(57)【要約】【課題】本発明は、ＬＥＤヘッド用に適した大きさと、なめらかな曲面構造とを有するマイクロレンズアレイを形成可能なインプリント用テンプレートを主目的とするものである。【解決手段】本発明は、発光ダイオードのヘッド部に設けられ、光の取出し効率を向上させるマイクロレンズアレイを形成するために用いられるインプリント用テンプレートであって、基材と、上記基材表面上に形成され、すべて曲面から構成された凹部と、を有し、上記凹部の直径が、３００ｎｍ〜３μｍの範囲内であることを特徴とするインプリント用テンプレートを提供することにより、上記課題を解決する。【選択図】図１
2008227135.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光ダイオードのヘッド部に設けられ、光の取出し効率を向上させるマイクロレンズアレイを形成するために用いられるインプリント用テンプレートであって、
基材と、前記基材表面上に形成され、すべて曲面から構成された凹部と、を有し、
前記凹部の直径が、３００ｎｍ〜３μｍの範囲内であることを特徴とするインプリント用テンプレート。
【請求項２】
発光ダイオードのヘッド部に設けられ、光の取出し効率を向上させるマイクロレンズアレイを形成するために用いられるインプリント用テンプレートの製造方法であって、
基材表面に、エッチング液に対して耐性を有し、かつ膜厚が５ｎｍ〜８０ｎｍの範囲内であるマスク層を形成するマスク層形成工程と、
電子線描画法により、前記マスク層に開口部を形成する開口部形成工程と、
前記開口部を介して、前記エッチング液を用いて前記基材をエッチングするウェットエッチング工程と、
前記ウェットエッチング工程後に、前記マスク層を除去するマスク層除去工程と、
を有することを特徴とするインプリント用テンプレートの製造方法。
【請求項３】
前記開口部の直径が、６０ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲内であることを特徴とする請求項２に記載のインプリント用テンプレートの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光ダイオード（ＬＥＤ）のヘッド部に設けられ光の取出し効率を向上させるマイクロレンズアレイを形成するために用いられるインプリント用テンプレートに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般的なレンズの製造方法として、切削手法を用いてレンズ曲面を形成する方法、およびフォトリソグラフィを用いて多段エッチングを行う方法等が知られている。前者の方法は、通常、機械切削によりレンズを形成するため、レンズの微小化を図ることが困難であり、レンズの直径を例えば１ｍｍ程度とすることが限界であった。また、後者の方法は、マイクロレンズの製造方法として利用可能であるが、従来のエッチング手法（例えば特許文献１）では、なめらかな曲面構造を得ることができないといった問題があった。すなわち、多段エッチングを用いると、バイナリー構造、例えば４段、８段、１６段等で曲面を近似するため、なめらかな曲面構造を有するマイクロレンズを形成することは困難であった。
【０００３】
一方、マイクロレンズを作製する別の方法として、インプリント法が知られている（例えば特許文献２〜５）。インプリント法は、例えば図７に示すように、基材１と、基材１の表面に形成された凹部２と、を有するテンプレート３を用意し（図７（ａ））、そのテンプレート３と、非転写樹脂層１１および非転写基材１２を有する非転写体１３とを密着させ（図７（ｂ））、光または熱を加えることにより、非転写樹脂層１１を硬化させ、その後、テンプレート３を剥離することにより、マイクロレンズ１１´を得る方法である（図７（ｃ））。インプリント法を用いることにより、なめらかな曲面構造を有するマイクロレンズを安価に作製できる。
【０００４】
