(57)【要約】【課題】発光素子の駆動温度特性を考慮した輝度制御が行われていない。【解決手段】ＥＬ（Electro Luminescence）素子を発光素子とする画素回路がマトリクス状に配置されたＥＬパネルの輝度特性を補正する輝度特性補正装置に、以下に示す処理機能部を搭載する。すなわち、（ａ）画素データが同じであれば、電流出力端子に出現する点灯期間中の電位変化がＥＬ素子の駆動温度の変化によらず一定になるように、駆動温度の現在値に応じてＥＬ素子の陰極端子に印加する陰極電位値を決定する陰極電位決定部と、（ｂ）陰極電位値に対応する陰極電位をＥＬ端子の陰極端子に印加する陰極電位可変部を搭載する。【選択図】図９
2008181005.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＥＬ（Electro Luminescence）素子と、前記ＥＬ素子を電流駆動する電流駆動素子と、前記電流駆動素子の制御端子と電流出力端子との間に画素データに対応する電荷を保存する記憶回路とを有する画素回路がマトリクス状に配置されたＥＬパネルの輝度特性を補正する輝度特性補正装置であって、
画素データが同じであれば、前記電流出力端子に出現する点灯期間中の電位変化が前記ＥＬ素子の駆動温度の変化によらず一定になるように、駆動温度の現在値に応じて前記ＥＬ素子の陰極端子に印加する陰極電位値を決定する陰極電位決定部と、
前記陰極電位値に対応する陰極電位を前記ＥＬ素子の陰極端子に印加する陰極電位可変部と
を有することを特徴とする輝度特性補正装置。
【請求項２】
請求項１に記載の輝度特性補正装置において、
前記ＥＬ素子の発光層は有機化合物で構成される
ことを特徴とする輝度特性補正装置。
【請求項３】
請求項１に記載の輝度特性補正装置において、
前記駆動温度は、ＥＬパネル周辺の環境温度である
ことを特徴とする輝度特性補正装置。
【請求項４】
請求項１に記載の輝度特性補正装置において、
前記駆動温度は、ＥＬパネル表面又は近辺に配置された温度検出器で検出された温度である
ことを特徴とする輝度特性補正装置。
【請求項５】
請求項１に記載の輝度特性補正装置において、
前記駆動温度は、前記電流出力端子に出現する電位を通じて検出された温度である
ことを特徴とする輝度特性補正装置。
【請求項６】
請求項１に記載の輝度特性補正装置において、
前記パネル温度は、有効表示領域の外側に配置された画素回路の前記電流出力端子に出現する電位を通じて検出された温度である
ことを特徴とする輝度特性補正装置。
【請求項７】
ＥＬ（Electro Luminescence）素子と、前記ＥＬ素子を電流駆動する電流駆動素子と、前記電流駆動素子の制御端子と電流出力端子との間に画素データに対応する電荷を保存する記憶回路とを有する画素回路がマトリクス状に配置されたＥＬパネルと、
各画素回路に対する画素データの書き込み及び発光動作を制御するパネル駆動部と、
画素データが同じであれば、前記電流出力端子に出現する点灯期間中の電位変化が前記ＥＬ素子の駆動温度の変化によらず一定になるように、駆動温度の現在値に応じて前記ＥＬ素子の陰極端子に印加する陰極電位値を決定する陰極電位決定部と、
前記陰極電位値に対応する陰極電位を前記ＥＬ素子の陰極端子に印加する陰極電位可変部と
を有することを特徴とするＥＬ表示装置。
【請求項８】
ＥＬ（Electro Luminescence）素子と、前記ＥＬ素子を電流駆動する電流駆動素子と、前記電流駆動素子の制御端子と電流出力端子との間に画素データに対応する電荷を保存する記憶回路とを有する画素回路がマトリクス状に配置されたＥＬパネルと、
各画素回路に対する画素データの書き込み及び発光動作を制御するパネル駆動部と、
画素データが同じであれば、前記電流出力端子に出現する点灯期間中の電位変化が前記ＥＬ素子の駆動温度の変化によらず一定になるように、駆動温度の現在値に応じて前記ＥＬ素子の陰極端子に印加する陰極電位値を決定する陰極電位決定部と、
前記陰極電位値に対応する陰極電位を前記ＥＬ素子の陰極端子に印加する陰極電位可変部と
システム制御部と
を有することを特徴とする電子機器。
【請求項９】
ＥＬ（Electro Luminescence）素子と、前記ＥＬ素子を電流駆動する電流駆動素子と、前記電流駆動素子の制御端子と電流出力端子との間に画素データに対応する電荷を保存する記憶回路とを有する画素回路がマトリクス状に配置されたＥＬパネルの輝度特性を補正する輝度特性補正方法であって、
前記ＥＬ素子の駆動温度の現在値を取得する処理と、
画素データが同じであれば、前記電流出力端子に出現する点灯期間中の電位変化が前記ＥＬ素子の駆動温度の変化によらず一定になるように、駆動温度の現在値に応じて前記ＥＬ素子の陰極端子に印加する陰極電位値を決定する処理と
を有することを特徴とする輝度特性補正方法。
【請求項１０】
ＥＬ（Electro Luminescence）素子と、前記ＥＬ素子を電流駆動する電流駆動素子と、前記電流駆動素子の制御端子と電流出力端子との間に画素データに対応する電荷を保存する記憶回路とを有する画素回路がマトリクス状に配置されたＥＬパネルの輝度特性を補正するコンピュータに、
前記ＥＬ素子の駆動温度の現在値を取得する処理と、
画素データが同じであれば、前記電流出力端子に出現する点灯期間中の電位変化が前記ＥＬ素子の駆動温度の変化によらず一定になるように、駆動温度の現在値に応じて前記ＥＬ素子の陰極端子に印加する陰極電位値を決定する処理と
を実行させることを特徴とするコンピュータプログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この明細書で説明する発明は、ＥＬ（Electro Luminescence）素子の温度特性に起因したＥＬパネルの輝度特性を補正する技術に関する。
なお、発明は、輝度特性補正装置、ＥＬ表示装置、電子機器、輝度特性補正方法及びコンピュータプログラムとしての側面を有する。
【背景技術】
【０００２】
発光時の重要なパラメータであるＥＬ素子の電流−電圧（Ｉ−Ｖ）特性は、駆動温度の影響を受けることが知られている。ところが、ＥＬ素子の駆動温度は、環境温度やＥＬ素子自体の発熱等の影響を受け易い。このため、ＥＬ素子の電流−電圧（Ｉ−Ｖ）特性は、常に変動することが知られている。
【０００３】
この駆動温度の変動は、ＥＬ素子の発光輝度を変化させる要因の一つとして作用する。例えばＥＬ素子を定電流駆動する場合でも、駆動温度が変化してＥＬ素子の両極間に印加される電圧が変化すると発光輝度が変化する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
以下、発明者らが提案する発明とは着想が異なるが、表示パネルの発光輝度（ピーク輝度レベル）を可変できる技術の幾つかを例示する。
