(57)【要約】【課題】接続部の材料である金属によるダイシングソーの目づまりの発生を防止することができる、半導体チップおよびその製造方法ならびに半導体ウエハを提供する。【解決手段】半導体チップ２において、検査用配線５および検査用外部パッド１６は、半導体基板３の周縁部上に設けられている。検査用配線５、層間絶縁膜６、表面保護膜１２および検査用外部パッド１６は、それぞれ半導体基板３の側面と面一をなす側面（端面）を有している。そして、検査用配線５と検査用外部パッド１６とを接続する接続部１１は、層間絶縁膜６および表面保護膜１２の側面に対して間隔を空けた位置に形成されている。【選択図】図３
2008198946.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板の周縁部上に設けられ、前記半導体基板の側面と面一をなす端面を有する検査用配線と、
前記半導体基板上に積層されて、前記検査用配線を被覆し、前記半導体基板の側面と面一をなす側面を有する絶縁膜と、
前記絶縁膜上に設けられ、前記半導体基板の側面と面一をなす端面を有する検査用外部パッドと、
金属からなり、前記検査用配線と前記検査用外部パッドとの間に設けられ、前記検査用配線と前記検査用外部パッドとを電気的に接続する接続部とを備え、
前記接続部は、前記絶縁膜の側面に対して間隔を空けた位置に形成されている、半導体チップ。
【請求項２】
半導体基板と、
前記半導体基板の周縁部上に設けられ、前記半導体基板の側面と面一をなす端面を有する検査用配線と、
前記半導体基板上に積層されて、前記検査用配線を被覆し、前記半導体基板の側面と面一をなす側面を有する絶縁膜と、
前記絶縁膜上に設けられ、前記半導体基板の側面と面一をなす端面を有する検査用外部パッドと、
金属からなり、前記検査用配線と前記検査用外部パッドとの間に設けられ、前記検査用配線と前記検査用外部パッドとを電気的に接続する接続部とを備え、
前記接続部は、前記絶縁膜の側面において露出しており、平面視において、前記絶縁膜の当該側面に沿う方向の長さが当該側面と直交する方向の長さよりも短く形成されている、半導体チップ。
【請求項３】
ウエハ状態の半導体基板上に、検査用配線を、予め設定されたダイシングラインに跨るように形成する配線形成工程と、
前記半導体基板上に、第１絶縁膜を、前記検査用配線を覆うように形成する第１絶縁膜形成工程と、
前記第１絶縁膜形成工程後または前記第１絶縁膜形成工程中に、前記検査用配線を部分的に露出させるための第１開口を、前記ダイシングラインに対して間隔を空けた位置に形成する第１開口形成工程と、
前記検査用配線における前記第１開口に臨む部分上に、金属からなる接続部を形成する接続部形成工程と、
前記第１絶縁膜上に、第２絶縁膜を、前記接続部を覆うように形成する第２絶縁膜形成工程と、
前記第２絶縁膜形成工程後または前記第１絶縁膜形成工程中に、前記接続部の頂面を部分的に露出させるための第２開口を形成する第２開口形成工程と、
前記第２絶縁膜上に、前記第２開口を介して前記接続部の頂面に接続される検査用外部パッドを、前記ダイシングラインに跨るように形成する検査用外部パッド形成工程と、
前記検査用外部パッド形成工程後、前記半導体基板を基体とする構造体を前記ダイシングラインに沿って切断し、複数の半導体チップの個片に切り分けるダイシング工程とを含む、半導体チップの製造方法。
【請求項４】
ウエハ状態の半導体基板上に、検査用配線を、予め設定されたダイシングラインに跨るように形成する配線形成工程と、
前記半導体基板上に、第１絶縁膜を、前記検査用配線を覆うように形成する第１絶縁膜形成工程と、
前記第１絶縁膜形成工程後または前記第１絶縁膜形成工程中に、前記ダイシングラインに跨り、平面視で当該ダイシングラインに沿う方向の長さが当該ダイシングラインと直交する方向の長さよりも短く、前記検査用配線を部分的に露出させるための第１開口を形成する第１開口形成工程と、
前記検査用配線における前記第１開口に臨む部分上に、金属からなる接続部を形成する接続部形成工程と、
前記第１絶縁膜上に、第２絶縁膜を、前記接続部を覆うように形成する第２絶縁膜形成工程と、
前記第２絶縁膜形成工程後または前記第１絶縁膜形成工程中に、前記接続部の頂面を部分的に露出させるための第２開口を形成する第２開口形成工程と、
前記第２絶縁膜上に、前記第２開口を介して前記接続部の頂面に接続される検査用外部パッドを、前記ダイシングラインに跨るように形成する検査用外部パッド形成工程と、
前記検査用外部パッド形成工程後、前記半導体基板を基体とする構造体を前記ダイシングラインに沿って切断し、複数の半導体チップの個片に切り分けるダイシング工程とを含む、半導体チップの製造方法。
【請求項５】
複数の半導体チップの個片に切り分けられる半導体ウエハであって、
基体をなす半導体基板と、
前記半導体基板上に設けられ、前記半導体チップ間に設定されるダイシングラインに跨る検査用配線と、