インプリント法により得られるマイクロレンズの直径は、通常、用いられるテンプレートの凹部の直径により規定される。そのため、直径が小さく、なめらかな曲面構造を有するマイクロレンズを得るためには、用いられるテンプレートの凹部が、同様に直径が小さく、なめらかな曲面構造を有する必要がある。しかしながら、小さな直径を有し、かつ、なめらかな曲面構造を有する凹部を備えたテンプレートを作製するためには、技術的困難を伴うことが多く、従来の方法では、直径５μｍ程度の凹部しか形成することができなかった。
【０００５】
また後述するように、特に発光ダイオードのヘッド部に設けられるマイクロレンズアレイには、光の取出し効率向上の観点から、可視光の波長近辺の大きさの直径を有し、かつ、なめらかな曲面構造を有するマイクロレンズアレイが求められており、そのようなマイクロレンズアレイはこれまで存在しなかった。
【０００６】
【特許文献１】米国特許第５，２１８，４７１号明細書
【特許文献２】特開平５−１５０１０２号公報
【特許文献３】特開平５−１５０１０３号公報
【特許文献４】特開平７−６３９０４号公報
【特許文献５】特開平５−３０３００９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、ＬＥＤヘッド用に適した大きさと、なめらかな曲面構造とを有するマイクロレンズアレイを形成可能なインプリント用テンプレートを主目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明においては、発光ダイオードのヘッド部に設けられ、光の取出し効率を向上させるマイクロレンズアレイを形成するために用いられるインプリント用テンプレートであって、基材と、上記基材表面上に形成され、すべて曲面から構成された凹部と、を有し、上記凹部の直径が、３００ｎｍ〜３μｍの範囲内であることを特徴とするインプリント用テンプレートを提供する。
【０００９】
本発明によれば、特定の範囲内の直径を有し、かつ、なめらかな曲面構造を有する凹部を有することから、本発明のテンプレートを用いて、発光ダイオードのヘッド用のマイクロレンズアレイを作製した場合に、光の取出し効率に優れたマイクロレンズアレイを得ることができる。
【００１０】
また本発明においては、発光ダイオードのヘッド部に設けられ、光の取出し効率を向上させるマイクロレンズアレイを形成するために用いられるインプリント用テンプレートの製造方法であって、基材表面に、エッチング液に対して耐性を有し、かつ膜厚が５ｎｍ〜８０ｎｍの範囲内であるマスク層を形成するマスク層形成工程と、電子線描画法により、上記マスク層に開口部を形成する開口部形成工程と、上記開口部を介して、上記エッチング液を用いて上記基材をエッチングするウェットエッチング工程と、上記ウェットエッチング工程後に、上記マスク層を除去するマスク層除去工程と、有することを特徴とするインプリント用テンプレートの製造方法を提供する。
【００１１】
本発明によれば、特定の膜厚のマスク層を形成し、電子線描画法により微細な開口部を設け、さらに、ウェットエッチングにより等方的にエッチングを行うことにより、直径が小さく、かつ、なめらかな曲面構造を有する凹部を備えたインプリント用テンプレートを得ることができる。
【００１２】
上記発明においては、上記開口部の直径が、６０ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲内であることが好ましい。開口部の直径が上記範囲内であれば、直径がより小さく、よりなめらかな曲面構造を有する凹部を形成することができるからである。
【発明の効果】
【００１３】
本発明においては、ＬＥＤヘッド用として最適なマイクロレンズアレイを容易に形成することが可能なインプリント用テンプレートを提供することができるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明のインプリント用テンプレート（単に「テンプレート」と称する場合がある。）、およびインプリント用テンプレートの製造方法について詳細に説明する。
【００１５】
Ａ．インプリント用テンプレート
まず、本発明のインプリント用テンプレートについて説明する。本発明のインプリント用テンプレートは、発光ダイオードのヘッド部に設けられ、光の取出し効率を向上させるマイクロレンズアレイを形成するために用いられるインプリント用テンプレートであって、基材と、上記基材表面上に形成され、すべて曲面から構成された凹部と、を有し、上記凹部の直径が、３００ｎｍ〜３μｍの範囲内であることを特徴とするものである。
