(57)【要約】【課題】プラズマＣＶＤ装置内におけるパーティクルの発生を低減して炭素保護膜表面の平坦性を向上させ、高い記録密度を有し、且つ記録再生特性に優れた磁気記録媒体を製造することが可能な炭素保護膜の形成方法及び磁気記録媒体の製造方法、磁気記録媒体並びにこの磁気記録媒体を用いた磁気記録再生装置を提供する。【解決手段】成膜チャンバ１０内に、磁性膜が形成された円盤状の基板Ｄを設置し、該基板Ｄの両面に離間対向した電極１１を設け、表面１１ａが粗面化処理された電極１１を用い、成膜チャンバ１０内に基板Ｄを設置した状態で該基板Ｄ上に炭素保護膜を形成する成膜工程と、成膜チャンバ１０内に基板Ｄを設置しない状態で電極１１の表面１１ａに堆積した炭素膜をアッシング除去する除去工程とが備えられ、成膜工程と除去工程とを、この順で繰り返す形成方法としている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
成膜チャンバ内に、磁性膜が形成された円盤状の基板を設置し、該基板の両面に離間対向した電極を設け、炭素含有ガス中で前記電極と前記基板との間にプラズマを発生させることにより、前記基板の両面に化学気相成長（ＣＶＤ）法で炭素保護膜を形成する方法であって、
前記電極として、表面が粗面化処理された電極を用い、
前記成膜チャンバ内に前記基板を設置した状態で該基板上に炭素保護膜を形成する成膜工程と、前記成膜チャンバ内に前記基板を設置しない状態で前記電極の表面に堆積した炭素膜をアッシング除去する除去工程とが備えられ、
前記成膜工程と前記除去工程とを、この順で繰り返すことを特徴とする炭素保護膜の形成方法。
【請求項２】
前記成膜工程と前記除去工程とを、この順で繰り返すとともに、
前記成膜工程を連続して複数回繰り返した後、前記除去工程を行うことを特徴とする請求項１に記載の炭素保護膜の形成方法。
【請求項３】
前記成膜工程と前記除去工程とを、この順で繰り返すとともに、
前記除去工程と、その後の前記成膜工程との間に、更に、前記成膜チャンバ内に基板を設置しない状態で前記電極の表面に炭素膜を形成する被覆工程が備えられていることを特徴とする請求項１又は２に記載の炭素保護膜の形成方法。
【請求項４】
成膜チャンバ内に、表面が粗面化された電極が備えられていることを特徴とする炭素保護膜成膜用ＣＶＤ装置。
【請求項５】
前記電極がステンレススチールからなり、その表面粗さＲａが８μｍ〜９μｍの範囲とされていることを特徴とする請求項４に記載の炭素保護膜成膜用ＣＶＤ装置。
【請求項６】
非磁性基板上に少なくとも磁性膜及び炭素保護膜を形成する磁気記録媒体の製造方法であって、前記炭素保護膜を、請求項１〜３の何れか１項に記載の炭素保護膜の形成方法、あるいは、請求項４又は５の何れかに記載の炭素保護膜成膜用ＣＶＤ装置を用いて形成することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載の磁気記録媒体の製造方法によって製造される磁気記録媒体。
【請求項８】
請求項７に記載の磁気記録媒体と、この磁気記録媒体を記録方向に駆動する駆動部と、記録部と再生部からなる磁気ヘッドと、前記磁気ヘッドを磁気記録媒体に対して相対運動させるヘッド駆動手段と、前記磁気ヘッドへの信号入力と磁気ヘッドからの出力信号再生を行うための記録再生信号処理手段を組み合わせてなる磁気記録再生装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ハードディスク装置等に用いられる、炭素保護膜の形成方法及び磁気記録媒体の製造方法、磁気記録媒体並びに磁気記録再生装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、磁気記録媒体、とりわけ磁気ディスクの分野においては記録密度の向上が著しく、特に最近では、記録密度が１０年間で１００倍程度と、驚異的な速度で伸び続けている。このような記録密度の向上を支える技術は多岐にわたるが、キーテクノロジーの一つとして、磁気ヘッドと磁気記録媒体との間における摺動特性の制御技術を挙げることができる。
一般に、ウインテェスター様式と呼ばれる、磁気ヘッド−磁気記録媒体間における接触摺動〜ヘッド浮上〜接触摺動を基本動作とするＣＳＳ（接触起動停止）方式がハードディスクドライブの主流となって以来、記録媒体上でのヘッドの摺動は避けることのできないものとなり、磁気ヘッド−磁気記録媒体間のトライボロジーに関する問題は、宿命的な技術課題となって現在に至っている。このため、媒体表面の耐摩耗性、耐摺動性は、磁気記録媒体の信頼性の大きな柱となり、磁性膜上に積層される保護膜、潤滑膜などの開発、改善の努力が営々と続けられている。
【０００３】
磁気記録媒体の保護膜としては、様々な材質からなるものが提案されているが、成膜性、耐久性等の総合的な見地から、主にカーボン膜が採用されている。カーボン膜は、通常、スパッタリング法によって形成されており、この成膜の際の条件は、カーボン膜の耐コロージョン性、あるいはＣＳＳ特性に如実に反映されるため、非常に重要である。
また、記録密度の向上を図るためには、磁気ヘッドの飛行高さ（フライングハイト）の低減、媒体回転数の増加等を行うことが好ましいため、磁気記録媒体にはより高い摺動耐久性が要求されるようになってきている。
その一方、スペーシングロスを低減して記録密度を高めるため、保護膜の厚さを出来るだけ薄く、例えば１００Å以下の膜厚にすることが要求されるようになってきており、平滑性は勿論のこと、薄く且つ強靭な保護膜が強く求められている。
【０００４】
しかしながら、従来のスパッタリング成膜法によって形成されたカーボン保護膜では、この膜を出来るだけ薄く、例えば１００Å以下の膜厚とした場合、その耐久性が不十分となることがある。
このため、スパッタリング法に比べて高強度のカーボン保護膜を形成することができる方法として、プラズマＣＶＤ法を採用した方法が主流となっている（例えば、特許文献１、２）。
【０００５】
しかしながら、特許文献１、２に記載されたような、プラズマＣＶＤ法を用いてカーボン保護膜を形成する方法では、成膜装置において、基板の表面のみならず、成膜チャンバ内の露出面、例えば電極表面等にもカーボンが堆積する。このような、成膜チャンバ内の露出面におけるカーボンの堆積量が多くなると、堆積したカーボンからなる膜が内部応力等によって露出面から剥離する。このような剥離によって生じたカーボンの微粒子（パーティクル）が基板表面に付着した場合、カーボン保護膜の表面に突起が形成されて局所的な膜厚異常となり、製品不良の原因となるという問題がある。特に、プラズマＣＶＤ法を用いてカーボン保護膜を成膜する場合、従来のスパッタ法を用いてカーボン保護膜を形成する場合に比べ、カーボンからなる膜の硬度が高く、また、膜の内部応力も高いため、カーボンのパーティクルの発生が多く、上述のような膜厚異常等を生じるという問題があった。
