(57)【要約】【課題】ＩＣパッケージ側のランドに対してコンタクトが金属接触でき、生産性が高く、多ピン化、ファインピッチ化、大電流化、高速化に対応できるＩＣソケットを提供する。【解決手段】コンタクト片１０は、一端部側がソケット基体２０のコンタクト固定部２２に一体成型され、一端部以外の部分は、貫通孔２１に臨んだ状態となっている。スルーホール部３０は、コンタクト固定部２２を表裏方向に貫通するスルーホール３１の内壁を介して、コンタクト片１０の開口部１１とスルーホール３１とが合致した状態でコンタクト片１０の開口部１１の周辺と、スルーホール３１の裏面側の周辺とに亘って形成されためっき層３２でなる。【選択図】図２
2008027774.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＩＣパッケージを装着する表面側から裏面側に向けて形成された複数のコンタクト収納穴が配置され、前記コンタクト収納穴の周縁部にコンタクト固定部を有する、板状のソケット基体と、
前記コンタクト収納穴に臨んだ状態で前記コンタクト固定部の表面側に一端部側が固定されたコンタクト片と、
前記コンタクト片の前記一端部と前記コンタクト固定部とを貫いて前記コンタクト片を前記ソケット基体の裏面側への導通を可能にするスルーホール部と、
を備えることを特徴とするＩＣソケット。
【請求項２】
前記ソケット基体は、電気絶縁性を有する合成樹脂で形成されていることを特徴とする請求項１に記載されたＩＣソケット。
【請求項３】
前記コンタクト収納穴は、前記ソケット基体の表裏方向に貫通して形成されていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載されたＩＣソケット。
【請求項４】
前記コンタクト片の他端部には、装着されるＩＣパッケージ側へ膨出するコンタクト突起が形成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載されたＩＣソケット。
【請求項５】
前記コンタクト突起は、前記コンタクト片の他端部に設けられた樹脂突起の表面を金属層で被覆されていることを特徴とする請求項４に記載されたＩＣソケット。
【請求項６】
前記コンタクト収納穴には、反発性を有する部材が収容されていることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載されたＩＣソケット。
【請求項７】
前記コンタクト片の他端部は、当該コンタクト片が固定された前記コンタクト固定部に隣接するコンタクト固定部と重ならないように設けられていることを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載されたＩＣソケット。
【請求項８】
前記コンタクト片は、クランク上に屈曲した平面形状を有することを特徴とする請求項７に記載されたＩＣソケット。
【請求項９】
前記ソケット基体の裏面側に露出するスルーホール部には、はんだボールが設けられていることを特徴とする請求項１乃至請求項８のいずれか一項に記載されたＩＣソケット。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一項に記載された、一対のＩＣソケットが裏面同士を合わせた状態で当接され、且つ前記裏面側の前記スルーホール部同士がはんだづけされていることを特徴とするＩＣソケット複合体。
【請求項１１】
一端部にスルーホール用開口部を有する複数のコンタクト片を、金属板を加工して形成する工程と、
前記コンタクト片を射出成形型にセットして、板状のソケット基体を射出成形を行って、ＩＣパッケージを装着する表面側から裏面側に向けて凹んだ複数のコンタクト収納穴が配置され、且つ前記コンタクト収納穴の周縁部のコンタクト固定部に前記コンタクト片の一端部が固定され、前記スルーホール用開口部と連通するスルーホールを有する、板状のソケット基体を形成する工程と、
前記スルーホールおよび前記コンタクト片の一部を露出させるように型にセットする工程と、
前記スルーホールおよび前記コンタクト片の露出した部分にめっき層を形成するめっき工程と、
を備えることを特徴とするＩＣソケットの製造方法。
