(57)【要約】【課題】長穴形状のマスク開口部を複数、梁部を間に挟んで並列させた場合でも、梁部の側面同士の貼り付きを防止することのできる成膜用マスク部材および該成膜用マスク部材の製造方法を提供すること。【解決手段】成膜用マスク部材１０は、ベース基板をなす矩形の支持基板３０に、チップ２０を複数、取り付けた構成を有しており、チップ２０には、成膜パターンに対応する長孔形状のマスク開口部２２が複数一定間隔で平行に並列した状態で形成されている。チップ２０において、マスク開口部２２で挟まれた梁部２７の側面２７ａには、微小な凸部２８が形成されている。このため、チップ２０の製造工程などにおいて洗浄、乾燥を行なった場合でも、梁部２７の側面２７ａ同士が貼り付いて剥がれなくなるという事態を防止することができる。【選択図】図５
2008231546.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
長穴形状のマスク開口部が梁部を間に挟んで複数、並列する基板を備えた成膜用マスク部材において、
前記梁部の側面には凸部が形成されていることを特徴とする成膜用マスク部材。
【請求項２】
前記基板は、単結晶シリコン基板であることを特徴とする請求項１に記載の成膜用マスク部材。
【請求項３】
前記凸部は、前記梁部の側面から略三角形の平面形状をもって突出していることを特徴とする請求項１または２に記載の成膜用マスク部材。
【請求項４】
長穴形状のマスク開口部が梁部を間に挟んで複数、並列する基板を備えた成膜用マスク部材の製造方法において、
前記基板の表面にエッチングマスクを形成した状態で、当該エッチングマスクの開孔部から前記基板にエッチングを行なって前記マスク開口部を形成するマスク開口部形成工程を行う際、前記梁部の側面に凸部を同時に形成することを特徴とする成膜用マスク部材の製造方法。
【請求項５】
前記エッチングマスクは、前記マスク開口部を形成すべき領域と重なる領域に前記開孔部を備えるとともに、前記凸部を形成すべき領域を広めに覆う凸部形成用マスク部を備え、
前記マスク開口部形成工程では、前記開孔部からウエットエッチングを行って前記マスク開口部を形成するとともに、当該ウエットエッチングの際のサイドエッチングにより、前記凸部形成用マスク部より小サイズに前記凸部を同時形成することを特徴とする請求項４に記載の成膜用マスク部材の製造方法。
【請求項６】
前記エッチングマスクは、前記マスク開口部を形成すべき領域と重なる領域に前記開孔部を備えるとともに、前記凸部を形成すべき領域を覆う凸部形成部を備え、
前記マスク開口部形成工程では、前記開孔部からドライエッチングを行なって、前記マスク開口部および前記凸部を同時形成することを特徴とする請求項４に記載の成膜用マスク部材の製造方法。
【請求項７】
前記基板は、単結晶シリコン基板であることを特徴とする請求項４乃至６の何れか一項に記載の成膜用マスク部材の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、長穴形状の複数のマスク開口部が並列する成膜用マスク部材、およびこの成膜用マスク部材の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
各種半導体装置や電気光学装置の製造工程では、成膜パターンに対応するマスク開口部を備えた成膜用マスク部材を素子基板に重ね、この状態で真空蒸着法、スパッタ成膜、イオンプレーティングなどの蒸着を行うことがある。例えば、電気光学装置としての有機エレクトロルミネッセンス（以下、ＥＬという）装置の製造工程において、発光素子用の有機ＥＬ材料（有機機能層）を所定形状に形成する際にフォトリソグラフィ技術を利用すると、パターニング用のレジストマスクをエッチング液や酸素プラズマなどで除去する際に有機機能材料が水分や酸素に触れて劣化するおそれがあるため、レジストマスクを必要としないマスク蒸着法を用いて有機機能層を形成することが提案されている。
【０００３】
