(57)【要約】【課題】ＴＦＴ基板を汚染することなく、欠陥部の近傍にダメージを与えることなく、簡単な方法で１０μｍよりも細い配線の断線欠陥部を修正することが可能な欠陥修正方法を提供する。【解決手段】この欠陥修正方法では、フィルム１２に断線欠陥部８ｂに応じた形状の孔１２ａを形成し、孔１２ａの開口部を断線欠陥部８ｂに隙間Ｇを開けて対峙させ、塗布針１９を用いて孔１２ａを含む所定の範囲でフィルム１２をＴＦＴ基板１に押圧するとともに孔１２ａを介して断線欠陥部８ｂに修正ペースト２０を塗布する。したがって、修正ペースト２０を塗布するときのみフィルム１２をＴＦＴ基板１に接触させるので、毛細管現象によって修正ペースト２０がフィルム１２とＴＦＴ基板１の隙間に侵入することを防止できる。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＴＦＴ基板の断線欠陥部を修正する欠陥修正方法において、
フィルムに前記断線欠陥部に応じた形状の孔を形成し、
前記孔の開口部を前記断線欠陥部に隙間を開けて対峙させ、
前記孔を含む所定の範囲で前記フィルムを前記ＴＦＴ基板に押圧するとともに前記孔を介して前記断線欠陥部に修正ペーストを塗布することを特徴とする、欠陥修正方法。
【請求項２】
塗布針の先端面に前記修正ペーストを付着させ、前記塗布針の先端面を前記所定の範囲に押圧して前記孔を介して前記断線欠陥部に前記修正ペーストを塗布し、
前記フィルムが前記ＴＦＴ基板に接触したことに応じて前記塗布針を上方に退避させ、前記フィルムの復元力で前記フィルムを前記ＴＦＴ基板から剥離させることを特徴とする、請求項１に記載の欠陥修正方法。
【請求項３】
前記フィルムの前記ＴＦＴ基板側の表面に、前記孔を囲むようにして、前記修正ペーストが毛細管現象によって前記フィルムと前記ＴＦＴ基板との隙間に広がるのを防止するための溝を形成することを特徴とする、請求項１または請求項２に記載の欠陥修正方法。
【請求項４】
前記フィルムは、第１の孔が開けられた下方フィルムの上に、第２の孔が開けられた上方フィルムを重ねたものであり、
前記第１の孔の少なくとも一部は前記第２の孔に連通しており、
前記修正ペーストを前記第１および第２の孔を介して前記断線欠陥部に塗布することを特徴とする、請求項１から請求項３までのいずれかに記載の欠陥修正方法。
【請求項５】
前記修正ペーストを前記第１および第２の孔を介して前記断線欠陥部に塗布する際に、前記上方フィルムと前記下方フィルムの隙間に前記修正ペーストを毛細管現象によって吸い込ませることを特徴とする、請求項４に記載の欠陥修正方法。
【請求項６】
前記断線欠陥部に塗布された前記修正ペーストからなる修正層に硬化処理または金属析出処理を施して、前記修正層の導電性を確保することを特徴とする、請求項１から請求項５までのいずれかに記載の欠陥修正方法。
【請求項７】
前記ＴＦＴ基板は配線を備え、前記断線欠陥部は前記配線に発生しており、
前記フィルムの孔は前記断線欠陥部の両側の前記配線の２つの端部間を結ぶ形状を有することを特徴とする、請求項１から請求項６までのいずれかに記載の欠陥修正方法。
【請求項８】
前記ＴＦＴ基板は、第１の配線と、該第１の配線の上方に絶縁層を介して設けられた第２の配線とを備え、前記第１および第２の配線の交差部に短絡欠陥部が発生しており、
前記断線欠陥部は、前記短絡欠陥部の両側で前記第２の配線を切断して形成したものであり、
前記フィルムの孔は、切断した前記第２の配線の２つの端部間を前記短絡欠陥部を迂回して結ぶ形状を有することを特徴とする、請求項１から請求項６までのいずれかに記載の欠陥修正方法。
【請求項９】
ＴＦＴ基板の断線欠陥部を修正する欠陥修正装置において、
フィルムに前記断線欠陥部に応じた形状の孔を形成する孔形成手段と、
前記孔の開口部を前記断線欠陥部に隙間を開けて対峙させる位置決め手段と、
前記孔を含む所定の範囲で前記フィルムを前記ＴＦＴ基板に押圧するとともに前記孔を介して前記断線欠陥部に修正ペーストを塗布する塗布手段とを備えたことを特徴とする、欠陥修正装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は欠陥修正方法および欠陥修正装置に関し、特に、液晶ディスプレイに用いられるＴＦＴ（Thin Film Transistor：薄膜トランジスタ）基板の断線欠陥部を修正する欠陥修正方法および欠陥修正装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、プラズマディスプレイ、液晶ディスプレイ、ＥＬディスプレイなどのフラットパネルディスプレイの大型化、高精細化に伴い、ガラス基板上に形成された電極や液晶カラーフィルタなどに欠陥が存在する確率が高くなっており、歩留まりの向上を図るため欠陥を修正する方法が提案されている。
【０００３】
たとえば、液晶ディスプレイのガラス基板の表面には電極が形成されている。この電極が断線している場合、塗布針先端に付着させた導電性の修正ペーストを断線部に塗布し、電極の長さ方向に塗布位置をずらしながら複数回塗布して電極を修正する（たとえば、特許文献１参照）。
【０００４】
また、欠陥部を覆うようにフィルムを設け、欠陥部とフィルムとをレーザ光を用いて略同時に除去し、除去した部分にフィルムをマスクとしてインクを塗布し、その後、フィルムを剥離除去する方法がある（たとえば、特許文献２，３参照）。
【０００５】
また、レーザＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition：化学気相成長）法を用いて電極の断線欠陥部に金属を堆積させて修正する方法（たとえば、特許文献４参照）がある。また、マイクロディスペンサを用いて電極の断線欠陥部に修正ペーストを塗布する方法がある（たとえば、特許文献５，６参照）。
【特許文献１】特開平８−２９２４４２号公報
【特許文献２】特開平１１−１２５８９５号公報
【特許文献３】特開２００５−９５９７１号公報
【特許文献４】特開２００５−１０１２２２号公報
【特許文献５】特開２００３−２１５６４０号公報
