(57)【要約】      （修正有）【課題】波長４４０ｎｍ以下の青色レーザ光による記録再生が可能で、耐光性に優れる光情報記録媒体の提供。【解決手段】レーザ光による情報の記録が可能な追記型記録層を有する光情報記録媒体であって、追記型記録層は、下記構造式を有するアゾ金属錯体色素を少なくとも一種含有することを特徴とする。2008105380.tif 000042【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
トラックピッチ５０〜５００ｎｍのプリグルーブを有する透明な円盤状基板を有し、且つ、４４０ｎｍ以下のレーザ光を照射することによって情報の記録が可能な記録層を有する光情報記録媒体であって、
前記記録層は、下記部分構造式（Ｉ−１）又は（Ｉ−２）のいずれかで表されるアゾ色素と金属イオン（金属酸化物イオンを含む）からなるアゾ金属錯体色素を少なくとも一種含有することを特徴とする光情報記録媒体。
【化１】
2008105380.tif 000034
［部分構造式（Ｉ−１）、（Ｉ−２）中、Ｑは炭素環基又はヘテロ環基を表し、Ｑ2及びＱ3は各々独立に含窒素ヘテロ環を形成する原子群を表す。Ｒ2は置換基を表す。］
【請求項２】
請求項１に記載の光情報記録媒体において、
前記記録層は、下記一般式（１）で表されるアゾ色素と金属イオン（金属酸化物を含む）からなるアゾ金属錯体色素を少なくとも一種含有することを特徴とする光情報記録媒体。
一般式（１）
【化２】
2008105380.tif 000035
［一般式（１）中、Ｑ1は炭素環又はヘテロ環を形成する原子群を表し、Ｑ2、Ｑ3は各々独立に含窒素ヘテロ環を形成する原子群を表す。Ｙは金属イオンに配位可能な基を表す。］
【請求項３】
請求項１又は２に記載の光情報記録媒体において、
前記Ｑ2によって形成される環は、下記部分構造式（ｑ−１）〜（ｑ−４）のいずれかであることを特徴とする光情報記録媒体。
【化３】
2008105380.tif 000036
［部分構造式（ｑ−１）〜（ｑ−４）中、＊は−Ｎ＝Ｎ−基との結合位置を表し、＊＊はＱ3を介して形成される含窒素へテロ環又は−ＣＯＲ2基との結合位置を表す。Ｘ、Ｘ1、Ｘ2は各々独立に置換基を表し、Ｒ1は水素原子又は置換基を表す。］
【請求項４】
請求項２又は３記載の光情報記録媒体において、
前記Ｑ1によって形成される炭素環又はへテロ環は、ベンゼン環、ピラゾール環、又は下記部分構造式（Ｃ−１）〜（Ｃ−４）のいずれかを形成する環（＊は−Ｎ＝Ｎ−基との結合位置を表す）のいずれかで表される環であり、
前記Ｑ1によって形成されるへテロ環基が下記部分構造式（Ｃ−１）〜（Ｃ−４）のいずれかを形成する環となる場合は、Ｙはヒドロキシル基となり、該部分構造式に含まれることを特徴とする光情報記録媒体。
【化４】
2008105380.tif 000037
［部分構造式（Ｃ−１）〜（Ｃ−４）中、＊はアゾ基との結合位置を表す。Ｒ3〜Ｒ10は各々独立に水素原子又は置換基を表す。互いに隣接する置換基は連結して環を形成してもよい。］
【請求項５】
請求項２〜４のいずれか１項に記載の光情報記録媒体において、
前記アゾ金属錯体色素は、下記一般式（２）で表されるアゾ金属錯体色素であることを特徴とする光情報記録媒体。
一般式（２）
【化５】
2008105380.tif 000038
［一般式（２）中、Ｍは金属イオン（金属酸化物イオンを含む）を表す。Ｑ1は炭素環又はヘテロ環を形成する原子群を表し、Ｑ2、Ｑ3は各々独立に含窒素ヘテロ環を形成する原子群を表す。Ｚは前記Ｙに含まれる水素原子が解離した基（すなわちＹ＝ＺＨ）を表す。］
【請求項６】
請求項５記載の光情報記録媒体において、
前記アゾ金属錯体色素は、下記一般式（３）又は一般式（４）で表されるアゾ金属錯体色素であることを特徴とする光情報記録媒体。
一般式（３）
【化６】
2008105380.tif 000039
一般式（４）
【化７】
2008105380.tif 000040
［一般式（３）、（４）中、Ｍは金属イオン（金属酸化物イオンを含む）を表し、Ｑ3は含窒素へテロ環を形成する基原子群を表す。Ｘは置換基を表し、Ｒ1、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8は各々独立に水素原子又は置換基を表す。］
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の光情報記録媒体において、
前記アゾ金属錯体色素中の金属イオンが、銅イオン、鉄イオン、又はマンガンイオンであることを特徴とする光情報記録媒体。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１項に記載の光情報記録媒体において、
トラックピッチ５０〜５００ｎｍのプリグルーブを有する基板のプリグルーブを有する面上に、反射層、色素を含有する記録層が順に積層されていることを特徴とする光情報記録媒体。
【請求項９】
下記一般式（１）で表されるアゾ色素と金属イオン（金属酸化物イオンを含む）からなるアゾ金属錯体色素。
一般式（１）
【化８】
2008105380.tif 000041
［一般式（１）中、Ｑ1は炭素環又はヘテロ環を形成する原子群を表し、Ｑ2、Ｑ3は各々独立に含窒素ヘテロ環を形成する原子群を表す。Ｙは金属イオンに配位可能な基を表す。］
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レーザ光を用いて情報の記録及び再生が可能な光情報記録媒体及び耐光性の極めて優れるアゾ金属錯体色素に関し、例えば波長４４０ｎｍ以下の短波長レーザ光を用いて情報を記録及び再生するのに好適なヒートモード型の光情報記録媒体及び光情報記録媒体の記録層に用いて好適なアゾ金属錯体色素に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近、インターネット等のネットワークやハイビジョンＴＶが急速に普及している。また、ＨＤＴＶ（Ｈｉｇｈ  Ｄｅｆｉｎｉｔｉｏｎ  Ｔｅｌｅｖｉｓｉｏｎ）の放映も間近にひかえて、画像情報を安価簡便に記録するための大容量の記録媒体の要求が高まっている。前述のＣＤ−Ｒ及び、可視レーザ光（６３０ｎｍ〜６８０ｎｍ）を記録用レーザ光として高密度記録を可能としたＤＶＤ−Ｒは、大容量の記録媒体としての地位をある程度まで確保しているものの、将来の要求に対応できる程の十分に大きな記録容量を有しているとはいえない。そこで、ＤＶＤ−Ｒよりもさらに短波長のレーザ光を用いることによって記録密度を向上させ、より大きな記録容量を備えた光ディスクの開発が進められ、例えば４０５ｎｍの青色レーザを用いたＢｌｕ−ｒａｙ方式と称される光記録ディスクが提供されている。
【０００３】
従来から、ＤＶＤ−Ｒ型の光ディスクにおいて、記録層に含有する色素化合物として、アゾ金属錯体色素が有利に用いられてきた（例えば、特許文献１〜４参照）。これらのアゾ金属錯体色素は赤色レーザに対応した吸収波形を有しており、４０５ｎｍのレーザ光に対しては好ましくない。そこで、４０５ｎｍの青色レーザを用いた光記録ディスクにおいては、ＤＶＤ−Ｒで用いられたアゾ金属錯体色素に対して吸収波長の短波長化が検討され、特許文献５〜６等が公開されている。しかしながら、特許文献５、６については色素溶液あるいは色素膜の最大吸収波長が示されているものの、耐光性や光情報記録媒体での記録再生特性の詳細が充分に記載されておらず、実際の保存性や記録再生特性については不明であった。
【０００４】
【特許文献１】特開平１１−３１０７２８号公報
【特許文献２】特開平１１−１３０９７０号公報
【特許文献３】特開２００２−２７４０４０号公報
【特許文献４】特開２０００−１６８２３７号公報
【特許文献５】特開２００１−１５８８６２号公報
【特許文献６】特開２００６−１４２７８９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
前記特許文献５及び６に記載されているアゾ金属錯体色素について、色素膜の耐光性、及び青色レーザ対応光情報記録媒体の記録再生特性を評価した結果、耐光性、記録再生特性（記録感度、２Ｔ  ＣＮＲ）及び再生耐久性を同時に満足できるものは見つからなかった。
【０００６】
本発明はこのような課題を考慮してなされたものであり、良好な記録再生特性を示し、且つ、極めて高い耐光性を持つ光情報記録媒体（特に、波長が４４０nm以下のレーザ光照射による情報の記録が可能な光情報記録媒体）及び該光情報記録媒体を製造することができるアゾ金属錯体色素を提供することを目的とする。
【０００７】
本発明の他の目的は、極めて耐光性に優れ、且つ、熱安定性に優れるアゾ金属錯体色素を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
光情報記録媒体において、耐光性と再生耐久性を満足させるためには、色素単独での耐光性及び熱安定性に優れることが必要であると考えた。再生耐久性と熱安定性との関係については、本発明に至る過程で導き出されたものであり、再生光照射により、色素層（記録層）の温度が上昇し、その温度上昇により色素が分解してしまうことにより再生劣化が生じると推定した。そこで、色素の耐光性と熱安定性の双方を向上させる手段として、より剛直な錯体構造を構築することを考え、金属イオンとの結合力を高めるために、電子効果としては金属から配位子への逆供与が起こるものを選択し、金属イオンと配位子とで安定なキレート構造（６員環２つ）を形成させることを考えた。
【０００９】
この思想を基に鋭意検討を行った結果、本発明の化合物は従来のアゾ金属錯体色素に対して、明らかに耐光性に優れることが判明した。通常、上記のような思想を基に化合物を設計した場合、熱安定性が高すぎてしまい、光情報記録媒体用としては熱分解性が悪くなり、感度が低下することが予想されるが、本発明の化合物においては、意外にも適度な熱分解性を示し、記録感度が良好であることがわかった。
【００１０】
本発明は、４４０ｎｍ以下の青色レーザ光により記録再生を行う光情報記録媒体において、特定のアゾ金属錯体色素を用いた場合に、良好な耐光性、溶解性、膜安定性、記録再生特性、再生耐久性を得るのに有効であるとの知見を得、かかる知見に基づいて達成されたものである。
【００１１】
本発明の課題は、以下の構成によって好ましく達成された。
【００１２】
［１］  第１の本発明に係る光情報記録媒体は、トラックピッチ５０〜５００ｎｍのプリグルーブを有する透明な円盤状基板を有し、且つ、４４０ｎｍ以下のレーザ光を照射することによって情報の記録が可能な記録層を有する光情報記録媒体であって、前記記録層は、下記部分構造式（Ｉ−１）又は（Ｉ−２）のいずれかで表されるアゾ色素と金属イオン（金属酸化物イオンを含む）からなるアゾ金属錯体色素を少なくとも一種含有することを特徴とする。
【００１３】
【化１】
2008105380.tif 000002
【００１４】
部分構造式（Ｉ−１）、（Ｉ−２）中、Ｑは炭素環基又はヘテロ環基を表し、Ｑ2及びＱ3は各々独立に含窒素ヘテロ環を形成する原子群を表す。Ｒ2は置換基を表す。
【００１５】
［２］  第１の本発明において、前記記録層は、下記一般式（１）で表されるアゾ色素と金属イオン（金属酸化物を含む）からなるアゾ金属錯体色素を少なくとも一種含有することを特徴とする。
【００１６】
一般式（１）
【００１７】
【化２】
2008105380.tif 000003
【００１８】
一般式（１）中、Ｑ1は炭素環又はヘテロ環を形成する原子群を表し、Ｑ2、Ｑ3は各々独立に含窒素ヘテロ環を形成する原子群を表す。Ｙは金属イオンに配位可能な基を表す。
【００１９】
［３］  第１の本発明において、前記Ｑ2によって形成される環は、下記部分構造式（ｑ−１）〜（ｑ−４）のいずれかであることを特徴とする。
【００２０】
【化３】
2008105380.tif 000004
【００２１】
部分構造式（ｑ−１）〜（ｑ−４）中、＊は−Ｎ＝Ｎ−基との結合位置を表し、＊＊はＱ3を介して形成される含窒素へテロ環又は−ＣＯＲ2基との結合位置を表す。Ｘ、Ｘ1、Ｘ2は各々独立に置換基を表し、Ｒ1は水素原子又は置換基を表す。
【００２２】
［４］  第１の本発明において、前記Ｑ1によって形成される炭素環又はへテロ環は、ベンゼン環、ピラゾール環、又は下記部分構造式（Ｃ−１）〜（Ｃ−４）のいずれかを形成する環（＊は−Ｎ＝Ｎ−基との結合位置を表す）のいずれかで表される環であり、前記Ｑ1によって形成されるへテロ環が下記部分構造式（Ｃ−１）〜（Ｃ−４）のいずれかを形成する環となる場合は、Ｙはヒドロキシル基となり、該部分構造式に含まれることを特徴とする。
【００２３】
【化４】
2008105380.tif 000005
【００２４】
部分構造式（Ｃ−１）〜（Ｃ−４）中、＊はアゾ基との結合位置を表す。Ｒ3〜Ｒ10は各々独立に水素原子又は置換基を表す。互いに隣接する置換基は連結して環を形成してもよい。