【０００６】
上述のようなパーティクルの発生を防止するため、成膜装置内に堆積したカーボン膜を、酸素プラズマによってアッシング除去する方法が提案されている（例えば、特許文献３、４）。
また、プラズマＣＶＤ装置において、処理室内部でのパーティクルの発生を防止するため、電極の表面を粗面化することにより、電極上の堆積物の剥離を抑制する方法が提案されている（例えば、特許文献５）。
【０００７】
しかしながら、近年、磁気記録媒体の記録密度をさらに向上させるため、磁気記録媒体の表面の平滑性をより一層向上させることが求められているが、特許文献３〜５に記載の方法を用いた場合であってもパーティクルを充分に低減することができず、磁気記録媒体表面の平坦性を高めることが困難であるという問題があった。このため、これまで以上に、プラズマＣＶＤ装置内におけるパーティクルの発生を低減する方法が求められていた。
【特許文献１】特公平７−２１８５８号公報
【特許文献２】特開平７−７３４５４号公報
【特許文献３】特開平１１−２２９１５０号公報
【特許文献４】特開２００２−０２５０４７号公報
【特許文献５】特開２００６−１７３３４３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、プラズマＣＶＤ装置内におけるパーティクルの発生を効果的に低減し、炭素（カーボン）保護膜表面の平坦性を向上させることができ、高い記録密度を有し、且つ記録再生特性に優れた磁気記録媒体を製造することが可能な炭素保護膜の形成方法及び磁気記録媒体の製造方法、磁気記録媒体並びにこの磁気記録媒体を用いた磁気記録再生装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者等は、上記課題を解決すべく鋭意努力研究したところ、プラズマＣＶＤ法によって基板上に炭素保護膜を形成する際、成膜チャンバ内に備えられた電極表面に予め粗面化処理を施し、その成膜チャンバ内において、基板表面への炭素保護膜の成膜と、電極表面に堆積した炭素膜のアッシング除去とを繰り返すことにより、電極に析出した炭素膜が剥離して基板上の炭素保護膜に混入するのを抑制できることを見出した。
一方、本発明者等は、電極表面に堆積した炭素膜を完全にアッシング除去すると、電極表面が成膜チャンバ内に形成されたイオンによりスパッタされ、電極材料が磁気記録媒体の炭素保護膜中に混入する虞があることをつきとめた。このため、炭素膜をアッシング除去した後の電極表面に、成膜チャンバ内に基板を設置しない状態で炭素膜を形成する工程を設けることにより、電極表面がスパッタされて電極材料が炭素保護膜中に混入するのを効果的に抑制できることを見いだし、本発明を完成させた。
即ち、本発明は以下に関する。
【００１０】
［１］  成膜チャンバ内に、磁性膜が形成された円盤状の基板を設置し、該基板の両面に離間対向した電極を設け、炭素含有ガス中で前記電極と前記基板との間にプラズマを発生させることにより、前記基板の両面に化学気相成長（ＣＶＤ）法で炭素保護膜を形成する方法であって、前記電極として、表面が粗面化処理された電極を用い、前記成膜チャンバ内に前記基板を設置した状態で該基板上に炭素保護膜を形成する成膜工程と、前記成膜チャンバ内に前記基板を設置しない状態で前記電極の表面に堆積した炭素膜をアッシング除去する除去工程とが備えられ、前記成膜工程と前記除去工程とを、この順で繰り返すことを特徴とする炭素保護膜の形成方法。
［２］  前記成膜工程と前記除去工程とを、この順で繰り返すとともに、前記成膜工程を連続して複数回繰り返した後、前記除去工程を行うことを特徴とする［１］に記載の炭素保護膜の形成方法。
［３］  前記成膜工程と前記除去工程とを、この順で繰り返すとともに、前記除去工程と、その後の前記成膜工程との間に、更に、前記成膜チャンバ内に基板を設置しない状態で前記電極の表面に炭素膜を形成する被覆工程が備えられていることを特徴とする［１］又は［２］に記載の炭素保護膜の形成方法。
【００１１】
［４］  成膜チャンバ内に、表面が粗面化された電極が備えられていることを特徴とする炭素保護膜成膜用ＣＶＤ装置。
［５］  前記電極がステンレススチールからなり、その表面粗さＲａが８μｍ〜９μｍの範囲とされていることを特徴とする［４］に記載の炭素保護膜成膜用ＣＶＤ装置。
［６］  非磁性基板上に少なくとも磁性膜及び炭素保護膜を形成する磁気記録媒体の製造方法であって、前記炭素保護膜を、上記［１］〜［３］の何れかに記載の炭素保護膜の形成方法、あるいは、上記［４］又は［５］の何れかに記載の炭素保護膜成膜用ＣＶＤ装置を用いて形成することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
［７］  上記［６］に記載の磁気記録媒体の製造方法によって製造される磁気記録媒体。
［８］  上記［７］に記載の磁気記録媒体と、この磁気記録媒体を記録方向に駆動する駆動部と、記録部と再生部からなる磁気ヘッドと、前記磁気ヘッドを磁気記録媒体に対して相対運動させるヘッド駆動手段と、前記磁気ヘッドへの信号入力と磁気ヘッドからの出力信号再生を行うための記録再生信号処理手段を組み合わせてなる磁気記録再生装置。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の炭素保護膜の形成方法及び磁気記録媒体の製造方法によれば、基板の両面に化学気相成長（ＣＶＤ）法で炭素保護膜を形成する際、表面が粗面化処理された電極を用い、成膜チャンバ内に基板を設置した状態で該基板上に炭素保護膜を形成する成膜工程と、成膜チャンバ内に基板を設置しない状態で電極の表面に堆積した炭素膜をアッシング除去する除去工程とが備えられ、これら成膜工程と除去工程とを、この順で繰り返す方法なので、電極表面に析出した炭素膜が剥離してパーティクルとなり、成膜チャンバ内に放出されるのを防止することができる。
また、成膜工程を連続して複数回繰り返した後、除去工程を行う方法とすることにより、電極表面がスパッタされて電極材料のパーティクルが生じるのを抑制することができる。
さらに、除去工程とその後の成膜工程との間に、電極の表面に炭素膜を形成する被覆工程が備えられた方法とすることにより、電極表面がスパッタされるのを防止できるとともに、電極表面に堆積した炭素膜の剥離を抑制することができるので、成膜チャンバ内におけるパーティクルの発生をより効果的に抑制することが可能となる。
