(57)【要約】【課題】発光材料および/または電子輸送材料としての特性、例えば、蛍光強度、電荷輸送性等に優れる高分子化合物を提供する。【解決手段】下記式（１）および式（２）で示される繰り返し単位を含み、ポリスチレン換算の数平均分子量が１０3〜１０8である高分子化合物。2008133298.tif 000039〔式中、Ａｒ1およびＡｒ2、アリーレン基または２価の複素環基を表す。また、Ａｒ3はアリーレン基、アリーレンビニレン基または２価の複素環基を表す。ｘは１〜１０の整数を表す。Ａｒ4およびＡｒ5はそれぞれ独立に、アリール基または１価の複素環基を表す。〕−Ａｒ6−              （２）〔式中、Ａｒ6は、フェニレン基、スチルベン−ジイル基、ジスチルベン−ジイル基、フルオレン−ジイル基、２価の縮合多環芳香族基、２価の単環性複素環基、２価の縮合多環複素環基、または２価の芳香族アミン基を表す。〕【選択図】          なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｎ、Ｎ−ビス（４−ブロモフェニル）−Ｎ’、Ｎ’−ジフェニル−１、４−フェニレンジアミン
【請求項２】
Ｎ、Ｎ−ビス（４−ブロモフェニル）−Ｎ’−（３−メチルフェニル）−Ｎ’−フェニルベンジジン
【請求項３】
Ｎ、Ｎ−ビス（４−ブロモフェニル）−Ｎ’、Ｎ'−ビス（４−ブチルフェニル）−１、４−フェニレンジアミン
【請求項４】
Ｎ、Ｎ−ビス（４−ブロモフェニル）−Ｎ’、Ｎ'−ビス（４−メチルフェニル）−１、４−フェニレンジアミン
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高分子化合物およびそれを用いた高分子発光素子（以下、高分子Ｌ
ＥＤということがある。）に関する。
【背景技術】
【０００２】
高分子量の発光材料や電荷輸送材料は低分子量のそれとは異なり、溶媒に可溶
で塗布法により発光素子における発光層等を形成できることから、種々検討され
ており、その例として、フェニレン基、窒素原子、フェニレン基がこの順に連結
され、該窒素原子がフェニル基で置換された構造を有する繰り返し単位と、ター
フェニレンジイル基等の芳香族基からなる繰り返し単位とを有する高分子化合物
が知られている（例えば、特許文献1）。
【０００３】
【特許文献１】特開平１１―２４６６６０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の目的は、発光材料および/または電子輸送材料としての特性、例えば
、蛍光強度、電荷輸送性等に優れる高分子化合物を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明者等は、上記課題を解決すべく鋭意検討した結果、繰り返し単位として
、芳香環、窒素原子、芳香環がこの順に連結し、該窒素原子がジアリールアミノ
基を末端に有する芳香族基で置換された構造を有する繰り返し単位と、フェニレ
ン基等の芳香族基からなる繰り返し単位とを含む高分子化合物が発光材料および
/または電子輸送材料としての特性に優れることを見出し、本発明に至った。
【０００６】
すなわち本発明は、下記式（１）および式（２）で示される繰り返し単位を含
み、ポリスチレン換算の数平均分子量が１０3〜１０8である高分子化合物に係る
ものである。
2008133298.tif 000002
〔式中、Ａｒ1およびＡｒ2はそれぞれ独立に、アリーレン基または２価の複素
環基を表す。また、Ａｒ3はアリーレン基、アリーレンビニレン基または２価の
複素環基を表す。ｘは１〜１０の整数を表す。Ａｒ3が複数存在する場合、それ
らは同一でも異なっていてもよい。Ａｒ4およびＡｒ5はそれぞれ独立に、アリ
ール基または１価の複素環基を表す。〕
−Ａｒ6−              （２）
〔式中、Ａｒ6は、フェニレン基、スチルベン−ジイル基、ジスチルベン−ジイ
ル基、フルオレン−ジイル基、２価の縮合多環芳香族基、２価の単環性複素環基
、２価の縮合多環複素環基、または２価の芳香族アミン基を表す。〕
【発明の効果】
【０００７】
本発明の高分子化合物は、発光材料および/または電子輸送材料としての特性
に優れており、高分子ＬＥＤ用発光材料や電荷輸送材料として好適に用いること
ができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
本発明の高分子化合物は、ポリスチレン換算の数平均分子量が１０3〜１０8で
あって、上記式（１）および式（２）で示される繰り返し単位をそれぞれ１種類
以上含むことを特徴とする。中でも、固体状態で蛍光を有するものは、発光材料
（高分子蛍光体）として好適に用いられる。
【０００９】
まず本発明の高分子化合物における式（１）で示される繰り返し単位について
説明する。
式（１）で示される繰り返し単位に含まれるＡｒ1、Ａｒ2はそれぞれ独立に
、アリーレン基または２価の複素環基であり、また、Ａｒ3はアリーレン基、ア
リーレンビニレン基または２価の複素環基である。
【００１０】
本発明において、アリール基とは、芳香族炭化水素から、水素原子１個を除い
た残りの原子団である。アリーレン基とは、芳香族炭化水素から、水素原子２個
を除いた残りの原子団である。ここに芳香族炭化水素には、縮合環をもつもの、
独立したベンゼン環または縮合環が2個以上直接またはビニレン等の基を介して
結合したものも含まれる。
【００１１】
本発明において、１価の複素環基とは、複素環化合物から水素原子１個を除い
た残りの原子団をいう。２価の複素環基とは、複素環化合物から水素原子２個を
除いた残りの原子団をいう。ここに複素環化合物とは、環式構造をもつ有機化合
物のうち、環を構成する元素が炭素原子だけでなく、酸素、硫黄、窒素、リン、
ホウ素、ヒ素、珪素などのヘテロ原子を環内に含むものをいう。
【００１２】
式（１）において、ｘは１〜１０の整数を示し、好ましくは１〜５であり、更に
好ましくは１〜３である。
【００１３】
上記のＡｒ1、Ａｒ2、Ａｒ3は、置換基を有していてもよく、該置換基として
は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルシリル基、アリール
基、アリールオキシ基、アリールシリル基、アリールアルキル基、アリールアル
コキシ基、アリールアルキルシリル基、アリールアルケニル基、アリールアルキ
ニル基、1価の複素環基、シアノ基等があげられる。
Ａｒ1、Ａｒ2、Ａｒ3が置換基を有する場合は、隣接する置換基同士が結合し環
を形成していても良い。Ａｒ4、Ａｒ5が置換基を有する場合は、隣接する置換
基同士が結合し環を形成していても良く、また環同士が単結合で結合していても
よい。
【００１４】
ここにアルキル基は、直鎖、分岐または環状のいずれでもよく、炭素数は通常
１〜２０程度であり、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ｉ−プロ
ピル基、ブチル基、  ｉ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、イソアミル基
、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、２−エチルヘキシ
ル基、ノニル基、デシル基、３，７−ジメチルオクチル基、ラウリル基などが挙
げられ、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、デシル
基、３，７−ジメチルオクチル基が好ましい。
【００１５】
アルコキシ基は、直鎖、分岐または環状のいずれでもよく、炭素数は通常１〜
２０程度であり、具体的には、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ｉ
−プロピルオキシ基、ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ベンチル
オキシ基、イソアミルオキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、
ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ノニルオ
キシ基、デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基、ラウリルオキシ
基などが挙げられ、ペンチルオキシ基、イソアミルオキシ基、ヘキシルオキシ基
、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、デシルオキシ基、３，７−
ジメチルオクチルオキシ基が好ましい。
【００１６】
アルキルチオ基は、直鎖、分岐または環状のいずれでもよく、炭素数は通常１
〜２０程度であり、具体的には、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基
、  ｉ−プロピルチオ基、ブチルチオ基、  ｉ−ブチルチオ基、ｔ−ブチルチオ
基、ペンチルチオ基、イソアミルチオ基、ヘキシルチオ基、シクロヘキシルチオ
基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基、２−エチルヘキシルチオ基、ノニルチオ
基、デシルチオ基、３，７−ジメチルオクチルチオ基、ラウリルチオ基などが挙
げられ、ペンチルチオ基、イソアミルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基
、２−エチルヘキシルチオ基、デシルチオ基、３，７−ジメチルオクチルチオ基
が好ましい。
【００１７】
アルキルシリル基は、直鎖、分岐または環状のいずれでもよく、炭素数は通常
１〜６０程度であり、具体的には、メチルシリル基、エチルシリル基、プロピル
シリル基、  ｉ−プロピルシリル基、ブチルシリル基、ｉ−ブチルシリル基、ｔ
−ブチルシリル基、ペンチルシリル基、イソアミルシリル基、ヘキシルシリル基
、シクロヘキシルシリル基、ヘプチルシリル基、オクチルシリル基、２−エチル
ヘキシルシリル基、ノニルシリル基、デシルシリル基、３，７−ジメチルオクチ
ルシリル基、ラウリルシリル基、トリメチルシリル基、エチルジメチルシリル基
、プロピルジメチルシリル基、  ｉ−プロピルジメチルシリル基、ブチルジメチ
ルシリル基、ｔ−ブチルジメチルシリル基、ペンチルジメチルシリル基、ヘキシ
ルジメチルシリル基、ヘプチルジメチルシリル基、オクチルジメチルシリル基、
２−エチルヘキシル−ジメチルシリル基、ノニルジメチルシリル基、デシルジメ
チルシリル基、３，７−ジメチルオクチル−ジメチルシリル基、ラウリルジメチ
ルシリル基などが挙げられ、ペンチルシリル基、ヘキシルシリル基、オクチルシ
リル基、２−エチルヘキシルシリル基、デシルシリル基、３，７−ジメチルオク
チルシリル基、ペンチルジメチルシリル基、イソアミルジメチルシリル基、ヘキ
シルジメチルシリル基、オクチルジメチルシリル基、２−エチルヘキシル−ジメ
チルシリル基、デシルジメチルシリル基、３，７−ジメチルオクチル−ジメチル
シリル基が好ましい。
【００１８】
アリール基は、芳香族炭化水素から、水素原子１個を除いた残りの原子団であ
り、炭素数は通常６〜６０程度であり、具体的には、フェニル基、Ｃ1〜Ｃ12
アルキルフェニル基（Ｃ1〜Ｃ12は、炭素数１〜１２であることを示す。以下
も同様である。）、１−ナフチル基、２−ナフチル基などが例示され、フェニル
基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル基が好ましい。
【００１９】
アリールオキシ基は、炭素数は通常６〜６０程度であり、具体的には、フェノ
キシ基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェノキシ基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェノキ
シ基、１―ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基などが例示され、フェノキ
シ基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェノキシ基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェノキシ
基が好ましい。
【００２０】
アリールシリル基は、炭素数は通常７〜６０程度であり、具体的には、フェニ
ルジメチルシリル基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニルジメチルシリル基、Ｃ1
〜Ｃ12アルキルフェニルジメチルシリル基、１−ナフチルジメチルシリル基、
２−ナフチル−ジメチルシリル基などが例示され、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェ
ニルジメチルシリル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニルジメチルシリル基が好ま
しい。
【００２１】
アリールアルキル基は、炭素数は通常７〜６０程度であり、具体的には、フェ
ニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキル基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ1〜Ｃ1
2アルキル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキル基、１−
ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルキル基、２−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルキル基な
どが例示され、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキル基、Ｃ
1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキル基が好ましい。
【００２２】
アリールアミノ基は、炭素数は通常６〜６０程度であり、フェニルアミノ基、
ジフェニルアミノ基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニルアミノ基、ジ（Ｃ1〜Ｃ
12アルコキシフェニル）アミノ基、ジ（Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル）アミ
ノ基、１−ナフチルアミノ基、２−ナフチルアミノ基などが例示され、Ｃ1〜Ｃ
12アルキルフェニルアミノ基、ジ（Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル）アミノ基
が好ましい。
【００２３】
アリールアルコキシ基は、炭素数は通常７〜６０程度であり、具体的には、フ
ェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ1〜
Ｃ12アルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルコキシ
基、１−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルコキシ基、２−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12ア
ルコキシ基などが例示され、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ1〜Ｃ12ア
ルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルコキシ基が好ま
しい。
【００２４】
アリールアルキルシリル基は、炭素数は通常７〜６０程度であり、具体的には、
炭素数は通常７〜６０程度であり、具体的には、フェニル−Ｃ1〜Ｃ12ジメチ
ルシリル基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ1〜Ｃ12ジメチルシリル基
、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ1〜Ｃ12ジメチルシリル基、１−ナフチ
ル−Ｃ1〜Ｃ12ジメチルシリル基、２−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12ジメチルシリ
ル基などが例示され、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ1〜Ｃ12ジメチル
シリル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ1〜Ｃ12ジメチルシリル基が好
ましい。
【００２５】
アリールアルケニル基は、炭素数は通常８〜６０程度であり、具体的には、フェ
ニル−Ｃ2〜Ｃ12アルケニル基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ2〜Ｃ1
2アルケニル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ2〜Ｃ12アルケニル基、
１−ナフチル−Ｃ2〜Ｃ12アルケニル基、２−ナフチル−Ｃ2〜Ｃ12アルケニ
ル基などが例示され、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ2〜Ｃ12アルケニ
ル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ2〜Ｃ12アルケニル基が好ましい。
【００２６】
アリールアルキニル基は、炭素数は通常８〜６０程度であり、具体的には、フェ
ニル−Ｃ2〜Ｃ12アルキニル基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ2〜Ｃ1
2アルキニル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ2〜Ｃ12アルキニル基、
１−ナフチル−Ｃ2〜Ｃ12アルキニル基、２−ナフチル−Ｃ2〜Ｃ12アルキニ
ル基などが例示され、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ2〜Ｃ12アルキニ
ル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ2〜Ｃ12アルキニル基が好ましい。
【００２７】
1価の複素環基とは、複素環化合物から水素原子１個を除いた残りの原子団を
いい、炭素数は通常４〜６０程度であり、好ましくは４〜３０である。なお、複
素環基の炭素数には、置換基の炭素数は含まれない。具体的には、チエニル基、
Ｃ1〜Ｃ12アルキルチエニル基、ピロリル基、フリル基、ピリジル基、Ｃ1〜
Ｃ12アルキルピリジル基などが例示され、チエニル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキル
チエニル基、ピリジル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルピリジル基が好ましい。
【００２８】
置換基のうち、アルキルを含む置換基においては、それらは直鎖、分岐または
環状のいずれかまたはそれらの組み合わせであってもよく、直鎖でない場合、と
しては例えば、イソアミル基、２−エチルヘキシル基、３，７−ジメチルオクチ
ル基、シクロヘキシル基、４−Ｃ1〜Ｃ12アルキルシクロヘキシル基などが例示
される。また、隣接する置換基同士が結合し環を形成していても良い。さらに、
アルキルの一部の炭素原子がヘテロ原子またはヘテロ原子を含む基で置き換えら
れていてもよく、それらのヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子
などが例示される。
【００２９】
ヘテロ原子またはヘテロ原子を含む基としては、例えば、以下の基が挙げられ
る。
2008133298.tif 000003
ここで、Ｒ’としては、例えば、水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭
素数６〜６０のアリール基、炭素数４〜６０の１価の複素環基が挙げられる。
【００３０】
本発明において、アリーレン基としては、フェニレン基（例えば、下図の式１
〜３）、ナフタレンジイル基（下図の式４〜１３）、アントラセニレン基（下図
の式１４〜１９）、ビフェニレン基（下図の式２０〜２５）、トリフェニレン基
（下図の式２６〜２８）、縮合環化合物基（下図の式２９〜３８）などが例示さ
れる。中でもフェニレン基、ビフェニレン基、フルオレンージイル基（下図の式
３６〜３８）、インデノフルオレン−ジイル（下図３８Ａ〜３８Ｂ）が好ましい
。
【００３１】
2008133298.tif 000004
【００３２】
2008133298.tif 000005
【００３３】
2008133298.tif 000006
【００３４】
2008133298.tif 000007
【００３５】
2008133298.tif 000008
【００３６】
2008133298.tif 000009
【００３７】
本発明において、２価の複素環基としては、例えば以下のものが挙げられる。
ヘテロ原子として、窒素を含む基；ピリジンージイル基（下図の式３９〜４４
）、ジアザフェニレン基（下図の式４５〜４８）、キノリンジイル基（下図の式
４９〜６３）、キノキサリンジイル基（下図の式６４〜６８）、アクリジンジイ
ル基（下図の式６９〜７２）、ビピリジルジイル基（下図の式７３〜７５）、フ
ェナントロリンジイル基（下図の式７６〜７８）、など。
ヘテロ原子として酸素、けい素、窒素、硫黄、セレンなどを含みフルオレン構造
を有する基（下図の式７９〜９３）。
ヘテロ原子として酸素、けい素、窒素、硫黄、セレンなどを含む５員環複素環
基：（下図の式９４〜９８）が挙げられる。
ヘテロ原子としてけい素、窒素、硫黄、セレンなどを含む５員環縮合複素環基
：（下図の式９９〜１１０）が挙げられる。
ヘテロ原子としてけい素、窒素、硫黄、セレンなどを含む５員環複素環基でそ
のヘテロ原子のα位でフェニル基に結合している基：（下図の式１１１〜１１９
）が挙げられる。
【００３８】
2008133298.tif 000010
【００３９】
2008133298.tif 000011
【００４０】
2008133298.tif 000012
【００４１】
2008133298.tif 000013
【００４２】
2008133298.tif 000014
【００４３】
2008133298.tif 000015
【００４４】
2008133298.tif 000016
【００４５】
2008133298.tif 000017
【００４６】
2008133298.tif 000018
【００４７】
上記Ａｒ3において、アリーレンビニレン基とは、アリーレン基をビニレン基
で結合した基のことをいい、このときのアリーレン基は上記と同様の基を表す。
アリーレンビニレン基のアリーレン基を２価の複素環基と置き換えることもで
きる。
【００４８】
上記のＡｒ1、Ａｒ2、Ａｒ3の各例において、Ｒとしては、水素原子、アルキル
基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルシリル基、アリール基、アリール
オキシ基、アリールシリル基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、ア
リールアルキルシリル基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、１価
の複素環基、シアノ基等が挙げられる。
上記のＡｒ1、Ａｒ2、Ａｒ3の例において、１つの構造式中に複数のＲを有し
ているが、それらは同一であってもよいし、異なる基であってもよく、それぞれ
独立に選択される。また、Ａｒ1、Ａｒ2、Ａｒ3の置換基の炭素原子は、酸素原
子または硫黄原子と置き換えられていてもよいし、さらに、水素原子はフッ素原
子に置き換えられていてもよい。
【００４９】
Ａｒ1、Ａｒ2の中では、フェニレン、ナフタレンジイル、アントラセンジイル
、フェナンスレン、ピリジンジイル、キノキサリンジイルがより好ましく、更に
好ましくはフェニレン,ピリジンジイル、ナフタレンジイルであり、特に好まし
くはフェニレンである。
【００５０】
式（１）のＡｒ3は、下式（３）で表される基であることが好ましい。
2008133298.tif 000019
（式中、Ａ環は、フェニレン、ビフェニレン、ターフェニレン、フルオレンジイ
ル、ナフタレンジイル、アントラセンジイル、フェナンスレンジイル、ピリジン
ジイル、キノキサリンジイル、チエニレンを表し、Ｒ1は、アルキル基、アルコ
キシ基、アルキルチオ基、アルキルシリル基、アリール基、アリールオキシ基、
アリールシリル基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアル
キルシリル基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、1価の複素環基
またはシアノ基を表す。ｙは０〜１２の整数、好ましくは０〜４の整数を表す。
Ｒ1  が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。）
【００５１】
Ｒ1の中では、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、
アリールシリル基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基が好ましく、ア
ルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基がより好ましい。
これらの基の具体的な例としては、Ａｒ1、Ａｒ2およびＡｒ3の置換基として
挙げたものと同じ基が挙げられる。
【００５２】
また上記式（１）のＡｒ3が、下式（４）で表される基であることが好ましい
。
2008133298.tif 000020
（式中、Ｒ2およびＲ3は、それぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、アル
キルチオ基、アルキルシリル基、アリール基、アリールオキシ基、アリールシリ
ル基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルシリル基
