(57)【要約】【課題】吸湿や加熱による配線パターンの寸法変化を抑制し、ＩＣなどの半導体装置の実装時の不具合を低減できる半導体装置用テープキャリアを提供する。【解決手段】絶縁性フィルム（３）上に外部接続端子部（６ａ，６ｂ）を有する配線パターン（６）が形成された半導体装置用テープキャリア（１）において、前記配線パターン（６）が形成された前記絶縁性フィルム（３）面上にあって、前記配線パターン（６）の外周部に、前記配線パターン（６）と同一金属からなる変形防止用パターン（８Ａ）が形成されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性フィルム上に外部接続端子部を有する配線パターンが形成された半導体装置用テープキャリアにおいて、
前記配線パターンが形成された前記絶縁性フィルム面上にあって、前記配線パターンの外周部に、前記配線パターンと同一金属からなる変形防止用パターンが形成されていることを特徴とする半導体装置用テープキャリア。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置用テープキャリアにおいて、前記変形防止用パターンは、前記配線パターンの外周部を完全に囲む形状であることを特徴とする半導体装置用テープキャリア。
【請求項３】
請求項１に記載の半導体装置用テープキャリアにおいて、前記変形防止用パターンは、前記配線パターンの外周部の一部を囲む形状、又は少なくとも前記配線パターンのリードのピッチ方向に沿う部分を有する形状であることを特徴とする半導体装置用テープキャリア。
【請求項４】
請求項１に記載の半導体装置用テープキャリアにおいて、前記変形防止用パターンは、前記配線パターンの外周部に複数独立して形成されたパターンからなることを特徴とする半導体装置用テープキャリア。
【請求項５】
請求項１乃至４に記載の半導体装置用テープキャリアにおいて、前記変形防止用パターンは、前記変形防止用パターンの一部と前記配線パターンの一部とが接続されていることを特徴とする半導体装置用テープキャリア。
【請求項６】
請求項１乃至４に記載の半導体装置用テープキャリアにおいて、前記変形防止用パターンと前記配線パターンとは、完全に独立して形成されていることを特徴とする半導体装置用テープキャリア。
【請求項７】
絶縁性フィルム上に複数のインナーリード、アウターリードを含む配線パターンが形成されると共に、前記絶縁性フィルムの長手方向に沿ってその両側に搬送孔が形成された半導体装置用テープキャリアにおいて、
前記搬送孔を含む前記絶縁性フィルムの両側部に前記配線パターンと同一金属により形成された搬送孔補強帯部と、
前記複数のインナーリード、アウターリードを除く部分に、前記複数のインナーリードを取り囲む閉じた形状に形成されたソルダーレジストと、
前記配線パターンが形成された前記絶縁性フィルム面上に、前記ソルダーレジスト外側に前記複数のアウターリードの外周部を囲むように形成された、前記配線パターンと同一金属からなる変形防止用パターンと、
を備えたことを特徴とする半導体装置用テープキャリア。
【請求項８】
請求項７に記載の半導体装置用テープキャリアにおいて、前記変形防止用パターンは、前記配線パターンの外周部を完全に囲む形状、前記配線パターンの外周部の一部を囲む形状、又は少なくとも前記複数のアウターリードのピッチ方向に沿う部分を有する形状であることを特徴とする半導体装置用テープキャリア。
【請求項９】
請求項７又は８に記載の半導体装置用テープキャリアにおいて、前記変形防止用パターンが、前記複数のアウターリードの少なくとも一部と接続されていることを特徴とする半導体装置用テープキャリア。
【請求項１０】
絶縁性フィルムと金属箔を貼り合わせた基材に、金型による打ち抜き加工により搬送孔を形成する工程と、前記金属箔上にレジストを塗布する工程と、前記レジストを露光、現像して配線パターンを形成する工程とを有し、前記配線パターンを形成する工程において、前記配線パターンの形成と同時に、前記配線パターンの外周部に変形防止用パターンを形成することを特徴とする半導体装置用テープキャリアの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置を実装するために用いられる半導体装置用テープキャリア及びその製造方法、特にＣＯＦ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｆｉｌｍ）に使用するＴＡＢ（Ｔａｐｅ  Ａｕｔｏｍａｔｅｄ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）用テープなどに好適な半導体装置用テープキャリア及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