このような成膜用マスク部材としては、例えば、図１０（ａ）、（ｂ）に示すように、面方位（１１０）を有する単結晶シリコン基板に対して水酸化カリウム水溶液などを用いたウエットエッチングを行って長穴形状のマスク開口部２２Ｚを複数、並列形成したチップ２０Ｚを支持基板３０上に搭載したものが提案されており、かかる成膜用マスク部材１０Ｚでは、マスク開口部２２Ｚの間には、細長い梁部２７Ｚが形成されている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００５−２７６４８０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記特許文献１に記載の成膜用マスク部材１０Ｚでは、マスク開口部２２Ｚの開口幅ｄ１が狭い場合（例えば、ｄ１≦２０μｍの場合）、成膜用マスク部材１０Ｚの製造工程において、エッチング後に洗浄し、乾燥させる際、図１０（ｃ）に示すように、梁部２７Ｚの側面同士が貼り付いて剥がれなくなるという事態が発生するという問題点がある。本願発明者は、かかる原因を追求した結果、マスク開口部２２Ｚの開口幅ｄ１が狭い場合、乾燥の際に、マスク開口部２２Ｚに入り込んでいた洗浄液の表面張力によって梁部２７Ｚ同士が引き寄せられ、貼り付いてしまうという知見を得た。特に、面方位（１１０）を有する単結晶シリコン基板に対してウエットエッチングによりマスク開口部２２Ｚを形成すると、梁部２７Ｘの側面が面方位（１１１）の平滑面になっているため、梁部２７Ｚ同士が一度張り付くと剥がれないという事態が発生しやすいという知見を得た。
【０００５】
以上の問題点および知見に基づいて、本発明の課題は、長穴形状のマスク開口部を複数、梁部を間に挟んで並列させた場合でも、梁部の側面同士の貼り付きを防止することのできる成膜用マスク部材、および該成膜用マスク部材の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明では、長穴形状のマスク開口部が梁部を間に挟んで複数、並列する基板を備えた成膜用マスク部材において、前記梁部の側面には凸部が形成されていることを特徴とする。
【０００７】
本発明の成膜用マスク部材では、梁部の側面（マスク開口部の内側面）に凸部が形成されているため、マスク開口部が例えば２０μｍ以下といった狭い幅寸法であっても、成膜用マスク部材の製造工程や、成膜用マスク部材に堆積した膜を除去する再生工程などにおいて洗浄、乾燥を行なった際に洗浄液の表面張力によって梁部同士が引き寄せられた場合でも、梁部同士が貼り付くことを防止することができる。それ故、成膜用マスクを製造する際の歩留まりを向上することができるとともに、再生工程での不具合品の発生を防止することができる。
【０００８】
本発明は、前記基板が単結晶シリコン基板である場合に適用すると効果的である。基板として単結晶シリコン基板を用い、かつ、ウエットエッチングによりマスク開口部を形成すると、梁部の側面が平滑面になるため、梁部同士が一度張り付くと剥がれないという事態が特に発生しやすいが、本発明によれば、かかる事態の発生を防止することができる。
【０００９】
本発明において、前記凸部は、前記梁部の側面から略三角形の平面形状をもって突出していることが好ましい。このような構成によれば、平面形状の小さな凸部で、梁部同士が貼り付くことを防止することができる。それ故、マスク開口部内に凸部を形成しても凸部が邪魔にならない。
【００１０】
本発明では、長穴形状のマスク開口部が梁部を間に挟んで複数、並列する基板を備えた成膜用マスク部材の製造方法において、前記基板の表面にエッチングマスクを形成した状態で、当該エッチングマスクの開孔部から前記基板にエッチングを行なって前記マスク開口部を形成するマスク開口部形成工程を行う際、前記梁部の側面に凸部を同時に形成することが好ましい。このように構成すると、少ない工程数で、梁部の側面に凸部が形成された成膜用マスク部材を製造することができる。
【００１１】
本発明において、エッチングとして、ウエットエッチングを行なう際には、以下の構成を採用する。すなわち、前記エッチングマスクは、前記マスク開口部を形成すべき領域と重なる領域に前記開孔部を備えるとともに、前記凸部を形成すべき領域を広めに覆う凸部形成用マスク部を備え、前記マスク開口部形成工程では、前記開孔部からウエットエッチングを行って前記マスク開口部を形成するとともに、当該ウエットエッチングの際のサイドエッチングにより、前記凸部形成用マスク部より小サイズに前記凸部を同時形成する。
【００１２】
本発明において、前記マスク開口部形成工程では、前記エッチングとしてドライエッチングを行なってもよい。この場合、前記エッチングマスクは、前記マスク開口部を形成すべき領域と重なる領域に前記開孔部を備えるとともに、前記凸部を形成すべき領域を覆う凸部形成部を備え、前記マスク開口部形成工程では、前記開孔部からドライエッチングを行なって、前記マスク開口部および前記凸部を同時形成する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下に、図面を参照して、本発明を適用した成膜用マスク部材、およびその製造方法について説明する。なお、以下の説明に用いる各図においては、各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各部材毎に縮尺を異ならせてある。また、以下の実施の形態では、本発明の成膜用マスク部材が使用される対象として有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）装置を例示する。
