(57)【要約】【課題】本発明は、有機ＥＬディスプレイの表示欠陥の原因となる、現像残渣の発生を抑制する方法を提供することを目的とする。【解決手段】本発明の有機ＥＬ素子の製造方法は、透明支持基板上に色変換フィルター層、平坦化層およびパッシベーション層、透明電極、有機ＥＬ層および反射電極を形成する各工程を含み、平坦化層が１）平坦化層用のフォトレジスト材料を塗布し、露光するステップ、２）現像液を供給しフォトレジスト材料を溶解するステップ、３）２）に連続して、現像液および純水の混合液、または純水を供給し現像液を除去するステップ、４）３）に連続して、純水を供給しリンスを行うステップ、５）４）に連続して、超音波を印加した純水を供給しリンスを行うステップおよび６）乾燥ステップにより形成される。本発明では、絶縁層および／または反射電極分離隔壁を平坦化層と同様に形成できる。【選択図】図３
2008077991.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）透明支持基板上に色変換フィルター層を形成する工程と、
（Ｂ）前記色変換フィルター層上に平坦化層およびパッシベーション層を順次形成する工程であって、前記平坦化層を形成する工程が下記１）〜６）のステップを含む工程、
１）色変換フィルター層を形成した透明支持基板上に平坦化層を形成するフォトレジスト材料を塗布し、露光するステップ、
２）前記透明支持基板上に現像液を供給し、前記露光した平坦化層を形成するフォトレジスト材料を現像するステップ、
３）前記２）のステップに連続して、現像液および純水の混合液を前記透明支持基板上に供給し、現像液を除去するステップ、
４）前記３）のステップに連続して、純水を前記透明支持基板上に供給し、リンスを行うステップ、
５）前記４）のステップに連続して、超音波を印加した純水を前記透明支持基板上に供給し、リンスを行うステップ、および
６）現像後の乾燥を行うステップ、
Ｃ）前記パッシベーション層上にストライプ状の透明電極を形成する工程と、
Ｄ）前記透明電極を形成した基板上に有機ＥＬ層を形成する工程と、
Ｅ）有機ＥＬ層上に反射電極を形成する工程
を含むことを特徴とするカラー有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項２】
前記工程Ｃ）とＤ）の間に、下記工程Ｆ）を含むことを特徴とする請求項１に記載のカラー有機ＥＬ素子の製造方法。
Ｆ）透明電極の間に絶縁膜を形成する工程であって、絶縁膜を形成する工程が次のｉ）〜ｖｉ）のステップを含む工程と、
ｉ）透明電極が形成されている透明支持基板上に絶縁膜を形成するフォトレジスト材料を塗布し、露光するステップ、
ｉｉ）前記透明支持基板上に現像液を供給し、前記露光した絶縁膜を形成するフォトレジスト材料を現像するステップ、
ｉｉｉ）前記ｉｉ）のステップに連続して、現像液および純水の混合液を前記透明支持基板上に供給し、現像液を除去するステップ、
ｉｖ）前記ｉｉｉ）のステップに連続して、純水を前記透明支持基板上に供給し、リンスを行うステップ、
ｖ）前記ｉｖ）のステップに連続して、超音波を印加した純水を前記透明支持基板上に供給し、リンスを行うステップ、および
ｖｉ）現像後の乾燥を行うステップ。
【請求項３】
前記工程Ｃ）とＤ）の間に、下記工程Ｇ）を含むことを特徴とする請求項１に記載のカラー有機ＥＬ素子の製造方法。
Ｇ）前記透明電極と直交する方向に反射電極分離隔壁を形成する工程であって、該工程が次のａ）〜ｆ）のステップを含む工程
ａ）透明電極を形成した透明支持基板上に、反射電極分離隔壁を形成するフォトレジスト材料を塗布し、反射電極分離隔壁層を形成し、この層を露光するステップ、
ｂ）前記透明支持基板上に現像液を供給し、露光した反射電極分離隔壁層を現像するステップ、
ｃ）前記ｂ）のステップに連続して、現像液および純水の混合液を前記透明支持基板上に供給し、現像液を除去するステップ、
ｄ）前記ｃ）のステップに連続して、純水を前記透明支持基板上に供給し、リンスを行うステップ、
ｅ）前記ｄ）のステップに連続して、超音波を印加した純水を前記透明支持基板上に供給し、リンスを行うステップ、および
ｆ）現像後の乾燥を行うステップ。
【請求項４】
前記工程Ｃ）とＤ）の間に、下記工程Ｆ）およびＧ）を含むことを特徴とする請求項１に記載のカラー有機ＥＬ素子の製造方法。
Ｆ）透明電極の間に絶縁膜を形成する工程であって、絶縁膜を形成する工程が次のｉ）〜ｖｉ）のステップを含む工程と、
ｉ）透明電極を形成した透明支持基板上に絶縁膜を形成するフォトレジスト材料を塗布し、露光するステップ、
ｉｉ）前記透明支持基板上に現像液を供給し、前記露光した絶縁膜を形成するフォトレジスト材料を現像するステップ、
ｉｉｉ）前記ｉｉ）のステップに連続して、現像液および純水の混合液を前記透明支持基板上に供給し、現像液を除去するステップ、
ｉｖ）前記ｉｉｉ）のステップに連続して、純水を前記透明支持基板上に供給し、リンスを行うステップ、
ｖ）前記ｉｖ）のステップに連続して、超音波を印加した純水を前記透明支持基板上に供給し、リンスを行うステップ、および
ｖｉ）現像後の乾燥を行うステップ、
Ｇ）前記透明電極と直交する方向に反射電極分離隔壁を形成する工程であって、該工程が次のａ）〜ｆ）のステップを含む工程
ａ）前記絶縁膜を形成した透明支持基板上に、反射電極分離隔壁を形成するフォトレジスト材料を塗布し、反射電極分離隔壁層を形成し、この層を露光するステップ、
ｂ）前記透明支持基板上に現像液を供給し、前記露光した反射電極分子隔壁層を現像するステップ、
ｃ）前記ｂ）のステップに連続して、現像液および純水の混合液を前記透明支持基板上に供給し、現像液を除去するステップ、
ｄ）前記ｃ）のステップに連続して、純水を前記透明支持基板上に供給し、リンスを行うステップ、
ｅ）前記ｄ）のステップに連続して、超音波を印加した純水を前記透明支持基板上に供給し、リンスを行うステップ、および
ｆ）現像後の乾燥を行うステップ。
【請求項５】
（Ａ）透明支持基板上に色変換フィルター層を形成する工程と、
（Ｂ）前記色変換フィルター層上に平坦化層およびパッシベーション層を順次形成する工程であって、前記平坦化層を形成する工程が下記１）〜６）のステップを含む工程、
１）色変換フィルター層を形成した透明支持基板上に平坦化層を形成するフォトレジスト材料を塗布し、露光するステップ、
２）前記透明支持基板上に現像液を供給し、前記露光した平坦化層を形成するフォトレジスト材料を現像するステップ、
３）前記２）のステップに連続して、小流量の純水を前記透明支持基板上に供給し、現像液と純水の混合状態をつくり、現像液を除去するステップ、
４）前記３）のステップに連続して、純水を前記透明支持基板上に供給し、リンスを行うステップ、
５）前記４）のステップに連続して、超音波を印加した純水を前記透明支持基板上に供給し、リンスを行うステップ、および
６）現像後の乾燥を行うステップ
Ｃ）前記パッシベーション層上にストライプ状の透明電極を形成する工程と、
Ｄ）前記透明電極を形成した基板上に有機ＥＬ層を形成する工程と、
Ｅ）有機ＥＬ層上に反射電極を形成する工程
を含むことを特徴とするカラー有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項６】
前記工程Ｃ）とＤ）の間に、下記工程Ｆ）を含むことを特徴とする請求項５に記載のカラー有機ＥＬ素子の製造方法。
Ｆ）透明電極の間に絶縁膜を形成する工程であって、絶縁膜を形成する工程が次のｉ）〜ｖｉ）のステップを含む工程と、
ｉ）透明電極が形成されている透明支持基板上に絶縁膜を形成するフォトレジスト材料を塗布し、露光するステップ、
ｉｉ）前記透明支持基板上に現像液を供給し、前記露光した絶縁膜を形成するフォトレジスト材料を現像するステップ、
ｉｉｉ）前記ｉｉ）のステップに連続して、小流量の純水を前記透明支持基板上に供給し、現像液と純水の混合状態をつくり、現像液を除去するステップ、
ｉｖ）前記ｉｉｉ）のステップに連続して、純水を前記透明支持基板上に供給し、リンスを行うステップ、
ｖ）前記ｉｖ）のステップに連続して、超音波を印加した純水を前記透明支持基板上に供給し、リンスを行うステップ、および
ｖｉ）現像後の乾燥を行うステップ。
【請求項７】
前記工程Ｃ）とＤ）の間に、下記工程Ｇ）を含むことを特徴とする請求項５に記載のカラー有機ＥＬ素子の製造方法。
Ｇ）前記透明電極と直交する方向に反射電極分離隔壁を形成する工程であって、該工程が次のａ）〜ｆ）のステップを含む工程と、
ａ）透明電極を形成した透明支持基板上に、反射電極分離隔壁を形成するフォトレジスト材料を塗布し、反射電極分離隔壁層を形成し、この層を露光するステップ、
ｂ）前記透明支持基板上に現像液を供給し、露光した反射電極分離隔壁層を現像するステップ、
ｃ）前記ｂ）のステップに連続して、小流量の純水を前記透明支持基板上に供給し、現像液と純水の混合状態をつくり、現像液を除去するステップ、
ｄ）前記ｃ）のステップに連続して、純水を前記透明支持基板上に供給し、リンスを行うステップ、
ｅ）前記ｄ）のステップに連続して、超音波を印加した純水を前記透明支持基板上に供給し、リンスを行うステップ、および
ｆ）現像後の乾燥を行うステップ
【請求項８】
前記工程Ｃ）とＤ）の間に、下記工程Ｆ）およびＧ）を含むことを特徴とする請求項５に記載のカラー有機ＥＬ素子の製造方法。
Ｆ）透明電極の間に絶縁膜を形成する工程であって、絶縁膜を形成する工程が次のｉ）〜ｖｉ）のステップを含む工程と、
ｉ）透明電極を形成した透明支持基板上に絶縁膜を形成するフォトレジスト材料を塗布し、露光するステップ、
ｉｉ）前記露光した絶縁膜に現像液を供給し、前記露光した絶縁膜を形成するフォトレジスト材料を現像するステップ、
ｉｉｉ）前記ｉｉ）のステップに連続して、小流量の純水を前記透明支持基板上に供給し、現像液と純水の混合状態をつくり、現像液を除去するステップ、
ｉｖ）前記ｉｉｉ）のステップに連続して、純水を前記透明支持基板上に供給し、リンスを行うステップ、
ｖ）前記ｉｖ）のステップに連続して、超音波を印加した純水を前記透明支持基板上に供給し、リンスを行うステップ、および
ｖｉ）現像後の乾燥を行うステップ、
Ｇ）前記透明電極と直交する方向に反射電極分離隔壁を形成する工程であって、該工程が次のａ）〜ｆ）のステップを含む工程と、
ａ）前記絶縁膜を形成した透明支持基板上に、反射電極分離隔壁を形成するフォトレジスト材料を塗布し、反射電極分離隔壁層を形成し、この層を露光するステップ、
ｂ）前記透明支持基板上に現像液を供給し、前記露光した反射電極分離隔壁層を現像するステップ、
ｃ）前記ｂ）のステップに連続して、小流量の純水を前記透明支持基板上に供給し、現像液と純水の混合状態をつくり、現像液を除去するステップ、
ｄ）前記ｃ）のステップに連続して、純水を前記透明支持基板上に供給し、リンスを行うステップ、
