(57)【要約】【課題】レーザダイオードを保護し、放熱効果を高めるようにした半導体レーザダイオードパッケージを提供する。【解決手段】金属板製のステム１０の上部に突出したヒートシンク１１にレーザダイオード１２が固定されてレーザビームを照射し、ステム上部にフォトダイオード１３が固定されてレーザダイオードから発散されたレーザビームを感知し、ステムに貫通結合された両側の端子ピン１４はレーザダイオードとフォトダイオードとにそれぞれワイヤで連結され、ステム下部に接地ピン１５が固定された半導体レーザダイオードパッケージにおいて、ヒートシンクはステムの上部に固定された垂直片１１ａの両側にガイド片１１ｂが前方に曲げ形成されて垂直片の前面に固定されたレーザダイオードを保護し、両方のガイド片には流通溝１１ｃが形成されてレーザダイオードから発生する熱を迅速に放出できることを特徴とする。【選択図】図２
2008147619.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属板材からなるステム（１０）の上部に突出したヒートシンク（１１）にはレーザダイオード（１２）が固定されてレーザビームを照射し、ステム（１０）の上部にはフォトダイオード（１３）が固定されてレーザダイオード（１２）から発散されたレーザビームを感知し、ステム（１０）に貫通結合された両側の端子ピン（１４）はレーザダイオード（１２）とフォトダイオード（１３）とにそれぞれワイヤで連結され、ステム（１０）の下部には接地ピン（１５）が固定された半導体レーザダイオードパッケージにおいて、
前記ヒートシンク（１１）はステム（１０）の上部に固定された垂直片（１１ａ）の両側にガイド片（１１ｂ）が前方に曲げ形成されて、垂直片（１１ａ）の前面に固定されたレーザダイオード（１２）を保護し、両方のガイド片（１１ｂ）には流通溝（１１ｃ）が形成されてレーザダイオード（１２）から発生される熱を迅速に放出させることを特徴とする半導体レーザダイオードパッケージ。
【請求項２】
前記ガイド片（１１ｂ）に形成された流通溝（１１ｃ）は複数で形成されることを特徴とする請求項1記載の半導体レーザダイオードパッケージ。
【請求項３】
前記ヒートシンク（１１）の材質は鉄、純銅、鉄とニッケルとの合金、或いは銅とニッケルとの合金のいずれかであることを特徴とする請求項1記載の半導体レーザダイオードパッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体レーザダイオードパッケージに係り、さらに詳しくは、ステム(stem)の上部に突出するヒートシンクの両側にガイド片が曲げ形成されてレーザダイオードを保護し、レーザダイオードが固定されたヒートシンクのガイド片に流通溝が形成されて放熱効果を高めることのできる発明に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、レーザダイオード(Laser Diode)から発振されるレーザビームは周波数の幅が狭くて志向性が高いため、光通信、多重通信、宇宙通信などのような種々の分野に応用されている。
【０００３】
現代では遠距離通信サービスに対する要求が増加するにつれて光通信網と共にレーザダイオードの主要応用分野の1つである光ディスク、即ちコンパクトディスクプレーヤー(Compact Disk Player)及びコンパクトディスク再生/記録(CompactDisk Reading/Writing System)装置では、低電流発振が可能で、かつ長時間作動可能な優れた特性を有するレーザダイオードが要求される。
【０００４】
このようなレーザダイオードは半導体パッケージで構成されてＰＣＢなどに固定されるものであって、従来の半導体レーザダイオードパッケージは図1に示されたように金属板材からなるステム１０の上面にレンズ２１が備えられた筒状蓋体２０が結合され、ステム１０の上部に突出したヒートシンク１１にはレーザダイオード１２が固定されてレーザビームを照射し、ステム１０の上部にはフォトダイオード１３が固定されてレーザダイオード１２から発散されたビームを感知し、ステム１０に貫通結合された両側の端子ピン１４はレーザダイオード１２とフォトダイオード１３とにそれぞれワイヤで連結され、ステム１０の下部には接地ピン１５が固定された構成からなり、蓋体２０の内部には不活性気体が注入されてレーザダイオード１２がレーザビームを照射できるように構成される。
【０００５】
ところが、現代は半導体技術の発達により蓋体の内部に不活性気体を注入することなく、レーザビームを照射することのできるレーザダイオードが開発されているので、蓋体のないレーザダイオードパッケージの提案が強く要求される。
【０００６】
また、レーザダイオードが固定されるヒートシンクは単に六面体で構成されて熱放出の効率を高めることができないため、熱放出特性に優れたヒートシンクの構造が提案された。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、前記問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、ステム(stem)の上部に突出するヒートシンクの両側にガイド片が曲げ形成されてレーザダイオードを保護し、レーザダイオードが固定されたヒートシンクのガイド片に溝が形成されて放熱効果を高めることのできる半導体レーザダイオードパッケージを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記目的を達成するために、本発明は、金属板材からなるステム１０の上部に突出したヒートシンク１１にはレーザダイオード１２が固定されてレーザビームを照射し、ステム１０の上部にはフォトダイオード１３が固定されてレーザダイオード１２から発散されたレーザビームを感知し、ステム１０に貫通結合された両側の端子ピン１４はレーザダイオード１２とフォトダイオード１３とにそれぞれワイヤで連結され、ステム１０の下部には接地ピン１５が固定された半導体レーザダイオードパッケージにおいて、前記ヒートシンク１１はステム１０の上部に固定された垂直片１１ａの両側にガイド片１１ｂが前方に曲げ形成されて、垂直片１１ａの前面に固定されたレーザダイオード１２を保護し、両方のガイド片１１ｂには流通溝１１ｃが形成されてレーザダイオード１２から発生される熱を迅速に放出させることを特徴とする半導体レーザダイオードパッケージを提供する。
