(57)【要約】【課題】二層以上の記録層を持つ記録メディアの全記録領域において、最適な記録パワーで記録できるようにする記録パワー決定方法を提供することを目的とする。【解決手段】２層メディアの第１層側に追記録を行うに際し、第１層Ｌ０記録パワーの学習を行う位置（Ａ）における学習結果をＰ１＿ｉｎ、第１層Ｌ０記録パワーの学習を行う位置（Ａ）における反射層の膜厚をｄ１＿ｉｎ、第１層Ｌ０の記録開始位置（Ｂ）の反射層の膜厚をｄ１＿ｗｔとすると、第１層Ｌ０の追記録開始の記録パワーＰ１＿ｗｔをＰ１＿ｗｔ＝Ｐ１＿ｉｎ×（ｄ１＿ｉｎ／ｄ１＿ｗｔ）で計算して記録パワーを決定する。【選択図】図３
2008251090.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
二層以上の記録層を持つ記録メディアを記録再生することが可能な光ディスク装置であって、
光ディスク装置のファームウェア上に半透過膜で生成されたメディアの反射層の膜厚情報あるいは膜厚情報から記録パワーの調整係数を算出する演算係数、あるいは膜厚情報から算出した記録パワーの調整係数を予め実装した
光ディスク装置。
【請求項２】
第１層と第２層から構成される２層の記録層を持つ記録メディアの光ピックアップに一番近い第１層の途中のアドレスから追記録を行うに際し、
各記録層の記録パワーの学習を行う位置で記録パワーを決定する学習を行って各記録層の記録パワーを決定し、その第１層の記録開始記録パワーを、
第１層の記録パワー学習結果と、
第１層の記録パワーの学習を行う位置の反射層の膜厚と、
第１層の記録開始位置における第１層反射層の膜厚と
を用いて計算する
光ディスク装置の記録パワー決定方法。
【請求項３】
第１層と第２層から構成される２層の記録層を持つ記録メディアの光ピックアップに一番遠い第２層の記録開始もしくは、途中のアドレスから追記録を行うに際し、
各記録層の記録パワーの学習を行う位置で記録パワーを決定する学習を行って各記録層の記録パワーを決定し、その第２層の記録開始記録パワーを、
第２層の記録パワー学習結果と、
第２層の記録開始位置における第１層反射層の膜厚と、
第２層の記録パワーの学習を行う位置における第１層の反射層の膜厚と
を用いて計算する
光ディスク装置の記録パワー決定方法。
【請求項４】
第１層と第２層から構成される２層の記録層を持つ記録メディアの光ピックアップに一番遠い第２層の記録開始もしくは、途中のアドレスから追記録を行うに際し、
各記録層の記録パワーの学習を行う位置で記録パワーを決定する学習を行って各記録層の記録パワーを決定し、その第２層の記録開始記録パワーを、
第１層、第２層の記録パワー学習結果と、
第１層の最終記録パワーと
を用いて計算する
光ディスク装置の記録パワー決定方法。
【請求項５】
第１層，第２層，・・・，第Ｎ層の３層以上から構成されるＮ層の記録層を持つメディアの光ピックアップに一番遠い第Ｎ層の記録開始もしくは、途中から追記録を行うに際し、
各記録層の記録パワーの学習を行う位置で記録パワーを決定する学習を行って各記録層の記録パワーを決定し、その第Ｎ層の記録開始記録パワーを、
第Ｎ層の記録パワー学習結果と、
第Ｎ層の記録パワーの学習を行う位置にあたる第１層，第２層，・・・，第（Ｎ−１）層の各層の反射層膜厚と、
第Ｎ層の記録開始位置にあたる第１層，第２層，・・・，第（Ｎ−１）層の各層の反射層膜厚と
を用いて計算する
光ディスク装置の記録パワー決定方法。
【請求項６】
第１層，第２層，・・・，第Ｎ層の３層以上から構成されるＮ層の記録層を持つメディアの光ピックアップに一番遠い第Ｎ層より光ピックアップ側である第Ｍ層（Ｎ＞Ｍ）の記録開始もしくは、途中から追記録を行うに際し、
各記録層の記録パワーの学習を行う位置で記録パワーを決定する学習を行って各記録層の記録パワーを決定し、その第Ｍ層の記録開始の記録パワーを、
第Ｍ層の記録パワー学習結果と、
