(57)【要約】【課題】磁壁移動を利用した情報保存装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】基板上に形成され、多数の磁区を有する磁性層及び磁性層に磁壁移動のためのエネルギーを印加する手段を備える情報保存装置であって、磁性層は、基板と平行に形成され、磁性層に基板と垂直な多数のトレンチが形成され、磁性層の下面は、トレンチと対応する位置で磁性層の下方に突出したことを特徴とする情報保存装置である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成され、多数の磁区を有する磁性層及び前記磁性層に磁壁移動のためのエネルギーを印加する手段を備える情報保存装置において、
前記磁性層は、前記基板と平行に形成され、
前記磁性層に前記基板と垂直な多数のトレンチが形成され、
前記磁性層の下面は、前記トレンチと対応する位置で前記磁性層の下方に突出したことを特徴とする磁壁移動を利用した情報保存装置。
【請求項２】
前記トレンチは、前記磁性層を横切って形成されたことを特徴とする請求項１に記載の磁壁移動を利用した情報保存装置。
【請求項３】
前記トレンチは、等間隔で形成されたことを特徴とする請求項１に記載の磁壁移動を利用した情報保存装置。
【請求項４】
前記トレンチは、下方に行くほど狭くなる形態であることを特徴とする請求項１に記載の磁壁移動を利用した情報保存装置。
【請求項５】
前記トレンチは、Ｖ字状であることを特徴とする請求項１に記載の磁壁移動を利用した情報保存装置。
【請求項６】
前記トレンチの深さは、２〜５０ｎｍであることを特徴とする請求項１に記載の磁壁移動を利用した情報保存装置。
【請求項７】
前記トレンチの間隔は、５〜１０００ｎｍであることを特徴とする請求項１に記載の磁壁移動を利用した情報保存装置。
【請求項８】
前記トレンチの上端の幅は、２〜２５０ｎｍであることを特徴とする請求項１に記載の磁壁移動を利用した情報保存装置。
【請求項９】
前記基板の前記トレンチと対応する位置に他のトレンチが形成されたことを特徴とする請求項１に記載の磁壁移動を利用した情報保存装置。
【請求項１０】
前記基板に形成された前記他のトレンチは、下方に行くほど狭くなる形態であることを特徴とする請求項９に記載の磁壁移動を利用した情報保存装置。
【請求項１１】
基板上に形成され、多数の磁区を有する磁性層及び前記磁性層に磁壁移動のためのエネルギーを印加する手段を備える情報保存装置の製造方法において、
前記基板上に多数のトレンチを有する前記磁性層を形成する工程を含むことを特徴とする磁壁移動を利用した情報保存装置の製造方法。
【請求項１２】
前記磁性層を形成する前、前記基板に多数のトレンチを形成する工程をさらに含み、前記基板のトレンチによって前記磁性層のトレンチが形成されることを特徴とする請求項１１に記載の磁壁移動を利用した情報保存装置の製造方法。
【請求項１３】
前記基板の前記多数のトレンチは、ナノインプリント方法で形成することを特徴とする請求項１２に記載の磁壁移動を利用した情報保存装置の製造方法。
【請求項１４】
前記基板に前記多数のトレンチを形成する工程は、
前記基板を、多数の下向き突出部を有するマスタースタンプで刷る工程と、
前記マスタースタンプを除去する工程と、を含むことを特徴とする請求項１２に記載の磁壁移動を利用した情報保存装置の製造方法。
【請求項１５】
前記突出部は、下方に行くほど狭くなる形態を有することを特徴とする請求項１４に記載の磁壁移動を利用した情報保存装置の製造方法。
【請求項１６】
前記磁性層に形成された前記トレンチは、下方に行くほど狭くなる形態であることを特徴とする請求項１１に記載の磁壁移動を利用した情報保存装置の製造方法。
【請求項１７】
