(57)【要約】【課題】  シリコンウェーハ内部の金属系不純物を簡便にしかも高効率に除去する。【解決手段】  ステップＳ１工程で、表面が露出したシリコンウェーハに第１の洗浄を施す。ここで、シリコンウェーハ表面は清浄化される。次に、ステップＳ２工程で、上記シリコンウェーハを、室温近くの温度の空気雰囲気中で例えば２００時間〜８００時間の間、常温保管し放置する。この工程により、シリコンウェーハの内部の金属原子は外方拡散してシリコンウェーハ表面に出てその表面部に凝集する。次に、ステップＳ３工程で、シリコンウェーハに対して第２の洗浄を施し上記シリコンウェーハ表面部に凝集した金属系不純物を除去する。このようにして、シリコンウェーハ内部の金属系不純物が簡便にしかも高効率に除去される【選択図】  図１
2008181941.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコンウェーハ内部の金属を除去する方法であって、
シリコンウェーハの表面が露出している状態にして、前記シリコンウェーハを室温近くの温度で保管する工程と、
前記保管後に前記シリコンウェーハ表面部に凝集した前記金属を化学薬液により洗浄除去する工程と、
を有することを特徴とする金属系不純物の除去方法。
【請求項２】
前記保管の時間は３００〜６００時間の範囲にあることを特徴とする請求項１に記載の金属系不純物の除去方法。
【請求項３】
前記室温近くの温度は１０〜４０℃の範囲にあることを特徴とする請求項１又は２に記載の金属系不純物の除去方法。
【請求項４】
前記シリコンウェーハの前記室温近くの温度での保管と前記化学薬液による洗浄除去とを繰り返して複数回おこなうことを特徴とする請求項１，２又は３に記載の金属系不純物の除去方法。
【請求項５】
前記金属系不純物はＣｕ金属あるいはＮｉ金属であることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一項に記載の金属系不純物の除去方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、金属系不純物の除去方法に係り、特にシリコンウェーハ中の金属系不純物の除去方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス製造に使用されるシリコンウェーハは、単結晶インゴット育成後、例えば、上記インゴットをスライスして薄円盤状のウェーハを得るスライス工程、面取り工程、ラッピング工程、エッチング工程、鏡面研磨工程、洗浄工程、熱処理工程等、多くの工程を経て製品化される。このシリコンウェーハには、単結晶シリコンからなるシリコンバルクウェーハの他にシリコンエピタキシャルウェーハがある。シリコンエピタキシャルウェーハは、例えば１０００〜１２００℃温度におけるＣＶＤ（化学気相成長）法により、シリコンバルクウェーハ上に単結晶シリコン層あるいはＳｉＧｅ層を含んだ歪みシリコン層がエピタキシャル層として形成されたものである。
【０００３】
このようなシリコンウェーハは、上述したウェーハ製造工程においてＦｅ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｒ等の金属系不純物の微量な汚染を受ける。また、半導体デバイス製造の工程においても同様な汚染が生じる。この金属系不純物は、シリコンウェーハ中で析出して結晶欠陥を引き起こしたり、シリコンウェーハ表面でパーティクルの付着核になったりする。また、シリコンウェーハ中において電気的に深い準位を形成し半導体デバイス性能を低下させたり、シリコンウェーハ表面に形成したシリコン酸化膜中に存在してその絶縁性を低下させたりする。このように金属系不純物は、その金属の種類にもよるがシリコンウェーハに対して種々の悪影響を及ぼす。
【０００４】
