(57)【要約】【課題】一のロットＡの基板と後続の他のロットＢの基板との間で、第２の加熱ユニットの加熱処理温度を変更する場合に、スループットの向上を図ること。【解決手段】温調ユニットＣＰＬ２、塗布ユニットＢＣＴ、加熱ユニットＬＨＰ２、温調ユニットＣＰＬ３、塗布ユニットＣＯＴ、加熱ユニットＬＨＰ３、冷却ユニットＣＯＬの順にウエハＷを搬送する場合に、ロットＡの最後のウエハＡ１０を加熱ユニットＬＨＰ３にて処理した後、当該ユニットＬＨＰ３の加熱温度を変更し、前記ロットＢの先頭のウエハＢ１が温調ユニットＣＰＬ３に搬送された搬送サイクルの次の搬送サイクルから、当該先頭のウエハＢ１に続く加熱ユニットＬＨＰ２にて加熱処理されたウエハＢを退避ユニットＢＦ２に順次満たしていき、また加熱ユニットＬＨＰ３の温度変更後においては、前記退避ユニットＢＦ２内のウエハＢを順次下流側のモジュールに搬送するようにウエハを搬送する。【選択図】図１０
2008034746.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数枚の基板を収納したキャリアが載置され、キャリアとの間で基板の受け渡しを行う受け渡し手段を備えたキャリアブロックと、前記受け渡し手段から受け取った基板に塗布膜を形成すると共に、露光後の基板に対する現像を行うための処理ブロックと、を有し、
処理ブロックでは、基板搬送手段により、第１の温度に基板を温調する第１の温調ユニット、第１の塗布液を基板に塗布する第１の塗布ユニット、基板を加熱処理する第１の加熱ユニット、第２の温度に基板を温調する第２の温調ユニット、第２の塗布液を基板に塗布する第２の塗布ユニット、基板を加熱処理する第２の加熱ユニット、基板を冷却する冷却ユニットの順に、基板を搬送し、
基板が置かれる個所をモジュールと呼ぶとすると、予め設定した搬送スケジュールに基づいて、基板搬送手段により下流側のモジュール内の基板から順次一つ順番が後のモジュールに移し替えることにより、順番の小さい基板が順番の大きい基板よりも下流側のモジュールに位置する状態を形成し、これにより一つの搬送サイクルを実行し、当該搬送サイクルを終了した後、次の搬送サイクルを実行することで、基板の搬送が行われる塗布、現像装置において、
前記処理ブロックに設けられ、複数枚の基板を退避することができる退避ユニットと、
一のキャリアから払い出された複数の同種の基板の集合である一のロットの最後の基板が第２の加熱ユニットにて加熱処理を終了した後、当該第２の加熱ユニットの加熱処理温度を後続の他のロットの基板に応じた温度に変更する手段と、  前記後続の他のロットの先頭の基板が第２の温調ユニットに搬送された搬送サイクルの次の搬送サイクルから、当該先頭の基板に続く第１の加熱ユニットにて加熱処理された基板を退避ユニットに順次満たしていくように、また前記第２の加熱ユニットの加熱処理温度を後続の他のロットの基板に応じた温度に変更した後においては、前記退避ユニット内の基板を順次下流側のモジュールに搬送するように、基板搬送手段を制御する手段と、を備えたことを特徴とする塗布、現像装置。
【請求項２】
前記処理ブロックは、前記第１の温調ユニットと、第１の塗布ユニットと、第１の加熱ユニットと、退避用ユニットと、これらの間で基板の受け渡しを行う基板搬送手段と、を備えた第１の塗布膜形成用の単位ブロックと、
前記第２の温調ユニットと、第２の塗布ユニットと、第２の加熱ユニットと、これらの間で基板の受け渡しを行う基板搬送手段と、を備え、前記第１の塗布膜形成用の単位ブロックに積層して設けられた第２の塗布膜形成用の単位ブロックと、
基板に対して現像処理を行なう現像ユニットと、基板を加熱処理する加熱ユニットと、基板を冷却する冷却ユニットと、これらの間で基板の受け渡しを行う基板搬送手段と、を備え、前記第１の塗布膜形成用の単位ブロックと第２の塗布膜形成用の単位ブロックとに対して積層して設けられた現像処理用の単位ブロックと、
これら第１の塗布膜形成用の単位ブロックと、第２の塗布膜形成用の単位ブロックと、現像処理用の単位ブロックの各単位ブロックに設けられ、他の単位ブロックとの間で基板の受け渡しを行なうための受け渡し部と、
各単位ブロックの受け渡し部同士の間で基板の受け渡しを行なう受け渡し手段と、を備えることを特徴とする請求項１記載の塗布、現像装置。
【請求項３】
前記退避ユニットは、第１の塗布膜形成用の単位ブロックの基板搬送手段と、前記処理ブロックに設けられた受け渡し手段とにより基板の受け渡しを行うように設けられていることを特徴とする請求項１又は２記載の塗布、現像装置。
【請求項４】
前記後続の他のロットの２枚以上の基板が前記退避ユニットに退避しているときは、第１の温調ユニットからの基板の搬出を禁止するように、基板搬送手段を制御する手段を備えることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一記載の塗布、現像装置。
【請求項５】
前記退避ユニットに退避していた前記後続の他のロットの基板の、当該退避ユニットの下流側のモジュールへの搬送が開始されたときに、第１の温調ユニットからの基板の搬出を開始するように、基板搬送手段を制御する手段を備えることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一記載の塗布、現像装置。
【請求項６】
前記第１の塗布ユニットはレジスト液を塗布する前の基板に反射防止膜用の塗布液を塗布するユニットであり、前記第２の塗布ユニットは基板にレジスト液を塗布するユニットであることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか一に記載の塗布、現像装置。
【請求項７】
前記第１の塗布ユニットは基板にレジスト液を塗布するユニットであり、前記第２の塗布ユニットはレジスト液が塗布された基板に反射防止膜用の塗布液を塗布するユニットであることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか一に記載の塗布、現像装置。
【請求項８】
処理ブロックにて、複数枚の基板を収納したキャリアが載置されるキャリアブロックから受け取った基板に塗布膜を形成すると共に、露光後の基板に対する現像を行うと共に、
基板搬送手段により、第１の温度に基板を温調する第１の温調ユニット、第１の塗布液を基板に塗布する第１の塗布ユニット、基板を加熱処理する第１の加熱ユニット、第２の温度に基板を温調する第２の温調ユニット、第２の塗布液を基板に塗布する第２の塗布ユニット、基板を加熱処理する第２の加熱ユニット、基板を冷却する冷却ユニットの順に、基板を搬送し、
基板が置かれる個所をモジュールと呼ぶとすると、予め設定した搬送スケジュールに基づいて、基板搬送手段により下流側のモジュール内の基板から順次一つ順番が後のモジュールに移し替えることにより、順番の小さい基板が順番の大きい基板よりも下流側のモジュールに位置する状態を形成し、これにより一つの搬送サイクルを実行し、当該搬送サイクルを終了した後、次の搬送サイクルを実行することで、基板の搬送が行われる塗布、現像方法において、
一のキャリアから払い出された複数の同種の基板の集合である一のロットに対して、前記予め設定した搬送スケジュールに基づいて基板を搬送して塗布膜を形成する処理を行う工程と、
前記一のロットの最後の基板が第２の加熱ユニットにて加熱処理を終了した後、当該第２の加熱ユニットの加熱処理温度を後続の他のロットの基板に応じた温度に変更する工程と、
前記後続の他のロットの先頭の基板が第２の温調ユニットに搬送された搬送サイクルの次の搬送サイクルから、当該先頭の基板に続く第１の加熱ユニットにて加熱処理された基板を、前記処理ブロックに設けられ、複数枚の基板を退避することができる退避ユニットに順次満たしていくように、また前記第２の加熱ユニットの加熱処理温度を後続の他のロットの基板に応じた温度に変更した後においては、前記退避ユニット内の基板を順次下流側のモジュールに搬送するように、前記搬送スケジュールを書き換える工程と、