【請求項１２】
前記コンタクト収納穴は、前記ソケット基体の表裏方向に貫通して形成することを特徴とする請求項１１に記載されたＩＣソケットの製造方法。
【請求項１３】
前記射出成形では、前記コンタクト片の他端部表面に盛り上がった形状の樹脂突起を形成し、前記めっき工程では、前記コンタクト片の他端部上に前記樹脂突起を封止するめっき層を形成することを特徴とする請求項１１又は請求項１２に記載されたＩＣソケットの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、ＣＰＵやＬＳＩなどのＩＣパッケージを例えばプリント基板に実装する際に使用するＩＣソケットに関し、さらに詳しくは、例えば三次元回路形成技術を用いて立体回路が形成されたＩＣソケットおよびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、ＣＰＵやＬＳＩなどのＩＣパッケージを、ＩＣソケットを介してプリント基板に実装する技術が検討されている。パーソナルコンピュータやサーバのマザーボードの多くには、ＬＧＡ（Land Grid array）パッケージや、ＢＧＡ（Ball Grid Array）パッケージのＣＰＵを装着するためのソケットが実装されている。
【０００３】
ＣＰＵは、その機能、性能の向上のため、年々多ピン化、高速化が進んでおり、パッケージの大型化やファインピッチ化によって対応がなされている。これに伴い、ＩＣソケットも多ピン化への対応が必要になるとともに、パッケージのサイズアップに伴う撓み量増大への対応や、パッケージの接触ランドやボールの高さばらつきへの対応が必要になる。
【０００４】
したがって、ＩＣソケットでは、ＩＣパッケージの電極部との接触において撓み方向へのストロークを確保できる構造が求められる。
【０００５】
また、ファインピッチ化に対する対応としては、極力簡単な構造で実現すべきであり、パッケージからプリント基板への接続を短い距離で行う構造が望ましい。
【０００６】
さらに、高速化に対する対応としては、ＩＣソケットとパッケージとのコンタクトが低インダクタンスであることが重要であり、高速化による消費電流増大に対応して許容電流も高いことが求められる。
【０００７】
現在のＬＧＡパッケージ用ソケットの主流は、約１ｍｍピッチの４００〜８００ピンのものであり、金属板を複雑に折り曲げて所定のコンタクト片を作り、これをソケットハウジングにコンタクトを挿入した構造のＩＣソケットが知られている（例えば、特許文献１、２参照）。しかし、これらのＩＣソケットでは、ソケットハウジングに１ピンずつコンタクトを挿入して組み立てるため、ピン数が多くなると製造に必要なコンタクト挿入時間が増大し、生産性が悪化する。
【０００８】
このような問題の対策案として、コンタクトとして導電性エラストマーによるコラムを用いた構造のものが知られている（例えば、特許文献３参照）。しかし、このようにコンタクトとしてエラストマーを用いると、金属接触に比較して接触抵抗が高く、高電流化に対して発熱や電圧降下の増大の恐れがある。また、エラストマーを用いたＩＣソケットでは、ＩＣパッケージを装着するときに、エラストマーでなるコンタクト部が、ＩＣパッケージ側のランド（電極部）の金属面をワイピング（擦過）しないため、ランドの酸化膜除去が期待できないという問題点がある。さらに、このＩＣソケットは、ＩＣパッケージ側の金属でなるランドに対してエラストマーの圧接で接触するため、経時的に接触抵抗が変化するなどの問題点がある。
【特許文献１】特開２００４−１５８４３０号公報
【特許文献２】特開２００５−１９２８４号公報
【特許文献３】米国特許第６，６６９，４９０号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
そこで、本発明の目的は、ＩＣパッケージ側のランドに対してコンタクトが金属接触でき、生産性が高く、多ピン化、ファインピッチ化、大電流化、高速化に対応できるＩＣソケットおよびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の第１の特徴は、ＩＣソケットであって、ＩＣパッケージを装着する表面側から裏面側に向けて形成された複数のコンタクト収納穴が配置され、前記コンタクト収納穴の周縁部にコンタクト固定部を有する、板状のソケット基体と、前記コンタクト収納穴に臨んだ状態で前記コンタクト固定部の表面側に一端部側が固定されたコンタクト片と、前記コンタクト片の前記一端部と前記コンタクト固定部とを貫いて前記コンタクト片を前記ソケット基体の裏面側への導通を可能にするスルーホール部と、を備えることを要旨とする。
