(57)【要約】【課題】  回路基板上に半導体構成体が搭載され、回路基板下に半田ボールが設けられた半導体装置において、回路基板下に別の半導体構成体を搭載しても、半田ボールの径を大きくする必要がないようにする。【解決手段】  回路基板１の下面周辺部には、開口部３５、３６を有する下部回路基板３１が設けられている。下部回路基板３１下には半田ボール４４が設けられている。下部回路基板３１の開口部３５、３６内における回路基板１の下面中央部に第２の半導体構成体５１が搭載されている。そして、この半導体装置では、その半田ボール４４がメイン回路基板（マザーボード）上に設けられた接続端子に接合されることにより、メイン回路基板上に実装される。この場合、半田ボール４４は第２の半導体構成体５１の下面よりも下方に位置させられているので、第２の半導体構成体５１の存在に関係なく、半田ボール４４の配置ピッチを設定することができる。【選択図】  図１
2008226945.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の上層配線および複数の下層配線を有する回路基板と、前記回路基板上に設けられ、前記上層配線に接続された電子部品と、前記回路基板下の周辺部に設けられ、前記下層配線の一部に接続された外部接続用配線を有し、前記下層配線の他の一部を露出する開口部を有する下部回路基板と、前記下部回路基板の開口部内に配置され、前記回路基板の下層配線の他の一部に接続された外部接続電極を有する半導体構成体とを備えていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の発明において、前記回路基板は多層配線構造を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１に記載の発明において、前記下部回路基板は多層配線構造を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１に記載の発明において、前記下部回路基板の下面は前記半導体構成体の下面よりも下方に位置することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１に記載の発明において、前記下部回路基板は、前記外部接続用配線の接続パッド部に対応する部分に開口部を有するオーバーコート膜が設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項５に記載の発明において、前記オーバーコート膜の開口部内およびその下方に半田ボールが前記外部接続用配線の接続パッド部に接続されて設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１に記載の発明において、前記上層配線に接続された電子部品は、別の半導体構成体を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項７に記載の発明において、前記別の半導体構成体を含む前記回路基板上に封止膜が設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
上層配線および下層配線を有する回路基板を準備する工程と、
前記下層配線の一部に接続される外部接続用配線を有し、前記下層配線の他の一部を露出する開口部を有する下部回路基板を準備する工程と、
前記下部回路基板を、前記外部接続用配線が前記回路基板の下層配線の一部に接続されるように、前記回路基板の下面に一体化する工程と、
前記回路基板上に電子部品を前記上層配線に接続して搭載する工程と、
前記下部回路基板の開口部内に、前記下層配線の他の一部に接続されるように半導体構成体を搭載する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の発明において、前記回路基板を準備する工程は、多層配線基板を形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項９に記載の発明において、前記下部回路基板を準備する工程は、多層配線基板を形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項９に記載の発明において、前記下部回路基板の開口部内に前記半導体構成体を搭載する工程は、前記半導体構成体の下面が前記下部回路基板の下面よりも上方に位置するように行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項９に記載の発明において、前記下部回路基板を準備する工程は、前記外部接続用配線の接続パッド部に対応する部分に開口部を有するオーバーコート膜を形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載の発明において、前記オーバーコート膜の開口部内およびその下方に前記外部接続用配線の接続パッド部に接続される半田ボールを形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