前記他のロットに対して、書き換えられた搬送スケジュールに基づいて基板を搬送して塗布膜を形成する処理を行う工程と、を含むことを特徴とする塗布、現像方法。
【請求項９】
処理ブロックにて、複数枚の基板を収納したキャリアが載置されるキャリアブロックから受け取った基板に塗布膜を形成すると共に、露光後の基板に対する現像を行う塗布、現像装置に用いられるコンピュータプログラムを格納した記憶媒体であって、
前記プログラムは、請求項８に記載された塗布、現像方法を実行するようにステップ群が組まれていることを特徴とする記憶媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば半導体ウエハやＬＣＤ基板（液晶ディスプレイ用ガラス基板）等の基板に対してレジスト液の塗布処理や、露光後の現像処理等を行う塗布、現像装置、その方法及び塗布、現像方法を実施するためのプログラムを記憶した記憶媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスやＬＣＤ基板の製造プロセスにおいては、フォトリソグラフィと呼ばれる技術により、基板に対してレジストパターンの形成が行なわれている。この技術は、例えば半導体ウエハ（以下ウエハという）などの基板に、レジスト液を塗布して当該ウエハの表面に液膜を形成し、フォトマスクを用いて当該レジスト膜を露光した後、現像処理を行なうことにより所望のパターンを得る、一連の工程により行われている。
【０００３】
このような処理は、一般にレジスト液の塗布や現像を行う塗布、現像装置に露光装置を接続したレジストパターン形成装置を用いて行われる。ここで前記レジストパターン形成装置としては例えば特許文献１に示す装置が提案されている。この装置では、例えば図１５に示すように、多数枚のウエハＷを収納したキャリア１０がキャリアブロック１Ａのキャリアステージ１１に搬入され、キャリア１０内のウエハは受け渡しアーム１２により処理ブロック１Ｂに受け渡される。そして処理ブロック１Ｂ内においては、第１の温調ユニット→反射防止膜形成ユニット→第１の加熱ユニットの経路で搬送され、ウエハＷ表面に反射防止膜が形成される。
【０００４】
次いでウエハＷは第２の温調ユニット→塗布ユニット→第２の加熱ユニット→冷却ユニットの経路で搬送され、前記反射防止膜の表面にレジスト膜が形成され、この後インターフェイスブロック１Ｃを介して露光装置１Ｄに搬送される。露光処理後のウエハは、再び処理ブロック１Ｂに戻されて現像ユニット１３Ｂにて現像処理が行われ、元のキャリア１０内に戻されるようになっている。なお前記反射防止膜形成ユニットは図示されていないが、このユニットは例えば塗布ユニット１３Ａや現像ユニット１３Ｂの下段側に設けられている。
【０００５】
この際、前記第１及び第２の加熱ユニット、第１及び第２の温調ユニットや冷却ユニット、受け渡しステージ等は、棚ユニット１４（１４ａ〜１４ｃ）に多段に配列されており、ウエハＷは処理ブロックＢに設けられた２つの搬送手段１５Ａ，１５Ｂにより、反射防止膜形成ユニットと塗布ユニット１３Ａと現像ユニット１３と棚ユニット１４Ａ〜１４Ｃの各部等の、処理ブロック１Ｂ内においてウエハＷが置かれるモジュール間を搬送されるようになっている。ここでウエハＷは上記の処理を施されるにあたり、特許文献１に記載されるように、処理予定の全てのウエハＷについて、予め各々がどのタイミングでどのモジュールに搬送されるかを定めた搬送スケジュールに従って搬送される。
【０００６】
ところで上述の装置において、一のキャリアから払い出された複数の同種のウエハの集合であるロットＡのウエハＡと、後続の他のロットＢのウエハＢとを、キャリアブロック１Ａから処理ブロック１Ｂに連続して払い出して処理を行い、ロットＡとロットＢとの間で、前記第２の加熱ユニットにおける加熱処理温度が変更される場合がある。ここで前記加熱処理は、例えば所定の温度に調整された加熱プレート上にウエハを載置して行われ、前記加熱処理温度の変更は前記加熱プレートの設定温度を変更することにより行われる。
【０００７】
この場合、従来では、第２の加熱ユニットにおける加熱処理温度を変更するにあたり、ロットＡの最終ウエハＡ１０をキャリアブロック１Ａから処理ブロック１Ｂに払い出した後、ロットＢの先頭ウエハＢ１のキャリアブロック１Ａから処理ブロック１Ｂへの払い出しを停止し、
前記最終ウエハＡ１０が第２の加熱ユニットにて処理され、次のユニットに搬送された後、当該第２の加熱ユニットの加熱処理温度の変更を開始し、
当該第２の加熱ユニットの加熱処理温度の変更が終了してから、前記ロットＢの先頭ウエハＢ１のキャリアブロック１Ａから処理ブロック１Ｂへの払い出しを開始するような搬送スケジュールに沿って、ウエハＡ及びウエハＢの搬送が行なわれている。
【０００８】
従って、ロットＢのウエハＢに対しては、第２の加熱ユニットの温度変更が終了するまで、処理ブロック１Ｂへの搬入が行われないので、第２の加熱ユニットの温度変更を行っている間は、前記ウエハＢに対しては処理ブロック１Ｂにおける処理を行うことができないことになる。このため前記第２の加熱ユニットの熱処理温度変更に要する時間が長くなると、前記ウエハＢが処理を行えずに待機している時間が長くなるので、スループットの低下を招いてしまう。
【０００９】
ところで近年、露光装置のスループットが早くなってきており、塗布、現像装置においても露光装置のスループットに合わせた処理能力が求められている。このため本発明者らは、露光処理前のモジュールを収納するエリアと、露光処理後のモジュールを収納するエリアとを上下に配置し、夫々のエリアに搬送手段を設けることにより、搬送手段の負荷を軽減して、搬送効率を高め、これにより塗布、現像装置のスループットを高めることを検討している。このように、塗布処理を行うエリアと、現像処理を行うエリアを夫々上下に配置し、夫々のエリアに搬送手段を設ける構成は特許文献２に記載されている。
【００１０】
しかしながらこのような構成においても、各エリア内では搬送手段により搬送スケジュールに沿ってウエハＷの搬送が行われているので、前記ロットＡとロットＢとの間で、レジスト塗布後の加熱処理温度を変更する場合には、上述と同様の問題が発生するおそれがあるが、この点については特許文献２には何ら記載されていない。
【００１１】
【特許文献１】特開２００４-１９３５９７号公報
【特許文献２】特許第３３３７６７７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明は、このような事情の下になされたものであり、その目的は、一のキャリアから払い出された複数の同種のウエハの集合である一のロットの基板と、後続の他のロットの基板との間で、第２の塗布ユニットの後に搬送される第２の加熱ユニットの加熱処理温度を変更する場合に、スループットの向上を図ることができる技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
このため本発明の塗布、現像装置は、複数枚の基板を収納したキャリアが載置され、キャリアとの間で基板の受け渡しを行う受け渡し手段を備えたキャリアブロックと、前記受け渡し手段から受け取った基板に塗布膜を形成すると共に、露光後の基板に対する現像を行うための処理ブロックと、を有し、
処理ブロックでは、基板搬送手段により、第１の温度に基板を温調する第１の温調ユニット、第１の塗布液を基板に塗布する第１の塗布ユニット、基板を加熱処理する第１の加熱ユニット、第２の温度に基板を温調する第２の温調ユニット、第２の塗布液を基板に塗布する第２の塗布ユニット、基板を加熱処理する第２の加熱ユニット、基板を冷却する冷却ユニットの順に、基板を搬送し、
基板が置かれる個所をモジュールと呼ぶとすると、予め設定した搬送スケジュールに基づいて、基板搬送手段により下流側のモジュール内の基板から順次一つ順番が後のモジュールに移し替えることにより、順番の小さい基板が順番の大きい基板よりも下流側のモジュールに位置する状態を形成し、これにより一つの搬送サイクルを実行し、当該搬送サイクルを終了した後、次の搬送サイクルを実行することで、基板の搬送が行われる塗布、現像装置において、