【００２５】
［５］  第１の本発明において、前記アゾ金属錯体色素は、下記一般式（２）で表されるアゾ金属錯体色素であることを特徴とする。
【００２６】
一般式（２）
【００２７】
【化５】
2008105380.tif 000006
【００２８】
一般式（２）中、Ｍは金属イオン（金属酸化物イオンを含む）を表す。Ｑ1は炭素環又はヘテロ環を形成する原子群を表し、Ｑ2、Ｑ3は各々独立に含窒素ヘテロ環を形成する原子群を表す。Ｚは前記Ｙに含まれる水素原子が解離した基（すなわちＹ＝ＺＨ）を表す。
【００２９】
［６］  第１の本発明において、前記アゾ金属錯体色素は、下記一般式（３）又は一般式（４）で表されるアゾ金属錯体色素であることを特徴とする。
【００３０】
一般式（３）
【００３１】
【化６】
2008105380.tif 000007
【００３２】
一般式（４）
【００３３】
【化７】
2008105380.tif 000008
【００３４】
一般式（３）、（４）中、Ｍは金属イオン（金属酸化物イオンを含む）を表し、Ｑ3は含窒素へテロ環を形成する基原子群を表す。Ｘは置換基を表し、Ｒ1、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8は各々独立に水素原子又は置換基を表す。
【００３５】
［７］  第１の本発明において、前記アゾ金属錯体色素中の金属イオンが、銅イオン、鉄イオン、又はマンガンイオンであることを特徴とする。
【００３６】
［８］  第１の本発明において、トラックピッチ５０〜５００ｎｍのプリグルーブを有する基板のプリグルーブを有する面上に、反射層、色素を含有する記録層が順に積層されていることを特徴とする。
【００３７】
［９］  次に、第２の本発明に係るアゾ金属錯体色素は、下記一般式（１）で表されるアゾ色素と金属イオン（金属酸化物イオンを含む）からなることを特徴とする。
【００３８】
一般式（１）
【００３９】
【化８】
2008105380.tif 000009
【００４０】
一般式（１）中、Ｑ1は炭素環又はヘテロ環を形成する原子群を表し、Ｑ2、Ｑ3は各々独立に含窒素ヘテロ環を形成する原子群を表す。Ｙは金属イオンに配位可能な基を表す。
【発明の効果】
【００４１】
以上説明したように、本発明に係る光情報記録媒体によれば、波長が４４０ｎｍ以下の青色レーザ光による記録再生が可能で、且つ、極めて耐光性に優れる。
【００４２】
また、本発明に係るアゾ金属錯体色素によれば、記録再生特性を損なうことなく、また、記録後においても高い耐光性、再生耐久性、膜安定性を持つ光情報記録媒体（特に、波長が４４０ｎｍ以下のレーザ光照射による情報の記録が可能な光情報記録媒体）を製造することができる。
【００４３】
また、本発明のアゾ金属錯体色素は、高い溶解性、耐光性、熱安定性を兼ね備えていることから、写真用材料、ＵＶ吸収材料、カラーフィルタ用染料、色変換フィルタ、熱転写記録材料、インク等にも適用可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４４】
以下、本発明の光情報記録媒体及びアゾ金属錯体色素について詳細に説明する。
【００４５】
本実施の形態に係る光情報記録媒体は、基板上に情報の記録が可能な少なくとも一層の記録層を有してなり、好ましくはさらに光反射層、保護層を設けて構成することができる。
【００４６】
本実施の形態に係る光情報記録媒体の記録層は、特定のアゾ金属錯体色素の少なくとも一種で構成したものである。
【００４７】
先ず、本実施の形態に係るアゾ金属錯体色素について説明する。本実施の形態に係るアゾ金属錯体色素とは、アゾ色素と金属イオン（金属酸化物イオンを含む）とを反応させることによりアゾ色素が金属イオンに配位結合し、生成する色素のことをいう。
【００４８】
前記金属イオンとしては、例えば、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ａｓ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｂａ、Ｐｒ、Ｅｕ、Ｙｂ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｈｇ、Ｔｌ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｔｈ等の金属のイオンが挙げられ、中でも、遷移金属原子のイオンが好ましい。遷移金属原子とは、周期表のＩＩＩａ族〜ＶＩＩＩ族の元素及びＩｂが含まれ、不完全ｄ電子殻を持つ元素である。遷移金属原子としては、特に限定されるものではないが、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｃｒ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｒｅが好ましく、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎがより好ましく、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎがさらに好ましく、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕが特に好ましい。
【００４９】
金属イオンとしては、２価又は３価の金属原子が好ましく、２価の金属原子がより好ましい。２価又は３価の金属（金属イオンで表す）としては、例えば、Ｍｎ2+、Ｆｅ2+、Ｆｅ3+、Ｃｏ2+、Ｃｏ3+、Ｎｉ2+、Ｎｉ3+、Ｃｕ2+、Ｚｎ2+、Ｃｒ3+、Ｒｕ2+、Ｒｈ3+、Ｐｄ2+、Ｉｒ3+、Ｐｔ2+、Ｒｅ+等が挙げられ、Ｍｎ2+、Ｆｅ2+、Ｆｅ3+、Ｃｏ2+、Ｃｏ3+、Ｎｉ2+、Ｎｉ3+、Ｃｕ2+、Ｚｎ2+が好ましく、Ｍｎ2+、Ｆｅ2+、Ｃｏ2+、Ｃｏ3+、Ｎｉ2+、Ｃｕ2+、Ｚｎ2+がより好ましい。本発明のアゾ金属錯体色素の場合、耐光性、及び記録再生特性の観点から、Ｍｎ2+、Ｆｅ2+、Ｃｕ2+がさらに好ましく、Ｆｅ2+、Ｃｕ2+が特に好ましい。
【００５０】
また、光情報記録媒体におけるアゾ金属錯体色素では、耐光性の観点からＭｎイオン、Ｃｕイオン及びＦｅイオンに比べてＮｉイオンとＣｏイオンが好んで選択されてきた。しかし、環境有害性、及び人体に対する毒性の点からは、ＮｉイオンやＣｏイオンに比べて、ＦｅイオンやＣｕイオンの方が好ましく、有害性の低い金属イオン（例えばＣｕイオン、ＺｎイオンやＦｅイオン）を用いることは、光情報記録媒体及び色素の拡販において、大いに意義がある。
【００５１】
本実施の形態に係るアゾ色素は、アゾ−ヒドラゾン互変異性平衡におけるアゾフォームのみを記載しているが、対応するヒドラゾンフォームであってもよく、その場合のヒドラゾンフォームは本実施の形態に記載しているアゾフォームと同一成分とする。
【００５２】
ここで、上述した一般式（Ｉ−１）及び（Ｉ−２）について説明する。
【００５３】
Ｑは炭素環基又はヘテロ環基を表す。Ｑは一般式（１）のように、Ｑ1を介して形成される炭素環又はヘテロ環であることが好ましい。
【００５４】
Ｑ2及びＱ3は含窒素ヘテロ環を形成する原子群を表す。
【００５５】
Ｑ2は含窒素ヘテロ環を形成する基を表す。含窒素へテロ環としては、炭素原子及び窒素原子と共に形成されるヘテロ環であればよく、特に限定されない。Ｑ2を介して形成される環としては、特に限定されないが、例えば、ピラゾール環、ピロール環、イミダゾール環、トリアゾール環等が挙げられる。これらの環はさらに置換基を有していてもよく、また、縮環していてもよい。
【００５６】
Ｑ2によって形成される含窒素へテロ環基は、好ましくは、部分構造式（ｑ−１）〜（ｑ−４）で表される環であることが好ましく、部分構造式（ｑ−１）、（ｑ−２）で表される環であることがより好ましく、部分構造式（ｑ−１）で表される環であることがさらに好ましい。
【００５７】
【化９】
2008105380.tif 000010
【００５８】
部分構造式（ｑ−１）〜（ｑ−４）中、＊は−Ｎ＝Ｎ−基との結合位置を表し、＊＊はＱ3を介して形成される含窒素へテロ環又は−ＣＯＲ2基との結合位置を表す。Ｘ、Ｘ1、Ｘ2は各々独立に置換基を表し、Ｒ1は水素原子又は置換基を表す。
【００５９】
Ｘ、Ｘ1、Ｘ2で表される置換基としては、特に限定されないが、例えば、ハロゲン原子、アルキル基（シクロアルキル基、ビシクロアルキル基を含む）、アルケニル基（シクロアルケニル基、ビシクロアルケニル基を含む）、アルキニル基、アリール基、ヘテロ環基、シアノ基、ヒドロキシル基、ニトロ基、カルボキシル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、シリルオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ基、アミノ基（アニリノ基を含む）、アシルアミノ基、アミノカルボニルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルファモイルアミノ基、アルキル及びアリールスルホニルアミノ基、メルカプト基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロ環チオ基、スルファモイル基、スルホ基、アルキル及びアリールスルフィニル基、アルキル及びアリールスルホニル基、アシル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、アリール及びヘテロ環アゾ基、イミド基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスフィニルオキシ基、ホスフィニルアミノ基、シリル基が例として挙げられる。
【００６０】
さらに詳しくは、Ｘ、Ｘ1、Ｘ2は、ハロゲン原子（例えば、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、アルキル基［直鎖、分岐、環状の置換もしくは無置換のアルキル基を表す。それらは、アルキル基（好ましくは炭素数１〜３０のアルキル基、例えばメチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｔ−ブチル、ｎ−オクチル、エイコシル、２−クロロエチル、２−シアノエチル、２―エチルヘキシル）、シクロアルキル基（好ましくは、炭素数３〜３０の置換又は無置換のシクロアルキル基、例えば、シクロヘキシル、シクロペンチル、４−ｎ−ドデシルシクロヘキシル）、ビシクロアルキル基（好ましくは、炭素数５〜３０の置換もしくは無置換のビシクロアルキル基、つまり、炭素数５〜３０のビシクロアルカンから水素原子を１個取り去った１価の基である。例えば、ビシクロ［１，２，２］ヘプタン−２−イル、ビシクロ［２，２，２］オクタン−３−イル）、さらに環構造が多いトリシクロ構造等も包含するものである。以下に説明する置換基の中のアルキル基（例えばアルキルチオ基のアルキル基）もこのような概念のアルキル基を表す。］、アルケニル基［直鎖、分岐、環状の置換もしくは無置換のアルケニル基を表す。それらは、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜３０の置換又は無置換のアルケニル基、例えば、ビニル、アリル、プレニル、ゲラニル、オレイル）、シクロアルケニル基（好ましくは、炭素数３〜３０の置換もしくは無置換のシクロアルケニル基、つまり、炭素数３〜３０のシクロアルケンの水素原子を１個取り去った１価の基である。例えば、２−シクロペンテン−１−イル、２−シクロヘキセン−１−イル）、ビシクロアルケニル基（置換もしくは無置換のビシクロアルケニル基、好ましくは、炭素数５〜３０の置換もしくは無置換のビシクロアルケニル基、つまり二重結合を一個持つビシクロアルケンの水素原子を１個取り去った１価の基である。例えば、ビシクロ［２，２，１］ヘプト−２−エン−１−イル、ビシクロ［２，２，２］オクト−２−エン−４−イル）を包含するものである。］、アルキニル基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換又は無置換のアルキニル基、例えば、エチニル、プロパルギル、トリメチルシリルエチニル基、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０の置換もしくは無置換のアリール基、例えばフェニル、ｐ−トリル、ナフチル、ｍ−クロロフェニル、ｏ−ヘキサデカノイルアミノフェニル）、ヘテロ環基（好ましくは５又は６員の置換もしくは無置換の、芳香族もしくは非芳香族のヘテロ環化合物から１個の水素原子を取り除いた１価の基であり、さらに好ましくは、炭素数３〜３０の５もしくは６員の芳香族のヘテロ環基である。