そこで、汚染した金属系不純物を除去する方法が色々と提案され、その一部の技術は実用に供されている。また、汚染金属をシリコンウェーハの所定の箇所にゲッタリングさせて、この金属系不純物の上述したような悪影響を低減あるいは防止するための方法がとられている。金属系不純物を除去する方法としては、ＨＣｌ（塩酸）−Ｈ２Ｏ２（過酸化水素）−Ｈ２Ｏ（純水）の混合した化学薬液（ＨＰＭという）によるシリコンウェーハ表面の洗浄がよく知られている。その他に、例えば、オゾン溶解水−Ｈ２Ｏ２の化学薬液により洗浄して除去する方法がある。また、Ｈ２Ｏ２−Ｈ２Ｏ−クエン酸の化学薬液により金属系不純物を除去すると共にシリコンウェーハ表面に極薄のシリコン酸化膜を形成させる方法も提案されている。
【０００５】
そして、金属系不純物をゲッタリングする方法としては、いわゆるエキシトリンシック・ゲッタリング（ＥＧ）とイントリンシック・ゲッタリング（ＩＧ）がよく知られている。ここで、金属系不純物をゲッタリングさせる箇所（以下、ゲッタリングサイトという）は、シリコンウェーハにおいて半導体デバイスの活性層から離れた領域になる。ＥＧの手法では、シリコンウェーハの裏面側をゲッタリングサイトにし、バックサイドダメッジ（ＢＳＤ）、ポリＳｉバックシール（ＰＢＳ）あるいはリンゲッタリングと呼ばれる手法が古くから使用されている。ＩＧの手法では、シリコンウェーハ内部のほぼ中心領域にＳｉＯｘの酸素析出物を形成し結晶欠陥誘起のゲッタリングサイトが用いられる。
【０００６】
その他にも、いわゆるｐ／ｐ＋構造のシリコンエピタキシャルウェーハにおいて、エピタキシャル基体のｐ＋基板を金属のゲッタリングサイトにする方法も提案され、このようなシリコンエピタキシャルウェーハも実用に供されている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００４−１６５４８９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上述した金属系不純物を除去する方法では、シリコンウェーハの表面にある金属は除去することができるが、シリコンウェーハの内部にある金属除去は難しいという問題があった。ここで、シリコンウェーハに熱処理を施し、その内部の金属を外方拡散により表面に出してから上記化学薬液の表面洗浄を施し、その金属を除去する方法も考えられる。しかし、このような方法では、上記熱処理によるシリコンウェーハの逆汚染が生じ易く、その実用化が難しい。
【０００８】
また、シリコンウェーハのゲッタリングサイトに金属系不純物をゲッタリングする方法では、汚染金属はシリコンウェーハサイトに残留しシリコンウェーハから除去されないことから、例えば半導体デバイス製造の熱処理工程において上記サイトから再び離脱して、半導体デバイスの活性領域に侵入し上述した悪影響が発生するという問題があった。
【０００９】
本発明は、上述の事情に鑑みてなされたもので、シリコンウェーハ内部に存在する金属系不純物を簡便にしかも高効率に除去することができる金属系不純物の除去方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するために、本発明にかかる金属系不純物の除去方法は、シリコンウェーハ内部の金属を除去する方法であって、シリコンウェーハの表面が露出している状態にして、前記シリコンウェーハを室温近くの温度で保管する工程と、前記保管後に前記シリコンウェーハ表面部に凝集した前記金属を化学薬液により洗浄除去する工程と、を有する構成になっている。
【００１１】
上記発明において、好適な実施態様では、前記保管の時間は３００〜６００時間の範囲にある。そして、前記室温近くの温度は１０〜４０℃の範囲にある。
【００１２】
上記発明により、シリコンウェーハ内部に存在する金属系不純物は、外方拡散によりシリコンウェーハ表面に出てきて、その表面部において凝集する。そして、この凝集した金属系不純物は簡便にしかも効率的に洗浄除去される。
【００１３】
また、この金属系不純物の除去方法は、除去のための新規で格別な装置あるいは設備を必要とせず、極めて簡便で低コスト化が容易な手法であり実用性の高いものとなる。
【００１４】
