(57)【要約】【課題】ヘッド素子の損傷を回避することができるヘッドスライダおよび記憶媒体駆動装置を提供する。【解決手段】非磁性膜３２にはヘッド素子３３が埋め込まれる。ヘッド素子３３はレール３８の頂上面で前端を露出させる。こうしたヘッドスライダ２２ではいわゆるゼロキャリブレーションが実施される。ヒーター７３の働きでレールの頂上面でヘッド素子３３は隆起する。レール３８の頂上面には保護膜５１が被さる。保護膜５１の表面から突起４９が突き出る。ヘッド素子３３の隆起時に突起４９は保護膜５１の頂上面よりも記憶媒体１４に近づく。突起４９および記憶媒体１４の接触時、保護膜５１の頂上面および記憶媒体１４の接触は確実に回避される。ヘッド素子３３の前端で保護膜５１の摩耗は回避される。ヘッド素子３３の損傷は確実に阻止される。【選択図】図９
2008198307.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スライダ本体と、スライダ本体の空気流出側端面に積層される絶縁性の非磁性膜と、媒体対向面に形成されてスライダ本体から非磁性膜まで延びるレールと、非磁性膜に埋め込まれ、レールの頂上面で前端を露出させるヘッド素子と、ヘッド素子に関連付けられて非磁性膜に埋め込まれ、レールの頂上面でヘッド素子を隆起させるヒーターと、レールの頂上面に被さる保護膜と、保護膜の表面から突き出し、ヘッド素子の隆起時に保護膜の頂上面よりも記憶媒体に近づく突起とを備えることを特徴とするヘッドスライダ。
【請求項２】
請求項１に記載のヘッドスライダにおいて、１対の前記突起は前記スライダ本体の空気流出側端面に平行に所定の間隔で配置されることを特徴とするヘッドスライダ。
【請求項３】
請求項２に記載のヘッドスライダにおいて、前記突起は、前記ヘッド素子に含まれる書き込みヘッド素子の両側に配置されることを特徴とするヘッドスライダ。
【請求項４】
請求項２に記載のヘッドスライダにおいて、前記ヒーターは前記ヘッド素子の両側に配置されることを特徴とするヘッドスライダ。
【請求項５】
請求項１に記載のヘッドスライダにおいて、前記突起は、前記ヘッド素子の隆起時に規定される頂点の両側に配置されることを特徴とするヘッドスライダ。
【請求項６】
スライダ本体と、スライダ本体の空気流出側端面に積層される絶縁性の非磁性膜と、媒体対向面に形成されてスライダ本体から非磁性膜まで延びるレールと、非磁性膜に埋め込まれ、レールの頂上面で前端を露出させるヘッド素子と、ヘッド素子に関連付けられて非磁性膜に埋め込まれ、レールの頂上面でヘッド素子を隆起させるヒーターと、レールの頂上面に被さる保護膜と、保護膜の表面から突き出し、ヘッド素子の隆起時に保護膜の頂上面よりも記憶媒体に近づく突起とを備えることを特徴とする記憶媒体駆動装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えばハードディスク駆動装置（ＨＤＤ）といった記憶媒体駆動装置に組み込まれるヘッドスライダに関し、特に、ヘッド素子に関連付けられて非磁性膜に埋め込まれるヒーターを備えるヘッドスライダに関する。
【背景技術】
【０００２】
ヘッドスライダでは例えばＡｌ２Ｏ３−ＴｉＣ（アルチック）製のスライダ本体にＡｌ２Ｏ３（アルミナ）製の非磁性膜が積層される。非磁性膜にはヘッド素子およびヒーターが埋め込まれる。非磁性膜の表面には例えばダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）製の保護膜が形成される。保護膜はヘッド素子に覆い被さる。
【０００３】
ヒーターはヘッド素子内の薄膜コイルパターンを加熱する。薄膜コイルパターンの線膨張に基づきヘッド素子の読み出しギャップや書き込みギャップは磁気ディスクに接近することができる。こうしてヘッド素子の浮上量は薄膜コイルパターンの突き出し量に基づき設定される。
【０００４】
突き出し量の設定にあたっていわゆるゼロキャリブレーションは実施される。ゼロキャリブレーションでは徐々に薄膜コイルパターンの突き出し量は増やされる。保護膜が磁気ディスクに接触する際に薄膜コイルパターンの突き出し量は特定される。この突き出し量に基づき読み出し時や書き込み時の突き出し量は決定される。