、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、1価の複素環基またはシアノ
基を表す。Ｒ4およびＲ5は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリー
ル基、アリールアルキル基、1価の複素環基またはシアノ基を表す。ｚおよびｗ
はそれぞれ独立に０〜４の整数を表す。Ｒ2およびＲ3がそれぞれ複数存在する
場合、それらは同一でも異なっていてもよい。）
【００５３】
式（１）のＡｒ3が式（４）の場合においてｘは、好ましくは１〜５であり、更
に好ましくは１〜３であり、特に好ましくは１である。
【００５４】
ここで、Ａｒ4、Ａｒ5で示されるアリール基は、単環芳香族化合物あるいは縮
合多環芳香族化合物から、水素原子を１個除いた原子団である。炭素数が６〜６
０程度であり、好ましくは６〜３０である。具体的にはフェニル基、もしくはベ
ンゼン環２個から５個縮合した芳香族化合物基が好ましい。具体的には、フェニ
ル、ナフチル、アントラセニル、フェナンスレニル、ピレニル、ペリレニル、ナ
フタセニル、ペンタセニル、クリセニル、コロニルなどであり、フェニル、ナフ
チル、アントラセニルが好ましい。更に好ましくはフェニルである。
【００５５】
Ａｒ4、Ａｒ5で示される１価の複素環基は単環芳香族化合物あるいは縮合多環
芳香族化合物から、水素原子１個を除いた原子団である。炭素原子数は通常４〜
６０程度であり、好ましくは４〜３０である。
Ａｒ4、Ａｒ5で示される単環複素環化合物、縮合多環複素環基は、環を構成す
る元素が炭素原子だけでなく、酸素、硫黄、窒素、燐、硼素、砒素、珪素などの
ヘテロ原子を環内に含むものをいう。具体的には、ピリジル、ピリミジル、ピラ
ジル、チエニル、フリル、ピロリル、イミダゾリル、オキサジアゾイル、キノリ
ル、キノキサリル、アクリジニル、フェナントロリニル、ベンゾオキサゾーリル
、ベンゾチアゾリル、ベンゾオキサジアゾリル、ベンゾチアジアゾリル、ジベン
ゾフリル、ジベンゾチエニル、カルバゾイルなどであり、ピリジル、ピリミジル
、チエニル、オキサジアゾイル、キノリン、ベンゾオキサジアゾール、ベンゾチ
アジアゾール、カルバゾールが好ましい。
該Ａｒ4、Ａｒ5は、置換基を有していてもよく、該置換基としては、アルキル基
、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルシリル基、アリール基、アリールオ
キシ基、アリールシリル基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリ
ールアルキルシリル基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、1価の
複素環基等があげられる。隣接する置換基同士は結合し環を形成していても良い
。また、Ａｒ4、Ａｒ5が炭素―炭素単結合で連結されて、カルバゾール環を形
成していてもよい。
【００５６】
次に本発明の高分子化合物に含まれる式（２）で示される繰り返し単位につい
て説明する。
式（２）で示されるＡｒ6は、フェニレン基、スチルベン−ジイル基、ジスチ
ルベン−ジイル基、フルオレン−ジイル基、２価の縮合多環芳香族化合物基、２
価の縮合多環複素環基または２価の芳香族アミン基である。
Ａｒ6は、置換基を有していてもよく、該置換基としては、アルキル基、アル
コキシ基、アルキルチオ基、アルキルシリル基、アリール基、アリールオキシ基
、アリールシリル基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールア
ルキルシリル基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、1価の複素環
基等があげられる。
Ａｒ6が複数の置換基を有する場合は、置換基同士が結合し環を形成していても
良い。さらに、該置換基がアルキル鎖を含む基の場合は、該アルキル鎖は、ヘテ
ロ原子を含む基で中断されていてもよい。
【００５７】
ここで、フェニレン基としては、下記式（５）または式（６）で示される基が
好ましい。
2008133298.tif 000021
〔式中、Ｒ6は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルシリル
基、アリールオキシ基、アリールシリル基、アリールアルキル基、アリールアル
コキシ基、アリールアルキルシリル基、アリールアルケニル基、アリールアルキ
ニル基、1価の複素環基またはシアノ基を示す。Ｒ6として好ましくは、アルキ
ル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールオキシ基、アリールアルキル基
、アリールアルコキシ基であり、より好ましくは、アルキル基、アルコキシ基、
アルキルチオ基、アリールオキシ基、アリールアルコキシ基であり、特に好まし
くはアルコキシ基である。ｎは０〜４の整数を表す。Ｒ6が複数存在する場合、
それらは同一でも異なっていてもよい。〕
2008133298.tif 000022
〔式中、Ｒ7およびＲ8は、それぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、アル
キルチオ基、アルキルシリル基、アリール基、アリールオキシ基、アリールシリ
ル基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルシリル基
、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、1価の複素環基またはシアノ
基を表す。ｌは０〜５の整数を表す。ｍは０〜３の整数を表す。Ｒ7およびＲ8
がそれぞれ複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。〕
【００５８】
Ｒ7、Ｒ8として好ましくは、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ア
リール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基であ
り、より好ましくは、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールオ
キシ基、アリールアルコキシ基であり、特に好ましくはアルコキシ基である。
式（５）において、ｎは０〜４の整数を示す。溶解性の観点から、少なくとも
ｎが１であることが好ましく、合成上の観点から、好ましくはｎは１〜２である
。  また、式（６）において、ｌは０〜５の整数、ｍは０〜３の整数を示す。合
成上の観点から、好ましくはｌ、ｍは０〜２である。
【００５９】
スチルベン−ジイル基は、置換基を有していてもよく、該置換基としては、前
述したフェニレン基の置換基と同様な基が選ばれる。  スチルベン−ジイル基と
しては、下記式（８）で示される基であることが好ましい。
2008133298.tif 000023
〔ここで、Ｒ11およびＲ14は、それぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基
、アルキルチオ基、アルキルシリル基、アリール基、アリールオキシ基、アリー
ルシリル基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルシ
リル基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、1価の複素環基または
シアノ基を表す。ｃおよびｄは、それぞれ独立に０〜４の整数を表す。Ｒ11お
よびＲ14がそれぞれ複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい
。Ｒ12およびＲ13は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基
、アリールアルキル基、1価の複素環基またはシアノ基を示す。〕
【００６０】
Ｒ11、Ｒ14として、好ましくはアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ
基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ
基であり、より好ましくは、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリ
ールオキシ基、アリールアルコキシ基であり、更に好ましくはのアルコキシ基、
アリールアルコキシ基、アリールオキシ基である。
式（８）においてＲ12、Ｒ13は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、
アリール基、アリールアルキル基、1価の複素環基またはシアノ基を示す。これ
らの置換基の具体的な例は、Ｒ1として示したものと同様である。
式（８）においてＲ12、Ｒ13として、好ましくは、水素原子、アルキル基
、アリール基、シアノ基であり、より好ましくは、水素原子、シアノ基である。
ｃ、ｄは、それぞれ独立に０〜４の整数を示す。溶解性の観点から、ｃ、ｄは１
以上が好ましく、合成的な観点から３以下が望ましい。更に好ましくは、ｃ、ｄ
は１〜２である。
【００６１】
また、スチルベン−ジイル基としては、下記式（９）で示される基であること
が好ましい。
2008133298.tif 000024
〔ここで、Ｒ15およびＲ18はそれぞれ独立にアルキル基、アルコキシ基、ア
ルキルチオ基、アルキルシリル基、アリール基、アリールオキシ基、アリールシ
リル基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルシリル
基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、1価の複素環基またはシア
ノ基を表す。ｅは、０〜５の整数を表す。ｆは、０〜３の整数を表す。Ｒ15お
よびＲ18がそれぞれ複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい
。Ｒ16およびＲ17は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基
、アリールアルキル基、1価の複素環基またはシアノ基を示す。〕
【００６２】
Ｒ15、Ｒ18は、好ましくは、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、
アリール基、アリールオキシ基、アリールアミノ基、アリールアルキル基、アリ
ールアルコキシ基、シアノ基であり、更に好ましくは、アルコキシ基、アリール
基、アリールオキシ基、アリールアミノ基、アリールアルコキシ基、シアノ基で
ある。
ｅは、０〜５の整数を示す。溶解性の観点から、ｅは１以上が好ましく、合成的
な観点から３以下が好ましい。更に好ましくは、ｅは１〜２である。ｆは、０〜
３の整数を示し、好ましくは、ｆは０〜２の整数である。
【００６３】
Ｒ16、Ｒ17は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、アリ
ールアルキル基、1価の複素環基またはシアノ基を示す。これらの置換基の具体
的な例は、Ｒ1として示したものと同様である。
Ｒ16、Ｒ17として、好ましくは、水素原子、アルキル基、アリール基、シア
ノ基であり、より好ましくは、水素原子、シアノ基である。
【００６４】
ジスチルベン−ジイル基は、置換基を有していてもよく、２個のフェニレン基
と、中央にアリーレン基または２価の複素環基とを有し、２個のフェニレン基と
中央のアリーレン基の間に、それぞれビニレン基を有する基である。これらアリ
ーレン基は、置換基を有していてもよく、その具体的な例としては、Ａｒ1、Ａ
ｒ2およびＡｒ3の置換基として挙げたものと同じ基が挙げられる。
ジスチルベン−ジイル基が、下記式（１２）で示される基であることが好まし
い。
2008133298.tif 000025
〔式中、Ａｒ9は、アリーレン基または２価の複素環基を表す。Ｒ27およびＲ
32は、それぞれ独立にアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキル
シリル基、アリール基、アリールオキシ基、アリールシリル基、アリールアルキ
ル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルシリル基、アリールアルケニル
基、アリールアルキニル基、1価の複素環基またはシアノ基を表す。ｑおよびｒ
は、それぞれ独立に０〜４の整数を表す。Ｒ27およびＲ32がそれぞれ複数存
在する場合、それらは同一でも異なっていてもよいＲ28、Ｒ29、Ｒ30およ
びＲ31は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、アリールア
ルキル基、1価の複素環基またはシアノ基を表す。〕
【００６５】
式（１２）におけるＡｒ9は、アリーレン基または２価の複素環基である。こ
れらの基の具体的な例は、前記のＡｒ1〜Ａｒ3の例と同様である。また、  式
（１２）において、Ｒ27、Ｒ32は、それぞれ独立にＲ1と同様の基を示す。