【００１６】
本発明によれば、特定の範囲内の直径を有し、かつ、なめらかな曲面構造を有する凹部を有することから、本発明のテンプレートを用いて、発光ダイオードのヘッド用のマイクロレンズアレイを作製した場合に、光の取出し効率に優れたマイクロレンズアレイを得ることができる。
【００１７】
次に、本発明のインプリント用テンプレートについて図面を用いて説明する。図１は、本発明のインプリント用テンプレートの一例を示す概略断面図である。図１に示されるインプリント用テンプレート３は、石英製の基材１と、基材１の表面上に形成された半球状の凹部２とを有し、凹部２の直径ａが、特定の範囲内であることを特徴とするものである。
【００１８】
本発明のインプリント用テンプレートは、上述したように、発光ダイオード（ＬＥＤ）のヘッド部に設けられ、光の取出し効率を向上させるマイクロレンズアレイを形成するために用いられるものである。ＬＥＤの光の取出し効率を向上させるためには、マイクロレンズの直径が、可視光の波長からその数倍の範囲内にあることが好ましいとされている。これは、ＬＥＤヘッド部の基板の厚さや屈折率、ＬＥＤの発光波長を考慮して選択されたものであり、現在でも種々の電磁波解析がなされている。従来、このような小さな直径を有し、かつ、なめらかな曲面構造を有するマイクロレンズを形成する技術については知られていなかったが、本発明においては、上記のテンプレートを用いることにより、容易に上記のマイクロレンズを得ることができるのである。
【００１９】
本発明においては、凹部の直径が、３００ｎｍ〜３μｍの範囲内であることを特徴の一つとする。本発明において、上記凹部の直径は、通常、３００ｎｍ以上であり、４００ｎｍ以上であることがより好ましく、５００ｎｍ以上であることがさらに好ましい。一方、上記凹部の直径は、通常、３μｍ以下であり、２μｍ以下であることがより好ましく、１μｍ以下であることがさらに好ましく、８００ｎｍ以下であることが特に好ましい。特に、本発明においては、上記凹部の直径が、可視光の波長範囲内、具体的には３００ｎｍ〜８００ｎｍの範囲内であることが好ましい。凹部の直径を、可視光の波長範囲内とすることで、光の取出し効率がさらに向上するからである。
【００２０】
なお、本発明において、「凹部の直径」とは、凹部の立体形状を、基材表面と平行の平面で切断した時に形成される断面の直径をいう。断面が円ではない場合、例えば楕円である場合には、その断面における最長の長さをいうこととする。なお、具体例には、上述した図１で説明した「凹部の直径ａ」が該当する。
【００２１】
凹部の深さとしては、目的とするマイクロレンズの大きさ等により異なり、特に限定されるものではないが、通常４００ｎｍ〜２０００ｎｍの範囲内であり、中でも５００ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲内であることが好ましい。
【００２２】
本発明において、上記凹部は、すべて曲面から構成されたものである。「すべて曲面から構成された」とは、凹部の形状に、平面部分を有しないことをいう。例えば、後述する「Ｂ．インプリント用テンプレートの製造方法」に記載するように、開口部を介してウェットエッチングを行うと、基材が等方的にエッチングされるため、形成される凹部は、すべて曲面から構成されたものとなる。
上記凹部の形状としては、すべて曲面から構成された形状であれば特に限定されるものではないが、例えば、球を任意の平面で切断した一部の形状、回転楕円体を長軸または短軸に沿って平行に切断した一部の形状等を挙げることができる。中でも、本発明においては、上記凹部の形状が、半球状、半楕円球状であることが好ましい。また、本発明においては、すべて曲面から構成された均一な凹部を有していることが好ましい。なお、凹部の形状、深さ、直径等については、例えば走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により、観察、測定することができる。
【００２３】
