(57)【要約】【課題】  記録・再生信号、トラッキング信号が安定して得られる多層情報記憶媒体を提供する。【解決手段】  同心円またはスパイラル形状のトラックを有する透明基板に形成された第１の情報層と、第１の情報層上に形成された第２の情報層とを含み、片面から光記録再生可能な情報記録媒体であって、各情報層のトラックの偏芯量は、０ないし７０μｍである。【選択図】図１
2008027481.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
同心円またはスパイラル形状のトラックを有する透明基板と、
該透明基板上に形成された、第１の有機色素層及び該第１の有機色素層上に形成された第１の反射層を有する第１の情報層と、
該第１の反射層上に形成された中間層、該中間層上に形成された、第２の有機色素層及び該第２の有機色素層上に形成された第２の反射層を有する第２の情報層とを含み、
１８０ｎｍないし６２０ｎｍの波長の光で片面から記録再生可能な情報記録媒体であって、
前記第１の情報層のトラックと前記第２の情報層のトラックの偏芯量は、０ないし７０μｍであることを特徴とする多層情報記録媒体。
【請求項２】
同心円またはスパイラル形状のトラックを有する透明基板と、
該透明基板上に形成された、相変化記録層、誘電体層、反射層を有する第１の情報層と、該第１の情報層上に形成された中間層、および相変化記録層、誘電体層、反射層を有する第２の情報層とを含み、１８０ｎｍないし６２０ｎｍの波長の光で片面から記録再生可能な情報記録媒体であって、
前記第１の情報層のトラックと前記第２の情報層のトラックの偏芯量は、０ないし７０μｍであることを特徴とする多層情報記録媒体。
【請求項３】
同心円またはスパイラル形状のトラックを有し、第１の情報が刻み込まれた透明樹脂基板、及び該透明樹脂基板上に形成された第１の反射層を有する第１の情報層と、
該第１の反射層上に形成され、第２の情報が刻み込まれた透明樹脂層、及び該透明樹脂層上に形成された第２の反射層を有する第２の情報層とを含み、
１８０ｎｍないし６２０ｎｍの波長の光で片面から再生可能な情報記録媒体であって、
前記第１の情報層のトラックと前記第２の情報層のトラックの偏芯量は、０ないし７０μｍであることを特徴とする多層情報記録媒体。
【請求項４】
同心円またはスパイラル形状のトラックを有する透明基板と、
該透明基板上に形成された、第１の有機色素層及び該第１の有機色素層上に形成された第１の反射層を有する第１の情報層と、
該第１の反射層上に形成された中間層、該中間層上に形成された、第２の有機色素層及び該第２の有機色素層上に形成された第２の反射層を有する第２の情報層とを含み、
３０（ｍ／秒）以上の線速で記録再生が行われ、
６２０ｎｍより大きく８３０ｎｍ以下の波長の光で片面から記録再生可能な情報記録媒体であって、
前記第１の情報層のトラックと前記第２の情報層のトラックの偏芯量は、０ないし７０μｍであることを特徴とする多層情報記録媒体。
【請求項５】
同心円またはスパイラル形状のトラックを有する透明基板と、
該透明基板上に形成された、相変化記録層、誘電体層、反射層を有する第１の情報層と、該第１の情報層上に形成された中間層、および相変化記録層、誘電体層、反射層を有する第２の情報層とを含み、  ３０（ｍ／秒）以上の線速で記録再生が行われ、
６２０ｎｍより大きく８３０ｎｍ以下の波長の光で片面から記録再生可能な情報記録媒体であって、
前記第１の情報層のトラックと前記第２の情報層のトラックの偏芯量は、０ないし７０μｍであることを特徴とする多層情報記録媒体。
【請求項６】
同心円またはスパイラル形状のトラックを有する透明樹脂基板と、
該透明基板上に形成された、第１の有機色素層及び該第１の有機色素層上に形成された第１の反射層を有する第１の情報層と、
該第１の反射層上に形成された中間層、該中間層上に形成された、第２の有機色素層及び該第２の有機色素層上に形成された第２の反射層を有する第２の情報層とを含み、
２種以上の波長の光で片面から記録再生可能な情報記録媒体であって、
前記第１の情報層のトラックと前記第２の情報層のトラックの偏芯量は、０ないし７０μｍであることを特徴とする多層情報記録媒体。
【請求項７】
同心円またはスパイラル形状のトラックを有し、第１の情報が刻み込まれた透明樹脂基板、及び該透明樹脂基板上に形成された第１の反射層を有する第１の情報層と、
該第１の反射層上に形成され、第２の情報が刻み込まれた透明樹脂層、及び該透明樹脂層上に形成された第２の反射層を有する第２の情報層とを含み、
２種以上の波長の光で片面から再生可能な情報記録媒体であって、
前記第１の情報層のトラックと前記第２の情報層のトラックの偏芯量は、０ないし７０μｍであることを特徴とする多層情報記録媒体。
【請求項８】
前記第１の情報層が形成される半径位置、ピット形成部とグルーブ形成部の半径位置、ミラー部とグルーブ形成部の半径位置、ゾーンの境界の半径位置、及びウォーブルの形状が異なる半径位置のうち少なくとも１つが、第２の情報層が形成される半径位置、ピット形成部とグルーブ形成部の半径位置、ミラー部とグルーブ形成部の半径位置、ゾーンの境界の半径位置、及びウォーブルの形状が異なる半径位置とは異なることを特徴とする請求項１ないし７のいずれか１項に記載の多層情報記録媒体。
【請求項９】
前記第１の情報層が形成される結晶化位置、及び初期化位置のうち少なくとも１つが、前記第２の情報層が形成される結晶化位置、及び初期化位置とは異なることを特徴とする請求項１ないし８のいずれか１項に記載の多層情報記録媒体。
【請求項１０】
請求項１ないし９のいずれか１項に記載の多層情報記録媒体に記録再生を行うための情報記録再生装置。
【請求項１１】
同心円またはスパイラル形状のトラックを有し、第１の情報層及び第２の情報層が設けられ、１８０ｎｍないし６２０ｎｍの波長の光で片面から再生可能な多層情報記録媒体に、６２０ｎｍ以下の波長の光を含まない照明を照射しながら撮像機構を用いて前記第１及び第２の情報層のトラックに焦点を合わせ、少なくともトラック１周分の画像を撮影する工程、及び得られた画像情報を画像処理部において処理してトラックの軌跡を抽出し、得られた抽出情報に基づき、演算部にてトラックの偏芯量を求める工程を具備することを特徴とする情報記録媒体の検査方法。
【請求項１２】
前記撮像機構は、ＣＣＤカメラであることを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
同心円またはスパイラル形状のトラックを有し、第１の情報層及び第２の情報層が設けられ、１８０ｎｍないし６２０ｎｍの波長の光で片面から再生可能な多層情報記録媒体に、レーザー光照射装置を用いてレーザ光を照射しながら反射率分布測定機構を用いて前記第１及び第２の情報層のトラックの少なくとも１周分の反射光の反射率分布を測定する工程、及び得られた反射率分布を画像処理部において処理してトラックの軌跡を抽出し、得られた抽出情報に基づき、演算部にてトラックの偏芯量を求める工程を具備することを特徴とする情報記録媒体の検査方法。
【請求項１４】
前記レーザ光は、６２０ｎｍを超える波長を有することを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記第１及び第２の情報層のトラックとして、ライト・ストラテジーの学習、または最適化等のために試記録されたトラックを用いることを特徴とする請求項１１ないし１４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１６】
同心円またはスパイラル形状のトラックを有し、第１の情報層及び第２の情報層が設けられ、１８０ｎｍないし６２０ｎｍの波長の光で片面から再生可能な多層情報記録媒体に、６２０ｎｍ以下の波長の光を含まない照明を照射する照明系と、
前記第１の情報層及び第２の情報層のトラックを撮影するための撮像機構と
該撮像機構から得られた画像情報を処理してトラックの軌跡を抽出する画像処理部と、  得られた抽出情報に基づき、トラックの偏芯量を求める演算部とを具備することを特徴とする情報記録媒体の検査装置。
【請求項１７】
前記撮像機構は、ＣＣＤカメラであることを特徴とする請求項１６に記載の情報記録媒体の検査装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、種々のレーザ光による情報の記録再生を可能とした情報記録媒体及びその記録、再生を行うディスク装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
大容量の映像情報を再生、記録できる情報記憶媒体として、ＤＶＤ(ディジタル・バーサタイル・ディスク)が普及している。これにより２時間程度の映画、または映像コンテンツをDVDに記録し、再生装置により情報を再生することにより、家庭で自由に映画等の映像コンテンツを見ることができるようになった。
【０００３】
近年、デレビジョン放送のデジタル化が提案され、高品位テレビジョン(HDTV)方式と言う高解像度のテレビジョン方式の実用化も計画されている。このため、レーザーの波長を短くする、あるいは開口数NAを大きくする等によりビームスポットを絞り込み記録容量を増やした次世代DVDの規格が提案されている。
【０００４】
記録容量を増やす手法としては、ビームスポットを絞り込む以外にも、ディスクに複数の記録層を設け、対物レンズを光軸方向に動かして、片面からそれぞれの層にビームを集束させ、記録層毎に記録・再生できる片面記録再生可能な多層情報記憶媒体を用いることも考えられている(例えば、特許文献1参照)。
【０００５】
このような多層情報記憶媒体には、所定の記録層にレーザー光束を収束する際、それ以外の記録層にも一部の光が照射されることに起因する層間クロストーク(層間XT)が発生しやすいという問題があった。この層間XTは、記録・再生信号のみならず、トラッキング信号等にも影響を与えていた。また、実際の記録再生装置においては、装置内の温度が上昇するため、記憶再生媒体が若干変形しやすい。この場合には、いわゆるディスク・チルトが発生し、情報を記録・再生する場合にエラーレートの上昇等の悪影響を及ぼすことがあった。この場合も記録・再生信号のみならず、トラッキング信号等にも影響を与え易かった。
【０００６】
また、この片面記録再生可能な多層情報記憶媒体では、製造時の基板の貼り合わせ時の位置ずれ、スタンパの偏芯等により、各記録層のトラックに偏芯が生じやすく、情報記録媒体の回転中心からの偏芯が大きくなると、情報記録媒体の記録再生特性に不具合が発生し、ひどい場合にはトラッキング不能に陥ってしまうこともあった。
【０００７】
このようなことから、ディスク状情報記録媒体の内周の輪郭を測定してディスクの偏芯量を検査し、不良品を判定する方法などが提案されていた（例えば、特許文献２参照）。
【特許文献１】特開２００４−２０６８４９号公報（段落番号００３６ないし００４１，図１）
【特許文献２】特開２００３−２６３７８９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、記録・再生信号、トラッキング信号が安定して得られる多層情報記憶媒体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の情報記録媒体は、同心円またはスパイラル形状のトラックを有する透明基板に形成された第１の情報層と、第１の情報層上に形成された第２の情報層とを含み、所定の波長の光で片面から光記録再生可能な情報記録媒体であって、各情報層のトラックの偏芯量は、０ないし７０μｍであることを特徴とする。
【００１０】
本発明の情報記録再生装置は、上記多層情報記録媒体に記録再生を行うための装置である。
【００１１】
本発明の情報記録媒体の検査方法は、同心円またはスパイラル形状のトラックを有し、第１の情報層及び第２の情報層が設けられ、１８０ｎｍないし６２０ｎｍの波長の光で片面から再生可能な多層情報記録媒体に、レーザー光照射装置を用いてレーザ光を照射しながら反射率分布測定機構を用いて前記第１及び第２の情報層のトラックの少なくとも１周分の反射光の反射率分布を測定する工程、及び得られた反射率分布を画像処理部において処理してトラックの軌跡を抽出し、得られた抽出情報に基づき、演算部にてトラックの偏芯量を求める工程を具備することを特徴とする。
【００１２】
本発明の情報記録媒体の検査装置は、同心円またはスパイラル形状のトラックを有し、第１の情報層及び第２の情報層が設けられ、１８０ｎｍないし６２０ｎｍの波長の光で片面から再生可能な多層情報記録媒体に、６２０ｎｍ以下の波長の光を含まない照明を照射する照明系と、
前記第１の情報層及び第２の情報層のトラックを撮影するための撮像機構と
該撮像機構から得られた画像情報を処理してトラックの軌跡を抽出する画像処理部と、  得られた抽出情報に基づき、トラックの偏芯量を求める演算部とを具備することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、トラッキング、記録及び再生の安定性に優れた情報記録媒体を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、図面を参照し、本発明をより詳細に説明する。
【００１５】
図１に、本発明にかかる情報記録媒体の基本構成を説明するための模式的な断面図を示す。
【００１６】
図示するように、本発明の情報記録媒体２０は、基本的に、図示しない同心円またはスパイラル形状のトラックを有する透明基板２１に形成された第１の情報層２２と、該第１の情報層２２上に形成された第２の情報層２３とを含み、片面から光記録再生可能な情報記録媒体であって、各情報層のトラックの偏芯量は、０ないし７０μｍであることを特徴としている。
【００１７】
本発明によれば、その偏芯量が７０μｍ以下であることにより、例え層間クロストークが発生しやすい条件下であっても、記録・再生信号、トラッキング信号が安定して得られる。
【００１８】
本発明の情報記録媒体は、その第１の情報層及び第２の情報層の構成、及びその記録再生光の波長により、以下の７つの観点に大別される。
【００１９】
図２に、本発明の第１の観点にかかる情報記録媒体の構成を説明するための模式的な断面図を示す。
【００２０】
本発明の第１の観点にかかる情報記録媒体３０は、１８０ｎｍないし６２０ｎｍの波長の光で記録再生可能であり、その第１の情報層２２は、透明基板上２１に形成され、第１の有機色素層２４及び第１の有機色素層２４上に形成された第１の反射層２５を含み、その第２の情報層２３は、第１の反射層２５上に形成され、第２の有機色素層２６及び該第２の有機色素層２６上に形成された第２の反射層２７を有する。
【００２１】
第１の観点にかかる情報記録媒体は、６２０ｎｍ以下の低波長の光例えば４０５ｎｍの青紫色レーザ光などの光で記録再生可能であり、記録層中に有機色素層を含むことにより、追記型光記録媒体例えばＤＶＤ−Ｒ等として使用し得る。
【００２２】
第１の反射層と第２の有機色素層との間には、第一の情報層と第二の情報層を光学的に分離するための層間分離層として中間層を設けることができる。
【００２３】
なお、本発明において、偏芯量とは、ディスク状基板の中心及びその回転中心からのずれを含み、各々、第１の情報層のトラックと第２の情報層のトラックとのずれの最大値を示す。
【００２４】
また、本発明において、反射層とは、全反射層及び半透過反射層を含むものとする。
【００２５】
また、本発明において、多層情報記録媒体は、２以上の情報層を有するもので、第３，第４の情報層などのさらなる情報層が任意に設けられ得る。
【００２６】
図３に、本発明の第２の観点にかかる情報記録媒体の構成を説明するための模式的な断面図を示す。
【００２７】
本発明の第２の観点にかかる情報記録媒体４０は、１８０ｎｍないし６２０ｎｍの波長の光で記録再生可能であり、その第１の情報層２２は、透明基板２１上に形成され、第１の誘電体層３１、第１の相変化記録層３４、第２の誘電体層３８、及び第１の反射層３５を含み、その第２の情報層２３は、第１の情報層２２上に中間層３３を介して形成され、第３の誘電体層３２、第２の相変化記録層３６、第４の誘電体層３９、及び第２の反射層３７を有する。
【００２８】
第２の観点にかかる情報記録媒体は、６２０ｎｍ以下の低波長の光例えば４０５ｎｍの青紫色レーザ光などの光で記録再生可能であり、記録層中に相変化記録層を含むことにより、書き換え型光記録媒体例えばＤＶＤ−ＲＷ，ＤＶＤ−ＲＡＭ等として使用し得る。
【００２９】
上記誘電体層は、任意に保護層、界面層等を含み得る。
【００３０】
界面層は、第１の相変化記録層及び第２の相変化記録層の各主面の一方または両方に接触させて設けることができる。誘電体層の全てが界面層であっても良い。
【００３１】
第１の反射層及び第２の反射層は、各情報層のいずれかの誘電体層と接して形成することができる。また、光学的エンハンス、熱拡散、SN比向上等のために反射層の上部に更に誘電体が配置することもできる。
【００３２】
図４に、本発明の第３の観点にかかる情報記録媒体の構成を説明するための模式的な断面図を示す。
【００３３】
本発明の第３の観点にかかる情報記録媒体は、１８０ｎｍないし６２０ｎｍの波長の光で記録再生可能であり、その第１の情報層２２は、透明樹脂基板２１表面に刻み込まれた第１の情報パターン４４と、この第１の情報パターン上に設けられた第１の反射層４５とを含み、その第２の情報層２３は、第１の反射層４５上に形成され、その表面に第２の情報パターン４７が刻み込まれた透明樹脂層４６または透明樹脂基板とこの第２の情報パターン４７上に設けられた第２の反射層４８とを有する。
【００３４】
第３の観点にかかる情報記録媒体は、６２０ｎｍ以下の低波長の光例えば４０５ｎｍの青紫色レーザ光などの光で再生可能であり、記録層中に刻み込まれた情報パターンを含むことにより、再生専用光記録媒体例えばＤＶＤ−ＲＯＭ等として使用し得る。
【００３５】
第４の観点にかかる情報記録媒体は、３０（ｍ／秒）以上の線速で記録再生が行われ、
６２０ｎｍより大きく８３０ｎｍ以下の波長の光で記録再生を行うこと以外は、第１の観点にかかる情報記録媒体と同様の構成を有する。
【００３６】
第５の観点にかかる情報記録媒体は、３０（ｍ／秒）以上の線速で記録再生が行われ、
６２０ｎｍより大きく８３０ｎｍ以下の波長の光で記録再生を行うこと以外は、第２の観点にかかる情報記録媒体と同様の構成を有する。
【００３７】
第６の観点にかかる情報記録媒体は、２種以上の波長の光で再生可能であること以外は、第１の観点にかかる情報記録媒体と同様の構成を有する。
【００３８】
第７の観点にかかる情報記録媒体は、２種以上の波長の光で再生可能であること以外は、第３の観点にかかる情報記録媒体と同様の構成を有する。
【００３９】
また、本発明の第８の観点にかかる情報記録再生装置は、上記第１ないし第７の観点に係る情報記録媒体のいずれかを記録再生するための装置である。
【００４０】
さらに、本発明にかかる情報記録媒体の検査装置は、第９の観点及び第１０の観点の２つに大別される。
【００４１】
第９の観点にかかる情報記録媒体の検査装置の一例の概要を表す図を図５に示す。
【００４２】
図示するように、本発明にかかる情報記録媒体の検査装置７０は、同心円またはスパイラル形状のトラックを有し、第１の情報層及び第２の情報層が設けられ、１８０ｎｍないし６２０ｎｍの波長の光で片面から再生可能な多層情報記録媒体７１をクランプする機構７４と、多層情報記録媒体７１に、６２０ｎｍ以下の波長の光を含まない照明を照射する照明系７３と、第１の情報層及び第２の情報層のトラックを撮影するための例えばＣＣＤカメラ等の撮像機構７２と、撮像機構７２から得られた画像情報を処理してトラックの軌跡を抽出する画像処理部７５と、得られた抽出情報に基づき、トラックの偏芯量を求める演算部７６とを有する。
【００４３】
また、第１０の観点にかかる情報記録媒体の検査装置の一例の概要を表す図を図６に示す。
【００４４】
図示するように、この情報記録媒体の検査装置９０では、撮像機構７２の代わりに、ＬＤ，ＬＥＤ等の光源７９と、光源７９からの光を所定の方向に回折するミラー７８、ミラー７８で回折された光を所望の記録層のトラックに収束して照射するためのレンズ９１、及び記録層で反射された光を受光するための反射率測定器７７例えばフォトディテクターを備えていること以外は図５と同様の構成を有する。
【００４５】
また、本発明の情報記録媒体の検査方法は、第１１の観点及び第１２の観点の２つに大別出来る。
【００４６】
第１１の観点にかかる情報記録媒体の検査方法は、上記第９の観点にかかる検査装置を用いた方法であって、上記同心円またはスパイラル形状のトラックを有し、第１の情報層及び第２の情報層が設けられ、１８０ｎｍないし６２０ｎｍの波長の光で片面から再生可能な多層情報記録媒体に、６２０ｎｍ以下の波長の光を含まない照明を照射しながら撮像機構を用いて第１及び第２の情報層のトラックに焦点を合わせ、少なくともトラック１周分の画像を撮影する工程、及び得られた画像情報を画像処理部において処理してトラックの軌跡を抽出し、得られた抽出情報に基づき、演算部にてトラックの偏芯量を求める工程を具備する。
【００４７】
さらに、第１２の観点にかかる情報記録媒体の検査方法は、上記第１０の観点にかかる検査装置を用いた方法であって、６２０ｎｍ以下の波長の光を含まない照明を照射しながら撮像機構を用いて第１及び第２の情報層のトラックに焦点を合わせ、少なくともトラック１周分の画像を撮影する工程の代わりに、レーザー光照射装置を用いてレーザ光を照射しながら反射率分布測定機構を用いて前記第１及び第２の情報層のトラックの少なくとも１周分の反射光の反射率分布を測定する工程、及び得られた画像情報の代わりに反射率分布を画像処理することにより、トラックの軌跡を抽出すること以外は、上記第１１の観点にかかる方法と同様である。
【００４８】
以下、本発明にかかる光記録媒体の作用をより詳しく説明する。
【００４９】
本発明の第１、第４，第６の観点に関する追記情報記憶媒体の層構成の他の一例を図７に示す。
【００５０】
光入射側から、Ｌ0情報層19は透明基板１上に、有機色素記録層113、反射層16、を順次積層し、L1情報層20は、L0の上に接着剤層である層間分離層18、有機色素記録層113、反射層16、を順次積層し、透明基板１を貼り合わせた構造を有する。なお、L1情報層20に用いる透明基板１上に、反射層16、有機色素記録層113、を順次積層し、接着剤層である層間分離層18を用いてL0情報層19と貼り合わせた構造とすることもできる。
【００５１】
なお、本発明の実施形態に係る有機色素記録媒体の構成は図７に示したものに限定されるものではない。例えば、有機色素記録層113と反射層16の間に反射層、もしくは半透過反射層が有機色素材料と接することにより反射層、または半透過反射層と有機色素との間に反射層、または半透過反射層との反応、もしくは反射層、または半透過反射層の変化、劣化を防止する層を形成させてもよい。反射層を複数の金属層で構成してもよい。有機色素記録層、反射層と接する部位、有機色素と層間分離層とが接する部位、半透過反射層と層間分離層とが接する部位、反射層と透明基板とが接する部位等にさらに誘電体層を設けてもよい。
【００５２】
また、二層媒体の場合には、上記のような構成を有する光入射面に近い第１情報層と光入射面から遠い第２情報層とを作製し、これらを2つの情報層を接着剤層によって接着して層間分離する。3層以上の多層媒体の場合も基本的には同様である。
【００５３】
さらに、基板上に各種の層を成膜し、その上に0.1ｍｍ程度の薄い透明シートを接着し、その透明シートを介して光を入射する形式の媒体（このような媒体は0.85程度の高NAの対物レンズを用いることを想定している）であってもよい。これは、光入射側に0.1ｍｍ程度の薄い透明カバー層を用いる場合でも、本発明にて主に用いた0.6ｍｍの透明基板を用いる場合でも、用いられる有機色素記録膜層、および反射層材料に要求される特性としては大きな違いは無いからである。
【００５４】
本発明の第２及び第５の観点に関する書き換え型情報記録媒体の層構成の一例を図８に示す。
【００５５】
光入射側から、Ｌ0情報層89は透明基板80上に、第１干渉層81(保護層、もしくは誘電体層とも呼ぶ、以下同様に)、下部界面層82、記録層83、上部界面層84、第2干渉層85、反射層86、第3干渉層87を順次積層し、L1情報層は逆に透明基板80上に、反射層86、第2干渉層85、上部界面層84、記録層83、下部界面層82、第１干渉層81を順次積層し、接着剤層である層間分離層88を用いて貼り合わせた構造を有する。
【００５６】
なお、本発明の実施形態に係る相変化記録媒体の構成は図８に示したものに限定されるものではない。例えば、第2干渉層85と反射層86の間に他の誘電体層を設けてもよい。干渉層を全て界面層の材料で置き換えて干渉層を省略してもよい。反射層を省略してもよい。反射層を複数の金属層で構成してもよい。反射層の上にさらに誘電体層を設けてもよい。
【００５７】
本実施形態にて用いる基板は、大きく分けて2種類に大別される。
【００５８】
(a)一つは、グルーブ・ピッチが0.6〜0.8μm 程度で、ランドとグルーブの両者に記録する、いわゆるランド・グルーブ記録方式を用いるもの。以下では、書き換え型(1)情報記憶媒体とも呼ぶ。
【００５９】
(b)もう一つは、グルーブ・ピッチ0.3〜0.4μm程度で、ランドとグルーブいずれか一方にのみ記録する、いわゆるグルーブ記録方式(ランドのみに記録する場合も便宜的にこのように記す)を用いるもの。以下では、本方式で書き換え型媒体の場合には、書き換え型(2)情報記憶媒体とも呼ぶ。有機色素記録層を用いた1回のみ記録可能の媒体の場合にはライトワンスタイプと呼ぶ(追記情報記憶媒体(ライトワンスタイプの媒体))。書き込み後は、読み出し専用の記憶媒体の場合と同様に、書き込まれているピットのトラック方向のピッチは、0.3〜0.4μm程度となるように設計されている。読み出し専用の記憶媒体では、グルーブ等は形成されておらず、ピット列によりデーターが記録されている。
【００６０】
光入射側の基板厚は、光ピックアップの対物レンズのNAの大きさに応じて、0.1[mm]程度の極薄の場合から0.6[mm]程度の場合まで可能である。
【００６１】
以下の実施形態では、これらの情報記録再生装置および用いるディスク(情報記録媒体)を用いた。
【００６２】
発明者らは、上記の観点を熟慮した結果、以下に示す点が重要であるとの結論に至った。すなわち、波長が620nm以下、180nm以上の光で記録、または再生される複数の情報層を持ち、各層へは片面からアクセス可能な片面多層媒体であって、透明基板、層間分離層、有機色素材料、反射層、もしくは半透過反射層からなる、または反射層、もしくは半透過反射層が有機色素材料と接することにより反射層、または半透過反射層と有機色素との間に反射層、または半透過反射層との反応、もしくは反射層、または半透過反射層の変化、劣化を防止する層を形成する情報記録・再生媒体において、各情報層の各トラックの偏芯量が70μm以下、より好ましくは40μm以下であることを特徴とする情報記録・再生媒体が好適である。
【００６３】
上記のように各トラックの偏芯量を正確に示せるのは、以下で述べる正確な評価方法を確立したことによる。そのため、下記の評価方法の確立は、本発明の重要な用件の一つとなっている。また、本発明の情報記憶媒体は、前述のようにデータ構造、システム情報の記録等、および記録方法によっても大きく特性を左右する。従来は、正確な評価方法が確立できていなかったため、また情報記憶媒体の製造プロセスには種々ばらつきの要因があること、などが影響してデータ構造等と情報記憶媒体の記録・再生の特性向上や安定性に関して検討をすることができなかった。本発明者等は、これら情報記憶媒体の物理的構造、そこで用いるデータ構造や記録方法などに関して鋭意探求し、従来は検討がなされていなかった点に関して検討を加え、本発明を完成するに至った。