前記磁性層に形成された前記トレンチは、Ｖ字状であることを特徴とする請求項１１に記載の磁壁移動を利用した情報保存装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、情報保存装置に係り、さらに詳細には、磁性材料の磁壁移動を利用する情報保存装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
不揮発性データ保存装置は、ＨＤＤ（Ｈａｒｄ Ｄｉｓｋ Ｄｒｉｖｅ）及び不揮発性ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）がある。一般的なＨＤＤは、ディスク状の磁気記録媒体を回転させつつ、その上に読み取り／書き込み（Ｒｅａｄｉｎｇ／Ｗｒｉｔｉｎｇ：Ｒ／Ｗ）ヘッドを浮かせて情報を読み取り／書き込みする装置である。このようなＨＤＤは、１００ＧＢ以上の多量のデータを保存する不揮発性情報保存装置であって、主にコンピュータの主保存装置として利用されてきた。
【０００３】
しかし、ＨＤＤは、その内部に多数の動く機械システムを含む。これらは、ＨＤＤが移動するか、または衝撃を受ければ、多様な機械的な故障（ｔｒｏｕｂｌｅ）を誘発し、したがって、ＨＤＤの移動性（ｍｏｂｉｌｉｔｙ）及び信頼性（ｒｅｌｉａｂｉｌｉｔｙ）を低下させる。また、前記機械システムは、ＨＤＤの製造複雑性及び製造コストを増加させ、消費電力を増加させ、ノイズを誘発する。特に、ＨＤＤを小型化するとき、前記製造複雑性及び製造コストの増加の問題は、さらに大きくなる。
【０００４】
一方、不揮発性ＲＡＭとしては、現在広く使われているフラッシュメモリが代表的であるが、フラッシュメモリは、読み取り／書き込み動作速度が遅く、かつ寿命が短いという短所がある。このようなフラッシュメモリの短所を克服するために、ＦＲＡＭ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ ＲＡＭ）、ＭＲＡＭ（Ｍａｇｎｅｔｉｃ ＲＡＭ）及びＰＲＡＭ（Ｐｈａｓｅ−ｃｈａｎｇｅ ＲＡＭ）のような新たなメモリが紹介され、これらのうち一部は、制限的であるものの、製品化されている。しかし、フラッシュメモリ、ＦＲＡＭ、ＭＲＡＭ及びＰＲＡＭは、何れもそれぞれのメモリセルにスイッチング素子を含むため、そのメモリセルの面積を減らし難い。また、このようなメモリは、ＨＤＤに比べてデータ保存容量が非常に小さい。
【０００５】
それで、最近では、前記のような従来の不揮発性情報保存装置の問題点を克服するための方法として、動く機械システム及び多数のスイッチング素子を含まずにＨＤＤのように大量のデータを保存できる新たな保存装置の開発のための研究が行われている。前記新たな保存装置の一例として、磁性物質の磁壁移動原理を利用した情報保存装置が提案された。
【０００６】
磁性体を構成する磁気的な微小領域を磁気区域（Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｄｏｍａｉｎ、以下、磁区という）という。このような磁区内では、磁気モーメントの方向が同一である。このような磁区のサイズ及び磁化方向は、磁性材料の物性、形、サイズ及び外部のエネルギーによって適切に制御される。
【０００７】
磁壁は、異なる磁化方向を有する磁区の境界部分であり、このような磁壁は、磁性材料に印加される電流または磁場によって移動しうる。すなわち、所定の幅及び厚さを有する磁性層内に特定の磁化方向を有する多数の磁区を設けてもよく、適切な強度を有する電流または磁場を利用して、前記磁区及び磁壁を移動させてもよい。
【０００８】
前記磁壁の移動原理を情報保存装置に適用すれば、磁壁移動によって磁区に固定された読み取り／書き込みヘッドを通過させることにより、記録媒体の回転なしに読み取り／書き込みが可能である。このように、磁壁移動原理を情報保存装置に適用した一例が特許文献１に紹介された。
