(57)【要約】【課題】成膜速度を著しく向上させ、かつ良好な結晶状態の化合物膜を形成することのできる膜形成方法を提供する。【解決手段】本発明にかかる膜形成方法は、スパッタ装置を用いて膜を形成する膜形成方法であって、反応性ガスを前記チャンバ内に導入する工程と、ターゲットから金属をスパッタ蒸発させながら、チャンバ内のプラズマの発光スペクトルを検出する工程と、検出した前記発光スペクトルにおける所定の基準波長の発光ピーク強度が所定の目標値になるように、チャンバ内に導入する前記反応性ガスの導入量を制御する工程と、を含む。【選択図】図３
2008260977.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スパッタ装置を用いて膜を形成する膜形成方法であって、
（ａ）不活性ガスならびに反応性ガスを前記スパッタ装置のチャンバ内に導入する工程と、
（ｂ）ターゲットから金属をスパッタ蒸発させながら、前記チャンバ内のプラズマの発光スペクトルを検出する工程と、
（ｃ）検出した前記発光スペクトルにおける所定の基準波長の発光ピーク強度が所定の目標値になるように、前記チャンバ内に導入する前記反応性ガスの導入量を制御する工程と、
を含む、膜形成方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記不活性ガスを導入し、前記ターゲットから金属をスパッタ蒸発させながら、第１の前記発光スペクトルを検出する工程と、
前記不活性ガスならびに前記反応性ガスを前記チャンバ内に導入して、前記ターゲットから金属をスパッタ蒸発させながら、第２の前記発光スペクトルを検出する工程と、
前記第１の発光スペクトルおよび前記第２の発光スペクトルに含まれる複数の発光ピークのうち、前記反応性ガスを前記チャンバ内に導入する前と後とで強度の変化率が最も大きい発光ピークの波長を前記所定の基準波長として決定する工程と、
をさらに含み、
前記工程（ｃ）では、決定された前記所定の基準波長の発光ピーク強度が前記所定の目標値になるように前記反応性ガスの導入量を制御する、膜形成方法。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記基準波長のピーク強度が前記目標値より大きい場合には、前記反応性ガスの導入量を増加し、
前記基準波長のピーク強度が前記目標値未満である場合には、前記反応性ガスの導入量を低減する、膜形成方法。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかにおいて、
前記ターゲットは、ジルコニウムであり、
前記不活性ガスは、アルゴン、クリプトンまたはキセノンであり、
前記反応性ガスは、酸素または窒素である、膜形成方法。
【請求項５】
請求項４において、
前記工程（ｃ）において、前記目標値は、前記反応性ガスを前記チャンバ内に導入しないときに検出された発光ピーク強度の２０％〜６０％の範囲内である、膜形成方法。
【請求項６】
請求項１ないし３のいずれかにおいて、
前記ターゲットは、チタンであり、
前記不活性ガスは、アルゴン、クリプトン、またはキセノンであり、
前記反応性ガスは、酸素または窒素である、膜形成方法。
【請求項７】
請求項６において、
前記工程（ｃ）において、前記目標値は、前記反応性ガスを前記チャンバ内に導入しないときに検出された発光ピーク強度の１０％〜６０％の範囲内である、膜形成方法。
【請求項８】
請求項１ないし３のいずれかにおいて、
前記ターゲットは、アルミニウムであり、
前記不活性ガスは、アルゴン、クリプトン、またはキセノンであり、
前記反応性ガスは、酸素または窒素である、膜形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、膜形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
