(57)【要約】【課題】両面が鏡面研磨加工された貼り合わせＳＯＩウエハの表裏識別を容易に行うことのできる貼り合わせＳＯＩウエハの製造方法を提供する。【解決手段】ベースシリコン層用ウエハ５の両面を平面状に加工し、一方の面に、所定領域に亘り、マーキング処理を施すステップと、前記マーキング処理がなされた側のベースシリコン層用ウエハ５の表面に鏡面加工を施すステップと、前記マーキング処理及び鏡面加工がなされた側ではないベースシリコン層用ウエハ５の表面に、酸化膜６を両面に形成したトップシリコン層用ウエハ７を接着するステップと、酸化膜６がベースシリコン層用ウエハ５とトップシリコン層用ウエハ７との間のみに介在する状態とするステップと、ベースシリコン層用ウエハ５との接着面でない側のトップシリコン層用ウエハ７の表面を鏡面加工するステップとを実行する。【選択図】図３
2008227059.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベースシリコン層用ウエハ上にトップシリコン層用ウエハが接着され、両面が鏡面加工されてなる貼り合わせＳＯＩウエハの製造方法において、
ベースシリコン層用ウエハの両面を平面状に加工し、一方の面に、所定領域に亘り、レーザ照射により深さ寸法１μｍ以上のマークを形成するマーキング処理を施すステップと、前記マーキング処理がなされた側の前記ベースシリコン層用ウエハの表面に鏡面加工を施すステップと、
前記マーキング処理及び鏡面加工がなされた側ではない前記ベースシリコン層用ウエハの表面に、酸化膜を両面に形成したトップシリコン層用ウエハを接着するステップと、
平面研削及び外周研削により、前記酸化膜が前記ベースシリコン層用ウエハと前記トップシリコン層用ウエハとの間のみに介在する状態とするステップと、
前記ベースシリコン層用ウエハとの接着面でない側の前記トップシリコン層用ウエハの表面を鏡面加工するステップとを実行することを特徴とする貼り合わせＳＯＩウエハの製造方法。
【請求項２】
ベースシリコン層用ウエハ上にトップシリコン層用ウエハが接着され、両面が鏡面加工されてなる貼り合わせＳＯＩウエハの製造方法において、
ベースシリコン層用ウエハの両面を平面状に加工し、一方の面に鏡面加工を施すステップと、
前記鏡面加工がなされた側ではない前記ベースシリコン層用ウエハの表面に、酸化膜を両面に形成させたトップシリコン層用ウエハを接着するステップと、
平面研削及び外周研削により、前記酸化膜が前記ベースシリコン層用ウエハと前記トップシリコン層用ウエハとの間のみに介在する状態とするステップと、
前記ベースシリコン層用ウエハとの接着面でない側の前記トップシリコン層用ウエハの表面を鏡面加工するステップと、
前記鏡面加工がなされた前記トップシリコン層用ウエハの表面に、所定領域に亘り、レーザ照射により深さ寸法１μｍ以上のマークを形成するマーキング処理を施すステップとを実行することを特徴とする貼り合わせＳＯＩウエハの製造方法。
【請求項３】
ウエハ外周であって、前記マーキング処理が施される所定領域の近傍にオリエンテーションフラットまたはノッチを形成するステップをさらに実行することを特徴とする請求項１または請求項２に記載された貼り合わせＳＯＩウエハの製造方法。
【請求項４】
前記請求項１乃至請求項３のいずれかの製造方法により製造されることを特徴とする貼り合わせＳＯＩウエハ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、トップシリコン層用ウエハを、酸化膜を介してベースシリコン層用ウエハに接着して作製される貼り合わせＳＯＩウエハの製造方法、及びその製造方法により製造される貼り合わせＳＯＩウエハに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体用のシリコンウエハ基板には、シリコンインゴットのスライシング、ベベリング、ラッピング各工程を経て作製されるプライム・ウエハ基板があるが、それ以外にも、エピタキシャル基板、ＳＩＭＯＸ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｉｍｐａｎｔｅｄ  Ｏｘｉｄｅ）基板、貼り合わせ基板等、所謂ＳＯＩ（ＳｉｌｉｃｏｎＯｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）ウエハ基板と呼ばれる基板を含めて種々の製造方法で作製される各種ウエハ基板がある。これら各種のウエハ基板の内、貼り合わせＳＯＩウエハ基板は、ＩＣ（集積回路）の高集積・高性能化や放射線曝露耐性等に優れているため最近その使用が広がりつつある。