図５（ａ）に従来のＴＡＢテープの上面図、図５（ｂ）に同図（ａ）のＡ−Ａ断面図を示す。ＴＡＢテープ１は、絶縁性フィルム３と金属箔４から成る基材２に、金型による打ち抜き加工によりフィルム搬送用のスプロケットホール５を形成した後、金属箔４上にフォトレジスト（図示せず）を塗布し、形成しようとする配線パターン６及びスプロケットホール５を含むＴＡＢテープ１両側部以外の部分を露光し、フォトレジストの露光部を現像して除去し、フォトレジストが除去された部分の金属箔４をエッチングして配線パターン６を形成する。そして、残ったフォトレジスト（図示せず）を除去した後、配線パターン６にめっき（図示せず）を施し、インナーリード６ａ、アウターリード６ｂ等の端子部を除いて保護層としてのソルダーレジスト７を印刷することにより作製される。
【０００３】
ＴＡＢテープに用いられる基材には、ポリイミドフィルム等の絶縁性フィルムを使用している。絶縁性フィルムは、吸湿によって膨張・収縮を起こしやすく、湿度変化により伸縮する。このため、湿度が高い場合、あるいは温度が上昇した場合には、絶縁性フィルムが設計値よりも伸びてしまう。勿論、逆の場合には絶縁性フィルムは縮む。この吸湿・加熱による絶縁性フィルムの膨張・収縮により、配線のピッチが変化してしまい寸法精度を安定させることが困難となる。加えて、加熱により軟化した絶縁性フィルムに皺が発生して配線パターンがずれる虞があり、この場合には、ＩＣと配線パターンの端子部分との接合不良を引き起こす要因となってしまう。
【０００４】
そこで、従来、吸湿や加熱による寸法安定性を向上させるために、配線パターン形成側の絶縁基材の表面に、インナーリードの内側ないし近傍に配線パターンとは独立したダミーパターンを設けるという提案がある（特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００３−６８８０４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
近年、ＴＡＢテープにおいて高密度実装のために配線のファインピッチ化が進んでおり、より厳密な配線の管理が要求されている。しかしながら、パターニング時のエッチング処理により、絶縁性フィルムのみの一層となった部分では、絶縁性フィルム自体の伸縮や膨張が起こり易く、配線ピッチの安定性が確保されず、配線の位置ズレの影響が無視できない。例えば、アウターリードボンディング時の接合不良を防ぐために配線を設計値どおりに形成する必要があるが、上記特許文献１の技術では、配線パターンの寸法変化を十分に抑制できず、早急な解決が求められている。
【０００６】
本発明は、上記課題を解決し、吸湿や加熱による配線パターンの寸法変化を抑制し、ＩＣなどの半導体装置の実装時の不具合を低減できる半導体装置用テープキャリアを提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明は次のように構成されている。
本発明の第１の態様は、絶縁性フィルム上に外部接続端子部を有する配線パターンが形成された半導体装置用テープキャリアにおいて、前記配線パターンが形成された前記絶縁性フィルム面上にあって、前記配線パターンの外周部に、前記配線パターンと同一金属からなる変形防止用パターンが形成されていることを特徴とする。
【０００８】
本発明の第２の態様は、第１の態様の半導体装置用テープキャリアにおいて、前記変形防止用パターンは、前記配線パターンの外周部を完全に囲む形状であることを特徴とする。
【０００９】
本発明の第３の態様は、第１の態様の半導体装置用テープキャリアにおいて、前記変形防止用パターンは、前記配線パターンの外周部の一部を囲む形状、又は少なくとも前記配線パターンのリードのピッチ方向に沿う部分を有する形状であることを特徴とする。
【００１０】
本発明の第４の態様は、第１の態様の半導体装置用テープキャリアおいて、前記変形防止用パターンは、前記配線パターンの外周部に複数独立して形成されたパターンからなることを特徴とする。
【００１１】
本発明の第５の態様は、第１〜第４の態様のいずれかの半導体装置用テープキャリアにおいて、前記変形防止用パターンは、前記変形防止用パターンの一部と前記配線パターンの一部とが接続されていることを特徴とする。
