(57)【要約】【課題】基板に平行な方向からＴＦＴのチャネル領域に進入する光を遮って、オフリーク電流の発生を抑制することが可能であり、また、遮光層とゲート電極線との間の容量を低減させてＴＦＴの誤動作を抑制することが可能な電気光学装置及び電子機器を提供すること。【解決手段】液晶装置の素子基板には、複数のゲート電極線１２と、複数の信号線１４と、これらが交差する位置の近傍に画素ごとに配置されたＴＦＴ３０とが形成されている。ＴＦＴ３０の半導体層３１と基板との間には導電性の遮光層１１が形成され、ゲート電極線１２は、半導体層３１に対して遮光層１１とは反対側の層に形成されている。ゲート電極線１２と遮光層１１とは、導電性の遮光壁１３によって電気的に接続されている。ＴＦＴ３０の半導体層３１は、遮光層１１、遮光壁１３、信号線１４によって遮光されるため、光によるオフリーク電流が生じにくい。【選択図】図５
2008216621.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のゲート電極線と、複数の信号線と、前記ゲート電極線と前記信号線との交差に対応してマトリクス状に設けられた画素と、前記画素ごとに配置された薄膜トランジスタと、が形成された基板を有する電気光学装置であって、
前記薄膜トランジスタの半導体層と前記基板との間に形成された導電性の第１の遮光層と、
前記半導体層に対して前記第１の遮光層とは反対側の層に形成された前記ゲート電極線と、
前記ゲート電極線と前記第１の遮光層とを電気的に接続する、前記画素の配置領域に形成された導電性の遮光壁と、を備えることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
請求項１に記載の電気光学装置であって、
前記遮光壁は、前記画素ごとに形成されており、
前記第１の遮光層は、各々の前記画素において、前記基板の法線方向から見て前記半導体層のチャネル領域、及び前記チャネル領域と前記遮光壁との間の領域に少なくとも一部が重なっていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項３】
請求項２に記載の電気光学装置であって、
前記信号線は、前記半導体層に対して前記第１の遮光層とは反対側の層に形成された遮光性を有する部材であり、前記基板の法線方向から見て前記半導体層のチャネル領域、及び前記チャネル領域と前記遮光壁との間の領域に少なくとも一部が重なっていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項４】
請求項２に記載の電気光学装置であって、
前記信号線と同一層に形成された第２の遮光層をさらに有し、
前記信号線及び前記第２の遮光層は、前記半導体層に対して前記第１の遮光層とは反対側の層に形成された遮光性の部材であって、前記基板の法線方向から見て前記半導体層のチャネル領域、及び前記チャネル領域と前記遮光壁との間の領域に少なくとも一部が重なっていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項５】
請求項２から４のいずれか一項に記載の電気光学装置であって、
前記遮光壁は、前記チャネル領域を含み前記基板に平行な平面において前記チャネル領域を挟むように、少なくとも２つ形成されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項６】
請求項２から４のいずれか一項に記載の電気光学装置であって、
前記遮光壁は、前記チャネル領域を含み前記基板に平行な平面において前記チャネル領域を三方から囲むように形成されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項７】
請求項２から４のいずれか一項に記載の電気光学装置であって、
前記遮光壁は、前記チャネル領域を含み前記基板に平行な平面において前記チャネル領域を全周にわたって囲むように形成されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項８】
請求項１から７のいずれか一項に記載の電気光学装置を表示部に備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor：以下では適宜「ＴＦＴ」と呼ぶ）が形成された基板を有する電気光学装置及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
上記のような電気光学装置では、各画素に設けられたスイッチング素子としてのＴＦＴのチャネル領域に光が照射されると、当該ＴＦＴにオフリーク電流が発生することがある。ＴＦＴにオフリーク電流が発生すると、画素電位の変動等を招き、表示品位を低下させる。特に、プロジェクタに搭載するなど投射用途で用いられる電気光学装置の場合には、入射光の強度が高くこうした不具合が起こりやすいため、ＴＦＴのチャネル領域やその周辺を遮光することが望ましい。この点を鑑みて、特許文献１には、ＴＦＴと基板との間に遮光層を設け、表示領域外において当該遮光層とＴＦＴのゲート電極線とを電気的に接続する構成が開示されている。
【０００３】
【特許文献１】特開平１０−１１１５２０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、ＴＦＴと上記遮光層との間の絶縁層等に平行に又は斜めに光が入射すると、当該絶縁膜を伝播した光や、各層間の界面を多重反射した光が、基板に平行な方向からＴＦＴのチャネル領域に到達してしまうことがあり、この光によりオフリーク電流が生じてしまうという問題点がある。
【０００５】
また、上記の構成では、ゲート電極線と遮光層との間の寄生容量により、ゲート電極線に印加される信号になまりが生じてＴＦＴが誤動作することがあるという問題点がある。
【０００６】
本発明は、以上の問題点に鑑みてなされたものであり、本発明の奏する効果の１つにより、基板に平行な方向からＴＦＴのチャネル領域に進入する光を遮ることができ、オフリーク電流の発生を抑制することが可能となる。また、本発明の奏する効果の１つにより、ゲート電極線と遮光層との間の容量を低減させてＴＦＴの誤動作を抑制することが可能となる。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の電気光学装置は、複数のゲート電極線と、複数の信号線と、前記ゲート電極線と前記信号線との交差に対応してマトリクス状に設けられた画素と、前記画素ごとに配置された薄膜トランジスタと、が形成された基板を有する電気光学装置であって、前記薄膜トランジスタの半導体層と前記基板との間に形成された導電性の第１の遮光層と、前記半導体層に対して前記第１の遮光層とは反対側の層に形成された前記ゲート電極線と、前記ゲート電極線と前記第１の遮光層とを電気的に接続する、前記画素の配置領域に形成された導電性の遮光壁と、を備えることを特徴とする。
