(57)【要約】【課題】位相による負荷安定度を劣化させることなく、３０ＭＨｚ以下の低い周波数帯におけるノイズを低減でき、しかも、部品点数を増加することなく組立寸法の精度も確保することができるマグネトロンを提供すること。【解決手段】複数枚の板状ベイン２が中心軸に向かって放射状に配設されてなる円筒状の陽極筒体１と、陽極筒体１の中心軸上に陰極支持棒８によって配設される陰極２３と、陰極２３を軸線方向に挟持する前記陰極支持棒８上の位置に設けられた一対のエンドハット７，６１とを具備し、陰極２３の電子放出部が管軸方向に変位して配置されていて、かつ前記電子放出部に相対する板状ベイン２近傍における管軸方向磁界強度がほぼ均一に形成されている。【選択図】図１
2008027832.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数枚の板状ベインが中心軸に向かって放射状に配設されてなる円筒状の陽極筒体と、前記陽極筒体の中心軸上に陰極支持棒によって配設される陰極と、前記陰極を軸線方向に挟持する前記陰極支持棒上の位置に設けられた一対のエンドハットとを具備し、前記陰極の電子放出部が管軸方向に変位して配置されていて、かつ前記電子放出部に相対する板状ベイン近傍における管軸方向磁界強度がほぼ均一に形成されていることを特徴とするマグネトロン。
【請求項２】
前記電子放出部に相対する板状ベイン近傍における前記管軸方向磁界強度の最大値を（Ｂｍａｘ）、と最小値を（Ｂｍｉｎ）とするとき、（Ｂｍｉｎ）／（Ｂｍａｘ）の比が０．９〜１．０であることを特徴とする請求項１に記載のマグネトロン。
【請求項３】
前記管軸方向磁界強度を形成するため、前記陽極筒体の両側開口端部に配設されている一対のポールピースの形状を異ならしめていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のマグネトロン。
【請求項４】
前記陽極筒体の両側開口端部に配設されている一対のポールピースにおいて、前記ポールピースの径小平坦部の中央に形成される貫通孔が、管軸方向に変位された前記陰極の電子放出部側の方が大きく形成されていることを特徴とする請求項３に記載のマグネトロン。
【請求項５】
前記ポールピースの径小平坦部の径が、管軸方向に変位された前記陰極の電子放出部側の方が大きく形成されていることを特徴とする請求項３に記載のマグネトロン。
【請求項６】
前記ポールピースの管軸方向高さが、管軸方向に変位された前記陰極の電子放出部側の方が高く形成されていることを特徴とする請求項３に記載のマグネトロン。
【請求項７】
前記ポールピースと前記板状ベインとの距離を、管軸方向に変位された前記陰極の電子放出部側の方が大きく形成されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のマグネトロン。
【請求項８】
前記請求項１から請求項７のいずれかに記載のマグネトロンを具備することを特徴とする高周波利用装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高周波利用装置等に用いられるノイズの低減が図られたマグネトロンに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来のマグネトロンについて図面を用いて説明する。
【０００３】
