(57)【要約】【課題】  輻射による熱の移動を抑制して急速昇温可能なセラミックの焼成装置を提供する。【解決手段】  予熱帯２２、焼成帯２３及び冷却帯２４毎に搬送手段２８，２９，３０を独立して備え、各搬送手段２８，２９，３０による搬送路の周囲が炉壁２７で囲まれたトンネル式のセラミックの焼成装置２１であって、少なくとも焼成帯の搬送手段の搬送方向が予熱帯の搬送手段の搬送方向とは異なるように予熱帯と焼成帯とが配設され、予熱帯の加熱手段と焼成帯の加熱手段とをそれぞれ独立して備えている。  従って、予熱帯と焼成帯とで搬送路の搬送方向が異なり、搬送方向の前後で搬送路の周囲を囲む炉壁によって輻射による熱の移動が抑制され、焼成帯の長さを増加させることなく昇温速度を大きくすることができる。【選択図】図１
2008037736.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
予熱帯、焼成帯及び冷却帯毎に搬送手段を独立して備え、各搬送手段による搬送路の周囲が炉壁で囲まれたトンネル式のセラミックの焼成装置において、
少なくとも前記焼成帯の搬送手段の搬送方向が前記予熱帯の搬送手段の搬送方向とは異なるように前記予熱帯と前記焼成帯とが配設され、前記予熱帯の加熱手段と前記焼成帯の加熱手段とをそれぞれ独立して備えたことを特徴とするセラミックの焼成装置。
【請求項２】
前記予熱帯の搬送手段による搬送方向と前記焼成帯の搬送手段による搬送方向とが直交するように前記予熱帯と前記焼成帯とが配設されていることを特徴とする請求項１記載のセラミックの焼成装置。
【請求項３】
前記予熱帯の搬送手段の上方に前記冷却帯の搬送手段が配設され、前記焼成帯の搬送手段が前記予熱帯の搬送手段の端部と前記冷却帯の搬送手段の端部との間を繋ぐようにかつ該焼成帯の搬送手段による搬送方向が垂直になるように配設されていることを特徴とする請求項１記載のセラミックの焼成装置。
【請求項４】
少なくとも前記焼成帯と前記予熱帯とに雰囲気ガス制御手段をそれぞれ独立して備えたことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載のセラミックの焼成装置。
【請求項５】
バインダーを含む未焼成のセラミック成形体を準備する工程と、該セラミック成形体をベースプレート上に載置しトンネル式焼成炉内を搬送しながら、予熱により脱脂する工程と、さらに昇温して雰囲気ガス中で所定の温度で焼成する工程と、冷却する工程と、を備えたセラミックの製造方法において、前記焼成する工程が前記予熱により脱脂する工程における搬送方向とは異なる搬送方向で搬送しながら昇温して焼成することを特徴とするセラミックの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】  本発明は、電子部品等の素体として用いられる各種セラミックや内部電極を備えた積層セラミック電子部品素子等の焼成に用いられるセラミックの焼成装置及びセラミックの製造方法に関し、より大きな昇温速度で焼成することが可能なセラミックの焼成装置及びセラミックの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】  電子部品のセラミック素体として用いられる誘電体セラミック、電圧非直線抵抗体セラミック、圧電体セラミック、磁性体セラミック等の各種セラミックや、前記各種セラミックと内部電極とが交互に積層された積層セラミック電子部品素子等の焼成装置としては、バッチ式の焼成炉や連続式のトンネル式焼成炉等が広く利用されている。
近年、上記セラミックや積層セラミック電子部品素子の焼成プロセスにおいても省エネルギーが課題となっており、より大きな昇温速度で短時間に焼成可能な焼成装置が求められている。
特許文献１には、バッチ式の焼成装置を用いた急速昇温によるセラミックの焼成方法の一例として、セラミック加圧成形物を白金の籠に載せて縦型炉の炉心管内へ吊り下げ、１００〜１，６００℃／分の昇温速度で加熱し、次いで該温度に２０分以上保持するセラミックの焼成方法が提案されている。
