(57)【要約】      （修正有）【課題】熱処理に使用することにより反り変形したセッターを再利用できる平坦化処理方法を提供する。【解決手段】被熱処理物を載せて熱処理するためのセラミックス製のセッターの反りを解消するセッター１の平坦化処理方法であって、反りを有したセッターを平坦面２上に載せ、上記熱処理の温度よりも高い温度に加熱して該セッターを該平坦面に沿わせることにより平坦化させることを特徴とするセッターの平坦化処理方法とする。この平坦化処理時の温度がセッターの使用温度（ガラス基板等の熱処理時の温度）よりも高いので、セッターを再利用するときに該セッターに反り変形が生じにくくなる。また平坦化処理時に重しをセッターの上に載せることにより、セッターの平坦化処理時間を短くすることができる。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被熱処理物を載せて熱処理するためのセラミックス製のセッターの反りを解消するセッターの平坦化処理方法であって、
反りを有したセッターを平坦面上に載せ、上記熱処理の温度よりも高い温度に加熱して該セッターを該平坦面に沿わせることにより平坦化させることを特徴とするセッターの平坦化処理方法。
【請求項２】
請求項１において、前記セッターはセラミックスの焼結体よりなり、前記平坦化処理時の加熱温度がセッターの焼結時の焼成温度よりも低いことを特徴とするセッターの平坦化処理方法。
【請求項３】
請求項１又は２において、前記平坦化処理時に、前記セッターの上に、下面が平坦となっている重しを載せることを特徴とするセッターの平坦化処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フラットパネルディスプレイ基板などのガラス基板等を載せて熱処理するためのセッターを平坦化する方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
プラズマディスプレイ等の表示部のフラットなディスプレイ基板は、ガラス基板上に電極、絶縁体、発光体等が複数積層された一体構造となっている。このディスプレイ基板を製作する工程の一つとして、ディスプレイ基板をガラス基板の熱処理用定盤（セッターと称されることもある。）に載せて加熱装置内に配置（又は通過）させて熱処理（例えば、電極や絶縁体の焼付け処理）する工程がある。
【０００３】
このフラットパネルディスプレイ基板は、反りが小さいこと、及び表面の凹凸が小さいことが求められ、その製造のための棚板にも同様に反り・うねりが小さいこと、表面の凹凸が小さいことが求められる。特開２００２−１１４５３７号には、熱膨張係数が１５×１０−７／Ｋ以下であり、表面の平坦度が０．３％以下であり、表面粗さＲａが０．１〜１μｍである結晶化ガラスよりなるガラス基板熱処理用セッターが記載されている。
【特許文献１】特開２００２−１１４５３７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
セッターは、その上面にガラス基板などを載せて加熱装置に出し入れされるものであるため、繰り返し使用すると反りが生じることがある。従来は、反りが生じたセッターについては廃棄処分するか、砕いて窯業原料に用いる程度しか用途がなかった。
【０００５】
本発明は、熱処理に使用することにより反り変形したセッターを再利用できるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
請求項１のセッターの平坦化処理方法は、被熱処理物を載せて熱処理するためのセラミックス製のセッターの反りを解消するセッターの平坦化処理方法であって、反りを有したセッターを平坦面上に載せ、上記熱処理の温度よりも高い温度に加熱して該セッターを該平坦面に沿わせることにより平坦化させることを特徴とする。
【０００７】
請求項２のセッターの平坦化処理方法は、請求項１において、前記セッターはセラミックスの焼結体よりなり、前記平坦化処理時の加熱温度がセッターの焼結時の焼成温度よりも低いことを特徴とする。
【０００８】
請求項３のセッターの平坦化処理方法は、請求項１又は２において、前記平坦化処理時に、前記セッターの上に、下面が平坦となっている重しを載せることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によると、ガラス基板等の熱処理に使用することによって反ったセッターを平坦化させて再利用することができる。この平坦化処理時の温度がセッターの使用温度（ガラス基板等の熱処理時の温度）よりも高いので、セッターを再利用するときに該セッターに反り変形が生じにくい。
【００１０】
平坦化処理時に重しをセッターの上に載せることにより、セッターの平坦化処理時間を短くすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
本発明のセッターの平坦化処理方法は、被熱処理物を載せて熱処理するためのセラミックス製のセッターの反りを解消するセッターの平坦化処理方法であって、反りを有したセッターを平坦面上に載せ、上記熱処理の温度よりも高い温度に加熱して該セッターを該平坦面に沿わせることにより平坦化させることを特徴とするものである。
【００１２】
即ち、本発明方法は、セラミックス製のセッター、例えばセラミックスの焼結体よりなるセッターに適用される。
【００１３】
セラミックスの焼結体よりなるセッターに制限はなく、例えば、上記特許文献１に記載されたセラミックス焼結体などが挙げられる。具体的には、セラミックス焼結体よりなるセッターとして、Ｌｉ２Ｏ・Ａｌ２Ｏ３・ｎＳｉＯ２を主成分とするセラミックス焼結体、例えばペタライト（Ｌｉ２Ｏ・Ａｌ２Ｏ３・８ＳｉＯ２）系セラミックスなどが挙げられる。また、β−スポジュメン（Ｌｉ２Ｏ・Ａｌ２Ｏ３・４ＳｉＯ２）系セラミックス又はβ−ユークリプタイト（Ｌｉ２Ｏ・Ａｌ２Ｏ３・２ＳｉＯ２）系セラミックスであってもよい。
【００１４】
セラミックス焼結体の組成の範囲の一例は次の通りである。