高画質、高速印刷を可能にするプリンターとして、インクジェットプリンターが知られている。インクジェットプリンターは、内容積が変化するキャビティーを備えたインクジェット式記録ヘッドを備え、このヘッドを走査させつつそのノズルからインク滴を吐出することにより、印刷を行うものである。このようなインクジェットプリンター用のインクジェット式記録ヘッドにおけるヘッドアクチュエーターとしては、従来、ＰＺＴ（Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３）に代表される圧電体層を用いた圧電素子が用いられている（例えば、特許文献１を参照）。また、圧電素子は、インクジェットプリンターの他に、圧電ポンプ、表面弾性波素子、薄膜圧電共振子、周波数フィルタ、発振器、電子回路、および電子機器等のデバイスにおいても用いられる。このような圧電素子は、複数の膜によって構成されているが、これらの膜は、たとえば反応性スパッタリングによって形成されることが多い。
【０００３】
反応性スパッタリングによって膜を形成する場合、反応性ガスの供給量に応じて、ターゲット金属そのものがスパッタされるメタルモードと、ターゲット金属が反応性ガスと化合した状態でスパッタされる化合物モードとがある。通常、化合物モードで膜を形成する際、メタルモードに比べてスパッタ速度が極端に低いため、スパッタ時間が長くなってしまい、厚膜化は困難であった。たとえば、圧電素子の振動板としての酸化金属膜を、反応性スパッタリングにより化合物モードで形成する場合には、成膜に著しく時間がかかってしまっていた。
【特許文献１】特開２００１−２２３４０４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の目的は、成膜速度を著しく向上させ、かつ良好な結晶状態の化合物膜を形成することのできる膜形成方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明にかかる膜形成方法は、
スパッタ装置を用いて膜を形成する膜形成方法であって、
（ａ）不活性ガスならびに反応性ガスを前記チャンバ内に導入する工程と、
（ｂ）ターゲットから金属をスパッタ蒸発させながら、前記チャンバ内のプラズマの発光スペクトルを検出する工程と、
（ｃ）検出した前記発光スペクトルにおける所定の基準波長の発光ピーク強度が所定の目標値になるように、前記チャンバ内に導入する前記反応性ガスの導入量を制御する工程と、を含む。
【０００６】
本実施の形態にかかる膜形成方法によれば、反応性スパッタリングの速度を向上させ、良好な結晶状態の化合物膜を形成することができる。
【０００７】
本発明にかかる膜形成方法において、
前記不活性ガスを導入し、前記ターゲットから金属をスパッタ蒸発させながら、第１の前記発光スペクトルを検出する工程と、
前記反応性ガスを前記チャンバ内に導入して、前記ターゲットから金属をスパッタ蒸発させながら、第２の前記発光スペクトルを検出する工程と、
前記第１の発光スペクトルおよび前記第２の発光スペクトルに含まれる複数の発光ピークのうち、前記反応性ガスを前記チャンバ内に導入する前と後とで強度の変化率が最も大きい発光ピークの波長を前記所定の基準波長として決定する工程と、
をさらに含み、
前記工程（ｃ）では、決定された前記所定の基準波長の発光ピーク強度が前記所定の目標値になるように前記反応性ガスの導入量を制御することができる。
【０００８】
上述したように目標値を定めることにより、反応性ガスの導入量を容易に制御することができ、ひいては、成膜速度の向上を実現することができる。
【０００９】
本発明にかかる膜形成方法において、
前記基準波長のピーク強度が前記目標値より大きい場合には、前記反応性ガスの導入量を増加し、
前記基準波長のピーク強度が前記目標値未満である場合には、前記反応性ガスの導入量を低減することができる。
【００１０】
本発明にかかる膜形成方法において、
前記ターゲットは、ジルコニウムであり、
前記不活性ガスは、アルゴン、クリプトンあるいはキセノンであり、
前記反応性ガスは、酸素または窒素であることができる。
【００１１】
本発明にかかる膜形成方法において、
前記工程（ｃ）において、前記目標値は、前記反応性ガスを前記チャンバ内に導入しないときに検出された発光ピーク強度の２０％〜６０％の範囲内であることができる。
【００１２】
本発明にかかる膜形成方法において、
前記ターゲットは、チタンであり、
前記不活性ガスは、アルゴン、クリプトンあるいはキセノンであり、
前記反応性ガスは、酸素または窒素であることができる。
【００１３】
本発明にかかる膜形成方法において、
前記工程（ｃ）において、前記目標値は、前記反応性ガスを前記チャンバ内に導入しないときに検出された発光ピーク強度の１０％〜６０％の範囲内であることができる。
