(57)【要約】【課題】  本発明は、ＲＦ回路に増加された設計の柔軟性を提供する方法と装置を提供することを目的とする。【解決手段】  無線周波数信号を処理する回路である。この回路は、回路が配置される基板を有する。基板はメタマテリアルでも良くそして、少なくとも１つの誘電体層を組み込むことができる。方向性結合器と少なくとも１つのグランドが、基板に結合されうる。誘電体層は、第１の組みの基板特性を有する第１領域と第２の組みの基板特性を有する第２領域を含みうる。基板特性は誘電率と透磁率を含む。方向性結合器の実質的な部分は、第２領域と結合されうる。第２領域の誘電率及び／又は透磁率は、第１領域の誘電率及び／又は透磁率よりも高い。増加された誘電率及び／又は透磁率は、方向性結合器の大きさを減少させそして、方向性結合器に関連する種々の電気的特性の変更を行う。【選択図】  図１
2008017523.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無線周波数信号を処理する回路であって、
少なくとも１つの誘電体層を有し、前記誘電体層が、異なる誘電率及び異なる透磁率の少なくとも一方を有するよう差別的に変更される第１の領域及び少なくとも第２の領域を有する基板と、
前記基板上に搭載された少なくとも１つのグランドと、
前記基板上に搭載された方向性結合器とを有し、
前記方向性結合器の少なくとも一部分は前記第１の領域上に搭載され、前記方向性結合器の少なくとも一部分は前記第２の領域上に搭載され、
フェライト含有有機化合物‐セラミック粒子、あるいは、
ニオブ含有有機化合物‐セラミック粒子、あるいは、
酸化アルミニウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化ニッケル、酸化ジルコニウム、及び、酸化ニオブ（ＩＩ、ＩＶ、Ｖ）、ニオブ酸リチウムを含む金属酸化物と、
ジルコン酸カルシウム及びジルコン酸マグネシウムを含むジルコン酸塩と、
マグネシウム、ストロンチウム又はニオブをドーピング金属として用いた、フェライトがドープされたチタン酸カルシウムと、
フェライト又はニオブがドープされたチタン酸ジルコン酸カルシウム若しくはバリウムとを有する群から選択される有機官能化された複合セラミック粒子と
を含む少なくとも１つのメタマテリアルを選択的に用いることによって差別的変更が達成され、
前記メタマテリアルは、分子レベル又はナノメートルレベルにおいて、２つ以上の異なる材料の混合又は配置から形成される複合材料である回路。
【請求項２】
前記第２の領域の誘電率は前記第１の領域の誘電率よりも大きい、請求項１に記載の回路。
【請求項３】
前記電気的特性は、インピーダンス、インダクタンス、キャパシタンス、品質ファクタ（Ｑ）及び電圧を含むグループから選択される、請求項２に記載の回路。
【請求項４】
前記第２の領域の透磁率は前記第１の領域の透磁率よりも大きい、請求項１に記載の回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の配置は、一般的には、ＲＦ回路に増加された設計の柔軟性を提供する方法と装置に関連し、特に、方向性結合器のような、４ポート回路の改善された性能のための誘電体回路基板材料の最適化に関連する。
【背景技術】
【０００２】
４分の１波長変成器や方向性結合器のようなＲＦ回路は、特別に設計された基板上に共通に製造される。ＲＦ回路のために、インピーダンス特性をわたり注意深い制御を維持することが重要である。回路の異なる部分のインピーダンスが整合しない場合には、これは、非効率な電力伝送、部品の不要な加熱及び、他の問題となる。特別の形式の伝送線路回路が、２つのＲＦ信号を結合し又は分割し又は、信号の低レベルサンプルを得るために、しばしば使用される。方向性結合器の電気長は、中心周波数で４分の１波長でなければ、ならないので、プリント回路内の方向性結合器の性能は、重要な設計要因である。
【０００３】
方向性結合器は、非常に近接した２つの平行な伝送線路により形成された４ポート回路である。信号が１つの伝送線路を通過すると、その信号の一部が、９０度の位相進みを有する反対方向の信号を形成する他の線路に結合される。線形な装置なので、方向性結合器は、抵抗損を除いては合計の信号電力の損失なしに、直交する位相の２つの信号を加算もできる。結合された信号のレベルは、２つの伝送線路領域の断面の寸法により決定される。２つの導体の近接は、偶数及び奇数モードと呼ばれる２つの特性インピーダンスの領域を生成する。偶数モードは、同じ方向に電流を送る２つの線路に基づいており、一方、奇数モードは反対方向の電流に基づいている。各モードは、異なる特性インピーダンス、ＺｏｅとＺｏｏをそれぞれ有する。