(57)【要約】【課題】耐湿性および耐熱性の接続信頼性が高く、ボイド発生不良や樹脂硬化による接続不良の発生が抑制されたフリップチップ接続用熱圧接着剤を提供すること。【解決手段】金属バンプが形成された電子部品と電極パッドを有する基板とを接合し、前記電子部品の金属バンプを前記基板の電極パッドに導通させるフリップチップ接続に用いられる接着剤であって、（Ａ）エポキシ樹脂および（Ｂ）下記一般式（１）で示されるフッ素化ジアミン化合物を必須成分として含有することを特徴とするフリップチップ接続用熱圧接着剤。【化１】2008169241.tif 000008（式中、Ｘ１〜Ｘ６は独立して水素またはフッ素元素を示し、少なくとも１つはフッ素元素である。また、ｎは０または１の整数を示す。）【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属バンプが形成された電子部品と電極パッドを有する基板とを接合し、前記電子部品の金属バンプを前記基板の電極パッドに導通させるフリップチップ接続に用いられる接着剤であって、
（Ａ）エポキシ樹脂および（Ｂ）下記一般式（１）で示されるフッ素化ジアミン化合物を必須成分として含有することを特徴とするフリップチップ接続用熱圧接着剤。
【化１】
2008169241.tif 000007
（式中、Ｘ１〜Ｘ６は独立して水素またはフッ素元素を示し、少なくとも１つはフッ素元素である。また、ｎは０または１の整数を示す。）
【請求項２】
前記（Ｂ）一般式（１）で示されるフッ素化ジアミン化合物の配合量が、前記（Ａ）エポキシ樹脂１００重量部に対して、５重量部以上４０重量部以下であることを特徴とする請求項１記載のフリップチップ接続用熱圧接着剤。
【請求項３】
（Ｃ）無機フィラーを含有し、前記（Ｃ）無機フィラーが平均粒径０．１μｍ以上５．０μｍ以下のシリカであり、かつ、前記フリップチップ接続用熱圧接着剤中に０．１重量％以上４０重量％以下含有されていることを特徴とする請求項１または２記載のフリップチップ接続用熱圧接着剤。
【請求項４】
前記フリップチップ接続用熱圧接着剤の反応性がＤＳＣ法による反応熱量で２０ｍＪ／ｍｇ以上３００ｍＪ／ｍｇ以下であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項記載のフリップチップ接続用熱圧接着剤。
【請求項５】
前記（Ｂ）一般式（１）で示されるフッ素化ジアミン化合物が、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］−ヘキサフルオロプロパンおよび２，２−ビス（４−アミノフェニル）−ヘキサフルオロプロパンの中から選ばれる少なくとも一種であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項記載のフリップチップ接続用熱圧接着剤。  
【請求項６】
金属バンプが形成された電子部品と電極パッドを有する基板とを接合し、前記電子部品の金属バンプを前記基板の電極パッドに導通させる実装方法であって、
前記電子部品の金属バンプと、請求項１乃至５のいずれか１項記載のフリップチップ接続用熱圧接着剤が塗布された前記基板の電極パッドとを、それらの接合部を圧着ツールにより押圧しながら加熱することによって、前記フリップチップ接続用熱圧接着剤を硬化させると共に、共晶合金形成により導通確保を行うことを特徴する実装方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、金属バンプが形成された電子部品と電極パッドを有する基板とを簡便にフリップチップ接続するために用いられるフリップチップ接続用熱圧接着剤およびそれを用いた実装方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体素子を多数個用いるデバイス、機器の開発が促進されている。このようなものとしては、例えばメモリーカード、液晶やＥＬ（Electro luminescence）等のディスプレイパネルがあり、これらはいずれも多数個のＩＣ、ＬＳＩを一定の面積を有する基板に、高密度にしかも薄型に搭載しなければならない。ＩＣ、ＬＳＩの実装手段としては熱圧接続によるフリップチップ方式が公知である（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