【特許文献１】特開２００３−２０３３２１号公報
【特許文献２】特表２００２−５００７９８号公報
【特許文献３】特開２００２−１１７５０９号公報
【特許文献４】特開平５−２０６３５号公報
【特許文献５】米国特許出願公開第２００５／００５７８４１号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ゼロキャリブレーションでは保護膜と磁気ディスクとが接触する。接触が繰り返されるにつれて保護膜は摩耗していく。摩耗に基づき保護膜の膜厚は減少する。その結果、保護膜はヘッド素子を十分に保護することができない。例えば温度や湿度が高い環境下ではヘッド素子は腐食してしまう。ヘッド素子の特性は劣化してしまう。
【０００６】
本発明は、上記実状に鑑みてなされたもので、ヘッド素子の損傷を回避することができるヘッドスライダおよび記憶媒体駆動装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明によれば、スライダ本体と、スライダ本体の空気流出側端面に積層される絶縁性の非磁性膜と、媒体対向面に形成されてスライダ本体から非磁性膜まで延びるレールと、非磁性膜に埋め込まれ、レールの頂上面で前端を露出させるヘッド素子と、ヘッド素子に関連付けられて非磁性膜に埋め込まれ、レールの頂上面でヘッド素子を隆起させるヒーターと、レールの頂上面に被さる保護膜と、保護膜の表面から突き出し、ヘッド素子の隆起時に保護膜の頂上面よりも記憶媒体に近づく突起とを備えることを特徴とするヘッドスライダが提供される。
【０００８】
こうしたヘッドスライダではいわゆるゼロキャリブレーションが実施される。ヒーターの働きでレールの頂上面でヘッド素子は隆起する。レールの頂上面には保護膜が被さる。保護膜の表面から突起が突き出る。ヘッド素子の隆起時に突起は保護膜の頂上面よりも記憶媒体に近づく。突起および記憶媒体の接触時、保護膜の頂上面および記憶媒体の接触は確実に回避される。ヘッド素子の前端で保護膜の摩耗は回避される。ヘッド素子の損傷は確実に阻止される。
【０００９】
こういったヘッドスライダでは、保護膜の表面には１対の突起が区画されればよい。突起はスライダ本体の空気流出側端面に平行に所定の間隔で配置されればよい。こうした１対の突起は記憶媒体に安定して接触することができる。このとき、突起は、ヘッド素子に含まれる書き込みヘッド素子の両側に配置されればよい。突起は、ヘッド素子の隆起時に規定される頂点の両側に配置されればよい。
【００１０】
ヒーターはヘッド素子の両側に配置されればよい。非磁性膜には、第１線膨張係数の第１領域と、ヘッド素子の両側に区画され、第１線膨張係数よりも大きい第２線膨張係数の第２領域とが区画されればよい。こうしたヒーターや第２領域の働きでヘッド素子の隆起の幅は増大する。保護パッド同士の間隔は増大する。保護パッドは安定して記憶媒体に接触することができる。こういったヘッドスライダは例えば記憶媒体駆動装置に組み込まれる。
【発明の効果】
【００１１】
以上のように本発明によれば、ヘッド素子の損傷を回避することができるヘッドスライダおよび記憶媒体駆動装置が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、添付図面を参照しつつ本発明の一実施形態を説明する。
【００１３】
図１は本発明に係る記憶媒体駆動装置の一具体例すなわちハードディスク駆動装置（ＨＤＤ）１１の内部構造を概略的に示す。このハードディスク駆動装置１１は筐体すなわちハウジング１２を備える。ハウジング１２は箱形のベース１３およびカバー（図示されず）から構成される。ベース１３は例えば平たい直方体の内部空間すなわち収容空間を区画する。ベース１３は例えばアルミニウムといった金属材料から鋳造に基づき成形されればよい。カバーはベース１３の開口に結合される。カバーとベース１３との間で収容空間は密閉される。カバーは例えばプレス加工に基づき１枚の板材から成形されればよい。
【００１４】