【０００９】
このような磁壁移動原理が適用された情報保存装置は、大量のデータを保存可能であり、かつ機械システムを含まないので、移動性及び信頼性が優秀であり、製造が容易であり、消費電力が少ないという利点がある。
【００１０】
しかし、磁壁移動を利用した情報保存装置は、まだ開発初期段階であり、その実用化のためには、いくつかの問題点が解決されねばならない。重要な問題点のうち一つは、磁壁移動の安定性と関連する。
【００１１】
磁壁のビット単位移動の安定性を確保するための方法であって、磁性層の側面にノッチを形成する方法、すなわち、側面ノッチを形成する方法が使われる。臨界値以上の電流パルスによって移動し始めた磁壁は、側面ノッチで停止する。したがって、磁性層に規則的に形成された多数の側面ノッチによって磁壁が１ビット単位で移動しうる。
【００１２】
しかし、数十ｎｍほどの幅を有する磁性層の側面に微細なサイズのノッチを形成することは、現実的に非常に難しい。情報保存装置の高密度化によって、磁性層の幅が数十ｎｍ以下に小さくなれば、側面ノッチのサイズも小さくならねばならない。例えば、５０ｎｍほどの幅を有する磁性層の両側面にノッチを形成する場合、前記ノッチは、前記磁性層の幅の１／３である１５ｎｍほどの幅に形成することが望ましい。しかし、現在の露光及びエッチング技術としては、このように微細な側面ノッチを具現し難い。特に、微細な側面ノッチを均一な間隔、サイズ及び形状を有するように形成することは、さらに難しい。もし、側面ノッチの間隔、サイズ及び形状が不均一であれば、それにより、磁壁を停止させる磁場の強度、すなわち、ピニング磁場の強度が変わるため、情報保存装置の信頼性が低下する。したがって、側面ノッチを利用する従来の技術では、記録密度及び信頼性の高い情報保存装置を具現し難い。
【特許文献１】米国特許第６，８３４，００５号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
本発明が解決しようとする技術的課題は、前記従来の技術の問題点を改善するためのものであって、側面ノッチの形成による工程の困難性及び素子特性の均一性の低下の問題点が防止され、磁壁のビット単位の移動の安定性が確保された情報保存装置を提供することである。
【００１４】
本発明が解決しようとする他の技術的課題は、前記情報保存装置の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
前記課題を達成するために、本発明は、基板上に形成され、多数の磁区を有する磁性層及び前記磁性層に磁壁移動のためのエネルギーを印加する手段を備える情報保存装置において、前記磁性層は、前記基板と平行に形成され、前記磁性層に前記基板と垂直な多数のトレンチが形成され、前記磁性層の下面は、前記トレンチと対応する位置で前記磁性層の下方に突出したことを特徴とする磁壁移動を利用した情報保存装置を提供する。
【００１６】
ここで、前記トレンチは、前記磁性層を横切って形成される。
【００１７】
前記トレンチは、等間隔で形成される。
【００１８】
前記トレンチは、下方に行くほど狭くなる形態でありうる。
【００１９】
前記トレンチは、Ｖ字状でありうる。
【００２０】
前記トレンチの深さは、２〜５０ｎｍでありうる。
【００２１】
前記トレンチの間隔は、５〜１０００ｎｍでありうる。
【００２２】
前記トレンチの上端の幅は、２〜２５０ｎｍでありうる。
【００２３】
前記基板の前記トレンチと対応する位置に他のトレンチが形成される。
【００２４】
前記基板に形成された前記他のトレンチは、下方に行くほど狭くなる形態でありうる。
【００２５】
