(57)【要約】【課題】高い光取り出し効率を達成可能とする。【解決手段】本発明の有機ＥＬ表示装置は、一方の主面が凹部を含んだ反射層ＲＥＦと、前記凹部の底面と向き合った光透過性の第１電極ＰＥと、前記第１電極ＰＥを間に挟んで前記底面と向き合った光透過性の第２電極ＣＥと、前記第１電極ＰＥ及び第２電極ＣＥ間に介在した発光層ＡＣＴとを具備し、前記第２電極ＣＥの前記底面と向き合った主面は、前記凹部の開口と同一平面内にあるか又は前記開口と前記底面との間に位置し、前記第１電極ＰＥは、前記開口と前記底面との間に位置した端面を含んでいることを特徴とする。【選択図】      図２
2008226483.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方の主面が凹部を含んだ反射層と、
前記凹部の底面と向き合った光透過性の第１電極と、
前記第１電極を間に挟んで前記底面と向き合った光透過性の第２電極と、
前記第１及び第２電極間に介在した発光層とを具備し、
前記第２電極の前記底面と向き合った主面は、前記凹部の開口と同一平面内にあるか又は前記開口と前記底面との間に位置し、
前記第１電極は、前記開口と前記底面との間に位置した端面を含んでいることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
一方の主面が凹部を含んだ反射層と、
前記凹部の底面と向き合った光透過性の第１電極と、
前記第１電極を間に挟んで前記底面と向き合った光透過性の第２電極と、
前記第１及び第２電極間に介在した発光層とを具備し、
前記第２電極の前記底面と向き合った主面は、前記凹部の開口と同一平面内にあるか又は前記開口と前記底面との間に位置し、
前記第１電極は、前記凹部の側壁又は前記開口を向いた端面を含んでいることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
前記反射層と前記第１電極との間に介在した平坦化層をさらに具備し、前記底面は凹凸構造が設けられた光散乱面であることを特徴とする請求項１又は２に記載の有機ＥＬ表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ素子の輝度は、これに流す電流の大きさに応じて増加する。しかしながら、電流密度を高めると、消費電力が大きくなるのに加え、有機ＥＬ素子の寿命が著しく短くなる。したがって、高輝度、低消費電力、長寿命を同時に実現するには、特許文献１に記載されているように、発光層が放出する光を外部へとより効率的に取り出すこと，すなわち光の取り出し効率を向上させること，が重要である。
【特許文献１】特開２００２−２０２７３７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明の目的は、高い光取り出し効率を達成可能とすることにある。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明の第１側面によると、一方の主面が凹部を含んだ反射層と、前記凹部の底面と向き合った光透過性の第１電極と、前記第１電極を間に挟んで前記底面と向き合った光透過性の第２電極と、前記第１及び第２電極間に介在した発光層とを具備し、前記第２電極の前記底面と向き合った主面は、前記凹部の開口と同一平面内にあるか又は前記開口と前記底面との間に位置し、前記第１電極は、前記開口と前記底面との間に位置した端面を含んでいることを特徴とする有機ＥＬ表示装置が提供される。
【０００５】
本発明の第２側面によると、一方の主面が凹部を含んだ反射層と、前記凹部の底面と向き合った光透過性の第１電極と、前記第１電極を間に挟んで前記底面と向き合った光透過性の第２電極と、前記第１及び第２電極間に介在した発光層とを具備し、前記第２電極の前記底面と向き合った主面は、前記凹部の開口と同一平面内にあるか又は前記開口と前記底面との間に位置し、前記第１電極は、前記凹部の側壁又は前記開口を向いた端面を含んでいることを特徴とする有機ＥＬ表示装置が提供される。
【発明の効果】
【０００６】