ｅ）前記ｄ）のステップに連続して、超音波を印加した純水を前記透明支持基板上に供給し、リンスを行うステップ、および
ｆ）現像後の乾燥を行うステップ。
【請求項９】
請求項１〜８の工程Ｂ）、工程Ｆ）または工程Ｇ）において、フォトリソグラフ法によりパターンを形成する際の現像に用いられる現像装置であって、
フォトレジストを塗布し、露光した透明支持基板を搬送する搬送部と、
前記搬送手段により搬送される透明支持基板上の露光したフォトレジスト材料を現像するための現像部と、
現像液と純水の混合液、または純水を透明支持基板上に供給する緩衝部と、
純水を透明支持基板上に供給して現像液を除去するリンス部と、
超音波を印加した純水を透明支持基板上に供給してリンスを行う超音波洗浄部と、
洗浄された透明支持基板を乾燥する乾燥部
を備えた現像装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、カラー有機ＥＬ素子の製造方法に関する。特に本発明は、フォトリソグラフ法により形成される、有機ＥＬ素子の平坦化層、絶縁層、反射電極分離隔壁の現像方法に特徴を有するカラー有機ＥＬ素子の製造方法に関する。さらに本発明は、この製造方法の現像工程で使用する製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ素子のカラー化方法として、（１）電界をかけることにより赤、青、緑にそれぞれ発光する有機ＥＬ素子を配列する「３色発光方式」、（２）有機ＥＬ素子の発する白色の発光を、カラーフィルターでカットし、赤、青、緑を表現する「カラーフィルター方式」、あるいは、（３）色変換フィルター層を用いる「色変換方式」、すなわち有機ＥＬ素子の発する近紫外光、青色光、青緑色光または白色光を吸収し、波長分布変換を行うことにより可視光域の光を発光する色変換色素を用いるものが提案されている。
【０００３】
これらの方式の内、成膜時にメタルマスクを用いる必要がなく、フォトプロセスを用いて所望の形状および配列を有するカラーフィルター層および／または色変換層を形成することができるという点において、「カラーフィルター方式」および「色変換方式」が有機ＥＬ素子の大画面化および高精細化に有利であると考えられている。
【０００４】
有機ＥＬ素子をカラーディスプレイとして用いる場合の実用上の重要課題は、精細なカラー表示機能を有すること、および、色再現性を含め長期的な安定性を有することである。しかしながら、カラー有機ＥＬディスプレイには、一定期間の駆動により発光特性（電流−輝度特性）が著しく低下するという欠点を有している。
【０００５】
この発光特性の低下の原因の代表的なものは、ダークスポットの成長である。このダークスポットとは、発光欠陥点のことである。駆動時および保存中に素子の酸化が進むとダークスポットの成長が進み、発光面全体に広がる。このダークスポットの成長は、素子中の酸素または水分により、素子を構成する積層材料が酸化または凝集することが原因していると考えられている。ダークスポットの成長は、発光を行っている通電中はもちろん、素子の保存中にも進行し、特に（１）素子の周囲に存在する酸素または水分により加速され、（２）有機積層膜中に吸着物として存在する酸素または水分に影響され、および（３）素子作製時の部品に吸着されている水分または素子の製造時等における水分の侵入にも影響されると考えられている。
【０００６】
この水分の有機ＥＬ素子への侵入の起点となるものが、電荷注入電極（透明電極、反射電極）の表面あるいは下面に存在するフォトリソグラフプロセスに由来する欠陥である。
【０００７】
「カラーフィルター方式」および「色変換方式」を採用する有機ＥＬ素子では、電荷注入電極の表面あるいは下面の欠陥の発生要因は大きく次のように分類することができる。
（ｉ）  平坦化層のフォトリソグラフプロセスにおける欠陥
（ｉｉ）  無機膜層の製膜プロセスにおける欠陥
（ｉｉｉ）  透明電極の製膜プロセスおよびフォトリソグラフプロセスにおける欠陥
（ｉｖ）  絶縁膜のフォトリソグラフプロセスにおける欠陥
（ｖ）  反射電極分離隔壁のフォトリソグラフプロセスにおける欠陥
【０００８】
この中で、平坦化層、絶縁膜、反射電極分離隔壁はフォトリソグラフ工程で形成されており、特に現像工程後に現像残渣として残留する有機物が欠陥の起点となることがわかっている。
【０００９】
現像残渣を低減する方法として、特許文献１には、現像液に浸漬後に超音波を印加した純水または洗浄液でリンスを行う方法が開示されている。また、特許文献２には、カラーフィルター層形成後の洗浄工程としてテトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）水溶液を用いる方法が開示されており、特許文献３には、ＴＦＴ形成工程において金属膜の製膜前にＴＭＡＨ水溶液やオゾン水溶液で基板洗浄を行う方法が開示されている。また、特許文献４には、ブラックマトリックスをフォトリソグラフ法で形成する工程において、レジストに添加される黒色顔料の残渣がブラックマトリックスの開口部内に付着するのを防止するために、現像液の濃度を高濃度から低濃度へ推移させて現像することが開示されている。
【００１０】
【特許文献１】特開平９−１４５９１２号公報
【特許文献２】特開２００１−１０８８２２号公報
【特許文献３】特開２００５−８６０９０号公報
【特許文献４】特開平１０−２６８８０３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
したがって、本発明は、有機ＥＬディスプレイの表示欠陥の原因となる、フォトリソグラフ法における現像残渣の発生を抑制する方法を提供することを目的とする。さらに、本発明は、この方法で使用される現像装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明は、有機ＥＬ素子の性能低下、特にダークスポットの発生に関して、フォトリソグラフ法の現像工程における洗浄方法に注目し、洗浄方法の検討を行った。その結果、フォトリソグラフ法で現像を行った後の洗浄ステップにおいて、緩衝ステップ、リンスステップ、超音波洗浄ステップを連続して実施することにより現像残渣の発生を抑制できることを見出した。
【００１３】
したがって、本発明は、有機ＥＬ素子の製造方法に関し、この方法は、以下の各工程を含む。
（Ａ）透明支持基板上に色変換フィルター層を形成する工程と、
（Ｂ）前記色変換フィルター層上に平坦化層およびパッシベーション層を順次形成する工程であって、前記平坦化層を形成する工程が下記１）〜６）のステップを含む工程、
１）色変換フィルター層を形成した透明支持基板上に平坦化層を形成するフォトレジスト材料を塗布し、露光するステップ、
２）前記透明支持基板上に現像液を供給し、前記露光した平坦化層を形成するフォトレジスト材料を現像するステップ、
３）前記２）のステップに連続して、現像液および純水の混合液を前記透明支持基板上に供給し、現像液を除去するステップ、
４）前記３）のステップに連続して、純水を前記透明支持基板上に供給し、リンスを行うステップ、
５）前記４）のステップに連続して、超音波を印加した純水を前記透明支持基板上に供給し、リンスを行うステップ、および
６）現像後の乾燥を行うステップ、
Ｃ）前記パッシベーション層上にストライプ状の透明電極を形成する工程と、
Ｄ）前記透明電極を形成した基板上に有機ＥＬ層を形成する工程と、
Ｅ）有機ＥＬ層上に反射電極を形成する工程。
【００１４】
本発明の方法は、前記工程Ｃ）とＤ）の間に、下記工程Ｆ）および／またはＧ）を含むことができる。
Ｆ）透明電極の間に絶縁膜を形成する工程であって、絶縁膜を形成する工程が次のｉ）〜ｖｉ）のステップを含む工程と、
ｉ）絶縁膜を形成するフォトレジスト材料を塗布し、露光するステップ、
ｉｉ）前記透明支持基板上に現像液を供給し、絶縁膜を形成するフォトレジスト材料を現像するステップ、
ｉｉｉ）前記ｉｉ）のステップに連続して、現像液および純水の混合液を透明支持基板上に供給し、現像液を除去するステップ、
ｉｖ）前記ｉｉｉ）のステップに連続して、純水を透明支持基板上に供給し、リンスを行うステップ、
ｖ）前記ｉｖ）のステップに連続して、超音波を印加した純水を透明支持基板上に供給し、リンスを行うステップ、および
ｖｉ）現像後の乾燥を行うステップ。
Ｇ）前記透明電極と直交する方向に反射電極分離隔壁を形成する工程であって、該工程が次のａ）〜ｆ）のステップを含む工程
ａ）反射電極分離隔壁を形成するフォトレジスト材料を塗布し、反射電極分離隔壁層を形成し、この層を露光するステップ、
ｂ）透明支持基板上に現像液を供給し、露光した反射電極分離隔壁層を現像するステップ、
ｃ）前記ｂ）のステップに連続して、現像液および純水の混合液を透明支持基板上に供給し、現像液を除去するステップ、
ｄ）前記ｃ）のステップに連続して、純水を透明支持基板上に供給し、リンスを行うステップ、
ｅ）前記ｄ）のステップに連続して、超音波を印加した純水を透明支持基板上に供給し、リンスを行うステップ、および
ｆ）現像後の乾燥を行うステップ。
【００１５】
さらに本発明では、上記３）、ｉｉｉ）およびｃ）の各ステップで使用する現像液および純水の混合液に代えて、少流量の純水を用いることで、現像液と純水の混合状態をつくり、現像液を除去するステップとすることができる。
【００１６】
さらに本発明は、上記有機ＥＬ素子の製造方法に使用できる現像装置に関する。この現像装置は、上記工程Ｂ）、工程Ｆ）または工程Ｇ）において、フォトリソグラフ法によりパターンを形成する際の現像に用いられる現像装置であって、フォトレジストを塗布し、露光した透明支持基板を搬送する搬送部と、前記搬送手段により搬送される透明支持基板を現像するための現像部と、現像液と純水の混合液、または純水を透明支持基板上に供給する緩衝部と、純水を透明支持基板上に供給して現像液を除去するリンス部と、超音波を印加した純水を透明支持基板上に供給してリンスを行う超音波洗浄部と、洗浄された透明支持基板を乾燥する乾燥部を備える。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の方法によれば、平坦化層、絶縁膜、および、反射電極分離隔壁を形成する際の現像工程において、現像残渣を低減することができる。その結果、表示欠陥の原因となる電荷注入電極（透明電極、反射電極）の表面あるいは下面に存在する、フォトリソグラフプロセスに由来する欠陥が減少する。これにより、ダークスポットの発生を抑制でき、長期間にわたって優れた発光特性を維持した有機ＥＬ素子を提供することができる。さらに、本発明の製造装置を用いることで、本発明の工程を連続して行うことが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