上記発明において、好適な一態様では、前記シリコンウェーハの前記室温近くの温度での保管と前記化学薬液による洗浄除去とを繰り返して複数回おこなう。そして、前記金属系不純物はＣｕ金属あるいはＮｉ金属である。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の構成により、シリコンウェーハ内部に存在する金属系不純物、特にＣｕおよびＮｉの金属が簡便にしかも高効率に除去される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の好適な実施形態について図面を参照して説明する。図１は本実施形態にかかる金属系不純物の除去方法の一例を示す工程フロー図であり、図２は一例であるＣｕ金属の除去工程を模式的に示した工程別断面図である。そして、図３は本実施形態における金属系不純物除去のメカニズムの説明に供する模式図である。
【００１７】
図１に示すように、その表面が露出されたシリコンウェーハＷに対して、ステップＳ１の第１の洗浄を施す。そして、第１の洗浄を施したシリコンウェーハＷを乾燥させる。ここで、第１の洗浄に用いる洗浄液は、例えばＮＨ４ＯＨ（アンモニア水）−Ｈ２Ｏ２−Ｈ２Ｏの混合した化学薬液（ＡＰＭという）であり、その温度が例えば８０℃程度になるように設定される。また、化学薬液中の不純物成分が例えばｐｐｂレベル以下の高純度になっていると好適である。
【００１８】
上記ステップＳ１により、図２（ａ）に示すように、その内部にＣｕ金属が存在するシリコンウェーハＷの表面はパーティクル等の除去を受け清浄化される。上記ＡＰＭを洗浄液とする第１の洗浄では、図示していないがシリコンウェーハＷ表面に数ｎｍ程度の膜厚の自然酸化膜が形成される。このような自然酸化膜は多孔性を有しており、シリコンウェーハＷ表面にはＳｉのダングリングボンド（未結合部）が多く存在している。
【００１９】
次に、ステップＳ２において、第１の洗浄を施し表面を乾燥させたシリコンウェーハＷを、室温近くの温度（本発明の説明では常温ともいう）の空気雰囲気において、例えば２００時間〜８００時間の間、常温保管し放置する。ここで、その詳細は後述されるが、常温保管の温度は１０℃〜４０℃の範囲が好ましく、室温（２０〜２５℃）が更に好ましい。また、実用上では保管時間は３００時間〜６００時間の範囲が好ましい。そして、このようなシリコンウェーハ保管は、パーティクルの少ない例えばクラス１００以下にクリーン化された空気雰囲気中で行うことが好ましい。
【００２０】
上記ステップＳ２により、図２（ｂ）に示すように、シリコンウェーハＷの内部に存在していたＣｕ原子は、外方拡散してシリコンウェーハＷ表面に出てきてその露出する表面部において凝集する。この表面部に凝集した金属はパーティクルの付着核になり易いために、上述したようにクリーン化した箇所でシリコンウェーハを保管するのが好ましくなる。このような凝集現象のメカニズムについては図３を参照して後述される。
【００２１】
次に、ステップＳ３において、上記長時間のあいだ例えば室温近くの温度で保管したシリコンウェーハＷに対して第２の洗浄を施し、上記シリコンウェーハＷ表面部に凝集している金属系不純物を洗浄除去する。ここで、第２の洗浄に用いる洗浄液は、例えばＨＰＭがよい。あるいは、上記ＡＰＭであっても構わない。この第２の洗浄では、その化学薬液の温度は、例えば６０℃以下と余り高くならないように設定するのがよい。また、この化学薬液も高純度になっていることが好ましい。そして、第２の洗浄を施したシリコンウェーハＷを乾燥させる。
【００２２】
上記ステップＳ３により、図２（ｃ）に示すように、ステップＳ２においてシリコンウェーハＷ表面部に凝集したＣｕ金属はほぼ全て除去される。このようにして、シリコンウェーハＷ内部におけるＣｕ金属は極めて容易に除去されることになる。
【００２３】
ここで、図１の破線で示したように、上述したステップＳ２とステップＳ３の処理あるいはステップＳ１〜ステップＳ３の処理を２回、３回と繰り返してシリコンウェーハＷ内部に存在する金属系不純物を除去するようにしてもよい。この場合、化学薬液あるいは保管雰囲気からの金属系不純物の再汚染が少なくなるように留意することが重要になる。
【００２４】
本実施形態における特徴的技術事項は、上述したように、シリコンウェーハＷを、室温近くの温度にした状態で比較的に長時間に亘り保管し、シリコンウェーハＷ内部の金属を外方拡散により表面に出し、それを表面部に凝集させて洗浄除去するところにある。
【００２５】
