(57)【要約】【課題】高解像度、輝度均一、色彩劣化防止を実現する有機電界発光表示装置を提供する。【解決手段】有機電界発光素子ＯＬＥＤは駆動トランジスタＤＲ＿ＴＲと第２電源電圧線ＶＳＳに接続され、駆動トランジスタは有機電界発光素子と第２スイッチング素子ＳＷ＿ＴＲ２に接続されかつ制御電極が第１スイッチング素子ＳＷ＿ＴＲ１に接続され、第１スイッチング素子は駆動トランジスタの制御電極とデータ線Ｄ［Ｍ］に接続されかつ制御電極が走査線Ｓ［Ｎ］に接続され、第２スイッチング素子は駆動トランジスタと第１電源電圧線ＶＤＤに接続されかつ制御電極が発光制御線ＥＭ［Ｎ］に接続され、第１容量性素子Ｃ１は第１スイッチング素子と駆動トランジスタの制御電極と第１電源電圧線に接続され、第２容量性素子Ｃ２は第１容量性素子と第２スイッチング素子と前記駆動トランジスタに接続される。【選択図】図５
2008176272.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
走査線、データ線および発光制御線に接続された画素を含む有機電界発光表示装置において、
前記画素は、有機電界発光素子と、前記有機電界発光素子を駆動する駆動トランジスタと、前記駆動トランジスタを駆動する第１スイッチング素子と、前記第１スイッチング素子に直列に接続された第２スイッチング素子と、第１容量性素子と、第２容量性素子と、を含み、
前記有機電界発光素子は、前記駆動トランジスタと第２電源電圧線に接続され、
前記駆動トランジスタは、前記有機電界発光素子と前記第２スイッチング素子に接続されるとともにその制御電極が第１スイッチング素子に接続され、
前記第１スイッチング素子は、前記駆動トランジスタの制御電極と前記データ線に接続されるとともにその制御電極が前記走査線に接続され、
前記第２スイッチング素子は、前記駆動トランジスタと第１電源電圧線とに接続されるとともにその制御電極が発光制御線に接続され、
前記第１容量性素子は、その一端が前記第１スイッチング素子と前記駆動トランジスタの制御電極に接続されるとともにその他端が前記第１電源電圧線に接続され、
前記第２容量性素子は、その一端が前記第１容量性素子の前記一端に接続されるとともにその他端が前記第２スイッチング素子と前記駆動トランジスタに接続されていることを特徴とする有機電界発光表示装置。
【請求項２】
前記第１スイッチング素子は、前記走査線に制御電極が接続され、第１電極が前記データ線に接続され、第２電極が前記駆動トランジスタの制御電極に接続されたことを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項３】
前記第１スイッチング素子は、前記走査線に制御電極が接続され、第１電極から第２電極の方向にデータを伝達することを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項４】
前記駆動トランジスタは、制御電極が前記第１スイッチング素子の第２電極と接続され、第１電極が前記第２スイッチング素子の第２電極に接続され、第２電極が前記有機電界発光素子のアノード電極と接続されたことを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項５】
前記駆動トランジスタは、制御電極が前記第１スイッチング素子の第２電極と接続され、前記第１電源電圧線からの有機電界発光素子を駆動する駆動電流を制御することを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項６】
前記第１容量性素子は、第１電極が前記第１電源電圧線と接続され、第２電極が前記第１スイッチング素子の第２電極および前記駆動トランジスタの制御電極と接続されたことを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項７】
前記第１容量性素子は、第１電極が前記第１電源電圧線と接続され、第２電極が前記第２容量性素子の第２電極と接続されたことを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項８】
前記第２スイッチング素子は、制御電極が前記発光制御線と接続され、第１電極が前記第１電源電圧線と接続され、第２電極が前記駆動トランジスタの第１電極と接続されたことを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項９】
前記第２スイッチング素子は、制御電極が前記発光制御線と接続され、第１電極が前記第１電源電圧線と接続され、第２電極が前記第２容量性素子の第１電極と接続されたことを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１０】
前記第２容量性素子は、第１電極が前記第２スイッチング素子の第２電極および前記駆動トランジスタの第１電極と接続され、第２電極が前記第１容量性素子の第２電極、前記第１スイッチング素子の第２電極および前記駆動トランジスタの制御電極と接続されたことを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１１】
前記第２容量性素子は、前記駆動トランジスタの制御電極と前記駆動トランジスタの第１電極間に接続されたことを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１２】
前記有機電界発光素子は、アノード電極が前記駆動トランジスタの第２電極と接続され、カソード電極が前記第２電源電圧線と接続されたことを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１３】
前記第１スイッチング素子、第２スイッチング素子、駆動トランジスタはＮ型チャネルトランジスタであることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１４】
前記第１スイッチング素子、第２スイッチング素子、駆動トランジスタはＰ型チャネルトランジスタであることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１５】
前記有機電界発光素子は発光層を備えており、前記発光層は蛍光材料および燐光材料のうち選択されたいずれか１つまたはその混合物であることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１６】
前記発光層は、赤色発光材料、緑色発光材料、青色発光材料のうち選択されたいずれか１つまたはその混合物であることを特徴とする請求項１５に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１７】
前記駆動トランジスタは、非晶質シリコン薄膜トランジスタ、ポリシリコン薄膜トランジスタ、有機薄膜トランジスタおよびナノ薄膜トランジスタのうち選択されたいずれか１つであることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１８】
前記駆動トランジスタは、ニッケル（Ｎｉ）、カドミウム（Ｃｄ）、コバルト（Ｃｏ）、チタニウム（Ｔｉ）、パラジウム（Ｐｄ）およびタングステン（Ｗ）のうち選択されたいずれか１つを有するポリシリコントランジスタであることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１９】
前記第２電源電圧線の第２電源電圧は前記第１電源電圧線の第１電源電圧より低い電位であることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項２０】
前記第２電源電圧線の第２電源電圧は接地電位であることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項２１】
１フレームの画像表示期間中、前記第１スイッチング素子および第２スイッチング素子がターンオンされると、前記データ線からデータ電圧が前記第１容量性素子の第２電極、第２容量性素子の第２電極および前記駆動トランジスタの制御電極に印加され、前記第１電源電圧線からの第１電源電圧が前記第１容量性素子の第１電極および前記第２容量性素子の第１電極に印加されることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項２２】
１フレームの画像表示期間中、前記第１スイッチング素子がターンオンされて前記第２スイッチング素子がターンオフされると、前記データ線からデータ電圧が前記第１容量性素子の第２電極、第２容量性素子の第２電極および前記駆動トランジスタの制御電極に印加され、前記第１電源電圧線からの第１電源電圧が前記第１容量性素子の第１電極に印加されることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項２３】
１フレームの画像表示期間中、前記第１スイッチング素子がターンオフされて前記第２スイッチング素子がターンオンされると、前記第１電源電圧線、駆動トランジスタおよび有機電界発光素子が接続され、前記有機電界発光素子のアノード電極からカソード電極の方向に電流が印加されることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項２４】
前記駆動トランジスタと前記有機電界発光素子との間には発光制御スイッチング素子がさらに含まれることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項２５】
前記発光制御スイッチング素子の制御電極は前記発光制御線と接続され、前記発光制御スイッチング素子の第１電極は前記駆動トランジスタの第２電極と接続され、前記発光制御スイッチング素子の第２電極は前記有機電界発光素子のアノード電極と接続されたことを特徴とする請求項２４に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項２６】
前記発光制御スイッチング素子はＮ型チャネルトランジスタであることを特徴とする請求項２４に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項２７】
前記発光制御スイッチング素子はＰ型チャネルトランジスタであることを特徴とする請求項２４に記載の有機電界発光表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機電界発光表示装置に関し、より詳しくは、従来の画素回路に比べて少ない数のトランジスタを使うことで画素回路の高集積化、さらには高解像度を実現し、画素回路内の第１容量性素子と第２容量性素子との比率を適切に調節することで駆動トランジスタの閾値電圧のバラツキを補償し、第１電源電圧線による電圧降下（ＩＲ−ＤＲＯＰ）を補償することができる有機電界発光表示装置に関する。
【０００２】
また、本発明は、前記画素回路の駆動方法としてデマルチプレクサ（Ｄｅｍｕｌｔｉｐｌｅｘｅｒ）を使ってＲＧＢデータ信号を印加する場合、走査信号のオン／オフにかかわらず発光制御信号のオン期間の間に前記ＲＧＢデータ信号を印加することで、前記ＲＧＢデータを画素回路の各容量性素子に正しく記憶するデマルチプレクサ駆動方法に関する内容を含む。
【０００３】
さらに、本発明は、画素回路の駆動方法としてデマルチプレクサを使ってＲＧＢデータ信号を印加する際、発光期間中にホワイトバランス補償期間を設けることで、時間が経つにつれてホワイトバランスが変わって所望の色を再現できなくなる問題点を改善できるようにするデマルチプレックス駆動方法に関する内容を含む。
【背景技術】
【０００４】
近年、有機電界発光表示装置は、薄さと広い視野角、そして速い反応速度などの長所を有するために次世代平板ディスプレイとして注目されている。
【０００５】
このような有機電界発光表示装置は、各画素（Ｐｉｘｅｌ）の有機電界発光素子ＯＬＥＤに流れる電流の量を制御することで、各画素の明るさ（Ｂｒｉｇｈｔｎｅｓｓ）を制御して映像を表示する。