本発明は、有機ＥＬ素子の製造方法に関する。本発明の製造方法により、例えば、図１に示したようなボトムエミッション方式のパッシブ型有機ＥＬ素子を製造することができる。図１（ａ）は、有機ＥＬ素子を一方の側面（図１（ａ）に記載の座標軸では、Ｙ−Ｚ平面）から見た断面図であり、図１（ｂ）は、有機ＥＬ素子を他の側面（図１（ｂ）に記載の座標軸では、Ｘ−Ｚ平面）から見た断面図である。図１に示したように、本発明の方法で製造される有機ＥＬ素子は、透明支持基板１０２と、この透明支持基板上に設けられたブラックマトリックス１０４、色変換フィルター層１０６、１０８、１１０（例えば、青色変換フィルター層１０６、緑色変換フィルター層１０８、赤色変換フィルター層１１０）、色変換フィルター層およびブラックマトリックスを覆う平坦化層１１２およびパッシベーション層１１４からなる色変換フィルター基板を含む。さらに、有機ＥＬ素子には、色変換フィルター基板上に設けられたストライプ状の透明電極（第１電極）１１６、該透明電極間に設けられる絶縁膜１１８、有機ＥＬ層１２０、反射電極（第２電極）１２２、および、反射電極分離隔壁１２４を含む。なお、本発明の方法で製造される有機ＥＬ素子では、絶縁膜１１８、反射電極分離隔壁１２４は、任意要素である。
【００１９】
本発明の有機ＥＬ素子の製造方法の第１の実施形態は、以下の工程を含む。
（Ａ）透明支持基板上に色変換フィルター層を形成する工程と、
（Ｂ）前記色変換フィルター層上に平坦化層およびパッシベーション層を順次形成する工程であって、前記平坦化層を形成する工程が下記１）〜６）のステップを含む工程、
１）色変換フィルター層を形成した透明支持基板上に平坦化層を形成するフォトレジスト材料を塗布し、露光するステップ、
２）前記透明支持基板上に現像液を供給し、前記露光した平坦化層を形成するフォトレジスト材料を現像するステップ、
３）前記２）のステップに連続して、現像液および純水の混合液を前記透明支持基板上に供給し、現像液を除去するステップ、
４）前記３）のステップに連続して、純水を前記透明支持基板上に供給し、リンスを行うステップ、
５）前記４）のステップに連続して、超音波を印加した純水を前記透明支持基板上に供給し、リンスを行うステップ、および
６）現像後の乾燥を行うステップ、
Ｃ）前記パッシベーション層上にストライプ状の透明電極を形成する工程と、
Ｄ）前記透明電極を形成した基板上に有機ＥＬ層を形成する工程と、
Ｅ）有機ＥＬ層上に反射電極を形成する工程。
【００２０】
この方法により、任意要素である絶縁膜１１８および反射電極分離隔壁１２４を含まない有機ＥＬ素子を製造することができる。以下に、本発明の製造方法を図２〜５を参照して説明する。
【００２１】
工程（Ａ）は、透明支持基板上に色変換フィルター層を形成する工程である。本発明では、図２（ａ）に示すように、色変換フィルター層を形成する前に、透明支持基板上にはブラックマトリックス１０４を形成することが好ましい。ブラックマトリックスを設けることによって、隣接するサブピクセルの色変換フィルター層への光の漏れを防止して、にじみのない所望される蛍光変換色のみを得ることが可能となる。ブラックマトリックスは、好ましくは０．５〜２．０μｍの厚さを有する。ブラックマトリックスの材料は、従来から用いられているものをそのまま使用することができる。カーボンブラック分散型のレジスト材料（例えば、カラーモザイクＣＫ７８００（富士フイルムエレクトロニクスマテリアルズ（株）製）など）や、酸化クロム等を用いることができる。
【００２２】
ブラックマトリックスは、スピンコート法とフォトレジスト法を組み合わせた湿式法などにより形成することができる。例えば、ブラックマトリックスの材料をスピンコート法により透明基板の全面に塗布し、次いでフォトリソグラフィー法により、格子状のパターン（すなわち、サブピクセルの画素が設けられるように開口部を形成する）に、パターンニングすればよい。
【００２３】
次に、透明支持基板上に、カラーフィルタ層、色変換層、またはカラーフィルタ層と色変換層との積層体から構成される色変換フィルター層１０６、１０８、１１０を形成する（図２（ｂ））。本明細書において、色変換フィルター層は、カラーフィルタ層、色変換層、およびカラーフィルタ層と色変換層との積層体の総称である。カラーフィルタ層は、所望される波長域の光のみを透過させる層である。また、色変換層との積層構成を採る場合、色変換層で波長分布変換された光の色純度を向上させるためにカラーフィルタ層は有効である。
【００２４】
色変換フィルター層は、スピンコート法、ロールコート法、キャスト法、ディップコート法などを用いて各層の材料を塗布し、続いてフォトリソグラフ法などを用いてパターニングすることによって形成することができる。
【００２５】
カラーフィルタ層は、たとえば、市販の液晶用カラーフィルタ材料（富士フイルムエレクトロニクスマテリアルズ製カラーモザイクなど）を用いて形成することができる。
【００２６】
色変換層は、色変換色素とマトリクス樹脂からなる層である。色変換色素は、入射光の波長分布変換を行って、異なる波長域の光を放射する色素であり、好ましくは有機発光層からの近紫外光または青色から青緑色の光の波長分布変換を行って、所望の波長域の光（たとえば、青色、緑色または赤色）を放射する色素である。色変換色素としては、赤色光を放射するローダミン系色素、シアニン系色素など；緑色光を放射するクマリン系色素、ナフタルイミド系色素など；青色光を放射するクマリン系色素など、当技術分野で知られている任意のものを用いることができる。
【００２７】
マトリクス樹脂は、光硬化性または光熱併用型硬化性樹脂（レジスト）を光および／または熱処理して、ラジカル種またはイオン種を発生させて重合または架橋させ、不溶不融化させたものである。また、色変換層のパターニングを行うために、該光硬化性または光熱併用型硬化性樹脂は、未露光の状態において有機溶媒またはアルカリ溶液に可溶性であることが望ましい。具体的には、マトリクス樹脂は、（１）アクロイル基やメタクロイル基を複数有するアクリル系多官能モノマーおよびオリゴマーと、光または熱重合開始剤とからなる組成物膜を光または熱処理して、光ラジカルまたは熱ラジカルを発生させて重合させたもの、（２）ボリビニル桂皮酸エステルと増感剤とからなる組成物を光または熱処理により二量化させて架橋したもの、（３）鎖状または環状オレフィンとビスアジドとからなる組成物膜を光または熱処理してナイトレンを発生させ、オレフィンと架橋させたもの、および（４）エポキシ基を有するモノマーと酸発生剤とからなる組成物膜を光または熱処理により、酸（カチオン）を発生させて重合させたものなどを含む。光重合開始剤、増感剤および酸発生剤は、含まれる蛍光変換色素が吸収しない波長の光によって重合を開始させるものであることが好ましい。本発明の色変換層において、光硬化性または光熱併用型硬化性樹脂中の樹脂自身が光または熱により重合することが可能である場合には、光重合開始剤および熱重合開始剤を添加しないことも可能である。
【００２８】
工程（Ｂ）は、前記色変換フィルター層上に平坦化層およびパッシベーション層を順次形成する工程である（図２（ｃ）〜（ｇ））。平坦化層は、水分、酸素および低分子成分に対するバリア性を有し、これらの透過を防止すると共に色変換層の上面を平坦化するものである。また、パッシベーション層は、外部環境からの酸素、低分子成分および水分の透過を防止することができるものである。
【００２９】
本発明の製造方法では、平坦化層の形成は、図３に示すように、以下の１）〜６）のステップを含む。
１）色変換フィルター層を形成した透明支持基板上に平坦化層を形成するフォトレジスト材料を塗布し、露光するステップ、
２）前記透明支持基板上に現像液を供給し、前記露光した平坦化層を形成するフォトレジスト材料を現像するステップ、
３）前記２）のステップに連続して、現像液および純水の混合液を前記透明支持基板上に供給し、現像液を除去するステップ、
４）前記３）のステップに連続して、純水を前記透明支持基板上に供給し、リンスを行うステップ、
５）前記４）のステップに連続して、超音波を印加した純水を前記透明支持基板上に供給し、リンスを行うステップ、および
６）現像後の乾燥を行うステップ。
【００３０】
なお、上記３）のステップは、現像液および純水の混合液に代えて、小流量の純水を前記透明支持基板上に供給し、現像液と純水の混合状態をつくり、現像液を除去してもよい。
【００３１】
１）のステップ（図３の３００）では、平坦化層の材料（レジスト材料）を塗布して露光する。平坦化層は、スピンコート法などの湿式法で形成することができるが、有機ＥＬ素子の外周部において、平坦化層を取り除くことが好ましい。これは、平坦化層を形成した後にコンタクト電極とフレキシブル基板を接続するため、あるいは、ＩＣを搭載する際の強度を持たせるためである。したがって、平坦化層は、フォトリソグラフ法を用いて外周部を取り除くようにパターニングすることが好ましい。また、平坦化層は外周部においてテーパー形状を有することも必要である。テーパー部は平坦化層端部で、透明電極１１６の段切れを防止する目的で形成する。好ましいテーパー部の角度は５〜５０°である。
【００３２】
まず、図２（ｃ）に示すように、スピンコート法などの湿式法により平坦化層の材料２０２を色変換フィルター層を形成した透明基板上に塗布する。次に、図２（ｄ）〜（ｇ）に示すようにフォトリソグラフ法により、平坦化層の外周部を取り除くようにパターニングを行う。パターニングの手順としては、例えば、塗布された平坦化層の材料２０２を、プリベーク（例えば、ホットプレート上においての条件で５０℃〜１５０℃で、３０〜６００秒）し、フォトマスク２０４を用いて、放射線２０６により露光（例えば、５〜１００ｍＪ／ｃｍ２の光量の紫外線による１０〜３００秒の露光）し（図２（ｄ））、さらに、液体（現像液、リンス液など）供給手段２０８を含む現像装置を用いて現像（図２（ｅ）（現像工程））を行えばよい。このような手順で、図２（ｆ）に示すような平坦化層１１２を形成することができる。平坦化層の膜厚は、１〜２０μｍであることが好ましい。
【００３３】
平坦化層に用いる材料としては、可視域における透明性が高く（４００〜７００ｎｍの範囲で透過率５０％以上）、Ｔｇが１００℃以上で、表面硬度が鉛筆硬度で２Ｈ以上あり、色変換フィルター層を被覆することができる材料を選択する。
【００３４】
材料として例えば、イミド変性シリコ−ン樹脂、エポキシ変性アクリレ−トル樹脂、アクリレ−トモノマ−／オリゴマ−／ポリマ−の反応性ビニル基を有した樹脂、フッ素系樹脂等の光硬化型樹脂および／または熱硬化型樹脂が挙げることができる。
【００３５】
特に、アクリル系ポリマーを主材料としたネガ型感光性樹脂は、色変換層と屈折率差が小さくまた、平坦化層端部にテーパー形状（平坦化層と透明支持基板の成す角度が鋭角である状態）を作りやすいために特にふさわしい。
【００３６】
