(57)【要約】【課題】層間接続を簡易かつ高信頼性化が可能な両面実装構造を有する電子回路装置の提供。【解決手段】本発明の電子回路装置１００は、第１配線層１０１と、この第１配線層１０１の上面に設けられた電極上に実装された電子部品１０５と、第１配線層１０１の上にバンプ１１０を介して第１配線層１０１と接続された第２配線層１０４と、第１配線層１０１と第２配線層１０４との間に配置された接着層１０８とを備え、第２配線層１０４は、電子部品１０５の上方において電子部品１０５の上面より大きな開口部を有し、且つバンプ１１０の高さは、第１配線層１０１の上面と電子部品１０５の上面との距離より小さい電子回路装置１００とした。【選択図】図１
2008218941.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１配線層と、
この第１配線層の上面に設けられた電極上に実装された電子部品と、
前記第１配線層の上にバンプを介して前記第１配線層と接続された第２配線層と、
前記第１配線層と前記第２配線層との間に配置された接着層とを備え、
前記第２配線層は、前記電子部品の上方において前記電子部品の上面より大きな開口部を有し、且つ前記バンプの高さは、前記第１配線層の上面と前記電子部品の上面との距離より小さい電子回路装置。
【請求項２】
前記第１配線層の上面と前記第２配線層の上面との距離は、前記第１配線層の上面と前記電子部品の上面との距離より大きい請求項１に記載の電子回路装置。  
【請求項３】
前記接着層は、ガラス織布、アラミド不織布、無機フィラーの少なくとも１つを含む熱硬化性樹脂からなる請求項１に記載の電子回路装置。
【請求項４】
前記バンプは金属線を用いた金属バンプまたは金属めっき膜からなる請求項１に記載の電子回路装置。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれか１つに記載の電子回路装置と、
この電子回路装置に接続された表示装置とが搭載された電子機器。
【請求項６】
第１配線層上に電子部品を実装する工程と、
前記電子部品の実装エリアに対応する部分を削除して前記電子部品の上面より大きな開口部を設けた第２配線層を準備する工程と、
前記第２配線層上に第１バンプを形成する工程と、
前記電子部品の実装エリアと前記第１バンプに対応する部分を削除して空間を設けた接着シートを準備する工程と、
前記電子部品実装後の前記第１配線層上の所望の位置に前記接着シートと前記第２配線層とを順に重ね合わせる工程と、
前記第１配線層と前記接着シートと前記第２配線層とを、前記第１バンプの高さが前記第１配線層の上面と前記電子部品の上面との距離より小さくなるまで加熱しながら加圧して一体化する工程とを備えた電子回路装置の製造方法。
【請求項７】
第１配線層上に電子部品を実装する工程と、
前記第１配線層上に第２バンプを形成する工程と、
前記電子部品の実装エリアに対応する部分を削除して前記電子部品の上面より大きな開口部を設けた第２配線層を準備する工程と、
前記電子部品の実装エリアと前記第２バンプに対応する部分を削除して空間を設けた接着シートを準備する工程と、
前記電子部品及び前記第２バンプ実装後の前記第１配線層上の所望の位置に前記接着シートと前記第２配線層とを順に重ね合わせる工程と、
前記第１配線層と前記接着シートと前記第２配線層とを、前記第２バンプの高さが前記第１配線層の上面と前記電子部品の上面との距離より小さくなるまで加熱しながら加圧して一体化する工程とを備えた電子回路装置の製造方法。
【請求項８】
第１配線層上に電子部品を実装する工程と、
前記第１配線層上に第２バンプを形成する工程と、
前記電子部品の実装エリアに対応する部分を削除して前記電子部品の上面より大きな開口部を設けた第２配線層を準備する工程と、
前記第２配線層上に第１バンプを形成する工程と、
前記電子部品の実装エリアと前記第１バンプ及び前記第２バンプに対応する部分を削除して空間を設けた接着シートを準備する工程と、
前記電子部品及び前記第２バンプ実装後の前記第１配線層上の所望の位置に前記接着シートを挟みながら前記第１バンプ実装後の前記第２配線層を前記第１バンプと前記第２バンプが接するように重ね合わせる工程と、
前記第１配線層と前記接着シートと前記第２配線層とを、前記第１バンプの高さと前記第２バンプの高さの和が前記第１配線層の上面と前記電子部品の上面との距離より小さくなるまで加熱しながら加圧して一体化する工程とを備えた電子回路装置の製造方法。
【請求項９】
前記第１配線層の上面と前記第２配線層の上面との距離は、前記第１配線層の上面と前記電子部品の上面との距離より大きい請求項６または請求項７または請求項８に記載の電子回路装置の製造方法。
【請求項１０】
前記接着シートは、ガラス織布、アラミド不織布、無機フィラーの少なくとも１つを含む熱硬化性樹脂からなる請求項６または請求項７または請求項８に記載の電子回路装置の製造方法。
【請求項１１】
前記接着シートに形成した前記空間は、前記電子部品と前記第１バンプおよび／または前記第２バンプのすべてを囲むエリアに形成された請求項６または請求項７または請求項８に記載の電子回路装置の製造方法。
【請求項１２】
前記第２配線層上に第１バンプを形成する工程が、
前記電子部品の実装エリアに対応する部分を削除して前記電子部品の上面より大きな開口部を設けた第２配線層を準備する工程より前に行われる請求項７または請求項８に記載の電子回路装置の製造方法。
【請求項１３】
前記第１バンプが金属線を用いた金属バンプからなる請求項６または請求項８に記載の電子回路装置の製造方法。
【請求項１４】
前記第２バンプが金属線を用いた金属バンプからなる請求項７または請求項８に記載の電子回路装置の製造方法。
【請求項１５】
前記第１バンプおよび第２バンプは、一方が金属線を用いた金属バンプからなり、他方が金属めっき膜からなる請求項８に記載の電子回路装置の製造方法。
【請求項１６】
前記金属バンプと前記金属めっき膜は前記金属めっき膜の方が直径が大きい請求項１５に記載の電子回路装置の製造方法。
【請求項１７】
前記第１配線層と前記接着シートとの間に異方性導電シートを介在させ、前記第１バンプと前記第１配線層との電気的接続は前記異方性導電シートを介して行われる請求項６に記載の電子回路装置の製造方法。
【請求項１８】
前記第１バンプが金属線を用いた金属バンプまたは金属めっき膜からなる請求項１７に記載の電子回路装置の製造方法。
【請求項１９】
