(57)【要約】【課題】比較的低温で多孔質の弁金属を得て、低い製造コストで大面積化を可能とする信頼性の高い固体電解コンデンサを実現する。【解決手段】第１の導電層を形成するには、チャンバ内に、プリント基板１１ａ上に銅箔１１ｂが設けられてなる銅張りプリント基板１１を設置し、チャンバ内を還元性雰囲気、例えばＡｒとＨ2との混合雰囲気として、粉末供給ノズル２から放出した酸化タンタルの粒子３に溶射トーチ１からプラズマ４を照射する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
弁金属からなる第１の導電層と、
前記第１の導電層上及び前記第１の導電層内に形成された空孔を埋め込むように設けられた導電物からなる第２の導電層と、
前記第１の導電層が陽極酸化されてなり、前記第１の導電層の前記弁金属と前記第２の導電層の前記導電物との界面部位を覆う誘電体膜と
を含み、
前記第１の導電層と前記第２の導電層とが前記誘電体膜を介して容量結合することを特徴とする固体電解コンデンサ。
【請求項２】
前記第１の導電層は、内部に前記弁金属の酸化物からなる複数の粒子が散在してなるものであることを特徴とする請求項１に記載の固体電解コンデンサ。
【請求項３】
前記第１の導電層と電気的に導通する複数の第１の電極パッドと、
前記第２の導電層と電気的に導通する複数の第２の電極パッドと
を更に含み、
前記第１の電極パッド及び前記第２の電極パッドが同一平面上に形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の固体電解コンデンサ。
【請求項４】
前記弁金属よりも融点の低い金属からなり、前記第１の導電層下に形成された金属層を更に含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の固体電解コンデンサ。
【請求項５】
基板の上方に、溶射により弁金属からなる多孔質の第１の導電層を形成する工程と、
前記第１の導電層の露出表面を陽極酸化して誘電体膜を形成する工程と、
前記誘電体膜上に、当該誘電体膜を介して前記第１の導電層と容量結合する第２の導電層を形成する工程と
を含むことを特徴とする固体電解コンデンサの製造方法。
【請求項６】
前記第１の導電層を形成する工程において、前記弁金属の酸化物からなる複数の粒子に還元性雰囲気中で前記溶射を行うことにより、前記粒子の表層を還元して金属状態として、前記粒子を前記基板の上方に堆積させることを特徴とする請求項５に記載の固体電解コンデンサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体集積回路の近傍に実装し、半導体集積回路の高周波領域における安定動作に寄与するデカップリングキャパシタに適用して好適な固体電解コンデンサ及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
高周波電圧で駆動するＬＳＩにおいては、同時スイッチングにより発生する電源電圧の変動（同時スイッチングノイズ）による誤動作を防止するため、ノイズを吸収するいわゆるデカップリングコンデンサを電源系に並列に挿入し、電源系のインピーダンスを低下させる方法が用いられている。
【０００３】
電源系のインピーダンスＺは、以下の(１) 式で表される。
Ｚ∝Ｖ／ｎ・ｉ・ｆ  ・・・（１）
Ｚ:電源系のインピーダンス
Ｖ:駆動電圧
ｎ:ＬＳＩ当たりの素子数
ｉ:スイッチング電流
ｆ：駆動周波数
【０００４】
ＬＳＩの低電圧化、素子の高集積化、高周波数化の進展により、要求されるインピーダンスは、急激に低下している。また、デカップリングコンデンサのインピーダンスは以下の（２）式で表される。
Ｚ＝２πｆＬ＋（１／２πｆＣ）＋Ｒ  ・・・（２）
Ｌ：コンデンサのインダクタンス
Ｃ：コンデンサの容量
Ｒ：コンデンサの直流抵抗
【０００５】
【特許文献１】特開平１１−９７２８９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
