(57)【要約】【課題】従来に比べて生産効率を向上させて、効率良く半導体装置を製造できるとともに、下地膜の不所望なエッチング等を防止して高性能な半導体装置を歩留まり良く製造することのできる半導体装置の製造方法等を提供する。【解決手段】半導体ウエハＷを処理チャンバー内の載置台に載置し、レジストマスク１０４を介してＳｉＯ2膜１０３をエッチングするプラズマエッチング処理工程を行った後、同一の処理チャンバー内でレジストマスク１０４を除去するアッシング処理工程を行う。アッシング処理工程では、プラズマエッチング処理工程より半導体ウエハＷの温度が高くなるように、半導体ウエハＷの温度制御を行う。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理基板を処理チャンバー内の載置台に載置し、レジストマスクを介してプラズマエッチング処理工程を行った後、同一の前記処理チャンバー内で前記レジストマスクを除去するアッシング処理工程を行う半導体装置の製造方法であって、
前記アッシング処理工程において、前記プラズマエッチング処理工程より前記被処理基板の温度が高くなるように、前記被処理基板の温度制御を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置の製造方法であって、
前記被処理基板の温度制御は、前記載置台と前記被処理基板の裏面との間に供給するバックサイドガスの供給圧を減少させることによって行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１記載の半導体装置の製造方法であって、
前記被処理基板の温度制御は、前記載置台と前記被処理基板の裏面との間に供給するバックサイドガスの供給を停止し、前記載置台と前記被処理基板の裏面との間を真空状態とすることによって行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項２項記載の半導体装置の製造方法であって、
前記バックサイドガスの供給圧を、当該バックサイドガスの供給エリア毎に変更して前記アッシング処理工程のアッシング処理の面内均一性を制御することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１〜４いずれか１項記載の半導体装置の製造方法であって、
前記プラズマエッチング処理工程においてシリコン酸化膜をプラズマエッチングすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項５項記載の半導体装置の製造方法であって、
前記シリコン酸化膜の下層に、金属膜又はシリコン窒化膜が形成されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
被処理基板を収容する処理チャンバーと、
前記処理チャンバー内にエッチングガス及びアッシングガスを供給する処理ガス供給手段と、
前記処理ガス供給手段から供給された前記エッチングガス及び前記アッシングガスをプラズマ化して前記被処理基板を処理するプラズマ生成手段と、
前記処理チャンバー内で請求項１から請求項６いずれか１項記載の半導体装置の製造方法が行われるように制御する制御部と
を備えたことを特徴とする半導体装置の製造装置。
【請求項８】
コンピュータ上で動作し、実行時に、請求項１から請求項６いずれか１項記載の半導体装置の製造方法が行われるように半導体装置の製造装置を制御することを特徴とする制御プログラム。
【請求項９】
コンピュータ上で動作する制御プログラムが記憶されたコンピュータ記憶媒体であって、
前記制御プログラムは、実行時に請求項１から請求項６いずれか１項記載の半導体装置の製造方法が行われるように半導体装置の製造装置を制御することを特徴とするコンピュータ記憶媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマエッチング処理工程とアッシング処理工程とを同一の処理チャンバー内で行う半導体装置の製造方法、半導体装置の製造装置、制御プログラム及びコンピュータ記憶媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、半導体装置の製造工程においては、レジストマスクを介してプラズマエッチング処理を行い、絶縁膜等を所望のパターンに形成することが行われている。また、このようなプラズマエッチング処理を行った後のレジストマスクを、酸素ガスを使用したアッシング処理によって除去することも知られている。
