(57)【要約】【課題】本発明は、駆動電圧及び発光効率を向上させることができる有機電界発光表示装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明は駆動電圧及び発光効率を向上させることができる有機電界発光表示装置及びその製造方法に関する。本発明は基板と；前記基板上に位置する第１電極と；前記第１電極上に位置し、有機発光層を含む有機膜層と；及び前記有機膜層上に位置し、第１金属層及び第２金属層を含む第２電極と；を含むことを特徴とする。【選択図】図２
2008218415.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と；
前記基板上に位置する第１電極と；
前記第１電極上に位置し、有機発光層を含む有機膜層と；
前記有機膜層上に位置し、第１金属層及び第２金属層を含む第２電極と；を含むことを特徴とする有機電界発光表示装置。
【請求項２】
前記第１金属層はＭｇＡｇ合金で構成されたことを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項３】
前記ＭｇＡｇ合金はＭｇとＡｇの原子比が９：１ないし１：９であることを特徴とする請求項２に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項４】
前記第２金属層はＡｌ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｍｏ及びＰｄで構成された群から選択されたいずれか一つの金属で構成されたことを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項５】
前記第１金属層は５０ないし５００Åで構成されたことを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項６】
前記第２金属層は３００ないし３０００Åで構成されたことを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項７】
前記第１金属層及び前記第２金属層は順次に積層されたことを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項８】
前記第２電極はカソードであることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項９】
前記有機膜層は電子注入層、電子輸送層、正孔注入層及び正孔輸送層で構成された群から選択されたいずれか一つ以上をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１０】
基板を提供して、
前記基板上に第１電極を形成し、
前記第１電極上に有機発光層を含む有機膜層を形成して、
前記有機膜層上に第１金属層及び第２金属層を順次に形成することを含むことを特徴とする有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項１１】
前記第１金属層はＭｇとＡｇを共蒸着して形成されることを特徴とする請求項１０に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項１２】
前記第１金属層はＭｇとＡｇの原子比を９：１ないし１：９で形成されることを特徴とする請求項１０に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項１３】
基板と；
前記基板上に位置する第１電極と；
前記第１電極上に位置し、有機発光層を含む第１有機膜層と；
前記第１有機膜層上に位置し、第１金属層及び第２金属層を含む第２電極と；
前記第２電極上に位置し、有機発光層を含む第２有機膜層と；
前記第２有機膜層上に位置する第３電極と；を含むことを特徴とする有機電界発光表示装置。
【請求項１４】
前記第１金属層はＭｇＡｇ合金で構成されたことを特徴とする請求項１３に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１５】
前記ＭｇＡｇ合金はＭｇとＡｇの原子比が９：１ないし１：９であることを特徴とする請求項１４に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１６】
前記第２金属層はＡｌ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｍｏ及びＰｄで構成された群から選択されたいずれか一つの金属で構成されたことを特徴とする請求項１３に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１７】
前記第１金属層は５０ないし５００Åで構成されたことを特徴とする請求項１３に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１８】
