(57)【要約】【課題】端子部の変色を防止できながら、得られた配線回路基板の静電気の帯電を効率的に除去することのできる、配線回路基板の製造方法を提供すること。【解決手段】金属支持基板２、ベース絶縁層３、導体パターン４およびカバー絶縁層５を備える回路付サスペンション基板１を用意し、次いで、導体パターン４を形成する銅の標準電極電位よりも標準電極電位の低い鉛および／または錫から形成される保護層９を、カバー絶縁層５の開口部１２から露出する露出部１１に積層する。その後、この保護層９が積層された回路付サスペンション基板１を、ポリアニリンの重合液に浸漬して、半導電性層１０を、ベース絶縁層３の表面およびカバー絶縁層５の表面に形成する。【選択図】図４
2008147381.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層と、前記絶縁層に被覆される配線および前記絶縁層から露出する端子部を含む導体パターンと、を備える配線回路基板を用意する工程と、
前記導体パターンを形成する導体材料の標準電極電位よりも標準電極電位の低い材料から形成される接触部材を、前記導体パターンと接触しかつ前記絶縁層から露出するように設置する工程と、
設置された前記接触部材を含む前記配線回路基板を、導電性ポリマーの重合液に浸漬して、半導電性層を、前記絶縁層の表面に形成する工程と
を備えることを特徴とする、配線回路基板の製造方法。
【請求項２】
前記配線回路基板を用意する工程において、
前記端子部の表面にめっき層を形成することを特徴とする、請求項１に記載の配線回路基板の製造方法。
【請求項３】
前記配線回路基板を用意する工程において、
前記接触部材を設置するために、前記導体パターンに前記絶縁層から露出する露出部を形成することを特徴とする、請求項１または２に記載の配線回路基板の製造方法。
【請求項４】
前記接触部材が、前記露出部に積層される保護層であることを特徴とする、請求項３に記載の配線回路基板の製造方法。
【請求項５】
前記接触部材を設置する工程において、前記接触部材を前記露出部に除去可能に設置して、
前記接触部材が設置された前記配線回路基板を導電性ポリマーの重合液に浸漬した後、前記接触部材を前記露出部から除去することを特徴とする、請求項３に記載の配線回路基板の製造方法。
【請求項６】
前記導体パターンの前記導体材料が、銅であり、
前記接触部材の前記材料が、鉛および／または錫であることを特徴とする、請求項１〜５のいずれかに記載の配線回路基板の製造方法。
【請求項７】
前記導電性ポリマーが、ポリアニリンであることを特徴とする、請求項１〜６のいずれかに記載の配線回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線回路基板の製造方法、詳しくは、回路付サスペンション基板などの配線回路基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、ベース絶縁層と、配線および端子部を有する導体パターンと、カバー絶縁層とを順次積層した配線回路基板が知られている。このような配線回路基板は、各種の電気機器や電子機器の分野において、広く用いられている。
このような配線回路基板の製造方法として、実装される電子部品の静電破壊を防止するために、例えば、ベース層、導体回路およびカバー層からなる積層体（基板本体）を製造し、その後、該積層体の周囲に導電ポリマー層を形成する、フレキシブルプリント回路基板の製造方法が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開２００４−１５８４８０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかるに、特許文献１に記載のフレキシブルプリント回路基板の製造方法では、導電ポリマー層の形成において、積層体を、モノマーと酸化重合剤とを含む酸化性の処理液中に浸漬するので、このような処理液によって、導体回路におけるカバー層から露出する端子部において、導体回路を形成する導体材料が溶解する場合がある。そのため、端子部が腐食されて、端子部が変色するというおそれがある。
【０００４】
本発明の目的は、端子部の変色を防止できながら、得られた配線回路基板の静電気の帯電を効率的に除去することのできる、配線回路基板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記目的を達成するために、本発明の配線回路基板の製造方法は、絶縁層と、前記絶縁層に被覆される配線および前記絶縁層から露出する端子部を含む導体パターンと、を備える配線回路基板を用意する工程と、前記導体パターンを形成する導体材料の標準電極電位よりも標準電極電位の低い材料から形成される接触部材を、前記導体パターンと接触しかつ前記絶縁層から露出するように設置する工程と、設置された前記接触部材を含む前記配線回路基板を、導電性ポリマーの重合液に浸漬して、半導電性層を、前記絶縁層の表面に形成する工程とを備えることを特徴としている。
【０００６】
この配線回路基板の製造方法では、導体パターンを形成する導体材料の標準電極電位よりも標準電極電位の低い材料から形成される接触部材を、導体パターンと接触しかつ絶縁層から露出するように設置する。そのため、設置された前記接触部材を含む配線回路基板を導電性ポリマーの重合液に浸漬したときには、この接触部材が導体パターンと接触しており、かつ、接触部材を形成する材料の標準電極電位が導体パターンを形成する導体材料の標準電極電位よりも低いため、接触部材および導体パターンにおいて局部電池が形成される。そうすると、このような局部電池の原理により、導体パターンを形成する導体材料の標準電極電位よりも標準電極電位の低い（イオン化傾向の高い）接触部材を形成する材料は溶解する一方で、導体パターンを形成する導体材料は、たとえ、端子部において露出していても、溶解しにくくなる。
【０００７】
そのため、端子部における腐食を防止できながら、半導電性層を絶縁層の表面に形成することができる。
その結果、端子部における変色を防止できながら、得られた配線回路基板の静電気の帯電を効率的に除去することができる。