第Ｍ層の記録パワーの学習を行う位置にあたる第１層，第２層，・・・，第Ｍ層の各層の反射層膜厚と、
第Ｍ層の記録開始位置にあたる第１層，第２層，・・・，第Ｍ層の各層の反射層膜厚と
を用いて計算する
光ディスク装置の記録パワー決定方法。
【請求項７】
第１層，第２層，・・・，第Ｎ層の３層以上から構成されるＮ層の記録層を持つメディアの光ピックアップに一番遠い第Ｎ層の記録開始もしくは、途中から追記録を行うに際し、
各記録層の記録パワーの学習を行う位置で記録パワーを決定する学習を行って各記録層の記録パワーを決定し、その第Ｎ層の記録開始記録パワーを、
第Ｎ層，第（Ｎ−１）層の記録パワー学習結果と、
第（Ｎ−１）層の最終記録パワーと
を用いて計算する
光ディスク装置の記録パワー決定方法。
【請求項８】
第１層，第２層，・・・，第Ｎ層の３層以上から構成されるＮ層の記録層を持つメディアの光ピックアップに一番遠い第Ｎ層より光ピックアップ側である第Ｍ層（Ｎ＞Ｍ）の記録開始もしくは、途中から追記録を行うに際し、
各記録層の記録パワーの学習を行う位置で記録パワーを決定する学習を行って各記録層の記録パワーを決定し、その第Ｍ層の記録開始記録パワーを、
第Ｍ層、第（Ｍ−１）層の記録パワー学習結果と、
第（Ｍ−１）層の最終記録パワーと、
第Ｍ層の記録パワーの学習を行う位置における反射層の膜厚と、
第Ｍ層の記録開始位置にあたる第Ｍ層の反射層膜厚と
を用いて計算する
光ディスク装置の記録パワー決定方法。
【請求項９】
第１層，第２層，・・・，第Ｎ層の３層以上から構成されるＮ層の記録層を持つメディアの光ピックアップに一番遠い第Ｎ層より光ピックアップ側である第Ｍ層（Ｎ＞Ｍ）の記録開始もしくは、途中から追記録を行うに際し、
各記録層の記録パワーの学習を行う位置で記録パワーを決定する学習を行って各記録層の記録パワーを決定し、その第Ｍ層の記録開始記録パワーを、
第Ｍ層、第（Ｍ−１）層の記録パワー学習結果と、
第（Ｍ−１）層の最終記録パワーと
を用いて計算する
光ディスク装置の記録パワー決定方法。
【請求項１０】
請求項２〜請求項９の何れかの記録パワー決定方法を実行するように構成された
光ディスク装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光ディスク記録再生装置の記録パワー決定方法に関し、より詳細には、二層以上の記録層を持つ記録メディアに対して最適な記録パワーを決定する方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、二層以上の記録層を持つ記録メディアに記録を行うにあたっては、各記録層で記録パワーを決定する学習を行うことにより各記録層の記録パワーを決定し、その記録パワーを用いて第一層と各記録層との層間の記録パワー比を算出した後、第一層は学習で決定した記録パワーで記録を行い、第二層以降残りの記録層は各層の記録開始アドレスと同じ半径位置における第一層の記録パワーに、前記層間の記録パワー比を乗算して記録パワーを決定している（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平１１−３５５０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
前記従来の記録方法では、層間の記録パワー比がメディアの半径位置に関係なく常に一定である必要がある。
しかしながら、２層以上の記録メディア、例えば２層メディアであるＤＶＤ−Ｒ  ＤＬ、ＤＶＤ＋Ｒ  ＤＬの場合、一番光ピックアップに近い側の層である第１層は、光ピックアップに遠い側の層である第２層へレーザー光を透過させる必要があるため、第１層の反射層は半透過膜で成膜されており、その厚さは約１５ｎｍである。よって、ディスク生成時のばらつきの影響を受けやすく、厚さは半径方向に必ずしも一定でない。
【０００４】
第１層の反射層の厚さのばらつきにより、第１層で反射される光量、第２層へ到達する光量は半径位置により異なるため、第１層と第２層の記録感度に影響し、最適記録パワーも異なってくる。
