(57)【要約】【課題】蓄積容量の容量値を向上させると共に、例えば画素のレイアウト設計を容易に行う。【解決手段】電気光学装置において、スペーサ絶縁膜（４９）は、第２領域において、蓄積容量（７０）の下側電極（７１）に対して、本体部（７１ａ）の少なくとも一部で平面的に見て重なるように形成されると共に、第１領域に配置される本体部（７１ａ）の他部とは重ならないように形成されると共に、上側電極（３００）は、第２領域においてスペーサ絶縁膜（４９）における本体部（７１ａ）と重なる部分上に少なくとも乗り上げるように延在し、第２領域に配置される本体部の少なくとも一部から上側電極（３００）と重ならないように延設部（７１ｂ）が延設される。【選択図】図７
2008176179.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、
互いに交差して延在するデータ線及び走査線と、
前記データ線及び走査線の交差に対応して配置されたトランジスタと、
下側電極、誘電体膜及び上側電極が順に積層されてなり、前記下側電極は、前記上側電極及び前記下側電極が前記誘電体膜を介して相対向する第１領域及び該第１領域を囲む周囲に位置する第２領域を部分的に含む領域に形成され、前記基板上で平面的に見て前記上側電極と重なる本体部と、前記第２領域に配置された前記本体部の少なくとも一部から前記上側電極と重ならないように延設された延設部とを有する蓄積容量と、
該蓄積容量及び前記トランジスタに電気的に接続された表示用電極と、
前記第２領域において前記下側電極の下地面よりも上層側であって前記上側電極よりも下層側に配置されており、前記基板上で平面的に見て、少なくとも前記本体部の少なくとも一部で前記下側電極と部分的に重なるように形成されると共に、前記本体部の少なくとも一部を除いた前記本体部の他部において少なくとも部分的に前記下側電極とは重ならないように前記下地面上に形成されたスペーサ絶縁膜と
を備え、
前記スペーサ絶縁膜に開いた開口から露出した前記下地面上において、前記本体部の他部は、前記第１領域に形成され且つ前記第２領域に形成されておらず、
前記上側電極は、前記スペーサ絶縁膜における前記本体部の少なくとも一部と重なる部分上に少なくとも乗り上げるように延在し、且つ前記基板上で平面的に見て、前記スペーサ絶縁膜から露出する前記本体部の他部の表面に対して端面が前記誘電体膜を介して配置されるように、前記本体部に対して重ねて形成される
ことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記上側電極は、前記第２領域において少なくとも部分的に前記スペーサ絶縁膜の前記下地面上に形成された部分上に乗り上げるように延在することを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記スペーサ絶縁膜は、前記第２領域において、少なくとも部分的に前記基板上で平面的に見て前記上側電極と重ならないように前記下地面上に部分的に形成されており、
前記上側電極は、前記第１領域において、少なくとも部分的に前記スペーサ絶縁膜の開口から露出した前記下地面上に前記誘電体膜を介して形成されること
を特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記上側電極において、少なくとも前記下地面上に前記誘電体膜を介して形成された部分は金属材料を含んで形成されることを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記誘電体膜は、前記スペーサ絶縁膜の上層側に形成されていることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記誘電体膜は、前記スペーサ絶縁膜の下層側に形成されていることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記延設部は、前記基板上において前記上側電極より上層側に配置される導電膜と電気的に接続されるコンタクト部分を有することを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記表示用電極は前記上側電極より上層側に配置されており、
前記コンタクト部分は、前記表示用電極と電気的に接続されることを特徴とする請求項７に記載の電気光学装置。
【請求項９】
請求項１から８のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば液晶装置等の電気光学装置並びに該電気光学装置を備えて構成される液晶プロジェクタ等の電子機器の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の電気光学装置は、基板上の例えば画像表示がなされる領域である画素領域（若しくは画像表示領域）内において、画素毎に、画素電極と、該画素電極の選択的な駆動を行うための走査線、データ線、及び画素スイッチング用素子としてのＴＦＴ（Thin Film Transistor）とを備え、アクティブマトリクス駆動可能に構成される。また、高コントラスト化等を目的として、ＴＦＴと画素電極との間に蓄積容量が設けられることが一般的である。
【０００３】
このような蓄積容量に関して、例えば特許文献１では、下側電極の端面と上側電極の端面との層間距離をスペーサ絶縁膜によって増大させることで、上下電極の端面間に意図しない電流リーク（以下、単に「端面リーク」として説明することもある）が生じるのを防止する技術が開示されている。
【０００４】
また、特許文献１に開示された各画素の構成によれば、蓄積容量は、下側電極、誘電体膜、及び上側電極が順に積層されてなり、各画素の非開口領域内に走査線やデータ線、トランジスタ等と共に構築される。そして、蓄積容量の下側電極は、上側電極よりも上層側に配置される画素電極に電気的に接続され、電気光学装置の駆動時に画素電位側容量電極として機能する。下側電極と画素電極との電気的接続は下側電極より下層側に配置される中継電極を介することにより、上側電極の配置を避けて行うように構成されている。
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−２７６１１８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上述したような構成の電気光学装置では、例えば画素領域内で安定して高品位な画像表示を行うために、非開口領域という基板上の極限られた領域内で蓄積容量の容量値をなるべく大きく確保する必要がある。
【０００７】
また、下側電極と画素電極との電気的接続について、中継電極や層間絶縁膜に開孔されるコンタクトホールの配置に係るレイアウトの構成が複雑化し、画素の各種構成要素の配置に係る設計即ちレイアウト設計が複雑化し、これに伴い電気光学装置の製造プロセスも複雑化し、更には製造コストも増大するなどの各種問題が生じるおそれがある。
【０００８】