前記第２金属層は３００ないし３０００Åで構成されたことを特徴とする請求項１３に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１９】
前記第１金属層及び前記第２金属層は順次に積層されたことを特徴とする請求項１３に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項２０】
前記第３電極はＩＴＯ、ＩＺＯ及びＺｎＯで構成された群から選択されたいずれか一つであることを特徴とする請求項１３に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項２１】
前記第２電極はカソードであることを特徴とする請求項１３に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項２２】
前記第１電極と電気的に連結される薄膜トランジスタをさらに含むことを特徴とする請求項１３に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項２３】
前記第１電極は前記第３電極と電気的に連結されることを特徴とする請求項１３に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項２４】
前記第１電極及び前記第３電極と電気的に連結されて前記第１電極及び前記第３電極を共に駆動する薄膜トランジスタをさらに含むことを特徴とする請求項１３に記載の有機電界発光表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は有機電界発光表示装置及びその製造方法に係り、駆動電圧及び発光効率を向上させることができる有機電界発光表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に有機電界発光表示装置は絶縁基板、前記絶縁基板上に位置した第１電極（ａｎｏｄｅ）、前記第１電極上に位置した少なくとも発光層（ｅｍｉｓｓｉｏｎ  ｌａｙｅｒ；ＥＭＬ）を含む有機膜層、前記有機膜層上に位置した第２電極（ｃａｔｈｏｄｅ）で構成される。このような有機電界発光表示装置において、前記第１電極と第２電極との間に電圧を印加すれば、正孔と電子が前記有機膜層内に注入されて、前記有機膜層内に注入された正孔と電子は前記有機膜層で再結合して励起子（ｅｘｉｔｏｎ）を生成して、このような励起子が励起状態から基底状態に転移しながら光を放出する。
【０００３】
従来に有機電界発光表示装置は先に、プラスチック、絶縁ガラス等で構成された透明絶縁基板上部にＩＴＯ、ＩＺＯまたはＺｎＯで構成された第１電極を形成して、前記第１電極上に有機発光層を含み、電子注入層、電子輸送層、正孔注入層、正孔輸送層及び正孔抑制層で構成された群から選択される少なくとも一つ以上の薄膜をさらに含む有機膜層を形成する。次に、全体表面上部に第２電極用金属層としてＡｌ膜を形成して第２電極を形成した。
【０００４】
前記したように従来の背面発光構造の有機電界発光表示装置は第２電極の材質として反射率及び仕事関数条件が好適なＡｌ膜を主に用いている。しかし、前記Ａｌ膜は駆動電圧、電流値及び発光効率が優秀でなく高品質の有機電界発光表示装置を具現化することができない短所がある。
【０００５】
【特許文献１】特開１９９９−０８７０５２号公報
【特許文献２】特開２００１−１５５８６７号公報
【特許文献３】米国特許第６７９４０６１号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明が解決しようとする技術的課題は前記従来技術の問題点を解決することであって、駆動電圧及び発光効率を向上させることができる有機電界発光表示装置及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の前記目的は基板と；前記基板上に位置する第１電極と；前記第１電極上に位置し、有機発光層を含む有機膜層と；
前記有機膜層上に位置し、第１金属層及び第２金属層を含む第２電極と；を含むことを特徴とする有機電界発光表示装置により達成される。
【０００８】
また、本発明の前記目的は基板を提供して、前記基板上に第１電極を形成し、前記第１電極上に有機発光層を含む有機膜層を形成して、
前記有機膜層上に第１金属層及び第２金属層を順次に形成することを含むことを特徴とする有機電界発光表示装置の製造方法により達成される。
【０００９】
また、本発明の前記目的は基板と；前記基板上に位置する第１電極と；前記第１電極上に位置し、有機発光層を含む第１有機膜層と；前記第１有機膜層上に位置し、第１金属層及び第２金属層を含む第２電極と；前記第２電極上に位置し、有機発光層を含む第２有機膜層と；
前記第２有機膜層上に位置する第３電極と；を含むことを特徴とする有機電界発光表示装置により達成される。
【発明の効果】
【００１０】
以上で説明したように、ＭｇとＡｇの混合層とＡｌのような反射膜特性をもった金属層を含む第２電極を形成することによって、レッド、グリーン、ブルー別に駆動電圧、消費電流及び発光効率を向上させることができて、これによる有機電界発光表示装置の高品質化を実現させることができる利点がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