前記処理ブロックに設けられ、複数枚の基板を退避することができる退避ユニットと、
一のキャリアから払い出された複数の同種の基板の集合である一のロットの最後の基板が第２の加熱ユニットにて加熱処理を終了した後、当該第２の加熱ユニットの加熱処理温度を後続の他のロットの基板に応じた温度に変更する手段と、  前記後続の他のロットの先頭の基板が第２の温調ユニットに搬送された搬送サイクルの次の搬送サイクルから、当該先頭の基板に続く第１の加熱ユニットにて加熱処理された基板を退避ユニットに順次満たしていくように、また前記第２の加熱ユニットの加熱処理温度を後続の他のロットの基板に応じた温度に変更した後においては、前記退避ユニット内の基板を順次下流側のモジュールに搬送するように、基板搬送手段を制御する手段と、を備えたことを特徴とする。
【００１４】
ここで前記先頭の基板に続く第１の加熱ユニットにて加熱処理された基板とは、第２の温調ユニットが複数設けられている場合には、これら第２の温調ユニットに振り分けられた基板の次の基板をいうものとする。
【００１５】
前記処理ブロックは、前記第１の温調ユニットと、第１の塗布ユニットと、第１の加熱ユニットと、退避用ユニットと、これらの間で基板の受け渡しを行う基板搬送手段とを備えた第１の塗布膜形成用の単位ブロックと、
前記第２の温調ユニットと、第２の塗布ユニットと、第２の加熱ユニットと、これらの間で基板の受け渡しを行う基板搬送手段とを備え、前記第１の塗布膜形成用の単位ブロックに積層して設けられた第２の塗布膜形成用の単位ブロックと、
基板に対して現像処理を行なう現像ユニットと、基板を加熱処理する加熱ユニットと、基板を冷却する冷却ユニットと、これらの間で基板の受け渡しを行う基板搬送手段とを備え、前記第１の塗布膜形成用の単位ブロックと第２の塗布膜形成用の単位ブロックとに対して積層して設けられた現像処理用の単位ブロックと、
これら第１の塗布膜形成用の単位ブロックと、第２の塗布膜形成用の単位ブロックと、現像処理用の単位ブロックの各単位ブロックに設けられ、他の単位ブロックとの間で基板の受け渡しを行なうための受け渡し部と、各単位ブロックの受け渡し部同士の間で基板の受け渡しを行なう受け渡し手段と、を備えるものであってもよい。
【００１６】
また前記退避ユニットは、第１の塗布膜形成用の単位ブロックの基板搬送手段と、前記処理ブロックに設けられた受け渡し手段と、により基板の受け渡しを行うように設けられるようにしてもよい。さらに前記後続の他のロットの２枚以上の基板が前記退避ユニットに退避しているときは、第１の温調ユニットからの基板の搬出を禁止するように、基板搬送手段を制御する手段を備えるようにしてもよいし、前記退避ユニットに退避していた前記後続の他のロットの基板の、当該退避ユニットの下流側のモジュールへの搬送が開始されたときに、第１の温調ユニットからの基板の搬出を開始するように、基板搬送手段を制御する手段を備えるようにしてもよい。
【００１７】
ここで前記第１の塗布ユニットはレジスト液を塗布する前の基板に反射防止膜用の塗布液を塗布するユニットとし、前記第２の塗布ユニットは基板にレジスト液を塗布するユニットとすることができる。また前記第１の塗布ユニットは基板にレジスト液を塗布するユニットとし、前記第２の塗布ユニットはレジスト液が塗布された基板に反射防止膜用の塗布液を塗布するユニットとしてもよい。
【００１８】
また本発明の塗布、現像方法は、処理ブロックにて、複数枚の基板を収納したキャリアが載置されるキャリアブロックから受け取った基板に塗布膜を形成すると共に、露光後の基板に対する現像を行うと共に、
基板搬送手段により、第１の温度に基板を温調する第１の温調ユニット、第１の塗布液を基板に塗布する第１の塗布ユニット、基板を加熱処理する第１の加熱ユニット、第２の温度に基板を温調する第２の温調ユニット、第２の塗布液を基板に塗布する第２の塗布ユニット、基板を加熱処理する第２の加熱ユニット、基板を冷却する冷却ユニットの順に、基板を搬送し、
基板が置かれる個所をモジュールと呼ぶとすると、予め設定した搬送スケジュールに基づいて、基板搬送手段により下流側のモジュール内の基板から順次一つ順番が後のモジュールに移し替えることにより、順番の小さい基板が順番の大きい基板よりも下流側のモジュールに位置する状態を形成し、これにより一つの搬送サイクルを実行し、当該搬送サイクルを終了した後、次の搬送サイクルを実行することで、基板の搬送が行われる塗布、現像方法において、
一のキャリアから払い出された複数の同種の基板の集合である一のロットに対して、前記予め設定した搬送スケジュールに基づいて基板を搬送して、塗布膜を形成する処理を行う工程と、
前記一のロットの最後の基板が第２の加熱ユニットにて加熱処理を終了した後、当該第２の加熱ユニットの加熱処理温度を後続の他のロットの基板に応じた温度に変更する工程と、
前記後続の他のロットの先頭の基板が第２の温調ユニットに搬送された搬送サイクルの次の搬送サイクルから、当該先頭の基板に続く第１の加熱ユニットにて加熱処理された基板を、前記処理ブロックに設けられ、複数枚の基板を退避することができる退避ユニットに順次満たしていくように、また前記第２の加熱ユニットの加熱処理温度を後続の他のロットの基板に応じた温度に変更した後においては、前記退避ユニット内の基板を順次下流側のモジュールに搬送するように、前記搬送スケジュールを書き換える工程と、
前記他のロットに対して、書き換えられた搬送スケジュールに基づいて基板を搬送して、塗布膜を形成する処理を行う工程と、を含むことを特徴とする。
【００１９】
更に他の発明は、処理ブロックにて、複数枚の基板を収納したキャリアが載置されるキャリアブロックから受け取った基板に塗布膜を形成すると共に、露光後の基板に対する現像を行う塗布、現像装置に用いられるコンピュータプログラムを格納した記憶媒体であって、前記プログラムは、本発明の塗布、現像方法を実行するようにステップ群が組まれていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２０】
以上において本発明では、一のキャリアから払い出された複数の同種の基板の集合である一のロットの基板と、後続の他のロットの基板との間で、第２の塗布ユニットの後に搬送される第２の加熱ユニットの加熱処理温度を変更する場合に、スループットの向上を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
先ず本発明の塗布、現像装置の実施の形態に係るレジストパターン形成装置について、図面を参照しながら説明する。図１は、前記装置の一実施の形態の平面図を示し、図２は同概略斜視図、図３は同概略側面図である。この装置は、基板であるウエハＷが例えば１３枚密閉収納されたキャリア２０を搬入出するためのキャリアブロックＳ１と、複数個例えば４個の単位ブロックＢ１〜Ｂ４を縦に配列して構成された処理ブロックＳ２と、インターフェイスブロックＳ３と、露光装置Ｓ４と、を備えている。
【００２２】
前記キャリアブロックＳ１には、前記キャリア２０を複数個載置可能な載置台２１と、この載置台２１から見て前方の壁面に設けられる開閉部２２と、開閉部２２を介してキャリア２０からウエハＷを取り出すための受け渡し手段をなすトランスファーアームＣとが設けられている。このトランスファーアームＣは、後述する単位ブロックＢ２の温調ユニットＣＰＬ２と、単位ブロックＢ１の受け渡しステージＴＲＳ１１，ＴＲＳ１２との間でウエハＷの受け渡しを行うように、進退自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在、キャリア２０の配列方向に移動自在に構成されている。
【００２３】
