(57)【要約】【課題】しぼ加工等の凹凸加工に合わせて樹脂材料の選択や成形条件を制限する必要がない成形品の製造方法を提供する。【解決手段】表面が平坦で所定の外形を有する樹脂成形品７の上に、表面に凹凸形状を備えた凹凸膜７ａを成膜する工程と、凹凸膜７ａの上にその凹凸形状に沿って装飾膜５を成膜する工程とを有する製造方法である。この製造方法では、樹脂成形品７の表面を直接凹凸加工する必要がないため、樹脂成形品７を表面が平坦な金型１０１，１０２等で容易に成型でき、樹脂選択や成型条件を凹凸加工に合わせて制限する必要がない。装飾膜６は、金属膜、および、樹脂成形品の材料とは屈折率の異なる誘電体膜の少なくとも一方を含む構成にすることができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面が凹凸加工された装飾膜を備えた成形品の製造方法であって、
表面が平坦で所定の外形を有する樹脂成形品の上に、表面に凹凸形状を備えた凹凸膜を成膜する工程と、
前記凹凸膜の上にその凹凸形状に沿って前記装飾膜を成膜する工程とを有することを特徴とする装飾膜を備えた成形品の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の装飾膜を備えた成形品の製造方法において、前記装飾膜は、金属膜、および、前記樹脂成形品の材料とは屈折率の異なる誘電体膜の少なくとも一方を含むことを特徴とする装飾膜を備えた成形品の製造方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の装飾膜を備えた成形品の製造方法において、前記凹凸膜を成膜する工程は、前記装飾膜の表面粗さが十点平均粗さＲｚで０．１μｍ以上１．０μｍ以下になる表面粗さに前記凹凸膜を成膜することを特徴とする装飾膜を備えた成形品の製造方法。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれか１項に記載の装飾膜を備えた成形品の製造方法において、前記凹凸膜を成膜する工程は、有機シリコンモノマーを原料ガスとし、プラズマを用いた気相成長法により、Ｓｉ、Ｃ、Ｈ、Ｏの元素からなる前記凹凸膜を成膜することを特徴とする装飾膜を備えた成形品の製造方法。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれか１項に記載の装飾膜を備えた成形品の製造方法において、前記凹凸膜を成膜する工程は、イオン結合性酸化物となる金属、または、イオン結合性金属酸化物を原料として、イオンプレーティング法またはスパッタ法により、金属酸化物からなる前記凹凸膜を成膜することを特徴とする装飾膜を備えた成形品の製造方法。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれか１項に記載の装飾膜を備えた成形品の製造方法において、前記凹凸膜を成膜する工程は、前記樹脂成形品の上に所定の形状の開口を有するマスクを配置し、前記開口に対応する位置に前記凹凸膜を成膜することを特徴とする装飾膜を備えた成形品の製造方法。
【請求項７】
表面が平坦で所定の外形を有する樹脂成形品と、前記樹脂成形品の上に配置された、表面に凹凸形状を備えた凹凸膜と、前記凹凸膜の上に配置され、その凹凸形状に沿った形状の装飾膜とを有することを特徴とする装飾処理が施された成形品。
【請求項８】
請求項７に記載の装飾処理が施された成形品において、前記装飾膜は、金属膜、および、前記樹脂成形品の材料とは屈折率の異なる誘電体膜の少なくとも一方を含むことを特徴とする装飾処理が施された成形品。
【請求項９】
請求項７または８に記載の装飾処理が施された成形品において、前記装飾膜は、十点平均粗さＲｚで０．１μｍ以上１．０μｍ以下の表面粗さであることを特徴とする装飾処理が施された成形品。
