(57)【要約】【課題】デフォーカス量に対する感度が高いフォーカス管理を行うことができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】ウェーハ上にレジスト層を形成し、ライン状の遮光領域６内にスペース８が形成されたマスク１を使用して、レジスト層を露光する。スペース８は、焦点管理用パターンであり、その幅は露光に使用する光の解像度未満であり、光の焦点が基準範囲内にあるときは、現像後のレジスト層にスペース８に起因する形状が出現せず、光の焦点が基準範囲から外れているときは、現像後のレジスト層にスペース８に起因する形状が出現する。そして、現像後のレジスト層におけるスペース８に相当する部分を評価して、光の焦点が基準範囲内にあるかどうかを判定する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にレジスト層を形成する工程と、
サイズが前記レジスト層の露光に使用する光の解像度未満であり、前記レジスト層を露光したときに、光の焦点が基準範囲内にあるときは、前記レジスト層を現像したときに、それに起因する形状が出現せず、光の焦点が前記基準範囲から外れているときは、前記レジスト層を現像したときに、それに起因する形状が出現するように形成された焦点管理用パターンが形成されたマスクを使用して前記レジスト層を露光する工程と、
前記露光後のレジスト層を現像する工程と、
前記現像後のレジスト層において前記焦点管理用パターンに起因する形状が出現しているか否かを評価することにより、前記露光する工程において光の焦点が前記基準範囲内にあったかどうかを判定する工程と、
を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記レジスト層はポジ型のレジスト層とし、
前記焦点管理用パターンは、ライン状の遮光領域内に形成され、幅が前記解像度未満のスペースとし、
前記評価は、前記レジスト層における前記遮光領域に相当するパターンが崩れているかどうかを評価し、崩れていなければ前記焦点が前記基準範囲内にあり、崩れていれば前記焦点が前記基準範囲から外れていると判定することを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記マスクには幅が前記解像度以上である他の遮光領域が形成されており、
前記現像後のレジスト層における前記他の遮光領域に相当する部分の幅に基づいて前記光の光量を評価する工程をさらに備えたことを特徴とする請求項２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記焦点管理用のパターンに相当する部分の形状の評価は、スキャットロメトリ法によって行うことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記基板はウェーハであり、
前記焦点管理用パターンは、前記ウェーハにおける外周からの距離が相互に異なる複数の位置に相当する位置に形成することを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特に、基板上にレジスト層を形成し、露光し、現像する工程を含む半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、半導体装置を製造する際には、半導体ウェーハに不純物を選択的に導入して拡散層を形成した後、この半導体ウェーハ上に絶縁層及び配線層を積層させている。そして、不純物の選択的な導入、絶縁層におけるビアの形成、及び配線層における配線の形成に際しては、パターニングされたレジスト層（レジストパターン）をマスクとして、イオン注入及びエッチングなどを行っている。また、レジスト層は感光性の材料により形成し、マスクを使用して選択的に露光した後、現像することにより、パターニングしている。
【０００３】
レジスト層を露光する際には、露光装置は合焦動作を行いつつ露光する。しかしながら、あるウェーハを露光する際の最適な焦点位置は、露光装置の状態、レジスト層の下層に形成された膜の膜厚などのウェーハの状態、気圧及び温度などの環境条件などによって変動するため、露光装置が合焦動作を行っていても、焦点が基準範囲から外れてしまうことがある。焦点が基準範囲から外れると、現像後のレジストパターンの形状が不安定になり、製品に欠陥が発生してしまう。
【０００４】