収容空間には、記憶媒体としての１枚以上の磁気ディスク１４が収容される。磁気ディスク１４はスピンドルモータ１５の回転軸に装着される。スピンドルモータ１５は例えば５４００ｒｐｍや７２００ｒｐｍ、１００００ｒｐｍ、１５０００ｒｐｍといった高速度で磁気ディスク１４を回転させることができる。磁気ディスク１４は垂直磁気記憶媒体を構成する。
【００１５】
収容空間にはキャリッジ１６がさらに収容される。キャリッジ１６はキャリッジブロック１７を備える。キャリッジブロック１７は、垂直方向に延びる支軸１８に回転自在に連結される。キャリッジブロック１７には、支軸１８から水平方向に延びる複数のキャリッジアーム１９が区画される。キャリッジブロック１７は例えば押し出し成型に基づきアルミニウムから成型されればよい。
【００１６】
個々のキャリッジアーム１９の先端にはヘッドサスペンション２１が取り付けられる。ヘッドサスペンション２１はキャリッジアーム１９の先端から前方に延びる。ヘッドサスペンション２１の先端にはフレキシャが張り合わせられる。フレキシャにはいわゆるジンバルばねが区画される。こうしたジンバルばねの働きで浮上ヘッドスライダ２２はヘッドサスペンション２１に対してその姿勢を変化させることができる。後述されるように、浮上ヘッドスライダ２２にはヘッド素子すなわち電磁変換素子が搭載される。
【００１７】
磁気ディスク１４の回転に基づき磁気ディスク１４の表面で気流が生成されると、気流の働きで浮上ヘッドスライダ２２には正圧すなわち浮力および負圧が作用する。浮力および負圧とヘッドサスペンション２１の押し付け力とが釣り合うことで磁気ディスク１４の回転中に比較的に高い剛性で浮上ヘッドスライダ２２は浮上し続けることができる。
【００１８】
こういった浮上ヘッドスライダ２２の浮上中にキャリッジ１６が支軸１８回りで回転すると、浮上ヘッドスライダ２２は磁気ディスク１４の半径線に沿って移動することができる。その結果、浮上ヘッドスライダ２２上の電磁変換素子は最内周記録トラックと最外周記録トラックとの間でデータゾーンを横切ることができる。こうして浮上ヘッドスライダ２２上の電磁変換素子は目標の記録トラック上に位置決めされる。
【００１９】
キャリッジブロック１７には例えばボイスコイルモータ（ＶＣＭ）２３といった動力源が接続される。このＶＣＭ２３の働きでキャリッジブロック１７は支軸１８回りで回転することができる。こうしたキャリッジブロック１７の回転に基づきキャリッジアーム１９およびヘッドサスペンション２１の揺動は実現される。
【００２０】
図１から明らかなように、キャリッジブロック１７上には、フレキシブルプリント基板ユニット２５が配置される。フレキシブルプリント基板ユニット２５は、フレキシブルプリント基板２６に実装されるヘッドＩＣ（集積回路）２７を備える。ヘッドＩＣ２７は電磁変換素子の読み出しヘッド素子および書き込みヘッド素子に接続される。接続にあたってフレキシブルプリント基板２８が用いられる。フレキシブルプリント基板２８は個々のフレキシャから連続する。フレキシブルプリント基板２８はフレキシブルプリント基板ユニット２５に接続される。
【００２１】
磁気情報の読み出し時には、このヘッドＩＣ２７から電磁変換素子の読み出しヘッド素子に向けてセンス電流が供給される。読み出しヘッド素子には例えばＣＰＰ構造読み取り素子が用いられる。同様に、磁気情報の書き込み時には、ヘッドＩＣ２７から電磁変換素子の書き込みヘッド素子に向けて書き込み電流が供給される。書き込みヘッド素子には例えば単磁極ヘッド素子が用いられる。センス電流の電流値は特定の値に設定される。ヘッドＩＣ２７には、収容空間内に配置される小型の回路基板２９や、ベース１３の底板の裏側に取り付けられるプリント回路基板（図示されず）から電流が供給される。
【００２２】
図２は一具体例に係る浮上ヘッドスライダ２２を示す。この浮上ヘッドスライダ２２は、例えば平たい直方体に形成されるスライダ本体３１を備える。スライダ本体３１の空気流出端面には非磁性膜すなわち素子内蔵膜３２が積層される。この素子内蔵膜３２に前述の電磁変換素子３３が組み込まれる。電磁変換素子３３の詳細は後述される。スライダ本体３１は例えばＡｌ２Ｏ３−ＴｉＣ（アルチック）といった硬質の非磁性材料から形成されればよい。素子内蔵膜３２は例えばＡｌ２Ｏ３（アルミナ）といった比較的に軟質の絶縁非磁性材料から形成されればよい。
