(57)【要約】【課題】絶縁層と導電層とを有する高周波トランスにおいて、製造過程に起因する、一次コイルと二次コイルとの電磁的結合の精度悪化の低減を目的とするものである。【解決手段】第１の誘電体層１６と、コイル部１７Ａ、１７Ｂを有する第１のコイル層１７と、第２の誘電体層１８と、コイル部１９Ａ、１９Ｂを有する第２のコイル層１９と、絶縁層２０と、接地層２１と、第３の誘電体層２２と、コイル部２３Ａ、２３Ｂを有する第３のコイル層２３と、第４の誘電体層２４と、コイル部２５Ａ、２５Ｂを有する第４のコイル層２５とによって形成した積層体で、第１の誘電体層１６、第２の誘電体層１８、第３の誘電体層２２、第４の誘電体層２４と絶縁層２０とは有機物により構成したものである。【選択図】図１
2008147537.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の誘電体層と、
この第１の誘電体層上に形成したコイル部を有する第１のコイル層と、
この第１のコイル層上に形成した第２の誘電体層と、
この第２の誘電体層上に形成したコイル部を有する第２のコイル層と、
この第２のコイル層上に形成した絶縁層と、
この絶縁層上に形成した接地層と、
この接地層上に形成した第３の誘電体層と、
この第３の誘電体層上に形成したコイル部を有する第３のコイル層と、
この第３のコイル層上に形成した第４の誘電体層と、
この第４の誘電体層上に形成したコイル部を有する第４のコイル層と、
この第４のコイル層上に形成した第５の誘電体層とによって形成した積層体に、
一つの入力端子と、
二つの出力端子と、
少なくとも一つの接地端子とを設け、
前記第１、第２、第３、第４のコイル層のそれぞれのコイル部は一次側コイルと二次側コイルとからなり、
この一次側コイルと二次側コイルとは一部で平行結合し、
前記入力端子は前記第１から第４のコイル層のいずれかの一つの前記一次側コイルに接続し、
前記二つの出力端子はそれぞれ、前記第１から第４のコイル層のうち各一層の前記コイル層の前記二次側コイルに接続し、
前記接地端子は前記絶縁層と、前記第１から第４のコイル層のうち残りの二層の前記コイル層の前記二次側コイルとに接続し、
前記第１、第２、第３、第４の誘電体層と前記絶縁層とは有機物により構成した、
高周波トランス。
【請求項２】
前記コイル部には、銅、金、ニッケルのいずれかを用いた請求項１に記載の高周波トランス。
【請求項３】
前記入力端子、前記出力端子、および前記接地端子の電極部には、銅、金、ニッケルのいずれかを用いた請求項１に記載の高周波トランス。
【請求項４】
誘電体層と誘電体層上に形成したコイル部を有するコイル層とからなる誘電体コイル層を、第１層から第Ｎ層まで順に上へと積層し形成した第１の複数誘電体コイル層と、
前記第Ｎ層の前記誘電体コイル層の上に形成した絶縁層と、
この絶縁層上に形成した接地層と、
この接地層上に前記誘電体コイル層を第Ｎ＋１層から第Ｍ層まで順に上へと積層し形成した第２の複数誘電体コイル層とによって形成した積層体に、
一つの入力端子と、
二つの出力端子と、
少なくとも一つの接地端子とを設け、
前記コイル層のそれぞれの前記コイル部は一次側コイルと二次側コイルとからなり、
この一次側コイルとこの二次側コイルとは一部で平行結合し、
前記入力端子は前記第１から第Ｍの誘電体コイル層を構成する前記コイル層のいずれかの一つの前記一次側コイルに接続し、
前記二つの出力端子はそれぞれ、前記第１から第Ｍの誘電体コイル層を構成する前記コイル層のうち各一層の前記コイル層の前記二次側コイルに接続し、
前記接地端子は前記絶縁層と、前記第１から第Ｍの誘電体コイル層を構成する前記コイル層であり前記出力端子とは非接続とした前記コイル層のうち二層の前記二次側コイルとに接続し、
前記第１から第Ｍの、誘電体コイル層を構成する誘電体層と前記絶縁層とは有機物により構成した、高周波トランス。
【請求項５】
前記コイル部には、銅、金、ニッケルのいずれかを用いた請求項４に記載の高周波トランス。
【請求項６】
