(57)【要約】【課題】配線上にスピンコート法によって形成される層の層厚が不均一になることなく、発光特性及び封止特性の高い有機ＥＬ装置の製造方法及び有機ＥＬ装置を提供すること。【解決手段】少なくとも一方の側部に所定の角度以下で傾斜する傾斜部が設けられるように配線を形成し、配線上にスピンコート法によって配線被覆層を形成することとしたので、スピンコート法によって配線上に配線被覆層を形成する際には、当該配線被覆層の構成材料を含む液状組成物が配線を横切るときに当該傾斜部に沿って流れることになり、当該液状組成物の流れが配線によって妨げられるのを防ぐことができる。これにより、配線上にスピンコート法によって形成される配線被覆層の層厚が不均一になることなく、発光特性及び封止特性の高い有機ＥＬ装置を製造可能となる。【選択図】図８
2008130353.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光層を含む有機ＥＬ素子と、前記有機ＥＬ素子に接続された配線と、前記配線を覆うように形成された配線被覆層とを有する有機ＥＬ装置の製造方法であって、
少なくとも一方の側部に所定の角度以下で傾斜する傾斜部が設けられるように前記配線を形成し、
前記配線上にスピンコート法によって前記配線被覆層を形成する
ことを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項２】
前記配線を形成する工程では、
所定の液体に溶解可能な導電材料からなる第１導電層を形成し、
前記所定の液体に溶解可能であると共に前記第１導電層を構成する導電材料よりも溶解速度が大きい導電材料からなる第２導電層を前記第１導電層上に形成し、
前記配線の形成領域を覆うように前記第２導電層上にマスクを形成し、
前記所定の液体を用いて前記第１導電層及び前記第２導電層をウェットエッチングする
ことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項３】
前記第１導電層がアルミニウム−ネオジウム合金からなり、
前記第２導電層がモリブデンからなり、
前記所定の液体が硝酸である
ことを特徴とする請求項２に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のうちいずれか一項の有機ＥＬ装置の製造方法によって製造されたことを特徴とする有機ＥＬ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ装置の製造方法及び有機ＥＬ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子写真方式を利用したプリンタとして、ラインプリンタ（画像形成装置）が知られている。このラインプリンタは、被露光部となる感光体ドラム（感光体）の周面上に、帯電器、ライン状のプリンタヘッド（ラインヘッド）、現像器、転写器などの装置を近接配置したものである。帯電器によって帯電された感光体ドラムの周面上に、プリンタヘッドに設けられた、発光素子の選択的な発光動作で露光を行なうことにより、静電潜像を形成し、この潜像を現像器から供給されるトナーで現像して、そのトナー像を転写器で用紙に転写するようにしたものである。
【０００３】
高精細な印字を得るためには、前記プリンタヘッドから出射された光を感光体ドラム上に効率的に結像させる必要がある。そこで、前記プリンタヘッドと前記感光体との間に複数のレンズ素子からなるレンズアレイを設け、プリンタヘッドの光を前記感光体上に集光して、結像する技術が提案されている。このようなラインプリンタに用いられるレンズアレイとしては、複数のレンズ素子を１列備えたもの、もしくは千鳥状に２列備えたものが知られている。
【０００４】
近年、有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）をガラス基板上に備えた構成の有機ＥＬ装置を発光素子として利用したプリンタヘッドが開発されている。この有機ＥＬ装置は、画素ごとに有機ＥＬ素子が設けられており、各有機ＥＬ素子に接続される例えばデータ線や走査線など配線が設けられている（例えば、特許文献１参照）。また、陰極側は、電源線に接続される配線が設けられている。データ線、走査線などの配線上には通常絶縁膜が形成される。また、陰極上及び陰極に接続される配線上には、陰極保護層が形成される。これら絶縁膜及び陰極保護層を形成する手法としては、例えばスピンコート法が良く知られている。