以下に本発明の現像工程（上記の２）〜５）のステップ）（図３の３０２〜３０８）について説明する。本発明の現像工程では、現像液により露光した平坦化層を現像する上記２）のステップ（図３の３０２）と、現像液の洗浄を行う洗浄ステップを含む。本発明は、２）〜５）のステップを連続して行うことが重要であることを見出した。特に、洗浄ステップ（上記３）〜５）のステップ）を連続して行うことが好ましい。また、本発明は、３）〜５）のステップに特徴を有する。具体的には、有機ＥＬ素子の性能低下、特にダークスポットの発生を防止するために、フォトリソグラフ法の現像工程において、緩衝ステップ（上記３）のステップ（図３の３０４））、リンスステップ（上記４）のステップ（図３の３０６））、超音波洗浄ステップ（上記５）のステップ（図３の３０８））を含む。
【００３７】
このように２）〜５）、特に３）〜５）のステップを連続して行うことで、現像残渣の発生を抑制することができ、電荷注入電極（本実施形態では透明電極）の表面あるいは下面に存在するフォトリソグラフプロセスに由来する欠陥を抑制できる。
【００３８】
本発明者は、上述のように２）〜５）のステップを連続して行うことが重要であることを見出した。これは、有機ＥＬ素子の製造方法において、洗浄方法に注目し、洗浄方法の検討を行った結果、フォトリソグラフ法で現像を行った後の洗浄ステップにおいて、現像残渣の発生を抑制することが重要であることを見出したことによる。種々の検討の結果、２）〜５）のステップを連続して行う際、現像残渣を抑制するためには、次の具体的手段をとることが重要であることを見出した。
【００３９】
（Ｉ）アルカリ現像液を用いた現像方法において、現像ステップの終了後に、現像液から純水リンス液への移行を徐々に進めること。これにより、現像残渣が発生しにくい。
【００４０】
（ＩＩ）リンスステップ後に連続して、周波数９００ｋＨｚ〜１２００ｋＨｚの超音波を印加した純水によりリンスを行うこと。これにより現像残渣の除去を行うことが出来る。
【００４１】
（Ｉ）を理解する方法として次のような方法をとった。現像終了後の現像液を取り集め、これを純水に滴下した。このとき、滴下部がわずかに白濁した。現像液を滴下した純水をろ過し、フィルター上に確認された異物を顕微ラマン分光法により分析を行ったところ、用いたレジスト材料とほぼ同様のスペクトルを得ることが出来た。
【００４２】
このことから、以下のことが推測される。まず、たとえば一般的なポジ型のフォトレジストとして用いられるノボラック樹脂系のレジストの場合、露光されなかった部分のレジスト材料はアルカリ現像液に溶解せず、レジスト材料は基板上に残留することになる。一方、露光された部分のレジスト材料は、現像液に対して溶解性をもつ。レジストのパターン寸法、レジストの膜厚から判断した現像終了時では、基板上には、現像液内に露光後のレジスト材料が少量ずつ残留・溶解した残留現像液が存在している。
【００４３】
このため、現像液の洗浄の際にリンス液である純水が残留現像液と混合した場合、残留現像液の濃度が減少する。そうすると、溶解していたレジストが凝集し、析出する為、基板上に現像残渣として残ることになる。この現像残渣が検出されたと推測される。
【００４４】
また、現像残渣の組成分析から、現像残渣がフォトレジスト成分と現像液成分の混合物からなることがわかった。したがって、上記（ＩＩ）については、純水によるリンスの後に、超音波を印加した純水で再度洗浄を行うことにより、現像液成分の再溶解と、超音波を印加したことによるキャビテーションの効果によりフォトレジスト成分を基板表面から除去する効果が得られると推測される。
【００４５】
現像工程は、例えば、図４に示す現像装置を用いることができる。本発明は、このような現像装置を包含する。なお、図４に示す装置は、一例であり、本発明はこれに限定されない。
【００４６】
現像装置４００は、レジスト材料を塗布し、露光した後の基板４０２を搬入するための搬入口４０４および搬出口４０６を有する。さらに現像装置４００は、現像液を供給して現像を行う現像部４０８、現像液と純水の混合液または小流量の純水を供給する緩衝部４１０、純水により現像液を取り除くリンス部４１２、超音波を印加した純水等を供給する超音波洗浄部４１４および基板を乾燥する乾燥部４１６を含む（現像部から乾燥部をまとめて現像ユニットとも称する）。また、この装置は、基板を搬送するための搬送手段４１８を含む搬送部を含む。
【００４７】
現像部４０８、緩衝部４１０、および、リンス部４１２は、基板上の露光されたレジスト材料に各種液体（例えば、現像液、現像液と純水の混合液または純水）を供給する手段（液体供給手段（４２０、４２２、４２４））を有するが、この手段は特に限定されない。例えば、液体供給ノズル、シャワーノズル、噴霧器など、液体を基板上に供給できる手段が含まれる。なお、緩衝部において現像液と純水の混合液を供給する場合、緩衝部は、予め現像液と純水を混合した混合液を用意し、上述の液体供給手段（４２２）で供給できる手段、あるいは、供給の直前に現像液と純水をそれぞれ所定の割合に混合できるように構成した液体供給手段を有することができる。
【００４８】
超音波洗浄部４１４は、純水に超音波をかけ、この超音波をかけた純水を基板に供給できる手段を有する。このような手段としては、例えば、シャワーヘッドに超音波振動子を取付け、シャワーヘッドを通過する液体に超音波を印加できるようにした装置が挙げられる。
【００４９】
乾燥部４１６は、洗浄された基板を乾燥できる手段３２８を含む。このような手段には、基板上に形成された色変換フィルター層、平坦化層などの有機層を破壊することなく乾燥できるものであれば特に限定されないが、例えばエアナイフ等の乾燥手段を挙げることができる。
【００５０】
搬送手段４１８は、レジスト材料が塗布され、現像ユニットにおいて露光された基板に対して各種処理が効率的に行え、且つ搬入口から搬出口へ搬送できる手段であれば、従来から用いられているものを使用でき、特に限定されるものではない。例えば、ノズルから現像液等の液体を全面に塗布された基板を静置して、現像または洗浄を行った後、次の手順へ移動するような手段、あるいは、現像液などをかけ流しできるように、基板を垂直に保持し、揺動できるような手段等、従来から用いられている搬送手段を用いることができる。
【００５１】
本発明の装置では、現像部から乾燥部までのそれぞれの処理部の間は、処理液が混合しないためのエアーブロー等により液切りを行わず処理液が基板上に残留したまま処理部間を移動することが望ましい。すなわち、それぞれの処理部の間は、連続して行われるように構成することが好ましい。特に、本発明では、緩衝ステップ、リンスステップ、超音波ステップを連続して行うように構成することが好ましい。
【００５２】
上述の装置を用いた現像工程は、次のようなステップで行われる。レジスト材料を塗布形成した基板を露光工程により所定のパターンを焼き付けた後に、搬送手段により現像ユニットに搬入する。
【００５３】
現像ステップ（図３の３０２）では、現像ユニットに搬入された基板に、例えばシャワーノズルから所定の現像液を供給する。平坦化層として上記の材料を用いる場合、例えばアルカリ現像液（例えば、ＮＭＤ−３  東京応化工業製、ＫＯＨ水溶液、ＣａＣＯ３水溶液など）を用いることができる。このような現像液を基板上に供給する。現像方法は、例えば、現像部４０８の基板導入側に設置されたノズルから現像液を供給し、基板の移動にともない、基板全面に現像液を塗布し、その後に規定の時間静置して現像する方法や、現像部内に均等にシャワーノズル、噴霧器等を配置し、現像液を流すか、噴霧しながら基板を搖動することにより現像を行う方法を採用することができる。この実施形態では、平坦化層の端部をテーパー形状にするため、現像の条件は、例えば、アルカリ現像液を１００〜１００００ｍＬ／分で供給することが好ましい。また、アルカリ現像液の濃度には、テトラメチルアンモニウムハイドロキシド（ＴＭＡＨ）の０．１〜２．５％のものを用いることもできる。
【００５４】
この後、基板は緩衝部４１０に搬送され、緩衝ステップ（図４の４０４）が実施される。緩衝ステップの第１の実施形態では、緩衝部４１０において現像液と純水の混合液を、例えばシャワーノズルから基板に供給する。供給される混合液は、レジスト材料の溶解を抑えるために、現像液濃度を純水で１／３から１／１０に希釈したものである。現像液と純水の混合物の供給量は、基板面積を１平方メートル、搬送速度を１０００ｍｍ／分とした場合に、３〜１０Ｌ／分の純水を供給することが好ましい。現像液と純水の混合物の供給量は、基板面積、搬送速度にほぼ比例した数値で増減させることができる。
【００５５】
緩衝ステップの第２の実施形態では、緩衝部４１０において純水を供給する。この場合、緩衝部では少量の純水を供給することにより、現像液と純水の混合状態をつくり、希釈した現像液を供給した場合と同様の効果を得ることができる。純水の供給量は、基板面積を１平方メートル、搬送速度を１０００ｍｍ／分とした場合に、３〜１０Ｌ／分の純水を供給することが好ましい。純水の供給量は、基板面積、搬送速度にほぼ比例した数値で増減させることができる。
【００５６】
また、緩衝部４１０では、複数のシャワーノズルから異なる流量の純水を供給することも可能である。例えば、緩衝部の基板導入側に設置されたシャワーノズルからは少量の純水を供給し、間隔をおいて設置された次のノズルからは１番目のノズルよりも多い流用の純水を供給してもよい。
【００５７】
次に、リンスステップ（図３の３０６）では、基板がリンス部４１２に搬送され、純水により基板表面に残留する現像液が除去される。純水は、基板面積を１平方メートル、搬送速度を１０００ｍｍ／分とした場合に、１〜２０Ｌ／分で供給することが好ましい。純水の供給量は、基板面積、搬送速度にほぼ比例した数値で増減させることができる。
【００５８】
次に、超音波洗浄ステップ（図３の３０８）では、基板は超音波洗浄部４１４に搬入され、超音波が印加された純水により洗浄される。超音波の印加は、９５０ｋＨｚから、３ＭＨｚ程度の周波数を用い、基板１平方メートルあたり印加電力が、８００〜２０００Ｗ程度となるように行われることが好ましい。また、超音波を印加した純水は、基板面積を１平方メートル、搬送速度を１０００ｍｍ／分とした場合に、１〜５０Ｌ／分で供給することが好ましい。超音波を印加した純水の供給量は、基板面積、搬送速度にほぼ比例した数値で増減させることができる。
【００５９】
次に、乾燥ステップ（図３の３１０）では、基板が乾燥部４１６に搬入され、エアナイフ等の乾燥手段４２８を用いて乾燥される。乾燥の条件には、例えば、２０〜３０℃の空気を、１００〜２０００Ｌ／分の流速で供給することなどが含まれる。
【００６０】
本発明では、現像ステップから乾燥ステップまでのそれぞれの処理部間は、処理液が混合しないためのエアーブロー等により液切りを行わず処理液が基板上に残留したまま処理部間を移動することが望ましい。
【００６１】
