(57)【要約】【課題】微細な凹凸形状を有する凹凸反転版を精度よく製造すること。【解決手段】  Ｓｉを含有してなる原版を用いて凹凸反転版を製造する方法である。当該製造方法は、原版の凹凸形状が形成された表面に５〜６０ｎｍの膜厚で導電層として金属薄膜６１を形成する薄膜形成工程と、金属薄膜６１上に電気メッキをすることで、導電層を含む金属板６３を形成するメッキ工程と、金属板６３を原版から剥離する剥離工程とを有する。原版は、例えば光情報記録媒体用スタンパ原版５０である。【選択図】図５
2008176892.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｓｉを含有してなり、凹凸形状が形成された原版を用いて凹凸反転版を製造する方法であって、
前記原版の凹凸形状が形成された表面に５〜６０ｎｍの膜厚で導電層を形成する薄膜形成工程と、
前記導電層上に電気メッキをすることで、前記導電層を含む金属板を形成するメッキ工程と、
前記金属板を前記原版から剥離する剥離工程と、
を有することを特徴とする凹凸反転版の製造方法。
【請求項２】
Ｓｉを含有してなり、凹凸形状の凹部のパターン線幅が１５０ｎｍ以下の大きさで形成された原版を用いて凹凸反転版を製造する方法であって、
前記原版の凹凸形状が形成された表面に前記パターン線幅の５〜５０％の膜厚で導電層を形成する薄膜形成工程と、
前記導電層上に電気メッキをすることで、前記導電層を含む金属板を形成するメッキ工程と、
前記金属板を前記原版から剥離する剥離工程と、
を有することを特徴とする凹凸反転版の製造方法。
【請求項３】
前記導電層を、前記パターン線幅の５〜２５％の膜厚で形成することを特徴とする請求項２に記載の凹凸反転版の製造方法。
【請求項４】
Ｓｉを含有してなり、凹凸形状が形成された原版を用いて凹凸反転版を製造する方法であって、
前記原版の凹凸形状が形成された表面に導電層材料により導電層を形成する薄膜形成工程と、
前記導電層上に電気メッキをすることで、前記導電層を含む金属板を形成するメッキ工程と、
前記金属板を前記原版から剥離する剥離工程と、
を有し、
前記薄膜形成工程は、前記導電層材料の前記導電層中の割合が９５ｗｔ％以上となり、かつ前記メッキ工程で用いるメッキ液中において陰イオンとなる物質の前記導電層中の割合が５ｗｔ％以下となるように前記導電層を形成することを特徴とする凹凸反転版の製造方法。
【請求項５】
Ｓｉを含有してなり、凹凸形状が形成された原版を用いて凹凸反転版を製造する方法であって、
前記原版の凹凸形状が形成された表面に導電層材料により導電層を形成する薄膜形成工程と、
前記導電層上に電気メッキをすることで、前記導電層を含む金属板を形成するメッキ工程と、
前記金属板を前記原版から剥離する剥離工程と、
を有し、
前記薄膜形成工程において前記導電層の体積抵抗率を１．２×１０−４Ω・ｃｍ以下とすることを特徴とする凹凸反転版の製造方法。
【請求項６】
前記導電層材料はＮｉであり、
前記薄膜形成工程における導電層の密度を７．７ｇ／ｃｍ３以上とすることを特徴とする請求項５に記載の凹凸反転版の製造方法。
【請求項７】
前記剥離工程で剥離した金属板を所定の形状に打抜く打抜き工程を有することを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の凹凸反転版の製造方法。
【請求項８】
前記凹凸反転版は、光情報記録媒体用スタンパであることを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の凹凸反転版の製造方法。
【請求項９】
前記凹凸反転版は、磁気転写用マスターであることを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の凹凸反転版の製造方法。
【請求項１０】
前記凹凸反転版は、ナノインプリント用マスターであることを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の凹凸反転版の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光情報記録媒体用スタンパや磁気転写用マスターなどの凹凸反転版の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、光情報記録媒体の高密度化の要求に伴い、４５０ｎｍ以下のレーザ光を使用して記録および／または再生を行う高密度の光情報記録媒体が開発されている。この高密度の光情報記録媒体は、レーザ光のトラッキングに用いる溝を形成した樹脂基板上に色素を塗布し、さらに、色素記録層を保護する基板を貼り付けることで製造される。このときの樹脂基板は、樹脂の射出成形を行う際に、溝のパターンを反転させた表面形状を有する金属製のスタンパを金型の一方に用いることで製造することができる。
【０００３】
さらに、このスタンパは、スタンパ原版の凹凸パターンに基づき複製される。例えば、特許文献１に開示されているように、ガラス基板上にフォトレジスト層を形成し、レーザ光によりピットまたは凹凸形状を露光した後、エッチングにより現像することで、スタンパ原版が製造される。そして、このスタンパ原版にニッケルなどにより導電層を形成し、この導電層上にニッケルを電気メッキしてニッケル厚膜を形成し、ニッケル厚膜をスタンパ原版から剥離することで、スタンパが製造される。
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−１２６３２１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、発明者等の研究によれば、微細な凹凸形状を有するスタンパ原版に導電層を形成して電気メッキをする場合、導電層が厚すぎても、薄すぎても、電気メッキが不良になりうることが判明した。