【０００３】
この貼り合わせＳＯＩウエハは、一般に、２枚のウエハの片方または両方に酸化膜を形成しておき、酸化膜を間にして２枚のウエハを貼り合わせる方法で製作される。多くの場合、鏡面加工されてＳＯＩ層となる側のシリコンウエハ、即ち、トップシリコン層用ウエハの片面側が加熱酸化され、形成された酸化膜を介してベースシリコン層用ウエハが接着される。前記接着（貼り合わせ）は、通常、機械的に２枚のウエハを密着して８００℃以上で熱処理することにより行われる。
【０００４】
ＳＯＩ層の形成は、貼り合わせウエハを化学・機械的研磨で鏡面加工することにより行う。即ち、図７に示すように、貼り合わせＳＯＩシリコンウエハは、トップシリコン層用ウエハ５１の両面を酸化して酸化層５２を形成させ（図７（ａ）参照）、この層５２とベースシリコン層用ウエハ５３の表面を重ね、熱処理することにより貼り合わせ（図７（ｂ）参照）、次いで貼り付けたトップシリコン層用ウエハ５１の表面を研磨加工して仕上げられる（図７（ｃ）参照）。
【０００５】
尚、この貼り合わせＳＯＩウエハに関し、トップシリコン層用ウエハとベースシリコン層用ウエハとの接着精度が高く鏡面研磨後のトップシリコン層の厚さが薄い貼り合わせＳＯＩウエハ基板については特許文献１に記載されている。
【０００６】
【特許文献１】特開２００２−１７６１５５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、前記貼り合わせＳＯＩウエハは、両面が鏡面研磨加工されているため、外観（目視）による表裏の識別が困難であるという課題があった。
このため、両面が鏡面研磨加工された貼り合わせＳＯＩウエハの表裏を正確に識別するには、所定の装置を用いてＳＯＩ層の活性層の厚さ測定、或いは抵抗率測定を行う必要があり、相当の手間を要する上、ＳＯＩ層にウエハ保持の際のチャック跡等がつく虞があった。
また、前記のような装置測定に拠らず、両面が鏡面研磨加工された貼り合わせＳＯＩウエハのいずれかの面を掘削し、表裏識別のためのマーキング処理を行う場合には、掘削による発塵によりウエハ表面に傷が生じる虞があった。
【０００８】
本発明は、前記したような事情の下になされたものであり、両面が鏡面研磨加工された貼り合わせＳＯＩウエハの表裏識別を容易に行うことのできる貼り合わせＳＯＩウエハの製造方法、及びその製造方法により製造される貼り合わせＳＯＩウエハを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記した課題を解決するために、本発明に係る貼り合わせＳＯＩウエハの製造方法は、ベースシリコン層用ウエハ上にトップシリコン層用ウエハが接着され、両面が鏡面加工されてなる貼り合わせＳＯＩウエハの製造方法において、ベースシリコン層用ウエハの両面を平面状に加工し、一方の面に、所定領域に亘り、レーザ照射により深さ寸法１μｍ以上のマークを形成するマーキング処理を施すステップと、前記マーキング処理がなされた側の前記ベースシリコン層用ウエハの表面に鏡面加工を施すステップと、前記マーキング処理及び鏡面加工がなされた側ではない前記ベースシリコン層用ウエハの表面に、酸化膜を両面に形成したトップシリコン層用ウエハを接着するステップと、平面研削及び外周研削により、前記酸化膜が前記ベースシリコン層用ウエハと前記トップシリコン層用ウエハとの間のみに介在する状態とするステップと、前記ベースシリコン層用ウエハとの接着面でない側の前記トップシリコン層用ウエハの表面を鏡面加工するステップとを実行することに特徴を有する。
