(57)【要約】【課題】複合型薄膜磁気ヘッドに関し、シールド層に吸収されるピン層の磁界を低減してリファレンス層の磁界とバランスさせ、再生特性の非対称性を改善しようとする。【解決手段】磁気抵抗効果型再生ヘッドを含む複合型薄膜磁気ヘッドに於いて、磁気抵抗効果素子が、少なくともフリー層７、中間層、リファレンス層５、中間層、ピン層３が積層された積層フェリ型スピンバルブ構造を含み、ＡＢＳ面に近い側に於けるピン層側シールド層１とピン層３間の距離に比較し、ＭＲｈ方向にＡＢＳ面から遠い側に於けるピン層側シールド層１とピン層３間の距離が大きくなっている。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘導型磁気ヘッドと磁気抵抗効果型再生ヘッドとで構成された複合型薄膜磁気ヘッドに於いて、
該磁気抵抗効果型再生ヘッドは磁気抵抗効果素子及び磁気抵抗効果素子を挟むシールド層で構成され、
該磁気抵抗効果素子は、少なくともフリー層、中間層、リファレンス層、中間層、ピン層が積層された積層フェリ型スピンバルブ構造を含み、ＡＢＳ面に近い側に於けるピン層側シールド層とピン層間の距離に比較し、ＭＲｈ方向にＡＢＳ面から遠い側に於けるピン層側シールド層とピン層間の距離が大きくなっていること
を特徴とする複合型薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】
下部シールド層上に少なくともピン層、中間層、リファレンス層、中間層、フリー層、上部シールド層が順次積層された再生ヘッドに於いて、
ＡＢＳ面に近い側に於けるピン層側シールド層とピン層間の距離に比較し、ＭＲｈ方向にＡＢＳ面から遠い側に於けるピン層側シールド層とピン層間の距離を大きくする為、該下部シールド層の一部で、且つ、該ピン層のＭＲｈ方向にＡＢＳ面から遠い側に非磁性層を埋め込んでなること
を特徴とする請求項１記載の複合型薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】
下部シールド層上に少なくともフリー層、中間層、リファレンス層、中間層、ピン層、上部シールド層が順次積層された再生ヘッドに於いて、
ＡＢＳ面に近い側に於けるピン層側シールド層とピン層間の距離に比較し、ＭＲｈ方向にＡＢＳ面から遠い側に於けるピン層側シールド層とピン層間の距離を大きくする為、該ピン層のＭＲｈ方向にＡＢＳ面から遠い側に非磁性層を積層してなること
を特徴とする請求項１記載の複合型薄膜磁気ヘッド。
【請求項４】
再生ヘッドを構成する磁気抵抗効果素子の磁区制御を目的として、
磁気抵抗効果素子のコア幅方向の両端に高保磁力層、若しくは、反強磁性層の少なくとも何れか一方の層を配置したこと
を特徴とする請求項１乃至請求項３の何れか１記載の複合型薄膜磁気ヘッド。
【請求項５】
記録ヘッドと請求項１記載の再生ヘッドが一体化されてなること
を特徴とする請求項１乃至請求項８の何れか１記載の複合型薄膜磁気ヘッド。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、誘導型磁気ヘッドと磁気抵抗効果型再生ヘッドを一体化したハードディスク装置等に用いて好適な複合型薄膜磁気ヘッドに関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気抵抗効果型ヘッドは、一般にＭＲ（ｎａｇｎｅｔｏ  ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）ヘッドと呼ばれ、磁気抵抗効果素子、即ち、ＭＲ素子を再生部に用いた磁気ヘッドであって、再生出力が磁気記録媒体と磁気ヘッド間の相対速度に依存しないため、磁気記録装置の高記録密度化、及び小型化に有利であるとされている。
【０００３】
また、ＭＲ素子としては、主に、フリー層、中間層、ピン層、反強磁性層からなるスピンバルブ膜が知られているが、反強磁性層がピン層を固着する力を強めた、主に、フリー層、中間層、リファレンス層、中間層、ピン層、反強磁性層からなる積層フェリ型スピ  ンバルブ膜も知られている。
【０００４】
