(57)【要約】【課題】導体パターンのマイグレーションを防止しながら、導体パターンの腐食および変色を防止することのできる、配線回路基板およびその製造方法を提供すること。【解決手段】ベース絶縁層３を金属支持基板２の上に形成し、導体パターン４をベース絶縁層３の上に形成し、その導体パターン４を金属薄膜５により被覆し、金属薄膜５の上に、端子部８が露出するカバー開口部１１が形成されるカバー絶縁層６を形成し、エッチングレジスト１４を、カバー開口部１１から露出する端子部８の周端部１６の上の金属薄膜５に形成し、端子部８において、エッチングレジスト１４から露出する金属薄膜５をエッチングした後、エッチングレジスト１４を除去する。これにより、カバー開口部１１の周囲におけるカバー絶縁層６と導体パターン４との間に、保護部分９と露出部分１０とを連続して形成する。【選択図】図２
2008218728.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベース絶縁層と、
前記ベース絶縁層の上に形成され、配線および端子部を含む導体パターンと、
前記ベース絶縁層の上に形成され、前記端子部が露出する開口部を有するカバー絶縁層と、
前記配線と前記カバー絶縁層との間に介在される保護部分、および、前記開口部から露出する前記端子部の周端部の上に、前記保護部分から連続して形成される露出部分を含む金属薄膜と
を備えていることを特徴とする、配線回路基板。
【請求項２】
前記金属薄膜が、ニッケルからなることを特徴とする、請求項１に記載の配線回路基板。
【請求項３】
さらに、前記開口部内に形成されるめっき層を備えることを特徴とする、請求項１または２に記載の配線回路基板。
【請求項４】
ベース絶縁層を用意する工程と、
前記ベース絶縁層の上に、配線および端子部を含む導体パターンを形成する工程と、
前記導体パターンを金属薄膜により被覆する工程と、
前記金属薄膜の上に、前記端子部が露出する開口部を有するカバー絶縁層を形成する工程と、
前記開口部から露出する前記端子部の周端部の上の前記金属薄膜にエッチングレジストを形成する工程と、
前記端子部において、前記エッチングレジストから露出する前記金属薄膜を、エッチングにより除去する工程と、
前記エッチングレジストを除去する工程と
を備えることを特徴とする、配線回路基板の製造方法。
【請求項５】
前記金属薄膜が、ニッケルからなることを特徴とする、請求項４に記載の配線回路基板の製造方法。
【請求項６】
さらに、前記開口部内にめっき層を形成する工程を備えることを特徴とする、請求項４または５に記載の配線回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線回路基板およびその製造方法、詳しくは、フレキシブル配線回路基板や回路付サスペンション基板などの配線回路基板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
フレキシブル配線回路基板や回路付サスペンション基板などの配線回路基板では、例えば、ポリイミド樹脂などからなるベース絶縁層と、そのベース絶縁層上に形成され、銅などからなり、配線および端子部を含む導体層と、ベース絶縁層の上に形成され、その導体層を被覆するポリイミド樹脂などからなるカバー絶縁層とを備えている。そして、このような配線回路基板は、各種の電気機器や電子機器の分野において、広く用いられている。
【０００３】
このような配線回路基板として、導体層のマイグレーションの防止を目的として、例えば、図５（ａ）に示すように、ステンレス箔基材３２に支持される絶縁層３３の上に形成されている銅導体層３４の表面にニッケル薄膜３５を形成して、銅導体層３４の表面を被覆、保護した回路付サスペンション基板３１が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００４】
特許文献１に記載の回路付サスペンション基板３１の製造においては、カバー絶縁層３６の開口部４１から露出する端子部３８の表面に形成されたニッケル薄膜３５を、カバー絶縁層３６をエッチングレジストとして、エッチングにより除去した後、その端子部３８の表面に電解めっきにより端子を形成している。