これにより、平坦性に優れた炭素保護膜を基板上に成膜することができるので、高い記録密度を有し、且つ記録再生特性に優れた磁気記録媒体並びに磁気記録再生装置を提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下に、本発明に係る炭素保護膜の形成方法及び磁気記録媒体の製造方法、磁気記録媒体並びに磁気記録再生装置の実施形態について、図１〜３を適宜参照しながら説明する。
【００１４】
本実施形態の炭素保護膜の形成方法は、図１に示すような成膜装置（炭素保護膜成膜用ＣＶＤ装置）１において、成膜チャンバ１０内に、磁性膜が形成された円盤状の基板Ｄを設置し、該基板Ｄの両面に離間対向した電極１１を設け、炭素含有ガス中で電極１１と基板Ｄとの間にプラズマを発生させることにより、基板Ｄの両面に化学気相成長（ＣＶＤ）法で炭素保護膜（図２の符号２４を参照）を形成する方法であり、電極として、表面が粗面化処理された電極１１を用い、成膜チャンバ１０内に基板Ｄを設置した状態で該基板Ｄ上に炭素保護膜２４を形成する成膜工程と、成膜チャンバ１０内に基板Ｄを設置しない状態で電極１１の表面１１ａに堆積した炭素膜をアッシング除去する除去工程とが備えられ、これらの成膜工程と除去工程とを、この順で繰り返す方法である。
【００１５】
［磁気記録媒体］
以下に、本実施形態の炭素保護膜の形成方法及び磁気記録媒体の製造方法によって得られる磁気記録媒体の一例について、主に図２の断面模式図を参照しながら説明する。
図２に示す本実施形態の磁気記録媒体２は、非磁性基板２１上に、非磁性下地膜２２、磁性膜２３が順次積層され、磁性膜２３上に、本実施形態の形成方法によって形成される炭素保護膜２４が積層され、概略構成されている。また、図２に例示する磁気記録媒体２では、炭素保護膜２４上に潤滑剤層２５が設けられている。
【００１６】
非磁性基板２１の材料としては、通常、磁気記録媒体の基板に用いられる非磁性材料を何ら制限無く用いることができ、例えば、ＮｉＰメッキ膜が形成されたアルミニウム合金基板の他、各種ガラス、シリコンなどからなるものを用いることができる。また、本実施形態の非磁性基板２１は、ガラス材料からなる基体と、この基体表面にＮｉＰ、ＮｉＰ合金、又は他の合金から選ばれる１種以上からなる膜を、メッキ、スパッタ法等の方法により蒸着させて形成した表面層とから構成されたものとしても良い。
また、非磁性基板２１は、その表面にメカニカルテクスチャ処理などのテクスチャー処理を施したものとするのが好ましく、特に、表面平均粗さＲａを１〜２０Åとしたものを用いることがより好ましい。
また、非磁性基板２１には、大気圧近傍の圧力下で発生するプラズマによって活性化されたガス（処理ガス）を用いて前処理を施すことができる。
【００１７】
非磁性下地膜２２の材料としては、Ｔｉ，Ｍｏ，Ａｌ，Ｔａ，Ｗ，Ｎｉ，Ｂ，Ｓｉ，Ｍｎ及びＶの群から選ばれる１種又は２種以上とＣｒとからなるＣｒ合金か、或いはＣｒを用いることができ、特に、Ｃｒ、Ｃｒ／Ｔｉ系、Ｃｒ／Ｗ系、Ｃｒ／Ｖ系、Ｃｒ／Ｓｉ系の合金を用いるのが好適である。
また、非磁性下地膜２２を多層構造の下地膜とする場合には、非磁性下地膜２２を構成する層の内、少なくとも１層を上記Ｃｒ合金又はＣｒで構成することができる。
また、非磁性下地膜２２は、ＮｉＡｌ系合金、ＲｕＡｌ系合金、又はＣｒ合金（Ｔｉ，Ｍｏ，Ａｌ，Ｔａ，Ｗ，Ｎｉ，Ｂ，Ｓｉ及びＶの群から選ばれる１種もしくは２種以上とＣｒとからなる合金）で構成することもできる。
また、非磁性下地膜２２を多層構造とする場合には、非磁性下地膜２２を構成する各層の内、少なくとも１層をＮｉＡｌ系合金、ＲｕＡｌ系合金、又は上記Ｃｒ合金で構成することができる。
また、非磁性下地膜２２の厚さは、５０〜１０００Åの範囲とすることが好ましい。
【００１８】
磁性膜２３の材料としては、Ｃｏを主原料としたＣｏ合金であって、ｈｃｐ構造を有する材料を用いることが好ましい。例えば、Ｃｏ／Ｃｒ系、Ｃｏ／Ｃｒ／Ｔａ系、Ｃｏ／Ｃｒ／Ｐｔ系、Ｃｏ／Ｃｒ／Ｐｔ／Ｔａ系、Ｃｏ／Ｃｒ／Ｐｔ／Ｂ系、Ｃｏ／Ｃｒ／Ｐｔ／Ｂ／Ｃｕ系合金から選ばれる何れか１種を含むものとすることが好ましい。
なお、本実施形態の磁気記録媒体では、さらに、磁性膜を２種以上の積層構造としたものとしてもよい。
また、磁性膜２３の厚さは、５０〜８００Åの範囲とすることが好ましい。
【００１９】
なお、非磁性下地膜２２と磁性膜２３との間には、Ｃｏを主原料としたＣｏ合金であってｈｃｐ構造である非磁性材料からなる中間層を設けることが、Ｃｏ合金のエピタキシャル成長を助長する点で好ましい。中間層を設ける場合、例えば、Ｃｏ−Ｃｒ系、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｒｕ系、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ系、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｚｒ系合金から選ばれる何れか１種を含む材料を用いることができる。
【００２０】
本実施形態の磁気記録媒体２に備えられる炭素保護膜２４は、詳細を後述する本実施形態の炭素保護膜の形成方法によって積層される保護膜である。
炭素保護膜に用いられる材料としては、本実施形態の形成方法のようなプラズマＣＶＤ法によって形成されるＣＶＤカーボンの他、非晶質カーボン、含水素カーボン、含窒素カーボン、含フッ素カーボン等の各種カーボン系材料があるが、ＣＶＤカーボンは硬く緻密な構造であり、耐久性の面のみならず、経済性や生産性等の面からも優れており、好適に用いられる。
また、炭素保護膜２４の膜厚は、薄すぎると耐久性が低下し、厚すぎると記録再生時の損失が大きくなるため、１０〜１５０Å（１〜１５ｎｍ）の範囲とすることが好ましく、２０〜６０Å（２〜６ｎｍ）の範囲に設定することがより好ましい。
【００２１】
本実施形態の磁気記録媒体２において最上層となる潤滑剤層２５は、フォンブリン系潤滑剤、又は重合性不飽和基含有パーフルオロポリエーテル化合物の重合物を含む材料からなる層である。ここで、重合性不飽和基含有パーフルオロポリエーテル化合物としては、主鎖であるパーフルオロポリエーテルの少なくとも一端に、重合性を有する不飽和結合を持つ有機基が結合されてなる化合物を挙げることができる。
【００２２】
なお、本発明に係る炭素保護膜の形成方法及び磁気記録媒体の製造方法で製造する磁気記録媒体としては、面内磁気記録媒体、垂直磁気記録媒体を問わない。