図１０は、従来品におけるマグネトロンの電子が運動する作用空間部分を示した縦断面図である。このマグネトロンは、陽極筒体１の内側に複数の板状ベイン２（この図では２枚のみ見えている）が放射状に配置され、これら板状ベイン２は均圧リング９，１０，１１，１２によって１枚おきに連結されている。均圧リング９，１０，１１，１２を１枚おきに連結することにより、マグネトロンがπモードで安定して発振するようになる。そして、陽極筒体１の軸心に沿って、コイル状のフィラメント３と一対のエンドハット６，７および陰極支持棒８からなる陰極１３が装備されている。このフィラメント３はトリウムを１〜２％含有するタングステンで形成され、表面を浸炭することによって仕事関数を下げ電子が放出しやすくなる工夫が施されている。さらに一対のエンドハット６，７は、フィラメント３の管軸方向両端部に電子が管軸方向に漏洩するのを抑制するために配置され、フィラメント３の端部３ａ，３ｂと固着されている。ここで、エンドハット６，７に固着されているフィラメント３の端部３ａ，３ｂは浸炭されていないため仕事関数が高く、ほとんど電子放出を行わず、実際に電子放出を行う電子放出部はフィラメント３における浸炭されておりエンドハット６，７に固着されていない軸方向自由長領域である。
【０００４】
このようなマグネトロンにおいて、従来、マグネトロンで発生したノイズを低減させる技術が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００５】
図１１は、上記特許文献１で開示されたマグネトロンの陽極筒体内の一部分を示した縦断面図である。このマグネトロンは、図１０の構成に加え、陰極１３の両端部に金属製の円筒体４，５が配置されている。陰極１３の入力側の円筒体４は入力側のエンドハット６に固着されており、陰極１３の出力側の円筒体５は出力側のエンドハット７に固着されている。これらの円筒体４，５は、フィラメント３から放射された電子の広がりを抑制するものであり、マグネトロンがこれらの円筒体４，５を装備していることにより、３０ＭＨｚ〜２００ＭＨｚ帯のノイズを著しく低減することができる。
【０００６】
なお、図１２は、本願発明者等が実測した、図１０に示すこれらの円筒体４，５を全く設けていない従来品での１ＧＨｚ以下のノイズレベルを示す波形図である。確かに、円筒体を全く設けていない従来品にあっては、ノイズが２００ＭＨｚ以下でとりわけ大きく、その点で特許文献１に記載されるように、３０ＭＨｚ〜２００ＭＨｚ帯のノイズの低減は有意義であることが分かる。
【特許文献１】特公平４−７７４１２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
一般にマグネトロンは、陰極の電子放出部から放出された電子が、陰極と陽極の間に加えられた静電界による力と、管軸方向に加えられた静磁界によるローレンツ力により、陰極の周りを旋回しながら周回している。そして、板状ベインと陽極筒体および均圧リングにより形成される複数個の共振器の固有振動により、電子はバンチングされ電子束を形成する。すると、この電子束の回転により板状ベインに誘導電流が流れ、共振し、マイクロ波エネルギーに変換される。
【０００８】
この電子束の形状は、マグネトロンに結合された負荷によって決定されるマイクロ波電界の強度に依存し、発振周波数に大きな影響を与える。さらには、マイクロ波電界の強度が強く、その影響を受け電子束が鋭い形状になると、押し込められた電子の相互作用により、ノイズのレベルは上がる。図１３は、位相を変化させたときのノイズレベルを表示したものである。
【０００９】
また、電源線を伝搬するノイズや空間に放射されるノイズは、電界や磁界に歪みが生じ直交電磁界が保てない作用空間の管軸方向端部において主に発生していると考えられている。
【００１０】
それらの事実に鑑み、特許文献１で開示された技術では、管軸方向端部において放出された電子が運動できないよう、円筒体を設けている。
【００１１】
