(57)【要約】【課題】本発明の目的は、耐衝撃性に優れる、シンチレータパネル、その製造方法および放射線イメージセンサを提供することにある。【解決手段】基板と、該基板上に設けられた反射層と、該反射層上に設けられた中間層と、該中間層上に設けられたシンチレータ層、とを有するシンチレータパネルにおいて、該中間層がガラス転移点を有する樹脂を含有し、該中間層が、該中間層を該樹脂のガラス転移点の温度以上に加熱する工程を経たことを特徴とするシンチレータパネル。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、該基板上に設けられた反射層と、該反射層上に設けられた中間層と、該中間層上に設けられたシンチレータ層、とを有するシンチレータパネルにおいて、該中間層がガラス転移点を有する樹脂を含有し、該中間層が、該中間層を該樹脂のガラス転移点の温度以上に加熱する工程を経たことを特徴とするシンチレータパネル。
【請求項２】
前記樹脂のガラス転移点の温度が、３０℃〜１００℃であることを特徴とする請求項１に記載のシンチレータパネル。
【請求項３】
前記ガラス転移点を有する樹脂が、ポリエステル樹脂であることを特徴とする請求項１または２に記載のシンチレータパネル。
【請求項４】
前記中間層の厚さが、０．２μｍ〜２．５μｍであることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のシンチレータパネル。
【請求項５】
前記反射層が、アルミニウムを含有する膜であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載のシンチレータパネル。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載のシンチレータパネルであって、前記中間層のシンチレータ層側の表面形状が、前記中間層を該樹脂のガラス転移点の温度以上に加熱する工程により、前記シンチレータ層の前記中間層に対面する側の表面形状に追従する形で熱変形した表面形状であることを特徴とするシンチレータパネル。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載のシンチレータパネルの前記シンチレータ層に対向して光検出器を備えたことを特徴とする放射線イメージセンサ。
【請求項８】
請求項１〜６のいずれか１項に記載のシンチレータパネルの製造方法であって、シンチレータ層は蒸着工程により設けられた層であり、該蒸着工程中に、前記ガラス転移点の温度以上に加熱する工程が行われることを特徴とするシンチレータパネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被写体の放射線画像を形成する際に用いられるシンチレータパネル、これを用いた放射線イメージセンサおよびシンチレータパネルの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、Ｘ線画像のような放射線画像は医療現場において病状の診断に広く用いられている。特に、増感紙−フィルム系による放射線画像は、長い歴史のなかで高感度化と高画質化が図られた結果、高い信頼性と優れたコストパフォーマンスを併せ持った撮像システムとして、いまなお、世界中の医療現場で用いられている。
【０００３】
しかしながらこれら画像情報はいわゆるアナログ画像情報であって、近年発展を続けているデジタル画像情報のような、自由な画像処理や瞬時の電送ができない。
【０００４】
そして、近年ではコンピューテッドラジオグラフィ（ＣＲ）やフラットパネル型の放射線ディテクタ（ＦＰＤ）等に代表されるデジタル方式の放射線画像検出装置が登場している。これらは、デジタルの放射線画像が直接得られ、陰極管や液晶パネル等の画像表示装置に画像を直接表示することが可能である。
【０００５】
その結果、これらのデジタル方式のＸ線画像検出装置は、銀塩写真方式による画像形成の必要性を低減させ、病院や診療所での診断作業の利便性を大幅に向上させている。
【０００６】
上記のコンピューテッド・ラジオグラフィ（ＣＲ）が現在医療現場で受け入れられている。しかしながら鮮鋭性が十分でなく空間分解能も不充分であり、スクリーン・フィルムシステムの画質レベルには到達していない。
【０００７】