また、特許文献２には、図５に示されるように、セラミックベルトコンベア８，９，１０を予熱帯２、焼成帯３及び冷却帯４毎に別個に配置した連続式のトンネル式焼成炉１が提案されている。【０００３】  具体的には、トンネル式の焼成炉１は、長手方向に、予熱帯２、焼成帯３、冷却帯４のセラミックベルトコンベア８，９，１０が直線状に配設されている。各セラミックベルトコンベア８，９，１０は、セラミックベルトコンベア８を例にとると、モータ８Ｄにより駆動される駆動ローラ８Ｂと、従動ローラ８Ｂ’支点ローラ８Ｃと、これらに架け渡されたセラミックベルト８Ａとを備えている。そして、予熱帯２、焼成帯３及び冷却帯４における被熱物１４の搬送速度がそれぞれ独立して設定でき、この結果、任意のプロファイルで焼成を行うことができる構造となっている。予熱帯２の搬送路の上方には、断熱ボードにニクロム線を植え込んだ平面加熱ヒータからなる発熱体１２が配設され、また、焼成帯３には、セラミックベルトコンベア９の上下から被熱物１４を加熱できるように、それぞれ側壁の上下部にＳｉＣヒータからなる発熱体１３が配設されている。
【特許文献１】特公平３−５１２４２号公報
【特許文献２】実開昭６４−５０９６号全文明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】  一般に、電子部品のセラミック素体等に用いられるセラミックや積層セラミック電子部品素子は、所望の形状・構造に成形する目的やハンドリング性を向上させる等の目的で、セラミック材料粉末と有機バインダーとを混合したものを用いて所望の形状・構造の成形体や未焼成積層体を得ている。このため、セラミックの焼成プロセスの前半において、前記成形体や前記未焼成積層体を所定の温度で十分に脱脂処理した後に焼成することが求められる。ところが、上記の前者の背景技術では、脱脂処理の後に急速昇温による焼成を行うと、リードタイムが増大するため、大量生産には不向きであった。
一方、上記の後者の背景技術では、予熱帯２において十分に脱脂した後に焼成帯３で昇温して焼成するが、焼成帯３における昇温速度を大きくしようとしても、ヒータの熱容量が不足して十分な昇温速度が得られないという課題があった。主な要因としては、予熱帯２と焼成帯３とが直線状に配列されているため、該予熱帯２と焼成帯３の間で輻射による熱の移動が生じ、焼成帯３のヒータによる発熱が急速昇温に有効に活用できないことがあげられる。【０００５】  本発明は、以上の点に着目したもので、その目的は、輻射による熱の移動を抑制して急速昇温可能なセラミックの焼成装置を提供することにある。また、本発明の目的は、輻射による熱の移動を抑制して急速昇温により焼成するセラミックの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】    前記目的を達成するため、本発明は、
（１）予熱帯、焼成帯及び冷却帯毎に搬送手段を独立して備え、各搬送手段による搬送路の周囲が炉壁で囲まれたトンネル式のセラミックの焼成装置において、
少なくとも前記焼成帯の搬送手段の搬送方向が前記予熱帯の搬送手段の搬送方向とは異なるように前記予熱帯と前記焼成帯とが配設され、前記予熱帯の加熱手段と前記焼成帯の加熱手段とをそれぞれ独立して備えたことを特徴とする。（・・・以下、第１の課題解決手段と称する。）【０００７】  また、主要な形態の一つは、
（２）前記予熱帯の搬送手段による搬送方向と前記焼成帯の搬送手段による搬送方向とが直交するように前記予熱帯と前記焼成帯とが配設されていることを特徴とする。（・・・以下、第２の課題解決手段と称する。）【０００８】  また、他の主要な形態の一つは、
（３）前記予熱帯の搬送手段の上方に前記冷却帯の搬送手段が配設され、前記焼成帯の搬送手段が前記予熱帯の搬送手段の端部と前記冷却帯の搬送手段の端部との間を繋ぐようにかつ該焼成帯の搬送手段による搬送方向が垂直になるように配設されていることを特徴とする。（・・・以下、第３の課題解決手段と称する。）【０００９】  また、他の形態の一つは、
（４）少なくとも前記焼成帯と前記予熱帯とに雰囲気ガス制御手段とをそれぞれ独立して備えたことを特徴とする。（・・・以下、第４の課題解決手段と称する。）【００１０】    また、本発明のセラミックの製造方法は、
