(57)【要約】【課題】電気泳動表示装置の表示品質や素子の特性を向上させる。【解決手段】透明基板１０１の透明導電膜１０２上に電気泳動層１０３を形成し、電気泳動層１０３上に絶縁層１０４を形成し、絶縁層１０４上にゲート電極１０５を形成することにより、第１の部材１００を形成する工程と、基板２０１上にソース電極２０２およびドレイン電極２０３を形成し、ソース電極２０２とドレイン電極２０３との間に半導体層２０７を形成し、半導体層２０７を含む面を被覆する絶縁膜２０８を形成することにより、第２の部材２００を形成する工程と、第１の部材１００と第２の部材２００を接着する接着層３００を形成する工程と、ゲート電極１０５とゲート絶縁膜２０８が接するように、接着層３００を介して第１の部材１００と第２の部材２００を貼り合わせる工程を備える。【選択図】図１
2008102266.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
共通電極層、前記共通電極層上に形成された電気泳動層、前記電気泳動層上に形成された絶縁層、および前記絶縁層上に形成されたゲート電極を備えた第１の部材と、
基板上にソース電極およびドレイン電極が設けられ、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に形成された半導体層、および前記半導体層を含む面を被覆するゲート絶縁膜を備え、前記ゲート絶縁膜が前記ゲート電極に接するように配置された第２の部材と、
前記第１の部材と前記第２の部材の間に設けられ、前記第１の部材と前記第２の部材を接着する接着層とを備えた電気泳動表示装置。
【請求項２】
共通電極層、前記共通電極層上に形成された電気泳動層、前記電気泳動層上に形成された絶縁層、および前記絶縁層上に形成されたゲート電極を備えた第１の部材と、
基板上にソース電極およびドレイン電極が設けられ、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に形成された半導体層、および前記半導体層を含む面を被覆するゲート絶縁膜を備え、前記ゲート絶縁膜が前記ゲート電極に接するように配置された第２の部材とを備え、
前記ゲート絶縁膜は接着性を有し、前記第１の部材と前記第２の部材は、前記ゲート絶縁膜を介して接着されていることを特徴とする電気泳動表示装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の電気泳動表示装置を備えた電子機器。
【請求項４】
共通電極層上に電気泳動層を形成し、前記電気泳動層上に絶縁層を形成し、前記絶縁層上にゲート電極を形成することにより、第１の部材を形成する工程と、
基板上にソース電極およびドレイン電極を形成し、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に半導体層を形成し、前記半導体層を含む面を被覆するゲート絶縁膜を形成することにより、第２の部材を形成する工程と、
前記第１の部材と前記第２の部材を接着する接着層を形成する工程と、
前記ゲート電極と前記ゲート絶縁膜が接するように、前記接着層を介して前記第１の部材と前記第２の部材を貼り合わせる工程を備えた電気泳動表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記接着層を形成する工程では、
前記ゲート絶縁膜上に前記接着層を形成することを特徴とする請求項３に記載の電気泳動表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記接着層を形成する工程では、
前記第１の部材の前記ゲート電極を含む面上に前記接着層を形成することを特徴とする請求項３に記載の電気泳動表示装置の製造方法。
【請求項７】
共通電極層上に電気泳動層を形成し、前記電気泳動層上に絶縁層を形成し、前記絶縁層上にゲート電極を形成することにより、第１の部材を形成する工程と、
基板上にソース電極およびドレイン電極を形成し、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に半導体層を形成し、前記半導体層を含む面上に接着性を有するゲート絶縁膜を形成することにより、第２の部材を形成する工程と、
前記ゲート電極と前記ゲート絶縁膜が接するように、前記ゲート絶縁膜を介して前記第１の部材と前記第２の部材を貼り合わせる工程を備えた電気泳動表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気泳動表示装置、電子機器、および電気泳動表示装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１に開示された従来の電気泳動表示装置は、基板上に有機トランジスタを形成した後に、電気泳動シートを貼り合わせることによって製造されている。