ＭＲ素子を用いたＭＲヘッドは、積層フェリ型スピンバルブ膜の場合、フリー層の磁化とリファレンス層の磁化のなす角度によって抵抗変化を生じる。このＭＲヘッドで、最も高い感度を得るためには、媒体磁界が入ってこないとき、フリー層の磁化が概略コア幅方向に向いていて、上向きまたは下向きの媒体磁界が入ったとき、フリー層の磁化が素子高さ方向に傾くようにすることが重要である。
【０００５】
もし媒体磁界が入ってこないとき、フリー層の磁化が素子高さ方向に向いていると、再生波形の上下非対称性が悪くなり、再生感度が悪くなる。
【０００６】
また、ＭＲ素子を用いたＭＲヘッドは、ＭＲ素子が単磁区とならない場合、バルクハウゼンノイズが発生し、再生出力が大きく変動する旨の問題があり、このため、ＭＲ素子の磁区を制御するため、磁区制御膜を設けてある。
【０００７】
この磁区制御膜としては、ＣｏＰｔ等に代表される高保磁力膜やＰｄＰｔＭｎ等に代表される反強磁性層と強磁性層との積層をＭＲ素子のトラック幅方向の両サイドに設けたり、反強磁性層をＭＲ素子上に積層して設けることが知られている。尚、この磁区制御膜にはフリー層をコア幅方向に向かせる効果がある。
【０００８】
ところで、近年、磁気ディスク装置の大容量化と共に媒体上のビット長およびトラック幅が急激に狭くなる傾向にあるが、ＭＲ素子の素子高さ方向の長さは、通常、研磨による加工で規制されてしまうことから、現状では、短くすることは困難であって、ＭＲ素子のトラック幅方向に対する素子高さ方向の長さのアスペクト比は大きくなっている。
【０００９】
この為、フリー層の磁化が素子高さ方向に向きやすくなり、また、ピン層からの磁界に比較し、フリー層に近いリファレンス層からの磁界が強い為、フリー層に素子高さ方向の磁界が加わり、フリー層の磁化が素子高さ方向に向き易くなる。
【００１０】
更に、近年の高記録密度化にともない、狭ギャップ化の傾向があって、シールド層とピン層との間隔は狭くなっているので、ピン層の磁界は、シールド層に吸い込まれやすくなってきている。
【００１１】
これに対処する為、リファレンス層の膜厚×飽和磁束密度に対し、ピン層の膜厚×飽和磁束密度を大きくすることで、リファレンス層とピン層の磁界をキャンセルさせる技術が知られている（例えば、特許文献１を参照。）。
【００１２】
また、電流を流す方向として、コア幅方向に電流を流す構造、即ち、ＣＩＰ（カレントインプレイイング）構造に対し、高感度化をねらう構造の一つとして、高い抵抗変化を得るためにＭＲ素子の面内垂直方向に電流を流す構造、即ち、ＣＰＰ（カレントパーペンデキュラプレイイング）構造が知られている。
【００１３】
以上、記述したところから理解できようが、再生波形の上下非対称性を改善する方法として、ＭＲ素子のトラック幅に対し、素子高さを小さくする方法は、ＭＲ素子の素子高さ方向の長さが、研磨による加工技術上の制約から、現状よりも小さく加工することは非常に難しく、また、リファレンス層の膜厚×飽和磁束密度に対し、ピン層の膜厚×飽和磁束密度を大きくする方法は、材料の面からＭＲ比が減少してしまう等の問題を生じる。
【特許文献１】特開２００６−０１３４３０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
本発明では、シールド層に吸収されるピン層の磁界を低減してリファレンス層の磁界とバランスさせることで、再生特性の非対称性を改善しようとする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明に依る複合型薄膜磁気ヘッドに於いては、誘導型磁気ヘッドと磁気抵抗効果型再生ヘッドとで構成された複合型薄膜磁気ヘッドに於いて、該磁気抵抗効果型再生ヘッドは磁気抵抗効果素子及び磁気抵抗効果素子を挟むシールド層で構成され、該磁気抵抗効果素子は、少なくともフリー層、中間層、リファレンス層、中間層、ピン層が積層された積層フェリ型スピンバルブ構造を含み、ＡＢＳ面に近い側に於けるピン層側シールド層とピン層間の距離に比較し、ＭＲｈ方向にＡＢＳ面から遠い側に於けるピン層側シールド層とピン層間の距離が大きくなっていることが基本になっている。
【発明の効果】
【００１６】
前記手段を採ることに依り、本発明の複合型薄膜磁気ヘッドに於ける再生ヘッドは、高記録密度に対応した微細な構造をもつものでありながら、再生波形の非対称性を良好にすることができ、製造歩留まりが良好で、高い再生信号出力を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
