(57)【要約】【課題】反磁性体又は常磁性体の導電性微粒子であっても、媒体の表面領域に高密度で偏位されるようにした塗布導電膜及びその形成方法を提供する。【解決手段】バインダー樹脂１２ａに、反磁性体又は常磁性体から成る導電性微粒子１２ｂを添加し混合して塗布材料１２を生成する第一段階と、第一の段階で生成した塗布材料１２を基材１１の表面に塗布する第二段階と、第二段階で塗布材料を塗布した基材１１を基材の表面に対して垂直な強磁場Ｈ中に所定時間保持して塗布材料中の導電性微粒子を磁気アルキメデス効果によりバインダー樹脂中で浮遊させ塗布材料の所定深さの位置付近に偏位させる第三段階と、塗布材料を硬化させて塗装導電膜１０とする第四段階とを経て塗装導電膜を形成する。【選択図】  図１
2008130328.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
バインダー樹脂に導電性微粒子を添加し混合して塗布材料を生成する第一の段階と、
第一の段階で生成された塗布材料を、基材の表面に塗布する第二の段階と、
第二の段階で塗布材料が塗布された基材を、基材の表面に対して垂直な強磁場中に所定時間保持して、塗布材料中の導電性微粒子を、磁気アルキメデス効果によりバインダー樹脂中で浮遊させ、塗布材料の所定深さの位置付近に偏位させる第三の段階と、
次に、塗布材料を硬化させて、塗装導電膜とする第四の段階と、
を含んでいることを特徴とする、塗装導電膜の形成方法。
【請求項２】
前記第三の段階にて、導電性微粒子が、磁気アルキメデス効果によって塗布材料の表面付近に偏位することを特徴とする、請求項１に記載の塗装導電膜の形成方法。
【請求項３】
前記第三の段階にて、強磁場が１テスラ以上の磁場であることを特徴とする、請求項１又は２に記載の塗装導電膜の形成方法。
【請求項４】
前記第三の段階にて、磁場が、中空円筒状の超伝導磁石の中空部内で与えられることを特徴とする、請求項１から３の何れかに記載の塗装導電膜の形成方法。
【請求項５】
前記第三の段階にて、塗布材料が塗布された基材が、超伝導磁石の磁場中心からずれた磁気勾配の大きい領域に配置されることを特徴とする、請求項３に記載の塗装導電膜の形成方法。
【請求項６】
前記バインダー樹脂が、紫外線硬化樹脂から構成されており、前記第四の段階にて、塗布材料が紫外線照射により硬化されることを特徴とする、請求項１から５の何れかに記載の塗装導電膜の形成方法。
【請求項７】
基材と該基材の表面に塗布され硬化された塗布材料とを備え、
上記塗布材料は、バインダー樹脂と導電性微粒子とを含み、
上記バインダー樹脂中で塗布材料の表面に対して垂直な強磁場をかけて磁気アルキメデス効果により浮遊させた導電性微粒子を上記塗布材料の所定深さに偏位して硬化させてなることを特徴とする、塗装導電膜。
【請求項８】
前記導電性微粒子が、反磁性体または常磁性体からなることを特徴とする、請求項７に記載の塗装導電膜。
【請求項９】
前記バインダー樹脂が、紫外線又は熱により硬化する樹脂からなることを特徴とする、請求項７に記載の塗装導電膜。
【請求項１０】
前記塗装導電膜の表面における表面抵抗率が１×１０７Ω未満であることを特徴とする、請求項７から９の何れかに記載の塗装導電膜。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、塗工または印刷等により形成される塗装導電膜及びその形成方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、塗工または印刷等により導電膜を形成する場合には、所謂バインダー樹脂に対して、例えば金属または金属を被覆した微粒子等の導電性微粒子を添加した導電性塗料が使用されている。