次に、平坦化層上には、図２（ｇ）に示すように、パッシベーション層１１４を形成することが好ましい。なお、本発明では、パッシベーション層は任意選択的であるが、水分および／または酸素を遮断するという観点からは、パッシベーション層を形成することが好ましい。
【００６２】
パッシベーション層の材料には、酸化ケイ素、酸化窒化ケイ素、窒化ケイ素、ダイアモンドライクカーボン等の無機材料や、種々のポリマー材料を用いることができる。イミド変性シリコーン樹脂、無機金属化合物（ＴｉＯ、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２等）をアクリル、ポリイミド、シリコーン樹脂等の中に分散した材料、アクリレートモノマー／オリゴマー／ポリマーの反応性ビニル基を有した樹脂、レジスト樹脂、フッ素系樹脂、または高い熱伝導率を有するメソゲン構造を有するエポキシ樹脂などの光硬化性樹脂および／または熱硬化性樹脂を挙げることができる。これらポリマー材料を用いる場合にも、その形成法は特に制限はない。たとえば、乾式法（スパッタ法、蒸着法、ＣＶＤ法など）、あるいは湿式法（スピンコート法、ロールコート法、キャスト法など）のような慣用の手法により形成することができる。
【００６３】
上述のパッシベーション層１１４は、単層であっても、複数の層が積層されたものであってもよい。パッシベーション層１１４の厚さ（複数の層の積層物である場合は全厚）は、０．１〜１０μｍであることが好ましい。
【００６４】
次に、工程Ｃ）では、図５（ａ）に示したように、前記パッシベーション層上にストライプ状の透明電極１１６を形成する。透明電極１１６は、ＩＴＯ、酸化スズ、酸化インジウム、ＩＺＯ、酸化亜鉛、亜鉛−アルミニウム酸化物、亜鉛−ガリウム酸化物、またはこれらの酸化物に対してＦ、Ｓｂなどのドーパントを添加した導電性透明金属酸化物を用いて形成することができる。透明電極１１６は、蒸着法、スパッタ法または化学気相堆積（ＣＶＤ）法を用いて形成することができる。透明電極１１６は、波長４００〜８００ｎｍの光に対して好ましくは５０％以上、より好ましくは８５％以上の透過率を有することが好ましい。透明電極１１６は、通常５０ｎｍ以上、好ましくは５０ｎｍ〜１μｍ、より好ましくは１００〜３００ｎｍの範囲内の厚さを有することが望ましい。
【００６５】
なお、本発明では、後述するように、透明電極の間には、絶縁膜を形成することができる。この絶縁膜は本発明の現像工程により形成することが好ましい。
【００６６】
次に、工程Ｄ）では、図５（ｂ）に示したように、前記透明電極を形成した基板上に有機ＥＬ層１２０を形成する。有機ＥＬ層１２０は、少なくとも有機発光層を含み、必要に応じて正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層および／または電子注入層を介在させた構造を有する。具体的には、有機ＥＬ素子基板は陰極および陽極を含めて下記のような層構造からなるものが採用される。
（１）陽極／有機発光層／陰極
（２）陽極／正孔注入層／有機発光層／陰極
（３）陽極／有機発光層／電子注入層／陰極
（４）陽極／正孔注入層／有機発光層／電子注入層／陰極
（５）陽極／正孔輸送層／有機発光層／電子注入層／陰極
（６）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／有機発光層／電子注入層／陰極
（７）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／有機発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
上記の層構成において、陽極および陰極は、透明電極１１６または後述する反射電極１２２のいずれかである。
【００６７】
有機ＥＬ層１２０を構成する各層の材料としては、公知のものが使用される。また、有機ＥＬ層１２０を構成する各層は、蒸着法などの当該技術において知られている任意の方法を用いて形成することができる。たとえば、青色から青緑色の発光を得るための有機発光層の材料としては、たとえばベンゾチアゾール系、ベンゾイミダゾール系、べンゾオキサゾール系などの蛍光増白剤、金属キレート化オキソニウム化合物、スチリルベンゼン系化合物、芳香族ジメチリディン系化合物などの材料が好ましく使用される。
【００６８】
正孔注入層の材料としては、Ｐｃ類（ＣｕＰｃなどを含む）またはインダンスレン系化合物などを用いることができる。正孔輸送層は、トリアリールアミン部分構造、カルバゾール部分構造、オキサジアゾール部分構造を有する材料を用いて形成することができる。用いることができる材料は、好ましくは、ＴＰＤ、α−ＮＰＤ、ＭＴＤＡＰＢ（ｏ−，ｍ−，ｐ−）、ｍ−ＭＴＤＡＴＡなどを含む。
【００６９】
電子輸送層の材料としては、Ａｌｑ３のようなアルミニウム錯体；ＰＢＤ、ＴＰＯＢのようなオキサジアゾール誘導体；ＴＡＺのようなトリアゾール誘導体；以下に示す構造を有するもののようなトリアジン誘導体；フェニルキノキサリン類；ＢＭＢ−２Ｔのようなチオフェン誘導体などを用いることができる。
【００７０】
電子注入層の材料としては、Ａｌｑ３のようなアルミニウム錯体、あるいはアルカリ金属ないしアルカリ土類金属をドープしたアルミニウムのキノリノール錯体などを用いることができる。
【００７１】
上記各層の膜厚などの諸条件は、有機ＥＬ素子において通常規定される通りである。
【００７２】
次いで、工程Ｅ）では、図５（ｃ）に示したように、反射電極１２２を形成する。反射電極１２２は、複数の部分電極からなり、高反射率の金属、アモルファス合金、微結晶性合金を用いて形成されることが好ましい。高反射率の金属は、Ａｌ、Ａｇ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｉ、Ｃｒなどを含む。高反射率のアモルファス合金は、ＮｉＰ、ＮｉＢ、ＣｒＰおよびＣｒＢなどを含む。高反射率の微結晶性合金は、ＮｉＡｌなどを含む。反射電極１２２は、陰極として用いてもよいし、陽極として用いてもよい。反射電極１２２を陰極として用いる場合には、反射電極１２２と有機ＥＬ層１２０との界面に、前述のバッファ層を設けて有機ＥＬ層１２０に対する電子注入の効率を向上させてもよい。
【００７３】
反射電極１２２は、通常１０ｎｍ以上、好ましくは５０ｎｍ〜２μｍ、より好ましくは１００〜５００ｎｍの範囲内の厚さを有することが望ましい。
【００７４】
反射電極１２２は、用いる材料に依存して、蒸着（抵抗加熱または電子ビーム加熱）、スパッタ、イオンプレーティング、レーザーアブレーションなどの当該技術において知られている任意の手段を用いて形成することができる。所望の形状を与えるマスクを用いて複数の部分電極からなる反射電極１２２を形成してもよいし、あるいは、逆テーパー状の断面形状を有する分離隔壁を用いて複数の部分電極からなる反射電極１２２を形成してもよい。なお、逆テーパー状の断面形状を有する分離隔壁を用い、これをフォトリソグラフ法で形成する場合は、後述するように、この分離隔壁を本発明の現像工程により形成することが好ましい。
【００７５】
反射電極１２２を構成する複数の部分電極のそれぞれは、たとえば、第２の方向に延びるストライプ形状であることができる。ここで、透明電極１１６に関する第１の方向と、前述の第２の方向とは交差していることが好ましく、直交していることがより好ましい。そのような構成を採ることによって、透明電極１１６を構成する部分電極の１つと、反射電極１２２を構成する部分電極の１つとに電界を印加することによって、それら部分電極の交差する部位の有機ＥＬ層を発光させる、パッシブマトリクス駆動を行うことができる。
【００７６】
次に本発明の製造方法の第２の実施形態について説明する。第２の実施形態は、透明電極の間に絶縁膜を設ける場合のカラー有機ＥＬ素子の製造方法である。
【００７７】
第２の実施形態では、上記第１の実施形態の工程Ｃ）と工程Ｄ）の間に、以下の工程Ｆ）を含む。
Ｆ）透明電極の間に絶縁膜を形成する工程であって、絶縁膜を形成する工程が次のｉ）〜ｖｉ）のステップを含む工程と、
ｉ）透明電極が形成されている透明支持基板上に絶縁膜を形成するフォトレジスト材料を塗布し、露光するステップ、
ｉｉ）前記透明支持基板上に現像液を供給し、前記露光した絶縁膜を形成するフォトレジスト材料を現像するステップ、
ｉｉｉ）前記ｉｉ）のステップに連続して、現像液および純水の混合液を前記透明支持基板上に供給し、現像液を除去するステップ、
ｉｖ）前記ｉｉｉ）のステップに連続して、純水を前記透明支持基板上に供給し、リンスを行うステップ、
ｖ）前記ｉｖ）のステップに連続して、超音波を印加した純水を前記透明支持基板上に供給し、リンスを行うステップ、および
ｖｉ）現像後の乾燥を行うステップ。
【００７８】
なお、上記ｉｉｉ）のステップは、現像液および純水の混合液に代えて、小流量の純水を前記透明支持基板上に供給し、現像液と純水の混合状態をつくり、現像液を除去してもよい。
【００７９】
第２の実施形態の有機ＥＬ素子の製造方法では、第１の実施形態で説明した工程Ａ）〜Ｅ）を含むが、工程Ｃ）に続いて、上記工程Ｆ）を実施し、引き続いて工程Ｄ）を実施する。工程Ｆ）のステップｉ）〜ｖｉ）のステップの流れは図３に示した第１の実施形態と実質的に同じである。したがって、絶縁膜を成膜する際の諸条件、例えば使用するレジストなど、および、絶縁膜を現像する際の諸条件、例えば現像液の種類や濃度などが異なる場合がある。以下にステップｉ）〜ｖｉ）の概略を、図３および図６を参照しながら説明するが、第１の実施形態と同じ手順をとる場合は、第１の実施形態の説明を援用する。
【００８０】
ｉ）のステップ（図６（ａ）〜（ｃ））では、透明電極１１６を形成した透明支持基板（図６（ａ））上に絶縁膜の材料を塗布し（図６（ｂ））、露光を行う（図６（ｃ））。絶縁膜は、フォトリソグラフ法を用いて透明電極の間であって、透明電極に沿って端部が一部透明電極に重なるように形成されることが好ましい。また、絶縁膜は、サブピクセル部分を開口部とする格子状に形成されていてもよい。絶縁膜は、透明電極と接している端部における電界集中を避けるために、当該箇所においてテーパー形状を有することが好ましい。テーパー形状の好ましい角度は、５〜５０°である。絶縁膜に用いる材料は、絶縁耐圧が１００Ｖ／μｍ以上の材料で、フォトリソグラフにより形成できるものを選択することが望ましい。材料としては、例えば、ノボラック樹脂系の材料や、ポリイミド材料を用いることができる。
【００８１】