前記半導体基板上に積層されて、前記検査用配線を被覆する絶縁膜と、
前記絶縁膜上に設けられ、前記ダイシングラインに跨る検査用外部パッドと、
金属からなり、前記検査用配線と前記検査用外部パッドとの間に設けられ、前記検査用配線と前記検査用外部パッドとを電気的に接続する接続部とを備え、
前記接続部は、前記ダイシングラインに対して間隔を空けた位置に形成されている、半導体ウエハ。
【請求項６】
複数の半導体チップの個片に切り分けられる半導体ウエハであって、
基体をなす半導体基板と、
前記半導体基板上に設けられ、前記半導体チップ間に設定されるダイシングラインに跨る検査用配線と、
前記半導体基板上に積層されて、前記検査用配線を被覆する絶縁膜と、
前記絶縁膜上に設けられ、前記ダイシングラインに跨る検査用外部パッドと、
金属からなり、前記検査用配線と前記検査用外部パッドとの間に設けられ、前記検査用配線と前記検査用外部パッドとを電気的に接続する接続部とを備え、
前記接続部は、前記ダイシングラインに跨り、平面視において、当該ダイシングラインに沿う方向の長さが当該ダイシングラインと直交する方向の長さよりも短く形成されている、半導体ウエハ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体チップおよびその製造方法ならびに半導体ウエハに関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣチップなどの半導体チップの製造工程では、その基体をなす半導体基板がウエハの状態で、半導体基板（半導体ウエハ）に機能素子が作り込まれた後、半導体基板上に、層間膜や配線層が積層される。最上の配線層を被覆する層間膜には、その最上の配線層に形成されている配線の一部を内部パッドとして露出させる開口が形成される。その後、内部パッド上に、銅（Ｃｕ）からなる電極が形成される。さらに、最表面が表面保護膜により覆われ、この表面保護膜に、電極の頂面を露出させる開口が形成される。次いで、その露出する電極の頂面を覆うように、アルミニウム（Ａｌ）からなる外部パッドが形成される。そして、この半導体基板を基体とする構造体が格子状のダイシングラインに沿って切断（ダイシング）されることにより、半導体チップの個片が得られる。
【０００３】
ダイシングライン上に、半導体チップに形成される回路（以下「チップ回路」という。）と同じ回路が検査用回路として形成されることがある。この場合、表面保護膜上には、ダイシングライン（ダイシングにより切り落とされる領域）を跨いで、検査用外部パッドが設けられる。検査用外部パッドの下方には、検査用回路と電気的に接続される検査用内部パッドが検査用外部パッドと対向して配置され、この検査用内部パッドと検査用外部パッドとの間には、半導体チップの電極と同じ工程で形成される接続部が設けられる。ダイシング前に検査用外部パッドから検査用回路に信号を入力し、検査用回路が正常に動作すれば、ウエハ状態の半導体基板上のすべてのチップ回路が正常に動作すると推定することができる。
【特許文献１】特開平１０−１７３０１５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
低抵抗化のために電極の厚さを増大させると、これに伴って、電極と同じ工程で形成される接続部の厚さが増大する。ダイシングライン上に厚い接続部が存在していると、ダイシングに使用されるダイシングソーの歯間に接続部の材料である金属（銅）が詰まり、この目づまりに起因するダイシング不良を生じるおそれがある。
そこで、本発明の目的は、接続部の材料である金属によるダイシングソーの目づまりの発生を防止することができる、半導体チップおよびその製造方法ならびに半導体ウエハを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
前記の目的を達成するための請求項１記載の発明は、半導体基板と、前記半導体基板の周縁部上に設けられ、前記半導体基板の側面と面一をなす端面を有する検査用配線と、前記半導体基板上に積層されて、前記検査用配線を被覆し、前記半導体基板の側面と面一をなす側面を有する絶縁膜と、前記絶縁膜上に設けられ、前記半導体基板の側面と面一をなす端面を有する検査用外部パッドと、金属からなり、前記検査用配線と前記検査用外部パッドとの間に設けられ、前記検査用配線と前記検査用外部パッドとを電気的に接続する接続部とを備え、前記接続部は、前記絶縁膜の側面に対して間隔を空けた位置に形成されている、半導体チップである。
【０００６】
この構成では、半導体基板の周縁部上に、検査用配線および検査用外部パッドが設けられている。そして、検査用配線と検査用外部パッドとを接続する接続部は、検査用配線と検査用外部パッドとの間に介在される絶縁膜の側面に対して間隔を空けた位置に形成されている。