前記他の課題を達成するために、本発明は、基板上に形成され、多数の磁区を有する磁性層及び前記磁性層に磁壁移動のためのエネルギーを印加する手段を備える情報保存装置の製造方法において、前記基板上に多数のトレンチを有する磁性層を形成する工程を含む磁壁移動を利用した情報保存装置の製造方法を提供する。
【００２６】
前記磁性層を形成する前、前記基板に多数のトレンチを形成する工程をさらに含み、前記基板のトレンチによって前記磁性層のトレンチが形成される。
【００２７】
前記基板の前記多数のトレンチは、ナノインプリント方法で形成される。
【００２８】
前記基板に前記多数のトレンチを形成する工程は、前記基板を、多数の下向き突出部を有するマスタースタンプで刷る工程と、前記マスタースタンプを除去する工程と、を含みうる。このとき、前記突出部は、下方に行くほど狭くなる形態を有しうる。
【００２９】
前記磁性層に形成された前記トレンチは、下方に行くほど狭くなる形態でありうる。前記磁性層に形成された前記トレンチは、Ｖ字状でありうる。
【発明の効果】
【００３０】
本発明によれば、従来の側面ノッチの形成による工程の困難性及び素子特性の均一性の低下なしに記録密度及び信頼性の高い情報保存装置を具現しうる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
以下、本発明の実施形態による磁壁移動を利用した情報保存装置及びその製造方法を、添付された図面を参照して詳細に説明する。この過程で、図面に示された層や領域の厚さは、明細書の明確性のために多少誇張して示されている。
【００３２】
図１は、本発明の実施形態による磁壁移動を利用した情報保存装置（以下、本発明の情報保存装置）を示す。
【００３３】
図１を参照すれば、本発明の情報保存装置は、基板（図示せず）上に形成され、多数の磁区を有する磁性層１００を備える。磁性層１００は、データが保存される保存トラックでありうる。磁性層１００は、前記基板と平行に形成されており、磁性層１００に前記基板と垂直する多数のトレンチＴが形成されている。磁性層１００の下面は、トレンチＴと対応する位置で磁性層１００の下方に突出している。トレンチＴによって磁性層１００内で磁壁の停止位置が制御される。すなわち、トレンチＴによって磁壁のビット単位の移動の安定性が確保される。トレンチＴを備えた磁性層１００については、後述する。
【００３４】
磁性層１００の一端Ｅ１と連結された第１導電線Ｃ１が形成されている。
【００３５】
磁性層１００の他端Ｅ２は、磁性層１００にデータを記録するための書き込み手段２００と接している。書き込み手段２００は、相互逆方向に磁化した二つの磁区、すなわち、第１及び第２磁区Ｄ１，Ｄ２を備える強磁性層でありうる。磁性層１００と書き込み手段２００は、同一層に相互垂直に形成される。図１で、
【００３６】
【数１】
2008147663.tif 000003
は、第１方向Ｍ１に磁化したことを意味し、
【００３７】
【数２】
2008147663.tif 000004
【００３８】
は、前記第１方向Ｍ１と逆である第２方向Ｍ２に磁化したことを意味する。
【００３９】
書き込み手段２００の一端Ｅ３及び他端Ｅ４にそれぞれ連結された第２及び第３導電線Ｃ２，Ｃ３が形成されている。第２及び第３導電線Ｃ２，Ｃ３を通じて書き込み手段２００に電流を印加すれば、第１及び第２磁区Ｄ１，Ｄ２の境界である磁壁Ｗを移動させうる。磁壁Ｗは、電子の方向と同じ方向、すなわち電流方向と逆方向に移動する。磁壁Ｗの移動によって、第１及び第２磁区Ｄ１，Ｄ２のサイズが変わる。図１に示したように、第１磁区Ｄ１が磁性層１００と接している書き込み手段２００の部分まで拡張された状態で、磁性層１００の一端Ｅ１から書き込み手段２００の一端Ｅ３に電流を流せば、第１磁区Ｄ１が磁性層１００の他端Ｅ２まで拡張される。