(57)【要約】【課題】磁気抵抗効果膜の損傷を回避することができるヘッドスライダおよび記憶媒体駆動装置を提供する。【解決手段】下部シールド層６３よりも後方で非磁性膜３２には電熱線７５が埋め込まれる。こうした電熱線７５に電流が供給されると、電熱線７５は発熱する。電熱線７５の前方で下部シールド層６３の熱膨張は促される。こうして記憶媒体１３に向かって下部シールド層６３の突出は生み出される。下部シールド層６３は磁気抵抗効果膜６５よりも空気流入側で記憶媒体１３に近づく。たとえヘッドスライダ２１が記憶媒体１３に接触しても、ヘッドスライダ２１は下部シールド層６３で記憶媒体１３に接触することができる。下部シールド層６３よりも空気流出側の磁気抵抗効果膜６５の損傷は回避される。【選択図】図４
2008102976.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スライダ本体と、スライダ本体の空気流出側端面に積層され、媒体対向面で記憶媒体に向き合わせられる絶縁性の非磁性膜と、非磁性膜に埋め込まれ、非磁性膜の媒体対向面に臨む前端から、媒体対向面に交差する第１仮想平面に沿って後方に広がる下部シールド層と、下部シールド層よりも空気流出側で非磁性膜に埋め込まれ、第１仮想平面に平行な第２仮想平面に沿って広がる上部シールド層と、下部シールド層および上部シールド層の間で非磁性膜に埋め込まれる磁気抵抗効果膜と、下部シールド層よりも後方で非磁性膜に埋め込まれる電熱線とを備えることを特徴とするヘッドスライダ。
【請求項２】
請求項１に記載のヘッドスライダにおいて、前記非磁性膜の表面に形成されて、前記下部シールド層の前端を露出させる窪みと、前記非磁性膜の表面に形成されて、表面で平坦面を規定する保護膜とをさらに備えることを特徴とするヘッドスライダ。
【請求項３】
スライダ本体と、スライダ本体の空気流出側端面に積層される絶縁性の非磁性膜と、非磁性膜に埋め込まれる下部シールド層と、下部シールド層よりも空気流出側で非磁性膜に埋め込まれ、下部シールド層に並行に広がる上部シールド層と、下部シールド層および上部シールド層の間で非磁性膜に埋め込まれる磁気抵抗効果膜と、非磁性膜に埋め込まれて、下部シールド層の熱膨張のみを誘引する電熱線とを備えることを特徴とするヘッドスライダ。
【請求項４】
スライダ本体と、スライダ本体の空気流出側端面に積層される絶縁性の非磁性膜と、非磁性膜に埋め込まれる下部シールド層と、下部シールド層よりも空気流出側で非磁性膜に埋め込まれ、下部シールド層に並行に広がる上部シールド層と、下部シールド層および上部シールド層の間で非磁性膜に埋め込まれる磁気抵抗効果膜と、上部シールド層よりも空気流出側で非磁性膜に埋め込まれる書き込みヘッドと、非磁性膜に埋め込まれて、書き込みヘッドの熱膨張を引き起こす第１電熱線と、非磁性膜に埋め込まれて、下部シールド層の熱膨張を引き起こす第２電熱線とを備えることを特徴とするヘッドスライダ。
【請求項５】
スライダ本体と、スライダ本体の空気流出側端面に積層される絶縁性の非磁性膜と、非磁性膜に埋め込まれるヘッド素子と、ヘッド素子よりも空気流入側で非磁性膜に埋め込まれる電熱線と、非磁性膜の表面に形成されて、電熱線の前端を露出させる窪みと、非磁性膜の表面に形成される保護膜とを備えることを特徴とするヘッドスライダ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えばハードディスク駆動装置（ＨＤＤ）といった記憶媒体駆動装置に組み込まれるヘッドスライダに関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１に開示されるように、ヘッドスライダは、スライダ本体と、スライダ本体の空気流出側端面に積層される絶縁性の非磁性膜とを備える。非磁性膜には電磁変換素子が埋め込まれる。電磁変換素子およびスライダ本体の間には抵抗体が埋め込まれる。抵抗体に電流が供給されると、抵抗体は発熱する。非磁性膜の熱膨張は促される。その結果、電磁変換素子は磁気ディスクに向かって突き出る。
【特許文献１】特開２００６−５３９７３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
