(57)【要約】【課題】  投影光学系の最終面と基板との間隙に満たされた液体への酸素の混入を低減する新規な技術の提供。【解決手段】  原版からの光を投影する投影光学系を有し、前記投影光学系の最終面と基板との間隙に満たされた液体を介して該基板を露光する露光装置であって、該間隙における、前記投影光学系の最終光学素子の光軸を含む第１の領域に第１の液体を供給する第１の供給手段と、該第１の領域の周囲の第２の領域に該第１の液体とは異なる第２の液体を供給する第２の供給手段と、を有する、ことを特徴とする露光装置を提供する。【選択図】  図２
2008218653.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
原版からの光を投影する投影光学系を有し、前記投影光学系の最終面と基板との間隙に満たされた液体を介して該基板を露光する露光装置であって、
該間隙における、前記投影光学系の最終光学素子の光軸を含む第１の領域に第１の液体を供給する第１の供給手段と、
該第１の領域の周囲の第２の領域に該第１の液体とは異なる第２の液体を供給する第２の供給手段と、
を有することを特徴とする露光装置。
【請求項２】
該第１の液体は、飽和炭化水素の液体を含む、ことを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
該第２の液体は、超純水を含む、ことを特徴とする請求項１又は２に記載の露光装置。
【請求項４】
該基板を保持し、該保持された基板の周囲に位置するように配された天板を含み、かつ移動するステージを有し、
該第２の液体の前記天板に対する接触角は、該第１の液体の前記天板に対する接触角より大きい、
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の露光装置。
【請求項５】
前記第１の供給手段は、該光軸の周囲に配された第１の供給口を有し、かつ前記第１の供給口を介して該第１の領域に液体を供給し、
前記第２の供給手段は、前記第１の供給口の周囲に配された第２の供給口を有し、かつ前記第２の供給口を介して該第２の領域に液体を供給する、
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の露光装置。
【請求項６】
該第１の領域から液体を回収する第１の回収手段と、
該第２の領域から液体を回収する第２の回収手段と、
を有することを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の露光装置。
【請求項７】
該第１の領域から液体を回収する第１の回収手段と、
該第２の領域から液体を回収する第２の回収手段と、
を有し、
前記第１の回収手段は、該光軸と前記第２の供給口との間に配された第１の回収口を有し、かつ前記第１の回収口を介して該第１の領域から液体を回収し、
前記第２の回収手段は、前記第１の供給口および前記第１の回収口の周囲に配された第２の回収口を有し、かつ前記第２の回収口を介して該第２の領域から液体を回収する、
ことを特徴とする請求項５に記載の露光装置。
【請求項８】
前記第１の回収口は、前記第１の供給口の周囲に配され、かつ前記第２の回収口は、前記第２の供給口の周囲に配されている、ことを特徴とする請求項７に記載の露光装置。
【請求項９】
前記第１の回収手段は、該第１の液体と該第２の液体とを分離する機構を含む、ことを特徴とする請求項６乃至８のいずれかに記載の露光装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれかに記載の露光装置を用いて基板を露光するステップと、
該露光された基板を現像するステップと、
を有することを特徴とするデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、投影光学系の最終面と基板との間隙に満たされた液体を介して基板を露光する露光装置、およびデバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
フォトリソグラフィー（焼き付け）技術を用いて半導体メモリや論理回路などの微細な半導体素子を製造する際、縮小投影露光装置が従来から使用されている。縮小投影露光装置は、レチクル（マスク）に描画された回路パターンを投影光学系によってウェハ等に投影して回路パターンを転写する。
【０００３】
