(57)【要約】【課題】被処理基板に薄膜を形成した後、被処理基板に成膜用マスク部材を接触する状態で重ねて成膜した場合でも、先に形成した薄膜の損傷や剥離に起因する不具合が発生することのない成膜用マスク部材、成膜用マスク部材の製造方法、マスク成膜方法、および成膜装置を提供すること。【解決手段】マスク蒸着用の成膜用マスク部材１０を製造する際、支持基板３０に接合されたチップ２０の基板接触面２０ａにプラズマを照射する。その際、導入ガスとしてフッ素系ガスを用いることにより、チップ２０の基板接触面２０ａには撥水性が高いフッ素系重合膜が形成され、基板接触面２０ａの水に対する接触角が１００°以上になる。従って、成膜用マスク部材１０の基板接触面２０ａを被処理基板に対して重ね、この状態で蒸着を行った後、被処理基板から外しても、先に形成された薄膜に剥離などが発生しない。【選択図】図７
2008223067.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理基板に対する成膜パターンに対応するマスク開口部が形成された成膜用マスク部材において、
前記被処理基板に重ねられる基板接触面の水に対する接触角が１００°以上であることを特徴とする成膜用マスク部材。
【請求項２】
被処理基板に対する成膜パターンに対応するマスク開口部が形成された成膜用マスク部材の製造方法において、
前記被処理基板に重ねられる基板接触面に対して撥水処理を行なうことを特徴とする成膜用マスク部材の製造方法。
【請求項３】
前記撥水処理では、前記基板接触面にフッ素系ガスを用いたプラズマ処理を行なうことを特徴とする請求項２に記載の成膜用マスク部材の製造方法。
【請求項４】
前記撥水処理では、撥水処理液を前記基板接触面に接触させることを特徴とする請求項２に記載の成膜用マスク部材の製造方法。
【請求項５】
被処理基板に対する成膜パターンに対応するマスク開口部が形成された成膜用マスク部材を前記被処理基板に重ねた状態で成膜を行なうマスク成膜方法において、
成膜を行なう前に、前記成膜用マスク部材において前記被処理基板に重ねられる基板接触面に対して撥水処理を行なうことを特徴とするマスク成膜方法。
【請求項６】
前記撥水処理では、前記基板接触面にフッ素系ガスを用いたプラズマ処理を行なうことを特徴とする請求項５に記載のマスク成膜方法。
【請求項７】
前記撥水処理では、撥水剤を含む処理液を前記基板接触面に接触させることを特徴とする請求項５に記載のマスク成膜方法。
【請求項８】
被処理基板に対する成膜パターンに対応するマスク開口部が形成された成膜用マスク部材を前記被処理基板に重ねた状態で成膜を行なう成膜装置において、
複数の成膜エリアと、前記成膜用マスク部材において前記被処理基板に重ねられる基板接触面に対して撥水処理を行なう撥水処理エリアとを備えていることを特徴とする成膜装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、成膜パターンに対応するマスク開口部を備えた成膜用マスク部材、成膜用マスク部材の製造方法、マスク成膜方法、および成膜装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
各種半導体装置や電気光学装置の製造工程では、成膜パターンに対応するマスク開口部が形成された成膜用マスク部材を被処理基板に重ね、この状態で真空蒸着法、スパッタ成膜、イオンプレーティング、ＣＶＤ法などの成膜を行うことがある。例えば、電気光学装置としての有機エレクトロルミネッセンス（以下、ＥＬという）装置の製造工程において、発光素子用の有機ＥＬ材料（有機機能層）を所定形状に形成する際にフォトリソグラフィ技術を利用すると、パターニング用のレジストマスクをエッチング液や酸素プラズマなどで除去する際に有機機能材料が水分や酸素に触れて劣化するおそれがあるため、被処理基板に成膜用マスク部材を重ねた状態で真空蒸着を行うマスク蒸着法によって有機機能層を形成する（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００４−２１４０１５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、被処理基板に薄膜を形成した後、マスク蒸着を行うと、被処理基板に先に形成されている薄膜と成膜用マスク部材とが接触することになるので、蒸着後、被処理基板から成膜用マスク部材を外す際、先に形成されていた薄膜が剥がれ、不具合品が発生するという問題点がある。また、被処理基板に先に形成されている薄膜と成膜用マスク部材とが全面接触した際、先に形成されている薄膜が損傷することもある。
【０００４】