【０００６】
言い換えると、データ電圧に対応する電流が有機電界発光素子に供給され、供給された電流に対応して有機電界発光素子が発光する。このとき、データ電圧は、階調を表現するために一定範囲で各段階の値を有する。
【０００７】
駆動トランジスタとして非晶質シリコン（ａ−ｓｉ）を使った薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ；ＴＦＴ）を用いる場合、電流駆動能力は相対的に低いものの、表示装置の均一性に優れ、大面積表示装置最適であるという長所を有する。
【０００８】
このような有機電界発光表示装置の各画素回路の駆動トランジスタは、互いに異なる閾値電圧Ｖｔｈを有し得るが、これは最終的にディスプレイパネルの輝度の均一性（Ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙ）低下の問題をもたらす。また、第１電源電圧線ＶＤＤが各画素回路に配線されることにより電圧降下（ＩＲ−ＤＲＯＰ）が生じ、パネルの下端に行くほど画素の輝度が低下するといった問題がある。
【０００９】
さらに、有機電界発光表示装置の画素回路が多数のトランジスタを含む場合、高集積化が困難になるため、前記画素回路を装着したディスプレイパネルの高解像度の実現に対し障害となる。
【００１０】
上述した画素回路内駆動トランジスタの閾値電圧の補償のために、従来の回路は、駆動トランジスタの制御電極から負（Ｎｅｇａｔｉｖｅ）電源にパス（Ｐａｔｈ）を形成していたため、これを通じて漏洩電流（Ｌｅａｋａｇｅ  ｃｕｒｒｅｎｔ）が流れることになり、これにより有機電界発光素子が誤った発光を起こし得るといった問題があった。
【００１１】
そして、デマルチプレクサを使ってＲＧＢデータ信号を画素回路に印加する場合、画素回路と電気的に接続された発光制御線（ＥＭ［１］..,ＥＭ［Ｎ］）を通じて印加される発光制御信号がオフであるときに、前記ＲＧＢデータ信号が前記画素回路内の容量性素子に正しく記憶されないこともある。
【００１２】
すなわち、前記容量性素子に既に記憶されていたＲＧＢデータ信号（電圧）が初期化されていない状態で、デマルチプレクサを駆動してＲＧＢデータ信号（電圧）を印加し続ける場合に、前記容量性素子に正しいＲＧＢデータ信号電圧を記憶させることができないという問題がある。
【００１３】
さらに、フルカラー有機電界発光表示装置の場合には、有機電界発光素子として赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の三色を発光する有機電界発光素子を備えることでフルカラーを具現する。
【００１４】
しかし、有機電界発光層として使われる材料は、自身の発光の際に発生する熱によって劣化することがある。このような劣化の進行によって有機電界発光素子ＯＬＥＤの輝度が低下する現象が起きることがあり、これは前記有機電界発光素子ＯＬＥＤの寿命が短縮される結果となり得る。
【００１５】
一方、有機電界発光素子ＯＬＥＤ内の赤色（Ｒｅｄ、Ｒ）、緑色（Ｇｒｅｅｎ、Ｇ）および青色（Ｂｌｕｅ、Ｂ）を形成する有機電界発光層の劣化（Ｄｅｇｒａｄａｔｉｏｎ）程度はそれぞれ差があり、赤色（Ｒ）有機電界発光層、緑色（Ｇ）有機電界発光層、および青色（Ｂ）有機電界発光層の輝度差は時間が経つほど大きくなり得る。したがって、初期設定値に比べてホワイトバランス（Ｗｈｉｔｅ  Ｂａｌａｎｃｅ）が経時的に変わって色座標の転移が生ずるため、所望の色を再現できない問題が起きる。
【００１６】
すなわち、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）のそれぞれにあたる発光層は、互いに異なる寿命特性を有しているため、長期間に渡って、ホワイトバランスを維持することが難いという短所がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
本発明は、上述した従来の問題点を克服するためのものであって、本発明の目的は、従来の画素回路に比べて、使用するトランジスタの数を３個という少ない数とすることで、高集積化を図り、高解像度を実現することにある。
【００１８】
また、本発明の目的は、第１容量性素子と第２容量性素子の比率（Ｃ１：Ｃ２）を適切に調節することで、駆動トランジスタの閾値電圧Ｖｔｈを補償して輝度の均一性を向上し、前記第１容量性素子と第２容量性素子の比率調節によって第１電源電圧線ＶＤＤによる電圧降下（ＩＲ−ＤＲＯＰ）現象を改善することにある。
【００１９】
また、本発明の目的は、画素回路内駆動トランジスタの制御電極から負（Ｎｅｇａｔｉｖｅ）電源に向かって漏洩電流が流すためのパス（Ｐａｔｈ）をもたないことで、前記パスを通じて流れる漏洩電流による有機電界発光素子の誤った発光を防止することにある。
【００２０】
また、本発明の目的は、デマルチプレクサを使ってＲＧＢデータ信号を印加する場合に、走査信号のオン／オフにかかわらず発光制御信号がオンしている間に前記ＲＧＢデータ信号を印加することで、ＲＧＢデータが画素回路の各容量性素子に正しく記憶できるようにすることにある。
【００２１】
また、本発明の目的は、赤色、緑色、青色の３原色を表現する有機電界発光素子の発光回数または発光強度を制御してカラー表示をする有機電界発光表示装置において、ホワイトバランス補償期間を設けることで、時間が経つにつれてホワイトバランスが変わって所望の色を再現できなくなるという問題を改善することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２２】
本発明の目的を実現するための手段は、詳細には、１フレームの画像表示期間を第１期間Ｔ１、第２期間Ｔ２および第３期間Ｔ３に分ける。第１期間はデータ書き込み期間であり、第２期間は駆動トランジスタの閾値電圧を記憶させる期間であり、第３期間は発光期間である。このような第１期間、第２期間および第３期間を順次進行すると同時に、記憶素子である第１容量性素子と第２容量性素子の比率（Ｃ１：Ｃ２）を適切に調節して、各画素回路内の駆動トランジスタの閾値電圧のバラツキによるパネルの輝度不均一性および第１電源電圧線の電圧降下（ＩＲ−ＤＲＯＰ）を改善することができる。この場合、第１期間および第２期間は非発光期間となり、第３期間は発光期間となる。非発光期間は発光期間に比べて相対的に短くすることができる。
【００２３】
また、デマルチプレクサを使って前記画素回路を駆動する際、走査信号および発光制御信号がそれぞれオンである期間の間にデマルチプレクサからのＲＧＢデータ信号を印加する方法により画素回路を駆動することができる。
【００２４】
また、走査信号がオフ、発光制御信号がオンである期間の間にデマルチプレクサからＲＧＢデータ信号を印加する方法で画素回路を駆動することもできる。
【００２５】
これにより、ＲＧＢデータ信号が画素回路内の容量性素子に正しく記憶されるように改善することができる。
【００２６】
また、ホワイトバランス補償のためのデマルチプレクサ駆動方法においては、走査信号および発光制御信号がそれぞれオンである期間にデマルチプレクサからＲＧＢデータ信号を印加することができる。
【００２７】
さらに、このようなＲＧＢデータ信号を印加する期間に、ホワイトバランスを補償するためのホワイトバランス補償期間を設けることができる。
【００２８】
ホワイトバランス補償期間においては、有機電界発光素子にホワイトバランス補償のために電流を流す時間は、時間が長い方から緑色（Ｇ）、赤色（Ｒ）および青色（Ｂ）の順にすることができる。また、前記電流は発光期間に前記有機電界発光素子に流れる電流より大きくすることができる。
【００２９】
このように、最も寿命が長い緑色有機電界発光素子には、寿命が相対的に短い青色有機電界発光素子よりホワイトバランス補償のための電流を長時間流すことにより、発光期間の寿命差をホワイトバランス補償期間の間の電流で補償することができる。
【００３０】
一般に、有機電界発光表示パネルはマトリクス状に配列されたＮ×Ｍ個の有機発光セルを電圧駆動あるいは電流駆動して映像を表現する。
【００３１】
ダイオード特性を有する有機電界発光素子（ＯＬＥＤ）は、図１に示すようにアノード（Ａｎｏｄｅ；ＩＴＯ）電極、有機薄膜（有機層）およびカソード（Ｃａｔｈｏｄｅ；Ｍｅｔａｌ）電極からなっている。有機薄膜は、正孔の均衡を良くして発光効率を向上させるために、発光層（Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｌａｙｅｒ、ＥＭＬ）、電子を輸送する電子輸送層（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ  Ｌａｙｅｒ、ＥＴＬ）および正孔を輸送する正孔輸送層（Ｈｏｌｅ  Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ  Ｌａｙｅｒ、ＨＴＬ）を含む多層構造を有し得る。また、さらに電子輸送層の一側面に電子を注入する電子注入層（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｉｎｊｅｃｔｉｎｇ  Ｌａｙｅｒ、ＥＩＬ）と正孔輸送層の一側面に正孔を注入する正孔注入層（Ｈｏｌｅ  Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ  Ｌａｙｅｒ）を形成し得る。
【００３２】
さらに、燐光型有機電界発光素子の場合には、正孔抑制層（Ｈｏｌｅ  Ｂｒｏｃｋｉｎｇ  Ｌａｙｅｒ；ＨＢＬ）が発光層ＥＭＬと電子輸送層ＥＴＬ間に選択的に形成でき、電子抑制層（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｂｌｏｃｋｉｎｇ  Ｌａｙｅｒ；ＥＢＬ）が前記発光層ＥＭＬと正孔輸送層ＨＴＬ間に選択的に形成できる。
【００３３】
また、前記有機薄膜（有機層）は２種の層を混合してその厚さを減少させるスリム型有機電界発光素子（Ｓｌｉｍ  ＯＬＥＤ）構造で形成することもできる。例えば、前記正孔注入層ＨＩＬと前記正孔輸送層ＨＴＬを同時に形成する正孔注入輸送層（Ｈｏｌｅ  Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ  Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ  Ｌａｙｅｒ；ＨＩＴＬ）構造および前記電子注入層ＥＩＬと前記電子輸送層ＥＴＬを同時に形成する電子注入輸送層（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ  Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ  Ｌａｙｅｒ；ＥＩＴＬ）構造を選択的に形成することができる。前記のようなスリム型有機電界発光素子を使用することの目的は発光効率を増加させるところにある。
【００３４】
また、前記アノード電極と発光層ＥＭＬ間に選択的にバッファ層（Ｂｕｆｆｅｒ  Ｌａｙｅｒ）を形成することができる。前記バッファ層は電子をバッファリングする電子バッファ層（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｂｕｆｆｅｒ  Ｌａｙｅｒ）と正孔をバッファリングする正孔バッファ層（Ｈｏｌｅ  Ｂｕｆｆｅｒ  Ｌａｙｅｒ）とに区分され得る。電子バッファ層は、カソードと電子注入層ＥＩＬ間に選択的に形成することができ、前記電子注入層ＥＩＬの機能に代わるものとして形成することができる。このとき、前記有機薄膜の積層構造は発光層ＥＭＬ／電子輸送層ＥＴＬ／電子バッファ層／カソードとなり得る。また、正孔バッファ層は前記アノード電極と前記正孔注入層ＥＩＬ間に選択的に形成されることができ、前記正孔注入層ＨＩＬの機能に代わるものとして形成することができる。このとき、前記有機薄膜の積層構造はアノード電極／正孔バッファ層ＨＢＬ／正孔輸送層ＨＴＬ／発光層ＥＭＬとなり得る。