【００１４】
（有機ＥＬ装置の構成例）
図１は、本発明が適用される有機ＥＬ装置の要部断面図である。図１に示す有機ＥＬ装置１は、表示装置やプリンタの光学ヘッドなどとして用いられるものであり、素子基板２上では、感光性樹脂からなる隔壁９で囲まれた複数の領域に画素３が構成されている。複数の画素３は各々、有機ＥＬ素子３ａを備えており、有機ＥＬ素子３ａは、陽極として機能するＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜からなる画素電極４と、この画素電極４からの正孔を注入／輸送する正孔注入輸送層５と、有機ＥＬ材料からなる発光層６と、電子を注入／輸送する電子注入輸送層７と、アルミニウムやアルミニウム合金からなる陰極８とを備えている。陰極８の側には、有機ＥＬ素子３ａが水分や酸素により劣化するのを防止するための封止層や封止部材（図示せず）が配置されている。素子基板２上には、画素電極４に電気的に接続された駆動用トランジスタ２ａなどを含む回路部２ｂが有機ＥＬ素子３ａの下層側に形成されている。ここで、有機ＥＬ装置１が表示装置として用いられる場合、各画素３はマトリクス状に形成される。なお、有機ＥＬ装置１では、隔壁９が形成されずに、各々の層が所定の領域に形成されることもある。
【００１５】
有機ＥＬ装置１がボトムエミッション方式である場合は、発光層６で発光した光を画素電極４の側から出射するため、素子基板２の基体としては、ガラス、石英、樹脂（プラスチック、プラスチックフィルム）などの透明基板が用いられる。その際、陰極８を光反射膜によって構成すれば、発光層６で発光した光を陰極８で反射して透明基板の側から出射することができる。
【００１６】
これに対して、有機ＥＬ装置１がトップエミッション方式である場合は、発光層６で発光した光を陰極８の側から出射するため、素子基板２の基体は透明である必要はない。但し、有機ＥＬ装置１がトップエミッション方式である場合でも、素子基板２に対して光出射側とは反対側の面に反射層（図示せず）を配置して、発光層６で発光した光を陰極８の側から出射する場合には、素子基板２の基体として透明基板を用いること必要がある。なお、有機ＥＬ装置１がトップエミッション方式である場合において、素子基板２の基体と発光層６との間、例えば、画素電極４の下層側などに反射層を形成して、発光層６で発光した光を陰極８の側から出射する場合には、素子基板２の基体は透明である必要はない。
【００１７】
ここで、有機ＥＬ装置１がトップエミッション方式である場合、陰極８が薄く形成される。このため、陰極８の電気抵抗の増大を補うことを目的に、隔壁９の上面にアルミニウムやアルミニウム合金からなる補助配線８ａが形成されることもある。
【００１８】
有機ＥＬ装置１がカラー表示装置として用いられる場合、複数の画素３および有機ＥＬ素子３ａは各々、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）に対応するサブ画素として構成される。その場合、有機ＥＬ素子３ａにおいて、発光層６は、各色に対応する光を出射可能な発光材料により形成される。また、単独の発光材料からなる発光層６によって、ＲＧＢ各色の特性を得るのは難しいことが多いので、ホスト材料に蛍光色素をドーピングした発光層６を形成し、蛍光色素からのルミネッセンスを発光色として取り出すこともある。このようなホスト材料とドーパント材料の組み合わせとしては、例えば、トリス（８−キノリラート）アルミニウムとクマリン誘導体との組み合わせ、アントラセン誘導体とスチリルアミン誘導体との組み合わせ、アントラセン誘導体とナフタセン誘導体との組み合わせ、トリス（８−キノリラート）アルミニウムとジシアノピラン誘導体との組み合わせ、ナフタセン誘導体とジインデノペリレンとの組み合わせなどがある。また、電子注入輸送層７は、トリス（８−キノリラート）アルミニウムを含む有機アルミニウム錯体などが用いられる。
【００１９】
（有機ＥＬ装置１の製造方法）
素子基板２を形成するにあたっては、単品サイズの基板に以下の工程を施す方法の他、素子基板２を多数取りできる大型基板に以下の工程を施した後、単品サイズの素子基板２に切断する方法が採用されるが、以下の説明では、サイズを問わず、素子基板２と称して説明する。