そして、さらに新たなデジタルＸ線画像技術として、例えば雑誌Ｐｈｙｓｉｃｓ  Ｔｏｄａｙ，１９９７年１１月号２４頁のジョン・ローランズ論文“Ａｍｏｒｐｈｏｕｓ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｕｓｈｅｒ  ｉｎ  Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｘ−ｒａｙ  Ｉｍａｇｉｎｇ”や、雑誌ＳＰＩＥの１９９７年３２巻２頁のエル・イー・アントヌクの論文”Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ  ｏｆ  ａ  Ｈｉｇｈ  Ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎ，Ａｃｔｉｖｅ  Ｍａｔｒｉｘ，Ｆｌａｔ−Ｐａｎｅｌ  Ｉｍａｇｅｒ  ｗｉｔｈ  Ｅｎｈａｎｃｅｄ  Ｆｉｌｌ  Ｆａｃｔｏｒ”等に記載された、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を用いた平板Ｘ線検出装置（ＦＰＤ）が開発されている。
【０００８】
平板放射線検出装置（ＦＰＤ）はＣＲより装置が小型化し、高線量での画質が優れているという特徴がある。これらのＦＰＤは、放射線により蛍光を発光する蛍光体層を有し、発光体層に対向する光検出器を備えている。
【０００９】
また光検出器での効率向上のために、蛍光体層と共に反射層を設けた構成が知られおり、反射層としてはアルミニウムなどの金属膜を用いることが知られてる。
【００１０】
反射層としてアルミニウムなどの金属膜を用いる場合には、水分に基づく変質等が起き、反射膜としての機能を減退させる場合があり、これを防止するために保護膜を設ける構成が知られている（特許文献１参照）。
【００１１】
即ち、基板上に設けられた反射性金属薄膜と、この反射性金属薄膜を覆う保護膜と、この保護膜の上に設けられた蛍光体層（シンチレータ層）を有しこの蛍光体層に対向して設けられた光検出器とを備える放射線検出装置が知られている。
【００１２】
しかしながら、このような構成の放射線検出装置は、衝撃を受けた場合に光検出機能が損なわれる場合があるといった問題があった。
【特許文献１】特開２０００−３５６６７９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
本発明の目的は、耐衝撃性に優れる、シンチレータパネル、その製造方法および放射線イメージセンサを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明の上記目的は、下記の構成により達成される。
１．基板と、該基板上に設けられた反射層と、該反射層上に設けられた中間層と、該中間層上に設けられたシンチレータ層、とを有するシンチレータパネルにおいて、該中間層がガラス転移点を有する樹脂を含有し、該中間層が、該中間層を該樹脂のガラス転移点の温度以上に加熱する工程を経たことを特徴とするシンチレータパネル。
２．前記樹脂のガラス転移点の温度が、３０℃〜１００℃であることを特徴とする１に記載のシンチレータパネル。
３．前記ガラス転移点を有する樹脂が、ポリエステル樹脂であることを特徴とする１または２に記載のシンチレータパネル。
４．前記中間層の厚さが、０．２μｍ〜２．５μｍであることを特徴とする１〜３のいずれか１項に記載のシンチレータパネル。
５．前記反射層が、アルミニウムを含有する膜であることを特徴とする１〜４のいずれか１項に記載のシンチレータパネル。
６．１〜５のいずれか１項に記載のシンチレータパネルであって、前記中間層のシンチレータ層側の表面形状が、前記中間層を該樹脂のガラス転移点の温度以上に加熱する工程により、前記シンチレータ層の前記中間層に対面する側の表面形状に追従する形で熱変形した表面形状であることを特徴とするシンチレータパネル。
７．１〜６のいずれか１項に記載のシンチレータパネルの前記シンチレータ層に対向して光検出器を備えたことを特徴とする放射線イメージセンサ。
