(57)【要約】【課題】酸化防止ガス雰囲気中でＦＡＢを形成する際、ＦＡＢの酸化を抑制しつつＦＡＢの偏芯の発生を抑制できるワイヤボンディング装置を提供する。【解決手段】本発明に係るワイヤボンディング装置は、酸化防止ガスで満たすためのキャビティー１８を有するガスカバー９と、キャビティー１８に繋げられ、前記酸化防止ガスを通す多孔質部材２２と、ワイヤを繰り出すキャピラリ１と、キャビティー１８に先端が配置され、前記キャピラリ１から繰り出されたワイヤにスパークさせるスパークロッド２と、を具備し、前記多孔質部材２２を通した前記酸化防止ガスによってキャビティー１８を満たしながら、前記キャピラリ１から繰り出されたワイヤの先端をキャビティー１８に位置させ、前記スパークロッドの先端２ａから前記ワイヤの先端にスパークさせることによりフリーエアボールを形成することを特徴とする。【選択図】      図４
2008130825.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化防止ガスで満たすための内部空間を有するガスカバーと、
前記内部空間に繋げられ、前記酸化防止ガスを通す多孔質部材と、
ワイヤを繰り出すキャピラリと、
前記内部空間に先端が配置され、前記キャピラリから繰り出されたワイヤにスパークさせるスパークロッドと、
を具備し、
前記多孔質部材を通した前記酸化防止ガスによって前記内部空間を満たしながら、前記キャピラリから繰り出されたワイヤの先端を前記内部空間に位置させ、前記スパークロッドの先端から前記ワイヤの先端にスパークさせることによりフリーエアボールを形成することを特徴とするワイヤボンディング装置。
【請求項２】
前記ガスカバーに設けられ、前記内部空間の上部に位置する上部穴と、前記ガスカバーに設けられ、前記内部空間の下部に位置し且つ前記上部穴に対向するように配置された下部穴と、前記上部穴、前記内部空間及び前記下部穴を前記キャピラリが通過するように前記キャピラリを移動させる機構と、をさらに具備することを特徴とする請求項１に記載のワイヤボンディング装置。
【請求項３】
前記酸化防止ガスは、前記多孔質部材を通って前記内部空間に導入され、前記内部空間を満たした前記酸化防止ガスは、前記上部穴及び前記下部穴から前記ガスカバーの外部に排出されることを特徴とする請求項２に記載のワイヤボンディング装置。
【請求項４】
前記多孔質部材は、前記内部空間の周囲を覆うように形成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載のワイヤボンディング装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ワイヤボンディング装置に係わり、特に、酸化防止ガス雰囲気中でＦＡＢを形成する際、ＦＡＢの酸化を抑制しつつＦＡＢの偏芯の発生を抑制できるワイヤボンディング装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
図９は、従来のワイヤボンディング装置のキャピラリとスパークロッド及びそれらの周辺を示す斜視図である。
【０００３】
従来のワイヤボンディング装置は、先端から銅ワイヤ（銅線）を繰り出すキャピラリ１と、キャピラリ１から繰り出された銅ワイヤの先端部に放電するスパークロッド２と、スパークロッド２から銅ワイヤの先端に放電してフリーエアボール（ＦＡＢ）を形成する際に右側及び左側それぞれから酸化防止ガス（例えば不活性ガス）を供給する右ガスノズル３及び左ガスノズル１９と、を有している。
【０００４】
ボンディングワイヤに銅線を使用した場合、ＦＡＢ形成時の熱によって銅と酸素が反応してＦＡＢの表面に酸化銅が形成される。この酸化銅は銅に比べて硬度が増すため、表面に酸化銅が形成されたＦＡＢをＩＣチップのパッドにボンディングするとパッド下のＩＣチップ内にダメージが加えられる問題がある。また、表面が酸化したＦＡＢは変色や偏芯が発生し、ボンディング後の概観や品質に悪影響を及ぼす。
【０００５】