【特許文献１】特開２００２−２４６２９３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、これら配線の延在方向の側部は、一般的にほぼ基板面に６０°以上の角度（６０°〜９０°程度）になっていることが多く、スピンコート法によって絶縁膜や陰極保護層を形成する際、当該絶縁膜又は陰極保護層の構成材料を含む液状組成物が基板上を拡散する際に、その流れが配線の側部によって遮られることになる。例えば配線の延在方向と液状組成物の流動方向とが平行な領域は液状組成物がスムーズに流れるが、配線の延在方向と液状組成物の流動方向とが直交する領域は液状組成物が流れにくくなる。このため、液状組成物の流れやすい領域と流れにくい領域との間で層の層厚が不均一になってしまう。この層厚が不均一になると、当該絶縁層上や陰極保護層上に形成される各層の層厚にも影響を及ぼすことになる。このため、発光特性や封止特性が低下するという問題がある。
【０００６】
以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、配線上にスピンコート法によって形成される層の層厚が不均一になることなく、発光特性及び封止特性の高い有機ＥＬ装置の製造方法及び有機ＥＬ装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するため、本発明に係る有機ＥＬ装置の製造方法は、発光層を含む有機ＥＬ素子と、前記有機ＥＬ素子に接続された配線と、前記配線を覆うように形成された配線被覆層とを有する有機ＥＬ装置の製造方法であって、少なくとも一方の側部に所定の角度以下で傾斜する傾斜部が設けられるように前記配線を形成し、前記配線上にスピンコート法によって前記配線被覆層を形成することを特徴とする。
本発明によれば、少なくとも一方の側部に所定の角度以下で傾斜する傾斜部が設けられるように配線を形成し、配線上にスピンコート法によって配線被覆層を形成することとしたので、スピンコート法によって配線上に配線被覆層を形成する際には、当該配線被覆層の構成材料を含む液状組成物が配線を横切るときに当該傾斜部に沿って流れることになり、当該液状組成物の流れが配線によって妨げられるのを防ぐことができる。このように、配線上にスピンコート法によって形成される配線被覆層の層厚が不均一になることなく、発光特性及び封止特性の高い有機ＥＬ装置を製造可能となる。
ここで、「所定の角度」については、スピンコート法によって拡散される液状組成物の流動性を確保できる程度の角度である。本発明者は、傾斜部の角度を約３０°以下にすることで液状組成物の流動性を十分に確保することができる点を見出した。そこで、この所定の角度は３０°程度であることが好ましい。
【０００８】
上記の有機ＥＬ装置の製造方法は、前記配線を形成する工程では、所定の液体に溶解可能な導電材料からなる第１導電層を形成し、前記所定の液体に溶解可能であると共に前記第１導電層を構成する導電材料よりも溶解速度が大きい導電材料からなる第２導電層を前記第１導電層上に形成し、前記配線の形成領域を覆うように前記第２導電層上にマスクを形成し、前記所定の液体を用いて前記第１導電層及び前記第２導電層をウェットエッチングすることを特徴とする。  
本発明によれば、配線を形成する工程では、所定の液体に溶解可能な導電材料からなる第１導電層を形成し、所定の液体に溶解可能であると共に第１導電層を構成する導電材料よりも溶解速度が大きい導電材料からなる第２導電層を第１導電層上に形成し、配線の形成領域を覆うように第２導電層上にマスクを形成し、所定の液体を用いて第１導電層及び第２導電層をウェットエッチングすることとしたので、溶解速度の大きい第２導電層は第１導電層よりも広い領域が侵食される、すなわち、第１導電層と第２導電層との間でエッチングによって侵食差が生じることになる。このように、第１導電層と第２導電層とので侵食差を生じさせることによって、配線の側部に傾斜部を容易に形成することができる。
【０００９】
上記の有機ＥＬ装置の製造方法は、前記第１導電層がアルミニウム−ネオジウム合金からなり、前記第２導電層がモリブデンからなり、前記所定の液体が硝酸であることを特徴とする。  