【特許文献６】特開２００６−２０２８２８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、塗布針を用いて電極を修正する方法では、塗布針先端に導電性の修正ペーストを付着させ、断線欠陥部に修正ペーストを転写するため、その塗布径は塗布針先端の平坦面の寸法で決まり、１０μｍ前後の塗布径を実現するのは困難であり、これを用いた細線形成も同様に難しかった。
【０００７】
また、フィルムをマスクとして使用する方法では、フィルムと欠陥部をレーザ光で略同時に除去するので、大きなレーザパワーが必要となり、欠陥部の周辺にダメージを与えてしまう。また、欠陥部に密着したフィルムにレーザ光を照射して孔を開けるので、そのときに発生するごみがフィルムと基板の隙間に侵入し、欠陥部近傍を汚染することも想定される。さらに、フィルムと基板が密着した状態で、修正ペーストを孔に塗布すると、フィルムと基板との隙間に毛細管現象で修正ペーストが吸い込まれて広がり、基板を汚染することも考えられる。
【０００８】
また、レーザＣＶＤ法を用いた欠陥修正方法では、複数の原料ガスを断線欠陥部を含む局所空間に供給し、排出する手段が必要となり装置構成が複雑となる。
【０００９】
また、マイクロディスペンサを用いて断線欠陥部に修正ペーストを塗布する方法では、マイクロディスペンサに供給する圧縮エアの制御が難しく、ＴＦＴ基板のドレイン線のように１０μｍよりも細い配線の断線欠陥部を修正する場合には、修正ペーストが配線幅からはみ出すことも想定される。また、マイクロディスペンサは、先端が中空先細になった構造のため、修正ペーストが詰まり易く、詰まりを防止するため、低粘度に管理された修正ペーストを使用する必要があった。
【００１０】
それゆえに、この発明の主たる目的は、ＴＦＴ基板を汚染することなく、欠陥部の近傍にダメージを与えることなく、簡単な方法で１０μｍよりも細い配線の断線欠陥部を修正することが可能な欠陥修正方法および欠陥修正装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
この発明に係る欠陥修正方法は、ＴＦＴ基板の断線欠陥部を修正する欠陥修正方法において、フィルムに断線欠陥部に応じた形状の孔を形成し、孔の開口部を断線欠陥部に隙間を開けて対峙させ、孔を含む所定の範囲でフィルムをＴＦＴ基板に押圧するとともに孔を介して断線欠陥部に修正ペーストを塗布することを特徴とする。
【００１２】
好ましくは、塗布針の先端面に修正ペーストを付着させ、塗布針の先端面を所定の範囲に押圧して孔を介して断線欠陥部に修正ペーストを塗布し、フィルムがＴＦＴ基板に接触したことに応じて塗布針を上方に退避させ、フィルムの復元力でフィルムをＴＦＴ基板から剥離させる。
【００１３】
また好ましくは、フィルムのＴＦＴ基板側の表面に、孔を囲むようにして、修正ペーストが毛細管現象によってフィルムとＴＦＴ基板との隙間に広がるのを防止するための溝を形成する。
【００１４】
また好ましくは、フィルムは、第１の孔が開けられた下方フィルムの上に、第２の孔が開けられた上方フィルムを重ねたものであり、第１の孔の少なくとも一部は第２の孔に連通しており、修正ペーストを第１および第２の孔を介して断線欠陥部に塗布する。
【００１５】
また好ましくは、修正ペーストを第１および第２の孔を介して断線欠陥部に塗布する際に、上方フィルムと下方フィルムの隙間に修正ペーストを毛細管現象によって吸い込ませる。
【００１６】
また好ましくは、断線欠陥部に塗布された修正ペーストからなる修正層に硬化処理または金属析出処理を施して、修正層の導電性を確保する。
【００１７】
また好ましくは、ＴＦＴ基板は配線を備え、断線欠陥部は配線に発生しており、フィルムの孔は断線欠陥部の両側の配線の２つの端部間を結ぶ形状を有する。
【００１８】
また好ましくは、ＴＦＴ基板は、第１の配線と、該第１の配線の上方に絶縁層を介して設けられた第２の配線とを備え、第１および第２の配線の交差部に短絡欠陥部が発生しており、断線欠陥部は、短絡欠陥部の両側で第２の配線を切断して形成したものであり、フィルムの孔は、切断した第２の配線の２つの端部間を短絡欠陥部を迂回して結ぶ形状を有する。
【００１９】
また、この発明に係る欠陥修正装置は、ＴＦＴ基板の断線欠陥部を修正する欠陥修正装置において、フィルムに断線欠陥部に応じた形状の孔を形成する孔形成手段と、孔の開口部を断線欠陥部に隙間を開けて対峙させる位置決め手段と、孔を含む所定の範囲でフィルムをＴＦＴ基板に押圧するとともに孔を介して断線欠陥部に修正ペーストを塗布する塗布手段とを備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００２０】
この発明に係る欠陥修正方法および欠陥修正装置では、フィルムに断線欠陥部に応じた形状の孔を形成し、孔の開口部を断線欠陥部に隙間を開けて対峙させ、孔を含む所定の範囲でフィルムをＴＦＴ基板に押圧するとともに孔を介して断線欠陥部に修正ペーストを塗布する。したがって、孔を開けたフィルムをマスクとして用いるので、１０μｍよりも細い細線で断線欠陥部を修正することができる。また、フィルムに孔を開けた後に、孔の開口部を断線欠陥部に対峙させるので、レーザ光によって断線欠陥部の近傍にダメージを与えることもない。また、修正ペーストを断線欠陥部に塗布するときのみフィルムをＴＦＴ基板に接触させるので、毛細管現象によって修正ペーストがフィルムとＴＦＴ基板の隙間に侵入することを防止することができ、修正ペーストによって欠陥部周辺の基板が汚染されるのを防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
この発明に係る欠陥修正方法では、描画したい形状と同形状の孔をフィルムに開け、その孔をＴＦＴ基板上に形成された配線、たとえばドレイン線の断線欠陥部に位置合わせし、ＴＦＴ基板から一定距離だけ浮かせた状態でフィルムを配置する。浮かせる距離（隙間）は、フィルムを支持する支点間距離によって異なるが、たとえば１０〜１０００μｍ程度である。この状態で、塗布手段、たとえば、先端が平坦に加工された塗布針の先端部に修正ペーストを付着させ、その塗布針の先端面を孔の上からフィルムに押し付けると、フィルムが変形して、孔を含む微小範囲のフィルムがＴＦＴ基板の断線欠陥部を含む微小範囲に接触し、孔を介して断線欠陥部に修正ペーストが塗布される。
【００２２】