【０００６】
また、導電層中の不純物の量が多かったり、導電層中の欠陥が多い場合にも、電気メッキが良好になされず、凹み状の欠陥が形成されてしまうことも判明した。
【０００７】
本発明は、以上のような背景に鑑みてなされたものであり、微細な凹凸形状を有する光情報媒体用スタンパを良好に製造する方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記した課題を解決する本発明は、Ｓｉを含有してなり、凹凸形状が形成された原版を用いて凹凸反転版を製造する方法であって、前記原版の凹凸形状が形成された表面に５〜６０ｎｍの膜厚で導電層を形成する薄膜形成工程と、前記導電層上に電気メッキをすることで、前記導電層を含む金属板を形成するメッキ工程と、前記金属板を前記原版から剥離する剥離工程と、を有することを特徴とする。
【０００９】
また、前記した課題を解決する本発明は、Ｓｉを含有してなり、凹凸形状の凹部のパターン線幅が１５０ｎｍ以下の大きさで形成された原版を用いて凹凸反転版を製造する方法であって、前記原版の凹凸形状が形成された表面に前記パターン線幅の５〜５０％の膜厚で導電層を形成する薄膜形成工程と、前記導電層上に電気メッキをすることで、前記導電層を含む金属板を形成するメッキ工程と、前記金属板を前記原版から剥離する剥離工程と、を有することを特徴とする。
【００１０】
この製造方法においては、前記導電層を、前記パターン線幅の５〜２５％の膜厚で形成するのが望ましい。
【００１１】
以上のような厚さで導電層を形成することにより、メッキ工程において、導電層に流れる電流が安定し、良好な金属板を形成することができる。
なお、本願明細書でいう導電層の厚さは、原版の凹凸形状のうち、凸部における膜厚を意味することとする。
もっとも、凹凸形状のうち、凸部、側部および凹部のすべての部位で本明細書に規定した膜厚であるのが好ましい。
【００１２】
また、前記した課題を解決する本発明は、Ｓｉを含有してなり、凹凸形状が形成された原版を用いて凹凸反転版を製造する方法であって、前記原版の凹凸形状が形成された表面に導電層材料により導電層を形成する薄膜形成工程と、前記導電層上に電気メッキをすることで、前記導電層を含む金属板を形成するメッキ工程と、前記金属板を前記原版から剥離する剥離工程と、を有し、前記薄膜形成工程は、前記導電層材料の前記導電層中の割合が９５ｗｔ％以上となり、かつ前記メッキ工程で用いるメッキ液中において陰イオンとなる物質の前記導電層中の割合が５ｗｔ％以下となるように前記導電層を形成することを特徴とする。
【００１３】
このように、Ｆ、Ｃｌ、Ｏ等の不純物が少ないことで、導電層に流れる電流が安定し、良好な金属板を形成することが可能である。
【００１４】
また、前記した課題を解決する本発明は、凹凸形状が形成された原版を用いて凹凸反転版を製造する方法であって、前記原版の凹凸形状が形成された表面に導電層材料により導電層を形成する薄膜形成工程と、前記導電層上に電気メッキをすることで、前記導電層を含む金属板を形成するメッキ工程と、前記金属板を前記原版から剥離する剥離工程と、を有し、前記薄膜形成工程において前記導電層の体積抵抗率を１．２×１０−４Ω・ｃｍ以下とすることを特徴とする。
【００１５】
このような条件、すなわち、体積抵抗率を１．２×１０−４Ω・ｃｍ以下で導電層を形成することで、導電層に流れる電流が安定し、良好な金属板を形成することができる。
この場合においては、導電層材料としてＮｉを用いるならば、導電層の密度を７．７ｇ／ｃｍ３以上とするのが望ましい。この程度に導電層を緻密に形成することで、導電層における電流の流れを安定させることができる。
【００１６】
前記した各製造方法においては、前記剥離工程で剥離した金属板を所定の形状に打抜く打抜き工程を有することができる。
そして、製造すべき凹凸反転版として、光情報記録媒体用スタンパ、磁気転写用マスターまたはナノインプリント用マスターを選択することができる。これらは、微細かつ高精度な凹凸形状の形成が要求されるため、本発明を好適に適用することができる。
【００１７】
ここで、本発明の製造方法により製造される光情報記録媒体用スタンパは、短波長のレーザ光で色素系の光情報記録媒体の製造に使用される。例えば、現在提唱されているブルーレイディスクの仕様では、光情報記録媒体の内周にディスクインフォメーションなどの情報が記録される管理情報記録領域（例えば、ＢＣＡ（Ｂｕｒｓｔ  Ｃｕｔｔｉｎｇ  Ａｒｅａ）領域）が形成されている。なお、ＢＣＡ領域とはＢＣＡ信号が記録される領域に対応する領域である。図１は、この光情報記録媒体を製造するためのスタンパ原版の平面図であり、ハッチングは領域を示す。図１に示すように、ディスク状のスタンパ原版５０には、ドーナツ形の領域に渦巻き状（図示せず）に第１プリグルーブが形成されたデータ記憶領域Ａ１が形成されている。そして、このデータ記憶領域Ａ１の内周側にＢＣＡ領域Ａ２が形成されている。ＢＣＡ領域にも、渦巻き状（図示せず）の第２プリグルーブが形成されている。
【００１８】
このスタンパ原版５０を用いて製造（詳細には、スタンパ原版５０から製造されたスタンパを用いて製造）された光情報記録媒体には、ＢＣＡ信号が色素記録層および／または反射層に対してレーザ光でバーコード状に形成される。ＢＣＡ領域にはプリグルーブ（第２プリグルーブ）が形成される必要があるが、その溝深さはデータ記録領域のプリグルーブ（第１プリグルーブ）よりも浅く形成されることが好ましい。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、微細な凹凸形状を有する凹凸反転版を原版から精度良く反転させて製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
