(57)【要約】【課題】基板パターンを予想した予想パターンとの比較の際の多重露光領域でのパターンの大きさの相違に起因するエラーの発生を抑制したパターンシミュレーション方法を提供する。【解決手段】各レチクルパターン同士が重なる多重露光領域のパターンを分割領域間の境界線に沿って伸縮した伸縮パターンと多重露光領域に隣接するパターンとをＡＮＤ演算したＡＮＤパターンを用いて多重露光領域のパターンを伸縮させて補正露光パターンを作成する。補正露光パターンと予想パターンとの差分パターンと設計パターンとを処理してシミュレーションパターンを作成する。基板パターンを予想した予想パターンと比較して検図する際に、多重露光領域でのパターンの大きさの相違に起因するエラーの発生を防止したシミュレーションパターンを形成できる。【選択図】図１
2008216646.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成しようとする全体パターンに対応して予め設計された設計パターンを所定の境界線に沿って複数に分割した分割領域毎のレチクルパターンを示すレチクルデータと、前記レチクルパターンを前記基板のどの位置にショットするかを示す露光用データとによって前記基板上に露光されて形成される基板パターンをシミュレーションしたシミュレーションパターンを形成するパターンシミュレーション方法であって、
前記基板パターンを予想した予想パターンを、前記レチクルデータおよび前記露光用データに基づいて作成する予想パターン作成工程と、
前記各レチクルパターン同士が重なる多重露光領域のパターンを前記分割領域間の境界線に沿って伸縮した伸縮パターンと前記多重露光領域に隣接するパターンとをＡＮＤ演算したＡＮＤパターンを用いて前記多重露光領域のパターンを伸縮させることで、前記レチクルデータおよび前記露光用データにより前記基板パターンを前記基板上に形成した際の露光パターンを補正した補正露光パターンを作成する補正露光パターン作成工程と、
前記予想パターンと前記補正露光パターンとの差分をとって差分パターンを計算する差分パターン計算工程と、
前記差分パターンと前記設計パターンとを処理して前記基板パターンをシミュレーションする前記シミュレーションパターンを作成するシミュレーションパターン作成工程と
を具備したことを特徴としたパターンシミュレーション方法。
【請求項２】
基板上に形成しようとする全体パターンに対応して予め設計された設計パターンを所定の境界線に沿って複数に分割した分割領域毎のレチクルパターンを示すレチクルデータと、前記レチクルパターンを前記基板のどの位置にショットするかを示す露光用データとによって前記基板上に露光されて形成される基板パターンをシミュレーションしたシミュレーションパターンを形成するパターンシミュレーション装置であって、
前記基板パターンを予想した予想パターンを、前記レチクルデータおよび前記露光用データに基づいて作成する予想パターン作成手段と、
前記各レチクルパターン同士が重なる多重露光領域のパターンを前記分割領域間の境界線に沿って伸縮した伸縮パターンと前記多重露光領域に隣接するパターンとをＡＮＤ演算したＡＮＤパターンを用いて前記多重露光領域のパターンを伸縮させることで、前記レチクルデータおよび前記露光用データにより前記基板パターンを前記基板上に形成した際の露光パターンを補正した補正露光パターンを作成する補正露光パターン作成手段と、
前記予想パターンと前記補正露光パターンとの差分をとって差分パターンを計算する差分パターン計算手段と、
前記差分パターンと前記設計パターンとを処理して前記基板パターンをシミュレーションする前記シミュレーションパターンを作成するシミュレーションパターン作成手段と
を具備したことを特徴としたパターンシミュレーション装置。
【請求項３】
基板上に形成しようとする全体パターンに対応して予め設計された設計パターンを所定の境界線に沿って複数に分割した分割領域毎のレチクルパターンを示すレチクルデータと、前記レチクルパターンを前記基板のどの位置にショットするかを示す露光用データとによって前記基板上に露光されて形成される基板パターンをシミュレーションしたシミュレーションパターンを形成するパターンシミュレーションプログラムであって、
前記基板パターンを予想した予想パターンを、前記レチクルデータおよび前記露光用データに基づいて作成する予想パターン作成ステップと、