修正ペーストがフィルムと基板との隙間に毛細管現象で流れる前に、塗布針をフィルムから退避させる。塗布針を上方に退避させると、孔を含む微小範囲のフィルムはフィルムの復元力によって基板から離れる。したがって、毛細管現象によって修正ペーストがフィルムと基板の隙間に侵入することを防止することができ、修正ペーストによって欠陥部周辺の基板が汚染されるのを防止することができる。以下、この発明に係る欠陥修正方法について図面を用いて詳細に説明する。
【００２３】
図１（ａ）は、修正対象であるＴＦＴ基板１の要部を示す平面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のＩＢ−ＩＢ線断面図である。図１（ａ）（ｂ）において、ＴＦＴ基板１はガラス基板２を備える。ガラス基板２の表面に、図中の左右方向に延在するゲート線３が形成されるとともに、ゲート線３の所定位置に図中の下方向に突出するゲート電極３ａが形成される。ゲート線３およびゲート電極３ａの表面はゲート絶縁膜４で被覆され、ゲート絶縁膜４およびガラス基板２の表面はゲート絶縁膜５で被覆される。
【００２４】
ゲート絶縁膜５の表面に、複数の画素電極６が行列状に形成される。図中の上下方向に隣接する２つの画素電極６の間の領域にゲート線３が配置されている。ゲート電極３ａの上方にゲート絶縁膜４，５を介して半導体膜７が形成される。図中の左右方向に隣接する２つの画素電極６の間の領域に図中の上下方向に延在するドレイン線８が形成されるとともに、ドレイン線８の所定位置に図中の左方向に突出するドレイン電極８ａが形成される。このドレイン電極８ａの端部は、半導体膜７の一方端部の表面まで延びている。また、半導体膜７の他方端部の表面から画素電極６の一端部の表面にかけてソース電極９が形成される。
【００２５】
このようにして、ゲート電極３ａとドレイン電極８ａとソース電極９と半導体膜７とを含むＴＦＴ１０が形成される。全体が保護膜１１および配向膜（図示せず）で被覆されて、ＴＦＴ基板１が完成する。ＴＦＴ基板１と液晶とカラーフィルタとで液晶パネルが構成される。
【００２６】
ここで図１（ａ）に示すように、ドレイン線８に断線欠陥部８ｂが存在するものとする。保護膜１１まで形成した後に断線欠陥部８ｂを修正する場合、保護膜１１の一部をレーザ加工により除去して断線欠陥部８ｂを露出させ、修正ペーストを塗布し、硬化成膜処理を行なってドレイン線８の導通を確保した後で、修正個所の上に保護膜１１を再形成する必要がある。そのため、修正の手間を簡略化できるように、保護膜１１を形成する前の工程で断線欠陥部８ｂの修正を行なう方が好ましい。たとえば、ドレイン線８の形成が終了した時点では保護膜１１は無く、この時点で断線修正を行なう。
【００２７】
図２は、この発明の一実施の形態による欠陥修正方法を示す図である。図２において、修正対象は保護膜１１が無い状態のＴＦＴ基板１であり、孔１２ａの開いたフィルム１２をマスクとして使用する。断線欠陥部８ｂの上方に孔１２ａを位置合わせした状態で、フィルム１２をＴＦＴ基板１の上面に一定の隙間Ｇを開けて配置する。フィルム１２は、たとえば薄膜のポリイミドフィルムであり、その幅はマスクとして使用するのに十分な幅があればよく、たとえば、５ｍｍ〜１５ｍｍ程度にスリットしたロール状フィルムであり、その厚さＦｔは、その下が透けて見える程度のものが好ましく、たとえば１０〜２５μｍ程度である。
【００２８】
孔１２ａの開口部は、たとえば短軸長がＳｗで長軸長がＳｌの角形状であり、断線欠陥部８ｂの両端に位置する正常なドレイン線８にも修正ペーストを塗布できるように、孔１２ａの長軸長Ｓｌは断線欠陥部８ｂよりも長く設定される。このように、正常なドレイン線８と重なるように孔１２ａを形成すれば、修正層と正常なドレイン線８とが重なる領域を確保できるので、修正部の抵抗値の低減化、密着性の向上などの効果が期待できる。
【００２９】
孔１２ａは、レーザ照射によるレーザアブレーションで形成される。レーザとしては、ＹＡＧ第３高調波レーザやＹＡＧ第４高調波レーザ、あるいはエキシマレーザなどのパルスレーザを用いる。たとえば、図３に示すように、レーザ部１３は、観察光学系１４の上部に固定され、観察光学系１４の下端に固定した対物レンズ１５からレーザ光が照射される。孔１２ａの形状および寸法は、たとえばレーザ部１３に内蔵される可変スリット（図示せず）により決定され、対物レンズ１５で集光したレーザ光の断面形状に加工される。
【００３０】
フィルム１２に孔１２ａを開ける工程は、断線欠陥部８ｂから離れた位置、あるいは、断線欠陥部８ｂにレーザ光が当たらないように、フィルム１２単体で行なわれる。たとえば、フィルム１２は、ＴＦＴ基板１から上方に離れた位置で、左右の固定ローラ１６，１７により水平に支持された状態に保持され、左右の固定ローラ１６，１７の中央に当たるフィルム１２にレーザ光を照射して孔１２ａを形成する。このとき、レーザアブレーションにより発生するごみがＴＦＴ基板１上に落下しないように、ＴＦＴ基板１とフィルム１２との間に遮蔽板１８を配置してもよい。
【００３１】
このように、断線欠陥部８ｂにフィルム１２を付着、あるいは密着させた状態でレーザ照射による孔１２ａの加工を行なわないので、ドレイン線８や断線欠陥部８ｂの近傍を損傷することはない。また、フィルム１２を浮かした状態で孔１２ａを開けるので、フィルム１２の裏面にレーザアブレーション時に発生する異物（ゴミ）が付着することを抑制することができる。
【００３２】
孔１２ａの形成が終了した時点では、孔１２ａ周りのフィルム１２の表面には、孔１２ａをレーザアブレーションした際に発生したごみが飛散しており、ごみの除去のため、孔１２ａを中心として、その周りの広い範囲を弱いパワーでレーザ照射する工程を入れてもよい。このとき、ＹＡＧ第２高調波レーザに切り替えて、弱いパワーで孔１２ａを中心とする広い範囲にレーザ照射すれば、ごみのみを除去することも可能であり、新たにごみが発生することを防止することができる。図３に示した装置では、フィルム１２の裏面に付着したごみをレーザ照射で除去できないが、図示しないフィルム反転機構を設ければ表面と同様にフィルム１２の裏面も処理することも可能となる。
【００３３】