【００１１】
本発明の第２の特徴は、ＩＣソケット複合体であって、請求項１乃至請求項９のいずれか一項に記載された一対のＩＣソケットが、裏面同士を合わせた状態で当接され、且つ前記裏面側の前記スルーホール部同士がはんだづけされていることを要旨とする。
【００１２】
本発明の第３の特徴は、一端部にスルーホール用開口部を有する複数のコンタクト片を、金属板を加工して形成する工程と、前記コンタクト片を射出成形型にセットして、板状のソケット基体を射出成形を行って、ＩＣパッケージを装着する表面側から裏面側に向けて凹んだ複数のコンタクト収納穴が配置され、且つ前記コンタクト収納穴の周縁部のコンタクト固定部に前記コンタクト片の一端部が固定され、前記スルーホール用開口部と連通するスルーホールを有する、板状のソケット基体を形成する工程と、前記スルーホールおよび前記コンタクト片の一部を露出させるように型にセットする工程と、前記スルーホールおよび前記コンタクト片の露出した部分にめっき層を形成するめっき工程と、を備えることを要旨とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、ＩＣパッケージ側のランドに対してコンタクトが金属接触でき、生産性が高く、多ピン化、ファインピッチ化、大電流化、高速化に対応できるＩＣソケットを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明に係るＩＣソケット、ＩＣソケット複合体、およびＩＣソケットの製造方法を図面に示す実施の形態に基づいて説明する。
【００１５】
［第１の実施の形態］
図１および図２は、第１の実施の形態に係るＩＣソケットを示している。なお、図１は第１の実施の形態に係るＩＣソケットの要部平面図、図２は図１のＡ−Ａ断面図である。
【００１６】
本実施の形態のＩＣソケット１は、複数のコンタクト片１０と、これらコンタクト片１０を所定の配列で配置するソケット基体２０と、スルーホール部３０と、から大略構成されている。
【００１７】
コンタクト片１０は、例えば、ベリリウム銅、燐青銅などの銅合金やステンレス合金などの、導電性ならびに反発性（ばね性）を有する金属板を外形加工してなる。このコンタクト片１０は長方形状であり、一端部側には後述するスルーホール３１と連通するための開口部１１が形成されている。
【００１８】
図２に示すように、コンタクト片１０の他端部側には、装着されるＩＣパッケージ（図示省略する。）側へ膨出するコンタクト突起１２が形成されている。このコンタクト突起１２は、コンタクト片１０の上面に半球形状に形成された樹脂突起１３、この樹脂突起１３を封止するように形成されためっき層１４とで構成されている。
【００１９】
ソケット基体２０は、コンタクト収納穴としての貫通孔２１が所定の配置で形成されている。本実施の形態では、貫通孔２１の平面形状が長方形である。また、ソケット基体２０における貫通孔２１の一方側の周縁部近傍には、図示しないＩＣパッケージ側に突出する支柱状のコンタクト固定部２２が形成されている。図１および図２に示すように、このコンタクト固定部２２は、貫通孔２１の長手方向に沿って、貫通孔２１同士の間に支柱状に形成されたものである。このコンタクト固定部２２には、ソケット基体２０の表裏方向に貫通するスルーホール３１が形成されている。そして、このコンタクト固定部２２の上部には、コンタクト片１０の一端部側が固定され、コンタクト固定部２２のスルーホール３１と、このコンタクト片１０の開口部１１とが連通するように設定されている。
【００２０】
コンタクト片１０は、上述するように、一端部側がこのコンタクト固定部２２に固定され、一端部以外の部分は、貫通孔２１に臨んだ状態となっている。
【００２１】
