(57)【要約】【課題】気相堆積法によって形成された蛍光体層を有する放射線像変換パネルであって、蛍光体の遊離元素に起因する着色の無い、高感度な放射線像変換パネルおよび製造方法を提供する。【解決手段】気相堆積法によって蛍光体層を形成した後に、蛍光体層を加熱する熱処理を複数回行い、かつ、最後の１回の熱処理は酸素存在したにおける所定の条件で行なうことにより、もしくは、気相堆積法によって蛍光体層を形成した後に、蛍光体層に所定量の水分を吸収させる加湿処理を行い、その後、蛍光体層の熱処理を行なうことにより、前記目的を達成する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
気相堆積法によって形成された蛍光体層と、この蛍光体層を全面的に覆って封止する保護層とを有する放射線像変換パネルであって、
励起光入射面における波長４４０ｎｍに対応する色の濃度が、０．００１〜０．０９５であることを特徴とする放射線像変換パネル。
【請求項２】
前記蛍光体層が柱状結晶で形成される請求項１に記載の放射線像変換パネル。
【請求項３】
前記蛍光体層が一般式［ＣｓＢｒ：Ｅｕ］で示される輝尽性蛍光体で形成される請求項１または２に記載の放射線像変換パネル。
【請求項４】
基板の表面に気相堆積法によって蛍光体層を形成した後、前記蛍光体層を任意の条件で加熱して冷却する第１の熱処理を１回以上行い、
所定回数の前記第１の熱処理を終了した後、酸素の存在下で、以降の工程における蛍光体層の最高到達温度以上かつ１５０〜２５０℃の温度範囲で、５〜１８０分、前記蛍光体層を加熱する第２の熱処理を１回だけ行なうことを特徴とする放射線像変換パネルの製造方法。
【請求項５】
前記第１の熱処理の少なくとも１回、あるいはさらに第２の熱処理に先立ち、前記蛍光体層に水分を吸収させる加湿処理を行なう請求項４に記載の放射線像変換パネルの製造方法。
【請求項６】
前記加湿処理は、処理前の蛍光体層の重さを１００とした際に、処理後の蛍光体層の重さが１００．０２〜１００．８５となるように前記蛍光体層に水分を吸収させる処理である請求項５に記載の放射線像変換パネルの製造方法。
【請求項７】
基板の表面に気相堆積法によって蛍光体層を形成した後、
処理前の蛍光体層の重さを１００とした際に、処理後の蛍光体層の重さが１００．０２〜１００．８５となるように前記蛍光体層に水分を吸収させる処理である加湿処理を行い、
前記加湿処理を施した後、前記蛍光体層を加熱する熱処理を行なうことを特徴とする放射線像変換パネルの製造方法。
【請求項８】
前記加湿処理は、温度が１０〜６０℃で、相対湿度が２０〜４５％ＲＨの環境下に、０．５時間〜１６８時間、前記蛍光体層を曝す処理である請求項７に記載の放射線像変換パネルの製造方法。
【請求項９】
前記加湿処理は、温度Ｔが１０〜６０℃で、相対湿度Ｈが４５％ＲＨ＜Ｈ≦８０％ＲＨの環境下に、所定の処理時間だけ前記蛍光体層を曝す処理であり、かつ、前記処理時間をｔ［時間］とした際に、下記式
Ｘ＝ｅｘｐ（６．４×１０-2×（Ｔ＋２７３））×Ｈ×１０-10×ｔ
における「Ｘ」が０．２〜２１０を満たすものである請求項７に記載の放射線像変換パネルの製造方法。
【請求項１０】
前記加湿処理は、温度が１０〜６０℃で、相対湿度が８０％ＲＨ超９０％ＲＨ未満の環境下に、１０〜３０分、前記蛍光体層を曝す処理である請求項７に記載の放射線像変換パネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、Ｘ線写真等の撮影に用いられる放射線像変換パネルの技術分野に属し、詳しくは、ＰＳＬ感度等の輝尽発光特性の良好な放射線像変換パネル、および、この放射線像変換パネルの製造に最適な製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
放射線（Ｘ線、α線、β線、γ線、電子線、紫外線等）の照射を受けると、この放射線エネルギーの一部を蓄積し、その後、可視光等の励起光の照射を受けると、蓄積されたエネルギーに応じた輝尽発光を示す蛍光体が知られている。この蛍光体は、輝尽性蛍光体（蓄積性蛍光体）と呼ばれ、医療用途などの各種の用途に利用されている。
【０００３】
一例として、この輝尽性蛍光体の層（輝尽性蛍光体層  以下、蛍光体層とする）を有する放射線像変換パネル（以下、変換パネルとする（輝尽性（蓄積性）蛍光体パネル（シート）とも呼ばれている））を利用する、放射線像情報記録再生システムが知られており、例えば、富士写真フイルム社製のＦＣＲ（Fuji Computed Radiography)等として実用化されている。
このシステムでは、人体などの被写体を介してＸ線等を照射することにより、変換パネル（蛍光体層）に被写体の放射線像（放射線画像）を記録する。記録後に、変換パネルを励起光で２次元的に走査して輝尽発光を生ぜしめ、この輝尽発光光を光電的に読み取って画像信号を得、この画像信号に基づいて再生した画像を、ＣＲＴなどの表示装置や、写真感光材料などの記録材料等に、被写体の放射線像として出力する。
【０００４】
変換パネルは、通常、輝尽性蛍光体の粉末をバインダ等を含む溶媒に分散してなる塗料を調製して、この塗料をガラスや樹脂製のパネル状の支持体に塗布し、乾燥することによって、作成される。
これに対し、特許文献１〜特許文献４に示されるように、真空蒸着やスパッタリング等の気相堆積法（真空成膜法）によって、基板に蛍光体層を形成してなる蛍光体パネルも知られている。気相堆積法による蛍光体層は、真空中で形成されるので不純物が少なく、また、輝尽性蛍光体以外のバインダなどの成分が殆ど含まれないので、性能のバラツキが少なく、しかも発光効率が非常に良好であるという、優れた特性を有している。
【０００５】
変換パネルには、優れた鮮鋭性（鮮鋭度の高い再生画像が得られる）、高い感度を有する等、各種の特性が要求される。前述の気相堆積法による蛍光体層を有する変換パネルにおいては、このような要求特性を満たすために、各種の検討が行なわれている。
【０００６】
例えば、特許文献１には、気相堆積法による蛍光体層を有する変換パネルにおいて、蛍光体層の層厚を５０μｍ以上にすると共に、励起光として波長６８０ｎｍの光を入射した際の蛍光体層の透過率もしくは反射率を２０％以上とすることにより、高い鮮鋭性を有する変換パネルが開示されている。また、特許文献２には、高い輝度の輝尽発光光すなわち高感度な変換パネルを得るためには、蛍光体層の反射率を２０％以上、特に４０％以上とするのが好ましいことが開示されている。
また、特許文献３には、気相堆積法によって蛍光体層を形成した後、不活性雰囲気もしくは少量の酸素または水素を含む雰囲気において、蛍光体層に、５０〜３００℃の熱処理を、１〜８時間行なうことにより、蛍光体層の輝尽発光量を高めた、高感度な変換パネルが開示されている。
さらに、特許文献４には、気相堆積法によって蛍光体層を形成した後、相対湿度３０〜６０％ＲＨの環境下において蛍光体層を加湿した後、６０〜１６０℃で加熱して蛍光体層を脱水することにより、鮮鋭性および輝尽発光量（すなわち感度）を向上した変換パネルが開示されている。
【０００７】
【特許文献１】特開２００２−３５０５９７号公報
【特許文献２】特開２００３−２３２８９５号公報
【特許文献３】特開２００３−２７９６９６号公報
【特許文献４】特開２００６−９０８５３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