【特許文献１】２００５−２０１９５６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかし、従来の電気泳動表示装置の製造方法では、基板上にソース電極、ドレイン電極を設け、その上に半導体層とゲート絶縁膜とをこの順番で形成し、その上層にゲート電極を形成していたため、このゲート電極形成プロセスが半導体層にダメージを与え、トランジスタの特性劣化を引き起こす原因となっていた。
あるいは、このようなこのゲート電極形成プロセスでのダメージを小さくするためには、低温での処理や、エッチング液の限定といった工夫が必要になり、コストの上昇や歩留まり低下の原因となっていた。
【０００４】
そこで、本発明の目的は、電気泳動表示装置の表示品質や素子の特性を向上させることである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明による電気泳動表示装置は、共通電極層、前記共通電極層上に形成された電気泳動層、前記電気泳動層上に形成された絶縁層、および前記絶縁層上に形成されたゲート電極を備えた第１の部材と、基板上にソース電極およびドレイン電極が設けられ、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に形成された半導体層、および前記半導体層を含む面を被覆するゲート絶縁膜を備え、前記ゲート絶縁膜が前記ゲート電極に接するように配置された第２の部材と、前記第１の部材と前記第２の部材の間に設けられ、前記第１の部材と前記第２の部材を接着する接着層とを備えたものである。
【０００６】
このように、ゲート電極は第１の部材に形成し、半導体層は第２の部材に形成して、第１の部材と第２の部材を貼り合わせるようにしたので、従来のように半導体層の上にゲート電極を形成することにより半導体層にダメージを与えることがなく、トランジスタの特性を向上させることができる。
また、第１の部材と第２の部材が接着層を介して接着され、従来のように前記絶縁層において半導体基板と電気泳動層を有する基板とを接着しないので、絶縁層に接着性を有する材料を用いる必要がなく、絶縁性の高い材料を用いることができる。このため、導電性の高い接着性材料が電気泳動層に直に接することにより引き起こされる隣接画素とのリーク電流を防ぐことができ、表示品質の改良を図ることができる。
【０００７】
また、本発明による電気泳動表示装置は、共通電極層、前記共通電極層上に形成された電気泳動層、前記電気泳動層上に形成された絶縁層、および前記絶縁層上に形成されたゲート電極を備えた第１の部材と、基板上にソース電極およびドレイン電極が設けられ、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に形成された半導体層、および前記半導体層を含む面を被覆するゲート絶縁膜を備え、前記ゲート絶縁膜が前記ゲート電極に接するように配置された第２の部材とを備え、前記ゲート絶縁膜は接着性を有し、前記第１の部材と前記第２の部材は、前記ゲート絶縁膜を介して接着されているものである。
【０００８】
このように、ゲート電極は第１の部材に形成し、半導体層は第２の部材に形成して、第１の部材と第２の部材を貼り合わせるようにしたので、従来のように半導体層の上にゲート電極を形成することにより半導体層にダメージを与えることがなく、トランジスタの特性を向上させることができる。
また、第１の部材と第２の部材がゲート絶縁膜を介して接着され、従来のように前記絶縁層において半導体基板と電気泳動層を有する基板とを接着しないので、絶縁層に接着性を有する材料を用いる必要がなく、絶縁性の高い材料を用いることができる。このため、接着性を有する材料が電気泳動層に直に接することにより引き起こされる隣接画素とのリーク電流を防ぐことができ、表示品質の改良を図ることができる。
【０００９】
また、本発明の電子機器は、上述した電気泳動表示装置を表示部として備えるあらゆる機器を含むもので、ディスプレイ装置、テレビジョン装置、電子ブック、電子ペーパ、時計、電卓、携帯電話、携帯情報端末等を含む。
【００１０】
本発明による電気泳動表示装置の製造方法は、共通電極層上に電気泳動層を形成し、前記電気泳動層上に絶縁層を形成し、前記絶縁層上にゲート電極を形成することにより、第１の部材を形成する工程と、基板上にソース電極およびドレイン電極を形成し、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に半導体層を形成し、前記半導体層を含む面を被覆するゲート絶縁膜を形成することにより、第２の部材を形成する工程と、前記第１の部材と前記第２の部材を接着する接着層を形成する工程と、前記ゲート電極と前記ゲート絶縁膜が接するように、前記接着層を介して前記第１の部材と前記第２の部材を貼り合わせる工程を備えたものである。
