(57)【要約】【課題】Ｚ方向の位置を計測する機構の周囲に影響を抑え軽量化及び高制御性を達成する露光装置、その露光装置を用いるデバイス製造方法を提供する。【解決手段】  露光装置は、レチクルステージ１０２である微動ステージ３の底面に直交する第１方向における位置を計測する第１の計測光１６ｃを発射する第１の干渉計としてのＺ干渉計７と、微動ステージ３の底面に設けられる第１のミラーとしての微動Ｚミラー１３と、微動Ｚミラー１３の直下に設けられる第２のミラーとしての反射鏡１６ａとを有し、Ｚ干渉計７から発射された第１の計測光１６ｃを反射鏡１６ａを介して微動Ｚミラー１３へと導く。微動Ｚミラー１３により反射された第１の計測光１６ｃを反射鏡１６ａを介して干渉計７へ戻して微動ステージ３の第１の方向における位置を計測する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
原版を搭載して移動するステージと、
前記ステージの底面に直交する第１方向における位置を計測する第１の計測光を発射する第１の干渉計と、
前記ステージの底面に設けられる第１のミラーと、
前記第１のミラーの直下に設けられる第２のミラーとを備え、
前記第１の干渉計から発射された前記第１の計測光を前記第２のミラーを介して前記第１のミラーへと導き、前記第１のミラーにより反射された前記第１の計測光を前記第２のミラーを介して前記第１の干渉計へ戻して前記ステージの第１方向における位置を計測することを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記第１の干渉計は前記第２のミラーを中心に対称に対で設けられ、前記第１の計測光が各々の前記第１の干渉計から発射され、反射されることを特徴とする請求項１記載の露光装置。
【請求項３】
前記ステージの側面に直交する第２方向における位置を計測する複数の第２の計測光を発射する第２の干渉計と、
前記ステージの側面に設けられる第３のミラーと、を有し、
前記第３のミラーは前記第２の干渉計から発射される複数の第２の計測光を前記第２の干渉計へ反射して前記ステージの第２方向における位置を計測し、該計測結果を用いて前記ステージをピッチング方向に制御可能であることを特徴とする請求項１又は２記載の露光装置。
【請求項４】
前記第１の干渉計から発射される参照光のみを通過させずに反射させ、前記第２のミラーを介して前記第１の干渉計に戻すように前記第１のミラーと前記第２のミラーの間に設けられる参照ミラーを有することを特徴とする請求項１又は２記載の露光装置。
【請求項５】
前記第１の干渉計、前記第２の干渉計、前記第２のミラー、第３のミラーは、前記ステージとは別に支持された固定部に固定されることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の露光装置。
【請求項６】
請求項１から５のいずれかに記載の露光装置を用いてウェハを露光する工程と、
前記ウェハを現像する工程とを備えることを特徴とするデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ステージの制御性を高め、半導体や液晶等のデバイスを製造する工程で用いられる露光装置、及びその露光装置を用いるデバイス製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体、液晶等のデバイスを製造する際、フォトリソグラフィー技術を用いてレチクルに描画されたパターンを投影光学系によって縮小投影し、そのパターンをウェハに転写する投影型の露光装置が使用されている。
レチクルは、高精度な投影露光を行うべく、レチクルステージに保持されてレチクルステージとともに移動する。
露光装置の中でも投影露光の走査型のものは、レチクルステージが１軸に長ストロークで移動する必要があるため、干渉計を用いて１軸に長ストロークで移動するレチクルステージの移動性を高めた先行技術が提案されている。
一つには例えば特開２００１−３４５２５４号公報（特許文献１）により 全体として小型にでき、レーザ干渉計による計測を高精度で実現し高精度に移動可能なステージ装置が提案されている。
【０００３】
図７（ａ）（ｂ）を参照して、特許文献１に記載のレチクルステージの構成を説明する。
レチクルステージ１のＹ方向における位置はレーザ干渉計の計測光Ｙ１又はＹ２によって計測され、Ｘ方向における位置は計測光Ｘ１によって計測され、Ｚ方向における位置は計測光Ｚによって計測される。