【００１０】
このようなステップを実行することによって、所定領域に深さ寸法１μｍ以上のマークを有する貼り合わせＳＯＩウエハを得ることができ、貼り合わせＳＯＩウエハの両面が鏡面研磨加工されていても、目視により容易に表裏を識別することができる。
したがって、従来のように、所定の装置を用いてＳＯＩ層の活性層の厚さ測定、或いは抵抗率測定を行う必要がなく、即ち、ＳＯＩ層にチャック跡や傷がつく虞がなく、即座に表裏の識別を行うことができる。
また、マーキング処理は、それを形成する面の鏡面加工前に行うため、レーザ照射による発塵によってウエハ表面に傷が生じても、鏡面加工処理により、その傷を消去することができる。
【００１１】
また、前記した課題を解決するために、本発明に係る貼り合わせＳＯＩウエハの製造方法は、ベースシリコン層用ウエハ上にトップシリコン層用ウエハが接着され、両面が鏡面加工されてなる貼り合わせＳＯＩウエハの製造方法において、ベースシリコン層用ウエハの両面を平面状に加工し、一方の面に鏡面加工を施すステップと、前記鏡面加工がなされた側ではない前記ベースシリコン層用ウエハの表面に、酸化膜を両面に形成させたトップシリコン層用ウエハを接着するステップと、平面研削及び外周研削により、前記酸化膜が前記ベースシリコン層用ウエハと前記トップシリコン層用ウエハとの間のみに介在する状態とするステップと、前記ベースシリコン層用ウエハとの接着面でない側の前記トップシリコン層用ウエハの表面を鏡面加工するステップと、前記鏡面加工がなされた前記トップシリコン層用ウエハの表面に、所定領域に亘り、レーザ照射により深さ寸法１μｍ以上のマークを形成するマーキング処理を施すステップとを実行することに特徴を有する。
【００１２】
このようなステップを実行することによって、所定領域に深さ寸法１μｍ以上のマークを有する貼り合わせＳＯＩウエハを得ることができ、貼り合わせＳＯＩウエハの両面が鏡面研磨加工されていても、目視により容易に表裏を識別することができる。
したがって、従来のように、所定の装置を用いてＳＯＩ層の活性層の厚さ測定、或いは抵抗率測定を行う必要がなく、即ち、ＳＯＩ層にチャック跡や傷がつく虞がなく、即座に表裏の識別を行うことができる。
また、マーキング処理は、それを形成する面の鏡面加工後に行われるが、深さ寸法１μｍ以上のマークを形成するために、パルスレーザでウエハ表面を浅く溶融すればよいため、発塵することなく、ウエハ表面に傷を付けずにマーキング処理を行うことができる。
【００１３】
また、ウエハ外周であって、前記マーキング処理が施される所定領域の近傍にオリエンテーションフラットまたはノッチを形成するステップをさらに実行することが望ましい。
このようにすることで、オリエンテーションフラットまたはノッチを先ず確認すれば、より容易にマーク位置を確認することができる。
【００１４】
また、前記した課題を解決するために、本発明に係る貼り合わせＳＯＩウエハは、前記したいずれかの製造方法により製造されることに特徴を有する。
即ち、前記製造方法によって製造された貼り合わせＳＯＩウエハによれば、貼り合わせＳＯＩウエハの両面が鏡面研磨加工されていても、目視により容易に表裏を識別することができる。
したがって、従来のように、所定の装置を用いてＳＯＩ層の活性層の厚さ測定、或いは抵抗率測定を行う必要がなく、即ち、ＳＯＩ層にチャック跡や傷がつく虞がなく、即座に表裏の識別を行うことができる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、両面が鏡面研磨加工された貼り合わせＳＯＩウエハの表裏識別を容易に行うことのできる貼り合わせＳＯＩウエハの製造方法、及びその製造方法により製造される貼り合わせＳＯＩウエハを得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明に係る貼り合わせＳＯＩウエハの製造方法、及びその製造方法により製造される貼り合わせＳＯＩウエハの実施の形態について図面に基づき説明する。図１は、本発明に係る貼り合わせＳＯＩウエハの第１の実施の形態を示す平面図である。
