(57)【要約】【課題】電気泳動によって蛍光体層を付着させる際に、イオンマイグレーションによる元素析出を防止することのできる色変換発光体装置の製造方法を提供する。【解決手段】電気泳動工程においてイオンマイグレーションが生じ得る金属部分４，５が２カ所以上存在する場合に、それらを相互もしくは補助陰極２３に電気的に結線２４ａ、２４ｂしておくことにより同電位となるようにする。イオンマイグレーションは同じ元素を用いた領域が２箇所以上存在し、その領域間に電位差がある場合に生じるため、結線して同電位にすることによりイオンマイグレーションを防止できる。結線した金属部分の全面に蛍光体粒子が泳動され堆積するため、開口部を有する補助陰極２３を配置し、所望する部分に選択的に蛍光体粒子を堆積させるようにする。【選択図】図２
2008130674.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体発光素子を搭載した発光体装置と陽極とを、蛍光体粒子を分散した溶液中に対向配置する工程と、
前記発光体装置の所定の複数の導電性部分を同電位とするために、該複数の導電性部分を結線する工程と、
前記半導体発光素子の蛍光体粒子を堆積させるべき部分の電位が、前記陽極電位よりも低電位となるように、前記陽極と前記発光体装置との間に直流電圧を印加し、前記溶液中の前記蛍光体粒子を前記半導体発光素子まで移動させ、前記半導体発光素子の表面に付着させる工程と、
前記複数の導電性部分の結線を切断する工程と、を含むことを特徴とする色変換発光体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の色変換発光体装置の製造方法において、前記所定の複数の導電性部分は、Ag、Pb、Cu、Sn、Niのいずれかの同一元素を含むことを特徴とする色変換発光体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１に記載の色変換発光体装置の製造方法において、前記発光装置と陽極との間に、補助陰極を配置し、該補助陰極を介して前記所定の複数の導電性部分を結線することを特徴とする色変換発光体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項３に記載の色変換発光体装置の製造方法において、前記補助陰極は、前記半導体発光素子と対向する位置に開口を有し、該開口を通過した蛍光体粒子を選択的に前記半導体発光素子に堆積させることを特徴とする色変換発光体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれか１項に記載の色変換発光体装置の製造方法において、前記半導体発光素子の蛍光体粒子を堆積させるべき部分には導電性層が配置され、該導電性層を前記所定の複数の導電性部分と結線し、同電位とすることを特徴とする色変換発光体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれか１項に記載の色変換発光体装置の製造方法において、前記発光体装置は、表面に金属層を備えた反射部材を含み、該反射部材を前記所定の複数の導電性部分と結線し、同電位にすることを特徴とする色変換発光体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子の表面に、発光色を変換する蛍光体層を設けた色変換発光装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光ダイオード（ＬＥＤ）の発する青色光の一部を蛍光体によって赤色光および緑色光に変換し、青赤緑の三色光が混合された白色光を発する光デバイスが知られている。このような光デバイスの構造としては、例えば、内面が光反射性のカップの内部に青色ＬＥＤチップを配置し、ＬＥＤチップの周囲のカップ内空間に蛍光体を充填した構造のものが知られている。