例えば、図１０（ａ）に示す成膜用マスク部材１０は、複数の開口領域３２が形成された支持基板３０と、開口領域３２を覆うように支持基板３０に接合された複数のチップ２０とを備えており、チップ２０には、被処理基板２００に対する成膜パターンに対応するマスク開口部２２が形成されている。かかる成膜用マスク部材１０を用いて、被処理基板２００に先に形成されている薄膜２１０の上層にさらに新たな薄膜２２０を形成する際には、被処理基板２００に先に形成されている薄膜と成膜用マスク部材１０とが接触することになる。このため、蒸着後、被処理基板２００から成膜用マスク部材１０を外す際、図１０（ｂ）に示すように、先に形成されていた薄膜２１０の一部２１０ａが剥がれ、不具合品が発生してしまう。
【０００５】
また、図１１（ａ）〜（ｅ）に示すように、成膜用マスク部材１０を用いて、複数のパターン２４０、２５０を交互に形成する際は、図１１（ａ）、（ｂ）に示すように、成膜用マスク部材１０を用いて一回目のマスク蒸着でパターン２４０を一定間隔ごとに形成した後、図１１（ｃ）、（ｄ）に示すように、成膜用マスク部材１０の位置をずらして、先に形成したパターン２４０の間に、一定間隔をおいて新たにパターン２５０を形成する。しかしながら、図１１（ｃ）に示すように、成膜用マスク部材１０の位置をずらすと、被処理基板２００に先に形成されているパターン２４０と成膜用マスク部材１０が接触することになるので、蒸着後、被処理基板２００から成膜用マスク部材１０を外す際、図１１（ｅ）に示すように、先に形成されていたパターン２４０の一部２４０ａが剥がれ、不具合品が発生してしまう。
【０００６】
このような薄膜の膜剥がれを防ぐため、特許文献１に記載の構成においては、成膜用マスク部材に被処理基板に向けて延びる突起を形成し、突起を被処理基板と当接させることにより、成膜用マスク部材が被処理基板に形成される薄膜と接触することを防いでいる。しかしながら、このような構成においては、被処理基板と成膜用マスク部材とが密接していない状態で蒸着を行うので、被処理基板に形成される成膜パターンの精度が低下してしまい、好ましくない。
【０００７】
以上の問題に鑑みて、本発明の課題は、被処理基板に薄膜を形成した後、被処理基板に成膜用マスク部材を接触する状態で重ねて成膜した場合でも、先に形成した薄膜の損傷や剥離に起因する不具合が発生することのない成膜用マスク部材、成膜用マスク部材の製造方法、マスク成膜方法、および成膜装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明では、被処理基板に対する成膜パターンに対応するマスク開口部が形成された成膜用マスク部材において、前記被処理基板に重ねられる基板接触面の水に対する接触角が１００°以上であることを特徴とする。
【０００９】
本発明に係る成膜用マスク部材において、前記被処理基板に重ねられる基板接触面の水に対する接触角が１００°以上であり、撥水性が高いため、先に薄膜が形成されている被処理基板に成膜用マスク部材を重ねた場合でも、被処理基板上に形成された薄膜に対する離型性が高い。それ故、先に薄膜が形成されている被処理基板に成膜用マスク部材を重ねた状態で成膜した後、被処理基板から成膜用マスク部材を外した際、先に形成されている薄膜が成膜用マスク部材に付着して剥がれるということが発生しない。それ故、被処理基板に薄膜を形成した後、被処理基板に成膜用マスク部材を接触する状態で重ねて成膜した場合でも、先に形成した薄膜の損傷や剥離に起因する不具合が発生しない。
【００１０】
このような成膜用マスク部材は、例えば、以下の方法で製造することができる。すなわち、被処理基板に対する成膜パターンに対応するマスク開口部が形成された成膜用マスク部材の製造方法において、前記被処理基板に重ねられる基板接触面に対して撥水処理を行なうことを特徴とする。
【００１１】
本発明では、マスク成膜を行なう際に撥水処理を行なってよい。すなわち、本発明では、被処理基板に対する成膜パターンに対応するマスク開口部が形成された成膜用マスク部材を前記被処理基板に重ねた状態で成膜を行なうマスク成膜方法において、成膜を行なう前に、前記成膜用マスク部材において前記被処理基板に重ねられる基板接触面に対して撥水処理を行なうことを特徴とする。
【００１２】
このようなマスク成膜方法を実施する場合、成膜装置を以下のように構成することが好ましい。すなわち、本発明では、被処理基板に対する成膜パターンに対応するマスク開口部が形成された成膜用マスク部材を前記被処理基板に重ねた状態で成膜を行なう成膜装置において、複数の成膜エリアと、前記成膜用マスク部材において前記被処理基板に重ねられる基板接触面に対して撥水処理を行なう撥水処理エリアとを備えていることを特徴とする。
