(57)【要約】【課題】基板の周縁部（アライメントマーク部など）をマスクした状態で配線形成領域にめっきを行う工程を自動化によって達成できるめっき装置を提供する。【解決手段】めっき液４２を収容するめっき槽４０と、めっき槽４０の中に被めっき基板３０を配置して支持する基板支持部５０，５２と、被めっき基板３０の周縁部のめっきを施さない非めっき部をマスクするマスク部品２０を備えたマスキング機構５とを含む。電解めっき装置を構成する場合は、基板支持部５０，５２が被めっき基板３０に電気的に接続される陰極電極として機能し、めっき槽４０内に陽極電極６０がさらに配置される。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
めっき液を収容するめっき槽と、
前記めっき槽の中に被めっき基板を配置して支持する基板支持部と、
前記被めっき基板のめっきを施さない非めっき部をマスクするマスク部品を備えたマスキング機構とを有することを特徴とするめっき装置。
【請求項２】
前記めっき装置は電解めっき装置であり、
前記基板支持部は前記被めっき基板に電気的に接続される陰極電極として機能し、
前記めっき槽には、陽極電極がさらに配置されていることを特徴とする請求項１に記載のめっき装置。
【請求項３】
前記マスク部品は、支持板と、該支持板の前記被めっき基板側の面に設けられて、前記被めっき基板の前記非めっき部に接触してマスクするマスク接触部とによって構成されることを特徴とする請求項１に記載のめっき装置。
【請求項４】
前記被めっき基板上には、中央部の配線形成領域と、アライメントマークが配置される周縁部とが画定されており、前記非めっき部は前記アライメントマークが配置される部分であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載のめっき装置。
【請求項５】
前記マスク部品は、前記めっき槽内の両側に前記マスク接触部が対向する状態で配置されており、前記被めっき基板の両端部を前記マスク部品でそれぞれ挟圧することにより前記マスク接触部で前記非めっき部をマスクすることを特徴とする請求項３に記載のめっき装置。
【請求項６】
前記マスク接触部は弾性体からなることを特徴とする請求項３又は５に記載のめっき装置。
【請求項７】
前記陰極電極として機能する前記基板支持部は、前記めっき槽の中に垂直に配置されためっき給電枠とそれに接続された給電クランプとから構成され、前記被めっき基板は前記めっき給電枠の枠内に配置され、前記給電クランプに挟まれて支持されていることを特徴とする請求項２に記載のめっき装置。
【請求項８】
仮基板の上に剥離できる状態で下地金属層が形成されて構成され、中央部の配線形成領域と、アライメントマークが配置される周縁部とが画定された積層体を用意する工程と、
前記下地金属層の上の前記配線形成領域に第１開口部が設けられ、前記周縁部に第２開口部が設けられためっきレジスト層を形成する工程と、
前記第１開口部及び前記第２開口部に、前記下地金属層をめっき給電経路に利用する電解めっきにより、前記下地金属層と異なる材料の第１金属層を形成する工程と、
めっき液を収容するめっき槽と、前記めっき槽の中に被めっき基板を配置して支持する基板支持部と、前記被めっき基板のめっきを施さない非めっき部をマスクするマスク部品を備えたマスキング機構とを有するめっき装置を使用し、前記マスク部品で前記第２開口部をマスクした状態で、前記第１開口部の前記第１金属層の上に前記下地金属層と同一材料の第２金属層を形成することにより、前記第１開口部に前記第１金属層と前記第２金属層により構成される第１配線層を形成すると共に、前記第２開口部に前記第１金属層から形成される前記アライメントマークを得る工程と、
前記めっきレジスト層を除去する工程と、
前記アライメントマークを位置合わせに利用して、前記第１配線層に接続されて該第１配線層を含むビルドアップ配線を形成する工程と、
前記下地金属層を前記仮基板から剥離することにより、前記下地金属層の上に前記ビルドアップ配線が形成された配線部材を得る工程とを有することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項９】