また、本発明の配線回路基板の製造方法では、前記配線回路基板を用意する工程において、前記端子部の表面にめっき層を形成することが好適である。
【０００８】
一般に、配線回路基板の製造方法において、端子部を保護するために、その表面にめっき層を形成する場合があるところ、それでも、導電性ポリマーの重合液に浸漬した場合には、めっき層の周端部と絶縁層との界面に、導電性ポリマーの重合液が浸透して、これによって、端子部における導体材料が溶解して、端子部が腐食されるおそれがある。
しかし、この配線回路基板の製造方法では、上記した局部電池の原理により、端子部における導体材料は溶解しにくくなるので、端子部の表面にめっき層を形成して、めっき層の周端部と絶縁層との界面に導電性ポリマーの重合液が浸透しても、かかる腐食のおそれが少なく、そのため、端子部における変色を有効に防止することができる。
【０００９】
また、本発明の配線回路基板の製造方法では、前記配線回路基板を用意する工程において、前記接触部材を設置するために、前記導体パターンに前記絶縁層から露出する露出部を形成することが好適である。
この配線回路基板の製造方法では、接触部材を設置するために、導体パターンに絶縁層から露出する露出部を形成するので、露出部に接触部材を設置すれば、接触部材を簡単に設置することができる。
【００１０】
また、本発明の配線回路基板の製造方法では、前記接触部材が、前記露出部に積層される保護層であることが好適である。
この配線回路基板の製造方法では、接触部材が露出部に積層される保護層であるので、保護層を導体パターンと確実に接触させることができる。そのため、端子部における腐食を確実に防止することができ、その結果、端子部における変色を確実に防止することができる。
【００１１】
また、本発明の配線回路基板の製造方法では、前記接触部材を設置する工程において、前記接触部材を前記露出部に除去可能に設置して、前記接触部材が設置された前記配線回路基板を導電性ポリマーの重合液に浸漬した後、前記接触部材を前記露出部から除去することが好適である。
この配線回路基板の製造方法では、接触部材を除去可能に露出部に設置し、半導電性層を形成した後、その接触部材を除去する。そのため、接触部材を配線回路基板に残存させることがなく、配線回路基板の信頼性を向上させることができる。
【００１２】
また、本発明の配線回路基板の製造方法では、前記導体パターンの前記導体材料が、銅であり、前記接触部材の前記材料が、鉛および／または錫であることが好適である。
鉛および／または錫は、銅よりも、標準電極電位が低いため、端子部における銅の溶解が確実に抑制される。
そのため、端子部における腐食を確実に防止することができる。その結果、端子部における変色を確実に防止することができる。
【００１３】
また、本発明の配線回路基板の製造方法では、前記導電性ポリマーが、ポリアニリンであることが好適である。
この配線回路基板の製造方法では、導電性ポリマーがポリアニリンであるので、得られた配線回路基板は、静電気の帯電をより一層効率的に除去することができる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の配線回路基板の製造方法によれば、端子部における腐食を防止できながら、半導電性層を絶縁層の表面に形成することができる。その結果、端子部における変色を防止できながら、得られた配線回路基板の静電気の帯電を効率的に除去することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
図１は、本発明の配線回路基板の製造方法により製造される配線回路基板の一実施形態である回路付サスペンション基板の部分平面図、図２は、図１に示す回路付サスペンション基板のＡ−Ａ線に沿う断面図である。
図１において、この回路付サスペンション基板１は、ハードディスクドライブに搭載され、磁気ヘッド（図示せず）を実装して、その磁気ヘッドを、磁気ディスクとの間で相対的に走行させるときの空気流に抗して、磁気ディスクとの間に微小間隔を保持しながら支持するための金属支持基板２に、磁気ヘッドとリード・ライト基板（図示せず）とを接続するための導体パターン４が形成されている。
【００１６】
なお、図１では、導体パターン４の配置を明確にするために、後述するめっき層８、保護層９および半導電性層１０を省略して示している。
導体パターン４は、磁気ヘッド側接続端子部７と、図示しない外部側接続端子部と、これら磁気ヘッド側接続端子部７および図示しない外部側接続端子部を接続するための配線６とを、一体的に連続して備えている。
【００１７】
配線６は、回路付サスペンション基板１の長手方向（以下、単に長手方向という。）に沿って設けられ、幅方向（長手方向に直交する方向、以下同じ。）において互いに間隔を隔てて複数（４本）並列配置されている。
また、導体パターン４は、配線６の長手方向途中において、後述するカバー絶縁層５の開口部１２に対応する位置において、幅方向両外側に膨出するように形成される膨出部２６を備えている。この膨出部２６は、平面視略矩形状に形成されている。
【００１８】
磁気ヘッド側接続端子部７は、金属支持基板２の先端部に配置され、幅方向に沿って互いに間隔を隔てて並列配置されており、長手方向に延びる平面視略矩形状の角ランドとして形成されている。また、磁気ヘッド側接続端子部７は、各配線６の先端部がそれぞれ接続されるように、複数（４つ）設けられている。この磁気ヘッド側接続端子部７には、磁気ヘッドの端子部（図示せず）が接続される。
【００１９】
図示しない外部側接続端子部は、金属支持基板２の後端部に配置され、幅方向に沿って互いに間隔を隔てて並列配置されており、長手方向に延びる平面視略矩形状の角ランドとして形成されている。また、図示しない外部側接続端子部は、各配線６の後端部がそれぞれ接続されるように、複数（４つ）設けられている。この外部側接続端子部には、リード・ライト基板の端子部（図示せず）が接続される。
【００２０】
なお、以下、磁気ヘッド側接続端子部７および図示しない外部側接続端子部は、特に区別が必要でない場合には、単に端子部７として説明する。