８．１〜６のいずれか１項に記載のシンチレータパネルの製造方法であって、シンチレータ層は蒸着工程により設けられた層であり、該蒸着工程中に、前記ガラス転移点の温度以上に加熱する工程が行われることを特徴とするシンチレータパネルの製造方法。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の上記構成により、耐衝撃性に優れる、シンチレータパネル、その製造方法および放射線イメージセンサが提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
本発明は、基板と、該基板上に設けられた反射層と、該反射層上に設けられた中間層と、該中間層上に設けられたシンチレータ層、とを有するシンチレータパネルにおいて、該中間層がガラス転移点を有する樹脂を含有し、該中間層が、該中間層を該樹脂のガラス転移点の温度以上に加熱する工程を経た中間層であることを特徴とする。
【００１７】
本発明では、特に反射層とシンチレータ層との間に中間層を有し、中間層が、該中間層を該樹脂のガラス転移点の温度以上に加熱する工程を経たものであることにより、耐衝撃性に優れた、シンチレータパネルを提供することができる。
【００１８】
以下、図１〜４を参照しながら本発明を実施するための最良の形態について説明する。ただし、発明の範囲は図示例に限定されない。
【００１９】
図１は、本発明のシンチレータパネルの断面図である。図２は、本発明の放射線イメージセンサの断面図である。図３は、本発明のシンチレータパネルの製造方法を示した概略図である。図４は、中間層のシンチレータ層側の表面形状を例示した図である。
【００２０】
図１に示すように、シンチレータパネル１０は、基板１上に、反射層２を有し、反射層２の上に中間層３を有し、中間層３の上にシンチレータ層４を備えたものである。
【００２１】
（基板）
本発明に係る基板は、反射層を担持可能な板状、フィルム体であり、Ｘ線等の放射線を入射線量に対し１０％以上を透過させることが可能なものである。
【００２２】
基板としては、各種のガラス、高分子材料、金属等を用いることができる。例えば、石英、ホウ珪酸ガラス、化学的強化ガラスなどの板ガラス、サファイア、チッ化珪素、炭化珪素などのセラミック基板、シリコン、ゲルマニウム、ガリウム砒素、ガリウム燐、ガリウム窒素など半導体基板、セルロースアセテートフィルム、ポリエステルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリアミドフィルム、ポリイミドフィルム、トリアセテートフィルム、ポリカーボネートフィルム、炭素繊維強化樹脂シート等のプラスチックフィルム、アルミニウムシート、鉄シート、銅シート等の金属シート或いは金属酸化物の被覆層を有する金属シートなどを用いることができる。
【００２３】
これらの中でも、耐久性や軽量化といった観点から、アルミニウムシートや炭素繊維強化樹脂シート、ポリイミドフィルムが好ましく用いられる。
【００２４】
また、基板の厚さは、耐性の向上や軽量化といった観点から、５０μｍ〜５００μｍの範囲にあることが好ましい。
【００２５】
（反射層）
シンチレータパネル１０に対し、基板１方向からシンチレータ層４側に向けて放射線が入射されると、シンチレータ４に入射された放射線は、シンチレータ層４中の蛍光体に放射線エネルギーが吸収され、シンチレータ層４から、入射された放射線の強度に応じて、蛍光体から電磁波（光）が発光される。
【００２６】
発光された電磁波は、シンチレータ層の放射線が入射された面と反対の面（放射面）に至るものも有るが、基板１側の方向に放射進行する光もある。
【００２７】
本発明に係る反射層ｌは、この基板１側の方向に放射進行する電磁波を反射しうる層である。
【００２８】
反射層としては、金属薄膜が好ましく用いられる。金属薄膜としては、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｒｈ、Ｐｔ及びＡｕからなる群の中の物質を含む材料からなる膜が好ましく用いられる。更に、Ｃｒ膜上にＡｕ膜を形成する等、金属薄膜を２層以上形成してもよい。
【００２９】
本発明においては、反射層として、上記のなかでも特にアルミニウムを含有する膜を用いる態様が好ましい態様である。
【００３０】
（中間層）
本発明に係る中間層は、反射層とシンチレータ層の間に有る層であり、ガラス転移点を有する樹脂を含有し、中間層がこの樹脂のガラス転移点の温度以上に加熱される工程を経たものである。
【００３１】