そこで、現像後のレジストパターンを評価することにより、焦点のずれ、すなわち、デフォーカス量を検出する方法が開発されている（例えば、特許文献１参照。）。例えば、現像後のレジストパターンのうち、孤立したパターンのテーパ角をスキャッタロメトリ法によって測定する技術が知られている。スキャッタロメトリ法とは、ブロードな光を評価対象物に対して照射し、その反射光の回折挙動を解析することにより、評価対象物の形状を評価する方法である。レジストパターンのテーパ角は、露光に用いる光の焦点位置に依存して変化するため、原理的には、スキャッタロメトリ法によりレジストパターンのテーパ角を測定すれば、焦点位置を知ることができる。しかしながら、この方法では、反射光がレジストプロセス及び下地の影響を強く受けてしまうため、デフォーカス量のみを抽出して評価することが困難である。
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−１８９２６４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、デフォーカス量に対する感度が高いフォーカス管理を行うことができる半導体装置の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様によれば、基板上にレジスト層を形成する工程と、サイズが前記レジスト層の露光に使用する光の解像度未満であり、前記レジスト層を露光したときに、光の焦点が基準範囲内にあるときは、前記レジスト層を現像したときに、それに起因する形状が出現せず、光の焦点が前記基準範囲から外れているときは、前記レジスト層を現像したときに、それに起因する形状が出現するように形成された焦点管理用パターンが形成されたマスクを使用して前記レジスト層を露光する工程と、前記露光後のレジスト層を現像する工程と、前記現像後のレジスト層において前記焦点管理用パターンに起因する形状が出現しているか否かを評価することにより、前記露光する工程において光の焦点が前記基準範囲内にあったかどうかを判定する工程と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、デフォーカス量に対する感度が高いフォーカス管理を行うことができる半導体装置の製造方法を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、図面を参照しつつ、本発明の実施形態について説明する。  
先ず、本発明の第１の実施形態について説明する。  
図１は、本実施形態において使用する露光装置を例示する模式図であり、  
図２は、図１に示す光源絞りを例示する平面図であり、  
図３は、本実施形態において使用するマスクを例示する平面図、及びこのマスクを使用したときのシミュレーション結果を例示するグラフ図であり、グラフ図の横軸はウェーハにおける位置を表し、縦軸は露光量を表す。なお、図３においてグラフ図の横軸が表すウェーハにおける位置は、平面図に示すマスクの位置に対応している。  
図４（ａ）及び（ｂ）は、現像後のレジストパターンの形状を例示する平面図であり、（ａ）は光の焦点が基準範囲内にある場合を示し、（ｂ）は光の焦点が基準範囲から外れている場合を示す。
【００１０】
先ず、本実施形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。例えばシリコンの単結晶からなるウェーハ上にレジストパターンを形成する。そして、このレジストパターンをマスクとして不純物を導入し、ウェーハに拡散層を形成する。次に、ウェーハ上に絶縁膜を形成し、この絶縁膜上に他のレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとしてエッチングを行い、絶縁膜にコンタクトホールを形成する。そして、このコンタクトホール内に導電材料を埋め込んで、コンタクトを形成する。次に、この絶縁膜上に更に他のレジストパターンを形成し、このレジストパターンのスペース部分に導電層を堆積させて、配線を形成する。以後、上述の絶縁膜の形成と配線の形成とを繰り返すことにより、多層配線層を形成する。これにより、半導体装置が形成される。
【００１１】
上述の各工程において、レジストパターンを形成する際には、先ず、全面にスピンコート法などによりレジスト層を塗布し、このレジスト層をマスクを介して選択的に露光し、その後現像する。これにより、レジスト層がパターニングされて、レジストパターンが形成される。
【００１２】
そして、本実施形態においては、上述のレジスト層を露光する際に、フォーカス管理を行う。先ず、本実施形態において使用する露光装置について説明する。  
図１に示すように、露光装置１１においては、光源１２が設けられており、光源１２から出射される光Ｌの光路に沿って、光源絞り１３、コンデンサレンズ１４、投影レンズ１５がこの順に設けられている。そして、コンデンサレンズ１４と投影レンズ１５との間にマスク１が挿入され、投影レンズ１５の焦点位置付近に基板としてのウェーハ２０が配置される。
【００１３】