電磁変換素子は読み出しヘッドを備える。抵抗体は読み出しヘッドおよびスライダ本体の間に配置される。抵抗体は読み出しヘッドに隣接する。したがって、抵抗体の発熱に基づき読み出しヘッドは大きく突き出てしまう。読み出しヘッドの磁気抵抗効果膜および磁気ディスクの接触が懸念される。磁気抵抗効果膜は損傷してしまう。
【０００４】
本発明は、上記実状に鑑みてなされたもので、磁気抵抗効果膜の損傷を回避することができるヘッドスライダおよび記憶媒体駆動装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記目的を達成するために、第１発明によれば、スライダ本体と、スライダ本体の空気流出側端面に積層され、媒体対向面で記憶媒体に向き合わせられる絶縁性の非磁性膜と、非磁性膜に埋め込まれ、非磁性膜の媒体対向面に臨む前端から、媒体対向面に交差する第１仮想平面に沿って後方に広がる下部シールド層と、下部シールド層よりも空気流出側で非磁性膜に埋め込まれ、第１仮想平面に平行な第２仮想平面に沿って広がる上部シールド層と、下部シールド層および上部シールド層の間で非磁性膜に埋め込まれる磁気抵抗効果膜と、下部シールド層よりも後方で非磁性膜に埋め込まれる電熱線とを備えることを特徴とするヘッドスライダが提供される。
【０００６】
こうしたヘッドスライダでは、非磁性膜には下部シールド層の後方で電熱線が埋め込まれる。電熱線に電流が供給されると、電熱線は発熱する。発熱に基づき電熱線の前方で下部シールド層の熱膨張は促される。こうして記憶媒体に向かって下部シールド層の突出は生み出される。下部シールド層は磁気抵抗効果膜よりも空気流入側で記憶媒体に近づく。たとえヘッドスライダが記憶媒体に接触しても、ヘッドスライダは下部シールド層で記憶媒体に接触することができる。下部シールド層よりも空気流出側の磁気抵抗効果膜の損傷は回避される。
【０００７】
ヘッドスライダは、非磁性膜の表面に形成されて、下部シールド層の前端を露出させる窪みと、非磁性膜の表面に形成されて、表面で平坦面を規定する保護膜とをさらに備えてもよい。窪みの働きで下部シールド層の前端は媒体対向面から後退する。窪みの外側に比べて窪み内で保護膜の膜厚は増大する。その結果、下部シールド層の前端は大きな膜厚の保護膜で覆われる。下部シールド層の突き出し時に記憶媒体との接触が引き起こされても、下部シールド層の露出は回避される。下部シールド層の損傷は回避される。以上のようなヘッドスライダは例えば記憶媒体駆動装置に組み込まれればよい。
【０００８】
第２発明によれば、スライダ本体と、スライダ本体の空気流出側端面に積層される絶縁性の非磁性膜と、非磁性膜に埋め込まれる下部シールド層と、下部シールド層よりも空気流出側で非磁性膜に埋め込まれ、下部シールド層に並行に広がる上部シールド層と、下部シールド層および上部シールド層の間で非磁性膜に埋め込まれる磁気抵抗効果膜と、非磁性膜に埋め込まれて、下部シールド層の熱膨張のみを誘引する電熱線とを備えることを特徴とするヘッドスライダが提供される。
【０００９】
こうしたヘッドスライダは、電熱線は下部シールド層の熱膨張のみを誘引する。その結果、記憶媒体に向かって下部シールド層のみの突出が引き起こされる。前述と同様に、下部シールド層は磁気抵抗効果膜よりも空気流入側で記憶媒体に近づく。たとえヘッドスライダが記憶媒体に接触しても、ヘッドスライダは下部シールド層で記憶媒体に接触することができる。下部シールド層よりも空気流出側の磁気抵抗効果膜の損傷は回避される。
【００１０】
ヘッドスライダは、非磁性膜の表面に形成されて、下部シールド層の前端を露出させる窪みと、非磁性膜の表面に形成されて、表面で平坦面を規定する保護膜とをさらに備えてもよい。前述と同様に、下部シールド層の前端は大きな膜厚の保護膜で覆われる。下部シールド層の突き出し時に記憶媒体との接触が引き起こされても、下部シールド層の露出は回避される。下部シールド層の損傷は回避される。こうしたヘッドスライダは例えば記憶媒体駆動装置に組み込まれればよい。
【００１１】