これらの変換パネルによれば、良好な輝尽発光特性や鮮鋭性を有する優れた変換パネルを得ることができる。
しかしながら、変換パネルへの要求特性、特に、感度等に対する要求は、近年、ますます厳しくなっており、より優れた特性を有する変換パネルの出現が望まれている。
【０００９】
本発明の目的は、前記従来技術の問題点を解決することにあり、気相堆積法によって輝尽性蛍光体層を形成する放射線像変換パネルにおいて、蛍光体層表面が良好な白色で輝尽発光光の反射率が高い、優れた感度を有する放射線像変換パネル、および、この放射線像変換パネルの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
前記目的を達成するために、本発明の放射線像変換パネルは、気相堆積法によって形成された蛍光体層と、この蛍光体層を全面的に覆って封止する保護層とを有する放射線像変換パネルであって、励起光入射面における波長４４０ｎｍに対応する色の濃度が、０．００１〜０．０９５であることを特徴とする放射線像変換パネルを提供する。
このような本発明の放射線像変換パネルにおいて、前記蛍光体層が柱状結晶で形成されるのが好ましく、また、前記蛍光体層が一般式［ＣｓＢｒ：Ｅｕ］で示される輝尽性蛍光体で形成されるのが好ましい。
【００１１】
また、本発明の放射線像変換パネルの製造方法の第１の態様は、基板の表面に気相堆積法によって蛍光体層を形成した後、前記蛍光体層を任意の条件で加熱して冷却する第１の熱処理を１回以上行い、所定回数の前記第１の熱処理を終了した後、酸素の存在下で、以降の工程における蛍光体層の最高到達温度以上かつ１５０〜２５０℃の温度範囲で、５〜１８０分、前記蛍光体層を加熱する第２の熱処理を１回だけ行なうことを特徴とする放射線像変換パネルの製造方法を提供する。
このような本発明の放射線像変換パネルの製造方法の第１の態様において、前記第１の熱処理の少なくとも１回、あるいはさらに第２の熱処理に先立ち、前記蛍光体層に水分を吸収させる加湿処理を行なうのが好ましく、また、前記加湿処理は、処理前の蛍光体層の重さを１００とした際に、処理後の蛍光体層の重さが１００．２〜１００．８５となるように前記蛍光体層に水分を吸収させる処理であるのが好ましい。
【００１２】
さらに、本発明の放射線像変換パネルの製造方法の第２の態様は、基板の表面に気相堆積法によって蛍光体層を形成した後、処理前の蛍光体層の重さを１００とした際に、処理後の蛍光体層の重さが１００．２〜１００．８５となるように前記蛍光体層に水分を吸収させる処理である加湿処理を行い、前記加湿処理を施した後、前記蛍光体層を加熱する熱処理を行なうことを特徴とする放射線像変換パネルの製造方法を提供する。
このような本発明の放射線像変換パネルの製造方法の第２の態様において、前記加湿処理は、温度が１０〜６０℃で、相対湿度が２０〜４５％ＲＨの環境下に、０．５時間〜１６８時間、前記蛍光体層を曝す処理であるのが好ましく、もしくは、前記加湿処理は、温度Ｔが１０〜６０℃で、相対湿度Ｈが４５％ＲＨ＜Ｈ≦８０％ＲＨの環境下に、所定の処理時間だけ前記蛍光体層を曝す処理であり、かつ、前記処理時間をｔ［時間］とした際に、式「Ｘ＝ｅｘｐ（６．４×１０-2×（Ｔ＋２７３））×Ｈ×１０-10×ｔ」における「Ｘ」が０．２〜２１０を満たすものであるのが好ましく、もしくは、前記加湿処理は、温度が１０〜６０℃で、相対湿度が８０％ＲＨ超９０％ＲＨ未満の環境下に、１０〜３０分、前記蛍光体層を曝す処理であるのが好ましい。
【発明の効果】
【００１３】
上記構成を有する本発明の放射線像変換パネルは、蛍光体層を形成する蛍光体からの遊離元素に起因する着色が極めて少ないため、蛍光体層による輝尽発光光の吸収が極めて少なく、そのため非常に優れた感度（ＰＳＬ感度（輝尽発光量(Photostimulated Luminescence)）を有する。
また、本発明の放射線像変換パネルの製造方法によれば、真空蒸着等の気相堆積法によって蛍光体層を形成した後に、蛍光体層に１回以上の第１の熱処理を施し、その後、最後の熱処理として酸素存在下における第２の熱処理を施すことにより、もしくは、蛍光体層を加湿する所定の加湿処理を施した後に、蛍光体層の熱処理を施すことにより、蛍光体層を形成する蛍光体からの遊離元素に起因する着色を抑えることができ、かつ、感度も向上することができる。そのため、本発明の製造方法によれば、蛍光体層が良好な白色であることに起因する反射率の向上と、感度の向上との相乗効果によって、非常に優れた感度を有する放射線像変換パネルを製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の放射線像変換パネル、および、この放射線像変換パネルの製造方法について、添付の図面に示される好適実施例を基に詳細に説明する。
【００１５】
図１に、本発明の放射線像変換パネルの一例の概念図を示す。
本発明の放射線像変換パネル１０（以下、変換パネル１０とする）は、基板１２と、蛍光体層１４と、蛍光体層１４を全面的に覆って、基板１２と共に蛍光体層１４を封止する保護層２０とを有する。また、図示例においては、好ましい態様として、蛍光体層１４の周辺で接着層１８によって基板１２と保護層２０とを接着することで、保護層２０と基板１２とで蛍光体層１４を封止するのみならず、蛍光体層１４と保護層２０も接着層１８によって接着されている。
【００１６】
なお、本発明の放射線像変換パネルは、上記構成に限定はされず、励起光入射面すなわち図示例であれば保護層２０の表面（基板１２と逆側の面）における波長４４０ｎｍに対応する色の濃度が、０．００１〜０．０９５であれば、特に限定は無い。
例えば、蛍光体層１４が十分な耐湿性を有するのであれば、接着層１８および保護層２０を有さなくてもよく、また、接着層１８によって保護層２０と蛍光体層１４とを接着せずに、基板１２（あるいは後述する枠体）と保護層２０とを接着するのみで、保護層２０で蛍光体層１４を覆って封止してもよい。
【００１７】
本発明の変換パネル１０において、基板１２には、特に限定はななく、公知の放射線像変換パネルで用いられている各種のものが利用可能である。
一例として、セルロースアセテート、ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート、ポリアミド、ポリイミド、トリアセテート、ポリカーボネートなどから形成されるプラスチック板やプラスチックシート（フィルム）；  石英ガラス、無アルカリガラス、ソーダガラス、耐熱ガラス（パイレックスTM等）などから形成されるガラス板やガラスシート；  アルミニウム、鉄、銅、クロムなどの金属類から形成される金属板や金属シート；  このような金属板等の表面に金属酸化物層等の被覆層を形成してなる板やシート；  等が例示される。
また、基板１２は、表面に、保護層（基板１２の基体を保護する保護層）、輝尽発光光の反射層あるいはさらに反射層の保護層などを有してもよい。この際には、蛍光体層１４は、これらの層の上に形成される。
【００１８】
本発明において、蛍光体層１４は、真空蒸着等の気相堆積法によって形成（成膜）されたものであり、図示例の変換パネル１０は、好ましい態様として、互いに独立する柱状結晶によって形成される、柱状結晶構造を有する。
【００１９】
なお、図１に示す変換パネル１０においては、基板１２の表面から柱状結晶が成長しているが、本発明は、これに限定はされない。