本発明は、例えば上記問題点に鑑みなされたものであり、限られた基板上の領域内で蓄積容量の容量値を向上させると共に、例えば画素のレイアウト設計を容易に行うことが可能な電気光学装置、及びそのような電気光学装置を具備してなる電子機器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の電気光学装置は、上記課題を解決するために、基板上に、互いに交差して延在するデータ線及び走査線と、前記データ線及び走査線の交差に対応して配置されたトランジスタと、下側電極、誘電体膜及び上側電極が順に積層されてなり、前記下側電極は、前記上側電極及び前記下側電極が前記誘電体膜を介して相対向する第１領域及び該第１領域を囲む周囲に位置する第２領域を部分的に含む領域に形成され、前記基板上で平面的に見て前記上側電極と重なる本体部と、前記第２領域に配置された前記本体部の少なくとも一部から前記上側電極と重ならないように延設された延設部とを有する蓄積容量と、該蓄積容量及び前記トランジスタに電気的に接続された表示用電極と、前記第２領域において前記下側電極の下地面よりも上層側であって前記上側電極よりも下層側に配置されており、前記基板上で平面的に見て、少なくとも前記本体部の少なくとも一部で前記下側電極と部分的に重なるように形成されると共に、前記本体部の少なくとも一部を除いた前記本体部の他部において少なくとも部分的に前記下側電極とは重ならないように前記下地面上に形成されたスペーサ絶縁膜とを備え、前記スペーサ絶縁膜に開いた開口から露出した前記下地面上において、前記本体部の他部は、前記第１領域に形成され且つ前記第２領域に形成されておらず、前記上側電極は、前記スペーサ絶縁膜における前記本体部の少なくとも一部と重なる部分上に少なくとも乗り上げるように延在し、且つ前記基板上で平面的に見て、前記スペーサ絶縁膜から露出する前記本体部の他部の表面に対して端面が前記誘電体膜を介して配置されるように前記本体部に対して重ねて形成される。
【００１０】
本発明の電気光学装置によれば、その動作時には、走査線に電気的に接続される各画素のトランジスタが選択されて駆動されると、表示用電極の一例としての画素電極に対してデータ線から供給されるデータ信号（例えば画像信号）がトランジスタを介して印加されることで、アクティブマトリクス駆動が可能である。この際、蓄積容量によって、画素電極における電位保持特性が向上し、表示の高コントラスト化が可能となる。
【００１１】
本発明の電気光学装置では特に、下側電極の本体部の少なくとも一部は、上側電極及び下側電極が誘電体膜を介して相対向する第１領域を囲む周囲に位置する第２領域に配置される。更に、蓄積容量に対してスペーサ絶縁膜が第２領域に形成される。より具体的には、スペーサ絶縁膜は、第２領域において、基板上で平面的に見て、下側電極に対して少なくとも本体部の少なくとも一部と重なるように形成される。そして、上側電極は、スペーサ絶縁膜の本体部の少なくとも一部と重なる部分上に少なくとも第２領域において乗り上げるように延在する。
【００１２】
尚、「本体部の少なくとも一部」とは、本体部において第２領域に配置された１以上の部分を意味する。即ち、本体部は１箇所以上で第２領域に配置されており、係る第２領域に配置された箇所の１以上の部分から延設された延設部が１以上形成されることとなる。また、スペーサ絶縁膜が「少なくとも本体部の少なくとも一部で下側電極と部分的に重なる」のうちの「少なくとも〜部分的に重なる」とは、スペーサ絶縁膜は、上記のように本体部において第２領域に配置される箇所の１以上の部分に対してのみ、基板上で平面的に見て部分的に重なるように形成されると共に、下側電極の延設部に対しては、重なるように配置されてもよいし、或いは重ならないように配置されてもよい構成を意図する。係る構成と同様の構成を、「本体部の他部において少なくとも部分的に下側電極とは重ならないように」のうちの「少なくとも部分的に」は意図する。即ち、この「少なくとも部分的に」については、スペーサ絶縁膜は、基板上で平面的に見て、本体部の他部において下側電極とは重ならないように形成されると共に、下側電極の延設部に対しては、重なるように配置されてもよいし、或いは重ならないように配置されてもよい構成を意図する。
【００１３】
よって、本体部の少なくとも一部と上側電極との間には、基板に垂直な方向に沿う断面内で、スペーサ絶縁膜が部分的に介在すると共に、上側電極の端面は第２領域において本体部の少なくとも一部上でスペーサ絶縁膜上に配置されることとなる。よって、本体部の少なくとも一部では、スペーサ絶縁膜の存在によって、スペーサ絶縁膜が存在していない場合と比較して、下側電極の端面と上側電極の端面との層間距離を増大させることが可能となる。これにより、端面リークの発生を阻止する或いは未然防止することができる。ここにいう「層間距離」とは、積層構造における基板に交わる方向或いは垂直方向である積層方向に沿った距離を意味する。
【００１４】
また、本体部の少なくとも一部上において、上側電極をエッチング等で切断する際に誘電体膜及び下側電極まで切断してしまうことを、スペーサ絶縁膜の存在によって、防止することができる。従って、上側電極の端面と下側電極の端面が層間絶縁膜等を介して近接配置されることによる端面リークの発生を防止することができる。
【００１５】
一方、下側電極における本体部の他部は、基板上で平面的に見てスペーサ絶縁膜とは重ならず、且つスペーサ絶縁膜の開口から露出した下側電極の下地面上に第１領域に配置されると共に第２領域には配置されない。
【００１６】
尚、スペーサ絶縁膜は、下側電極が形成された後に、典型的には基板の全面に、当該スペーサ絶縁膜の前駆膜が形成され、該前駆膜における蓄積容量を形成すべき領域を含む領域に、下側電極が露出するように例えばエッチング等を用いて開口が開けられることにより形成される。
【００１７】
よって、下側電極の本体部の他部の表面をスペーサ絶縁膜から露出させると共に、この表面に対して誘電体膜を介して上側電極が相対向するように配置される。よって、下側電極の本体部の他部に位置する端面までも利用することにより、容量面積をより大きく確保することが可能となる。従って、蓄積容量のそのものの基板上における配置面積を増大させることなしに、例えば各画素の非開口領域等の基板上の限られた領域内で容量値を向上させることが可能となる。尚、上側電極の端面はスペーサ絶縁膜から露出する本体部の他部の端面に対して誘電体膜を介して配置される。若しくは、上側電極は、本体部の他部上において第１領域から第２領域に延設されて、第２領域において、スペーサ絶縁膜上に乗り上げるように形成される。よって、上側電極の端面との近接配置による本体部の他部の端面における端面リークの発生をも防止することが可能である。
【００１８】
更には、下側電極において本体部の少なくとも一部から延設された延設部は、基板上で平面的に見て上側電極とは重ならないように形成されるため、上側電極の配置を避けて、上側電極より上層側に配置される導電膜との電気的接続を延設部において行うことが可能となる。よって、係る電気的接続を行うための各種構成要素の配置に係る構成を、既に説明したような先行技術と比較してより簡素化することができる。従って、画素のレイアウト設計をより容易に行うことが可能となる。
【００１９】
以上説明したような本発明の電気光学装置によれば、明るく且つ高コントラストな、高品位の画像表示を安定して行うことが可能となると共に、より容易に電気光学装置を製造することも可能となる。
【００２０】
本発明の電気光学装置の一態様では、前記上側電極は、前記第２領域において少なくとも部分的に前記スペーサ絶縁膜の前記下地面上に形成された部分上に乗り上げるように延在する。
【００２１】