そして、この回路付サスペンション基板１は、図２に示すように、金属支持基板２と、金属支持基板２の上に形成されるベース絶縁層３と、ベース絶縁層３の上に形成される導体パターン４と、ベース絶縁層３の上に、導体パターン４を被覆するように形成されるカバー絶縁層５とを備えている。また、この回路付サスペンション基板１は、導体パターン４の端子部７の表面に形成されるめっき層８と、導体パターン４における後述する露出部１１の上に形成される接触部材としての保護層９と、カバー絶縁層５の表面およびベース絶縁層３の表面に形成される半導電性層１０とを備えている。
【００２１】
金属支持基板２は、図１に示すように、長手方向に沿って延びる平面視略矩形シート状に形成されている。金属支持基板２は、ステンレス、４２アロイ、アルミニウム、銅−ベリリウム、りん青銅などの金属材料から形成される。金属支持基板２の厚みは、例えば、１５〜３０μｍ、好ましくは、２０〜２５μｍである。
ベース絶縁層３は、図１および図２に示すように、金属支持基板２の上に、金属支持基板２より長手方向および幅方向がやや短くなる平面視略矩形シート状に形成されている。ベース絶縁層３は、例えば、ポリイミド、ポリアミドイミド、アクリル、ポリエーテルニトリル、ポリエーテルスルホン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリ塩化ビニルなどの合成樹脂などの絶縁材料から形成される。好ましくは、ポリイミドから形成される。ベース絶縁層３の厚みは、例えば、１〜３５μｍ、好ましくは、８〜１５μｍである。また、ベース絶縁層３の長さ（長手方向長さ、以下同じ。）および幅（幅方向長さ、以下同じ。）は、金属支持基板２に対応して、適宜設定される。
【００２２】
導体パターン４は、ベース絶縁層３の上に、配線６および配線６に接続される端子部７から一体的に形成される配線回路パターンとして、形成されている。
配線６は、カバー絶縁層５に被覆されるように形成されている。
端子部７は、ベース絶縁層３の長手方向両端部において、カバー絶縁層５の両端部から露出するように形成されている。
【００２３】
また、導体パターン４において、配線６の長手方向途中に配置される膨出部２６の内側に、後述するカバー絶縁層５の開口部１２から露出する露出部１１が形成されている。露出部１１は、保護層９を形成するために、導体パターン４においてカバー絶縁層５から露出する部分として設けられている。
導体パターン４は、標準電極電位（２５℃）が、例えば、０〜２．０Ｖ、好ましくは、０．１〜０．５Ｖの導体材料から形成され、より具体的には、例えば、銅（標準電極電位（２５℃）：０．３３７Ｖ）、金（標準電極電位（２５℃）：１．５０Ｖ）、またはこれらの合金などの導体材料から形成される。好ましくは、銅から形成される。なお、標準電極電位は、水素電極（ＮＨＥ）に対する電位である。
【００２４】
導体パターン４の厚みは、例えば、３〜５０μｍ、好ましくは、５〜２０μｍである。また、各配線６の幅は、例えば、１０〜２００μｍ、好ましくは、２０〜１００μｍであり、各配線６間の間隔は、例えば、１０〜３００００μｍ、好ましくは、２０〜１００μｍである。また、各端子部７の長さは、例えば、５０〜２０００μｍ、好ましくは、１００〜１０００μｍであり、幅は、例えば、５０〜２０００μｍ、好ましくは、１００〜１０００μｍである。また、膨出部２６の幅は、例えば、０．２〜１２ｍｍ、好ましくは、１．０〜７ｍｍである。膨出部２６の長さは、開口部１２の長さに応じて、適宜設定される。
【００２５】
カバー絶縁層５は、長手方向に沿って延びる平面視略矩形シート状に形成されている。より具体的には、カバー絶縁層５は、幅方向においては、その幅方向両端縁が、平面視においてベース絶縁層３の幅方向両端縁と同一位置に配置されている。また、カバー絶縁層５は、長手方向においては、その長手方向両端縁が、ベース絶縁層３の長手方向両端縁よりもやや短くなるように配置されている。これにより、カバー絶縁層５は、導体パターン４の配線６を被覆し、かつ、導体パターン４の端子部７を露出させている。カバー絶縁層５は、上記したベース絶縁層３と同様の絶縁材料から形成されている。
【００２６】
また、カバー絶縁層５には、このカバー絶縁層５を厚み方向に貫通する開口部１２が形成されている。
開口部１２は、厚み方向において配線６に対向配置されるように複数（４つ）形成されている。各開口部１２は、各配線６に対応してそれぞれ設けられており、各開口部１２は、長手方向に延び、導体パターン４の膨出部２６よりやや小さい平面視略矩形状に開口されている。
【００２７】
カバー絶縁層５の厚みは、例えば、１〜４０μｍ、好ましくは、１〜７μｍである。また、カバー絶縁層５の長さは、ベース絶縁層３および端子部７の大きさに応じて、適宜設定される。また、各開口部１２の長さは、例えば、０．１〜１０ｍｍ、好ましくは、０．５〜５ｍｍであり、幅は、例えば、０．１〜１０ｍｍ、好ましくは、０．５〜５ｍｍである。
【００２８】
めっき層８は、端子部７の上面、長手方向両側面（配線６の両端部が接続される部分を除く。）および幅方向両側面（図２において図示されない）に形成されている。めっき層８の材料としては、例えば、金などの金属材料が用いられる。めっき層８の厚みは、例えば、０．２〜３μｍ、好ましくは、０．５〜２μｍである。
保護層９は、導体パターン４における各露出部１２の上に、カバー絶縁層５の各開口部１２内に充填されるように設けられている。すなわち、保護層９は、導体パターン４と接触しかつカバー絶縁層５の開口部１２から露出するように、露出部１１に積層されている。
【００２９】
保護層９は、導体パターン４を形成する導体材料の標準電極電位よりも標準電極電位の低い材料から形成されている。
保護層９を形成する材料の標準電極電位（２５℃）は、導体パターン４を形成する導体材料の標準電極電位（２５℃）より、例えば、０．０５〜２．０Ｖ低く、好ましくは、０．２〜２．０Ｖ低く設定され、保護層９を形成する材料の標準電極電位（２５℃）は、より具体的には、例えば、−２．０〜０Ｖ、好ましくは、−１．８〜−０．１Ｖである。
【００３０】
このような保護層９を形成する材料としては、例えば、鉛（標準電極電位（２５℃）：−０．１２６Ｖ）、錫（標準電極電位（２５℃）：−０．１３６Ｖ）、ニッケル（標準電極電位（２５℃）：−０．２５０Ｖ）、鉄（標準電極電位（２５℃）：−０．４４Ｖ）、亜鉛（標準電極電位（２５℃）：−０．７６３Ｖ）、アルミニウム（標準電極電位（２５℃）：−１．６６Ｖ）、またはこれらの合金（共晶を含む。）などが用いられ、好ましくは、鉛、錫、ニッケルまたはこれらの合金などが用いられ、さらに好ましくは、鉛、錫またはこれらの合金が用いられる。