前記入力端子、前記出力端子、および前記接地端子の電極部には、銅、金、ニッケルのいずれかを用いた請求項４に記載の高周波トランス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、各種高周波回路に用いられる高周波トランスに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来のこの種の高周波トランスは図２８に示されるように、セラミック基板５の上に一方の一次側コイル１と一方の二次側コイル２を銀ペースト等からなる並走した導体パターンにより形成し、その上面に絶縁層６を配置している。
【０００３】
そして、この絶縁層６の上面に二つの引き出し電極８と９を設け、ビア１０、１１により一次側コイル１および二次側コイル２と接続している。
【０００４】
また、セラミック基板５の裏面である下面には、他方の一次側コイル３と他方の二次側コイル４を銀ペーストからなる平行結合したパターンにより形成し、その下面に絶縁層７を配置している。
【０００５】
そして、この絶縁層７の下面に二つの引き出し電極１２と１３を設け、ビア１４、１５により一次側コイル３および二次側コイル４と接続していることにより高周波トランスを構成していた。
【０００６】
なお、この出願に関する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献１が知られている。
【特許文献１】特開２００２−１４１２２８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
このような従来の高周波トランスは、一次側コイル１と二次側コイル２、もしくは一次側コイル３と二次側コイル４との電磁的結合の精度が製造過程に起因して低くなる恐れがあり、それにより特性バラツキが大きくなる恐れがあるという問題点があった。
【０００８】
これは、上記従来の構成においては、セラミック基板５および絶縁層６、７を高温焼成により形成することにより、これに伴う寸法収縮が発生するためである。
【０００９】
或いは、主として銀ペーストからなる導体パターンもまた高温焼成により形成することにより、これに伴う寸法変化が生じるためでもある。
【００１０】
これらへの対策として、トランス設計時には予めこの収縮率等を考慮した上での定数決定が行われるものの、製造ばらつきの回避は困難なものであった。
【００１１】
そして、これらの寸法変化が、一次側コイル１と二次側コイル２、もしくは一次側コイル３と二次側コイル４との電磁的結合の精度の悪さとなり、最終的には製品特性の大きなばらつきとして顕在化する恐れのあるものであった。
【００１２】
またさらに、導体パターンを多層化する場合には、セラミック基板５および絶縁層６、７を複数回に亘って高温焼成することが必要となり、更なる寸法ずれに起因する特性ばらつきが発生する恐れのあるものでもあった。
【００１３】
そこで本発明は、一次コイルと二次コイルとの電磁的結合が安定した特性ばらつきが少ない、非焼成の絶縁層と複数の非焼成の導電体層とからなる高周波トランスを提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
そして、この目的を達成するために本発明は、第１の誘電体層と、この第１の誘電体層上に形成したコイル部を有する第１のコイル層と、この第１のコイル層上に形成した第２の誘電体層と、この第２の誘電体層上に形成したコイル部を有する第２のコイル層と、この第２のコイル層上に形成した絶縁層と、この絶縁層上に形成した接地層と、この接地層上に形成した第３の誘電体層と、この第３の誘電体層上に形成したコイル部を有する第３のコイル層と、この第３のコイル層上に形成した第４の誘電体層と、この第４の誘電体層上に形成したコイル部を有する第４のコイル層と、この第４のコイル層上に形成した第５の誘電体層とによって形成した積層体に、一つの入力端子と、二つの出力端子と、少なくとも一つの接地端子とを設け、前記第１、第２、第３、第４のコイル層のそれぞれのコイル部は一次側コイルと二次側コイルとからなり、この一次側コイルと二次側コイルとは一部で平行結合し、前記入力端子は前記第１から第４のコイル層のいずれかの一つの前記一次側コイルに接続し、前記二つの出力端子はそれぞれ、前記第１から第４のコイル層のうち各一層の前記コイル層の前記二次側コイルに接続し、前記接地端子は前記絶縁層と、前記第１から第４のコイル層のうち残りの二層の前記コイル層の前記二次側コイルとに接続し、前記第１、第２、第３、第４の誘電体層と前記絶縁層とは有機物により構成したものである。