(57)【要約】【課題】従来のセル識別の生成方式より生産性が顕著に向上した新しいセル識別の形成方法及びその形成方法を通じて生産される表示基板及び表示装置を提供する。【解決手段】基板上に金属を蒸着して金属層を形成する段階と、前記金属層上にフォトレジストを塗布してフォトレジストフィルムを形成する段階と、セル（ｃｅｌｌ）識別（ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）パターンに相応する光遮断パターンを含むマスクを通じて前記フォトレジストフィルムを露光する段階と、前記露光されたフォトレジストフィルムを現像する段階と、前記現像されたフォトレジストフィルムを用いて前記金属層をエッチングして前記セル識別パターンを含む金属パターンを形成する段階と、前記セル識別パターン内の記号にレーザーを照射する段階とを有する。【選択図】      図４
2008122964.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に金属を蒸着して金属層を形成する段階と、
前記金属層上にフォトレジストを塗布してフォトレジストフィルムを形成する段階と、
セル（ｃｅｌｌ）識別（ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）パターンに相応する光遮断パターンを含むマスクを通じて前記フォトレジストフィルムを露光する段階と、
前記露光されたフォトレジストフィルムを現像する段階と、
前記現像されたフォトレジストフィルムを用いて前記金属層をエッチングして前記セル識別パターンを含む金属パターンを形成する段階と、
前記セル識別パターン内の記号にレーザーを照射する段階とを有することを特徴とするセル識別の形成方法。
【請求項２】
前記フォトレジストフィルムを除去する段階を更に有することを特徴とする請求項１に記載のセル識別の形成方法。
【請求項３】
前記セル識別パターンは、セル識別アレイを含んでなることを特徴とする請求項１に記載のセル識別の形成方法。
【請求項４】
前記セル識別パターンは、複数のセル識別アレイを含んでなり、該各セル識別アレイは、前記基板の生産年度、生産月度、及び製造単位数量に対応することを特徴とする請求項１に記載のセル識別の形成方法。
【請求項５】
基板上にフォトレジストを塗布してフォトレジストフィルムを形成する段階と、
セル識別パターンに相応するレチクル（ｒｅｔｉｃｌｅ）を含むマスクを通じて前記フォトレジストフィルムを露光する段階と、
前記露光されたフォトレジストフィルムを現像する段階と、
前記現像されたフォトレジストフィルム上に金属を蒸着して金属層を形成する段階と、
前記現像されたフォトレジストフィルムを除去して前記セル識別パターンを含む金属パターンを形成する段階と、
前記セル識別パターン内の記号にレーザーを照射する段階とを有することを特徴とするセル識別の形成方法。
【請求項６】
画像を表示するための表示領域及び周辺領域が定義されているベース基板と、
前記周辺領域内に配置され、複数の記号を含むセル識別アレイと該セル識別アレイの前記記号の内の少なくとも一つの上に印付けされるマーク（ｍａｒｋ）とを含むセル識別とを有することを特徴とする表示基板。
【請求項７】
前記セル識別は、互いに異なる表示基板の間で製造工程の間で変化する過渡的な情報を表示する一時部分（ｔｒａｎｓｉｅｎｔ  ｐａｒｔ）を含むことを特徴とする請求項６に記載の表示基板。
【請求項８】
前記セル識別は、互いに異なる表示基板の間で製造工程の間で変化しない、定常（ｓｔｅａｄｙ）な情報を表示する定常部分（ｓｔｅａｄｙ  ｐａｒｔ）を更に含むことを特徴とする請求項７に記載の表示基板。
【請求項９】
前記ベース基板上に配置され、画像を表示する画素アレイを更に有することを特徴とする請求項６に記載の表示基板。
【請求項１０】
画像を表示するための表示領域及び周辺領域が定義されているベース基板と、
前記周辺領域内に配置され、複数の記号を含むセル識別アレイと該セル識別アレイの前記記号の内の少なくとも一つ上に印付けされるマーク（ｍａｒｋ）とを含むセル識別と、
前記表示基板と組み合わされる対向基板と、
前記ベース基板と前記対向基板との間に介在される液晶層とを有することを特徴とする表示装置。