【００１４】
本発明にかかる膜形成方法において、
前記ターゲットは、アルミニウムであり、
前記不活性ガスは、アルゴン、クリプトンあるいはキセノンであり、
前記反応性ガスは、酸素または窒素であることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の好適な実施形態について、図面を参照しながら説明する。
【００１６】
１．スパッタ装置
まず、本実施の形態にかかる膜形成方法に用いられるスパッタ装置１００の構成について説明する。図１は、本実施の形態にかかるスパッタ装置１００の機能構成を示すブロック図である。
【００１７】
本実施の形態にかかるスパッタ装置１００は、反応性スパッタリングによって基板４２上に膜を形成する。スパッタ装置１００は、チャンバ１０と、チャンバ１０内に設けられたターゲット電極１２、基板ホルダ１４、およびセンサ１８と、不活性ガス供給バルブ１５と、反応性ガス供給バルブ１６と、排気口１７と、分光器２０と、電源２２と、制御部３０とを含む。制御部３０は、スパッタ装置１００の各構成の動作を制御することができる。制御部３０は、スペクトル解析部３２と、導入量決定部３６と、記憶部３４とを有する。
【００１８】
反応性スパッタリングは、チャンバ１０内において行われる。チャンバ１０には、不活性ガス供給バルブ１５および反応性ガス供給バルブ１６が取り付けられている。不活性ガス供給バルブ１５を開口することにより、不活性ガスをチャンバ１０内に導入することができ、反応性ガス供給バルブ１６を開口することにより、反応性ガスをチャンバ１０内に導入することができる。反応性ガス供給バルブ１６は、その開口状態をかえることにより、チャンバ１０内に導入する反応性ガスの導入量を変化させることができる。反応性ガス供給バルブ１６は、後述する導入量決定部３６によりその開口状態を制御される。
【００１９】
またチャンバ１０には、排気口１７が設けられている。これにより、チャンバ１０内のガスを排気することができる。
【００２０】
スパッタ装置１００は、チャンバ内において、ターゲット４０と基板４２との間に電位差を与えることによりプラズマを発生させる。具体的には、スパッタ装置１００においては電源２２がターゲット電極１２を介してターゲット４０に電圧を印加する。ターゲット４０は、ターゲット電極１２に接触するように支持されている。センサ１８は、ターゲット４０と基板４２との間に発生したプラズマ発光を検出する。分光器２０は、センサ１８が検出したプラズマ発光を分光分析して発光スペクトルを作成し、スペクトル解析部３２に送る。
【００２１】
スペクトル解析部３２は、分光器２０から受け取った発光スペクトルが有する発光ピークのピーク強度および波長を解析して、解析結果を記憶部３４または導入量決定部３６に送る。導入量決定部３６は、スペクトル解析部３２が解析した発光ピークのピーク強度に基づいて、反応性ガス供給バルブ１６の開口状態を制御する。
【００２２】
本実施の形態にかかるスパッタ装置１００の概略は以上である。上述したようにスパッタ装置１００においては、基板４２とターゲット４０とが互いに対向するように配置され、これらの間に電位差を与えることによってプラズマを発生させているが、基板４２とターゲット４０とは、互いに対向していなくてもよく、たとえば、２つのターゲットが互いに対向し、２つのターゲットと垂直方向に基板が配置されていてもよい。このように、スパッタ装置の種類としては、上述したものに限定されない。
【００２３】
２．膜形成方法
次に、本実施の形態にかかる膜形成方法について説明する。図２および図３は、本実施の形態にかかる膜形成方法を示すフローチャートである。本実施の形態にかかる膜形成方法では、スパッタリング時に分光器２０が作成した発光スペクトルにおける基準波長の発光ピーク強度が目標値になるように、チャンバ１０内に導入する反応性ガスの導入量を制御する。
【００２４】
２．１．基準波長および発光ピーク強度の目標値の決定
図２は、基準波長および発光ピーク強度の目標値を決定する工程を示すフローチャートである。基準波長および発光ピーク強度の目標値については以下のように決定する。
【００２５】