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、誘電体層および、絶縁層に有機物を用いていることから層の形成に焼成を行う必要がなく、よって寸法収縮による電磁的結合の精度悪化が起こり難い高周波トランスを提供するものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
（本発明の一実施形態）
以下、本発明の実施の形態における高周波トランスについて、図面をふまえながら説明する。
【００１７】
図１および図２は本発明の実施の形態における高周波トランスの断面図であり、図３はこの高周波トランスの回路図である。
【００１８】
また、図４はこの高周波トランスの分解斜視図であり、図５はこの高周波トランスの斜視図であり、樹脂からなる素体６１に接地端子５０、入力端子５１、出力端子５２、出力端子５３を備えた外観を有している。
【００１９】
そして、この図におけるＡ−Ａ断面を示す断面図が図１であり、まずこの図をもとに積層状態を説明する。
【００２０】
この高周波トランスは図１に示す如く、最初に第１の誘電体層１６の上面にコイル部１７Ａ、１７Ｂ、ビア接続部１７Ｃ、１７Ｄおよび誘電体部１７Ｆとからなる第１のコイル層１７を形成する。
【００２１】
その次に、この第１のコイル層１７の上面にビア１８Ｃ、１８Ｄを有する第２の誘電体層１８を形成する。
【００２２】
その次に、この第２の誘電体層１８の上面にコイル部１９Ａ、１９Ｂ、ビア接続部１９Ｃ、１９Ｄおよび誘電体部１９Ｆとからなる第２のコイル層１９を形成する。
【００２３】
その次に、この第２のコイル層１９の上面に絶縁層２０と、この絶縁層２０の上面に接地部２１Ａと絶縁部２１Ｂとからなる接地層２１とを形成する。
【００２４】
その次に、この接地層２１の上面に第３の誘電体層２２と、この第３の誘電体層２２の上面にコイル部２３Ａ、２３Ｂ、ビア接続部２３Ｃ、２３Ｄおよび誘電体部２３Ｆとからなる第３のコイル層２３とを形成する。
【００２５】
その次に、この第３のコイル層２３の上面にビア２４Ｃ、２４Ｄを有する第４の誘電体層２４を形成する。
【００２６】
その次に、この第４の誘電体層２４の上面にコイル部２５Ａ、２５Ｂ、ビア接続部２５Ｃ、２５Ｄおよび誘電体部２５Ｆとからなる第４のコイル層２５を形成する。
【００２７】
その次に、この第４のコイル層２５の上面に第５の誘電体層２６を形成している。
【００２８】
ここで、絶縁層２０および絶縁部２１Ｂは有機物であり、例えばエポキシ樹脂を主剤としたレジストを用いているが、エポキシ樹脂に誘電体粉末を混合させた誘電体を用いても構わない。これはエポキシ樹脂に誘電体粉末を添加する形態とすることにより、目的とする誘電体としての特性を連続的に変化させることが可能となり、特性の調整を行うことにおいて有用である。
【００２９】
また、誘電体層１６、誘電体部１７Ｆ、誘電体層１８、誘電体部１９Ｆ、誘電体層２２、誘電体部２３Ｆ、誘電体層２４、誘電体部２５Ｆ、第５の誘電体層２６は有機物であり、例えばエポキシ樹脂に誘電体粉末を混合させた誘電体を用いている。
【００３０】
第１から第５の誘電体層１６、１８、２２、２４、２６の比誘電率は一般に３から６０程度であるが、この値は必要に応じて選ぶことが可能であり、例えば５００ＭＨｚ帯の高周波トランスを構成する場合は比誘電率が２０程度のものを、５ＧＨｚ帯の高周波トランスを構成する場合は比誘電率が３程度のものを選択すればよい。
【００３１】
図２は本発明の実施の形態における高周波トランスの断面図で図５の高周波トランスの背面側にあたるＢ−Ｂ断面を示すものである。
【００３２】
この高周波トランスは図２に示す如く、誘電体層１６からコイル層２５に至る順序は図１と同一であるが、図２においてはコイル層１９にビア接続部１９Ｅ、絶縁層２０にビア２０Ｅ、接地層２１にビア２１Ｅ、誘電体層２２にビア２２Ｅ、コイル層２３にビア２３Ｅ、誘電体層２４にビア２４Ｅ、コイル層２５にビア接続部２５Ｅを形成している。
