(57)【要約】  【課題】  本発明は、気相成長反応後のプロセスガスが発生させる副生成物をチャンバ内に堆積することを防止する機構を備えた気相成長装置および気相成長方法を提供するものである。【解決手段】  この気相成長装置は、支持台上に載置されたウェハが収容されるチャンバ１０３、前記ウェハ上に成膜するためのガスを供給する第一の流路及びガスを排気する第二の流路、このチャンバの周囲に配置されたチャンバ内の温度を制御するための冷却水循環部を備えており、さらに前記チャンバの内壁部に前記チャンバ内の温度を測定する温度センサが設けられ、前記冷却水の温度を制御する温度制御器が設けられた装置であって、前記チャンバ内壁部の温度を２１℃以上４３℃以下になるように、前記温度制御器で制御することを特徴とする。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャンバ内には、支持台上に載置されたウェハが収容され、前記ウェハ上に成膜するためのガスを供給する第一の流路及びガスを排気する第二の流路が前記チャンバに接続され、前記チャンバの周囲に前記チャンバ内の温度を制御するための冷却水循環部が設けられ、前記チャンバの内壁部に前記チャンバ内の温度を測定する温度センサが設けられ、前記冷却水の温度を制御する温度制御器が設けられた気相成長装置において、
前記チャンバ内壁部の温度を２１℃以上４３℃以下になるように、前記温度制御器で制御することを特徴とする気相成長装置。
【請求項２】
チャンバ内には、支持台上に載置されたウェハが収容され、前記ウェハ上に成膜するためのガスを供給する第一の流路及びガスを排気する第二の流路が前記チャンバに接続され、前記チャンバの周囲に前記チャンバ内の温度を制御するための冷却水循環部が設けられ、前記チャンバの内壁部に前記チャンバ内の温度を測定する温度センサが設けられ、前記冷却水の温度を制御する温度制御器が設けられた気相成長装置において、
前記チャンバ内壁部の温度を２１℃以上４３℃以下になるように、前記温度制御器で制御し、前記チャンバ内壁部への副生成物の付着を低減することを特徴とする気相成長装置。
【請求項３】
チャンバ内には、支持台上に載置されたウェハが収容され、前記ウェハ上に成膜するためのガスを供給する第一の流路及びガスを排気する第二の流路が前記チャンバに接続され、前記チャンバの周囲に前記チャンバ内の温度を制御するための冷却水循環部が設けられ、前記チャンバの内壁部に前記チャンバ内の温度を測定する温度センサが設けられ、前記冷却水の温度を制御する温度制御器が設けられた気相成長装置において、
前記ウェハへの成膜中は前記チャンバの内壁部の温度を常温以下、前記ウェハへの成膜後に、前記チャンバ内壁部の温度を２１℃以上４３℃以下になるように、前記温度制御器で制御することを特徴とする気相成長装置。
【請求項４】
前記ウェハへの成膜中は前記チャンバの内壁部の温度を１５℃以上２０℃以下に、前記ウェハへの成膜後に、前記チャンバ内壁部の温度を２１℃以上３０℃以下になるように、前記温度制御器で制御することを特徴とする前記請求項３記載の気相成長装置。
【請求項５】
チャンバ内には、支持台上に載置されたウェハが収容され、前記ウェハ上に成膜するためのガスを供給する第一の流路及びガスを排気する第二の流路が前記チャンバに接続され、前記チャンバの周囲に前記チャンバ内の温度を制御するための冷却水循環部が設けられ、前記チャンバの内壁部に前記チャンバ内の温度を測定する温度センサが設けられ、前記冷却水の温度を制御する温度制御器が設けられた気相成長装置を用い、
前記チャンバ内壁部の温度を２１℃以上４３℃以下になるように、前記温度制御器で制御して、前記ウェハ上に半導体膜を成膜することを特徴とする気相成長方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、チャンバ内のウェハ上にシリコンなどの半導体層を気相成長により形成する気相成長装置及び気相成長方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ウェハに成膜する製造装置として、気相成長装置（ＣＶＤ：Chemical Vapor Depositionで、この中にＶＰＥ：Vapor phase epitaxial growthを含む）が一般的で、例えば特開平９−１７７３４号公報（特許文献１）に示すように、Ｓｉの成膜では、ガスとしてシラン（ＳｉＨ４）と水素（Ｈ２）が用いられている。