【００２３】
浮上ヘッドスライダ２２は媒体対向面すなわち浮上面３４で磁気ディスク１４に向き合う。浮上面３４には平坦なベース面３５すなわち基準面が規定される。磁気ディスク１４が回転すると、スライダ本体３１の前端から後端に向かって浮上面３４には気流３６が作用する。
【００２４】
浮上面３４には、前述の気流３６の上流側すなわち空気流入側でベース面３５から立ち上がる１筋のフロントレール３７が形成される。フロントレール３７はベース面３５の空気流入端に沿ってスライダ幅方向に延びる。同様に、浮上面３４には、気流の下流側すなわち空気流出側でベース面３５から立ち上がるリアレール３８が形成される。リアレール３８はスライダ幅方向の中央位置に配置される。リアレール３８はスライダ本体３１から素子内蔵膜３２まで延びる。
【００２５】
浮上面３４には、空気流出側でベース面３５から立ち上がる左右１対の補助リアレール３９、３９がさらに形成される。補助リアレール３９、３９はベース面３５の左右の縁に沿ってそれぞれ配置される。その結果、補助リアレール３９、３９同士はスライダ幅方向に間隔を空けて配置される。補助リアレール３９、３９同士の間にリアレール３８は配置される。
【００２６】
フロントレール３７、リアレール３８および補助リアレール３９、３９の頂上面にはいわゆる空気軸受け面（ＡＢＳ）４１、４２、４３が規定される。空気軸受け面４１、４２、４３の空気流入端は段差４４、４５、４６でレール３７、３８、３９の頂上面に接続される。磁気ディスク１４の回転に基づき生成される気流３６は浮上面３４に受け止められる。このとき、段差４４、４５、４６の働きで空気軸受け面４１、４２、４３には比較的に大きな正圧すなわち浮力が生成される。しかも、フロントレール３７の後方すなわち背後には大きな負圧が生成される。これら浮力および負圧のバランスに基づき浮上ヘッドスライダ２２の浮上姿勢は確立される。なお、浮上ヘッドスライダ２２の形態はこういった形態に限られるものではない。
【００２７】
空気軸受け面４１、４２、４３には例えば保護膜（図示されず）が積層される。空気軸受け面４２の空気流出側でリアレール３８の頂上面は保護膜で覆われる。図３に示されるように、電磁変換素子３３はスライダ幅方向に延びる。電磁変換素子３３はリアレール３８の頂上面でＣＰＰ構造読み取り素子４７の前端や単磁極ヘッド素子４８の前端を露出させる。保護膜にはその表面から立ち上がる１対の突起すなわち保護パッド４９、４９が形成される。保護パッド４９はスライダ幅方向に電磁変換素子３３の左右両側に配置される。すなわち、保護パッド４９は、スライダ本体３１の空気流出側端面に平行に所定の間隔で配置される。図４を併せて参照し、保護膜５１はＣＰＰ構造読み取り素子４７の前端や単磁極ヘッド素子４８の前端に被さる。保護パッド４９は、スライダ幅方向に例えば単磁極ヘッド素子４８の両側に配置される。保護膜５１や保護パッド４９には例えばＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）が用いられればよい。
【００２８】
図５は電磁変換素子３３の様子を詳細に示す。ＣＰＰ構造読み取り素子４７は、周知の通り、磁気ディスク１４から作用する磁界に応じて変化する抵抗に基づき２値情報を検出することができる。単磁極ヘッド素子４８は、周知の通り、例えば後述の薄膜コイルパターンで生起される磁界を利用して磁気ディスク１４に２値情報を書き込むことができる。ＣＰＰ構造読み取り素子４７および薄膜磁気ヘッド素子４８はＡｌ２Ｏ３膜５７とＡｌ２Ｏ３膜５８との間に挟み込まれる。Ａｌ２Ｏ３膜５７は前述の素子内蔵膜３２の上側半層すなわちオーバーコート膜を構成する。Ａｌ２Ｏ３膜５８は素子内蔵膜３２の下側半層すなわちアンダーコート膜を構成する。
【００２９】