例えば、２−フリル、２−チエニル、２−ピリミジニル、２−ベンゾチアゾリル）、シアノ基、ヒドロキシル基、ニトロ基、カルボキシル基、アルコキシ基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換もしくは無置換のアルコキシ基、例えば、メトキシ、エトキシ、イソプロポキシ、ｔ−ブトキシ、ｎ−オクチルオキシ、２−メトキシエトキシ）、アリールオキシ基（好ましくは、炭素数６〜３０の置換もしくは無置換のアリールオキシ基、例えば、フェノキシ、２−メチルフェノキシ、４−ｔ−ブチルフェノキシ、３−ニトロフ���ノキシ、２−テトラデカノイルアミノフェノキシ）、シリルオキシ基（好ましくは、炭素数３〜２０のシリルオキシ基、例えば、トリメチルシリルオキシ、ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ）、ヘテロ環オキシ基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換もしくは無置換のヘテロ環オキシ基、１−フェニルテトラゾールー５−オキシ、２−テトラヒドロピラニルオキシ）、アシルオキシ基（好ましくはホルミルオキシ基、炭素数２〜３０の置換もしくは無置換のアルキルカルボニルオキシ基、炭素数６〜３０の置換もしくは無置換のアリールカルボニルオキシ基、例えば、ホルミルオキシ、アセチルオキシ、ピバロイルオキシ、ステアロイルオキシ、ベンゾイルオキシ、ｐ−メトキシフェニルカルボニルオキシ）、カルバモイルオキシ基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換もしくは無置換のカルバモイルオキシ基、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイルオキシ、Ｎ，Ｎ−ジエチルカルバモイルオキシ、モルホリノカルボニルオキシ、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−オクチルアミノカルボニルオキシ、Ｎ−ｎ−オクチルカルバモイルオキシ）、アルコキシカルボニルオキシ基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換もしくは無置換アルコキシカルボニルオキシ基、例えばメトキシカルボニルオキシ、エトキシカルボニルオキシ、ｔ−ブトキシカルボニルオキシ、ｎ−オクチルカルボニルオキシ）、アリールオキシカルボニルオキシ基（好ましくは、炭素数７〜３０の置換もしくは無置換のアリールオキシカルボニルオキシ基、例えば、フェノキシカルボニルオキシ、ｐ−メトキシフェノキシカルボニルオキシ、ｐ−ｎ−ヘキサデシルオキシフェノキシカルボニルオキシ）、アミノ基（好ましくは、アミノ基、炭素数１〜３０の置換もしくは無置換のアルキルアミノ基、炭素数６〜３０の置換もしくは無置換のアニリノ基、例えば、アミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、アニリノ、Ｎ−メチル−アニリノ、ジフェニルアミノ）、アシルアミノ基（好ましくは、ホルミルアミノ基、炭素数１〜３０の置換もしくは無置換のアルキルカルボニルアミノ基、炭素数６〜３０の置換もしくは無置換のアリールカルボニルアミノ基、例えば、ホルミルアミノ、アセチルアミノ、ピバロイルアミノ、ラウロイルアミノ、ベンゾイルアミノ、３，４，５−トリ−ｎ−オクチルオキシフェニルカルボニルアミノ）、アミノカルボニルアミノ基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換もしくは無置換のアミノカルボニルアミノ、例えば、カルバモイルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノカルボニルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノカルボニルアミノ、モルホリノカルボニルアミノ）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０の置換もしくは無置換アルコキシカルボニルアミノ基、例えば、メトキシカルボニルアミノ、エトキシカルボニルアミノ、ｔ−ブトキシカルボニルアミノ、ｎ−オクタデシルオキシカルボニルアミノ、Ｎ−メチルーメトキシカルボニルアミノ）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは、炭素数７〜３０の置換もしくは無置換のアリールオキシカルボニルアミノ基、例えば、フェノキシカルボニルアミノ、ｐ−クロロフェノキシカルボニルアミノ、ｍ−ｎ−オクチルオキシフェノキシカルボニルアミノ）、スルファモイル���ミノ基（好ましくは、炭素数０〜３０の置換もしくは無置換のスルファモイルアミノ基、例えば、スルファモイルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノスルホニルアミノ、Ｎ−ｎ−オクチルアミノスルホニルアミノ）、アルキル及びアリールスルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜３０の置換もしくは無置換のアルキルスルホニルアミノ、炭素数６〜３０の置換もしくは無置換のアリールスルホニルアミノ、例えば、メチルスルホニルアミノ、ブチルスルホニルアミノ、フェニルスルホニルアミノ、２，３，５−トリクロロフェニルスルホニルアミノ、ｐ−メチルフェニルスルホニルアミノ）、メルカプト基、アルキルチオ基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換もしくは無置換のアルキルチオ基、例えばメチルチオ、エチルチオ、ｎ−ヘキサデシルチオ）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜３０の置換もしくは無置換のアリールチオ、例えば、フェニルチオ、ｐ−クロロフェニルチオ、ｍ−メトキシフェニルチオ）、ヘテロ環チオ基（好ましくは炭素数２〜３０の置換又は無置換のヘテロ環チオ基、例えば、２−ベンゾチアゾリルチオ、１−フェニルテトラゾール−５−イルチオ）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜３０の置換もしくは無置換のスルファモイル基、例えば、Ｎ−エチルスルファモイル、Ｎ−（３−ドデシルオキシプロピル）スルファモイル、Ｎ，Ｎ−ジメチルスルファモイル、Ｎ−アセチルスルファモイル、Ｎ−ベンゾイルスルファモイル、Ｎ−（Ｎ‘−フェニルカルバモイル）スルファモイル）、スルホ基、アルキル及びアリールスルフィニル基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換又は無置換のアルキルスルフィニル基、炭素数６〜３０の置換又は無置換のアリールスルフィニル基、例えば、メチルスルフィニル、エチルスルフィニル、フェニルスルフィニル、ｐ−メチルフェニルスルフィニル）、アルキル及びアリールスルホニル基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換又は無置換のアルキルスルホニル基、炭素数６〜３０の置換又は無置換のアリールスルホニル基、例えば、メチルスルホニル、エチルスルホニル、フェニルスルホニル、ｐ−メチルフェニルスルホニル）、アシル基（好ましくはホルミル基、炭素数２〜３０の置換又は無置換のアルキルカルボニル基、炭素数７〜３０の置換もしくは無置換のアリールカルボニル基、炭素数４〜３０の置換もしくは無置換の炭素原子でカルボニル基と結合しているヘテロ環カルボニル基、例えば、アセチル、ピバロイル、２−クロロアセチル、ステアロイル、ベンゾイル、ｐ−ｎ−オクチルオキシフェニルカルボニル、２―ピリジルカルボニル、２―フリルカルボニル）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは、炭素数７〜３０の置換もしくは無置換のアリールオキシカルボニル基、例えば、フェノキシカルボニル、ｏ−クロロフェノキシカルボニル、ｍ−ニトロフェノキシカルボニル、ｐ−ｔ−ブチルフェノキシカルボニル）、アルコキシカルボニル基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換もしくは無置換アルコキシカルボニル基、例えば、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、ｔ−ブトキシカルボニル、ｎ−オクタデシルオキシカルボニル）、カルバモイル基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換もしくは無置換のカルバモ���ル、例えば、カルバモイル、Ｎ−メチルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−オクチルカルバモイル、Ｎ−（メチルスルホニル）カルバモイル）、アリール及びヘテロ環アゾ基（好ましくは炭素数６〜３０の置換もしくは無置換のアリールアゾ基、炭素数３〜３０の置換もしくは無置換のヘテロ環アゾ基、例えば、フェニルアゾ、ｐ−クロロフェニルアゾ、５−エチルチオ−１，３，４−チアジアゾール−２−イルアゾ）、イミド基（好ましくは、Ｎ−スクシンイミド、Ｎ−フタルイミド）、ホスフィノ基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換もしくは無置換のホスフィノ基、例えば、ジメチルホスフィノ、ジフェニルホスフィノ、メチルフェノキシホスフィノ）、ホスフィニル基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換もしくは無置換のホスフィニル基、例えば、ホスフィニル、ジオクチルオキシホスフィニル、ジエトキシホスフィニル）、ホスフィニルオキシ基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換もしくは無置換のホスフィニルオキシ基、例えば、ジフェノキシホスフィニルオキシ、ジオクチルオキシホスフィニルオキシ）、ホスフィニルアミノ基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換もしくは無置換のホスフィニルアミノ基、例えば、ジメトキシホスフィニルアミノ、ジメチルアミノホスフィニルアミノ）、シリル基（好ましくは、炭素数３〜３０の置換もしくは無置換のシリル基、例えば、トリメチルシリル、ｔ−ブチルジメチルシリル、フェニルジメチルシリル）を表す。
【００６１】
上記の官能基の中で、水素原子を有するものは、これを取り去りさらに上記の基で置換されていても良い。そのような官能基の例としては、アルキルカルボニルアミノスルホニル基、アリールカルボニルアミノスルホニル基、アルキルスルホニルアミノカルボニル基、アリールスルホニルアミノカルボニル基が挙げられる。その例としては、メチルスルホニルアミノカルボニル、ｐ−メチルフェニルスルホニルアミノカルボニル、アセチルアミノスルホニル、ベンゾイルアミノスルホニルが挙げられる。
【００６２】
Ｘ、Ｘ1、Ｘ2は各々独立に炭素数６〜２０の置換もしくは無置換のアリール基、炭素数２〜１０の置換もしくは無置換のアルキルオキシカルボニル基、炭素数７〜１０の置換もしくは無置換のアリールオキシカルボニル基、炭素数２〜１０の置換もしくは無置換のアルキルアミノカルボニル基、炭素数７〜１０の置換もしくは無置換のアリールアミノカルボニル基、炭素数１〜１０の置換もしくは無置換のアルキルスルホニル基、炭素数６〜１０の置換もしくは無置換のアリールスルホニル基、シアノ基より選ばれる基であることが好ましく、炭素数６〜２０の置換もしくは無置換のアリール基、炭素数２〜１０の置換もしくは無置換のアルキルオキシカルボニル基、炭素数７〜１０の置換もしくは無置換のアリールオキシカルボニル基、炭素数１〜１０の置換もしくは無置換のアルキルスルホニル基、炭素数６〜１０の置換もしくは無置換のアリールスルホニル基、シアノ基より選ばれる基であることがより好ましく、炭素数２〜１０の置換もしくは無置換のアルキルオキシカルボニル基、炭素数７〜１０の置換もしくは無置換のアリールオキシカルボニル基、炭素数１〜１０の置換もしくは無置換のアルキルスルホニル基、炭素数６〜１０の置換もしくは無置換のアリールスルホニル基、シアノ基より選ばれる基であることがさらに好ましく、シアノ基であることが特に好ましい。
【００６３】
Ｒ1で表される置換基としては、前記Ｘ、Ｘ1、Ｘ2で挙げた置換基が挙げられる。
【００６４】
Ｒ1は、水素原子、炭素数１〜１０の置換もしくは無置換のアルキル基、炭素数６〜１０の置換もしくは無置換のアリール基が好ましく、溶解性の観点から炭素数１〜１０の置換もしくは無置換のアルキル基、炭素数６〜１０の置換もしくは無置換のアリール基がより好ましい。アルキル基としては、炭素数３〜６の分岐のアルキル基であることが好ましく、炭素数４〜６の３級アルキル基がより好ましい。