なお、ここで、基板の性質によっては、単結晶ＳｉまたはポリＳｉ膜が形成される。この場合、Ｓｉ単結晶基板には通常、単結晶Ｓｉ膜が成膜され、非晶質の基板上であれば、ポリＳｉ膜或いは非晶質Ｓｉ膜が形成される。
【０００３】
具体的な例としては、図２に示す通りで、支持台２０１上に載置された半導体ウェハ２０２がチャンバ２０３内に収納される。収納された半導体ウェハ２０２は、ヒータ２０４により、成膜に必要な温度に加熱される。
チャンバ２０３には、シラン（ＳｉＨ４）ガス又はジクロロシラン（ＳｉＨ２Ｃｌ２）及びＨ２ガスを供給するガス流路２０５ａ、２０５ｂ（第１の流路）が連結され、ガス流路の他方はそれぞれガスシリンダ２０６ａ、２０６ｂに接続されている。その流路２０５ａ、２０５ｂの途中には、ガスを開閉するバルブ２０７ａ、２０７ｂが接続されている。
【０００４】
シリンダ２０６ａ、２０６ｂより、ガス流路２０５ａ、２０５ｂを介し、バルブ２０７ａ、２０７ｂが開放され、チャンバ２０３内に、ＳｉＨ４ガス、Ｈ２ガスが供給され、半導体ウェハ上に、単結晶Ｓｉ膜が成膜される。この成膜は、何回か繰り返して行う場合が多い。例えば特開２０００−２８２２４１号公報に示す如く、ＳｉＨ４ガスに硼素、アルミニウム、ガリウム及び燐などを含むようにすると、Ｐ型、Ｎ型の半導体単結晶層を形成可能である。更に、特開２００４−２８１６７３号公報（特許文献２）の如く、ＳｉＨ４ガスと、Ｏ２ガスを供給するようにすれば、ＳｉＯ２膜が、ＳｉＨ４ガスとＨＮ３ガスなどを供給するようにすれば、Ｓｉ３Ｎ４膜が成膜できる。
【０００５】
また、チャンバ２０３には、ＣｌＦ３ガス（ＳｉＯ２膜、Ｓｉ３Ｎ４膜の場合ＣＦ４やＣ２Ｆ６などのガスを用いる）を供給するガス流路２０８が接続され、その流路２０８の途中には、ガスを開閉するバルブ２０９が接続されている。
【０００６】
成膜（単結晶Ｓｉ膜）が終了後、チャンバ２０３内をクリーニングする際、シリンダ２１０より、ガス流路２０８を介し、バルブ２０９を開放することにより、ＣｌＦ３ガスが供給される。
なお、上記ウェハ上への成膜、チャンバ内のクリーニングにおいて、ガスの排気は、ガス排気用のガス流路２１１の接続されている真空ポンプ２１２より、バキュームされる。
【０００７】
ところで、上述した図２の気相成長装置において、成膜時に用いるＳｉＨ４ガス又はＳｉＨ２Ｃｌ２と、クリーニング時に用いるＣｌＦ３ガスとの混合を、危険性などから絶対に避ける必要がある。
このため、特に成膜時に用いるＳｉＨ４ガスを流す流路２０５ａに接続されているバルブ２０６ａを、クリーニング時に完全に閉めるようにしている。また、成膜が完了後、Ｎ２などで、チャンバ内をパージし、その後、バルブ３１１を開き、排出用のガス流路３１２に接続されている真空ポンプ３１３でバキュームし、ＳｉＨ４ガスを完全に排気するようにしている。
【０００８】
図２に示す気相成長装置において、気相成長反応後のプロセスガスは、チャンバ２０３に設けられた排気口２１５から逐次排気されている。この気相成長が行われるウェハ２０２付近から排気口２１５に近づいた部分になる程、ウェハ２０１やウェハ２０２を加熱するヒータ２０４などチャンバ２０３内の高温部からの距離が離れ、さらにチャンバ２０３下部に位置しているため、高温にはなりにくい。
【０００９】
また、チャンバ２０３のフランジ連結部には、シールのためにパッキンを用いている。パッキンはフッ素ゴム製で、耐熱温度は約３００℃までである。そのため、チャンバ２０３外周にはパッキンを劣化させないための冷却水を循環させる水路（図示せず）を設けている。冷却水はパッキンを冷却するが、同時にチャンバ本体や石英製カバーも冷却してしまうため、チャンバ内の排気口２１５近傍には局所的な低温部が作り出される。
【００１０】