２つの導体結合領域は、典型的には、正確にλ／４の線路長を有し、ここで、λはその回路の信号波長である。４分の１波長変成器の適切な特性インピーダンスは、式Ｚｏ＝ｒｏｏｔ（ＺｏｅＺｏｏ）により与えられ、ここで、Ｚｏは、結合器の望ましい特性インピーダンスであり、Ｚｏｅは結合された領域の偶数モードインピーダンスであり、Ｚｏｏは結合された領域の奇数モードインピーダンスである。４分の１波長変成器と同様な方法で、複数の４分の１波長結合器領域は、増加された帯域幅を達成するために直列に接続される。これらの回路では、結合値は変成器回路のように調整され、それにより、結合領域から結合領域で２線路外形を変える。各部分の偶数モードと奇数モードのインピーダンスの平方根は、全てが同じ特性インピーダンスＺｏに等しい。
【０００４】
ＲＦ回路で使用されている、プリント方向性結合器及び、特にエッジ結合された方向性結合器は、典型的には、３つの方法で形成される。マイクロストリップとして知られている１つの構成は、同じ基板面上に両方のエッジ結合された方向性結合器を配置しそして、普通はグランド面と呼ばれる第２の導体層を設ける。埋め込みマイクロストリップとして知られる第２の形式の構成は、エッジ結合された方向性結合器が誘電体基板材料で覆われている以外は、同様である。ストリップ線路として知られる第３の構成では、エッジ結合された方向性結合器は２つの電気的な導体（グランド）面の間の基板内に挟まれている。当業者は、同じ原理が、その伝送線路が同一平面状でない方向性結合器にも結び付くことを知っている。この場合には、反対側にエッチングされた２つの結合された線路を有する第３の誘電体層がある。この構成は、オーバーラップ結合器と呼ばれる。２つの伝送線路が完全にオーバーラップする場合には、装置は、ブロードサイド方向性結合器と呼ばれる。基板材料の性能に影響を及ぼす２つの重要なファクタは、誘電率（しばしば比誘電率又はεｒと呼ばれる）と、誘電正接（しばしば消費係数と呼ばれる）である。比誘電率は、信号の速度を、そして、従って、基板上に実装されている伝送線路と他の構成要素の電気長を決定する。誘電正接は、基板材料を横断する信号について発生する損失の量を特徴化する。従って、低損失材料は、周波数が増加すると、特に受信機のフロントエンドと低雑音増幅器回路を設計するときに、更に重要となる。
【０００５】
損失を無視すると、ストリップ線路又は、マイクロストリップのような、伝送線路の特性インピーダンスは、
【０００６】
（外１）
2008017523.tif 000003
に等しく、ここで、Ｌｌは単位長当りのインダクタンスであり、Ｃｌは単位長当りのキャパシタンスである。結合領域内で、偶数及び奇数モードの単位長当りのインダクタンスとキャパシタンスの２つの値がある。それらの値は、一般的には、伝送線路構造を分離するのに使用される、誘電体材料の誘電率だけでなく、線路構造の物理的な外形や間隔及び、偶数又は奇数モード電流により決定される。従来の基板材料は、典型的には、約１．０の比誘電率を有する。
【０００７】
従来のＲＦ設計では、設計に適する比誘電率値を有する基板材料が、選択される。一旦、基板材料が選択されると、２つの特性インピーダンス値は、排他的に、線路の外形と物理的な構造を制御することにより、調整される。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
伝送線路、受動ＲＦ素子、又は、放射要素についての選択された基板材料の誘電率は、その線路構造について、所定の周波数で、ＲＦエネルギーの物理的な波長に影響する。マイクロ電子ＲＦ回路を設計するときに出くわす１つの問題は、基板上に形成される、種々の受動構成要素、放射構成要素及び、伝送線路回路の全てに最適な、誘電体板基板材料の選択である。特に、ある回路構成要素の外形は、そのような構成要素に要求される唯一の電気的な又はインピーダンス特性により、物理的に大きく又は小型化されうる。同様に、例外的に高又は低値の結合（パワーを２つの等しい部分に分割することを含むまで）に要求される線路幅は、多くの場合に、所定の基板についての実際の実装でそれぞれ、狭すぎるか又は広すぎることになる。マイクロストリップ又はストリップ線路の物理的なサイズは、誘電体材料の比誘電率に逆に関連しているので、伝送線路の寸法は、基板材料の選択に大きく影響され得る。
【０００９】
更に、幾つかの構成要素についての最適な基板材料の設計選択は、アンテナ構成要素のような他の構成要素についての最適な基板材料と一致しない。更に、回路構成要素についての幾つかの設計目的は、他とは一致しない。例えば、アンテナ構成要素の大きさを減少させることが望ましい。これは、比較的高い誘電率を有する基板材料を選択することにより達成される。しかしながら、より高い誘電率を有する誘電体の使用は、一般的には、アンテナの放射効率を減少させる望ましくない効果を有する。従って、選択された相対的な基板特性を有する回路基板の制約は、しばしば、全体回路の電気的性能及び／又は物理的な特性に悪影響を与える、設計的な妥協となる。