【００２０】
有機ＥＬ装置１を製造するには、素子基板２に対して成膜工程、レジストマスクを用いてのパターニング工程などといった半導体プロセスを利用して各層が形成される。但し、正孔注入輸送層５、発光層６、電子注入輸送層７などは、水分や酸素により劣化しやすいため、正孔注入輸送層５、発光層６、電子注入輸送層７を形成する際、さらには、電子注入輸送層７の上層に補助配線８ａや陰極８を形成する際、レジストマスクを用いてのパターニング工程を行うと、レジストマスクをエッチング液や酸素プラズマなどで除去する際に正孔注入輸送層５、発光層６、電子注入輸送層７が水分や酸素により劣化してしまう。そこで、本形態では、正孔注入輸送層５、発光層６、電子注入輸送層７を形成する際、さらには補助配線８ａや陰極８を形成する際には、後述するマスク蒸着装置および成膜用マスク部材を用いてのマスク蒸着法によって、素子基板２に所定形状の薄膜を形成し、レジストマスクを用いてのパターニング工程を行わない。
【００２１】
（マスク蒸着装置の構成例）
図２は、本発明を適用した成膜用マスク部材を用いて蒸着を行う蒸着装置の構成を示す概略構成図である。図２に示すように、蒸着室１１内の上方位置には、素子基板２および成膜用マスク部材１０を保持する基板ホルダ１９が配置されており、成膜用マスク部材１０は、素子基板２の下面側（被成膜面側）の所定位置に重ねられた状態にある。成膜用マスク部材１０の構成については、図３および図４などを参照して後述するが、素子基板２に形成する成膜パターンに対応する複数のマスク開口部２２が構成されている。
【００２２】
蒸着室１１内の下方位置には、素子基板２に向けて蒸着分子や蒸着原子などの蒸着粒子からなる蒸気流を供給する蒸着源１２が配置されている。蒸着源１２は、蒸着材料が装填された坩堝１４と、坩堝１４内の蒸着材料を加熱するための加熱装置１３とを備えている。加熱装置１３は、内側に坩堝１４全体を装着可能な凹部１３５を備えた有底筒状のヒートブロック１３１と、このヒートブロック１３１内に配置された電熱線などの発熱体１３２とを備えており、ヒートブロック１３１あるいは坩堝１４の温度を熱電対などで監視しながら発熱体１３２への給電を制御する。また、蒸着源１２に対しては、その開口部を開閉するセルシャッタ１５が構成されている。なお、蒸着源１２は、例えば、基板ホルダ１９に保持された素子基板２の中心から外れた位置に配置されており、この場合、素子基板２を回転しながら蒸着を行う。
【００２３】
（成膜用マスク部材の全体構成）
図３は、本発明を適用した成膜用マスク部材全体の基本的構成を示す斜視図である。図４は、成膜用マスク部材の一部を拡大してチップの基本的構成を示す説明図である。
【００２４】
図３および図４に示す成膜用マスク部材１０は、ベース基板をなす矩形の支持基板３０に、チップ２０（基板）を複数、取り付けた構成を有している。本形態では、チップ２０は単結晶シリコン基板からなるものとする。各チップ２０は各々、アライメントされて支持基板３０に陽極接合や紫外線硬化型接着剤などにより接合されている。
【００２５】
チップ２０には、成膜パターンに対応する長孔形状のマスク開口部２２が複数一定間隔で平行に並列した状態で形成されており、マスク開口部２２の各間には梁部２７が形成されている。また、チップ２０において、マスク開口部２２の形成領域の周りには外枠部２５が形成されており、かかる外枠部２５が支持基板３０に接合されている。
【００２６】
支持基板３０には、長方形の貫通穴からなる複数の開口領域３２が平行、かつ一定間隔で設けられており、複数のチップ２０は、支持基板３０の開口領域３２を塞ぐように支持基板３０上に固定されている。支持基板３０には、アライメントマーク３９が形成されており、アライメントマーク３９は、成膜用マスク部材１０を使用して蒸着などを行うときに、成膜用マスク部材１０の位置合わせを行うためのものである。なお、チップ２０の外枠部２５にアライメントマーク３９を形成してもよい。支持基板３０の構成材料は、チップ２０の構成材料の熱膨張係数と同一又は近い熱膨張係数を有するものが好ましい。チップ２０はシリコンであるので、シリコンの熱膨張係数と同等の熱膨張係数をもつ材料で支持基板３０を構成する。このようにすることにより、支持基板３０とチップ２０との熱膨張量の違いによる「歪み」や「撓み」の発生を抑えることができる。本形態では、支持基板３０としては、無アルカリガラス、ホウケイ酸ガラス、ソーダガラス、石英ガラスなどからなる透明基板が用いられている。
【００２７】