【０００３】
また、プラズマエッチング技術では、エッチング処理の途中で、被処理基板を載置台上に静電吸着する静電チャックの電圧を増大させることによって、被処理基板を温度制御された載置台により強く吸着し、これによって、被処理基板の温度を低下させるよう変更させる技術が知られている（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開平７−３３５５７０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記のような半導体装置の製造工程では、さらに、生産効率を向上させて、効率良く半導体装置を製造できるようにすることが要求されている。そこで、本発明者等は、レジストマスクを介して絶縁膜等のプラズマエッチング処理を行った処理チャンバー内で、引き続いてレジストマスクを除去するアッシング処理を行うことを試みてきた。
【０００５】
しかしながら、上記したとおり、レジストマスクを介して絶縁膜等のプラズマエッチング処理を行った処理チャンバー内で、引き続いてレジストマスクを除去するアッシング処理工程を行うと、下地層である金属膜や窒化シリコン膜等が不所望にエッチングされてしまい、製造される半導体装置の性能の低下等を招いたり、歩留まりの低下を招く可能性があるという問題があることが判明した。
【０００６】
本発明は、上記従来の事情に対処してなされたもので、従来に比べて生産効率を向上させて、効率良く半導体装置を製造できるとともに、下地膜の不所望なエッチング等を防止して高性能な半導体装置を歩留まり良く製造することのできる半導体装置の製造方法、半導体装置の製造装置、制御プログラム及びコンピュータ記憶媒体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
請求項１の半導体装置の製造方法は、被処理基板を処理チャンバー内の載置台に載置し、レジストマスクを介してプラズマエッチング処理工程を行った後、同一の前記処理チャンバー内で前記レジストマスクを除去するアッシング処理工程を行う半導体装置の製造方法であって、前記アッシング処理工程において、前記プラズマエッチング処理工程より前記被処理基板の温度が高くなるように、前記被処理基板の温度制御を行うことを特徴とする。
【０００８】
請求項２の半導体装置の製造方法は、請求項１記載の半導体装置の製造方法であって、前記被処理基板の温度制御は、前記載置台と前記被処理基板の裏面との間に供給するバックサイドガスの供給圧を減少させることによって行うことを特徴とする。
【０００９】
請求項３の半導体装置の製造方法は、請求項１記載の半導体装置の製造方法であって、前記被処理基板の温度制御は、前記載置台と前記被処理基板の裏面との間に供給するバックサイドガスの供給を停止し、前記載置台と前記被処理基板の裏面との間を真空状態とすることによって行うことを特徴とする。
【００１０】
請求項４の半導体装置の製造方法は、請求項２項記載の半導体装置の製造方法であって、前記バックサイドガスの供給圧を、当該バックサイドガスの供給エリア毎に変更して前記アッシング処理工程のアッシング処理の面内均一性を制御することを特徴とする。
【００１１】
請求項５の半導体装置の製造方法は、請求項１〜４いずれか１項記載の半導体装置の製造方法であって、前記プラズマエッチング処理工程においてシリコン酸化膜をプラズマエッチングすることを特徴とする。
【００１２】
請求項６の半導体装置の製造方法は、請求項５項記載の半導体装置の製造方法であって、前記シリコン酸化膜の下層に、金属膜又はシリコン窒化膜が形成されていることを特徴とする。
【００１３】
請求項７記載の半導体装置の製造装置は、被処理基板を収容する処理チャンバーと、前記処理チャンバー内にエッチングガス及びアッシングガスを供給する処理ガス供給手段と、前記処理ガス供給手段から供給された前記エッチングガス及び前記アッシングガスをプラズマ化して前記被処理基板を処理するプラズマ生成手段と、前記処理チャンバー内で請求項１から請求項６いずれか１項記載の半導体装置の製造方法が行われるように制御する制御部とを備えたことを特徴とする。
