(57)【要約】【課題】  ＥＵＶ露光中にレジスト膜に汚染物が付着しても設計通りのレジストパターンを形成することができるレジストパターンの形成方法を提供すること。【解決手段】  レジストパターンの形成方法は、基板１上にレジスト膜２を形成する工程と、ＥＵＶ露光によりレジスト膜２をパターン露光する工程と、パターン露光されたレジスト膜２を洗浄する工程と、レジスト膜２を現像する工程とを含む。【選択図】      図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にレジスト膜を形成する工程と、
ＥＵＶ露光により前記レジスト膜をパターン露光する工程と、
前記パターン露光されたレジスト膜を洗浄する工程と、
前記レジスト膜を現像する工程と
を含むことを特徴とするレジストパターンの形成方法。
【請求項２】
前記レジスト膜をパターン露光する工程と前記レジスト膜を洗浄する工程との間に前記レジスト膜を加熱する工程をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のレジストパターンの形成方法。
【請求項３】
前記レジスト膜を現像する工程において、前記レジスト膜を洗浄する工程で使用する洗浄液と混合可能な現像液を使用することを特徴とする請求項１または２に記載のレジストパターンの形成方法。
【請求項４】
前記レジスト膜を形成する工程と前記レジスト膜を露光する工程との間に前記レジスト膜上に所定目的のための膜を形成する工程と、前記レジスト膜を洗浄する工程の後に前記膜を除去する工程とをさらに含むことを特徴する請求項１ないし３のいずれか１項に記載のレジストパターンの形成方法。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれか１項に記載のレジストパターンの形成方法により基板上にレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクにして前記基板をエッチングする工程と
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＥＵＶ（Extreme Ultra-Violet）露光を用いたレジストパターンの形成方法および半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、コンピュータや通信機器の重要部分には、多数のトランジスタや抵抗等を１チップ上に集積化して形成した大規模集積回路（ＬＳＩ）が多用されている。このため、機器全体の性能は、ＬＳＩ単体の性能と大きく結びついている。ＬＳＩ単体の性能向上は、集積度を高めること、つまり、素子の微細化により実現できる。
【０００３】
素子の微細化に不可欠な微細加工技術の一つとしてリソグラフィ技術がある。従来の露光光源を用いながら解像力を向上させる技術として、液浸露光技術が提案されている。193nmの屈折率が1.44である純水を液浸液（liquid immersion fluid）として用いる193nmの液浸露光技術を用いることにより、線幅４０ｎｍ程度の微細加工は可能となる。しかし、４０ｎｍ以下の微細加工は非常に困難であり、特に周期パターンの半分（Half Pitch）がレイリーの式が示す解像限界33nm以下のパターンを形成することは各種ダブルパターニング（double patterning）を使用しなければ不可能である。
【０００４】
そこで、３０ｎｍ以下の微細加工の実現のために、ＥＵＶ露光技術の開発が進められている。ＥＵＶ露光では、１３．４ｎｍ程度の短波長が使用される。そのため、従前の光露光と異なり、ＥＵＶ光は空気あるいは窒素に吸収される。ＥＵＶ光の吸収を防止するために、光路および基板の雰囲気は真空にする必要がある。
【０００５】
さらに、ＥＵＶ露光においては、露光中に基板上のレジスト膜に汚染物が付着する可能性がある。
【０００６】
ＥＵＶリソグラフィにおいては、下記２点の汚染物の存在が議論されている。
【０００７】