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−１３４４１８号公報
【特許文献２】特開２００２−３５１３８９号公報  これらの特許文献には、入力画像の平均輝度に応じてピーク輝度を制御する技術が開示されている。しかし、これらの技術では、ＥＬ素子の温度変化の影響が考慮されていない。
【０００６】
【特許文献３】特開２００４−１０９１７０号公報  この特許文献には、外光の明るさに応じてピーク輝度を制御する技術が開示されている。しかし、この技術の場合にも、ＥＬ素子の温度変化の影響が考慮されていない。
【０００７】
【特許文献４】特開２００３−３３０４１９号公報  この特許文献には、発光素子の電圧電流特性が有する温度特性を参照し、検出された周囲の温度に対して適正な輝度が得られるように表示データを補正する技術が開示されている。しかし、表示データの補正は階調情報を損なうことに通じ、画質を低下させる問題がある。
【０００８】
【特許文献５】特開２００６−３０３１８号公報  この特許文献には、外光の明るさに応じて陰極電位を制御してＶcc−陰極電位間の電圧を縮小し、結果的にピーク輝度を下げる技術が開示されている。
【０００９】
ただし、この特許文献の場合には、陰極電位の可変制御を薄膜トランジスタのＶd −Ｉd 特性変化に用いることしか考慮しておらず、ＥＬ素子の温度特性が与える影響については何ら考慮されていない。
【００１０】
以上のように、いずれの特許文献にも、ＥＬ素子の温度変化を考慮したＥＬパネルの輝度特性の補正については開示も示唆もされていない。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
発明者らは、ＥＬ（Electro Luminescence）素子と、ＥＬ素子を電流駆動する電流駆動素子と、電流駆動素子の制御端子と電流出力端子との間に画素データに対応する電荷を保存する記憶回路とを有する画素回路がマトリクス状に配置されたＥＬパネルの輝度特性を補正する輝度特性補正装置として、以下に示す処理機能部を搭載するものを提案する。
【００１２】
（ａ）画素データが同じであれば、電流出力端子に出現する点灯期間中の電位がＥＬ素子の駆動温度の変化によらず一定になるように、駆動温度の現在値に応じてＥＬ素子の陰極端子に印加する陰極電位値を決定する陰極電位決定部
（ｂ）陰極電位値に対応する陰極電位をＥＬ素子の陰極端子に印加する陰極電位発生部
【発明の効果】
【００１３】
発明者らの提案する発明により、使用環境等によりＥＬ素子の駆動温度が変化する場合にも、表示輝度の変化が小さい表示技術を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、発明をアクティブマトリクス駆動型の有機ＥＬディスプレイ装置（ＥＬ表示装置）に適用する場合について説明する。
なお、本明細書で特に図示又は記載されない部分には、当該技術分野の周知又は公知技術を適用する。
また以下に説明する形態例は、発明の一つの形態例であって、これらに限定されるものではない。
【００１５】
（Ａ）輝度特性の補正原理
（ａ）輝度特性の劣化原因
ここでは、従来問題になっている輝度特性の劣化原因を説明する。
図１に、同問題が発生する画素回路の構造例を示す。
【００１６】
画素回路１は、スイッチ素子Ｔ１、キャパシタＣ、電流駆動素子Ｔ２、デューティ制御素子Ｔ３、リセット素子Ｔ４及び有機ＥＬ素子Ｄで構成される。
スイッチ素子Ｔ１は、画素データに対応する信号電圧Ｖsig のキャパシタ（記憶回路）Ｃへの書き込みを制御する薄膜トランジスタである。
【００１７】
ここで、画素データは、データ線ドライバよりデータ線ＤＬを通じて与えられる。また、スイッチ素子Ｔ１の開閉動作は、走査線ドライバより走査線ＷＬを通じて供給される書き込み信号ＷＳにより制御される。
【００１８】
なお、キャパシタＣに書き込まれた信号電圧Ｖsig は、次フレームで新たな信号電圧Ｖsig が書き込まれるまで電流駆動素子Ｔ２のゲート端子とドレイン端子の間に保持される。
【００１９】
このため、Ｎチャネル型の薄膜トランジスタで構成される電流駆動素子Ｔ２は、キャパシタＣに保持されている信号電圧Ｖsig （＝Ｖgd）により定まる大きさの駆動電流を有機ＥＬ素子Ｄに供給するように動作する。
【００２０】
デューティ制御素子Ｔ３は、有機ＥＬ素子Ｄの１フレーム内の点灯時間割合（デューティ）を制御する薄膜トランジスタである。デューティ制御素子Ｔ３は、有機ＥＬ素子Ｄに対して直列に接続されており、電流駆動素子Ｔ２から有機ＥＬ素子Ｄに供給される駆動電流の供給と停止を制御する。
【００２１】
デューティ制御素子Ｔ３の制御信号Ｓdsは、デューティ線制御ドライバからデューティ制御線を通じて供給される。
リセット素子Ｔ４は、信号電圧Ｖsig の書き込み時に、有機ＥＬ素子Ｄの陽極電位（ドレイン電位Ｖd ）を固定電位Ｖrsにリセットするトランジスタである。リセット素子Ｔ４の制御信号Ｓrsは、リセット線を通じて供給される。
【００２２】
図２に、従来用いられている一般的な駆動方法による電流駆動素子Ｔ２のソース・ゲート間電圧の温度変化を示す。
実線は、有機ＥＬ素子Ｄの駆動温度が低い場合の電位の変化を示す。一方、破線は、有機ＥＬ素子Ｄの駆動温度が高い場合の電位の変化を示す。
【００２３】
図２に示すように、有機ＥＬ素子Ｄの発光が開始するのに伴い、駆動電流に応じた電圧ＶELがＥＬ素子Ｄの両極間に発生し、ドレイン電位Ｖd の上昇が開始される。このとき、ゲート電位Ｖg も、上昇するドレイン電位Ｖd に押し上げられるように上昇を開始する。
【００２４】
ただし、ドレイン電位Ｖd の上昇には、電位ロスが不可避的に発生する。原因は、キャパシタＣの周りに存在する寄生容量の影響である。すなわち、信号電圧Ｖsig をキャパシタＣに保持したまま変化しようとしても、キャパシタＣに保持されている電荷の一部が寄生容量に逃げてしまう。結果的に、発光後のゲート・ドレイン間電圧Ｖgd’ は、書き込み時よりも小さくなってしまう。
【００２５】
このゲート・ドレイン間電圧Ｖgdの変化は、発光時における電位上昇時にキャパシタＣに維持できる電位量をゲインＧb （＜１）で表すと次式で表すことができる。
Ｖgd’ ＝Ｖgd −（１−Ｇb ）・ａ
なお、変数ａは、電位上昇時におけるドレイン電位Ｖd の上昇電圧を意味する。
【００２６】
前式より、ドレイン電位Ｖd の上昇電圧（変数ａ）が小さいほど、発光の開始前後でゲート・ドレイン間電圧Ｖgdの変化が小さく済むことが分かる。
また前式より、ドレイン電位Ｖd の上昇電圧（変数ａ）が駆動温度によらず一定であれば、画面輝度に温度特性が現れないことが分かる。
【００２７】
ところが、図３に示すように、有機ＥＬ素子Ｄの両極間に発生する電圧（両極間電圧）ＶELは、駆動電流Ｉd が同じでも駆動温度が異なると大きく変化する。図３に示すように、駆動温度が高いほど両極間電圧ＶELは小さくなる。