前記接着シートから流出した熱硬化性樹脂が前記電子部品の少なくとも側面部に接着している請求項６または請求項７または請求項８または請求項１７に記載の電子回路装置の製造方法。
【請求項２０】
前記第１配線層と前記接着シートと前記第２配線層を一体化する工程中に、前記電子部品にも圧力を加える請求項６または請求項７または請求項８または請求項１７に記載の電子回路装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品の３次元実装技術により小型化および高密度化された電子回路装置とこれを用いた電子機器、およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
電子機器の小型化・軽量化に伴い、プリント配線板の高密度化や実装部品の小型化に対する要求が厳しくなっている。プリント配線板においては、配線ルールの縮小により配線板表面と平行な方向について高密度化が図られている。更に、ビルドアップ工法を採用して配線を積層させ、任意の層間にビアホールを形成することにより、配線板表面に垂直な方向で高密度化も可能となった。
【０００３】
一方、半導体パッケージとしては、従来パッケージの外周に多ピン化されたリードを有するＳＯＰ（Ｓｍａｌｌ  Ｏｕｔｌｉｎｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）やＱＦＰ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｐａｃｋａｇｅ）等の表面実装デバイス（ＳＭＤ；Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｍｏｕｎｔ  Ｄｅｖｉｃｅ）が用いられることが多かった。近年、半導体パッケージを更に小型化するため、半導体素子の能動面を基板に向けたフリップ・チップ実装により、チップ・サイズ・パッケージ（ＣＳＰ）化が図られている。フリップ・チップ実装によれば半導体素子をベアチップのままリードを用いずに、バンプと呼ばれる電極端子を介して基板にダイレクトに実装される。上記のフリップ・チップ実装によれば、ベアチップ半導体の実装が可能な領域は基板表面であり、実装密度は基板サイズの制限を受けるため、実装密度をさらに飛躍的に向上させることは困難である。そこで、立体形配線板による立体構造部分を用いて半導体素子等の部品の実装領域を新たに確保して実装密度を上げ、電子機器を小型化する手段が提案されている。
【０００４】
以下、従来の立体形配線板を用いた電子回路装置について、図１０、図１１を用いて説明する。図１０は、立体形配線板の製造方法の工程断面図、図１１は、従来の立体形配線板を用いた電子回路装置の断面図である。
【０００５】
立体形配線板の製造方法は、図１０（ａ）に示すように、両面銅張り積層板１に所定のＮＣ穴１２明けをし、次に図１０（ｂ）に示すように、無電解めっき、電解めっきをし、積層板の表裏両面の銅箔を電気的に接続するスルーホール４を形成する。その後、電子部品収納部に配置されるスルーホール４は平面形配線板を貫通してフラックス、封止樹脂、処理液などが浸透しないようにスルーホール４内部に樹脂などの充填物６を充填し非貫通導通穴７とする。さらに、充填物６を充填した非貫通導通穴７の端面に無電解めっき、電解めっきで非貫通導通穴７と接する第２のめっき層を形成してから、両面銅張り積層板１の裏面（下面）側のみに回路導体や接続ランド３を形成し、上部配線板１Ａとする。次に図１０（ｃ）に示すように、片面銅張り積層板１の上部側にある絶縁樹脂面に半硬化状態の接着剤層１３を形成してから、片面銅張り積層板１の指定の箇所に指定の形状となる貫通穴１４をプレス加工などで形成して下部配線板１Ｂとする。次に図１０（ｄ）に示すように、上部配線板１Ａの裏面側に下部配線板１Ｂを接着剤層１３を介して配置し、加熱圧着して一体化する。次に図１０（ｅ）に示すように、上部配線板１Ａと下部配線板１Ｂを貫通するＮＣ穴１２を所定の箇所に穴明けをする。その後、図１０（ｆ）に示すように無電解めっき、電解めっきをし、表裏両面の導体を電気的に接続するスルーホール４やチップ型の電子部品の接続端子とするための端面電極とするスルーホール４を形成する。それから電子部品収納穴内部の内層回路導体や電子部品の接続ランド３等の内層回路導体が、これより後工程のスルーホールめっき工程と、配線板の表面外層回路導体をエッチングする工程や金属めっき工程等で、既に形成されている電子部品収納穴内部の内層回路導体がめっき付着、エッチングなどによる汚染や損傷などで回路不良や品質不良が生じないように、めっきやエッチングから内層回路導体を保護するため逆凹部で片方に開口している逆凹部の穴１６の内部に穴埋め樹脂１５を充填する。そして、図１０（ｇ）に示すように、上部配線板１Ａと下部配線板１Ｂを積層一体化した多層配線板の表裏外層面の全面銅箔となっている両面をエッチング処理により、所定の外層回路導体、電子部品の接続ランド３等を形成してから穴埋め樹脂を溶解除去して立体形配線板１８とする。
【０００６】
次に、従来の立体形配線板を用いた電子回路装置について図１１を用いて説明する。立体形配線板１８の上部配線板の外側に面した上部表面に形成した電子部品の接続ランド３にチップ型電子部品３０やハイブリッドＩＣなどをはんだ３５で実装し、電子部品収納部２０に露出している内部底面に形成されている電子部品の接続ランド３にはんだ３５でチップ型電子部品３０を実装することで、マザーボード４０への実装面側にも電子部品３０を実装して小型化を図った電子回路装置とすることができる。
【０００７】
なお、この技術の先行技術文献情報としては、例えば、特許文献１が知られている。
【特許文献１】特許第３５８２６４５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
このような従来の立体形配線板を用いた電子回路装置において、配線板に凹部を形成した立体形配線板の場合、凹部形状内への部品実装にはんだ材料を用いて行うためには、その凹凸が問題となり、スクリーン印刷法でははんだを供給することができず、ディスペンサやスタピングによるはんだ供給を行う必要があり、量産性に乏しく、また、はんだ実装後には通常フラックス洗浄を行うのであるが、凹部内へ実装されているため非常に洗浄しにくいため、フラックスを十分除去することができないという問題点を有していた。
【０００９】
