(57)【要約】【課題】基板上にレジストを塗布し、パターン状に露光しレジストのパターンを形成する方法であって、従来の露光装置や製膜装置を利用して、さらに微細なパターンを形成できるレジストパターン形成方法を提供する。【解決手段】基板１上にポジタイプのレジスト又はネガタイプのレジストを塗布し第一レジスト３とし、次にその上に第一レジストとは逆のタイプのレジストを塗布し第二レジスト４とし、次にパターン形成されたマスク５を介し露光し、次に第二レジスト４を弱現像し、次に第二レジスト４が残余されていない領域の第一レジスト３及び第二レジスト４の残余部をエッチングにより除去し、次に第一レジストを弱現像することにより、マスクのパターンの境界に対応する部位に線状レジストパターン３１を形成することを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にレジストを塗布し、パターン状に露光しレジストのパターンを形成する方法であって、基板上にポジタイプのレジスト又はネガタイプのレジストを塗布し第一レジストとし、次にその上に第一レジストとは逆のタイプのレジストを塗布し第二レジストとし、次にパターン形成されたマスクを介し露光し、次に第二レジストを弱現像し、次に第二レジストが残余されていない領域の第一レジスト及び第二レジストの残余部をエッチングにより除去し、次に第一レジストを弱現像することにより、マスクのパターンの境界に対応する部位に線状レジストパターンを形成することを特徴とするレジストパターン形成方法。
【請求項２】
基板上にレジストを塗布し、パターン状に露光しレジストのパターンを形成する方法であって、基板上にポジタイプのレジスト又はネガタイプのレジストを塗布し第一レジストとし、次にその上に第一レジストとは逆のタイプのレジストを塗布し第二レジストとし、次にパターン形成されたマスクを介し露光し、次に第二レジストを強現像し、次に第一レジストを強現像することにより、マスクのパターンの境界に対応する部位では線状にレジストの除去された、レジストパターンを形成することを特徴とするレジストパターン形成方法。
【請求項３】
表面に加工対象層を形成した基板を用意し、加工対象層上に請求項１または２に記載のレジストパターン形成方法でレジストパターンを形成し、加工対象層を加工することを特徴とする電子素子の製造方法。
【請求項４】
ウェハーの表面に加工対象層を形成した基板を用意し、加工対象層上に請求項１または２に記載のレジストパターン形成方法でレジストパターンを形成し、加工対象層を加工することを特徴とする半導体集積回路の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フォトリソグラフィーによるレジストパターン形成方法及びそれを用いた電子素子の製造方法並びに半導体集積回路の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、主にエレクトロニクス製品などの小型化や特性の向上の要請から、半導体集積回路を始めとし、各種の電子素子の製造に微細加工技術が多用され、また微細化技術が研究開発されている。その他の電子素子としては、有機エレクトロルミネッセンス素子や、磁気センサ素子、表面弾性波素子、などがある。この微細化加工技術として、特にリソグラフィーが主要な技術として現在も研究開発されている。
【０００３】
主要な素子として半導体集積回路を例示すれば、リソグラフィーに利用されるマスクパターンの微細化、露光光の短波長化が進められている。例えば主に回折現象による影響を軽減して微細化を進めるマスクとして、位相シフトマスク（特許文献１、２）、近接効果補正マスク（ＯＰＣOPC(optical proximity correction)）等が開発され、また短波長としてはＫｒＦエキシマレーザ（波長２４８ｎｍ）からＡｒＦエキシマレーザ（波長１９３ｎｍ）、さらにその次にはＦ２エキシマレーザ（波長１５７ｎｍ）の使用が提案され、開発が行われている。このような短波長のためのマスクとしては、近年、反射光を利用した極端紫外線露光用マスクが開発されている。さらに特に線幅６５ｎｍ以下のパターン形成においては、レンズと露光対象ウェハ間を空気よりも屈折率の高い媒体で満たし、実効的な解像度を向上させる液浸リソグラフィー法が注目されている。この方法によれば、従来のＡｒＦエキシマレーザーで形成が困難であった６５ｎｍ以下のパターンを形成することが可能であると期待されている。