また、磁気記録媒体の基板として用いられる非磁性材料としては、上述のような非磁性材料の他、例えば、Ａｌを主成分としたＡｌ−Ｍｇ合金等のＡｌ合金や、シリコン、チタン、セラミックス、各種樹脂材料等、非磁性材料であれば任意のものを用いることも可能である。
【００２３】
［炭素保護膜の形成方法及び磁気記録媒体の製造方法］
以下に、本実施形態の炭素保護膜の形成方法及び磁気記録媒体の製造方法の一例について、図１に示す例の成膜装置（炭素保護膜成膜用ＣＶＤ装置）１及び図２に示す例の磁気記録媒体２を参照しながら説明する。
【００２４】
本実施形態の炭素保護膜の形成方法は、上述したように、成膜チャンバ１０内に、少なくとも磁性膜２３が形成された円盤状の基板Ｄ（図２の磁気記録媒体２における符号Ｄを参照）を設置し、該基板Ｄの両面Ｄ１、Ｄ２に離間対向した電極１１を設け、炭素含有ガス中で電極１１と基板Ｄとの間にプラズマを発生させることにより、基板Ｄの両面に化学気相成長（ＣＶＤ）法で炭素保護膜５を形成する方法であり、電極として、表面が粗面化処理された電極１１を用い、成膜チャンバ１０内に基板Ｄを設置した状態で該基板Ｄ上に炭素保護膜５を形成する成膜工程と、成膜チャンバ１０内に基板Ｄを設置しない状態で電極１１の表面に堆積した炭素膜をアッシング除去する除去工程とが備えられ、これらの成膜工程と除去工程とを、この順で繰り返す方法である。
【００２５】
（成膜装置：炭素保護膜成膜用ＣＶＤ装置）
図１に示す成膜装置（炭素保護膜成膜用ＣＶＤ装置）１は、本発明に係る炭素保護膜の形成方法を実施するために用いられる製造装置の主要部となるプラズマＣＶＤ装置の例を示し、この成膜装置１は、炭素保護膜２４を形成するためのものであり、基板Ｄを収容する成膜チャンバ１０と、該成膜チャンバ１０の両側壁内面に相対向するように設置され、表面が粗面化処理された電極１１と、これら電極１１に電力を供給する電源１２と、基板Ｄ上に形成する炭素保護膜２４の原料となる反応ガスの供給源１４とを備え、概略構成されている。また、本実施形態では、必要に応じて、成膜装置１に、成膜チャンバ１０内に設置された基板Ｄにバイアス電圧を印加するためのバイアス電源１３を設けた構成とすることが好ましい。
【００２６】
成膜チャンバ１０には、供給源１４から供給された反応ガスを成膜チャンバ１０内に導入する導入管１５と、成膜チャンバ１０内のガスを系外に排出する排気管１６が接続されている。排気管１６には、排気量調節バルブ１７が設けられており、排気量を調節することにより、チャンバ１０の内圧を任意の値に設定することができるようになっている。
【００２７】
電極１１の表面を粗面化処理する方法としては、サンドブラスト処理を用いることが好ましい。また、サンドブラスト処理に用いる粒体としては、ＳｉＣ、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２等を用いることができる。また、サンドブラスト処理後の電極１１の表面粗さとしては、電極１１の材料にステンレススチールを用いた場合は、表面粗さＲａを８μｍ〜９μｍの範囲とすることが好ましい。
【００２８】
電源１２は、本実施形態の炭素保護膜の形成方法において、炭素含有ガス中で電極１１と基板Ｄとの間にプラズマを発生させるための電力を供給するものである。
電源１２としては、高周波電源、マイクロ波電源、ＤＣ電源等を用いることができる。また、電源１２の容量としては、炭素保護膜２４形成時に、電極１１に５０〜２０００Ｗの電力を供給することができるものを用いることが好ましい。
【００２９】
また、本実施形態の炭素保護膜の形成方法においては、図１に示すように、バイアス電源１３を用いて基板Ｄにバイアス電圧を印加することが好ましい。
バイアス電源１３としては、ＤＣ電源又はパルス直流電源を用いるのが好ましい。また、基板Ｄに印加するバイアス電圧としては、ＤＣ及びパルス電圧で、−４００〜−１０Ｖの範囲の電圧（平均電圧）とすることが好ましい。
【００３０】
（炭素保護膜の形成方法）
本実施形態の炭素保護膜の形成方法では、上述したように、成膜工程と除去工程とを、この順で繰り返す方法としている。成膜チャンバ１０内に基板Ｄを設置した状態で基板Ｄ上に炭素保護膜２４を形成する成膜工程と、成膜チャンバ１０内に基板Ｄを設置しない状態で電極１１の表面に堆積した炭素膜をアッシング除去する除去工程とを繰り返すことにより、基板Ｄ表面への炭素保護膜２４の形成に際して、電極１１表面に堆積する炭素膜を除去することが可能となる。しかしながら、成膜工程とアッシングによる除去工程とを繰り返すだけでは、電極１１に徐々に炭素膜が堆積したり、また、アッシング除去後の残渣がパーティクルとして発生する虞がある。このため、本実施形態では、電極として、表面１１ａが粗面化処理された電極１１を用い、堆積物等が剥離するのを抑制する方法としている。
【００３１】
なお、本発明で説明するアッシングとは、電極１１に堆積した炭素膜をプラズマによってガス化して除去することを言う。この際に発生させるプラズマとしては、酸素プラズマ、水素プラズマ、ハロゲンガスプラズマ等が挙げられる。酸素プラズマは炭素膜をＣＯガスやＣＯ２ガスとして分解し、水素プラズマは炭素膜を例えばＣＨ４ガスとして分解し、また、ハロゲンガスプラズマは炭素膜を炭素のハロゲン化物ガスとして分解するものと考えられる。この中で、特に、酸素ガスプラズマを用いるのが、その除去速度の観点から好ましい。
【００３２】
また、本発明に係る炭素保護膜の形成方法では、上述のような成膜工程と除去工程とを、この順で繰り返すとともに、成膜工程を連続して複数回繰り返した後、除去工程が行われる方法とすることがより好ましい。このような構成の製造工程とすることにより、電極１１の表面１１ａに堆積した炭素膜が完全には除去されず、薄膜のように若干被覆された状態において成膜工程が行われるので、電極材料がスパッタされて成膜チャンバ１０内に放出されるのを防止することが可能となる。
【００３３】
また、本発明に係る炭素保護膜の形成方法では、上述のような成膜工程と除去工程とを、この順で繰り返すとともに、除去工程と、その後の成膜工程との間に、更に、成膜チャンバ１０内に基板Ｄを設置しない状態で電極１１の表面１１ａに炭素膜を形成する被覆工程を備えた方法とすることがより好ましい。