また、凹部内にＡＣＦ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ；異方性導電フィルム）やＮＣＦ（Ｎｏｎ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ；絶縁性フィルム）を用いて半導体ベアチップをフリップ・チップ実装する場合においては、凹部内にＡＣＦやＮＣＦを貼り付けることは非常に困難であり、結果的に、量産性に乏しく、実装歩留りを低下させるという問題点を有していた。
【００１０】
本発明はこのような問題を解決したもので、簡易かつ接続信頼性の高い電子回路装置とこれを用いた電子機器、およびその製造方法を提供することを目的としたものである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するために本発明は、第１配線層と、この第１配線層の上面に設けられた電極上に実装された電子部品と、前記第１配線層の上にバンプを介して前記第１配線層と接続された第２配線層と、前記第１配線層と前記第２配線層との間に配置された接着層とを備え、前記第２配線層は、前記電子部品の上方において前記電子部品の上面より大きな開口部を有し、且つ前記バンプの高さは、前記第１配線層の上面と前記電子部品の上面との距離より小さい電子回路装置としたものであり、第１配線層と第２配線層とを接続するバンプの高さを電子部品の高さより低く設定することにより、第１配線層と第２配線層との接続信頼性を向上させることができると共に、電子回路装置に使用する配線層の総厚を薄くすることができる。また、第１配線層の両面を電子部品実装面として有効に活用しながら、第２配線層の存在により電子部品への異物の衝突等の外的負荷から防護することが可能になると共に、第２配線部で電気配線パターンを最適化することが可能となるという作用を有する。
【００１２】
請求項２に記載の発明は、前記第１配線層の上面と前記第２配線層の上面との距離は、前記第１配線層の上面と前記電子部品の上面との距離より大きい請求項１に記載の電子回路装置としたものであり、第２配線層の存在により電子部品への異物の衝突等の外的負荷から防護することが可能になると共に、第２配線層の外表面をマザーボードへの実装面として使用することができるという作用を有する。
【００１３】
請求項３に記載の発明は、前記接着層は、ガラス織布、アラミド不織布、無機フィラーの少なくとも１つを含む熱硬化性樹脂からなる請求項１に記載の電子回路装置としたものであり、低熱膨張係数を実現して第１配線層と第２配線層の接続信頼性を安定化させることができるという作用を有する。
【００１４】
請求項４に記載の発明は、前記バンプは金属線を用いた金属バンプまたは金属めっき膜からなる請求項１に記載の電子回路装置としたものであり、簡易な方法でバンプを形成することができると共に、良好な接続信頼性を実現できるという作用を有する。
【００１５】
請求項５に記載の発明は、請求項１から請求項４のいずれか１つの電子回路装置と、この電子回路装置に接続された表示装置とが搭載された電子機器としたものであり、小型・低背化が可能な電子回路装置を使用することにより、電子機器の小型化を実現することができるという作用を有する。
【００１６】
請求項６に記載の発明は、第１配線層上に電子部品を実装する工程と、前記第１配線層上に第１バンプを形成する工程と、前記電子部品の実装エリアに対応する部分を削除して前記電子部品の上面より大きな開口部を設けた第２配線層を準備する工程と、前記電子部品の実装エリアと前記バンプに対応する部分を削除して空間を設けた接着シートを準備する工程と、前記電子部品及び前記第１バンプ実装後の前記第１配線層上の所望の位置に前記接着シートと前記第２配線層とを順に重ね合わせる工程と、前記第１配線層と前記接着シートと前記第２配線層とを、前記第１バンプの高さが前記第１配線層の上面と前記電子部品の上面との距離より小さくなるまで加熱しながら加圧して一体化する工程とを備えた電子回路装置の製造方法としたものであり、平坦な第１配線層上に電子部品を実装してから第２配線層を積層することで、電子部品の実装を容易に行うことが可能となり、またバンプを用いることにより加熱加圧工程のみで第１配線層と第２配線層の電気的接続を行うことができるという作用を有する。
【００１７】
請求項７に記載の発明は、第１配線層上に電子部品を実装する工程と、前記電子部品の実装エリアに対応する部分を削除して前記電子部品の上面より大きな開口部を設けた第２配線層を準備する工程と、前記第２配線層上に第２バンプを形成する工程と、前記電子部品の実装エリアと前記第２バンプに対応する部分を削除して空間を設けた接着シートを準備する工程と、前記電子部品実装後の前記第１配線層上の所望の位置に前記接着シートと前記第２配線層とを順に重ね合わせる工程と、前記第１配線層と前記接着シートと前記第２配線層とを、前記第２バンプの高さが前記第１配線層の上面と前記電子部品の上面との距離より小さくなるまで加熱しながら加圧して一体化する工程とを備えた電子回路装置の製造方法としたものであり、平坦な第１配線層上に電子部品を実装してから第２配線層を積層することで、電子部品の実装を容易に行うことが可能となり、またバンプを用いることにより加熱加圧工程のみで第１配線層と第２配線層の電気的接続を行うことができるという作用を有する。
【００１８】
請求項８に記載の発明は、第１配線層上に電子部品を実装する工程と、前記第１配線層上に第１バンプを形成する工程と、前記電子部品の実装エリアに対応する部分を削除して前記電子部品の上面より大きな開口部を設けた第２配線層を準備する工程と、前記第２配線層上に第２バンプを形成する工程と、前記電子部品の実装エリアと前記第１バンプ及び前記第２バンプに対応する部分を削除して空間を設けた接着シートを準備する工程と、前記電子部品及び前記第１バンプ実装後の前記第１配線層上の所望の位置に前記接着シートを挟みながら前記第２バンプ実装後の前記第２配線層を前記第１バンプと前記第２バンプが接するように重ね合わせる工程と、前記第１配線層と前記接着シートと前記第２配線層とを、前記第１バンプの高さと前記第２バンプの高さの和が前記第１配線層の上面と前記電子部品の上面との距離より小さくなるまで加熱しながら加圧して一体化する工程とを備えた電子回路装置の製造方法としたものであり、平坦な第１配線層上に電子部品を実装してから第２配線層を積層することで、電子部品の実装を容易に行うことが可能となり、また第１配線層上のバンプと第２配線層上のバンプ同士を直接接続させることで、加熱加圧工程のみで行う第１配線層と第２配線層の電気的接続を、さらに安定化させることができるという作用を有する。