【００３５】
前記構造に対して可能な積層構造を記載すると、次のようになる。
【００３６】
ａ）通常積層構造（Ｎｏｒｍａｌ  Ｓｔａｃｋ  Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）
１）アノード／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／カソード
２）アノード／正孔バッファ層／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／カソード
３）アノード／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／電子バッファ層／カソード
４）アノード／正孔バッファ層／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／電子バッファ層／カソード
５）アノード／正孔注入層／正孔バッファ層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／カソード
６）アノード／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子バッファ層／電子注入層／カソード
ｂ）通常スリム構造（Ｎｏｒｍａｌ  Ｓｌｉｍ  Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）
１）アノード／正孔注入輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／カソード
２）アノード／正孔バッファ層／正孔注入輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／カソード
３）アノード／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子注入輸送層／電子バッファ層／カソード
４）アノード／正孔バッファ層／正孔輸送層／発光層／電子注入輸送層／電子バッファ層／カソード
５）アノード／正孔注入輸送層／正孔バッファ層／発光層／電子輸送層／電子注入層／カソード
６）アノード／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子バッファ層／電子注入輸送層／カソード
ｃ）逆相積層構造（Ｉｎｖｅｒｔｅｄ  Ｓｔａｃｋ  Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）
１）カソード／電子注入層／電子輸送層／発光層／正孔輸送層／正孔注入層／アノード
２）カソード／電子注入層／電子輸送層／発光層／正孔輸送層／正孔注入層／正孔バッファ層／アノード
３）カソード／電子バッファ層／電子注入層／電子輸送層／発光層／正孔輸送層／正孔注入層／アノード
４）カソード／電子バッファ層／電子注入層／電子輸送層／発光層／正孔輸送層／正孔バッファ層／アノード
５）カソード／電子注入層／電子輸送層／発光層／正孔輸送層／正孔バッファ層／正孔注入層／アノード
６）カソード／電子注入層／電子バッファ層／電子輸送層／発光層／正孔輸送層／正孔注入層／アノード
ｄ）逆相スリム構造（Ｉｎｖｅｒｔｅｄ  Ｓｌｉｍ  Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）
１）カソード／電子注入層／電子輸送層／発光層／正孔注入層／アノード
２）カソード／電子注入層／電子輸送層／発光層／正孔注入輸送層／正孔バッファ層／アノード
３）カソード／電子バッファ層／電子注入輸送層／発光層／正孔輸送層／正孔注入層／アノード
４）カソード／電子バッファ層／電子注入輸送層／発光層／正孔輸送層／正孔注入層／アノード
５）カソード／電子注入層／電子輸送層／発光層／正孔バッファ層／正孔注入輸送層／アノード
６）カソード／電子注入輸送層／電子バッファ層／発光層／正孔輸送層／正孔注入層／アノード
ここでカソード（Ｃａｔｈｏｄｅ）は陰極、アノード（Ａｎｏｄｅ）は陽極を意味する。
【００３７】
また、このような有機電界発光表示装置は、データラインに書き込まれるデータ種類によって電圧プログラミング（Ｖｏｌｔａｇｅ  Ｐｒｏｇｒａｍｍｉｎｇ）有機電界発光表示装置と、電流プログラミング（Ｃｕｒｒｅｎｔ  Ｐｒｏｇｒａｍｍｉｎｇ）有機電界発光表示装置とに分けられる。
【００３８】
このような有機電界発光素子の駆動方式としては、受動マトリクス（Ｐａｓｓｉｖｅ  Ｍａｔｒｉｘ）方式と能動マトリクス（Ａｃｔｉｖｅ  Ｍａｔｒｉｘ）方式が知られている。受動マトリクス方式は、陽極と陰極とを直交させて形成してラインを選択して駆動するため、製作工程が簡単で投資額が少なくてよいが大画面表示装置に適用する場合に電流消費量が多いという短所がある。能動マトリクス方式は、薄膜トランジスタのような能動素子および容量性素子を各画素に形成することで、電流消費量が少なく、画質および寿命に優れ、中型大型にまで適用可能であるという長所がある。
【００３９】
上述したように能動マトリクス方式においては、有機電界発光素子と薄膜トランジスタを基盤とした画素回路構成が必須の構成要素となるが、このとき、薄膜トランジスタとしては非晶質シリコン薄膜トランジスタまたは多結晶シリコン薄膜トランジスタを用い得る。図２には、有機電界発光表示装置の画素回路を、図３には図２に示した画素回路の駆動タイミング図を示した。図２に示した画素回路はＮ×Ｍ個の画素のうち１つを代表的に示したものである。
【００４０】
図２に示すように、有機電界発光表示装置の画素回路は走査信号を供給する走査線Ｓ［Ｎ］、データ信号を供給するデータ線Ｄ［Ｍ］、第１電源電圧を供給する第１電源電圧線ＶＤＤ、第２電源電圧を供給する第２電源電圧線ＶＳＳ、駆動トランジスタＤＲ−ＴＲ、スイッチング素子ＳＷ−ＴＲ、容量性素子Ｃおよび有機電界発光素子ＯＬＥＤを含む。ここで、第１電源電圧は、第２電源電圧に比べて相対的に高い電位であり得る。
【００４１】
上述した画素回路の１フレームの動作を図３により説明する。
【００４２】
図３に示すように、走査信号が供給され、その後少し時間を置いてデータ信号が供給される。少し時間を置く理由は、走査信号の供給によるスイッチング素子のターンオン時間からデータ信号の供給時間までのマージン（Ｍａｒｇｉｎ）を確保するためである。
【００４３】
図２の画素回路を図３のタイミング図によって説明する。走査線Ｓ［Ｎ］から走査信号が供給されると、スイッチング素子ＳＷ−ＴＲがターンオンされる。したがって、データ線Ｄ［Ｍ］からのデータ信号（電圧）は駆動トランジスタＤＲ−ＴＲの制御電極および容量性素子Ｃの第１電極Ａに供給される。第１電源電圧線ＶＤＤからの第１電源電圧が駆動トランジスタＤＲ＿ＴＲを通じて有機電界発光素子ＯＬＥＤに供給されることで、有機電界発光素子ＯＬＥＤは１フレームの間一定輝度で発光するようになる。容量性素子Ｃには前記データ線Ｄ［Ｍ］から供給されるデータ電圧が記憶されるため、前記走査信号線Ｓ［Ｎ］からの走査信号供給が遮断されても１フレームの間、前記駆動トランジスタＤＲ−ＴＲはターンオン状態を維持し続ける。
【００４４】
ところが、図２に示す画素回路のような従来の回路構成で電圧駆動方式を用いる場合、駆動トランジスタとして使われる薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ；ＴＦＴ）の閾値電圧（Ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ  Ｖｏｌｔａｇｅ；Ｖｔｈ）のバラツキのため高階調が得られ難い問題点がある。例えば、３Ｖでピクセルを駆動する場合に８ビット（２５６）階調を表現するためには３／２５６＝１２ｍＶで１０ｍＶ単位を有する一方、薄膜トランジスタの閾値電圧Ｖｔｈのバラツキは１００ｍＶの単位を有するため高階調を表現しにくいという問題点がある。
【００４５】
また、第１電源電圧線ＶＤＤで有機電界発光素子ＯＬＥＤを駆動する電流を供給するため、画素の数が多くなるほどＶＤＤではさらに大きい電流を供給しなければならない。したがって、行（ＲＯＷ）方向に画素数が多くなるほど、ＶＤＤ供給ライン（Ｌｉｎｅ）でライン抵抗によって電圧降下（ＩＲ−ＤＲＯＰ）が発生する。
【００４６】
これは画素それぞれに配置されている薄膜トランジスタＴＦＴへ印加されるＶｇｓ値を異ならせ、有機電界発光素子ＯＬＥＤの電流差を誘発する原因となる。この電流差は有機電界発光表示装置の画像表示面積が大面積化されるほどさらに深刻になって画質バラツキとして現われることになる。
【００４７】
上述した、閾値電圧Ｖｔｈの補償、ＶＤＤラインの電圧降下（ＩＲ−ＤＲＯＰ）の補償をするために画素回路を多様に構成することはできるが、画素回路が複雑になるおそれがあり、このような画素回路の複雑化は画素回路の高集積化を困難にする。高集積化は高解像度の実現に寄与するため、画素回路の単純化は有機電界発光表示装置の高解像度の実現のために必要な課題である。
【００４８】
また、デマルチプレクサによるＲＧＢデータ信号を画素回路に印加する際、画素回路と電気的に接続された発光制御信号（ＥＭ［Ｎ］からの信号）がオフの状態であれば、ＲＧＢデータ信号が画素回路内の容量性素子に正しく記憶されないこともあり得る。すなわち、容量性素子に既に記憶されていたＲＧＢデータ信号（電圧）が初期化されない状態でデマルチプレクサを駆動し続けてＲＧＢデータ信号電圧を印加し続ける場合、容量性素子に正しいＲＧＢデータ信号（電圧）が記憶できない問題がある。
【００４９】
さらに、有機電界発光層として使われる材料（例えば、ＤＣＭ２、キナクリドン、ＤＰＶＢｉなど）は、それ自身の発光の際に発生する熱によって劣化されることがある。このような劣化の進行によって有機電界発光素子ＯＬＥＤの輝度が低下する現象が起きることがあり、これは前記有機電界発光素子ＯＬＥＤの寿命が短縮される結果となり得る。
【００５０】
有機電界発光素子ＯＬＥＤ内の赤色（Ｒｅｄ、Ｒ）、緑色（Ｇｒｅｅｎ、Ｇ）および青色（Ｂｌｕｅ、Ｂ）を形成する有機電界発光層の劣化（Ｄｅｇｒａｄａｔｉｏｎ）の速度にはそれぞれ差がある。したがって、赤色（Ｒ）有機電界発光層、緑色（Ｇ）有機電界発光層および青色（Ｂ）有機電界発光層の輝度の差は時間が経つにつれて大きくなり得る。このように経時的に初期設定値に比べてホワイトバランスが変わって色座標の転移が生ずるため、所望の色を再現することができなくなるという問題がある。
【００５１】
前記問題を解決するために本発明による有機電界発光表示装置は、走査線、データ線および発光制御線に接続された画素を含む有機電界発光表示装置において、前記画素は、有機電界発光素子と、前記有機電界発光素子を駆動する駆動トランジスタと、前記駆動トランジスタを駆動する第１スイッチング素子と、前記第１スイッチング素子に直列に接続された第２スイッチング素子と、第１容量性素子と、第２容量性素子と、を含み、前記有機電界発光素子は、前記駆動トランジスタと第２電源電圧線に接続され、前記駆動トランジスタは、前記有機電界発光素子と前記第２スイッチング素子に接続されるとともにその制御電極が第１スイッチング素子に接続され、前記第１スイッチング素子は、前記駆動トランジスタの制御電極と前記データ線に接続されるとともにその制御電極が前記走査線に接続され、前記第２スイッチング素子は、前記駆動トランジスタと第１電源電圧線とに接続されるとともにその制御電極が発光制御線に接続され、前記第１容量性素子は、その一端が前記第１スイッチング素子と前記駆動トランジスタの制御電極に接続されるとともにその他端が前記第１電源電圧線に接続され、前記第２容量性素子は、その一端が前記第１容量性素子の前記一端に接続されるとともにその他端が前記第２スイッチング素子と前記駆動トランジスタに接続されていることを特徴とする。
【００５２】
前記第１スイッチング素子は、前記走査線に制御電極が接続され、第１電極が前記データ線に接続され、第２電極が前記駆動トランジスタの制御電極に接続され得る。