【請求項１０】
請求項７ないし９のいずれか１項に記載の装飾処理が施された成形品において、前記凹凸膜は、Ｓｉ、Ｃ、Ｈ、Ｏの元素からなる膜、または、金属酸化物膜であることを特徴とする装飾処理が施された成形品。
【請求項１１】
請求項１０に記載の装飾処理が施された成形品において、前記金属酸化物膜は、ＺｎＯ膜、ＩＴＯ膜、ＳｎＯ２膜であることを特徴とする装飾処理が施された成形品。
【請求項１２】
請求項７ないし１１のいずれか１項に記載の装飾処理が施された成形品において、前記凹凸膜は、前記樹脂成形品の所定の一部にのみ配置されていることを特徴とする装飾処理が施された成形品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、樹脂成形品の製造方法に関し、特に、しぼ加工等の装飾処理が施された樹脂成型品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
樹脂等の成形品において、表面に凹凸あるいはしぼ加工を施すことは、プラスチック製品に魅力ある外観を作るため、製品の市場的価値の向上に貢献する。例えば、自動車灯体の樹脂成形品であるエクステンション、リフレクターなどの表面に凹凸またはしぼ加工を施した上で塗装、蒸着などで金属膜をコートする製造方法は、独特のつや消し感を成形品に演出することができるため、近年ニーズが高まっている。以下、しぼ加工と梨地加工等の凹凸加工を総称してしぼ加工と呼ぶ。
【０００３】
成形品に凹凸加工を施す従来の製造方法としては、例えば特許文献１に記載されているように、予め金型の表面にサンドブラストやエッチング処理を施すことにより、しぼ加工等の所望の凹凸形状に対応する形状を形成する。この金型を用いて成型を行うことにより、表面に凹凸形状が転写された成形品を製造している。
【０００４】
しぼ加工付きの樹脂成形品を製造する一般的な手法を簡単に説明する。まず、図４（ａ）のように、内面にしぼ加工３が刻まれた金型１，２を用意し、この金型１，２に樹脂を注入成型することにより、しぼ加工３が転写された成形品４が得る（図４（ｂ））。成形品４のしぼ加工３の上に、金属膜５を成膜する（図４（ｃ））。これにより、つや消し効果のあるしぼ加工３および金属膜５を備えた成形品６を得ることができる。
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−３３４８１９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
従来技術では、金型の表面にしぼ加工のための凹凸加工を予め形成しておく必要があるため、金型加工費が上昇する。また、凹凸加工が形成された金型は、メンテナンスが複雑になり、メンテナンス費用が上昇する。このため、製造時のコストアップを引き起こす。
【０００７】
また、金型表面の、しぼ加工のための凹凸形状を射出成形法等によって樹脂成形品に忠実に転写する必要がある。しかしながら、樹脂材料によっては、粘度が高い等、転写性が悪い樹脂材料もあり、しぼ加工のために樹脂材料の選択が制限されることがある。また、選択した樹脂材料の性質に合わせて、成形条件を限定しなければならないことがある。
【０００８】
本発明の目的は、しぼ加工等の凹凸加工に合わせて樹脂材料の選択や成形条件を制限する必要がない成形品の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するために、本発明の第１の態様では、表面が凹凸加工された装飾膜を備えた成形品の製造方法を提供する。すなわち、表面が平坦で所定の外形を有する樹脂成形品の上に、表面に凹凸形状を備えた凹凸膜を成膜する工程と、凹凸膜の上にその凹凸形状に沿って装飾膜を成膜する工程とを有する製造方法である。この製造方法では、樹脂成形品の表面を直接凹凸加工する必要がないため、樹脂成形品を表面が平坦な金型等で容易に成型でき、樹脂選択や成型条件を凹凸加工に合わせて制限する必要がない。
