(57)【要約】【課題】圧電デバイスの経年的な共振周波数の変化を低減する圧電デバイスの製造方法を提供する。【解決手段】圧電材料からなる圧電基板表面に励振電極１６を形成した圧電振動素子１５を導電性接着剤１７にて容器１０内に搭載する素子搭載工程と、容器１０と一方の面にシリコーン系樹脂２１を供えた蓋体２０とを、シリコーン系樹脂２１が空間内に収納されるように接合して気密に封止する封止工程と、を備える。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電材料からなる圧電基板表面に金属膜を形成した圧電振動素子を導電性接合部材にて容器内に搭載する素子搭載工程と、
前記容器と一方の面に非結合電子対を有する樹脂を供えた蓋体とを、該樹脂が空間内に収納されるように接合して気密に封止する封止工程と、を備えたことを特徴とする圧電デバイスの製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の圧電デバイスの製造方法において、
前記非結合電子対を有する樹脂がシリコーン系樹脂であることを特徴とする圧電デバイスの製造方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の圧電デバイスの製造方法において、
前記封止工程が前記容器を加熱しながら前記容器と前記蓋体とを接合して気密に封止する封止工程であることを特徴とする圧電デバイスの製造方法。
【請求項４】
圧電材料からなる圧電基板表面に金属膜を形成した圧電振動素子を導電性接合部材にて、連通穴を有する容器内に搭載する素子搭載工程と、
前記容器と一方の面に非結合電子対を有する樹脂を供えた蓋体とを、該樹脂が空間内に収納されるように接合する蓋体接合工程と、
前記容器の前記連通穴を塞ぐことにより気密に封止する封止工程と、を備えたことを特徴とする圧電デバイスの製造方法。
【請求項５】
請求項４に記載の圧電デバイスの製造方法において、
前記非結合電子対を有する樹脂がシリコーン系樹脂であることを特徴とする圧電デバイスの製造方法。
【請求項６】
請求項４または５に記載の圧電デバイスの製造方法において、
前記蓋体接合工程が前記容器を加熱しながら前記容器と前記蓋体とを接合する蓋体接合工程であることを特徴とする圧電デバイスの製造方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項に記載の圧電デバイスの製造方法において、前記容器の内壁面には非結合電子対を有する樹脂が塗布されていることを特徴とする圧電デバイスの製造方法。
【請求項８】
圧電材料からなる圧電基板表面に金属膜を形成した圧電振動素子を導電性接合部材にて容器内に搭載する素子搭載工程と、
前記容器と蓋体とを接合して気密に封止する封止工程とを備え、
前記容器の内壁面には非結合電子対を有する樹脂が塗布されていることを特徴とする圧電デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、容器内に圧電振動素子が気密封止された圧電デバイスにおいて、共振周波数の経年的な変化を低減する圧電デバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
圧電振動子、圧電発振器に代表される圧電デバイスは、圧電振動素子が容器内に気密封止された構造を持ち、共振周波数の安定化が図られている。そして、この圧電デバイスは共振周波数が安定していることから、携帯電話などの通信機器やコンピュータなどの電子機器に利用されている。
これらの圧電デバイスは、圧電振動素子が容器内に気密封止され共振周波数の安定化が図られているものの、時間の経過と共に共振周波数が低下する現象がある。
図７は容器内に気密封止した水晶振動素子について、エージングを加速させる試験（加速エージング試験）を行った結果を示すグラフであり、縦軸に共振周波数の変化量をとり、横軸に時間をとって示している。
この図７から、共振周波数の低下は急激に起こるのではなく、時間の経過とともに少しずつ進行していくのが理解される。しかし、この現象の原因については多くの推論がなされているものの、明確な要因が掴めておらず根本的な解決がなされていない。
【０００３】
例えば、特許文献１には圧電振動子の経年的な共振周波数の低下現象の解決を目的とした技術が開示されている。