本発明に係るガラス転移点の温度は、示差走査熱量計を用い、５℃／分で昇温させる条件にて測定して得られたガラス転移温度をいう。
【００３２】
本発明に係るガラス転移点を有する樹脂とは、上記定義によるガラス転移点の温度の値を有する樹脂であり、ポリエステル樹脂、ポリアクリル酸共重合体、ポリアクリルアミド又はこれらの誘導体及び部分加水分解物、ポリ酢酸ビニル、ポリアクリルニトリル、ポリアクリル酸エステル等のビニル重合体及びその共重合体、ロジン、シェラック等の天然物及びその誘導体などが挙げられる。
【００３３】
又、スチレン−ブタジエン共重合体、ポリアクリル酸、ポリアクリル酸エステル及びその誘導体、ポリ酢酸ビニル、酢酸ビニル−アクリル酸エステル共重合体、ポリオレフィン、オレフィン−酢酸ビニル共重合体等のエマルジョンも使用することができる。その他カーボネート系、ポリエステル系、ウレタン系、エポキシ系樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン及びポリピロールのごとき有機半導体も使用することができる。中でも、ポリエステル樹脂が好ましい。
【００３４】
ポリエステル樹脂としては、具体的には多塩基酸、例えば、無水フタル酸、テレフタル酸、イソフタル酸、テトラクロル無水フタル酸、ヘキサクロロエンドメチレンテトラヒドロ無水フタル酸、ジメチレンテトラヒドロフタル酸、コハク酸、アジピン酸、セバシン酸等の飽和多塩基酸等、またはマレイン酸、無水マレイン酸、フマル酸、イタコン酸、無水シトラコン酸等の不飽和多塩基酸等の多塩基酸と、例えば、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、プロピレングリコール、１，３−ブチレングリコール、２，３−ブチレングリコール、１，４−ブチレングリコール、トリメチレングリコール、テトラメチレングリコール等の二価アルコール類、グリセリン、トリメチロールプロパン等の三価アルコール類、ペンタエリトリット、ジペンタエリトリット、マンニット、ソルビット等の多価アルコール類、２，２−ジフェニルプロパン（ビスフェノールＡ）等のビスフェノール類等のポリオールとの縮合反応によって得られたポリエステル樹脂があげられる。
【００３５】
本発明に係る中間層は、上記ガラス転移点を有する樹脂を溶剤に溶解した塗布液を用い塗布、乾燥することにより設層することができる。溶剤としては、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｎ−ブタノールなどの低級アルコール、メチレンクロライド、エチレンクロライドなどの塩素原子含有炭化水素、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンなどのケトン、トルエン、ベンゼン、シクロヘキサン、シクロヘキサノン、キシレンなどの芳香族化合物、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチルなどの低級脂肪酸と低級アルコールとのエステル、ジオキサン、エチレングリコールモノエチルエステル、エチレングリコールモノメチルエステルなどのエーテル及びそれらの混合物を挙げることができる。
【００３６】
中間層は、ガラス転移点を有する樹脂を含有するが、含有量としては、９０質量％〜１００質量％が好ましく、この樹脂以外の成分としては、界面活性剤、などを含んでもよい。
【００３７】
中間層の膜厚としては、耐衝撃性の面から０．１〜２０μｍが好ましく、０．２〜２．５μｍがより好ましい。
【００３８】
また、ガラス転移点の温度（Ｔｇ）としては、３０〜１００℃であることが本発明の効果をより奏する点で好ましく、特に５０℃から８０℃であることが好ましい。
【００３９】
本発明に係る、ガラス転移点の温度以上に加熱する工程は、シンチレータ層が設けられた後、あるいはシンチレータ層が設けられる際に行われる。特に、この工程は、下記に述べるシンチレータ層を設ける際に行われることが好ましい。
【００４０】
〈シンチレータ層〉
前記光吸収層の上に形成されるシンチレータ層について説明する。
【００４１】
シンチレータ層は、放射線の照射により、蛍光を発する放射線蛍光体を含有する層である。
【００４２】