フィルム１２に開けた孔１２ａと断線欠陥部８ｂとが画像処理結果、あるいは、それぞれの位置座標データに基づき、ＴＦＴ基板１とフィルム１２との相対移動により位置決めされ、それらが一定の隙間を持って対峙した状態にする。この工程は手動で行なっても構わない。図４は、孔１２ａと断線欠陥部８ｂとが隙間Ｇを持って対峙した状態を示す。フィルム１２は一定の張力によって張られた状態にある。隙間Ｇは、フィルム１２を支持する支点（たとえば図３に示した固定ローラ１６，１７）の間隔やフィルム１２の厚さによって異なるが、たとえば１０〜１０００μｍ程度に設定される。ＴＦＴ基板１の表面には複数のパターンが積層されているため、凹凸形状になっているが、孔１２ａを含む微小範囲のフィルム１２がＴＦＴ基板１と接触しない程度の隙間Ｇを保っていればよい。たとえば、隙間Ｇは２００μｍ程度に設定される。
【００３４】
修正ペーストの塗布は、たとえば、図５に示すように、塗布針１９を用いて行なわれる。塗布針１９の先端部は尖っているが、その先端には平坦面１９ａが形成されている。平坦面１９ａの直径は、たとえば、３０〜１００μｍ程度であり、孔１２ａの大きさに合わせて最適な直径のものを選択して使用する。孔１２ａ全体を閉蓋することが可能な寸法の平坦面１９ａを有する塗布針１９を選択して使用するのが好ましい。このような塗布針１９を使用すれば、１回の塗布動作で孔１２ａを修正ペースト２０で充填することができる。
【００３５】
塗布針１９の平坦面１９ａの周りに修正ペースト２０が付着した状態で、孔１２ａの略中央に塗布針１９を上方から下降させると、フィルム１２は変形して孔１２ａの周りの微小範囲のフィルム１２が断線欠陥部８ｂの周囲に付着し、断線欠陥部８ｂに修正ペースト２０が充填される。塗布針１９は、図示しないガイド（直動軸受）によって上下方向に進退可能に保持されており、塗布針１９を含む可動部の自重のみでフィルム１２を押す。塗布針１９が下降してフィルム１２が断線欠陥部８ｂの周囲に接触した後にさらに下降させようとしても、塗布針１９はガイドに沿って上方に退避するので、塗布針１９の平坦面１９ａは過負荷とならない。塗布針１９は、図示しない制御手段によって時間管理されて制御される。
【００３６】
孔１２ａを含む微小範囲のフィルム１２が断線欠陥部８ｂの周囲に接触する時間は、塗布針１９がフィルム１２を押している間であり、修正ペースト２０がフィルム１２とＴＦＴ基板１（断線欠陥部８ｂ近傍）との隙間に毛細管現象で流れる前に、塗布針１９を上方に退避させる。塗布針１９がフィルム１２から離れれば、フィルム１２の弾性で元の状態に戻り、孔１２ａを含む微小範囲のフィルム１２は断線欠陥部８ｂから離れる。そのため、フィルム１２がＴＦＴ基板１に接触する時間は極わずかである。
【００３７】
図６は、塗布針１９を上方に退避させた状態を示し、フィルム１２はＴＦＴ基板１から離れた状態に復帰しており、断線欠陥部８ｂには、孔１２ａの形状と略同形状の修正層２０Ａが残る。また、余分に塗布された修正ペースト２０はフィルム１２の表面に残る。このように、フィルム１２をマスクとして修正を行なうので、塗布針１９による塗布形状よりも微細な修正層２０Ａ（パターン）を得ることが可能となる。
【００３８】
修正層２０Ａには、修正ペースト２０の仕様に合わせて紫外線硬化処理あるいは加熱硬化処理が施される。図６の状態で硬化処理を行なってもよい。また、レーザ照射による熱分解反応で金属膜を析出する必要があれば、断線欠陥部８ｂの上方からフィルム１２を除去した後で連続発振のレーザで硬化処理（金属析出処理）を行なってもよい。この場合、レーザ部１３がパルス発振と連続発振の切替えができるタイプであれば機構は簡単になるが、切替えができない場合には、レーザ部１３とは別の図示しない連続発振レーザから観察光学系１４を介してレーザ光を照射できるようにするとよい。
【００３９】
このような方法で断線欠陥部８ｂの修正を行なえば、塗布された修正ペースト２０がＴＦＴ基板１とフィルム１２との隙間に毛細管現象で吸い込まれることも無く、孔１２ａよりも広い範囲に渡ってＴＦＴ基板１を汚染する心配もなくなる。また、塗布が終了した時点で、フィルム１２は断線欠陥部８ｂやＴＦＴ基板１から完全に離れているため、その後の工程でフィルム１２を除去する際には、フィルム１２が修正層２０Ａに接触して修正層２０Ａを崩す心配がない。
【００４０】
修正ペースト２０の粘度が大きければ、ＴＦＴ基板１とフィルム１２との隙間に毛細管現象で吸い込まれる可能性は低くなるが、逆に流動性が悪くなって、孔１２ａ全体に入らないため、断線欠陥部８ｂに修正ペースト２０が付着しないことも想定される。それに対して、前述のように、塗布時のみ孔１２ａ近傍のフィルム１２を断線欠陥部８ｂの周囲に付着させるので、毛細管現象の影響を最小限に留めることができる。したがって、修正ペースト２０の粘度は小さくても構わない。
【００４１】
１つの欠陥部８ｂを修正する際、１回の塗布で修正を完了する方が好ましい。その理由は、塗布回数が多くなると、孔１２ａに付着する修正ペースト２０の量が多くなって、フィルム１２とＴＦＴ基板１との隙間に修正ペースト２０が吸い込まれる、あるいは修正層２０Ａの形状が崩れる可能性があるからである。ただし、複数回同じ位置に塗布することで修正層２０Ａの膜厚を厚くすることも可能である。この場合、修正層２０Ａを硬化処理した後でその上に再度修正層２０Ａを形成するのが好ましいが、積層する加工条件は、使用する修正ペースト２０の仕様に合わせて決めることが望ましい。
【００４２】
修正ペースト２０としては、金属ナノ粒子を用いた銀ペーストなどの金属ナノペーストや金属錯体溶液（たとえばパラジウム錯体溶液）、金属コロイドを用いることができる。
【００４３】
図７は、断線欠陥部８ｂの修正が完了したＴＦＴ基板１の要部を示す平面図である。図７において、ドレイン線８の断線欠陥部８ｂ上に形成された修正層２０Ａは、正常なドレイン線８との重なり部を両端に持つ。
【００４４】
ドレイン線８上に異物があって断線欠陥となった場合には、通常はレーザ照射で異物を除去した後、その上から修正ペースト２０を塗布して図７と同様に修正するが、図８に示すように、異物２１があった場所を迂回してコの字形状の修正層２０Ｂを形成してもよい。この場合、修正層２０Ｂが他の配線と短絡する場合には、修正層２０Ｂの周りをレーザカットして短絡を回避すればよい。
【００４５】
図９は、コの字形状の修正層２０Ｂを形成する方法を示す図である。図９において、フィルム１２にコの字形状の孔１２ｂを形成し、フィルム１２をＴＦＴ基板１に一定の隙間Ｇを開けて対峙させる。修正ペースト２０を塗布する方法は、図５で示した方法と同じである。