【０００５】
一方、光ピックアップから一番遠い側の層である第２層の反射層は、レーザー光を透過させる必要がないため全反射で成膜されており、その厚さは約１５０ｎｍである。第１層の反射膜に比べ約１０倍もの厚さである。第１層と比べて、第２層の反射層のばらつきによる第２層の最適記録パワーへの影響はほとんどない。
【０００６】
また、第１層の半透過膜で成膜されている反射層の膜厚が変化したときの記録パワーとアシンメトリ（β値）の関係を表したものを図１０（ａ）（ｂ）に示す。
図１０（ａ）は第１層Ｌ０の膜厚が変化したときの記録パワーとアシンメトリ（β値）の関係を表し、図１０（ｂ）は第２層Ｌ１の膜厚が変化したときの記録パワーとアシンメトリ（β値）の関係を表している。“Ｆ０”は膜厚が標準の場合、“Ｆ＋”は膜厚が標準よりも厚い場合、“Ｆ−”は膜厚が標準よりも薄い場合であって、第１層Ｌ０、第２層Ｌ１においてアシンメトリが０％のとき、半透過膜の膜厚が変化したときの記録パワーの特性は次のようになる。
【０００７】
第１層Ｌ０について、半透過膜の膜厚が薄くなるほど、記録パワーは高くなっていく。
反対に第２層Ｌ１については、半透過膜の膜厚が薄くなるほど、記録パワーは低くなっていく。
【０００８】
このように、第１層Ｌ０の半透過膜の膜厚が変化したときの第１層Ｌ０と第２層Ｌ１の記録パワーの変化の関係は比例関係ではなく、図１０（ｃ）に示すように反比例関係であり、第１層Ｌ０の半透過膜の膜厚が薄くなるほど、第１層Ｌ０最適記録パワーの関係も反比例関係である。
【０００９】
その原理を、半透過膜の厚さに対する第１層Ｌ０、第２層Ｌ１の記録層の感度、記録パワーの関係を用いて説明する。
第１層Ｌ０の反射層である半透過膜の厚さが厚くなると、第１層Ｌ０の反射率が高くなるため、第１層Ｌ０の記録層感度が高くなり、第１層Ｌ０の最適記録パワーは低くなる。第２層Ｌ１の記録に関しては、第１層Ｌ０の半透過膜の第２層Ｌ１への透過率が低くなるため、第２層Ｌ１へ到達する記録パワーは少なくなる。よって、第２層Ｌ１の記録層感度は低くなるため、第２層Ｌ１の最適記録パワーは高くなる。
【００１０】
反対に、第１層Ｌ０の反射層である半透過膜の厚さが薄くなると、第１層Ｌ０の反射率が低くなるため、第１層Ｌ０の記録層感度が低くなり、第１層Ｌ０の最適記録パワーは高くなる。第２層Ｌ１の記録に関しては、第１層Ｌ０の半透過膜の第２層Ｌ１への透過率が高くなるため、第２層Ｌ１へ到達する記録パワーは多くなる。よって、第２層Ｌ１の記録層感度は高くなるため、第２層Ｌ１の最適記録パワーは低くなる。
【００１１】
また、３層以上Ｎ層で構成されるメディアにおいては、半透過膜で成膜される第１層Ｌ０、第２層Ｌ１・・・第（Ｎ−１）層と、光ピックアップから一番遠く全反射膜で成膜される第Ｎ層との間で前述と同様の関係が成り立つ。
【００１２】
このように、反射層の半透過膜の厚さは同じ層においても一定ではないために層間の記録パワー比が異なり、前記従来の記録方法では、最適な記録パワーに設定できないという課題を有している。
【００１３】
また、前記課題に関連して、途中のアドレスから記録を開始するような追記録動作においては、最内周での記録パワーの学習結果を追記録の開始パワーとしている。しかし、反射層の半透過膜の厚さは半径方向において一定ではないため、学習結果のパワーと追記録の開始パワーの最適値が異なり、最適な追記録の記録開始パワーに設定できないという課題も有していた。
【００１４】
本発明は前記従来の課題を解決するもので、二層以上の記録層を持つ記録メディアの全記録領域において、光ディスク装置が最適な記録パワーで記録できるようにする記録パワー決定方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明の請求項１記載の光ディスク装置は、二層以上の記録層を持つ記録メディアを記録再生することが可能な光ディスク装置であって、光ディスク装置のファームウェア上に半透過膜で生成されたメディアの反射層の膜厚情報あるいは膜厚情報から記録パワーの調整係数を算出する演算係数、あるいは膜厚情報から算出した記録パワーの調整係数を予め実装したことを特徴とする。