次に、本発明の凹凸反転版の一例である光情報記録媒体用スタンパ（以下、単に「スタンパ」とする。）の製造方法に係る実施形態について、適宜図面を参照しながら詳細に説明する。
【００２１】
まず、本発明の製造方法により得られるスタンパで製造される光情報記録媒体の一例について説明する。
参照する図面において、図２は、溝深さを説明する図であり、図３は、本発明の製造方法により製造されるスタンパ原版またはスタンパが利用される光情報記録媒体の層構成を示す断面図である。
【００２２】
光情報記録媒体１０は、図３に示すように、厚さ０．７〜２ｍｍの基板１２上に、色素を含有する追記型記録層１４と、厚さ０．０１〜０．５ｍｍのカバー層１６とをこの順に有する。具体的には、例えば基板１２上に、光反射層１８と、追記型記録層１４と、バリア層２０と、接着層２２と、カバー層１６とをこの順に有する。
【００２３】
〔基板１２〕
図３に示すように、好ましい光情報記録媒体１０の基板１２には、トラックピッチ、溝幅、溝深さ、およびウォブル振幅が下記の範囲である形状を有する第１プリグルーブ３４（案内溝）および第２プリグルーブ３５が形成されている。
なお、溝深さは図２に示すように、深さをＨとしたときに、半分の深さ位置での幅Ｗ（半値幅）で測定する。
第１プリグルーブ３４は、ＣＤ−ＲやＤＶＤ−Ｒに比べてより高い記録密度を達成するために設けられたものであり、例えば、光情報記録媒体１０を、青紫色レーザに対応する媒体として使用する場合に好適である。
第２プリグルーブ３５は、第１プリグルーブ３４より溝幅および溝深さが若干小さく、光情報記録媒体１０がディスク状の場合には、その内周側に設けられる。第２プリグルーブ３５は、例えば、光情報記録媒体１０の製造者情報や、その他の管理情報が記録されるＢＣＡ領域として利用される。ＢＣＡ領域では、信号特性上データ記憶領域より反射率を下げる必要があるため、溝幅をデータ記憶領域より浅くしている。
【００２４】
第１プリグルーブ３４のトラックピッチは、例えば、３２０ｎｍ程度であり、光情報記録媒体の仕様に応じて適宜変更することもできる。
【００２５】
第１プリグルーブ３４の溝幅（半値幅）は、９０〜１８０ｎｍの範囲であるのが望ましい。
第１プリグルーブ３４の溝幅が９０ｎｍ未満では、成形時に溝が十分に転写されなかったり、記録のエラーレートが高くなったりすることがあり、１８０ｎｍを超えると、記録時に形成されるピットが広がってしまい、クロストークの原因となったり、十分な変調度が得られないことがある。
【００２６】
第１プリグルーブ３４の溝深さａは、６０ｎｍ以下であり、好ましくは、３０〜５０ｎｍ、より好ましくは、３５〜４５ｎｍの範囲である。第１プリグルーブ３４の溝深さが５ｎｍ未満では、十分な記録変調度が得られないことがあり、６０ｎｍを超えると、反射率が大幅に低下することがある。
【００２７】
また、第１プリグルーブ３４の溝傾斜角度は、上限値が８０°以下であることが好ましく、７０°以下であることがより好ましく、６０°以下であることがさらに好ましく、５０°以下であることが特に好ましい。また、下限値は、２０°以上であることが好ましく、３０°以上であることがより好ましく、４０°以上であることがさらに好ましい。
第１プリグルーブ３４の溝傾斜角度が２０°未満では、十分なトラッキングエラー信号振幅が得られないことがあり、８０°を超えると、基板１２の成形（射出成形等）が困難となる。
【００２８】
第２プリグルーブ３５の溝深さｂは、５〜３０ｎｍの範囲であり、より好ましくは、８〜１７ｎｍの範囲である。
【００２９】
第２プリグルーブ３５の溝幅（半値幅）は、上記溝深さが得られる範囲で適宜設定される。
【００３０】
第２プリグルーブ３５の好ましい溝傾斜角度は、第１プリグルーブ３４と同様である。
【００３１】
光情報記録媒体１０において用いられる基板１２としては、従来の光情報記録媒体の基板材料として用いられている各種の材料を任意に選択して使用することができる。
【００３２】
基板の材料の中では、耐湿性、寸法安定性および低価格等の点から、アモルファスポリオレフィン、ポリカーボネート等の熱可塑性樹脂が好ましく、ポリカーボネートが特に好ましい。
これらの樹脂を用いた場合、射出成形を用いて基板１２を作製することができる。
【００３３】
また、基板１２の厚さは、０．７〜２ｍｍの範囲であり、０．９〜１．６ｍｍの範囲であることが好ましく、１．０〜１．３ｍｍとすることがより好ましい。
なお、後述する光反射層１８が設けられる側の基板１２の表面には、平面性の改善、接着力の向上の目的で、下塗層を形成することが好ましい。
【００３４】
〔追記型記録層１４〕
好ましい光情報記録媒体１０の追記型記録層１４は、色素を、結合剤等と共に適当な溶剤に溶解して塗布液を調製し、次いで、この塗布液を、基板上または後述する光反射層１８上に塗布して塗膜を形成した後、乾燥することにより形成される。ここで、追記型記録層１４は、単層でも重層でもよく、重層構造の場合、塗布液を塗布する工程が複数回行われることになる。
塗布方法としては、スプレー法、スピンコート法、ディップ法、ロールコート法、ブレードコート法、ドクターロール法、スクリーン印刷法等を挙げることができる。
【００３５】
このようにして形成された追記型記録層１４の厚さは、グルーブ３８（基板１２において凸部）上で、３００ｎｍ以下であることが好ましく、２５０ｎｍ以下であることがより好ましく、２００ｎｍ以下であることがさらに好ましく、１８０ｎｍ以下であることが特に好ましい。下限値としては３０ｎｍ以上であることが好ましく、５０ｎｍ以上であることがより好ましく、７０ｎｍ以上であることがさらに好ましく、９０ｎｍ以上であることが特に好ましい。
【００３６】