【０００８】
このような構成によれば、遮光壁は、マトリクス状の画素の配置領域の内部においてゲート電極線と第１の遮光層とを電気的に接続するので、画素の配置領域外においてのみゲート電極線と第１の遮光層とを接続する構成と比較して、ゲート電極線と第１の遮光層との間の容量を低減させることができる。これにより、ゲート電極線に印加される信号になまりが生じにくくなり、薄膜トランジスタの誤動作を防止することが可能となる。また、遮光壁は、基板と平行な平面のうち薄膜トランジスタの半導体層を含む平面と交差するように配置されることとなるので、当該遮光壁により、基板に平行な方向から薄膜トランジスタのチャネル領域に進入する光を遮ることができる。こにより、薄膜トランジスタにおけるオフリーク電流の発生を抑制することが可能となる。
【０００９】
上記電気光学装置において、前記遮光壁は、前記画素ごとに形成されており、前記第１の遮光層は、各々の前記画素において、前記基板の法線方向から見て前記半導体層のチャネル領域、及び前記チャネル領域と前記遮光壁との間の領域に少なくとも一部が重なっていることが好ましい。このような構成によれば、遮光壁は、基板と平行な平面のうち薄膜トランジスタの半導体層を含む平面と交差するように配置されることとなるので、当該遮光壁により、基板に平行な方向から薄膜トランジスタのチャネル領域に進入する光を遮ることができる。また、第１の遮光層により、基板側から薄膜トランジスタのチャネル領域に入射する光を遮ることができる。さらに、第１の遮光層は、基板の法線方向から見てチャネル領域と遮光壁との間の領域に重なるように形成されるので、第１の遮光層と遮光壁とによってチャネル領域への光の進入を効果的に防止することができる。これらの構成により、薄膜トランジスタにおけるオフリーク電流の発生を抑制することが可能となる。
【００１０】
上記電気光学装置において、前記信号線は、前記半導体層に対して前記第１の遮光層とは反対側の層に形成された遮光性を有する部材であり、前記基板の法線方向から見て前記半導体層のチャネル領域、及び前記チャネル領域と前記遮光壁との間の領域に少なくとも一部が重なっていることが好ましい。このような構成によれば、信号線により、薄膜トランジスタのチャネル領域に基板の反対側から入射する光の少なくとも一部を遮ることができる。これにより、薄膜トランジスタにおけるオフリーク電流の発生を抑制することが可能となる。ここで、「少なくとも一部が重なっている」とは、薄膜トランジスタに複数のチャネル領域がある場合、そのうちの１つのチャネル領域と重なっており、他のチャネル領域とは重なっていない状態が含まれる。また、チャネル領域とは重なっておらず、チャネル領域と遮光壁との間の領域にのみ重なっている状態が含まれる。
【００１１】
上記電気光学装置においては、前記信号線と同一層に形成された第２の遮光層をさらに有し、前記信号線及び前記第２の遮光層は、前記半導体層に対して前記第１の遮光層とは反対側の層に形成された遮光性の部材であって、前記基板の法線方向から見て前記半導体層のチャネル領域、及び前記チャネル領域と前記遮光壁との間の領域に少なくとも一部が重なっていることが好ましい。このような構成によれば、信号線及び第２の遮光層により、薄膜トランジスタのチャネル領域に基板の反対側から入射する光の少なくとも一部を遮ることができる。これにより、薄膜トランジスタにおけるオフリーク電流の発生を抑制することが可能となる。ここで、「少なくとも一部が重なっている」とは、薄膜トランジスタに複数のチャネル領域がある場合、そのうちの１つのチャネル領域と重なっており、他のチャネル領域とは重なっていない状態が含まれる。また、チャネル領域とは重なっておらず、チャネル領域と遮光壁との間の領域にのみ重なっている状態が含まれる。
【００１２】
上記電気光学装置において、前記遮光壁は、前記チャネル領域を含み前記基板に平行な平面において前記チャネル領域を挟むように、少なくとも２つ形成されていてもよい。このような構成によれば、一方の遮光壁により、チャネル領域に上記平面に沿って入射する光を遮断することができるとともに、他方の遮光壁により、これとは反対側から入射する光も遮断することができる。このため、基板に平行な方向から薄膜トランジスタのチャネル領域に進入する光をより効果的に遮ることができる。
【００１３】
上記電気光学装置において、前記遮光壁は、前記チャネル領域を含み前記基板に平行な平面において前記チャネル領域を三方から囲むように形成されていてもよい。このような構成によれば、遮光壁により、チャネル領域に進入する光をより広範囲に遮ることができる。
【００１４】
上記電気光学装置において、前記遮光壁は、前記チャネル領域を含み前記基板に平行な平面において前記チャネル領域を全周にわたって囲むように形成されていてもよい。このような構成によれば、遮光壁により、基板に平行な方向から薄膜トランジスタのチャネル領域に進入する光を全面的に遮ることができる。これにより、薄膜トランジスタにおけるオフリーク電流の発生をさらに抑制することが可能となる。また、好ましい態様によれば、前記半導体層は、前記遮光壁により囲まれていてもよい。また、前記第２の遮光層と画素電極とを接続する接続部を有しており、前記接続部は、前記半導体層と前記遮光壁との間に領域に配置されていてもよい。さらに、換言すれば、前記半導体層は、１つのチャネル領域を少なくとも有しており、前記第２の遮光層と画素電極とを接続する接続部を有しており、前記接続部は、前記１つのチャネル領域と前記遮光壁との間に配置されてもよい。
【００１５】
本発明の電子機器は、上記電気光学装置を表示部に備えることを特徴とする。このような構成によれば、オフリーク電流に起因する画質低下や、薄膜トランジスタの誤動作による画像乱れの生じにくい電子機器が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、図面を参照し、本発明の実施形態について説明する。なお、以下に示す各図においては、各構成要素を図面上で認識され得る程度の大きさとするため、各構成要素の寸法や比率を実際のものとは適宜に異ならせてある。
【００１７】
（第１の実施形態）
＜液晶装置の構成＞