光源１２は、例えばレーザー光の発振装置である。光源１２が発振するレーザー光は、例えばＡｒＦアルゴンレーザーであり、その波長は１９３ナノメートルである。光源絞り１３は、光源１２から出射された光Ｌのうち、ウェーハに対して特定の角度で入射する光束のみを通過させ、残りを遮断する。コンデンサレンズ１４は、光源１２から出射し、光源絞り１３を通過した光を、マスク１に向けて集光する。投影レンズ１５は、マスク１を通過した光を集光し、ウェーハ２０の表面で結像させる。投影レンズ１５の開口数が０．９２である場合の解像度は、５５ナノメートル程度である。
【００１４】
図２に示すように、光源絞り１３は、光源１２から出射された光Ｌの光軸Ｃに対して垂直に配置された板状部材であり、光軸Ｃを挟む２ヶ所の位置にそれぞれ透光領域１３ａが形成されており、残部は遮光領域１３ｂとなっている。これにより、透光領域１３ａを通過した光は、マスク１により回折し、０次光及び−１次光が光軸Ｃに対して略等しい角度をなして傾斜し、この０次光及び−１次光のみが投影レンズ１５によって集光されて、ウェーハ２０の表面に到達する。
【００１５】
次に、本実施形態において使用するマスクについて説明する。  
図３に示すように、マスク１においては、通常の配線などを形成するためのセル部２の他に、焦点管理部３が形成されている。なお、図３の平面図においては、図を見易くするために、遮光部分には斜線を付し、透光部分は白抜きで示している。また、図３のグラフ図においては、ベストフォーカス時の露光量を実線で示し、デフォーカス時の露光量を破線で示している。なお、実線と破線とが略重なる部分は、破線を省略している。
【００１６】
セル部２においては、例えば、スペース状の透光領域４とライン状の遮光領域５とが、一定の周期で交互に配置されている。透光領域４及び遮光領域５の幅は、それぞれマスク１のパターン周期に等しく、例えば５６ナノメートルである。透光領域４及び遮光領域５の幅は光Ｌの解像度よりも大きい。なお、例えば、透光領域４は、後の工程において配線が形成される領域であり、遮光領域５は、配線間のスペースとなる領域である。
【００１７】
焦点管理部３においては、ライン状の遮光領域６が複数本、例えば３本設けられており、遮光領域６間は、透光領域７となっている。遮光領域６の幅は、光Ｌの解像度よりも大きく、例えばマスク１のパターン周期の奇数倍であり、例えば、パターン周期の５倍、すなわち、２８０ナノメートルである。透光領域７の幅は遮光領域６の幅と等しい。
【００１８】
遮光領域６の内部には、焦点管理用パターンとしてのスペース８が例えば２本形成されている。スペース８はＳＲＡＦ（Sub Resolution Asist Feature：非解像性細パターン）であり、そのサイズ、すなわち幅は、光Ｌの解像度よりも小さく、例えば、２２乃至３０ナノメートルである。また、透光領域７の内部には、例えば２本のライン９が形成されている。ライン９の幅も光Ｌの解像度よりも小さく、例えば、２２乃至３０ナノメートルである。後述するように、焦点管理用パターンとしてのスペース８は、サイズ、すなわち幅が露光に使用する光Ｌの解像度未満であり、レジスト層２１を現像したときに、起因する形状が、光Ｌの焦点が基準範囲内にあるときは出現せず、焦点が基準範囲から外れているときは出現するようなパターンである。
【００１９】
次に、上述の露光装置及びマスクの使用方法、すなわち、本実施形態に係るフォーカス管理方法について説明する。本実施形態に係るフォーカス管理方法は、ウェーハ上に形成されたレジスト層を露光するときのフォーカス管理方法である。  
先ず、図１に示すように、ウェーハ２０上にレジスト層２１を均一に形成する。レジスト層２１は例えばポジ型とする。この状態で、ウェーハ２０を露光装置１１に装入する。
【００２０】
次に、露光装置１１において、光源１２がレーザー光Ｌを出射する。光Ｌのうち、光源絞り１３の透光領域１３ａを通過した光束は、コンデンサレンズ１４によってマスク１に向けて集光される。マスク１に到達した光Ｌは、セル部２の透光領域４並びに焦点管理部３のスペース８及び透光領域７におけるライン９以外の領域を透過し、投影レンズ１５によって集光され、ウェーハ２０上のレジスト層２１において結像する。このとき、マスク１を透過した光は回折し、０次光及び−１次光のみがウェーハ２０のレジスト層２１に到達する。これにより、マスク１に形成されたパターンが、レジスト層２１に縮小投影される。
【００２１】
次に、ウェーハ２０を露光装置１１から取り出し、現像する。これにより、レジスト層２１において、解像閾値以上の光量で露光された部分は溶解され、除去される。一方、照射された光量が解像閾値未満であった部分は、溶解されずに残留する。
【００２２】