【００３３】
ここで図３に示す如く、高周波トランスの回路は一次側コイル２７と第１、第２の二次側コイル２８Ａ、２８Ｂおよび接地端子２９により構成されているが、ここではまず、一次側コイル２７の接続に関して図４に示す如く分解斜視図により説明する。
【００３４】
図３に示す如く一次側コイル２７の入力端子３０は図４に示す如く第３の誘電体層２２の上面に設けたコイル部２３Ａに接続した入力端子３０に対応し、さらにコイル部２３Ａを介してビア接続部２３Ｃへ接続している。
【００３５】
そして、このビア接続部２３Ｃは第４の誘電体層２４を貫通して設けた図１に示すビア２４Ｃにより、図４に示す第４の誘電体層２４の上面に設けたビア接続部２５Ｃに接続する。
【００３６】
次に、このビア接続部２５Ｃはコイル部２５Ａを介してビア接続部２５Ｅに接続し、このビア接続部２５Ｅは第４の誘電体層２４を貫通して設けた図２に示すビア２４Ｅにより、コイル層２３の誘電体部２３Ｆに設けたビア２３Ｅに接続する。
【００３７】
さらにこのビア２３Ｅは第３の誘電体層２２を貫通して設けたビア２２Ｅにより、接地層２１を貫通して設けたビア２１Ｅに、そしてさらに絶縁層２０を貫通して設けたビア２０Ｅに接続し、このビア２０Ｅは、図４に示す如く第２の誘電体層１８の上面に設けられたビア接続部１９Ｅに接続する。
【００３８】
次に、このビア接続部１９Ｅにコイル部１９Ａを介してビア接続部１９Ｃを接続し、このビア接続部１９Ｃは第２の誘電体層１８を貫通して設けた図１に示すビア１８Ｃにより図４に示す如く、第１の誘電体層１６の上面に設けたビア接続部１７Ｃに接続する。
【００３９】
そして、最後にこのビア接続部１７Ｃにコイル部１７Ａを介して開放端３１に接続し、図３に示す如く一次側コイル２８を構成する。
【００４０】
続いて、図３に示す如く出力端子３２Ａを有する第１の二次側コイル２８Ａの接続を説明する。
【００４１】
まず、第１の二次側コイル２８Ａの出力端子３２Ａは図４に示す如く第４の誘電体層２４の上面に設けたコイル部２５Ｂに接続した出力端子３２Ａに対応させている。
【００４２】
さらに、この出力端子３２Ａはコイル部２５Ｂを介してビア接続部２５Ｄへ接続しており、このビア接続部２５Ｄは第４の誘電体層２４を貫通して設けた図１に示すビア２４Ｄにより、図４に示す第３の誘電体層２２の上面に設けた、コイル部２３Ｂと接続したビア接続部２３Ｄに接続する。
【００４３】
そして、最後にこのビア接続部２３Ｄにコイル部２３Ｂを介して接地端子４４を接続し、図３に示す第１の二次側コイル２８Ａを構成する。
【００４４】
続いて、出力端子３２Ｂを有する第２の二次側コイル２８Ｂの接続を説明する。
【００４５】
まず、第２の二次側コイル２８Ｂの出力端子３２Ｂは図４に示す如く第２の誘電体層１８の上面に設けたコイル部１９Ｂに接続した出力端子３２Ｂに対応させている。
【００４６】
さらに、この出力端子３２Ｂはコイル部１９Ｂを介してビア接続部１９Ｄへ接続し、このビア接続部１９Ｄは第２の誘電体層１８を貫通して設けた図１に示すビア１８Ｄにより、図４に示す第１の誘電体層１６の上面に設けたコイル部１７Ｂのビア接続部１７Ｄに接続する。
【００４７】
そして、最後にこのビア接続部１７Ｄにコイル部１７Ｂを介して接地端子４８を接続し、図３に示す第２の二次側コイル２８Ｂを構成する。
【００４８】
ここで、図４に示す如く各層における一次側コイル１７Ａ、１９Ａ、２３Ａ、２５Ａと、各層における第１の二次側コイル２３Ｂ、２５Ｂ、もしくは第２の二次側コイル１７Ｂ、１９Ｂとは部分的に平行に並走して配置しており、電磁的結合を有している。
【００４９】
また、図３に示す接地端子２９は図４に示す如く絶縁層２０の上面に設けた接地部２１Ａに連続して設けている。
【００５０】
そして、接地端子４４、４８および２９は図５に示す接地端子電極５０へ接続し、図４に示す入力端子３０は図５に示す入力端子電極５１へ接続し、図４に示す出力端子３２Ａは図５に示す出力端子電極５２に接続し、図４に示す出力端子３２Ｂは図５に示す出力端子電極５３に接続する。