【０００４】
半導体集積回路の製造では、基板となるウェハー表面に加工対象層を形成し、レジストを塗布し、このようなマスクを利用しパターン露光し、レジストパターンを形成する。そして加工対象層を加工する。加工対象層としては、たとえば絶縁膜層（ＳｉＯ2が一般的）が例示できる。基板上に絶縁膜を形成し、絶縁膜層上にレジストを塗布し、マスクパターンを露光、現像してレジストパターンを形成し、レジストの残余されていない開口部から、エッチングで絶縁層膜を除去する。さらに、例えば加工対象層として半導体層を基板の上に形成し、つぎにレジストパターンを形成し、不純物を拡散して、不純物半導体領域を形成する。あるいは加工対象層として、基板上に導電膜層を形成し、マスクパターンを露光しレジストパターンを形成後エッチングして配線層とする。このように、種々のレジストパターンを形成し、エッチングや熱酸化処理、不純物導入、薄膜形成等の加工を繰り返し、集積回路を製造する。これは、集積回路以外の他の電子素子にも利用され、製造されている。
【０００５】
このようにリソグラフィー技術の微細化向上のため、特に露光光の短波長化、そのためのマスクの材料や露光方法について開発が進められているが、いずれも高価で大掛かりな露光装置や製膜装置を必要としている。
【０００６】
公知文献を以下に示す。
【特許文献１】特開昭５８−１７３７４４号公報
【特許文献２】特公昭６２−０５０８１１号公報
【特許文献３】特開平０６−０９７０３９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本願発明は、このような問題点を解決するもので、従来の露光装置や製膜装置を利用して、さらに微細なパターンを形成できるレジストパターン形成方法及びそれを利用した電子素子の製造方法並びに半導体集積回路の製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は係る課題に鑑みなされたもので、請求項１の発明は、基板上にレジストを塗布し、パターン状に露光しレジストのパターンを形成する方法であって、基板上にポジタイプのレジスト又はネガタイプのレジストを塗布し第一レジストとし、次にその上に第一レジストとは逆のタイプのレジストを塗布し第二レジストとし、次にパターン形成されたマスクを介し露光し、次に第二レジストを弱現像し、次に第二レジストが残余されていない領域の第一レジスト及び第二レジストの残余部をエッチングにより除去し、次に第一レジストを弱現像することにより、マスクのパターンの境界に対応する部位に線状レジストパターンを形成することを特徴とするレジストパターン形成方法としたものである。
【０００９】
本発明の請求項２の発明は、基板上にレジストを塗布し、パターン状に露光しレジストのパターンを形成する方法であって、基板上にポジタイプのレジスト又はネガタイプのレジストを塗布し第一レジストとし、次にその上に第一レジストとは逆のタイプのレジストを塗布し第二レジストとし、次にパターン形成されたマスクを介し露光し、次に第二レジストを強現像し、次に第一レジストを強現像することにより、マスクのパターンの境界に対応する部位では線状にレジストの除去された、レジストパターンを形成することを特徴とするレジストパターン形成方法としたものである。
【００１０】
本発明の請求項３の発明は、表面に加工対象層を形成した基板を用意し、加工対象層上に請求項１または２に記載のレジストパターン形成方法でレジストパターンを形成し、加工対象層を加工することを特徴とする電子素子の製造方法としたものである。
【００１１】
本発明の請求項４の発明は、ウェハーの表面に加工対象層を形成した基板を用意し、加工対象層上に請求項１または２に記載のレジストパターン形成方法でレジストパターンを形成し、加工対象層を加工することを特徴とする半導体集積回路の製造方法としたものである。