これは、磁性層１００の他端Ｅ２に第１方向Ｍ１に対応するデータ、例えば、‘０’が記録されたことを意味する。もし、第２磁区Ｄ２が磁性層１００と接している書き込み手段２００の部分まで拡張された状態で、磁性層１００の一端Ｅ１から書き込み手段２００の他端Ｅ４へ電流を流せば、第２磁区Ｄ２が磁性層１００の他端Ｅ２まで拡張される。これは、磁性層１００の他端Ｅ２に第２方向Ｍ２に対応するデータ、例えば、‘１’が記録されたことを意味する。このように、本発明の情報保存装置では、磁性層１００及び書き込み手段２００内で磁区及び磁壁をビット単位で移動させることにより、磁性層１００に所定のデータを記録しうる。
【００４０】
磁性層１００の所定領域に、磁性層１００に記録されたデータを読み取るための読み取り手段３００が形成されている。読み取り手段３００は、磁気記録方式の情報保存装置で一般的に使われるＴＭＲ（Ｔｕｎｎｅｌ Ｍａｇｎｅｔｏ Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）読み取りヘッドまたはＧＭＲ（Ｇｉａｎｔ Ｍａｇｎｅｔｏ Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）読み取りヘッドでありうる。磁性層１００の一端Ｅ１と読み取り手段３００との間に読み取り電流を印加しうる。この場合、読み取り手段３００下に位置した磁性層１００の磁化方向によって、磁性層１００の一端Ｅ１と読み取り手段３００との間の電気抵抗が変わる。
【００４１】
本発明の情報保存装置に備えられる書き込み手段２００及び読み取り手段３００の構造及び形成位置は、多様に変形される。例えば、書き込み手段２００は、電子のスピントルク現象を利用するＴＭＲ書き込みヘッドまたはＧＭＲ書き込みヘッドとすることもでき、外部磁場を利用する書き込みヘッドとすることもできる。
【００４２】
以下では、トレンチＴを備えた磁性層１００及びその形成方法についてさらに詳細に説明する。
【００４３】
トレンチＴは、磁性層１００を横切って形成するが、等間隔で形成することが望ましい。トレンチＴは、下方へ行くほど狭くなる形態、例えば、Ｖ字状でありうる。トレンチＴの深さは、２〜５０ｎｍほどであり、トレンチＴの間隔は、５〜１０００ｎｍほどであり、トレンチＴ上端の幅は、２〜２５０ｎｍほどでありうる。前記基板のトレンチＴと対応する位置に他のトレンチが形成されており、磁性層１００の下方に突出した突出部Ｐが形成されている。突出部Ｐは、トレンチＴと対応する位置に存在する。したがって、トレンチＴが形成された部分やそうでない部分に関係なく、磁性層１００の厚さは、ほぼ一定である。
【００４４】
図２Ａないし図２Ｉは、本発明の実施形態による情報保存装置に備えられる磁性層１００を形成する方法を段階別に示す。図２Ａないし図２Ｅは、マスタースタンプの形成方法を示し、図２Ｆないし図２Ｉは、前記マスタースタンプを利用した磁性層１００の形成方法を示す。
【００４５】
図２Ａを参照すれば、モールディングプレート１０上に感光膜を塗布し、前記感光膜を所定の方法、例えば、電子ビームリソグラフィのような方法でパターニングする。パターニングされた感光膜２０には、多数の第１溝Ｈ１が形成されるが、第１溝Ｈ１の側面は、傾斜面でありうる。
【００４６】
図２Ｂを参照すれば、パターニングされた感光膜２０及びその下のモールディングプレート１０を全面エッチングする。
【００４７】
このとき、パターニングされた感光膜２０の厚さの薄い部分下のモールディングプレート１０が深くエッチングされる。図２Ｃは、前記全面エッチングの結果を示す。
【００４８】
