(57)【要約】【課題】光導波路のクラッドを伝播した光を受光することなく、ノイズ混入を防いで光通信の信頼性に優れる光電子回路基板を提供する。【解決手段】光導波路１０Ｃは、コア層１００と、コア層１００の周囲に形成されたクラッド層１０１とから構成されている。コア層１００は、第１基板１０Ａの開口部１０ａ，１０ｂに対応する位置に４５度に傾斜した光路変換面としてのミラー１０Ｄが形成されている。このミラー１０Ｄは、発光素子１２５、コア層１００、および受光素子１２９の間の光路上に設けられる。ミラー１０Ｄの周囲にはクラッド層１０１と同等の屈折率を有する光透過性樹脂１０Ｅが充填されており、ミラー１０Ｄの表面は光透過性樹脂１０Ｅによって覆われている。【選択図】図２Ａ
2008250007.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子、受光素子、またはその両方を有する光モジュールを実装される実装面を有する基板と、
前記基板の前記実装面と反対側の面に設けられ、前記発光素子から発せられる光を伝播させるコアと前記コアを覆うクラッドとを有し、前記コアの光入射位置および光出射位置に光路変換面が設けられ、前記光路変換面の表面が前記クラッドと同等の屈折率を有する樹脂で覆われている光導波路とを有する光電子回路基板。
【請求項２】
前記光路変換面は、光反射膜で構成されるミラーを有する請求項１に記載の光電子回路基板。
【請求項３】
前記光路変換面は、傾斜面に光反射膜で構成されるミラーを有したミラーブロックを前記光導波路に形成された溝に固定することによって形成されている請求項１に記載の光電子回路基板。
【請求項４】
前記ミラーブロックは、前記傾斜面に前記ミラーと光を吸収または拡散する領域とを有する請求項３に記載の光電子回路基板。
【請求項５】
前記基板は、前記発光素子から発せられて前記コアの前記光路変換面に入射する光の径を前記コアの幅および高さより小になるように規制する孔を有する請求項１に記載の光電子回路基板。
【請求項６】
発光素子、受光素子、またはその両方を有する光モジュールを実装される実装面を有する基板と、
前記基板の前記実装面と反対側の面に設けられ、前記発光素子から発せられる光を伝播させるコアと前記コアを覆うクラッドとを有し、前記コアの光入射位置および光出射位置の一方の側に前記コアを覆う光路変換面が設けられ、前記一方の側と異なる側に前記コアおよび前記クラッドを覆う光路変換面が設けられ、前記光路変換面の表面が前記クラッドと同等の屈折率を有する樹脂で覆われている光導波路とを有する光電子回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光電子回路基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、低コストの光伝送装置として、面発光レーザやフォトダイオードなどの受発光部を備えた面型光素子を用いた光伝送装置が知られている。
【０００３】
このような光伝送装置として、面型光素子である発光素子と受光素子とを回路基板上に実装し、発光素子から送信される光を回路基板上に設けられる光導波路を介して受光素子で受光するものが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００４】
この光伝送装置は、回路基板上に光導波路を設けた後に光導波路と回路基板をブレードで切除して回路基板に斜めの斜面を有するように形成し、この斜面に金属膜からなるミラーを形成しており、ミラーによって折り返される光路上に受光素子を設けている。光導波路を介して送信される光はミラーで反射して受光素子に導かれる。このようにミラーによって光路を折り返しているので、薄型化することができる。
【特許文献１】特開２００２−１３１５８６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、光導波路のクラッドを伝播した光を受光することなく、ノイズ混入を防いで光通信の信頼性に優れる光電子回路基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様は、上記目的を達成するため、以下の光電子回路基板を提供する。