【００６４】
本発明の各トラックの偏芯量を測定する方法は、測定原理を示したと言うだけでなく、これらの装置は、工業的に記憶媒体を大量に製造した場合、その検査装置としても使用可能であることは言うまでもない。従来用いられていた方法では、測定精度が不十分、かつ測定が非常に煩雑となっていた。本発明の評価方法を用いれば、数秒間に1枚の割合で、製造される記憶媒体と同等の時間にて検査することができる。従って、本発明の評価方法は工業的に非常に有益と言える。
【００６５】
波長が620nm以下、180nm以上の光で記録、または再生される複数の情報層を持ち、各層へは片面からアクセス可能な片面多層媒体であって、透明基板、層間分離層、相変化記録層材料、保護層、界面層、反射層、もしくは半透過反射層と半透過反射層の上部に更にもう一つの保護層からなる情報記録・再生媒体において、各情報層の各トラックの偏芯量が70μm以下、より好ましくは40μm以下であることを特徴とする情報記録・再生媒体が好適である。
【００６６】
波長が620nm以下、180nm以上の光で再生される複数の情報層を持ち、各層へは片面からアクセス可能な片面多層媒体であって、情報を刻み込んだ透明基板、層間分離層、反射層、もしくは半透過反射層とからなる情報再生媒体において、各情報層の各トラックの偏芯量が70μm以下、より好ましくは40μm以下であることを特徴とする情報再生媒体が好適である。
【００６７】
上記各情報層の各トラックの偏芯量を測定する方法であって、波長が620nm以下の光を含まない照明系、CCDカメラ、トラック抽出機構を備えた画像処理装置、演算装置を用い、各情報層に焦点をそれぞれ当て、トラックの偏芯量を評価する評価方法が好適である。  特に有機色素を用いた媒体の場合には、照射される光により変化する物質であるため、本発明の検査方法では、用いられる照明系の光の波長を選択する。一方、照明系で用いられる光源の波長帯は、検出系であるCCDカメラの感度、測定精度、測定時間にも大きな影響を与える。より検出の分解能を上げるためには、使用する光源の波長帯は、短い方が良い。逆に有機色素の感度を考慮すると波長620[nm]以下の光を用いると有機色素を評価することによって変化させてしまうことなる。
【００６８】
上記各情報層の各トラックの偏芯量を測定する方法であって、レーザー照射装置、反射率分布測定機構、トラック抽出機構を備えた画像処理装置、演算装置を用い、各情報層に焦点をそれぞれ当て、トラックの偏芯量を評価する評価方法が好適である。特に有機色素を用いる媒体の場合は、照射される光により変化する物質であるため、本発明の検査方法では照明系の光の波長を選択することができる。一方、照明系で用いられる光源の波長帯は、検出系の感度、測定精度、測定時間にも大きな影響を与える。より検出の分解能を上げるためには、使用する光源の波長帯は、短い方が良い。逆に有機色素の感度を考慮すると波長620[nm]以下の光を用いると有機色素を変化させてしまうことなる。
【００６９】
上記各情報層の各トラックの偏芯量を測定する方法であって、波長が620nmを超えるレーザー照射装置を用いることを特徴とするトラックの偏芯量を評価する評価方法が好適である。
【００７０】
前記記載の各情報層の各トラックの偏芯量を測定する方法であって、ライト・ストラテジーの学習、または最適化等のために試記録されたトラックを用いて、各トラックの偏芯量を測定する方法が好適である。
【００７１】
前記記載の評価方法を用いた各情報層の各トラックの偏芯量の測定装置が好適である。
【００７２】
前記記載の評価方法を備えた情報記録・再生装置が好適である。
【００７３】
波長が620nmを超える光で記録、または再生される複数の情報層を持ち、各層へは片面からアクセス可能な片面多層媒体であって、線速30m/秒以上、更に好適には線速40m/秒以上で動作し、透明基板、層間分離層、有機色素材料、反射層、もしくは半透過反射層からなる、または反射層、もしくは半透過反射層が有機色素材料と接することにより反射層、または半透過反射層と有機色素との間に反射層、または半透過反射層との反応、もしくは反射層、または半透過反射層の変化、劣化を防止する防止する層を形成する情報記録・再生媒体において、各情報層の各トラックの偏芯量が70μm以下、より好ましくは40μm以下であることを特徴とする情報記録・再生媒体が好適である。
【００７４】
波長が620nm以上、180nm以上の光で記録、または再生される複数の情報層を持ち、各層へは片面からアクセス可能な片面多層媒体であって、線速30m/秒以上、更に好適には線速40m/秒以上で動作し、透明基板、層間分離層、相変化記録層材料、保護層、界面層、反射層、もしくは半透過反射層と更にもう一つの保護層からなる情報記録・再生媒体において、各情報層の各トラックの偏芯量が70μm以下、より好ましくは40μm以下であることを特徴とする情報記録・再生媒体が好適である。
【００７５】
本発明は、波長が620nm以下の光で記録、または再生される複数の情報層を持ち、各層へは片面からアクセス可能な片面多層媒体であって、検討を加えたものであったが、これらの技術は、波長が620nm以上であっても有益であることが判明した。特にその効果は、高線速で記録・再生する場合に顕著であり、線速30m/秒以上、更に好適には線速40m/秒以上で動作する情報記憶媒体において好適であることが判明した。また、更には線速50m/秒以上で動作する情報記憶媒体に適用すると従来との差異が顕著になる。線速が早くなった場合の効果は、波長が620nm以下の場合も同様であり、線速30m/秒以上、更に好適には線速40m/秒以上、更には50m/秒以上で動作する情報記憶媒体に本発明を適用すると従来例との差異がより顕著となる。
【００７６】
複数の波長の光で記録、または再生され、かつ複数の情報層を持ち、各層へは片面からアクセス可能な片面多層媒体であって、透明基板、層間分離層、有機色素材料、反射層、もしくは半透過反射層からなる、または反射層、もしくは半透過反射層が有機色素材料と接することにより反射層、または半透過反射層と有機色素との間に反射層、または半透過反射層との反応、もしくは反射層、または半透過反射層の変化、劣化を防止する防止する層を形成する情報記録・再生媒体において、各情報層の各トラックの偏芯量が70μm以下、より好ましくは40μm以下であることを特徴とする情報記録・再生媒体が好適である。
【００７７】
複数の波長の光で再生され、かつ複数の情報層を持ち、各層へは片面からアクセス可能な片面多層媒体であって、情報を刻み込んだ透明基板、層間分離層、反射層、もしくは半透過反射層からなる情報記録・再生媒体において、各情報層の各トラックの偏芯量が70μm以下、より好ましくは40μm以下であることを特徴とする情報記録・再生媒体。
【００７８】
前記記載の情報記録・再生媒体であって各情報層が形成される半径位置、もしくはピット形成部とグルーブ形成部の半径位置、もしくはミラー部とグルーブ形成部の半径位置、もしくはゾーンの境界の半径位置、ウォーブルの形状が異なる半径位置のいずれかが各情報層により異なることを特徴とする情報記録・再生媒体が好適である。
【００７９】
前記記載の情報記録・再生媒体であって各情報層の層が形成される半径位置、または結晶化位置、初期化位置が各情報層により異なることを特徴とする情報記録・再生媒体が好適である。
【００８０】
以下に説明する実施例では、片面二層媒体での実施例を示した。また、試作した光ディスクの測定データは、各実験のL0、L1の各ランド(L)とグルーブ(G)の中で一番悪い値を代表値として示した。
【００８１】
書き換え型情報記憶媒体のディスクの特性を評価する実験は、大きく分けて以下の3通り行った。
【００８２】
(1) ビット・エラー・レート（SbER：Simulated bit Error Rate）の測定
一つはデータの誤り率を測定するビット・エラー・レート（SbER : Simulated bit Error Rate）、PRSNRの測定である。もう一つは、読み出し信号品質を判断するためのアナログ測定である。SbER、PRSNR測定は、まず2Tから13Tまでのパターンがランダムに含まれたマーク列を10回オーバーライトした。次に、前記トラックの両側の隣接トラックに同じランダムパターンを10回オーバーライトした。その後、真中のトラックに戻り、SbER、PRSNRを測定した。
【００８３】
(2)アナログ測定
アナログ測定は、次のように行った。やはりまず2Tから13Tまでのパターンがランダムに含まれたマーク列を10回オーバーライトした。次に、そのマーク列に9Tのシングルパターンを1回オーバーライトし、9Tマークの信号周波数の信号対ノイズ比（以下、CNR）をスペクトラムアナライザーによって測定した。次に、消去パワーレベルのレーザービームをディスク一回転分照射し、記録マークを消去した。その際の、9Tマークの信号強度の減少分を測定し、これを消去率(ER)と定義する。次に、十分離れたトラックにヘッドを移動し、クロスイレース(E-X)の測定を行った。
【００８４】
(3)オーバーライト（OW）試験
また、3つ目の測定としてオーバーライト(OW)特性の実験を行った。本実験では同一トラックにランダム信号をオーバーライト(OW)しつつ、CNRを測定した。CNRが、初期の価より2[dB]以上減少してしまう回数が2000回以上あるかどうかで判定した。OW回数が何処まで可能かどうかと言う視点で実験を行っていない。映像記録用途であれば、1000回程度、PCのデータ用途を目指すなら10000回以上可能であることが求められる。ただし、マーケットとしては、圧倒的に映像記録用途が大きいので、映像記録用途を重視した評価を行うこととした。
【００８５】
評価基準は、SbERは、5.0x10−５以下, PRSNRは、15.0以上である。なお、片面二層媒体におけるリードパワーは、媒体の光学特性(L0、の反射率および透過率、L1の反射率)および感度と再生信号の信号振幅およびSN比とを勘案し、L0とL1それぞれの再生信号のSN比と信号振幅がほぼ同程度になるようになるように選択された。全ての特性が目標値を満たした場合に、その記録媒体を「良好」、1つでも目標値を満たせなければ、「不合格」とした。
【００８６】
一方、追記情報記憶媒体(ライトワンスタイプの媒体)の場合には、
(a)、(b)書き換え型媒体で行った(1)のビット・エラー・レートの測定、
(c)モジュレーション、
(d)データ部の反射率および再生(リード)耐光性
の実験の4つの実験を行った。評価基準は、SbERは、5.0x10−５以下, PRSNRは、15.0以上、モジュレーションは、0.4以上、反射率は、片面二層媒体の場合にはL0、L1それぞれの媒体が4%以上、リードスタビリティーは、片面二層媒体の場合には0.4〜0.8mWのいずれかの良好なパワーで連続読み出しをした場合、100万回以上読み出しを行っても(a)〜(e)までの特性が目標を達成していることである。なお、片面二層媒体におけるリードパワーは、媒体の光学特性(L0、の反射率および透過率、L1の反射率)および感度と再生信号の信号振幅およびSN比とを勘案し、L0とL1それぞれの再生信号のSN比と信号振幅がほぼ同程度になるようになるように選択された。全ての特性が目標値を満たした場合に、その記録媒体を「良好」、1つでも目標値を満たせなければ、「不合格」とした。
【００８７】
書き換え型媒体の場合には、初期化装置で各層の媒体全面の記録層を結晶化した。初期化後、成膜した面を内側にしてUV樹脂によって接着し、層間分離層を形成した。追記型媒体の場合には、スピンコート法による有機色素記録膜の形成、反射層形成、貼りあわせ工程を経て作製され、再生専用情報記憶媒体の場合には、基板にピットとして情報を記録した基板に反射層を形成して、UV樹脂によって接着されて作製される。層間分離層の厚さは、20〜30μmである。
【００８８】
評価には、パルステック（株）製のディスク評価装置ODU−1000を用いた。同装置には、波長405nmの青紫色半導体レーザーと、NA＝0.65の対物レンズを備えてある。書き換え型媒体の評価は、線速5.6ｍ/秒、または線速6.6ｍ/秒条件により、追加型媒体の場合には線速6.6ｍ/秒条件により記録再生実験を行った。
【００８９】
なお、基板上に各種の層を成膜し、その上に0.1ｍｍ程度の薄い透明シートを接着し、その透明シートを介して光を入射する形式の媒体（このような媒体は0.85程度の高NAの対物レンズを用いることを想定している）であってもよい。これは、光入射側に0.1ｍｍ程度の薄い透明カバー層を用いる場合でも、本発明にて主に用いた0.6ｍｍの透明基板を用いる場合でも、用いられる相変化記録層、界面層材料、保護層材料、有機色素記録層および反射層材料などに要求される特性としては大きな違いは無いからである。
【００９０】
以下の実施例では、本発明の効果を理解し易いように図７、図８に示した片面二層媒体の例を中心に示す。
【実施例】
【００９１】
実施形態１
基板として、射出成形によって作製した厚さ0.6mmのポリカーボネート（PC）基板を使用した。基板には、トラック・ピッチ0.4μmでグルーブを形成している。単層媒体の場合には、基板上にスピンコート法により色素を塗布、その上にスパッタリング法により反射層を形成し、その上に厚さ0.6mmのPC基板をUV硬化樹脂を用いて貼り合わせることにより作製する。
【００９２】
一方、片面二層媒体の場合には、2通りの方法を用いることができる。第一の方法は、L0基板上にスピンコート法により色素を塗布、その上にスパッタリング法により半透過層の反射層を形成し、その上に2P法により層間分離層を形成、L1用のグルーブを形成し、更にその上に再びスピンコート法により色素を塗布、その上にスパッタリング法により反射層を形成し、最後に厚さ0.6mmのPC基板をUV硬化樹脂を用いて貼り合わせることにより作製する方法である。この方法ではL0層の半透過の反射層を形成後、更にその上に光学的特性の調整用にもう一層設けることもできる。もう一つの第二の方法では、やはりL0基板上にスピンコート法により色素を塗布、その上にスパッタリング法により半透過層の反射層を形成したものを用意し、またL1基板上にまずは初めにスパッタリング法により反射層を形成し、その上にスピンコート法により色素を塗布したものを用意する。作製したL0、L1をそれぞれの半透過層面と有機色素面を内側にしてUV硬化樹脂を用いて貼り合わせることにより作製する方法である。この方法ではL1の記録層である有機色素とUV硬化樹脂との間ももう一層、L1の記録層材料である有機色素を安定化させること、もしくは光学的な特性を調整する目的で挿入することもできる。本発明では、両者の方法を用いて作製した媒体にて実験を行った。
【００９３】
用いた有機色素記録材料(単に色素と呼ぶ場合も有る)は、大きく分けて3種類、すなわち、(1)カチオン−アニオン系、(2)有機金属錯体(アゾ系)、(3)        カチオン−アニオン系と有機金属錯体(アゾ系)との混合色素である。用いた反射層は、二元系のAg合金は、AgAu、AgBi、AgCa、AgCe、AgCo、AgGa、AgLa、AgMg、AgN、AgNi、AgNd、AgPd、AgY、AgW、AgZr、三元系のAg合金は、AgAlMg、AgAuBi、AgBiGa、AgAuCo、AgAuCe、AgAuNi、AgAuMg、AgBiMg、AgBiN、AgBiPd、AgBiZrを用い、第一群と第二群の添加元素、およびN(窒素)とを同時に添加した場合の効果を確認した。成膜方法は、前述の各Ag合金ターゲットを用いるか、所望の組成になるようにスパッタ条件を調整した多元同時スパッタなどが用いられた。窒素との反応は、スパッタガスを通常のArのみではなくArとN(窒素)との混合ガスを用いることにより実施した。色素および反射層の組成膜厚および基板形状は、各信号特性が良好になるようにそれぞれ調整した。
【００９４】
実施例にて用いたAg合金反射層中の添加元素の添加量は、0.05、1、2、5 at. %の各4水準、記録層である有機色素材料は、(1)、(2)、(3)の各3水準を用いた。従って、各実施例にて作成してサンプルの合計は、12種類である。
【００９５】
下記表１及び２に、実施例にて用いたAg合金反射層の添加元素名をそれぞれ示す。
【００９６】
作製された媒体の各情報層の各トラックの偏芯量が70μm以下のものを作製した。なお、偏芯量の少ない媒体は、スタンパーの段階から偏芯量を少ないものを作製し、これを使用、成型された基板に関しても偏芯量を少ないものを選択した。貼り合せに関しても偏芯量が少なくなるように調整した。なお、温度管理等にも配慮してスタンパーを作成して偏芯量の再現性を向上させて、より偏芯量の少ない条件を見出した。
【００９７】
実施例(二元系)
【表１】
2008027481.tif 000003
【００９８】
実施例(三元系)
【表２】
2008027481.tif 000004
【００９９】
Ag合金反射層の添加元素にAuを用い、添加量を0.05、1、2、5 at. %の4種類、記録層の有機色素材料に(1)、(2)、(3)の3種類を用いた。添加元素量と色素材料との全ての組み合わせを網羅するため、全ての組み合わせ、12種類の記録媒体を作成し、記録再生特性の評価を実施した。具体的に反射層の組成と記録層の有機色素材料の組み合わせを列挙すると下記表３のようになる。
【０１００】
実施形態1の反射層材料(二元系)および組成と記録層の有機色素材料の組み合わせ
【表３】
2008027481.tif 000005
【０１０１】
作成した各記録媒体の(a)〜(e)までの特性を評価したところ、表４に示すようになった。
【０１０２】
実施形態1の各評価結果(二元系)
【表４】
2008027481.tif 000006
【０１０３】
※Mod. : モジュレーション、RS. : リードスタビリティー、R : 反射率
これらの結果から分かるように各記録媒体共に目標値であるSbERが、5.0x10−５以下, PRSNRは、15.0以上、モジュレーションは、0.4以上、反射率は、4%以上、リードスタビリティーが、100万回以上を達成した。従って、各記録媒体ともに「良好」な特性を得た。
【０１０４】
Ag合金反射層の添加元素にBiを用い、添加量を0.05、1、2、5 at. %の4種類、記録層の有機色素材料に(1)、(2)、(3)の3種類を用いてやはり第一の実施例と同様に12種類の組み合わせの記録媒体を作成し、記録再生特性の評価を実施した。Biの添加量が0.05、1、2、および5at. %のものをそれぞれ作成し、評価を実施した。具体的に反射層の組成と記録層の有機色素材料の組み合わせを列挙すると表５のようになる。
【表５】
2008027481.tif 000007
【０１０５】
作成した各記録媒体の(a)〜(e)までの特性を評価したところ、表６に示すようになった。
【０１０６】
実施例の各評価結果(二元系)
【表６】
2008027481.tif 000008
【０１０７】
これらの結果から分かるように各記録媒体共に目標値であるSbERが、5.0x10−５以下, PRSNRは、15.0以上、モジュレーションは、0.4以上、反射率は、片面二層媒体についてはL0、L1共に4%以上、リードスタビリティーが、100万回以上を達成し、各記録媒体ともに「良好」な特性を得た。
【０１０８】
他の添加元素に関しても目標値を満たす特性が得られ、各記録媒体ともに「良好」な特性を得た。
【０１０９】
作製された媒体の各情報層の各トラックの偏芯量が70μm以下とすることにより特性が向上した。また、更に作製された媒体の各情報層の各トラックの偏芯量を40μm以下のものは更に特性が向上した。各媒体共に良好な特性を示した。これはトラッキングの安定性が向上していることが大きく寄与している。これは実験中にトラッキィングが外れる頻度にも影響している。各トラックの偏芯量が70μm以上の場合には、僅か10回程度の測定でも数回以上トラッキングが外れてしまい安定に測定することが難しい。各トラックの偏芯量を小さくすれば小さくするほどその確率は下がる。各トラックの偏芯量を40μm以下であれば、ほとんどの媒体で、線速を上げた場合にも安定して実験を行うことができる。このことは、実際の記録、再生装置では非常に大きな効果を発揮する。
【０１１０】
実施形態2  
図８は、本発明の一実施例の光記録媒体である。以下、詳細を説明する。基板には、前述の(a)、(b)の両方式、すなわちランド・グルーブ記録方式およびグルーブ記録方式の両者に対応するものを用いた。すなわち、(a)方式では射出成形で形成された厚さ0.59[ｍｍ]のポリカーボネート(PC)基板を使用した。グルーブピッチ0.68μmでグルーブを形成したものを用いたので、ランド(L)とグルーブ(G)の両方に記録する場合は、トラックピッチ0.34μmに相当する。(b)方式ではやはり射出成形で形成された厚さ0.59[ｍｍ]のPC基板を使用し、グルーブピッチを0.4μmとした。これらのPC基板のグルーブが形成された面に、スパッタリング装置を用いて光入射側に近い方に設けた情報層L0は、ZnS：SiO２、界面層、記録層、界面層、ZnS：SiO２、Ag合金、ZnS：SiO２を順次成膜し、一方光入射側に遠い方に設けた情報層L1は、PC基板上から順にAg合金、ZnS：SiO２、界面層、記録膜層、界面層、ZnS：SiO２を順次成膜した。用いたスパッタ装置は、各層をそれぞれ異なる成膜室でスパッタ成膜する、いわゆる枚葉式スパッタ成膜装置である。枚葉式スパッタ成膜装置では、基板を装着するロードロック室、搬送室、そして各層を成膜するプロセス・チャンバーからなる。
【０１１１】
図9に一つのプロセス・チャンバーの構成図を示す。プロセス・チャンバー６０には、該チャンバーを排気する装置、真空計６４、圧力センサー５７、膜厚計５３、成膜する材料であるスパッタリング・ターゲット６６、装着した基板５９などから構成される。スパッタガスには、主にAr等の希ガスが用いられ、必要に応じて酸素や窒素ガスなども用いられる。スパッタ時の放電の形式は、成膜する材料や求める膜質などに応じてRF電源、DC電源などが用いられる。成膜時のプロセス・フローは図10のようになる。
【０１１２】
記録膜層は、Ge、Sb、Teからなり、その組成をGeｘSbｙTeｚ  と表すときx+y+z=100で、GeSbTe三元相図上で、x=55・z=45と、x=45・z=55と、x=10・y=28・z=42と、x=10・y=36・z=54とで囲まれた組成から選択されたものと、Ge、Sb、TeおよびBiまたはSnからなり、前記GeSbTeの組成の一部をBi、および/またはIn、および/またはSnで置換した組成、これを（（GeｗSn（１−ｗ））ｘ  （Sbｖ  (Bi（１−ｕ）  In ｕ)（１−ｖ））ｙ  Teｚと表すとき、x+y+z=100で、w、vおよびuが、0≦w＜0.5かつ0≦v＜0.7かつ0≦u≦1.0を満たすGeSnSbTe、GeSnSbTeIn、GeSbTeIn、GeSbTeBiIn、GeSbSnTeBiIn、GeSbTeBi、GeSnSbTeBi、GeSnSbTeBiIn、更には記録膜層が、Ge、Bi、Teからなり、その組成をGexBiyTez  と表すときx+y+z=100で、GeBiTe三元相図上で、x=55・z=45と、x=45・z=55と、x=10・y=28・z=42と、x=10・y=36・z=54とで囲まれた組成から選択されたものを用いた。多くの組成について検討したが、その一例を表#に示した。なお、記録層の層厚は、10[nm]以下とした。
【０１１３】
界面層材料、記録層組成は、表７，８から選択され。
【表７】
2008027481.tif 000009
【０１１４】
表８  記録層の組成
【表８】
2008027481.tif 000010
【０１１５】
(ZrO２−ｘNｘ)１−ｙ((Y２O３)１−ｚ(Nb２O５)z)ｙは、0<x≦0.2、0<y≦0.1、0≦z≦1
HfO２−ｘNｘは、0.1≦x≦0.2の組成範囲が好適である。
【０１１６】
両側にGeNを用いた媒体では、表９に示すように異なる組成比の組み合わせを用いると更に好適であった。例えば、Ge５４N４６とGe４７N５３などである。
【０１１７】
表９  実施例に用いたGeNの組成比  （at.%）
【表９】
2008027481.tif 000011
【０１１８】
界面層には、光入射側、反射層側の両者にGeNを用いた。ZnS：SiO2層はZnSにSiO2を混合したターゲットを用いて成膜した。用いたスパッタ装置は、各層をそれぞれ異なる成膜室でスパッタ成膜する、いわゆる枚葉式スパッタ成膜装置である。各媒体の作成後、分光光度計により反射率、透過率が測定される。作製された媒体の各情報層の各トラックの偏芯量が70μm以下のものを作製した。
【０１１９】
表１０  実施例(ディスク特性測定)
【表１０】
2008027481.tif 000012
【０１２０】
これらの結果から分かるように各記録媒体共に目標値であるSbERが、5.0x10−５以下, PRSNRは、15.0以上が得られ、各記録媒体ともに「良好」な特性を得た。
【０１２１】
作製された媒体の各情報層の各トラックの偏芯量が70μm以下とすることにより特性が向上した。また、更に作製された媒体の各情報層の各トラックの偏芯量を40μm以下のものは更に特性が向上した。各媒体共に良好な特性を示した。これはトラッキングの安定性が向上していることが大きく寄与している。
【０１２２】
実施形態３
再生専用媒体として情報を刻み込んだ透明基板に反射層を形成し、UV硬化樹脂で貼り合せて片面二、三、四層媒体を作製した。作製された媒体の各情報層の各トラックの偏芯量が70μm以下のものを作製した。再生専用媒体の場合には、ベースとなる特性が元々良好である。そこで、評価としては、SbER、PRSNRの評価と共に光入射側の基板面に大量の指紋や傷をつけ、エラーが起こり易い状態を作り出し、安定に再生できるかどうかも合わせて確認した。
【０１２３】
表１１  光入射側の基板面に大量の指紋や傷つけ、エラーが起こり易い状態で測定した特性
【表１１】
2008027481.tif 000013
【０１２４】
各媒体共に良好な再生特性を示し、エラーが起こり易い状態において従来より安定性が増した。これはトラッキングの安定性が向上していることが大きく寄与している。
【０１２５】
実施形態4
実施形態1ないし3、または以下に示す実施形態における各情報層の各トラックの偏芯量を測定する方法を示す。図５に測定系のブロック・ダイヤグラムを示す。測定系は、波長が620nm以下の光を含まない照明系、CCDカメラ、トラック抽出機構を備えた画像処理装置、演算装置から構成される。各情報層にカメラの撮影が可能なように焦点をそれぞれ当て、トラックの偏芯量を測定評価する。本測定系を用いることにより記憶媒体の1枚当たりの製造時間、数秒間の間に各トラックの偏芯量を測定することができた。トラック抽出機構を備えた画像処理装置、演算装置等は、いわゆるパーソナルコンピューター(PC)等に所定の手順を実行させて実施することもできる。CCDカメラ等の撮像機器の能力は、媒体により異なるが、レンズ系やクランプの精度、ステージの移動精度などにも依存する。波長が620nm以下で感光する有機色素を用いた媒体以外の媒体に対しては照明系の波長を限定しなくても測定は可能であるが、CCDや画像処理装置の感度から波長は、550nm以上、780nm以下が望ましい。媒体を選ばずに検査する装置とするためには、測定系は、波長が620nm以下の光を含まない照明系とすることが好適である。
【０１２６】
実施形態５