（５）バインダーを含む未焼成のセラミック成形体を準備する工程と、該セラミック成形体をベースプレート上に載置しトンネル式焼成装置内を搬送しながら、予熱により脱脂する工程と、さらに昇温して雰囲気ガス中で所定の温度で焼成する工程と、冷却する工程と、を備えたセラミックの製造方法において、前記焼成する工程が前記予熱により脱脂する工程における搬送方向とは異なる搬送方向で搬送しながら昇温して焼成することを特徴とする。（・・・以下、第５の課題解決手段と称する。）【００１１】  上記第１の課題解決手段による作用は次の通りである。すなわち、少なくとも前記焼成帯の搬送手段の搬送方向が前記予熱帯の搬送手段の搬送方向とは異なるように前記予熱帯と前記焼成帯とが配設され、前記予熱帯の加熱手段と前記焼成帯の加熱手段とをそれぞれ独立して備えたので、予熱帯と焼成帯とで搬送路の搬送方向が異なり、搬送方向の前後で前記搬送路の周囲を囲む炉壁によって前記輻射による熱の移動が低減され、焼成帯の長さを増加させることなく昇温速度を大きくすることができる。【００１２】  また、上記第２の課題解決手段による作用は次の通りである。すなわち、前記予熱帯の搬送手段による搬送方向と前記焼成帯の搬送手段による搬送方向とが直交するように前記予熱帯と前記焼成帯とが配設されているので、搬送方向の前後で輻射による熱の移動が大幅に低減され、焼成帯の昇温速度をより大きくすることができる。【００１３】  また、上記第３の課題解決手段による作用は次の通りである。すなわち、前記予熱帯の搬送手段の上方に前記冷却帯の搬送手段が配設され、前記焼成帯の搬送手段が前記予熱帯の搬送手段の端部と前記冷却帯の搬送手段の端部との間を繋ぐようにかつ該焼成帯の搬送手段による搬送方向が垂直になるように配設されているので、加熱された雰囲気ガスは上昇焼成装置の占有面積を小さくすることができる。【００１４】  また、上記第４の課題解決手段による作用は次の通りである。すなわち、少なくとも前記焼成帯と前記予熱帯とに雰囲気ガス制御手段とをそれぞれ独立して備えたので、予熱帯から焼成帯への雰囲気ガスの対流による熱の移動を低減することができ、焼成帯の昇温速度をより一層大きくすることができる。【００１５】  上記第５の課題解決手段による作用は次の通りである。すなわち、前記焼成する工程が前記予熱により脱脂する工程における搬送方向とは異なる搬送方向で搬送しながら昇温して焼成するので、少ない熱エネルギーで短時間でセラミックを製造することができる。
また、本発明本発明の前記及び他の目的，特徴，利点は、以下の詳細な説明及び添付図面から明瞭になろう。
【発明の効果】
【００１６】  本発明によれば、輻射による熱の移動を抑制して急速昇温可能なセラミックの焼成装置を提供することができる。また、本発明は、輻射による熱の移動を抑制して急速昇温により焼成して少ない熱エネルギーで短時間でセラミックを製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】  以下、本発明のセラミックの焼成装置の第１の実施形態について、図１〜図３を参照して説明する。図１は第１の実施形態のセラミックの焼成装置２１の内部構造を説明するための搬送路の中央を通る縦断面図である。図２は前記実施形態の内部構造を説明するための断面図であり、図２（Ｂ）は上記図１におけるＢ−Ｂ線断面図、図２（Ｃ）は上記図１におけるＣ−Ｃ線断面図である。図３は本実施形態のセラミックの焼成装置２１における温度プロファイルを示す図である。尚、図３において、実線は本実施形態の焼成装置の温度プロファイルであり、１点鎖線は従来のプッシャー方式のトンネル式焼成装置の温度プロファイルである。【００１８】  本発明の第１の実施形態のセラミックの焼成装置２１は、図１及び図２に示すように、予熱帯２２、焼成帯２３及び冷却帯２４毎に搬送手段２８，２９，３０を独立して備え、各搬送手段２８，２９，３０による搬送路の周囲が炉壁２７で囲まれたトンネル式のセラミックの焼成装置２１であって、