本発明の前記目的と技術的構成及びそれによる作用効果に関する詳細な事項は本発明の望ましい実施形態を示している図面を参照した以下の詳細な説明によって明確に理解されるものである。図面において、層及び領域の長さ、厚さ等は便宜のために誇張されて表現されることもある。また、明細書全体にかけて同じ参照番号は同じ構成要素を示す。
【００１２】
図１は本発明の第１実施形態による有機電界発光表示装置の製造工程を示した図面である。
【００１３】
まず、図１を参照すると、基板１００を提供する。前記基板１００は絶縁ガラス、プラスチックまたは導電性基板を用いることができる。この時、前記基板１００は半導体層、ゲート電極及びソース／ドレイン電極を含む薄膜トランジスタ及びキャパシタをさらに含むことができる。
【００１４】
前記基板１００全面に第１電極物質を蒸着してこれをパターニングして第１電極１１０を形成する。この時、前記第１電極１１０は仕事関数が高いＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）またはＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）であることがあり、望ましくはＩＴＯを用いることができる。
【００１５】
続いて、前記第１電極１１０上に有機膜層１２０を形成する。前記有機膜層１２０は少なくとも発光層を含み、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層及び電子注入層で構成された群から選択されたいずれか一つ以上をさらに含むことができる。また、前記有機膜層１２０は低分子蒸着法またはレーザー熱転写法で形成することが望ましい。
【００１６】
続いて、前記有機膜層１２０全面に第２電極１３０を形成する。この時、前記第２電極１３０は第１金属層１３１及び第２金属層１３２で構成されることが望ましい。ここで、前記第１金属層１３１としてはＭｇとＡｇの合金で構成されることが望ましく、ＭｇＡｇの原子比はカソードで作用することができればいずれの範囲でも構わなくて９：１ないし１：９、望ましくは８：２ないし２：８である。この時、前記第１金属層１３１は５０ないし５００Åの厚さを有することが望ましい。前記第１金属層１３１の電子注入特性を考慮すると、５０Å以上の厚さを有することが望ましく、駆動電圧等の発光効率を考慮すると、５００Å以下の厚さを有することが望ましい。
【００１７】
また、前記第２金属層１３２は背面発光構造の場合には反射特性が優秀なＡｌ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｍｏ及びＰｄで構成された群から選択されたいずれか一つの金属を用いることができ、反射効率が最も優秀なＡｌを用いることが望ましい。この時、第２金属層１３２は３００ないし３０００Åの厚さを有することが望ましいが、前記第２金属層１３２が反射膜役割をすることを考慮する時、３００Å以上の厚さを有することが望ましく、工程時間及び製造効率を考慮する時、３０００Å以下の厚さを有することが望ましい。
【００１８】
また、前記第２金属層１３２は両面発光構造の場合には透過特性を有するようにＡｌ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｍｏ及びＰｄで構成された群から選択されたいずれか一つの金属を用いることができ、この時、第２金属層１３２は前記金属が光を透過する程の薄い厚さを有することが望ましい。
【００１９】
ここで、前記第１金属層１３１はＭｇとＡｇ金属を同時に蒸着する共蒸着（ｃｏ−ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法を用いて形成することが望ましい。また、前記第２金属層１３２は前記蒸着された第１金属層１３１上に蒸着（ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法を用いて形成することが望ましい。
【００２０】
したがって、前記第１電極１１０はアノードで作用するようになって、前記第２電極１３０はカソードで作用するようになる。これとは違って、前記カソードで作用する第２電極が下部に位置して、前記アノードで作用する第１電極１１０が上部に位置する反転構造にも適用することができる。
【００２１】
よって、本発明の第１実施形態による有機電界発光表示装置が完成する。
【００２２】
次に、図２を参照して、本発明の第２実施形態による有機電界発光表示装置を開示する。
【００２３】
図２は本発明の第２実施形態による有機電界発光表示装置の断面図である。
【００２４】
図２を参照すると、プラスチックまたは絶縁ガラス等で構成された基板２００を提供する。前記基板２００は半導体層、ゲート電極及びソース／ドレイン電極を含む薄膜トランジスタ及びキャパシタをさらに含むことができる。
【００２５】