【特許文献１】特開平１０−１２９８３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、カバー絶縁層３６をエッチングレジストとしてエッチングすると、図５（ｂ）に示すように、開口部４１の周囲において、カバー絶縁層３６に被覆されているニッケル薄膜３５がオーバーエッチングされる場合がある。そのような場合には、開口部４１の周囲におけるカバー絶縁層３６と銅導体層３４との間にギャップ（隙間）４０が形成される。そのため、エッチング後に、回路付サスペンション基板３１を電解めっき液へ浸漬させて、開口部４１内に端子を形成するときには、電解めっき液がギャップ４０に浸入して、そのギャップ４０に電解めっき液が滞留すると、銅導体層３４が腐食および変色するという不具合がある。
【０００６】
本発明の目的は、導体パターンのマイグレーションを防止しながら、導体パターンの腐食および変色を防止することのできる、配線回路基板およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明の配線回路基板は、ベース絶縁層と、前記ベース絶縁層の上に形成され、配線および端子部を含む導体パターンと、前記ベース絶縁層の上に形成され、前記端子部が露出する開口部を有するカバー絶縁層と、前記配線と前記カバー絶縁層との間に介在される保護部分、および、前記開口部から露出する前記端子部の周端部の上に、前記保護部分から連続して形成される露出部分を含む金属薄膜とを備えていることを特徴としている。
【０００８】
また、本発明の配線回路基板では、前記金属薄膜が、ニッケルからなることが好適である。
また、本発明の配線回路基板では、さらに、前記開口部内に形成されるめっき層を備えることが好適である。
また、本発明の配線回路基板の製造方法は、ベース絶縁層を用意する工程と、前記ベース絶縁層の上に、配線および端子部を含む導体パターンを形成する工程と、前記導体パターンを金属薄膜により被覆する工程と、前記金属薄膜の上に、前記端子部が露出する開口部を有するカバー絶縁層を形成する工程と、前記開口部から露出する前記端子部の周端部の上の前記金属薄膜にエッチングレジストを形成する工程と、前記端子部において、前記エッチングレジストから露出する前記金属薄膜を、エッチングにより除去する工程と、前記エッチングレジストを除去する工程とを備えることを特徴としている。
【０００９】
また、本発明の配線回路基板の製造方法では、前記金属薄膜が、ニッケルからなることが好適である。
また、本発明の配線回路基板の製造方法では、さらに、前記開口部内にめっき層を形成する工程を備えることが好適である。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の配線回路基板によれば、開口部から露出する端子部の周端部の上には、保護部分から連続して形成される露出部分が形成されている。つまり、開口部の周囲におけるカバー絶縁層と導体パターンとの間には、保護部分と露出部分とが連続して形成されている。そのため、めっき層を形成するときには、開口部の周囲におけるカバー絶縁層と導体パターンとの間に、めっき液などが浸入することを防止することができる。その結果、金属薄膜により導体パターンのマイグレーションを防止しつつ、端子部の腐食および変色を防止することができる。
【００１１】
また、本発明の配線回路基板の製造方法によれば、開口部から露出する端子部の周端部の上の金属薄膜をエッチングレジストで保護しながら、開口部から露出する端子部の上の金属薄膜をエッチングにより除去する。これによって、開口部から露出する端子部の周端部の上に、保護部分から連続して形成される露出部分を簡易かつ確実に形成することができる。その結果、金属薄膜により導体パターンのマイグレーションを防止しつつ、端子部の腐食および変色を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
