(57)【要約】【課題】当該半導体パッケージに対応した精緻な構成を有するも、作製が極めて容易であり、製造コストも低く、しかも半導体パッケージの外部接続端子にダメージを与えることなく、当該外部接続端子との十分な接触を確保することを可能とする。【解決手段】半導体パッケージの表面に絶縁材料、例えば伸縮性の絶縁樹脂を流し込み、固化した絶縁材料を半導体パッケージから離間させて絶縁基体１を形成した後、絶縁基体１の表面に窪みの内壁に導電材料を供して、半導体パッケージの外部接続端子の凸形状と相補的な凹形状である係合端子３を形成する。このように作製された絶縁基体１を備えた半導体装置用ソケットでは、半導体パッケージを装着した際に、各外部接続端子がそれぞれ対応する各係合端子３に嵌合して、係合端子３と外部接続端子とが電気的に導通する。【選択図】図３
2008218011.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に凸形状の複数の外部接続端子を備えた半導体パッケージが着脱自在とされる半導体装置用ソケットであって、
基体と、
前記基体の表面に、前記半導体パッケージの前記外部接続端子と位置整合するように設けられた、前記外部接続端子の前記凸形状と相補的な凹形状の複数の係合端子と
を含み、
前記半導体パッケージを装着した際に、前記各外部接続端子がそれぞれ対応する前記各係合端子に嵌合して、前記係合端子と前記外部接続端子とが電気的に導通することを特徴とする半導体装置用ソケット。
【請求項２】
前記基体には、前記係合端子に対応した複数の接続用貫通孔が形成されており、前記各接続用貫通孔を介して前記各係合端子の外部接続がなされることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置用ソケット。
【請求項３】
前記基体には、前記係合端子の非形成部位に複数の吸引用貫通孔が形成されており、前記半導体パッケージが装着される際に前記吸引用貫通孔から真空引きが施されて当該半導体パッケージが密着することを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置用ソケット。
【請求項４】
表面に凸形状の複数の外部接続端子を備えた半導体パッケージが着脱自在とされる半導体装置用ソケットであって、
感圧性導電材料からなる基体と、
前記基体の裏面において、前記基体の前記各外部接続端子に位置整合した部位に対応するように配設されてなる複数の電極と
を含み、
前記半導体パッケージを前記基体の表面に装着した際に、前記基体の前記各外部接続端子に位置整合した部位が当該各外部接続端子により押圧されて、前記基体の当該部位を介して各外部接続端子と前記各電極とが電気的に導通することを特徴とする半導体装置用ソケット。
【請求項５】
表面に凸形状の複数の外部接続端子を備えた半導体パッケージが着脱自在とされる半導体装置用ソケットの製造方法であって、
前記半導体パッケージの表面に絶縁材料を流し込み、固化した前記絶縁材料を前記半導体パッケージから離間させることにより、前記半導体パッケージの表面形状に対応して、表面に前記半導体パッケージの前記外部接続端子と位置整合するように形成された複数の窪みを有する基体を形成する工程と、
前記窪みの内壁に導電材料を供して、前記外部接続端子の前記凸形状と相補的な凹形状である複数の係合端子を形成する工程と
を含むことを特徴とする半導体装置用ソケットの製造方法。
【請求項６】
前記係合端子を形成する工程は、
前記基体に、当該基体の裏面から前記窪みに連通する接続用貫通孔を形成する工程と、
前記窪みの内壁及び前記接続用貫通孔内を含む前記基体の表面に、前記導電材料からなる導電膜を形成する工程と、
前記導電膜を加工して、前記窪みの内壁及び前記接続用貫通孔内に前記導電膜を残して、前記基体の裏面において前記接続用貫通孔から前記導電材料が露出するように前記係合端子を形成する工程と
を含むことを特徴とする請求項５に記載の半導体装置用ソケットの製造方法。
【請求項７】
前記係合端子を形成する工程は、
前記窪みの内壁を含む前記基体の表面に、前記導電材料からなる導電膜を形成する工程と、
前記導電膜を加工して、前記窪みの内壁に前記導電膜を残して前記係合端子を形成する工程と、
前記基体の裏面を加工して、前記窪みに存する前記導電膜の底部を露出させる工程と
を含むことを特徴とする請求項５に記載の半導体装置用ソケットの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表面に複数の外部接続端子を備えた半導体パッケージが着脱自在とされる半導体装置用ソケット及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
