(57)【要約】【課題】発振周波数変更機能を備えた発振器において、不揮発性メモリからデータを読み出す際に発振周波数が変更されることなく安定的に読み出すことができる。【解決手段】ＬＳＩの外部に設けられた不揮発性メモリ１５に、発振回路１３から発振されるクロック信号の周波数を変更するための周波数設定値が記憶されており、その周波数設定値が、発振回路１３から発振される初期設定された周波数のクロック信号によって読み出されると、ダミーレジスタ１１に格納される。不揮発性メモリ１５からデータが全て読み出されてロード動作完了信号が出力されると、ダミーレジスタ１１から記憶レジスタ１２へ周波数設定値が格納され、発振回路１３の発振周波数が周波数設定値とされる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
発振周波数が変更可能になった発振回路と、
該発振回路の発振周波数を変更するための周波数設定値および他の各種設定値が記憶された外部の不揮発性メモリから、前記発振回路から発振されるクロック信号によって読み出された前記周波数設定値を格納するダミーレジスタと、
前記ダミーレジスタに格納された前記周波数設定値および前記不揮発性メモリに記憶された前記各種設定値が格納される記憶レジスタとを備え、
前記ダミーレジスタに格納された前記周波数設定値は、前記不揮発性メモリに記憶された前記各種設定値の読み出しが全て終了した後に、前記記憶レジスタに格納されることを特徴とする発振器。
【請求項２】
前記不揮発性メモリから前記周波数設定値および前記各種設定値を読み出す不揮発性メモリインターフェース回路をさらに有する請求項１に記載の発振器。
【請求項３】
前記記憶レジスタには、前記不揮発性メモリから前記周波数設定値および前記各種設定値を読み出すための前記クロック信号の発振周波数の初期値が予め設定されている請求項１に記載の発振器。
【請求項４】
前記ダミーレジスタに格納された前記周波数設定値が、前記記憶レジスタに設定された前記初期値と置き換えられる請求項３に記載の発振器。
【請求項５】
前記記憶レジスタは、リセット信号によって初期状態にリセットされる請求項４に記載の発振器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、不揮発性メモリが接続された集積回路（ＬＳＩ）に設けられる発振器に関し、さらに詳述すれば、発振周波数変更機能を備えた発振器に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置に設けられる集積回路（ＬＳＩ）には、半導体装置が所定の機能を実行するためのクロックパルスを発振する発振器が設けられている。この発振器には、周波数変更機能を有する発振回路が設けられており、また、発振回路の発振周波数を変更設定するための設定値等を記憶するための記憶レジスタも設けられている。最近では、ＬＳＩの微細化技術が向上していることから、半導体装置におけるユーザーからの多機能化に対する要求を満足させるために、発振器の内部に設けられた記憶レジスタの容量を増大させて、ＬＳＩの外部に設けられたＣＰＵなどの中央演算処理回路からの命令によって、記憶レジスタに所定の設定値を記憶させるようになっている。
【０００３】
しかしながら、ＬＳＩの外部に設けられたＣＰＵから命令によって記憶レジスタに設定値の設定を行うシステムにおいては、記憶レジスタの容量が増大すると、記憶レジスタに多くの設定値を記憶させる必要があり、ＣＰＵに多大な負担を強いることになる。特に、ＬＳＩの起動時には、ＣＰＵの命令のターゲットとなるＬＳＩにおいて記憶レジスタに対して設定値の設定が終了するまで、ＣＰＵがその設定処理のために占有されるために、ＣＰＵによって他の処理を行うことができなくなるという問題がある。
【０００４】
このような問題を解決するために、ＣＰＵによって記憶レジスタに設定値を設定する構成に代えて、ＬＳＩに対してＥＥＰＲＯＭなどの不揮発性メモリを付加して、この不揮発性メモリに、記憶レジスタに記憶される設定値を予め記憶させる構成が採用されている。このような構成では、ＬＳＩの起動時に、不揮発性メモリに記憶された設定値を記憶レジスタに記憶させればよいために、ＣＰＵの負担を軽減させることが可能になる。不揮発性メモリには、発振器によって発振されるクロック信号の周波数を変更設定される周波数設定値も記憶されている。
【０００５】
図２は、発振器が設けられた従来のＬＳＩの要部構成を説明するためのブロック図である。図２に示すＬＳＩには、各種設定値が記憶された不揮発性メモリ２５が接続されている。ＬＳＩの内部に設けられた発振器２０には、記憶レジスタ２２と、発振周波数変更機能を備えた発振回路２３と、不揮発性メモリインターフェース（Ｉ／Ｆ）回路２４とが設けられている。