【００１２】
本発明の第６の態様は、第１〜第４の態様のいずれかの半導体装置用テープキャリアにおいて、前記変形防止用パターンと前記配線パターンとは、完全に独立して形成されていることを特徴とする。
【００１３】
本発明の第７の態様は、絶縁性フィルム上に複数のインナーリード、アウターリードを含む配線パターンが形成されると共に、前記絶縁性フィルムの長手方向に沿ってその両側に搬送孔が形成された半導体装置用テープキャリアにおいて、前記搬送孔を含む前記絶縁性フィルムの両側部に前記配線パターンと同一金属により形成された搬送孔補強帯部と、前記複数のインナーリード、アウターリードを除く部分に、前記複数のインナーリードを取り囲む閉じた形状に形成されたソルダーレジストと、前記配線パターンが形成された前記絶縁性フィルム面上に、前記ソルダーレジスト外側に前記複数のアウターリードの外周部を囲むように形成された、前記配線パターンと同一金属からなる変形防止用パターンと、を備えたことを特徴とする。
【００１４】
本発明の第８の態様は、第７の態様の半導体装置用テープキャリアにおいて、前記変形防止用パターンは、前記配線パターンの外周部を完全に囲む形状、前記配線パターンの外周部の一部を囲む形状、又は少なくとも前記複数のアウターリードのピッチ方向に沿う部分を有する形状であることを特徴とする。
【００１５】
本発明の第９の態様は、第７又は第８の態様の半導体装置用テープキャリアにおいて、前記変形防止用パターンが、前記複数のアウターリードの少なくとも一部と接続されていることを特徴とする。
【００１６】
本発明の第１０の態様は、絶縁性フィルムと金属箔を貼り合わせた基材に、金型による打ち抜き加工により搬送孔を形成する工程と、前記金属箔上にレジストを塗布する工程と、前記レジストを露光、現像して配線パターンを形成する工程とを有し、前記配線パターンを形成する工程において、前記配線パターンの形成と同時に、前記配線パターンの外周部に変形防止用パターンを形成することを特徴とする半導体装置用テープキャリアの製造方法である。
【発明の効果】
【００１７】
本発明では、吸湿や加熱による配線パターンの寸法の変化を抑え、半導体装置実装時の接合不良などの不具合を低減できる。
また、本発明の半導体装置用テープキャリアの製造方法によれば、従来技術に特別な製造工程の追加をする必要もなく、寸法の安定した半導体装置用テープキャリアを製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明に係る半導体装置用テープキャリア及びその製造方法の実施形態を図面を用いて説明する。
【００１９】
（第１の実施形態）
図１は、本発明に係る半導体装置用テープキャリアの第１の実施形態を示す。図１（ａ）は上面図、同図（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面図であり、第１の実施形態の半導体装置用テープキャリアはＣＯＦ用ＴＡＢテープに適したものである。
【００２０】
図１に示すように、半導体装置用テープキャリア１は、絶縁性フィルム３と金属箔４から成る基材２に対し、パターニング処理によって、絶縁性フィルム３上に外部接続端子部としてのインナーリード６ａ、アウターリード６ｂを有する配線パターン６が形成されている。絶縁性フィルム３には、例えば、厚さ１０〜１００μｍのポリイミドフィルムが用いられ、金属箔４には、厚さ４〜３０μｍの銅箔などが用いられる。
【００２１】
配線パターン６のインナーリード６ａ、アウターリード６ｂを除く部分には、複数のインナーリード６ａを取り囲む閉じた矩形の枠状に、保護層としてのソルダーレジスト７が設けられている。ソルダーレジスト７は、厚さ５〜５０μｍに形成されている。なお、ソルダーレジスト７内のインナーリード６ａ上には、バンプを有する半導体のベアチップ等がフリップチップ実装される。
【００２２】
配線パターン６が形成された絶縁性フィルム３面上には、ソルダーレジスト７外側に且つ複数のアウターリード６ｂの外周部を囲んで、配線パターン６と同一金属からなる変形防止用パターン８Ａが形成されている。変形防止用パターン８Ａは、配線パターン６の外周部を完全に囲む形状のパターンであり、複数のアウターリード６ｂの外周部を囲む矩形の枠状に形成されている。
【００２３】