【００１２】
なお、レジストを弱現像した場合、弱く露光した領域のレジストは残余され、強現像を実施した場合、弱く露光した領域のレジストは除去される。
【００１３】
未露光部、弱露光部、強露光部を有するネガレジストに「弱現像」を行った場合、未露光部だけが除去される。未露光部、弱露光部、強露光部を有するポジレジストに「弱現像」を行った場合、強露光部だけが除去される。「強現像」は強めに現像を行うもので、未露光部、弱露光部、強露光部を有するネガレジストに「強現像」を行った場合、未露光部、弱露光部が除去される。未露光部、弱露光部、強露光部を有するポジレジストに「強現像」を行った場合、弱露光部、強露光部が除去される。
【発明の効果】
【００１４】
本発明のレジストパターン形成方法では、基板上にポジタイプのレジスト又はネガタイプのレジストを塗布し第一レジストとし、次にその上に逆のタイプのレジストを塗布し第二レジストとし、次にパターン形成されたマスクを介し露光してレジストパターンを形成
する。このとき、マスクのパターンの境界に対応する部位に、回折現象により、光が弱く露光する領域ができ、現像やエッチングすることにより、線状レジストパターンを形成できるので、従来の露光装置や製膜装置を利用して、さらに微細なレジストパターンを形成でき、微細な電子素子を製造できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下本発明を実施するための最良の形態につき、図面を用いて説明する。図１は、本発明のパターン形成方法の一実施の形態例を断面で示した説明図である。図２は、一実施例に使用するパターン形成されたマスクの例を平面で示した説明図である。
【００１６】
本実施例は、基板上にレジストを塗布し、パターン状に露光しレジストのパターンを形成する方法である。まず図１（ａ）で示すように、表面に加工対象層２を形成した基板１を用意し、基板１の加工対象層２上にネガタイプのレジストを塗布し第一レジスト３とし、次にその上にポジタイプのレジストを塗布し第二レジスト４とする。次に図２に示すようなパターン５１の形成されたマスク５を介し、基板上に露光する（図１（ｂ））。なお、図１（ｂ）に示したマスク５は、図２で示したマスク５のＡ−Ａ’部分に相当し、その断面で示している。このときレジストには、マスクパターン５１の境界に対応する部位では回折現象により、露光光が弱い弱露光領域（第二レジスト４１、第一レジスト３１）が形成される。次に、第二レジストを弱現像し、強光の当った部分を除去する（図１（ｃ））。弱露光領域４１には、レジストが残余される。次に第二レジストが残余されていない領域の第一レジスト３及び第二レジストの残余部（弱露光領域４１及び非露光領域４２）をエッチングにより除去する（図１（ｄ））。次に第一レジストを弱現像することにより非露光領域３２を除去する（図１（ｅ））。この結果、マスク５のパターン５１の境界に対応する部位に、第一レジストの弱露光領域３１が残余し、線状レジストパターンが形成される。ここで基板に対し、所望の加工をすることによって、レジストパターンに覆われていない加工対象層２の領域２１を加工できる（図１（ｆ））。次にレジストを除去することによって所望の加工された基板が得られる（図１（ｇ））。
【００１７】
つぎに、第二の実施の形態例を説明する。図３は、本発明のパターン形成方法の第二の実施の形態例を断面で示した説明図である。本実施例は、基板上にポジレジストを塗布後、その上にネガレジストを塗布し、パターン状に露光しレジストのパターンを形成する方法である。まず図３（ａ）で示すように、表面に加工対象層２０を形成した基板１０を用意し、基板１０の加工対象層２０上にネガタイプのレジストを塗布し第一レジスト３０とし、次にその上にポジタイプのレジストを塗布し第二レジスト４０とする。次に図２に示すようなパターン５１の形成されたマスク５を介し、基板上に露光する（図３（ｂ））。このときレジストには、マスクパターン５１の境界に対応する部位では回折現象により、露光光が弱い弱露光領域（第二レジスト４１０、第一レジスト３１０）が形成される。