第３発明によれば、スライダ本体と、スライダ本体の空気流出側端面に積層される絶縁性の非磁性膜と、非磁性膜に埋め込まれる下部シールド層と、下部シールド層よりも空気流出側で非磁性膜に埋め込まれ、下部シールド層に並行に広がる上部シールド層と、下部シールド層および上部シールド層の間で非磁性膜に埋め込まれる磁気抵抗効果膜と、上部シールド層よりも空気流出側で非磁性膜に埋め込まれる書き込みヘッドと、非磁性膜に埋め込まれて、書き込みヘッドの熱膨張を引き起こす第１電熱線と、非磁性膜に埋め込まれて、下部シールド層の熱膨張を引き起こす第２電熱線とを備えることを特徴とするヘッドスライダが提供される。
【００１２】
こうしたヘッドスライダでは、第１電熱線の働きで書き込みヘッドの熱膨張が引き起こされる。書き込みヘッドは記憶媒体に向かって突き出る。書き込みヘッドは記憶媒体に正確に情報を書き込むことができる。同様に、第２電熱線の働きで下部シールド層の熱膨張が引き起こされる。下部シールド層は記憶媒体に向かって突き出る。前述と同様に、下部シールド層は磁気抵抗効果膜よりも空気流入側で記憶媒体に近づく。たとえヘッドスライダが記憶媒体に接触しても、ヘッドスライダは下部シールド層で記憶媒体に接触することができる。下部シールド層よりも空気流出側の磁気抵抗効果膜の損傷は回避される。こういったヘッドスライダは例えば記憶媒体駆動装置に組み込まれればよい。
【００１３】
第４発明によれば、スライダ本体と、スライダ本体の空気流出側端面に積層される絶縁性の非磁性膜と、非磁性膜に埋め込まれるヘッド素子と、ヘッド素子よりも空気流入側で非磁性膜に埋め込まれる電熱線と、非磁性膜の表面に形成されて、電熱線の前端を露出させる窪みと、非磁性膜の表面に形成される保護膜とを備えることを特徴とするヘッドスライダが提供される。
【００１４】
こうしたヘッドスライダでは、電熱線に電流が供給されると、電熱線は発熱する。電熱線は非磁性膜の熱膨張を促す。窪みの働きで電熱線の前端は媒体対向面から後退する。窪みの外側に比べて窪み内で保護膜の膜厚は増大する。その結果、電熱線の前端は大きな膜厚の保護膜で覆われる。電熱線すなわち非磁性膜の突き出し時に記憶媒体との接触が引き起こされても、電熱線の露出は回避される。電熱線の損傷は回避される。しかも、電熱線はヘッド素子よりも空気流入側で記憶媒体に近づく。たとえヘッドスライダが記憶媒体に接触しても、ヘッドスライダは電熱線すなわち保護膜で記憶媒体に接触することができる。電熱線よりも空気流出側のヘッド素子の損傷は回避される。こうしたヘッドスライダは例えば記憶媒体駆動装置に組み込まれればよい。
【発明の効果】
【００１５】
以上のように本発明によれば、磁気抵抗効果膜の損傷を回避することができるヘッドスライダおよび記憶媒体駆動装置が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、添付図面を参照しつつ本発明の一実施形態を説明する。
【００１７】
図１は、本発明に係る記憶媒体駆動装置の一具体例すなわちハードディスク駆動装置（ＨＤＤ）１１の内部構造を概略的に示す。このＨＤＤ１１は、例えば平たい直方体の内部空間を区画する箱形の筐体本体１２を備える。筐体本体１２は例えばアルミニウムといった金属材料から鋳造に基づき成形されればよい。筐体本体１２には蓋体すなわちカバー（図示されず）が結合される。カバーと筐体本体１２との間で収容空間は密閉される。カバーは例えばプレス加工に基づき１枚の板材から成形されればよい。
【００１８】
収容空間には、記憶媒体としての１枚以上の磁気ディスク１３が収容される。磁気ディスク１３はスピンドルモータ１４の回転軸に装着される。スピンドルモータ１４は例えば５４００ｒｐｍや７２００ｒｐｍ、１００００ｒｐｍ、１５０００ｒｐｍといった高速度で磁気ディスク１３を回転させることができる。
【００１９】
収容空間にはキャリッジ１５がさらに収容される。キャリッジ１５はキャリッジブロック１６を備える。キャリッジブロック１６は、垂直方向に延びる支軸１７に回転自在に連結される。キャリッジブロック１６には、支軸１７から水平方向に延びる複数のキャリッジアーム１８が区画される。キャリッジブロック１６は例えば押し出し成形に基づきアルミニウムから成型されればよい。
【００２０】
