(57)【要約】【課題】修復のタクトタイムを向上させるとともに、不要な修復処理を行うことを防止して、効率的な修復処理が行える基板修復システムを提供する。【解決手段】基板修復システム１は、対象基板９上の全域にわたる欠陥情報を取得する欠陥情報取得ユニット２と、欠陥情報取得ユニット２によって取得された欠陥情報に基づいて、対象基板９上の欠陥部に液滴を滴下する１個以上の液滴吐出ユニット６を有する修復ユニット３と、欠陥情報取得ユニット２によって取得された欠陥情報に基づいて、修復ユニット３による修復動作の要否を対象基板９毎に判定する修復判定ユニット４とを備えている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
対象基板上の全域にわたる欠陥情報を取得する欠陥情報取得手段と、
前記欠陥情報取得手段によって取得された欠陥情報に基づいて、前記対象基板上の欠陥部に液滴を滴下する１個以上の液滴吐出手段を有する修復手段と、
前記欠陥情報取得手段によって取得された欠陥情報に基づいて、前記修復手段による修復動作の要否を対象基板毎に判定する修復判定手段とを備えたことを特徴とする基板修復システム。
【請求項２】
前記液滴吐出手段は、それぞれ個別に移動可能な複数個の液滴吐出手段であり、
前記修復判定手段は、前記欠陥情報取得手段によって取得された欠陥情報を前記複数個の液滴吐出手段毎に割り当てる割り当て手段と、
前記割り当て手段によって割り当てられた欠陥情報に基づいて、前記修復動作の要否を判定する判定手段とを有する請求項１に記載の基板修復システム。
【請求項３】
前記欠陥情報取得手段から前記修復手段に前記対象基板を搬送する第１の搬送手段と、前記欠陥情報取得手段から不良基板保持手段に前記対象基板を搬送する第２の搬送手段とを有する基板搬送手段をさらに備え、
前記基板搬送手段は、前記修復判定手段の判定結果に基づいて、前記第１の搬送手段と前記第２の搬送手段とを選択する請求項１に記載の基板修復システム。
【請求項４】
前記修復判定手段は、前記欠陥情報から算出される前記対象基板内の欠陥個数又は最大欠陥密集度に基づいて、前記修復動作の要否を判定する請求項１に記載の基板修復システム。
【請求項５】
前記修復判定手段は、前記欠陥情報に基づいて想定される前記修復手段の修復時間に基づいて、前記修復動作の要否を判定する請求項１に記載の基板修復システム。
【請求項６】
前記修復判定手段は、前記欠陥情報をもとに前記液滴吐出手段が修復すべき欠陥を決定する決定手段と、
前記液滴吐出手段の第１の吐出タイミングと次順の第２の吐出タイミングとの間の間隔時間を想定する算出手段とを有し、
前記修復判定手段は、前記間隔時間に基づいて前記修復動作の要否を判定する請求項１に記載の基板修復システム。
【請求項７】
前記修復判定手段は、前記液滴吐出手段１個当たりの受け持つ欠陥数に基づいて、前記修復動作の要否を判定する請求項２に記載の基板修復システム。
【請求項８】
対象基板上の全域にわたる欠陥情報を取得し、
前記欠陥情報に基づいて、前記対象基板の修復動作の要否を対象基板毎に判定し、
修復動作が必要と判定された対象基板上の欠陥部に、前記欠陥情報に基づいて、前記液滴を滴下することを特徴とする基板修復方法。
【請求項９】
コンピュータに、対象基板上の全域にわたる欠陥情報を取得する手順と、前記欠陥情報に基づいて、前記対象基板の修復動作の要否を対象基板毎に判定する手順と、修復動作が必要と判定された対象基板上の欠陥部に、前記欠陥情報に基づいて、前記液滴を滴下する手順とを実行させることを特徴とするプログラム。
【請求項１０】
コンピュータに、対象基板上の全域にわたる欠陥情報を取得する手順と、前記欠陥情報に基づいて、前記対象基板の修復動作の要否を対象基板毎に判定する手順と、修復動作が必要と判定された対象基板上の欠陥部に、前記欠陥情報に基づいて、前記液滴を滴下する手順とを実行させるプログラムを記録したことを特徴とするコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板に点在する修復箇所をインクジェット方式により修復する修復機能を備えた基板修復システム、基板修復方法、プログラム及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、液晶表示装置やエレクトロルミネッセンス（ＥＬ）型表示装置は、表示サイズ自体の大面積化が要望されるとともに、製造工程中においても大面積基板で複数個の表示装置を一括して生産することでコストダウンを図っている。
【０００３】
また、表示装置として、表示画素の表示不良による画像の黒抜けや輝点（白く光る）がなく、色むらが少ない高品質のものが望まれている。
【０００４】
しかしながら、例えば液晶表示装置のカラーフィルタ（ＣＦ）基板やＥＬ基板について、１基板中の全画素を不良なく製造することは技術的に不可能であり、黒抜けや輝点が皆無の表示装置を製造することは極めて困難であった。
【０００５】
そこで、大面積のＣＦ基板やＥＬ基板について従来技術で製造した後、検査を行い、不良画素についてインクジェット方式で修正液を滴下して修復する技術が公開されている（例えば特許文献１）。この技術により、大面積のＣＦ基板やＥＬ基板についても、不良画素がなく、結果として高品質な表示装置を得ることが可能となる。
【０００６】
また、インクジェット技術を、不良画素の修復だけではなく、ＣＦ基板やＥＬ基板の製造に用いるとともに、製造工程で生じた不良部分についても、同じくインクジェット技術を用いる技術がある。この技術では、基板の全域に亙って液滴を滴下することが可能なライン型のインクジェットヘッドと、ライン型インクジェットヘッドによる滴下で不良が発生した画素を検出する機構と、不良と判断した画素を修復するインクジェットヘッドとが、同一の装置に設けられており、不良のない基板を製造しようとするものである（例えば特許文献２）。
【０００７】
特許文献１に示されている修復装置は、欠陥検出装置と、レーザ照射装置と、インクジェット方式による欠陥修正装置を含むものであり、これら装置により基板上の欠陥を修復することが可能である。
【０００８】
また、特許文献２では、ライン型インクジェットヘッドの吐出不良に起因する欠陥を修復用のインクジェットで補完することで、単一の装置内で欠陥のない基板を得ようとするものである。一方、近年の表示装置のコストダウン化を進めるためには、修復処理を高速化することが強く望まれている。
【特許文献１】特開２００１−６６４１８号公報（平成１３年３月１６日（２００１．３．１６）公開）
【特許文献２】特開２００５−１８５９７８号公報（平成１７年７月１４日（２００５．７．１４）公開）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、特許文献１の装置では、欠陥検出、レーザ除去及び修復動作という一連の動作を欠陥画素毎に行い、基板上の欠陥数の多少に関わらず、これらの一連の動作を繰り返すことで修復する。ゆえに、１枚の基板の修復を完了するためには相当の時間を要し、結果としてコストアップを招いていたという問題がある。
【００１０】
また、欠陥の配列状態（修復した画素の配列状態）によっては、色むら等を発生させるため、修復したとしても使用に耐えない基板となり、結果として修復する価値のない基板まで修復してしまう恐れがあったという問題もある。
【００１１】
色むら等により使用に耐えない基板としては、製品仕様（限度スペック）に応じて異なるが、傾向としては、例えば、ある一定箇所付近に修復画素が密集しているもの、修復画素が１ライン内に点在しているもの、修復画素が規則的に配列しているものが挙げられる。
【００１２】
また、特許文献２の装置では、吐出不良に起因する欠陥は無くすことができるものの、焼成工程中にも画素不良は発生するため、基板について不良画素を皆無にすることは不可能であり、結果として別の修復作業を行う必要があったという問題がある。焼成工程中の画素不良とは、例えば、焼成工程中の熱による液滴材料の表面張力の低下に伴って、隣接する、異なる液滴が充填された画素間において混色してしまい、所望の色再現性を示さないことが挙げられる。
【００１３】
さらに、ライン型インクジェットヘッドによる滴下で不良が発生した画素を検出する間に、他の処理（別基板へのライン型インクジェットヘッドによる滴下や、対象基板の修復）を行うことができず、装置占有時間が長時間化してしまう構成であったという問題もある。
【００１４】
よって、本発明は、修復のタクトタイムを向上させるとともに、不要な修復処理を行うことを防止して、効率的な修復処理が行える基板修復システムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明に係る基板修復システムは、上記課題を解決するために、対象基板上の全域にわたる欠陥情報を取得する欠陥情報取得手段と、前記欠陥情報取得手段によって取得された欠陥情報に基づいて、前記対象基板上の欠陥部に液滴を滴下する１個以上の液滴吐出手段を有する修復手段と、前記欠陥情報取得手段によって取得された欠陥情報に基づいて、前記修復手段による修復動作の要否を対象基板毎に判定する修復判定手段とを備えたことを特徴とする。
【００１６】
上記の特徴によれば、欠陥情報取得手段により対象基板上の全域にわたる欠陥情報を一括して取得した上で、この欠陥情報に基づいて修復判定手段により基板毎に修復すべきか否かの判断を行うことが可能となる。このため、修復に相当の時間を要したり、修復したとしても色むらで使用に耐えなくなる等の修復処理すべきではない基板についてまで修復を行うことを回避することができ、その結果、修復効率を向上することができる。
【００１７】
本発明に係る基板修復システムでは、前記液滴吐出手段は、それぞれ個別に移動可能な複数個の液滴吐出手段であり、前記修復判定手段は、前記欠陥情報取得手段によって取得された欠陥情報を前記複数個の液滴吐出手段毎に割り当てる割り当て手段と、前記割り当て手段によって割り当てられた欠陥情報に基づいて、前記修復動作の要否を判定する判定手段とを有することが好ましい。