本発明によると、高い光取り出し効率を達成することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
以下、本発明の態様について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図において、同様又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。
【０００８】
図１は、本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示装置を概略的に示す平面図である。図２は、図１に示す有機ＥＬ表示装置の表示パネルを概略的に示す断面図である。
【０００９】
図１に示す表示装置は、アクティブマトリクス駆動方式を採用した上面発光型有機ＥＬ表示装置である。この表示装置は、表示パネルＤＰと映像信号線ドライバＸＤＲと走査信号線ドライバＹＤＲとを含んでいる。
【００１０】
表示パネルＤＰは、図１及び図２に示すように、アレイ基板ＡＳと封止基板ＣＳとを含んでいる。アレイ基板ＡＳと封止基板ＣＳとは、向き合っており、中空体を形成している。具体的には、封止基板ＣＳの中央部は、アレイ基板ＡＳから離間している。封止基板ＣＳの周縁部は、図２に示す枠形のシール層ＳＳを介して、アレイ基板ＡＳの一方の主面に貼り付けられている。
【００１１】
アレイ基板ＡＳは、図１及び図２に示す絶縁基板ＳＵＢを含んでいる。絶縁基板ＳＵＢは、例えばガラス基板である。
【００１２】
基板ＳＵＢ上には、図２に示すアンダーコート層ＵＣが形成されている。アンダーコート層ＵＣは、例えば、基板ＳＵＢ上に、シリコン窒化物層とシリコン酸化物層とをこの順に積層してなる。
【００１３】
アンダーコート層ＵＣ上には、図示しない半導体パターンが形成されている。半導体パターンは、例えば不純物を含有したポリシリコンからなる。この半導体パターンの一部は、薄膜トランジスタの半導体層として利用している。各半導体層には、ソース及びドレインとして利用する不純物拡散領域が形成されている。また、この半導体パターンの他の一部は、後述するキャパシタＣの下部電極として利用している。下部電極は、後述する画素ＰＸに対応して配列している。
【００１４】
半導体パターンは、ゲート絶縁膜ＧＩで被覆されている。ゲート絶縁膜ＧＩは、例えばＴＥＯＳ（tetraethyl orthosilicate）を用いて形成することができる。
【００１５】
ゲート絶縁膜ＧＩ上には、図１に示す走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２が形成されている。走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２は、画素ＰＸの行に沿ったＸ方向に延びており、画素ＰＸの列に沿ったＹ方向に交互に配列している。走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２は、例えばＭｏＷからなる。なお、Ｚ方向は、Ｘ方向とＹ方向とに垂直な方向である。
【００１６】
ゲート絶縁膜ＧＩ上には、キャパシタＣの上部電極がさらに配置されている。これら上部電極は、画素ＰＸに対応して配列しており、キャパシタＣの下部電極と向き合っている。上部電極は、例えばＭｏＷからなり、走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２と同一の工程で形成することができる。
【００１７】
走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２は、半導体層と交差している。走査信号線ＳＬ１と半導体層との交差部は、図１に示すスイッチングトランジスタＳＷａを構成している。走査信号線ＳＬ２と半導体層との交差部は、スイッチングトランジスタＳＷｂ及びＳＷｃを構成している。また、先に説明した下部電極と上部電極とそれらの間に介在した絶縁膜ＧＩとは、キャパシタＣを構成している。上部電極は、キャパシタＣからＺ方向に垂直な方向に突き出た突出部を含んでおり、この突出部と半導体層とは交差している。この交差部は、駆動トランジスタＤＲを構成している。なお、この例では、駆動トランジスタＤＲ及びスイッチングトランジスタＳＷａ乃至ＳＷｃは、トップゲート型のｐチャネル薄膜トランジスタである。