【００１４】
請求項８の制御プログラムは、コンピュータ上で動作し、実行時に、請求項１から請求項６いずれか１項記載の半導体装置の製造方法が行われるように半導体装置の製造装置を制御することを特徴とする。
【００１５】
請求項９のコンピュータ記憶媒体は、コンピュータ上で動作する制御プログラムが記憶されたコンピュータ記憶媒体であって、前記制御プログラムは、実行時に請求項１から請求項６いずれか１項記載の半導体装置の製造方法が行われるように半導体装置の製造装置を制御することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、従来に比べて生産効率を向上させて、効率良く半導体装置を製造できるとともに、下地膜の不所望なエッチング等を防止して高性能な半導体装置を歩留まり良く製造することのできる半導体装置の製造方法、半導体装置の製造装置、制御プログラム及びコンピュータ記憶媒体を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。図１は、本実施形態に係る半導体装置の製造方法における被処理基板としての半導体ウエハの断面構成を拡大して示すものである。また、図２は、本実施形態に係る半導体装置の製造装置としてのプラズ処理装置の構成を示すものである。まず、図２を参照してプラズマ処理装置の構成について説明する。
【００１８】
プラズマ処理装置は、気密に構成され、電気的に接地電位とされた処理チャンバー１を有している。この処理チャンバー１は、円筒状とされ、例えばアルミニウム等から構成されている。処理チャンバー１内には、被処理基板である半導体ウエハＷを水平に支持する載置台２が設けられている。載置台２は例えばアルミニウム等で構成されており、絶縁板３を介して導体の支持台４に支持されている。また、載置台２の上方の外周には、例えば単結晶シリコンで形成されたフォーカスリング５が設けられている。
【００１９】
載置台２には、マッチングボックス１１を介してＲＦ電源１０が接続されている。ＲＦ電源１０からは所定周波数（例えば１３．５６ＭＨｚ）の高周波電力が載置台２に供給されるようになっている。一方、載置台２の上方には、載置台２と平行に対向するように、シャワーヘッド１６が設けられており、このシャワーヘッド１６は接地されている。したがって、これらの載置台２とシャワーヘッド１６は、一対の電極として機能するようになっている。
【００２０】
載置台２の上面には、半導体ウエハＷを静電吸着するための静電チャック６が設けられている。この静電チャック６は絶縁体６ｂの間に電極６ａを介在させて構成されており、電極６ａには直流電源１２が接続されている。そして電極６ａに直流電源１２から直流電圧が印加されることにより、クーロン力によって半導体ウエハＷが吸着されるよう構成されている。
【００２１】
載置台２の内部には、図示しない冷媒流路が形成されており、その中に適宜の冷媒を循環させることによって、載置台２を所定の温度に制御可能となっている。また、載置台２等を貫通するように、半導体ウエハＷの裏面側にヘリウムガス等の冷熱伝達用ガス（バックサイドガス）を供給するためのバックサイドガス供給配管３０ａ、３０ｂが設けられており、これらのバックサイドガス供給配管３０ａ、３０ｂは、バックサイドガス（ヘリウムガス）供給源３１に接続されている。なお、バックサイドガス供給配管３０ａは、半導体ウエハＷの中央部分にバックサイドガスを供給し、バックサイドガス供給配管３０ｂは、半導体ウエハＷの周縁部分にバックサイドガスを供給するように構成されている。そして、バックサイドガスの圧力を、半導体ウエハＷの中央部分と周縁部分とで、供給エリア毎に別々に制御できるように構成されている。これらの構成によって、載置台２の上面に静電チャック６によって吸着保持された半導体ウエハＷを、所定の温度に制御可能となっている。
【００２２】
また、上記したフォーカスリング５の外側には排気リング１３が設けられている。排気リング１３は支持台４を通して処理チャンバー１と導通している。
【００２３】
上記したシャワーヘッド１６は、処理チャンバー１の天壁部分に設けられている。シャワーヘッド１６は、その下面に多数のガス吐出孔１８が設けられており、かつその上部にガス導入部１６ａを有している。そして、その内部には空間１７が形成されている。ガス導入部１６ａにはガス供給配管１５ａが接続されており、このガス供給配管１５ａの他端には、エッチング用の処理ガス（エッチングガス）及びアッシング用の処理ガス（アッシングガス）を供給する処理ガス供給系１５が接続されている。
