(57)【要約】      （修正有）【課題】微小な貫通孔を有する層間絶縁膜を介して上下の配線を電気的に接続することが可能な多層配線構造の製造方法、微小な貫通孔を有する層間絶縁膜を介して上下の配線が電気的に接続されている多層配線構造、該多層配線構造を有するトランジスタ素子及び該トランジスタ素子を有する画像表示装置を提供する。【解決手段】多層配線構造の製造方法は、第一の配線２が形成された基板１上に、貫通孔を有する層間絶縁膜３及び第二の配線５が積層されていると共に、貫通孔に導電バンプ４が形成されており、第一の配線２及び第二の配線５が導電バンプ４を介して電気的に接続されている多層配線構造を、スクリーン印刷法を用いて製造し、第一の配線２が形成された基板１上に、層間絶縁膜３の第一の領域を形成する工程、第一の領域が形成された基板１上に、層間絶縁膜３の第二の領域を形成する工程及び導電バンプ４を形成する工程を少なくとも有する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一の配線が形成された基板上に、貫通孔を有する層間絶縁膜及び第二の配線が積層されていると共に、該貫通孔に導電バンプが形成されており、該第一の配線及び第二の配線が該導電バンプを介して電気的に接続されている多層配線構造を、スクリーン印刷法を用いて製造する多層配線構造の製造方法であって、
該第一の配線が形成された基板上に、該貫通孔の周壁の一部を含有する層間絶縁膜の第一の領域を形成する工程、該第一の領域が形成された基板上に、該貫通孔の周壁の残部を含有する層間絶縁膜の第二の領域を形成する工程及び該導電バンプを形成する工程を少なくとも有することを特徴とする多層配線構造の製造方法。
【請求項２】
前記層間絶縁膜は、有機材料及び粒子を含有することを特徴とする請求項１に記載の多層配線構造の製造方法。
【請求項３】
前記第一の配線が形成された基板上に、第一の領域、第二の領域及び導電バンプが形成された後に、前記導電バンプの上部に導電ペーストを塗布する工程をさらに有することを特徴とする請求項１又は２に記載の多層配線構造の製造方法。
【請求項４】
前記第二の領域は、有機材料を含有し、
前記導電ペーストは、該有機材料が可溶である溶剤を含有することを特徴とする請求項３に記載の多層配線構造の製造方法。
【請求項５】
前記第一の領域は、有機材料を含有し、
前記導電ペーストは、該第一の領域に含まれる有機材料が可溶である溶剤を含有することを特徴とする請求項４に記載の多層配線構造の製造方法。
【請求項６】
前記第一の領域の形状は、複数の帯状であり、
前記第二の領域の形状は、飛び石状であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の多層配線構造の製造方法。
【請求項７】
前記第一の領域が形成された基板の第一の配線上に、前記導電バンプを形成する工程と、該導電バンプが形成された基板上に、前記第二の領域を形成する工程を有することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の多層配線構造の製造方法。
【請求項８】
前記第一の領域を形成する際に第一の絶縁ペーストを用い、
前記第二の領域を形成する際に第二の絶縁ペーストを用い、
該第一の絶縁ペーストの粘度は、該第二の絶縁ペーストの粘度よりも高いことを特徴とする請求項７に記載の多層配線構造の製造方法。
【請求項９】
前記第一の絶縁ペースト及び第二の絶縁ペーストは、粒子を含有し、
該第一の絶縁ペーストに含まれる粒子の比表面積は、前記第二の絶縁ペーストに含まれる粒子の比表面積よりも大きいことを特徴とする請求項８に記載の多層配線構造の製造方法。
【請求項１０】
前記第二の領域の少なくとも一部を前記第一の領域上に形成することを特徴とする請求項１乃至９のいずれか一項に記載の多層配線構造の製造方法。
【請求項１１】
第一の配線が形成された基板上に、貫通孔を有する層間絶縁膜及び第二の配線が積層されていると共に、該貫通孔に導電バンプが充填されており、該第一の配線及び第二の配線が該導電バンプを介して電気的に接続されている多層配線構造であって、
請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の多層配線構造の製造方法を用いて製造されていることを特徴とする多層配線構造。
【請求項１２】
第一の配線が形成された基板上に、貫通孔を有する層間絶縁膜及び第二の配線が積層されていると共に、該貫通孔に導電バンプが充填されており、該第一の配線及び第二の配線が該導電バンプを介して電気的に接続されている多層配線構造であって、
該層間絶縁膜は、該貫通孔の周壁の一部を含有する第一の領域と、該貫通孔の周壁の残部を含有する第二の領域を有し、
該第一の領域及び第二の領域は、有機材料及び粒子を含有し、
該第一の領域に含まれる粒子の比表面積は、該第二の領域に含まれる粒子の比表面積よりも大きいことを特徴とする多層配線構造。
【請求項１３】
前記第二の領域の少なくとも一部は、前記第一の領域上に形成されていることを特徴とする請求項１２に記載の多層配線構造。
【請求項１４】
基板上にゲート電極及びゲート絶縁膜が形成されていると共に、該ゲート絶縁膜上にソース電極、ドレイン電極及び有機半導体層が形成されているトランジスタの該ソース電極又はドレイン電極上に、貫通孔を有する層間絶縁膜及び上部電極が積層されていると共に、該貫通孔に導電バンプが形成されており、該ソース電極又はドレイン電極及び該上部電極が該導電バンプを介して電気的に接続されているトランジスタ素子であって、
請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の多層配線構造の製造方法を用いて製造されており、
前記第一の配線は、該ソース電極又はドレイン電極であり、
前記第二の配線は、該上部電極であることを特徴とするトランジスタ素子。
【請求項１５】
前記第一の領域は、前記有機半導体層を覆うように形成されていることを特徴とする請求項１４に記載のトランジスタ素子。
【請求項１６】
基板上にゲート電極及びゲート絶縁膜が形成されていると共に、該ゲート絶縁膜上に形ソース電極、ドレイン電極及び有機半導体層が形成されているトランジスタの該ソース電極又はドレイン電極上に、貫通孔を有する層間絶縁膜及び上部電極が積層されていると共に、該貫通孔に導電バンプが充填されており、該ソース電極又はドレイン電極と該上部電極が該導電バンプを介して電気的に接続されているトランジスタ素子であって、
該層間絶縁膜は、該貫通孔の周壁の一部を含有する第一の領域と、該貫通孔の周壁の残部を含有する第二の領域を有し、
該第一の領域は、該有機半導体層を覆うように形成されていることを特徴とするトランジスタ素子。
【請求項１７】
請求項１４乃至１６のいずれか一項に記載のトランジスタ素子を有するアクティブマトリクス基板上に画像表示素子を有することを特徴とする画像表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多層配線構造の製造方法、多層配線構造、トランジスタ素子及び画像表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、基板あるいは半導体ウエハに、トラジスタやダイオードが形成された半導体装置では、その集積度を高めるために多層配線構造が多用されている。この多層配線構造においては、配線を電気的に接続するためのビアホールを有する層間絶縁膜が用いられている。