図１は、本発明の配線回路基板の一実施形態を示す概略平面図、図２は、図１に示す配線回路基板の長手方向における部分断面図である。なお、図１において、導体パターン４およびカバー開口部１１の相対配置を明確に示すために、後述するベース絶縁層３、ニッケルめっき層１２および金めっき層１３は省略されている。
図１において、この配線回路基板１は、フレキシブル配線回路基板や回路付サスペンション基板などの配線回路基板である。この配線回路基板１は、図２に示すように、金属支持基板２と、金属支持基板２の上に形成されるベース絶縁層３と、ベース絶縁層３の上に形成される導体パターン４と、ベース絶縁層３の上に形成されるカバー絶縁層６とを備えている。
【００１３】
金属支持基板２は、例えば、配線回路基板１がフレキシブル配線回路基板である場合には、補強層として備えられ、また、配線回路基板１が回路付サスペンション基板である場合には、実装する磁気ヘッド(図示せず）を支持する支持基板（サスペンション基板）として備えられる。この金属支持基板２は、平板状の薄板から形成され、補強層として形成する場合は、配線回路基板１において、補強層が必要な箇所に部分的に設けられ、支持基板として形成する場合には、配線回路基板１の外形形状に対応して形成されている。
【００１４】
金属支持基板２の長さ（長手方向長さ）および幅（幅方向長さ）は、目的および用途により、適宜選択される。
ベース絶縁層３は、金属支持基板２の上に、導体パターン４が形成される部分に対応するパターンとして形成されている。
ベース絶縁層３の長さおよび幅は、目的および用途により、上記形状となるように、適宜選択される。
【００１５】
導体パターン４は、図１に示すように、配線７と配線７に接続される端子部８とを、一体的に連続して備える配線回路パターンとして形成されている。
配線７は、配線回路基板１の長手方向に沿って複数設けられ、幅方向（長手方向に直交する方向、以下同じ。）において互いに間隔を隔てて並列配置されている。
端子部８は、配線回路基板１の長手方向両端部に配置され、各配線７の両端部がそれぞれ接続されるように、平面視略矩形状の幅広の角ランドとして複数並列して設けられている。
【００１６】
各配線７の幅は、例えば、１０〜１００μｍ、好ましくは、１５〜５０μｍ、各配線７間の間隔は、例えば、１０〜１００μｍ、好ましくは、１５〜５０μｍである。
また、各端子部８の幅は、例えば、５０〜１０００μｍ、好ましくは、８０〜５００μｍ、その長さは、例えば、１０〜１０００μｍ、好ましくは、１００〜５００μｍであり、各端子部８間の間隔（幅方向において隣接配置される各端子部８間の長さ）は、例えば、５０〜１０００μｍ、好ましくは、８０〜５００μｍである。
【００１７】
カバー絶縁層６は、図２に示すように、ベース絶縁層３および導体パターン４の上に形成されている。また、カバー絶縁層６には、各端子部８に対応して厚み方向を貫通するカバー開口部１１が形成されている。このカバー開口部１１は、図１に示すように、平面視において端子部８よりやや小さい相似形状に形成されている。これにより、端子部８の周端部がカバー絶縁層６により被覆され、端子部８の周端部より内側が、カバー開口部１１から露出されている。
【００１８】
カバー絶縁層６の長さおよび幅は、目的および用途により、上記形状となるように、適宜選択される。
また、この配線回路基板１においては、図２に示すように、カバー開口部１１内には、端子部８の上に、めっき層としてのニッケルめっき層１２および金めっき層１３が順次形成されている。
【００１９】
そして、この配線回路基板１は、配線７を被覆して保護するための金属薄膜５を備えている。
金属薄膜５は、保護部分９と露出部分１０とを一体的に備えている。
保護部分９は、カバー絶縁層６に被覆される導体パターン４の表面に形成されている。すなわち、この保護部分９は、配線７とカバー絶縁層６との間に介在されている。より具体的には、保護部分９は、配線７の上面および幅方向両側面および長手方向両側面に形成されている。
【００２０】