請求項９に記載の発明において、前記上層配線に別の半導体構成体を接続する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
請求項１５に記載の発明において、前記別の半導体構成体を含む前記回路基板上に封止膜を形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は半導体装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の半導体装置には、半導体基板および該半導体基板下に設けられた複数の外部接続用電極を有する半導体構成体を基板上にフェースダウン方式により搭載したものがある（例えば、特許文献１参照）。この場合、基板上に搭載された半導体構成体の外部接続用電極は、基板内に設けられた上下導通部を介して、基板の下面に設けられた下層配線に接続されている。下層配線を含む基板の下面には、下層配線の接続パッド部に対応する部分に開口部を有するオーバーコート膜が設けられている。オーバーコート膜の開口部内およびその下方には半田ボールが下層配線の接続パッド部に接続されて設けられている。
【０００３】
【特許文献１】特開２００１−３３９０１１号公報
【０００４】
上記従来の半導体装置では、その半田ボールがメイン回路基板（マザーボード）上に設けられた接続端子に接合されることにより、メイン回路基板上に実装される。一方、メイン回路基板上には他の半導体構成体やチップ部品等からなる電子部品が実装されることが多い。このような場合には、メイン回路基板のサイズが比較的大きくなってしまう。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、メイン回路基板のサイズを小さくするために、上記従来の半導体装置の基板下に他の半導体構成体やチップ部品等からなる電子部品を搭載することが考えられる。しかしながら、このような半導体装置では、基板下に設けられた半田ボールをメイン回路基板上の接続端子に接合するためには、半田ボールの高さを基板下に搭載された電子部品の高さよりも高くしなければならず、ひいては半田ボールの径が大きくなり、半田ボールの配置ピッチが大きくなり、狭ピッチ化に限界があるという問題がある。
【０００６】
そこで、この発明は、基板下に半導体構成体等を搭載しても、基板下に設けられる外部接続用配線の接続パッド部の配置ピッチを小さくすることができる半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
請求項１に記載の発明に係る半導体装置は、複数の上層配線および複数の下層配線を有する回路基板と、前記回路基板上に設けられ、前記上層配線に接続された電子部品と、前記回路基板下の周辺部に設けられ、前記下層配線の一部に接続された外部接続用配線を有し、前記下層配線の他の一部を露出する開口部を有する下部回路基板と、前記下部回路基板の開口部内に配置され、前記回路基板の下層配線の他の一部に接続された外部接続電極を有する半導体構成体とを備えていることを特徴とするものである。
請求項２に記載の発明に係る半導体装置は、請求項１に記載の発明において、前記回路基板は多層配線構造を有することを特徴とするものである。
請求項３に記載の発明に係る半導体装置は、請求項１に記載の発明において、前記下部回路基板は多層配線構造を有することを特徴とするものである。
請求項４に記載の発明に係る半導体装置は、請求項１に記載の発明において、前記下部回路基板の下面は前記半導体構成体の下面よりも下方に位置することを特徴とするものである。
請求項５に記載の発明に係る半導体装置は、請求項１に記載の発明において、前記下部回路基板は、前記外部接続用配線の接続パッド部に対応する部分に開口部を有するオーバーコート膜が設けられていることを特徴とするものである。
請求項６に記載の発明に係る半導体装置は、請求項５に記載の発明において、前記オーバーコート膜の開口部内およびその下方に半田ボールが前記外部接続用配線の接続パッド部に接続されて設けられていることを特徴とするものである。
請求項７に記載の発明に係る半導体装置は、請求項１に記載の発明において、前記上層配線に接続された電子部品は、別の半導体構成体を含むことを特徴とするものである。