【００６５】
Ｒ2で表される置換基としては、前記Ｘ、Ｘ1、Ｘ2で挙げた置換基が挙げられる。置換基としては炭素数１〜１０の置換もしくは無置換のアルキル基、炭素数６〜１０の置換もしくは無置換のアリール基、炭素数１〜１０の置換もしくは無置換のアルコキシ基、炭素数０〜１０の置換もしくは無置換のアミノ基であることが好ましく、炭素数１〜１０の置換もしくは無置換のアルキル基、炭素数１〜１０の置換もしくは無置換のアルコキシ基、炭素数０〜１０の置換もしくは無置換アミノ基であることがより好ましく、炭素数１〜１０の置換もしくは無置換のアルキル基、炭素数０〜１０の置換もしくは無置換アミノ基であることがさらに好ましく、炭素数０〜１０の置換もしくは無置換アミノ基であることが特に好ましい。
【００６６】
一般式（Ｉ−１）と一般式（Ｉ−２）では、一般式（Ｉ−１）の方が好ましい。一般式（Ｉ−１）の中では、一般式（１）が好ましい。
【００６７】
上述した一般式（１）について説明する。Ｑ1はヘテロ環又は炭素環を形成する原子群を表す。Ｑ1により形成される環がヘテロ環である場合、該ヘテロ環は炭素原子及びヘテロ原子（酸素原子、硫黄原子、窒素原子等）と共に形成されるヘテロ環であればよく、特に限定されないが、例えば、ピラゾール環、ピロール環、フラン環、チオフェン環、イミダゾール環、チアゾール環、イソチアゾール環、オキサゾール環、イソオキサゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、１，２，４−トリアジン環、後述の部分構造式（Ｃ−１）〜（Ｃ−１１）のいずれかを形成する環等が挙げられる。これらの環は置換基を有していてもよい。
【００６８】
Ｑ1により形成される環が炭素環である場合、該炭素環はベンゼン環であることが好ましい。置換基を有していてもよい。溶解性向上の観点から、置換基を有していることが好ましい。該炭素環に置換する置換基としては、３９０〜４１５ｎｍの青色半導体レーザ光に対する感度の観点から前記Ｒ1で挙げている置換基の中で、ヒドロキシル基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、チオール基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アミノ基、アルキルアミノ基及びアリールアミノ基のいずれにも該当しない置換基が好ましい。該置換基としては、ハロゲン、ニトロ基、シアノ基、炭素数１〜１０の置換もしくは無置換のアルキル基、炭素数６〜２０の置換もしくは無置換のアリール基、炭素数２〜１０の置換もしくは無置換のアシル基、炭素数２〜１０の置換もしくは無置換のアルコキシカルボニル基、炭素数７〜１０の置換もしくは無置換のアリールオキシカルボニル基、炭素数１〜１０の置換もしくは無置換のアルキルスルホニル基、炭素数６〜１０の置換もしくは無置換のアリールスルホニル基、又は炭素数１〜１０の置換もしくは無置換のアルコキシスルホニル基であることが好ましく、シアノ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜１０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数６〜２０のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数２〜１０のアシル基、置換もしくは無置換の炭素数２〜１０のアルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜１０のアルキルスルホニル基、置換もしくは無置換の炭素数６〜１０のアリールスルホニル基であることがより好ましく、置換もしくは無置換の炭素数１〜１０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数２〜１０のアシル基、置換もしくは無置換の炭素数２〜１０のアルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜１０のアルキルスルホニル基であることがさらに好ましい。
【００６９】
Ｑ1により形成される環は、ベンゼン環、ピラゾール環、ピロール環、フラン環、チオフェン環、イミダゾール環、チアゾール環、オキサゾール環、イソチアゾール環、イソオキサゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、又は下記部分構造式（Ｃ−１）〜（Ｃ−１１）のいずれかを形成する環（＊は−Ｎ＝Ｎ−基との結合位置を表す）が挙げられ、ベンゼン環、ピラゾール環、イミダゾール環、イソチアゾール環、イソオキサゾール環、ピリジン環、下記部分構造式（Ｃ−１）〜（Ｃ−６）のいずれかであることが好ましく、ベンゼン環、ピラゾール環、下記部分構造式（Ｃ−１）〜（Ｃ−６）のいずれかがより好ましく、ベンゼン環、ピラゾール環、下記部分構造式（Ｃ−１）〜（Ｃ−４）のいずれかがさらに好ましい。
【００７０】
【化１０】
2008105380.tif 000011
【００７１】
部分構造式（Ｃ−１）〜（Ｃ−１１）中、＊はアゾ基との結合位置を表す。
【００７２】
部分構造式（Ｃ−１）〜（Ｃ−１１）中のＲ3〜Ｒ27、Ｒ34及びＲ35は各々独立に水素原子又は置換基を表す。互いに隣接する置換基は連結して環を形成してもよい。置換基としては前記Ｘ、Ｘ1、Ｘ2で挙げた置換基が挙げられる。置換基としては、炭素数１〜１０の置換もしくは無置換のアルキル基、炭素数６〜１０の置換もしくは無置換のアリール基であることが好ましく、炭素数１〜１０の置換もしくは無置換のアルキル基であることがより好ましい。
【００７３】
Ｑ1により形成される環が、ピラゾール環、ピロール環、フラン環、チオフェン環、イミダゾール環、チアゾール環、オキサゾール環、イソチアゾール環、イソオキサゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環であるとき、これらの環は置換基を有していることが好ましく、そのような置換基としては、前記炭素環を置換する置換基が挙げられ、好ましい範囲も同じである。
【００７４】
Ｑ3は含窒素ヘテロ環を形成する基を表す。含窒素ヘテロ環としては、特に限定されないが、例えば、ピラゾール環、イミダゾール環、チアゾール環、オキサゾール環、４，５−ジヒドロイミダゾール環、４，５−ジヒドロオキサゾール環、４，５−ジヒドロチアゾール環、１，２，４−チアジアゾール環、１，３，４−チアジアゾール環、１，２，４−トリアゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、１，３，５−トリアジン環のいずれかを形成する環等が挙げられる。これらの環はさらに置換基を有していてもよく、また、縮環していてもよい。
【００７５】
Ｑ3によって形成される含窒素へテロ環基は、好ましくは、チアゾール環、オキサゾール環、１，２，４−チアジアゾール環、１，３，４−チアジアゾール環、１，２，４−トリアゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、１，３，５−トリアジン環であり、より好ましくは、チアゾール環、オキサゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、１，３，５−トリアジン環であり、さらに好ましくは、チアゾール環、ピリジン環、ピラジン環、１，３，５−トリアジン環であり、特に好ましくはチアゾール環、ピリジン環である。
【００７６】
Ｙは、金属イオンに配位可能な基を表す。活性水素を有する基としては、特に限定されないが、例えば、ヒドロキシル基、チオール基、アミノ基、カルボキシル基、スルホン酸基等が挙げられる。
【００７７】
Ｙは、ヒドロキシル基、アミノ基（好ましくは、アミノ基、炭素数１〜３０の置換もしくは無置換のアルキルアミノ基、炭素数６〜３０の置換もしくは無置換のアニリノ基、例えば、アミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、アニリノ、Ｎ−メチル−アニリノ、ジフェニルアミノ）、アシルアミノ基（好ましくは、ホルミルアミノ基、炭素数１〜３０の置換もしくは無置換のアルキルカルボニルアミノ基、炭素数６〜３０の置換もしくは無置換のアリールカルボニルアミノ基、例えば、ホルミルアミノ、アセチルアミノ、ピバロイルアミノ、ラウロイルアミノ、ベンゾイルアミノ、３，４，５−トリ−ｎ−オクチルオキシフェニルカルボニルアミノ）、アミノカルボニルアミノ基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換もしくは無置換のアミノカルボニルアミノ、例えば、カルバモイルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノカルボニルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノカルボニルアミノ、モルホリノカルボニルアミノ）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０の置換もしくは無置換アルコキシカルボニルアミノ基、例えば、メトキシカルボニルアミノ、エトキシカルボニルアミノ、ｔ−ブトキシカルボニルアミノ、ｎ−オクタデシルオキシカルボニルアミノ、Ｎ−メチルーメトキシカルボニルアミノ）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは、炭素数７〜３０の置換もしくは無置換のアリールオキシカルボニルアミノ基、例えば、フェノキシカルボニルアミノ、ｐ−クロロフェノキシカルボニルアミノ、ｍ−ｎ−オクチルオキシフェノキシカルボニルアミノ）、スルファモイルアミノ基（好ましくは、炭素数０〜３０の置換もしくは無置換のスルファモイルアミノ基、例えば、スルファモイルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノスルホニルアミノ、Ｎ−ｎ−オクチルアミノスルホニルアミノ）、アルキル及びアリールスルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜３０の置換もしくは無置換のアルキルスルホニルアミノ、炭素数６〜３０の置換もしくは無置換のアリールスルホニルアミノ、例えば、メチルスルホニルアミノ、ブチルスルホニルアミノ、フェニルスルホニルアミノ、２，３，５−トリクロロフェニルスルホニルアミノ、ｐ−メチルフェニルスルホニルアミノ）であることが好ましい。Ｙが置換基を有するアミノ基である場合、炭素数６〜３０の置換もしくは無置換のアニリノ基、炭素数２〜３０の置換もしくは無置換のアシルアミノ基、炭素数６〜３０の置換もしくは無置換のアリールカルボニルアミノ基、炭素数１〜３０の置換もしくは無置換のアミノカルボニルアミノ基、炭素数２〜３０の置換もしくは無置換のアルコキシカルボニルアミノ基、炭素数７〜３０の置換もしくは無置換のアリールオキシカルボニルアミノ基、炭素数０〜３０の置換もしくは無置換のスルファモイルアミノ基、炭素数１〜３０の置換もしくは無置換のアルキルスルホニルアミノ基、炭素数６〜３０の置換もしくは無置換のアリールスルホニルアミノ基であることが好ましく、炭素数２〜３０の置換もしくは無置換のアシルアミノ基、炭素数６〜３０の置換もしくは無置換のアリールカルボニルアミノ基、炭素数１〜３０の置換もしくは無置換のアミノカルボニルアミノ基、炭素数２〜３０の置換もしくは無置換のアルコキシカルボニルアミノ基、炭素数０〜３０の置換もしくは無置換のスルファモイルアミノ基、炭素数１〜３０の置換もしくは無置換のアルキルスルホニルアミノ基であることがより好ましく、炭素数２〜３０の置換もしくは無置換のアシルアミノ基、炭素数２〜３０の置換もしくは無置換のアルコキシカルボニルアミノ基、炭素数１〜３０の置換もしくは無置換のアルキルスルホニルアミノ基であることがさらに好ましく、炭素数２〜３０の置換もしくは無置換のアシルアミノ基、炭素数２〜３０の置換もしくは無置換のアルコキシカルボニルアミノ基であることが特に好ましい。
【００７８】
Ｙが置換基を有するアミノ基である場合、該置換基はＱ1で表される原子群と結合して環を形成してもよく、このような場合も好ましい。このようにして形成される環としては、窒素原子１〜３個を含む５員環、窒素原子１〜４個を含む６員環が挙げられ、窒素原子２個又は３個を含む５員環であることが好ましく、窒素原子３個を含む５員環であることがより好ましい。窒素原子３個を含む５員環が形成された場合の好ましい具体例として、一般式（３）又は一般式（４）に含まれる縮環構造が挙げられる。
【００７９】