【００１７】
本発明に係る貼り合わせＳＯＩウエハ１（以下、ＳＯＩウエハ１と呼ぶ）は、その表裏面が鏡面加工されている。また、図１に示すように、その外周の一部が直線状に形成され、結晶方位の位置合わせや判別に用いるためのオリエンテーションフラット２が形成されている。
【００１８】
図１の平面図は、電子部品である素子を実装する素子面とは反対側、即ちＳＯＩウエハ１の裏面１ａ（搬送手段等と接触する操作面）を示しており、この裏面１ａにおける所定領域には、目視による確認が可能なハードレーザマーク（以下ＨＬＭと呼ぶ）３が形成されている。
【００１９】
ＨＬＭ３は、ウエハ表面をレーザ照射することにより形成される。具体的には、パルスレーザを照射することによりウエハ面にドット状の深い凹部（例えば直径約６０〜１１０μｍ、深さ約５０〜１５０μｍ）を掘削形成する処理を所定領域に亘り連続的に行うことによって所定の文字や所定形状のマークであるＨＬＭ３が形成される。
尚、このＨＬＭ３が形成されている所定領域は、目視によるＨＬＭ３の確認をより容易とするため、オリエンテーションフラット２の近傍に設けられている。
また、素子の実装面となるＳＯＩウエハ１の表面は、図示しないが、表面全体が鏡面加工されている。
【００２０】
次に、このＳＯＩウエハ１の製造方法について説明する。図２は図１のＳＯＩウエハ１の製造方法を示すフローである。また、図３は図２のフローのうち主要な工程を示す図であり、その工程をウエハの断面図により示している。
【００２１】
ＳＯＩウエハ１を製造する場合、先ず、図３（ａ）に示すようにベースシリコン層用ウエハ５の両面を平面状に加工するため研削処理を行う（図２のステップＳ１）。
そして、図３（ｂ）に示すように、ベースシリコン層用ウエハ５の一方の面（裏面５ａ）にハードレーザマーク処理を行い、ＨＬＭ３を形成する（図２のステップＳ２）。
【００２２】
次いで、ベースシリコン層用ウエハ５に対する面取り処理（図２のステップＳ３）、アルカリ洗浄処理（図２のステップＳ４）、裏面鏡面加工（図２のステップＳ５）、洗浄処理（図２のステップＳ６）を続けて行う。尚、ステップＳ２におけるハードレーザマーク処理は、ステップＳ３の面取り処理後に行ってもよい。
ここで、ＨＬＭ３は深さ寸法が例えば約５０〜１５０μｍと深く形成されているため、ステップＳ５の裏面鏡面加工処理によっても、消失することなくウエハ裏面５ａに形成された状態を維持している。
【００２３】
一方、図３（ｃ）に示すように、トップシリコン層用ウエハ７においては、酸化処理により両面に酸化膜６を形成した後（図２のステップＳ７）、接着前洗浄を行う（図２のステップＳ８）。そして、酸化膜６が両面形成されたトップシリコン層用ウエハ７を、ＨＬＭ３が形成されていない側のベースシリコン層用ウエハ５の表面に接着する（図２のステップＳ９）。これにより貼り合わせウエハ８が形成される。
【００２４】
次いで、貼り合わせウエハ８に対し、アニール（図２のステップＳ９）、酸化膜剥離（図２のステップＳ１０）、外周研削、平面研削、面取り処理（図２のステップＳ１１）を続けて行い、図３（ｄ）に示すように酸化膜６がトップシリコン層用ウエハ７とベースシリコン層用ウエハ５との間のみに介在する状態とする。
【００２５】
貼り合わせウエハ８をアルカリ洗浄後（図２のステップＳ１２）、トップシリコン層用ウエハ７の表面を鏡面研磨するＳＯＩ層鏡面加工、オリエンテーションフラット２の形成処理が施こされる（図２のステップＳ１３）。
ここで、オリエンテーションフラット２は、ＨＬＭ３が形成された所定領域の近傍に形成される。このようにすることで、ＨＬＭ３を確認する際、先ずオリエンテーションフラット２の位置を確認すれば、容易にＨＬＭ３を見つけることができる。
そして、最後に洗浄処理（図２のステップＳ１４）を行うことにより、図３（ｅ）に示すように貼り合わせウエハ８は貼り合わせＳＯＩウエハ１となされる。
