(57)【要約】【課題】ライト磁極を形成する際のイオンミリングにおいて、ライト磁極の磁極端部のなまりを小さく抑えることができるとともに、ライト磁極のライトコア幅のばらつきおよび不均一を抑えることのできる薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。【解決手段】下部磁極層１０、下部磁極層１０上のギャップ層１５、および、ギャップ層１５上の上部磁極層１９を、順次積層する積層工程と、下部磁極層１０、ギャップ層１５、および上部磁極層１９が順次積層された積層膜上からイオンビームを照射して、積層膜を細幅にトリミングすることで、下部磁極層１０、ギャップ層１５、および上部磁極層１９をライト磁極１００に形成するイオンミリング工程とを有し、前記イオンミリング工程は、第一の発散角をもつイオンビームでトリミングを行った後、第一の発散角とは異なる第二の発散角をもつイオンビームでトリミングを行う。【選択図】図６
2008176824.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下部磁極層、該下部磁極層上のギャップ層、および、該ギャップ層上の上部磁極層を、順次積層する積層工程と、
前記下部磁極層、前記ギャップ層、および前記上部磁極層が順次積層された積層膜上からイオンビームを照射して、該積層膜を細幅にトリミングすることで、下部磁極層、ギャップ層、および上部磁極層をライト磁極に形成するイオンミリング工程とを有する薄膜磁気ヘッドの製造方法において、
前記イオンミリング工程は、第一の発散角をもつイオンビームでトリミングを行った後、該第一の発散角とは異なる第二の発散角をもつイオンビームでトリミングを行うことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２】
前記第一の発散角は１０°未満であり、前記第二の発散角は１０°以上であることを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項３】
前記第一の発散角は１０°以上であり、前記第二の発散角は１０°未満であることを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項４】
前記イオンミリング工程で、前記第一の発散角をもつイオンビームでのトリミングと、前記第二の発散角をもつイオンビームでのトリミングとの処理時間の割合は、１：９〜９：１であることを特徴とする請求項１〜３のうちのいずれか一項記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項５】
前記積層工程は、前記ギャップ層の形成後、該ギャップ層の表面上に、前記上部磁極層を、前記ライト磁極よりも幅広に形成し、
前記イオンミリング工程は、前記イオンビームにより、前記上部磁極層を前記ライト磁極の幅にまでトリミングするとともに、該上部磁極層から露出した前記ギャップ層と下部磁極層の少なくとも表層側とをトリミングすることで、ライト磁極を形成することを特徴とする請求項１〜４のうちのいずれか一項記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項６】
前記積層工程で、前記ギャップ層上に導電層を形成し、該導電層を電解めっきのシード層とした電解めっきにより、前記上部磁極層を形成することを特徴とする請求項１〜５のうちのいずれか一項記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、下部磁極層、ギャップ層、および上部磁極層が順次積層された積層膜上からイオンビームを照射して、積層膜を細幅にトリミングすることで、下部磁極層、ギャップ層、および上部磁極層をライト磁極に形成するイオンミリング工程を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１に、従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法が開示されている。その従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法において製造される薄膜磁気ヘッドを、図４および図５の説明図に示す。なお、図４および図５において、手前側に示された断面が、薄膜磁気ヘッドの完成時に浮上面となる。