上述したようなＦＡＢの酸化を防止するためには、ＦＡＢ形成工程で酸素の混入を防ぐことが必要となる。これを実現するには、主に窒素ガス、窒素水素混合ガス、アルゴンガスなどの不活性ガス雰囲気内でＦＡＢ形成を行うことである。
【０００６】
従来のワイヤボンディング装置では、キャピラリ１の先端とスパークロッド２との間の空間の左右に左ガスノズル１９及び右ガスノズル３を配置し、前記空間に左右のガスノズル３，１９から不活性ガスを供給しながら、キャピラリ１から繰り出された銅ワイヤの先端にスパークロッド２から放電してＦＡＢを形成する。これは、不活性ガス雰囲気内でＦＡＢを形成することにより、ＦＡＢ形成工程で酸素の混入を防ぐことを意図するものである。
【０００７】
図１０は、他の従来のワイヤボンディング装置のキャピラリとスパークロッド及びそれらの周辺を示す斜視図である。
【０００８】
図１０の従来のワイヤボンディング装置は、先端１ａから銅ワイヤ（銅線）４を繰り出すキャピラリ１と、キャピラリ１の先端１ａから繰り出された銅ワイヤ４の先端４ａに放電するスパークロッド２と、スパークロッド２の先端２ａから銅ワイヤ４の先端４ａに放電してＦＡＢを形成する際にＦＡＢの周辺を不活性ガス雰囲気にするためのガス閉じ込めチューブ５と、を有している。ガス閉じ込めチューブ５には上部インラインオリフィス６及び下部インラインオリフィス７が設けられており、これらオリフィス６，７は、キャピラリ１の先端１ａが貫通することができるように位置している。ガス閉じ込めチューブ５の内部にはスパークロッド２が配置されており、ガス閉じ込めチューブ５の先端側は開口されている。
【０００９】
図１０の従来のワイヤボンディング装置では、ガス閉じ込めチューブ５内に不活性ガスを流しながら、キャピラリ１の先端を上部インラインオリフィス６からガス閉じ込めチューブ５内に挿入し、キャピラリ１から繰り出された銅ワイヤ４の先端４ａにスパークロッド２の先端２ａから放電してＦＡＢを形成する。これは、不活性ガス雰囲気内でＦＡＢを形成することにより、ＦＡＢ形成工程で酸素の混入を防ぐことを意図するものである（例えば特許文献１参照）。
【００１０】
【特許文献１】ＵＳ６２３４３７６（図２）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、図９のワイヤボンディング装置では、十分な量の不活性ガスを供給するガスノズル３，１９「を複数設けることにより、キャピラリ１の先端とスパークロッド２との間の空間に対流が発生する。そして、この対流によって外気を巻き込み、その結果、ＦＡＢ形成工程で酸素が混入され、ＦＡＢの酸化を十分に防ぐことができない。従って、ＦＡＢの表面に酸化銅が発生することになる。
【００１２】
また、図９のワイヤボンディング装置では、左右のガスノズル３，１９の流量が全く同一にすることができず、左右のガスノズル３，１９の流量が異なるため、ＦＡＢ形成時のスパークロッド２からの放電が、供給された不活性ガスによって流されることがある。これは、形成されたＦＡＢに偏芯が発生する原因となる。また、左右のガスノズル３，１９の微妙な位置関係を調整するのは経験を必要とし、多くの作業時間が必要となる。
【００１３】
また、図１０のワイヤボンディング装置では、ガス閉じ込めチューブ５内で一方向からのみ十分な量の不活性ガスを流すことにより、ＦＡＢ形成時のスパークロッド２からの放電が前記不活性ガスによって流されることがある。これにより、形成されたＦＡＢに偏芯が発生することがある。
【００１４】
本発明は上記のような事情を考慮してなされたものであり、その目的は、酸化防止ガス雰囲気中でＦＡＢを形成する際、ＦＡＢの酸化を抑制しつつＦＡＢの偏芯の発生を抑制できるワイヤボンディング装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記課題を解決するため、本発明に係るワイヤボンディング装置は、酸化防止ガスで満たすための内部空間を有するガスカバーと、
前記内部空間に繋げられ、前記酸化防止ガスを通す多孔質部材と、
ワイヤを繰り出すキャピラリと、
前記内部空間に先端が配置され、前記キャピラリから繰り出されたワイヤにスパークさせるスパークロッドと、
を具備し、