複数のチップ２０の各々において、外枠部２５の下面にはアライメントマーク２４が少なくとも２ヶ所形成されている。これらのアライメントマーク２４と、複数の開口領域３２の外周に一定間隔に形成されたアライメントマーク３４とを重ね合わせることにより、支持基板３０に対するチップ２０の位置合わせを行うことができる。アライメントマーク２４、３４は、フォトリソグラフィ技術またはエッチングなどにより形成される。
【００２８】
本形態において、チップ２０は、面方位（１１０）を有する単結晶シリコン基板からなり、この単結晶シリコン基板にフォトリソグラフィ技術やエッチング技術などを用いて、貫通溝からなるマスク開口部２２を形成することにより製造される。チップ２０の裏面には大きな凹部２９が形成されており、マスク開口部２２は、凹部２９の底部で開口している。このため、マスク開口部２２が形成された領域では基板厚が薄く、斜め方向に進行する蒸着粒子もマスク開口部２２を通過しやすくなっている。
【００２９】
（マスク蒸着法）
かかる成膜用マスク部材１０を用いて、素子基板２にマスク蒸着を行う場合には、まず、素子基板２の下面（被成膜面／素子基板２の両面のうち、有機ＥＬ素子３ａが形成されている側の面）に成膜用マスク部材１０を重ねる。その結果、素子基板２の下面には成膜用マスク部材１０のチップ２０の上面（一方面）が当接する。この状態で真空蒸着を行うと、坩堝から供給された蒸着分子や蒸着原子は、チップ２０のマスク開口部２２を介して素子基板２の下面に堆積する。
【００３０】
なお、図１に示す有機ＥＬ装置１において、画素電極４は、画素毎に分離した状態に形成されているが、正孔注入輸送層５、発光層６および電子注入輸送層７が複数の画素３に跨ってストライプ状に形成される場合があり、このような場合には、正孔注入輸送層５、発光層６および電子注入輸送層７も、成膜用マスク部材１０と同様、チップ２０において長孔形状のマスク開口部２２が複数一定間隔で平行に並列した構造の成膜用マスク部材が用いられる。いずれの場合も、図３および図４に示す成膜用マスク部材１０は、被成膜領域の所定領域に成膜を行った後、成膜用マスク部材１０をずらしながら複数回、成膜することにより、被成膜領域全体にわたってストライプ状の薄膜を形成する。
【００３１】
（成膜用マスク部材の詳細構成）
図５（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は各々、本発明の実施の形態１に係る成膜用マスク部材に用いたチップを被処理基板（素子基板２）に重ねられる上面側からみたときの平面図、底面図、および図５（ａ）におけるＡ−Ａ′断面図である。
【００３２】
図５（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示すように、複数のチップ２０の各々は、面方位（１１０）を有する単結晶シリコンウエハ２００から、所定形状で切り出すことにより形成される。各チップ２０には、長穴形状の貫通穴からなるマスク開口部２２が梁部２７を間に挟んで複数、並列しており、梁部２７の側面２７ａは、面方位（１１１）を有している。本形態において、マスク開口部２２のサイズは、例えば、開口幅ｄ１が８μｍ、長手方向における長さＬが２０ｍｍ、ピッチが１００μｍである。また、チップ２０の裏面には、複数のマスク開口部２２が形成されている領域を含む領域に大きな凹部２９が形成されている。
【００３３】
このように構成したチップ２０において、梁部２７の両側の側面２７ａ、２７ｂのうち、一方の側面２７ａには、長手方向における略中央位置に小さな凸部２８が形成されており、かかる凸部２８は略三角形の平面形状をもって、隣接する梁部２７の側面２７ｂに向かって突出している。
【００３４】
（本形態の主な効果）
このように構成された成膜用マスク部材１０では、後述するチップ２０の製造工程、チップ２０を支持基板３０に接合した後、さらには、成膜用マスク部材１０に堆積した膜を除去する再生工程などにおいて、水やアルコールなどの洗浄液による洗浄処理が行なわれた後、乾燥処理が行なわれる。その際、マスク開口部２２の幅寸法ｄ１が２０μｍ以下（本形態では、８μｍ）と狭い場合には、乾燥時に洗浄液の表面張力により、隣接する梁部２７同士が引き寄せられて接触することがあるが、本形態の成膜用マスク部材１０のチップ２０には、梁部２７の側面２７ａに凸部２８が形成されているので、隣接する梁部２７同士が全面接触することが無い。それ故、乾燥時、隣接する梁部２７同士が貼り付くことがなく、隣接する梁部２７同士が貼り付いてもすぐに離れる。それ故、成膜用マスク部材１０を製造する際の歩留まりが高いなどの効果を奏する。
【００３５】