【００１８】
この構成によれば、修復手段は例えばインクジェットヘッドのような液滴吐出手段を複数個有し、基板上に点在する欠陥を液滴吐出手段毎に分担して修復することによって、修復処理のタクトタイムを短縮することができるとともに、液滴吐出手段毎に分担された欠陥の状態（例えば、個数や配列状態）に基づいて基板自体の修復の要否を判断することによって、基板毎の処理の要否を確実に判断することが可能となる。
【００１９】
本発明に係る基板修復システムでは、前記欠陥情報取得手段から前記修復手段に前記対象基板を搬送する第１の搬送手段と、前記欠陥情報取得手段から不良基板保持手段に前記対象基板を搬送する第２の搬送手段とを有する基板搬送手段をさらに備え、前記基板搬送手段は、前記修復判定手段の判定結果に基づいて、前記第１の搬送手段と前記第２の搬送手段とを選択することが好ましい。
【００２０】
この構成によれば、欠陥情報取得手段で対象基板の欠陥情報を取得した後、この欠陥情報に基づいて、不良基板を一時的又は永続的に保管する不良基板保持手段と、修復処理を行う修復手段とのいずれかに振り分けることが可能であり、複数枚の基板を効率的に処理することができる。また、基板の修復処理を行いながら他の基板の欠陥情報を取得することができるので、タクトタイムを短縮することが可能となる。
【００２１】
本発明に係る基板修復システムでは、前記修復判定手段は、前記欠陥情報から算出される前記対象基板内の欠陥個数又は最大欠陥密集度に基づいて、前記修復動作の要否を判定することが好ましい。
【００２２】
この構成によれば、欠陥情報に基づいて、修復する価値のない基板について処理を行わないように判定することが可能となり、結果として効率的な修復処理を行うことが可能となる。
【００２３】
本発明に係る基板修復システムでは、前記修復判定手段は、前記欠陥情報に基づいて想定される前記修復手段の修復時間に基づいて、前記修復動作の要否を判定することが好ましい。
【００２４】
この構成によれば、修復手段による修復動作の前に、欠陥情報に基づいて修復に要する時間を事前に想定することができるので、修復に要する時間が所定時間以上の際には対象基板の修復を行わないように判定することが可能となり、結果として効率的な修復処理を行うことが可能となる。
【００２５】
本発明に係る基板修復システムでは、前記修復判定手段は、前記欠陥情報をもとに前記液滴吐出手段が修復すべき欠陥を決定する決定手段と、前記液滴吐出手段の第１の吐出タイミングと次順の第２の吐出タイミングとの間の間隔時間を想定する算出手段とを有し、前記修復判定手段は、前記間隔時間に基づいて前記修復動作の要否を判定することが好ましい。
【００２６】
この構成によれば、例えばインクジェットヘッドを修復手段として含む際に、算出手段により想定される吐出動作を行わない非吐出時間が、液滴吐出の再開が可能な一定時間以下となる基板についてのみ処理することが可能となり、修復手段による修復の信頼性を向上させることができる。
【００２７】
本発明に係る基板修復システムでは、前記液滴吐出手段１個当たりの受け持つ欠陥数に基づいて、前記修復動作の要否を判定することが好ましい。
【００２８】
この構成によれば、複数の液滴吐出手段からなる修復手段を用いて修復を行う場合であっても、判断が複雑化することなく、簡便で、かつ非常に短時間に演算処理を行い、効率的に基板処理要否の判断を行うことができる。
【００２９】
本発明に係る基板修復方法は、上記課題を解決するために、対象基板上の全域にわたる欠陥情報を取得し、前記欠陥情報に基づいて、前記対象基板の修復動作の要否を対象基板毎に判定し、修復動作が必要と判定された対象基板上の欠陥部に、前記欠陥情報に基づいて、前記液滴を滴下することを特徴とする。
【００３０】
上記の特徴によれば、対象基板上の全域にわたる欠陥情報を一括して取得した上で、この欠陥情報に基づいて基板毎に修復すべきか否かの判断を行うことが可能となる。このため、修復に相当の時間を要したり、修復したとしても色むらで使用に耐えなくなる等の修復処理すべきではない基板についてまで修復を行うことを回避することができ、その結果、修復効率を向上することができる。
【００３１】
本発明に係るプログラムは、上記課題を解決するために、コンピュータに、対象基板上の全域にわたる欠陥情報を取得する手順と、前記欠陥情報に基づいて、前記対象基板の修復動作の要否を対象基板毎に判定する手順と、修復動作が必要と判定された対象基板上の欠陥部に、前記欠陥情報に基づいて、前記液滴を滴下する手順とを実行させることを特徴とする。
【００３２】
本発明に係るコンピュータ読み取り可能な記録媒体は、コンピュータに、対象基板上の全域にわたる欠陥情報を取得する手順と、前記欠陥情報に基づいて、前記対象基板の修復動作の要否を対象基板毎に判定する手順と、修復動作が必要と判定された対象基板上の欠陥部に、前記欠陥情報に基づいて、前記液滴を滴下する手順とを実行させるプログラムを記録したことを特徴とする。
【発明の効果】
【００３３】
本発明に係る基板修復システムは、以上のように、前記欠陥情報取得手段によって取得された欠陥情報に基づいて、前記修復手段による修復動作の要否を対象基板毎に判定する修復判定手段を備えているので、修復に相当の時間を要したり、修復したとしても色むらで使用に耐えなくなる等の修復処理すべきではない基板についてまで修復を行うことを回避することができ、その結果、修復効率を向上することができるという効果を奏する。
【００３４】
本発明に係る基板修復方法は、以上のように、前記欠陥情報に基づいて、前記対象基板の修復動作の要否を対象基板毎に判定し、修復動作が必要と判定された対象基板上の欠陥部に、前記欠陥情報に基づいて、前記液滴を滴下するので、修復に相当の時間を要したり、修復したとしても色むらで使用に耐えなくなる等の修復処理すべきではない基板についてまで修復を行うことを回避することができ、その結果、修復効率を向上することができるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３５】
本発明の一実施形態について図１ないし図１９に基づいて説明すると以下の通りである。
【００３６】
（実施の形態１）
＜修復システム全体の構成＞
（システム構成例１）
図１（ａ）は、本実施の形態に係る基板修復システム１の概略構成を示すブロック図であり、（ｂ）はその具体構成を示すブロック図である。図１（ａ）（ｂ）を参照すると、基板修復システム１は、欠陥情報取得ユニット２、修復ユニット３、修復判定ユニット４、及び基板搬送ユニット５を備えている。
【００３７】
図示しない他の製造装置により製造された基板９（例えばカラーフィルタ基板やＥＬ基板）は基板修復システム１に受け渡されると、最初に、欠陥情報取得ユニット２内の基板検査ステージ２４に搭載される。そして、欠陥情報取得ユニット２において所定の動作が完了すると、図中の破線で示すように、基板搬送ユニット５内の基板分別部５１に受け渡される。基板分別部５１では、修復判定ユニット４からの指示又は情報に基づいて、基板９を不良基板保持部５２に受け渡すか、又は、基板９を修復ユニット３内の基板修復ステージ３４に受け渡して修復ユニット３において修復動作を行う。修復ユニット３により修復動作を終えた基板９は、図示しない焼成炉に導入されて、修正液を硬化させる。なお、本実施の形態の基板修復システム１内に焼成炉を加えても良い。
【００３８】
欠陥情報取得ユニット２は、欠陥検出器２１、レーザ除去機２２、欠陥情報取得機２３、及び、基板９を搭載する基板検査ステージ２４を有している。基板検査ステージ２４は、Ｘ方向、Ｙ方向、及び面内回転方向に移動可能であり、例えばリニアエンコーダを搭載したリニアガイドにより駆動制御されているために、その移動量を正確に出力することが可能である。また、基板検査ステージ２４上の任意の箇所に、欠陥検出器２１、レーザ除去機２２及び欠陥情報取得機２３を移動させることが可能である。
【００３９】
図１（ｂ）では、基板９上の欠陥情報の流れが矢印で示されている。欠陥情報取得ユニット２では、欠陥検出器２１により基板９全域のダスト混在や白抜け、又は混色による複数個の欠陥画素位置を特定し、その位置情報をレーザ除去機２２に出力して、レーザ除去機２２により、それぞれの欠陥画素を略同一形状の凹型に成形する。その後、欠陥検出器２１からの位置情報を参考にして、基板９に付与されている基準マーク２点に対するそれぞれの欠陥画素の凹部位置を欠陥情報取得機２３により精密に計測し、修復判定ユニット４の欠陥情報保持部４１に記憶する。また、欠陥情報取得機２３は、凹部の色情報を取得することも可能である。
【００４０】
修復判定ユニット４は、例えば通常のコンピュータであり、欠陥情報保持部４１は、例えばメモリである。欠陥情報保持部４１の欠陥情報は割り当て部７に送信されて、割り当て部７では、液滴吐出ユニット６の基板上の移動可能領域に基づいて、複数の液滴吐出ユニット６に対して、それぞれ修復すべき欠陥情報を割り当てる。なお、割り当て部７は、例えば、コンピュータ内の演算プログラムである。
【００４１】
判定部１０は、欠陥情報保持部４１からの欠陥情報、及び割り当て部７からの液滴吐出ユニット毎の修復すべき欠陥情報に基づく演算により、対象基板９の修復の要否を判断し、要否結果を基板搬送ユニット５の基板分別部５１に指令する。なお、判定部１０は、例えばコンピュータ内の演算プログラムである。
【００４２】
基板搬送ユニット５は、例えば通常の基板搬送ロボットであり、指令に基づいて、基板分別部５１は基板９を基板修復ステージ３４又は不良基板保持部５２に搬送するものである。基板搬送ユニット５は、対象基板９を欠陥情報取得ユニット２から修復ユニット３に搬送する搬送経路Ａ（第１の搬送手段）と、対象基板９を欠陥情報取得ユニット２から不良基板保持部５２に搬送する搬送経路Ｂ（第２の搬送手段）とを有し、例えば１台の基板搬送ロボットで搬送経路Ａと搬送経路Ｂを切り替える構成であれば、第１の搬送手段と第２の搬送手段を含むと解してよい。