【００１３】
本発明において、前記撥水処理では、前記基板接触面にフッ素系ガスを用いたプラズマ処理を行なう構成を採用することができる。このように構成すると、成膜用マスク部材の基板接触面には、撥水性の高いフッ素系重合膜が形成されるため、これにより、成膜用マスク部材の一方面における、薄膜に対する離型性を高めることができる。
【００１４】
本発明において、前記撥水処理では、撥水処理液を前記基板接触面に接触させる構成を採用してもよい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下に、図面を参照して、本発明を適用した成膜用マスク部材、この成膜用マスク部材の製造方法、この成膜用マスク部材を用いたマスク成膜方法、およびかかるマスク成膜方法の実施に適した成膜装置について説明する。なお、以下の実施の形態では、本発明の成膜用マスク部材が使用される対象として有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）装置を例示する。
【００１６】
（有機ＥＬ装置の構成例）
図１は、本発明が適用される有機ＥＬ装置の要部断面図である。図１に示す有機ＥＬ装置１は、表示装置やプリンタの光学ヘッドなどとして用いられるものであり、素子基板２上では、感光性樹脂からなる隔壁９で囲まれた複数の領域に画素３が構成されている。複数の画素３は各々、有機ＥＬ素子３ａを備えており、有機ＥＬ素子３ａは、陽極として機能するＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜からなる画素電極４と、この画素電極４からの正孔を注入／輸送する正孔注入輸送層５と、有機ＥＬ材料からなる発光層６と、電子を注入／輸送する電子注入輸送層７と、アルミニウムやアルミニウム合金からなる陰極８とを備えている。陰極８の側には、有機ＥＬ素子３ａが水分や酸素により劣化するのを防止するための封止層や封止部材（図示せず）が配置されている。素子基板２上には、画素電極４に電気的に接続された駆動用トランジスタ２ａなどを含む回路部２ｂが有機ＥＬ素子３ａの下層側に形成されている。ここで、有機ＥＬ装置１が表示装置として用いられる場合、各画素３はマトリクス状に形成される。
【００１７】
有機ＥＬ装置１がボトムエミッション方式である場合は、発光層６で発光した光を画素電極４の側から出射するため、素子基板２の基体としては、ガラス、石英、樹脂（プラスチック、プラスチックフィルム）などの透明基板が用いられる。その際、陰極８を光反射膜によって構成すれば、発光層６で発光した光を陰極８で反射して透明基板の側から出射することができる。
【００１８】
これに対して、有機ＥＬ装置１がトップエミッション方式である場合は、発光層６で発光した光を陰極８の側から出射するため、素子基板２の基体は透明である必要はない。但し、有機ＥＬ装置１がトップエミッション方式である場合でも、素子基板２に対して光出射側とは反対側の面に反射層（図示せず）を配置して、発光層６で発光した光を陰極８の側から出射する場合には、素子基板２の基体として透明基板を用いること必要がある。なお、有機ＥＬ装置１がトップエミッション方式である場合において、素子基板２の基体と発光層６との間、例えば、画素電極４の下層側などに反射層を形成して、発光層６で発光した光を陰極８の側から出射する場合には、素子基板２の基体は透明である必要はない。
【００１９】
ここで、有機ＥＬ装置１がトップエミッション方式である場合、陰極８が薄く形成される。このため、陰極８の電気抵抗の増大を補うことを目的に、隔壁９の上面にアルミニウムやアルミニウム合金からなる補助配線８ａが形成されることもある。
【００２０】
有機ＥＬ装置１がカラー表示装置として用いられる場合、複数の画素３および有機ＥＬ素子３ａは各々、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）に対応するサブ画素として構成される。その場合、有機ＥＬ素子３ａにおいて、発光層６は、各色に対応する光を出射可能な発光材料により形成された発光層６（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）として形成される。また、単独の発光材料からなる発光層６によって、ＲＧＢ各色の特性を得るのは難しいことが多いので、ホスト材料に蛍光色素をドーピングした発光層６を形成し、蛍光色素からのルミネッセンスを発光色として取り出すこともある。このようなホスト材料とドーパント材料の組み合わせとしては、例えば、トリス（８−キノリラート）アルミニウムとクマリン誘導体との組み合わせ、アントラセン誘導体とスチリルアミン誘導体との組み合わせ、アントラセン誘導体とナフタセン誘導体との組み合わせ、トリス（８−キノリラート）アルミニウムとジシアノピラン誘導体との組み合わせ、ナフタセン誘導体とジインデノペリレンとの組み合わせなどがある。また、電子注入輸送層７は、トリス（８−キノリラート）アルミニウムを含む有機アルミニウム錯体などが用いられる。