しかしながら、熱圧接続法には以下のような問題がある。すなわち、熱圧接続によるフリップチップ方式は、半導体素子の電極パッド上に金属バンプを形成し、この半導体素子の金属バンプと基板の電極パッドとを接着剤を介して位置合わせし、光もしくは熱により接着剤を硬化させて、圧接のみにより半導体素子の金属バンプと基板の電極パッドとの電気的接続を得るものである。
【０００４】
したがって、熱圧接続によるフリップチップ方式では、電気的接続が圧接のみにより行われているため、半導体素子の金属バンプと基板の電極パッドとが固定されておらず、外部からの熱や機械的歪により基板に膨張や反りが発生したときに、接続部や半導体素子自体の剥離が発生しやすい。
【０００５】
このような熱圧接続よりも接続信頼性の高い接続方法として、半導体素子の金属バンプと基板の電極パッドとを金属共晶接続する方法がある（例えば、特許文献２参照。）。しかしながら、金属共晶接続では一般に２８０〜４１８℃の温度範囲で共晶合金が形成されて半導体素子の金属バンプと基板の電極パッドとの電気的接続がなされるが、このような温度では接着剤の硬化が速すぎることとなり、接続不良やボイドが発生するという問題がある。
【０００６】
このような問題を解決するため、微細フィラーを含有させた接着剤を用いることにより、接続信頼性を向上させるという提案がなされているが、厳しい条件下の接続信頼性、特に耐湿性に関しては、未だ不十分である（例えば、特許文献３参照。）。
【特許文献１】特開昭６０−２６２４３０号公報
【特許文献２】特開２０００−１００８６２号公報
【特許文献３】特開２００４−３４９５６１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、このような従来の問題点に鑑み、金属バンプが形成された電子部品と電極パッドを有する基板とのフリップチップ接続に用いられる接着剤であって、耐湿性および耐熱性等の接続信頼性が高く、ボイド発生不良や樹脂硬化による接続不良の発生が抑制されたフリップチップ接続用熱圧接着剤およびそれを用いた実装方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者らは、金属バンプが形成された電子部品と電極パッドを有する基板とのフリップチップ接続に用いられる接着剤において、特定のフッ素化ジアミン化合物を硬化剤として含有させたフリップチップ接続用熱圧接着剤を用いることにより上記問題を解決できることを見出した。
【０００９】
すなわち、本発明のフリップチップ接続用熱圧接着剤は、金属バンプが形成された電子部品と電極パッドを有する基板とを接合し、前記電子部品の金属バンプを前記基板の電極パッドに導通させるフリップチップ接続に用いられる接着剤であって、（Ａ）エポキシ樹脂および（Ｂ）下記一般式（１）で示されるフッ素化ジアミン化合物を必須成分として含有することを特徴とする。
【化１】
2008169241.tif 000002
（式中、Ｘ１〜Ｘ６は独立して水素またはフッ素元素を示し、少なくとも１つはフッ素元素である。また、ｎは０または１の整数を示す。）
【００１０】
本発明のフリップチップ接続用熱圧接着剤では、前記（Ｂ）一般式（１）で示されるフッ素化ジアミン化合物の配合量が、前記（Ａ）エポキシ樹脂１００重量部に対して、５重量部以上４０重量部以下であることが好ましい。
【００１１】
また、本発明のフリップチップ接続用熱圧接着剤は（Ｃ）無機フィラーを含有し、前記（Ｃ）無機フィラーが平均粒径０．１μｍ以上５．０μｍ以下のシリカであり、かつ、前記フリップチップ接続用熱圧接着剤中に０．１重量％以上４０重量％以下含有されていることが好ましい。
【００１２】