ウエハの状態（ダイシング前の状態）で、半導体基板、検査用配線、絶縁膜および検査用外部パッドの各側面（端面）は、半導体チップの個片に切り分けるためのダイシングラインに沿っている。したがって、絶縁膜の側面との間に間隔を有する接続部は、ウエハの状態で、ダイシングラインに対して間隔を空けた位置に配置されている。そのため、ダイシング時に、ダイシングソーが接続部に接触しない。その結果、接続部の材料である金属によるダイシングソーの目づまりを防止することができ、この目づまりに起因するダイシング不良の発生を防止することができる。
【０００７】
なお、請求項１記載の発明に係る前記半導体チップは、請求項３記載の製造方法により得ることができる。すなわち、請求項１記載の発明に係る前記半導体チップは、ウエハ状態の半導体基板上に、検査用配線を、予め設定されたダイシングラインに跨るように形成する配線形成工程と、前記半導体基板上に、第１絶縁膜を、前記検査用配線を覆うように形成する第１絶縁膜形成工程と、前記第１絶縁膜形成工程後または前記第１絶縁膜形成工程中に、前記検査用配線を部分的に露出させるための第１開口を、前記ダイシングラインに対して間隔を空けた位置に形成する第１開口形成工程と、前記検査用配線における前記第１開口に臨む部分上に、金属からなる接続部を形成する接続部形成工程と、前記第１絶縁膜上に、第２絶縁膜を、前記接続部を覆うように形成する第２絶縁膜形成工程と、前記第２絶縁膜形成工程後または前記第１絶縁膜形成工程中に、前記接続部の頂面を部分的に露出させるための第２開口を形成する第２開口形成工程と、前記第２絶縁膜上に、前記第２開口を介して前記接続部の頂面に接続される検査用外部パッドを、前記ダイシングラインに跨るように形成する検査用外部パッド形成工程と、前記検査用外部パッド形成工程後、前記半導体基板を基体とする構造体を前記ダイシングラインに沿って切断し、複数の半導体チップの個片に切り分けるダイシング工程とを含む、半導体チップの製造方法により得ることができる。そして、この製造方法によれば、接続部の材料である金属によるダイシングソーの目づまりを防止することができ、この目づまりに起因するダイシング不良の発生を防止することができる。
【０００８】
また、請求項１記載の発明に係る前記半導体チップは、請求項５記載の半導体ウエハをダイシングラインに沿って切断し、複数の半導体チップの個片に切り分けることにより得ることができる。すなわち、請求項１記載の発明に係る前記半導体チップの製造に用いられる半導体ウエハは、基体をなす半導体基板と、前記半導体基板上に設けられ、前記半導体チップ間に設定されるダイシングラインに跨る検査用配線と、前記半導体基板上に積層されて、前記検査用配線を被覆する絶縁膜と、前記絶縁膜上に設けられ、前記ダイシングラインに跨る検査用外部パッドと、金属からなり、前記検査用配線と前記検査用外部パッドとの間に設けられ、前記検査用配線と前記検査用外部パッドとを電気的に接続する接続部とを備え、前記接続部は、前記ダイシングラインに対して間隔を空けた位置に形成されている。そして、この半導体ウエハを用いることにより、接続部の材料である金属によるダイシングソーの目づまりを防止することができ、この目づまりに起因するダイシング不良の発生を防止することができる。
【０００９】
また、請求項２記載の発明は、半導体基板と、前記半導体基板の周縁部上に設けられ、前記半導体基板の側面と面一をなす端面を有する検査用配線と、前記半導体基板上に積層されて、前記検査用配線を被覆し、前記半導体基板の側面と面一をなす側面を有する絶縁膜と、前記絶縁膜上に設けられ、前記半導体基板の側面と面一をなす端面を有する検査用外部パッドと、金属からなり、前記検査用配線と前記検査用外部パッドとの間に設けられ、前記検査用配線と前記検査用外部パッドとを電気的に接続する接続部とを備え、前記接続部は、前記絶縁膜の側面において露出しており、平面視において、前記絶縁膜の当該側面に沿う方向の長さが当該側面と直交する方向の長さよりも短く形成されている、半導体チップである。
【００１０】
この構成では、半導体基板の周縁部上に、検査用配線および検査用外部パッドが設けられている。そして、検査用配線と検査用外部パッドとを接続する接続部は、検査用配線と検査用外部パッドとの間に介在される絶縁膜の側面において露出し、平面視で、絶縁膜の当該側面に沿う方向の長さが当該側面と直交する方向の長さよりも短く形成されている。
ウエハの状態（ダイシング前の状態）で、半導体基板、検査用配線、絶縁膜および検査用外部パッドの各側面（端面）は、半導体チップの個片に切り分けるためのダイシングラインに沿っている。したがって、絶縁膜の側面において露出する接続部は、ウエハの状態で、ダイシングラインと交差しているが、その交差する部分のダイシングラインに沿う方向の長さがダイシングラインと直交する方向の長さよりも短い。そのため、ダイシング時における接続部に対するダイシングソーの接触面積が小さい。よって、接続部の材料である金属によるダイシングソーの目づまりを防止することができ、この目づまりに起因するダイシング不良の発生を防止することができる。