【０００３】
近年、層間絶縁膜の材料としては、従来のシリコン酸化膜よりも比誘電率の小さい絶縁材料、例えば、ポーラスシリカ膜、フッ素化シリコン酸化膜、シリコン及び酸素にメチル基を付した有機絶縁膜等が注目されている。中でも、特に、低誘電率（約２．２〜４．０）の絶縁膜として、有機絶縁膜が広く用いられている。
【０００４】
しかしながら、有機絶縁膜に貫通孔を形成する際に、フォトリソグラフィー技術を用いるため、製造方法の工程数が多く、コスト的に不利であるという問題がある。
【０００５】
一方、スクリーン印刷法は、インクを吐出しない非吐出領域に乳剤を形成したメッシュ（スクリーン印刷版）にインクを載せて、スキージを摺動させることによってインクを吐出して印刷する方法である。このため、工程数を低減することができ、材料の使用効率が高いという利点がある。このように、スクリーン印刷法は、平易な手法でファインパターンを形成することが可能であるため、最近では、トランジスタ等の配線工程にも用いられている。しかしながら、印刷された直後の流動性を有するインクの表面が重力によって平坦になると同時に、微量のにじみが発生するため、微小な貫通孔を形成する場合には、微量のにじみが貫通孔を埋める可能性が大きい。このため、従来の手法では、１００μｍ四方の貫通孔を形成する印刷が限界とされている。さらに、スクリーン印刷法は、クリアランス（スクリーン版と基板の距離）、スキージの角度、圧力、速度等の複数のパラメーターの影響を受けるため、微小な貫通孔を安定に形成することが困難であり、大面積の印刷において、実績がある貫通孔は、３００μｍ四方程度である。
【０００６】
特許文献１には、インピーダンスコントロール配線板の製造方法が開示されている。これによれば、金属箔上に、円錐形状の導体バンプをスクリーン印刷で形成した後に、導体バンプを貫通させるように絶縁体を積層し、その上に、導体バンプの頭部と電気的接続を確立するように金属箔が積層されている。しかしながら、ここでは、絶縁体は、プリプレグを加熱、加圧して硬化させることにより形成されており、絶縁体の材料が制約される上に、熱と圧力による負荷がかかるという難点がある。また、実施例における導体バンプのサイズは、最小でも１５０μｍであり、微細化の可能性については言及されていない。
【特許文献１】特開２００６−１２０８７３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、上記の従来技術が有する問題に鑑み、微小な貫通孔を有する層間絶縁膜を介して上下の配線を電気的に接続することが可能な多層配線構造の製造方法、微小な貫通孔を有する層間絶縁膜を介して上下の配線が電気的に接続されている多層配線構造、該多層配線構造を有するトランジスタ素子及び該トランジスタ素子を有する画像表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
請求項１に記載の発明は、第一の配線が形成された基板上に、貫通孔を有する層間絶縁膜及び第二の配線が積層されていると共に、該貫通孔に導電バンプが形成されており、該第一の配線及び第二の配線が該導電バンプを介して電気的に接続されている多層配線構造を、スクリーン印刷法を用いて製造する多層配線構造の製造方法であって、該第一の配線が形成された基板上に、該貫通孔の周壁の一部を含有する層間絶縁膜の第一の領域を形成する工程、該第一の領域が形成された基板上に、該貫通孔の周壁の残部を含有する層間絶縁膜の第二の領域を形成する工程及び該導電バンプを形成する工程を少なくとも有することを特徴とする。これにより、微小な貫通孔を介して上下の配線を電気的に接続することが可能な多層配線構造の製造方法を提供することができる。
【０００９】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の多層配線構造の製造方法において、前記層間絶縁膜は、有機材料及び粒子を含有することを特徴とする。これにより、スクリーン印刷時のだれやにじみの制御が容易となり、再現性良く安定して多層配線構造を製造することができる。
【００１０】
請求項３に記載の発明は、請求項１又は２に記載の多層配線構造の製造方法において、前記第一の配線が形成された基板上に、第一の領域、第二の領域及び導電バンプが形成された後に、前記導電バンプの上部に導電ペーストを塗布する工程をさらに有することを特徴とする。これにより、層間絶縁膜が導電バンプを覆っていた場合においても、導電バンプと第二の導電バンプを電気的に接続するプロセスを追加することにより、第一の配線と第二の配線を電気的に接続することができる。
【００１１】
請求項４に記載の発明は、請求項３に記載の多層配線構造の製造方法において、前記第二の領域は、有機材料を含有し、前記導電ペーストは、該有機材料が可溶である溶剤を含有することを特徴とする。これにより、導電ペーストに含まれる溶剤が第二の領域に含まれる有機材料を溶解しながら、導電バンプと第二の導電バンプを電気的に接続することができる。
【００１２】
請求項５に記載の発明は、請求項４に記載の多層配線構造の製造方法において、前記第一の領域は、有機材料を含有し、前記導電ペーストは、該第一の領域に含まれる有機材料が可溶である溶剤を含有することを特徴とする。これにより、導電ペーストに含まれる溶剤が第一の領域に含まれる有機材料を溶解しながら、導電バンプと第二の導電バンプを電気的に接続することができる。
【００１３】
請求項６に記載の発明は、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の多層配線構造の製造方法において、前記第一の領域の形状は、複数の帯状であり、前記第二の領域の形状は、飛び石状であることを特徴とする。これにより、平易な方法で、膜厚の均一性が良好な層間絶縁膜を形成することができる。
【００１４】
請求項７に記載の発明は、請求項１乃至６のいずれか一項に記載の多層配線構造の製造方法において、前記第一の領域が形成された基板の第一の配線上に、前記導電バンプを形成する工程と、該導電バンプが形成された基板上に、前記第二の領域を形成する工程を有することを特徴とする。これにより、第一の領域を精度良く形成すると共に、貫通孔の内部に導電バンプを充填することができ、第一の配線と第二の配線を電気的に接続することができる。
【００１５】
請求項８に記載の発明は、請求項７に記載の多層配線構造の製造方法において、前記第一の領域を形成する際に第一の絶縁ペーストを用い、前記第二の領域を形成する際に第二の絶縁ペーストを用い、該第一の絶縁ペーストの粘度は、該第二の絶縁ペーストの粘度よりも高いことを特徴とする。これにより、膜厚の均一性がさらに良好であり、信頼性の高い層間絶縁膜を形成することができる。
【００１６】
請求項９に記載の発明は、請求項８に記載の多層配線構造の製造方法において、前記第一の絶縁ペースト及び第二の絶縁ペーストは、粒子を含有し、該第一の絶縁ペーストに含まれる粒子の比表面積は、前記第二の絶縁ペーストに含まれる粒子の比表面積よりも大きいことを特徴とする。これにより、同一の組成で、第一の絶縁ペーストの粘度を第二の絶縁ペーストの粘度よりも高くすることができる。
【００１７】