Ｒ27、Ｒ32として、好ましくはアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基
、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基
であり、より好ましくは、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリー
ルオキシ基、アリールアルコキシ基であり、更に好ましくはアルコキシ基、アリ
ールアルコキシ基、アリールオキシ基である。
【００６６】
式（１２）において、ｑ、ｒは、それぞれ独立に０〜４の整数を示す。合成的
な観点から３以下が望ましい。更に好ましくは、ｑ、ｒは０〜２である。ｑが２
以上の場合、複数あるＲ27は同一でも異なっていてもよい。ｒが２以上の場合
、複数あるＲ32は同一でも異なっていてもよい。
【００６７】
式（１２）において、Ｒ28〜Ｒ31は、それぞれ独立に、水素原子、アルキ
ル基、アリール基、アリールアルキル基、1価の複素環基またはシアノ基を示す
。これらの置換基の具体的な例は、Ｒ1として示したものと同様である。
Ｒ28〜Ｒ31として、好ましくは、水素原子、アルキル基、アリール基、シ
アノ基であり、より好ましくは、水素原子、シアノ基である。
【００６８】
フルオレン−ジイル基の中では、下記式（１３）で示される基が好ましい。
2008133298.tif 000026
〔式中、Ｒ33、Ｒ34、Ｒ35およびＲ36は、それぞれ独立に、アルキル基
、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルシリル基、アリール基、アリールオ
キシ基、アリールシリル基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリ
ールアルキルシリル基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、1価の
複素環基またはシアノ基を表す。ａａおよびｂｂは、それぞれ独立に０〜３の整
数を表す。〕
【００６９】
Ｒ33、Ｒ34、Ｒ35、Ｒ36として、好ましくはアルキル基、アルコキシ基
、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリ
ールアルコキシ基であり、より好ましくは、アルキル基、アルコキシ基、アルキ
ルチオ基、アリールオキシ基、アリールアルコキシ基であり、更に好ましくはア
ルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アリールアルコキシ基である。
【００７０】
式（１３）において、ａａ、ｂｂは、それぞれ独立に０〜３の整数を示す。ａ
ａ、ｂｂは合成的な観点から２以下が望ましい。更に好ましくは、ａａ、ｂｂは
０である。ａａが２以上の場合、複数あるＲ33は同一でも異なっていてもよい
。ｂｂが２以上の場合、複数あるＲ34は同一でも異なっていてもよい。
【００７１】
２価の縮合多環芳香族化合物基は、縮合多環芳香族化合物から、水素原子２個を
除いた原子団である。ここで、Ａｒ6で示される縮合多環芳香族化合物は、環に
含まれる炭素原子数が通常６〜６０程度であり、ベンゼン環が２個から５個縮合
した芳香族化合物が好ましい。具体的には、ナフタレン、アントラセン、フェナ
ンスレン、ピレン、ペリレン、ナフタセン、ペンタセン、クリセン、コロネンな
どであり、ナフタレン、アントラセンが好ましい。溶解性の観点からは、少なく
とも１つの置換基を有していることが好ましい。
２価の縮合多環芳香族化合物基のなかでは、下記式（７）で示される基が好ま
しい。
2008133298.tif 000027
〔ここで、Ｒ9およびＲ10は、それぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、
アルキルチオ基、アルキルシリル基、アリール基、アリールオキシ基、アリール
シリル基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルシリ
ル基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、1価の複素環基またはシ
アノ基を表す。ａおよびｂは、それぞれ独立に０〜３の整数を表す。Ｒ9および
Ｒ10がそれぞれ複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。〕
【００７２】
Ｒ9、Ｒ10として、好ましくはアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基
、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基
であり、より好ましくは、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリー
ルオキシ基、アリールアルコキシ基であり、更に好ましくはアルコキシ基、アリ
ールオキシ基、アリールアルコキシ基である。
【００７３】
式（７）において、溶解性の観点からは、ａ、ｂのいずれかが０でないことが
好ましい。更に好ましくは、ａ、ｂは、それぞれ独立に１〜２である。
【００７４】
２価の縮合多環複素環基は、縮合多環複素環化合物から、水素原子２個を除い
た原子団である。ここで、Ａｒ6で示される縮合多環複素環化合物は、２つ以上
の環が縮合した環式構造をもつ有機化合物のうち、環を構成する元素が炭素原子
だけでなく、酸素、硫黄、窒素、燐、硼素などのヘテロ原子を環内に含むものを
いう。環に含まれる炭素原子数は、６〜６０程度が好ましく、より好ましくは６
〜３０である。具体的には、キノリン、キノキサリン、アクリジン、フェナント
ロリン、ベンゾキサゾール、ベンゾチアゾール、ベンゾキサジアゾール、ベンゾ
チアジアゾール、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン、カルバゾールなどであ
り、キノリン、ベンゾキサジアゾール、ベンゾチアジアゾール、カルバゾールが
好ましい。溶解性の観点からは、少なくとも１つの置換基を有していることが好
ましい。
【００７５】
また、２価の単環性複素環基の中では、下記式（１１）で示される基が好まし
い。
2008133298.tif 000028
〔式中、Ｒ20およびＲ21は、それぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、
アルキルチオ基、アルキルシリル基、アリール基、アリールオキシ基、アリール
シリル基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルシリ
ル基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、1価の複素環基またはシ
アノ基を表す。ｏおよびｐは、それぞれ独立に０〜４の整数を表す。Ｒ20およ
びＲ21がそれぞれ複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
Ｘ2は、Ｏ、Ｓ、Ｎ−Ｒ22、またはＳｉＲ23Ｒ24を表す。Ｘ3およびＸ4
は、それぞれ独立にＮまたはＣ−Ｒ25を表す。Ｒ22、Ｒ23、Ｒ24および
Ｒ25は、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキ
ル基または１価の複素環基を表す。〕
【００７６】
Ｒ20、Ｒ21として、好ましくは、アルキル基、アルコキシ基、アリール基
、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、シアノ基で
あり、より好ましくは、アルコキシ基、アリールオキシ基、アリールアルコキシ
基、シアノ基である。
【００７７】
式（１１）において、ｏ、ｐは、それぞれ独立に０〜４の整数を示す。合成の
観点から３以下が好ましい。更に好ましくは、ｏ、ｐはそれぞれ独立に０〜２で
ある。
Ｒ22〜Ｒ25は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、
炭素数６〜６０のアリール基、炭素数７〜６０のアリールアルキル基または炭素
数４〜６０の１価の複素環基を示す。Ｘ2が、ＳｉＲ23Ｒ24で表される基の
場合、Ｒ23、Ｒ24は、好ましくはアリール基である。
【００７８】
式（１１）で示される繰り返し単位の中央の５員環の例としては、オキサジア
ゾール、トリアゾール、チオフェン、フラン、シロールなどである。
【００７９】
２価の縮合多環複素環基の中では、下記式（１０）で示される基が好ましい
2008133298.tif 000029
〔式中、Ａｒ7およびＡｒ8は、それぞれ独立に、置換基を有していても良いア
リーレン基もしくは２価の複素環基を表す。
Ｒ19は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルシリル基、ア
リール基、アリールオキシ基、アリールシリル基、アリールアルキル基、アリー
ルアルコキシ基、アリールアルキルシリル基、アリールアルケニル基、アリール
アルキニル基、1価の複素環基またはシアノ基を表す。ｇは、０〜２の整数を表
す。Ｒ19が2つある場合、それらは同一でも異なっていてもよい。Ｘ1は、Ｏ
またはＳを表す。〕
【００８０】
Ｒ19として、好ましくは、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリール
オキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、シアノ基であり、より
好ましくはアルキル基、アリール基、アリールアルキル基、シアノ基である。
【００８１】
式（１０）において、Ｘ1は、好ましくはＳである
【００８２】
また、式（１０）のＡｒ7、Ａｒ8は、例えば、フェニレン基、チエニレン基
、ナフタレンジイル基、などである。Ａｒ7、Ａｒ8を含む繰り返し単位構造と
して、より具体的には、下記の構造が例示される。
2008133298.tif 000030
【００８３】
2価の芳香族アミン基は、芳香族アミンの芳香環から、水素原子２個を除いた
残りの原子団である。ここで、芳香環となるアリール基としては、フェニル基、
ナフチル基、アントリル基、フェナンスレニル基などが例示される。
2価の芳香族アミン基としては、下記式（１４）で示される基が好ましい。
2008133298.tif 000031
〔ここで、Ｒ37、Ｒ38およびＲ39は、それぞれ独立にアルキル基、アルコ
キシ基、アルキルチオ基、アルキルシリル基、アリール基、アリールオキシ基、
アリールシリル基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアル
キルシリル基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、1価の複素環基
またはシアノ基を表す。ｉおよびｊは、それぞれ独立に０〜４の整数を表す。ｋ
は０〜５の整数を表す。ｈは１または２を表す。Ｒ37、Ｒ38およびＲ39が
それぞれ複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。〕
【００８４】
Ｒ37、Ｒ38、Ｒ39として、好ましくはアルキル基、アルコキシ基、アル
キルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールア
ルコキシ基であり、より好ましくは、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ
基、アリールオキシ基、アリールアルコキシ基であり、更に好ましくはアルキル
基、アルコキシ基である。
【００８５】
式（１４）において、ｉ、ｊは、それぞれ独立に０〜４の整数を示す。好まし
くは、０〜２である。ｋは０〜５の整数を示す。好ましくは０〜２であり、更に
好ましくは１である。Ｒ39の置換位置としては、合成的な観点から、Ｎ原子の
ｐ位が好ましい。また、１つのＮに隣接する２つのベンゼン環が炭素―炭素単結
合で連結されて、カルバゾール環を形成していてもよい。この場合連結されて生
じるカルバゾール環が主鎖に含まれる構造を有することが合成上好ましい。
【００８６】
また、2価の芳香族アミン基の中では、下記式（１５）で示される基が好まし
い。
2008133298.tif 000032
〔式中、Ｒ40、Ｒ41、Ｒ42、Ｒ43およびＲ44は、それぞれ独立にアル
キル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルシリル基、アリール基、アリ
ールオキシ基、アリールシリル基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基
、アリールアルキルシリル基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、
1価の複素環基またはシアノ基を表す。ｃｃ、ｄｄおよびｅｅは、それぞれ独立
に０〜４の整数を表す。ｆｆおよびｇｇは、それぞれ独立に０〜５の整数を表す
。Ｒ40、Ｒ41、Ｒ42、Ｒ43およびＲ44がそれぞれ複数存在する場合、
それらは同一でも異なっていてもよい。〕
【００８７】