本発明に用いることができる放射線蛍光体としては、放射線から可視光に対する変更率が比較的高く、蒸着によって容易に蛍光体を柱状結晶構造に形成出来るため、光ガイド効果により結晶内での発光光の散乱が抑えられ、シンチレータ層の厚さを厚くすることが可能であることからヨウ化セシウム（ＣｓＩ）が好ましい。
【００４３】
但しＣｓＩのみでは発光効率が低いために、各種の賦活剤が添加される。例えば、特公昭５４−３５０６０号の如く、ＣｓＩとヨウ化ナトリウム（ＮａＩ）を任意のモル比で混合したものが挙げられる。
【００４４】
又最近では、例えば特開２００１−５９８９９号に示されたように、ＣｓＩを蒸着で、インジウム（Ｉｎ）、タリウム（Ｔｌ）、リチウム（Ｌｉ）、カリウム（Ｋ）、ルビジウム（Ｒｂ）、ナトリウム（Ｎａ）などの賦活物質をスパッタで形成するＸ線蛍光体製作方法なども考案されている。
【００４５】
また、ベースとなる蛍光体であるＣｓＩの代わりに、ＣｓＢｒやＣｓＣｌ等を用いる構成としてもよい。また、シンチレータ層３は、前述のＣｓＩ、ＣｓＢｒ、ＣｓＣｌのうち、二種類以上の蛍光体が任意の混合比率で形成された混晶体をベースとして結晶が形成されたものであっても構わない。
【００４６】
シンチレータ層４の形成は、従来公知の方法により形成することが可能であるが、本発明においては気相堆積法により形成されたシンチレータ層であることが好ましい。
【００４７】
図３は、中間層を有する基板上に気相堆積法でシンチレータ層を形成する蒸着装置の模式図である。
【００４８】
図中、２０は蒸着装置を示す。蒸着装置２０は、真空容器２２と、真空容器２２内に設けられた基板ホルダ２５には、反射層２および中間層３を有する基板１が保持されており、蒸気を蒸着させる蒸発源２３と基板ホルダ２５を蒸発源２３に対して回転させることによって蒸発源２３からの蒸気を蒸着させる基板回転機構２４と、真空容器２２内の排気及び大気の導入を行う真空ポンプ２１等を備えている。
【００４９】
蒸発源２３は、シンチレータ層形成材料を収容して抵抗加熱法で加熱するため、ヒータを巻いたアルミナ製のルツボから構成してもよいし、ボートや、高融点金属からなるヒータから構成してもよい。又、シンチレータ層形成材料を加熱する方法は、抵抗加熱法以外に電子ビームによる加熱や、高周波誘導による加熱等の方法でもよいが、本発明では、比較的簡単な構成で取り扱いが容易、安価、且つ、非常に多くの物質に適用可能である点から抵抗加熱法が好ましい。
【００５０】
又、基板ホルダ２５には、反射層２および中間層３を有する基板１を加熱する加熱ヒータ（図示しない）を備えることが好ましい。また、蒸着装置２０は、装置内の雰囲気を加熱する加熱ヒータ（図示せず）を備えることが好ましい。
【００５１】
これらの加熱ヒータにより、中間層をガラス転移点の温度以上に加熱することができる。
【００５２】
中間層３と蒸発源２３との間に、蒸発源２３から中間層３に至る空間を遮断するシャッタ（図示せず）を備えるようにしてもよい。シャッタによってシンチレータ層形成材料の表面に付着した目的物以外の物質が蒸着の初期段階で蒸発し、中間層３に付着するのを防ぐことが出来る。
【００５３】
本発明のシンチレータパネルにおいては、中間層上にシンチレータ層として、蒸着法によりＣｓＩを主体とする柱状結晶が形成されたものであることが最も好まし態様である。
【００５４】
本発明のシンチレータパネルの製造方法において、シンチレータ層は蒸着工程により設けられた層であり、この蒸着工程中に、中間層に含まれる樹脂のガラス転移点の温度以上に加熱する工程が行われる。
【００５５】
加熱するには、上記のような蒸着工程における雰囲気温度を加熱することにより中間層を加熱することができる。
【００５６】
図４は、中間層のシンチレータ側の表面形状を例示した図であり、シンチレータ層として、上記のような柱状結晶７が形成されたものを用いた場合を模式的に例示した図である。中間層のシンチレータ側の表面形状は、シンチレータ層の中間層に対面する側の表面形状に追従する形で熱変形した表面形状である。
【００５７】
本発明の製造方法により、製造されたシンチレータパネルでは、特に中間層の形状として、シンチレータ層側の表面が、中間層に対面するシンチレータ層の表面形状に追従する形で熱変形して、例えば穴部７が形成される。
【００５８】
本発明に係る、表面形状に追従する形で熱変形した形状、とは上記のようにシンチレータ層の表面の凸部に対応する部分が、中間層では穴部となり、シンチレータ層の表面の凹部に対応する部分が、中間層では凸部となる如く、熱により変形した形状をいう。