【００３１】
保護層９の厚みは、例えば、０．１〜５００μｍ、好ましくは、１〜２００μｍである。
半導電性層１０は、カバー絶縁層５の上面、長手方向両側面および幅方向両側面（開口部１２の内側面を含む。）と、カバー絶縁層５および導体パターン４から露出するベース絶縁層３の上面、ベース絶縁層３の長手方向両側面および幅方向両側面とに、形成されている。
【００３２】
半導電性層１０は、後述する導電性ポリマーの重合液への浸漬により、導電性ポリマーから形成されている。
導電性ポリマーとしては、例えば、ポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン、またはこれらの誘導体などが挙げられる。好ましくは、ポリアニリンが挙げられる。これら導電性ポリマーは、単独使用または２種以上併用することができる。
【００３３】
半導電性層１０の厚みは、例えば、０．０１〜０．１μｍ、好ましくは、０．０２〜０．０５μｍである。
次に、この回路付サスペンション基板１の製造方法について、図３および４を参照して、説明する。
まず、この方法では、図３（ａ）に示すように、金属支持基板２を用意する。
【００３４】
次いで、この方法では、図３（ｂ）に示すように、金属支持基板２の上に、ベース絶縁層３を上記したパターンで形成する。
ベース絶縁層３を、上記したパターンで形成するには、例えば、金属支持基板２の上面に、感光性の、上記した絶縁材料のワニスを塗布し、乾燥後、フォトマスクを介して露光し、現像後、必要により硬化させる。
【００３５】
次いで、この方法では、図３（ｃ）に示すように、ベース絶縁層３の上に、導体パターン４を上記した配線回路パターンで形成する。
導体パターン４は、例えば、アディティブ法、サブトラクティブ法などの公知のパターンニング法により形成する。好ましくは、アディティブ法により形成する。
アディティブ法では、まず、ベース絶縁層３の上面、長手方向両側面および幅方向両側面と、ベース絶縁層３から露出する金属支持基板２の上面とに、仮想線で示す金属薄膜１８を形成する。金属薄膜１８は、スパッタリング、好ましくは、クロムスパッタリングおよび銅スパッタリングにより、クロム薄膜と銅薄膜とを積層することにより、形成する。
【００３６】
次いで、この金属薄膜１８の上面に、上記したパターンと逆パターンで図示しないめっきレジストを形成した後、めっきレジストから露出する金属薄膜１８の上面に、電解めっきにより、上記したパターンで、導体パターン４を形成し、その後、めっきレジストおよびそのめっきレジストが積層されていた部分の金属薄膜１８を除去する。
これにより、導体パターン４をベース絶縁層３の上に、上記した配線回路パターンで形成することができる。
【００３７】
次いで、この方法では、図３（ｄ）に示すように、カバー絶縁層５を、ベース絶縁層３の上に、導体パターン４の配線６を被覆し、かつ、導体パターン４の端子部７を露出するとともに、開口部１２を有するパターンで形成する。
カバー絶縁層５を上記したパターンで形成するには、例えば、導体パターン４およびベース絶縁層３を含む金属支持基板２の上面に、感光性の、上記した絶縁材料のワニスを塗布し、乾燥後、フォトマスクを介して露光し、現像後、必要により硬化させる。
【００３８】
次いで、この方法では、図４（ｅ）に示すように、めっき層８を、端子部７の表面に形成する。
めっき層８を形成するには、例えば、金属支持基板２および露出部１１を被覆するように図示しないめっきレジストを形成した後、例えば、電解めっきまたは無電解めっき、好ましくは、電解金めっきまたは無電解金めっきする。その後、めっきレジストを除去する。
【００３９】
これにより、ベース絶縁層３およびカバー絶縁層５と、導体パターン４とを備える、製造途中の回路付サスペンション基板１（半導電性層１０が形成される前の回路付サスペンション基板１）を用意する。
この製造途中の回路付サスペンション基板１では、導体パターン４は、カバー絶縁層５に被覆される配線６と、カバー絶縁層５から露出し、その表面にめっき層８が形成される端子部７とを一体的に備えている。また、配線６の長手方向途中は、膨出部２６内において、開口部１２から露出する露出部１１とされている。
【００４０】
次いで、この方法では、図４（ｆ）に示すように、露出部１１に、保護層９を形成する。保護層９は、露出部１１と接触するように積層し、開口部１２から露出するように設ける。
保護層９を形成するには、例えば、上記した材料のめっき溶液を用いためっき、例えば、上記した材料の粒子を含む金属ペーストを用いた印刷、例えば、上記した材料を含む半田を用いた塗布などが用いられる。
【００４１】
めっきでは、例えば、電解めっきまたは無電解めっき、好ましくは、鉛および／または錫のめっき溶液を用いた電解めっきまたは無電解めっきなどが用いられる。
金属ペーストを用いた印刷では、例えば、露出部１１に、上記した材料の粒子を含むペースト、好ましくは、鉛および／または錫の粒子を含むペーストを印刷し、その後、これを焼結させる。
【００４２】
半田を用いた塗布では、例えば、露出部１１に、上記した材料からなる半田、好ましくは、鉛および／または錫の半田を塗布し、その後、これを加熱する。
次いで、この方法では、図４（ｇ）に示すように、半導電性層１０を、カバー絶縁層５の表面およびベース絶縁層３の表面に形成する。
半導電性層１０を形成するには、まず、図４（ｆ）に示す製造途中の回路付サスペンション基板１を、導電性ポリマーの重合液に浸漬するとともに、その重合液に重合開始剤を配合する。
【００４３】
導電性ポリマーの重合液は、例えば、導電性ポリマーを重合するためのモノマーおよび溶媒を配合することにより調製される。
モノマーとしては、例えば、アニリン、ピロール、チオフェンなどが用いられ、好ましくは、アニリンが用いられる。これらモノマーは、単独使用または２種以上併用することができる。
【００４４】