少なくとも前記焼成帯２３の搬送手段２９の搬送方向が前記予熱帯２２の搬送手段２８の搬送方向とは異なるように前記予熱帯２２と前記焼成帯２３とが配設され、前記予熱帯２２の加熱手段３２と前記焼成帯２３の加熱手段３３とをそれぞれ独立して備えたものである。【００１９】  具体的には、予熱帯２２と該予熱帯２２の端部に該予熱帯２２の搬送路に直交するように連結された焼成帯２３と、該焼成帯２３の端部に該焼成帯２３の搬送路に直交するように連結された冷却帯２４とを備え、前記予熱帯２２の上方に前記冷却帯２４が配設されている。前記予熱帯２２の搬送手段２８及び前記冷却帯２４の搬送手段３０は、それぞれ搬送ローラが用いられ、前記焼成帯２３の搬送手段２９として前記予熱帯２２の搬送手段２８の端部と前記冷却帯２４の搬送手段３０の端部との間で搬送ステージ２９Ａが支柱２９Ｂにより昇降可能に配設された搬送エレベータを備えるものである。【００２０】  また、上記第１の実施形態のセラミックの焼成装置２１においては、前記予熱帯２２の搬送手段２８による搬送方向と前記焼成帯２３の搬送手段２９による搬送方向とが直交するように前記予熱帯２２と前記焼成帯２３とが配設されているものである。【００２１】  また、上記第１の実施形態のセラミックの焼成装置２１においては、前記予熱帯２２の搬送手段２８の上方に前記冷却帯２４の搬送手段３０が配設され、前記焼成帯２３の搬送手段２９が前記予熱帯２２の搬送手段２８の端部と前記冷却帯２４の搬送手段３０の端部との間を繋ぐようにかつ該焼成帯２３の搬送手段２９による搬送方向が垂直になるように配設されているものである。【００２２】  また、上記第１の実施形態のセラミックの焼成装置２１においては、少なくとも前記予熱帯２２と前記焼成帯２３とに雰囲気ガス制御手段３６、３７をそれぞれ独立して備えたものである。【００２３】  上記セラミック焼成装置は、誘電体セラミック、電圧非直線抵抗体セラミック、圧電性セラミック、磁性体セラミック、その他の各種セラミックの焼成に適用することができる。【００２４】  また、上記セラミック焼成装置は、積層セラミックコンデンサ、積層セラミックバリスタ、積層セラミックインダクタ、積層セラミックアンテナ、積層セラミックアクチュエータ、積層セラミック共振器、積層セラミックＬＣ複合部品その他の各種セラミック電子部品や、積層セラミック回路基板等の焼成に適用することができる。【００２５】  上記トンネル式焼成装置２１としては、被焼成物３４が導入される入口２５と被焼成物が排出される出口２６とを備え、搬送路の周囲が炉壁２７で囲まれたものである。【００２６】  上記予熱帯２２としては、未焼成のセラミック成形体から有機バインダー成分を分解・除去する所謂脱脂する工程に用いられ、一般的に用いられる有機バインダーが分解される約８００℃前後まで加熱される領域を指す。【００２７】  上記焼成帯２３としては、前記予熱体２２よりもさらに高温に加熱され、被焼成物３４としての各種セラミックや積層体セラミック電子部品素子の焼結温度まで加熱される領域を指す。本実施形態においては、上記予熱帯２２と上記焼成帯２３とは搬送路の周囲を囲む炉壁２７の折れ曲がり部分２７Ａにより区分され、この折れ曲がり部分２７Ａを有することにより前記予熱帯２２と前記焼成体２３との間で輻射熱が遮られ、輻射による熱の移動が抑制されるため、焼成帯２３における昇温速度を大きくすることができる。【００２８】  上記冷却体２４としては、前記被焼成物３４としての各種セラミックや積層体セラミック電子部品素子の焼結後、室温まで自然冷却もしくは強制的に冷却される領域を指す。本実施形態においては、上記焼成帯２３と上記冷却帯２４とは搬送路の周囲を囲む炉壁２７の折れ曲がり部分２７Ｂにより区分され、この折れ曲がり部分２７Ｂを有することにより前記焼成体２３と前記冷却帯２４との間で輻射熱が遮られ、輻射による熱の移動が抑制されるため、焼成帯２３における昇温速度を大きくすることができる。【００２９】  上記炉壁２７としては、アルミナ、ジルコニアその他の各種の耐熱性セラミックや多孔質セラミック等を用いることができる。【００３０】  上記搬送手段２８，２９，３０としては、独立して駆動可能な駆動ローラや、プッシャー等の他の駆動手段と併用して搬送可能な従動ローラ、搬送コンベア、搬送エレベータその他、各種の搬送手段を用いることができる。