【請求項１１】
前記セル識別アレイは、金属パターンを含んでなることを特徴とする請求項１０に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、セル識別の形成方法及びセル識別を含む表示基板と表示装置に関し、詳細には従来のセル識別の生成方式より生産性が顕著に向上したセル識別の形成方法及びセル識別を含む表示基板と表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は、パネルの履歴がわかるようにパネル内にいわゆるセル識別（Ｃｅｌｌ  ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ：ＩＤ）ということを刻む。セル識別は、パネルの不良分析及び事後管理のために必ず必要である。
【０００３】
中大型パネルの場合、母基板１枚当たり形成しなければならないセル識別が２〜８個程度であるので、製造工程時のフォトレジスト膜への露光時間と対比してセル識別の形成に所要される時間が少ないので影響が大きくない一方、中小型パネルの場合、母基板１枚当たり形成しなければならないセル識別が少なくて数十個から多くは数百個に至るので、セル識別の形成が工程所要時間（Ｔａｃｋ  Ｔｉｍｅ）を増加させる。近年、中小型製品の製造に次第に大型母基板を用いる場合が多くなることに応じてこの問題が次第に深刻になっているという問題がある。
【０００４】
セル識別を形成しないと、生産性が向上するが、以後、発生するＦＡＢ不良や販売後のサービス管理のためのパネル履歴の追跡のためにはセル識別の形成の省略は許容することができない。
よって、生産性向上をすることができるセル識別の形成方法が要求されている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
そこで、本発明は上記従来のセル識別の形成方法における問題点に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、従来のセル識別の生成方式より生産性が顕著に向上した新しいセル識別の形成方法及びその形成方法を通じて生産される表示基板及び表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するためになされた本発明によるセル識別の形成方法は、基板上に金属を蒸着して金属層を形成する段階と、前記金属層上にフォトレジストを塗布してフォトレジストフィルムを形成する段階と、セル（ｃｅｌｌ）識別（ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）パターンに相応する光遮断パターンを含むマスクを通じて前記フォトレジストフィルムを露光する段階と、前記露光されたフォトレジストフィルムを現像する段階と、前記現像されたフォトレジストフィルムを用いて前記金属層をエッチングして前記セル識別パターンを含む金属パターンを形成する段階と、前記セル識別パターン内の記号にレーザーを照射する段階とを有することを特徴とする。
【０００７】
また、上記目的を達成するためになされた本発明によるセル識別の形成方法は、基板上にフォトレジストを塗布してフォトレジストフィルムを形成する段階と、セル識別パターンに相当するレチクル（ｒｅｔｉｃｌｅ）を含むマスクを通じて前記フォトレジストフィルムを露光する段階と、前記露光されたフォトレジストフィルムを現像する段階と、前記現像されたフォトレジストフィルム上に金属を蒸着して金属層を形成する段階と、前記現像されたフォトレジストフィルムを除去して前記セル識別パターンを含む金属パターンを形成する段階と、前記セル識別パターン内の記号にレーザーを照射する段階とを有することを特徴とする。
【０００８】
上記目的を達成するためになされた本発明による表示基板は、画像を表示するための表示領域及び周辺領域が定義されているベース基板と、前記周辺領域内に配置され、複数の記号を含むセル識別アレイと該セル識別アレイの前記記号の内の少なくとも一つの上に印付けされるマーク（ｍａｒｋ）とを含むセル識別とを有することを特徴とする。
【０００９】