【０００７】
（１）発光素子、受光素子、またはその両方を有する光モジュールを実装される実装面を有する基板と、前記基板の前記実装面と反対側の面に設けられ、前記発光素子から発せられる光を伝播させるコアと前記コアを覆うクラッドとを有し、前記コアの光入射位置および光出射位置に光路変換面が設けられ、前記光路変換面の表面が前記クラッドと同等の屈折率を有する樹脂で覆われている光導波路とを有する光電子回路基板。
【０００８】
（２）前記光路変換面は、光反射膜で構成されるミラーを有する前記（１）に記載の光電子回路基板。
【０００９】
（３）前記光路変換面は、傾斜面に光反射膜で構成されるミラーを有したミラーブロックを前記光導波路に形成された溝に固定することによって形成されている前記（１）に記載の光電子回路基板。
【００１０】
（４）前記ミラーブロックは、前記傾斜面に前記ミラーと光を吸収または拡散する領域とを有する前記（３）に記載の光電子回路基板。
【００１１】
（５）前記基板は、前記発光素子から発せられて前記コアの前記光路変換面に入射する光の径を前記コアの幅および高さより小になるように規制する孔を有する前記（１）に記載の光電子回路基板。
【００１２】
（６）発光素子、受光素子、またはその両方を有する光モジュールを実装される実装面を有する基板と、前記基板の前記実装面と反対側の面に設けられ、前記発光素子から発せられる光を伝播させるコアと前記コアを覆うクラッドとを有し、前記コアの光入射位置および光出射位置の一方の側に前記コアを覆う光路変換面が設けられ、前記一方の側と異なる側に前記コアおよび前記クラッドを覆う光路変換面が設けられ、前記光路変換面の表面が前記クラッドと同等の屈折率を有する樹脂で覆われている光導波路とを有する光電子回路基板。
【発明の効果】
【００１３】
請求項１に記載の光電子回路基板によれば、光導波路のクラッドを伝播した光を受光することなく、ノイズ混入を防いで優れた信頼性が得られる。
【００１４】
請求項２に記載の光電子回路基板によれば、光反射膜による良好な光反射性が得られる。
【００１５】
請求項３に記載の光電子回路基板によれば、ミラーブロックを別部材として形成することができ、組み立てによって光導波路の生産性を高めることができる。
【００１６】
請求項４に記載の光電子回路基板によれば、ミラーブロックのミラー以外の部分に光が入射したとしてもコア以外の部分に光が入射することを防ぐことができる。
【００１７】
請求項５に記載の光電子回路基板によれば、光路変換面の微小加工を要することなく、基板への孔あけ加工によってコアへの光入射を実現できる。
【００１８】
請求項６に記載の光電子回路基板によれば、光導波路のクラッドを伝播した光を受光することなく、ノイズ混入を防いで優れた信頼性が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
[第１の実施の形態]
（光電子回路基板の構成）
【００２０】
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る光電子回路基板の概略構成を示し、（ａ）は光電子回路基板の斜視図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ部における光電子回路基板中央部分の縦断面図、（ｃ）は（ａ）のＢ−Ｂ部における光電子回路基板の横断面図である。
【００２１】
この光電子回路基板１は、図１（ａ）に示すように、第１基板１０Ａと第２基板１０Ｂとの間に光導波路１０Ｃを積層して構成される基板１０と、光導波路１０Ｃの一方の側（送信側）に位置して基板１０に実装される第１光モジュール１２Ａと、光導波路１０Ｃの他方の側（受信側）に位置して基板１０に実装される第２光モジュール１２Ｂとを有して構成されている。第１光モジュール１２Ａと第２光モジュール１２Ｂは、光導波路１０Ｃのコア層１００を介して光信号２を受送信する。
【００２２】