【００１６】
本発明の請求項２記載の光ディスク装置の記録パワー決定方法は、第１層と第２層から構成される２層の記録層を持つ記録メディアの光ピックアップに一番近い第１層の途中のアドレスから追記録を行うに際し、各記録層の記録パワーの学習を行う位置で記録パワーを決定する学習を行って各記録層の記録パワーを決定し、その第１層の記録開始記録パワーを、第１層の記録パワー学習結果と、第１層の記録パワーの学習を行う位置の反射層の膜厚と、第１層の記録開始位置における第１層反射層の膜厚とを用いて計算することを特徴とする。
【００１７】
本発明の請求項３記載の光ディスク装置の記録パワー決定方法は、第１層と第２層から構成される２層の記録層を持つ記録メディアの光ピックアップに一番遠い第２層の記録開始もしくは、途中のアドレスから追記録を行うに際し、各記録層の記録パワーの学習を行う位置で記録パワーを決定する学習を行って各記録層の記録パワーを決定し、その第２層の記録開始記録パワーを、第２層の記録パワー学習結果と、第２層の記録開始位置における第１層反射層の膜厚と、第２層の記録パワーの学習を行う位置における第１層の反射層の膜厚とを用いて計算することを特徴とする。
【００１８】
本発明の請求項４記載の光ディスク装置の記録パワー決定方法は、第１層と第２層から構成される２層の記録層を持つ記録メディアの光ピックアップに一番遠い第２層の記録開始もしくは、途中のアドレスから追記録を行うに際し、各記録層の記録パワーの学習を行う位置で記録パワーを決定する学習を行って各記録層の記録パワーを決定し、その第２層の記録開始記録パワーを、第１層、第２層の記録パワー学習結果と、第１層の最終記録パワーとを用いて計算することを特徴とする。
【００１９】
本発明の請求項５記載の光ディスク装置の記録パワー決定方法は、第１層，第２層，・・・，第Ｎ層の３層以上から構成されるＮ層の記録層を持つメディアの光ピックアップに一番遠い第Ｎ層の記録開始もしくは、途中から追記録を行うに際し、各記録層の記録パワーの学習を行う位置で記録パワーを決定する学習を行って各記録層の記録パワーを決定し、その第Ｎ層の記録開始記録パワーを、第Ｎ層の記録パワー学習結果と、第Ｎ層の記録パワーの学習位置にあたる第１層，第２層，・・・，第（Ｎ−１）層の各層の反射層膜厚と、第Ｎ層の記録開始位置にあたる第１層，第２層，・・・，第（Ｎ−１）層の各層の反射層膜厚とを用いて計算することを特徴とする。
【００２０】
本発明の請求項６記載の光ディスク装置の記録パワー決定方法は、第１層，第２層，・・・，第Ｎ層の３層以上から構成されるＮ層の記録層を持つメディアの光ピックアップに一番遠い第Ｎ層より光ピックアップ側である第Ｍ層（Ｎ＞Ｍ）の記録開始もしくは、途中から追記録を行うに際し、各記録層の記録パワーの学習を行う位置で記録パワーを決定する学習を行って各記録層の記録パワーを決定し、その第Ｍ層の記録開始の記録パワーを、第Ｍ層の記録パワー学習結果と、第Ｍ層の記録パワーの学習を行う位置にあたる第１層，第２層，・・・，第Ｍ層の各層の反射層膜厚と、第Ｍ層の記録開始位置にあたる第１層，第２層，・・・，第Ｍ層の各層の反射層膜厚とを用いて計算することを特徴とする。
【００２１】
本発明の請求項７記載の光ディスク装置の記録パワー決定方法は、第１層，第２層，・・・，第Ｎ層の３層以上から構成されるＮ層の記録層を持つメディアの光ピックアップに一番遠い第Ｎ層の記録開始もしくは、途中から追記録を行うに際し、各記録層の記録パワーの学習を行う位置で記録パワーを決定する学習を行って各記録層の記録パワーを決定し、その第Ｎ層の記録開始記録パワーを、第Ｎ層，第（Ｎ−１）層の記録パワー学習結果と、第（Ｎ−１）層の最終記録パワーとを用いて計算することを特徴とする。