上記目的を達成するためになされた本発明による表示装置は、画像を表示するための表示領域及び周辺領域が定義されているベース基板と、前記周辺領域内に配置され、複数の記号を含むセル識別アレイと該セル識別アレイの前記記号の内の少なくとも一つ上に印付けされるマーク（ｍａｒｋ）とを含むセル識別と、前記表示基板と組み合わされる対向基板と、前記ベース基板と前記対向基板との間に介在される液晶層とを有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明に係るセル識別の形成方法及びセル識別を含む表示基板と表示装置によれば、工程所要時間を相当節約することができるので、生産性の向上に寄与することができるだけでなく、従来技術のように一部のセル識別工程を省略する必要がないという効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
次に、本発明に係るセル識別の形成方法及びセル識別を含む表示基板と表示装置を実施するための最良の形態の具体例を図面を参照しながら説明する。
図１及び図２は、従来技術によるセル識別の一例を示した概略図である。
図１及び図２を参照すると、基板上に画像が表示される表示領域８０及び表示領域８０を囲む周辺領域８５が定義される。
【００１２】
周辺領域８５内に配置されるセル識別（２０、３０）には製造ライン、製品名、製造年度、製造月度、製造単位数量、母基板内の位置情報などが入るようになる。セル識別に記入される多様な情報のうち、製造ライン２１、製品名２３、母基板内の位置情報２７のような情報つまり製造工程時に変わらない、定常部分（ｓｔｅａｄｙ  ｐａｒｔ）２０は、マスク上に標記してフォトリソグラフィ工程時に自動的に形成されるようにしている。
【００１３】
しかし、製造工程時、例えば、互いに異なる母基板の間で、その時点及び数量によって変化する一時部分（ｔｒａｎｓｉｅｎｔ  ｐａｒｔ）３０である製造年度３１、製造月度３３、製造単位数量３５などは、図２に示すように、レーザー５０を用いて一々記入している。
【００１４】
図３は、本発明の一実施形態によるセル識別パターンを含む表示基板を示す概略図であり、図４は、レーザーなどを用いて図３のセル識別パターンのうち、該当部分に認識可能な印付けをしてセル識別を完成した状態を示した概略図である。
図３及び図４を参照すると、基板上に画像が表示される表示領域１８０及び表示領域１８０を囲む周辺領域１８５が定義される。
【００１５】
周辺領域１８５内に形成されるセル識別２０１は、セル識別パターン１００とセル識別パターン１００上に形成された認識可能なマーク（ｍａｒｋ）２００で構成される。
【００１６】
セル識別パターン１００は、セル識別を構成する情報のうち、それぞれの製造工程実施によって変わらない定常部分（ｓｔｅａｄｙ  ｐａｒｔ）１２０及びそれぞれの製造工程実施によって一時部分（ｔｒａｎｓｉｅｎｔ  ｐａｒｔ）１１０を含む。
【００１７】
それぞれの製造工程実施によって変わらない定常部分１２０は、製造ライン１２１、製品名１２３、母基板内の位置情報１２７などを示す。
それぞれの製造工程実施によって変わる一時部分１１０は、複数のセル識別アレイ（１０１、１０３、１０５）を含む。本実施形態で、セル識別アレイ（１０１、１０３、１０５）は、製造年度を示すセル識別アレイ１０１、製造月度を示すセル識別アレイ１０３、製造単位数量を示すセル識別アレイ１０５を含む。
【００１８】
それぞれのセル識別アレイ（１０１、１０３、１０５）は、変化可能な全ての文字及び数字記号全てを含むように構成される。例えば、製造年度を示すセル識別アレイ１０１は、製品製造が継続された期間およびこれから製造される期間の年度の個数に対応する記号を含む。また、製造月度を示すセル識別アレイ１０３は、１２ヶ月に対応する１２個の記号を含む。
【００１９】
このようなセル識別パターン１００上の該当位置にレーザー１５０などを通じて認識可能なマーク２００をしてセル識別２０１を完成する。本実施形態で、セル識別２０１は、「６−Ｇ−００１−Ａ−１３」を示す。
【００２０】