【００１９】
請求項９に記載の発明は、前記第１配線層の上面と前記第２配線層の上面との距離は、前記第１配線層の上面と前記電子部品の上面との距離より大きい請求項６または請求項７または請求項８に記載の電子回路装置の製造方法としたものであり、第２配線層の存在により電子部品への異物の衝突等の外的負荷から防護することが可能になると共に、第２配線層の外表面をマザーボードへの実装面として使用することができるという作用を有する。
【００２０】
請求項１０に記載の発明は、前記接着シートは、ガラス織布、アラミド不織布、無機フィラーの少なくとも１つを含む熱硬化性樹脂からなる請求項６または請求項７または請求項８に記載の電子回路装置の製造方法としたものであり、低熱膨張係数を実現して第１配線層と第２配線層の接続信頼性を安定化させることができるという作用を有する。
【００２１】
請求項１１に記載の発明は、前記接着シートに形成した前記空間は、前記電子部品と前記バンプのすべてを囲むエリアに形成された請求項６または請求項７または請求項８に記載の電子回路装置の製造方法としたものであり、空間形成方法を簡素化することができるという作用を有する。
【００２２】
請求項１２に記載の発明は、前記第２配線層上に第２バンプを形成する工程が、前記電子部品の実装エリアに対応する部分を削除して前記電子部品の上面より大きな開口部を設けた第２配線層を準備する工程より前に行われる請求項７または請求項８に記載の電子回路装置の製造方法としたものであり、第２配線層を作製する際に第２バンプも形成しておくことができるため、工程の簡素化ができるという作用を有する。
【００２３】
請求項１３に記載の発明は、前記第１バンプが金属線を用いた金属バンプからなる請求項６または請求項８に記載の電子回路装置の製造方法としたものであり、簡易な方法でバンプを形成することが可能であると共に、第１配線層と第２配線層間の電気的接続について安定した信頼性を実現することができるという作用を有する。
【００２４】
請求項１４に記載の発明は、前記第２バンプが金属線を用いた金属バンプからなる請求項７または請求項８に記載の電子回路装置の製造方法としたものであり、簡易な方法でバンプを形成することが可能であると共に、第１配線層と第２配線層間の電気的接続について安定した信頼性を実現することができるという作用を有する。
【００２５】
請求項１５に記載の発明は、前記第１バンプ及び第２バンプは、一方が金属線を用いた金属バンプからなり、他方が金属めっき膜からなる請求項８に記載の電子回路装置の製造方法としたものであり、バンプ同士の圧接において、硬い金属めっき膜に軟らかい金属バンプを押し当てることになるため、加熱加圧時の圧力を受けて金属バンプが潰れて応力を緩和しながら接続することができるため、第１配線層と第２配線層間の電気的接続について安定した信頼性を実現することができるという作用を有する。
【００２６】
請求項１６に記載の発明は、前記金属バンプと前記金属めっき膜は前記金属めっき膜の方が直径が大きい請求項１５に記載の電子回路装置の製造方法としたものであり、バンプ同士の圧接において、硬い金属めっき膜に軟らかい金属バンプを押し当てることになるため、加熱加圧時の圧力を受けて金属バンプが潰れて応力を緩和しながら接続する際に、金属めっき膜を支柱として働かせることが可能となり、第１配線層と第２配線層間の電気的接続について安定した信頼性を実現することができるという作用を有する。
【００２７】
請求項１７に記載の発明は、前記第１配線層と前記接着シートとの間に異方性導電シートを介在させ、前記第２バンプと前記第１配線層との電気的接続は前記異方性導電シートを介して行われる請求項６に記載の電子回路装置の製造方法としたものであり、バンプを用いた接続において更に電気的接続を安定化することができるという作用を有する。
【００２８】
請求項１８に記載の発明は、前記第２バンプが金属線を用いた金属バンプまたは金属めっき膜からなる請求項１７に記載の電子回路装置の製造方法としたものであり、簡易な方法でバンプを形成することが可能であると共に、第１配線層と第２配線層間の電気的接続について安定した信頼性を実現することができるという作用を有する。
【００２９】
請求項１９に記載の発明は、前記接着シートから流出した熱硬化性樹脂が前記電子部品の少なくとも側面部に接着している請求項６または請求項７または請求項８または請求項１７に記載の電子回路装置の製造方法としたものであり、第２配線層で囲まれた電子部品を更に確実に保護することができるという作用を有する。
【００３０】
請求項２０に記載の発明は、前記第１配線層と前記接着シートと前記第２配線層を一体化する工程中に、前記電子部品にも圧力を加える請求項６または請求項７または請求項８または請求項１７に記載の電子回路装置の製造方法としたものであり、加熱加圧工程中に電子部品にも加圧力を印加することができるため接続信頼性を安定化することができるという作用を有する。
【発明の効果】
【００３１】
第１配線層と第２配線層とを接続するバンプの高さを電子部品の高さより低く設定することにより、第１配線層と第２配線層との接続信頼性を向上させることができると共に、電子回路装置に使用する配線層の総厚を薄くすることができる。また、第１配線層の両面を電子部品実装面として有効に活用しながら、第２配線層の存在により電子部品への異物の衝突等の外的負荷から防護することが可能になると共に、平坦な第１配線層上に電子部品を実装してから第２配線層を積層することで、電子部品の実装を容易に行うことが可能となり、更にバンプを用いることにより加熱・加圧工程のみで第１配線層と第２配線層の電気的接続を行うことができるものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
（実施の形態１）
以下に、本発明の電子回路装置とこれを用いた電子機器、およびその製造方法の実施の形態について、図面を参照して説明する。図１は本発明の実施の形態１による電子回路装置の断面図である。
【００３３】
