(57)【要約】【課題】色むらを解消し、視認性が高く、高画質の液晶表示装置を提供することを目的とする。【解決手段】薄膜トランジスタのソース領域又はドレイン領域と電気的に接続するためのコンタクトホールと重なるように、遮光層を選択的に設ける。あるいは、開口を有する着色層（カラーフィルター）の開口部分をコンタクトホールと重なるように配置することによって、配向が乱れた液晶分子の影響が表示に反映されないため、高画質の液晶表示装置を提供することができる。【選択図】図１
2008181099.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタと電気的に接続した導電層と、
前記導電層上に設けられ、コンタクトホールを有する絶縁膜と、
前記導電層及び前記コンタクトホールを有する絶縁膜上に設けられ、前記コンタクトホールを介して前記導電層と電気的に接続した画素電極と、
ゲート線及びソース線を覆う第１の遮光層と、
前記第１の遮光層と独立して設けられた第２の遮光層とを有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタと電気的に接続した導電層と、
前記導電層上に設けられ、コンタクトホールを有する絶縁膜と、
前記導電層及び前記コンタクトホールを有する絶縁膜上に設けられ、前記コンタクトホールを介して前記導電層と電気的に接続した画素電極と、
ゲート線及びソース線を覆う第１の遮光層と、
前記第１の遮光層と独立して設けられた第２の遮光層とを有し、
前記第２の遮光層は、少なくとも前記コンタクトホールの縁と重なる領域に設けられることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタと電気的に接続した導電層と、
前記導電層上に設けられ、コンタクトホールを有する絶縁膜と、
前記導電層及び前記コンタクトホールを有する絶縁膜上に設けられ、前記コンタクトホールを介して前記導電層と電気的に接続した画素電極と、
開口部を有する着色層と、を有し、
前記着色層の前記開口部は、少なくとも前記コンタクトホールの縁と重なる領域に設けられることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】
薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタと電気的に接続した導電層と、
前記導電層上に設けられ、コンタクトホールを有する絶縁膜と、
前記導電層及び前記コンタクトホールを有する絶縁膜上に設けられ、コンタクトホールを介して前記導電層と電気的に接続した画素電極と、
開口部を有する着色層と、
ゲート線及びソース線を覆う第１の遮光層と、
前記第１の遮光層と独立して設けられた第２の遮光層とを有し、
前記第２の遮光層は、少なくとも前記コンタクトホールの縁と重なる領域に設けられ、
前記着色層の前記開口部は、少なくとも前記コンタクトホールの縁と重なる領域に設けられることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５】
請求項１、２、及び４のいずれか１項において、
前記第１及び第２の遮光層は、遮光性の金属膜、顔料または染料を分散させた樹脂膜であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項６】
請求項２又は４において、
前記第２の遮光層は、液晶層を介して前記コンタクトホールの縁と重なる領域に設けられることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか１項において、
前記絶縁膜は、樹脂膜であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか１項において、
前記画素電極は、前記絶縁膜を介して前記薄膜トランジスタを覆うように設けられることを特徴とする液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アクティブマトリクス型の液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等の能動素子を用いたアクティブマトリクス型の液晶表示装置が知られている。アクティブマトリクス型の液晶表示装置は画素密度を高くすることが可能であり、小型軽量で、しかも低消費電力であることから、ＣＲＴに代わるフラットパネルディスプレイの一つとして、パーソナルコンピューターのモニター、液晶テレビ、カーナビゲーションのモニターなどの製品が開発されている。
【０００３】
液晶表示装置は、複数の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）や配線の他、第１の電極（画素電極）等を含む画素部が形成された基板（アクティブマトリクス基板）と、第２の電極（対向電極）、遮光層（ブラックマトリクス）、及び着色層（カラーフィルター）等が形成された基板（対向基板）とを貼り合わせ、これらの間に液晶を封入し、画素電極と対向電極との間に印加される電界によって液晶分子を配向させ、光源からの光量を制御することによって表示が行われている。
【０００４】
液晶表示装置において表示させる際、液晶分子の配向が乱れると高精細な画像表示ができない。液晶分子の配向を揃えるために、画素電極と対向電極との間の距離（セルギャップ）を均一化（平坦化）する必要がある。その方法としては、例えば、平坦化膜として、塗布法などにより絶縁膜を形成する方法がある（特許文献１参照）。特許文献１に記載された有機膜は、平坦化を目的とした有機絶縁膜であり、アクリル系透明有機膜である。図面等からわかるように、有機膜を用いた場合、有機膜の膜厚が厚いため、コンタクトホールが深くなってしまう。
【特許文献１】特開２００１−３０５５７６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１に記載されているように、平坦化のために用いる層間膜の膜厚は比較的厚いものとなる。層間膜の膜厚が厚いと、画素電極と薄膜トランジスタとを電気的に接続する配線を形成するためのコンタクトホールが深くなってしまう。コンタクトホールが深くなると、必然的に画素電極と対向電極との間の距離（セルギャップ）も長くなる。従って、コンタクトホールが形成された箇所では、層間膜の膜厚の分だけ液晶層の厚さが厚くなるため、コンタクトホールが形成された箇所と形成されていない箇所とでは、液晶層の厚さが大きく異なる。すなわち、コンタクトホールが形成された箇所周辺では液晶分子の配向乱れが起きやすい状態となっている。特に、コンタクトホールの縁では層間膜が傾斜しているため、液晶分子の配向が最も乱れやすくなっている。液晶分子の配向が乱れると、液晶ディスプレイでは色むらが生じてしまう。
【０００６】
そこで、本発明では、色むらを解消し、視認性が高く、高画質の液晶表示装置を提供することを目的とする。
【０００７】
また、本発明では、色むらを解消し、かつ、開口率の高い高画質の液晶表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の液晶表示装置は、薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタと電気的に接続した導電層と、導電層上に設けられ、コンタクトホールを有する絶縁膜と、導電層及びコンタクトホールを有する絶縁膜上に設けられ、コンタクトホールを介して導電層と電気的に接続した画素電極と、少なくともコンタクトホールの縁と重なる領域に設けられた遮光層と、を有することを特徴とする。
【０００９】
本発明の液晶表示装置は、薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタと電気的に接続した導電層と、導電層上に設けられ、コンタクトホールを有する絶縁膜と、導電層及びコンタクトホールを有する絶縁膜上に設けられ、コンタクトホールを介して導電層と電気的に接続した画素電極と、開口部を有する着色層と、を有し、着色層の開口部は、少なくともコンタクトホールの縁と重なる領域に設けられることを特徴とする。
【００１０】
本発明の液晶表示装置は、薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタと電気的に接続した導電層と、導電層上に設けられ、コンタクトホールを有する絶縁膜と、導電層及びコンタクトホールを有する絶縁膜上に設けられ、コンタクトホールを介して導電層と電気的に接続した画素電極と、開口部を有する着色層と、少なくともコンタクトホールの縁と重なる領域に設けられた遮光層と、を有し、着色層の開口部は、少なくともコンタクトホールの縁と重なる領域に設けられることを特徴とする。
【００１１】
上記構成において、遮光層は、遮光性の金属膜、顔料または染料を分散させた樹脂膜であることを特徴とする。
【００１２】
上記構成において、絶縁膜は、樹脂膜であることを特徴とする。
【００１３】
本発明の液晶表示装置は、液晶分子の配向が乱れている部分を表示部として機能させないことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の液晶表示装置において、コンタクトホールを隠すように選択的に遮光層が形成されており、色むらのないディスプレイを提供することができる。
【００１５】
本発明の液晶表示装置において、コンタクトホール部分の液晶分子の配向乱れを反映させないように選択的にカラーフィルターを除去するため、色むらのないディスプレイを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下に、本発明の一態様について図面等を用いながら詳細に説明する。ただし、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００１７】
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明を用いた液晶表示装置の構成について説明する。
【００１８】
液晶分子の配向が乱れている部分を表示部として機能させない方法は、大きく分けて２つある。１つは、液晶分子の配向が乱れている部分を隠すように遮光層を設ける構成である。もう１つは、液晶分子の配向が乱れている部分にカラーフィルターを設けない構成である。
【００１９】
液晶分子の配向が乱れている部分を隠すように遮光層を設ける構成としては、丸型とドーナツ型とがある。丸型とはコンタクトホール全体を覆う構成であり、ドーナツ型とはコンタクトホールの中心部分を除いた部分を遮光層で覆う構成である。ドーナツ型では、少なくともコンタクトホールの縁を覆う形状が好ましい。なお、コンタクトホールの縁とは、コンタクトホールのうち絶縁膜が傾斜している領域を指す。
【００２０】