アルミニウム−ネオジウム合金及びモリブデンは共に導電性の高い材料であり、モリブデンはアルミニウム−ネオジウム合金よりも硝酸に対する溶解速度が大きい。本発明によれば、第１導電層がアルミニウム−ネオジウム合金からなり、第２導電層がモリブデンからなり、所定の液体が硝酸であることとしたので、高い導電性を維持しつつ配線の側部に傾斜を有する配線を容易に形成することができる。
【００１０】
本発明に係る有機ＥＬ装置は、上記の有機ＥＬ装置の製造方法によって製造されたことを特徴とする。  
本発明によれば、配線被覆層の層厚を均一に形成することができ、当該配線被覆層上に形成される各層の層厚も均一に形成することができるので、発光特性及び封止特性の高い有機ＥＬ装置を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の画像形成装置と画像形成方法の実施の形態を、図面を参照して説明する。なお、以下で参照する各図面においては、図面を見易くするために、各構成要素の寸法等を適宜変更して表示している。
【００１２】
（画像形成装置）  
まず、画像形成装置について説明する。図１は、画像形成装置ＩＭの概略構成を示す図である。  
この画像形成装置ＩＭは、露光手段として用いられるヘッド装置１００と、感光体ドラム９と、感光体ドラム９の外周面を一様に帯電させるコロナ帯電器４２と、ヘッド装置１００で形成された静電潜像に現像剤であるトナーを付与してトナー像とする現像装置４４と、この現像装置４４で現像されたトナー像が転写される転写ローラ４５と、転写ローラ４５との間で記録媒体Ｐにトナー像を転写させる加圧ローラ６６と、記録媒体Ｐにトナー像を定着させる定着器６１と、転写された後に感光体ドラム４１の表面に残留しているトナーを除去するクリーニング手段としてのクリーニング装置４６と、感光体ドラム９の回転駆動及びヘッド装置１００の駆動等を制御する制御装置（図示省略）とが設けられている。
【００１３】
感光体ドラム９は、導電性物質からなる基体の外周面に、有機材料や無機材料からなる像担持体としての感光層が設けられた構成を有している。また感光体ドラム９は、図１中、時計回りに回転してヘッド装置１００からの光によって露光されて潜像が形成されるものであり、その回転方向の位置はエンコーダ９Ａによって検出され、制御装置に出力される。また、感光体ドラム９の回転駆動は、制御装置の制御下で回転駆動装置９Ｂ（図７参照）により制御される。
【００１４】
現像装置４４は、例えば、現像剤として非磁性一成分トナーを用いるもので、その一成分現像剤を例えば供給ローラで現像ローラへ搬送し、現像ローラ表面に付着した現像剤の膜厚を規制ブレードで規制し、その現像ローラを感光体ドラム９に接触させあるいは押圧せしめることにより、感光体ドラム９の電位レベルに応じて現像剤を付着させ、トナー像として現像するものである。
【００１５】
ヘッド装置１００は、感光体ドラム９の周面に沿って、コロナ帯電器４２と現像装置４４との間に間隔をあけて配置されたヘッドモジュール（ラインヘッドモジュール）１０１、１０２から構成されている。また、これらヘッドモジュール１０１、１０２は、それぞれ感光体ドラム９の母線に沿って配置されている。
【００１６】
図２は、本実施形態に係るヘッドモジュールの斜視断面図である。本実施形態のラインヘッドモジュール１０１、１０２は、複数の有機ＥＬ素子を整列配置したラインヘッド１と、ラインヘッド１からの光を正立等倍結像させるレンズ素子を整列配置したＳＬアレイ（レンズアレイ）３１と、ラインヘッド１およびＳＬアレイ３１の外周部を保持するヘッドケース５２と、を備えて構成されたものである。ラインヘッド１とＳＬアレイ３１とは、互いにアライメントされた状態でヘッドケース５２に保持されており、これによってＳＬアレイ３１は、ラインヘッド１からの光を後述する感光体ドラムに正立等倍結像させるようになっている。
【００１７】
図３は、ラインヘッドを模式的に示した図である。このラインヘッド１は、本発明の発光装置の一実施形態となるもので、長細い矩形の素子基板２上に、本発明における発光素子としての有機ＥＬ（エレクトロルミネセンス）素子３を複数配列してなる発光素子列３Ａと、有機ＥＬ素子３を駆動させる駆動素子４からなる駆動素子群と、発光制御装置としての制御装置の制御下でこれら駆動素子４の駆動を制御する制御回路群５とを一体形成した有機ＥＬ装置である。図３では発光素子列３Ａを１列の有機ＥＬ素子３で表示されているが、実際には有機ＥＬ素子３を２列にしてこれらが千鳥状に配列されている（図４（ｂ）参照）。