【００１５】
ＳｉＯ２      ６５〜７９重量％
Ａｌ２Ｏ３    １２〜２３重量％
Ｌｉ２Ｏ      ３〜１０重量％
Ｎａ２Ｏ      １重量％以下
Ｋ２Ｏ        １重量％以下
ＣａＯ        １重量％以下
Ｆｅ２Ｏ３    １重量％以下
ＴｉＯ２      １重量％以下
【００１６】
このセッターは、その上面にフラットパネルディスプレイ基板などのガラス基板等の被熱処理物を載せ、熱処理するために用いられる。このようにセッターに被非熱処理物を載せて熱処理を繰り返し行うと、セッターに反りが生じる場合がある。
【００１７】
このようにセッターに反りが生じた場合、この反りを有したセッターを平坦面上に載せ、セッターに反りが生じた上記熱処理温度よりも高い温度に加熱する。これにより、セッターは自重により平坦面に沿って変形し、平坦化される。
【００１８】
この平坦化処理の温度は、上記被熱処理物の熱処理温度よりも１００℃以上、特に２００℃以上高いことが好ましい。１００℃以上高温であると、短時間で平坦化処理を行うことができる。
【００１９】
また、このセッターがセラミックスの焼結体よりなる場合、この平坦化処理の温度は、このセッターの焼結時の焼成温度よりも低いことが好ましい。この焼成温度よりも低いと、セッターの一部が融解して所定の寸法規格から外れる程度にまで変形してしまったり、セッターが平坦面に融着することなどが防止される。この平坦化処理の温度は、上記焼成温度よりも５０℃以上、特に１００℃以上低いことが好ましい。
【００２０】
この平坦化処理のための加熱時間は、例えば３０〜１５０分、好ましくは６０〜１２０分程度である。
【００２１】
なお、このセッターを載せる平坦面を有する部材としては、平坦化処理によっても変形しないものが用いられる。
【００２２】
この平坦面を有する部材としては、例えば、ＳｉＣ製定盤、アルミナ製定盤、低熱膨脹結晶化ガラス製定盤、当該セッターの合格品（所定の寸法規格の範囲内のセッター）等が挙げられる。
【００２３】
上記実施の形態は本発明の一例であり、本発明は上記実施の形態に限定されるものではない。
【００２４】
例えば、平坦化処理時に、セッターの上に、下面が平坦となっている重しを載せるようにしてもよい。これにより、セッターの平坦化処理時間を短くすることができる。
【００２５】
この重しとしては、セッターよりも一回り面積の大きい平板等が用いられる。
【００２６】
この重しの材質としては、平坦化処理によっても変形しないものが用いられる。例えば、ＳｉＣ板、アルミナ板、当該セッターの合格品等が挙げられる。
【実施例】
【００２７】
以下、実施例及び比較例を用いて本発明をより詳細に説明する。
【００２８】
なお、第１図はセッターの反り値を測定する方法を説明する平面図、第２図は第１図のII−II線に沿う断面図である。
【００２９】
実施例１  
＜セッターの作製＞
表１に示す組成のペタライト７１重量％、ガラスフリット２０重量％及び蛙目粘土９重量％の調合物１００重量部に対し水５０重量部及び成形助剤（ポリビニルアルコール）１．８重量部を添加し、ボールミルを用いて細磨混合した後、鋳込み成形し、３０００ｍｍ×４０００ｍｍ×１２ｍｍｔの成形体とした。これを、１１５０℃×１時間の焼成を行って焼結元板とした。この元板をダイヤモンド砥石（粗さ＃４００）を用いた平面研磨盤を用いて表面研磨してセッターとした。
【００３０】
このセッターの上にガラス板を載せ、６００℃で１２０分間の熱処理を複数回行った。
【００３１】
【表１】
2008254962.tif 000003
【００３２】
＜反り量の測定＞
上記の熱処理後のセッター１を平坦面２上に載置し、第１図に実線で示す通り、平坦治具３をこのセッター１の上面の対角線に沿って架け渡した。そして、この平坦治具３の下面とセッター１の上面とが最も離隔している箇所の距離を測定し、反り値Ｌ１とした。また、第１図に点線で示す通り、平坦治具３をこのセッター１の上面の異なる対角線に沿って架け渡し、同様にして反り値Ｌ２を測定した。これら反り値Ｌ１，Ｌ２が基準値２．０ｍｍを超えたセッター１を実施例１の試料とした。なお、試料の反り値Ｌ１，Ｌ２の測定結果を表２に示す。また、この試料の長手方向の長さ及び厚みも表２に示す。
【００３３】
【表２】
2008254962.tif 000004
【００３４】
＜平坦化処理＞
上記試料を平坦な定盤（当該セッターの合格品）の上に載せ、８００℃で６０分間加熱した。
【００３５】
その後、セッター１の反り値Ｌ１，Ｌ２、長手方向の長さ及び厚みを再度測定した。その結果を表２に示す。
【００３６】
比較例１  
平坦化処理時の加熱温度を６００℃としたこと以外は実施例１と同様の実験を行った。その結果を表３に示す。
【００３７】
【表３】
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【００３８】
比較例２  
平坦化処理時の加熱温度を１２００℃としたこと以外は実施例１と同様の実験を行った。その結果を表４に示す。
【００３９】
【表４】
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【００４０】
表２〜４から明らかな通り、実施例１によると、試料を良好に平坦化させることができた。これに対し、比較例１では平坦化がほとんどなされなかった。また、比較例２では平坦化処理時にセッターが定盤と融着してしまい、製品にすることができなかった。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】実施例及び比較例のセッターの反り値を測定する方法を説明する平面図である。
【図２】第１図のII−II線に沿う断面図である。
【符号の説明】
【００４２】
１  セッター
２  平坦面
３  平坦治具
【図１】
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【図２】
2008254962.tif 000008