露出部分１０は、図１および図２に示すように、カバー開口部１１から露出する端子部８（上記した端子部８の周端部の内側部分）の周端部１６の上に形成されている。露出部分１０は、保護部分９から連続して形成されており、保護部分９からカバー絶縁層６のカバー開口部１１内にはみ出すように形成されている。この露出部分１０は、カバー開口部１１から露出する端子部８の周端部１６とニッケルめっき層１２の周端部との間に介在されている。
【００２１】
図１に示すように、露出部分１０の長手方向における幅Ｗ１、すなわち、カバー開口部１１の長手方向端縁と露出部分１０の長手方向端縁との間の長さＷ１、および、露出部分１０の幅方向における幅（図１参照）Ｗ２、すなわち、カバー開口部１１の幅方向端縁と露出部分１０の幅方向端縁との間の長さＷ２は、互いに同一または相異なっていてもよく、例えば、１μｍ以上、好ましくは、５μｍ以上、例えば、５０μｍ以下、好ましくは、３５μｍ以下である。
【００２２】
露出部分１０の長手方向における幅Ｗ１または幅方向における幅Ｗ２が上記した範囲を超えると、実装に影響を与える場合があり、一方、上記した範囲に満たないと、金属薄膜５のエッチングにおいてオーバーエッチングにより、保護部分１０が除去される場合がある。
図３および図４は、図２に示す配線回路基板の製造工程を示す長手方向における部分断面図である。
【００２３】
次に、この配線回路基板の製造方法について、図３および図４を参照して、説明する。
まず、この方法では、図３（ａ）に示すように、金属支持基板２を用意する。
金属支持基板２としては、例えば、ステンレス、４２アロイ、アルミニウム、銅−ベリリウム、りん青銅などの金属箔が用いられる。好ましくは、ステンレス箔が用いられる。金属支持基板２の厚みは、例えば、１０〜５０μｍ、好ましくは、１５〜３０μｍである。
【００２４】
次いで、この方法では、図３（ｂ）に示すように、ベース絶縁層３を、金属支持基板２の上に形成する。ベース絶縁層３は、導体パターン４が形成される部分に対応する上記したパターンとして形成される。
ベース絶縁層３は、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂などの樹脂からなる。耐熱性の観点からは、好ましくは、ポリイミド樹脂からなる。
【００２５】
ベース絶縁層３を上記したパターンとして形成するには、特に制限されず、公知の方法が用いられる。例えば、感光性樹脂（感光性ポリアミック酸樹脂）のワニスを、金属支持基板２の表面に塗布し、塗布されたワニスを乾燥して、ベース皮膜を形成する。次いで、ベース皮膜を、フォトマスクを介して露光した後、必要により加熱後、現像によりパターンを形成させ、その後、例えば、減圧下、２５０℃以上で加熱することにより、硬化（イミド化）させる。
【００２６】
このようにして形成されるベース絶縁層３の厚みは、例えば、１〜３５μｍ、好ましくは、８〜１５μｍである。
次いで、この方法では、図３（ｃ）に示すように、導体パターン４を、ベース絶縁層３の上に形成する。導体パターン４は、上記した配線７および端子部８を一体的に備える配線回路パターンとして形成する。
【００２７】
導体パターン４は、例えば、銅、ニッケル、金、はんだ、またはこれらの合金などの導体からなり、好ましくは、銅からなる。また、導体パターン４を形成するには、ベース絶縁層３の上面に、例えば、サブトラクティブ法、アディティブ法などの公知のパターンニング法、好ましくは、アディティブ法によって、導体パターン４を、上記した配線回路パターンとして形成する。
【００２８】
サブトラクティブ法では、まず、ベース絶縁層３の上面に、必要により接着剤層を介して導体層を積層し、次いで、この導体層の上に、配線回路パターンと同一パターンのエッチングレジストを形成し、このエッチングレジストをレジストとして、導体層をエッチングして、その後に、エッチングレジストを除去する。
また、アディティブ法では、まず、ベース絶縁層３の全面に、導体薄膜を形成する。導体薄膜は、スパッタリング、好ましくは、クロムスパッタリングおよび銅スパッタリングにより、クロム薄膜と銅薄膜とを積層する。
【００２９】
次いで、この導体薄膜の上面に、配線回路パターンと逆パターンでめっきレジストを形成した後、めっきレジストから露出する導体薄膜の上面に、電解めっきにより、配線回路パターンとして導体パターン４を形成し、その後に、めっきレジストおよびそのめっきレジストが積層されていた部分の導体薄膜を除去する。