スルーホール部３０は、コンタクト固定部２２を表裏方向に貫通するスルーホール３１の内壁を介して、コンタクト片１０の開口部１１とスルーホール３１とが合致した状態でコンタクト片１０の開口部１１の周辺と、スルーホール３１の裏面側の周辺とに亘って形成されためっき層３２でなる。なお、めっき層１４，３２の下地としては、触媒層が形成されていてもよい。
【００２２】
本実施の形態に係るＩＣソケット１では、ＩＣパッケージ側のランドに対してコンタクト片１０が金属接触できるため、接触抵抗を小さく設定できる。
【００２３】
（ＩＣパッケージの装着）
次に、図３〜図５を用いて、本実施の形態に係るＩＣソケット１に、ＩＣパッケージ４０を装着する場合について説明する。
【００２４】
図３は、ＩＣパッケージ４０をＩＣソケット１に位置合わせした装着直前の状態を示す。このＩＣパッケージ４０はＬＧＡパッケージであり、下面に複数のランド部４１が配置されている。ＩＣソケット１側のコンタクト片１０の他端部に突設されたコンタクト突起１２は、ＩＣパッケージ４０のランド部４１の配列と同様に設けられている。図３に示すように、コンタクト突起１２と当接するランド部４１は、図中一点鎖線Ｌ１で示す位置である。
【００２５】
図４は、ＩＣパッケージ４０のランド部４１をＩＣソケット１のコンタクト突起１２に当接させた後、さらに押し付けた状態を示す。このとき、図４に示すように、コンタクト突起１２とランド部４１とは、図中一点鎖線Ｌ２で示す位置で当接する。したがって、コンタクト突起１２のめっき層１４とランド部４１とは一点鎖線Ｌ１からＬ２の位置に互いにズレながら擦られる。
【００２６】
図５は、ＩＣパッケージ４０のランド部４１をＩＣソケット１のコンタクト突起１２へさらに押し付けた状態を示す。このとき、図５に示すように、コンタクト突起１２とランド部４１とは、図中一点鎖線Ｌ３で示す位置で当接する。したがって、コンタクト突起１２のめっき層１４とランド部４１とは最初に当接した状態から当接点が距離ｄだけ互いにズレながら擦られて移動する。最終的には、ＩＣパッケージ４０が外れないように、図示しないリテンションロック機構で保持すればよい。
【００２７】
このように接点が擦られながらずれることで、接点の酸化膜を除去するワイピング作用がある。したがって、めっき層１４とランド部４１とは、接触抵抗の小さい接続を確保することができる。
【００２８】
（ＩＣソケットの実装）
本実施の形態に係るＩＣソケット１の実装方法としては、はんだボールを用いることができる。以下、はんだボールの形成方法について図６（ａ）〜（ｃ）を用いて説明する。
【００２９】
この実装方法は、例えばパーソナルコンピュータのマザーボード（メインプリント基板）においてＩＣソケット１を実装する場合に用いることができる。図６（ａ）、（ｂ）に示すように、ＩＣソケット１のスルーホール部３０の裏面側のランド３２Ａに、はんだペースト５０をスクリーン印刷する。
【００３０】
次に、図６（ｃ）に示すように、リフローなどの方法により加熱して、印刷したはんだペースト５０をはんだボール５１に変化させればよい。
【００３１】
このようにして製造されたＩＣソケット１をマザーボードに実装するには、ＩＣソケット１をマザーボード上に位置合わせして載置し、他の部品を実装する際に同時にリフローによるはんだ付けを行えばよい。
【００３２】
（ＩＣソケット複合体）
ＩＣソケットのメンテナンス性が要求されるサーバ用ソケットでは、図７（ｂ）に示すような、ＩＣソケット複合体１Ａを用いることが便利である。
【００３３】
このＩＣソケット複合体１Ａの製造方法は、図７（ａ）に示すように、スルーホール部３３のランド３２Ａが上下に対称となるように設けられた、一対のＩＣソケット１用意する。これらＩＣソケット１の一方のランド３２Ａには、図７（ａ）に示すように、はんだペースト５０を印刷しておく。そして、図７（ａ）に示すように、一対のＩＣソケット１を互いにランド３２Ａ同士が対応するように位置合わせして接合させる。このとき、互いに対応するランド３２Ａ同士の間には、図７（ａ）に示すように、はんだペースト５０が介在された状態となる。
【００３４】
次に、この状態を保ちながら、リフローなどの加熱を行って上下一対のＩＣソケット１のランド３２Ａ同士をはんだ付けすることにより、ＩＣソケット複合体１Ａが完成する。