【００４３】
修復ユニット３は、液滴吐出ユニット６、液滴吐出ユニット移動機構３２、制御部３３、基板修復ステージ３４とを有している。液滴吐出ユニット６と液滴吐出ユニット移動機構３２とは対をなしており、修復ユニット３内に複数（図１では３対）有する。基板修復ステージ３４は、一軸方向及び面内回転方向に移動可能であり、例えばリニアエンコーダを搭載したリニアガイドにより駆動制御されているために、その移動量を正確に出力することが可能である。なお、基板修復ステージ３４は、面内回転方向への移動は基板の姿勢制御のときのみ行い、修復動作においては、一軸方向の往復動作を行う。液滴吐出ユニット移動機構３２は、基板修復ステージ３４の一軸方向と異なる方向に他の液滴吐出ユニットとは独立して個別に移動及び停止を行えるようになっており、基板修復ステージ３４の一軸方向の移動と、各液滴吐出ユニット移動機構３２の移動とにより、基板９上の任意の位置上に液滴吐出ユニット６を位置決めすることが可能となっている。
【００４４】
制御部３３は、それぞれの液滴吐出ユニット６の吐出指令と、それぞれの液滴吐出ユニット移動機構３２の移動停止指令と、基板修復ステージ３４の移動指令とを与える部分であり、例えば、通常のコンピュータであって演算プログラム及び指令出力が組み込まれたものである。なお、制御部３３は、判定部１０から得た基板９の欠陥情報に基づいて、欠陥部である凹部に液滴を滴下するように制御される。
【００４５】
なお本実施の形態において、欠陥情報取得ユニット２には、必ずしも、欠陥検出器２１及びレーザ除去機２２は必要なく、基板９上の略全域の欠陥情報を取得する機能があればよい。また、基板の全域とは、基板上の局所部分ではない広範囲の領域を意味し、基板上の全域を広範囲の複数の領域に分割し、それぞれの領域について順次処理を行っても良い。
【００４６】
図２は、基板修復システム１の動作を示すフローチャートである。まず、基板ステージ２４に基板９を導入する（ステップＳ１）。そして、欠陥検出器２１及び欠陥情報取得機２３によって基板９の欠陥情報を取得する（ステップＳ２）。次に、判定部１０によって基板９の欠陥修復処理の要否を判断する（ステップＳ３）。その後、判定部１０によって基板９の欠陥修復処理が必要であると判断されたときは、基板修復ステージ３４に基板９を導入する（ステップＳ５）。そして、液滴吐出ユニット６によって、基板修復ステージ３４上の基板９の欠陥を修復する（ステップＳ６）。次に、基板修復システム１から基板９を搬出する（ステップＳ７）。判定部１０によって基板９の欠陥修復処理が不要であると判断されたときは、不良基板保持部５２に基板９を導入する（ステップＳ４）。
【００４７】
欠陥修復処理が不要であると判断された基板は、状況によっては再利用され得る。修復を不要とする場合は、例えば、修復しても使用に耐えない基板（例えば、修復画素が局所的に密集してしまっているもの）、修復に要する時間がタクトタイムに合わない基板がある。前者の場合には、基本的には廃棄することとなるが、修復に起因する色ムラを気にしない低スペック用として使用するために、一旦保管のうえ、別工程に回すことも考えられる。後者の場合には、修復コストとの兼ね合いとなる（装置占有時間と修復基板の価値との比較）が、前工程または後工程と連動していないオフラインの修復装置により再利用する可能性が高い。
【００４８】
図３は、基板修復システム１の他の動作を示すフローチャートである。図２で前述した構成要素と同一の構成要素には、同一の参照符号を付している。これらの構成要素の詳細な説明は省略する。
【００４９】
図３のフローチャートに示すように、処理基板９について、欠陥情報取得ユニット２により欠陥情報を取得した後は、直ちに基板検査ステージ２４から搬出し、次の処理基板を基板検査ステージ２４に導入し、搬出した処理基板については修復処理の要否に応じて修復ユニット３、又は不良基板保持部５２に受け渡すことができるので、複数の処理基板に対して効率的に要否判定及び修復処理を行うことができる。
【００５０】
まず、基板ステージ２４に基板９を導入する（ステップＳ１）。そして、欠陥検出器２１及び欠陥情報取得機２３によって基板９の欠陥情報を取得する（ステップＳ２）。次に、基板ステージ２４から基板９を搬出する（ステップＳ１６）。
【００５１】
そして、判定部１０によって基板９の欠陥修復処理の要否を判断する（ステップＳ３）。その後、判定部１０によって基板９の欠陥修復処理が必要であると判断されたときは、基板修復ステージ３４に基板９を導入する（ステップＳ５）。そして、液滴吐出ユニット６によって、基板修復ステージ３４上の基板９の欠陥を修復する（ステップＳ６）。次に、基板修復システム１から基板９を搬出する（ステップＳ７）。判定部１０によって基板９の欠陥修復処理が不要であると判断されたときは、不良基板保持部５２に基板９を導入する（ステップＳ４）。
【００５２】
基板ステージ２４から基板９を搬出した後、次の基板９を基板ステージ２４に導入する（ステップＳ２４）。そして、欠陥検出器２１及び欠陥情報取得機２３によって次の基板９の欠陥情報を取得する（ステップＳ２５）。次に、基板ステージ２４から次の基板９を搬出する（ステップＳ２６）。そして、さらに次の基板９を基板ステージ２４に導入する（ステップＳ３０）。
【００５３】
基板ステージ２４から次の基板９を搬出した後、判定部１０によって次の基板９の欠陥修復処理の要否を判断する（ステップＳ２７）。その後、判定部１０によって次の基板９の欠陥修復処理が必要であると判断されたときは、基板修復ステージ３４に次の基板９を導入する（ステップＳ２９）。判定部１０によって次の基板９の欠陥修復処理が不要であると判断されたときは、不良基板保持部５２に基板９を導入する（ステップＳ２８）。
【００５４】
また、一旦不良基板保持部５２に処理基板９を受け渡したのち、再度基板搬送ユニット５により不良基板保持部５２から修復ユニット３に受け渡すことも可能である。このような構成にすることで、基板の処理の順序に自由度ができ、効率的な基板修復が可能となる。
【００５５】
以上の構成により、欠陥情報取得ユニット２で対象基板９の欠陥情報を取得した後、この欠陥情報に基づいて、不良基板を一時的又は永続的に保管する不良基板保持部５２と、修復処理を行う修復ユニット３とに振り分けることが可能であり、複数枚の基板９を効率的に処理できる。また、基板９の修復処理を行いながら他の基板９の欠陥情報を取得することができ、タクトタイムを短縮することが可能となる。
【００５６】
＜欠陥情報取得ユニット２の構成＞
欠陥情報取得ユニット２の基板検査ステージ２４は、基板９の吸着機構を有し、リニアガイド機構を案内軸としたリニアエンコーダ制御可能なＸＹステージと、ＸＹステージ上に回転テーブルを搭載した構成であり、ＸＹステージのリニアエンコーダ出力により、ステージの移動位置座標を１μｍ以下の精度で出力することが可能である。
【００５７】
欠陥検出器２１、レーザ除去機２２、及び欠陥情報取得機２３は、欠陥情報取得ユニット２内で位置固定されており、基板検査ステージ２４が移動することで、欠陥検出器２１、レーザ除去機２２、及び欠陥情報取得機２３を基板９の任意の位置上に配置することが可能となっている。また、ステージ２４の移動座標を出力することで、例えば基板９上の２点間の距離を正確に出力することが可能である。基板９は、図示しない導入ロボットにより、基板検査ステージ２４上に搭載されて、吸着される。
【００５８】
欠陥検出器２１は、基板９上の画素を観察できるＣＣＤカメラ及び対物レンズ、及び、ＣＣＤカメラの撮像画像を２値化処理して撮像画像内に不良画素の有無を判断する画像処理部を有し、この画像処理部にて不良と判断した画素についてその位置情報を記憶する記憶部を備える。
【００５９】
基板９に付与されている２箇所のアライメントマークをＣＣＤカメラで観察し、通常の基板アライメントと同様に、ＸＹステージ上の回転テーブルを姿勢制御するとともに、ステージ座標データとして、不良画素位置を順次記憶する。また、アライメントマークの座標も取得しておく。
【００６０】
レーザ除去機２２は、紫外線レーザ発振機（例えばＹＡＧレーザ）、及びレーザ形状調整機を有している。レーザ照射位置は予め基板検査ステージ座標基準で記憶されており、欠陥検出器２１から得た不良画素の位置情報を基に、基板上の全ての不良画素についてレーザで長方形開口形状の凹部を形成する。
【００６１】
欠陥情報取得機２３は、基板上の画素を観察できるＣＣＤカメラ、対物レンズ、及び、ＣＣＤカメラの撮像画像を２値化処理して撮像画像内に不良画素の有無を判断する画像処理部を有し、この画像処理部にて検出した長方形開口形状の凹部の位置情報を正確に計測する。ここでは、基板９のアライメントマーク基準で、基板９上の全ての凹部位置情報を取得する。また、ＣＦ基板、ＥＬ基板の場合には、凹部に隣接する色画素の情報から、凹部に対して吐出すべき修正液の情報を取得することも可能である（例えば、Ｒ／Ｇ／Ｂ配列、隣接画素色がＲ及びＢであれば不良画素はＧと判断する）。
【００６２】
なお、この欠陥検出器２１による検出結果に基づいて行うことで、予め大まかな欠陥位置情報を知ることができるため、取得スピードを高速化することができる。
【００６３】
なお、欠陥情報取得ユニット２としては、基板９の基準点に対する欠陥位置座標を取得する機能があれば足り、欠陥検出器２１及びレーザ除去機２２は、別システムにて処理しても良く、レーザ除去工程の後に、本システム構成に例示していない親水化処理機を加えてもよい。
【００６４】
＜修復手段の構成＞
図４から図７に基づいて、修復ユニット３の構成を説明する。図４は、修復ユニット３の外観を示す斜視図である。図５（ａ）（ｂ）は、修復ユニット３の模式的断面図である。
【００６５】