【０００３】
特許文献１には、ＬＥＤチップの周囲に配置される蛍光体層の厚みのムラによって発光色に色むらが生じるのを低減するために、電気泳動を利用して均一な厚さの蛍光体層をＬＥＤチップ表面に付着させる技術が開示されている。電気泳動工程では、蛍光体粒子、帯電剤および結合材の役目を果たす窒化アルミニウムを、イソプロピルアルコールおよび水を主とする溶液に加えて分散させ、この溶液中にＬＥＤチップおよびその支持部材（サブマウント）を陰極として配置し、陰極と対向配置した陽極との間に電界を印加する。耐電剤により正に帯電した蛍光体粒子は、電界を印加されることにより陰極に向かって電気泳動し、ＬＥＤチップ表面の導電性部分に堆積し、蛍光体層を形成する。
【特許文献１】特開２００３−６９０８６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上述したように電気泳動工程においては、ＬＥＤチップおよびその支持部材は溶液に浸され、電圧が印加される。このため、所定の条件の場合にＬＥＤチップおよびその支持部材上の元素がイオンマイグレーションにより溶出することがある。イオンマイグレーションが生じる条件とは、ＬＥＤおよびその支持基板に、上記イオンマイグレーションを生じやすい元素として知られるAg、Pb、Cu、Sn、Niのうちの同じ元素を用いた領域が２箇所以上存在し、その領域間に電位差がある場合である。この条件がそろった場合には、高電位領域から上記元素がイオンとなって溶出し、溶出したイオンは、その領域よりも低電位の領域に移動して析出するイオンマイグレーション現象が生じる。上記元素のうち特にAgはイオンマイグレーションを生じやすいことが知られている。
【０００５】
上記元素は、導電性であるため、隣接する電極パターン間に析出した場合には、電気的ショートの原因となり、信頼性の低下を招く。また、溶出したイオンは、蛍光体粒子と同様に正電荷を持つため電気泳動され、より低電位のＬＥＤチップの表面に析出することがある。析出した上記元素は、粒径が可視光波長よりも小さい微粒子であるため、蛍光体層内で黒色の光吸収点となり、ＬＥＤデバイスの光度の低下を招く。
【０００６】
本発明の目的は、電気泳動によって蛍光体層を付着させる際に、イオンマイグレーションによる元素析出を防止することのできる色変換発光体装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明では、電気泳動工程においてイオンマイグレーションが生じ得る金属部分が２カ所以上存在する場合に、それらを相互もしくはグランド電位の電極等に電気的に結線しておくことにより同電位となるようにする。イオンマイグレーションは、同じ元素を用いた領域が２箇所以上存在し、その領域間に電位差がある場合に生じるため、結線して同電位にすることによりイオンマイグレーションを防止できる。また、結線した金属部分の全面に蛍光体粒子が泳動され堆積するため、開口部を有する補助陰極を配置し、所望する部分に選択的に蛍光体粒子を堆積させるようにする。
【０００８】
具体的には、本発明の第１の態様によれば、以下のような色変換発光体装置の製造方法が提供される。すなわち、半導体発光素子を搭載した発光体装置と陽極とを、蛍光体粒子を分散した溶液中に対向配置する工程と、発光体装置の所定の複数の導電性部分を同電位とするために、これら複数の導電性部分を結線する工程と、半導体発光素子の蛍光体粒子を堆積させるべき部分の電位が、陽極電位よりも低電位となるように、陽極と前記発光体装置との間に直流電圧を印加し、溶液中の蛍光体粒子を半導体発光素子まで移動させ、半導体発光素子の表面に付着させる工程と、複数の導電性部分の結線を切断する工程と、を含むことを特徴とする色変換発光体装置の製造方法である。このように、結線により所定の複数の導電性部分を同電位とすることにより、これら導電性部分がAg、Pb、Cu、Sn、Niのいずれかの同一元素を含む場合であっても、イオンマイグレーションが生じるのを抑制することができる。