例えば、真空蒸着で形成される蛍光体層、特に輝尽性蛍光体からなる蛍光体層、中でも特に後述するアルカリハライド系輝尽性蛍光体からなる蛍光体層は、蛍光体層１４の形成条件（成膜条件）に応じて、当初は結晶が球状に成長して、その後、結晶が球状から柱状に成長して柱状結晶となる場合も多い。この場合には、本発明の変換パネル１０は、基板１２の表面に球状結晶が凝集してなる球状結晶層を有し、その上に柱状結晶層を有する構成であってもよい。
また、このように球状に結晶が成長する場合には、蛍光体層１４の形成条件によっては、柱状結晶が成長する前に、球状結晶が基板１２の面方向に融着して塊状（ドメイン）となり、このドメインから結晶が柱状に成長して柱状結晶となる場合も多い。この場合には、本発明の変換パネル１０は、基板１２の表面に球状結晶が凝集してなる球状結晶層を有し、その上に前記ドメインからなるドメイン層を有し、このドメイン層の上に柱状結晶層を有する構成であってもよい。
【００２０】
本発明において、蛍光体層１４は、真空蒸着やＣＶＤ等の気相堆積法で形成されたものであり、特に、本発明の効果を発現し易い等の点で、真空蒸着で形成されたものであるのが好ましい。
また、蛍光体層１４の形態にも、特に限定は無いが、図１に模式的に示すように、互いに独立した蛍光体の柱状結晶によって形成されるのが好ましい。蛍光体層１４が蛍光体の柱状結晶によって形成されることにより、より鮮鋭性に優れ（鮮鋭度の高い放射線像が再生でき）、かつ、高感度な変換パネル１０を得ることができる。
【００２１】
蛍光体層１４を形成する蛍光体にも特に限定はなく、放射線像変換パネルで使用されている各種の蛍光体が、全て利用可能である。
特に、本発明の効果が発現し易い等の点で、蛍光体と付活剤（賦活剤：activator)とを含有する輝尽性蛍光体は、好適であり、中でも特に、特開昭６１−７２０８７号公報に開示される、一般式「ＭIＸ・ａＭIIＸ’2・ｂＭIIIＸ''3：ｃＡ」で示されるアルカリハライド系輝尽性蛍光体が好適に利用される。
（上記式において、ＭI は、Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，ＲｂおよびＣｓからなる群より選択される少なくとも一種であり、ＭIIは、Ｂｅ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｚｎ，Ｃｄ，ＣｕおよびＮｉからなる群より選択される少なくとも一種の二価の金属であり、ＭIIIは、Ｓｃ，Ｙ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕ，Ａｌ，ＧａおよびＩｎからなる群より選択される少なくとも一種の三価の金属であり、Ｘ、Ｘ’およびＸ''は、Ｆ，Ｃｌ，ＢｒおよびＩからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ａは、Ｅｕ，Ｔｂ，Ｃｅ，Ｔｍ，Ｄｙ，Ｐｒ，Ｈｏ，Ｎｄ，Ｙｂ，Ｅｒ，Ｇｄ，Ｌｕ，Ｓｍ，Ｙ，Ｔｌ，Ｎａ，Ａｇ，Ｃｕ，ＢｉおよびＭｇからなる群より選択される少なくとも一種である。また、０≦ａ＜０．５であり、０≦ｂ＜０．５であり、０＜ｃ≦０．２である。）
その中でも、優れた輝尽発光特性を有し、かつ、本発明の効果が特に良好に得られる等の点で、ＭIが、少なくともＣｓを含み、Ｘが、少なくともＢｒを含み、さらに、Ａが、ＥｕまたはＢｉであるアルカリハライド系輝尽性蛍光体は好ましく、その中でも特に、一般式「ＣｓＢｒ：Ｅｕ」で示される輝尽性蛍光体が好ましい。
【００２２】
また、これ以外にも、米国特許第３，８５９，５２７号明細書、特開昭５５−１２１４２号、同５５−１２１４４号、同５５−１２１４５号、同５６−１１６７７７号、同５８−６９２８１号、同５８−２０６６７８号、同５９−３８２７８号、同５９−７５２００号等の各公報に開示される各種の輝尽性蛍光体も、好適に利用可能である。
【００２３】
なお、本発明は、輝尽性蛍光体の蛍光体層を有する変換パネル１０に限定されず、例えば、沃化セシウムなどの蛍光体からなる蛍光体層を有する放射線シンチレータパネル等、蛍光体層を有する各種の放射線像変換パネルに、好適に利用可能である。
【００２４】
本発明の変換パネルにおいて、蛍光体層１４の層厚には、特に限定は無いが、１００〜１５００μｍ、特に、５００〜１０００μｍが好ましい。蛍光体層１４の厚さを、上記範囲とすることにより、鮮鋭性等の点で好ましい。
ここで、本発明の変換パネル１０において、蛍光体層１４が蛍光体と付活剤とを有する輝尽性蛍光体で有る場合には、蛍光体層１４の全てを輝尽性蛍光体で形成してもよいが、好ましくは、下部に実質的に付活剤を含有しない母体領域を形成し、その上に付活剤を含有する輝尽性蛍光体からなる領域を形成するのが好ましい。一例として、輝尽性蛍光体が、付活剤としてＥｕを含有するＣｓＢｒ：Ｅｕである場合には、母体領域は実質的にＣｓＢｒのみから形成され、輝尽性蛍光体からなる領域はＣｓＢｒ：Ｅｕから形成される。なお、付活剤を実質的に含まないとは、付活剤が１．０×１０-6ｐｐｍ以下であることをいい、好ましくは全く含まないことをいう。
母体領域は、応力緩和層として作用するので、このような構成とすることにより、蛍光体層１４と基板１２との密着性を、より良好にすることができる。
【００２５】
図示例の変換パネル１０は、蛍光体層１４の表面を全面的に覆って、蛍光体層１４の全面を密閉的に封止する保護層２０を有する。
【００２６】
気相堆積法で形成した蛍光体層、特に、前述のアルカリハライド系の輝尽性蛍光体は、吸湿性が高く、吸湿によって劣化してしまう。
そのため、本発明の変換パネル１０においては、完成した変換パネル１０の蛍光体層１４の吸湿を防止するために、図１に示すように、防湿性（非水分透過性）を有する保護層２０で、蛍光体層１４を全面的に覆って、密閉して封止するのが好ましい。
【００２７】
保護層２０は、十分な防湿性を有し、かつ無色透明で、輝尽発光光および励起光を十分に透過ものであれば、各種のものが利用可能であり、特に限定はない。
一例として、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルム上に、ＳｉＯ2膜と、ＳｉＯ2およびＰＶＡ（ポリビニルアルコール）のハイブリット層と、ＳｉＯ2膜との３層を形成してなる保護層２０が例示される。なお、このＳｉＯ2膜／ＳｉＯ2およびＰＶＡのハイブリット層／ＳｉＯ2膜の３層を形成した保護層２０において、例えば、ＳｉＯ2膜は、スパッタリング法を用いて、ＳｉＯ2とＰＶＡとのハイブリット層は、ＰＶＡとＳｉＯ2の比率が１：１となるようにゾルゲル法を用いて、それぞれ形成すればよい。
これ以外にも、ガラス板（フィルム）、ポリエチレンテレフタレートやポリカーボネート等の樹脂フィルム、樹脂フィルムにＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＣなどの無機物質を堆積したフィルム等も好ましく例示される。
【００２８】
本発明の変換パネル１０においては、蛍光体層１４を保護層２０で全面的に覆って、蛍光体層１４の周辺全周を囲んで接着層１８によって保護層２０と基板１２とを接着することにより、保護層２０で蛍光体層１４を全面的に覆って、保護層２０と基板１２とで蛍光体層１４を密閉して封止すればよい。