【０００３】
従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法において、まず、図４に示したように、例えばアルチック（Ａｌ２Ｏ３・ＴｉＣ）より成る基板１上に、例えばアルミナより成る絶縁層２を形成する。次に、絶縁層２上に、例えばパーマロイ（Ｎｉ８０Ｆｅ２０）より成る再生ヘッド用の下部シールド層３を形成する。
【０００４】
次に、下部シールド層３上に、例えばアルミナより成るシールドギャップ膜５を形成する。続いて、シールドギャップ膜５上に、再生ヘッド部の要部であるＭＲ素子を構成するためのＭＲ膜６を所望の形状となるように形成する。次に、ＭＲ膜６の両側に、このＭＲ膜６と電気的に接続する引き出し電極層としてのリード層（図示せず）を形成する。さらに、このリード層、シールドギャップ膜５およびＭＲ膜６上に、例えばアルミナより成るシールドギャップ膜７を形成して、ＭＲ膜６をシールドギャップ膜５，７内に埋設する。
【０００５】
次に、シールドギャップ膜７上に、上部シールド層８を形成する。上部シールド層８の形成材料は、下部シールド層３と同様である。続いて、上部シールド層８上に、例えばアルミナよりなる絶縁膜９を形成する。
【０００６】
次に、絶縁膜９上に、高飽和磁束密度を有する磁性材料、例えばパーマロイ（より具体的には、Ｎｉ４５Ｆｅ５５またはＮｉ８０Ｆｅ２０等）よりなる下部磁性層１０ａを約０．８〜１．５ミクロンの厚みで形成する。
【０００７】
続いて、下部磁性層１０ａ上に、高飽和磁束密度を有する磁性材料、例えば窒化鉄よりなる下部磁性層１０ｂを形成する。下部磁性層１０ｂを形成する際には、その厚みが、後工程において形成される薄膜コイル１２の厚みよりも厚くなるようにする。なお、下部磁性層１０ｂの形成材料としては、窒化鉄の他、例えば、窒化鉄と同様に高飽和磁束密度を有するコバルト鉄合金（ＦｅＣｏ）、ジルコニウムコバルト鉄酸化物合金（ＦｅＣｏＺｒＯ）またはジルコニウム鉄窒化物合金（ＦｅＺｒＮ）などのアモルファス合金なども用いられる。
下部磁性層１０ａと下部磁性層１０ｂとにより、下部磁極層１０が構成される。
【０００８】
次に、下部磁性層１０ｂの、薄膜コイル１２の形成箇所を、イオンミリング等のエッチングにより除去する。これは、下部磁性層１０ｂ上に、薄膜コイル１２の形成箇所のみが露出するマスクを形成した上で、エッチングを行うことにより実現することができる。
続いて、下部磁性層１０ａおよび下部磁性層１０ｂの露出箇所に、例えばアルミナよりなる絶縁膜１１を形成する。
【０００９】
次に、絶縁膜１１上に、例えば電解めっき法により、例えば銅（Ｃｕ）よりなる誘導型の記録ヘッド用の薄膜コイル１２を形成する。
さらに、例えばアルミナよりなる絶縁層１４により、薄膜コイル１２を埋設する。
【００１０】
次に、下部磁性層１０ａおよび下部磁性層１０ｂから成る下部磁極層１０上に、例えばスパッタリングにより、非磁性材料、例えばアルミナよりなるギャップ層１５を約０．１〜０．１５μｍの厚みで平坦に形成する。なお、ギャップ層１５の形成材料としては、上記したアルミナの他、アルミナと同様の非磁性金属材料、例えばニッケル銅合金（ＮｉＣｕ）、酸化シリコン、ルテニウムなども用いられる。
【００１１】
続いて、ギャップ層１５上の、ライト磁極の磁極端の形成箇所とその周辺部にわたって、例えばスパッタリングにより基礎磁性層１８を約０．３〜１．０μｍの厚みで形成する。基礎磁性層１８の形成材料としては、例えば、後工程において形成される上部磁性層１９を構成する磁性材料（例えば鉄ニッケルコバルト合金）の飽和磁束密度よりも大きい飽和磁束密度を有するもの（例えば窒化鉄）が用いられる。
また、ギャップ層１５上の、基礎磁性層１８の周りには、絶縁膜パターン１７を形成する。
【００１２】
次に、基礎磁性層１８上および絶縁膜パターン１７上に、フレームめっき法（電解めっき）により、高飽和磁束密度を有する磁性材料、例えば鉄ニッケルコバルト合金（ＣｏＮｉＦｅ；Ｃｏ：４５重量％，Ｎｉ：３０重量％，Ｆｅ：２５重量％）よりなる上部磁性層１９を約１．５μ〜２．０μｍの厚みで選択的に形成する。
