(57)【要約】【課題】積層セラミック基板を製造するためにセラミック積層体を焼成する際積層体の縁領域と内部領域に対して別途に加圧することにより、積層体の縁領域と内部領域の間における収縮率の差を減らすことができる積層セラミック基板焼成用加圧ローダを提供することを目的とする。【解決手段】セラミック積層体表面の縁領域に積載されて上記縁領域領域を加圧する外部ローダ（ｏｕｔｅｒ ｌｏａｄｅｒ）と、上記縁領域を除いた上記積層体の内部領域に積載されて上記内部領域を加圧する内部ローダ（ｉｎｎｅｒ  ｌｏａｄｅｒ）とを含む積層セラミック基板焼成用加圧ローダが提供される。また他の側面では、上記加圧ローダを利用して積層セラミック基板を製造する方法が提供される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミック積層体の上面の縁領域に積載され前記縁領域を加圧する外部ローダ（ｏｕｔｅｒ  ｌｏａｄｅｒ）と、
前記縁領域を除いた前記積層体の上面の内部領域に積載され前記内部領域を加圧する内部ローダ（ｉｎｎｅｒ  ｌｏａｄｅｒ）とを含む積層セラミック基板焼成用加圧ローダ。
【請求項２】
前記外部ローダは、前記セラミック積層体の内部領域に対応する部分が貫通された形態であることを特徴とする、請求項１記載の積層セラミック基板焼成用加圧ローダ。
【請求項３】
前記内部ローダは、前記外部ローダの貫通された領域に挿入されるブロック形態であることを特徴とする、請求項２記載の積層セラミック基板焼成用加圧ローダ。
【請求項４】
前記外部ローダは、前記セラミック積層体の縁領域に積載する際その上面が前記内部ローダの上面より高く位置することを特徴とする、請求項３記載の積層セラミック基板焼成用加圧ローダ。
【請求項５】
前記外部ローダの上面に積載されて前記外部ローダを加圧するトップローダをさらに含むことを特徴とする、請求項１乃至請求項４のいずれか１項記載の積層セラミック基板焼成用加圧ローダ。
【請求項６】
前記トップローダは網構造であることを特徴とする、請求項５記載の積層セラミック基板焼成用加圧ローダ。
【請求項７】
前記トップローダは、前記外部ローダ及び内部ローダを同時に加圧できるように弾性を有することを特徴とする、請求項５記載の積層セラミック基板焼成用加圧ローダ。
【請求項８】
複数個のグリーンシートを積層してセラミック積層体を形成する段階と、
前記積層体の上面の縁領域が前記積層体の上面の縁領域を除いた内部領域より低くなるように１次加圧する段階と、
前記１次加圧された積層体の縁領域及び内部領域をそれぞれ２次加圧した状態で前記積層体を焼成する段階と、
を含む積層セラミック基板の製造方法。
【請求項９】
前記１次加圧する段階は、縁圧着用ジグを使用することを特徴とする、請求項８記載の積層セラミック基板の製造方法。
【請求項１０】
前記縁圧着用ジグは、前記積層体の縁領域に対応する部分に突出部が形成された平板型ジグであることを特徴とする、請求項９記載の積層セラミック基板の製造方法。
【請求項１１】
前記焼成段階における前記２次加圧は、前記縁領域と内部領域の上面にそれぞれ別個のローダを積載して加圧することを特徴とする、請求項８記載の積層セラミック基板の製造方法。
【請求項１２】
前記別個のローダは前記縁領域を加圧する外部ローダと、
前記内部領域を加圧する内部ローダとを含むことを特徴とする、請求項１１記載の積層セラミック基板の製造方法。
【請求項１３】
前記外部ローダは、前記セラミック積層体の内部領域に対応する部分が貫通された形態であることを特徴とする、請求項１２記載の積層セラミック基板の製造方法。
【請求項１４】
前記内部ローダは、前記外部ローダの貫通された領域に挿入されるブロック形態であることを特徴とする、請求項１２記載の積層セラミック基板の製造方法。
【請求項１５】
前記外部ローダは、前記セラミック積層体の縁領域に積載する際その上面が前記内部領域に積載された内部ローダの上面より高く位置することを特徴とする、請求項１２記載の積層セラミック基板の製造方法。
【請求項１６】
前記外部ローダの上面に積載され前記外部ローダを加圧するトップローダをさらに含むことを特徴とする、請求項１２乃至請求項１５のいずれか１項記載の積層セラミック基板の製造方法。
【請求項１７】