請求項８に記載の発明に係る半導体装置は、請求項７に記載の発明において、前記別の半導体構成体を含む前記回路基板上に封止膜が設けられていることを特徴とするものである。
請求項９に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、上層配線および下層配線を有する回路基板を準備する工程と、前記下層配線の一部に接続される外部接続用配線を有し、前記下層配線の他の一部を露出する開口部を有する下部回路基板を準備する工程と、前記下部回路基板を、前記外部接続用配線が前記回路基板の下層配線の一部に接続されるように、前記回路基板の下面に一体化する工程と、前記回路基板上に電子部品を前記上層配線に接続して搭載する工程と、前記下部回路基板の開口部内に、前記下層配線の他の一部に接続されるように半導体構成体を搭載する工程と、を有することを特徴とするものである。
請求項１０に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項９に記載の発明において、前記回路基板を準備する工程は、多層配線基板を形成する工程を含むことを特徴とするものである。
請求項１１に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項９に記載の発明において、前記下部回路基板を準備する工程は、多層配線基板を形成する工程を含むことを特徴とするものである。
請求項１２に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項９に記載の発明において、前記下部回路基板の開口部内に前記半導体構成体を搭載する工程は、前記半導体構成体の下面が前記下部回路基板の下面よりも上方に位置するように行うことを特徴とするものである。
請求項１３に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項９に記載の発明において、前記下部回路基板を準備する工程は、前記外部接続用配線の接続パッド部に対応する部分に開口部を有するオーバーコート膜を形成する工程を含むことを特徴とするものである。
請求項１４に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項１３に記載の発明において、前記オーバーコート膜の開口部内およびその下方に前記外部接続用配線の接続パッド部に接続される半田ボールを形成する工程を含むことを特徴とするものである。
請求項１５に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項９に記載の発明において、前記上層配線に別の半導体構成体を接続する工程を含むことを特徴とするものである。
請求項１６に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項１５に記載の発明において、前記別の半導体構成体を含む前記回路基板上に封止膜を形成する工程を含むことを特徴とするものである。
【発明の効果】
【０００８】
この発明によれば、回路基板下に開口部を有する下部回路基板を設け、下部回路基板の開口部内における回路基板下に半導体構成体を設け、下部回路基板に外部接続用配線を設けることにより、回路基板下の半導体構成体の存在に関係なく、下部回路基板の外部接続用配線の接続パッド部の配置ピッチを設定することが可能となり、ひいては、回路基板下に半導体構成体を搭載しても、下部回路基板の外部接続用配線の接続パッド部の配置ピッチを小さくすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
図１はこの発明の一実施形態としての半導体装置の断面図を示す。この半導体装置は平面方形状の回路基板１を備えている。回路基板１は、複数の基板２ａが積層された多層配線構造の多層配線基板２を備えている。多層配線基板２は、図示はしないが、周知の如く、各基板２ａ間に設けられた配線および各基板２ａを貫通して設けられたビアホールからなる内部配線を有する。多層配線基板２の上面中央部には複数の第１の上層配線３の接続パッド部が設けられ、上面周辺部には複数の第２の上層配線４の接続パッド部が設けられ、下面中央部には複数の第１の下層配線５の接続パッド部が設けられ、下面周辺部には複数の第２の下層配線６の接続パッド部が設けられている。これらの配線３〜６は銅箔等によって形成されている。
【００１０】
第１、第２の上層配線３、４と第１、第２の下層配線５、６とは、多層配線基板２の内部配線を介して所定の回路を構成するように接続されている。第１、第２の上層配線３、４を含む多層配線基板２の上面にはソルダーレジスト等からなる上層絶縁膜７が設けられている。第１、第２の上層配線３、４の接続パッド部に対応する部分における上層絶縁膜７には第１、第２の開口部８、９が設けられている。