修復ユニット３は、基体３０２を備えている。修復ユニット３には、基体３０２上に搭載されて基板搬入及び搬出時に移動する基板修復ステージ３４と、基板修復ステージ３４の上方を該基板修復ステージに接触することなく横断しているヘッドガントリーユニット３０６とが設けられている。ヘッドガントリーユニット３０６は、基体３０２に連結しているガントリースライド機構３０７により、一方向（図４のＹ方向）に沿って往復移動できる構成となっている。
【００６６】
ヘッドガントリーユニット３０６の側面には、複数個の液滴吐出ユニット６が設けられている。各液滴吐出ユニット６は、ヘッドガントリーユニット３０６の移動方向（図４のＹ方向）とは異なる方向（図４のＸ方向）に液滴吐出ユニット６を移動させることのできる液滴吐出ユニット移動機構３２の上に搭載されている。液滴吐出ユニット移動機構３２上に搭載された液滴吐出ユニット６は、液滴吐出ユニット移動機構３２上の移動可能領域の範囲内で、ヘッドガントリーユニット３０６の移動方向と異なる方向（図３のＸ方向）にスライド可能となっている。
【００６７】
液滴吐出ユニット６は、ヘッドガントリーユニット３０６の側面に、複数個（図４では９個）搭載され、それぞれに個別の液滴吐出ユニット移動機構３２を有している。そして、複数の液滴吐出ユニット６は、それぞれの液滴吐出ユニット移動機構３２上を、制御部３３からの制御指令に基づいて、個別に独立して図４のＸ方向にスライドする。
【００６８】
また、液滴吐出ユニット６は、その下側にヘッド吐出面を有している。ヘッド吐出面は、基板修復ステージ３４に略平行であって、かつ、ヘッド吐出面には液滴を吐出するためのノズル孔が形成されている。液滴吐出ユニット６は、制御部３３からの制御指令に基づいて、基板修復ステージ３４上に載置した対象基板にヘッド吐出面から液滴を滴下する。
【００６９】
装置基体３０２上には、基板修復ステージ３４の他に、液滴吐出ユニット６に対して、非使用時に吐出面をキャップする機構、不良吐出口を検出する機構、不良吐出口を回復する機構、などを有するメンテナンス機構３０９が設けられている。メンテナンス時は、ガントリースライド機構３０７により、ヘッドガントリーユニット３０６が、メンテナンス機構３０９の直上に移動し、液滴吐出ユニット６に対して各種メンテナンス動作を行う。
【００７０】
基板修復ステージ３４の上面には、図示しない微小な孔が複数形成されており、その孔の全てが図示しない吸引／送風機構に連結され、吸引／送風制御を行うことにより、基板修復ステージ３４上に載置された対象基板の吸着固定、もしくは基板修復ステージ３４からの対象基板の解放を行うことが可能となっている。
【００７１】
図５（ａ）（ｂ）は、修復ユニット３に設けられたヘッドガントリーユニット３０６及び基板修復ステージ３４の動作を説明するための模式的断面図である。基板修復ステージ３４は、装置基体３０２上に設けられた図示しないスライドレール上をリニアモータ制御により移動することが可能であり、基板搬入若しくは基板搬出時には、図５（ｂ）に示すように基板修復ステージ３４は、矢印ｒ１の方向に沿ってメンテナンス機構３０９と反対方向の装置端部に移動する。
【００７２】
さらに、基板修復ステージ３４には、図示しないθ回転機構が内在しており、スライドレール上をリニアモータ制御により一方向に移動することが可能となっており、また、載置した基板を面内方向に自在に回転させることが可能となっている。
【００７３】
さらに、基板修復ステージ３４は、スライドレールと直交する方向にも微調移動できる機構を有している。また、基板修復ステージ３４の上面は、平坦性が良い石定盤によって形成されており、液滴吐出ユニット６の吐出面と平行である。
【００７４】
図６（ａ）は、ヘッドガントリーユニット３０６の構成を説明するためのＺ方向から見た要部平面図であり、図６（ｂ）は、Ｘ方向から見た要部正面図である。ヘッドガントリーユニット３０６の構成について、図６（ａ）（ｂ）を参照して説明する。
【００７５】
ヘッドガントリーユニット３０６は、一対のガントリー３１４を浮上スライド機構３１３により連結した構成となっている。ガントリー３１４の一方の装置外側に向いた側面には、液滴吐出ユニット６及び液滴吐出手段移動機構３２が複数個設けられている（図４に示す例では４ユニット）。
【００７６】
その反対面で、かつ２本のガントリー３１４の間に位置する部分には、基板の面内回転制御用のアライメントカメラ３１６が２台固定設置されている。図６では１台のみ図示されているが、同等のカメラ３１６が図６（ａ）の上方にさらに一台設置されている。
【００７７】
ガントリー３１４の他方は、装置外側に向いた側面に、ガントリー３１４の一方と同様に液滴吐出ユニット６及び液滴吐出手段移動機構３２とを複数有する（図４に示す例では５ユニット）。その反対面で、かつ２本のガントリー３１４に挟まれた部分に、観察用カメラユニット３１８が、観察用カメラユニット３１８をガントリー３１４の長手方向に移動可能にするカメラスライド機構３１７を介して移動可能に取り付けられている。
【００７８】
ガントリースライド機構３０７は、浮上スライド機構３１３との間でヘッドガントリーユニット３０６をエアー浮上させるとともに、浮上スライド機構３１３との間のリニア駆動制御により、制御部３３からの制御信号に従って、ヘッドガントリーユニット３０６を図４のＹ方向に沿って任意の位置に移動させることが可能である。
【００７９】
図７は、液滴吐出ユニット６の構成を説明するための図４のＹ方向から見た要部側面図である。液滴吐出ユニット６は、ヘッドガントリーユニット３０６上に設置された液滴吐出ユニット移動機構３２に搭載されており、矢印ｒ３方向に沿ってそれぞれ独立して移動可能である。
【００８０】
液滴吐出ユニット６は、吐出素子３２０と、駆動制御回路３２１と、電気接続ケーブル３２２と、インクタンク３２３と、インク配管３２４と、それらを収納する筺体３１９とを有している。筺体３１９が、液滴吐出ユニット移動機構３２上をスライドする。
【００８１】
吐出素子３２０の基板修復ステージ３４の上面との平行面には、ノズルプレート３２５が接着されており、ノズルプレート３２５には複数のノズル孔３２６が形成されている。このノズル孔３２６の直径は、１０〜２５μｍである。
【００８２】
吐出素子３２０は、圧電体基板に複数のインク室となる溝を形成した後、隔壁側面の一部に電極を形成して、隔壁の両側面の間に電界を印加して隔壁自体をせん断変形させて吐出エネルギーを発生させる公知の構成を使用した。駆動制御回路３２１は、図示しないケーブルにより、図示しない駆動制御システムに接続されて吐出制御が行われる。基板修復ステージ３４上に対象基板９を載置した場合、ノズルプレート３２５の最下面である液滴吐出面と対象基板の上面との間の隙間は、０．５〜１ｍｍになるように予め調整されている。
【００８３】
図８は、液滴吐出ユニット移動機構３２の構成を説明するための図４のＸ方向から見た要部正面図である。図８を参照して液滴吐出手段移動機構３２の構成を説明する。
【００８４】
液滴吐出ユニット移動機構３２は、２列のＬＭガイド３２８（株式会社ＴＨＫ製）と、２列のＬＭガイド３２８の間に設置したガントリーリニアスケール３２９からなり、液滴吐出ユニット６に取り付けられているリニア駆動機構３２７を駆動制御することで、図４のＸ方向（図８において紙面に垂直な方向）の所定の位置に液滴吐出ユニット６を摺動させることが可能である。リニアスケール３２９は、小型のＮ極及びＳ極の永久磁石を交互に規則配列させたものである。
【００８５】
リニア駆動機構３２７は、交流制御でＮ極及びＳ極を自在に発生できるものであり、リニアスケール３２９とリニア駆動機構３２７との間の磁石力により液滴吐出ユニット移動機構３２上の液滴吐出ユニット６の位置制御を可能としている。なお、ＬＭガイド３２８の有効移動ストロークは２５０ｍｍであり、この有効ストローク以上の範囲でリニアスケール３２９は設置されている。液滴吐出ユニット移動機構３２による液滴吐出ユニット６の摺動は、基板修復ステージ３４の上面と、液滴吐出ユニット６の液滴吐出面であるノズルプレート３２５との間のギャップが常に一定となるように予め調整されている。なお、他のガントリー３１４の側面に設けられている液滴吐出ユニット移動機構３２も同様の構成であるため説明を除く。
【００８６】
カメラスライド機構３３１の構成を、図８を用いて説明する。観察カメラユニット３１８は、ガントリースライド機構３０７に設けられたＹ方向の情報取得機能と、カメラスライド機構３３１に設けられたＸ方向の情報取得機能とにより、アライメントマークに対する対象基板のアドレス情報を出力することが可能である。観察カメラユニット３１８は、主に液滴吐出ユニット６から基板上に着弾した液滴の着弾画像を観察し、それぞれの液滴吐出ユニット６の吐出状態、若しくはアライメントマーク基準の着弾位置のアドレスを出力することができる。
【００８７】
観察カメラユニット３１８で得た着弾位置座標を用いて、それぞれの液滴吐出ユニット６について、Ｙ方向に対しては吐出タイミングの補正により、Ｘ方向に対しては液滴吐出ユニット移動機構３２の移動量の補正により、対象基板上の所望の位置に液滴を着弾させることができる。
【００８８】
カメラスライド機構３３１は、前述の液滴吐出ユニット移動機構３２と同様に、２列のＬＭガイド３３２（株式会社ＴＨＫ製）と、２列のＬＭガイド３３２の列間に設置したカメラ用リニアスケール３３３からなり、観察カメラユニット３１８に取り付けられているリニア駆動機構３３０を駆動制御することで、図４のＸ方向（図８における紙面に垂直な方向）の所定の位置に観察カメラユニット３１８を移動させることが可能である。なお、ＬＭガイド３３２の有効移動ストロークは２５００ｍｍであり、この有効ストローク以上の範囲でリニアスケール３３３は設置されている。
【００８９】
図９（ａ）は、液滴吐出ユニット６の構成を説明するための要部下面図であり、図９（ｂ）は、他の構成の液滴吐出ユニット６ａを説明するための要部下面図である。液滴吐出ユニット内のノズル孔の配列を図９（ａ）（ｂ）を用いて説明する。図９（ａ）は、１種類の液体を吐出する液滴吐出ユニット６を複数搭載した装置を示す。ヘッドガントリーユニット３０６には、液滴吐出ユニット移動機構３２を介して、液滴吐出ユニット６が矢印Ｘ方向（図４）に移動可能に取り付けられている。液滴吐出面であるノズルプレート３２５に形成されたノズル孔３２６は一列に配列し、矢印Ｂに対して直角な方向から数度傾いている。配列しているノズル孔３２６からは全て同一の液滴材料が吐出する。