（１）まず、ターゲット４０から金属をスパッタ蒸発させてチャンバ１０内にプラズマを発生させる（ステップＳ１００）。具体的には電源２２がターゲット４０に電圧を印加して、基板４２とターゲット４０との間に電位差を与えることによりプラズマを発生させる。このとき、基板４２は、基板ホルダ１４に支持されており、ターゲット４０は、ターゲット電極１２に支持されている。また不活性ガス供給バルブ１５は、開口しているが、反応性ガス供給バルブ１６は、開口していないため、不活性ガスのみがチャンバ１０内に導入されている。
【００２６】
（２）次に、ステップＳ１００において発生したプラズマの発光スペクトル（第１の発光スペクトル）を検出する（ステップＳ１０２）。具体的には、センサ１８が、ターゲット４０と基板４２との間に発生したプラズマ発光を検出し、分光器２０が、プラズマ発光を分光分析して第１の発光スペクトルを作成する。
【００２７】
（３）次に、反応性ガスをチャンバ１０内に導入する（ステップＳ１０４）。反応性ガスは、上述したように反応性ガス供給バルブ１６を開口することによりチャンバ１０内に導入される。
【００２８】
（４）次に、反応性ガスをチャンバ１０内に導入し始めた後に発生したプラズマの発光スペクトル（第２の発光スペクトル）を検出する（ステップＳ１０６）。具体的には、センサ１８が、ターゲット４０と基板４２との間に発生したプラズマ発光を検出し、分光器２０が、プラズマ発光を分光分析して第２の発光スペクトルを作成する。このとき、基板４２は、基板ホルダ１４に支持されており、ターゲット４０は、ターゲット電極１２に支持されている。また不活性ガス供給バルブ１５および反応性ガス供給バルブ１６の双方が開口しているため、不活性ガスおよび反応性ガスがチャンバ１０内に導入されている。
【００２９】
（５）次に、スペクトル解析部３２は、第１の発光スペクトルおよび第２の発光スペクトルの双方が有する複数の発光ピークから基準ピークを選択する（ステップＳ１０８）。具体的には、まずスペクトル解析部３２は、分光器２０が作成した第１の発光スペクトルが有する複数の発光ピークと第２の発光スペクトルが有する複数の発光ピークのうち、第１の発光スペクトルと第２の発光スペクトルの双方が同じ波長に有する発光ピークを抽出する。そして、抽出した発光ピークのうち、第１の発光スペクトルが有する発光ピークの強度と第２の発光スペクトルが有する発光ピークの強度とを波長毎に比較して、最もピーク強度の差が大きい発光ピークを基準ピークとして選択する。そして、選択した基準ピークの発光波長を基準波長として記憶部３４に格納する。
【００３０】
（６）次に、スペクトル解析部３２は、第１の発光スペクトルにおける基準ピークの強度に基づいて、ピーク強度の目標値を決定する（ステップＳ１１０）。たとえば、スペクトル解析部３２は、ステップＳ１０８において選択した第１の発光スペクトルにおける基準ピークの強度の３０％をピーク強度の目標値として決定する。またスペクトル解析部３２は、第１の発光スペクトルおよび第２の発光スペクトルの双方における基準ピークの強度に基づいて、目標値を決定してもよい。そしてスペクトル解析部３２は、決定した目標値を記憶部３４に格納する。
【００３１】
目標値は、形成される膜、ターゲット、および反応性ガスの材質によって異なるが、たとえば、酸化ジルコニウムを成膜する際、ターゲットとしてジルコニウム、反応性ガスとして酸素を適用する場合には、第１の発光スペクトルにおける基準ピークの強度の２０％〜６０％の範囲内を目標値とすることができ、たとえば３０％とすることができる。基準ピークの強度の２０％未満では、ピークの強度の大きさの比較が困難であり、基準ピークの強度の６０％以上では、安定して酸化ジルコニウム膜を形成することが困難だからである。また、たとえば、酸化チタンを成膜する際、ターゲットとしてチタン、反応性ガスとして酸素を適用する場合には、第１の発光スペクトルにおける基準ピークの強度の１０％〜６０％の範囲内を目標値とすることができ、たとえば２０％とすることができる。基準ピークの強度の１０％未満では、ピークの強度の大きさの比較が困難であり、基準ピークの強度の６０％以上では、安定して酸化チタン膜を形成することが困難だからである。
【００３２】
以上の工程により、スパッタ装置１００は、基準波長および発光ピーク強度の目標値を決定することができる。基準波長および発光ピーク強度の目標値は、基板４２上に膜を形成する際に以下のように用いられる（図３参照）。
【００３３】
２．２．膜の形成