このようなシリコンウェーハＷ内部の金属除去にかかるメカニズムについて、図３を参照してＣｕ金属の場合を一例に説明する。ここで、図３（ａ）はシリコンウェーハＷの一部拡大断面図であり、図３（ｂ）はＣｕについての熱力学上の化学ポテンシャル（μ）のシリコンウェーハＷにおける分布を模式的に示したグラフである。ここで、シリコンウェーハＷの温度は室温近くの温度にあるとしている。
【００２６】
図３（ａ）に示すように、室温近くで数百時間の長い時間に亘ってシリコンウェーハを保管すると、図２（ｂ）でも説明したようにＣｕ金属はシリコンウェーハＷの表面に外方拡散し、露出しているシリコンウェーハ表面部に凝集するようになる。このようなシリコンウェーハ表面部へのＣｕ金属の凝集現象は、熱力学的な現象論からみると、シリコンウェーハにおけるＣｕ金属の化学ポテンシャル（μ）がシリコンウェーハの表面部において急減しているために生じてくると考えられる。すなわち、シリコンウェーハ内部のＣｕ原子は、シリコンウェーハ内部で熱運動しているが、熱運動によりシリコンウェーハ表面に達すると、上記表面部において急減する化学ポテンシャルに落ち込み熱安定化して蓄積され凝集するものと考えられる。
【００２７】
上述した凝集現象は、従来の技術で説明したゲッタリングサイトがシリコンウェーハの表面部に存在して生じているとも考えられるが、しかしそのゲッタリングサイトは具体的にどのような構造にあるのか不明である。表面のＳｉダングリングボンドと関係するものか、あるいは、シリコンウェーハ表面部における自然酸化膜との界面エネルギーに関係するものか現状では定かでない。
【００２８】
ここで、シリコンウェーハ表面に凝集したＣｕ金属は、ステップＳ３における第２の洗浄工程で容易に除去できることを考えると、ＣｕとＳｉの間のＣｕ−Ｓｉ結合は表面部では生じていないと考えられる。また、自然酸化膜のＯ（酸素）とＣｕの間のＣｕ−Ｏ結合も起こっていないと考えられる。これは、図１のステップＳ３の第２の洗浄において、シリコンウェーハ表面部に凝集したＣｕ金属はＡＰＭ等の化学薬液により極めて簡単に洗浄除去できることからである。
【００２９】
いずれにしても、本発明者の試行実験では、シリコンウェーハ表面の自然酸化膜の形成状態に関係なく、上記実施形態で説明した金属系不純物の除去方法は有効になることが確認されている。例えば、シリコンウェーハ表面が水素原子でターミネート（終端）する割合が多い場合であっても、同じようなＣｕ金属の除去効果が確認できている。
【００３０】
以上のことを考慮すると、上記実施形態では露出したシリコンウェーハ表面に自然酸化膜が形成されて室温近くの温度で長時間の保管がなされてもよいし、自然酸化膜が形成されない状態で保管がなされてもよい。あるいは、空気中保管の場合のように保管中に自然酸化膜が形成されるようになっても構わない。いずれにしても、シリコンウェーハ表面は、他の材料膜が堆積されていない露出した状態にして上記室温に近い温度で保管するのが好ましい。ここで、シリコンウェーハの片面側あるいは一部表面が露出している状態であっても構わない。
【００３１】
上記保管の温度は、１０〜４０℃の範囲が好ましく、更に２０〜２５℃の範囲が好ましい。このような温度範囲であると、図３で説明した金属の表面凝集のメカニズムが効果的に働くからである。ここで、シリコンウェーハ保管時の温度が例えば４０℃よりも高くなると、表面凝集した金属がシリコンウェーハ内部へ再拡散により入り込み易くなり、第２の洗浄による除去効率が低下する。一方、シリコンウェーハ保管時の温度が例えば１０℃よりも低くなると、金属原子のシリコンウェーハ内での熱運動による外方拡散が低下して、シリコンウェーハ内部の金属を表面部に到達させるまでの時間が非常に長くなり実用的でなくなる。なお、保管の温度が３０〜４０℃と室温より高くなる場合は、簡便なホットプレート等を使用することができる。
【００３２】
上記実施形態で説明した金属系不純物の除去方法では、シリコンウェーハ内部のＣｕ金属の他にＮｉ金属が比較的に短い保管時間であっても取り除かれる。これは、常温におけるこれ等の金属のシリコンウェーハ中の拡散係数が他の金属に較べて大きくなることによる。また、その詳細な理由は今のところ定かでないが、金属系不純物の除去はシリコンウェーハ中のドーパントの種類にも影響を受ける。例えば、Ｐ（リン）をドーパントにした導電型がｎ型のシリコンウェーハの場合には、実用的な時間におけるＣｕ金属の効果的な除去が難しくなることが確認されている。これは、シリコンウェーハ内部においてＣｕ−Ｐ結合が生じ易く、本実施形態のように室温近くの温度におけるＣｕの熱拡散が阻害されるためと考えられる。