請求項１０に記載の発明は、請求項１乃至９のいずれか一項に記載の多層配線構造の製造方法において、前記第二の領域の少なくとも一部を前記第一の領域上に形成することを特徴とする。これにより、信頼性の高い層間絶縁膜を形成することができる。
【００１８】
請求項１１に記載の発明は、第一の配線が形成された基板上に、貫通孔を有する層間絶縁膜及び第二の配線が積層されていると共に、該貫通孔に導電バンプが充填されており、該第一の配線及び第二の配線が該導電バンプを介して電気的に接続されている多層配線構造であって、請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の多層配線構造の製造方法を用いて製造されていることを特徴とする。これにより、微小な貫通孔を有する層間絶縁膜を介して上下の配線が電気的に接続されている多層配線構造を提供することができる。
【００１９】
請求項１２に記載の発明は、第一の配線が形成された基板上に、貫通孔を有する層間絶縁膜及び第二の配線が積層されていると共に、該貫通孔に導電バンプが充填されており、該第一の配線及び第二の配線が該導電バンプを介して電気的に接続されている多層配線構造であって、該層間絶縁膜は、該貫通孔の周壁の一部を含有する第一の領域と、該貫通孔の周壁の残部を含有する第二の領域を有し、該第一の領域及び第二の領域は、有機材料及び粒子を含有し、該第一の領域に含まれる粒子の比表面積は、該第二の領域に含まれる粒子の比表面積よりも大きいことを特徴とする。これにより、微小な貫通孔を有する層間絶縁膜を介して上下の配線が電気的に接続されていると共に、膜厚の均一性が良好な多層配線構造を提供することができる。
【００２０】
請求項１３に記載の発明は、請求項１２に記載の多層配線構造において、前記第二の領域の少なくとも一部は、前記第一の領域上に形成されていることを特徴とする。これにより、信頼性の高い層間絶縁膜が形成された多層配線構造が得られる。
【００２１】
請求項１４に記載の発明は、基板上にゲート電極及びゲート絶縁膜が形成されていると共に、該ゲート絶縁膜上にソース電極、ドレイン電極及び有機半導体層が形成されているトランジスタの該ソース電極又はドレイン電極上に、貫通孔を有する層間絶縁膜及び上部電極が積層されていると共に、該貫通孔に導電バンプが形成されており、該ソース電極又はドレイン電極及び該上部電極が該導電バンプを介して電気的に接続されているトランジスタ素子であって、請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の多層配線構造の製造方法を用いて製造されており、前記第一の配線は、該ソース電極又はドレイン電極であり、前記第二の配線は、該上部電極であることを特徴とする。これにより、微細なトランジスタ素子を提供することができる。
【００２２】
請求項１５に記載の発明は、請求項１４に記載のトランジスタ素子において、前記第一の領域は、前記有機半導体層を覆うように形成されていることを特徴とする。信頼性の高いトランジスタ素子が得られる。
【００２３】
請求項１６に記載の発明は、基板上にゲート電極及びゲート絶縁膜が形成されていると共に、該ゲート絶縁膜上に形ソース電極、ドレイン電極及び有機半導体層が形成されているトランジスタの該ソース電極又はドレイン電極上に、貫通孔を有する層間絶縁膜及び上部電極が積層されていると共に、該貫通孔に導電バンプが充填されており、該ソース電極又はドレイン電極と該上部電極が該導電バンプを介して電気的に接続されているトランジスタ素子であって、該層間絶縁膜は、該貫通孔の周壁の一部を含有する第一の領域と、該貫通孔の周壁の残部を含有する第二の領域を有し、該第一の領域は、該有機半導体層を覆うように形成されていることを特徴とする。これにより、微細であり、信頼性の高いトランジスタ素子を提供することができる。
【００２４】
請求項１７に記載の発明は、画像表示装置において、請求項１４乃至１６のいずれか一項に記載のトランジスタ素子を有するアクティブマトリクス基板上に画像表示素子を有することを特徴とする。これにより、薄型、軽量であり、高精細な画像を表示することが可能な画像表示装置を提供することができる。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によれば、微小な貫通孔を有する層間絶縁膜を介して上下の配線を電気的に接続することが可能な多層配線構造の製造方法、微小な貫通孔を有する層間絶縁膜を介して上下の配線が電気的に接続されている多層配線構造、該多層配線構造を有するトランジスタ素子及び該トランジスタ素子を有する画像表示装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
次に、本発明を実施するための最良の形態を図面と共に説明する。
【００２７】
本発明の多層配線構造の製造方法は、第一の配線が形成された基板上に、貫通孔を有する層間絶縁膜及び第二の配線が積層されていると共に、貫通孔に導電バンプが形成されており、第一の配線及び第二の配線が導電バンプを介して電気的に接続されている多層配線構造を、スクリーン印刷法を用いて製造する。詳細には、第一の配線が形成された基板上に、貫通孔の周壁の一部を含有する層間絶縁膜の第一の領域を形成する工程、第一の領域が形成された基板上に、貫通孔の周壁の残部を含有する層間絶縁膜の第二の領域を形成する工程及び導電バンプを形成する工程を少なくとも有する。これにより、微細な貫通孔を介して上下の配線を電気的に接続することができ、工程数が少なく、平易な方法で、集積度の高い多層配線構造を製造することができる。
【００２８】
図１に、本発明の多層配線構造の一例を示す。図１に示す多層配線構造は、第一の配線２が形成されている基板１上に、貫通孔を有する層間絶縁膜３が形成されており、貫通孔に導電バンプ４が充填されている。さらに、層間絶縁膜３上に形成されている第二の配線５は、導電バンプ４を介して、第一の配線２と電気的に接続されている。なお、図１に示す多層配線構造は、本発明の多層配線構造の製造方法を用いて製造されている。
【００２９】
図２に、本発明の多層配線構造の製造方法の一例を示す。まず、スクリーン印刷法を用いて、第一の配線（不図示）が形成されている基板１上に、層間絶縁膜３の第一の領域３ａを形成することにより、層間絶縁膜３の貫通孔の周壁の一部が形成される（図２（ａ）参照）。このとき、第一の領域３ａは、貫通孔が第一の配線（不図示）上に形成されるように形成される。次に、スクリーン印刷法を用いて、貫通孔の周壁の一部に位置合わせをして、導電バンプ４を形成する（図２（ｂ）参照）。さらに、スクリーン印刷法を用いて、第一の領域３ａ及び導電バンプ４に位置合わせをして、層間絶縁膜３の第二の領域３ｂを形成することにより、貫通孔の周壁の残部が形成される（図２（ｃ）参照）。これらの三つの工程により、層間絶縁膜３の表面に、第一の配線２と電気的に接続されている導電バンプ４が突出した配線構造が得られる。さらに、導電バンプ４と電気的に接続するように第二の配線５を形成することにより、二層配線構造が得られる。
【００３０】
なお、上記の三つの工程においては、第一の配線２上に導電バンプ４を形成した後に、第一の領域３ａ及び第二の領域３ｂを形成することもできる。工程の順序は、想定する貫通孔の大きさや第一の領域３ａの形状等に応じて、適宜選択することができる。
【００３１】