図３は、スパッタ装置１００が基準波長および発光ピーク強度の目標値を用いて膜を形成する工程を示すフローチャートである。成膜工程の詳細は以下のとおりである。
【００３４】
（１）まず、基板４２をチャンバ１０内の基板ホルダ１４に支持させ、不活性ガスおよび反応性ガスをチャンバ１０内に導入する（ステップＳ２００）。ここで、基板４２は、基板ホルダ１４に支持され、ターゲット４０は、ターゲット電極１２に支持されている。また不活性ガス供給バルブ１５および反応性ガス供給バルブ１６の双方が開口されて、不活性ガスおよび反応性ガスがチャンバ１０内に導入される。ここで反応性ガス供給バルブ１６は、全開していない状態にする。
【００３５】
基板４２としては、シリコン基板、ガラス基板等の絶縁性基板、有機基板等を用いることができる。不活性ガスとしては、通常反応性スパッタリングにおいて不活性ガスとして用いられるガスであれば特に限定されないが、たとえばアルゴンまたはキセノンあるいはクリプトン等の希ガスを用いることができる。反応性ガスとしては、たとえば酸素、窒素等を用いることができる。また、ターゲット４０としては、たとえばジルコニウム、アルミニウム、チタン、白金、イリジウム、ルテニウム、ストロンチウム、ニッケル、ランタン、鉛、ビスマスあるいはこれらの合金等を用いることができる。
【００３６】
（２）次に、ターゲット４０から金属をスパッタ蒸発させてチャンバ１０内にプラズマを発生させ（ステップＳ２０２）、成膜を開始する。具体的には電源２２がターゲット４０に電圧を印加して、基板４２とターゲット４０との間に電位差を与えることによりプラズマを発生させて成膜する。
【００３７】
（３）次に、ステップＳ１００において発生したプラズマの発光スペクトル（成膜時発光スペクトル）を検出する（ステップＳ２０４）。具体的には、センサ１８が、ターゲット４０と基板４２との間に発生したプラズマ発光を検出し、分光器２０が、プラズマ発光を分光分析して発光スペクトルを作成する。
【００３８】
図４は、成膜時発光スペクトルの一例を示す図である。図４は、基板４２上に酸化ジルコニウムを成膜する際のスペクトルである。ここでは、ターゲット４０としては、ジルコニウムを用い、不活性ガスとしてはアルゴンを用い、反応性ガスとしては酸素を用いた。
【００３９】
（４）次に、スペクトル解析部３２は、成膜時発光スペクトルが有する基準ピークの強度が目標値より大きいか否かを判断する（ステップＳ２０６）。
【００４０】
具体的には、スペクトル解析部３２は、上述したステップＳ１０８およびＳ１１０において格納された基準波長および目標値を記憶部３４から読み出す。そして成膜時発光スペクトルが有する複数のピークのうち、読み出した基準波長に対応するピークを選択する。たとえば、スペクトル解析部３２は、図４に示す成膜時スペクトルの基準波長４２０ｎｍ付近のピークを選択することができる。そして導入量決定部３６は、スペクトル解析部３２が選択したピークの強度が、読み出した目標値より大きいか否かを判断する。成膜工程において、ピークの強度が目標値より大きい場合には、ステップＳ２０８（工程（５））に進み、ピークの強度が目標値より小さい場合には、ステップＳ２１０（工程（６））に進む。
【００４１】
（５）工程（４）において、ピークの強度が目標値より大きいと判断した場合には、チャンバ１０内に導入する反応性ガスの導入量を増加する（ステップＳ２０８）。具体的には、まず導入量決定部３６は、ピークの強度が目標値より大きいと判断すると、ピークの強度と目標値との差に応じて反応性ガス供給バルブ１６の開口度を大きくする。ここで導入量決定部３６は、ピークの強度と目標値との差が大きい程、反応性ガス供給バルブ１６の開口度をより大きくするように制御する。
【００４２】
（６）工程（４）において、ピークの強度が目標値より小さいと判断した場合には、チャンバ１０内に導入する反応性ガスの導入量を低減する（ステップＳ２１０）。具体的には、まず導入量決定部３６は、ピークの強度が目標値より小さいと判断すると、ピークの強度と目標値との差に応じて反応性ガス供給バルブ１６の開口度を小さくする。ここで導入量決定部３６は、ピークの強度と目標値との差が大きい程、反応性ガス供給バルブ１６の開口度をより小さくするように制御する。
【００４３】
（７）スパッタ装置１００は、ステップＳ２０４〜Ｓ２１０の動作を所定時間が経過するまで、一定時間毎に繰り返す（ステップＳ２１２）。