【００５１】
ここで図４に示す接地端子４４、４８および２９は、図５に示す接地端子電極５０のように単一の端子に接続するのではなく、複数の接地端子（図示せず）を設けて接続してもよい。
【００５２】
これにより導体パターンの平行する区間の距離を変化させることによる結合度の可変の自由度やインダクタンス値の設計自由度を高めることができる。
【００５３】
また、個別の接地端子（図示せず）に予め異なる電位を持たせることも可能である。これは例えば、図３に示す第１の二次側コイル２８Ａと、第２の二次側コイル２８Ｂとを別々回路へ接続し、それらの回路がそれぞれ固有のバイアス電位等を有している場合、つまり各コイルに異なるバイアス電位を印加させる場合などには、第１の二次側コイル２８Ａと、第２の二次側コイル２８Ｂとに対して固有の接地端子（図示せず）を設けることによりその対応が可能となる。
【００５４】
なお、図５に示す如く入力端子５１、出力端子５２、出力端子５３、接地端子５０、図１に示すコイル層１７、コイル層１９、コイル層２３、コイル層２５内の導体、接地層２１の導体、ビア１８Ｃ、１８Ｄ、ビア２４Ｂの導体、および図２に示すビア１９Ｅ、ビア２０Ｅ、ビア２１Ｅ、ビア２２Ｅ、ビア２３Ｅ、ビア２４Ｅ、ビア２５Ｅは、金、銅、ニッケルなどのマイグレーションの発生しにくい導電材料を用いるのがよい。
【００５５】
以上のようにして構成した高周波トランスは、その特性ばらつきを小さく抑制した、インピーダンス変換と、平衡不平衡交換の機能を得るものである。
【００５６】
これは、誘電体層、絶縁層には全て有機物を用いる結果として、焼成による形成を用いることがなく、よって高温焼成の収縮などによる歪が発生しないためである。
【００５７】
そして導体は、めっき形成時に最終的な寸法規定が行われることとなり、めっきによって形成される金属が銅、金、ニッケルのいずれにあっても、めっき形成時に規定された寸法にその後歪は殆ど発生しない。
【００５８】
また、マイグレーションの発生しにくい導電材料を使用することにより、誘電体層１６、誘電体層１８、誘電体層２２、誘電体層２４、絶縁層２０の厚みを小さくしてもコイル層間における電気的短絡は発生しにくく、すなわち製品の薄型化が可能となる。
【００５９】
また、焼成による厚膜形成の導体では不可能であった５μｍ程度の狭間隔での一次側と二次側との平行結合も可能となり、その結果一次側コイルと二次側コイルとの電磁的結合の微調整や制御ができ、これによって製品の小型化が可能となる。
【００６０】
あるいは、図１に示す各コイル層１７、１９、２３、２５のコイル部１７Ａ、１７Ｂ、１９Ａ、１９Ｂ、２３Ａ、２３Ｂ、２５Ａ、２５Ｂは誘電体部１７Ｆ、１９Ｆ、２３Ｆ、２５Ｆの、塗布、露光、現像時に厚みを任意に決定できるので、低直流抵抗を必要とする場合はコイル部を厚く、その逆に低直流抵抗を必要としない場合は薄くすることが可能である。
【００６１】
そして、たとえコイル部１７Ａ、１７Ｂ、１９Ａ、１９Ｂ、２３Ａ、２３Ｂ、２５Ａ、２５Ｂを厚くした場合においても、図３に示す一次側コイル２７と第１、第２の二次側コイル２８Ａもしくは２８Ｂは図４に示す如くコイル層１７、１９もしくは２３、２５において一層あたり二つのコイルを並走させているので、製品全体での厚みの増加を抑制することが可能である。
【００６２】
またここでは図１に示す如く、四つの層のコイル層１７、１９、２３、２５と五つの誘電体層１６、１８、２２、２４、２６と一つの層の接地層と一つの層の絶縁層とによって高周波トランスを構成しているが、この高周波トランスが必要とするＬ値、すなわち高周波トランスの使用周波数帯に対応した特性を得るためには、これらの層数を変化させることにより調整すればよい。
【００６３】
つまり、図６に示す如くある誘電体層５６とその上のコイル層５７とを１組の誘電体コイル層５８としたうえで、接地層５９の両面に一組以上の誘電体コイル層５８を設け、更に所望の組数を増減させて積層し、コイル層５７が露出しないように天面誘電体層６０を付加する。これにより使用周波数帯をはじめとする様々な特性への対応が可能となる。
【００６４】
これについては、コイルあたりの導体長を増減させることによっても当然ながら可能である。
