(57)【要約】【課題】セラミックス板の表面に回路層をろう付けする際に、溶融したろう材が回路層の側面を伝って、半導体チップが接合される表面に乗り上がるのを抑制する。【解決手段】セラミックス板１１と回路層１２との積層体１４ａ間に介在されるろう材層２０は、前記積層体１４ａにおいて、表面に前記回路層１２の外周縁部が配置される外周部分２０ａと、この外周部分２０ａに囲まれた内側部分２０ｂとを備え、前記外周部分２０ａは、その酸素含有濃度が前記内側部分２０ｂよりも高いろう材により形成されている。【選択図】図２
2008181940.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミックス板の表面にろう材層と回路層とをこの順に配置して積層体とした後に、この積層体を積層方向に加圧した状態で加熱してろう材層を溶融させることにより、セラミックス板の表面に回路層がろう付けされてなり、この回路層の表面に半導体チップがはんだ接合されるパワーモジュール用基板を形成するパワーモジュール用基板の製造方法であって、
前記ろう材層は、前記積層体において、表面に前記回路層の外周縁部が配置される外周部分と、この外周部分に囲まれた内側部分とを備え、前記外周部分は、その酸素含有濃度が前記内側部分よりも高いろう材により形成されていることを特徴とするパワーモジュール用基板の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載のパワーモジュール用基板の製造方法であって、
前記外周部分のろう材は粉末からなり、その外表面に酸化被膜が形成されていることを特徴とするパワーモジュール用基板の製造方法。
【請求項３】
セラミックス板の表面に回路層がろう付けされてなり、この回路層の表面に半導体チップがはんだ接合されるパワーモジュール用基板であって、
請求項１又は２に記載のパワーモジュール用基板の製造方法により形成されたことを特徴とするパワーモジュール用基板。
【請求項４】
セラミックス板の表面に回路層がろう付けされたパワーモジュール用基板と、回路層の表面にはんだ接合された半導体チップとを備えたパワーモジュールであって、
前記パワーモジュール用基板は、請求項１又は２に記載のパワーモジュール用基板の製造方法により形成されたことを特徴とするパワーモジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、大電流、高電圧を制御する半導体装置に用いられるパワーモジュール用基板の製造方法およびパワーモジュール用基板並びにパワーモジュールに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
この種のパワーモジュールは一般に、セラミックス板の表面に回路層がろう付けされたパワーモジュール用基板と、回路層の表面にはんだ接合された半導体チップとを備えている。このうちパワーモジュール用基板は、セラミックス板の表面にろう材箔と回路層とをこの順に配置して積層体とした後に、この積層体を積層方向に加圧した状態で加熱しろう材箔を溶融させて、セラミックス板の表面に回路層をろう付けすることにより形成されている。そして、このろう付けには、例えば下記特許文献１に示されるように、回路層の平面視形状と略同形同大で、かつ全体が同一の材質からなるろう材箔が用いられている。
【特許文献１】実公平８−１０２０２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、前記従来のパワーモジュール用基板の製造方法では、ろう材箔を溶融させるのに前記積層体を加熱炉内に置いて加熱すると、ろう材箔はまず、その外周縁部に加熱炉内の熱が伝わって溶融し始め、その後徐々に沿面方向の内方に向けて熱が伝導し溶融が進んでいくので、ろう材箔の沿面方向における中央部を溶融させるまで加熱しようとすると、その前に、ろう材箔の外周縁部を構成していた既に溶融したろう材が、回路層とセラミックス板との間からしみ出し、さらにその表面張力で凝集することによって、回路層の側面を伝って半導体チップがはんだ接合される表面に乗り上がるおそれがあった。
