生じなくなるという利点がある。
【００２０】
軟磁性下地層５３の全体厚さは２００ｎｍ以下であり、垂直磁気記録層５７に近い軟磁性下地層５３、すなわち第２軟磁性下地層５３ｂの厚さは５０ｎｍ以下であることが望ましい。第２軟磁性下地層５３ｂは、第１軟磁性下地層５３ａよりも薄いという条件を満足しつつ、約１ｎｍ以上５０ｎｍ以下、例えば１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下の厚さを有する。
【００２１】
軟磁性下地層５３は、ＮｉＦｅ系合金、Ｆｅ系合金及びＣｏ系合金を含むグループのうちから選択された少なくとも１つを含む。特に、軟磁性下地層５３は、ＮｉＦｅ、ＮｉＦｅＮｂ、ＮｉＦｅＣｒ及びこれらを含む３元系ないしは４元系合金、ＦｅＡｌＳｉ、ＦｅＴａＣ、ＦｅＴａＮ及びこれらを含む４元系合金、ＣｏＦｅ、ＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＺｒＴａ及びこれらを含む３元系ないし４元系合金を含むグループのうちから選択された少なくとも１つを含む。
【００２２】
一方、第２軟磁性下地層５３ｂは、第１軟磁性下地層５３ａよりも大きい飽和磁化を有するように形成される。
【００２３】
後述する実験例で分かるように、第２軟磁性下地層５３ｂが第１軟磁性下地層５３ａより大きい飽和磁化を有する場合、ＳＮＲ特性がより良好である。したがって、本発明による垂直磁気記録媒体５０は第２軟磁性下地層５３ｂが第１軟磁性下地層５３ａより大きい飽和磁化を有するように形成されることが望ましい。
たとえ、第２軟磁性下地層５３ｂが第１軟磁性下地層５３ａより小さな飽和磁化を有する場合であっても、単一の軟磁性下地層１３を具備する従来の垂直磁気記録媒体１０（図１参照）に比べてＳＮＲが極めて良好である。したがって、本発明による垂直磁気記録媒体５０は、第２軟磁性下地層５３ｂが第１軟磁性下地層５３ａより小さな飽和磁化を有するように形成されることもある。
【００２４】
飽和磁化の相異なる第１及び第２軟磁性下地層５３ａ、５３ｂを具備した本発明による垂直磁気記録媒体５０は、従来の垂直磁気記録媒体１０に比べて高いＳＮＲを得ることができる。
【００２５】
図５は、シミュレーションに使用した軟磁性下地層１５３及び垂直磁気記録層１５７を示す。このシミュレーションは軟磁性下地層１５３がＳＮＲに及ぼす影響を調べるために行なったものであるので、垂直配向下地層の存在は無視した。
シミュレーションでは、垂直磁気記録層１５７をＣｏＣｒＰｔＸ物質で厚さ１０ｎｍに形成し、軟磁性下地層１５３の飽和磁化Ｍｓまたは軟磁性下地層１５３の複数の軟磁性下地層が、６００または１０００ｅｍｕ／ｃｍ3（６００×１０3または１０００×１０3Ａ/ｍ）になるように総厚を９０ｎｍに形成し、垂直磁気記録層１５７に幅が１００ｎｍ、長さが３０ｎｍのビットパターンＢを形成した。ここで、１ビットの長さが３０ｎｍであれば、線記録密度で考えると、８００ｋｆｃｉ（ｋｉｌｏ ｆｌｕｘ ｒｅｖｅｒｓａｌ ｐｅｒ ｉｎｃｈ）である。
【００２６】
垂直磁気記録層１５７の形成条件は、飽和磁化Ｍｓ＝５５０ｅｍｕ／ｃｍ3（５５０×１０3Ａ/ｍ）、一軸磁気異方性Ｋｕ＝３.５×１０６ｅｒｇ／ｃｍ3、交換結合力Ａ*＝０ｅｒｇ／ｃｍ、△θ＝１０゜、α＝０.０５である。
ここで、交換結合力は垂直磁気記録層１５７内でグレイン間の相互作用の程度を示す定数であって、交換結合力は小さな値であるほど良い。
△θは、グレインの整列方向がチルト（傾斜）された量を表し、△θの値が小さいほど良い。
αは、磁気ダンピング定数である。磁場が加われば、スピンのアップ、ダウンは歳差運動しながら行われるが、α値が小さければ、スピンのアップ、ダウンが速くなる。
軟磁性下地層１５３の形成条件は、飽和磁化Ｍｓが６００または１０００ｅｍｕ／ｃｍ3（６００×１０3または１０００×１０3Ａ/ｍ）であり、Ｈｋは１０Ｏｅ、Ｈｅｘ＝０、磁化容易軸は図５に示したｙ軸であり、α＝０.０５である。
ここで、磁化容易軸であるｙ軸は半径方向に該当する。この場合、図５でｘ軸はトラック方向に該当する。前記のように、半径方向に磁場を与えながら軟磁性下地層１５３を形成すれば、磁化容易軸を半径方向に形成できる。