縮小投影露光装置で転写できる最小の寸法（解像度）は、露光に用いる光の波長に比例し、投影光学系の開口数（ＮＡ）に反比例する。従って、波長を短くすればするほど、及び、ＮＡを上げれば上げるほど、解像度はよくなる。このため、近年の半導体素子の微細化への要求に伴い露光光の短波長化が進められ、ＫｒＦエキシマレーザー（波長約２４８ｎｍ）からＡｒＦエキシマレーザー（波長約１９３ｎｍ）と用いられる紫外線の波長は短くなってきた。
【０００４】
このような中で、ＡｒＦエキシマレーザーなどの光源を用いながら、更に解像度を向上させる技術として、液浸露光が注目されている。液浸露光とは、投影光学系の最終面とウェハとの間を液体で満たす（即ち、投影光学系のウェハ側の媒質を液体にする）ことで露光光の実効波長を短波長化し、投影光学系のＮＡを見掛け上大きくして解像度の向上を図るものである。投影光学系のＮＡは、媒質の屈折率をｎとすると、ＮＡ＝ｎ×ｓｉｎθであるので、空気の屈折率よりも高い屈折率（ｎ＞１）の媒質を満たすことでＮＡをｎまで大きくすることができる。
【０００５】
また、屈折率の高い液体ほど解像度の向上が見込まれることから、純水を用いた液浸露光装置の後続技術として、高屈折率を有する液体（高屈折率液体）を用いた液浸露光装置が提案されている（特許文献１参照）。
【０００６】
高屈折率液体を用いた液浸露光装置において、高屈折率液体の透過率変動を低減させるために、液浸領域の周囲を不活性ガスによってパージする方法が提案されている（特許文献２参照）。
【特許文献１】特開２００６−００４９６４号公報
【特許文献２】特開２００６−１７３２９５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
高屈折率液体を用いた液浸露光装置に関する第１の課題は、高屈折率液体は、純水と比べて酸素が溶け込みやすく、大気中にさらされると紫外線領域の透過率が大きく低下する。液体の透過率が低下すると露光光の吸収による温度上昇が液体に生じ、液体の屈折率が変化する。このような液体の屈折率の変化は、露光収差を引き起こすため、露光性能（結像性能）を維持するためには、液体の透過率を厳密に管理する必要がある。なお、液体の温度変化に起因した露光収差を補正する場合には、液体の透過率を一定に維持することが好ましい。液体の透過率が変動する場合には、かかる変動に応じて収差補正量を制御する必要がある。
【０００８】
そこで、高屈折率液体への酸素の混入を防止するため、特許文献２のように、液浸領域の周囲を不活性ガスでパージすることが考えられる。しかし、この場合、チャンバの構造が複雑となり、また、メンテナンス時における安全性への対処も必要となる。
【０００９】
高屈折率液体を用いた液浸露光装置に関する第２の課題は、高屈折率液体は、純水と比べて表面張力が小さいために、ウェハステージの天板の表面に対して接触角を大きくすることが困難である。そのため、ローカルフィル方式においてウェハを天板と共に移動させながら露光する際に、液体が天板に残り易い。このように天板に液体が残ることは、該液体が気化して温度等の露光環境条件の外乱となったり、該液体が投影光学系の最終面と基板との間隙に満たされた液膜に戻る際に液膜中に気泡や乱流が発生するおそれがあったりするため、好ましくない。
【００１０】
そこで、本発明は、投影光学系の最終面と基板との間隙に満たされた液体への酸素の混入を低減する新規な技術を提供することを例示的目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
第１の発明は、原版からの光を投影する投影光学系を有し、前記投影光学系の最終面と基板との間隙に満たされた液体を介して該基板を露光する露光装置であって、
該間隙における、前記投影光学系の最終光学素子の光軸を含む第１の領域に第１の液体を供給する第１の供給手段と、
該第１の領域の周囲の第２の領域に該第１の液体とは異なる第２の液体を供給する第２の供給手段と、
を有する、ことを特徴とする露光装置である。
【００１２】
また、第２の発明は、上記第１の発明の露光装置を用いて基板を露光するステップと、
該露光された基板を現像するステップと、