【００９０】
図９（ｂ）は、３種類の液体を吐出するノズルプレートを複数搭載した液滴吐出ユニット６ａを有する装置を示す。液滴吐出ユニット６ａには、第一の液滴材料を吐出するノズル孔３２６Ｒの列、第二の液滴材料を吐出するノズル孔３２６Ｇの列、第三の液滴材料を吐出するノズル孔３２６Ｂの列、を有し、それぞれのノズル孔列が方向Ｂに対して直角な方向から数度傾いており、それぞれの列のＢ方向への投影領域はほぼ一致するように構成されている。また、それぞれのノズル孔列は、液滴吐出ユニット６ａ内でＢ方向に微小に移動可能となっていてもよい。
【００９１】
対象基板９を修復ユニット３の基板修復ステージ３４上に搭載した後の、アライメント動作について図１０（ａ）（ｂ）を用いて説明する。基板修復ステージ３４上で吸着固定された対象基板９の基板端近傍には、対象基板９の面内回転方向を補正するためのアライメントマーク３３７が２箇所設けられている。
【００９２】
ヘッドガントリーユニット３０６に固定されている２個のアライメントカメラ３１６は、図１０（ａ）に示す位置からヘッドガントリーユニット３０６と一体的に図１０（ｂ）に示す位置に移動する。そして、アライメントカメラ３１６の画像情報を元に、対象基板９の面内回転方向のずれを算出し、前述の基板修復ステージ３４のθ回転機構と矢印ｒ３の方向の微動機構により、図９（ｂ）に示す回転矢印ｒ６の方向に基板９の姿勢を補正する。
【００９３】
対象基板９には、予め高精度の２つのアライメントマーク３３７が設けられており、対象基板９の液滴塗布位置は、このアライメントマーク３３７を基準として、予め決定されている。このアライメントマーク３３７は、同心円状のマークであり、対象基板９上の２つのアライメントマーク３３７のピッチずれは２μｍ以内である。２つのアライメントマーク３３７のピッチと同ピッチで２つのアライメントカメラ３１６はヘッドガントリーユニット３０６上に設置されている。
【００９４】
対象基板９は、欠陥情報取得ユニット２により、基板９の基準点に対する欠陥位置座標を取得しており、２つのアライメントマーク３３７は基板９の基準点に相当する。よって、このアライメント動作を行うことで、欠陥情報取得ユニット２で取得した欠陥情報（複数の欠陥の位置座標）に基づいて、修復ユニット３により欠陥位置に修正液を滴下することが可能となる。
＜修復ユニットによる修復動作の説明＞
図１１（ａ）（ｂ）は、ヘッドガントリーユニット３０６の往復動作を説明するための平面図である。姿勢制御が完了した対象基板９に対して、アライメントマーク３３７基準の所望位置に液滴を滴下する方法を以下に示す。
【００９５】
図１１（ａ）は、対象基板９に液滴を滴下する作業において、ヘッドガントリーユニット３０６が図１１（ａ）において最も右に移動した状態を示している。一方、図１１（ｂ）は、最も左に移動した状態を示している。ヘッドガントリーユニット３０６は、矢印ｒ７によって示される範囲を１回〜複数回往復する。ヘッドガントリーユニット３０６に搭載されている複数の液滴吐出ユニット６は、図１１（ａ）の矢印ｒ３に示す方向にそれぞれ独立して移動可能である。ヘッドガントリーユニット３０６自体は、対象基板９上を、紙面左右方向（矢印ｒ７の方向）に往復動作する。それぞれの液滴吐出ユニット６は、液滴吐出動作を実行する前に、矢印ｒ３に示す方向に沿って所望のアドレスに移動し停止する。そして、ヘッドガントリーユニット３０６が矢印ｒ７の方向に往復動作する過程で、矢印ｒ７方向及び矢印ｒ３方向の所望位置のアドレスが一致した時点で、液滴を吐出する。複数の液滴吐出ユニット６は、その動作を、それぞれ独立して制御される。
【００９６】
図１１（ｂ）において、矢印ｒ７によって示されるヘッドガントリーユニット３０６の移動範囲は、液滴吐出ユニット６が移動する方向の直交方向の基板幅よりも大きく、基板幅の中心線をヘッドガントリーユニット３０６の移動範囲の略中心としている。
【００９７】
このように基板幅よりも大きい範囲を液滴吐出ユニット６が移動できることにより、着目した液滴吐出ユニット６は、ヘッドガントリーユニット３０６の移動ストロークの範囲内の基板の所望の位置（帯状の領域）に対して、液滴を滴下することが可能となる。
【００９８】
図１２（ａ）（ｂ）は、ヘッドガントリーユニット３０６の対象基板９に対する動作を説明するための平面図である。ヘッドガントリーユニット３０６には、Ｘ方向に独立して移動可能な９個の液滴吐出ユニット３１ａ・３１ｂ・３１ｃ・３１ｄ・３１ｅ・３１ｆ・３１ｇ・３１ｈ・３１ｉが搭載されており、それぞれの液滴吐出ユニット３１ａ〜３１ｉには、対象基板９上の受け持ち領域９２ａ・９２ｂ・９２ｃ・９２ｄ・９２ｅ・９２ｆ・９２ｇ・９２ｈ・９２ｉが設定されている。
【００９９】
約２．５ｍ×３ｍの対象基板９には、約３０〜３００個の吐出箇所（欠陥）８が点在している。それぞれの液滴吐出ユニット３１ａ〜３１ｉには紙面横方向に帯状に伸びた受け持ち領域９２ａ〜９２ｉが割り当てられている。液滴吐出ユニット３１ａは、領域９２ａを受け持つ。液滴吐出ユニット３１ｂは、領域９２ｂを受け持つ。それぞれの液滴吐出ユニット３１ａ〜３１ｉは、受け持ち領域９２ａ〜９２ｉに点在する吐出箇所（欠陥）８に対して液滴吐出動作を行う。
【０１００】
ヘッドガントリーユニット３０６を紙面左右方向に繰り返し往復移動させる過程で、それぞれの液滴吐出ユニット３１ａ〜３１ｉはそれぞれ受け持つ吐出箇所８の直上に移動すべく、Ｘ方向に個別に移動しＸ方向のアドレスが一致した場所で停止し、ヘッドガントリーユニット３０６の移動に伴って、Ｙ方向のアドレスが一致するまで待機する。そして、処理基板９上の所望位置が直下に来るタイミングで、液滴吐出ユニットを駆動し吐出口から液滴を処理基板９上の所望位置に吐出させる。
【０１０１】
図１２（ａ）（ｂ）に示すように、９個の液滴吐出ユニット３１ａ〜３１ｉを２列の千鳥状に配列すると、図の点線によって示すように対象基板９を９個の領域９２ａ〜９２ｉに分割して、それぞれの液滴吐出ユニット３１ａ〜３１ｉ毎にその受け持ち領域を決定することができる。
【０１０２】
図１３（ａ）〜図１３（ｄ）は、液滴吐出ユニット３１の欠損部に対する吐出動作を説明するための模式的平面図である。液滴吐出ユニット３１が、ヘッドガントリーユニット３０６の往復移動の過程で、複数の長方形状凹部に液滴を吐出させる工程を説明する。このような工程は、例として、一部に欠損を有するカラーフィルタ基板をこの修復ユニットを用いて欠損部分を修復する場合が相当する。一例として、カラーフィルタ基板の画素の１色が欠損した場合の修復ユニットとしての説明を行う。
【０１０３】
ここでの欠損部分とは、製造工程でダストが混入した部分、空白の窪みが形成された部分等について、レーザ等により不良部分を一定形状に凹み修正した部分である。液滴吐出ユニット３１は、全て同一種類の液滴材料を吐出するものとして、１種類の画素（レッド、ブルー及びイエローのいずれか）の欠損について、その修復方法を示している。よって、全ての色の欠損部を修復するには、本欠陥修復装置を色材毎に３台設けて逐次処理するか、液滴吐出ユニットを、複数色の液滴を吐出可能とするように構成することで可能となる。
【０１０４】
図１３（ａ）〜図１３（ｄ）は、ヘッドガントリーユニット３０６上に搭載されている複数の液滴吐出ユニット３１のうちの１つに着目して、１つの液滴吐出ユニット３１に含まれる液滴吐出面から複数の吐出箇所に吐出を行う動作を時系列に沿って示している。
【０１０５】
図１３（ａ）を参照すると、処理基板上の欠損部（欠陥）８１ａ・８１ｂ・８１ｃは、深さ２μｍ程度の凹部であり、開口部はヘッドガントリーユニット３０６の移動方向を長辺とした２００μｍ×７０μｍ程度の長方形状をしている。図１３（ａ）〜図１３（ｄ）では、欠損部（欠陥）８１ａ・８１ｂ・８１ｃの長辺は、ヘッドガントリーユニット３０６の移動方向Ａに対して平行であるように描いているが、実際には図９（ａ）（ｂ）に示すように数度傾いている。液滴吐出ユニット３１のノズル吐出面は、対向する搬送ステージ面と平行にしており、ノズルプレート３２５には複数のノズル孔３２６が形成されている。この複数のノズル孔３２６は、ヘッドガントリーユニット３０６の移動方向である紙面左右方向に配列しており、個々のノズル孔３２６はそれぞれ、その背面側に液滴吐出制御可能な図示しない個別のインク加圧室と加圧制御手段とを有している。また、１列に配列しているノズル孔３２６は、同一の液滴材料を吐出することが可能となっている。
【０１０６】
ヘッドガントリーユニット６は、液滴吐出ユニット３１の移動や吐出動作によらず、常に紙面左右方向に略等速度（３００ｍｍ／秒〜５００ｍｍ／秒）で往復移動している。欠損部８１ａに液滴を吐出して修復するために、液滴吐出ユニット３１は液滴吐出ユニット移動機構３２を用いて高速移動させてノズル孔３２６を欠損部８１ａの略中心線上に合わせて停止する。なお、液滴吐出ユニット３１の移動時間は、実際に移動する時間に加えて、停止した後に液滴吐出ユニット移動機構３２による残留振動が液滴吐出に悪影響を与えないレベルまで低減するまでの静定時間を含んだ時間をも考慮する必要がある。
【０１０７】
搬送ステージの進行方向側において、欠損部８１ａの中心線上まで予め移動させた液滴吐出ユニット３１は、搬送ステージの等速移動により相対的に矢印Ｄ方向に移動し、欠損部８１ａ上にあるノズル孔３２６から液滴が吐出される。このとき、使用するノズル孔３２６は、欠損部８１ａの直上にある複数のノズル孔３２６を使用することができるため、１つのノズル孔を使用する場合に比べて搬送ステージの等速移動速度を上げることができ、基板全体の処理速度を向上させることが可能となる。
【０１０８】