【００１１】
なお、請求項２記載の発明に係る前記半導体チップは、請求項４記載の製造方法により得ることができる。すなわち、請求項２記載の発明に係る前記半導体チップは、ウエハ状態の半導体基板上に、検査用配線を、予め設定されたダイシングラインに跨るように形成する配線形成工程と、前記半導体基板上に、第１絶縁膜を、前記検査用配線を覆うように形成する第１絶縁膜形成工程と、前記第１絶縁膜形成工程後または前記第１絶縁膜形成工程中に、前記ダイシングラインに跨り、平面視で当該ダイシングラインに沿う方向の長さが当該ダイシングラインと直交する方向の長さよりも短く、前記検査用配線を部分的に露出させるための第１開口を形成する第１開口形成工程と、前記検査用配線における前記第１開口に臨む部分上に、金属からなる接続部を形成する接続部形成工程と、前記第１絶縁膜上に、第２絶縁膜を、前記接続部を覆うように形成する第２絶縁膜形成工程と、前記第２絶縁膜形成工程後または前記第１絶縁膜形成工程中に、前記接続部の頂面を部分的に露出させるための第２開口を形成する第２開口形成工程と、前記第２絶縁膜上に、前記第２開口を介して前記接続部の頂面に接続される検査用外部パッドを、前記ダイシングラインに跨るように形成する検査用外部パッド形成工程と、前記検査用外部パッド形成工程後、前記半導体基板を基体とする構造体を前記ダイシングラインに沿って切断し、複数の半導体チップの個片に切り分けるダイシング工程とを含む、半導体チップの製造方法により得ることができる。そして、この製造方法によれば、接続部の材料である金属によるダイシングソーの目づまりを防止することができ、この目づまりに起因するダイシング不良の発生を防止することができる。
【００１２】
また、請求項２記載の発明に係る前記半導体チップは、請求項６記載の半導体ウエハをダイシングラインに沿って切断し、複数の半導体チップの個片に切り分けることにより得ることができる。すなわち、請求項２記載の発明に係る前記半導体チップの製造に用いられる半導体ウエハは、基体をなす半導体基板と、前記半導体基板上に設けられ、前記半導体チップ間に設定されるダイシングラインに跨る検査用配線と、前記半導体基板上に積層されて、前記検査用配線を被覆する絶縁膜と、前記絶縁膜上に設けられ、前記ダイシングラインに跨る検査用外部パッドと、金属からなり、前記検査用配線と前記検査用外部パッドとの間に設けられ、前記検査用配線と前記検査用外部パッドとを電気的に接続する接続部とを備え、前記接続部は、前記ダイシングラインに跨り、平面視において、当該ダイシングラインに沿う方向の長さが当該ダイシングラインと直交する方向の長さよりも短く形成されている。そして、この半導体ウエハを用いることにより、接続部の材料である金属によるダイシングソーの目づまりを防止することができ、この目づまりに起因するダイシング不良の発生を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下では、本発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明の一実施形態に係る半導体ウエハの模式的な平面図である。また、図２は、図１に示す半導体ウエハを切断線Ａ−Ａで切断したときの断面図である。
この半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」という。）１は、格子状に設定されたダイシングラインＤに沿って切断されることにより、複数の矩形状の半導体チップ２の個片に切り分けられる。すなわち、ウエハ１には、各半導体チップ２の間を一直線に伸びるダイシングセンタラインＬが設定されている。そして、ダイシングセンタラインＬを中心線とする一定幅（たとえば、４０μｍ）の領域がダイシングラインＤであり、このダイシングラインＤが切り落とされることにより、ウエハ１は、複数の矩形状の半導体チップ２の個片に切り分けられる。
【００１４】
ウエハ１は、図２に示すように、その基体をなす半導体基板３を備えている。各半導体チップ２に対応する領域において、半導体基板３の表層部には、機能素子（図示せず）が作り込まれている。また、各半導体チップ２に対応する領域において、半導体基板３上には、機能素子と電気的に接続された配線４が形成されている。これにより、各半導体チップ２は、機能素子を含む回路（チップ回路）を有している。
【００１５】
一方、ダイシングラインＤ上には、各半導体チップ２に形成されているチップ回路と同じ回路が検査用回路として形成されている。すなわち、ダイシングラインＤにおいて、半導体基板３の表層部には、検査用回路を構成する素子（検査用素子）が形成されている。また、半導体基板３上には、その検査用素子と電気的に接続された検査用配線５がダイシングラインＤを跨いで形成されている。この検査用配線５は、半導体チップ２に形成されている機能素子および配線４から絶縁されている。