【０００９】
また、発光装置と陽極との間に、補助陰極を配置し、補助陰極を介して所定の複数の導電性部分を結線し、補助陰極と前記所定の複数の導電性部分とを同電位にすることも可能である。補助陰極には、半導体発光素子と対向する位置に開口を設けておくことにより、開口を通過した蛍光体粒子を選択的に半導体発光素子に堆積させることができる。これにより、補助陰極がマスクの作用をし、所望しない箇所への蛍光体粒子の堆積を防止できる。
【００１０】
半導体発光素子の蛍光体粒子を堆積させるべき部分には、導電性層が配置されている場合、導電性層を所定の複数の導電性部分と結線し、同電位とすることが可能である。これにより、導電性層にイオンマイグレーションを生じやすい元素が含まれている場合であってもイオンマイグレーションを抑制しつつ、その上に蛍光体層を堆積することができる。
【００１１】
発光体装置が、表面に金属層を備えた反射部材を含む場合、反射部材の金属層を他の複数の導電性部分と結線し同電位とすることができる。これにより、反射部材の金属層がAg等イオンマイグレーションを生じやすい元素が含まれている場合であってもイオンマイグレーションを抑制できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
本発明の一実施の形態の色変換発光体装置の製造方法について図面を用いて説明する。
【００１３】
まず、本実施の形態で製造する色変換発光体装置の構造について図１を用いて説明する。図１の色変換発光装置は、支持部材３に、GaNをベースとした青色ＬＥＤチップ（ダイ）２を搭載した構成であり、青色ＬＥＤチップ２は蛍光体層７によって被覆されている。
【００１４】
支持部材３は、絶縁性の基板３ａの表面に、ｐ型コンタクト取り出し電極４およびｎ型コンタクト取り出し電極５を備えている。ＬＥＤチップ２は、公知の青色ＬＥＤであり、図示していないが、支持部材３側から順に積層された、低電気抵抗のｐ型コンタクト層、ｐ型クラッド層、活性層、ｎ型クラッド層、および、低電気抵抗のｎ型コンタクト層を含んでいる。ｎ型コンタクト層の上には、ボンディングパッドとなる表面電極が配置されている。ＬＥＤチップ２の最下面であるｐ型コンタクト層は、はんだ材料等により、支持部材３のｐ型コンタクト取り出し電極４上にダイボンディングされている。一方、ＬＥＤチップ２の表面電極は、ボンディングワイヤ６によりｎ型コンタクト取り出し電極５と接続されている。
【００１５】
青色ＬＥＤチップ２を覆う蛍光体層７は、YAG(イットリウム・アルミニウム・ガーネット)蛍光体の粒子の層である。
【００１６】
図１の色変換発光体装置は、ｐ型コンタクト取り出し電極４とｎ型コンタクト取り出し電極５からＬＥＤチップ２に電流を流すと、ＬＥＤチップ２から青色光が発生する。蛍光体層７は、その青色光の一部を吸収して、黄色に色変換した蛍光を発光する。これにより、色変換発光体装置からは、黄色光と青色光を混色して得られる白色光が発光される。
【００１７】
次に、本実施の形態の色変換発光体装置の製造方法の概要について説明する。
まず、予め製造しておいたＬＥＤチップ２を支持部材のｐ型コンタクト取り出し電極４上にはんだ材料等を用いてダイボンディングした後、ＬＥＤチップ２の表面電極とｎ型コンタクト取り出し電極５をワイヤ６によりボンディングする。これにより、支持部材３にＬＥＤチップ１が搭載されたＬＥＤパッケージ１が得られる。なお、ＬＥＤチップ２および支持部材３の製造方法は、広く知られているのでここでは説明を省略する。
【００１８】