上部磁性層１９を形成する際には、その磁極先端部１９ａを浮上面側から奥方に延びる一定幅（約０．１〜０．２μｍ）に形成し、そのさらに奥側には、奥方に向かって幅が徐々に拡幅するヨーク部１９ｄを形成する。これは、例えば、基礎磁性層１８上および絶縁膜パターン１７上に上部磁性層１９の形状に露出部が形成されたレジスト膜を形成した状態で電解めっきを行う、フォトリソグラフィ法で実現できる。
【００１３】
続いて、上部磁性層１９をマスクとして、イオンミリングにより、基礎磁性層１８およびその周辺領域を選択的にエッチングする。このエッチング処理により、図５に示したように、基礎磁性層１８、ギャップ層１５、および下部磁極層１０の表層側が、ほぼ上部磁性層１９の形状にならってトリミングされ、ライト磁極（磁極部分）１００に形成される。
【００１４】
さらに、表層に露出した全体を覆うように、例えばアルミナなどの絶縁材料よりなるオーバーコート層（図示せず）を形成する。
最後に、機械加工や研磨工程により記録ヘッドおよび再生ヘッドの浮上面を形成して、薄膜磁気ヘッドが完成する。
【００１５】
ところで、上記従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法において、上部磁性層１９をマスクとして、イオンミリングにより、ギャップ層１５、および下部磁極層１０を、ほぼ上部磁性層１９の形状にならうようトリミングしてライト磁極１００を形成する際、上部磁性層１９も同時にトリミングされてより細幅になる。言い換えれば、上部磁性層１９は、予め、前記イオンミリングによるトリミング後のライト磁極１００の幅（すなわち薄膜磁気ヘッドの製品におけるライト磁極１００の幅）よりも幅広に形成しておき、このトリミングにより製品時の幅に形成される。
【００１６】
図６，図７は、そのトリミングを行う前後の、下部磁極層１０、ギャップ層１５、および上部磁極層（上部磁性層１９および基礎磁性層１８）の形状を示す説明図である。図６は、ライト磁極１００を浮上面側から見た断面図であり、図７は、ライト磁極１００を積層方向上方から見た図である。図６，図７中、トリミング前の形状は実線で、トリミング後の形状は破線で、それぞれ示されている。
なお、図４、図５（特許文献１）における上部磁性層１９は、等幅の磁極先端部１９ａと、奥方に向かって幅が徐々に拡幅するヨーク部１９ｄとの間に、段差状の中間部１９ｂおよび後端部１９ｃが形成されているが、図７で示す形態においては、磁極先端部１９ａとヨーク部１９ｄとが連続するよう形成されている（上部磁極の形状としては図７に示した形状の方が一般的である）。
【００１７】
【特許文献１】特開２００２−１２３９０５号公報（段落００４１−００７３、第１２図、第１３図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１８】
さて、ライト磁極１００を形成する際のこのイオンミリングにおいて、発散角１５°程度以上のイオンビームでイオンミリングを行うと、図７（ライト磁極１００を積層方向上方から見た図）に示すように、ライト磁極１００の磁極先端部１９ａとヨーク部１９ｄとの境界の近傍１９ｅ（破線）が丸くなまって形成されるとともに、上部磁極層の磁極先端部１９ａ（破線）が先端側（浮上面側）に向かって徐々に細くなるようなまって形成される。
【００１９】
ここで、特にライト磁極１００の磁極先端部１９ａが図７のライト磁極のように先細りとなった形状では、浮上面形成時に磁極先端部１９ａを切断した際に、その切断位置（例えば図７中の位置ａや位置ｂ）によって、磁極先端部１９ａのライトコア幅Ｗａ，Ｗｂがばらつきやすい。その結果、ライト特性が、不安定となったり、製品ごとのばらつきが大きくなったりするという課題がある。
【００２０】
そこで、このイオンミリングにおけるイオンビームの発散角を、例えば３°程度に、より小さくすると、磁極先端部のなまりが小さくなり、磁極先端部が、ヨーク部との境界から浮上面側に向かって、ほぼ等幅に形成される。
【００２１】