上述した一般式（Ｉ−１）又は一般式（１）におけるアゾ金属錯体色素の具体例としては、以下に挙げる化合物群が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００８０】
【化１１】
2008105380.tif 000012
【００８１】
【化１２】
2008105380.tif 000013
【００８２】
【化１３】
2008105380.tif 000014
【００８３】
【化１４】
2008105380.tif 000015
【００８４】
【化１５】
2008105380.tif 000016
【００８５】
上述した一般式（Ｉ−２）におけるアゾ金属錯体色素の具体例としては、以下
に挙げる化合物群が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００８６】
【化１６】
2008105380.tif 000017
【００８７】
次に、一般式（２）について説明する。
【００８８】
一般式（２）
【００８９】
【化１７】
2008105380.tif 000018
【００９０】
一般式（２）中、Ｍは金属イオン（金属酸化物イオンを含む）を表す。金属イオンは、前記金属イオンと同義であり、好ましい範囲も同じである。
【００９１】
一般式（２）中のＱ1、Ｑ2、Ｑ3は、一般式（１）中のＱ1、Ｑ2、Ｑ3と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【００９２】
Ｚは、Ｙに含まれる水素原子が解離した基（すなわちＹ＝ＺＨ）を表す。例えば、−Ｙが−ＯＨ基であるとき、−Ｚ−は−Ｏ−となる。Ｚの好ましい範囲は、Ｙの好ましい範囲に対応する。
【００９３】
一般式（２）は、以下の一般式（３）又は一般式（４）で表されるアゾ金属錯体色素で表される場合も好ましい。特に、耐光性の観点から、一般式（４）が好ましい。
【００９４】
一般式（３）
【００９５】
【化１８】
2008105380.tif 000019
【００９６】
一般式（４）
【００９７】
【化１９】
2008105380.tif 000020
【００９８】
一般式（３）及び一般式（４）について説明する。Ｘ、Ｒ1、Ｑ3は前記Ｘ、Ｒ1、Ｑ3と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【００９９】
Ｒ6〜Ｒ8は水素原子又は置換基を表し、置換基であることが好ましい。置換基としては、特に限定されないが、前記Ｘ、Ｘ1、Ｘ2で挙げた置換基が挙げられる。
【０１００】
Ｒ6は炭素数１〜１０の置換もしくは無置換のアルキル基、炭素数６〜２０の置換もしくは無置換のアリール基、炭素数１〜１０の置換もしくは無置換のアルコキシ基、炭素数６〜２０の置換もしくは無置換のアリールオキシ基、炭素数２〜１０の置換もしくは無置換のアシル基、炭素数２〜１０の置換もしくは無置換のアルコキシカルボニル基、炭素数１〜１０の置換もしくは無置換のアルキルスルホニル基であることが好ましく、炭素数１〜８の置換もしくは無置換のアルキル基、炭素数６〜１５の置換もしくは無置換のアリール基であることがより好ましく、炭素数１〜６の置換もしくは無置換のアルキル基であることがさらに好ましい。アルキル基の中でも炭素数３〜６の分岐のアルキル基であることが好ましく、炭素数４〜６の３級アルキル基がより好ましい。
【０１０１】
Ｒ7又はＲ8は置換基であることが好ましい。置換基としては、炭素数１〜１０の置換もしくは無置換のアルキル基、炭素数６〜２０の置換もしくは無置換のアリール基であることが好ましく、炭素数１〜６の置換もしくは無置換のアルキル基であることがより好ましい。
【０１０２】
以下に、本発明のアゾ金属錯体色素の具体例を挙げるが、これらに限定されるものではない。
【０１０３】
【化２０】
2008105380.tif 000021
【０１０４】
【化２１】
2008105380.tif 000022
【０１０５】
【化２２】
2008105380.tif 000023
【０１０６】
【化２３】
2008105380.tif 000024
【０１０７】
次に、本実施の形態に係る光情報記録媒体の構成について説明する。
【０１０８】
本発明の光情報記録媒体の好ましい態様としては、下記態様（１）及び（２）を挙げることができる。
【０１０９】
態様（１）：厚さ０．７〜２ｍｍの基板上に、色素を含有する追記型記録層と、厚さ０．０１〜０．５ｍｍのカバー層とを基板側から順に有する光情報記録媒体。
【０１１０】
態様（２）：厚さ０．１〜１．０ｍｍの基板上に、色素を含有する追記型記録層と、厚さ０．１〜１．０ｍｍの保護基板とを基板側から順に有する光情報記録媒体。
【０１１１】
態様（１）においては、基板に形成されるプリグルーブのトラックピッチが５０〜５００ｎｍ、溝幅が２５〜２５０ｎｍ、溝深さが５〜１５０ｎｍであることが好ましく、態様（２）においては、基板に形成されるプリグルーブのトラックピッチが２００〜５００ｎｍ、溝幅が５０〜３００ｎｍ、溝深さが３０〜１５０ｎｍであり、ウォブル振幅が５〜５０ｎｍであることが好ましい。
【０１１２】
［態様（１）の光情報記録媒体］
態様（１）の光情報記録媒体は、少なくとも、基板と、追記型記録層と、カバー層とを有する態様である。態様（１）の光情報記録媒体の具体例を、図１に示す。図１に示す光情報記録媒体１０Ａは、基板１２上に、光反射層１８と、追記型記録層１４と、バリア層２０と、接着層又は粘着層２２と、カバー層１６とをこの順に有する。
【０１１３】
以下に、これらを構成する材料について順次説明する。
【０１１４】
基板１２
態様（１）の基板１２には、トラックピッチ、溝幅（半値幅）、溝深さ、及びウォブル振幅のいずれもが下記の範囲である形状を有するプリグルーブ３４（案内溝）が形成されている。このプリグルーブ３４は、ＣＤ−ＲやＤＶＤ−Ｒに比べてより高い記録密度を達成するために設けられたものであり、例えば、本発明の光情報記録媒体を、青紫色レーザに対応する媒体として使用する場合に好適である。
【０１１５】
プリグルーブ３４のトラックピッチは、５０〜５００ｎｍの範囲であり、上限値は４２０ｎｍ以下であることが好ましく、３７０ｎｍ以下であることがより好ましく、３３０ｎｍ以下であることがさらに好ましい。また、下限値は、１００ｎｍ以上であることが好ましく、２００ｎｍ以上であることがより好ましく、２６０ｎｍ以上であることがさらに好ましい。トラックピッチが５０ｎｍ以上であれば、プリグルーブ３４を正確に形成することができる上に、クロストークの発生を回避することができ、５００ｎｍ以下であれば、高密度記録を行うことができる。
【０１１６】
プリグルーブのトラックピッチは、１００ｎｍ以上４２０ｎｍ以下であることが好ましく、２００ｎｍ以上３７０ｎｍ以下であることがより好ましく、２６０ｎｍ以上３３０ｎｍ以下であることがさらに好ましい。
【０１１７】
プリグルーブ３４の溝幅（半値幅：溝の深さの１／２の地点における溝の幅）は、２５〜２５０ｎｍの範囲であり、上限値は２４０ｎｍ以下であることが好ましく、２３０ｎｍ以下であることがより好ましく、２２０ｎｍ以下であることがさらに好ましい。また、下限値は、５０ｎｍ以上であることが好ましく、８０ｎｍ以上であることがより好ましく、１００ｎｍ以上であることがさらに好ましい。プリグルーブ３４の溝幅が２５ｎｍ以上であれば、成型時に溝を十分に転写することができ、さらに記録時のエラーレート上昇を抑制することができ、２５０ｎｍ以下であれば、同じく成型時に溝を十分に転写することができ、さらに記録時に形成されるピットの広がりによりクロストークが発生することを回避することができる。
【０１１８】
プリグルーブの溝幅（半値幅）は、５０ｎｍ以上２４０ｎｍ以下であることが好ましく、８０ｎｍ以上２３０ｎｍ以下であることがより好ましく、１００ｎｍ以上２２０ｎｍ以下であることがさらに好ましい。
【０１１９】
プリグルーブ３４の溝深さは、５〜１５０ｎｍの範囲であり、上限値は８５ｎｍ以下であることが好ましく、８０ｎｍ以下であることがより好ましく、７５ｎｍ以下であることがさらに好ましい。また、下限値は、１０ｎｍ以上であることが好ましく、２０ｎｍ以上であることがより好ましく、２８ｎｍ以上であることがさらに好ましい。プリグルーブ３４の溝深さが５ｎｍ以上であれば十分な記録変調度を得ることができ、１５０ｎｍ以下であれば、高い反射率を得ることができる。
【０１２０】
プリグルーブの溝深さは、１０ｎｍ以上８５ｎｍ以下であることが好ましく、２０ｎｍ以上８０ｎｍ以下であることがより好ましく、２８ｎｍ以上７５ｎｍ以下であることがさらに好ましい。
【０１２１】
また、プリグルーブ３４の溝傾斜角度は、上限値が８０°以下であることが好ましく、７５°以下であることがより好ましく、７０°以下であることがさらに好ましく、６５°以下であることが特に好ましい。また、下限値は、２０°以上であることが好ましく、３０°以上であることがより好ましく、４０°以上であることがさらに好ましい。
【０１２２】
プリグルーブ３４の溝傾斜角度が２０°以上であれば、十分なトラッキングエラー信号振幅を得ることができ、８０°以下であれば成形性が良好である。
【０１２３】
追記型記録層１４
態様（１）の追記型記録層１４は、色素を、結合剤等と共に又は結合剤を用いないで適当な溶剤に溶解して塗布液を調製し、次いで、この塗布液を基板１２上又は後述する光反射層１８上に塗布して塗膜を形成した後、乾燥することにより形成することができる。ここで、追記型記録層１４は、単層でも重層でもよく、重層構造の場合、塗布液を塗布する工程が複数回行なわれることになる。
【０１２４】
塗布液中の色素の濃度は、一般に０．０１〜１５質量％の範囲であり、好ましくは０．１〜１０質量％の範囲、より好ましくは０．５〜５質量％の範囲、最も好ましくは０．５〜３質量％の範囲である。
【０１２５】
塗布液の調製に用いる溶剤としては、例えば、酢酸ブチル、乳酸エチル、セロソルブアセテート等のエステル；メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチルイソブチルケトン等のケトン；ジクロルメタン、１，２−ジクロルエタン、クロロホルム等の塩素化炭化水素；ジメチルホルムアミド等のアミド；メチルシクロヘキサン等の炭化水素；テトラヒドロフラン、エチルエーテル、ジオキサン等のエーテル；エタノール、ｎ−プロパノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノールジアセトンアルコール等のアルコール；２，２，３，３−テトラフルオロ−１−プロパノール等のフッ素系溶剤；エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル等のグリコールエーテル類；等を挙げることができる。
【０１２６】
溶剤は使用する色素の溶解性を考慮して単独で、あるいは二種以上を組み合わせて使用することができる。塗布液中には、さらに、結合剤、酸化防止剤、ＵＶ吸収剤、可塑剤、潤滑剤等各種の添加剤を目的に応じて添加してもよい。
【０１２７】
塗布方法としては、スプレー法、スピンコート法、ディップ法、ロールコート法、ブレードコート法、ドクターロール法、スクリーン印刷法等を挙げることができる。塗布方法としては、スピンコート法が好ましい。
【０１２８】
塗布の際、塗布液の温度は２３〜５０℃の範囲であることが好ましく、２４〜４０℃の範囲であることがより好ましい。
【０１２９】
追記型記録層１４の厚さは、ランド３８（基板１２において凸部）上で、３００ｎｍ以下であることが好ましく、２５０ｎｍ以下であることがより好ましく、２００ｎｍ以下であることがさらに好ましく、１８０ｎｍ以下であることが特に好ましい。下限値としては１ｎｍ以上であることが好ましく、３ｎｍ以上であることがより好ましく、５ｎｍ以上であることがさらに好ましく、７ｎｍ以上であることが特に好ましい。
【０１３０】
また、追記型記録層１４の厚さは、グルーブ４０（基板１２において凹部）上で、４００ｎｍ以下であることが好ましく、３００ｎｍ以下であることがより好ましく、２５０ｎｍ以下であることがさらに好ましい。下限値としては、１０ｎｍ以上であることが好ましく、２０ｎｍ以上であることがより好ましく、２５ｎｍ以上であることがさらに好ましい。
【０１３１】
さらに、ランド３８上の追記型記録層１４の厚さ／グルーブ４０上の追記型記録層１４の厚さの比は、０．１以上であることが好ましく、０．１３以上であることがより好ましく、０．１５以上であることがさらに好ましく、０．１７以上であることが特に好ましい。上限値としては、１未満であることが好ましく、０．９以下であることがより好ましく、０．８５以下であることがさらに好ましく、０．８以下であることが特に好ましい。
【０１３２】