しかしながら、基板１２と保護層２０のみならず、図１に示すように、蛍光体層１４の表面にも接着層１８を設け、保護層２０を蛍光体層１４にも接着するのが、より好ましい。このような構成とすることにより、保護層２０の浮き等を防止して、より機械的強度に優れた耐久性の高い変換パネル１０を得ることができる。
【００２９】
保護層２０を接着する接着層１８には、特に限定は無く、十分な接着力を有するものが、各種、利用可能である。但し、図示例のように、蛍光体層１４の表面にも接着層１８を設ける場合には、接着層１８は、無色透明で、輝尽発光光および励起光を十分に透過する光学特性を有するものを用いる必要が有る。
【００３０】
ここで、本発明の変換パネル１０においては、励起光の入射面における波長４４０ｎｍに対応する色の濃度が０．００１〜０．０９５である。
なお、励起光の入射面における波長４４０ｎｍに対応する色の濃度とは、基板１２が光反射性である場合には励起光入射面側における反射濃度であり、基板１２が光透過性である場合には励起光入射面側からの透過濃度である。ここで、反射濃度は、例えば、汎用の分光光度計を用いて４４０ｎｍの反射率を測定し、測定した反射率からKubelka-Munk式を用いて得れば良い。他方、透過濃度は、例えば、汎用の分光光度計を用いて４４０ｎｍの透過率を測定し、透過率の逆数の常用対数値をとることで濃度を算出すればよい。
また、波長４４０ｎｍは黄色の着色を反映するので、以下、この波長４４０ｎｍに対応する色の濃度を、便宜的に「黄色の濃度」と称する。
【００３１】
変換パネル１０において、励起光の照射によって高光量の発光光を得るためには、蛍光体層１４における発光光の吸収を低減する必要がある。
この目的を達成するために、蛍光体層の表面の反射率を向上することが知られている。例えば、前記特許文献２には、高輝度の輝尽発光光を得るためには、反射率あるいは透過率を２０％以上、特に４０％以上とするのが好ましいことが開示されている。また、前記特許文献１では、蛍光体層の反射率あるいは透過率を２０％以上、特に４０％以上とすることにより、高い鮮鋭性を得ることが開示されている。
【００３２】
しかしながら、蛍光体層表面の反射率の向上には限界が有り、また、変換パネル１０は、蛍光体層１４の防湿のための保護層２０を有するために、励起光入射面の反射率は、さらに低下してしまう。
ここで、本発明者らは、より高い感度（ＰＳＬ感度（輝尽発光量(Photostimulated Luminescence)）を有する変換パネルを実現するために鋭意検討を重ねた結果、蛍光体から遊離した遊離元素に起因する蛍光体層の黄色への着色が発光光強度の低下の一因となっており、すなわち、変換パネルの感度低下の一因となっていることを見いだした。
【００３３】
気相堆積法による輝尽性蛍光体、特に前述のアルカリハライド系の輝尽性蛍光体、中でも特に一般式「ＣｓＢｒ：Ｅｕ」で示される輝尽性蛍光体は、１００℃以上の加熱によって一部の元素が蛍光体から遊離してしまい、この遊離元素によって、蛍光体層１４が極低濃度であるが黄色に着色してしまう。例えば、「ＣｓＢｒ：Ｅｕ」であれば、加熱によってＢｒが遊離して、このＢｒに起因して蛍光体層１４が黄色に着色してしまう。また、保護層２０や接着層１８と遊離元素との反応でも、黄変が生じる。
極低濃度であっても、蛍光体層の着色は、発光光の強度低下すなわち感度低下につながってしまう。
【００３４】
本発明は、上記知見を基に成されたものであり、励起光の入射面における黄色の濃度を０．００１〜０．０９５とすることにより、蛍光体層を遊離元素に起因する着色の無い白色として、感度の高い高感度な変換パネルを実現している。
本発明の変換パネル１０において、黄色の濃度が低いほど好ましいのは勿論であるが、加熱による遊離元素を完全に無くすことは不可能であり、この黄色の濃度を０．００１未満とするのは、変換パネルのコストや生産性等の点で非常に不利で、非現実的である。また、変換パネル１０が、前記「ＣｓＢｒ：Ｅｕ」など、母体（蛍光体）を付活剤で付活してなる輝尽性蛍光体からなる蛍光体層１４を有する場合には、加熱による遊離元素を無くすことは、基本的に不可能であり、この黄色の濃度を０．００１未満とするためには、付活剤の量を非常に少なくする必要がある。ところが、黄色の濃度が０．００１未満となる程度まで付活剤の量を低減すると、それ以外の感度等の特性を満たすことができず、実用上問題が生じるため、非現実的である。なお、付活剤を含有することによって遊離元素が多くなる理由は明らかでは無いが、付活剤付近のハロゲン元素が、熱処理時に何らかの原因によってハロゲン系ガスとして遊離し易くなってしまうためと考えられる。
他方、この黄色の濃度が０．０９５を超えると、着色による蛍光体層１４での発光光の吸収が多すぎ、高感度な変換パネルを得ることができない。
【００３５】
本発明において、励起光の入射面における黄色の濃度は、特に、０．００１〜０．０５が好ましい。
【００３６】
本発明の変換パネルにおいて、励起光の入射面の反射率には、特に限定は無いが、励起光の入射による蛍光体層１４からの発光光のピーク位置（発光光のピーク波長）の反射率を、６０〜９５％とするのが好ましく、特に、７０〜９５％以下とするのが好ましい。
励起光の入射面の反射率を、この範囲とすることにより、より高感度な変換パネル１０を得ることができ、好ましい。
【００３７】
以下、このような本発明の変換パネル１０を製造する、本発明の放射線像変換パネルの製造方法について説明する。
【００３８】
まず、基板１２の表面に気相堆積法によって蛍光体層１４を形成する。
なお、本発明においては、蛍光体層１４の形成に先立ち、プラズマ洗浄を行なって、基板１２の表面を清浄化し、かつ、親水性にするのが好ましい。また、プラズマ洗浄に先立ち、アセトン等の有機溶剤によって基板１２の表面を清掃してもよい。さらに、蛍光体層１４の形成直前に、イオン風や粘着式のローラ等を用いて、基板１２の表面の除塵を行なうのも好ましい。
【００３９】
本発明の変換パネル１０において、蛍光体層１４は、真空蒸着、スパッタリング、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition)等の各種の気相堆積法（真空成膜法）で形成される。
中でも、生産性等の点で真空蒸着によって蛍光体層１４を形成するのが好ましい。
【００４０】
また、蛍光体として輝尽性蛍光体を用いる場合には、蛍光体の成膜材料と付活剤の成膜材料とを独立して加熱／蒸発する、二元（多元）の真空蒸着により、蛍光体層１４を形成するのが好ましい。
例えば、輝尽性蛍光体として前記ＣｓＢｒ：Ｅｕを用いる場合であれば、蛍光体の成膜材料として臭化セシウム（ＣｓＢｒ）を、付活剤の成膜材料として臭化ユーロピウム（ＥｕＢｒx（ｘは、通常、２〜３であるが、２が好ましい））を用いる二元の真空蒸着を行なうのが好ましい。
【００４１】
また、蛍光体層１４を真空蒸着で形成する際に、真空蒸着における加熱方法には、特に限定はなく、例えば、電子銃等を用いる電子線加熱、または、抵抗加熱で形成されたものでもよい。さらに、多元の真空蒸着を利用する場合には、全ての材料を同様の同じ加熱手段（例えば、電子線加熱）で加熱蒸発してもよく、あるいは、蛍光体の材料は電子線加熱で、微量である付活剤の材料は抵抗加熱で、それぞれ加熱蒸発してもよい。
【００４２】
蛍光体層１１４の形成条件（成膜条件）にも、特に限定はなく、用いる気相堆積法の種類、使用する成膜材料、加熱手段等に応じて、適宜、決定すればよい。