本発明において、導電バンプを形成する際には、導電材料を含有する市販の導電ペーストを用いることができる。導電材料としては、銀、銅、カーボン、アルミニウム等が挙げられるが、金属材料を用いることが好ましい。なお、導電材料は、二種以上併用してもよい。また、第一の配線及び第二の配線は、上記の導電材料を用いて、公知の方法で形成することができる。
【００３２】
また、スクリーン印刷法に用いられるスクリーン印刷機及びスクリーン印刷版としては、従来公知のものを用いることができる。スクリーン印刷機は、クリアランス、スキージの角度、圧力、速度を自在に設定可能であることが必要であり、基板ステージの動作精度が１０μｍ未満であることが望ましい。また、スクリーン印刷版は、各工程で印刷する領域の形状と、使用するペーストの粘度や固形分比率等に応じて、適宜選択することができる。なお、メッシュの線径（厚さ）、開口率、乳剤の厚さを調整することにより、ペーストの吐出を制御し、所望の厚さの膜を印刷することが可能である。
【００３３】
本発明において、層間絶縁膜は、有機材料及び粒子を含有することが好ましい。有機材料としては、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、アクリル系樹脂、エチルセルロース樹脂、ポリエチレン、ポリスチレン、ポリアミド等が挙げられ、二種以上併用してもよい。また、粒子は、層間絶縁膜中で粒子として存在することができれば、有機粒子及び無機粒子のいずれであってもよいが、粒度を制御しやすく、溶剤中で分散させることが可能であることから、無機粒子が好ましい。無機粒子の材料としては、シリカ（ＳｉＯ２）、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）等が挙げられるが、中でも、シリカ、アルミナ、酸化亜鉛等の比較的比誘電率の低い材料が好ましい。また、メソポーラスシリカのように、構造中にメソ孔あるいはマイクロ孔を有する多孔質粒子であってもよい。
【００３４】
このような層間絶縁膜を形成する際には、有機材料及び粒子を溶剤と混合し、必要に応じて、分散剤、可塑剤、粘度調整剤等を添加した絶縁ペーストを用いることができる。有機材料と粒子の混合比率は、特に制限されず、形成するパターンに応じて、最適な物性のペーストとなるように適宜調整することができるが、層間絶縁膜の柔軟性を確保するためには、有機材料が多いことが好ましい。具体的には、層間絶縁膜に対する有機材料の体積比は、４０％以上であることが好ましく、５０％以上がさらに好ましい。これにより、可撓性を有する基板上であっても対応可能な層間絶縁膜とすることができる。また、絶縁ペーストは、層間絶縁膜の第一の領域及び第二の領域の形状や面積に応じて、適宜調整することができるが、乾燥後の第一の領域及び第二の領域において、構成材料の組成が大きく異ならないことが望ましい。
【００３５】
図３に、本発明の多層配線構造の製造方法の他の例を示す。まず、スクリーン印刷法を用いて、第一の配線（不図示）が形成されている基板１上に、層間絶縁膜３の第一の領域３ａを形成する。なお、第一の領域３ａの形状は、互いに略平行な複数の帯状である（図３（ａ）参照）。このとき、第一の領域３ａは、貫通孔が第一の配線（不図示）上に形成されるように形成される。次に、スクリーン印刷法を用いて、第一の領域３ａに位置合わせをして、導電バンプ４を形成する（図３（ｂ）参照）。さらに、スクリーン印刷法を用いて、第一の領域３ａ及び導電バンプ４に位置合わせをして、層間絶縁膜３の第二の領域３ｂを形成する。なお、第二の領域３ｂの形状は、飛び石状であり、第一の領域３ａを除く領域に配置されている（図３（ｃ）参照）。これらの三つの工程により、層間絶縁膜３の表面に、第一の配線２と電気的に接続されている導電バンプ４が突出した配線構造が得られる。さらに、導電バンプ４と電気的に接続するように第二の配線５を形成することにより、二層配線構造が得られる。なお、第一の領域３ａを構成する帯状パターンの幅及びスペース、第二の領域３ｂを構成する飛び石状パターンの形状等は、所望する貫通孔の大きさや間隔に合わせて適宜設定することができる。また、スクリーン印刷法を用いて形成することが比較的容易な帯状パターンと飛び石状パターンとすることにより、絶縁ペーストの物性や印刷条件の許容範囲が広くなり、安定した印刷が可能になる。
【００３６】
本発明においては、図２及び図３に示すように、第一の領域３ａを形成した後に、導電バンプ４を形成し、さらに、第二の領域３ｂを形成することが好ましい。図４（ａ）に示すように、第一の領域３ａを形成する前に導電バンプ４を形成すると、第一の領域３ａは、導電バンプ４の上から印刷される。すなわち、スキージ６の摺動により、メッシュ７の乳剤８が形成されていない領域から絶縁ペーストが吐出される際に、導電バンプ４の高さの分だけ、メッシュ７が基板１から離れるため、絶縁ペーストの吐出量が多くなる。その結果、図４（ｂ）に示すように、導電バンプ４が層間絶縁膜３の第一の領域３ａに埋没することがある。また、第一の領域３ａのパターン精度が低下することがある。したがって、導電バンプ４を形成する前に第一の領域３ａを形成することにより、第一の領域３ａを精度良く形成することができる。なお、図５に示すように、第一の領域３ａを形成した後に、導電バンプ４を形成すると、第一の領域３ａの高さの分だけ、導電ペーストの吐出量が多くなるが、これにより、導電バンプ４を層間絶縁膜３の上に突出させることができるため、好ましい。さらに、第二の領域３ｂを形成する前に導電バンプ４を形成することにより、第二の領域３ｂを形成するために用いる絶縁ペーストがレベリングして、貫通孔を埋めることを防止し、貫通孔に導電バンプ４を充填することができる。したがって、多層配線構造の第一の配線２と第二の配線５を電気的に接続することができる。
【００３７】
本発明においては、導電バンプの高さ及び間隔、層間絶縁膜の厚さ等の条件によっては、図４（ｂ）に示すように、層間絶縁膜３が導電バンプ４の上部の一部又全面を覆ったり、導電バンプ４を埋没させたりすることを回避しにくい場合がある。層間絶縁膜３が導電バンプ４の上部に配置されると、導電バンプ４と第二の配線５を電気的に接続しにくくなり、配線不良が発生する原因となる。そこで、図６（ａ）に示すように、層間絶縁膜３に覆われた導電バンプ４の上部に、導電ペースト４ａを塗布することにより、上記の問題を解決することができる。この状態から、導電バンプ４と導電ペースト４ａ中の導電材料を電気的に接続することにより、第一の配線２と第二の配線５を電気的に接続することができる。導電バンプ４と導電ペースト４ａ中の導電材料を電気的に接続するプロセスとしては、加圧、加熱等が有効である。このとき、より平易な方法で電気的に接続するためには、導電ペースト４ａに含まれる溶剤に対して、層間絶縁膜３に含まれる有機材料が可溶となるようにすることが望ましい。これにより、導電ペースト４ａに含まれる溶剤が層間絶縁膜３に含まれる有機材料を溶解させ、導電ペースト４ａに含まれる導電材料が層間絶縁膜３の内部に沈み込んで導電バンプ４と接触する。その結果、導電バンプ４と導電ペースト４ａ中の導電材料を電気的に接続することが可能となる。次に、溶剤を乾燥させることにより、第一の配線２と電気的に接続されている導電バンプ４を形成することができる（図６（ｂ）参照）。このとき、図２及び図３に示すように、第一の領域３ａを形成した後に、導電バンプ４を形成する場合は、導電ペースト４ａに含まれる溶剤に対して、第二の領域３ｂに含まれる有機材料が可溶となるようにすればよい。
【００３８】