この態様によれば、上側電極は、下側電極上において、基板上で平面的に見て本体部の他部と重なる第１領域から第２領域に延在し、第２領域において、少なくとも部分的に、スペーサ絶縁膜において本体部の他部と重ならないように形成された部分上に乗り上げる。これにより、第２領域において、上側電極の端面は少なくとも部分的にスペーサ絶縁膜において本体部の他部と重ならないように形成された部分上に配置されることとなる。尚、上側電極は、第２領域に延在させてスペーサ絶縁膜上に乗り上げて形成され、その端面の概ね全部がスペーサ絶縁膜上に配置されてもよいし、上側電極の一部が第２領域に延在されてスペーサ絶縁膜上に乗り上げるように形成され、他部は後述するように下側電極の下地面上に誘電体膜を介して形成されるようにしてもよい。
【００２２】
よって、この態様では、スペーサ絶縁膜から露出する本体部の他部の端面と、上側電極の端面とが近接配置されることによる端面リークの発生をより確実に防止することが可能となる。
【００２３】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記スペーサ絶縁膜は、前記第２領域において、少なくとも部分的に前記基板上で平面的に見て前記上側電極と重ならないように前記下地面上に部分的に形成されており、前記上側電極は、前記第１領域において、少なくとも部分的に前記スペーサ絶縁膜の開口から露出した前記下地面上に前記誘電体膜を介して形成される。
【００２４】
この態様によれば、上側電極は、下側電極上の第１領域において、基板上で平面的に見て本体部の他部と重なる部分から下側電極の下地面上に少なくとも部分的に延在して誘電体膜を介して形成される。そして、このように上側電極において下側電極の下地面上に延在する部分が基板上で平面的に見て、下側電極の下地面上に形成されたスペーサ絶縁膜と重ならないように配置される。従って、第１領域に位置する本体部の他部の端面は誘電体膜を介して上側電極と相対向し、且つ上側電極の端面は下側電極の下地面上に位置するため、本体部の他部の端面と、上側電極の端面とが近接配置されることによる端面リークの発生をより確実に防止することが可能となる。
【００２５】
また、このように上側電極のうち、基板上で平面的に見て本体部と重なる部分から本体部外に延在する部分について、該部分が第２領域に延在して、スペーサ絶縁膜に乗り上げる構成と比較して、基板面に対して垂直方向に沿う、当該部分と下側電極の下地面との間の距離をより小さくすることができる。従って、例えば、このような蓄積容量がトランジスタよりも上層側に配置される場合、基板上において、トランジスタに対してそれよりも上層側から入射する光のうち、上述したように上側電極の本体部外に延在する部分の下層側を通過して、トランジスタに基板に対して垂直をなす方向とは異なる方向から入射する光（以下、単に「斜め光」として説明することもある）を、該部分により少なくとも部分的に遮光することで、より低減することが可能となる。従って、トランジスタにおける光リーク電流の発生を、より確実に防止することができる。
【００２６】
この、上側電極の一部が下地面上に誘電体膜を介して形成される態様では、前記上側電極において、少なくとも前記下地面上に前記誘電体膜を介して形成された部分は金属材料を含んで形成されるように構成してもよい。
【００２７】
このように構成すれば、上側電極のうち下側電極の下地面上に誘電体膜を介して配置される部分の遮光性を向上させることが可能となる。
【００２８】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記誘電体膜は、前記スペーサ絶縁膜の上層側に形成されている。
【００２９】
この態様によれば、誘電体膜を例えばエッチング等で切断する際に、下側電極をオーバーエッチングしてしまうことを、スペーサ絶縁膜の存在によって、防止することができる。即ち、オーバーエッチングによって、下側電極の端面が露出してしまうことを防止することができる。従って、下側電極の端面及び上側電極の端面間の端面リークの発生を阻止する或いは未然防止することができる。
【００３０】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記誘電体膜は、前記スペーサ絶縁膜の下層側に形成されている。
【００３１】
この態様によれば、上側電極を例えばエッチング等で切断する際に、誘電体膜及び下側電極をオーバーエッチングしてしまうことを、スペーサ絶縁膜の存在によって、防止することができる。即ち、オーバーエッチングによって、下側電極の端面が露出してしまうことを防止することができる。従って、下側電極の端面及び上側電極の端面間の端面リークの発生を阻止する或いは未然防止することができる。
【００３２】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記延設部は、前記基板上において前記上側電極より上層側に配置される導電膜と電気的に接続されるコンタクト部分を有する。
【００３３】
この態様によれば、上側電極の配置を避けて、上側電極より上層側に配置される導電膜との電気的接続をコンタクト部分により行い、この導電膜及び延設部を電気的に接続させることができる。よって、係る電気的接続を行うための各種構成要素の配置に係る構成を、より簡素化することができる。
【００３４】
この、延設部がコンタクト部分を有する態様では、前記表示用電極は前記上側電極より上層側に配置されており、前記コンタクト部分は、前記表示用電極と電気的に接続されるように構成してもよい。
【００３５】
このように構成すれば、コンタクト部分を上側電極の配置を避けて例えば画素電極と電気的に接続することができるため、より簡易な画素構成により、電気光学装置の駆動時に下側電極を画素電位側容量電極として機能させることが可能となる。
【００３６】
本発明の電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置（但し、その各種態様も含む）を具備する。
【００３７】
本発明の電子機器は、上述した本発明の電気光学装置を具備してなるので、高品質な画像表示を行うことが可能な、投射型表示装置、テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。また、本発明の電子機器として、例えば電子ペーパなどの電気泳動装置、電子放出装置（Field Emission Display及びConduction Electron-Emitter Display）、これら電気泳動装置、電子放出装置を用いた装置としてＤＬＰ（Digital Light Processing）等を実現することも可能である。
【００３８】
本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施の形態から明らかにされる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３９】
以下では、本発明の各実施形態について図を参照しつつ説明する。以下の実施形態では、夫々、本発明の電気光学装置の一例である駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例にとる。
【００４０】
＜第１実施形態＞
本発明の第１実施形態に係る液晶装置について、図１から図７を参照して説明する。