Ｒ40〜Ｒ44として、好ましくはアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基
、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基
であり、より好ましくは、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリー
ルオキシ基、アリールアルコキシ基であり、更に好ましくはアルキル基、アルコ
キシ基である。
【００８８】
式（１５）においてｃｃ、ｄｄ、ｅｅは、それぞれ独立に０〜４の整数を示す。
好ましくは、０〜２である。ｆｆ、ｇｇは０〜５の整数を示す。好ましくは０〜
２であり、更に好ましくは１である。Ｒ43、Ｒ44の置換位置としては、合成
的な観点から、Ｎ原子のｐ位が好ましい。また、１つのＮに隣接する２つのベン
ゼン環が炭素―炭素単結合で連結されて、カルバゾール環を形成していてもよい
。
【００８９】
上記式（１）で示される繰り返し単位から少なくとも一つと、上記式（５）〜（
１５）で示される繰り返し単位から選ばれる少なくとも一つの、計２種類以上か
らなるものも、本発明の実施態様である。
本発明の高分子化合物の繰り返し単位を構成する芳香族化合物基、複素環化合
物基、あるいはビニレン基が置換基を有する場合、隣接する置換基同士は連結し
て環を形成してもよい。また、これらの置換基がアルキル基を含むとき、該アル
キル鎖はヘテロ原子を含む基で中断されていてもよい。
【００９０】
本発明の高分子化合物の末端基は、重合活性基がそのまま残っていると、素子
にしたときの発光特性や寿命が低下する可能性があるので、安定な基で保護され
ていても良い。主鎖の共役構造と連続した共役結合を有しているものが好ましく
、例えば、炭素―炭素単結合やビニレン基を介してアリール基または複素環基と
結合している構造が例示される。具体的には、特開平９−４５４７８号公報の化
１０に記載の置換基等が例示される。
【００９１】
なお、該高分子化合物は、蛍光特性や電荷輸送特性を損なわない範囲で、式（
１）〜式（１５）で示される繰り返し単位以外の繰り返し単位を含んでいてもよ
い。また、式（１）〜式（１５）で示される繰り返し単位や他の繰り返し単位が
、非共役の単位で連結されていてもよいし、繰り返し単位にそれらの非共役部分
が含まれていてもよい。結合構造としては、以下に示すもの、以下示すものとビ
ニレン基を組み合わせたもの、および以下に示すもののうち２つ以上を組み合わ
せたものなどが例示される。ここで、ＲはＲ1と同様の基であり、Ａｒは炭素数
６〜６０個の炭化水素基を示す。
2008133298.tif 000033
また、該高分子化合物は、ランダム、ブロックまたはグラフト共重合体であっ
てもよいし、それらの中間的な構造を有する高分子、例えばブロック性を帯びた
ランダム共重合体であってもよい。蛍光の量子収率の高い高分子化合物を得る観
点からは繰り返しの規則性は低い方が好ましく、例えば、交互共重合体よりもラ
ンダム共重合体が好ましい。さらに完全なランダム共重合体よりも、ブロック性
を帯びたランダム共重合体や不均一なサイズのブロックからなるブロック共重合
体、あるいはグラフト共重合体がより好ましい。主鎖に枝分かれがあり、末端部
が３つ以上ある場合も含まれる。また、規則正しく成長したデンドリマーや、ラ
ンダムな分岐が起こっている構造も含まれる。
【００９２】
また、薄膜からの発光を利用するので該高分子化合物は、固体状態で蛍光を有
するものが好適に用いられる。
該高分子化合物に対する良溶媒としては、クロロホルム、塩化メチレン、ジク
ロロエタン、テトラヒドロフラン、トルエン、キシレン、メシチレン、テトラリ
ン、デカリン、ｎ−ブチルベンゼンなどが例示される。高分子化合物の構造や分
子量にもよるが、通常はこれらの溶媒に０．１重量％以上溶解させることができ
る。
【００９３】
該高分子化合物は、数平均分子量がポリスチレン換算で１０3〜１０8であり、
より好ましくは、１０4〜１０7であり、さらに好ましくは、２×１０4〜１０
6である。
【００９４】
これらの高分子化合物を高分子ＬＥＤの発光材料として用いる場合、その純度
が発光特性に影響を与えるため、重合前のモノマーを蒸留、昇華精製、再結晶等
の方法で精製したのちに重合することが好ましく、また合成後、再沈精製、クロ
マトグラフィーによる分別等の純化処理をすることが好ましい。
なお、本発明の高分子化合物は、発光材料として用いることができるだけでな
く、有機半導体材料、光学材料、あるいはドーピングにより導電性材料として用
いることもできる。
【００９５】
次に、本発明の高分子化合物の製造方法について説明する。
本発明の高分子化合物の製造方法としては、主鎖にビニレン基を有する場合に
は、例えば特開平５−２０２３５５号公報に記載の方法が挙げられる。すなわち
、アルデヒド基を有する化合物とホスホニウム塩基を有する化合物との、もしく
はアルデヒド基とホスホニウム塩基とを有する化合物のＷｉｔｔｉｇ反応による
重合、ビニル基を有する化合物とハロゲン基を有する化合物との、もしくはビニ
ル基とハロゲン基とを有する化合物のＨｅｃｋ反応による重合、アルデヒド基を
有する化合物とアルキルホスホネート基を有する化合物との、もしくはアルデヒ
ド基とアルキルホスホネート基とを有する化合物のＨｏｒｎｅｒ−Ｗａｄｓｗｏ
ｒｔｈ−Ｅｍｍｏｎｓ法による重合、ハロゲン化メチル基を２つあるいは２つ以
上有する化合物の脱ハロゲン化水素法による重縮合、スルホニウム塩基を２つあ
るいは２つ以上有する化合物のスルホニウム塩分解法による重縮合、アルデヒド
基を有する化合物とアセトニトリル基を有する化合物との、もしくはアルデヒド
基とアセトニトリル基とを有する化合物のＫｎｏｅｖｅｎａｇｅｌ反応による重
合などの方法、アルデヒド基を２つあるいは２つ以上有する化合物のＭｃＭｕｒ
ｒｙ反応による重合などの方法が例示される。
【００９６】
また、主鎖にビニレン基を有しない場合には、例えば該当するモノマーからＳ
ｕｚｕｋｉカップリング反応により重合する方法、Ｇｒｉｇｎａｒｄ反応により
重合する方法、Ｎｉ（０）触媒により重合する方法、ＦｅＣｌ3等の酸化剤によ
り重合する方法、電気化学的に酸化重合する方法、あるいは適当な脱離基を有す
る中間体高分子の分解による方法などが例示される。
これらのうち、  Ｗｉｔｔｉｇ反応による重合、Ｈｅｃｋ反応による重合、Ｈ
ｏｒｎｅｒ−Ｗａｄｓｗｏｒｔｈ−Ｅｍｍｏｎｓ法による重合、Ｋｎｏｅｖｅｎ
ａｇｅｌ反応による重合、およびＳｕｚｕｋｉカップリング反応により重合する
方法、Ｇｒｉｇｎａｒｄ反応により重合する方法、Ｎｉ（０）触媒により重合す
る方法が、構造制御がしやすいので好ましい。
【００９７】
具体的には、モノマーとなる、反応性置換基を複数有する化合物を、必要に応
じ、有機溶媒に溶解し、例えばアルカリや適当な触媒を用い、有機溶媒の融点以
上沸点以下で、反応させることができる。例えば、“オルガニック  リアクショ
ンズ（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｒｅａｃｔｉｏｎｓ）”，第１４巻，２７０−４９０頁
，ジョンワイリー  アンド  サンズ（Ｊｏｈｎ  Ｗｉｌｅｙ＆Ｓｏｎｓ，Ｉｎｃ
．），１９６５年、“オルガニック  リアクションズ（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｒｅａ
ｃｔｉｏｎｓ）”，第２７巻，３４５−３９０頁，ジョンワイリー  アンド  サ
ンズ（Ｊｏｈｎ  Ｗｉｌｅｙ＆Ｓｏｎｓ，Ｉｎｃ．），１９８２年、“オルガニ
ック  シンセシス（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｓｙｎｔｈｅｓｅｓ）”，コレクティブ第
６巻（Ｃｏｌｌｅｃｔｉｖｅ  Ｖｏｌｕｍｅ  ＶＩ），４０７−４１１頁，ジョ
ンワイリー  アンド  サンズ（Ｊｏｈｎ  Ｗｉｌｅｙ＆Ｓｏｎｓ，Ｉｎｃ．），
１９８８年、ケミカル  レビュー（Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．），第９５巻，２４５７
頁（１９９５年）、ジャーナル  オブ  オルガノメタリック  ケミストリー（Ｊ
．Ｏｒｇａｎｏｍｅｔ．Ｃｈｅｍ．），第５７６巻，１４７頁（１９９９年）、
ジャーナル  オブ  プラクティカル  ケミストリー（Ｊ．Ｐｒａｋｔ．Ｃｈｅｍ
．），第３３６巻，２４７頁（１９９４年）、マクロモレキュラー  ケミストリ
ー  マクロモレキュラー  シンポジウム（Ｍａｋｒｏｍｏｌ．Ｃｈｅｍ．，Ｍａ
ｃｒｏｍｏｌ．Ｓｙｍｐ．），第１２巻，２２９頁（１９８７年）などに記載の
公知の方法を用いることができる。
【００９８】
有機溶媒としては、用いる化合物や反応によっても異なるが、一般に副反応を
抑制するために、用いる溶媒は十分に脱酸素処理を施し、不活性雰囲気化で反応
を進行させることが好ましい。また、同様に脱水処理を行うことが好ましい。（
但し、Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応のような水との２相系での反応の場合には
その限りではない。）
【００９９】
反応させるために適宜アルカリや適当な触媒を添加する。これらは用いる反応
に応じて選択すればよい。該アルカリまたは触媒は、反応に用いる溶媒に十分に
溶解するものが好ましい。アルカリまたは触媒を混合する方法としては、反応液
をアルゴンや窒素などの不活性雰囲気下で攪拌しながらゆっくりとアルカリまた
は触媒の溶液を添加するか、逆にアルカリまたは触媒の溶液に反応液をゆっくり
と添加する方法が例示される。
【０１００】
より具体的に、反応条件について述べると、Ｗｉｔｔｉｇ反応、Ｈｏｒｎｅｒ
反応、Ｋｎｏｅｖｅｎｇｅｌ反応などの場合は、モノマーの官能基に対して当量
以上、好ましくは１〜３当量のアルカリを用いて反応させる。アルカリとしては
、特に限定されないが、例えば、カリウム−ｔ−ブトキシド、ナトリウム−ｔ−
ブトキシド、ナトリウムエチラート、リチウムメチラートなどの金属アルコラー
トや、水素化ナトリウムなどのハイドライド試薬、ナトリウムアミド等のアミド
類等を用いることができる。溶媒としては、 Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド、
テトラヒドロフラン、ジオキサン、トルエン等が用いられる。反応の温度は、通
常は室温から１５０℃程度で反応を進行させることができる。反応時間は、例え
ば、５分間〜４０時間であるが、十分に重合が進行する時間であればよく、また
反応が終了した後に長時間放置する必要はないので、好ましくは１０分間〜２４
時間である。反応の際の濃度は、希薄すぎると反応の効率が悪く、濃すぎると反
応の制御が難しくなるので、約０．０１ｗｔ％〜溶解する最大濃度の範囲で適宜
選択すればよく、通常は、０．１ｗｔ％〜２０ｗｔ％の範囲である。Ｈｅｃｋ反
応の場合は、パラジウム触媒を用い、トリエチルアミンなどの塩基の存在下で、
モノマーを反応させる。Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミドやＮ−メチルピロリドン
などの比較的沸点の高い溶媒を用い、反応温度は、８０〜１６０℃程度、反応時
間は、１時間から１００時間程度である。
【０１０１】
Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応の場合は、触媒として、例えばパラジウム［テ
トラキス（トリフェニルホスフィン）］、パラジウムアセテート類などを用い、
炭酸カリウム、炭酸ナトリウム、水酸化バリウム等の無機塩基、トリエチルアミ
ン等の有機塩基、フッ化セシウムなどの無機塩をモノマーに対して当量以上、好
ましくは１〜１０当量加えて反応させる。無機塩を水溶液として、２相系で反応
させてもよい。溶媒としては、 Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド、トルエン、ジ
メトキシエタン、テトラヒドロフランなどが例示される。溶媒にもよるが５０〜
１６０℃程度の温度が好適に用いられる。溶媒の沸点近くまで昇温し、環流させ
てもよい。反応時間は１時間から２００時間程度である。
【０１０２】
Ｇｒｉｇｎａｒｄ反応の場合は、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、ジ
メトキシエタンなどのエーテル系溶媒中でハロゲン化物と金属Ｍｇとを反応させ
てＧｒｉｇｎａｒｄ試薬溶液とし、これと別に用意したモノマー溶液とを混合し
、ニッケルまたはパラジウム触媒を過剰反応に注意しながら添加した後に昇温し
て環流させながら反応させる方法が例示される。Ｇｒｉｇｎａｒｄ試薬はモノマ
ーに対して当量以上、好ましくは１〜１．５当量、より好ましくは１〜１．２当
量用いる。これら以外の方法で重合する場合も、公知の方法に従って反応させる
ことができる。
【０１０３】
次に、本発明の高分子ＬＥＤについて説明する。本発明の高分子ＬＥＤは陽極
および陰極からなる電極間に、発光層を有する高分子発光素子であって、該発光
層が本発明の高分子化合物を含むことを特徴とする。
また、本発明の高分子ＬＥＤとしては、陰極と発光層との間に、電子輸送層を