そして、このような導電性塗料の塗装または印刷等により形成された導電膜は、焼結等により熱硬化され、導電性微粒子同士が互いに接触することで導電パスが形成されることになり、導電性を有するようになっている。
【０００３】
ところで、このような導電膜に関して導電性を高めるためには、通常は導電性微粒子の添加量を増大するようにしているが、コストが高くなってしまうと共に、導電性微粒子の添加量が多過ぎると、塗料としての特性が損なわれて塗工が困難になってしまう。
また、硬化のために塗膜を焼結等により加熱する場合には、基材は耐熱性のものに限定されてしまうことになる。
【０００４】
これに対して、種々の方法により塗膜表面に粒子を局在化させるようにした塗膜形成方法や塗膜形成装置が開示されているが、このうち、磁気を利用したものとして、特許文献１の請求項４には、基材に塗布された分散微粒子を含有する塗膜の硬化前に、この塗膜に対して磁界を印加することにより分散微粒子を局在化させた後、塗膜を硬化させるようにした樹脂硬化膜が開示されている。
【０００５】
特許文献２には、流動性のある物質に磁場を印加することにより、流動性のある物質を移動させて、所望の形状のパターンを形成するようにしたパターン形成方法が開示されている。
【０００６】
さらに、特許文献３には、粒子を分散させて溶媒に磁場を加えてこの磁場の強度及び方向を変えることで、磁気アルキメデス効果を利用して溶媒の液面に対する粒子位置を制御するようにした粒子位置の制御方法及び粒子膜とその形成方法が開示されている。
【０００７】
【特許文献１】特開２００５−３０６９９２号公報
【特許文献２】特開２００５−３１７９３０号公報
【特許文献３】特許第３４１８７３１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、特許文献１による樹脂硬化膜においては、分散微粒子としてバリウムフェライト，ストロンチウムフェライト等の磁性粒子が使用されており、このような磁界による局在化を生ずるためには、強磁性体から成る磁性粒子に限定されることになり、反磁性体や常磁性体を局在化させることはできない。
【０００９】
また、特許文献２によるパターン形成方法においては、流動性のある物質は、鉄，ニッケル，コバルトやこれらの合金等の強磁性体に限定されると共に、この方法においては、流動性のある物質は、磁場の印加によって表面に平行な方向に移動することにより所定のパターンを形成するようになっており、流動性のある物質を表面に偏位させるものではない。
【００１０】
さらに、特許文献３による粒子膜は、強磁性体，反磁性体または常磁性体である粒子を分散させた溶媒に磁場を加えて、磁気アルキメデス効果を利用し、粒子に対して重力と反対方向に磁場による磁気力を与えて重力と相殺した状態で溶媒を蒸発させることで、粒子に対して水平方向に作用する横毛管力による粒子の水平移動を促進させ、これによって、粒子を二次元的に集積させるものであって、磁場の印加によって各粒子を積極的に表面に局在化させるものではない。
【００１１】
本発明は、上記課題に鑑み、反磁性体または常磁性体の導電性微粒子であっても、媒体の表面領域に高密度で偏位され得るようにした、塗布導電膜及びその形成方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するため、本発明の塗装導電膜の形成方法は、バインダー樹脂に導電性微粒子を添加し混合して塗布材料を生成する第一の段階と、第一の段階で生成された塗布材料を基材の表面に塗布する第二の段階と、第二の段階で塗布材料が塗布された基材を基材の表面に対して垂直な強磁場中に所定時間保持して、塗布材料中の導電性微粒子を磁気アルキメデス効果によりバインダー樹脂中で浮遊させ、塗布材料の所定深さの位置付近に偏位させる第三の段階と、次に、塗布材料を硬化させて塗装導電膜とする第四の段階と、を含んでいることを特徴としている。