遮光層を丸型に形成した場合、コンタクトホール全体を覆っているため、液晶分子の配向が乱れた部分全体を隠すことができる。この構成とすることにより、色むらがなく、かつ開口率の高いディスプレイを作製することができる。また、この丸型の遮光層は、配線部分に遮光層を形成する工程と同じプロセスで形成することができるため、工程数の増加もなく、複雑なプロセスを用いる必要もない。
【００２１】
遮光層をドーナツ型に形成した場合、コンタクトホールの縁、すなわちコンタクトホールのうち絶縁膜が傾斜している領域を覆っているため、液晶分子の配向が最も乱れやすい部分であるコンタクトホールの縁の配向乱れを隠すことができる。コンタクトホールの縁以外の部分では、液晶層の厚さの変化がほとんどないため、その部分では液晶分子の配向は乱れないと考えられる。この構成とすることにより、色むらがなく、かつ開口率の高いディスプレイを作製することができる。また、このドーナツ型の遮光層は、配線部分に遮光層を形成する工程と同じプロセスで形成することができるため、工程数の増加もなく、複雑なプロセスを用いる必要もない。なお、本明細書では、遮光層の形状を「丸型」「ドーナツ型」と記載しているが、コンタクトホールの形状に合わせて適宜変更することができる。すなわち、コンタクトホールを覆うという意図で設けてあればどのような形状であってもよく、例えば、円形、楕円形、正方形、長方形、三角形などが挙げられる。
【００２２】
液晶分子の配向が乱れている部分にカラーフィルターを設けない構成としては、丸型とドーナツ型とがある。丸型とはコンタクトホール全体の上部にカラーフィルターを設けない構成であり、ドーナツ型とはコンタクトホールの縁、すなわちコンタクトホールのうち絶縁膜が傾斜している領域の上方にカラーフィルターを設けない構成である。
【００２３】
カラーフィルターを丸型に除去する場合、コンタクトホール全体にカラーフィルターが存在しないため、液晶層の厚さが大きく異なり、液晶分子の配向が乱れた部分を反映させない構成になる。この構成とすることにより、色むらがなく、かつ開口率の高いディスプレイを作製することができる。また、カラーフィルターを丸型に除去する構成は、工程数の増加もなく、複雑なプロセスを用いる必要もない。
【００２４】
カラーフィルターをドーナツ型に除去する場合、コンタクトホールの縁、すなわちコンタクトホールのうち絶縁膜が傾斜している領域のカラーフィルターを除去する。コンタクトホールの縁以外の部分では、液晶層の厚さの変化がほとんどないため、その部分では液晶分子の配向は乱れないと考えられる。この構成とすることにより、色むらがなく、かつ開口率の高いディスプレイを作製することができる。また、カラーフィルターをドーナツ型に除去する構成は、工程数の増加もなく、複雑なプロセスを用いる必要もない。なお、本明細書では、カラーフィルターの形状を「丸型」「ドーナツ型」と記載しているが、コンタクトホールの形状に合わせて適宜変更することができる。すなわち、コンタクトホールと重なる領域のカラーフィルターを除去するという意図で除去してあればどのような形状であってもよく、例えば、円形、楕円形、正方形、長方形、三角形などが挙げられる。
【００２５】
（実施の形態２）
本実施の形態では、選択的に遮光層を形成した液晶表示装置について、図１及び図２を用いて説明する。
【００２６】
図１（Ｂ）は、本発明を適用した液晶表示装置を対向基板側から見た上面図である。アクティブマトリクス基板は、基板上に、薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタに電気的に接続した配線層、絶縁膜、画素電極、配向膜等が形成されている。アクティブマトリクス基板と貼り合わせる対向基板は、基板上に、遮光層、対向電極、配向膜等が形成されている。図１（Ｂ）においては、ゲート線１５１、ソース線１５２、コンタクトホール１０３、薄膜トランジスタの半導体層１５４、第１の遮光層１０８、及び第２の遮光層１０９のみを図示し、それ以外は省略した。
【００２７】
図１（Ｂ）に示したように、遮光層として、ゲート線１５１及びソース線１５２に対応する領域に形成される第１の遮光層１０８と、薄膜トランジスタのソース領域又はドレイン領域のコンタクトホール１０３に対応する領域に形成される第２の遮光層１０９が形成される。
【００２８】
図１（Ａ）は、コンタクトホール部分を拡大した図であり、図１（Ｂ）のＡ−Ａ’で切った断面図である。本実施の形態のアクティブマトリクス基板の構成について以下に説明する。
【００２９】
基板１００上に薄膜トランジスタ１０１が形成されている。基板１００としては、アルミノホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英ガラス等のガラス基板の他、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＥＳ（ポリエーテルスルホン）、ポリプロピレンに代表されるプラスチックや、アクリルなどに代表される合成樹脂を原料とする基板を用いることができる。薄膜トランジスタ１０１は、トップゲート型、ボトムゲート型、チャネルエッチ型、チャネル保護型、いずれでも良いが、図１（Ａ）ではチャネルエッチ型トランジスタを図示した。
【００３０】
薄膜トランジスタ１０１上に絶縁膜１０２を形成し、薄膜トランジスタ１０１と電気的に接続するためのコンタクトホール１０３を形成する。絶縁膜１０２には、有機樹脂膜、無機絶縁膜、またはシロキサン系材料を出発材料として形成されたＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を含む絶縁膜（シロキサン系絶縁膜）を用いて形成することができる。ここで、シロキサンとは、シリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成されるものであって、置換基として、少なくとも水素を含む有機基（例えばアルキル基、アリール基）が用いられる。また、置換基として、フルオロ基を用いてもよい。または、置換基として、少なくとも水素を含む有機基と、フルオロ基とを用いてもよい。また、低誘電率材料を絶縁膜に用いてもよい。
【００３１】
なお、基板に対して垂直にコンタクトホール１０３を形成することも可能である。しかし、後工程で画素電極１０４を形成する際のステップカバレッジを向上させるためには、図１（Ａ）に示したように、コンタクトホール１０３の縁が傾斜するように開口することが好ましい。よって、本明細書においては、コンタクトホールは傾斜部を有するものとし、その傾斜部をコンタクトホールの縁と表記する。
【００３２】
薄膜トランジスタ１０１及び絶縁膜１０２を覆うように、画素電極１０４が形成される。画素電極１０４は、露出した薄膜トランジスタ１０１のドレイン電極１０５ｂと電気的に接続している。
【００３３】
反射型の液晶表示装置を作製する場合には、画素電極１０４として反射性を有する金属を用いることができる。透過型の液晶表示装置を作製する場合には、酸化インジウムに酸化スズを混合したインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）に酸化珪素を混合したインジウムスズ珪素酸化物（ＩＴＳＯ）、酸化インジウムに酸化亜鉛を混合したインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、または酸化スズ（ＳｎＯ２）等を用いることができる。半透過型の液晶表示装置を作製する場合、反射領域には反射性を有する金属を画素電極に用い、透過領域には透光性を有する材料（例えば、酸化インジウムに酸化スズを混合したインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）に酸化珪素を混合したインジウムスズ珪素酸化物（ＩＴＳＯ）、酸化インジウムに酸化亜鉛を混合したインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、または酸化スズ（ＳｎＯ２）等）を用いることができる。
【００３４】
画素電極１０４上に配向膜１０６が形成されている。配向膜１０６には、ポリイミド樹脂等を用いることができる。
【００３５】
次に、本実施の形態の対向基板の構成について説明する。
【００３６】
基板１０７に接して第１の遮光層１０８及び第２の遮光層１０９が形成されている。第１の遮光層１０８は、ソース配線を覆うように形成され、ソース電極１０５ａの一部を覆うように形成される。第２の遮光層１０９は、コンタクトホール１０３に合わせて形成される。基板１０７には、アルミノホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英ガラス等のガラス基板の他、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＥＳ（ポリエーテルスルホン）、ポリプロピレンに代表されるプラスチックや、アクリルなどに代表される合成樹脂を原料とする基板を用いることができる。第１の遮光層１０８及び第２の遮光層１０９には、遮光性の膜（例えば、クロム（Ｃｒ）の単層膜、酸化クロム（ＣｒｘＯｙ）とクロム（Ｃｒ）の積層膜、カーボンブラックなどの顔料、染料等を分散させた樹脂膜等）を用いることができる。
【００３７】
図１（Ｂ）で示したように、遮光層としては、アクティブマトリクス基板上のゲート線１５１及びソース線１５２に対応する領域に形成される第１の遮光層１０８と、アクティブマトリクス基板上の薄膜トランジスタのソース領域又はドレイン領域のコンタクトホール１０３に対応する領域に形成される第２の遮光層１０９の２つが形成される。コンタクトホール１０３に対応する領域とは、コンタクトホール１０３と重なる領域を指す。
【００３８】
第２の遮光層１０９は、ゲート線１５１及びソース線１５２に対応する領域に形成される第１の遮光層１０８とは独立して、アクティブマトリクス基板のコンタクトホール１０３に対応する領域に形成される。したがって、その領域は表示部として機能しないため、コンタクトホール１０３の上層に存在する液晶分子の配向状態が乱れていても、色むらがなく、コントラストの高い、高画質な表示装置を作製することが可能となる。
【００３９】
また、第１の遮光層１０８は、ゲート線１５１及びソース線１５２の上方に設けられているが、薄膜トランジスタ全体は覆っていない。このような構成であるため、開口率の低下を最小限に抑えることができる。
【００４０】
遮光層を第１の遮光層１０８と第２の遮光層１０９の２つに分けて形成することにより、開口率の低下を最小限に抑えることができ、色むらがなく、コントラストの高い、高画質な表示装置を作製することができる。
【００４１】
第２の遮光層１０９の形状は、アクティブマトリクス基板のコンタクトホール１０３に対応する領域に設けられていればどのような形状であってもよい。例えば、円形、楕円形、正方形、長方形、三角形などが挙げられる。
【００４２】