ＣＰＰ構造読み取り素子４７は例えばスピンバルブ膜やトンネル接合膜といった磁気抵抗効果膜５９を備える。磁気抵抗効果膜５９は上側電極６１および下側電極６２に挟み込まれる。上側電極６１および下側電極６２は、スライダ本体３１の表面で露出する前端で磁気抵抗効果膜５９の上側境界面および下側境界面にそれぞれ接触する。上側電極６１および下側電極６２の働きで磁気抵抗効果膜５９にセンス電流は供給される。上側電極６１および下側電極６２は導電性を備えるだけでなく同時に軟磁性を備えてもよい。上側電極６１および下側電極６２が例えばパーマロイ（ＮｉＦｅ合金）といった導電性の軟磁性体で構成されると、上側電極６１および下側電極６２は同時にＣＰＰ構造読み取り素子４７の上部および下部シールド層として機能することができる。こうして上側電極６１および下側電極６２は読み出しギャップを規定する。
【００３０】
単磁極ヘッド素子４８は、空気軸受け面４２で露出する主磁極６４および補助磁極６５を備える。主磁極６４および補助磁極６５は例えばパーマロイといった導電性の軟磁性体から構成されればよい。主磁極６４および補助磁極６５は協働して単磁極ヘッド素子４８の磁性コアを構成する。主磁極６４および補助磁極６５の間には例えばＡｌ２Ｏ３製の非磁性ギャップ層６６が挟み込まれる。後述の薄膜コイルパターンで磁界が生起されると、非磁性ギャップ層６６の働きで、主磁極６４から補助磁極６５に向かって磁束が漏れ出る。漏れ出る磁束がギャップ磁界すなわち記録磁界を形成する。こうして主磁極６４および補助磁極６５は書き込みギャップを規定する。
【００３１】
図６を併せて参照し、主磁極６４は、上側電極６１上で任意の基準平面６７に沿って広がる。この基準平面６７はＡｌ２Ｏ３製の非磁性層６８の表面で規定される。非磁性層６８は上側電極６１上に均一な厚みで積層形成されればよい。非磁性層６８は上側電極６１と主磁極６４との間で磁気的な結合を断ち切る。
【００３２】
非磁性ギャップ層６６上には薄膜コイルパターン７１が配置される。薄膜コイルパターン７１は１平面に沿って渦巻き状に広がる。薄膜コイルパターン７１は非磁性ギャップ層６６上で絶縁層７２に埋め込まれる。絶縁層７２の表面に前述の補助磁極６５が形成される。補助磁極６５は薄膜コイルパターン７１の中心位置で主磁極６４に磁気的に連結される。薄膜コイルパターン７１に電流が供給されると、主磁極６４および補助磁極６５に磁束が流通する。
【００３３】
素子内蔵膜３２には電磁変換素子３３に関連づけられてヒーターが組み込まれる。このヒーターは、例えば絶縁層７２に埋め込まれる電熱線７３で構成される。電熱線７３は１平面に沿って広がる。図７に示されるように、電熱線７３は薄膜コイルパターン７１の中心位置を迂回しつつ延びる。薄膜コイルパターン７１は比較的に大きな線膨張係数を有することから、電熱線７３に電力が供給されると、電熱線７３の熱に基づき薄膜コイルパターン７１は膨張する。その結果、図８に示されるように、リアレール３８の頂上面で薄膜コイルパターン７１すなわち単磁極ヘッド素子４８は素子内蔵膜３２の表面で隆起する。いわゆる突き出し７４が形成される。こうしてＣＰＰ構造読み取り素子４７および単磁極ヘッド素子４８は磁気ディスク１４に向かって変位する。例えば単磁極ヘッド素子４８の突き出し量に応じて単磁極ヘッド素子４８の浮上量は決定される。このとき、図９に示されるように、保護パッド４９、４９は突き出し７４の頂点の両側に配置される。突き出し７４の頂点は保護膜５１の頂上面に規定される。保護パッド４９は保護膜５１の頂上面よりも必ず磁気ディスク１４に近づく。
【００３４】
図１０に示されるように、ヘッドＩＣ２７にはプリアンプ回路８１、電流供給回路８２および電力供給回路８３が組み込まれる。プリアンプ回路８１はＣＰＰ構造読み取り素子４７に接続される。プリアンプ回路８１からＣＰＰ構造読み取り素子４７に向かってセンス電流は供給される。センス電流の電流値は一定値に維持される。
【００３５】
電流供給回路８２は単磁極ヘッド素子４８に接続される。電流供給回路８２から単磁極ヘッド素子４８に書き込み電流は供給される。供給された書き込み電流に基づき単磁極ヘッド素子４８で磁界が生成される。
【００３６】
電熱線７３には電力供給回路８３が接続される。電力供給回路８３は電熱線７３に所定の電力を供給する。電力の供給に応じて電熱線７３は発熱する。電熱線７３の温度は電力量で決定される。すなわち、電力量に基づき突き出し７４の突き出し量は制御されることができる。
【００３７】