【００１０】
上記装飾膜は、金属膜、および、樹脂成形品の材料とは屈折率の異なる誘電体膜の少なくとも一方を含む構成にすることができる。これにより、樹脂成形品を金属光沢、または、誘電体による光沢のある装飾膜で装飾することができ、その光の反射特性を、装飾膜の表面の凹凸形状により制御して、しぼ加工やつや消し効果等の所望の装飾を表現することができる。
【００１１】
上記凹凸膜を成膜する工程は、装飾膜の表面粗さが十点平均粗さＲｚで０．１以上１．０μｍ以下になるような表面粗さに凹凸膜を成膜することが望ましい。例えば、凹凸膜を成膜する工程は、有機シリコンモノマーを原料ガスとし、プラズマを用いた気相成長法により、Ｓｉ、Ｃ、Ｈ、Ｏの元素からなる凹凸膜を成膜することができる。また、例えば、凹凸膜を成膜する工程は、イオン結合性酸化物となる金属、または、イオン結合性金属酸化物を原料として、イオンプレーティングまたはスパッタ法により、金属酸化物からなる凹凸膜を成膜することができる。
【００１２】
上記凹凸膜を成膜する工程は、樹脂成形品の上に所定の形状の開口を有するマスクを配置した状態で成膜を行うことにより、開口に対応する位置に凹凸膜を成膜することが可能である。
【００１３】
本発明の第２の態様によれば、以下のような装飾処理が施され成形品が提供される。すなわち、表面が平坦で所定の外形を有する樹脂成形品と、樹脂成形品の上に配置された、表面に凹凸形状を備えた凹凸膜と、凹凸膜の上に配置され、その凹凸形状に沿った形状の装飾膜とを有する成形品である。
【００１４】
装飾膜は、金属膜、および、樹脂成形品の材料とは屈折率の異なる誘電体膜の少なくとも一方を含む構成にすることができる。装飾膜は、十点平均粗さＲｚで０．１以上１．０μｍ以下の表面粗さにすることが望ましい。
【００１５】
凹凸膜としては、Ｓｉ、Ｃ、Ｈ、Ｏの元素からなる膜、または、金属酸化物膜を用いることができる。例えば、金属酸化物膜は、ＺｎＯ膜、ＩＴＯ膜（インジウム錫酸化膜）、ＳｎＯ２膜とすることができる。凹凸膜は、樹脂成形品の所定の一部にのみ配置することも可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
本発明の一実施の形態の装飾処理が施された成形品およびその製造方法について図面を用いて説明する。
【００１７】
まず、本実施の形態で製造する成形品６の構造について図１（ｄ）を用いて説明する。図１（ｄ）のように、成形品６は、表面に凹凸加工を備えない樹脂成形品７と、その表面に形成された凹凸膜７ａと、凹凸膜７ａの凹凸形状に追従する形状を有する金属膜５とを備えて構成されている。凹凸膜７ａの凹凸形状は、金属膜５の表面に、つや消し効果のあるしぼ加工や梨地等の所望の装飾効果を凹凸形状で表すために予め設計された形状である。金属膜５の凹凸形状により、成形品６は、つや消し効果のあるしぼ加工等で装飾される。
【００１８】
なお、図１（ｄ）では、図示の都合上、樹脂成形品７を板状部材として表し、凹凸膜７ａおよび金属膜５の凹凸形状を拡大して表しているが、実際には樹脂成形品７は、所望とする製品（例えば、自動車灯体のエクステンション、リフレクター等）の形状を有する。また、凹凸膜７ａおよび金属膜５の凹凸形状は、凹凸の深さがおよそ０．１μｍ〜数μｍオーダーであり、成形品６の厚さ（一般的に１００μｍ〜数ｍｍ）と比較して微細な凹凸形状である。
【００１９】
つぎに、図１（ｄ）の成形品６の製造方法について図１（ａ）〜（ｄ）を用いて説明する。
【００２０】
まず、図１（ａ）のように、成形品６の外形に対応する内部形状を有する金型１０１、１０２を用意する。金型１０１，１０２の内部表面には、しぼ加工等のための凹凸加工を施す必要はなく、表面は平坦なままでよい。