【００１１】
このように、ゲート電極は第１の部材に形成し、半導体層は第２の部材に形成して、第１の部材と第２の部材を貼り合わせるようにしたので、従来のように半導体層の上にゲート電極を形成することにより半導体層にダメージを与えることがなく、トランジスタの特性を向上させることができる。
また、第１の部材と第２の部材が接着層を介して接着され、従来のように前記絶縁層において半導体基板と電気泳動層を有する基板とを接着しないので、絶縁層に接着性を有する材料を用いる必要がなく、絶縁性の高い材料を用いることができる。このため、接着性を有する材料が電気泳動層に直に接することにより引き起こされる隣接画素とのリーク電流を防ぐことができ、表示品質の改良を図ることができる。
【００１２】
また、前記接着層を形成する工程では、前記ゲート絶縁膜上に前記接着層を形成することが望ましい。あるいは、前記第１の部材の前記ゲート電極を含む面上に前記接着層を形成するようにしてもよい。
【００１３】
また、本発明による電気泳動表示装置の製造方法は、共通電極層上に電気泳動層を形成し、前記電気泳動層上に絶縁層を形成し、前記絶縁層上にゲート電極を形成することにより、第１の部材を形成する工程と、基板上にソース電極およびドレイン電極を形成し、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に半導体層を形成し、前記半導体層を含む面上に接着性を有するゲート絶縁膜を形成することにより、第２の部材を形成する工程と、前記ゲート電極と前記ゲート絶縁膜が接するように、前記ゲート絶縁膜を介して前記第１の部材と前記第２の部材を貼り合わせる工程を備えたものである。
【００１４】
このように、ゲート電極は第１の部材に形成し、半導体層は第２の部材に形成して、第１の部材と第２の部材を貼り合わせるようにしたので、従来のように半導体層の上にゲート電極を形成することにより半導体層にダメージを与えることがなく、トランジスタの特性を向上させることができる。
また、第１の部材と第２の部材がゲート絶縁膜を介して接着され、従来のように前記絶縁層において半導体基板と電気泳動層を有する基板とを接着しないので、絶縁層に接着性を有する材料を用いる必要がなく、絶縁性の高い材料を用いることができる。このため、接着性を有する材料が電気泳動層に直に接することにより引き起こされる隣接画素とのリーク電流を防ぐことができ、表示品質の改良を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
実施の形態１．
図１，２を用いて本発明の実施の形態１による電気泳動表示装置１０の製造方法について説明する。図１（Ａ）〜（Ｄ）、図２（Ａ）〜（Ｄ）は、電気泳動表示装置１０の断面を示している。
（第１の部材の作成）
初めに、共通電極層、電気泳動層、絶縁層、およびゲート電極を備えた第１の部材１００を作成する。
まず、図１（Ａ）に示すように、透明基板１０１に透明導電膜（共通電極層）１０２を成膜する。透明基板１０１としてはガラス基板やプラスチック基板等のように透明性を有する物であれば特に限定されないが、軽量で柔軟性が高く、価格も安いプラスチック基板を用いることが好ましい。透明導電膜１０２は、例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）によって形成される。
【００１６】
次に、図１（Ｂ）に示すように、透明導電膜１０２上に電気泳動層１０３を形成する。電気泳動層１０３は、電気泳動分散液の封入されたマイクロカプセル１０３１を均一に塗布することにより形成される。
【００１７】
以下、電気泳動層１０３の形成方法について説明する。
マイクロカプセル１０３１は、既存の方法を用いて作成することができる。例えば界面重合法、Ｉｎ−ｓｉｔｕ重合法、相分離法、界面沈降法、スプレードライ法等の各種マイクロカプセル化手法を用いることができる。
また、均一な大きさのマイクロカプセル１０３１を得るために、例えば、マイクロカプセル１０３１をふるいにかけたり、濾過法、比重差分級法等を用いて選別したりすることができる。
マイクロカプセル１０３１の平均粒径は、２０〜２００μｍ程度が好ましく、３０〜１００μｍ程度がより好ましい。マイクロカプセルの平均粒径を上記の範囲とすることにより電気泳動層１０３の平坦性が向上する。これにより、後述の電気泳動層１０３上に形成する絶縁層の厚さを薄くすることができ、電気泳動の制御がより良好に行えるようになる。
【００１８】
上記のようにして作成されたマイクロカプセル１０３１をバインダ材を含む分散媒中に分散させ、マイクロカプセル分散液を調製する。