【００２６】
以上のように本発明に係る第１の実施の形態によれば、貼り合わせＳＯＩウエハ１の操作面には、所定領域に亘りＨＬＭ３が形成される。これにより、貼り合わせＳＯＩウエハ１の両面が鏡面研磨加工されていても、目視により容易に表裏を識別することができる。
尚、ＨＬＭ３が形成されている所定領域が、ウエハ１外周に形成されたオリエンテーションフラット２に近設されることにより、ＨＬＭ３の知覚がより容易となる。
したがって、従来のように、所定の装置を用いてＳＯＩ層の活性層の厚さ測定、或いは抵抗率測定を行う必要がなく、即ち、ＳＯＩ層にチャック跡や傷がつく虞がなく、即座に表裏の識別を行うことができる。
また、ＨＬＭ３を形成するマーキング処理は、それを形成する面の鏡面加工前に行うため、レーザ照射による発塵によってウエハ表面に傷が生じても、鏡面加工処理により、その傷を消去することができる。
【００２７】
続いて、本発明に係る貼り合わせＳＯＩウエハの製造方法、及びその製造方法により製造される貼り合わせＳＯＩウエハの第２の実施の形態について図面に基づき説明する。図４は、本発明に係る貼り合わせＳＯＩウエハの第２の実施の形態を示す平面図である。
【００２８】
本発明に係る貼り合わせＳＯＩウエハ１１（以下、ＳＯＩウエハ１１と呼ぶ）は、その両面が鏡面加工されている。また、図４に示すように、その外周の一部に直線状のオリエンテーションフラット１２が形成されている。
図４の平面図は、電子部品である素子を実装する素子面、即ち表面１１ａを示しており、表面１１ａ上の所定領域には、目視による確認が可能なソフトレーザマーク（以下、ＳＬＭと呼ぶ）１３が付されている。
【００２９】
ＳＬＭ１３は、ウエハ表面をレーザ照射することにより形成される。具体的には、パルスレーザによりウエハ面にドット状の浅い凹部（例えば直径約７０μｍ、深さ約６μｍ）を溶融形成する処理を所定領域に亘り連続的に行うことによって、所定の文字や所定形状のマークであるＳＬＭ１３が形成される。
尚、このＳＬＭ１３が形成されている所定領域は、目視によるＳＬＭ１３の確認をより容易とするため、オリエンテーションフラット１２の近傍に設けられている。
また、搬送手段等と接触する操作面となるＳＯＩウエハ１の裏面は、図示しないが全体が鏡面加工されている。
【００３０】
次に、このＳＯＩウエハ１１の製造方法について説明する。図５は図４のＳＯＩウエハ１１の製造方法を示すフローである。また、図６は図５のフローのうち主要な工程を示す図であり、その工程をウエハの断面図により示している。
ＳＯＩウエハ１１を製造する場合、先ず、図６（ａ）に示すようにベースシリコン層用ウエハ１５の両面を平面状に加工するため、研削処理を行う（図５のステップＳＴ１）。
そして、ベースシリコン層用ウエハ１５に対し、面取り処理（図５のステップＳＴ２）、アルカリ洗浄処理（図５のステップＳＴ３）、裏面鏡面加工処理（図５のステップＳＴ４）、洗浄処理（図５のステップＳＴ５）と続けて処理を行う。
【００３１】
一方、図６（ｂ）に示すように、トップシリコン層用ウエハ１７に対し酸化処理を行い、両面に酸化膜１６を形成した後（図５のステップＳＴ６）、接着前洗浄を行う（図５のステップＳＴ７）。
そして、両面に酸化膜１６が形成されたトップシリコン層用ウエハ１７を、鏡面加工がなされていない側のベースシリコン層用ウエハ１５上に接着する（図５のステップＳＴ８）。これにより貼り合わせウエハ１８が形成される。
【００３２】
次いで、貼り合わせウエハ１８に対し、アニール（図５のステップＳＴ９）、酸化膜剥離（図５のステップＳＴ１０）、外周研削、平面研削、面取り（図５のステップＳＴ１１）と続けて行い、図６（ｃ）に示すように酸化膜１６がトップシリコン層用ウエハ１７とベースシリコン層用ウエハ１５との間のみに介在する状態とする。
次いで、アルカリ洗浄後（図５のステップＳＴ１２）、図６（ｄ）に示すようにトップシリコン層用ウエハ１７の表面に対しＳＯＩ層鏡面加工、オリエンテーションフラット１２の形成処理（図５のステップＳＴ１３）を行う。
【００３３】