基板１０７、第１の遮光層１０８、及び第２の遮光層１０９に接して対向電極１１０が形成されている。対向電極１１０には、酸化インジウムに酸化スズを混合したインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）に酸化珪素を混合したインジウムスズ珪素酸化物（ＩＴＳＯ）、酸化インジウムに酸化亜鉛を混合したインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、または酸化スズ（ＳｎＯ２）等を用いることができる。
【００４３】
対向電極１１０上に配向膜１１１が形成されている。配向膜１１１には、ポリイミド樹脂等を用いることができる。
【００４４】
上述の構成のアクティブマトリクス基板と対向基板とを貼り合わせ、アクティブマトリクス基板と対向基板との間に液晶層１１２を形成する。液晶には、強誘電性液晶（ＦＬＣ）、ネマティック液晶、スメクティック液晶、ホモジニアス配向になるような液晶、ホメオトロピック配向になるような液晶等を用いることができる。
【００４５】
なお、図１（Ａ）及び（Ｂ）に示した構成とした場合、図７に示したように、第２の遮光層４０２は第１の遮光層４０１と独立して設けられることとなる。
【００４６】
図１（Ａ）及び（Ｂ）の構成に加えて、アクティブマトリクス基板側に着色層（カラーフィルター）を形成してもよく、対向基板側に着色層（カラーフィルター）を形成してもよい。また、着色層（カラーフィルター）を形成する場合、単色でも複数色でもよい。
【００４７】
アクティブマトリクス基板に形成する薄膜トランジスタは、トップゲート型、ボトムゲート型、チャネルエッチ型、チャネル保護型、いずれでも良い。また、薄膜トランジスタのソース電極又はドレイン電極が、画素電極と直接接続していなくてもよい。図９（Ａ）に示したのは、図１（Ａ）に示した構成である。図９（Ａ）では、チャネルエッチ型のトランジスタのソース電極又はドレイン電極６０１に画素電極６０２が接している。図９（Ｂ）に示したのは、図９（Ａ）に示したチャネルエッチ型の薄膜トランジスタのソース電極又はドレイン電極６１１と画素電極６１２とが、導電層６１３を介して、電気的に接続した構成である。
【００４８】
図９（Ｃ）に示したのは、トップゲート型の薄膜トランジスタであって、薄膜トランジスタのソース領域又はドレイン領域６２１と画素電極６２２が接した構成である。図９（Ｄ）に示したのは、図９（Ｃ）に示したトップゲート型の薄膜トランジスタのソース領域又はドレイン領域６３１と画素電極６３２とが、導電層６３３を介して、電気的に接続した構成である。
【００４９】
なお、図９（Ａ）〜（Ｄ）に示した薄膜トランジスタは一例である。本実施の形態では、ガラス基板上に形成した薄膜トランジスタを示したが、本発明に用いることができる薄膜トランジスタはこれらに限定されず、シリコンウェハを用いたトランジスタを用いることもできる。
【００５０】
図１（Ａ）及び（Ｂ）に示した構成とすることによって、コンタクトホール１０３の上部で乱れた液晶分子の配向が画像表示に反映されないため、色むらのないディスプレイを作製することができる。また、第２の遮光層１０９が選択的に形成されるため、開口率の低下を抑えることができる。また、アクティブマトリクス基板上のゲート線１５１及びソース線１５２に対応する領域に形成される第１の遮光層１０８を形成する工程と同じプロセスで形成することができるため、工程数の増加もなく、複雑なプロセスを用いる必要もない。
【００５１】
また、コンタクトホール１０３のうち絶縁膜１０２が傾斜している部分に対応した領域、すなわちコンタクトホールの縁と重なる領域に遮光層を設ける構成とすることも可能である。液晶分子の配向は、絶縁膜１０２が傾斜している領域（コンタクトホールの縁）で最も乱れるからである。
【００５２】
図２（Ｂ）は、本発明を適用した液晶表示装置を対向基板側から見た上面図である。第２の遮光層１２２を丸型ではなく、ドーナツ型とした点で図１（Ｂ）と異なっている。アクティブマトリクス基板として、基板上に、薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタに電気的に接続した配線層、絶縁膜、画素電極、配向膜等が形成されている。アクティブマトリクス基板と貼り合わせる対向基板としては、基板上に、遮光層、対向電極、配向膜等が形成されている。図２（Ｂ）においては、ゲート線１５１、ソース線１５２、コンタクトホール１５３、薄膜トランジスタの半導体層１５４、第１の遮光層１０８、及び第２の遮光層１２２のみを図示し、それ以外は省略した。なお、図１（Ｂ）と共通しているものについては同様の符号を付した。
【００５３】
図２（Ｂ）に示したように、遮光層は、ゲート線１５１及びソース線１５２に対応する領域に形成される第１の遮光層１０８と、薄膜トランジスタのソース領域又はドレイン領域のコンタクトホール１５３のうち絶縁膜が傾斜している部分１２１に対応した領域に形成される第２の遮光層１２２の２つが形成される。コンタクトホール１５３のうち絶縁膜が傾斜している部分１２１に対応した領域とは、コンタクトホール１５３の縁と重なる領域を指す。
【００５４】
図２（Ａ）は、コンタクトホール部分を拡大した図であり、図２（Ｂ）のＢ−Ｂ’で切った断面図である。アクティブマトリクス基板の構成については、図１（Ａ）及び（Ｂ）と同様であるため、ここでは説明を省略する。なお、図１（Ａ）と共通しているものについては同様の符号を付した。
【００５５】
対向基板の構成は以下のとおりである。基板１０７に接して第１の遮光層１０８及び第２の遮光層１２２が形成されている。第２の遮光層１２２はアクティブマトリクス基板に形成された絶縁膜１０２が傾斜している部分１２１に対応した領域に合わせて形成される。なお、絶縁膜１０２が傾斜している部分１２１に対応した領域とは、コンタクトホールの縁と重なる領域を指す。
【００５６】
基板１０７には、アルミノホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英ガラス等のガラス基板の他、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＥＳ（ポリエーテルスルホン）、ポリプロピレンに代表されるプラスチックや、アクリルなどに代表される合成樹脂を原料とする基板を用いることができる。第２の遮光層１２２には、遮光性の膜（例えば、クロム（Ｃｒ）の単層膜、酸化クロム（ＣｒｘＯｙ）とクロム（Ｃｒ）の積層膜、カーボンブラックなどの顔料、染料等を分散させた樹脂膜等）を用いることができる。
【００５７】
基板１０７、第２の遮光層１２２に接して対向電極１１０が形成されている。対向電極１１０には、酸化インジウムに酸化スズを混合したインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）に酸化珪素を混合したインジウムスズ珪素酸化物（ＩＴＳＯ）、酸化インジウムに酸化亜鉛を混合したインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、または酸化スズ（ＳｎＯ２）等を用いることができる。
【００５８】
対向電極１１０上に配向膜１１１が形成されている。配向膜１１１には、ポリイミド樹脂等を用いることができる。
【００５９】
上述の構成の対向基板と、図１（Ａ）で説明したアクティブマトリクス基板とを貼り合わせ、アクティブマトリクス基板と対向基板との間に液晶を注入する。液晶には、強誘電性液晶（ＦＬＣ）、ネマティック液晶、スメクティック液晶、ホモジニアス配向になるような液晶、ホメオトロピック配向になるような液晶等を用いることができる。
【００６０】
図２（Ａ）及び（Ｂ）の構成に加えて、アクティブマトリクス基板側に着色層（カラーフィルター）を形成してもよく、対向基板側に着色層（カラーフィルター）を形成してもよい。また、着色層（カラーフィルター）を形成する場合、単色でも複数色でもよい。
【００６１】
アクティブマトリクス基板に形成する薄膜トランジスタは、トップゲート型、ボトムゲート型、チャネルエッチ型、チャネル保護型、いずれでも良い。また、薄膜トランジスタのソース電極又はドレイン電極が、画素電極と直接接続していなくてもよい。図２（Ａ）及び（Ｂ）にも、図１（Ａ）及び（Ｂ）と同様に図９（Ａ）〜（Ｄ）に示したトランジスタを用いることができる。
【００６２】
図２（Ａ）及び（Ｂ）に示した構成とすることによって、コンタクトホール１５３のうち絶縁膜１０２の傾斜している部分１２１、すなわちコンタクトホールの縁で乱れた液晶分子の配向が画像表示に反映されないため、色むらのないディスプレイを作製することができる。また、第２の遮光層１２２が選択的に形成されるため、開口率の低下を抑えることができる。また、アクティブマトリクス基板上のゲート線１５１及びソース線１５２に対応する領域に形成される第１の遮光層１０８を形成する工程と同じプロセスで形成することができるため、工程数の増加もなく、複雑なプロセスを用いる必要もない。
【００６３】
（実施の形態３）
本実施の形態では、選択的に着色層（カラーフィルター）を除去した液晶表示装置について、図３及び図４を用いて説明する。
【００６４】
図３（Ｂ）は、本発明を適用した液晶表示装置を対向基板側から見た上面図である。アクティブマトリクス基板として、基板上に、薄膜トランジスタ、絶縁膜、画素電極、配向膜等が形成されている。アクティブマトリクス基板と貼り合わせる対向基板として、基板上に、遮光層、着色層、対向電極、配向膜等が形成されている。図３（Ｂ）においては、ゲート線２５１、ソース線２５２、コンタクトホール２０３、薄膜トランジスタの半導体層２５４、遮光層２０８、着色層（カラーフィルター）２０９のみを図示し、それ以外は省略した。
【００６５】
図３（Ｂ）に示したように、着色層（カラーフィルター）２０９は、アクティブマトリクス基板上の薄膜トランジスタのソース領域又はドレイン領域のコンタクトホール２０３に対応する領域が除去されている。コンタクトホール２０３に対応する領域とは、コンタクトホール２０３と重なる領域を指す。
【００６６】
図３（Ａ）は、コンタクトホール部分を拡大した図であり、図３（Ｂ）のＣ−Ｃ’で切った断面図である。本実施の形態のアクティブマトリクス基板の構成について以下に説明する。
【００６７】
基板２００上に薄膜トランジスタ２０１が形成されている。基板２００としては、アルミノホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英ガラス等のガラス基板の他、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＥＳ（ポリエーテルスルホン）、ポリプロピレンに代表されるプラスチックや、アクリルなどに代表される合成樹脂を原料とする基板を用いることができる。薄膜トランジスタ２０１は、トップゲート型、ボトムゲート型、チャネルエッチ型、チャネル保護型、いずれでも良いが、図３（Ａ）ではチャネルエッチ型トランジスタを図示した。