【００２１】
つぎに、図１（ａ）の金型１０１、１０２の内部に樹脂を注入成形することにより、図１（ｂ）のように所望の外形を有し、表面が平坦な樹脂成形品７を得る。樹脂の注入成形方法としては、射出成形法等所望の方法を用いることができる。また、平坦な金型１０１、１０２にはしぼ加工等が施されていないので、しぼ加工等を転写するために樹脂の材質を制限する必要はなく、所望の樹脂材料を用いることができる。例えば、熱可塑性樹脂であるＡＢＳ（アクリロニトリル・ブタジエンスチレン樹脂）、ＡＡＳ（アクリロニトリル・アクリルゴム・スチレン共重合体）、ＡＳＡ（アクリロニトリル−スチレン−アクリレートゴム共重合体樹脂）、ＰＢＴ（ポリブチレンテレフタレート）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＣ（ポリカーボネート）、ＰＭＭＡ（ポリメチルメタアクリレート）、ＰＰＳ（ポリフェニレンスルファイド）、ＰＥＩ（ポリエーテルイミド）、および、不飽和ポリエステル樹脂を使用する熱硬化性樹脂を用いることができる。
【００２２】
つぎに、図１（ｃ）のように、平坦な樹脂成形品７の上に凹凸膜７ａを成膜する。凹凸膜７ａは、金属膜５の表面に所定のパターンおよび粗さの凹凸形状を形成するために、予め定められた凹凸形状を備えている。例えば、金属膜５の表面に０．１〜１．０μｍの凹凸が現れるように、金属膜５の厚さを考慮して凹凸膜７ａの凹凸粗さを設計し、成膜することが望ましい。凹凸膜７ａの膜厚は、設計した凹凸粗さを形成できる厚さであればよく、例えば０．３〜２．０μｍ程度にすることができる。
【００２３】
凹凸膜７ａは、成形品７に熱によるダメージを与えない方法であれば、所望の方法により成膜することができるが、高密度プラズマを用いたプラズマ化学気相成長（ＣＶＤ）、イオンプレーティング法、またはスパッタリング法により、成形品７を加熱しないで成膜することが望ましい。
【００２４】
凹凸膜７ａの材質としては、有機シリコン化合物や、金属酸化物を用いることができる。凹凸膜７ａの材質が、有機シリコン化合物の場合には、Ｓｉ、Ｃ、Ｏの原子数の濃度比がＯ／Ｓｉ＝１．５５、Ｃ／Ｓｉ＝０．６からＯ／Ｓｉ＝１．７７、Ｃ／Ｓｉ＝０．８６の範囲のものを用いることが好ましい。例えば組成比をＳｉ：Ｃ：Ｏ＝１：１：１．４６にすることができる。凹凸膜７ａの材質が、金属酸化物である場合には、イオン結合性酸化物であることが望ましい。例えば、ＺｎＯ、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）、ＳｎＯ２を用いることができる。
【００２５】
高密度プラズマとは、放電電圧１５０Ｖ以下の低電圧、放電電流１０Ａ〜３０Ａの大電流のプラズマをいい、例えば、アーク放電により生成することができる。このような高密度プラズマを用いることにより、凹凸膜７ａの成膜中に成形品７を構成する樹脂基材に与えるダメージが少ない。
【００２６】
凹凸膜7ａの材質が有機シリコン化合物の場合には、原料ガスとして、有機シリコン化合物モノマーガス（例えば、ヘキサメチルジシロキサン：ＨＭＤＳＯ）を用い、プラズマＣＶＤ法で成膜することができる。凹凸膜の材質が、金属酸化物、例えば、ＺｎＯ、ＩＴＯ、ＳｎＯ２の場合には、蒸発源またはターゲットとして、それぞれＺｎＯ、ＩＴＯ、ＳｎＯ２を用い、イオンプレーティング法またはスパッタリング法で成膜することができる。
【００２７】