そして、図６（ｅ）に示すように、鏡面加工がなされたトップシリコン層用ウエハ１７の表面に対しソフトレーザマーク処理を行ってＳＬＭ１３を形成し（図５のステップＳＴ１４）、さらに洗浄処理（図５のステップＳＴ１５）を行うことによりＳＯＩウエハ１１となされる。
尚、ステップＳＴ１３におけるオリエンテーションフラット１２の形成処理は、ステップＳＴ１４のソフトレーザマーク処理の後に行ってもよい。
【００３４】
ここで、ＳＬＭ１３は、オリエンテーションフラット２の近傍に形成される。このようにすることで、ＳＬＭ１３を確認する際、先ずオリエンテーションフラット１２の位置を確認すれば、容易にＳＬＭ１３を見つけることができる。
また、ソフトレーザマーク処理は、パルスレーザでウエハ表面を浅く溶融することにより行われるため、鏡面加工がなされた面に対しても発塵することなく処理することができる。
【００３５】
以上のように本発明に係る第２の実施の形態によれば、貼り合わせＳＯＩウエハ１１の表面には、所定領域に亘りＳＬＭ１３が形成されている。これにより、貼り合わせＳＯＩウエハ１１の両面が鏡面研磨加工されていても、目視により容易に表裏を識別することができる。
尚、ＳＬＭ１３が形成されている所定領域が、ウエハ１１外周に形成されたオリエンテーションフラット１２の近傍に設けられることにより、ＳＬＭ３の知覚がより容易となる。したがって、従来のように、所定の装置を用いてＳＯＩ層の活性層の厚さ測定、或いは抵抗率測定を行う必要がなく、即ち、ＳＯＩ層にチャック跡や傷がつく虞がなく、即座に表裏の識別を行うことができる。
また、ＳＬＭ１３の形成は、それを形成する面の鏡面加工後に行われるが、パルスレーザでウエハ表面を浅く溶融することにより行われ、発塵しないため、ウエハ表面に傷を付けずにマーキング処理を行うことができる。
【００３６】
また、前記した第１及び第２の実施の形態においては、ＨＬＭ３或いはＳＬＭ１３をオリエンテーションフラット２、１２の近傍に形成する例を示したが、これに限らず、オリエンテーションフラットではなくノッチが形成される貼り合わせＳＯＩウエハの場合には、ノッチの近傍に形成するのが好ましい。
【産業上の利用可能性】
【００３７】
本発明は、貼り合わせＳＯＩウエハを製造する半導体製造業界等において好適に用いられる。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】図１は、本発明に係る貼り合わせＳＯＩウエハの第１の実施の形態を示す平面図である。
【図２】図２は、図１のＳＯＩウエハの製造方法を示すフローである。
【図３】図３は、図２のフローのうち主要な工程を示すウエハ断面図である。
【図４】図４は、本発明に係る貼り合わせＳＯＩウエハの第２の実施の形態を示す平面図である。
【図５】図５は、図４のＳＯＩウエハの製造方法を示すフローである。
【図６】図６は、図５のフローのうち主要な工程を示すウエハ断面図である。
【図７】図７は、貼り合わせＳＯＩウエハの従来の製造工程を示すウエハ断面図である。
【符号の説明】
【００３９】
１      貼り合わせＳＯＩウエハ
１ａ    裏面
２      オリエンテーションフラット
３      ハードレーザマーク（ＨＬＭ）
５      ベースシリコン層用ウエハ
６      酸化膜
７      トップシリコン層用ウエハ
１１    貼り合わせＳＯＩウエハ
１１ａ  表面
１２    オリエンテーションフラット
１３    ソフトレーザマーク（ＳＬＭ）
１５    ベースシリコン層用ウエハ
１６    酸化膜
１７    トップシリコン層用ウエハ
【図１】
2008227059.tif 000003
【図２】
2008227059.tif 000004
【図３】
2008227059.tif 000005
【図４】
2008227059.tif 000006
【図５】
2008227059.tif 000007
【図６】
2008227059.tif 000008
【図７】
2008227059.tif 000009