(57)【要約】【課題】リソグラフィ対象物と非接触でリソグラフィを行うことが可能な電界放出型のリソグラフィ素子及びリソグラフィ装置を提供する。【解決手段】リソグラフィ素子１００は、支持体１０と、この支持体１０に設けられ、第１の負電圧−Ｖ１が印加され、電界放出による電子ビームＥＢを放出する第１の電極２０と、この第１の電極２０の周囲に配置され、第１の電極２０と絶縁され、第１の負電圧−Ｖ１と異なる第２の負電圧−Ｖ２が印加され、電子ビームＥＢの方向を制御する第２の電極３０とを具備する。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体と、
前記支持体に設けられ、第１の負電圧が印加され、電界放出による電子ビームを放出する第１の電極と、
前記第１の電極の周囲に配置され、前記第１の電極と絶縁され、前記第１の負電圧と異なる第２の負電圧が印加され、前記電子ビームの方向を制御する第２の電極と
を具備することを特徴とするリソグラフィ素子。
【請求項２】
前記第１の負電圧の絶対値は、前記第２の負電圧の絶対値より大きいことを特徴とする請求項１に記載のリソグラフィ素子。
【請求項３】
前記第１の電極の先端部は、前記第２の電極の先端部よりも突出することを特徴とする請求項１に記載のリソグラフィ素子。
【請求項４】
前記第２の電極は、前記第１の電極の周囲を取り囲むことを特徴とする請求項１に記載のリソグラフィ素子。
【請求項５】
前記請求項１乃至４のいずれか１項に記載の前記リソグラフィ素子が複数個設けられていることを特徴とするリソグラフィ素子。
【請求項６】
前記請求項１乃至５のいずれか１項に記載の前記リソグラフィ素子を具備することを特徴とするリソグラフィ装置。
【請求項７】
前記第１の電極に前記第１の負電圧を印加する第１の電圧印加回路と、
前記第２の電極に前記第２の負電圧を印加する第２の電圧印加回路と、
前記第１の電極の電流値を検出し、前記第１の電圧印加回路を制御する定電流回路と、
前記第１及び第２の負電圧を検出する電圧検出部と、
前記電圧検出部の検出値に応じて前記第１及び第２の電圧印加回路を制御する電圧制御部と
をさらに具備することを特徴とする請求項６に記載のリソグラフィ装置。
【請求項８】
前記リソグラフィ素子が複数個設けられている場合、前記リソグラフィ素子毎に前記定電流回路が備えられており、前記リソグラフィ素子毎に放出される前記電子ビームの各値が同じになるように前記定電流回路により前記第１の電圧印加回路を制御することを特徴とする請求項７に記載のリソグラフィ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電界放出型電子ビームリソグラフィ素子及びリソグラフィ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体素子やストレージデバイスの小型化に伴い、微細加工技術が益々要求されている。これに伴い、従来の光リソグラフィに代わる技術として、電子ビーム（ＥＢ：electron-beam）リソグラフィが既に実用化されている。この電子ビームリソグラフィのリソグラフィ装置は、大型である。一方、この大型のリソグラフィ装置に代わり得る、電子を用いた小型のリソグラフィ装置として、走査プローブ顕微鏡（走査トンネル顕微鏡：ＳＴＭ）を使用したリソグラフィ装置が提案されている。
【０００３】
しかしながら、電子ビームリソグラフィ装置は、装置が非常に大型化し、かつ高価になってしまうという問題がある。
【０００４】
また、走査プローブ顕微鏡を用いたリソグラフィ装置においては、装置の小型化は可能であるが、基本的にレジストと接触することを前提としているため、プローブ及びレジストの双方のコンタミやダメージの懸念が払拭しきれない。また、電流値が小さいトンネル電流を用いているため、大きな電流を得ることが困難であることも予想される。
【０００５】
尚、この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、次のようなものがある。
【特許文献１】特開2002-15990号公報
【特許文献２】米国特許5,743,998号明細書