【００１０】
前述のアプローチの他の固有の問題は、少なくとも基板材料に関して、線路インピーダンスについての唯一の制御変数は、比誘電率εｒであることである。この制限は、従来の基板材料の重要な問題を強調する、即ち、特性インピーダンスを決定する他の材料のファクタ即ち、伝送線路の単位長当りのインダクタンス、即ちＬｌ、を利用することに失敗している。
【００１１】
更に、ＲＦ回路設計で出くわす他の問題は、異なるＲＦ周波数帯についての動作の回路構成要素の最適化である。第１のＲＦ周波数帯について最適化される線路インピーダンスと長さは、他の帯域に使用されたときに、インピーダンス変化及び／又は電気長の変化のいずれかにより、悪い性能を与える。そのような制限は、与えられたＲＦシステムについての実効動作周波数範囲を制限し得る。
【００１２】
従来の回路基板は、一般的には、誘電率を含む均一な基板物理特性と一般的にはなる、鋳造又はスプレーコーティングのような処理により、一般的には、形成される。従って、ＲＦ回路についての従来の誘電体基板配置は、電気的及び物理的なサイズ特性の両方に関して最適である回路を設計することへの制限であることが分かった。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明は、無線周波数信号を処理する回路に関連する。この回路は、回路が配置される、回路基板を有する。基板は、メタマテリアルを含むことが可能であり、そして、少なくとも１つの誘電体層を組み込むことが可能である。方向性結合器と少なくとも１つのグランドが、基板に結合されることが可能である。
【００１４】
誘電体層は、第１の組の基板特性を有する第１の領域と、第２の組の基板特性を有する少なくとも１つの第２の領域を有する。基板特性は誘電率と透磁率を含むことが可能である。第２の組みの基板特性は、第１の組の基板特性と異なる。一実施例では、第２の領域の誘電率及び／又は透磁率は、第１の領域の誘電率及び／又は透磁率よりも大きい。更に、第１及び／又は第２の組みの基板特性は、選択された領域にわたり、誘電率及び／又は透磁率を変更するために、異なるように修正される。誘電体層は、更に、異なる組みの基板特性を有する他の領域を含むことが可能である。
【００１５】
方向性結合器の少なくとも一部は、第２の領域に結合されている。増加された誘電率及び／又は透磁率は、方向性結合器の大きさを減少させることが可能である。増加された誘電率及び／又は透磁率は、方向性結合器に関連する、インピーダンス、インダクタンス、キャパシタンス、品質ファクタ（Ｑ）及び電圧の少なくとも１つに変更を行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
方向性結合器及び特にエッジ結合線路方向性結合器は、典型的には、無線周波数（ＲＦ）回路で使用され且つ一般的にはプリント回路基板又は基板上で実装される、特化された伝送線路である、１組の結合された変成器線路部を含む。方向性結合器は、典型的には、結合された伝送線路部、４ポート：入力、直接、結合及び、分離を有する。結合された伝送線路部の電気長は、通常は、選択された周波数の４分の１波長であるが、しかし、方向性結合器は、４分の１波長変成器は、４分の１波長の奇数倍（２ｎ＋１）でもよい。
【００１７】
低比誘電率プリント回路基板材料は、元来、方向性結合器を実装するＲＦ回路設計のために選択される。例えば、
【００１８】
（外２）
2008017523.tif 000004
（比誘電率２．９４、誘電正接０．００９）のようなそして、
【００１９】
（外３）
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（比誘電率２．２、誘電正接０．０００７）のような、ポリテトラフルオロエチレン（ｐｏｌｙｔｅｔｒａｆｌｕｏｒｏｅｔｈｙｌｅｎｅ、ＰＴＦＥ）ベースの複合物は、両方ともに、ルーズベルト通り、チャンドラー、ＡＺ８５２２６の、ロジャーマイクロ波プロダクト、アドバンスド回路材料部門１００Ｓ（Ｒｏｇｅｒ  Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ  Ｐｒｏｄｕｃｔｓ，Ａｄｖａｎｃｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ  Ｄｉｖｉｓｉｏｎ  １００Ｓ）から入手できる。これらの材料の両方は、一般的な基板材料の選択である。上述の基板材料は、低誘電正接を伴なう比較的低い誘電率を有する誘電体層を提供する。