前記アライメントマークは、前記ビルドアップ配線を形成する工程における層間絶縁層にレーザによってビアホールを形成する工程の位置合わせに使用されることを特徴とする請求項８に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１０】
前記第１配線層は接続電極であり、前記配線部材を得る工程の後に、前記下地金属層を除去することにより前記接続電極を露出させる工程をさらに有することを特徴とする請求項８又は９に記載の配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はめっき装置及び配線基板の製造方法に係り、さらに詳しくは、配線基板の配線層の形成工程に適用できるめっき装置及びそれを使用する配線基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、配線基板の配線形成工程では、めっき技術が広く使用されている。例えば、配線基板の配線層を形成するセミアディティブ法では、まず、基板の上に無電解めっきによってシード層を形成した後に、配線層に対応する部分に開口部が設けられたレジストを形成する。さらに、シード層をめっき給電経路に利用する電解めっきにより、その開口部内に銅めっき層を形成し、レジストを除去した後に、銅めっき層をマスクにしてシード層をエッチングして配線層を得る。
【０００３】
特許文献１には、部分めっき装置が開示されており、水平方向に配置されるワークの全体をプレスブロックとめっき液槽側に設けられたマスク用治具とによって挟圧すると共に、ワークに給電手段（プローブ）を当接し、めっき液槽からめっき液を噴射することにより、マスク用治具の開口部を通してワークに部分的にめっきを行うことが記載されている。
【特許文献１】特開２００５−１９４６０１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、配線基板の多層配線の製造方法では、配線層を形成する際に基板の周縁部（非配線形成領域）に配線層と同一構造のアライメントマークを同時に形成しておき、後に層間絶縁層にレーザでビアホールを形成する際にそのアライメントマークを位置合わせに利用する方法が採用される。
【０００５】
そのような製造方法において、基板上の全体に形成された下地金属層の上に複数のめっき層が積層されて配線層が形成される工程を含む配線基板の製造方法（本発明の実施形態で詳しく説明）では、めっき層の種類によっては、アライメントマークの最上層が下地金属層と同一材料（同一色）となるので、層間絶縁層にレーザでビアホールを形成する際にアライメントマークを画像認識することが困難になる。
【０００６】
このため、最上のめっき層を形成する前に、アライメントマークが配置される部分にテープなどを貼りつけてマスクした状態で、配線形成領域のみに最上のめっき層を形成する方法が採用される。しかしながら、この方法では、配線基板を乾燥させた後に作業者がテープを貼り付けるので、工程が煩雑になると共に、自動化が困難で生産効率が悪いという問題がある。
【０００７】
本発明は以上の課題を鑑みて創作されたものであり、基板の一部（周縁側のアライメントマーク部など）をマスクした状態で配線形成領域にめっきを行う工程を自動化によって達成できるめっき装置及びそれを使用する配線基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するため、本発明はめっき装置に係り、めっき液を収容するめっき槽と、前記めっき槽の中に被めっき基板を配置して支持する基板支持部と、前記被めっき基板のめっきを施さない非めっき部をマスクするマスク部品を備えたマスキング機構とを有することを特徴とする。
【０００９】
本発明のめっき装置では、めっき槽の中に被めっき基板が配置されて支持され、被めっき基板のめっきを施さない非めっき部（周縁側のアライメントマーク部など）をマスクするマスク部品を含むマスキング機構が備えられている。