前記多孔質部材を通した前記酸化防止ガスによって前記内部空間を満たしながら、前記キャピラリから繰り出されたワイヤの先端を前記内部空間に位置させ、前記スパークロッドの先端から前記ワイヤの先端にスパークさせることによりフリーエアボールを形成することを特徴とする。
【００１６】
上記ワイヤボンディング装置によれば、酸化防止ガスを多孔質部材の内部を通過させることにより、酸化防止ガスの流速を落としつつ内部空間の内面の全体から酸化防止ガスを徐々に噴出させ、前記内部空間内全体に均一性よく酸化防止ガスを広げることができる。このため、従来技術のようにＦＡＢ形成時の放電が一方向に流されることがない。従って、ＦＡＢの酸化を抑制しつつＦＡＢの偏芯の発生を抑制することができる。
【００１７】
また、本発明に係るワイヤボンディング装置において、前記ガスカバーに設けられ、前記内部空間の上部に位置する上部穴と、前記ガスカバーに設けられ、前記内部空間の下部に位置し且つ前記上部穴に対向するように配置された下部穴と、前記上部穴、前記内部空間及び前記下部穴を前記キャピラリが通過するように前記キャピラリを移動させる機構と、をさらに具備することも可能である。
【００１８】
また、本発明に係るワイヤボンディング装置において、前記酸化防止ガスは、前記多孔質部材を通って前記内部空間に導入され、前記内部空間を満たした前記酸化防止ガスは、前記上部穴及び前記下部穴から前記ガスカバーの外部に排出されることが好ましい。
【００１９】
また、本発明に係るワイヤボンディング装置において、前記多孔質部材は、前記内部空間の周囲を覆うように形成されている。これにより、内部空間の周囲から酸化防止ガスを徐々に噴出させることができる。従って、前記内部空間内全体に均一性よく酸化防止ガスを広げることができる。
【発明の効果】
【００２０】
以上説明したように本発明によれば、酸化防止ガス雰囲気中でＦＡＢを形成する際、ＦＡＢの酸化を抑制しつつＦＡＢの偏芯の発生を抑制できるワイヤボンディング装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。
（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１によるワイヤボンディング装置を模式的に示す図である。図２（Ａ）は、本発明の実施の形態１によるワイヤボンディング装置の超音波ホーン、キャピラリ、スパークロッド及びガスカバーを示す斜視図であり、図２（Ｂ）は、図２（Ａ）に示すスパークロッド及びガスカバーを分解した斜視図である。図３（Ａ）は、図２（Ａ）に示すガスカバーの断面を示す図であり、図３（Ｂ）は、図３（Ａ）に示す多孔質部材を上方から視た平面図である。
【００２２】
図１に示すように、ワイヤボンディング装置は、ボンディングヘッド２１、ＸＹステージ１３、スパークジェネレータ１４、超音波制御回路１５及びモータ制御回路１６を有している。
【００２３】
ボンディングヘッド２１は、図２（Ａ）に示すキャピラリ１を先端に保持する超音波ホーン８、この超音波ホーン８を保持するボンディングアーム１７及びキャピラリ１を上下移動させるためにボンディングアーム１７を駆動する機構から構成されている。この機構はモータ（図示せず）を有しており、このモータの駆動力によってキャピラリ１を上下移動させることができるようになっている。
【００２４】
キャピラリ１の内部には銅ワイヤ（図示せず）が挿通されており、この銅ワイヤがキャピラリ１から繰り出されるようになっている。キャピラリ１の上には銅ワイヤをつかむ機構を持つワイヤクランパが配置されており、このワイヤクランパはボンディングアーム１７に取り付けられている。このワイヤクランパによって銅ワイヤをクランプすることによりキャピラリ１から繰り出される銅ワイヤの長さが調整される。
【００２５】
ボンディングヘッド２１は、ＸＹステージ１３上に搭載されており、このＸＹステージ１３によってＸＹ方向に移動可能となっている。ＸＹステージ１３はモータ（図示せず）を有しており、このモータの駆動力によってボンディングアーム１７を移動させることができるようになっている。スパークジェネレータ１４は、スパークロッド２の先端２ａとキャピラリ１から繰り出された銅ワイヤの先端に電圧を発生させ、放電エネルギーによってＦＡＢを形成するものである。