【００４１】
先ず、本実施形態に係る液晶装置の全体構成について、図１及び図２を参照して説明する。
【００４２】
図１は、ＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に、対向基板の側から見た液晶装置の概略的な平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ´断面図である。
【００４３】
図１及び図２において、液晶装置は、対向配置されたＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とから構成されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間には液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、画素領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。
【００４４】
シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。また、例えばシール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔（基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材５６が散布されている。
【００４５】
シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画素領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。但し、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。
【００４６】
ＴＦＴアレイ基板１０上における、画素領域１０ａの周辺に位置する周辺領域には、データ線駆動回路１０１及びサンプリング回路７、走査線駆動回路１０４、外部回路接続端子１０２が夫々形成される。
【００４７】
ＴＦＴアレイ基板１０上における周辺領域において、シール領域より外周側に、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２が、ＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。また、ＴＦＴアレイ基板１０上の周辺領域のうちシール領域より内側に位置する領域には、ＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿う画素領域１０ａの一辺に沿って且つ額縁遮光膜５３に覆われるようにしてサンプリング回路７が配置される。
【００４８】
また、走査線駆動回路１０４は、ＴＦＴアレイ基板１０の一辺に隣接する２辺に沿い、且つ、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。更に、このように画素領域１０ａの両側に設けられた二つの走査線駆動回路１０４間を電気的に接続するため、ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺に沿い、且つ額縁遮光膜５３に覆われるようにして複数の配線１０５が設けられている。
【００４９】
また、ＴＦＴアレイ基板１０上の周辺領域において、対向基板２０の４つのコーナー部に対向する領域に、上下導通端子１０６が配置されると共に、このＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０間には上下導通材が上下導通端子１０６に対応して該端子１０６に電気的に接続されて設けられる。
【００５０】
図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上の画素領域１０ａには、画素スイッチング用素子としてのＴＦＴ（Thin Film Transistor）や走査線、データ線等の配線上に画素電極９ａが、更にその上から配向膜１６が形成されている。尚、本実施形態では、画素スイッチング素子はＴＦＴのほか、各種トランジスタ或いはＴＦＤ等により構成されてもよい。
【００５１】
他方、対向基板２０上の画素領域１０ａには、格子状又はストライプ状の遮光膜２３が形成され、この遮光膜２３上（図２中遮光膜２３より下側）に、液晶層５０を介して複数の画素電極９ａと対向する対向電極２１が形成され、更に、配向膜２２が形成される。
【００５２】
液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。そして、液晶装置の駆動時、夫々に電圧が印加されることで、画素電極９ａと対向電極２１との間には液晶保持容量が形成される。
【００５３】
尚、ここでは図示しないが、ＴＦＴアレイ基板１０上には、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４の他に、製造途中や出荷時の当該液晶装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等が形成されていてもよい。
【００５４】
尚、液晶装置は、ＬＣＯＳ（Liquid Crystal on Silicon）であってもよい。ＬＣＯＳは、単結晶Ｓｉ基板上にＣＭＯＳ構造のＭＯＳＦＥＴを形成し、その上に液晶層を形成するタイプの液晶ディスプレイである。一般的には、基板が光を透過しないのでＬＣＤモードは反射型となる。ＭＯＳＦＥＴは、画素部のスイッチング素子に用いられる他、データ線駆動回路等の周辺駆動回路や必要に応じて信号制御のコントロール回路にも用いられる場合がある。トランジスタの構造は、Ｓｉ基板にＬＳＩプロセスでｎ型及びｐ型のＭＯＳＦＥＴを形成するものである。反射型であることから、画素電極には、光の反射率向上のため、Ａｌ電極を用いることが多い。
【００５５】
次に、本実施形態に係る液晶装置の画素部における原理的構成について、図３を参照して説明する。
【００５６】
図３は、液晶装置の画素領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。
【００５７】
図３において、本実施形態に係る液晶装置の画素領域１０ａを構成するマトリクス状に形成された複数の画素には、それぞれ、画素電極９ａと当該画素電極９ａをスイッチング制御するためのＴＦＴ３０とが形成されており、画像信号が供給されるデータ線６ａが当該ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。
【００５８】
また、ＴＦＴ３０のゲートに走査線１１ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線１１ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイミングで書き込む。
【００５９】
画素電極９ａを介して電気光学物質の一例としての液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板２０に形成された対向電極２１との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として液晶装置からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射する。