次に、第二レジストを弱現像し、光の当らない部分を除去する（図３（ｃ））。弱露光領域４１０には、レジストが残余される。次に第二レジストが残余されていない領域の第一レジスト３０及び第二レジストの残余部（弱露光領域４１０及び露光領域４２０）をエッチングにより除去する（図３（ｄ））。次に第一レジストを弱現像することにより露光領域３２０を除去する（図３（ｅ））。この結果、マスク５のパターン５１の境界に対応する部位に、第一レジストの弱露光領域３１０が残余し、線状レジストパターンが形成される。ここで基板に対し、所望の加工をすることによって、レジストパターンに覆われていない加工対象層２０の領域２１０を加工できる（図３（ｆ））。次にレジストを除去することによって所望の加工された基板が得られる（図３（ｇ））。
【００１８】
以上の例では、弱露光領域のレジストが線状に残余される。以下逆に、弱露光領域のレジストが線状に除去された、パターンを形成する例を示す。
【００１９】
第３の実施例では、まず図４（ａ）で示すように、表面に加工対象層２５を形成した基板１５を用意し、基板１５の加工対象層２５上にネガタイプのレジストを塗布し第一レジスト３５とし、次にその上にポジタイプのレジストを塗布し第二レジスト４５とする。次に図２に示すようなパターン５１の形成されたマスク５を介し、基板上に露光する（図４（ｂ））。このときレジストには、マスクパターン５１の境界に対応する部位では回折現象により、露光光が弱い弱露光領域（第二レジスト４５１、第一レジスト３５１）が形成される。次に、第二レジストを強現像し、光の当った部分を除去する（図４（ｃ））。弱露光領域４５１も、レジストが除去される。次に第一レジストを強現像することにより弱露光領域３５１を除去する（図４（ｄ））。この結果、マスク５のパターン５１の境界に対応する部位では、第一レジストの弱露光領域のレジストが線状に除去され、レジストパターンが形成される。ここで基板に対し、所望の加工をすることによって、レジストパターンに覆われていない加工対象層２５の領域２５１を加工できる（図４（ｅ））。次にレジストを除去することによって所望の加工された基板が得られる（図４（ｆ））。
【００２０】
次に第４の実施例では、まず図５（ａ）で示すように、表面に加工対象層２６を形成した基板１６を用意し、基板１６の加工対象層２６上にポジタイプのレジストを塗布し第一レジスト３６とし、次にその上にネガタイプのレジストを塗布し第二レジスト４６とする。次に図２に示すようなパターン５１の形成されたマスク５を介し、基板上に露光する（図５（ｂ））。このときレジストには、マスクパターン５１の境界に対応する部位では回折現象により、露光光が弱い弱露光領域（第二レジスト４６１、第一レジスト３６１）が形成される。次に、第二レジストを強現像し、光の当たらなかった部分を除去する（図５（ｃ））。弱露光領域４６１も、レジストが除去される。次に第一レジストを強現像することにより弱露光領域３６１を除去する（図５（ｄ））。この結果、マスク５のパターン５１の境界に対応する部位では、第一レジストの弱露光領域のレジストが線状に除去され、レジストパターンが形成される。ここで基板に対し、所望の加工をすることによって、レジストパターンに覆われていない加工対象層２６の領域２６１を加工できる（図５（ｅ））。次にレジストを除去することによって所望の加工された基板が得られる（図５（ｆ））。
【００２１】
以上のようにして、所望の加工された基板が得られるが、この基板をウェハとしてこのようなレジストパターンを形成し、所望の加工としてエッチングや熱酸化処理、不純物導入、薄膜形成等の加工を繰り返し、集積回路を製造できる。このようなプロセスは、集積回路以外の他の電子素子にも利用でき、製造できる。
【００２２】