前記トップローダは、網構造であることを特徴とする、請求項１６記載の積層セラミック基板焼成用加圧ローダ。
【請求項１８】
前記トップローダは、前記外部ローダ及び内部ローダを同時に加圧できるように弾性を有することを特徴とする、請求項１６記載の積層セラミック基板焼成用加圧ローダ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、セラミック積層体を焼成する際使用されるローダ及びそれを用いた積層セラミック基板の製造方法に関し、より詳しくは、セラミック積層体の上面の縁領域を上記縁領域を除いた内部領域よりさらに高い圧力で加圧して焼成することによって、焼成後平坦なセラミック基板を得ることができるローダ及びこれを利用したセラミック基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
硝子−セラミックを利用した多層セラミック基板は、３次元構造の回路実現及びキャビティ形成が可能であるので、高い設計柔軟性を有し、かつ多様な機能の素子を内蔵することができる。これにより、小型化、高機能化される高周波部品市場において多層セラミック基板の活用度は徐々に高くなりつつある。
【０００３】
現在簡単なＲＦ素子及び低容量Ｌ、Ｃ素子は殆ど内蔵が可能であるが、電源ディカップリング（ｄｅｃｏｕｐｌｉｎｇ）用などに使用される高容量キャパシタは、材料及び工程の制限によってこれまで満足できるような特性を実現していない。低誘電率配線層の間に高容量の誘電層を挿み込むために異種材料の接合が求められるが、こうした異種材料を接合して同時焼成する際、互いに異なる焼成収縮挙動によって基板が歪んだり層間剥離される現象が生じる。
【０００４】
かかる問題を解決すべく接合基板を強制的に拘束焼成して収縮挙動の差異による基板の不良を減らす方法が使用されているものの、このような方法では積層体の上下面に可撓性拘束層を接合してｘ−ｙ方向収縮を抑制する方法と、焼成の際基板に大きい荷重を与え収縮を抑制する方法、あるいはこの二つを併行する方法等が使用されている。
【０００５】
積層体の上下面に可撓性拘束層を接合して焼成する場合、拘束層の厚さが積層体の厚さに比して大幅に厚くなければ焼成の際基板の歪みが発生し、これを防止すべく拘束層の厚さを大幅に厚くすれば焼成過程においてセラミック積層体で発生する有機物及び揮発物質などの脱脂が制限され焼成特性が悪くなってしまう。
【０００６】
荷重を利用した加圧焼成の場合、加圧だけでｘ−ｙ収縮を抑制しなければならないので、基板に非常に高い圧力を与えるが、焼成過程で積層体の破損が生じたり、有機物等の脱脂のための通路不足により焼成の特性が低下する恐れがある。
【０００７】
こうした二つの方法を併行して薄い厚さの拘束層を積層体の表面に接合し、積層体に損傷にならない低い荷重を与える方法がある。しかし、拘束層を接合して加圧焼成する場合に、積層体の最外郭に位置した粒子は一面が宙に露出されるので、積層体内部の粒子に比べ周辺粒子による拘束力が弱くなるしかない。宙に接する縁領域に位置した粒子も周辺粒子による拘束力が相対的に弱くなり、このような影響によって積層体の内部と収縮挙動が異なる領域が存在する。拘束力が弱くなる積層体の縁領域は内部領域に比べてｘ−ｙ方向の収縮が大きくなり、体積収縮は一定に維持されるので厚さ方向収縮は減少する。即ち、積層体の縁領域から一定距離内の領域は内部領域に比べて厚さ収縮が完全に行われないので焼成後基板は中間が薄くて、かつ縁領域が厚い形状になる。
【０００８】
このように焼成中に積層体の内部が薄くなると荷重を与える加圧面と積層体の表面が分離され積層体の内部領域は無加圧状態になる。従って単に拘束層のみによってｘ−ｙ方向収縮が抑制され加圧による効果はなくなるので、内部の収縮率が増加する。またＩＣなどの部品装着のために表面を平坦化させなければならないが、焼成中に一時的に積層体の内部が無加圧状態であるので平坦度が落ち、焼成後に外郭が厚くなるので、平坦化のためのラッピング工程の時間が増加してしまう問題点がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