【００１０】
本発明の一つの好適な態様では、マスク部品は、支持板と、その被めっき基板側に設けられて、被めっき基板の非めっき部に当接してマスクするマスク接触部（フッ素系ゴムなどの弾性体）とによって構成される。また、本発明の好適な態様では、マスク部品は、めっき槽内の両側にマスク接触部が対向する状態で配置されており、被めっき基板の両端部をマスク部品でそれぞれ挟圧することにより非めっき部がマスク接触部でマスクされる。
【００１１】
本発明のめっき装置は、電解めっき装置であってもよいし、無電解めっき装置であってもよい。電解めっき装置とする場合は、基板支持部は、被めっき基板に接続された陰極電極として機能し、めっき槽に陽極電極がさらに配置される。
【００１２】
本発明のめっき装置では、被めっき基板の非めっき部をマスクするマスキング機構を備えているので、作業者がテープを貼り付けてマスクする煩雑な作業を必要とせずに、めっき前のマスク工程を自動化することができ、生産効率を向上させることができる。
【００１３】
また上記した課題を解決するため、本発明は配線基板の製造方法に係り、仮基板の上に剥離できる状態で下地金属層が形成されて構成され、中央部の配線形成領域と、アライメントマークが配置される周縁部とが画定された積層体を用意する工程と、前記下地金属層の上の前記配線形成領域に第１開口部が設けられ、前記周縁部に第２開口部が設けられためっきレジスト層を形成する工程と、前記第１開口部及び前記第２開口部に、前記下地金属層をめっき給電経路に利用する電解めっきにより、前記下地金属層と異なる材料の第１金属層を形成する工程と、めっき液を収容するめっき槽と、前記めっき槽の中に被めっき基板を配置して支持する基板支持部と、前記被めっき基板のめっきを施さない非めっき部をマスクするマスク部品を備えたマスキング機構とを有するめっき装置を使用し、前記マスク部品で前記第２開口部をマスクした状態で、前記第１開口部の前記第１金属層の上に前記下地金属層と同一材料の第２金属層を形成することにより、前記第１開口部に前記第１金属層と前記第２金属層により構成される第１配線層を形成すると共に、前記第２開口部に前記第１金属層から形成される前記アライメントマークを得る工程と、前記めっきレジスト層を除去する工程と、前記アライメントマークを位置合わせに利用して、前記第１配線層に接続されて該第１配線層を含むビルドアップ配線を形成する工程と、前記下地金属層を前記仮基板から剥離することにより、前記下地金属層の上に前記ビルドアップ配線が形成された配線部材を得る工程とを有することを特徴とする。
【００１４】
上記した発明のめっき装置は、仮基板の上に剥離できる状態で形成された下地金属層の上にビルドアップ配線を形成した後に、下地金属層を仮基板から剥離して分離し、下地金属層の上にビルドアップ配線が形成された配線部材を得る製造方法に好適に使用される。この製造方法では、下地金属層の上にそれと異なる金属からなる積層めっき層（第１、第２金属層）を形成して第１配線層を形成する際に、最上の第２金属層が下地金属層と同じ材料から形成されると、それと同時に形成されるアライメントマークの最上層が下地金属層と同じ色になってしまう。このため、第１配線層の上に形成される層間絶縁層にレーザでビアホールを形成する際に、アライメントマークを画像認識することが困難になる。
【００１５】
本発明では、上記した発明のめっき装置を使用することにより、第１配線層の最上の第２金属層をめっきで形成する工程で、仮基板の周縁部のアライメントマークが配置される部分をめっき装置が備えるマスク部品で自動的にマスクすることにより、配線形成領域のみに第２金属層を容易に形成することができる。これにより、アライメントマークの最上部が下地金属層と異なる金属から形成されるので、層間絶縁層にレーザでビアホールを形成する際にアライメントマークを容易に画像認識できるようになり、高精度な位置合わせが可能になる。
【発明の効果】
【００１６】