図１は、本発明の電気光学装置としての液晶装置１００を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）中のＪ−Ｊ’線の位置で切断して示す断面図である。
【００１８】
液晶装置１００は、石英やガラス等の基板１０を含む素子基板１０ａと、石英やガラス等の基板２０を含む対向基板２０ａとを備えている。素子基板１０ａと対向基板２０ａとは、枠状のシール材５２を介して互いに対向した状態で貼り合わされており、このシール材５２によって区画された領域に液晶５０が封入されている。この領域は、表示に寄与する画素４（図２）が複数配置されている領域であり、以下では表示領域５とも呼ぶ。表示領域５は、本発明における「画素の配置領域」に対応する。
【００１９】
図２は、表示領域５の拡大平面図である。表示領域５には、矩形の画素４が多数配置されている。画素４は、赤、緑、青のいずれかの色の表示に寄与する。以下では、赤、緑、青の表示を行う画素をそれぞれ画素４Ｒ，４Ｇ，４Ｂと呼ぶ。画素４は、マトリクス状に配置されており、ある列に配置される画素４の色はすべて同一である。換言すれば、画素４は、対応する色がストライプ状に並ぶように配置されている。また、行方向に並んだ隣り合う３つの画素４Ｒ，４Ｇ，４Ｂの集合が、表示の最小単位（ピクセル）となる。液晶装置１００は、各ピクセルにおいて、画素４Ｒ，４Ｇ，４Ｂの輝度バランスを調節することによって、種々の色の表示を行うことができる。
【００２０】
図１に戻り、シール材５２の外側の領域には、信号線駆動回路１０１及び外部接続端子１０２が素子基板１０ａの一辺に沿って形成されており、この一辺に隣接する２辺に沿ってゲート電極線駆動回路１０４が形成されている。信号線駆動回路１０１、ゲート電極線駆動回路１０４は、基板１０上に形成された素子によって構成されている。対向基板２０ａの角部においては、電気的な導通を取るための上下導通材１０６が素子基板１０ａと対向基板２０ａとの間に配設されている。
【００２１】
図１（ｂ）において、対向基板２０ａを構成する基板２０の液晶５０側表面には、図示しないカラーフィルタ、共通電極がこの順に積層されている。カラーフィルタは、入射した光の特定の波長成分を吸収することによって透過光を着色することができる樹脂である。画素４Ｒ，４Ｇ，４Ｂには、それぞれ赤、緑、青に対応するカラーフィルタが配置される。
【００２２】
図３は、表示領域５を構成する複数の画素４における各種素子、配線等の等価回路図である。表示領域５においては、複数本のゲート電極線１２と複数本の信号線１４とが交差するように配線され、ゲート電極線１２と信号線１４とで区画された領域に画素電極１６がマトリクス状に配置されている。そして、ゲート電極線１２と信号線１４とが交差する位置の近傍には、画素４ごとにＴＦＴ３０が配置されている。また、ＴＦＴ３０のドレイン領域には、画素電極１６が電気的に接続されている。
【００２３】
ＴＦＴ３０は、ゲート電極線１２から供給される走査信号Ｇ１，Ｇ２，…，Ｇｍに含まれるＯＮ信号によってオンとなり、このとき信号線１４に供給された画像信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎを画素電極１６に供給する。そして、画素電極１６と、対向基板２０ａに設けられた共通電極との間の電圧が液晶５０に印加される。液晶装置１００は、液晶５０の配向状態に応じた偏光変換機能と、液晶装置１００の外部に配置された図示しない偏光板の偏光選択機能とによって透過光を変調することで表示を行う装置である。
【００２４】
ＴＦＴ３０のドレイン領域には、画素電極１６と並列に蓄積容量７０が電気的に接続されている。蓄積容量７０は、定電位とされた容量線７２に電気的に接続されている。この蓄積容量７０によって、画素電極１６の電圧は、ソース電圧が印加された時間よりも例えば３桁も長い時間にわたって保持される。このように電圧保持特性が改善されると、表示のコントラスト比が向上する。以上の各種素子、配線等は、主に素子基板１０ａに形成されている。
【００２５】
図４は、素子基板１０ａのうち、１つの画素４に対応する部分を抽出して示した平面図である。上記したように、各画素４においては、ゲート電極線１２と信号線１４とが交差するように配置されており、この交差に対応してＴＦＴ３０が形成されている。また、ＴＦＴ３０には、略長方形の画素電極１６が電気的に接続されている。
【００２６】
以下、図４に示された各構成要素を、図５及び図６を用いて詳述する。図５は、図４のＴＦＴ３０の近傍領域を拡大して示す平面図である。また、図６（ａ）は、図５中のＡ−Ａ’線の位置における断面図、図６（ｂ）は、図５中のＢ−Ｂ’線の位置における断面図である。なお、以下の説明において「上層」又は「下層」とは、図６において相対的に上又は下に形成された層を指す。
【００２７】
図６に示すように、基板１０上には本発明における第１の遮光層としての遮光層１１が形成されている。遮光層１１は、アルミニウム、銀、クロムをはじめとする金属や、これらの金属を成分として有する合金等から構成された、遮光性及び導電性を有する部材である。遮光層１１は、図５に示すように、ゲート電極線１２と平行に、かつゲート電極線１２より広い幅を有する帯状に形成されている。すなわち、遮光層１１は、基板１０の法線方向から見てゲート電極線１２の全体を覆う領域に配置されている。遮光層１１は、基板１０と後述する半導体層３１との間の層に形成されていれば足り、例えば基板１０と遮光層１１との間にさらに下地絶縁膜等が形成されていてもよい。
【００２８】
遮光層１１の上層には、酸化シリコン等からなる層間絶縁膜４１を挟んで、半導体層３１が積層されている。半導体層３１は、例えばポリシリコン層から構成することができ、ゲート電極線１２からの電界によりチャネルが形成されるチャネル領域３１ａと、これを挟むソース領域及びドレイン領域とを有して構成される。チャネル領域３１ａに光が照射されると光による励起でリーク電流が発生してしまうため、液晶装置１００にはチャネル領域３１ａへの光の入射を防止する種々の遮光機構が設けられている。また、リーク電流をさらに低減させるために、半導体層３１は、ソース領域及びドレイン領域の一部に低濃度領域を設けたＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造とすることが好ましい。
【００２９】