ここで、Ｚ方向を計測するために、レチクルステージ１１０上にミラー１１９ｅを設けて、レチクルステージ１１０の上方にミラー１１１ｄを設けている。
レーザ干渉計からの計測光は、ミラー１１９ｅによって鉛直上向きに反射され、レチクルステージ１１０の上方に設けられたミラー１１ｄで反射され、再びミラー１１９ｅによってレーザ干渉計に導光される。
ミラー１１９ｅ，１１１ｄを設けることにより、レチクルステージ１１０のＺ方向の位置を高精度に計測することが可能となる。
【特許文献１】特開２００１−３４５２５４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上述の従来例では、レチクルステージ１１０のＺ方向の位置を計測しようとすると、レチクルステージ１１０上方のミラー１１９ｅをストローク範囲にわたって設ける必要があり、さらにこれを支持する構造体が必要となる。
しかしながら、レチクルステージ１１０上方にはレチクルに露光光を導光するための光学系が配置されており、その構造体のための十分なスペースがあるとはいえない。
また、レチクルステージ１１０の位置は投影光学系を基準とするため、ミラー１１１ｄは投影光学系を支持する構造体に支持されることが好ましい。
しかし、そのために投影光学系を支持する支持体をレチクルステージ１１０上方まで設けるのは設計上の制約が大きい。
即ち、レチクルステージ１１０の下方も同様に投影光学系が配置され、露光装置の光学性能を向上させるためにはレチクルと投影光学系との間のスペースを小さくすることが好ましい。
しかし、レーザ干渉計を直接にレチクルステージ１１０下方に配置すると上述の投影光学系等のスペースが十分にとれなくなってしまう問題がある。
【０００５】
そこで、本発明は、レチクルステージのＺ方向における位置を計測する機構が周囲の機構に与える影響を抑え、軽量化及び高制御性を達成する露光装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するための本発明の露光装置は、原版を搭載して移動するステージと、
前記ステージの底面と直交する第１方向における位置を計測する第１の計測光を発射する第１の干渉計と、
前記ステージの底面に設けられる第１のミラーと、
前記第１のミラーの直下に設けられる第２のミラーとを備え、
前記第１の干渉計から発射された前記第１の計測光を前記第２のミラーを介して前記第１のミラーへと導き、前記第１のミラーにより反射された前記第１の計測光を前記第２のミラーを介して前記第１の干渉計へ戻して前記ステージの位置を計測することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の露光装置によれば、前記第１の干渉計から発射された前記第１の計測光を前記第２のミラーを介して前記第１のミラーへと導き、前記第１のミラーにより反射された前記第１の計測光を前記第２のミラーを介して前記第１の干渉計へ戻して前記ステージの位置を計測する。
このため、第１のミラー、第２のミラーが干渉計の位置に対する位置制約が無く、ステージのＺ方向（底面と直交する方向）における位置を計測する機構が周囲の機構に与える影響を抑えることができる。
その結果、ステージの幅を縮小することが可能となり、装置の軽量化を達成し、かつステージ下方のスペースを有利に利用してステージの制御性の向上を達成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下、図面を参照して、本発明の実施例を説明する。
【実施例１】
【０００９】
図１は、本発明の実施例１の露光装置の構成を示す概略構成図である。
露光装置は、図１に示すように、照明装置１０１、レチクルを搭載したレチクルステージ１０２、投影光学系１０３、及び、ウェハを搭載したウェハステージ１０４を有する。
露光装置は、レチクルに形成された回路パターンをウェハに投影露光するものであり、ステップアンドリピート投影露光方式、又は、ステップアンドスキャン投影露光方式であってもよい。
照明装置１０１は、回路パターンが形成されたレチクルを照明し、光源部と照明光学系とを有する。光源部は、例えば、光源としてレーザを使用する。
【００１０】