【００３３】
そして、本実施形態の図１のステップＳ１における第１の洗浄に使用する化学薬液は、ＨＦ（フッ酸）−Ｈ２Ｏ２−Ｈ２Ｏの混合した化学薬液（ＦＰＭという）、あるいはＨＦ−Ｈ２Ｏの混合した化学薬液（ＤＨＦという）として、自然酸化膜を除去するものであってもよい。なお、シリコンウェーハＷの表面が露出されていれば、ステップＳ１の工程は省略しても構わない。また、図１のステップＳ３における第２の洗浄に使用する化学薬液は、Ｈ２ＳＯ４（硫酸）−Ｈ２Ｏ２−Ｈ２Ｏの混合した化学薬液（ＳＰＭという）であっても構わない。なお、上記ＦＰＭあるいはＤＨＦのようなＦ（フッ素）を含む化学薬液を第２の洗浄に使用することも可能である。
【００３４】
上述したように、本実施形態では、シリコンウェーハ内部の金属系不純物を容易にしかも高効率に除去することが可能になる。そして、例えば、シリコンウェーハ内部の金属系不純物濃度をｐｐｂ〜ｐｐｔレベルまで低下させることができる。特に、導電型がｐ型のシリコンウェーハにおいて、Ｃｕ金属およびＮｉ金属の除去が比較的に短時間の保管時間であっても洗浄除去が可能になる。また、本実施形態の金属系不純物の除去方法であると、シリコンウェーハ中の金属系不純物量は、常温におけるその金属固溶度よりも低くすることが可能になる。
【００３５】
また、本実施形態の金属系不純物の除去方法は、そのための新規で格別な装置あるいは設備を必要とせず、しかも極めて簡便で低コストの手法になる。そして、シリコンウェーハの製造コストの増加がほとんど生じないで実用性の高いものになる。
【実施例】
【００３６】
次に、実施例により本発明の効果について具体的に説明する。ここで、金属系不純物の除去の試行実験には、６インチφ、ｐ導電型、両面鏡面加工した面方位（１００）のシリコンウェーハを用いた。なお、ｐ導電型の抵抗率依存性を調べるために、低抵抗（０．０１Ω・ｃｍ）と高抵抗（１０Ω・ｃｍ）のシリコンウェーハを用意した。そして、これ等のシリコンウェーハに対しＣｕあるいはＮｉの強制汚染を施した。この強制汚染では、上記シリコンウェーハ表面に上記金属を含む溶液を塗布した後に、Ｎ２ガス雰囲気中で８００℃、１時間程度の熱処理を施した。この熱処理後、ＦＰＭの化学薬液によりシリコンウェーハ表面に形成されたシリコン酸化膜を除去した。
【００３７】
そして、図１に示したような除去方法によるシリコンウェーハ内の金属除去を行い、強制汚染した金属の除去回収率を調べた。この除去回収率では、強制汚染したシリコンウェーハをＨＦ−ＨＮＯ３の化学薬液により溶かし、ＩＣＰ−ＭＳ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｐｌａｓｍａ−Ｍａｓｓ  Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）による分析から標準の汚染量を計測し求めた。そして、強制汚染した後に本実施形態の金属除去を施したシリコンウェーハを溶かし、このシリコンウェーハに残留している金属量をＩＣＰ−ＭＳにより計測し、上記標準の汚染量から残留金属量を減算して金属除去量を算出した。そして、このようにして求めた金属除去量は上記標準の汚染量で除して除去回収率とし評価した。なお、本発明はこのような実施例のみに限定されるものでないことに言及しておく。
【００３８】
（実施例１）
上述したようにシリコンウェーハにＣｕ金属を強制汚染させた。ここで、その汚染量は、複数枚のシリコンウェーハにおいて１×１０１４原子／ｃｍ３弱の値を示し安定したＣｕ金属汚染量であった。また、この同一ロットによりＣｕ金属汚染したシリコンウェーハに対して、図１に説明した室温保管の時間を１時間、１５０時間、３５０時間、８００時間と変えた金属除去を施した。この金属除去において、ステップＳ１工程に用いた洗浄液はＡＰＭであり、シリコンウェーハ保管はクラス１００以下のクリーンベンチに置いたクリーンボックス内であり、上記保管温度はほぼ室温２０℃であった。そして、ステップＳ３工程に用いた洗浄液もＡＰＭとした。