まず、スピンコート法などの湿式法により絶縁膜の材料６０２を透明電極１１６を形成した透明基板上に塗布する（図６（ｂ））。次に、図６（ｃ）および（ｄ）に示すようにフォトリソグラフ法により、絶縁膜のパターニングを行う。パターニングの手順としては、例えば、塗布された絶縁膜の材料６０２を、プリベーク（例えば５０℃〜１５０℃で、３０〜３００秒）し、フォトマスク６０４を用いて、放射線６０６により露光（例えば、５〜１００ｍＪ／ｃｍ２の光量の紫外線による１〜１０秒の露光）し（図６（ｃ））、さらに、液体（現像液、リンス液など）供給手段６０８を含む現像装置を用いて現像（図６（ｄ））を行えばよい。このような手順で、図６（ｅ）に示すような絶縁膜を形成することができる。
【００８２】
次に、現像工程（上記のｉｉ）〜ｖ）のステップ）について説明する。第２の実施形態においても、第１の実施形態と同様に、現像液により露光した絶縁膜を現像する上記ｉｉ）のステップの後、現像液の洗浄を行う。本発明は、この洗浄ステップ（上記ｉｉｉ）〜ｖ）のステップ）に特徴を有する。具体的には、有機ＥＬ素子の性能低下、特にダークスポットの発生を防止するために、フォトリソグラフ法の現像工程において、緩衝ステップ（上記ｉｉｉ）のステップ）、リンスステップ（上記ｉｖ）のステップ）、超音波洗浄ステップ（上記ｖ）のステップ）を連続して実施することを特徴とする。本発明では、ｉｉ）〜ｖ）のステップ、特にｉｉｉ）〜ｖ）のステップを連続して行うことで、現像残渣の発生を抑制することができ、電荷注入電極（透明電極、反射電極）の表面あるいは下面に存在するフォトリソグラフプロセスに由来する欠陥を抑制できる。
【００８３】
本発明者は、絶縁膜をフォトリソグラフ法で形成する場合には、現像液等の分析から第１の実施形態と同様の知見を得、この知見に基づいて、上述のようにｉｉ）〜ｖ）のステップを連続して行うことが重要であることを見出した。したがって、第２の実施形態においても、現像ステップ（図３の３０２）の後において緩衝ステップ（図３の３０４）、リンスステップ（図３の３０６）、および超音波洗浄ステップ（図３の３０８）を行うことが好ましい。
【００８４】
現像工程は、例えば、第１の実施形態と同様に、図４に示す現像装置を用いることができる。この装置を用いた絶縁膜の現像工程は、次のようなステップで行われる。レジスト材料を塗布形成した基板を露光工程により所定のパターンを焼き付けた後に、搬送手段により現像ユニットに搬入する。
【００８５】
現像ステップ（図３の３０２）、緩衝ステップ（図３の３０４）、リンスステップ（図３の３０６）、および、超音波洗浄ステップ（図３の３０８）は、上記第１の実施形態と同じ流れで実施される。
【００８６】
具体的には、現像ステップ（図３の３０２）では、現像ユニットに搬入された基板に、例えばシャワーノズルから所定の現像液を供給する。絶縁膜として上記の材料を用いる場合、例えばアルカリ現像液（例えば、ＮＭＤ−３  東京応化工業製、ＫＯＨ水溶液など）を用いることができる。このような現像液を透明支持基板上に供給する。現像方法は、例えば、現像部４０８の基板導入側に設置されたノズルから現像液を供給し、基板の移動にともない、基板全面に現像液を塗布し、その後に規定の時間静置して現像する方法や、現像部内に均等にシャワーノズル、噴霧器等を配置し、現像液を流すか、噴霧しながら、基板を搖動することにより現像を行う方法を採用することができる。この実施形態では、絶縁膜の端部をテーパー形状にするため、現像の条件は、例えば、アルカリ現像液を１００〜１００００ｍＬ／分で供給することが好ましい。また、アルカリ現像液の濃度は、市販品を用いる場合は、そのままの濃度で用いることができる。
【００８７】
緩衝部４１０では現像液と純水の混合液を、例えばシャワーノズルから基板に供給する。供給される混合液は、レジスト材料の溶解を抑えるために、現像液濃度を純水で１／３から１／１０に希釈したものである。現像液と純水の混合液は、基板面積を１平方メートル、搬送速度を１０００ｍｍ／分とした場合に、３〜１０Ｌ／分で供給することが好ましい。現像液と純水の混合液の供給量は、基板面積、搬送速度にほぼ比例した数値で増減させることができる。
【００８８】
また、緩衝部にいおいて純水を供給することもできる。この場合、緩衝部では少量の純水を供給することにより、希釈した現像液を供給した場合と同様の効果を得ることができる。純水の供給量は、基板面積を１平方メートル、搬送速度を１０００ｍｍ／分とした場合に、３〜１０Ｌ／分の純水を供給することが好ましい。純水の供給量は、基板面積、搬送速度にほぼ比例した数値で増減させることができる。
【００８９】
また、緩衝部４１０では、複数のシャワーノズルから異なる流量の純水を供給することも可能である。例えば、緩衝部の基板導入側に設置されたシャワーノズルからは少量の純水を供給し、間隔をおいて設置された次のノズルからは１番目のノズルよりも多い流用の純水を供給してもよい。
【００９０】
リンス部では、純水により基板表面に残留する現像液が除去される。純水は、基板面積を１平方メートル、搬送速度を１０００ｍｍ／分とした場合に、１〜２０Ｌ／分で供給することが好ましい。純水の供給量は、基板面積、搬送速度にほぼ比例した数値で増減させることができる。
【００９１】
超音波洗浄部では、超音波が印加された純水により洗浄される。超音波の印加は、９５０ｋＨｚから、３ＭＨｚ程度の周波数を用い、基板１平方メートルあたり印加電力が、８００〜２０００Ｗ程度となるように行われることが好ましい。また、超音波を印加した純水は、基板面積を１平方メートル、搬送速度を１０００ｍｍ／分とした場合に、１〜５０Ｌ／分で供給することが好ましい。超音波を印加した純水の供給量は、基板面積、搬送速度にほぼ比例した数値で増減させることができる。
【００９２】
乾燥ステップ（図３の３１０）では、基板がエアナイフ等の乾燥手段を用いて乾燥される。乾燥の条件には、例えば、２０〜３０℃の空気を、１００〜２０００Ｌ／分の流速で供給することなどが含まれる。
【００９３】
本発明では、現像ステップから乾燥ステップまでのそれぞれの処理部間は、処理液が混合しないためのエアーブロー等により液切りを行わず処理液が基板上に残留したまま処理部間を移動することが望ましい。
【００９４】
次いで、上記第１の実施形態と同様の工程Ｄ）〜Ｅ）を実施して、カラー有機ＥＬ素子を得る（図７参照）。具体的には、絶縁膜１１８を形成した基板（図７（ａ））に、有機ＥＬ層１２０を形成し（図７（ｂ））、次いで、反射電極１２２を形成する（図７（ｃ））。各層の形成条件は、第１の実施形態で説明した通りである。
【００９５】
次に本発明の製造方法の第３の実施形態について説明する。第３の実施形態は、平坦化層と反射電極分離隔壁を形成する場合のカラー有機ＥＬ素子の製造方法である。
【００９６】
第３の実施形態では、上記第１の実施形態の工程Ｃ）と工程Ｄ）の間に、以下の工程Ｇ）を含む。
Ｇ）前記透明電極と直交する方向に反射電極分離隔壁を形成する工程であって、該工程が次のａ）〜ｆ）のステップを含む工程
ａ）透明電極を形成した透明支持基板上に、反射電極分離隔壁を形成するフォトレジスト材料を塗布し、反射電極分離隔壁層を形成し、この層を露光するステップ、
ｂ）前記透明支持基板上に現像液を供給し、露光した反射電極分離隔壁層を現像するステップ、
ｃ）前記ｂ）のステップに連続して、現像液および純水の混合液を前記透明支持基板上に供給し、現像液を除去するステップ、
ｄ）前記ｃ）のステップに連続して、純水を前記透明支持基板上に供給し、リンスを行うステップ、
ｅ）前記ｄ）のステップに連続して、超音波を印加した純水を前記透明支持基板上に供給し、リンスを行うステップ、および
ｆ）現像後の乾燥を行うステップ。
【００９７】
なお、上記ｃ）のステップは、現像液および純水の混合液に代えて、小流量の純水を前記透明支持基板上に供給し、現像液と純水の混合状態をつくり、現像液を除去してもよい。
【００９８】
第３の実施形態の有機ＥＬ素子の製造方法では、第１の実施形態で説明した工程Ａ）〜Ｅ）を含むが、工程Ｃ）に続いて、上記工程Ｇ）を実施し、引き続いて工程Ｄ）を実施する。工程Ｇ）のステップａ）〜ｆ）は、ステップの流れは図３に示した第１の実施形態と実質的に同じである。したがって、反射電極分離隔壁を成膜する際の諸条件、例えばレジスト材料の種類、および、反射電極分離隔壁を現像する際の諸条件、例えば現像液の種類や濃度などが異なる場合がある。以下にステップａ）〜ｆ）の概略を、図３および図８を参照しながら説明するが、第１の実施形態と同じ手順をとる場合は、第１の実施形態の説明を援用する。なお、図８は、図２、図５および図６とは異なる方向、すなわち、図１で示した座標軸でＸ−Ｚ平面から透明支持基板を見た図を示す。
【００９９】
ｉ）のステップ（図８（ａ）〜（ｃ））では、透明電極１１６を形成した透明支持基板（図８（ａ））の、透明電極上に反射電極分離隔壁の材料を塗布し（図８（ｂ））、露光を行う（図８（ｃ））。反射電極分離隔壁は、フォトリソグラフ法を用いて透明電極と垂直な方向に形成されることが好ましい。また、反射電極分離隔壁は、反射電極を完全に分離するために逆テーパー形状を有することが好ましい。
【０１００】
反射電極分離隔壁に用いる材料としては、逆テーパー形状を形成できる材料を選択する。材料としては、ノボラック樹脂系の材料を用いることができる。
【０１０１】
まず、スピンコート法などの湿式法により反射電極分離隔壁の材料８０２を透明電極１１６を形成した透明基板上に塗布する（図８（ｂ））。次に、図８（ｃ）および（ｄ）に示すようにフォトリソグラフ法により、反射電極分離隔壁のパターニングを行う。パターニングの手順としては、例えば、ネガ型のフォトレジスト用いる場合、塗布された反射電極分離隔壁の材料８０２を、プリベーク（例えば５０℃〜１５０℃で、３０〜３００秒）し、フォトマスク８０４を用いて、放射線８０６により露光（例えば、５〜１００ｍＪ／ｃｍ２の光量の紫外線による１〜１０秒の露光）し（図８（ｃ））、さらに、ポストエクスポージャーベーク（例えば７０℃〜１３０℃で、３０〜３００秒）を行う。次に、液体（現像液、リンス液など）供給手段８０８を含む現像装置を用いて現像（図８（ｄ））を行えばよい。このような手順で、図８（ｅ）に示すような反射電極分離隔壁を形成することができる。反射電極分離隔壁の基板とのなす角の好ましい角度は、４５〜８０°である。
【０１０２】
次に、現像工程（上記のｂ）〜ｅ）のステップ）について説明する。第３の実施形態においても、第１の実施形態と同様に、露光した反射電極分離隔壁を現像する上記ｂ）のステップを行い、次いで、現像液の洗浄を行う。本発明は、この洗浄ステップ（上記ｃ）〜ｅ）のステップ）に特徴を有する。具体的には、有機ＥＬ素子の性能低下、特にダークスポットの発生を防止するために、フォトリソグラフ法の現像工程において、緩衝ステップ（上記ｃ）のステップ）、リンスステップ（上記ｄ）のステップ）、超音波洗浄ステップ（上記ｅ）のステップ）を連続して実施することを特徴とする。このようにｂ）〜ｅ）のステップを連続して行うことで、現像残渣の発生を抑制することができ、電荷注入電極（透明電極、反射電極）の表面あるいは下面に存在するフォトリソグラフプロセスに由来する欠陥を抑制できる。
【０１０３】