【００１１】
回路基板１の上層絶縁膜７の上面中央部には平面方形状の第１の半導体構成体１１が搭載されている。第１の半導体構成体１１はシリコン基板（半導体基板）１２を備えている。シリコン基板１２の下面には所定の機能の集積回路（図示せず）が設けられ、下面周辺部にはアルミニウム系金属等からなる複数の接続パッド１３が集積回路に接続されて設けられている。接続パッド１３の中央部を除くシリコン基板１２の下面には酸化シリコン等からなる絶縁膜１４およびポリイミド系樹脂等からなる保護膜１５が設けられ、接続パッド１３の中央部は絶縁膜１４および保護膜１５に設けられた開口部１６を介して露出されている。
【００１２】
保護膜１５の下面には配線１７が設けられている。配線１７は、保護膜１５の下面に設けられた銅等からなる下地金属層１８と、下地金属層１８の下面に設けられた銅からなる上部金属層１９との２層構造となっている。配線１７の一端部は、絶縁膜１４および保護膜１５の開口部１６を介して接続パッド１３に接続されている。配線１７を含む保護膜１５の下面にはソルダーレジスト等からなるオーバーコート膜２０が設けられている。配線１７の接続パッド部に対応する部分におけるオーバーコート膜２０には開口部２１が設けられている。
【００１３】
そして、第１の半導体構成体１１は、そのオーバーコート膜２０の開口部２１の部分あるいは回路基板１の上層絶縁膜７の第１の開口部８の部分に設けられた半田層２２を介して、その配線１７の接続パッド部が回路基板１の第１の上層配線３の接続パッド部に接合されていることにより、回路基板１の上層絶縁膜７の上面中央部にフェースダウン方式により搭載されている。
【００１４】
回路基板１の上層絶縁膜７の上面周辺部にはコンデンサや抵抗等からなる複数のチップ部品２３が搭載されている。チップ部品２３は、回路基板１の上層絶縁膜７の第２の開口部９の部分に設けられた半田２４を介して、その両電極（図示せず）が回路基板１の第２の上層配線４の接続パッド部に接合されていることにより、回路基板１の上層絶縁膜７の上面周辺部に搭載されている。第１の半導体構成体１１およびチップ部品２３を含む回路基板１の上層絶縁膜７の上面にはエポキシ系樹脂等からなる封止膜２５が設けられている。
【００１５】
回路基板１の第２の下層配線６の接続パッド部を含む多層配線基板２の下面周辺部には方形枠状の下部回路基板３１が設けられている。下部回路基板３１は、積層された方形枠状の第１の下層絶縁シート(下層絶縁膜）３２および第２の下層絶縁シート(下層絶縁膜）３３を備えている。第１、第２の下層絶縁シート３２、３３は、例えば、ガラス布等からなる基材にエポキシ系樹脂等からなる熱硬化性樹脂を含浸させた材料からなっている。第２の下層絶縁シート３３の下面には、ソルダーレジスト等からなるオーバーコート膜３４が設けられている。第１の下層絶縁シート３２およびオーバーコート膜３４を含む第２の下層絶縁シート３３の中央部には同一形状および同一サイズの方形状の開口部３５、３６が設けられている。
【００１６】
第２の下層絶縁シート３３の所定の複数箇所には貫通孔３８が設けられている。貫通孔３８内には金属ペースト、導電ピン等からなる上下導通部３９が設けられている。第２の下層絶縁シート３３の上面および下面には銅箔等からなる接続パッド４０および外部接続用配線４１が上下導通部３９を介して互いに接続されて設けられている。接続パッド４０の上面には裁頭錐体形状の突起電極４２が設けられている。接続パッド４０および突起電極４２は第１の下層絶縁シート３２内に配置され、突起電極４２の上端部は回路基板１の第２の下層配線６の接続パッド部下面に接続されている。
【００１７】
オーバーコート膜３４において外部接続用配線４１の接続パッド部に対応する部分には開口部４３が設けられている。オーバーコート膜３４の開口部４３内およびその下方には半田ボール４４が外部接続用配線４１の接続パッド部に接続されて設けられている。
【００１８】
下部回路基板３１の第１、第２の下層絶縁シート３２、３３の開口部３５、３６内における回路基板１の多層配線基板２の下面中央部には第２の半導体構成体５１が搭載されている。第２の半導体構成体５１はシリコン基板（半導体基板）５２を備えている。シリコン基板５２の上面には所定の機能の集積回路（図示せず）が設けられ、上面周辺部にはアルミニウム系金属等からなる複数の接続パッド５３が集積回路に接続されて設けられている。接続パッド５３の中央部を除くシリコン基板５２の上面には酸化シリコン等からなる絶縁膜５４が設けられ、接続パッド５３の中央部は絶縁膜５４に設けられた開口部５５を介して露出されている。絶縁膜５４は、酸化シリコン等の無機絶縁膜と、該無機絶縁膜上に形成されたポリイミド等の有機絶縁膜との積層構造として形成してもよい。