【００１８】
有機ＥＬ素子３は、一対の電極間に少なくとも有機発光層を備えたもので、その一対の電極から発光層に電流を供給することにより、発光する構成となっている。有機ＥＬ素子３における一方の電極には電源線８が接続され、他方の電極には駆動素子４を介して電源線７が接続されている。この駆動素子４は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）や薄膜ダイオード（ＴＦＤ）等のスイッチング素子で構成されている。駆動素子４にＴＦＴを採用した場合には、そのソース領域に電源線８が接続され、ゲート電極に制御回路群５が接続される。そして、制御回路群５により駆動素子４の動作が制御され、駆動素子４により有機ＥＬ素子３への通電が制御されるようになっている。
【００１９】
このような有機ＥＬ素子３、駆動素子４等の構成について、図４（ａ）、（ｂ）を参照してさらに詳述する。  
図４（ａ）に示すように、発光層６０で発光した光を画素電極２３側から出射する、いわゆるボトムエミッション型である場合には、素子基板２側から発光光を取り出す構成であるので、素子基板２としては透明あるいは半透明のものが採用される。例えば、ガラス、石英、樹脂（プラスチック、プラスチックフィルム）等が挙げられ、特にガラス基板が好適に用いられる。
【００２０】
また、発光層６０で発光した光を陰極（対向電極）５０側から出射する、いわゆるトップエミッション型である場合には、この素子基板２の対向側である封止基板側から発光光を取り出す構成となるので、透明基板及び不透明基板のいずれも用いることができる。不透明基板としては、例えば、アルミナ等のセラミックス、ステンレススチール等の金属シートに表面酸化などの絶縁処理を施したものの他に、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などが挙げられる。  
本実施形態では、ボトムエミッション型が採用され、したがって素子基板２には透明なガラスが用いられるものとする。
【００２１】
素子基板２上には、画素電極２３に接続する駆動用ＴＦＴ１２３（駆動素子４）などを含む回路部１１が形成されており、その上に有機ＥＬ素子３が設けられている。有機ＥＬ素子３は、陽極として機能する画素電極２３と、この画素電極２３からの正孔を注入／輸送する正孔輸送層７０と、有機ＥＬ物質からなる発光層６０と、陰極５０とが順に形成されたことによって構成されている。電源線７は駆動素子４のソース／ドレイン電極に接続されており、電源線８は有機ＥＬ素子３の陰極５０に接続されている。
【００２２】
このような構成のもとに有機ＥＬ素子３は、図４（ａ）に示すように、正孔輸送層７０から注入された正孔と陰極５０からの電子とが発光層６０で結合することにより、発光をなすようになっている。
【００２３】
陽極として機能する画素電極２３は、ボトムエミッション型である本実施形態では、透明導電材料によって形成され、具体的にはＩＴＯが好適に用いられている。
【００２４】
正孔輸送層７０の形成材料としては、特に３，４−ポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルフォン酸（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）の水分散液が好適に用いられる。  
なお、正孔輸送層７０の形成材料としては、前記のものに限定されることなく種々のものが使用可能である。例えば、ポリスチレン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリアセチレンやその誘導体などを、適宜な分散媒、例えば前記のポリスチレンスルフォン酸に分散させたものなどが使用可能である。
【００２５】
発光層６０を形成するための材料としては、蛍光あるいは燐光を発光することが可能な公知の発光材料が用いられる。なお、本実施形態では、例えば発光波長帯域が赤色に対応した発光層が採用されるが、もちろん、発光波長帯域が緑色や青色に対応した発光層を採用するようにしてもよい。この場合、用いる感光体は、その発光領域に感度を持つものを採用する。  