【０００６】
記憶レジスタ２２には、発振回路２３から発振されるクロック信号の周波数の初期値が予め設定されており、ＬＳＩの起動時には、その初期値によって、発振回路２３から発振されるクロック信号の周波数が設定される。発振回路２３から出力されるクロック信号は、不揮発性メモリ２５から各種設定値を読み出す際の基準クロック信号として用いられる。
【０００７】
不揮発性メモリ２５には、発振回路２３から発振されるクロック信号の周波数を変更設定するための周波数設定値も予め記憶されている。
【０００８】
不揮発性メモリＩ／Ｆ回路２４は、不揮発性メモリ２５に記憶された周波数設定値およびその他の各種設定値を読み出して、記憶レジスタ２３に格納する。
【０００９】
ＬＳＩは、例えば、液晶パネルに電圧を印加して駆動する液晶表示装置に使用される。液晶表示装置に使用されるＬＳＩでは、発振器２０から発振されるクロック信号は、液晶パネルを駆動する駆動電圧を生成するための昇圧回路にて昇圧電圧を生成するために使用される。また、表示データを液晶ドライバへ転送させるための転送用のクロック信号としても使用される。
【００１０】
このような構成のＬＳＩでは、起動時に、発振器２０の発振回路２３が、記憶レジスタ２２に初期値として設定されている所定の周波数のクロック信号を発振し、そのクロック信号によって、不揮発性メモリＩ／Ｆ回路２４が、ＬＳＩの外部に設けられた不揮発性メモリ２５にアクセスし、不揮発性メモリ２５に記憶された周波数設定値および各種設定値を読み出す。不揮発性メモリＩ／Ｆ回路２４にて読み出された周波数設定値および各種設定値は、発振器２０内部に設けられた記憶レジスタ２２に格納される。
【００１１】
不揮発性メモリ２５に記憶された周波数設定値および各種設定値が記憶レジスタ２２に格納されると、不揮発性メモリＩ／Ｆ回路２４は、ロード動作完了信号を記憶レジスタ２２に出力する。発振回路２３は、このロード動作完了信号に基づいて、記憶レジスタ２２に格納された周波数を変更するための周波数設定値を読み出して、発振されるクロック信号の周波数を、その設定値となるように変更する。その後は、発振器２０は、周波数が変更されたクロック信号を発振し、半導体装置は、そのクロック信号に基づいて所定の機能を実行する。
【００１２】
なお、記憶レジスタ２２にリセット信号（図示せず）が入力されると、記憶レジスタ２２に記憶された設定値は初期値にリセットされる。
【００１３】
また、特許文献１（特開２００６−５４９１３号公報）には、発振周波数変更機能を備えた発振器において、周波数設定値が変更されて発振周波数が不安定な期間は、発振動作を停止させるか、または発振信号を出力させないように制御する構成が開示されている。
【特許文献１】特開２００６−５４９１３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
図２に示されたＬＳＩでは、発振器２０における発振回路２３が、初期値の周波数に設定された基準クロック信号を発振して、不揮発性メモリ２５に記憶された周波数設定値および各種設設定値を読み出している間に、不揮発性メモリ２５から周波数を変更設定するための設定値が記憶レジスタ２２に格納（ロード）されると、ロード動作完了信号が出力される前であっても、発振回路２３から発振されるクロック信号の周波数が記憶レジスタ２２に格納された設定値に変更されるおそれがある。
【００１５】
このとき、不揮発性メモリＩ／Ｆ回路２４が不揮発性メモリ２５に記憶された設定値の読み出しを継続していると、周波数が変更されたクロック信号によって不揮発性メモリ２５に記憶された設定値が読み出されることになる。この場合、発振回路２３から発振されるクロック信号の周波数が、不揮発性メモリ２５から設定値を読み出すための基準クロック信号の周波数と大きく異なっていると、不揮発性メモリ２５から各種設定値を正常に読み出すことができず、読み出し不良が発生する危険性が高くなる。システムの起動時に、誤った設定値が不揮発性メモリ２５から読み出されて記憶レジスタ２２に記憶されると、システムの暴走等の不具合を引き起す原因になる。
【００１６】
特許文献１に記載された構成では、発振器の周波数の変更を入力信号によって変更する構成になっており、不揮発性メモリに記憶されたデータを記憶レジスタに記憶する構成とは関係がない。従って、記憶レジスタに記憶された周波数設定値によって発振回路の周波数が変更されるおそれがなく、不揮発性メモリからのータの読み出し不良が発生することを防止することができるものではない。
【００１７】
本発明は、上記従来の問題を解決するものであり、不揮発性メモリに記憶された各種データを記憶レジスタに記憶させる場合にも、発振回路の周波数が変更されることを確実に防止することができ、不揮発性メモリからの読み出し動作を安定的に実施することができる発振器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