つぎに、ＬＥＤパッケージ１のＬＥＤチップ２の表面に電気泳動を用いて蛍光体層７を形成する。電気泳動は、基本的には二つの電極間（陽極と陰極）に電位差を加え、両極間に存在する「電荷を有する物質」を電場により移動させる現象である。電気泳動を利用することにより「電荷を有する物質」の電荷とは反対の極性を示す電極上に「電荷を有する物質」を堆積させることができる。（以下、この工程を電気泳動電着工程、または単に電着工程と呼ぶ。）本実施の形態では、電荷を付加した蛍光体粒子を分散した水溶液を用意し、ＬＥＤパッケージ１を陰極とし、陽極と対向させて溶液中に浸し、陰極陽極間に電圧を印加する。正電荷を付与した蛍光体粒子は、電気泳動によりＬＥＤパッケージ１の表面の導電性領域に移動し堆積する。
【００１９】
図１のＬＥＤパッケージ１をそのまま陰極とした場合、ＬＥＤパッケージ１には、取り出し電極４および５、ＬＥＤチップ２の表面電極、ダイボンディングのはんだ材料等の複数の金属部分が存在するため、これらの金属部分は、電源と直接結線された部分以外の金属部分についても、溶液の導電性により電位が加わる。これら金属部分の電位は、ＬＥＤチップダイ２の構造上、等電位にはならない。例えば、ｐ型コンタクト取り出し電極を電源負極と結線した場合、ＬＥＤパッケージ１の金属分の電位は、
ｎ型コンタクト取り出し電極５≧ダイボンディングはんだ＞ＬＥＤチップダイ２表面＞ｐ型コンタクト取り出し電極４
の順になる。ＬＥＤパッケージ１において、ＬＥＤチップダイ２の表面電極、ダイボンディングのはんだ材料、支持部材３上に形成した取り出し電極４，５等は、Ag、Pb、Cu、Sn、Niのうちの一つの元素を含んで構成され得る。そのため、これらの元素のうちの同一元素を含む二以上の領域を有する場合には、電位差が生じ、水溶液中でイオンマイグレーションが発生し、溶液中に陽イオンが溶出する。
【００２０】
本実施の形態では、ＬＥＤパッケージ１の複数の金属部分を相互もしくはグランド電位の電極に予め結線しておくことにより、電着工程の溶液中で複数の金属部分が同電位となるようにする。同電位の複数の金属部分は、Ag、Pb、Cu、Sn、Niのうちの同一の一つの元素を含んでいてもイオンマイグレーションを生じないため、ＬＥＤチップダイ２の表面の蛍光体層にこれらの元素が析出して光吸収点となったり、電極部で析出して電気的信頼性を低下させるのを防止することができる。これらの結線は、電着工程時の一時的なものであり、電着後は、切断または除去する。
【００２１】
また、結線した金属部分の全体に蛍光体粒子が泳動され堆積するため、開口部を有する補助陰極を配置し、ＬＥＤチップ２表面に選択的に蛍光体粒子を堆積させるようにする。
【００２２】
以下、第１〜第３の実施の形態により、本発明の電着工程をさらに具体的に説明する。
【００２３】
（第１の実施の形態）
第１の実施の形態として、イオンマイグレーションを生じやすい元素を取り出し電極４，５に含むＬＥＤパッケージ１に対して、蛍光体粒子を形成する電着工程について図２および図３を用いて説明する。
【００２４】
図２に示した装置は、電気泳動による電着装置であり、堆積処理槽２０には、蛍光体（ＹＡＧ）粒子が分散された溶液２１が満たされ、その底部に陽極（白金）２２が配置されている。ＬＥＤパッケージ１は、陰極として溶液２１の上部に陽極２２と対向するように配置される。
【００２５】
陰極となるＬＥＤパッケージ１と陽極２２との間には、補助陰極２３が配置されている。補助陰極２３は、蛍光体粒子をＬＥＤチップダイ２の表面に選択的に付着させるために、ＬＥＤチップダイ２と対向する位置に開口４３を備えている。開口４３の形状は、ＬＥＤチップダイ２の上面形状に対応している。補助陰極２３を構成する材料は、電着工程中に電気化学反応で溶出しない導電性基材を用いることが望ましい。すなわち、イオンマイグレーションを生じやすいAg、Pb、Cu、Sn、Niを含まない導電性材料、例えばPtやSUS等の金属材料やカーボン材料などを使用することができる。