本発明においては、図７に示すように、第一の領域３ａ及び第二の領域３ｂの位置合わせ精度が不十分である場合に、第一の領域３ａにも第二の領域３ｂにも覆われていない欠陥が発生する可能性がある。なお、図７（ａ）は、上面図であり、図７（ｂ）は、図７（ａ）の点線での断面図である。このとき、第一の領域３ａを形成するために用いる第一の絶縁ペーストの粘度を、第二の領域３ｂを形成するために用いる第二の絶縁ペーストの粘度よりも高くすることにより、欠陥の発生を抑制することができる。すなわち、粘度が高く、流動性に乏しい第一の絶縁ペーストを用いることにより、所望のパターンの第一の領域３ａを形成することができる。一方、粘度が低く、流動性を有する第二の絶縁ペーストを用いることにより、絶縁ペーストが印刷された後、乾燥するまでの間にレベリングして、欠陥の発生を抑制することができる（図８参照）。その結果、信頼性の高い層間絶縁膜を形成することができる。なお、図８（ａ）は、上面図であり、図８（ｂ）及び（ｃ）は、それぞれ図８（ａ）の点線Ａ及びＢでの断面図である。また、第二の絶縁ペーストが流動することにより、第二の領域３ｂの膜厚の均一性が向上し、第一の領域３ａとの段差を緩和することができる。なお、絶縁ペーストの粘度は、形成する貫通孔の大きさや間隔によって異なるが、第一の絶縁ペーストの粘度は、通常、１００Ｐａ・秒以上であり、１５０Ｐａ・秒以上が好ましい。また、第二の絶縁ペーストの粘度は、通常、１００Ｐａ・秒以下であり、５０Ｐａ・秒以下が好ましい。
【００３９】
本発明において、層間絶縁膜の第一の領域に含まれる粒子の比表面積は、第二の領域に含まれる粒子の比表面積よりも大きいことが望ましい。層間絶縁膜は、第一の領域と第二領域に分割して形成されるが、第一の領域と第二領域の親和性、層間絶縁膜全体としての均一性の観点より、第一の領域と第二領域を形成する材料の組成が等しいことが理想的である。このとき、上記のように、絶縁ペーストとして、粘度の高い（流動性の低い）第一の絶縁ペースト及び粘度の低い（流動性の高い）第二の絶縁ペーストを用いることが好ましい。この場合に、固形分の組成を変化させずにペーストの粘度を調整する方法としては、溶剤の含有量を調整する方法が最も簡単である。しかしながら、ペースト中の溶剤の含有量を変化させて粘度を調整する場合には、ペースト中の固形分の含有量が変化することになる。すなわち、第二の絶縁ペーストの粘度を低くするために溶剤の含有量を多くすると、固形分の含有量が少なくなり、乾燥後の第二の領域の膜厚が薄くなる。その結果、第一の領域に対して第二の領域の膜厚が薄い層間絶縁膜となるため、層間絶縁膜の膜厚の均一性が低下すると共に、第二の配線に悪影響を及ぼすことがある。そこで、比表面積の異なる粒子を用いることにより、上記の問題を解決することができる。比表面積とは、単位重量の粒子が有する表面積の値である。粒子の増粘性は、その比表面積に比例し、比表面積が大きい（すなわち、粒子のサイズが小さい）粒子の方が増粘性に優れる。このため、第一の絶縁ペーストが比表面積の大きい粒子を含有することにより、粘度を高くすることができ、第二の絶縁ペーストが比表面積の小さい粒子を含有することにより粘度を低くすることができる。これにより、固形分の含有量、固形分の組成を変化させずに、粘度が異なる絶縁ペーストを調製することができ、層間絶縁膜の組成及び膜厚の均一性を向上させることができる。
【００４０】
本発明において、層間絶縁膜は、図８に示すように、第二の領域の少なくとも一部が第一の領域上に形成されていることが望ましい。前述したように、第一の領域及び第二の領域の位置合わせ精度が不十分である場合に、第一の領域にも第二の領域にも覆われていない欠陥が発生する可能性がある。そこで、第二の絶縁ペーストに流動性を持たせることにより、第一の領域との隙間を埋めると共に、第一の領域の一部と重なり合い、欠陥の発生を防止して信頼性の高い層間絶縁膜を形成することができる。
【００４１】
図９に、本発明のトランジスタ素子の一例を示す。図９に示すトランジスタ素子は、基板１上にゲート電極９及びゲート絶縁膜１０が形成されていると共に、ゲート絶縁膜１０上にソース電極２ａ、ドレイン電極２ｂ及び有機半導体層１１が形成されている。さらに、ソース電極２ａ、ドレイン電極２ｂ及び有機半導体層１１を覆うように、貫通孔を有する層間絶縁膜３が形成されており、貫通孔には、導電バンプ４が充填されている。また、貫通孔に導電バンプ４が充填されている層間絶縁膜３上に、上部電極５ａが形成されており、導電バンプ４を介して、第一の配線としてのソース電極２ａと、第二の配線としての上部電極５ａが電気的に接続されている。なお、図９に示すトランジスタ素子は、本発明の多層配線構造の製造方法を用いて製造されている。
【００４２】
図１０に、本発明のトランジスタ素子の他の例を示す。なお、図１０（ａ）は、断面図であり、図１０（ｂ）は、上面図である。また、図１０において、図９と同一の構成については、同一の符号を付して説明を省略する。図１０に示すトランジスタ素子は、層間絶縁膜３の第一の領域３ａが、チャネル形成部である有機半導体層１１を覆う位置に配置されている。このように、第一の領域３ａで有機半導体層１１を保護することにより、大気中の酸素や水蒸気に起因するトランジスタの特性変化を最小限にすることができる。また、導電バンプ４及び第二の領域３ｂをスクリーン印刷する際に、メッシュが有機半導体層１１に接触することを防止し、物理的な負荷を軽減することができる。さらに、第二の導電ペーストに含まれる溶剤で第二の領域３ｂに含まれる有機材料を溶解させるプロセス（図６参照）を採用する場合に、有機半導体層１１が溶剤によってダメージを受けることを抑制することができる。
【００４３】
図１１に、本発明の画像表示装置の一例を示す。図１１に示す画像表示装置は、基板１上にゲート電極９及びゲート絶縁膜１０が形成されていると共に、ゲート絶縁膜１０上にソース電極２ａ、ドレイン電極２ｂ及び有機半導体層１１が形成されている。さらに、ソース電極２ａ、ドレイン電極２ｂ及び有機半導体層１１を覆うように、貫通孔を有する層間絶縁膜３が形成されており、貫通孔には、導電バンプ４が充填されている。また、貫通孔に導電バンプ４が充填されている層間絶縁膜３上に、画素電極５ｂが形成されており、導電バンプ４を介して、第一の配線としてのソース電極２ａと、第二の配線としての画素電極５ｂが電気的に接続されている。このようなアクティブマトリクス基板１２上に、支持基板１３上に透明電極１４及びマイクロカプセル１５が形成された電気泳動表示素子１６が接合されている。なお、図１１に示す画像表示装置は、本発明の多層配線構造の製造方法を用いて製造されている。
【００４４】
このとき、画像表示素子としては、電気泳動表示素子の他に、液晶表示素子、有機ＥＬ素子等を用いることができ、これにより目への負担が少ないフラットパネルタイプあるいはフレキシブルな画像表示装置が得られる。
【実施例】
【００４５】
（実施例１）
スクリーン印刷版を用いて印刷される層間絶縁膜３の第一の領域３ａ及び第二の領域３ｂのパターンは、複数の幅１６０μｍの帯状の吐出部と幅８０μｍの帯状の非吐出部からなり、スクリーン印刷版は、線径１９μmのステンレスメッシュ５００番を用いて、乳剤の厚さが１５μmとなるようにして形成した。さらに、スクリーン印刷版を用いて印刷される導電バンプ４のパターンは、直径５０μmの円形の吐出部が２４０μmピッチで飛び石状（マトリクス状）に配置されており、スクリーン印刷版は、線径２３μmのステンレスメッシュ４００番を用いて、乳剤の厚さが３０μmとなるようにして形成した。