【００１８】
ゲート絶縁膜ＧＩ、走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２、並びに上部電極は、図２に示す層間絶縁膜ＩＩで被覆されている。層間絶縁膜ＩＩは、例えばプラズマＣＶＤ法により堆積させたシリコン酸化物からなる。
【００１９】
層間絶縁膜ＩＩ上には、図１に示す映像信号線ＤＬと電源線ＰＳＬとが形成されている。映像信号線ＤＬは、Ｙ方向に延びており、Ｘ方向に配列している。電源線ＰＳＬは、例えば、Ｙ方向に延びており、Ｘ方向に配列している。
【００２０】
層間絶縁膜ＩＩ上には、図示しないソース電極及びドレイン電極がさらに形成されている。ソース電極及びドレイン電極は、画素ＰＸの各々において素子同士を接続している。
【００２１】
映像信号線ＤＬと電源線ＰＳＬとソース電極とドレイン電極とは、例えば、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏの三層構造を有している。これらは、同一工程で形成可能である。
【００２２】
映像信号線ＤＬと電源線ＰＳＬとソース電極とドレイン電極とは、図２に示すパッシベーション膜ＰＳで被覆されている。パッシベーション膜ＰＳには、スイッチングトランジスタＳＷａのドレインに接続されたドレイン電極に対応した位置に貫通孔が形成されている。パッシベーション膜は、例えばシリコン窒化物からなる。
【００２３】
パッシベーション膜ＰＳは、表面に凹凸構造が設けられたレリーフ層ＲＬで被覆されている。レリーフ層ＲＬは、連続膜であってもよく、複数の部分にパターニングされていてもよい。ここでは、一例として、パッシベーション膜ＰＳ上では、画素ＰＸに対応してパターニングされたレリーフ層ＲＬが配列していることとする。
【００２４】
レリーフ層ＲＬは、樹脂と粒子とを含有した分散液を用いて形成することができる。或いは、レリーフ層ＲＬは、凹凸構造が設けられた版を利用して形成してもよい。レリーフ層ＲＬは、典型的には絶縁体からなる。レリーフ層ＲＬは、省略してもよい。
【００２５】
パッシベーション膜ＰＳは、側壁形成層ＳＷＦでさらに被覆されている。側壁形成層ＳＷＦには、後述する画素電極ＰＥに対応した位置に貫通孔が設けられている。典型的には、各貫通孔の側壁は、この貫通孔がパッシベーション膜ＰＳ側から開口側に向けて拡径するように傾斜している。側壁形成層ＳＷＦは、連続膜であってもよく、複数の部分にパターニングされていてもよい。ここでは、一例として、パッシベーション膜ＰＳ上では、各々が枠形状を有している側壁形成層ＳＷＦが配列しており、各側壁形成層ＳＷＦはレリーフ層ＲＬの周縁部を被覆していることとする。
【００２６】
レリーフ層ＲＬと側壁形成層ＳＷＦとは、画素電極ＰＥに対応した位置に凹部が設けられた凹部形成層ＲＦを構成している。凹部形成層ＲＦは、レリーフ層ＲＬと側壁形成層ＳＷＦとで構成する代わりに、単一の層で構成してもよい。
【００２７】
凹部形成層ＲＦに設けられた各凹部の底面及び側壁は、反射層ＲＥＦで被覆されている。反射層ＲＥＦは、例えば、アルミニウム及び銀などの金属又は合金からなる。
【００２８】
凹部形成層ＲＦは、反射層ＲＥＦの表面に凹部を形成している。反射層ＲＥＦに設けられた凹部の底面は、レリーフ層ＲＬに設けられたのと同様の凹凸構造を含んでおり、光散乱面としての役割を果たす。これら凹部の側壁は、典型的には、パッシベーション膜ＰＳ側から開口側に向けて拡径するように傾斜している。
【００２９】
反射層ＲＥＦは、連続膜であってもよく、複数の部分にパターニングされていてもよい。ここでは、一例として、反射層ＲＥＦは、凹部形成層ＲＦに設けられた凹部に対応してパターニングされていることとする。
【００３０】
反射層ＲＥＦは、平坦化層ＦＬで被覆されている。反射層ＲＥＦに設けた凹部では、平坦化層ＦＬの表面は、略平坦であり、先の凹部の開口と底面との間に位置している。典型的には、平坦化層ＦＬは、側壁系性層ＳＷＦ及びパッシベーション膜ＰＳをさらに被覆している。平坦化層ＦＬは、例えば、アクリル樹脂などの硬質樹脂からなる。平坦化層ＦＬは、反射層ＲＥＦに設けた凹部の底面が凹凸構造を含んでいない場合には省略してもよい。