【特許文献３】米国特許4,785,189号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、リソグラフィ対象物と非接触でリソグラフィを行うことが可能な電界放出型のリソグラフィ素子及びリソグラフィ装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の第１の視点によるリソグラフィ素子は、支持体と、前記支持体に設けられ、第１の負電圧が印加され、電界放出による電子ビームを放出する第１の電極と、前記第１の電極の周囲に配置され、前記第１の電極と絶縁され、前記第１の負電圧と異なる第２の負電圧が印加され、前記電子ビームの方向を制御する第２の電極とを具備する。
【０００８】
本発明の第２の視点によるリソグラフィ装置は、第１の視点によるリソグラフィ素子を具備する。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、リソグラフィ対象物と非接触でリソグラフィを行うことが可能な電界放出型のリソグラフィ素子及びリソグラフィ装置を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
本発明の実施の形態を以下に図面を参照して説明する。この説明に際し、全図にわたり、共通する部分には共通する参照符号を付す。
【００１１】
［１］リソグラフィ素子
図１は、本発明の一実施形態に係る電界放出型電子ビームリソグラフィ素子の概略図を示す。以下に、リソグラフィ素子の概略的な構造について説明する。
【００１２】
図１に示すように、リソグラフィ素子１００は、支持体１０と、第１の電極２０と、第２の電極３０とを含んで構成されている。このリソグラフィ素子１００は、プローブを用いた電界放出型電子ビームリソグラフィ素子である。尚、電界放出型は、熱電子放出型に比べて、輝度が一桁高く、エネルギー分解能が高いので、微小プローブ状の電子放出に適している。
【００１３】
支持体１０は、例えばシリコン（Ｓｉ）等で作製されたカンチレバー等で形成されている。
【００１４】
第１の電極２０は、支持体１０の例えば先端部に設けられている。この第１の電極２０は、電界放出による電子ビームＥＢを放出する先端部２０ａを有し、電界放出型電子ビーム放出電極（電界放出型電子ビーム放出チップ）である。第１の電極２０には、第１の負電圧−Ｖ１（Ｖｏｌｔｓ）が印加される。
【００１５】
第２の電極３０は、支持体１０の例えば先端部に設けられている。この第２の電極３０は、第１の電極２０と隙間４０を有して、第１の電極２０の周囲に配置される。第２の電極３０は、第１の電極２０が放出した電子ビームＥＢの方向を制御する。すなわち、第２の電極３０は、電子ビーム方向制御用電極である。第２の電極３０には、第１の負電圧−Ｖ１とは異なる第２の負電圧−Ｖ２（Ｖｏｌｔｓ、Ｖ１≠Ｖ２）が印加される。
【００１６】
このようなリソグラフィ素子１００では、第１の電極２０に第１の負電圧−Ｖ１が印加され、同時に、第２の電極３０に第２の負電圧−Ｖ２（Ｖ１≠Ｖ２）が印加される。このため、第１の電極２０から電子ビームＥＢが放出された際、この電子ビームＥＢの放出方向が第２の電極３０により制御される。従って、電子ビームＥＢが発散することなく、導電性基板１上のレジスト２を露光することができる。
【００１７】
［１−１］構造例
図２は、本発明の一実施形態に係る電界放出型電子ビームリソグラフィ素子の構造例１の斜視図を示す。以下に、リソグラフィ素子の構造例１について説明する。
【００１８】
図２に示すように、支持体１０を構成する基板１１には絶縁層１２が形成され、この絶縁層１２上に第１の電極２０が設けられている。そして、第２の電極３０が、第１の電極２０の周囲を同心円状に取り囲んでいる。
【００１９】
図３（ａ）及び（ｂ）は、本発明の一実施形態に係る電界放出型電子ビームリソグラフィ素子の構造例２の平面図及び断面図を示す。以下に、リソグラフィ素子の構造例２について説明する。
【００２０】
