(57)【要約】【課題】ゲートバルブを開放した際、各処理ユニットから搬送室への輻射熱を遮断して、輻射熱の搬送室への影響を防止することができる、処理装置および処理方法を提供すること。【解決手段】シャッター機構４０は、ゲートバルブＧが閉成された状態とされ、処理ユニット１〜４において処理が実行されている際には、開放させ、ゲートバルブＧが開放された状態とされ、搬送装置１２により半導体基板Ｗを処理ユニット１〜４に搬入または搬出する際、半導体ウエハＷの搬入・搬出を許容する隙間を残して中間的に閉成させ、ゲートバルブＧが開放された状態とされ、搬送装置１２において半導体ウエハＷの交換準備の際には、完全に閉成させるように制御される。【選択図】図３
2008251627.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
その中で被処理体に処理を施す少なくとも１個の処理ユニットと、
被処理体を前記処理ユニットに搬入し搬出する搬送装置を備えた搬送室と、
開閉することにより、前記処理ユニットと前記搬送室とを連通し遮断するゲートバルブと、
前記ゲートバルブの前記搬送室側に開閉可能に設けられ、前記ゲートバルブを開放している際に閉じられ、前記処理ユニットから前記搬送室への輻射熱を遮断するシャッター機構と
を具備することを特徴とする処理装置。
【請求項２】
前記ゲートバルブが開放している際に前記シャッター機構が閉じられるように制御する制御機構をさらに具備することを特徴とする請求項１に記載の処理装置。
【請求項３】
前記制御機構は、前記ゲートバルブが閉成された状態とされて、前記処理ユニットにおいて処理が実行されている際に、前記シャッター機構を開放させることを特徴とする請求項２に記載の処理装置。
【請求項４】
前記制御機構は、
前記ゲートバルブが閉成された状態とされて、前記処理ユニットにおいて処理が実行されている際、または、前記ゲートバルブが開放された状態とされて、前記搬送装置により被処理体を前記処理ユニットに対して搬入または搬出する際には、前記シャッター機構を開放させ、
前記ゲートバルブが開放された状態とされて、搬送装置により被処理体を交換する準備をする際には、前記シャッター機構を閉成させることを特徴とする請求項２に記載の処理装置。
【請求項５】
前記制御機構は、
前記ゲートバルブが閉成した状態とされて、前記処理ユニットにおいて処理が実行されている際には、前記シャッター機構を開放させ、
前記ゲートバルブが開放した状態とされて、搬送装置により被処理体を前記処理ユニットに搬入または搬出する際には、前記シャッター機構を被処理体の搬入・搬出を許容する隙間を残して、中間的に閉成させ、
前記ゲートバルブが開放した状態とされて、搬送装置において被処理体を交換する準備をする際には、前記シャッター機構を完全に閉成させることを特徴とする請求項２に記載の処理装置。
【請求項６】
前記搬送装置は、被処理体を保持するブレードを有し、前記シャッター機構は、閉成した際に、前記ブレードの通過を許容する切欠き部を有することを特徴とする請求項１に記載の処理装置。
【請求項７】
前記ゲートバルブが開放された状態とされて、被処理体の交換のため被処理体が載置されていないブレードを前記処理ユニットに挿入する際、および前記ゲートバルブが開放された状態とされて、被処理体を前記処理ユニットに搬送した後のブレードを前記処理ユニットから退避する際、前記シャッター機構を閉成した状態とし、前記ブレードが前記切り欠き部を通過するように前記シャッター機構を制御する制御機構をさらに具備することを特徴とする請求項６に記載の処理装置。
【請求項８】
前記制御機構は、
前記ゲートバルブが閉成された状態とされて、前記処理ユニットにおいて処理が実行されている際、または、前記ゲートバルブが開放された状態とされて、前記搬送装置により被処理体を前記処理ユニットに対して搬入または搬出する際には、前記シャッター機構を開放させ、
前記ゲートバルブが開放された状態とされて、搬送装置により被処理体を交換する準備をする際には、前記シャッター機構を閉成させることを特徴とする請求項７に記載の処理装置。
【請求項９】