【００２４】
処理ガス供給系１５から供給される処理ガスは、ガス供給配管１５ａ、ガス導入部１６ａを介してシャワーヘッド１６内部の空間１７に至り、ガス吐出孔１８から半導体ウエハＷに向けて吐出される。
【００２５】
処理チャンバー１の下部には、排気ポート１９が形成されており、この排気ポート１９には排気系２０が接続されている。そして排気系２０に設けられた真空ポンプを作動させることにより処理チャンバー１内を所定の真空度まで減圧することができるようになっている。一方、処理チャンバー１の側壁には、ウエハＷの搬入出口を開閉するゲートバルブ２４が設けられている。
【００２６】
処理チャンバー１の周囲には、同心状に、リング磁石２１が配置されており、載置台２とシャワーヘッド１６との間の空間に磁界を及ぼすようになっている。このリング磁石２１は、図示しないモータ等の回転手段により回転可能となっている。
【００２７】
上記構成のプラズマ処理装置は、制御部６０によって、その動作が統括的に制御される。この制御部６０には、ＣＰＵを備えプラズマ処理装置の各部を制御するプロセスコントローラ６１と、ユーザインタフェース６２と、記憶部６３とが設けられている。
【００２８】
ユーザインタフェース６２は、工程管理者がプラズマ処理装置を管理するためにコマンドの入力操作を行うキーボードや、プラズマ処理装置の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等から構成されている。
【００２９】
記憶部６３には、プラズマ処理装置で実行される各種処理をプロセスコントローラ６１の制御にて実現するための制御プログラム（ソフトウエア）や処理条件データ等が記憶されたレシピが格納されている。そして、必要に応じて、ユーザインタフェース６２からの指示等にて任意のレシピを記憶部６３から呼び出してプロセスコントローラ６１に実行させることで、プロセスコントローラ６１の制御下で、プラズマ処理装置での所望の処理が行われる。また、制御プログラムや処理条件データ等のレシピは、コンピュータで読取り可能なコンピュータ記憶媒体（例えば、ハードディスク、ＣＤ、フレキシブルディスク、半導体メモリ等）などに格納された状態のものを利用したり、或いは、他の装置から、例えば専用回線を介して随時伝送させてオンラインで利用したりすることも可能である。
【００３０】
このように構成されたプラズマ処理装置で、半導体ウエハＷに形成されたシリコン酸化膜等をプラズマエッチング及びプラズマアッシングする手順について説明する。まず、ゲートバルブ２４が開かれ、半導体ウエハＷが図示しない搬送ロボット等により、図示しないロードロック室を介して処理チャンバー１内に搬入され、載置台２上に載置される。この後、搬送ロボットを処理チャンバー１外に退避させ、ゲートバルブ２４を閉じる。そして、排気系２０の真空ポンプにより排気ポート１９を介して処理チャンバー１内が排気される。
【００３１】
処理チャンバー１内が所定の真空度になった後、処理チャンバー１内には処理ガス供給系１５から所定の処理ガス（エッチングガス）が導入され、処理チャンバー１内が所定の圧力、例えば６．６５Ｐａ（５０ｍTorr）に保持され、この状態でＲＦ電源１０から載置台２に、周波数が例えば１３．５６ＭＨｚ、パワーが例えば１００〜５０００Ｗの高周波電力が供給される。このとき、直流電源１２から静電チャック６の電極６ａに所定の直流電圧が印加され、半導体ウエハＷはクーロン力により吸着される。
【００３２】
この場合に、上述のようにして下部電極である載置台２に高周波電力が印加されることにより、上部電極であるシャワーヘッド１６と下部電極である載置台２との間には電界が形成される。一方、処理チャンバー１の上部にはリング磁石２１により水平磁界が形成されているから、半導体ウエハＷが存在する処理空間には電子のドリフトによりマグネトロン放電が生じ、それによって形成された処理ガスのプラズマにより、半導体ウエハＷ上に形成されたシリコン酸化膜等がエッチング処理される。所定のエッチング処理が終了すると、次に処理ガス供給系１５からの処理ガスがエッチングガスからアッシングガスに切り替えられ、所定のアッシング処理が行われる。