【００３５】
このＩＣソケット複合体１Ａは、表裏面にそれぞれコンタクトを有するため、表裏面において交換可能なソケット構造体を実現できる。
【００３６】
（ＩＣソケットの製造方法）
次に、本実施の形態に係るＩＣソケット１の製造方法についてＭＩＤ（Molded Interconection Device）技術を適用して説明する。なお、この製造方法は、図１１に示すようなフローチャートに沿って行われる。
【００３７】
先ず、図８（ａ）に示すように、金属板１０Ａを用意し、例えばエッチングやプレスにより外形加工を行って、図８（ｂ）に示すようなコンタクト片１０を形成する。このコンタクト片１０は、図１に示したように長方形状であり、一端部側に開口部１１を形成しておく。
【００３８】
コンタクト片１０は、製造するＩＣソケット１が必要とするコンタクトの数を用意する。これらコンタクト片１０同士は、その後の工程が行い易いように、最終的なＩＣソケット１のコンタクト片１０の配列に並んだ形で、必要なコンタクト数分だけ外形加工して後述するランナー１６を介して一体に設けておく。なお、必要に応じて、この一体化された加工済みのコンタクト片１０は複数に分けてもよいが、工程での扱い易さとしては、全てのコンタクト片１０が一体になったブロックとして加工されることが望ましい。図１０は、ＩＣソケット１の半完成品の平面図であり、コンタクト片１０同士がランナー１６で一体化されて繋がっている状態を示している。このようにコンタクト片１０をランナー１６で電気的に繋がっていればめっき工程で電解めっきを用いることが可能になる。
【００３９】
次に、一体化された複数のコンタクト片１０を型にセットして、一次射出成型を行う。この結果、図８（ｃ）に示すように、コンタクト片１０の一端部側がソケット基体２０にインサート（本実施の形態では接合）され、且つコンタクト片１０の他端部の表面上に樹脂突起１３が形成された半製品が作製できる。
【００４０】
その後、図８（ｃ）の状態でエッチングにて表面処理を行う。
【００４１】
次に、めっきする部分を残して二次射出成型を行う。この二次射出成型用の型は、回路形成を行うための単なるマスクである。図９（ａ）においては、二次射出成型用の型を省略して示す。そして、図９（ａ）に示すように、図示しない二次射出成型用の型から露出した部分に触媒層１５を付着させる。
【００４２】
続いて、図９（ｂ）に示すように、コンタクト片１０の開口部１１の周囲部分と樹脂突起１３上の触媒層１５が残るように触媒層１５のエッチングを行う。
【００４３】
その後、図示しない二次射出成型用の型を除去した後、電解めっきを行えば、図９（ｃ）に示すような三次元回路形成を行うことができる。このめっき工程では、コンタクト突起１２の表面のめっき層１４と、スルーホール３１内の触媒層１５の表面のめっき層３２とが、同時に形成される。なお、本実施の形態においては電解めっきを用いたが、無電解めっきを行ってもよい。
【００４４】
その後、ランナー１６を適宜カットすることにより、本実施の形態に係るＩＣソケット１の製造が完成する。また、図６（ａ）〜（ｃ）に示したように、スルーホール部３０のめっき層３２のランド３２Ａにはんだボール５１を形成してもよいし、その後リテンションロック機構部品を設けてもよい。
【００４５】
ここで、具体的なＩＣソケット１の仕様の一例について説明する。
【００４６】
回路幅              ０．２ｍｍ〜
回路間隔            ０．２ｍｍ〜
コンタクト片の板厚  ０．３ｍｍ〜
スルーホール径    φ０．２ｍｍ
めっきの下地        Ｃｕ：４〜１０μｍ
めっきの中間層      Ｎｉ：６〜２０μｍ
めっきの仕上層      Ａｕ：０．１〜０．３μｍ
適用樹脂            ＬＣＰ、ＳＰＳ、ＰＡ、ＰＰＡ、ＰＰＳ、                                  ＰＣ−ＡＢＳ、ＰＥＩ
なお、上記仕様例においては、めっきとして、下地（Ｃｕ）、中間（Ｎｉ）、仕上げ（Ａｕ）の例を示したが、使用環境に応じて、中間を無くし、Ｃｕに直にＡｕめっきをしてもよい。
【００４７】