ここで問題になるのは、気相成長反応にジクロロシラン（ＳｉＨ２Ｃｌ２）を用いたときの反応後のプロセスガスが低温雰囲気下におかれると、副生成物の反応性ポリシロキサン（化学式ＳｉｘＨ２ｘ＋２−ｙＣｌｙ    但しｙ≦２ｘ＋２）が発生し堆積することである。副生成物が排気口付近に堆積することにより、気相成長反応に必要なプロセスガスの流量の減少や、排気口２１５の排気圧力が低下し、高品質のウェハの生産に必要なプロセス条件を満たせなくなるなどの問題が発生してしまう。
【００１１】
また、堆積物の発生でチャンバ内のプロセス条件の設定が困難になったときにはチャンバ２０３本体を分解して、内部を洗浄するなどのメンテナンスを１ヶ月に１回程度の頻度で行わなければならなくなる。また、これを行うこと自体にも弊害があり、メンテナンス作業を全て完了した後、元のとおりに装置を組み立て直したとしても、その後製造されるウェハは、結晶の膜厚や純度などの品質をメンテナンス以前の水準に戻すには相当の時間が必要になることが分かっている。
さらに、メンテナンス作業を行うこと自体にも相当の時間と労力を要し、これによる気相成長装置の稼働率の低下も無視できない点である。
このように、従来の気相成長装置において、副生成物の堆積によって製造するウェハの品質の維持を阻害されたり、装置の管理を煩雑にさせたりするといった問題があった。
【００１２】
上述の気相成長装置において、副生成物の堆積に起因する反応ガスの流量の減少やプロセス条件のばらつきはないことが望まれる。そのため、これを維持するための手段が種々提案されている。たとえば特開２００１‐２２６７７４号公報（特許文献３）のように、反応炉の排気口付近と同じく副生成物が堆積しやすい部分である排気管内部の温度制御を行うことや、不活性ガスの流層を内筒表面付近に作り、反応後のプロセスガスを内筒表面に晒さないことによって排気を円滑にしようとすることは一般的である。
【００１３】
また、上述した気相成長装置では、反応後のプロセスガスがチャンバの排気口２１５から排気され、排気管内筒に入ったところでヒータにより加熱されることで、内筒壁面への副生成物の堆積を防ぐ。同時に、不活性ガス流層が内筒内壁を反応後のプロセスガスに曝露させないことで、さらに副生成物の堆積を低減させ、チャンバ内で生成された副生成物が排気ガスに運ばれて内筒に付着しそうになった場合は、不活性ガスが吹き飛ばし、付着を防いでいる。
【００１４】
このような手段が採られていた理由として、副生成物が発生、堆積することの欠点には、この配管とこの配管の後に設けられた真空ポンプのメンテナンス回数の増加が懸念されていたことがあり、これを改善しようとしていたということが挙げられる。
【００１５】
しかしながら、排気管以後の工程を構成する部分をどれだけ清浄にしようとも、チャンバ内での副生成物の堆積は特許文献３の方法においても同様に発生してしまう問題であり、当然チャンバ内に堆積した副生成物の除去のメンテナンスは行わなければならない。よって、メンテナンスの煩雑さや気相成長装置自体の稼働率を考慮すれば、チャンバ内への副生成物の発生を抑制することにより装置本体のメンテナンス回数を低減することを達成できる方法を採ることのほうが、より稼働率向上に寄与できることは明白である。
【００１６】
【特許文献１】特開平９−１７７３４号公報
【特許文献２】特開２００４−２８１６７３号公報
【特許文献３】特開２００１‐２２６７７４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
上述したように、従来の気相成長装置の副生成物発生を抑制する方法は、装置本体の稼働率向上が低下することや、チャンバ内のプロセス条件のばらつきを引き起こすことが考えられ、製造されるウェハの品質にも影響を及ぼしてしまうという観点からも充分であるとは言えず、いまだ改良の余地がある。
本発明は、上述した点に対処して、気相成長中の副生成物発生を抑制することで気相成長装置の稼働率向上、気相成長反応時のプロセス条件を安定化するようにして高品質のウェハを高い稼働率で製造できる新規の気相成長装置、および気相成長方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