上述したように、基板Ｄの表面への炭素保護膜２４の形成と、電極１１の表面１１ａに堆積した炭素膜のアッシング除去を繰り返すことにより、基板Ｄの表面への炭素保護膜２４の形成に際し、電極１１の表面１１ａに堆積した炭素膜を除去することが可能となるが、成膜とアッシングを繰り返すことにより、電極１１に徐々に炭素膜が堆積したり、また、アッシング後の残渣がパーティクルとして発生する虞がある。このような堆積物や残渣が剥離してパーティクルとなるのを防止するため、アッシングによる炭素膜の除去工程の後に、成膜チャンバ１０内に基板Ｄを設置しない状態で、電極１１に炭素膜を形成する被覆工程を設けると、電極１１の表面１１ａの炭素膜の堆積物や残渣が均一な炭素膜に覆われ、これら堆積物や残渣が電極１１から剥離しにくくなり、パーティクルの発生を防止することが可能となる。
【００３４】
また、電極１１の表面１１ａに堆積した炭素膜を完全にアッシング除去し、電極１１を構成する電極材料が露出した状態とすると、表面１１ａが成膜チャンバ１０内に形成されたイオンによってスパッタされ、電極材料が成膜チャンバ１０内に放出されてしまい、その電極材料が、基板Ｄ表面に形成する炭素保護膜２４中に混入する虞がある。本実施形態では、電極１１の表面１１ａに堆積した炭素膜をアッシングする除去工程の後に、電極１１に炭素膜を形成する被覆工程を設けることにより、電極材料がスパッタされるのを防止することができる。
【００３５】
なお、上述のような被覆工程を、成膜チャンバ１０内に基板Ｄを設置した状態で電極１１の表面１１ａに炭素膜を形成する方法とすることも可能と考えられるが、基板Ｄを設置した状態で電極１１に炭素膜を形成すると、炭素膜を形成するラジカル種が基板Ｄ側に吸い寄せられ、この結果、電極１１への炭素膜の析出膜厚が不均一なものとなるので好ましくない。
【００３６】
以下、基板上に炭素保護膜２４を形成する際の手順の一例について説明する。
まず、スパッタ法等の方法によって、非磁性基板２１上に非磁性下地膜２１及び磁性膜２３の各層が積層された基板Ｄ（図２に示す符号Ｄを参照）を、図１に示す成膜装置１の成膜チャンバ１０内に搬入し、供給源１４から供給された反応ガスを、導入管１５を通じて成膜チャンバ１０内に導入しつつ、成膜チャンバ１０内のガスを、排気管１６を通じて外部に排出することによって成膜チャンバ１０内でガスを流通させ、基板Ｄの表面Ｄ１、Ｄ２を反応ガスに曝す。
この際に用いる反応ガスとしては、炭化水素及び水素を、体積比で１：０．５〜１：１００の範囲となるよう混合した混合ガスを用いる。
【００３７】
本実施形態で用いる炭化水素としては、低級飽和炭化水素、低級不飽和炭化水素、および低級環式炭化水素の内の１種又は２種以上を用いることが好ましい。
また、低級飽和炭化水素としては、メタン、エタン、プロパン、ブタン、オクタン等を用いることができる。また低級不飽和炭化水素としては、エチレン、プロピレン、ブチレン、ブタジエン等を用いることができる。また低級環式炭化水素としては、ベンゼン、トルエン、キシレン、スチレン、ナフタレン、シクロヘキサン、シクロヘキサジエン等を用いることができる。
また、上記炭化水素の中でも、特に、トルエンを用いるのが好ましく、トルエンと水素の混合比率は、体積比で１：１５〜１：２０の範囲とすることが好ましい。
なお、ここで述べる低級とは、炭素数が１〜１０の範囲であることを指す。また、環式炭化水素とは、ベンゼン環などの環状構造をもつ炭化水素のことを言う。
【００３８】
本実施形態において、炭化水素と水素の混合比率を上記範囲とした理由は、炭化水素の水素に対する割合が上記範囲下限値未満であると、成膜レートが低くなり実用的な工業生産に適さなくなるためであり、また、上記範囲上限値を越えると、基板Ｄ表面に形成される炭素保護膜内に残留する応力が高くなり、得られる炭素保護膜の密着性、耐ＣＳＳ性が低下するためである。
また、炭化水素として低級炭化水素を用いるのが好ましいとした理由は、炭化水素の炭素数が上記範囲上限値を越えると、ガスとして供給するのが困難となることに加え、放電時の炭化水素の分解が進行しにくくなり、炭素保護膜が、強度に劣る高分子成分を多く含むものとなるためである。
【００３９】
また、上述のような反応ガスの流通操作を行うには、反応ガスの流量を５０〜５００ｓｃｃｍの範囲とすることが好ましい。また、排気量調節バルブ１７を用いて成膜チャンバ１０内のガスの排出量を適宜調節することにより、成膜チャンバ１０の内圧を所定の値、例えば０．１〜１０Ｐａの範囲に保持することが好ましい。
【００４０】
上述のような反応ガスの流通操作と同時に、高周波電源１２を用いて、好ましくは５０〜２０００Ｗの範囲の高周波電力を電極１１に供給してプラズマを発生させ、上記反応ガスを原料とするプラズマ化学気相成長により、炭素保護膜２４を基板Ｄの両面Ｄ１、Ｄ２に形成する。炭素保護膜２４の厚さは、３０〜１００Åの範囲とすることが好ましい。本実施形態の方法により、炭素保護膜２４を、基板Ｄの表裏両面（Ｄ１、Ｄ２）に同時に形成することができる。
電極１１に電力供給する際には、これら電極１１（図１に示す例では２個の電極１１）に供給する電力の位相を互いにずらした状態とすることが好ましい。これは、両電極１１に供給する電力の位相を互いにずらすことにより、成膜レートの向上、炭素保護膜の耐久性の向上を図ることができるためである。また、両電極１１に供給する電力の位相差は９０〜２７０゜の範囲とすることが好ましく、特に、逆相（１８０゜）とすることがより好ましい。
【００４１】
また、炭素保護膜２４の形成時には、バイアス電源１３を用いて、例えば、高周波バイアス又はパルス直流バイアスを基板Ｄに印加しつつ、成膜を行うことが好ましい。バイアス電源１３として高周波電源を用いる場合には、１０〜３００Ｗの範囲の高周波電力を基板Ｄに印加することが好ましい。また、バイアス電源１３としてパルス直流電源を用いる場合には、−４００〜−１０Ｖの範囲の電圧（平均電圧）を基板Ｄに印加するのが好ましく、この際のパルス幅は１０〜５００００ｎ秒の範囲、周波数は１０ｋＨｚ〜１ＧＨｚの範囲とすることが好ましい。
また、バイアスを基板Ｄに印加する場合、基板Ｄに直接バイアスを印加する方法としても良いし、図示略の基板キャリア等を介してバイアス印加を行う方法としても良い。
【００４２】
また、実用的な工業生産に対応するためには、炭素保護膜２４の成膜レートを２００Å（２０ｎｍ）／分以上とするが好ましく、さらには、４００Å／分以上とすることがより好ましい。
また、本実施形態では、成膜チャンバ１０内に設置した基板Ｄ表面に炭素保護膜２４を形成する成膜工程における成膜時間は、直径３．５インチの円盤状基板に高周波電力６００Ｗを投入した場合で、５秒〜６０秒の範囲とすることが好ましい。また、成膜チャンバ１０内に基板Ｄを設置しない状態で電極１１の表面１１ａに堆積した炭素膜をアッシング除去する除去工程におけるアッシング時間は、高周波電力６００Ｗを投入した酸素プラズマの場合で、５秒〜３００秒の範囲とすることが好ましい。さらに、成膜チャンバ１０内に基板Ｄを設置しない状態で電極１１に炭素膜を形成する被覆工程における成膜時間は、高周波電力６００Ｗを投入した場合で、５秒〜３００秒の範囲とすることが好ましい。