設けた高分子ＬＥＤ、陽極と発光層との間に、正孔輸送層を設けた高分子ＬＥＤ
、陰極と発光層との間に、電子輸送層を設け、かつ陽極と発光層との間に、正孔
輸送層を設けた高分子ＬＥＤ等が挙げられる。
また、本発明の高分子ＬＥＤとしては、少なくとも一方の電極と発光層との間
に該電極に隣接して導電性高分子を含む層を設けた素子；少なくとも一方の電極
と発光層との間に該電極に隣接して膜厚２ｎｍ以下の絶縁層を設けた素子があげ
られる。
【０１０４】
例えば、具体的には、以下のａ）〜ｄ）の構造が例示される。
ａ）陽極／発光層／陰極
ｂ）陽極／正孔輸送層／発光層／陰極
ｃ）陽極／発光層／電子輸送層／陰極
ｄ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
（ここで、／は各層が隣接して積層されていることを示す。以下同じ。）
【０１０５】
ここで、発光層とは、発光する機能を有する層であり、正孔輸送層とは、正孔
を輸送する機能を有する層であり、電子輸送層とは、電子を輸送する機能を有す
る層である。なお、電子輸送層と正孔輸送層を総称して電荷輸送層と呼ぶ。
発光層、正孔輸送層、電子輸送層は、それぞれ独立に２層以上用いてもよい。
【０１０６】
また、電極に隣接して設けた電荷輸送層のうち、電極からの電荷注入効率を改
善する機能を有し、素子の駆動電圧を下げる効果を有するものは、特に電荷注入
層（正孔注入層、電子注入層）と一般に呼ばれることがある。
【０１０７】
さらに電極との密着性向上や電極からの電荷注入の改善のために、電極に隣接
して前記の電荷注入層又は膜厚２ｎｍ以下の絶縁層を設けてもよく、また、界面
の密着性向上や混合の防止等のために電荷輸送層や発光層の界面に薄いバッファ
ー層を挿入してもよい。
積層する層の順番や数、および各層の厚さについては、発光効率や素子寿命を
勘案して適宜用いることができる。
【０１０８】
本発明において、電荷注入層（電子注入層、正孔注入層）を設けた高分子ＬＥ
Ｄとしては、陰極に隣接して電荷注入層を設けた高分子ＬＥＤ、陽極に隣接して
電荷注入層を設けた高分子ＬＥＤが挙げられる。
例えば、具体的には、以下のe)〜p）の構造が挙げられる。
e）陽極／電荷注入層／発光層／陰極
f）陽極／発光層／電荷注入層／陰極
g）陽極／電荷注入層／発光層／電荷注入層／陰極
h）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／陰極
i）陽極／正孔輸送層／発光層／電荷注入層／陰極
j）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／電荷注入層／陰極
k）陽極／電荷注入層／発光層／電子輸送層／陰極
l）陽極／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
m）陽極／電荷注入層／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
n）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
ｏ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
ｐ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
【０１０９】
電荷注入層の具体的な例としては、導電性高分子を含む層、陽極と正孔輸送層
との間に設けられ、陽極材料と正孔輸送層に含まれる正孔輸送材料との中間の値
のイオン化ポテンシャルを有する材料を含む層、陰極と電子輸送層との間に設け
られ、陰極材料と電子輸送層に含まれる電子輸送材料との中間の値の電子親和力
を有する材料を含む層などが例示される。
【０１１０】
上記電荷注入層が導電性高分子を含む層の場合、該導電性高分子の電気伝導度
は、１０-5Ｓ／ｃｍ以上１０3Ｓ／ｃｍ以下であることが好ましく、発光画素間
のリーク電流を小さくするためには、１０-5Ｓ／ｃｍ以上１０2Ｓ／ｃｍ以下が
より好ましく、１０-5Ｓ／ｃｍ以上１０1Ｓ／ｃｍ以下がさらに好ましい。
通常は該導電性高分子の電気伝導度を１０-5Ｓ／ｃｍ以上１０3Ｓ／ｃｍ以下
とするために、該導電性高分子に適量のイオンをドープする。
【０１１１】
ドープするイオンの種類は、正孔注入層であればアニオン、電子注入層であれ
ばカチオンである。アニオンの例としては、ポリスチレンスルホン酸イオン、ア
ルキルベンゼンスルホン酸イオン、樟脳スルホン酸イオンなどが例示され、カチ
オンの例としては、リチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、テト
ラブチルアンモニウムイオンなどが例示される。
電荷注入層の膜厚としては、例えば１ｎｍ〜１００ｎｍであり、２ｎｍ〜５０
ｎｍが好ましい。
【０１１２】
電荷注入層に用いる材料は、電極や隣接する層の材料との関係で適宜選択すれ
ばよく、ポリアニリンおよびその誘導体、ポリチオフェンおよびその誘導体、ポ
リピロールおよびその誘導体、ポリフェニレンビニレンおよびその誘導体、ポリ
チエニレンビニレンおよびその誘導体、ポリキノリンおよびその誘導体、ポリキ
ノキサリンおよびその誘導体、芳香族アミン構造を主鎖または側鎖に含む重合体
などの導電性高分子、金属フタロシアニン（銅フタロシアニンなど）、カーボン
などが例示される。
【０１１３】
膜厚２ｎｍ以下の絶縁層は電荷注入を容易にする機能を有するものである。上
記絶縁層の材料としては、金属フッ化物、金属酸化物、有機絶縁材料等が挙げら
れる。膜厚２ｎｍ以下の絶縁層を設けた高分子ＬＥＤとしては、陰極に隣接して
膜厚２ｎｍ以下の絶縁層を設けた高分子ＬＥＤ、陽極に隣接して膜厚２ｎｍ以下
の絶縁層を設けた高分子ＬＥＤが挙げられる。
【０１１４】
具体的には、例えば、以下のｑ)〜ab）の構造が挙げられる。
ｑ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／発光層／陰極
ｒ）陽極／発光層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
ｓ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／発光層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
ｔ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／正孔輸送層／発光層／陰極
u）陽極／正孔輸送層／発光層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
v）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／正孔輸送層／発光層／膜厚２ｎｍ以下の絶
縁層／陰極
w）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／発光層／電子輸送層／陰極
x）陽極／発光層／電子輸送層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
y）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／発光層／電子輸送層／膜厚２ｎｍ以下の絶
縁層／陰極
z）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
aa）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
ab）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／膜厚２
ｎｍ以下の絶縁層／陰極
【０１１５】
高分子ＬＥＤ作成の際に、これらの有機溶媒可溶性の高分子化合物を用いるこ
とにより、溶液から成膜する場合、この溶液を塗布後乾燥により溶媒を除去する
だけでよく、また電荷輸送材料や発光材料を混合した場合においても同様な手法
が適用でき、製造上非常に有利である。溶液からの成膜方法としては、スピンコ
ート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バ
ーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプ
レーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インク
ジェットプリント法等の塗布法を用いることができる。
【０１１６】
発光層の膜厚としては、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光
効率が適度な値となるように選択すればよいが、例えば１ｎｍから１μｍであり
、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍ
である。
【０１１７】
本発明の高分子ＬＥＤにおいては、発光層に上記高分子化合物以外の発光材料
を混合して使用してもよい。また、本願発明の高分子ＬＥＤにおいては、上記高
分子化合物以外の発光材料を含む発光層が、上記高分子化合物を含む発光層と積
層されていてもよい。
該発光材料としては、公知のものが使用できる。低分子化合物では、例えば、
ナフタレン誘導体、アントラセンもしくはその誘導体、ペリレンもしくはその誘
導体、ポリメチン系、キサンテン系、クマリン系、シアニン系などの色素類、８
−ヒドロキシキノリンもしくはその誘導体の金属錯体、芳香族アミン、テトラフ
ェニルシクロペンタジエンもしくはその誘導体、またはテトラフェニルブタジエ
ンもしくはその誘導体などを用いることができる。
具体的には、例えば特開昭５７−５１７８１号、同５９−１９４３９３号公報
に記載されているもの等、公知のものが使用可能である。
なお、発光層は、本発明の高分子化合物を含んでいればよく、公知の高分子また
は低分子の電荷輸送材料と混合されていてもよい。電荷輸送材料としては、以下
の正孔輸送層や電子輸送層に用いられるものを用いてもよい。さらに、発光機能
を損なわない範囲で、発光層に、発光や電荷輸送機能を有していない有機材料ま
たは無機材料が混合されていてもよい。
【０１１８】
本発明の高分子ＬＥＤが正孔輸送層を有する場合、使用される正孔輸送材料と
しては、ポリビニルカルバゾールもしくはその誘導体、ポリシランもしくはその
誘導体、側鎖もしくは主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体、ピラ
ゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミ
ン誘導体、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導
体、ポリピロールもしくはその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）もしく
はその誘導体、またはポリ（２，５−チエニレンビニレン）もしくはその誘導体
などが例示される。
【０１１９】
具体的には、該正孔輸送材料として、特開昭６３−７０２５７号公報、同６３
−１７５８６０号公報、特開平２−１３５３５９号公報、同２−１３５３６１号
公報、同２−２０９９８８号公報、同３−３７９９２号公報、同３−１５２１８
４号公報に記載されているもの等が例示される。
【０１２０】
これらの中で、正孔輸送層に用いる正孔輸送材料として、ポリビニルカルバゾ
ールもしくはその誘導体、ポリシランもしくはその誘導体、側鎖もしくは主鎖に
芳香族アミン基を有するポリシロキサン誘導体、ポリアニリンもしくはその誘導
体、ポリチオフェンもしくはその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）もし
くはその誘導体、またはポリ（２，５−チエニレンビニレン）もしくはその誘導
体等の高分子正孔輸送材料が好ましく、さらに好ましくはポリビニルカルバゾー
ルもしくはその誘導体、ポリシランもしくはその誘導体、側鎖もしくは主鎖に芳
香族アミンを有するポリシロキサン誘導体である。低分子の正孔輸送材料の場合
には、高分子バインダーに分散させて用いることが好ましい。
【０１２１】
ポリビニルカルバゾールもしくはその誘導体は、例えばビニルモノマーからカ
チオン重合またはラジカル重合によって得られる。
【０１２２】
ポリシランもしくはその誘導体としては、ケミカル・レビュー（Ｃｈｅｍ．Ｒ
ｅｖ．）第８９巻、１３５９頁（１９８９年）、英国特許ＧＢ２３００１９６号
公開明細書に記載の化合物等が例示される。合成方法もこれらに記載の方法を用
いることができるが、特にキッピング法が好適に用いられる。
【０１２３】
ポリシロキサンもしくはその誘導体は、シロキサン骨格構造には正孔輸送性が
ほとんどないので、側鎖または主鎖に上記低分子正孔輸送材料の構造を有するも
のが好適に用いられる。特に正孔輸送性の芳香族アミンを側鎖または主鎖に有す
るものが例示される。
【０１２４】
正孔輸送層の成膜の方法に制限はないが、低分子正孔輸送材料では、高分子バ
インダーとの混合溶液からの成膜による方法が例示される。また、高分子正孔輸
送材料では、溶液からの成膜による方法が例示される。