【００２０】
しかしながら、従来の基板材料の使用は、回路要素の最小化を妥協することができそして、高誘電率層から利益を受けることができる幾つかの回路の性能面も妥協しうる。通信回路内の典型的なトレードオフは、方向性結合器の物理的な大きさ対動作周波数の間で及び、直接及び間接ポート間の相対電力レベルである。比較により、本発明は、特定の周波数での動作のための、方向性結合器の大きさを減少させ又は結合を増加させるのに最適化された、磁気特性を有する高誘電率誘電体層領域の使用を許すことにより、回路設計者に、追加のレベルの柔軟性を提供する。更に本発明は、回路設計者に、方向性結合器の品質ファクタ（Ｑ）を制御する手段も提供する。この追加の柔軟性は、方向性結合器ＲＦ回路について、他では可能ではない、改善された性能を可能とする。ここで規定するように、ＲＦは、電磁波を伝搬させるのに使用される周波数を意味する。
【実施例】
【００２１】
図１と２を参照すると、好ましい実施例に従って、エッジ結合線路方向性結合器のような４ポート回路１０は、第１の組の基板特性を有する第１の領域９と第２の組の基板特性を有する第２の領域２０とを有する基板又は誘電体層１１を含む。基板１１は、領域２５のような他の組みの基板特性を有する他の領域も有することができる。基板特性は、誘電率と透磁率を含むことが可能である。特に、第２の組みの基板特性は、第１の組の基板特性から又は、基板上の他の組みの基板特性から異なることが可能である。例えば、第２領域２０は、第１領域９よりも高い誘電率及び／又は透磁率を有することが可能であり、そして、領域２５は、領域９又は２０と異なる誘電率及び／又は透磁率を有することが可能である。
【００２２】
方向性結合器部１６と１９は、誘電体層１１上に配置され、第１の伝送線路３２でともに結合されている。結合された変成器線路部１７と１８は、誘電体層１１上に配置され、第２の伝送線路３０により共に結合されている。第１の伝送線路３２と第２の伝送線路３０は、互いに平行に近接してエッジ結合伝送線路となるように配置され、第１と第２の伝送線路の間の誘電体層又は領域２５は、結合のために好ましく最適化されている。示された４ポート回路１０は、入力ポートとして働くポート２１、結合ポートとして働くポート２２、分離ポートとして働くポート２３、及び、エッジ結合線路方向性結合器の通過出力ポートとしてのポート２４を有する。
【００２３】
結合器は、第２の線路（３０）に平行に近接する、主伝送線路（３２）を有することにより構成される。この近接の結果、主線路に存在するある割合の電力が、第２の線路に結合し、そして、電力は、結合器の物理的な寸法と主電力の伝搬方向の関数として変わる。これは、図１に示されているようにわかり、結合部分は、結合される周波数の帯域の中心で約４分の１波長であることに注意する。ポート２１で主線路に入射する電力は、ある減少された電力レベルでポート２２へ結合され、一方主電力、は、ポート２４へ続く。ポート２３は、通常は、線路の特性インピーダンスに等しい負荷で終端される。理想的な結合器では、ポート２３に電力は現れない。ポート２１から２２へ結合される電力の量は、偶数及び奇数モードインピーダンスにより表現される、設計の関数である（線路の偶数モードインピーダンスは個々の線路とグランドに関連する電流により定義され、そして、線路の奇数モードインピーダンスは２つの伝送線路の結合に関連する電流により定義される）。
【００２４】
方向性は直接結合器に関連する品質ファクタであることに注意すべきである。それは、未結合ポート２３に出現する電力の量を規定する。絶対項では、それは、分離として表現される。しかしながら結合品質の真の測定値ではない。方向性は分離マイナス結合に等しく、そして、従って、結合器が開放マイクロストリップ内で実装されるときに起こる、偶数及び奇数モード速度が等しくない場合には、結合よりも物理的な構成の関数として相対的に一定でのこる。方向性に影響する第２のファクタは、内部整合、偶数と奇数モードインピーダンスの関数もである。第３のファクタは、４分の１波長部の各端で第２線路が主線路から分離されている結果の端部接合不整合である。第４は、主及び第２出力ポート上の負荷ＶＳＷＲである。
【００２５】
方向性結合器の構成が固体の同質な媒体上であるとすると、ＶＳＷＲは、結合器の方向性に関する最も頻繁に制限するパラメータとなる。そうでなければ、（結合を最適化することにより）偶数及び奇数モードインピーダンスは、結合器の制御可能なパラメータとなり、これゆえに、改善された結合器性能、特に改善された入力ＶＳＷＲと増加された分離を達成する能力は、本発明の技術を使用して達成される。
【００２６】