このとき、図３のグラフ図に実線で示すように、ベストフォーカス時には、レジスト層２１におけるスペース８に相当する位置には、レジスト層２１の解像閾値ＳＢＦ以上の光量は到達しない。このため、図４（ａ）に示すように、レジスト層２１を現像した後においても、スペース８に相当する部分は溶解されず、遮光領域６に相当する領域全体がライン状のレジストパターン２２として残留する。すなわち、現像後のレジスト層２１にはスペース８に起因する形状が出現しない。
【００２３】
一方、図３のグラフ図に破線で示すように、デフォーカス時、すなわち、光Ｌの焦点が基準範囲から外れている場合は、レジスト層２１におけるスペース８に相当する位置には、レジスト層２１の解像閾値ＳＤＦ以上の光量が到達する。このため、図４（ｂ）に示すように、レジスト層２１を現像した後においては、スペース８に相当する部分が溶解され、遮光領域６に相当するレジストパターン２２内に、スペース状のパターン２３として現れる。すなわち、現像後のレジスト層２１にはスペース８に起因する形状が出現する。
【００２４】
また、デフォーカス時であっても、デフォーカス量が比較的小さい場合には、現像後のレジスト層２１におけるレジストパターン２２には、スペース状のパターン２３は明確には現れず、レジストパターン２２が崩れることによって、スペース８に起因する形状が出現する。
【００２５】
従って、現像後のレジスト層２１におけるスペース８に相当する部分の形状を評価し、遮光領域６に相当する領域全体が、明確な１本のライン状のレジストパターン２２として残留していれば、レジスト層２１にスペース８に起因する形状が出現していないと判断し、焦点は基準範囲内にあると判定することができる。一方、レジストパターン２２内において、スペース状のパターン２３が形成されているか、レジストパターン２２が崩れていれば、レジスト層２１にスペース８に起因する形状が出現していると判断し、焦点は基準範囲内にないと判定することができる。これにより、露光時のフォーカスを管理することができる。なお、焦点の基準範囲とは、レジスト層２１を正常に露光できるような焦点位置をいい、例えば、レジスト層２１の厚さ方向の中心から一定値以下の距離にある範囲をいい、例えば、レジスト層２１の厚さ方向の中心から上下に８５ナノメートル以下の範囲をいう。
【００２６】
現像後のレジスト層２１にスペース８に起因する形状が出現しているか否かの判定は、例えば、レジスト層２１をＳＥＭ（Scanning Electron Microscope：走査型電子顕微鏡）により観察して行うか、スキャッタロメトリ法によって行うことができる。スキャッタロメトリ法によって行う場合は、ブロードな光、すなわち、波長域が広い光をレジスト層２１に対して照射し、その反射光の回折によってレジストパターンの形状を検出する。そして、光Ｌの焦点が基準範囲から外れている場合は、露光装置１１を調整し、焦点位置を調節することができる。
【００２７】
一方、セル部２の透光領域４及び遮光領域５の幅は光Ｌの解像度以上であるため、ベストフォーカス時及びデフォーカス時のいすれの場合も、セル部２の透光領域４は溶解され、遮光領域５は残留する。これにより、レジスト層２１における遮光領域５に相当する部分は、ライン状のパターンとなる。この遮光領域５に相当するライン状パターンの幅は露光量に依存し、露光量が多いほど幅が小さくなる。従って、このパターンの幅を測定することによって、露光量が適正かどうかを判断することができる。
【００２８】
図５は、横軸に焦点管理用パターン（スペース８）の幅をとり、縦軸に焦点深度及び光量差ｘをとって、焦点管理用パターンの幅の好適範囲を例示するグラフ図である。  
図５の縦軸に示す焦点深度は、セル部における焦点管理部に最も近い位置に形成された遮光領域４の焦点深度である。また、光量差ｘとは、図３に示すように、ベストフォーカス時における解像閾値ＳＢＦから、レジスト層における焦点管理用パターンに相当する領域が受ける光量を減じた値であり、この光量差ｘが正の値であればレジスト層は溶解せず、負の値であれば溶解する。
【００２９】
図５に示すように、焦点深度及び光量差ｘは焦点管理用パターンであるスペース８の幅に依存し、スペース８の幅が大きいほど、焦点深度は増加し、光量差ｘは減少する。レジストパターンを形成する上で、焦点深度は一定の基準値Ａ以上とすることが好ましいため、スペース８の幅はＷ１以上とすることが好ましい。例えば、焦点深度は１５０ナノメートル以上とする。一方、焦点が基準範囲内にあるときには、レジスト層における焦点管理用パターンに相当する領域は溶解されないことが必要であるため、光量差ｘは正の値となる必要がある。従って、スペース８の幅はＷ２以下とする必要がある。よって、スペース８の幅は、Ｗ１乃至Ｗ２とすることが好ましい。
【００３０】