実施の形態１の電子回路装置１００は、図１（ａ）に示すように、第１配線層１０１と、この第１配線層１０１上に設けられた第２配線層１０４および電子部品１０５とを備える。第１配線層１０１の上面には第１導電性パターン１０２及び第２導電性パターン１０６が設けられている。この第１配線層１０１は、絶縁層が熱硬化性樹脂からなる多層配線基板である。熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シアネート樹脂またはＢＴレジン（ビスマレイミド・トリアジン樹脂）を用いることができる。エポキシ樹脂は耐熱性が高いために特に好ましい。第１導電性パターン１０２や第２導電性パターン１０６は電気導電性を有する物質から成り、例えば、Ｃｕ箔や導電性樹脂組成物から成る。本発明においてはＣｕ箔を用いている。また、第１配線層１０１に含まれるインナービア１１３は、例えば、Ｃｕめっきによる金属材料や、金属粒子と熱硬化性樹脂とを混合した導電性樹脂組成物などの熱硬化性の導電性物質から成る。導電性物質中の金属粒子としては、Ａｕ、ＡｇまたはＣｕなどを用いることができる。Ａｕ、ＡｇまたはＣｕは導電性が高いために好ましく、Ｃｕは導電性が高くマイグレーションも少なく、また、低コストであるため特に好ましい。また、熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シアネート樹脂を用いることができる。エポキシ樹脂は耐熱性が高いために特に好ましい。
【００３４】
第１配線層１０１の上面にある第１導電性パターン１０２上にはＡｕめっき膜を形成している。Ａｕめっき膜は、例えば、下地金属に無電解めっき法によるＮｉめっきを行い、Ｎｉめっき上に同じく無電解めっき法によるＡｕめっき膜を形成している。なお、Ａｕめっき膜形成方法については、上述した方法に限らず種々の方法によって実現することが可能であるが、後に電子部品１０５を実装した際の電気的導通を安定化するためには、最表層にはＡｕめっき膜が形成されていることが重要である。
【００３５】
このＡｕめっき膜が形成された第１導電性パターン１０２上に、電子部品１０５が実装されている。電子部品１０５としては、ＬＣＲ等のチップ部品からなる受動部品や半導体部品を用いることができる。半導体部品としては、例えばバンプ１１０が形成された半導体ベアチップＩＣがフリップ・チップ実装されている。バンプ１１０の材料としては、Ａｕ線によるＡｕスタッドバンプ、めっきによるＡｕまたははんだバンプ、導電性ペーストによるＡｇバンプ等簡易な方法で形成可能なバンプを用いることができる。なお上述した方法に限らず種々の方法でバンプ１１０を形成しても良い。半導体ベアチップＩＣのフリップ・チップ実装方法については、実装時に補助材料を用いないＡｕ−Ａｕ直接接続方式やはんだバンプによるはんだ接続方式を用いることができるが、上記した方法に限らず半導体ベアチップＩＣをフェイスダウンで実装するフリップ・チップ実装方式であるなら何れの方法も使用可能である。また、実装補助材１１１として、ＡＣＦやＮＣＦを用いるＡｕバンプによる圧接接続方式や、フリップ・チップ実装後に半導体ベアチップＩＣと第１配線層１０１の間にアンダーフィルを充填する方式を用いることができる。なお、上記した方法に限らず、実装補助材１１１を用いて半導体ベアチップＩＣをフェイスダウンで実装するフリップ・チップ実装方式であるなら何れの方法も使用可能である。
【００３６】
なお、電子部品１０５としてチップ部品を使用した場合には、実装材料としては、はんだや導電性接着剤を用いることができる。はんだとしては、Ｓｎ−Ａｇ系、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ｚｎ系、Ａｕ−Ｚｎ系などの材料が使用可能であるが、これらの材料に限らず電子部品１０５を実装できる材料であるなら何れの材料も使用可能である。ただし、環境汚染物質であるＰｂを含有しない材料であることが重要である。また、導電性接着剤としては、Ａｕ、ＡｇまたはＣｕなどの金属粒子とエポキシ樹脂、フェノール樹脂、シアネート樹脂などの熱硬化性樹脂とを混合した材料を使用することができる。その中でもＡｇとエポキシ樹脂の組み合わせは、導電性が高いと共に耐熱性が高いため特に好ましい。
【００３７】
第１配線層１０１上には、接着層１０８を介して第２配線層１０４が積層されている。接着層１０８としては、ガラス織布に熱硬化性のエポキシ樹脂を含浸させたガラスエポキシプリプレグ、ガラス織布に熱硬化性のビスマレイミド・トリアジン樹脂を含浸させたＢＴレジンプリプレグ、アラミド不織布に熱硬化性のエポキシ樹脂を含浸させたアラミドプリプレグ等を使用することが可能であるが、織布または不織布に熱硬化性樹脂を含浸させた構造であれば、様々な材料を使用することが可能である。また、織布または不織布に熱硬化性樹脂を含浸させたプリプレグ以外にも、二酸化珪素やアルミナ等の無機フィラーと熱硬化性樹脂との混合物を用いる事も可能である。
【００３８】
第２配線層１０４は、表裏面に第３導電性パターン１１５、第４導電性パターン１１６を有し、絶縁層が熱硬化性樹脂からなる配線基板である。第１配線層１０１と同様に、熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シアネート樹脂またはＢＴレジンを用いることができる。エポキシ樹脂は耐熱性が高いために特に好ましい。第３導電性パターン１１５や第４導電性パターン１１６は電気導電性を有する物質から成り、例えば、Ｃｕ箔や導電性樹脂組成物から成る。本発明においてはＣｕ箔を用いている。なお、本発明において第２配線層１０４は２層構成としているが、２層構成に限らず多層配線基板を用いてもよい。また、第２配線層内の層間接続を行う方法としては、インナービア構造、スルーホール構造等一般的なプリント配線板の接続方法を用いることができる。なお、第１配線層１０１、接着層１０８、第２配線層１０４の材料選択は任意に行うことが可能であるが、同種の材料で構成する方が熱膨張係数の差が大きくならず、また、反り防止に対しても効果的に働き、高信頼性の保つ上で特に好ましい。
【００３９】
第１配線層１０１と第２配線層１０４間の電気的接続は、第２導電性パターン１０６と第３導電性パターン１１５間に形成したバンプ１１８によって行われる。第２導電性パターン１０６および第３導電性パターン１１５は、バンプ１１８との接続を良好に行うため表面にＡｕめっき膜を形成している。なお、Ａｕめっき膜の代わりにパターン表面を粗化する手法を用いてもよい。バンプ１１８としては、Ａｕ線によるＡｕスタッドバンプ、Ｃｕ線によるＣｕスタッドバンプ、Ａｌ線によるＡｌスタッドバンプなどの金属バンプまたは金属めっき膜で構成されている。Ａｕスタッドバンプは材質が軟らかく、接続安定性が高いため特に好ましい。また、バンプ１１８は第１配線層１０１上に実装した電子部品１０５の上面の第１配線層１０１からの高さより小さくなるように設定している。
【００４０】