【００２６】
ＬＥＤパッケージ１のｐ型コンタクト取り出し電極４は、配線２４ａによって直流電源２６の負極（グランド電位）に接続する。ｎ型コンタクト取り出し電極５は、配線２４ｂによって補助陰極２３に接続する。補助陰極２３は、配線２７により電源２６の負極に接続する。よって、取り出し電極４、５および補助陰極２３は、いずれもグランド電位である。一方、陽極２２は、配線２５により直流電源２６の正極に接続する。
【００２７】
補助陰極２３とＬＥＤパッケージ１との間隔は、補助陰極２３の開口４３を通して、蛍光体粒子をＬＥＤチップダイ２の表面に選択的に付着させることができるように、例えば、２mm以内に設定する。
【００２８】
溶液２１は、蛍光体粒子（YAG）と、蛍光体粒子の帯電剤および結合材の役目を果たす硝酸マグネシウム（Mg(NO3)2）とを、イソプロピルアルコールおよび水を主とする溶媒に分散させたものを用いる。例えば、蛍光体粒子（YAG）は4 g/L、硝酸マグネシウム（Mg(NO3)2）を5 mmol/Lの濃度となるように分散した溶液２１を用いることができる。蛍光体粒子の粒径は、一次粒子径で数ｎｍ〜数十μｍ、程度のものを用いることができる。
【００２９】
電着工程の作業手順としては、堆積処理槽２０に、図２のようにＬＥＤパッケージ１と補助陰極２３をセットした後、電源２６より所定の電圧を印加する。溶液２１中の蛍光体粒子には、硝酸マグネシウムが溶解してイオンとなることにより正電荷が付与されるため、蛍光体粒子は、陽極２２側から補助陰極２３および陰極であるＬＥＤパッケージ１に向けて電気泳動される。
【００３０】
蛍光体粒子の一部は、補助陰極２３上に堆積する。他の一部は、補助陰極２３の開口４３を通過して、ＬＥＤパッケージ１に到達し、ＬＥＤチップ２の表面に堆積する。これにより、蛍光体層７が形成される。
【００３１】
蛍光体層７の堆積後、配線２４ａ、２４ｂを取り外すか、または切断する。堆積処理槽２０からＬＥＤパッケージ１を取り出す。ＬＥＤチップダイ２表面以外の部分に蛍光体粒子が開口４３から回り込んで堆積している場合には、それを拭き取る、もしくは吹き飛ばす等により取り除く。以上の工程により、ＬＥＤチップダイ２の表面に一様な厚さの蛍光体層７が形成された図１の色変換発光体装置を得ることができる。
【００３２】
上記電着工程において、ＬＥＤパッケージ１上の取り出し電極４、５は電源２６の負極または補助陰極２３に結線されているため、同電位（グランド電位）である。このため、取り出し電極４，５にイオンマイグレーションを生じやすいAg、Pb、Cu、Sn、Niのうちの同一元素（例えばAg)が含まれていてもイオンマイグレーションは生じない。これにより、蛍光体を堆積させたいＬＥＤチップダイ２表面へのAg微粒子の析出を防ぐことができ、その結果チップダイ２表面の蛍光体層７が黒化することを防止できる。
【００３３】
また、取り出し電極４、５はグランド電位であるため、電気泳動により蛍光体粒子が取り出し電極４，５に引き寄せられるが、本実施の形態では、補助陰極２３が取り出し電極４，５を覆うように配置されているため、補助陰極２３がマスクの作用をし、ＬＥＤチップ２表面に選択的に堆積させることができる。
【００３４】
本実施の形態では、図２に示したように、ＬＥＤパッケージ１を陽極２２と対向配置しているが、本発明はこれに限定されるものではなく、ＬＥＤチップダイ２パッケージ１の主平面を陽極２２に垂直に配置することや、堆積される蛍光体層７の厚みムラ低減のためにＬＥＤパッケージ１を陽極２２に対して回転させることも可能である。
【００３５】
（第２の実施の形態）