【００２２】
本発明の請求項８記載の光ディスク装置の記録パワー決定方法は、第１層，第２層，・・・，第Ｎ層の３層以上から構成されるＮ層の記録層を持つメディアの光ピックアップに一番遠い第Ｎ層より光ピックアップ側である第Ｍ層（Ｎ＞Ｍ）の記録開始もしくは、途中から追記録を行うに際し、各記録層の記録パワーの学習を行う位置で記録パワーを決定する学習を行って各記録層の記録パワーを決定し、その第Ｍ層の記録開始記録パワーを、第Ｍ層、第（Ｍ−１）層の記録パワー学習結果と、第（Ｍ−１）層の最終記録パワーと、第Ｍ層の記録パワーの学習を行う位置における反射層の膜厚と、第Ｍ層の記録開始位置にあたる第Ｍ層の反射層膜厚とを用いて計算することを特徴とする。
【００２３】
本発明の請求項９記載の光ディスク装置の記録パワー決定方法は、第１層，第２層，・・・，第Ｎ層の３層以上から構成されるＮ層の記録層を持つメディアの光ピックアップに一番遠い第Ｎ層より光ピックアップ側である第Ｍ層（Ｎ＞Ｍ）の記録開始もしくは、途中から追記録を行うに際し、各記録層の記録パワーの学習を行う位置で記録パワーを決定する学習を行って各記録層の記録パワーを決定し、その第Ｍ層の記録開始記録パワーを、第Ｍ層、第（Ｍ−１）層の記録パワー学習結果と、第（Ｍ−１）層の最終記録パワーとを用いて計算することを特徴とする。
【発明の効果】
【００２４】
この構成によれば、二層以上の記録層を持つ記録メディアの全記録領域において、最適な記録パワーを算出し求め、記録することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
図２は本発明の光ディスク装置を示す。
この光ディスク装置１は、光ディスク２をスピンドルモータ３によって回転させる。このスピンドルモータ３の動作はサーボ回路４によって制御され、再生および記録時には光ディスク２が線速度一定で、もしくは角速度一定で回転するようにされる。また光ディスク２の再生および記録は、レーザビームＬＢを使用した光ピックアップ５を使用して行われる。光ピックアップ５のフォーカス、トラッキング、シーク等の動作はサーボ回路４によって制御される。
【００２６】
光ピックアップ５より出力される再生信号は再生信号処理回路６に供給され、再生信号の増幅やフィルタ処理が行われる。再生信号処理回路６で処理された再生信号は、システム処理回路７に供給されてディジタル復調、誤り訂正などの処理が行われて、光ディスク２に記録されたディジタルデータが得られる。このシステム処理回路７およびサーボ回路４の動作は、中央処理装置を要部としたシステムコントローラ９によって制御される。
【００２７】
なお、光ディスク装置の運転に必要なファームウェアがシステムコントローラ９の記憶部に書き込まれており、そこには、使用が可能な光ディスクの反射層の膜厚情報、あるいは膜厚情報から記録パワーの調整係数を算出する演算係数、あるいは膜厚情報から算出した記録パワーの調整係数が書き込まれたデータベースも書き込まれている。
【００２８】
図１は、制御手段としてのシステムコントローラ９における、多層記録メディアに記録を行うときの記録パワー設定のフローチャートを示している。
記録パワーの決定方法について説明する前に、初めに多層記録メディアの記録動作、作用について、図１のステップに沿って説明する。
【００２９】
光ディスク２に記録を行う際に、システムコントローラ９は次のように動作する。
まず始めに、ステップＳ１０では、初期起動を実行することによって、挿入されたメディアの識別をした後、ファームウェア上に予め実装していた半透過膜で生成されたメディアの反射層の膜厚情報、あるいはメディアに予め格納された膜厚情報を取得し、その膜厚情報から記録パワーの調整係数を算出する。
【００３０】
ステップＳ１１では、各記録層の試し書き領域（ＰＣＡ  Power Calibration Area）で記録パワーを決定する学習を行い、各記録層の記録パワーを決定する。