【００１３】
上記構成によれば、表面に塗布材料が塗布された基材に対して垂直な強磁場が加えられることにより、導電性微粒子が硬化前のバインダー樹脂中にて重力の反対方向の磁気力を受けることになる。
【００１４】
ここで、これらの導電性微粒子には、所謂磁気アルキメデス効果が生ずることになる、即ちこの導電性微粒子に直接に作用する磁気力に加えて、重力とバインダー樹脂との比重差による浮力と、さらに導電性微粒子とバインダー樹脂の磁化率の差に基づいてバインダー樹脂より作用する磁気浮力とが作用する。
そして、これら四つの力が釣り合うように、各導電性微粒子がバインダー樹脂中を上下方向に偏位することになる。従って、導電性微粒子が、強磁性体ではなく反磁性体または常磁性体から成る場合であっても、上述した磁気アルキメデス効果によりバインダー樹脂中で上下方向に偏位することができる。
【００１５】
そして、これら四つの力が釣合う位置にて、各導電性微粒子が停止する。これにより、各導電性微粒子は、それぞれバインダー樹脂中の所定深さの位置付近に凝集して、各導電性微粒子間の距離が短くなることで、導電性が向上する。
【００１６】
本発明による塗装導電膜の形成方法は、好ましくは、前記第三の段階において、導電性微粒子が磁気アルキメデス効果によって塗布材料の表面付近に偏位する。従って、塗布された塗布材料の表面付近の導電性が向上する。
【００１７】
本発明による塗装導電膜の形成方法は、好ましくは、前記第三の段階において強磁場が１テスラ以上の磁場である。このため、上記構成によれば、例えば質量磁化率が１０−３ｍ３／ｋｇ以下の導電性材料から成る微粒子であっても、磁気アルキメデス効果が発生するので、反磁性体または常磁性体から成る導電性微粒子が確実に凝集される。
【００１８】
本発明による塗装導電膜の形成方法は、好ましくは、前記第三の段階において磁場が中空円筒状の超伝導磁石の中空部内で与えられる。これにより、塗布材料が塗布された基材に対して確実に磁場が印加される。
【００１９】
本発明による塗装導電膜の形成方法は、好ましくは、前記第三の段階において、塗布材料を塗布した基材が、超伝導磁石の磁場中心からずれた磁気勾配の大きい領域に配置される。これにより、基材に塗布された塗布材料中にて、導電性微粒子が確実に磁気アルキメデス効果によって凝集される。
【００２０】
本発明による塗装導電膜の形成方法は、好ましくは、前記バインダー樹脂が紫外線硬化樹脂から構成されて、前記第四の段階において塗布材料が紫外線照射により硬化される。バインダー樹脂が紫外線硬化樹脂から構成されることで、容易に塗布材料が硬化され、塗布材料中にて導電性微粒子が保持され得る。バインダー樹脂が紫外線で硬化されるので、基材が耐熱性を備えていない場合にも、塗装導電膜を形成することができる。
【００２１】
上記目的を達成するため、本発明の第二の構成を有する塗装導電膜は、基材と基材の表面に塗布され硬化された塗布材料とを備え、塗布材料はバインダー樹脂と導電性微粒子とを含み、バインダー樹脂中で塗布材料の表面に対して垂直な強磁場をかけて磁気アルキメデス効果により浮遊させた導電性微粒子を塗布材料の所定深さに偏位して硬化させてなることを特徴とする。
上記構成において、導電性微粒子は、好ましくは反磁性体又は常磁性体からなる。
塗布材料は、好ましくは紫外線又は熱により硬化する樹脂からなる。
塗装導電膜の表面における表面抵抗率は、好ましくは、１×１０７Ω未満である。