【００３３】
そして、上記したエッチング処理及びアッシング処理が終了すると、高周波電力の供給及び処理ガスの供給が停止され、上記した手順とは逆の手順で、半導体ウエハＷが処理チャンバー１内から搬出される。
【００３４】
次に、図１を参照して、本実施形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。図１（ａ）〜（ｃ）は、本実施形態における被処理基板としての半導体ウエハＷの要部構成を拡大して示すものである。同図において、１０１は、半導体ウエハを構成するシリコン基板を示している。シリコン基板１０１上には、ＴｉＳｉ膜１０２が形成されており、このＴｉＳｉ膜１０２の上には、絶縁膜であるＳｉＯ2膜１０３が形成されている。また、このＳｉＯ2膜１０３の上には、所定パターンの開口部１０５が形成されたレジストマスク１０４が形成されている。
【００３５】
そして、半導体ウエハＷを図２に示した装置の処理チャンバー1内に収容し、載置台２に載置して、図１（ａ）に示す状態から、レジストマスク１０４を介してＳｉＯ2膜１０３のプラズマエッチングを行い、図１（ｂ）に示すように、ＳｉＯ2膜１０３にホール１０６を形成する。このプラズマエッチングには、例えば、Ｃ4Ｆ8、Ａｒ、Ｎ2の混合ガス等からなるエッチングガスを使用する。
【００３６】
次に、半導体ウエハＷを処理チャンバー1内に収容したまま、図１（ｂ）に示す状態から、レジストマスク１０４のアッシングを行い、図１（ｃ）に示すように、レジストマスク１０４を除去する。このアッシングには、例えば、Ｏ2の単ガスからなるアッシングガスを使用する。また、このアッシング処理工程では、上記したプラズマエッチング処理工程より半導体ウエハＷの温度が高くなるように、温度制御を行う。この温度制御としては、アッシング処理工程において、バックサイドガス供給源３１から半導体ウエハＷと載置台２との間に供給されるバックサイドガスのガス圧を減少させる、又は、バックサイドガスの供給を停止することによって行うことができる。なお、上記の説明では、ＳｉＯ2膜１０３の下地膜としてＴｉＳｉ膜１０２が形成されている場合について説明しているが、下地膜は、他の金属膜でもよく、例えば、アルミ膜やタングステンシリサイド膜、或いは、金属膜以外のシリコン窒化膜等の場合についても、同様にして適用することができる。
【００３７】
実施例として、図２に示したプラズマ処理装置を使用し、図１に示した構造の半導体ウエハに、上記したプラズマエッチング処理工程、及びアッシング処理工程を以下に示すようなレシピにより実施した。
【００３８】
なお、以下に示される実施例の処理レシピは、制御部６０の記憶部６３から読み出されて、プロセスコントローラ６１に取り込まれ、プロセスコントローラ６１がプラズマ処理装置の各部を制御プログラムに基づいて制御することにより、読み出された処理レシピ通りのプラズマエッチング処理工程、及びアッシング処理工程が実行される。
【００３９】
（プラズマエッチング処理条件）
エッチングガス：Ｃ4Ｆ8／Ａｒ／Ｎ2＝２０／５００／７５  ｓｃｃｍ
圧力：６．６５Ｐａ（５０ｍTorr）
電力：１３００Ｗ
温度（天井部及び側壁部／載置台）：６０／２０℃
バックサイドガス圧力（中央部／周縁部）：
１３３３／１９９９Ｐａ（１０／１５Torr）
処理時間：１９４秒
【００４０】
（アッシング処理条件）
アッシングガス：Ｏ2＝５００  ｓｃｃｍ
圧力：２６．６Ｐａ（２００ｍTorr）
電力：３００Ｗ
温度（天井部及び側壁部／載置台）：６０／２０℃
バックサイドガス圧力（中央部／周縁部）：０／０Ｐａ
処理時間：６０秒
【００４１】
上記実施例では、アッシング処理工程において、バックサイドガスの供給を停止し、バックサイドガス圧力をゼロとすることによって、半導体ウエハＷの温度制御を行った。この実施例において、アッシング処理工程終了後に、ホール１０６の底部における下地膜であるＴｉＳｉ膜１０２の膜厚を測定した結果、ＴｉＳｉ膜１０２の膜厚が、平均で１１．８ｎｍ減少していた。一方、比較例として、上記のアッシング工程におけるバックサイドガス（Ｈｅガス）圧力を、エッチング工程と同一である（中央部／周縁部）：１３３３／１９９９Ｐａ（１０／１５Torr）に変更した以外は、上記の実施例と同一の条件で処理を行った。この比較例では、下地膜であるＴｉＳｉ膜１０２の膜厚が、平均で２３．５ｎｍ減少していた。