前記基板２００全面に第１電極物質を蒸着してこれをパターニングして第１電極２１０を形成する。この時、前記第１電極２１０は仕事関数が高いＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）またはＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）であることがあり、望ましくはＩＴＯを用いることができる。また、前記第１電極２１０はアクティブマトリックス型構造では下部の薄膜トランジスタと電気的に連結されることができる。
【００２６】
続いて、前記第１電極２１０上に第１有機膜層２２０を形成する。前記第１有機膜層２２０は少なくとも発光層を含み、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層及び電子注入層で構成された群から選択されたいずれか一つ以上をさらに含むことができる。
【００２７】
続いて、前記第１有機膜層２２０全面に第２電極２３０を形成する。この時、前記第２電極２３０は第１金属層２３１及び第２金属層２３２で構成されることが望ましい。ここで、前記第１金属層２３１としてはＭｇとＡｇの合金で構成されることが望ましく、ＭｇとＡｇの原子比はカソードで作用することができればいずれの範囲でも構わなくて９：１ないし１：９、望ましくは８：２ないし２：８である。前記第１金属層２３１は５０ないし５００Åの厚さを有することが望ましい。前記第１金属層２３１の電子注入特性を考慮すると、５０Å以上の厚さを有することが望ましく、駆動電圧等の発光効率を考慮すると、５００Å以下の厚さを有することが望ましい。
【００２８】
また、前記第２金属層２３２は反射特性が優秀なＡｌ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｍｏ及びＰｄで構成された群から選択されたいずれか一つの金属を用いることができ、反射効率が最も優秀なＡｌを用いることが望ましい。この時、第２金属層２３２は３００ないし３０００Åの厚さを有することが望ましいが、前記第２金属層２３２が反射膜役割をすることを考慮すると、３００Å以上の厚さを有することが望ましく、工程時間及び製造効率を考慮すると、３０００Å以下の厚さを有することが望ましい。
【００２９】
ここで、前記第１金属層２３１はＭｇとＡｇ金属を同時に蒸着する共蒸着（ｃｏ−ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法を用いて形成することが望ましい。また、前記第２金属層２３２は前記蒸着された第１金属層２３１上に蒸着（ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法を用いて形成することが望ましい。
【００３０】
続いて、前記第２電極２３０上に第２有機膜層２４０を形成する。前記第２有機膜層２４０は前記第１有機膜層２２０のように少なくとも発光層を含み、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層及び電子注入層で構成された群から選択されたいずれか一つ以上をさらに含むことができる。
【００３１】
続いて、前記基板２００全面に第３電極２５０を形成する。前記第３電極２５０は透過電極で光を透過させることができるＩＴＯ、ＩＺＯ及びＺｎＯで構成された群から選択されたいずれか一つを用いることが望ましい。
【００３２】
前記第３電極２５０はパッシブマトリックス型構造では前記第１電極２１０と電気的に連結されて前記第１電極２１０と同時に駆動させることができて、アクティブマトリックス型構造では前記第１電極２１０と連結された薄膜トランジスタに連結されて前記第１電極２１０と同時に駆動させることができる。
【００３３】
したがって、前記第１電極２１０で正孔が供給されて第２電極２３０で電子が供給されて第１有機膜層２２０の有機発光層で発光することができ、この時、前記第２電極２３０の第２金属層２３２は反射膜として作用して光を下部に進むようにすることができる。これと同時に前記第２電極２３０で電子が供給されて前記第３電極２５０で正孔が供給されて第２有機膜層２４０の有機発光層で発光することができ、第２有機膜層２４０の下部に位置した第２電極２３０の第２金属層２３２が反射膜として作用して光を上部に進むようにすることができる。したがって、上部及び下部への両面発光を具現化することができる。
【００３４】
図３は本発明の第３実施形態による有機電界発光表示装置の断面図である。
【００３５】
図３を参照すると、先に、絶縁ガラス、プラスチックまたは導電性基板で構成された基板３００を提供する。前記基板３００上にバッファー層３１０を形成して、前記バッファー層３１０上に半導体層３２０を形成する。前記半導体層３２０はソース／ドレイン領域３２１、３２３及びチャネル領域３２２を含むことができる。
【００３６】
続いて、前記半導体層３２０上にゲート絶縁膜３３０を形成する。前記ゲート絶縁膜３３０は前記バッファー層３１０及び半導体層３２０を全て覆うように形成することができる。次に、前記ゲート絶縁膜３３０上にゲート電極３４０を形成する。前記ゲート電極３４０は前記半導体層３２０のチャネル領域３２２の位置を考慮して前記ゲート絶縁膜３３０上に形成されることが望ましい。