キャリアブロックＳ１の奥側には筐体２４にて周囲を囲まれる処理ブロックＳ２が接続されている。処理ブロックＳ２は、この例では、下方側から、現像処理を行うための第１の単位ブロック（ＤＥＶ層）Ｂ１、レジスト膜の下層側に形成される反射防止膜（以下「第１の反射防止膜」という）の形成処理を行うための第２の単位ブロック（ＢＣＴ層）Ｂ２、レジスト膜の形成処理を行うための第３の単位ブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３、レジスト膜の上層側に形成される反射防止膜（以下「第２の反射防止膜」という）の形成処理を行うための第４の単位ブロック（ＴＣＴ層）Ｂ４として割り当てられており、これら各単位ブロックＢ１〜Ｂ４は夫々区画されている。前記第２〜第４の単位ブロックＢ２〜Ｂ４は、塗布膜形成用の単位ブロックに相当する。
【００２４】
これら各単位ブロックＢ１〜Ｂ４は夫々同様に構成され、ウエハＷに対して塗布液を塗布するための液処理ユニットと、前記液処理ユニットにて行なわれる処理の前処理及び後処理を行なうための加熱ユニットや温調ユニット等の各種の処理ユニットと、前記液処理ユニットと各種の処理ユニットとの間でウエハＷの受け渡しを行うための専用の基板搬送手段であるメインアームＡ１〜Ａ４と、を備えていて、各単位ブロックＢ１〜Ｂ４の間で、前記液処理ユニットと、加熱ユニットと、温調ユニットと、メインアームＡ１〜Ａ４との配置レイアウトが同じになるように構成されている。ここで配置レイアウトが同じであるとは、各処理ユニットやメインアームＡ１〜Ａ４におけるウエハＷを載置する中心が同じという意味である。
【００２５】
また、各単位ブロックＢ１〜Ｂ４のキャリアブロックＳ１と隣接する領域には、図１及び図３に示すように、トランスファーアームＣと各メインアームＡ１〜Ａ４がアクセスできる位置に棚ユニットＵ２が設けられている。この棚ユニットＵ２には、例えば単位ブロック毎に、他の単位ブロックとの間でウエハＷの受け渡しを行なうための第１の受け渡し部が設けられており、進退自在及び昇降自在に構成された受け渡し手段をなす受け渡しアームＤにより、棚ユニットＵ２に設けられた各受け渡し部に対してウエハＷの受け渡しが行われるように構成されている。さらにまた、ＤＥＶ層Ｂ１のインターフェイスブロックＳ３と隣接する領域には、図１及び図３に示すように、ＤＥＶ層Ｂ１のメインアームＡ１がアクセスできる位置に棚ユニットＵ３が設けられて、この棚ユニットＵ３は後述するインターフェイスブロックＳ３との間でウエハＷの受け渡しを行なうための第２の受け渡し部を備えている。
【００２６】
一方、処理ブロックＳ２における棚ユニットＵ３の奥側には、インターフェイスブロックＳ３を介して露光装置Ｓ４が接続されている。インターフェイスブロックＳ３には、前記ＤＥＶ層Ｂ１の棚ユニットＵ３の第２の受け渡し部と露光装置Ｓ４とに対してウエハＷの受け渡しを行うための、進退自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在に構成されたインターフェイスアームＦが設けられている。
【００２７】
続いて前記単位ブロックＢ１〜Ｂ４の構成について、先ずＣＯＴ層Ｂ３を例にして図３〜図５に基づいて説明する。このＣＯＴ層Ｂ３のほぼ中央には、ＣＯＴ層Ｂ３の長さ方向（図１中Ｙ方向）にウエハＷの搬送領域Ｒ１が形成されている。この搬送領域Ｒ１のキャリアブロックＳ１側から見た両側には、手前側（キャリアブロックＳ１側）から奥側に向かって右側に、前記液処理ユニットとして、レジスト液の塗布を行うための複数個の塗布処理部を備えた塗布ユニット３１が設けられている。
【００２８】
この塗布ユニット３１は、この例では３個の塗布処理部３２Ａ〜３２Ｃが共通の処理容器３０の内部に、夫々が搬送領域Ｒ１に臨むようにＹ方向に配列された状態で収納されている。各塗布処理部３２Ａ〜３２Ｃは、例えばスピンチャック上に水平に吸着保持されたウエハＷに対して、共通の薬液ノズルから塗布液であるレジスト液を供給すると共に、ウエハＷを回転させることによってレジスト液をウエハＷの全面に行き渡らせ、こうしてウエハＷの表面にレジスト液を塗布するように構成されている。また各塗布処理部３２Ａ〜３２Ｃは、スピンチャック上に保持されたウエハＷの周囲を囲むカップを夫々備えている。前記処理容器３０は、各塗布処理部３２Ａ〜３２Ｃに対応する位置にウエハＷの搬送口３３Ａ〜３３Ｃ（図５参照）を備えており、ウエハＷは各々の搬送口３３Ａ〜３３Ｃを介して対応する塗布処理部３２Ａ〜３２ＣとメインアームＡ３との間で搬送されるようになっている。
【００２９】
また、この塗布ユニット３１の搬送領域Ｒ１の向い側には、処理ユニットを例えば２段×４列に設けた棚ユニットＵ１が設けられており、この図では塗布ユニット３１にて行なわれる処理の前処理及び後処理を行なうための各種処理ユニットが設けられている。上述の各種処理ユニットの中には、レジスト液塗布後のウエハＷに対して加熱処理を行う加熱ユニットＬＨＰ３や、前記加熱ユニットＬＨＰ３にて加熱処理された後のウエハＷを所定温度に冷却するための冷却ユニットＣＯＬ３、ウエハＷを所定の温度に温調する温調ユニットＣＰＬ３、疎水化処理ユニットＡＤＨや、周縁露光装置（ＷＥＥ）等を備えている。
【００３０】
前記加熱ユニットＬＨＰ３としては、例えばウエハＷをその上に載置して加熱するための加熱プレート３４と、搬送アームを兼用する冷却プレート３５とを備え、メインアームＡ３と加熱プレート３４との間のウエハＷの受け渡しを冷却プレート３５により行なう、つまり加熱冷却を１つのユニットにて行うことができる構成の装置が用いられる。また温調ユニットＣＰＬ３や冷却ユニットＣＯＬ３としては、例えば水冷方式にて冷却される冷却プレートを備える装置が用いられる。これら加熱ユニットＬＨＰ３や温調ユニットＣＰＬ３等の各ユニットは、図５に示すように、夫々処理容器３６内に収納されており、各処理容器３６の搬送領域Ｒ１に臨む面にはウエハ搬出入口３７が形成されている。
【００３１】
ＣＯＴ層Ｂ３の棚ユニットＵ２には、前記第１の受け渡し部として、複数枚のウエハＷを退避させるための退避ユニットＢＦ３と、ウエハ温度を所定温度に調整するための温調ユニットＣＰＬ３とが積層して設けられており、これら退避ユニットＢＦ３と温調ユニットＣＰＬ３に対しては、ＣＯＴ層Ｂ３のメインアームＡ３と受け渡しアームＤとがアクセスできるように構成されている。前記退避ユニットＢＦ３は、この退避ユニットＢＦ３が設けられている単位ブロックＡ３におけるウエハＷの収容枚数に応じた枚数のウエハＷを載置して収容するための、複数個例えば塗布処理部３２Ａ〜３２Ｃよりも１個多い４個の載置ステージ４１〜４４を備えており、４枚のウエハＷが退避できるようになっている。この例では各載置ステージ４１〜４４には、ウエハＷの裏面側を保持する複数個例えば３個の突起が、メインアームＡ３と受け渡しアームＤとが進入してきたときに、これらと干渉しない位置に形成されている。
【００３２】
続いて前記搬送領域Ｒ１に設けられたメインアームＡ３について説明する。このメインアームＡ３は、当該ＣＯＴ層Ｂ３内の全てのモジュール（ウエハＷが置かれる場所）、例えば棚ユニットＵ１の各処理ユニット、塗布ユニット３１、棚ユニットＵ２の各受け渡し部との間でウエハの受け渡しを行うように構成されており、このために進退自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在、Ｙ軸方向に移動自在に構成されている。
【００３３】
このメインアームＡ３は、図３〜図５に示すように、ウエハＷの裏面側周縁領域を支持するための２本の保持アーム５１，５２を備えており、これら保持アーム５１，５２は基台５３上を互いに独立して進退自在に構成されている。また基台５３は、搬送基体５５上に回転機構５４を介して鉛直軸回りに回転自在に設けられている。図中５６は、搬送領域Ｒ１の長さ方向（図１中Ｙ方向）に伸びるガイドレール５６、図中５７は昇降用ガイドレールであり、前記搬送基体５５は、この昇降用ガイドレール５７に沿って昇降自在に構成されている。また前記昇降用ガイドレール５７の下端部はガイドレール５６の下方を潜って係止されており、昇降用ガイドレール５７がガイドレール５６に沿って横方向に移動することで、搬送基体５５が搬送領域Ｒ１を横方向に移動できるようになっている。ここで昇降用ガイドレール５７は、棚ユニットＵ１の各処理ユニットに対してウエハＷの受け渡しを行うときに、保持アーム５１，５２と干渉しないように、保持アーム５１，５２が進退する位置からずれた位置において搬送基体５５に設けられている。