図２Ｃを参照すれば、前記全面エッチングによってパターニングされた感光膜２０は除去され、モールディングプレート１０にナノサイズの第２溝Ｈ２が形成される。第２溝Ｈ２の幅は、下方へ行くほど小さくなるが、これは、前記全面エッチング時にモールディングプレート１０が傾斜エッチングされるためである。第２溝Ｈ２の側面の傾斜角は、エッチング条件によって調節される。
【００４９】
図２Ｄを参照すれば、前記第２溝Ｈ２を埋め込むようにモールディングプレート１０上にスタンプ層３０を形成する。
【００５０】
図２Ｅを参照すれば、スタンプ層３０をモールディングプレート１０から分離する。前記分離されたスタンプ層３０は、以下でマスタースタンプ３０と称す。
【００５１】
図２Ｆを参照すれば、所定の基板６０、例えば、支持基板４０とレジン層５０とが順次に積層された構造を有する基板６０を設け、マスタースタンプ３０を基板６０上に位置させる。
【００５２】
図２Ｇを参照すれば、マスタースタンプ３０で基板６０を刷って基板６０をナノスケールにパターニングする。その結果、基板６０に第１トレンチＴ１が形成される。
【００５３】
図２Ｈを参照すれば、基板６０からマスタースタンプ３０を分離する。一度製作されたマスタースタンプ３０は、数回反復使用しうる。このようなナノインプリントは、工程が単純であり、かつ経済的であるため、量産に適している。
【００５４】
図２Ｉを参照すれば、第１トレンチＴ１が形成された基板６０上に基板６０の表面に沿って、すなわち、基板６０の表面とコンフォーマルに第１トレンチＴ１を充填する磁性層１００を形成する。これにより、磁性層１００に基板６０と垂直な多数の第２トレンチＴ２が形成され、磁性層１００の下面は、第２トレンチＴ２と対応する位置で下方に突出する。第２トレンチＴ２は、図１のトレンチＴと同一である。
【００５５】
図示していないが、磁性層１００の形成時に書き込み手段を共に形成し、磁性層１００の形成後に磁性層１００の所定領域上に読み取り手段を形成しうる。これにより、磁性層１００を備える情報保存装置を製造しうる。
【００５６】
一方、マスタースタンプ３０を利用したナノインプリント方法ではない他の方法でも本発明の情報保存装置を製造しうる。例えば、レジン層５０をマスタースタンプ３０で刷る代わりに、電子ビームリソグラフィ、紫外線またはレーザの干渉を利用したリソグラフィ、またはナノ粒子を利用したナノ球リソグラフィを利用してエッチングしうる。その結果、レジン層５０に多数のトレンチが形成される。次いで、レジン層５０上に前記多数のトレンチを充填する磁性層を形成する。
【００５７】
図３は、本発明の実施形態による磁壁移動を利用した情報保存装置に備えられる磁性層に磁場を印加してその内部の磁壁を移動させるとき、経時的な前記磁壁の移動速度の変化を示すグラフである。
【００５８】
図３を参照すれば、磁壁の移動速度が０に収斂する地点Ｐ１〜Ｐ５が周期的に現れることが確認できる。前記磁壁の移動速度が０に収斂する地点Ｐ１〜Ｐ５は、トレンチＴの形成位置と対応する。その結果、前記磁壁の移動速度の振幅がトレンチＴで減少するということが分かる。したがって、前記磁壁をトレンチＴで容易に停止させうる。すなわち、磁性層１００内で磁壁のビット単位の移動の安定性を確保しうる。一方、前記磁壁の移動速度が正（＋）の値と負（−）の値との間を往来することは、前記磁壁が振動しつつ移動することを意味するが、このような振動は、移動する磁壁の固有な特性である。
【００５９】
前述したように、情報保存装置が高密度化するにつれて、データを記録しようとする磁性層に従来の側面ノッチを形成することは非常に困難になる。しかし、本発明では、ナノインプリント方法で磁性層１００に基板６０と垂直な微細トレンチＴを容易に形成しうる。また、磁性層１００は、基板６０と垂直なトレンチＴを有し、かつほぼ一定の厚さを有するため、高密度化によって磁性層１００の幅及び／または厚さが減少しても、トレンチＴのサイズは縮小させなくてもよい。したがって、本発明を利用すれば、高密度の情報保存装置の磁壁のビット単位の移動の安定性を容易に確保しうる。