低インピーダンスを得るには、デカップリングコンデンサの低インダクタンス化と大容量化が必要である。インピーダンスの急激な低下、更にはデバイスの高周波化により、デカップリングキャパシタの大幅な大容量及び低インダクタンスが要求されている。特に、例えば１００ＭＨｚ以上の高周波で駆動するデカップリングコンデンサについて、深刻な状況となりつつある。通常、デカップリングコンデンサは、ＬＳＩの周辺に積層セラミックコンデンサを配置する方法が一般的に用いられている。しかしながら、動作周波数が数百ＭＨｚ程度まで高くなると、積層セラミックコンデンサではインダクタンスが大きく、対応しきれなくなる。
【０００７】
バイパスコンデンサの低インダクタンス化を狙い、高誘電率のセラミック薄膜を絶縁基板上に形成したコンデンサが提案されている (特許文献１を参照。)。薄膜コンデンサは、半導体プロセスが利用でき、ハンダバンプによる表面実装が可能であるため、バンプピッチを短くして、低インダクタンス化を図ることができる。しかしながら、薄膜コンデンサでは、積層セラミックコンデンサ並みの容量を得ることは困難である。
【０００８】
このような背景の下、平面状の固体電解コンデンサに複数のバンプを狭ピッチで形成することで、低インダクタンスと大容量を両立するコンデンサが案出されている。固体電解コンデンサとしては、弁金属としてアルミニウム（Ａｌ）を用い、電解エッチングによる粗面化処理により大きな比表面積を得る手法と、弁金属としてタンタル（Ｔａ）やニオブ（Ｎｂ）の粉末の多孔質焼結体を用い、大きな比表面積を得る手法とがある。前者の手法では、低温プロセスで大面積のコンデンサ形成が可能であり、製造コストを抑えることができる。一方、後者の手法では、前者の手法に比べて耐水性が高く信頼性に優れている反面、弁金属の焼結に高温を要し、固体電解コンデンサを大面積に形成することが困難であり、製造コストが高くなるという問題がある。
【０００９】
本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであり、比較的低温で多孔質の弁金属を得て、低い製造コストで大面積化を可能とする信頼性の高い固体電解コンデンサ及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の固体電解コンデンサは、弁金属からなる第１の導電層と、前記第１の導電層上及び前記第１の導電層内に形成された空孔を埋め込むように設けられた導電物からなる第２の導電層と、前記第１の導電層が陽極酸化されてなり、前記第１の導電層の前記弁金属と前記第２の導電層の前記導電物との界面部位を覆う誘電体膜とを含み、前記第１の導電層と前記第２の導電層とが前記誘電体膜を介して容量結合する。
【００１１】
本発明の固体電解コンデンサの製造方法は、基板の上方に、溶射により弁金属からなる多孔質の第１の導電層を形成する工程と、前記第１の導電層の露出表面を陽極酸化して誘電体膜を形成する工程と、前記誘電体膜上に、当該誘電体膜を介して前記第１の導電層と容量結合する第２の導電層を形成する工程とを含む。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、比較的低温で多孔質の弁金属を得て、低い製造コストで大面積化を可能とする信頼性の高い固体電解コンデンサが実現する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
−本発明の基本骨子−
本発明者は、焼結法のような高温を要せず、比較的低温で多孔質の弁金属を得て、低い製造コストで大面積化を達成すべく鋭意検討した結果、本発明に想到した。
【００１４】
本発明では、溶射法を用いて弁金属を堆積し、多孔質の陽極層（第１の導電層）を形成する。
本発明によれば、耐熱性の乏しい基板、例えばプリント基板等に対しても、その表面に弁金属を堆積し、多孔質の第１の導電層を形成することができる。弁金属としては、アルミニウム（Ａｌ）等よりも高融点の金属であるタンタル（Ｔａ）又はニオブ（Ｎｂ）を用いる。
【００１５】
耐熱性の乏しいプリント基板の表面に多孔質の第１の導電層を形成するには、タンタル又はニオブの酸化物の粒子を用い、還元雰囲気中で溶射法を行う。ここでは、基板として、プリント基板の表面にタンタル又はニオブよりも融点の低い金属、例えば銅（Ｃｕ）の下地膜が形成された銅張りプリント基板を用いる場合について例示する。また、弁金属としてタンタルを用い、酸化タンタルの粒子を供給する場合について例示するが、弁金属としてニオブを用い、酸化ニオブの粒子を供給する場合でも同様である。
【００１６】
