(57)【要約】【課題】  垂直磁気記録媒体に用いられるＣｏ−Ｚｒ系合金の軟磁性膜を成膜するためのＣｏ−Ｚｒ系合金ターゲット材に関して、良好なスパッタリング特性を有する低透磁率のＣｏ−Ｚｒ系合金ターゲット材およびその製造方法を提供する。【解決手段】  原子比における組成式がＣｏ１００−(Ｘ＋Ｙ)−ＺｒＸ−ＭＹ、１≦Ｘ≦１５、０≦Ｙ≦１５で表され、前記組成式のＭ元素がＴｉ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗから選ばれる１種または２種以上の元素であるスパッタリングターゲット材であって、ミクロ組織においてＨＣＰ−Ｃｏからなる相と、Ｃｏを主体とする合金相とが微細に分散した金属組織を有し、Ｘ線回折パターンにおけるＦＣＣ（２００）ピークとＨＣＰ（１０１）ピークの強度比ＩＦＣＣ（２００）／ＩＨＣＰ（１０１）の値が０．２５以下であるＣｏ−Ｚｒ系合金焼結スパッタリングターゲット材である。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
原子比における組成式がＣｏ１００−(Ｘ＋Ｙ)−ＺｒＸ−ＭＹ、１≦Ｘ≦１５、０≦Ｙ≦１５で表され、前記組成式のＭ元素がＴｉ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗから選ばれる１種または２種以上の元素であるスパッタリングターゲット材であって、ミクロ組織においてＨＣＰ−Ｃｏからなる相と、Ｃｏを主体とする合金相とが微細に分散した金属組織を有し、Ｘ線回折パターンにおけるＦＣＣ（２００）ピークとＨＣＰ（１０１）ピークの強度比ＩＦＣＣ（２００）／ＩＨＣＰ（１０１）の値が０．２５以下であることを特徴とするＣｏ−Ｚｒ系合金焼結スパッタリングターゲット材。
【請求項２】
請求項１に記載のＣｏ−Ｚｒ系合金焼結スパッタリングターゲット材の製造方法であって、Ｃｏ粉末と、Ｃｏ、ＺｒおよびＭ元素を合金化処理した合金粉末とを混合した混合粉末を加圧焼結することを特徴とするＣｏ−Ｚｒ系合金焼結スパッタリングターゲット材の製造方法。
【請求項３】
前記混合粉末に占めるＣｏ粉末の比率が質量比で３０％以上であることを特徴とする請求項２に記載のＣｏ−Ｚｒ系合金焼結スパッタリングターゲット材の製造方法。
【請求項４】
前記合金化処理は、合金溶湯の急冷凝固処理であることを特徴とする請求項２に記載のＣｏ−Ｚｒ系合金焼結スパッタリングターゲット材の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、軟磁性膜を形成するためのＣｏ−Ｚｒ系合金焼結スパッタリングターゲット材およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、磁気記録技術の進歩は著しく、ドライブの小型化と大容量化のため、磁気記録媒体の高密度化の検討が盛んに行われている。現在、世の中に広く普及している面内磁気記録方式の磁気記録媒体でドライブの小型化と高記録密度化を同時に実現しようとすると、1ビットの記録領域が小さくなり、周囲の磁区と打ち消しあって磁力を失ってしまう。このため、更なる高記録密度を実現できる方式として垂直磁気記録方式が開発され、実用化に至っている。
【０００３】
垂直磁気記録方式とは、記録層である磁性層の磁化容易軸が媒体面に対して垂直に配向するように形成されたものであり、記録密度を上げてもビット内の反磁界が小さく、記録再生特性の低下が少ない高記録密度化に適した方式である。垂直磁気記録媒体は、基板／軟磁性裏打ち層／Ｒｕ中間層／ＣｏＰｔＣｒ−ＳｉＯ２磁性層／保護層からなる多層構造が一般的である（例えば、非特許文献１参照）。
【０００４】