この特許文献１には、圧電振動素子の経年的な周波数の低下現象の発生原因が、電極を構成する金属膜の表層で生ずる酸化現象にあると捉え、金属膜の表層に蒸着やスパッタの手法で絶縁性膜（ＳｉＯ2膜）を付着してその全面を覆う、或いは金属膜の表層を予め酸化処理、窒化処理もしくは炭化処理して保護膜を形成する方法が開示されている。なお、表層を金（Ａｕ）膜で構成した場合の酸化現象などは、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）などの下地膜が金膜の表層まで析出した下地金属部分にのみ発生し、金部分は安定的なので酸化などはしない。
【０００４】
【特許文献１】特開平７−１５４１８７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、この従来技術にあっては、次のような問題が発生する。即ち、圧電振動素子の金属膜の表面に蒸着等によってＳｉＯ2膜を形成して覆う際に、厳密な厚み管理制御が必要となる。ＳｉＯ2膜は金との密着性に乏しいため剥がれやすく、また、ＳｉＯ2膜が金膜表面から剥離しないように膜厚を厚くすると膜応力により振動子に残留応力が生ずる。つまり温度変化により歪みが生じて温度特性の劣化に繋がる。さらに、酸化膜、窒化膜、あるいは炭化膜等の保護膜を金膜表面に形成する場合、下地膜が析出した部分にのみ膜が形成されることは上述の通りであるが、下地膜が析出した領域の面積は個体によりバラツキがあるので、保護膜による質量付加にバラツキが生じ周波数調整が必要となる。
また、下地膜が金膜上に析出していない状態の電極を使用した場合においても、経年的な周波数の低下現象がみられ、金膜表面に部分的、不規則的に析出したニッケル部分の酸化は、周波数低下の一つの要因ではあるが、根本的な原因ではないことが判明している。従って、上記公報によって提案されている解決策は充分とは言えない。
【０００６】
本発明は、上記従来の課題を解決するためになされたものであり、その目的は、圧電デバイスの経年的な共振周波数の変化を低減する圧電デバイスの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明の圧電デバイスの製造方法は、圧電材料からなる圧電基板表面に金属膜を形成した圧電振動素子を導電性接合部材にて容器内に搭載する素子搭載工程と、前記容器と一方の面に非結合電子対を有する樹脂を供えた蓋体とを、該樹脂が空間内に収納されるように接合して気密に封止する封止工程と、を備えたことを特徴とする。
【０００８】
本発明の圧電デバイスの製造方法によれば、蓋体に形成された樹脂から、封止工程において発生する熱で非結合電子対を有する気体が蒸散し、圧電振動素子の金属膜にこの気体の分子が化学吸着されて単分子膜が形成される。このことから、金属膜表面全体に形成された単分子膜の上にさらに分子の吸着が行われることがなく、圧電デバイスの経年的な共振周波数の変化を低減する圧電デバイスの製造方法を提供することができる。また、別な効果として、蓋体の封止される側の面に樹脂を塗布しているので、蓋体からの金属粉が圧電振動素子の金属膜に落下するのを防止できる。
【０００９】
また、本発明の圧電デバイスの製造方法は、前記非結合電子対を有する樹脂がシリコーン系樹脂であることが好ましい。
【００１０】
この圧電デバイスの製造方法によれば、非結合電子対を有する樹脂がシリコーン系樹脂であり、容易に蓋体に樹脂を塗布することが可能である。
【００１１】
また、本発明の圧電デバイスの製造方法は、前記封止工程が前記容器を加熱しながら前記容器と前記蓋体とを接合して気密に封止する封止工程であることが好ましい。
【００１２】
この圧電デバイスの製造方法によれば、封止作業において発生する熱に加えて、容器からの熱により、樹脂から多くの気体を蒸散することができ、短時間で金属膜に非結合電子対を有する気体の分子を吸着させることができる。
【００１３】
本発明の圧電デバイスの製造方法は、圧電材料からなる圧電基板表面に金属膜を形成した圧電振動素子を導電性接合部材にて、連通穴を有する容器内に搭載する素子搭載工程と、前記容器と一方の面に非結合電子対を有する樹脂を供えた蓋体とを、該樹脂が空間内に収納されるように接合する蓋体接合工程と、前記容器の前記連通穴を塞ぐことにより気密に封止する封止工程と、を備えたことを特徴とする。
【００１４】