【００２１】
なお、図１に示す有機ＥＬ装置１において、各画素３は隔壁９により分離されているが、隣接する画素３間で画素電極４、正孔注入輸送層５、発光層６、電子注入輸送層７、および陰極８が隔壁９を介さず、所定の間隔で形成されることもある。
【００２２】
（有機ＥＬ装置１の製造方法）
素子基板２を形成するにあたっては、単品サイズの基板に以下の工程を施す方法の他、素子基板２を多数取りできる大型基板に以下の工程を施した後、単品サイズの素子基板２に切断する方法が採用されるが、以下の説明ではサイズを問わず、被処理基板２００と称する。
【００２３】
有機ＥＬ装置１を製造するには、被処理基板２００に対して成膜工程、レジストマスクを用いてのパターニング工程などといった半導体プロセスを利用して各層が形成される。但し、正孔注入輸送層５、発光層６、電子注入輸送層７などは、水分や酸素により劣化しやすい有機低分子材料で形成されるため、正孔注入輸送層５、発光層６、電子注入輸送層７を形成する際、さらには、電子注入輸送層７の上層に補助配線８ａや陰極８を形成する際、レジストマスクを用いてのパターニング工程を行うと、レジストマスクをエッチング液や酸素プラズマなどで除去する際に正孔注入輸送層５、発光層６、電子注入輸送層７が水分や酸素により劣化してしまう。そこで、本形態では、正孔注入輸送層５、発光層６、電子注入輸送層７を形成する際、さらには陰極８や補助配線８ａを形成する際には、以下に詳述する蒸着装置を用いてマスク蒸着を行い、レジストマスクを用いてのパターニング工程を行わない。
【００２４】
（蒸着方法および蒸着装置の基本構成）
図２は、本発明を適用した成膜用マスク部材を用いて成膜を行う成膜装置の構成を示す概略構成図である。図２に示すように、蒸着室４１内の上方位置には、被処理基板２００および成膜用マスク部材１０を保持する基板ホルダ４９が配置されており、成膜用マスク部材１０は、被処理基板２００の下面側（被成膜面側）の所定位置に重ねられた状態にある。成膜用マスク部材１０の構成については、図３（ａ）、（ｂ）などを参照して後述するが、被処理基板２００に形成する蒸着パターンに対応する複数のマスク開口部２２が構成されている。
【００２５】
蒸着室４１内の下方位置には、被処理基板２００に向けて蒸着分子や蒸着原子などの蒸着粒子からなる蒸気流を供給する蒸着源４２が配置されている。蒸着源４２は、蒸着材料が装填された坩堝４４と、坩堝４４内の蒸着材料を加熱するための加熱装置４３とを備えている。加熱装置４３は、内側に坩堝４４全体を装着可能な凹部４３５を備えた有底筒状のヒートブロック４３１と、このヒートブロック４３１内に配置された電熱線などの発熱体４３２とを備えており、ヒートブロック４３１あるいは坩堝４４の温度を熱電対などで監視しながら発熱体４３２への給電を制御する。また、蒸着源４２に対しては、その開口部を開閉するセルシャッタ４５が構成されている。なお、蒸着源４２は、例えば、基板ホルダ４９に保持された被処理基板２００の中心から外れた位置に配置されており、被処理基板２００を回転しながら蒸着を行うことにより、蒸着材料の使用効率を高めることができる。
【００２６】
（成膜用マスク部材の構成）
図３は、本発明を適用した成膜用マスク部材全体の基本的構成を示す斜視図である。図４は、成膜用マスク部材の一部を拡大してチップの基本的構成を示す説明図である。図５は、本発明を適用した成膜用マスク部材を用いた成膜方法を示す工程図である。図６は、本発明を適用した成膜用マスク部材を用いた別の成膜方法を示す工程図である。
【００２７】
図３および図４に示す成膜用マスク部材１０は、ベース基板をなす矩形の支持基板３０に、複数のチップ２０（マスク用基板）を複数、取り付けた構成を有している。本形態では、チップ２０はシリコン基板からなるものとする。各チップ２０は各々、アライメントされて支持基板３０に陽極接合や紫外線硬化型接着剤などにより接合されている。
【００２８】
チップ２０には、成膜パターンに対応する長孔形状のマスク開口部２２が複数一定間隔で平行に並列した状態で形成されており、マスク開口部２２の各間には梁部２７が形成されている。また、チップ２０において、マスク開口部２２の形成領域の周りには外枠部２５が形成されており、かかる外枠部２５が支持基板３０に接合されている。