【００１９】
絶縁膜５４の開口部５５を介して露出された接続パッド５３の上面およびその周囲の絶縁膜５４の上面には銅等からなる下地金属層５６が設けられている。下地金属層５６の上面全体には銅からなる突起電極（外部接続電極）５７が設けられている。突起電極５７の周囲における絶縁膜５４の上面にはエポキシ系樹脂等からなる封止膜５８が設けられている。突起電極５７の上面には半田ボール５９が設けられている。
【００２０】
そして、第２の半導体構成体５１は、その半田ボール５９が回路基板１の第１の下層配線５の接続パッド部に接合されていることにより、下部回路基板３１の第１、第２の下層絶縁シート３２、３３の開口部３５、３６内における回路基板１の多層配線基板２の下面中央部にフェースダウン方式により搭載されている。この状態では、下部回路基板３１のオーバーコート膜３４の下面は第２の半導体構成体５１のシリコン基板５２の下面よりも下方に位置させられている。したがって、オーバーコート膜３４下に設けられた半田ボール４４も第２の半導体構成体５１のシリコン基板５２の下面よりも下方に位置させられている。
【００２１】
そして、この半導体装置では、その半田ボール４４がメイン回路基板（図示せず）上に設けられた接続端子に接合されることにより、メイン回路基板上に実装される。この場合、下部回路基板３１のオーバーコート膜３４下に設けられた半田ボール４４が第２の半導体構成体５１のシリコン基板５２の下面よりも下方に位置させられているので、第２の半導体構成体５１の存在に関係なく、半田ボール４４（つまり外部接続用配線４１の接続パッド部）の配置ピッチを設定することが可能となり、ひいては半田ボール４４（つまり外部接続用配線４１の接続パッド部）の配置ピッチを小さくすることができる。
【００２２】
次に、この半導体装置の製造方法の一例について説明する。まず、図２に示すように、回路基板１、第１の下層絶縁用シート３２ａおよび第２の下層絶縁シート３３等を用意する。この場合、これらの用意したもののサイズは、図１に示す完成された半導体装置を複数個形成することが可能なサイズとなっている。
【００２３】
回路基板１は、上述した如く、複数の基板２ａが積層され、内部に内部配線を有する多層配線構造の多層配線基板２を備えている。多層配線基板２の上面および下面には、それぞれ積層された銅箔等をパターニングすることにより、第１、第２の上層配線３、４および第１、第２の下層配線５、６が形成されている。第１、第２の上層配線３、４を含む多層配線基板２の上面には、スクリーン印刷等によりソルダーレジスト等を塗布することにより、上層絶縁膜７が形成されている。第１、第２の上層配線３、４の接続パッド部に対応する部分における上層絶縁膜７には、レーザ照射によるレーザ加工等により、第１、第２の開口部８、９が形成されている。
【００２４】
第２の下層絶縁シート３３は、ガラス布等からなる基材にエポキシ系樹脂等からなる熱硬化性樹脂を含浸させ、熱硬化性樹脂を硬化状態にしてシート状となし、パンチング等により、複数の方形状の開口部３６を形成し、レーザ照射によるレーザ加工等により、複数の貫通孔３８を形成したものである。
【００２５】
第２の下層絶縁シート３３の貫通孔３８内には金属ペースト、導電ピン等からなる上下導通部３９が形成されている。第２の下層絶縁シート３３の上面および下面には、それぞれ積層された銅箔等をパターニングすることにより、接続パッド４０および外部接続用配線４１が上下導通部３９を介して互いに接続されて形成されている。
【００２６】
接続パッド４０の上面には、スクリーン印刷等により熱硬化性樹脂中に金属フィラー等が分散された導電性ペーストを塗布することにより、錐体形状の突起電極４２が形成されている。外部接続用配線４１を含む第２の下層絶縁シート３３の下面には、スクリーン印刷等によりソルダーレジスト等を塗布することにより、開口部３７を有するオーバーコート膜３４が形成されている。外部接続用配線４１の接続パッド部に対応する部分におけるオーバーコート膜３４には、レーザ照射によるレーザ加工等により、開口部４３が形成されている。
【００２７】
第１の下層絶縁用シート３２ａは、ガラス布等からなる基材にエポキシ系樹脂等からなる熱硬化性樹脂を含浸させ、熱硬化性樹脂を半硬化状態にしてシート状となし、パンチング等により複数の方形状の開口部３５を形成したものである。ここで、第１の下層絶縁用シート３２ａを加熱した状態において、第１の下層絶縁用シート３２ａと第２の下層絶縁シート３３とを圧着して、錐体形状の突起電極４２を第１の下層絶縁用シート３２ａに突き刺すことにより、第２の下層絶縁シート３３の上面側に第１の下層絶縁用シート３２ａが仮固着されている。
【００２８】