ＥＵＶリソグラフィ、また以前に議論されていた等倍マスクによるX線リソグラフィにおいては、レジスト膜からのアウトガス[Outgass]の問題が討議業界において広く認識されている。これは、真空暴露による、または分子間の結合エネルギー以上であるEUV光の照射によってレジスト組成物の分子の切断による、レジスト膜からの揮発物、特に炭素が、反射型で構成されているマスクおよび光学系の表面に付着による反射率低下によって、単位時間あたりの露光処理枚数の低下、すなわちコスト増をもたらすことである。
【０００８】
また、EUV光の光源において、各種の荷電粒子、中性粒子であるデブリの発生が議論されている。一方で、デブリの除去機構として、プラズマ源からのデブリ、デブリのミラー等への衝突などが記載されている（例えば、特許文献１参照。）。しかし、前記デブリ除去機構によってデブリを完全に除去することは困難であることに加えて、前記デブリ除去機構が物理的なトラップである場合にはデブリとの衝突によって二次的な粒子が発生する可能性がある。この結果、デブリ、またデブリと衝突する露光装置構造物の粒子、構成成分のイオンが、EUV露光装置の真空中に発生する可能性がある。
【０００９】
このような汚染物の付着は、現像欠陥に結びつく可能性があり、設計通りのレジストパターンを形成できなくなる恐れがある。設計通りのレジストパターンを形成できなくなれば、そのレジストパターンをマスクに用いたエッチングにより形成されるパターンも設計通りに仕上がらなくなる可能性がある。
【特許文献１】特開２００６−３３２６５４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明の目的は、ＥＵＶ露光中にレジスト膜に汚染物が付着しても設計通りのレジストパターンを形成することができるレジストパターンの形成方法および半導体装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明に係るレジストパターンの形成方法は、基板上にレジスト膜を形成する工程と、ＥＵＶ露光により前記レジスト膜をパターン露光する工程と、前記パターン露光されたレジスト膜を洗浄する工程と、前記レジスト膜を現像する工程とを含むことを特徴とする。
【００１２】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、本発明に係るレジストパターンの形成方法により基板上にレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクにして前記基板をエッチングする工程とを含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、ＥＵＶ露光中によりレジスト膜に汚染物が付着しても設計通りのレジストパターンを形成することができるレジストパターンの形成方法および半導体装置の製造方法を実現できるようになる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、図面を参照しながら本発明の実施形態を説明する。
【００１５】
（第１の実施形態）
図１−図６は、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【００１６】
［図１］
基板１上にレジスト膜２が形成される。レジスト膜２は、例えば、回転塗布法により形成される。この場合、レジスト膜２は、レジスト溶液の塗布膜となる。この塗布膜は必要に応じて加熱処理が施される。
【００１７】
基板１は半導体基板を含む。基板１は、半導体デバイスの構成要素として残留する膜（半導体膜、金属膜、金属半導体化合物膜、絶縁膜など）を含んでいても構わないし、さらに、半導体デバイスの構成要素として残留しない加工マスク（ハードマスク）や下層反射防止膜などを含んでいても構わない。
【００１８】
ＥＵＶ露光においては、感度および後述するアウトガスの問題があるが、パターン形成の可否のみに観点を絞った場合には、レジスト膜２の材料としては、従前の光リソグラフィで用いられてきたレジスト材料を使用することが可能である。
【００１９】
［図２］
ＥＵＶ露光装置１０内に基板１が搬入され、ＥＵＶ露光により基板１上のレジスト膜２が露光され、その後、必要に応じてレジスト膜２に対して加熱処理が行われる。以下、ＥＵＶ露光装置１０およびＥＵＶ露光についてさらに説明する。
【００２０】