【００３４】
なお他の単位ブロックについて簡単に説明すると、前記塗布膜形成用の単位ブロックＢ２〜Ｂ４はいずれも同様に構成されており、ＢＣＴ層Ｂ２は、液処理ユニットとして、ウエハＷに対して第１の反射防止膜形成用の塗布液を供給して、第１の反射防止膜を形成するための第１の反射防止膜形成ユニットＢＣＴが設けられ、棚ユニットＵ１には、反射防止膜形成処理後のウエハＷを加熱プレート上に載置して加熱処理を行う加熱ユニットＬＨＰ２と、ウエハＷを所定温度に調整するための温調ユニットＣＰＬ２と冷却ユニットＣＯＬ２等を備えている。また棚ユニットＵ２には、第１の受け渡し部として、複数枚例えば４枚のウエハＷを退避させる退避ユニットＢＦ２と、ウエハＷを所定温度に調整すると共に、キャリアブロックＳ１との間でのウエハＷの受け渡しにも用いられる温調ユニットＣＰＬ２とが設けられ、これらモジュールの間でメインアームＡ２によりウエハＷの受け渡しが行われるようになっている。
【００３５】
さらにＴＣＴ層Ｂ４は、液処理モジュールとして、ウエハＷに対して第２の反射防止膜形成用の塗布液を供給して、第２の反射防止膜を形成するための第２の反射防止膜形成ユニットＴＣＴが設けられ、棚ユニットＵ１には、反射防止膜形成処理後のウエハＷを加熱プレート上に載置して加熱処理を行う加熱ユニットＬＨＰ４と、加熱後のウエハＷを冷却する冷却ユニットＣＯＬ４と、ウエハＷを所定温度に調整するための温調ユニットＣＰＬ４と、周縁露光装置ＷＥＥ等を備えている。また棚ユニットＵ２には、第１の受け渡し部として、ウエハＷの受け渡しステージＴＲＳ４と、温調ユニットＣＰＬ４とが設けられ、これらモジュールの間でメインアームＡ４によりウエハＷの受け渡しが行われるようになっている。
【００３６】
またＤＥＶ層Ｂ１は、図１、図３及び図６に示すように、棚ユニットＵ１が３段×４列に構成され、棚ユニットＵ３を備えていて、シャトルアームＥが設けられている以外は、上述のＣＯＴ層Ｂ３とほぼ同様に構成されており、液処理モジュールとして、ウエハＷに対して現像処理を行うための現像ユニット３２が２段に設けられ、棚ユニットＵ１には、露光後のウエハＷを加熱処理するポストエクスポージャーベーキングユニットなどと呼ばれている加熱ユニット（ＰＥＢ１）、この加熱ユニット（ＰＥＢ１）における処理の後にウエハＷを所定温度に調整するための冷却ユニット（ＣＯＬ１）、現像処理後のウエハＷを水分を飛ばすために加熱処理するポストベーキングユニット等と呼ばれている加熱ユニット（ＰＯＳＴ１）、この加熱ユニット（ＰＯＳＴ１）における処理の後にウエハＷを所定温度に調整するための温調ユニット（ＣＰＬ１）等が含まれている。前記第１及び第２の反射防止膜形成ユニットや現像ユニット３２は、塗布ユニット３１とほぼ同様に構成されている。
【００３７】
また棚ユニットＵ２には、第１の受け渡し部として、上段側に温調ユニットＣＰＬ１１が設けられると共に、その下段側に例えば２個の受け渡しステージＴＲＳ１１，１２が設けられている。さらに棚ユニットＵ３には、第２の受け渡し部として、棚ユニットＵ２の温調ユニットＣＰＬ１１と搬送領域Ｒ１を挟んで対向する位置に温調ユニットＣＰＬ１２が設けられると共に、その下段側に例えば２個の受け渡しステージＴＲＳ１３，ＴＲＳ１４が設けられている。前記棚ユニットＵ２の受け渡しステージＴＲＳ１１，１２は、キャリアブロックＳ１との間でのウエハＷの受け渡しに用いられるものであり、棚ユニットＵ３の受け渡しステージＴＲＳ１３，１４はインターフェイスブロックＳ３との間でのウエハＷの受け渡しに用いられるものである。
【００３８】
前記シャトルアームＥは、図１、図３及び図６に示すように、例えばＤＥＶ層Ｂ１内の上部空間において、棚ユニットＵ２の温調ユニットＣＰＬ１１と、棚ユニットＵ３の温調ユニットＣＰＬ１２との間でウエハＷの搬送を行なうための専用の搬送手段である。このシャトルアームＥは、図６に示すように、ウエハＷの裏面側周縁領域を支持し、基台６２に沿って進退するための１本の保持アーム６１を備えており、前記基台６２は、搬送基体６４上に回転機構６３を介して鉛直軸回りに回転自在に設けられている。前記搬送基体６４は、例えば棚ユニットＵ１の上部側に、棚ユニットの長さ方向（図中Ｙ方向）に沿って設けられた支持部材６６の搬送領域Ｒ１に臨む面に、搬送領域Ｒ１の長さ方向に伸びるように設けられたガイドレール６５に沿って、前記長さ方向に移動するように構成され、こうして前記棚ユニットＵ２の温調ユニットＣＰＬ１１と棚ユニットＵ３の温調ユニットＣＰＬ１２とにアクセスし、これらユニットの間でウエハＷの搬送を行なうように構成されている。
【００３９】
このようなこのレジストパターン形成装置において、塗布膜として、第１の反射防止膜とレジスト膜を形成する場合を例にして、図７を用いてウエハＷの流れについて簡単に説明する。先ず外部からキャリアブロックＳ１に搬入されたキャリア２０内のウエハＷは、トランスファーアームＣにより棚ユニットＵ２の温調ユニットＣＰＬ２を介してＢＣＴ層Ｂ２に受け渡され、メインアームＡ２→第１の反射防止膜形成ユニットＢＣＴ→メインアームＡ２→加熱ユニットＬＨＰ２の経路で搬送され、第１の反射防止膜が形成される。
【００４０】
続いて加熱ユニットＬＨＰ２のウエハＷは、メインアームＡ２により例えば棚ユニットＵ２の退避ユニットＢＦ２の載置ステージ４１→受け渡しアームＤ→棚ユニットＵ２の温調ユニットＣＰＬ３→ＣＯＴ層Ｂ３のメインアームＡ３→塗布ユニットＣＯＴ→メインアームＡ３→加熱ユニットＬＨＰ３→メインアームＡ３→冷却ユニットＣＯＬ３→メインアームＡ３→周縁露光装置ＷＥＥの経路で搬送され、第１の反射防止膜の上にレジスト膜が形成される。
【００４１】
次いでウエハＷは、棚ユニットＵ２の退避ユニットＢＦ３の載置ステージ４１→受け渡しアームＤ→棚ユニットＵ２の温調ユニットＣＰＬ１１→シャトルアームＥ→棚ユニットＵ３の温調ユニットＣＰＬ１２まで搬送される。次いでウエハＷはインターフェイスブロックＳ３のインターフェイスアームＦを介して露光装置Ｓ４に搬送されて、所定の露光処理が行われる。
【００４２】
露光処理後のウエハＷは、インターフェイスアームＦ→棚ユニットＵ３の受け渡しステージＴＲＳ１３又はＴＲＳ１４→メインアームＡ１の経路によりＤＥＶ層Ｂ１に搬送され、当該ＤＥＶ層Ｂ１にて、加熱ユニットＰＥＢ１→冷却ユニットＣＯＬ１→現像ユニットＤＥＶ→加熱ユニットＰＯＳＴ１→温調ユニットＣＰＬ１の順序で搬送され、所定の現像処理が行われる。こうして現像処理が行われたウエハＷは、棚ユニットＵ２の受け渡しステージＴＲＳ１１又はＴＲＳ１２を介してトランスファーアームＣにより、キャリアブロックＳ１に載置されている元のキャリア２０に戻される。
【００４３】
この例では、温調ユニットＣＰＬ２が第１の温度にウエハＷを温調する温調ユニット、第１の反射防止膜形成ユニットＢＣＴが第１の塗布ユニット、加熱ユニットＬＨＰ２が第１の加熱ユニット、温調ユニットＣＰＬ３が第２の温度にウエハＷを温調する温調ユニット、塗布ユニットＣＯＴが第２の塗布ユニット、加熱ユニットＬＨＰ３が第２の加熱ユニット、冷却ユニットＣＯＬ３が冷却ユニットに夫々相当する。
【００４４】