Ｈｋはスピンを磁化ハード軸で整列させるために外部から加えるべきフィールドを示すものであって、この値が大きいほどスピンを磁化容易軸から磁化ハード軸に整列させるのに大きい磁場が必要となる。
Ｈｅｘは交換フィールドであって、Ｈｅｘ＝０は軟磁性下地層１５３を形成する際に反強磁性体を用いていないことを意味する。軟磁性下地層１５３は、反強磁性体の上に強磁性体を形成した場合もある。この場合、反強磁性体が強磁性体のスピンを所定の方向に導く役割をする。
【００２７】
図６Ａないし図６Ｄに示す４つのサンプルに対して、シミュレーションを行なった。
図６Ａに示すように、サンプル１は、軟磁性下地層２５３が相対的に小さな飽和磁化Ｍｓ＝６００ｅｍｕ／ｃｍ3（６００×１０3Ａ/ｍ）の単一層で形成された例である。
図６Ｂに示すように、サンプル２は、軟磁性下地層３５３が飽和磁化Ｍｓ＝１０００ｅｍｕ／ｃｍ3（１０００×１０3Ａ/ｍ）の第１軟磁性下地層３５３ａと飽和磁化Ｍｓ＝６００ｅｍｕ／ｃｍ3（６００×１０3Ａ/ｍ）の第２軟磁性下地層３５３ｂから形成され、垂直磁気記録層１５７に近い第２軟磁性下地層３５３ｂの飽和磁化が第１軟磁性下地層３５３ａより小さな場合である。
図６Ｃに示すように、サンプル３は、軟磁性下地層４５３が相対的に大きい飽和磁化Ｍｓ＝１０００ｅｍｕ／ｃｍ3（１０００×１０3Ａ/ｍ）の単一層で形成された例である。
図６Ｄに示すように、サンプル４は、軟磁性下地層５５３が飽和磁化Ｍｓ＝６００ｅｍｕ／ｃｍ3（６００×１０3Ａ/ｍ）の第１軟磁性下地層５５３ａと飽和磁化Ｍｓ＝１０００ｅｍｕ／ｃｍ3（１０００×１０3Ａ/ｍ）の第２軟磁性下地層５５３ｂから形成され、垂直磁気記録層１５７に近い第２軟磁性下地層５５３ｂの飽和磁化が第１軟磁性下地層５５３ａより大きい場合である。
【００２８】
図７は、図６Ａないし図６Ｄに示されたサンプル１、サンプル２、サンプル３、サンプル４の４つの場合に対してＳＮＲを検出したマイクロ磁性シミュレーションにより予測された結果を示す。
図８Ａないし図８Ｄは、図６Ａないし図６Ｄに示したサンプル１、サンプル２、サンプル３、サンプル４の４つの場合に対して、垂直磁気記録層のみＲＬ、二層構造の軟磁性下地層のすべてＳＵＬ（ｓｕｍ）、垂直磁気記録層及び二層構造の軟磁性下地層のすべて（Ｔｏｔａｌ）に対するＳＮＲの変化を示したグラフである。図８Ａないし図８Ｄで、Ｘ軸は図５のＸ軸と同じ軸であって、磁気情報が記録されるトラック方向を意味する。図８Ａないし図８ＤでＹ軸は図５で読取りヘッドがＸ軸方向に移動しながら（厳密に言えば、ヘッドは動かず、記録媒体が回動する）記録されたビットから発生する信号を検出した軸である。
【００２９】
図７、図８Ａないし図８Ｄから明らかなように、サンプル１、サンプル２、サンプル３、サンプル４の場合、何れも垂直磁気記録層１５７のみによる場合のＳＮＲは実質的に同一である。しかし、サンプル１、サンプル２、サンプル３、サンプル４で、垂直磁気記録層１５７と軟磁性下地層１５３の両方による場合のＳＮＲでは差が出る。
軟磁性下地層１５３を単一層で構成したサンプル１及びサンプル３では、垂直磁気記録層１５７と軟磁性下地層１５３の両方による場合のＳＮＲが、垂直磁気記録層１５７のみによる場合よりも悪くなる。しかし、軟磁性下地層１５３を相異なる飽和磁化を有する二重層で構成したサンプル２及びサンプル４では、垂直磁気記録層１５７のみによる場合よりもＳＮＲが大幅に良くなる。特に、サンプル４の場合のように、垂直磁気記録層１５７に近い第２軟磁性下地層５５３ｂの飽和磁化を第１軟磁性下地層５５３ａより大きくした場合にはＳＮＲがさらに良くなる。
【００３０】
以上、本発明の幾つかの実施例のみを例示して説明したが、発明の原理及び精神、そして特許請求の範囲及びそれらの等価物により規定される範囲を逸脱せずに、様々な変形及び変更が可能であることは、当業者に容易に理解され得る。
【産業上の利用可能性】
【００３１】