【発明の効果】
【０００９】
前述の如く本発明によるヒートシンク１１はステム１０の上部に固定された垂直片１１ａの両側にガイド片１１ｂが曲げ形成されるため、両側のガイド片１１ｂが垂直片１１ａの前面に固定されたレーザダイオード１２を安全に保護できるのみならず、両側のガイド片１１ｂには流通溝１１ｃが形成されて空気と接触される全体的な面積が広くなることにより、放熱ピンの役割を担うことができるので、レーザダイオード１２から発生される熱が垂直片１１ａを介して両側のガイド片１１ｂに伝達され、空気との接触面積が広いガイド片１１ｂを介して迅速に放出されて熱放出特性を最大限高めることができるものであって、半導体レーザダイオードパッケージの対外の競争力を最大限高めるなどの利点を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、前記の目的を達成するための好ましい実施形態を添付の図面に基づき詳細に説明する。
【００１１】
図２乃至図４に示すように、金属板材を円板状に成形したステム１０の上部にはヒートシンク１１が突出して形成されており、ヒートシンク１１にはレーザダイオード１２が固定されてレーザビームを照射可能にする。
【００１２】
前記ステム１０の上部にはフォトダイオード１３が固定されてレーザダイオード１２から発散されたビームを感知できるようになっている。
【００１３】
前記ステム１０に貫通結合された両側の端子ピン１４はレーザダイオード１２とフォトダイオード１３とにそれぞれワイヤで連結されており、ステム１０の下部には接地ピン１５が溶接されて下部に突出している。
【００１４】
前記両側の端子ピン１４は金属ステム１０に穿孔された孔を貫通した状態で絶縁体１４ａにより絶縁されており、端子ピン１４はステム１０の上下部に突出している。
【００１５】
このような半導体レーザダイオード１２は外部回路でそれぞれの端子ピン１４を介してフォトダイオード１３とレーザダイオード１２にベースの電圧が加えられると、レーザダイオード１２からレーザビームが照射されると共に、フォトダイオード１３はこれを感知して感知された信号(Signal)はレーザダイオード１２に加えられる電圧が一定になるようにするフィードバック(Feed Back)信号とレーザダイオード１２の特性を検査する信号とで使用される。
【００１６】
このとき、レーザダイオード１２からレーザビームの照射により発生される高熱はヒートシンク１１を介して放出される。
【００１７】
もちろん、前述の構成からなる半導体レーザダイオードパッケージは公知の技術思想である。しかし、本発明における最もの特徴は前記ヒートシンク１１の構造を改善してレーザダイオード１２を安全に保護し、かつレーザダイオード１２から発散される高熱を迅速に放出できるようにしたことである。
【００１８】
ここで前記ヒートシンク１１の材質は鉄、純銅、鉄とニッケルとの合金、或いは銅とニッケルとの合金で製造することが好ましい。
【００１９】
即ち、前記ヒートシンク１１はステム１０の上部に固定された垂直片１１ａの両側にガイド片１１ｂが前方に曲げ形成された構成からなる。
【００２０】
前記ガイド片１１ｂは垂直片１１ａの前面に固定されたレーザダイオード１２を保護できるように構成されており、両側のガイド片１１ｂには流通溝１１ｃが形成されている。
【００２１】
前記レーザダイオード１２から発生される熱は流通溝１１ｃを介して迅速に放出される。
【００２２】
もちろん、示されたところでは、両側のガイド片１１ｂの下部に流通溝が形成された構成となっているが、場合によっては図５に示されたように前記流通溝１１ｃを複数で形成すれば、放熱ピンの役割を担うことができるものである。
【００２３】
即ち、複数の流通溝１１ｃが形成されると、ガイド片１１ｂが空気と接触する全体的な面積が広くなるため、レーザダイオード１２から発生される熱が垂直片１１ａを介して両側のガイド片１１ｂに伝達されると、流通溝１１ｃにより空気との接触面積が広いガイド片１１ｂを介して迅速に放出されて熱放出特性を最大限高めることができるものである。
【００２４】
以上では本発明の好ましい実施形態について図示かつ説明したが、本発明は前記の実施形態に限らず、請求範囲で請求する本発明の要旨に外れることなく、当該本発明の属する分野で通常の知識を有する者であればだれでも様々な変形実施が可能なことは勿論のこと、そのような変更は記載の請求範囲内のものである。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】従来の半導体レーザダイオードを示す斜視図。
【図２】本発明の一実施形態を示す斜視図。
【図３】本発明の一実施形態を示す断面図。
【図４】本発明の一実施形態を示す正面図。
【図５】本発明の他の実施形態を示す斜視図。
【符号の説明】
【００２６】
１０    ステム
１１    ヒートシンク
１１ａ    垂直片
１１ｂ    ガイド片
１１ｃ    流通溝
１２    レーザダイオード
１３    フォトダイオード
１４    端子ピン
１４ａ    絶縁体
１５    接地ピン
２０    蓋体
２１    レンズ
【図１】
2008147619.tif 000003
【図２】
2008147619.tif 000004
【図３】
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【図４】
2008147619.tif 000006
【図５】
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