上記問題点を解決すべく、本発明は、積層セラミック基板を製造するためにセラミック積層体を焼成する際、積層体の縁領域と内部領域に対して別途に加圧をして積層体の縁領域と内部領域の間における収縮率の差を減らすことができる積層セラミック基板焼成用加圧ローダを提供することを目的とする。
【００１０】
また、本発明は上記積層セラミック基板焼成用加圧ローダを利用して全体的に平坦な表面を有する積層セラミック基板の製造方法を提供することをその目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の一側面は、セラミック積層体の上面の縁領域に積載され上記縁領域を加圧する外部ローダ（ｏｕｔｅｒ  ｌｏａｄｅｒ）と、上記縁領域を除いた上記積層体の内部領域に積載され上記内部領域を加圧する内部ローダ（ｉｎｎｅｒ  ｌｏａｄｅｒ）とを含む積層セラミック基板焼成用加圧ローダを提供する。
【００１２】
上記外部ローダは、上記セラミック積層体の内部領域に対応する部分が貫通された形態であることができ、上記内部ローダは上記外部ローダの貫通された領域に挿入されるブロック形態であることができる。
【００１３】
好ましくは、上記外部ローダは上記セラミック積層体の縁領域に積載する際その上面が上記内部ローダの上面より高く位置するように形成することができる。
【００１４】
上記積層セラミック基板焼成用加圧ローダは、上記外部ローダの上面に積層されて上記外部ローダを加圧するトップローダをさらに含むことができる。
【００１５】
上記トップローダは、網構造であることが好ましく、上記外部ローダ及び内部ローダを同時に加圧できるように弾性を有することができる。
【００１６】
本発明の他の一側面は、複数個のグリーンシートが積層されたセラミック積層体を形成する段階と、上記積層体の上面の縁領域が上記積層体の上面の縁領域を除いた内部領域より低くなるように１次加圧する段階、及び上記１次加圧された積層体の縁領域及び内部領域をそれぞれ２次加圧した状態で焼成する段階とを含む積層セラミック基板の製造方法を提供する。
【００１７】
上記１次加圧する段階は、縁圧着用ジグを使用することができ、この場合、上記縁圧着用ジグは、上記積層体の縁領域に対応する部分に突出部が形成された平板型ジグであることができる。
【００１８】
上記積層体を焼成する段階は、上記縁領域と内部領域の上面にそれぞれ積載される別個のローダを使用することができ、上記別個のローダは、上記縁領域を加圧する外部ローダ、及び上記内部領域を加圧する内部ローダを含むことができる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明の一面によれば、積層セラミック基板を焼成する際内部ローダと外部ローダを使用して積層体の縁領域及び内部領域をそれぞれ加圧することによって、上記積層体を均一に加圧することができる積層セラミック基板焼成用加圧ローダを得ることができる。
【００２０】
また、本発明の他面によれば、積層セラミック基板の製造時、焼成の前に積層体の縁領域を内部領域より強く加圧し、焼成の際上記縁領域及び内部領域それぞれに外部ローダ及び内部ローダを積載することにより積層体の内部領域と縁領域領域における収縮率の差を減らすことができ、全体的に平坦な基板を得ることができる積層セラミック基板の製造方法を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、図面を参照して本発明を詳しく説明する。
【００２２】
図１は本発明の一側面の好ましい実施形態による積層セラミック基板焼成用加圧ローダの分解斜視図である。
【００２３】
図１を参照すると、本実施形態による積層セラミック基板焼成用加圧ローダは、外部ローダ１２、内部ローダ１３、トップローダ１４とを含む。
【００２４】
本実施形態による加圧ローダを使用するためには、焼成されるセラミック積層体１１はその上面の縁領域１１ｂが内部領域１１ａより強く加圧され上記縁領域が内部領域より低く形成される形態であることが好ましい。
【００２５】
上記のような形態のセラミック積層体１１を得るために、グリーンシートを積層した後に上記積層体の縁領域に対する圧力が内部領域に対する圧力よりさらに大きく加圧できる加圧用ジグを使用することができる。上記加圧用ジグは、上記積層体の縁領域と対面する部分に突出部が形成された平板型ジグを使用することが好ましい。