さらに、前記フリップチップ接続用熱圧接着剤の反応性は、ＤＳＣ法による反応熱量で２０ｍＪ／ｍｇ以上３００ｍＪ／ｍｇ以下であることが好ましい。
【００１３】
また、本発明のフリップチップ接続用熱圧接着剤では、前記（Ｂ）一般式（１）で示されるフッ素化ジアミン化合物が、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］−ヘキサフルオロプロパンおよび２，２−ビス（４−アミノフェニル）−ヘキサフルオロプロパンの中から選ばれる少なくとも一種であることが好ましい。
【００１４】
本発明の実装方法は、金属バンプが形成された電子部品と電極パッドを有する基板とを接合し、前記電子部品の金属バンプを前記基板の電極パッドに導通させる実装方法であって、前記電子部品の金属バンプと、本発明のフリップチップ接続用熱圧接着剤が塗布された前記基板の電極パッドとを、それらの接合部を圧着ツールにより押圧しながら加熱することによって、前記本発明のフリップチップ接続用熱圧接着剤を硬化させると共に、共晶合金形成により導通確保を行うことを特徴する。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、硬化剤として特定のフッ素化ジアミン化合物を含有させることで、耐湿性、耐熱性に関して高い接続信頼性を有し、ボイド発生不良や樹脂硬化による接続不良の発生が抑制されたフリップチップ接続用熱圧接着剤とすることが可能となる。また、本発明によれば、このようなフリップチップ接続用熱圧接着剤を用いて電子部品を基板に実装することで、接続信頼性に優れた機器を容易に製造することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
まず、本発明のフリップチップ接続用熱圧接着剤について説明する。
【００１７】
本発明のフリップチップ接続用熱圧接着剤（以下、単に接着剤と呼ぶ。）は、金属バンプが形成された電子部品と電極パッドを有する基板とを接合し、電子部品の金属バンプを基板の電極パッドに導通させるフリップチップ接続に用いられる接着剤であって、（Ａ）エポキシ樹脂および（Ｂ）下記一般式（１）で示されるフッ素化ジアミン化合物を必須成分として含有することを特徴とするものである。
【化２】
2008169241.tif 000003
（式中、Ｘ１〜Ｘ６は独立して水素またはフッ素元素を示し、少なくとも１つはフッ素元素である。また、ｎは０または１の整数を示す。）
【００１８】
本発明に用いる（Ａ）エポキシ樹脂としては、１分子中に２個以上のエポキシ基を有する化合物であり、分子構造、分子量等に制限されることなく広く使用することができる。
【００１９】
具体的に例示すると、例えば、フェノールノボラックやクレゾールノボラック等のノボラック樹脂、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、レゾルシン、ビス（ヒドロキシフェニル）エーテル等の多価フェノール類、エチレングリコール、ネオペンチルグリコール、グリセリン、トリメチノールプロパン、ポリプロピレングリコール等の多価アルコール類、エチレンジアミン、トリエチレンテトラミン、アニリン等のポリアミノ化合物、アジピン酸、フタル酸、イソフタル酸等の多価カルボキシ化合物等と、エピクロルヒドリン又は２−メチルエピクロルヒドリンとを反応させて得られるグリシジル型のエポキシ樹脂が挙げられ、また、ジシクロペンタジエンエポキサイド、ブタジエンダイマージエポキサイド等の脂肪族および脂環族エポキシ樹脂等も挙げられ、これらは単独又は２種以上混合して使用することができる。
【００２０】
本発明に用いる（Ｂ）フッ素化ジアミン化合物は上記一般式（１）で示されるものであって、エポキシ樹脂の硬化剤として用いられるものである。この（Ｂ）一般式（１）で示されるフッ素化ジアミン化合物は、接着剤の反応性を調整すると共に、耐湿性、耐熱性に関する接続信頼性の向上等に寄与するものである。（Ｂ）一般式（１）で示されるフッ素化ジアミン化合物としては、特に２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］−ヘキサフルオロプロパンおよび２，２−ビス（４−アミノフェニル）−ヘキサフルオロプロパンの中から選ばれる少なくとも１種が好適に用いられるが、必ずしもこれらのものに限定されるものではない。