また、適用樹脂は必要な特性によって選択すればよいが、電気的特性を重視する場合、低誘電率である液晶ポリマー（ＬＣＰ）は有効な材料である。ＬＣＰを用いる場合は、耐熱性を高くし易く、リフロー耐性も十分なものを実現しやすい上、強度も高いという利点がある。その反面、機械的強度に異方性があり、ウエルド強度が低いという欠点もある。しかし、近年はエンジニアリングプラスチックの技術は飛躍的に進歩しており、スーパーエンジニアリングプラスチックと呼ばれる、これまで相反した特徴であったものを両立する材料が次々に開発されてており、ＭＤＩ技術では一般的に射出成型に使用できる材料であれば適用が可能であるため、今後目的にあった樹脂が選択できる可能性は益々高くなると考えられる。
【００４８】
本実施の形態に係るＩＣソケット１では、ＭＩＤ技術を用いることにより、従来のＩＣソケットよりも生産性が飛躍的に高く、多ピン化、ファインピッチ化、大電流化、高速化にも対応できる。
【００４９】
［第２の実施の形態］
図１２〜図１４は、本発明の第２の実施の形態に係るＩＣソケット２を示している。図１２はＩＣソケット２の要部平面図、図１３（ａ）は図１２のＢ−Ｂ断面図、図１３（ｂ）は図１２のＣ−Ｃ断面図、図１４（ａ）は図１２のＤ−Ｄ断面図、図１４（ｂ）は図１２のＤ−Ｄ断面図である。なお、第２の実施の形態のＩＣソケット２の各部は、上記した第１の実施の形態と同様の部分には同一の符号もしくは類似の符号を付して詳細な説明は省略する。
【００５０】
本実施の形態に係るＩＣソケット２は、コンタクト固定部２２の高さは、周囲の樹脂部分と同一の厚さに設定されたものである。すなわち、ソケット基体２０は、コンタクト固定部２２が表面側へ突出することがなく、コンタクト片１０の台座となる樹脂には単に長方形のコンタクト収納穴としての貫通孔２１Ａが所定の配列で形成され、貫通孔２１Ａの周縁部のコンタクト固定部２２にスルーホール３１が形成された簡単な構造である。このため、一次射出成型に用いられる裏面側に配置される金型は単純な凸部のみの形状であり、表面側に配置される金型は樹脂突起１３Ａを形成するための凹部のみの形状で実現できる。
【００５１】
このように、コンタクト片１０を固定するコンタクト固定部２２の高さを樹脂で制御できるため、コンタクト片１０のストローク設計に自由度があり、求められるコンタクトピッチやピン数の仕様、ＩＣパッケージの反り許容値によってはコンタクト片１０の長さが短くてもよい場合が考えられる。
【００５２】
また、本実施の形態に係るＩＣソケット２では、コンタクト片１０が臨む貫通孔２１Ａの幅がコンタクト片１０の幅よりも余裕を持って幅広に設定されている。
【００５３】
さらに、本実施の形態に係るＩＣソケット２では、コンタクト片１０の他端部に設けられる樹脂突起１３Ａの形状が半球状ではなく、略半円柱（蒲鉾）形状に設定されている。
【００５４】
本実施の形態に係るＩＣソケット２においても、上記した第１の実施の形態と同様の作用・効果を奏することができる。また、本実施の形態に係るＩＣソケット２の製造方法は、上記した第１の実施の形態に係るＩＣソケット１の製造方法と同様である。
【００５５】
［第３の実施の形態］
図１５〜図１７は、本発明の第３の実施の形態に係るＩＣソケット３を示している。図１５はＩＣソケット３の要部平面図、図１６（ａ）は図１５のＦ−Ｆ断面図、図１６（ｂ）は図１５のＧ−Ｇ断面図、図１６（ｃ）は図１５のＨ−Ｈ断面図、図１７（ａ）は図１５のＩ−Ｉ断面図、図１７（ｂ）は図１５のＪ−Ｊ断面図、図１７（ｃ）は図１５のＫ−Ｋ断面図である。なお、第３の実施の形態のＩＣソケット３の各部は、上記した第１および第２の実施の形態に係るＩＣソケット１もしくはＩＣソケット２と同様の部分には同一の符号もしくは類似の符号を付して詳細な説明は省略する。
【００５６】
本実施の形態に係るＩＣソケット３では、上記した第２の実施の形態に係るＩＣソケット２と同様に、コンタクト固定部２２の高さは、周囲の樹脂部分と同一の厚さに設定されたものである。すなわち、ソケット基体２０は、コンタクト固定部２２が表面側へ突出することがなく、コンタクト片１０Ａの台座となる樹脂には単に長方形のコンタクト収納穴としての貫通孔２１Ｂが所定の配列で形成され、貫通孔２１Ｂの周縁部のコンタクト固定部２２にスルーホール３１が形成された簡単な構造である。このため、一次射出成型に用いられる裏面側に配置される金型は単純な凸部のみの形状であり、表面側に配置される金型は樹脂突起１３Ａを形成するための凹部のみの形状で実現できる。