また、絶縁性フィルム３の長手方向に沿ってその両側にスプロケットホール（搬送孔）５が形成されている。（なお、図１は、長尺な半導体装置用テープキャリア１の一部を示すもので、ベアチップ等の１つの半導体装置が実装される領域のみを示している。）また、絶縁性フィルム３の両側部には、絶縁性フィルム３の長手方向に沿って所定間隔で形成された各スプロケットホール５周囲を取り囲んで補強するために、配線パターン６と同一金属によりスプロケットホール補強帯部（搬送孔補強帯部）９が、帯状に形成されている。
【００２４】
上記半導体装置用テープキャリア１の製造方法の一例を次に述べる。
まず、絶縁性フィルム３に金属箔４を貼り合わせた基材２を用意し、基材２の両側に、金型による打ち抜き加工によりフィルム搬送用のスプロケットホール５を形成する。次に、金属箔４をパターニングして配線パターン６、変形防止用パターン８Ａ及びスプロケットホール補強帯部９を形成するために、まず、金属箔４上にフォトレジストを塗布した後、形成しようとする配線パターン６、変形防止用パターン８Ａ及びスプロケットホール補強帯部９の部分を残し、それら以外の部分のフォトレジストを露光する。更に、露光部の
フォトレジストを現像により除去し、フォトレジストが除去された部分の金属箔４をエッチングして、配線パターン６、変形防止用パターン８Ａ及びスプロケットホール補強帯部９を形成する。次いで、残ったフォトレジストを除去した後、配線パターン６及び変形防止用パターン８Ａにめっきを施し、インナーリード６ａ、アウターリード６ｂを除いてソルダーレジスト７を印刷して作製する。
【００２５】
この第１の実施形態の半導体装置用テープキャリア１は、絶縁性フィルム３上の配線パターン６の形成領域を、内側のソルダーレジスト７と外側の変形防止用パターン８Ａとからなる二重枠体構造によって堅固に保持しているので、軟らかい絶縁性フィルム３の吸湿・加熱による伸び縮みをしっかりと抑えることができる。従って、配線パターン６の寸法変化などの変形を抑制でき、インナーリード６ａ、アウターリード６ｂに対する接合不良などを防止できる。
【００２６】
（第２の実施形態）
図２に、半導体装置用テープキャリアの第２の実施形態の上面図を示す。
第２の実施形態の半導体装置用テープキャリア１は、上記第１の実施形態とは変形防止用パターンが相違し、その他の構造は上記第１の実施形態と同様である。この第２の実施形態の変形防止用パターン８Ｂは、図２に示すように、配線パターンの外周部の一部を囲む形状のパターンであり、アウターリード６ｂの外周部を取り囲むように設けられている。
第２の実施形態の変形防止用パターン８Ｂは、アウターリード６ｂの外周部を連続して囲む矩形枠状に形成された第１の実施形態の変形防止用パターン８Ａにおいて、アウターリード６ｂの配線方向（テープキャリア１の長手方向）に沿う２辺の一部がそれぞれ開放された形状となっている。しかし、アウターリード６ｂの外周近傍にアウターリード６ｂのピッチ方向（テープキャリア１の幅方向）に沿う部分（辺）を有し、ソルダーレジスト７と変形防止用パターン８Ｂとによってアウターリード６ｂを取り囲んだ形となっているので、少なくともアウターリード６ｂのピッチ方向の寸法変化を十分に抑えることができる。
【００２７】
（第３の実施形態）
図３に、半導体装置用テープキャリアの第３の実施形態の上面図を示す。
この第３の実施形態の変形防止用パターン８Ｃは、図３に示すように、アウターリード６ｂの外周の一部にアウターリード６のピッチ方向に沿う部分を有する形状であり、変形防止用パターン８Ｃが複数のアウターリード６ａの一部と接続されている。図示例では、変形防止用パターン８Ｃが、適宜間隔で配置された複数のアウターリード６ａのうち、両端のアウターリード６ａ、６ａ（両端のアウターリード６ａ、６ａは、それらの間にあるアウターリード６ａよりも少し長く外側に張り出して形成されている）間を連結するように設けられている。なお、変形防止用パターン８Ｃに接続されたアウターリード６ａは、ダミーリード若しくは全て同一信号が流されるリードであって、変形防止用パターン８Ｃとアウターリード６ａとの接続は、接続状態のまま残される。
この第３の実施形態の変形防止用パターン８Ｃは、アウターリード６のピッチ方向の直線状の形状であり、アウターリード６ｂのピッチ方向の寸法変化を抑えることができる。また、変形防止用パターン８Ｃとアウターリード６ｂの一部とが直接接続されているため、より強固な変形防止効果を得ることができる。
【００２８】
（第４の実施形態）
図４に、半導体装置用テープキャリアの第４の実施形態の上面図を示す。
この第４の実施形態の変形防止用パターン８Ｄは、図４に示すように、上記第１の実施形態の変形防止用パターン８Ａと同様に複数のアウターリード６ｂの外周部を完全に囲む矩形枠状に形成され、且つ変形防止用パターン８Ｄのアウターリード６ｂのピッチ方向に