【００５３】
前記第１スイッチング素子は、前記走査線に制御電極が接続され、第１電極から第２電極の方向にデータを伝達することができ得る。
【００５４】
前記駆動トランジスタは、制御電極が前記第１スイッチング素子の第２電極と接続され、第１電極が前記第２スイッチング素子の第２電極に接続され、第２電極が前記有機電界発光素子のアノード電極と接続され得る。
【００５５】
前記駆動トランジスタは、制御電極が前記第１スイッチング素子の第２電極と接続され、前記第１電源電圧線からの有機電界発光素子を駆動する駆動電流を制御することができ得る。
【００５６】
前記第１容量性素子は、第１電極が前記第１電源電圧線と接続され、第２電極が前記第１スイッチング素子の第２電極および前記駆動トランジスタの制御電極と接続され得る。
【００５７】
前記第１容量性素子は、第１電極が前記第１電源電圧線と接続され、第２電極が前記第２容量性素子の第２電極と接続され得る。
【００５８】
前記第２スイッチング素子は、制御電極が前記発光制御線と接続され、第１電極が前記第１電源電圧線と接続され、第２電極が前記駆動トランジスタの第１電極と接続され得る。
【００５９】
前記第２スイッチング素子は、制御電極が前記発光制御線と接続され、第１電極が前記第１電源電圧線と接続され、第２電極が前記第２容量性素子の第１電極と接続され得る。
【００６０】
前記第２容量性素子は、第１電極が前記第２スイッチング素子の第２電極および前記駆動トランジスタの第１電極と接続され、第２電極が前記第１容量性素子の第２電極、前記第１スイッチング素子の第２電極および前記駆動トランジスタの制御電極と接続され得る。
【００６１】
前記第２容量性素子は、前記駆動トランジスタの制御電極と前記駆動トランジスタの第１電極間に接続され得る。
【００６２】
前記有機電界発光素子は、アノード電極が前記駆動トランジスタの第２電極と接続され、カソード電極が前記第２電源電圧線と接続され得る。
【００６３】
前記第１スイッチング素子、第２スイッチング素子、駆動トランジスタはＮ型チャネルトランジスタであり得る。
【００６４】
前記第１スイッチング素子、第２スイッチング素子、駆動トランジスタはＰ型チャネルトランジスタであり得る。
【００６５】
前記有機電界発光素子は発光層を備えており、前記発光層は蛍光材料および燐光材料のうち選択されたいずれか１つまたはその混合物であり得る。
【００６６】
前記発光層は、赤色発光材料、緑色発光材料、青色発光材料のうち選択されたいずれか１つまたはその混合物であり得る。
【００６７】
前記駆動トランジスタは、非晶質シリコン薄膜トランジスタ、ポリシリコン薄膜トランジスタ、有機薄膜トランジスタおよびナノ薄膜トランジスタのうち選択されたいずれか１つであり得る。
【００６８】
前記駆動トランジスタは、ニッケル（Ｎｉ）、カドミウム（Ｃｄ）、コバルト（Ｃｏ）、チタニウム（Ｔｉ）、パラジウム（Ｐｄ）およびタングステン（Ｗ）のうち選択されたいずれか１つを有するポリシリコントランジスタであり得る。
【００６９】
前記第２電源電圧線の第２電源電圧は前記第１電源電圧線の第１電源電圧より低い電位であり得る。
【００７０】
前記第２電源電圧線の第２電源電圧は接地電位であってもよい。
【００７１】
１フレームの画像表示期間中、前記第１スイッチング素子および第２スイッチング素子がターンオンされると、前記データ線からデータ電圧が前記第１容量性素子の第２電極、第２容量性素子の第２電極および前記駆動トランジスタの制御電極に印加され、前記第１電源電圧線からの第１電源電圧が前記第１容量性素子の第１電極および前記第２容量性素子の第１電極に印加され得る。
【００７２】
１フレームの画像表示期間中、前記第１スイッチング素子がターンオンされて前記第２スイッチング素子がターンオフされると、前記データ線からデータ電圧が前記第１容量性素子の第２電極、第２容量性素子の第２電極および前記駆動トランジスタの制御電極に印加され、前記第１電源電圧線からの第１電源電圧が前記第１容量性素子の第１電極に印加され得る。
【００７３】
１フレームの画像表示期間中、前記第１スイッチング素子がターンオフされて前記第２スイッチング素子がターンオンされると、前記第１電源電圧線、駆動トランジスタおよび有機電界発光素子が接続され、前記有機電界発光素子のアノード電極からカソード電極の方向に電流が印加され得る。
【００７４】
前記駆動トランジスタと前記有機電界発光素子との間には発光制御スイッチング素子がさらに含まれ得る。
【００７５】
前記発光制御スイッチング素子の制御電極は前記発光制御線と接続され、前記発光制御スイッチング素子の第１電極は前記駆動トランジスタの第２電極と接続され、前記発光制御スイッチング素子の第２電極は前記有機電界発光素子のアノード電極と接続され得る。
【００７６】
前記発光制御スイッチング素子はＮ型チャネルトランジスタであり得る。
【００７７】
前記発光制御スイッチング素子はＰ型チャネルトランジスタであり得る。
【００７８】
上述したように、本発明に係る有機電界発光表示装置は、１フレームの画像表示期間を第１期間、第２期間および第３期間に分けることができる。第１期間Ｔ１はデータ線からデータ電圧が印加されるデータ書き込む期間であり、第２期間Ｔ２は駆動トランジスタの閾値電圧Ｖｔｈを記憶する期間であり、第３期間Ｔ３は発光期間である。
【００７９】
このような第１期間、第２期間および第３期間を順次進行すると同時に、記憶素子である第１容量性素子と第２容量性素子の比率（Ｃ１：Ｃ２）を適切に調節して、各画素回路内駆動トランジスタの閾値電圧のバラツキによるパネルの輝度不均一性および第１電源電圧線の電圧降下（ＩＲ−ＤＲＯＰ）を改善することができる。
【００８０】
この場合、第１期間および第２期間は非発光期間となり、第３期間は発光期間となる。非発光期間は発光期間に比べて相対的に短くすることができる。
【発明の効果】
【００８１】
本発明に係る有機電界発光表示装置は、１フレームの画像表示期間が第１期間Ｔ１、第２期間Ｔ２および第３期間からなり、それぞれの期間はデータを書き込む期間Ｔ１、駆動トランジスタの閾値電圧を記憶する期間Ｔ２および発光期間Ｔ３からなる。
【００８２】
このような本発明に係る有機電界発光表示装置は、第一に、従来の画素回路に比べて、使用するトランジスタ数を３個という少ない数とすることによりことにより高集積化を図り、これによって高解像度を可能にする効果を有する。
【００８３】
第二に、第１容量性素子と第２容量性素子の比率（Ｃ１：Ｃ２）を適切に調節することで駆動トランジスタの閾値電圧Ｖｔｈを補償して輝度の均一性を向上させることができ、第１電源電圧線ＶＤＤによる電圧降下（ＩＲ−ＤＲＯＰ）現象を改善する効果を有する。
【００８４】
第三に、本発明に係る画素回路は、駆動トランジスタの制御電極から負電源の方に漏洩電流を流すための電気的接続関係を有しないため、漏洩電流による有機電界発光素子の誤発光を防止することができるという効果を有する。
【００８５】
また、デマルチプレクサを使ってＲＧＢデータ信号を印加する本発明の実施形態に係る駆動方法においては、走査信号のオン／オフにかかわらず発光制御信号がオンである期間にＲＧＢデータ信号を印加することで、ＲＧＢデータが画素回路の各容量性素子に正しく記憶できるようにする。すなわち、ＲＧＢデータが画素回路の各容量性素子に印加される前に各容量性素子を第１電源電圧線ＶＤＤの第１電源電圧によって初期化させることで、新しいＲＧＢデータ信号が前記容量性素子に正しく記憶できるようにする効果を有する。
【００８６】
さらに、デマルチプレクサを使ってＲＧＢデータ信号を印加する本発明の実施形態に係る駆動方法においては、非発光期間におけるホワイトバランス補償期間の間に最も発光効率の良い緑色（Ｇ）有機電界発光素子に最も長い時間電流を流し、次には赤色（Ｒ）、その次には青色（Ｂ）の順にホワイトバランシング期間を設けることで、同じ輝度レベルを具現することができる。
【００８７】
つまり、発光期間中にホワイトバランス補償期間を設けることで、時間が経つにつれてホワイトバランスが変わって所望の色を再現することができなくなる問題を改善する効果を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００８８】
以下、当業者が本発明を容易に実施できる程度に本発明の望ましい実施形態を添付した図面を用いて詳細に説明する。
【００８９】
本発明を明確に説明するために、添付された図面においては、発明と関係ない部分は省略した。また、明細書の全体に亘って類似の構成および動作を有する部分に対しては同じ符号を付した。ある部分が他の部分と電気的に接続されているとするとき、直接電気的に接続されている場合だけでなく、他の素子を介して接続されている場合も含む。
【００９０】
図４は、本発明に係る有機電界発光表示装置の構成をブロック図として示したものである。
【００９１】
図４に示すように、有機電界発光表示装置１００は走査信号駆動部１１０、データ信号駆動部１２０、発光制御信号駆動部１３０、有機電界発光表示パネル１４０（以下、パネル１４０という。）、第１電源電圧供給部１５０および第２電源電圧供給部１６０を含むことができる。
【００９２】
走査信号駆動部１１０は、多数の走査線Ｓ［１］…Ｓ［Ｎ］を通じて前記パネル１４０に走査信号を順次供給することができる。
【００９３】
データ信号駆動部１２０は、多数のデータ線Ｄ［１］…Ｄ［Ｍ］を通じて前記パネルにデータ信号を供給することができる。
【００９４】
発光制御信号駆動部１３０は、多数の発光制御線ＥＭ［１］…ＥＭ［Ｎ］を通じて前記パネル１４０に発光制御信号を順次供給することができる。
【００９５】
また、パネル１４０は列方向に配列されている多数の走査線Ｓ［１］…Ｓ［Ｎ］および発光制御線ＥＭ［１］…ＥＭ［Ｎ］と、行方向に配列されている多数のデータ線Ｄ［１］…Ｄ［Ｍ］と、走査線Ｓ［１］…Ｓ［Ｎ］、発光制御線ＥＭ［１］…ＥＭ［Ｎ］およびデータ線Ｄ［１］…Ｄ［Ｍ］によって正義される画素回路１４２（Ｐｉｘｅｌ）を含むことができる。
【００９６】
ここで、画素回路１４２は走査線とデータ線とによって定義される画素領域に形成できる。上述したように、走査線Ｓ［１］…Ｓ［Ｎ］には走査信号駆動部１１０から走査信号が供給され、データ線Ｄ［１］…Ｄ［Ｍ］にはデータ駆動部１２０からデータ信号が供給され、発光制御信号線ＥＭ［１］…ＥＭ［Ｎ］には発光制御信号駆動部１３０から発光制御信号が供給されることができる。
【００９７】
また、第１電源電圧供給部１５０、第２電源電圧供給部１６０はパネル１４０に備えられた各画素回路１４２に第１電源電圧、第２電源電圧を供給する。
【００９８】
図４に示すように、走査信号駆動部１１０、データ信号駆動部１２０、発光制御信号駆動部１３０、パネル１４０、第１電源電圧供給部１５０および第２電源電圧供給部１６０は１つの基板１０２にすべて形成できる。
【００９９】
特に、前述した駆動部１１０、１２０、１３０および供給部１５０、１６０は、走査線Ｓ［１］…Ｓ［Ｎ］、データ線Ｄ［１］…Ｄ［Ｍ］、発光制御線ＥＭ［１］…ＥＭ［Ｎ］および画素回路１４２のトランジスタ（図示せず）を形成する層と同じ層に形成されることもできる。駆動部１１０、１２０、１３０および電源供給部１５０、１６０は前記基板１０２と別に他の基板（図示せず)に形成し、これを前記基板１０２と電気的に接続することもできる。さらに、駆動部１１０、１２０、１３０および電源供給部１５０、１６０は、基板１０２に電気的に接続されるＴＣＰ（Ｔａｐｅ  Ｃａｒｒｉｅｒ  Ｐａｃｋａｇｅ）、ＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）、ＴＡＢ（Ｔａｐｅ  Ａｕｔｏｍａｔｉｃ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）およびこれらと等価の物のうち選択されたいずれか１つの形態で形成することができ、本発明において駆動部１１０、１２０、１３０および電源供給部１５０、１６０の形態および形成位置は限定されるものではない。