を有することを特徴とするデバイス製造方法である。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、例えば、投影光学系の最終面と基板との間隙に満たされた液体への酸素の混入を低減する新規な技術を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、添付図面を参照して、本発明の一側面としての露光装置について説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。ここで、図１は、本発明の実施形態に係る露光装置１の構成を示す断面図である。
【００１５】
露光装置１は、投影光学系３０の最終光学素子３０ａの被処理体（ウェハまたは基板ともいう）４０側にある面（最終面）と被処理体４０との間隙およびその周囲に液体Ｌ１およびＬ２を供給する。ここで、最終光学素子３０ａの光軸をＡＸとする。露光装置１は、レチクル２０に形成された回路パターン、投影光学系、および液体Ｌ１を介して被処理体４０を露光する液浸型の投影露光装置である。
【００１６】
露光装置１は、ステップ・アンド・スキャン方式又はステップ・アンド・リピート方式を用いて、被処理体４０を露光する。露光装置１は、サブミクロンやクオーターミクロン以下のリソグラフィー工程に好適であり、以下、本実施形態では、ステップ・アンド・スキャン方式の露光装置（「スキャナー」とも呼ばれる）を例に説明する。ここで、「ステップ・アンド・スキャン方式」とは、レチクルに対してウェハを連続的にスキャン（走査）してレチクルパターンをウェハに露光すると共に、１ショットの露光終了後ウェハをステップ移動して、次の露光領域に移動する露光方法である。また、「ステップ・アンド・リピート方式」とは、ウェハの一括露光ごとにウェハをステップ移動して次の露光領域に移動する露光方法である。
【００１７】
露光装置１は、照明装置１０と、レチクル２０を載置するレチクルステージ２５と、投影光学系３０と、被処理体４０を載置するウェハステージ４５と、液体保持部（天板ともいう）５０と、液体供給回収機構６０とを有する。また、露光装置１は、図示しない測距手段と、図示しない制御部とを有する。測距手段は、レチクルステージ２５の位置及びウェハステージ４５の２次元的な位置を、参照ミラーやレーザー干渉計を介して、リアルタイムに測定する。制御部は、ＣＰＵやメモリを有し、露光装置１の動作（特に、レチクルステージ２５及びウェハステージ４５の駆動）を制御する。
【００１８】
照明装置１０は、転写用の回路パターンが形成されたレチクル２０を照明するものであって、光源部１２と、照明光学系１４とを有する。
【００１９】
光源部１２は、例えば、光源として、波長約１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザー、波長約２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザーを使用することができる。但し、光源の種類は、エキシマレーザーに限定されず、例えば、波長約１５７ｎｍのＦ２レーザーを使用してもよいし、光源の個数も限定されない。また、光源部１２に使用可能な光源は、レーザーに限定されるものではなく、一又は複数の水銀ランプやキセノンランプなどのランプも使用可能である。また、光源部１２にレーザーが使用される場合、ビーム整形光学系を使用することが好ましい。ビーム整形光学系は、例えば、複数のシリンドリカルレンズを備えるビームエクスパンダを使用する。ビーム整形光学系は、レーザーからの平行光の断面形状の寸法の縦横比率を所定の値に変換する（例えば、断面形状を長方形から正方形にするなど）ことによりビーム形状を所定のものに整形する。
【００２０】
照明光学系１４は、レチクル２０を照明する光学系である。照明光学系１４は、例えば、集光光学系と、オプティカルインテグレーターと、開口絞りと、集光レンズと、マスキングブレードと、結像レンズとを含む。照明光学系１４は、従来の照明、輪帯照明、四重極照明などの様々な照明モードを実現できる。集光光学系は、複数の光学素子から構成され、オプティカルインテグレーターに所定の形状で効率よく光を導入する。オプティカルインテグレーターは、レチクル２０を照明する照明光を均一化するものであって、ハエの目レンズ、光学ロッド、回折格子、各組が直交するように配置された複数の組のシリンドリカルレンズアレイ板などを含む。開口絞りは、投影光学系３０の瞳に形成される有効光源と略共役な位置に配置され、有効光源の形状を制御する。集光レンズは、オプティカルインテグレーターの射出面近傍の２次光源から射出し、開口絞りを透過した複数の光束を集光し、マスキングブレードを均一にケーラー照明する。マスキングブレードは、複数の可動遮光板より構成され、投影光学系３０の有効面積に対応する略矩形の任意の開口形状を有する。マスキングブレードの開口部を透過した光束をレチクル２０を照明する照明光として使用する。結像レンズは、マスキングブレードの開口形状をレチクル２０に投影する。