図２は、図１の４ポート回路１０と誘電体層１１の、断面線Ａ−Ａに沿って示された断面図である。グランド面５０は、方向性結合器線路部の下に設けられうる。従って、誘電体層１１は、グランドから上の方向性結合器の高さを規定する厚みを有する。厚みは、方向性結合器から下にあるグランド面５０の物理的な距離にほぼ等しい。この距離は、例えば、ある誘電体材料が使用されるときに、キャパシタンスを増加又は減少させるために、特定の誘電体の外形を達成するために、調整されることが可能である。
【００２７】
方向性結合器を伝わる信号の伝搬速度は、
【００２８】
（外４）
2008017523.tif 000006
に等しい。伝搬速度は、比透磁率と比誘電率に反比例するので、透磁率及び／又は誘電率を第２の領域２０で増加させることは、方向性結合器の進後の伝搬速度、従って、信号波長を減少させる。これゆに、方向性結合器の長さは、第２の領域２０の透磁率及び／又は誘電率を増加することにより、減少させることが可能である。更に、誘電率の増加は、方向性結合器とグランド５０の間の容量性結合を増加する。従って、方向性結合器面領域も、第２の領域２０の誘電率を増加することにより、減少させることが可能である。従って、方向性結合器は、従来の回路基板で要求されるよりも、長さと幅の両方で、小さくできる。
【００２９】
誘電率及び／又は透磁率は、同様に方向性結合器のために望ましい特性インピーダンス（Ｚ０）となるように選択されことが、又は、方向性結合器に関連するインダクタンスとレジスタンス値を制御することが可能である。例えば、第２の領域２０の透磁率は、方向性結合器のインダクタンスを増加するために増加することが可能である。
【００３０】
本発明の一実施例では、誘電体層１１の透磁率は、方向性結合器部の全ての又は一部のインダクタンスを増加するために制御されることが可能である。（示されていない）他の実施例では、方向性結合器は、グランド面又は、戻りトレースの電流が、方向性結合器を流れる電流と反対方向に流れるように構成される、（２線配置でのような）自身の個々のグランド面又は戻りトレースを有することが可能であり、それにより、４分の１波長変成器部に関連する磁束を相殺する結果となり且つそのインダクタンスを低下させる。
【００３１】
誘電率及び／又は透磁率は、４分の１波長変成器の性能を最適化するために、誘電体層の選択された領域で異なるように修正されることが可能である。さらに、他の配置では、全ての誘電体層領域は、誘電体層領域の全ての領域で、誘電率及び／又は透磁率を異なるように修正することにより、修正されることが可能である。
【００３２】
ここで使用される用語”  異なるように修正する”とは、少なくとも１つの誘電及び磁気特性が、基板の他の部分と比較して基板の１つの領域で異なる結果となる、誘電体層１１への、追加を含む修正を指す。例えば、修正は、ある誘電体層領域が特定の誘電又は磁気特性を発生するように修正され、一方他の誘電体層領域は未修正のまま残されるような、選択的な修正である。
【００３３】
（示されていない）他の実施例に従って、補足の誘電体層が、誘電体層１１に追加される。種々の噴霧技術、スピン−オン技術、種々の積層技術又は、スパッタリングのようなその技術で知られた技術が、補足の層を与えるのに使用される。４分の１波長変成器部１６−１９の下の誘電体の誘電率及び／又は透磁率を変えるために、第１の補足の層は、全体の存在する誘電体層１１をわたり加えられ、及び／又は、第２の補足の層は、第２領域２０又はその選択された部分に選択的に加えられる。代わりの実施例では、補足の層は第１領域９又は、その選択された部分又は、領域２５のような他の領域へ加えられることが可能である。例えば、補足の層は、その領域の誘電率及び／又は透磁率を増加するために、第１の伝送線路３２の下に加えられる。
【００３４】
特に、補足の層は、第１及び／又は第２の領域又は、他の領域（９，２０又は、２５）内の比透磁率を１より大きく又は小さく変更するために、粒子を含めることが可能である。例えば、反磁性の又は強磁性の粒子を、どの領域にも加えることが可能である。更に、誘電体粒子を、同様にその何れかの領域に加えることが可能である。更に、第１の補足の層と第２の補足の層は、例えば、ストリップ線路、マイクロストリップ及び、埋め込まれたマイクロストリップの、ようなどの回路構成でも設けることが可能である。
【００３５】
大きさと性能が最適化された方向性結合器を提供する方法を、以下の説明と図３のフローチャートを参照して、説明する。ステップ３１０では、基板誘電体材料は、修正のために準備される。前述のように、基板材料は、商業的に入手できるいつでもすぐに買える基板材料又は、ポリマー材料又は、幾つかのそれらの結合から構成されるカスタム化された基板材料を含むことが可能である。準備処理は、選択された基板材料の形式に依存してなされ得る。