【００３７】
続いて、前記ゲート電極３４０を含む基板３００全面上に層間絶縁膜３５０を形成する。次に、前記層間絶縁膜３５０上にソース／ドレイン電極３６１、３６２を形成する。前記ソース／ドレイン電極３６１、３６２は前記層間絶縁膜３５０及びゲート絶縁膜３３０をエッチングしたビアホールを介して前記半導体層３２０のソース／ドレイン領域３２１、３２３に電気的に連結される。
【００３８】
続いて、前記ソース／ドレイン電極３６１、３６２を含む基板３００全面に絶縁膜３７０を形成する。次に、前記絶縁膜３７０上に第１電極物質を蒸着した後、パターニングして第１電極４１０を形成する。ここで、前記第１電極３１０は高い仕事関数を有するＩＴＯまたはＩＺＯで形成されることができる。
【００３９】
続いて、前記第１電極４１０上に有機膜層４２０を形成する。前記有機膜層３２０は少なくとも有機発光層を含み、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層及び電子注入層のうちいずれか一つ以上をさらに含むことができる。
【００４０】
次に、前記有機膜層４２０全面に第２電極４３０を形成する。この時、前記第２電極４３０は第１金属層４３１及び第２金属層４３２で構成されることが望ましい。ここで、前記第１金属層４３１としてはＭｇとＡｇの合金で構成されることが望ましく、ＭｇＡｇの原子比はカソードとして作用することができればいずれの範囲でも構わなくて９：１ないし１：９、望ましくは８：２ないし２：８である。この時、前記第１金属層４３１は５０ないし５００Åの厚さを有することが望ましい。前記第１金属層４３１の電子注入特性を考慮すると、５０Å以上の厚さを有することが望ましく、駆動電圧等の発光効率を考慮すると、５００Å以下の厚さを有することが望ましい。
【００４１】
また、前記第２金属層４３２は背面発光構造の場合には反射特性が優秀なＡｌ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｍｏ及びＰｄで構成された群から選択されたいずれか一つの金属を用いることができ、反射効率が最も優秀なＡｌを用いることが望ましい。この時、第２金属層４３２は３００ないし３０００Åの厚さを有することが望ましいが、前記第２金属層４３２が反射膜の役割をすることを考慮すると、３００Å以上の厚さを有することが望ましく、工程時間及び製造効率を考慮すると、３０００Å以下の厚さを有することが望ましい。
【００４２】
また、前記第２金属層４３２は両面発光構造の場合には透過特性を有するようにＡｌ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｍｏ及びＰｄで構成された群から選択されたいずれか一つの金属を用いることができ、この時、第２金属層４３２は前記金属が光を透過する程の薄い厚さを有することが望ましい。
【００４３】
ここで、前記第１金属層４３１はＭｇとＡｇ金属を同時に蒸着する共蒸着（ｃｏ−ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法を用いて形成することが望ましい。また、前記第２金属層４３２は前記蒸着された第１金属層４３１上に蒸着（ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法を用いて形成することが望ましい。
【００４４】
したがって、前記第１電極４１０はアノードとして作用するようになって、前記第２電極４３０はカソードで作用するようになる。これとは違って、前記カソードで作用する第２電極が下部に位置して、前記アノードで作用する第１電極が上部に位置する反転構造にも適用することができる。
【００４５】
この時、前記第１電極４１０は前記絶縁膜３７０を貫通するビアホール３７５を介して前記ソース／ドレイン電極３６１、３６２のうち少なくとも一つと電気的に連結される。
【００４６】
また、レッド、グリーン及びブルー有機発光ダイオードそれぞれを定義できるように、前記第１電極４１０上に画素定義膜４１５をさらに形成することができる。したがって、各レッド、グリーン及びブルー別に画素を定義できる。
【００４７】
また、前記第２電極４３０上に第２有機膜層を形成して、その上部にＩＴＯ、ＩＺＯまたはＺｎＯで構成される第３電極をさらに形成することができる。この時、手動マトリックス構造では前記第３電極は前記第１電極４１０に連結され、アクティブマトリックス構造ではソース／ドレイン電極３６１、３６２のうちいずれか一つに連結されて同時に駆動されることができる。
【００４８】
よって、本発明の第３実施形態による有機電界発光表示装置が完成する。
【００４９】
以下、本発明の理解を助けるために望ましい実験例を提示する。但し、下記の実験例は本発明の理解を助けるためだけのものであり、本発明が下記の実験例により限られるのではない。
【００５０】
＜実験例１＞