図３（ａ）及び（ｂ）に示すように、支持体１０を構成する基板１１には絶縁層１２が形成され、この絶縁層１２内には第１及び第２の配線１３、１４が形成されている。第１の配線１３には第１の電極２０が接続され、第２の配線１４には第２の電極３０が接続されている。そして、第１及び第２の配線１３、１４を介して、第１及び第２の電極２０、３０に第１及び第２の負電圧−Ｖ１、−Ｖ２がそれぞれ印加される。
【００２１】
ここで、第１及び第２の配線１３、１４は絶縁層１２で電気的に絶縁されているため、第１及び第２の電極２０、３０は構造体１０を介して電気的に接続することはない。このように、第１及び第２の電極２０、３０は、互いにショートしないような構造となっている。
【００２２】
尚、第２の電極３０は、第１の電極２０の側面に対して連続的な側面を有しているが、例えば短冊状等に区切れていてもよい。また、第２の電極３０は、第１の電極２０の先端部２０ａの周囲にのみ配置されていてもよい。
【００２３】
［１−２］印加電圧
第１及び第２の電極２０、３０に印加される第１及び第２の負電圧−Ｖ１、−Ｖ２について説明する。
【００２４】
第１及び第２の電極２０、３０には、同じマイナス極性の第１及び第２の負電圧−Ｖ１、−Ｖ２がそれぞれ印加される。ここで、両電圧を同じ極性とするのは、第１の電極２０から放出された電子を第２の電極３０が引っ張って電子ビームＥＢが広がることを抑制するためである。従って、通常のＦＥＤ(Field Emission Display)等の電界放出で、電子を加速させるために正の電位を印加する場合とは目的が異なる。また、電子加速器等で用いられているウェーネルト電極には、電子ビームの広がりを抑制するために負の電位が与えられるが、ウェーネルト電極の大きさ（本実施形態で言えば第２の電極３０に相当する部分の大きさ）は数１０ｍｍであるので、本実施形態の第２の電極３０の大きさ（数１０ｎｍから数１００ｎｍ）とはオーダーが全く異なる。尚、第２の電極３０の大きさとは、第２の電極３０の外側の側面の直径や、第２の電極３０の高さを意味する。
【００２５】
第１の電極２０に印加される第１の負電圧−Ｖ１の値は、例えば、−１０から−１００Ｖである。一方、第２の電極３０に印加される第２の負電圧−Ｖ２の値は、例えば、−５から−５０Ｖである。
【００２６】
ここで、両者の印加電圧の絶対値は、｜−Ｖ１｜＞｜−Ｖ２｜の関係を満たすことが望ましい。これにより、第２の電極３０から電子ビームＥＢを放出させずに、第１の電極２０からのみ電子ビームＥＢを放出させることができる。
【００２７】
また、第１の電極２０と基板１との電位差をＶａとし、第１の電極２０と第２の電極３０との電位差をＶｂとした場合、電位差Ｖａ＞電位差Ｖｂの関係を満たすことが望ましい。これにより、第１の電極２０から放出された電子ビームＥＢが第２の電極３０の方向に向かうことを抑制でき、電子ビームＥＢをレジスト２の方向に集束できる。電子は電位差が大きい方に飛ぶからである。尚、基板１は、接地電位（０Ｖ）に設定されている。
【００２８】
［１−３］電極とレジストとの距離
第１の電極２０の先端部２０ａと電子ビームＥＢで露光するレジスト２との距離Ｄ１、第１の電極２０と第２の電極３０との距離（隙間４０の幅）Ｄ２、第２の電極３０の先端部３０ａと電子ビームＥＢで露光するレジスト２との距離Ｄ３について、図１を参照して説明する。
【００２９】
第１の電極２０の先端部２０ａとレジスト２との距離Ｄ１は、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下が望ましく、より好ましくは４ｎｍ以上１０ｎｍ以下である。距離Ｄ１が１ｎｍ以上であることが望ましいのは、レジスト２の表面の粗さが１ｎｍ以上のため、この粗さ分以上離さないと第１の電極２０の先端部２０ａとレジスト２とが接触してしまうからである。距離Ｄ１が１０ｎｍ以下であることが望ましいのは、電界放出電子を加速するような機構のない本実施形態の構成において、効果的に電子を放出するためには、１０ｎｍ以下の距離が適当であると考えるからである。距離Ｄ１が４ｎｍ以上であることがさらに望ましいのは、レジスト２の表面粗さが平均的には１ｎｍ以上であるが、最大値としては３ｎｍ程度を有するためである。
【００３０】