上記搬送手段２８，２９，３０のうち、焼成帯２３に対応する搬送手段２９は、予熱帯２２の搬送手段２８及び冷却帯２４の搬送手段３０に比べて搬送速度が速いことが好ましい。これにより、焼成帯２３における昇温速度を大きくすることができる。【００３１】  上記予熱帯２２に用いられる加熱手段３２としては、ニクロム線、遠赤外線発熱体等が好ましい。【００３２】  上記焼成帯２３に用いられる加熱手段３３としては、ＳｉＣ発熱体を用いることができるが、Ｎ２やＨ２等を含む雰囲気ガスを用いる場合には、雰囲気に比較的侵されにくい二珪化モリブデン発熱体等を用いることが好ましい。【００３３】  上記ベースプレート３５としては、アルミナ、ジルコニア、その他の各種耐熱性セラミックの中から、高温における被焼成物との反応性が低いものを適宜選択して用いることができる。【００３４】  上記予熱帯２２には、雰囲気ガスを独立して制御できるように雰囲気ガス制御手段３６として雰囲気ガス吹き込み口３６Ａと雰囲気ガス排出口３６Ｂとが設けられることが好ましい。また、上記焼成帯２３には、雰囲気ガスを独立して制御できるように雰囲気ガス制御手段３７として雰囲気ガス吹き込み口３７Ａと雰囲気ガス排出口３７Ｂとが設けられることが好ましい。【００３５】  本実施形態においては予熱帯２２の雰囲気ガスと焼成帯２３の雰囲気ガスとを仕切るために、前記炉壁２７の折れ曲がり部分２７Ａの近傍に不活性ガスの吹き込み口３８Ａと不活性ガスの排出口３８Ｂとを対向配置し、不活性ガスの流れによるエアカーテン３８が設けられている。これにより、予熱帯２２と焼成帯２３との間で雰囲気ガスの移動に伴う熱の移動を抑制することができる。
また、本実施形態においては焼成帯２３の雰囲気ガスと冷却帯２４の雰囲気ガスとを仕切るために、前記炉壁２７の折れ曲がり部分２７Ｂの近傍に不活性ガスの吹き込み口３８Ａ’と不活性ガスの排出口３８Ｂ’とを対向配置し、不活性ガスの流れによるエアカーテン３８’が設けられている。これにより、焼成帯２３と冷却帯２４との間で雰囲気ガスの移動に伴う熱の移動を抑制することができ、焼成帯２３における昇温速度をより大きくすることができる。【００３６】  また、本実施形態においては、予熱帯２２の搬送手段２８及び冷却帯２４の搬送手段３０として図示省略した駆動手段により任意に速度設定可能な搬送ローラを用いたローラハース式を採用しているが、これに限定するものではなく、図１に示すように補助搬送手段としてプッシャー２８’を設けるとともに前記搬送ローラを従動ローラに変更してプッシャー式搬送とすることもできる。【００３７】  次に、本実施形態のセラミックの焼成装置２１における温度プロファイルについて説明する。図３に実線で示されるように、本実施形態のセラミックの焼成装置２１における温度プロファイルは、予熱帯２２において徐々に加熱した後に所定の温度で保持され、脱脂処理が十分に行われる。次の焼成帯２３において、大きな昇温速度で昇温された後セラミックの焼結温度付近に保持されてセラミックの焼結が行われる。そして、次の冷却帯２４において徐々に冷却されて室温付近に戻される。一方、一点鎖線で示される従来のプッシャー方式のトンネル式の焼成装置の温度プロファイルは、焼成帯に近づくにつれて温度が上昇し、焼成帯においては、輻射により予熱帯に熱の移動が生じて、十分な昇温速度が得られないものとなっている。【００３８】  次に、本発明のセラミックの製造方法の第１の実施形態について、図１〜図３を用いて説明する。図１は本発明のセラミックの製造方法を説明するための焼成装置の断面図である。図２は上記実施形態を説明するための要部断面図であり、図２（Ｂ）は上記図１におけるＢ−Ｂ線断面図、図２（Ｃ）は、上記図１におけるＣ−Ｃ線断面図である。図３は本実施形態のセラミックの製造方法における焼成温度プロファイルを示す図である。【００３９】  本発明の第１の実施形態のセラミックの製造方法は、図１〜図３に示すように、被焼成体３４としてバインダーを含む未焼成のセラミック成形体を準備する工程と、該セラミック成形体（３４）をベースプレート３５上に載置しトンネル式焼成装置２１内を搬送しながら、予熱により脱脂する工程と、さらに昇温して雰囲気ガス中で所定の温度で焼成する工程と、冷却する工程と、を備えたセラミックの製造方法であって、前記焼成する工程が前記予熱により脱脂する工程における搬送方向とは異なる搬送方向で搬送しながら昇温して焼成するものである。