【０１００】
図５は、本発明の有機電界発光装置の実施形態に係る画素回路の回路図を示したものである。以下説明する画素回路はすべて図４に開示された有機電界発光表示装置１００のうちの１つの画素回路を意味する。
【０１０１】
図５に示すように、本発明に係る有機電界発光表示装置の画素回路は、走査線Ｓ［Ｎ］、データ線Ｄ［Ｍ］、発光制御線ＥＭ［Ｎ］、第１電源電圧線ＶＤＤ、第２電源電圧線ＶＳＳ、第１スイッチング素子ＳＷ＿ＴＲ１、第２スイッチング素子ＳＷ＿ＴＲ２、駆動トランジスタＤＲ＿ＴＲ、第１容量性素子Ｃ１、第２容量性素子Ｃ２および有機電界発光素子ＯＬＥＤを含むことができる。
【０１０２】
走査線Ｓ［Ｎ］は、オンさせようとする有機電界発光素子ＯＬＥＤを選択する走査信号を第１スイッチング素子ＳＷ＿ＴＲ１の制御電極に供給する役割をする。このような走査線Ｓ［Ｎ］は走査信号を生成する走査信号駆動部（１１０、図４参照）と電気的に接続され得る。
【０１０３】
データ線Ｄ［Ｍ］は、発光輝度に比例するデータ信号（電圧）を第１容量性素子Ｃ１の第２電極、第２容量性素子Ｃ２の第２電極および駆動トランジスタＤＲ＿ＴＲの制御電極に供給する。データ線Ｄ［Ｍ］は、データ信号を生成するデータ信号駆動部１２０（図４参照）と電気的に接続され得る。
【０１０４】
発光制御線ＥＭ［Ｎ］は、第２スイッチング素子ＳＷ＿ＴＲ２の制御電極と電気的に接続され、発光制御信号を供給する。発光制御信号によって第２スイッチング素子ＳＷ＿ＴＲ２がターンオンされると、第１電源電圧線ＶＤＤから第１電源電圧が第１容量性素子Ｃ１の第１電極、第２容量性素子Ｃ２の第１電極および駆動トランジスタＤＲ＿ＴＲの第１電極に印加される。発光制御線ＥＭ［Ｎ］は、発光制御信号を生成する発光制御信号駆動部１３０（図４参照）と電気的に接続され得る。
【０１０５】
第１電源電圧線ＶＤＤは、第１電源電圧を有機電界発光素子ＯＬＥＤに供給する。第１電源電圧線ＶＤＤは、第１電源電圧を供給する第１電源電圧供給部１５０（図４参照）と電気的に接続され得る。
【０１０６】
第２電源電圧線ＶＳＳは、第２電源電圧を有機電界発光素子ＯＬＥＤに供給する。第２電源電圧線ＶＳＳは第２電源電圧を供給する第２電源電圧供給部１６０（図４参照）と電気的に接続され得る。ここで、第１電源電圧は、通常第２電源電圧に比べて高い電位であり得る。第２電源電圧は接地電位を用いることができる。
【０１０７】
第１スイッチング素子ＳＷ＿ＴＲ１は、第１電極（ソースまたはドレイン電極）がデータ線Ｄ［Ｍ］と電気的に接続され、第２電極（ソースまたはドレイン電極）が駆動トランジスタＤＲ＿ＴＲの制御電極（ゲート電極）、第１容量性素子Ｃ１の第２電極および第２容量性素子Ｃ２の第２電極と電気的に繋がれ、制御電極（ゲート電極）が前記走査線Ｓ［Ｎ］と電気的に接続され得る。第１スイッチング素子ＳＷ＿ＴＲ１はＰ型チャネルトランジスタであることができ、走査線Ｓ［Ｎ］を通じて制御電極にローレベルの走査信号が印加されることによりターンオンされると、データ線Ｄ［Ｍ］を通じて印加されたデータ電圧を、第１容量性素子Ｃ１の第２電極、第２容量性素子Ｃ２の第２電極および駆動トランジスタＤＲ＿ＴＲの制御電極に印加する。
【０１０８】
駆動トランジスタＤＲ＿ＴＲは、第１電極が第２容量性素子Ｃ２の第１電極および第２スイッチング素子ＳＷ＿ＴＲ２の第２電極と電気的に接続され、第２電極が有機電界発光素子ＯＬＥＤのアノード電極と電気的に接続され、制御電極が第１スイッチング素子ＳＷ＿ＴＲ１の第２電極、第１容量性素子Ｃ１の第２電極および第２容量性素子Ｃ２の第２電極と電気的に接続され得る。このような、駆動トランジスタＤＲ＿ＴＲはＰ型チャネルトランジスタであり得る。駆動トランジスタＤＲ＿ＴＲは、制御電極を通じてローレベルの信号が印加されることによりターンオンされると、第１電源電圧線ＶＤＤから一定量の電流を有機電界発光素子ＯＬＥＤに供給する。データ信号は容量性素子に供給されて記憶されるので、第１スイッチング素子ＳＷ＿ＴＲ１がターンオフされてデータ線Ｄ［Ｍ］との電気的接続が切断されても、一定期間は容量性素子に記憶された電圧によって駆動トランジスタＤＲ＿ＴＲの制御電極にローレベルの信号が印加され続ける。
【０１０９】
ここで、駆動トランジスタＤＲ＿ＴＲは、非晶質シリコン薄膜トランジスタ、ポリシリコン薄膜トランジスタ、有機薄膜トランジスタ、ナノ薄膜トランジスタおよびそれらと等価の物のうちの選択されたいずれか１つであり得るが、その材質または種類は限定されない。
【０１１０】
また、駆動トランジスタＤＲ＿ＴＲがポリシリコン薄膜トランジスタである場合、結晶化方法としてはエキシマレーザー（Ｅｘｃｉｍｅｒ  Ｌａｓｅｒ）を使ったレーザー結晶化方法（ＥＬＡ）と、金属触媒（Ｐｒｏｍｏｔｉｎｇ  Ｍａｔｅｒｉａｌ）を使った金属触媒結晶化方法（ＭＩＣ：Ｍｅｔａｌ  Ｉｎｄｕｃｅｄ  Ｃｒｙｓｔａｌｉｚａｔｉｏｎ）と、固相結晶化方法（ＳＰＣ：Ｓｏｌｉｄ  Ｐｈａｓｅ  Ｃｒｙｓｔａｌｉｚａｔｉｏｎ）、高温高湿な雰囲気で結晶化を進行する高圧結晶化方法（ＨＰＡ：Ｈｉｇｈ  Ｐｒｅｓｓｕｒｅ  Ａｎｎｅａｌｉｎｇ）および従来のレーザー結晶化方法にマスクを追加して使うＳＬＳ（Ｓｅｑｕｅｎｔｉａｌ  Ｌａｔｅｒａｌ  Ｓｏｌｉｄｆｉｃａｔｉｏｎ）方法がある。また、非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）と多結晶シリコン（Ｐｏｌｙ  Ｓｉｌｉｃｏｎ）の中間の大きさの結晶粒を有するマイクロシリコン（ｍｉｃｒｏ  Ｓｉｌｉｃｏｎ）がある。
【０１１１】
マイクロシリコンは、通常結晶粒の大きさが１ｎｍないし１００ｎｍであるものをいう。マイクロシリコンの電子移動度は１から５０以下であり正孔移動度は０．０１から０．２以下であることが特徴である。ここで、電子移動度の単位はｃｍ２/（Ｖ・ｓ）である。マイクロシリコンは、前記多結晶シリコンに比べて結晶粒が小さいことが特徴であって、ポリシリコンに比べて結晶粒間の突出部領域が小さく形成されるため結晶粒間に電子が移動するときの障害となりにくく、均一な特性を示す。マイクロシリコンの結晶化方法には、一般的に、熱結晶化方法（Ｔｈｅｒｍａｌ  Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ  Ｍｅｔｈｏｄ）とレーザー結晶化方法（Ｌａｓｅｒ  Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ  Ｍｅｔｈｏｄ）がある。前記熱結晶化方法には非晶質シリコンを蒸着すると同時に結晶化構造を得る方法と再加熱（Ｒｅｈｅａｔｉｎｇ）方法がある。
【０１１２】
本発明に用いられるトランジスタが薄膜トランジスタＴＦＴの場合、前記の結晶化方法およびそれと等価である方法のうち選択されたいずれか１つの方法によって形成されることができるが、本発明に用いられるトランジスタがポリシリコン薄膜トランジスタの場合、その製造方法は、前記の結晶化方法またはそれと等価である方法に限られない。
【０１１３】
レーザー結晶化方法は、薄膜トランジスタを多結晶シリコン（Ｐｏｌｙ  Ｓｉｌｉｃｏｎ）に結晶化する方法のうち最も多く用いられている方法である。既存の多結晶液晶表示装置に用いられる結晶化方法をそのまま用いることができるだけでなく、工程が簡単であり、工程に関する技術開発が完了しているからである。
【０１１４】
金属触媒結晶化方法は、レーザー結晶化方法を使わずに低温で結晶化できる方法のうちの１つである。非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）表面に金属触媒金属であるＮｉ、Ｃｏ、Ｐｄ、Ｔｉなどを蒸着あるいはスピンコートすると、金属触媒金属は非晶質シリコンの表面に直接浸透する。この金属触媒結晶化方法は、非晶質シリコンの相を変化させながら、低温にて結晶化できるという長所がある。
【０１１５】
また、金属触媒結晶化方法は、非晶質シリコン表面に金属層を積層する際に、マスクを用いることによって、薄膜トランジスタの特定領域にニッケルシリサイドのような汚染物が介在することを最大限に抑制することができるといった長所がある。前記結晶化方法を金属触媒誘導側面結晶化方法（ＭＩＬＣ：Ｍｅｔａｌ  Ｉｎｄｕｃｅｄ  Ｌａｔｅｒａｌ  Ｃｒｙｓｔａｌｉｚａｔｉｏｎ）と言う。前記金属触媒誘導側面結晶化方法に用いられるマスクとしては、シャドー（Ｓｈａｄｏｗ）マスクが用いられるが、シャドーマスクは線形マスク（Ｌｉｎｅａｒ  Ｍａｓｋ）あるいは点型マスク（Ｄｏｔ  Ｓｈａｐｅｄ  Ｍａｓｋ）であり得る。
【０１１６】
金属触媒結晶化方法には、さらに、非晶質シリコン表面に金属触媒層を蒸着あるいはスピンコートする際に、キャッピング層（Ｃａｐｐｉｎｇ  Ｌａｙｅｒ）をまず介在させて非晶質シリコンに流入される金属触媒量をコントロールする金属触媒誘導キャッピング層結晶化方法（ＭＩＣＣ：Ｍｅｔａｌ  Ｉｎｄｕｃｅｄ  Ｃｒｙｓｔａｌｉｚａｔｉｏｎ  ｗｉｔｈ  Ｃａｐｐｉｎｇ  Ｌａｙｅｒ）がある。キャッピング層としては、シリコン窒化膜（Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｎｉｔｒｉｄｅ）を使うことができる。シリコン窒化膜の厚さに応じて金属触媒層から非晶質シリコンに流入される金属触媒量が変わる。このとき、シリコン窒化膜に流入する金属触媒はシリコン窒化膜の全体に形成されることもでき、シャドーマスクなどを用いて選択的に形成されることもできる。金属触媒層が、非晶質シリコンを多結晶シリコンに結晶化した後、選択的に前記キャッピング層を除去することができる。キャッピング層の除去方法には、湿式エッチング方法（Ｗｅｔ  Ｅｃｔｈｉｎｇ）方法あるいは乾式エッチング方法（Ｄｒｙ  Ｅｃｔｈｉｎｇ）を使うことができる。多結晶シリコンが形成された後、ゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する。ゲート電極上に層間絶縁膜（Ｉｎｔｅｒｌａｙｅｒ  Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｌａｙｅｒ）を形成することができる。層間絶縁膜上にビアホール（Ｖｉａ  Ｈｏｌｅ）を形成した後、不純物を、ビアホールを通して結晶化された多結晶シリコン上に投入して、内部に形成された金属触媒不純物を追加的に除去することができる。金属触媒不純物を追加的に除去する方法をゲッタリング工程（Ｇａｔｔｅｒｉｎｇ  Ｐｒｏｃｅｓｓ）と言う。ゲッタリング工程には、前記不純物を注入する工程の他、低温で薄膜トランジスタを加熱する加熱工程（Ｈｅａｔｉｎｇ  Ｐｒｏｃｅｓｓ）がある。ゲッタリング工程を通じて良質の薄膜トランジスタの形成を実現することができる。
【０１１７】
さらに、金属触媒結晶化方法によって駆動トランジスタＤＲ＿ＴＲが製造された場合、駆動トランジスタＤＲ＿ＴＲにはニッケル（Ｎｉ）、カドミウム（Ｃｄ）、コバルト（Ｃｏ）、チタニウム（Ｔｉ）、パラジウム（Ｐｄ）、タングステン（Ｗ）、アルミニウムＡｌおよびその等価物のうち選択されたいずれか１つがさらに含まれることができる。
【０１１８】
有機電界発光素子ＯＬＥＤは、アノード電極が駆動トランジスタＤＲ＿ＴＲの第２電極と電気的に接続され、カソード電極が第２電源電圧線ＶＳＳと電気的に接続され得る。有機電界発光素子ＯＬＥＤは第２スイッチング素子ＳＷ＿ＴＲ２がターンオンされている間に、駆動トランジスタＤＲ＿ＴＲを通じて制御される電流によって所定の明るさで発光する。
【０１１９】
ここで、有機電界発光素子ＯＬＥＤは発光層（図示せず）を備え、発光層は蛍光材料、燐光材料、その混合物およびその等価物のうち選択されたいずれか１つであり得る。しかし、発光層の材質または種類は限定されない。
【０１２０】
また、発光層は赤色発光材料、緑色発光材料、青色発光材料、その混合物質およびその等価物のうち選択されたいずれか１つであり得るが、その材質または種類は限定されない。
【０１２１】