ＥＵＶ露光装置１０は、チャンバ１１、ＥＵＶ光源１２、反射マスク１３および反射光学系（超低膨張ガラス）１４−１６を備えている。
【００２１】
ＥＵＶ光源１２から出射したＥＵＶ光１７は、反射光学系１４で反射して、反射マスク１３に照射される。ＥＵＶ光１７の波長は１−３０ｎｍであり、代表的には、１３．４ｎｍである。ＥＵＶ露光を用いることにより、ＨＰ（ハーフピッチ）が４５ｎｍ以下、さらには３２ｎｍ以下の微細パターンを形成することが可能となる。
【００２２】
反射マスク１３で反射したＥＵＶ光１７（反射マスク１３と共役なパターンを形成するためのパターン化されたＥＵＶ光）は、さらに反射光学系１５，１６で反射して、レジスト膜２に照射される。
【００２３】
このようにしてＥＵＶ露光では、反射マスク１３にＥＵＶ光１７を照射し、反射マスク１３で反射した光を反射光学系１４−１６を介してレジスト膜２に集光し、レジスト膜２に反射マスク１３のパターンの像を結像することにより、反射マスク１３上に形成されたパターンに対応した潜像がレジスト膜２に形成される。
【００２４】
ＥＵＶ光１７が空気あるいは窒素に吸収されないように、ＥＵＶ光１７の光路および基板１の雰囲気は真空になっている。
【００２５】
ＥＵＶ光１７の波長は、上記の通り、代表的には、１３．４ｎｍである。波長１３．４ｎｍの光はエネルギーに換算すると９２ｅＶである。したがって、ＥＵＶ光１７は、レジスト膜２中の有機原子の結合を切断するに十分なエネルギーを有する。そのため、レジスト膜２にＥＵＶ光１７が照射されると、ＰＡＧや塩基、光発生酸などの添加物の蒸発だけではなく、レジスト膜２の樹脂自身の分解がアウトガスの原因となる。これらのレジスト起因の有機物などが、炭素系の汚染（コンタミネーション）の原因となる。
【００２６】
一方、ＥＵＶ露光装置１０の反射光学系１４−１６には、代表的には、Ｍｏ／Ｓｉの多層膜の反射鏡が用いられる。真空化における長期間のＥＵＶ光の照射により、反射鏡表面からＭｏが蒸発した場合には、チャンバ１１内にＭｏが蓄積し、レジスト膜２にＭｏが付着する可能性がある。パーティクルとして前記炭素系の汚染と同様の問題となる場合以外に、レジスト膜２の現像工程あるいは現像工程後の後リンス工程において現像欠陥の原因となる可能性が考えられる。
【００２７】
［図３］
そこで、本実施形態では、ＥＵＶ露光工程中にレジスト膜２の表面に付着した汚染物を除去するために、露光工程と現像工程との前に、基板１およびレジスト膜２を洗浄液３で洗浄する（洗浄工程）。図３には、容器４内に溜められた洗浄液３中に基板１およびレジスト膜２を浸漬する洗浄方法・洗浄ユニットが示されているが、洗浄液３を用いた洗浄方法・洗浄ユニットは上記以外のものであっても構わない。
【００２８】
上記洗浄工程に使用する洗浄液は、例えば、付着する物質（汚染物）の性質によって、適宜選択される。具体的には以下の通りである。
【００２９】
まず、付着物質が中性粒子であり、かつ、付着物質のレジスト膜２および基板１端部に対する付着力が弱い場合には、洗浄液として純水を用いても十分な洗浄効果が得られる。純水以外の洗浄液として、レジスト膜２を溶解しない有機溶剤の溶液があげられる。この場合、純水と比べてレジスト膜２への浸入、レジスト膜２の溶解、レジスト膜２中成分の溶出が少ないことが望ましい。そのような有機溶剤の例としては、（高級）アルコール、エーテル類などの水溶性であってレジスト膜２を溶解しない有機溶剤が考えられる。さらに具体例としては、イソブチルアルコール、２−ペンタノール、１―ペンタノール、ジブチルエーテルなどが考えられる。また、溶剤自身のコストに加えて、廃液処理および排気処理などの種々のコストの面から見合うのであれば、レジスト膜２への影響が非常に少ないことから、フッ素溶剤の使用も考えられる。フッ素溶剤としては各種のフロロアルキル、フロロアルキルエーテルなどが考えられる。
【００３０】
一方、付着物が帯電している場合、あるいは、付着物とレジスト膜２との間に強力な分子間力が作用する場合には、洗浄液としては溶媒、特に水に、種々の添加物を追加することが望ましい。具体的には、炭酸水、一酸化炭素水、水素水、酸素水あるいはオゾン水、過酸化水素水である。一酸化炭素水、水素水は、電荷の除去に加えて、還元作用も期待できる。これに対して、酸素水、オゾン水、過酸化水素水は、酸化作用による除去効果が期待できる。仮に、Ｍｏ、あるいはＳｉなどが付着した場合には、酸化作用によって、除去効果が高まる。