本発明に用いられる基材としては、上述した凹部を形成可能な材料であれば特に限定されるものではないが、例えば、石英およびソーダライムガラス等のガラス；シリコン（Ｓｉ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）およびガリウム砒素（ＧａＡｓ）等の半導体；ニッケル（Ｎｉ）およびアルミニウム（Ａｌ）等の金属；窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸化シリコン（ＳｉＯ２）および炭化シリコン（ＳｉＣ）等のセラミックス；ダイヤモンド、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）および立方晶窒化ホウ素（ＣＢＮ）等を挙げることができる。中でも、より微細な寸法の加工が可能であるという観点から、石英およびシリコン（Ｓｉ）がより好ましく、石英が特に好ましい。
【００２４】
上記基材の厚みとしては、基材の種類等により異なるものであり、特に限定されるものではないが、例えば１０μｍ〜１０００μｍの範囲内である。
【００２５】
本発明のインプリント用テンプレートは、熱インプリント用であっても良く、光インプリント用であっても良い。本発明のテンプレートを光インプリント用として使用する場合であって、さらにテンプレートを介して光照射を行うことにより、非転写樹脂層の賦型を行う場合は、本発明のテンプレートは光透過性に優れていることが好ましい。なお、非転写体側から光照射を行う場合には、本発明のテンプレートは光透過性を有している必要はない。同様に、熱インプリント用として用いる場合にも、本発明のテンプレートは光透過性を有している必要はない。
【００２６】
Ｂ．インプリント用テンプレートの製造方法
次に、本発明のインプリント用テンプレートの製造方法について説明する。本発明のインプリント用テンプレートの製造方法は、発光ダイオードのヘッド部に設けられ、光の取出し効率を向上させるマイクロレンズアレイを形成するために用いられるインプリント用テンプレートの製造方法であって、基材表面に、エッチング液に対して耐性を有し、かつ膜厚が５ｎｍ〜８０ｎｍの範囲内であるマスク層を形成するマスク層形成工程と、電子線描画法により、上記マスク層に開口部を形成する開口部形成工程と、上記開口部を介して、上記エッチング液を用いて上記基材をエッチングするウェットエッチング工程と、上記ウェットエッチング工程後に、上記マスク層を除去するマスク層除去工程と、を有することを特徴とするものである。
【００２７】
本発明によれば、特定の膜厚のマスク層を形成し、電子線描画法により微細な開口部を設け、さらに、ウェットエッチングにより等方的にエッチングを行うことにより、直径が小さく、かつ、なめらかな曲面構造を有する凹部を備えたインプリント用テンプレートを得ることができる。本発明により得られるテンプレートを用いて、発光ダイオードのヘッド用のマイクロレンズアレイを作製した場合に、光の取出し効率に優れたマイクロレンズアレイを得ることができる。
【００２８】
また例えば、電子線描画法で微細な開口部を形成し、ウェットエッチングするという操作を行っても、マスク層の膜厚が大きいと、なめらかな曲線構造を有する凹部を形成することができない場合があった。これは、マスク層の膜厚が大きい場合に、基材に対してエッチング液が回り込みにくくなるためであると考えられる。この傾向は、開口部が微細になるほど、より顕著に現れるものであると考えられる。本発明においては、電子線描画法で微細な開口部を形成した場合に、マスク層の膜厚を特定の範囲内に制御することによって、直径が小さく、かつ、なめらかな曲面構造を有する凹部を形成することができるのである。
【００２９】
次に、本発明のインプリント用テンプレートの製造方法について図面を用いて説明する。図２は、本発明のインプリント用テンプレートの製造方法の一例を示す概略断面図である。図２に示されるインプリント用テンプレートの製造方法は、石英製の基材１を用意し（図２（ａ））、その基材１の表面に、後に使用するエッチング液に対して耐性を有し、かつ特定の膜厚を有するマスク層４（例えばＣｒ層）を形成するマスク層形成工程（図２（ｂ））と、電子線描画法により、マスク層４に微細な開口部５を形成する開口部形成工程（図２（ｃ））と、開口部５を介して、エッチング液を用いて基材１をエッチングするウェットエッチング工程（図２（ｄ））と、ウェットエッチング工程後に、マスク層４を除去するマスク層除去工程（図２（ｅ））と、を有するものである。