ところが、従来の駆動方式（図２）の場合、有機ＥＬ素子Ｄの陰極端子に印加される陰極電位Ｖcathode は固定されている。
【００２８】
このため、駆動温度が異なると、図２に示すように、ドレイン電位Ｖd の上昇電圧を与える変数ａが変化する現象が発生する。すなわち、同じ画素データに対応する信号電圧Ｖsig をキャパシタＣを書き込んだ場合にも、駆動温度に応じて発光輝度が変化する現象が発生する。
【００２９】
図４に、発光輝度が有する駆動温度特性を示す。図４に示すように、駆動温度が高いほど有機ＥＬ素子の発光輝度が上がり、駆動温度が低いほど有機ＥＬ素子の発光輝度が下がる現象が発生する。なお、図４は、駆動温度が常温（約２０℃）の場合の発光輝度を１として、各駆動温度での発光輝度を正規化して表している。
【００３０】
（ｂ）発明者らが提案する補正手法の原理
そこで、発明者らは、使用環境等により不可避的に発生する駆動温度の変化にかかわらず画面輝度を安定化させるため、駆動温度の変化に応じて有機ＥＬ素子Ｄの陰極端子に印加する陰極電位Ｖcathode を可変制御する手法を提案する。
【００３１】
具体的には、有機ＥＬ素子Ｄの点灯開始後に発生するドレイン電位Ｖd の上昇電圧（変数ａ）が駆動温度によらず一定になるように制御する手法を提案する。
まず、有機ＥＬ素子Ｄの両極間電圧ＶELの駆動温度特性について考察する。駆動温度特性は有機ＥＬ素子Ｄの種類によっても異なるが、おおよそ図５に示すような線形関係となる。
【００３２】
すなわち、駆動温度が高いほど有機ＥＬ素子Ｄの両極間電圧ＶELは小さくなる。なお、図５では、常温での両極間電圧ＶELを「１」として、各温度における両極間電圧ＶELを相対的に表している。
【００３３】
発明者らは、この有機ＥＬ素子Ｄの両極間電圧ＶELの駆動温度特性の打ち消すように有機ＥＬ素子Ｄの陰極端子に印加する陰極電位Ｖcathode を駆動温度に応じて可変制御する。図６に、陰極電位Ｖcathode に求められる駆動温度特性を示す。
【００３４】
図６に示すように、陰極電位Ｖcathode を制御することにより、電流駆動素子Ｔ２のドレイン電位Ｖd に現れる点灯開始後の上昇電圧は、図７に示すように駆動温度によらずほぼ一定の特性を示すようになる。この結果、同じ画素データが書き込まれたのであれば、駆動温度に関わらず画面輝度を一定に保つことが可能になる。
【００３５】
（Ｂ）補正原理を適用した表示装置の形態例１
以下、前述した補正原理を適用する表示装置の一例を説明する。
【００３６】
（Ｂ−１）ディスプレイ装置の全体構成
図８に、有機ＥＬディスプレイ装置１１の主要構成部分を示す。有機ＥＬディスプレイ装置１１は、有機ＥＬパネル１３、データ線ドライバ１５、走査線ドライバ１７、点灯期間ドライバ１９、リセットドライバ２１、輝度特性補正部２３及びタイミングジェネレータ２５を主要な構成要素とする。
【００３７】
有機ＥＬパネル１３は、画素回路１（図１）がパネル解像度に応じてマトリクス状に配置された自発光型の表示パネルである。この形態例の場合、有機ＥＬパネル１３はカラー表示用であり、画素回路１は発光色別に配置される。
【００３８】
ただし、複数色の発光層を積層した構造を有する有機ＥＬ素子Ｄが画素回路１を構成する場合、１つの画素が複数の発光色に対応する。画素回路１と駆動回路の具体的な接続関係を図９に示す。
【００３９】
データ線ドライバ１５は、画素データに対応する信号電圧Ｖsig を書き込み対象である画素回路１が接続されたデータ線ＤＬに印加する回路デバイスである。各データ線ＤＬに対する信号電圧Ｖsig の印加は水平走査期間単位で実行する。
【００４０】
走査線ドライバ１７は、信号電圧Ｖsig の書き込みタイミングを与える回路デバイスである。走査線ドライバ１７は、水平同期信号ＨＳが入力されるたび１つの走査線ＷＬを選択し、当該走査線ＷＬ上に位置する画素回路１を書き込み可能な状態に制御する。この制御信号が書き込み信号ＷＳである。
【００４１】
点灯期間ドライバ１９は、１フレーム期間内で実際に有機ＥＬ素子Ｄの点灯時間割合を制御する回路デバイスである。この制御信号がデューティ制御信号Ｓdsである。
リセットドライバ２１は、信号電圧Ｖsig の書き込み時に、有機ＥＬ素子Ｄの陽極電位（ドレイン電位Ｖd ）をリセット電位Ｖrsにリセットする回路デバイスである。この制御信号がリセット信号Ｓrsである。
【００４２】
輝度特性補正部２３は、有機ＥＬ素子Ｄの両極間電圧ＶELの駆動温度特性を打ち消すように、有機ＥＬ素子Ｄの陰極端子に印加する陰極電位Ｖcathode を制御する回路デバイスである。
【００４３】
図１０に、輝度特性補正部２３の内部構成例を示す。輝度特性補正部２３は、温度検出部３１、陰極電位決定部３３及び陰極電位可変部３５で構成する。
温度検出部３１は、有機ＥＬ素子Ｄの駆動温度を検出する温度センサーである。
【００４４】
この形態例の場合、有機ＥＬ素子Ｄの駆動温度は、有機ＥＬパネル１３の表面温度で代用する。このため、温度検出部３１は、できるだけ有効表示領域の近傍に配置する。例えば有効表示領域の外周部分、有効表示領域に対して有機ＥＬパネル１３の裏面側等に配置する。
【００４５】
陰極電位決定部３３は、図６で説明した制御特性を実現する参照テーブルを参照し、検出された駆動温度に最適な陰極電位を決定する処理デバイスである。図１１に、陰極電位決定部３３が参照する参照テーブル例を示す。
【００４６】
図１１に示す参照テーブルの場合、陰極電位決定部３３は、−１０℃の駆動温度に対応するカソード電位Ｖcathode （ディジタル値）を１Ｖに決定する。また、陰極電位決定部３３は、６０℃の駆動温度に対応するカソード電位Ｖcathode を３Ｖに決定する。
【００４７】
陰極電位可変部３５は、有機ＥＬ素子Ｄの陰極端子に供給する電位が決定された陰極電位Ｖcathode になるように可変的に制御する回路デバイスである。図１２に、陰極電位可変部３５の内部構成例を示す。
【００４８】
図１２に示す陰極電位可変部３５は、ディジタルポテンショメータ４１、ボルテージフォロア回路（オペアンプＯＰ１、抵抗Ｒ１１、Ｒ１３及びＰＮＰ型のバイポーラトランジスタＴ１１）４３で構成する。ディジタルポテンショメータ４１は、例えば２５６ステップ（８ビット）で電圧を発生する半固定型の抵抗器で構成される。
【００４９】
タイミングジェネレータ２５は、画素データＤinに基づいて前述した各種のドライバにタイミング信号を供給する回路デバイスである。タイミングジェネレータ２５は、例えば水平同期信号、垂直同期信号、動作クロックその他を供給する。
【００５０】
（Ｂ−２）ディスプレイ装置の駆動動作
以下、前述した機能構成を有する有機ＥＬディスプレイ装置１１で実行される駆動動作を説明する。図１３に、ある画素回路１の駆動信号波形と画素回路内の電位の変化を示す。
【００５１】