凹凸膜７ａの成膜には、図２の高密度プラズマ源を備えた成膜装置を用いる。この装置は、成膜空間を構成する成膜真空容器１５と、成膜真空容器１５のプラズマ導入口１５ａに接続されたプラズマガン８とを有する。プラズマガン８は、プラズマ生成室（不図示）の内部に配置された複合陰極９と、オリフィスを備えた中間電極１０と、中間電極１０と成膜真空容器１５との間に配置された陽極２０と、成膜真空容器１５内に配置された陽極（蒸発源）２４と、プラズマを収束させ、中間電極１０を通過させるための電磁コイル１３とを備えている。陽極２０は、材質が有機シリコン化合物の凹凸膜７ａの成膜時に使用する。陽極（蒸発源）２４は、材質が金属酸化物の凹凸膜７ａの成膜時および後述の金属膜５の成膜時に使用する。
【００２８】
複合陰極９と陽極２０との間、および、複合陰極９と陽極（蒸発源）２４との間には、それぞれスイッチ２１，２５を介してプラズマ発生電源１４が接続されている。複合陰極９と中間電極１０との間は、絶縁ガイシ１１により絶縁されている。また、プラズマガン８の内部には、放電ガス１２が供給される。
【００２９】
複合陰極９の構造は、グロー放電からアーク放電に移行して、高密度プラズマを生成することのできる公知の複合陰極構造を用いる。例えば、グロー放電を生じ、逆流イオンの衝突によって加熱される補助陰極と、補助陰極の放射熱等により加熱されてアーク放電を生じる主陰極とを備える構成にすることができる。
【００３０】
また、成膜真空容器１５内には、成形品７を保持する基板ホルダー１６と、原料ガス（材料ガス）１８を供給する原料ガス導入管１９が配置されている。原料ガス１９として、有機シリコン化合物モノマーガス（例えば、ヘキサメチルジシロキサン：ＨＭＤＳＯ）を用いる。なお、成膜真空容器１５は、排気管１７により、真空ポンプへ接続されている。
【００３１】
このような構造の成膜装置を用いて、有機シリコン化合物からなる凹凸膜７ａを成膜する際には、成膜真空容器１５を真空排気した後、プラズマガン８の複合陰極９にＡｒ、Ｈｅ、Ｋｒ、Ｘｅ、Ｈ２などの放電ガス１２を導入する。スイッチ２１を閉じ、スイッチ２５を開にし、電源１４によって複合陰極９と陽極２０との間に直流の負電圧をかけ、放電させる。点火直後はグロー放電であるが、電離した放電ガスの逆流イオンが複合陰極１に衝突して複合陰極が加熱されると、熱電子を放出するようになり、これによりグロー放電の電離度が上昇してアーク放電に遷移し、電流量１０〜１００Ａ程度の大電流の放電が得られる。この放電により発生した高密度プラズマ２２は、電磁コイル１３の磁場でビーム状に収束され、中間電極１０の中央の穴（オリフィス）を通過して、成膜真空容器１５の基板ホルダー１６近傍まで引き出された後、陽極２０へと戻る。真空容器１５に引き出されたプラズマは、原料ガス１８と混合され、反応プラズマ２３となる。原料ガス１８としては、有機シリコン化合物モノマーガス（例えば、ヘキサメチルジシロキサン：ＨＭＤＳＯ）を導入する。反応プラズマ２３内で原料ガス１８の分解・重合または化学反応が生じ、基板ホルダ１６の成形品７上に凹凸膜７ａが成膜される。
【００３２】
このとき成膜圧力、放電ガスと有機シリコン化合物モノマーガスとの分圧比等の成膜条件を適切に設定することにより、表面に凹凸を備える凹凸膜を形成することができる。
【００３３】
また、金属酸化物からなる凹凸膜７ａを図２の装置を用いてイオンプレーティング法で成膜する際には、陽極２４に所定の蒸発源を充填しておく。スイッチ２１を開、スイッチ２５を閉とし、プラズマ２２を発生させる。プラズマ２２は、陽極２４に流入し、材料を加熱・蒸発させ、凹凸膜７ａが成膜される。
【００３４】
このとき成膜圧力、放電ガス圧等の成膜条件を適切に設定することにより、表面に凹凸を備える凹凸膜を形成することができる。
【００３５】
つぎに、金属膜５の成膜方法について説明する。金属膜５の材質としては、アルミニウム、クロム、銀、ステンレス等の合金等、所望の金属材料を用いることができる。成膜方法としては、イオンプレーティング法、蒸着法、スパッタリング法等を用いることができる。本実施の形態では、凹凸膜７ａを図２の装置を用いて成膜しているため、金属膜５についても図２の装置を用いてイオンプレーティング法で成膜することにより、成膜真空容器１５を開放することなく、連続成膜することが可能である。