本発明者は、反射電極分離隔壁をフォトリソグラフ法で形成する場合には、現像液等の分析から第１の実施形態と同様の知見を得、この知見に基づいて、上述のようにｂ）〜ｅ）のステップを連続して行うことが重要であることを見出した。したがって、第３の実施形態においても、現像ステップ（図３の３０２）の後において緩衝ステップ（図３の３０４）、リンスステップ（図３の３０６）、および超音波洗浄ステップ（図３の３０８）を行うことが好ましい。
【０１０４】
現像工程は、例えば、第１の実施形態と同様に、図４に示す現像装置を用いることができる。この装置を用いた絶縁膜の現像工程は、次のようなステップで行われる。レジスト材料を塗布形成した基板を露光工程により所定のパターンを焼き付けた後に、搬送手段により現像ユニットに搬入する。
【０１０５】
現像ステップ（図３の３０２）、緩衝ステップ（図３の３０４）、リンスステップ（図３の３０６）、および、超音波洗浄ステップ（図３の３０８）は、上記第１の実施形態と同じ流れで実施される。
【０１０６】
現像ステップ（図３の３０２）では、現像ユニットに搬入された基板に、例えばシャワーノズルから所定の現像液を供給する。反射電極分離隔壁としてネガ型フォトレジスト材料を用いる場合、例えばアルカリ現像液（例えば、ＮＭＤ−３  東京応化工業製、ＫＯＨ水溶液など）を用いることができる。このような現像液を基板上に供給する。現像方法は、例えば、現像部４０８の基板導入側に設置されたノズルから現像液を供給し、基板の移動にともない、基板全面に現像液を塗布し、その後に規定の時間静置して現像する方法や、現像部内に均等にシャワーノズル、噴霧器等を配置し、現像液を流すか、噴霧しながら基板を搖動することにより現像を行う方法を採用することができる。この実施形態では、反射電極分離隔壁を逆テーパー形状にするため、現像の条件は、例えば、アルカリ現像液を１００〜１００００ｍＬ／分で供給することが好ましい。また、アルカリ現像液の濃度は、市販品を用いる場合は、そのままの濃度で用いることができる。
【０１０７】
緩衝ステップ（図３の３０４）では現像液と純水の混合液を、例えばシャワーノズルから基板に供給する。供給される混合液は、レジスト材料の溶解を抑えるために、現像液濃度を純水で１／３から１／１０に希釈したものである。現像液と純水の混合液は、基板面積を１平方メートル、搬送速度を１０００ｍｍ／分とした場合に、３〜１０Ｌ／分で供給することが好ましい。現像液と純水の混合液の供給量は、基板面積、搬送速度にほぼ比例した数値で増減させることができる。
【０１０８】
また、緩衝部にいおいて純水を供給することもできる。この場合、緩衝部では少量の純水を供給することにより、希釈した現像液を供給した場合と同様の効果を得ることができる。純水の供給量は、基板面積を１平方メートル、搬送速度を１０００ｍｍ／分とした場合に、３〜１０Ｌ／分の純水を供給することが好ましい。純水の供給量は、基板面積、搬送速度にほぼ比例した数値で増減させることができる。
【０１０９】
また、緩衝部４１０では、複数のシャワーノズルから異なる流量の純水を供給することも可能である。例えば、緩衝部の基板導入側に設置されたシャワーノズルからは少量の純水を供給し、間隔をおいて設置された次のノズルからは１番目のノズルよりも多い流用の純水を供給してもよい。
【０１１０】
リンス部では、純水により基板表面に残留する現像液が除去される。純水は、基板面積を１平方メートル、搬送速度を１０００ｍｍ／分とした場合に、１〜５０Ｌ／分で供給することが好ましい。純水の供給量は、基板面積、搬送速度にほぼ比例した数値で増減させることができる。
【０１１１】
超音波洗浄部では、超音波が印加された純水により洗浄される。超音波の印加は、９５０ｋＨｚから、３ＭＨｚ程度の周波数を用い、基板１平方メートルあたり印加電力が、８００〜２０００Ｗ程度となるように行われることが好ましい。また、超音波を印加した純水は、基板面積を１平方メートル、搬送速度を１０００ｍｍ／分とした場合に、１〜２０Ｌ／分で供給することが好ましい。超音波を印加した純水の供給量は、基板面積、搬送速度にほぼ比例した数値で増減させることができる。
【０１１２】
乾燥ステップ（図３の３１０）では、基板がエアナイフ等の乾燥手段を用いて乾燥される。乾燥の条件には、例えば、２０〜３０℃の空気を、１００〜２０００Ｌ／分の流速で供給することなどが含まれる。
【０１１３】
本発明では、現像ステップから乾燥ステップまでのそれぞれの処理部間は、処理液が混合しないためのエアーブロー等により液切りを行わず処理液が基板上に残留したまま処理部間を移動することが望ましい。
【０１１４】
次いで、上記第１の実施形態と同様の工程Ｄ）〜Ｅ）を実施して、カラー有機ＥＬ素子を得る（図９参照）。具体的には、反射電極分離隔壁１２４を形成した基板（図９（ａ））に、有機ＥＬ層１２０を形成し（図９（ｂ））、次いで、反射電極１２２を形成する（図９（ｃ））。各層の形成条件は、第１の実施形態で説明した通りである。
【０１１５】
次に、本発明のカラー有機ＥＬ素子の製造方法の第四の実施形態について説明する。第４の実施形態は、平坦化層、絶縁膜、および反射電極分離隔壁を形成する場合のカラー有機ＥＬ素子の製造方法である。
【０１１６】
第４の実施形態では、上記第１の実施形態の工程Ｃ）と工程Ｄ）の間に、以下の工程Ｆ）および工程Ｇ）を含む。
Ｆ）透明電極の間に絶縁膜を形成する工程であって、絶縁膜を形成する工程が次のｉ）〜ｖｉ）のステップを含む工程と、
Ｆ）透明電極の間に絶縁膜を形成する工程であって、絶縁膜を形成する工程が次のｉ）〜ｖｉ）のステップを含む工程と、
ｉ）透明電極を形成した透明支持基板上に絶縁膜を形成するフォトレジスト材料を塗布し、露光するステップ、
ｉｉ）前記露光した絶縁膜に現像液を供給し、前記露光した絶縁膜を形成するフォトレジスト材料を現像するステップ、
ｉｉｉ）前記ｉｉ）のステップに連続して、小流量の純水を前記透明支持基板上に供給し、現像液と純水の混合状態をつくり、現像液を除去するステップ、
ｉｖ）前記ｉｉｉ）のステップに連続して、純水を前記透明支持基板上に供給し、リンスを行うステップ、
ｖ）前記ｉｖ）のステップに連続して、超音波を印加した純水を前記透明支持基板上に供給し、リンスを行うステップ、および
ｖｉ）現像後の乾燥を行うステップ、
Ｇ）前記透明電極と直交する方向に反射電極分離隔壁を形成する工程であって、該工程が次のａ）〜ｆ）のステップを含む工程と、
ａ）前記絶縁膜を形成した透明支持基板上に、反射電極分離隔壁を形成するフォトレジスト材料を塗布し、反射電極分離隔壁層を形成し、この層を露光するステップ、
ｂ）前記透明支持基板上に現像液を供給し、前記露光した反射電極分離隔壁層を現像するステップ、
ｃ）前記ｂ）のステップに連続して、小流量の純水を前記透明支持基板上に供給し、現像液と純水の混合状態をつくり、現像液を除去するステップ、
ｄ）前記ｃ）のステップに連続して、純水を前記透明支持基板上に供給し、リンスを行うステップ、
ｅ）前記ｄ）のステップに連続して、超音波を印加した純水を前記透明支持基板上に供給し、リンスを行うステップ、および
ｆ）現像後の乾燥を行うステップ。
【０１１７】
工程Ｆ）と工程Ｇ）はこの順で逐次行われる。したがって、第４の実施形態では、工程Ａ）−工程Ｂ）−工程Ｃ）−工程Ｆ）−工程Ｇ）−工程Ｄ）−工程Ｅ）の順で行われる。
【０１１８】
第４の実施形態の各工程は、上記第１の実施形態から第３の実施形態で説明した各工程と同じである。したがって、これらの各工程を上記の順で実施すればよい。第４の実施形態の製造方法により、図１に示す、透明支持基板、色変換フィルター層、平坦化層、透明電極、絶縁膜、反射電極分離隔壁、有機ＥＬ層および反射電極を備えた有機ＥＬ素子が得られる。
【実施例】
【０１１９】
（緩衝ステップおよび超音波洗浄ステップの現像工程における影響）
緩衝ステップおよび超音波洗浄ステップが現像工程において有効であるか否かを検討するための試験を行った。
【０１２０】
試験は以下のように行った。現像ステップの後に、緩衝ステップおよび超音波洗浄ステップを行った場合の表面欠陥数を、平坦化層用の材料であるＮＮ８１０（ＪＳＲ製）をレジスト材料として用い、現像液としてＮＭＤ−３（東京応化工業製）、基板として２００ｍｍ×２００ｍｍのＣｏｒｎｉｎｇ１７３７ガラスを用いて試験した。
【０１２１】
レジスト材料（ＮＮ８１０）をガラス基板上に滴下し、８００ｒｐｍの回転数で基板全面に塗り広げた。この基板を１００℃に加熱したホットプレート上に１８０秒間静置してプリベークを行い、高圧水銀ランプの露光機を用いておよそ１０００ｍＪ／ｃｍ２の光量を照射した。こうして作製した基板を以下の現像方法で処理した。
【０１２２】
実験１：現像液を毎分６００ｃｃ供給し、３０秒処理した後、緩衝部を用いずに、リンス部に搬送し、純水を毎分６００ｃｃ供給して１２０秒処理し、乾燥を行った。
【０１２３】
実験２：現像液を毎分６００ｃｃ供給し、３０秒処理した後、緩衝部を用いずに、リンス部に搬送し、純水を毎分６００ｃｃ供給して１２０秒処理した。この後、毎分１０００ｃｃの純水に９５０ｋＨｚの超音波を印加しリンスを行い、乾燥を行った。
【０１２４】
実験３：実験２に加え、緩衝部において搬送速度毎分１ｍで純水を毎分５０ｃｃ供給した。
【０１２５】
実験４：実験２に加え、緩衝部において搬送速度毎分１ｍで純水を毎分１２０ｃｃ供給した。
【０１２６】
実験５：実験２に加え、緩衝部において搬送速度毎分１ｍで純水を毎分４００ｃｃ供給した。
【０１２７】
実験６：実験２に加え、緩衝部において搬送速度毎分１ｍで純水を毎分６００ｃｃ供給した。
【０１２８】
実験７：実験２に加え、緩衝部において搬送速度毎分１ｍで現像液と純水の混合比が１：２の混合液を毎分６００ｃｃ供給した。
【０１２９】
実験８：実験２に加え、緩衝部において搬送速度毎分１ｍで現像液と純水の混合比が１：９の混合液を毎分６００ｃｃ供給した。
【０１３０】
実験９：現像液を毎分６００ｃｃ供給し３０秒処理した後、緩衝部において搬送速度毎分１ｍで純水を毎分１２０ｃｃ供給した後、リンス部に搬送し、純水を毎分６００ｃｃ供給し１２０秒処理し、さらに乾燥を行った。
【０１３１】
各実験の表面欠陥数を光散乱式の欠陥検出装置を用いて、１μｍ以上の欠陥数を計数した。結果および、緩衝部の排水位置で排水の電気伝導度から推定した緩衝液濃度を表１に示す。
【０１３２】
【表１】
2008077991.tif 000003
【０１３３】
実験結果から示されるように、現像ステップ後に、現像液濃度がおよそ１０〜４０％濃度となる緩衝ステップを導入することと、超音波による洗浄ステップを導入することにより表面欠陥数が低減されることがわかった。
【０１３４】
（実施例１）