半導体層３１の上層には、酸化シリコン等からなるゲート絶縁膜４２を挟んで、チタン、クロム、タングステン、タンタル、モリブデン等の高融点金属又はこれらを含む合金等からなるゲート電極線１２が積層されている。換言すれば、ゲート電極線１２は、半導体層３１に対して遮光層１１とは反対側の層に形成されている。ゲート電極線１２は、層間絶縁膜４１及びゲート絶縁膜４２を貫通して設けられたコンタクトホールを介して遮光層１１と電気的に接続されている。このコンタクトホールは、ゲート電極線１２と同一の材料で埋められており、導電性及び遮光性を有する遮光壁１３としても機能する。
【００３０】
上記の半導体層３１、ゲート絶縁膜４２、ゲート電極線１２から、ＴＦＴ３０が構成される。本実施形態の半導体層３１は、基板１０の法線方向から見てＵ字型をなしており、ゲート電極線１２は、半導体層３１のＵ字を横切る方向に形成されている。したがって、ＴＦＴ３０は、ゲート電極線１２と半導体層３１とが異なる２箇所で対向するダブルゲート構造を有している。
【００３１】
ゲート電極線１２の上層には、酸化シリコン等からなる層間絶縁膜４３を挟んで信号線１４が積層されている。信号線１４は、アルミニウム、クロム、タングステン等の金属又はこれらを含む合金等から構成され、遮光性を有する。信号線１４は、図５に示すようにゲート電極線１２と直交するように配置され、半導体層３１のＵ字の一方の先端において半導体層３１と電気的に接続されている。より詳しくは、信号線１４は、ゲート絶縁膜４２及び層間絶縁膜４３を貫通して設けられたコンタクトホール２１を介して、半導体層３１のソース領域と電気的に接続されている。
【００３２】
信号線１４と同一層には、信号線１４と同一の材料からなる中継電極１５が形成されている。中継電極１５は、半導体層３１のＵ字の他方の先端において、ゲート絶縁膜４２及び層間絶縁膜４３を貫通して設けられたコンタクトホール２２を介して半導体層３１のドレイン領域と電気的に接続されている。中継電極１５は、金属等からなるため遮光性を有しており、本発明における第２の遮光層に対応する。
【００３３】
信号線１４及び中継電極１５の上層には、酸化シリコン等からなる層間絶縁膜４４を挟んで、透光性を有するＩＴＯ（Indium Tin Oxide）からなる画素電極１６が積層されている。画素電極１６は、層間絶縁膜４４に設けられたコンタクトホール２３を介して中継電極１５に電気的に接続されている。したがって、画素電極１６は、中継電極１５を介して半導体層３１のドレイン領域に電気的に接続されている。層間絶縁膜４４の一部及び画素電極１６の上層には、ポリイミドからなる配向膜１８が積層されている。配向膜１８は、液晶５０（図１（ｂ））に接する部材であり、配向膜１８をラビングすることで、液晶５０の液晶分子を当該ラビングの方向に沿って配向させることができる。
【００３４】
＜第１の実施形態の効果１：遮光＞
以上のような構成を有する本実施形態の液晶装置１００は、ＴＦＴ３０に含まれる半導体層３１の、特にチャネル領域３１ａに対して入射する光を遮るための機構を複数有している。
【００３５】
まず、半導体層３１と基板１０との間に、遮光層１１が形成されている。この遮光層１１は、基板１０の法線方向から見てチャネル領域３１ａの全体に重なっているため、基板１０側からチャネル領域３１ａに入射する光を遮ることができる。
【００３６】
また、チャネル領域３１ａを含む半導体層３１の側方に、ゲート電極線１２と同一の部材からなる遮光壁１３が形成されている。遮光壁１３は、半導体層３１の上層にあるゲート電極線１２と、下層にある遮光層１１との間に形成されているため、基板１０に平行な方向からチャネル領域３１ａに入射しようとする光を遮ることができる。また、遮光層１１が、基板１０の法線方向から見てチャネル領域３１ａと遮光壁１３との間の領域に重なるように形成されているので、遮光層１１と遮光壁１３とによってチャネル領域３１ａへの光の進入を効果的に防止することができる。
【００３７】
さらに、２つあるチャネル領域３１ａの一方は、遮光性を有する信号線１４に覆われている（図５）。すなわち、信号線１４は、チャネル領域３１ａの上層において、基板１０の法線方向から見て一方のチャネル領域３１ａに重なる領域に形成されているため、基板１０とは反対側（対向基板２０ａ側）から入射する光を遮ることができる。
【００３８】
以上のような構成により、ＴＦＴ３０に含まれる半導体層３１の、特にチャネル領域３１ａに対する光の入射を抑制することができる。これにより、ＴＦＴ３０におけるオフリーク電流の発生を抑制することが可能となる。
【００３９】
＜第１の実施形態の効果２：寄生容量低減＞
また、液晶装置１００の各画素４では、ゲート電極線１２と遮光層１１とが遮光壁１３によって電気的に接続されている。このため、ゲート電極線１２と遮光層１１とを合わせた低抵抗の配線に走査信号Ｇ１，Ｇ２，…，Ｇｍを供給することができる。さらに、各画素４において電気的な接続を行うことで、表示領域５の外部においてのみゲート電極線１２と遮光層１１とを接続する構成と比較して、ゲート電極線１２と遮光層１１との間に生じる容量（寄生容量）を低減させることができる。以下、この点について図７を用いて説明する。
【００４０】
図７（ａ）は、表示領域５の外部においてのみゲート電極線１２と遮光層１１とを電気的に接続する従来の構成の等価回路図である。この図においては、ゲート電極線１２（配線抵抗Ｒ12）と遮光層１１（配線抵抗Ｒ11）とが、両端におけるコンタクト抵抗Ｒcntによってのみ電気的に接続されている。ここで、配線抵抗Ｒ12と配線抵抗Ｒ11とが異なると、ゲート電極線１２及び遮光層１１に流れる電流の大きさが異なることとなり、対向するゲート電極線１２及び遮光層１１の電位に差が生じて寄生容量Ｃが発生する。
【００４１】
このとき、ゲート電極線１２に走査信号Ｇ１を供給すると、その波形は図８（ａ）のようには急峻にならず、図８（ｂ）のように立ち上がり及び立ち下がりの波形がなまってしまう。これにより、ＴＦＴ３０の動作マージンＴ２が小さくなる。ここで、動作マージンＴ２とは、ＴＦＴ３０がオフとなる値にまで走査信号Ｇ１が立ち下がった時点から、隣接するＴＦＴ３０（走査信号Ｇ２が供給されるＴＦＴ３０）に画像信号Ｓｎ（図８（ｃ）では階調ｋに相当）の印加が開始される時点までの期間をいう。動作マージンＴ２が小さくなると、本来階調ｊの画像信号Ｓｎが書き込まれるべきところ、階調ｋの画像信号Ｓｎが書き込まれてしまうことがある。これは、ＴＦＴ３０の誤動作と認識され、液晶装置１００の表示画像の乱れ等となって表れる。
【００４２】