【００４６】
また、図１０に示すように、ドレイン線８とゲート線３が交差部２２で短絡している場合は、ゲート線３の両側の２箇所でドレイン線８をレーザカット（点線部）してから、交差部２２を迂回するようにコの字形状の修正層２０Ｂを形成する。また、直線またはコの字形状以外の任意の形状の孔をフィルム１２に開ければ、１回の塗布動作で任意の形状の修正層を得ることができる。
【００４７】
このように複雑な形状の孔の開いたフィルム１２を用いて修正する場合であっても、孔全体を閉蓋可能な大きさの平坦面１９ａを持つ塗布針１９を用いるのが好ましい。たとえば図１１に示すように、コの字形状の孔１２ｂ全体を塗布針１９の平坦面１９ａで閉蓋することが好ましい。
【００４８】
図１２（ａ）（ｂ）は、フィルム１２をＴＦＴ基板１に対して一定の隙間を持って対峙させるフィルム供給ユニット２５を示す図である。図示しないフィルム供給リールから出たフィルム１２は、固定ローラ２６〜２８を経由して図示しないフィルム巻き取りリールに巻き取られる。フィルム１２は、左右に配置された固定ローラ２７，２８と、それらの間の上方に配置された固定ローラ２６とにより、左右に折り返して上下に並行に張り渡された状態にされる。図１２（ａ）に示すように、固定ローラ２６，２７の間のフィルム１２Ａにレーザ光を照射して孔１２ａを形成する。このとき、レーザアブレーションにより発生するごみがＴＦＴ基板１上に落下しないように遮蔽板１８を上下に並行に張り渡されたフィルム１２の間に配置してもよい。
【００４９】
フィルム供給ユニット２５は、図示しないＸＹＺステージにより、ＸＹＺ方向に移動可能とされる。ＸＹＺステージは、断線欠陥部８ｂと孔１２ａとの位置調整に使用される。また、フィルム供給ユニット２５にＴＦＴ基板１に対して平行に回転する回転手段を持たせてもよい。
【００５０】
なお、図１２（ａ）では、フィルム１２が左右に折り返されていて、上方にあるフィルム１２に孔１２ａを開ける際には、少し距離を置いてその下方にもフィルム１２が存在するので、下方にあるフィルム１２が遮蔽板１８の代用として使用可能な場合には、遮蔽板１８は省略可能である。
【００５１】
孔１２ａの形成が終了した時点では、フィルム１２Ａの表面には、レーザアブレーションの際に発生したごみが飛散している。ごみの除去のため、孔１２ａを中心として、その周りの広い範囲に弱いパワーのレーザ光を照射する工程を入れてもよい。このとき、ＹＡＧ第２高調波レーザに切り替えて、弱いレーザパワーで孔１２ａを中心とする広い範囲を照射すれば、ごみのみを除去することも可能であり、新たにごみが発生することを防止することができる。レーザ部１３としては、孔１２ａを開けるためのレーザ光と、ごみを除去するためのレーザ光の２種類のレーザ光のうちのいずれかのレーザ光を選択的に出射できるものを使用するとよい。
【００５２】
このように、断線欠陥部８ｂにフィルム１２を付着、あるいは密着させた状態でレーザ光による孔１２ａの加工を行なわないので、ＴＦＴ基板１の断線欠陥部８ｂ近傍をレーザ光によって損傷することはない。また、フィルム１２を浮かした状態で孔１２ａを開けるので、フィルム１２の裏面にゴミが付着することを抑制することができる。
【００５３】
次に、図１２（ｂ）に示すように、フィルム１２を図中Ｒ方向（時計針回転方向）に巻き取り、フィルム１２Ａの表面が下を向くようにフィルム１２を反転させる。次いで、画像処理結果に基づいてＴＦＴ基板１に対してフィルム１２を相対移動させ、孔１２ａと断線欠陥部８ｂを位置合わせしてＴＦＴ基板１とフィルム１２が対峙した状態にする。この工程は手動で行なっても構わない。フィルム１２は一定の張力によって張られた状態にある。隙間Ｇは、フィルム１２を支持する支点（たとえば固定ローラ２７，２８）の間隔やフィルム１２の厚さ、フィルム１２に与える張力によって異なるが、たとえば１０〜１０００μｍ程度に設定される。次いで、上下に張り渡したフィルム１２の間に図示しない塗布ユニットを挿入して孔１２ａの上方から修正ペースト２０を塗布する。
【００５４】
図１３（ａ）〜（ｄ）は、フィルム１２をＴＦＴ基板１に対して一定の隙間を持って対峙させる他のフィルム供給ユニット３０を示す図である。フィルム供給ユニット３０には、着脱可能な図示しないフィルム供給リールおよび図示しないフィルム巻き取りリールが装着される。フィルム供給リールから供給されるフィルム１２は、図１３（ａ）に示すように、固定ローラ３１〜３３によって対物レンズ１５とＴＦＴ基板１の間に導かれ、固定ローラ３４で折り返され、固定ローラ３５を介してフィルム巻き取りリールに導かれる。固定ローラ３２，３３は、可動部材３６によって一定の範囲で上下方向に移動可能に保持される。
【００５５】
図１３（ａ）では、可動部材３６が上方位置に固定された状態が示されている。この状態では、固定ローラ３２，３３に挟まれた区間Ｌ１のフィルム１２と、固定ローラ３４，３５に挟まれた区間Ｌ２のフィルム１２は一定の隙間（たとえば約２ｍｍ）を開けて略平行に張り渡されている。また、区間Ｌ１，Ｌ２のフィルム１２は、ＴＦＴ基板１に対しても略平行に対峙している。
【００５６】
この状態で、区間Ｌ１の略中央のフィルム１２に、レーザ照射により断線欠陥部８ｂの修正形状に合わせた第１の孔１２Ｂａを形成する。この時、区間Ｌ２のフィルム１２がレーザアブレーションにより発生する異物を受けるので、異物によってＴＦＴ基板１が汚染されるのを防止することができる。第１の孔１２Ｂａの形成が終了した時点では、フィルム１２のレーザ照射面には、レーザアブレーションした際に発生したごみが飛散している。ごみの除去のため、第１の孔１２Ｂａを中心として、その周りの広い範囲を弱いパワーでレーザ光を照射する工程を入れてもよい。このとき、ＹＡＧ第２高調波レーザに切り替えて、弱いレーザパワーで第１の孔１２Ｂａを中心とする広い範囲を照射すれば、ごみのみを除去することも可能であり、新たにごみが発生することを防止することができる。
【００５７】
次に、図１３（ｂ）に示すように、フィルム１２をフィルム供給リールに巻き取り、第１の孔１２Ｂａを区間Ｌ２の略中央まで移動させる。次いで、図１３（ｃ）に示すように、可動部材３６を下方位置に移動させて、固定ローラ３２，３３を固定ローラ３４，３５よりも下に位置させると、区間Ｌ１において上方フィルム１２Ａと下方フィルム１２Ｂが上下に重ねられる。