ここで、本発明の変換パネル１０においては、前述した各種の輝尽性蛍光体、特にアルカリハライド系輝尽性蛍光体、中でも特に前記一般式「ＣｓＸ：Ｅｕ（Ｘはハロゲン）」で示される輝尽性蛍光体、その中でも特にＣｓＢｒ：Ｅｕからなる蛍光体層１４を真空蒸着によって形成する場合には、一旦、系内を高い真空度に排気した後、アルゴンガスや窒素ガス等を系内に導入して、０．０１〜３Ｐａ程度の真空度（以下、便宜的に中真空とする）とし、この中真空下で抵抗加熱等によって成膜材料を加熱して真空蒸着を行うのが好ましい。
前述のように、気相堆積法による蛍光体層１４は、互いに独立した柱状結晶によって形成されるが、このような中真空下で成膜して得られる蛍光体層１４、特に、前記ＣｓＢｒ：Ｅｕ等のアルカリハライド系の蛍光体層１４は、特に良好な柱状の結晶構造を有し、輝尽発光特性や画像の鮮鋭性等の点で好ましい。
【００４３】
本発明の製造方法においては、このようにして蛍光体層１４を形成した後、輝尽発光特性を向上するために、蛍光体層１４を加熱する熱処理（アニーリング）を行い、その後、保護層２０によって、前述のように蛍光体層１４を全面的に封止する。
なお、熱処理に先立ち（あるいは、複数回行なう熱処理の途中に）、必要に応じて蛍光体層１４の表面研磨を行なってもよい。
【００４４】
ここで、本発明の製造方法の第１の態様においては、熱処理として、任意の条件である第１の熱処理を１回以上の所定回数だけ繰り返し行なった後、所定条件での熱処理である第２の熱処理を１回だけ行ない、その後、保護層２０によって蛍光体層１４を封止する。
また、本発明の製造方法の第２の態様においては、熱処理に先立って、蛍光体層１４に水分を吸収させる処理である加湿処理を行い、その後、熱処理を行って、保護層２０によって蛍光体層１４を封止する。
本発明の製造方法においては、このような複数回の熱処理、あるいは、加湿処理の後に熱処理を行なうことにより、蛍光体層１４の感度を向上すると共に、蛍光体層１４に残存する蛍光体の遊離元素を除去して、遊離元素に起因する蛍光体層の着色を大幅に低減することができる。
【００４５】
前述のように、蛍光体は１００℃以上の加熱によって元素が遊離し、この遊離元素に起因して蛍光体層が着色し、変換パネル１０の感度低下の一因となっている。
ここで、蛍光体層１４が１００℃以上に加熱される工程としては、蛍光体層１４の形成工程、および熱処理が考えられる。また、接着層１８として熱可塑性樹脂を用いた際には、保護層２０による蛍光体層１４の封止を熱圧着（熱ラミネーション）で行なうのが好ましく、この際にも、蛍光体層１４が１００℃以上に加熱される可能性が有る。
【００４６】
ここで、蛍光体層１４の形成工程や熱処理では、一部の遊離元素は経時と共に蛍光体層１４から飛散するが、一部の遊離元素は柱状結晶に付着して、蛍光体層１４に留まってしまう。また、保護層２０で蛍光体層を封止した後では、遊離元素は飛散せず、留まった遊離元素によって蛍光体層が着色してしまう。また、保護層２０や接着層１８と遊離元素との反応でも、黄変が生じる。
従って、前記黄色の濃度（波長４４０ｎｍに対応する色の濃度）が０．００１〜０．０９５である本発明の変換パネル１０を作製するためには、保護層２０によって蛍光体層１４を封止する封止工程の前に、遊離元素を出来るだけ除去しておくのが好ましい。
【００４７】
本発明の製造方法の第１の態様においては、熱処理として、任意の条件で蛍光体層１４を加熱する第１の熱処理を１回以上の所定回数だけ行なった後、酸素の存在下で、以降の工程における蛍光体層の最高到達温度以上かつ１５０〜２５０℃の温度範囲で、５〜１８０分、前記蛍光体層を加熱する第２の熱処理を１回だけ行ない、その後、保護層２０によって蛍光体層１４を封止する。
放射線像変換パネルの製造においては、通常、蛍光体層の熱処理は、１回しか行なわない。これに対し、本態様においては、蛍光体層の熱処理を複数回行うことにより（繰り返し熱処理）、蛍光体層の感度を向上し、かつ、最後に酸素の存在下で所定条件の第２の熱処理（繰り返し熱処理の最後の熱処理）を行なうことにより、Ｂｒ等の遊離元素を取り除いて、蛍光体層１４の着色を防止する。
【００４８】
第１の熱処理は、適宜設定した、任意の条件で行なえばよい。従って、窒素雰囲気等の不活性雰囲気下でも、酸素が存在する雰囲気でもよく、また、熱処理の温度および時間にも特に限定は無い。なお、第１の熱処理としては、窒素雰囲気等の不活性雰囲気、もしくは若干の酸素あるいは水素の存在下における、１００〜３００℃で２〜１８０分の熱処理が好ましく、特に、１５０〜２５０℃で５〜１２０分の熱処理が好ましい。
【００４９】
ここで、本発明においては、一例として、蛍光体層１４を１００℃以上に加熱した後、５０℃以下まで冷却することを、第１の熱処理における１回の熱処理とする。
なお、本発明の製造方法の第１の態様においては、この第１の熱処理は１回以上行なうが、各熱処理の条件は、同じでも異なってもよい。さらに、前述の蛍光体層１４の研磨処理は、第１の熱処理の間もしくは第２の熱処理の前に行なってもよい。
【００５０】
第２の熱処理は、前述のように、酸素の存在下で、以降の工程における蛍光体層の最高到達温度以上かつ１５０〜２５０℃の温度範囲で、５〜１８０分の熱処理である。
第２の熱処理において酸素が存在しないと、遊離元素を除去することができない。なお、第２の熱処理を行なう雰囲気における酸素分圧には、特に限定は無いが、５〜３０％、特に、１５〜２５％が好ましく、中でも特に空気中が好ましい。
【００５１】
第２の熱処理の温度が、以降の工程における最高到達温度もしくは１５０℃未満では、熱処理の効果を十分に得ることができず、遊離したハロゲン系ガスなどの十分な除去ができない等の不都合が生じる。また、前述のように、蛍光体層１４が輝尽性蛍光体からなる場合には、この条件で前記黄色の濃度を０．００１未満とするためには、付活剤の量を極端に減らす必要があり、実用上、問題となる。
他方、第２の熱処理の温度が２５０℃を超えると、過剰加熱に成り易く、逆に感度が低下してしまう等の不都合が生じる。
【００５２】
さらに、第２の熱処理の処理時間が５分未満では、やはり、熱処理の効果を十分に得ることができず、遊離したハロゲン系ガスなどの十分な除去ができない等の不都合が生じ、さらに、前記温度と同様に、蛍光体層１４が輝尽性蛍光体からなる場合には、付活剤の量を極端に減らす必要があり、実用上、問題となる。
他方、第２の熱処理の処理時間が１８０分を超えると、感度の低下、作業の不要な長時間化等の不都合が生じる。
【００５３】
本発明の製造方法の第１の態様においては、第１の熱処理の少なくとも１回の熱処理に先立ち、あるいはさらに、第２の熱処理に先立ち、蛍光体層１４を加湿する（蛍光体層１４に吸湿させる）加湿処理を行なうのが好ましい。
加湿処理の条件には、特に限定は無い。例えば、加熱前もしくは加熱後の冷却時に、特に雰囲気をコントロールしていない室内に、ある程度の時間、蛍光体層１４（蛍光体層１４を形成した基板１２）を放置することで、放置環境の湿気を吸収させることで、加湿処理を行なってもよい。あるいは、適宜加湿さらには加熱した環境に、同様に蛍光体層を放置することで、加湿処理を行なってもよい。
好ましくは、後述する本発明の第２の態様の製造方法と同様の加湿処理を行なう。この加湿処理に関しては、後に詳述する。
【００５４】
なお、本発明の製造方法の第１の態様において、加湿処理を複数回行なう場合には、各加湿処理の条件は、同じでも異なってもよい。
【００５５】