第２配線層１０４は第１配線層１０１上の電子部品１０５に位置する部分を開口した構造としている。更に、第２配線層１０４の開口部は電子部品１０５の形状より大きく設定し、第２配線層１０４と電子部品１０５は互いに接しないように配置していると共に、第１配線層１０１上に積層した第２配線層１０４の上面の第１配線層１０１からの高さは、第１配線層１０１上に実装した電子部品１０５の上面の第１配線層１０１からの高さより高く設定している。
【００４１】
図１（ａ）の構造完成後、図１（ｂ）に示すように、第１配線層１０１の電子部品１０５実装面の反対面に、ＬＣＲ等のチップ部品からなる受動部品や半導体部品からなる表層部品１２０および金属ケース１２１を実装して電子回路装置１００とすることができる。この電子回路装置１００は第４導電性パターン１１６によりマザーボード（図示せず）へ実装することが可能である。
【００４２】
以上の構成により、第１配線層と第２配線層とを接続するバンプの高さを電子部品の高さより低く設定することにより、第１配線層と第２配線層との接続信頼性を向上させると共に、電子回路装置に使用する配線層の総厚を薄くすることができる。また、第１配線層の表裏両面を電子部品１０５等の実装面として有効に使用することができるため、電子回路装置１００の小型化を実現することができるものである。しかも、第２配線層１０４を電子部品１０５の外周を囲うように配置しながら、電子部品１０５より第２配線層１０４の高さを高く設定することで、電子回路装置１００のマザーボード実装面側に電子部品１０５を配置したにもかかわらず、異物の衝突や実装時の衝撃等の外的負荷から電子部品１０５を防護することが可能となる。また、通常マザーボードはプリント配線板で構成されているが、このマザーボードと同種の材料を用いた第２配線層１０４を用いることで、マザーボードと電子回路装置１００間の接続信頼性を安定化することができるものである。
【００４３】
次に本発明の電子回路装置の製造方法の実施の形態について、図面を参照して説明する。
【００４４】
図２は、本発明の実施の形態１による電子回路装置の製造工程断面図である。
【００４５】
図２（ａ）に示すように、第１配線層１０１の上面に配置した第１導電性パターン１０２と、第２導電性パターン１０６およびインナービア１１３とを含む多層配線基板の第１導電性パターン１０２にはＡｕめっき膜が形成されている。その後、図２（ｂ）に示すように、電極上にバンプ１１０を形成した半導体ベアチップＩＣからなる電子部品１０５を第１導電性パターン１０２上へフリップ・チップ実装する。本発明においては、バンプ１１０の高さは２０μｍ、電子部品１０５の厚さは１５０μｍとしている。ただし、あくまでこれらのサイズは一例を示すものであって、このサイズに限定するものではない。
【００４６】
次に、図２（ｃ）に示すように、２層基板からなり、表裏面に第３導電性パターン１１５および第４導電性パターン１１６を有する第２配線層１０４の所望の位置に、開口部１３１を形成する。本発明においては、第２配線層１０４の厚みは、第３導電性パターン１１５および第４導電性パターン１１６の厚みを含んで総厚２００μｍとしている。ただし、あくまでこれらのサイズは一例を示すものであって、このサイズに限定するものではない。
【００４７】
その後図２（ｄ）に示すように、開口部１３１を形成した第２配線層１０４の第３導電性パターン１１５上に第１バンプ１３２を形成する。第１バンプ１３２としては、Ａｕ線によるＡｕスタッドバンプ、Ｃｕ線によるＣｕスタッドバンプ、Ａｌ線によるＡｌスタッドバンプを用いることができる。Ａｕスタッドバンプは材質が軟らかく、接続安定性が高いため特に好ましい。なお、本発明においては、第３導電性パターン１１５上に形成した第１バンプ１３２の高さを１００μｍとしている。ただし、あくまでこれらのサイズは一例を示すものであって、このサイズに限定するものではない。
【００４８】
また別の工程で、図２（ｅ）に示すように、熱硬化性樹脂を含む接着シート１３３を準備し、この接着シート１３３について、後に第１配線層１０１と重ね合わせた際に電子部品１０５と第１バンプ１３２に対応する位置に、電子部品１０５及び電子部品１０５より大きな空間１３４、１３５を形成しておく。本発明においては、６０μｍ厚のガラス織布にエポキシ樹脂を含浸させた初期厚８０μｍのプリプレグを使用している。ただし、あくまでこれらの材料やサイズは一例を示すものであって、この材料やサイズに限定するものではない。なお、空間１３４および１３５は、それぞれ個別に形成するだけでなく、一体化して電子部品１０５および第１バンプ１３２のすべてを囲む大きな空間としても良い。すべてを囲む大きな空間とする利点は、空間を作製する工程を簡素化することができるものである。
【００４９】
次に、図２（ｆ）に示すように、電子部品１０５実装後の第１配線層１０１上に空間１３４、１３５を形成した接着シート１３３と、第１バンプ１３２を形成した第２配線層１０４を第１バンプ１３２が第１配線層１０１側に位置するように順に重ね合わせる。なお、第１配線層１０１、接着シート１３３、第２配線層１０４は積層後の基板の反りや変形を防止するために、同一組成の材料であることが望ましいが、異種材料を使用する場合には、熱膨張係数差の小さい材料を選択することが重要である。
【００５０】
次に、図２（ｇ）に示すように、重ね合わせたそれぞれの構成材料をプレス機（図示せず）により、例えば２００℃で加熱しながら４ＭＰａの圧力で加圧を行うことで、第１バンプ１３２を第１配線層１０１上の第２導電性パターン１０６上に押し当てて接触させる。この時、加熱・加圧することで接着シート１３３に含まれる熱硬化性樹脂が押し流されながら硬化して第１配線層１０１と第２配線層１０４を固定するため、加熱・加圧工程完了後の接着シート１３３の厚みは８０μｍからガラス織布の厚みの６０μｍまで薄くなる。従って、第１バンプ１３２は接着シートの厚みと略同等の６０μｍまで押し潰されながら第１配線層１０１と第２配線層１０４間に存在することとなる。この様に、第１バンプ１３２が押し潰されながら第２導電性パターン１０６に接触するので、第１バンプ１３２と第２導電性パターン１０６間において十分な接触面積を確保し、安定した電気的導通を行うことができるのである。また、加熱・加圧工程によって接着シート１３３を薄くしながら硬化させ、第２配線層１０４を第１配線層１０１上に固定するのであるが、加熱・加圧工程終了後に電子部品１０５の実装高さより第２配線層１０４の高さの方が高くなるようにそれぞれの材料の厚みを考慮して設計することが重要である。このことにより、第２配線層１０４を電子部品１０５の外周を囲うように配置しながら、電子部品１０５より第２配線層１０４の高さを高く設定することで、電子回路装置１００のマザーボード実装面側に電子部品１０５を配置したにもかかわらず、異物の衝突や実装時の衝撃等の外的負荷から電子部品１０５を防護することが可能となる。また、加熱・加圧工程中に第１配線層１０１、接着シート１３３、第２配線層１０４間に十分に圧力を伝えることができるため、第１バンプ１３２を押し潰して確実に第２導電性パターン１０６と接触させることが可能となる。更に、第２配線層１０４を使用しているため、第２配線層１０４は単なる電極部であるだけでなく、配線パターンとして活用することが可能となる。