以下、本発明のインプリント用テンプレートの製造方法について、工程ごとに説明する。
【００３０】
１．マスク層形成工程
本発明におけるマスク層形成工程は、基材表面に、エッチング液に対して耐性を有し、かつ膜厚が５ｎｍ〜８０ｎｍの範囲内であるマスク層を形成する工程である。中でも、本発明においては、上記マスク層の膜厚が、１０ｎｍ〜７０ｎｍの範囲内であることがより好ましく、１５ｎｍ〜５０ｎｍの範囲内であることがさらに好ましい。マスク層の膜厚が上記範囲内となることで、基材に対してエッチング液が回り込み易くなり、微小な凹部を形成することができるからである。
【００３１】
また、本発明においては、上記マスク層の膜厚が、ウェットエッチング時に自己支持性を維持できる膜厚であることが好ましい。自己支持性を維持できないと、ウェットエッチングの途中で、マスク層の断片が凹部に落ち込み、等方的なウェットエッチングを行えない可能性があるからである。また、そのような膜厚は、マスク層の材料等により異なるため、それらを考慮して適宜選択することが好ましい。
【００３２】
本発明に用いられるマスク層の材料としては、後述するウェットエッチング工程で用いられるエッチング液に対して耐性を有するものであれば特に限定されるものではない。また、マスク層の材料は、基材に浸透しないものであることが好ましい。マスク層の材料は、用いられるエッチング液の種類により異なるものであるが、具体的には、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｌ等の金属単体、これらの金属酸化物および金属窒化物等を挙げることができる。中でも、本発明においては、Ｃｒ単体、ＣｒＮおよびＣｒＯがより好ましく、Ｃｒ単体およびＣｒＮがさらに好ましい。また、本発明において、基材として金属を用いる場合は、その金属表面を酸化処理し、得られた酸化皮膜をマスク層として使用しても良い。
【００３３】
本発明に用いられる基材については、上記「Ａ．インプリント用テンプレート」に記載した内容と同様であるので、ここでの説明は省略する。
【００３４】
基材上にマスク層を形成する方法としては、上述した膜厚のマスク層を形成することができる方法であれば特に限定されるものではないが、例えば、スパッタリング法、イオンプレーティング法、真空蒸着法等のＰＶＤ(Physical Vapor Deposite)法；ＣＶＤ(Chemical Vapor Deposite)法等を挙げることができ、中でもスパッタリング法および真空蒸着法が好ましい。
【００３５】
２．開口部形成工程
本発明における開口部形成工程は、電子線描画法により、マスク層に開口部を形成する工程である。電子線描画法により、微細な開口部を形成することができ、微小な凹部を形成することができる。
【００３６】
本工程により得られる開口部の直径としては、後述するウェットエッチング工程により所望の大きさを有する凹部を形成することができれば特に限定されるものではないが、例えば、６０ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲内、中でも８０ｎｍ〜７００ｎｍの範囲内、特に９０ｎｍ〜５００ｎｍの範囲内であることが好ましい。開口部の直径が上記範囲内であれば、直径がより小さく、よりなめらかな曲面構造を有する凹部を形成することができるからである。
【００３７】
本発明においては、目的とする凹部の直径を１とした場合に、上記開口部の直径が、例えば０．１５〜０．５の範囲内、中でも０．２〜０．３の範囲内であることが好ましい。
また、本発明においては、上述したマスク層の膜厚と開口部の直径との比（膜厚：開口部直径）が、例えば１：２〜１５の範囲内、中でも１：６〜１０の範囲内であることが好ましい。上記比率の範囲内であれば、基材に対してエッチング液が回り込み易くなり、微小な凹部を形成することができるからである。
【００３８】