また、追記型記録層１４には、該追記型記録層１４の耐光性をさらに向上させるために、種々の褪色防止剤を含有させることができる。褪色防止剤としては一般的に一重項酸素クエンチャーが用いられる。本発明においてもこの一重項酸素クエンチャーを混合させることによって更なる耐光性の向上が期待できる。一重項酸素クエンチャーとしては、既に公知の特許明細書等の刊行物に記載のものを利用することができる。
【０１３３】
その具体例としては、特開昭５８−１７５６９３号公報、同５９−８１１９４号公報、同６０−１８３８７号公報、同６０−１９５８６号公報、同６０−１９５８７号公報、同６０−３５０５４号公報、同６０−３６１９０号公報、同６０−３６１９１号公報、同６０−４４５５４号公報、同６０−４４５５５号公報、同６０−４４３８９号公報、同６０−４４３９０号公報、同６０−５４８９２号公報、同６０−４７０６９号公報、同６３−２０９９９５号公報、特開平４−２５４９２号公報、特公平１−３８６８０号公報、及び同６−２６０２８号公報等の各公報、独国特許発明特許第３５０３９９号明細書、そして日本化学会誌１９９２年１０月号第１１４１頁等に記載のものを挙げることができる。
【０１３４】
前記一重項酸素クエンチャー等の褪色防止剤の使用量は、色素の量に対して、通常０．１〜５０質量％の範囲であり、好ましくは、０．５〜４５質量％の範囲、さらに好ましくは、３〜４０質量％の範囲、特に好ましくは５〜２５質量％の範囲である。
【０１３５】
カバー層１６
態様（１）のカバー層１６は、通常、上述した追記型記録層１４上に、又は図１に示すようにバリア層２０上に、接着層又は粘着層２２を介して貼り合わされる。
【０１３６】
カバー層１６としては、透明な材質のフイルムであれば、特に限定されないが、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート等のアクリル樹脂；ポリ塩化ビニル、塩化ビニル共重合体等の塩化ビニル系樹脂；エポキシ樹脂；アモルファスポリオレフィン；ポリエステル；三酢酸セルロース等を使用することが好ましく、中でも、ポリカーボネート又は三酢酸セルロースを使用することがより好ましい。
【０１３７】
なお、「透明」とは、記録及び再生に用いられる光に対して、透過率８０％以上であることを意味する。
【０１３８】
また、カバー層１６は、本発明の効果を妨げない範囲において、種々の添加剤が含有されていてもよい。例えば、波長４００ｎｍ以下の光をカットするためのＵＶ吸収剤及び／又は５００ｎｍ以上の光をカットするための色素が含有されていてもよい。
【０１３９】
さらに、カバー層１６の表面物性としては、表面粗さが２次元粗さパラメータ及び３次元粗さパラメータのいずれも５ｎｍ以下であることが好ましい。
【０１４０】
また、記録及び再生に用いられる光の集光度の観点から、カバー層１６の複屈折は１０ｎｍ以下であることが好ましい。
【０１４１】
カバー層１６の厚さは、記録及び再生のために照射されるレーザ光４６の波長やＮＡにより、適宜、規定することができるが、本発明においては、０．０１〜０．５ｍｍの範囲内であることが好ましく、０．０５〜０．１２ｍｍの範囲であることがより好ましい。
【０１４２】
また、カバー層１６と接着層又は粘着層２２とを合わせた総厚は、０．０９〜０．１１ｍｍであることが好ましく、０．０９５〜０．１０５ｍｍであることがより好ましい。
【０１４３】
なお、カバー層１６の光入射面には、光情報記録媒体１０Ａの製造時に、光入射面が傷つくことを防止するための保護層（図１に示す態様ではハードコート層４４）が設けられていてもよい。
【０１４４】
カバー層１６と追記型記録層１４又はバリア層２０を貼り合わせるために、両層の間に接着層又は粘着層２２を設けることができる。
【０１４５】
接着層に使用される接着剤としては、ＵＶ硬化樹脂、ＥＢ硬化樹脂、熱硬化樹脂等を使用することが好ましい。
【０１４６】
接着剤としてＵＶ硬化樹脂を使用する場合は、該ＵＶ硬化樹脂をそのまま、又はメチルエチルケトン、酢酸エチル等の適当な溶剤に溶解して塗布液を調製し、ディスペンサからバリア層表面に供給してもよい。また、作製される光情報記録媒体の反りを防止するため、接着層を構成するＵＶ硬化樹脂としては硬化収縮率の小さいものを使用することが好ましい。このようなＵＶ硬化樹脂としては、例えば、大日本インキ化学工業（株）製の「ＳＤ−６４０」等のＵＶ硬化樹脂を挙げることができる。
【０１４７】
接着層の形成方法は特に限定されないが、バリア層２０又は追記型記録層１４の表面（被貼り合わせ面）上に、接着剤を所定量塗布し、その上にカバー層１６を載置した後、スピンコートにより接着剤を、被貼り合わせ面とカバー層１６との間に均一になるように広げた後、硬化させることが好ましい。
【０１４８】
接着層の厚さは、０．１〜１００μｍの範囲であることが好ましく、より好ましくは０．５〜５０μｍの範囲、さらに好ましくは１〜３０の範囲である。
【０１４９】
粘着層に使用される粘着剤としては、例えば、アクリル系、ゴム系、シリコン系の粘着剤を使用することができる。透明性、耐久性の観点から、アクリル系の粘着剤が好ましい。アクリル系粘着剤としては、２−エチルヘキシルアクリレート、ｎ−ブチルアクリレート等を主成分とし、凝集力を向上させるために、短鎖のアルキルアクリレートやメタクリレート、例えば、メチルアクリレート、エチルアクリレート、メチルメタクリレートと、架橋剤との架橋点となり得るアクリル酸、メタクリル酸、アクリルアミド誘導体、マレイン酸、ヒドロキシルエチルアクリレート、グリシジルアクリレート等とを共重合したものを用いることが好ましい。主成分、短鎖成分及び架橋点を付加するための成分との混合比率及びそれら成分の種類を、適宜調節することにより、ガラス転移温度（Ｔｇ）や架橋密度を変えることができる。前記ガラス転移温度（Ｔｇ）は、ガラス転移温度Ｔｇが０℃以下であることが好ましく、−１５℃以下であることがより好ましく、−２５℃以下であることがさらに好ましい。
【０１５０】
なお、ガラス転移温度（Ｔｇ）は、Ｓｅｉｋｏ  Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ  Ｉｎｃ．製ＤＳＣ６２００Ｒを用い、ＤＳＣ（Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ  Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｃａｌｏｒｉｍｅｔｒｙ）法によって測定できる。
【０１５１】
粘着剤の調整方法としては、特開２００３−２１７１７７号公報、特開２００３−２０３３８７号公報、特開平９−１４７４１８号公報等に記載の方法が知られている。
【０１５２】
粘着層の形成方法は特に限定されないが、バリア層２０又は追記型記録層１４の表面（被貼り合わせ面）上に、粘着剤を所定量均一に塗布し、その上にカバー層１６を載置した後、硬化させてもよいし、予め、カバー層１６の片面に、所定量の粘着剤を均一に塗布して粘着剤塗膜を形成しておき、該塗膜を被貼り合わせ面に貼り合わせ、その後、硬化させてもよい。
【０１５３】
また、カバー層１６に、予め、粘着層が設けられた市販の粘着フイルムを用いてもよい。
【０１５４】
粘着層の厚さは、０．１〜１００μｍの範囲であることが好ましく、より好ましくは０．５〜５０μｍの範囲、さらに好ましくは１０〜３０μｍの範囲である。
【０１５５】
またカバー層は、ＵＶ硬化樹脂を利用してスピンコーティング法により形成してもよい。
【０１５６】
その他の層
態様（１）の光情報記録媒体１０Ａは、本発明の効果を損なわない範囲においては、上記の必須の層に加え、他の任意の層を有していてもよい。他の任意の層としては、例えば、基板１２の裏面（追記型記録層１４が形成された側と逆側の非形成面側）に形成される、所望の画像を有するレーベル層や、基板１２と追記型記録層１４との間に設けられる光反射層１８（詳細は後述する）、追記型記録層１４とカバー層１６との間に設けられるバリア層２０（詳細は後述する）、光反射層１８と追記型記録層１４との間に設けられる界面層等が挙げられる。ここで、前記レーベル層は、紫外線硬化樹脂、熱硬化性樹脂、及び熱乾燥樹脂等を用いて形成することができる。
【０１５７】
なお、上記した必須及び任意の層はいずれも、単層でも、多層構造でもよい。
【０１５８】
態様（１）の光情報記録媒体１０Ａでは、レーザ光４６に対する反射率を高めたり、記録再生特性を改良する機能を付与するために、基板１２と追記型記録層１４との間に、光反射層１８を形成することが好ましい。
【０１５９】
光反射層１８は、レーザ光４６に対する反射率が高い光反射性物質を、例えば、真空蒸着、スパッタリング又はイオンプレーティングすることにより基板上に形成することができる。
【０１６０】
光反射層１８の層厚は、一般的には１０〜３００ｎｍの範囲とし、３０〜２００ｎｍの範囲とすることが好ましい。
【０１６１】
なお、前記反射率は、７０％以上であることが好ましい。
【０１６２】
反射率が高い光反射性物質としては、Ｍｇ、Ｓｅ、Ｙ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｐｂ、Ｐｏ、Ｓｎ、Ｂｉ等の金属及び半金属又はステンレス鋼を挙げることができる。これらの光反射性物質は単独で用いてもよいし、あるいは二種以上の組合せで、又は合金として用いてもよい。これらのうちで好ましいものは、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ及びステンレス鋼である。特に好ましくは、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ又はこれらの合金であり、最も好ましくは、Ａｕ、Ａｇ又はこれらの合金である。
【０１６３】
バリア層２０（中間層）
態様（１）の光情報記録媒体１０Ａにおいては、図１に示すように、追記型記録層１４とカバー層１６との間にバリア層２０を形成することが好ましい。
【０１６４】
バリア層２０は、追記型記録層１４の保存性向上、追記型記録層１４とカバー層１６との接着性向上、反射率調整、熱伝導率調整等のために設けることができる。
【０１６５】
バリア層２０に用いられる材料としては、記録及び再生に用いられる光を透過する材料であり、上記の機能を発現し得るものであれば、特に制限されるものではないが、例えば、一般的には、ガスや水分の透過性の低い材料であり、誘電体であることが好ましい。
【０１６６】
具体的には、Ｚｎ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｔｅ、Ｓｎ、Ｍｏ、Ｇｅ、Ｎｂ、Ｔａ等の窒化物、酸化物、炭化物、硫化物からなる材料が好ましく、ＭｏＯ2、ＧｅＯ2、ＴｅＯ、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＺｎＯ、ＳｎＯ2、ＺｎＯ−Ｇａ2Ｏ3、Ｎｂ2Ｏ5、Ｔａ2Ｏ5が好ましく、ＳｎＯ2、ＺｎＯ−Ｇａ2Ｏ3、ＳｉＯ2、Ｎｂ2Ｏ5、Ｔａ2Ｏ5がより好ましい。
【０１６７】
また、バリア層２０は、真空蒸着、ＤＣスパッタリング、ＲＦスパッタリング、イオンプレーティング等の真空成膜法により形成することができる。中でも、スパッタリングを用いることがより好ましい。
【０１６８】
バリア層２０の厚さは、１〜２００ｎｍの範囲が好ましく、２〜１００ｎｍの範囲がより好ましく、３〜５０ｎｍの範囲がさらに好ましい。
【０１６９】
［態様（２）の光情報記録媒体］
態様（２）の光情報記録媒体は、少なくとも、基板と、追記型記録層と、保護基板とを有し、好ましくは貼り合わせ型の光情報記録媒体である。その代表的な層構成は下記の通りである。
【０１７０】
（１）第１の層構成は、基板上に、追記型記録層、光反射層、接着層を順次形成し、接着層上に保護基板を設けた構成である。
【０１７１】
（２）第２の層構成は、基板上に、追記型記録層、光反射層、保護層、接着層を順次形成し、接着層上に保護基板を設けた構成である。
【０１７２】
（３）第３の層構成は、基板上に、追記型記録層、光反射層、保護層、接着層、保護層を順次形成し、該保護層上に保護基板を設けた構成である。
【０１７３】
（４）第４の層構成は、基板上に、追記型記録層、光反射層、保護層、接着層、保護層、光反射層を順次形成し、該光反射層上に保護基板を設けた構成である。
【０１７４】
（５）第５の層構成は、基板上に、追記型記録層、光反射層、接着層、光反射層を順次形成し、該光反射層上に保護基板を設けた構成である。
【０１７５】
なお、上記（１）〜（５）の層構成は単なる例示であり、層構成は上述の順番のみでなく、一部を入れ替えてもよいし、一部を省略してもよい。また、追記型記録層は、保護基板側にも形成されていてもよく、その場合、両面からの記録、再生が可能な光情報記録媒体となる。さらに、各層は１層で構成されても複数層で構成されてもよい。
【０１７６】