【００６０】
ここで保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極９ａと対向電極２１との間に形成される液晶容量と電気的に並列に蓄積容量７０が付加されている。蓄積容量７０の一方の電極は、画素電極９ａと電気的に並列してＴＦＴ３０のドレインに接続され、他方の電極は、定電位となるように、電位固定の容量配線３００に接続されている。
【００６１】
次に、本実施形態に係る液晶装置の画素部の具体的な構成について、図４及び図５を参照して説明する。
【００６２】
図４は、相隣接する複数の画素部の平面図であり、図５は、図４のＡ−Ａ´断面図である。尚、図４及び図５では、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。この点については、図６以降の各図についても同様である。また、図４及び図５では、説明の便宜上画素電極９ａより上側に位置する部分の図示を省略している。
【００６３】
図４において、画素電極９ａは、ＴＦＴアレイ基板１０上に、マトリクス状に複数設けられている。画素電極９ａの縦横の境界にそれぞれ沿ってデータ線６ａ並びに走査線１１（即ち、走査線１１ａ及び１１ｂ）が設けられている。図４中、走査線１１ａ及び１１ｂは夫々Ｘ方向に沿って延びており、データ線６ａは走査線１１ａ及び１１ｂの各々と交差するように、Ｙ方向に沿って延びている。走査線１１ａ及びデータ線６ａが互いに交差する個所の夫々には画素スイッチング用のＴＦＴ３０が設けられている。
【００６４】
図４及び図５において、ＴＦＴ３０は、半導体層１ａ及びゲート電極３ａを含んで構成されている。
【００６５】
半導体層１ａは、例えばポリシリコンからなり、チャネル領域１ａ´、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ、並びに高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅからなる。即ち、ＴＦＴ３０はＬＤＤ構造を有している。低濃度ソース領域１ｂ、低濃度ドレイン領域１ｃ、高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅは、例えばイオンインプランテーション法等の不純物打ち込みによって半導体層１ａに不純物を打ち込んでなる不純物領域である。このような不純物領域によれば、ＴＦＴ３０の非動作時において、ソース領域及びドレイン領域に流れるオフ電流を低減し、且つＴＦＴ３０の動作時に流れるオン電流の低下を抑制できる。尚、ＴＦＴ３０は、ＬＤＤ構造を有することが好ましいが、低濃度ソース領域１ｂ、低濃度ドレイン領域１ｃに不純物打ち込みを行わないオフセット構造であってもよいし、ゲート電極３ａをマスクとして不純物を高濃度に打ち込んで高濃度ソース領域及び高濃度ドレイン領域を形成する自己整合型であってもよい。
【００６６】
図４及び図５に示すように、ゲート電極３ａは、走査線１１ａの一部として形成されており、例えば導電性ポリシリコンから形成されている。走査線１１ａは、図４中Ｘ方向に沿って延びる本線部分と共に、ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ´のうち該本線部分が重ならない領域と重なるようにＹ方向に沿って本線部分から延在する部分を有している。このような走査線１１ａのうちチャネル領域１ａ´と重なる部分がゲート電極３ａとして機能する。図５に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０の基板面に対して垂直をなす方向で、ゲート電極３ａ及び半導体層１ａ間は、ゲート絶縁膜２（より具体的には、２層の絶縁膜２ａ及び２ｂ）によって絶縁されている。
【００６７】
図４及び図５において、図５中で半導体層１ａより下層側に配置されたゲート電極３ｂは、走査線１１ｂの一部として形成されている。即ち、本実施形態では、例えば、半導体層１ａの上層側及び下層側に２種の走査線１１ａ及び１１ｂが設けられる。半導体層１ａより下層側の走査線１１ｂは、平面的にみて、図４中でＸ方向に沿うようにパターニングされた本線部と、該本線部からＹ方向に沿って延在する部分を有している。このような走査線１１ｂのうちチャネル領域１ａ´と重なる部分が半導体層１ａより下層側でゲート電極３ｂとして機能する。このように、本実施形態では、例えばＴＦＴ３０は、ダブルゲート構造を有している。このような構成によれば、仮に半導体層１ａよりも上層側又は下層側の一方だけにゲート電極が形成される場合と比較して、ＴＦＴ３０のオン電流を大きくすることができる。
【００６８】
走査線１１ｂは、例えばタングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、チタンナイトライド（ＴｉＮ）等の高融点金属材料等の遮光性の導電材料により、半導体層１ａよりも下層側に形成されることにより、ＴＦＴアレイ基板１０に対する戻り光のうち、ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ´に入射する光を低減することができる。
【００６９】
図５に示すように、半導体層１ａより下層側の走査線１１ｂ及び半導体層１ａ間は、下地絶縁膜１２によって絶縁されている。下地絶縁層１２は、走査線１１ｂからＴＦＴ３０を絶縁する機能の他、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成されることにより、ＴＦＴアレイ基板１０の表面の研磨時における荒れや、洗浄後に残る汚れ等で画素スイッチング用のＴＦＴ３０の特性の劣化を防止する機能を有する。
【００７０】
図５において、ＴＦＴアレイ基板１０上のＴＦＴ３０よりも層間絶縁膜４１を介して上層側には、蓄積容量７０が設けられている。
【００７１】
蓄積容量７０は、下側電極７１及び上側電極３００が誘電体膜７５を介して対向配置されることにより形成されている。
【００７２】
上側電極３００は、図４及び図５中にはその詳細な構成については図示を省略するが、画素電極９ａが配置された画素領域１０ａからその周囲に例えば延設され、定電位源と電気的に接続されることにより、固定電位に維持されて、固定電位側容量電極として機能するように構成される。上側電極３００は、例えばＡｌ（アルミニウム）、Ａｇ（銀）等の金属又は合金を含んだ非透明な金属膜から形成されており、ＴＦＴ３０に入射する光を遮光可能な上側遮光膜（内蔵遮光膜）としても機能し得る。上側電極３００は、例えば、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｐｄ（パラジウム）等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等から構成されていてもよい。
【００７３】