第２スイッチング素子ＳＷ＿ＴＲ２はその第１電極が第１電源電圧線ＶＤＤおよび第１容量性素子Ｃ１の第１電極と電気的に接続され、第２電極が第２容量性素子Ｃ２の第１電極および駆動トランジスタＤＲ＿ＴＲの第１電極と電気的に接続され、制御電極が発光制御線ＥＭ［Ｎ］と電気的に接続され得る。このような第２スイッチング素子ＳＷ＿ＴＲ２はＰ型チャネルトランジスタであることができ、その場合は、発光制御線ＥＭ［Ｎ］を通じて制御電極にローレベルの信号が印加されると、ターンオンされて第１電源電圧線ＶＤＤからの電流を有機電界発光素子ＯＬＥＤに流す。
【０１２２】
第１容量性素子Ｃ１は、その第１電極が第１電源電圧線ＶＤＤおよび第２スイッチング素子ＳＷ＿ＴＲ２の第１電極と電気的に接続され、第２電極が第２容量性素子Ｃ２の第２電極、第１スイッチング素子ＳＷ＿ＴＲ１の第２電極および駆動トランジスタＤＲ＿ＴＲの制御電極と電気的に接続され得る。
【０１２３】
第２容量性素子Ｃ２は、その第１電極が第２スイッチング素子ＳＷ＿ＴＲ２の第２電極および駆動トランジスタＤＲ＿ＴＲの第１電極と電気的に接続され、第２電極が第１容量性素子Ｃ１の第２電極、第１スイッチング素子ＳＷ＿ＴＲ１の第２電極および駆動トランジスタの制御電極と電気的に接続され得る。
【０１２４】
これらの容量性素子は、データ信号電圧および駆動トランジスタの閾値電圧を一定期間維持し、発光制御線ＥＭ［Ｎ］によって第２スイッチング素子ＳＷ＿ＴＲ２の制御電極にローレベルの信号が印加されてターンオンされると、データ信号の大きさに比例する電流を第１電源電圧線から有機電界発光素子に流して有機電界発光素子を発光させる。また、第１容量性素子と第２容量性素子の比率（Ｃ１：Ｃ２）を多様に調節することで、後述するＩＲ−ＤＲＯＰの補償または駆動トランジスタの閾値電圧補償などの効果を有することができる。
【０１２５】
ここで、第１スイッチング素子ＳＷ＿ＴＲ１、駆動トランジスタＤＲ＿ＴＲ、第２スイッチング素子ＳＷ＿ＴＲ２はすべてＰ型チャネルトランジスタおよびそれらと等価である物のうち選択されたいずれか１つであり得るが、ここでそのトランジスタの種類は限定されない。
【０１２６】
図６は、図５に示した画素回路の駆動タイミング図を示したものである。図６に示したように、本発明による有機電界発光表示装置の画素回路は、１フレームを第１期間、第２期間および第３期間に分けることができる。具体的には、１フレームはデータ書き込み期間Ｔ１、駆動トランジスタの閾値電圧を記憶する期間である閾値電圧記憶期間Ｔ２および発光期間Ｔ３からなり得る。データ書き込み期間Ｔ１および駆動トランジスタの閾値電圧記憶期間Ｔ２と発光期間Ｔ３の比率は多様であり得るが、望ましくは、発光期間Ｔ３に比べて前記データ書き込み期間Ｔ１および駆動トランジスタの閾値電圧記憶期間Ｔ２は短い方が良い。
【０１２７】
図７には図５に示された画素回路のデータ書き込み期間Ｔ１における電流の流れを示した。ここで、画素回路の動作を図６のタイミング図を用いて説明する。
【０１２８】
まず、第１スイッチング素子ＳＷ＿ＴＲ１の制御電極に走査線Ｓ［Ｎ］からローレベルの走査信号が印加されることにより第１スイッチング素子ＳＷ＿ＴＲ１がターンオンされ、第２スイッチング素子ＳＷ＿ＴＲ２の制御電極に発光制御線ＥＭ［Ｎ］のローレベルの信号が印加されることにより第２スイッチング素子ＳＷ＿ＴＲ２がターンオンされる。
【０１２９】
第１スイッチング素子ＳＷ＿ＴＲ１がターンオンされることによってデータ線Ｄ［Ｍ］のデータ電圧Ｖｄａｔａが第１スイッチング素子ＳＷ＿ＴＲ１の第１電極から第２電極方向に伝わり、第１スイッチング素子ＳＷ＿ＴＲ１の第２電極、第１容量性素子Ｃ１の第２電極、第２容量性素子Ｃ２の第２電極および駆動トランジスタＤＲ＿ＴＲの制御電極にデータ電圧Ｖｄａｔａが印加される。
【０１３０】
このとき、第２スイッチング素子ＳＷ＿ＴＲ２がターンオンされることによって第１電源電圧線ＶＤＤから第１電源電圧が第２スイッチング素子ＳＷ＿ＴＲ２の第１電極から第２電極方向に伝達される。したがって、第２スイッチング素子ＳＷ＿ＴＲ２の第２電極、第２容量性素子Ｃ２の第１電極および前記駆動トランジスタＤＲ＿ＴＲの第１電極に第１電源電圧が印加される。  また、第１電源電圧線ＶＤＤの第１電源電圧は、第１容量性素子Ｃ１の第１電極にも印加される。
【０１３１】
データ書き込み期間Ｔ１の間は、駆動トランジスタＤＲ＿ＴＲはターンオフされた状態であって有機電界発光素子ＯＬＥＤに電流は流れないので、有機電界発光素子ＯＬＥＤは発光しない。
【０１３２】
言い換えると、データ書き込み期間Ｔ１においては、駆動トランジスタＤＲ＿ＴＲの制御電極（ゲート電極）、第２容量性素子Ｃ２の第２電極、第１容量性素子Ｃ１の第２電極にＶｄａｔａの電圧が印加され（Ｖｇ＝Ｖｄａｔａ）、駆動トランジスタＤＲ＿ＴＲの第１電極（ソース電極）、第２容量性素子Ｃ２の第１電極および第１容量性素子Ｃ１の第１電極にＶＤＤの電圧が印加される（Ｖｓ＝ＶＤＤ）。したがって、容量性素子によって第１電源電圧ＶＤＤからデータ電圧Ｖｄａｔａを引いた値ほどの電圧（ＶＤＤ−Ｖｄａｔａ）がこれらの容量性素子に一定期間記憶される。
【０１３３】
図８には図５に示された画素回路の駆動トランジスタの閾値電圧記憶期間Ｔ２における電流の流れを示した。ここで、画素回路の動作を図６のタイミング図を用いて説明する。
【０１３４】
まず、第１スイッチング素子ＳＷ＿ＴＲ１の制御電極に走査線Ｓ［Ｎ］からローレベルの走査信号が印加されることにより第１スイッチング素子ＳＷ＿ＴＲ１がターンオンされ、第２スイッチング素子ＳＷ＿ＴＲ２の制御電極に発光制御線ＥＭ［Ｎ］のハイレベルの信号が印加されることで第２スイッチング素子ＳＷ＿ＴＲ２がターンオフする。
【０１３５】
第１スイッチング素子ＳＷ＿ＴＲ１がターンオンすることによってデータ線Ｄ［Ｍ］のデータ電圧Ｖｄａｔａが第１スイッチング素子ＳＷ＿ＴＲ１の第１電極から第２電極の方向に伝達され、第１スイッチング素子ＳＷ＿ＴＲ１の第２電極、第１容量性素子Ｃ１の第２電極、第２容量性素子Ｃ２の第２電極および駆動トランジスタＤＲ＿ＴＲの制御電極にデータ電圧Ｖｄａｔａが印加される。
【０１３６】
このとき、第２スイッチング素子ＳＷ＿ＴＲ２がターンオフされることによって、第１電源電圧線ＶＤＤからの第１電源電圧は第１容量性素子Ｃ１の第１電極だけに印加される。
【０１３７】
この閾値電圧記憶期間Ｔ２においては、駆動トランジスタＤＲ＿ＴＲはターンオフされた状態であって有機電界発光素子ＯＬＥＤに電流は流れなくなるので、有機電界発光素子ＯＬＥＤは発光しない。
【０１３８】
言い換えると、駆動トランジスタの閾値電圧保存期間Ｔ２においては、駆動トランジスタＤＲ＿ＴＲの制御電極（ゲート電極）、第２容量性素子Ｃ２の第２電極、第１容量性素子Ｃ１の第２電極にＶｄａｔａの電圧が印加され（Ｖｇ＝Ｖｄａｔａ）、第１容量性素子Ｃ１の第１電極にＶＤＤの電圧が印加される。したがって、第１容量性素子Ｃ１には前記第１電源電圧ＶＤＤから前記データ電圧を引いた値（ＶＤＤ−Ｖｄａｔａ）が一定期間記憶される。
【０１３９】
このとき、駆動トランジスタＤＲ＿ＴＲの第１電極（ソース電極）の電圧Ｖｓはデータ電圧Ｖｄａｔａに駆動トランジスタＤＲ＿ＴＲの閾値電圧Ｖｔｈを加えた値であって（Ｖｓ＝Ｖｄａｔａ＋Ｖｔｈ）、第２容量性素子Ｃ２には駆動トランジスタＤＲ＿ＴＲの第１電極電圧（ソース電極電圧、Ｖｓ＝Ｖｄａｔａ＋Ｖｔｈ）から駆動トランジスタＤＲ＿ＴＲの制御電極電圧（ゲート電極電圧、Ｖｇ＝Ｖｄａｔａ）を引いた値Ｖｔｈが一定期間保存される。
【０１４０】
図６の駆動タイミング図に示す通り、第２期間Ｔ２と第３期間Ｔ３の間の期間においては、第１スイッチング素子ＳＷ＿ＴＲ１の制御電極に走査線Ｓ［Ｎ］からハイレベルの信号が印加されることにより、第１スイッチング素子ＳＷ＿ＴＲ１がターンオフされ、第２スイッチング素子ＳＷ＿ＴＲ２の制御電極に発光制御線ＥＭ［Ｎ］からハイレベルの信号が印加されることで第２スイッチング素子ＳＷ＿ＴＲ２がターンオフされる。したがって、この期間においては、第２期間Ｔ２において容量性素子に保存された電圧値がそのまま維持される。
【０１４１】
図９において図５に示した画素回路の発光期間Ｔ３における電流の流れを示した。ここで、画素回路の動作を図６の駆動タイミング図を用いて説明する。
【０１４２】
まず、第１スイッチング素子ＳＷ＿ＴＲ１の制御電極に走査線Ｓ［Ｎ］からハイレベルの信号が印加されることで前記第１スイッチング素子ＳＷ＿ＴＲ１がターンオフされ、第２スイッチング素子ＳＷ＿ＴＲ２の制御電極に発光制御線ＥＭ［Ｎ］のローレベルの信号が印加されることで前記第２スイッチング素子ＳＷ＿ＴＲ２がターンオンされる。
【０１４３】
また、第１スイッチング素子ＳＷ＿ＴＲ１がターンオフされることによって、データ線Ｄ［Ｍ］のデータ電圧Ｖｄａｔａが画素回路に印加されなくなる。
【０１４４】
このとき、第２スイッチング素子ＳＷ＿ＴＲ２がターンオンされることによって第１電源電圧線ＶＤＤから第１電源電圧が第２スイッチング素子ＳＷ＿ＴＲ２の第１電極から第２電極の方向に伝達され、駆動トランジスタＤＲ＿ＴＲの第１電極（ソース電極）に第１電源電圧が印加される。発光期間Ｔ３においては、第１電源電圧ＶＤＤから第２電源電圧線ＶＳＳの方向に、有機電界発光素子ＯＬＥＤを通じて電流が流れることができるようになり、有機電界発光素子ＯＬＥＤを発光させる。
【０１４５】
発光期間Ｔ３においては、駆動トランジスタＤＲ＿ＴＲの第１電極（ソース電極）の電圧ＶｓはＶＤＤになり、駆動トランジスタＤＲ＿ＴＲの制御電極（ゲート電極）の電圧Ｖｇおよび駆動トランジスタＤＲ＿ＴＲのソース−ゲート間電圧Ｖｓｇは下記数１のようになる。
【０１４６】
【数１】
2008176272.tif 000003
【０１４７】
このとき、有機電界発光素子ＯＬＥＤに流れる電流は後述する下記数２のようになる。
【０１４８】
【数２】
2008176272.tif 000004
【０１４９】
すなわち、本発明は第２期間Ｔ２において第２容量性素子Ｃ２に駆動トランジスタＤＲ＿ＴＲの閾値電圧Ｖｔｈを記憶した後、発光期間Ｔ３においてデータ電圧ＶｄａｔａおよびＣ１とＣ２の比によってデータを表現することを特徴とする。
【０１５０】
このとき、最適のＣ１とＣ２の比率はそれぞれの画素回路に含まれた駆動トランジスタの閾値電圧Ｖｔｈのバラツキによって変わる。例えば、有機電界発光表示装置のパネル（ｐａｎｅｌ）において、閾値電圧Ｖｔｈのバラツキが０．１Ｖであれば画質上の問題がないと言えるが、工程の閾値電圧Ｖｔｈのバラツキが０．５Ｖである場合なら画質上の問題が発生するおそれがある。この場合、Ｃ１とＣ２の比率を１対５にすれば（Ｃ１：Ｃ２＝１：５）、工程の閾値電圧Ｖｔｈの散布は０．５Ｖであってもパネルにて感知される閾値電圧Ｖｔｈのバラツキは０．１Ｖより小さくし得る。従って、画質上の問題を解消することができる。
【０１５１】
Ｃ２の値をＣ１の値より相当大きくする場合（Ｃ２＞＞Ｃ１）、Ｃ２／（Ｃ１＋Ｃ２）は近似的に１になる。この場合、前記数１のＶｓｇの値はＶｔｈだけが残る。そして、この値を前記数２のＩＯＬＥＤに代入して考えてみると、有機電界発光素子ＯＬＥＤに流れる電流に駆動トランジスタの閾値電圧Ｖｔｈ値が補償されることができる。
【０１５２】
ただし、Ｃ２の値がＣ１の値より大き過ぎてＣ２／（Ｃ１＋Ｃ２）が１になるなら、ＶｓｇはＶｔｈになって、この場合データ電圧Ｖｄａｔａがいくら変わっても駆動トランジスタＤＲ＿ＴＲのＶｓｇはＶｔｈであり、数２から分かるように有機電界発光素子の電流式にデータ電圧Ｖｄａｔａが現れなくなって、データ電圧Ｖｄａｔａによって所望の電流を発生させることができなくなるという問題がある。すなわち、これは、データ範囲（ｄａｔａ  ｒａｎｇｅ）が無限大に増えるということを意味する。そうといっても、Ｃ１の値をＣ２の値より非常に大きく調整すればＣ２／（Ｃ１＋Ｃ２）が近似的に０となって数式１のＶｓｇはＶＤＤ−Ｖｄａｔａになり、この場合データ電圧Ｖｄａｔａによって所望の電流を発生させることはできるが、駆動トランジスタＤＲ＿ＴＲの閾値電圧Ｖｔｈの補償や、第１電源電圧線ＶＤＤの電圧降下（ＩＲ−ＤＲＯＰ）の補償が正しくできないこともある。