上記開口部の形状としては、特に限定されるものではなく、任意の形状を取ることができるが、中でも、本発明においては、上記開口部の形状が、円、楕円または四角形であることが好ましく、円または楕円であることがより好ましい。
【００３９】
本工程においては、マスク層に開口部を形成するために、通常、上記マスク層上にレジスト膜を形成するレジスト膜形成処理と、上記レジスト膜に電子線描画を行い、上記レジスト膜に潜像パターンを形成する露光処理と、上記潜像パターンに沿って現像を行う現像処理と、上記現像処理により露出したマスク層をドライエッチングし、開口部を形成するドライエッチング処理と、を行う。
【００４０】
レジスト膜形成処理において、形成されるレジスト膜の種類、膜厚、形成方法等については、所望の大きさを有する開口部を形成することができれば特に限定されるものではなく、一般的な電子線描画法と同様である。
露光処理において、電子線照射の加速電圧としては、特に限定されるものではないが、通常５ｋＶ〜５００ｋＶの範囲内、中でも１０ｋＶ〜２００ｋＶの範囲内であることが好ましい。また、電子線照射は、一般的な電子線描画機により行うことができる。
【００４１】
現像処理において、潜像パターンに沿って現像を行う方法としては、例えばアルカリ現像液または酸現像液を用いたウェットエッチング現像等を挙げることができる。上記アルカリ現像液としては、例えば、テトラメチルアンモニウム水溶液、水酸化カリウム水溶液、水酸化ナトリウム水溶液、炭酸ナトリウム水溶液等を挙げることができる。上記酸現像液としては、例えば、塩酸水溶液、酢酸水溶液、硫酸水溶液、リン酸水溶液等を挙げることができる。
ドライエッチング処理において、用いられるエッチングガスとしては、例えば、ＣＦ４、ＣＨＦ３、Ｃｌ２、ＳＦ６等を挙げることができる。
【００４２】
３．ウェットエッチング工程
本発明におけるウェットエッチング工程は、開口部を介して、エッチング液を用いて基材をエッチングする工程である。本工程により、等方的に基材をエッチングすることにより、なめらかな曲面構造を有する凹部を形成することができる。
【００４３】
本発明に用いられるエッチング液としては、用いられる基材をエッチング可能なものであれば特に限定されるものではない。さらに、エッチング液の種類は、用いられる基材の種類に応じて異なるものであるが、例えば基材として石英等のガラスを用いた場合には、エッチング液として、フッ酸、緩衝フッ酸、ＫＯＨ水溶液等のアルカリ性水溶液を挙げることができる。
【００４４】
本発明においては、エッチング液を基材に塗布することにより、ウェットエッチングを行っても良く、エッチング液に基材を浸漬することにより、ウェットエッチングを行っても良い。本発明においては、凹部の直径や深さが、所定の大きさとなるように、ウェットエッチングを行うことが好ましい。凹部の直径や深さについては、上記「Ａ．インプリント用テンプレート」に記載した内容と同様であるので、ここでの説明は省略する。また、ウェットエッチングを行う時間は、基材がエッチングされるエッチングレートを参考にして、所望の形状となるように適宜調整する。
【００４５】
４．マスク層除去工程
本発明におけるマスク層除去工程は、ウェットエッチング工程後に、マスク層を除去する工程である。エッチングされた基材からマスク層を除去することにより、インプリント用テンプレートが得られる。
【００４６】
マスク層を除去する方法としては、マスク層を除去することができる方法であれば特に限定されるものではないが、具体的には、剥離液を用いる方法等を挙げることができる。上記剥離液の種類は、マスク層の種類に応じて適宜選択することが好ましい。例えばマスク層がクロム薄膜である場合は、硝酸セリウムアンモニウムと過塩素酸との混合溶液等を挙げることができる。また、本発明においては、剥離液を基材に塗布することにより、マスク層を除去しても良く、剥離液に基材を浸漬することにより、マスク層を除去しても良い。
【００４７】
５．インプリント用テンプレート
本発明により得られるインプリント用テンプレートは、発光ダイオードのヘッド部に設けられ、光の取出し効率を向上させるマイクロレンズアレイを形成するために用いられるものである。このようなインプリント用テンプレートについては、上記「Ａ．インプリント用テンプレート」に記載した内容と同様であるので、ここでの説明は省略する。