【００２６】
積層及び加圧工程を経たセラミック積層体１１を焼成する際に本実施形態の加圧用ローダが使用される。これは焼成の際セラミック積層体１１の上面に圧力を与えて積層体のｘ−ｙ方向に対する収縮を防止するためである。
【００２７】
本実施形態では、上記セラミック積層体１１の縁領域１１ｂの上面には外部ローダ１２を積載し、上記セラミック積層体１１の内部領域１１ａの上面には内部ローダ１３を積載し、焼成の際上記セラミック積層体１１の縁領域１１ｂ及び内部領域１１ａをそれぞれ加圧するようにする。
【００２８】
上記外部ローダ１２は、上記加圧された積層セラミック基板１１の縁領域１１ｂにのみ加圧できるように、上記積層セラミック基板１１の内部領域１１ａと対応する部分が貫通された管形態である。
【００２９】
上記内部ローダ１３は、上記加圧された積層セラミック基板１１の内部領域１１ａにのみ加圧できるように、上記積層セラミック基板１１の内部領域１１に対応する下面を有するブロック形態である。
【００３０】
上記内部ローダ１３は上記外部ローダ１２の管内に挿入されるように配置されることが好ましい。
【００３１】
上記内部ローダ及び外部ローダは耐火性酸化物や合金を使用することが好ましく、上記内部ローダ及び外部ローダの形態は、上記セラミック積層体の縁領域及び内部領域を別途に加圧する、本発明の主旨を維持する限り、多様な形態に製造することができる。
【００３２】
上記積載された内部ローダ１３及び外部ローダ１２の上面には上記内部ローダ１３及び外部ローダ１２を同時に加圧できるトップローダ１４を積載することができる。
【００３３】
上記内部ローダ１３及び外部ローダ１２が上記積層セラミック基板１１の上に積載された後に上記外部ローダ１２の上面が上記内部ローダ１３の上面より高く位置することが好ましい。この場合、上記トップローダ１４は上記外部ローダ１２の上面に接触するように積載され上記外部ローダ１２にのみ加圧する。
【００３４】
このようにトップローダ１４によって上記外部ローダ１２を加圧することによって、拘束力が弱いセラミック積層体の縁領域１１ｂを内部領域１１ａより高い圧力で加圧することができて内部領域１１ａと縁領域１１ｂにおける収縮率の差を減らすことができ、かつ全体的に平坦な基板を作製することができる。
【００３５】
上記トップローダ１４は多孔性構造を有するように網状であることが好ましい。このような網状を備えることによって、上記セラミック基板の焼成時に発生する有機物や揮発成分が脱脂されることがより容易になる。
【００３６】
また、上記トップローダ１４は、上記内部ローダ１３及び外部ローダ１２の積載された高さの差を補償できるように若干の弾性を有することも好ましい。
【００３７】
図２は、本発明の他の側面の好ましい実施形態による積層セラミック基板の製造方法のフローチャットである。
【００３８】
好ましい実施形態によれば、積層セラミック基板の製造方法は、積層体を形成する段階と、上記積層体の表面の縁領域が上記積層体表面の内部領域よりさらに低くなるように加圧する段階と、上記縁領域及び内部領域を別個に加圧して焼成する段階とを含む。
【００３９】
図２（ａ）は、複数個のグリーンシートが積層されたセラミック積層体２１を形成する段階である。
【００４０】
上記セラミック積層体２１は複数個のグリーンシートが積層されて形成される。上記積層されたグリーンシートの間には内部電極パターンが形成されており、上記内部電極は上記グリーンシートを貫通する導電性バイアホールによって互いに繋がる。
【００４１】
上記セラミック積層体２１が形成される過程は、それぞれのグリーンシート上に導電性ペーストを印刷したり、蒸着、またはスパッタリング方式により内部電極を形成し、上記内部電極が他層の内部電極と繋がることができるように上記グリーンシート上に導電性バイアホールを形成した後、上記それぞれのグリーンシートを積層する段階を経ることができる。
【００４２】
図２（ｂ）は、上記積層体の表面の縁領域が上記積層体の縁領域を除いた内部領域よりさらに低くなるように加圧する段階である。
【００４３】
本段階では、積層体の縁領域２１ｂを内部領域２１ａよりさらに強く圧着するために、上記積層体２１の縁領域２１ｂに対応する部分に突出部２６ａが形成された平板型圧着用ジグ２６を使用する。