光導波路１０Ｃは、図１（ｂ）に示すように、コア層１００と、コア層１００より屈折率の小なるクラッド層１０１とで構成され、コア層１００がクラッド層１０１の間に挟まれた構造を有する。この光導波路１０Ｃは、例えば、一般によく用いられるフォトリソグラフィや反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）を利用した方法で作製可能である。特に、本出願人が既に提案した特開２００４−２９５０７号公報等に記載されている鋳型を用いた作製工程により効率的に製造することができる。
【００２３】
図２Ａは、光電子回路基板を図１（ａ）のＡ−Ａ部において切断した第１光モジュール部分における部分断面図、図２Ｂは、光電子回路基板を図１（ａ）のＡ−Ａ部において切断した第２光モジュール部分における部分断面図である。
【００２４】
第１光モジュール１２Ａおよび第２光モジュール１２Ｂは、外部接続用として設けられる端子１２０と基板１０の第１基板１０Ａに設けられた端子１１０Ａとをハンダボール１２１を介して接続するボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）型の光モジュールである。
【００２５】
第１光モジュール１２Ａは、図２Ａに示すように、大規模集積回路（ＬＳＩ）等の電子部品を実装可能な支持基板１２２と、支持基板１２２のハンダボール１２１接合側である裏面側に固定され、ワイヤ１２３を介して端子１２４に電気的に接続される発光素子１２５と、発光素子１２５の固定された側とは反対の表面側に固定されるＬＳＩ等の制御部１２６と、支持基板１２２を貫通して裏面側のハンダボール１２１と電気的に接続され、制御部１２６とワイヤ１２３を介して電気的に接続される端子１２７と、支持基板１２２表面の制御部１２６，ワイヤ１２３，および端子１２７を封止する封止樹脂１２８とを有する。
【００２６】
また、第１光モジュール１２Ａは、後述する第２光モジュール１２Ｂから送信された光信号を受信する受光素子を支持基板１２２の裏面側に有している。
【００２７】
この第１光モジュール１２Ａは、基板１０の方向に光を発する発光素子１２５と基板１０内に設けられた光導波路１０Ｃのクラッド層１０１とが光結合可能となるように、第１基板１０Ａに設けられた開口部１０ａに発光素子１２５が位置するように固定されている。
【００２８】
第２光モジュール１２Ｂは、図２Ｂに示すように、光導波路１０Ｃのクラッド層１０１から光信号２を受信可能な光路上に受光素子１２９が位置するように第１基板１０Ａに固定されている構成以外については、第１光モジュール１２Ａと同様の構成を有する。受光素子１２９は、第１基板１０Ａに設けられた開口部１０ｂを介して光導波路１０Ｃのクラッド層１０１から光信号２を受信する。
【００２９】
第２光モジュール１２Ｂは、第１光モジュール１２Ａに対して光信号２を送信する発光素子を支持基板１２２の裏面側に有している。
【００３０】
（発光素子）
発光素子１２５は、面型発光ダイオードや面型レーザ等の発光素子（面型光素子）を用いることができる。本実施の形態では、発光素子１２５として、ＶＣＳＥＬ（面発光レーザ）を用いており、その発光波長は８５０ｎｍである。
【００３１】
この面発光レーザは、例えば、ｎ型ＧａＡｓ基板上に、ｎ型下部反射鏡層、活性層、電流狭窄層、ｐ型上部反射鏡層、ｐ型コンタクト層、ｐ側電極を形成し、ｎ型ＧａＡｓ基板の裏面にｎ側電極を形成したものであり、ｐ側電極は、活性層の発光領域の直上に開口を有する。
【００３２】
なお、本実施の形態では、発光素子はひとつであるが、複数の発光素子をアレイ状に配列したものを用いることもできる。
【００３３】
（受光素子）
受光素子１２９は、例えば、面型のフォトダイオード等の面型光素子を用いることができる。本実施の形態では、受光素子として、高速応答性に優れたＧａＡｓ系のＰＩＮフォトダイオードを用いる。
【００３４】
この受光素子１２９は、例えば、ＧａＡｓ基板上に、ＰＩＮ接合されたＰ層、Ｉ層およびＮ層と、Ｐ層に接続されたｐ側電極と、Ｎ層に形成されたｎ側電極とを備え、ｐ側電極は、開口を有し、開口の内側がレーザ光を受光する受光部となっている。
【００３５】
なお、本実施の形態では、受光素子はひとつであるが、送信側の複数の発光素子に対応した複数の受光素子をアレイ状に配列したものを用いることもできる。