ステップＳ１２では、ステップＳ１１で決定した記録パワーから、第一層と各記録層との層間の記録パワー比を算出し、光ディスク装置の内部メモリとしてのバッファ８に記憶すると記録前の処理は完了する。
【００３１】
その後のステップＳ１３では、第一層（ｎ＝０）の記録開始アドレスにシークし、学習で決定した記録パワーを開始パワーに設定する。
ステップＳ１４では、ステップＳ１３で決定した開始パワーで記録を開始する。
【００３２】
ステップＳ１５では、“第一層の記録終了後に引き続き記録が必要であるか”チェックする。ステップＳ１５において“第一層の記録終了後に引き続き記録が必要である”と判定された場合には、ステップＳ１６を実行して次の例えば第二層（ｎ＝１）へシークし、ステップＳ１７で第一層の最終記録パワーに第一層と第二層との層間の記録パワー比を乗じて記録パワーを算出する。その後のステップＳ１８では、ステップＳ１７で算出した記録パワーに、ステップＳ１０で算出した記録パワーの調整係数で調整を行って、第二層の記録開始パワーを決定し、ステップＳ１４に戻って第二層の記録を開始する。以降の記録層（ｎ≧２）においても全ての記録が終了するまで同様に行う。
【００３３】
なお、上記の説明では、ファームウェア上から取得した膜厚情報より記録パワーの調整係数を算出して制御したが、光ディスク２から取得した膜厚情報より記録パワーの調整係数を算出して制御することもできる。
【００３４】
また、ステップ１７のように前の層の最終記録パワーに層間の記録パワー比を乗じて記録パワーを算出する処理を行わず、最終記録パワーあるいは学習結果の記録パワーに調整係数を用いて、次層の記録開始パワーを決定してもよい。
【００３５】
以上のように、ファームウェア上、あるいはメディアから取得した膜厚情報より記録パワーの調整係数を算出し、その調整係数を用いて第二層以降の各層（ｎ≧１）の記録開始パワーを調整することによって、二層以上の記録層を持つ記録メディアの全記録領域で、最適な記録パワーが得られる。
【００３６】
上記、多層記録メディアの動作において、記録パワー決定方法を具体的な各実施の形態に基づいて説明する。
（実施の形態１）
図３は、２層メディアの第１層側に追記録を行う際の記録パワー決定方法を説明する図として、２層メディアを横から見た図である。
【００３７】
横の実線は第１層Ｌ０と第２層Ｌ１の反射層を表し、第１層Ｌ０記録パワーの学習を行う最内周位置（Ａ）における学習結果をＰ１＿ｉｎ、第１層Ｌ０記録パワーの学習を行う位置（Ａ）における反射層の膜厚をｄ１＿ｉｎ、第１層Ｌ０の記録開始位置（Ｂ）の反射層の膜厚をｄ１＿ｗｔとすると、第１層Ｌ０の追記録開始の記録パワーＰ１＿ｗｔを、次式で計算して記録パワーを決定する。
【００３８】
Ｐ１＿ｗｔ  ＝  Ｐ１＿ｉｎ  ×  （ｄ１＿ｉｎ  ／  ｄ１＿ｗｔ）
（実施の形態２）
図４は、２層メディアの第２層の記録を行う際の記録パワー決定方法を説明する図として、２層メディアを横から見た図である。最内周位置（Ａ）（Ｃ）は同一またはほぼ同一の半径位置、位置（Ｂ）（Ｄ）は同一またはほぼ同一の半径位置である。
【００３９】
横の実線は第１層Ｌ０と第２層Ｌ１の反射層を表し、第２層Ｌ１記録パワーの学習を行う位置（Ｃ）における学習結果をＰ２＿ｉｎ、第１層Ｌ０記録パワーの学習を行う位置（Ａ）における反射層の膜厚をｄ１＿ｉｎ、第１層Ｌ０記録最終位置（Ｂ）の反射層の膜厚をｄ１＿ｗｔとすると、第２層Ｌ１記録開始位置（Ｄ）の記録パワーＰ２＿ｗｔを、次式で計算して記録パワーを決定する。
【００４０】
Ｐ２＿ｗｔ  ＝  Ｐ２＿ｉｎ  ×  （ｄ１＿ｗｔ  ／  ｄ１＿ｉｎ）
（実施の形態３）
図５は、２層メディアの第２層の記録を行う際の記録パワー決定方法を説明する図として、２層メディアを横から見た図である。最内周位置（Ａ）（Ｃ）は同一またはほぼ同一の半径位置、位置（Ｂ）（Ｄ）は同一またはほぼ同一の半径位置である。
【００４１】