図１は、本発明における溶射法を説明するための概要図であり、図２は、本発明による固体電解コンデンサの構成を示す模式図である。図２において、（ａ）が断面図、（ｂ）が平面図であり、（ａ）の右側にはキャパシタ部の拡大図を示し、（ｂ）の破線Ｉ−Ｉに沿った断面が（ａ）に相当する。
【００１７】
本発明で用いる溶射装置は、図１に示すように、不図示のチャンバ内に、プラズマを照射する溶射トーチ１と、照射されたプラズマに粉末状の酸化タンタル粒子を供給する粉末供給ノズル２とを備えた、例えば減圧プラズマ溶射装置である。
【００１８】
第１の導電層を形成するには、チャンバ内に、プリント基板１１ａ上に銅箔１１ｂが設けられてなる銅張りプリント基板１１を設置し、チャンバ内を還元性雰囲気、例えばＡｒとＨ2との混合雰囲気として、粉末供給ノズル２から放出した酸化タンタルの粒子３に溶射トーチ１からプラズマ４を照射する。このとき、プラズマ４中で粒子３の表層が還元され、溶融状態のタンタル層３ａが生成される。
【００１９】
この状態で銅箔１１ｂの表面に到達すると、各粒子３の酸化タンタルの芯がさほど変形することなく略球状を保った状態でタンタル層３ａが結合する。これにより、結合した粒子３間に空孔５が形成された状態でタンタルが銅箔１１ｂ上に堆積し、第１の導電層１０が形成されてゆく。
【００２０】
ここで、上記の溶射において、その初期には後期よりも還元性雰囲気の還元性の度合いを高く設定、具体的にはＡｒとＨ2との混合雰囲気において初期には後期よりもＨ2の割合を多く設定し、粒子３を銅箔１１ｂ上に堆積することが望ましい。タンタル層３ａは、混合雰囲気におけるＨ2の割合が多いほど厚く形成されるため、第１の導電層１０内の下方部位において上方部位よりも粒子３の酸化タンタル部分３ｂの粒径が小さくなる。ここでは、第１の導電層１００の最下部において粒子３の酸化タンタル部分３ｂが存しない、タンタルのみからなる弁金属領域１０ａを形成する。即ち第１の導電層１０は、空孔５が存しない（最下層までは空孔５が繋がらない）弁金属領域１０ａを最下層に有する構造に形成されることになる。
【００２１】
このように、溶射法を適用することにより、焼結法のような高温を要することなく、耐熱性の乏しい基板上でも（当該基板の表面に弁金属よりも融点の低い下地金属が設けられている場合であっても）、容易且つ確実に表面積の極めて大きい多孔質の第１の導電層を形成することができる。
【００２２】
ここで、溶射条件を適宜調整することにより、銅張りプリント基板１１の温度上昇を抑えることができる。
【００２３】
また、多孔質の第１の導電層を形成する方法としては、上記の如く酸化タンタル粒子を溶射する手法が有効であるが、酸化タンタル粒子の代わりに、例えばＡｒガスの雰囲気で粉末のＴａ粒子を溶射しても良い。この手法により形成される第１の導電層１０の様子を図３に示す。図３は、図２（ａ）の拡大図に対応したものであり、第１の導電層１０は、図２（ａ）の第１の導電層１０における酸化タンタル部分３ｂが存しない構成とされる。
但しこの場合、酸化タンタル粒子を用いる場合に比べると、形成される第１の導電層の比表面積は小さくなる。
【００２４】
下地の基板については、プリント基板以外にも、セラミック基板、ガラス基板等が利用可能である。また、下地金属としては、銅以外にも、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｌ等の他の金属を用いることができる。更に、銅箔のみを下地金属とし、当該銅箔表面に第１の導電層を形成した後、基板上に接着させることも可能である。この場合、溶射の下地としては熱伝導率が高く冷却効果の高い銅箔のみであるため、熱流入量の許容値が高く、高速に第１の導電層を形成することができる。
【００２５】
上記のように第１の導電層１０を形成した後、第１の導電層１０の表面、即ち、第１の導電層１０の入り組んだ形状で一体化した空孔５で露出する部分を陽極酸化することにより、当該表面に酸化タンタルからなる誘電体膜６を形成する。そして、誘電体膜６上に導電性高分子材料を堆積し、陰極層である第２の導電層７を形成する。第２の導電層７は、導電性高分子材料が第１の導電層１０上及び第１の導電層１０内に形成された空孔を埋め込むように堆積され、第１の導電層１０上及び第１の導電層１０内における酸化タンタル部分３ｂ間の空孔５を導電性高分子材料で埋め込むように形成される。更に、例えば銀ペーストを第２の導電層７上に塗布して銀層８を形成する。