前記各レチクルパターン同士が重なる多重露光領域のパターンを前記分割領域間の境界線に沿って伸縮した伸縮パターンと前記多重露光領域に隣接するパターンとをＡＮＤ演算したＡＮＤパターンを用いて前記多重露光領域のパターンを伸縮させることで、前記レチクルデータおよび前記露光用データにより前記基板パターンを前記基板上に形成した際の露光パターンを補正した補正露光パターンを作成する補正露光パターン作成ステップと、
前記予想パターンと前記補正露光パターンとの差分をとって差分パターンを計算する差分パターン計算ステップと、
前記差分パターンと前記設計パターンとを処理して前記基板パターンをシミュレーションする前記シミュレーションパターンを作成するシミュレーションパターン作成ステップと
を具備したことを特徴としたパターンシミュレーションプログラム。
【請求項４】
請求項３記載のパターンシミュレーショプログラムが、コンピュータ読み取り可能に記録された
ことを特徴としたパターンシミュレーションプログラムを記録した媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板パターンを予想した予想パターンとの比較により検図されるシミュレーションパターンを形成するパターンシミュレーション方法、その装置、そのプログラムおよびこれを記録した媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、液晶表示装置に用いる液晶表示素子としての液晶パネルは、走査線や信号線などの配線、画素電極などの電極、あるいは薄膜トランジスタなどのスイッチング素子などを有している。
【０００３】
そして、これら配線、電極およびスイッチング素子などのそれぞれは、基板上に導電体あるいは誘電体などの薄膜を成膜工程にて成膜し、この成膜工程にて成膜した薄膜上にフォトレジストを塗布工程にて塗布し、この塗布工程にて塗布したフォトレジストを所定のパターンを有するレチクルを介して露光工程にて露光し、この露光工程にて露光したフォトレジストを現像工程にて現像し、このフォトレジストが除去されて露出した薄膜をエッチング工程にて除去するなどを繰り返すことによって形成される。
【０００４】
近年、液晶表示装置の大画面化に伴い、基板を複数の領域に分割して各領域のフォトレジストを順次対応するマスクを介して露光する分割露光方式による露光処理が用いられている。
【０００５】
そして、この分割露光方法による露光処理では、ショット毎に露光される領域間に多重露光領域と呼ばれる所定幅をもつ分割線上の領域があり、この分割線上の領域では複数回露光される。
【０００６】
このような分割露光方式による露光処理の際に使用されるフォトマスクとしてのレチクルは、一般にＣＡＤシステムを用いて設計される。そして、この分割露光方式でのレチクルパターンの設計手順としては、液晶パネルの大きさのパターンを、設計基準を満たすように設計した後、このパターンをレチクルの大きさおよび枚数に合うように分割する。このとき、このパターンを分割する分割線は、特性上影響のない場所に沿って形成する。
【０００７】
さらに、この液晶表示パネルの予備分割線についての設計パターンに対応した設計データは、ＣＡＤシステムの記憶手段に記憶されて保存されている。そして、これら設計データに基づいて、液晶パネルおよび分割線の設計パターンに対応したレチクルパターンを形成し、遮光帯と称される遮光領域を覆う遮光帯パターンを追加することによってレチクルが完成する。
【０００８】
このレチクルは、露光用データと呼ばれる座標データを使って、基板上に露光される。露光用データは、レチクル上の露光領域の範囲および基準となる中心点を示すデータ、および、露光される基板上の座標のデータなどを含んでおり、レチクル上の指定した範囲を基板上の指定した領域に露光する。
【０００９】
このような分割露光方式による露光処理では、遮光パターンの配置を間違えたり、露光用データの数値を間違えたりするミスが発生することがある。このため、レチクルデータなどのＣＡＤデータと露光用データとを用いて、パターンが基板上にどのように露光されるかを、シミュレーションにより確認している。
【００１０】
そして、レチクルパターンの配置および露光用データの数値などの設計により形成されるパターンの検図の一手法としては、例えば基板のパターンを設計パターンとして別に用意しておき、シミュレーションパターンと設計パターンとが一致しているかどうかを比較することが考えられる。
【００１１】