本発明の塗装導電膜において、基材上に塗布された塗布材料中にて導電性微粒子が所定深さの位置、好ましくは表面付近にて互いに凝集して密度が高くなることにより、導電性が向上することになる。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、反磁性体又は常磁性体の導電性微粒子であっても、媒体の表面領域に高密度で偏位され得るようにした塗布導電膜及びその形成方法が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について詳細に説明する。各図において同一又は対応する部材には同一符号を用いる。
図１は、本発明により形成された塗装導電膜の一実施形態の構成を示す模式的な断面図である。図１において、塗装導電膜１０は、基材１１とこの基材１１の表面に塗布され硬化された塗布材料１２とから構成されている。
【００２４】
基材１１は、常磁性体もしくは反磁性体からなり、板状またはフィルム状の塗布材料１２を塗布できる材料であれば、天然繊維、木材、各種プラスチックからなる合成樹脂、金属、セラミックス、ガラス、セメント、ケイ素化合物、生体材料などからなる種々の基材１１を用いることができる。合成樹脂からなる基材１１としては、例えば、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）からなるフィルムを使用することができる。さらに、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリ酢酸ビニル、エチレン・酢酸ビニル共重合体、ポリメチルメタアクリレート、ＡＢＳ樹脂、ＡＳ樹脂、セロハン、ポリアクリロニトリル、ポリメチルペンテン、ポリブテン、フッ素樹脂、ポリアミド、ポリアセタール、ポリカーボネート、変性ポリフェニレンエーテル、ポリブチレンテレフタレート、環状ポリオレフィン、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、液晶ポリエステル、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミドイミド、ポリアリレート、オキシベンゾイルポリエステル、ポリ乳酸、ポリカプロラクタムなどのプラスチック材料を用いることができる。金属からなる基材としては、常磁性および反磁性の金属であるアルミ二ウム、銅、金、銀、亜鉛、ガリウム、ジルコニウム、アンチモン、テルル、鉛、パラジウム、カドミウム、ビスマス、スズ、セレン、インジウム等を用いることができる。金属からなる基材は金属化合物を用いてもよく、上記常磁性及び反磁性の金属からなる、酸化物、窒化物又は合金等であってもよい。
【００２５】
塗布材料１２は、バインダー樹脂１２ａ中に導電性微粒子１２ｂを添加したものであり、十分に混合された状態で基材１１の表面に塗布されるようになっている。
【００２６】
図２は、図１の塗装導電膜において硬化前の磁場印加開始時の状態を示す概略断面図である。図２に示すように、導電性微粒子１２ｂは、塗布材料１２が基材１１の表面に塗布された後に、後述するように１テスラ以上の強磁場Ｈをかけることにより、塗布材料１２の表面付近に偏位されている。
【００２７】
ここで、バインダー樹脂１２ａは、容易に導電性微粒子を混合でき、塗布後の硬化工程にて容易に硬化され得るような材料、例えば紫外線硬化樹脂が使用される。紫外線硬化樹脂としては、アクリレートオリゴマー（ポリエステルアクリレート、ウレタンアクリレート、エポキシアクリレート、ポリエーテルアクリレート、アクリレートアルキッド、メラミンアクリレートなど）、アクリレートモノマー（１，６ヘキサンジオールジアクリレート、トリプロピレンダリコールジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレートなど）が挙げられ、これらの材料の単体もしくは混合物に、光重合開始剤（ペンゾフェノン、ペンゾインイソプロピルエーテル、ミヒラーズケトン、イソプロピルチオキサントンα・アミノアルキルフェノンなど）を配合したものを用いることができる。