また、追記型記録層１４の厚さは、ランド４０（基板１２において凹部）上で、４００ｎｍ以下であることが好ましく、３００ｎｍ以下であることがより好ましく、２５０ｎｍ以下であることがさらに好ましい。下限値としては、７０ｎｍ以上であることが好ましく、９０ｎｍ以上であることがより好ましく、１１０ｎｍ以上であることがさらに好ましい。
【００３７】
さらに、グルーブ３８上の追記型記録層１４の厚さｔ１と、ランド４０上の追記型記録層１４の厚さｔ２との比（ｔ１／ｔ２）は、０．４以上であることが好ましく、０．５以上であることがより好ましく、０．６以上であることがさらに好ましく、０．７以上であることが特に好ましい。上限値としては、１未満であることが好ましく、０．９以下であることがより好ましく、０．８５以下であることがさらに好ましく、０．８以下であることが特に好ましい。
【００３８】
〔カバー層１６〕
好ましい光情報記録媒体１０のカバー層１６は、上述した追記型記録層１４または後述するバリア層２０上に、接着剤や粘着剤等からなる接着層２２を介して貼り合わされる。
【００３９】
光情報記録媒体１０において用いられるカバー層１６としては、透明な材質のフィルムであれば、特に限定されないが、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート等のアクリル樹脂；ポリ塩化ビニル、塩化ビニル共重合体等の塩化ビニル系樹脂；エポキシ樹脂；アモルファスポリオレフィン；ポリエステル；三酢酸セルロース等を使用することが好ましく、中でも、ポリカーボネートまたは三酢酸セルロースを使用することがより好ましい。
なお、「透明」とは、記録および再生に用いられる光に対して、透過率８０％以上であることを意味する。
【００４０】
また、カバー層１６は、本発明の効果を妨げない範囲において、種々の添加剤が含有されていてもよい。例えば、波長４００ｎｍ以下の光をカットするためのＵＶ吸収剤および／または５００ｎｍ以上の光をカットするための色素が含有されていてもよい。
【００４１】
さらに、カバー層１６の表面物性としては、表面粗さが２次元粗さパラメータおよび３次元粗さパラメータのいずれも５ｎｍ以下であることが好ましい。
また、記録および再生に用いられる光の集光度の観点から、カバー層１６の複屈折は１０ｎｍ以下であることが好ましい。
【００４２】
カバー層１６の厚さは、記録および再生のために照射されるレーザ光４６の波長や対物レンズ４５のＮＡにより、適宜、規定されるが、光情報記録媒体１０においては、０．０１〜０．５ｍｍの範囲内であり、０．０５〜０．１２ｍｍの範囲であることがより好ましい。
【００４３】
また、カバー層１６と接着層２２とを合わせた総厚は、０．０９〜０．１１ｍｍであることが好ましく、０．０９５〜０．１０５ｍｍであることがより好ましい。
【００４４】
なお、カバー層１６の光入射面には、光情報記録媒体１０の製造時に、光入射面が傷つくことを防止するためのハードコート層４４（保護層）が設けられていてもよい。
【００４５】
接着層２２に用いられる接着剤としては、例えばＵＶ硬化樹脂、ＥＢ硬化樹脂、熱硬化樹脂等を使用することが好ましく、特にＵＶ硬化樹脂を使用することが好ましい。
【００４６】
接着剤としてＵＶ硬化樹脂を使用する場合は、該ＵＶ硬化樹脂をそのまま、若しくはメチルエチルケトン、酢酸エチル等の適当な溶剤に溶解して塗布液を調製し、ディスペンサからバリア層２０の表面に供給してもよい。また、作製される光情報記録媒体１０の反りを防止するため、接着層２２を構成するＵＶ硬化樹脂は硬化収縮率の小さいものが好ましい。このようなＵＶ硬化樹脂としては、例えば、大日本インキ化学工業（株）社製の「ＳＤ−６４０」等のＵＶ硬化樹脂を挙げることができる。
【００４７】
接着剤は、例えば、バリア層２０からなる被貼り合わせ面上に、所定量塗布し、その上に、カバー層１６を載置した後、スピンコートにより接着剤を、被貼り合わせ面とカバー層１６との間に均一になるように広げた後、硬化させることが好ましい。
【００４８】
このような接着剤からなる接着層２２の厚さは、０．１〜１００μｍの範囲が好ましく、より好ましくは０．５〜５０μｍの範囲、さらに好ましくは１０〜３０μｍの範囲である。
【００４９】
また、接着層２２に用いられる粘着剤としては、アクリル系、ゴム系、シリコン系の粘着剤を使用することができるが、透明性、耐久性の観点から、アクリル系の粘着剤が好ましい。
【００５０】
粘着剤は、バリア層２０からなる被貼り合わせ面上に、所定量、均一に塗布し、その上に、カバー層１６を載置した後、硬化させてもよいし、予め、カバー層１６の片面に、所定量を均一に塗布して粘着剤の塗膜を形成しておき、該塗膜を被貼り合わせ面に貼り合わせ、その後、硬化させてもよい。
また、カバー層１６に、予め、粘着剤層が設けられた市販の粘着フィルムを用いてもよい。
このような粘着剤からなる接着層２２の厚さは、０．１〜１００μｍの範囲が好ましく、より好ましくは０．５〜５０μｍの範囲、さらに好ましくは１０〜３０μｍの範囲である。
【００５１】
〔光情報記録媒体１０におけるその他の層〕
好ましい光情報記録媒体１０は、上述の層に加え、他の任意の層を有していてもよい。かかる他の任意の層としては、例えば、基板１２の裏面（追記型記録層１４の形成面に対する裏面）に形成される、所望の画像を有するレーベル層や、基板１２と追記型記録層１４との間に設けられる光反射層１８（後述）、追記型記録層１４とカバー層１６との間に設けられるバリア層２０（後述）、光反射層１８と追記型記録層１４との間に設けられる界面層等が挙げられる。ここで、レーベル層は、紫外線硬化樹脂、熱硬化性樹脂、および熱乾燥樹脂等を用いて形成される。
なお、以上の層は、いずれも単層でもよいし、多層構造を有してもよい。
【００５２】
〔光反射層１８〕
光情報記録媒体１０において、レーザ光４６に対する反射率を高めたり、記録再生特性を改良する機能を付与するために、基板１２と追記型記録層１４との間に、光反射層１８を形成することが好ましい。