表面に凸形状の複数の外部接続端子を備えた半導体パッケージ、例えば外部接続端子として複数のバンプが形成されてなるＢＧＡ（Ball Grid Array）パッケージにおいて、その製品の電気特性を検査するための半導体装置用ソケットが開発されている（例えば特許文献１を参照）。この半導体装置用ソケットは、当該半導体パッケージの製品に対応すべく、金型を用いて作製される型枠に、バンプに対応した複数のポゴピンが設けられて構成される。
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−２９４４５６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来の半導体装置用ソケットにおいては、その型枠を半導体パッケージの種類に応じて当該製品毎に作製する際に、金型の作製や削り出し、複雑な形状で微細なポゴピンを精度良く形成することが必要であり、作製までに非常に長い期間を要し、高い製造コストが掛かるという問題がある。
【０００５】
更に、半導体装置用ソケットにおける半導体パッケージの外部接続端子と接触する電極は、鋭利な突起形状とされており、外部接続端子に傷や変形のダメージが発生し易く、また当該電極は外部接続端子と点接触するために接触不良が生じるという問題がある。
【０００６】
本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであり、当該半導体パッケージに対応した精緻な構成を有するも、作製が極めて容易であり、製造コストも低く、しかも半導体パッケージの外部接続端子にダメージを与えることなく、当該外部接続端子との十分な接触を確保することを可能とする信頼性の高い半導体装置用ソケット及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の半導体装置用ソケットは、表面に凸形状の複数の外部接続端子を備えた半導体パッケージが着脱自在とされる半導体装置用ソケットであって、基体と、前記基体の表面に、前記半導体パッケージの前記外部接続端子と位置整合するように設けられた、前記外部接続端子の前記凸形状と相補的な凹形状の複数の係合端子とを含み、前記半導体パッケージを装着した際に、前記各外部接続端子がそれぞれ対応する前記各係合端子に嵌合して、前記係合端子と前記外部接続端子とが電気的に導通する。
【０００８】
本発明の半導体装置用ソケットは、表面に凸形状の複数の外部接続端子を備えた半導体パッケージが着脱自在とされる半導体装置用ソケットであって、感圧性導電材料からなる基体と、前記基体の裏面において、前記基体の前記各外部接続端子に位置整合した部位に対応するように配設されてなる複数の電極とを含み、前記半導体パッケージを前記基体の表面に装着した際に、前記基体の前記各外部接続端子に位置整合した部位が当該各外部接続端子により押圧されて、前記基体の当該部位を介して各外部接続端子と前記各電極とが電気的に導通する。
【０００９】
本発明の半導体装置用ソケットの製造方法は、表面に凸形状の複数の外部接続端子を備えた半導体パッケージが着脱自在とされる半導体装置用ソケットの製造方法であって、前記半導体パッケージの表面に絶縁材料を流し込み、固化した前記絶縁材料を前記半導体パッケージから離間させることにより、前記半導体パッケージの表面形状に対応して、表面に前記半導体パッケージの前記外部接続端子と位置整合するように形成された複数の窪みを有する基体を形成する工程と、前記窪みの内壁に導電材料を供して、前記外部接続端子の前記凸形状と相補的な凹形状である複数の係合端子を形成する工程とを含む。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、当該半導体パッケージに対応した精緻な構成を有するも、作製が極めて容易であり、製造コストも低く、しかも半導体パッケージの外部接続端子にダメージを与えることなく、当該外部接続端子との十分な接触を確保することを可能とする信頼性の高い半導体装置用ソケットが実現する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
−本発明の基本骨子−
本発明では、複数の外部接続端子が形成された半導体パッケージに対応した、当該半導体パッケージの言わばレプリカを自己整合的に作製し、このレプリカを半導体装置用ソケットとして用いる。
【００１２】