以上説明したように、本発明のめっき装置を使用することにより、被めっき基板の周縁部の非めっき部（アライメントマーク部など）をマスクした状態で配線形成領域にめっきを行う工程を自動化によって達成することができるので、生産効率を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の実施の形態について、添付の図面を参照して説明する。
【００１８】
図１は本発明の実施形態の電解めっき装置が備えるマスキング機構を上側からみた外観図、図２は図１のマスキング機構を側面からみた外観図、図３は図１のマスキング機構が被めっき基板の周縁部を挟圧してマスクした様子を上側からみた外観図である。
【００１９】
図１及び図２に示すように、本実施形態の電解めっき装置のマスキング機構５では、水平方向に配置された支持柱１０の横に設けられた架台部１２上にモータやエアシリンダからなるアクテュエータ（駆動源）１４が配置されている。アクテュエータ１４の一端側にはそれに連動して水平方向に伸縮する可動部１６が設けられている。また、可動部１６にはシャフト（軸）１８が結合されており、シャフト１８は可動部１６の下側に延在して設けられている。
【００２０】
シャフト１８の下部にはマスク部品２０が結合されている。マスク部品２０は、シャフト１８に結合されて長手方向が垂直方向に配置された支持板２２と、その内側に設けられて被めっき基板に当接するマスク接触部２４とによって構成される。
【００２１】
支持板２２は塩化ビニルなどから形成される。また、マスク接触部２４は、被めっき基板の周縁部のめっきを施さない非めっき部（アライメントマーク部など）に接触させてマスクする部分である。このため、マスク接触部２４は、マスクのシール性（めっき液の染込みがない）、めっき液に対する耐薬品性、及び被めっき基板にダメージを与えない特性を有する材料から形成される。そのようなマスク接触部２４の材料としては、フッ素系ゴム、シリコーンゴム又はポリウレタンなどの弾性体が使用される。
【００２２】
以上のように、本実施形態の電解めっき装置が備えるマスキング機構５は、アクテュエータ１４と、その機能に連動して伸縮する可動部１６と、可動部１６に結合されたシャフト１８と、シャフト１８の下側に結合されたマスク部品２０とから基本構成される。
【００２３】
図１に示すように、本実施形態では、平行に配置された２本の支持柱１０にそのような構造のマスキング機構５がそれぞれ２つ設けられている。各支持柱１０に結合された２つのマスキング機構５は、それらのマスク部品２０のマスク接触部２４が対向してそれぞれ配置されている。また、一方の支持柱１０に結合された２つのマスキング機構５と、他方の支持柱１０に結合された２つのマスキング機構５とが、２つの支持柱１０の間の中央部を対称軸として対称になって配置されている。そして、めっき槽内の両側にマスク接触部２４が対向する状態でマスク部品２０が２つずつ収容される。
【００２４】
図３に示すように、そのような４つのマスキング機構５が、それらのアクテュエータ１４の機能に連動して各可動部１６が外側に伸びて移動し、被めっき基板３０の両端部を２つのマスク部品２０でそれぞれ挟圧することにより、被めっき基板３０の非めっき部（アライメントマーク部など）がマスク接触部２４によってマスクされる。そして、めっきが終了すると、アクテュエータ１４の機能に連動して各可動部１６が内側に収容されるように移動し、被めっき基板３０がマスク部品２０から開放される。
【００２５】
次に、本実施形態の電解めっき装置の全体の概要について説明する。図４に示すように、本実施形態の電解めっき装置１では、めっき槽（容器）４０の中に電解めっき液４２が収容されている。めっき槽４０の中には陰極電極として機能する導電性のめっき給電枠５０が垂直方向に挿入されて配置されている。めっき給電枠５０の上枠部及び下枠部には給電クランプ５２が２個ずつ接続されている。
【００２６】
そして、被めっき基板３０がめっき給電枠５０の開口部５０ａ内に配置され、その上端及び下端が給電クランプ５２によってそれぞれ挟まれて支持されている。めっき給電枠５０は支持体５４に繋がっており、スペーサ４４を介して支持部５４がめっき槽４０の縁部上に配置されている。このようにして、めっき給電枠５０は、支持部５４で支持された状態でめっき槽４０の中に吊り下がるようにして固定されている。