【００３６】
（支持基板）
第１光モジュール１２Ａおよび第２光モジュール１２Ｂの支持基板１２２は、ガラスエポキシ樹脂等の絶縁性材料から形成され、外部回路への実装側となる裏面に銅等の導電性材料から形成された端子１２０を有する。また端子１２０の一部は、スルーホールを介して制御部１２６が固定される表面に銅等の導電性材料から形成された端子や配線パターンと接続されている。
【００３７】
発光素子１２５については、図２Ａに示す端子１２０と同様の導電性材料によって支持基板１２２の裏面に形成されたグランドに導電性接着剤によりｎ側電極が接着される。発光素子１２５のｐ側電極と端子１２４とは金等からなるワイヤ１２３により接続される。
【００３８】
また、受光素子１２９については、図２Ｂに示す端子１２０と同様の導電性材料によって支持基板１２２の裏面に形成されたグランドに導電性接着剤によりｎ側電極が接着される。受光素子１２９のｐ側電極と端子１２４とは金等からなるワイヤ１２３により接続される。
【００３９】
なお、支持基板１２２は、他の回路基板上に実装できるように構成されていてもよい。例えば、支持基板１２２の表面に形成された端子，グランドからスルーホールを介して支持基板１２２の裏面に設けられたハンダボール１２１に接続し、このハンダボール１２１を介して支持基板１２２を他の回路基板に実装してもよい。
【００４０】
（制御部）
制御部１２６は、発光素子１２５を駆動する駆動回路と、受光素子１２９での受光に基づいて光電変換された電気信号を増幅する増幅回路とを有している。
【００４１】
（封止樹脂）
封止樹脂１２８は、エポキシ樹脂等の熱硬化性成形材料からなり、ワイヤ１２３、制御部１２６、および端子１２７を光・熱や湿度などの環境から保護する。なお、エポキシ樹脂を主成分とし、シリカ等の充填材を加えたものであってもよい。
【００４２】
（基板）
基板１０は、第１基板１０Ａと第２基板１０Ｂについて、ガラスエポキシ樹脂等の絶縁性材料から形成されている。第１基板１０Ａは、表面に銅等の導電性材料から形成された端子１１０Ａを有する。
【００４３】
第１基板１０Ａは、図２Ａに示すように、第１光モジュール１２Ａが設けられる位置に発光素子１２５と基板１０に設けられる光導波路１０Ｃのコア層１００とを光結合させるための開口部１０ａを有している。なお、開口部１０ａについては、光導波路１０Ｃのコア層１００との光結合が可能であれば、発光素子１２５から発せられる光の波長に対して透明な光透過性材料で埋められていてもよい。
【００４４】
また、第１基板１０Ａは、図２Ｂに示すように、第２光モジュール１２Ｂが設けられる位置に受光素子１２９と基板１０に設けられる光導波路１０Ｃのコア層１００とを光結合させるための開口部１０ｂを有している。なお、開口部１０ｂについても開口部１０ａと同様に、光導波路１０Ｃのコア層１００との光結合が可能であれば、発光素子１２５から発せられる光の波長に対して透明な光透過性材料で埋められていてもよい。
【００４５】
（光導波路）
光導波路１０Ｃは、コア層１００と、コア層１００の周囲に形成されたクラッド層１０１とから構成されている。コア層１００は、第１基板１０Ａの開口部１０ａ，１０ｂに対応する位置に４５度に傾斜した光路変換面としてのミラー１０Ｄが形成されている。このミラー１０Ｄは、発光素子１２５、コア層１００、および受光素子１２９の間の光路上に設けられる。ミラー１０Ｄの周囲にはクラッド層１０１と同等の屈折率を有する光透過性樹脂１０Ｅが充填されており、ミラー１０Ｄの表面は光透過性樹脂１０Ｅによって覆われている。
【００４６】
光導波路１０Ｃは、例えば、コア層１００とクラッド層１０１を含む層厚さが１００〜２００μｍで形成される。
【００４７】
光導波路１０Ｃの作製は、まず、コア層１００に対応する硬化性樹脂を塗布し、凹部を有した鋳型を作製する。
【００４８】
次に、鋳型に、クラッド用フィルム基材を密着させ、鋳型の凹部に、コア層の材料となる硬化性樹脂を充填する。
【００４９】
次に、凹部内の硬化性樹脂を硬化させてコア層１００とした後、鋳型を剥離する。これにより、クラッド層１０１となるクラッド用フィルム基材上にコア層１００が残される。