個々のキャリッジアーム１８の先端には、キャリッジアーム１８から前方に延びるヘッドサスペンション１９が取り付けられる。ヘッドサスペンション１９の前端には磁気ディスク１３の表面に向かって所定の押し付け力が作用する。ヘッドサスペンション１９の前端には浮上ヘッドスライダ２１が固定される。浮上ヘッドスライダ２１にはヘッド素子すなわち電磁変換素子（図示されず）が搭載される。
【００２１】
磁気ディスク１３の回転に基づき磁気ディスク１３の表面で気流が生成されると、気流の働きで浮上ヘッドスライダ２１には正圧すなわち浮力および負圧が作用する。浮力および負圧とヘッドサスペンション１９の押し付け力とが釣り合うことで磁気ディスク１３の回転中に比較的に高い剛性で浮上ヘッドスライダ２１は浮上し続けることができる。
【００２２】
キャリッジブロック１６にはボイスコイルモータ（ＶＣＭ）２２が連結される。ＶＣＭ２２の働きでキャリッジブロック１６は支軸１７回りで回転することができる。こうしたキャリッジブロック１６の回転に基づきキャリッジアーム１８の揺動は実現される。浮上ヘッドスライダ２１の浮上中に支軸１７回りでキャリッジアーム１８が揺動すると、浮上ヘッドスライダ２１は半径方向に磁気ディスク１３の表面を横切ることができる。こうした浮上ヘッドスライダ２１の移動に基づき電磁変換素子は目標記録トラックに対して位置決めされることができる。
【００２３】
図２は一具体例に係る浮上ヘッドスライダ２１を示す。この浮上ヘッドスライダ２１は、例えば平たい直方体に形成されるスライダ本体３１を備える。スライダ本体３１の空気流出端面には素子内蔵膜３２が積層される。この素子内蔵膜３２に前述の電磁変換素子３３が組み込まれる。電磁変換素子３３の詳細は後述される。
【００２４】
スライダ本体３１は例えばＡｌ２Ｏ３−ＴｉＣ（アルチック）といった硬質の非磁性材料から形成されればよい。素子内蔵膜３２は例えばＡｌ２Ｏ３（アルミナ）といった比較的に軟質の絶縁非磁性材料から形成されればよい。スライダ本体３１は媒体対向面すなわち浮上面３４で磁気ディスク１３に向き合う。浮上面３４には平坦なベース面３５すなわち基準面が規定される。磁気ディスク１３が回転すると、スライダ本体３１の前端から後端に向かって浮上面３４には気流３６が作用する。
【００２５】
浮上面３４には、前述の気流３６の上流側すなわち空気流入側でベース面３５から立ち上がる１筋のフロントレール３７が形成される。フロントレール３７はベース面３５の空気流入端に沿ってスライダ幅方向に延びる。同様に、浮上面３４には、気流の下流側すなわち空気流出側でベース面３５から立ち上がるリアレール３８が形成される。リアレール３８はスライダ幅方向の中央位置に配置される。
【００２６】
浮上面３４には、空気流出側でベース面３５から立ち上がる左右１対の補助リアレール３９、３９がさらに形成される。補助リアレール３９、３９はベース面３５の左右の縁に沿ってそれぞれ配置される。その結果、補助リアレール３９、３９同士はスライダ幅方向に間隔を空けて配置される。補助リアレール３９、３９同士の間にリアレール３８は配置される。
【００２７】
フロントレール３７、リアレール３８および補助リアレール３９、３９の頂上面にはいわゆる空気軸受け面（ＡＢＳ）４１、４２、４３が規定される。空気軸受け面４１、４２、４３の空気流入端は段差４４、４５、４６でレール４４、４５、４６の頂上面に接続される。磁気ディスク１３の回転に基づき生成される気流３６は浮上面３４に受け止められる。このとき、段差４４、４５、４６の働きで空気軸受け面４１、４２、４３には比較的に大きな正圧すなわち浮力が生成される。しかも、フロントレール３７の後方すなわち背後には大きな負圧が生成される。これら浮力および負圧のバランスに基づき浮上ヘッドスライダ２１の浮上姿勢は確立される。
【００２８】
空気軸受け面４１、４２、４３ではスライダ本体３１の表面に例えば保護膜（図示されず）が形成される。前述の電磁変換素子３３は空気軸受け面４２の空気流出側でスライダ本体３１の表面から読み出しギャップや書き込みギャップを露出させる。保護膜は電磁変換素子３３の読み出しギャップや書き込みギャップに覆い被さる。保護膜には例えばＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）が用いられればよい。なお、浮上ヘッドスライダ２１の形態はこういった形態に限られるものではない。