【００５３】
光反射層１８は、レーザ光４６に対する反射率が高い光反射性物質を、真空蒸着、スパッタリングまたはイオンプレーティングすることにより基板１２上に形成することができる。
光反射層１８の層厚は、一般的には１０〜３００ｎｍの範囲とし、５０〜２００ｎｍの範囲とすることが好ましい。
なお、前記反射率は、７０％以上であることが好ましい。
【００５４】
反射層の材料としては、Ｍｇ、Ｓｅ、Ｙ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｐｂ、Ｐｏ、Ｓｎ、Ｂｉ等の金属および半金属あるいはステンレス鋼を挙げることができる。
【００５５】
〔バリア層２０（中間層）〕
光情報記録媒体１０においては、追記型記録層１４とカバー層１６との間にバリア層２０を形成することが好ましい。
バリア層２０は、追記型記録層１４の保存性を高める、追記型記録層１４とカバー層１６との接着性を向上させる、反射率を調整する、熱伝導率を調整する、等のために設けられる。
【００５６】
バリア層２０に用いられる材料としては、記録および再生に用いられる光を透過する材料であり、上記の機能を発現し得るものであれば、特に、制限されるものではないが、例えば、一般的には、ガスや水分の透過性の低い材料であり、誘電体であることが好ましい。
また、バリア層２０は、真空蒸着、ＤＣスパッタリング、ＲＦスパッタリング、イオンプレーティング等の真空成膜法により形成することができる。中でも、スパッタリングを用いることがより好ましく、ＲＦスパッタリングを用いることがさらに好ましい。
バリア層２０の厚さは、１〜２００ｎｍの範囲であることが好ましく、２〜１００ｎｍの範囲であることがより好ましく、３〜５０ｎｍの範囲であることがさらに好ましい。
【００５７】
＜光情報記録方法＞
光情報記録媒体１０においては、先ず、光情報記録媒体１０を定線速度（０．５〜１０ｍ／秒）または定角速度にて回転させながら、カバー層１６側から半導体レーザ光等の記録用のレーザ光４６を、開口数ＮＡが例えば０．８５の対物レンズ４５を介して照射する。このレーザ光４６の照射により、追記型記録層１４がレーザ光４６を吸収して局所的に温度上昇し、物理的あるいは化学的変化（例えば、ピットの生成）が生じてその光学的特性を変えることにより、情報が記録されると考えられる。
【００５８】
記録用のレーザ光４６は、３９０〜４５０ｎｍの範囲の発振波長を有する半導体レーザ光が用いられる。好ましい光源としては３９０〜４１５ｎｍの範囲の発振波長を有する青紫色半導体レーザ光、中心発振波長８５０ｎｍの赤外半導体レーザ光を、光導波路素子を使って半分の波長にした中心発振波長４２５ｎｍの青紫色ＳＨＧレーザ光を挙げることができる。特に、記録密度の点で３９０〜４１５ｎｍの範囲の発振波長を有する青紫色半導体レーザ光を用いることが好ましい。上記のように記録された情報の再生は、光情報記録媒体１０を上記と同一の定線速度で回転させながら半導体レーザ光を基板側あるいは保護層側から照射して、その反射光を検出することにより行うことができる。
【００５９】
なお、レーザ光４６としては、近赤外域のレーザ光（通常は７８０ｎｍ付近の波長のレーザ光）、可視レーザ光（６３０ｎｍ〜６８０ｎｍ）、波長５３０ｎｍ以下のレーザ光（４０５ｎｍの青色レーザ）等を用いることも可能であるが、可視レーザ光（６３０ｎｍ〜６８０ｎｍ）、波長５３０ｎｍ以下のレーザ光（４０５ｎｍの青色レーザ）であることが一層好ましく、とりわけ、波長５３０ｎｍ以下のレーザ光（４０５ｎｍの青色レーザ）であることが好ましい。
【００６０】
次に以上のような光情報記録媒体１０の基板１２を製造するためのスタンパおよびこのスタンパを製造するためのスタンパ原版の製造方法について説明する。
【００６１】
〔スタンパ原版の製造方法〕
スタンパ原版は、スタンパを製造するための型であり、次のようにして製造される。
参照する図において、図４は、スタンパ原板の製造工程を示す図である。
【００６２】
（レジスト層形成工程）
まず、表面が平滑なシリコン含有基板としてのシリコンウエハ５１（例えば、フジミファインテクノロジー社製８インチダミーウエハ）を用意する。次に、シリコンウエハ５１上に密着層を形成するための下処理を行う。そして、図４（ａ）に示すように、電子線レジスト液をスピンコートなどの方法により塗布してレジスト層５２を形成し、ベーキングする。なお、電子線レジスト液には、富士フイルムエレクトロマテリアルズ社製ＦＥＰ−１７１などを使用し、膜厚は１００ｎｍとすることができる。
【００６３】
（電子線照射工程）
次に、図４（ｂ）に示すように、高精度な回転ステージを備えた電子ビーム露光装置でアドレスなど各種信号に対応して変調した電子ビームを照射し、レジスト層５２に所望のパターンを露光により描画する。このとき、描画すべきパターンは、第１プリグルーブ３４に対応した第１露光線５３１と、第２プリグルーブ３５に対応し、第１露光線５３１よりも細い第２露光線５３２とで描画するとよい。
【００６４】
電子線の露光による線幅は、１００〜１８０ｎｍ、より好ましくは、１２０〜１４０ｎｍとする。例えば、第１露光線５３１（データ領域）は、１４０ｎｍ、第２露光線（ＢＣＡ領域）５３２は、１００ｎｍで描画するとよい。また、第１プリグルーブ３４または第２プリグルーブ３５に記録するアドレスは、第１露光線５３１または第２露光線５３２を波状に変調させて記録することができる。このときの波の振幅（ウォブル幅）は、１４〜２４ｎｍ、より好ましくは１５〜１７ｎｍとすることができる。
第１露光線５３１および第２露光線５３２を描画する電子線としては、加速電圧５０ｋＶのものを使用することができる。
なお、第１露光線５３１および第２露光線５３２は、ドットが並んだ線であっても構わない。
【００６５】
（現像工程）