本発明の発振器は、発振周波数が変更可能になった発振回路と、該発振回路の発振周波数を変更するための周波数設定値および他の各種設定値が記憶された外部の不揮発性メモリから、前記発振回路から発振されるクロック信号によって読み出された前記周波数設定値を格納するダミーレジスタと、前記ダミーレジスタに格納された前記周波数設定値および前記不揮発性メモリに記憶された前記各種設定値が格納される記憶レジスタとを備え、
前記ダミーレジスタに格納された前記周波数設定値は、前記不揮発性メモリに記憶された前記各種設定値の読み出しが全て終了した後に、前記記憶レジスタに格納されることを特徴とし、そのことにより上記目的が達成される。
【００１９】
好ましくは、前記不揮発性メモリから前記周波数設定値および前記各種設定値を読み出す不揮発性メモリインターフェース回路をさらに有する。
【００２０】
好ましくは、前記記憶レジスタには、前記不揮発性メモリから前記周波数設定値および前記各種設定値を読み出すための前記クロック信号の発振周波数の初期値が予め設定されている。
【００２１】
好ましくは、前記ダミーレジスタに格納された前記周波数設定値が、前記記憶レジスタに設定された前記初期値と置き換えられる。
【００２２】
好ましくは、前記記憶レジスタは、リセット信号によって初期状態にリセットされる。
【発明の効果】
【００２３】
本発明の発振器では、発振されるクロック信号の周波数を変更設定するための設定値が、ダミーレジスタに記憶されることから、不揮発性メモリに記憶された設定値を読み出すためのクロック信号の周波数が、その設定値を読み出している間に変更されるおそれがなく、不揮発性メモリに記憶された設定値を安定的に読み出すことができる。その結果、システムの暴走等の不具合が発生することを確実に防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下に、本発明の実施形態について、図面に基づいて説明する。
【００２５】
図１は、本発明の実施形態に係るＬＳＩに内蔵された発振器１０の要部構成を示すブロック図である。なお、ＬＳＩには、不揮発性メモリ１５が接続されている。
【００２６】
図１において、ＬＳＩに内蔵された発振器１０は、ダミーレジスタ１１と、記憶レジスタ１２と、発振周波数変更機能を備えた発振回路１３と、不揮発性メモリインターフェース（Ｉ／Ｆ）回路１４とを備えている。
【００２７】
不揮発性メモリＩ／Ｆ回路１４は、不揮発性メモリ１５に接続されており、不揮発性メモリ１５と、発振回路１３、記憶レジスタ１２およびダミーレジスタ１１のそれぞれとが、不揮発性メモリＩ／Ｆ回路１４によって接続されている。
【００２８】
発振回路１３は、記憶レジスタ１２に記憶された周波数の設定値によって設定された周波数のクロック信号を出力する。発振回路１３から出力されるクロック信号は、不揮発性メモリＩ／Ｆ回路１４に出力されるとともに、記憶レジスタ１２およびダミーレジスタ１１にも出力されるようになっている。
【００２９】
記憶レジスタ１２には、発振回路２３から発振されるクロック信号の周波数の初期値が設定値Ａとして予め設定されており、ＬＳＩの起動時には、その初期値によって、発振回路１３から発振されるクロック信号の周波数が設定される。
【００３０】
不揮発性メモリＩ／Ｆ回路１４は、ＬＳＩの起動時に、発振回路１３から出力される所定の周波数の基準クロック信号によって不揮発性メモリ１５にアクセスして、不揮発性メモリ１５に記憶された各種設定値を読み出す。
【００３１】
発振器１０が内蔵されたＬＳＩは、例えば液晶表示装置に用いられる。液晶表示装置には、液晶パネルを駆動させる駆動電圧を生成するための昇圧回路、液晶パネルを駆動するための液晶ドライバ等が設けられており、発振器１０の発振回路１３は、昇圧回路によって昇圧電圧を得るためのクロック信号を発生させるために、また、表示データを液晶ドライバへ転送させる転送用クロック信号を発生させるために用いられる。不揮発性メモリ１５には、昇圧電圧を得るためのクロック信号を発振回路１３から発振されるクロック信号の分周によって生成するための分周比設定値、表示データを液晶ドライバへ転送させる転送用クロック信号を発振回路１３から発振されるクロック信号の分周によって生成するための分周比設定値、その他の各種設定値が予め記憶されている。なお、不揮発性メモリ１５に記憶された所定の周波数設定値Ｂが、不揮発性メモリ１５からの設定値の読み出しが終了した時点で、発振回路１３から発振されるクロック信号の周波数として設定されるものとする。発振回路１３から発振されるクロック信号の周波数は、周波数設定値Ｂのみにより決定されるものとする。