このようにして回路層の表面に乗り上げたろう材は視認することができ、外観品質を低減させるおそれがある。特に、Ｓｉを含有する例えばＡｌ−Ｓｉ系のろう材箔を用いて、純Ａｌ若しくはＡｌ合金からなる回路層をセラミックス板にろう付する場合には、溶融後に硬化したろう材は、回路層よりも硬い上にパワーモジュールを使用する過程における熱サイクルでさらに加工硬化させられることによって、回路層に対してその表面および側面から大きな外力が作用して、回路層とセラミックス板との接合界面に大きな応力が作用し、回路層がセラミックス板の表面から剥離し易くなり、パワーモジュールの熱サイクル寿命を低下させるおそれがある。さらに、上記と同様の材質からなるろう材箔および回路層を用いた場合において、回路層の表面のうちろう材が乗り上げた部分にワイヤボンディングが施されると、ろう材は前記のように回路層と比べて硬いので、この部分とワイヤボンディングとの接合部における熱サイクル寿命を低下させるおそれもある。
【０００４】
本発明はこのような事情を考慮してなされたもので、セラミックス板の表面に回路層をろう付けする際に、溶融したろう材が回路層の側面を伝って、半導体チップが接合される表面に乗り上がるのを抑制することができるパワーモジュール用基板の製造方法およびパワーモジュール用基板並びにパワーモジュールを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
このような課題を解決して、前記目的を達成するために、本発明のパワーモジュール用基板の製造方法は、セラミックス板の表面にろう材層と回路層とをこの順に配置して積層体とした後に、この積層体を積層方向に加圧した状態で加熱してろう材層を溶融させることにより、セラミックス板の表面に回路層がろう付けされてなり、この回路層の表面に半導体チップがはんだ接合されるパワーモジュール用基板を形成するパワーモジュール用基板の製造方法であって、前記ろう材層は、前記積層体において、表面に前記回路層の外周縁部が配置される外周部分と、この外周部分に囲まれた内側部分とを備え、前記外周部分は、その酸素含有濃度が前記内側部分よりも高いろう材により形成されていることを特徴とする。
【０００６】
この発明では、ろう材層の外周部分の酸素含有濃度が内側部分よりも高いろう材により形成されているから、内側部分よりも外周部分の方が融点が高くなる。このため、前記積層体を加熱したときに、まず、ろう材層の前記内側部分を溶融させて、その後、前記外周部分を溶融させることが可能になる。したがって、ろう材層の前記内側部分が溶融し、この溶融したろう材がろう材層の外周縁に向けて拡がるように流れようとしても、その流れを、ろう材層の前記外周部分でせき止めることができる。
また、加熱してセラミックス板と回路層とをろう付けする過程において、内側部分がまず溶融し、次いで外周部分が溶融するという二段階の溶融過程を経るので、ろう材層の前記外周部分が溶融する時点を、前記従来のように全体がほぼ同時に溶融する場合と比べて遅らせることが可能になり、この外周部分が溶融状態となっている時間を短縮することができる。
以上より、セラミックス板の表面に回路層をろう付けする際に、溶融したろう材が回路層の側面を伝って、半導体チップが接合される表面に乗り上がるのを抑制することができる。
【０００７】
この場合、前記外周部分のろう材は粉末からなり、その外表面に酸化被膜が形成されている構成とすることにより、酸素含有濃度の高いろう材の製造を容易にすることができる。
【０００８】
また、本発明のパワーモジュール用基板は、セラミックス板の表面に回路層がろう付けされてなり、この回路層の表面に半導体チップがはんだ接合されるパワーモジュール用基板であって、本発明のパワーモジュール用基板の製造方法により形成されたことを特徴とする。
さらに、本発明のパワーモジュールは、セラミックス板の表面に回路層がろう付けされたパワーモジュール用基板と、回路層の表面にはんだ接合された半導体チップとを備えたパワーモジュールであって、前記パワーモジュール用基板は、本発明のパワーモジュール用基板の製造方法により形成されたことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