【００２１】
レチクル２０は、例えば、石英製で、その上には転写されるべきパターンが形成され、レチクルステージ２５により保持及び駆動される。レチクル２０から発せられた回折光は、投影光学系３０により、被処理体４０上に投影される。レチクル２０と被処理体４０は、光学的に共役の関係に配置される。露光装置１は、スキャナーであるため、レチクル２０と被処理体４０とを走査させることにより、レチクル２０のパターンを被処理体４０上に転写する。なお、ステップ・アンド・リピート方式の露光装置（「ステッパー」とも呼ばれる）の場合、レチクル２０と被処理体４０とを静止させた状態で露光を行う。
【００２２】
レチクルステージ２５は、レチクル２０を保持して図示しない移動機構により移動させられる。レチクルステージ２０及び投影光学系３０は、例えば、床等に載置されたベースフレーム上にダンパ等を介して支持される鏡筒定盤上に設けられる。レチクルステージ２５は、当業界周知のいかなる構成をも適用できる。図示しない移動機構は、リニアモータなどで構成され、ＸＹ方向にレチクルステージ２５を駆動することで、レチクル２０を移動することができる。
【００２３】
投影光学系３０は、レチクル２０に形成されたパターンを経た回折光を被処理体４０上に結像（投影）する機能を有する。投影光学系３０は、複数のレンズ素子と少なくとも一枚の反射鏡とを有する反射屈折光学系、複数のレンズ素子のみからなる屈折光学系などを使用することができる。
【００２４】
本実施形態では、投影光学系３０は、被処理体４０に最も近い最終光学素子（即ち、最も被処理体４０側に配置される光学素子）として、パワーを有する平凸レンズを有する。平凸レンズは、平坦な射出面（下側（被処理体４０側）の面）を有するため、走査時の液体Ｌの乱流及びかかる乱流による液体Ｌへの気泡の混入を防止することができる。平凸レンズの射出面には、液体Ｌから保護するために保護膜を形成してもよい。なお、本発明は、投影光学系３０の最終光学素子を平凸レンズ３２に限定するものではない。
【００２５】
被処理体４０は、本実施形態ではウェハであるが、液晶基板、その他の被処理体を広く含む。被処理体４０には、フォトレジストが塗布されている。
【００２６】
ウェハステージ４５は、図示しないウェハチャックを介して被処理体４０を保持し、図示しない移動機構により移動させられる。ウェハステージ４５は、当業界周知のいかなる構成をも適用でき、６つの運動の自由度（例えば、直交座標系を構成するＸＹＺ軸にそれぞれ平行な並進駆動、該ＸＹＺ軸それぞれを回転軸とする回転運動の計６自由度）を有することが好ましい。例えば、ウェハステージ４５は、リニアモータを利用してＸＹＺ方向に被処理体４０を移動する。レチクル２０と被処理体４０とは、例えば、同期走査され、レチクルステージ２５の位置とウェハステージ４５の位置とは、例えば、レーザー干渉計などにより監視され、両者は一定の速度比率で駆動される。ウェハステージ４５は、例えば、ダンパを介して床等の上に支持されるステージ定盤上に設けられる。
【００２７】
ウェハステージ４５の液膜保持部（天板）５０は、図１に示すように、被処理体４０の周囲に配置されている。被処理体４０の端部から露光を開始するためには、被処理体４０の端部が露光領域（露光光が照射される領域）に到達する前に投影光学系３０の最終面（下面）の下に液体を満たす必要がある。そこで、被処理体４０の外側に、被処理体４０の表面とほぼ同じ高さの表面を有する液膜保持部５０を設けることにより、被処理体４０の外側の領域においても液膜を形成することを可能にしている。
【００２８】
液体Ｌ１の供給回収機構６０（第１の供給手段および第１の回収手段を含む）は、供給ノズル６１（第１の供給口）を介して、投影光学系３０の最終光学素子と被処理体４０との間に液体Ｌ１を供給する。また、液体Ｌ１の供給回収機構６０は、回収ノズル６２（第１の回収口）を介して、投影光学系３０の最終光学素子と被処理体４０の間に供給された液体Ｌ１を回収する。
【００２９】