【００３２】
このような構成のＬＳＩでは、発振器１０に設けられた発振回路１３が、ＬＳＩの起動時に、記憶レジスタ１２に予め記憶されたクロック信号の周波数の初期値である設定値Ａを読み出して、読み出された設定値Ａの周波数の基準クロック信号を不揮発性メモリＩ／Ｆ回路１４に出力する。不揮発性メモリＩ／Ｆ回路１４は、発振回路１３から出力される基準クロック信号に同期して、不揮発性メモリ１５に予め設定された周波数設定値Ｂおよび各種設定値を読み出す。この場合、不揮発性メモリＩ／Ｆ回路１４は、不揮発性メモリ１５から周波数設定値Ｂを読み出すと、読み出された周波数設定値Ｂを、記憶レジスタ１２ではなく、ダミーレジスタ１１に出力してダミーレジスタ１１に格納する。
【００３３】
不揮発性メモリ１５から読み出された周波数設定値Ｂ以外の各種設定値は、記憶レジスタ１２に格納される。従って、記憶レジスタ１２には、周波数設定値Ｂは格納されず、その結果、発振回路１３は、不揮発性メモリ１５から設定値を読み出す際に、基準クロック信号の周波数が変更されるおそれがなく、不揮発性メモリ１５に記憶された各種設定値を安定的に読み出すことができる。
【００３４】
このようにして、不揮発性メモリ１５から各種設定値の全てが読み出されると、不揮発性メモリＩ／Ｆ回路１４は、不揮発性メモリ１５に記憶された全ての設定値が読み出されたことを示すロード動作完了信号を記憶レジスタ１２に出力する。記憶レジスタ１２にロード動作完了信号が出力されることにより、ダミーレジスタ１１に記憶されたクロック信号の周波数設定値Ｂが読み出されて、記憶レジスタ１２に予め設定されたクロック信号の周波数の設定値Ａを、ダミーレジスタ１１から読み出された周波数設定値Ｂに置き換えて格納する。これにより、発振回路１３から発振されるクロック信号の周波数は、記憶レジスタ１２にて記憶された周波数設定値Ｂに変更され、発振回路１３からは、周波数設定値Ｂの周波数のクロック信号が発振される。
【００３５】
なお、記憶レジスタ１２にリセット信号が入力されると、記憶レジスタ１２の記憶内容は、初期値として設定された設定値Ａにリセットされる。
【００３６】
このように、発振回路１３から発振されるクロック信号の周波数を記憶する記憶レジスタ１２は、不揮発性メモリ１５に記憶された設定値のデータが全て読み出された後に、初期値である設定値Ａから、所定の周波数設定値Ｂに変更されるために、不揮発性メモリ１５に記憶された各種設定値を読み出す際に、記憶レジスタ１２から周波数設定値Ｂが発振回路１３に出力されるおそれがなく、不揮発性メモリ１５に記憶された設定値のデータは、予め設定された所定の周波数設定値Ａの周波数の基準クロック信号によって、安定的に、かつ、正確に読み出される。その結果、不揮発性メモリ１５に記憶された設定値のデータが誤って読み出されて記憶レジスタ１２に誤った設定値が設定されることによってシステムが暴走する等の不具合が発生することを確実に防止することができる。
【００３７】
以上のように、本発明の好ましい実施形態を用いて本発明を例示してきたが、本発明は、この実施形態に限定して解釈されるべきものではない。本発明は、特許請求の範囲によってのみその範囲が解釈されるべきであることが理解される。当業者は、本発明の具体的な好ましい実施形態の記載から、本発明の記載および技術常識に基づいて等価な範囲を実施することができることが理解される。本明細書において引用した特許、特許出願および文献は、その内容自体が具体的に本明細書に記載されているのと同様にその内容が本明細書に対する参考として援用されるべきであることが理解される。
【産業上の利用可能性】
【００３８】
本発明は、液晶表示装置などに用いられるＬＳＩに内蔵される発振周波数変更機能を備えた発振器において、不揮発性メモリに記憶された設定値を読み出すためのクロック信号の周波数が、その設定値を読み出している間に変更されるおそれがなく、不揮発性メモリから安定してデータを読み出すことができる。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】本発明の実施形態に係るＬＳＩにおける発振器の要部構成を示す図である。
【図２】従来のＬＳＩにおける発振器の要部構成を示す図である。
【符号の説明】
【００４０】
１０  発振器
１１  ダミーレジスタ
１２  記憶レジスタ
１３  発振回路
１４  不揮発性メモリ用インターフェース（Ｉ／Ｆ）回路
１５  不揮発性メモリ
【図１】
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【図２】
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