【００６５】
次に、以上のような高周波トランスの製造方法を図５のＡ−Ａにおける断面を例として以下に示す。
【００６６】
まず、図７に示す如くシリコンウエハ等の基板５４を用意し、図８に示す如く基板５４上へ誘電体層１６を、塗布、露光および加熱により硬化形成する。
【００６７】
次に、図９に示す如く誘電体層１６の上面に誘電体層１７Ｇを、塗布、露光、現像を経て図１０に示す如く誘電体部１７Ｆを残して他の部分を除去したうえで、加熱、硬化させる。
【００６８】
次に、図１１に示す如く、誘電体層１６および誘電体部１７Ｆの表面に下地層５５を無電解めっき、もしくは蒸着めっきにより形成する。
【００６９】
そしてその後、電気めっきによりコイル部１７Ｈを形成し、さらにその後コイル部１７Ｈの表面を研磨することにより、図１２に示す如くコイル部１７Ａ、１７Ｂ、誘電体部１７Ｆ、ビア接続部１７Ｃ、１７Ｄ、および接地端子部（図示せず）からなる、コイル層１７を形成する。
【００７０】
次に、図１３に示す如くコイル層１７の上面に誘電体層１８を、塗布、露光、現像を経て導体対応部分（図示せず）を除去したうえで、加熱、硬化させる。
【００７１】
そして、コイル層１７の形成と同様に下地層形成、電気めっき、研磨を行い、図１４に示す如く、ビア１８Ｃ、１８Ｄを誘電体層１８に形成する。
【００７２】
次に、図１５に示す如く誘電体層１８の上面に誘電体を、塗布、露光、現像を経て導体対応部分を除去したうえで、加熱、硬化させることにより誘電体部１９Ｆを形成する。
【００７３】
そして、コイル層１７の形成と同様に下地層形成、電気めっき、研磨を行い、図１６に示す如く、コイル部１９Ａ、１９Ｂ、誘電体部１９Ｆ、ビア接続部１９Ｃ、１９Ｄ、および出力端子部（図示せず）をコイル層１９に形成する。
【００７４】
次に、図１７に示す如くコイル層１９の上面に絶縁層２０を、塗布、露光、現像を経て導体対応部分を除去したうえで、加熱、硬化させる。
【００７５】
そして、コイル層１７の形成と同様に下地層形成、電気めっき、研磨を行い、接続用ビア（図示せず）を絶縁層２０に形成する。
【００７６】
次に、図１８に示す如く絶縁層２０の上面に絶縁体を、塗布、露光、現像を経て接地導体対応部分を除去したうえで、加熱、硬化させることにより絶縁部２１Ｂを形成する。
【００７７】
そして、コイル層１７の形成と同様に下地層形成、電気めっき、研磨を行い、図１９に示す如く、接地部２１Ａ、絶縁部２１Ｂ、接続用ビア（図示せず）、および接地端子部（図示せず）を接地層２１に形成する。
【００７８】
次に、図２０に示す如く接地層２１の上面に誘電体層２２を、塗布、露光、現像を経て導体対応部分を除去したうえで、加熱、硬化させることにより誘電体部２２Ｆを形成する。
【００７９】
そして、コイル層１７の形成と同様に下地層形成、電気めっき、研磨を行い、接続用ビア（図示せず）を誘電体層２２に形成する。
【００８０】
次に、図２１に示す如く誘電体層２２の上面に誘電体を、塗布、露光、現像を経て導体対応部分を除去したうえで、加熱、硬化させることにより誘電体部２３Ｆを形成する。
【００８１】
そして、コイル層１７の形成と同様に下地層形成、電気めっき、研磨を行い、図２２に示す如く、コイル部２３Ａ、２３Ｂ、誘電体部２３Ｆ、ビア接続部２３Ｃ、２３Ｄ、および接続用ビア（図示せず）をコイル層２３に形成する。
【００８２】
次に、図２３に示す如くコイル層２３の上面に誘電体を、塗布、露光、現像を経て導体対応部分を除去したうえで、加熱、硬化させることにより誘電体部２４Ｆを形成する。
【００８３】
そして、コイル層１７の形成と同様に下地層形成、電気めっき、研磨を行い、図２４に示す如く、ビア２４Ｃ、２４Ｄ、および接続用ビア（図示せず）をコイル層２４に形成する。
【００８４】
次に、図２５に示す如くコイル層２４の上面に誘電体を、塗布、露光、現像を経て導体対応部分を除去したうえで、加熱、硬化させることにより誘電体部２５Ｆを形成する。
【００８５】
そして、コイル層１７の形成と同様に下地層形成、電気めっき、研磨を行い、図２６に示す如く、コイル部２５Ａ、２５Ｂ、誘電体部２５Ｆ、ビア接続部２５Ｃ、２５Ｄをコイル層２５に形成する。