前記処理ユニットを複数個有し、これら処理ユニットが前記搬送室の複数の辺にそれぞれ対応して設けられていることを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の処理装置。
【請求項１０】
少なくとも１個の処理ユニットと、被処理体を前記処理ユニットに搬入し搬出する搬送装置を備えた搬送室と、開閉することにより前記処理ユニットと前記搬送室とを連通し遮断するゲートバルブと、前記ゲートバルブの前記搬送室側に設けられ、前記ゲートバルブを開放している際に、前記処理ユニットから前記搬送室への輻射熱を遮断するシャッター機構とを具備する処理装置の処理方法であって、
前記ゲートバルブが閉成された状態とされて、前記処理ユニットにおいて処理が実行されている際に、前記シャッター機構を開放するようにすることを特徴とする処理方法。
【請求項１１】
前記ゲートバルブが閉成された状態とされて、前記処理ユニットにおいて処理が実行されている際、または、前記ゲートバルブが開放された状態とされて、搬送装置により被処理体を前記処理ユニットに搬入または搬出する際には、前記シャッター機構を開放した状態とし、
前記ゲートバルブが開放された状態とされて、搬送装置により被処理体を交換する準備をする際には、前記シャッター機構を閉成した状態とすることを特徴とする請求項１０に記載の処理方法。
【請求項１２】
前記ゲートバルブが閉成した状態とされて、前記処理ユニットにおいて処理が実行されている際には、前記シャッター機構を開放した状態とし、
前記ゲートバルブが開放した状態とされて、搬送装置により被処理体を前記処理ユニットに搬入または搬出する際には、前記シャッター機構を被処理体の搬入・搬出を許容する隙間を残して、中間的に閉成した状態とし、
前記ゲートバルブが開放した状態とされて、搬送装置において被処理体を交換する準備をする際には、前記シャッター機構を完全に閉成した状態とすることを特徴とする請求項１０に記載の処理方法。
【請求項１３】
前記搬送装置は、被処理体を保持するブレードを有し、前記シャッター機構は、閉成した際に、前記ブレードの通過を許容する切欠き部を有し、
前記ゲートバルブが閉成された状態とされて、前記処理ユニットにおいて処理が実行されている際には、前記シャッター機構を開放した状態とし、
前記ゲートバルブが開放された状態とされて、搬送装置により被処理体を前記処理ユニットに対し搬入または搬出する際には、前記シャッター機構を開放した状態とし、
前記ゲートバルブが開放された状態とされて、搬送装置において被処理体を交換する準備をする際には、前記シャッター機構を閉成した状態とし、
前記ゲートバルブが開放された状態とされて、被処理体の交換のため被処理体が載置されていないブレードを前記処理ユニットに挿入する際、および前記ゲートバルブが開放された状態とされて、被処理体を前記処理ユニットに搬送した後のブレードを前記処理ユニットから退避する際、前記シャッター機構を閉成した状態とし、前記ブレードが前記切り欠き部を通過を許容するようにすることを特徴とする請求項１０に記載の処理方法。
【請求項１４】
コンピュータ上で動作し、処理装置を制御するプログラムが記憶された記憶媒体であって、前記制御プログラムは、実行時に、請求項９から請求項１２のいずれかの処理方法が行われるように、コンピュータに前記処理装置を制御させることを特徴とする記憶媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば半導体ウエハ等の被処理体に処理を施すための処理装置、処理方法、およびその方法を実行するためのプログラムを記憶した記憶媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
近時、半導体デバイスの高速化、配線パターンの微細化、高集積化の要求に対応して、デバイス特性の向上が求められており、それに対応して、複数の処理を真空を破らずに実施することができるマルチチャンバタイプの処理装置が用いられている（例えば特許文献１）。
【０００３】