溶媒としては、例えば、水、酸性水溶液などが用いられ、好ましくは、酸性水溶液が用いられる。酸性水溶液を形成する酸性成分としては、例えば、塩酸、硝酸、硫酸、リン酸などの無機酸、例えば、ギ酸、酢酸、シュウ酸などの有機酸などが用いられる。
重合開始剤としては、例えば、２，２'−アゾビスイソブチロニトリル、２，２'−アゾビス（２−メチルプロピオンアミジン）二硫酸塩、２，２'−アゾビス（２−メチルプロピオンアミジン）二塩酸塩などのアゾ系開始剤、例えば、過硫酸カリウム（ペルオキソ二硫酸カリウム）、過硫酸アンモニウム（ペルオキソ二硫酸アンモニウム）などの過硫酸塩系開始剤、例えば、ベンゾイルパーオキサイド、ｔ−ブチルハイドロパーオキサイド、過酸化水素などの過酸化物系開始剤、例えば、フェニル置換エタンなどの置換エタン系開始剤、例えば、芳香族カルボニル化合物などのカルボニル系開始剤、例えば、過硫酸塩と亜硫酸水素ナトリウムとの組合せ、過酸化物とアスコルビン酸ナトリウムとの組合せなどのレドックス系開始剤などが用いられる。これら重合開始剤は、単独使用または２種以上併用することができる。
【００４５】
また、重合開始剤をその重合液に配合するには、必要により、重合開始剤を溶媒に溶解させた重合開始剤溶液を調製し、この重合開始剤溶液を配合することもできる。なお、重合開始剤溶液の調製において用いられる溶媒は、重合液の調製に用いられる溶媒と同様のものが用いられる。
導電性ポリマーの重合液において、モノマーの濃度は、例えば、０．００５〜０．５ｍｏｌ／Ｌ、好ましくは、０．０１〜０．１ｍｏｌ／Ｌであり、溶媒が酸性水溶液である場合における酸性成分の濃度は、例えば、０．００２〜０．１ｍｏｌ／Ｌ、好ましくは、０．００５〜０．０５ｍｏｌ／Ｌである。また、重合開始剤（または重合開始剤溶液）が配合されたときの、重合液においては、重合開始剤の濃度が、例えば、０．００２〜０．２ｍｏｌ／Ｌ、好ましくは、０．００５〜０．１ｍｏｌ／Ｌである。
【００４６】
そして、上記した回路付サスペンション基板１を導電性ポリマーの重合液に浸漬して、重合開始剤を配合した後、例えば、５〜１８０分間、好ましくは、１０〜１００分間、回路付サスペンション基板１を導電性ポリマーの重合液に浸漬する。
上記した浸漬において、導電性ポリマーの重合液は、その浸漬温度が、例えば、１〜４０℃、好ましくは、５〜２５℃に設定される。
【００４７】
これにより、導電性ポリマーからなる半導電性層１０が、絶縁層の表面、すなわち、カバー絶縁層５の表面およびベース絶縁層３の表面において析出するように重合され形成される。
その後、半導電性層１０が形成された製造途中の回路付サスペンション基板１を水洗する。
【００４８】
次いで、この方法では、必要により、半導電性層１０の導電性ポリマーをドーピングする。
半導電性層１０の導電性ポリマーをドーピングするには、上記した半導電性層１０が形成された回路付サスペンション基板１を、ドーピング剤を溶解した溶液（ドーピング剤溶液）に浸漬する。
【００４９】
ドーピング剤は、導電性ポリマーに導電性を付与するものであって、例えば、ｐ−トルエンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸、アルキルナフタレンスルホン酸、ポリスチレンスルホン酸、ｐ−トルエンスルホン酸ノボラック樹脂、ｐ−フェノールスルホン酸ノボラック樹脂、β−ナフタレンスルホン酸ホルマリン縮合物などが用いられる。これらドーピング剤は、単独使用または２種以上併用することができる。
【００５０】
ドーピング剤を溶解するための溶媒としては、例えば、水、メタノールなどが用いられる。
ドーピング剤溶液の調製においては、ドーピング剤の濃度が、例えば、５〜１００重量％、好ましくは、１０〜５０重量％となるように、溶媒を配合する。
半導電性層１０が形成された回路付サスペンション基板１のドーピング剤溶液への浸漬時間は、例えば、３０秒〜３０分、好ましくは、１〜１０分に設定される。
【００５１】
また、ドーピング剤溶液の浸漬（ドーピング）温度は、例えば、１０〜７０℃、好ましくは、２０〜６０℃に設定される。
上記した半導電性層１０の導電性ポリマーのドーピングにより、導電性ポリマーに導電性が付与される。
また、導電性ポリマーがドーピングされた、半導電性層１０の表面抵抗値は、例えば、１×１０5〜１×１０12Ω／□、好ましくは、１×１０6〜１×１０11Ω／□である。なお、半導電性層１０の表面抵抗値は、例えば、ＭＩＴＳＵＢＩＳＨＩ  ＰＥＴＲＯＣＨＥＭＩＣＡＬ社製のＨｉｒｅｓｔａ  ＩＰ  ＭＣＰ−ＨＴ２６０（プローブ：ＨＲＳ）を用いて測定することができる。
【００５２】
その後、この方法では、導電性ポリマーがドーピングされた半導電性層１０が形成された製造途中の回路付サスペンション基板１をさらに水洗する。
そして、この回路付サスペンション基板１の製造方法では、保護層９を、開口部１２から露出する露出部１１に設ける。そのため、保護層９が設けられた回路付サスペンション基板１を導電性ポリマーの重合液に浸漬したときに、この保護層９が露出部１１において導体パターン４と接触しており、かつ、保護層９を形成する材料の標準電極電位が導体パターン４を形成する導体材料の標準電極電位よりも低いため、保護層９および導体パターン４において局部電池が形成される。そうすると、このような局部電池の原理により、導体パターン４を形成する導体材料の標準電極電位よりも標準電極電位の低い（イオン化傾向の高い）保護層９を形成する材料は溶解する一方で、導体パターン４を形成する導体材料は、たとえ、端子部７において露出していても、溶解しにくくなる。
【００５３】
そのため、端子部７における腐食を防止できながら、半導電性層１０をカバー絶縁層５の表面およびベース絶縁層３の表面に形成することができる。
その結果、端子部７における変色を防止できながら、得られた回路付サスペンション基板１の静電気の帯電を効率的に除去することができる。
また、この回路付サスペンション基板１の製造方法では、端子部７を保護するために、その表面にめっき層８を形成しているが、導電性ポリマーの重合液に浸漬すると、めっき層８の周端部とカバー絶縁層５およびベース絶縁層３との界面に、導電性ポリマーの重合液が浸透して、端子部７を腐食させるおそれがある。しかし、この方法では、上記した局部電池の原理により、端子部７における導体材料は溶解しにくくなっているので、かかる腐食のおそれは少なく、そのため、端子部７における変色を有効に防止することができる。