ヘッドＩＣ２７には制御回路（ハードディスクコントローラ）８４が接続される。制御回路８４はヘッドＩＣ２７に対してセンス電流や書き込み電流、電力の供給を指示する。同時に、制御回路８４はセンス電流の電圧を検知する。検知に先立ってプリアンプ回路８１はセンス電流の電圧を増幅する。
【００３８】
制御回路８４はプリアンプ回路８１の出力に基づき２値情報を判別する。同時に、制御回路８４はプリアンプ回路８１の出力に基づき電圧値の「揺れ」を検知する。例えば突き出し７４の形成に応じて保護パッド４９が磁気ディスク１４に接触すると、浮上ヘッドスライダ２２は微小な振動に曝される。このとき、センス電流の電圧値には「揺れ」が生じる。こういった「揺れ」が制御回路８４で検出される。
【００３９】
この制御回路８４は所定のソフトウェアプログラムに従ってプリアンプ回路８１、電流供給回路８２および電力供給回路８３の動作を制御する。ソフトウェアプログラムは例えばメモリ８５に格納されればよい。こういったソフトウェアプログラムに基づき後述のゼロキャリブレーションは実施される。実施にあたって必要なデータは同様にメモリ８５に格納されればよい。メモリ８５には他の記憶媒体からソフトウェアプログラムやデータが移行されればよい。制御回路８４やメモリ８５は例えば回路基板２９上に実装されればよい。
【００４０】
このハードディスク駆動装置１１では磁気情報の読み出しや書き込みに先立って単磁極ヘッド素子４８の突き出し量が設定される。この突き出し量の設定にあたっていわゆるゼロキャリブレーションが実施される。ゼロキャリブレーションでは、保護パッド４９が磁気ディスク１４に接触する際に突き出し７４の突き出し量が測定される。こうした接触時の突き出し量に基づき読み出し時や書き込み時の突き出し７４の突き出し量は設定される。こうして読み出し時や書き込み時に突き出し７４の突き出し量が設定されると、電磁変換素子すなわち単磁極ヘッド素子４８は予め決められた浮上量で磁気ディスク１４の表面から浮上することができる。こういったゼロキャリブレーションは例えばハードディスク駆動装置１１の起動のたびに実施されればよい。
【００４１】
ゼロキャリブレーションの実施にあたって制御回路８４は所定のソフトウェアプログラムを実行する。ソフトウェアプログラムが実行されると、制御回路８４はハードディスク駆動装置１１の初期設定を実施する。この初期設定で制御回路８４はスピンドルモータ１５に駆動を命じる。磁気ディスク１４は所定の回転速度で回転する。同時に、制御回路８４はＶＣＭ２３に駆動を命じる。キャリッジ１６は支軸１８回りで揺動する。その結果、浮上ヘッドスライダ２２は磁気ディスク１４の表面に向き合わせられる。浮上ヘッドスライダ２２は所定の浮上高さで磁気ディスク１４から浮上する。加えて、制御回路８４はヘッドＩＣ２７に電流を供給する。制御回路８４はプリアンプ回路８１の出力を監視する。すなわち、制御回路８４はセンス電流の電圧値を観察する。このとき、電力供給回路８３は電力の供給を保留する。
【００４２】
初期設定が完了すると、制御回路８４は電力供給回路８３に指令信号を供給する。制御回路８４は規定の増加量で突き出し７４の突き出し量を増加させる。指令信号の受信に応じて電力供給回路８３は増加後の突き出し量に見合った電力量の電力を電熱線７３に供給する。増加量は例えば０．１ｎｍに設定されればよい。電力量は例えば単磁極ヘッド素子４８の線膨張係数に基づき予め設定されればよい。こうして突き出し７４の突き出し量が増加すると、制御回路８４は保護パッド４９および磁気ディスク１４の「接触」を判定する。判定にあたって制御回路８４はセンス電流の電圧値に出現する前述の「揺れ」の有無を観察する。
【００４３】