下側電極７１は、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅ及び画素電極９ａに電気的に接続され、画素電位側容量電極として機能するように構成される。より具体的には、下側電極７１は、コンタクトホール８３を介して高濃度ドレイン領域１ｅと電気的に接続されると共に、コンタクトホール８４を介して中継層９３に電気的に接続されている。更に、中継層９３は、コンタクトホール８５を介して画素電極９ａに電気的に接続されている。即ち、下側電極７１は、中継層９３と共に高濃度ドレイン領域１ｅ及び画素電極９ａ間の電気的な接続を中継する。下側電極７１は、例えば導電性のポリシリコンから形成される。尚、下側電極７１は、画素電位側容量電極としての機能の他、上側遮光膜としての上側電極３００とＴＦＴ３０との間に配置される、光吸収層或いは遮光膜として機能し得る。
【００７４】
誘電体膜７５は、例えばＨＴＯ（High Temperature Oxide）膜、ＬＴＯ（Low Temperature Oxide）膜等の酸化シリコン膜、或いは窒化シリコン膜等から構成された単層構造、或いは多層構造を有している。
【００７５】
ここに、図５に示すように、本実施形態では蓄積容量７０と同層にスペーサ絶縁膜４９が配置されるが、その詳細な構成については後述する。
【００７６】
図５において、ＴＦＴアレイ基板１０上の蓄積容量７０よりも層間絶縁膜４２を介して上層側には、データ線６ａ及び中継層９３が設けられている。
【００７７】
データ線６ａは、半導体層１ａの高濃度ソース領域１ｄに、層間絶縁膜４１、スペーサ絶縁膜４９及び層間絶縁膜４２を貫通して形成されたコンタクトホール８１を介して電気的に接続されている。データ線６ａ及びコンタクトホール８１内部は、例えば、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ、Ａｌ−Ｃｕ等のＡｌ（アルミニウム）含有材料、又はＡｌ単体、若しくはＡｌ層とＴｉＮ層等との多層膜からなる。データ線６ａは、ＴＦＴ３０を遮光する遮光膜としても機能し得る。
【００７８】
中継層９３は、層間絶縁膜４２上においてデータ線６ａと同層に、且つ例えば同一膜により形成される。従って、液晶装置の製造時、データ線６ａ及び中継層９３を同一工程で形成できるため、装置の製造プロセスを簡便にできる。
【００７９】
図５において、画素電極９ａは、データ線６ａよりも層間絶縁膜４３を介して上層側に形成されている。画素電極９ａは、下側電極７１、コンタクトホール８３、８４及び８５、並びに中継層９３を介して半導体層１ａの高濃度ドレイン領域１ｅに電気的に接続されている。コンタクトホール８５は、層間絶縁層４３を貫通するように形成された孔部の内壁にＩＴＯ等の画素電極９ａを構成する導電材料が成膜されることによって形成されている。画素電極９ａの上側表面には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜１６が設けられている。
【００８０】
以上に説明した画素部の構成は、図４に示すように、各画素部に共通である。画素領域１０ａ（図１参照）には、かかる画素部が周期的に形成されていることになる。他方、このような液晶装置では、画素領域１０ａの周囲に位置する周辺領域に、図１及び図２を参照して説明したように、走査線駆動回路１０４及びデータ線駆動回路１０１等の駆動回路が形成されている。
【００８１】
続いて、本実施形態において特徴的なスペーサ絶縁膜４９の構成について、図６及び図７を参照して説明する。
【００８２】
図６は、蓄積容量の上側電極及び下側電極とスペーサ絶縁膜との配置関係の一例を示す平面図であり、図７は、図６のＢ−Ｂ´断面部分に対応する蓄積容量の構成を示す断面図である。尚、図７に示す蓄積容量７０の断面部分は、図５の断面部分に対応する。そして、図７では、蓄積容量、特に図５の点線Ｃ１及びＣ２で囲まれた部分に着目してその構成を詳細に示してあり、その他の部分について、図５と同様の構成については簡略化してコンタクトホール８３や８４等については図示を省略して示してある。この点については、後述する図８又は図１０について同様である。
【００８３】
図６又は図７に示すように、蓄積容量７０において、下側電極７１は、蓄積容量７０の容量形成に部分的に機能する本体部７１ａと、蓄積容量７０を構成しない他部として形成される延設部７１ｂとを有する。また、蓄積容量７０において、第１領域は、上側電極３００及び下側電極７１が誘電体膜７５を介して相対向し、容量形成が可能な領域である。一方、第１領域を囲む周囲に位置する第２領域は、蓄積容量７０の容量形成に殆ど或いは全く寄与しない領域であり、蓄積容量７０に対してスペーサ絶縁膜４９が配置される領域である。
【００８４】
下側電極７１における本体部７１ａは、第１領域と第２領域を部分的に含む領域とに形成され、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て上側電極７１ａと重なるように形成されると共に、第２領域に配置された本体部７１ａの少なくとも一部から上側電極３００と重ならないように延設部７１ｂが連続的に延設される。
【００８５】
そして、第２領域において、スペーサ絶縁膜４９は、下側電極７１の下地面（即ち層間絶縁膜４１の蓄積容量７０に面する側の表面）よりも上層側であって上側電極３００よりも下層側に配置される。より具体的には、スペーサ絶縁膜４９は、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、少なくとも本体部７１ａの少なくとも一部で下側電極７１と重なるように形成される。例えば、図６或いは図５又は図７の点線Ｃ２で囲まれた部分において、本体部７１ａのうち第２領域に配置される部分に対して、スペーサ絶縁膜４９は下側電極７１と少なくとも部分的に重なるように形成される。尚、スペーサ絶縁膜４９は、図５から図７に示すように、本体部７１ａの一部に加えて延設部７１ｂに対しても重なるように連続的に形成されてもよいし、延設部７１ｂには重ならないように形成されてもよい。
【００８６】
また、図６或いは図５又は図７の点線Ｃ２で囲まれた部分において、上側電極３００は、第２領域においてスペーサ絶縁膜４９における本体部７１ａの一部と重なる部分上に少なくとも乗り上げるように延在する。より具体的には、係る点線Ｃ２で囲まれた部分において、上側電極３００の端面が少なくとも部分的にスペーサ絶縁膜４９上に位置するように、上側電極３００がスペーサ絶縁膜４９上乗り上げて形成される。
【００８７】
よって、図５又は図７の点線Ｃ２で囲まれた部分について、第２領域において、本体部７１ａの一部と上側電極３００との間には、ＴＦＴアレイ基板１０の基板面に対して垂直をなす方向に沿う積層方向で、スペーサ絶縁膜４９が部分的に介在すると共に、上側電極３００の端面は第２領域において本体部７１ａの一部上でスペーサ絶縁膜４９上に配置されることとなる。よって、第２領域に位置する本体部の一部７１ａでは、スペーサ絶縁膜４９の存在によって、スペーサ絶縁膜４９が存在していない場合と比較して、下側電極７１の端面と上側電極３００の端面との層間距離Ｄ１を増大させることが可能となる。これにより、端面リークの発生を阻止する或いは未然防止することができる。
【００８８】
図５又は図７に示すように、本実施形態では特に、誘電体膜７５は、第２領域において、ＴＦＴアレイ基板１０上でスペーサ絶縁膜４９の上層側に形成されている。よって、液晶装置の製造時、このように第２領域に配置される本体部７１ａの一部上において、上側電極３００及び誘電体膜７５をエッチング等で切断する際に下側電極７１まで切断してしまうことを、スペーサ絶縁膜４９の存在によって、防止することができる。従って、上側電極３００の端面と下側電極７１の端面が層間絶縁膜４２等を介して近接配置されることによる端面リークの発生を阻止する或いは未然防止することができる。