【００５７】
このように、コンタクト片１０Ａは、図１５に示すように、クランク状に屈曲する形状であり、ストロークを長く設定している。コンタクト片１０Ａの設計は、多ピン化、ファインピッチ化に伴い、パッケージ反りの許容値、接圧との関係も重要であり、今後技術的な難易度は高くなる場合も予想される。したがって、このような形状として、コンタクト片１０Ａの板バネ長を長くし、あるいはストロークにおける荷重を低くすることができる構造は、バネ設計の自由度を広げる方法として有効である。本実施の形態に係るＩＣソケット３は、成型に要する金型形状を簡単にし、コンタクトピッチが短いにも拘わらず板バネ長を実効的に長くとることができる。
【００５８】
このため、本実施の形態に係るＩＣソケット３では、コンタクト片１０Ａが臨む貫通孔２１Ｂは、板バネ長を稼げるように屈曲してコンタクト片１０Ａを斜めに配置できるようにしている。
【００５９】
本実施の形態に係るＩＣソケット３においても、コンタクト片１０Ａの他端部に設けられる樹脂突起１３Ａの形状が半球状ではなく、略半円柱（蒲鉾）形状に設定されている。
【００６０】
本実施の形態に係るＩＣソケット３においても、上記した第１および第２の実施の形態と同様の作用・効果を奏することができる。また、本実施の形態に係るＩＣソケット３の製造方法は、上記した第１の実施の形態に係るＩＣソケット１の製造方法と同様である。
【００６１】
［第４の実施の形態］
図１８および図１９は、本発明の第４の実施の形態に係るＩＣソケット４を示している。
【００６２】
本実施の形態に係るＩＣソケット４においても、コンタクト固定部２２の高さは、周囲の樹脂部分と同一の厚さに設定されたものである。すなわち、ソケット基体２０は、コンタクト固定部２２が表面側へ突出することがなく、コンタクト片１０の台座となる樹脂には単に長方形のコンタクト収納穴としての貫通孔２１が所定の配列で形成され、貫通孔２１の周縁部のコンタクト固定部２２にスルーホールが形成された簡単な構造である。このため、一次射出成型に用いられる裏面側に配置される金型は単純な凸部のみの形状であり、表面側に配置される金型は樹脂突起１３を形成するための凹部のみの形状で実現できる。
【００６３】
このように、コンタクト片１０を固定するコンタクト固定部２２の高さを樹脂で制御できるため、コンタクト片１０のストローク設計に自由度があり、求められるコンタクトピッチやピン数の仕様、ＩＣパッケージの反り許容値によってはコンタクト片１０の長さが短くてもよい場合が考えられる。
【００６４】
また、本実施の形態に係る貫通孔２１内には、コンタクト片１０の接圧調整ならびにコンタクト片１０を変形に伴う接圧の減少を抑えるために、弾力性を有するエラストマー６０が配置されている。
【００６５】
本実施の形態に係るＩＣソケット４においても、上記した第１の実施の形態と同様の作用・効果を奏することができる。また、本実施の形態に係るＩＣソケット４の製造方法は、上記した第１の実施の形態に係るＩＣソケット１の製造方法と同様であるが、図２０に示すように、ソケット基体（ソケットハウジング）２０を成形した後に、貫通孔２１内にエラストマー６０を成形する工程が組み込まれている。
【００６６】
［第５の実施の形態］
図２０および図２１は、本発明の第５の実施の形態に係るＩＣソケット５を示している。図２０は、ＩＣソケット５の要部断面図、図２１は図２０のＭ−Ｍ断面図である。
【００６７】
本実施の形態に係るＩＣソケット５は、図２１に示すように、コンタクト固定部２２にコンタクト片１０をインサート成形したときに、コンタクト片１０の上にも樹脂層２２Ａが形成されて、コンタクト片１０が樹脂で挟まれる構造となっている。このため、コンタクト片１０がコンタクト固定部２２に確実に保持されており、コンタクト片１０に負荷がかかった場合の耐久性を向上している。
【００６８】
本実施の形態における他の構成は、上記した各実施の形態に近似するものであるため、図面に同様の符号を付して説明を省略する。
【００６９】