しかしながら、本願発明者は、イオンビームの発散角を小さくして形成したライト磁極においては、図８（ライト磁極１００を浮上面側から見た断面図）に示すように、上部磁性層１９および下部磁極１０の表面に凹凸が形成され、ライト磁極１００のライトコア幅のばらつきが大きくなり、それに伴ってライト特性のばらつきが大きくなるとの課題を見出した。また、特にイオンミリングされた下部磁極１０の底面付近において結晶の粒塊が残って下部磁極１０の幅１０ｄが太くなり、ライト磁極１００のライトコア幅が均一にならないという課題もある。
【００２２】
本発明は上記課題を解決すべくなされ、その目的とするところは、ライト磁極を形成する際のイオンミリングにおいて、ライト磁極の磁極先端部のなまりを小さく抑えることができるとともに、ライト磁極のライトコア幅のばらつきおよび不均一を抑えることのできる薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２３】
本願発明者は、前記イオンビームの発散角を小さく設定した場合には、ライト磁極の形状がなまりにくくなるが、同時に、めっきやスパッタリングで形成された下部磁極層および上部磁極層の結晶粒界の形状（結晶の粒塊の形状）までも再現されて、その結晶粒界の形状が上記凹凸の形状となっていることを突き止めた。
そこで、本願発明者は、その結晶粒界の形状による凹凸はなまらせて磁極の表面を滑らかに形成することができるとともに、磁極先端部はなまらせることなくシャープに形成する方法について鋭意研究を行った結果、本願発明を完成させた。
【００２４】
本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法は、上記課題を解決するため、以下の構成を備える。
すなわち、下部磁極層、該下部磁極層上のギャップ層、および、該ギャップ層上の上部磁極層を、順次積層する積層工程と、前記下部磁極層、前記ギャップ層、および前記上部磁極層が順次積層された積層膜上からイオンビームを照射して、該積層膜を細幅にトリミングすることで、下部磁極層、ギャップ層、および上部磁極層をライト磁極に形成するイオンミリング工程とを有する薄膜磁気ヘッドの製造方法において、前記イオンミリング工程は、第一の発散角をもつイオンビームでトリミングを行った後、該第一の発散角とは異なる第二の発散角をもつイオンビームでトリミングを行うことを特徴とする。
さらに、前記第一の発散角は１０°未満であり、前記第二の発散角は１０°以上であることを特徴とする。
また、前記第一の発散角は１０°以上であり、前記第二の発散角は１０°未満であることを特徴とする。
また、前記イオンミリング工程で、前記第一の発散角をもつイオンビームでのトリミングと、前記第二の発散角をもつイオンビームでのトリミングとの処理時間の割合は、１：９〜９：１であることを特徴とする。
これによれば、その結晶粒界の形状による凹凸は、より広い発散角のイオンビームでなまらせて滑らかに形成できるとともに、より狭い発散角のイオンビームにより、磁極先端部はなまらせることなくシャープに形成することができる。
【００２５】
また、前記積層工程は、前記ギャップ層の形成後、該ギャップ層の表面上に、前記上部磁極層を、前記ライト磁極よりも幅広に形成し、前記イオンミリング工程は、前記イオンビームにより、前記上部磁極層を前記ライト磁極の幅にまでトリミングするとともに、該上部磁極層から露出した前記ギャップ層と下部磁極層の少なくとも表層側とをトリミングすることで、ライト磁極を形成することを特徴とする。
【００２６】
また、前記積層工程で、前記ギャップ層上に導電層を形成し、該導電層を電解めっきのシード層とした電解めっきにより、前記上部磁極層を形成することを特徴とする。
【発明の効果】
【００２７】
本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、ライト磁極を形成する際のイオンミリングにおいて、ライト磁極の磁極先端部のなまりを小さく抑えることができるとともに、ライト磁極のライトコア幅のばらつきおよび不均一を抑えることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法を実施するための最良の形態を説明する。