【００６０】
前述したように、本発明では、ナノインプリント方法で基板６０と垂直な微細トレンチＴを有しつつ、厚さがほぼ一定した磁性層１００を容易に形成しうる。ここで、トレンチＴは、磁性層１００内で移動する磁壁の移動速度の振幅を減少させ、磁壁のビット単位の移動を安定化させる役割を行う。
【００６１】
前記した説明で多くの事項が具体的に記載されているが、それらは、発明の範囲を限定するものではなく、望ましい実施形態の例示として解釈されねばならない。例えば、当業者ならば、本発明の情報保存装置の構造及び構成要素は、多様に変形されるということが分かる。したがって、本発明の範囲は、説明された実施形態によって決定されず、特許請求の範囲に記載された技術的思想によって決定されねばならない。
【産業上の利用可能性】
【００６２】
本発明は、情報保存装置関連の技術分野に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１】本発明の実施形態による磁壁移動を利用した情報保存装置を示す斜視図である。
【図２Ａ】本発明の実施形態による磁壁移動を利用した情報保存装置に備えられる磁性層を形成する方法を工程別に示す断面図である。
【図２Ｂ】本発明の実施形態による磁壁移動を利用した情報保存装置に備えられる磁性層を形成する方法を工程別に示す断面図である。
【図２Ｃ】本発明の実施形態による磁壁移動を利用した情報保存装置に備えられる磁性層を形成する方法を工程別に示す断面図である。
【図２Ｄ】本発明の実施形態による磁壁移動を利用した情報保存装置に備えられる磁性層を形成する方法を工程別に示す断面図である。
【図２Ｅ】本発明の実施形態による磁壁移動を利用した情報保存装置に備えられる磁性層を形成する方法を工程別に示す断面図である。
【図２Ｆ】本発明の実施形態による磁壁移動を利用した情報保存装置に備えられる磁性層を形成する方法を工程別に示す断面図である。
【図２Ｇ】本発明の実施形態による磁壁移動を利用した情報保存装置に備えられる磁性層を形成する方法を工程別に示す断面図である。
【図２Ｈ】本発明の実施形態による磁壁移動を利用した情報保存装置に備えられる磁性層を形成する方法を工程別に示す断面図である。
【図２Ｉ】本発明の実施形態による磁壁移動を利用した情報保存装置に備えられる磁性層を形成する方法を工程別に示す断面図である。
【図３】本発明の実施形態による磁壁移動を利用した情報保存装置に備えられる磁性層に磁場を印加して、その内部の磁壁を移動させるとき、経時的な前記磁壁の移動速度の変化を示すグラフである。
【符号の説明】
【００６４】
１００  磁性層
２００  書き込み手段
３００  読み取り手段
Ｍ１，Ｍ２  第１及び第２方向
Ｗ  磁壁
Ｔ  トレンチ
Ｐ  突出部
Ｃ１  第１導電線
Ｃ２  第２導電線
Ｃ３  第３導電線
Ｄ１  第１磁区
Ｄ２  第２磁区
Ｅ１  磁性層の一端
Ｅ２  磁性層の他端
Ｅ３  書き込み手段の一端
Ｅ４  書き込み手段の他端
【図１】
2008147663.tif 000005
【図２Ａ】
2008147663.tif 000006
【図２Ｂ】
2008147663.tif 000007
【図２Ｃ】
2008147663.tif 000008
【図２Ｄ】
2008147663.tif 000009
【図２Ｅ】
2008147663.tif 000010
【図２Ｆ】
2008147663.tif 000011
【図２Ｇ】
2008147663.tif 000012
【図２Ｈ】
2008147663.tif 000013
【図２Ｉ】
2008147663.tif 000014
【図３】
2008147663.tif 000015