【０１２５】
溶液からの成膜に用いる溶媒としては、正孔輸送材料を溶解させるものであれ
ば特に制限はない。該溶媒として、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタ
ン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレ
ン等の芳香族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系溶媒
、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒が
例示される。
【０１２６】
溶液からの成膜方法としては、溶液からのスピンコート法、キャスティング法
、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート
法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン
印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の塗
布法を用いることができる。
【０１２７】
混合する高分子バインダーとしては、電荷輸送を極度に阻害しないものが好ま
しく、また可視光に対する吸収が強くないものが好適に用いられる。該高分子バ
インダーとして、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリメチルアクリレー
ト、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリシロキサ
ン等が例示される。
【０１２８】
正孔輸送層の膜厚としては、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と
発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、少なくともピンホールが発
生しないような厚さが必要であり、あまり厚いと、素子の駆動電圧が高くなり好
ましくない。従って、該正孔輸送層の膜厚としては、例えば１ｎｍから１μｍで
あり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜２００
ｎｍである。
【０１２９】
本発明の高分子ＬＥＤが電子輸送層を有する場合、使用される電子輸送材料と
しては公知のものが使用でき、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタン
もしくはその誘導体、ベンゾキノンもしくはその誘導体、ナフトキノンもしくは
その誘導体、アントラキノンもしくはその誘導体、テトラシアノアンスラキノジ
メタンもしくはその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン
もしくはその誘導体、ジフェノキノン誘導体、または８−ヒドロキシキノリンも
しくはその誘導体の金属錯体、ポリキノリンもしくはその誘導体、ポリキノキサ
リンもしくはその誘導体、ポリフルオレンもしくはその誘導体等が例示される。
【０１３０】
具体的には、特開昭６３−７０２５７号公報、同６３−１７５８６０号公報、
特開平２−１３５３５９号公報、同２−１３５３６１号公報、同２−２０９９８
８号公報、同３−３７９９２号公報、同３−１５２１８４号公報に記載されてい
るもの等が例示される。
【０１３１】
これらのうち、オキサジアゾール誘導体、ベンゾキノンもしくはその誘導体、
アントラキノンもしくはその誘導体、または８−ヒドロキシキノリンもしくはそ
の誘導体の金属錯体、ポリキノリンもしくはその誘導体、ポリキノキサリンもし
くはその誘導体、ポリフルオレンもしくはその誘導体が好ましく、２−（４−ビ
フェニリル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾー
ル、ベンゾキノン、アントラキノン、トリス（８−キノリノール）アルミニウム
、ポリキノリンがさらに好ましい。
【０１３２】
電子輸送層の成膜法としては特に制限はないが、低分子電子輸送材料では、粉
末からの真空蒸着法、または溶液もしくは溶融状態からの成膜による方法が、高
分子電子輸送材料では溶液または溶融状態からの成膜による方法がそれぞれ例示
される。溶液または溶融状態からの成膜時には、高分子バインダーを併用しても
よい。
【０１３３】
溶液からの成膜に用いる溶媒としては、電子輸送材料および／または高分子バ
インダーを溶解させるものであれば特に制限はない。該溶媒として、クロロホル
ム、塩化メチレン、ジクロロエタン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン等のエ
ーテル系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、アセトン、メチ
ルエチルケトン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブ
アセテート等のエステル系溶媒が例示される。
【０１３４】
溶液または溶融状態からの成膜方法としては、スピンコート法、キャスティン
グ法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコ
ート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリ
ーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等
の塗布法を用いることができる。
【０１３５】
混合する高分子バインダーとしては、電荷輸送を極度に阻害しないものが好ま
しく、また、可視光に対する吸収が強くないものが好適に用いられる。該高分子
バインダーとして、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、ポリアニリンもしくはそ
の誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン
）もしくはその誘導体、ポリ（２，５−チエニレンビニレン）もしくはその誘導
体、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリメチ
ルメタクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、またはポリシロキサンなど
が例示される。
【０１３６】
電子輸送層の膜厚としては、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と
発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、少なくともピンホールが発
生しないような厚さが必要であり、あまり厚いと、素子の駆動電圧が高くなり好
ましくない。従って、該電子輸送層の膜厚としては、例えば１ｎｍから１μｍで
あり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜２００
ｎｍである。
【０１３７】
本発明の高分子ＬＥＤを形成する基板は、電極を形成し、有機物の層を形成す
る際に変化しないものであればよく、例えばガラス、プラスチック、高分子フィ
ルム、シリコン基板などが例示される。不透明な基板の場合には、反対の電極が
透明または半透明であることが好ましい。
【０１３８】
本発明において、通常は陽極及び陰極のうち少なくとも一方が透明または半透
明であり、陽極側が透明または半透明であることが好ましい。該陽極の材料とし
ては、導電性の金属酸化物膜、半透明の金属薄膜等が用いられる。具体的には、
酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、およびそれらの複合体であるインジウム
・スズ・オキサイド（ＩＴＯ）、インジウム・亜鉛・オキサイド等からなる導電
性ガラスを用いて作成された膜（ＮＥＳＡなど）や、金、白金、銀、銅等が用い
られ、ＩＴＯ、インジウム・亜鉛・オキサイド、酸化スズが好ましい。作製方法
としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法
等が挙げられる。また、該陽極として、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリ
チオフェンもしくはその誘導体などの有機の透明導電膜を用いてもよい。
陽極の膜厚は、光の透過性と電気伝導度とを考慮して、適宜選択することがで
きるが、例えば１０ｎｍから１０μｍであり、好ましくは２０ｎｍ〜１μｍであ
り、さらに好ましくは５０ｎｍ〜５００ｎｍである。
また、陽極上に、電荷注入を容易にするために、フタロシアニン誘導体、導電
性高分子、カーボンなどからなる層、あるいは金属酸化物や金属フッ化物、有機
絶縁材料等からなる平均膜厚２ｎｍ以下の層を設けてもよい。
【０１３９】
本発明の高分子ＬＥＤで用いる陰極の材料としては、仕事関数の小さい材料が
好ましい。例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、
ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニ
ウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム
、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウムなどの金属、および
それらのうち２つ以上の合金、あるいはそれらのうち１つ以上と、金、銀、白金
、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうち１つ以
上との合金、グラファイトまたはグラファイト層間化合物等が用いられる。合金
の例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネ
シウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金
、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アル
ミニウム合金などが挙げられる。陰極を２層以上の積層構造としてもよい。
陰極の膜厚は、電気伝導度や耐久性を考慮して、適宜選択することができるが
、例えば１０ｎｍから１０μｍであり、好ましくは２０ｎｍ〜１μｍであり、さ
らに好ましくは５０ｎｍ〜５００ｎｍである。
【０１４０】
陰極の作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、また金属薄膜を熱
圧着するラミネート法等が用いられる。また、陰極と有機物層との間に、導電性
高分子からなる層、あるいは金属酸化物や金属フッ化物、有機絶縁材料等からな
る平均膜厚２ｎｍ以下の層を設けてもよく、陰極作製後、該高分子ＬＥＤを保護
する保護層を装着していてもよい。該高分子ＬＥＤを長期安定的に用いるために
は、素子を外部から保護するために、保護層および／または保護カバーを装着す
ることが好ましい。
【０１４１】
該保護層としては、高分子化合物、金属酸化物、金属フッ化物、金属ホウ化物
などを用いることができる。また、保護カバーとしては、ガラス板、表面に低透
水率処理を施したプラスチック板などを用いることができ、該カバーを熱効果樹
脂や光硬化樹脂で素子基板と貼り合わせて密閉する方法が好適に用いられる。ス
ペーサーを用いて空間を維持すれば、素子がキズつくのを防ぐことが容易である
。該空間に窒素やアルゴンのような不活性なガスを封入すれば、陰極の酸化を防
止することができ、さらに酸化バリウム等の乾燥剤を該空間内に設置することに
より製造工程で吸着した水分が素子にタメージを与えるのを抑制することが容易
となる。これらのうち、いずれか１つ以上の方策をとることが好ましい。
【０１４２】
本発明の高分子ＬＥＤは、面状光源、セグメント表示装置、ドットマトリック
ス表示装置、液晶表示装置のバックライトとして好適の用いることができる。
本発明の高分子ＬＥＤを用いて面状の発光を得るためには、面状の陽極と陰極
が重なり合うように配置すればよい。また、パターン状の発光を得るためには、
前記面状の発光素子の表面にパターン状の窓を設けたマスクを設置する方法、非
発光部の有機物層を極端に厚く形成し実質的に非発光とする方法、陽極または陰
極のいずれか一方、または両方の電極をパターン状に形成する方法がある。これ
らのいずれかの方法でパターンを形成し、いくつかの電極を独立にＯｎ／ＯＦＦ
できるように配置することにより、数字や文字、簡単な記号などを表示できるセ
グメントタイプの表示素子が得られる。更に、ドットマトリックス素子とするた
めには、陽極と陰極をともにストライプ状に形成して直交するように配置すれば
よい。複数の種類の発光色の異なる高分子化合物を塗り分ける方法や、カラーフ
ィルターまたは蛍光変換フィルターを用いる方法により、部分カラー表示、マル
チカラー表示が可能となる。ドットマトリックス素子は、パッシブ駆動も可能で
あるし、ＴＦＴなどと組み合わせてアクティブ駆動してもよい。これらの表示素