その後、図４（ｃ）に示すように、レジスト層５２を現像液により現像処理し、露光部分（第１露光線５３１および第２露光線５３２）を除去する。この処理によりレジスト層５２に所定のパターンの開口部５４（５４１，５４２）が形成される。詳しくは、幅が広い第１露光線５３１に対応して第１開口部５４１が形成され、幅が狭い第２露光線５３２に対応して第２開口部５４２が形成される。なお、現像液には富士フイルムエレクトロマテリアルズ社製ＦＨＤ−５を使用することができる。
【００６６】
（エッチング工程）
次に、図４（ｄ）に示すように、エッチングによりレジスト層５２の開口部５４からシリコンウエハ５１にエッチングガスを衝突させ、シリコンウエハ５１を所望の深さ、例えば３０〜５０ｎｍ、最も好ましくは４０ｎｍ程度除去する。このエッチングにおいてはアンダーカット、すなわち、深さ方向に直交する方向へのエッチングを最小にするため、異方性のエッチングが望ましい。このような異方性エッチングとしてはエッチングガスの直進性が高いＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）を用いることができる。
エッチング工程により、シリコンウエハ５１には、第１開口部５４１に応じた幅広の第１グルーブ５５１と、第２開口部５４２に応じた幅狭の第２グルーブ５５２が形成される。また、開口部５４の大きさに応じて第１グルーブ５５１および第２グルーブ５５２の深さも異なり、第１グルーブ５５１の深さａは６０ｎｍ以下で第２グルーブ５５２に比較すると深く、好ましくは３０〜５０ｎｍ程度、より好ましくは３５〜４５ｎｍである。第２グルーブ５５２の深さｂは浅く、５〜３０ｎｍ程度、好ましくは８〜１７ｎｍである。すなわち、ａ＞ｂの関係で形成される。
第１グルーブ５５１および第２グルーブ５５２の側壁の角度は、シリコンウエハ５１の表面に対して４０〜８０度の範囲が好ましく、より好ましくは５５〜６５度である。
なお、ＲＩＥにはパナソニックファクトリーソリューションズ社製Ｅ６２０を使用することができる。また、エッチングガスとしては、ＣＨＦ３を使用することができる。
また、側壁の角度は、Ｓｉとエッチングガスとの反応生成物により制御することができる。例えば、反応生成物の発生量が異なるガスの採用や、ガス流量、圧力などを変化させることにより反応生成物の状態を変化させてテストし、形成された溝の側壁を所望の角度にする。
【００６７】
（レジスト除去工程）
次に、エッチング工程で残留したレジスト層５２を除去する。レジスト層５２の除去は、例えば、乾式の方法としては、酸素プラズマを照射して有機物を除去（アッシング）して行うことができる。なお、湿式の方法、例えば剥離液によりレジスト層５２を除去しても構わない。
以上の工程により図４（ｅ）に示すように、スタンパ原版５０が作製される。
このようにしてスタンパ原版５０は、極めて微細でありながら、高精度な大きさの異なる２種類の溝（第１グルーブ５５１および第２グルーブ５５２）が形成される。
【００６８】
〔スタンパの製造方法〕
次に、本発明の実施形態として、スタンパ原版５０からスタンパを製造する電鋳について説明する。
参照する図において、図５は、スタンパの製造工程を示す図である。
【００６９】
（薄膜形成工程）
スタンパ原版５０からスタンパ６０（図５（ｅ）参照）を製造するには、スタンパ原版５０を用いて電鋳によってスタンパ原版５０の表面を反転させた形状の金属板を作る。
まず、図５（ａ）に示すように、スタンパ原版５０に電気メッキを行うための前処理、すなわち導電層を形成する処理として、スパッタリングなどの方法により厚さ数十ｎｍ、例えば１８ｎｍ程度の金属薄膜６１を形成する。これにより、シリコンウエハ５１の表面に導電性が付与される。なお、金属薄膜６１の材質（導電層材料）としては、例えばＮｉ、Ｆｅ、Ｃｏおよびこれらの合金、ならびにＦｅＣｏ合金のいずれかを用いることができる。
【００７０】
導電層としての金属薄膜６１は、５〜６０ｎｍの膜厚で形成されるのがよい。また、スタンパ原版５０の凹凸形状における凹部のパターン線幅が１５０ｎｍ以下の場合には、金属薄膜６１の膜厚は、当該パターン線幅の５〜５０％の膜厚で形成されるのがよく、より望ましくは、５〜２５％の膜厚で形成されるのがよい。
金属薄膜６１の膜厚が薄すぎる場合、例えば５ｎｍ以下の場合や、凹部のパターン線幅の５％以下の場合には、金属薄膜６１内で安定した電流が流れるだけの導通路が確保できず、場合によっては、導通が十分でない位置から電気メッキ層６２が成長できなくなる。また、金属薄膜６１の膜厚を厚く形成する場合には、図６（ａ）に示すように、例えば第１グルーブ５５１の底部５５１ａ付近には、金属薄膜６１が十分に形成されず、２つの第１グルーブ５５１の間にあるランド５５５の頂部５５５ａおよび角部５５５ｂの部分に金属薄膜６１が厚く形成される傾向がある。このように、第１グルーブ５５１とランド５５５において金属薄膜６１の膜厚に大きな差ができると、金属薄膜６１中を流れる電流が安定せず、均一に電気メッキをすることができず、欠陥の発生や、電気メッキ層６２の成長不良の原因となる。そのため、図６（ｂ）に示すように、第１グルーブ５５１とランド５５５の両方でほぼ均一な膜厚で金属薄膜６１が形成されるのが好ましく、そのために上述のような膜厚の範囲とするのがよい。
【００７１】
また、導電層としての金属薄膜６１は、できるだけ欠陥が少なく、密度が高いのが望ましい。例えば、金属薄膜６１の体積抵抗率を１．２×１０−４Ω・ｃｍ以下とするのが望ましい。金属薄膜６１の体積抵抗率が１．２×１０−４Ω・ｃｍより大きい場合には、金属薄膜６１中の欠陥が多く、電流の流れが不安定になるため、電気メッキ層６２が成長できなかったり、形成された金属板６３に凹み状（スタンパとなる凹凸形状がある面から見て）の欠陥が形成されたりすることがある。Ｎｉを主成分として金属薄膜６１を形成する場合、金属薄膜６１の密度を７．７ｇ／ｃｍ３以上とするのがよい。Ｎｉを主成分とする金属薄膜６１の密度が７．７ｇ／ｃｍ３より小さい場合にも同様の不具合が生じるからである。