この発明に係るパワーモジュール用基板の製造方法およびパワーモジュール用基板並びにパワーモジュールによれば、セラミックス板の表面に回路層をろう付けする際に、酸素含有濃度の高い外周部分を内側部分よりも後に溶融させて、ろう材が外方へ流れ出るのを外周部分でせき止めることができ、ろう材が回路層の側面を伝って、半導体チップが接合される表面に乗り上がるのを抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、図面を参照し、この発明の実施の形態について説明する。図１はこの発明の一実施形態に係るパワーモジュール用基板を適用したパワーモジュールを示す全体図である。
このパワーモジュール１０は、セラミックス板１１の表面に回路層１２がろう付けされたパワーモジュール用基板１４と、回路層１２の表面にはんだ層１７を介してはんだ接合された半導体チップ１５とを備えている。
【００１１】
図示の例では、パワーモジュール用基板１４には、回路層１２と同じ材質からなる金属層１８が、セラミックス板１１の裏面にろう付けされて備えられている。さらに、パワーモジュール１０には、冷却器１６が、金属層１８の裏面にろう付けや拡散接合、はんだ付け等により接合されて備えられている。
なお、セラミックス板１１は、例えばＡｌＮ、Ａｌ２Ｏ３、Ｓｉ３Ｎ４若しくはＳｉＣ等で形成され、回路層１２および金属層１８はそれぞれ、例えば純Ａｌ若しくはＡｌ合金で形成され、冷却器１６は、純Ａｌ、純Ｃｕ、Ａｌ合金若しくはＣｕ合金で形成され、はんだ層１７は、例えばＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ系若しくはＺｎ−Ａｌ系のはんだ材とされる。
さらに、セラミックス板１１と回路層１２および金属層１８とは、後述する特殊構造を有するＡｌ系のろう材層２０を用いてろう付けされている。
【００１２】
ここで、本実施形態では、回路層１２および金属層１８はそれぞれ、純Ａｌ若しくはＡｌ合金からなる母材を打ち抜いたり、あるいは鋳造により形成されており、回路層１２および金属層１８の各外表面のうち、セラミックス板１１の表裏面から立上がる側面はそれぞれ、セラミックス板１１の表裏面に対して略垂直に延在している。
【００１３】
次に、以上のように構成されたパワーモジュール用基板１４の製造方法について説明する。
まず、図２に示されるように、セラミックス板１１の表面に、ろう材層２０と回路層１２とをこの順に配置するとともに、セラミックス板１１の裏面に、ろう材層２０と金属層１８とをこの順に配置して図２に示すような積層体１４ａを形成する。そして、この積層体１４ａを、加熱炉内に置いて積層方向に加圧した状態で加熱し、ろう材層２０を溶融させることによって、セラミックス板１１の表面に回路層１２をろう付けするとともに、セラミックス板１１の裏面に金属層１８をろう付けし、パワーモジュール用基板１４を形成する。
【００１４】
ここで、本実施形態では、ろう材層２０は、材料としては、例えば、Ａｌ−Ｓｉ系、Ａｌ−Ｓｉ−Ｍｇ系、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ−Ｍｇ系、Ａｌ−Ｆｅ−Ｎｉ系、Ａｌ−Ｓｉ−Ｆｅ―Ｎｉ系、Ａｌ−Ｓｉ−Ｍｇ−Ｆｅ系、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ系、Ａｌ−Ｓｉ−Ｆｅ系、およびＡｌ−Ｓｉ−Ｍｇ−Ｆｅ−Ｍｎ系等の中から選ばれるが、図３及び図４に示されるように、積層体１４ａにおいて、表面に回路層１２の外周縁部が配置される外周部分２０ａと、この外周部分２０ａに囲まれた内側部分２０ｂとを備えている。
【００１５】
そして、本実施形態では、これら外周部分２０ａ及び内側部分２０ｂの両方とも粉末状のろう材が使用され、外周部分２０ａは枠状に形成され、その枠の中を埋めるように内側部分２０ｂが形成されている。この場合、外周部分２０ａのろう材の表面に多くの酸化被膜が形成されており、その酸化被膜により、外周部分２０ａのろう材は、０．０８ｗｔ％以上０．２０ｗｔ％以下の酸素濃度とされ、内側部分２０ｂのろう材に対して、０．０２ｗｔ％以上０．０４ｗｔ％以下の程度で酸素濃度が多くなっている。