本発明は、チャンバ内には、支持台上に載置されたウェハが収容され、ウェハ上に成膜するためのガスを供給する第一の流路及びガスを排気する第二の流路が前記チャンバに接続され、チャンバの周囲にチャンバ内の温度を制御するための冷却水循環部が設けられ、チャンバの内壁部にチャンバ内の温度を測定する温度センサが設けられ、冷却水の温度を制御する温度制御器が設けられた気相成長装置において、チャンバ内壁部の温度を２１℃以上４３℃以下になるように、温度制御器で制御することを特徴とする気相成長装置にある。
【００１９】
また、本発明のもう一つは、チャンバ内には、支持台上に載置されたウェハが収容され、ウェハ上に成膜するためのガスを供給する第一の流路及びガスを排気する第二の流路が前記チャンバに接続され、チャンバの周囲にチャンバ内の温度を制御するための冷却水循環部が設けられ、チャンバの内壁部にチャンバ内の温度を測定する温度センサが設けられ、冷却水の温度を制御する温度制御器が設けられた気相成長装置において、チャンバ内壁部の温度を２１℃以上４３℃以下になるように、温度制御器で制御し、チャンバ内壁部への副生成物の付着を低減することを特徴とする気相成長装置にある。
【００２０】
さらに、本発明の特徴は、チャンバ内には、支持台上に載置されたウェハが収容され、ウェハ上に成膜するためのガスを供給する第一の流路及びガスを排気する第二の流路がチャンバに接続され、チャンバの周囲にチャンバ内の温度を制御するための冷却水循環部が設けられ、チャンバの内壁部にチャンバ内の温度を測定する温度センサが設けられ、冷却水の温度を制御する温度制御器が設けられた気相成長装置において、ウェハへの成膜中はチャンバの内壁部の温度を常温以下、ウェハへの成膜後に、チャンバ内壁部の温度を２１℃以上４３℃以下になるように温度制御器で制御することにある。
【００２１】
この気相成長装置において、ウェハへの成膜中はチャンバの内壁部の温度を１５℃以上２０℃以下に、ウェハへの成膜後に、チャンバ内壁部の温度を２１℃以上３０℃以下になるように、温度制御器で制御することが望ましい。
さらにまた、本発明の気相成長方法の特徴は、チャンバ内には、支持台上に載置されたウェハが収容され、ウェハ上に成膜するためのガスを供給する第一の流路及びガスを排気する第二の流路がチャンバに接続され、チャンバの周囲に前記チャンバ内の温度を制御するための冷却水循環部が設けられ、チャンバの内壁部にチャンバ内の温度を測定する温度センサが設けられ、冷却水の温度を制御する温度制御器が設けられた気相成長装置を用い、チャンバ内壁部の温度を２１℃以上４３℃以下になるように、温度制御器で制御してウェハ上に半導体膜を成膜することにある。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、上述した点に対処して、気相成長中の副生成物発生を抑制することで気相成長装置の稼働率向上、気相成長反応時の環境を安定化するようにして高品質のウェハを高い稼働率で製造できる新規の気相成長装置および気相成長方法を提供することが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、本発明の実施をするための最良の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
第１の実施形態では、上述した従来例と同様で、図１に示す如く、支持台１０１上に載置されたＳｉ単結晶ウェハ１０２がチャンバー１０３内に収納される。収納されたＳｉ単結晶ウェハ１０２は、ヒータ１０４により、成膜に必要な温度に加熱される。
【００２４】
チャンバ１０３には、ＳｉＨ２Ｃｌ２ガス及びＨ２ガスを供給するガス流路１０５ａ、１０５ｂ（第１の流路）が連結され、ガス流路の他方はそれぞれガスシリンダ１０６ａ、１０６ｂに接続されている。その流路１０５ａ、１０５ｂの途中には、ガスを開閉するバルブ１０７Ａ、１０７ａ、１０７Ｂ、１０７ｂが接続されている。即ちバルブは、Ｈ２ガス制御用として、直列に１０７Ａ、１０７ａ、ＳｉＨ４ガス制御用として、直列に１０７Ｂ、１０７ｂが設けられている。このバルブ１０７Ａと１０７ａの間、１０７Ｂと１０７ｂの間には、圧力スイッチ１１４Ａ、１１４Ｂが接続され、その圧力スイッチ（図示せず）の他端は制御装置（図示せず）に接続されている。この制御装置には、クリーニングガスを制御するバルブ１０９も接続されている。