【０１５３】
従って、本発明による有機電界発光表示装置はＣ１とＣ２の比を適切に調節することで、駆動トランジスタＤＲ＿ＴＲの閾値電圧Ｖｔｈおよび第１電源電圧線ＶＤＤによる電圧降下（ＩＲ−ＤＲＯＰ）を補償することができる。例えば、Ｃ２／（Ｃ１＋Ｃ２）が０．５であるとすると、Ｖｓｇ＝ＶＤＤ−Ｖｄａｔａ−０．５ＶＤＤ＋０．５Ｖｄａｔａ＋０．５Ｖｔｈとなってデータ範囲（ｄａｔａ  ｒａｎｇｅ）は２倍増加し、駆動トランジスタＤＲ＿ＴＲの閾値電圧Ｖｔｈおよび第１電源電圧線ＶＤＤの電圧降下（ＩＲ−ＤＲＯＰ）の影響は半分に減少させることができる。すなわち、望ましくはＣ２の値をＣ１の値より大きく調整して、駆動トランジスタＤＲ＿ＴＲの閾値電圧Ｖｔｈおよび第１電源電圧線ＶＤＤの電圧降下（ＩＲ−ＤＲＯＰ）の影響を最小化させることができる。
【０１５４】
また、従来の駆動トランジスタの閾値電圧および第１電源電圧線の電圧降下の補償のための回路は、本発明による画素回路よりさらに多い数の素子を要していたため高集積化が困難であった。しかし、本発明による画素回路の場合、３個のトランジスタと２個の容量性素子だけで構成されることで、高集積化を可能とし、これにより、高解像度の有機電界発光表示装置を実現することができる。
【０１５５】
さらに、一般に駆動トランジスタの閾値電圧を補償する回路の場合、駆動トランジスタの制御電極（ゲート電極）から負電源の方にパスが形成され、漏洩電流が流れていた。ここで漏洩電流（駆動トランジスタのｏｆｆ  ｃｕｒｒｅｎｔ）が大きい場合には、黒色イメージ（Ｂｌａｃｋ  ｉｍａｇｅ）を表現しなければならないのに漏洩電流が有機電界発光素子ＯＬＥＤに流入されて不適切な発光が起きることがある。そして、パネル内において、駆動トランジスタが有する漏洩（Ｌｅａｋａｇｅ）特性はすべて異なるため、黒色イメージを表現しなければならない場合であるにもかかわらず、漏洩特性の大きいいくつかの画素が発光することがある。このような現象は、駆動トランジスタにリバースエイジング（Ｒｅｖｅｒｓｅ  ａｇｉｎｇ）を加えると駆動トランジスタの漏洩電流が減少され、上述した不適切な発光現象を減少させることができる。しかし、本発明による画素回路においては、３個のトランジスタと２個の容量性素子で構成され、駆動トランジスタの制御電極からネガティブ電源の方に漏洩電流が流れられるパスが存在しないため、上述した駆動トランジスタのリバースエイジングを加える必要がなくなる。
【０１５６】
データ書き込み期間Ｔ１および駆動トランジスタの閾値電圧保存期間Ｔ２は、発光期間Ｔ３より短くして有機電界発光素子ＯＬＥＤが発光する時間を長くすることが望ましい。
【０１５７】
図１０は本発明の有機電界発光表示装置の他の実施形態に係る画素回路を示したものである。図１０に示した画素回路は、図５に示した画素回路と類似しているが、図１０に示された画素回路においては、図５に示された画素回路に対し、発光制御スイッチング素子ＥＭ＿ＴＲをさらに含む。
【０１５８】
発光制御スイッチング素子ＥＭ＿ＴＲは、制御電極が発光制御線ＥＭ［Ｎ］と電気的に接続され、第１電極が駆動トランジスタの第２電極と電気的に接続され、第２電極が有機電界発光素子ＯＬＥＤのアノード電極と電気的に接続されている。このような発光制御トランジスタは、第１電源電圧線ＶＤＤから第２電源電圧線ＶＳＳの方向に前記有機電界発光素子ＯＬＥＤを通じて流れる電流を制御することができる。すなわち、発光期間Ｔ３において、発光制御線ＥＭ［Ｎ］から発光制御スイッチング素子ＥＭ＿ＴＲの制御電極にローレベルの信号が印加されると、発光制御スイッチング素子ＥＭ＿ＴＲはターンオンされ、有機電界発光素子ＯＬＥＤを通じて第１電源電圧線ＶＤＤから第２電源電圧線ＶＳＳの方向に電流が流れることによって有機電界発光素子ＯＬＥＤは発光することができる。
【０１５９】
発光制御スイッチング素子ＥＭ＿ＴＲとしては、Ｐ型チャネルトランジスタを用いることができる。
【０１６０】
図１１は、本発明の実施形態に係るＲＧＢ画素回路とデマルチプレクサとの電気的接続関係を示したものである。
【０１６１】
本発明においてデマルチプレクサ１０００とは、有機電界発光表示装置のデータ信号駆動部においてＲＧＢデータ信号のそれぞれに対応するレイアウト構造を有するデマルチプレクサをいう。
【０１６２】
近年、高解像度が要求される趨勢に伴って有機電界発光表示装置のデータラインが増大し、これを駆動するデータ信号駆動部に含まれる集積回路（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）がより大規模になってきているという問題が生じている。このような問題を解決するために、データ信号駆動部の出力線数を減少させるデマルチプレクサが使われている。デマルチプレクサはデータ信号駆動部の出力線に共通で接続される多数のデータ信号供給用スイッチング素子を含み、このようなデータ信号供給用スイッチング素子はそれぞれ決まったデータラインと電気的に接続されている。これにより、デマルチプレクサはデータ信号供給用スイッチング素子の動作を通じてそれぞれのデータラインに順次データ信号を供給する。
【０１６３】
ここで、ＲＧＢはレッド（Ｒｅｄ、Ｒ）、グリーン（Ｇｒｅｅｎ、Ｇ）およびブルー（Ｂｌｕｅ、Ｂ）を意味する。図１１においては、デマルチプレクサ１０００に画素回路３個が電気的に接続されているが、その個数は、限定されるものではない。また、多数のデマルチプレクサを使ってデータ信号を画素回路に印加することができるが、そのデマルチプレクサの個数も限定されるものではない。
【０１６４】
デマルチプレクサ１０００は、それぞれレッドデータ線、グリーンデータ線およびブルーデータ線がそれぞれの画素回路のデータ線Ｄ［Ｍ］と電気的に接続されている。また、それぞれのＲＧＢデータ線には、ＲＧＢスイッチング素子ＳＷ＿ＴＲ３が電気的に接続されている。ＲＧＢスイッチング素子は、さらにレッドデータ線スイッチング素子ＳＷ＿ＴＲ３Ｒ、グリーンデータ線スイッチング素子ＳＷ＿ＴＲ３Ｇおよびブルーデータ線スイッチング素子ＳＷ＿ＴＲ３Ｂからなり得る。ＲＧＢスイッチング素子の制御電極には、それぞれＲＧＢ制御線ＣＲ、ＣＧ、ＣＢを通じてＲＧＢ制御信号が印加できる。このようなＲＧＢ制御信号ＣＲ、ＣＧ、ＣＢによってＲＧＢスイッチング素子がターンオンされると、データ信号駆動部からデマルチプレクサを通じてそれぞれのＲＧＢ画素回路に適するデータ信号（電圧）が印加できる。
【０１６５】
前記ＲＧＢスイッチング素子はＰ型チャネルトランジスタであり得るが、そのトランジスタの種類は限定されない。
【０１６６】
図１２および図１３は、図１１で示した本発明のＲＧＢ画素回路の２つの実施形態についてのおよび駆動タイミング図をそれぞれ示したものである。まず、図１２の駆動タイミング図を用いて、図１１に示した本発明に係るＲＧＢ画素回路の動作を説明する。
【０１６７】
ＲＧＢ画素回路に走査線Ｓ［Ｎ］を通じてローレベルの走査信号が印加されると、ＲＧＢ画素回路の各第１スイッチング素子ＳＷ＿ＴＲ１はターンオンされ、発光制御線ＥＭ［Ｎ］を通じてローレベルの発光制御信号が印加されると、ＲＧＢ画素回路の各第２スイッチング素子ＳＷ＿ＴＲ２はターンオンされることができる。
【０１６８】
このように、図１２に示された本発明の実施形態に係る有機電界発光表示装置の駆動方法は、上述したように、走査信号および発光制御信号がローレベルである期間において、ＲＧＢ制御線ＣＲ、ＣＧ、ＣＢを通じてローレベルの信号を印加してＲＧＢスイッチング素子ＳＷ＿ＴＲ３をターンオンさせる。したがって、前記期間中にＲＧＢデータ信号が印加されることができる。
【０１６９】
図１１に示したようにＰ型チャネルトランジスタを用いる場合には、ローレベルの信号が印加される場合ターンオンされるため前記のように説明したが、Ｎ型チャネルトランジスタを用いる場合にはハイレベルの信号が印加される際にターンオンされるなど、駆動タイミング図が異なることがあり、トランジスタの種類および駆動タイミング図によっては本発明の技術的思想は限定されない。
【０１７０】
次に、図１３の駆動タイミング図を参照して図１１に示された本発明によるＲＧＢ画素回路の動作を説明する。
【０１７１】
走査線Ｓ［Ｎ］を通じてハイレベルの走査信号が印加されると、ＲＧＢ画素回路の各第１スイッチング素子ＳＷ＿ＴＲ１はターンオフされ、発光制御線ＥＭ［Ｎ］を通じてローレベルの発光制御信号が印加されると、ＲＧＢ画素回路の各第２スイッチング素子ＳＷ＿ＴＲ２はターンオンされる。
【０１７２】
このように、図１３に示された本発明の実施形態に係る有機電界発光表示装置の駆動方法は、走査信号がハイレベルであって、発光制御信号がローレベルである期間においてＲＧＢ制御線ＣＲ、ＣＧ、ＣＢを通じてローレベルの信号を印加してＲＧＢスイッチング素子ＳＷ＿ＴＲ３をターンオンさせる。したがって、前記期間中にＲＧＢデータ信号が印加されることができる。
【０１７３】
ハイレベルの走査信号が画素回路の第１スイッチング素子ＳＷ＿ＴＲ１の制御電極に印加される場合、第１スイッチング素子ＳＷ＿ＴＲ１はターンオフされる。したがって、ターンオフの走査信号が印加される期間の間には、ＲＧＢデータ信号が前記画素回路の容量性素子に即印加されることはない。ただし、データ線Ｄ［Ｍ］に形成される寄生キャパシタＣｄによってデータ信号（電圧）を充電した後、ターンオンの走査信号が画素回路の第１スイッチング素子ＳＷ＿ＴＲ１の制御電極に印加されて第１スイッチング素子ＳＷ＿ＴＲ１がターンオンされると、第１スイッチング素子ＳＷ＿ＴＲ１を通じてデータ線Ｄ［Ｍ］に形成される寄生キャパシタＣｄによって充電されたデータ信号を即座に印加できる。前記寄生キャパシタンスＣｄは画素回路内の第１容量性素子Ｃ１および第２容量性素子Ｃ２のキャパシタンスより大きいことがあり得る。
【０１７４】
図１１に示したようにＰ型チャネルトランジスタを用いる場合には、ローレベルの信号が印加される場合にターンオンされるために前記のように説明したが、Ｎ型チャネルトランジスタを使う場合にはハイレベルの信号が印加される際にターンオンされるなど、駆動タイミング図が異なることがあり、トランジスタの種類および駆動タイミング図によっては本発明の技術的思想は限定されない。
【０１７５】
上述したように、走査線Ｓ［Ｎ］からローレベルの信号またはハイレベルの信号が印加されるか否かにかかわらず、発光制御線ＥＭ［Ｎ］からローレベルの信号が印加される期間において、ＲＧＢ制御線ＣＲ、ＣＲ、ＣＢを通じてローレベルの信号を印加してＲＧＢスイッチング素子ＳＷ＿ＴＲ３をターンオンさせる理由は、発光制御線ＥＭ［Ｎ］からローレベルの信号が印加されて画素回路の第２スイッチング素子ＳＷ＿ＴＲ２がターンオンされなければ、以前データ電圧を保存していた容量性素子が第１電源電圧線ＶＤＤと電気的に接続されて初期化されることができないためである。このように、前記容量性素子が初期化された後に新しいＲＧＢデータ信号を印加して、前記容量性素子に正しいデータを書き込むことができるようにするところに本発明の特徴がある。
【０１７６】
図１４は、本発明の実施形態に係るＲＧＢ画素回路とデマルチプレクサとの電気的接続関係を示したものである。
【０１７７】
本発明においてデマルチプレクサ１０００とは、有機電界発光表示装置のデータ信号駆動部においてＲＧＢデータ信号のそれぞれに対応するレイアウト構造を有するデマルチプレクサであって、図１１に示したデマルチプレクサとほとんど同じであるが、初期化電源電圧線Ｖｒｓｔと初期化電源電圧線ＶｒｓｔとＲＧＢデータ電圧線を電気的に連結する初期化スイッチング素子ＳＷ＿ＴＲ４が含まれるという点が異なる。
【０１７８】
図１４においては、デマルチプレクサ１０００に画素回路３個が電気的に接続されているが、前記個数は限定されるものではない。また、多数のデマルチプレクサを使ってデータ信号を画素回路に印加することができるが、その個数は限定されない。
【０１７９】