【００６８】
薄膜トランジスタ２０１上に絶縁膜２０２を形成し、薄膜トランジスタ２０１と電気的に接続するためのコンタクトホール２０３を形成する。絶縁膜２０２には、有機樹脂膜、無機絶縁膜、またはシロキサン系材料を出発材料として形成されたＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を含む絶縁膜（シロキサン系絶縁膜）を用いて形成することができる。ここで、シロキサンとは、シリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成されるものであって、置換基として、少なくとも水素を含む有機基（例えばアルキル基、アリール基）が用いられる。また、置換基として、フルオロ基を用いてもよい。または、置換基として、少なくとも水素を含む有機基と、フルオロ基とを用いてもよい。また、低誘電率材料を絶縁膜に用いてもよい。
【００６９】
薄膜トランジスタ２０１及び絶縁膜２０２を覆うように、画素電極２０４が形成される。画素電極２０４は、露出した薄膜トランジスタ２０１のドレイン電極２０５ｂと電気的に接続している。
【００７０】
反射型の液晶表示装置を作製する場合には、画素電極２０４として反射性を有する金属を用いることができる。透過型の液晶表示装置を作製する場合には、酸化インジウムに酸化スズを混合したインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）に酸化珪素を混合したインジウムスズ珪素酸化物（ＩＴＳＯ）、酸化インジウムに酸化亜鉛を混合したインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、または酸化スズ（ＳｎＯ２）等を用いることができる。半透過型の液晶表示装置を作製する場合、反射領域には反射性を有する金属を画素電極に用い、透過領域には透光性を有する材料（例えば、酸化インジウムに酸化スズを混合したインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）に酸化珪素を混合したインジウムスズ珪素酸化物（ＩＴＳＯ）、酸化インジウムに酸化亜鉛を混合したインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、または酸化スズ（ＳｎＯ２）等）を用いることができる。
【００７１】
画素電極２０４上に配向膜２０６が形成されている。配向膜２０６には、ポリイミド樹脂等を用いることができる。
【００７２】
次に、本実施の形態の対向基板の構成について説明する。
【００７３】
基板２０７に接して、遮光層２０８及び着色層（カラーフィルター）２０９が形成されている。着色層（カラーフィルター）は、絶縁膜２０２に形成されたコンタクトホール２０３に合わせて除去される。基板２０７には、アルミノホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英ガラス等のガラス基板の他、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＥＳ（ポリエーテルスルホン）、ポリプロピレンに代表されるプラスチックや、アクリルなどに代表される合成樹脂を原料とする基板を用いることができる。また、着色層（カラーフィルター）２０９は単色でも複数色でもよい。
【００７４】
着色層（カラーフィルター）を除去する部分の形状は、アクティブマトリクス基板のコンタクトホール２０３に対応する領域、すなわちコンタクトホール２０３と重なる領域に形成されていればどのような形状でもよい。例えば、円形、楕円形、正方形、長方形、三角形などが挙げられる。
【００７５】
基板２０７、遮光層２０８、及び着色層（カラーフィルター）２０９に接して対向電極２１０が形成されている。対向電極２１０には、酸化インジウムに酸化スズを混合したインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）に酸化珪素を混合したインジウムスズ珪素酸化物（ＩＴＳＯ）、酸化インジウムに酸化亜鉛を混合したインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、または酸化スズ（ＳｎＯ２）等を用いることができる。
【００７６】
対向電極２１０上に配向膜２１１が形成されている。配向膜２１１には、ポリイミド樹脂等を用いることができる。
【００７７】
上述の構成のアクティブマトリクス基板と対向基板とを貼り合わせ、アクティブマトリクス基板と対向基板との間に液晶層２１２を形成する。液晶には、強誘電性液晶（ＦＬＣ）、ネマティック液晶、スメクティック液晶、ホモジニアス配向になるような液晶、ホメオトロピック配向になるような液晶等を用いることができる。
【００７８】
アクティブマトリクス基板に形成する薄膜トランジスタは、トップゲート型、ボトムゲート型、チャネルエッチ型、チャネル保護型、いずれでも良い。また、薄膜トランジスタのソース電極又はドレイン電極が、画素電極と直接接続していなくてもよい。図３（Ａ）及び（Ｂ）にも、図１（Ａ）及び（Ｂ）と同様に図９（Ａ）〜（Ｄ）に示したトランジスタを用いることができる。
【００７９】
図３（Ａ）及び（Ｂ）に示した構成とすることによって、コンタクトホール２０３の上部で乱れた液晶分子の配向が画像表示に反映されないため、色むらのないディスプレイを作製することができる。また、着色層（カラーフィルター）を選択的に除去するため、遮光層を設ける構成とするよりも開口率の低下を抑えることができる。また、通常の着色層（カラーフィルター）を作製する工程を同じプロセスで形成することができるため、工程数の増加もなく、複雑なプロセスを用いる必要もない。
【００８０】
また、アクティブマトリクス基板のコンタクトホール２０３のうち絶縁膜２０２が傾斜している部分に対応した領域の着色層（カラーフィルター）を除去する構成とすることも可能である。液晶分子の配向は、絶縁膜２０２が傾斜している部分、すなわちコンタクトホールの縁で最も乱れるからである。
【００８１】
図４（Ｂ）は、本発明を適用した液晶表示装置を対向基板側から見た上面図である。着色層（カラーフィルター）を丸型ではなく、ドーナツ型に除去した点で図３（Ｂ）と異なっている。アクティブマトリクス基板として、基板上に、薄膜トランジスタ、絶縁膜、画素電極、配向膜等が形成されている。アクティブマトリクス基板と貼り合わせる対向基板としては、基板上に、遮光層、着色層、対向電極、配向膜等が形成されている。図４（Ｂ）においては、ゲート線２５１、ソース線２５２、コンタクトホール２５３、薄膜トランジスタの半導体層２５４、遮光層２０８、第１の着色層（カラーフィルター）２２３、第２の着色層（カラーフィルター）２２２のみを図示し、それ以外は省略した。なお、図３（Ｂ）と共通しているものについては同様の符号を用いた。
【００８２】
図４（Ｂ）に示したように、着色層（カラーフィルター）は、アクティブマトリクス基板上の薄膜トランジスタのソース領域又はドレイン領域のコンタクトホールのうち絶縁膜２０２が傾斜している部分２２１に対応した領域が除去されている。コンタクトホールのうち絶縁膜２０２が傾斜している部分２２１に対応した領域とは、コンタクトホールの縁と重なる領域を指す。すなわち、第１の着色層（カラーフィルター）２２３の他に、絶縁膜２０２の開口部分に対応する領域には第２の着色層（カラーフィルター）２２２が形成されている。
【００８３】
図４（Ａ）は、コンタクトホール部分を拡大した図であり、図４（Ｂ）のＤ−Ｄ’で切った断面図である。アクティブマトリクス基板の構成については、図３（Ａ）及び（Ｂ）と同様であるため、ここでは説明を省略する。
【００８４】
対向基板の構成は以下のとおりである。基板２０７に接して遮光層２０８、第１の着色層（カラーフィルター）２２３、及び第２の着色層（カラーフィルター）２２２が形成されている。着色層（カラーフィルター）はアクティブマトリクス基板に形成された絶縁膜２０２が傾斜している部分に対応した領域に合わせて除去される。絶縁膜２０２が傾斜している部分に対応した領域とは、コンタクトホールの縁と重なる領域を指す。すなわち、第１の着色層（カラーフィルター）２２３及び第２の着色層（カラーフィルター）２２２が形成される。
【００８５】
基板２０７、第１の着色層（カラーフィルター）２２３、及び第２の着色層（カラーフィルター）２２２に接して対向電極２１０が形成されている。対向電極２１０には、酸化インジウムに酸化スズを混合したインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）に酸化珪素を混合したインジウムスズ珪素酸化物（ＩＴＳＯ）、酸化インジウムに酸化亜鉛を混合したインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、または酸化スズ（ＳｎＯ２）等を用いることができる。
【００８６】
対向電極２１０上に配向膜２１１が形成されている。配向膜２１１には、ポリイミド樹脂等を用いることができる。
【００８７】
上述の構成の対向基板と、図３（Ａ）で説明したアクティブマトリクス基板とを貼り合わせ、アクティブマトリクス基板と対向基板との間に液晶層２１２を形成する。液晶には、強誘電性液晶（ＦＬＣ）、ネマティック液晶、スメクティック液晶、ホモジニアス配向になるような液晶、ホメオトロピック配向になるような液晶等を用いることができる。
【００８８】
アクティブマトリクス基板に形成する薄膜トランジスタは、トップゲート型、ボトムゲート型、チャネルエッチ型、チャネル保護型、いずれでも良い。また、薄膜トランジスタのソース電極又はドレイン電極が、画素電極と直接接続していなくてもよい。図４（Ａ）及び（Ｂ）にも、図１（Ａ）及び（Ｂ）と同様に図９（Ａ）〜（Ｄ）に示したトランジスタを用いることができる。
【００８９】
図４（Ａ）及び（Ｂ）に示した構成とすることによって、コンタクトホールのうち絶縁膜２０２の傾斜している部分２２１の上部で乱れた液晶分子の配向が画像表示に反映されないため、色むらのないディスプレイを作製することができる。また、着色層（カラーフィルター）が選択的に形成されるため、開口率の低下を最小限に抑えることができる。また、通常の着色層を作製する工程と同じプロセスで形成することができるため、工程数の増加もなく、複雑なプロセスを用いる必要もない。
【００９０】
（実施の形態４）
本実施の形態では、選択的に遮光層を形成し、選択的に着色層（カラーフィルター）を除去した液晶表示装置について、図５及び図６を用いて説明する。
【００９１】
図５（Ｂ）は、本発明を適用した液晶表示装置を対向基板側から見た上面図である。アクティブマトリクス基板として、基板上に、薄膜トランジスタ、絶縁膜、画素電極、配向膜等が形成されている。アクティブマトリクス基板と貼り合わせる対向基板として、基板上に、遮光層、対向電極、配向膜、着色層（カラーフィルター）等が形成されている。図５（Ｂ）においては、ゲート線３５１、ソース線３５２、コンタクトホール３０３、薄膜トランジスタの半導体層３５４、第１の遮光層３０８、第２の遮光層３０９、着色層（カラーフィルター）３１０のみを図示し、それ以外は省略した。