基板上に第１電極でＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）を１３０ｎｍの厚さに形成して前記第１電極上に正孔注入層にｍ−ＭＴＤＡＴＡ（４，４’，４”−ｔｒｉｓ（Ｎ−３−ｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌ−Ｎ−ｐｈｅｎｙｌ−ａｍｉｎｏ）−ｔｒｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｅ）を１３０ｎｍの厚さに形成して、正孔輸送層としてはＮＰＢ（ｎ−ｐｒｏｐｙｌｂｒｏｍｉｄｅ）を２０ｎｍの厚さに形成する。前記正孔輸送層上にホストとしてＤＰＶＢｉ（４，４’−ｂｉｓ（２，２’−ｄｉｐｈｅｎｙｌｖｉｎｙｌ）−１，１’−ｂｉｐｈｅｎｙｌ）にドーパントとしてペリレン（Ｐｅｒｙｌｅｎｅ）を２ｗｔ％の濃度で混合してブルー発光層を２０ｎｍの厚さに形成して、電子輸送層でＰＢＤ（２−（４−ｂｉｐｈｅｎｙｌｙｌ）−５−（４−ｔｅｒｔ−ｂｕｔｙｌ）−１，３，４−ｏｘａｄｉａｚｏｌｅ）を３０ｎｍの厚さに形成する。次に、第２電極としてＭｇＡｇ膜を厚さ１６０Åに形成して、前記ＭｇＡｇ膜上にＡｌ膜を１０００Åの厚さに形成する。
【００５１】
＜比較例１＞
前記実験例１でＭｇＡｇ膜／Ａｌ膜の代わりにＡｌ膜だけで１０００Åの第２電極を形成した。
【００５２】
＜実験例２＞
実験例１でホストとしてＤＰＶＢｉ（４，４’−ｂｉｓ（２，２’−ｄｉｐｈｅｎｙｌｖｉｎｙｌ）−１，１’−ｂｉｐｈｅｎｙｌ）にドーパントとしてペリレン（Ｐｅｒｙｌｅｎｅ）を２ｗｔ％の濃度で混合したブルー発光層の代わりに、ホストとしてＡｌｑ３（８−ｔｒｉｓｈｙｄｒｏｘｙｑｕｉｎｏｌｉｎｅａｌｕｍｉｎｕｍ）にドーパントとしてＤＰＴ（三菱製）を３ｗｔ％の濃度で混合して２０ｎｍの厚さにグリーン発光層を形成した。
【００５３】
＜比較例２＞
前記実験例２でＭｇＡｇ膜／Ａｌ膜の代わりにＡｌ膜だけで１０００Åの第２電極を形成した。
【００５４】
＜実験例３＞
実験例１でホストとしてＤＰＶＢｉ（４，４’−ｂｉｓ（２，２’−ｄｉｐｈｅｎｙｌｖｉｎｙｌ）−１，１’−ｂｉｐｈｅｎｙｌ）にドーパントとしてペリレン（Ｐｅｒｙｌｅｎｅ）を２ｗｔ％の濃度で混合したブルー発光層の代わりに、ホストとしてＣＢＰ（４，４’−ｂｉｓｃａｒｂａｚｏｌｙｌｂｉｐｈｅｎｙｌ）にドーパントとしてＰＱＩｒ（ａｃａｃ）を１５ｗｔ％の濃度で混合して４０ｎｍの厚さにレッド発光層を形成した。
【００５５】
＜比較例３＞
前記実験例３でＭｇＡｇ膜／Ａｌ膜の代わりにＡｌ膜だけで１０００Åの第２電極を形成した。
【００５６】
前記実験例１、２、３及び比較例１、２、３によって製造された有機電界発光表示装置の駆動電圧、消費電流及び発光効率を測定した。その結果を表１に示す。
【００５７】
【表１】
2008218415.tif 000003
【００５８】
前記表１を参照して、実験例１を比較例１、実験例２を比較例２、実験例３を比較例３とそれぞれ比較してみた結果、駆動電圧、消費電流及び発光効率全てを考慮すると、従来の第２電極としてＡｌ膜のみを用いたのよりも、ＭｇＡｇ及びＡｌ膜の積層構造を用いた方がレッド、グリーン、ブルー発光層全てでさらに向上した効果を示すことが分かる。
【００５９】
また、図４は前記実験例１と比較例１の寿命を示したグラフである。
【００６０】
図４を参照すると、横軸は寿命をテストした時間（ｈｏｕｒ）であって、縦軸は実験例１の輝度を１００に設定した相対的数値を示した。図４に示したように、本比較例１であるＡｌ単一膜の第２電極を用いた時よりも、実験例１であるＭｇＡｇ／Ａｌ膜を第２電極として用いた時の輝度及び寿命がさらに向上したことが分かる。
【００６１】
前記のように、有機電界発光表示装置の第２電極のＭｇＡｇ膜の第１金属層２１１は電子注入特性を向上させて、Ａｌ膜の第２金属層２１２は反射膜または透過膜の役割をすることによって、従来の有機電界発光表示装置よりも、駆動電圧、消費電流、寿命及び発光効率を向上させることができる利点がある。
【００６２】
本発明を以上のように望ましい実施形態を挙げて図示して説明したが、前記した実施形態に限られることなく本発明の精神を外れない範囲内で該発明が属する技術分野で通常の知識を有する者により多様な変更と修正が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１】本発明の第１実施形態による有機電界発光表示装置の断面図である。
【図２】本発明の第２実施形態による有機電界発光表示装置の断面図である。
【図３】本発明の第３実施形態による有機電界発光表示装置の断面図である。
【図４】本発明の実験例１と比較例１の寿命を示したグラフである。
【符号の説明】
【００６４】
１００  基板
１１０  第１電極
１２０  有機膜層
１３０  第２電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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