【００１６】
また、半導体基板３上には、層間絶縁膜６が積層されている。層間絶縁膜６は、配線４および検査用配線５を埋め尽くすような厚さに形成されている。この層間絶縁膜６には、各半導体チップ２の周縁部において、配線４を平面視矩形状の内部パッド７として露出させるための開口８が形成されている。また、層間絶縁膜６には、ダイシングラインＤに対してその両側にそれぞれ間隔（この実施形態では、等間隔）を空けた位置に、検査用配線５を部分的に露出させるための開口９が形成されている。
【００１７】
内部パッド７上には、銅からなる電極１０が形成されている。この電極１０は、たとえば、内部パッド７の表面からの高さが１０μｍ以上の四角柱状に形成されている。
検査用配線５における各開口９から露出する（各開口９に臨む）部分上には、銅からなる接続部１１が形成されている。この接続部１１は、電極１０とほぼ同じ高さを有し、図１に示すように、平面視でダイシングラインＤに沿う方向に長い矩形状に形成されている。
【００１８】
層間絶縁膜６上には、図２に示すように、絶縁性を有する表面保護膜１２が積層されている。表面保護膜１２は、電極１０および接続部１１を埋め尽くすような厚さに形成されている。この表面保護膜１２には、電極１０の頂面を露出させるための開口１３が形成されている。また、表面保護膜１２には、各接続部１１の頂面を露出させるための開口１４が形成されている。
【００１９】
表面保護膜１２上には、電極１０の頂面における開口１３に臨む部分を保護するための外部パッド１５が配置されている。この外部パッド１５は、平面視矩形状に形成され、電極１０の頂面における開口１３に臨む部分を被覆し、表面保護膜１２の表面における開口１３の周囲を被覆している。外部パッド１５は、耐酸化性を有する金属、たとえば、アルミニウムからなる。
【００２０】
また、表面保護膜１２上には、ダイシングラインＤの両側に配置される接続部１１を電気的に接続する検査用外部パッド１６が配置されている。この検査用外部パッド１６は、ダイシングラインＤの両側に配置される開口１４に跨って設けられることにより、ダイシングラインＤを跨いでいる。そして、検査用外部パッド１６は、平面視矩形状に形成され、各接続部１１の頂面における開口１４に臨む部分を被覆し、表面保護膜１２の表面における各開口１４の周囲を被覆している。検査用外部パッド１６は、耐酸化性を有する金属、好ましくは、外部パッド１５と同じ金属、たとえば、アルミニウムからなる。
【００２１】
なお、電極１０および接続部１１が金（Ａｕ）などの耐酸化性金属からなる場合には、外部パッド１５および検査用外部パッド１６が省略されてもよい。
図３（ａ）〜（ｆ）は、半導体チップ２の製造方法を工程順に示す模式的な断面図である。
まず、図３（ａ）に示すように、機能素子（図示せず）が表層部に作り込まれた半導体基板３上に、配線４および検査用配線５のパターンが形成される。
【００２２】
次に、図３（ｂ）に示すように、半導体基板３上に、開口８，９を有する層間絶縁膜６が形成される。具体的には、半導体基板３の全域上に、たとえば、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により、層間絶縁膜６の材料（たとえば、酸化シリコンまたは窒化シリコン）からなる堆積層が配線４および検査用配線５を埋め尽くす厚さに形成される。その後、堆積層上に、開口８，９に対応するマスク開口を有するレジストパターンが形成され、このレジストパターンをマスクとして堆積層がエッチングされることにより、層間絶縁膜６が形成される。レジストパターンは、堆積層のエッチング後に除去される。また、半導体基板３の全域上に、感光性ポリイミドなどの有機材料が塗布されることにより、配線４および検査用配線５を埋め尽くす厚さの有機膜が形成され、その有機膜が選択的に除去されることにより、層間絶縁膜６が形成されてもよい。
【００２３】
その後、たとえば、めっき法により、図３（ｃ）に示すように、電極１０および接続部１１が並行して（同時に）形成される。
次いで、図３（ｄ）に示すように、層間絶縁膜６上に、開口１３，１４を有する表面保護膜１２が形成される。この表面保護膜１２は、層間絶縁膜６の形成方法と同様の方法により形成することができる。具体的には、層間絶縁膜６の全域上に、たとえば、ＣＶＤ法により、表面保護膜１２の材料（たとえば、酸化シリコンまたは窒化シリコン）からなる堆積層が電極１０および接続部１１を埋め尽くす厚さに形成される。その後、堆積層上に、開口１３，１４に対応するマスク開口を有するレジストパターンが形成され、このレジストパターンをマスクとして堆積層がエッチングされることにより、表面保護膜１２が形成される。レジストパターンは、堆積層のエッチング後に除去される。また、層間絶縁膜６の全域上に、感光性ポリイミドなどの有機材料が塗布されることにより、電極１０および接続部１１を埋め尽くす厚さの有機膜が形成され、その有機膜が選択的に除去されることにより、表面保護膜１２が形成されてもよい。