本発明の複合型薄膜磁気ヘッドに於ける再生ヘッドは、ＭＲ素子を構成する積層フェリ型スピンバルブにおいて、ピン層側のシールド層の一部をピン層から離すことで、再生波形の非対称性を改善している。
【００１８】
図１乃至図３は本発明に依る複合型薄膜磁気ヘッドに於ける再生ヘッドを表す要部切断斜面図、要部切断側面図、要部切断斜面図であり、また、図４乃至図６は図１乃至図３に対応する比較例の再生ヘッドを表す要部切断斜面図、要部切断側面図、要部切断斜面図である。
【００１９】
図に於いて、１はシールド層、３はピン層、５はリファレンス層、７はフリー層、９はシールド層をそれぞれ示している。尚、各図では、簡明にする為、ハード膜等の磁区制御層を省略してある。また、図２及び図３には矢印で磁界を示してあり、そして、矢印の太さは磁界の大きさに対応させてあるので、例えば、図２に於いて、ピン層３からフリー層７に向かう磁界は大きいが、ピン層３からシールド層９に向かう磁界は小さいことが看取され、ピン層３からの磁界がシールド層１に吸収され難いのであろうことが知得できる。この矢印の指示に関しては、後に説明する図５及び図６の場合も同様である。
【００２０】
図１及び図２から明らかであるが、本発明では、ピン層３側のシールド層１を媒体対向面（ＡＢＳ面）から素子高さ（ＭＲｈ）方向に所要高さ分を越えた箇所からピン層３と間隔をおく構成にしてある。具体的には、シールド層１の一部を除去することで、ピン層３から離隔した状態に形成してある。尚、図１及び図３に於いて、ＡＢＳ面は紙面の手前側に位置することになる。
【００２１】
このようにすることで、ピン層３からシールド層１へ吸い込まれる磁界を少なくすることができる。その結果、フリー層７にかかるピン層３からの素子高さ方向の磁界は大きくなり、リファレンス層５からの磁界は略相殺され、総合的なフリー層７への素子高さ方向の磁界を減少させることが可能となり、図３に示してあるようにフリー層７に於ける磁界の方向を略コア幅方向、即ち、トラック幅方向に向けることができるので、再生波形の非対称性は改善される。
【００２２】
また、ＡＢＳ面側ではピン層３とシールド層１との間の距離を小さく保つことができるため、狭ギャップにも対応可能である。更にピン層３、リファレンス層５の層厚や飽和磁束密度を自由に設計できるため、ＭＲ比等が最高となるよう材料を選択できることから、高い再生出力が得られる。
【００２３】
図２に見られるように、ピン層３とシールド層１間の距離をａとした場合、計算機シミ  ュレーションに依れば、図７に見られるように距離ａによって非対称性（Ａｓｙｍｍｅｔｒｙ）は大きく改善されることが確認された。尚、図７に於いては、縦軸には非対称性を、そして、横軸にはＭＲｈ方向にＡＢＳ面から遠い側（ＭＲｈ方向の奥側）に於けるピン層とシールド層との間の距離をそれぞれ採ってある。
【００２４】
前記説明した本発明に依る再生ヘッドに対し、図４乃至図６に示した比較例の再生ヘッドに於いては、シールド層１は略平坦になっていることから、ピン層３とシールド層１との距離はＡＢＳ面に於いては一定である。
【００２５】
近年の高記録密度化にともない、狭ギャップ化が進み、ピン層３とシールド層１との距離は狭くなりつつある。このため、ピン層３からの磁界は、シールド層１に吸い込まれ易くなり、フリー層７に加わる磁界は小さくなる。
【００２６】
また、フリー層７に近い位置に配置されたリファレンス層５からの磁界は強い為、フリー層７に加わる磁界は相殺されない。その理由は、リファレンス層５がフリー層７側に配置されていること、及び、シールド層１から遠いことに依る。
【００２７】
このようなことから、フリー層７に加わるＭＲｈ方向の磁界としては、リファレンス層５からの磁界が優勢となり、図６に見られるように、フリー層７の磁化はＭＲｈ方向に傾いてしまう。
【実施例１】
【００２８】
図８は本発明の実施例１であるＣＰＰ構造の再生ヘッドを表す要部斜面図であり、図１乃至図３に於いて用いた記号と同じ記号で指示した部分は同一或いは同効の部分を表すものとする。尚、２は反強磁性層、８は磁区制御層、Ｗはコア幅をそれぞれ示している。
【００２９】