こうして「揺れ」が観察されるまで、制御回路８４は規定の増加量で突き出し７４の突き出し量を増加させる。突き出し７４の突き出しに基づき保護パッド４９は突き出し７４の頂点よりも常に磁気ディスク１４に近づく。その結果、図１１に示されるように、保護パッド４９は磁気ディスク１４に接触する。図１２を併せて参照し、保護パッド４９、４９同士の間で突き出し７４すなわち保護膜５１の頂上面および磁気ディスク１４の接触は回避される。こうして「揺れ」が観察される。制御回路８４は保護パッド４９および磁気ディスク１４の間で接触を判断する。制御回路８４は突き出し７４の突き出し量を特定する。こうして接触時の突き出し量は特定される。特定された突き出し量は例えばメモリ８５に保存される。ただし、接触時に保護パッド４９の先端と突き出し７４の頂上との間には所定の距離が特定される。こうした距離は単磁極ヘッド素子４８の浮上量の設定にあたって参照される。距離は例えばシミュレーションに基づき予め算出されればよい。こうしてゼロキャリブレーションは完了する。
【００４４】
以上のようなハードディスク駆動装置１１では、突き出し７４の突き出し量の設定にあたって保護パッド４９が磁気ディスク１４に接触する。保護パッド４９、４９同士の間で保護膜５１の頂上面および磁気ディスク１４の接触は回避される。突き出し７４の頂上で保護膜５１の摩耗は確実に阻止される。保護膜５１は電磁変換素子３３を十分に保護することができる。電磁変換素子３３の腐食は確実に回避される。
【００４５】
図１３に示されるように、浮上ヘッドスライダ２２では電熱線７３の幅が増大してもよい。電熱線７３は、蛇行しつつ延びる蛇行領域７３ａを区画する。蛇行領域７３は薄膜コイルパターン７１すなわち単磁極ヘッド素子４８の両側に配置される。蛇行領域７３ａの蛇行に基づき電熱線７３には薄膜コイルパターン７１の両側で十分な長さが確保される。こうした電熱線７３によれば、図１４に示されるように、突き出し７４は電磁変換素子３３の幅方向に広がる。その結果、保護パッド４９同士の間隔は増大する。保護パッド４９は磁気ディスク１４に安定して接触することができる。
【００４６】
このとき、図１５に示されるように、例えば非磁性層６８には、第１領域６８ａおよび第２領域６８ｂが区画される。第２領域６８ｂの線膨張係数は第１領域６８ａの線膨張係数の大きい。第２領域６８ｂは、例えば電熱線７３の蛇行領域７３ａに対応する位置に区画されればよい。すなわち、第２領域６８ｂは電磁変換素子３３の両側に配置される。第２領域６８ｂには例えばＣｕといった非磁性材料が用いられればよい。第２領域６８ｂの働きで突き出し７４の幅方向の広がりは促進される。前述と同様に、保護パッド４９同士の間隔の増大に基づき保護パッド４９は磁気ディスク１４に安定して接触することができる。
【００４７】
以上のような浮上ヘッドスライダ２２では、保護パッド４９、４９は必ずしもスライダ本体３１の空気流出側端面に平行に配置されなくてもよい。例えば一方の保護パッド４９が空気流入側に偏倚して配置されるとともに、他方の保護パッド４９が空気流出側に偏倚して配置されてもよい。その他、保護パッド４９は、例えば突き出し７４の周囲を途切れなく取り囲む突壁で構成されてもよい。このとき、突壁には切れ込みが形成されてもよい。なお、保護パッド４９の形状はこういった形状に限られるものではない。保護パッド４９の形状は適宜変更されることができる。
【００４８】
（付記１）  スライダ本体と、スライダ本体の空気流出側端面に積層される絶縁性の非磁性膜と、媒体対向面に形成されてスライダ本体から非磁性膜まで延びるレールと、非磁性膜に埋め込まれ、レールの頂上面で前端を露出させるヘッド素子と、ヘッド素子に関連付けられて非磁性膜に埋め込まれ、レールの頂上面でヘッド素子を隆起させるヒーターと、レールの頂上面に被さる保護膜と、保護膜の表面から突き出し、ヘッド素子の隆起時に保護膜の頂上面よりも記憶媒体に近づく突起とを備えることを特徴とするヘッドスライダ。
【００４９】
（付記２）  付記１に記載のヘッドスライダにおいて、１対の前記突起は前記スライダ本体の空気流出側端面に平行に所定の間隔で配置されることを特徴とするヘッドスライダ。
【００５０】
（付記３）  付記２に記載のヘッドスライダにおいて、前記突起は、前記ヘッド素子に含まれる書き込みヘッド素子の両側に配置されることを特徴とするヘッドスライダ。
【００５１】
（付記４）  付記２に記載のヘッドスライダにおいて、前記ヒーターは前記ヘッド素子の両側に配置されることを特徴とするヘッドスライダ。
【００５２】
（付記５）  付記２に記載のヘッドスライダにおいて、前記非磁性膜には、第１線膨張係数の第１領域と、前記ヘッド素子の両側に区画され、第１線膨張係数よりも大きい第２線膨張係数の第２領域とが区画されることを特徴とするヘッドスライダ。