【００９２】
図５（Ｂ）に示したように、遮光層として、ゲート線３５１及びソース線３５２に対応する領域に形成される第１の遮光層３０８と、薄膜トランジスタのソース領域又はドレイン領域のコンタクトホール３０３に対応する領域に形成される第２の遮光層３０９の２つが形成される。また、着色層（カラーフィルター）は、薄膜トランジスタのソース領域又はドレイン領域のコンタクトホール３０３に対応する領域が除去されている。コンタクトホール３０３に対応する領域とは、コンタクトホール３０３と重なる領域を指す。図５（Ｂ）では、着色層（カラーフィルター）を除去する領域に遮光層が形成された構成となっている。
【００９３】
図５（Ａ）は、コンタクトホール部分を拡大した図であり、図５（Ｂ）のＥ−Ｅ’で切った断面図である。本実施の形態のアクティブマトリクス基板の構成について以下に説明する。
【００９４】
基板３００上に薄膜トランジスタ３０１が形成されている。基板３００としては、アルミノホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英ガラス等のガラス基板の他、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＥＳ（ポリエーテルスルホン）、ポリプロピレンに代表されるプラスチックや、アクリルなどに代表される合成樹脂を原料とする基板を用いることができる。薄膜トランジスタ３０１は、トップゲート型、ボトムゲート型、チャネルエッチ型、チャネル保護型、いずれでも良いが、図５（Ａ）ではチャネルエッチ型トランジスタを図示した。
【００９５】
薄膜トランジスタ３０１上に絶縁膜３０２を形成し、薄膜トランジスタ３０１と電気的に接続するためのコンタクトホール３０３を形成する。絶縁膜３０２には、有機樹脂膜、無機絶縁膜、またはシロキサン系材料を出発材料として形成されたＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を含む絶縁膜（シロキサン系絶縁膜）を用いて形成することができる。ここで、シロキサンとは、シリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成されるものであって、置換基として、少なくとも水素を含む有機基（例えばアルキル基、アリール基）が用いられる。また、置換基として、フルオロ基を用いてもよい。または、置換基として、少なくとも水素を含む有機基と、フルオロ基とを用いてもよい。また、低誘電率材料を絶縁膜に用いてもよい。
【００９６】
薄膜トランジスタ３０１及び絶縁膜３０２を覆うように、画素電極３０４が形成される。画素電極３０４は、露出した薄膜トランジスタ３０１のドレイン電極３０５ｂと電気的に接続している。
【００９７】
反射型の液晶表示装置を作製する場合には、画素電極３０４として反射性を有する金属を用いることができる。透過型の液晶表示装置を作製する場合には、酸化インジウムに酸化スズを混合したインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）に酸化珪素を混合したインジウムスズ珪素酸化物（ＩＴＳＯ）、酸化インジウムに酸化亜鉛を混合したインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、または酸化スズ（ＳｎＯ２）等を用いることができる。半透過型の液晶表示装置を作製する場合、反射領域には反射性を有する金属を画素電極に用い、透過領域には透光性を有する材料（例えば、酸化インジウムに酸化スズを混合したインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）に酸化珪素を混合したインジウムスズ珪素酸化物（ＩＴＳＯ）、酸化インジウムに酸化亜鉛を混合したインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、または酸化スズ（ＳｎＯ２）等）を用いることができる。
【００９８】
画素電極３０４上に配向膜３０６が形成されている。配向膜３０６には、ポリイミド樹脂等を用いることができる。
【００９９】
次に、本実施の形態の対向基板の構成について説明する。
【０１００】
基板３０７に接して、第１の遮光層３０８、第２の遮光層３０９、着色層（カラーフィルター）３１０が形成されている。第１の遮光層３０８は、ソース配線を覆うように形成されるが、ソース電極３０５ａは一部のみ覆う構成である。第２の遮光層３０９は、コンタクトホール３０３に合わせて形成される。基板３０７には、アルミノホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英ガラス等のガラス基板の他、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＥＳ（ポリエーテルスルホン）、ポリプロピレンに代表されるプラスチックや、アクリルなどに代表される合成樹脂を原料とする基板を用いることができる。第１の遮光層３０８及び第２の遮光層３０９には、遮光性の膜（例えば、クロム（Ｃｒ）の単層膜、酸化クロム（ＣｒｘＯｙ）とクロム（Ｃｒ）の積層膜、カーボンブラックなどの顔料、染料等を分散させた樹脂膜等）を用いることができる。
【０１０１】
図５（Ｂ）で示したように、アクティブマトリクス基板上のゲート線３５１及びソース線３５２に対応する領域に形成される第１の遮光層３０８と、アクティブマトリクス基板上の薄膜トランジスタのソース領域又はドレイン領域のコンタクトホール３０３に対応する領域に形成される第２の遮光層３０９の２つが形成される。なお、コンタクトホール３０３に対応する領域とは、コンタクトホール３０３と重なる領域を指す。
【０１０２】
第２の遮光層３０９はゲート線３５１及びソース線３５２に対応する領域に形成される第１の遮光層３０８とは独立して、アクティブマトリクス基板のコンタクトホール３０３に対応する領域に形成される。したがって、その領域は表示部として機能しないため、コンタクトホール３０３の上層に存在する液晶分子の配向状態が乱れていても、色むらのない高画質な表示装置を作製することが可能となる。
【０１０３】
また、第１の遮光層３０８は、ゲート線３５１及びソース線３５２の上方に設けられているが、薄膜トランジスタ全体は覆っていない。このような構成であるため、開口率の低下を最小限に抑えることができる。
【０１０４】
遮光層を第１の遮光層３０８と第２の遮光層３０９の２つに分けて形成することにより、開口率の低下を最小限に抑えることができ、色むらがなく、コントラストの高い、高画質な表示装置を作製することができる。
【０１０５】
なお、第２の遮光層３０９の形状は、アクティブマトリクス基板のコンタクトホールに対応する領域に設けられていればどのような形状であってもよい。例えば、円形、楕円形、正方形、長方形、三角形などが挙げられる。
【０１０６】
次に、着色層（カラーフィルター）３１０が形成される。着色層（カラーフィルター）は、絶縁膜３０２に形成されたコンタクトホール３０３に合わせて除去される。また、着色層（カラーフィルター）３１０は単色でも複数色でもよい。
【０１０７】
着色層（カラーフィルター）を除去する形状は、アクティブマトリクス基板のコンタクトホール３０３に対応する領域に形成されていればどのような形状であってもよい。例えば、円形、楕円形、正方形、長方形、三角形などが挙げられる。
【０１０８】
次に、対向電極３１１が形成される。対向電極３１１には、酸化インジウムに酸化スズを混合したインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）に酸化珪素を混合したインジウムスズ珪素酸化物（ＩＴＳＯ）、酸化インジウムに酸化亜鉛を混合したインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、または酸化スズ（ＳｎＯ２）等を用いることができる。
【０１０９】
対向電極３１１上に配向膜３１２が形成されている。配向膜３１２には、ポリイミド樹脂等を用いることができる。
【０１１０】
上述の構成のアクティブマトリクス基板と対向基板とを貼り合わせ、アクティブマトリクス基板と対向基板との間に液晶層３１３を形成する。液晶には、強誘電性液晶（ＦＬＣ）、ネマティック液晶、スメクティック液晶、ホモジニアス配向になるような液晶、ホメオトロピック配向になるような液晶等を用いることができる。
【０１１１】
アクティブマトリクス基板に形成する薄膜トランジスタは、トップゲート型、ボトムゲート型、チャネルエッチ型、チャネル保護型、いずれでも良い。また、薄膜トランジスタのソース電極又はドレイン電極が、画素電極と直接接続していなくてもよい。図５（Ａ）及び（Ｂ）にも、図１（Ａ）及び（Ｂ）と同様に図９（Ａ）〜（Ｄ）に示したトランジスタを用いることができる。
【０１１２】
図５（Ａ）及び（Ｂ）に示した構成とすることによって、コンタクトホール３０３の上部で乱れた液晶分子の配向が画像表示に反映されないため、色むらのないディスプレイを作製することができる。また、遮光層を選択的に設け、着色層（カラーフィルター）を選択的に除去するため、開口率の低下を抑えることができる。また、通常の遮光層及び着色層（カラーフィルター）を作製する工程と同じプロセスで形成することができるため、工程数の増加もなく、複雑なプロセスを用いる必要もない。
【０１１３】
また、アクティブマトリクス基板のコンタクトホールのうち絶縁膜が傾斜している部分、すなわちコンタクトホールの縁と重なる領域に遮光層を形成し、着色層（カラーフィルター）を除去する構成とすることも可能である。液晶分子の配向は、絶縁膜３０２が傾斜している領域（コンタクトホールの縁）で最も乱れるからである。
【０１１４】
図６（Ｂ）は、本発明を適用した液晶表示装置を対向基板側から見た上面図である。第２の遮光層３２２を丸型ではなく、ドーナツ型に形成し、着色層（カラーフィルター）を丸型ではなく、ドーナツ型に除去した点で図５（Ｂ）と異なっている。アクティブマトリクス基板として、基板上に、薄膜トランジスタ、絶縁膜、画素電極、配向膜等が形成されている。アクティブマトリクス基板と貼り合わせる対向基板としては、基板上に、遮光層、着色層、対向電極、配向膜等が形成されている。図６（Ｂ）においては、ゲート線３５１、ソース線３５２、薄膜トランジスタの半導体層３５４、第１の遮光層３０８、第２の遮光層３２２、第１の着色層（カラーフィルター）３２３、第２の着色層（カラーフィルター）３２４のみを図示し、それ以外は省略した。なお、図５（Ｂ）と共通しているものについては同様の符号を用いた。
【０１１５】