【００２７】
以上のように、本実施形態の電解めっき装置１では、めっき給電枠５０及び給電クランプ５２は、被めっき基板３０に電気的に接続される陰極電極として機能すると共に、被めっき基板３０を垂直方向に配置して支持する基板支持部として機能する。
【００２８】
給電クランプ５２は被めっき基板３０の端部に露出するシード層（めっき給電層（不図示））に電気的に接続される。これによって、被めっき基板３０に電解めっきを行うための給電が行われる。被めっき基板３０はめっき給電枠５０に接続された給電クランプ５２によって挟まれて固定された状態で、搬送手段（不図示）によってめっき槽４０の中に収容されたり、めっき槽４０から外部に取り出されたりして搬送される。
【００２９】
さらに、めっき槽４０内には、先に説明した４つのマスキング機構５のマスク部品２０が収容されている。被めっき基板３０は、配線形成領域Ａと非配線形成領域である周縁部Ｂとが画定されており、被めっき基板３０の両端部が２つのマスク部品２０によってそれぞれ挟圧されている。これにより、被めっき基板３０の周縁部Ｂのめっきを施さない非めっき部（アライメントマーク部など）にマスク部品２０のマスク接触部２４が当接してマスクされる。マスク接触部２４は弾性体（フッ素系ゴムなど）から形成されるので、２つのマスク部品２０の挟圧力によって被めっき基板３０の周縁部の非めっき部がマスク接触部２４で十分にシールされて電解めっき液が染み込まないようになっている。
【００３０】
図５には、図４のめっき装置１を上側からみた状態を模式的に描いたものである。図５では、マスキング機構５においてはマスク部品２０のみが描かれ、また、めっき給電枠５０が省略されて給電クランプ５２のみが描かれている。図５に示すように、本実施形態の電解めっき装置１では、めっき槽４０の中の被めっき基板３０の両側に棒状ステンレスなどからなる複数の陽極電極６０がさらに配置されている。
【００３１】
そして、給電クランプ５２（陰極電極）が定電流電源６２のマイナス側に接続され、陽極電極６０が定電流電源６２のプラス側に接続されている。そして、給電クランプ５２（陰極電極）と陽極電極６０との間に定電流電源６２からめっき電流が供給される。これにより、被めっき基板３０の周縁部の非めっき部（アライメントマーク部など）がマスク部品２０のマスク接触部２４でマスクされた状態で、被めっき基板３０の配線形成領域Ａにめっき層が形成される。
【００３２】
なお、本実施形態では、マスキング機構５を備えためっき装置として電解めっき装置１を例に挙げて説明したが、無電解めっき装置が同様なマスキング機構５を備えるにようにしてもよい。この場合は、図４及び図５において、めっき給電枠５０の代わりに被めっき基板を単に支持する各種の基板支持部が用いられ、定電流電源６２や陽極電極６０などが省略される。
【００３３】
次に、本実施形態の電解めっき装置１を使用して配線基板を製造する方法について説明する。図６（ａ）に示すように、まず、樹脂などからなる仮基板７０の両面に剥離性銅箔７２（下地金属層）がそれぞれ仮接着された構造体を用意する。剥離性銅箔７２の仮基板７０側の面には剥離層や離型剤（不図示）がそれぞれ形成されており、所定のタイミングで剥離性銅箔７２を仮基板７０から容易に剥離できるようになっている。仮基板７０上には配線形成領域Ａとアライメントマークが配置される周縁部Ｂ（非配線形成領域）とが画定されている。なお、本実施形態では、剥離性銅箔７２を例示するが、剥離できる状態で各種の金属層が仮基板７０の上に形成されていればよい。
【００３４】
次いで、図６（ｂ）に示すように、仮基板７０上の両面側の剥離性銅箔７２上に第１開口部７４ａ及び第２開口部７４ｂが設けられためっきレジスト層７４をそれぞれ形成する。仮基板７０の両面側において、めっきレジスト層７４の第１開口部７４ａは配線形成領域Ａの第１配線層が配置される部分に設けられ、第２開口部７４ｂは周縁部Ｂのアライメントマークが配置される部分に設けられる。
【００３５】