レーザは、波長約１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザ、波長約２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザ、波長約１５３ｎｍのＦ２エキシマレーザ等を使用することができる。
しかし、レーザの種類はエキシマレーザに限定されず、例えば、ＹＧＡレーザを使用してもよく、そのレーザの個数も特段の限定はない。
光源にレーザが使用される場合、レーザ光源からの平行光束を所望のビーム形状に整形する光束整形光学系、コヒーレントなレーザ光束をインコヒーレント化するインコヒーレント化光学系を使用することが好ましい。
また、光源部に使用可能な光源はレーザに限定されるものではなく、一又は複数の水銀ランプやキセノンランプ等のランプも使用可能である。
照明光学系はマスクを照明する光学系であり、レンズ、ミラー、ライトインテグレーター、絞り等を含む。
【００１１】
投影光学系１０３は、複数のレンズ素子のみからなる光学系、複数のレンズ素子を少なくとも一枚の凹面鏡とを有する光学系（カタディオプトリック光学系）等を使用できる。
投影光学系１０３は、さらに、複数のレンズ素子と少なくとも一枚のキノフォーム等の回折光学素子とを有する光学系、全ミラー型の光学系等を使用することができる。
一方、レチクルステージ１０２及びウェハステージ１０４は、例えばリニアモータによって移動可能である。ステップアンドスキャン投影露光方式の場合には、それぞれのステージ１０２，１０４は同期して移動する。
また、レチクルのパターンをウェハ上に位置合わせするためにウェハステージ１０４及びレチクルステージ１０２の少なくともいずれかに別途アクチュエータを備える。
このような露光装置は、半導体集積回路等の半導体デバイスや、マイクロマシン、薄膜磁気ヘッド等の微細なパターンが形成されるデバイスの製造に利用することができる。
【００１２】
図２、図３は、図１におけるレチクルステージ１０２を示す図である。レチクルステージ１０２は、原版としてのレチクルを搭載して移動する微動ステージ３（ステージ）を有する。
微動ステージ３の位置を計測する第１の計測光１６ｃを発射する第１の干渉計としてのＺ干渉計７を有する。
さらに、微動ステージ３の底面に設けられる第１のミラーとしての微動Ｚミラー１３と、第１のミラーの微動Ｚミラー１３の直下に設けられる第２のミラーとしての反射鏡１６ａとを有する。
さらに、第１の干渉計としてのＺ干渉計７から発射された第１の計測光１６ｃを第２のミラーの反射鏡１６ａを介して第１のミラーの微動Ｚミラー１３へと導く。
第１のミラーの微動Ｚミラー１３により反射された第１の計測光１６ｃを第２のミラーの反射鏡１６ａを介して第１の干渉計のＺ干渉計７へ戻して微動ステージ３の位置を計測する。ここで、図のように反射鏡１６ｂを間に介してもよい。
【００１３】
第１の干渉計のＺ干渉計７は、第２のミラーとしての反射鏡１６ａを中心に対称に対で設けられる。
第１の計測光１６ｃが各々の第１の干渉計としてのＺ干渉計７から発射され、第１のミラーとしての微動Ｚミラー１３から反射される。
【００１４】
ステージである微動ステージ３の位置を計測する複数の第２の計測光６ｂを発射する第２の干渉計としての微動Ｙ，ピッチング干渉計６を有する。
さらに、微動ステージ３の側面に設けられる第３のミラーとしての反射ミラー６ａを有する。
第３のミラーである反射ミラー６ａは第２の干渉計である微動Ｙ，ピッチング干渉計６から発射される複数の第２の計測光６ｂを第２の干渉計の微動Ｙ，ピッチング干渉計６へ反射する。
これにより、微動ステージ３のＹ方向における位置が計測できる。さらにこの計測結果を用いて、微動ステージ３をピッチング方向に制御可能となる。
また、第１の干渉計であるＺ干渉計７、第２の干渉計である微動Ｙ，ピッチング干渉計６、第２のミラーの反射鏡１６ａ、第３のミラーの反射鏡６ａは、微動ステージ３とは別に支持された固定部２０に固定される。
【００１５】
以下、図２、図３を参照して本発明の上記要素を含むレチクルステージ１０２の具体的な構成を説明する。
なお、ウェハステージ１０４も本発明の上記要素を含むが、ここではその説明は省略する。
図２（ａ）は、本発明の構成を含むレチクルステージ１０２の上面図であり、図２（ｂ）は、レチクルステージ１０２をその１軸の移動方向（Ｙ方向）の外側から見た側面図である。
微動ステージ３は、粗動リニアモータ固定子１、及び粗動リニアモータ可動子２から成る左右のリニアモータを有する。