次に欠損部８１ａ上に液滴を吐出した液滴吐出ユニット３１は、図１３（ｂ）に示すように、欠損部８１ｃを修復するために、液滴吐出ユニット移動機構３２を駆動して矢印Ｅ方向に移動して、欠損部８１ｃの中心線がノズル孔３２６に一致する位置で停止する。このとき、ヘッドガントリーユニット３０６も一定速度で紙面左方向に移動しているため、液滴吐出ユニット３１は、図１３（ｃ）の矢印Ｆ方向に相対的に移動し停止する。そして、ヘッドガントリーユニット３０６の移動により液滴吐出ユニット３１は、相対的に矢印Ｇ方向に移動しながら、欠損部８１ｃの直上にあるノズル孔３２６から液滴を吐出し、欠損部８１ｃの修復を行う。
【０１０９】
そして、ヘッドガントリーユニット３０６は、一方向の移動を完了した後に反対方向に移動を始める。図１３（ｄ）に示すように液滴吐出ユニット３１は、欠損部８１ｂを修復するために、液滴吐出ユニット移動機構３２を用いて矢印Ｋ方向に移動し、欠損部８１ｂの中心線上にノズル孔３２６を合わせて停止する。そして、ヘッドガントリーユニット３０６の移動により、液滴吐出ユニット３１は相対的に矢印Ｌ方向に移動して、欠損部８１ｂの直上にあるノズル孔３２６で液滴を吐出する。
【０１１０】
このように、ヘッドガントリーユニット３０６の往復動作を利用して、３つの欠損部８１ａ・８１ｂ・８１ｃの修復を、欠損部８１ａ、欠損部８１ｂ、欠損部８１ｃの順で行っている。即ち、図１３（ｃ）に示すように、欠損部８１ａに複数のノズル孔３２６で吐出する際に、実際に吐出を行う紙面右端のノズル孔３２６が欠損部８１ａ直上から離れるまでは、移動させることはできず、少なくとも使用するノズル孔３２６の両端間距離に相当する領域では、液滴吐出ユニット３１を紙面上下方向に移動させて、次の欠損部の修復に向かうことはできない。
【０１１１】
この不能範囲Ｈは、処理直後の欠損部端から使用するノズル孔３２６の両端間距離に相当する帯状の範囲に加えて、搬送ステージの移動速度と、矢印Ｅ方向（図１３（ｂ））の移動に要する時間及び移動後の残留振動の静定に要する時間の和、を掛け合わせた領域も含まれる。
【０１１２】
図１３（ｃ）に示すように、欠損部８１ｂは欠損部８１ａに対する不能範囲Ｈに入る場所に位置しているため、欠損部８１ａの修復の直後に欠損部８１ｂの処理を行なわず、不能範囲Ｈに属さない欠損部８１ｃの修復を行っている。そして、ヘッドガントリーユニット３０６の復路移動に伴って、欠損部８１ｃの修復後に、その不能範囲Ｈに属さない欠損部８１ｂの修復を行っている。
【０１１３】
以上は、１つの液滴吐出ユニット３１の移動動作について説明を行ったが、修復ユニット３は複数の液滴吐出ユニット６を有し、それぞれが独立して動作している。なお、本実施の形態に係る修復ユニット、すなわち欠陥修復装置は、カラーフィルタ基板の欠陥修復装置に限るものではなく、基板上に点在する所望箇所に液滴を吐出させることが可能である。
【０１１４】
以上の動作説明から明らかなように、液滴吐出ユニット６が受け持つ欠陥数が同一であっても、その配置状態によっては修復に要するヘッドガントリー３０６の往復動作の回数（修復に係るタクトタイムに直接影響する）が異なり、具体的には欠陥が密集しているほど、１回の走査で修復できる欠陥数が少なく、修復時間が長時間となる。
【０１１５】
また、例えばＣＦ基板やＥＬ基板では、欠陥の密集部があることは修復に要するタクトタイムが大きくなるだけではなく、例えばＣＦ基板やＥＬ基板では修復箇所の密集部分について、色むらの原因となり、修復しても使用に耐えないものとなる可能性がある。
【０１１６】
＜修復判定ユニット４の構成＞
修復判定ユニット４の構成を説明する。本実施の形態では、修復判定ユニット４は汎用コンピュータであり、ＣＰＵ（中央演算子）と、ＨＤＤ（ハードディスクドライブ）等の磁気記憶装置、及び記憶装置（不揮発性メモリ）を有する。また、汎用コンピュータ内には、複数の制御演算プログラムが格納されており、必要な処理に応じた制御演算プログラムが実行されてその結果を出力可能となっている。
【０１１７】
欠陥情報読み取り機２３から出力された基板毎に関連付けられた欠陥情報は、修復判定ユニット４内の欠陥情報保管部４１、例えば汎用コンピュータの記憶装置、に格納される。なお、欠陥情報とは、基板の識別番号、基板の総欠陥数、全欠陥のアライメントマーク基準の位置座標、及び欠陥部の色情報、等を指す。
【０１１８】
割り当て部７は、修復ユニット３内に複数の液滴吐出ユニット６を有する場合に、欠陥情報保管部４１から読み出した欠陥情報を、各液滴吐出ユニット６毎に割り当てる。割り当て部７は、例えば汎用コンピュータに格納された制御演算プログラムからなる。このプログラムは、基板９の全欠陥情報と予め記憶している各液滴吐出ユニット６の移動可能領域データを基に、液滴吐出ユニット６毎に分担させる欠陥を決定する。
【０１１９】
図１４は、割り当て部７による欠陥情報の割り当てを説明するフローチャートである。割り当て部７は、欠陥情報保管部４１から基板９の欠陥情報を読み込み（ステップＳ３０）、次に予め定められている受け持ち領域データを読み込んで（ステップＳ３１）、比較し、液滴吐出ユニット６毎に割り当てる（ステップＳ３２）。そして、液滴吐出ユニット６毎の欠陥情報として保管する（ステップＳ３３）。
【０１２０】
図１５（ａ）（ｂ）は、割り当て部７による基板９の欠陥８の割り当て方法を示す説明図である。図１５（ａ）によれば、基板９は複数の欠陥８を有し、この欠陥情報について欠陥情報読み取り機２３によりすでに取得している。修復ユニット３は、図１５（ｂ）に示すように、修復ユニット３は９個の液滴吐出ユニット３１ａ・３１ｂ・３１ｃ・３１ｄ・３１ｅ・３１ｆ・３１ｇ・３１ｈ・３１ｉを有しており、それぞれの液滴吐出ユニット移動機構３２の移動可能領域を考慮して、それぞれの液滴吐出ユニット３１ａ〜３１ｉに対応して、対象基板９上の受け持ち領域９２ａ・９２ｂ・９２ｃ・９２ｄ・９２ｅ・９２ｆ・９２ｇ・９２ｈ・９２ｉを設定する。この受け持ち領域は、基板アライメントマーク基準の座標範囲として設定することが可能である。そして、欠陥情報（基板アライメントマーク基準の全欠陥座標）に基づいて、それぞれの液滴吐出ユニット３１ａ〜３１ｉが分担すべき欠陥を決定し、割り当て部７により決定された基板分担情報が判定部１０に受け渡される。
【０１２１】
なお、９個の液滴吐出ユニット移動機構３２は、それぞれの移動領域が一部重複するようになっている。よって、隣接する基板上の割り当て領域を一部重複させておき、重複範囲においては、２つの液滴吐出ユニットの間の割り当ての多少に応じて、重複範囲における割り当てを再配分することも可能であり、このような構成にすることで、修復処理時間の短縮化が可能となる。
【０１２２】
判定部１０は、欠陥情報保管部４１の基板９の欠陥情報と、割り当て部７の液滴吐出ユニット毎の欠陥分担情報とに基づいて、基板９毎の修復の要否を判断する。判定部１０は、例えば汎用コンピュータに格納された制御演算プログラムからなる。このプログラムででは、後述する判定例に従って、欠陥情報及び欠陥分担情報を演算処理して基板９毎の修復の要否を判断し、その結果を基板搬送ユニット５又は基板修復ユニット３に受け渡す。
【０１２３】
なお、修復判定ユニット４は、上記のような汎用コンピュータによるものに限らず、制御回路基板であっても良く、制御演算プログラムを専用の制御回路として製作することで、処理の高速化を図ることができる。
【０１２４】
＜修復判定ユニット４による判定例＞
修復判定ユニット４の判定部１０による基板修復処理の要否判定例を以下に示す。なお、以下は例示であって、これら判断の複数の組み合わせや、これ以外の判断方法も本発明に含まれる。
【０１２５】
（判定例１：基板上の欠陥数で修復の要否を判断）
判定部１０では、欠陥情保管部４１にある欠陥情報のうち、判断すべき基板９の総欠陥数Ｎを計算し、総欠陥数Ｎが予め設定してある判断閾値Ｆより大きい場合は、処理不要との判断を行う。この判断アルゴリズムによれば、非常に短時間に演算処理が行えるため、簡便でかつ効率的に基板処理要否の判断を行うことができる。
【０１２６】
判断閾値Ｆは、商品仕様、装置仕様（限度タクトタイム）に応じて異なるが、例えば、２．５×２ｍ基板で、総欠陥数の判断閾値Ｆが３００個以下である。
【０１２７】
（判定例２：液滴吐出ユニット１個当たりの受け持つ欠陥数で修復の要否を判断）
判定部１０では、欠陥情報保管部４１にある欠陥情報と、割り当て部７の液滴吐出ユニット６毎の欠陥分担情報に基づいて、液滴吐出ユニット６毎の分担欠陥数Ｎ１，Ｎ２，，，Ｎ９を計算し、
Ｎｍａｘ＝｛（Ｎ１，Ｎ２，，，Ｎ９）の最大値｝
が予め設定してある判断閾値Ｆ１よりも大きい場合は、処理不要との判断を行う。
【０１２８】
複数の液滴吐出ユニット６が基板９上の複数の欠陥を分担して受け持ち、それぞれの液滴吐出ユニット６が個別に受け持ち欠陥を修復する場合において、多くの場合、基板９当たりの修復に要するタクトタイムは受け持ち欠陥数の多い液滴吐出ユニット６に依存する。この判断アルゴリズムによれば、複数の液滴吐出ユニット６からなる修復ユニット３を用いて修復を行う場合であっても、判断が複雑化することなく、簡便で、かつ非常に短時間に演算処理を行い、効率的に基板処理要否の判断を行うことができる。
【０１２９】
判断閾値Ｆ１は、商品仕様、装置仕様（限度タクトタイム）に応じて異なるが、例えば、２．５×２ｍ基板を９個の液滴吐出ユニット６で受け持つ場合に、液滴吐出ユニット６当たりの受け持ち欠陥数６０個以下である。
【０１３０】
（判定例３：液滴吐出ユニット当たりの受け持つ欠陥数の差で修復の要否を判断）
判定部１０では、欠陥情報保管部４１にある欠陥情報と、割り当て部７の液滴吐出ユニット６毎の欠陥分担情報に基づいて、液滴吐出ユニット６毎の分担欠陥数Ｎ１，Ｎ２，Ｎ９を計算し、
Ｎｍａｘ＝｛（Ｎ１，Ｎ２，，，Ｎ９）の最大値｝、及びＮｍｉｎ＝｛（Ｎ１，Ｎ２，Ｎ９）の最小値｝
を計算の上、
Ｎｄｉｆ＝Ｎｍａｘ−Ｎｍｉｎ
が判断閾値Ｆ２よりも大きい場合は、処理不要との判断を行う。