【００５９】
即ち、本発明の好ましい態様としては、基板と、該基板上に設けられた反射層と、該反射層上に設けられた中間層と、該中間層上に設けられたシンチレータ層、とを有するシンチレータパネルにおいて、該中間層がガラス転移点を有する樹脂を含有し、該中間層を該樹脂のガラス転移点の温度以上に加熱する工程により、該中間層のシンチレータ層側の表面形状が、該中間層に対面する該シンチレータ層の表面形状に追従する形で熱変形した表面形状であることを特徴とするシンチレータパネルが、好ましい態様である。
【００６０】
穴部７の深さとしては、０．００１μｍから０．５μｍが好ましく、特に０．００１μｍから０．１μｍが好ましい。また、穴部の広さとしては、シンチレータ層に用いられる結晶の種類にもよるが０．００１μｍ2〜１０μｍ2であることが好ましい。
【００６１】
（放射線イメージセンサ）
図２は、本発明の放射線イメージセンサの断面図である。
【００６２】
本発明の放射線イメージセンサ３０は、シンチレータ層４に対向して光検出器５を備えている。
【００６３】
本発明に係る光検出器５は、シンチレータ層で発光された光を電気信号に変換する機能を有するものであり、フォトダイオードやＣＣＤやＣＭＯＳセンサーなどの固体光検出素子を含む光電変換部材を有している。検出された電気信号は、Ａ／Ｄ変換されて、放射線画像信号として出力され、画像データとして利用される。
【実施例】
【００６４】
以下、実施例を挙げて本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されない。
【００６５】
（反射層の作製）
厚さ１２５μｍのポリイミドフィルム（宇部興産製ＵＰＩＬＥＸ−１２５Ｓ）にアルミをスパッタして反射層（０．０１μｍ）を形成した。
【００６６】
（中間層の作製）
バイロン２００（東洋紡社製：高分子ポリエステル樹脂）（ガラス転移温度：６７℃）
１００質量部
メチルエチルケトン（ＭＥＫ）                                    １００質量部
トルエン                                                        １００質量部
上記処方を混合し、ビーズミルにて１５時間分散し、中間層塗設用の塗布液を得た。この塗布液を上記基板のアルミをスパッタ面に乾燥膜厚が１．５μｍになるようにバーコーターで塗布した。この塗布膜のガラス転移点の温度は６７℃である。
【００６７】
（シンチレータ層の形成）
基板の中間層側にシンチレータ蛍光体（ＣｓＩ：０．００３Ｔｌ）を、図３に示す蒸着装置を使用して蒸着させシンチレータ（蛍光体）層を形成した。
【００６８】
まず、上記蛍光体原料を蒸着材料として抵抗加熱ルツボに充填し、また回転する支持体ホルダに支持体を設置し、支持体と蒸発源との間隔を４００ｍｍに調節した。
【００６９】
続いて蒸着装置内を一旦排気し、Ａｒガスを導入して０．５Ｐａに真空度を調整した後、１０ｒｐｍの速度で支持体を回転した。
【００７０】
さらに蒸着装置内にある加熱装置（図示せず）を用い、中間層の温度を２００℃に保持した。この時基板は中間層と同様の温度に保持される。次いで、抵抗加熱ルツボを加熱して蛍光体を蒸着しシンチレータ層の膜厚が５００μｍとなったところで蒸着を終了させシンチレータパネル（放射線像変換パネル）を得た。
【００７１】
〈評価〉
得られた試料を封止した後、ＣＭＯＳフラットパネル（ラドアイコン社製Ｘ線ＣＭＯＳカメラシステムＳｈａｄ−ｏ−Ｂｏｘ４ＫＥＶ）にセットし、放射線イメージセンサ１−１を得た。
【００７２】
この放射線イメージセン１−１を用い、１２ｂｉｔの出力データより鮮鋭性を以下に示す方法で測定し、以下に示す方法により評価した。
【００７３】
尚、放射線入射窓のカーボン板とシンチレータパネルの放射線入射側（蛍光体のない側）にスポンジシートを配置し、平面受光素子面とシンチレータパネルを軽く押し付けることで両者を固定化した。
【００７４】
〈鮮鋭性の評価方法〉
鉛製のＭＴＦチャートを通して管電圧８０ｋＶｐのＸ線を各試料の裏面（シンチレータ層が形成されていない面）から照射し、画像データをシンチレータを配置したＣＭＯＳフラットパネルで検出しハードディスクに記録した。その後、ハードディスク上の記録をコンピュータで分析して当該ハードディスクに記録されたＸ線像の変調伝達関数ＭＴＦ（空間周波数１サイクル／ｍｍにおけるＭＴＦ値）を鮮鋭性の指標として測定した。