【００２９】
図３は浮上面３４の様子を詳細に示す。電磁変換素子３３は書き込みヘッド６１と読み出しヘッド６２とを備える。書き込みヘッド６１は、周知の通り、例えば磁気コイルで生起される磁界を利用して磁気ディスク１３に２値情報を書き込むことができる。読み出しヘッド６２には例えばスピンバルブ膜といった磁気抵抗効果（ＭＲ）素子が用いられればよい。読み出しヘッド６２は、磁気ディスク１３から作用する磁界に応じて変化する抵抗に基づき２値情報を検出することができる。ただし、読み出しヘッド６２には例えば巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ）素子やトンネル接合磁気抵抗効果（ＴＭＲ）素子が用いられてもよい。
【００３０】
読み出しヘッド６２は、素子内蔵膜３２に埋め込まれる下部シールド層６３と、下部シールド層６３よりも空気流出側で素子内蔵膜３２に埋め込まれる上部シールド層６４とを備える。素子内蔵膜３２には上部シールド層６４および下部シールド層６３の間で磁気抵抗効果膜６５が埋め込まれる。上部シールド層６４および下部シールド層６３は例えばＦｅＮやＮｉＦｅといった磁性材料から構成されればよい。
【００３１】
下部シールド層６３は、浮上面３４に臨む前端から、浮上面３４に交差する第１仮想平面６６に沿って後方に広がる。同様に、上部シールド層６４は、浮上面３４に臨む前端から、第１仮想平面６６に平行な第２仮想平面６７に沿って後方に広がる。ここでは、第１および第２仮想平面６６、６７は浮上面３４に直交する。上部シールド層６４および下部シールド層６３同士の間隔は磁気ディスク１３上で記録トラックの線方向に磁気記録の分解能を決定する。
【００３２】
書き込みヘッド６１は、空気軸受け面４２で前端を露出させる上部磁極層６９および下部磁極層７１とを備える。下部磁極層７１は上部シールド層６４に平行な一面に沿って広がる。下部磁極層７１上には前端で空気軸受け面４２に露出する磁極端層７２が形成される。上部磁極層６９、下部磁極層７１および磁極端層７２は例えばＦｅＮやＮｉＦｅから形成されればよい。上部磁極層６９、下部磁極層７１および磁極端層７２は協働して書き込みヘッド６１の磁性コアを構成する。
【００３３】
磁極端層７２は上部磁極層６９に向き合わせられる。上部磁極層６９および磁極端層７２の間には例えばＡｌ２Ｏ３製の非磁性ギャップ層７３が挟み込まれる。周知の通り、後述の磁気コイルで磁界が生起されると、非磁性ギャップ層７３の働きで、上部磁極層６９と下部磁極層７１とを行き交う磁束は浮上面３４から漏れ出る。こうして漏れ出る磁束がギャップ磁界すなわち記録磁界を形成する。すなわち、上部磁極層６９および磁極端層７２の間には書き込みギャップが区画される。
【００３４】
図４を併せて参照し、下部磁極層７１上には、素子内蔵膜３２に埋め込まれた磁気コイルすなわち薄膜コイル７４が形成される。薄膜コイル７４は例えばＣｕから形成されればよい。非磁性ギャップ層７３の表面には前述の上部磁極層６９が形成される。上部磁極層６９の後端は薄膜コイル７４の中心位置で下部磁極層７１の後端に磁気的に連結される。こうして上部磁極層６９と下部磁極層７１とは、薄膜コイル７４の中心位置を貫通する磁性コアを形成する。
【００３５】
下部シールド層６３の後方で素子内蔵膜３２には電熱線７５が埋め込まれる。電熱線７５は例えばＷから形成されればよい。電熱線７５は例えば第１および第２仮想平面６６、６７に平行に広がればよい。電熱線７５の膜厚は下部シールド層６３の膜厚よりも小さく設定される。電熱線７５には電流が供給される。電流の供給に基づき電熱線７５は発熱する。こうして電熱線７５の前方で下部シールド層６３の熱膨張は誘引される。下部シールド層６３の突出は生み出される。
【００３６】
前述されるように、素子内蔵膜３２の表面には保護膜７６が形成される。保護膜７６は電磁変換素子３３の前端に被さる。こういった保護膜７６には例えばＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）が用いられればよい。保護膜７６の膜厚は例えば３ｎｍ程度に設定されればよい。こうした保護膜７６の働きで電磁変換素子３３の腐食は回避される。