【００４６】
絶縁ペーストとしては、ポリビニルアルコール樹脂をエチレングリコールモノブチルエーテルとα−テルピネオールの混合溶媒に溶解させ、比表面積が５０ｍ２／ｇのアルミナフィラーを添加して粘度を約１５０Ｐａ・秒に調整したペーストを、導電ペーストとしては、導電材料として銀を含有する熱硬化性のペーストを用いた。
【００４７】
図１に示すように、第一の配線２を形成したガラス基板１上に、第二の配線５とのコンタクト部に重ならないように位置合わせを施した上で、絶縁ペーストを用いて、第一の領域３ａのパターンをスクリーン印刷し、１００℃のオーブンで３０分間乾燥させて、第一の領域３ａを形成した。このとき、第一の領域３ａは、実測値で幅約１８０〜１９０μmのラインが２４０μmピッチで配置されていた。
【００４８】
次に、第二の配線５とのコンタクト部に重なるように位置合わせを施した上で、導電ペーストを用いて、導電バンプ４のパターンをスクリーン印刷し、１２０℃のオーブンで１時間乾燥させて、導電バンプ４を形成した。このとき、導電バンプ４は、実測値で直径５５〜６０μmの円形であり、その一部が両脇の第一の領域３ａに乗り上げた形で形成されていた。
【００４９】
さらに、第一の領域３ａのラインと垂直に交差する方向で、第一の領域３ａ及び導電バンプ４に重ならないように位置合わせを施した上で、絶縁ペーストを用いて、第二の領域３ｂのパターンをスクリーン印刷し、１００℃のオーブンで３０分間乾燥させて、第二の領域３ｂを形成した。このとき、第二の領域３ｂは、第一の領域３ａと導電バンプ４の間の隙間を埋めると共に、その一部が第一の領域３ａと導電バンプ４に乗り上げた形で形成されていた。なお、光学顕微鏡を用いて、全ての導電バンプ４が層間絶縁膜３の表面から突出していることを確認した。
【００５０】
最後に、導電バンプ４に重なるように第二の配線５を形成することにより、多層配線構造を得た。
【００５１】
次に、第一の配線２及び第二の配線５のコンタクトチェーンを評価した。２００個のコンタクトチェーンを１０箇所評価した結果、全ての箇所において、貫通孔１個当たりの抵抗の平均値が８Ωであり、良好なコンタクト抵抗が得られた。
【００５２】
（実施例２）
図１２に、スクリーン印刷版を用いて印刷される層間絶縁膜３のパターンを示す。なお、図１２（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ第一の領域３ａ及び第二の領域３ｂのパターンを示す。図１２（ａ）に示すパターンは、複数の幅１７０μｍの帯状の吐出部と幅７０μｍの帯状の非吐出部からなり、スクリーン印刷版は、線径１９μmのステンレスメッシュ５００番を用いて、乳剤の厚さが１５μmとなるようにして形成した。また、図１２（ｂ）に示すパターンは、縦６０μｍ、横１７０μｍの長方形の吐出部が２４０μｍピッチで飛び石状（マトリクス状）に配置されており、スクリーン印刷版は、線径１９μmのステンレスメッシュ５００番にめっき処理を施したものを用いて、乳剤の厚さが１５μmとなるようにして形成した。さらに、スクリーン印刷版を用いて印刷される導電バンプ４のパターンは、直径５０μmの円形の吐出部が２４０μmピッチで飛び石状（マトリクス状）に配置されており、スクリーン印刷版は、線径２３μmのステンレスメッシュ４００番を用いて、乳剤の厚さが３０μmとなるようにして形成した。
【００５３】
絶縁ペーストとしては、ポリビニルブチラール樹脂をエチレングリコールモノヘキシルエーテルに溶解させ、比表面積が８０ｍ２／ｇのシリカフィラーを添加して粘度を約２５０Ｐａ・秒に調整したペースト（絶縁ペーストＡ）、ポリビニルブチラール樹脂をエチレングリコールモノヘキシルエーテルに溶解させ、比表面積が３０ｍ２／ｇのシリカフィラーを添加して粘度を約８０Ｐａ・秒に調整したペースト（絶縁ペーストＢ）を用いた。なお、絶縁ペーストＡ及びＢの組成重量比率は同一になるように調整した。導電ペーストとしては、実施例１と同様のものを用いた。
【００５４】
図１に示すように、第一の配線２を形成したガラス基板１上に、第二の配線５とのコンタクト部に重ならないように位置合わせを施した上で、絶縁ペーストＡを用いて、図１２（ａ）に示すパターンをスクリーン印刷し、１００℃のオーブンで３０分間乾燥させ、第一の領域３ａを形成した。このとき、第一の領域３ａは、実測値で幅約１８５〜１９５μmのラインが２４０μmピッチで配置されていた。
【００５５】
次に、第二の配線５とのコンタクト部に重なるように位置合わせを施した上で、導電ペーストを用いて、導電バンプ４のパターンをスクリーン印刷し、１２０℃のオーブンで１時間乾燥させて、導電バンプ４を形成した。このとき、導電バンプ４は、実測値で直径５５〜６０μmの円形であり、その一部が両脇の第一の領域３ａに乗り上げた形で形成されていた。
【００５６】
さらに、第一の領域３ａ及び導電バンプ４に重ならないように位置合わせを施した上で、絶縁ペーストＢを用いて、図１２（ｂ）に示すパターンをスクリーン印刷し、１００℃のオーブンで３０分間乾燥させて、第二の領域３ｂを形成した。このとき、第二の領域３ｂは、第一の領域３ａと導電バンプ４の間の隙間を埋めると共に、その一部が第一の領域３ａと導電バンプ４に乗り上げた形で形成されていた。なお、光学顕微鏡を用いて、全ての導電バンプ４が層間絶縁膜３の表面から突出していることを確認した。
【００５７】
最後に、導電バンプ４に重なるように、第二の配線５を形成することにより、多層配線構造を得た。
【００５８】
次に、第一の配線２及び第二の配線５のコンタクトチェーンを評価した。２００個のコンタクトチェーンを１０箇所評価した結果、全ての箇所において、貫通孔１個当たりの抵抗の平均値が１２Ωであり、良好なコンタクト抵抗が得られた。
【００５９】
（実施例３）
層間絶縁膜３用のスクリーン印刷版、導電バンプ４用のスクリーン印刷版、絶縁ペースト及び導電ペーストとしては、実施例２と同様のものを用いた。
【００６０】
第二の配線５とのコンタクト部に重なるように位置合わせを施した上で、第一の配線２を形成したガラス基板１上に、導電ペーストを用いて、導電バンプ４のパターンをスクリーン印刷し、１２０℃のオーブンで１時間乾燥させて、導電バンプ４を形成した。このとき、導電バンプ４は、実測値で直径５５〜６０μmの円形であった。
【００６１】
次に、導電バンプ４に重ならないように位置合わせを施した上で、絶縁ペーストＡを用いて、図１２（ａ）に示すパターンをスクリーン印刷し、１００℃のオーブンで３０分間乾燥させて、第一の領域３ａを形成した。このとき、第一の領域３ａは、実測値で幅約１８５〜１９５μmのラインが２４０μmピッチで配置されており、その一部が導電バンプ４に乗り上げた形で形成されていた。
【００６２】
さらに、第一の領域３ａ及び導電バンプ４と重ならないように位置合わせを施した上で、絶縁ペーストＢを用いて、図１２（ｂ）に示すパターンをスクリーン印刷し、１００℃のオーブンで３０分間乾燥させて、第二の領域３ｂを形成した。このとき、第二の領域３ｂは、第一の領域３ａと導電バンプ４の間の隙間を埋めると共に、その一部が第一の領域３ａと導電バンプ４に乗り上げた形で形成されていた。なお、光学顕微鏡を用いて、導電バンプ４が層間絶縁膜３に覆われている箇所が存在することを確認した。