【００７５】
次に、放射線イメージセンサ１−１に対し、質量５ｋｇの鉄塊を０．５ｍ／秒の速度で重力の方向に対して垂直の方向から衝突させた。衝突させて得られた放射線イメージセンサ１−２を用い上記と同様の評価を行った。
【００７６】
放射線イメージセンサ１−１において、中間層を備えず中間層への加熱を実施しない他は、上記と同様の方法で放射線イメージセンサ２−１を得た。放射線イメージセンサ２−１および、放射線イメージセンサ２−１に上記と同様に鉄塊を衝突させた放射線イメージセンサ２−２を用い、上記と同様の評価を行った。
【００７７】
放射線イメージセンサ１−１において、基板および中間層への加熱を実施しない他は、上記と同様の方法で放射線イメージセンサ３−１を得た。放射線イメージセンサ３−１および、放射線イメージセンサ３−１に上記と同様に鉄塊を衝突させた放射線イメージセンサ３−２を用い、上記と同様の評価を行った。
【００７８】
放射線イメージセンサ１−１において、中間層を備えない他は、上記と同様の方法で放射線イメージセンサ４−１を得た。この場合、蒸着装置内にある加熱装置（図示せず）を用い、基板の温度を２００℃に保持した。放射線イメージセンサ４−１および、放射線イメージセンサ４−１に上記と同様に鉄塊を衝突させた放射線イメージセンサ４−２を用い、上記と同様の評価を行った。
【００７９】
尚、鮮鋭性の評価については、例えばイメージセンサ１−１に示される枝番号１の変調伝達関数ＭＴＦを１．０としたときの、例えばイメージセンサ１−２に示される枝番号２の変調伝達関数ＭＴＦの相対値で表した。
【００８０】
以下これを相対ＭＴＦ値と呼ぶ。ＭＴＦ値の相対値が高いほど鮮鋭性に優れていることを示す。ＭＴＦはＭｏｄｕｌａｔｉｏｎ  Ｔｒａｎｓｆｅｒ  Ｆｕｎｃｔｉｏｎの略号を示す。上記のようにして得られた放射線イメージセンサについて合計４つの相対値を求めることで評価を行った。用いた放射線イメージセンサの一覧を表１に示す。
【００８１】
【表１】
2008122275.tif 000003
【００８２】
○：有り、×：無し
結果を下記に示す。
【００８３】
【表２】
2008122275.tif 000004
【００８４】
表２に示すようにイメージセンサ１−１に衝撃を与えたイメージセンサ１−２の相対ＭＴＦ値は、０．９９であった。
【００８５】
中間層を備えず、基板および中間層への加熱を実施しないイメージセンサ２−１に衝撃を与えたイメージセンサ２−２の相対ＭＴＦ値は０．７５であった。
【００８６】
基板および中間層への加熱を実施しないイメージセンサ３−１に衝撃を与えたイメージセンサ３−２の相対ＭＴＦ値は０．７８であった。
【００８７】
また、中間層を備えないイメージセンサ４−１に衝撃を与えたイメージセンサ４−２の  相対ＭＴＦ値は０．７４であった。
【００８８】
この結果から、中間層を備え、中間層への加熱を同時に満たした本発明のシンチレータパネルは、対衝撃性に優れていることが分かる。
【図面の簡単な説明】
【００８９】
【図１】シンチレータパネルの概略構成を示す断面図である。
【図２】放射線イメージセンサの概略構成を示す断面図である。
【図３】蒸着装置の概略構成を示す構成図である。
【図４】シンチレータ層の表面形状に追従する形で熱変形した、中間層の表面形状の例を模式的に示す断面図である。
【符号の説明】
【００９０】
１  基板
２  反射層
３  中間層
４  シンチレータ層
５  光検出器
６  柱状結晶
７  穴部
１０  シンチレータパネル
２０  蒸着装置
２１  真空ポンプ
２２  真空容器
２３  抵抗加熱ルツボ
２４  回転機構
２５  基板ホルダ
３０  放射線イメージセンサ
【図１】
2008122275.tif 000005
【図２】
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【図３】
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【図４】
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