（ａ）書き込み期間の動作
まず、画素データの書き込み期間の駆動動作を説明する。このとき、データ線ＤＬには、対応する水平走査期間の開始時点から信号電圧Ｖsig （図１３（Ａ））が印加される。ここで、水平走査期間の開始時点は、水平同期信号ＨＳ（図１３（Ｂ））により与えられる。
【００５２】
この際、走査線ＷＬには「Ｈ」レベルの書き込み信号ＷＳ（図１３（Ｃ））が印加され、スイッチ素子Ｔ１がオン制御される。これにより、キャパシタＣに対する信号電圧Ｖsig の書き込みが可能になる。
【００５３】
なお、信号電圧Ｖsig の書き込み時には、キャパシタＣの他端側の電位をリセット電位Ｖrsに制御する。キャパシタＣの他端側の電位が不定では、キャパシタＣに書き込まれる電圧が本来の信号電圧Ｖsig と同じにならないためである。そこで、信号電圧Ｖsig の書き込みに合わせてリセット信号Ｓrs（図１３（Ｄ））が「Ｈ」レベルに制御される。
【００５４】
結果的に、書き込み期間における電流駆動素子Ｔ２のゲート電位Ｖg （図１３（Ｅ））は、書き込み電圧の増加と共に上昇を開始する。一方、同期間における電流駆動素子Ｔ２のドレイン電位Ｖd （図１３（Ｆ））は、リセット電位Ｖrsに保持される。
【００５５】
この他、書き込み期間中のデューティ制御信号Ｓds（図１３（Ｇ））は、「Ｌ」レベルに制御される。これにより、デューティ制御素子Ｔ３をオフ制御される。
【００５６】
（ｂ）点灯期間の動作
次に、有機ＥＬ素子Ｄの点灯期間の駆動動作を説明する。このとき、データ線ＤＬには、対応する水平走査期間の開始時点から次の走査線ＷＬに対応する信号電圧Ｖsig （図１３（Ａ））が印加される。
【００５７】
ただし、走査線ＷＬには「Ｌ」レベルの書き込み信号ＷＳ（図１３（Ｃ））が印加されているので、現在注目している画素回路１のスイッチ素子Ｔ１はオフ制御される。すなわち、データ線ＤＬと画素回路１は電気的に切り離された状態に制御される。
【００５８】
この形態例の場合、デューティ制御信号Ｓds（図１３（Ｇ））は、書き込み期間の終了後直ちに「Ｈ」レベルに切り替えられる。このため、電流駆動素子Ｔ２は、キャパシタＣに蓄積された信号電圧Ｖsig に応じた駆動電流の供給を開始する。
【００５９】
この駆動電流の供給に伴い、有機ＥＬ素子Ｄの両電極間には両極間電圧ＶELが発生し、時間の経過と共に徐々に増加する。これに伴い、電流駆動素子Ｔ２のドレイン電位Ｖd （図１３（Ｆ））は、リセット電位Ｖrsから徐々に増加を開始する。
【００６０】
また、このドレイン電位Ｖd （図１３（Ｆ））の増加に連動するように、所定のゲインＧb に従ってゲート電位Ｖg （図１３（Ｅ））の増加が開始される。
ただし、この形態例の場合には、同じ画素データであれば点灯開始後の上昇電圧（変数ａ）が同じになるように、有機ＥＬ素子Ｄの駆動温度に応じて陰極電位Ｖcathode が制御されている。
【００６１】
図１４に、この制御動作の様子を示す。図１４に示すように、有機ＥＬ素子Ｄの両電極間に発生する両極間電圧ＶELが駆動温度に応じて変動しても、その変動量を打ち消すように陰極電位Ｖcathode
が増減制御されている。
従って、図１４に示すように、点灯開始後のドレイン電位Ｖd の上昇電圧（変数ａ）は、駆動温度が変わってもほぼ一定となる。
【００６２】
この結果、駆動温度が異なる場合にも、点灯開始後におけるキャパシタＣの保持電圧Ｖgd’ の温度依存特性は解消され、画素データＤinの値が同じであれば常に同じ発光輝度で有機ＥＬ素子Ｄを点灯制御することが可能になる。
【００６３】
（ｃ）消灯期間の動作
消灯期間では、デューティ制御信号Ｓdsが再び「Ｌ」レベルに駆動制御される。結果的に、有機ＥＬ素子Ｄに対する駆動電流の供給は停止される。すなわち、有機ＥＬ素子Ｄの発光輝度は駆動電流の減少と共に低下し、やがて消灯する。
【００６４】
有機ＥＬ素子Ｄに駆動電流が流れなければ、その両極間にも電圧ＶELが発生しない。従って、図１３（Ｆ）に示すように、電流駆動素子Ｔ２のドレイン電位Ｖd は低下する。また、ドレイン電位Ｖd の低下に伴って、電流駆動素子Ｔ２のゲート電位Ｖg （図１３（Ｆ））も低下する。
【００６５】
（Ｂ−３）形態例の効果
以上説明したように、この形態例に係る有機ＥＬディスプレイ装置では、有機ＥＬ素子Ｄの駆動温度の違いにかかわらず、画素データ値が同じであれば同じ輝度レベルに維持することができる。
【００６６】
すなわち、有機ＥＬパネル１３の表示輝度を一定に制御できる。このため、温度変化により画質が変化しない有機ＥＬディスプレイ装置を実現することができる。
特に、環境温度の影響を受けやすいモバイル用途や大画面型の有機ＥＬディスプレイ装置の場合には高い効果を期待できる。
【００６７】
また、この形態例に係る有機ＥＬディスプレイ装置の場合、発光輝度の維持制御を陰極電位Ｖcathode の制御で実現するため、画素データＤinをガンマ変換する場合のように階調情報が失われるおそれもない。このため、高い画像品質を維持することができる。
【００６８】
（Ｃ）補正原理を適用した表示装置の形態例２
以下、前述した補正原理を適用する表示装置の他の形態例を説明する。ここでは、有機ＥＬ素子Ｄの駆動温度を対象画素より直接検出する場合について説明する。
【００６９】
（ａ）同構造のダミー画素を用いて駆動温度を検出する場合
図１５に、有機ＥＬパネル５１の構造例を示す。この形態例の場合、有効表示領域５３の外側に測定専用のダミー画素領域５５を配置する。なお、ダミー画素領域５５を構成する画素数は任意である。基本的にダミー画素が１つあれば駆動温度を検出できる。
【００７０】
図１５（Ａ）は、ダミー画素領域５５を有効表示領域５３の水平方向外周に配置する例を示し、図１５（Ｂ）は、ダミー画素領域５５を有効表示領域５３の垂直方向外周に配置する例を示す。ダミー画素領域５５の画素構造は有効表示領域５３の画素構造と同じである。従って、有効表示領域５３と同一プロセスで一体的に形成される。
【００７１】
図１６に、この形態例における有機ＥＬディスプレイ装置６１の主要構成部分を示す。なお図１６には、図８との対応部分に同一符号を付して示す。図１６に示すように、基本構成は図８で説明した構成と同じである。
【００７２】
図１６に示す有機ＥＬディスプレイ装置６１は、有機ＥＬパネル５１、データ線ドライバ１５、走査線ドライバ１７、点灯期間ドライバ１９、リセットドライバ２１、タイミングジェネレータ２５、輝度特性補正部６３及び温度検出部６５を主要な構成要素とする。
【００７３】
この形態例における輝度特性補正部６３は、図１０で説明した輝度特性補正部２３のうち陰極電位決定部３３と陰極電位可変部３５に対応する。一方、温度検出部６５は、図１０で説明した輝度特性補正部２３のうち温度検出部３１に対応する。
【００７４】