【００６３】
最後に、導電バンプ４に重なるように第二の配線５を形成することにより、多層配線構造を得た。
【００６４】
次に、第一の配線２及び第二の配線５のコンタクトチェーンを評価した。２００個のコンタクトチェーンを１０箇所評価した結果、１０箇所中４箇所においては、貫通孔１個当たりの抵抗の平均値が２０Ω以下であり、良好なコンタクト抵抗が得られたが、残り６箇所においては、コンタクト抵抗が大きく、第一の配線２及び第二の配線５が接続していない貫通孔が１箇所以上存在した。
【００６５】
（実施例４）
図６に示すように、実施例２と同様にして、第一の配線２を形成したガラス基板１上に、第一の領域３ａ、導電バンプ４及び第二の領域３ｂを形成した。次に、導電バンプ４に重なるように位置合わせを施した上で、絶縁ペーストに含まれるエチレングリコールモノヘキシルエーテルを含有する以外は、実施例１と同様の導電ペースト４ａを用いた以外は、導電バンプ４と同様にスクリーン印刷し、乾燥させて、導電バンプ４を形成した。このとき、導電バンプ４は、実測値で直径５５〜６０μmの円形であった。なお、光学顕微鏡を用いて、全ての導電バンプ４が層間絶縁膜３の表面から突出していることを確認した。
【００６６】
最後に、図１に示すように、導電バンプ４に重なるように第二の配線５を形成することにより、多層配線構造を得た。
【００６７】
次に、第一の配線２及び第二の配線５のコンタクトチェーンを評価した。２００個のコンタクトチェーンを１０箇所評価した結果、全ての箇所において、貫通孔１個当たりの抵抗の平均値が７Ωであり、良好なコンタクト抵抗が得られた。このことから、実施例２よりも抵抗が低減されており、導電ペースト４ａを塗布することにより、第一の配線２及び第二の配線５がより確実に接続できることが確認された。
【００６８】
（実施例５）
図１３に、スクリーン印刷版を用いて印刷される層間絶縁膜３のパターンを示す。なお、図１３（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ第一の領域３ａ及び第二の領域３ｂのパターンを示す。図１３（ａ）に示すパターンは、複数の幅５５μｍの帯状の吐出部と幅７２μｍの帯状の非吐出部からなり、スクリーン印刷版は、線径１９μmのステンレスメッシュ５００番を用いて、乳剤の厚さが１５μmとなるようにして形成した。また、図１３（ｂ）に示すパターンは、一辺が５５μｍの正方形の吐出部が１２７μｍピッチで飛び石状（マトリクス状）に配置されており、スクリーン印刷版は、線径１９μmのステンレスメッシュ５００番にめっき処理を施したものを用いて、乳剤の厚さが１５μmとなるようにして形成した。さらに、スクリーン印刷版を用いて印刷される導電バンプのパターンは、直径５０μmの円形の吐出部が１２７μmピッチで飛び石状（マトリクス状）に配置されており、スクリーン印刷版は、線径２３μmのステンレスメッシュ４００番を用いて、乳剤の厚さが３０μmとなるようにして形成した。
【００６９】
絶縁ペーストとしては、重合度約４００のポリビニルブチラール樹脂をエチレングリコールモノヘキシルエーテルに溶解させた後に、比表面積が８０ｍ２／ｇのシリカフィラーと比表面積が２０ｍ２／ｇのチタン酸バリウムフィラーを添加して、粘度を約１６０Ｐａ・秒に調整した絶縁ペーストＣ、重合度約４００のポリビニルブチラール樹脂をエチレングリコールモノヘキシルエーテルに溶解させた後に、比表面積が３０ｍ２／ｇのシリカフィラーと比表面積が２０ｍ２／ｇのチタン酸バリウムフィラーを添加して、粘度を約８０Ｐａ・秒に調整した絶縁ペーストＤを用いた。絶縁ペーストＣ及びＤの組成重量比率は同一になるように調整した。導電ペーストとしては、実施例１と同様のものを用いた。
【００７０】
図１に示すように、第一の配線２を形成したポリカーボネート基板１上に、第二の配線５とのコンタクト部に重ならないように位置合わせを施した上で、絶縁ペーストＣを用いて、図１３（ａ）に示すパターンをスクリーン印刷し、１００℃のオーブンで３０分間乾燥させて、第一の領域３ａを形成した。このとき、第一の領域３ａは、実測値で幅約８０μmのラインが１２７μmピッチで配置されていた。
【００７１】
次に、第二の配線５とのコンタクト部に重なるように位置合わせを施した上で、導電ペーストを用いて、第一の配線２上に導電バンプ４のパターンをスクリーン印刷し、１２０℃のオーブンで１時間乾燥させて、導電バンプ４を形成した。このとき、導電バンプ４は、実測値で直径５５〜６０μmの円形であり、両脇の第一の領域３ａのラインに一部が乗り上げた形で形成されていた。
【００７２】
さらに、第一の領域３ａ及び導電バンプ４と重ならないように位置合わせを施した上で、絶縁ペーストＤを用いて、図１３（ｂ）に示すパターンをスクリーン印刷し、１００℃のオーブンで３０分間乾燥させて、第二の領域３ｂを形成した。このとき、第二の領域３ｂは、第一の領域３ａと導電バンプ４の間の隙間を埋めると共に、その一部が第一の領域３ａと導電バンプ４に乗り上げた形で形成されていた。なお、光学顕微鏡を用いて、全ての導電バンプ４が層間絶縁膜３の表面から突出していることを確認した。
【００７３】
最後に、導電バンプ４に重なるように第二の配線５を形成することにより、多層配線構造を得た。
【００７４】
次に、第一の配線２及び第二の配線５のコンタクトチェーンを評価した。２００個のコンタクトチェーンを１０箇所評価した結果、全ての箇所において、貫通孔１個当たりの抵抗の平均値が６Ωであり、良好なコンタクト抵抗が得られた。
（実施例６）
図１０に示すように、ポリカーボネート基板１上に、インクジェット法によりナノ銀インクをパターン印刷し、乾燥させて、ゲート電極９を形成した。次に、熱重合型ポリイミドをスピンコート塗布し、１９０℃で熱処理して、ゲート絶縁膜１０を形成した。形成されたゲート絶縁膜１０は、比誘電率が３．６、膜厚が０．４μｍであった。さらに、ソース電極２ａ及びドレイン電極２ｂを形成する領域に、フォトマスクを介して紫外線を照射し、表面改質を実施した。次に、インクジェット法によりナノ銀インクをパターン印刷し、乾燥させて、ソース電極２ａ及びドレイン電極２ｂを形成した。さらに、構造式
【００７５】
【化１】
2008147614.tif 000003
で表される有機半導体材料をキシレンに溶解させることによりインク化したものを、インクジェット法によりパターン印刷し、乾燥させて、有機半導体層１１を形成し、有機トランジスタを得た。得られた有機トランジスタは、チャネル長が１０μｍ、チャネル幅が２００μｍであった。
【００７６】
層間絶縁膜３用及び導電バンプ４用のスクリーン印刷版としては、実施例２と同様のものを用いた。絶縁ペーストとしては、ポリビニルブチラール樹脂をエチレングリコールモノヘキシルエーテルに溶解させ、比表面積が８０ｍ２／ｇのシリカフィラーと比表面積が２０ｍ２／ｇのチタン酸バリウムフィラーを添加して、粘度を約２５０Ｐａ・秒に調整した絶縁ペーストＥ、ポリビニルブチラール樹脂を溶剤に溶解させ、比表面積が３０ｍ２／ｇのシリカフィラーと比表面積が２０ｍ２／ｇのチタン酸バリウムフィラーを添加して、粘度を約１００Ｐａ・秒に調整した絶縁ペーストＦを用いた。なお、絶縁ペーストＥ及びＦの組成重量比率は同一になるように調整した。導電ペーストとしては、実施例１と同様のものを用いた。
【００７７】