【００３７】
磁気ディスク１３の回転中に浮上ヘッドスライダ２１は所定の浮上姿勢を確立する。図５に示されるように、薄膜コイル７４に電流の非供給時には下部シールド層６３は突き出ない。その一方で、薄膜コイル７４に電流が供給されると、薄膜コイル７４は発熱する。書き込みヘッド６１の突き出しが引き起こされる。その結果、電磁変換素子３３は全体にわたって突き出す。
【００３８】
このとき、電熱線７５に電流が供給されると、下部シールド層６３の突出が引き起こされる。その結果、下部シールド層６３は磁気抵抗効果膜６５よりも空気流入側で磁気ディスク１３に近づく。たとえ浮上ヘッドスライダ２１が磁気ディスク１３に接触しても、浮上ヘッドスライダ２１は下部シールド層６３で磁気ディスク１３に接触することができる。下部シールド層６３よりも空気流出側の磁気抵抗効果膜６５の損傷は回避される。
【００３９】
こういった浮上ヘッドスライダ２１では、前述されるように、電熱線７５の膜厚は下部シールド層６３の膜厚よりも小さく設定される。その結果、電熱線７５の周囲に熱の伝達はできる限り回避される。電熱線７５の周囲で素子内臓膜３２の熱膨張はできる限り抑制される。したがって、浮上ヘッドスライダ２１では下部シールド層６３の熱膨張のみが誘引されることができる。磁気抵抗効果膜６５の突き出しはできる限り回避されることができる。
【００４０】
次に、本発明者は電熱線７５の電力量と下部シールド層６３の突き出し量との関係を検証した。その結果、図６に示されるように、電熱線７５の電力量が増大するにつれて下部シールド層６３の突き出し量は増大した。電熱線７５の電力量と下部シールド層６３の突き出し量とはほぼ比例した。したがって、電熱線７５の電力量が制御されれば、下部シールド層６３の突き出し量が制御されることが確認された。
【００４１】
図７に示されるように、ＨＤＤ１１には前述の浮上ヘッドスライダ２１に代えて浮上ヘッドスライダ２１ａが組み込まれてもよい。この浮上ヘッドスライダ２１ａでは、薄膜コイル７４および下部磁極層７１の間で素子内蔵膜３２に電熱線７７が埋め込まれる。電熱線７７は例えばＷから形成されればよい。この電熱線７７は第１電熱線を構成する。前述の電熱線７５は第２電熱線を構成する。その他、前述の浮上ヘッドスライダ２１と均等な構成や構造には同一の参照符号が付される。
【００４２】
こうした浮上ヘッドスライダ２１ａでは、２値情報の書き込みにあたって電熱線７７には電流が供給される。電流の供給に基づき電熱線７７は発熱する。書き込みヘッド６１の熱膨張は誘引される。こうして図８に示されるように、書き込みヘッド６１の突出は生み出される。書き込みヘッド６１は磁気ディスク１３に近づくことができる。その一方で、下部シールド層６３の突出が生み出される。こうした浮上ヘッドスライダ２１ａによれば、前述と同様の作用効果が実現されることができる。
【００４３】
図９に示されるように、ＨＤＤ１１には前述の浮上ヘッドスライダ２１、２１ａに代えて浮上ヘッドスライダ２１ｂが組み込まれてもよい。この浮上ヘッドスライダ２１ｂでは、素子内蔵膜３２の表面に下部シールド層６３の前端を露出させる窪み７８が形成される。窪み７８は例えばエッチングに基づき形成されればよい。窪み７８の形成にも拘わらず保護膜７６の表面には平坦面が区画される。その他、前述の浮上ヘッドスライダ２１と均等な構成や構造には同一の参照符号が付される。
【００４４】
こうした浮上ヘッドスライダ２１ｂでは、窪み７８の働きで下部シールド層６３の前端は後方に後退する。窪み７８の外側に比べて窪み７８内で保護膜７６の膜厚は増大する。その結果、下部シールド層６３の前端は大きな膜厚の保護膜７６で覆われる。図１０に示されるように、下部シールド層６３の突き出し時に磁気ディスク１３との接触が引き起こされても、下部シールド層６３の露出は回避される。下部シールド層６３の損傷は回避される。
【００４５】
図１１に示されるように、ＨＤＤ１１には前述の浮上ヘッドスライダ２１、２１ａ、２１ｂに代えて浮上ヘッドスライダ２１ｃが組み込まれてもよい。この浮上ヘッドスライダ２１ｃでは、読み出しヘッド６２およびスライダ本体３１の間で素子内蔵膜３２に電熱線７９が埋め込まれる。電熱線７９は例えばＷから形成されればよい。素子内蔵膜３２の表面には電熱線７９の前端を露出させる窪み８１が形成される。窪み８１の形成にも拘わらず、保護膜７６の表面には平坦面が区画される。