【００４４】
上述した動作を所定時間繰り返すことにより、基板４２上に所望の膜厚の化合物膜を形成することができる。基板４２上に形成される膜の材質としては、たとえば酸化ジルコニウム、窒化アルミニウム、酸化チタン等であることができる。
【００４５】
３．実験例
３．１．実施例
本実施の形態にかかる膜形成方法を用いて酸化ジルコニウムを成膜した。図５（ａ）〜図５（ｃ）は、本実施の形態にかかる膜形成方法を用いて成膜された酸化ジルコニウムを示すＳＥＭ画像である。成膜時の基板温度は６００度であり、ジルコニウムに固有の基準ピークの波長は４２０ｎｍであり、ピーク強度の目標値は、３５％であった。また、不活性ガスの流量は、５５ｓｃｃｍであり、反応性ガスの流量は、１０ｓｃｃｍ〜１５ｓｃｃｍの間で変化させた。酸化ジルコニウム膜の膜厚は２００ｎｍであり、成膜時間は、７２秒であった。
【００４６】
３．２．比較例
次に、比較例としての酸化ジルコニウム膜を成膜した。チャンバ１０内に導入する酸素の流量を１５ｓｃｃｍに一定に保ちながら、酸化ジルコニウムの成膜を行った。他の条件については、３．１．実施例と同様に行った。酸化ジルコニウム膜の膜厚は２００ｎｍであり、成膜時間は、６００秒であった。
【００４７】
図６（ａ）〜図６（ｃ）は、比較例にかかる膜形成方法を用いて成膜された酸化ジルコニウムを示すＳＥＭ画像である。
【００４８】
実施例と比較例とを比べると、本実施の形態にかかる成膜方法を用いることで、成膜時間が著しく短縮されたことから、成膜速度を向上させることができたことが確認された。また、成膜された酸化ジルコニウム膜の結晶状態および表面状態も良好になっていることから、素子特性の向上だけでなく、酸化ジルコニウム膜の上に形成される膜の結晶性も良好にすることができることがわかる。
【００４９】
４．上記のように、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明の新規事項および効果から実体的に逸脱しない多くの変形が可能であることは当業者には容易に理解できよう。従って、このような変形例はすべて本発明の範囲に含まれるものとする。
【００５０】
また、上述した実施形態に係る膜形成方法は、たとえば圧電素子の振動板として適用でき、そのような圧電素子は、アクチュエータ、インクジェット式記録ヘッド、インクジェットプリンター、ジャイロセンサ等のジャイロ素子、ＦＢＡＲ（film bulk acoustic resonator）型やＳＭＲ（solid mounted resonator）型等のＢＡＷ（bulk acoustic wave）フィルタ、超音波モータなどに適用されることができる。本発明の実施形態に係る圧電素子は、上述したように良好な圧電特性を有し、信頼性が高いため、各種の用途に好適に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本実施の形態にかかるスパッタ装置１００の機能構成を示すブロック図である。
【図２】基準波長および発光ピーク強度の目標値を決定する工程を示すフローチャートである。
【図３】スパッタ装置１００が基準波長および発光ピーク強度の目標値を用いて膜を形成する工程を示すフローチャートである。
【図４】成膜時発光スペクトルの一例を示す図である。
【図５】本実施の形態にかかる膜形成方法を用いて成膜された酸化ジルコニウムを示すＳＥＭ画像である。
【図６】比較例にかかる膜形成方法を用いて成膜された酸化ジルコニウムを示すＳＥＭ画像である。
【符号の説明】
【００５２】
１０  チャンバ、１２  ターゲット電極、１４  基板ホルダ、１５  不活性ガス供給バルブ、１６  反応性ガス供給バルブ、１７  排気口、１８  センサ、２０  分光器、２２  電源、３０  制御部、３２  スペクトル解析部、３４  記憶部、３６  導入量決定部、４０  ターゲット、４２  基板、１００  スパッタ装置
【図１】
2008260977.tif 000003
【図２】
2008260977.tif 000004
【図３】
2008260977.tif 000005
【図４】
2008260977.tif 000006
【図５】
2008260977.tif 000007
【図６】
2008260977.tif 000008