【００２１】
（Ｂ）一般式（１）で示されるフッ素化ジアミン化合物の配合量は（Ａ）エポキシ樹脂１００重量部に対して、５重量部以上４０重量部以下が好ましい。５重量部未満では、耐湿性の向上に効果がなく、接着剤の反応性も上がらない。４０重量部を超える場合は、適正な硬化速度がコントロールできず、逆に耐熱性等の特性を大きく損なうため好ましくない。
【００２２】
なお、本発明では（Ｂ）一般式（１）で示されるフッ素化ジアミン化合物に加え、その他の硬化剤として、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、メタフェニレンジアミン、ジシアンジアミド、ポリアミドアミン等のポリアミノ化合物、無水フタル酸、無水メチルナジック酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、無水ピロメリツト酸等の有機酸無水物、フェノールノボラック、クレゾールノボラック等のノボラック樹脂等を併用することもでき、また併せて硬化促進剤の使用も好ましい場合は採用できる。硬化剤として（Ｂ）一般式（１）で示されるフッ素化ジアミン化合物以外の硬化剤を併用する場合、（Ｂ）一般式（１）で示されるフッ素化ジアミン化合物とそれ以外の硬化剤との合計量中、（Ｂ）一般式（１）で示されるフッ素化ジアミン化合物以外のものが４０重量％以下となるようにすることが好ましい。
【００２３】
本発明の接着剤には、（Ａ）エポキシ樹脂および（Ｂ）一般式（１）で示されるフッ素化ジアミン化合物の他に、ボイドの低減等に有効なものとして（Ｃ）微細フィラーを含有させることが好ましい。（Ｃ）微細フィラーとしてはシリカ粉が好ましく、このようなシリカ粉としては、電子部品用の接着剤として一般に用いられているエポキシ樹脂組成物に含有されているものと同様なものを用いることができ、２種類以上の微細フィラーを配合することも差支えない。この場合、電気的接続性および接着剤の流動性等を勘案して選定することができる。
【００２４】
（Ｃ）微細フィラーは、例えば平均粒径０．５μｍ以上５．０μｍ以下のものが好ましい。平均粒径が０．５μｍ未満では接着剤の増粘性が著しく高くなり、５．０μｍを超えると電気的接続性が十分でなくなり好ましくない。（Ｃ）微細フィラーの配合量は、例えばシリカ粉の場合、接着剤全体の０．１重量％以上４０重量％以下が好ましい。０．１重量％未満ではボイドの低減に十分な効果がなく、４０重量％を超えると電子部品の金属バンプと基板の電極パッドとの間の電気的接続等が十分でなくなるおそれがある。
【００２５】
本発明の接着剤は（Ａ）エポキシ樹脂および（Ｂ）一般式（１）で示されるフッ素化ジアミン化合物を必須成分として含有し、必要に応じて（Ｃ）微細フィラーを含有するものであるが、これらのもの以外にも必要に応じて、かつ、本発明の趣旨に反しない限度において、その他の添加剤等を使用することができる。また、本発明の接着剤の製造方法に関しては特に制限されるものではなく、該当分野において一般的に用いられている方法を採用することができ、例えば必須成分その他必要に応じて含有される成分を配合、混合した後、さらに、ディスパース、ニーダー、３本ロールミル等により混練処理を行い、その後減圧脱泡することにより容易に製造することができる。
【００２６】
本発明の接着剤の硬化時間は、３００℃〜４１８℃における硬化時間が１秒〜１５秒であることが好ましい。一般に金属共晶接続では、３００℃〜４１８℃の温度範囲が用いられている。そして、このような金属共晶接続温度における接着剤の硬化時間が上記下限値未満となるような速いものの場合、電子部品の金属バンプが基板の電極パッドに触れる前に接着剤が硬化してしまうため接続不良となる。また、接着剤の硬化時間が上記上限値を超えるような遅いものの場合、反応熱量が小さくなりすぎることとなり、接着剤が硬化しなくなり、基板と電子部品との固定が困難となる。なお、このような硬化時間範囲を反応熱量で示すと２０ｍＪ／ｍｇ〜３００ｍＪ／ｍｇとなる。この反応熱量は、ＪＩＳＫ７１２１規格によるＤＳＣ法にて準拠して２０℃／ｍｉｎ昇温の条件下に確認されるものである。