【００８６】
次に、図２７に示す如くコイル層２５の上面に誘電体を、塗布、加熱、硬化させることにより誘電体層２６を形成する。
【００８７】
以上の工程により、高温焼成を行わないことから寸法歪が小さく、製造ばらつきによる製品の特性ばらつきを小さくすることが可能である。
【産業上の利用可能性】
【００８８】
本発明の高周波トランスは、製造における一次側コイルと二次側コイルとの結合ばらつきを抑制した、精度の高い特性を得ることが可能となる効果を有し、各種高周波回路において有用である。
【図面の簡単な説明】
【００８９】
【図１】本発明の一実施の形態における高周波トランスの第１例の断面図
【図２】同第２例の断面図
【図３】同回路図
【図４】同分解斜視図
【図５】同斜視図
【図６】同第３例の断面図
【図７】同製造工程における第１例の断面図
【図８】同製造工程における第２例の断面図
【図９】同製造工程における第３例の断面図
【図１０】同製造工程における第４例の断面図
【図１１】同製造工程における第５例の断面図
【図１２】同製造工程における第６例の断面図
【図１３】同製造工程における第７例の断面図
【図１４】同製造工程における第８例の断面図
【図１５】同製造工程における第９例の断面図
【図１６】同製造工程における第１０例の断面図
【図１７】同製造工程における第１１例の断面図
【図１８】同製造工程における第１２例の断面図
【図１９】同製造工程における第１３例の断面図
【図２０】同製造工程における第１４例の断面図
【図２１】同製造工程における第１５例の断面図
【図２２】同製造工程における第１６例の断面図
【図２３】同製造工程における第１７例の断面図
【図２４】同製造工程における第１８例の断面図
【図２５】同製造工程における第１９例の断面図
【図２６】同製造工程における第２０例の断面図
【図２７】同製造工程における第２１例の断面図
【図２８】従来例の高周波トランスの分解斜視図
【符号の説明】
【００９０】
１６  第１の誘電体層
１７  第１のコイル層
１７Ａ  コイル部
１７Ｂ  コイル部
１８  第２の誘電体層
１９  第２のコイル層
１９Ａ  コイル部
１９Ｂ  コイル部
２０  絶縁層
２１  接地層
２２  第３の誘電体層
２３  第３のコイル層
２３Ａ  コイル部
２３Ｂ  コイル部
２４  第４の誘電体層
２５  第４のコイル層
２５Ａ  コイル部
２５Ｂ  コイル部
【図１】
2008147537.tif 000003
【図２】
2008147537.tif 000004
【図３】
2008147537.tif 000005
【図４】
2008147537.tif 000006
【図５】
2008147537.tif 000007
【図６】
2008147537.tif 000008
【図７】
2008147537.tif 000009
【図８】
2008147537.tif 000010
【図９】
2008147537.tif 000011
【図１０】
2008147537.tif 000012
【図１１】
2008147537.tif 000013
【図１２】
2008147537.tif 000014
【図１３】
2008147537.tif 000015
【図１４】
2008147537.tif 000016
【図１５】
2008147537.tif 000017
【図１６】
2008147537.tif 000018
【図１７】
2008147537.tif 000019
【図１８】
2008147537.tif 000020
【図１９】
2008147537.tif 000021
【図２０】
2008147537.tif 000022
【図２１】
2008147537.tif 000023
【図２２】
2008147537.tif 000024
【図２３】
2008147537.tif 000025
【図２４】
2008147537.tif 000026
【図２５】
2008147537.tif 000027
【図２６】
2008147537.tif 000028
【図２７】
2008147537.tif 000029
【図２８】
2008147537.tif 000030