【００５８】
観察光学系１４で第１の孔１２Ｂａを確認した後、図１３（ｄ）に示すように、区間Ｌ１の上方フィルム１２Ａに、第１の孔１２Ｂａが少なくも一定の範囲で露出するように第２の孔１２Ａａをレーザアブレーションで開ける。なお、第２の孔１２Ａａは上方フィルム１２Ａを貫通するに留め、下方フィルム１２Ｂまで貫通させないようにする。この場合、フィルム１２Ａを貫通させるのに必要なレーザショット回数、レーザパワーを予め知っていれば、下方フィルム１２Ｂの上面を深く削ることはない。また、下方フィルム１２Ｂには第１の孔１２Ｂａが開いているが微小であり、第２の孔１２Ａａが貫通した後のレーザショット回数は極力少なくなるようにセットされるため、フィルム１２Ｂの下方に異物が落下するのを最小限に留めることができる。
【００５９】
なお、第２の孔１２Ａａを形成する際、下方フィルム１２ＢとＴＦＴ基板１との間に図示しない遮蔽板を挿入して異物を受け止めるようにしてあってもよい。第２の孔１２Ａａを形成した後、ＹＡＧ第２高調波レーザに切り替えて、第２の孔１２Ａａを中心とする広い範囲に弱いパワーのレーザ光を照射して、フィルム１２Ａの上面にある異物を除去してもよい。
【００６０】
このように、初めに開けた第１の孔１２Ｂａの位置を確認してから第２の孔１２Ａａを形成するので、第１の孔１２Ｂａと第２の孔１２Ａａの位置調整は不要となり好都合である。
【００６１】
第２の孔１２Ａａの形成が完了した時点で、断線欠陥部８ｂと第１の孔１２Ｂａとの位置合わせを行ない、第１の孔１２Ｂａを含む下方フィルム１２Ｂ、および第２の孔１２Ａａを含む上方フィルム１２ＡとがＴＦＴ基板１と一定の隙間Ｇを持って対峙するようにする。たとえば隙間Ｇは２００μｍに設定される。その後、図５で示したように、塗布針１９を用いて修正ペースト２０を塗布すれば、断線欠陥部８ｂの近傍を汚染することなく修正が完了する。
【００６２】
図１３（ａ）〜（ｄ）で示した方法では、固定ローラ３４でフィルム１２を折り返し、上方フィルム１２Ａと下方フィルム１２Ｂとを重ねて配置するため、フィルム供給ユニット３０の先端部（区間Ｌ２の部分）の高さＨを低く抑えることが可能となる。たとえば、先端部の高さＨを１６ｍｍ程度とすれば、２０倍対物レンズの作動距離（ＷＤ１８ｍｍ）の直下に挿入できるので、図示しないレボルバの回転により、低倍率から高倍率の対物レンズ１５に切り替えれば、断線欠陥部８ｂと第１の孔１２Ｂａとの位置合わせを高精度で行なうことが可能となる。
【００６３】
ここで、第２の孔１２Ａａは、図１４（ａ）〜（ｃ）に示すような形態の中から、使用する修正ペースト２０の粘度やＴＦＴ基板１との濡れ性、あるいは、修正ペースト２０の塗布量を考慮して適宜選択される。図１４（ａ）では、第１の孔１２Ｂａと略同形状となるように第２の孔１２Ａａが形成されている。この場合、第１の孔１２Ｂａと第２の孔１２Ａａを別々に開けるのではなく、上方フィルム１２Ａと下方フィルム１２Ｂを重ね合わせた状態で、同時に孔１２Ｂａ，１２Ａａを形成してもよい。
【００６４】
図１４（ｂ）では、第１の孔１２Ｂａよりも大きな第２の孔１２Ａａが形成され、第１の孔１２Ｂａがすべて露出している。また、図１４（ｃ）では、第１の孔１２Ｂａと略中央で直交するように第２の孔１２Ａａが形成され、第１の孔１２Ｂａの中央部のみが露出している。第１の孔１２Ｂａと第２の孔１２Ａａとの交差領域３７のみが、上方フィルム１２Ａと下方フィルム１２Ｂの両方を貫通する。この場合、修正ペースト２０の粘度が高く、第１の孔１２Ｂａに流れ難い場合には、第２の孔１２Ａａを複数本形成してもよい。
【００６５】
図１５は、図１３（ｄ）の状態から、塗布針１９先端の平坦面１９ａの周りに修正ペースト２０が付着した状態で、平坦面１９ａで孔１２Ａａの開口部を閉蓋するようにして塗布針１９を上方から押し付けた様子を示す。この場合、平坦面１９ａが第１の孔１２Ｂａ全体を覆うことが可能な塗布針１９を用いる。また、第２の孔１２Ａａも平坦面１９ａに収まるように形成してあってもよいし、第２の孔１２Ａａが平坦面９ａからはみ出るような大きさであってもよい。
【００６６】
塗布針１９がフィルム１２Ａ，１２Ｂを上方から下方に押し付けると、フィルム１２Ａ，１２Ｂが変形して第１の孔１２Ｂａの周りの微小範囲のフィルム１２Ｂが断線欠陥部８ｂの周囲に付着し、断線欠陥部８ｂに修正ペースト２０が充填される。このとき、上方フィルム１２Ａと下方フィルム１２Ｂとの隙間は極わずかとなり、毛細管現象により上方フィルム１２Ａと下方フィルム１２Ｂとの隙間に修正ペースト２０が吸い込まれる。したがって、第１の孔１２Ｂａに修正ペースト２０が過剰に流れるのを抑制することができ、パターンが大きく膨らんだり、下方フィルム１２ＢとＴＦＴ基板１との隙間に修正ペースト２０が吸い込まれてＴＦＴ基板１を汚染することを抑制することができる。
【００６７】
断線欠陥部８ｂが長くなると、前述したようにそれに合わせて塗布針１９の平坦面１９ａの面積が大きなものを使用して、第１の孔１２Ｂａ全体を押圧する必要があり、この場合、１回で塗布される修正ペースト２０はより多くなる。たとえば、平坦面１９ａの直径が５０μｍから１００μｍに変わった場合、平坦面１９ａの面積は半径の２乗に比例して増大するので、４倍を超える量の修正ペースト２０が塗布される。このため、必要以上の修正ペースト２０が第１の孔１２Ｂａ内部に送り込まれて、描画パターンが膨らむことが想定される。しかし、上方フィルム１２Ａと下方フィルム１２Ｂとの隙間に余分な修正ペースト２０が吸い込まれるので、修正ペースト２０の液量を適正にすることができる。
【００６８】
図１６（ａ）は、図１３（ｄ）のＸＶＩＡ−ＸＶＩＡ線断面図であって、断線欠陥部８ｂに修正ペースト２０を塗布する塗布ユニット４１の構成を示す図である。図１６（ａ）において、断線欠陥部８ｂとフィルム１２Ａ，１２Ｂが一定の隙間を持って対峙し、かつ、断線欠陥部８ｂと孔１２Ｂａとが位置合わせされた状態にあり、塗布ユニット４１は、対物レンズ１５の直下で、かつ、断線欠陥部８ｂの真上に挿入された状態にある。このとき、塗布ユニット４１が対物レンズ１５の下方に挿入されるが、挿入スペースを確保するため、対物レンズ１５を低倍率のものに切り換えることが望ましい。たとえば、１０倍の対物レンズ１５の作動距離ＷＤは３０ｍｍ程度あり、塗布ユニット４１の高さを低く設計すれば容易に挿入可能である。