また、本願発明のレジストパターンの形成方法では、マスクパターンの境界部に対応する部位に、線状のパターンが形成される。図６は、本願に係るマスクパターン５１の例と、これを利用して本願発明方法により形成したレジストパターン５２の例を平面で示した部分説明図である。図６（ａ）の幅Ａ、パターン間距離Ｂのマスクパターン５１が形成されたマスク５に対し、図６（ｂ）のようにパターンの境界部に対応した部位にレジストパターン５２が形成される。したがって、マスク５が線のパターン５１であれば、レジストとしては線分パターン５２がリング状に形成できる。これに対し図７は、レジストパターンがリング状とならない線状パターンに形成した例を平面で示した説明図である。図７（ａ）のマスク５０のパターン５５は、パターン幅Ａ1が図６（ｂ）のレジストパターン５２幅とほぼ同等としている。このようなパターン５５の形成されたマスク５０でレジストパターン５４を形成すれば、図７（ｂ）に示したように、輪郭線状のパターンが接することにより、リング状にならない線状のレジストパターン５４が形成される。また、図７（ａ）のマスクパターンの長さを調整することにより、種々の長方形状のレジストパターンを形成することができる。さらにパターン間距離Ｂ1を小さくすることにより、接するパターンを増加し、面積の大きなパターンも形成できる。
【００２３】
なお、以上の説明では、マスクのパターンがそのままレジスト上に露光されることを前提としているが、通常の露光機では、マスクパターンはレジスト上に４、５倍に縮小して露光される。したがってこの場合、マスクパターンは、上記の例より４、５倍の大きさに形成すればよい。
【００２４】
また、以上の例では、弱露光領域のレジストが線状に残余される場合で説明したが、弱露光領域のレジストが、線状に除去されたパターンを形成する場合でも同様である。
【００２５】
本願発明のレジストパターン形成方法及びそれを用いた電子素子の製造方法では、回折現象を利用し露光することにより、微細なレジストパターンを形成し、またそのパターンに対応した微細なパターン状に加工し、電子素子を製造する。したがって、位相シフトマスクやＯＰＣマスクを利用し、また極端紫外線や液浸の露光の光学系とを本願発明の方法と組み合わせることにより、さらに微細な加工ができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明のパターン形成方法の一実施の形態例を断面で示した説明図である。
【図２】本発明の一実施例に使用するパターン形成されたマスクの例を平面で示した説明図である。
【図３】本発明のパターン形成方法の第二の実施の形態例を断面で示した説明図である。
【図４】本発明のパターン形成方法の第三の実施の形態例を断面で示した説明図である。
【図５】本発明のパターン形成方法の第四の実施の形態例を断面で示した説明図である。
【図６】本願に係るマスクパターン５１の例と、これを利用して本願発明方法により形成したレジストパターン５２の例を平面で示した部分説明図である。
【図７】レジストパターンがリング状とならない線状パターンに形成した例を平面で示した説明図である。
【符号の説明】
【００２７】
１・・・・基板
２・・・・加工対象層
２１・・・加工対象領域
３・・・・第一レジスト
３１・・・弱露光領域
３２・・・非露光領域
４・・・・第二レジスト
４１・・・弱露光領域
４２・・・非露光領域
５・・・・マスク
５０・・・マスク
５１・・・マスクパターン
５２・・・レジストパターン
５４・・・レジストパターン
５５・・・マスクパターン
１０・・・基板
２０・・・加工対象層
２１０・・加工対象領域
３０・・・第一レジスト
３１０・・弱露光領域
３２０・・露光領域
４０・・・第二レジスト
４１０・・弱露光領域
４２０・・露光領域
１５・・・基板
２５・・・加工対象層
２５１・・加工対象領域
３５・・・第一レジスト
３５１・・弱露光領域
３５２・・非露光領域
４５・・・第二レジスト
４５１・・弱露光領域
４５２・・非露光領域
１６・・・基板
２６・・・加工対象層
２６１・・加工対象領域
３６・・・第一レジスト
３６１・・弱露光領域
３６２・・露光領域
４６・・・第二レジスト
４６１・・弱露光領域
４６２・・露光領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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