具体的には、先ず、半導体パッケージの表面に絶縁材料、例えば伸縮性の絶縁樹脂を流し込み、固化した絶縁材料を半導体パッケージから離間させる。これにより、半導体パッケージの表面における各種の外部接続端子の凸形状と対応した凹形状の窪みが自己整合的に形成されてなる表面を有する基体（絶縁基体）が形成される。
【００１３】
続いて、絶縁基体の表面に窪みの内壁に導電材料を供して、外部接続端子の凸形状と相補的な凹形状である係合端子を形成する。このように作製された絶縁基体を備えた半導体装置用ソケットでは、半導体パッケージを装着した際に、各外部接続端子がそれぞれ対応する各係合端子に嵌合して、係合端子と外部接続端子とが電気的に導通する構成となる。
【００１４】
更に、上記の技術的思想に基づき、更に構成を簡略化した半導体装置用ソケットを提案する。この半導体装置用ソケットは、感圧性導電材料からなる基体（感圧性導電性基体）を備え、感圧性導電性基体の裏面において、当該半導体パッケージの各外部接続端子に位置整合した部位に対応するように電極が配設されて構成される。
【００１５】
この感圧性導電性基体は、単に半導体パッケージに対応してそのサイズ等を適宜合わせて作製する。例えば、感圧性導電材料を単に矩形状に切り出せば良い。このように作製された感圧性導電性基体を備えた半導体装置用ソケットでは、半導体パッケージを装着した際に、感圧性導電性基体が外部接続端子と当接する部位で押圧を受け、当該部分のみで導電性を示す。これにより、当該部位を介して、外部接続端子と、当該外部接続端子に対応して感圧性導電性基体の裏面に設けられた電極とが導通することになる。
【００１６】
上記のような構成の半導体装置用ソケットを用いて、半導体パッケージの各種電気特性を、当該ソケットの形状崩れを懸念することなく、容易且つ正確に検査することができる。
【００１７】
−本発明を適用した好適な諸実施形態−
以下、本発明を適用した好適な諸実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。
【００１８】
［第１の実施形態］
本実施形態では、半導体パッケージに対応した半導体装置用ソケットを開示する。ここでは説明の便宜上、半導体装置用ソケットの構成を、その製造方法と共に説明する。
図１〜図３は、第１の実施形態による半導体装置用ソケットの製造方法を工程順に説明する模式図であり、図４は、第１の実施形態による半導体装置用ソケットを用いて、半導体パッケージの電気特性検査を行う様子を示す概略断面図である。図２及び図４の各図は、図３の破線Ｉ−Ｉに沿った断面を示している。
【００１９】
本実施形態では、半導体パッケージとして、外部接続端子として複数のバンプが形成されてなる、いわゆるＢＧＡ（Ball Grid Array）パッケージを例示する。
図１（ａ）に、対象となるＢＧＡパッケージ１００の外観を示す。このＢＧＡパッケージ１００では、所定の半導体素子が形成された半導体チップ（不図示）が保護樹脂１０１で覆われ、保護樹脂１０１の表面にハンダボール、ハンダバンプ等の複数の外部接続端子１０２が形成されている。
【００２０】
ＢＧＡパッケージ１００に対応したＢＧＡパッケージ用ソケットを作製するには、先ず、図１（ｂ）に示すように、対象となるＢＧＡパッケージ１００の表面（外部接続端子１０２が形成されている面）に対して、例えば四方を壁状に囲む型枠１１を設置する。
【００２１】
続いて、図１（ｃ）に示すように、液状の絶縁樹脂、ここでは例えばシリコーン等の固化した際に伸縮性を示す絶縁樹脂１２を型枠１１で囲まれた領域内に流し込む。そして、絶縁樹脂１２を固化させた後、型枠１１を除去して絶縁樹脂１２をＢＧＡパッケージ１００から離間し、図２（ａ）に示すような絶縁基体１が形成される。
【００２２】
上記のように固化した絶縁樹脂１２からなる絶縁基体１は、ＢＧＡパッケージ１００の表面における各種の外部接続端子１０２の凸形状と対応した凹形状の窪み２が自己整合的に形成されてなる表面を有している。
【００２３】
続いて、図２（ｂ）に示すように、絶縁基体１の表面全体に導電材料を供して導電膜１３を形成する。
詳細には、導電材料として例えばＣｕを用い、例えばメッキ法により、窪み２の内壁を覆う程度の膜厚の導電膜１３を形成する。
【００２４】
続いて、図２（ｃ）及び図３に示すように、導電膜１３をエッチング等により加工する。
当該加工（パターニング）により、窪み２の内壁に導電膜１３が残存してなる、外部接続端子１０２の凸形状と相補的な凹形状である複数の係合端子３と、各係合端子３と配線４を介して電気的に接続されてなる外部接続電極５とを形成する。
以上の工程を経ることにより、本実施形態のＢＧＡパッケージ用ソケット１０を完成させる。