【００３６】
図２の装置を用いてイオンプレーティング法により金属膜５を成膜する場合には、陽極２４に予め所望の材料を充填しておく。スイッチ２１を開、スイッチ２５を閉とし、プラズマ２２を発生させる。プラズマ２２は、陽極２４に流入し、材料を加熱・蒸発させ、凹凸膜７ａの形成された成形品１６の上に、その凹凸形状に追従するように金属膜５が成膜される。
【００３７】
なお、金属膜５の成膜方法は、図２の装置を用いる成膜方法に限らず、別個の装置を用いて抵抗加熱法・電子銃加熱法・スパッタリング法等により成膜することも可能である。
【００３８】
本実施の形態によって製造される成形品６は、金型１０１、１０２の内側表面にしぼ加工のための微小な凹凸形状を形成しておく必要がないため、金型製作が容易になり、金型製作費用を低減することができる。また、金型１０１、１０２が微小な凹凸形状を備えないため、金型メンテナンス費用も低減できる。
【００３９】
従来のように金型でしぼ加工を施す場合には、加工の種類の数だけ金型を用意しなければならないが、本実施の形態の製造方法によれば、成膜条件で凹凸の形状を制御できるため、一つの金型でしぼ加工の異なる複数の成形品６を製造することができる。このため、金型の数を低減できる。また、金型にしぼ加工のための凹凸形状が不要であるため、金型のデザインおよび装飾性の幅を広げることができる。
【００４０】
また、金型１０１、１０２にしぼ加工のための凹凸がないため、成形品７の成型時に、凹凸を精密に転写するために樹脂の粘度や成型条件を制御する必要がなく、樹脂の選択の幅が広がり、成型条件の設定範囲を広げることが可能になる。
【００４１】
凹凸膜７ａと金属膜５の成膜を、上述のように図２の装置を用いて連続して行うことにより、量産性を向上させることができる。
【００４２】
本発明により、種々の装飾加工を施された成形品を製造することができる。例えば、自動車灯体内のリフレクター、エクステンションであって、しぼ加工や表面凹凸を備えた物を好適に製造することができる。
【００４３】
上述の凹凸膜７ａの成膜方法においては、成膜条件を変更することにより、凹凸形状の制御を行うことが可能である。例えば、成膜時間を変更した場合、成膜時間が長くなるにつれ表面粗さが増加する傾向になる。これにより、成膜条件により、しぼ加工の形態制御を行うことが可能である。
【００４４】
また、凹凸膜７ａおよび金属膜５を成膜する際に、成膜面に所望の形状の開口を備えたマスクを配置することも可能である。これにより、凹凸膜７ａおよび金属膜５が配置されている部分と配置されていない部分とを混在させることができ、デザインの幅を広げることができる。
【００４５】
金属膜５に代えて、もしくは、金属膜５に積層して、透明または半透明材料（誘電体材料）膜を成膜することも可能である。例えば、誘電体材料として、ＴｉＯ２を用いることができる。この場合、透明材料膜の屈折率を、凹凸膜７ａおよび成形品７に対して所定の屈折率に設計することにより、光を反射させることができる。これにより、光沢のある膜を形成することができ、金属膜同様の金属光沢を備えた装飾膜を誘電体材料により形成することができる。
【００４６】
以上の工程により、所望の凹凸形状の金属膜５を備えた成形品６を製造することができる。金属膜５は、凹凸形状によりつや消し効果等を発揮できるため、所望の装飾効果のある金属光沢膜で装飾された成形品６を製造することができる。
【実施例】
【００４７】
以下、本発明の実施例について説明する。
（実施例）