一方、図７（ｂ）は、各画素４においてゲート電極線１２と遮光層１１とを電気的に接続する本実施形態の構成の等価回路図である。この図においては、ゲート電極線１２（配線抵抗Ｒ12）と遮光層１１（配線抵抗Ｒ11）とが、両端におけるコンタクト抵抗Ｒcntの他に、遮光壁１３（配線抵抗Ｒ13）によっても電気的に接続されている。このため、対向するゲート電極線１２及び遮光層１１に電位の差が生じにくく、寄生容量Ｃを低減することができる。
【００４３】
このとき、ゲート電極線１２に走査信号Ｇ１を供給すると、その波形は、図８（ａ）に示すように、立ち上がり、立ち下がりともになまりの少ない急峻なものになる。これにより、ＴＦＴ３０の動作マージンＴ１を大きくすることができ、ＴＦＴ３０の誤動作を防止することができる。また、上記のように走査信号Ｇ１の波形の立ち上がり時間、立ち下がり時間が短くなることで、例えば画質を落とすことなくフレーム周波数を上げることができ、あるいはフレーム周波数を一定に保ちながらゲート信号線数を増やしてパネルサイズを大きくすることができる。
【００４４】
（第２の実施形態）
＜液晶装置の構成＞
続いて、本発明の第２の実施形態について説明する。本実施形態に係る液晶装置１００は、第１の実施形態から、素子基板１０ａにおけるＴＦＴ３０の近傍の構成要素の配置に変更を加えたものであり、その他の点は第１の実施形態と共通である。以下、図９及び図１０を用いて、第１の実施形態の図５及び図６と異なる点を中心に説明する。なお、図５及び図６の実施形態と同じ要素には同じ符号を付すことにして、その説明は省略する。
【００４５】
図９は、ＴＦＴ３０の近傍領域を拡大して示す平面図であり、素子基板１０ａの１つの画素４に対応する部分のうち、図５と同一の範囲を示したものである。また、図１０（ａ）は、図９中のＣ−Ｃ’線の位置における断面図、図１０（ｂ）は、図９中のＤ−Ｄ’線の位置における断面図である。
【００４６】
図１０に示すように、基板１０上には本発明における第１の遮光層としての遮光層１１が形成されている。遮光層１１は、図９に示すように、ゲート電極線１２の長手方向と平行に、かつゲート電極線１２より広い幅を有する帯状に形成されている。すなわち、遮光層１１は、基板１０の法線方向から見てゲート電極線１２の全体に重なる領域に配置されている。
【００４７】
遮光層１１の上層には、層間絶縁膜４１を挟んで、半導体層３１が積層されている。本実施形態では、半導体層３１は、信号線１４と直交する方向に延びた一直線状に形成されている。
【００４８】
半導体層３１の上層には、ゲート絶縁膜４２を挟んで、ゲート電極線１２が積層されている。ゲート電極線１２は、図９に示すように、開口部を有する矩形の枠状の部分と、当該枠状の部分の４辺のうち、半導体層３１と平行な一辺を延長してなる線状の部分とから構成される。枠状の部分のうち半導体層３１と平行な２辺は、半導体層３１に重ならない位置に配置されている。また、枠状の部分のうちの他の２辺は、半導体層３１と直交し、かつ基板１０の法線方向から見て半導体層３１に交差するように配置されている。したがって、ゲート電極線１２と半導体層３１とは２箇所で交差しており、ＴＦＴ３０はダブルゲート構造を有する。半導体層３１のうち、ゲート電極線１２に交差する２つの領域がチャネル領域３１ａに相当する。また、前記矩形の枠状の部分の開口部は、２つの領域がチャネル領域３１ａの間に設けられている。ゲート電極線１２は、枠状の部分の４辺のうち、半導体層３１に平行な２辺の長さ方向の略全体にわたって設けられたコンタクトホールを介して遮光層１１と電気的に接続されている。このコンタクトホールは、ゲート電極線１２と同一の材料で埋められており、導電性及び遮光性を有する遮光壁１３としても機能する。
【００４９】
ゲート電極線１２の上層には、層間絶縁膜４３を挟んで遮光性を有する信号線１４及び本発明における第２の遮光層としての中継電極１５が同一層に同一材料を用いて形成されている。信号線１４は、ゲート電極線１２の長手方向と直交するように延びた直線部分を有するとともに、当該直線部分がその幅方向に一部張り出しており、この張り出し部が半導体層３１の略半分を覆うように配置されている。信号線１４は、上記直線部分において、ゲート絶縁膜４２及び層間絶縁膜４３を貫通して設けられたコンタクトホール２１を介して、半導体層３１の一端（ソース領域）と電気的に接続されている。
【００５０】
一方、中継電極１５は、半導体層３１のうち、信号線１４に覆われていない残りの略半分を覆う領域に形成されている。中継電極１５は、ゲート絶縁膜４２及び層間絶縁膜４３を貫通して設けられたコンタクトホール２２（図１０（ｂ）においては不図示）を介して半導体層３１の他端（ドレイン領域）と電気的に接続されている。
【００５１】
信号線１４及び中継電極１５の上層には、層間絶縁膜４４を挟んで、ＩＴＯからなる画素電極１６が積層されている。画素電極１６は、層間絶縁膜４４に設けられたコンタクトホール２３を介して中継電極１５に電気的に接続されている。したがって、画素電極１６は、中継電極１５を介して半導体層３１のドレイン領域に電気的に接続されている。層間絶縁膜４４の一部及び画素電極１６の上層には、ポリイミドからなる配向膜１８が積層されている。
【００５２】
＜第２の実施形態の効果＞
以上のような構成によれば、より効果的に半導体層３１のチャネル領域３１ａを遮光することができる。
【００５３】
まず、半導体層３１と基板１０との間に形成された遮光層１１は、基板１０の法線方向から見てチャネル領域３１ａを含む半導体層３１の全体に重なる領域に形成されている。このため、基板１０側からチャネル領域３１ａ及び半導体層３１に入射する光を効果的に遮ることができる。
【００５４】
また、半導体層３１を挟む両側には、半導体層３１と平行な状態に形成された２つの遮光壁１３が形成されている。すなわち、遮光壁１３は、チャネル領域３１ａを含み基板１０に平行な平面においてチャネル領域３１ａを挟むように形成されている。これにより、基板１０に平行な２方向から入射する光を遮断することができる。
【００５５】
また、２つあるチャネル領域３１ａは、遮光性を有する信号線１４及び中継電極１５に覆われている。さらに、信号線１４及び中継電極１５は、半導体層３１の略全体を覆うように広い面積を有して形成されている。これにより、半導体層３１及びチャネル領域３１ａに、基板１０とは反対側（対向基板２０ａ側）から入射する光を効果的に遮ることができる。
【００５６】
以上のような構成により、ＴＦＴ３０に含まれる半導体層３１の、特にチャネル領域３１ａに対する光の入射を抑制することができる。これにより、ＴＦＴ３０におけるオフリーク電流の発生を抑制することが可能となる。
【００５７】