【００５０】
次に、クラッド用フィルム基材のコア層１００が形成された面側に、コア層１００を覆うようにクラッド層１０１を設ける。以上は、鋳型を用いて光導波路層を形成する方法であるが、他にも、例えば耐熱性の光反応性の高分子材料を直接露光して光導波路を形成するなども有力な手段である。本実施の形態では、このようにして形成された光導波路１０Ｃのコア層１００にミラー１０Ｄを設ける。
【００５１】
図３（ａ）から（ｇ）は、光導波路に光路変換面としてのミラーを設ける工程を示す図である。
【００５２】
まず、図３（ａ）に示すように、前述したコア層１００およびクラッド層１０１からなる光導波路１０Ｃを用意する。
【００５３】
次に、図３（ｂ）に示すように、光導波路１０Ｃに対してコア層１００への光入射位置となる所定の位置にダイサーで切り込みを入れて４５度の傾斜面１０３Ａを有するように溝１０３を形成する。溝１０３内にはコア層１００が露出する。
【００５４】
次に、図３（ｃ）に示すように、光導波路１０Ｃの溝１０３を形成した側にフォトレジスト１０４を形成する。
【００５５】
次に、図３（ｄ）に示すように、コア層１００の端面に形成するミラーの形状に応じたマスクパターンを有するフォトマスクをフォトレジスト１０４形成面に重ねてフォトレジスト１０４を露光する。この後、エッチングによってフォトレジスト１０４を部分的に除去することにより、開口部１０５を形成する。
【００５６】
次に、図３（ｅ）に示すように、溝１０３の傾斜面１０３Ａに露出したコア層１００の部分に蒸着等の薄膜形成法によって光反射膜としてのミラー１０Ｄを形成する。ミラー１０Ｄとして、例えばＡｕ、Ａｌ等の金属膜、ＴｉＮ等の金属光沢を有する膜を設けることができる。
【００５７】
次に、図３（ｆ）に示すように、ミラー１０Ｄを形成した光導波路１０Ｃからフォトレジスト１０４を除去する。
【００５８】
次に、図３（ｇ）に示すように、傾斜面１０３Ａにミラー１０Ｄを形成された溝１０３にクラッド層１０１と同等の屈折率を有する光透過性材料１０Ｅを充填する。これによりコア層１００の形成方向に対して４５度の傾斜角を有する光路変換面としてのミラー１０Ｄを備え、ミラー１０Ｄ以外の部分では光路変換しない光導波路１０Ｃが得られる。
【００５９】
図４（ａ）および（ｂ）は、光導波路と第１基板および第２基板とを一体化する工程を示す図である。
【００６０】
まず、図４（ａ）に示すように、光導波路１０Ｃの下面に熱硬化型接着剤等の接着剤によって第２基板１０Ｂを接合する。
【００６１】
次に、図４（ｂ）に示すように、光導波路１０Ｃの上面に対して、コア層１００に形成されたミラー１０Ｄが開口部１０ａの位置に配置されるように第１基板１０Ａを位置決めする。次に、位置決めされた第１基板１０Ａを熱硬化型接着剤等の接着剤によって上面に接合して基板１０とする。
【００６２】
なお、上記した工程については光導波路１０Ｃの光入射位置側について説明したが、光出射位置側についても同様に形成されている。
【００６３】
（光電子回路基板の動作）
以下に、第１の実施の形態の光電子回路基板の動作について、図１から図４を参照しつつ説明する。
【００６４】
（光信号の送受信）
第１光モジュール１２Ａの制御部１２６は、一例として、画像信号の送信を第２光モジュール１２Ｂに対して行うとき、画像信号に基づいて駆動回路に制御信号を出力する。駆動回路は、制御信号に基づく発光素子１２５への通電制御を行う。発光素子１２５は、通電に基づいてｐ型電極とｎ型電極との間に電圧を印可されることにより、波長８５０ｎｍのレーザ光を出射する。
【００６５】
図２Ａに示すように、発光素子１２５から発せられたレーザ光の光信号２は、開口部１０ａを介して光導波路１０Ｃに入射し、コア層１００に設けられたミラー１０Ｄで反射されて９０度光路変換することによりコア層１００内を伝播する。光導波路１０Ｃは、コア層１００にミラー１０Ｄが設けられているので、開口部１０ａから入射した光信号２がクラッド層１０１には入射しない。このような構成によって、第２光モジュール１２Ｂでクラッド層１０１を伝播した光を受信することがなく、光信号２にノイズが含まれず、ビットエラーの発生を防ぐことができる。
【００６６】