発光層６０の形成材料として具体的には、（ポリ）フルオレン誘導体（ＰＦ）、（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体（ＰＰＶ）、ポリフェニレン誘導体（ＰＰ）、ポリパラフェニレン誘導体（ＰＰＰ）、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、ポリチオフェン誘導体、ポリメチルフェニルシラン（ＰＭＰＳ）などのポリシラン系などが好適に用いられる。また、これらの高分子材料に、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素などの高分子系材料や、ルブレン、ペリレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等の低分子材料をドープして用いることもできる。
【００２６】
陰極５０は、前記発光層６０を覆って形成されたもので、例えばＣａを厚さ２０ｎｍ程度に形成し、その上にＡｌを厚さ２００ｎｍ程度に形成して積層構造の電極とし、Ａｌを反射層としても機能させたものである。  
この陰極５０上には、後述するように該陰極５０を囲んでシール層（接着層）を介して、封止基板（図示せず）が貼着されている。
【００２７】
このような有機ＥＬ素子３の下方には、前述したように回路部１１が設けられている。この回路部１１は素子基板２上に形成されたものである。すなわち、素子基板２の表面にはＳｉＯ２を主体とする下地保護層２８１が下地として形成され、その上にはシリコン層２４１が形成されている。このシリコン層２４１の表面には、ＳｉＯ２及び／又はＳｉＮを主体とするゲート絶縁層２８２が形成されている。
【００２８】
前記シリコン層２４１のうち、ゲート絶縁層２８２を挟んでゲート電極２４２と重なる領域がチャネル領域２４１ａとされている。なお、このゲート電極２４２は、図示しない走査線の一部である。一方、シリコン層２４１を覆い、ゲート電極２４２を形成したゲート絶縁層２８２の表面には、ＳｉＯ２を主体とする第１層間絶縁層２８３が形成されている。
【００２９】
シリコン層２４１のうち、チャネル領域２４１ａのソース側には、低濃度ソース領域２４１ｂおよび高濃度ソース領域２４１Ｓが設けられる一方、チャネル領域２４１ａのドレイン側には低濃度ドレイン領域２４１ｃおよび高濃度ドレイン領域２４１Ｄが設けられて、いわゆるＬＤＤ（Light Doped Drain ）構造となっている。これらのうち、高濃度ソース領域２４１Ｓは、ゲート絶縁層２８２と第１層間絶縁層２８３とにわたって開孔するコンタクトホール２４３ａを介して、ソース電極２４３に接続されている。このソース電極２４３は、電源線（図示せず）の一部として構成されている。一方、高濃度ドレイン領域２４１Ｄは、ゲート絶縁層２８２と第１層間絶縁層２８３とにわたって開孔するコンタクトホール２４４ａを介して、ソース電極２４３と同一層からなるドレイン電極２４４に接続されている。
【００３０】
ソース電極２４３は、図４（ｂ）に示すように、断面視で第１導電層２４７と第２導電層２４８との２層構造になっている。第１導電層２４７は、例えばアルミニウム−ネオジウム合金によって形成されている。アルミニウム−ネオジウム合金は、硝酸などの酸溶液に対して溶解する材料である。第２導電層２４８は、例えばモリブデンによって形成されている。モリブデンは、硝酸などの酸溶液に対して溶解する材料であり、溶解速度がアルミニウム−ネオジウム合金よりも高い材料である。
【００３１】
ソース電極２４３は、延在方向に対する両側面に傾斜部２４６を有している。傾斜部２４６は、第１導電層２４７及び第２導電層２４８の両層に亘って形成されている。傾斜部２４６の傾斜角度は、ソース電極２４３の形成面に対して所定の角度α以下となるように（αは３０°程度）形成されている。ここでは、例えば２０°程度に設けられている。傾斜部２４６の傾斜角度は、第１導電層２４７及び第２導電層２４８の両層で同一の角度になっている。勿論、同一の角度に限られることは無く、第１導電層２４７と第２導電層２４８との間で傾斜角度に差を設けるようにしても構わない。例えば、第１導電層２４７の傾斜角度を第２導電層２４８の傾斜角度よりも大きくする（ただし、３０°以下になるようにする）構成も可能であるし、第１導電層２４７から第２導電層２４８にかけて傾斜角度が徐々に小さくなるような構成も可能である。
【００３２】
ソース電極２４３およびドレイン電極２４４が形成された第１層間絶縁層２８３の上層には、例えばアクリル系の樹脂成分を主体とする平坦化層２８４が形成されている。この平坦化層２８４は、アクリル系やポリイミド系等の、耐熱性絶縁性樹脂などによって形成されたもので、駆動用ＴＦＴ１２３（駆動素子４）やソース電極２４３、ドレイン電極２４４などによる表面の凹凸をなくすために形成された公知のものである。