【００６９】
塗布ユニット４１は、その底に第１の孔４２ａが開口され、修正ペースト２０が注入された容器４２と、第２の孔４３ａが開口され、容器４２を密封する蓋４３と、第１および第２の孔４２ａ，４３ａと略同じ径を有する塗布針１９とを含む。塗布針１９の先端の平坦面１９ａは、第２の孔４３ａを貫通して修正ペースト２０内に浸漬される。第１および第２の孔４２ａ，４３ａの径は、それらに貫通する塗布針１９の径よりも少し大きいが微小であるので、修正ペースト２０の表面張力や容器４２の撥水・撥油性により、第１の孔４２ａからの修正ペースト２０の漏れはほとんど無い。
【００７０】
容器４２に形成され、修正ペースト２０を注入するための穴は、孔４２ａに近づくに従って断面積が小さくなるテーパ形状を有する。したがって、少ない修正ペースト２０でも塗布針１９の平坦面１９ａを浸漬することができ、経済的である。修正ペースト２０の量は、たとえば２０μｌ（マイクロリットル）である。修正ペースト２０は日持ちしないものもあり、容器４２は定期的に交換する。あるいは、使用済み容器４２を洗浄後、再利用することも可能である。容器４２の着脱を簡単にするため、手でつかみ易い構造にし、かつ、磁石による吸引を用いた着脱方法にすれば使い勝手は向上する。
【００７１】
塗布針１９の基端部は塗布針固定板４４に固着され、塗布針固定板４４は図示しないガイド（直動部材）により上下動可能に支持される。この状態から、図１６（ｂ）に示すように、塗布針１９の平坦面１９ａを容器４２の底面に設けた第１の孔４２ａから突出させると、塗布針１９の平坦面１９ａには修正ペースト２０が付着する。さらに塗布針１９を下降させ、平坦面１９ａで孔１２Ａａまたは孔１２Ｂａの開口部を閉蓋するようにフィルム１２Ａを押圧すると、フィルム１２Ａ，１２Ｂが変形して孔１２Ｂａの周りの微小範囲のフィルム１２Ｂが断線欠陥部８ｂの周囲に付着し、断線欠陥部８ｂに修正ペースト２０が充填される。
【００７２】
塗布針固定板４４は、図示しないガイド（直動軸受）によって上下方向に進退可能に支持されており、塗布針１９を含む可動部の自重のみでフィルム１２Ａ，１２Ｂを押す。塗布針１９が下降してフィルム１２ＢをＴＦＴ基板１に接触させた後もさらに下降させようとしても、塗布針１９がガイドに沿って上方に退避するので、塗布針１９の平坦面１９ａは過負荷とならない。塗布針１９の駆動手段（図示せず）は、制御手段（図示せず）により、時間管理されて制御される。たとえば、フィルム１２ＢがＴＦＴ基板１に接触する時間は１秒以下である。
【００７３】
この塗布方法では、塗布針１９を断線欠陥部８ｂと容器（インクタンクまたはペーストタンク）との間を往復動させる工程が省略されるため、欠陥修正に要する時間が短縮される。
【００７４】
また、修正ペースト２０は孔４２ａ，４３ａを除いて密閉された容器４２内に入っており、塗布針１９は容器４２の蓋４３の孔４３ａに微小な隙間を持って常に挿入された状態にあるため、修正ペースト２０が大気に直接触れる面積は少ない。したがって、修正ペースト２０の希釈液（溶媒）の蒸発を防止することができ、修正ペースト２０の使用可能な日数（交換周期）を長くすることが可能となり、欠陥修正装置の保守の手間が軽減化される。
【００７５】
また、塗布動作の待機状態において塗布針１９の平坦面１９ａを修正ペースト２０の中に浸けているため、塗布針１９の平坦面１９ａに付着した修正ペースト２０の乾燥を防ぐことができ、塗布針１９の洗浄工程も省略可能となる。
【００７６】
このように、塗布ユニット４１を小型にできるので、平坦面１９ａの径が異なる複数の塗布ユニット４１を用意しておき、断線欠陥部８ｂの大きさに応じて塗布針１９を選択して使用することも可能である。
【００７７】
また、フィルム１２にレーザ光を照射して孔を開けると、孔はレーザ照射面（フィルム表面）から貫通面（フィルム裏面）に近づくにつれて先細りとなるテーパ状になる。このことはレーザ加工の特徴でもある。
【００７８】
前述の例では、フィルム１２の孔１２Ｂａはレーザアブレーションにより形成され、孔１２Ｂａの形成が完了した後、レーザ照射面がＴＦＴ基板１に対峙するように、固定ローラ３４で反転される。このとき、孔１２Ｂａの断面形状は、上方に近づくにつれて先細りとなるテーパ状、つまりハの字形状となる。
【００７９】
この状態で、塗布針１９でフィルム１２Ａ，１２ＢをＴＦＴ基板１側に押し付けて、孔１２Ｂａと断線欠陥部８ｂとを接触させると、孔１２Ｂａ内の修正ペースト２０には、孔１２Ｂａの先端が細くなる上方に毛細管現象の力が働き、修正ペースト２０を上方に引き上げる力と修正ペースト２０の自重との釣り合いで、孔１２Ｂａ内の修正ペースト２０は中央が膨らんで垂れ下がった状態になる。したがって、フィルム１２とＴＦＴ基板１との隙間に修正ペースト２０が吸い込まれることを抑制することができる。
【００８０】
なお、レーザ光を照射して孔１２Ｂａを形成する際、図１７（ａ）に示すように孔１２Ｂａのみを形成するだけでなく、図１７（ｂ）に示すように、孔１２Ｂａの周りに隔壁１２Ｂｃを残して溝１２Ｂｂを形成してもよい。また、図１７（ｃ）に示すように、フィルム１２のＴＦＴ基板１に対峙する面に凹部１２Ｂｄを形成し、凹部１２Ｂｄの略中央に孔１２Ｂａを形成し、凹部１０Ｂｄ内において孔１２Ｂａを囲むようにして溝１０Ｂｂを形成してもよい。凹部１０Ｂｄの幅や深さは、フィルム１２が塗布時に変形して、孔１２Ｂａを含む微小範囲のフィルム１２が、欠陥部８ｂに付着可能な範囲に設定される。たとえば、１２．５μｍ厚のフィルム１２であれば、幅は１００μｍ〜３００μｍ前後、深さは１μｍ〜５μｍ程度である。凹部１２Ｂｄは、予めフィルム１２に加工してあってもよく、加工手段としては、レーザや、機械的な手段（たとえば金型の転写）を用いる。なお、凹部１２Ｂｄはフィルム１２の延在方向に連続して形成してもよいし、断続的に形成しても構わない。
【００８１】
図１７（ｂ）（ｃ）のようなフィルム１２をマスクとして修正すれば、断線欠陥部８ｂに孔１２ａを接触させた状態であっても、溝１２Ｂｂによって修正ペースト２０の侵入を防止することができる。
【００８２】