子は、コンピュータ、テレビ、携帯端末、携帯電話、カーナビゲーション、ビデ
オカメラのビューファインダーなどの表示装置として用いることができる。
さらに、前記面状の発光素子は、自発光薄型であり、液晶表示装置のバックラ
イト用の面状光源、あるいは面状の照明用光源として好適に用いることができる
。また、フレキシブルな基板を用いれば、曲面状の光源や表示装置としても使用
できる。
【０１４３】
また、本発明の高分子化合物は、レーザー用色素、有機太陽電池用材料、有機ト
ランジスタ用の有機半導体、導電性薄膜用材料、高分子電子素子（高分子を含む
電子素子）用材料として用いることもできる。
【実施例】
【０１４４】
以下、本発明をさらに詳細に説明するために実施例を示すが、本発明はこれら
に限定されるものではない。
ここで、重量平均分子量、数平均分子量については、クロロホルムを溶媒とし
て、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）によりポリスチレン換
算の平均分子量を求めた。
【０１４５】
実施例１
＜N，N−ビス（４−ブロモフェニル）−N'，N'−ジフェニル−１，４−フェニレ
ンジアミンの合成＞
酢酸パラジウム（０．０９ｇ，０．４ｍｍｏｌ）およびトリス（２−メチルフェ
ニル）ホスフィン（０．２６８ｇ，０．８５ｍｍｏｌ）とトルエン２０ｍｌを反
応容器に入れ、室温で３０分間撹拌した。黄色の均一な溶液になったら、トリス
（４−ブロモフェニル）アミン（９．６４ｇ，２０ｍｍｏｌ）、ナトリウムｔ−
ブトキシド（２．７５ｇ，２８ｍｍｏｌ）およびトルエン７０ｍｌを加え、加熱
還流した。還流が始まったら、ビス（４−ブロモフェニル）アミン（３．３２ｇ
，１９．６ｍｍｏｌ）をトルエン５０ｍｌに溶かし、滴下した。滴下終了後、９
時間加熱還流した。室温まで冷却した後塩酸で処理し、トルエンで抽出、乾燥さ
せた。トルエンを溜去すると濃い茶色のオイルが得られた。これをトルエン：シ
クロヘキサン＝１：１０混合溶媒を展開溶媒としたシリカゲルカラムで精製する
ことにより、白色固体（３．１６ｇ，２８％）が得られた。
【０１４６】
＜高分子化合物１の合成＞
N，N−ビス（４−ブロモフェニル）−N'，N'−ジフェニル−１，４−フェニ
レンジアミン０．６４ｇ、２，７ジブロモ−９，９−ジオクチルフルオレン１．
４４ｇおよび２，２‘−ビピリジル１．３８ｇとをテトラヒドロフラン（脱水）
１００ｍｌに溶解した後、窒素ガスでバブリングして、系内を窒素ガス置換した
。この溶液に、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ニッケル（０）２．５ｇを
加え、室温で約１０分間攪拌した後、昇温し、６０℃で３時間反応した。
この反応液を冷却した後、メタノール１５０ｍｌ／イオン交換水１５０ｍｌ混
合溶液を加え、約１時間攪拌した。この溶液を室温で一夜静置した後、生成した
沈殿をろ過することにより、回収した。次に、この沈殿を乾燥した後、トルエン
に溶解した。不溶物をろ過することにより、除去した後、シリカゲル／アルミナ
カラムにて精製した。このトルエン溶液をメタノール中に注ぎ込むことにより、
再沈精製した。生成した沈殿を回収し、減圧乾燥して、重合体０．８ｇを得た。
得られた重合体を高分子化合物１と呼ぶ。
【０１４７】
2008133298.tif 000034
該高分子化合物１のポリスチレン換算の数平均分子量は、３．７×１０4であっ
た。仕込みから推定される高分子化合物１に含まれる繰り返し単位の構造を下記
に示す。
【０１４８】
実施例２
＜N，N−ビス（4−ブロモフェニル）−N'−（3−メチルフェニル）−N'−フェニ
ルベンジジンの合成＞
ビス（4−ブロモフェニル）アミン（１．２９ｇ，３．９mmol）、Ｎ−（４'−ヨ
ードビフェニル−４−イル）−Ｎ−（m−トリル）アニリン（２．０g，４．３ｍ
ｍｏｌ）、１，１０−フェナントロリン（０．０５２ｇ，０．２９ｍｍｏｌ）、
塩化銅（I）（０．０２８ｇ，０．２９ｍｍｏｌ）、水酸化カリウム（１．７１
ｇ，３０．４ｍｍｏｌ），及びトルエン１０ｍｌを遮光した反応容器に入れ、オ
イルバス中に置き１２５℃で１２時間加熱還流する。室温まで冷却後、トルエン
と水で分離，有機層を抽出して硫酸ナトリウムで乾燥する。２００ｍｌまで有機
層を濃縮した後，セライトと活性アルミナを加え、７５℃で２時間撹拌し，脱色
する。トルエン：シクロヘキサン＝１：５混合溶媒を展開溶媒とするシリカゲル
カラムにより、黄色がかった透明なガラス状固体（２．３８ｇ，５０％）を得る
。
【０１４９】
＜高分子化合物２の合成＞
N，N−ビス（4−ブロモフェニル）−N'−（3−メチルフェニル）−N'−フェニル
ベンジジン０．３０ｇ、２，７ジブロモ−９，９−ジオクチルフルオレン０．５
９ｇおよび２，２‘−ビピリジル０．５５ｇとをテトラヒドロフラン（脱水）４
０ｍｌに溶解した後、窒素ガスでバブリングして、系内を窒素ガス置換した。こ
の溶液に、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ニッケル（０）０．９７ｇを加
え、室温で約１０分間攪拌した後、昇温し、６０℃で３時間反応した。
この反応液を冷却した後、メタノール５０ｍｌ／イオン交換水５０ｍｌ混合溶
液を加え、約１時間攪拌した。生成した沈殿をろ過することにより、回収した。
次に、この沈殿を乾燥した後、トルエンに溶解した。不溶物をろ過することによ
り、除去した後、アルミナカラムにて精製した。このトルエン溶液をメタノール
中に注ぎ込むことにより、再沈精製した。生成した沈殿を回収し、減圧乾燥して
、重合体０．３５ｇを得た。得られた重合体を高分子化合物２と呼ぶ。
該高分子化合物２のポリスチレン換算の数平均分子量は、４．３×１０4であっ
た。仕込みから推定される高分子化合物２に含まれる繰り返し単位の構造を下記
に示す。
2008133298.tif 000035
【０１５０】
実施例３
＜Ｎ，Ｎ−ビス（４−ブロモフェニル）−Ｎ’，Ｎ'−ビス（４−ブチルフェ
ニル）−１，４−フェニレンジアミンの合成＞
不活性雰囲気下、３００ｍＬ三つ口フラスコにトリス（ジベンジリデンアセト
ン）ジパラジウム０．２４ｇ（０．２７ｍｍｏｌ）、ジフェニルホスフィノフェ
ロセン０．２２ｇ（０．４ｍｍｏｌ）、ナトリウムターシャルブトキシド２．５
６ｇ（２６．７ｍｍｏｌ）、およびトルエン１２５ｍＬを入れ、室温で１０分間
撹拌する。続いて、トリス−（４−ブロモフェニル）アミン  １２．９ｇ（２６
．７ｍｍｏｌ）を入れ、さらに室温で１０分間撹拌する。その後、ビス（４−ブ
チルフェニル）アミン  ５ｇ（１７．８ｍｍｏｌ）を入れ、１２５℃まで昇温、
９時間還流させる。反応終了後、反応液をろ過して不溶物を除去後、シリカゲル
のショートカラムを通し，さらにシクロヘキサンを展開溶媒とするシリカゲルカ
ラムで精製することにより、白色粉末（２．９６ｇ，２４％）を得る。
【０１５１】
＜高分子化合物３の合成＞
Ｎ，Ｎ−ビス（４−ブロモフェニル）−Ｎ’，Ｎ'−ビス（４−ブチルフェニ
ル）−１，４−フェニレンジアミン０．２１ｇ、２，７ジブロモ−９，９−ジオ
クチルフルオレン０．３８ｇおよび２，２’−ビピリジル  ３９０ｍｇを脱水し
たテトラヒドロフラン２８ｍｌに溶解した後、窒素雰囲気下において、この溶液
に、ビス（１、５−シクロオクタジエン）ニッケル（０）６９０ｍｇを加え、６
０℃まで昇温し、３時間反応させた。反応後、この反応液を室温まで冷却し、２
５％アンモニア水１０ｍｌ／メタノール１２０ｍｌ／イオン交換水５０ｍｌ混合
溶液中に滴下して１時間攪拌した後、析出した沈殿をろ過して２時間減圧乾燥し
、トルエン５０ｍｌに溶解させた。この溶液に１Ｎの塩酸３０ｍｌを加えて室温
で３時間撹拌し、水層を除去後、４％アンモニア水３０ｍｌを加えて室温で３時
間撹拌、水層を除去した。残ったトルエン溶液をメタノール１５０ｍｌにて気化
することにより再沈殿させ、不溶物をろ過して除去した。その後、再びトルエン
に溶かしてアルミナカラム（活性アルミナ１０ｇ）を通して精製を行い、回収し
たトルエン溶液をメタノール２００ｍｌに滴下して３０分間攪拌し、析出した沈
殿をろ過して２時間減圧乾燥させた。得られた重合体の収量は３００ｍｇであっ
た。得られた重合体を高分子化合物３と呼ぶ。
高分子化合物３のポリスチレン換算の数平均分子量は、４．８×１０4であっ
た。仕込みから推定される高分子化合物３に含まれる繰り返し単位の構造を下記
に示す。
2008133298.tif 000036
【０１５２】
実施例４
＜Ｎ，Ｎ−ビス（４−ブロモフェニル）−Ｎ’，Ｎ'−ビス（４−メチルフェ
ニル）−１，４−フェニレンジアミンの合成＞
不活性雰囲気下、５００ｍＬ三つ口フラスコにトリス（ジベンジリデンアセト
ン）ジパラジウム０．３５ｇ（０．３８ｍｍｏｌ）、ジフェニルホスフィノフェ
ロセン０．３２ｇ（０．５７ｍｍｏｌ）、ナトリウムターシャルブトキシド７．
３１ｇ（７６ｍｍｏｌ）、およびトルエン１７８ｍＬを入れ、室温で１０分間撹
拌する。続いて、トリス−（４−ブロモフェニル）アミン  １２．２ｇ（２５．
３ｍｍｏｌ）を入れ、さらに室温で１０分間撹拌する。その後、ｐ−トリルジフ
ェニルアミン  ５ｇ（１７．８ｍｍｏｌ）を入れ、１２５℃まで昇温、９時間還
流させる。反応終了後、反応液をろ過して不溶物を除去後、シリカゲルのショー
トカラムを通し，さらにシクロヘキサンを展開溶媒とするシリカゲルカラムで精
製することにより、白色粉末（１．２０ｇ，８％）を得る。
【０１５３】
＜高分子化合物４の合成＞
Ｎ，Ｎ−ビス（４−ブロモフェニル）−Ｎ’，Ｎ'−ビス（４−メチルフェニ
ル）−１，４−フェニレンジアミン０．１８ｇ、２，７ジブロモ−９，９−ジオ
クチルフルオレン０．３８ｇおよび２，２’−ビピリジル  ３９０ｍｇを脱水し
たテトラヒドロフラン２８ｍｌに溶解した後、窒素雰囲気下において、この溶液
に、ビス（１、５−シクロオクタジエン）ニッケル（０）６９０ｍｇを加え、６
０℃まで昇温し、３時間反応させた。反応後、この反応液を室温まで冷却し、２
５％アンモニア水１０ｍｌ／メタノール１２０ｍｌ／イオン交換水５０ｍｌ混合
溶液中に滴下して１時間攪拌した後、析出した沈殿をろ過して２時間減圧乾燥し
、トルエン５０ｍｌに溶解させた。この溶液に１Ｎの塩酸３０ｍｌを加えて室温
で３時間撹拌し、水層を除去後、４％アンモニア水３０ｍｌを加えて室温で３時
間撹拌、水層を除去した。残ったトルエン溶液をメタノール１５０ｍｌにて気化
することにより再沈殿させ、不溶物をろ過して除去した。その後、再びトルエン
に溶かしてアルミナカラム（活性アルミナ１０ｇ）を通して精製を行い、回収し
たトルエン溶液をメタノール２００ｍｌに滴下して３０分間攪拌し、析出した沈
殿をろ過して２時間減圧乾燥させた。得られた重合体の収量は２７０ｍｇであっ
た。得られた重合体を高分子化合物４と呼ぶ。
高分子化合物４のポリスチレン換算の数平均分子量は、５．１×１０4であっ
た。仕込みから推定される高分子化合物４に含まれる繰り返し単位の構造を下記
に示す。
2008133298.tif 000037
【０１５４】
比較例１
＜高分子化合物５の合成＞
２，７−ジブロモー９，９−ジオクチルフルオレン０．８２ｇと２，２‘−ビピ
リジル０．５６ｇとを反応容器に仕込んだ後、反応系内をアルゴンガスで置換し
た。これに、あらかじめアルゴンガスでバブリングして、脱気したテトラヒドロ
フラン（ＴＨＦ）（脱水）１５ｍｌを加えた。次に、この混合溶液に、ビス（１
，５−シクロオクタジエン）ニッケル（０）を０．９６ｇ加え、室温で１０分間
攪拌した後、６０℃で８時間反応した。なお、反応は、アルゴンガス雰囲気中で
行った。反応後、この溶液を冷却した後、２５％アンモニア水１０ｍｌ／エタノ
ール５０ｍｌ／イオン交換水５０ｍｌ混合溶液中にそそぎ込み約１時間攪拌した
。次に、生成した沈殿を濾過し、回収した。この沈殿を乾燥した後、クロロホル
ムに溶解した。この溶液を濾過し、不溶物を除去した後、メタノール中に注ぎ込
み、再沈することにより、沈殿を生成させた。これを減圧乾燥して、重合体０．
３５ｇを得た。この重合体を高分子化合物３と呼ぶ。
該高分子化合物３のポリスチレン換算の数平均分子量は、１．５ｘ１０5であっ
た。高分子化合物３の繰り返し単位の構造を下記に示す。
2008133298.tif 000038
【０１５５】
実施例５
＜イオン化ポテンシャルの評価＞
イオン化ポテンシャルは測定した酸化電位（Ｅｏｘ）から下記式より求めた。
Ｉｐ（ｅＶ）＝Ｅｏｘ＋Ａｇ／ＡｇＣｌ参照電極電位＋標準水素電極電位＝Ｅｏ
ｘ＋０．１９６＋４．５
酸化電位の測定は以下のように行った。高分子化合物１のクロロホルム溶液に
電極をディップし乾燥することにより、電極上に薄膜を形成させ、サンプルを調
整した。支持電解質０．１Ｍテトラフルオロほう酸テトラ−ｎ−ブチルアンモニ
ウムのアセトニトリル溶液を用い、サイクリックボルタンメトリー（作用電極、
対抗電極：白金、参照電極：Ａｇ／ＡｇＣｌ電極、掃引速度：５０ｍＶ／ｓｅｃ
）により、ボルタモグラムの立ち上がり電圧から求めた。
このようにして求めた高分子化合物１、２、３、４のイオン化ポテンシャルは、
各々、５．４５、５．５５、５．３５、５．３１（単位はｅＶ）であった。これ
に対し、高分子化合物５のイオン化ポテンシャルは、６．０１ｅＶであった。
このことより、本発明の高分子化合物は、優れた電荷輸送性を有することがわか
る。