マルチチャンバタイプの処理装置は、複数の処理ユニットを多角形をなす搬送室の各辺にゲートバルブを介して接続して構成される。各処理チャンバは、対応するゲートバルブを開放することにより搬送室と連通され、対応するゲートバルブを閉じることにより搬送室から遮断される。搬送室内には、複数の処理ユニットに対して、半導体ウエハの搬入出を行う搬送装置が設けられており、搬送室および各処理室を真空に保持した状態で、真空を破ることなく、搬送装置により各処理ユニットへの半導体ウエハの搬入・搬出を行えるようになっている。搬送装置は、搬送室の略中央に配設されており、回転および伸縮可能な回転・伸縮部の先端に半導体ウエハを保持するブレードを有したものが用いられる。
【０００４】
以上のようなマルチチャンバタイプの処理装置においては、搬送室から各処理ユニット内に、処理を行う半導体ウエハを搬入する際、または、各処理ユニットから搬送室に、処理を終えた半導体ウエハを搬出する際には、ゲートバルブを開放して、搬送装置のブレードにより半導体ウエハを搬入・搬出している。
【０００５】
すなわち、半導体ウエハの搬入・搬出の際、搬送室と処理ユニットとの間のゲートバルブは必ず開放され、搬送室と当該処理ユニットは連通されるようになっている。
【０００６】
ところで、処理ユニットがＣＶＤ装置のような高温雰囲気で処理が行われるものである場合、半導体ウエハの搬入・搬出の際、ゲートバルブを開放して、搬送室と処理ユニットとが連通された際、処理ユニット内の輻射熱が搬送室に影響を与える。
【０００７】
このような輻射熱の影響が搬送室内に及ぼされると、搬送装置のブレードやアームを熱膨張させ、搬送誤差を引き起こすおそれがある。また、輻射熱は、搬送室内の各種センサー等にも悪影響を及ぼす。このため、処理ユニットから搬送室に及ぼされる輻射熱の影響を極力排除することが求められている。
【特許文献１】特開２００３−５９８６１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであって、ゲートバルブを開放した際、各処理ユニットから搬送室への輻射熱を遮断して、輻射熱の搬送室への影響を防止することができる、処理装置および処理方法を提供することを目的とする。
また、そのような処理方法を実行するプログラムが記憶された記憶媒体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するため、本発明の第１の観点では、その中で被処理体に処理を施す少なくとも１個の処理ユニットと、被処理体を前記処理ユニットに搬入し搬出する搬送装置を備えた搬送室と、開閉することにより、前記処理ユニットと前記搬送室とを連通し遮断するゲートバルブと、前記ゲートバルブの前記搬送室側に開閉可能に設けられ、前記ゲートバルブを開放している際に閉じられ、前記処理ユニットから前記搬送室への輻射熱を遮断するシャッター機構とを具備することを特徴とする処理装置を提供する。
【００１０】
上記第１の観点において、前記ゲートバルブが開放している際に前記シャッター機構が閉じられるように制御する制御機構をさらに具備するようにしてもよい。前記制御機構は、前記ゲートバルブが閉成された状態とされて、前記処理ユニットにおいて処理が実行されている際に、前記シャッター機構を開放させるようにすることができる。また、前記制御機構は、前記ゲートバルブが閉成された状態とされて、前記処理ユニットにおいて処理が実行されている際、または、前記ゲートバルブが開放された状態とされて、搬送装置により被処理体を前記処理ユニットに搬入または搬出する際には、前記シャッター機構を開放させ、前記ゲートバルブが開放された状態とされて、搬送装置により被処理体を交換する準備をする際には、前記シャッター機構を閉成させるようにすることができる。さらに、前記制御機構は、前記ゲートバルブが閉成した状態とされて、前記処理ユニットにおいて処理が実行されている際には、前記シャッター機構を開放させ、前記ゲートバルブが開放した状態とされて、搬送装置により被処理体を前記処理ユニットに搬入または搬出する際には、前記シャッター機構を被処理体の搬入・搬出を許容する隙間を残して、中間的に閉成させ、前記ゲートバルブが開放した状態とされて、搬送装置において被処理体を交換する準備をする際には、前記シャッター機構を完全に閉成させるようにすることもできる。