なお、金属薄膜６１の密度の測定方法は、Ｘ線反射率法により、体積抵抗率の測定方法は、四探針法によるものとする。参考値として、稠密なＮｉ金属は、密度が８．９１ｇ／ｃｍ３で、体積抵抗率が７．２×１０−６Ω・ｃｍである。
【００７２】
さらに、導電層としての金属薄膜６１は、不純物の割合が一定以下であるのが望ましい。Ｎｉを主成分として金属薄膜６１を形成する場合、金属薄膜６１中のＮｉの割合が９５ｗｔ％以上であり、かつ次のメッキ工程で用いるメッキ液中において陰イオンとなる物質が５ｗｔ％以下であるのがよい。メッキ液中で陰イオンとなる物質は、より望ましくは１％以下であるのがよく、さらに望ましくは０．１％以下であるのがよい。
これらの不純物の濃度が上記の範囲内であると好ましいことは、Ｎｉ以外の導電層材料を用いる場合も同様である。
【００７３】
メッキ液中で陰イオンとなる物質としては、Ｆ，Ｃｌ，Ｏなどがあり、これらの不純物が多い場合には、形成された金属板６３に凹み状（スタンパとなる凹凸形状がある面からみて）の欠陥が形成されることがある。
【００７４】
なお、以上の凹み状の欠陥は、スタンパ原版の第１グルーブ５５１などの凹凸形状に比較するとかなり大きな凹みである。この凹み状の欠陥が形成される原因は明らかではないが、メッキ工程におけるガスの発生が原因と推察される。発明者等の実験によれば、金属薄膜６１の密度が低い場合や、金属薄膜６１中のＦ，Ｃl，Ｏ等の含有率が高い場合に、凹み状の欠陥の数が多いことが確認されている。
【００７５】
（メッキ工程）
次に、金属薄膜６１が形成されたスタンパ原版５０を、例えば、スルファミン酸ニッケルを主成分とするメッキ液（温度５５℃）に入れ、図５（ｂ）に示すように、金属を２９５±５μｍ程度の厚さに電気メッキして電気メッキ層６２を形成する。この電気メッキ層６２の材質は、金属薄膜６１と同じものを用いることができる。
なお、電気メッキを行う際には、金属薄膜６１に電気を導通させるため、スタンパ原版５０の凹凸形状の周りを囲うような大きさの導通リングを金属薄膜６１に接触させる。このような導通リングを用いると、メッキ液中の電気力線は、導通リングの近くに集中し、導通リングの付近からニッケルの電気メッキ層６２が成長する。
【００７６】
（剥離工程）
次に、図５（ｃ）に示すように、金属薄膜６１と電気メッキ層６２とからなる金属板６３をスタンパ原版５０から剥離する。この剥離の際には、スタンパ原版５０を、メッキ工程で用いたメッキ液とほぼ同じ温度、例えばメッキ液の温度に対して±５℃以内の液体に漬け、メッキ液を洗い流しつつ、金属板６３とスタンパ原版５０の間に純温水を浸入させるとよい。このときの液体としては、純水（純温水）を用いることができる。
【００７７】
（打抜き工程）
上記のように剥離して作製した金属板６３の表面（凹凸形状が形成された面）には、保護膜を設けることが好ましい。このような保護膜の形成には、株式会社ヒロテック製シリテクトIIなどの保護剤を塗布して乾燥させ、図５（ｄ）に示すように、表面に保護膜６４を形成する。
【００７８】
保護膜６４を塗布した金属板６３を外径１３８ｍｍ、内径２２ｍｍのプレス機により打抜き、内外径を機械加工する。
【００７９】
そして、金属板６３の裏面を回転型の研磨装置により研磨して平滑化する。このときの表面粗さは、Ｒａが１．５μｍ以下、好ましくは０．１μｍ以下にするのがよい。
次に、図５（ｅ）に示すように、保護膜６４を剥離し、保護膜６４の残骸を酸素プラズマの照射によるアッシングなどで剥離することで、スタンパ６０が完成する。
なお、上記の方法において、打抜きとそれに引き続く内外径の機械加工の工程と裏面の平滑化工程の順序を逆に行うこともできる。
【００８０】
（検査工程）
スタンパ６０が完成後、表面に前記した光情報記録媒体１０のカバー層１６と同様のカバー層を貼り付け、表面を保護した後、電気的な信号検査装置によってスタンパ６０の溝品質を確認する。
電気的な信号検査装置は、従来公知のものを使用することができ、検査内容として、溝の反射率およびその変動、Ｐｕｓｈ−Ｐｕｌｌ信号（ウォブル形状）の確認や、シグナルディテクタによるアドレスエラー率の測定、ゴミ検査機による異物の検査などを行うとよい。
【００８１】
このようにして、スタンパ原版５０の表面の凹凸形状が転写されたスタンパ６０が形成される。
以上のようなスタンパ６０の製造方法によれば、導電層としての金属薄膜６１を適切な膜厚で形成するので、メッキ工程において金属薄膜６１内を安定して電流が流れ、良好な金属板６３を形成することができる。
【００８２】
また、金属薄膜６１中のＮｉ以外の不純物、特にメッキ工程で用いるメッキ液中において陰イオンとなる物質の割合を５％以下とすることで、金属薄膜６１中の電流の流れが安定し、凹み状の欠陥ができることなく良好な金属板６３を形成することができる。
さらに、体積抵抗率が１．２×１０−４Ω・ｃｍ以下で金属薄膜６１を形成することで、金属薄膜６１に流れる電流が安定し、凹み状の欠陥ができることがなく良好な金属板６３を形成することができる。また、金属薄膜６１をＮｉで形成する場合、金属薄膜６１の密度を７．７ｇ／ｃｍ３以上とすることでも、金属薄膜６１に流れる電流を安定させ、良好な金属板６３を形成することができる。
【００８３】
以上に本発明の実施形態について説明したが、本発明は、前記した実施形態に限定されず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変形して実施できることはいうまでもない。
例えば、前記実施形態においては、金属薄膜６１と、電気メッキ層６２とを同じ材質（ニッケル）で構成したが、電気メッキ層６２は、金属薄膜６１との接着性が良好であれば、金属薄膜６１の材質と異なる材質であっても構わない。