他方、本発明の製造方法の第２の態様においては、前述のように、蛍光体層１４を形成した後、処理前の蛍光体層１４の重さを１００とした際に、処理後の蛍光体層１４の重さが１００．０２〜１００．８５となるように、蛍光体層１４に水分を吸収させる加湿処理を行い、その後、熱処理を行なって、保護層２０によって蛍光体層１４を全面的に封止する。
すなわち、加湿処理は、「［（水分＋蛍光体層）／蛍光体層］×１００＝１００．０２〜１００．８５」となるように、蛍光体層１４に水分を吸収させる処理であり、０．０２〜０．８５重量％の水分を蛍光体層１４に吸収させる処理である。
なお、加湿処理前の蛍光体層１４の重さを１００とした際における、加湿処理後の蛍光体層１４の重さは、一例として、
蒸着前における基板等の重量をａ［ｇ］；
蒸着後における基板等の重量＋蛍光体層の重量をｂ［ｇ］；
加湿処理後における基板等の重量＋含水蛍光体層の重量をｃ［ｇ］；  として
（ｃ−ａ）／（ｂ−ａ）×１００
で求めればよい。
【００５６】
本発明者らは、感度等の良好な変換パネル１０を得るために鋭意検討を重ねた結果、蛍光体層１４をある程度吸湿させた後に熱処理を行なうことにより、蛍光体層１４の感度を向上でき、しかも、熱処理によってＢｒ等の蛍光体の遊離元素の除去も促進されることを見い出した。
【００５７】
加湿処理で蛍光体層１４に吸収させる水分量が、処理前の蛍光体層１４の重さ１００とした際に処理後の蛍光体層の重さで１００．０２未満では、加湿処理の効果を十分に得ることができず、蛍光体層１４の感度を十分に向上できず、かつ、後の熱処理での遊離元素の除去も不十分になってしまう。また、前述の第２の加熱処理と同様、蛍光体層１４が輝尽性蛍光体からなる場合には、この条件で前記黄色の濃度を０．００１未満とするためには、付活剤の量を極端に減らす必要があり、実用上、問題となる。
逆に、加湿処理で蛍光体層１４に吸収させる水分量が、処理前の蛍光体層の重さ１００とした際に処理後の蛍光体層の重さで１００．８５を超えると、吸収する水分量が多すぎて、蛍光体層１４を形成する柱状結晶が潮解してしまい、柱状結晶の融着や崩壊、蛍光体層１４の剥離等が生じ、適正な変換パネル１０を得ることができない。
なお、本態様において、好ましくは、加湿処理によって蛍光体層１４に吸収させる水分量は、処理前の蛍光体層の重さ１００とした際に、処理後の蛍光体層１４の重さが１００．０２〜１００．８５となる量であり、特に好ましくは、１００．４〜１００．７となる量である。
【００５８】
加湿処理においては、上記の水分量を蛍光体層１４に吸湿させることができれば、処理条件には、特に限定は無い。
好ましい加湿処理としては、以下の３つが例示される。
【００５９】
加湿処理における蛍光体層１４の吸湿量は、当然、加湿処理を行なう環境の湿度に大きく影響される。ここで、加湿処理を行なう環境の相対湿度が４５％ＲＨ以下の場合には、蛍光体層１４の潮解や融着が起こる可能性は低いが、逆に、蛍光体層１４の吸湿の効率は低い。
そのため、好ましい加湿処理の１つとして、温度が１０〜６０℃で、相対湿度が２０〜４５％ＲＨの環境下における、０．５〜１６８時間の加湿処理（前記環境下に、０．５〜１６８時間、蛍光体層１４を曝す加湿処理）が例示される。
上記環境下において、加湿処理の時間が０．５時間未満では、蛍光体層１４を十分に吸湿させることが出来ない可能性が高い。逆に、上記環境下において、１６８時間を超える加湿処理を行なうと、蛍光体層１４が吸湿しすぎて、処理後の水分量が蛍光体層１４の重さに対して０．００８５を超えてしまう可能性が有り、また、作業効率等の点でも非常に不利である。
なお、好ましくは、上記環境下での加湿処理を１〜７２時間行なう。これにより、より好適に感度を向上し、かつ、作業性も良好にできる。
【００６０】
加湿処理を行なう環境の相対湿度が４５％ＲＨを超えると、蛍光体層１４が吸湿し易く、柱状結晶の潮解が起こり易くなる。ここで、加湿処理における感度向上の効果は相対湿度で決まり、柱状結晶の融着等は、「絶対湿度×処理時間」で決まる。従って、この積を「Ｘ」として、この「Ｘ」の範囲で加湿処理を規定することにより、感度を好適に上昇し、かつ、吸湿による蛍光体層１４の劣化も、好適に防ぐことができる。
そのため、好ましい加湿処理の別の例として、温度Ｔが１０〜６０℃で、相対湿度Ｈが４５％ＲＨ＜Ｈ≦８０％ＲＨの環境下において所定時間の加湿処理を行い、かつ、前記処理時間をｔ［時間］とした際に、下記式
Ｘ＝ｅｘｐ（６．４×１０-2×（Ｔ＋２７３））×Ｈ×１０-10×ｔ
における「Ｘ」が０．２〜２１０を満たす加湿処理が例示される
この「Ｘ」が０．２未満では、蛍光体層１４を十分に吸湿させることが出来ない可能性が高い。逆に、「Ｘ」が２１０を超えると、蛍光体層１４が吸湿しすぎて、処理後の水分量が蛍光体層１４の重さに対して０．００８５を超えてしまう可能性が有る。
なお、「Ｘ」は、０．３〜４０を満たすのがより好ましく、特に、「Ｘ」が０．６〜１４を満たすのが好ましい。これにより、より好適に感度を向上し、かつ、作業性も良好にできる。
【００６１】
さらに、加湿処理を行なう環境の相対湿度が８０％ＲＨを超えると、非常に蛍光体層１４が吸湿し易い状態になる。そのため、好ましい加湿処理の別の例として、温度が１０〜６０℃で、相対湿度が８０％ＲＨ超９０％ＲＨ未満の環境下での、１０分〜３０分（０．１６６時〜０．５時間）の加湿処理が例示される。
加湿処理の時間が１０分未満では、蛍光体層１４を十分に吸湿させることが出来ない可能性が高い。逆に、上記環境下において、０．５時間を超える加湿処理を行なうと、蛍光体層１４が吸湿しすぎて、処理後の水分量が蛍光体層１４の重さに対して０．００８５を超えてしまう可能性が有る。
【００６２】
なお、上記３種の加湿処理では、加湿処理の温度は、全て１０〜６０℃である。
加湿処理の温度が１０℃未満では、加湿処理を行なう装置（環境）への出し入れの際に、蛍光体層１４が結露し、柱状結晶が潮解／融着してしまう等の不都合が生じる可能性がある。
逆に、温度が６０℃を超えると、絶対湿度が高くなるために、蛍光体層１４が吸収する水分量が極度に多くなり、柱状結晶が極めて短時間で潮解／融着してしまう等の不都合が生じる可能性がある。
【００６３】
本発明の製造方法の第２の態様においては、このような加湿処理を施した後に、蛍光体層１４を加熱する熱処理を行なう。
なお、熱処理の条件には、特に限定は無いが、好ましい一例として、窒素雰囲気等の不活性雰囲気、もしくは若干の酸素あるいは水素の存在下における、１００〜３００℃で２〜１８０分の熱処理が好ましく、特に、１５０〜２５０℃で５〜１２０分の熱処理が例示される。
【００６４】
本発明の製造方法の第１の態様においては、前記１回以上の第１の熱処理および１回の第２の熱処理を行なった後に、他方、第２の態様においては、前記加湿処理および熱処理を行なった後に、保護層２０で蛍光体層１４を全面的に覆って、封止する。
なお、保護層２０での蛍光体層の封止に先立ち、粘着性のクリーナやイオン風等を用いて、蛍光体層１４の表面を清浄化してもよい。
【００６５】
保護層２０による蛍光体層１４の封止方法には、特に限定は無く、公知のシート状物による板状物の封止方法によればよい。
一例として、保護層２０の周辺部に接着層１８を形成して、あるいは、基板１２の蛍光体層１４を囲む領域に接着層１８を形成して、保護層２０によって蛍光体層１４を全面的に覆う。次いで、ローラ等の押圧部材で保護層２０を押圧することで、蛍光体層１４を囲む全周で基板１２と保護層２０とを接着し、基板１２と保護層２０とで蛍光体層１４を全面的に気密に封止する。好ましくは、図１に示すように、保護層２０の全面あるいは蛍光体層１４の表面にも接着層１８を形成して、保護層２０と蛍光体層１４も接着する。