【００２６】
本発明による固体電解コンデンサでは、銀層８、第２の導電層７、誘電体膜６、及び第１の導電層１０からなる積層構造には、陽極電極となる第１の電極パッド１３を形成するための複数の開孔２１が形成され、キャパシタ部２０が構成される。
キャパシタ部２０では、入り組んだ形状の空孔５の内壁面にこれに倣った形状に誘電体膜６が形成されており、第１の導電層１０と第２の導電層７との実質的な対向面積は極めて大きく、大容量が得られる。
【００２７】
更に、銅張りプリント基板１１上に上記のように作製されたキャパシタ部２０を覆うように絶縁物の保護層１２が形成される。そして、保護層１２に形成された接続孔２２，２３を介して、第１の導電層１０と銅箔１１ｂを介して電気的に導通する複数の第１の電極パッド１３と、第２の導電層７と電気的に導通する複数の第２の電極パッド１４とが、保護層１２の表面である同一平面上に形成される。第１の電極パッド１３は開孔２１に設けられ、隣接する第１の電極パッド１３間に第２の電極パッド１４が設けられており、各電極パッド１３，１４は、言わばマトリクス状に配設される。各電極パッド１３，１４上には、外部接続用のハンダバンプ１５がそれぞれ設けられる。
【００２８】
−本発明を適用した好適な諸実施形態−
以下、上記した本発明の基本骨子を踏まえ、本発明を適用した好適な諸実施形態について図面を参照して詳細に説明する。ここでは、固体電解コンデンサの製造方法及び作製された固体電解コンデンサの評価結果について述べる。なお、本発明の基本骨子で説明したものと同一部材等については、同符号を付す。
【００２９】
（第１の実施形態）
図４は、本実施形態による固体電解コンデンサの製造方法を工程順に示す概略断面図である。
初めに、図４（ａ）に示すように、銅張りプリント基板１１上に、本発明の基本骨子で説明した溶射法により多孔質の第１の導電層１０を形成したあと、誘電体膜６を形成する。
【００３０】
詳細には、先ず、厚み０．３ｍｍ程度の銅張りプリント基板１１を、減圧プラズマ溶射装置の水冷基板ホルダ（不図示）に設置し、粉末状のＴａ2Ｏ5粒子を溶射する。溶射条件としては、チャンバ内の圧力を０．１気圧とし、還元性雰囲気としてＡｒ＋Ｈ2の混合ガスを導入し、溶射出力を５０ｋＷ、Ｔａ2Ｏ5粒子の平均粒径を２μｍとし、溶射初期にはＡｒ：Ｈ2を７：３、その後は徐々に９：１にまで水素濃度を低下させる。これにより、厚みが３０μｍ程度の第１の導電層１０を形成する。なお、水素濃度を徐々に低下させる代わりに、水素濃度を段階的に低下させるようにしても良い。
【００３１】
次に、第１の導電層１０の露出表面を陽極酸化し、第１の導電層１０の露出表面にＴａ2Ｏ5の誘電体膜６を形成する。
【００３２】
続いて、図４（ｂ）に示すように、第１の導電層１０上に誘電体膜６を介して第２の導電層７を形成した後、銀層８を形成する。
詳細には、誘電体膜６上に、ピロールモノマーを含む水溶液の塗布、重合、乾燥を数回繰り返し、ポリピロールからなる導電性高分子層である第２の導電層７を形成する。
第２の導電層７の導電性高分子材料としては、固体電解コンデンサに使用される各種材料が適用可能であり、例えばポリピロール以外にも、ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＴ）、ポリチオフェン、ポリアニリン等が適用可能である。
【００３３】
次に、第２の導電層７上に銀ペーストと塗布し、銀層８を形成する。
ここで、銀ペースト以外にも、カーボンペースト、Ｃｕ，Ｎｉ，Ａｕ等の金属メッキ膜、蒸着膜やスパッタリング膜も適用可能である。
【００３４】
続いて、図４（ｃ）に示すように、開孔２１を形成してキャパシタ部１０を形成する。
詳細には、陽極電極となる第１の電極パッド１３を形成するため、銀層８、第２の導電層７、誘電体膜６、及び第１の導電層１０からなる積層構造の陽極電極形成部位に開孔２１を形成し、キャパシタ部１０を形成する。開孔２１は、例えば４００μｍ程度のピッチで２００μｍ径に、銅箔１１ｂの表面に達するように、所定の機械加工により形成される。
【００３５】
続いて、図４（ｄ）に示すように、キャパシタ部１０を覆う保護層１２を形成する。
詳細には、絶縁物としてポリイミド樹脂を用い、このポリイミド樹脂をキャパシタ部１０を覆うように塗布形成する。