本発明の圧電デバイスの製造方法によれば、蓋体に形成された樹脂から、蓋体接合工程において発生する熱で非結合電子対を有する気体が蒸散し、圧電振動素子の金属膜にこの気体の分子が化学吸着されて単分子膜が形成される。このことから、金属膜表面全体に形成された単分子膜の上にさらに分子の吸着が行われることがなく、圧電デバイスの経年的な共振周波数の変化を低減する圧電デバイスの製造方法を提供することができる。また、別な効果として、蓋体の封止される面に樹脂を塗布しているので、蓋体からの金属粉が圧電振動素子の金属膜に落下するのを防止できる。
【００１５】
また、本発明の圧電デバイスの製造方法は、前記非結合電子対を有する樹脂がシリコーン系樹脂であることが好ましい。
【００１６】
この圧電デバイスの製造方法によれば、非結合電子対を有する樹脂がシリコーン系樹脂であり、容易に蓋体に樹脂を塗布することが可能である。
【００１７】
また、本発明の圧電デバイスの製造方法は、前記蓋体接合工程が前記容器を加熱しながら前記容器と前記蓋体とを接合する蓋体接合工程であることが好ましい。
【００１８】
この圧電デバイスの製造方法によれば、封止作業において発生する熱に加えて、容器からの熱により、樹脂から多くの気体を蒸散することができ、短時間で金属膜に非結合電子対を有する気体の分子を吸着させることができる。
【００１９】
また、本発明の圧電デバイスの製造方法は、容器の内壁面に非結合電子対を有する樹脂が塗布しても良い。また、蓋体と容器の内壁面の両方に非結合電子対を有する樹脂を形成しても良い。この圧電デバイスの製造方法によれば、非結合電子対を有する樹脂の塗布領域を広くできるので、圧電振動素子の金属膜に単分子膜を効率的に形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
実施形態の説明に先立ち、本発明が成立するに至った経緯を説明する。
従来より、容器内に気密封止された圧電振動子の周波数が経年的に低下し続けるという現象が知られていたが、その原因究明がされなかった。このような不具合を解決する手法として、これまでは周波数が低下する速度を遅らせることに注目し研究されてきた。
このような現状に対して、その研究過程で行ったエージングを加速する試験（加速エージング試験）において、周波数がある値まで低下した後に、それ以降の周波数変動が起こらない安定領域が存在することを見出した。このことを精査した結果、経年的な周波数低下現象の一つの原因が、圧電振動素子を容器内に接着するためのシリコーン樹脂導電性接着剤を構成するシリコーン樹脂より蒸散されるシリコーン分子（環状ジメチルポリシロキサン分子：ジメチルポリシロキサンを４〜７重合したもの）が、圧電振動素子の金属膜（励振電極）上に化学吸着することによる質量増加であることを見出した。
【００２１】
つまり、金をはじめとした金属材料の表面の原子はダングリングボンドを備えており、非結合電子対を備えた物質と化学的に吸着しやすい状態にあるため、シリコーン分子が金属材料の表面に吸着される。そして、シリコーン分子は非結合電子対を有するため、励振電極表面に単分子膜を形成する。励振電極表面のダングリングボンドの数は有限であり、更に化学吸着によって励振電極表面全体に形成された単分子膜の上に更にシリコーン分子が重ねて化学吸着することはできず、それ以上周波数が低下することはない。一方、水晶基板を構成する水晶材料はダングリングボンドを有さないため、シリコーン分子は水晶基板表面に化学吸着することはない。
このことから、容器の気密封止前に、予め水晶振動素子などの圧電振動素子の励振電極表面にシリコーン分子を吸着させれば、それ以上、ガスの吸着が行われず経年的に共振周波数が低下することを低減させることが可能であると考え、以下に、その具体的な圧電デバイスの製造方法を提案する。
【００２２】
（第１の実施形態）
図１は、本実施形態に係る圧電デバイスとしての圧電振動子を示す構成図であり、図１（ａ）は概略平面図、図１（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ断線に沿う模式断面図である。
圧電振動子１は、容器１０と、容器１０に収容される圧電振動素子１５と、容器１０内を気密に封止する蓋体２０とを備えている。
容器１０は、セラミックなどの絶縁基板１１にコバール材などの金属リング１２が、ろう材などで固着されている。また、絶縁基板１１には圧電振動素子１５との接続をなす接続パッド１３が設けられ、絶縁基板１１内の配線により外部接続端子１４に接続されるように構成されている。
【００２３】