ところが、特許文献１に開示された技術では、３０ＭＨｚ〜２００ＭＨｚ帯のノイズは低減させることができたものの、従来のマグネトロンに付属しているコイルやコンデンサ等で構成されるノイズフィルター（図示せず）では抑制が困難な３０ＭＨｚ以下の帯域については着目されていなかった。また特許文献１に開示された技術をもとに本願発明者等が行った実験では、作用空間内に円筒体４，５を配置することにより、作用空間内の静電界分布が変化してしまい、位相による負荷安定度が著しく劣化する傾向にあった。また、マグネトロンの発振効率も低下する傾向にあった。さらに、上記の特許文献１に開示された技術では、各円筒体４，５はエンドハット６，７に固着されていたものの、エンドハット６，７とはそれぞれ別体品であることから、部品点数を増加させると共に、組立寸法の精度確保が困難になるという問題があった。
【００１２】
本発明は、前述した問題点を解決するべく、上記知見に鑑みてなされたものであり、その目的は、位相による負荷安定度を劣化させることなく、１ＧＨｚ以下の低い周波数帯におけるノイズを低減でき、かつ発振効率の低下を抑制でき、しかも、部品点数を増加することなく組立寸法の精度も確保することができるマグネトロンを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記目的は下記構成により達成される。
【００１４】
（１）本発明のマグネトロンは、複数枚の板状ベインが中心軸に向かって放射状に配設されてなる円筒状の陽極筒体と、前記陽極筒体の中心軸上に陰極支持棒によって配設される陰極と、前記陰極を軸線方向に挟持する前記陰極支持棒上の位置に設けられた一対のエンドハットとを具備し、前記陰極の電子放出部が管軸方向に変位して配置されていて、かつ前記電子放出部に相対する板状ベイン近傍における管軸方向磁界強度がほぼ均一に形成されていることを特徴とする。
【００１５】
（２）上記（１）に記載のマグネトロンにおいて、電子放出部に相対する板状ベイン近傍における前記管軸方向磁界強度の最大値を（Ｂｍａｘ）、最小値を（Ｂｍｉｎ）とするとき、（Ｂｍｉｎ）／（Ｂｍａｘ）の比が０．９〜１．０であることが好ましい。
【００１６】
（３）上記（１）または（２）に記載のマグネトロンにおいて、前記管軸方向磁界強度を形成するため、前記陽極筒体の両側開口端部に配設されている一対のポールピースの形状を異ならしめていてもよい。
【００１７】
（４）上記（３）に記載のマグネトロンにおいて、前記ポールピースの径小平坦部の中央に形成される貫通孔が、管軸方向に変位された前記陰極の電子放出部側の方が大きく形成されていてもよい。
【００１８】
（５）上記（３）に記載のマグネトロンにおいて、前記ポールピースの径小平坦部の径が、管軸方向に変位された前記陰極の電子放出部側の方が大きく形成されていてもよい。
【００１９】
（６）上記（３）に記載のマグネトロンにおいて、前記ポールピースの管軸方向高さが、管軸方向に変位された前記陰極の電子放出部側の方が高く形成されていてもよい。
【００２０】
（７）上記（１）または（２）に記載のマグネトロンにおいて、前記ポールピースと前記板状ベインとの距離を、管軸方向に変位された前記陰極の電子放出部側の方が大きく形成されていてもよい。
【００２１】
（８）高周波利用装置において、上記（１）から（７）のいずれかに記載のマグネトロンを具備することを特徴とする。
【００２２】
係る構成によれば、位相による負荷安定度を劣化させることなく、１ＧＨｚ以下の低い周波数帯におけるノイズを低減でき、かつ発振効率の低下を抑制でき、しかも、部品点数を増加することなく組立寸法の精度も確保することができる。
【発明の効果】
【００２３】
上記（１）に記載のマグネトロンによれば、浸炭されたフィラメントが管軸方向に対し変位して配置されているため、陰極のフィラメントが板状ベインと対向しない部分からは電子放出されず、ノイズに起因する不要電子の放出が抑制される。さらに、マイクロ波電界強度は、共振器の管軸方向中央部すなわち板状ベインの管軸方向中央部がもっとも強いと考えられるが、電子放出分布を変位させているため、電子が放出される位置でのマイクロ波電界の強度は、変位させていない場合より弱められ、マイクロ波電界から電子が受ける影響は小さくなる。さらに、電子放出部に対向する板状ベイン近傍の管軸方向磁界強度をほぼ均一に形成することにより、静電界と静磁界の作用による電子のドリフト速度が、ほぼ一定に保たれ、電子束もほぼ均一に収束される。これらのことから、１ＧＨｚ以下の低い周波数帯におけるノイズを低減でき、かつ発振効率の低下を抑制することができる。