【００３１】
また、ＥＵＶ露光装置１０の内部において、基板１の裏面および側面に前記付着物が付着する可能性がある場合には、露光工程後に、前記付着物を除去する薬液による基板１の裏面および側面の洗浄工程を行うことが望ましい。通常、少なくとも現像工程後のリンス工程において、基板１の裏面および側面の洗浄を純水等（リンス液）で実施するが、付着物が帯電している場合には、上記のような添加物を含む薬液など（リンス液）で洗浄を行うことが望ましい。
【００３２】
さらに、上記洗浄工程に用いる洗浄液は、現像液と混合する特性を持っていても構わない。このような特性を持つ洗浄液を用いる場合には、第２の実施形態で述べるように、上記洗浄工程と現像工程とを同一のユニット内で連続して行うことが容易となる。
【００３３】
上記洗浄工程の後には、洗浄液がレジスト膜２上に残留しないことが必要である。これは、ＡｒＦ液浸リソグラフィにおける露光工程後の洗浄におけるものとほぼ同様の議論である。
【００３４】
ただし、ＡｒＦ液浸リソグラフィでは、露光工程後に残留した水滴の除去を露光工程後の洗浄工程の第１の目的としているが、本実施形態では露光工程で付着した汚染物の除去を露光工程後の洗浄工程の第１の目的としている点で、両者の洗浄対象物、洗浄工程の効果（目的）は異なる。
【００３５】
［図４］
現像液を用いてレジスト膜２を現像することにより（現像工程）、レジストパターン２ｐが形成される。その後、リンス液を用いて基板１およびレジストパターン膜２をリンスする（リンス工程）。
【００３６】
上記現像工程において、レジスト膜２のレジスト材料がＰＨＳ樹脂系、ポリ（メタ）アクリル樹脂系、ノボラック樹脂系の場合には、現像液としては、例えば、ＴＭＡＨ現像液を用いることが一般的であり、そのＴＭＡＨ濃度は典型的には２．３８％である。
【００３７】
ただし、現像液濃度、界面活性剤などの添加物量は、レジスト膜２の種類、現像時間、現像ユニットなど種々の要因から、露光プロセス裕度、現像欠陥、ウェハ面内／ショット内の寸法均一性、ＬＷＲ(Line Width Roughness)などを指標として、最適なものを決定することが望ましい。
【００３８】
一方、上記現像工程において、レジスト膜２のレジスト材料がＰＭＭＡなどの非化学増幅型レジストの場合には、有機溶剤による現像工程およびリンス工程が実施される。現像液、リンス液の種類については、化学増幅型レジストと同様に最適なものを選択することが望ましい。
【００３９】
また、上記リンス工程の乾燥時におけるパターン倒れを低減することを目的として、二酸化炭素の超臨界状態の現像などを用いても構わない。
【００４０】
以上述べた図１−図４の工程は、実施形態のレジストパターンを形成するための工程（レジストパターンの形成方法）である。
【００４１】
［図５］
レジストパターン２ｐをマスクにして基板１をエッチングすることにより、基板１にパターンが形成される。
【００４２】
ここで、レジストパターン２ｐの下地層（基板１の最上層）がポリシリコン膜や金属膜の場合、例えば、電極パターンや配線パターンなどが形成される。
【００４３】
レジストパターン２ｐの下地層が絶縁膜の場合、例えば、コンタクトホールパターンやゲート絶縁膜パターンなどが形成される。
【００４４】
レジストパターン２ｐの下地層が半導体基板の場合、例えば、アイソレーショントレンチパターンなどが形成される。
【００４５】
［図６］
レジストパターン２ｐが除去され、その後、基板１上に絶縁膜、半導体膜または導電膜（以下、これらの膜をまとめて被加工膜という。)を形成する工程と、本実施形態のＥＵＶ露光を用いたパターン形成方法（図１−図６）により上記被加工膜を所望の形状に加工する工程とを必要な回数繰り返すことにより、所望の半導体デバイスパターンが得られ、その後、周知の工程（例えば検査工程、パッケージ工程など）を経て半導体装置が完成する。
【００４６】
以上述べたように本実施形態によれば、図２のＥＵＶ露光中にレジスト膜に付着した汚染物は図３の洗浄工程で除去されるので、ＥＵＶ露光中にレジスト膜に汚染物が付着しても設計通りのレジストパターンを形成することができるレジストパターンの形成方法および半導体装置の製造方法を実現できるようになる。