実施形態1ないし3、または以下に示す実施形態における各情報層の各トラックの偏芯量を測定する方法を示す。図６に測定系のブロック・ダイヤグラムを示す。測定系は、レーザー照射装置、反射率分布測定機構、トラック抽出機構を備えた画像処理装置、演算装置から構成される。レーザー照射装置は、主にLDが用いられるが、LED等でも代用可能であり、反射率分布測定機構は、フォトディテクター、電圧、電流測定装置などからなる。トラック抽出機構を備えた画像処理装置、演算装置等は、いわゆるパーソナルコンピューター(PC)等に所定の手順を実行させて実施することもできる。各情報層にカメラの撮影が可能なように焦点をそれぞれ当て、トラックの偏芯量を測定評価する。各情報層にレーザー光の焦点をそれぞれ当て、トラックの偏芯量を測定評価する。本測定系を用いることにより記憶媒体の1枚当たりの製造時間、数秒間の間に各トラックの偏芯量を測定することができた。レーザー照射装置を用いた評価系の場合には、非常にビームを絞ることができるので、より高精度の測定が可能になる。測定時間との兼ね合いになるが、サブミクロンオーダーまで可能になる。
【０１２７】
実施形態６
実施形態1ないし2記載の各情報層の各トラックの偏芯量を測定する方法として、ライト・ストラテジーの学習、または最適化等のために試記録されたトラックを用いて、各トラックの偏芯量を測定する方法が好適であった。通常媒体へ情報を書き込むためのライト・ストラテジーは、媒体ごとに異なるため、実際に試記録して学習することにより最適化する必要がある。片面層媒体であれば、それぞれの情報層に対して試記録して学習、ライト・ストラテジーを最適化する必要がある。図１１に測定の概念図を示す。
【０１２８】
図１１（ａ）は、第１の情報層と第２の情報層を各々示す。
【０１２９】
図１１（ｂ）は、第１の情報層と第２の情報層を重ねて上部から見た図を示す。
【０１３０】
なお、試し記録位置の半径が各情報層により異なった媒体にも特定の半径位置の偏芯量として推定することができる(図１２)。
【０１３１】
実施形態７
基板として、射出成形によって作製した厚さ0.6mmのポリカーボネート（PC）基板を使用した。基板には、現行のDVDと同様にトラック・ピッチ0.74μmでグルーブを形成している。基板上にスピンコート法により色素を塗布、その上にスパッタリング法により反射層を形成し、その上に厚さ0.6mmのPC基板をUV硬化樹脂を用いて貼り合わせることにより作製する。すなわち、基板等を追記型DVDと同様なものを用いて、有機色素および反射層を用いた媒体とし、これを貼り合せてDVDと同様に赤の波長(λ=650[nm])の光を用いてそれぞれの情報層に情報を記録・再生する媒体を作製した。作製された媒体の各情報層の各トラックの偏芯量が70μm以下のものを作製した。評価としては、ジッターを測定した。評価時の線速は、30、40、70、100、110 m/秒で実施した。
【０１３２】
図１３に示すように線速が30m/秒未満の場合には、偏芯量が70μm以上であってもトラッキングが外れることは、ほとんどまれであったが、線速が30m/秒を超えるとその影響が発現するようになり、線速40m/秒を超えた辺りからトラッキングが外れる頻度が格段に増加し、それ以上の線速でき安定にトラッキングをかけることができなくなった。一方、偏芯量を70μm以下にした場合にはいずれの線速でも安定にトラッキングが外れる頻度が格段に増加し、それ以上の線速でき安定にトラッキングをかけることができなくなった。一方、偏芯量を70μm以下にした場合にはいずれの線速でも安定にトラッキングをかけることができ、線速110 m/秒まで安定して評価することができた。なお、線速110 m/秒程度がメカニカル方式のスピンドルのほぼ最高の回転数に対応する。
【０１３３】
各媒体共に目標値であるジッター値、8%以下を達成した。各媒体ともに「良好」な特性を得た。これはトラッキングの安定性が向上していることが大きく寄与している。線速30m/秒以上と非常に高速回転していても安定に記録、再生が可能であった。
【０１３４】
実施形態８
基板として、射出成形によって作製した厚さ0.6mmのポリカーボネート（PC）基板を使用した。基板には、現行のDVDと同様にトラック・ピッチ0.74μmでグルーブを形成している。基板上に相変化記録層材料、保護層、界面層、反射層をスパッタリング法により形成し、その上に厚さ0.6mmのPC基板をUV硬化樹脂を用いて貼り合わせることにより作製する。すなわち、基板等を書き換え型DVDと同様なものを用いて、相変化記録層材料、保護層、界面層、反射層を用いた媒体とし、これを貼り合せてDVDと同様に赤の波長の光を用いてそれぞれの情報層に情報を記録・再生する媒体を作製した。作製された媒体の各情報層の各トラックの偏芯量が70μm以下のものを作製した。評価としては、ジッターを測定した。評価時の線速は、30、40、70、100、110m/秒で実施した。
【０１３５】
実施形態７の図１３と同様に、線速が30m/秒未満の場合には、偏芯量が70μm以上であってもトラッキングが外れることは、ほとんどまれであったが、線速が30m/秒を超えるとその影響が発現するようになり、線速40m/秒を超えた辺りからトラッキングが外れる頻度が格段に増加し、それ以上の線速で安定にトラッキングをかけることができなくなった。一方、偏芯量を70μm以下にした場合にはいずれの線速でも安定にトラッキングをかけることができ、線速110 m/秒まで安定して評価することができた。特に書き換え型媒体では、反射率が再生専用や追記型より低くなるためより本発明の効果が更に顕著となった。
【０１３６】
各媒体共に目標値であるジッター値、8%以下を達成した。各媒体ともに「良好」な特性を得た。これはトラッキングの安定性が向上していることが大きく寄与している。線速30m/秒以上と非常に高速回転していても安定に記録、再生が可能であった。特に書き換え型媒体では、反射率が再生専用や追記型より低くなるためより本発明の効果が顕著となった。
【０１３７】
実施形態９
再生専用媒体として情報を刻み込んだ透明基板に反射層を形成し、UV硬化樹脂で貼り合せて片面二層のいわゆるツイン・ディスク(青紫の波長を用いる媒体と赤の波長を用いる媒体(DVD))を作製した。作製された媒体の各情報層の各トラックの偏芯量が70μm以下、および40μm以下のものを作製した。評価としては、青紫の波長を用いる媒体は、SbER、PRSNRの評価をDVDに関しては、ジッターを測定した。作製された媒体の各情報層の各トラックの偏芯量が40μm以下のものを作製した。
【０１３８】
各媒体共に目標値であるSbERが、5.0x10−５以下, PRSNRは、15.0以上、およびジッター値、8%以下を達成した。各媒体ともに「良好」な特性を得た。
【０１３９】
実施形態１０
実施形態1と同様で、ただし、一方を追記型DVDと同様な基板、有機色素および反射層を用いた媒体とし、これを貼り合せて複数の波長の光を用いてそれぞれの情報層に情報を記録・再生する媒体を作製した。作製された媒体の各情報層の各トラックの偏芯量が70μm以下、および40μm以下のものを作製した。評価としては、青紫の波長を用いる媒体は、SbER、PRSNRの評価をDVDに関しては、ジッターを測定した。作製された媒体の各情報層の各トラックの偏芯量が40μm以下のものを作製した。
【０１４０】
各媒体共に目標値であるSbERが、5.0x10−５以下, PRSNRは、15.0以上、およびジッター値、8%以下を達成した。各媒体ともに「良好」な特性を得た。
【０１４１】
実施形態１１
実施形態1ないし3、7ないし10記載の情報記録・再生媒体の各トラックの偏芯量を測定する方法として、図１２に示すような各情報層が形成される半径位置が各情報層により異なることを特徴とする情報記録・再生媒体を用いるとより測定精度向上と測定時間を短縮することができる。ディスク1枚あたり数秒で評価することができる。
【０１４２】
実施形態１２
実施形態1ないし3、7ないし10記載の情報記録・再生媒体の各トラックの偏芯量を測定する方法として、図１３に示すような各情報層の層が形成される半径位置が各情報層により異なることを特徴とする情報記録・再生媒体を用いることより測定精度向上と測定時間を短縮することができる。ディスク1枚あたり数秒で評価することができる。
【０１４３】
比較例１
実施形態1と同様な媒体を作製、作製された媒体の各情報層の各トラックの偏芯量を制御せず、71μm以上、より具体的には71、72、80μmとした。作製した媒体は、実施形態1のものであるが、評価まで至った媒体は、偏芯量を除いて例1-1、1-2、1-3などと同様な構成の媒体である。
【０１４４】
偏芯量が71μm以上になるとトラッキングが不安定になり、安定して測定ができなくなった。偏芯量が71μm以上の場合、測定中にトラッキングが外れてしまう確率が上がってしまった。上記の実施形態の測定中においては、測定中にトラッキングが外れてしまうケースは、ほとんど無かったが、偏芯量が71μmの場合に、例えばある実験では10回の測定中に4回、72μmの場合に、10回の測定中に7回外れてしまった。80μmの場合にはほとんどトラッキングをかけることができず、測定することすらできなかった。偏芯量が71、72μmの両ディスクの評価結果は、トラッキングが安定して行えなかった影響もあり、SbER、PRSNR等のいずれかが十分な特性が得られなかった。従って、良好な媒体が得られなかった。
【０１４５】
次に、それぞれ方式を本実施形態で用いた場合の情報記録再生装置および用いるディスク(情報記録媒体)の詳細な構成について述べる。まず初めに(a)方式である、ランド・グルーブ記録方式を用いた場合について記す。
【０１４６】
情報記録再生装置の実施形態における構造説明図を図１４に示す。図１４において制御部１４３より上側の部分が主に情報記憶媒体への情報記録制御系を表す。情報再生装置の実施形態は図１４における上記情報記録制御系を除いた部分が該当する。図１４に於いて太い実線矢印が再生信号、または記録信号を意味するメイン情報の流れを示し、細い実線矢印が情報の流れ、一点鎖線矢印が基準クロックライン、細い破線矢印がコマンド指示方向を意味する。
【０１４７】
図１４に示した情報記録再生部１４１の中に光学ヘッド（図示せず）が配置されている。本実施形態では情報再生にＰＲＭＬ（Partial Response Maximum Likelihood）法を用い、情報記憶媒体の高密度化を図っている。種々の実験の結果、使用するＰＲクラスとしてはＰＲ（１，２，２，２，１）を採用すると線密度が高くできるとともに、再生信号の信頼性（例えば焦点ぼけやトラックずれなどサーボ補正誤差が発生した時の復調信頼性）を高くできることが判ったので、本実施形態ではＰＲ（１，２，２，２，１）を採用している。本実施形態では（ｄ，ｋ；ｍ，ｎ）変調規則（前述した記載方法ではｍ／ｎ変調のＲＬＬ（ｄ，ｋ）を意味している）に従って変調後のチャネルビット列を情報記憶媒体に記録している。具体的には変調方式としては８ビットデータを１２チャネルビットに変換（ｍ＝８、ｎ＝１２）するＥＴＭ（Eight to Twelve Modulation）を採用し、変調後のチャネルビット列の中で“０”が続く長さに制限を掛けるランレングスリミテッド（ＲＬＬ）制約として“０”が連続する最小値をｄ＝１とし、最大値をｋ＝１０としたＲＬＬ（１，１０）の条件を課している。本実施形態では情報記憶媒体の高密度化を目指して極限近くまでチャネルビット間隔を短くしている。その結果、例えばｄ＝１のパターンの繰り返しである“１０１０１０１０１０１０１０１０１０１０１０１０”のパターンを情報記憶媒体に記録し、そのデータを情報記録再生部１４１で再生した場合には、再生光学系のＭＴＦ特性の遮断周波数に近付いているため、再生生信号の信号振幅はほとんどノイズに埋もれた形に成る。したがって、そのようにＭＴＦ特性の限界（遮断周波数）近くまで密度を詰めた記録マーク、またはピットを再生する方法としてＰＲＭＬ（Partial Response Maximum Likelihood）法の技術を使っている。
【０１４８】
すなわち、情報記録再生部１４１で再生された信号はＰＲ等化回路１３０により再生波形補正を受ける。ＡＤ変換器１６９で基準クロック発生回路１６０から送られてくる基準クロック１９８のタイミングに合わせてＰＲ等化回路１３０通過後の信号をサンプリングしてデジタル量に変換し、ビタビ復号器１５６内でビタビ復号処理を受ける。ビタビ復号処理後のデータは従来のスライスレベルで２値化されたデータと全く同様なデータとして処理される。ＰＲＭＬ法の技術を採用した場合、ＡＤ変換器１６９でのサンプリングタイミングがずれると、ビタビ復号後のデータのエラー率は増加する。したがって、サンプリングタイミングの精度を上げるため、本実施形態の情報再生装置、または情報記録再生装置では、特にサンプリングタイミング抽出用回路（シュミットトリガ２値回路１５５とＰＬＬ回路１７４の組み合わせ）を別に持っている。
【０１４９】
シュミットトリガ２値化回路１５５は２値化するためのスライス基準レベルに特定の幅（実際にはダイオードの順方向電圧値）を持たせ、その特定幅を越えた時のみ２値化される特性を持っている。したがって、例えば、上述したように“１０１０１０１０１０１０１０１０１０１０１０１０”のパターンが入力された場合には、信号振幅が非常に小さいので２値化の切り替わりが起こらず、それよりも疎のパターンである、例えば“１００１００１００１００１００１００１００１”などが入力された場合に、再生生信号の振幅が大きくなるので、シュミットトリガ２値化回路１５５で“１”のタイミングに合わせて２値化信号の極性切り替えが起きる。本実施形態ではＮＲＺＩ（Non Return to Zero Invert）法を採用しており、上記パターンの“１”の位置と記録マークまたはピットのエッジ部（境界部）が一致している。
【０１５０】
ＰＬＬ回路１７４ではシュミットトリガ２値化回路１５５の出力である２値化信号と基準クロック発生回路１６０から送られる基準クロック１９８信号との間の周波数と位相のずれを検出して、ＰＬＬ回路１７４の出力クロックの周波数と位相を変化させている。基準クロック発生回路１６０ではＰＬＬ回路１７４の出力信号とビタビ復号器１５６の復号特性情報（具体的には図示してないがビタビ復号器１５６内のパスメトリックメモリ内の収束長（収束までの距離）の情報）を用いてビタビ復号後のエラーレートが低くなるように基準クロック１９８（の周波数と位相）にフィードバックを掛ける。基準クロック発生回路１６０で発生される基準クロック１９８は再生信号処理時の基準タイミングとして利用される。
【０１５１】
同期コード位置抽出部１４５はビタビ復号器１５６の出力データ列の中に混在している同期コード（シンクコード）の存在位置を検出し、上記出力データの開始位置の抽出役目を担っている。この開始位置を基準としてシフトレジスタ回路１７０に一時保存されたデータに対して復調回路１５２で復調処理を行う。本実施形態では１２チャネルビット毎に復調用変換テーブル記録部１５４内に記録された変換テーブルを参照して元のビット列に戻す。その後はＥＣＣデコーディング回路１６２によりエラー訂正処理が施され、デスクランブル回路１５９によりデスクランブルされる。本実施形態の記録形例えば書替え形情報記憶媒体、または追記形情報記憶媒体では、ウォブル変調によりアドレス情報が事前に記録されている。ウォブル信号検出部１３５で、このアドレス情報を再生し、すなわちウォブル信号の内容を判別し、希望場所へのアクセスに必要な情報を制御部１４３に対して供給する。
【０１５２】
制御部１４３より上側にある情報記録制御系について説明する。情報記憶媒体上の記録位置に合わせてデータＩＤ発生部１６５からデータＩＤ情報が生成され、ＣＰＲ＿ＭＡＩデータ発生部１６７でコピー制御情報が発生されるとデータＩＤ，ＩＥＤ，ＣＰＲ＿ＭＡＩ，ＥＤＣ付加部１６８により記録すべき情報にデータＩＤ，ＩＥＤ，ＣＰＲ＿ＭＡＩ，ＥＤＣの各種情報が付加される。その後、デスクランブル回路１５７でデスクランブルされた後、ＥＣＣエンコーディング回路１６１でＥＣＣブロックが構成され、変調回路１５１でチャネルビット列に変換された後、同期コード生成・付加部１４６で同期コードを付加されて、情報記録再生部１４１で情報記憶媒体にデータが記録される。また、変調時にはＤＳＶ（Digital Sum Value）値計算部１４８で変調後のＤＳＶ値が逐次計算され、変調時のコード変換にフィードバックされる。
【０１５３】
データ領域、データリードイン領域、データリードアウト領域で信号再生にＰＲＭＬ検出法を用いた信号処理回路を図１５に示す。図１５における４分割光検出器３０２は図１４における情報記録再生部１４１内に存在する光学ヘッド内に固定されている。４分割光検出器３０２の各光検出セルから得られる検出信号の総和を取った信号をここではリードチャンネル１信号と呼ぶ。図１４におけるＰＲ等化回路１３０内の詳細な構造が図１５のプリアンプ回路３０４からタップ制御器３３２、イコライザ３３０、オフセットキャンセラ３３６までの各回路で構成されている。図１５内のＰＬＬ回路３３４は図１４のＰＲ等化回路１３０内の一部であり、図１４のシュミットトリガ２値化回路１５５とは別の物を意味する。図１５におけるハイパスフィルタ回路３０６の１次の遮断周波数は１ｋＨｚに設定してある。プリイコライザ回路は図３と同様７タップのイコライザを用いている（７タップを使用すると最も回路規模が少なく、かつ精度良く再生信号の検出が出来るためである）。Ａ／Ｄコンバータ回路３２４のサンプルクロック周波数は７２ＭＨｚ、デジタルは８ビット出力になっている。ＰＲＭＬ検出法では再生信号全体のレベル変動（ＤＣオフセット）の影響を受けるとビタビ復調時に誤差が発生し易くなる。その影響を除去するためにイコライザ３３０の出力から得た信号を用いてオフセットキャンセラ３３６によりオフセットを補正する構造になっている。図１５に示した実施形態では、図１４のＰＲ等化回路１３０内で適応等化処理がなされている。そのため、ビタビ復号器１５６の出力信号を利用してイコライザ内の各タップ係数を自動修正するためのタップ制御器３３２が利用されている。
【０１５４】
図１４、または図１５に示したビタビ復号器１５６内の構造を図１６に示す。入力信号に対して予想し得る全てのブランチに対するブランチメトリックをブランチメトリック計算部３４０で計算し、その値をＡＣＳ３４２へ送る。ＡＣＳ３４２はAdd Compare Selectの略称で、ＡＣＳ３４２の中で予想し得る各パスに対応してブランチメトリックを加算して得られるパスメトリックを計算すると共にその計算結果をパスメトリックメモリ３５０へ転送する。この時、ＡＣＳ３４２内ではパスメトリックメモリ３５０内の情報も参照して計算処理を行う。パスメモリ３４６内では予想し得る各パス（遷移）状況とその各パスに対応しＡＣＳ３４２で計算したパスメトリックの値を一時保存する。出力切替え部３４８で各パスに対応したパスメトリックを比較し、パスメトリック値が最小となるパスを選択する。
【０１５５】
図１７に本実施形態におけるＰＲ（１，２，２，２，１）クラスにおける状態遷移を示す。ＰＲ（１，２，２，２，１）クラスにおける取り得る状態（ステート）の遷移は図１７に示す遷移のみが可能なので、図１７の遷移図を元にビタビ復号器１５６内では復号時の存在し得る（予想し得る）パスを割り出している。
【０１５６】
図１８に本実施形態における情報記憶媒体の構造及び寸法を示す。実施形態としては
・再生専用で記録が不可能な“再生専用形情報記憶媒体”
・１回のみの追記記録が可能な“追記形情報記憶媒体”
・何回でも書き替え記録が可能な“書替え形情報記憶媒体”
の３種類の情報記憶媒体の実施形態を明示する。図１８に示すように上記３種類の情報記憶媒体では大部分の構造と寸法が共通化されている。３種類の情報記憶媒体いずれも内周側からバーストカッティング領域ＢＣＡ、システムリードイン領域ＳＹＬＤＩ、コネクション領域ＣＮＡ、データリードイン領域ＤＴＬＤＩ、データ領域ＤＴＡが配置された構造になっている。ＯＰＴ形再生専用媒体以外は全て外周部にデータリードアウト領域ＤＴＬＤＯが配置されている。後述するようにＯＰＴ形再生専用媒体では外周部にミドル領域ＭＤＡが配置される。システムリードイン領域ＳＹＬＤＩではエンボス（プリピット）の形で情報が記録されており、追記形および書替え形のいずれもこの領域内は再生専用（追記不可能）となっている。
【０１５７】
再生専用形情報記憶媒体ではデータリードイン領域ＤＴＬＤＩ内もエンボス（プリピット）の形で情報が記録されているのに対し、追記形および書替え形情報記憶媒体ではデータリードイン領域ＤＴＬＤＩ内は記録マーク形成による新規情報の追記（書替え形では書替え）が可能な領域となっている。後述するように追記形および書替え形情報記憶媒体ではデータリードアウト領域ＤＴＬＤＯ内は新規情報の追記（書替え形では書替え）が可能な領域とエンボス（プリピット）の形で情報が記録されている再生専用領域の混在になっている。前述したように図１８に示すデータ領域ＤＴＡ、データリードイン領域ＤＴＬＤＩ、データリードアウト領域ＤＴＬＤＯ、ミドル領域ＭＤＡではそこに記録されている信号の再生にＰＲＭＬ法を使うことにより、情報記憶媒体の高密度化（特に線密度が向上する）を達成すると共に、システムリードイン領域ＳＹＬＤＩ、システムリードアウト領域ＳＹＬＤＯではそこに記録されている信号の再生にスライスレベル検出方式を使うことにより、現行ＤＶＤとの互換性を確保するとともに再生の安定化を確保している。
【０１５８】
現行ＤＶＤ規格とは異なり、図１８に示す実施形態ではバーストカッティング領域ＢＣＡとシステムリードイン領域ＳＹＬＤＩとが重ならずに位置的に分離されている。両者を物理的に分離することにより、情報再生時のシステムリードイン領域ＳＹＬＤＩ内に記録された情報とバーストカッティング領域ＢＣＡ内に記録された情報との間の干渉を防止し、精度の高い情報再生が確保できる。
【０１５９】
他の実施形態として、 “Ｌ→Ｈ”形の記録膜を使った場合にバーストカッティング領域ＢＣＡの配置場所に予め微細な凹凸形状を形成する方法もある。後で図２７における１９２バイト目に存在する記録マークの極性（“Ｈ→Ｌ”か“Ｌ→Ｈ”かの識別）情報に関する説明を行う部分で、本実施形態では従来の“Ｈ→Ｌ”形だけで無く“Ｌ→Ｈ”形記録膜も規格内に組み込み、記録膜の選択範囲を広げ、高速記録可能や低価格媒体を供給可能とすると言う説明を行う。後述するように本実施形態では“Ｌ→Ｈ”形の記録膜を使う場合も考慮する。バーストカッティング領域ＢＣＡ内に記録するデータ（バーコードデータ）は記録膜に対して局所的にレーザ露光することにより形成する。
【０１６０】
図２２に書替え専用形情報記憶媒体における本実施形態の各パラメータ値を示す。再生専用形または追記形情報記憶媒体に対して書替え専用形情報記憶媒体の方がトラックピッチ及び線密度（データビット長）を詰める事により記録容量を高くしている。後述するように、書替え専用形情報記憶媒体ではランド／グルーブ記録を採用することにより、隣接トラックのクロストークの影響を低減させてトラックピッチを詰めている。再生専用形情報記憶媒体、追記形情報記憶媒体、書替え形情報記憶媒体のいずれにおいても、システムリードイン／アウト領域ＳＹＬＤＩ／ＳＹＬＤＯのデータビット長とトラックピッチ（記録密度に対応）をデータリードイン／アウト領域ＤＴＬＤＩ／ＤＴＬＤＯよりも大きく（記録密度を低く）している所に特徴がある。
【０１６１】
システムリードイン／アウト領域ＳＹＬＤＩ／ＳＹＬＤＯのデータビット長とトラックピッチを現行ＤＶＤのリードイン領域の値に近付けることで、現行ＤＶＤとの互換性を確保している。本実施形態でも、現行ＤＶＤ−Ｒと同様に追記形情報記憶媒体のシステムリードイン／アウト領域ＳＹＬＤＩ／ＳＹＬＤＯでのエンボスの段差を浅く設定している。これにより追記形情報記憶媒体のプリグルーブの深さを浅くし、プリグルーブ上に追記により形成する記録マークからの再生信号の変調度を高くする効果がある。逆に、その反作用としてシステムリードイン／アウト領域ＳＹＬＤＩ／ＳＹＬＤＯからの再生信号の変調度が小さくなると言う問題が生じる。これに対してシステムリードイン／アウト領域ＳＹＬＤＩ／ＳＹＬＤＯのデータビット長（とトラックピッチ）を粗くすることにより、最も詰まった位置でのピットとスペースの繰り返し周波数を再生用対物レンズのＭＴＦ（Modulation Transfer Function）の光学的遮断周波数から離す（大幅に小さくする）ことにより、システムリードイン／アウト領域ＳＹＬＤＩ／ＳＹＬＤＯからの再生信号振幅を引き上げ、再生の安定化を図る事が出来る。
【０１６２】
各種情報記憶媒体におけるデータ領域ＤＴＡとデータリードアウト領域ＤＴＬＤＯ内のデータ構造の比較を図２３に示す。図２３の（ａ）が再生専用形情報記憶媒体のデータ構造を表し、図２３の（ｂ）と（ｃ）が書替え形情報記憶媒体のデータ構造、図２３の（ｄ）〜（ｆ）が追記形情報記憶媒体のデータ構造を示している。特に、図２３の（ｂ）と（ｄ）が初期時（記録前）の構造を示し、図２３の（ｃ）、（ｅ）、（ｆ）は記録（追記または書替え）がある程度進んだ状態でのデータ構造を示している。
【０１６３】
図２３の（ａ）に示すように、再生専用形情報記憶媒体においてデータリードアウト領域ＤＴＬＤＯとシステムリードアウト領域ＳＹＬＤＯ内に記録されているデータは、データフレーム構造（データフレーム構造については後述）を持ち、その中のメインデータの値を全て“００ｈ”に設定してある。再生専用形情報記憶媒体ではデータ領域ＤＴＡ内の全領域に亘りユーザデータの事前記録領域２０１として使用できるが、後述するように追記形情報記憶媒体と書替え形情報記憶媒体のいずれの実施形態でもユーザデータの書替え／追記可能範囲２０２〜２０５がデータ領域ＤＴＡよりも狭くなっている。
【０１６４】
追記形情報記憶媒体あるいは書替え形情報記憶媒体ではデータ領域ＤＴＡの最内周部に代替え領域（Spare Area）ＳＰＡが設けてある。データ領域ＤＴＡ内に欠陥場所が発生した場合に、代替え領域ＳＰＡを使って代替え処理を行い、書替え形情報記憶媒体の場合には、その代替え履歴情報（欠陥管理情報）を図２３の（ｂ）、（ｃ）の第３、第４欠陥管理領域ＤＭＡ３、ＤＭＡ４に記録する。追記形情報記憶媒体の場合には、代替え処理を行った場合の代替え履歴情報（欠陥管理情報）はボーダーゾーン内に存在する記録位置管理ゾーンへの記録内容のコピー情報Ｃ_ＲＭＺ内に記録される。現行のＤＶＤ-Ｒディスクでは欠陥管理を行わなかったが、ＤＶＤ-Ｒディスクの製造枚数の増加につれて一部に欠陥場所を持つＤＶＤ-Ｒディスクが出廻るようになり、追記形情報記憶媒体に記録する情報の信頼性向上を望む声が大きくなっている。本実施形態では図２３の（ｄ）〜（ｆ）に示すように、追記形情報記憶媒体に対しても代替え領域ＳＰＡを設定し、代替え処理による欠陥管理を可能としている。したがって、一部に欠陥場所を持つ追記形情報記憶媒体に対しても、欠陥管理処理を行うことにより記録する情報の信頼性を向上させる事が可能となる。
【０１６５】
書替え形情報記憶媒体、あるいは追記形情報記憶媒体では、欠陥が多く発生した場合に、ユーザサイドで情報記録再生装置が判断して図２３の（ｂ）、（ｄ）に示すユーザへの販売直後の状態に対して、図２３の（ｃ）、（ｅ）、（ｆ）に示すように、自動的に拡張代替え領域（Extended Spare Area）ＥＳＰＡ、ＥＳＰＡ１、ＥＳＰＡ２を設定し、代替え場所を広げられるようにしてある。このように拡張代替え領域ＥＳＰＡ、ＥＳＰＡ１、ＥＳＰＡ２を設定可能にすることにより、製造上の都合で欠陥の多い媒体も販売可能となり、その結果、媒体の製造歩留まりが向上して媒体の低価格化が可能となる。
【０１６６】