【００２４】
また、陰極の両端各々に円筒体を設ける従来のマグネトロンと異なり、電子放出部自体の配置を変位させるだけであるので、部品点数の増加を防ぐとともに、組立は従来と同様に行え、組立寸法の精度を十分に確保することができる。さらに、電子が運動できる作用空間寸法は従来と何ら変わりないため、位相による負荷安定度は劣化しない。
【００２５】
上記（２）に記載のマグネトロンによれば、電子放出部に相対する板状ベイン近傍における前記管軸方向磁界強度の最大値（Ｂｍａｘ）と最小値（Ｂｍｉｎ）との比（Ｂｍａｘ）／（Ｂｍｉｎ）を０．９〜１．０の範囲に設定したことで、マグネトロンの発振効率の低下を抑制しつつ、広帯域におけるノイズを大幅に低減することができる。
【００２６】
上記（３）に記載のマグネトロンによれば、陽極筒体の両側開口端部に配設されている一対のポールピースの形状を異ならしめることで、電子放出部に相対する板状ベイン近傍における管軸方向磁界強度を、ほぼ均一に形成することができ、マグネトロンの発振効率の低下を抑制しつつ、広帯域におけるノイズを大幅に低減することができる。
【００２７】
上記（４）に記載のマグネトロンによれば、前記ポールピースの径小平坦部の中央に形成される貫通孔が、管軸方向に変位された前記陰極の電子放出部側の方を大きく形成することにより、マグネトロンの発振効率の低下を抑制しつつ、広帯域におけるノイズを大幅に低減することができる。
【００２８】
上記（５）に記載のマグネトロンによれば、前記ポールピースの径小平坦部の径が、管軸方向に変位された前記陰極の電子放出部側の方を大きく形成することにより、マグネトロンの発振効率の低下を抑制しつつ、広帯域におけるノイズを大幅に低減することができる。
【００２９】
上記（６）に記載のマグネトロンによれば、前記ポールピースの管軸方向高さについて、管軸方向に変位された前記陰極の電子放出部側の方を高く形成することにより、マグネトロンの発振効率の低下を抑制しつつ、広帯域におけるノイズを大幅に低減することができる。
【００３０】
上記（７）に記載のマグネトロンによれば、前記ポールピースと前記板状ベインとの距離を、管軸方向に変位された前記陰極の電子放出部側の方を大きく形成することにより、電子放出部に対向する板状ベイン近傍における磁界強度を、ほぼ均一に形成することができ、マグネトロンの発振効率の低下を抑制しつつ、広帯域におけるノイズを大幅に低減することができる。
【００３１】
上記（８）に記載の高周波利用装置によれば、１ＧＨｚ以下の周波数帯におけるノイズの低ノイズ化が図れるので、コイルやコンデンサ等のノイズ対策部品が小容量のもので済み、その分、コストダウンが図れる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
以下、本発明の好適な実施の形態に係るマグネトロンを図面に基づいて詳細に説明する。
【００３３】
（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１に係るマグネトロンの電子が運動する作用空間部分を示す縦方向の部分断面図である。なお、この図において図１０と共通する構成には同一の符号を付けている。
【００３４】