図１７に、ダミー画素領域５５を構成するダミー画素回路７１と駆動回路との具体的な接続関係を示す。図１７に示すように、温度検出部６５以外の接続関係は、図９で説明した接続関係と同じである。すなわち、ダミー画素回路７１も、有効表示領域５３内の画素回路１と全く同じ駆動方式で駆動する。
【００７５】
この形態例の場合、ダミー画素回路７１の駆動温度は、有機ＥＬ素子Ｄの両電極間に現れる両極間電圧ＶELの検出により実現する。このため、温度検出部６５には、有機ＥＬ素子Ｄの陽極電位Ｖs と陰極電位Ｖcathode が与えられる。
【００７６】
図１８に、温度検出部６５の内部構成例を示す。この形態例の場合、温度検出部６５は、ダミー画素データ発生部７１、ダミー画素データ挿入部７３及び温度変換部７５で構成する。
【００７７】
ダミー画素データ発生部７１は、温度検出用に一定階調値のダミー画素データを発生する回路デバイスである。この形態例の場合、ダミー画素データには、事前に設定した固定値を使用する。
【００７８】
ダミー画素データ挿入部７３は、入力された画素データにダミー画素データを挿入する回路デバイスである。ダミー画素データの挿入位置は、ダミー画素領域の配置位置による。前述したように、有効表示領域の水平方向外周に配置する場合と有効表示領域の垂直方向外周に配置する場合とで挿入位置は異なる。
【００７９】
温度変換部７５は、有機ＥＬ素子Ｄの点灯期間内に検出した電圧を駆動温度に変換する回路デバイスである。図１９に、温度変換部７５の内部構成例を示す。図１９に示すように、温度変換部７５は、ボルテージフォロア回路８１、アナログディジタル変換回路（Ａ／Ｄ変換回路）８３、差電圧算出部８５及び温度情報出力部８７で構成する。
【００８０】
ここで、ボルテージフォロア回路８１を用いるのは、有機ＥＬ素子Ｄに供給される駆動電流の大きさが微小（ナノオーダー）なためである。このように微小な駆動電流を用いて両極間電圧ＶELの変化を検出するのは困難なためである。
【００８１】
なお、ボルテージフォロア回路８１を通じて検出された電位は、アナログディジタル変換回路８３においてそれぞれディジタル値に変換される。
差電圧算出部８５は、有機ＥＬ素子Ｄの点灯期間に検出された有機ＥＬ素子Ｄの陽極電位（ドレイン電位Ｖd ）と陰極電位Ｖcathode の差電圧を算出する処理を実行する。
【００８２】
この演算処理により、有機ＥＬ素子Ｄの両電極間に発生する両極間電圧ＶELが算出される。このような演算処理をするのは、この形態例の場合、ダミー画素領域の画素回路７１が有効表示領域の画素回路１と同じ回路構成を採用するためである。すなわち、有機ＥＬ素子Ｄの陰極電位Ｖcathode が可変制御されるためである。そこで、有機ＥＬ素子Ｄの両電極に対応する電位の差分値を計算する手法を採用する。
【００８３】
温度情報出力部８７は、算出された電位差に対応する温度情報を参照テーブルより読み出して出力する回路デバイスである。
図２０に、参照テーブルの一例を示す。この参照テーブルは、温度検出用のダミー画素データで有機ＥＬ素子Ｄが発光制御される場合に両電極間に発生する両極間電圧ＶELの温度特性を事前に測定しておいたものである。
【００８４】
図２０に示すように、両極間電圧ＶELが高ければ駆動温度が低いことを示し、両極間電圧ＶELが低ければ駆動温度が高いことを示す。例えば両極間電圧ＶELが９．３［Ｖ］である場合、温度情報出力部８７は、−１０℃を示す温度情報を出力する。また例えば両極間電圧ＶELが９．３［Ｖ］である場合、温度情報出力部８７は、６０℃を示す温度情報を出力する。
【００８５】
このように駆動温度が検出された後の動作は形態例１と同じであるので説明を省略する。
この形態例のように、有効表示領域５３と同じ画素構造を有するダミー画素回路７１の駆動温度を直接測定することにより、有機ＥＬパネル５１の表面温度を温度センサーで検出する場合に比して高い精度で温度を検出することができる。この結果、陰極電位Ｖcathode の制御精度も高めることができる。
【００８６】
（ｂ）有効表示領域内の画素を用いて駆動温度を検出する場合
図２１に、有機ＥＬパネル９１の構造例を示す。この形態例の場合、有効表示領域９３を構成する１つの画素を温度検出兼用画素９５として使用する。
【００８７】
すなわち、温度検出兼用画素９５を温度検出専用ではなく、通常の画像表示にも使用する。なお、この明細書においては、有効表示領域９３を構成する全画素のうち温度検出兼用画素９５以外の画素を通常画素と呼ぶ。
【００８８】
図２１の場合、温度検出兼用画素９５は有効表示領域９３内の右下隅に配置する。もっとも、温度検出兼用画素９５の個数及び配置位置は任意である。ただし、表示品質に与える影響やパネル設計の観点からは、有効表示領域９３の外周部分のいずれかに配置するのが望ましい。
【００８９】
すなわち、温度検出兼用画素９５の画素構造は、有機ＥＬ素子Ｄの陽極電位（ドレイン電位Ｖd ）を検出するための配線を追加的に配置する以外は、有効表示領域９３の他の画素構造と同じである。従って、有効表示領域９３と同一プロセスで一体的に形成される。
【００９０】
図２２に、この形態例における有機ＥＬディスプレイ装置１０１の主要構成部分を示す。なお図２２には、図８との対応部分に同一符号を付して示す。図２２に示すように、基本構成は図８で説明した構成と同じである。
【００９１】
図２２に示す有機ＥＬディスプレイ装置１０１は、有機ＥＬパネル９１、データ線ドライバ１５、走査線ドライバ１７、点灯期間ドライバ１９、リセットドライバ２１、タイミングジェネレータ２５、輝度特性補正部１０３及び温度検出部１０５を主要な構成要素とする。
【００９２】
この形態例における輝度特性補正部１０３の場合も、図１０で説明した輝度特性補正部２３のうち陰極電位決定部３３と陰極電位可変部３５に対応する。一方、温度検出部１０５も、図１０で説明した輝度特性補正部２３のうち温度検出部３１に対応する。
【００９３】
図２３に、温度検出兼用画素９５と駆動回路との具体的な接続関係を示す。図２３に示すように、温度検出兼用画素９５の基本的な接続関係は、図９で説明した通常画素の接続関係と同じである。従って、温度検出兼用画素９５は、通常画素と全く同じ駆動方式で駆動することができる。
【００９４】
この場合も、温度検出兼用画素９５の駆動温度は、図２３に示すように、有機ＥＬ素子Ｄの両電極間に現れる両極間電圧ＶELの検出により実現する。このため、温度検出部１０５には、有機ＥＬ素子Ｄの陽極電位（ドレイン電位Ｖd ）と陰極電位Ｖcathode が与えられる。
【００９５】
図２４に、温度検出部１０５の内部構成例を示す。この形態例の場合、温度検出部１０５は、測定用画素データ発生部１１１、測定用画素データ置換部１１３及び温度変換部１１５で構成する。
【００９６】
測定用画素データ発生部１１１は、温度検出用に一定階調値の測定用画素データを発生する回路デバイスである。この形態例の場合、測定用画素データには、事前に設定した固定値を使用する。