本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法において製造される薄膜磁気ヘッドを、図１および図２の説明図に示す。なお、図１および図２において、手前側に示された断面が、薄膜磁気ヘッドの完成時に浮上面となる。
【００２９】
本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法において、再生ヘッドの形成工程は、上記「背景技術」で示したものと同様であるため、詳細な説明は省略する。以下、図１、図２において、記録ヘッドとなる、下部磁極１０より上層の形成方法から説明する。
なお、図１、図２において、図４、図５に示した薄膜磁気ヘッドと同一の部材については、同一の符号を付して説明を省略する。
【００３０】
図１に示す絶縁膜９上に、高飽和磁束密度を有する磁性材料、例えばパーマロイよりなる下部磁性層１０ａを形成する。
続いて、下部磁性層１０ａ上に、同じくパーマロイからなる下部磁性層１０ｂを形成する。下部磁性層１０ｂを形成する際には、その厚みが、後工程において形成される薄膜コイル１２の厚みよりも厚くなるようにする。
さらに、下部磁性層１０ｂ上に、コバルト鉄合金（ＦｅＣｏ）からなる下部磁性層１０ｃを形成する。
下部磁性層１０ａと下部磁性層１０ｂと下部磁性層１０ｃとにより、下部磁極層１０が構成される。
【００３１】
次に、下部磁性層１０ｂおよび下部磁性層１０ｃの、薄膜コイル１２の形成箇所を、イオンミリング等のエッチングにより除去する。これは、下部磁性層１０ｃ上に、薄膜コイル１２の形成箇所のみが露出するマスクを形成した上で、エッチングを行うことにより実現することができる。
続いて、下部磁性層１０ａ、下部磁性層１０ｂ、および下部磁性層１０ｃの露出箇所に、例えばアルミナよりなる絶縁膜１１を形成する。
【００３２】
次に、絶縁膜１１上に、例えば電解めっき法により、例えば銅（Ｃｕ）よりなる誘導型の記録ヘッド用の薄膜コイル１２を形成する。
さらに、例えばアルミナよりなる絶縁層１４により、薄膜コイル１２を埋設する。
【００３３】
次に、下部磁性層１０ａおよび下部磁性層１０ｂから成る下部磁極層１０上に、例えばスパッタリングにより、非磁性材料、例えば酸化シリコンよりなるギャップ層１５を平坦に形成する。なお、ギャップ層１５の形成材料としては、上記した酸化シリコンの他、アルミナと同様の非磁性金属材料、例えばアルミナ、ニッケル銅合金（ＮｉＣｕ）、ルテニウムなども用いられる。
また、薄膜コイル１２を埋設する絶縁層１４上には、ゼロスロートを形成するための絶縁層（図示は省略）を形成する。
【００３４】
ギャップ層１５の形成後、ギャップ層１５および前記ゼロスロートを形成する絶縁層上に、上部磁性層１９を形成するための電解めっきのシード層２０としての導電層を形成する。上部磁性層１９は、シード層２０を給電層とした電解めっきにより形成される（なお、図２においては、シード層２０は、上部磁性層１９と一体化したものとして図示を省略している）。シード層２０は、例えばコバルト鉄合金（ＦｅＣｏ）で構成できる。
【００３５】
次に、シード層２０上に、フレームめっき法（電解めっき）により、高飽和磁束密度を有する磁性材料、例えばニッケル鉄コバルト合金（ＮｉＦｅＣｏ）から成る第一磁性層２１ａを選択的に形成する。さらにその上層に、パーマロイから成る第二磁性層２１ｂを形成する。
第一および第二磁性層２１ａ，２１ｂにより、上部磁性層１９が構成される。
【００３６】
なお、図４、図５（特許文献１）における上部磁性層１９は、等幅の磁極先端部１９ａと、奥方に向かって幅が徐々に拡幅するヨーク部１９ｄとの間に、段差状の中間部１９ｂおよび後端部１９ｃが形成されているが、図１，図２に示す本実施の形態においては、磁極先端部１９ａとヨーク部１９ｄとが連続するよう形成されている。
ただし、本願発明は、本実施の形態の構成に限定されるものではなく、図４および図５に示したような、上部磁性層に中間部および後端部が形成された薄膜磁気ヘッドの製造方法も含む。
【００３７】