図６（Ｂ）に示したように、アクティブマトリクス基板上に形成された薄膜トランジスタのソース領域又はドレイン領域のコンタクトホールのうち、絶縁膜３０２が傾斜している部分３２１に対応した領域に第２の遮光層３２２が形成され、着色層（カラーフィルター）が除去されている。なお、絶縁膜３０２が傾斜している部分３２１に対応した領域とは、コンタクトホールの縁と重なる領域を指す。
【０１１６】
図６（Ａ）は、コンタクトホール部分を拡大した図であり、図６（Ｂ）のＦ−Ｆ’で切った断面図である。アクティブマトリクス基板の構成については、図５（Ａ）及び（Ｂ）と同様であるため、ここでは説明を省略する。
【０１１７】
対向基板の構成は以下のとおりである。基板３０７に接して、第１の遮光層３０８、第２の遮光層３２２、第１の着色層（カラーフィルター）３２３、第２の着色層（カラーフィルター）３２４が形成されている。第１の遮光層３０８は、ソース配線を覆うように形成されるが、ソース電極３０５ａは一部のみ覆う構成である。第２の遮光層３２２は、コンタクトホールのうち絶縁膜３０２が傾斜している部分３２１に合わせて形成される。基板３０７には、アルミノホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英ガラス等のガラス基板の他、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＥＳ（ポリエーテルスルホン）、ポリプロピレンに代表されるプラスチックや、アクリルなどに代表される合成樹脂を原料とする基板を用いることができる。第１の遮光層３０８及び第２の遮光層３２２には、遮光性の膜（例えば、クロム（Ｃｒ）の単層膜、酸化クロム（ＣｒｘＯｙ）とクロム（Ｃｒ）の積層膜、カーボンブラックなどの顔料、染料等を分散させた樹脂膜等）を用いることができる。
【０１１８】
図６（Ｂ）で示したように、アクティブマトリクス基板上のゲート線３５１及びソース線３５２に対応する領域に形成される第１の遮光層３０８と、アクティブマトリクス基板上の薄膜トランジスタのソース領域又はドレイン領域のコンタクトホールのうち絶縁膜３０２が傾斜している部分３２１に対応する領域に形成される第２の遮光層３２２の２つが形成される。なお、絶縁膜３０２が傾斜している部分３２１に対応する領域とは、コンタクトホールの縁と重なる領域を指す。
【０１１９】
第２の遮光層３２２はゲート線３５１及びソース線３５２に対応する領域に形成される第１の遮光層３０８とは独立して、アクティブマトリクス基板のコンタクトホールのうち絶縁膜３０２が傾斜している部分３２１に対応する領域に形成される。したがって、その領域は表示部として機能しないため、液晶分子の配向状態が乱れていても、色むらのない高画質な表示装置を作製することが可能となる。
【０１２０】
また、第１の遮光層３０８は、ゲート線３５１及びソース線３５２の上方に設けられているが、薄膜トランジスタ全体は覆っていない。このような構成であるため、開口率の低下を最小限に抑えることができる。
【０１２１】
遮光層を第１の遮光層３０８と第２の遮光層３２２の２つに分けて形成することにより、開口率の低下を最小限に抑えることができ、色むらがなく、コントラストの高い、高画質な表示装置を作製することができる。
【０１２２】
第２の遮光層３２２の形状は、アクティブマトリクス基板のコンタクトホールに対応する領域に設けられていればどのような形状であってもよい。例えば、円形、楕円形、正方形、長方形、三角形などが挙げられる。
【０１２３】
次に、第１の着色層（カラーフィルター）３２３及び第２の着色層（カラーフィルター）３２４が形成される。着色層（カラーフィルター）は、アクティブマトリクス基板上に形成されたコンタクトホールのうち絶縁膜が傾斜している領域（コンタクトホールの縁）に合わせて除去される。また、着色層（カラーフィルター）は単色でも複数色でもよい。
【０１２４】
着色層（カラーフィルター）を除去する形状は、アクティブマトリクス基板のコンタクトホールに対応する領域に形成されていればどのような形状であってもよい。例えば、円形、楕円形、正方形、長方形、三角形などが挙げられる。
【０１２５】
次に、対向電極３１１が形成される。対向電極３１１には、酸化インジウムに酸化スズを混合したインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）に酸化珪素を混合したインジウムスズ珪素酸化物（ＩＴＳＯ）、酸化インジウムに酸化亜鉛を混合したインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、または酸化スズ（ＳｎＯ２）等を用いることができる。
【０１２６】
対向電極３１１上に配向膜３１２が形成されている。配向膜３１２には、ポリイミド樹脂等を用いることができる。
【０１２７】
上述の構成のアクティブマトリクス基板と対向基板とを貼り合わせ、アクティブマトリクス基板と対向基板との間に液晶層３１３を形成する。液晶には、強誘電性液晶（ＦＬＣ）、ネマティック液晶、スメクティック液晶、ホモジニアス配向になるような液晶、ホメオトロピック配向になるような液晶等を用いることができる。
【０１２８】
アクティブマトリクス基板に形成する薄膜トランジスタは、トップゲート型、ボトムゲート型、チャネルエッチ型、チャネル保護型、いずれでも良い。また、薄膜トランジスタのソース電極又はドレイン電極が、画素電極と直接接続していなくてもよい。図６（Ａ）及び（Ｂ）にも、図１（Ａ）及び（Ｂ）と同様に図９（Ａ）〜（Ｄ）に示したトランジスタを用いることができる。
【０１２９】
図６（Ａ）及び（Ｂ）に示した構成とすることによって、コンタクトホールのうち絶縁膜３０２の傾斜している部分３２１の上部で乱れた液晶分子の配向が画像表示に反映されないため、色むらのないディスプレイを作製することができる。また、遮光層が選択的に形成され、着色層（カラーフィルター）が選択的に除去されるため、開口率の低下を抑えることができる。また、第２の遮光層３２２はアクティブマトリクス基板上のゲート線３５１及びソース線３５２に対応する領域に形成される第１の遮光層３０８を形成する工程と同じプロセスで形成することができ、着色層も通常の着色層を作製する工程と同じプロセスで形成することができるため、工程数の増加もなく、複雑なプロセスを用いる必要もない。
【０１３０】
（実施の形態５）
本実施の形態では、実施の形態２及び４の他の態様について説明する。
【０１３１】
図１５（Ａ）及び（Ｂ）に示したのは、図１（Ｂ）の他の態様である。図１５（Ａ）及び（Ｂ）において、ゲート線１５１、ソース線１５２、第１の遮光層１０８は図１（Ｂ）と共通である。
【０１３２】
図１（Ｂ）では第２の遮光層１０９及びコンタクトホール１０３がドレイン電極より小さい形状を示したが、図１５（Ａ）に示したように、第２の遮光層１３２がコンタクトホール１３１を覆い、且つ、一部がドレイン電極と重ならないように形成してもよい。また、図１５（Ｂ）に示したように、第２の遮光層１３４の一部及びコンタクトホール１３３の縁の一部がドレイン電極と重ならないように形成してもよい。
【０１３３】
また、図１５（Ａ）及び（Ｂ）と図２（Ｂ）とを組み合わせることも可能である。図２（Ｂ）では第２の遮光層１２２及びコンタクトホール１５３がドレイン電極より小さい形状を示したが、第２の遮光層がコンタクトホールの縁を覆い、且つ、一部がドレイン電極と重ならないように形成してもよい。また、第２の遮光層の一部及びコンタクトホールの縁の一部がドレイン電極と重ならないように形成してもよい。
【０１３４】
同様に、図１５（Ａ）及び（Ｂ）と図３（Ｂ）とを組み合わせることも可能である。図３（Ｂ）では着色層（カラーフィルター）を除去する部分の形状がドレイン電極より小さい形状を示したが、着色層（カラーフィルター）を除去する部分の形状コンタクトホールを覆い、且つ、一部がドレイン電極と重ならないように形成してもよい。
【０１３５】
同様に、図１５（Ａ）及び（Ｂ）と図４（Ｂ）とを組み合わせることも可能である。図４（Ｂ）では、着色層（カラーフィルター）を除去する部分の形状がドレイン電極より小さい形状を示したが、着色層（カラーフィルター）を除去する部分の形状がコンタクトホールの縁を覆い、且つ、一部がドレイン電極と重ならないように形成してもよい。また、着色層（カラーフィルター）を除去する部分の形状及びコンタクトホールの縁の一部がドレイン電極と重ならないように形成してもよい。
【０１３６】
同様に、図１５（Ａ）及び（Ｂ）と図５（Ｂ）とを組み合わせることも可能である。図５（Ｂ）では第２の遮光層３０９及びコンタクトホール３０３がドレイン電極より小さい形状を示したが、第２の遮光層がコンタクトホールを覆い、且つ、一部がドレイン電極と重ならないように形成してもよい。また、第２の遮光層の一部及びコンタクトホールの縁の一部がドレイン電極と重ならないように形成してもよい。
【０１３７】
同様に、図１５（Ａ）及び（Ｂ）と図６（Ｂ）とを組み合わせることも可能である。図６（Ｂ）では、第２の遮光層３２２及びコンタクトホールがドレイン電極より小さい形状を示したが、第２の遮光層がコンタクトホールの縁を覆い、且つ、一部がドレイン電極と重ならないように形成してもよい。また、第２の遮光層の一部及びコンタクトホールの縁の一部がドレイン電極と重ならないように形成してもよい。
【０１３８】
（実施の形態６）
本実施の形態では、本発明を用いた対向基板の作製方法について、図８を用いて説明する。
【０１３９】
基板５００上に遮光層５０１となる金属クロム膜を成膜する。基板５００には、アルミノホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英ガラス等のガラス基板の他、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＥＳ（ポリエーテルスルホン）、ポリプロピレンに代表されるプラスチックや、アクリルなどに代表される合成樹脂を原料とする基板を用いることができる。金属クロム膜の成膜方法としては、スパッタリング法等を用いるとよい。続いて、フォトリソグラフィー法により所望の形状に加工することによって、遮光層５０１を形成する（図８（Ａ））。
【０１４０】
なお、遮光層の材料としては、遮光性の膜（例えば、クロム（Ｃｒ）の単層膜、酸化クロム（ＣｒｘＯｙ）とクロム（Ｃｒ）の積層膜、カーボンブラックなどの顔料、染料等を分散させた樹脂膜等）を用いることができる。また、ＲＧＢそれぞれのカラーフィルターを重ねて遮光層として用いてもよい。
【０１４１】