【００９７】
また、この測定用画素データ発生部１１１は、駆動温度の測定タイミング信号を生成し、測定用画素データ置換部１１３と温度変換部１１５に供給する。測定タイミング信号を使用するのは、温度検出兼用画素９５には、温度測定用の画素データと表示用の画素データを切り替えて供給する必要があるためである。
【００９８】
図２５に、測定タイミング信号の一例を示す。図２５の場合、測定タイミング信号は、１０秒に１回、駆動温度の測定期間を設定する。なお、図２５は、温度測定期間の長さを強調して表現しているが、実際の測定期間は、温度測定用の画素データによる発光制御が行われる１フレーム分で良い。
【００９９】
測定用画素データ置換部１１３は、測定タイミング信号で指定された駆動温度の測定時に限り、温度検出兼用画素９５に対応する画素データを測定用画素データで置換し、その他の期間では入力された画素データをそのまま出力する回路デバイスである。勿論、測定用画素データの挿入位置は、温度検出兼用画素９５の配置位置による。
【０１００】
温度変換部１１５は、測定タイミング信号により指定された有機ＥＬ素子Ｄの点灯期間内に、温度検出兼用画素９５より検出される電圧を駆動温度に変換する回路デバイスである。図２６に、温度変換部１１５の内部構成例を示す。なお、図２６は、図１９との対応部分に同一符号を付して示す。
【０１０１】
図２６に示すように、温度変換部１０５の基本構成は、図１９で説明した温度変換部７５と同じである。
すなわち、温度変換部１０５は、ボルテージフォロア回路８１、アナログディジタル変換回路（Ａ／Ｄ変換回路）８３、差電圧算出部８５及び温度情報出力部１２１で構成される。
【０１０２】
相違部分は、温度情報出力部１２１による温度情報の更新が測定タイミング信号により通知された規定のタイミングに限り実行される点である。勿論、温度情報の変換処理は、測定用画素データによる点灯期間中に検出される有機ＥＬ素子Ｄの両極間電圧ＶELに基づいて実行される。
【０１０３】
参考までに、この形態例に対応する駆動信号波形を図２７に示す。図２７は、温度検出兼用画素９５で使用する駆動信号波形例である。なお、その他の通常画素は図１３に示す駆動信号波形により駆動されることは言うまでもない。
【０１０４】
図２７に示すように、温度測定用画素データが書き込まれた後の点灯期間に有機ＥＬ素子Ｄに現れるドレイン電位Ｖd （図２７（Ｆ））と該当期間の陰極電位Ｖcathode とに基づいて両極間電圧ＶELを測定することになる。
【０１０５】
このように駆動温度が確定した後の動作は、やはり形態例１と同じであるので説明を省略する。この形態例のように、有効表示領域９３内に配置した温度検出兼用画素９５の駆動温度を直接測定することにより、有効表示領域９３の外側にダミー画素を配置する場合に比してより高い精度で駆動温度を検出することが可能になる。
【０１０６】
なぜなら、温度検出兼用画素９５は、測定タイミング以外は表示内容に応じて発光制御されるため、表示内容に応じた発熱の影響を正確に検出できるためである。この結果、陰極電位Ｖcathode の制御精度を一段と高めることができる。
【０１０７】
（ｃ）有効表示領域内の複数画素について駆動温度を検出する場合
図２８に、有機ＥＬパネル１３１の構造例を示す。この形態例の場合、有効表示領域１３３内に複数個の温度検出兼用画素１３５を分散的に配置する。複数個の温度検出兼用画素１３５を分散的に配置するのは、表示内容や使用態様によって画面内における駆動温度の分布が一様にならない場合があるためである。
【０１０８】
例えば高輝度表示が継続する画面領域と低輝度表示が継続する画面領域では発熱量も異なり、駆動温度に差が生じる可能性がある。
また例えばパネル面が鉛直方向と平行である場合には、熱対流の影響により、パネル面の上側と下側では温度差が発生することがある。
【０１０９】
ただし、有効表示領域１３３内の特定の温度検出兼用画素１３５について駆動温度を検出するためには、特定位置の両極間電圧ＶELだけを検出できる仕組みが必要となる。
図２９に、このための仕組みを形成した有機ＥＬパネル１３１の詳細構成を示す。具体的には、１つの温度検出兼用画素１３５に対し、１つの行選択スイッチ素子Ｔ２１を配置する。
【０１１０】
ここで、同じ走査線上に位置する温度検出兼用画素１３５に対応する行選択スイッチ素子Ｔ２１は、いずれも共通の制御線に接続される。この接続構成により、走査線単位で両極間電圧ＶELの読み出しが可能となる。
【０１１１】
ただし、この制御だけでは複数個の両極間電圧ＶELが出力端子に読み出されてしまう。そこで、行選択スイッチ素子Ｔ２１の出力端子を列方向に束ねた出力線にそれぞれ１つずつ列選択スイッチ素子Ｔ２３を配置する。この接続構成により、読み出された両極間電圧ＶELの１つだけが出力端子から読み出される。
【０１１２】
図３０に、この形態例における有機ＥＬディスプレイ装置１４１の主要構成部分を示す。なお図３０には、図８との対応部分に同一符号を付して示す。図３０に示すように、基本構成は図８で説明した構成と同じである。
【０１１３】
図３０に示す有機ＥＬディスプレイ装置１４１は、有機ＥＬパネル１３１、データ線ドライバ１５、走査線ドライバ１７、点灯期間ドライバ１９、リセットドライバ２１、タイミングジェネレータ２５、輝度特性補正部１４３及び温度検出部１４５を主要な構成要素とする。
【０１１４】
この形態例における輝度特性補正部１４３の場合も、図１０で説明した輝度特性補正部２３のうち陰極電位決定部３３と陰極電位可変部３５に対応する。一方、温度検出部１４５も、図１０で説明した輝度特性補正部２３のうち温度検出部３１に対応する。
【０１１５】
図３１に、温度検出兼用画素１３５と駆動回路との具体的な接続関係を示す。図３１に示すように、温度検出兼用画素１３５の基本的な接続関係は、図９で説明した通常画素の接続関係と同じである。従って、温度検出兼用画素１３５は、通常画素と全く同じ駆動方式で駆動することができる。
【０１１６】
ただし、前述したように、温度検出兼用画素１３５を構成する有機ＥＬ素子Ｄの陽極電極と温度検出部１４５は、行選択スイッチ素子Ｔ２１及び列選択スイッチ素子Ｔ２３を通じて接続される。従って、測定対象である温度検出兼用画素１３５に測定用画素データを与える処理とその発光期間中に現れる両極間電圧ＶELの選択動作が他の形態例とは相違する。
【０１１７】
図３２に、この形態例で使用する温度検出部１４５の内部構成例を示す。この形態例の場合、温度検出部１４５は、測定用画素データ発生部１５１、測定対象画素指定部１５３、測定用画素データ置換部１５５及び温度変換部１５７で構成する。
【０１１８】
測定用画素データ発生部１５１は、温度検出用に一定階調値の測定用画素データを発生する回路デバイスである。この形態例の場合、測定用画素データには、事前に設定した固定値を使用する。
【０１１９】