【００３９】
図４は、横軸にステップＳ２工程の保管時間をとり、縦軸にＣｕ除去回収率をとっている。図４の○印の比抵抗が０．０１Ω・ｃｍのシリコンウェーハの場合、２００時間の保管時間までの間においてＣｕ除去回収率は急増し強制汚染したＣｕ金属の９９．５％が除去されるようになる。そして、８００時間程度の保管でほぼ１００％は除去される。ここで、保管時間が２００時間〜８００時間では除去回収率は単調に増加する。
【００４０】
これに対して、●印の比抵抗が１０Ω・ｃｍのシリコンウェーハの場合、比抵抗が０．０１Ω・ｃｍのシリコンウェーハの場合よりも除去回収率は全般的に高くなる。そして、保管時間が２００時間以上になればほぼ１００％が除去されることが判る。
【００４１】
（実施例２）
同様に、シリコンウェーハにＮｉ金属を強制汚染させた。この場合、その汚染量は、平均して１×１０１４原子／ｃｍ３強の値に安定していた。この同一ロットによりＮｉ金属汚染したシリコンウェーハに対して、実施例１と同様な金属除去を施した。図５は、横軸に保管時間をとり縦軸にＮｉ除去回収率をとっている。図５の○印に示す比抵抗が０．０１Ω・ｃｍのシリコンウェーハの場合、実施例１の場合とは逆に、●印の比抵抗が１０Ω・ｃｍのシリコンウェーハの場合よりも除去回収し易くなっている。そして、１時間の保管で８０％が回収され、２００時間〜８００時間で単調に増加し、８００時間でほぼ１００％回収される。
【００４２】
比抵抗が１０Ω・ｃｍのシリコンウェーハの場合、２００時間の保管時間までの間でＮｉ除去回収率は急増し強制汚染したＣｕ金属の約８５％が除去される。そして、８００時間程度の保管でほぼ１００％は除去される。この場合も、保管時間が２００時間〜８００時間で除去回収率は単調に増加する。
【００４３】
以上の結果から、図１に示した金属系不純物の除去方法により、シリコンウェーハ内部のＣｕ金属およびＮｉ金属が簡便にしかも高効率に除去できることが確認された。また、シリコンウェーハの保管時間は少なくとも２００時間以上になれば好ましく、８００時間程度あればほぼ除去できることが判った。そして、シリコンウェーハ製造工程における安定した金属除去およびその生産性を考慮すると保管時間は３００時間〜６００時間の範囲が好ましくなることが判った。このような好適な保管時間は、保管が室温近くの温度であれば変わらない。
【００４４】
以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、上述した実施形態は本発明を限定するものでない。当業者にあっては、具体的な実施態様において本発明の技術思想および技術範囲から逸脱せずに種々の変形・変更を加えることが可能である。
【００４５】
例えば、本実施形態で説明した金属系不純物の除去方法は、シリコンウェーハの他に、いわゆるＳＯＩ（Silicon on Insulator）ウェーハあるいはシリコン単結晶インゴットの内部の金属を除去する場合に適用してもよい。また、本実施形態は、上記シリコン半導体の他に化合物半導体の場合に適用しても構わない。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明の実施形態にかかる金属系不純物の除去方法の一例を示す工程フロー図である。
【図２】本発明の実施形態の一例であるＣｕ金属の除去工程を模式的に示した工程別断面図である。
【図３】本発明の実施形態における金属除去のメカニズムの説明に供する模式図である。
【図４】本発明の実施例１における金属系不純物（Ｃｕ）除去の結果を示すグラフである。
【図５】本発明の実施例２における金属系不純物（Ｎｉ）除去の結果を示すグラフである。
【符号の説明】
【００４７】
Ｗ  シリコンウェーハ
【図１】
2008181941.tif 000003
【図２】
2008181941.tif 000004
【図３】
2008181941.tif 000005
【図４】
2008181941.tif 000006
【図５】
2008181941.tif 000007