このようなシミュレーション方法の１つとして、露光後の基板パターンを予想した予想パターンを作成し、その予想パターンとレチクルパターンとの差分をとり差分パターンを図形演算する方法が知られている（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開２００４−２６５３８６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかしながら、分割露光方式による露光処理では、重なって露光される多重露光領域があり、重なって露光されたパターンは大きさが変化する。このため、レチクルパターンは、露光の重なりによるパターンの大きさの変化を予め考慮して多重露光領域のパターンを設計しているから、予想パターンとレチクルパターンとを比較した場合には、多重露光領域でパターンの大きさの相違から多くのエラーが表示されてしまうという問題点を有している。
【００１３】
本発明は、このような点に鑑みなされたもので、基板パターンを予想した予想パターンとの比較の際の多重露光領域でのパターンの大きさの相違に起因するエラーの発生を抑制したシミュレーションパターンを形成可能なパターンシミュレーション方法、その装置、そのプログラムおよびこれを記録した媒体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明は、基板上に形成しようとする全体パターンに対応して予め設計された設計パターンを所定の境界線に沿って複数に分割した分割領域毎のレチクルパターンを示すレチクルデータと、前記レチクルパターンを前記基板のどの位置にショットするかを示す露光用データとによって前記基板上に露光されて形成される基板パターンをシミュレーションしたシミュレーションパターンを形成するパターンシミュレーション方法であって、前記基板パターンを予想した予想パターンを、前記レチクルデータおよび前記露光用データに基づいて作成する予想パターン作成工程と、前記各レチクルパターン同士が重なる多重露光領域のパターンを前記分割領域間の境界線に沿って伸縮した伸縮パターンと前記多重露光領域に隣接するパターンとをＡＮＤ演算したＡＮＤパターンを用いて前記多重露光領域のパターンを伸縮させることで、前記レチクルデータおよび前記露光用データにより前記基板パターンを前記基板上に形成した際の露光パターンを補正した補正露光パターンを作成する補正露光パターン作成工程と、前記予想パターンと前記補正露光パターンとの差分をとって差分パターンを計算する差分パターン計算工程と、前記差分パターンと前記設計パターンとを処理して前記基板パターンをシミュレーションする前記シミュレーションパターンを作成するシミュレーションパターン作成工程とを具備したものである。
【００１５】
また、本発明は、基板上に形成しようとする全体パターンに対応して予め設計された設計パターンを所定の境界線に沿って複数に分割した分割領域毎のレチクルパターンを示すレチクルデータと、前記レチクルパターンを前記基板のどの位置にショットするかを示す露光用データとによって前記基板上に露光されて形成される基板パターンをシミュレーションしたシミュレーションパターンを形成するパターンシミュレーション装置であって、前記基板パターンを予想した予想パターンを、前記レチクルデータおよび前記露光用データに基づいて作成する予想パターン作成手段と、前記各レチクルパターン同士が重なる多重露光領域のパターンを前記分割領域間の境界線に沿って伸縮した伸縮パターンと前記多重露光領域に隣接するパターンとをＡＮＤ演算したＡＮＤパターンを用いて前記多重露光領域のパターンを伸縮させることで、前記レチクルデータおよび前記露光用データにより前記基板パターンを前記基板上に形成した際の露光パターンを補正した補正露光パターンを作成する補正露光パターン作成手段と、前記予想パターンと前記補正露光パターンとの差分をとって差分パターンを計算する差分パターン計算手段と、前記差分パターンと前記設計パターンとを処理して前記基板パターンをシミュレーションする前記シミュレーションパターンを作成するシミュレーションパターン作成手段とを具備したものである。
【００１６】