図９乃至図１４は図８について説明した実施例１を製造する工程を説明する為の工程要所に於ける再生ヘッドを表す要部説明図であり、何れの図に於いても（Ａ）が要部横断面を、（Ｂ）が要部縦断面をそれぞれ示し、（Ａ）ではコア幅方向及び層厚方向を看取することができ、また、（Ｂ）ではコア幅方向中央で縦断してありＭＲｈ方向と層厚方向とを看取することができる。以下、各図を参照しつつ説明するが、図１乃至図３に於いて用いた記号と同じ記号で指示した部分は同一或いは同効の部分を表すものとする。
【００３０】
図９参照
（１）
基板上に成膜されたシールド層１に通常のリソグラフィ技術に於けるレジストプロセスを適用することに依り、所要パターンのレジスト層１０を形成し、次いで、イオンミリング法などを適用することに依り、レジスト層１０をマスクとしてシールド層１のエッチングを行って段差部を形成し、次いで、前記段差部を埋める非磁性層１３を成膜する。
【００３１】
この場合、シールド層１は電極端子を兼ねさせることができ、そして、材料としてはＮｉＦｅを用いることができ、また、非磁性層１３にはＡｌ2 Ｏ3 やＣｕを用いることができる。
【００３２】
図１０参照
（２）
Ｔａなどからなる下地膜１４を成膜後、積層フェリ型スピンバルブ、即ち、反強磁性層２、ピン層３、Ｒｕなどの中間層４、リファレンス層５、中間層６、フリー層７を順次成膜する。
【００３３】
ここで、中間層６としては、Ａｌ2 Ｏ3 やＭｇＯなどの絶縁層か、或いは、Ｃｕなどの導電膜を用いる。絶縁層を用いた場合には、ＭＲ素子はトンネル接合型のＧＭＲ素子となり、導電膜を用いた場合は、ＣＰＰ−ＧＭＲ素子となる。また、反強磁性層２としては、ＩｒＭｎ、ＰｄＰｔＭｎなどを用い、更に、ピン層３、リファレンス層５、フリー層７としてはＮｉＦｅ、ＣｏＦｅＢなどの単層、或いは、積層を用いる。
【００３４】
（３）
次いで、レジストプロセスを適用することに依り、所要パターンのレジスト層１０を形成し、次いで、イオンミリング法などを適用することに依り、レジスト層１０をマスクとしてフリー層７から反強磁性層２までをエッチングする。尚、このエッチングは、反強磁性層２の一部が残留する程度であっても良いし、また、下地層１４までもエッチングするなどは任意である。
【００３５】
図１１参照
（４）
次いで、レジスト層１０を除去することなく、Ａｌ2 Ｏ3 等からなる非磁性絶縁層１１を成膜する。
【００３６】
（５）
次いで、レジスト層１０を除去することなく、磁区制御膜８、非磁性絶縁層１２を順次成膜する。ここで、磁区制御膜８としては、ＣｏＣｒＰｔ等の高保磁力層、ＩｒＭｎやＰｄＰｔＭｎなどの反強磁性層、ＮｉＦｅやＣｏＦｅＢ等の軟磁性層の積層を用い、そして、非磁性絶縁層１２としてはＡｌ2 Ｏ3 等を用いる。                                
【００３７】
図１２及び図１３参照
（６）
次いで、レジスト層１０を除去した後、改めて所要パターンのレジスト層１０を形成してから、例えばイオンミリング法を適用することに依り、レジスト層１０をマスクとしてフリー層７から反強磁性層２までをエッチングする。尚、このエッチングは、反強磁性層２の一部が残留する程度であっても良いし、また、下地層１４までもエッチングするなどは任意である。
【００３８】
（７）
次いで、レジスト層１０を除去することなく、例えばＡｌ2 Ｏ3 からなる非磁性絶縁層１５を成膜する。ここで、図示の距離ｂは０でも良いが、ＭＲｈの略１／２程度にすることが望ましい。尚、ｂ＝０とする場合には、図９について説明した非磁性層１３を作成せず、前記工程（６）に於いて説明したエッチングの際、シールド層１内に達するまでエッチングを行い、非磁性絶縁層１５でシールド層１の一部を埋め込むと良い。
【００３９】
図１４参照
（８）
次いで、シールド層９を成膜する。このシールド層９もシールド層１と同様、シールド層９が電極端子を兼ねても良い。シールド層９の材料としては、例えば、ＮｉＦｅを用いることができる。
【００４０】
以上、説明した内、シールド層１及び９は、めっき法、蒸着法、スパッタリング法等を適用して成膜し、ＭＲ膜を構成する反強磁性層２、ピン層３、Ｒｕ等の中間層４、リファレンス層５、中間層６、フリー層７、磁区制御膜８、絶縁層１１はスパッタリング法等を適用して成膜する。
【実施例２】
【００４１】