【００４３】
なお、本実施形態において、成膜チャンバ１０内に設置した基板Ｄの表面Ｄ１、Ｄ２に炭素保護膜２４を形成する成膜工程を複数回行う場合には、その回数を２回〜１００回の範囲とすることが好ましい。
【００４４】
以上説明したように、本実施形態の炭素保護膜の形成方法によれば、基板Ｄの両面に化学気相成長（ＣＶＤ）法で炭素保護膜２４を形成する際、表面１１ａが粗面化された電極１１を用い、成膜チャンバ１０内に基板Ｄを設置した状態で該基板Ｄ上に炭素保護膜２４を形成する成膜工程と、成膜チャンバ１０内に基板Ｄを設置しない状態で電極１１の表面１１ａに堆積した炭素膜をアッシング除去する除去工程とが備えられ、これら成膜工程と除去工程とをこの順で繰り返す方法なので、電極１１の表面１１ａに析出した炭素膜が剥離してパーティクルとなり、成膜チャンバ１０内に放出されるのを防止することができる。
【００４５】
また、本実施形態の炭素保護膜の形成方法では、上記成膜工程を連続して複数回繰り返した後に除去工程が行われる方法とすることにより、電極１１の表面１１ａに堆積した炭素膜が完全に除去されない状態で成膜工程を行うので、電極材料がスパッタされてパーティクルとなり、成膜チャンバ１０内に放出されるのを防止できる。
また、本実施形態の炭素保護膜の形成方法では、除去工程と、その後の成膜工程との間に、更に、成膜チャンバ１０内に基板Ｄを設置しない状態で電極１１の表面１１ａに炭素膜を形成する被覆工程を備えた方法とすることにより、電極１１の表面１１ａがスパッタされるのを防止できるとともに、電極１１上の堆積物や残渣が表面１１ａから剥離しにくくなり、成膜チャンバ１０内におけるパーティクルの発生をより効果的に抑制することが可能となる。
従って、パーティクルの炭素保護膜中への混入を防止でき、平坦性に優れた炭素保護膜２４を成膜することが可能となる。
【００４６】
（磁気記録媒体の製造方法）
本実施形態の磁気記録媒体の製造方法は、図２に示すような非磁性基板２１上に少なくとも磁性膜２３及び炭素保護膜２４を形成する方法であり、炭素保護膜２４を上述したような本実施形態の炭素保護膜の形成方法、又は、本実施形態の成膜装置（炭素保護膜成膜用ＣＶＤ装置）を用いて形成する方法である。
本実施形態の磁気記録媒体の製造方法では、スパッタリング法等の方法を用いて、非磁性基板２１の両面（図２では片面側のみ図示）に、非磁性下地膜２２及び磁性膜２３を形成する。
以下、本実施形態の磁気記録媒体の製造方法について詳述する。
【００４７】
本実施形態では、まず、上述したような非磁性基板２１の表面にテクスチャー加工を施した後、非磁性基板２１を洗浄処理する。この際、例えば、テクスチャー加工を施す前に、非磁性基板２１に対して、前記処理ガスを用いた前処理を施しても良い。また、非磁性基板２１の洗浄処理の前及び／又は後に、非磁性基板２１に対して前記処理ガスを用いる前処理を施しても良く、或いは、テクスチャー加工を施す前と、洗浄処理の前及び／または洗浄処理の後との両方で、前記処理ガスを用いる前処理を施しても良い。
【００４８】
なお、非磁性基板２１にテクスチャー加工を施すことは必須ではないが、テクスチャー加工を施すことにより、磁性膜２３に磁気異方性が備えられ、磁気ヘッドと磁気記録媒体との吸着を防止でき、磁気異方性が良好となる点で好ましい。
テクスチャー加工の方法としては、特に限定されず、例えば、非磁性基板２１の表面に、固定砥粒及び／又は遊離砥粒を用いた機械的加工を施すことにより、円周方向にテクスチャーを施す方法とすることができる。この場合、非磁性基板２１の表面にテクスチャー用研磨テープを押し付けて接触させ、非磁性基板２１とテープとの間に研磨砥粒を含む研磨スラリーを供給しながら非磁性基板２１を回転させるとともに、テープを移送することで処理することが可能である。
【００４９】
非磁性基板２１の洗浄処理は、主として、アルカリ洗剤又は中性洗剤の浸漬、スクラブ洗浄、純水による振り切り乾燥又はＩＰＡベーパー乾燥からなる構成で行うことができる。アルカリ洗剤又は中性洗剤の浸漬とスクラブ洗浄の順番は、どちらが先であっても構わないが、非磁性基板２１の濡れ性を向上させるためには、アルカリ洗剤又は中性洗剤の浸漬を先とすることが好ましい。但し、非磁性基板２１に対して前記前処理を行うことで濡れ性が向上するので、必ずしもこの順番としなくても良い。
【００５０】
また、洗浄処理の前に、非磁性基板２１に対して前記処理ガスを用いた前処理を施すことにより、濡れ性が向上するので、アルカリ洗剤又は中性洗剤は不要か或いは濃度を大幅に低減してピットの発生を抑制することができ、ピットに起因するエラーを防止できる。
また、スクラブ洗浄は、カップブラシまたはロールブラシを用いて行なうことが好ましい。
洗浄処理の後、前記処理ガスを用いて非磁性基板２１を前処理することにより、有機物残渣が分解されＨ２Ｏ，ＣＯ２となって気化蒸発するので、有機物残渣の除去効果を向上することができ、有機物残渣に起因するエラーが防止できるので、ヘッドの浮上特性を向上させることが可能となる。
【００５１】
前記前処理に用いられる装置としては、大気圧近傍付近の圧力下で安定にプラズマを発生することができるプラズマ発生ユニットを用いることができる。例えば、常圧プラズマ表面改質ユニット（積水化学製）や大気圧プラズマクリーニングヘッド（松下電工製）等を用いることができる。なお、上述の大気圧近傍付近の圧力下とは、１．３×１０４〜１３×１０４Ｐａの圧力を指し、特に、大気圧付近の９．９×１０４〜１０．３×１０４Ｐａで使用することが、圧力調整が容易であり、装置構成が簡便になるので好ましい。
【００５２】
次いで、上述のような処理が施された非磁性基板２１上に、成膜工程において、非磁性下地膜２２、磁性膜２３、炭素保護膜２４の各層を順次形成する。
磁気記録媒体の各層を形成する成膜方法は任意であるが、非磁性下地膜２２、磁性膜２３の各層の成膜方法としては、例えば直流（マグネトロン）スパッタリング法、高周波（マグネトロン）スパッタリング法、ＥＣＲスパッタリング法、真空蒸着法等の物理的蒸着法が挙げられる。
【００５３】