図２３の（ｃ）や（ｅ）、（ｆ）に示すように、データ領域ＤＴＡ内に拡張代替え領域ＥＳＰＡ、ＥＳＰＡ１、ＥＳＰＡ２を増設すると、ユーザデータの書替えあるいは追記可能範囲２０３、２０５が減少するので、その位置情報を管理する必要がある。書替え形情報記憶媒体ではその情報は第１〜第４欠陥管理領域ＤＭＡ１〜ＤＭＡ４に記録されるとともに、後述するように制御データゾーンＣＤＺ内にも記録される。追記形情報記憶媒体の場合には、後述するようにデータリードイン領域ＤＴＬＤＩ内及びボーダーアウトＢＲＤＯ内に存在する記録位置管理ゾーンＲＭＺ内に記録される。後述するように記録位置管理ゾーンＲＭＺ内の記録位置管理データ（Recording Management Data）ＲＭＤに記録される。記録位置管理データＲＭＤは管理データ内容が更新される毎に記録位置管理ゾーンＲＭＺ内でアップデート的に追記されるので、拡張代替え領域を何度設定し直しても（図２３の（ｅ）の実施形態では最初に拡張代替え領域１ＥＡＰＡ１を設定し、その拡張代替え領域１ＥＡＰＡ１を全て使い果たした後でも、欠陥が多くて更なる代替え領域設定が必要になったので、後日更に拡張代替え領域２ＥＳＰＡ２を設定した状態を示している）タイムリーにアップデートして管理する事が可能となる。
【０１６７】
図２３の（ｂ）、（ｃ）に示す第３ガードトラックゾーンＧＴＺ３は第４欠陥管理領域ＤＭＡ４とドライブテストゾーンＤＲＴＺ間の分離のために配置され、ガードトラックゾーンＧＴＺ４はディスクテストゾーンＤＫＴＺとサーボキャリブレーション領域（Servo Calibration Zone）ＳＣＺとの間の分離のために配置されている。第３、第４ガードトラックゾーンＧＴＺ３、ＧＴＺ４は、記録マーク形成による記録をしてはいけない領域として規定される。第３、第４ガードトラックゾーンＧＴＺ３、ＧＴＺ４はデータリードアウト領域ＤＴＬＤＯ内に存在するため、この領域内には追記形情報記憶媒体ではプリグルーブ領域、また書替え形情報記憶媒体ではグルーブ領域とランド領域は事前に形成されている。プリグルーブ領域、あるいはグルーブ領域とランド領域内は例えば図２２に示すようにウォブルアドレスが予め記録されているので、このウォブルアドレスを用いて情報記憶媒体内の現在位置を判定する。
【０１６８】
ドライブテストゾーンＤＲＴＺは、情報記録再生装置が情報記憶媒体への情報を記録する前に試し書きするための領域として確保されている。情報記録再生装置は予めこの領域内で試し書きを行い、最適な記録条件（ライトストラテジ）を割り出した後、その最適記録条件でデータ領域ＤＴＡ内に情報を記録する事が出来る。
【０１６９】
ディスクテストゾーンＤＫＴＺは、情報記憶媒体の製造メーカが品質テスト（評価）を行うために設けられた領域である。
【０１７０】
サーボキャリブレーション領域（Servo Calibration Zone）ＳＣＺ以外のデータリードアウト領域ＤＴＬＤＯ内の全領域には追記形情報記憶媒体ではプリグルーブ領域、また書替え形情報記憶媒体ではグルーブ領域とランド領域は事前に形成され、記録マークの記録（追記または書替え）が可能になっている。図２３の（ｃ）と（ｅ）に示したように、サーボキャリブレーション領域（Servo Calibration Zone）ＳＣＺ内は、エンボスピット領域２１１となっている。この領域はデータリードアウト領域ＤＴＬＤＯの他の領域に続いてエンボスピットによる連続したトラックを形成し、このトラックはスパイラル状に連続してつながり情報記憶媒体の円周に沿って３６０度に亘りエンボスピットを形成している。この領域はＤＰＤ（Deferential Phase Detect）法を用いて情報記憶媒体の傾き量を検出するために設けてある。情報記憶媒体が傾くとＤＰＤ法を用いたトラックずれ検出信号振幅にオフセットが生じ、オフセット量で傾き量が、オフセット方向で傾き方向が精度良く検出する事が可能となる。この原理を利用し、情報記憶媒体の最外周部（データリードアウト領域ＤＴＬＤＯ内の外周部）にＤＰＤ検出が出来るエンボスピットを事前に形成しておくことにより、図１４の情報記録再生部１４１内に存在する光学ヘッドに（傾き検出用の）特別な部品を付加する事無く安価に精度の良い傾き検出が可能となる。さらに、この外周部の傾き量を検出することにより、データ領域ＤＴＡ内でも（傾き量補正による）サーボの安定化を実現できる。
【０１７１】
本実施形態ではサーボキャリブレーション領域ＳＣＺ内のトラックピッチをデータリードアウト領域ＤＴＬＤＯ内の他の領域に合わせ、情報記憶媒体の製造性を向上させ、歩留まり向上による媒体の低価格化を可能にする。すなわち、追記形情報記憶媒体においてデータリードアウト領域ＤＴＬＤＯ内の他の領域にはプリグルーブが形成されているが、追記形情報記憶媒体の原盤製造時に原盤記録装置の露光部の送りモータ速度を一定にしてプリグルーブを作成している。この時、サーボキャリブレーション領域ＳＣＺ内のトラックピッチをデータリードアウト領域ＤＴＬＤＯ内の他の領域に合わせることにより、サーボキャリブレーション領域ＳＣＺ内も引き続き送りモータ速度を一定に保持できるため、ピッチムラが生じ辛く情報記憶媒体の製造性が向上する。
【０１７２】
他の実施形態としてはサーボキャリブレーション領域ＳＣＺ内のトラックピッチまたはデータビット長の少なくともいずれかをシステムリードイン領域ＳＹＬＤＩのトラックピッチまたはデータビット長に合わせる方法もある。ＤＰＤ法を用いてサーボキャリブレーション領域ＳＣＺ内の傾き量とその傾き方向を測定し、その結果をデータ領域ＤＴＡ内でも利用してデータ領域ＤＴＡ内でのサーボ安定化を図る事を前述したが、データ領域ＤＴＡ内の傾き量を予想する方法としてシステムリードイン領域ＳＹＬＤＩ内の傾き量とその方向を同じくＤＰＤ法により予め測定し、サーボキャリブレーション領域ＳＣＺ内の測定結果との関係を利用して予測する事ができる。ＤＰＤ法を用いた場合、情報記憶媒体の傾きに対する検出信号振幅のオフセット量とオフセットが出る方向がエンボスピットのトラックピッチとデータビット長に依存して変化する特徴がある。したがって、サーボキャリブレーション領域ＳＣＺ内のトラックピッチまたはデータビット長の少なくともいずれかをシステムリードイン領域ＳＹＬＤＩのトラックピッチまたはデータビット長に合わせることにより、検出信号振幅のオフセット量とオフセットが出る方向に関する検出特性をサーボキャリブレーション領域ＳＣＺ内とシステムリードイン領域ＳＹＬＤＩ内とで一致させ、両者の相関を取り易くしてデータ領域ＤＴＡ内の傾き量と方向の予測を容易にすると言う効果が生じる。
【０１７３】
図２３の（ｄ）に示すように、追記形情報記憶媒体では内周側と外周側の２箇所にドライブテストゾーンＤＲＴＺを設けてある。ドライブテストゾーンＤＲＴＺに行う試し書きの回数が多い程、細かくパラメータを振って最適な記録条件を詳細に探すことができ、データ領域ＤＴＡへの記録精度が向上する。書替え形情報記憶媒体では重ね書きによるドライブテストゾーンＤＲＴＺ内の再利用が可能となるが、追記形情報記憶媒体では試し書きの回数を多くして記録精度を上げようとすると、ドライブテストゾーンＤＲＴＺ内をすぐに使い切ってしまうと言う問題が発生する。その問題を解決するために本実施形態では外周部から内周方向に沿って逐次拡張ドライブテストゾーン（Extended Drive Test Zone）ＥＤＲＴＺの設定を可能とし、ドライブテストゾーンの拡張を可能とする所に特徴がある。拡張ドライブテストゾーンの設定方法とその設定された拡張ドライブテストゾーン内での試し書き方法に関する特徴として本実施形態では
（１）拡張ドライブテストゾーンＥＤＲＴＺの設定（枠取り）は外周方向（データリードアウト領域ＤＴＬＤＯに近い方）から内周側にむけて順次まとめて設定する。
【０１７４】
…図２３の（ｅ）に示すようにデータ領域内の最も外周に近い場所（データリードアウト領域ＤＴＬＤＯに最も近い場所）からまとまった領域として拡張ドライブテストゾーン１ＥＤＲＴＺ１を設定し、その拡張ドライブテストゾーン１ＥＤＲＴＺ１を使い切った後で、それより内周側に存在する纏まった領域として拡張ドライブテストゾーン２ＥＤＲＴＺ２を次に設定可能とする。
【０１７５】
（２）拡張ドライブテストゾーンＥＤＲＴＺの中では内周側から順次試し書きを行う
…拡張ドライブテストゾーンＥＤＲＴＺの中で試し書きを行う場合には内周側から外周側に沿ってスパイラル状に配置されたグルーブ領域に沿って行い、前回試し書きをした（既に記録された）場所のすぐ後ろの未記録場所に今回の試し書きを行う。
【０１７６】
データ領域内は内周側から外周側に沿ってスパイラル状に配置されたグルーブ領域２１４に沿って追記される構造となっており、拡張ドライブテストゾーン内での試し書きが直前に行われた試し書き場所の後ろに順次追記する方法で行う事により“直前に行われた試し書き場所の確認”→“今回の試し書きの実施”の処理がシリアルに行えるため、試し書き処理が容易となるばかりでなく、拡張ドライブテストゾーンＥＤＲＴＺ内での既に試し書きされた場所の管理が簡単になる。
【０１７７】
（３）拡張ドライブテストゾーンＥＤＲＴＺも含めた形でデータリードアウト領域ＤＴＬＤＯの再設定可能
…図２３の（ｅ）にデータ領域ＤＴＡ内に２箇所の拡張代替え領域ＥＳＰＡ１、ＥＳＰＡ２を設定し、２箇所の拡張ドライブテストゾーンＥＤＲＴＺ１、ＥＤＲＴＺ２を設定した例を示す。この場合に本実施形態では図２３の（ｆ）に示すように拡張ドライブテストゾーンＥＤＲＴＺ２までを含めた領域に対してデータリードアウト領域ＤＴＬＯとして再設定出来る所に特徴がある。これに連動して、範囲を狭めた形でデータ領域ＤＴＡの範囲の再設定を行うことになり、データ領域ＤＴＡ内に存在するユーザデータの追記可能範囲２０５の管理が容易になる。図２３の（ｆ）のように再設定した場合には図２３の（ｅ）に示した拡張代替え領域ＥＳＰＡ１の設定場所を“既に使い切った拡張代替え領域”と見なし、拡張ドライブテストゾーンＥＤＲＴＺ内の拡張代替え領域ＥＳＰＡ２内のみに未記録領域（追記の試し書きが可能な領域）が存在すると管理する。この場合、拡張代替え領域ＥＳＰＡ１内に記録され、代替えに使われた非欠陥の情報はそっくりそのまま拡張代替え領域ＥＳＰＡ２内の未代替え領域の場所に移され、欠陥管理情報が書き替えられる。
【０１７８】
上記ドライブテストゾーンに試し書きを行う記録パルスの波形（ライトストラテジ）を図２４に示し、記録パルス形状の定義を図２５に示す。
【０１７９】
マークとスペースはピークパワー、第１バイアスパワー、第２バイアスパワー、第３バイアスパワーのパルスを照射することによりディスクに上書きされる。マークはピークパワーと第３バイアスパワーとの間で変調されるパルスを照射することによりディスクに上書きされる。スペースは第１バイアスパワーのパルスを照射することによりディスクに上書きされる。
【０１８０】
ＳｂＥＲはランダムエラーを評価するための手段であり、ランダムエラーにより引き起こされるビットエラーレートに相当する。
【０１８１】
ＰＲＳＮＲとＳｂＥＲの測定前にイコライザの係数は最小自乗誤差（ＭＳＥ）アルゴリズムにより計算される。
【０１８２】
記録パルスは図２４に示すように光パルスの列からなる。
【０１８３】
２Ｔマークの記録パルスはモノパルスと、後続する第２バイアスパワーのパルスからなる。３Ｔマークの記録パルスは第１パルスと、ラストパルスと、後続する第２バイアスパワーのパルスからなる。３Ｔマーク以上のマークの記録パルスは第１パルスと、マルチパルス列と、ラストパルスと、後続する第２バイアスパワーのパルスからなる。Ｔはチャンネルクロック期間である。
【０１８４】
２Ｔマークのための記録パルス構造
ＮＲＺＩ信号の立上がりエッジからＴＳＦＰ後にモノパルスの発生が開始し、ＮＲＺＩ信号の立下がりエッジから１Ｔ−ＴＥＬＰ前に発生が終了する。モノパルスの期間は１Ｔ−ＴＥＬＰ＋ＴＳＦＰである。ＴＥＬＰ、ＴＳＦＰは制御データゾーンに記録される。モノパルスに後続する第２バイアスパワーの期間はＴＬＣである。ＴＬＣは制御データゾーンに記録される。
【０１８５】
２Ｔマーク以上のマークのための記録パルス構造
ＮＲＺＩ信号の立上がりエッジからＴＳＦＰ後に第１パルスの発生が開始し、ＮＲＺＩ信号の立下がりエッジからＴＥＦＰ後に発生が終了する。ＴＥＦＰ、ＴＳＦＰは制御データゾーンに記録される。４Ｔから１３Ｔに相当する記録パルスはマルチパルス列である。マルチパスル列はパルス幅ＴＭＰの期間Ｔのパルスの繰返しからなる。ＮＲＺＩ信号の立上がりエッジから２Ｔ後にマルチパルスの発生が開始し、ＮＲＺＩ信号の立下がりエッジから２Ｔ前にマルチパルス列の最後のパルスの発生が終了する。ＴＭＰは制御データゾーンに記録される。
【０１８６】
ＮＲＺＩ信号の立上がりエッジから１Ｔ−ＴＳＬＰ前にラストパルスの発生が開始し、ＮＲＺＩ信号の立下がりエッジから１Ｔ−ＴＥＬＰ前にラストパルスの発生が終了する。
【０１８７】
ＴＥＬＰ、ＴＳＬＰは制御データゾーンに記録される。
【０１８８】
ラストパルスに後続する第２バイアスパワーのパルス幅はＴＬＣである。ＴＬＣは制御データゾーンに記録される。
【０１８９】
ＴＥＦＰ−ＴＳＦＰ、ＴＭＰ、ＴＥＬＰ−ＴＳＬＰ、ＴＬＣは全幅、半分の最大期間である。各光パルスの全幅、半分の最大期間は図２５に定義される。立上がり期間Ｔｒと立下り期間Ｔｆは１．５ｎｓ以下である。立上がり期間Ｔｒと立下り期間Ｔｆの差は０．５ｎｓ以下である。
【０１９０】
ＴＳＦＰ、ＴＥＦＰ、ＴＳＬＰ、ＴＥＬＰ、ＴＭＰ、ＴＬＣは（１／３２）Ｔの単位で制御データゾーン内に記録され、次の値をとる。
【０１９１】
ＴＳＦＰは０．２５Ｔ以上、１．５０Ｔ以下である。
【０１９２】
ＴＥＬＰは０．００Ｔ以上、１．００Ｔ以下である。
【０１９３】
ＴＥＦＰは１．００Ｔ以上、１．７５Ｔ以下である。
【０１９４】
ＴＳＬＰは−０．１０Ｔ以上、１．００Ｔ以下である。
【０１９５】
ＴＬＣは０．００Ｔ以上、１．００Ｔ以下である。
【０１９６】
ＴＭＰは０．１５Ｔ以上、０．７５Ｔ以下である。
【０１９７】
アダプティブ制御パラメータＴＳＦＰ、ＴＥＬＰ、ＴＬＣは以下の制約がある。
【０１９８】
ＴＳＦＰの最大値と最小値との差は０．５０Ｔ以下である。
【０１９９】
ＴＥＬＰの最大値と最小値との差は０．５０Ｔ以下である。
【０２００】
ＴＬＣの最大値と最小値との差は１．００Ｔ以下である。
【０２０１】
モノパルスの幅１Ｔ−ＴＳＦＰ＋ＴＥＬＰは０．２５Ｔ以上、１．５０Ｔ以下である。
【０２０２】
これらのパラメータは±０．２ｎｓの精度で制御される。
【０２０３】
もし、第１パルスとマルチパルス列のピークパワー期間が重複している場合は、複合ピークパワー期間はこれらのピークパワー期間の連続した合計和になる。もし、第１パルスとラストパルスのピークパワー期間が重複している場合は、複合ピークパワー期間はこれらのピークパワー期間の連続した合計和になる。もし、マルチパルス列の最後のパルスとラストパルスのピークパワー期間が重複している場合は、複合ピークパワー期間はこれらのピークパワー期間の連続した合計和になる。
【０２０４】
記録パワーはピークパワー、第１バイアスパワー、第２バイアスパワー、第３バイアスパワーの４レベルを持つ。これらは、ディスクの読み取り面に入射され、マーク、スペースを記録するために使われる光パワーである。
【０２０５】
ピークパワー、第１バイアスパワー、第２バイアスパワー、第３バイアスパワーは制御データゾーンに記録される。ピークパワーの最大値は例えば１０．０ｍＷを越えない。第１バイアスパワー、第２バイアスパワー、第３バイアスパワーの最大値は例えば４．０ｍＷを越えない。
【０２０６】
モノパルス、第１パルス、ラストパルスの平均ピークパワーは次の要件を満たす。
【０２０７】
｜（平均ピークパワー）−（ピークパワー）｜≦ピークパワーの５％
平均第１バイアスパワー、平均第２バイアスパワーは次の要件を満たす。
【０２０８】
｜（平均第１バイアスパワー）−（第１バイアスパワー）｜≦第１バイアスパワーの５％
｜（平均第２バイアスパワー）−（第２バイアスパワー）｜≦第２バイアスパワーの５％
マルチパルス列の平均パワーは測定期間内のパワーの瞬時値の平均パワーである。
【０２０９】
測定期間はマルチパルス列の全てを含み、Ｔの倍数である。マルチパルス列の平均パワーは以下の要件を満たす。
【０２１０】
｜（マルチパルス列の平均パワー）−（ピークパワー＋第３バイアスパワー）／２｜≦（ピークパワー＋第２バイアスパワー）／２の５％
パワーの瞬時値は実際のパワーの瞬時値である。
【０２１１】
平均パワーは所定のパワーレンジ内のパワーの瞬時値の平均値である。
【０２１２】
パワーの平均値のパワー範囲は以下の要件を満たす。
【０２１３】
ピークパワーの平均値：｜（実際のパワー）−（ピークパワー）｜≦ピークパワーの１０％
第１バイアスパワーの平均値：｜（実際のパワー）−（第１バイアスパワー）｜≦第１バイアスパワーの１０％
第２バイアスパワーの平均値：｜（実際のパワー）−（第２バイアスパワー）｜≦第２バイアスパワーの１０％
第３バイアスパワーの平均値：｜（実際のパワー）−（第３バイアスパワー）｜≦第３バイアスパワーの１０％
平均パワーを測定する期間は各パルスのパルス幅期間を越えない。
【０２１４】
瞬時値パワーは次の要件を満たす。
【０２１５】
｜（瞬時値ピークパワー）−（ピークパワー）｜≦ピークパワーの１０％
｜（瞬時値第１バイアスパワー）−（第１バイアスパワー）｜≦第１バイアスパワーの１０％
｜（瞬時値第２バイアスパワー）−（第２バイアスパワー）｜≦第２バイアスパワーの１０％
｜（瞬時値第３バイアスパワー）−（第３バイアスパワー）｜≦第３バイアスパワーの１０％
マークエッジ位置を正確に制御するために、第１パルス、ラストパルス、モノパルスのタイミングは変調される。
【０２１６】
ＮＲＺＩのマーク長はＭ２、Ｍ３、Ｍ４に分類される。マーク長Ｍ２、Ｍ３、Ｍ４は２Ｔ、３Ｔ、３Ｔ以上を示す。
【０２１７】
マーク直前のＮＲＺＩのスペース長はＬＳ２、ＬＳ３、ＬＳ４に分類される。スペース長ＬＳ２、ＬＳ３、ＬＳ４は２Ｔ、３Ｔ、３Ｔ以上を示す。
【０２１８】
マーク直後のＮＲＺＩのスペース長はＴＳ２、ＴＳ３、ＴＳ４に分類される。スペース長ＴＳ２、ＴＳ３、ＴＳ４は２Ｔ、３Ｔ、３Ｔ以上を示す。
【０２１９】
ＴＬＣはＮＲＺＩのマーク長のカテゴリの関数として変調される。したがって、ＴＬＣは次の３つの値を有する。
【０２２０】
ＴＬＣ（Ｍ２）、ＴＬＣ（Ｍ３）、ＴＬＣ（Ｍ４）
ＴＬＣ（Ｍ）はＮＲＺＩ信号のマーク長のカテゴリがＭの時のＴＬＣの値を示す。
【０２２１】
これらの３つのＴＬＣの値は制御データゾーンに記録される。
【０２２２】
ＴＳＦＰはＮＲＺＩのマーク長のカテゴリとマーク直前のＮＲＺＩのスペース長のカテゴリの関数として変調される。したがって、ＴＳＦＰは次の９つの値を有する。
【０２２３】
ＴＳＦＰ（Ｍ２，ＬＳ２）、ＴＳＦＰ（Ｍ３，ＬＳ２）、ＴＳＦＰ（Ｍ４，ＬＳ２）
ＴＳＦＰ（Ｍ２，ＬＳ３）、ＴＳＦＰ（Ｍ３，ＬＳ３）、ＴＳＦＰ（Ｍ４，ＬＳ３）
ＴＳＦＰ（Ｍ２，ＬＳ４）、ＴＳＦＰ（Ｍ３，ＬＳ４）、ＴＳＦＰ（Ｍ４，ＬＳ４）
ＴＳＦＰ（Ｍ、ＬＳ）はＮＲＺＩ信号のマーク長のカテゴリがＭであり、マーク直前のＮＲＺＩのスペース長のカテゴリがＬＳの時の値を示す。これら９つのＴＳＦＰの値は制御データゾーンに記録される。
【０２２４】
ＴＥＬＰはＮＲＺＩのマーク長のカテゴリとマーク直後のＮＲＺＩのスペース長のカテゴリの関数として変調される。したがって、ＴＥＬＰは次の９つの値を有する。
【０２２５】
ＴＥＬＰ（Ｍ２，ＴＳ２）、ＴＥＬＰ（Ｍ３，ＴＳ２）、ＴＥＬＰ（Ｍ４，ＴＳ２）
ＴＥＬＰ（Ｍ２，ＴＳ３）、ＴＥＬＰ（Ｍ３，ＴＳ３）、ＴＥＬＰ（Ｍ４，ＴＳ３）
ＴＥＬＰ（Ｍ２，ＴＳ４）、ＴＥＬＰ（Ｍ３，ＴＳ４）、ＴＥＬＰ（Ｍ４，ＴＳ４）
ＴＥＬＰ（Ｍ、ＴＳ）はＮＲＺＩ信号のマーク長のカテゴリがＭであり、マーク直前のＮＲＺＩのスペース長のカテゴリがＴＳの時の値を示す。これら９つのＴＥＬＰの値は制御データゾーンに記録される。
【０２２６】
ＴＳＦＰの値はマーク長と先行スペース長の関数としてａからｉで表され（図４３の（ａ））、ＴＥＬＰの値はマーク長と後続スペース長の関数としてｊからｒで表される（図４３の（ｂ））、ＴＬＣの値はマーク長の関数としてｓからｕで表される（図４３の（ｃ））。
【０２２７】
図２６に制御データゾーンＣＤＺとＲ物理情報ゾーンＲＩＺ内のデータ構造を示す。図２６の（ｂ）に示すように、制御データゾーンＣＤＺ内には物理フォーマット情報（Physical Format Information）ＰＦＩと媒体製造関連情報（Disc Manufacturing Information）ＤＭＩが存在し、Ｒ物理情報ゾーンＲＩＺ内には同じく媒体製造関連情報（Disc Manufacturing Information）ＤＭＩとＲ物理フォーマット情報（R-Physical Format Information）Ｒ_ＰＦＩが存在する。
【０２２８】
媒体製造関連情報ＤＭＩ内は媒体製造国名に関する情報２５１と媒体メーカ所属国情報２５２が記録されている。販売された情報記憶媒体が特許侵害している時に製造場所がある国内、または情報記憶媒体を消費している（使っている）国内に対して侵害警告を掛ける場合が多い。情報記憶媒体内に前記の情報の記録を義務付けることにより、製造場所（国名）が判明し、特許侵害警告が掛け易くすることにより、知的財産が保証され技術の進歩が促進される。更に、媒体製造関連情報ＤＭＩ内はその他媒体製造関連情報２５３も記録されている。
【０２２９】
物理フォーマット情報ＰＦＩまたはＲ物理フォーマット情報Ｒ_ＰＦＩ内には記録場所（先頭からの相対的なバイト位置）により記録される情報の種類が規定されている所に本実施形態の特徴がある。すなわち、物理フォーマット情報ＰＦＩ、またはＲ物理フォーマット情報Ｒ_ＰＦＩ内の記録場所として０バイト目から３１バイト目までの３２バイトの領域にはＤＶＤファミリー内の共通情報２６１が記録され、３２バイト目から１２７バイト目までの９６バイトが本実施形態の対象となっているＨＤ_ＤＶＤファミリー内の共通な情報２６２が記録され、１２８バイト目から５１１バイト目までの３８４バイトが各規格書タイプやパートバージョンに関するそれぞれ独自な情報（固有情報）２６３が記録され、５１２バイト目から２０４７バイト目までの１５３６バイトが各リビジョンに対応した情報が記録される。このように情報内容により物理フォーマット情報内の情報配置位置を共通化することにより、媒体の種類に依らず記録されている情報の場所が共通化されるので、情報再生装置あるいは情報記録再生装置の再生処理の共通化と簡素化が図れる。０バイト目から３１バイト目までに記録されているＤＶＤファミリー内の共通情報２６１は、図２６の（ｄ）に示すように、０バイト目から１６バイト目までに記録されている再生専用形情報記憶媒体と書替え形情報記憶媒体、追記形情報記憶媒体の全てに共通に記録してある情報２６７と、１７バイト目から３１バイト目までに書替え形情報記憶媒体と追記形情報記憶媒体には共通に記録され再生専用形では記録されていない情報２６８に分かれる。
【０２３０】
図２６に示した物理フォーマット情報ＰＦＩ、またはＲ物理フォーマット情報Ｒ_ＰＦＩ内の具体的な情報内容と物理フォーマット情報ＰＦＩ内情報の媒体種類（再生専用形か書替え形か追記形か）による比較を図２７に示す。ＤＶＤファミリー内の共通情報２６１内の再生専用形、書替え形、追記形の全てに共通に記録してある情報２６７としては、バイト位置０から１６までに順次に規格書のタイプ（再生専用／書替え／追記）情報とバージョン番号情報、媒体サイズ（直径）と最大可能データ転送レート情報、媒体構造（単層か２層か、エンボスピット／追記領域／書き替え領域の有無）、記録密度（線密度とトラック密度）情報、データ領域ＤＴＡの配置場所情報、バーストカッティング領域ＢＣＡの有無情報（本実施形態は全て有り）が記録されている。
【０２３１】
ＤＶＤファミリー内の共通情報２６１であり、書替え形と追記形に共通に記録してある情報２６８として、２８バイト目から３１バイト目まで順次、最大記録スピードを規定したリビジョン番号情報、最大記録スピードを規定したリビジョン番号情報、リビジョン番号テーブル（応用リビジョン番号）、クラス状態情報、拡張された（パート）バージョン情報が記録されている。２８バイト目から３１バイト目までの情報を持たせたことは、物理フォーマット情報ＰＦＩ、またはＲ物理フォーマット情報Ｒ_ＰＦＩの記録領域内に記録速度に応じたリビジョン情報を持たせると言う本実施形態の特徴がある。従来２倍速や４倍速など媒体への記録速度が上がる媒体が開発されると、それに応じてその都度新たに規格書を作り直すという非常に面倒な手間が掛かっていた。
【０２３２】
以下の実施形態でも説明するが、本発明はこれらの装置構成やデータ構造と媒体構成との好適な組み合わせを見出した発明である。より安定に記録再生するためにこれらの組み合わせが非常に重要であった。
【０２３３】
物理セクタ構造を構成するまでの変換手順説明図、データフレーム内の構造説明図、ECCブロック構造の説明図、スクランブル後のフレーム配列の説明図、POのインターリーブ方法の説明図、物理セクタ内の構造説明図、同期コードパターン内容の説明図等のECCブロックの構造等は、データ構造等と共にエラー訂正プロセスにおいて特に大きな働きをするため、記録再生装置および情報記憶媒体において高密度かつ高い信頼性を達成するためには非常に重要な部分である。後にも述べるが、例えば、ある情報(データ)書かれている媒体に追記して情報を記録する場合、情報記憶媒体にロス無く情報を記録するためには、あらかじめ記録されていた情報に最後部に続けて記録を行う。この場合には、一部書き換えられる場合があるが、このような場合に以下の実施形態でも示す本発明の情報記録媒体の構成が特にOW消去率が高いため好適である。
【０２３４】
２０４８バイト単位のユーザデータを記録したデータフレーム構造からＥＣＣブロックを構成し、同期コードを付加した後、情報記憶媒体に記録する物理セクタ構造を形成するまでの変換手順の概略について図２８に示す。この変換手順は再生専用形情報記憶媒体、追記形情報記憶媒体、書替え形情報記憶媒体いずれも共通に採用される。各変換段階に応じて、データフレーム（Data Frame）、スクランブル後のフレーム（scrambled frame）、レコーディングフレーム（Recording Frame）または記録データフィールド（Recorded Data Field）と呼ぶ。データフレームはユーザデータが記録される場所であり、２０４８バイトからなるメインデータ、４バイトのデータＩＤ、２バイトのＩＤエラー検出コード（ＩＥＤ）、６バイトの予約バイト（Reserved Bytes）ＲＳＶ、４バイトのエラー検出コード（ＥＤＣ）から構成される。始めに後述するデータＩＤにＩＥＤ（ＩＤエラー検出コード）が付加された後、６バイトの予約バイトとデータフレームはユーザデータが記録される場所であり、２０４８バイトからなるメインデータを付加し、更にエラー検出コード（ＥＤＣ）を付加した後、メインデータに対するスクランブルが実行される。ここで、スクランブルされた３２個のデータフレーム（スクランブルドフレーム）に対して、クロスリードソロモンエラーコレクションコード（Cross Reed-Solomon Error Correction Code）が適用されて、ＥＣＣエンコード処理が実行される。これによりレコーディングフレームが構成される。このレコーディングフレームは、アウターパリティコード（Parity of Outer-code）ＰＯ、インナーパリティコード（Parity of Inner-code）ＰＩを含む。パリティコードＰＯ、ＰＩは、それぞれ３２個のスクランブルドフレームによりなる各ＥＣＣブロックに対して作成されたエラー訂正コードである。記録フレームは、前述したように８データビットを１２チャネルビットに変換するＥＴＭ（Eight to Twelve Modulation）変調される。そして、９１バイト毎に先頭に同期コード（シンクコード：Sync Code）ＳＹＮＣが付加され、３２個の物理セクタが形成される。図２８の右下の枠内に記載されているように３２セクタで一つのエラー訂正単位（ＥＣＣブロック）を構成する所に本実施形態の特徴がある。後述するように、図３１または図３２での各枠内の“０”から“３１”までの番号は各物理セクタの番号を示し、“０”から“３１”までの合計３２個の物理セクタで１個の大きなＥＣＣブロックを構成する構造になっている。