また、前記実施形態では、凹凸反転版として光情報記録媒体用スタンパを例示したが、磁気記録媒体にサーボ信号を磁気転写により記録するための磁気転写マスターや、金型に刻み込んだ微細な凹凸を材料に押し付けて形状を転写するためのナノインプリント用マスターにも、本発明の製造方法を好適に適用することができる。
【実施例】
【００８４】
［実施例１］
次に、本発明の効果を確認した実施例について説明する。
前記した実施形態と同様に、表面に微細な凹凸形状を有するＳｉ含有基板からなるスタンパ原版に、導電層を形成した。この導電層の材質は、Ｎｉとした。
またスタンパ原版上には、渦巻き状の微細な溝を形成し、溝の大きさは、幅が１１０ｎｍ、深さが４５ｎｍとした。
Ｎｉの導電層を形成する際には、スパッタリングを用いた。スパッタリングの条件は、以下の通りである。
Ａｒ圧力                  ０．２Ｐａ
スパッタリングパワー      ７００Ｗ
【００８５】
そして、形成する導電層の膜厚を、表１に示すように、３ｎｍから１００ｎｍまで７種類の膜厚に変化させて複数の試料を作成した。
導電層を形成した後、電気メッキにより電気メッキ層の形成を試みた。
電気メッキを行うメッキ液の組成は、スルファミン酸ニッケル６００ｇ／Ｌ、硼酸４０ｇ／Ｌ、界面活性剤としてラウリル硫酸Ｎａ０．１５ｇ／Ｌとし、電気メッキ中のメッキ液の温度は５５℃とした。
【００８６】
【表１】
2008176892.tif 000003
【００８７】
表１に示すスタンパ成形の可否は、×が、電気メッキ層が形成できなかったことを意味し、○が良好にスタンパが成形できたことを意味し、△が、良好なスタンパを得ることができるものの得率が○よりも低いことを意味する。
表１に示すように、導電層の膜厚が５ｎｍ〜６０ｎｍの範囲では、スタンパの成形ができたが、導電層の膜厚が３ｎｍおよび１００ｎｍでは、スタンパの成形ができないことが確認された。
また、本実施例では、スタンパ上の溝の幅が１１０ｎｍであるので、６０ｎｍが溝幅の約５０％に相当し、５ｎｍが約５％に相当する。したがって、導電層の膜厚が溝幅の約５〜５０％の範囲でスタンパの成形が可能であることが確認された。
【００８８】
［実施例２］
実施例１と同様にして、Ｎｉの導電層をスタンパ原版上に形成し、表２に示すように、形成されるＮｉの導電層の密度を５種類に変化させて複数の試料を作成した。
このときのＮｉの導電層の膜厚は１８ｎｍとした。
導電層の密度を変化させるには、スパッタリングをする際のＡｒ圧力と、スパッタリングパワーを変化させた。スパッタリングパワーが低いほど導電層の密度が低くなり、スパッタリングパワーが高いほど導電層の密度が高くなるので、スパッタリングパワー１００〜１５００Ｗの間で適宜変化させることで、導電層の密度を調整した。また、Ａｒ圧力を高くすることで、導電層の密度が低くなるので、Ａｒ圧力も調整した。
導電層を形成した後、電気メッキにより電気メッキ層の形成を試みた。
なお、電気メッキ液の組成は、実施例１と同様である。
【００８９】
【表２】
2008176892.tif 000004
【００９０】
表２に示すように、導電層の密度が６．０ｇ／ｃｍ３の場合には、電気メッキ層が形成できず、スタンパを成形できなかったが、導電層の密度が７．７ｇ／ｃｍ３以上の場合には、スタンパを成形でき、８．０ｇ／ｃｍ３以上で良好にスタンパを成形できることが確認された。
【００９１】
［実施例３］
実施例１と同様にして、Ｎｉの導電層をスタンパ原版上に形成し、表３に示すように、形成されるＮｉの体積抵抗率を５種類に変化させて複数の試料を作成した。
このときのＮｉの導電層の膜厚は１８ｎｍとした。
体積抵抗率は、密度と相関があるので、実施例２と同様にスパッタリングパワーおよびＡｒ圧力を調整することで、体積抵抗率を調整した。
導電層を形成した後、電気メッキにより電気メッキ層の形成を試みた。
なお、電気メッキ液の組成は、実施例１と同様である。
【００９２】
【表３】
2008176892.tif 000005
【００９３】
表３に示すように、導電層の体積抵抗率が３．６×１０−４Ω・ｃｍの場合には、電気メッキ層が形成できず、スタンパを成形できなかったが、導電層の体積抵抗率が１．２×１０−４Ω・ｃｍ以下の場合には、スタンパを成形でき、７．０×１０−５Ω・ｃｍ以下で良好にスタンパを成形できることが確認された。
【図面の簡単な説明】
【００９４】
【図１】光情報記録媒体を製造するためのスタンパ原版の平面図である。
【図２】溝深さを説明する図である。
【図３】本発明の製造方法により製造されるスタンパ原版またはスタンパが利用される光情報記録媒体の層構成を示す断面図である。
【図４】スタンパ原版の製造工程を示す図である。
【図５】スタンパの製造工程を示す図である。
【図６】導電層の膜厚による違いを説明するスタンパ原版の断面図であり、（ａ）は、導電層が厚い場合、（ｂ）は、導電層が適正な場合を示す。
【符号の説明】
【００９５】
１０    光情報記録媒体
５０    スタンパ原版
５１    シリコンウエハ
５２    レジスト層
５４    開口部
６０    スタンパ
６１    金属薄膜
６２    電気メッキ層
６３    金属板
６４    保護膜
５３１  第１露光線
５３２  第２露光線
５４１  第１開口部
５４２  第２開口部
５５１  第１グルーブ
５５２  第２グルーブ
【図１】
2008176892.tif 000006
【図２】
2008176892.tif 000007
【図３】
2008176892.tif 000008
【図４】
2008176892.tif 000009
【図５】
2008176892.tif 000010
【図６】
2008176892.tif 000011