本実施形態の製造方法では、上記非磁性下地膜２２、磁性膜２３の各層の成膜工程で使用する成膜装置として、例えば、図３に示すような、チャンバ３０内に、起立した状態の非磁性基板２１を収容自在に構成し、非磁性基板２１の両面側にターゲット材３２ａ、３２ｂを配し、これらターゲット材３２ａ、３２ｂの反基板側にマグネット板３１ａ、３１ｂをそれぞれ平行に配置し、ターゲット材３２ａ、３２ｂに高周波電圧を印加できるように高周波電源３３が接続自在とされた構成のスパッタ法を用いたスパッタ成膜装置３を用いることができる。
また、図３に示すスパッタ成膜装置３の構成では、非磁性基板２１に対して高周波電圧のバイアスを印加するためのバイアス電源３４が接続されており、ターゲット材３２ａ、３２ｂに対しては、高周波電圧に加えて直流電圧を印加できるように構成されているが、このバイアス電源３４は略しても良い。
そして、成膜装置３のチャンバ３０には、スパッタリングガス３８を導入するためのバルブ付き導入管３５が接続され、更に、チャンバ３０の内部を真空ポンプに接続するためのバルブ付き排気管３６が接続され、チャンバ３０の内部を減圧可能に構成されている。
図示例のスパッタ成膜装置３では、チャンバ３０の内部を規定の圧力に減圧するとともに、スパッタリングガス３８をバルブ付き導入管３５から導入してターゲット材３２ａ、３２ｂの周囲にプラズマを発生させ、チャンバ３０の内部に収容した非磁性基板２１表面に、スパッタリング法により薄膜を形成し、上記非磁性下地膜２２、磁性膜２３の各層を成膜する。
【００５４】
そして、磁性膜２３の上に、上述したような本実施形態の形成方法、又は、成膜装置により、プラズマＣＶＤ法を用いて炭素保護膜２４を成膜する。
【００５５】
なお、本実施形態の形成方法によって成膜した炭素保護膜２４の上には、潤滑剤層２５を形成することが好ましい。
潤滑剤層２５に用いる潤滑剤としては、上述したような材質のものが挙げられ、上記材料を用いて、通常１〜４ｎｍの厚さで潤滑剤層２５を形成する。潤滑剤層２５の形成方法としては、例えば、ディッピング法、スピンコート法等、従来公知の方法を採用することができる。
【００５６】
本実施形態の磁気記録媒体２の製造方法によれば、非磁性基板２１上に少なくとも磁性膜２３及び炭素保護膜２４を形成して磁気記録媒体２を製造する際、炭素保護膜２４を、上記炭素保護膜の形成方法又は成膜装置（炭素保護膜成膜用ＣＶＤ装置）を用いて形成する方法なので、平坦性に優れた炭素保護膜２４を成膜することができ、高い記録密度を有し、且つ記録再生特性に優れた磁気記録媒体２が得られる。
【００５７】
［磁気記録再生装置］
図４は、上記本発明に係る炭素保護膜の形成方法及び磁気記録媒体の製造方法によって得られる磁気記録媒体を用いた磁気記録再生装置の一例を示すものである。
この磁気記録再生装置４０は、上記形成方法及び製造方法により得られる磁気記録媒体２と、磁気記録媒体２を回転駆動させる媒体駆動部４１と、磁気記録媒体２に情報を記録再生する磁気ヘッド４２と、ヘッド駆動部（ヘッド駆動手段）４３と、記録再生信号処理系（記録再生信号処理手段）４４とを備えている。記録再生信号処理系４４は、入力されたデータを処理して記録信号を磁気ヘッド４２に送出し、また、磁気ヘッド４２からの再生信号を処理してデータを出力することができるようになっている。
本発明に係る磁気記録再生装置は、上記炭素保護膜の形成方法及び磁気記録媒体の製造方法によって得られる磁気記録媒体を用いているので、記録再生特性に優れた磁気記録再生装置が得られる。
【実施例】
【００５８】
以下に、本発明に係る炭素保護膜の形成方法及び磁気記録媒体の製造方法を実証するための実施例について説明するが、本発明はこれらの実施例にのみ限定されるものではない。
【００５９】
［実施例１］
アルミナスラリーを用いて表面粗さＲａが２０Åとなるようにテクスチャリングを施したＮｉＰメッキアルミニウム基板からなる非磁性基板２１を、図３に例示するようなスパッタ成膜装置３（ＤＣマグネトロンスパッタ装置）のチャンバ３０内にセットし、チャンバ３０内を到達真空度２×１０−４Ｐａまで排気した後、非磁性基板２１の両面に、Ｃｒからなる厚さ４００Åの非磁性下地膜２２、及びＣｏ８２Ｃｒ１５Ｔａ３（ａｔ％）合金からなる磁性膜２３を順次形成し、基板Ｄを得た。
次いで、基板Ｄを、図１に例示するような成膜装置１（プラズマＣＶＤ装置）の成膜チャンバ１０内に搬入した。ここで、成膜装置１の電極１１は、材質がＳＵＳ３０４であり、その表面１１ａに＃２０〜＃３０のＳｉＣ粒によってサンドブラスト処理を施し、表面粗さＲａを８．５μｍとした。
【００６０】
次いで、成膜チャンバ１０内に、メタンガスと水素ガスを体積比１：１００の割合で混合した反応ガスを供給した。この際の成膜チャンバ１０の内圧は２Ｐａとした。
また、上記反応ガスの成膜チャンバ１０内への流通と同時に、高周波バイアス（５０Ｗ）を基板Ｄに印加しつつ、３００Ｗの高周波電力（周波数１３．５６ＭＨｚ）を電極１１に供給して成膜チャンバ１０内にプラズマを発生させ、基板Ｄの両面Ｄ１、Ｄ２に、厚さ５０Åの炭素保護膜２４を形成した。なお、成膜時の基板Ｄの温度は１３０℃とした。また、基板Ｄと電極１１と間の距離は３０ｍｍとした。また、２つの電極１１、１１に供給する電力の位相差は１８０°とし、成膜時間は８秒とした。
次いで、成膜チャンバ１０内から基板を取り出し、成膜チャンバ１０内に酸素ガスプラズマを発生させて、電極１１の表面１１ａのアッシング処理を行った。この際、成膜チャンバ１０内の酸素ガスの圧力は５Ｐａ、電極１１へ印加する高周波電力は６００Ｗ、アッシング時間は８秒とした。
以上のような、基板Ｄへの炭素保護膜２４の成膜工程と、成膜チャンバ１０内におけるアッシング処理による除去工程とを１０００回繰り返し、計１０００枚の磁気記録媒体２を製造した。
【００６１】
［実施例２］
アルミナスラリーを用いて表面粗さＲａが２０Åとなるようにテクスチャリングを施したＮｉＰメッキアルミニウム基板からなる非磁性基板２１を、図３に例示するようなスパッタ成膜装置３（ＤＣマグネトロンスパッタ装置）のチャンバ３０内にセットし、チャンバ３０内を到達真空度２×１０−４Ｐａまで排気した後、非磁性基板２１の両面に、Ｃｒからなる厚さ４００Åの非磁性下地膜２２、及びＣｏ８２Ｃｒ１５Ｔａ３（ａｔ％）合金からなる磁性膜２３を順次形成し、基板Ｄを得た。
次いで、基板Ｄを、図１に例示するような成膜装置１（プラズマＣＶＤ装置）の成膜チャンバ１０内に搬入した。成膜装置１の電極１１は、材質がＳＵＳ３０４であり、その表面１１ａに＃２０〜３０＃のＳｉＣ粒によってサンドブラスト処理を施し、表面粗さＲａを８．５μｍとした。
【００６２】
次いで、成膜チャンバ１０内に、メタンガスと水素ガスを体積比１：１００の割合で混合した反応ガスを供給した。この際の成膜チャンバ１０の内圧は２Ｐａとした。