また、第１の実施形態と同様に、遮光壁１３は、画素４ごとにゲート電極線１２と遮光層１１とを電気的に接続するので、ゲート電極線１２と遮光層１１との間の容量を低減させることができる。これにより、ゲート電極線１２に印加される信号になまりが生じにくくなり、ＴＦＴ３０の誤動作を防止することが可能となる。
【００５８】
（第３の実施形態）
＜液晶装置の構成＞
続いて、本発明の第３の実施形態について説明する。本実施形態に係る液晶装置１００は、第２の実施形態から、素子基板１０ａにおけるＴＦＴ３０の近傍の構成要素の配置に変更を加えたものであり、その他の点は第２の実施形態と共通である。以下、図１１及び図１２を用いて、第２の実施形態の図９及び図１０と異なる点を中心に説明する。
【００５９】
図１１は、ＴＦＴ３０の近傍領域を拡大して示す平面図であり、素子基板１０ａの１つの画素４に対応する部分のうち、図９と同一の範囲を示したものである。また、図１２（ａ）は、図１１中のＥ−Ｅ’線の位置における断面図、図１２（ｂ）は、図１１中のＦ−Ｆ’線の位置における断面図である。
【００６０】
図１２に示すように、基板１０上には本発明における第１の遮光層としての遮光層１１が形成されている。遮光層１１は、図１１に示すように、ゲート電極線１２の長手方向と平行に、かつゲート電極線１２より広い幅を有する帯状に形成されている。すなわち、遮光層１１は、基板１０の法線方向から見てゲート電極線１２の全体に重なる位置に配置されている。
【００６１】
遮光層１１の上層には、層間絶縁膜４１を挟んで、半導体層３１が積層されている。本実施形態では、半導体層３１は、信号線１４と直交する方向に延びた一直線状に形成されている。
【００６２】
半導体層３１の上層には、ゲート絶縁膜４２を挟んで、ゲート電極線１２が積層されている。ゲート電極線１２は、図１１に示すように、半導体層３１と平行に設けられた平行部１２ａと、これに平行に、半導体層３１を挟んで平行部１２ａの反対側に設けられた平行部１２ｂとを有している。平行部１２ａと平行部１２ｂとは、これらに垂直な直交部１２ｃ及び直交部１２ｇによって連結されている。直交部１２ｇは２本設けられており、これらは半導体層３１と直交し、かつ基板１０の法線方向から見て半導体層３１に交差するように配置されている。したがって、ゲート電極線１２と半導体層３１とは２箇所で交差しており、ＴＦＴ３０はダブルゲート構造を有する。半導体層３１のうち、ゲート電極線１２に交差する２つの領域がチャネル領域３１ａに相当する。平行部１２ａ，１２ｂ、及び直交部１２ｃは、コの字状に連結されており、半導体層３１を三方から囲むように形成されている。ゲート電極線１２は、平行部１２ａ，１２ｂ、及び直交部１２ｃに一繋がりに設けられたコの字状のコンタクトホールを介して遮光層１１と電気的に接続されている。このコンタクトホールは、ゲート電極線１２と同一の材料で埋められており、導電性及び遮光性を有する遮光壁１３としても機能する。したがって、本実施形態では、半導体層３１を三方から囲むコの字状の遮光壁１３が形成されている。より詳しくは、遮光壁１３は、チャネル領域３１ａを含み基板１０に平行な平面においてチャネル領域３１ａを三方から囲むように形成されている。
【００６３】
ゲート電極線１２の上層には、層間絶縁膜４３を挟んで遮光性を有する信号線１４及び本発明における第２の遮光層としての中継電極１５が同一層に同一材料を用いて形成されている。信号線１４は、ゲート電極線１２の長手方向と直交するように延びた直線部分を有するとともに、当該直線部分がその幅方向に一部張り出しており、この張り出し部が、２つのチャネル領域３１ａを含む半導体層３１の大部分を覆うように配置されている。信号線１４は、上記直線部分において、ゲート絶縁膜４２及び層間絶縁膜４３を貫通して設けられたコンタクトホール２１を介して、半導体層３１の一端（ソース領域）と電気的に接続されている。
【００６４】
一方、中継電極１５は、半導体層３１のうち、信号線１４に覆われていない残りの部位を覆う領域に形成されている。中継電極１５は、ゲート絶縁膜４２及び層間絶縁膜４３を貫通して設けられたコンタクトホール２２を介して半導体層３１の他端（ドレイン領域）と電気的に接続されている。
【００６５】
信号線１４及び中継電極１５の上層には、層間絶縁膜４４を挟んで、ＩＴＯからなる画素電極１６が積層されている。画素電極１６は、層間絶縁膜４４に設けられたコンタクトホール２３を介して中継電極１５に電気的に接続されている。したがって、画素電極１６は、中継電極１５を介して半導体層３１のドレイン領域に電気的に接続されている。層間絶縁膜４４の一部及び画素電極１６の上層には、ポリイミドからなる配向膜１８が積層されている。
【００６６】
＜第３の実施形態の効果＞
以上のような構成によれば、半導体層３１を三方から囲むコの字状の遮光壁１３により、基板１０に平行な方向からチャネル領域３１ａに入射する光の大部分を遮断することができる。これにより、ＴＦＴ３０におけるオフリーク電流の発生をより効果的に抑制することが可能となる。
【００６７】
また、第１の実施形態と同様に、遮光壁１３は、画素４ごとにゲート電極線１２と遮光層１１とを電気的に接続するので、ゲート電極線１２と遮光層１１との間の容量を低減させることができる。これにより、ゲート電極線１２に印加される信号になまりが生じにくくなり、ＴＦＴ３０の誤動作を防止することが可能となる。
【００６８】
（第４の実施形態）
＜液晶装置の構成＞
続いて、本発明の第４の実施形態について説明する。本実施形態に係る液晶装置１００は、第３の実施形態から、素子基板１０ａにおけるＴＦＴ３０の近傍の構成要素の配置に変更を加えたものであり、その他の点は第３の実施形態と共通である。以下、図１３及び図１４を用いて、第３の実施形態の図１１及び図１２と異なる点を中心に説明する。
【００６９】
図１３は、ＴＦＴ３０の近傍領域を拡大して示す平面図であり、素子基板１０ａの１つの画素４に対応する部分のうち、図１１と同一の範囲を示したものである。また、図１４（ａ）は、図１３中のＧ−Ｇ’線の位置における断面図、図１４（ｂ）は、図１３中のＨ−Ｈ’線の位置における断面図である。
【００７０】
図１４に示すように、基板１０上には本発明における第１の遮光層としての遮光層１１が形成されている。遮光層１１は、図１３に示すように、ゲート電極線１２の長手方向と平行に、かつゲート電極線１２より広い幅を有する帯状に形成されている。すなわち、遮光層１１は、基板１０の法線方向から見てゲート電極線１２の全体に重なる位置に配置されている。
【００７１】