【００３３】
そして、ＩＴＯ等からなる画素電極２３が、この平坦化層２８４の表面上に形成されるとともに、該平坦化層２８４に設けられたコンタクトホール２３ａを介してドレイン電極２４４に接続されている。すなわち、画素電極２３は、ドレイン電極２４４を介して、シリコン層２４１の高濃度ドレイン領域２４１Ｄに接続されている。
【００３４】
画素電極２３が形成された平坦化層２８４の表面には、画素電極２３と、無機隔壁２５とが形成されており、さらに無機隔壁２５上には、有機隔壁２２１が形成されている。そして、画素電極２３上には、無機隔壁２５に形成された前記開口２５ａと、有機隔壁２２１に形成された開口２２１ａとの内部、すなわち画素領域に、前記の正孔輸送層７０と発光層６０とが画素電極２３側からこの順で積層され、これによって機能層が形成されている。
【００３５】
図５は、ＳＬアレイの斜視図である。このＳＬアレイ３１は、日本板硝子株式会社製のセルフォック（登録商標）レンズ素子と同様の構成からなるＳＬ素子３１ａを、千鳥状に２列配列（配置）したものである。このように千鳥状に配置された各ＳＬ素子３１ａの隙間には、黒色のシリコーン樹脂３２が充填されており、さらにその周囲には、フレーム３４が配置されている。
【００３６】
前記ＳＬ素子３１ａは、その中心から周辺にかけて放物線上の屈折率分布を有している。そのため、ＳＬ素子３１ａに入射した光は、その内部を一定周期で蛇行しながら進む。
よって、このＳＬ素子３１ａの長さを調整すれば、画像を正立等倍結像させることができる。そして、このように正立等倍結像するＳＬ素子３１ａにあっては、隣接するＳＬ素子３１ａどうしが作る像を重ね合わせることが可能になり、広範囲の画像を得ることができる。したがって、図４に示したＳＬアレイ３１は、ラインヘッド１全体からの光を精度よく結像させることができるようになっている。
【００３７】
（製造方法）  
次に、上記のように構成されたラインヘッド１の製造方法を説明する。ここでは、ソース電極２４３の製造過程を中心に説明する。  
まず、基板２上にシリコン層２４１を形成し、第１層間絶縁層２８３を形成する。次に、第１層間絶縁層２８３上にソース電極２４３を形成する。図６及び図７を参照して、ソース電極２４３の形成工程を説明する。
【００３８】
第１層間絶縁層２８３上のほぼ全面にアルミニウム−ネオジウム合金からなる第１導電層２４７を形成する。第１導電層２４７を形成したら、当該第１導電層２４７上のほぼ全面にモリブデンからなる第２導電層２４８を形成する。
【００３９】
第２導電層２４８を形成したら、当該第２導電層２４８上にレジスト層２４９を形成する。レジスト層２４９は、ソース電極２４３の形成領域を覆うと共に当該ソース電極２４３の形成領域以外の領域を露出するように、第２導電層２４８上に形成する。
【００４０】
レジスト層２４９を形成したら、当該レジスト層２４９の上から露出部分を硝酸溶液に浸す。硝酸溶液により第２導電層２４８の露出部分がまず除去され（図６中、破線（１）で示した部分）、第１導電層２４７の一部が露出する。この第１導電層２４７の露出部分と、第２導電層２４８のうち除去された断面とが硝酸溶液に浸される。
【００４１】
モリブデンの硝酸に対する溶解速度がアルミニウム−ネオジウム合金の溶解速度よりも大きいため、当該モリブデンによって構成されている第２導電層２４８の断面が第１導電層２４７よりも大きく侵食されることになる。この結果、図６中破線（２）及び破線（３）で示すように、第１導電層２４７と第２導電層２４８との間に徐々に侵食差が形成される。この後、レジスト層２４９を除去することにより、図７に示すように所定の角度の傾斜部２４６を有するソース電極２４３が形成されることになる。
【００４２】
ソース電極２４３を形成したら、スピンコート法によって平坦化層２８４を形成する。上述したアクリル系やポリイミド系の耐熱性絶縁性樹脂を液状にしておき、基板２を回転させて当該基板２上に液状組成物を滴下する。滴下された液状組成物は基板２上に拡散する。
【００４３】