【００５４】
しかも、この方法では、導体パターン４にカバー絶縁層５の開口部１２から露出する露出部１１を形成するので、この露出部１１に保護層９を設けることにより、保護層９を簡単に積層することができる。
さらにまた、保護層９は積層されるので、保護層９を導体パターン４と確実に接触させることができる。そのため、端子部７における腐食を確実に防止することができ、その結果、端子部７における変色を確実に防止することができる。
【００５５】
また、製造途中の回路付サスペンション基板１において、導体パターン４の導体材料が銅であり、保護層９の材料が鉛および／または錫である場合には、鉛および／または錫は、銅よりも、標準電極電位が低いため、端子部７における銅の溶解が確実に抑制される。
そのため、端子部７における腐食を確実に防止することができる。その結果、端子部７における変色を確実に防止することができる。
【００５６】
また、この回路付サスペンション基板１の製造方法では、導電性ポリマーがポリアニリンである場合には、得られた回路付サスペンション基板１は、静電気の帯電をより一層効率的に除去することができる。
次に、本発明の配線回路基板の製造方法の他の実施形態としての回路付サスペンション基板の製造方法について、図５〜図８を参照して、説明する。なお、上記した各部に対応する部材については、図５〜図８において同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【００５７】
上記した回路付サスペンション基板１の製造方法の説明では、保護層９を露出部１１に積層したが、保護層９の積層に代替して、例えば、回路付サスペンション基板１を導電性ポリマーの重合液に浸漬する間、接触部材としてのクリップ１９によって、回路付サスペンション基板１を挟み込むこともできる。
すなわち、この方法では、回路付サスペンション基板１の浸漬の前に、図５（ａ）に示すように、クリップ１９で、露出部１１と、その露出部１１に対向する金属支持基板２とに接触するように回路付サスペンション基板１を挟み込む。
【００５８】
クリップ１９は、例えば、ステンレスなどの金属材料から形成されており、その表面全体が、めっきなどにより形成される被覆層１７によって被覆されている。
被覆層１７は、導体パターン４を形成する導体材料の標準電極電位よりも標準電極電位の低い材料から形成され、例えば、上記した保護層９と同様の材料、好ましくは、ニッケルから形成されている。
【００５９】
次いで、図５（ｂ）で示すように、クリップ１９で挟み込まれた回路付サスペンション基板１を、そのまま、導電性ポリマーの重合液に浸漬することにより、半導電性層１０を、ベース絶縁層３の表面およびカバー絶縁層５の表面に形成する。
その後、図５（ｃ）に示すように、クリップ１９を回路付サスペンション基板１から取り外す。
【００６０】
この方法によれば、被覆層１７で被覆されるクリップ１９で、回路付サスペンション基板１を挟み込む。そのため、このクリップ１９により挟み込まれた回路付サスペンション基板１を導電性ポリマーの重合液に浸漬したときに、上記と同様に、被覆層１７および導体パターン４において局部電池が形成され、これにより、導体パターン４を形成する導体材料の標準電極電位よりも標準電極電位の低い（イオン化傾向の高い）被覆層１７を形成する材料は溶解する一方で、導体パターン４を形成する導体材料は、たとえ、端子部７において露出していても、溶解しにくくなる。
【００６１】
そのため、端子部７における腐食を防止できながら、半導電性層１０をカバー絶縁層５の表面およびベース絶縁層３の表面に形成することができる。
その結果、端子部７における変色を防止できながら、得られた回路付サスペンション基板１の静電気の帯電を効率的に除去することができる。
しかも、この方法では、クリップ１９で回路付サスペンション基板１を着脱可能に挟み込んだ後、この回路付サスペンション基板１を導電性ポリマーの重合液に浸漬して、半導電性層１０を形成し、その後、回路付サスペンション基板１からクリップ１９を取り外す。そのため、上記した保護層９のように回路付サスペンション基板１にそのまま残存することがなく、回路付サスペンション基板１の信頼性を向上させることができる。
【００６２】
なお、上記した説明では、保護層９を、回路付サスペンション基板１の内側に設けたが、例えば、図６に示すように、回路付サスペンション基板１の外側に設けることもできる。
すなわち、図６において、この方法では、回路付サスペンション基板１を、複数の回路付サスペンション基板１を備える回路付サスペンション基板シート２３として製造する。
【００６３】
この方法において、回路付サスペンション基板シート２３は、複数の回路付サスペンション基板１と、これらを分離可能に支持する支持枠２５とを備えている。
各回路付サスペンション基板１は支持枠２５内において、互いに間隔を隔てて整列状態で配置されており、図示しない切断可能な複数のジョイント部を介してそれぞれ支持枠２５に支持されている。
【００６４】
導体パターン４は、複数の回路付サスペンション基板１（回路付サスペンション基板１の内側）においては、配線６および端子部７を含み、支持枠２５（回路付サスペンション基板１の外側）においては、めっきリード２４を含んでいる。
支持枠２５は、図８（ｆ）に示すように、後述する金属支持層２７における各回路付サスペンション基板１の金属支持基板２を除く部分であって、平面視略矩形シート状に形成されている。支持枠２５の上には、ベース絶縁層３と、ベース絶縁層３の上に形成されるめっきリード２４とが設けられている。
【００６５】
ベース絶縁層３は、支持枠２５において、後述するめっきリード２４が形成される位置に対応するパターンとして、形成されている。
めっきリード２４は、配線６および端子部７と、図示しないめっきリード端子とを電気的に接続して、電解めっきによりめっき層８を形成するために形成されている。より具体的には、めっきリード２４は、図６に示すように、１本のめっきリード２４が分岐して、各回路付サスペンション基板１に接続されており、各回路付サスペンション基板１では、さらに分岐して、各配線６および端子部７に接続されている。また、このめっきリード２４は、その全体がカバー絶縁層５から露出する露出部１１とされている。また、１本のめっきリード２４の途中には、膨出部２６が１つ形成されている。