【００２６】
超音波制御回路１５は、超音波ホーン８に接続されており、この超音波ホーン８に発生させる超音波振動を制御する回路である。モータ制御回路１（１６）は、ＸＹステージ１３に接続されており、ＸＹステージの機構及び駆動を制御する回路である。モータ制御回路２（２０）は、ボンディングアーム１７の機構及び駆動を制御する回路である。
【００２７】
ボンディングヘッド２１には、図２（Ａ），（Ｂ）及び図３（Ａ）に示すガスカバー９が取り付けられており、このガスカバー９は樹脂やセラミックなどの絶縁材料から形成されている。ガスカバー９にはキャピラリ１が通過してボンディング作業を行うための上部穴１０ａ及び下部穴１０ｂが設けられている。上部穴１０ａは下部穴１０ｂに対向するように配置されている。また、ガスカバー９の端面は塞がれている。
【００２８】
ガスカバー９内には外形が略直方体形状からなる多孔質部材１２が取り付けられている。ガスカバー９と多孔質部材１２との間には殆ど隙間がない。この多孔質部材１２には、図３（Ｂ）に示すように第１及び第２の貫通孔１２ａ，１２ｂが設けられている。第１及び第２の貫通孔１２ａ，１２ｂそれぞれが貫通する方向は互いに直交するものである。第２の貫通孔１２ｂの一端は多孔質部材１２の外部に繋げられており、第２の貫通孔１２ｂの他端は第１の貫通孔１２ａに繋げられている。第１の貫通孔１２ａの両端は多孔質部材１２の外部に繋げられている。
【００２９】
尚、多孔質部材１２としては、樹脂、セラミック、金属などの種々の材質からなる多孔質部材を用いることができる。また、前記種々の材質に複数の穴を開けたものを多孔質部材として用いることもできる。
【００３０】
ガスカバー９内に多孔質部材１２が取り付けられた状態（図２（Ａ）及び図３（Ａ）に示す状態）では、第１の貫通孔１２ａの上部は前記上部穴１０ａに繋げられ、第１の貫通孔の下部は前記下部穴１０ｂに繋げられている。
【００３１】
また、ガスカバー９の内部にはスパークロッド２の先端側が取り付けられている。スパークロッドの先端２ａは、図３（Ａ）に示すように多孔質部材１２の第２の貫通孔１２ｂに挿入されるとともに第１の貫通孔１２ａ内に露出している。そして、フリーエアボール（ＦＡＢ）を形成する際には、キャピラリ１の先端から繰り出された銅ワイヤの斜め下方にスパークロッド２の先端２ａが位置するようになっている。
【００３２】
ガスカバー９の内部には、ＦＡＢ形成時に酸化を防止する酸化防止ガス、例えば窒素ガス、窒素水素混合ガス、アルゴンガスなどの不活性ガスを流すためのガス通路１１が設けられている。このガス通路１１の一端はガス流入口１１ａに繋げられており、ガス通路１１の他端は多孔質部材１２に繋げられている。
【００３３】
ＦＡＢ形成時には、前記不活性ガスが、ガス流入口１１ａからガス通路１１に導入され、ガス通路１１から多孔質部材１２に導入され、多孔質部材１２から第１の貫通孔１２ａに図３（Ｂ）に示す矢印のように導入され、第１の貫通孔１２ａ内は不活性ガスによって充満されるようになっている。これにより、不活性ガス雰囲気によってＦＡＢ形成を行うことができる。
【００３４】
また、ＦＡＢ形成時には、キャピラリ１から繰り出された銅ワイヤの先端が第１の貫通孔１２ａ内に位置するようになっている。銅ワイヤの先端にＦＡＢが形成された後に、キャピラリ１は第１の貫通孔１２ａ及び上部穴１０ａ、下部穴１０ｂを通過してボンディング作業が行われるようになっている。
【００３５】
次に、上記ワイヤボンディング装置を用いてＦＡＢを形成してボンディングを行う方法について説明する。
【００３６】
まず、不活性ガスを、ガス流入口１１ａからガス通路１１に導入し、ガス通路１１から多孔質部材１２を通して第１の貫通孔１２ａに図３（Ｂ）に示す矢印のように導入する。これにより、第１の貫通孔１２ａ内は不活性ガスによって充満される。そして、この第１の貫通孔１２ａ内の不活性ガスは上部穴１０ａ及び下部穴１０ａそれぞれからガスカバー９の外部へ排出される。その結果、第１の貫通孔１２ａ内には酸素等の外気が混入されないようになる。