【００２８】
また、上述した実施形態においては、バインダー樹脂１２ａとして紫外線硬化樹脂が使用されているが、これに限らず、容易に導電性微粒子を混合でき、塗膜が形成できる熱硬化樹脂等の他の材料が使用されてもよい。熱硬化樹脂が使用される場合には、基材１１として耐熱性のある材料が使用される必要がある。熱硬化樹脂の例としては、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ジアリルフタレート樹脂、メラミン樹脂、ユリア樹脂などが挙げられる。
【００２９】
導電性微粒子１２ｂは、アルミニウム，金，銀等の金属微粒子や、カーボン，ＩＴＯ，酸化亜鉛、マイカ（雲母）等の無機導電材料、あるいは不導体の表面に導電材料を被覆した微粒子等の反磁性体または常磁性体から成る微粒子が使用され得る。この場合、導電性微粒子１２ｂの質量磁化率は、常磁性体が正の値であり、反磁性体では負の値である。
質量磁化率の例を挙げる。ＳｉＯ２の質量磁化率は、−０．４９３×１０−６ｍ３／ｋｇの反磁性体であり、Ａｌ２Ｏ３の質量磁化率は、−０．３６３×１０−６ｍ３／ｋｇの反磁性体であり、ＭｎＣｌ２の質量磁化率は、１１４×１０−６ｍ３／ｋｇの常磁性体であり、Ｆｅ３Ｏ４の質量磁化は、９１．２Ｇｍ３／ｋｇの強磁性体である。この質量磁化率の絶対値が１０−３ｍ３／ｋｇ以下の導電性材料から成る微粒子であっても、磁気アルキメデス効果が発生するので、反磁性体または常磁性体から成る導電性微粒子が確実に凝集され得ることになる。
【００３０】
上述した実施形態においては、導電性微粒子１２ｂは反磁性体又は常磁性体から構成されているが、これに限らず強磁性体から構成されていてもよいことは明らかである。
【００３１】
図３は、図１の塗装導電膜の超伝導磁石による磁場印加工程を示す一部破断斜視図である。図３に示すように、強磁場Ｈの印加は、具体的には磁石、特に強磁場Ｈの発生が容易な超伝導磁石２０を使用することにより実施される。
ここで、超伝導磁石２０は中空円筒状に構成されており、その垂直方向に延びる中空部２１内にて上向きの強磁場Ｈが生成されるようになっている。これにより、中空部２１内に、上述したように塗布材料１２を塗布した基材１１が配置されることで、塗布材料１２に対して強磁場Ｈが印加される。
【００３２】
図４は、図３の超伝導磁石による磁場印加及び磁場勾配を示す概略図である。図４に示すように、超伝導磁石２０においてはその中空部内にて、垂直方向に関して磁気勾配が生ずることが知られている。この磁場勾配は、図４のグラフから明らかであるように、磁場中心から垂直方向にずれた位置にて最大値を与えるようになっている。従って、この導電性微粒子１２ｂが磁気勾配の最大値付近に位置するように、塗布材料１２を塗布した基材１１は、磁気中心から例えば上方に距離ｄだけずれた位置に配置される。これにより、導電性微粒子１２ｂには、磁気勾配の最大値付近に配置されることによって最大限の磁気アルキメデス効果が作用する。
【００３３】
即ち、導電性微粒子１２ｂには、図４に示すように、重力Ｆ１，バインダー樹脂１２ａとの比重差による浮力Ｆ２が作用していると共に、上述した強磁場Ｈにより導電性微粒子１２ｂに対して直接に作用する磁気力Ｆ３、そしてバインダー樹脂１２ａより作用する磁気浮力Ｆ４とが作用する。従って、上記浮力Ｆ２及び磁気力Ｆ３，磁気浮力Ｆ４と重力Ｆ１とのバランスにより強磁場Ｈを適宜に選定することによって、導電性微粒子１２ｂがバインダー樹脂１２ａ中にて上方又は下方に偏位することができる。そして、この場合、導電性微粒子１２ｂは、バインダー樹脂１２ａ中を上方にその表面付近まで偏位するようになっている。