なお、成膜時、凸部２８が形成されていると、凸部２８の陰になる部分では成膜されないことになるので、凸部２８については、薄膜に欠けが発生しても支障のない部分に位置するように形成すればよい。
【００３６】
（成膜用マスク部材１０の製造方法）
図６（ａ）〜（ｄ）は各々、本発明を適用した成膜用マスク部材の製造方法を示す工程断面図である。図７は、本発明を適用した成膜用マスク部材の製造方法において、マスク開口部を形成するために構成を平面的に示す説明図であり、図７（ａ）、（ｂ）は各々、チップ２０を形成するための単結晶シリコン基板の上面に形成したエッチングマスクの説明図、および単結晶シリコン基板の下面に形成したエッチングマスクの説明図、図７（ｃ）〜（ｆ）は各々、単結晶シリコン基板にマスク開口部および凸部が形成される様子を拡大して示す平面図である。
【００３７】
本形態の成膜用マスク部材１０を製造するにあたっては、図６（ａ）、（ｂ）に示すエッチングマスク形成工程では、まず、図６（ａ）に示すように、面方位（１１０）を有する単結晶シリコン基板２０ａの全面に熱酸化法により厚さが１μｍ程度の酸化膜２０ｂ（ＳｉＯ２膜）を形成し、単結晶シリコン基板２０ａの一方面２０ｘおよび他方面２０ｙを含めた全体を酸化膜２０ｂで覆う。次に、図６（ｂ）に示すように、フォトリソグラフィ技術を用いて、一方面２０ｘおよび他方面２０ｙに形成された酸化膜２０ｂをパターニングし、マスク開口部２２およびの凹部２９を形成すべき領域と重なる領域の酸化膜２０ｂを除去し、シリコン酸化膜からなるエッチングマスク４０を形成する。
【００３８】
その結果、エッチングマスク４０は、図７（ｂ）に示すように、単結晶シリコン基板２０ａの下面において、図５（ｂ）に示す凹部２９を形成すべき領域と重なる領域に開孔部４９を備えることになる。また、エッチングマスク４０は、図７（ａ）、（ｃ）に示すように、単結晶シリコン基板２０ａの上面において、図５（ａ）に示す複数のマスク開口部２２を形成すべき領域と重なる領域に複数の長穴形状の開孔部４２を備え、複数の開孔部４２の各間には、梁部２７を形成すべき領域に梁部形成用マスク部４７を備えている。
【００３９】
また、エッチングマスク４０は、梁部２７の側面２７ａに、図５（ａ）、（ｂ）に示す凸部２８を形成可能な開孔パターンを備えている。すなわち、単結晶シリコン基板２０ａの上面において、エッチングマスク４０は、マスク開口部２２を形成すべき領域と重なる領域の一部を覆う凸部形成用マスク部４８を備えている。より具体的には、エッチングマスク４０の梁部形成用マスク部４７の一方の側端部４７ａには、隣接する梁部形成用マスク部４７の側端部４７ｂに向けて突出する台形形状の凸部形成用マスク部４８が形成されている。本形態では、凸部形成用マスク部４８と凸部２８とを比較すると、マスク開口部２２の幅方向（開孔部４２の方向）への突出寸法（台径および三角形の高さ寸法）は、凸部形成用マスク部４８と凸部２８との間で同等である。これに対して、マスク開口部２２の長さ方向（開孔部４２の長さ方向）においては、凸部形成用マスク部４８の長さ寸法（台形の上底および下底の寸法）は、凸部２８の長さ寸法（三角形の底辺の寸法）に比してかなり長い。
【００４０】
次に、図６（ｃ）に示すエッチング工程では、エッチングマスク４０（酸化膜２０ｂ）をエッチングマスクにして、例えば、温度が８０℃、濃度が３５％の水酸化カリウム水溶液を用いて、エッチングマスク４０の開孔部４２、４９（酸化膜２０ｂの除去領域）から単結晶シリコン基板２０ａの一方面２０ｘおよび他方面２０ｙに対して結晶異方性エッチング（ウエットエッチング）を施す。その結果、マスク開口部２２、およびマスク開口部２２の底部と連通する凹部２９が形成され、マスク開口部２２の間には梁部２７が残る。
【００４１】
その際、単結晶シリコン基板２０ａの上面では、図７（ｄ）、（ｅ）に示すように、凸部形成用マスク部４８の下面側（多数のドットを付した領域）において、マスク開口部２２の長さ方向（開孔部４２の長さ方向）に向かうサイドエッチングが発生する。その際のサイドエッチングは、矢印Ａ、Ｂで示す双方向に向かって進行するので、矢印Ａで示す方向のサイドエッチングと、矢印Ｂで示すサイドエッチングとが合流した時点でエッチングを停止する。その結果、凸部形成用マスク部４８の下方に三角錐状の凸部２８が形成される。
【００４２】
従って、図６（ｄ）に示すように、緩衝ふっ酸を用いて、エッチングマスク４０（酸化膜２０ｂ）を全て除去すると、図６（ｄ）および図７（ｆ）に示すように、梁部２７の側面２７ａに小さな三角錐形状の凸部２８を備えた単結晶シリコン基板２０ａを形成することができる。かかる単結晶シリコン基板２０ａについては、その後、イソプロピルアルコールなどの洗浄液で洗浄した後、乾燥機によって乾燥させ、しかる後に、切断してチップ２０を得る。