【００６６】
次いで、この回路付サスペンション基板シート２３の製造方法について、図７および図８を参照して、説明する。
まず、この方法では、図７（ａ）に示すように、金属支持層２７を用意する。
金属支持層２７を形成する金属材料は、金属支持基板２と同様のものが用いられる。
次いで、この方法では、図７（ｂ）に示すように、金属支持層２７の上に、ベース絶縁層３を、各回路付サスペンション基板１に対応したパターンで、かつ、めっきリード２４に対応したパターンで形成する。ベース絶縁層３の形成には、上記と同様の方法が用いられる。
【００６７】
次いで、この方法では、図７（ｃ）に示すように、ベース絶縁層３の上に、導体パターン４を、各回路付サスペンション基板１に対応した配線回路パターンで形成するとともに、支持枠２５（図８（ｆ）参照）において、ベース絶縁層３の上に、めっきリード２４を形成する。めっきリード２４は、導体パターン４の導体材料と同様の導体材料から形成される。導体パターン４およびめっきリード２４の形成には、上記と同様の方法が用いられる。
【００６８】
次いで、この方法では、図７（ｄ）に示すように、カバー絶縁層５を、ベース絶縁層３の上に、導体パターン４の配線６を被覆し、かつ、導体パターン４の端子部７を露出する各回路付サスペンション基板１に対応したパターンで形成する。カバー絶縁層５の形成には、上記と同様の方法が用いられる。
その後、この方法では、図示しないが、めっき層８を、端子部７の表面に形成する。めっき層８の形成は、上記と同様の方法が用いられる。
【００６９】
次いで、この方法では、図８（ｅ）に示すように、めっきリード２４の膨出部２６内に、保護層９を形成する。保護層９を形成するには、上記と同様の方法が用いられる。
次いで、この方法では、図８（ｆ）に示すように、半導電性層１０を、カバー絶縁層５の表面およびベース絶縁層３の表面に形成する。半導電性層１０の形成には、上記と同様の方法が用いられる。
【００７０】
その後、この方法では、金属支持層２７を外形加工することにより、金属支持層２７に図示しないジョイント部を形成して、各回路付サスペンション基板１に対応する金属支持基板２を形成する。その後、図示しないジョイント部を切断して、点線に沿って、各回路付サスペンション基板１を支持枠２５から切り離す。これにより、めっきリード２４と、各回路付サスペンション基板１の配線６および端子部７とが、電気的に切断される。
【００７１】
そして、この方法では、各回路付サスペンション基板１を、保護層９が形成されている支持枠２５から切り離すので、保護層９が、各回路付サスペンション基板１に残存することがなく、回路付サスペンション基板１の信頼性を向上させることができる。
しかも、１枚の回路付サスペンション基板シート２３に、１つの保護層９を設けるので、保護層９を簡単に設けることができ、回路付サスペンション基板１の製造工程を簡略化することができる。
【００７２】
また、上記した説明では、本発明の配線回路基板を、回路付サスペンション基板１を例示して説明したが、本発明の配線回路基板は、これに限定されず、片面フレキシブル配線回路基板、両面フレキシブル配線回路基板、または、多層フレキシブル配線回路基板、さらには、金属支持基板２が補強層として設けられた各種フレキシブル配線回路基板などの他の配線回路基板にも広く適用することができる。
【実施例】
【００７３】
以下に実施例および比較例を示し、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は、何ら実施例および比較例に限定されない。
（回路付サスペンション基板の製造）
実施例１
厚み２０μｍのステンレスからなる金属支持基板を用意した（図３（ａ）参照）。
【００７４】
次いで、その金属支持基板の上面に、感光性ポリアミック酸樹脂のワニスを、スピンコーターを用いて均一に塗布し、次いで、塗布されたワニスを、９０℃で１５分間加熱することにより、ベース皮膜を形成した。その後、そのベース皮膜を、フォトマスクを介して、７００ｍＪ／ｃｍ2で露光させ、１９０℃で１０分間加熱した後、アルカリ現像液を用いて現像した。その後、１．３３Ｐａに減圧した状態で、３８５℃で硬化させることにより、ポリイミドからなるベース絶縁層を、金属支持基板の上に、平面視矩形状の上記したパターンで形成した（図３（ｂ）参照）。このベース絶縁層の厚みは１０μｍであった。
【００７５】
次いで、アディティブ法により、銅からなる厚み１５μｍの導体パターンを上記したパターンで形成した（図３（ｃ）参照）。各配線間の間隔は１０００μｍ、各配線の幅は３０μｍであり、各端子部の長さは２００μｍ、各端子部の幅は２００μｍであった。また、膨出部の幅は５００μｍ、長さは５００μｍであった。
次いで、上記した感光性ポリアミック酸樹脂のワニスを、導体パターンおよびベース絶縁層を含む金属支持基板の上面に、スピンコーターを用いて均一に塗布し、９０℃で１０分間加熱することにより、厚み１５μｍのカバー皮膜を形成した。その後、そのカバー皮膜を、フォトマスクを介して、７００ｍＪ／ｃｍ2で露光させ、１８０℃で１０分間加熱した後、アルカリ現像液を用いて現像することにより、カバー皮膜をパターンニングした。その後、１．３３Ｐａに減圧した状態で、３８５℃で硬化させた。これにより、ポリイミドからなるカバー絶縁層を、ベース絶縁層上に、配線を被覆しかつ端子部を露出するとともに、露出部を露出する開口部が形成されるように平面視矩形状のパターンとして形成した（図３（ｄ）参照）。このカバー絶縁層の厚みは４μｍであった。また、各開口部の長さは２００μｍ、幅は２００μｍであった。
【００７６】
次いで、金属支持基板および露出部にめっきレジストを形成した後、無電解金めっきすることにより、金めっき層を端子部の表面に形成し、その後、めっきレジストを除去した（図４（ｅ）参照）。この金めっき層の厚みは２．５μｍであった。
次いで、露出部に、鉛および錫の共晶半田（標準電極電位（２５℃）：−０．１３Ｖ）を塗布し加熱することにより、保護層を積層した（図４（ｆ）参照）。保護層の厚みは１５０μｍであった。