このようにして形成される導体パターン４では、その厚みが、例えば、３〜２０μｍ、好ましくは、５〜２０μｍである。
【００３０】
次いで、この方法では、図３（ｄ）に示すように、導体パターン４を金属薄膜５により被覆する。
金属薄膜５を形成する材料としては、例えば、ニッケル、金、スズ、クロム、チタン、ジルコニウム、または、これらの合金などの金属が挙げられ、好ましくは、ニッケルが挙げられる。
【００３１】
金属薄膜５を形成する方法としては、例えば、電解めっきまたは無電解めっきなどのめっき、例えば、上記した金属をターゲットとしてスパッタリングする方法などが挙げられる。好ましくは、無電解めっきにより、金属薄膜５を形成する。
これにより、金属薄膜５が、導体パターン４の表面に形成される。
このようにして形成される金属薄膜５の厚みは、例えば、０．０１〜０．５μｍ、好ましくは、０．０５〜０．３μｍである。
【００３２】
次いで、この方法では、図３（ｅ）に示すように、ベース絶縁層３の上、および、導体パターン４の表面に形成される金属薄膜５の上に、カバー絶縁層６を、端子部８が露出するカバー開口部１１が形成されるパターンで、形成する。
カバー絶縁層６を形成する絶縁体としては、ベース絶縁層３と同様の絶縁体が用いられ、好ましくは、感光性の合成樹脂が用いられ、さらに好ましくは、感光性ポリイミドが用いられる。
【００３３】
カバー絶縁層６を、上記したパターンで、ベース絶縁層３の上および金属薄膜５の上に形成するには、例えば、まず、感光性樹脂のワニスを、金属薄膜５およびベース絶縁層３の表面に、上記と同様の方法により、均一に塗布する。次いで、塗布されたワニスを、上記と同様に、乾燥して、カバー皮膜を形成する。
その後、上記と同様の方法により、カバー皮膜を、フォトマスクを介して露光した後、必要により所定温度で加熱後、上記と同様の方法により、カバー開口部１１を形成する部分を、現像により除去する。その後、カバー皮膜を、例えば、減圧下、２５０℃以上で加熱することにより、硬化（イミド化）させて、カバー絶縁層６を形成する。
【００３４】
このようにして形成されるカバー絶縁層６の厚みは、例えば、１〜４０μｍ、好ましくは、３〜５μｍである。
次いで、この方法では、図４（ｆ）に示すように、エッチングレジスト１４を、カバー絶縁層６、および、カバー開口部１１から露出する端子部８の周端部１６の上の金属薄膜５に形成する。
【００３５】
より具体的には、エッチングレジスト１４を、カバー絶縁層６の表面とカバー開口部１１の内周面とカバー開口部１１から露出する端子部８の周端部１６の上の金属薄膜５の上面とに連続して積層されるように、形成する。なお、エッチングレジスト１４は、カバー開口部１１の内周面と、端子部８の周端部１６の上の金属薄膜５の上面とに同一厚みで形成する。
【００３６】
エッチングレジスト１４は、ドライフィルムフォトレジストなどを用いて、露光および現像する公知のフォト加工により上記したパターンで形成する。
次いで、この方法では、図４（ｇ）に示すように、エッチングレジスト１４から露出する金属薄膜５をエッチングにより除去する。
金属薄膜５は、例えば、エッチング液として、塩化第二鉄水溶液などのアルカリ溶液を用いて、浸漬法またはスプレー法によって、ウェットエッチングする。
【００３７】
このエッチングにより、端子部８においては、カバー開口部１１の内周面に形成されるエッチングレジスト１４から露出する金属薄膜５が除去される。そうすると、端子部８の周端部１６の上の金属薄膜５、すなわち、露出部分１０が形成される。
これにより、金属薄膜５が、保護部分９と露出部分１０とを一体的に連続して備えるパターンで形成される。
【００３８】
次いで、図４（ｈ）に示すように、エッチングレジスト１４を除去する。エッチングレジスト１４は、公知のエッチング法または剥離により除去される。
次いで、図４（ｉ）に示すように、カバー開口部１１内にニッケルめっき層１２および金めっき層１３を順次形成する。