【０２３５】
次世代ＤＶＤにおいては、現世代ＤＶＤと同じ程度の長さの傷が情報記憶媒体表面に付いた場合でも、エラー訂正処理で正確な情報が再生できる事を要求される。本実施形態では大容量化を目指して記録密度を高めた。その結果、従来の１ＥＣＣブロック＝１６セクタの場合には、エラー訂正で補正可能な物理的傷の長さが従来のＤＶＤに比べて短くなる。本実施形態のように１ＥＣＣブロックを３２セクタで構成する構造にすることにより、エラー訂正可能な情報記憶媒体表面傷の許容長さを長くできると共に、現行ＤＶＤのＥＣＣブロック構造の互換性・フォーマット継続性を確保できると言う効果がある。
【０２３６】
図２９にデータフレーム内の構造を示す。１個のデータフレームは、１７２バイト×２×６行からなる２０６４バイトであり、そのなかに２０４８バイトのメインデータを含む。ＩＥＤとはID Error Detection Codeの略でデータＩＤ情報に対する再生時のエラー検出用付加コードを意味している。ＲＥＶはReserveの略で将来情報を設定できるための予約領域を意味している。ＥＤＣとはError Detection Codeの略でデータフレーム全体のエラー検出用付加コードを意味している。
【０２３７】
図３０に本実施形態におけるＥＣＣブロック構造を示す。ＥＣＣブロックは、連続する３２個のスクランブルドフレームから形成されている。縦方向に１９２行＋１６行、横方向に（１７２＋１０）×２列が配置されている。Ｂ０，０、Ｂ１，０、…はそれぞれ１バイトである。ＰＯ、ＰＩは、エラー訂正コードであり、アウターパリティ、インナーパリティである。本実施形態では、積符号を用いたＥＣＣブロック構造を構成している。すなわち、情報記憶媒体に記録するデータを２次元状に配置し、エラー訂正用付加ビットとして“行”方向に対してはＰＩ（Parity in）、“列”方向に対してはＰＯ（Parity out）を付加した構造になっている。このように積符号を用いたＥＣＣブロック構造を構成することにより、イレイジャー訂正および縦と横の繰り返し訂正処理による高いエラー訂正能力を保証できる。
【０２３８】
図３０に示すＥＣＣブロック構造は従来のＤＶＤのＥＣＣブロック構造とは異なり、同一“行”内で２箇所ＰＩを設定している所に特徴がある。すなわち、図３０において中央に記載された１０バイトサイズのＰＩは、その左側に配置されている１７２バイトに対して付加される。すなわち、例えばＢ０，０からＢ０，１７１の１７２バイトのデータに対してＰＩとしてＢ０，１７２からＢ０，１８１の１０バイトのＰＩを付加し、Ｂ１，０からＢ１，１７１の１７２バイトのデータに対してＰＩとしてＢ１，１７２からＢ１，１８１の１０バイトのＰＩを付加する。
【０２３９】
図３０の右端に記載された１０バイトサイズのＰＩは、その左側で中央に配置されている１７２バイトに対して付加される。すなわち、例えばＢ０，１８２からＢ０，３５３の１７２バイトのデータに対してＰＩとしてＢ０，３５４からＢ０，３６３の１０バイトのＰＩを付加する。
【０２４０】
図３１にスクランブル後のフレーム配列説明図を示す。（６行×１７２バイト）単位が１スクランブル後のフレームとして扱われる。すなわち、１ＥＣＣブロックは連続する３２個のスクランブル後のフレームからなる。さらに、このシステムでは（ブロック１８２バイト×２０７バイト）をペアとして扱う。左側のＥＣＣブロックの各スクランブル後のフレームの番号にＬを付け、右側のＥＣＣブロックの各スクランブル後のフレームの番号にＲを付けると、スクランブル後のフレームは、図３１に示すように配置されている。すなわち、左側のブロックに左と右のスクランブル後のフレームが交互に存在し、右側のブロックにスクランブル後のフレームが交互に存在する。
【０２４１】
すなわち、ＥＣＣブロックは、３２個の連続スクランブル後のフレームから形成される。奇数セクタの左半分の各行は、右半分の行と交換されている。１７２×２バイト×１９２行は１７２バイト×１２行×３２スクランブルドフレームに等しく、データ領域となる。１６バイトのＰＯが、各１７２×２列にＲＳ（２０８，１９２，１７）のアウターコードを形成するために付加される。また１０バイトのＰＩ（ＲＳ（１８２，１７２，１１））が、左右のブロックの各２０８×２行に付加される。ＰＩは、ＰＯの行にも付加される。フレーム内の数字は、スクランブルドフレーム番号を示し、サフィックスのＲ，Ｌは、スクランブルドフレームの右側半分と、左側半分を意味する。
【０２４２】
同一のデータフレーム内を複数の小ＥＣＣブロックに分散配置する所に本実施形態の特徴がある。具体的には本実施形態では２個の小ＥＣＣブロックで大きな１ＥＣＣブロックを構成し、同一のデータフレーム内をこの２個の小ＥＣＣブロック内に交互に分散配置する。図３０の説明の所で中央に記載された１０バイトサイズのＰＩは、その左側に配置されている１７２バイトに対して付加され、右端に記載された１０バイトサイズのＰＩは、その左側で中央に配置されている１７２バイトに対して付加される事を既に説明した。つまり図３０の左端から１７２バイトと連続する１０バイトのＰＩで左側（Left 側）の小ＥＣＣブロックを構成し、中央の１７２バイトから右端の１０バイトのＰＩで右側（Right 側）の小ＥＣＣブロックを構成している。それに対応して図３１の各枠内の記号が設定されている。例えば図３１内の“２−Ｒ”などの意味はデータフレーム番号と左右の小ＥＣＣブロックのどちらに属するか（例えば２番目のデータフレーム内で Right 側の小ＥＣＣブロックに属する）を表している。また後述するように最終的に構成される各物理セクタ毎に同一物理セクタ内のデータも交互に左右の小ＥＣＣブロック内に分散配置される（図２３における左半分の列は左側の小ＥＣＣブロック（図４２に示した左側の小ＥＣＣブロックＡ）内に含まれ、右半分の列は右側の小ＥＣＣブロック（図４２に示した右側の小ＥＣＣブロックＢ）内に含まれる。
【０２４３】
このように同一のデータフレーム内を複数の小ＥＣＣブロックに分散配置すると、物理セクタ（図２３）内データのエラー訂正能力を向上させる事による記録データの信頼性向上が図れる。例えば、記録時にトラックが外れて既記録データ上をオーバーライトしてしまい、１物理セクタ分のデータが破壊された場合を考える。本実施形態では１セクタ内の破壊データを２個の小ＥＣＣブロックを用いてエラー訂正を行うため、１個のＥＣＣブロック内でのエラー訂正の負担が軽減され、より性能の良いエラー訂正が保証される。また、本実施形態ではＥＣＣブロック形成後でも各セクタの先頭位置にデータＩＤが配置される構造になっているため、アクセス時のデータ位置確認が高速で行える。
【０２４４】
図３２にＰＯのインターリーブ方法の説明図を示す。図３２に示す様に、１６のパリティ行は、１行ずつ分散される。すなわち、１６のパリティ行は、２つのレコーディングフレーム置きに対して、１行ずつ配置される。したがって、１２行からなるレコーディングフレームは１２行＋１行となる。この行インターリーブが行なわれた後、１３行×１８２バイトはレコーディングフレームとして参照される。したがって、行インターリーブが行なわれた後のＥＣＣブロックは３２個のレコーディングフレームからなる。１つのレコーディング内には、図３１で説明したように、右側と左側のブロックの行が６行ずつ存在する。また、ＰＯは左のブロック（１８２×２０８バイト）と右のブロック（１８２×２０８バイト）間では、異なる行に位置するように配置されている。図２３では、１つの完結形のＥＣＣブロックとして示している。しかし、実際のデータ再生時には、このようなＥＣＣブロックが連続してエラー訂正処理部に到来する。このようなエラー訂正処理の訂正能力を向上するために、図３２に示すようなインターリーブ方式が採用された。
【０２４５】
図２９に示した１個のデータフレーム内の構造から図３２に示したＰＯのインターリーブ方法までの関係について図４２を用いて詳細に説明する。図４２では図３２に示したＰＯインターリーブ後のＥＣＣブロック構造図の上側部分を拡大し、その中に図２９に示したデータＩＤ、ＩＥＤ、ＲＳＶ、ＥＤＣの配置場所を明示することにより、図２９から図３２までの変換のつながりが一目で見られるようにした。図４２の“０−Ｌ”、“０−Ｒ”、“１−Ｒ”、“１−Ｌ”は図３１の各“０−Ｌ”、“０−Ｒ”、“１−Ｒ”、“１−Ｌ”に対応する。“０−Ｌ”や“１−Ｌ”は図２９の左半分すなわち、中央線から左側の１７２バイトと６行で構成されるまとまりに対してメインデータのみにスクランブルを掛けた後のデータを意味する。同様に、“０−Ｒ”や“１−Ｒ”は図２９の右半分すなわち、中央線から右側の１７２バイトと６行で構成されるまとまりに対してメインデータのみにスクランブルを掛けた後のデータを意味する。したがって、図２９から明らかなように、“０−Ｌ”や“１−Ｌ”の最初の行（０行目）の最初から１２バイト目までにデータＩＤ、ＩＥＤ、ＲＳＶが順番に並んでいる。
【０２４６】
物理セクタ構造を図３３に示す。図３３の（ａ）が偶数番目の物理セクタ構造を示し、図３３の（ｂ）が奇数番目のデータ構造を示す。図３３において偶数記録データ領域（Even Recorded data field）及び奇数記録データ領域（Odd Recorded data field）のいずれも最後の２シンクフレーム（すなわち、最後のシンクコードがＳＹ３の部分とその直後のシンクデータ及びシンクコードがＳＹ１の部分とその直後のシンクデータが並んだ部分）内のシンクデータ領域に図３２で示したアウターパリティＰＯの情報が挿入される。
【０２４７】
偶数記録データ領域内の最後の２シンクフレーム箇所には図３１に示した左側のＰＯの一部が挿入され、奇数記録データ領域内の最後の２シンクフレーム箇所には図３１に示した右側のＰＯの一部が挿入される。図３１に示すように１個のＥＣＣブロックはそれぞれ左右の小ＥＣＣブロックから構成され、セクタ毎に交互に異なるＰＯグループ（左の小ＥＣＣブロックに属するＰＯか、右の左の小ＥＣＣブロックに属するＰＯか）のデータが挿入される。図３３の（ａ）に示した偶数番目の物理セクタ構造と、図３３の（ｂ）に示した奇数番目のデータ構造のいずれも中心線で２分割され、左側の“２４＋１０９２＋２４＋１０９２チャネルビット”が図３０、または図３１に示した左側（Left側）の小ＥＣＣブロック内に含まれ、右側の“２４＋１０９２＋２４＋１０９２チャネルビット”が図３０または図３１に示した右側（Right側）の小ＥＣＣブロック内に含まれる。
【０２４８】
図３３に示した物理セクタ構造が情報記憶媒体に記録される場合には、各１列毎にシリアルに記録される。したがって、例えば図３３の（ａ）に示した偶数番目の物理セクタ構造のチャネルビットデータを情報記憶媒体に記録する場合には、最初に記録する２２３２チェネルビットのデータが左側（Left側）の小ＥＣＣブロック内に含まれ、次に記録する２２３２チェネルビットのデータが右側（Right側）の小ＥＣＣブロック内に含まる。更に次に記録する２２３２チェネルビットのデータは左側（Left側）の小ＥＣＣブロック内に含まれる。これに対して図３３の（ｂ）に示した奇数番目のデータ構造のチャネルビットデータを情報記憶媒体に記録する場合には、最初に記録する２２３２チェネルビットのデータが右側（Right側）の小ＥＣＣブロック内に含まれ、次に記録する２２３２チェネルビットのデータが左側（Left側）の小ＥＣＣブロック内に含まる。更に次に記録する２２３２チェネルビットのデータは右側（Right側）の小ＥＣＣブロック内に含まれる。
【０２４９】
このように本実施形態では、同一の物理セクタ内を２個の小ＥＣＣブロック内に２２３２チェネルビット毎に交互に所属させる所に特徴がある。これを別の形で表現すると、右側（Right側）の小ＥＣＣブロック内に含まれデータと左側（Left側）の小ＥＣＣブロック内に含まれるデータを２２３２チェネルビット毎に交互に分散配置した形で物理セクタを形成して情報記憶媒体に記録する事になる。その結果、バーストエラーに強い構造を提供できると言う効果が生じる。例えば、情報記憶媒体の円周方向に長い傷が付き、１７２バイトを越えるデータの判読が不可能になったバーストエラーの状態を考える。この場合の１７２バイトを越えるバーストエラーは２つの小さいＥＣＣブロック内に分散配置されるので、１個のＥＣＣブロック内でのエラー訂正の負担が軽減され、より性能の良いエラー訂正が保証される。
【０２５０】
図３３に示すように１個のＥＣＣブロックを構成する物理セクタの物理セクタ番号が偶数番号か奇数番号かで物理セクタ内のデータ構造が異なる所に特徴がある。つまり
（１）物理セクタの最初の２２３２チェネルビットデータが属する小ＥＣＣブロック（右側か左側か）が異なる。
【０２５１】
（２）セクタ毎に交互に異なるＰＯグループのデータが挿入される構造になっている。
【０２５２】
その結果、ＥＣＣブロックを構成した後でも全ての物理セクタの先頭位置にデータＩＤが配置される構造を保証するため、アクセス時のデータ位置確認が高速で行える。また、同一物理セクタ内に異なる小ＥＣＣブロックに属するＰＯを混在挿入することにより、図３２のようなＰＯ挿入方法を採る方法が構造が簡単になり、情報再生装置内でのエラー訂正処理後の各セクタ毎の情報抽出が容易になると共に、情報記録再生装置内でのＥＣＣブロックデータの組立て処理の簡素化が図れる。
【０２５３】
上記内容を具体的に実現する方法として、ＰＯのインターリーブ・挿入位置が左右で異なる構造としている。図３２の狭い２重線で示された部分、あるいは狭い２重線と斜線で示された部分がＰＯのインターリーブ・挿入位置を示し、偶数番目の物理セクタ番号では左側の最後に、奇数番目の物理セクタ番号では右側の最後にそれぞれＰＯが挿入される。この構造を採用することにより、ＥＣＣブロックを構成した後でも物理セクタの先頭位置にデータＩＤ配置される構造になっているため、アクセス時のデータ位置確認が高速で行える
変調ブロックの構成を図３５に示す。
【０２５４】
コードテーブル３５２はデータワードＢ（ｔ）とステートＳ（ｔ）とからコードワードＸ（ｔ）と、ネクストステートＳ（ｔ＋１）を次のように求める。
【０２５５】
Ｘ（ｔ）＝Ｈ｛Ｂ（ｔ），Ｓ（ｔ）｝
Ｓ（ｔ＋１）＝Ｇ｛Ｂ（ｔ），Ｓ（ｔ）｝
Ｈはコードワード出力機能、Ｇは次のState出力機能である。
【０２５６】
ステートレジスタ３５８はコードテーブル３５２からネクストステートＳ（ｔ＋１）を入力してコードテーブル３５２へ（カレント）ステートＳ（ｔ）を出力する。
【０２５７】
コード変換テーブル内の幾つかの１２チャンネルビットは“０ｂ”、“１ｂ”とともにアスタリスクビット“＊”とシャープビット“＃”とを含む。
【０２５８】
コード変換テーブル内のアスタリスクビット“＊”はビットがマージングビットであることを示す。変換テーブル内の幾つかのコードワードはＬＳＢにマージングビットを有する。マージングビットは自身に後続するチャンネルビットに応じてコードコネクタ３５４により“０ｂ”、“１ｂ”の何れかに設定される。後続チャンネルビットが“０ｂ”であれば、マージングビットは“１ｂ”に設定される。後続チャンネルビットが“１ｂ”であれば、マージングビットは“０ｂ”に設定される。
【０２５９】
変換テーブル内のシャープビット“＃”はビットがＤＳＶ制御ビットであることを示す。ＤＳＶ制御ビットはＤＳＶコントローラ５３６によりＤＣ成分抑圧制御を行うことにより決定される。
【０２６０】
図３６を用いて本実施形態における各種情報記憶媒体毎のデータ記録形式（フォーマット）の比較を説明する。図３６の（ａ）は従来の再生専用形情報記憶媒体ＤＶＤ-ＲＯＭと従来の追記形情報記憶媒体ＤＶＤ-Ｒ及び従来の書替え形情報記憶媒体ＤＶＤ-ＲＷにおけるデータ記録形式を示し、図３６の（ｂ）は本実施形態における再生専用形情報記憶媒体のデータ記録形式、図３６の（ｃ）は本実施形態における追記形情報記憶媒体のデータ記録形式、図３６の（ｄ）は本実施形態における書替え形情報記憶媒体のデータ記録形式を示している。比較のために各ＥＣＣブロック４１１〜４１８の大きさを同じに合わせているが、図３６の（ａ）に示した従来の再生専用形情報記憶媒体ＤＶＤ-ＲＯＭと従来の追記形情報記憶媒体ＤＶＤ-Ｒ及び従来の書替え型情報記憶媒体におけるＤＶＤ-ＲＷでは、１６物理セクタで１個のＥＣＣブロックを構成しているのに対し、図３６の（ｂ）〜（ｄ）に示した本実施形態では３２物理セクタで１個のＥＣＣブロックを構成している所が異なる。本実施形態では図３６の（ｂ）〜（ｄ）に示すように各ＥＣＣブロック ＃１ ４１１〜＃８ ４１８の間にシンクフレーム長４３３と同じ長さのガード領域４４２〜４４８を設けている所に特徴がある。
【０２６１】
従来の再生専用形情報記憶媒体ＤＶＤ-ＲＯＭでは図３６の（ａ）に示すように各ＥＣＣブロック ＃１ ４１１〜＃８ ４１８が連続に記録されている。従来の追記形情報記憶媒体ＤＶＤ-Ｒや従来の書替え形情報記憶媒体ＤＶＤ-ＲＷで従来の再生専用形情報記憶媒体ＤＶＤ-ＲＯＭとデータ記録形式（フォーマット）の互換性を確保するために、制限付きオーバーライト（Restricted Overwrite）と呼ばれる追記又は書き替え処理を行うと、書き重ねによりＥＣＣブロック内の一部を破壊し、再生時のデータ信頼性を大きく損なうと言う問題が有った。これに対して、本実施形態のようにデータフィールド（ＥＣＣブロック）間にガード領域４４２〜４４８を配置すると、書き重ね場所をガード領域４４２〜４４８内に制限して、データフィールド（ＥＣＣブロック）のデータ破壊を防止できる効果がある。
【０２６２】
上記ガード領域４４２〜４４８の長さを図３６に示すように１シンクフレームサイズであるシンクフレーム長４３３に合わせた所に本実施形態の次の特徴がある。図３３ないしは図１６０に示すように１１１６チャネルビットと言う一定のシンクフレーム長４３３間隔で同期コード（シンクコード）が配置されており、図１４に示す同期コード位置抽出部１４５内ではこの一定周期間隔を利用して同期コード位置の抽出を行っている。本実施形態でガード領域４４２〜４４８の長さシンクフレーム長４３３に合わせることにより、再生時にガード領域４４２〜４４８を跨っても、このシンクフレーム間隔が不変に保たれるので、再生時の同期コード位置検出を容易にすると言う効果がある。
【０２６３】
更に
（１）ガード領域４４２〜４４８を跨った場所でも同期コードの出現頻度を一致させて同期コード位置検出の検出精度を向上させる。
【０２６４】
（２）ガード領域４４２〜４４８も含めた物理セクタ内の位置の判別を容易にする。
【０２６５】
を目的として本実施形態ではガード領域内に同期コード（シンクデータ）を配置（図１３１のポイント（Ｋ２））する。具体的には、図３８に示すように、各ガード領域４４２〜４６８の開始位置にはポストアンブル領域（Postamble field）４８１が形成され、そのポストアンブル領域４８１にはシンクコード番号“１”の同期コード“ＳＹ１”が配置されている。図３３から分かるように、物理セクタ内の３個の連続する同期コードのシンクコード番号の組み合わせは全ての場所で異なっている。更に、ガード領域４４２〜４４８内のシンクコード番号“１”まで加味した３個の連続する同期コードのシンクコード番号の組み合わせも全ての場所で異なっている。したがって、任意の領域内での連続する３個の同期コードのシンクコード番号の組み合わせにより物理セクタ内の位置情報のみならず、ガード領域の場所も含めた物理セクタ内の位置の判別が可能となる。
【０２６６】
図３６に示したガード領域４４１〜４４８内の詳細な構造を図３８に示す。物理セクタ内の構造はシンクコード４３１とシンクデータ４３２の組み合わせから構成されることを図１６０に示したが、ガード領域４４１〜４４８内も同様にシンクコード４３３とシンクデータ４３４の組み合わせから構成され、ガード領域 ＃３ ４４３内のシンクデータ４３４領域内もセクタ内のシンクデータ４３２と同じ変調規則に従って変調されたデータが配置される所に本実施形態の特徴がある。
【０２６７】
図３０に示す３２個の物理セクタから構成される１個分のＥＣＣブロック ＃２ ４１２内の領域を本発明ではデータフィールド４７０と呼ぶ。
【０２６８】
図３８におけるＶＦＯ（Variable Frequency Oscillator）領域４７１、４７２はデータ領域４７０を再生する時の情報再生装置または情報記録再生装置の基準クロックの同期合わせに利用する。ＶＦＯ領域４７１、４７２内に記録されるデータ内容として、後述する共通の変調規則における変調前のデータは“７Ｅｈ”の連続繰り返しとなり、変調後の実際に記録されるチャネルビットパターンは“０１０００１  ０００１００”の繰り返しパターン（“０”が連続３個ずつ繰り返すパターン）となる。なお、このパターンが得られるためにはＶＦＯ領域４７１、４７２の先頭バイトは変調におけるState２の状態に設定される必要がある。
【０２６９】
プリシンク領域４７７、４７８はＶＦＯ領域４７１、４７２とデータ領域４７０間の境目位置を表し、変調後の記録チャネルビットパターンは“１０００００  １０００００”（“０”が連続５個ずつ繰り返すパターン）の繰り返しになっている。情報再生装置または情報記録再生装置ではＶＦＯ領域４７１、４７２内の“０１０００１  ０００１００”の繰り返しパターンから、プリシンク領域４７７、４７８内の“１０００００  １０００００”の繰り返しパターンのパターン変化位置を検出し、データ領域４７０が近付くことを認識する。
【０２７０】
ポストアンブル領域４８１はデータ領域４７０の終了位置を示すと共にガード領域４４３の開始位置を表している。ポストアンブル領域４８１内のパターンは同期コード（SYNC Code）の内“ＳＹ１”のパターンと一致している。
【０２７１】
エキストラ領域４８２はコピー制御や不正コピー防止用に使われる領域である。特にコピー制御や不正コピー防止用に使われない場合にはチャネルビットで全て“０”に設定する。
【０２７２】
バッファ領域はＶＦＯ領域４７１、４７２と同じ変調前のデータは“７Ｅｈ”の連続繰り返しとなり、変調後の実際に記録されるチャネルビットパターンは“０１０００１  ０００１００”の繰り返しパターン（“０”が連続３個ずつ繰り返すパターン）となる。なお、このパターンが得られるためにはＶＦＯ領域４７１、４７２の先頭バイトは変調におけるState２の状態に設定される必要がある。
【０２７３】
図３８に示すように“ＳＹ１”のパターンが記録されているポストアンブル領域４８１がシンクコード領域４３３に該当し、その直後のエキストラ領域４８２からプリシンク領域４７８までの領域がシンクデータ領域４３４に対応する。ＶＦＯ領域４７１からバッファ領域４７５に至る領域（つまりデータ領域４７０とその前後のガード領域の一部を含む領域）をデータセグメント４９０と呼び、後述する“物理セグメント”とは異なる内容を示している。図３８に示した各データのデータサイズは変調前のデータのバイト数で表現している。
【０２７４】
本実施形態は図３８に示した構造に限らず、他の実施形態として下記の方法を採用することもできる。すなわち、ＶＯＦ領域４７１とデータ領域４７０の境界部にプリシンク領域４７７を配置する代わりに、ＶＯＦ領域４７１、４７２の途中にプリシンク領域４７７を配置する。この他の実施形態ではデータブロック４７０の先頭位置に配置される“ＳＹ０”のシンクコードとプリシンク領域４７７との間の距離を離すことで距離相関を大きく取り、プリシンク領域４７７を仮Ｓｙｎｃとして設定し、本物のＳｙｎｃ位置の距離相関情報（他のＳｙｎｃ間距離とは異なるが）として利用する。もし本物のＳｙｎｃが検出できなければ、仮Ｓｙｎｃから生成した本物が検出されるであろう位置でＳｙｎｃを挿入する。このようにしてプリシンク領域４７７を本物シンク（“ＳＹ０”）と多少の距離を取る所に他の実施形態の特徴がある。プリシンク領域４７７をＶＦＯ領域４７１、４７２の始めに配置すると、読み取りクロックのＰＬＬがロックしていない為プリシンクの役目が弱くなる。したがって、プリシンク領域４７７をＶＦＯ領域４７１、４７２の中間位置に配置するのが望ましい。
【０２７５】
前述のように、ある情報(データ)かれている媒体に追記して情報を記録する場合、情報記憶媒体にロス無く情報を記録するためには、あらかじめ記録されていた情報に最後部に続けて記録を行う必要がある。一部書き換えられる場合があるが、このような場合に以下の実施形態でも示す本発明の情報記録媒体の構成が特にOW消去率が高いため好適である。次世代の大容量媒体を用いる時代には、扱う情報量が大きいため、書き換え型媒体におけるデータの追記特性も非常に重要である。本発明の光記録媒体を用いることにより高密度、高信頼性の媒体が得られ、より安定に記録再生することができる。
【０２７６】
書替え形情報記憶媒体に記録する書替え可能なデータ記録方法を図３９に示す。本実施形態の書替え情報記憶媒体におけるレコーディングクラスタ内のレイアウトは図１７９の（ａ）のレイアウトを取る例を使って説明するが、本発明においてはそれに限らず書替え形情報記憶媒体に対して図１７９の（ｂ）に示したレイアウトを採用しても良い。図３９の（ａ）は前述した図３６の（ｄ）と同じ内容を示している。本実施形態では書替え可能なデータに関する書替えは図３９の（ｂ）及び（ｅ）に示すレコーディングクラスタ５４０、５４１単位で行われる。１個の記録用クラスタは後述するように１個以上のデータセグメント５２９〜５３１と、最後に配置される拡張ガードフィールド５２８から構成される。すなわち、１個の記録用クラスタ５３１の開始はデータセグメント５３１の開始位置に一致し、ＶＦＯ領域５２２から始まる。
【０２７７】
複数のデータセグメント５２９、５３０を連続して記録する場合には、図３９の（ｂ），（ｃ）に示すように同一のレコーディングクラスタ５３１内に複数のデータセグメント５２９、５３０が連続して配置されると共に、データセグメント５２９の最後に存在するバッファ領域５４７と次のデータセグメントの最初に存在するＶＦＯ領域５３２が連続してつながっているため両者間の（記録時の記録用基準クロックの）位相が一致している。連続記録が終了した時にはレコーディングクラスタ５４０の最後位置に拡張ガード領域５２８を配置する。拡張ガード領域５２８のデータサイズは変調前のデータとして２４データバイト分のサイズを持っている。
【０２７８】
図３９の（ａ）と図３９の（ｃ）の対応から分かるように書替え形のガード領域４６１、４６２の中にポストアンブル領域５４６、５３６、エキストラ領域５４４、５３４、バッファ領域５４７、５３７、ＶＦＯ領域５３２、５２２、プリシンク領域５３３、５２３が含まれ、連続記録終了場所に限り拡張ガードフィールド５２８が配置される。
【０２７９】
書替え単位の物理的範囲の比較をするため、図３９の（ｃ）に情報の書替え単位であるレコーディングクラスタ５４０の一部と、図３９の（ｄ）に次に書替える単位であるレコーディングクラスタ５４１の一部を示している。書替え時の重複箇所５４１で拡張ガード領域５２８と後側のＶＦＯ領域５２２が一部重複するように書き換えを行う所に本実施形態の特徴がある（図１３１のポイント（Ｋ３））。そのように一部重複させて書替えすることにより、レコーディングクラスタ５４０、５４１間に隙間（記録マークが形成されない領域）の発生を防止し、片面２記録層の記録可能な情報記憶媒体における層間クロストークを除去することにより、安定した再生信号を検出できる。
【０２８０】
本実施形態における１個のデータセグメント内の書替え可能なデータサイズは
６７＋４＋７７３７６＋２＋４＋１６＝７７４６９データバイト    （２）
となる。また図１６９の（ｃ），（ｄ）から分かるように１個のウォブルデータユニット５６０は
６＋４＋６＋６８＝８４ウォブル                                （３）
で構成されており、１７個のウォブルデータユニットで１個の物理セグメント５５０を構成し、７個の物理セグメント５５０〜５５６の長さが１個のデータセグメント５３１の長さに一致しているので１個のデータセグメント５３１の長さ内には