【００５１】
その後、図２（ｈ）に示すように、第１配線層１０１の電子部品１０５実装面の反対面に、ＬＣＲ等のチップ部品からなる受動部品や半導体部品からなる表層部品１２０および金属ケース１２１を実装して電子回路装置１００とすることができる。この電子回路装置１００は第４導電性パターン１１６によりマザーボード（図示せず）へ実装することが可能である。
【００５２】
以下、実施の形態１に示す電子回路装置およびその製造方法の特徴について説明する。
【００５３】
本発明の電子回路装置およびその製造方法においては、通常凹部を形成した配線基板を準備し、この凹部内に電子部品を実装して電子回路装置を作製する手法を用いることに対して、平坦な第１配線層上に電子部品を実装してから第２配線層を積層することで、凹部内への電子部品の実装と比較して非常に容易に行うことが可能となり、更に独立した第１配線層と第２配線層を、バンプを用いることにより加熱・加圧工程の簡便な工法で電気的接続を行うことができるため、複雑なめっき工程等を経ることなく容易に凹部形状を形成することが可能である。そのため、第１配線層の両面を電子部品実装面として有効に活用しながら、第２配線層の存在により電子部品への異物の衝突等の外的負荷から防護することが可能になると共に、第１配線層と第２配線層とに挟まれる接着層の厚みを薄くすることができるため、電子回路装置の小型化が可能であり、更に電子回路装置に使用する配線層の総厚を薄くすることができるので、電子回路装置の薄型化にも大きく貢献できるものである。
【００５４】
以上に示すように、本実施の形態１によれば、第１配線層の両面を電子部品実装面として有効に活用しながら、第２配線層の存在により電子部品への異物の衝突等の外的負荷から防護することが可能になると共に、第１配線層と第２配線層とに挟まれる接着層の厚みを薄くすることができるため、電子回路装置に使用する配線層の総厚を薄くすることができる。また、平坦な第１配線層上に電子部品を実装してから第２配線層を積層することで、電子部品の実装を容易に行うことが可能となり、更にバンプを用いることにより加熱・加圧工程のみで第１配線層と第２配線層の電気的接続を行うことができるものである。
【００５５】
（実施の形態２）
以下、本発明に係る実施の形態２について図を用いて説明する。図３は本発明の実施の形態２による電子回路装置の製造工程断面図である。なお、特に説明しない限りは実施の形態１と同一の構造については、同一番号を付与して説明を省略する。
【００５６】
実施の形態２における実施の形態１との主な相違点は、図３（ｃ）に示すように、電子部品１０５を実装した第１配線層の第２導電性パターン１０６上に第２バンプ１４２を形成していることである。第２バンプ１４２としては、Ａｕ線によるＡｕスタッドバンプ、Ｃｕ線によるＣｕスタッドバンプ、Ａｌ線によるＡｌスタッドバンプを用いることができる。Ａｕスタッドバンプは材質が軟らかく、接続安定性が高いため特に好ましい。第２バンプ１４２を形成している第２導電性パターン１０６の表面は、バンプ形成を容易に行うためにＡｕめっき膜を形成している。そして、第２バンプ１４２と接続する第３導電性パターン１１５の表面は、第２バンプ１４２との接続を良好に行うため予め表面にＡｕめっき膜を形成しておくことや、Ａｕめっき膜を形成する代わりにパターン表面をエッチング等により粗化する手法を用いてもよい。なお、本発明においては、第２バンプ１４２の高さを１００μｍとしている。ただし、あくまでこれらのサイズは一例を示すものであって、このサイズに限定するものではない。
【００５７】
第１配線層１０１と第２配線層１０４間を電気的に繋ぐバンプを第２バンプ１４２として第１配線層１０１上の第２導電性パターン１０６上に形成することで、薄い第２配線層１０４へのバンプ形成ではなく、厚い第１配線層１０１へのバンプ形成とすることができるため、実施の形態１と比較してバンプ形成工程が容易になる。
【００５８】
その他の構造については実施の形態１と同一の特性を有するものである。
【００５９】
（実施の形態３）
以下、本発明に係る実施の形態３について図を用いて説明する。図４は本発明の実施の形態３による電子回路装置の製造工程断面図である。なお、特に説明しない限りは実施の形態１および実施の形態２と同一の構造については、同一番号を付与して説明を省略する。
【００６０】
実施の形態３における実施の形態１および実施の形態２との主な相違点は、図４（ｃ）および図４（ｅ）に示すように、第１配線層１０１と第２配線層１０４間を電気的に繋ぐバンプを第１配線層１０１上と第２配線層１０４上の両方にそれぞれ形成していることである。第１バンプ１３２としては、Ａｕ線によるＡｕスタッドバンプ、Ｃｕ線によるＣｕスタッドバンプ、Ａｌ線によるＡｌスタッドバンプを用いることができる。Ａｕスタッドバンプは材質が軟らかく、接続安定性が高いため特に好ましい。同様に第２バンプ１４２としては、Ａｕ線によるＡｕスタッドバンプ、Ｃｕ線によるＣｕスタッドバンプ、Ａｌ線によるＡｌスタッドバンプを用いることができる。Ａｕスタッドバンプは材質が軟らかく、接続安定性が高いため特に好ましい。この時、第１バンプ１３２を形成する第２導電性パターン１０６および第２バンプ１４２を形成する第３導電性パターン１１５の表面は、それぞれ第１バンプ１３２および第２バンプ１４２との接続を良好に行うため予め表面にＡｕめっき膜を形成している。そして、図４（ｈ）および図４（ｉ）に示すように、第１バンプ１３２および第２バンプ１４２をそれぞれ押し当てて押し潰しながら一体化するものである。
【００６１】