【００４０】  具体的には、有機バインダーを含む未焼成のセラミック成形体からなる被焼成体３４をベースプレート３５の上に載置し、搬送ローラからなる搬送手段２８によりセラミックの焼成装置２１の入口２５から予熱帯２２内へ導入する。次に、加熱手段３２により所定の温度に加熱して脱脂し、前記セラミック成形体中の有機バインダーを分解・消失させる。予熱帯２２には、雰囲気ガス��導入口３６Ａから雰囲気ガスとして大気を導入し、前記分解されたバインダー成分を含む雰囲気ガスを雰囲気ガス排出口３６Ｂから排出する。【００４１】  焼成帯２３には、前記ベースプレートを載置可能なステージを備えた耐火物セラミック製のエレベータからなる搬送手段２９が設けられており、前記被焼成体３４が載置されたベースプレート３５を載せて焼成帯２３の内部を垂直に移動し、この間に被焼成体３４が急速昇温されて焼結される。この際、前記予熱帯２２と前記焼成帯２３とはそれぞれ被焼成体３４の搬送路の周囲が炉壁２７により囲まれ、かつ異なる搬送方向に搬送されるので、予熱帯２２と焼成帯２３との間で輻射熱が遮られ、相互に輻射による熱の移動が抑制されるため、この結果、前記焼成体２３における昇温速度が大きくなり、急速昇温により少ないエネルギーで短時間にセラミックの焼成を行うことができる。
また、本実施形態のセラミックの焼成方法は、上記のように十分な脱脂処理が施された後に急速昇温により焼結されるので、複雑な形状のセラミック、異種のセラミック同士の積層体やセラミックと内部電極との積層体等において、構成部材間の焼結速度差に起因するクラックやデラミネーションの発生が抑制されるという優れた効果も有する。【００４２】  上記有機バインダーとしては、メチルセルロース、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、アクリル樹脂、その他の各種の有機バインダーより適宜選択して用いることが好ましく、これらの有機バインダーと前記セラミック材料粉末と混合して乾式プレス成型法、湿式押し出し成型法、鋳込み成型法その他公知の成型手段により未焼成のセラミック成形体を準備することができる。【００４３】  また、積層セラミック電子部品素子の焼成を行う場合においては、セラミック材料粉末と有機バインダーと溶剤とを混合してセラミックスラリーを準備するとともに、内部電極材料となる導電性金属粉とバインダーと溶剤とを混合して電極ペーストを準備し、ドクターブレード法その他の公知のシート化手段によりセラミックシートを作成してその表面にスクリーン印刷法、インクジェット法その他公知の印刷手段により、前記電極ペーストを所定のパターンで印刷し、未焼成のセラミック積層体を準備するか、あるいは前記セラミックスラリーと前記電極ペーストとを交互にスクリーン印刷して所謂スラリービルド法により前記と同様の未焼成のセラミック積層体を準備する等のうちから適宜選択して用いることができる。【００４４】  次に、本発明のセラミックの焼成装置の第２の実施形態について、図４及び図５を参照して説明する。図４は第２の実施形態のセラミックの焼成装置５１の内部構造を説明するための内部構造を透視した平面図である。図５は本実施形態の内部構造を説明するための図であり、図５（Ａ）は上記図４におけるＡ−Ａ線の部分断面図、図５（Ｂ）は上記図４におけるＢ−Ｂ線の部分断面図、図５（Ｃ）は上記図４におけるＣ−Ｃ線の部分断面図である。【００４５】  本実施形態のセラミックの焼成装置５１は、図４及び図５に示されるように、予熱帯５２、焼成帯５３及び冷却帯５４毎に搬送手段５８，５９，６０を独立して備え、各搬送手段５８，５９，６０による搬送路の周囲が炉壁５７で囲まれたトンネル式のセラミックの焼成装置５１であって、