分散媒としては、親水性が高い溶媒（水系溶媒等）が好ましい。水系溶媒としては、蒸留水、純水等の水が特に好ましいが、この他にもメタノール、エタノール、イソプロパノール、ブタノール等の低級アルコール類等を用いてもよい。また、低級アルコール類には、メトキシ基等の疎水性の低い置換基が導入されていてもよい。このような水系溶媒を用いることにより、マイクロカプセル１０３１への溶媒の浸透が抑えられ、溶媒の浸透によるマイクロカプセル１０３１の膨潤、溶解がより確実に防止される。
【００１９】
マイクロカプセルを除くマイクロカプセル分散液中のバインダ材の濃度（含有量）は、５０ｗｔ％以下が好ましく、０．０５〜２５ｗｔ％程度がより好ましい。
バインダ材の濃度を上記のように設定することにより、マイクロカプセル分散液の粘度を好適な値にすることができ、後述するマイクロカプセルの間隙を埋めるようにマイクロカプセル分散液を供給する工程において、マイクロカプセルを容易かつ確実に移動させることができる。
また、マイクロカプセル分散液の粘度は、１〜１０００ｃＰ（２５℃）程度が好ましく、２〜７００ｃＰ（２５℃）程度がより好ましい。
また、マイクロカプセル分散液中におけるマイクロカプセル１０３１の含有量は、１０〜８０ｗｔ％程度が好ましく、３０〜６０ｗｔ％程度がより好ましい。
マイクロカプセル１０３１の含有量を上記の範囲に設定すると、マイクロカプセル１０３１が厚さ方向に重ならず１個ずつ（単層に）配置されやすくなる。
【００２０】
上記のようにして得られたマイクロカプセル分散液を透明導電膜１０２上に供給する。マイクロカプセル分散液を供給する方法としては、例えば、スピンコート法、ディップコート法、スプレーコート法等の各種塗布法を用いることができる。
さらに、マイクロカプセル分散液の厚さが均一になるように、さらに好ましくはマイクロカプセル１０３１が厚さ方向に重ならず１個ずつ配置されるように塗布する。これは、透明基板１０１への分散液の塗布を均一に行うためのスキージなどの治具を用いて行う。
【００２１】
次に、図１（Ｃ）に示すように、電気泳動層１０３上に絶縁層１０４を成膜する。
マイクロカプセル１０３１は球形である為、マイクロカプセル１０３１を透明導電膜１０２上に配置すると、表面には若干の凹凸が出来る。絶縁層１０４の厚さは、後に形成するゲート電極やゲート絶縁膜の成膜に影響を与えない程度にこの凹凸を緩和できる厚さとすれば良いが、絶縁層１０４は電気泳動層１０３と画素電極の間の容量成分となるため、できるだけ薄い方がよい。好ましくは５０ｎｍ〜１０μｍ、さらに好ましくは２００ｎｍ〜２μｍ程度が好ましい。
【００２２】
絶縁層１０４の材質としては、絶縁性と平滑性を有し、成膜時にマイクロカプセル１０３１に損傷を与えない方法で成膜されるものであれば何を用いてもよい。有機材料、無機材料いずれも使用可能である。例えば有機材料としては、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルフェノール、ポリイミド、ポリスチレン、ポリビニルアルコール、ポリビニルアセテート等の高分子フィルム、あるいはパリレン膜が挙げられ、無機材料としては、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸化アルミ、酸化タンタル等の金属酸化物、チタン酸バリウムストロンチウム、ジルコニウムチタン酸鉛等の金属複合酸化物が挙げられる。また、これらのうちの２種以上を組み合わせて用いることも可能である。
【００２３】
従来技術ではこの絶縁層１０４において、別途形成した半導体基板と電気泳動層を有する基板とを接着していたため、絶縁層１０４に接着性を有する材料を用いる必要があった。エポキシ樹脂等の接着性を有する材料は一般に不純物を完全に取り除くことが困難であり、このような接着性を有する材料が電気泳動層に直に接すると隣接画素とのリーク電流を引き起こし、表示品質低下の原因となっていた。しかし、本発明では絶縁層１０４に接着性を有する材料を用いる必要がなく、絶縁性の高い材料を用いることができるため、表示品質の改良を図ることができる。
【００２４】
次に、図１（Ｄ）に示すように、絶縁層１０４上にゲート電極１０５を形成する。
ゲート電極１０５の材料としては、Ｃｒ、Ａｌ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉｎ、Ｎｉ、Ｎｄやそれらの金属を用いた合金等、ＩｎＯ2、ＳｎＯ2、ＩＴＯ等の導電性の酸化物、ポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリアセチレン等の導電性高分子、またはこれらに塩酸、硫酸、スルホン酸等の酸、ＰＦ6、ＡｓＦ5、ＦｅＣｌ3等のルイス酸、ヨウ素等のハロゲン原子、ナトリウム、カリウム等の金属原子等のドーパントを添加したもの、またはカーボンブラックや金属粒子を分散した導電性の複合材料等、導電性を有する材料が挙げられる。