【００８９】
更に、本実施形態では特に、下側電極７１における延設部７１ｂは、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て上側電極３００とは重ならないように形成されているため、上側電極３００の配置を避けて、上側電極３００より上層側に配置される導電膜との電気的接続を延設部７１ｂにおいて行うことが可能となる。即ち、下側電極７１の延設部７１ｂは、図６又は図５に示すコンタクトホール８４を介して、中継層９３と電気的に接続されるコンタクト部分７１ｂｃを有しており、係る電気的接続により、画素電極９ａと電気的に接続される。
【００９０】
よって、画素電極９ａと下側電極７１との電気的接続を行うための各種構成要素の配置に係る構成を、既に説明したような先行技術と比較してより簡素化することができる。従って、画素のレイアウト設計をより容易に行うことが可能となる。
【００９１】
尚、本実施形態では、図４又は図６に示されるように、下側電極７１の本体部７１ａは、第２領域に一箇所以上が配置されると共に、第２領域に配置される１以上の部分から延設部が１以上形成されるようにしてもよい。
【００９２】
一方、図５から図７に示すように、下側電極７１の本体部７１ａにおいて、上述したように第２領域に配置される部分以外の他部は、以下のように第１領域に配置される。即ち、スペーサ絶縁膜４９は、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、本体部７１ａの他部において少なくとも部分的に下側電極７１とは重ならないように、第２領域において下側電極７１の下地面上に形成される。よって、本体部７１ａの他部は、第１領域に配置され且つ第２領域には配置されないと共に、スペーサ絶縁膜４９の開口４９ｈから露出した下側電極７１の下地面上に配置される。
【００９３】
また、このようにスペーサ絶縁膜４９から露出する本体部７１ａの他部の表面に対して、上側電極３００は、その端面が誘電体膜７５を介して配置されるように、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、本体部７１ａの他部に対して重ねて形成される。特に、図５又は図７における点線Ｃ１で囲まれる部分において、上側電極３００は、第２領域において少なくとも部分的にスペーサ絶縁膜４９上に乗り上げるように第１領域から連続的に延在する。よって、係る点線Ｃ１で囲まれる部分について、上側電極３００の端面は少なくとも部分的に第２領域においてスペーサ絶縁膜４９上に配置される。
【００９４】
従って、例えば、図５又は図７における点線Ｃ１で囲まれる部分に着目すれば、下側電極７１の本体部７１ａの他部に位置する端面までも利用することにより、蓄積容量７０の容量面積をより大きく確保することが可能となる。従って、蓄積容量７０そのもののＴＦＴアレイ基板１０上における配置面積を増大させることなしに、例えば各画素の非開口領域等のＴＦＴアレイ基板１０上の限られた領域内で容量値を向上させることが可能となる。
【００９５】
また、積層方向で見て、上側電極３００の端面と本体部７１ａの他部の端面との間に誘電体膜７５を介し、更には上側電極３００の端面が第２領域において少なくとも部分的にスペーサ絶縁膜４９上に配置されるため、本体部７１ａの他部の端面についても、上側電極３００の端面との近接配置による端面リークの発生を防止することが可能である。
【００９６】
以上説明したような本実施形態の液晶装置によれば、明るく且つ高コントラストな、高品位の画像表示を安定して行うことが可能となると共に、より容易に電気光学装置を製造することも可能となる。
【００９７】
以下では、本実施形態の液晶装置の変形例について、図８を参照して説明する。図８は、第１実施形態の変形例に係る蓄積容量について、図７に対応する断面部分の構成を示す断面図である。
【００９８】
図８において、誘電体膜７５は、第２領域において、ＴＦＴアレイ基板１０上でスペーサ絶縁膜４９の下層側に形成されるようにしてもよい。このように構成すれば、液晶装置の製造時、第２領域において、上側電極３００を例えばエッチング等で切断する際に、誘電体膜７５及び下側電極７１の両方をオーバーエッチングしてしまうことを、スペーサ絶縁膜４９の存在によって、防止することができる。即ち、オーバーエッチングによって、下側電極７１の端面が露出してしまうことを防止することができる。従って、下側電極７１の端面及び上側電極３００の端面間の端面リークの発生をより確実に阻止する或いは未然防止することができる。
【００９９】
＜第２実施形態＞
本発明の第２実施形態に係る液晶装置について、図９及び図１０を参照して説明する。
【０１００】
第２実施形態に係る液晶装置は、上述した第１実施形態に係る液晶装置と比較して、蓄積容量について上側電極及びスペーサ絶縁膜の配置関係が部分的に異なる構成を有する。よって、第１実施形態と異なる点についてのみ、図９及び図１０を参照して説明し、第１実施形態と同様の構成については図１から図７を参照して説明すると共に重複する説明を省略することもある。
【０１０１】
図９は、第２実施形態における図６と同趣旨の平面図であり、図１０は、図７に対応する蓄積容量の断面部分の構成を示す断面図である。
【０１０２】
図９又は図１０に示すように、本実施形態では特に、蓄積容量７０において、スペーサ絶縁膜４９は、第２領域において、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、本体部７１ａの他部において少なくとも部分的に下側電極７１とは重ならないように形成されると共に、少なくとも部分的に上側電極３００とも重ならないように、下側電極７１の下地面上に部分的に形成される。
【０１０３】
より具体的には、例えば、図１０の点線Ｃ１で囲まれる部分について、第２領域においてスペーサ絶縁膜４９は少なくとも部分的に上側電極３００とは重ならないように配置される。そして、スペーサ絶縁膜４９におけるこのように配置される部分の開口４９ｈから露出する下側電極７１の下地面上に、上側電極３００は、第１領域において、平面的に見て本体部７１ａの他部と重なる部分から、本体部７１ａとは重ならない本体部７１ａ外の領域に延在して、少なくとも部分的に誘電体膜７５を介して形成される。
【０１０４】
尚、第２実施形態では、例えば、上側電極３００において、その一部が第１領域から第２領域に延設されて図６又は図７を参照して説明したようにスペーサ絶縁膜４９上に乗り上げるように形成され、他部が第１領域内で下側電極７１の下地面上に誘電体膜７５を介して形成されるようにしてもよい。
【０１０５】
従って、第２実施形態では、例えば図１０の点線Ｃ１で囲まれる部分について、第１領域に位置する本体部７１ａの他部の端面は誘電体膜７５を介して上側電極３００と相対向し、且つ上側電極３００の端面は第１領域において本体部７１ａ外に位置するため、本体部７１ａの他部の端面と、上側電極３００の端面とが近接配置されることによる端面リークの発生をより確実に防止することが可能となる。
【０１０６】