８４×１７×７＝９９９６ウォブル                              （４）
が配置される。したがって、（２）式と（４）式から１個のウォブルに対して
７７４９６÷９９９６＝７.７５データバイト／ウォブル          （５）
が対応する。
【０２８１】
図４０に示すように物理セグメントの先頭位置から２４ウォブル以降に次のＶＦＯ領域５２２と拡張ガードフィールド５２８の重なり部分が来るが、物理セグメント５５０の先頭から１６ウォブルまではウォブルシンク領域５８０となるが、それ以降６８ウォブル分は無変調領域５９０内になる。したがって、２４ウォブル以降の次のＶＦＯ領域５２２と拡張ガードフィールド５２８が重なる部分は無変調領域５９０内となる。このように物理セグメントの先頭位置２４ウォブル以降にデータセグメントの先頭位置が来るようにすることにより、重複箇所が無変調領域５９０内になるだけでなくウォブルシンク領域５８０の検出時間と記録処理の準備時間が相応に取れるので、安定でかつ精度の良い記録処理を保証できる。
【０２８２】
本実施形態における書替え形情報記憶媒体の記録膜は相変化形記録膜を用いている。相変化形記録膜では書き替え開始／終了位置近傍で記録膜の劣化が始まるので、同じ位置での記録開始／記録終了を繰り返すと記録膜の劣化による書き替え回数の制限が発生する。本実施形態では上記問題を軽減するため、書き替え時には図４０に示すように（Ｊm+1／１２）データバイト分ずらし、ランダムに記録開始位置をずらしている。 
図３９の（ｃ），（ｄ）では基本概念を説明するため、拡張ガードフィールド５２８の先頭位置とＶＦＯ領域５２２の先頭位置が一致しているが、本実施形態では厳密に言うと図４０のようにＶＦＯ領域５２２の先頭位置がランダムにずれている。
【０２８３】
現行の書替え形情報記憶媒体であるＤＶＤ-ＲＡＭデイスクでも記録膜として相変化形記録膜を使用し、書替え回数向上のためにランダムに記録開始／終了位置をずらしている。現行のＤＶＤ-ＲＡＭディスクでのランダムなずらしを行った時の最大ずらし量範囲は８データバイトに設定してある。現行のＤＶＤ-ＲＡＭディスクでの（ディスクに記録される変調後のデータとして）チャネルビット長は平均０.１４３μｍに設定されている。本実施形態の書替え形情報記憶媒体実施形態ではチャネルビットの平均長さは図２２から
（０.０８７＋０.０９３）÷２＝０.０９０μｍ              （６）
となる。物理的なずらし範囲の長さを現行のＤＶＤ-ＲＡＭディスクに合わせた場合には、本実施形態でのランダムなずらし範囲として最低限必要な長さは上記の値を利用して
８バイト×（０.１４３μｍ÷０.０９０μｍ）＝１２.７バイト  （７）
となる。本実施形態では再生信号検出処理の容易性を確保するため、ランダムなずらし量の単位を変調後の“チャネルビット”に合わせた。本実施形態では変調に８ビットを１２ビットに変換するＥＴＭ変調（Eight to Twelve modulation）を用いているので、ランダムなずらし量を表す数式表現としてデータバイトを基準として
Ｊｍ／１２  データバイト                            （８）
で表す。Ｊｍの取り得る値としては（７）式の値を用いて
１２.７×１２＝１５２.４                          （９）
なので、Ｊｍは０から１５２となる。以上の理由から（９）式を満足する範囲で有ればランダムなずらしの範囲長さは現行ＤＶＤ-ＲＡＭディスクと一致し、現行ＤＶＤ-ＲＡＭディスクと同様な書き替え回数を保証できる。本実施形態では現行以上の書き替え回数を確保するため（７）式の値に対してわずかにマージンを持たせ、
ランダムなずらし範囲の長さを１４データバイト      （１０）
に設定した。（１０）式の値を（８）式に代入すると、１４×１２＝１６８なので
Ｊｍの取り得る値は０〜１６７                        （１１）
と設定した。上記のようにランダムシフト量をＪm／１２（０≦Ｊm≦１５４）より大きな範囲とすることにより、（９）式を満足し、ランダムシフト量に対する物理的な範囲の長さが現行ＤＶＤ-ＲＡＭと一致するため、現行ＤＶＤ-ＲＡＭと同様な繰り返し記録回数を保証できると言う効果がある。
【０２８４】
図３９において記録用クラスタ５４０内でのバッファ領域５４７とＶＦＯ領域５３２の長さは一定となっている。同一の記録用クラスタ５４０内では全てのデータセグメント５２９、５３０のランダムずらし量Ｊｍは至る所同じ値になっている。内部に多量のデータセグメントを含む１個の記録用クラスタ５４０を連続して記録する場合には、記録位置をウォブルからモニターしている。この時にウォブルのカウントミスや情報記憶媒体を回転させている回転モータ（例えば図１４のMotor）の回転ムラによりウォブルスリップ（１ウォブル周期分ずれた位置に記録する事）が生じ、情報記憶媒体上の記録位置がずれる事が希にある。本実施形態の情報記憶媒体では上記のように生じた記録位置ずれが検出された場合には、図３９の書替え形のガード領域４６１内、あるいは図３６に示した追記形ガード領域４５２で調整を行い、記録タイミングの修正を行う所に特徴がある。図３９においてポストアンブル領域５４６、エキストラ領域５４４、プリシンク領域５３３ではビット欠落やビット重複が許容できない重要な情報が記録されるが、バッファ領域５４７、ＶＦＯ領域５３２では特定パターンの繰り返しになっているため、この繰り返し境界位置を確保している限りでは１パターンのみの欠落や重複が許容される。したがって、本実施形態ではガード領域４６１の中で特にバッファ領域５４７またはＶＦＯ領域５３２で調整を行い、記録タイミングの修正を行う。
【０２８５】
図４０に示すように本実施形態では位置設定の基準となる実際のスタートポイント位置はウォブル振幅“０”の（ウォブルの中心）位置と一致するように設定される。しかし、ウォブルの位置検出精度は低いので本実施形態では図４０内の“±１ max ”と記載されているように、実際のスタートポイント位置は最大
±１データバイト”までのずれ量                        （１２）
を許容している。
【０２８６】
図３９および図４０においてデータセグメント５３０でのランダムシフト量をＪｍとし（上述したように記録用クラスタ５４０内は全てのデータセグメント５２９のランダムシフト量は一致する）、その後に追記するデータセグメント５３１のランダムシフト量をＪm+1とする。（１１）式に示すＪｍとＪm+1の取り得る値として例えば中間値を取り、Ｊｍ＝Ｊm+1＝８４であり、実際のスタートポイントの位置精度が充分高い場合には、図３９に示すように拡張ガードフィールド５２８の開始位置とＶＦＯ領域５２２の開始位置が一致する。
【０２８７】
これに対してデータセグメント５３０が最大限後位置に記録され、後で追記または書き替えられるデータセグメント５３１が最大限前位置に記録された場合には（１０）式に明示した値と（１２）式の値からＶＦＯ領域５２２の先頭位置がバッファ領域５３７内へ最大１５データバイトまで入り込む事がある。バッファ領域５３７の直前のエキストラ領域５３４には特定の重要情報が記録されている。したがって、本実施形態において
バッファ領域５３７の長さは１５データバイト以上          （１３）
必要となる。図３９に示した実施形態では１データバイトの余裕を加味し、バッファ領域５３７のデータサイズを１６データバイトに設定している。
【０２８８】
ランダムシフトの結果、拡張ガード領域５２８とＶＦＯ領域５２２の間に隙間が生じると、片面２記録層構造を採用した場合に、その隙間による再生時の層間クロストークが発生する。そのため、ランダムシフトを行っても必ず拡張ガードフィールド５２８とＶＦＯ領域５２２の一部が重なり、隙間が発生しない工夫がされている。したがって、本実施形態において（１３）式の同様な理由から拡張ガードフィールド５２８の長さは１５データバイト以上に設定する必要がある。後続するＶＦＯ領域５２２は７１データバイトと充分に長く取ってあるので、拡張ガードフィールド５２８とＶＦＯ領域５２２の重なり領域が多少広くなっても信号再生時には支障が無い（重ならないＶＦＯ領域５２２で再生用基準クロックの同期を取る時間が充分確保されるため）。したがって、拡張ガードフィールド５２８は１５データバイトよりもより大きな値に設定する事が可能である。連続記録時に希にウォブルスリップが発生し、１ウォブル周期分記録位置がずれる場合がある事を既に説明した。（５）式に示すように１ウォブル周期は７.７５（約８）データバイトに相当するので（１３）式にこの値も考慮して本実施形態では
拡張ガードフィールド５２８の長さを（１５＋８＝）２３データバイト以上
（１４）
に設定している。図３９に示した実施形態ではバッファ領域５３７と同様に１データバイトの余裕を加味し、拡張ガードフィールド５２８の長さを２４データバイトに設定している。
【０２８９】
図３９の（ｅ）において記録用クラスタ５４１の記録開始位置を正確に設定する必要がある。本実施形態の情報記録再生装置では書替え形または追記形情報記憶媒体に予め記録されたウォブル信号を用いてこの記録開始位置を検出する。ウォブルシンク領域５８０以外は全て４ウォブル単位でパターンがＮＰＷからＩＰＷに変化している。それに比べてウォブルシンク領域５８０ではウォブルの切り替わり単位が部分的に４ウォブルからずれているため、ウォブルシンク領域５８０が最も位置検出し易い。そのため、本実施形態の情報記録再生装置ではウォブルシンク領域５８０位置を検出後、記録処理の準備を行い、記録を開始する。そのためレコーディングクラスタ５４１の開始位置はウォブルシンク領域５８０の直後の無変調領域５９０の中に来る必要がある。図４０ではその内容を示している。物理セグメント（Physical segment）の切り替わり直後にウォブルシンク領域５８０が配置されている。ウォブルシンク領域５８０の長さは１６ウォブル周期分になっている。そのウォブルシンク領域５８０を検出後、記録処理の準備にマージンを見越して８ウォブル周期分必要となる。したがって、図４０に示すようにレコーディングクラスタ５４１の先頭位置に存在するＶＦＯ領域５２２の先頭位置がランダムシフトを考慮しても物理セグメントの切り替わり目位置から２４ウォブル以上後方に配置される必要がある。
【０２９０】
図３９に示すように書替え時の重複箇所５４１では何度も記録処理が行われる。書替えを繰り返すとウォブルグルーブまたはウォブルランドの物理的な形状が変化（劣化）し、そこからのウォブル再生信号品質が低下する。本実施形態では図３９の（ｆ）または図１６９の（ａ），（ｄ）に示すように、書替え時あるいは追記時の重複箇所５４１がウォブルシンク領域５８０やウォブルアドレス領域５８６内に来るのを避け、無変調領域５９０内に記録されるように工夫している。無変調領域５９０は一定のウォブルパターン（ＮＰＷ）が繰り返されるだけなので、部分的にウォブル再生信号品質が劣化しても前後のウォブル再生信号を利用して補間できる。このように書替え時あるいは追記時の重複箇所５４１位置を無変調領域５９０内に来るように設定したため、ウォブルシンク領域５８０またはウォブルアドレス領域５８６内での形状劣化によるウォブル再生信号品質の劣化を防止し、ウォブルアドレス情報６１０からの安定なウォブル検出信号を保証できると言う効果が生じる。
【０２９１】
次に、追記形情報記憶媒体上に記録される追記形データの追記方法の実施形態を図４１に示す。追記形情報記憶媒体においては１回のみの記録になるので、上記に説明したランダムシフトを必要としない。追記形情報記憶媒体においても図４０に示したように物理セグメントの先頭位置２４ウォブル以降にデータセグメントの先頭位置が来るように設定し、重ね書きの場所がウォブルの無変調領域に来るようになっている。
【０２９２】
図２９に示した１個のデータフレーム内の構造から図３２に示したＰＯのインターリーブ方法までの関係について図４２を用いて詳細に説明する。図４２では図３２に示したＰＯインターリーブ後のＥＣＣブロック構造図の上側部分を拡大し、その中に図２９に示したデータＩＤ、ＩＥＤ、ＲＳＶ、ＥＤＣの配置場所を明示することにより、図２９から図３２までの変換のつながりが一目で見られるようにした。図４２の“０−Ｌ”、“０−Ｒ”、“１−Ｒ”、“１−Ｌ”は図３１の各“０−Ｌ”、“０−Ｒ”、“１−Ｒ”、“１−Ｌ”に対応する。“０−Ｌ”や“１−Ｌ”は図２９の左半分すなわち、中央線から左側の１７２バイトと６行で構成されるまとまりに対してメインデータのみにスクランブルを掛けた後のデータを意味する。同様に、“０−Ｒ”や“１−Ｒ”は図２９の右半分すなわち、中央線から右側の１７２バイトと６行で構成されるまとまりに対してメインデータのみにスクランブルを掛けた後のデータを意味する。したがって、図２９から明らかなように、“０−Ｌ”や“１−Ｌ”の最初の行（０行目）の最初から１２バイト目までにデータＩＤ、ＩＥＤ、ＲＳＶが順番に並んでいる。
【０２９３】
図４２において中心線から左側が左側の小ＥＣＣブロックＡを構成し、中心線から右側が右側の小ＥＣＣブロックＢを構成している。したがって、図４２から分かるように“０−Ｌ”や“２−Ｌ”内に含まれるデータＩＤ＃１、データＩＤ＃２、ＩＥＤ＃０、ＩＥＤ＃２、ＲＳＶ＃０、ＲＳＶ＃２は左側の小ＥＣＣブロックＡの中に含まれる。図３１において、左側に“０−Ｌ”や“２−Ｌ”が配置され、右側に“０−Ｒ”や“２−Ｒ”が配置されているのに対して、“１−Ｒ”と“１−Ｌ”の配置は左右逆転し、右側に“１−Ｌ”が、左側に“１−Ｒ”がそれぞれ配置される。“１−Ｌ”の中の最初の行の最初から１２バイト目までにデータＩＤ＃１、ＩＥＤ＃１、ＲＳＶ＃１が配置されているので、左右の配置が逆転した結果、図４２から分かるように、“１−Ｌ”内に含まれるデータＩＤ＃１、ＩＥＤ＃１、ＲＳＶ＃１が右側の小ＥＣＣブロックＢの中に構成される。
【０２９４】
本実施形態では図４２における“０−Ｌ”と“０−Ｒ”の組み合わせを“０番目のレコーディング・フレーム”、“１−Ｌ”と“１−Ｒ”の組み合わせを“１番目のレコーディング・フレーム”と呼ぶ。各レコーディング・フレーム間の境界は図４２の太線で示してある。図４２から分かるように、各レコーディング・フレームの先頭にはデータＩＤ、各レコーディング・フレームの最後にはＰＯとＰＩ-Ｌが配置される。図４２に示すように、レコーディング・フレームの奇数と偶数番目でデータＩＤが含まれる小ＥＣＣブロックが異なり、レコーディング・フレームの連続に従ってデータＩＤ、ＩＥＤ、ＲＳＶが左側と右側の小ＥＣＣブロックＡとＢに交互に配置される所に特徴がある。１個の小ＥＣＣブロック内でのエラー訂正能力には限界が有り、特定数を越えたランダムエラーや特定長を越えたバーストエラーに対してはエラー訂正が不可能となる。上記のようにデータＩＤ、ＩＥＤ、ＲＳＶを左側と右側の小ＥＣＣブロックＡとＢに交互に配置することにより、データＩＤの再生信頼性を向上させる事が出来る。すなわち、情報記憶媒体上の欠陥が多発してどちらかの小ＥＣＣブロックのエラー訂正が不可能となり、そちらに属するデータＩＤの解読が不可能となっても、データＩＤ、ＩＥＤ、ＲＳＶが左側と右側の小ＥＣＣブロックＡとＢに交互に配置されるために、他方の小ＥＣＣブロックではエラー訂正が可能であり、残りのデータＩＤの解読が可能となる。データＩＤ内のアドレス情報に連続性があるため、解読可能なデータＩＤの情報を用いて解読が不可能だったデータＩＤの情報に対して補間が可能である。その結果、図４２に示した実施形態によりアクセスの信頼性を高める事が出来る。図４２の左側の括弧で囲った番号はＰＯインターリーブ後のＥＣＣブロック内の行番号を示している。情報記憶媒体に記録される場合には、行番号順に左から右に沿って順次記録される。図４２において各レコーディング・フレーム内に含まれるデータＩＤ間隔は常に一定間隔で配置されているため、データＩＤ位置検索性が向上する効果がある。
【０２９５】
物理セクタ構造を図３３に示す。図３３の（ａ）が偶数番目の物理セクタ構造を示し、図３３の（ｂ）が奇数番目のデータ構造を示す。図３３において偶数記録データ領域（Even Recorded data field）及び奇数記録データ領域（Odd Recorded data field）のいずれも最後の２シンクフレーム（すなわち、最後のシンクコードがＳＹ３の部分とその直後のシンクデータ及びシンクコードがＳＹ１の部分とその直後のシンクデータが並んだ部分）内のシンクデータ領域に図３２で示したアウターパリティＰＯの情報が挿入される。
【０２９６】
偶数記録データ領域内の最後の２シンクフレーム箇所には図３１に示した左側のＰＯの一部が挿入され、奇数記録データ領域内の最後の２シンクフレーム箇所には図３１に示した右側のＰＯの一部が挿入される。図３１に示すように１個のＥＣＣブロックはそれぞれ左右の小ＥＣＣブロックから構成され、セクタ毎に交互に異なるＰＯグループ（左の小ＥＣＣブロックに属するＰＯか、右の左の小ＥＣＣブロックに属するＰＯか）のデータが挿入される。図３３の（ａ）に示した偶数番目の物理セクタ構造と、図３３の（ｂ）に示した奇数番目のデータ構造のいずれも中心線で２分割され、左側の“２４＋１０９２＋２４＋１０９２チャネルビット”が図３０、または図３１に示した左側（Left側）の小ＥＣＣブロック内に含まれ、右側の“２４＋１０９２＋２４＋１０９２チャネルビット”が図３０または図３１に示した右側（Right側）の小ＥＣＣブロック内に含まれる。
【０２９７】
図３３に示した物理セクタ構造が情報記憶媒体に記録される場合には、各１列毎にシリアルに記録される。したがって、例えば図３３の（ａ）に示した偶数番目の物理セクタ構造のチャネルビットデータを情報記憶媒体に記録する場合には、最初に記録する２２３２チェネルビットのデータが左側（Left側）の小ＥＣＣブロック内に含まれ、次に記録する２２３２チェネルビットのデータが右側（Right側）の小ＥＣＣブロック内に含まる。更に次に記録する２２３２チェネルビットのデータは左側（Left側）の小ＥＣＣブロック内に含まれる。これに対して図３３の（ｂ）に示した奇数番目のデータ構造のチャネルビットデータを情報記憶媒体に記録する場合には、最初に記録する２２３２チェネルビットのデータが右側（Right側）の小ＥＣＣブロック内に含まれ、次に記録する２２３２チェネルビットのデータが左側（Left側）の小ＥＣＣブロック内に含まる。更に次に記録する２２３２チェネルビットのデータは右側（Right側）の小ＥＣＣブロック内に含まれる。
【０２９８】
このように本実施形態では、同一の物理セクタ内を２個の小ＥＣＣブロック内に２２３２チェネルビット毎に交互に所属させる所に特徴がある。これを別の形で表現すると、右側（Right側）の小ＥＣＣブロック内に含まれデータと左側（Left側）の小ＥＣＣブロック内に含まれるデータを２２３２チェネルビット毎に交互に分散配置した形で物理セクタを形成して情報記憶媒体に記録する事になる。その結果、バーストエラーに強い構造を提供できると言う効果が生じる。例えば、情報記憶媒体の円周方向に長い傷が付き、１７２バイトを越えるデータの判読が不可能になったバーストエラーの状態を考える。この場合の１７２バイトを越えるバーストエラーは２つの小さいＥＣＣブロック内に分散配置されるので、１個のＥＣＣブロック内でのエラー訂正の負担が軽減され、より性能の良いエラー訂正が保証される。
【０２９９】
図３３に示すように１個のＥＣＣブロックを構成する物理セクタの物理セクタ番号が偶数番号か奇数番号かで物理セクタ内のデータ構造が異なる所に特徴がある。つまり
（１）物理セクタの最初の２２３２チェネルビットデータが属する小ＥＣＣブロック（右側か左側か）が異なる。
【０３００】
（２）セクタ毎に交互に異なるＰＯグループのデータが挿入される構造になっている。
【０３０１】
その結果、ＥＣＣブロックを構成した後でも全ての物理セクタの先頭位置にデータＩＤが配置される構造を保証するため、アクセス時のデータ位置確認が高速で行える。また、同一物理セクタ内に異なる小ＥＣＣブロックに属するＰＯを混在挿入することにより、図３２のようなＰＯ挿入方法を採る方法が構造が簡単になり、情報再生装置内でのエラー訂正処理後の各セクタ毎の情報抽出が容易になると共に、情報記録再生装置内でのＥＣＣブロックデータの組立て処理の簡素化が図れる。
【０３０２】
上記内容を具体的に実現する方法として、ＰＯのインターリーブ・挿入位置が左右で異なる構造としている。図３２の狭い２重線で示された部分、あるいは狭い２重線と斜線で示された部分がＰＯのインターリーブ・挿入位置を示し、偶数番目の物理セクタ番号では左側の最後に、奇数番目の物理セクタ番号では右側の最後にそれぞれＰＯが挿入される。この構造を採用することにより、ＥＣＣブロックを構成した後でも物理セクタの先頭位置にデータＩＤ配置される構造になっているため、アクセス時のデータ位置確認が高速で行える。
【０３０３】
図４１に示した追記形情報記憶媒体への追記方法に関する他の実施例を図４４に示す。
【０３０４】
物理セグメントブロックの境界位置から２４ウォブル後方の位置が書き込み開始ポイントになっている。ここから新たに追記されるデーターは７１データーバイト分のＶＦＯ領域を形成した後、ＥＣＣブロック内のデーター領域（データーフィールド）が記録される。この書き込み開始ポイントと直前に記録した記録データーのバッファー領域５３７の終了位置が一致し、それより８データーバイト分の長さだけ拡張ガードフィールド５２８が形成された後ろが追記データーの記録終了位置（書き込み終了ポイント）になる。従ってデーターを追記した場合には、直前に記録されている拡張ガードフィールド５２９と新たに追記するＶＦＯ領域の部分で８データーバイト分だけ重複記録される。
【０３０５】
次に(b)方式である、グルーブ記録方式を用いた場合について記す。(a)方式と重複している部分は省略している部分もある。
【０３０６】
表１２は、記録パルスタイミングパラメーター設定テーブルである。
【０３０７】
また、本実施形態では上記パラメーターの設定範囲を
０．２５Ｔ≦ＴＳＦＰ≦１．５０Ｔ      （３０）
０．００Ｔ≦ＴＥＬＰ≦１．００Ｔ      （３１）
１．００Ｔ≦ＴＥＦＰ≦１．７５Ｔ      （３２）
−０．１０Ｔ≦ＴＳＬＰ≦１．００Ｔ      （３３）
０．００Ｔ≦ＴＬＣ  ≦１．００Ｔ      （３４）
０．１５Ｔ≦ＴＭＰ  ≦０．７５Ｔ      （３５）
とする。さらに本実施形態では記録マークの長さ（Mark length）とその直前／直後のスペース長（Leading/Trailing space length）に応じて表１２に示すように上記各パラメーターの値を変化できるようにしている。
【０３０８】
以上のようにして割り出した各パラメーターの値等に基づき、「ドライブテストゾーンＤＲＴＺにおいて試し書きを行った装置（ドライブ）でその記憶媒体に対して最適な記録条件（ライトストラテジ：Write Strategyの情報）」を定めることができる。
【０３０９】
表１３、表１４、表１５、表１６は、それぞれ再生専用形情報記憶媒体における一般的なパラメーター設定例、書き換え型(2)情報記憶媒体における一般的なパラメーター設定例、書き換え型(1)情報記憶媒体における一般的パラメーター設定例である。
【０３１０】
表１３に再生専用形情報記憶媒体における本実施形態の各パラメータ値を、表１４に追記形情報記憶媒体における本実施形態の各パラメータ値、表１５に書替え専用形情報記憶媒体における本実施形態の各パラメータ値を示す。表１３または表１４と表１５を比較（特に（Ｂ）の部分を比較）すると分かるように、再生専用形または追記形情報記憶媒体に対して書替え専用形情報記憶媒体の方がトラックピッチ及び線密度（データビット長）を詰める事により記録容量を高くしている。後述するように、書替え専用形情報記憶媒体ではランドグルーブ記録を採用する事で隣接トラックのクロストークの影響を低減させてトラックピッチを詰めている。または再生専用形情報記憶媒体、追記形情報記憶媒体、書替え形情報記憶媒体のいずれにおいてもシステムリードイン/アウト領域ＳＹＬＤＩ/ＳＹＬＤＯのデータビット長とトラックピッチ（記録密度に対応）をデータリードイン/データリードアウト領域ＤＴＬＤＩ/ＤＴＬＤＯよりも大きく（記録密度を低く）している所に特徴が有る。
【０３１１】
物理フォーマット情報ＰＦＩまたはＲ物理フォーマット情報Ｒ_ＰＦＩ内の具体的な情報内容と物理フォーマット情報ＰＦＩ内情報の媒体種類（再生専用形か書替え形か追記形か）による比較を表１６に示す。ＤＶＤファミリー内の共通情報２６１内の再生専用形、書替え形、追記形の全てに共通に記録して有る情報２６７としてはバイト位置０から１６までに順次に規格書のタイプ（再生専用/書替え/追記）情報とバージョン番号情報、媒体サイズ（直径）と最大可能データ転送レート情報、媒体構造（単層か２層か、エンボスピット／追記領域／書き替え領域の有無）、記録密度（線密度とトラック密度）情報、データ領域ＤＴＡの配置場所情報、バーストカッティング領域ＢＣＡの有無情報（本実施形態は全て有り）が記録されている。
【０３１２】
ＤＶＤファミリー内の共通情報２６１で有り、書替え形と追記形に共通に記録して有る情報２６８として、２８バイト目から３１バイト目まで順次最大記録スピードを規定したリビジョン番号情報、最大記録スピードを規定したリビジョン番号情報、リビジョン番号テーブル（応用リビジョン番号）、クラス状態情報、拡張された（パート）バージョン情報が記録されている。この２８バイト目から３１バイト目までの情報を持たせた事は物理フォーマット情報ＰＦＩまたはＲ物理フォーマット情報Ｒ_ＰＦＩの記録領域内に記録速度に応じたリビジョン情報を持たせると言う本実施形態の特徴が有る。
【０３１３】
表１７、１８は、それぞれ物理フォーマット情報とR物理フォーマット情報に関する他の実施例説明図(Rの表記がこのままで良いか要確認)、書き換え型(2)情報記憶媒体における一般的なパラメーター設定例である。
【０３１４】
表１６に示した物理フォーマット情報とＲ物理フォーマット情報内のデータ構造に関する他の実施形態を表１７に示す。表１７では更に、“アップデートされた物理フォーマット情報”に付いても比較記載した。表１７において０バイト目から３１バイト目までをＤＶＤファミリー内の共通情報２６９の記録領域として利用し、３２バイト目以降を各規格書用に設定している。
【０３１５】
なお、表１６のバイト位置１９７〜５１１の場合と同様に、ＨＤ＿ＤＶＤ−Ｒの物理フォーマット情報（表１７のＲ物理フォーマット情報）については、表１７のバイト位置（ＢＰ）２５６〜２６３の一部を、ボーダーゾーンの開始位置（現ボーダーアウトの開始物理セグメント番号に対応）のＰＳＮと、アップデートされた開始位置（次ボーダーアウトの開始物理セグメント番号に対応）のＰＳＮを記述するように構成できる。
【０３１６】
また、図示しないが、表１７のバイト位置（ＢＰ）３２には、該当ディスクで保証される最大読取速度（Actual maximum reading speed）の実際の数が記述される。ＢＰ３２では、例えば0001010bが1xに対応し、この1xで64.8Mbpsのチャネルビットレートが示される。実際の最大読取速度は、Value × (1/10)で計算される。
【０３１７】
また、図示しないが、表１７のバイト位置（ＢＰ）３３には、ＨＤ＿ＤＶＤ−Ｒ（レイヤ０とレイヤ１を持つ２層ディスク）の物理フォーマットに関して、“レイヤフォーマットテーブル（Layer format table）”を記述することができる。このテーブルは８ビットで構成でき、そのうちの３ビットでレイヤ０のフォーマット（例えばこの３ビットが000bならＨＤ＿ＤＶＤ−Ｒフォーマット）が示され、他の３ビットでレイヤ１のフォーマット（例えばこの３ビットが000bならＨＤ＿ＤＶＤ−Ｒフォーマット）が示される。片面１層のＲディスクでは、ＢＰ３３のレイヤフォーマットテーブルは無視される。