【００２７】
接着剤の硬化時間の調整は、主として（Ｂ）一般式（１）で示されるフッ素化ジアミン化合物を含有させることにより行われるものである。特に、（Ｂ）一般式（１）で示されるフッ素化ジアミン化合物の含有量を（Ａ）エポキシ樹脂１００重量部に対して５重量部以上４０重量部以下とすることにより、さらに（Ｂ）一般式（１）で示されるフッ素化ジアミン化合物として上記２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］−ヘキサフルオロプロパンおよび２，２−ビス（４−アミノフェニル）−ヘキサフルオロプロパンの中から選ばれる少なくとも１種を用いることにより、接着剤の硬化時間を容易に上記硬化時間範囲内とすることができる。
【００２８】
次に、本発明の実装方法について説明する。本発明の実装方法は、接着剤として本発明の接着剤を用いることを除き、基本的に公知の実装方法を採用することができる。以下、図面を参照して、本発明の実装方法を具体的に説明する。
【００２９】
図１は、本発明の実装方法を説明するための模式図である。図１において、１は例えば半導体素子等の電子部品を示し、４は基板（配線基板）を示す。電子部品１は、例えばフリップチップ接続が可能なものであり、一方の主面に形成された電極パッド２にＣｒ−Ｃｕ、Ｔｉ−Ｐｄ等の多層金属膜を被着させて、電解メッキ法により金属バンプ３を形成したものである。金属バンプ３は、例えばＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、半田等の材料を３〜３０μｍの厚さに構成したものである。
【００３０】
一方、基板４は、ガラス板、セラミック板、樹脂板、金属酸化物を表面に被覆した金属板等で構成され、その表面において、少なくとも電子部品１の金属バンプ３と対応した位置に電極パッド５が形成されたものである。電極パッド５は、例えばＣｕ、Ａｌ、Ａｕ、ＩＴＯ等を母体にし、酸化しやすい材質、例えばＣｕであれば、Ａｕメッキ、Ｓｎメッキ、半田メッキ等の処理が施されたものである。
【００３１】
本発明の実装方法では、まず基板４の電極パッド５が形成された面上に本発明の接着剤６を塗布する。なお、本発明の実装方法では、接着剤６を塗布する場所は電子部品１の金属バンプ３が形成された面上とすることもできる。その後、電子部品１の金属バンプ３と基板４の電極パッド５とを図１に示すように位置合せし、両者を加圧７せしめ、共晶温度範囲で加熱する。
【００３２】
この加圧７により、接着剤６は電子部品１の金属バンプ３側の全面に押し拡げられ、かつ、金属バンプ３と電極パッド５とはその加熱により共晶合金を作り、電気的接続を得る。また、この工程では、押し拡げられた接着剤６が共晶温度範囲の熱により硬化し、この硬化した接着剤６により電子部品１と基板４とが固定される。
【００３３】
すなわち、電子部品１の金属バンプ３と基板４の電極パッド５との電気的接続は共晶合金により行われ、電子部品１と基板４との物理的固定は硬化した接着剤６によってなされる。そして、このような共晶温度範囲に曝される接着剤として、本発明の接着剤６のように硬化剤として特定のフッ素化ジアミン化合物を含有し、特定反応性に調節されたものを用いることで、硬化した接着剤６にボイドが発生することがなく、耐湿信頼性の高い接続を得ることができる。
【実施例】
【００３４】
以下、実施例を参照して本発明を具体的に説明する。なお、本発明はこれらの実施例によって限定されるものではない。
【００３５】
まず、接着剤１〜７の製造について以下に説明する。なお、接着剤１〜７については、接着剤１〜５が一般式（１）で示されるフッ素化ジアミン化合物を含有するものであって、本発明の実施例となるものであり、接着剤６、７が一般式（１）で示されるフッ素化ジアミン化合物を含有しないものであって、本発明の比較例となるものである。また、以下の接着剤１〜７の組成を比較のために表１にまとめて示す。