液体Ｌ２の供給回収機構７０（第２の供給手段および第２の回収手段を含む）は、供給ノズル７１（第２の供給口）を介して、投影光学系３０の最終光学素子と被処理体４０との間で且つ、液体Ｌ１の供給回収機構６０により供給された液体Ｌ１の外側に液体Ｌ２を供給する。また、液体Ｌ２の供給回収機構７０は、回収ノズル７２（第２の回収口）を介して、投影光学系３０の最終光学素子と被処理体４０の間で且つ、液体Ｌ１の供給回収機構６０により供給された液体Ｌ１の外側に供給された液体Ｌ２を回収する。
【００３０】
また、液体Ｌ１の供給回収機構６０と液体Ｌ２の供給回収機構７０は、被処理体４０の表面（上面）を含むウェハステージ４５の表面（上面）を部分的に液浸させるローカルフィル方式を採用する。液体Ｌ２の周囲は、図示しないエアカーテンによってシールされてもよい。
【００３１】
液体Ｌ１は、露光光の波長に対する透過率がよく、投影光学系３０に汚れを付着させず、レジストプロセスとのマッチングのよい液体（物質）を使用する。液体Ｌ１は、例えば、飽和炭化水素系の高屈折率液体であり、被処理体４０に塗布されたフォトレジストや露光光の波長に応じて選択することができる。投影光学系３０の最終光学素子には、液体Ｌ１からの影響を保護するためにコーティングを施すこともできる。
【００３２】
液体Ｌ２は、液体Ｌ１と混合しない液体（物質）を使用する。液体Ｌ２は、液体Ｌ１と混合しない液体（物質）の場合、例えば、超純水、純水、イオン水などを使用する。
【００３３】
液体Ｌ１の供給回収機構６０には、図示しない回収した液体Ｌ１の純度を向上させる精製機構と、液体Ｌ１の溶存酸素を除去する脱気機構を有する。液体Ｌ１の供給回収機構６０には、液体Ｌ１を移送するためのポンプ、液体Ｌ１の移送量を制御するための流量制御部、液体Ｌ１の温度調整のための温度調整部、新しい液体と回収した後に精製した液体とを混合する混合機構も更に有する。
【００３４】
液体Ｌ２の供給回収機構７０には、液体Ｌ２を移送するためのポンプ、液体Ｌ２の移送量を制御するための流量制御部、液体Ｌ２の温度調整のための温度調整部を有する。液体Ｌ１と同じ液体を使用する場合は、更に溶存酸素を除去する脱気機構を更に設けてもよい。
【００３５】
以下、液体の透過率の変動と、液体保持部上の液体の残りを低減した機構について詳細を説明する。
【実施例１】
【００３６】
実施例１では、液体Ｌ１への酸素の溶け込み（液体の透過率の変動）と、液体保持部５０上での液体残りとを低減させた実施例である。
【００３７】
実施例１の露光装置１は、光源部にＡｒＦエキシマレーザーを使用したステップ・アンド・スキャン方式の露光装置である。
【００３８】
図２に示すように液体Ｌ１の供給回収機構６０と液体Ｌ２の供給回収機構７０とを有し、各液体で独立した供給回収機構を有する。投影光学系３０の最終面と被処理体４０との間隙に供給する液体Ｌ１として、１．６４の屈折率を有する飽和炭化水素系の高屈折率液体を、液体Ｌ１と混合しない液体Ｌ２として、超純水を使用した。ここで、図２は、実施例１に係る図１の要部拡大図である。
【００３９】
液膜保持部５０には、撥水性のあるフッ素系材料を表面にコーティングする又はフッ素系材料を使用することが好ましい。
【００４０】
図２、図３に示す液体Ｌ１の供給回収機構６０は、投影光学系３０の最終面と被処理体４０との間隙に、供給ノズル６１を介して液体Ｌ１を供給し、液体Ｌ１の液膜を形成する。また、回収ノズル６２を介して液体Ｌ１を回収し、図示していない精製機構および脱気機構を介して循環させる。ここで、図３は、光軸ＡＸに直交する、ノズル６１、６２、７１および７２を含む面における図２の断面図である。
【００４１】
投影光学系３０の最終面と被処理体４０との間隙に液体Ｌ１の液膜を形成させた後に、液体Ｌ２の供給回収装置７０により、液体Ｌ１の供給回収機構６０により供給された液体Ｌ１の外側に供給ノズル７１を介して液体Ｌ２を供給する。また、液体Ｌ２の供給ノズル６１の外側に配置された回収ノズル７２を介して液体Ｌ２を回収し、循環させる。
【００４２】
液体Ｌ１は、表面張力が小さいため、液体保持部５０の表面にフッ素系材料をコーティングしていても、大きい接触角を得られない。このため、被処理体４０を液体保持部５０と共に移動させながら露光する際や長距離移動する際に、液体Ｌ１のみであると、液体保持部５０上に液体Ｌ１が残ってしまう。ところが、外側に配置している液体Ｌ２が超純水であるため、液体保持部５０の表面にコーティングしたフッ素系材料は、液体Ｌ２に対して撥液性（撥水性）を示す（液体Ｌ２は、液体保持部５０の表面に関し液体Ｌ１より接触角が大きい）。また、液体Ｌ１と液体Ｌ２とは混合しない関係であるために、液体保持部５０上に残ろうとする液体Ｌ１を押し返し、液体Ｌ１の液体残りを低減させることができる。