【００７７】
次いで、半導電性層を、カバー絶縁層の表面およびベース絶縁層の表面に形成した（図４（ｇ）参照）。
半導電性層の形成では、まず、９８％濃硫酸２．０ｇに、純水約３００ｇおよびアニリン２．５ｇを順次加え、攪拌しながら１０℃になるまで冷却することにより、ポリアニリンの重合液を調製した。次いで、別途、ペルオキソ二硫酸アンモニウム（過硫酸アンモニウム：ＡＰＳ）１０．７ｇに、純水２０ｇを加え、溶解するまで攪拌し、１０℃になるまで冷却することにより、重合開始剤水溶液を調製した。
【００７８】
その後、上記したポリアニリンの重合液に、保護層が積層された回路付サスペンション基板を浸漬するとともに、その重合液に重合開始剤水溶液を添加して混合し、その後、さらに１０℃で１２分間浸漬することにより、アニリンを重合させて、ベース絶縁層の表面およびカバー絶縁層の表面にポリアニリンを析出させた。
なお、重合開始剤が添加された重合液において、アニリンの濃度は０．０５ｍｏｌ／Ｌ、硫酸の濃度は０．０４ｍｏｌ／Ｌ、ペルオキソ二硫酸アンモニウムの濃度は０．０９ｍｏｌ／Ｌであった。
【００７９】
その後、製造途中の回路付サスペンション基板を重合液から引き上げ、これを水洗後、濃度２０重量％のｐ−フェノールスルホン酸ノボラック樹脂（ＰＰＳＡ）のドーピング剤水溶液に、６０℃で１０分間浸漬することにより、半導電性層のポリアニリンをドーピングした。その後、これを水洗した。なお、このドーピングされたポリアニリンからなる半導電性層の厚みは０．０３μｍであった。また、ドーピングされたポリアニリンからなる半導電性層の表面抵抗値は、１×１０7〜１×１０8Ω／□であった。
【００８０】
実施例２
実施例１において、鉛および錫の共晶半田の塗布および加熱に代えて、回路付サスペンション基板をステンレスクリップにより挟み込んだ以外は、実施例１と同様に処理することにより、回路付サスペンション基板を得た。
すなわち、ステンレスクリップにより、露出部と、その露出部と対向する金属支持基板とに接触するように回路付サスペンション基板を挟み込む（図５（ａ）参照）。ステンレスクリップは、その表面全体が、ニッケルめっきにより形成される被覆層によって被覆されている。
【００８１】
次いで、ステンレスクリップで挟み込まれた回路付サスペンション基板を、そのまま、ポリアニリンの重合液に浸漬するとともに、重合開始剤水溶液を添加して浸漬することにより、半導電性層を形成した（図５（ｂ）参照）。
その後、ステンレスクリップを回路付サスペンション基板から取り外した（図５（ｃ）参照）。
【００８２】
比較例１
実施例１において、保護層を積層しなかった以外は、実施例１と同様に処理することにより、回路付サスペンション基板を得た。
（評価）
実施例１および２と比較例１とにより得られた回路付サスペンション基板の端子部を目視により観察した。
【００８３】
実施例１および２の回路付サスペンション基板では、端子部に変色は見られなかった。
しかし、比較例１の回路付サスペンション基板では、端子部に変色が見られた。
【図面の簡単な説明】
【００８４】
【図１】本発明の配線回路基板の製造方法により製造される配線回路基板の一実施形態である回路付サスペンション基板の部分平面図である。
【図２】図１に示す回路付サスペンション基板のＡ−Ａ線に沿う断面図である。
【図３】図２に示す回路付サスペンション基板の製造工程を示す断面図であって、（ａ）は、金属支持基板を用意する工程、（ｂ）は、ベース絶縁層を、金属支持基板の上に形成する工程、（ｃ）は、導体パターンを、ベース絶縁層の上に形成する工程、（ｄ）は、カバー絶縁層を、ベース絶縁層の上に、開口部を有するパターンで形成する工程を示す。
【図４】図３に続いて、図２に示す回路付サスペンション基板の製造工程を示す断面図であって、（ｅ）は、めっき層を、端子部の表面に形成する工程、（ｆ）は、保護層を、露出部に形成する工程、（ｇ）は、半導電性層を、カバー絶縁層の表面およびベース絶縁層の表面に形成する工程を示す。
【図５】本発明の配線回路基板の製造方法の他の実施形態である回路付サスペンション基板の製造方法を示す断面図であって、（ａ）は、露出部を、被覆層で被覆されるクリップで、挟み込む工程、（ｂ）は、半導電性層を、ベース絶縁層の表面およびカバー絶縁層の表面に形成する工程、（ｃ）は、クリップを露出部から取り外す工程を示す。
【図６】本発明の配線回路基板の製造方法により製造される配線回路基板の一実施形態である回路付サスペンション基板が複数備えられる回路付サスペンション基板シートの平面図である。
【図７】図６に示す回路付サスペンション基板シートの製造工程を示すＡ−Ａ線に沿う断面図であって、（ａ）は、金属支持層を用意する工程、（ｂ）は、ベース絶縁層を、金属支持層の上に形成する工程、（ｃ）は、導体パターンを形成する工程、（ｄ）は、カバー絶縁層をベース絶縁層の上に形成する工程を示す。
【図８】図７に続いて、図３に示す回路付サスペンション基板の製造工程を示すＡ−Ａ線に沿う断面図であって、（ｅ）は、保護層を、めっきリードの膨出部内に形成する工程、（ｆ）は、半導電性層を、カバー絶縁層の表面およびベース絶縁層の表面に形成する工程示す。
【符号の説明】
【００８５】
１      回路付サスペンション基板
３      ベース絶縁層
４      導体パターン
５      カバー絶縁層
６      配線
７      端子部
８      めっき層
９      保護層
１０    半導電性層
１１    露出部
１７    被覆層
１９    クリップ
２４    めっきリード
【図１】
2008147381.tif 000003
【図２】
2008147381.tif 000004
【図３】
2008147381.tif 000005
【図４】
2008147381.tif 000006
【図５】
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【図６】
2008147381.tif 000008
【図７】
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【図８】
2008147381.tif 000010