上記のうち、態様（２）の光情報記録媒体として、基板上に、追記型記録層、光反射層、接着層、保護基板を基板側から順に有する構成を例に以下に詳細に説明をする。前記構成を有する光情報記録媒体の具体例を図２に示す。図２に示す光情報記録媒体１０Ｂは、基板２４上に、追記型記録層２６と、光反射層３０と、接着層３２と、保護基板２８とをこの順に有する。
【０１７７】
基板２４
態様（２）における基板２４には、トラックピッチ、溝幅（半値幅）、溝深さ、及びウォブル振幅のいずれもが下記の範囲である形状を有するプリグルーブ３６（案内溝）が形成されている。このプリグルーブ３６は、ＣＤ−ＲやＤＶＤ−Ｒに比べてより高い記録密度を達成するために設けられたものであり、例えば、本発明の光情報記録媒体を、青紫色レーザに対応する媒体として使用する場合に好適である。
【０１７８】
プリグルーブ３６のトラックピッチは、２００〜５００ｎｍの範囲であり、上限値は４５０ｎｍ以下であることが好ましく、４３０ｎｍ以下であることがさらに好ましい。また、下限値は、３００ｎｍ以上であることが好ましく、３３０ｎｍ以上であることがより好ましく、３７０ｎｍ以上であることがさらに好ましい。トラックピッチが２００ｎｍ以上であればプリグルーブ３６を正確に形成することができ、さらにクロストークの発生を回避することができ、５００ｎｍ以下であれば、高密度記録を行うことができる。
【０１７９】
プリグルーブ３６の溝幅（半値幅）は、５０〜３００ｎｍの範囲であり、上限値は２９０ｎｍ以下であることが好ましく、２８０ｎｍ以下であることがより好ましく、２５０ｎｍ以下であることがさらに好ましい。また、下限値は、１００ｎｍ以上であることが好ましく、１２０ｎｍ以上であることがより好ましく、１４０ｎｍ以上であることがさらに好ましい。プリグルーブの溝幅が５０ｎｍ以上であれば、成型時に溝を十分に転写することができ、さらに記録時のエラーレート上昇を抑制することができ、３００ｎｍ以下であれば、記録時に形成されるピットの広がりによりクロストークが発生することを回避することができ、さらに十分な変調度を得ることができる。
【０１８０】
プリグルーブ３６の溝深さは、３０〜１５０ｎｍの範囲であり、上限値は１４０ｎｍ以下であることが好ましく、１３０ｎｍ以下であることがより好ましく、１２０ｎｍ以下であることがさらに好ましい。また、下限値は、４０ｎｍ以上であることが好ましく、５０ｎｍ以上であることがより好ましく、６０ｎｍ以上であることがさらに好ましい。プリグルーブ３６の溝深さが３０ｎｍ以上であれば、十分な記録変調度を得ることができ、１５０ｎｍ以下であれば、高い反射率を得ることができる。
【０１８１】
基板２４の厚さは、一般に０．１〜１．０ｍｍの範囲であり、０．２〜０．８ｍｍの範囲であることが好ましく、０．３〜０．７ｍｍの範囲であることがより好ましい。
【０１８２】
なお、後述する追記型記録層２６が設けられる側の基板２４の表面には、平面性の改善、接着力の向上の目的で、下塗層を形成することができる。
【０１８３】
下塗層の材料としては、例えば、ポリメチルメタクリレート、アクリル酸・メタクリル酸共重合体、スチレン・無水マレイン酸共重合体、ポリビニルアルコール、Ｎ−メチロールアクリルアミド、スチレン・ビニルトルエン共重合体、クロルスルホン化ポリエチレン、ニトロセルロース、ポリ塩化ビニル、塩素化ポリオレフィン、ポリエステル、ポリイミド、酢酸ビニル・塩化ビニル共重合体、エチレン・酢酸ビニル共重合体、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリカーボネート等の高分子物質；シランカップリング剤等の表面改質剤；を挙げることができる。
【０１８４】
下塗層は、前記材料を適当な溶剤に溶解又は分散して塗布液を調製した後、この塗布液をスピンコート、ディップコート、エクストルージョンコート等の塗布法により基板２４の表面に塗布することにより形成することができる。
【０１８５】
下塗層の層厚は、一般に０．００５〜２０μｍの範囲にあり、好ましくは０．０１〜１０μｍの範囲である。
【０１８６】
追記型記録層２６
態様（２）における追記型記録層２６に関する詳細については、態様（１）の追記型記録層１４と同様である。
【０１８７】
光反射層３０
態様（２）において、レーザ光４６に対する反射率を高めたり、記録再生特性を改良する機能を付与するために、追記型記録層２６上に光反射層３０を形成することができる。態様（２）の光反射層３０に関する詳細は、態様（１）の光反射層１８と同様である。
【０１８８】
接着層３２
態様（２）では、光反射層３０と後述の保護基板２８との密着性を向上させるために、光反射層３０と保護基板２８の間に接着層３２を設けることもできる。
【０１８９】
接着層３２を構成する材料としては、光硬化性樹脂が好ましく、中でもディスクの反りを防止するため、硬化収縮率の小さいものが好ましい。このような光硬化性樹脂としては、例えば、大日本インク社製の「ＳＤ−６４０」、「ＳＤ−６６１」等のＵＶ硬化性樹脂（ＵＶ硬化性接着剤）を挙げることができる。
【０１９０】
また、接着層３２の厚さは、弾力性を持たせるため、１〜１０００μｍの範囲が好ましい。
【０１９１】
保護基板２８
態様（２）における保護基板２８（ダミー基板）は、上述した基板２４と同じ材質で、同じ形状のものを使用することができる。保護基板２８の厚さは、一般に厚さ０．１〜１．０ｍｍの範囲であり、０．２〜０．８ｍｍの範囲であることが好ましく、０．３〜０．７ｍｍの範囲であることがより好ましい。
【０１９２】
保護層
態様（２）の光情報記録媒体１０Ｂは、その層構成によっては、光反射層３０や追記型記録層２６等を物理的及び化学的に保護する目的で保護層が設けられることがある。
【０１９３】
保護層に用いられる材料の例としては、ＺｎＳ、ＺｎＳ−ＳｉＯ2、ＳｉＯ、ＳｉＯ2、ＭｇＦ2、ＳｎＯ2、Ｓｉ3Ｎ4等の無機物質、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、ＵＶ硬化性樹脂等の有機物質を挙げることができる。
【０１９４】
保護層は、例えば、プラスチックの押出加工で得られたフイルムを接着剤を介して光反射層３０上に貼り合わせることにより形成することができる。また、真空蒸着、スパッタリング、塗布等の方法により設けられてもよい。
【０１９５】
また、保護層として、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂を用いる場合には、これらを適当な溶剤に溶解して塗布液を調製した後、この塗布液を塗布し、乾燥することによっても形成することができる。ＵＶ硬化性樹脂を用いて保護層を形成する場合には、ＵＶ硬化性樹脂をそのまま又は適当な溶剤に溶解して塗布液を調製した後、この塗布液を塗布し、ＵＶ光を照射して硬化させることによって形成することもできる。これらの塗布液中には、さらに帯電防止剤、酸化防止剤、ＵＶ吸収剤等の各種添加剤を目的に応じて添加してもよい。
【０１９６】
保護層の層厚は、一般には０．１μｍ〜１ｍｍの範囲にある。
【０１９７】
その他の層
態様（２）の光情報記録媒体１０Ｂは、本発明の効果を損なわない範囲においては、上記の層に加え、他の任意の層を有していてもよい。他の任意の層の詳細については、前記態様（１）のその他の層と同様である。
【０１９８】
さらに、本発明は、基板上に記録層を有する光情報記録媒体に情報を記録する方法に関する。本発明の情報記録方法では、本発明の光情報記録媒体に対してレーザ光を照射することにより、一般式（１）で表される金属錯体化合物を含む記録層へ情報を記録する。
【０１９９】
前述の好ましい態様（１）又は態様（２）の光情報記録媒体に対する情報の記録は、例えば次のように行われる。
【０２００】
まず、光情報記録媒体を定線速度（例えば０．５〜１０ｍ／秒）又は定角速度にて回転させながら、基板側又は保護層側から半導体レーザ光等の記録用の光を照射する。この光の照射により、レーザ光照射部分の光学的特性が変化して情報が記録される。図１に示す態様では、カバー層１６側から半導体レーザ光等の記録用のレーザ光４６を、第１対物レンズ４２（例えば開口数ＮＡが０．８５）を介して照射する。このレーザ光４６の照射により、追記型記録層１４がレーザ光４６を吸収して局所的に温度上昇し、物理的又は化学的変化（例えばピットの生成）が生じてその光学的特性を変えることにより、情報が記録されると考えられる。同様に、図２に示す態様では、基板２４側から半導体レーザ光等の記録用のレーザ光４６を、開口数ＮＡが例えば０．６５の第２対物レンズ４８を介して照射する。このレーザ光４６の照射により、追記型記録層２６がレーザ光４６を吸収して局所的に温度上昇し、物理的又は化学的変化（例えばピットの生成）が生じてその光学的特性を変えることにより、情報が記録されると考えられる。
【０２０１】
本発明においては、波長４４０ｎｍ以下のレーザ光を照射することにより情報を記録することが好ましい。記録光としては、４４０ｎｍ以下の範囲の発振波長を有する半導体レーザ光が好適に用いられ、好ましい光源としては３９０〜４１５ｎｍの範囲の発振波長を有する青紫色半導体レーザ光、中心発振波長８５０ｎｍの赤外半導体レーザ光を光導波路素子を使って半分の波長にした中心発振波長４２５ｎｍの青紫色ＳＨＧレーザ光を挙げることができる。特に、記録密度の点で３９０〜４１５ｎｍの範囲の発振波長を有する青紫色半導体レーザ光を用いることが好ましい。上記のように記録された情報の再生は、光情報記録媒体を上記と同一の定線速度で回転させながら半導体レーザ光を基板側又は保護層側から照射して、その反射光を検出することにより行うことができる。
【０２０２】
次に、本発明の化合物の合成法について説明する。
【０２０３】
一般式（１）で表されるアゾ金属錯体色素の一般的合成法としては、特開昭６１−３６３６２号公報及び特開２００６−５７０７６号公報に記載の方法が挙げられる。ただし、これに限定するものではない。本発明に関する一般的なアゾ金属錯体色素の合成法の一例を、一般式（１）を用いて以下に示す。
【０２０４】
［一般式（１）の合成例］
【０２０５】
【化２４】
2008105380.tif 000025
【０２０６】
アゾ色素と金属イオンを反応させてアゾ金属錯体色素を得る一般的方法としては、特開平１１−１３０９７０号公報、特開平１１−３１０７２８号公報、及び特開２００１−１５８８６２号公報に記載の方法等が挙げられる。ただし、これに限定するものではなく、他の金属塩を用いても良く、他の反応溶媒を用いても良い。本発明に関する一般的なアゾ金属錯体色素の合成法の一例を、以下に示す。
【０２０７】
前記一般式（１）で表されるアゾ色素と金属イオン（金属酸化物又はその塩を含む）からなるアゾ金属錯体色素の合成例。ただし、Ｍは金属イオン、Ｘはハロゲン化物イオン、ｎは整数を表す。反応溶媒は、ＭｅＯＨに限定されない。反応溶媒としては金属イオンを溶解できるアルコールが好ましい。塩基は添加してもしなくても良い。また、ＭとＮ原子を結ぶ点線は配位結合を表すが、仮にこの配位結合が無く結合していない状態であったとしても同一の化合物とする。
【０２０８】
【化２５】
2008105380.tif 000026
【実施例１】
【０２０９】
以下、本発明を実施例によりさらに具体的に説明するが、本発明はその主旨を超えない限り、以下の実施例に限定されるものではない。
【０２１０】
［化合物（Ａ−２１）の合成］
【０２１１】
【化２６】
2008105380.tif 000027
【０２１２】
１００ｍｌナスフラスコに化合物（１）３ｇ、化合物（２）３．３６ｇ、ＥｔＯＨ３０ｍｌを入れ、４時間加熱還流させた。室温に戻し、生成する結晶をろ過し、ＥｔＯＨでかけ洗いすることで化合物（３）４．２ｇを得た。化合物の同定は３００ＭＨｚ1Ｈ−ＮＭＲにより行った。1Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ６）［ｐｐｍ］；δ８．４７（ｄ），８．１−８．２（ｓ），８．０４（ｔ），７．７９（ｔ），７．３４（ｄ）。
【０２１３】
次に、１００ｍｌ三角フラスコに硫酸２ｍｌを注ぎ、氷冷下で酢酸９ｍｌをゆっくり滴下した。そこへ４０％ニトロシル硫酸１．４ｍｌをゆっくり滴下した後、０〜５℃に保ちながら化合物（３）１．２ｇを徐々に加え１５分間攪拌した。この酸性溶液を、氷冷下で化合物（４）１．３４ｇを含むメタノール溶液２０ｍｌに徐々に加え、１時間攪拌した。室温に戻し、２時間攪拌した後、沈殿物をろ過、乾燥させ、化合物（Ａ−２１）１．６ｇを得た。化合物の同定は３００ＭＨｚ1Ｈ−ＮＭＲにより行った。1Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ６）［ｐｐｍ］；δ８．６４（ｄ），８．４０（ｓ），８．１８（ｔ），８．０４（ｔ），７．５７（ｄｄ），３．９０（ｔ），１．６５−１．５０（ｍ），１．３０−１．４１（ｍ），１．９５（ｔ）。
【０２１４】