【００３６】
続いて、図４（ｅ）に示すように、保護層１２に、陽極用の接続孔２２及び陰極用の接続孔２３を形成した後、第１及び第２の電極パッド１３，１４、及びハンダバンプ１５を形成する。
【００３７】
詳細には、先ず、保護層１２に、所定のレーザを用いて、陽極用の接続孔２２及び陰極用の接続孔２３を形成する。接続孔２２は、保護層１２の開孔２１に位置整合した部位に、銅箔１１ｂの表面の一部を露出させるように形成される。一方、接続孔２３は、保護層１２の隣接する開孔２１間に位置整合した部位に、銀層８の表面の一部を露出させるように形成される。
【００３８】
次に、接続孔２２，２３を埋め込むように、例えばニッケル（Ｎｉ）メッキにより第１及び第２の電極パッド１３，１４を形成する。そして、各電極パッド１３，１４上に、外部接続用のハンダバンプ１５をそれぞれ形成する。
以上により、本実施形態の固体電解コンデンサが完成する。
【００３９】
このようにして完成した固体電解コンデンサ（キャパシタ部１０：約２０ｍｍ角）を、電気特性評価用の基板にハンダバンプ実装し、ネットワークアナライザを用いて電気特性を評価した結果、以下の特性を得た。ここで、ＥＳＲは等価直列抵抗、ＥＳＬは等価直列インダクタンスである。
静電容量：４００μＦ
ＥＳＲ  ：０．２ｍΩ
ＥＳＬ  ：０．２ｐＨ
【００４０】
なお、第１の導電層１０に相当する多孔質の陽極層を、タンタル焼結体として形成し、これを切断してプリント基板に張付して、同様な形状の固体電解コンデンサを製造する方法では、２０ｍｍ角のサイズにキャパシタ部を作製しようとすると、タンタル焼結体の厚みだけで１ｍｍ以上必要となる。また、接続孔２２，２３に相当する引き出し電極用の孔加工が困難であり、本実施形態の固体電解コンデンサに比べて厚みが３倍以上、製造コストは１０倍以上と試算された。
【００４１】
（第２の実施形態）
ここでは、第１の実施形態と同様に、図４の各工程を経て固体電解コンデンサを形成するが、図４（ａ）における溶射工程において、酸化タンタル粒子の代わりにタンタル粒子を用いる点で相違する。
【００４２】
本実施形態では、図４（ａ）における溶射工程において、厚み０．３ｍｍ程度の銅張りプリント基板１１を、減圧プラズマ溶射装置の水冷基板ホルダ（不図示）に設置し、粉末状のタンタル粒子を溶射する。溶射条件としては、チャンバ内の圧力を０．１気圧とし、雰囲気としてＡｒガスを導入し、溶射出力を３０ｋＷ、Ｔａ粒子の平均粒径を２μｍとする。これにより、厚みが３０μｍ程度の第１の導電層を形成する。
その他の工程は、第１の実施形態と同様である。
【００４３】
このようにして完成した固体電解コンデンサ（キャパシタ部１０：約２０ｍｍ角）を、電気特性評価用の基板にハンダバンプ実装し、ネットワークアナライザを用いて電気特性を評価した結果、以下の特性を得た。ここで、ＥＳＲは等価直列抵抗、ＥＳＬは等価直列インダクタンスである。
静電容量：１５０μＦ
ＥＳＲ  ：０．２ｍΩ
ＥＳＬ  ：０．２ｐＨ
【００４４】
粉末状のＴａ粒子の溶射では、第１の実施形態における粉末状のＴａ2Ｏ5粒子の溶射に比べて比表面積が小さく、その分、容量は低い。しかしながら、ＥＳＲ及びＥＳＬについては、コンデンサとして充分優れた特性を示す。
【００４５】
以下、本発明の諸態様を付記としてまとめて記載する。
【００４６】
（付記１）弁金属からなる第１の導電層と、
前記第１の導電層上及び前記第１の導電層内に形成された空孔を埋め込むように設けられた導電物からなる第２の導電層と、
前記第１の導電層が陽極酸化されてなり、前記第１の導電層の前記弁金属と前記第２の導電層の前記導電物との界面部位を覆う誘電体膜と
を含み、
前記第１の導電層と前記第２の導電層とが前記誘電体膜を介して容量結合することを特徴とする固体電解コンデンサ。
【００４７】
（付記２）前記第１の導電層は、内部に前記弁金属の酸化物からなる複数の粒子が散在してなるものであることを特徴とする付記１に記載の固体電解コンデンサ。
【００４８】
（付記３）前記第１の導電層と電気的に導通する複数の第１の電極パッドと、
前記第２の導電層と電気的に導通する複数の第２の電極パッドと
を更に含み、
前記第１の電極パッド及び前記第２の電極パッドが同一平面上に形成されていることを特徴とする付記１又は２に記載の固体電解コンデンサ。
【００４９】