上記の材料を用いて形成した導電膜のフォトエッチングを行うことにより、ゲート電極１０５を形成する。また、所定の形状の穴を有するメタルスルーマスクを通して絶縁層１０４上に金属膜の蒸着処理を行うようにすれば、エッチングを行わずにゲート電極１０５を形成することができる。
また、金属微粒子およびグラファイトのような導電性粒子を含むポリマー混合物を材料に用いても良い。このような溶液からゲート電極１０５を形成する場合は、インクジェット法のような溶液パターニングを行うことにより、より簡易に低コストで電極形成を行うことができる。
また、ゲート電極１０５を形成する際、第１の部材１００と第２の部材２００を最後に貼り合わせる際の複数のアライメントマークを同時に形成しておくことが望ましい。アライメントマークは、表示装置１０の外形における対角線上に対として設けることが好ましい。
【００２５】
次に、ソース電極、ドレイン電極、半導体層、およびゲート絶縁膜を備えた第２の部材２００を作成する。
図２（Ａ）は、基板２０１上にソース電極２０２およびドレイン電極２０３が形成された状態を示している。
【００２６】
基板２０１としては、プラスチック基板、ガラス基板、シリコン基板、アルミやステンレス等の金属基板、ＧａＡｓ等の半導体基板、およびこれらの基板を貼り合わせたものを用いることができる。特にプラスチック基板は、柔軟性が高く軽量で、価格も安価なため好ましい。プラスチック基板としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂いずれを原料に用いてもよい。例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）等のポリオレフィン、環状ポリオレフィン、変性ポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリカーボネート、ポリ−（４−メチルベンテン−１）、アイオノマー、アクリル系樹脂、ポリメチルメタクリレート、アクリル−スチレン共重合体（ＡＳ樹脂）、ブタジエン−スチレン共重合体、ポリオ共重合体（ＥＶＯＨ）、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、プリシクロヘキサンテレフタレート（ＰＣＴ）等のポリエステル、ポリエーテル、ポリエーテルケトン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルイミド、ポリアセタール、ポリフェニレンオキシド、変形ポリフェニレンオキシド、ポリアリレート、芳香族ポリエステル（液晶ポリマー）、ポリテトラフルオロエチレン、ポリフッ化ビニリデン、その他フッ素系樹脂、スチレン系、ポリオレフィン系、ポリ塩化ビニル系、ポリウレタン系、フッ素ゴム系、塩素化ポリエチレン系等の各種熱可塑性エラストマー、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル、シリコーン樹脂、ポリウレタン等、またはこれらを主とする共重合体、ブレンド体、ポリマーアロイ等が挙げられ、これらのうちの１種、または２種以上を積層した積層体を用いることができる。
【００２７】
まず、基板２０１上にソース電極２０２およびデータ線２０６、ドレイン電極２０３および画素電極２０５を形成する。ソース電極２０２とデータ線２０６、およびレイン電極２０３と画素電極２０５は、それぞれ一体に形成される。ソース電極２０２（データ線２０６）およびドレイン電極２０３（画素電極２０５）の材料としては、Ｃｒ、Ａｌ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉｎ、Ｎｉ、Ｎｄやそれらの金属を用いた合金等、ＩｎＯ2、ＳｎＯ2、ＩＴＯ等の導電性の酸化物、ポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリアセチレン等の導電性高分子及びそれに塩酸、硫酸、スルホン酸等の酸、ＰＦ6、ＡｓＦ5、ＦｅＣｌ3等のルイス酸、ヨウ素等のハロゲン原子、ナトリウムカリウム等の金属原子等のドーパントを添加したもの、カーボンブラックや金属粒子を分散した導電性の複合材料等、導電性を有する材料が挙げられる。例えば上記の材料を用いて形成した導電膜のフォトエッチングを行うことにより、ソース電極２０２およびドレイン電極２０３を形成する。また、所定の形状の穴を有するメタルスルーマスクを通して基板２０１上に金属膜の蒸着処理を行うようにすれば、エッチングを行わずにソース電極２０２およびドレイン電極２０３を形成することができる。
また、金属微粒子およびグラファイトのような導電性粒子を含むポリマー混合物を材料に用いても良い。このような溶液からソース電極２０２およびドレイン電極２０３を形成する場合は、インクジェット法のような溶液パターニングを行うことにより、より簡易に低コストで電極形成を行うことができる。また、ソース電極２０２とドレイン電極２０３は異なる材料を用いて形成してもよい。