【００４７】
（第２の実施形態）
本実施形態では、化学増幅型レジスト膜を用いた場合のように、露光工程から現像工程までの間に、レジスト膜に対して所定の加熱工程（ＰＥＢ（Post Exposure Bake）工程）を必要とする場合について述べる。
【００４８】
まず、第１の実施形態で述べたレジスト膜の形成工程（図１）、露光工程（図２）を行う。
【００４９】
次に、レジスト膜を加熱してＰＥＢ工程を行う。
【００５０】
次に、第１の実施形態と同様に、洗浄工程（図３）を行う。
【００５１】
次に、第１の実施形態と同様に、現像工程、リンス工程等の周知の工程を経て、レジストパターンのプロセスは終了する。
【００５２】
その後、第１の実施形態と同様に、図５、図６で述べた工程等を経て、半導体装置が完成する。
【００５３】
本実施形態のＥＵＶ露光を用いたレジストパターンの形成方法は、露光工程、ＰＥＢ工程、洗浄工程の順で進む。一方、液浸露光を用いたレジストパターンの形成方法は、露光工程、洗浄工程、ＰＥＢ工程の順で進む。これは、洗浄工程の目的が異なるからである。以下、この点についてさらに説明する。
【００５４】
ＥＵＶ露光は、露光中に、レジスト表面（あるいは保護膜表面）が液体に接触することはない。これに対して、液浸露光は、露光中に、レジスト表面（あるいは保護膜表面）が液体（液浸液）に接触する。そのため、液浸露光では、液浸液の残留に起因するＰＥＢ工程でのウォーターマーク欠陥（水しみ）の発生、レジスト膜から液浸液への溶出物の濃縮に起因するＰＥＢ工程でのウォーターマーク欠陥の発生などの問題がある。これらの問題を解決するために、液浸露光では、露光工程の直後、すなわちパターン露光工程でレジスト表面に残留した液浸液が乾燥する前に洗浄工程が行われている。
【００５５】
本実施形態の場合、液浸液は使用されないので、液浸液に起因する問題を解決するために露光直後に洗浄を行う必要がないので、露光工程、ＰＥＢ工程、洗浄工程の順でリソグラフィプロセスを行うことができる。
【００５６】
また、液浸露光において議論されているように、レジスト膜から洗浄液に溶出などが生じないことは重要である。レジスト膜中から洗浄液に溶出したレジスト組成物の濃縮によって、ウォーターマーク欠陥が発生し、パターン欠陥が発生するからである。
【００５７】
本実施形態の場合、洗浄液として純水やレジスト膜２を溶解しない有機溶剤の溶液を用いることができるので、レジスト膜２中から洗浄液に溶出したレジスト組成物によるウォーターマーク欠陥の発生を防止できる。
【００５８】
洗浄工程で乾燥速度が遅い溶剤を含む洗浄液を用いた場合、洗浄工程後の洗浄液の乾燥工程において時間を要し、また、ウォーターマークが発生しやすくなることもある。この場合、洗浄液と混合可能な現像液を用いることにより、洗浄液の乾燥工程を省いて、洗浄工程と現像工程とを連続して行うことができ、工程時間の短縮化やウォーターマークの発生防止を図れる。洗浄液は、現像工程の後に行われるリンス工程で流される。
【００５９】
洗浄液と混合可能な現像液であることの利点、廃液処理系統を統一できることにある。仮に前記二つの液が混合不可能である場合、場合によっては廃液配管中における析出などを起こす可能性がある。しかし、洗浄液の存在がレジスト膜の現像速度に影響を与える場合には、洗浄液を少なくとも振り切り除去、或いは洗浄液および現像液の双方と混合可能であってレジスト膜を溶解しない液体（典型的には純水）による置換工程を加えることが望ましい。このような置換工程を加える必要性は、前記洗浄工程と現像工程が連続的、非連続的に行った場合のウェハ面内、露光ショット或いはチップ内の寸法分布から判断することが現実的である。より基礎的には、前記洗浄液で現像液を希釈し、希釈割合によるレジスト膜の露光量と溶解速度の関係の変化により判断することができる。
【００６０】
このように洗浄工程と現像工程とを連続して行うことができる場合、洗浄工程を行うためのユニット（洗浄ユニット）と現像工程を行うためのユニット（現像ユニット）とを共通の一つのユニットで構成することができ、ユニット数の削減化を図れる。これにより、装置投資費用を削減できる。なお、リンス工程を行うためのユニット（リンスユニット）と現像ユニットとは、通常、共通の一つのユニットで構成されている。