【００２９】
支持基板３０には、長方形の貫通穴からなる複数の開口領域３２が平行、かつ一定間隔で設けられており、複数のチップ２０は、支持基板３０の開口領域３２を塞ぐように支持基板３０上に固定されている。支持基板３０には、アライメントマーク３９が形成されており、アライメントマーク３９は、成膜用マスク部材１０を使用して蒸着などを行うときに、成膜用マスク部材１０の位置合わせを行うためのものである。なお、チップ２０の外枠部２５にアライメントマーク３９を形成してもよい。支持基板３０の構成材料は、チップ２０の構成材料の熱膨張係数と同一又は近い熱膨張係数を有するものが好ましい。チップ２０はシリコンであるので、シリコンの熱膨張係数と同等の熱膨張係数をもつ材料で支持基板３０を構成する。このようにすることにより、支持基板３０とチップ２０との熱膨張量の違いによる「歪み」や「撓み」の発生を抑えることができる。本形態では、支持基板３０としては、無アルカリガラス、ホウケイ酸ガラス、ソーダガラス、石英ガラスなどからなる透明基板が用いられている。
【００３０】
複数のチップ２０の各々において、外枠部２５の下面にはアライメントマーク２４が少なくとも２ヶ所形成されている。これらのアライメントマーク２４と、複数の開口領域３２の外周に一定間隔に形成されたアライメントマーク３４とを重ね合わせることにより、支持基板３０に対するチップ２０の位置合わせを行うことができる。アライメントマーク２４および３４は、フォトリソグラフィ技術または結晶異方性エッチングなどにより形成される。
【００３１】
本形態において、チップ２０は、面方位（１１０）を有する単結晶シリコン基板からなり、この単結晶シリコン基板にフォトリソグラフィ技術やエッチング技術などを用いて、貫通溝からなるマスク開口部２２を形成することにより製造される。チップ２０の裏面には大きな凹部２９が形成されており、マスク開口部２２は、凹部２９の底部で開口している。このため、マスク開口部２２が形成された領域では基板厚が薄く、斜め方向に進行する蒸着粒子もマスク開口部２２を通過しやすくなっている。
【００３２】
かかる成膜用マスク部材１０を用いて、被処理基板２００にマスク蒸着を行う場合には、まず、被処理基板２００の下面（被成膜面／素子基板２の両面のうち、有機ＥＬ素子３ａが形成される側の面）に成膜用マスク部材１０を重ねる。その結果、被処理基板２００の下面には成膜用マスク部材１０のチップ２０の上面（基板接触面２０ａ）が当接する。この状態で真空蒸着を行うと、坩堝から供給された蒸着分子や蒸着原子は、チップ２０のマスク開口部２２を介して被処理基板２００の下面に堆積する。
【００３３】
また、図３および図４に示す成膜用マスク部材１０を用いて被成膜領域の所定領域に成膜を行った後、成膜用マスク部材１０をずらしながら複数回、成膜することにより、被成膜領域全体にわたってストライプ状の薄膜を順次形成することができる。
【００３４】
（成膜用マスク部材１０の基板接触面の性状）
本形態の成膜用マスク部材１０において、チップ２０の上面は、マスク蒸着の際、被処理基板２００と接触した状態で重ねられる基板接触面２０ａであり、本形態において、基板接触面２０ａの水に対する接触角は１００°であり、極めて大きい。
【００３５】
従って、図５（ａ）、（ｂ）に示すように、本形態の成膜用マスク部材１０を用いて被処理基板２００に先に形成されている薄膜２１０の上層にさらに新たな薄膜２２０を形成する際、被処理基板２００に先に形成されている薄膜と成膜用マスク部材１０とが接触する場合でも、蒸着後、被処理基板２００から成膜用マスク部材１０を外す際、図５（ｂ）に示すように、先に形成されていた薄膜２１０が剥がれることがない。
【００３６】
また、例えば、図６（ａ）〜（ｅ）に示すように、成膜用マスク部材１０を用いて、複数のパターン２４０、２５０を交互に形成するには、図６（ａ）、（ｂ）に示すように、成膜用マスク部材１０を用いて一回目のマスク蒸着でパターン２４０を一定間隔ごとに形成した後、図６（ｃ）、（ｄ）に示すように、成膜用マスク部材１０の位置をずらして、先に形成したパターン２４０の間に、一定間隔をおいて新たにパターン２５０を形成する。その際、図６（ｃ）に示すように、被処理基板２００に先に形成されているパターン２４０と成膜用マスク部材１０が接触することになるが、本形態の成膜用マスク部材１０によれば、蒸着後、被処理基板２００から成膜用マスク部材１０を外す際、先に形成されていたパターン２４０の一部２４０ａが剥がれることがない。なお、３種類のパターンを交互に形成する場合も同様である。
【００３７】