また、この測定用画素データ発生部１５１は、駆動温度の測定タイミング信号を生成し、測定対象画素指定部１５３、測定用画素データ置換部１５５及び温度変換部１５７に供給する。
【０１２０】
測定タイミング信号を使用するのは、温度検出兼用画素１３５には、温度測定用の画素データと表示用の画素データを切り替えて供給する必要があるためである。測定タイミング信号には、例えば図２５で説明したものを使用する。
【０１２１】
測定対象画素指定部１５３は、測定タイミング信号に基づいて特定の温度検出兼用画素１３５を指定する信号を発生する回路デバイスである。ここで、測定対象画素指定部１５３は、画素位置を測定位置信号として出力する。
【０１２２】
測定用画素データ置換部１５５は、測定タイミング信号で指定された駆動温度の測定時に限り、測定位置信号で指定された温度検出兼用画素１３５に対応する画素データを測定用画素データで置換し、その他の期間では入力された画素データをそのまま出力する回路デバイスである。
【０１２３】
温度変換部１５７は、測定タイミング信号により指定された有機ＥＬ素子Ｄの点灯期間内に、温度検出兼用画素１３５より検出される電圧を駆動温度に変換する回路デバイスである。図３３に、温度変換部１５７の内部構成例を示す。なお、図３３は、図１９との対応部分に同一符号を付して示す。
【０１２４】
図３３に示すように、温度変換部１５７の基本構成は、図１９で説明した温度変換部７５と同じである。
すなわち、温度変換部１５７は、ボルテージフォロア回路８１、アナログディジタル変換回路（Ａ／Ｄ変換回路）８３、差電圧算出部８５及び温度情報出力部１６１で構成される。
【０１２５】
相違部分は、温度情報出力部１６１による温度情報の更新が測定タイミング信号により通知された規定のタイミングに限り実行される点である。また、温度情報検出部１６１の場合、温度情報には測定位置情報が付加された状態で出力される。これにより、輝度特性補正部１４３は、領域別に陰極電位Ｖcathode を切り換えることができる。
【０１２６】
もっとも、輝度特性補正部１４３は、パネル面内の温度分布を考慮した上で単一の陰極電位Ｖcathode を生成することも可能である。
参考までに、この形態例に対応する駆動信号波形を図３４に示す。図３４は、温度検出兼用画素１３５で使用する駆動信号波形例である。なお、その他の通常画素は図１３に示す駆動信号は形により駆動されることは言うまでもない。
【０１２７】
図３４に示す駆動波形は、図２７で説明した波形と基本的に同じである。ただし、複数ある温度検出兼用画素１３５のうちの一つが選択されている期間（図３４（Ｈ））に、有機ＥＬ素子Ｄに現れるドレイン電位Ｖd （図３４（Ｆ））と該当期間の陰極電位Ｖcathode とに基づいて両極間電圧ＶELを測定することになる。
【０１２８】
このように駆動温度が確定した後の動作は、やはり形態例１と同じであるので説明を省略する。この形態例のように、有効表示領域１３３内に配置した複数個の温度検出兼用画素１３５の駆動温度を直接測定することにより、有効表示領域１３３の駆動温度を正確に測定できるだけでなく、面内の温度分布も検出することができる。
【０１２９】
特に、可搬型の電子機器の場合には、日光の直射や気温変等の使用環境影響を受け易く、また使用態様も様々であるため、パネル面内の温度分布を検出できることで一層正確な陰極電位Ｖcathode の制御が可能となる。
また、有効表示領域が大きい（広い）場合には、パネル面内で温度ムラが発生し易いので、前述した仕組みを組み合わせることで一層正確な陰極電位Ｖcathode の制御が可能となる。
【０１３０】
（Ｃ）他の形態例
（Ｃ−１）他の駆動温度例
前述した形態例１においては、温度センサーを用いて検出された有機ＥＬパネル１３の表面温度を駆動温度として使用する場合について説明した。また、形態例２においては、有機ＥＬ素子の両極間電圧ＶELより測定される温度を駆動温度として使用する場合について説明した。
【０１３１】
しかし、駆動温度には、ＥＬパネル周辺の環境温度（気温）でも良い。また、外部から与えられた温度情報を用いても良い。
【０１３２】
（Ｃ−２）製品例
（ａ）ドライブＩＣ
前述した有機ＥＬディスプレイ装置（有機ＥＬパネルモジュール及び駆動条件制御部）は、いずれも１つのパネル上に形成することもできるが、処理回路部分と画素マトリクスとを別々に製造し、流通することもできる。
【０１３３】
例えば、ドライバＩＣブロックや駆動条件制御部はそれぞれ独立したドライブＩＣ（integrated
circuit）として製造し、有機ＥＬパネルとは独立に流通することもできる。勿論、ドライバＩＣブロックと駆動条件制御部とで１つのドライブＩＣを構成することもできる。
【０１３４】
（ｂ）表示モジュール
前述した形態例における有機ＥＬディスプレイ装置は、図３５に示す外観構成を有する表示モジュール１７１の形態で流通することもできる。
表示モジュール１７１は、支持基板１７５の表面に対向部１７３を貼り合わせた構造を有している。対向部１７３は、ガラスその他の透明部材を基材とし、その表面にはカラーフィルタ、保護膜、遮光膜等が配置される。
【０１３５】
なお、表示モジュール１７１には、外部から支持基板１７５に信号等を入出力するためのＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）１７７等が設けられていても良い。
【０１３６】
（ｃ）電子機器
前述した形態例における有機ＥＬディスプレイ装置は、電子機器に実装された商品形態でも流通される。
図３６に、電子機器１８１の概念構成例を示す。電子機器１８１は、前述した有機ＥＬディスプレイ装置１８３及びシステム制御部１８５で構成される。システム制御部１８５で実行される処理内容は、電子機器１８１の商品形態により異なる。
【０１３７】
なお、電子機器１８１は、機器内で生成される又は外部から入力される画像や映像を表示する機能を搭載していれば、特定の分野の機器には限定されない。
この種の電子機器１８１には、例えばテレビジョン受像機が想定される。図３７に、テレビジョン受像機１９１の外観例を示す。
【０１３８】
テレビジョン受像機１９１の筐体正面には、フロントパネル１９３及びフィルターガラス１９５等で構成される表示画面１９７が配置される。表示画面１９７の部分が、形態例で説明した有機ＥＬディスプレイ装置に対応する。
【０１３９】
また、この種の電子機器１８１には、例えばデジタルカメラが想定される。図３８に、デジタルカメラ２０１の外観例を示す。図３８（Ａ）が正面側（被写体側）の外観例であり、図３８（Ｂ）が背面側（撮影者側）の外観例である。
【０１４０】
デジタルカメラ２０１は、撮像レンズ（図３８は保護カバー２０３が閉じた状態であるので、保護カバー２０３の裏面側に配置される。）、フラッシュ用発光部２０５、表示画面２０７、コントロールスイッチ２０９及びシャッターボタン２１１で構成される。このうち、表示画面２０７の部分が、形態例で説明した有機ＥＬディスプレイ装置に対応する。