【００６１】
したがって、化学増幅型レジスト膜を用いた場合のように、露光工程から現像工程までの間にＰＥＢ工程が必要な場合には、露光工程、ＰＥＢ工程、洗浄工程の順で行い、さらに、洗浄液と混合可能な現像液を用いるなどして、洗浄工程と現像工程とを連続的に行えるようにすれば、工程時間の短縮化およびユニット数の削減化を図れるようになる。
【００６２】
なお、露光工程、洗浄工程、ＰＥＢ工程の順で行っても、ＥＵＶ露光中にレジスト膜に汚染物が付着しても設計通りのレジストパターンを形成することができるレジストパターンの形成方法および半導体装置の製造方法は実現できる。
【００６３】
（第３の実施形態）
本実施形態が第１、第２の実施形態と異なる点は、レジスト膜の形成工程から露光工程の間に、レジスト膜上に所定目的のための膜（機能膜）を形成する点にある。上記の所定目的は、例えば、レジスト膜からのアウトガスの低減、レジスト膜の帯電の防止、環境耐性（例えば基板周辺に存在する化学物質に対する耐性）の改善、レジスト膜の形状の改善である。
【００６４】
上記機能膜の除去工程は、露光工程から現像工程の間に行うべきものである。化学増幅型レジスト膜を用いる場合、ＰＥＢ工程が存在するので、機能膜の除去工程はＰＥＢ工程の前または後のいずれに行われることになる。機能膜の除去工程をどちらの時期に行うかについては、レジスト寸法制御、環境耐性など種々の要因から決定される。
【００６５】
工程時間の短縮の観点からは、露光後の洗浄工程は、機能膜の除去工程の前に行うことが望ましい。何故なら、機能膜の除去工程で使用する溶液として、洗浄工程で使用する洗浄液と混合可能な溶液を用いることにより、洗浄液の乾燥工程を省いて、洗浄工程と機能膜の除去程とを連続して行うことができ、工程時間の短縮化を図れるからである。
【００６６】
この場合、機能膜を除去する工程を行うためのユニット（除去ユニット）と洗浄ユニットとを共通の一つのユニットで構成することにより、ユニット数の削減化を図れる。これにより、装置投資費用を削減できる。
【００６７】
さらに、機能膜の除去工程で使用する除去液とレジスト膜の現像工程で使用する現像液とが混合可能である場合、あるいは、上記除去液と上記現像液とが同一の薬液で可能である場合（機能膜が所定の現像液にて除去可能である場合）、洗浄工程、除去工程、現像工程を同一のユニットで実施することができるので、上述したユニット数削減、装置投資費用削減の効果をさらに高めることができる。
【００６８】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されるものではない。
【００６９】
例えば、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。
【００７０】
その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施できる。
【図面の簡単な説明】
【００７１】
【図１】実施形態の導体装置の製造工程を説明するための図。
【図２】図１に続く実施形態の導体装置の製造工程を説明するための図。
【図３】図２に続く実施形態の導体装置の製造工程を説明するための図。
【図４】図３に続く実施形態の導体装置の製造工程を説明するための図。
【図５】図４に続く実施形態の導体装置の製造工程を説明するための図。
【図６】図５に続く実施形態の導体装置の製造工程を説明するための図。
【符号の説明】
【００７２】
１…基板、２…レジスト膜、２ｐ…レジストパターン、３…洗浄液、４…容器、１０…ＥＵＶ露光装置、１１…チャンバ、１２…ＥＵＶ光源、１３…反射マスク、１４，１５，１６…反射光学系、１７…ＥＵＶ光
【図１】
2008218830.tif 000003
【図２】
2008218830.tif 000004
【図３】
2008218830.tif 000005
【図４】
2008218830.tif 000006
【図５】
2008218830.tif 000007
【図６】
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