さらに、本発明は、基板上に形成しようとする全体パターンに対応して予め設計された設計パターンを所定の境界線に沿って複数に分割した分割領域毎のレチクルパターンを示すレチクルデータと、前記レチクルパターンを前記基板のどの位置にショットするかを示す露光用データとによって前記基板上に露光されて形成される基板パターンをシミュレーションしたシミュレーションパターンを形成するパターンシミュレーションプログラムであって、前記基板パターンを予想した予想パターンを、前記レチクルデータおよび前記露光用データに基づいて作成する予想パターン作成ステップと、前記各レチクルパターン同士が重なる多重露光領域のパターンを前記分割領域間の境界線に沿って伸縮した伸縮パターンと前記多重露光領域に隣接するパターンとをＡＮＤ演算したＡＮＤパターンを用いて前記多重露光領域のパターンを伸縮させることで、前記レチクルデータおよび前記露光用データにより前記基板パターンを前記基板上に形成した際の露光パターンを補正した補正露光パターンを作成する補正露光パターン作成ステップと、前記予想パターンと前記補正露光パターンとの差分をとって差分パターンを計算する差分パターン計算ステップと、前記差分パターンと前記設計パターンとを処理して前記基板パターンをシミュレーションする前記シミュレーションパターンを作成するシミュレーションパターン作成ステップとを具備したものである。
【００１７】
そして、各レチクルパターン同士が重なる多重露光領域のパターンを分割領域間の境界線に沿って伸縮した伸縮パターンと多重露光領域に隣接するパターンとをＡＮＤ演算したＡＮＤパターンを用いて多重露光領域のパターンを伸縮させて、露光パターンの多重露光領域の大きさを補正した補正露光パターンを作成し、この補正露光パターンと予想パターンとの差分パターンと設計パターンとを処理してシミュレーションパターンを作成する。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、基板パターンを予想した予想パターンと比較して検図する際に、多重露光領域でのパターンの大きさの相違に起因するエラーの発生を防止したシミュレーションパターンを形成できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明の一実施の形態の構成を、図面を参照して説明する。
【００２０】
本実施の形態のパターンシミュレーション装置は、図示しないコンピュータ、例えば表示素子としての液晶表示素子である液晶パネル１のアレイ基板の基板パターンの設計などに用いるパターンレイアウトソフトであるＣＡＤソフト、設計された基板パターンをシミュレーションするパターンシミュレーションプログラム、および、このパターンシミュレーションプログラムによりシミュレーションされたシミュレーションパターンと設計パターンとを比較するレイアウト検証ソフトなどを含むコンピュータシステムである。
【００２１】
ここで、液晶パネル１は、アレイ基板と、このアレイ基板に対向配置される対向基板との間に、液晶層を介在して構成され、アレイ基板上には、走査線、信号線、薄膜トランジスタなどの各種回路パターンが形成されている。また、液晶パネル１は、基板としての四角形平板状の大判ガラス基板２に、例えば４枚、マトリクス状に形成されている。
【００２２】
また、コンピュータには、記憶手段としてのハードディスク、一時記憶手段としてのメモリ、予想パターン作成手段、補正露光パターン作成手段、差分パターン計算手段およびシミュレーションパターン作成手段などを機能として有するＣＰＵなどの制御手段がそれぞれ設けられている。
【００２３】
さらに、大判ガラス基板２上に形成しようとする全体パターンに対応して予め設計された設計パターン３を境界線L1，L2，L3，L4，L5，L6に沿って複数に分割した分割領域A1，A2，A3，A4毎のレチクル５，６，７，８上のレチクルパターンからなるＣＡＤデータが、レチクルデータ９となっている。
【００２４】
レチクル５〜８は、液晶パネル１を分割露光して現像あるいはエッチングするためのフォトマスクである。また、レチクル５〜８は、例えば各液晶パネル１の上側左側部、上側右側部、下側左側部および下側右側部を露光するレチクルパターンを有している。
【００２５】
さらに、これらレチクル５〜８などのレチクルパターンを大判ガラス基板２上のどの位置にショットするかを示す露光用データ11は、格子状に分割されたレチクル５〜８の露光領域を示すデータと、これらレチクル５〜８により大判ガラス基板２上のどこを露光するかを示すデータとを備えている。そして、この露光用データ11は、露光毎に入力するか同じ露光の繰り返しであれば座標の移動量のみ入力する。なお、この露光用データ11は、マトリクス入力データとして単一ショット毎に分解されて入力される数値データである。
【００２６】
また、露光用データ11は、例えばコンピュータのハードディスクなどに読み取り可能に保存されており、図示しない露光機によって大判ガラス基板２上の所定位置のレチクルパターンが露光される。
【００２７】