【００２５】
ＢＧＡパッケージ用ソケット１０を用いてＢＧＡパッケージ１００の電気特性の検査を行う際には、図４に示すように、ＢＧＡパッケージ１００をＢＧＡパッケージ用ソケット１０に装着した際に、各外部接続端子１０２がそれぞれ対応する各係合端子３に嵌合し接触して、係合端子３と外部接続端子１０２とが電気的に導通する。ＢＧＡパッケージ用ソケット１０の外部接続電極５には不図示の引き出し測定器が接続されており、これにより電気特性の検査が実行される。
【００２６】
本実施形態によれば、ＢＧＡパッケージ１００に対応した精緻な構成を有するも、ＢＧＡパッケージ１００に対応したレプリカとして絶縁基体１を形成するため、外部接続電極５が複雑に形成されている場合でも、これらに対応した係合端子３（となる窪み２）を自己整合的に形成することができる。従って、作製が極めて容易であり、極めて低い製造コストでＢＧＡパッケージ用ソケット１０を作製することができる。本実施形態のＢＧＡパッケージ用ソケット１０では、例えば伸縮性の絶縁樹脂で絶縁基体１を形成することにより、ＢＧＡパッケージ１００の装着時、ここでは電気特性の検査時において、ＢＧＡパッケージ１００の外部接続端子１０２にダメージを与えることがない。更に、係合端子３が外部接続端子１０２の凸形状と相補的な凹形状に形成されており、当該装着時において外部接続端子１０２が係合端子３に確実に係合するため、両者の十分な電気的接触を確保することが可能となり、信頼性の高いＢＧＡパッケージ用ソケット１０が実現する。
【００２７】
−変形例−
ここで、第１の実施形態の諸変形例について説明する。なお、以下の諸変形例において、第１の実施形態で説明した構成部材等と対応するものについては同符号を付して詳しい説明を省略する。
【００２８】
（変形例１）
本例のＢＧＡパッケージ用ソケットでは、第１の実施形態によるＢＧＡパッケージ用ソケット１０の構成に加え、吸引用貫通孔が形成されている。
図５は、第１の実施形態の変形例１による半導体装置用ソケットの様子を示す概略平面図であり、図６は吸引用貫通孔を形成する工程を示す概略断面図であり、図５の破線Ｉ−Ｉに沿った断面（但し、配線４の断面の図示は省略する。）を示している。
【００２９】
本例のＢＧＡパッケージ用ソケット２０では、図５に示すように、係合端子３の非形成部位に複数の吸引用貫通孔６が形成されている。
これらの吸引用貫通孔６は、図３のように係合端子３及び外部接続電極５を形成した後、図６に示すように、係合端子３の非形成部位で表面から裏面まで貫通する吸引用貫通孔６を形成し、本例のＢＧＡパッケージ用ソケット２０を完成させる。
【００３０】
このＢＧＡパッケージ用ソケット２０では、図７に示すように、ＢＧＡパッケージ１００の電気特性の検査時において、表面にＢＧＡパッケージ１００を装着する際に、吸引用貫通孔６から真空引きを行う。これにより、ＢＧＡパッケージ１００がＢＧＡパッケージ用ソケット２０に確実に密着固定され、外部接続端子１０２が係合端子３により確実に係合するため、両者の更なる十分な電気的接触を確保することができる。
【００３１】
以上説明したように、変形例１では、ＢＧＡパッケージ１００に対応した精緻な構成を有するも、作製が極めて容易であり、製造コストも低く、しかもＢＧＡパッケージ１００の外部接続端子１０２にダメージを与えることなく、当該外部接続端子１０２との十分な接触を確保することを可能とする信頼性の高いＢＧＡパッケージ用ソケット２０が実現する。
【００３２】
（変形例２）
本例のＢＧＡパッケージ用ソケットでは、第１の実施形態によるＢＧＡパッケージ用ソケット１０において外部接続電極５を形成する代わりに、絶縁基体１の裏面に係合端子３と導通する外部接続電極を形成する。
図８は、第１の実施形態の変形例２による半導体装置用ソケットの製造方法の主要工程を順に説明する概略断面図である。
【００３３】
先ず、第１の実施形態と同様に、図１（ａ）〜（ｃ）の各工程を経て、図２（ａ）に示す絶縁基体１を形成する。
【００３４】
続いて、図８（ａ）に示すように、絶縁基体１に、当該絶縁基体１の裏面から窪み２に連通する（窪み２と一体化して絶縁基体１を貫通する）ように、接続用貫通孔７を形成する。
【００３５】
続いて、図８（ｂ）に示すように、絶縁基体１の表面全体に導電材料を供して導電膜１４を形成する。
詳細には、導電材料として例えばＣｕを用い、例えばメッキ法により、接続用貫通孔７を充填し、窪み２の内壁を覆う程度の膜厚の導電膜１４を形成する。このとき、接続用貫通孔７をＣｕで充填し、Ｃｕが絶縁基体１の裏面における接続用貫通孔７から露出する外部接続電極８が形成される。