【００４３】
また、液体Ｌ１の外周部に形成されている液体Ｌ２が障壁の役目をして外気から液体Ｌ１への酸素の混入を低減するため、液体Ｌ１の透過率の変動を低減することができる。
【００４４】
このように、液体Ｌ１と混合しない液体Ｌ２を外周部に配置することにより、液体Ｌ１への酸素の溶け込み（液体の透過率の変動）と液体保持部５０上での液体残りとを低減した露光装置を提供することができる。
【実施例２】
【００４５】
実施例２では、液体Ｌ１への酸素の溶け込み（液体の透過率の変動）と、液体保持部５０上での液体残りとを低減させた実施例である。
【００４６】
実施例２の露光装置１は、光源部にＡｒＦエキシマレーザーを使用したステップ・アンド・スキャン方式の露光装置である。
【００４７】
図４に示すように液体Ｌ１の供給回収機構６０と液体Ｌ２の供給回収機構７０を有し、各液体で独立した供給回収機構を有する。投影光学系３０の最終面と被処理体４０との間隙に供給する液体Ｌ１として、１．６４の屈折率を有する飽和炭化水素系の高屈折率液体を、液体Ｌ１と混合しない液体Ｌ２として、超純水を使用した。ここで、図４は、実施例２に係る図１の要部拡大図である。
【００４８】
液膜保持部５０には、撥水性のあるフッ素系材料を表面にコーティングする又はフッ素系材料を使用することが好ましい。
【００４９】
図４、図５に示す液体Ｌ１の供給回収機構６０は、投影光学系３０の最終面と被処理体４０との間隙に、供給ノズル６１を介して液体Ｌ１を供給し、液体Ｌ１の液膜を形成する。また、回収ノズル６２を介して液体Ｌ１を回収し、図示していない精製機構および脱気機構を介して循環させる。ここで、図５は、光軸ＡＸに直交する、ノズル６１、６２、７１および７２を含む面における図４の断面図である。
【００５０】
投影光学系３０の最終面と被処理体４０との間隙に液体Ｌ１の液膜を形成させた後に、液体Ｌ２の供給回収装置７０により、液体Ｌ１の供給回収機構６０により供給された液体Ｌ１の外側に供給ノズル７１を介して液体Ｌ２を供給する。また、液体Ｌ２の供給ノズル７１の外側に配置された回収ノズル７２を介して液体Ｌ２を回収し、循環させる。
【００５１】
液体Ｌ１は、表面張力が小さいため、液体保持部５０の表面にフッ素系材料をコーティングしていても、大きい接触角を得られない。このため、被処理体４０を液体保持部５０と共に移動させながら露光する際や長距離移動する際に、液体Ｌ１のみであると、液体保持部５０上に液体Ｌ１が残ってしまう。ところが、外側に配置している液体Ｌ２が超純水であるため、液体保持部５０の表面にコーティングしたフッ素系材料は、液体Ｌ２に対して撥液性（撥水性）を示す（液体Ｌ２は、液体保持部５０の表面に関し液体Ｌ１より接触角が大きい）。また、液体Ｌ１と液体Ｌ２とは混合しない関係であるために、液体保持部５０上に残ろうとする液体Ｌ１を押し返し、液体Ｌ１の液体残りを低減させることができる。
【００５２】
被処理体４０を液体保持部５０と共に移動させながら露光する際や長距離移動する際に、液体Ｌ１の回収ノズル６２により、液体Ｌ１と共に液体Ｌ２も同時に回収される可能性がある。そこで、液体Ｌ１と液体Ｌ２とを分離させるため、回収ノズル６２の後段（下流側）には、液体Ｌ１と液体Ｌ２とを分離するための分離機構８０を設ける。
【００５３】
分離機構８０内で液体Ｌ１と液体Ｌ２とを分離させた後、液体Ｌ１は、液体Ｌ１の供給回収機構６０へ回収し、循環させる。液体Ｌ２は、液体Ｌ２の供給回収機構７０へ回収し、循環させてもよいし、廃液として処分（排出）してもよい。
【００５４】
分離機構８０は、タンク内で重力を利用して分離する方式、遠心機を使用して遠心分離する方式、熱をかけて分離する方式などにより、液体Ｌ１と液体Ｌ２とを分離する。
【００５５】
また、液体Ｌ１の外周部に形成されている液体Ｌ２が障壁の役目をして外気から液体Ｌ１への酸素の混入を低減するため、液体Ｌ１の透過率の変動を低減することができる。
【００５６】
このように、液体Ｌ１と混合しない液体Ｌ２を外周部に配置することにより、液体Ｌ１への酸素の溶け込み（液体の透過率の変動）と液体保持部５０上での液体残りとを低減した露光装置を提供することができる。
【００５７】