続いて、上部磁性層１９をマスクとして、イオンミリングにより、基礎磁性層１８およびその周辺領域を選択的にエッチングする。このエッチング処理により、図２に示したように、シード層２０、ギャップ層１５、および下部磁極層１０の表層側（下部磁性層１０ｃ）が、ほぼ上部磁性層１９の形状にならってトリミングされ、ライト磁極（磁極部分）１００に形成される。
【００３８】
さらに、表層に露出した全体を覆うように、例えばアルミナなどの絶縁材料よりなるオーバーコート層（図示せず）を形成する。
最後に、機械加工や研磨工程により記録ヘッドおよび再生ヘッドの浮上面を形成して、薄膜磁気ヘッドが完成する。
【００３９】
さて、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法は、上部磁性層１９（上部磁極層）の形成後の、ライト磁極を形成する際のイオンミリングの工程に特徴がある。
本イオンミリング工程においては、まず１０°未満、好適には約３°の発散角（第一の発散角）をもつイオンビームでイオンミリングを行い、続いて、１０°以上、好適には約１５°の発散角（第二の発散角）をもつイオンビームでイオンミリングを行う。
【００４０】
なお、このイオンミリング工程は、発散角が異なるよう設定された複数のイオンミル設備を用いて、各設備で順にイオンミリングを行ってもよいし、一つの設備内の複数の処理室毎に、イオンビームの発散角が異なるよう設定しておき、各処理室で順にイオンミリングを行ってもよい。
【００４１】
前記イオンミル施設毎、または前記処理室毎のイオンビームの発散角は、ビーム条件（ビームの照射パワー）によって設定することができる。
【００４２】
また、各発散角ごとのイオンミリング処理時間は、３°の発散角のイオンビームで５分間行った後、１５°の発散角のイオンビームでも５分間行う。なお、処理時間はこれに限定されるものではなく、イオンビームの強度等に応じて適宜調節してよい。
なお、本願発明者は、３°の発散角をもつイオンビームでのトリミングと、１５°の発散角をもつイオンビームでのトリミングとの処理時間の割合は、１：９〜９：１の範囲のとき、形成されるライト磁極の磁極先端部のなまりを小さく抑えると同時に、ライト磁極のライトコア幅のばらつきおよび不均一を抑える効果が好適に表れることを確認した。
【００４３】
また、本願発明者は、３°の発散角のイオンビームによるイオンミリングと、１５°の発散角によるものとは、順番を入れ替えても、ほぼ同等の効果が得られることを確認した。
【００４４】
イオンミリング工程においては、イオンビームを、基板１の板面に対してほぼ水平な方向から照射するとともに、基板１を、その板面に平行な面内で自転させる。
【００４５】
図３は、本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法において前記トリミングを行う前後の、下部磁極層１０、ギャップ層１５、および上部磁極層（上部磁性層１９）の形状を、積層方向上方から見た説明図である。図３中、トリミング前の形状は実線で、トリミング後の形状は破線で、それぞれ示されている。
約１５°の発散角のイオンビームのみを用いて形成したライト磁極の磁極先端部１９ａは、図７に示したように、磁極の先端側（浮上面側）に向かって次第に細くなるよう形成された。
他方、本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法で形成したライト磁極の磁極先端部１９ａは、図３に示すように、ほぼ均一な幅に形成される。
このように、本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法によれば、形成されるライト磁極の磁極先端部１９ａのなまり（先細り）を小さく抑えることができる。
また、本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法によれば、ライト磁極１００の磁極先端部１９ａとヨーク部１９ｄとの境界の近傍１９ｅもシャープに形成される。
【００４６】
本願発明者は、本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法で形成したライト磁極と、３°の発散角のイオンビームのみを用いて形成したライト磁極との、形状のばらつきを計測した。その方法は、両製造方法で製造した、それぞれ複数の磁気ヘッドについて、図６に示すように、ギャップ層１５を挟んで上部の上部磁極の幅Ｗｃと、ギャップ層１５を挟んで下部の上部磁極の幅Ｗｄとの差（Ｗｄ−Ｗｃ）、すなわち、上部磁極の、ギャップ層１５を挟んで上部と下部との間のコア幅のばらつきを計測した。