セル識別パターン１００は、ゲート金属パターンの形成時、基板の非表示領域に同時に形成することが望ましい。このような金属パターンの形成工程には多様な公知技術を適用することができ、詳細な説明を省略する。一方、ゲート金属パターンではないデータ金属パターンを通じてセル識別パターン１００を形成することもでき、その他の金属ではない他の層を用いて形成することもできる。どの層を用いるか、また、その形成方法は公知された該当層の形成工程をそのまま用いることができる。
【００２１】
図１及び図２のセル識別を構成する情報のうち、それぞれの製造工程実施と共に変わらない定常部分２０は、ゲート金属層の形成のためのフォトリソグラフィ工程と同時に形成することができる。しかし、それぞれの製造工程実施と共に変わる一時部分３０は、レーザーなどを用いて一々記号全体を表示しなければならないので、相当時間が所要される。
【００２２】
これに対して、図３及び図４のそれぞれの製造工程実施と共に変わる一時部分１１０は、ゲート金属層の形成のためのフォトリソグラフィ工程時、セル識別パターン１００を同時に形成した後、上記実施形態のように該当記号に簡単な斑点などのマーク２００を印付けしてセル識別２０１を完成することができるので、工程所要時間を相当節約することができる。
【００２３】
図５は、本発明の一実施形態による液晶表示装置を示す断面図である。
図５を参照すると、本発明の一実施形態による液晶表示装置は、ベース基板４００、セル識別２０１、対向基板３００、シーラント（ｓｅａｌａｎｔ）５１０、及び液晶層５００を含む。
【００２４】
セル識別２０１は、図３及び図４に示したセル識別と同一であるので、重複する説明は省略する。
ベース基板４００の画素領域１８０内には画素アレイ４１０が形成される。画素アレイ４１０は、複数の薄膜トランジスタ（図示せず）、薄膜トランジスタに電気的に接続された複数のゲート及びデータライン（図示せず）及び薄膜トランジスタのドレイン電極に電気的に接続された複数の画素電極（図示せず）を含む。
【００２５】
ベース基板４００、セル識別２０１、及び画素アレイ４１０は、表示基板を形成する。
対向基板３００は、ベース基板４００に対向して結合される。
液晶層５００は、ベース基板４００と対向基板３００との間に介在され、画素電極と共通電極（図示せず）との間に印加された電界によって液晶分子の配向を変え、それにより液晶層５００の光透過度が変わる。
【００２６】
シーラント５１０は、ベース基板４００と対向基板３００のエッジを囲んで液晶層５００を密封する。
【００２７】
図６〜図８は、図３、図４に示したセル識別の形成方法を説明するための概略断面図である。
図６を参照すると、まず、スパッタリング工程などを通じてベース基板４００上に金属層４０１を蒸着する。
【００２８】
その後、金属層４０１上にフォトレジストを塗布してフォトレジストフィルム４０２を形成する。
その後、セル識別パターンに相応する光遮断パターン４５０ａを含むマスク４５０を通じてフォトレジストフィルムを露光する。本実施形態で、フォトレジストフィルム４０２は、ポジティブフォトレジストを含み、光遮断パターン４５０ａは、光を遮断する不透明部を含む。
【００２９】
図７を参照すると、続いて、露光されたフォトレジストフィルムを現像し、金属層４０１上にフォトレジストパターン４０３を形成する。
図８を参照すると、その後、フォトレジストパターン４０３を用いて金属層（図７の４０１）をエッチングしてセル識別パターン（１１０、１２０）を含む金属パターンを形成する。
その後、セル識別パターン（１１０、１２０）上のフォトレジストパターン４０３を除去する。
【００３０】
セル識別パターン（１１０、１２０）は、それぞれの製造工程実施によって変わる情報を表示する一時部分１１０及びそれぞれの製造工程実施に関係なく一定の情報を含む定常部分１２０を含む。
その後、セル識別パターン（１１０、１２０）のうち、該当部分にレーザー１５０を照射してマーク２００を印付けしてセル識別を形成する。
【００３１】
図９〜図１１は、本発明の他の実施形態によるセル識別の形成方法を説明するための概略断面図である。
図９を参照すると、まず、ベース基板４００上にフォトレジストを塗布してフォトレジストフィルム４６１を形成する。
【００３２】
その後、セル識別パターンに相応するパターン（レチクル：ｒｅｔｉｃｌｅ）４５５ａを含むマスク４５５を通じてフォトレジストフィルム４６１を露光する。本実施形態で、フォトレジストフィルム４６１は、ネガティブフォトレジストを含み、パターン４５５ａは、光を透過させる透明部を含む。