圧電振動素子１５は水晶板、タンタル酸リチウム板などの圧電基板からなり、その表面にＡｕなどの金属膜である励振電極１６が形成されている。そして、圧電振動素子１５はシリコーン樹脂などの導電性接着剤１７を介して、絶縁基板１１の接続パッド１３に固定されている。このようにして、圧電振動素子１５の励振電極１６と接続パッド１３とが電気的に接続される。また、励振電極１６の表面にはシリコーン分子（環状ジメチルポリシロキサン分子：ジメチルポリシロキサンを４〜７重合したもの）２５が化学吸着されて単分子層が形成されている。ここで、励振電極１６上のシリコーン分子２５の付着状態は、図１（ｂ）の模式断面図において点で図示しているが、励振電極１６表面を覆うように数多くのシリコーン分子２５が付着している。
【００２４】
容器１０の金属リング１２の上方にはコバール材などの蓋体２０が配置され、シーム溶接などにより、容器１０と蓋体２０により画定される空間が気密に封止されている。詳しくは、金属リング１２の表面にＮｉ、Ａｕのメッキが施され、蓋体２０の表面にはＮｉメッキが施されており、加熱によりＡｕ−Ｎｉ共晶合金が形成されることにより両者が接合されている。また、蓋体２０の一方の面にはシリコーン系樹脂２１が塗布されて定着されている。このシリコーン系樹脂２１は、容器１０と蓋体２０により画定される空間に収納され圧電振動素子１５に対向するように配置されている。
【００２５】
次に、上記の構成における圧電振動子１の製造方法について説明する。
図２は圧電振動子１の製造方法を説明する模式工程図である。
まず、図２（ａ）に示すように、一方の面にシリコーン系樹脂２１を塗布し定着させた蓋体２０を用意しておく。蓋体２０のシリコーン系樹脂２１は金属リング１２と接合する部分には塗布せず、蓋体２０の略中央部分に塗布し、加熱などにより蓋体２０に定着させる。
そして、図２（ｂ）に示すように素子搭載工程として、シリコーンなどを含む導電性接着剤１７が塗布された容器１０の接続パッド１３上に圧電振動素子１５を搭載する。続いて、圧電振動素子１５を搭載した容器１０を加熱して導電性接着剤１７を乾燥させ、圧電振動素子１５を容器１０内に固定する。
【００２６】
次に、図２（ｃ）に示すように周波数調整工程として、イオンガン２３よりイオンビームを圧電振動素子１５の励振電極１６に照射して、励振電極１６の一部を削って所定の周波数になるように周波数調整を行う。
その後、図２（ｄ）に示すように封止工程として、予め用意したシリコーン系樹脂２１を設けた蓋体２０を容器１０の金属リング１２の上方に配置し、容器１０の下方からヒータブロックなどを用いて加熱を行う。そして、Ｎ2などの不活性ガス雰囲気で溶接ローラ２４を蓋体２０に圧接して電流を流してシーム溶接を行い、容器１０と蓋体２０により画定される空間を気密に封止する。
【００２７】
このとき、シーム溶接により接合面から蓋体２０に熱が伝達する。シーム溶接の接合面では数百度の温度となり、蓋体２０のシリコーン系樹脂２１を設けた部分もその温度近くに上昇する。すると、シリコーン系樹脂２１よりシリコーン分子が蒸散し、図１（ｂ）に示すように、容器１０と蓋体２０により画定される空間内にシリコーン分子２５が不活性ガス雰囲気に散乱する。その一部は圧電振動素子１５の励振電極１６の表面に化学吸着して単分子膜を形成する。
【００２８】
以上のように本実施形態の圧電振動子１の製造方法によれば、蓋体２０に形成されたシリコーン系樹脂２１から、封止工程において発生する熱でシリコーン分子（非結合電子対）２５を有する気体が蒸散し、圧電振動素子１５の励振電極１６にこの気体の分子が化学吸着されて単分子膜が形成される。励振電極１６の表面全体に形成された単分子膜のシリコーン分子は吸着の手をもたないことから、さらに分子の吸着が行われることがなく、圧電振動子１の経年的な共振周波数の変化を低減する圧電振動子１の製造方法を提供することができる。また、蓋体２０に形成されたシリコーン系樹脂２１により、封止後、蓋体２０からの金属粉が励振電極１６に落下するのを防止できる。
【００２９】
（第２の実施形態）
次に、第２の実施形態に係る圧電振動子について説明する。
図３は、圧電デバイスとしての圧電振動子を示す構成図であり、図３（ａ）は概略平面図、図３（ｂ）は同図（ａ）のＢ−Ｂ断線に沿う模式断面図である。
圧電振動子２は、容器３０と、容器３０に収容される圧電振動素子３５と、容器３０に接合する蓋体４０とを備えている。
容器３０は、セラミックなどの絶縁基板３１にコバール材などの金属リング３２が、ろう材などで固着されている。絶縁基板３１には絶縁基板３１を貫通する連通穴３８が形成され、封止工程で、この連通穴３８をＡｕ−Ｓｎなどの合金を溶融させて塞ぐことで、気密封止を行っている。また、絶縁基板３１には圧電振動素子３５との接続をなす接続パッド３３が設けられ、絶縁基板３１内の配線により外部接続端子３４に接続されるように構成されている。