本発明による垂直磁気記録媒体は垂直磁気記録方式を使用するＨＤＤ分野で磁気記録媒体として使用されうる。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】従来の垂直磁気記録媒体の構造を概略的に示す図面である。
【図２】垂直磁気記録媒体を使用した垂直磁気記録システムの概略図を示す図面である。
【図３】本発明の望ましい一実施例による垂直磁気記録媒体の構造を概略的に示す図面である。
【図４】図３の軟磁性下地層の磁化容易軸Ａを示す図面である。
【図５】シミュレーションに使用した軟磁性下地層及び垂直磁気記録層を示す図面である。
【図６Ａ】軟磁性下地層が相対的に小さな飽和磁化Ｍｓ＝６００ｅｍｕ／ｃｍ3を有する単一層で形成されたサンプル１を示す図面である。
【図６Ｂ】軟磁性下地層が、飽和磁化Ｍｓ＝１０００ｅｍｕ／ｃｍ3である第１軟磁性下地層と飽和磁化Ｍｓ＝６００ｅｍｕ／ｃｍ3である第２軟磁性下地層より形成され、垂直磁気記録層に近い第２軟磁性下地層の飽和磁化が第１軟磁性下地層よりも小さなサンプル２を示す図面である。
【図６Ｃ】軟磁性下地層が相対的に大きい飽和磁化Ｍｓ＝１０００ｅｍｕ／ｃｍ3を有する単一層より形成されたサンプル３を示す図面である。
【図６Ｄ】軟磁性下地層が飽和磁化Ｍｓ＝６００ｅｍｕ／ｃｍ3である第１軟磁性下地層と飽和磁化Ｍｓ＝１０００ｅｍｕ／ｃｍ3である第２軟磁性下地層より形成され、垂直磁気記録層に近い第２軟磁性下地層の飽和磁化が第１軟磁性下地層より大きいサンプル４を示す図面である。
【図７】図６Ａないし図６Ｄに示されたサンプル１、サンプル２、サンプル３、サンプル４の４つのサンプルに対してＳＮＲを検出した結果を示す図面である。
【図８Ａ】図６Ａに示すサンプル１に対して、垂直磁気記録層のみ（ＲＬ）、上部軟磁性下地層のみ（Ｔｏｐ ＳＵＬ）、第１及び第２軟磁性下地層両方（ＳＵＬ（ｓｕｍ））、垂直磁気記録層及び第１及び第２軟磁性下地層の全て（Ｔｏｔａｌ）に対するＳＮＲの変化を示したグラフである。
【図８Ｂ】図６Ｂに示すサンプル２に対して、垂直磁気記録層のみ（ＲＬ）、上部軟磁性下地層のみ（Ｔｏｐ ＳＵＬ）、第１及び第２軟磁性下地層両方（ＳＵＬ（ｓｕｍ））、垂直磁気記録層及び第１及び第２軟磁性下地層の全て（Ｔｏｔａｌ）に対するＳＮＲの変化を示したグラフである。
【図８Ｃ】図Ｃに示すサンプル３に対して、垂直磁気記録層のみ（ＲＬ）、上部軟磁性下地層のみ（Ｔｏｐ ＳＵＬ）、第１及び第２軟磁性下地層両方（ＳＵＬ（ｓｕｍ））、垂直磁気記録層及び第１及び第２軟磁性下地層の全て（Ｔｏｔａｌ）に対するＳＮＲの変化を示したグラフである。
【図８Ｄ】図Ｄに示すサンプル４に対して、垂直磁気記録層のみ（ＲＬ）、上部軟磁性下地層のみ（Ｔｏｐ ＳＵＬ）、第１及び第２軟磁性下地層両方（ＳＵＬ（ｓｕｍ））、垂直磁気記録層及び第１及び第２軟磁性下地層の全て（Ｔｏｔａｌ）に対するＳＮＲの変化を示したグラフである。
【符号の説明】
【００３３】
５０    垂直磁気記録媒体
５１    基板
５３    軟磁性下地層
５３ａ、５３ｂ  第１及び第２軟磁性下地層
５５    垂直配向下地層
５７    垂直磁気記録層
５９    保護膜
【図１】
2008176923.tif 000003
【図２】
2008176923.tif 000004
【図３】
2008176923.tif 000005
【図４】
2008176923.tif 000006
【図５】
2008176923.tif 000007
【図６Ａ】
2008176923.tif 000008
【図６Ｂ】
2008176923.tif 000009
【図６Ｃ】
2008176923.tif 000010
【図６Ｄ】
2008176923.tif 000011
【図７】
2008176923.tif 000012
【図８Ａ】
2008176923.tif 000013
【図８Ｂ】
2008176923.tif 000014
【図８Ｃ】
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【図８Ｄ】
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