垂直磁気記録媒体の軟磁性裏打ち層には優れた軟磁気特性が要求されることから、アモルファス軟磁性合金が採用されている。代表的な軟磁性裏打ち層用アモルファス合金として、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ合金膜（例えば、特許文献１参照）、Ｃｏ−Ｚｒ−Ｎｂ合金膜（例えば、非特許文献２参照）および、Ｃｏ−Ｚｒ−Ｔａ合金膜（例えば、非特許文献３参照）などが挙げられる。
【０００５】
また、一般的に、軟磁性裏打ち層の成膜にはマグネトロンスパッタリング法が用いられる。マグネトロンスパッタリング法とは、ターゲット材と呼ばれる母材の背面に永久磁石を配置し、ターゲット材の表面に磁束を漏洩させて、漏洩磁束領域にプラズマを収束し、高速成膜を可能とする方法である。
【０００６】
マグネトロンスパッタリング法では、ターゲット材表面の漏洩磁束によりプラズマが収束した部分が集中的に侵食されるため、ターゲット材はごく一部しか消費されないまま寿命を迎える。特に、強磁性体からなるターゲット材では、永久磁石から発生する磁束の大半がターゲット材内部に侵入するため、ターゲット材の表面の磁束は低くなり、しかも、磁束の広がる領域は狭くなる。このため、上述した侵食が局部的に深く進行し、ターゲット材の寿命が極端に短くなる問題がある。とりわけ、膜厚が１５０〜２００ｎｍと極端に厚い垂直磁気記録媒体の軟磁性裏打ち層の形成に際しては、ターゲット材の寿命は深刻な問題となっており、ターゲット材の交換頻度を減らすために、ターゲット材の厚さを出来る限り厚く設定しつつ十分な漏洩磁束を得るという矛盾した要求を満たさなければならない。
【０００７】
上述の漏洩磁束には、磁気回路の観点で、ターゲット材の透磁率が大きく影響することが知られている。具体的には、透磁率が高い場合には、ターゲット材の表面にプラズマを収束させるのに十分な漏洩磁束を得ることが難しくなる。そこで、ターゲット材自身の透磁率を極力低減することが望まれている。
【０００８】
上述の漏洩磁束に関係したターゲット材の低透磁率化の事例として、溶解鋳造法によるＣｏ基合金ターゲット材に冷間加工を施し、Ｘ線回折のＦＣＣ（２００）ピークとＨＣＰ（１０１）ピークの強度比ＩＦＣＣ（２００）／ＩＨＣＰ（１０１）の値が、その合金を高温のＦＣＣ単相領域より常温まで冷却した時点における値より小さい値を有するように調整することにより、低透磁率化できることが提案されている（特許文献２参照）。
【０００９】
他方、本発明者らは、上述した軟磁性層の形成に用いられるＣｏ−Ｚｒ系合金ターゲット材に関して、Ｃｏ固溶体相と金属間化合物相とが存在するターゲット材の金属組織において、該金属間化合物相が実質的に存在しない領域に描ける最大内接円の直径を１０μｍ以下とすることで、該ターゲット材を用いて形成される軟磁性膜のバラツキを抑制し、かつ、発生するパーティクルも抑制できることを提案している（特許文献３参照）。
【００１０】
【特許文献１】特開２００４−０３０７４０号公報
【特許文献２】特公平２−４９２８４号公報
【特許文献３】特開２００５−３２０６２７号公報
【非特許文献１】竹野入俊司  富士時報  Ｖｏｌ．７７  Ｎｏ．２  ２００４年  ｐ．１２１
【非特許文献２】Ｄ．Ｈ．Ｈｏｎｇ、Ｓ．Ｈ．Ｐａｒｋａｎｄ Ｔ．Ｄ．Ｌｅｅ、“Ｅｆｆｅｃｔｓ ｏｆＣｏＺｒＮｂ Ｓｕｒｆａｃｅ Ｍｏｒｐｈｏｌｏｇｙｏｎ Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ａｎｄＧｒａｉｎ Ｉｓｏｌａｔｉｏｎ ｏｆ ＣｏＣｒＰｔＰｅｒｐｅｎｄｉｃｕｌａｒ ＲｅｃｏｒｄｉｎｇＭｅｄｉａ”、ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ．Ｍａｇｎ．、Ｖｏｌ．４１、Ｎｏ．１０、Ｐ．３１４８−３１５０、Ｏｃｔ．、２００５