その結果、３°の発散角のイオンビームのみを用いて形成したライト磁極では、ライト磁極のライトコア幅の上下のばらつき（Ｗｄ−Ｗｃ）が約１０ｎｍ〜５０ｎｍと大きかった。またその値も平均値が約３０ｎｍと大きく、ライトコア幅がギャップ層を挟んで不均一であることが分かった。
対して、本実施の形態に係るに係る磁気ヘッドの製造方法で形成したライト磁極は、ライトコア幅の上下のばらつき（Ｗｄ−Ｗｃ）が約−５ｎｍ〜２０ｎｍと小さかった。また、その値の平均も約１０ｎｍと小さく、ライトコア幅がギャップ層を挟んでほぼ均一であることが分かった。
【００４７】
このように、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、従来の約１５°程度のイオンビームのみを用いる場合と比較して、大きい（１０°以上の）発散角のイオンビームの照射時間はおよそ半分に抑えることができるから、ライト磁極の磁極先端部のなまりを小さく抑えることができる。
さらに、約３°程度のイオンビームのみを用いる場合と比較して、約１５°（１０°以上）の発散角のイオンビームを照射することによって、結晶の粒塊を滑らかにならすことができるから、ライト磁極のライトコア幅のばらつきおよび不均一を抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法において製造される薄膜磁気ヘッドの説明図である。
【図２】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法において製造される薄膜磁気ヘッドの説明図である。
【図３】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法のイオンミリング工程におけるトリミングを行う前後の、積層方向上方から見たライト磁極（上部磁極）の形状を示す説明図である（トリミング前の形状は実線で、トリミング後の形状は破線で、それぞれ示されている）。
【図４】特許文献１に記載された薄膜磁気ヘッドの製造方法において製造される薄膜磁気ヘッドの説明図である。
【図５】特許文献１に記載された薄膜磁気ヘッドの製造方法において製造される薄膜磁気ヘッドの説明図である。
【図６】イオンミリング工程におけるトリミングを行う前後の、浮上面側から見たライト磁極の形状を示す説明図である（トリミング前の形状は実線で、トリミング後の形状は破線で、それぞれ示されている）。
【図７】従来のイオンミリング工程（約１５°程度の発散角のイオンビームのみ）におけるトリミングを行う前後の、積層方向上方から見たライト磁極（上部磁極）の形状を示す説明図である（トリミング前の形状は実線で、トリミング後の形状は破線で、それぞれ示されている）。
【図８】３°程度の発散角のイオンビームのみを用いてイオンミリング工程を行った場合の、浮上面側から見たライト磁極の形状を示す説明図である。
【符号の説明】
【００４９】
１  基板
２  絶縁層
３  下部シールド層
５，７  シールドギャップ膜
６  ＭＲ膜
８  上部シールド層
９  絶縁膜
１０  下部磁極層（下部磁極）
１０ａ，１０ｂ，１０ｃ  下部磁性層（下部磁極層）
１１  絶縁膜
１２  薄膜コイル
１４  絶縁層
１５  ギャップ層
１９  上部磁性層（上部磁極層）
１９ａ  磁極先端部
１９ｄ  ヨーク部
２０  シード層（導電層）
２１ａ  第一磁性層
２１ｂ  第二磁性層
１００  ライト磁極
【図１】
2008176824.tif 000003
【図２】
2008176824.tif 000004
【図３】
2008176824.tif 000005
【図４】
2008176824.tif 000006
【図５】
2008176824.tif 000007
【図６】
2008176824.tif 000008
【図７】
2008176824.tif 000009
【図８】
2008176824.tif 000010