【００２４】
その後、図３（ｅ）に示すように、外部パッド１５および検査用外部パッド１６が形成される。外部パッド１５および検査用外部パッド１６は、たとえば、表面保護膜１２の全域上に、スパッタ法により、アルミニウム膜を形成した後、そのアルミニウム膜上に、外部パッド１５および検査用外部パッド１６を形成すべき領域と対向するマスク開口を有するレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとしてアルミニウム膜をエッチングすることにより形成することができる。なお、外部パッド１５および検査用外部パッド１６が省略される場合には、当然、この外部パッド１５および検査用外部パッド１６を形成する工程は省略される。
【００２５】
そして、こうして形成されるウエハ１が各半導体チップ２間に設定されたダイシングラインＤに沿って切断（ダイシング）されることにより、図３（ｆ）に示す構成の半導体チップ２が得られる。
半導体チップ２において、検査用配線５および検査用外部パッド１６は、半導体基板３の周縁部上に設けられている。検査用配線５、層間絶縁膜６、表面保護膜１２および検査用外部パッド１６は、それぞれ半導体基板３の側面と面一をなす側面（端面）を有している。そして、接続部１１は、層間絶縁膜６および表面保護膜１２の側面に対して間隔を空けた位置に形成されている。
【００２６】
ウエハ１の状態（ダイシング前の状態）で、半導体基板３、検査用配線５、層間絶縁膜６、表面保護膜１２および検査用外部パッド１６の各側面（端面）は、ダイシングラインＤに沿っている。層間絶縁膜６および表面保護膜１２の側面との間に間隔を有する接続部１１は、ウエハ１の状態で、ダイシングラインＤに対して間隔を空けた位置に配置されている。そのため、ダイシング時に、ダイシングソーが接続部１１に接触しない。その結果、接続部１１の材料である金属（銅）によるダイシングソーの目づまりを防止することができ、この目づまりに起因するダイシング不良の発生を防止することができる。
【００２７】
図４は、本発明の他の実施形態に係る半導体ウエハの模式的な平面図である。また、図５は、図４に示す半導体ウエハを切断線Ｂ−Ｂで切断したときの断面図である。
このウエハ２１は、格子状に設定されたダイシングラインＤに沿って切断されることにより、複数の矩形状の半導体チップ２２の個片に切り分けられる。すなわち、ウエハ２１には、各半導体チップ２２の間を一直線に伸びるダイシングセンタラインＬが設定されている。そして、ダイシングセンタラインＬを中心線とする一定幅（たとえば、４０μｍ）の領域がダイシングラインＤであり、このダイシングラインＤが切り落とされることにより、ウエハ２１は、複数の矩形状の半導体チップ２２の個片に切り分けられる。
【００２８】
ウエハ２１は、図５に示すように、その基体をなす半導体基板２３を備えている。各半導体チップ２２に対応する領域において、半導体基板２３の表層部には、機能素子（図示せず）が作り込まれている。また、各半導体チップ２２に対応する領域において、半導体基板２３上には、機能素子と電気的に接続された配線２４が形成されている。これにより、各半導体チップ２２は、機能素子を含む回路（チップ回路）を有している。
【００２９】
一方、ダイシングラインＤ上には、各半導体チップ２２に形成されているチップ回路と同じ回路が検査用回路として形成されている。すなわち、ダイシングラインＤにおいて、半導体基板２３の表層部には、検査用回路を構成する素子（検査用素子）が形成されている。また、半導体基板２３上には、その検査用素子と電気的に接続された検査用配線２５がダイシングラインＤを跨いで形成されている。この検査用配線２５は、半導体チップ２２に形成されている機能素子および配線２４から絶縁されている。
【００３０】
また、半導体基板２３上には、層間絶縁膜２６が積層されている。層間絶縁膜２６は、配線２４および検査用配線２５を埋め尽くすような厚さに形成されている。この層間絶縁膜２６には、各半導体チップ２２の周縁部において、配線２４を平面視矩形状の内部パッド２７として露出させるための開口２８が形成されている。また、層間絶縁膜２６には、検査用配線２５を部分的に露出させるための開口２９が形成されている。この開口２９は、ダイシングラインＤに跨り、平面視でダイシングラインＤに沿う方向の長さがダイシングラインＤと直交する方向の長さよりも短い矩形状に形成されている。
【００３１】
内部パッド２７上には、銅からなる電極３０が形成されている。この電極３０は、たとえば、内部パッド２７の表面からの高さが１０μｍ以上の四角柱状に形成されている。
検査用配線２５における開口２９から露出する（各開口２９に臨む）部分上には、銅からなる接続部３１が形成されている。この接続部３１は、図４に示すように、電極３０とほぼ同じ高さを有し、平面視でダイシングラインＤに沿う方向の長さがダイシングラインＤと直交する方向の長さよりも短い矩形状に形成されている。