【００３６】
続いて、図８（ｃ）に示すように、絶縁基体１の表面における導電膜１３を研磨等により加工する。
当該研磨加工は、絶縁基体１の表面を研磨ストッパーとして、例えば化学機械研磨（Chemical Mechanical Polishing：ＣＭＰ）法により行う。このＣＭＰ加工により、絶縁基体１の表面では窪み２の内壁のみにＣｕが残存し、外部接続端子１０２の凸形状と相補的な凹形状である複数の係合端子３が自己整合的に形成される。このとき、絶縁基体１の裏面では、各外部接続電極８が対応する係合端子３と一体化して導通する形となる。
以上の工程を経ることにより、本例のＢＧＡパッケージ用ソケット３０を完成させる。
【００３７】
このＢＧＡパッケージ用ソケット３０では、導電膜１４を加工する際に、エッチングのようにレジスト膜のパターニング等を行うことなく、表面研磨により極めて容易に外部接続電極８と導通する係合端子３を正確に形成することができる。
【００３８】
以上説明したように、変形例２では、ＢＧＡパッケージ１００に対応した精緻な構成を有するも、作製が極めて容易であり、製造コストも低く、しかもＢＧＡパッケージ１００の外部接続端子１０２にダメージを与えることなく、当該外部接続端子１０２との十分な接触を確保することを可能とする信頼性の高いＢＧＡパッケージ用ソケット３０が実現する。
【００３９】
なお、図８（ｂ）のように絶縁基体１の表面全体に導電材料を供して導電膜１４を形成する際に、図９（ａ）に示すように、形成予定の各係合端子３と電気的に導通する部位に電極２２が位置するようにプリント基板２３を絶縁基体１の裏面に貼付し、この状態で図９（ｂ）に示すように導電膜１４を形成するようにしても良い。
【００４０】
この場合、導電膜１４を形成することにより、絶縁基体１の裏面では、各外部接続電極８が対応する係合端子３と一体化して導通するとともに、外部接続電極８とプリント基板２３の電極２２とが導通する形となる。この構成のＢＧＡパッケージ用ソケット３０によれば、ＢＧＡパッケージ１００の電気特性の検査時において、プリント基板２３を用いて容易に当該検査を行うことができる。
【００４１】
（変形例３）
本例のＢＧＡパッケージ用ソケットでは、第１の実施形態によるＢＧＡパッケージ用ソケット１０において外部接続電極５を形成することなく、絶縁基体１の裏面に係合端子３と導通する外部接続電極を自己整合的に形成する。
【００４２】
図１０は、第１の実施形態の変形例３による半導体装置用ソケットの製造方法の主要工程を順に説明する概略断面図である。
【００４３】
先ず、第１の実施形態と同様に、図１（ａ）〜（ｃ）及び図２（ｂ）の各工程を経て、絶縁基体１の全面に、窪み２の内壁を覆う程度の膜厚の導電膜１３を形成する。
【００４４】
続いて、図１０（ａ）に示すように、絶縁基体１の表面における導電膜１３を研磨等により加工する。
当該研磨加工は、絶縁基体１の表面を研磨ストッパーとして、例えばＣＭＰ法により行う。このＣＭＰ加工により、絶縁基体１の表面では窪み２の内壁のみにＣｕが残存し、外部接続端子１０２の凸形状と相補的な凹形状である複数の係合端子２１が自己整合的に形成される。
【００４５】
続いて、図１０（ｂ）に示すように、絶縁基体１の裏面を研磨等により加工する。
当該研磨加工は、係合端子２１の底面のＣｕが適宜露出するまで（絶縁基体１の裏面で係合端子２１に位置整合する部位に開口９が形成されるまで）、例えばＣＭＰ法により行う。このＣＭＰ加工により、絶縁基体１の裏面において係合端子２１におけるＣｕの開口９からの露出部分２１ａが、外部と接続するための電極として機能することになる。
以上の工程を経ることにより、本例のＢＧＡパッケージ用ソケット４０を完成させる。
【００４６】
このＢＧＡパッケージ用ソケット４０では、導電膜１３を加工する際に、エッチングのようにレジスト膜のパターニング等を行うことなく、しかも係合端子２１の外部接続用の電極を特に付加形成することなく、ＣＭＰ等の研磨により極めて容易に外部接続用の電極を言わば兼備した係合端子２１を正確に形成することができる。
【００４７】
以上説明したように、変形例３では、ＢＧＡパッケージ１００に対応した精緻な構成を有するも、作製が極めて容易であり、製造コストも低く、しかもＢＧＡパッケージ１００の外部接続端子１０２にダメージを与えることなく、当該外部接続端子１０２との十分な接触を確保することを可能とする信頼性の高いＢＧＡパッケージ用ソケット４０が実現する。
【００４８】
（変形例４）
本例では、各ＢＧＡパッケージにおける各外部接続端子のサイズ、形状、及び隣接離間距離が同一とされている場合を対象として、より簡易にＢＧＡパッケージ用ソケットを形成する方法を開示する。