粗動リニアモータ固定子１は、電気子又は永久磁石を用いた平板状の構成を有する。
粗動リニアモータ可動子２は、固定子１のタイプに応じた逆の構成要素となる永久磁石又は電気子を用いて粗動ステージ５の左右の端部側に平板状に備えられており、左右の粗動リニアモータ固定子１上に位置する。
【００１６】
微動ステージ３は、粗動ステージ５上に構成されてレチクルを保持し、粗動ステージ５がレチクルのスキャン方向に大きく動く駆動と並行して、粗動ステージ５上のリニアモータ４によりレチクルの微小な最終位置決め駆動を行う。
粗動ステージ５は、左右の粗動リニアモータ可動子２と一体となり、レチクルのスキャン方向として１軸のＹ方向に駆動する。
また、粗動ステージ５は、微動ステージ３にＹ方向の加減速力を伝達し、微動ステージ３のリニアモータ４の固定側を支持する役割を果たす。
なお、粗動ステージ５の粗動リニアモータ可動子２と粗動リニアモータ固定子１との間には、粗動ガイド１５が設けられている。粗動ガイド１５には、エアベアリングを使用するのが一般的である。
微動Ｙ，ピッチング干渉計６は、微動ステージ３のＹ方向と１軸移動のピッチング方向を計測するために、微動ステージ３の天板上のターゲット（反射ミラー６ａ）に計測光を導光し、その反射光を受光する。
また、微動Ｙ，ピッチング干渉計６は、反射ミラー６ａから反射する計測光を受光し、反射ミラー６ａが有する平面形状の誤差を計測する。
【００１７】
Ｚ干渉計７は、微動ステージ３のＺ方向の変位を計測する干渉計である。これに加えて、不図示のＸ方向干渉計を加えることで、微動ステージ３を６軸計測することが可能となる。
微動Ｙ，ピッチング干渉計６、Ｚ干渉計７の支持は、いずれも、ステージの固定側、つまり露光レンズ１４を固定する固定部２０に関係する部材から行う。
計測系の支持については、露光レンズ１４を支持する基準定盤から行う場合も多い。
図２（ｂ）に示されるようにＺ干渉計７は、後述するように露光レンズ１４の外形を避ける固定部２０上の反射鏡支持部材１７に支持されている。
粗動干渉計８は、粗動ステージ５のＹ方向の位置を計測するための干渉計である。粗動ステージ５は、一般的に、微動ステージ３よりも駆動精度を低くできるので、干渉計以外の計測手段を用いてもよい。
自重補償９は、微動ステージ３の重量分をリニアモータに頼らずに支持するためのサスペンション機構になっている。具体的には、磁石の反発力を用いたタイプや、エアばねを用いたものがある。
【００１８】
Ｉ型コア１０は、微動ステージ３のＹ方向の端部側に配設された磁性体より成り、Ｅ型コア１１は、粗動ステージ５上のＩ型コア１０に対向する位置に配設された磁性体より成る。
継ぎ手コイル１２は、Ｅ型コア１１の周りに構成されており、通電することで、Ｉ型コア１０、Ｅ型コア１１間に電磁力による吸引力を、非接触状態にて発生することが可能となる。
粗動ステージ５の加減速に同期して電磁石の吸引力を発生させることによって、加減速の力を粗動ステージ５から微動ステージ３に伝達することが可能となる。
一方、Ｚ干渉計７からの計測光を微動Ｚミラー１３に導く反射鏡としては、各微動ミラー１３の下方において、例えば各微動ミラー１３の中軸線に一致する中軸線位置上の位置に配設される反射鏡１６ａ，１６ｂを有する。
なお、Ｚ干渉計７は、露光レンズ１４を避けた４箇所に設けられており、各１軸上に並ぶ各一対のＺ干渉計７が上方に向けて発射する計測光の照射位置は微動ステージ３の底面側の各対応する微動Ｚミラー１３の中軸線に一致する。
【００１９】
図３は、図２（ａ）に示すレチクルステージ１０２の要部をＸ方向から見た要部側面図を示す。
ここで図３を参照して微動Ｚミラー１３、反射鏡１６ａ，１６ｂの詳細を説明する。
微動Ｚミラー１３は、Ｚ干渉計７の計測ターゲットとしてスキャン方向（Ｙ方向）に長さを持つ棒状のミラーであり、微動ステージ３の底面側の両端側に設けられている。
反射鏡１６ａは、三角形状のミラーであり、固定部２０上の反射鏡支持部材１７に支持されて微動Ｚミラー１３のＺ方向の真下の位置に固定されている。
反射鏡１６ｂは、各Ｚ干渉計７のＺ方向の真上の位置に固定部２０上の反射鏡支持部材１７に支持されて固定されている。
【００２０】
また、各一対の反射鏡１６ｂ、及びそのそれぞれの中間位置の反射鏡１６ａは、これを１組として同一の高さ位置にあり、各Ｚ干渉計７からの計測光１６ｃを各々対応する微動Ｚミラー１３に導く光路を形成する。