【００４８】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と、実質的に同一の構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなる場合であっても本発明の技術的範囲に包含される。
【実施例】
【００４９】
以下、実施例を用いて、本発明をさらに具体的に説明する。
［実施例１］
基材として厚さ６．３５ｍｍの石英製基材を用意した。次に、基材表面上に、スパッタリング法により厚さ１５ｎｍのＣｒＮ層（マスク層）を形成した。次に、レジスト材料（商品名：ＦＥＰ、富士フィルム社製）を用い、スピンコーティング法により、ＣｒＮ層上に厚さ０．２μｍのポジ型レジスト膜を形成した。その後、上記のポジ型レジスト膜に対し、電子線描画機（型番：ＪＢＸ９０００、日本電子社製）で電子線照射を行い、現像液で処理し、塩素ガス（Ｃｌ２）によりドライエッチングを行うことにより、ＣｒＮ層に、直径１００ｎｍの円状の開口部を、それぞれ５００ｎｍの間隔で１００×１００００個形成した。
【００５０】
次に、エッチング液としてバッファードフッ酸を用意し、開口部を形成した上記の部材を３０分間浸漬することにより、凹部を形成した。その後、剥離液として硝酸第二セリウムアンモニウムを用いて、ＣｒＮ層を剥離することによって、本発明のテンプレートを得た。得られたテンプレートの凹部の直径は、５００ｎｍであった。得られたテンプレートのＳＥＭ写真を図３に示す。その結果、なめらかな曲面構造を有する半球状の凹部が形成されていることが確認できた。
【００５１】
［実施例２］
ＣｒＮ層に形成された開口の直径を１５０ｎｍとしたこと以外は、実施例１と同様にしてテンプレートを得た。得られたテンプレートの凹部の直径は、６００ｎｍであった。得られたテンプレートのＳＥＭ写真を図４に示す。その結果、なめらかな曲面構造を有する半球状の凹部が形成されていることが確認できた。
【００５２】
［比較例１］
ＣｒＮ層の膜厚を８５ｎｍとしたこと以外は、実施例１と同様にしてテンプレートを得た。得られたテンプレートのＳＥＭ写真を図５に示す。その結果、形成された凹部の大きさがそれぞれ異なることが判明し、均一な凹部を有するテンプレートを得ることができなかった。
【００５３】
［比較例２］
ＣｒＮ層の膜厚を１５ｎｍとし、ＣｒＮ層に形成された開口部の大きさを１４０ｎｍとしたこと以外は、実施例１と同様にしてテンプレートを得た。得られたテンプレートの凹部の直径は、１０００ｎｍであった。得られたテンプレートのＳＥＭ写真を図６に示す。その結果、なめらかな曲面構造を有するテンプレートを得ることができなかった。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本発明のインプリント用テンプレートの一例を示す概略断面図である。
【図２】本発明のインプリント用テンプレートの製造方法の一例を示す概略断面図である。
【図３】実施例１で得られたテンプレートのＳＥＭ写真である。
【図４】実施例２で得られたテンプレートのＳＥＭ写真である。
【図５】比較例１で得られたテンプレートのＳＥＭ写真である。
【図６】比較例２で得られたテンプレートのＳＥＭ写真である。
【図７】インプリント法を説明する概略断面図である。
【符号の説明】
【００５５】
１  …  基材
２  …  凹部
３  …  テンプレート
４  …  マスク層
５  …  開口部
１１  …  非転写樹脂層
１１´  …  マイクロレンズ
１２  …  非転写基材
１３  …  非転写体
【図１】
2008227135.tif 000003
【図２】
2008227135.tif 000004
【図３】
2008227135.tif 000005
【図４】
2008227135.tif 000006
【図５】
2008227135.tif 000007
【図６】
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【図７】
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