【０１４１】
また、この種の電子機器１８１には、例えばビデオカメラが想定される。図３９に、ビデオカメラ２２１の外観例を示す。
ビデオカメラ２２１は、本体２２３の前方に被写体を撮像する撮像レンズ２２５、撮影のスタート／ストップスイッチ２２７及び表示画面２２９で構成される。このうち、表示画面２２９の部分が、形態例で説明した有機ＥＬディスプレイ装置に対応する。
【０１４２】
また、この種の電子機器１８１には、例えば携帯端末装置が想定される。図４０に、携帯端末装置としての携帯電話機２３１の外観例を示す。図４０に示す携帯電話機２３１は折りたたみ式であり、図４０（Ａ）が筐体を開いた状態の外観例であり、図４０（Ｂ）が筐体を折りたたんだ状態の外観例である。
【０１４３】
携帯電話機２３１は、上側筐体２３３、下側筐体２３５、連結部（この例ではヒンジ部）２３７、表示画面２３９、補助表示画面２４１、ピクチャーライト２４３及び撮像レンズ２４５で構成される。このうち、表示画面２３９及び補助表示画面２４１の部分が、形態例で説明した有機ＥＬディスプレイ装置に対応する。
【０１４４】
また、この種の電子機器１８１には、例えばコンピュータが想定される。図４１に、ノート型コンピュータ２５１の外観例を示す。
ノート型コンピュータ２５１は、下型筐体２５３、上側筐体２５５、キーボード２５７及び表示画面２５９で構成される。このうち、表示画面２５９の部分が、形態例で説明した有機ＥＬディスプレイ装置に対応する。
【０１４５】
これらの他、電子機器１８１には、オーディオ再生装置、ゲーム機、電子ブック、電子辞書等が想定される。
【０１４６】
（Ｃ−３）他の表示デバイス例
形態例の説明においては、輝度特性補正機能を有機ＥＬディスプレイ装置に搭載する場合について説明した。
【０１４７】
しかし、輝度特性補正機能は、その他の自発光表示装置に対しても適用することができる。例えば無機ＥＬディスプレイ装置、ＬＥＤを配列する表示装置その他のダイオード構造を有する発光素子を画面上に配列した表示装置に対しても適用できる。
【０１４８】
（Ｃ−４）制御デバイス構成
前述の説明では、輝度特性補正部をハードウェア的に実現する場合について説明した。
しかし、輝度特性補正部の一部又は全部は、ソフトウェア処理として実現することができる。
【０１４９】
（Ｃ−５）その他
前述した形態例には、発明の趣旨の範囲内で様々な変形例が考えられる。また、本明細書の記載に基づいて創作される又は組み合わせられる各種の変形例及び応用例も考えられる。
【図面の簡単な説明】
【０１５０】
【図１】画素回路の構造例を示す図である。
【図２】駆動温度特性による電流駆動素子のソース電位変動を説明する図である（従来例）。
【図３】有機ＥＬ素子の両電極間に発生する両極間電圧の温度変化を説明する図である。
【図４】発光輝度の温度依存特性を説明する図である。
【図５】有機ＥＬ素子の両電極間に発生する両極間電圧の駆動温度特性を説明する図である。
【図６】有機ＥＬ素子の陰極電位の制御手法を説明する図である（提案手法）。
【図７】提案手法の適用効果を説明する図である。
【図８】形態例１に係る有機ＥＬディスプレイ装置の機能構成例を示す図である。
【図９】画素回路と駆動回路の接続関係を示す図である。
【図１０】輝度特性補正部の内部構成例を示す図である。
【図１１】輝度特性の温度特性補正用に参照するテーブル例を示す図である。
【図１２】陰極電位可変部の内部構成例を示す図である。
【図１３】駆動信号波形と電流駆動素子の端子電位の対応関係を示す図である。
【図１４】ソース電位の駆動温度特性を説明する図である。
【図１５】形態例２で使用する有機ＥＬパネルの構造例を示す図である（その１）。
【図１６】形態例２に係る有機ＥＬディスプレイ装置の機能構成例を示す図である（その１）。
【図１７】画素回路と駆動回路の接続関係を示す図である。
【図１８】温度検出部の内部構成例を示す図である。
【図１９】温度変換部の内部構成例を示す図である。
【図２０】検出電圧と駆動温度との対応関係を記録した参照テーブル例を示す図である。
【図２１】形態例２で使用する有機ＥＬパネルの構造例を示す図である（その２）。
【図２２】形態例２に係る有機ＥＬディスプレイ装置の機能構成例を示す図である（その２）。
【図２３】画素回路と駆動回路の接続関係を示す図である。
【図２４】温度検出部の内部構成例を示す図である。
【図２５】測定タイミング信号の一例を示す図である。
【図２６】温度変換部の内部構成例を示す図である。
【図２７】駆動信号波形と電流駆動素子の端子電位の対応関係を示す図である。
【図２８】形態例２で使用する有機ＥＬパネルの構造例を示す図である（その３）。
【図２９】有機ＥＬパネルの詳細構成を説明する図である。
【図３０】形態例２に係る有機ＥＬディスプレイ装置の機能構成例を示す図である（その３）。
【図３１】画素回路と駆動回路の接続関係を示す図である。
【図３２】温度検出部の内部構成例を示す図である。
【図３３】温度変換部の内部構成例を示す図である。
【図３４】駆動信号波形と電流駆動素子の端子電位の対応関係を示す図である。
【図３５】表示モジュールの構成例を示す図である。
【図３６】電子機器の機能構成例を示す図である。
【図３７】電子機器の商品例を示す図である。
【図３８】電子機器の商品例を示す図である。
【図３９】電子機器の商品例を示す図である。
【図４０】電子機器の商品例を示す図である。
【図４１】電子機器の商品例を示す図である。
【符号の説明】
【０１５１】
１１          有機ＥＬディスプレイ装置
２３          輝度特性補正部
３１          温度検出部
３３          陰極電位決定部
３５          陰極電位可変部
５５          ダミー画素領域
６３          輝度特性補正部
７１          ダミー画素データ発生部
７３          ダミー画素挿入部
７５          温度変換部
９５          温度検出兼用画素
１０３        輝度特性補正部
１１１        測定用画素データ発生部
１１３        測定用画素データ置換部
１１５        温度変換部
１３５        温度検出兼用画素
１４３        輝度特性補正部
１５１        測定用画素データ発生部
１５３        測定対象画素指定部
１５５        測定用画素データ置換部
１５７        温度変換部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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