【００１６】
このようにして得られた粉末状のろう材は、ペースト状にして塗ることによってセラミックス板の上に供給されるが、粉末のまま供給して揮発性油等で保持するようにしてもよい。
【００１７】
また、図示の例では、外周部分２０ａは、回路層１２の裏面の外周縁に沿ってその全周にわたって延在し、その沿面方向における内側に内側部分２０ｂが配置されている。なお、前記沿面方向は、積層体１４ａの積層方向に直交する方向のことをいう。さらに、内側部分２０ｂの外周縁は、外周部分２０ａの内周縁と同形同大とされており、内側部分２０ｂの外周縁と、外周部分２０ａの内周縁との間には略隙間のない状態となっている。
【００１８】
以上のようにして回路層１２とセラミックス板１１との間に、外周部分２０ａと内側部分２０ｂとに分けたろう材層２０が配置されるが、図示の例では、金属層１８とセラミックス板１１との間に配置されたろう材層２０も、回路層１２とセラミックス板１１との間に配置されたろう材層２０と同様に、外周部分２０ａと内側部分２０ｂとを備えている。なお、本実施形態では、ろう材層２０は、回路層１２の裏面の、セラミックス板１１の表面への投影面における略全域に配置されるとともに、金属層１８の裏面の、セラミックス板１１の裏面への投影面における略全域にも配置されている。
【００１９】
そして、このろう材層２０を介在させた積層体１４ａを加圧しながら加熱してろう材層２０を溶融させるのであるが、このろう材層２０に用いられている外周部分２０ａと内側部分２０ｂとでは液相温度が異なり、外周部分２０ａの酸素含有濃度を内側部分２０ｂのろう材に対して、０．０２ｗｔ％以上０．０４ｗｔ％以下の程度大きくしたことにより、外周部分２０ａの液相温度が内側部分２０ｂの液相温度よりも１０℃以上３０℃以下高くなっている。
【００２０】
したがって、このようなろう材層２０を用いて積層体１４ａを加熱する際、まず、内側部分２０ｂが溶融するまで加熱した後に、その温度を内側部分２０ｂが全て液相状態になるまで保持し、その後、外周部分２０ａが溶融するまでさらに加熱し、その温度になったのと略同時に、あるいはその温度に、内側部分２０ｂの液相温度で保持した時間よりも短い時間保持した後に、つまり外周部分２０ａが液相状態になったのと略同時にこの加熱を停止して徐冷し、パワーモジュール用基板１４を形成するのである。
なお、このろう付け時の積層体１４ａへの加圧は、例えば接合面に２２５KＰａ以上２６５KＰａ以下の圧力を作用させる程度とされる。
【００２１】
このように製造される本実施形態のパワーモジュール用基板によれば、ろう材層２０の外周部分２０ａの酸素含有濃度を高くしたことにより、内側部分２０ｂに比べて液相温度が高くなり、積層体１４ａを加熱したときに、まず、内側部分２０ｂを溶融させて、その後、外周部分２０ａを溶融させることが可能になる。したがって、ろう材層２０の内側部分２０ｂが溶融し、この溶融したろう材がろう材層２０の外周縁に向けて拡がるように流れようとしても、その流れを、ろう材層２０の外周部分２０ａでせき止めることができる。また、加熱してセラミックス板１１と回路層１２とをろう付けする過程において、ろう材層２０の外周部分２０ａが溶融する時点を、全体を内側部分２０ｂと同じ材料からなるろう材層を用いるのと比べて遅らせることが可能になり、この外周部分２０ａが溶融状態となっている時間を短縮することができる。
以上より、セラミックス板１１の表面に回路層１２をろう付けする際に、溶融したろう材が回路層１２の側面を伝って、半導体チップ１５が接合される表面に乗り上がるのを抑制することができる。
【００２２】
この場合、外周部分２０ａのろう材は、内側部分２０ｂとの液相温度の差が１０℃以上３０℃以下低くなるように酸素含有濃度を高めたものであれば、前記の作用効果が確実に奏効されることになる。すなわち、両液相温度の差が１０℃より小さいと、ろう付け時の加熱温度を加熱炉内の全域にわたってばらつき少なく均一にしなければ、外周部分２０ａが内側部分２０ｂと略同時に溶融し始めたり、あるいは外周部分２０ａが溶融した後に、内側部分２０ｂが溶融したりするおそれがある。また、両液相温度の差が３０℃より大きいと、ろう材層２０において、内側部分２０ｂを溶融させた後、外周部分２０ａを溶融させるまでに、この内側部分２０ｂのろう材を熱により変質させたり、あるいは外周部分２０ａおよび内側部分２０ｂの各組成が互いに大きく異なったことに起因して、ろう付け時に互いが反応し合い例えばろう付けの接合強度を低下させる等し、さらには、加熱炉の温度制御が困難になる等のおそれがある。