図１５は本発明の実施例２であるＣＰＰ構造の再生ヘッドを表す要部斜面図であり、図８に於いて用いた記号と同じ記号で指示した部分は同一或いは同効の部分を表すものとする。
【００４２】
図１６乃至図１８は図１５について説明した実施例２を製造する工程を説明する為の工程要所に於ける再生ヘッドを表す要部説明図であり、何れの図に於いても（Ａ）が要部横断面を、（Ｂ）が要部縦断面をそれぞれ示し、（Ａ）ではコア幅方向及び層厚方向を看取することができ、また、（Ｂ）ではコア幅方向中央で縦断したＭＲｈ方向と層厚方向とを看取することができる。以下、各図を参照しつつ説明するが、図１５に於いて用いた記号と同じ記号で指示した部分は同一或いは同効の部分を表すものとする。尚、コア部分を積層形成する順序が実施例１と逆であるが、シールド層１上に下地層１４を形成してから非磁性絶縁層１２を形成するまでの工程は、実施例１と殆ど変わりないので、簡略に説明することにする。
【００４３】
図１６参照
（１）
シールド層１、下地層１４、積層フェリ型スピンバルブ層、即ち、フリー層７、中間層６、リファレンス層５、Ｒｕなどの中間層４、ピン層３、反強磁性層２を形成し、更に、非磁性絶縁層１１、磁区制御膜８、非磁性絶縁層１２、非磁性絶縁層１５を形成し、その後、レジスト層１０を所要のパターンに形成してから非磁性層１３を形成する。尚、非磁性層１３の材料としてはＡｌ2 Ｏ3 やＣｕなどを用いることができる。
【００４４】
図１７参照
（２）
次いで、レジスト層１０を除去してからシールド層９を成膜する。実施例１に於いて、図１３（Ｂ）について説明した距離ｂと同様、ここでも、距離ｂは０でも良いが、ＭＲｈの半分程度が望ましい。
【００４５】
図１８は距離ｂを０とする場合を説明する図であり、この場合は、非磁性絶縁層１５を反強磁性層２の上面よりも高く成膜し、非磁性絶縁層１５でシールド層９の一部を埋め込むようにすれば良い。尚、実施例２の場合に於ける各層の材料は実施例１と同じであって良い。
【００４６】
本発明に於いては、前記説明した実施の形態を含め、多くの形態で実施することができるので、以下、それを付記として例示する。
【００４７】
（付記１）                                                                    
誘導型磁気ヘッドと磁気抵抗効果型再生ヘッドとで構成された複合型薄膜磁気ヘッドに於いて、
該磁気抵抗効果型再生ヘッドは磁気抵抗効果素子及び磁気抵抗効果素子を挟むシールド層で構成され、
該磁気抵抗効果素子は、少なくともフリー層、中間層、リファレンス層、中間層、ピン層が積層された積層フェリ型スピンバルブ構造を含み、ＡＢＳ面に近い側に於けるピン層側シールド層とピン層間の距離に比較し、ＭＲｈ方向にＡＢＳ面から遠い側に於けるピン層側シールド層とピン層間の距離が大きくなっていること
を特徴とする複合型薄膜磁気ヘッド。
【００４８】
（付記２）
下部シールド層上に少なくともピン層、中間層、リファレンス層、中間層、フリー層、上部シールド層が順次積層された再生ヘッドに於いて、
ＡＢＳ面に近い側に於けるピン層側シールド層とピン層間の距離に比較し、ＭＲｈ方向にＡＢＳ面から遠い側に於けるピン層側シールド層とピン層間の距離を大きくする為、該下部シールド層の一部で、且つ、該ピン層のＭＲｈ方向にＡＢＳ面から遠い側に非磁性層を埋め込んでなること
を特徴とする（付記１）記載の複合型薄膜磁気ヘッド。
【００４９】
（付記３）
下部シールド層上に少なくともフリー層、中間層、リファレンス層、中間層、ピン層、上部シールド層が順次積層された再生ヘッドに於いて、
ＡＢＳ面に近い側に於けるピン層側シールド層とピン層間の距離に比較し、ＭＲｈ方向にＡＢＳ面から遠い側に於けるピン層側シールド層とピン層間の距離を大きくする為、該ピン層のＭＲｈ方向にＡＢＳ面から遠い側に非磁性層を積層してなること
を特徴とする（付記１）記載の複合型薄膜磁気ヘッド。
【００５０】
（付記４）
再生ヘッドを構成する磁気抵抗効果素子の磁区制御を目的として、
磁気抵抗効果素子のコア幅方向の両端に高保磁力層、若しくは、反強磁性層の少なくとも何れか一方の層を配置したこと
を特徴とする（付記１）乃至（付記３）の何れか１記載の複合型薄膜磁気ヘッド。
【００５１】
（付記５）
再生ヘッドを構成する磁気抵抗効果素子の磁区制御を目的として、