少なくとも前記焼成帯５３の搬送手段５９の搬送方向が前記予熱帯５２の搬送手段５８の搬送方向とは異なるように前記予熱帯５２と前記焼成帯５３とが配設され、前記予熱帯５２の加熱手段６２と前記焼成帯５３の加熱手段６３とをそれぞれ独立して備えたものである。【００４６】  具体的には、予熱帯５２と該予熱帯５２の端部に該予熱帯５２の搬送路に直交するように連結された焼成帯５３と、該焼成帯５３の端部に該焼成帯５３の搬送路に直交するように連結された冷却帯５４とを備え、前記予熱帯５２と前記冷却帯５４とが平行に配設されている。前記予熱帯５２の搬送手段５８、前記焼成体５３の搬送手段５９及び前記冷却帯５４の搬送手段６０は、それぞれ独立してセラミックベルトコンベアが用いられている。【００４７】  また、本第２の実施形態のセラミックの焼成装置５１においては、前記予熱帯５２の搬送手段５８による搬送方向と前記焼成帯５３の搬送手段５９による搬送方向とが直交するように前記予熱帯５２と前記焼成帯５３とが配設されているものである。【００４８】  また、上記第２の実施形態のセラミックの焼成装置５１においては、前記予熱帯５２の搬送手段５８と前記冷却帯５４の搬送手段６０とが平行に配設され、前記焼成帯５３の搬送手段５９が前記予熱帯５２の搬送手段５８の端部と前記冷却帯５４の搬送手段６０の端部との間を繋ぐようにかつ該焼成帯５３の搬送手段５９による搬送方向が水平になるように配設されているものである。【００４９】  本第２の実施形態が先の第１の実施形態と異なる点は、予熱帯５２、焼成帯５３及び冷却帯５４の搬送手段としてそれぞれセラミックベルトコンベアを用い、予熱帯５２、焼成体５３及び冷却帯５４をそれぞれ水平に配置した点と、雰囲気ガス制御手段を有さない点であり、その他の構成及びそれに基づく作用・効果は先の第１の実施形態と同様であるため説明を省略する。【００５０】  尚、上記第１及び第２の実施形態においては、被焼成体を載置したベースプレートを一段で搬送したが、これに限定するものではなく、例えば、前記ベースプレート上に載置された被焼成体の厚み寸法よりも大きな高さ寸法を有する耐火物製の駒を複数準備し、これを間に挟んで多段重ねで搬送するものであってもよい。
【産業上の利用可能性】
【００５１】  本発明によれば、種々の電子部品用セラミック及び積層セラミック電子部品素子の焼成に好適である。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明のセラミックの焼成装置の第１の実施形態の内部構造を示す断面図である。
【図２】前記第１の実施形態の内部構造を示す要部断面図である。
【図３】本発明のセラミックの焼成装置の第２の実施形態の内部構造を透視した平面図である。
【図４】前記第２の実施形態の内部構造を示す要部断面図である。
【図５】背景技術のセラミックの焼成装置を示す断面図である。
【符号の説明】
【００５３】２１：トンネル式焼成装置
２２：予熱帯
２３：焼成帯
２４：冷却帯
２７：炉壁
２８：予熱帯の搬送手段
２９：焼成帯の搬送手段
３０：冷却帯の搬送手段
３２：予熱帯の加熱手段
３３：焼成帯の加熱手段
３４：被焼成体
３５：ベースプレート
３７：雰囲気ガス制御手段
５１：トンネル式焼成装置
５２：予熱帯
５３：焼成帯
５４：冷却帯
５７：炉壁
５８：予熱帯の搬送手段
５９：焼成帯の搬送手段
６０：冷却帯の搬送手段
６２：予熱帯の加熱手段
６３：焼成帯の加熱手段
６４：被焼成体
６５：ベースプレート
６７：雰囲気ガス制御手段
【図１】
2008037736.tif 000003
【図２】
2008037736.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【手続補正書】
【提出日】平成18年10月10日(2006.10.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
【図１】本発明のセラミックの焼成装置の第１の実施形態の内部構造を示す断面図である。
【図２】前記第１の実施形態の内部構造を示す要部断面図である。
【図３】前記第１の実施形態のセラミックの焼成装置における温度プロファイルを示す図である。
【図４】本発明のセラミックの焼成装置の第２の実施形態の内部構造を透視した平面図である。
【図５】前記第２の実施形態の内部構造を示す要部断面図である。
【図６】背景技術のセラミックの焼成装置を示す断面図である。