【００１１】
また、上記第１の観点において、前記搬送装置は、被処理体を保持するブレードを有し、前記シャッター機構は、閉成した際に、前記ブレードの通過を許容する切欠き部を有する構成とすることができる。この場合に、前記ゲートバルブが開放された状態とされて、被処理体の交換のため被処理体が載置されていないブレードを前記処理ユニットに挿入する際、および前記ゲートバルブが開放された状態とされて、被処理体を前記処理ユニットに搬送した後のブレードを前記処理ユニットから退避する際、前記シャッター機構を閉成した状態とし、前記ブレードが前記切り欠き部を通過するように前記シャッター機構を制御する制御機構をさらに具備する構成とすることができる。この制御機構は、前記ゲートバルブが閉成された状態とされて、前記処理ユニットにおいて処理が実行されている際、または、前記ゲートバルブが開放された状態とされて、前記搬送装置により被処理体を前記処理ユニットに対して搬入または搬出する際には、前記シャッター機構を開放させ、前記ゲートバルブが開放された状態とされて、搬送装置により被処理体を交換する準備をする際には、前記シャッター機構を閉成させるようにすることができる。
【００１２】
また、処理装置としては、前記処理ユニットを複数個有し、これら処理ユニットが前記搬送室の複数の辺にそれぞれ対応して設けられているものを好適に用いることができる。
【００１３】
本発明の第２の観点では、少なくとも１個の処理ユニットと、被処理体を前記処理ユニットに搬入し搬出する搬送装置を備えた搬送室と、開閉することにより前記処理ユニットと前記搬送室とを連通し遮断するゲートバルブと、前記ゲートバルブの前記搬送室側に設けられ、前記ゲートバルブを開放している際に、前記処理ユニットから前記搬送室への輻射熱を遮断するシャッター機構とを具備する処理装置の処理方法であって、前記ゲートバルブが閉成された状態とされて、前記処理ユニットにおいて処理が実行されている際に、前記シャッター機構を開放するようにすることを特徴とする処理方法を提供する。
【００１４】
上記第２の観点において、前記ゲートバルブが閉成された状態とされて、前記処理ユニットにおいて処理が実行されている際、または、前記ゲートバルブが開放された状態とされて、搬送装置により被処理体を前記処理ユニットに搬入または搬出する際には、前記シャッター機構を開放した状態とし、前記ゲートバルブが開放された状態とされて、搬送装置により被処理体を交換する準備をする際には、前記シャッター機構を閉成した状態とすることができる。
【００１５】
また、上記第２の観点において、前記ゲートバルブが閉成した状態とされて、前記処理ユニットにおいて処理が実行されている際には、前記シャッター機構を開放した状態とし、前記ゲートバルブが開放した状態とされて、搬送装置により被処理体を前記処理ユニットに搬入または搬出する際には、前記シャッター機構を被処理体の搬入・搬出を許容する隙間を残して、中間的に閉成した状態とし、前記ゲートバルブが開放した状態とされて、搬送装置において被処理体を交換する準備をする際には、前記シャッター機構を完全に閉成した状態とするようにすることができる。
【００１６】
さらに、上記第２の観点において、前記搬送装置は、被処理体を保持するブレードを有し、前記シャッター機構は、閉成した際に、前記ブレードの通過を許容する切欠き部を有し、前記ゲートバルブが閉成された状態とされて、前記処理ユニットにおいて処理が実行されている際には、前記シャッター機構を開放した状態とし、前記ゲートバルブが開放された状態とされて、搬送装置により被処理体を前記処理ユニットに対し搬入または搬出する際には、前記シャッター機構を開放した状態とし、前記ゲートバルブが開放された状態とされて、搬送装置において被処理体を交換する準備をする際には、前記シャッター機構を閉成した状態とし、前記ゲートバルブが開放された状態とされて、被処理体の交換のため被処理体が載置されていないブレードを前記処理ユニットに挿入する際、および前記ゲートバルブが開放された状態とされて、被処理体を前記処理ユニットに搬送した後のブレードを前記処理ユニットから退避する際、前記シャッター機構を閉成した状態とし、前記ブレードが前記切り欠き部を通過を許容するようにすることができる。