次いで、図６（ｃ）に示すように、仮基板７０の両面側において、剥離性銅箔７２をめっき給電経路に利用する電解めっきにより、第１、第２開口部７４ａ，７４ｂ内の剥離性銅箔７２の上に、金（Ａｕ）層８０ａを形成した後に、ニッケル（Ｎｉ）層８０ｂを形成する。金層８０ａ及びニッケル層８０ｂが剥離性銅箔７２（下地金属層）と異なる材料からなる第１金属層の一例である。
【００３６】
次に、配線形成領域Ａでは、後述する理由によって第１開口部７４ａ内のニッケル層８０ｂ上にさらに銅（Ｃｕ）層を形成する必要があるが、図６（ｃ）のように第２開口部７４ｂが露出した状態で銅めっきを行うと、第２開口部７４ｂにも銅層が形成されことになる。このため、第２開口部７４ｂに形成されるアライメントマークの最上部と剥離性銅箔７２とが同じ材料からなることになる。後述するように第２開口部７４ｂに形成されるアライメントマークは層間絶縁層にレーザでビアホールを形成する際の位置合わせに利用されるので、アライメントマークの最上部（銅層）と剥離性銅箔７２が同じ色を呈することになり、アライメントマークを画像認識することが困難になる。
【００３７】
そこで、図７（ａ）に示すように、前述した本実施形態の電解めっき装置１を使用する。すなわち、仮基板７０の両端部を前述した電解めっき装置１のマスク部品２０でそれぞれ挟圧することにより、マスク接触部２４でめっきレジスト層７４の第２開口部７４ｂをマスクする。
【００３８】
次いで、図７（ｂ）に示すように、めっきレジスト層７４の第２開口部７４ｂ（非めっき部）を電解めっき装置１のマスク部品２０でマスクした状態で、仮基板７０の両面側のめっきレジスト層７４の第１開口部７４ａのニッケル層８０ｂの上に銅層８０ｃ（第２金属層）を電解めっきによりそれぞれ形成する。
【００３９】
その後に、図７（ｃ）に示すように、図７（ｂ）のめっき処理された配線部材がめっき装置１のマスク部品２０から開放され、電解めっき装置１のめっき槽４０から外に取り出されて搬送される。これより、仮基板７０の配線形成領域Ａに、金層８０ａ、ニッケル層８０ｂ及び銅層８０ｃから構成されるパッド状の第１配線層８０が形成される。第１配線層８０は外部接続電極として機能する。また、仮基板７０の周縁部Ｂには、金層８０ａ及びニッケル層８０ｂから構成されるアライメントマークＡＭが形成される。
【００４０】
本実施形態で例示しためっき工程では、金層８０ａ、ニッケル層８０ｂ及び銅層８０ｃをめっきするための３つのめっき槽が並んで配置されており、仮基板７０が前述しためっき給電枠５４に固定された状態で、搬送手段（不図示）により各めっき槽に順次搬送されてめっきが施される。そして、銅層８０ｃ用のめっき槽に前述したマスキング機構５のマスク部品２０が配置されている。
【００４１】
本実施形態では、作業者がめっきレジスト層７４の第２開口部７４ｂにテープなどを貼る煩雑な作業は必要がなく、めっき開始前にめっき装置１のマスク部品２０によってめっきレジスト層７４の第２開口部７４ｂが自動的にマスクされる。このように、めっき前のマスク工程を自動化することができるので、スループットを高めることができ、生産効率を向上させることができる。
【００４２】
また、マスク部品２０で被めっき基板を機械的に挟圧するので、作業者がテープを貼り付ける場合と違って、被めっき基板の表面状態（乾燥状態など）に依存することなく安定してマスクすることができると共に、テープがめっき槽に落下するおそれもない。しかも、めっきレジスト層７４の第２開口部７４ｂがマスク部品２０のマスク接触部２４（弾性体）で十分にシールされるので、第２開口部７４ｂに電解めっき液が染み込むおそれもなく、繰り返し精度よく安定してマスクすることができる。
【００４３】
なお、マスク部品２０の支持板２２の形状やマスク接触部２４が配置される位置を任意に変更することができるので、被めっき基板の両端部だけではなく、上端部及び下端部の任意領域をマスクすることも可能である。
【００４４】
次いで、図８（ａ）に示すように、仮基板７０の両面側において、めっきレジスト層７４を除去することにより、第１配線層８０及びアライメントマークＡＭを露出させる。