遮光層１１の上層には、層間絶縁膜４１を挟んで、半導体層３１が積層されている。本実施形態では、半導体層３１は、信号線１４と直交する方向に延びた一直線状に形成されている。
【００７２】
半導体層３１の上層には、ゲート絶縁膜４２を挟んで、ゲート電極線１２が積層されている。ゲート電極線１２は、図１３に示すように、半導体層３１と平行に設けられた平行部１２ａと、これに平行に、半導体層３１の反対側に設けられた平行部１２ｂとを有している。平行部１２ａと平行部１２ｂとは、これらに垂直な直交部１２ｃ，１２ｄ，１２ｇによって連結されている。直交部１２ｇは２本設けられており、これらは半導体層３１と直交し、かつ基板１０の法線方向から見て半導体層３１に交差するように配置されている。したがって、ゲート電極線１２と半導体層３１とは２箇所で交差しており、ＴＦＴ３０はダブルゲート構造を有する。半導体層３１のうち、ゲート電極線１２に交差する２つの領域がチャネル領域３１ａに相当する。平行部１２ａ，１２ｂ、及び直交部１２ｃ，１２ｄは、矩形の枠状に連結されており、半導体層３１を全周にわたって囲むように形成されている。ゲート電極線１２は、平行部１２ａ，１２ｂ、直交部１２ｃ，１２ｄの全周にわたって設けられた矩形の枠状のコンタクトホールを介して遮光層１１と電気的に接続されている。このコンタクトホールは、ゲート電極線１２と同一の材料で埋められており、導電性及び遮光性を有する遮光壁１３としても機能する。したがって、本実施形態では、半導体層３１を全周にわたって囲む矩形の枠状の遮光壁１３が形成されている。より詳しくは、遮光壁１３は、チャネル領域３１ａを含み基板１０に平行な平面においてチャネル領域３１ａを全周にわたって囲むように形成されている。
【００７３】
ゲート電極線１２の上層には、層間絶縁膜４３を挟んで遮光性を有する信号線１４及び本発明における第２の遮光層としての中継電極１５が同一層に同一材料を用いて形成されている。信号線１４は、ゲート電極線１２の長手方向と直交するように延びた直線部分を有するとともに、当該直線部分がその幅方向に両側に張り出しており、この張り出し部が、２つのチャネル領域３１ａのうちの１つを含む半導体層３１の略半分を覆うように配置されている。信号線１４は、上記直線部分において、ゲート絶縁膜４２及び層間絶縁膜４３を貫通して設けられたコンタクトホール２１を介して、半導体層３１の一端（ソース領域）と電気的に接続されている。
【００７４】
一方、中継電極１５は、半導体層３１のうち、信号線１４に覆われていない、他方のチャネル領域３１ａを含む残りの略半分を覆う領域に形成されている。中継電極１５は、ゲート絶縁膜４２及び層間絶縁膜４３を貫通して設けられたコンタクトホール２２を介して半導体層３１の他端（ドレイン領域）と電気的に接続されている。
【００７５】
信号線１４及び中継電極１５の上層には、層間絶縁膜４４を挟んで、ＩＴＯからなる画素電極１６が積層されている。画素電極１６は、層間絶縁膜４４に設けられたコンタクトホール２３を介して中継電極１５に電気的に接続されている。したがって、画素電極１６は、中継電極１５を介して半導体層３１のドレイン領域に電気的に接続されている。層間絶縁膜４４の一部及び画素電極１６の上層には、ポリイミドからなる配向膜１８が積層されている。
【００７６】
＜第４の実施形態の効果＞
以上のような構成によれば、半導体層３１を全周にわたって囲む矩形の枠状の遮光壁１３により、基板１０に平行な方向からチャネル領域３１ａに入射する光を遮断することができる。これにより、ＴＦＴ３０におけるオフリーク電流の発生をより効果的に抑制することが可能となる。
【００７７】
また、第１の実施形態と同様に、遮光壁１３は、画素４ごとにゲート電極線１２と遮光層１１とを電気的に接続するので、ゲート電極線１２と遮光層１１との間の容量を低減させることができる。これにより、ゲート電極線１２に印加される信号になまりが生じにくくなり、ＴＦＴ３０の誤動作を防止することが可能となる。
【００７８】
（電子機器）
上述した液晶装置１００は、例えば、図１７に示すような透過型液晶パネルをライトバルブとして用いた電子機器としての投射型のプロジェクタ１１００に搭載して用いることができる。
【００７９】
図１７においてプロジェクタ１１００は３板プリズム方式の光学系を用いており、白色光源のランプユニット１１０２から射出した投射光がライトガイド１１０４の内部で、複数のミラー１１０６および２枚のダイクロイックミラー１１０８によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの３原色に分けられ、それぞれの色の画像を表示する上述した液晶装置１００よりなる３枚の液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｇおよび１１１０Ｂに導かれる。そして、それぞれの液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｇおよび１１１０Ｂによって変調された光は、ダイクロイックプリズム１１１２に３方向から入射される。ダイクロイックプリズム１１１２では、レッドＲおよびブルーＢの光が９０°曲げられ、グリーンＧの光が直進するので各色の画像が合成され、投写レンズ１１１４を通してスクリーンなどにカラー画像が投写される。
【００８０】
こうした用途のプロジェクタ１１００に用いられるランプユニット１１０２は輝度が非常に高く、百数十万Ｃｄ／ｍ2にも達することがあるが、本実施形態のプロジェクタ１１００は、上記液晶装置１００の遮光機能によって、ＴＦＴ３０の光誤動作による不具合が生じにくい。
【００８１】
なお、本発明を適用した液晶装置１００は、上記プロジェクタ１１００の他にも、携帯情報端末、携帯電話機、モバイルコンピュータ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、車載機器、オーディオ機器などの各種電子機器に用いることができる。
【００８２】
以上、本発明の実施形態について説明したが、上記実施形態に対しては、本発明の趣旨から逸脱しない範囲で様々な変形を加えることができる。変形例としては、例えば以下のようなものが考えられる。
【００８３】
（変形例１）
上記実施形態は、素子基板１０ａに画素電極１６、対向基板２０ａに共通電極を有し、これらの電極間に電圧を印加する構成であるが、これに限定する趣旨ではない。本発明の実施にあたっては、素子基板１０ａ側に画素電極１６、共通電極２６（図１５）を有するＦＦＳ（Fringe Field Switching）方式とすることもできる。
【００８４】