第１の電極２０と第２の電極３０との距離（隙間４０の幅）Ｄ２は、２０ｎｍ以上１００ｎｍ以下が望ましく、より好ましくは１５ｎｍ以上５０ｎｍ以下である。尚、距離Ｄ２は、主に、両電極２０、３０の先端部２０ａ、３０ａの付近における距離を意味している。
【００３１】
第２の電極３０の先端部３０ａとレジスト２との距離Ｄ３は、２０ｎｍ以上１００ｎｍ以下が望ましく、より好ましくは１５ｎｍ以上５０ｎｍ以下である。
【００３２】
ここで、距離Ｄ１は距離Ｄ２より小さいこと（Ｄ１＜Ｄ２）が望ましい。これにより、第１の電極２０から放出された電子ビームＥＢが第２の電極３０の方向に向かうことを抑制できる。
【００３３】
また、距離Ｄ１は距離Ｄ３より小さいこと（Ｄ１＜Ｄ３）が望ましい。換言すると、第１の電極２０の先端部２０ａは第２の電極３０の先端部３０ａよりも突出することが望ましい。これにより、第２の電極３０から電子ビームＥＢを放出させずに、第１の電極２０からのみ電子ビームＥＢを放出させることができる。
【００３４】
［２］マルチプローブ型リソグラフィ素子
［２−１］一次元配列
図４は、本発明の一実施形態に係る一次元配列のマルチプローブ型電界放出電子ビームリソグラフィ素子の概略図を示す。以下に、一次元配列のリソグラフィ素子について説明する。
【００３５】
図４に示すように、マルチプローブ型のリソグラフィ素子２００は、プローブ支持基板２０１上に、図１のリソグラフィ素子１００を複数個設けている。ここで、リソグラフィ素子１００は、例えばＹ方向に一次元的に配列されている。尚、リソグラフィ素子１００の第１及び第２の電極２０、３０は、必ずしも支持体１０の先端に設けられる必要性はなく、例えばプローブ支持基板２０１上に直接形成してもよい。
【００３６】
このような一次元配列のリソグラフィ素子２００によれば、リソグラフィ素子２００をＸ、Ｙ方向でスキャンすることにより、基板１の任意の位置のレジスト２に電子ビームＥＢを放出してリソグラフィが行われる。
【００３７】
ここで、Ｙ方向においては、隣り合うリソグラフィ素子１００の間隔Ｐｙ１に依存した微小ピッチ（例えば間隔Ｐｙ１の半分）で連続的に動かす場合（連続ステップ）と、複数のリソグラフィ素子１００のＹ方向の寸法Ｑｙ１に依存したピッチで不連続的に動かす場合（不連続ステップ）とがある。一方、Ｘ方向においては、微小ピッチで動かす等の実質的に連続ステップのみである。
【００３８】
［２−２］二次元配列
図５は、本発明の一実施形態に係る二次元配列のマルチプローブ型電界放出電子ビームリソグラフィ素子の概略図を示す。以下に、二次元配列のリソグラフィ装置について説明する。
【００３９】
図５に示すように、マルチプローブ型のリソグラフィ素子２００は、プローブ支持基板２０１上に、図１のリソグラフィ素子１００を複数個設けている。ここで、リソグラフィ素子１００は、例えばＸ、Ｙ方向に二次元的に配列されている。尚、リソグラフィ素子１００の第１及び第２の電極２０、３０は、必ずしも支持体１０の先端に設けられる必要性はなく、例えばプローブ支持基板２０１上に直接形成してもよい。
【００４０】
このような二次元配列のリソグラフィ素子２００の基本的な動作概念は、図４の一次元配列のリソグラフィ素子２００と同様であるが、基板１上をスキャンする際の動作が以下のように若干異なる。
【００４１】
図４の一次元配列のリソグラフィ素子２００の場合、Ｘ方向は連続ステップによる動作のみであり、Ｙ方向は連続ステップによる動作と不連続ステップによる動作との組み合わせスキャンとなる。これに対し、図５の二次元配列のリソグラフィ素子２００の場合は、Ｘ方向、Ｙ方向ともに、連続ステップによる動作と不連続ステップによる動作との組み合わせスキャンとなる。
【００４２】
すなわち、図５の二次元配列のリソグラフィ素子２００の場合、Ｙ方向においては、隣り合うリソグラフィ素子１００の間隔Ｐｙ２に依存した微小ピッチ（例えば間隔Ｐｙ２の半分）で連続的に動かす場合（連続ステップ）と、複数のリソグラフィ素子１００のＹ方向の寸法Ｑｙ２に依存したピッチで不連続的に動かす場合（不連続ステップ）とがある。同様に、Ｘ方向においても、隣り合うリソグラフィ素子１００の間隔Ｐｘ２に依存した微小ピッチ（例えば間隔Ｐｘ２の半分）で連続的に動かす場合（連続ステップ）と、複数のリソグラフィ素子１００のＸ方向の寸法Ｑｘ２に依存したピッチで不連続的に動かす場合（不連続ステップ）とがある。