【００４５】
次いで、図８（ｂ）に示すように、仮基板７０の両面側に、樹脂フィルムを貼着するなどして第１配線層８０及びアライメントマークＡＭを被覆する第１層間絶縁層９０をそれぞれ形成する。さらに、図８（ｃ）に示すように、仮基板７０の両面側の第１層間絶縁層９０をレーザで加工することにより、第１配線層８０に到達する第１ビアホールＶＨ１をそれぞれ形成する。このとき、第１層間絶縁層９０を通してアライメントマークＡＭを画像認識することにより、第１ビアホールＶＨ１を形成する部分が位置合わせされる。
【００４６】
本実施形態では、めっきレジスト層７４の第２開口部７４ｂを電解めっき装置１のマスク部品２０でマスクすることにより、第２開口部７４ｂに銅層８０ｃを形成しないようにしたので、アライメントマークＡＭの最上部は剥離性銅箔７２と異なる材料のニッケル層８０ｂから形成されている。従って、アライメントマークＡＭを容易に画像認識することができるので、レーザ加工時の位置合わせが精度よく行われ、第１配線層８０の所要部上に第１ビアホールＶＨ１が配置される。
【００４７】
次いで、図９（ａ）に示すように、仮基板７０の両面側の第１ビアホールＶＨ１内及び第１層間絶縁層９０の上に、無電解めっきにより銅などからなるシード層７６をそれぞれ形成する。このとき、第１配線層８０の最上部がニッケル層８０ｂからなる場合は、ニッケル層８０ｂの上には無電解めっきでシード層７０が上手く形成されないが、本実施形態では、１配線層８０の最上が銅層８０ｃからなるので、第１ビアホールＶＨ１内及び第１層間絶縁層９０の上に無電解めっきによってシード層７６が安定して形成される。
【００４８】
続いて、図９（ｂ）に示すように、仮基板７０の両面側のシード層７６上の第２配線層が配置される領域に開口部７７ａが設けられためっきレジスト層７７をそれぞれ形成する。さらに、シード層７６をめっき給電経路に利用する電解めっきにより、仮基板７０の両面側のめっきレジスト層７７の開口部７７ａに銅などの金属パターン層７８を形成する。
【００４９】
次いで、仮基板７０の両面側において、めっきレジスト層７７を除去した後に、金属パターン層７８をマスクにしてシード層７６をエッチングして除去する。
【００５０】
これにより、図１０（ａ）に示すように、仮基板７０の両面側に、シード層７６と金属パターン層７８とによって構成されて第１配線層８０に接続される第２配線層８２がそれぞれ形成される。
【００５１】
続いて、図１０（ｂ）に示すように、仮基板７０の両面側の第２配線層８２の上に、樹脂フィルムを貼着するなどして第２層間絶縁層９２をそれぞれ形成する。次いで、仮基板７０の両面側の第２層間絶縁層９２をレーザで加工することにより、第２配線層８２に到達する第２ビアホールＶＨ２をそれぞれ形成する。この工程においても、アライメントマークＡＭを画像認識することにより、第２ビアホールＶＨ２が位置精度よく形成される。さらに、前述した第２配線層８２の形成方法と同様な方法により、仮基板７０の両面側の第２層間絶縁層９２の上に第２ビアホールＶＨ２を介して第２配線層８２に接続される第３配線層８４をそれぞれ形成する。
【００５２】
その後に、同じく図１０（ｂ）に示すように、仮基板７０の両面側に、第３配線層８４の接続部上に開口部８９ａが設けられたソルダレジスト８９をそれぞれ形成した後に、その開口部内８９ａにニッケル層及び金層を順に形成してコンタクト層（不図示）を設ける。
【００５３】
このようにして、仮基板７０の両面側の剥離性銅箔７２の上に所要のビルドアップ配線がそれぞれ形成される。本実施形態では、３層のビルドアップ配線（第１〜第３配線層８０，８２，８４）を形成したが、ｎ層（ｎは１以上の整数）のビルドアップ配線を任意に形成することができる。
【００５４】
次いで、図１１に示すように、仮基板７０と剥離性銅箔７２との界面から剥離することにより、剥離性銅箔７２の上にビルドアップ配線が形成された配線部材８８を仮基板７０の両面側からそれぞれ分離する。
【００５５】
続いて、図１２に示すように、ウェットエッチングによって配線部材８８から剥剥離性銅箔７２を除去することにより、第１配線層８０の下面を露出させて外部接続電極Ｃとした後に、個々の配線形成領域Ａ（製品領域）が得られるように切断する。