図２Ｂに示すように、コア層１００を伝播した光信号２は、コア層１００の光出射位置側に設けられるミラー１０Ｄに入射する。ミラー１０Ｄは、コア層１００を伝播した光信号２を反射して９０度光路変換する。光路変換された光信号２は開口部１０ｂより出射し、第２光モジュール１２Ｂの受光素子１２９に入射する。
【００６７】
受光素子１２９は、入射した光信号２の光強度に応じてｐ側電極とｎ側電極の間に電圧が生じ、この電圧に基づく電流を制御部１２６に出力する。制御部１２６は、受光素子１２９から出力される電流を増幅回路で増幅した後に信号処理する。
【００６８】
図５は、光導波路の他の構成を示し、（ａ）は第１の変形例を示す断面図、（ｂ）は第２の変形例を示す断面図である。第１の実施の形態では、光導波路１０Ｃのコア層１００への光入射位置側と、コア層１００からの光出射位置側に４５度の傾斜角を有するミラーを設けた構成を説明した。コア層１００にミラーを形成し、クラッド層にはミラーを形成していないので、光信号２の光路変換がコア層の部分で行われる。このように、第２光モジュール１２Ｂに対してコア層１００を伝播した光信号２を入射させる他の構成として、上記した光入射位置側または光出射位置側の一方の側についてミラーをコア層１００のみに設ける構成としてもよい。
【００６９】
例えば、図５（ａ）に示すように、コア層１００からの光出射位置側に、コア層１００とクラッド層１０１を覆うようにミラー１０Ｈを形成した場合では、光入射位置側でミラー１０Ｄによってコア層１００だけに光信号２が入射し、クラッド層１０１には入射しないことから、このような構成であってもよい。
【００７０】
また、図５（ｂ）に示すように、コア層１００への光入射位置側に、コア層１００とクラッド層１０１を含むようにミラー１０Ｈを形成した場合では、光出射位置側でミラー１０Ｄによってコア層１００からの光信号２だけが光路変換される。このような構成であってもよい。
【００７１】
[第２の実施の形態]
（光電子回路基板の構成）
図６Ａは、本発明の第２の実施の形態に係る光電子回路基板の第１光モジュール部分の部分断面図、図６Ｂは、本発明の第２の実施の形態に係る光電子回路基板の第２光モジュール部分の部分断面図である。以下の説明において、第１の実施の形態と同一の構成および機能を有する部分については共通の符号を付している。
【００７２】
この光電子回路基板１は、図６Ａに示すように、光導波路１０Ｃに第１光モジュール１２Ａの発光素子１２５から発せられた光信号２を反射するミラー１０Ｄを有するミラーブロック１０Ｆを設けた構成において、第１の実施の形態と相違している。
【００７３】
また、図６Ｂに示すように、光導波路１０Ｃに第２光モジュール１２Ｂの受光素子１２９に入射するようにコア層１００を伝播した光信号２を反射させるミラー１０Ｄを有するミラーブロック１０Ｆを設けた構成において、第１の実施の形態と相違している。その他の構成については第１の実施の形態と同様の構成を有する。
【００７４】
ミラーブロック１０Ｆは、クラッド層１０１と同等の屈折率を有する光透過性材料によって、光導波路１０Ｃの面方向に対して４５度の傾斜面を有するように形成されている。この傾斜面は、コア層１００に当接する位置に光信号２を反射させるためのミラー１０Ｄが設けられている。
【００７５】
図７は、ミラーブロックを示す斜視図である。ミラーブロック１０Ｆは、傾斜面の部分にミラー１０Ｄが形成されている。ミラー１０Ｄは、光導波路に溝を形成することにより露出するコア層に応じた形状を有する。また、ミラーブロック１０Ｆは、ミラー１０Ｄ以外の部分を粗面化した領域１０Ｇとして光を拡散し、反射を生じにくい構成としている。なお、領域１０Ｇについては粗面化に限らず、黒色等の光を吸収する色に着色されていてもよい。
【００７６】
図８（ａ）から（ｃ）は、図７のミラーブロックを光導波路に取り付ける工程を示す図である。光導波路１０Ｃを作製する工程については、第１の実施の形態で説明したものと同様であることから説明を省略する。
【００７７】