以上の実施の形態に示したように、断線欠陥部８ｂを修正する場合、直線形状のパターンで修正する以外にもコの字形状などのような複雑な形状のパターンを１回の修正で描画することが可能であり、断線欠陥部８ｂの形状に応じた孔１２ａ，１２Ｂａをフィルム１２，１２Ｂに開ければ修正可能であることは言うまでもない。
【００８３】
また、孔１２ａ，１２Ｂａの寸法は、短軸長Ｓｗとフィルム１２の厚さＦｔの関係を、Ｆｔ＞Ｓｗの関係にすれば、孔１２ａ，１２Ｂａ内に入った修正ペースト２０を孔１２ａ，１２Ｂａ内に留める力（付着力）が強くなり、フィルム１２とＴＦＴ基板１との隙間に作用する毛細管現象による吸引力に負けなくなる。したがって、修正ペースト２０がフィルム１２とＴＦＴ基板１との隙間に吸い込まれるのを防止することができる。
【００８４】
上記寸法は、修正ペースト２０の表面張力や粘度、ＴＦＴ基板１やフィルム１２の濡れ性に依存し、修正の安定性を増すためには、Ｆｔ／２＞Ｓｗのようにする方がより好ましい。この式は、孔１２ａ，１２Ｂａの形状が、Ｌ字やコの字形状のような複雑なものであっても適用される。
【００８５】
図１８（ａ）は欠陥修正装置５０の全体構成を示す正面図であり、図１８（ｂ）は図１８（ａ）のＸＶＩＩＩＢ−ＸＶＩＩＩＢ線断面図である。図１８（ａ）（ｂ）において、定盤５１にはガントリ型のＸＹステージ５２が搭載されている。ＸＹステージ５２は、図１８（ａ）の左右方向に移動するＸ軸ステージ５２ａと、紙面に対して垂直方向に移動可能な門型形状のＹ軸ステージ５２ｂとを含む。また、Ｘ軸ステージ５２ａには、上下に移動可能なＺ軸ステージ５３が固定台５４を介して固定される。Ｚ軸ステージ５３には、レーザ部１３、観察光学系１４、対物レンズ１５、ＸＹＺステージ５５が固定され、ＸＹＺステージ５５には塗布ユニット４１が搭載されている。定盤５１上にはチャック５６が固定されていて、チャック５６上にはＴＦＴ基板１が固定される。
【００８６】
また、固定台５４にはＸＹＺステージ５７が固定されていて、フィルム供給ユニット２５をＸＹＺ方向に移動可能としている。フィルム供給ユニット２５は、フィルム供給リール５８やフィルム巻き取りリール５９を支持するベース板２５ａと、固定ローラ２６〜２８を固定する可動部材２５ｂとを含み、可動部材２５ｂは直動軸受６０を介してベース板２５ａに上下方向に移動可能に保持されている。通常、固定ローラ２７，２８はＴＦＴ基板１に接触しないようにされるが、仮に固定ローラ２７，２８がＴＦＴ基板１に接触したとしても、直動軸受６０に案内されて上方に退避するので、ＴＦＴ基板１に衝撃を与えないようになっている。
【００８７】
塗布ユニット４１は、ＸＹＺステージ５５を含めて制御手段により制御され、フィルム１２の孔１２ａを、短時間のみＴＦＴ基板１の断線欠陥部８ｂに押圧する。また、フィルム供給ユニット２５は、ＸＹＺステージ５７により、対物レンズ１５直下にある断線欠陥部８ｂ上に孔１２ａを位置決めするとともに、断線欠陥部８ｂとフィルム１２とが隙間を持って対峙するように駆動される。なお、フィルム供給ユニット２５を図１３のフィルム供給ユニット３０で置換してもよいことは言うまでもない。
【００８８】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【図面の簡単な説明】
【００８９】
【図１】欠陥修正方法の修正対象であるＴＦＴ基板の要部を示す図である。
【図２】この発明の一実施の形態による欠陥修正方法を示す斜視図である。
【図３】図２に示したフィルムに孔を開ける工程を示す断面図である。
【図４】図３に示した孔を断線欠陥部に対峙させる工程を示す断面図である。
【図５】図４に示した孔を介して断線欠陥部に修正ペーストを塗布する工程を示す断面図である。
【図６】図５に示した塗布針を上方に退避させた状態を示す断面図である。
【図７】図１に示した断線欠陥部が修正された状態を示す図である。
【図８】この実施の形態の変更例を示す図である。
【図９】図８に示したコの字形状の修正層を形成する方法を示す斜視図である。
【図１０】この実施の形態の他の変更例を示す図である。
【図１１】図９に示したコの字形状の孔を介して修正ペーストを塗布する方法を示す図である。
【図１２】この実施の形態のさらに他の変更例を示す図である。
【図１３】この実施の形態のさらに他の変更例を示す図である。
【図１４】図１３に示した第１および第２の孔を示す図である。
【図１５】図１４に示した第１および第２の孔を介して断線欠陥部に修正ペーストを塗布する工程を示す断面図である。
【図１６】図１５に示した塗布針を含む塗布ユニットの要部を示す断面図である。
【図１７】この実施の形態のさらに他の変更例を示す図である。
【図１８】図１５に示した塗布ユニットを備えた欠陥修正装置の全体構成を示す図である。
【符号の説明】
【００９０】
１  ＴＦＴ基板、２  ガラス基板、３  ゲート線、３ａ  ゲート電極、４，５  ゲート絶縁膜、６  画素電極、７  半導体膜、８  ドレイン線、８ａ  ドレイン電極、８ｂ  断線欠陥部、９  ソース電極、１０  ＴＦＴ、１１  保護膜、１２，１２Ａ，１２Ｂ  フィルム、１２ａ，１２ｂ，１２Ａａ，１２Ｂａ  孔、１２Ｂｂ  溝、１２Ｂｃ  隔壁、１２Ｂｄ  凹部、１３  レーザ部、１４  観察光学系、１５  対物レンズ、１６，１７，２６〜２８，３１〜３５  固定ローラ、１８  遮蔽板、１９  塗布針、１９ａ  平坦面、２０  修正ペースト、２０Ａ，２０Ｂ  修正層、２１  異物、２２  交差部、２５，３０  フィルム供給ユニット、２５ａ  ベース板、２５ｂ，３６  可動部材、３７  交差領域、４１  塗布ユニット、４２  容器、４２ａ  孔、４３  蓋、４３ａ  孔、４４  塗布針固定板、５０  欠陥修正装置、５１  定盤、５２  ＸＹステージ、５２ａ  Ｘ軸ステージ、５２ｂ  Ｙ軸ステージ、５３  Ｚ軸ステージ、５４  固定台、５５，５７  ＸＹＺステージ、５６  チャック、５８  フィルム供給リール、５９  フィルム巻き取りリール、６０  直動軸受。
【図１】
2008122854.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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