即ちＺ干渉計７及び反射鏡１６ｂは反射鏡１６ａを中心に対称に対で微動ステージ３と露光レンズ１４との間のスペースを利用して同一の高さに設けられて各Ｚ干渉計７からの計測光１６ｃを微動Ｚミラー１３に導く光路を形成する。
反射鏡１６ｂは、Ｚ干渉計７からの計測光を反射鏡１６ａに向けて水平の方向に反射し第１の計測光１６ｃを形成する。反射鏡１６ａは、第１の計測光１６ｃをＺ方向の上向きに９０度反射させて微動Ｚミラー１３に入射させる。
図３に示されるように各微動Ｚミラー１３からの反射光は、各同軸下の反射鏡１６ａ，１６ｂを反射して各同軸下のＺ干渉計７に戻る。
また、上記反射鏡１６ａ，１６ｂの構成では、Ｙ方向からの計測光の計測でピッチング計測を可能とするピッチング干渉計をも構成する。
【００２１】
これにより、微動ステージ３のピッチング方向の制御を行った状態で、反射鏡１６ａ，１６ｂを計測する２軸のＺ干渉計７により各微動Ｚミラー１３のミラー面の詳細形状を計測できる。
このため、Ｚ干渉計７による各微動Ｚミラー１３のミラー面の詳細形状の計測結果を元に各微動Ｚミラー１３の平面度による計測誤差を減少させ、微動ステージ３の駆動時に誤差を補正した駆動を行わせることが可能となる。
従来例では、干渉計自体をこの反射鏡１６ａ、１６ｂの空間に構成することができなかったために、微動ステージ３天板上のＺミラー位置をＸ方向に拡大する必要があった。
しかし、本発明の上記の構成では、反射鏡１６ａ、１６ｂは小型であるため、微動ステージ３天板と露光レンズ１４間に構成することが可能となり、微動ステージ３天板上のＺミラー位置をＸ方向に拡大する必要が無くなる。
このため、微動ステージ３のＸ方向への大型化が不必要となり、レチクルステージ１０２のＺ方向の位置を計測する機構が周囲の機構に与える影響を抑えるとともに、軽量化及び高制御性を得ることができる。
【実施例２】
【００２２】
図４は、本発明の実施例２の露光装置のレチクルステージ１０２の要部の構成をＸ方向から示す要部側面図である。なお図４中で、図１、図２と同じ符号は同一の構成要素を示す。
本発明の実施例２の露光装置は、第１の干渉計としてのＺ干渉計７から発射される参照光のみを通過させずに反射させる。
さらに、第２のミラーの反射鏡１６ａを介して第１の干渉計のＺ干渉計７に戻すように、第１のミラーとしての微動Ｚミラー１３と第２のミラーとしての反射鏡１６ａの間に参照ミラー１８を有する。
参照ミラー１８は、微動Ｚミラー１３と反射鏡１６ａとの間の計測光１６ｃの光路位置に支持部を介して設置される。
Ｚ干渉計７からは、計測光１６ｃのみで無く、不図示の参照光も同時に同方向に出射されている。
Ｚ干渉計７より出射された両方の光は、途中まで同一経路を進み、反射鏡１６ａ、１６ｂによって、角度を変えながら進む。
参照ミラー１８に達した際に、参照光のみはそのままＺ干渉計７に戻り、計測光１６ｃは微動ステージ３の微動Ｚミラー１３まで到達し、反射した後にＺ干渉計７へと戻る。
【００２３】
Ｚ干渉計７は、Ｚ干渉計７内での双方の参照光及び反射光１６ｃの干渉に応じた干渉信号を生じることで、参照ミラー１８と微動ステージ３間の変位量のみを計測することが可能となる。
図３に示す実施例１の構成では、計測光１６ｃのみが出射されており、Ｚ干渉計７から出た計測光１６ｃの経路がすべて変位の計測対象となっていたため、反射鏡１６ａ、１６ｂの支持精度にも影響される可能性があった。
しかし、実施例２では、参照ミラー１８により途中の経路は計測対象外となるため、温度揺らぎ、あるいは、反射鏡１６ａ、１６ｂの振動等による誤差成分が無くなり、計測精度をさらに向上させることが可能となる。
なお、反射鏡１６ａ、１６ｂ、参照ミラー１８の支持は、露光レンズ１４上でも、あるいは露光レンズ１４以外の計測基準の部材でも可能である。
【００２４】
（デバイス製造方法の実施例）
次に、図５及び図６を参照して、上述の露光装置を利用したデバイス製造方法の実施例を説明する。
図５は、デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、ＬＣＤ、ＣＣＤ等）の製造を説明するためのフローチャートである。ここでは、半導体チップの製造方法を例に説明する。
ステップＳ１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行う。
ステップＳ２（マスク製作）では設計した回路パターンに基づいてマスクを製作する。ただしここではレチクルを製作してもよい。