ここで、接着層１８として熱可塑性樹脂を用いる場合には、封止に先立って蛍光体層１４を加熱、および／または、ローラ等の押圧部材を加熱しつつ、保護層２０を押圧する、熱圧着（熱ラミネーション）を利用するのが好ましい。
【００６６】
あるいは、基板１２の表面に蛍光体層１４を囲む枠体（例えば、四角筒状の枠体）を有する構成とし（すなわち、枠体の中に蛍光体層を形成し）、枠体の上面あるいはさらに蛍光体層１４と、保護層２０とを接着層１８で接着することにより、基板１２、枠体、および保護層２０で蛍光体層１４を全面的に気密に封止してもよい。
【００６７】
以上、本発明の放射線像変換パネルおよび放射線像変換パネルの製造方法について詳細に説明したが、本発明は上記実施形態に限定はされず、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、各種の改良や変更を行ってもよいのは、もちろんである。
【実施例１】
【００６８】
以下、本発明の具体的実施例を挙げ、本発明をより詳細に説明する。なお、本発明は、以下の実施例に限定されないのは言うまでもない。
【００６９】
［実施例１−１］
付活剤の成膜材料として臭化ユーロピウムを、蛍光体の成膜材料として臭化セシウムを、それぞれ用いる二元の真空蒸着によって、図１に示す蛍光体層１４を有する変換パネル１０を作製した。
【００７０】
面積４５０×４５０ｍｍのアルミニウム製の板（厚さ１０ｍｍ）を用意した。
この基板１２を真空蒸着装置の基板ホルダにセットし、また、所定位置に各成膜材料をセットし、さらに、成膜領域が基板１２の中央の４３０×４３０ｍｍとなるように基板１２の表面をマスキングした。なお、基板ホルダは、基板を裏面（蛍光体層の非形成面）から加熱する加熱ヒータを有する。
なお、両成膜材料共に、加熱は、タンタル製のルツボと出力６ｋＷのＤＣ電源とを用いる抵抗加熱装置で行った。なお、ルツボの設置位置の上部には、ルツボから蒸発した成膜材料を遮蔽するシャッタが設置されている。また、蛍光体の成膜材料を収容したルツボには、温度測定手段を設けた。
【００７１】
基板を基板ホルダにセットした後、真空チャンバを閉塞し、排気を開始した。排気は、ディフュージョンポンプおよびクライオコイルを用いた。なお、シャッタは閉塞状態となっている。
真空度が８×１０-4Ｐａとなった時点で、真空チャンバ内にアルゴンガスを導入して真空度を２．６Ｐａとし、次いで、ＤＣ電源を駆動してルツボに通電して、成膜材料を溶解した。なお、臭化セシウムの溶解は６７０℃で行った。また、臭化ユーロピウムは、臭化ユーロピウムが溶解する温度まで電力を上げて、完全に溶解した後、臭化ユーロピウムが蒸発しない温度まで投与電力を落した。なお、臭化ユーロピウムの溶解のための投与電力は、予め行なった臭化ユーロピウムの溶融実験に応じて制御した。
【００７２】
成膜材料の溶解を開始して６０分が経過した時点で、臭化セシウムを充填したルツボに対応するシャッタのみを開放して、基板１２の表面に蛍光体層１４（母体領域）の蒸着を開始した（すなわち、臭化セシウムの蒸発温度は６７０℃）。
シャッタの開放と同時に、加熱ヒータによって基板１２を１６０℃に加熱した。また、ルツボに印加する電力は、臭化セシウムの基板１２への蒸着速度が１０μｍ／分となるように調整した。
【００７３】
層厚が５０μｍとなった時点で、一旦、シャッタを閉塞して、アルゴンガスの導入量を調整して真空チャンバ内の圧力（Ａｒガス圧）を０．８Ｐａとし、また、予め調べた、蛍光体層におけるＥｕ／Ｃｓのモル濃度比が０．００１：１となる電力まで、臭化ユーロピウム（そのルツボ）への投与電力を上昇した。
次いで、臭化セシウムおよび臭化ユーロピウムを充填したルツボに対応するシャッタを開放して、蛍光体層１４の形成を再開（輝尽性蛍光体の蒸着を開始）した。
【００７４】
蛍光体層１４の層厚が７００μｍとなった時点で、ＤＣ電源を停止してルツボへの通電を停止し、蛍光体層１４の形成を終了した。
次いで、真空チャンバ内が大気圧なるまで乾燥した空気を導入して大気開放状態とし、蛍光体層１４を形成した基板１２（以下、特に必要ない場合には、単に基板１２とする）を真空チャンバから取り出して、蛍光体層１４が室温となるまで放冷した。
【００７５】
次いで、窒素雰囲気において基板１２を２００℃で１５分間加熱して、室温まで冷却（放冷）する第１の熱処理を、５回、繰り返し行なった。
次いで、空気中において、基板１２を１５０℃で３０分間加熱する第２の熱処理（繰り返し熱処理の最後の熱処理）を行なった。
なお、熱処理装置の周辺環境は、温度が２０℃で湿度が２５％ＲＨであった。
【００７６】
一方、保護層２０として、耐熱性の再剥離フィルム（厚さ：約５１μｍ  ＣＴ５０  パナック（株）製）にポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（保護層  厚さ６μｍ  ルミラー  東レ（株）製）を貼り合わせ、この保護層表面に、順に、スパッタ法によりＳｉＯ2層（膜厚１００ｎｍ）、ゾルゲル法によりＳｉＯ2／ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）ハイブリッド層（ＳｉＯ2：ＰＶＡ＝１：１（重量比）、  膜厚６００ｎｍ）、および、スパッタ法によりＳｉＯ2層（膜厚１００ｎｍ）を形成したフィルム（無色透明）を準備した。
このフィルムのＳｉＯ2層側の面全面に、接着層１８として、ポリエステル系樹脂（パイロン３００  東洋紡社製）をメチルエチルケトンに加え、混合した接着層用塗布液を塗布した。
次いで、接着層１８を蛍光体層１４に向けて、基板１２と保護層２０とを積層して、保護層２０で蛍光体層１４の全面を覆い、１４０℃に加熱したローラによって保護層２０を基板１２に押圧して熱圧着し、保護層２０と、蛍光体層１４および基板１２とを接着して、保護層２０で蛍光体層１４の全面を封止して、前記再剥離フィルムを剥離して、その後、蛍光体層１４上に残ったラミネートフィルムを、再度、同様に熱圧着して、変換パネル１０を作製した。
【００７７】
この変換パネル１０における第２の熱処理の処理温度［℃］、処理時間［分］、および、処理雰囲気を下記表１に示す。
【００７８】
［実施例１−２〜１−７および比較例１−１〜１−７］
第２の熱処理の処理温度［℃］、処理時間［分］、および処理雰囲気を、下記表１に示す条件とした以外は、前記実施例１−１と全く同様にして、変換パネル１０を作製した。
【００７９】
［比較例１−８］
輝尽性蛍光体の蒸着における臭化ユーロピウム（そのルツボ）への投与電力を、予め調べた、蛍光体層１４におけるＥｕ／Ｃｓのモル濃度比が１×１０-6：１となる電力とした以外は、前記実施例１−１と全く同様にして、変換パネル１０を作製した。
【００８０】
［比較例１−９］
前記第１の熱処理を１回とし、かつ、前記第２の熱処理を行なわなかった以外は、前記実施例１−１と全く同様にして、変換パネル１０を作製した。
【００８１】
このようにして作製した実施例１−１〜１−７、および、比較例１−１〜１−９の各変換パネルについて、性能評価として、感度（ＰＳＬ感度（輝尽発光量(Photostimulated Luminescence)）、および、励起光入射面（保護層２０の表面）における色濃度を測定した。