【００４６】
こうした浮上ヘッドスライダ２１ｃでは、電熱線７９の前端は素子内蔵膜３２の表面から後方に後退する。窪み８１の外側に比べて窪み８１内で保護膜７６の膜厚は増大する。電熱線７９の前端は大きな膜厚の保護膜７６で覆われる。その結果、図１２に示されるように、電熱線７９の突き出し時に磁気ディスク１３との接触が引き起こされても、電熱線７９の露出は回避される。電熱線７９の損傷は回避される。
【００４７】
（付記１）  スライダ本体と、スライダ本体の空気流出側端面に積層され、媒体対向面で記憶媒体に向き合わせられる絶縁性の非磁性膜と、非磁性膜に埋め込まれ、非磁性膜の媒体対向面に臨む前端から、媒体対向面に交差する第１仮想平面に沿って後方に広がる下部シールド層と、下部シールド層よりも空気流出側で非磁性膜に埋め込まれ、第１仮想平面に平行な第２仮想平面に沿って広がる上部シールド層と、下部シールド層および上部シールド層の間で非磁性膜に埋め込まれる磁気抵抗効果膜と、下部シールド層よりも後方で非磁性膜に埋め込まれる電熱線とを備えることを特徴とするヘッドスライダ。
【００４８】
（付記２）  付記１に記載のヘッドスライダにおいて、前記非磁性膜の表面に形成されて、前記下部シールド層の前端を露出させる窪みと、前記非磁性膜の表面に形成されて、表面で平坦面を規定する保護膜とをさらに備えることを特徴とするヘッドスライダ。
【００４９】
（付記３）  スライダ本体と、スライダ本体の空気流出側端面に積層され、媒体対向面で記憶媒体に向き合わせられる絶縁性の非磁性膜と、非磁性膜に埋め込まれ、非磁性膜の媒体対向面に臨む前端から、媒体対向面に交差する第１仮想平面に沿って後方に広がる下部シールド層と、下部シールド層よりも空気流出側で非磁性膜に埋め込まれ、第１仮想平面に平行な第２仮想平面に沿って広がる上部シールド層と、下部シールド層および上部シールド層の間で非磁性膜に埋め込まれる磁気抵抗効果膜と、下部シールド層よりも後方で非磁性膜に埋め込まれる電熱線とを備えるヘッドスライダが組み込まれたことを特徴とする記憶媒体駆動装置。
【００５０】
（付記４）  付記３に記載の記憶媒体駆動装置において、前記非磁性膜の表面に形成されて、前記下部シールド層の前端を露出させる窪みと、前記非磁性膜の表面に形成されて、表面で平坦面を規定する保護膜とをさらに備えることを特徴とする記憶媒体駆動装置。
【００５１】
（付記５）  スライダ本体と、スライダ本体の空気流出側端面に積層される絶縁性の非磁性膜と、非磁性膜に埋め込まれる下部シールド層と、下部シールド層よりも空気流出側で非磁性膜に埋め込まれ、下部シールド層に並行に広がる上部シールド層と、下部シールド層および上部シールド層の間で非磁性膜に埋め込まれる磁気抵抗効果膜と、非磁性膜に埋め込まれて、下部シールド層の熱膨張のみを誘引する電熱線とを備えることを特徴とするヘッドスライダ。
【００５２】
（付記６）  付記５に記載のヘッドスライダにおいて、前記非磁性膜の表面に形成されて、前記下部シールド層の前端を露出させる窪みと、前記非磁性膜の表面に形成されて、表面で平坦面を規定する保護膜とをさらに備えることを特徴とするヘッドスライダ。
【００５３】
（付記７）  スライダ本体と、スライダ本体の空気流出側端面に積層される絶縁性の非磁性膜と、非磁性膜に埋め込まれる下部シールド層と、下部シールド層よりも空気流出側で非磁性膜に埋め込まれ、下部シールド層に並行に広がる上部シールド層と、下部シールド層および上部シールド層の間で非磁性膜に埋め込まれる磁気抵抗効果膜と、非磁性膜に埋め込まれて、下部シールド層の熱膨張のみを誘引する電熱線とを備えるヘッドスライダが組み込まれたことを特徴とする記憶媒体駆動装置。
【００５４】
（付記８）  付記７に記載の記憶媒体駆動装置において、前記非磁性膜の表面に形成されて、前記下部シールド層の前端を露出させる窪みと、前記非磁性膜の表面に形成されて、表面で平坦面を規定する保護膜とをさらに備えることを特徴とする記憶媒体駆動装置。
【００５５】