また、スペース８の幅は、デフォーカス量が基準範囲を超えたときにレジスト層が溶解され、基準範囲内にあるときにはレジスト層が溶解されないような値とし、例えば、デフォーカス量が８５ナノメートルを超えたときにレジスト層が溶解され、８５ナノメートル未満のときにレジスト層が溶解されないような値とする。更に、スペース８の幅は、透光領域４及び遮光領域５の幅にも依存する。一例では、透光領域４の幅が５６ナノメートルである場合には、スペース８の幅は２２乃至３０ナノメートルとする。
【００３１】
次に、本実施形態の効果について説明する。  
本実施形態においては、上述の如く、マスク１の焦点管理部３に遮光領域６を形成し、遮光領域６に焦点管理用パターンであるスペース８を形成している。スペース８はＳＲＡＦであり、その幅は光Ｌの解像度未満であるため、光Ｌの焦点が基準範囲内にある場合には、現像後のレジスト層２１において、スペース８に起因する形状は出現しない。一方、光Ｌの焦点が基準範囲から外れると、現像後のレジスト層２１にスペース８に起因する形状が出現する。このため、現像後のレジスト層２１の形状を評価することにより、焦点が基準範囲内にあるかどうかを判定することができる。このとき、スペース８に起因する形状が出現するか否かは、光の光量にはあまり依存せず、デフォーカス量に大きく起因する。このため、露光量の影響を排除して、略デフォーカス量のみを抽出して評価することができる。このように、本実施形態によれば、デフォーカス量に対する感度が高いフォーカス管理方法を実現することができる。また、このフォーカス管理方法を適用することにより、生産性が高い半導体装置の製造方法を実現することができる。
【００３２】
また、レジスト層２１における透光領域４に相当するパターンの幅、すなわち、後の工程において配線が形成されるスペース状のパターンの幅は、デフォーカス量にはあまり依存せず、露光量に対する感度が高い。このため、このパターンの幅に基づいて露光量を管理することができる。これにより、透光領域４に相当するレジストパターンの幅によって露光量を適正化した上で、スペース８に起因する形状によってフォーカス管理を行えば、フォーカス管理において露光量の影響をより確実に除去することができ、デフォーカス量を精度よく検出することができる。
【００３３】
更に、現像後のレジスト層におけるスペース８に起因する形状の評価をスキャットロメトリ法によって行えば、評価を効率よく行うことができ、判定結果を速やかに露光装置にフィードバックすることができる。更にまた、本実施形態によれば、配線などを形成するためのマスク１に、上述の焦点管理用パターンを形成することができるため、焦点を管理するために特別な工程を設ける必要がない。
【００３４】
なお、マスク１において、セル部２のパターンは特に限定されず、ウェーハ２０又はウェーハ２０上に形成しようとする構成要素に相当するパターンとすることができる。また、透光領域７においては、必ずしもライン９を形成する必要はない。更に、遮光領域６内におけるスペース８の本数は任意である。
【００３５】
次に、本発明の第２の実施形態について説明する。  
本実施形態は、前述の第１の実施形態に係るフォーカス管理方法を、ウェーハの外周部分に重点的に適用した例である。  
図６は、本実施形態において、ウェーハにおけるフォーカス管理位置を例示する平面図であり、  
図７（ａ）乃至（ｃ）は、現像後のレジスト層における焦点管理用パターンに相当する位置を例示するＳＥＭ写真であり、（ａ）は外周から６ミリメートルの位置Ｐ６を示し、（ｂ）は外周から７ミリメートルの位置Ｐ７を示し、（ｃ）は外周から８ミリメートルの位置Ｐ８を示す。  
なお、図６には、ウェーハからチップを採取する際のダイシングラインも併せて示している。また、図７に示す「判定：○」は、焦点が基準範囲内にあることを示し、「判定：×」は、焦点が基準範囲から外れていることを示す。
【００３６】
図６に示すように、本実施形態においては、ウェーハ２０として、例えば、直径が３００ミリメートルの単結晶シリコンウェーハを使用する。一般に、ウェーハの外周部分は、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing：化学的機械研磨）などにより、形状がだれており、デフォーカスになりやすい。そこで、ウェーハの外周部分において、重点的にフォーカス管理を行う。
【００３７】
本実施形態においては、マスク１（図３参照）において、ウェーハ２０における外周からの距離が相互に異なる複数の位置に相当する位置に、焦点管理部３を形成する。例えば、ウェーハ２０の外周からの距離が、６ミリメートル、７ミリメートル及び８ミリメートルである３つの位置Ｐ６、Ｐ７、Ｐ８に相当するマスク上の位置に、それぞれ焦点管理部３を配置する。焦点管理部３の構成は、例えば、図３に示すものと同一とする。
【００３８】