図１において、本実施の形態のマグネトロンは、陰極支持棒８で支持された入力側エンドハット６１と出力側エンドハット７の間にコイル状のフィラメント３が配置されている。特に、本実施の形態では、入力側のエンドハット６１は図１０における形状に対し径の太いボス部６１ａが作用空間内まで伸びており、径の細いボス部６１ｂとフィラメント３の端部３ａが固着されている。出力側のエンドハット７は従来と同形状であり、ボス部７ａとフィラメント３の端部３ｂが固着されている。ここで、フィラメント３のエンドハット６１およびエンドハット７に固着されていない、すなわち電子放出を行うことのできる管軸方向自由長部の寸法は、管軸方向寸法Ｈを９．５ｍｍに設定してある板状ベイン２の約７５％に設定されるとともに、電子放出部を成す管軸方向自由長部Ｆの位置が出力側に変位して配置されている。さらに、出力側に配置されたポールピース１４の、中央に形成された貫通孔の径１４ａはφ１１．５ｍｍ、入力側に配置されたポールピース１５の、中央に形成された貫通孔の径１５ａはφ９．０ｍｍに設定されている。
【００３５】
このように電子放出部を、管軸方向に短小化し、かつ作用空間に対し管軸方向に変位させることで、直交電磁界が保てない作用空間の管軸方向端部における電子放出が片側で抑制される。これにより、主に電源線を伝搬するノイズや空間に放射されるノイズの原因となる作用空間の管軸方向端部での電子運動を最小限に抑制しつつ、総電子放出量を調整することにより、位相による負荷安定度を劣化させることなく、従来技術に示された円筒体を陰極の両側に設ける場合よりも、広帯域に亘るノイズの低減が図れる。さらに、ポールピースの中央に形成された貫通孔の径を、入力側と出力側で異ならしめることにより、電子が運動を行う作用空間における磁界強度がほぼ均一となり、また、円筒体を陰極の両側に設ける場合よりも部品点数が削減でき、かつ、組立寸法の精度を十分に確保することが可能となる。
【００３６】
ここで、本願発明者等が実証のため行った、マイクロ波発振信号を測定した実験結果を示す。
【００３７】
図２は、本実施の形態である、マグネトロンの電子放出部を成す管軸方向自由長部Ｆの寸法を板状ベイン２の管軸方向寸法Ｈの約７５％に設定し、かつ、出力側に変位させ、さらに、出力側のポールピース中央貫通孔の径１４ａをφ１１．５ｍｍ、入力側のポールピース中央貫通孔の径１５ａをφ９．０ｍｍとした場合の１ＧＨｚ以下のノイズレベルを示す波形図であり、図３は、電圧定在波比（ＶＳＷＲ）をＶＳＷＲ≒１．５として位相を変化させたときの、各位相におけるノイズレベルを示す図である。図３において、横軸は測定に用いたスラグチューナの挿入位置を示している。実験に用いた導波管（図示せず）の管内波長は約１４０ｍｍであるので、半波長の約７０ｍｍで同じ位置に戻る。図４は、このときの板状ベイン近傍における磁界強度を示す図である。また、図５は電子放出部に対向する板状ベイン近傍における管軸方向磁界強度の最大値（Ｂｍａｘ）と最小値（Ｂｍｉｎ）の比（Ｂｍｉｎ）／（Ｂｍａｘ）と発振効率との関係を示す図である。
【００３８】
図２から明らかなように、本実施の形態の場合、図１２に示した円筒体を全く設けていない従来品と比較して、１ＧＨｚ以下特に３０ＭＨｚ以下のノイズレベルが低減している。
【００３９】
また、図３から明らかなように、本実施の形態の場合、図１３に示した円筒体を陰極の両端に全く設けていない従来品と比較して、位相によるノイズ変動が低く抑えられている。
【００４０】
また、図４を見ると、図１４に示した円筒体を全く設けていない従来品と比較して、管軸方向磁界強度の最小値を取る管軸方向位置が出力側に変位していることが分かる。図１４より円筒体を全く設けていない従来品の電子放出部に対向する板状ベイン近傍位置における管軸方向磁界強度の最大値（Ｂｍａｘ）＝０．２００［Ｔ］、最小値（Ｂｍｉｎ）＝０．１６６［Ｔ］で比（Ｂｍｉｎ）／（Ｂｍａｘ）＝０．８３となっているが、図４から明らかなように、本実施の形態の場合、電子放出部に対向する板状ベイン近傍位置における管軸方向磁界強度の最大値（Ｂｍａｘ）＝０．１７３［Ｔ］、最小値（Ｂｍｉｎ）＝０．１６５［Ｔ］で比（Ｂｍｉｎ）／（Ｂｍａｘ）＝０．９５となっており電子が運動する空間において、電界強度と磁界強度で決定される電子のドリフト速度がほぼ一定となり、１ＧＨｚ以下のノイズレベルを抑制することが可能となる。