【００３６】
ステップ３２０では、第１又は第２領域９と２０のような、１つ又はそれ以上の誘電体層領域が、異なるように修正され、それにより、誘電率及び／又は透磁率は、領域の２つ又はそれ以上の部分の間で、異なる。異なるような修正は、前述の幾つかの方法で達成され得る。ステップ３３０を参照すると、金属層が、その技術で知られる標準的な回路基板技術を使用して、方向性結合器に与えられる。
【００３７】
局部化された及び選択可能な磁気及び基板特性を提供するメタマテリアル領域を有する誘電体基板が、以下のように準備されることが可能である。ここで、規定するように、用語”メタマテリアル”は、分子又はナノメートルのレベルのような、非常に微細なレベルで、２つ又はそれ以上の異なる材料を混合又は配置して構成される複合材料を指す。メタマテリアルは、複合物の電磁気特性の調整を可能とし、これは、実効電気的誘電率，ｅｆｆ（又は誘電率）及び実効磁気透磁率：ｅｆｆを含む実効電磁気パラメータにより定義され得る。
【００３８】
適切なバルク誘電体基板材料は、デュポン（ＤｕＰｏｎｔ）及び、フェロ（Ｆｅｒｒｏ）のような、商業的な材料製造者から入手できる。一般的には、Ｇｒｅｅｎ  ＴａｐｅＴＭ（グリーンテープ）と呼ばれる未処理の材料が、バルク誘電体テープから、６インチかける６インチ領域のような、同じ大きさの領域に切り取られる。例えば、デュポンマイクロサーキットマテリアルズは、例えば、９５１低温度コファイア誘電体テープ及び、フェロエレクトロニックマテリアルズＵＬＦ２８−３０ウルトラローファイアＣＯＧ誘電体形成のような、グリーンテープ材料システムを提供する。これらの基板材料は、一旦加熱されると、マイクロ波周波数での回路動作のための、比較的低い誘電正接を伴なう比較的中程度の誘電率を有する誘電体層を提供するために使用される。
【００３９】
複数の誘電体基板材料のシートを使用するマイクロ波回路を生成する処理では、ビア（ｖｉａｓ）、空隙、穴、又は、空洞のような特徴は、テープの１つ又はそれ以上の層を通して打ちぬく。空隙は、（例えば、パンチのような）機械的な手段又は、（例えば、レーザドリル、写真リゾグラフィーのような）指向性エネルギー手段を使用して画定され得るが、しかし、空隙は他の適する方法を使用して画定もできる。いくつかのビアは、同じサイズの基板の全体の厚みに達し、一方、幾つかの空隙は基板厚みの変化する部分にのみ達する。
【００４０】
ビアは、埋め戻す材料の精密な位置決めのために、通常はステンシルを使用して、金属又は、他の誘電体又は磁性体材料又は、その混合物で満たされている。テープの個々の層は、完全な多層基板を製造するために、従来の処理で、共に積層されることが可能である。代わりに、テープの個々の層は、一般的には、サブ−スタックと呼ばれる不完全な多層基板を製造するために共に積層される。
【００４１】
空隙領域は、空隙を残すことも可能である。選択された材料で埋め戻された場合には、選択された材料はメタマテリアルを含むことが好ましい。メタマテリアル組成の選択は、２以下から約２６５０の比較的連続する範囲をわたり、調整可能な実効比誘電率を提供できる。調整可能な磁気特性は、あるメタマテリアルから入手できる。例えば、適する材料の選択を通して、比実効透磁率は、一般的には、最も実際的なＲＦ応用については、約４から１１６の範囲である。しかし、比実行透磁率は、約２の低さ又は、数１０００に達することが可能である。
【００４２】
ここで使用される、用語”異なるように修正された”は、少なくとも１つの誘電及び磁気特性が、基板の他の領域と比較して基板の１つの領域で異なる結果となる、誘電体基板層への、ドーパントを含む修正を指す。異なるように修正された基板は、１つ又はそれ以上のメタマテリアルを含む領域を含むことが好ましい。
【００４３】
例えば、修正は選択的な修正であり、ここで、ある特定の誘電体層領域は、第１の組の誘電又は磁気特性を生じるように修正され、一方他の誘電体層領域は、第１の組の特性と異なる誘電及び／又は磁気特性を提供するように、異なるように修正され又は未修正のまま残される。異なるように修正することは、種々の異なる方法で達成されることが可能である。
【００４４】
一実施例に従って、補足の誘電体層が、誘電体層に追加される。種々の噴霧技術、スピン−オン技術、種々の積層技術又は、スパッタリングのようなその技術で知られた技術が、補足の誘電体層を与えるのに使用される。補足の誘電体層は、空隙又は穴の内部又は全体の存在する誘電体層をわたることを含む、局部化された領域に、選択的に追加されることが可能である。例えば、補足の誘電体層は、増加された実効比誘電率を有する基板領域を提供するために使用されることが可能である。補足の層として加えられる誘電材料は、種々の重合の材料を含むことが可能である。