【００１７】
本発明の第３の観点によれば、コンピュータ上で動作し、処理装置を制御するプログラムが記憶された記憶媒体であって、前記制御プログラムは、実行時に、上記第２の観点の処理方法が行われるように、コンピュータに前記処理装置を制御させることを特徴とする記憶媒体を提供する。
【発明の効果】
【００１８】
ゲートバルブを開放している際に処理ユニットから搬送室への輻射熱を遮断するシャッター機構が設けられているため、ゲートバルブを開放した際、各処理ユニットから搬送室への輻射熱を遮断して、輻射熱の搬送室への影響を防止することができる。したがって、搬送装置のブレードやアームの熱膨張を抑制することができ、搬送誤差を引き起こすおそれが小さい。また、輻射熱による搬送室内の各種センサー等の悪影響を極力防止することができる。
【００１９】
また、処理ユニットでの処理の実行、ゲートバルブの開閉、被処理体の搬入・搬出、および、被処理体の交換準備に連動して、シャッター機構を開閉するようにすることにより、各処理ユニットから搬送室への輻射熱の影響を極力抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、添付図面を参照して本発明の実施形態について具体的に説明する。
［第１の実施形態］
図１（ａ）は、第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を実施するためのマルチチャンバタイプの処理装置の概略構造を示す水平断面図であり、（ｂ）は、その側面断面図である。
【００２１】
処理装置は、４つの処理ユニット１、２、３、４を備えており、これらの各ユニット１〜４は六角形をなす搬送室５の４つの辺にそれぞれ対応して設けられている。また、搬送室５の他の２つの辺にはそれぞれロードロック室６、７が設けられている。これらロードロック室６、７の搬送室５と反対側には搬入出室８が設けられており、搬入出室８のロードロック室６、７と反対側には半導体ウエハＷを収容可能な３つのキャリアＣを取り付けるポート９、１０、１１が設けられている。処理ユニット１、２、３、４は、その中で半導体ウエハを加熱しながら処理を行う処理、例えばＣＶＤ成膜処理を行うものであり、処理中にはその中の温度が例えば６００℃の高温に保持されるものである。
【００２２】
処理ユニット１〜４、ならびにロードロック室６，７は、同図に示すように、搬送室５の各辺にゲートバルブＧを介して接続され、これらは対応するゲートバルブＧを開放することにより搬送室５と連通され、対応するゲートバルブＧを閉じることにより搬送室５から遮断される。また、ロードロック室６，７の搬入出室８に接続される部分にもゲートバルブＧが設けられており、ロードロック室６，７は、対応するゲートバルブＧを開放することにより搬入出室８に連通され、対応するゲートバルブＧを閉じることにより搬入出室８から遮断される。
【００２３】
搬送室５内には、処理ユニット１〜４、ロードロック室６，７に対して、半導体基板Ｗの搬入出を行う搬送装置１２が設けられている。このウエハ搬送装置１２は、搬送室５の略中央に配設されており、回転および伸縮可能な回転・伸縮部１３の先端に半導体基板Ｗを保持する２つのブレード１４ａ，１４ｂを有しており、これら２つのブレード１４ａ，１４ｂは互いに反対方向を向くように回転・伸縮部１３に取り付けられている。なお、この搬送室５内は所定の真空度に保持されるようになっている。また、ブレード１４ａ，１４ｂは、ツインタイプであるが、シングルタイプであってもよい。
【００２４】
搬入出室８のキャリアＣ取り付け用の３つのポート９，１０、１１にはそれぞれ図示しないシャッタが設けられており、これらポート９，１０，１１に半導体基板Ｗを収容した、または空のキャリアＣが直接取り付けられ、取り付けられた際にシャッタが外れて外気の侵入を防止しつつ搬入出室８と連通するようになっている。また、搬入出室８の側面にはアライメントチャンバ１５が設けられており、そこで半導体基板Ｗのアライメントが行われる。