【００４１】
また、図５から明らかなように、電子放出部に対向する板状ベイン近傍位置における管軸方向磁界強度の最大値（Ｂｍａｘ）と最小値（Ｂｍｉｎ）の比（Ｂｍｉｎ）／（Ｂｍａｘ）を０．９〜１．０とすることで、発振効率の低下を抑制することが可能となる。これは、電子放出部位置における磁界強度をほぼ一定とすることで、管軸方向で発振に寄与する運動空間が広がるためである。
【００４２】
（実施の形態２）
図６は、本発明の実施の形態２に係るマグネトロンの電子が運動する作用空間部分を示す縦方向の部分断面図である。なお、この図において図１と共通する構成には同一の符号を付けている。
【００４３】
図６において、本実施の形態のマグネトロンは、陰極支持棒８で支持された入力側エンドハット６１と出力側エンドハット７の間にコイル状のフィラメント３が配置されている。特に、本実施の形態では、入力側のエンドハット６１は図１０における形状に対し径の太いボス部６１ａが作用空間内まで伸びており、径の細いボス部６１ｂとフィラメント３の端部３ａが固着されている。出力側のエンドハット７は従来と同形状であり、ボス部７ａとフィラメント３の端部３ｂが固着されている。ここで、フィラメント３のエンドハット６１およびエンドハット７に固着されていない、すなわち電子放出を行うことのできる管軸方向自由長部Ｆの寸法は、管軸方向寸法Ｈを９．５ｍｍに設定してある板状ベイン２の約７５％に設定されるとともに、電子放出部を成す管軸方向自由長部Ｆの位置が出力側に変位して配置されている。さらに、出力側に配置されたポールピース２４の、径小平坦部の径２４ａはφ１８．０ｍｍ、入力側に配置されたポールピース２５の、径小平坦部の径２５ａはφ１４．０ｍｍに設定されている。
【００４４】
このように電子放出部を、管軸方向に短小化し、かつ作用空間に対し管軸方向に変位させることで、直交電磁界が保てない作用空間の管軸方向端部における電子放出が片側で抑制される。これにより、主にノイズの原因となる作用空間の管軸方向端部での電子運動を最小限に抑制しつつ、総電子放出量を調整することにより、位相による負荷安定度を劣化させることなく、従来技術に示された円筒体を陰極の両側に設ける場合よりも、広帯域に亘るノイズの低減が図れる。さらに、ポールピースの中央に形成された径小平坦部を、入力側と出力側で異ならしめることにより、電子が運動を行う作用空間における管軸方向磁界強度がほぼ均一となり、図７に示すように実施形態１と同様に、電子放出部に対向する板状ベイン近傍位置における管軸方向磁界強度の最大値（Ｂｍａｘ）と最小値（Ｂｍｉｎ）の比（Ｂｍｉｎ）／（Ｂｍａｘ）が０．９５となり、円筒体を全く設けていない従来品と比較して、発振効率の低下を抑制しながら、１ＧＨｚ以下のノイズレベルが低減し、位相によるノイズ変動が低く抑えられている。
【００４５】
（実施の形態３）
図８は、本実施の形態３に係るマグネトロンの電子が運動する作用空間部分を示す縦方向の部分断面図である。なお、この図において図１と共通する構成には同一の符号をつけている。
【００４６】
図８において、本実施の形態のマグネトロンは、板状ベイン２と陰極２３及びポールピース３４，３５の径小平坦部との位置関係は実施の形態１と同一であるが、陽極筒体１の管軸方向に沿って陽極筒体１の端部と板状ベイン２との距離を出力側の距離Ｌ１が入力側の距離Ｌ２より大きくなるように変位させている。
【００４７】
このように構成することでも、実施の形態１及び２と同様に電子が運動を行う作用空間における管軸方向磁界強度がほぼ均一となり、電子放出部に対向する板状ベイン近傍位置における管軸方向磁界の最大値（Ｂｍａｘ）と最小値（Ｂｍｉｎ）の比（Ｂｍｉｎ）／（Ｂｍａｘ）を０．９〜１．０にすることができる。