そして上述のレジストパターン形成装置は、各処理ユニットのレシピの管理や、ウエハＷの搬送フロー（搬送経路）のレシピの管理や、各処理ユニットにおける処理や、メインアームＡ１〜Ａ４、トランスファーアームＣ、受け渡しアームＤ、シャトルアームＥ、インターフェイスアームＦの駆動制御を行うコンピュータからなる制御部１００を備えている。この制御部１００は、例えばコンピュータプログラムからなるプログラム格納部を有しており、プログラム格納部には、レジストパターン形成装置全体の作用、つまりウエハＷに対して所定のレジストパターンを形成するための、各処理ユニットにおける処理やウエハＷの搬送等が実施されるようにステップ（命令）群を備えた例えばソフトウェアからなるプログラムが格納される。そして、これらプログラムが制御部１００に読み出されることにより、制御部１００によってレジストパターン形成装置全体の作用が制御される。なおこのプログラムは、例えばフレキシブルディスク、ハードディスク、コンパクトディスク、マグネットオプティカルディスク、メモリーカード等の記憶媒体に収納された状態でプログラム格納部に格納される。
【００４５】
図８はこの制御部１００の構成を示すものであり、実際にはＣＰＵ（中央処理ユニット）、プログラム及びメモリなどにより構成されるが、本発明では塗布膜形成用の単位ブロックＢ２〜Ｂ４におけるウエハＷの搬送に特徴があるので、ここではそれに関連する構成要素の一部をブロック化して説明するものとする。図８中７０はバスであり、このバス７０にレシピ格納部７１、レシピ選択部７２、加熱処理温度変更部７３、搬送スケジュール変更部７４、搬送制御部７５、メインアームＡ１〜Ａ４、トランスファーアームＣ、受け渡しアームＤ、第２の加熱ユニットが接続されている。
【００４６】
レシピ格納部７１は記憶部に相当する部位であり、例えばウエハＷの搬送経路が記録されている搬送レシピや、この搬送レシピに基づき、ロット内の全てのウエハＷについてどのタイミングでどのユニットに搬送するかといった内容のスケジュール、例えばウエハＷに順番を割り当て、ウエハＷの順番と各モジュールとを対応づけて搬送サイクルを指定した搬送サイクルデータを時系列に並べて作成された搬送スケジュールや、ウエハＷに対して行う処理条件などが記録された複数のレシピが格納されている。レシピ選択部７２はレシピ格納部７１に格納されたレシピから適当なものを選択する部位であり、例えばウエハの処理枚数やレジストの種類、加熱処理時の温度などの入力もできるようになっている。
【００４７】
加熱処理温度変更部７３は、一のキャリアから払い出された複数の同種の基板の集合である一のロット（以下「ロットＡ」という）の最後のウエハＡ１０が第２の加熱ユニットにて加熱処理を終了した後、当該第２の加熱ユニットの加熱処理温度を、後続の他のロット（以下「ロットＢ」という）のウエハＢに応じた温度に変更する手段であり、例えば第２の加熱ユニットに対して、ロットＡの最後のウエハＡ１０の当該加熱ユニットにおける加熱処理が終了した後に加熱プレート３４の温度変更を行う指令を出力する。
【００４８】
搬送スケジュール変更部７４は、前記ロットＡのウエハＡと、後続のロットＢのウエハＢに対して処理を連続して行う場合であって、ロットＢの第２の加熱ユニットの加熱処理温度を、ロットＡの第２の加熱ユニットの加熱処理温度から変更するときに、後述するように搬送スケジュールを変更する手段である。
【００４９】
搬送制御部７５は、前記搬送スケジュールを参照し、搬送サイクルデータに書き込まれているウエハを、そのウエハに対応するモジュールに搬送するように、トランスファーアームＣ、メインアームＡ１〜Ａ４、受け渡しアームＤを制御し、これにより搬送サイクルを実行する部位であり、基板搬送手段を制御する手段に相当する。
【００５０】
続いて本実施の形態の作用説明を行う。先ず基板であるウエハＷに対する処理を開始するのに先立ち、オペレータがレシピの選択を行うが、ここでは既述のように、塗布膜として、第１の反射防止膜を形成し、この上にレジスト膜を形成する場合を例にして説明する。この場合、ＢＣＴ層Ｂ２とＣＯＴ層Ｂ３との間のウエハＷの搬送経路に特徴があるので、以下ではＢＣＴ層Ｂ２とＣＯＴ層Ｂ３のウエハＷの搬送経路に着目して説明する。
【００５１】
この際ウエハＷは、ＢＣＴ層Ｂ２とＣＯＴ層Ｂ３においては、図７に示すように、キャリアブロックＳ１→第１の温調ユニットＣＰＬ２→第１の反射防止膜ユニットＢＣＴ（第１の塗布ユニット）→第１の加熱ユニットＬＨＰ２→退避ユニットＢＦ２→第２の温調ユニットＣＰＬ３→塗布ユニットＣＯＴ（第２の塗布ユニット）→第２の加熱ユニットＬＨＰ３→冷却ユニットＣＯＬ３→周縁露光装置ＷＥＥの経路で搬送される。
【００５２】
そして図９に示すように、先ずオペレータは第１の反射防止膜とレジスト膜とを備えた塗布膜を形成する場合のレシピを、ロットＡの１０枚のウエハＡ１〜Ａ１０と、後続のロットＢの１０枚のウエハＢ１〜Ｂ１０とに対して連続して処理を行うように選択する(ステップＳ１)。ここでロットＡのウエハＡと、後続のロットＢのウエハＢとに対して連続して処理を行うとは、キャリアブロックＳ１から第１の温調ユニットＣＰＬ２へのウエハの払い出しを、ロットＡの最後のウエハＡ１０に引き続いてロットＢの最初のウエハＢ１に対して行うことをいう。
【００５３】
このレシピが選択されると、ロットＡについては図１０のロットＡの搬送スケジュールが選択され、制御部１００はこの搬送スケジュールを参照しながら各部に指示を出力し、ウエハＡに対する処理が実行される（ステップＳ２）。この搬送スケジュールでは、ロットＡのウエハＡは、既述の経路にて、第１の加熱ユニットＬＨＰ２における第１の加熱処理が終了した後、退避ユニットＢＦ２の載置ステージ４１を介してＢＣＴ層Ｂ２からＣＯＴ層Ｂ３に搬送されるようになっている。ここでメインアームＡ１〜Ａ４は２本以上のアームを備えているので、メインアームＡ２，Ａ３は、下流側のモジュール内のウエハから順次一つ順番が後のモジュールに移し替えることにより、順番の小さいウエハが順番の大きいウエハよりも下流側のモジュールに位置する状態を形成し、これにより一つの搬送サイクルを実行し、当該搬送サイクルを終了した後、次の搬送サイクルに移行し、各搬送サイクルを順次実行することにより、既述の経路で順番にウエハＡが順次搬送されて所定の処理が行われる。
【００５４】
一方ステップ３においては、ロットＢの第２の加熱ユニットＬＨＰ３における加熱処理温度がロットＡの第２の加熱ユニットＬＨＰ３における加熱処理温度と同じであるかどうかを問い合わせ、同じである場合にはステップ４に進んで、ウエハＡと同じ搬送スケジュールに沿ってウエハＢが搬送されて処理が行われ、異なる場合にはステップＳ５に進む。ステップＳ５では、加熱処理温度変更部７３により、ロットＡの最後のウエハＡ１０に対する第２の加熱ユニットＬＨＰ３における加熱処理が終了した後、当該第２の加熱ユニットＬＨＰ３の加熱処理温度をロットＢのウエハＢに応じた温度に変更し、次いでステップＳ６に進んで、搬送スケジュール変更部７４により、後述するように搬送スケジュールの書き換えを行い、以降はこの書き換えられた搬送スケジュールに沿ってロットＢのウエハＢの搬送を行なって、処理を実行する（ステップＳ７）。
【００５５】
続いて前記搬送スケジュールの書き換えについて具体的に説明すると、図１０のロットＢの搬送スケジュールに示すように、前記ロットＢの先頭のウエハＢ１が第２の温調ユニットＣＰＬ３に搬送された搬送サイクル１５の次の搬送サイクル１６から、当該先頭のウエハＢ１に続く第１の加熱ユニットＬＨＰ２にて加熱処理されたウエハＢ２を退避ユニットＢＦ２の載置ステージ４１〜４４に順次満たしていくように、また前記第２の加熱ユニットＬＨＰ３の加熱処理温度をロットＢのウエハＢに応じた温度に変更した後においては、前記退避ユニットＢＦ２内のウエハＢ２〜Ｂ５を順次下流側のモジュールに搬送するように、搬送スケジュールを書き換える。この際、前記先頭のウエハＢに続く第１の加熱ユニットＬＨＰ２にて加熱処理されたウエハＢとは、第２の温調ユニットＣＰＬ３が複数設けられている場合には、これら第２の温調ユニットＣＰＬ３に振り分けられたウエハＢの次のウエハＢをいうものとする。
【００５６】
さらに具体的には、
（１）ロットＢの最初のウエハＢ１を第２の塗布ユニットＣＯＴに搬送しないように、第２の塗布ユニットＣＯＴの一つ上流側のモジュールである第２の温調ユニットＣＰＬ３からの前記ウエハＢ１の搬出を停止し、