【００２８】
次に、図２（Ｂ）に示すように、ソース電極２０２とドレイン電極２０３の間の領域に半導体層２０７を形成する。半導体層２０７の材料には、例えばポリ（３−アルキルチオフェン）、ポリ（３−ヘキシルチオフェン）（Ｐ３ＨＴ）、ポリ（３−オクチルチオフェン）、ポリ（２，５−チエニレンビニレン）（ＰＴＶ）、ポリ（パラ−フェニレンビニレン）（ＰＰＶ）、ポリ（９，９−ジオクチルフルオレン）（ＰＦＯ）、ポリ（９，９−ジオクチルフルオレン−コ−ビス−Ｎ，Ｎ’−（４−メトキシフェニル）−ビス−Ｎ，Ｎ’−フェニル−１，４−フェニレンジアミン）（ＰＦＭＯ）、ポリ（９，９−ジオクチルフルオレン−コ−ベンゾチアジアゾール）（ＢＴ）、フルオレン−トリアリルアミン共重合体、トリアリルアミン系ポリマー、ポリ（９，９−ジオクチルフルオレン−コ−ジチオフェン）（Ｆ８Ｔ２）のようなフルオレン−ビチオフェン共重合体等のポリマー有機半導体材料、またＣ６０、あるいは、金属フタロシアニンあるいはそれらの置換誘導体、あるいは、アントラセン、テトラセン、ペンタセン、ヘキサセン等のアセン分子材料、あるいは、α−オリゴチオフェン類、具体的にはクォーターチオフェン（４Ｔ）、セキシチオフェン（６Ｔ）、オクタチオフェンのような低分子系有機半導体のうち１種または２種以上を混合して用いることができる。
これら有機半導体の成膜方法としては、真空蒸着法、分子線エピタキシャル成長法、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、スパッタリング法、プラズマ重合法、電解重合法、化学重合法、イオンプレーティング法、スピンコート法、キャスト法、引き上げ法、ラングミュアブロジェット法、スプレー法、インクジェット法、ディップコート法、ロールコート法、バーコート法、ディスペンス法、シルクスクリーン法等の一般的な成膜方法を用いることができる。この中でも特に、インクジェット法、スピンコート法、ディップコート法、ロールコート法、バーコート法等は、有機半導体の溶液を用いて簡単かつ精密に薄膜が形成できるため好ましい。
【００２９】
次に、図２（Ｃ）に示すように、半導体層２０７を含む面を覆うようにゲート絶縁膜２０８を形成する。ゲート絶縁膜２０８の材料は、絶縁性を備え、有機トランジスタのゲート絶縁膜として通常用いられるもの、すなわちゲート絶縁膜１０６上に形成する半導体層との間に良好な界面を形成できるようなものであれば特に限定されない。一般的に良好なトランジスタ特性が得られるゲート絶縁膜材料としては、例えば、ポリビニルフェノール、ポリイミド、ポリスチレン、ポリビニルアルコール、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルアセテート等の高分子フィルム、あるいはパリレン膜といった有機材料、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸化アルミ、酸化タンタル等の金属酸化物、チタン酸バリウムストロンチウム、ジルコニウムチタン酸鉛等の金属複合酸化物といった無機材料を用いることができる。また、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００３０】
最後に、図２（Ｄ）に示すように、第１の部材１００または第２の部材２００の貼り合わせ面に接着層３００を形成し、第１の部材１００と第２の部材２００を接着層３００を介して貼り合わせ、電気泳動表示装置１０を形成する。
第１の部材１００と第２の部材２００を貼り合わせる際には、ゲート電極１０５を形成する際に形成したアライメントマークに合わせて貼り合わせ、両方の配線パターンが合うように調整する。
なお、図示は省略しているが、ゲート電極１０５と対応する半導体層２０７とは、上記貼り合せにより電気的に接続される。例えば、ゲート電極１０５から透明電極などによる配線を絶縁層１０４の外周部に引出し、第１導通端子を形成しておく。また、基板２０１の外周における第１導通端子に対応する位置には、半導体層２０７から引出された第２導通端子を形成しておく。第１導通端子と第２導通端子との間に、異方性導電層を設け、これにより電気的な接続を行う。
【００３１】
図３（Ａ）〜（Ｃ）は、接着層の形成方法を示す図である。
接着層３００は、図３（Ａ）に示すように第２の部材２００のゲート絶縁膜２０８の上に形成してもよいし、図３（Ｂ）に示すように第１の部材１００の絶縁層１０４（およびゲート電極１０５）の上に形成してもよい。