【００３２】
層間絶縁膜２６上には、図５に示すように、絶縁性を有する表面保護膜３２が積層されている。表面保護膜３２は、電極３０および接続部３１を埋め尽くすような厚さに形成されている。この表面保護膜３２には、電極３０の頂面を露出させるための開口３３が形成されている。また、表面保護膜３２には、接続部３１の頂面を露出させるための開口３４が形成されている。
【００３３】
表面保護膜３２上には、電極３０の頂面における開口３３に臨む部分を保護するための外部パッド３５が配置されている。この外部パッド３５は、平面視矩形状に形成され、電極３０の頂面における開口３３に臨む部分を被覆し、表面保護膜３２の表面における開口３３の周囲を被覆している。外部パッド３５は、耐酸化性を有する金属、たとえば、アルミニウムからなる。
【００３４】
また、表面保護膜３２上には、ダイシングラインＤの両側に配置される接続部３１を電気的に接続する検査用外部パッド３６が配置されている。この検査用外部パッド３６は、検査用外部パッド３６は、ダイシングラインＤに跨がる平面視矩形状に形成され、接続部３１の頂面における開口３４に臨む部分を被覆し、表面保護膜３２の表面における開口３４の周囲を被覆している。検査用外部パッド３６は、耐酸化性を有する金属、好ましくは、外部パッド３５と同じ金属、たとえば、アルミニウムからなる。
【００３５】
なお、電極３０および接続部３１が金（Ａｕ）などの耐酸化性金属からなる場合には、外部パッド３５および検査用外部パッド３６が省略されてもよい。
図６（ａ）〜（ｆ）は、半導体チップ２２の製造方法を工程順に示す模式的な断面図である。
まず、図６（ａ）に示すように、機能素子（図示せず）が表層部に作り込まれた半導体基板２３上に、配線２４および検査用配線２５のパターンが形成される。
【００３６】
次に、図６（ｂ）に示すように、半導体基板２３上に、開口２８，２９を有する層間絶縁膜２６が形成される。具体的には、半導体基板２３の全域上に、たとえば、ＣＶＤ法により、層間絶縁膜２６の材料（たとえば、酸化シリコンまたは窒化シリコン）からなる堆積層が配線２４および検査用配線２５を埋め尽くす厚さに形成される。その後、堆積層上に、開口２８，２９に対応するマスク開口を有するレジストパターンが形成され、このレジストパターンをマスクとして堆積層がエッチングされることにより、層間絶縁膜２６が形成される。レジストパターンは、堆積層のエッチング後に除去される。また、半導体基板２３の全域上に、感光性ポリイミドなどの有機材料が塗布されることにより、配線２４および検査用配線２５を埋め尽くす厚さの有機膜が形成され、その有機膜が選択的に除去されることにより、層間絶縁膜２６が形成されてもよい。
【００３７】
その後、たとえば、めっき法により、図６（ｃ）に示すように、電極３０および接続部３１が並行して（同時に）形成される。
次いで、図６（ｄ）に示すように、層間絶縁膜２６上に、開口３３，３４を有する表面保護膜３２が形成される。この表面保護膜３２は、層間絶縁膜２６の形成方法と同様の方法により形成することができる。具体的には、層間絶縁膜２６の全域上に、たとえば、ＣＶＤ法により、表面保護膜３２の材料（たとえば、酸化シリコンまたは窒化シリコン）からなる堆積層が電極３０および接続部３１を埋め尽くす厚さに形成される。その後、堆積層上に、開口３３，３４に対応するマスク開口を有するレジストパターンが形成され、このレジストパターンをマスクとして堆積層がエッチングされることにより、表面保護膜３２が形成される。レジストパターンは、堆積層のエッチング後に除去される。また、層間絶縁膜２６の全域上に、感光性ポリイミドなどの有機材料が塗布されることにより、電極３０および接続部３１を埋め尽くす厚さの有機膜が形成され、その有機膜が選択的に除去されることにより、表面保護膜３２が形成されてもよい。
【００３８】
その後、図６（ｅ）に示すように、外部パッド３５および検査用外部パッド３６が形成される。外部パッド３５および検査用外部パッド３６は、たとえば、表面保護膜３２の全域上に、スパッタ法により、アルミニウム膜を形成した後、そのアルミニウム膜上に、外部パッド３５および検査用外部パッド３６を形成すべき領域と対向するマスク開口を有するレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとしてアルミニウム膜をエッチングすることにより形成することができる。なお、外部パッド３５および検査用外部パッド３６が省略される場合には、当然、この外部パッド３５および検査用外部パッド３６を形成する工程は省略される。
【００３９】
そして、こうして形成されるウエハ２１が各半導体チップ２２間に設定されたダイシングラインＤに沿って切断（ダイシング）されることにより、図６（ｆ）に示す構成の半導体チップ２２が得られる。