【０３１８】
さらに、図示しないが、表１７のバイト位置（ＢＰ）１３３〜１５１には以下の情報を記載しておくことができる。すなわち、ＢＰ１３３〜１４８には、ｉ番目（ｉ＝１、２、…１６）の記録速度の実際値が記載される。ここで、“ｉ番目”とは、該当ディスクにおいて適用可能な速度の中でｉ番目の最小速度を示す。従い、ｉ＝１であるＢＰ１３３には最低の記録速度が記載される。ＢＰ１３３〜１４８には“ｉ”が第１から第１６の領域まで用意されているが、全てが記述されていなくてもよい。例えば00000000bが記述されているとき（ｉ番目の記録速度がないとき）は、その（ｉ番目の）領域のバイトはリザーブされていることを意味する。ここで、第i番目の記録スピードは、Value × (1/10)で計算される。
【０３１９】
ＢＰ１４９には、データエリアの反射率（Reflectivity of Data area）が記述される。ＢＰ１４９に例えば00101000bが記述されているときは、反射率は２０％を意味する。実際の反射率は、Value × (1/2)(％)で計算される。
【０３２０】
ＢＰ１５０には、トラック形状（Track Shape）のビットを含んだプッシュプル信号（Push-pull signal）の情報が記述される。ここで、トラック形状ビットが0bのときは該当トラックがグルーブ上にあることが示される。このビットが1bのときは該当トラックがランド上にあることが示される。また、プッシュプル信号を表す７ビットが0101000bであるときは、プッシュプル信号の値は例えば“０．４０”となるが、プッシュプル信号の実際の振幅値（後述する(I1-I2)ＰＰ/(I1+I2)ＤＣ）は、Value ×（1/100）で計算される。
【０３２１】
ＢＰ１５１には、「オントラック信号」の振幅が記述される。ＢＰ１５１の記述が01000110bであるときはオントラック信号の振幅は０．７０であることが示される。実際のオントラック信号の振幅値は、Value ×（1/100）で計算される。
【０３２２】
【表１２】
2008027481.tif 000014
【０３２３】
【表１３】
2008027481.tif 000015
【０３２４】
【表１４】
2008027481.tif 000016
【０３２５】
【表１５】
2008027481.tif 000017
【０３２６】
【表１６】
2008027481.tif 000018
【０３２７】
【表１７】
2008027481.tif 000019
【０３２８】
これらの装置構成やデータ構造と媒体構成との好適な組み合わせを見出した発明である。本発明の光記録媒体を用いることにより高密度、高信頼性の媒体が得られ、より安定に記録再生することができる。
【０３２９】
追記型片面２層ディスクの一般パラメータを表１８に示す。
【表１８】
2008027481.tif 000020
【０３３０】
表１８は表１４に示した追記型片面１層ディスクの一般パラメータとほとんど同じであるが、以下の点で異なる。ユーザが使用可能な記録容量は３０ＧＢであり、データ領域の内半径がレイヤー０では２４．６ｍｍであり、レイヤー１では２４．７ｍｍであり、データ領域の外半径が５８．１ｍｍ（レイヤー０、レイヤー１共通）である。
【０３３１】
以下では、特に追記情報記憶媒体(ライトワンスタイプの媒体)について記す。
【０３３２】
《ＷＡＰレイアウト》
物理セグメントは周期位置におけるウォブルアドレス情報ＷＡＰ（Wobble Address in Periodic position）に揃える必要がある。各ＷＡＰ情報は、１７個のウォブルデータユニットＷＤＵ（Wobble Data Unit）によって示される。物理セグメント長は、１７個のＷＤＵの長さと同じである。ＷＡＰのアドレスフィールドのレイアウトを図３５に示す。図３５は片面１層の場合の図４９の（ｃ）、（ｄ）に対応する。ＷＡＰレイアウトのフィールドの数値は物理セグメントにおけるＷＤＵ番号を示す。物理セグメントにおける最初のＷＤＵは“０”の必要がある。
【０３３３】
ＷＡＰのｂ０〜ｂ８がＣＲＣ、ｂ９〜ｂ１１が物理セグメントオーダー、ｂ１２〜ｂ３０がＰＳブロックアドレス、ｂ３１〜ｂ３２がセグメント情報を記述し、セグメント情報のうちｂ３１はリザーブ領域、ｂ３２がタイプを記述する。タイプは物理セグメントのタイプ（０ｂはタイプ１（図２２の（ｂ））、１ｂはタイプ２（図２２の（ｃ））またはタイプ３（図２２の（ｄ））を示す。ＰＳブロックアドレスは各ＰＳブロックに割り当てられる。物理セグメントオーダーは０００ｂがＰＳブロック内の第１物理セグメントにセットされ、他の６種類の物理セグメントについては同様に割り当てられる。
【０３３４】
ＷＤＵは８４ウォブルからなる。ウォブルの周期は９３Ｔ（Ｔはチャネルクロック周期）である。ＳＹＮＣフィールド内のプライマリＷＤＵを表１９に示す。
【表１９】
2008027481.tif 000021
【０３３５】
アドレスフィールド内のプライマリＷＤＵを表２０に示す。アドレスフィールドには３ビット（ノーマル位相ウォブルＮＰＷとして０ｂ、反転位相ウォブルＩＰＷとして１ｂ）が記録される。
【表２０】
2008027481.tif 000022
【０３３６】
ＳＹＮＣフィールド内のセカンダリＷＤＵを表２１に示す。
【表２１】
2008027481.tif 000023
【０３３７】
アドレスフィールド内のセカンダリＷＤＵを表２２に示す。アドレスフィールドには３ビット（ノーマル位相ウォブルＮＰＷとして０ｂ、反転位相ウォブルＩＰＷとして１ｂ）が記録される。
【表２２】
2008027481.tif 000024
【０３３８】
ユニティフィールド内のＷＤＵを表２３に示す。ユニティフィールドのＷＤＵは変調されない。
【表２３】
2008027481.tif 000025
【０３３９】
ＮＰＷ、ＩＰＷは図４７に示す波形でトラックに記録される。物理セグメントの開始位置はＳＹＮＣフィールドの開始位置と等しい。
【０３４０】
表１９から表２２に示すように、プライマリＷＤＵとセカンダリＷＤＵという２つの変調ウォブル位置がある。通常はプライマリＷＤＵが選択される。しかしながら、マスタリング処理の間には隣接トラックに変調ウォブルが既に存在することがある。そのような場合は、図２１に示すように、変調ウォブルが隣接することを防ぐために、セカンダリＷＤＵが選択される。物理セグメントは変調ウォブル位置によって図２２に示すようにタイプ１、タイプ２、タイプ３に分類される。
【０３４１】
物理セグメントのタイプは次のようなルールで選択される。
【０３４２】
１）タイプ１、またはタイプ２の物理セグメントは１０回、またはそれ以上繰り返される。
【０３４３】
２）タイプ２の物理セグメントは２８回以上繰り返されない。
【０３４４】
３）タイプ３の物理セグメントはタイプ１の物理セグメントからタイプ２の物理セグメントへの遷移位置で一度選択される。
【０３４５】
４）変調ウォブル位置は隣接するトラックの一方から２ウォブル長以上分離される。
【０３４６】
ＢＰ５２〜ＢＰ９９のドライブテストゾーン配置の詳細を表２４に示す。
【表２４】
2008027481.tif 000026
【０３４７】
図１に示した同期コード位置検出部１４５を含む周辺部の詳細構造を図４５に示す。同期コードは固定パターンを持った同期位置検出用コード部と可変コード部から構成されている。ビタビ復号器１５６から出力されたチャネルビット列の中から同期位置検出用コード検出部１８２により上記固定パターンを持った同期位置検出用コード部の位置を検出し、その前後に存在する可変コードのデータを可変コード転送部１８３、１８４が抽出してシンクフレーム位置識別用コード内容の識別部１８５により検出された同期コードが後述するセクタ内のどのシンクフレームに位置するかを判定する。情報記憶媒体上に記録されたユーザー情報はシフトレジスタ回路１７０、復調回路１５２内の復調処理部１８８、ＥＣＣデコーディング回路１６２の順に順次転送される。
【０３４８】
本実施形態の内、Ｈフォーマットではデータ領域、データリードイン領域、データリードアウト領域では再生にＰＲＭＬ方式を使う事で情報記憶媒体の高密度化（特に線密度が向上する）を達成すると共に、システムリードイン領域、システムリードアウト領域では再生にスライスレベル検出方式を使う事で、現行ＤＶＤとの互換性を確保するとともに再生の安定化を確保している。
【０３４９】
図４６に本実施形態における情報記憶媒体の構造及び寸法を示す。実施形態としては
・再生専用で記録が不可能な“再生専用形情報記憶媒体”
・１回のみの追記記録が可能な“追記形情報記憶媒体”
・何回でも書き替え記録が可能な“書替え形情報記憶媒体”
の３種類の情報記憶媒体実施形態を明示する。図４６に示すように、上記３種類の情報記憶媒体では大部分の構造と寸法が共通化されている。３種類の情報記憶媒体いずれも内周側からバーストカッティング領域ＢＣＡ、システムリードイン領域ＳＹＬＤＩ、コネクション領域ＣＮＡ、データリードイン領域ＤＴＬＤＩ、データ領域ＤＴＡが配置された構造になっている。ＯＰＴ形再生専用媒体以外は全て外周部にデータリードアウト領域ＤＴＬＤＯが配置されている。後述するように、ＯＰＴ形再生専用媒体では外周部にミドル領域ＭＤＡが配置される。システムリードイン領域ＳＹＬＤＩではエンボス（プリピット）の形で情報が記録されており、追記形および書替え形のいずれもこの領域内は再生専用（追記不可能）となっている。再生専用形情報記憶媒体ではデータリードイン領域ＤＴＬＤＩ内もエンボス（プリピット）の形で情報が記録されているのに対し、追記形および書替え形情報記憶媒体ではデータリードイン領域ＤＴＬＤＩ内は記録マーク形成による新規情報の追記（書替え形では書替え）が可能な領域となっている。
【０３５０】
後述するように、追記形および書替え形情報記憶媒体ではデータリードアウト領域ＤＴＬＤＯ内は新規情報の追記（書替え形では書替え）が可能な領域とエンボス（プリピット）の形で情報が記録されている再生専用領域の混在になっている。前述したように、図４６に示すデータ領域ＤＴＡ、データリードイン領域ＤＴＬＤＩ、データリードアウト領域ＤＴＬＤＯ、ミドル領域ＭＤＡではそこに記録されている信号の再生にＰＲＭＬ（Partial Response Maximum Likelihood）方式を使う事で情報記憶媒体の高密度化（特に線密度が向上する）を達成すると共に、システムリードイン領域ＳＹＬＤＩ、システムリードアウト領域ＳＹＬＤＯでは、そこに記録されている信号の再生にスライスレベル検出方式を使う事で現行ＤＶＤとの互換性を確保するとともに再生の安定化を確保している。
【０３５１】
現行ＤＶＤ規格とは異なり、図４６に示す実施形態ではバーストカッティング領域ＢＣＡとシステムリードイン領域ＳＹＬＤＩとが重ならずに位置的に分離されている。両者を物理的に分離する事で情報再生時のシステムリードイン領域ＳＹＬＤＩ内に記録された情報とバーストカッティング領域ＢＣＡ内に記録された情報との間の干渉を防止し、精度の高い情報再生が確保できる。
【０３５２】
以下に図４６に示すバーストカッティング領域ＢＣＡ内のデーター構造について説明する。ＢＣＡ信号の測定時には、光学ヘッドから出射されるレーザー光の集光スポットが、記録層上に集光されている必要がある。下記バーストカッティング領域ＢＣＡから得られる再生信号は、遮断周波数が550kHzの２次のローパス・ベッセル・フィルターでフィルタリングされる。情報記憶媒体内の中心から、半径22.4mmから23.0mmまでの間にバーストカッティング領域ＢＣＡの下記の信号特性が規定される。バーストカッティング領域ＢＣＡからの再生信号では、ＢＣＡコード、チャネルビットが“０”の時の最大と最小レベルを IBHmax と IBHmin で定義し、ＢＣＡコード、チャンネルビット“１”の最大のボトムレベルを IBLmax で定義する。また中間レベルを（IBHmin+IBLmax）/２ で定義する。
【０３５３】
本実施例では各検出信号特性を（IBLmax/IBHmin）が0.8以下になる条件と、（IBHmax/IBHmin）が1.4以下になる条件とする。IBLとIBHの平均レベルを基準とし、ＢＣＡ信号がその基準位置をクロスする位置で、エッジ位置とみなす。ＢＣＡ信号の周期は、回転速度が 2760rpm（46.0Hz）の時に規定される。先頭エッジ（立ち下がり位置）間の周期はを 4.63×n±1.00μs 、光量が低下する場所でのパルス位置の幅（立ち下がり位置から次の立ち上がり位置までの間隔）を 1.56±0.75μs とする。
【０３５４】
ＢＣＡコードは、情報記憶媒体製造終了後に記録される場合が多い。しかし、ＢＣＡコードがプリピットとしてあらかじめ記録されていてもよい。ＢＣＡコードが情報記憶媒体の円周に沿った方向で記録され、パルス幅の狭い方向が光反射率の低い方向に一致されるように記録される。ＢＣＡコードは、ＲＺ変調方法により変調されて記録される。パルス幅が狭い（＝反射率の低い）パルスは、この変調されたＢＣＡコードのチャネルクロック幅の半分よりも狭い必要が有る。
【０３５５】
本実施形態におけるビットの割り振り方法を図４７に示す。図４７の左側に示すように１ウォブルの開始位置から最初に外周側に蛇行するウォブルパターンをＮＰＷ（Normal Phase Wobble）と呼び、“０”のデータを割り当てる。右側に示すように１ウォブルの開始位置から最初に内周側に蛇行するウォブルパターンをＩＰＷ（Invert Phase Wobble）と呼び、“１”のデータを割り当てる。
【０３５６】
図４８に各ウォブルデータユニット内の変調領域と無変調領域の存在比を説明している。図４８（ａ）から（ｄ）のいずれもウォブルデータユニット内で１６ウォブルにより変調領域５９８が構成されており６８ウォブルにより無変調領域５９３が構成されている。本実施例では、変調領域５９８よりも無変調領域５９３の方が広くなるように設定していることを特徴としている。無変調領域５９３を広くすることで、無変調領域５９３を用い安定にウォブル検出信号、ライトクロック、あるいは、再生クロックのＰＬＬ回路の同期を取ることができる。安定に同期を取るために、無変調領域５９３は変調領域５９８の幅より２倍以上広いことが望ましい。
【０３５７】
本発明追記形情報記憶媒体のＨフォーマットにおけるウォブル変調を用いたアドレス情報の記録形式について説明する。本実施形態におけるウォブル変調を用いたアドレス情報設定方法では“シンクフレーム長４３３を単位として割り振りを行っている”所に大きな特徴がある。１セクタは２６シンクフレームから構成され、１ＥＣＣブロックは３２物理セクタから成り立っているので、１ＥＣＣブロックは２６×３２＝８３２個のシンクフレームから構成される。
【０３５８】
各物理セグメント毎にそれぞれ１７個のウォブルデータユニット（ＷＤＵ：Wobble Data Unit）に分割する。１個のウォブルデータユニットの長さにはそれぞれ７個のシンクフレーム分が割り当てられる
各ウォブルデータユニット＃０５６０〜＃１１５７１の中は図４８に示すように１６ウォブル分の変調領域５９８と６８ウォブル分の無変調領域５９２、５９３から構成される。本実施形態では変調領域に対する無変調領域５９２、５９３の占有比を大幅に大きくしている所に大きな特徴がある。無変調領域５９２、５９３は常に一定周波数でグルーブ領域またはランド領域がウォブルしているため、この無変調領域５９２、５９３を利用してＰＬＬ（Phase Locked Loop）を掛け、情報記憶媒体に記録された記録マークを再生する時の基準クロックまたは新たに記録する時に使用する記録用基準クロックを安定に抽出（生成）する事が可能となる。
【０３５９】
このように本実施形態において変調領域５９８に対する無変調領域５９２、５９３の占有比を大幅に大きくする事で、再生用基準クロックの抽出（生成）または記録用基準クロックの抽出（生成）の精度と抽出（生成）安定性を大幅に向上させる事が出来る。すなわち、ウォブルでの位相変調を行った場合、波形整形のために再生信号をバンドパスフィルターに通過させると位相変化位置前後で整形後の検出信号波形振幅が小さくなる現象が現れる。従って、位相変調による位相変化点の頻度が多くなると波形振幅変動が多くなって上記のクロック抽出精度が落ち、逆に変調領域内で位相変化点の頻度が低いとウォブルアドレス情報検出時のビットシフトが発生しやすくなると言う問題点が生じる。そのため、本実施形態では位相変調による変調領域と無変調領域を構成し、無変調領域の占有率を高くする事で上記のクロック抽出精度を向上させる効果が有る。
【０３６０】
本実施形態では変調領域と無変調領域の切り替わり位置が予め予想できるので、上記のクロック抽出に対しては無変調領域にゲートを掛けて無変調領域のみの信号を検出し、その検出信号から上記クロック抽出を行うことが可能となる。特に、本実施形態による記録原理を用いた有機色素記録材料で記録層３−２を構成する場合には“３−２）本実施形態における有機色素膜に共通する基本的特徴説明”内の“３−２−Ｄ〕本実施形態におけるプリグルーブ形状／寸法に関する基本的特徴”に記載するプリグルーブ形状／寸法を用いた場合に比較的ウォブル信号が取り辛くなる。この状況に対して上記のように変調領域に対する無変調領域５９０、５９１の占有比を大幅に大きくする事でウォブル信号検出の信頼性を向上させている。
【０３６１】
無変調領域５９２、５９３から変調領域５９８に移る時には４ウォブル分または６ウォブル分を使って変調開始マークとしてのＩＰＷ領域を設定し、図４８（ｃ）、（ｄ）に示すウォブルデータ部ではこの変調開始マークであるＩＰＷ領域を検出直後にウォブル変調されたウォブルアドレス領域（アドレスビット＃２〜＃０）が来るように配置されている。図４８（ａ）、（ｂ）は後述する図４９（ｃ）に示すウォブルシンク領域５８０に対応したウォブルデータユニット＃０５６０内の中身を表し、図４８（ｃ）、（ｄ）は図４９（ｃ）のセグメント情報７２７からＣＲＣコード７２６までのウォブルデータ部に対応したウォブルデータユニットの中身を示している。図４８（ａ）、（ｃ）は後述する変調領域の１次配置場所（Primary position）７０１に対応したウォブルデータユニット内を示し、図４８（ｂ）、（ｄ）は変調領域の２次配置場所（Secondary position）７０２に対応したウォブルデータユニット内を示している。図４８（ａ）、（ｂ）に示すようにウォブルシンク領域５８０ではＩＰＷ領域に６ウォブル、ＩＰＷ領域に囲まれたＮＰＷ領域に４ウォブルを割り当て、図４８（ｃ）、（ｄ）に示すようにウォブルデータ部ではＩＰＷ領域と全てのアドレスビット領域＃２〜＃０それぞれに４ウォブル分を割り当てている。
【０３６２】
図４９に追記形情報記憶媒体でのウォブルアドレス情報内のデータ構造に関する実施形態を示す。図４９（ａ）には比較のため、書替え形情報記憶媒体のウォブルアドレス情報内のデータ構造を示した。追記形情報記憶媒体でのウォブルアドレス情報内のデータ構造に関する２通りの実施形態に付いて図４９（ｂ）と（ｃ）に示す。
【０３６３】
ウォブルアドレス領域６１０では１２ウォブルで３アドレスビットを設定している。つまり、連続する４ウォブルで１アドレスビットを構成している。このように本実施形態ではアドレス情報を３アドレスビット毎に分散配置させた構造を取っている。ウォブルアドレス情報６１０を情報記憶媒体内の一箇所に集中記録すると、表面のゴミや傷が付いた時に全ての情報が検出困難になる。本実施形態のようにウォブルアドレス情報６１０を１個のウォブルデータユニット５６０〜５７６に含まれる３アドレスピット（１２ウォブル）毎に分散配置し、３アドレスビットの整数倍アドレスビット毎にまとまった情報を記録し、ゴミや傷の影響で一箇所の情報検出が困難な場合でも他の情報の情報検出を可能に出来るという効果が有る。
【０３６４】
上記のようにウォブルアドレス情報６１０を分散配置させると共に１物理セグメント毎にウォブルアドレス情報６１０を完結的に配置させることで物理セグメン毎にアドレス情報が分かるので、情報記録再生装置がアクセスした時に物理セグメント単位での現在位置を知る事ができる。
【０３６５】
本実施形態ではＮＲＺ法を採用しているので、ウォブルアドレス領域６１０内では連続する４ウォブル内で位相が変化する事は無い。この特徴を利用してウォブルシンク領域５８０を設定している。すなわち、ウォブルアドレス情報６１０内では発生し得無いウォブルパターンをウォブルシンク領域５８０に対して設定する事で、ウォブルシンク領域５８０の配置位置識別を容易にしている。本実施形態では連続する４ウォブルで１アドレスビットを構成するウォブルアドレス領域５８６、５８７に対してウォブルシンク領域５８０位置では１アドレスビット長を４ウォブル以外の長さに設定している所に特徴がある。すなわち、ウォブルシンク領域５８０では図４８（ａ）、（ｂ）に示すようにウォブルビットが“１”になる領域（ＩＰＷ領域）を４ウォブルとは異なる“６ウォブル→４ウォブル→６ウォブル”と言う図４８（ｃ）、（ｄ）に示すようにウォブルデータ部では起こり得ないウォブルパターン変化を設定している。ウォブルデータ部では発生し得無いウォブルパターンをウォブルシンク領域５８０に対して設定する具体的な方法として上述したようにウォブル周期を変える方法を利用すると
（１）ウォブル信号検出部内で行っているウォブルのスロット位置５１２に関するＰＬＬが崩れる事無く安定にウォブル検出（ウォブル信号の判定）を継続できる
（２）ウォブル信号検出部内で行っているアドレスビット境界位置のずれにより容易にウォブルシンク領域５８０と変調開始マーク５６１、５８２の検出が行える
と言う効果が生まれる。図４８に示すようにウォブルシンク領域５８０を１２ウォブル周期で形成してウォブルシンク領域５８０の長さを３アドレスビット長に一致させている所にも本実施形態の特徴が有る。これにより、１個のウォブルデータユニット＃０５６０内での変調領域（１６ウォブル分）全てをウォブルシンク領域５８０に割り当てる事で、ウォブルアドレス情報６１０の開始位置（ウォブルシンク領域５８０の配置位置）の検出容易性を向上させている。このウォブルシンク領域５８０は物理セグメント内の最初のウォブルデータユニットに配置されている。このようにウォブルシンク領域５８０を物理セグメント内の先頭位置に配置する事で、ウォブルシンク領域５８０の位置を検出するだけで容易に物理セグメントの境界位置を抽出できると言う効果が生じる。
【０３６６】
図４８（ｃ）、（ｄ）に示すようにウォブルデータユニット＃１５６１〜＃１１５７１内ではアドレスビット＃２〜＃０に先行し、先頭位置に変調開始マークとしてのＩＰＷ領域（図４７参照）が配置されている。それに先行した位置に配置されている無変調領域５９２、５９３では連続的にＮＰＷの波形になっているので、ウォブル信号検出部１３５ではＮＰＷからＩＰＷへの切り替わり目を検出して変調開始マークの位置を抽出する。
【０３６７】
参考までに図４９（ａ）に示した書替え形情報記憶媒体におけるウォブルアドレス情報６１０の中身は
（１）物理セグメントアドレス６０１
…  トラック内（情報記憶媒体２２１内での１周内）での物理セグメント番号を示す情報。
【０３６８】
（２）ゾーンアドレス６０２
…  情報記憶媒体２２１内のゾーン番号を示している。
【０３６９】
（３）パリティー情報６０５
…  ウォブルアドレス情報６１０からの再生時のエラー検出用に設定された物で、予約情報６０４からゾーンアドレス６０２までの１４アドレスビットを各アドレスビット単位で個々に加算し、加算結果が偶数か奇数かの表示を行う情報で、このアドレスパリティ情報６０５の１アドレスビットも含めた合計１５アドレスビットに対して各アドレスビット単位で排他的ＯＲ（Exclusive OR）を取った結果が“１”になるようにパリティー情報６０５の値を設定する。
【０３７０】
（４）ユニティー領域６０８
…  前述したように各ウォブルデータユニットの中は１６ウォブル分の変調領域５９８と６８ウォブル分の無変調領域５９２、５９３から構成されように設定し、変調領域５９８に対する無変調領域５９２、５９３の占有比を大幅に大きくしている。更に、無変調領域５９２、５９３の占有比を広げて再生用基準クロックまたは記録用基準クロックの抽出（生成）の精度と安定性をより向上させている。ユニティー領域６０８内は全てＮＰＷ領域が連続しており、均一位相の無変調領域になっている。
【０３７１】
が記録される。上記各情報に割り当てたアドレスビット数を図４９（ａ）に示した。上述したようにウォブルアドレス情報６１０内はそれぞれ３アドレスビット毎に分離されて各ウォブルデータユニット内に分散配置される。情報記憶媒体表面のゴミや傷によりバーストエラーが発生しても異なる各ウォブルデータユニットを跨ってエラーが広がっている確率は非常に低い。従って、同一情報が記録される場所として異なるウォブルデータユニット間を跨る回数を極力減らし、各情報の切れ目とウォブルデータユニットの境界位置を一致させるように工夫している。これにより、仮に情報記憶媒体表面のゴミや傷によりバーストエラーが発生して特定の情報が読めなくても、他の各ウォブルデータユニット内に記録された他の情報が読めるようにしてウォブルアドレス情報の再生信頼性を向上させている。
【０３７２】
図４９（ａ）〜（ｃ）に示すようにウォブルアドレス情報６１０内でユニティ領域６０８、６０９を最後に配置した所も本実施形態の大きな特徴となっている。上述したようにユニティ領域６０８、６０９ではウォブル波形はＮＰＷに成っているので、実質的に３個もの連続したウォブルデータユニット内で連続してＮＰＷが続く。この特徴を利用して図７のウォブル信号検出部１３５では３個のウォブルデータユニット５７６分の長さで連続してＮＰＷが続く場所を探す事で容易にウォブルアドレス情報６１０の最後に配置されたユニティ領域６０８の位置が抽出でき、その位置情報を利用してウォブルアドレス情報６１０の開始位置を検出できる効果が生まれる。
【０３７３】
図４９（ａ）に示した各種アドレス情報の内、物理セグメントアドレス６０１とゾーンアドレス６０２は隣接トラック間で同じ値を示しているのに対し、グルーブトラックアドレス６０６とランドトラックアドレス６０７は隣接トラック間で値が変わる。従って、グルーブトラックアドレス６０６とランドトラックアドレス６０７が記録される領域には不定ビット領域５０４が現れる。この不定ビット頻度を低減させるため、本実施形態ではグルーブトラックアドレス６０６とランドトラックアドレス６０７に関してはグレイコードを用いてアドレス（番号）を表示している。グレイコードとは元の値が“１”変化した時の変換後のコードが何処でも“１ビット”だけしか変化しないコードを意味している。これにより不定ビット頻度を低減させてウォブル検出信号のみならず記録マークからの再生信号も信号検出安定化が図れる。
【０３７４】
図４９（ｂ）、（ｃ）に示すように追記形情報記憶媒体においても書替え形情報記憶媒体と同様ウォブルシンク領域６８０を物理セグメント先頭位置に配置し、物理セグメントの先頭位置あるいは隣接する物理セグメント間の境界位置の検出を容易にしている。図４９（ｂ）に示した物理セグメントのタイプ識別情報７２１は上述したウォブルシンク領域５８０内のウォブルシンクパターンと同様物理セグメント内の変調領域の配置位置を示す事で同一物理セグメント内の他の変調領域５９８の配置場所が事前に予測でき、次に来る変調領域検出の事前準備が出来るので変調領域での信号検出（判別）精度を上げる事ができると言う効果が有る。  図４９（ｂ）に示した追記形情報記憶媒体における層番号情報７２２とは片面１記録層か片面２記録層の場合のどちらの記録層を示しているかを表し、
・“０”の時には片面１記録層媒体か片面２記録層の場合の“Ｌ０層”（レーザ光入射側の手前層）
・“１”の時には片面２記録層の“Ｌ１層”（レーザ光入射側の奥側の層）
を意味する。
【０３７５】