【００３０】
圧電振動素子３５は水晶板、タンタル酸リチウム板などの圧電基板からなり、その表面にＡｕなどの金属膜である励振電極３６が形成されている。そして、圧電振動素子３５はシリコーン樹脂などの導電性接着剤３７を介して、絶縁基板３１の接続パッド３３に固定されている。このようにして、圧電振動素子３５の励振電極３６と接続パッド３３とが電気的に接続される。また、励振電極３６の表面にはシリコーン分子（環状ジメチルポリシロキサン分子：ジメチルポリシロキサンを４〜７重合したもの）４５が化学吸着されて単分子層が形成されている。
【００３１】
容器３０の金属リング３２の上方にはコバール材などの蓋体４０が配置され、シーム溶接などにより、容器３０と蓋体４０が接合されている。詳しくは、金属リング３２の表面にＮｉ、Ａｕのメッキが施され、蓋体４０の表面にはＮｉメッキが施されており、加熱によりＡｕ−Ｎｉ共晶合金が形成されることにより両者が接合されている。また、蓋体４０の一方の面にはシリコーン系樹脂４１が塗布されて定着されている。このシリコーン系樹脂４１は、容器３０と蓋体４０により画定される空間に収納され圧電振動素子３５に対向するように配置されている。
【００３２】
次に、上記の構成における圧電振動子２の製造方法について説明する。
図４は圧電振動子２の製造方法を説明する模式工程図である。
まず、図４（ａ）に示すように、一方の面にシリコーン系樹脂４１を塗布し定着させた蓋体４０を用意しておく。シリコーン系樹脂４１は金属リング４２と接合する部分には塗布せず、蓋体４０の略中央部分に塗布し、加熱などにより蓋体４０に定着させる。
そして、図４（ｂ）に示すように素子搭載工程として、シリコーンなどを含む導電性接着剤３７が塗布された容器３０の接続パッド３３上に圧電振動素子３５を搭載する。続いて、圧電振動素子３５を搭載した容器３０を加熱して導電性接着剤３７を乾燥させ、圧電振動素子３５を容器３０内に固定する。
【００３３】
次に、図４（ｃ）に示すように周波数調整工程として、イオンガン４３よりイオンビームを圧電振動素子３５の励振電極３６に照射して、励振電極３６の一部を削って所定の周波数になるように周波数調整を行う。
その後、図４（ｄ）に示すように蓋体接合工程として、予め用意したシリコーン系樹脂４１を設けた蓋体４０を容器３０の金属リング３２の上方に配置し、容器３０の下方からヒータブロックなどを用いて加熱を行う。そして、Ｎ2などの不活性ガス雰囲気で溶接ローラ４４を蓋体４０に圧接して電流を流してシーム溶接を行い、容器３０と蓋体４０を接合する。この状態では、絶縁基板３１を貫通する連通穴３８があるために、容器３０と蓋体４０により画定される空間は気密状態にはなっていない。
【００３４】
このとき、シーム溶接により接合面から蓋体４０に熱が伝達する。シーム溶接の接合面では数百度の温度となり、蓋体４０のシリコーン系樹脂４１を設けた部分もその温度近くに上昇する。すると、シリコーン系樹脂４１よりシリコーン分子４５が蒸散し、図４（ｄ）に示すように、容器３０と蓋体４０により画定される空間内にシリコーン分子４５が不活性ガス雰囲気に散乱する。その一部は圧電振動素子３５の励振電極３６の表面に化学吸着して単分子膜を形成する。
【００３５】
続いて、図４（ｅ）に示すように封止工程として、絶縁基板３１の連通穴３８を通して真空引きをして、空間内のシリコーン分子４５、励振電極３６上に堆積したダングリングボンドと結合していないシリコーン分子４５、および不活性ガスを追い出し、その減圧雰囲気を保ちながら、絶縁基板３１の連通穴３８にＡｕ−Ｓｎ合金などの封止部材３９を配置し、その封止部材３９にレーザ照射装置４６からレーザ光を照射する。レーザ光の照射により封止部材３９が溶融して、連通穴３８を塞ぎ、容器３０と蓋体４０により画定される空間を気密に封止する。
【００３６】
以上のように本実施形態の圧電振動子２の製造方法によれば、蓋体４０に形成されたシリコーン系樹脂４１から、封止工程において発生する熱でシリコーン分子（非結合電子対）４５を有する気体が蒸散し、圧電振動素子３５の励振電極３６にこの気体の分子が化学吸着されて単分子膜が形成される。励振電極３６の表面全体に形成された単分子膜のシリコーン分子は吸着の手をもたないことから、さらに分子の吸着が行われることがなく、圧電振動子の経年的な共振周波数の変化を低減する圧電振動子の製造方法を提供することができる。また、蓋体４０に形成されたシリコーン系樹脂４１により、封止後、蓋体４０からの金属粉が励振電極３６に落下するのを防止できる。