【００４３】
従って、図４の一次元配列のリソグラフィ素子２００と比べて、図５の二次元配列のリソグラフィ素子２００の方が、高速でスキャンできるため、大面積での電子ビームリソグラフィにおいては有利と言える。
【００４４】
［３］リソグラフィ装置
図６は、本発明の一実施形態に係る電界放出電子ビームリソグラフィ装置のブロック図を示す。以下に、リソグラフィ装置について説明する。
【００４５】
図６に示すように、リソグラフィ装置３００は、上述するリソグラフィ素子１００と、リソグラフィ対象を移動させるための駆動系回路３０１と、リソグラフィ素子１００から放出させる電子ビームを制御するための電子ビーム制御回路３０２とを含んで構成されている。
【００４６】
リソグラフィ素子１００は、上述したように、支持体１０に電子ビームを放出する第１の電極２０が設けられ、この第１の電極２０を取り囲むように第２の電極３０が設けられている。尚、リソグラフィ素子１００は、図４及び図５に示すマルチプローブ型のリソグラフィ素子２００でも勿論よい。
【００４７】
駆動系回路３０１は、次のような構成となっている。５１は、Ｘ、Ｙ、Ｚ方向の粗動駆動部であり、例えばステップモータ等からなる。５２は、Ｚ方向の微動駆動部であり、例えばアクチュエータ等からなる。５３は、Ｘ、Ｙ方向の微動駆動部であり、同様に、例えばアクチュエータ等からなる。５４は、Ｘ、Ｙ、Ｚ方向の粗動駆動部５１を制御するための粗動駆動制御部である。５５は、Ｘ、Ｙ、Ｚ方向の微動駆動部５２、５３を制御するための微動駆動制御部である。
【００４８】
ここで、「微動駆動」、「粗動駆動」とは、第１の電極２０がレジスト２を露光するために必要な距離を制御するための駆動である。そして、図４及び図５に示すマルチプローブ型のリソグラフィ素子２００を例に挙げると、第１の電極２０の間の距離の例えば１／２の距離を移動させる場合（連続ステップ動作）は「微動駆動」とし、リソグラフィ素子１００のアレイを１単位としてそれを超える距離を移動させる場合（不連続ステップ動作）を「粗動駆動」とする。
【００４９】
電子ビーム制御回路３０２は、次のような構成となっている。６１は、第１の電極２０に第１の負電圧−Ｖ１を印加するための電圧印加回路である。６２は、第１の電極２０の電流値を検出し、第１の負電圧−Ｖ１の電圧値を制御するための定電流回路である。６３は、第２の電極３０に第２の負電圧−Ｖ２を印加するための電圧印加回路である。６４は、第１及び第２の負電圧−Ｖ１、−Ｖ２を検出するための電圧検出部である。６５は、電圧検出部６４の検出値に応じて電圧印加回路６１、６３を制御するための電圧制御部である。
【００５０】
このようなリソグラフィ装置３００では、レジスト２が形成された導電性基板１が粗動駆動部５１及び微動駆動部５２、５３上に取り付けられる。そして、電圧印加回路６１により第１の電極２０に第１の負電圧−Ｖ１が印加され、電圧印加回路６３により第２の電極３０に第２の負電圧−Ｖ２が印加される。この際、定電流回路６２により、第１の電極２０の電流値が検出され、第１の電極２０に印加する第１の負電圧−Ｖ１が制御される。そして、第１及び第２の負電圧−Ｖ１、−Ｖ２が電圧検出部６４で検出され、この検出値に応じて電圧制御部６５により電圧印加回路６１、６３から供給する第１及び第２の負電圧−Ｖ１、−Ｖ２がそれぞれ制御される。例えば、電圧制御部６５により、｜−Ｖ１｜＞｜−Ｖ２｜となるように電圧印加回路６１、６３が制御される。
【００５１】
尚、マルチプローブ型のリソグラフィ素子２００を備えたリソグラフィ装置３００の場合、電圧印加回路６１、６３、定電流回路６２、電圧検出部６４、電圧制御部６５は、リソグラフィ素子１００毎に設けてもよいし、複数のリソグラフィ素子１００で共有することも可能である。ここで、リソグラフィ素子１００毎に定電流回路６２を設けた場合、定電流回路６２で検出した第１の電極２０の電流値と、この第１の電極２０に対応する第２の電極３０に印加する電圧値とを参照し、個々のリソグラフィ素子１００の第１の電極２０の放出電子ビームＥＢが同じ値になるように電圧印加回路６１を制御することが望ましい。このように、リソグラフィの際、第１及び第２の電極２０、３０の電圧等を参照することにより、それぞれの第１の電極２０の電流を一定レベルに制御できる。従って、リソグラフィのばらつきの低減を、素子レベルで行うことが可能となる。