【００４４】
上記圧着用ジグ２６はポリプロピレン、或はポリエチレンテレフタレートなどの合成樹脂フィルム、即ち、可撓性を有する材料から成ることが好ましい。上記ジグ２６に形成された突出部２６ａは上記圧着用ジグ２６が上記セラミック積層体２１を圧着する工程において、上記セラミック積層体２１の縁領域２１ｂを上記内部領域２１ａより先に圧着する役目をする。従って、上記積層体の縁領域２１ｂと内部領域２１ａの積層高さを異なるように形成することができる。
【００４５】
本実施形態で、上記圧着用ジグ２６は上記積層体２１の縁領域２１ｂに対応する部分に突出部２６ａが形成された平板型圧着用ジグを使用する。上記圧着用ジグの形態は、上記積層体２１の縁領域２１ｂを上記内部領域２１ａより強く圧着するための形態であれば、本実施形態に制限されず多様に実現することができる。
【００４６】
図２（ｃ）は、上記加圧された積層体の縁領域及び内部領域をそれぞれ別途に加圧して焼成する段階である。
【００４７】
本実施形態では、上記縁領域が内部領域よりさらに強く加圧された積層体２１の縁領域の上面には外部ローダ２２と、上記積層体２１の内部領域の上面には内部ローダ２３とがそれぞれ積載され、上記外部ローダ２２及び内部ローダ２３がそれぞれ積層され、上記外部ローダ２２及び内部ローダ２３の上部にはトップローダ２４が積載される。
【００４８】
比較例として、セラミック積層体を焼成する際パネル全体を覆う一つの固いローダを載せて加圧させる方式の場合、このようにする場合にはセラミック積層体の縁領域と内部領域の焼成挙動差が生じセラミック積層体に厚さ偏差が発生する。このようなセラミック積層体の厚さ偏差が発生するようになると、上記積層体と上記積層体の上に積載されるローダの間の接触率が悪くなり加圧の効果が徐々になくなる。従って、焼成期間中積層体全体を継続して均一に加圧できず積層体の内部領域と縁領域の収縮率が大きく異なる。
【００４９】
本実施形態では、セラミック積層体の縁加圧用外部ローダ２２と、セラミック積層体の内部領域加圧用内部ローダ２３が別個に積載され、外部ローダ２２の内部に内部ローダ２３を挿入して基板全体を加圧する。
【００５０】
従って、積層体２１の縁領域２１ｂ及び内部領域２１ａそれぞれが加圧されるので、内部領域と外郭縁領域の厚さ偏差が発生しても継続して上記縁領域領域２１ｂ及び内部領域２１ａそれぞれを均一に加圧することができる。
【００５１】
また、上記外部ローダ２２の上部にはトップローダ２４を積載することができる。上記トップローダ２４は上記外部ローダ２２及び上記外部ローダ２２の内部貫通領域に挿入された内部ローダ２３を同時に加圧することも可能であるが、相対的に拘束力が弱い基板の縁領域２１ｂを加圧する外部ローダ２２を加圧することが好ましい。
【００５２】
上記のように外部ローダ２２の上部にトップローダ２４をさらに積載することによって、上記積層体の縁領域２１ｂを上記内部領域２１ａよりさらに高い圧力で加圧することができて上記積層体２１の内部領域２１ａと縁領域２１ｂとの間における収縮率の差を減らすことができ、全体的に平坦な基板を作製することができる。
【００５３】
この際、上記外部ローダ２２の上部に積載されるトップローダ２４は網状の多孔性構造を備えることによって上記セラミック積層体２１を焼成する際発生する有機物及び揮発物質の脱脂に有利になるようにすることができる。
【００５４】
図３は、比較例（既存）の方式による場合と、本発明（改善）による場合の積層セラミック基板を焼成する際上記積層体の内部領域及び縁領域の収縮率、及び作製されたセラミック基板のキャンバー（ｃａｍｂｅｒ）を比較したものである。ここで、既存方式とはセラミック積層体の上面に上記積層体全体を覆う一つの固いローダを積載して焼成する場合を言う。
【００５５】
図３（ａ）を参照すると、既存方式による場合、積層体の内部領域におけるｘ−ｙ方向に対する収縮率は０．４５％、縁領域に対する収縮率は１．００％であり、本発明の実施例による場合、積層体の内部領域におけるｘ−ｙ収縮率は０．３５％で、縁領域に対する収縮率は０．４５％であることが分かる。
【００５６】