そして、スピンコート法などにより、ウェーハ２０上の全面にレジスト層２１（図１参照）を形成した後、上述のマスク１を使用して、レジスト層２１を露光する。次に、このレジスト層２１を現像する。そして、現像後のレジスト層２１において、遮光領域６に相当するライン状のレジストパターン２２を評価する。評価は、例えば、ＳＥＭ観察又はスキャッタロメトリ法によって行う。
【００３９】
以下、評価結果の一例を挙げ、判定方法を説明する。  
図７（ａ）及び（ｂ）に示すように、外周から６ミリメートルの位置Ｐ６及び７ミリメートルの位置Ｐ７においては、遮光領域６に相当するレジストパターン２２の形状が崩れている。これは、レジストパターン２２内に、焦点管理用パターンであるスリット８に相当する形状が現れているためである。従って、位置Ｐ６及びＰ７においては、焦点が基準範囲内になく、デフォーカスであると判定する。
【００４０】
これに対して、図７（ｃ）に示すように、外周から８ミリメートルの位置Ｐ８においては、レジストパターン２２の形状は崩れておらず、ライン状の形状を保っている。これは、レジストパターン２２内に、スリット８に相当する形状が現れていないことを示している。従って、位置Ｐ８においては、焦点が基準範囲内にあると判定する。
【００４１】
そして、これらの結果から、ウェーハ２０の外周から７ミリメートルまでの環状の領域では、露光時に光の焦点が基準範囲内にないため、不良チップが発生する可能性が高いと予測できる。一方、外周からの距離が８ミリメートル以上の円形の領域では、光の焦点が基準範囲内にあるため、デフォーカスに起因する不良は発生しないと予測できる。これにより、ウェーハ２０においては、良品のチップが採取可能な領域は、外周から８ミリメートル以上内側の領域であると予測できる。また、ウェーハごとに上述のフォーカス管理を行い、デフォーカス領域が広がってきた場合は、露光装置の焦点がずれてきていると判断し、露光装置を調節するなどの対策を講じることができる。本実施形態における上記以外の構成、動作及び効果は、前述の第１の実施形態と同様である。
【００４２】
以上、実施形態を参照して本発明を説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されるものではない。例えば、前述の各実施形態に対して、当業者が適宜、工程の追加、削除、条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含有される。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明の第１の実施形態において使用する露光装置を例示する模式図である。
【図２】図１に示す光源絞りを例示する平面図である。
【図３】本実施形態において使用するマスクを例示する平面図、及びこのマスクを使用したときのシミュレーション結果を例示するグラフ図であり、グラフ図の横軸はウェーハにおける位置を表し、縦軸は露光量を表す。
【図４】（ａ）及び（ｂ）は、現像後のレジストパターンの形状を例示する平面図であり、（ａ）は光の焦点が基準範囲内にある場合を示し、（ｂ）は光の焦点が基準範囲から外れている場合を示す。
【図５】横軸に焦点管理用パターン（スペース８）の幅をとり、縦軸に焦点深度及び光量差ｘをとって、焦点管理用パターンの幅の好適範囲を例示するグラフ図である。
【図６】本発明の第２の実施形態において、ウェーハにおけるフォーカス管理位置を例示する平面図である。
【図７】（ａ）乃至（ｃ）は、現像後のレジスト層における焦点管理用パターンに相当する位置を例示するＳＥＭ写真であり、（ａ）は外周から６ミリメートルの位置Ｐ６を示し、（ｂ）は外周から７ミリメートルの位置Ｐ７を示し、（ｃ）は外周から８ミリメートルの位置Ｐ８を示す。
【符号の説明】
【００４４】
１  マスク、２  セル部、３  焦点管理部、４  透光領域、５  遮光領域、６  遮光領域、７  透光領域、８  スペース、９  ライン、１１  露光装置、１２  光源、１３  光源絞り、１３ａ  透光領域、１３ｂ  遮光領域、１４  コンデンサレンズ、１５  投影レンズ、２０  ウェーハ、２１  レジスト層、２２  レジストパターン、２３  スペース状のパターン、Ａ  基準値、Ｃ  光軸、Ｌ  光、Ｐ６、Ｐ７、Ｐ８  位置、ＳＢＦ  ベストフォーカス時の解像閾値、ＳＤＦ  デフォーカス時の解像閾値、Ｗ１、Ｗ２  幅、ｘ  光量差
【図１】
2008218451.tif 000003
【図２】
2008218451.tif 000004
【図３】
2008218451.tif 000005
【図４】
2008218451.tif 000006
【図５】
2008218451.tif 000007
【図６】
2008218451.tif 000008
【図７】
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