【非特許文献３】Ｈ．Ｎｅｍｏｔｏ、Ｒ．Ａｒａｋｉ  ａｎｄ  Ｙ．Ｈｏｓｏｅ、“ＭａｇｎｅｔｉｃＡｎｉｓｏｔｒｏｐｙ ｏｆ  Ｐｅｒｐｅｎｄｉｃｕｌａｒ  Ｍｅｄｉａ：  Ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔ  ａｎｄ  Ｉｎｔｅｒｍｅｄｉａｔｅ  Ｌａｙｅｒ  Ｅｆｆｅｃｔ”ＩＥＥＥ  Ｔｒａｎｓ．Ｍａｇｎ．、Ｖｏｌ．４３、Ｎｏ．２、P．６２１−６２６、Ｆｅｂ．２００７
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
一般的に、垂直磁気記録媒体の軟磁性層用Ｃｏ−Ｚｒ系合金ターゲット材は、溶解鋳造法で製造されているが、ターゲット材の透磁率が高く、十分な漏洩磁束が得られない問題が指摘されている。しかも、このターゲット材は元素の添加量が多く、塑性加工性に乏しいため、上述の特許文献２の方法は適用が困難であった。また、本発明者らが特許文献３に開示した方法は、十分に透磁率を低減できない場合があった。
本発明の目的は、以上の問題点を鑑みて為されたものであり、高い組織均質性を備え、透磁率が低く、強い漏洩磁束が得られる新規なＣｏ−Ｚｒ系合金ターゲット材およびその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明者は、種々の検討を行った結果、Ｃｏ−Ｚｒ系合金スパッタリングターゲット材の金属組織を、ＨＣＰ−Ｃｏからなる相とＣｏを主体とする合金からなる相とを分散させた組織とすることにより、ターゲット材の透磁率を低減でき、強い漏洩磁束が得られることを見出し本発明に到達した。
すなわち、本発明は、原子比における組成式がＣｏ１００−(Ｘ＋Ｙ)−ＺｒＸ−ＭＹ、１≦Ｘ≦１５、０≦Ｙ≦１５で表され、前記組成式のＭ元素がＴｉ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗから選ばれる１種または２種以上の元素であるスパッタリングターゲット材であって、ミクロ組織においてＨＣＰ−Ｃｏからなる相とＣｏを主体とする合金相とが微細に分散した金属組織を有し、Ｘ線回折パターンにおけるＦＣＣ（２００）ピークとＨＣＰ（１０１）ピークの強度比ＩＦＣＣ（２００）／ＩＨＣＰ（１０１）の値が０．２５以下であるＣｏ−Ｚｒ系合金焼結スパッタリングターゲット材である。
【００１３】
前記Ｃｏ−Ｚｒ系合金焼結スパッタリングターゲット材は、純Ｃｏ粉末と、Ｃｏ、ＺｒおよびＭ元素を合金化処理した合金粉末とを混合した混合粉末を加圧焼結することにより製造が可能となる。また、前記混合粉末全体に占めるＣｏ粉末の比率が質量比で３０％以上であることが好ましい。さらに、前記合金化処理は合金溶湯の急冷凝固処理であることが好ましい。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、安定したマグネトロンスパッタリングが行える軟磁性膜形成用のＣｏ−Ｚｒ系合金焼結スパッタリングターゲット材を提供でき、垂直磁気記録媒体のようにＣｏ−Ｚｒ系合金の軟磁性膜を必要とする工業製品を製造する上で極めて有効な技術となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
上述したように、本発明の最も重要な特徴は、Ｃｏ−Ｚｒ系合金スパッタリングターゲット材の透磁率を低減するためにミクロ組織を制御した点にある。すなわち、ターゲット材のミクロ組織において、ＨＣＰ−Ｃｏからなる相と、Ｃｏを主体とする合金相とが微細に分散するように制御する点にある。