【００４８】
（実施の形態４）
図９は、本実施の形態４に係るマグネトロンの電子が運動する作用空間部分を示す縦方向の部分断面図である。なお、この図において図１と共通する構成には同一の符号をつけている。
【００４９】
図９において、本実施の形態のマグネトロンは、板状ベイン２と陰極２３との位置関係は実施の形態１と同一であるが、出力側のポールピース４４と板状ベイン２との距離Ｌ３を入力側のポールピース４５と板状ベイン２との距離Ｌ４より大きくなるように構成している。
【００５０】
このように構成することでも、実施の形態１及び２，３と同様に電子が運動を行う作用空間における管軸方向磁界強度がほぼ均一となり、電子放出部に対向する板状ベイン近傍位置における管軸方向磁界の最大値（Ｂｍａｘ）と最小値（Ｂｍｉｎ）の比（Ｂｍｉｎ）／（Ｂｍａｘ）を０．９〜１．０にすることができる。
【産業上の利用可能性】
【００５１】
本発明にかかるマグネトロンは、電子レンジやマイクロ波発生装置、及びその装置を用いた高周波利用装置等のマグネトロンを使用する用途への適用が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明の実施の形態１に係るマグネトロンの部分断面図
【図２】図１のマグネトロンにおける１ＧＨｚ以下のノイズレベルを示す波形図
【図３】図１のマグネトロンにおける位相変化によるノイズレベルの変化を示すグラフ
【図４】図１のマグネトロンにおける板状ベイン近傍の磁界強度を示す図
【図５】図１のマグネトロンにおける電子放出部に対向する板状ベイン近傍の管軸方向磁界強度の最大値（Ｂｍａｘ）と最小値（Ｂｍｉｎ）の比と発振効率との関係を示す図
【図６】本発明の実施の形態２に係るマグネトロンの部分断面図
【図７】図６のマグネトロンにおける板状ベイン近傍の磁界強度を示す図
【図８】本発明の実施の形態３に係るマグネトロンの部分断面図
【図９】本発明の実施の形態４に係るマグネトロンの部分断面図
【図１０】円筒体を全く設けていない従来品の陽極筒体内部の一部分を示す縦断面図
【図１１】従来の陰極端部の入出力側に円筒体を設けたマグネトロンの陽極筒体内部の一部分を示す縦断面図
【図１２】図１０のマグネトロンにおける１ＧＨｚ以下のノイズレベルを示す波形図
【図１３】図１０のマグネトロンにおける位相変化によるノイズレベルの変化を示すグラフ
【図１４】図１０のマグネトロンにおける板状ベイン近傍の磁界強度を示す図
【符号の説明】
【００５３】
１  陽極筒体
２  板状ベイン
３  フィラメント
３ａ，３ｂ  フィラメントの端部
６，６１  入力側のエンドハット
６１ａ，６１ｂ  ボス部
７  出力側のエンドハット
７ａ  ボス部
８  陰極支持棒
１３，２３  陰極
１４，１５，２４，２５，３４，３５，４４，４５  ポールピース
１４ａ，１５ａ  中央に形成される貫通孔の径
２４ａ，２５ａ  径小平坦部の径
Ｆ  電子放出部を成す管軸方向自由長部
Ｈ  板状ベインの管軸方向の寸法
Ｌ１  出力側の陽極筒体の端部から板状ベインの距離
Ｌ２  入力側の陽極筒体の端部から板状ベインの距離
Ｌ３  出力側のポールピースから板状ベインの距離
Ｌ４  入力側のポールピースから板状ベインの距離
【図１】
2008027832.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
2008027832.tif 000008
【図７】
2008027832.tif 000009
【図８】
2008027832.tif 000010
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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