まず、図８（ａ）に示すように、前述したコア層１００およびクラッド層１０１からなる光導波路１０Ｃを用意する。この光導波路１０Ｃに対して光入射位置となる所定の位置にダイサーで切り込みを入れて４５度の傾斜面１０３Ａを有する溝１０３を形成する。これにより傾斜面１０３Ａにはコア層１００が露出する。
【００７８】
次に、図８（ｂ）に示すように、溝１０３に接着剤１０６を塗布した後に図７で説明したミラーブロック１０Ｆを取り付ける。ミラーブロック１０Ｆは接着剤１０６の毛管力によってミラー１０Ｄがコア層１００の端面部分に位置決めされるとともに密着する。
【００７９】
次に、図８（ｃ）に示すように、接着剤１０６を硬化させることによって、ミラーブロック１０Ｆを光導波路１０Ｃと一体化させる。
【００８０】
なお、上記した工程については光導波路１０Ｃの光入射位置側について説明したが、光出射位置側についても同様に形成されている。
【００８１】
接着剤１０６は、発光素子１２５の発光波長を透過する特性を有し、かつ、加熱により硬化する熱硬化型接着剤や、可視光線、紫外線、電子線、放射線等のエネルギー線を照射して硬化するエネルギー線硬化型接着剤を用いることができる。本実施の形態では、紫外線の照射により硬化する紫外線硬化型接着剤を用いる。なお、予めミラーブロック１０Ｆ側に接着剤１０６を塗布してもよい。
【００８２】
[第３の実施の形態]
（光電子回路基板の構成）
図９Ａは、本発明の第３の実施の形態に係る光電子回路基板の第１光モジュール部分の部分断面図、図９Ｂは、本発明の第３の実施の形態に係る光電子回路基板の第２光モジュール部分の部分断面図である。第２光モジュール部分および光路変換部については、第１の実施の形態で説明した第２光モジュール部分および光路変換部と同一であるので、重複する説明を省略する。
【００８３】
この光電子回路基板１は、図９Ａに示す第１光モジュール１２Ａの発光素子１２５から発せられた光信号２を第１基板１０Ａに設けた開口部１０ｃを介してミラーブロック１０Ｆに入射する構成を有し、ミラーブロック１０Ｆのミラー１０Ｈが光導波路１０Ｃのコア層１００およびクラッド層１０１を覆うサイズを有する構成において第１の実施の形態と相違している。
【００８４】
開口部１０ｃは、発光素子１２５から発せられて拡散しながら空間を伝播し、ミラー１０Ｈに達する光信号２の径がコア層１００のサイズ（幅および高さ）より小となるように規制する開口径を有している。
【００８５】
図１０は、本発明の第３の実施の形態に係る第１光モジュールから光導波路にかけての光の透過を示す概略図である。
【００８６】
開口部１０ｃは、光導波路１０Ｃに光信号２を入射させるための孔１３０Ａを有している。孔１３０Ａの開口径Ｄ１は、孔１３０Ａからミラー１０Ｈの入射面までの距離Ｌと、光信号２の拡散性によって定まる。
【００８７】
光信号２は、第１基板１０Ａの開口部１０ｃに形成された孔１３０Ａを介してミラー１０Ｈに達する。孔１３０Ａは、発光素子から発せられて拡散しながら空間を伝播する光をその開口径Ｄ１に応じて規制する。孔１３０Ａで規制された光信号２は、コア層１００の高さＤ２より小である外径Ｄ３のビームスポットでミラー１０Ｈに入射する。ミラー１０Ｈは、光信号２を反射して９０度光路変換し、コア層１００に入射させる。コア層１００に入射した光のうち、クラッド層との界面に達する光信号２は全反射され、コア層１００内を直線状に伝播する光とともに伝播する。
【００８８】
なお、第３の実施の形態では、コア層１００の光入射位置側に光導波路１０Ｃのコア層１００およびクラッド層１０１を覆うサイズを有するミラー１０Ｈを設けた構成を説明したが、第１の実施の形態で説明したコア層１００を覆うサイズを有するミラー１０Ｄを設けてもよい。
【００８９】
[他の実施の形態]
なお、本発明は、上記した各実施の形態に限定されず、その発明の趣旨を逸脱しない範囲内で種々変形実施が可能である。また、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で各実施の形態の構成要素を任意に組み合わせることが可能である。
【００９０】
例えば、図３（ｂ）で説明した光導波路の傾斜面１０３Ａは４５度に限定されない。また、ミラー１０Ｄとして形成される光反射膜についても金属膜に限定されず、波長選択性を有する誘電体多層膜を形成してもよい。