また、第１バンプ１３２および第２バンプ１４２については、どちらか一方のバンプを金属めっき膜からなるめっきバンプとすることができる。めっきバンプを用いることで、軟らかい金属バンプ同士の接続の場合に起きる、バンプが押し潰される際に垂直方向から逸れて倒れることによる接続不良を防止することが可能となる。この場合、めっきバンプが加熱・加圧工程で柱の役割を果たしバンプの倒れを防止するものである。更にこの場合、金属めっき膜からなるめっきバンプは、金属線を用いた金属バンプより直径を大きくしておくことが重要である。直径を大きくすることで、より確実に加熱・加圧工程での柱の役割を果たすことが可能となる。なお、めっきバンプの表面はＡｕめっき膜を形成することや、表面を粗化することで金属線を用いた金属バンプとの電気的接続を安定化することが可能となる。この構造の一例を図５に示す。なお、本発明においては、金属線を用いた金属バンプの高さを５０μｍ、直径を１００μｍとし、金属めっき膜からなるめっきバンプの高さを５０μｍ直径を３００μｍとしている。ただし、あくまでこれらのサイズは一例を示すものであって、このサイズに限定するものではない。
【００６２】
（実施の形態４）
以下、本発明に係る実施の形態４について図を用いて説明する。図６は本発明の実施の形態４による電子回路装置の製造工程断面図である。なお、特に説明しない限りは実施の形態１と同一の構造については、同一番号を付与して説明を省略する。
【００６３】
実施の形態４における実施の形態１との主な相違点は、図６（ｆ）に示すように、第１配線層１０１と接着シート１３３との間に異方性導電シート１４３を配置していることである。異方性導電シート１４３は電子部品１０５に対応する部分には空間１４４を形成しておき、第１バンプ１３２に対応する部分はそのまま異方性導電シート１４３が存在するように配置している。この異方性導電シート１４３を配置することで、加熱・加圧工程時に第１バンプ１３２が異方性導電シート１４３を介して第１配線層１０１の第２導電性パターン１０６と電気的接続することが可能となるとともに、接続信頼性を安定化することが可能となる。
【００６４】
（実施の形態５）
以下、本発明に係る実施の形態５について図を用いて説明する。図７は本発明の実施の形態５による電子回路装置の断面図である。なお、特に説明しない限りは実施の形態１と同一の構造については、同一番号を付与して説明を省略する。
【００６５】
図７（ａ）に示すように、加熱・加圧することで接着シート１３３に含まれる熱硬化性樹脂を押し流しながら硬化して第１配線層１０１と第２配線層１０４を固定する際に、熱硬化性樹脂を電子部品１０５の側面部を保護するように電子部品１０５の側面に接着させて硬化したり、または図７（ｂ）に示すように、熱硬化性樹脂を電子部品１０５を完全に覆うまで流し出して硬化させることである。こうすることで、特に電子部品１０５に外的応力に弱い半導体部品を用いた場合に対して、電子部品１０５を保護する効果が高まるものである。更に、電子部品１０５を完全に熱硬化性樹脂で覆う場合には、加熱・加圧工程中に、電子部品１０５を第１配線層１０１側へ押す力が働くため、加熱工程中に電子部品１０５の電気的接続が不安定になることを防止することが可能となる。
【００６６】
（実施の形態６）
以下、本発明に係る実施の形態６について図を用いて説明する。図８は本発明の電子回路装置製造時の加熱・加圧工程の断面図である。なお、特に説明しない限りは実施の形態１と同一の構造については、同一番号を付与して説明を省略する。
【００６７】
本実施の形態６では、図８（ａ）に示すように、プレス機１５０により第１配線層１０１、接着シート１３３、第２配線層１０４を加熱しながら加圧する工程を、電子部品１０５にも圧力を印加する構造としたものである。こうすることで、電子部品１０５を第１配線層１０１側へ押す力が働くため、加熱工程中に電子部品１０５の電気的接続が不安定になることを防止することが可能となる。また、図８（ｂ）に示すように、プレス機１５０で直接電子部品１０５を加圧するだけでなく、クッション性のある弾性体１５１を介在させて加熱・加圧工程を行っても良い。ただし、当然弾性体１５１は加熱・加圧工程中は電子部品１０５に接することが可能となる材料を選択することが重要である。このクッション性を有する弾性体１５１を用いることにより、プレス機１５０の電子部品１５０に対する平行度を厳密に設定することなく電子部品１０５への加圧が可能となる。
【００６８】
（実施の形態７）
本実施の形態７では、図９に示すように、本発明の電子回路装置１００を用い、アンテナ２０１と表示装置２０２をそれぞれ接続することによって、電子機器２００とすることができることを示している。なお、本発明の電子回路装置１００は上述した構成に留まらず、様々な部品、装置と接続することによって各種電子機器とすることができるものである。
【産業上の利用可能性】
【００６９】
本発明における電子回路装置とこれを用いた電子機器、およびその製造方法は、第１配線層と第２配線層との接続信頼性を向上させると共に、電子回路装置に使用する配線層の総厚を薄くすることができるので、例えば、超小型の３次元実装モジュールの製造に利用できる。
【図面の簡単な説明】
【００７０】
【図１】本発明の実施の形態１における電子回路装置の断面図
【図２】本発明の実施の形態１における電子回路装置の製造工程断面図
【図３】本発明の実施の形態２における電子回路装置の製造工程断面図
【図４】本発明の実施の形態３における電子回路装置の製造工程断面図
【図５】本発明の実施の形態３における電子回路装置の断面図
【図６】本発明の実施の形態４における電子回路装置の製造工程断面図
【図７】本発明の実施の形態５における電子回路装置の断面図
【図８】本発明の実施の形態６における電子回路装置製造時の加熱・加圧工程の断面図
【図９】本発明の電子回路装置を用いた電子機器の一例を示す図
【図１０】従来の電子回路装置の製造工程断面図
【図１１】従来の電子回路装置の断面図
【符号の説明】
【００７１】
１００  電子回路装置
１０１  第１配線層
１０２  第１導電性パターン
１０４  第２配線層
１０５  電子部品
１０６  第２導電性パターン
１０８  接着層
１１０  バンプ
１１１  実装補助材
１１３  インナービア
１１５  第３導電性パターン
１１６  第４導電性パターン
１１８  バンプ
１２０  表層部品
１２１  金属ケース
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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