それ故、本形態の成膜用マスク部材１０によれば、被処理基板２００に対して、薄膜２１０あるいは複数のパターン２４０、２５０として、図１に示す有機ＥＬ素子３ａの正孔注入輸送層５、有機ＥＬ材料からなる発光層６、電子を注入／輸送する電子注入輸送層７、陰極８、補助配線８ａをマスク蒸着法により順次、積層していく場合でも、先に形成した薄膜の損傷や剥離に起因する不具合が発生しない。また、本形態の成膜用マスク部材１０によれば、上記の不具合が発生しないので、被処理基板２００と成膜用マスク部材１０とを接触させた状態で成膜することができ、高い精度でパターンを形成することができる。
【００３８】
（成膜用マスク部材１０の製造方法１）
図７は、本発明を適用した成膜用マスク部材の製造工程において、撥水処理を行うためのプラズマ処理装置の構成を模式的に示す説明図である。
【００３９】
図３および図４に示す成膜用マスク部材１０を製造するにあたっては、まず、複数のチップ２０に対して、フォトリソグラフィ技術やエッチング処理を施すことにより、複数のチップ２０の各々に対して成膜パターンに対応する長孔形状のマスク開口部２２を複数形成する。そして、この複数のチップ２０を支持基板３０に固定させた後、図７に示すプラズマ処理装置５００（撥水処理装置）を用いてチップ２０の基板接触面２０ａに対して撥水処理を施す。
【００４０】
図７に示すように、プラズマ処理装置５００は、真空チャンバー５１内に、第１の電極５３と第２の電極５４とを上下平行に対向した平行平板型リアクティブイオンエッチング装置として構成されている。真空チャンバー５１には、例えば、その上面にガス導入口５１ａが開口し、底面には排気口５１ｂが開口し、下方位置かつ側面には、成膜用マスク部材１０の搬出入を行うための連絡口５１ｃが形成されている。真空チャンバー５１の内部において、上方位置には平板状の第１の電極５３が配置され、真空チャンバー５１の下方位置には、第１の電極５３に対向するように平板状の第２の電極５４が配置されている。第１の電極５３は接地されている一方、第２の電極５４には高周波電源５９が接続されている。
【００４１】
このように構成されたプラズマ処理装置５００を用いて、図３および図４に示した成膜用マスク部材１０に対して撥水処理を行う際は、まず、第２の電極５４上に複数のチップ２０が固定された支持基板３０を載せ、チップ２０の基板接触面２０ａが第１の電極５３に向くよう配置する。その後、ガス導入口５１ａよりフッ素系のガス（例えば、ＣＨＦ３ガス）を導入するとともに、高周波電源５９によって第２の電極５４に高周波電圧を印加する。これにより、チップ２０の基板接触面２０ａにおいては、フッ素系ガスによるエッチングや化学反応が起き、その結果、チップ２０の基板接触面２０ａには撥水性を有するフッ素系重合膜が形成される。
【００４２】
ここで、成膜用マスク部材１０の一方面における水に対する接触角が１００°以上であると、薄膜を構成するための蒸着材料に対する離型効果が高い。このような条件を満たす成膜用マスク部材１０を製造するためには、例えば、上述した撥水処理工程において、ガス導入口５１ａより導入されるフッ素系ガスの流量を３０sccm（standard cc/min：常温常圧（例えば、１atm、２５℃）に換算した流量）、真空チャンバー５１内の圧力を０．２Torr（２６．６６Pa）、高周波電源５９のパワーを２５Ｗ、処理時間を１分以上とすることにより、成膜用マスク部材１０に対するダメージを小さくしつつ、成膜用マスク部材１０の基板接触面２０ａの水の接触角を１０５°以上とすることができる。
【００４３】
すなわち、上述した撥水処理を施さない成膜用マスク部材においては、チップ２０の表面は自然酸化膜で覆われており、これにより、チップ２０の表面にはヒドロキシル基が多く存在するため、撥水性および薄膜を構成するための蒸着材料に対する離型性が低いが、本形態では、上述したように、成膜用マスク部材１０においてチップ２０の基板接触面２０ａに、酸化膜を除去しながら、撥水性を有するフッ素系重合膜を形成するので、成膜用マスク部材１０の基板接触面２０ａの離型性を高めることができる。
【００４４】
なお、上記の方法では、成膜用マスク部材１０の製造工程の最後に撥水処理を行なったが、チップ２０の状態で撥水処理を行なった後、チップ２０を支持基板３０に接合してもよい。
【００４５】
（成膜用マスク部材１０の製造方法２）
上記の製造方法では、成膜用マスク部材１０に対するプラズマ照射を利用したが、成膜用マスク部材１０を撥水処理液に浸漬するなどの方法でチップ２０の基板接触面２０ａに撥水処理液を接触させてもよい。このような撥水処理液としては、例えば、フッ素系シランカップリング剤（信越化学社製、シランカップリング剤ＫＢＭ）や、フッ素系溶剤にフッ素ポリマーを分散させた液体（フロロテクノロジー社製、フロロサーフＦＧ−５０３０Ｚシリーズ）を用いることができる。