ニッケルめっき層１２および金めっき層１３の形成は、無電解めっきや電解めっきが用いられる。好ましくは、電解ニッケルめっきおよび電解金めっきにより、ニッケルめっき層１２および金めっき層１３を順次形成する。
【００３９】
このようにして形成されるニッケルめっき層１２の厚みは、例えば、０．０３〜０．５μｍであり、金めっき層１３の厚みは、例えば、０．５〜２．５μｍである。
その後、この方法では、図１に示すように、金属支持基板２を、化学エッチングによって、所望の形状に外形加工することにより、配線回路基板１を得る。
そして、この配線回路基板１では、カバー開口部１１から露出する端子部８の周端部１６の上には、保護部分９から連続して形成される露出部分１０が形成されている。つまり、カバー開口部１１の周囲におけるカバー絶縁層６と導体パターン４との間には、保護部分９と露出部分１０とが連続して形成されている。そのため、カバー開口部１１内にニッケルめっき層１２をめっきするときには、カバー開口部１１の周囲におけるカバー絶縁層６と導体パターン４との間に、めっき液などが浸入することを防止することができる。その結果、金属薄膜５により導体パターン４のマイグレーションを防止しつつ、端子部８の腐食および変色を防止することができる。
【００４０】
また、上記した図３および図４に示す方法によれば、カバー開口部１１から露出する端子部８の周端部１６の上の金属薄膜５をエッチングレジスト１４で保護しながら、カバー開口部１１から露出する端子部８（周端部１６を除く。）の上の金属薄膜５をエッチングにより除去する（図４（ｆ）および（ｇ））。これによって、図４（ｈ）に示すように、カバー開口部１１から露出する端子部８の周端部１６の上に、保護部分９から連続して形成される露出部分１０を簡易かつ確実に形成することができる。その結果、金属薄膜５により導体パターン４のマイグレーションを防止しつつ、端子部８の腐食および変色を防止することができる。
【００４１】
なお、上記した説明では、端子部８を角ランドから形成したが、その形状は特に限定されず、丸ランドなど適宜の形状から形成することができる。
また、上記した説明では、本発明の配線回路基板を、金属支持基板２を備える配線回路基板１として説明したが、本発明の配線回路基板は、これに限定されず、例えば、金属支持基板２を備えないフレキシブル配線回路基板などの他の配線回路基板にも広く適用することができる。
【実施例】
【００４２】
以下に実施例を示し、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は、何ら実施例に限定されることはない。
実施例１
厚み２０μｍのステンレス箔からなる金属支持基板を用意した（図３（ａ）参照）。
次いで、その金属支持基板の表面に、感光性ポリアミック酸樹脂のワニスを、スピンコーターを用いて均一に塗布し、次いで、塗布されたワニスを、９０℃で１５分加熱することにより、ベース皮膜を形成した。その後、そのベース皮膜を、フォトマスクを介して、７００ｍＪ／ｃｍ2で露光させ、１９０℃で１０分加熱した後、アルカリ現像液を用いて現像した。その後、１．３３Ｐａに減圧した状態で、３８５℃で硬化させることにより、ポリイミドからなるベース絶縁層を、金属支持基板の上に、導体パターンが形成される部分に対応するパターンとして形成した（図３（ｂ）参照）。このベース絶縁層の厚みは、１０μｍであった。
【００４３】
次いで、銅からなる厚み１０μｍの導体パターンを、アディティブ法により、ベース絶縁層の上面に、配線および端子部を一体的に備える配線回路パターンとして形成した（図３（ｃ）参照）。
次いで、無電解ニッケルめっきにより、ニッケルからなる厚み０．１５μｍの金属薄膜で、導体パターンの表面を被覆した（図３（ｄ）参照）。
【００４４】