図１５は、このような本変形例に係る液晶装置１００の素子基板１０ａのうち、１つの画素４に対応する部分を抽出して示した平面図であり、図１６は、図１５中のＩ−Ｉ’線の位置における断面図である。本変形例の構成は、図１６中の画素電極１６より下層の部分（基板１０側の部分）については、図４乃至図６に示す第１の実施形態と同様である。そして、画素電極１６の上層には、酸化シリコンからなる層間絶縁膜４５を挟んでＩＴＯからなる透光性を有する共通電極２６が形成されている。共通電極２６上には、ポリイミドからなる配向膜１８が積層されている。
【００８５】
図１５に示すように、共通電極２６は、画素電極１６に重なる部分において、くの字形のスリット２６ａが互いに平行となるように多数設けられている。このような構成によれば、共通電極２６と画素電極１６との間に駆動電圧を印加すると、共通電極２６の上面から出てスリット２６ａを通り画素電極１６の上面に至る電気力線を有するような電界が生じる。このとき共通電極２６の上部、すなわち液晶５０の層においては基板１０と平行な電界が生じる。液晶分子は、この横電界に従って基板１０に平行な面内で配向方向を変える。その結果、素子基板１０ａ、対向基板２０ａの外側に配置された偏光板（不図示）の透過軸との相対角度が変化し、その相対角度に応じた偏光変換機能に基づいて表示が行われる。
【００８６】
このような液晶モードは、ＦＦＳモードと呼ばれる。ＦＦＳモードは、上記のように常に液晶分子が基板１０に略平行に保たれるため視角によるリタデーションの変化が少なく、広視野角な表示を行うことができる。また、ＦＦＳモードにおいては、画素電極１６と共通電極２６との間の層間絶縁膜４５が蓄積容量の役割を果たすため、別途蓄積容量を形成する必要がないという利点を有する。したがって、容量電極等を遮光に用いない本発明と好適に組み合わせることができる。
【００８７】
（変形例２）
上記実施形態は、各画素４において遮光層１１とゲート電極線１２との間を遮光壁１３によって電気的に接続する構成であるが、これに代えて、複数画素４に１つの割合で接続を行う構成としてもよい。遮光層１１とゲート電極線１２との間の電気的な接続は、表示領域５内で一定の間隔をおいて行われていれば、寄生容量を低減する効果を奏することができる。
【００８８】
（変形例３）
上記実施形態では、遮光壁１３は、ゲート電極線１２と同一の材料によって形成されるが、異なる材料によって形成してもよい。これによれば、遮光壁１３により遮光性及び導電性の高い材料を用いることができる。
【００８９】
（変形例４）
上記実施形態は、本発明を電気光学装置としての液晶装置に適用した例であるが、これに限定する趣旨ではない。本発明は、複数のゲート電極線と、複数の信号線と、これらの交差に対応して配置されたＴＦＴとが形成された基板を有する電気光学装置であれば種々のものに適用することができる。その一例としては、有機ＥＬ（Electro Luminescence）装置を挙げることができる。
【００９０】
（変形例５）
上記実施形態のＴＦＴ３０は、２つのチャネル領域３１ａを有するダブルゲート構造のものであるが、これに限定する趣旨ではなく、チャネル領域３１ａが１つであるシングルゲート構造、又はチャネル領域３１ａが３つであるトリプルゲート構造などを採用することができる。いずれにしても、ＴＦＴ３０には、少なくとも１つのチャネル領域３１ａが含まれていればよい。
【００９１】
（変形例６）
上記実施形態では、遮光層１１は、基板１０の法線方向から見てチャネル領域３１ａ、及びチャネル領域３１ａと遮光壁１３との間の領域の全てに重なるように形成されているが、これに限定する趣旨ではなく、上記領域の少なくとも一部に重なる構成としてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００９２】
【図１】本発明の電気光学装置としての液晶装置を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）中のＪ−Ｊ’線の位置で切断して示す断面図。
【図２】表示領域の拡大平面図。
【図３】表示領域を構成する複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図。
【図４】素子基板のうち、１つの画素に対応する部分を抽出して示した平面図。
【図５】図４のＴＦＴの近傍領域を拡大して示す平面図。
【図６】（ａ）は、図５中のＡ−Ａ’線の位置における断面図、（ｂ）は、図５中のＢ−Ｂ’線の位置における断面図。
【図７】（ａ）は、表示領域の外部においてのみゲート電極線と遮光層とを電気的に接続する従来の構成の等価回路図、（ｂ）は、各画素においてゲート電極線と遮光層とを電気的に接続する第１の実施形態の構成の等価回路図。
【図８】（ａ）は、波形なまりの少ない走査信号、（ｂ）は、波形なまりの多い走査信号、（ｃ）は、画像信号を示す図。
【図９】ＴＦＴの近傍領域を拡大して示す平面図。
【図１０】（ａ）は、図９中のＣ−Ｃ’線の位置における断面図、（ｂ）は、図９中のＤ−Ｄ’線の位置における断面図。
【図１１】ＴＦＴの近傍領域を拡大して示す平面図。
【図１２】（ａ）は、図１１中のＥ−Ｅ’線の位置における断面図、（ｂ）は、図１１中のＦ−Ｆ’線の位置における断面図。
【図１３】ＴＦＴの近傍領域を拡大して示す平面図。
【図１４】（ａ）は、図１３中のＧ−Ｇ’線の位置における断面図、（ｂ）は、図１３中のＨ−Ｈ’線の位置における断面図。
【図１５】本発明の変形例に係る液晶装置の素子基板のうち、１つの画素に対応する部分を抽出して示した平面図。
【図１６】図１５中のＩ−Ｉ’線の位置における断面図。
【図１７】電子機器としてのプロジェクタの断面図。
【符号の説明】
【００９３】
４…画素、５…表示領域、１０…基板、１０ａ…素子基板、１１…第１の遮光層、１２…ゲート電極線、１３…遮光壁、１４…信号線、１５…第２の遮光層としての中間電極、１６…画素電極、１８…配向膜、２０…基板、２０ａ…対向基板、２１，２２，２３…コンタクトホール、２６…共通電極、３０…ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）、３１…半導体層、３１ａ…チャネル領域、５０…液晶、１００…電気光学装置としての液晶装置、１１００…電子機器としてのプロジェクタ。
【図１】
2008216621.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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