【００３７】
この後、キャピラリ１の先端から銅ワイヤを繰り出し、この銅ワイヤの先端を第１の貫通孔１２ａ内に位置させる。この状態で、スパークロッド２の先端から銅ワイヤの先端にスパークさせる。これにより、銅ワイヤの先端が溶解され、銅ワイヤの先端にＦＡＢが形成される。この際、第１の貫通孔１２ａ内が不活性ガスで充満されているため、形成されたＦＡＢが酸化されることを抑制できる。
【００３８】
次いで、半導体チップのパッド（図示せず）上の第１ボンディング点にＦＡＢを押し付けて超音波を印加することによりボンディングを行う。次いで、キャピラリ１を移動させてリード（図示せず）上の第２ボンディング点にボンディングを行う。これにより、前記パッドと前記リードは銅ワイヤによって接続される。
【００３９】
上記実施の形態１によれば、不活性ガスを多孔質部材１２の内部を通過させることにより、不活性ガスの流速を落としつつ第１の貫通孔１２ａの内面の全体から不活性ガスを徐々に噴出させ、第１の貫通孔１２ａ内全体に均一性よく不活性ガスを広げることができる。このため、従来技術のようにＦＡＢ形成時の放電が一方向に流されることがない。従って、ＦＡＢの酸化を抑制しつつＦＡＢの偏芯の発生を抑制することができる。
【００４０】
また、本実施の形態では、多孔質部材１２の内部を通過させた不活性ガスを第１の貫通孔１２ａ内に導入するため、従来技術に比べて不活性ガスの量が少なくてもＦＡＢの酸化を十分に抑制することができる。つまり、上部穴及び下部穴から排出されて流れ出る不活性ガスの量を少なくしても第１の貫通孔内を不活性ガスで十分に満たすことができる。従って、不活性ガスの量を少なくできる点で低コスト化を実現できる。
【００４１】
また、本実施の形態では、多孔質部材１２の内部を通過させた不活性ガスを第１の貫通孔１２ａ内に導入するため、第１の貫通孔１２ａ内において対流の発生を抑制することができる。このため、第１の貫通孔内において対流による外気の巻き込みを抑制することができる。この点においてもＦＡＢの酸化を十分に抑制することができる。そして、ＦＡＢの酸化を抑制することにより、ボンディングを行う製品（例えば半導体チップ等）へのダメージや不良を減らすことができる。
【００４２】
また、本実施の形態によるワイヤボンディング装置では、従来技術で必要であった経験を要する調整が不要となるため、作業性を向上させることができる。
【００４３】
以上の説明により、本実施の形態によるワイヤボンディング装置を用いれば、銅ワイヤの先端に酸化による偏芯、変色が無く、真球に近い状態のＦＡＢを安定して形成できることがわかる。
【００４４】
（実施の形態２）
図４（Ａ）は、本発明の実施の形態２によるワイヤボンディング装置のガスカバーの断面を示す図であり、図４（Ｂ）は、図４（Ａ）に示す多孔質部材とキャビティーを示す平面図である。図４において図３と同一部分には同一符号を付し、実施の形態１と異なる部分についてのみ説明する。
【００４５】
ガスカバー９内には、その一部を塞ぐように多孔質部材２２が埋め込まれている。多孔質部材２２には、図４（Ｂ）に示すように貫通孔２２ｂが設けられている。また、ガスカバー９内には、多孔質部材２２とガスカバー９で囲まれた空間が設けられており、この空間をキャビティー１８と呼ぶ。このキャビティー１８は断面が略四角形の形状となっている。キャビティー１８の上部には上部穴１０ａが設けられており、キャビティー１８の下部には下部穴１０ｂが設けられている。
【００４６】
図４（Ａ）に示すスパークロッドの先端２ａは、図４（Ｂ）に示す多孔質部材２２の貫通孔２２ｂに挿入されるとともにキャビティー１８内に露出している。
【００４７】
ガス通路１１の他端は多孔質部材２２に繋げられている。ＦＡＢ形成時には、不活性ガスが、ガス流入口１１ａからガス通路１１に導入され、ガス通路１１から多孔質部材１２を通してキャビティー１８に導入され、このキャビティー１８内は不活性ガスによって充満されるようになっている。そして、キャビティー１８内の不活性ガスは上部穴１０ａ及び下部穴１０ａそれぞれからガスカバー９の外部へ排出される。その結果、キャビティー１８内には酸素等の外気が混入されないようになる。