第２の実施の形態として、反射リングを備えたＬＥＤパッケージ１であって、取り出し電極４，５のみならず反射リングにもイオンマイグレーションを生じやすい元素が用いられている場合の電着工程について図４を用いて説明する。
【００３６】
図４に示したように、ＬＥＤパッケージ１は、ＬＥＤチップダイ２の周囲に反射リング８を備えている。反射リング８は、ＬＥＤチップダイ２から発せられた光をＬＥＤチップダイ２の上方に向けて反射するミラーであり、ＬＥＤチップダイ２を取り囲むように配置されている。反射リング８が配置されていることにより、ＬＥＤパッケージ１の主平面の法線方向（上方）へ向けて指向性の高い光を発することができる。
【００３７】
反射リング８は、内壁面に反射率を高める金属層を備え、この金属層は、支持部３の電極４，５およびＬＥＤチップダイ２とは構造的には電気的に接続されていないが、溶液２１に浸された場合、溶液２１を介して相互に電気的に接続される。このため、反射リング８の金属層にAg、Pb、Cu、Sn、Ni等イオンマイグレーションを生じやすい元素（例えばAg）が含まれている場合、イオンの発生源となり得る。そこで、本実施の形態では、図４のように、反射リング８のAg層をｎ型コンタクト取り出し電極５に配線４１により結線する。取り出し電極５は、第１の実施の形態と同様に配線２４ｂを介して補助陰極２３に接続する。取り出し電極４および補助陰極２７についても、第１の実施の形態と同様に配線２４ａおよび配線２７を介して、電源２６の負極に接続する。
【００３８】
これにより、取り出し電極４，５および反射リングの金属層をすべて、補助陰極２３と共にグランド電位に落とすことができる。取り出し電極４，５および反射リングの金属層は同電位となるため、イオンマイグレーションを生じやすい元素を含んでいても、イオンマイグレーションを生じない。
【００３９】
なお、他の構成および作業手順は、第１の実施の形態と同様であり、蛍光体粒子は、補助陰極２３の開口４３を通過してＬＥＤパッケージ１のチップダイ２の上面に堆積する。
【００４０】
なお、取り出し電極４，５、反射リング９、補助陰極２３の結線方法は、図４の構成に限らず、これらが同電位になればどのように結線しても良い。例えば、反射リング８と補助陰極２３とを結線する、反射リング８とｐ型コンタクト取り出し電極４とを結線する、あるいは、反射リング８とｎ型コンタクト取り出し電極をそれぞれ補助陰極２３に結線する等種々の方法をとることが可能である。
【００４１】
（第３の実施の形態）
第３の実施の形態として、図５のように、ＬＥＤチップダイ２がｎ型電極およびｐ型電極をいずれもチップダイ２の下面に備えるＬＥＤパッケージ１を用いる場合について説明する。ｐ型電極およびｎ型電極は、図６のように、それぞれコンタクト電極６１、６２により、ｐ型コンタクト取り出し電極４およびｎ型コンタクト取り出し電極５に電気的および機械的に接合される。
【００４２】
また、ＬＥＤチップダイ２の表面が非導電性の材質（例えば、サファイア基板）である場合には、電気泳動の陰極として必要な導電性を付与するために、導電層７１が配置されている。
【００４３】
コンタクト電極６１、６２および導電層７１には、イオンマイグレーションを生じやすい元素が含まれている。具体的には、コンタクト電極６１，６２は、Au−Sn化合物から構成され、導電層７１は、Ｓｎを含む酸化アンチモン−スズ化合物によって構成されている。導電層７１は、酸化アンチモン−スズ化合物等の微粒子の懸濁液を塗布やスプレーすることにより形成することができる。
【００４４】
第３の実施の形態の電着工程について図６を用いて説明する。図６のように、電着装置は、第１および第２の実施の形態と同様であるが、チップダイ２表面の導電層７１を配線７２により、ｎ型コンタクト取り出し電極５に接続している。また、ｎ型コンタクト取り出し電極５は、配線２４ｂにより補助陰極２３に接続している。ｐ型コンタクト取り出し電極４および補助陰極２３は、それぞれ配線２４ａおよび２７により、電源２６の負極に接続している。