【００２３】
ここで、この製造方法についての具体的な実施例について説明する。
まず、材質については、回路層１２および金属層１８を純度９９．９８ｗｔ％の純Ａｌ、セラミックス板１１をＡｌＮによりそれぞれ形成した。そして、ろう材層２０としてＡｌ−Ｓｉ系のろう材（Ａｌが９２．５ｗｔ％、Ｓｉが７．５ｗｔ％、固相温度が５７７℃、液相温度が６１５℃）を採用し、外周部分２０ａは後述の方法により微細な粉末とし、内側部分２０ｂは、ろう材の溶湯を流下させながら高圧ガスで噴霧、粉状化するガスアトマイズ法によって比較的大きい径の粉末にした。
【００２４】
一方、外側部分２０ａは内側部分２０ｂよりも微細な粉末とされるとともに、その製造過程で酸化被膜が形成されるように製造される。この外側部分２０ａに使用されるろう材粉末を製造する方法としては、例えば特開平６−１７２８２０号公報に開示された熱プラズマ法による技術を用いた。
すなわち、２個のプラズマトーチからプラズマフレームを重畳させるようにして生成させ、その片方のプラズマトーチ（第１トーチ）のみに、ＡｌxＳｉy（x＝９２．５，y＝１００−x）となるようにとＡｌとＳｉを秤量・混合した粉末原料を供給し、他方のプラズマトーチ（第２トーチ）には原料を供給しない状態として粉末を得る。また、酸化被膜を形成するため、反応容器内の雰囲気、及びプラズマトーチからの噴出ガス中に酸素を混入した。そのときの実施条件は例えば以下の通りである。
【００２５】
反応容器内圧  ：      ０．０７ＭＰａ
反応容器雰囲気：      Ａｒ＋O２ガス雰囲気
トーチ個数    ：      ２
トーチ対向角度：      約８０度（２つのプラズマフレームが高温部で重畳）
第１トーチ作動条件
電流：  ２００Ａ
電圧：  ６０Ｖ
ガス：Ａｒ＝０．１３３ｌ／ｓ  O２＝０．００５ｌ／ｓ
Ｎ2＝０．１１６ｌ／ｓ
原料供給速度：０．１８ｇ／ｓ
第２トーチ作動条件
電流：  ２５０Ａ
電圧：  ４０Ｖ
ガス：Ａｒ＝０．１６６ｌ／ｓ  O２＝０．００５ｌ／ｓ
Ｎ2＝０．０５０ｌ／ｓ
原料供給せず。
【００２６】
このようにして得られたろう材粉末について、酸素濃度を測定する方法としては、特開２０００−４５００２号公報等に記載されたＸ線光電子分光分析法が適切である。
このＸ線光電子分光分析法（以下「ＸＰＳ」と称す）は、励起Ｘ線の波長により内殻電子準位から起こる光電子放出を利用し、この光電子スペクトルを測定するものである。主に固体の試料の分析に利用され、光電子が脱出可能な深度、すなわち、非弾性散乱を受けずに電子が固体から飛び出すことができる固体の極く薄い表面層に含まれる元素の同定、および定量分析に広く応用されている。通常、酸化被膜を有する金属アルミニウム粉末をＸＰＳを用いて分析すると、含有するアルミニウム成分として、金属アルミニウム、アルミナおよび水酸化アルミに起因するアルミニウム原子がそれぞれ同定することができ、標準試料と比較を行えば定量可能である。ここで、金属アルミニウム粉末の表面は酸化被膜に覆われているので、ＸＰＳにより同定および定量されるアルミニウム成分のうち金属アルミニウムは、この酸化被膜直下の金属アルミニウムに起因するものである。すなわち、酸化被膜が薄ければこの金属アルミニウムの比率が多くなり、また酸化被膜が厚ければ金属アルミニウムの比率は少なくなる。さらに、同じ厚さの酸化被膜をもつ金属アルミニウム粉末であっても、酸化被膜の緻密度と金属アルミニウムの比率との間に相関関係が存在し、緻密度が低ければ金属アルミニウムの比率は多くなり、緻密度が高ければ金属アルミニウムの比率は小さくなる。
このＸＰＳによって外周部分２０ａのろう材が、０．０８ｗｔ％以上０．２０ｗｔ％以下の酸素濃度とされ、内側部分２０ｂのろう材に対して、０．０２ｗｔ％以上０．０４ｗｔ％以下の程度で酸素濃度が多くなっていることを確認した。