【００４２】
以上のとおり、上記実施例では、比較例の場合に比べて、下地膜であるＴｉＳｉ膜１０２の減少量を１／２以下とすることができた。また、上記実施例では、プラズマエッチング工程からアッシング工程に切り替える際に、バックサイドガス圧力を変更するだけであるので、その設定の変更を瞬時に行うことができ、かかる変更のみによって、実質的にアッシング工程中の半導体ウエハＷの温度を、プラズマエッチング工程中の温度より高くすることができる。
【００４３】
なお、上記したとおり、載置台の温度設定（載置台に循環させる冷媒の設定温度）は、２０℃となっているが、プラズマエッチング中は、半導体ウエハＷがプラズマに晒されるため、実際の半導体ウエハＷの温度は、２０℃より数十度程度高い温度（例えば８０℃程度）となっている。また、上記実施例におけるアッシング工程では、バックサイドガス圧力をゼロとしているため、実際の半導体ウエハＷの温度は、プラズマエッチング工程より更に数十度高い温度（例えば１００℃以上）となっている。
【００４４】
ここで、仮にバックサイドガス圧力ではなく、載置台の温度設定（載置台に循環させる冷媒の設定温度）を変更しようとすると、その変更に時間がかかり、また、次の半導体ウエハＷの処理を開始する場合に、再度エッチング処理の際の設定温度に変更しなければならないため、この際にも設定温度の変更に時間がかかってしまう。このため、載置台の温度設定を変更すると、生産効率が低下し、スループットの低下を招いてしまう。
【００４５】
また、半導体ウエハＷを載置台に吸着する静電チャックの電圧を下げて吸着力を弱くすることによっても、若干の温度調整を行うことができる。しかしながら、この場合の温度調整範囲は、バックサイドガス圧力を調整する場合に比べて小さく、また、吸着力を低下させることによって、半導体ウエハＷの吸着不良を生じさせるおそれがある。
【００４６】
これに対して、バックサイドガス圧力を調整することによって半導体ウエハＷの温度制御を行う上記した実施形態では、瞬時に切り替えを行うことができ、また、温度調整範囲も大きく、半導体ウエハＷの吸着不良を生じさせることもない。なお、上記実施例では、アッシング処理におけるバックサイドガス圧力を、中央部、周縁部共にゼロとしているが、必ずしもゼロとする必要はなく、適宜バックサイドガス圧力をエッチング処理時とアッシング処理時で変更することにより、半導体ウエハＷの温度制御を行うことができる。また、バックサイドガス圧力を、中央部と、周縁部とで異なる値に制御することにより、アッシング処理における処理の面内均一性を調整することができる。
【００４７】
ところで、上記の比較例のようにアッシング工程において下地膜のエッチングが進行するのは、例えば、レジストマスク等に吸着していた堆積物等が乖離して下地膜にエッチャントとして作用するためと考えられる。そして、アッシング工程で半導体ウエハＷの温度を上げることにより、ホール内の底部の下地膜にこのようなエッチャントが作用する確率を減少させることができるため、下地膜の減少量を抑制できるものと推測される。
【００４８】
以上説明したとおり、本実施形態によれば、エッチング処理に続いてアッシング処理を同一の処理チャンバー内で行うことにより、従来に比べて生産効率を向上させて、効率良く半導体装置を製造できる。これとともに、下地膜の不所望なエッチングを防止することができ、高性能な半導体装置を歩留まり良く製造することができる。なお、本発明は上記の実施形態及び実施例に限定されるものではなく、各種の変形が可能である。例えば、プラズマ処理装置は、図２に示した平行平板型の下部１周波印加型に限らず、上下２周波印加型のプラズマ処理装置や、下部２周波印加型のプラズマ処理装置等の他、各種のプラズマ処理装置を使用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明の半導体装置の製造方法の実施形態に係る半導体ウエハの断面構成を示す図。
【図２】本発明の実施形態に係る半導体装置の製造装置の概略構成を示す図。
【符号の説明】
【００５０】
１０１……シリコン基板、１０２……ＴｉＳｉ膜、１０３……ＳｉＯ2膜、１０４……レジストマスク。
【図１】
2008181996.tif 000003
【図２】
2008181996.tif 000004