【００４５】
異なるように修正するステップは、更に、誘電体層又は補足の誘電体層へ追加の材料を局部的に加えることを含む。材料の追加は、所定の設計目標を達成するために、誘電体層の実効比誘電率又は磁気特性を更に制御するのに使用される。
【００４６】
追加の材料は、複数の金属及び／又はセラミック粒子を含むことが可能である。金属粒子は、鉄、タングステン、コバルト、バナジウム、マンガン、ある希土類金属、ニッケル又は、ニオブ粒子を含むことが好ましい。粒子は、一般的には、サブミクロンの物理的な寸法を有し、以後ナノ粒子と呼ぶ、ナノサイズの粒子であることが好ましい。
【００４７】
ナノ粒子のような粒子は、有機的に機能化された複合粒子であることが好ましい。例えば、有機的に機能化された複合粒子は、電気的絶縁コーティングを有する金属コア又は、金属コーティングを有する電気的絶縁コアを有する粒子を含むことができる。
【００４８】
ここで説明する種々の応用のための誘電体層の磁気特性を制御するのに一般的に適する磁気メタマテリアル粒子は、フェライト有機セラミック（ＦｅｘＣｙＨｚ）−（Ｃａ／Ｓｒ／Ｂａ−セラミック）を含む。これらの粒子は、周波数範囲８−４０ＧＨｚの応用で良好に動作する。代わりに、又は、更にそれに加えて、ニオブ有機セラミック（ＮｂＣｙＨｚ）−（Ｃａ／Ｓｒ／Ｂａ−セラミック）は、周波数範囲１２−４０ＧＨｚで有益である。高周波数のために設計された材料は、低周波数の応用にも適用可能である。これらのそして他の形式の複合粒子は、商業上入手できる。
【００４９】
一般的には、コーティングされた粒子は、ポリママトリクス又は側鎖部分と結合するのを助けるので、本発明と供に使用するのが好ましい。誘電体の磁気特性を制御するのに加えて、加えられた粒子は、材料の実効比誘電率を制御するのにも使用されることが可能である。約１から７０％の複合粒子の充填比を使用して、基板誘電体層及び／又は補足の誘電体層の領域の比誘電率を、大きく増加及びあるいは減少させることができる。例えば、誘電体層へ有機的に機能化されたナノ粒子を加えることを、修正された誘電体層の領域の比誘電率を増加させるのに使用することが可能である。
【００５０】
粒子は、ポリブレンディング、混合、及び、攪拌を有する充填を含む、種々の技術により与えられる。例えば、比誘電率は、約７０％までの充填比を有する種々の粒子を使用して、２の公称値から１０へ増加されうる。この目的に有益な金属酸化物は、酸化アルミニウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化ニッケル、酸化ジルコニウム及び、酸化ニオブ（ＩＩ、ＩＶ及び、Ｖ）を含むことができる。ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）と、ジルコン酸カルシウム（ｃａｌｃｉｕｍ  ｚｉｒｃｏｎａｔｅ）及びジルコン酸マグネシウム（ｍａｇｎｅｓｉｕｍ  ｚｉｒｃｏｎａｔｅ）のような、ジルコン酸塩（ｚｉｒｃｏｎａｔｅｓ）も使用され得る。
【００５１】
選択可能な基板特性は、１０ナノメートルほどの領域に局部化されることが可能であり又は、全体の基板面を含む大きな領域を覆うことが可能である。積層処理と共にリゾグラフィ技術とエッチング技術のような、従来の技術は、局部化された誘電及び磁気特性の操作に使用することが可能である。
【００５２】
材料は、他の潜在的に望ましい基板特性と共に、２から約２６５０の実質的に連続する範囲内での実効比誘電率を生じるために、他の材料と混合されて又は、空隙領域（一般的には、空気を入れる）の変化する密度を含み、準備される。例えば、低比誘電率（＜２から約４）を示す材料は、空隙領域の変化する密度を有するシリカを含む。空隙領域の変化する密度を有するアルミナは、約４から９の比誘電率を提供できる。シリカ又はアルミナの両方とも、大きな透時率を有しない。しかしながら、これらの又は他の材料を大きく磁性にするために、２０ｗｔ．％までのような磁性粒子が加えられうる。例えば、磁気特性は有機的に機能化されて、調整され得る。磁性材料の添加からの比誘電率への影響は、一般的には、比誘電率の上昇となる。
【００５３】
中程度の比誘電率材料は、一般的には、７０から５００＋／−１０％の範囲の比誘電率を有する。前述のように、これらの材料は、望ましい実効比誘電率値を提供するために、他の材料又は空隙と混合される。これらの材料は、フェライトドープチタン酸カルシウムを含む。ドーピング金属は、マグネシウム、ストロンチウム、及び、ニオブを含む。これらの材料は、４５から６００の範囲の比透磁率を有する。
【００５４】