【００４６】
なお、上記の方法でも、成膜用マスク部材１０の製造工程の最後に撥水処理を行なったが、チップ２０の状態で撥水処理を行なった後、チップ２０を支持基板３０に接合してもよい。
【００４７】
［成膜工程での撥水処理１］
上記形態では、成膜用マスク部材１０の製造工程において、チップ２０の基板接触面２０ａに対して撥水処理を行なったが、成膜用マスク部材１０の製造工程での撥水処理に代えて、あるいは成膜用マスク部材１０の製造工程での撥水処理に加えて、成膜工程の中で撥水処理を行なってもよい。この場合、成膜用マスク部材１０を用いて成膜を１回、行なう度に撥水処理を行なってもよいが、成膜用マスク部材１０を用いて成膜を所定の回数、行なった後、撥水処理を行なってもよい。
【００４８】
このような成膜方法を実施するには、例えば、成膜装置を図８を参照して説明するように構成すればよい。図８は、本発明を適用した成膜装置の概略平面図である。
【００４９】
図８に示す成膜装置６００は、大気とは異なる雰囲気下で被処理基板２００に対して複数の処理を施すための装置であり、図１に示した有機ＥＬ装置１などを製造する際に用いられる。成膜装置６００は、大気と異なる雰囲気中で成膜処理工程などを行う処理ステーション７００、８００とを有しているととともに、処理ステーション７００と処理ステーション８００とは、搬送路６１によって連結されている。
【００５０】
処理ステーション７００は、内部を真空雰囲気に置換可能なチャンバー７１と、チャンバー７１の内部に配置された基板搬送ロボット７２と、チャンバー７１の側面に接続された複数の処理室７５とを備えている。チャンバー７１の辺部７１ａは、前段の処理ステーションからの基板搬入部７６と接続され、チャンバー７１の辺部７１ｂは、搬送路６１と接続されている。チャンバー７１と、処理室７５および基板搬入部７６とは、ゲートバルブ（図示せず）を介して連通し、チャンバー７１と搬送路６１もゲートバルブ（図示せず）を介して連通している。処理ステーション８００も、処理ステーション７００と同様、内部を真空雰囲気に置換可能なチャンバー８１と、チャンバー８１の内部に配置された基板搬送ロボット８２と、内部を真空雰囲気に置換可能なチャンバー８１と、チャンバー８１の内部に配置された基板搬送ロボット８２と、チャンバー８１の側面に接続された複数の処理室８５とを備えている。チャンバー８１の辺部８１ａは、搬送路６１に接続され、チャンバー８１の辺部８１ｂは、被処理基板２００を搬出する基板搬出部８６と接続されている。チャンバー８１と、各処理室８５および基板搬出部８６とは、ゲートバルブ（図示せず）を介して連通し、チャンバー８１と搬送路６１もゲートバルブ（図示せず）を介して連通している。
【００５１】
このように構成した成膜装置６００において、複数の処理室７５、８５には、正孔注入輸送層５、発光層６、電子注入輸送層７、陰極８、または補助陰極８ａを形成するための成膜室（成膜エリア）と、成膜用マスク部材１０の基板接触面２０ａに対して、プラズマあるいは撥水処理剤を用いた撥水処理室（撥水処理エリア）とが含まれている。従って、成膜用マスク部材１０を用いて成膜を１回、行なう度、あるいは成膜用マスク部材１０を用いて成膜を所定の回数、行なった後、成膜用マスク部材１０の基板接触面２０ａに対して撥水処理を行なうことができる。
【００５２】
［成膜工程での撥水処理２］
図９（ａ）、（ｂ）は各々、本発明を適用した別の成膜装置の構成を模式的に示す平面図および断面図である。なお、以下では、被基板基板２００の搬送方向を矢印Ｌで示してある。
【００５３】
図９（ａ）、（ｂ）に示すように、本形態のインライン式の成膜装置９００は、大気とは異なる雰囲気下で複数の被処理基板２００に対して、複数の処理を連続的に施すための装置であり、図１に示した有機ＥＬ装置１を製造する際に用いられる。本形態のインライン式の成膜装置９００は、被処理基板２００を搬送する基板搬送手段として、被基板基板２００の搬送方向に沿って複数のローラ９８（図９（ｂ）では図示を省略）が直線的に配置されており、ローラ９８は、被基板基板２００の搬送方向と直交する方向に２列、配置されている。成膜装置９００では、複数のローラ９８によって規定された被処理基板２００の搬送経路に沿って複数の成膜エリア９１、９２、９３・・が配置されている。各成膜エリア９１、９２、９３・・の間には基板通路９０３が形成されている。なお、基板通路９０３には、成膜エリア９１０、９２０、９３０・・内の雰囲気が汚染されることを防止するためのシャッタ（図示せず）が配置されることがある。また、各成膜エリア９１、９２、９３・・には各々の内部の真空度を調整可能な真空引き装置（図示せず）が接続されている。