測定方法は、以下のとおりである。
【００８２】
［感度］
変換パネル１０を遮光性のカセッテに収容して、管電圧８０ｋＶｐのＸ線を約１ｍＲ照射した。
Ｘ線照射後、暗室でカセッテから変換パネルを取り出し、半導体レーザ光（波長６６０ｎｍ：１０ｍＷ）を励起光として蛍光体層に照射し、蛍光体層が発する輝尽発光光を測定した。なお、輝尽発光光の測定は、励起光カットフィルタ（ＨＯＹＡ（株）製  Ｂ４１０）を通して励起光と輝尽発光光とを分離して、光電子増倍管を用いて輝尽発光光を測定することで行なった。
なお、感度の評価は、比較例１−９における感度を１００とする相対評価で行なった。
【００８３】
［色濃度］
分光高度計（HITACHI社製３３１０に積分球をセットしたもの）を用いて、変換パネルの波長４４０ｎｍの光の反射率（正反射率＋反射率）を測定し、Kubelka-Munk式を用いて、測定した反射率から４４０ｎｍに対応する色の濃度を算出した。
各変換パネルの感度および色濃度の測定結果を、下記表１に併記する。
【００８４】
【表１】
2008051807.tif 000003
（感度の基準となる比較例１−９は、第１の熱処理を１回のみ）
上記表１に示されるように、複数回の第１の熱処理を行なった後、酸素を含有する雰囲気におて所定条件の第２の熱処理を行なった本発明の変換パネルは、第２の熱処理を行なわない従来の変換パネルや第２の熱処理の条件が不適正な変換パネルに比して、励起光入射面の着色が少なく、かつ、非常に高い感度を有する、優れた特性の変換パネルである。また、比較例１−８は、色濃度は非常に低いが、付活剤が少なすぎて、実用上十分な感度が得られない。
【実施例２】
【００８５】
［実施例２−１］
前記実施例１と全く同様の基板１２に、前記実施例１と全く同様にしてＣｓＢｒ：Ｅｕからなる蛍光体層１４を形成し、真空チャンバ内が大気圧なるまで乾燥した空気を導入して大気開放状態とし、蛍光体層１４を形成した基板１２（以下、先と同様に、特に必要ない場合には、単に基板１２とする）を真空チャンバから取り出して、蛍光体層１４が室温となるまで冷却した。
【００８６】
次いで、基板１２を、２０℃で相対湿度が３５％ＲＨの環境下に２４時間放置して、蛍光体層１４の加湿処理を行なった。この条件における前記Ｘは１１．７６である。
また、加湿処理前の蛍光体層１４の重量を１００とした際における、加湿処理後の蛍光体層１４の重量（すなわち[(H2O+CsBr:Eu)/CsBr:Eu]×100）は、１００．２であった。なお、加湿処理前後の蛍光体層１４の重量は、予め測定しておいた、蛍光体層１４を形成する前の基板１２の重量を用いて測定した。
【００８７】
加湿処理を行なった後、窒素雰囲気において、基板１２を２００℃で１５分間、加熱する、蛍光体層１４の熱処理を行なった。
熱処理を終了した基板１２の蛍光体層１４の全面を、前記実施例１−１と全く同様にして保護層２０で封止して、変換パネル１０を作製した。
【００８８】
加湿処理の条件（温度［℃］、相対湿度(Relative Humidity)［％ＲＨ］、時間［時間（ｈｒ）］）、加湿処理における前記「Ｘ」、および、加湿処理前の重量を１００とした際における加湿処理後の蛍光体層１４の重量（重量増）を、下記表２に示す。
【００８９】
［実施例２−１〜２−２８および比較例２−１〜２−９］
加湿処理の処理温度［℃］、処理環境の相対湿度［％ＲＨ］、および、処理時間［時間（ｈｒ）］、下記表２に示す条件とした以外は、前記実施例２−１と全く同様にして、変換パネル１０を作製した。
【００９０】
このようにして作製した実施例２−１〜２−２８，および，比較例２−１〜２−９の各変換パネルについて、性能評価として、感度（ＰＳＬ感度（輝尽発光量(Photostimulated Luminescence)）、蛍光体層１４の状態、蛍光体層１４の剥離、および、励起光入射面（保護層２０の表面）における色濃度を測定した。
測定方法は、以下のとおりである。
【００９１】
［感度］
前記実施例１と全く同様にして、変換パネルの感度を測定した。なお、感度の評価は、比較例２−１のＰＳＬ感度を１００とする相対評価で行なった。
【００９２】
［蛍光体層の剥離］
蛍光体層１４の状態を目視で観察した。
その結果、蛍光体層の剥離が認められないものを「○」、蛍光体層が剥離してしまい、感度および色濃度の測定が出来ないものを「×」と評価した。
【００９３】
［色濃度］
前記実施例１と全く同様にして、励起光入射面（保護層２０の表面）における波長４４０ｎｍに対応する色の濃度を測定した。
測定結果を下記表２に併記する。
【００９４】
【表２】
2008051807.tif 000004
上記表２に示されるように、処理前の蛍光体層の重量を１００とした際に、処理後の蛍光体層の重量が１００．０２〜１００．８５となるように加湿処理を行なった後に、熱処理を行なった本発明の変換パネルは、良好な感度を有し、かつ、蛍光体層の潮解や溶融も無く、さらに、蛍光体層１４の剥離も無い、高品位な変換パネルである。
これに対し、加湿処理による吸湿量の少ない比較例２−１〜２−３では、高い感度が得られず、加湿処理で加湿し過ぎの比較例２−４〜２−９では、蛍光体層が剥離して、感度や色濃度の測定が不可能であり、実用は不可能である。
【実施例３】
【００９５】
前記実施例１と全く同様の基板１２に、前記実施例１と全く同様にしてＣｓＢｒ：Ｅｕからなる蛍光体層１４を形成し、真空チャンバ内が大気圧なるまで乾燥した空気を導入して大気開放状態とし、蛍光体層１４を形成した基板１２（以下、先と同様に、特に必要ない場合には、単に基板１２とする）を真空チャンバから取り出して、蛍光体層１４が室温となるまで冷却した。
【００９６】
次いで、基板１２を、２０℃で相対湿度が４５％ＲＨの環境下に１６８時間放置して、蛍光体層１４の加湿処理を行なった。この条件における前記Ｘは９４．０８である。
また、加湿処理前の蛍光体層１４の重量を１００とした際における、加湿処理後の蛍光体層１４の重量（すなわち[(H2O+CsBr:Eu)/CsBr:Eu]×100）は、１００．６４であった。なお、加湿処理前後の蛍光体層１４の重量は、実施例２と同様にして測定した。
【００９７】
加湿処理を行なった後、窒素雰囲気において、基板１２を２００℃で１５分間、加熱する、蛍光体層１４の第１の熱処理を１回だけ行なった。
第１の熱処理を行なった後、空気中において、基板１２を２００℃で３０分間、加熱する、蛍光体層の第２の熱処理（繰り返し熱処理の最後の熱処理）を行なった。
熱処理を終了した基板１２の蛍光体層１４の全面を、前記実施例１−１と全く同様にして保護層２０で封止して、変換パネル１０を作製した。
【００９８】
得られた変換パネル１０について、実施例２と同等にして感度、剥離、および色濃度を評価した（すなわち、感度および色濃度は実施例１と同様）。
その結果、吸湿処理、ならびに、第１および第２の熱処理を適正に行なった本例では、感度は前記実施例２の比較例２−１を１００として２１２、剥離は○、色濃度は０．０１９と、非常に優れた特性が得られた。
以上の結果より、本発明の効果は、明らかである。
【図面の簡単な説明】
【００９９】
【図１】本発明の放射線像変換パネルの一例の模式図である。
【符号の説明】
【０１００】
１０  （放射線像）変換パネル
１２  基板
１４  蛍光体層
１８  接着層
２０  保護層
【図１】
2008051807.tif 000005