【００５２】
［４］効果
本実施形態のリソグラフィ素子は、支持体１０に電界放出型の電子ビームＥＢを放出する第１の電極２０が設けられ、この第１の電極２０の周囲に電子ビームＥＢの方向を制御する第２の電極３０が設けられている。従って、例えば、次のような効果を得ることができる。
【００５３】
まず、電界放出型の電子ビームを放出する第１の電極２０を用いることにより、真空中ではなく、例えば窒素雰囲気中で電子ビームリソグラフィを行うことができる。従って、従来の電子ビームリソグラフィ装置に比べて、装置の小型化が可能となり安価が実現できる。
【００５４】
また、第１の電極２０は電界放出型であるため、レジスト２とある程度の距離を保ちながら、レジスト２と離れてリソグラフィを実行できる。従って、走査プローブ顕微鏡を用いたリソグラフィ装置のようにレジスト２と接触しないため、プローブ及びレジストのコンタミやダメージが発生する問題が生じない。
【００５５】
また、トンネル電流を用いる走査トンネル型とは異なり、比較的大きな電子ビーム電流を得ることが可能である。このため、トンネル電流を用いる走査トンネル型よりも、短時間でレジストを感光させることができる。従って、露光スループットの向上を図ることができる。
【００５６】
その他、本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で、種々に変形することが可能である。さらに、上記実施形態には種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件における適宜な組み合わせにより種々の発明が抽出され得る。例えば、実施形態に示される全構成要件から幾つかの構成要件が削除されても、発明が解決しようとする課題の欄で述べた課題が解決でき、発明の効果の欄で述べられている効果が得られる場合には、この構成要件が削除された構成が発明として抽出され得る。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】本発明の一実施形態に係る電界放出型電子ビームリソグラフィ素子を示す概略図。
【図２】本発明の一実施形態に係る電界放出型電子ビームリソグラフィ素子の構造例１を示す斜視図。
【図３】図３（ａ）及び（ｂ）は、本発明の一実施形態に係る電界放出型電子ビームリソグラフィ素子の構造例２を示す平面図及び断面図。
【図４】本発明の一実施形態に係る一次元配列のマルチプローブ型電界放出電子ビームリソグラフィ素子を示す概略図。
【図５】本発明の一実施形態に係る二次元配列のマルチプローブ型電界放出電子ビームリソグラフィ素子を示す概略図。
【図６】本発明の一実施形態に係る電界放出電子ビームリソグラフィ装置を示すブロック図。
【符号の説明】
【００５８】
１…導電性基板、２…レジスト、１０…支持体、１１…基板、１２…絶縁層、１３…第１の電極用の第１の配線、１４…第２の電極用の第２の配線、２０…第１の電極（電界放出型電子ビーム放出電極）、２０ａ…第１の電極の先端部、３０…第２の電極（電子ビーム方向制御用電極）、３０ａ…第２の電極の先端部、４０…隙間、５１…Ｘ、Ｙ、Ｚ方向の粗動駆動部、５２…Ｚ方向の微動駆動部、５３…Ｘ、Ｙ方向の微動駆動部、５４…粗動駆動制御部、５５…微動駆動制御部、６１…第１の電極用の電圧印加回路、６２…定電流回路、６３…第２の電極用の電圧印加回路、６４…電圧検出部、６５…電圧制御部、１００…リソグラフィ素子、２００…マルチプローブ型リソグラフィ素子、２０１…プローブ支持基板、３００…リソグラフィ装置、３０１…駆動系回路、３０２…電子ビーム制御回路、ＥＢ…電子ビーム。
【図１】
2008034549.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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