【００３１】
平坦化層ＦＬ上では、光透過性の第１電極である画素電極ＰＥが配列している。画素電極ＰＥは、例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）などの透明導電材料からなる。
【００３２】
画素電極ＰＥは、反射層ＲＥＦに設けた凹部の底面と向き合っている。また、画素電極ＰＥは、反射層ＲＥＦに設けた凹部の開口と底面との間に位置した端面を含んでいる。すなわち、画素電極ＰＥは、反射層ＲＥＦに設けた凹部の側壁又は開口を向いた端面を含んでいる。
【００３３】
典型的には、画素電極ＰＥは、電極本体と、これをスイッチングトランジスタＳＷａのドレインと電気的に接続するための延長部とを含んでいる。この場合、典型的には、電極本体は、その全体を反射層ＲＥＦに設けた凹部内に位置させる。
【００３４】
平坦化層ＦＬ上には、隔壁絶縁層ＰＩがさらに設置されている。隔壁絶縁層ＰＩには、画素電極ＰＥに対応した位置に貫通孔が設けられているか、又は、画素電極ＰＥが形成する列に対応した位置にスリットが設けられている。ここでは、一例として、隔壁絶縁層ＰＩには、画素電極ＰＥに対応した位置に貫通孔が設けられていることとする。
【００３５】
隔壁絶縁層ＰＩは、例えば、有機絶縁層である。隔壁絶縁層ＰＩは、例えば、フォトリソグラフィ技術を用いて形成することができる。
【００３６】
各画素電極ＰＥ上には、活性層ＡＣＴが形成されている。活性層ＡＣＴが含んでいる各層は、画素ＰＸに対応してパターニングされていてもよい。或いは、活性層ＡＣＴが含んでいる各層は、画素ＰＸ間で繋がっていてもよい。何れの場合であっても、活性層ＡＣＴのうち凹部形成層ＲＦに設けられた凹部に対応した部分の各々は、この凹部の開口と底面との間に位置している。典型的には、活性層ＡＣＴのうち凹部形成層ＲＦに設けられた凹部に対応した部分の各々は、この凹部の開口から１μｍ以上離して位置させる。
【００３７】
活性層ＡＣＴは、図示しない発光層を含んでいる。発光層は、ルミネッセンス性の有機材料からなる。活性層ＡＣＴは、発光層に加え、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロッキング層、正孔ブロッキング層、電子輸送層、及び電子注入層の少なくとも１つをさらに含んでいてもよい。
【００３８】
活性層ＡＣＴが含んでいる各層は、典型的には有機物からなる。電子注入層などの活性層ＡＣＴが含んでいる層の一部は無機物層であってもよい。
【００３９】
隔壁絶縁層ＰＩ及び活性層ＡＣＴは、光透過性の対向電極ＣＥで被覆されている。本態様では、対向電極ＣＥは、画素ＰＸ間で共用している共通電極である。また、本態様では、対向電極ＣＥは陰極である。対向電極ＣＥは、例えば、隔壁絶縁層ＰＩと平坦化層ＦＬとパッシベーション膜ＰＳとに設けられたコンタクトホールを介して、映像信号線ＤＬと同一の層上に形成された電極配線（図示せず）に電気的に接続されている。
【００４０】
対向電極ＣＥは、単層構造を有していてもよく、多層構造を有していてもよい。単層構造の対向電極ＣＥは、例えば、マグネシウムと銀との合金などの合金又は金属からなる層である。多層構造の対向電極ＣＥは、例えば、先の合金又は金属からなる層とＩＴＯなどの透明導電材料からなる層との積層体である。
【００４１】
画素電極ＰＥと活性層ＡＣＴと対向電極ＣＥとは、複数の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを構成している。これら有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、マトリクス状に配列している。
【００４２】
画素ＰＸの各々は、図１に示すように、駆動トランジスタＤＲと、スイッチングトランジスタＳＷａ乃至ＳＷｃと、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤと、キャパシタＣとを含んでいる。上記の通り、この例では、駆動トランジスタＤＲ及びスイッチングトランジスタＳＷａ乃至ＳＷｃはｐチャネル薄膜トランジスタである。