図１１及び図１２は、第１の実施形態の変形例４による半導体装置用ソケットの製造方法の主要工程を順に説明する概略断面図である。
【００４９】
図１１（ａ）に、対象となるＢＧＡパッケージ１１０の外観を示す。このＢＧＡパッケージ１１０では、所定の半導体素子が形成された半導体チップ（不図示）が保護樹脂１０１で覆われ、保護樹脂１０１の表面にハンダボール、ハンダバンプ等の複数の外部接続端子１０３が、それぞれ同サイズ、同形状、及び隣接離間距離が同一に形成されている。
【００５０】
ＢＧＡパッケージ１１０に対応したＢＧＡパッケージ用ソケットを作製するには、先ず、図１１（ｂ）に示すように、対象となるＢＧＡパッケージ１１０を所定の基板等（不図示）の上に複数（図示の例では４つ）並設してパッケージ群１１１とし、これらの表面（外部接続端子１０２が形成されている面）に対して、例えばパッケージ群１１１の四方を壁状に囲む型枠１５を設置する。
【００５１】
続いて、図１１（ｃ）に示すように、液状の絶縁樹脂、ここでは例えばシリコーン等の固化した際に伸縮性を示す絶縁樹脂１２を型枠１５で囲まれた領域内に流し込む。そして、絶縁樹脂１２を固化させた後、型枠１５を除去して絶縁樹脂１２をパッケージ群１１１から離間し、図１２（ａ）に示すようなパッケージ群１１１に対応した大サイズの絶縁基体２４が形成される。
【００５２】
上記のように固化した絶縁樹脂１２からなる絶縁基体２４は、パッケージ群１１１の表面における各種の外部接続端子１０２の凸形状と対応した凹形状の窪み２が自己整合的に形成されてなる表面を有している。
【００５３】
続いて、第１の実施形態と同様に、図２（ｂ）及び図３の工程を経て、図１２（ｂ）に示すように、窪み２の内壁に導電膜１３が残存してなる、外部接続端子１０２の凸形状と相補的な凹形状である複数の係合端子３と、各係合端子３と配線４を介して電気的に接続されてなる外部接続電極５（図１２（ｂ）では不図示）とを形成する。
【００５４】
続いて、図１２（ｃ）に示すように、絶縁基体２４から、ＢＧＡパッケージ１１０に対応したサイズに個々の絶縁基体２５を切り出す。
以上の工程を経ることにより、本例のＢＧＡパッケージ用ソケット５０を完成させる。
【００５５】
本例では、各ＢＧＡパッケージにおける各外部接続端子のサイズ、形状、及び隣接離間距離が同一とされている場合に、各ＢＧＡパッケージ毎にＢＧＡパッケージ用ソケットを形成することなく、多数のＢＧＡパッケージ１１０からなるパッケージ群１１１単位で絶縁基体２４を形成するため、製造工程を大幅に簡略化され、更なる製造コストの低減が実現する。
【００５６】
以上説明したように、変形例４では、ＢＧＡパッケージ１１０に対応した精緻な構成を有するも、作製が極めて容易であり、製造コストも低く、しかもＢＧＡパッケージ１１０の外部接続端子１０２にダメージを与えることなく、当該外部接続端子１０２との十分な接触を確保することを可能とする信頼性の高いＢＧＡパッケージ用ソケット５０が実現する。
【００５７】
［第２の実施形態］
本実施形態では、第２の実施形態における技術的思想に基づき、更に構成を簡略化したＢＧＡ用ソケットを開示する。
図１３は、第２の実施形態による半導体装置用ソケットの構成を示す概略斜視図である。
【００５８】
このＢＧＡ用ソケット６０は、所定の感圧性導電材料からなる感圧性導電性基体３１を備え、感圧性導電性基体３１の裏面において、当該ＢＧＡパッケージの各外部接続端子に位置整合した部位に対応するように電極３２（図中、破線で示す）が配設されて構成される。
【００５９】
この感圧性導電性基体３１は、単にＢＧＡパッケージに対応してそのサイズ等を適宜合わせて作製する。例えば、感圧性導電材料をＢＧＡパッケージに合わせて単に矩形状に切り出せば良い。このように作製された感圧性導電性基体３１を備えたＢＧＡ用ソケット６０では、ＢＧＡパッケージ１００を装着した際に、感圧性導電性基体３１が外部接続端子１０２と当接する部位で押圧を受け、当該部分のみで導電性を示す。これにより、当該部位を介して、外部接続端子１０２と、当該外部接続端子１０２に対応して感圧性導電性基体３１の裏面に設けられた電極３２とが導通することになる。
【００６０】
上記のような構成のＢＧＡ用ソケット６０を用いて、ＢＧＡパッケージ１００の各種電気特性を、当該ＢＧＡ用ソケット６０の形状崩れを懸念することなく、容易且つ正確に検査することができる。
【００６１】