【００２５】
搬入出室８内には、キャリアＣに対する半導体基板Ｗの搬入出およびロードロック室６，７に対する半導体基板Ｗの搬入出を行う搬送装置１６が設けられている。この搬送装置１６は、多関節アーム構造を有しており、キャリアＣの配列方向に沿ってレール１８上を走行可能となっていて、その先端のハンド１７上に半導体基板Ｗを載せてその搬送を行う。
【００２６】
この処理装置は、各構成部を制御するマイクロプロセッサ（コンピュータ）からなるプロセスコントローラ２０を有しており、各構成部がこのプロセスコントローラ２０に接続されて制御される構成となっている。また、プロセスコントローラ２０には、オペレータが処理装置を管理するためにコマンドの入力操作等を行うキーボードや、処理装置の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等からなるユーザーインターフェース２１が接続されている。
【００２７】
また、プロセスコントローラ２０には、処理装置で実行される各種処理をプロセスコントローラ２０の制御にて実現するための制御プログラムや、処理条件に応じて処理装置の各構成部に処理を実行させるためのプログラムすなわちレシピが格納された記憶部２２が接続されている。レシピは記憶部２２の中の記憶媒体に記憶されている。記憶媒体は、ハードディスクや半導体メモリであってもよいし、ＣＤＲＯＭ、ＤＶＤ、フラッシュメモリ等の可搬性のものであってもよい。また、他の装置から、例えば専用回線を介してレシピを適宜伝送させるようにしてもよい。
【００２８】
そして、必要に応じて、ユーザーインターフェース２１からの指示等にて任意のレシピを記憶部２２から呼び出してプロセスコントローラ２０に実行させることで、プロセスコントローラ２０の制御下で、処理装置での所望の処理が行われる。
【００２９】
図２は、図１に示した処理装置のゲートバルブと搬送室との要部の拡大側面断面図である。
本実施の形態では、ゲートバルブＧと搬送室５との間の側壁には、相互に連通するフランジ３０が嵌着されている。このフランジ３０の搬送室５側には、ゲートバルブＧを開放している際に、処理ユニット１〜４から搬送室５への輻射熱の漏洩を遮断するシャッター機構４０が設けられている。
【００３０】
シャッター機構４０は、上下２枚の遮蔽板４１ａ，４１ｂを有し、その材質は、好適には、熱伝導性が良く放射性にも優れるアルミニウムである。
【００３１】
２枚の遮蔽板４１ａ，４１ｂには、それぞれ、電動モーターや圧搾エアー等により駆動される駆動アクチュエータ４２が連結されており、これにより、互いに連動して上下動し、シャッター機構４０を開閉できるようになっている。
【００３２】
このシャッター機構４０の開閉の応答速度は、ゲートバルブＧの開閉速度よりも速く、例えば、カメラのシャッター機構の開閉スピードと同様程度のものが好ましい。
【００３３】
また、搬送室５内は所定の真空度に保持されるようになっているため、駆動アクチュエータ４２には、ベローズ４３が被着してある。
さらに、このシャッター機構４０とフランジ３０等は、ユニット化してあってもよく、処理装置のサイズに応じたユニット化を図ってあれば、シャッター機構４０等の取り扱いが簡易になり、その設置も極めて容易に行うことができる。
【００３４】
図３（ａ）は、図１に示した処理装置のゲートバルブと搬送室との要部の拡大側面断面図であり、（ｂ）は、シャッター機構の３段階の開閉工程を示す模式図である。
【００３５】
図４は、図３（ｂ）のシャッター機構の３段階の開閉工程に対応した側面図の模式図である。
シャッター機構４０は、以下の３段階の開閉工程をとるように制御される。
【００３６】
ゲートバルブＧを閉成し、処理ユニット１〜４において処理が実行されている際には、シャッター機構４０は、開放した状態とされている。
次いで、ゲートバルブＧを開放し、搬送装置１２により半導体基板Ｗを処理ユニット１〜４に搬入し搬出する際には、シャッター機構４０は、半導体基板Ｗの搬入・搬出を許容する隙間を残して、中間的に閉成した状態とされる。
【００３７】