高比誘電率の応用については、フェライト又はニオブドープのチタン酸ジルコン酸カルシウム又はバリウムが使用されることが可能である。これらの材料は、約２２００から２６５０の比誘電率を有する。これらの材料に対するドーピングの割合は、一般的には、約１から１０％である。他の材料に関して注意したように、これらの材料は、望ましい実効比誘電率値を提供するために、他の材料又は空隙と混合されうる。
【００５５】
これらの材料は、一般的には、種々の分子修正処理を通して修正される。修正処理は、空隙形成に続き、ポリテトラフルオロエチレンＰＴＦＥのような、炭素及びフッ素ベースの有機的機能材料のような材料で充填される。
【００５６】
代わりに又は、有機的に機能化された集積に加えて、処理は、固体自由形式製造（ＳＦＦ）、写真、紫外線、ｘ−線、電子−ビーム又は、イオン−ビーム照射を含む。リゾグラフィも、写真、紫外線、ｘ−線、電子−ビーム又は、イオン−ビーム放射を使用して実行することができる。
【００５７】
メタマテリアルを含む、異なる材料が、基板層（サブスタック）の異なる領域に与えられ、それにより、基板層（サブスタック）の複数の領域が、異なる誘電及び／又は磁気特性を有する。前述のような埋め戻し材料は、局部的に又はバルク基板部分をわたるいずれかで、望ましい誘電及び／又は磁気特性を達成するために、１つ又はそれ以上の追加の処理ステップと共に使用され得る。
【００５８】
最上層の導体プリントが、そして、一般的には、修正された基板層、サブ−スタック又は、完全なスタックへ与えられる。導体トレースは、薄膜技術、厚膜技術、電気メッキ又は、他の好ましい技術を使用して設けられる。導体パターンを画定するのに使用される処理は、限定はされないが、標準リゾグラフィー及びステンシルを含む。
【００５９】
ベースプレートは、そして、一般的には、複数の修正された基板を順序正しくまとめ且つ整列させるために得られる。複数の基板の各々を通るアラインメント穴は、この目的のために使用される。
【００６０】
基板の複数の層、１つ又はそれ以上のサブ−スタック又は、層とサブ−スタックの結合は、全ての方向から材料に圧力を加える平衡の圧力又は、一方向のみから材料に圧力を加える一軸の圧力を使用して、（例えば、機械的にプレスされて）張り合わされる。貼り合わせ基板は、そして、上述のように更に処理され、又は、処理された基板について適する温度に（上述の材料について約８５０Ｃから９００Ｃ）、加熱するためにオーブンへ入れられる。
【００６１】
複数のセラミックテープ層と積層された基板のサブ−スタックは、そして、使用される基板材料について適する率で温度を上昇させるように制御され得る、適する炉を使用して、加熱される。温度の上昇率、最終温度、冷却プロフィール、及び、必要な保持のような、使用される処理条件は、基板材料及びそこに埋め戻される又は積層される材料に注意して選択される。加熱に続いて、積層された基板は、典型的には、光学顕微鏡を使用して欠陥について調査される。
【００６２】
積層されたセラミック基板は、オプションで、回路の機能的な要求に合わせるために、要求されるように小さい帯状の模様がある部分へ切断されることが可能である。最終検査の次に、帯状の模様がある基板の部分は、誘電、磁気及び／又は電気的特性が規定の限度内にあることを保証するために、種々の特性を評価するために、テスト取りつけ具に取り付けられる。
【００６３】
このように、誘電体基板材料は、４分の１波長変成器を含むそれらを含む、回路の密度と性能を改善するために、局部化された調整可能な誘電及び／又は磁気特性が設けられることが可能である。誘電体の柔軟性は、回路要素の独立した最適化を可能とする。
【００６４】
本発明の好ましい実施例を説明したが、本発明はそれに限定されないことは、は明らかである。多くの修正、変更、代用及び、等価物が、請求の範囲に記載された本発明の意図と範囲から離れることなしに、当業者には発生する。
【００６５】
上述のように、本発明により、ＲＦ回路に増加された設計の柔軟性を提供する方法と装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】本発明に従って、方向性結合器のサイズを減少させるために、基板上に形成された４ポート回路の上面図である。
【図２】線Ａ−Ａに沿ってとられた図１の方向性結合器の断面図である。
【図３】本発明に従って、減少された物理的サイズの４ポート回路を製造する処理を示すのに有益なフローチャートである。
【符号の説明】
【００６７】
１０    ４ポート回路
１１    誘電体層
１６、１９    方向性結合器部
２０    第２の領域
２５    領域
３０    第２の伝送線路
３２    第１の伝送線路
５０    グランド面
【図１】
2008017523.tif 000007
【図２】
2008017523.tif 000008
【図３】
2008017523.tif 000009