本実施例は、図１に示した、本発明の第４の実施形態のカラー有機ＥＬ素子を作成する例である。画素数１６０×１２０（ＲＧＢ）、画素ピッチ０．３３ｍｍの有機ＥＬディスプレイパネルを作製した。透明支持基板１０２としてのフュージョンガラス（コーニング製１７３７ガラス，１００×１００×１．１ｍｍ）上に、スピンコート方を用いてブラックマトリクス材料（富士フイルムエレクトロニクスマテリアルズ株式会社製：カラーモザイクＣＫ−７８００）を塗布し、フォトリソグラフ法によってパターニングを実施し、幅０．０３ｍｍピッチ０．１１ｍｍ、膜厚１μｍの開口部をもつブラックマトリクス１０４を得た。
【０１３５】
次いで、スピンコート法を用いて青色フィルタ材料（富士フイルムエレクトロニクスマテリアルズ株式会社製：カラーモザイクＣＢ−７００１）を塗布し、フォトリソグラフィ法によってパターニングを実施し、幅０．０８ｍｍ、ピッチ０．３３ｍｍ、厚さ１０μｍの複数のストライプからなる青色変換フィルター層１０６を得た。
【０１３６】
蛍光色素としてクマリン６（０．７重量部）を溶剤のプロピレングリコールモノエチルアセテート（ＰＧＭＥＡ）１２０重量部へ溶解させた。該溶液に対して１００重量部の新日鐵化学製ＶＰＡ１００を加えて溶解させ、塗布液を得た。この塗布液を塗布し、フォトリソグラフ法によりパターニングを実施して、幅０．０８ｍｍ、ピッチ０．３３ｍｍ、厚さ１０μｍの複数のストライプからなる緑色変換フィルター層１０８（色変換層のみで構成されている）を得た。
【０１３７】
蛍光色素としてクマリン６（０．６重量部）、ローダミン６Ｇ（０．３重量部）およびベーシックバイオレット（０．３重量部）を１２０重量部のＰＧＭＥＡ中へ溶解させた。該溶液に対して１００重量部の新日鐵化学製ＶＰＡ１００を加えて溶解させ、塗布液を得た。この塗布液を塗布し、フォトリソグラフ法によりパターニングを実施して、幅０．０８ｍｍ、ピッチ０．３３ｍｍ、厚さ１０μｍの複数のストライプからなる赤色変換フィルター層１１０（色変換層のみで構成されている）を得た。
【０１３８】
次いで、前記基板上に、第１の平坦化層１１２を形成した。アクリル系材料（ＪＳＲ株式会社製：ＮＮ８１０）をスピンコート法で回転数８００ｒｐｍで塗布し、１００℃に加熱したホットプレート上に１８０秒間静置した。この後、ブラックマトリクス形成領域よりも広い開口部をもつフォトマスク２０４を用いて１０００ｍＪ／ｃｍ２の光量の露光を行い、アルカリ現像液（ＮＭＤ−３  東京応化工業製）を用いて現像を行った。
【０１３９】
現像工程は、現像液と純水の混合比が１：２である混合液を毎分６００ｃｃ供給する緩衝ステップと、９５０ｋＨｚの超音波を印加した純水によりリンス（毎分１０００ｍＬ）を行う洗浄ステップを導入して実施した。なお、超音波洗浄ステップ前には、純水（毎分６００ｍＬ）によるリンスステップを行った。
【０１４０】
平坦化層の膜厚はおよそ４μｍであった。また、色変換フィルター層間の凹凸はおよそ０．５μｍであった。
【０１４１】
次いで、平行平板型プラズマＣＶＤ装置を用い、パッシベーション層１１４としての第１の無機酸化窒化物層（ＳｉＮｘ膜）をおよそ３００ｎｍ成膜した。雰囲気をＳｉＨ４ガス５０ｓｃｃｍとＮ２ガス２００ｓｃｃｍとし、ＲＦ印加電力を１５０Ｗ、基板ステージ温度を１００℃とした。
【０１４２】
この後、ＤＣスパッタ法（ターゲットＩｎ−Ｚｎ酸化物、スパッタガス：Ｏ２およびＡｒ）を用い、室温において２００ｎｍのＩＺＯをパッシベーション層１１４上の全面に堆積させた。ついで、シュウ酸水溶液をエッチング液として用いるフォトリソグラフィ法によってパターニングして、色変換フィルター層１０６、１０８、１１０の上方に位置し、色変換フィルター層のストライプと同一方向に伸びる、幅０．１ｍｍ、ピッチ０．１１ｍｍの複数のストライプからなる透明電極１１６を形成した。
【０１４３】
次いで、フォトリソグラフ法を用いて、透明電極１１６のストライプの間隙に絶縁膜１１８を形成した。
【０１４４】
レジスト材料（ＪＥＭ７００Ｒ２、ＪＳＲ製）をスピンコート法で回転数１２００ｒｐｍで塗布し、１１０℃に加熱したホットプレート上に１５０秒間静置した後、所定のフォトマスク６０４を用いて１００ｍＪ／ｃｍ２の光量の露光を行った後、現像を行った。
【０１４５】
現像液にアルカリ現像液（ＮＭＤ−３  東京応化工業製）を用いた。現像工程は、現像液と純水の混合比が１：２である混合液を毎分６００ｃｃ供給する緩衝ステップと、９５０ｋＨｚの超音波を印加した純水（毎分１０００ｍＬ）によりリンスを行うステップを導入して実施した。なお、超音波洗浄ステップ前には、純水（毎分６００ｍＬ）によるリンスステップを行った。
【０１４６】
引き続いて、反射電極分離隔壁を形成した。ネガ型フォトレジスト（日本ゼオン製ＺＰＮ１１６８）をスピンコート法によって８００ｒｐｍで塗布し、１２０℃に加熱したホットプレート上に９０秒間静置した。この後、フォトマスクを用いて所定のパターンを焼き付け、６０秒間にわたって１２０℃のホットプレート上でポストエクスポージャーベークを行った後に現像を行い、最後に１５分間にわたって１６０℃のホットプレート上で加熱を行った。この手順により、ストライプ状の透明電極１１６のと直行する方向に伸び、逆テーパー形状の断面を有する複数のストライプからなる反射電極分離隔壁１２４を形成した。
【０１４７】
現像液にアルカリ現像液（ＮＭＤ−３  東京応化工業性）を用いた。現像工程は、現像液と純水の混合比が１：２である混合液を毎分６００ｃｃ供給する緩衝ステップと、９５０ｋＨｚの超音波を印加した純水（毎分１０００ｍＬ）によりリンスを行うステップを導入し実施した。なお、超音波洗浄ステップ前には、純水（毎分６００ｍＬ）によるリンスステップを行った。
【０１４８】
次いで、反射電極分離隔壁以下の構造を形成した基板を抵抗加熱蒸着装置内に装着し、正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、電子注入層を、真空を破らずに順次成膜した。成膜に際して、真空槽内圧を１×１０−４Ｐａまで減圧した。正孔注入層として、膜厚１００ｎｍの銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）を、正孔輸送層として、膜厚２０ｎｍの４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（α−ＮＰＤ）を、有機発光層として、膜厚３０ｎｍの４，４’−ビス（２，２’−ジフェニルビニル）ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）を、そして電子注入層として、膜厚２０ｎｍのＡｌｑ３を積層した。
【０１４９】
次に、真空を破ることなしに、金属マスクを用いて、膜厚２００ｎｍのＭｇ／Ａｇ（質量比１０／１）を堆積させて反射電極を形成して、図３に示した構造を有する有機ＥＬ素子を得た。
【０１５０】
こうして得られた有機ＥＬ素子をグローブボックス内において、乾燥窒素雰囲気下（酸素および水分濃度ともに１０ｐｐｍ以下）で、封止ガラス（図示せず）とＵＶ硬化接着剤を用いて封止した。
【０１５１】
（実施例２）
平坦化層、絶縁膜および反射電極分離隔壁の現像プロセスを以下のように変更した。すなわち、現像液にアルカリ現像液（ＮＭＤ−３  東京応化工業性）を用いた。現像工程は、純水を毎分１２０ｃｃ供給する緩衝ステップと、９５０ｋＨｚの超音波を印加した純水（毎分１０００ｍＬ）によりリンスを行うステップを導入し実施した。この現像プロセス以外は、実施例１と同様の方法でカラー有機ＥＬ素子を形成した。
【０１５２】
（比較例）
平坦化層、絶縁膜、反射電極分離隔壁の現像プロセスを以下のように変更した。すなわち、現像液にアルカリ現像液（ＮＭＤ−３  東京応化工業性）を用い、現像工程は、緩衝ステップおよび超音波洗浄ステップを導入せず実施した。その他は実施例１と同様の方法を採用した。
【０１５３】
（評価）
Ｄｕｔｙ  １／６０で、面輝度１００  ｃｄ／ｍ２、室温において１０００時間駆動後のダークスポット数を比較した。パネル数として、各実施例において１０個とし、パネル全面の観察を行った。
【０１５４】
【表２】
2008077991.tif 000004
【０１５５】
表２から分かるように、実施例１および２の素子は、比較例の素子に比べダークスポットの発生が少なかった。このことは、フォトリソグラフ法による平坦化層等の形成時の欠陥を抑制することにより、ダークスポット数が有意に抑制されることを意味する。
【０１５６】
以上のことから、フォトリソグラフ法で形成される層の欠陥を抑制することが、ダークスポットの発生防止、および素子の長寿命化に有効である。
【図面の簡単な説明】
【０１５７】
【図１】（ａ）および（ｂ）は、本発明の有機ＥＬディスプレイの一実施形態を示す概略図断面である。
【図２】（ａ）〜（ｇ）は、本発明の製造方法を説明するための工程図である。
【図３】本発明の現像装置の概略図である。
【図４】本発明の製造方法の現像工程を説明するためのフロー図である。
【図５】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の製造方法を説明するための工程図である。
【図６】（ａ）〜（ｅ）は、本発明の製造方法を説明するための工程図である。
【図７】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の製造方法を説明するための工程図である。
【図８】（ａ）〜（ｅ）は、本発明の製造方法を説明するための工程図である。
【図９】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の製造方法を説明するための工程図である。
【符号の説明】
【０１５８】
１００    有機ＥＬ素子
１０２    基板
１０４    ブラックマトリックス
１０６、１０８、１１０    色変換層
１１２    平坦化層
１１４    パッシベーション層
１１６    透明電極
１１８    絶縁膜
１２０    有機ＥＬ層
１２２    反射電極（第２電極）
１２４    反射電極分離隔壁
２０２    平坦化層材料
２０４、６０４、８０４    フォトマスク
２０６、６０６、８０６    放射線
２０８、５０８、８０８    液体供給手段
４００    現像装置
４０２    基板
４０４    搬入口
４０６    搬出口
４０８    現像部
４１０    緩衝部
４１２    リンス部
４１４    超音波洗浄部
４１６    乾燥部
４２０    現像液供給手段
４２２    緩衝液供給手段
４２４    洗浄液供給手段
４２６    超音波印加純水供給手段
４２８    乾燥手段
６０２    絶縁膜材料
８０２    反射電極分離隔壁材料
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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