物理セグメント順番情報７２４は同一物理セグメントブロック内の相対的な物理セグメントの配置順を示している。図４９（ａ）と比較して明らかなようにウォブルアドレス情報６１０内での物理セグメント順番情報７２４の先頭位置は書替え形情報記憶媒体における物理セグメントアドレス６０１の先頭位置に一致している。物理セグメント順番情報位置を書替え形に合わせる事で媒体種別間の互換性を高め、書替え形情報記憶媒体と追記形情報記憶媒体の両方が使える情報記録再生装置でのウォブル信号を用いたアドレス検出用制御プログラムの共有化により簡素化が図れる。
【０３７６】
図４９（ｂ）のデータセグメントアドレス７２５はデータセグメントのアドレス情報を番号で記述する。既に説明したように本実施形態では３２セクタで１ＥＣＣブロックを構成する。従って、特定のＥＣＣブロック内の先頭に配置されたセクタの物理セクタ番号の下位５ビットは隣接するＥＣＣブロック内の先頭位置に配置されたセクタのセクタ番号と一致する。ＥＣＣブロック内の先頭に配置されたセクタの物理セクタ番号の下位５ビットが“０００００”になるように物理セクタ番号を設定した場合には同一ＥＣＣブロック内に存在する全てのセクタの物理セクタ番号の下位６ビット目以上の値が一致する。従って、上記同一ＥＣＣブロック内に存在するセクタの物理セクタ番号の下位５ビットデータを除去し、下位６ビット目以上のデータのみを抽出したアドレス情報をＥＣＣブロックアドレス（またはＥＣＣブロックアドレス番号）とする。ウォブル変調により予め記録されたデータセグメントアドレス７２５（または物理セグメントブロック番号情報）は上記ＥＣＣブロックアドレスと一致するので、ウォブル変調による物理セグメントブロックの位置情報をデータセグメントアドレスで表示すると、物理セクタ番号で表示するのと比べて５ビットずつデータ量が減り、アクセス時の現在位置検出が簡単になると言う効果が生まれる。
【０３７７】
図４９（ｂ）、（ｃ）のＣＲＣコード７２６は物理セグメントのタイプ識別情報７２１からデータセグメントアドレス７２５までの２４アドレスビットに対するＣＲＣコード（エラー訂正コード）またはセグメント情報７２７から物理セグメント順番情報７２４までの２４アドレスビットに対するＣＲＣコードで部分的にウォブル変調信号を誤って判読してもこのＣＲＣコード７２６により部分的に修正できる。
【０３７８】
追記形情報記憶媒体では残りの１５アドレスビット分に相当する領域はユニティ領域６０９に割り当てられ、１２番目から１６番目までの５個のウォブルデータユニット内は全てＮＰＷになっている（変調領域５９８が存在しない）。
【０３７９】
図４９（ｃ）における物理セグメントブロックアドレス７２８とは７個の物理セグメントから１個のユニットを構成する物理セグメントブロック毎に設定されるアドレスで、データリードインＤＴＲＤＩ内の最初の物理セグメントブロックに対する物理セグメントブロックアドレスを“１３５８ｈ”に設定する。データ領域ＤＴＡを含め、データリードインＤＴＬＤＩ内の最初の物理セグメントブロックからデータリードアウトＤＴＬＤＯ内の最後の物理セグメントブロックまで順次この物理セグメントブロックアドレスの値が１ずつ加算されて行く。
【０３８０】
物理セグメント順番情報７２４は１個の物理セグメントブロック内での各物理セグメントの順番を表し、最初の物理セグメントに対して“０”、最後の物理セグメントに対して“６”を設定する。
【０３８１】
図４９（ｃ）の実施形態において物理セグメント順番情報７２４より先行した位置に物理セグメントブロックアドレス７２８を配置所に特徴がある。例えば、ＲＭＤフィールド１のようにアドレス情報をこの物理セグメントブロックアドレスで管理する場合が多い。これらの管理情報に従って所定の物理セグメントブロックアドレスにアクセスする場合、ウォブル信号検出部内ではまず始めに図４９（ｃ）に示したウォブルシンク領域５８０の場所を検出し、その後ウォブルシンク領域５８０の直後に記録された情報から順次解読していく。物理セグメント順番情報７２４より先行した位置に物理セグメントブロックアドレスが有る場合には、先に物理セグメントブロックアドレスを解読し、物理セグメント順番情報７２４を解読せずに所定の物理セグメントブロックアドレスか否かを判定できるため、ウォブルアドレスを用いたアクセス性が向上すると言う効果が有る。
【０３８２】
図４９（ｃ）においてウォブルシンク領域５８０の直後にタイプ識別情報７２１が配置されている所にも本実施形態の特徴が有る。上述したようにウォブル信号検出部１３５内ではまず始めに図４９（ｃ）に示したウォブルシンク領域５８０の場所を検出し、その後ウォブルシンク領域５８０の直後に記録された情報から順次解読していく。従って、ウォブルシンク領域５８０の直後にタイプ識別情報７２１を配置する事で即座に物理セグメント内の変調領域の配置場所確認が行えるため、ウォブルアドレスを用いたアクセス処理の高速化が実現できる。
【０３８３】
本実施形態では、Ｈフォーマットを使用しているため、ウォブルの信号周波数の所定値としては、６９７ｋＨｚに設定している。
【０３８４】
《クリアランスの定義》
片面多層ディスクでは、ディスクのあるレイヤー上で集束する光束が、他のレイヤーにも拡散して、他のレイヤーや光の集束するレイヤーで反射する（図５０参照）。したがって、あるレイヤーの読み書きは、ディスクの他のレイヤーで反射する光の影響を受ける。この影響を回避するため、ディスクの他のレイヤーの状態を、記録マークの存在に関して一定にする必要がある。あるレイヤーの読み書きの質に影響を与える領域は、集束する点を基準として、ディスクの他のレイヤー上で明らかに定義する必要がある。こうして、レイヤー上のある箇所における読み書きは、ディスクの他のレイヤー上のこの領域の状態を一定に維持することにより、適切に行われることになる。この領域の径方向の距離を「クリアランス」と呼ぶ（図５１参照）。
【０３８５】
クリアランスは、あるレイヤーに集束する光束の他のレイヤーにおける半径と、レイヤー０とレイヤー１との間の相対的な半径誤差の最大値と、レイヤー０とレイヤー１との間の相対的な半径方向ランアウトの最大値の３つの要素を考慮して、計算する必要がある。これらの値は、以下の通り定義される。
【０３８６】
レイヤー０とレイヤー１との間の相対的な半径誤差の最大値と
Ｒｄｍａｘ＝４０μｍ
レイヤー０とレイヤー１との間の相対的な半径方向ランアウトの最大値
Ｒｒｍａｘ＝（４０＋６０）／２＝５０μｍ
トラック形状の真円からのずれ（径方向のランアウト）は、レイヤー０では４０μｍ（ピークツーピーク）、レイヤー１では６０μｍ（ピークツーピーク）なので、ディスクで平均をとると、５０μｍとなる。
【０３８７】
あるレイヤーに集束する光束の他のレイヤーにおける半径の理論値
Ｒｃ_theoretical＝Ｔｓｌ´ｔａｎ（ｓｉｎ−１（ＮＡ／ｎ））＝１４μｍ
Ｔｓｌ（スペースレイヤーの厚さの最大値）＝３０μｍ
ＮＡ（開口数）＝０．６５
ｎ（スペースレイヤーの屈折率）＝１．５
実際の半径であるＲｃ_practicalは、光束の強度は中央部で最大となり、縁で最小となるので、有効半径としては約１０μｍであると考えてよい。
【０３８８】
ディスクのクリアランスのＣｌは、以下の数式で計算される。
【０３８９】
Ｃｌ
＝Ｒｄｍａｘ＋Ｒｒｍａｘ＋Ｒｃ_practical
＝１００μｍ
情報領域のフォーマットは、情報領域内の各エリアのエッジのクリアランスを考慮して構築される。
【０３９０】
なお、図５１は位置ずれの例を示したに過ぎず、径方向の相対的なずれはレイヤー１では必ず外側にずれる訳ではなく、径方向ランアウトの相対的なずれはレイヤー０では必ず内側にずれる訳ではない。
【０３９１】
《クリアランスの例（物理セクタ数）》
互換性の観点からクリアランスを物理セクタ数で簡略的に表すことは有意義である。
【０３９２】
図５２はレイヤー０のある物理セクタ番号ＰＳＮとそれに対応するレイヤー１の記録可能な物理セクタを示す。レイヤー０とレイヤー１の物理セクタ番号はビット反転の関係がある。
【０３９３】
リードイン領域とリードアウト領域の概要を図５３に示す。レイヤー０とレイヤー１の初期状態のミドル領域の概要を図５４に示す。ミドル領域のレイアウトは再配置によって変更可能であり、図５４は変更前のものである。リードイン領域、リードアウト領域およびミドル領域の各ゾーン、各エリアの境界はデータセグメントの境界と一致している必要がある。
【０３９４】
レイヤー０の内周側には最内周から順にシステムリードイン領域、コネクション領域、データリードイン領域、データ領域が設けられる。レイヤー１の内周側には最内周から順にシステムリードアウト領域、コネクション領域、データリードアウト領域、データ領域が設けられる。このように、管理領域が含まれるデータリードイン領域はレイヤー０にしか設けられていないので、レイヤーＬ１でファイナライズした時、レイヤーＬ１の情報もレイヤーＬ０のデータリードイン領域に書く。これにより、起動時にレイヤーＬ０だけを読めば全部の管理情報が得られ、いちいちレイヤーＬ０、レイヤーＬ１を読まなくても良いという利点がある。なお、レイヤーＬ１にデータを記録するためには、レイヤーＬ０が全部書かれていなければならない。管理領域を埋めるのは、ファイナライズする時である。
【０３９５】
レイヤー０のシステムリードイン領域は内周側から順にイニシャルゾーン、バッファーゾーン、制御（コントロール）データゾーン、バッファーゾーンからなる。レイヤー０のデータリードイン領域は内周側から順にブランクゾーン、ガードトラックゾーン、ドライブテストゾーン、ディスクテストゾーン、ブランクゾーン、ＲＺＤ（ＲＭＤデュプリケーションゾーン）、Ｌ−ＲＭＤ（記録位置管理データ）、Ｒ物理フォーマット情報ゾーン、参照コードゾーンからなる。レイヤー０のデータエリアの開始アドレス（内周側）とレイヤー１のデータエリアの終了アドレス（内周側）とはクリアランスの分だけずれており、レイヤー１のデータエリアの終了アドレス（内周側）の方がレイヤー０のデータエリアの開始アドレス（内周側）より外周側である。
【０３９６】
レイヤー１のデータリードアウト領域は内周側から順にブランクゾーン、ディスクテストゾーン、ドライブテストゾーン、ガードトラックゾーンからなる。
【０３９７】
ブランクゾーンは溝はあるが、データが記録されない領域である。ガードトラックゾーンはテストのための特定パターンを記録するゾーンであり、変調前のデータ“００ｈ”が記録される。レイヤー０のガードトラックゾーンはレイヤー１のディスクテストゾーン、ドライブテストゾーンの記録のために設けられる。そのため、レイヤー０のガードトラックゾーンはレイヤー１のディスクテストゾーン、ドライブテストゾーンに少なくともクリアランスを加えた範囲に対応している。レイヤー１のガードトラックゾーンはレイヤー０のドライブテストゾーン、ディスクテストゾーン、ブランクゾーン、ＲＺＤ（ＲＭＤデュプリケーションゾーン）、Ｌ−ＲＭＤ、Ｒ物理フォーマット情報ゾーン、参照コードゾーンの記録のために設けられる。そのため、レイヤー１のガードトラックゾーンはレイヤー０のドライブテストゾーン、ディスクテストゾーン、ブランクゾーン、ＲＺＤ（ＲＭＤデュプリケーションゾーン）、Ｌ−ＲＭＤ、Ｒ物理フォーマット情報ゾーン、参照コードゾーンに少なくともクリアランスを加えた範囲に対応している。
【０３９８】
図５４に示すように、レイヤー０、レイヤー１のミドル領域はともに内周側から順にガードトラックゾーン、ドライブテストゾーン、ディスクテストゾーン、ブランクゾーンからなる。レイヤー０のガードトラックゾーンはレイヤー１のドライブテストゾーン、ディスクテストゾーンの記録のために設けられる。そのため、レイヤー０のガードトラックゾーンの終了位置はレイヤー１のディスクテストゾーンの開始位置よりも少なくともクリアランスの分だけ外周側に位置する。レイヤー１のブランクゾーンはレイヤー０のドライブテストゾーン、ディスクテストゾーンの記録のために設けられる。そのため、レイヤー１のブランクゾーンの終了位置はレイヤー０のドライブテストゾーンの開始位置よりも少なくともクリアランスの分だけ内周側に位置する。
【０３９９】
《トラックパス》
本実施形態ではレイヤー０からレイヤー１への記録の連続性を維持するために、図５５に示すようなオポジットトラックパスが採用されている。シーケンシャル記録ではレイヤー０の記録が終了しないと、レイヤー１の記録に移らない。
【０４００】
《物理セクタレイアウトと物理セクタ番号》
各ＰＳブロックは３２個の物理セクタを含む。片面２層ディスク用のＨＤ  ＤＶＤ−Ｒのレイヤー０の物理セクタ番号（ＰＳＮ）は、図５６に示すように、システムリードイン領域において連続的に増分し、データリードイン領域の最初からミドル領域の最後まで連続的に増分する。しかし、レイヤー１のＰＳＮは、レイヤー０の物理セクタ番号に対しては反転ビットを取り、ミドル領域（外側）の最初からデータリードアウト領域（内側）の最後まで連続的に増分し、システムリードアウト領域の外側からシステムリードアウト領域の内側まで連続的に増分する。   ビット反転の数値はビット値の“１”が“０”（逆も同様）になるように計算される。互いにＰＳＮがビット反転された各レイヤーの物理セクタは、ディスクの中心部からの距離がほぼ同じである。
【０４０１】
ＰＳＮがＸの物理セクタは、Ｘを３２で割り、端数を切り捨てした値によって計算されたＰＳブロックアドレスのＰＳブロックに含まれる。
【０４０２】
システムリードイン領域のＰＳＮは、システムリードイン領域の終了位置の物理セクタを“１３１０７１”（０１  ＦＦＦＦｈ）として計算する。
【０４０３】
システムリードイン領域を除くレイヤー０のＰＳＮは、データリードイン領域の後のデータ領域の開始位置の物理セクタのＰＳＮを“２６２１４４”（０４  ００００ｈ）として計算する。システムリードアウト領域を除くレイヤー１のＰＳＮは、ミドル領域の後のデータ領域の開始位置の物理セクタのＰＳＮを“９１８４２５６”（８Ｃ  ２４００ｈ）として計算する。
【０４０４】
《ミドル領域》
ミドル領域の構造は、ミドル領域拡張によって変更される。ユーザが記録したデータが少ない場合、ミドル領域を拡張することにより、ファイナライズ用のダミーデータ量を少なくすることができ、ファイナライズ時間を短縮することができる。
【０４０５】
ミドル領域拡張の概要を図５７に示す。拡張の詳細は後述する。拡張前後のミドル領域の構造を図５８、図５９、図６０に示す。図５８は拡張前のミドル領域の構造を説明する図である。図５９、図６０は拡張後のミドル領域の構造を説明する図である。拡張の態様は２通りあり、ミドル領域の拡張サイズに応じて図５９、または図６０のいずれかが実行される。拡張サイズ（ガードトラックの拡張分（７３ＤＣ００ｈ−７２６Ｃ００ｈ））が１７０００ｈセクタより小さいか否かに応じて小サイズか大サイズかが決まる。図５９は拡張サイズが小サイズ、図６０は拡張サイズが大サイズの場合の拡張後の構造である。拡張後のガードトラックゾーンのサイズ、レイヤー０の追加ガードトラックゾーンの形成、追加ドライブテストゾーンの形成は、レイヤー０のデータ領域の終了ＰＳＮに依存する。
【０４０６】
レイヤー０におけるガードトラックゾーンのデータセグメントは、レイヤー１への記録前に“００ｈ”で埋められる必要がある。レイヤー１におけるガードトラックゾーンのデータセグメントは、ディスクのファイナライズ前に“００ｈ”で埋められる必要がある。
【０４０７】
ドライブテストゾーンは、ドライブによるテストを目的とする。これらのゾーンは、外側のＰＳブロックから内側のＰＳブロックに記録される。レイヤー０におけるドライブテストゾーンのすべてのデータセグメントは、レイヤー１への記録前に“００ｈ”で埋められてもよい。
【０４０８】
ディスクテストゾーンはディスク製造者による品質テストを目的とする。
【０４０９】
ブランクゾーンのデータセグメントは、データを含まない。レイヤー０における最も外側のブランクゾーンのサイズは、９６８ＰＳブロック以上の必要がある。レイヤー１における最も外側のブランクゾーンのサイズは、２４６４ＰＳブロック以上の必要がある。
【０４１０】
タイプ選択の目的は、変調されたウォブルが並ぶことを避けるためである。２つの隣接するトラックの概要を図６１に示す。トラック♯ｉの始点は、物理セグメントの♯ｎの始点と同じで、ｉとｎは自然数を示す。トラック♯ｉは、ｊ個の物理セグメント、ｋ個のＷＤＵおよびｍ個のウォブルで構成され、ｊは自然数、ｋとｍは非負の整数を示す。ｋとｍの両方ともがゼロでない場合、物理セグメントの♯ｎ＋ｊはトラック♯ｉと♯ｉ＋１に配置される。
【０４１１】
ファイナライズ：
データ領域がファイナライズされる場合、データ領域の未記録部にターミネータが記録される。ターミネータのメインデータは“００ｈ”に設定され、それのエリアタイプは、データリードアウトの属性である。レイヤー１にユーザデータが記録されている場合、ターミネータは、図６２に示すように、データ領域の未記録部すべてに記録される。
【０４１２】
レイヤー１にデータ領域が記録されていない場合、ターミネータは、図６３に示すように、レイヤー０およびレイヤー１に記録される。レイヤー０のターミネータは、データ領域に接触するように記録される必要がある。データ領域とミドル領域の間に未記録のデータセグメントが十分にある場合、ターミネータをそれらすべてに記録する必要はなく、レイヤー１に新しくターミネータテストゾーンを作成することが許される（図６３（ａ）参照）。新しいターミネータテストゾーンはドライブによるテストのためであり、そのサイズは４８０  ＰＳブロックの必要がある。
【０４１３】
ターミネータの記録後、データリードアウト領域およびミドル領域に置かれるレイヤー１のガードトラックゾーン、およびレイヤー１の追加ガードトラックゾーンを、もしもそれらが未記録であれば、“００ｈ”で埋める必要がある。データリードアウト領域に置かれるガードトラックゾーンが埋められる前に、データリードイン領域におけるドライブテストゾーン、ＲＭＤデュプリケーションゾーンの未記録部、Ｌ−ＲＭＺ、Ｒ物理フォーマット情報ゾーン、および参照コードゾーンが記録される必要がある。
【０４１４】
図６３（ａ）に示すように、ミドル領域にターミネータが接しない場合、レイヤー０およびレイヤー１のミドル領域に置かれるガードトラックゾーン、およびレイヤー０のミドル領域に配置される追加ガードトラックゾーンは記録されなくてもよい。
【０４１５】
別の変形例として、レイヤー０のデータ領域へのデータ記録をできるだけ早いタイミングで開始するために、図６４に示すようにＲＭＤデュプリケーションゾーンのＲＤＺリードイン記録の直後にレイヤー０のデータ領域へのデータ記録を実行してもよい。図６４においても、レイヤー０のミドル領域のドライブテストゾーンのパディングは省略可能である。ただし、記録データのサイズがレイヤー０のデータ領域の記録容量より大きく、データがレイヤー０からレイヤー１に跨って記録される場合は、若干不都合がある。その場合は、図６５に示すようにＲＭＤデュプリケーションゾーンのＲＤＺリードイン記録の後に、レイヤー０のミドル領域のガードトラックゾーンのパディングを行ってからレイヤー０のデータ領域へのデータ記録、レイヤー１のデータ領域へのデータ記録を実行してもよい。レイヤー０のミドル領域のガードトラックゾーンをパディングしておけば、レイヤー１への記録が開始できる。
【図面の簡単な説明】
【０４１６】
【図１】本発明にかかる情報記録媒体の基本構成を説明するための模式的な断面図
【図２】本発明の第１の観点にかかる情報記録媒体の構成を説明するための模式的な断面図
【図３】本発明の第２の観点にかかる情報記録媒体の構成を説明するための模式的な断面図
【図４】本発明の第３の観点にかかる情報記録媒体の構成を説明するための模式的な断面図
【図５】第９の観点にかかる情報記録媒体の検査装置の一例の概要を表す図
【図６】第１０の観点にかかる情報記録媒体の検査装置の一例の概要を表す図
【図７】本発明に関する追記情報記憶媒体の層構成の他の一例を示す図
【図８】本発明に関する書き換え型情報記録媒体の層構成の一例を示す図
【図９】本発明に使用されるプロセス・チャンバーの構成図
【図１０】成層時のプロセス・フローを表す図
【図１１】本発明にかかる検査方法の概念図
【図１２】本発明にかかる他の検査方法の概念図
【図１３】線速及び偏芯量と、トラッキングとの関係を表すグラフ図
【図１４】本発明に使用可能な情報記録再生装置の一実施形態の構造説明図
【図１５】ＰＲＭＬ検出法を用いた信号処理回路を示す図
【図１６】ビタビ復号器１５６内の構造を示す図
【図１７】ＰＲ（１，２，２，２，１）クラスにおける状態遷移を示す図
【図１８】本実施形態における情報記憶媒体の構造及び寸法を示す図
【図１９】追記形情報記憶媒体または１層構造を有する再生専用形情報記憶媒体における物理セクタ番号の設定方法を示す図
【図２０】２層構造を持った再生専用情報記憶媒体の物理セクタ番号設定方法を示す図
【図２１】書替え形情報記憶媒体における物理セクタ番号設定方法を示す図
【図２２】書替え専用形情報記憶媒体における一般パラメータの値を示す図
【図２３】各種情報記憶媒体におけるデータ領域ＤＴＡとデータリードアウト領域ＤＴＬＤＯ内のデータ構造の比較を示す図
【図２４】ドライブテストゾーンに試し書きを行う記録パルスの波形（ライトストラテジ）を示す図
【図２５】記録パルス形状の定義を示す図
【図２６】制御データゾーンＣＤＺとＲ物理情報ゾーンＲＩＺ内のデータ構造を示す図
【図２７】物理フォーマット情報ＰＦＩとＲ物理フォーマット情報Ｒ_ＰＦＩ内の具体的な情報内容を示す図
【図２８】物理セクタ構造を構成するまでの変換手順の概略を示す図
【図２９】データフレーム内の構造を示す図
【図３０】ＥＣＣブロック構造の説明図
【図３１】スクランブル後のフレーム配列の説明図
【図３２】ＰＯのインターリーブ方法の説明図
【図３３】物理セクター内の構造の説明図
【図３４】同期コードパターン内容の説明図
【図３５】変調ブロックの構成を示す図
【図３６】各種情報記憶媒体毎のデータ記録形式（フォーマット）の比較を示す図
【図３７】各種情報記憶媒体におけるデータ構造の従来例との比較説明図
【図３８】各種情報記憶媒体におけるデータ構造の従来例との比較説明図
【図３９】書替え形情報記憶媒体上に記録される書替え可能データのデータ記録方法を示す図
【図４０】書替え形情報記憶媒体上に記録される書替え可能データのデータランダムシフト説明図
【図４１】追記形情報記憶媒体上に記録される追記形データの追記方法の説明図
【図４２】図３２に示したＰＯインターリーブ後のＥＣＣブロックの詳細構造を示す図
【図４３】マーク長／先行スペース長の関数として表される記録条件パラメータを示す図
【図４４】追記形情報記憶媒体上に記録される追記形データの追記方法に関する他の実施形態の説明図
【図４５】図１に示した同期コード位置抽出部１４５を含む周辺部の詳細構造を示す図
【図４６】情報記憶媒体内の構造及び寸法の一例を示す図
【図４７】アドレスビット領域内でのウォブル形状とアドレスビットの関係説明図
【図４８】ウォブルシンクパターンとウォブルデータユニット内の位置関係の比較説明図
【図４９】追記形情報記憶媒体でのウォブルアドレス情報内のデータ構造に関する説明図
【図５０】ディスクのあるレイヤーの記録・再生中の他のレイヤー上の光線束を示す図
【図５１】他のレイヤーの影響を防ぐクリアランスを説明するための図
【図５２】レイヤー０のＰＳＮと、レイヤー１の対応する記録可能な物理セクタを示す図
【図５３】リードイン領域、リードアウト領域の構成を示す図
【図５４】当初のミドル領域の構成を示す図
【図５５】トラックパスを示す図
【図５６】物理セクタレイアウトと物理セクタ番号を示す図
【図５７】拡張前後のミドル領域の構成を示す図
【図５８】拡張前のミドル領域の構成を示す図
【図５９】小サイズの拡張後のミドル領域の構成を示す図
【図６０】大サイズの拡張後のミドル領域の構成を示す図
【図６１】物理セグメントタイプの選択手順を説明するための２つの隣接するトラックの概要を示す図
【図６２】レイヤー１のファイナライズ時に記録されるターミネータの一例を示す図
【図６３】レイヤー１のファイナライズ時に記録されるターミネータの他の例を示す図
【図６４】記録手順の変形例を示す図
【図６５】記録手順の他の変形例を示す図
【符号の説明】
【０４１７】
２０，３０，４０，５０，７１…多層情報記録媒体、２１…透明基板、２２…第１の情報層、２３…第２の情報層、２４，２６…有機色素層、２５，２７，３５，３７，４５，４８，８６…反射層、３４，３６，８３…相変化光記録層、７０…検査装置、７２…撮像機構、７３…照明系、７５…画像処理部、７６…演算部、７７…反射率測定器、７９…光源、８０…PC基板、８１…第１干渉層、８２…下部界面層、８４…上部界面層、８５…第２干渉層、８７…第3干渉層、８８…層間分離層、９０…検査装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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【図４５】
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【図４６】
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【図４７】
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【図４８】
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【図４９】
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【図５０】
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【図５１】
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【図５２】
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【図５３】
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【図５４】
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【図５５】
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【図５６】
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【図５７】
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【図５８】
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【図５９】
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【図６０】
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【図６１】
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【図６２】
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【図６３】
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【図６４】
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【図６５】
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