（２）第２の温調ユニットＣＰＬ３が一つであるときには、第１の加熱ユニットＬＨＰ２にて処理されたロットＢの２枚目のウエハＢ２以降のウエハＢ２〜Ｂ５の搬送先を、退避ユニットＢＦ２の各載置ステージ４１〜４４に変更し、
（３）前記退避ユニットＢＦ２の載置ステージ４１〜４４に２枚以上のウエハＢが退避しているときに、第１の塗布ユニットＢＣＴにウエハＢを搬送しないように、第１の塗布ユニットＢＣＴの一つ上流側のモジュールである第１の温調ユニットＣＰＬ２からのウエハＢ６の搬出を停止し、
（４）第２の加熱ユニットＬＨＰ３の加熱処理温度の変更が終了した後、ロットＢの最初のウエハＢ１を第２の塗布ユニットＣＯＴの一つ上流側のモジュールである第２の温調ユニットＣＰＬ３から搬出して、第２の塗布ユニットＣＯＴへの搬送を開始し、
（５）退避ユニットＢＦ２に退避されていたウエハＢ２〜Ｂ５が減り始めたら、第１の温調ユニットＣＰＬ２からのウエハＢ６の搬出を再開し、
（６）（３）において第１の温調ユニットＣＰＬ２に払い出された最後のウエハＢ６以降のウエハＢ６〜Ｂ１０に対しては、ウエハＡの搬送スケジュールと同じスケジュールに沿って、第１の加熱ユニットＬＨＰ２→退避ユニットＢＦ２の載置しステージ４１→第２の温調ユニットＣＰＬ３に搬送するように、搬送スケジュールの書き換えを行う。
【００５７】
このようなレジストパターン形成装置では、ロットＡのウエハＡ１〜Ａ１０と、後続のロットＢのウエハＢ１〜Ｂ１０とに対して処理ブロックＳ２において連続して処理を行う場合であり、ロットＡのウエハＡ１〜Ａ１０に対する処理と、ロットＢのウエハＢ１〜Ｂ１０に対する処理との間で、第２の加熱ユニットＬＨＰ３における加熱処理温度が変更した場合であっても、ロットＢのウエハＢに対しては、第１の加熱ユニットＬＨＰ２の次の搬送先を退避用ユニットＢＦ２に書き換え、第２の加熱ユニットＬＨＰ３において加熱処理温度を変更した後、直ちに第２の塗布ユニット（塗布ユニットＣＯＴ）に搬送するようにしているので、前記第２の加熱ユニットＬＨＰ３の加熱処理温度変更が終了してから、ロットＢのウエハＢに対してキャリアブロックＳ１からの払い出しを行っていた従来の搬送スケジュールに比べて、処理時間が短縮され、スループットの向上を図ることができる。
【００５８】
つまり図１１に、図１５に示す塗布、現像装置にて行われていた処理の際の、従来の搬送スケジュールを示すが、このように従来では、前記第２の加熱ユニットＬＨＰ３の加熱処理温度の変更が終了してから、搬送サイクル２８にてロットＢのウエハＢ１〜Ｂ１０に対してキャリアブロックＳ１から第１の温調ユニットＣＰＬ２への払い出しを行っているので、第２の加熱ユニットＬＨＰ３の温度変更時間に加えて、温度変更後に第２の加熱ユニットＬＨＰ３にロットＢのウエハＢが搬送されない時間が加算されてしまい、ロットＢの先頭のウエハＢ１が温度変更後の第２の加熱ユニットＬＨＰ３に搬送されるまでの待ち時間が５サイクルにもなり、周縁露光装置ＷＥＥに搬送されるまでのトータルの搬送サイクル数が４４になってしまう。
【００５９】
これに対して本発明では、図１０の搬送スケジュールにより明らかなように、ロットＢの先頭のウエハＢ１が温度変更後の第２の加熱ユニットＬＨＰ３に搬送されるまでの待ち時間が１サイクルになっている。このように本発明では、第２の加熱ユニットＬＨＰ３の温度変更を行っている間に、ロットＢのウエハＢに対しては、第２の塗布ユニットＬＨＰ３の上流側のモジュールである第２の温調ユニットＣＰＬ３の処理までを済ませておくことができる。このためロットＢのウエハＢに対して何ら処理を行わずに、前記第２の加熱ユニットＬＨＰ３の温度変更の終了を待つといった無駄な時間の発生が抑えられ、周縁露光装置ＷＥＥに搬送されるまでのトータルの搬送サイクル数は４１となるので、従来に比べて搬送サイクル数３に相当する時間分、処理時間が短縮され、その分スループットの向上を図ることができる。
【００６０】
この際、本発明では、第１の加熱ユニットＬＨＰ２にて加熱処理された後のウエハＷを退避ユニットＢＦ２にて待機させているが、この退避中にウエハＷの温度が降温し、次の第２の温調ユニットＣＰＬ３での温調処理に要する時間が短縮できるという効果がある。一方第２の温調ユニットＣＰＬ３にて温調処理されたウエハＢを退避ユニットＢＦ２に待機させようとすると、当該退避中に一旦温度調整されたウエハＢの温度が変化してしまうので、得策ではない。
【００６１】
以上において、本発明では、第１の塗布ユニットにて、ウエハＷにレジスト液を塗布する処理を行ない、第２の塗布ユニットにて、ウエハＷに第２の反射防止膜を形成するための塗布液を塗布する処理を行う場合にも適用できる。この場合のウエハＷの流れについて図１２を用いて簡単に説明すると、ウエハＷはトランスファーアームＣによりキャリアブロックＳ１から棚ユニットＵ２の温調ユニットＣＰＬ２→受け渡しアームＤ→第１の温調ユニットＣＰＬ３を介してＣＯＴ層Ｂ３に受け渡され、メインアームＡ３→第１の塗布ユニットＣＯＴ→メインアームＡ３→第１の加熱ユニットＬＨＰ３の経路で搬送され、レジスト膜が形成される。
【００６２】
続いてウエハＷは、メインアームＡ３→棚ユニットＵ２の退避ユニットＢＦ３の載置ステージ４１→受け渡しアームＤ→棚ユニットＵ２の第２の温調ユニットＣＰＬ４に受け渡され、次いでＴＣＴ層Ｂ４のメインアームＡ４→第２の反射防止膜形成ユニットＴＣＴ（第２の塗布ユニット）→メインアームＡ４→第２の加熱ユニットＬＨＰ４→メインアームＡ４→冷却ユニットＣＯＬ４→メインアームＡ４→周縁露光装置ＷＥＥの経路で搬送され、レジスト膜の上に第２の反射防止膜が形成される。次いでウエハＷは、棚ユニットＵ２の受け渡しステージＴＲＳ４を介して受け渡しアームＤにより棚ユニットＵ２の温調ユニットＣＰＬ１１に搬送され、以降は既述の経路で露光装置Ｓ４→ＤＥＶ層Ｂ１→キャリアブロックＳ１の経路で搬送される。
【００６３】
そしてこの場合においても、ロットＡの１０枚のウエハＡ１〜Ａ１０と、後続のロットＢの１０枚のウエハＢ１〜Ｂ１０とに対して連続して処理を行う場合であって、ロットＢの第２の加熱ユニットＬＨＰ４の加熱処理温度をロットＡの第２の加熱ユニットＬＨＰ４の加熱処理温度から変更するときには、加熱処理温度変更部７３により、ロットＡの最後のウエハＡ１０が第２の加熱ユニットＬＨＰ４にて加熱処理を終了した後、当該第２の加熱ユニットＬＨＰ４の加熱処理温度をロットＢのウエハＢに応じた温度に変更し、さらに搬送スケジュール変更部７４により前記ロットＢの先頭のウエハＢ１が第２の温調ユニットＣＰＬ４に搬送された搬送サイクルの次の搬送サイクルから、当該先頭のウエハＢ１に続く第１の加熱ユニットＬＨＰ３にて加熱処理されたウエハＢ２を退避ユニットＢＦ３に順次満たしていくように、また前記第２の加熱ユニットＬＨＰ４の加熱処理温度をロットＢのウエハＢに応じた温度に変更した後においては、前記退避ユニットＢＦ３内のウエハＢを順次下流側のモジュールに搬送するように、搬送スケジュールを書き換え、以降は書き換えられた搬送スケジュールに沿ってメインアームＡ２，Ａ３により、ウエハＷの搬送を行なう。
【００６４】
具体的な搬送スケジュールの書き換えは、
（１）ロットＢの最初のウエハＢ１を第２の塗布ユニットＴＣＴに搬送しないように、第２の塗布ユニットＴＣＴの一つ上流側のモジュールである第２の温調ユニットＣＰＬ４からの前記ウエハＢ１の搬出を停止し、
（２）第１の加熱ユニットＬＨＰ３にて処理されたロットＢの２枚目のウエハＢ２以降のウエハＢ２〜Ｂ５の搬送先を、ＣＯＴ層Ｂ３の退避ユニットＢＦ３の各載置ステージ４１〜４４に変更し、
（３）前記退避ユニットＢＦ３の載置ステージ４１〜４４に２枚以上のウエハＢが退避しているときに、第１の塗布ユニットＣＯＴにウエハＢを搬送しないように、第１の塗布ユニットＣＯＴの一つ上流側のモジュールである第１の温調ユニットＣＰＬ３からのウエハＢ６の搬出を停止し、
（４）第２の加熱ユニットＬＨＰ４の加熱処理温度の変更が終了した後、ロットＢの最初のウエハＢ１を第２の塗布ユニットＴＣＴの一つ上流側のモジュールである第２の温調ユニットＣＰＬ４から搬出して、第２の塗布ユニットＴＣＴへの搬送を開始し、