３段目として、ゲートバルブＧを開放し、搬送装置１２において半導体ウエハＷの交換準備をする際には、シャッター機構４０は、完全に閉成した状態とされる。
【００３８】
このように、本実施の形態では、ゲートバルブＧを開放した際、各処理ユニット１〜４から搬送室５への輻射熱を遮断して、輻射熱の搬送室５への影響を防止することができる。したがって、搬送装置１２のブレード１４ａ，１４ｂ等が熱膨張することがなく、ブレード１４ａ，１４ｂ等の伸び・縮みを招来することがなく、搬送誤差等の誘因になるといったこともない。また、輻射熱により、搬送室１２内の各種センサー等が悪影響を受けることもない。
【００３９】
また、処理ユニット１〜４での処理の実行、ゲートバルブＧの開閉、半導体基板Ｗの搬入・搬出、および、半導体基板Ｗの交換準備に連動して、シャッター機構４０を開閉するように制御している。そのため、半導体基板Ｗの搬入・搬出に伴って、シャッター機構４０の中間的な閉成時の隙間を介してわずかに輻射熱が搬送室５へ影響を与えるものの、各処理ユニット１〜４から搬送室１２への輻射熱の漏洩を極力抑制することができる。
【００４０】
［第２の実施形態］
図５（ａ）は、本発明の第２実施の形態に係る処理装置のゲートバルブと搬送室との要部の拡大側面断面図であり、（ｂ）は、シャッター機構の２段階の開閉工程を示す模式図である。
図６は、シャッター機構の２段階の開閉工程を示すタイミングチャートである。
【００４１】
本実施の形態では、シャッター機構４０は、以下の２段階の開閉工程をとるように制御される。
ゲートバルブＧを閉成し、処理ユニット１〜４において処理が実行されている際、または、ゲートバルブＧを開放し、搬送装置１２により半導体ウエハＷを処理ユニット１〜４に搬入し搬出する際には、シャッター機構４０は、開放した状態とされる。
【００４２】
次いで、ゲートバルブＧを開放し、搬送装置１２において半導体ウエハＷの交換準備の際には、シャッター機構４０は、閉成した状態とされる。
【００４３】
図６のタイミングチャートにおいては、（Ａ）において、ブレード１４ｂを処理ユニット１〜４に搬入する前には、シャッター機構４０は、閉成した状態とされているが、（Ｂ）において、処理ユニット１〜４内にブレード１４ｂが入る際には、シャッター機構４０は、開放した状態とされている。
【００４４】
（Ｃ）において、ブレード１４ｂが搬出する際にも、シャッター機構４０は、開放した状態とされている。ただし、（Ｂ）〜（Ｃ）への移行の際、シャッター機構４０は、半導体ウエハＷを載置したブレード１４ｂと干渉しない程度に中間的に閉成した状態であってもよい。
【００４５】
（Ｄ）において、半導体ウエハＷを交換する準備として、処理ユニット１〜４のいずれかから搬出した半導体ウエハＷを載置したブレード１４ｂとその処理ユニットに搬入する半導体ウエハＷを載置したブレード１４ａを有する回転・伸縮部１３を１８０°旋回する際には、シャッター機構４０は、閉成した状態とされる。
（Ｅ）において、処理ユニット１〜４内にブレード１４ａが入る際には、シャッター機構４０は、開放した状態とされる。（Ｆ）において、ブレード１４ａが搬出する際にも、シャッター機構４０は、開放した状態とされる。ただし、（Ｅ）〜（Ｆ）への移行の際、シャッター機構４０は、ブレード１４ａと干渉しない程度に中間的に閉成した状態とされてもよい。
【００４６】
本実施の形態においても、ゲートバルブＧを開放した際、各処理ユニット１〜４から搬送室５への輻射熱を遮断して、輻射熱の搬送室５への影響を防止することができる。
【００４７】
また、シャッター機構４０の開閉工程は、２段階であるが、処理ユニット１〜４での処理の実行、ゲートバルブＧの開閉、半導体基板Ｗの搬入・搬出、および、半導体ウエハＷの交換準備に連動して、シャッター機構４０を開閉するように制御しているため、半導体基板Ｗの搬入・搬出に伴って、シャッター機構４０の開放部分を介して幾分輻射熱の影響を搬送室５に与え、その影響は第１の実施形態よりも大きくはなるものの、各処理ユニット１〜４から搬送室１２への輻射熱の漏洩を有効に抑制することができる。
【００４８】
［第３の実施形態］