一般に、接着剤は有機溶媒で希釈して塗布し、余分な有機溶媒を乾燥させることにより接着層３００を形成する。よって、接着剤を希釈する有機溶媒は絶縁層１０４もしくはゲート絶縁膜２０８に対してダメージを与えないものを選択するのが好ましい。さらに、接着層３００は絶縁層１０４またはゲート絶縁膜２０８のうちダメージを受けにくい方に形成すればよいが、溶媒蒸気がゲート絶縁膜２０８を通して半導体層２０７にダメージを与えることが多いため、一般には第１の部材１００における絶縁層１０４側に接着層３００を形成することが望ましい。
【００３２】
接着剤は特に限定はしないが、アミン系硬化剤、ポリアミド系硬化剤、酸および酸無水物系硬化剤、イミダゾール系硬化剤、フェノール系樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂などの硬化剤、およびイソシアネート類などの硬化剤を含むエポキシ樹脂／ポリエステル系接着剤、エポキシ樹脂／ニトリルゴム系接着剤、エポキシ樹脂／アクリルエラストマー系接着剤、およびエポキシ樹脂／ウレタン系接着剤、エマルジョン系接着剤、合成ゴム系接着剤、弾性接着剤、または変性アクリレート系接着剤、アクリル系接着剤、シリコーン系接着剤などを用いることが出来る。また、ポリエチレン、ポリプロピレンなどのポリオレフィン類や酢酸ビニル系樹脂などの熱可塑性樹脂を用いてもよい。
なお、接着層３００自身もゲート絶縁膜としての作用を有するため接着層３００の膜厚はできるだけ薄いほうが好ましい。
【００３３】
なお、図３（Ｃ）に示すように、ゲート絶縁膜２０８に接着性を持たせ、第１の部材１００と第２の部材２００をゲート絶縁膜２０８を介して接着するようにしてもよい。
この場合、ゲート絶縁膜２０８の材料として、例えばアミン系硬化剤、ポリアミド系硬化剤、酸および酸無水物系硬化剤、イミダゾール系硬化剤、フェノール系樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂などの硬化剤、およびイソシアネート類などの硬化剤を含む、エポキシ樹脂／ポリエステル系接着剤、エポキシ樹脂／ニトリルゴム系接着剤、エポキシ樹脂／アクリルエラストマー系接着剤、およびエポキシ樹脂／ウレタン系接着剤、エマルジョン系接着剤、合成ゴム系接着剤、弾性接着剤、または変性アクリレート系接着剤、アクリル系接着剤、シリコーン系接着剤などの接着性を有する絶縁材料を用いることができる。特に、半導体層２０７をＰ３ＨＴ（ポリ−３−ヘキシルチオフェン）で、ゲート絶縁膜２０８をＰＶＡ（ポリビニルアルコール）で形成した有機トランジスタは良好な動作をすることが知られている。
【００３４】
このように、ゲート絶縁膜２０８を接着層として利用すれば、接着層３００の形成工程を省略することができる。しかし、ゲート絶縁膜２０８は有機トランジスタの特性を大きく左右するため、基本的には半導体層２０７との間で良好な界面を形成するか、耐圧が良いか、均一性はあるかといったことを優先して材料を選択することが望ましい。
【００３５】
以上のように本発明の実施の形態１によれば、ゲート電極１０５は第１の部材１００の絶縁層１０４上に形成し、半導体層は第２の部材２００に形成して、第１の部材と第２の部材を貼り合わせるようにしたので、従来のように半導体層の上にゲート電極を形成することにより半導体層にダメージを与えることがなく、トランジスタの特性を向上させ、表示装置の表示品質を向上させることができる。なお、電気泳動層１０３は半導体層２０７ほどデリケートではないので、ゲート電極１０５を形成する際にダメージを受けにくいため、表示品質への影響は少ない。
【００３６】
また、実施の形態１によれば、第１の部材１００と第２の部材２００を接着層３００を介して接着するようにしたので、従来の絶縁層１０４において半導体基板と電気泳動層を有する基板とを接着する場合のように、絶縁層１０４に接着性を有する材料を用いる必要がなく、絶縁性の高い材料を用いることができる。このため、接着性を有する材料が電気泳動層に直に接することにより引き起こされる隣接画素とのリーク電流を防ぐことができ、表示品質の改良を図ることができる。
【００３７】
（実施例）
（第１の部材１００）
まず、第１の部材１００を作成する。
（透明基板１０１）
透明基板１０１となるポリエチレンナフタレート基板（帝人デュポンフィルム社製、「テオネックスＱ６５」（登録商標））を、イソプロピルアルコールを溶媒として３０分間の超音波洗浄を行い、脱脂処理を行う。
【００３８】
（透明導電膜１０２）
次に、脱脂処理を行った透明基板１０１に透明導電膜１０２（ＩＴＯ）を２００ｎｍの厚さで全面に均一に成膜する。
【００３９】
（電気泳動層１０３）
次に、黒色粒子としてカーボンブラック、白色粒子としての酸化チタンの微粒子をアラビアゴム中に分散させたマイクロカプセルを上記基板のＩＴＯ上に塗布し、スキージ（平板状の冶具）を基板と１００μｍの距離を保ちながら通過させることにより、マイクロカプセルの均一な層（電気泳動層１０３）を形成する。