以上説明したように、第２の実施形態では、ＢＧＡパッケージ１００に対応した精緻な構成を有するも、作製が極めて容易であり、製造コストも低く、しかもＢＧＡパッケージ１００の外部接続端子１０２にダメージを与えることなく、当該外部接続端子１０２との十分な接触を確保することを可能とする信頼性の高いＢＧＡパッケージ用ソケット６０が実現する。
【００６２】
なお、第１の実施形態の変形例２〜４及び第２の実施形態においても、第１の実施形態の変形例１の技術を適用し、係合端子の非形成部位に複数の吸引用貫通孔を形成するようにしても好適である。
【００６３】
以下、本発明の諸態様を付記としてまとめて記載する。
【００６４】
（付記１）表面に凸形状の複数の外部接続端子を備えた半導体パッケージが着脱自在とされる半導体装置用ソケットであって、
基体と、
前記基体の表面に、前記半導体パッケージの前記外部接続端子と位置整合するように設けられた、前記外部接続端子の前記凸形状と相補的な凹形状の複数の係合端子と
を含み、
前記半導体パッケージを装着した際に、前記各外部接続端子がそれぞれ対応する前記各係合端子に嵌合して、前記係合端子と前記外部接続端子とが電気的に導通することを特徴とする半導体装置用ソケット。
【００６５】
（付記２）前記基体は、伸縮性の絶縁樹脂からなることを特徴とする付記１に記載の半導体装置用ソケット。
【００６６】
（付記３）前記係合端子に対応した複数の外部接続電極が設けられていることを特徴とする付記１又は２に記載の半導体装置用ソケット。
【００６７】
（付記４）前記基体には、前記係合端子に対応した複数の接続用貫通孔が形成されており、前記各接続用貫通孔を介して前記各係合端子の外部接続がなされることを特徴とする付記１又は２に記載の半導体装置用ソケット。
【００６８】
（付記５）前記基体の裏面に、前記各係合端子と電気的に導通する電極が設けられてなるプリント基板が貼付されていることを特徴とする付記４に記載の半導体装置用ソケット。
【００６９】
（付記６）前記係合端子は、底部が前記基体の裏面から露出しており、前記底部で外部接続がなされることを特徴とする付記１又は２に記載の半導体装置用ソケット。
【００７０】
（付記７）前記基体には、前記係合端子の非形成部位に複数の吸引用貫通孔が形成されており、前記半導体パッケージが装着される際に前記吸引用貫通孔から真空引きが施されて当該半導体パッケージが密着することを特徴とする付記１〜４，６のいずれか１項に記載の半導体装置用ソケット。
【００７１】
（付記８）表面に凸形状の複数の外部接続端子を備えた半導体パッケージが着脱自在とされる半導体装置用ソケットであって、
感圧性導電材料からなる基体と、
前記基体の裏面において、前記基体の前記各外部接続端子に位置整合した部位に対応するように配設されてなる複数の電極と
を含み、
前記半導体パッケージを前記基体の表面に装着した際に、前記基体の前記各外部接続端子に位置整合した部位が当該各外部接続端子により押圧されて、前記基体の当該部位を介して各外部接続端子と前記各電極とが電気的に導通することを特徴とする半導体装置用ソケット。
【００７２】
（付記９）前記基体には、前記係合端子の非形成部位に複数の吸引用貫通孔が形成されており、前記半導体パッケージが装着される際に前記吸引用貫通孔から真空引きが施されて当該半導体パッケージが密着することを特徴とする付記８に記載の半導体装置用ソケット。
【００７３】
（付記１０）表面に凸形状の複数の外部接続端子を備えた半導体パッケージが着脱自在とされる半導体装置用ソケットの製造方法であって、
前記半導体パッケージの表面に絶縁材料を流し込み、固化した前記絶縁材料を前記半導体パッケージから離間させることにより、前記半導体パッケージの表面形状に対応して、表面に前記半導体パッケージの前記外部接続端子と位置整合するように形成された複数の窪みを有する基体を形成する工程と、
前記窪みの内壁に導電材料を供して、前記外部接続端子の前記凸形状と相補的な凹形状である複数の係合端子を形成する工程と
を含むことを特徴とする半導体装置用ソケットの製造方法。
【００７４】
（付記１１）前記絶縁材料が伸縮性の絶縁樹脂であることを特徴とする付記１０に記載の半導体装置用ソケットの製造方法。
【００７５】
（付記１２）前記係合端子を形成する工程は、
前記窪みの内壁を含む前記基体の表面に、前記導電材料からなる導電膜を形成する工程と、
前記導電膜を加工して、前記窪みの内壁に前記導電膜を残して前記係合端子を形成する工程と
を含むことを特徴とする付記１０又は１１に記載の半導体装置用ソケットの製造方法。
【００７６】
（付記１３）前記導電膜を加工する工程において、前記係合端子とともに、当該係合端子と電気的に接続される外部接続電極を形成することを特徴とする付記１２に記載の半導体装置用ソケットの製造方法。