【００２７】
また、各層の厚さについては、回路層１２および金属層１８を約０．４ｍｍ、ろう材層２０については外周部分２０ａ、内側部分２０ｂとも約３０μｍとし、セラミックス板１１を約０．６３５ｍｍとした。なお、外周部分２０ａの外周縁の縦および横の寸法をそれぞれ約２８ｍｍおよび約７０ｍｍとし、この外周縁と内周縁との距離は約５ｍｍとした。そして、平面視四角形とされたろう材層２０の内側部分２０ｂは、縦および横の寸法をそれぞれ約１８ｍｍおよび約６０ｍｍとした。
そして、積層体１４ａを接合面に２００KＰａの圧力を作用させた状態として真空状態の加熱炉内に置いて、この加熱炉内を約５５０℃になるまで１０℃／ｍｉｎで加熱する。その後、約５５０℃の温度を約９０分間保持した後に、さらに約６４５℃になるまで１０℃／ｍｉｎで加熱し、そして、約６４５℃の温度を約４０分間保持した後に徐冷して、パワーモジュール用基板１４を形成した。
このように製造されたパワーモジュール用基板１４は、回路層１２の側面及び表面へのろう材のしみ出しは生じなかった。
【００２８】
なお、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、前記実施形態では、パワーモジュール用基板１４として金属層１８を備えた構成を示したが、この金属層１８を設けなくてもよい。
また、ろう材層２０の外周部分２０ａはＡｌ−Ｓｉの粉末の表面に酸化被膜を有する粉末として構成したが、酸素含有濃度が０．０５ｗｔ％以上０．５０ｗｔ％以下で、内側部分２０ｂのろう材に対して、０．０１ｗｔ％以上０．０５ｗｔ％以下の程度高く設定できればよく、粉末内に酸素が固溶した状態で存在するもの、粉末の表面の酸化被膜と固溶状態の酸素との両方が混在するもののいずれでもよい。また、外周部分２０ａおよび内側部分２０ｂを形成する各材質は、前記実施形態で示したものに限られるものではない。さらに、外周部分２０ａは、内側部分２０ｂを形成する材質よりも液相温度が高い材質で形成されていてもよい。
【００２９】
さらに、前記実施形態では、ろう材層２０の外周部分２０ａとして、回路層１２の裏面の外周縁に沿ってその全周にわたって延在した構成を示したが、これに代えて、例えば図４に示されるように、周方向に複数に分割された外周部分２０ａを採用してもよい。
また、前記実施形態では、ろう材層２０として、内側部分２０ｂの外周縁と、外周部分２０ａの内周縁との間に略隙間のない構成を示したが、これに代えて、例えば約５０μｍ程度であれば隙間を設けてもよい。さらに、図４に示したように、分割された外周部分２０ａでは、その周方向に隙間のない状態でセラミックス板１１に配置してもよいし、あるいは約５０μｍ程度であればこの周方向に隙間を設けてもよい。また、外周部分２０ａおよび内側部分２０ｂの平面視形状は前記実施形態のものに限られるものではない。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】この発明の一実施形態に係るパワーモジュール用基板を適用したパワーモジュールを示す全体図である。
【図２】この発明の一実施形態に係るパワーモジュール用基板を製造する途中の積層体の断面側面図である。
【図３】図２の積層体に用いられているろう材層を示す平面図である。
【図４】図３のろう材層の縦断面図である。
【図５】この発明の他の実施形態に係るパワーモジュール用基板の製造方法で用いられるろう材層の平面図である。
【符号の説明】
【００３１】
１０  パワーモジュール  １１  セラミックス板  １２  回路層  １４  パワーモジュール用基板  １４ａ  積層体  １５  半導体チップ  ２０  ろう材層  ２０ａ  外周部分  ２０ｂ  内側部分
【図１】
2008181940.tif 000003
【図２】
2008181940.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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