図７（ａ）は、本発明の第３実施の形態に係る処理装置のゲートバルブと搬送室との要部の拡大側面断面図であり、（ｂ）は、シャッター機構の２段階の開閉工程を示す模式図である。
本実施の形態では、シャッター機構４０の遮蔽板４１ａ，４１ｂは、閉成した際に、搬送装置１２のブレード１４ａ，１４ｂの通過を許容する切欠き部４４ａ，４４ｂを有している。
【００４９】
シャッター機構４０は、以下の２段階の開閉工程をとるように制御される。
ゲートバルブＧを閉成し、処理ユニット１〜４において処理が実行されている際には、シャッター機構４０は、開放した状態とされる。また、ゲートバルブＧを開放し、搬送装置１２により半導体基板Ｗを処理ユニットに搬入し搬出する際にもシャッター機構４０は、開放した状態とされる。ただし、半導体ウエハＷの搬入・搬出を許容できる程度に中間的に閉成した状態とされてもよい。
【００５０】
また、ゲートバルブＧを開放し、搬送装置１２において半導体ウエハＷの交換準備の際には、シャッター機構４０は、閉成した状態のままである。具体的には、図６の（Ｂ）のようにブレード４ｂをウエハＷを受け取るために挿入する際、および図６の（Ｆ）のようにブレード４ａから処理ユニットへウエハＷを移載した後、ブレード４ａを処理ユニットから退避させる際には、切欠き部４４ａ，４４ｂを介してブレード１４ａまたは１４ｂを通過させる。
【００５１】
本実施の形態においても、ゲートバルブＧを開放した際、各処理ユニット１〜４から搬送室５への輻射熱を遮断して、輻射熱の搬送室５への影響を防止することができる。
【００５２】
また、シャッター機構４０の開閉工程は２段階であるが、処理ユニット１〜４での処理の実行、ゲートバルブＧの開閉、半導体基板Ｗの搬入・搬出、および、半導体基板Ｗの交換準備に連動して、シャッター機構４０を開閉するように制御している。そのため、半導体基板Ｗの搬入・搬出に伴って、切欠き部４４ａ，４４ｂを介してわずかに輻射熱が搬送室５に影響を与えるものの、その影響は第２の実施形態の場合よりも少なく、各処理ユニット１〜４から搬送室１２への輻射熱の漏洩を第２の実施形態よりも有効に抑制することができる。
【００５３】
なお、本発明は、上記実施の形態に限定されることなく種々変形可能である。例えば、上記実施の形態では、シャッター機構４０は、２段階または３段階の開閉を行うようになっているが、４段階以上または無段階の開閉を行うように構成してあってもよい。
【００５４】
また、本発明の処理装置は上記実施形態のようなマルチチャンバタイプの処理装置に限定されるものではない。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】（ａ）は、第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を実施するためのマルチチャンバタイプの処理装置の概略構造を示す水平断面図であり、（ｂ）は、その側面断面図。
【図２】図１に示した処理装置のゲートバルブと搬送室との要部の拡大側面断面図。
【図３】（ａ）は、図１に示した処理装置のゲートバルブと搬送室との要部の拡大側面断面図であり、（ｂ）は、シャッター機構の３段階の開閉工程を示す模式図。
【図４】図３（ｂ）のシャッター機構の３段階の開閉工程に対応した側面図の模式図。
【図５】（ａ）は、本発明の第２の実施形態に係る処理装置のゲートバルブと搬送室との要部の拡大側面断面図であり、（ｂ）は、シャッター機構の２段階の開閉工程を示す模式図。
【図６】シャッター機構の２段階の開閉工程を示すタイミングチャート。
【図７】（ａ）は、本発明の第３の実施形態に係る処理装置のゲートバルブと搬送室との要部の拡大側面断面図であり、（ｂ）は、シャッター機構の２段階の開閉工程を示す模式図。
【符号の説明】
【００５６】
１〜４；処理ユニット
５；搬送室
１２；搬送装置
２０；プロセスコントローラ
２２；記憶部（記憶媒体）
３０；フランジ
４０；シャッター機構
４１ａ，４１ｂ；遮蔽板
Ｗ；半導体基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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