【００１６】
本発明のＣｏ−Ｚｒ系合金焼結スパッタリングターゲット材の組織をＨＣＰ−Ｃｏからなる相と、Ｃｏを主体とする合金相とが、微細に分散するように制御する理由を以下に説明する。本発明者は、Ｃｏ−Ｚｒ系合金スパッタリングターゲット材の透磁率低減のため、理想的な組織と相構成について検討した。その結果、主成分であるＣｏの大半を純Ｃｏ粉とし、さらに残部ＣｏにＺｒ、Ｍ元素を添加して合金化した合金粉とし、これらを混合して焼結した組織とすることで、従来の方法では到達しえなかった極めて低い透磁率を備えた焼結ターゲット材となることを見出し、本発明に到達したのである。
【００１７】
本発明は、従来とは全く異なる方法を採用することにより、低透磁率なターゲット材が得られたものであり、その低透磁率化のメカニズムは、以下のように考えられる。
一般的に、多結晶体の透磁率には磁気モーメントと磁気異方性が大きく影響し、「磁気モーメント大、磁気異方性小」の場合は高透磁率になり、「磁気モーメント小、磁気異方性大」の場合は低透磁率になることが知られている。
他方、Ｃｏを含む合金相の結晶構造には、ＨＣＰ（六方最密格子）、ＦＣＣ（面心立方格子）とがあり、これらのうち結晶磁気異方性が大きいのはＨＣＰ相である。ここで、純Ｃｏは約４２２℃付近の結晶構造変態点を境として変態点以下ではＨＣＰ、変態点以上ではＦＣＣとなるが、Ｃｏに他の元素を添加して合金化した場合、変態点を下回る室温領域でも結晶磁気異方性が小さいＦＣＣとなる場合がある。
【００１８】
本発明のＣｏ−Ｚｒ系合金焼結スパッタリングターゲット材では、Ｃｏ−Ｚｒ系合金スパッタリングターゲット材の金属組織において、大半のＣｏを他の構成元素と合金化させずにＨＣＰ−Ｃｏ相とし、これにより磁気異方性を大きくし、さらに、残りのＣｏを他の元素との合金相として存在させ、ターゲット材全体の磁気モーメントを低減し、これらの相乗効果により、低い透磁率を実現できたものと考えられる。
なお、本発明のＣｏ−Ｚｒ系合金焼結スパッタリングターゲット材においてＨＣＰ−Ｃｏ相とは、不可避的不純物と周囲の拡散層を除いてＣｏからなり、結晶構造はＨＣＰからなる相のことである。ＨＣＰ−Ｃｏ相の結晶構造は、Ｘ線回折法によって判定できる。Ｘ線回折法において、ＦＣＣ−ＣｏとＨＣＰ−Ｃｏを明瞭に判別できるのはＦＣＣ（２００）ピークとＨＣＰ（１０１）ピークである。
【００１９】
本発明のＣｏ−Ｚｒ系合金焼結スパッタリングターゲット材において、Ｘ線回折パターンにおけるＦＣＣ（２００）ピークとＨＣＰ（１０１）ピークの強度比ＩＦＣＣ（２００）／ＩＨＣＰ（１０１）の値を０．２５以下と規定した理由は、この範囲に調整することにより、透磁率の低減効果が顕著となるためである。
また、本発明のＣｏ−Ｚｒ系合金終結スパッタリングターゲット材において、Ｃｏを主体とする合金相とは、原子比で５０％以上のＣｏと、Ｚｒ、元素Ｍから構成される合金相である。この合金相の化学組成は、室温領域で常磁性または反強磁性を示す相となるよう設定することが好ましい。その理由は上述した磁気モーメントの低減効果が顕著となり、透磁率の低減につながるためである。
【００２０】
本発明のＣｏ−Ｚｒ系合金焼結スパッタリングターゲット材のミクロ組織において、ＨＣＰ−Ｃｏ相とＣｏを主体とする合金相の比率は、ターゲット材の化学組成とＣｏ合金相の組成によって変化する。
特に、ＨＣＰ−Ｃｏからなる相とＣｏを主体とする合金相とはそれぞれのスパッタリング率が異なる場合があり、粗大な部分が存在すると、スパッタリング成膜時に異常放電やパーティクルなどの問題が生じる場合がある。このため、それぞれを微細に分散させることにより、安定したスパッタリングが可能となる。よって、Ｃｏを主体とする合金相とＨＣＰ−Ｃｏ相それぞれの結晶粒径は５００μm以下とすることが好ましい。