［その他の実施の形態］
上述した実施の形態の開示の一部をなす論述および図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例および運用技術が明らかとなろう。
【００７０】
例えば、上記した各実施の形態では、めっき層の下に触媒層を形成した例であるが、触媒層を形成せずにめっき層を形成しても勿論よい。
【００７１】
また、上記した各実施の形態では、コンタクト収納穴としての貫通孔２１，２１Ａ，２１Ｂを形成したが、有底の凹溝であってもよい。
【００７２】
さらに、上記した各実施の形態では、コンタクト片１０の他端部に樹脂突起１３，１３Ａを形成して、この樹脂突起１３，１３Ａの表面にめっきを施したが、金属板でなるコンタクト片１０の他端部にプレス加工により表面側へ膨出した突部を形成しても勿論よい。
【図面の簡単な説明】
【００７３】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係るＩＣソケットの要部平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ断面図である。
【図３】第１の実施の形態に係るＩＣソケットへＩＣパッケージを装着する前の状態を示す要部断面図である。
【図４】第１の実施の形態に係るＩＣソケットへＩＣパッケージを装着している途中の状態を示す要部断面図である。
【図５】第１の実施の形態に係るＩＣソケットへＩＣパッケージを装着した状態を示す要部断面図である。
【図６】（ａ）〜（ｃ）は、ＩＣソケットの裏面のランドへはんだボールを形成する工程を示す要部断面図である。
【図７】（ａ）第１の実施の形態に係る一対のＩＣソケットを互いに裏面側のランド同士をはんだペーストを介して当接させた状態を示す要部断面図であり、（ｂ）はリフローを行って製造したＩＣソケット複合体の要部断面図である。
【図８】（ａ）〜（ｃ）は、第１の実施の形態に係るＩＣソケットの製造工程を示し、コンタクト片となる金属板、金属板を外形加工して作製したコンタクト片、一次成型品を示す断面図である。
【図９】（ａ）〜（ｃ）は、第１の実施の形態に係るＩＣソケットの製造工程を示し、触媒層を形成した状態、触媒層をエッチングした状態、めっき層を形成した状態を示す断面図である。
【図１０】第１の実施の形態に係るＩＣソケットのランナーを切断する前の状態を示す要部平面図である。
【図１１】第１の実施の形態に係るＩＣソケットの製造方法を示すフローチャートである。
【図１２】本発明の第２の実施の形態に係るＩＣソケットの要部平面図である。
【図１３】（ａ）は図１２のＢ−Ｂ断面図、（ｂ）は図１２のＣ−Ｃ断面図である。
【図１４】（ａ）は図１２のＤ−Ｄ断面図、（ｂ）はＥ−Ｅ断面図である。
【図１５】本発明の第３の実施の形態に係るＩＣソケットの要部平面図である。
【図１６】（ａ）は図１５のＦ−Ｆ断面図、（ｂ）は図１４のＧ−Ｇ断面図、（ｃ）は図１５のＨ−Ｈ断面図である。
【図１７】（ａ）は図１５のＩ−Ｉ断面図、（ｂ）は図１５のＪ−Ｊ断面図、（ｃ）は図１５のＫ−Ｋ断面図である。
【図１８】本発明の第４の実施の形態に係るＩＣソケットの要部平面図である。
【図１９】図１８のＬ−Ｌ断面図である。
【図２０】本発明の第５の実施の形態に係るＩＣソケットの要部平面図である。
【図２１】図２０のＭ−Ｍ断面図である。
【符号の説明】
【００７４】
１，２，３，４，５  ＩＣソケット
１Ａ  ＩＣソケット複合体
１０  コンタクト片
１０Ａ  コンタクト片
１１  開口部
１２  コンタクト突起
１３，１３Ａ  樹脂突起
１４，３２  めっき層
１５  触媒層
１６  ランナー
２０  ソケット基体
２１，２１Ａ，２１Ｂ  貫通孔
２２  コンタクト固定部
２２Ａ  樹脂層
３０  スルーホール部
３１  スルーホール
３２Ａ  ランド
４０  ＩＣパッケージ
４１  ランド部
５０  はんだペースト
５１  はんだボール
６０  エラストマー
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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