沿う部分において、上記第３の実施形態の変形防止用パターン８Ｃと同様に複数のアウターリード６ｂの一部と接続されている。
このように、変形防止用パターン８Ｄがアウターリード６ｂの外周部を完全に取り囲み、且つ変形防止用パターン８Ｄとアウターリード６ｂの一部と接続されているので、上記実施形態よりも強固に配線パターン６の変形を抑制できる。
【実施例】
【００２９】
次に、本発明の実施例を説明する。
（実施例１）
実施例１は、図１に示す上記第１の実施形態と同一の構造を有する半導体装置用テープキャリアであり、図１を用いて実施例１を説明する。
この実施例１の半導体装置用テープキャリア１も、上記第１の実施形態で述べた製造方法により作製した。絶縁性フィルム３には、３８μｍのポリイミド（ＰＩ：東レ・デュポン社製のカプトンＥＮ（商品名））のフィルムを、金属箔４には、８μｍの銅箔を、また、ソルダーレジスト７としては、日立化成工業（株）製のＳＮ９０００（商品名）を用い、印刷により厚さ２５μｍに形成した。
【００３０】
この実施例１で作製された半導体装置用テープキャリアの湿度変化に対する寸法の変化率を計算したところ、下記の表１の通りとなった。なお、表１において、「ＰＩのみ」はポリイミドフィルムのみの一層のテープ、「Ｃｕ／ＰＩ（１：１）」はポリイミドフィルム表面の半分に銅箔が貼り付けられているテープ、「Ｃｕのみ」はポリイミドフィルム表面の全面に銅箔が貼り付けられているテープである。
また、カプトンＥＮの湿度変化に対する寸法変化率（ｐｐｍ）は、温度２５℃、湿度３〜９０％ＲＨにおいて１５ｐｐｍ／％ＲＨであり、銅（Ｃｕ）の湿度変化に対する寸法変化率（ｐｐｍ）は０ｐｐｍとした。寸法の変化は、相対湿度４５％ＲＨでの寸法を基準としてを求めた。
【表１】
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表１の結果から、銅箔からなる変形防止用パターン８Ａをポリイミドフィルムの絶縁性フィルム３フィルム上に形成することにより、配線パターン６のパターン寸法精度が安定し、実装時の信頼性が高い半導体装置用テープキャリア１を作製できることが分かる。
【００３１】
（実施例２〜４）
実施例２、実施例３、実施例４として、それぞれ、第２の実施形態（図２）、第３の実施形態（図３）、第４の実施形態（図４）と同一の構造を有する半導体装置用テープキャリアを作製した。実施例２〜４の半導体装置用テープキャリア１も、実施例１で述べたポリイミドフィルム、銅箔、ソルダーレジストを用い、実施例１と同様に製造した。
実施例２の変形防止用パターン８Ｂ、実施例３の変形防止用パターン８Ｃ、実施例４の変形防止用パターン８Ｄのいずれによっても、実施例１と同様に変形防止効果が得られた。特に、実施例３および実施例４では、変形防止用パターン８Ｃ、８Ｄと配線パターン６とが直接接続されている分、より強固な変形防止効果を得ることができた。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】本発明の第１の実施形態及び実施例１にかかる半導体装置用テープキャリアを示し、（ａ）は上面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面図である。
【図２】本発明の第２の実施形態及び実施例２にかかる半導体装置用テープキャリアを示す上面図である。
【図３】本発明の第３の実施形態及び実施例３にかかる半導体装置用テープキャリアを示す上面図である。
【図４】本発明の第４の実施形態及び実施例４にかかる半導体装置用テープキャリアを示す上面図である。
【図５】従来の半導体装置用テープキャリアを示し、（ａ）は上面図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。
【符号の説明】
【００３３】
１  半導体装置用テープキャリア
２  基材
３  絶縁性フィルム
４  金属箔
５  スプロケットホール
６  配線パターン
６ａ  インナーリード
６ｂ  アウターリード
７  ソルダーレジスト
８Ａ  変形防止用パターン
８Ｂ  変形防止用パターン
８Ｃ  変形防止用パターン
８Ｄ  変形防止用パターン
９  スプロケットホール補強帯部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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