半導体チップ２２において、検査用配線２５および検査用外部パッド３６は、半導体基板３の周縁部上に設けられている。検査用配線２５、層間絶縁膜２６、表面保護膜３２および検査用外部パッド３６は、それぞれ半導体基板２３の側面と面一をなす側面（端面）を有している。そして、接続部３１は、層間絶縁膜２６および表面保護膜３２の側面において露出し、平面視で、層間絶縁膜２６および表面保護膜３２の側面に沿う方向の長さがこれと直交する方向の長さよりも短く形成されている。
【００４０】
ウエハ２１の状態（ダイシング前の状態）で、半導体基板２３、検査用配線２５、層間絶縁膜２６、表面保護膜３２および検査用外部パッド３６の各側面（端面）は、ダイシングラインＤに沿っている。層間絶縁膜２６および表面保護膜３２の側面において露出する接続部３１は、ウエハ２１の状態で、ダイシングラインＤと交差しているが、その交差する部分のダイシングラインＤに沿う方向の長さがダイシングラインＤと直交する方向の長さよりも短い。そのため、ダイシング時における接続部３１に対するダイシングソーの接触面積が小さい。よって、接続部３１の材料である金属（銅）によるダイシングソーの目づまりを防止することができ、この目づまりに起因するダイシング不良の発生を防止することができる。
【００４１】
以上、本発明の２つの実施形態を説明したが、本発明は、それらの実施形態に限定されるものではない。
たとえば、図１に示すウエハ１では、ダイシングラインＤに対してその両側にそれぞれ間隔を空けた位置に、開口９が１つずつ形成され、各開口９上に接続部１１が形成されている。しかしながら、図７に示すように、一方の開口９およびこの開口９上の接続部１１が省略されてもよい。
【００４２】
また、図８に示すように、ダイシングラインＤに対してその両側にそれぞれ間隔を空けた位置において、複数の開口９がダイシングラインＤに沿って並べて形成され、各開口９上に接続部１１が形成されてもよい。あるいは、ダイシングラインＤの片側に間隔を空けた位置において、複数の開口９がダイシングラインＤに沿って並べて形成され、各開口９上に接続部１１が形成されてもよい。
【００４３】
また、図９に示すように、ダイシングラインＤに対してその両側にそれぞれ間隔を空けた位置およびこれら各位置とダイシングラインＤと直交する方向にさらに間隔を隔てた位置に、それぞれ開口９が形成され、各開口９上に接続部１１が形成されてもよい。
図１に示すウエハ１（半導体チップ２）では、層間絶縁膜６と表面保護膜１２とが別体に形成されているが、これらは一体に形成されてもよい。すなわち、配線４および検査用配線５の形成後に、配線４および検査用配線５を部分的に露出させるための開口を有する絶縁膜が形成され、配線４に臨む開口内に電極１０が形成され、検査用配線５に臨む開口内に接続部１１が形成されてもよい。
【００４４】
同様に、図４に示すウエハ２１（半導体チップ２２）では、層間絶縁膜２６と表面保護膜３２とが別体に形成されているが、これらは一体に形成されてもよい。
また、電極１０，３０および接続部１１，３１の材料として、銅を例示したが、金が用いられてもよい。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明の一実施形態に係る半導体ウエハの模式的な平面図である。
【図２】図１に示す半導体ウエハを切断線Ａ−Ａで切断したときの断面図である。
【図３】図２に示す半導体チップの各工程における模式的な断面図である。
【図４】本発明の他の実施形態に係る半導体ウエハの模式的な平面図である。
【図５】図４に示す半導体ウエハを切断線Ｂ−Ｂで切断したときの断面図である。
【図６】図５に示す半導体チップの各工程における模式的な断面図である。
【図７】図１に示す接続部の変形例について説明するための半導体ウエハの模式的な平面図である。
【図８】図１に示す接続部の他の変形例について説明するための半導体ウエハの模式的な平面図である。
【図９】図１に示す接続部のさらに他の変形例について説明するための半導体ウエハの模式的な平面図である。
【符号の説明】
【００４６】
１      ウエハ
２      半導体チップ
３      半導体基板
５      検査用配線
６      層間絶縁膜（絶縁膜）
９      開口
１１    接続部
１２    表面保護膜（絶縁膜）
１４    開口
１６    検査用外部パッド
２１    ウエハ
２２    半導体チップ
２３    半導体基板
２５    検査用配線
２６    層間絶縁膜
２９    開口
３１    接続部
３２    表面保護膜
３４    開口
３６    検査用外部パッド
Ｄ      ダイシングライン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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