このとき、図８に示すように、ソース電極２４３の延在方向に沿った方向に拡散する液状組成物は、当該ソース電極２４３に沿ってスムーズに流れる。また、ソース電極２４３の延在方向に交差する方向に拡散する液状組成物は、ソース電極２４３の傾斜部２４６に沿ってソース電極２４３を越えて拡散するので、やはりスムーズに流れることになる。この結果、図９に示すように、膜厚が均一な平坦化層２８４が形成されることになる。その後、平坦化層２８４上に有機ＥＬ素子３を形成し、当該有機ＥＬ素子３を封止することにより、ラインヘッド１が完成する。
【００４４】
ここで、ソース電極２４３に傾斜部２４６を設けない構成とした場合、すなわち、図１０に示すように、ソース電極２４３の側面の傾斜角度をβ（βは６０°〜９０°程度）とした場合について述べる。この構成では、ソース電極２４３上にスピンコート法によって平坦化層を形成する際に、ソース電極２４３の延在方向に沿った方向に拡散する液状組成物についてはスムーズに流れる。一方で、ソース電極２４３の延在方向に交差する方向に拡散する液状組成物については、ソース電極２４３によって流れが妨げられてしまう。この結果、図１１に示すように、当該ソース電極２４３の延在方向に交差する領域では、平坦化層の層厚が不均一になってしまう。
【００４５】
このように、本実施形態によれば、両側の側部に３０°以下で傾斜する傾斜部２４６が設けられるようにソース電極２４３を形成し、当該ソース電極２４３上にスピンコート法によって平坦化層２８４を形成することとしたので、スピンコート法によってソース電極２４３上に平坦化層２８４を形成する際には、当該平坦化層２８４の構成材料を含む液状組成物がソース電極２４３を横切るときに当該傾斜部２４６に沿って流れることになり、当該液状組成物の流れがソース電極２４３によって妨げられるのを防ぐことができる。これにより、ソース電極２４３上にスピンコート法によって形成される平坦化層２８４の層厚が不均一になることなく、発光特性及び封止特性の高い有機ＥＬ装置を製造可能となる。
【００４６】
また、本実施形態によれば、ソース電極２４３を形成する工程では、硝酸に溶解可能なアルミニウム−ネオジウム合金からなる第１導電層２４７を形成し、当該硝酸に溶解可能であると共に第１導電層２４７を構成するアルミニウム−ネオジウム合金よりも溶解速度が大きいモリブデンからなる第２導電層２４８を第１導電層２４７上に形成し、ソース電極２４３の形成領域を覆うように第２導電層２４８上にレジスト２４９を形成し、硝酸を用いて第１導電層２４７及び第２導電層２４８をウェットエッチングすることとしたので、第１導電層２４７と第２導電層２４８と間で、エッチングによって侵食差が生じることになる。この侵食差により、溶解速度の大きい第２導電層２４８は第１導電層２４７よりも広い領域が侵食され、この結果、ソース電極２４３の側部に傾斜部２４６を形成することができる。これにより、ソース電極２４３の側部に傾斜部２４６を容易に形成することができる。
【００４７】
本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更を加えることができる。  
例えば、上記実施形態ではソース電極２４３に傾斜部２４６を設ける構成としたが、これに限られることは無く、例えばゲート電極２４２やドレイン電極２４４に傾斜部を設ける構成、陰極５０に接続される配線に傾斜部を設ける構成としても、勿論構わない。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】本発明の実施の形態に係る画像形成装置の構成を示す図。
【図２】本実施形態に係るヘッドモジュールの斜視断面図
【図３】ラインヘッドの構成を示す平面図。
【図４】ラインヘッドの構成を示す図。
【図５】レンズアレイの構成を示す図。
【図６】本実施形態に係るラインヘッドの製造過程を示す工程図。
【図７】同、工程図。
【図８】同、工程図。
【図９】本実施形態によって形成された平坦化層の膜厚を示すグラフ。
【図１０】基板上にスピンコート法によって成膜する様子を示す図。
【図１１】基板上に成膜された薄膜の膜厚を示すグラフ。
【符号の説明】
【００４９】
１…ラインヘッド  ２…基板  ３…ＥＬ素子  ５０…陰極  ２４３…ソース電極  ２４６…傾斜部  ２４７…導電層  ２４８…導電層  ２４９…レジスト層  ２８３…層間絶縁層  ２８４…平坦化層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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