【００５４】
各成膜エリア９１、９２、９３・・において、複数のローラ９８により規定された被処理基板２００の搬送経路の下方位置には蒸着源９１１、９２１、９３１・・が配置されている。本形態において、蒸着源９１１、９２１、９３１・・は、各成膜エリア９１、９２、９３・・に１つずつ配列されているが、複数、配置される場合もある。蒸着源９１１、９２１、９３１・・は各々、実施の形態１の成膜装置４００と同様に、蒸着材料が装填された坩堝４４と、坩堝４４内の蒸着材料を加熱するための加熱装置４３とを備えている。また、蒸着源９１１、９２１、９３１・・の各々に対しては、坩堝４４の開口を開閉可能なセルシャッタ（図示せず）が配置されている。
【００５５】
本形態の成膜装置９００を用いて有機ＥＬ装置１を形成する際は、成膜エリア９１０、９２０、９３０・・を用いて、正孔注入輸送層５、発光層６、電子注入輸送層７、陰極８を形成する。また、各成膜エリア９１、９２、９３・・のいずかの間、成膜エリア９１、９２、９３・・・の最上流、あるいは成膜エリア９１、９２、９３・・・の最下流には、成膜用マスク部材１０の基板接触面２０ａに対して、プラズマあるいは撥水処理剤を用いた撥水処理エリア（図示せず）が構成されている。従って、成膜用マスク部材１０を用いての成膜を行なう度に成膜用マスク部材１０の基板接触面２０ａに対して撥水処理を行なうことができ、その後、成膜用マスク部材１０を用いる際には、成膜前に撥水処理を行なった成膜用マスク部材１０を用いて成膜を行なうことができる。
【００５６】
［その他の実施の形態］
本発明の技術範囲は上記各実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。例えば、上記形態については、真空蒸着法に用いる成膜用マスク部材を説明したが、スパッタ成膜法やイオンプレーティング法などの蒸着法、さらにはＣＶＤ法に用いる成膜用マスク部材に本発明を適用することができる。また、近年、イオンプレーティング法についてはプラズマを利用したプラズマコーティングが提案されており、かかる蒸着法に用いる成膜用マスク部材に対しても、本発明を適用することができる。
【００５７】
さらに、上記形態では、有機ＥＬ装置１の薄膜（正孔注入輸送層５、発光層６、電子注入輸送層７、陰極８、補助配線８ａ）を形成するための成膜用マスク部材に本発明を適用したが、液晶装置その他の電気光学装置や半導体装置の製造工程において、ストライプ状の薄膜を形成する成膜用マスク部材に本発明を適用してもよい。
【００５８】
さらにまた、上記形態においては、チップ２０を単結晶シリコンによって形成したが、チップ２０を、フッ素系のガスもしくは撥水剤に対してある程度の耐性を有する金属で形成した場合でも本発明を適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】本発明が適用される有機ＥＬ装置の要部断面図である。
【図２】本発明を適用した成膜用マスク部材を用いて成膜を行う成膜装置の構成を示す概略構成図である。
【図３】本発明を適用した成膜用マスク部材全体の基本的構成を示す斜視図である。
【図４】本発明を適用した成膜用マスク部材の一部を拡大してチップの基本的構成を示す説明図である。
【図５】本発明を適用した成膜用マスク部材を用いた成膜方法を示す工程図である。
【図６】本発明を適用した成膜用マスク部材を用いた別の成膜方法を示す工程図である。
【図７】本発明を適用した成膜用マスク部材に撥水処理を行うためのプラズマ処理装置の構成を模式的に示す説明図である。
【図８】本発明を適用した成膜装置の概略平面図である。
【図９】（ａ）、（ｂ）は各々、本発明を適用した別の成膜装置の構成を模式的に示す平面図および断面図である。
【図１０】従来の成膜用マスク部材で成膜したときの問題点を示す説明図である。
【図１１】従来の成膜用マスク部材で成膜したときの別の問題点を示す説明図である。
【符号の説明】
【００６０】
１・・有機ＥＬ装置、２・・素子基板、３・・画素、３ａ・・有機ＥＬ素子、４・・画素電極、５・・正孔注入輸送層、６、６Ｒ、６Ｇ、６Ｂ・・発光層、７・・電子注入輸送層、８・・陰極、８ａ・・補助配線、１０・・成膜用マスク部材、２０・・チップ、２０ａ・・基板接触面、３０・・支持基板、２００・・被処理基板、５００・・プラズマ処理装置（撥水処理装置）、６００、９００・・成膜装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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