横の実線は第１層Ｌ０と第２層Ｌ１の反射層を表し、第１層Ｌ０記録パワーの学習を行う位置（Ａ）における学習結果をＰ１＿ｉｎ、第２層Ｌ１記録パワーの学習を行う位置（Ｃ）における学習結果をＰ２＿ｉｎ、第１層Ｌ０記録最終位置（Ｂ）の記録パワーをＰ１＿ｌａｓｔとすると、第２層Ｌ１記録開始位置（Ｄ）の記録パワーＰ２＿ｗｔを、次式で計算して記録パワーを決定する。
【００４２】
Ｐ２＿ｗｔ  ＝  Ｐ２＿ｉｎ  ×  （Ｐ１＿ｉｎ  ／  Ｐ１＿ｌａｓｔ）
（実施の形態４）
図６は、３層以上の第Ｎ層まである多層メディアの第Ｎ層に記録を行う際の記録パワー決定方法を説明する図として、Ｎ層メディアを横から見た図である。最内周位置（Ａ）（Ｃ）（Ｅ）（Ｇ）は同一またはほぼ同一の半径位置、位置（Ｂ）（Ｄ）（Ｆ）（Ｈ）は同一またはほぼ同一の半径位置である。
【００４３】
横の実線は第１層Ｌ０と第２層Ｌ１・・・第Ｎ層の反射層を表し、第Ｎ層の記録パワーの学習を行う位置（Ｇ）における学習結果をＰＮ＿ｉｎ、第１層Ｌ０記録パワーの学習を行う位置（Ａ）における反射層の膜厚をｄ１＿ｉｎ、第２層Ｌ１記録パワーの学習を行う位置（Ｃ）における反射層の膜厚をｄ２＿ｉｎ、第（Ｎ−１）層の記録パワーの学習を行う位置（Ｅ）における反射層の膜厚をｄＮ−１＿ｉｎ、第Ｎ層の記録開始位置の第１層Ｌ０側（Ｂ）における反射層の膜厚をｄ１＿ｗｔ、第Ｎ層の記録開始位置の第２層Ｌ１側（Ｄ）における反射層の膜厚をｄ２＿ｗｔ、第Ｎ層の記録開始位置の第（Ｎ−１）層側（Ｆ）における反射層の膜厚をｄＮ−１＿ｗｔとすると、第Ｎ層の記録開始（Ｈ）の記録パワーＰＮ＿ｗｔを、次式で計算して記録パワーを決定する。
【００４４】
ＰＮ＿ｗｔ  ＝  ＰＮ＿ｉｎ  ×  （ｄ１＿ｗｔ  ×  ｄ２＿ｗｔ  ×・・・×ｄＮ−１＿ｗｔ）／  （ｄ１＿ｉｎ  ×  ｄ２＿ｉｎ  ×・・・×ｄＮ−１＿ｉｎ）
（実施の形態５）
図７は、３層以上の第Ｎ層まである多層メディアの第Ｍ層（１≦Ｍ＜Ｎ）に記録を行う際の記録パワー決定方法を説明する図として、Ｎ層メディアを横から見た図である。最内周位置（Ａ）（Ｃ）（Ｅ）（Ｇ）は同一またはほぼ同一の半径位置、位置（Ｂ）（Ｄ）（Ｆ）（Ｈ）は同一またはほぼ同一の半径位置である。
【００４５】
横の実線は第１層Ｌ０と第２層Ｌ１・・・第Ｍ層・・・第Ｎ層の反射層を表し、第Ｍ層の記録パワーの学習を行う位置（Ｇ）における学習結果をＰＭ＿ｉｎ、第１層Ｌ０記録パワーの学習を行う位置（Ａ）における反射層の膜厚をｄ１＿ｉｎ、第２層Ｌ１記録パワーの学習を行う位置（Ｃ）における反射層の膜厚をｄ２＿ｉｎ、第（Ｍ−１）層の記録パワーの学習を行う位置（Ｅ）における反射層の膜厚をｄ（Ｍ−１）＿ｉｎ、第Ｍ層の記録パワーの学習を行う位置（Ｇ）における反射層の膜厚をｄＭ＿ｉｎ、第Ｍ層の記録開始位置の第１層Ｌ０側（Ｂ）における反射層の膜厚をｄ１＿ｗｔ、第Ｍ層の記録開始位置の第２層Ｌ１側（Ｄ）における反射層の膜厚をｄ２＿ｗｔ、第Ｍ層の記録開始位置の第（Ｍ−１）層側（Ｆ）における反射層の膜厚をｄ（Ｍ−１）＿ｗｔ、第Ｍ層の記録開始位置（Ｈ）における反射層の膜厚をｄＭ＿ｗｔとすると、第Ｍ層の記録開始の記録パワーＰＭ＿ｗｔは、次式で表すことができる。
【００４６】
ＰＭ＿ｗｔ  ＝  ＰＭ＿ｉｎ  ×  （（ｄ１＿ｗｔ  ×  ｄ２＿ｗｔ×・・・×ｄＭ−１＿ｗｔ）／  （ｄ１＿ｉｎ  ×  ｄ２＿ｉｎ×・・・×ｄＭ−１＿ｉｎ））×（ｄＭ＿ｉｎ  ／  ｄＭ＿ｗｔ）
（実施の形態６）
図８は、３層以上の第Ｎ層まである多層メディアの第Ｎ層に記録を行う際の記録パワー決定方法を説明する図として、Ｎ層メディアを横から見た図である。位置（Ａ）（Ｃ）（Ｅ）（Ｇ）は同一またはほぼ同一の半径位置、位置（Ｂ）（Ｄ）（Ｆ）（Ｈ）は同一またはほぼ同一の半径位置である。
【００４７】