露光において、光源部１２から発せされた光束は、照明光学系１４によりレチクル２０を、例えば、ケーラー照明する。レチクル２０を通過してレチクルパターンを反映する光は、投影光学系３０により、液体Ｌを介して被処理体４０に結像される。露光装置１が用いる液体Ｌは、上述したように、光学性能に影響を与えるパーティクルの混入及び発生が抑制されており、配線構造の断線や部分的な低コントラストの発生を防止する。従って、露光装置１は、高いスループットで経済性よく従来よりも高品位なデバイス（半導体素子、ＬＣＤ素子、撮像素子（ＣＣＤなど）、薄膜磁気ヘッドなど）を提供することができる。
【００５８】
次に、図６及び図７を参照して、露光装置１を利用したデバイス製造方法の実施例を説明する。図６は、デバイス（ＩＣやＬＳＩなどの半導体チップ、ＬＣＤ、ＣＣＤ等）の製造方法を説明するためのフローチャートである。ここでは、半導体チップの製造を例に説明する。ステップ１（回路設計）では、デバイスの回路設計を行う。ステップ２（レチクル製作）では、設計した回路パターンを形成したレチクル（原版又はマスクともいう）を製作する。ステップ３（ウェハ製造）では、シリコンなどの材料を用いてウェハ（基板ともいう）を製造する。ステップ４（ウェハプロセス）は、前工程と呼ばれ、レチクルとウェハを用いてリソグラフィー技術によってウェハ上に実際の回路を形成する。ステップ５（組み立て）は、後工程と呼ばれ、ステップ４によって作成されたウェハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含む。ステップ６（検査）では、ステップ５で作成された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テストなどの検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷（ステップ７）される。
【００５９】
図７は、上記ステップ４（ウェハプロセス）を説明するためのフローチャートである。ステップ１１（酸化）では、ウェハの表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）では、ウェハの表面に絶縁膜を形成する。ステップ１３（電極形成）では、ウェハ上に電極を蒸着などによって形成する。ステップ１４（イオン打ち込み）では、ウェハにイオンを打ち込む。ステップ１５（レジスト処理）では、ウェハに感光剤を塗布する。ステップ１６（露光）では、露光装置１を用い、レチクルの回路パターンを介してウェハを露光する。ステップ１７（現像）では、露光したウェハを現像する。ステップ１８（エッチング）では、現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）では、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行うことによってウェハ上に多重の回路パターンが形成される。かかるデバイス製造方法によれば、従来よりも高品位のデバイスを製造することができる。このように、露光装置１を使用するデバイス製造方法、並びに結果物としてのデバイスも本発明の一側面を構成する。
【００６０】
以上、本発明の好ましい実施例について説明したが、本発明はこれらの実施例に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】本発明の実施形態に係る露光装置の構成を示す断面図である。
【図２】実施例１に係る図１の要部拡大図である。
【図３】ノズル６１、６２、７１および７２を含む図２の断面図である。
【図４】実施例２に係る図１の要部拡大図である。
【図５】ノズル６１、６２、７１および７２を含む図４の断面図である。
【図６】デバイスの製造方法を説明するためのフローチャートである。
【図７】図６に示すステップ４（ウェハプロセス）を説明するためのフローチャートである。
【符号の説明】
【００６２】
１  露光装置
２０  レチクル
３０  投影光学系
４０  被処理体
６０  液体Ｌ１の供給回収機構
６１  液体Ｌ１の供給ノズル
７０  液体Ｌ２の供給回収機構
７１  液体Ｌ２の供給ノズル
Ｌ１  液体１
Ｌ２  液体２
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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