【００４０】
（絶縁層１０４）
次に、マイクロカプセルの層を形成した基板を減圧チャンバーにいれ、常温でパリレン膜（絶縁層１０４）を５００ｎｍの厚さで成膜する。これによりゲート電極１０５を形成する基板表面を平坦化することができる。
【００４１】
（ゲート電極１０５）
次に、このパリレン膜表面に５分間のＵＶオゾン処理を行い、表面の親液性を向上させる。次にパリレン膜表面に、直径１０ｎｍの金微粒子がトルエン中に分散した金微粒子分散液（真空冶金社製、商品名「パーフェクトゴールド」）をインクジェット法でパターン状に塗布後１００℃で１時間焼成を行い、ゲート電極１０５（および走査線）を形成する。また、この時に第２の部材２００との貼り合わせ用のアライメントパターンも同時に形成する。
【００４２】
（第２の部材２００）
次に、第１の部材１００と貼り合わせる第２の部材２００を作成する。
（基板２０１、ソース電極２０２、ドレイン電極２０３）
厚さ１００μｍのステンレス基板上にＳｉＮの絶縁膜が２００ｎｍ形成されたフレキシブル基板を基板２０１として用いる。この基板上に厚さ１００ｎｍの金薄膜をスパッタ法で成膜し、フォトエッチングを行ってソース電極２０２（データ線２０６）およびドレイン電極２０３（画素電極２０５）のパターンと、貼り合わせ用アライメントマークの形成を行う。
【００４３】
（半導体層２０７）
次に、ＲＦパワー２００Ｗ、アルゴン流量１００ｓｃｃｍに設定したプラズマ処理装置を用いて、基板のソース電極２０２およびドレイン電極２０３に２分間のアルゴンプラズマ処理を行い、基板表面のクリーニングを行う。次に、ペンタセンを０．２ｗｔ％の濃度でトリクロロベンゼンに高温で溶解し、得られた溶液をディスペンサー塗布装置を用いてチャネル領域となる部分に塗布した後、３時間の真空乾燥を行って溶媒を除去し、厚さ１００ｎｍの半導体層２０７を形成する。
【００４４】
（ゲート絶縁膜２０８）
次に、ポリイミド溶液を半導体層２０７を形成した基板上にスピンコート塗布し、６０度で１時間真空乾燥を行うことによって、厚さ１００ｎｍのゲート絶縁膜１０６を形成する。
【００４５】
（接着層３００）
次に、第１の部材１００の絶縁層１０４上にエポキシ樹脂溶液をスピンコート法を用いて塗布し、８０℃で１０分間焼成する事によって接着剤を硬化させ接着層３００を形成する。
最後に、第１の部材１００と第２の部材２００をアライメントマークを合わせて貼り合わせ、電気泳動表示装置１０が完成する。
【００４６】
電子機器
図４は、本発明の電気泳動表示装置を適用した電子機器の具体例を説明する斜視図である。図４（Ａ）は、電子機器の一例である電子ブックを示す斜視図である。この電子ブック１０００は、ブック形状のフレーム１００１と、このフレーム１００１に対して回動自在に設けられた（開閉可能な）カバー１００２と、操作部１００３と、本発明の電気泳動表示装置によって構成された表示部１００４と、を備えている。
【００４７】
図４（Ｂ）は、電子機器の一例である腕時計を示す斜視図である。この腕時計１１００は、本発明の電気泳動表示装置によって構成された表示部１１０１を備えている。
【００４８】
図４（Ｃ）は、電子機器の一例である電子ペーパーを示す斜視図である。この電子ペーパー１２００は、紙と同様の質感および柔軟性を有するリライタブルシートで構成される本体部１２０１と、本発明の電気泳動表示装置によって構成された表示部１２０２を備えている。
【００４９】
なお、本発明の電気泳動表示装置を適用可能な電子機器の範囲はこれに限定されず、帯電粒子の移動に伴う視覚上の色調の変化を利用した装置を広く含むものである。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】図１（Ａ）〜（Ｄ）は、実施の形態１による電気泳動表示装置の製造方法を示す図である。
【図２】図２（Ａ）〜（Ｄ）は、実施の形態１による電気泳動表示装置の製造方法を示す図である。
【図３】図３（Ａ）〜（Ｃ）は、接着層の形成方法を示す図である。
【図４】図４（Ａ）〜（Ｃ）は、本発明による電子機器の例を示した図である。
【符号の説明】
【００５１】
１０  電気泳動表示装置、１００  第１の部材、１０１  透明基板、１０２  透明導電膜、１０３  電気泳動層、１０３１  マイクロカプセル、１０４  絶縁層、１０５  ゲート電極、２００  第２の部材、２０１  基板、２０２  ソース電極、２０３  ドレイン電極、２０５  画素電極、２０６  データ線、２０７  半導体層、２０８  ゲート絶縁膜、３００  接着層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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