【０１３１】
判断閾値Ｆ２は、商品仕様、装置仕様（限度タクトタイム）に応じて異なるが、例えば、２．５×２ｍ基板を９個の液滴吐出ユニット６で受け持つ場合に、液滴吐出ユニット６毎の受け持ち欠陥数の最大差４０個以下、または、最大の受け持ち欠陥数が２番目に多い受け持ち欠陥数の２倍以下である。
【０１３２】
複数の液滴吐出ユニット６からなる修復ユニット３を用いて修復を行う場合において、分担欠陥数が多い液滴吐出ユニットＡの修復処理中に、分担欠陥数が少ない液滴吐出ユニットＢが修復処理を完了して待機状態となると、待機時間が長時間化する。非吐出の状態で液滴吐出ユニットＢを長期間待機させると、ノズル孔近傍で修正液が粘度上昇して、次の基板修復動作の再開時に吐出できない、または吐出できたとしても着弾方向にずれが生じて、結果として所望の欠陥画素中に修正液を滴下できない恐れが増大する。
【０１３３】
この判断アルゴリズムによれば、複数の液滴吐出ユニット６からなる修復ユニット３を用いて修復を行う場合であっても、液滴吐出ユニット６の吐出不良を発生させ得る基板９については予め修復処理を行わないような判断をすることができ、判断が複雑化することなく、簡便で、かつ非常に短時間に演算処理を行うことが可能となり、修復ユニット３による修復作業を安定化させることができる。
【０１３４】
（判定例４：基板上の最大欠陥密集度により修復の要否を判断）
判定部１０では、欠陥情報保管部４１にある欠陥情報に基づいて、それぞれの欠陥の密集性を評価する指標である最大欠陥密集度Ｍを算出し、最大欠陥密集度Ｍが予め設定している判断閾値Ｆ３よりも大きい場合は、処理不要との判断を行う。
【０１３５】
最大欠陥密集度Ｍの算出例としては、総欠陥数Ｎ個の基板に対して、Ｐ番目の欠陥Ｐ（１≦Ｐ≦Ｎ）の密集度は欠陥Ｐ座標（Ｘｐ、Ｙｐ）に対して、最も近い欠陥Ｑ１の座標（Ｘｑ１、Ｙｑ１）から、
距離Ｋ１＝√［｛（Ｘｐ−Ｘｑ１）＾２＋（Ｙｐ−Ｙｑ１）＾２｝］
を算出し、同様に２番目に近い欠陥Ｑ２との距離Ｋ２、３番目に近い欠陥Ｑ３との距離Ｋ３、４番目に近い欠陥Ｑ４との距離Ｋ４、５番目に近い欠陥Ｑ５との距離Ｋ５を算出し、欠陥Ｐの密集度Ｇｐ＝Ｋ１＋Ｋ２＋Ｋ３＋Ｋ４＋Ｋ５
として算出する。
【０１３６】
１番目からＮ番目までの欠陥について、上記計算を全て行い、Ｇｐ（１≦ｐ≦Ｎ）の最大値Ｇｍａｘとして、最大欠陥密集度Ｍ＝１／Ｇｍａｘとする。
【０１３７】
なお、本例では、全ての欠陥に対して近接する他の５点の欠陥までの距離の和をそれぞれ計算し、その中における最大値の逆数を最大欠陥密集度としたが、本発明はこれに限定されない。必ずしもこの定義に関わらず、複数の欠陥の集合度合いを判断する指標を最大欠陥密集度と定義しても良い。
【０１３８】
この判断アルゴリズムによれば、欠陥が密集しているほど、修復ユニット３において１回の走査で修復できる欠陥数が少なく修復時間が長時間となり、さらに、修復箇所の密集部分が色むらの原因となり修復しても使用に耐えないものとなる可能性が高い基板を修復処理の前に特定し、処理不要との判断を行うことが可能となる。
【０１３９】
（判定例５：修復アルゴリズムを用いて修復時間を想定し、修復の要否を判断）
判定部１０では、欠陥情報保管部４１にある欠陥情報と、割り当て部７の液滴吐出ユニット６毎の欠陥分担情報に基づいて、分担欠陥を修復するのに要する処理想定時間を液滴吐出ユニット６毎に算出し、それらの結果から算出された修復ユニット３として修復するのに要する処理想定時間に対して予め定められた判断時間以上の場合には、処理不要との判断を行う。
【０１４０】
判断時間は、装置仕様と装置に必要とされるスペック（前後の工程時間や装置稼動に伴うコストとの比較）に応じて異なるが、一例としては、２．５×２ｍ基板について修復動作に要する判断時間は９０ｓ程度である（基板の搬出入、及び基板のアライメントを含むと１２０ｓ程度）。
【０１４１】
判定部１０では、修復ユニット３の修復処理において制御部３３が行うものと同一の巡回アルゴリズムを用いて、実際の修復動作前に液滴吐出ユニット６毎に分担された欠陥の巡回経路を想定し、液滴吐出ユニット６毎に必要な走査回数を想定する。
【０１４２】
図１６は、修復判定ユニット４における巡回経路と必要な走査回数の決定を説明する模式図であり、修復の要否を判断する基板の平面図である。図１６は、説明を簡略化するために、ヘッドガントリー３０６には、３台の液滴吐出ユニット３１ａ・３１ｂ・３１ｃが搭載されたものである。そして、基板９に対してそれぞれ受け持ち領域９２ａ，９２ｂ，９３ｃが割り当てられている。ヘッドガントリー３０６は、図１６中の矢印ｒ７に示すように、修復基板９上を紙面上側、紙面下側、紙面上側、紙面下側、紙面上側のように往復動作する過程で、それぞれの液滴吐出ユニット３１ａ・３１ｂ・３１ｃを液滴吐出ユニット移動機構３２を駆動して、矢印ｒ８方向の所望位置に位置決めして、修復動作を行う。
【０１４３】
修復ユニット３においては、それぞれの液滴吐出ユニット３１ａ・３１ｂ・３１ｃが、その受け持ち領域にある欠陥８について、前述のヘッドガントリー３０６の繰り返し往復動作の中で、以下の修復アルゴリズムに基づいて欠陥箇所上を巡回する。
【０１４４】
（１）第１のインク吐出標的から他のインク吐出対象へ相対的に移動する場合に、上記インク吐出ユニットが主走査方向（矢印ｒ７方向）および副走査方向（矢印ｒ８方向）に移動する時間を計算する。
【０１４５】
（２）副走査方向移動時間（Ｔｘ）が主走査方向移動時間（Ｔｙ）以下となるか否かを判断して、少なくともこの判断結果を次順のインク吐出標的またはインク吐出標的候補として選出する。
【０１４６】
（３）上記次順のインク吐出標的候補の中から、上記第１のインク吐出標的から最も短い時間で到達できるインク吐出対象を、次順のインク吐出標的として決定する。
【０１４７】
（４）１度、インク吐出標的として決定したものは、次の判断からは削除する。
【０１４８】
なお、この修復アルゴリズムは例示であって、他のアルゴリズムでも良い。
【０１４９】
修復判定ユニット４の欠陥情報保管部４１には、基板９中にある複数の欠陥８（図１６では計２８個）の基板アライメントマーク基準の座標系に対するぞれぞれの座標データが保管されている。割り当て部７では、３つの液滴吐出ユニット３１ａ・３１ｂ・３１ｃの移動可能領域に応じて定められた基板座標の割り当てライン９３ａｂ・９３ｂｃ（基板座標上の分割閾値）に基づいて、複数の欠陥８を液滴吐出ユニット３１ａ・３１ｂ・３１ｃ毎に割り当てる。その結果、液滴吐出ユニット３１ａは基板上の受け持ち領域９２ａと領域内の欠陥８（計１８個）、液滴吐出ユニット３１ｂは基板上の受け持ち領域９２ｂと領域内の欠陥８（計４個）、液滴吐出ユニット３１ｃは基板上の受け持ち領域９２ｃと領域内の欠陥８（計６個）が割り当てられる。
【０１５０】
修復判定ユニット４の判定部１０では、前述の修復アルゴリズムと同一のアルゴリズムにより、３つの受け持ち領域９２ａ・９２ｂ・９２ｃ毎に欠陥巡回順序を決定する。図１６によれば、液滴吐出ユニット３１ａの受け持ち領域９２ａでは、基板９の第１端（基板９の紙面上端側）の位置ａ１よりスタートし、第２端（基板９の紙面下端側）の位置ａ２に到達し、第１端の位置ａ３に到達し、第２端の位置ａ４に到達し、第１端の位置ａ５までで、全ての受け持ち欠陥８上を巡回することができ、ヘッドガントリー３０６が基板上を４回走査（２往復）することに相当する。
【０１５１】
同様に、液滴吐出ユニット３１ｂの受け持ち領域９２ｂでは、基板の第１端の位置ｂ１よりスタートし、第２端の位置ｂ２までで、全ての受け持ち欠陥８上を巡回することができ、ヘッドガントリー３０６が基板上を１回走査（０．５往復）することに相当する。同様に、液滴吐出ユニット３１ｃの受け持ち領域９２ｃでは、基板の第１端の位置ｃ１よりスタートし、第２端の位置ｃ２に到達し、第１端の位置ｃ３までで、全ての受け持ち欠陥８上を巡回することができ、ヘッドガントリー３０６が基板上を２回走査（１往復）することに相当する。
【０１５２】
ここで、３つの液滴吐出ユニット３１ａ・３１ｂ・３１ｃは、１つのヘッドガントリー３０６上に搭載されて矢印ｒ７方向に一体的に移動するため、図１６に示す基板９に対して全ての欠陥８上を巡回するためには、３つの液滴吐出ユニット３１ａ・３１ｂ・３１ｃの必要走査回数の中で、最大回数を用いる必要があり、ヘッドガントリー３０６は液滴吐出ユニット３１ａの必要走査回数である４回走査（２往復）することを決定する。
【０１５３】
図１７は判定部１０での動作を例示したフローチャートである。判定部１０では、まず液滴吐出ユニット３１ａの欠陥情報を読み込み（ステップＳ３４）、その中で最も基板端にある欠陥を巡回開始欠陥とする（ステップＳ３５）。次に、基板端から他端に向けて２番目の巡回欠陥の決定を開始し（ステップＳ３６）、副走査方向移動時間（Ｔｘ）と主走査方向移動時間（Ｔｙ）と静定時間等の特定パラメータα、について、｛Ｔｙ＞Ｔｘ＋α｝を満たす候補群Ａを抽出する（ステップＳ３７）。候補群Ａが有るときは、その中で最短の移動距離となる欠陥を特定し２番目欠陥とする（ステップＳ３９）。候補群Ａに該当する欠陥がない場合は、基板端から他端に向けていた検出方向を反対側に切り替え、再度、２番目の巡回欠陥の決定を行う（ステップＳ３８）。２番目欠陥を特定（ステップＳ３９）したのちは、受け持ち欠陥残があるか判断し（ステップＳ４０）ある場合は、Ｎ番目の巡回欠陥の決定開始を行う（ステップＳ３６）。無い場合は、液滴吐出ユニット３１ａの累積切り替え回数をＡを記憶する（ステップＳ４１）。その後、液滴吐出ユニット３１ｂ・３１ｃにおいても同様の作業を繰り返し、液滴吐出ユニット３１ｂの累積切り替え回数Ｂ、液滴吐出ユニット３１ｃの累積切り替え回数Ｃを取得する（ステップＳ４２）。その後、累積切り替え回数Ａ、Ｂ、Ｃから最大累積切り替え回数を特定し（ステップＳ４３）、最大累積切り替え回数に基づいて、基板の処理要否を判断する（ステップＳ４４）。
【０１５４】