［化合物（Ａ−１）、（Ａ−３３）の合成］
上述した例示化合物（Ａ−２１）の合成と同様の方法により、化合物（Ａ−１）及び（Ａ−３３）を合成した。
【０２１５】
化合物（Ａ−１）及び（Ａ−３３）の同定は３００ＭＨｚ1Ｈ−ＮＭＲにより行った。
【０２１６】
化合物（Ａ−１）：1Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ６）［ｐｐｍ］；δ８．３７（ｄ），８．１０（ｓ），７．８７（ｔ），７．６２（ｄ），７．３４（ｔ），２．９３−２．８２（ｍ），１．７６−１．５０（ｍ），１．１３−０．０９（ｍ），０．６３（ｍ）。
【０２１７】
化合物（Ａ−３３）：1Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ６）［ｐｐｍ］；δ８．６２（ｓ），８．５５（ｄ），８．２９（ｓ），８．１６−８．０７（ｄｄ），７．９６（ｄ），７．５８−７．５１（ｄｄ），３．５４（ｓ），１．４０（ｓ）。
【０２１８】
同様の合成法により、化合物（Ａ−２）、化合物（Ａ−４）、化合物（Ａ−２３）、化合物（Ａ−２４）、化合物（Ａ−２６）、化合物（Ａ−２７）、化合物（Ａ−３２）を合成した。
【０２１９】
［化合物（Ｍ−１）の合成］
【０２２０】
【化２７】
2008105380.tif 000028
【０２２１】
５０ｍｌナスフラスコに化合物（Ａ−１４）３００ｍｇ、メタノール１０ｍｌを入れ、攪拌しながらトリエチルアミン０．３１ｍｌを滴下した。１０分間攪拌し、さらにＣｏ（ＯＡｃ）2・４Ｈ2Ｏ  １８６ｍｇを加え、３時間加熱還流させた。室温に戻し、沈殿物をろ過し、メタノール洗浄、乾燥を施して化合物（Ｍ−１）０．２８ｇを得た。化合物の同定はＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ−ＭＳにて確認した。［Ｍ−Ｈ+］＝８６３。
【０２２２】
［化合物（Ｍ−２）の合成］
例示化合物（Ｍ−１）の合成でのＣｏ（ＯＡｃ）2・４Ｈ2ＯをＮｉ（ＯＡｃ）2・４Ｈ2Ｏに置き換え、同様に反応させることで化合物（Ｍ−２）を合成した。化合物の同定はＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ−ＭＳにて確認した。［Ｍ−Ｈ+］＝８６２。
【０２２３】
［化合物（Ｍ−３）の合成］
上述した化合物（Ｍ−１）の合成でのＣｏ（ＯＡｃ）2・４Ｈ2ＯをＣｕ（ＯＡｃ）2・Ｈ2Ｏに置き換え、同様に反応させることで化合物（Ｍ−３）を合成した。化合物の同定はＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ−ＭＳにて確認した。［Ｍ−Ｈ+］＝８６７。
【０２２４】
［化合物（Ｍ−４）の合成］
上述した化合物（Ｍ−１）の合成でのＣｏ（ＯＡｃ）2・４Ｈ2ＯをＦｅＣｌ2・４Ｈ2Ｏに置き換え、同様に反応させることで化合物（Ｍ−４）を合成した。化合物の同定はＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ−ＭＳにて確認した。［Ｍ−Ｈ+］＝８６０。
【０２２５】
上述した化合物（Ｍ−１）〜（Ｍ−４）の合成と同様の方法により、  化合物（Ｍ−５）、化合物（Ｍ−６）、化合物（Ｍ−８）、化合物（Ｍ−９）、化合物（Ｍ−１０）、化合物（Ｍ−１１）、化合物（Ｍ−１２）、化合物（Ｍ−１３）、化合物（Ｍ−１６）、化合物（Ｍ−１７）、化合物（Ｍ−１８）、化合物（Ｍ−１９）、化合物（Ｍ−２０）、化合物（Ｍ−２１）、化合物（Ｍ−２３）、化合物（Ｍ−２６）、化合物（Ｍ−２８）、化合物（Ｍ−２９）、化合物（Ｍ−３０）、化合物（Ｍ−３１）、及び化合物（Ｍ−３２）を合成した。化合物の同定はＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ−ＭＳ又はＥＳＩ−ＭＳにて確認した。同様に、本発明の範囲の種々のアゾ金属錯体色素が合成できる。化合物の同定はＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ−ＭＳ又はＥＳＩ−ＭＳにて確認できる。
【０２２６】
［光情報記録媒体の作製］
（基板１２の作製）
厚さ１．１ｍｍ、外径１２０ｍｍ、内径１５ｍｍでスパイラル状のプリグルーブ３４（トラックピッチ：３２０ｎｍ、溝幅：グルーブ４０（凹部）幅１９０ｎｍ、溝深さ：４７ｎｍ、溝傾斜角度：６５°、ウォブル振幅：２０ｎｍ）を有する、ポリカーボネート樹脂からなる射出成形基板を作製した。射出成型時に用いられたスタンパのマスタリングは、レーザーカッティング（３５１ｎｍ）を用いて行なわれた。
【０２２７】
（光反射層１８の形成）
基板１２上に、Ｕｎａｘｉｓ社製Ｃｕｂｅを使用し、Ａｒ雰囲気中で、ＤＣスパッタリングにより、膜厚６０ｎｍの真空成膜層としてのＡＮＣ光反射層（Ａｇ：９８．１ａｔ％、Ｎｄ：０．７ａｔ％、Ｃｕ：０．９ａｔ％）を形成した。光反射層１８の膜厚の調整は、スパッタ時間により行った。
【０２２８】
（追記型記録層１４の形成）
合成した例示化合物（Ｍ−１）１ｇを、２，２，３，３−テトラフルオロプロパノール１００ｍｌ中に添加して溶解し、色素含有塗布液を調製した。そして、光反射層上に、調製した色素含有塗布液を、スピンコート法により回転数５００〜２２００ｒｐｍまで変化させながら２３℃、５０％ＲＨの条件で塗布し、追記型記録層１４（グルーブ４０上の厚さ４０ｎｍ、ランド３８上の厚さ１５ｎｍ）を形成した。これと同様にして、例示化合物（Ｍ−２）、（Ｍ−３）、（Ｍ−４）、（Ｍ−６）、（Ｍ−８）、（Ｍ−９）、（Ｍ−１７）、（Ｍ−２６）、（Ｍ−２９）、（Ｍ−３０）、（Ｍ−３１）、（Ｍ−３２）をそれぞれ用いて同様の追記型記録層１４を形成した。
【０２２９】
追記型記録層１４を形成した後、クリーンオーブンにてアニール処理を施した。アニール処理は、基板を垂直のスタックポールにスペーサで間をあけながら支持し、８０℃で１時間保持して行った。
【０２３０】
（バリア層２０の形成）
その後、追記型記録層１４上に、Ｕｎａｘｉｓ社製Ｃｕｂｅを使用し、Ａｒ雰囲気中で、ＤＣスパッタリングによりＮｂ2Ｏ5からなる、厚さ１０ｎｍのバリア層２０を形成した。
【０２３１】
（カバー層１６の貼り合わせ）
カバー層１６としては、内径１５ｍｍ、外径１２０ｍｍで、片面に粘着層（ガラス転移温度−２６℃）を有するポリカーボネート製フイルム（帝人ピュアエース、厚さ：８０μｍ）を用い、該粘着層とポリカーボネート製フイルムとの厚さの合計が１００μｍとなるように設定した。
【０２３２】
そして、バリア層２０上に、該バリア層２０と粘着層とが当接するようにカバー層１６を載置した後、そのカバー層１６を押し当て部材にて圧接して、貼り合わせた。以上の工程により、図１に示す層構成を有する光情報記録媒体１０Ａを作製した。
【０２３３】
これにより、実施例１〜１３に係る光情報記録媒体が作製された。
【０２３４】
（比較例１〜４）光情報記録媒体の作製
追記型記録層１４に使用する色素として例示化合物（Ｍ−１）に代えて比較化合物（Ａ）〜（Ｄ）を使用した以外は同様の方法で比較例１〜４の光情報記録媒体を作製した。
【０２３５】
比較化合物（Ａ）：特開２００１−１５８８６２号公報範疇の化合物
【０２３６】
【化２８】
2008105380.tif 000029
【０２３７】
比較化合物（Ｂ）：特開２００１−１５８８６２号公報記載の化合物
【０２３８】
【化２９】
2008105380.tif 000030
【０２３９】
比較化合物（Ｃ）：特開２００６−１４２７８９号公報範疇の化合物
【０２４０】
【化３０】
2008105380.tif 000031
【０２４１】
比較化合物（Ｄ）：特開２００１−３０６０７０号公報記載の化合物
【０２４２】
【化３１】
2008105380.tif 000032
【０２４３】
＜光情報記録媒体の評価＞
（１）  Ｃ／Ｎ（搬送波対雑音比）評価
作製した光情報記録媒体を、４０３ｎｍレーザ、ＮＡ０．８５ピックアップを有する記録再生評価機（パルステック社製：ＤＤＵ１０００）を用い、クロック周波数６６ＭＨｚ、線速４．９２ｍ／ｓにて、０．１６μｍの信号（２Ｔ）を記録、再生しスペクトルアナライザ（ローデ＆シュウバルツ社製ＦＳＰ−３型）にて記録ピットを再生した。記録後の１６ＭＨｚの出力をＣａｒｒｉｅｒ出力、記録前の１６ＭＨｚの出力をＮｏｉｓｅ出力として、記録後の出力−記録前の出力をＣ／Ｎ値とした。なお、本評価は、本実施の形態の光情報記録方法を用いたものであり、記録はグルーブ上に行った。また、記録パワー５ｍＷ、再生パワー０．３ｍＷであった。結果を表１に示す。ここで、（記録後の）Ｃ／Ｎが３０ｄＢ以上であると、再生信号強度が十分であり、記録特性が好ましいことを指す。
【０２４４】
（２）  色素膜の耐光性評価
実施例１〜１３、比較例１〜４と同様の色素含有塗布液を調製し、厚さ１．１ｍｍのガラス板上に、調製した色素含有塗布液を、スピンコート法により回転数５００〜１０００ｒｐｍまで変化させながら２３℃、５０％ＲＨの条件で塗布した。その後、２３℃、５０％ＲＨで２４時間保存した後、メリーゴーランド型耐光試験機（イーグルエンジニアリング社製、セルテスト機ＩＩＩ型、Ｓｃｈｏｔｔ製ＷＧ３２０フィルタ付）を用いて耐光性試験を行った。耐光性試験直前の色素膜及び耐光性試験４８時間後の色素膜について、ＵＶ−１６００ＰＣ（ＳＨＩＭＡＤＺＵ社製）を用いて色素膜の吸収スペクトルを測定し、最大吸収波長における吸光度の変化を読み取った。
【０２４５】
【表１】
2008105380.tif 000033
【０２４６】
（注１）Ｘｅ光照射４８時間後の吸収λｍａｘにおける色素残存率が９０％以上のとき◎、８５％以上９０％未満のとき○、７５％以上８５％未満のとき△、７５％未満のとき×。
【０２４７】
（注２）２Ｔ記録Ｃ／Ｎが３５ｄＢ以上のとき◎、３０ｄＢ以上３５ｄＢ未満のとき○、３０ｄＢ未満のとき×。
【０２４８】
（注３）溶解性が悪く、記録層の形成が十分にできなかったため、測定あるいは記録ができなかった。
【０２４９】
表１に示すように、従来のアゾ金属錯体色素を用いた比較例１〜４に比べ、実施例１〜１３のアゾ金属錯体色素では、いずれも耐光性が良好であり、さらに記録再生特性が良好であった。また、実施例１〜５及び実施例７の光情報記録媒体を用いて、１時間再生光を連続照射後、９Ｔ信号波形（電圧値）の観察を行った。その結果、１時間再生後の９Ｔ信号変化は０〜１％でありほとんど変化が見られなかった。これに対し、比較化合物（Ｃ）の９Ｔ信号変化は２％以上であり変化が見られた。これらの比較から、本発明の化合物は良好な再生耐久性を有することがわかる。
【０２５０】
また、本実施の形態における実施例のアゾ金属錯体色素は塗布溶剤に対し、良好な溶解性を示し、膜安定性も良好であった。
【０２５１】
＜色素溶液の耐光性評価＞
本実施の形態における実施例のアゾ金属錯体色素について、２,２,３,３−テトラフルオロプロパノールそれぞれに対して吸光度０．９５〜１．０５（セル幅１ｃｍ）となるように溶解させ、色素膜の耐光性評価と同じ条件にて、耐光性評価を行った。その結果、溶液中の耐光性はいずれも色素膜と同等以上であり、極めて高かった。種々の用途において色素に求める重要な性能として耐光性が挙げられることから、膜、溶液中いずれの状態においても耐光性に優れる本発明の化合物はインク、カラーフィルタ、色変換フィルタ、写真用材料、熱転写記録材料等の種々の用途において好ましい性能を示すことがわかった。
【０２５２】
さらに、本発明の色素は、粉末状態及び膜状態で２００℃の温度条件下に置いても分解せず、熱安定性に優れることがわかった。これにより本発明の化合物は、インク、カラーフィルタ、色変換フィルタ、写真用材料等の種々の用途において好ましい性能を示すことがわかった。
【０２５３】
なお、本発明に係る光情報記録媒体及びアゾ金属錯体色素は、上述の実施の形態に限らず、本発明の要旨を逸脱することなく、種々の構成を採り得ることはもちろんである。
【図面の簡単な説明】
【０２５４】
【図１】態様（１）の光情報記録媒体の一例を示す概略断面図である。
【図２】態様（２）の光情報記録媒体の一例を示す概略断面図である。
【符号の説明】
【０２５５】
１０Ａ、１０Ｂ…光情報記録媒体          １２、２４…基板
１４、２６…追記型記録層                １６…カバー層
１８、３０…光反射層                    ２０…バリア層
２２…接着層又は粘着層                  ２８…保護基板
３２…接着層                            ４４…ハードコート層
【図１】
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【図２】
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