図１４に示すように、デマルチプレクサ１０００は、それぞれレッドデータ線、グリーンデータ線およびブルーデータ線がそれぞれの画素回路のデータ線Ｄ［Ｍ］と電気的に接続されている。また、それぞれのＲＧＢデータ線にはＲＧＢスイッチング素子ＳＷ＿ＴＲ３が電気的に接続されている。ＲＧＢスイッチング素子は、さらにレッドデータ線スイッチング素子ＳＷ＿ＴＲ３Ｒ、グリーンデータ線スイッチング素子ＳＷ＿ＴＲ３Ｇおよびブルーデータ線スイッチング素子ＳＷ＿ＴＲ３Ｂからなり得る。ＲＧＢスイッチング素子の制御電極には、それぞれＲＧＢ制御線ＣＲ、ＣＧ、ＣＢを通じてＲＧＢ制御信号が印加できる。
【０１８０】
このようなＲＧＢ制御信号ＣＲ、ＣＧ、ＣＢによってＲＧＢスイッチング素子がターンオンされると、すなわちデータ信号駆動部からデマルチプレクサを通じてそれぞれのＲＧＢ制御信号ＣＲ、ＣＧ、ＣＢによってＲＧＢスイッチング素子がターンオンされると、データ信号駆動部からデマルチプレクサを通じてそれぞれのＲＧＢ画素回路に適したデータ信号（電圧）が印加できる。
【０１８１】
初期化電源電圧線Ｖｒｓｔは初期化スイッチング素子ＳＷ＿ＴＲ４を通じてそれぞれのＲＧＢデータ線と電気的に接続されている。初期化スイッチング素子ＳＷ＿ＴＲ４に初期化信号Ｒｓｔが印加されると、初期化スイッチング素子ＳＷ＿ＴＲ４Ｇ、ＳＷ＿ＴＲ４Ｒ、ＳＷ＿ＴＲ４Ｂはターンオンされ、初期化電源電圧線ＶｒｓｔからそれぞれのＲＧＢデータ線に初期化電源電圧線が印加できる。初期化電源電圧が印加されることによってＲＧＢデータ線に印加された前データ電圧が初期化され、新たなＲＧＢデータ信号（電圧）が印加できる。ＲＧＢスイッチング素子および初期化電源電圧はＰ型チャネルトランジスタであり得るが、トランジスタの種類は限定されない。
【０１８２】
図１１に示されたＲＧＢスイッチング素子ＳＷ＿ＴＲ３および図１４に示された初期化スイッチング素子ＳＷ＿ＴＲ４としては、薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ；ＴＦＴ）を使うことができ、薄膜トランジスタの結晶化方法としては、エキシマレーザーを使ったレーザー結晶化法（ＥＬＡ）、金属触媒を使った金属触媒結晶化法（ＭＩＣ）、固相結晶化（ＳＰＣ）法などがある。他にも高温高湿な雰囲気で結晶化を進行する高圧結晶化（ＨＰＡ）法、従来のレーザー結晶化法にマスクを追加して使うＳＬＳ法がある。
【０１８３】
レーザー結晶化法は、薄膜トランジスタを多結晶シリコンに結晶化する方法のうち最も多く用いられている方法である。既存の多結晶液晶表示装置に用いられる結晶化方法をそのまま用いることができるだけでなく、工程が簡単であり、工程に関する技術開発が完了しているからである。
【０１８４】
金属触媒結晶化方法は、レーザー結晶化方法を使わずに低温で結晶化できる方法のうちの１つである。非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）表面に金属触媒金属であるＮｉ、Ｃｏ、Ｐｄ、Ｔｉなどを蒸着あるいはスピンコートすると、金属触媒金属は非晶質シリコンの表面に直接浸透する。この金属触媒結晶化方法は、非晶質シリコンの相を変化させながら、低温にて結晶化できるという長所がある。
【０１８５】
また、金属触媒結晶化方法は、非晶質シリコン表面に金属層を体積する際に、マスクを用いることによって、薄膜トランジスタの特定領域にニッケルシリサイドのような汚染物が介在することを最大限に抑制することができるといった長所がある。前記結晶化方法を金属触媒誘導側面結晶化方法（ＭＩＬＣ）と言う。前記金属触媒誘導側面結晶化方法に用いられるマスクとしては、シャドーマスクが用いられるが、シャドーマスクは線形マスク（Ｌｉｎｅａｒ  Ｍａｓｋ）あるいは点型マスク（Ｄｏｔ  Ｓｈａｐｅｄ  Ｍａｓｋ）であり得る。
【０１８６】
金属触媒結晶化方法には、さらに、非晶質シリコン表面に金属触媒層を蒸着あるいはスピンコートする際に、キャッピング層をまず介在させて非晶質シリコンに流入される金属触媒量をコントロールする金属触媒誘導キャッピング層結晶化方法（ＭＩＣＣ）がある。キャッピング層としては、シリコン窒化膜を使うことができる。シリコン窒化膜の厚さに応じて金属触媒層から非晶質シリコンに流入される金属触媒量が変わる。このとき、シリコン窒化膜に流入する金属触媒はシリコン窒化膜の全体に形成されることもでき、シャドーマスクなどを用いて選択的に形成されることもできる。金属触媒層が、非晶質シリコンを多結晶シリコンに結晶化した後、選択的に前記キャッピング層を除去することができる。キャッピング層の除去方法には、湿式エッチング方法あるいは乾式エッチング方法を使用することができる。多結晶シリコンが形成された後、ゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する。ゲート電極上に層間絶縁膜を形成することができる。層間絶縁膜上にビアホールを形成した後、不純物を、ビアホールを通して結晶化された多結晶シリコン上に投入して、内部に形成された金属触媒不純物を追加的に除去することができる。金属触媒不純物を追加的に除去する方法をゲッタリング工程と言う。ゲッタリング工程には、前記不純物を注入する工程の他、低温で薄膜トランジスタを加熱する加熱工程がある。ゲッタリング工程を通じて良質の薄膜トランジスタの形成を実現することができる。
【０１８７】
図１５は、図１４に示した本発明のＲＧＢ画素回路の駆動タイミング図を示したものである。
【０１８８】
以下、図１５の駆動タイミング図を用いて図１４に示された本発明のＲＧＢ画素回路の動作を説明する。
【０１８９】
まず、初期化信号線Ｒｓｔを通じてローレベルの初期化信号が印加されると、デマルチプレクサ内の初期化スイッチング素子ＳＷ＿ＴＲ４がターンオンされ、これによってデータ線を初期化電源電圧線Ｖｒｓｔからの初期化電源電圧によって初期化することができる。
【０１９０】
一方、発光制御線ＥＭ［Ｎ］を通じてローレベルの発光制御信号が印加され、走査線Ｓ［Ｎ］からローレベルの走査信号が印加されると、この期間において、ＲＧＢ制御信号線を通じてローレベルの信号が印加されてデマルチプレクサ内のＲＧＢスイッチング素子ＳＷ＿ＴＲ３Ｒ、ＳＷ＿ＴＲ３Ｇ、ＳＷ＿ＴＲ３Ｂがターンオンされることができる。
【０１９１】
ＲＧＢ制御信号は緑色（Ｇ）、赤色（Ｒ）および青色（Ｂ）制御信号の順に印加され、ＲＧＢデータ電圧はそれぞれ緑色（Ｇ）、赤色（Ｒ）および青色（Ｂ）の画素回路に順次印加される。
【０１９２】
図１５に示したように、緑色（Ｇ）制御信号が印加されてから発光制御線ＥＭ［Ｎ］からハイレベルの発光制御信号が印加される期間まで、画素回路内の緑色有機電界発光素子（ＯＬＥＤ  Ｇｒｅｅｎ）に電流が流れて発光する。
【０１９３】
赤色（Ｒ）制御信号が印加されてから前記発光制御線ＥＭ［Ｎ］からハイレベルの発光制御信号が印加される期間まで、画素回路内の赤色有機電界発光素子（ＯＬＥＤ  Ｒｅｄ）に電流が流れて発光する。
【０１９４】
また、青色（Ｂ）制御信号が印加されてから前記発光制御線ＥＭ［Ｎ］からハイレベルの発光制御信号が印加される期間まで、画素回路内の青色有機電界発光素子（ＯＬＥＤ  Ｂｌｕｅ）に電流が流れて発光する。
【０１９５】
すなわち、図１５に示したように、ホワイトバランス補償期間の間に、緑色（Ｇ）有機電界発光素子に最も長い時間電流を流し、その次は赤色（Ｒ）有機電界発光素子、次いで青色（Ｂ）有機電界発光素子の順に長い時間電流を流す。
【０１９６】
このように、ホワイトバランス補償時間が緑色（Ｇ）、赤色（Ｒ）および青色（Ｂ）の順となる理由は、一般に赤色（Ｒ）、青色（Ｂ）信号に比べて緑色（Ｇ）信号の発光効率が高いためである。言い換えると、ホワイトバランスを合わせるためには、非発光期間（ホワイトバランス補償期間）の間に最も発光効率の良い緑色（Ｇ）有機電界発光素子に最も長い時間電流を流れるようにし、次には赤色（Ｒ）、その次には青色（Ｂ）の順にホワイトバランシング期間を設けることで、同じ輝度レベルを具現することができる。このような、ホワイトバランス期間の間に有機電界発光素子に流れる電流は、発光期間の間に有機電界発光素子に流れる電流よりさらに大きい電流が流れるようにし得る。１フレームの画像表示期間中、上述したホワイトバランス補償期間は発光期間に比べて短くし得る。
【０１９７】
以上、本発明に係る有機電界発光表示装置の実施形態について説明してきたが、本発明は、前記実施形態に限定されることなく、特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想を逸脱することなく当業者により変更可能な範囲をも含むものである。
【図面の簡単な説明】
【０１９８】
【図１】従来の有機電界発光素子の基本構造を示した概路図である。
【図２】電圧駆動方式の基本画素回路を示した概路図である。
【図３】図２に示された画素回路の駆動タイミング図である。
【図４】本発明による有機電界発光表示装置の基本構造ブロック図である。
【図５】本発明の有機電界発光表示装置の一実施例による画素回路を示した回路図である。
【図６】図５に示された画素回路の駆動タイミング図である。
【図７】図５に示された画素回路においてデータ書き込み期間Ｔ１中の電流の流れを示した図である。
【図８】図５に示された画素回路において駆動トランジスタの閾値電圧保存期間Ｔ２中の電流の流れを示した図である。
【図９】図５に示された画素回路において発光期間Ｔ３中の電流の流れを示した図である。
【図１０】本発明の有機電界発光表示装置の実施形態に係る画素回路を示した回路図である。
【図１１】本発明のＲＧＢ画素回路とデマルチプレクサとの実施形態に係る電気的連結関係を示した図である。
【図１２】図１１で示した本発明のＲＧＢ画素回路の実施形態に係る駆動タイミング図である。
【図１３】図１１で示した本発明のＲＧＢ画素回路の実施形態に係る駆動タイミング図である。
【図１４】本発明のＲＧＢ画素回路とデマルチプレクサとの実施形態に係る電気的連結関係を示した図である。
【図１５】図１４に示した本発明のＲＧＢ画素回路の駆動タイミング図である。
【符号の説明】
【０１９９】
１００    本発明による有機電界発光表示装置、
１１０    走査信号駆動部、
１２０    データ信号駆動部、
１３０    発光制御信号駆動部、
１４０    有機電界発光表示パネル、
１４２    画素回路Ｐ、
１５０    第１電源電圧供給部、
Ｄ［Ｍ］    データ線、
１６０    第２電源電圧供給部、
Ｓ［Ｎ］    走査線、
ＥＭ［Ｎ］    発光制御線、
ＶＤＤ    第１電源電圧線、
ＶＳＳ    第２電源電圧線、
ＳＷ＿ＴＲ１    第１スイッチング素子、
ＳＷ＿ＴＲ２    第２スイッチング素子、
Ｃ１    第１容量性素子、
Ｃ２    第２容量性素子、
ＤＲ＿ＴＲ    駆動トランジスタ、
ＥＭ＿ＴＲ    発光制御トランジスタ、
ＯＬＥＤ    有機電界発光素子、
１０００    デマルチプレクサ、
ＳＷ＿ＴＲ３    ＲＧＢスイッチング素子、
ＳＷ＿ＴＲ４    初期化スイッチング素子。
【図１】
2008176272.tif 000005
【図２】
2008176272.tif 000006
【図３】
2008176272.tif 000007
【図４】
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【図５】
2008176272.tif 000009
【図６】
2008176272.tif 000010
【図７】
2008176272.tif 000011
【図８】
2008176272.tif 000012
【図９】
2008176272.tif 000013
【図１０】
2008176272.tif 000014
【図１１】
2008176272.tif 000015
【図１２】
2008176272.tif 000016
【図１３】
2008176272.tif 000017
【図１４】
2008176272.tif 000018
【図１５】
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