ここで、図７に示す点線Ｃ１で囲まれる部分について、上側電極３００において第２領域においてスペーサ絶縁膜４９上に延在する部分は、下側電極７１の下地面との間の距離Ｄ２が、図１０に示す上側電極３００において、第１領域において本体部７１ａ外に延設された部分の構成と比較して大きくなる。言い換えれば、図７に示す第１実施形態では、点線Ｃ１で囲まれる部分について、上側電極３００の端部と下側電極７１の下地面との間の距離Ｄ２は、仮にスペーサ絶縁膜４９がない場合と比較して、スペーサ絶縁膜４９の膜厚分だけ大きくなっている。従って、図７において一点鎖線の矢印で示すように、ＴＦＴアレイ基板１０上において、ＴＦＴ３０に対してそれよりも上層側から入射する光のうち、上側電極３００の第２領域に延在する部分の下層側を通過して、ＴＦＴ３０に対して入射する斜め光により、液晶装置の駆動時に光リーク電流が発生し易くなるおそれがある。
【０１０７】
これに対して、第２実施形態では、図１０に示す点線Ｃ１で囲まれる部分について、上側電極３００は、第１領域においてスペーサ絶縁膜４９とは重ならないように本体部７１ａ外に延在し、下側電極７１の下地面上に配置される。言い換えれば、図１０に示す第２実施形態では、点線Ｃ１で囲まれる部分について、上側電極３００の端部と下側電極７１の下地面との間の距離は、図７を参照して上述した第１実施形態と比較して、スペーサ絶縁膜４９の膜厚分だけ小さくなっている。よって、図１０において一点鎖線の矢印で示すように、ＴＦＴアレイ基板１０上において、ＴＦＴ３０に対してそれよりも上層側から入射する光のうち、ＴＦＴ３０に対して入射する斜め光を少なくとも部分的に上側電極３００の本体部７１ａ外に延在する当該部分によって遮光することで、より低減することが可能となる。
【０１０８】
更に、本実施形態では特に、下側電極７１及び上側電極３００の各々は、金属膜から形成されている。よって、上述したようなＴＦＴ３０に対する遮光性をより向上させることができる。尚、下側電極７１及び上側電極３００の各々は、ポリシリコン又はシリサイドで且つ互いに同一の材料により形成されてもよいし、下側電極７１がポリシリコンにより形成され且つ上側電極３００がシリサイド又は金属により形成されてもよい。いずれの場合にも、上述したようなＴＦＴ３０に対する遮光性を相応に向上させることができる。
【０１０９】
以上説明したような第２実施形態では、液晶装置の各画素においてＴＦＴ３０における光リーク電流の発生をより確実に防止することが可能となる。
【０１１０】
＜電子機器＞
次に、上述した電気光学装置である液晶装置を各種の電子機器に適用する場合について説明する。以下では、この液晶装置をライトバルブとして用いたプロジェクタについて説明する。
【０１１１】
図１１は、プロジェクタの構成例を示す平面図である。
【０１１２】
図１１に示されるように、プロジェクタ１１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設けられている。このランプユニット１１０２から射出された投射光は、ライトガイド１１０４内に配置された４枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲＧＢの３原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇに入射される。
【０１１３】
液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇの構成は、上述した液晶装置と同等であり、画像信号処理回路から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ駆動されるものである。そして、これらの液晶パネルによって変調された光は、ダイクロイックプリズム１１１２に３方向から入射される。このダイクロイックプリズム１１１２においては、Ｒ及びＢの光が９０度に屈折する一方、Ｇの光が直進する。従って、各色の画像が合成される結果、投射レンズ１１１４を介して、スクリーン等にカラー画像が投写されることとなる。
【０１１４】
ここで、各液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇによる表示像について着目すると、液晶パネル１１１０Ｇによる表示像は、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂによる表示像に対して左右反転することが必要となる。
【０１１５】
尚、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇには、ダイクロイックミラー１１０８によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するので、カラーフィルタを設ける必要はない。
【０１１６】
尚、図１１を参照して説明した電子機器の他にも、モバイル型のパーソナルコンピュータや、携帯電話、液晶テレビ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等が挙げられる。そして、これらの各種電子機器に適用可能なのは言うまでもない。
【０１１７】
また、本発明は上述の各実施形態で説明した液晶装置以外にも反射型液晶装置（ＬＣＯＳ）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）、電界放出型ディスプレイ（ＦＥＤ、ＳＥＤ）、有機ＥＬディスプレイ、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）、電気泳動装置等にも適用可能である。
【０１１８】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、特許請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置、及び該電気光学装置を備えてなる電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【０１１９】
【図１】液晶装置の概略的な平面図である。
【図２】図１のＨ−Ｈ´断面図である。
【図３】液晶装置の複数の画素部の等価回路図である。
【図４】相隣接する複数の画素部の平面図である。
【図５】図４のＡ−Ａ´断面図である。
【図６】蓄積容量の上側電極及び下側電極とスペーサ絶縁膜との配置関係の一例を示す平面図である。
【図７】図６のＢ−Ｂ´断面部分に対応する蓄積容量の構成を示す断面図である。
【図８】第１実施形態の変形例に係る蓄積容量について、図７に対応する断面部分の構成を示す断面図である。
【図９】第２実施形態における図６と同趣旨の平面図である。
【図１０】図７に対応する蓄積容量の断面部分の構成を示す断面図である。
【図１１】電気光学装置を適用した電子機器の一例たるプロジェクタの構成を示す平面図である。
【符号の説明】
【０１２０】
６ａ…データ線、９ａ…画素電極、１０…ＴＦＴアレイ基板、１１ａ、１１ｂ…走査線、３０…ＴＦＴ、４９…スペーサ絶縁膜、７０…蓄積容量、７１…下側電極、７１ａ…本体部、７１ｂ…延設部、７５…誘電体膜、３００…上側電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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