【００２５】
なお、ＳｉＨ２Ｃｌ２ガスに硼素（Ｂ２Ｈ６ガス）、燐（ＰＨ３ガス）などを含むようにすると、Ｐ型、Ｎ型のＳｉ単結晶層を形成可能である。ＳｉＨ２Ｃｌ２ガスに含ませるガスは、硼素、燐に限らず、Ａｌ、Ａｓなどを含むガスであっても構わない。
【００２６】
シリンダ１０６ａ、１０６ｂより、ガス流路１０５ａ、１０５ｂを介し、バルブ１０７Ａ、１０７ａ、１０７Ｂ、１０７ｂが開放され、チャンバ１０３内に、ＳｉＨ４ガス、Ｈ２ガスが供給され、Ｓｉ単結晶ウェハ上に、Ｓｉ単結晶膜が成膜される。この成膜は、何回か繰り返して行う場合が多い。本実施形態の場合は、最初、ＳｉＨ２Ｃｌ２ガスにＰＨ３ガスを混合したガスと、Ｈ２ガスを、次に、ＳｉＨ２Ｃｌ２ガスにＢ２Ｈ６ガスを混合したガスと、Ｈ２ガスを流すことによって、最初Ｎ型Ｓｉ単結晶層、次にＰ型Ｓｉ単結晶層が形成される。
【００２７】
また、チャンバ１０３には、ＣｌＦ３ガスを供給するガス流路１０８（第２の流路）が接続され、その流路１０８の途中には、ガスを開閉するバルブ１０９が接続されている。このバルブ１０９には、制御装置１１５が接続されている。なお、ＣｌＦ３ガスを供給するガス流路１０８の他端は、当然ながらシリンダ１１０が接続されている。
【００２８】
成膜（Ｐ型Ｓｉ単結晶層、Ｎ型Ｓｉ単結晶層）が終了後、チャンバ１０３内をクリーニングする。この場合、シリンダ１１０より、ガス流路１０８を介し、バルブ１０９を開放することにより、ＣｌＦ３ガスが供給される。
なお、上記ウェハ上への成膜、チャンバ内のクリーニングにおいて、ガスの排気は、ガス排気用のガス流路１１２（第３の流路）が接続されている真空ポンプ１１３により、バキュームされる（バルブ１１１を開放する）。
【００２９】
本実施形態では、気相成長プロセスからクリーニングへの移行の際、チャンバ１０３内に加えて、ＳｉＨ２Ｃｌ２ガスの供給元側のバルブ１０７Ａ（チャンバからバルブ１０７ａ経由バルブ１０７Ａ迄），１０７Ｂ（チャンバからバルブ１０７ｂ経由バルブ１０７Ｂ迄）までの配管もバキュームし、管内からＳｉＨ４ガスを排出する。ＳｉＨ４ガスの排出後、バルブ１０７ａ、１０７Ａ、１０７ｂ，１０７Ｂを閉じる。この後に、ＣｌＦ３ガスをチャンバ１０３内に導入し、クリーニングを実施する。
上述したように、本実施形態では、図１に示すようにチャンバ１０３上部には気相成長に必要な反応性ガスを含有するプロセスガスを導入する供給口１００が、底部にはプロセスガスの排気口１１５が備えられている。そしてウェハの温度など反応環境がととのった後、供給口１００からプロセスガスがチャンバ１０３内に導入され、反応後のプロセスガスは排気口１１５から排気される。
【００３０】
プロセスガスの供給流量の設定は、たとえばキャリアガス：Ｈ２を２０〜１００ＳＬＭ（Standard Liter per Minutes・標準リットル毎分）、成膜ガス：ジクロロシラン（ＳｉＨ２Ｃｌ２）を５０ｓｃｃｍ（standard cubic centimeter per minutes・標準ｃｃ毎分）〜２ＳＬＭと設定し、その他のドーパントガス：ジボラン（Ｂ２Ｈ６）またはホスフィン（ＰＨ３）を微量だけ加えるよう設定する。そのようにジボランを導入すればｐ型、ホスフィンを導入すればｎ型の導電性を示す膜が形成される。そしてチャンバ１０３内の圧力をたとえば１３３３Ｐａ〜常圧に制御する。以上の条件を満たし、気相成長を開始する。
【００３１】
一般に、気相成長装置のチャンバ内壁は、ステンレス製の筐体を露出させないため石英製のカバーで全面を被覆している。これは、ウェハ表面の結晶膜形成時のパーティクルや金属汚染、あるいはチャンバ自体の腐食を防ぐためである。
【００３２】
上述の環境でウェハ１０２が気相成長反応を行っている間、ヒータ１０４はウェハ１０２を常に１０００℃から１２００℃程度に加熱し続けるため、チャンバ１０３温度は全体的に高くなり、ヒータ１０４に接近した箇所や、熱の輻射を受けやすいチャンバ１０３上部において特に顕著になる。