さて、上記のものを用意したら、次に、図２に示すように、第２の下層絶縁シート３３の上面側に仮固着された第１の下層絶縁用シート３２ａの上面に回路基板１をピン等で位置決めしながら配置する。次に、図３に示すように、一対の加熱加圧板６１、６２を用いて上下から第１の下層絶縁用シート３２ａを硬化温度以上の温度で加熱加圧する。
【００２９】
この加熱加圧により、第１の下層絶縁用シート３２ａが溶融し、そして、その後の冷却により硬化して、回路基板１の第２の下層配線６の接続パッド部を含む多層配線基板２の下面に第１の下層絶縁シート３１が形成され、且つ、第１の下層絶縁シート３１の下面に接続パッド４０を含む第２の下層絶縁シート３３の上面が固着される。また、突起電極４２の上部が第２の下層配線６の接続パッド部下面に押し付けられて適宜につぶれ、突起電極４２が第２の下層配線６の接続パッド部下面に接続される。この状態では、回路基板１の下面周辺部に、開口部３５、３６を有する下部回路基板３１が形成されている。
【００３０】
次に、図４に示すように、回路基板１の上層絶縁膜７の第１の開口部８のあるいは部分第１の半導体構成体１１のオーバーコート膜２０の開口部２１の部分に設けられた半田層２２を介して、第１の半導体構成体１１の配線１７の接続パッド部を回路基板１の第１の上層配線３の接続パッド部に接合させることにより、回路基板１の上層絶縁膜７の上面中央部に第１の半導体構成体１１をフェースダウン方式により搭載する。また、回路基板１の上層絶縁膜７の第２の開口部９の部分に設けられた半田２４を介して、チップ部品２３の両電極（図示せず）を回路基板１の第２の上層配線４の接続パッド部に接合させることにより、回路基板１の上層絶縁膜７の上面周辺部にチップ部品２３を搭載する。
【００３１】
次に、図５に示すように、第１の半導体構成体１１およびチップ部品２３を含む回路基板１の上層絶縁膜７の上面に、スクリーン印刷法、スピンコート法等により、エポキシ系樹脂等からなる封止膜２５を形成する。次に、図６に示すように、第２の半導体構成体５１の半田ボール５９を回路基板１の第１の下層配線５の接続パッド部に接合することにより、下部回路基板３１の第１、第２の下層絶縁シート３２、３３の開口部３５、３６７内における回路基板１の多層配線基板２の下面中央部に第２の半導体構成体５１をフェースダウン方式により搭載する。
【００３２】
次に、図７に示すように、下部回路基板３１の第３の下層絶縁膜３４の開口部４３内およびその下方に半田ボール４４を外部接続用配線４１の接続パッド部に接続させて形成する。次に、互いに隣接する第１、第２の半導体構成体１１、５１間において、封止膜２５、回路基板１および下部回路基板３１を切断すると、図１に示す半導体装置が複数個得られる。
【００３３】
なお、上記実施形態では、下部回路基板３１のオーバーコート膜３４下に半田ボール４４を形成した場合について説明したが、必ずしも、半田ボール４４を形成する必要はない。別の方法として、例えば、本発明の半導体装置が実装されるメイン回路基板の接続端子上に半田層を被着しておき、該半田層にオーバーコート膜３４の開口部４３を位置合わせして搭載し、リフローにより半田層を溶融して、開口部４３内に充填し、外部接続用配線４１に接続されるようにする方法が適用できる。また、上記実施形態では、回路基板１および下部回路基板３１は多層配線基板を備えている場合で説明したが、多層配線基板に替えて、単層の配線基板を用いることもできる。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】この発明の一実施形態としての半導体装置の断面図。
【図２】図１に示す半導体装置の製造方法の一例において、当初の工程の断面図。
【図３】図２に続く工程の断面図。
【図４】図３に続く工程の断面図。
【図５】図４に続く工程の断面図。
【図６】図５に続く工程の断面図。
【図７】図６に続く工程の断面図。
【符号の説明】
【００３５】
１  回路基板
２  多層配線基板
３  第１の上層配線
４  第２の上層配線
５  第１の下層配線
６  第２の下層配線
７  上層絶縁膜
１１  第１の半導体構成体
２３  チップ部品
２５  封止膜
３１  下部回路基板
３２  第１の下層絶縁シート
３３  第２の下層絶縁シート
３４  オーバーコート膜
３５、３６  開口部
４１  外部接続用配線
４４  半田ボール
５１  第２の半導体構成体
【図１】
2008226945.tif 000003
【図２】
2008226945.tif 000004
【図３】
2008226945.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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