【００３７】
なお、第１の実施形態、第２の実施形態の封止工程では、容器の下方にヒータブロックを配置して容器を加熱し、シリコーン系樹脂から多くの気体を蒸散させ短時間に励振電極にシリコーン分子を吸着させたが、溶接温度、樹脂の体積などの条件により、必ずしも必要はない。また、封止工程ではシーム溶接の他、レーザ溶接、Ａｕ−Ｓｎなどのろう材を溶融させる方法など接合の際に熱が発生する封止方法を採用することができる。
さらに、本実施形態の周波数調整工程では、イオンエッチングによる励振電極を削って周波数を高くする方向での調整を行ったが、蒸着・スパッタなどにより金属膜を付加して周波数を低くする方向での調整を行っても良い。
また、本実施形態の封止工程では、容器と蓋体にて画定される空間を減圧雰囲気またはＮ2などの不活性ガス雰囲気のどちらで封止を行っても良い。
【００３８】
さらに、第１の実施形態、第２の実施形態では、蓋体の一方の面の略中央部分全面にシリコーン系樹脂を塗布したが、図５のように蓋体５０の一方の面の略中央部分にスポイト等で点状にシリコーン系樹脂５１を塗布しても良い。このような形態にすることによりシリコーン系樹脂の塗布量を削減することができるので、樹脂塗布工程の工数削減、及びコスト削減に寄与できる。さらに、以上の形態では、蓋体の一方の面の略中央部分にシリコーン系樹脂を塗布したが、図６のように容器６０の内壁面にシリコーン系樹脂６１を塗布しても良い。同図では内壁にベタにシリコーン系樹脂を形成しているが、点状又はその他の形状でシリコーン系樹脂を塗布しても良い。また、蓋体と容器の内壁面の両方にシリコーン系樹脂を塗布しても良い。このような形態にすることによりシリコーン系樹脂の塗布面積を広くすることができるので、効率よく圧電振動子の金属膜にシリコーン単分子膜を形成できる。
【００３９】
以上、第１の実施形態、第２の実施形態において圧電デバイスとして圧電振動子を例示して説明したが、圧電振動子とこの圧電振動子の発振機能を有するＩＣ部品を備えた圧電発振器として構成しても良い。
さらに、本発明における圧電デバイスの製造方法は、圧電振動素子として弾性表面波素子を用いたＳＡＷ共振子、ＳＡＷフィルタ、ＳＡＷ発振器などの製造においても利用が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】本発明の第１実施形態に係る圧電振動子を示す構成図であり、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断線に沿う模式断面図。
【図２】本発明の第１実施形態に係る製造工程を説明する模式工程図。
【図３】本発明の第２実施形態に係る圧電振動子を示す構成図であり、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ断線に沿う模式断面図。
【図４】本発明の第２実施形態に係る製造工程を説明する模式工程図。
【図５】本発明の別の実施形態に係る蓋体を示す構成図。
【図６】本発明の別の実施形態に係るパッケージを示す構成図。
【図７】従来の容器内に封止した水晶振動素子の共振周波数が低下する現象を示すグラフ。
【符号の説明】
【００４１】
１，２…圧電デバイスとしての圧電振動子、１０…容器、１１…絶縁基板、１２…金属リング、１３…接続パッド、１４…外部接続端子、１５…圧電振動素子、１６…金属膜としての励振電極、１７…導電性接合部材としての導電性接着剤、２０…蓋体、２１…樹脂としてのシリコーン系樹脂、２３…イオンガン、２４…溶接ローラ、２５…シリコーン分子、３０…容器、３１…絶縁基板、３２…金属リング、３３…接続パッド、３４…外部接続端子、３５…圧電振動素子、３６…金属膜としての励振電極、３７…導電性接合部材としての導電性接着剤、３８…連通穴、３９…封止部材、４０…蓋体、４１…樹脂としてのシリコーン系樹脂、４３…イオンガン、４４…溶接ローラ、４５…シリコーン分子、４６…レーザ照射装置、５０…蓋体、５１…シリコーン系樹脂、６０…容器、６１…シリコーン系樹脂。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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