【００７７】
（付記１４）前記係合端子を形成する工程は、
前記基体に、当該基体の裏面から前記窪みに連通する接続用貫通孔を形成する工程と、
前記窪みの内壁及び前記接続用貫通孔内を含む前記基体の表面に、前記導電材料からなる導電膜を形成する工程と、
前記導電膜を加工して、前記窪みの内壁及び前記接続用貫通孔内に前記導電膜を残して、前記基体の裏面において前記接続用貫通孔から前記導電材料が露出するように前記係合端子を形成する工程と
を含むことを特徴とする付記１０又は１１に記載の半導体装置用ソケットの製造方法。
【００７８】
（付記１５）前記係合端子を形成する工程を、形成予定の前記各係合端子と電気的に導通する位置に電極が設けられてなるプリント基板が前記基体の裏面に貼付された状態で実行し、前記接続用貫通孔を介して前記プリント基板の前記電極と電気的に接続されるように前記係合端子を形成することを特徴とする付記１４に記載の半導体装置用ソケットの製造方法。
【００７９】
（付記１６）前記係合端子を形成する工程は、
前記窪みの内壁を含む前記基体の表面に、前記導電材料からなる導電膜を形成する工程と、
前記導電膜を加工して、前記窪みの内壁に前記導電膜を残して前記係合端子を形成する工程と、
前記基体の裏面を加工して、前記窪みに存する前記導電膜の底部を露出させる工程と
を含むことを特徴とする付記１０又は１１に記載の半導体装置用ソケットの製造方法。
【００８０】
（付記１７）前記係合端子を形成する工程の後、前記基体における前記係合端子の非形成部位に複数の吸引用貫通孔を形成する工程を更に含むことを特徴とする付記１０〜１４，１６のいずれか１項に記載の半導体装置用ソケットの製造方法。
【００８１】
（付記１８）前記半導体パッケージは、前記各外部接続端子のサイズ、形状、及び隣接離間距離が同一とされたものであり、
前記基体を形成する工程を、複数の前記半導体パッケージが配置された状態で実行し、
前記係合端子が形成された前記基体を、前記半導体パッケージに対応したサイズに切り出す工程を更に含むことを特徴とする付記１０〜１４，１６，１７のいずれか１項に記載の半導体装置用ソケットの製造方法。
【図面の簡単な説明】
【００８２】
【図１】第１の実施形態による半導体装置用ソケットの製造方法を工程順に説明する概略斜視図である。
【図２】図１に引き続き、第１の実施形態による半導体装置用ソケットの製造方法を工程順に説明する概略断面図である。
【図３】図２に引き続き、第１の実施形態による半導体装置用ソケットの製造方法を工程順に説明する概略平面図である。
【図４】第１の実施形態による半導体装置用ソケットを用いて、半導体パッケージの電気特性検査を行う様子を示す概略断面図である。
【図５】第１の実施形態の変形例１による半導体装置用ソケットの様子を示す概略平面図である。
【図６】第１の実施形態の変形例１において、吸引用貫通孔を形成する工程を示す概略断面図である。
【図７】第１の実施形態の変形例１による半導体装置用ソケットを使用する様子を示す概略断面図である。
【図８】第１の実施形態の変形例２による半導体装置用ソケットの製造方法の主要工程を順に説明する概略断面図である。
【図９】第１の実施形態の変形例２における他の例を示す概略断面図である。
【図１０】第１の実施形態の変形例３による半導体装置用ソケットの製造方法の主要工程を順に説明する概略断面図である。
【図１１】第１の実施形態の変形例４による半導体装置用ソケットの製造方法の主要工程を順に説明する概略断面図である。
【図１２】図１１に引き続き、第１の実施形態の変形例４による半導体装置用ソケットの製造方法の主要工程を順に説明する概略断面図である。
【図１３】第２の実施形態による半導体装置用ソケットの構成を示す概略斜視図である。
【符号の説明】
【００８３】
１，２４，２５  絶縁基体
２  窪み
３，２１  係合端子
４  配線
５，８  外部接続電極
６  吸引用貫通孔
７  接続用貫通孔
９  開口
１０，２０，３０，４０，５０，６０  ＢＧＡパッケージ用ソケット
１１，１５  型枠
１２  絶縁樹脂
１３，１４  導電膜
２２  電極
２２ａ  露出部分
２３  プリント基板
１００，１１０  ＢＧＡパッケージ
１０１  保護樹脂
１０２、１０３  外部接続端子
１１１  パッケージ群
【図１】
2008218011.tif 000003
【図２】
2008218011.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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