本実施例では、上記実施の形態の図１の構成の成形品６を製造した。成形品７の材質は、ポリカーボネートであり、本実施例では図１（ａ）の工程を省略して、図１（ｂ）のように予め板状に成形された物を用意した。成形品７の上に、図２の成膜装置を用いて、プラズマＣＶＤ法により凹凸膜７ａを成膜し（図１（ｃ））、連続してイオンプレーティング法により金属膜６を成膜した（図１（ｄ））。
【００４８】
図１（ｃ）の工程では、凹凸膜７ａとして、有機シリコン膜（組成Ｓｉ：Ｃ：Ｏ＝１：１：１．４６）を図２の成膜装置を用いて成膜した。図２の成膜装置を用いた凹凸膜７ａの成膜手順については上記実施の形態で説明した通りである。凹凸膜７ａの成膜条件を表１に示す。表１のように、原料ガス１８としてヘキサメチルジシロキサン（ＨＭＤＳＯ）を導入した。放電ガスとしては、Ａｒを用いた。表１に示したように、放電電流、放電電圧、成膜圧力ならびに、放電ガスＡｒとＨＭＤＳＯの分圧比を設定した。この条件で成膜することにより、表面に凹凸のある有機シリコン膜（凹凸膜７ａ）を成膜することができた。
【表１】
2008169406.tif 000003
【００４９】
成膜時間を図３のように２分〜１０分の範囲で変化させて、得られた凹凸膜７ａの試料の表面粗さＲｚ（十点平均粗さ：ＪＩＳ  Ｂ0601-1994）を測定した。その結果を図３に示す。図３から明らかなように、成膜時間を長くするほど、表面粗さが大きくなっている。これにより、成膜時間を変えることで、凹凸膜７ａの形状を制御できることが確認できた。図３に示した試料の凹凸膜７ａの膜厚は、０．３〜２．０μｍの範囲であった。なお、図３に示した表面粗さは、原子間力顕微鏡（エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社ＳＰＡ−３００）で測定した。
【００５０】
図２の成膜装置を開放することなく、続けて金属膜６として、Ａｌ膜を成膜した。図２の成膜装置を用いた金属膜５の成膜手順について上記実施の形態で説明した通りである。陽極２４には蒸発源としてＡｌを充填した。放電ガスとしては、Ａｒを用いた。表２に示したように、放電電流、放電電圧、成膜圧力を設定した。この条件で成膜することにより、凹凸膜７ａの凹凸形状に倣った形状を有する金属膜５を成膜することができた。金属膜５の膜厚は、約１０００〜３０００オングストロームであった。
【表２】
2008169406.tif 000004
【００５１】
本実施例により、しぼ加工用の金型を用いることなく、表面に凹凸形状を備えた金属膜で装飾された成形品６を製造することができた。また、凹凸形状の粗さは、凹凸膜７ａの成膜時間により制御することができた。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】（ａ）〜（ｄ）本実施の形態の装飾処理が施された成形品の製造方法を示す説明図。
【図２】本実施の形態で凹凸膜および金属膜の成膜工程で用いる、高密度プラズマを用いた成膜装置の構造を示すブロック図。
【図３】本実施例において凹凸膜の試料の成膜時間による表面粗さの変化を示すグラフ。
【図４】従来の装飾処理が施された成形品の製造方法を示す説明図。
【符号の説明】
【００５３】
１、２…金型、３…しぼ加工、４…樹脂成形品、５…金属膜、６…成形品、７…樹脂成形品、７ａ…凹凸膜、１０１、１０２…金型、８…プラズマ発生源、９…陰極、１０…中間電極、１１…絶縁ガイシ、１２…放電ガス、１３…電磁コイル、１４…電源、１５…成膜真空容器、１６…基板ホルダー、１７…真空排気管、１９…原料ガス導入管、２０…陽極、２１…スイッチ、２２…高密度プラズマ、２３…反応プラズマ、２４…陽極（蒸発源）、２５…スイッチ。
【図１】
2008169406.tif 000005
【図２】
2008169406.tif 000006
【図３】
2008169406.tif 000007
【図４】
2008169406.tif 000008