【００２１】
また、本発明のターゲット材の化学組成は、原子比における組成式がＣｏ１００−(Ｘ＋Ｙ)−ＺｒＸ−ＭＹ、１≦Ｘ≦１５、０≦Ｙ≦１５で表され、前記組成式のＭ元素がＴｉ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗから選ばれる１種または２種以上の元素からなるものである。
Ｚｒの添加量Ｘを１≦Ｘ≦１５としたのは、Ｚｒをこの範囲で添加することで、軟磁気特性に優れたアモルファス相の薄膜を生成できるためである。
Ｍ元素をＴｉ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗから選ばれる１種または２種以上の元素の添加量Ｙを０≦Ｙ≦１５としたのは、Ｍ元素から選ばれる１種または２種以上の元素を上限１５原子％添加することで、薄膜の磁歪を低減し、軟磁気特性をより向上させる効果や、耐食性を向上させる効果を付与できるためである。なお、１５原子％を上限としたのは、この値を超えると薄膜の磁化の低下が顕著となるためである。
【００２２】
本発明のターゲット材の製造方法としては、純Ｃｏ粉末と、ＣｏとＺｒおよびＭ元素を合金化処理した合金粉末とを所定の組成となるよう秤量、混合した混合粉末を加圧焼結することで得ることができる。上述のように純Ｃｏ粉末は室温領域ではＨＣＰであるが、ＺｒやＭ元素と合金化すると室温領域でＦＣＣとなる場合がある。よって、前記混合粉末を焼結し、焼結体組織においてＣｏ相がＨＣＰ−Ｃｏとして存在するよう制御することが重要である。
【００２３】
また、混合粉末の加圧焼結方法としては、ホットプレス、熱間静水圧プレス、通電加圧焼結、熱間押し出しなどの方法を適用することができる。中でも熱間静水圧プレスは加圧圧力が高く、最高温度を低く抑えても緻密な焼結体が得られるため、特に好ましい。
なお、加圧焼結時の最高温度は８００℃以上、１２００℃以下の温度に設定することが好ましい。この理由は、焼結温度が８００℃を下回ると、緻密な焼結体が得られ難く、１２００℃を超えると焼結中に合金粉末が溶融する場合があるためである。また、最高温度が高過ぎると混合粉末粒子間の拡散が進んでＣｏが合金化し、ＨＣＰ−Ｃｏ相が生成されにくくなる恐れがあるため、さらに好ましくは９００℃から１１００℃の範囲に設定すると良い。一方、加圧焼結時の最高加圧圧力は２０ＭＰａ以上に設定することが好ましい。その理由は最高圧力が２０ＭＰａを下回ると緻密な焼結体が得られないためである。
【００２４】
本発明の合金化処理としては、微細な組織を得ることができる急冷凝固処理を適用することが好ましい。なお、Ｃｏ粉末も合金粉末と同様に微細な粉末を得るために急冷凝固処理を適用し作製することが好ましい。急冷凝固処理方法としては、不純物の混入が少なく、充填率が高く焼結に適した球状粉末が得られるガスアトマイズ法が好ましい。また、酸化を抑制するには、アトマイズガスとして不活性ガスであるアルゴンガスもしくは窒素ガスを用いると良い。
【実施例１】
【００２５】
以下の実施例で本発明を更に詳しく説明する。本実施例では合金組成は全てＣｏ−１０Ｚｒ（原子％）とした。表１に示す各粉末をアトマイズガスとしてＡｒを用いたガスアトマイズ法によって作製した後、得られたアトマイズ粉末を６０メッシュのふるいで分級した。それぞれのアトマイズ粉末を表１の通り組み合わせ、混合粉末の組成がＣｏ−１０Ｚｒ（原子％）となるように秤量、混合した後、軟鋼製カプセルに充填して脱気封止した。次いで、圧力１２２ＭＰａ、温度９５０℃、保持時間１時間の条件で熱間静水圧プレス法により焼結体を作製した。さらに機械加工を施し、直径１００ｍｍ、厚さ１０ｍｍのＣｏ−１０Ｚｒ（原子％）合金焼結ターゲット材を得た。