【００４３】
なお、本形態では、図７（ｄ）、（ｅ）を参照して説明したサイドエッチングは、矢印Ａ、Ｂで示す双方向に向かって進行する。その際、単結晶シリコン基板２０ａの厚さ方向へのエッチング速度、矢印Ａで示す方向のサイドエッチングの速度、矢印Ｂで示すサイドエッチグの速度の比は、例えば、２：３：４である。従って、かかるエッチング速度を考慮して、凸部形成用マスク部４８の形成位置や長さ寸法を調整すれば、梁部２７の長さ方向（マスク開口部２２の長さ方向）の所定位置に、所定形状の凸部２８を形成することができる。
【００４４】
［成膜用マスク部材１０の別の製造方法］
上記形態では、マスク開口部を形成するにあたってウエットエッチングを採用したが、図８および図９を参照して以下に説明するように、ドライエッチングによりマスク開口部２２を形成してもよい。
【００４５】
図８（ａ）〜（ｈ）は、本発明を適用した成膜用マスク部材の別の製造方法のうち、マスク開口部形成工程を示す工程断面図である。図９は、本発明を適用した成膜用マスク部材の別の製造方法において、マスク開口部を形成するために構成を平面的に示す説明図であり、図９（ａ）、（ｂ）は各々、チップ２０を形成するための単結晶シリコン基板の上面に形成したエッチングマスクの説明図、および単結晶シリコン基板の下面に形成したエッチングマスクの説明図、図９（ｃ）、（ｄ）は各々、単結晶シリコン基板にマスク開口部および凸部が形成される様子を拡大して示す平面図である。なお、本形態の成膜マスク部材１０の基本的な構成は、図３、図４および図５（ａ）、（ｂ）と略同様であるため、各部分を示す際には図３、図４および図５（ａ）、（ｂ）を参照する。
【００４６】
本形態の成膜用マスク部材１０を製造するにあたっては、図８（ａ）に示すように、面方位（１１０）を有する単結晶シリコン基板２０ａの全面に熱酸化法により厚さが１μｍ程度の酸化膜２０ｂ（ＳｉＯ２膜）を形成し、単結晶シリコン基板２０ａの一方面２０ｘおよび他方面２０ｙを酸化膜２０ｂで覆う。
【００４７】
次に、図８（ｂ）に示すように、フォトリソグラフィ技術を用いて、一方面２０ｘに形成された酸化膜２０ｂをパターニングし、図３、図４および図５（ａ）、（ｂ）に示すマスク開口部２２を形成すべき領域の酸化膜２０ｂを除去し、シリコン酸化膜からなるエッチングマスク５０を形成する。
【００４８】
その結果、エッチングマスク５０は、図９（ｂ）に示すように、単結晶シリコン基板２０ａの下面全体を覆う一方、図９（ａ）、（ｃ）に示すように、単結晶シリコン基板２０ａの上面においては、複数のマスク開口部２２を形成すべき領域と重なる領域に複数の長穴形状の開孔部５２を備え、複数の開孔部５２の各間には、梁部２７を形成すべき領域に梁部形成用マスク部５７を備えていることになる。
【００４９】
ここで、エッチングマスク５０は、梁部２７の側面２７ａに、図３、図４および図５（ａ）、（ｂ）に示す凸部２８を形成可能な開孔パターンを備えている。すなわち、単結晶シリコン基板２０ａの上面において、エッチングマスク５０は、凸部２８と重なる領域に凸部形成用マスク部５８を備えている。より具体的には、エッチングマスク５０の梁部形成用マスク部５７の一方の側端部５７ａには、隣接する梁部形成用マスク部５７の側端部５７ｂに向けて突出する三角形状の凸部形成用マスク部５８が形成されている。本形態では、凸部形成用マスク部５８と凸部５８とを比較すると略同一形状を備えている。
【００５０】
次に、図８（ｃ）に示すエッチング工程では、エッチングマスク５０（酸化膜２０ｂ）をマスクにして、例えば、DEEP‐RIE装置を用いて、エッチングマスク５０の開孔部５２（酸化膜２０ｂの除去領域）から単結晶シリコン基板２０ａの一方面２０ｘに対して反応性イオンエッチング（ドライエッチング）を施し、マスク開口部２２および梁部２７を形成する。この時点では、マスク開口部２２の底部は閉塞している。また、梁部２７の側面２７ａには、凸部形成用マスク部５８の下方に三角柱状の凸部２８が形成される。
【００５１】
次に、図８（ｄ）に示すように、緩衝ふっ酸を用いてエッチングマスク５０（酸化膜２０ｂ）を全て除去した後、図８（ｅ）に示すように、単結晶シリコン基板２０ａの全面に熱酸化法により厚さが１μｍ程度の酸化膜２０ｃを再度、形成し、単結晶シリコン基板２０ａの一方面２０ｘおよび他方面２０ｙを酸化膜２０ｃで覆う。
【００５２】
次に、図８（ｆ）に示すように、フォトリソグラフィ技術を用いて、他方面２０ｙに形成された酸化膜２０ｃをパターニングし、凹部２９を形成すべき領域の酸化膜２０ｃを除去する。