（５）退避ユニットＢＦ３に退避されていたウエハＢ２〜Ｂ５が減り始めたら、第１の温調ユニットＣＰＬ３からのウエハＢ６の搬出を再開し、
（６）（３）において第１の温調ユニットＣＰＬ３に払い出された最後のウエハＢ６以降のウエハＢ６〜Ｂ１０に対しては、ウエハＡの搬送スケジュールと同じスケジュールに沿って、第１の加熱ユニットＬＨＰ３→退避ユニットＢＦ３の載置しステージ４１→第２の温調ユニットＣＰＬ４に搬送するように、搬送スケジュールの書き換えを行う。
【００６５】
さらに本発明は、第２の塗布ユニットのカップを洗浄する場合にも適用できる。この例について、第１の塗布ユニットとして第１の反射防止膜形成ユニットＢＣＴ、第２の塗布ユニットとして塗布ユニットＣＯＴを用い、図７に示す経路にてウエハＷを搬送する場合を例にして説明する。そしてこの場合において、ロットＡの１０枚のウエハＡ１〜Ａ１０と、後続のロットＢの１０枚のウエハＢ１〜Ｂ１０とに対して連続して処理を行う場合であって、第２の塗布ユニットＣＯＴにてロットＡの全てのウエハＡ１〜Ａ１０に対して処理を行った後、第２の塗布ユニットＣＯＴのカップの洗浄を行なうときには、ロットＡの最後のウエハＡ１０に対して第２の塗布ユニットＣＯＴにて塗布処理を行なった後、当該第２の塗布ユニットＣＯＴのカップの洗浄処理を開始する。
【００６６】
そして搬送スケジュールは、図１３に示すように、
（１）ロットＢの最初のウエハＢ１を第２の塗布ユニットＣＯＴに搬送しないように、第２の塗布ユニットＣＯＴの一つ上流側のモジュールである第２の温調ユニットＣＰＬ３からの当該ウエハＢ１の搬出を停止し、
（２）第１の加熱ユニットＬＨＰ２にて処理されたロットＢの２枚目のウエハＢ２以降のウエハＢ２〜Ｂ５の搬送先をＢＣＴ層Ｂ２の退避ユニットＢＦ２の各載置ステージ４１〜４４に変更し、
（３）前記退避ユニットＢＦ２の載置ステージ４１〜４４に２枚以上のウエハＢが退避しているときに、第１の塗布ユニットＢＣＴにウエハＢを搬送しないように、第１の塗布ユニットＢＣＴの一つ上流側のモジュールである第１の温調ユニットＣＰＬ３２からのウエハＢ６の搬出を停止し、
（４）第２の塗布ユニットＣＯＴのカップ洗浄が終了した後、ロットＢの最初のウエハＢ１を第２の塗布ユニットＣＯＴの一つ上流側のモジュールである第２の温調ユニットＣＰＬ３から搬出して、当該第２の塗布ユニットＣＯＴへの搬送を開始し、
（５）退避ユニットＢＦ２に退避されていたウエハＢ２〜Ｂ５が減り始めたら、第１の温調ユニットＣＰＬ２からのウエハＢ６の搬出を再開し、
（６）（３）において第１の温調ユニットＣＰＬ２に払い出された最後のウエハＢ６以降のウエハＢ６〜Ｂ１０に対しては、ウエハＡの搬送スケジュールと同じスケジュールに沿って、第１の加熱ユニットＬＨＰ２→退避ユニットＢＦ２の載置しステージ４１→第２の温調ユニットＣＰＬ３に搬送するように、搬送スケジュールの書き換えを行い、以降は書き換えられた搬送スケジュールに沿ってウエハＢの搬送を行なう。
【００６７】
このように洗浄処理を行う場合であっても、前記ロットＢの先頭のウエハＢ１が第２の温調ユニットＣＰＬ３に搬送された搬送サイクルの次の搬送サイクルから、当該先頭のウエハＢ１に続く第１の加熱ユニットＬＨＰ２にて加熱処理されたウエハＢを退避ユニットＢＦ２に順次満たしていくように、第１の加熱ユニットＬＨＰ２の次の搬送先を退避用ユニットＢＦ２に書き換え、第２の塗布ユニットＣＯＴにおいて洗浄処理が終了した後、ロットＢの先頭のウエハＢ１を直ちに第２の塗布ユニットＣＯＴに搬送するようにしているので、前記第２の塗布ユニットＣＯＴの洗浄処理が終了してから、ロットＢのウエハＢに対してキャリアブロックＳ１からの払い出しを行っていた従来の搬送スケジュール（図１４参照）に比べて、周縁露光装置ＷＥＥに搬送するまでのトータルの搬送サイクル数が３サイクル分減少し、この分処理時間が短縮され、スループットの向上を図ることができる。
【００６８】
以上において本発明では、処理ブロック内に、第１の温調ユニットと、第１の塗布ユニットと、第１の加熱ユニットと、第２の温調ユニットと、第２の塗布ユニットと、第２の加熱ユニットと、冷却ユニットと、退避ユニットとを備えた装置にも適用でき、また第１の温調ユニット→第１の塗布ユニット→第１の加熱ユニット→退避ユニット→第２の温調ユニット→第２の塗布ユニット→第２の加熱ユニット→冷却ユニットの経路でウエハが搬送できれば、これら各ユニット（モジュール）の個数や種類、レイアウトは上述の実施の形態には限られない。
【００６９】
また上述の例では、ＢＣＴ層Ｂ２とＣＯＴ層Ｂ３との間、又はＣＯＴ層Ｂ３とＴＣＴ層Ｂ４との間のウエハＷの受け渡しを、夫々退避ユニットＢＦ２，ＢＦ３の一つの載置ステージを介して行っていたが、退避ユニットＢＦ２，ＢＦ３とは別個にＢＣＴ層Ｂ２とＣＯＴ層Ｂ３との間、又はＣＯＴ層Ｂ３とＴＣＴ層Ｂ４との間のウエハＷの受け渡しを行うための受け渡しステージを設けるようにしてもよい。
【００７０】
さらに各単位ブロックの積層数や積層の順番は上述の例に限られず、現像処理用の単位ブロックを２層としてもよいし、塗布膜形成用の単位ブロックを、下方側から上方側に向かって順番にＴＣＴ層、ＣＯＴ層、ＢＣＴ層となるように配列してもよい。また塗布膜形成用の単位ブロックを下方側に配置し、その上に現像処理用の単位ブロックを配置するようにしてもよい。また本発明は半導体ウエハのみならず液晶ディスプレイ用のガラス基板（ＬＣＤ基板）といった基板を処理する塗布、現像装置にも適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００７１】
【図１】本発明に係る塗布、現像装置の実施の形態を示す平面図である。
【図２】前記塗布、現像装置を示す斜視図である。
【図３】前記塗布、現像装置を示す側部断面図である。
【図４】前記塗布、現像装置におけるＣＯＴ層Ｂ３の単位ブロックを示す平面図である。
【図５】前記ＣＯＴ層Ｂ３の塗布ユニットと棚ユニットとメインアームＡ３と退避ユニットを示す斜視図である。
【図６】前記塗布、現像装置におけるＤＥＶ層Ｂ１の単位ブロックの、現像ユニットと棚ユニットとメインアームＡ１とシャトルアームＥとを示す斜視図である。
【図７】前記塗布、現像装置におけるウエハＷの流れを説明するための側面図である。
【図８】前記塗布、現像装置における制御部の一例を示す構成図である。
【図９】前記塗布、現像装置の作用を説明するためのフロー図である。
【図１０】搬送スケジュールの一例を示す説明図である。
【図１１】従来の搬送スケジュールの一例を示す説明図である。
【図１２】前記塗布、現像装置におけるウエハＷの流れを説明するための側面図である。
【図１３】搬送スケジュールの一例を示す説明図である。
【図１４】従来の搬送スケジュールの一例を示す説明図である。
【図１５】従来の塗布、現像装置を示す平面図である。
【符号の説明】
【００７２】
Ｗ          半導体ウエハ
２０        キャリア
Ｓ１        キャリアブロック
Ｓ２        処理ブロック
Ｓ３        インターフェイスブロック
Ｓ４        露光装置
Ａ１〜Ａ４  メインアーム
Ｃ          トランファーアーム
Ｄ          受け渡しアーム
Ｅ          シャトルアーム
Ｆ          インターフェイスアーム
ＢＣＴ      第１の反射防止膜形成ユニット
ＣＯＴ      塗布ユニット
ＴＣＴ      第２の反射防止膜形成ユニット
ＤＥＶ      現像ユニット
ＢＦ２，ＢＦ３    退避ユニット
４１〜４４  載置ステージ  
１００      制御部
７３        加熱処理変更部
７４        搬送スケジュール変更部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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