【００４８】
また、ＦＡＢ形成時には、キャピラリ１から繰り出された銅ワイヤの先端がキャビティー１８内に位置するようになっている。銅ワイヤの先端にＦＡＢが形成された後に、キャピラリ１はキャビティー１８及び上部穴１０ａ、下部穴１０ｂを通過してボンディング作業が行われるようになっている。
【００４９】
上記実施の形態２によれば、不活性ガスを多孔質部材２２の内部を通過させることにより、不活性ガスの流速を落としつつ多孔質部材２２のキャビティー１８側の面の全体から不活性ガスを徐々に噴出させ、キャビティー１８内全体に均一性よく不活性ガスを広げることができる。このため、従来技術のようにＦＡＢ形成時の放電が一方向に流されることがない。従って、ＦＡＢの酸化を抑制しつつＦＡＢの偏芯の発生を抑制することができる。
【００５０】
また、本実施の形態では、多孔質部材２２の内部を通過させた不活性ガスをキャビティー１８内に導入するため、従来技術に比べて不活性ガスの量が少なくてもＦＡＢの酸化を十分に抑制することができる。つまり、上部穴及び下部穴から排出されて流れ出る不活性ガスの量を少なくしてもキャビティー内を不活性ガスで十分に満たすことができる。従って、不活性ガスの量を少なくできる点で低コスト化を実現できる。
【００５１】
また、本実施の形態では、多孔質部材２２の内部を通過させた不活性ガスをキャビティー１８内に導入するため、キャビティー１８内において対流の発生を抑制することができる。このため、キャビティー１８内において対流による外気の巻き込みを抑制することができる。この点においてもＦＡＢの酸化を十分に抑制することができる。
【００５２】
（実施の形態３）
図５は、本発明の実施の形態３によるワイヤボンディング装置のガスカバーを示す斜視図である。図６は、図５に示すガスカバーの断面を示す図である。図５及び図６において図４と同一部分には同一符号を付し、実施の形態２と異なる部分についてのみ説明する。
【００５３】
図５及び図６に示すガスカバー１９としてパイプ状のものを用いる。このパイプ状のガスカバー１９の一端には多孔質部材３２が取り付けられており、ガスカバー１９の他端は塞がれている。ガスカバー１９と多孔質部材３２とで囲まれた空間はキャビティー１８である。このキャビティー１８は断面が略円形の形状となっている。キャビティー１８の上部には上部穴１０ａが設けられており、キャビティー１８の下部には下部穴１０ｂが設けられている。
【００５４】
図６に示すスパークロッドの先端２ａは、多孔質部材３２の貫通孔に挿入されるとともにキャビティー１８内に露出している。
【００５５】
また、多孔質部材３２には導入機構（図示せず）が繋げられており、この導入機構は多孔質部材３２を通してキャビティー１８内に不活性ガスを導入する機構である。ＦＡＢ形成時には、前記導入機構によって不活性ガスが、多孔質部材３２を通してキャビティー１８に導入され、このキャビティー１８内は不活性ガスによって充満されるようになっている。そして、キャビティー１８内の不活性ガスは上部穴１０ａ及び下部穴１０ａそれぞれからガスカバー１９の外部へ排出される。その結果、キャビティー１８内には酸素等の外気が混入されないようになる。
【００５６】
上記実施の形態３においても実施の形態２と同様の効果を得ることができる。
また、上記実施の形態３では、パイプ状のガスカバー１９を用いているため、ガスカバー１９を作製する際の加工が実施の形態２に比べて容易であるという利点がある。
【００５７】
（実施の形態４）
図７は、本発明の実施の形態４によるワイヤボンディング装置のガスカバーを示す斜視図である。図８は、図７に示すガスカバーの断面を示す図である。図７及び図８において図３と同一部分には同一符号を付し、実施の形態１と異なる部分についてのみ説明する。
【００５８】