磁気抵抗効果素子のフリー層側に高保磁力層、若しくは、反強磁性層の少なくとも何れか一方の層を配置したこと
を特徴とする（付記１）乃至（付記３）の何れか１記載の複合型薄膜磁気ヘッド。
【００５２】
（付記６）
再生ヘッドを構成する磁気抵抗効果素子は、少なくとも一つの低抵抗層が少なくとも二つの磁性層で挟まれて磁場で電気抵抗が変化するものであること
を特徴とする（付記１）乃至（付記５）の何れか１記載の複合型薄膜磁気ヘッド。
【００５３】
（付記７）
再生ヘッドを構成する磁気抵抗効果素子は、強磁性トンネル接合構造が磁場で電気抵抗が変化するものであること
を特徴とする（付記１）乃至（付記５）の何れか１記載の複合型薄膜磁気ヘッド。
【００５４】
（付記８）
再生ヘッドを構成する磁気抵抗効果素子は、磁性層及び非磁性層の多層構造を含み、電気抵抗が磁場により変化するものであること
を特徴とする（付記１）乃至（付記５）の何れか１記載の複合型薄膜磁気ヘッド。
【００５５】
（付記９）
記録ヘッドと（付記１）記載の再生ヘッドが一体化されてなること
を特徴とする（付記１）乃至（付記８）の何れか１記載の複合型薄膜磁気ヘッド。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】再生ヘッドを表す要部切断斜面図である。
【図２】再生ヘッドを表す要部切断側面図である。
【図３】再生ヘッドを表す要部切断斜面図である。
【図４】比較例の再生ヘッドを表す要部切断斜面図である。
【図５】比較例の再生ヘッドを表す要部切断側面図である。
【図６】比較例の再生ヘッドを表す要部切断斜面図である。
【図７】ピン層及びシールド層間距離ａと再生波形の非対称性との関係を表す線図である。
【図８】実施例１であるＣＰＰ構造の再生ヘッドを表す要部斜面図である。
【図９】実施例１を製造する工程を説明する為の工程要所に於ける再生ヘッドを表す要部説明図である。
【図１０】実施例１を製造する工程を説明する為の工程要所に於ける再生ヘッドを表す要部説明図である。
【図１１】実施例１を製造する工程を説明する為の工程要所に於ける再生ヘッドを表す要部説明図である。
【図１２】実施例１を製造する工程を説明する為の工程要所に於ける再生ヘッドを表す要部説明図である。
【図１３】実施例１を製造する工程を説明する為の工程要所に於ける再生ヘッドを表す要部説明図である。
【図１４】実施例１を製造する工程を説明する為の工程要所に於ける再生ヘッドを表す要部説明図である。
【図１５】実施例２であるＣＰＰ構造の再生ヘッドを表す要部斜面図である。
【図１６】実施例２を製造する工程を説明する為の工程要所に於ける再生ヘッドを表す要部説明図である。
【図１７】実施例２を製造する工程を説明する為の工程要所に於ける再生ヘッドを表す要部説明図である。
【図１８】実施例２を製造する工程を説明する為の工程要所に於ける再生ヘッドを表す要部説明図である。
【符号の説明】
【００５７】
１  シールド層
２  反強磁性層
３  ピン層
４  中間層
５  リファレンス層
６  中間層
７  フリー層
８  磁区制御層
９  シールド層
１０  レジスト層
１１  非磁性絶縁層
１２  非磁性絶縁層
１３  非磁性層
１４  下地層
１５  非磁性絶縁層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2008176857.tif 000009
【図８】
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【図９】
2008176857.tif 000011
【図１０】
2008176857.tif 000012
【図１１】
2008176857.tif 000013
【図１２】
2008176857.tif 000014
【図１３】
2008176857.tif 000015
【図１４】
2008176857.tif 000016
【図１５】
2008176857.tif 000017
【図１６】
2008176857.tif 000018
【図１７】
2008176857.tif 000019
【図１８】
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