【００３６】
（接着剤１）
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂のエピコート８２８（ジャパンエポキシレジン社製、商品名）９０重量部と２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］−ヘキサフルオロプロパン（セントラルガラス社製）２０重量部を混合して得た熱硬化性樹脂中に、無機フィラーとして平均粒径３．４μｍのシリカのＦＢ３ＬＤＸ（電気化学工業社製、商品名）と平均粒径０．６μｍのシリカのＳＥ２１００（アドマテックス社製、商品名）とを重量比で３：１の割合で予備混合した混合シリカを１０重量部加え、分散させて接着剤を得た。
【００３７】
（接着剤２）
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂のエピコート８２８（ジャパンエポキシレジン社製、商品名）９０重量部と２，２−ビス（４−アミノフェニル）−ヘキサフルオロプロパン２０重量部を混合して得た熱硬化性樹脂中に、無機フィラーとして平均粒径３．４μｍのシリカのＦＢ３ＬＤＸ（電気化学工業社製、商品名）と平均粒径０．６μｍのシリカのＳＥ２１００（アドマテックス社製、商品名）とを重量比で３：１の割合で予備混合した混合シリカを１０重量部加え、分散させて接着剤を得た。
【００３８】
（接着剤３）
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂のエピコート８２８（ジャパンエポキシレジン社製、商品名）９０重量部と２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］−ヘキサフルオロプロパン（セントラルガラス社製）２０重量部を混合して接着剤を得た。
【００３９】
（接着剤４）
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂のエピコ−ト８２８（ジャパンエポキシレジン社製、商品名）９０重量部と２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］−ヘキサフルオロプロパン（セントラルガラス社製）４重量部を混合して得た熱硬化性樹脂中に、無機フィラーとして平均粒径３．４μｍのシリカのＦＢ３ＬＤＸ（電気化学工業社製、商品名）と平均粒径０．６μｍのシリカのＳＥ２１００（アドマテックス社製、商品名）とを重量比で３：１の割合で予備混合した混合シリカを１０重量部加え、分散させて接着剤を得た。
【００４０】
（接着剤５）
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂のエピコート８２８（ジャパンエポキシレジン社製、商品名）９０重量部と２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］−ヘキサフルオロプロパン（セントラルガラス社製）６０重量部を混合して得た熱硬化性樹脂中に、無機フィラーとして平均粒径３．４μｍのシリカのＦＢ３ＬＤＸ（電気化学工業社製、商品名）と平均粒径０．６μｍのシリカのＳＥ２１００（アドマテックス社製、商品名）とを重量比で３：１の割合で予備混合した混合シリカを１０重量部加え、分散させて接着剤を得た。
【００４１】
（接着剤６）
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂のエピコート８２８（ジャパンエポキシレジン社製、商品名）９０重量部と２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］−ヘキサヒドロキシプロパン（和光純薬社製）２０重量部を混合して得た熱硬化性樹脂中に、無機フィラーとして平均粒径３．４μｍのシリカのＦＢ３ＬＤＸ（電気化学工業社製、商品名）と平均粒径０．６μｍのシリカのＳＥ２１００（アドマテックス社製、商品名）とを重量比で３：１の割合で予備混合した混合シリカを１０重量部加え、分散させて接着剤を得た。