【００９１】
また、第３の実施の形態で説明した第１基板１０Ａに孔１３０Ａを有する開口部１０ｃを設けた構成についても同様である。この場合、他の構成として孔１３０Ａの部分を発光素子１２５から発せられる光信号２に対して透過性を示す透過性材料で形成し、孔１３０Ａ以外の部分を発光素子１２５から発せられる光信号２に対して不透過性を示す不透過性材料で形成して光信号２の径を規制するようにしてもよい。また、他の構成として、第１基板１０Ａに光信号２を透過させる部分を透過性材料で形成し、その表面に光信号２を透過させる径に応じた開口を有する遮光性のマスクを形成してもよい。
【００９２】
また、第１光モジュール１２Ａと第２光モジュール１２Ｂは、それぞれ発光素子１２５と受光素子１２９の両方を有する双方向型の光モジュールとして説明したが、発光素子１２５のみ、または受光素子１２９のみを有する一方向型の光モジュールとして、光導波路１０Ｃを介した光通信を行うものであってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００９３】
【図１】図１は、本発明の第１の実施の形態に係る光電子回路基板の概略構成を示し、（ａ）は光電子回路基板の斜視図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ部における光電子回路基板中央部分の縦断面図、（ｃ）は（ａ）のＢ−Ｂ部における光電子回路基板の横断面図である。
【図２Ａ】図２Ａは、光電子回路基板を図１（ａ）のＡ−Ａ部において切断した第１光モジュール部分における部分断面図である。
【図２Ｂ】図２Ｂは、光電子回路基板を図１（ａ）のＡ−Ａ部において切断した第２光モジュール部分における部分断面図である。
【図３】図３（ａ）から（ｇ）は、光導波路に光路変換面としてのミラーを設ける工程を示す図である。
【図４】図４（ａ）および（ｂ）は、光導波路と第１基板および第２基板とを一体化する工程を示す図である。
【図５】図５は、光導波路の他の構成を示し、（ａ）は第１の変形例を示す断面図、（ｂ）は第２の変形例を示す断面図である。
【図６Ａ】図６Ａは、本発明の第２の実施の形態に係る光電子回路基板の第１光モジュール部分の部分断面図である。
【図６Ｂ】図６Ｂは、本発明の第２の実施の形態に係る光電子回路基板の第２光モジュール部分の部分断面図である。
【図７】図７は、ミラーブロックを示す斜視図である。
【図８】図８（ａ）から（ｃ）は、図７のミラーブロックを光導波路に取り付ける工程を示す図である。
【図９Ａ】図９Ａは、本発明の第３の実施の形態に係る光電子回路基板の第１光モジュール部分の部分断面図である。
【図９Ｂ】図９Ｂは、本発明の第３の実施の形態に係る光電子回路基板の第２光モジュール部分の部分断面図である。
【図１０】図１０は、本発明の第３の実施の形態に係る第１光モジュールから光導波路にかけての光の透過を示す概略図である。
【符号の説明】
【００９４】
１…光電子回路基板
２…光信号
１０…基板
１０Ａ…第１基板
１０ａ，１０ｂ，１０ｃ…開口部
１０Ｂ…第２基板
１０Ｃ…光導波路
１０Ｄ…ミラー
１０Ｅ…光透過性樹脂
１０Ｆ…ミラーブロック
１０Ｇ…領域
１０Ｈ…ミラー
１２Ａ…第１光モジュール
１２Ｂ…第２光モジュール
１００…コア層
１０１…クラッド層
１０３…溝
１０３Ａ…傾斜面
１０４…フォトレジスト
１０５…開口部
１０６…接着剤
１１０Ａ…端子
１２０…端子
１２１…ハンダボール
１２２…支持基板
１２３…ワイヤ
１２４…端子
１２５…発光素子
１２６…制御部
１２７…端子
１２８…封止樹脂
１２９…受光素子
１３０Ａ…孔
【図１】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図７】
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【図８】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図１０】
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