【００５３】
次に、酸化膜２０ｃをマスクにして、例えば、温度が８０℃、濃度が３５％の水酸化カリウム水溶液を用いて、酸化膜２０ｃの除去領域から単結晶シリコン基板２０ａの他方面２０ｙに対して結晶異方性エッチング（ウエットエッチング）を施すことにより、図８（ｇ）に示すように、マスク開口部２２と連通する凹部２９を形成する。
【００５４】
次に、緩衝ふっ酸を用いて酸化膜２０ｃを全て除去した後、イソプロピルアルコールなどの洗浄液で洗浄、置換した後、乾燥機によってイソプロピルアルコールなどの洗浄液を除去し、乾燥させる。この結果、図８（ｈ）および図９（ｃ）に示すように、梁部２７の側面２７ａに三角柱状の凸部２８が形成されたチップ２０を得ることができる。
【００５５】
［その他の実施の形態］
本発明の技術範囲は上記各実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。例えば、上記の製造方法では、エッチングマスクとしてシリコン酸化膜を用いたが、耐エッチング性を有するものであれば、ＣＶＤ法などにより形成された窒化シリコン膜や、スパッタ法により形成されたＡｕ膜やＰｔ膜などの金属膜であってもよい。また、上記形態では、複数のチップ２０を支持基板３０に接合した成膜用マスク部材１０に本発明を適用したが、マスク開口部を形成した単結晶シリコン基板を１枚のみ用いた成膜用マスク部材に本発明を適用してもよい。さらに、上記形態では、単結晶シリコン基板２０ａにマスク開口部２２を形成した例を説明したが、その他のシリコン基板、さらにはシリコン以外の基板にマスク開口部２２を形成した成膜用マスク部材に本発明を適用してもよい。
【００５６】
また、上記形態については、真空蒸着法に用いる成膜用マスク部材を説明したが、スパッタ成膜法やイオンプレーティング法などの蒸着法、さらにはＣＶＤ法に用いる成膜用マスク部材に本発明を適用することができる。また、近年、イオンプレーティング法についてはプラズマを利用したプラズマコーティングが提案されており、かかる蒸着法に用いる成膜用マスク部材に対しても、本発明を適用することができる。
【００５７】
さらに、上記形態では、有機ＥＬ装置１のストライプ状の薄膜（補助配線８ａ、正孔注入輸送層５、発光層６、電子注入輸送層７）を形成するための成膜用マスク部材に本発明を適用したが、液晶装置その他の電気光学装置や半導体装置の製造工程において、ストライプ状の薄膜を形成する成膜用マスク部材に本発明を適用してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】本発明が適用される有機ＥＬ装置の要部断面図である。
【図２】マスク蒸着装置の概略構成図である。
【図３】本発明を適用した成膜用マスク部材全体の基本的構成を示す斜視図である。
【図４】本発明を適用した成膜用マスク部材の一部を拡大して示す説明図である。
【図５】（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は各々、本発明を適用した成膜用マスク部材に用いたチップを被処理基板に重ねられる上面側からみたときの平面図、底面図、およびＡ−Ａ′断面図である。
【図６】（ａ）〜（ｄ）は、本発明を適用した成膜用マスク部材の製造方法を示す工程断面図である。
【図７】本発明を適用した成膜用マスク部材の製造方法において、マスク開口部を形成するための構成を平面的に示す説明図である。
【図８】（ａ）〜（ｈ）は、本発明を適用した成膜用マスク部材の別の製造方法を示す工程断面図である。
【図９】本発明を適用した成膜用マスク部材の別の製造方法において、マスク開口部を形成するための構成を平面的に示す説明図である。
【図１０】（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は各々、従来の成膜用マスク部材の一部を拡大して示す説明図、その断面図、および梁部同士が貼り付いた様子を示す説明図である。
【符号の説明】
【００５９】
１・・有機ＥＬ装置、２・・素子基板、１０・・成膜用マスク部材、２０・・チップ（基板）、２０ａ・・単結晶シリコン基板、２２・・マスク開口部、２７・・梁部、２７ａ・・梁部の側面、２８・・凸部、３０・・支持基板、４０、５０・・エッチングマスク、１００・・マスク蒸着装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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