そして、パターンシミュレーションプログラムは、露光用データ11およびレチクルデータ９に基づいて、大判ガラス基板２上に露光機によって露光されて形成される基板パターンをシミュレーションしたシミュレーションパターン15を作成するものである。
【００２８】
すなわち、上記パターンシミュレーションプログラムにより実行される本実施の形態のパターンシミュレーション方法は、図１のフローチャートに示すように、まず、コンピュータを起動させた状態で、レチクルデータ９と露光用データ11とに基づいて予想パターン21を作成する(ステップ１(予想パターン作成工程))。
【００２９】
具体的には、レチクル５〜８上の各ショット領域でこの領域を順次切り取り、露光用データ11に従って全ショット分のパターンを大判ガラス基板２上に順次配置することで、予想パターン21を作成する。
【００３０】
次いで、レチクルデータ９および露光用データ11により基板パターンを大判ガラス基板２に形成した際の露光パターン22を補正して補正露光パターン23を作成する(ステップ２(補正露光パターン作成工程))。
【００３１】
この補正の際には、図３ないし図１４に示すように、各レチクル５〜８のレチクルパターン同士が重なる個々の多重露光領域(二重露光領域)ApのパターンＰを分割領域A1〜A4間の境界線L1，L3(L4，L6)に沿って伸縮した伸縮パターンＰΔｘと多重露光領域Apに隣接するパターンP1，P2とをＡＮＤ演算したＡＮＤパターンPa1，Pa2を用いて多重露光領域ApのパターンＰを伸縮させる。
【００３２】
具体的に、多重露光領域ApのパターンＰが伸びているか縮んでいるかを判断し、例えば図３に示すように多重露光領域ApのパターンＰが伸びている場合には、図４に示すように、このパターンＰを、境界線L1，L3(L4，L6)に沿って所定のΔｘ分大きくした伸縮パターンＰΔｘを作成する。
【００３３】
次いで、図５に示すように、この伸縮パターンＰΔｘと、パターンＰに隣接するパターンP1，P2とをＡＮＤ演算してＡＮＤパターンPa1，Pa2を作成する。
【００３４】
また、図６に示すように、多重露光領域ApのパターンＰを、このパターンＰがパターンP1，P2に対して突出しているΔd1分、境界線L1，L3(L4，L6)に沿って小さくした伸縮パターンＰΔd1を作成する。
【００３５】
さらに、図７および図８に示すように、伸縮パターンＰΔd1の各辺から、境界線L1，L3(L4，L6)に平行にΔd1分突出させた差分データである平行パターンPp1，Pp2，Pp3，Pp4を作成し、これら平行パターンPp1〜Pp4のうち、ＡＮＤパターンPa1，Pa2と接するものを選択する。この図７および図８においては、平行パターンPp1，Pp2が選択される。
【００３６】
この後、図９に示すように、選択された平行パターンPp1，Pp2と伸縮パターンＰΔd1とを用いることで、パターンＰを縮小した補正パターンPr1を形成する。
【００３７】
また、例えば図１０に示すように多重露光領域ApのパターンＰが縮んでいる場合には、図１１に示すように、このパターンＰが、隣接するパターンP3，P4に対して縮小しているΔd2分、境界線L1，L3(L4，L6)に沿って大きくした伸縮パターンＰΔd2を作成する。
【００３８】
次いで、図１２に示すように、この伸縮パターンＰΔd2と、パターンＰに隣接するパターンP3，P4とをＡＮＤ演算して差分データであるＡＮＤパターンPa3，Pa4を作成する。
【００３９】
さらに、図１３および図１４に示すように、伸縮パターンＰΔd2からＡＮＤパターンPa3，Pa4を取り除くことで、パターンＰを伸張した補正パターンPr2を形成する。
【００４０】
そして、上記各処理を多重露光領域Ap全体で行うことにより、図２に示すように、基板パターンを大判ガラス基板２上に形成した際の露光パターン22を補正した補正露光パターン23を作成する。
【００４１】
また、図１に戻って、ステップ１で作成した予想パターン21とステップ２で作成した補正露光パターン23との差分をとって差分パターン24を計算する(ステップ３(差分パターン計算工程))。
【００４２】
さらに、基板パターンの設計パターン３に上記ステップ３で計算した差分パターン24を重ねて、あるいは演算して、基板パターンをシミュレーションしたシミュレーションパターン15を作成する(ステップ４(シミュレーションパターン作成工程))。
【００４３】
そして、ステップ４で作成したシミュレーションパターン15を、所定のレイアウト検証ソフトを用いて予想パターン21と比較し、相違をエラーとして検出する。