【００２６】
【表１】
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【００２７】
上記試料１、３のターゲット材の端材から１０ｍｍ×１０ｍｍの試験片を２個採取しバフ研磨を施した後、一つの試験片にはＡｒガスを用いたフラットミリングを施し、走査型電子顕微鏡を用いてミクロ組織観察を行った。もう一つの試験片はＸ線回折測定による相同定を行った。なお、Ｘ線回折測定には（株）リガク製Ｘ線回折装置ＲＩＮＴ２５００Ｖを使用し、線源にＣｏを用いて測定を行った。
【００２８】
図１に試料１（本発明例１）のミクロ組織の走査型電子顕微鏡像を、図２に試料３（比較例）のミクロ組織の走査型電子顕微鏡像をそれぞれ示す。図１から試料１（本発明例１）のミクロ組織は薄灰色のＣｏ相と白色のＣｏ合金相とからなり、それぞれ、原料粉末の粒径を反映し５０μm以下の微細な組織を呈していることがわかる。一方、図２から試料３（比較例）のミクロ組織は粉末粒子の組織を反映した共晶組織を呈していることがわかる。
【００２９】
図３に試料１（本発明例１）と試料３（比較例）のＸ線回折パターンの比較を示す。この図から試料１（本発明例１）はＨＣＰ−Ｃｏ相、Ｃｏ５Ｚｒ、Ｃｏ２Ｚｒをそれぞれ反映した回折ピークを呈しており、僅かにＦＣＣ−Ｃｏ相を反映した回折ピークも認められることから、前述のミクロ組織におけるＣｏ相はほぼＨＣＰ−Ｃｏ相であり、Ｃｏ合金相はＣｏ５Ｚｒ、Ｃｏ２Ｚｒ金属間化合物相からなると同定できる。一方、試料３（比較例）はＦＣＣ−Ｃｏ相、Ｃｏ５Ｚｒをそれぞれ反映した回折ピークが認められることから、前述のミクロ組織における共晶はＦＣＣ−Ｃｏ相とＣｏ５Ｚｒからなると同定できる。
また、表２にそれぞれの試料のＸ線回折パターンから求めたＦＣＣ（２００）ピークとＨＣＰ（１０１）ピークの強度比ＩＦＣＣ（２００）／ＩＨＣＰ（１０１）を示す。この表から、本発明例１、２のピーク強度比は比較例のそれに比べて著しく低いことがわかる。
【００３０】
次に、作製した各ターゲット材の端材から長さ３０ｍｍ、幅１０ｍｍ、厚さ５ｍｍの試験片を採取した。これらの試験片を用いて東英工業（株）製直流磁気特性測定装置ＴＲＦ５Ａを使用して磁化曲線を測定した。得られた磁化曲線から求めた最大透磁率の値を表２中に示す。表２から、試料Ｎｏ．１、２の本発明例のターゲット材は、比較例のターゲット材に比べて低い最大透磁率を示していることがわかる。
【００３１】
【表２】
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【産業上の利用可能性】
【００３２】
本発明では、Ｃｏ−Ｚｒ系合金スパッタリングターゲット材のミクロ組織をＨＣＰ−Ｃｏからなる相とＣｏ合金相とを微細に分散させた組織にすることにより、低透磁率なＣｏ−Ｚｒ系合金ターゲット材が得られる。本ターゲットを用いることにより、軟磁性膜形成に際して、安定したマグネトロンスパッタリングを行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本発明の実施例における試料１のミクロ組織の走査型電子顕微鏡像である。
【図２】本発明の実施例における試料３のミクロ組織の走査型電子顕微鏡像である。
【図３】本発明の実施例における試料１と３のX線回折パターンの比較を示す図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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