【００４５】
これにより、取り出し電極４，５および導電層７１をすべて、補助陰極２３と共にグランド電位に落とすことができる。取り出し電極４，５および導電層７１は同電位となるため、イオンマイグレーションを生じやすい金属を含んでいても、イオンマイグレーションを生じない。
【００４６】
他の構成および作業手順は、第１の実施の形態と同様である。蛍光体粒子は、補助陰極２３の開口４３を通過してチップダイ２の導電層７１の上面に堆積する。
【００４７】
なお、取り出し電極４，５および導電層７１の結線方法は、図６の構成に限らず、これらが同電位になればどのように結線しても良い。例えば、導電層７１とｐ型コンタクト取り出し電極４とを結線する等種々の結線方法をとることが可能である。
【００４８】
（第４の実施の形態）
第４の実施の形態のＬＥＤパッケージ１は、第３の実施の形態のＬＥＤパッケージ１と同様の構成であるが、さらに第２の実施の形態と同様の構成の反射リング９をさらに備えている。
【００４９】
コンタクト電極６１、６２、導電層７１および反射リング９の金属層には、イオンマイグレーションを生じやすい元素が含まれている。具体的には、コンタクト電極６１，６２は、Au−Sn化合物から構成され、導電層７１は、Snを含む酸化アンチモン−スズ化合物であり、反射リング９の金属層は、Ag層である。
【００５０】
そこで、第４の実施の形態の電着工程では、図７に示すように、チップダイ２表面の導電層７１を配線９１により、反射リング９の金属層と接続している。反射リング９の金属層は、配線４１によりｎ型コンタクト取り出し電極５に接続している。ｎ型コンタクト取り出し電極５は、配線２４ｂにより補助陰極２３に接続している。ｐ型コンタクト取り出し電極４および補助陰極２３は、それぞれ配線２４ａおよび２７により、電源２６の負極に接続している。
【００５１】
これにより、取り出し電極４，５、導電層７１および反射リング９をすべて、補助陰極２３と共にグランド電位に落とすことができる。よって、これらがイオンマイグレーションを生じやすい金属を含んでいても、イオンマイグレーションを生じない。また、他の構成および作業手順は、第１の実施の形態と同様である。蛍光体粒子は、補助陰極２３の開口４３を通過してチップダイ２の導電層７１の上面に堆積する。
【００５２】
なお、取り出し電極４，５および導電層７１の結線方法は、図６の構成に限らず、これらが同電位になればどのように結線しても良い。
【００５３】
上述してきたように、本発明の各実施の形態によれば、ＬＥＤパッケージの複数の金属部分にイオンマイグレーションを生じやすい元素が含まれている場合であっても、電着工程時に一時的に結線することにより、イオンマイグレーションの発生を抑制できる。これにより、これら元素がイオンマイグレーションにより蛍光体層や電極間に析出することがないため、光度が高く、電極の信頼性の高い色変換発光体装置を製造することができる。また、開口を備えた補助陰極を用いることにより、所望の領域に蛍光体層を形成できる。
【００５４】
また、本実施の形態の電着工程は、ＬＥＤチップ２を実装した１つのＬＥＤパッケージ１を処理槽にセットして蛍光体層を形成しているが、本発明は、複数の連続したＬＥＤパッケージ１を処理槽にセットして蛍光体層を形成してもよい。
【００５５】
複数の連続したＬＥＤパッケージを処理槽にセットする場合には、蛍光体層形成後に複数のＬＥＤパッケージを個々に分離する工程が必要となる。また、隣接するＬＥＤパッケージの取り出し電極を連続して形成することにより、蛍光体付着工程において、取り出し電極間に結線された状態で構成することができる。さらに、分離工程において、隣接するＬＥＤパッケージの取り出し電極間が切断されるように、支持部材上の取り出し電極パターンを設計することにより、分離工程とともに結線の切断も行うことができる。