【００５３】
（付記６）  付記１に記載のヘッドスライダにおいて、前記突起は、前記ヘッド素子の隆起時に規定される頂点の両側に配置されることを特徴とするヘッドスライダ。
【００５４】
（付記７）  スライダ本体と、スライダ本体の空気流出側端面に積層される絶縁性の非磁性膜と、媒体対向面に形成されてスライダ本体から非磁性膜まで延びるレールと、非磁性膜に埋め込まれ、レールの頂上面で前端を露出させるヘッド素子と、ヘッド素子に関連付けられて非磁性膜に埋め込まれ、レールの頂上面でヘッド素子を隆起させるヒーターと、レールの頂上面に被さる保護膜と、保護膜の表面から突き出し、ヘッド素子の隆起時に保護膜の頂上面よりも記憶媒体に近づく突起とを備えることを特徴とする記憶媒体駆動装置。
【００５５】
（付記８）  付記７に記載の記憶媒体駆動装置において、１対の前記突起は前記スライダ本体の空気流出側端面に平行に所定の間隔で配置されることを特徴とする記憶媒体駆動装置。
【００５６】
（付記９）  付記８に記載の記憶媒体駆動装置において、前記突起は、前記ヘッド素子に含まれる書き込みヘッド素子の両側に配置されることを特徴とする記憶媒体駆動装置。
【００５７】
（付記１０）  付記８に記載の記憶媒体駆動装置において、前記ヒーターは前記ヘッド素子の両側に配置されることを特徴とする記憶媒体駆動装置。
【００５８】
（付記１１）  付記８に記載の記憶媒体駆動装置において、前記非磁性膜には、第１線膨張係数の第１領域と、前記ヘッド素子の両側に区画され、第１線膨張係数よりも大きい第２線膨張係数の第２領域とが区画されることを特徴とする記憶媒体駆動装置。
【００５９】
（付記１２）  付記７に記載の記憶媒体駆動装置において、前記突起は、前記ヘッド素子の隆起時に規定される頂点の両側に配置されることを特徴とする記憶媒体駆動装置。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】本発明に係る記憶媒体駆動装置の一具体例すなわちハードディスク駆動装置の内部構造を概略的に示す平面図である。
【図２】記憶媒体駆動装置に組み込まれる浮上ヘッドスライダの構造を概略的に示す斜視図である。
【図３】リアレールの構造を概略的に示す部分拡大斜視図である。
【図４】リアレールの構造を概略的に示す部分拡大断面図である。
【図５】浮上ヘッドスライダに搭載される電磁変換素子の構造を概略的に示す正面図である。
【図６】図５の６−６線に沿った拡大断面図である。
【図７】図６の７−７線に沿った拡大断面図である。
【図８】浮上ヘッドスライダに形成される「突き出し」を概略的に示すリアレールの断面図である。
【図９】浮上ヘッドスライダに形成される「突き出し」を概略的に示すリアレールの背面図である。
【図１０】浮上ヘッドスライダに搭載される電磁変換素子および電熱線に関連してハードディスク駆動装置の制御系を示すブロック図である。
【図１１】突起が磁気ディスクに接触する様子を概略的に示す断面図である。
【図１２】突起が磁気ディスクに接触する様子を概略的に示す背面図である。
【図１３】他の具体例に係る電熱線の構造を概略的に示す拡大断面図である。
【図１４】突起が磁気ディスクに接触する様子を概略的に示す背面図である。
【図１５】非磁性膜の第１領域および第２領域を概略的に示す断面図である。
【符号の説明】
【００６１】
１１  記憶媒体駆動装置（ハードディスク駆動装置）、１４  記憶媒体（磁気ディスク）、２２  ヘッドスライダ（浮上ヘッドスライダ）、３１  スライダ本体、３２  非磁性膜（素子内蔵膜）、３３  ヘッド素子（電磁変換素子）、３８  レール（リアレール）、４８  書き込みヘッド素子（単磁極ヘッド素子）、４９  突起（保護パッド）、５１  保護膜、６８ａ  第１領域、６８ｂ  第２領域、７３  ヒーター（電熱線）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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