【００４３】
駆動トランジスタＤＲとスイッチングトランジスタＳＷａと有機ＥＬ素子ＯＬＥＤとは、第１電源端子ＮＤ１と第２電源端子ＮＤ２との間で、この順に直列に接続されている。この例では、電源端子ＮＤ１は高電位電源端子であり、電源端子ＮＤ２は低電位電源端子である。
【００４４】
スイッチングトランジスタＳＷａのゲートは、走査信号線ＳＬ１に接続されている。スイッチングトランジスタＳＷｂは、映像信号線ＤＬと駆動トランジスタＤＲのドレインとの間に接続されており、そのゲートは走査信号線ＳＬ２に接続されている。スイッチングトランジスタＳＷｃは、駆動トランジスタＤＲのドレインとゲートとの間に接続されており、そのゲートは走査信号線ＳＬ２に接続されている。
【００４５】
キャパシタＣは、駆動トランジスタＤＲのゲートと定電位端子ＮＤ１’との間に接続されている。この例では、定電位端子ＮＤ１’は、電源端子ＮＤ１に接続されている。
【００４６】
封止基板ＣＳは、図２に示すように、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを間に挟んで基板ＳＵＢと向き合っている。封止基板ＣＳは、例えばガラス基板である。
【００４７】
シール層ＳＳは、上記の通り、枠形状を有しており、アレイ基板ＡＳと封止基板ＣＳの周縁部との間に介在している。シール層ＳＳは、全画素ＰＸによって構成された画素群を取り囲んでいる。シール層ＳＳの材料としては、例えば、フリットガラス及び接着剤を使用することができる。
【００４８】
映像信号線ドライバＸＤＲ及び走査信号線ドライバＹＤＲは、図１に示すように、アレイ基板ＡＳに搭載されている。映像信号線ドライバＸＤＲには、映像信号線ＤＬが接続されている。この例では、映像信号線ドライバＸＤＲには、電源線ＰＳＬがさらに接続されている。映像信号線ドライバＸＤＲは、映像信号線ＤＬに映像信号を電流信号として出力すると共に、電源線ＰＳＬに電源電圧を供給する。走査信号線ドライバＹＤＲには、走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２が接続されている。走査信号線ドライバＹＤＲは、走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２にそれぞれ第１及び第２走査信号を電圧信号として出力する。
【００４９】
この有機ＥＬ表示装置で画像を表示する場合、例えば、画素ＰＸを行毎に順次選択する。或る画素ＰＸを選択している選択期間では、その画素ＰＸに対して書込動作を行う。或る画素ＰＸを選択していない非選択期間では、その非選択中の画素ＰＸで表示動作を行う。
【００５０】
具体的には、或る行の画素ＰＸを選択する選択期間では、まず、走査信号線ドライバＹＤＲから、先の画素ＰＸが接続された走査信号線ＳＬ１に、スイッチングトランジスタＳＷａを開く（非導通状態とする）走査信号を電圧信号として出力する。続いて、走査信号線ドライバＹＤＲから、先の画素ＰＸが接続された走査信号線ＳＬ２に、スイッチングトランジスタＳＷｂ及びＳＷｃを閉じる（導通状態とする）走査信号を電圧信号として出力する。この状態で、映像信号線ドライバＹＤＲから、映像信号線ＤＬに、映像信号を電流信号（書込電流）Ｉsigとして出力し、駆動トランジスタＤＲのゲート−ソース間電圧Ｖgsを、先の映像信号Ｉsigに対応した大きさに設定する。その後、走査信号線ドライバＹＤＲから、先の画素ＰＸが接続された走査信号線ＳＬ２に、スイッチングトランジスタＳＷｂ及びＳＷｃを開く走査信号を電圧信号として出力する。続いて、走査信号線ドライバＹＤＲから、先の画素ＰＸが接続された走査信号線ＳＬ１に、スイッチングトランジスタＳＷａを閉じる走査信号を電圧信号として出力する。これにより、選択期間を終了する。
【００５１】