また、上記反応ガスの成膜チャンバ１０内への流通と同時に、高周波バイアス（５０Ｗ）を基板Ｄに印加しつつ、３００Ｗの高周波電力（周波数１３．５６ＭＨｚ）を電極１１に供給し、成膜チャンバ１０内にプラズマを発生させ、基板Ｄの両面Ｄ１、Ｄ２に厚さ５０Åの炭素保護膜２４を形成した。なお、成膜時の基板Ｄの温度は１３０℃とした。また、基板Ｄと電極１１との間の距離は３０ｍｍとした。また、２つの電極１１に供給する電力の位相差は１８０°とし、成膜時間は８秒とした。このような条件で、連続して２５枚の基板Ｄについて、成膜チャンバ１０内で炭素保護膜２４の成膜を行った。
次いで、成膜チャンバ１０内から基板を取り出し、成膜チャンバ１０内に酸素ガスプラズマを発生させて、電極１１の表面１１ａのアッシング処理を行った。この際、成膜チャンバ１０内の酸素ガスの圧力は５Ｐａ、電極１１へ印加した高周波電力は６００Ｗ、アッシング時間は６０秒とした。
【００６３】
その後、基板Ｄを成膜チャンバ１０内に設置しない状態で、電極１１の表面１１ａに炭素膜を成膜する被覆工程を行った。この際の成膜（被覆）条件は、メタンガスと水素ガスを体積比１：１００の割合で混合した反応ガスをチャンバ内に供給し、成膜チャンバ１０の内圧は２Ｐａとした。また、電極１１への供給電力は３００Ｗの高周波（周波数１３．５６ＭＨｚ）とし、２つの電極１１、１１に供給する電力の位相差は１８０°とした。また、この際の成膜時間は３０秒とした。
以上のような、実施例１と同様の成膜工程、除去工程に加え、被覆工程の操作を４０回繰り返し、計１０００枚の磁気記録媒体２を製造した。
【００６４】
［比較例１］
アッシング処理による除去工程を設けなかった点を除き、実施例１と同様の手順で、連続して炭素保護膜の成膜工程の処理を行い、この条件下で、１０００枚の磁気記録媒体（比較例１）を製造した。
【００６５】
［比較例２］
炭素保護膜を形成する成膜チャンバ内に備えられた電極の表面にサンドブラスト処理を施さなかった点を除き、実施例１と同様の手順で、連続して炭素保護膜の成膜工程の処理を行い、この条件下で、１０００枚の磁気記録媒体（比較例２）を製造した。なお、成膜チャンバ内の電極表面における表面粗さ（Ｒａ）は２μｍとした。
【００６６】
［評価方法］
実施例１及び２、比較例１及び２の各条件で製造した、各々１０００枚の磁気記録媒体について、磁気記録媒体表面に付着したダスト（小塵）の個数の計測、及び炭素保護膜のＳｅｃｏｎｄａｒｙ  Ｉｏｎｉｚａｔｉｏｎ  Ｍａｓｓ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ（ＳＩＭＳ）による分析を行い、評価した。
ここで、ダストの個数の計測については、磁気記録媒体表面にハロゲンランプ光を照射し、その照射によって肉眼で観察できるダストの輝点をカウントすることにより行った。
また、ＳＩＭＳによる分析は、炭素保護膜中におけるＦｅ原子のカウント数を比較した。
【００６７】
上記実施例及び比較例の評価結果一覧を下記表１に示す。
【００６８】
【表１】
2008171505.tif 000003
【００６９】
［評価結果］
表１に示すように、本発明に係る炭素保護膜の形成方法及び磁気記録媒体の製造方法によって得られた実施例１及び２の磁気記録媒体は、磁気記録媒体表面へのダストの付着が少なく、何れも肉眼で確認できるダストが無かった。また、実施例１及び２の磁気記録媒体は、炭素保護膜中におけるＦｅ原子が非常に少ないことが明らかとなった。
【００７０】
これに対し、従来の方法で炭素保護膜を形成し、従来の製造方法で製造された比較例１の磁気記録媒体は、磁気記録媒体表面に付着したダストの個数が１２個と、実施例１及び２に比べて非常に多くなっているとともに、炭素保護膜中におけるＦｅ原子が４０００（カウント数）と非常に多くなっている。これは、比較例１においては、成膜チャンバ内に基板を設置しない状態での除去工程、並びに、電極への炭素膜の被覆工程を行なわなかったため、電極表面から剥離した炭素膜がパーティクルとなって基板上の炭素保護膜表面に付着するとともに、電極の表面がスパッタされることによって成膜チャンバ内に電極材料が放出され、これが炭素保護膜中に混入したためと考えられる。
【００７１】
また、成膜チャンバ内に備えられた電極の表面にサンドブラスト処理（粗面化処理）を施さなかった比較例２の磁気記録媒体は、磁気記録媒体表面に付着したダストの個数が５個と、実施例１及び２に比べて多くなっているとともに、炭素保護膜中におけるＦｅ原子が３０００（カウント数）と非常に多くなっている。これは、比較例２においては、成膜チャンバ内に備えられた電極の表面に粗面化処理を施さなかったため、電極表面に堆積した炭素膜が剥離しやすく、パーティクルとなって基板上の炭素保護膜表面に付着するとともに、電極の表面がスパッタされることによって成膜チャンバ内に電極材料が放出され、これが炭素保護膜中に混入したためと考えられる。
【００７２】
以上、本発明に係る炭素保護膜の形成方法により、成膜チャンバ内におけるパーティクルの発生を効果的に低減し、平坦性に優れた炭素保護膜を成膜することができることから、本発明に係る磁気記録媒体の製造方法によって得られる磁気記録媒体が、高い記録密度を有し、且つ記録特性に優れていることが明らかである。
【図面の簡単な説明】
【００７３】
【図１】本発明に係る炭素保護膜の形成方法の一例を模式的に説明する図であり、基板表面に炭素保護膜を成膜するための成膜装置を示す概略図である。
【図２】本発明に係る磁気記録媒体の一例を模式的に説明する図であり、非磁性基板上に成膜される各層構造を示す概略図である。
【図３】本発明に係る磁気記録媒体の製造方法の一例を模式的に説明する図であり、非磁性基板上に非磁性下地膜及び磁性膜を成膜するためのスパッタ成膜装置を示す概略図である。
【図４】本発明に係る磁気記録再生装置の一例を模式的に説明する図である。
【符号の説明】
【００７４】
１…成膜装置、２…磁気記録媒体、３…スパッタ成膜装置、４…磁気記録再生装置、１０…成膜チャンバ、１１…電極、１１ａ…表面（電極）、２１…非磁性基板、２２…非磁性下地膜、２３…磁性膜、２４…炭素保護膜、２５…潤滑剤層、４２…駆動部、４２…磁気ヘッド、４３…ヘッド駆動部（ヘッド駆動手段）、４４…記録再生信号処理系（記録再生信号処理手段）、Ｄ…基板、Ｄ１、Ｄ２…表面（基板）
【図１】
2008171505.tif 000004
【図２】
2008171505.tif 000005
【図３】
2008171505.tif 000006
【図４】
2008171505.tif 000007