【００５６】
なお、仮基板７０上に複数の配線形成領域Ａがブロック状に画定されてその最外周部にアライメントマークＡＭが形成されていてもよい。また、アライメントマークＡＭが配置された領域が除去されるように切断してもよい。また、仮基板７０の片面のみにビルドアップ配線を形成してもよい。
【００５７】
以上により、本実施形態のめっき装置を利用して製造されるコア基板をもたない配線基板２が得られる。さらに、配線基板２の第３配線層８４に電子部品（半導体チップ）がフリップチップ接続され、第１配線層８０の下面が外部接続電極Ｃとなって半導体装置が構成される。あるいは、逆に、第１配線層８０に電子部品をフリップチップ接続し、第３配線層８４を外部接続電極としてもよいし、外部接続電極Ｃにはんだボールなどを搭載して外部接続端子（バンプ）を設けてもよい。
【００５８】
以上説明したように、本実施形態のマスク部品２０を含むマスキング機構５を備えた電解めっき装置１を使用することにより、仮基板７０上のアライメントマークＡＭが配置される部分（非めっき部）をマスクする工程を自動化することができる。これにより、前述したような配線基板の製造方法において、生産効率を向上させることができ、低コスト化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】図１は本発明の実施形態のめっき装置が備えるマスキング機構を上側からみた外観図である。
【図２】図２は図１のマスキング機構を側面からみた外観図である。
【図３】図３は図１のマスキング機構が被めっき基板の周縁部を挟圧してマスクした様子を上側からみた外観図である。
【図４】図４は本発明の実施形態の電解めっき装置を側面からみた構成図である。
【図５】図５は本発明の実施形態の電解めっき装置を上側からみた構成図である。
【図６】図６（ａ）〜（ｃ）は本発明の実施形態の電解めっき装置を利用して配線基板を製造する方法を示す断面図（その１）である。
【図７】図７（ａ）〜（ｃ）は本発明の実施形態の電解めっき装置を利用して配線基板を製造する方法を示す断面図（その２）である。
【図８】図８（ａ）〜（ｃ）は本発明の実施形態の電解めっき装置を利用して配線基板を製造する方法を示す断面図（その３）である
【図９】図９（ａ）及び（ｂ）は本発明の実施形態の電解めっき装置を利用して配線基板を製造する方法を示す断面図（その４）である。
【図１０】図１０（ａ）及び（ｂ）は本発明の実施形態の電解めっき装置を利用して配線基板を製造する方法を示す断面図（その５）である。
【図１１】図１１は本発明の実施形態の電解めっき装置を利用して配線基板を製造する方法を示す断面図（その６）である。
【図１２】図１２は本発明の実施形態の電解めっき装置を利用して配線基板を製造する方法を示す断面図（その７）である。
【符号の説明】
【００６０】
１…電解めっき装置、２…配線基板、５…マスキング機構、１０…支持柱、１２…架台部、１４…アクチュエータ、１６…可動部、１８…シャフト、２０…マスク部品、２２…支持板、２４…マスク接触部、３０…被めっき基板、４０…めっき槽、４２…めっき液、４４…スペーサ、５０…めっき給電枠、５０ａ，７７ａ，８９ａ…開口部、５２…給電クランプ、５４…支持体、６０…陽極電極、６２…定電流電源、７０…仮基板、７２…剥離性銅箔、７４，７７…めっきレジスト層、７４ａ…第１開口部、７４ｂ…第２開口部、７６…シード層、７８…金属パターン層、８０…第１配線層、８０ａ…金層、８０ｂ…ニッケル層、８０ｃ…銅層、８２…第２配線層、８４…第３配線層、８９…ソルダレジスト、９０…第１層間絶縁層、９２…第２層間絶縁層、ＶＨ１，ＶＨ２…ビアホール、Ａ…配線形成領域、Ｂ…周縁部、Ｃ…外部接続電極、ＡＭ…アライメントマーク。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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