有機トランジスタ上に、上部電極５ａとのコンタクト部に重ならないように位置合わせを施した上で、絶縁ペーストＥを用いて、有機半導体層１１を覆うようにして図１２（ａ）のパターンをスクリーン印刷し、真空オーブンを用いて、減圧下で１００℃に加熱して乾燥させ、第一の領域３ａを形成した。次に、上部電極５ａとのコンタクト部に重なるように位置合わせを施した上で、導電ペーストを用いて、ソース電極２ａ上に導電バンプ４のパターンをスクリーン印刷し、１２０℃で乾燥させて、導電バンプ４を形成した。さらに、第一の領域３ａ及び導電バンプ４と重ならないように位置合わせを施した上で、絶縁ペーストＤを用いて、図１２（ｂ）に示すパターンをスクリーン印刷し、１００℃で乾燥させて、第二の領域３ｂを形成した。最後に、銀微粒子、アクリル樹脂及び溶剤からなる銀ペーストを用いて、導電バンプ４に重なるように上部電極５ａのパターンをスクリーン印刷し、乾燥させて、有機トランジスタと導通することが可能な上部電極５ａを形成し、トランジスタ素子が格子状に設けられているアクティブマトリクス基板を得た。
【００７８】
次に、酸化チタン２０重量部、酸ポリマー１重量部、シリコーンポリマーグラフトカーボンブラックＭＸ３−ＧＲＸ−００１（日本触媒社製）２重量部及びシリコーンオイルＫＦ９６Ｌ−１ｃｓ（信越化学工業社製）７７重量部を混合した後、超音波で１時間分散させることにより、白黒粒子分散液を調製した。さらに、ゼラチンとアラビアゴムを用いたコンプレックスコアセルベーション法によって、白黒粒子分散液をマイクロカプセル化した。このとき、マイクロカプセルの平均粒径は、約６０μｍであった。得られたマイクロカプセルをウレタン樹脂溶液に分散させた分散液を、ワイヤーブレード法を用いて、透明電極膜付きフィルム基板上に展開し、均一なマイクロカプセルシートを形成することにより、電気泳動表示素子を得た。
【００７９】
得られた電気泳動表示素子をアクティブマトリクス基板と接合することにより、図１１に示すような画像表示装置を得た。なお、得られた画像表示装置は、解像度２００ｐｐｉ相当のモノクロ表示が可能であることを確認した。
【００８０】
（実施例７）
図１０に示すように、ガラス基板１上に、インクジェット法によりナノ銀インクをパターン印刷し、乾燥させて、ゲート電極９を形成した。次に、熱重合型ポリイミドをスピンコート塗布し、２８０℃で熱処理して、ゲート絶縁膜１０を形成した。形成されたゲート絶縁膜１０は、比誘電率が３．６、膜厚が０．４μｍであった。さらに、ゲート絶縁膜１０のソース電極２ａ及びドレイン電極２ｂを形成する領域に、フォトマスクを介して、紫外線を照射し、表面改質を実施した。次に、インクジェット法によりナノ銀インクをパターン印刷し、乾燥させて、ソース電極２ａ及びドレイン電極２ｂを形成した。さらに、実施例６と同様の有機半導体材料をキシレンに溶解させてインク化したものを、インクジェット法によりパターン印刷し、乾燥させて、有機半導体層１１を形成し、有機トランジスタを得た。得られた有機トランジスタは、チャネル長が１０μm、チャネル幅が７０μmであった。
【００８１】
層間絶縁膜３及び導電バンプ４用のスクリーン印刷版、絶縁ペースト及び導電ペーストとしては、実施例６と同様のものを用いた。
【００８２】
有機トランジスタ上に、図１０に示すように、上部電極５ａとのコンタクト部に重ならないように位置合わせを施した上で、絶縁ペーストＣを用いて、有機半導体層１１を覆うようにして図１３（ａ）のパターンをスクリーン印刷し、真空オーブンを用いて、減圧下で１００℃に加熱して乾燥させ、第一の領域３ａを形成した。次に、上部電極５ａとのコンタクト部に重なるように位置合わせを施した上で、導電ペーストを用いて、ソース電極２ａ上に導電バンプ４のパターンをスクリーン印刷し、１２０℃で乾燥させて、導電バンプ４を形成した。さらに、第一の領域３ａ及び導電バンプ４と重ならないように位置合わせを施した上で、絶縁ペーストＤを用いて、図１３（ｂ）に示すパターンをスクリーン印刷し、１００℃で乾燥させて、第二の領域３ｂを形成した。最後に、銀微粒子、アクリル樹脂及び溶媒からなる銀ペーストを用いて、導電バンプ４に重なるようにスクリーン印刷し、乾燥させて、有機トランジスタと導通することが可能な上部電極５ａを形成し、トランジスタ素子が格子状に設けられているアクティブマトリクス基板を得た。
【００８３】
次に、酸化チタン２０重量部、酸ポリマー１重量部、シリコーンポリマーグラフトカーボンブラックＭＸ３−ＧＲＸ−００１（日本触媒社製）２重量部及びシリコーンオイルＫＦ９６Ｌ−１ｃｓ（信越化学工業社製）７７重量部を混合した後、超音波で１時間分散させることにより、白黒粒子分散液を調製した。さらに、ゼラチンとアラビアゴムを用いたコンプレックスコアセルベーション法によって、白黒粒子分散液をマイクロカプセル化した。このとき、マイクロカプセルの平均粒径は、約６０μｍであった。得られたマイクロカプセルをウレタン樹脂溶液に分散させた分散液を、ワイヤーブレード法を用いて、透明電極膜付きフィルム基板上に展開し、均一なマイクロカプセルシートを形成することにより、電気泳動表示素子を得た。
【００８４】
得られた電気泳動表示素子をアクティブマトリクス基板と接合することにより、図１１に示すような画像表示装置を得た。なお、得られた画像表示装置は、解像度２００ｐｐｉ相当のモノクロ表示が可能であることを確認した。
【図面の簡単な説明】
【００８５】
【図１】本発明の多層配線構造の一例を示す断面図である。
【図２】本発明の多層配線構造の製造方法の一例を示す図である。
【図３】本発明の多層配線構造の製造方法の他の例を示す図である。
【図４】導電バンプを形成した後に層間絶縁膜の第一の領域を形成する印刷方法及びその印刷結果を示す図である。
【図５】層間絶縁膜の第一の領域を形成した後に導電バンプを形成する印刷方法を示す図である。
【図６】導電バンプの上部に導電ペーストを塗布する印刷方法を示す断面図である。
【図７】層間絶縁膜の第一の領域及び第二の領域の位置合わせ精度が不十分である場合の印刷結果を示す図である。
【図８】第一の絶縁ペーストの粘度を第二の絶縁ペーストの粘度よりも高くした場合の印刷結果を示す図である。
【図９】本発明のトランジスタ素子の一例を示す断面図である。
【図１０】本発明のトランジスタ素子の他の例を示す図である。
【図１１】本発明の画像表示装置の一例を示す断面図である。
【図１２】実施例２のスクリーン印刷版を用いて印刷される層間絶縁膜のパターンを示す図である。
【図１３】実施例５のスクリーン印刷版を用いて印刷される層間絶縁膜のパターンを示す図である。
【符号の説明】
【００８６】
１    基板
２    第一の配線
２ａ    ソース電極
２ｂ    ドレイン電極
３    層間絶縁膜
３ａ    第一の領域
３ｂ    第二の領域
４    導電バンプ
４ａ    導電ペースト
５    第二の配線
５ａ    上部電極
５ｂ    画素電極
６    スキージ
７    メッシュ
８    乳剤
９    ゲート電極
１０    ゲート絶縁膜
１１    有機半導体層
１２    アクティブマトリクス基板
１３    支持基板
１４    透明電極
１５    マイクロカプセル
１６    電気泳動表示素子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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