（付記９）  スライダ本体と、スライダ本体の空気流出側端面に積層される絶縁性の非磁性膜と、非磁性膜に埋め込まれる下部シールド層と、下部シールド層よりも空気流出側で非磁性膜に埋め込まれ、下部シールド層に並行に広がる上部シールド層と、下部シールド層および上部シールド層の間で非磁性膜に埋め込まれる磁気抵抗効果膜と、上部シールド層よりも空気流出側で非磁性膜に埋め込まれる書き込みヘッドと、非磁性膜に埋め込まれて、書き込みヘッドの熱膨張を引き起こす第１電熱線と、非磁性膜に埋め込まれて、下部シールド層の熱膨張を引き起こす第２電熱線とを備えることを特徴とするヘッドスライダ。
【００５６】
（付記１０）  スライダ本体と、スライダ本体の空気流出側端面に積層される絶縁性の非磁性膜と、非磁性膜に埋め込まれる下部シールド層と、下部シールド層よりも空気流出側で非磁性膜に埋め込まれ、下部シールド層に並行に広がる上部シールド層と、下部シールド層および上部シールド層の間で非磁性膜に埋め込まれる磁気抵抗効果膜と、上部シールド層よりも空気流出側で非磁性膜に埋め込まれる書き込みヘッドと、非磁性膜に埋め込まれて、書き込みヘッドの熱膨張を引き起こす第１電熱線と、非磁性膜に埋め込まれて、下部シールド層の熱膨張を引き起こす第２電熱線とを備えるヘッドスライダが組み込まれたことを特徴とする記憶媒体駆動装置。
【００５７】
（付記１１）  スライダ本体と、スライダ本体の空気流出側端面に積層される絶縁性の非磁性膜と、非磁性膜に埋め込まれるヘッド素子と、ヘッド素子よりも空気流入側で非磁性膜に埋め込まれる電熱線と、非磁性膜の表面に形成されて、電熱線の前端を露出させる窪みと、非磁性膜の表面に形成される保護膜とを備えることを特徴とするヘッドスライダ。
【００５８】
（付記１２）  スライダ本体と、スライダ本体の空気流出側端面に積層される絶縁性の非磁性膜と、非磁性膜に埋め込まれるヘッド素子と、ヘッド素子よりも空気流入側で非磁性膜に埋め込まれる電熱線と、非磁性膜の表面に形成されて、電熱線の前端を露出させる窪みと、非磁性膜の表面に形成される保護膜とを備えるヘッドスライダが組み込まれたことを特徴とする記憶媒体駆動装置。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】本発明に係る記憶媒体駆動装置の一具体例すなわちハードディスク駆動装置（ＨＤＤ）の内部構造を概略的に示す平面図である。
【図２】本発明の一具体例に係る浮上ヘッドスライダの構造を概略的に示す斜視図である。
【図３】媒体対向面から観察される浮上ヘッドスライダの構造を概略的に示す平面図である。
【図４】図３の４−４線に沿った断面図である。
【図５】浮上ヘッドスライダの浮上時の様子を概略的に示す部分拡大断面図である。
【図６】下部シールド層の突き出し量と電熱線の電力量との関係を示すグラフである。
【図７】図４に対応し、本発明の他の具体例に係る浮上ヘッドスライダの構造を概略的に示す部分拡大断面図である。
【図８】浮上ヘッドスライダの浮上時の様子を概略的に示す部分拡大断面図である。
【図９】図４に対応し、本発明のさらに他の具体例に係る浮上ヘッドスライダの構造を概略的に示す部分拡大断面図である。
【図１０】保護膜の突き出し時の様子を概略的に示す部分拡大断面図である。
【図１１】図４に対応し、本発明のさらに他の具体例に係る浮上ヘッドスライダの構造を概略的に示す部分拡大断面図である。
【図１２】保護膜の突き出し時の様子を概略的に示す部分拡大断面図である。
【符号の説明】
【００６０】
１１  記憶媒体駆動装置（ハードディスク駆動装置）、１３  記憶媒体（磁気ディスク）、２１  ヘッドスライダ（浮上ヘッドスライダ）、３１  スライダ本体、３２  非磁性膜（素子内蔵膜）、３４  媒体対向面（浮上面）、６１  書き込みヘッド、６３  下部シールド層、６４  上部シールド層、６５  磁気抵抗効果膜、６６  第１仮想平面、６７  第２仮想平面、７５  電熱線（第２電熱線）、７６  保護膜、７７  電熱線（第１電熱線）、７８  窪み、７９  電熱線、８１  窪み。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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