図７及び図８に示すガスカバー２９としてパイプ状のものを用いる。このガスカバー２９内には多孔質部材４２が埋め込まれている。多孔質部材４２は、実施の形態１と同様に第１及び第２の貫通孔４２ａ，４２ｂが設けられている。すなわち、第１及び第２の貫通孔４２ａ，４２ｂそれぞれが貫通する方向は互いに直交するものである。第２の貫通孔４２ｂの一端は多孔質部材４２の外部に繋げられており、第２の貫通孔４２ｂの他端は第１の貫通孔４２ａに繋げられている。第１の貫通孔４２ａの両端は多孔質部材４２の外部に繋げられている。ガスカバー２９には上部穴１０ａ及び下部穴１０ｂが設けられている。上部穴１０ａは第１の貫通孔４２ａの上部に位置しており、下部穴１０ｂは第１の貫通孔４２ｂの下部に位置している。
【００５９】
図８に示すスパークロッドの先端２ａは、多孔質部材４２の第２貫通孔４２ｂに挿入されるとともに第１の貫通孔４２ａ内に露出している。
【００６０】
また、多孔質部材４２には導入機構（図示せず）が繋げられており、この導入機構は多孔質部材４２を通して第１の貫通孔４２ａ内に不活性ガスを導入する機構である。ＦＡＢ形成時には、前記導入機構によって不活性ガスが、多孔質部材４２を通して第１の貫通孔４２ａに導入され、この第１の貫通孔４２ａ内は不活性ガスによって充満されるようになっている。そして、第１の貫通孔４２ａ内の不活性ガスは上部穴１０ａ及び下部穴１０ａそれぞれからガスカバー２９の外部へ排出される。その結果、キャビティー１８内には酸素等の外気が混入されないようになる。
【００６１】
上記実施の形態４においても実施の形態１と同様の効果を得ることができる。
また、上記実施の形態４では、パイプ状のガスカバー２９を用いているため、ガスカバー１９を作製する際の加工が実施の形態１に比べて容易であるという利点がある。
【００６２】
尚、本発明は上記実施の形態に限定されず、本発明の主旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１】本発明の実施の形態１によるワイヤボンディング装置を模式的に示す図である。
【図２】（Ａ）は、本発明の実施の形態１によるワイヤボンディング装置の超音波ホーン、キャピラリ、スパークロッド及びガスカバーを示す斜視図であり、（Ｂ）は、（Ａ）に示すスパークロッド及びガスカバーを分解した斜視図である。
【図３】（Ａ）は、図２（Ａ）に示すガスカバーの断面を示す図であり、（Ｂ）は、（Ａ）に示す多孔質部材を上方から視た平面図である。
【図４】（Ａ）は、本発明の実施の形態２によるワイヤボンディング装置のガスカバーの断面を示す図であり、（Ｂ）は、（Ａ）に示す多孔質部材とキャビティーを示す平面図である。
【図５】本発明の実施の形態３によるワイヤボンディング装置のガスカバーを示す斜視図である。
【図６】図５に示すガスカバーの断面を示す図である。
【図７】本発明の実施の形態４によるワイヤボンディング装置のガスカバーを示す斜視図である。
【図８】図７に示すガスカバーの断面を示す図である。
【図９】従来のワイヤボンディング装置のキャピラリとスパークロッド及びそれらの周辺を示す斜視図である。
【図１０】他の従来のワイヤボンディング装置のキャピラリとスパークロッド及びそれらの周辺を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００６４】
１…キャピラリ
２…スパークロッド
２ａ…スパークロッドの先端
３…右ガスノズル
４…銅ワイヤ
４ａ…銅ワイヤの先端
５…ガス閉じ込めチューブ
６…上部インラインオリフィス
７…下部インラインオリフィス
８…超音波ホーン
９，１９，２９…ガスカバー
１０ａ…上部穴
１０ｂ…下部穴
１１…ガス通路
１１ａ…ガス流入口
１２，２２，３２，４２…多孔質部材
１２ａ，４２ａ…第１の貫通孔
１２ｂ，４２ｂ…第２の貫通孔
１３…ＸＹステージ
１４…スパークジェネレータ
１５…超音波制御回路
１６…モータ制御回路１
１７…ボンディングアーム
１８…キャビティー
１９…ガスノズル
２０…モータ制御回路２
２１…ボンディングヘッド
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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