修復動作中において、ヘッドガントリー３０６は基板９に対して相対的に基板の第１端と第２端との間を等速移動するため、等速移動速度と移動距離から、１走査当たりの所要時間を想定することができ、１走査当たりの所要時間にヘッドガントリーの必要走査回数（最大累積切り替え回数）を掛け合わせることで、修復動作に必要な想定時間を得ることができる。
【０１５５】
なお、必ずしも最大累積切り替え回数から、修復動作に必要な想定時間を得る必要はなく、最大累積切り替え回数をもとに修復の要否を判断しても良い。この場合、演算を高速化することができ、正確でかつ短時間で基板毎の修復要否の判断を行うことが可能となる。
【０１５６】
なお、受け持ち領域９２ｃにおいて、１回目の走査で欠陥８１ａ、欠陥８１ｂ、欠陥８１ｄと巡回した後、２回目の走査で欠陥８１ｃを巡回しているのは、修復アルゴリズムに基づくと欠陥８１ｂの後に欠陥８１ｃに到達することができないためである。
【０１５７】
この判断アルゴリズムによれば、液滴吐出ユニット毎に分担された欠陥の巡回順序を、修復ユニットが行う巡回アルゴリズムと同一のアルゴリズムにより決定し、修復ユニットが実行する前に、液滴吐出ユニット毎に巡回順序を決定することで必要な走査回数を決定することが可能となる。走査回数を決定することで、修復処理に係る時間を精度良く算出することが可能となり、タクトタイムを厳格に管理可能な、基板の処理要否判断を行うことが可能となる。
【０１５８】
（判定例６：修復アルゴリズムを用いて非吐出時間を想定し、修復の要否を判断）
判定部１０では、欠陥情報保管部４１にある欠陥情報と、割り当て部７の液滴吐出ユニット毎の欠陥分担情報に基づいて、修復ユニット３の修復処理において制御部３３が行うものと同一の巡回アルゴリズムを用いて、実際の修復動作前に液滴吐出ユニット毎に分担された欠陥の巡回経路を想定し、巡回順序から得られる液滴吐出ユニット毎の吐出タイミングを算出して、その吐出タイミングから得られる最大非吐出時間が、予め設定された判断時間以上の場合は、処理不要との判断を行う。
【０１５９】
修復判定ユニット４では、前述の判定例５と同様に、修復アルゴリズムを用いて欠陥８の巡回経路を想定する。図１６によれば、基板９の全ての欠陥８上を巡回するためには、ヘッドガントリー３０６は、基板９上を４回走査（１往復）することが必要である。液滴吐出ユニット３１ｂでは、基板の第１端の位置ｂ１よりスタートし、第２端の位置ｂ２までで、全ての受け持ち欠陥８上の巡回を完了した後は、第２端の位置ｂ２から、第１端の位置ｂ３に到達し、第２端の位置ｂ４に到達し、第１端の位置ｂ５に到達するヘッドガントリーの移動の間は、液滴吐出ユニット３１ｂは欠陥８上を巡回しない。また、液滴吐出ユニット３１ｃでは、基板の第１端の位置ｃ１よりスタートし、第２端の位置ｃ２に到達し、第１端の位置ｃ３に到達し、全ての受け持ち欠陥８上の巡回を完了した後は、第１端の位置ｃ３から、第２端の位置ｃ４に到達し、第１端の位置ｃ５に到達するヘッドガントリーの移動の間は、液滴吐出ユニット３１ｃは欠陥８上を巡回しない。
【０１６０】
液滴吐出ユニットは、修復動作においては欠陥８上を巡回した際に液滴を吐出する。よって、欠陥８上を巡回していく中で、ある欠陥８から次順の欠陥８までの間が非吐出時間（矢印ｒ７方向の距離を走査速度で割ったもの）である。すなわち、液滴吐出ユニット３１ｃにおいて、欠陥８１ａから欠陥８１ｂの矢印ｒ７方向の距離を走査速度で割った値が欠陥８１ａの吐出タイミングと欠陥８１ｂの吐出タイミングとの間の非吐出時間であり、その最大非吐出時間は、最後の欠陥８１ｃへの吐出を終えた後にヘッドガントリーが基板の第１端の位置ｃ５に到るまでの時間となる。
【０１６１】
非吐出の状態で液滴吐出ユニットを長期間待機させると、ノズル孔近傍で修正液が粘度上昇して、次の基板修復動作の再開時に吐出できない、または吐出できたとしても着弾方向にずれが生じて、結果として所望の欠陥画素中に修正液を滴下できない恐れが増大する。
【０１６２】
この判断アルゴリズムによれば、液滴吐出ユニットの吐出不良を発生させ得る基板については予め修復処理を行わないような判断を正確に行うことが可能となり、修復ユニットによる修復作業を安定化させることができる。
【０１６３】
この他の判断例としては、欠陥配置状態の直線性が高い（欠陥がある基板上のある一直線上近傍に集中している）ものについては、修復しても使用に耐えない恐れがあるため修復しない、ことも挙げられる。
【０１６４】
上述した実施例ではＣＦパネルに生じた欠陥画素の例を説明したが、本発明はこれに限定されない。マトリクス状またはストライプ状に並んだ複数の被吐出部を有するエレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示装置の製造に対しても本発明を適用することができる。また、プラズマ表示装置の背面基板の製造に対しても本発明を適用することができ、電子放出素子を備えた画像表示装置の製造、および配線の製造に対しても本発明を適用することができる。
【０１６５】
（実施の形態２）
本発明の別の基板修復システムの概略図を図１８に示す。また、図１９に本システムのフローチャートを示す。この基板修復システム１ａは、実施の形態１に対して、基板分別部５１及び不良基板保持部５２を有していない点が異なる点である。実施の形態１で前述した構成要素には同一の参照符号を付し、重複する説明は省く。
【０１６６】
実施の形態２の基板修復システム１ａでは、基板検査ステージ２４上の基板９は、欠陥情報取得ユニット２により検査されたのち、そのまま修復ユニット３の基板修復ステージ３４に受け渡される。この構成は、例えば、基板検査ステージ２４と基板修復ステージ３４とがそれぞれベルトコンベアー構造をなしており、両者を近接して配置することで、直接受け渡しすることが可能である。また、基板修復の要否判断に関係なく基板検査ステージ２４から基板修復ステージ３４に基板９を搬送する、通常の基板搬送ロボットのような搬送手段を介しても良い。
【０１６７】
判定部１０で得た基板毎の修復すべきか否かの判断情報は、修復ユニット３内の制御部３３に伝達されて、修復処理が不要と判断されたときは、修復ユニット３による修復動作を行うことなく、そのまま本基板修復システム１ａから搬出される。
【０１６８】
以上の構成により、欠陥情報取得ユニット２により対象基板９上の略全域にわたる欠陥情報を一括して取得した上で、欠陥情報に基づいて修復判定ユニット４により基板毎に修復すべきか否かの判断を行うことが可能となるために、修復処理すべきではない基板９について修復を行うことがなく、修復効率を向上することができる。
【０１６９】
本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。
【産業上の利用可能性】
【０１７０】
本発明は、基板に点在する修復箇所をインクジェット方式により修復する修復機能を備えた基板修復システム、基板修復方法、プログラム及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１７１】
【図１】（ａ）は実施の形態１に係る基板修復システムの概略構成を示すブロック図であり、（ｂ）はその具体構成を示すブロック図である。
【図２】上記基板修復システムの動作を示すフローチャートである。
【図３】上記基板修復システムの他の動作を示すフローチャートである。
【図４】上記基板修復システムに設けられた修復ユニットの構成を示す斜視図である。
【図５】（ａ）（ｂ）は、上記修復ユニットに設けられたヘッドガントリーユニット及び基板修復ステージの動作を説明するための模式的断面図である。
【図６】（ａ）は、上記ヘッドガントリーユニットの構成を説明するための要部平面図であり、（ｂ）は、要部正面図である。
【図７】上記ヘッドガントリーユニットに設けられた液滴吐出ユニットの構成を説明するための要部側面図である。
【図８】上記ヘッドガントリーユニットに設けられた液滴吐出ユニット移動機構の構成を説明するための要部正面図である。
【図９】（ａ）は、上記液滴吐出ユニットの構成を説明するための要部下面図であり、（ｂ）は、上記液滴吐出ユニットの他の構成を説明するための要部下面図である。
【図１０】（ａ）（ｂ）は、上記修復ユニットのアライメント動作を説明するための平面図である。
【図１１】（ａ）（ｂ）は、上記修復ユニットに設けられたヘッドガントリーユニットの往復動作を説明するための平面図である。
【図１２】（ａ）（ｂ）は、上記ヘッドガントリーユニットの対象基板に対する動作を説明するための平面図である。
【図１３】（ａ）〜（ｄ）は、上記液滴吐出ユニットの欠損部に対する吐出動作を説明するための模式的平面図である。
【図１４】上記修復ユニットに設けられた割り当て部による欠陥情報の割り当てを説明するフローチャートである。
【図１５】（ａ）（ｂ）は、上記修復ユニットに設けられた修復判定ユニットにおける、液滴吐出ユニット毎の欠陥情報の割り当てを説明するための基板の平面図である。
【図１６】上記修復判定ユニットにおける判定例を説明するための模式図である。
【図１７】上記修復ユニットに設けられた判定部での動作を例示したフローチャートである。
【図１８】実施の形態２に係る基板修復システムの具体構成を示すブロック図である。
【図１９】上記基板修復システムの動作を示すフローチャートである。
【符号の説明】
【０１７２】
１    基板修復システム
２    欠陥情報取得ユニット（欠陥情報取得手段）
３    修復ユニット（修復手段）
４    修復判定ユニット（修復判定手段）
５    基板搬送ユニット（基板搬送手段）
６    液滴吐出ユニット（液滴吐出手段）
７    割り当て部（割り当て手段）
８    欠陥
９    基板（対象基板）
１０  判定部（判定手段）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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