このとき、図１に示した構成とするには、アクティブマトリクス基板のゲート線１５１及びソース線１５２に対応する領域と、薄膜トランジスタのソース領域又はドレイン領域のコンタクトホール１０３に対応する領域に遮光層を形成する。図２に示した構成とするには、アクティブマトリクス基板のゲート線１５１及びソース線１５２に対応する領域と、薄膜トランジスタのソース領域又はドレイン領域のコンタクトホール１５３のうち絶縁膜１０２が傾斜している部分１２１（コンタクトホールの縁）に対応する領域に遮光層を形成する。図３及び図４に示した構成とするには、アクティブマトリクス基板のゲート線２５１及びソース線２５２に対応する領域に遮光層を形成する。図５に示した構成とするには、アクティブマトリクス基板のゲート線３５１及びソース線３５２に対応する領域と、薄膜トランジスタのソース領域又はドレイン領域のコンタクトホール３０３に対応する領域に遮光層を形成する。図６に示した構成とするには、アクティブマトリクス基板のゲート線３５１及びソース線３５２に対応する領域と、薄膜トランジスタのソース領域又はドレイン領域のコンタクトホールのうち絶縁膜３０２が傾斜している部分３２１（コンタクトホールの縁）に対応する領域に遮光層を形成する。
【０１４２】
次に、着色層（カラーフィルター）を形成する。カラーフィルターの形成方法には、顔料分散法、染色法、電着法、印刷法などがあり、どの方法を用いてもよい。本実施の形態では顔料分散法を用いた場合について説明する。
【０１４３】
顔料分散法には、エッチング法とカラーレジスト法の２つがある。エッチング法を用いた場合、遮光層が形成された基板上に、まずＲの顔料を分散した着色樹脂をスピンコート法などによって塗布し、乾燥、予備加熱する。続いて、ポジレジストを塗布した後にマスク露光を行う。続いて、アルカリ水溶液でポジレジストの現像と着色樹脂膜のエッチングを行い、有機溶剤によってポジレジストを剥離することによって、Ｒの着色樹脂膜５０２を形成することができる（図８（Ｂ））。
【０１４４】
ＧとＢの着色樹脂についても同じ工程を繰り返し、Ｇの着色樹脂膜５０３及びＢの着色樹脂膜５０４を形成する（図８（Ｃ）〜（Ｄ））。続いて、保護膜を塗布する（図示せず）。以上の工程によって、カラーフィルターが形成される。
【０１４５】
カラーレジスト法を用いた場合（図示せず）、着色樹脂にレジストのような光硬化性を持たせたカラーレジストを用いる。カラーレジストとは、顔料をアクリル・エポキシ系の紫外線硬化樹脂（ネガレジスト）などに分散し、溶媒に溶かしたものである。遮光層を形成した基板上にカラーレジスト（Ｒ）をスピンコート法などによって塗布する。次に、マスクを介して露光し、現像することによって、所望の形状に加工する。
【０１４６】
Ｇ及びＢのカラーレジストについても同じ工程を繰り返し、保護膜を塗布する。以上の工程によって、着色層（カラーフィルター）が形成される。
【０１４７】
このとき、図１及び図２に示した構成とする場合には、特に着色層（カラーフィルター）を除去する必要はない。図３及び図５に示した構成とするには、アクティブマトリクス基板上の薄膜トランジスタのソース領域又はドレイン領域のコンタクトホールに対応する領域の着色層を除去する。図４及び図６に示した構成とするには、アクティブマトリクス基板上の薄膜トランジスタのソース領域又はドレイン領域のコンタクトホールのうち絶縁膜が傾斜している領域（コンタクトホールの縁）に対応する領域の着色層（カラーフィルター）を除去する。
【０１４８】
次に、対向電極５０５を形成する（図８（Ｅ））。対向電極５０５には、酸化インジウムに酸化スズを混合したインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）に酸化珪素を混合したインジウムスズ珪素酸化物（ＩＴＳＯ）、酸化インジウムに酸化亜鉛を混合したインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、または酸化スズ（ＳｎＯ２）等を用いることができる。成膜方法としては、真空蒸着法やスパッタリング法等があげられる。
【０１４９】
続いて、配向膜として機能する絶縁膜５０６を形成する（図８（Ｆ））。絶縁膜５０６は、ポリイミドやポリビニルアルコール等の高分子化合物膜を印刷法、ロールコート法等で形成した後、ラビングすることにより形成することができる。また、酸化珪素を基板に対して斜めから蒸着して形成することもできる。また、光反応型の高分子化合物に偏光したＵＶ光を照射し、光反応型の高分子化合物を重合させて形成することもできる。ここでは、ポリイミドやポリビニルアルコール等の高分子化合物膜を印刷法により印刷し、焼成した後、ラビングすることで形成する。
【０１５０】
以上の工程により、選択的に遮光層を形成した対向基板を作製することができる。
【０１５１】
本実施の形態は、実施の形態１〜４と自由に組み合わせることができる。
【０１５２】
（実施の形態７）
本実施の形態では、本発明の液晶表示装置の構成について、図１０を用いて説明する。図１０（Ａ）は、アクティブマトリクス基板７０１と対向基板７０２との間に液晶層を挟んでなる液晶パネルの上面図であり、図１０（Ｂ）は、図１０（Ａ）のＧ−Ｇ’の断面図に相当する。また、アクティブマトリクス基板７０１としては、どのように形成されたものを用いてもよく、対向基板７０２としては、実施の形態１〜４で説明したものを用いることとする。ここでは、実施の形態２に示した対向基板を図示した。
【０１５３】
図１０（Ａ）において、７０５は画素部、７０６は駆動回路部である。本実施の形態において、画素部７０５は、シール材７０３で囲まれた領域内に形成され、駆動回路部７０６は、その領域外に実装されている。
【０１５４】
また、アクティブマトリクス基板７０１と対向基板７０２とを封止するシール材７０３には、密閉空間の間隔を保持するためのギャップ材が含有されており、これらにより形成された空間には、液晶が充填されている。なお、図１０（Ａ）には、アクティブマトリクス基板７０１と対向基板７０２とをシール材７０３によって貼り合わせた後、両基板の間に液晶を注入し、封止材７０４によって封止する場合について示したが、本発明はこの方法に限られることはなく、アクティブマトリクス基板７０１と対向基板７０２のうちの一方の基板上に液晶を滴下した後、両方の基板を貼り合わせる方法（ＯＤＦ法）を用いることもできる。
【０１５５】
次に、断面構造について、図１０（Ｂ）を用いて説明する。アクティブマトリクス基板７０１を形成する第１の基板７０７上には画素部７０５が形成されており、ＴＦＴを代表とする半導体素子を複数有している。また、本実施の形態では、基板上に実装された駆動回路部７０６には、ソース線駆動回路およびゲート線駆動回路が含まれている。
【０１５６】
画素部７０５には、複数の画素が形成されており、画素電極である第１の電極７１１は、ＴＦＴ７１３と電気的に接続されている。
【０１５７】
一方、対向基板７０２を形成する第２の基板７０８上には、第１の遮光層７１６、第２の遮光層７１７、第２の電極７１９が形成されている。また、第２の電極７１９上には、配向膜７２０が形成されている。
【０１５８】
また、第２の遮光層７１７は、アクティブマトリクス基板７０１に形成されたコンタクトホールに対応する領域に設けられている。
【０１５９】
なお、本実施の形態で示す液晶表示装置において、アクティブマトリクス基板７０１上に形成された第１の電極７１１と、対向基板７０２上に形成された第２の電極７１９との間に液晶層７１２を挟んでなる部分が液晶素子である。
【０１６０】
また、７２１は柱状スペーサーであり、アクティブマトリクス基板７０１と対向基板７０２との間の距離（セルギャップ）を制御するために設けられている。柱状スペーサー７２１は絶縁膜を所望の形状にエッチングして形成されている。なお、球状スペーサーを用いてもよい。
【０１６１】
画素部７０５、および駆動回路部７０６に与えられる各種信号及び電位は、接続配線７２２を介して、ＦＰＣ７２３から供給されている。なお、接続配線７２２とＦＰＣ７２３とは、異方性導電膜又は異方性導電樹脂７２４で電気的に接続されている。なお、異方性導電膜又は異方性導電樹脂の代わりにハンダや銀ペースト等の導電性ペーストを用いてもよい。
【０１６２】
また、図示しないが、アクティブマトリクス基板７０１及び対向基板７０２の一方又は両方の表面には、接着剤によって偏光板が固定されている。なお、偏光板の他に位相差板を設けても良い。
【０１６３】
（実施の形態８）
本実施の形態では、本発明の液晶表示装置における駆動回路の実装方法について、図１１を用いて説明する。
【０１６４】
図１１（Ａ）の場合には、画素部８０１の周辺にソース線駆動回路８０２、及びゲート線駆動回路８０３ａ、８０３ｂが実装される。すなわち、公知の異方性導電接着剤、及び異方性導電フィルムを用いた実装方法、ＣＯＧ方式、ワイヤボンディング方法、並びにハンダバンプを用いたリフロー処理等により、基板８００上にＩＣチップ８０５を実装することで、ソース線駆動回路８０２、及びゲート線駆動回路８０３ａ、８０３ｂ等が実装される。なお、ＩＣチップ８０５は、ＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）８０６を介して、外部回路と接続される。
【０１６５】
なお、ソース線駆動回路８０２の一部、例えばアナログスイッチを基板上に形成し、かつその他の部分を別途ＩＣチップで実装してもよい。
【０１６６】
また、図１１（Ｂ）の場合には、画素部８０１とゲート線駆動回路８０３ａ、８０３ｂ等が基板上に形成され、ソース線駆動回路８０２等が別途ＩＣチップで実装される。すなわち、ＣＯＧ方式などの実装方法により、画素部８０１とゲート線駆動回路８０３ａ、８０３ｂ等が形成された基板８００上にＩＣチップ８０５を実装することで、ソース線駆動回路８０２等が実装される。なお、ＩＣチップ８０５は、ＦＰＣ８０６を介して外部回路を接続される。
【０１６７】
なお、ソース線駆動回路８０２の一部、例えばアナログスイッチを基板上に形成し、かつその他の部分を別途ＩＣチップで実装してもよい。
【０１６８】
さらに、図１１（Ｃ）の場合には、ＴＡＢ方式によりソース線駆動回路８０２等が実装される。なお、ＩＣチップ８０５は、ＦＰＣ８０６を介して、外部回路と接続される。図１１（Ｃ）では、ソース線駆動回路８０２等をＴＡＢ方式により実装しているが、ゲート線駆動回路等をＴＡＢ方式により実装してもよい。
【０１６９】
ＩＣチップ８０５をＴＡＢ方式により実装すると、基板に対して画素部を大きく設けることができ、狭額縁化を達成することができる。
【０１７０】
また、ＩＣチップ８０５の代わりにガラス基板上にＩＣを形成したＩＣ（以下、ドライバＩＣと表記する）を設けても良い。ＩＣチップ８０５は、円形のシリコンウェハからＩＣチップを取り出すため、母体基板形状に制約がある。一方、ドライバＩＣは、母体基板がガラスであり、形状に制約がないため、生産性を高めることができる。そのため、ドライバＩＣの形状寸法は自由に設定することができる。例えば、ドライバＩＣの長辺の長さを１５〜８０ｍｍとして形成すると、ＩＣチップを実装する場合と比較し、必要な数を減らすことができる。その結果、接続端子数を低減することができ、製造上の歩留まりを向上させることができる。
【０１７１】