（付記４）前記粒子は、前記第１の導電層内の下方部位において上方部位よりも粒径が小さいことを特徴とする付記１〜３のいずれか１項に記載の固体電解コンデンサ。
【００５０】
（付記５）前記第１の導電層は、その最下部において前記粒子の前記酸化物が存しない弁金属領域を有することを特徴とする付記４に記載の固体電解コンデンサ。
【００５１】
（付記６）前記弁金属よりも融点の低い金属からなり、前記第１の導電層下に形成された金属層を更に含むことを特徴とする付記１〜５のいずれか１項に記載の固体電解コンデンサ。
【００５２】
（付記７）前記弁金属がタンタル（Ｔａ）又はニオブ（Ｎｂ）であることを特徴とする付記１〜６のいずれか１項に記載の固体電解コンデンサ。
【００５３】
（付記８）基板の上方に、溶射により弁金属からなる多孔質の第１の導電層を形成する工程と、
前記第１の導電層の露出表面を陽極酸化して誘電体膜を形成する工程と、
前記誘電体膜上に、当該誘電体膜を介して前記第１の導電層と容量結合する第２の導電層を形成する工程と
を含むことを特徴とする固体電解コンデンサの製造方法。
【００５４】
（付記９）前記第１の導電層を形成する工程において、前記弁金属の酸化物からなる複数の粒子に還元性雰囲気中で前記溶射を行うことにより、前記粒子の表層を還元して金属状態として、前記粒子を前記基板の上方に堆積させることを特徴とする付記８に記載の固体電解コンデンサの製造方法。
【００５５】
（付記１０）前記第１の導電層を形成する工程において、前記弁金属からなる複数の粒子に前記溶射を行うことにより、前記粒子を前記基板の上方に堆積させることを特徴とする付記８に記載の固体電解コンデンサの製造方法。
【００５６】
（付記１１）前記溶射において、その初期には後期よりも前記還元性雰囲気の還元性の度合いを高く設定し、前記粒子を前記第１の導電層内の下方部位において上方部位よりも粒径が小さくなるように形成することを特徴とする付記８又は９に記載の固体電解コンデンサの製造方法。
【００５７】
（付記１２）前記溶射において、前記第１の導電層の最下部において前記粒子の前記酸化物が存しない弁金属領域を形成することを特徴とする付記１１に記載の固体電解コンデンサの製造方法。
【００５８】
（付記１３）前記第２の導電層を形成した後、前記第１の導電層と電気的に導通する第１の電極パッドと、前記第２の導電層と電気的に導通する第２の電極パッドとを、同一平面上に形成する工程を更に含むことを特徴とする付記８〜１２のいずれか１項に記載の固体電解コンデンサの製造方法。
【００５９】
（付記１４）表面に、前記弁金属よりも融点の低い金属からなる金属層が設けられた前記基板を用い、前記金属層上に前記第１の導電層を形成することを特徴とする付記８〜１３のいずれか１項に記載の固体電解コンデンサの製造方法。
【００６０】
（付記１５）前記弁金属がタンタル（Ｔａ）又はニオブ（Ｎｂ）であることを特徴とする付記８〜１４のいずれか１項に記載の固体電解コンデンサの製造方法。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】本発明における溶射法を説明するための概要図である。
【図２】本発明による固体電解コンデンサの構成を示す模式図である。
【図３】他の溶射法により形成された第１の導電層の様子を示す概略断面図である。
【図４】本実施形態による固体電解コンデンサの製造方法を工程順に示す概略断面図である。
【符号の説明】
【００６２】
１  溶射トーチ
２  粉末供給ノズル
３  粒子
３ａ  タンタル層
４  プラズマ
５  空孔
６  誘電体膜
７  第２の導電層
８  銀層
１０  第１の導電層
１０ａ  弁金属領域
３ｂ  酸化タンタル部分
１１  銅張りプリント基板
１１ａ  プリント基板
１１ｂ  銅箔
１２  保護層
１３  第１の電極パッド
１４  第２の電極パッド
１５  ハンダバンプ
２０  キャパシタ部
２１  開孔
２２，２３  接続孔
【図１】
2008198794.tif 000003
【図２】
2008198794.tif 000004
【図３】
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【図４】
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