次いで、上記した感光性ポリアミック酸樹脂のワニスを、金属薄膜およびベース絶縁層の表面に、スピンコーターを用いて均一に塗布し、９０℃で１０分加熱することにより、厚み７μｍのカバー皮膜を形成した。その後、そのカバー皮膜を、フォトマスクを介して、７００ｍＪ／ｃｍ2で露光させ、１８０℃で１０分加熱した後、アルカリ現像液を用いて現像することにより、カバー皮膜をパターンニングした。その後、１．３３Ｐａに減圧した状態で、３８５℃で硬化させた。これにより、ポリイミドからなるカバー絶縁層を、ベース絶縁層の上、および、導体パターンの表面に形成される金属薄膜の上に、端子部が露出するカバー開口部が形成されるパターンで、形成した（図３（ｅ）参照）。カバー絶縁層の厚みは、５μｍであった。また、カバー開口部は、長手方向両端部にそれぞれ各端子部に対応して形成されており、各カバー開口部の幅は６５μｍ、その長さは１２０μｍであった。
【００４５】
次いで、カバー絶縁層、および、カバー開口部から露出する端子部の周端部の上の金属薄膜に、エッチングレジストを形成した（図４（ｆ）参照）。このエッチングレジストの形成では、カバー絶縁層の表面とカバー開口部の内周面とカバー開口部から露出する端子部の周端部の上の金属薄膜の上面とに連続して積層されるように、エッチングレジストを形成した。エッチングレジストは、ドライフィルムフォトレジストを露光および現像することにより上記したパターンに形成した。エッチングレジストの厚みは、２０μｍであった。
【００４６】
次いで、エッチングレジストから露出する金属薄膜を、塩化第二鉄水溶液を用いるエッチングにより除去した（図４（ｇ）参照）。これにより、金属薄膜を、保護部分と露出部分とを一体的に連続して備えるパターンで形成した。露出部分の長手方向における幅および幅方向における幅は２０μｍであった。
次いで、エッチングレジストを剥離により除去した（図４（ｈ）参照）。
【００４７】
次いで、カバー開口部内に、電解ニッケルめっきにより、厚み０．３μｍのニッケルめっき層を形成し、続いて、電解金めっきにより、厚み２．５μｍの金めっき層を形成した（図４（ｉ）参照）。
その後、化学エッチングによって切り抜いて、ジンバルを形成するとともに、外形加工することにより、回路付サスペンション基板を得た（図１参照）。
【００４８】
（評価）
（変色）
実施例１により得られた回路付サスペンション基板を、８５℃、８５％ＲＨで、１２０時間放置しても、端子部の周囲におけるカバー絶縁層の変色が確認されなかった。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明の配線回路基板の一実施形態を示す概略平面図である。
【図２】図１に示す配線回路基板の長手方向における部分断面図である。
【図３】図２に示す配線回路基板の製造工程を示す長手方向における部分断面図であって、（ａ）は、金属支持基板を用意する工程、（ｂ）は、ベース絶縁層を、金属支持基板の上に形成する工程、（ｃ）は、導体パターンを、ベース絶縁層の上に形成する工程、（ｄ）は、導体パターンを金属薄膜により被覆する工程、（ｅ）は、カバー絶縁層を、カバー開口部が形成されるパターンで、ベース絶縁層および金属薄膜の上に形成する工程を示す。
【図４】図３に続いて、図２に示す配線回路基板の製造工程を示す長手方向における部分断面図であって、（ｆ）は、カバー開口部から露出する端子部の周端部の上の金属薄膜に、エッチングレジストを形成する工程、（ｇ）は、エッチングレジストから露出する金属薄膜をエッチングする工程、（ｈ）は、エッチングレジストを除去する工程、（ｉ）は、カバー開口部内にニッケルめっき層および金めっき層を形成する工程を示す。
【図５】回路付サスペンション基板の製造工程を示す長手方向における部分断面図であって、（ａ）は、ニッケル薄膜を銅導体層の表面に形成する工程、（ｂ）は、端子部の表面に形成されたニッケル薄膜をエッチングする工程を示す。
【符号の説明】
【００５０】
１    配線回路基板
３    ベース絶縁層
４    導体パターン
５    金属薄膜
６    カバー絶縁層
７    配線
８    端子部
９    保護部分
１０  露出部分
１１  カバー開口部
１２  ニッケルめっき層
１３  金めっき層
１４  エッチングレジスト
１６  周端部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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