ドライバＩＣは、基板上に形成された結晶質半導体を用いて形成することができ、結晶質半導体は連続発振型のレーザー光を照射することで形成するとよい。連続発振型のレーザー光を照射して得られる半導体膜は、結晶欠陥が少なく、大粒径の結晶粒を有する。その結果、このような半導体膜を有するトランジスタは、移動度や応答速度が良好となり、高速駆動が可能となり、ドライバＩＣに好適である。
【０１７２】
（実施の形態９）
本実施の形態では、実施の形態１〜７を実施することにより形成される本発明の液晶表示装置に電源回路、コントローラ等の外部回路を接続して形成される液晶モジュールであって、白色ライトを用いてカラー表示をする液晶モジュールについて、図１２の断面図を用いて説明する。
【０１７３】
図１２に示すように、アクティブマトリクス基板９０１と対向基板９０２は、シール材９０３により固着され、それらの間には液晶層９０５が設けられ、液晶表示パネルが形成されている。
【０１７４】
また、アクティブマトリクス基板９０１上に形成された着色膜９０６は、カラー表示を行う場合に必要であり、ＲＧＢ方式の場合は、赤、緑、青の各色に対応した着色膜が各画素に対応して設けられている。アクティブマトリクス基板９０１と対向基板９０２との内側には、配向膜９１８、９１９が形成されている。また、アクティブマトリクス基板９０１と対向基板９０２との外側には、偏光板９０７、９０８が配設されている。また、偏光板９０７の表面には、保護膜９０９が形成されており、外部からの衝撃を緩和している。
【０１７５】
アクティブマトリクス基板９０１に設けられた接続端子９１０には、ＦＰＣ９１１を介して配線基板９１２が接続されている。配線基板９１２には、画素駆動回路（ＩＣチップ、ドライバＩＣ等）、コントロール回路や電源回路などの外部回路９１３が組み込まれている。
【０１７６】
冷陰極管９１４、反射板９１５、及び光学フィルム９１６、インバーター（図示せず）は、バックライトユニットであり、これらが光源となって液晶表示パネルへ光を投射する。液晶表示パネル、光源、配線基板９１２、ＦＰＣ９１１等は、ベゼル９１７で保持及び保護されている。
【０１７７】
（実施の形態１０）
本発明の液晶表示装置を備えた電子機器として、テレビジョン装置（単にテレビ、又はテレビジョン受信機ともよぶ）、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、電話装置（単に電話機、電話ともよぶ）、ＰＤＡ等の情報端末、電子ブック、ゲーム機、コンピューター用のモニター、コンピューター、カーオーディオやＭＰ３プレーヤー等の音響再生装置、家庭用ゲーム機等の記録媒体を備えた画像再生装置等が挙げられる。その好ましい形態について、図１３を参照して説明する。
【０１７８】
図１３（Ａ）に示すテレビジョン装置は、本体８００１、表示部８００２等を含んでいる。表示部８００２には、本発明の液晶表示装置を適用することができる。本発明の液晶表示装置は、視認性の高い画像表示が実現可能なテレビジョン装置を提供することができる。
【０１７９】
図１３（Ｂ）に示す情報端末機器は、本体８１０１、表示部８１０２等を含んでいる。表示部８１０２には、本発明の液晶表示装置を適用することができる。本発明の液晶表示装置は、視認性の高い画像表示が実現可能な情報端末機器を提供することができる。
【０１８０】
図１３（Ｃ）に示すデジタルビデオカメラは、本体８２０１、表示部８２０２等を含んでいる。表示部８２０２には、本発明の液晶表示装置を適用することができる。本発明の液晶表示装置は、視認性の高い画像表示が実現可能なデジタルビデオカメラを提供することができる。
【０１８１】
図１３（Ｄ）に示す電話機は、本体８３０１、表示部８３０２等を含んでいる。表示部８３０２には、本発明の液晶表示装置を適用することができる。本発明の液晶表示装置は、視認性の高い画像表示が実現可能な電話機を提供することができる。
【０１８２】
図１３（Ｅ）に示すモニターは、本体８４０１、表示部８４０２等を含んでいる。表示部８４０２には、本発明の液晶表示装置を適用することができる。本発明の液晶表示装置は、視認性の高い画像表示が実現可能なモニターを提供することができる。
【０１８３】
（実施の形態１１）
実施の形態１〜１０では、液晶表示装置について説明してきたが、本発明は、液晶表示装置だけでなく、発光装置に用いることも可能である。発光装置において、コンタクトホール部で発光させる場合、コンタクトホール部とそれ以外の部分とで光の通る光路長が異なるため、色むらが発生する。
【０１８４】
図１４において、１０００は基板、１００１は薄膜トランジスタ、１００２は絶縁膜、１００３はコンタクトホール、１００４は第１の電極、１００５ａはソース電極、１００５ｂはドレイン電極、１００６は発光層を含む層、１００７は第２の電極、１００８は基板、１００９は遮光層、１０１０は空間である。
【０１８５】
図１４に示したように、液晶表示装置の場合と同様に、発光装置のコンタクトホール１００３に対応する領域に遮光層を形成すると、色むらのない画像表示となる。
【０１８６】
なお、図１４では、実施の形態２に示した構成を適用した発光装置を示しているが、発光装置に実施の形態１〜５のいずれの形態を適用することが可能である。また、実施の形態１０の表示部に発光装置を用いることも可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１８７】
【図１】実施の形態２を説明する図。
【図２】実施の形態２を説明する図。
【図３】実施の形態３を説明する図。
【図４】実施の形態３を説明する図。
【図５】実施の形態４を説明する図。
【図６】実施の形態４を説明する図。
【図７】実施の形態２を説明する図。
【図８】実施の形態６を説明する図。
【図９】本発明に適用できる薄膜トランジスタの一例を示す図。
【図１０】本発明を用いた液晶表示装置。
【図１１】本発明を用いた液晶表示装置の駆動回路。
【図１２】本発明を用いた液晶表示装置。
【図１３】本発明を用いた液晶表示装置を備えた電子機器。
【図１４】実施の形態１１を説明する図。
【図１５】実施の形態５を説明する図。
【符号の説明】
【０１８８】
１００    基板
１０１    薄膜トランジスタ
１０２    絶縁膜
１０３    コンタクトホール
１０４    画素電極
１０５ａ    ソース電極
１０５ｂ    ドレイン電極
１０６    配向膜
１０７    基板
１０８    第１の遮光層
１０９    第２の遮光層
１１０    対向電極
１１１    配向膜
１１２    液晶層
１２１    絶縁膜が傾斜している部分
１２２    第２の遮光層
１３１    コンタクトホール
１３２    第２の遮光層
１３３    コンタクトホール
１３４    第２の遮光層
１５１    ゲート線
１５２    ソース線
１５３    コンタクトホール
１５４    半導体層
２００    基板
２０１    薄膜トランジスタ
２０２    絶縁膜
２０３    コンタクトホール
２０４    画素電極
２０５ａ    ソース電極
２０５ｂ    ドレイン電極
２０６    配向膜
２０７    基板
２０８    遮光層
２０９    着色層（カラーフィルター）
２１０    対向電極
２１１    配向膜
２１２    液晶層
２２１    絶縁膜が傾斜している部分
２２２    第２の着色層（カラーフィルター）
２２３    第１の着色層（カラーフィルター）
２５１    ゲート線
２５２    ソース線
２５３    コンタクトホール
２５４    半導体層
３００    基板
３０１    薄膜トランジスタ
３０２    絶縁膜
３０３    コンタクトホール
３０４    画素電極
３０５ａ    ソース電極
３０５ｂ    ドレイン電極
３０６    配向膜
３０７    基板
３０８    第１の遮光層
３０９    第２の遮光層
３１０    着色層（カラーフィルター）
３１１    対向電極
３１２    配向膜
３１３    液晶層
３２１    絶縁膜が傾斜している部分
３２２    第２の遮光層
３２３    第１の着色層（カラーフィルター）
３２４    第２の着色層（カラーフィルター）
３５１    ゲート線
３５２    ソース線
３５４    半導体層
４０１    第１の遮光層
４０２    第２の遮光層
５００    基板
５０１    遮光層
５０２    Ｒの着色樹脂
５０３    Ｇの着色樹脂
５０４    Ｂの着色樹脂
５０５    対向電極
５０６    絶縁膜
６０１    ソース電極又はドレイン電極
６０２    画素電極
６１１    ソース電極又はドレイン電極
６１２    画素電極
６１３    導電層
６２１    ソース領域又はドレイン領域
６２２    画素電極
６３１    ソース領域又はドレイン領域
６３２    画素電極
６３３    導電層
７０１    アクティブマトリクス基板
７０２    対向基板
７０３    シール材
７０４    封止材
７０５    画素部
７０６    駆動回路部
７０７    第１の基板
７０８    第２の基板
７１０    液晶素子
７１１    第１の電極
７１２    液晶層
７１３    ＴＦＴ
７１６    第１の遮光層
７１７    第２の遮光層
７１９    第２の電極
７２０    配向膜
７２１    柱状スペーサー
７２２    接続配線
７２３    ＦＰＣ
７２４    異方性導電樹脂
８００    基板
８０１    画素部
８０２    ソース線駆動回路
８０３ａ    ゲート線駆動回路
８０３ｂ    ゲート線駆動回路
８０５    ＩＣチップ
８０６    ＦＰＣ
９０１    アクティブマトリクス基板
９０２    対向基板
９０３    シール材
９０５    液晶層
９０６    着色膜
９０７    偏光板
９０９    保護膜
９１０    接続端子
９１１    ＦＰＣ
９１２    配線基板
９１３    外部回路
９１４    冷陰極管
９１５    反射板
９１６    光学フィルム
９１７    ベゼル
９１８    配向膜
１０００    基板
１００１    薄膜トランジスタ
１００２    絶縁膜
１００３    コンタクトホール
１００４    第１の電極
１００５ａ    ソース電極
１００５ｂ    ドレイン電極
１００６    発光層を含む層
１００７    第２の電極
１００８    基板
１００９    遮光層
１０１０    空間
８００１    本体
８００２    表示部
８１０１    本体
８１０２    表示部
８２０１    本体
８２０２    表示部
８３０１    本体
８３０２    表示部
８４０１    本体
８４０２    表示部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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