【００３３】
チャンバ１０３全体の温度があまりに高くなってしまうと、電気制御されている機器に悪影響を与えたり、チャンバ１０３のフランジ接合部をシールしているパッキンや、ホルダ１０１とチャンバ１０３の間隙などの部分においてチャンバ１０３内部と外気とをシールをしているパッキン類（Ｏリングなどを含む）を劣化させたりしてしまう。ここで用いるパッキン類は、フッ素ゴム製のもので、耐熱温度は約３００℃である。
【００３４】
このとき機器の破損、パッキンの劣化を抑えるためチャンバ１０３外周に設けた冷却水の流路１１６に水温２０℃冷却水〜４５℃程の冷却水を循環させておくことで、ヒータ１０４に近接しているホルダの内部や、熱の輻射を受けやすいチャンバ１０３上部、パッキン（図示なし）などは冷却水の循環により冷却され、装置の稼動に良好な温度に保たれる。また、このときの冷却手段は水以外でも良く、空気あるいはオイルなど装置から効果的に熱を奪うことが出来るものであれば問題ない。
【００３５】
しかしながら、加熱されにくい性質を持つ石英材で構成され、かつ第２のヒータ１１４の影響を受けにくい位置に設けられているチャンバ１０３下部の排気口付近の壁面の石英製カバーや、チャンバ１０３内下面に設けた円形の石英製カバーなどの部分が、冷却されることで気相成長反応後のプロセスガスによる副生成物が堆積してしまう。気相成長反応後のプロセスガスによる副生成物は、反応性ポリシロキサン（ＳｉｘＨ２ｘ＋２−ｙＣｌｙ    但しｙ≦２ｘ＋２）であり、その性質は、常温よりもやや高い概ね４０℃から５０℃以下の環境に気相成長後のプロセスガスが晒されたときに発生、堆積される。
【００３６】
このような状態になるとチャンバ１０３の排気口１１５の断面積が減少し、チャンバ１０３内に導入する気相成長反応に必要なプロセスガスの流量の減少や、チャンバ１０３からの排気圧力が低下し、高品質のウェハの生産に必要なプロセス条件を満たせなくなるなどの問題が発生してしまう。
【００３７】
また、堆積した反応性ポリシロキサンは発火、爆発などの危険性があり、外気に触れると硬くなる性質も持つ。このためメンテナンス時に除去するにも慎重な作業が必要になり、時間も要する。よって、この装置自体の稼働率低下の原因として懸念しなければならない問題ともなる。
【００３８】
この問題を解決するため、チャンバ１０３外周に設けた冷却水の流路１１６により、温度を冷却水制御部１１７より制御することにより、チャンバ内に埋設して副生成物の堆積が殆どなくなる。チャンバ内壁部の温度を２１℃以上４３℃以下にすれば、副生成物の付着は殆ど確認されなくなる。なお、チャンバ内壁部の温度は温度計１１８により測定し、冷却水制御部にフィードバックされ、冷却水の温度が制御される。
本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、要旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】本発明の実施形態における気相成長装置の断面図。
【図２】従来の気相成長装置を模式的に示した断面図。
【符号の説明】
【００４０】
１００・・・・・・・・・・供給口
１０１・・・・・・・・・・支持台
１０２・・・・・・・・・・Ｓｉ単結晶ウェハ
１０３・・・・・・・・・・チャンバ
１０４・・・・・・・・・・ヒータ
１０５ａ・・・・・・・・・ＳｉＨ４ガス流路
１０５ｂ・・・・・・・・・Ｈ２ガス流路
１０６ａ・・・・・・・・・ＳｉＨ４ガスシリンダ
１０６ｂ・・・・・・・・・Ｈ２シリンダ
１０７、１０９、１１１・・バルブ
１０８・・・・・・・・・・ＣｌＦ３ガス流路（第２のガス流路）
１１０・・・・・・・・・・ＣｌＦ３ガスシリンダ
１１２・・・・・・・・・・排気用ガス流路（第３のガス流路）
１１３・・・・・・・・・・真空ポンプ
１１５・・・・・・・・・・排気口
１１６・・・・・・・・・・冷却水の流路
１１７・・・・・・・・・・冷却水制御部
１１８・・・・・・・・・・温度計
【図１】
2008130620.tif 000003
【図２】
2008130620.tif 000004