選択期間に続く非選択期間では、走査信号線ドライバＹＤＲから、先の画素ＰＸが接続された走査信号線ＳＬ１に、スイッチングトランジスタＳＷａを閉じる走査信号を電圧信号として出力する。スイッチングトランジスタＳＷａは閉じたままとし、スイッチングトランジスタＳＷｂ及びＳＷｃは開いたままとする。非選択期間では、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤには、駆動トランジスタＤＲのゲート−ソース間電圧Ｖgsに対応した大きさの駆動電流Ｉdrvが流れる。有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、駆動電流Ｉdrvの大きさに対応した輝度で発光する。
【００５２】
上述した構造を採用すると、高い光取り出し効率を達成することができる。これについて、図３及び図４を参照しながら説明する。
【００５３】
図３は、図２に示す表示パネルの一部を拡大して示す断面図である。図４は、比較例に係る表示パネルの断面図である。
【００５４】
発光層が放出した光の一部は、対向電極ＣＥと反射層ＲＥＦとの間を、Ｚ方向に対して略垂直な方向に伝播する。反射層ＲＥＦが凹部形成層ＲＦの側壁を被覆していない場合、Ｚ方向に対して略垂直な方向に伝播した光は、表示に利用することができない。
【００５５】
これに対し、図３に示すように凹部形成層ＲＦの側壁を反射層ＲＥＦで被覆した場合、Ｚ方向に対して略垂直な方向に伝播した光は、反射層ＲＥＦのうち凹部形成層ＲＦの側壁を被覆している部分によって前方へ反射される。すなわち、図３に示す構造を採用した場合、Ｚ方向に対して略垂直な方向に伝播した光を表示に利用することができ、それゆえ、高い光取り出し効率を達成することができる。
【００５６】
また、画素電極ＰＥのうち隔壁絶縁層ＰＩと反射層ＲＥＦとに挟まれた部分は、導波路として振舞い得る。そのため、図４に示すように画素電極ＰＥの端部が側壁形成層ＳＷＦの上面を被覆している場合、画素電極ＰＥの端面から出射した光は、Ｚ方向に対して略垂直な方向へと進行するため、表示に利用することができない。
【００５７】
これに対し、図３に示すように画素電極ＰＥの端部が反射層ＲＥＦに設けた凹部の開口と底面との間に位置している場合、画素電極ＰＥの端面から出射した光は、前方へと進行するか又は反射層ＲＥＦに向けて進行する。それゆえ、図３に示す構造を採用すると、画素電極ＰＥの端面から出射した光を表示に利用することができる。すなわち、図３に示す構造を採用すると、図４に示す構造を採用した場合と比較してより高い光取り出し効率を達成することができる。
【００５８】
上述した有機ＥＬ表示装置には、様々な変形が可能である。例えば、本態様では、有機ＥＬ表示装置に映像信号として電流信号を書き込む構成を採用したが、有機ＥＬ表示装置に映像信号として電圧信号を書き込む構成を採用してもよい。また、本態様では、有機ＥＬ表示装置にアクティブマトリクス駆動方式を採用したが、パッシブマトリクス駆動方式やセグメント駆動方式などの他の駆動方式を採用してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示装置を概略的に示す平面図。
【図２】図１に示す有機ＥＬ表示装置の表示パネルを概略的に示す断面図。
【図３】図２に示す表示パネルの一部を拡大して示す断面図。
【図４】比較例に係る表示パネルの断面図。
【符号の説明】
【００６０】
ＡＣＴ…活性層、ＡＳ…アレイ基板、Ｃ…キャパシタ、ＣＥ…対向電極、ＣＳ…封止基板、ＤＬ…映像信号線、ＤＰ…表示パネル、ＤＲ…駆動トランジスタ、ＦＬ…平坦化層、ＧＩ…ゲート絶縁膜、ＩＩ…層間絶縁膜、ＮＤ１…電源端子、ＮＤ１’…定電位端子、ＮＤ２…電源端子、ＯＬＥＤ…有機ＥＬ素子、ＰＥ…画素電極、ＰＩ…隔壁絶縁層、ＰＳ…パッシベーション膜、ＰＳＬ…電源線、ＰＸ…画素、ＲＥＦ…反射層、ＲＦ…凹部形成層、ＲＬ…レリーフ層、ＳＬ１…走査信号線、ＳＬ２…走査信号線、ＳＳ…シール層、ＳＵＢ…絶縁基板、ＳＷａ…スイッチングトランジスタ、ＳＷｂ…スイッチングトランジスタ、ＳＷｃ…スイッチングトランジスタ、ＳＷＦ…側壁形成層、ＵＣ…アンダーコート層、ＸＤＲ…映像信号線ドライバ、ＹＤＲ…走査信号線ドライバ。
【図１】
2008226483.tif 000003
【図２】
2008226483.tif 000004
【図３】
2008226483.tif 000005
【図４】
2008226483.tif 000006