ステップＳ３（ウェハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウェハを製造する。
ステップＳ４（ウェハプロセス）は前工程と呼ばれ、マスクとウェハを用いて、上記の露光装置によりリソグラフィ技術を利用してウェハ上に実際の回路を形成する。
ステップＳ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップＳ４によって作製されたウェハを用いて半導体チップ化する工程である。
この工程にはアッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の組み立て工程を含む。
ステップＳ６（検査）ではステップＳ５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。
こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、それが出荷（ステップＳ７）される。
【００２５】
図６は、ステップ４のウェハプロセスの詳細なフローチャートである。
ステップＳ１１（酸化）ではウェハの表面を酸化させる。
ステップＳ１２（ＣＶＤ）ではウェハの表面に絶縁膜を形成する。
ステップＳ１３（電極形成）ではウェハに電極を形成する。
ステップＳ１４（イオン打ち込み）ではウェハにイオンを打ち込む。
ステップＳ１５（レジスト処理）ではウェハに感光剤を塗布する。
ステップＳ１６（露光）では上記の露光装置によってマスクの回路パターンをウェハに露光する。
ステップＳ１７（現像）では露光したウェハを現像する。
ステップＳ１８（エッチング）では現像したレジスト像以外の部分を削り取る。
ステップＳ１９（レジスト剥離）ではエッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。
これらのステップを繰り返し行うことによってウェハ上に多重に回路パターンが形成される。
このデバイス製造方法では、上記の露光装置を用いるため、露光処理の制御性がよく、信頼性のあるデバイスの生産性がより向上する。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明の実施例１の露光装置の構成を示す概略構成図である。
【図２】図２（ａ）は、本発明の実施例１の構成を含むレチクルステージの上面図である。図２（ｂ）は、そのレチクルステージをその１軸の移動方向（Ｙ方向）の外側から見た側面図である。
【図３】図２（ａ）に示すレチクルステージの要部をＸ方向から見た要部側面図である。
【図４】本発明の実施例２の露光装置のレチクルステージの要部の構成をＸ方向から示す要部側面図である。
【図５】本発明の露光装置を使用したデバイス製造方法を説明するためのフローチャートである。
【図６】図５に示すフローチャートのステップ４のウェハプロセスの詳細なフローチャートである。
【図７】図７（ａ）は、従来のレチクルステージの構成の一部を説明する説明図である。  図７（ｂ）は、従来のレチクルステージの構成の上方の他の一部を説明する説明図である。
【符号の説明】
【００２７】
１    粗動リニアモータ固定子
２    粗動リニアモータ可動子
３    微動ステージ
４    微動リニアモータ
５    粗動ステージ
６    微動Ｙ，ピッチング干渉計
６ａ  反射ミラー
７    Ｚ干渉計
８    粗動干渉計
９    自重補償
１０    Ｉ型コア
１１    Ｅ型コア
１２    コイル
１３    微動Ｚミラー
１４    露光レンズ
１５    粗動ガイド
１６ａ  反射鏡
１６ｂ  反射鏡
１６ｃ  計測光
１７    反射鏡支持部材
１８    参照ミラー
２０    固定部
１０１    照明系ユニット
１０２    レチクルステージ
１０３    投影光学系    
１０４    ウェハステージ
Ｘ１、Ｙ１、Ｙ２    計測光
１１０    レチクルステージ
１１１ｄ、１１９ｅ    ミラー
【図１】
2008147411.tif 000003
【図２】
2008147411.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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