【００４４】
このとき、シミュレーションパターン15は、多重露光領域ApでのパターンＰの大きさが補正されて最適化されたものとなっているから、大きさの相違に起因する不要なエラーの発生を回避できる。
【００４５】
具体的に、多重露光領域ApでのパターンＰの大きさが伸びている場合には、縮めた伸縮パターンＰΔd1に対して平行パターンPp1，Pp2を組み合わせ、多重露光領域ApでのパターンＰの大きさが縮んでいる場合には、伸ばした伸縮パターンＰΔd2からＡＮＤパターンPa3，Pa4を切り離すことで、多重露光領域ApでのパターンＰの大きさを、容易かつ確実に補正できる。
【００４６】
そして、このように予想パターン21とシミュレーションパターン15との比較の際の不要なエラーの発生を回避できることで、検図作業に要する時間を低減できる。
【００４７】
なお、上記一実施の形態において、設計パターン３の分割は、４分割などに限定されるものではない。
【００４８】
また、上記一実施の形態のパターンシミュレーション方法は、液晶パネル以外の任意のパターンのシミュレーションに用いることができる。
【００４９】
また、上記シミュレーションプログラムを、光ディスク、あるいは磁気ディスクその他の媒体にコンピュータ読み取り可能に記録し、コンピュータに自動的に動作させることも可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明の一実施の形態のパターンシミュレーション方法を示すフローチャートである。
【図２】同上パターンシミュレーション方法を示す説明図である。
【図３】同上パターンシミュレーション方法の補正露光パターン作成工程の多重露光領域の伸びたパターンを拡大して示す説明図である。
【図４】同上補正露光パターン作成工程の多重露光領域のパターンを境界線に沿って伸ばした状態を示す説明図である。
【図５】同上補正露光パターン作成工程のＡＮＤパターンを作成した状態を示す説明図である。
【図６】同上補正露光パターン作成工程の多重露光領域のパターンを境界線に沿って縮めた状態を示す説明図である。
【図７】同上補正露光パターン作成工程の伸縮パターンから平行パターンを作成した状態を示す説明図である。
【図８】同上補正露光パターン作成工程の平行パターンを選択した状態を示す説明図である。
【図９】同上補正露光パターン作成工程の選択した平行パターンと伸縮パターンとにより補正パターンを作成した状態を示す説明図である。
【図１０】同上補正露光パターン作成工程の多重露光領域の縮んだパターンを拡大して示す説明図である。
【図１１】同上補正露光パターン作成工程の多重露光領域のパターンを境界線に沿って伸ばした状態を示す説明図である。
【図１２】同上補正露光パターン作成工程のＡＮＤパターンを作成した状態を示す説明図である。
【図１３】同上補正露光パターン作成工程の伸縮パターンからＡＮＤパターンを除く状態を示す説明図である。
【図１４】同上補正露光パターン作成工程の補正パターンを作成した状態を示す説明図である。
【符号の説明】
【００５１】
２    基板としての大判ガラス基板
３    設計パターン
９    レチクルデータ
11    露光用データ
15    シミュレーションパターン
21    予想パターン
22    露光パターン
23    補正露光パターン
24    差分パターン
A1，A2，A3，A4    分割領域
Ap    多重露光領域
L1，L3，L4，L6    境界線
ＰΔd1，ＰΔd2，ＰΔｘ    伸縮パターン
Pa1，Pa2，Pa3，Pa4    ＡＮＤパターン
【図１】
2008216646.tif 000003
【図２】
2008216646.tif 000004
【図３】
2008216646.tif 000005
【図４】
2008216646.tif 000006
【図５】
2008216646.tif 000007
【図６】
2008216646.tif 000008
【図７】
2008216646.tif 000009
【図８】
2008216646.tif 000010
【図９】
2008216646.tif 000011
【図１０】
2008216646.tif 000012
【図１１】
2008216646.tif 000013
【図１２】
2008216646.tif 000014
【図１３】
2008216646.tif 000015
【図１４】
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