【００３３】
図１０を参照すると、露光されたフォトレジストフィルム（図９の４６１）を現像してフォトレジストパターン４６２を形成する。本実施形態で、フォトレジストパターン４６２の下部に配置された導電パターン（図示せず）、絶縁パターン（図示せず）、などを形成するエッチング工程を調節してフォトレジストパターン４６２の下部にアンダーカット（図示せず）を形成する。ここで、フォトレジストパターン４６２に対しアッシング（ａｓｈｉｎｇ）工程を行い、フォトレジストパターン４６２の表面に凹凸（ｒｅｃｅｓｓ）（図示せず）を形成することもできる。
【００３４】
続いて、スパッタリング工程などを通じてフォトレジストパターン４６２上に金属層４６３を蒸着する。
図１１を参照すると、現像液を用いてフォトレジストパターン４６２を除去してフォトレジストパターン４６２上に配置された金属層４６３をリフトオフさせる。本実施形態で、現像液は、アンダーカットを通じて染み込みフォトレジストパターン４６２と接触する。このようにして、セル識別パターン（１１０、１２０）を含む金属パターンが形成される。
その後、セル識別パターン（１１０、１２０）のうち、該当部分にレーザー１５０を照射してマーク２００を印付けしてセル識別を形成する。
【００３５】
尚、本発明は、上述の実施形態に限られるものではない。本発明の技術的範囲から逸脱しない範囲内で多様に変更実施することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】従来技術によるセル識別の一例を示した概略図である。
【図２】従来技術によるセル識別の一例を示した概略図である。
【図３】本発明の一実施形態によるセル識別パターンを含む表示基板を示す概略図である。
【図４】レーザーなどを用いて図３のセル識別パターンのうち、該当部分に認識可能な印付けをしてセル識別を完成した状態を示した概略図である。
【図５】本発明の一実施形態による液晶表示装置を示す断面図である。
【図６】図３、図４に示したセル識別の形成方法を説明するための概略断面図である。
【図７】図３、図４に示したセル識別の形成方法を説明するための概略断面図である。
【図８】図３、図４に示したセル識別の形成方法を説明するための概略断面図である。
【図９】本発明の他の実施形態によるセル識別の形成方法を説明するための概略断面図である。
【図１０】本発明の他の実施形態によるセル識別の形成方法を説明するための概略断面図である。
【図１１】本発明の他の実施形態によるセル識別の形成方法を説明するための概略断面図である。
【符号の説明】
【００３７】
１００      セル識別パターン
１０１、１０３、１０５    セル識別アレイ
１１０      一時部分（ｔｒａｎｓｉｅｎｔ  ｐａｒｔ）
１２０      定常部分（ｓｔｅａｄｙ  ｐａｒｔ）
１５０      レーザー
１８０      表示領域（画素領域）
１８５      周辺領域
２００      マーク
２０１      セル識別
３００      対向基板
４００      ベース基板
４０１、４６３    金属層
４０２、４６１    フォトレジストフィルム
４０３、４６２    フォトレジストパターン
４１０      画素アレイ
４５０、４５５    マスク
４５０ａ      光遮断パターン
４５５ａ      パターン（レチクル：ｒｅｔｉｃｌｅ）
５００      液晶層
５１０      シーラント
【図１】
2008122964.tif 000003
【図２】
2008122964.tif 000004
【図３】
2008122964.tif 000005
【図４】
2008122964.tif 000006
【図５】
2008122964.tif 000007
【図６】
2008122964.tif 000008
【図７】
2008122964.tif 000009
【図８】
2008122964.tif 000010
【図９】
2008122964.tif 000011
【図１０】
2008122964.tif 000012
【図１１】
2008122964.tif 000013