横の実線は第１層Ｌ０と第２層Ｌ１・・・第Ｎ層の反射層を表し、第Ｎ層の記録パワーの学習を行う位置（Ｇ）における学習結果をＰＮ＿ｉｎ、第（Ｎ−１）層の記録パワーの学習を行う位置（Ｅ）における学習結果をＰＮ−１＿ｉｎ、第（Ｎ−１）層の記録最終位置（Ｆ）の記録パワーをＰＮ−１＿ｌａｓｔとすると、第Ｎ層の記録開始（Ｈ）の記録パワーＰＮ＿ｗｔを、次式で計算して記録パワーを決定する。
【００４８】
ＰＮ＿ｗｔ  ＝  ＰＮ＿ｉｎ  ×  （ＰＮ−１＿ｉｎ  ／  ＰＮ−１＿ｌａｓｔ）
（実施の形態７）
図９は、３層以上の第Ｎ層まである多層メディアの第Ｍ層（１≦Ｍ＜Ｎ）に記録を行う際の記録パワー決定方法を説明する図として、Ｎ層メディアを横から見た図である。最内周位置（Ａ）（Ｃ）（Ｅ）（Ｇ）は同一またはほぼ同一の半径位置、位置（Ｂ）（Ｄ）（Ｆ）（Ｈ）は同一またはほぼ同一の半径位置である。
【００４９】
横の実線は第１層Ｌ０と第２層Ｌ１・・・第Ｎ層の反射層を表し、第Ｍ層の記録パワーの学習を行う位置（Ｇ）における学習結果をＰＭ＿ｉｎ、第Ｍ−１層の記録パワーの学習を行う位置（Ｅ）における学習結果をＰＭ−１＿ｉｎ、第Ｍ−１層の記録最終位置（Ｆ）の記録パワーをＰＭ−１＿ｌａｓｔ、第Ｍ層の記録パワーの学習を行う位置（Ｇ）における反射層の膜厚をｄＭ＿ｉｎ、第Ｍ層の記録開始位置（Ｈ）における反射層の膜厚をｄＭ＿ｗｔとすると、第Ｍ層の記録開始（Ｈ）の記録パワーＰＭ＿ｗｔを、次式で計算して記録パワーを決定する。
【００５０】
ＰＭ＿ｗｔ  ＝  ＰＭ＿ｉｎ  ×  （ＰＭ−１＿ｉｎ  ／  ＰＭ−１＿ｌａｓｔ）×  （ｄＭ＿ｉｎ  ／  ｄＭ＿ｗｔ）
また、第Ｍ層の記録開始（Ｈ）の記録パワーＰＭ＿ｗｔは、前式ほど正確ではなくなるが次式で計算することにより、反射層の膜厚を利用せずに記録パワーを決定することもできる。
【００５１】
ＰＭ＿ｗｔ  ＝  ＰＭ＿ｉｎ  ×  （ＰＭ−１＿ｉｎ  ／  ＰＭ−１＿ｌａｓｔ）
上記の各実施の形態において、記録パワーの学習を行う位置は最内周として説明したが、記録パワーを学習する位置であればよく、最内周に限定されない。
【００５２】
また、位置（Ａ）（Ｃ）（Ｅ）（Ｇ）と位置（Ｂ）（Ｄ）（Ｆ）（Ｈ）の位置を同一またはほぼ同一の半径位置と説明しているのは、各層で記録パワーを学習する際に要した長さ、または追記録を行うなどにより半径位置が多少ずれてくることを考慮してであるが、反射層の膜厚が変化していく距離に比べて無視できる距離であるため、同一またはほぼ同一と説明している。
【産業上の利用可能性】
【００５３】
本発明は、光ディスク装置における高品質の記録再生動作の実現に寄与できる。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本発明の多層記録メディアに記録を行うときの記録パワー設定のフローチャート
【図２】一般的な光ディスク装置の構成図
【図３】本発明の実施の形態１における記録パワー計算方法の説明図
【図４】本発明の実施の形態２における記録パワー計算方法の説明図
【図５】本発明の実施の形態３における記録パワー計算方法の説明図
【図６】本発明の実施の形態４における記録パワー計算方法の説明図
【図７】本発明の実施の形態５における記録パワー計算方法の説明図
【図８】本発明の実施の形態６における記録パワー計算方法の説明図
【図９】本発明の実施の形態７、８における記録パワー計算方法の説明図
【図１０】２層メディアにおける第１層Ｌ０の反射層（半透過膜）の膜厚が変化したときの第１層Ｌ０と第２層Ｌ１の記録パワーの変化の関係図
【符号の説明】
【００５５】
１    光ディスク装置
２    光ディスク
３    スピンドルモータ
４    サーボ回路
５    光ピックアップ
６    再生信号処理回路
７    システム処理回路
９    システムコントローラ
Ｌ０    第１層
Ｌ１    第２層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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