【００５６】
また、取り出し電極と反射部材の結線についても、導線による接続のみならず、支持部材上に取り出し電極と連続したメッキパターンを設け、この上に反射部材を搭載することにより、当該メッキパターンによって、取り出し電極と反射部材（の導電性部分）とを接続（結線）してもよい。蛍光体付着工程後は、レーザー照射によりメッキパターンを除去することにより結線の切断を行うことができる。
【００５７】
なお、上述してきた実施の形態では、補助陰極２３を用い、蛍光体層を選択的にＬＥＤチップ２に堆積させているが、補助陰極２３を用いなくとも蛍光体層を堆積させることは可能である。この場合であってもＬＥＤパッケージ１の複数金属領域を同電位とすることにより、イオンマイグレーションを防止できる効果は得られる。ただし、補助陰極２３を用いない場合には、ＬＥＤパッケージ１の同電位の金属領域等、導電性領域全体に蛍光体層が付着するため、不要な領域の蛍光体層を除去する工程を行う必要がある。
【００５８】
また、上記各実施の形態では、イオンマイグレーションを生じやすい元素を含む複数の金属領域をグランド電位に落としているが、イオンマイグレーションの抑制のためには、同電位であれば足りる。よって、陽極電位よりも低い、他の電位にすることも可能である。
【００５９】
なお、イオンマイグレーションの要因となりうる導電性部分は、上述の実施の形態に限定されるものではなく、ＬＥＤチップやＬＥＤパッケージの構成により、ＬＥＤチップの電極、ＬＥＤチップ表面に設けた導電層、ＬＥＤチップ内に形成された金属層、支持部材上に形成された配線部や反射部、ＬＥＤチップと支持部材とを接合する接合材料、支持部材上に形成された反射部材等が考えられる。例えば、下地材料や積層構造の一層としてＡｇ、Ｎｉ、Ｃｕが用いられ、はんだ材料としてＳｎ、Ｐｂ等が使用される。ここで、Ａｇ、Ｐｂ、Ｃｕ、Ｓｎ、Ｎｉを含む導電性部分は、ＬＥＤパッケージの最表面として構成されている場合だけでなく、下地層や積層構造中の一層（最表面ではない）として構成されている場合であっても、ピンホールを介してイオンマイグレーションの発生原因となり得るため、本発明の結線を用いた電着工程によりイオンマイグレーションを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】第１および第２の実施の形態で製造する色変換発光体装置の断面図。
【図２】第１の実施の形態の電着工程を行う電着装置の説明図。
【図３】第１の実施の形態の電着装置の陽極２２と補助陰極２３とLEDパッケージ１の位置関係を示す斜視図。
【図４】第２の実施の形態の電着工程を行う電着装置の説明図。
【図５】第３の実施の形態で製造する発光体装置の断面図。
【図６】第３の実施の形態の電着工程を行う電着装置の説明図。
【図７】第４の実施の形態の電着工程を行う電着装置の説明図。
【符号の説明】
【００６１】
１…ＬＥＤパッケージ、２…ＬＥＤチップ（ダイ）、３…支持部材、３ａ…絶縁性の基板、４…ｐ型コンタクト取り出し電極４、５…ｎ型コンタクト取り出し電極、６…ボンディングワイヤ、７…蛍光体層、２０…堆積処理槽、２１…溶液、２２…陽極、２３…補助陰極、２４ａ、２４ｂ…配線、２５…配線、４１…配線、４４…開口、７２…配線、９１…配線。
【図１】
2008130674.tif 000003
【図２】
2008130674.tif 000004
【図３】
2008130674.tif 000005
【図４】
2008130674.tif 000006
【図５】
2008130674.tif 000007
【図６】
2008130674.tif 000008
【図７】
2008130674.tif 000009