上記グラフから分かるように既存方式による場合、積層体の内部領域と縁領域との間の焼成時における収縮率の差が０．５％以上発生するので、上記図４のような積層セラミック基板の平坦度が不良な形状が表われる。
【００５７】
しかし、本発明の場合、積層体の内部領域と縁領域における収縮率の差が０．１％未満で表われるので積層セラミック基板の全体平面における平坦度を良好に示すことができる。
【００５８】
図３（ｂ）は、既存方式と本発明の実施例による焼成後積層セラミック基板のキャンバー（歪み）を表すグラフである。
【００５９】
図３（ｂ）を参照すると、既存方式によれば焼成後積層セラミック基板のキャンバーは約４０μｍである一方、本発明の実施例によれば約７μｍであり全体的な積層セラミック基板のキャンバーが遙に減少することが分かる。
【００６０】
図４は、比較例の方式と本発明の一実施例によって製造される積層セラミック基板の段階別断面図である。
【００６１】
図４は、上記図２の段階中上記積層体表面の縁領域が上記積層体の表面の縁領域を除いた内部領域よりさらに低くなるように加圧する段階（図２（ｂ））及び上記加圧された積層体の縁領域及び内部領域をそれぞれ加圧して焼成する段階（図２（ｃ））の断面図を比較例の方式による場合と比較して示している。
【００６２】
図４を参照すると、比較例の方式の場合、積層体４１に対して等方性加圧をした後、上記加圧された積層体の上部に一つのローダを積載して焼成する際、積層体４１の縁領域領域４１ｂが内部領域４１ａに比して収縮率が大きくより多く収縮されるので、焼成後積層セラミック基板の平坦度が良くないことが分かる。このような場合、上記積層セラミック基板の縁領域４１ｂをラッピングして平坦化させる工程を別途に経らなければならない問題点がある。
【００６３】
本実施例の場合、焼成前に積層体４２の縁領域４２ｂを内部領域４２ａより強く圧着し、上記圧着された縁領域４２ｂ及び内部領域４２ａに対して別個のローダを積載して焼成した後に形成された積層セラミック基板の形態は、比較例の方式に比べて基板全体において良好な平坦度を有することが分かる。
【００６４】
このように、本発明は上述した実施の形態及び添付の図面によって限定されない。即ち、積層体の縁領域を加圧するジグの形態、焼成の際使用されるローダの形態及び上記ローダの材質などは多様に実現することができる。上記特許請求の範囲によって権利範囲を限定しようとし、請求の範囲に記載された本発明の技術的思想を外れない範囲内で、多様な形態の置換、変形及び変更が可能であることは当該技術分野の通常の知識を有する者にとって自明である。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】本発明の一側面の好ましい実施形態による積層セラミック基板焼成用ローダの分解斜視図である。
【図２ａ】本発明の他の側面の好ましい実施形態による積層セラミック基板の製造方法の工程図である。
【図２ｂ】本発明の他の側面の好ましい実施形態による積層セラミック基板の製造方法の工程図である。
【図２ｃ】本発明の他の側面の好ましい実施形態による積層セラミック基板の製造方法の工程図である。
【図３ａ】本発明の他の側面の一実施例によって製造された積層セラミック基板と、比較例による積層セラミック基板の収縮率及びキャンバーを比較したグラフである。
【図３ｂ】本発明の他の側面の一実施例によって製造された積層セラミック基板と、比較例による積層セラミック基板の収縮率及びキャンバーを比較したグラフである。
【図４】本発明の他の側面の一実施例によって製造された積層セラミック基板と、比較例による積層セラミック基板の製造段階別断面図である。
【符号の説明】
【００６６】
１１  セラミック積層体 
１１ａ  内部領域
１１ｂ  縁領域 
１２  外部ローダ
１３  内部ローダ 
１４  トップローダ
【図１】
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【図２ａ】
2008105939.tif 000004
【図２ｂ】
2008105939.tif 000005
【図２ｃ】
2008105939.tif 000006
【図３ａ】
2008105939.tif 000007
【図３ｂ】
2008105939.tif 000008
【図４】
2008105939.tif 000009