【００４２】
（接着剤７）
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂のエピコート８２８（ジャパンエポキシレジン社製、商品名）９０重量部とジシアンジアミド１重量部、イミダゾール２Ｅ４ＭＺ（四国化成工業製）０．５重量部を混合して得た熱硬化性樹脂中に、無機フィラーとして平均粒径３．４μｍのシリカのＦＢ３ＬＤＸ（電気化学工業社製、商品名）と平均粒径０．６μｍのシリカのＳＥ２１００（アドマテックス社製、商品名）とを重量比で３：１の割合で予備混合した混合シリカを１０重量部加え、分散させて接着剤を得た。
【００４３】
次に、上記接着剤１〜７について下記項目について測定を行った。各接着剤についての測定結果を表２に示す。
【００４４】
（測定項目）
（１）粘度［Ｐａ・ｓ］：ＥＨＤ型粘度計を用いて２５℃、２．５ｒｐｍで測定した。
（２）硬化時間［ｓｅｃ］：測定温度３５０℃のホットプレート上に測定対象である接着剤を０．２５ｇのせ、テフロン（登録商標）製ミニスパチュラでかきまぜ、糸引きがなくなった時間を測定した。
（３）反応熱量［ｍＪ／ｍｇ］：ＪＩＳＫ７１２１規格によるＤＳＣ法に準拠し、２０℃／ｍｉｎの昇温条件に測定した。
（４）吸水率[％]：接着剤の硬化物を８５℃、８５％ＲＨの雰囲気中に１６８時間放置した後の増加質量に基づいて求めた。
（５）不純物イオン[ｐｐｍ]：接着剤の硬化物を１２１℃、２．１ａｔｍの雰囲気中に２０時間放置した後、１００℃の熱水でイオン抽出し、抽出液をイオンクロマトグラフィー法を用いて測定した。
（６）電気伝導度[ｕＳ／ｃｍ]：上記不純物イオンの測定と同様にして得た抽出液を電気伝導度測定装置を用いて測定した。
（７）ｐＨ：上記不純物イオンの測定と同様にして得た抽出液について測定した。
【００４５】
【表１】
2008169241.tif 000004
【００４６】
【表２】
2008169241.tif 000005
【００４７】
次に、上記接着剤１〜７を用いて、Ａｕバンプ付ＩＣチップをＳｎメッキ回路パターンに接合すると共に、共晶合金を形成させることにより電気的接続を行い接続サンプルを作製した。なお、接続サンプルの作製は、芝浦メカトロニクス社製のフリップチップボンダーＴＥ−９００を用い、ヘッド温度３５０℃、ステージ温度３５０℃、荷重５ｋｇｆ、荷重時間１ｓｅｃの条件で行った。その後、得られた接続サンプルについて下記項目の評価を行った。評価結果を表３に示す。
【００４８】
（評価項目）
（１）ピール強度[Ｎ]：常態および吸湿処理後（８５℃／８５％ＲＨ／１６８ｈ）
（２）ボイド:顕微鏡で接着剤の硬化物中の空隙（ボイド）の有無を観察した。
（３）高温高湿バイアス試験（ＴＨＢ試験）：常態および吸湿処理（１２１℃、２．１ａｔｍ／２０ｈ）したものについて、８５℃／８５％ＲＨ／４５Ｖ印加／１６８ｈ後の抵抗変化率［％］を測定した。
【００４９】
【表３】
2008169241.tif 000006
【００５０】
表３から明らかなように、一般式（１）で示される特定のフッ素化ジアミン化合物を含有させた接着剤１〜５は、従来の接着剤６、７に比べてほぼ同等あるいはそれ以上の接着強度を有すると共に、高温・高湿下での接続信頼性に優れていることが認められる。特に、一般式（１）で示される特定のフッ素化ジアミン化合物を所定の範囲内で含有させた接着剤１〜３については、接着強度、高温・高湿下での接続信頼性のいずれについても極めて優れていることが認められる。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本発明の実装方法を説明するための模式図。
【符号の説明】
【００５２】
１…半導体素子、２…電極パッド、３…金属バンプ、４…基板、５…電極パッド、６…接着剤、７…加圧
【図１】
2008169241.tif 000009