ここで、磁場の値としては、質量磁化率にもよるが、磁場中心において、０．５テスラ（Ｔ）以上の磁束密度であることが好ましい。このような磁場は、超伝導磁石により発生することができる。導電性微粒子１２ｂの質量磁化率の絶対値が１０−３ｍ３／ｋｇ以下の導電性材料から成る微粒子であれば、１テスラ以上の強磁場Ｈをかけることによって、磁気アルキメデス効果により塗布材料１２をバインダー樹脂の任意の領域、特に表面付近に偏位させることができる。
【００３４】
上述した実施形態においては、導電性微粒子１２ｂを、強磁場Ｈの印加により磁気アルキメデス効果を利用して塗布材料１２の表面付近に偏位させるようにしているが、これに限らず、導電性微粒子１２ｂを下方に向かって偏位させて、塗布材料１２の下面付近に凝集させたり、あるいは超伝導磁石２０の適宜の制御によって、前述した四つの力Ｆ１〜Ｆ４のバランスを調整したりすることで、導電性微粒子１２ｂを塗布材料１２中の所定深さの位置に凝集させることも可能である。
このように塗布材料１２中にて、導電性微粒子１２ｂが下面付近あるいは所定深さの位置に凝集されることによって各導電性微粒子１２ｂ間の距離が短くなるので、同様に導電性が向上することになる。
【００３５】
本発明の実施形態による塗装導電膜１０は以上のように構成されており、反磁性体または常磁性体の導電性微粒子であっても、媒体の表面領域に高密度で偏位されるようにした、塗布導電膜及びその形成方法が提供される。塗布導電膜の表面抵抗率は、例えば、１×１０７Ω未満とすることができる。
【００３６】
次に、本発明の実施形態による塗装導電膜１０の形成方法について説明する。
図５は本発明による塗装導電膜の形成方法の一実施形態を示すフローチャートである。まず、ステップＳ１にて、バインダー樹脂１２ａ中に導電性微粒子１２が添加されて混合されることにより、塗布材料１２を作成する。
【００３７】
続いて、ステップＳ２にて、この塗布材料１２を基材１１の表面に塗布する。
ここで、基材１１への塗布材料１２の塗布方法としては、スプレー法、刷毛塗り、グラビア印刷、スクリーン印刷、フレキソ印刷、ダイレクトグラビアコート、グラビアリバースコート、マイクログラビアコート、ロールコート、ダイコート、スピンコート、ワイヤーバーコート、ナイフコート、エアーナイフコート、カーテンコ一ト、ディップコート、コンマコートなどの方法により行うことができる。
【００３８】
その後、ステップＳ３において、塗布材料１２が塗布された基材１１を、図４に示すように超伝導磁石２０の中空部２１内に配置し、超伝導磁石２０を動作させて所定時間だけ強磁場Ｈを印加する。これにより導電性微粒子１２ｂは、磁気アルキメデス効果によって塗布材料１２の表面付近に偏位する。従って、導電性微粒子１２ｂは、バインダー樹脂１２ａから分離して凝集することになる。
【００３９】
次に、ステップＳ４において、超伝導磁石２０の中空部２１内で強磁場Ｈを印加したままの状態で、塗布材料１２が塗布された基材１１に対して紫外線を照射することにより、塗布材料１２のバインダー樹脂１２ａを硬化させる。バインダー樹脂１２ａとして熱硬化性樹脂を用いる場合には、赤外線などの熱源から熱を照射して硬化してもよい。このようにして、塗布材料１２中において導電性微粒子１２ｂがバインダー樹脂１２ａにより表面付近に偏位した状態にて固定保持される。
【００４０】
最後に、ステップＳ５において、超伝導磁石２０が停止し、その中空部２１内から塗布材料１２が塗布された基材１１が取り出されることにより塗装導電膜１０が完成する。
【００４１】
上記した本発明実施形態による塗装導電膜の形成方法によれば、バインダー樹脂１２ａの硬化前に強磁場Ｈを印加することによって、バインダー樹脂１２ａ中の反磁性体又は常磁性体から成る導電性微粒子１２ｂに磁気アルキメデス効果が作用し、導電性微粒子１２ｂが表面付近に偏位してバインダー樹脂１２ａから分離して凝集することになるので、各導電性微粒子１２ｂ間の距離が短くなって導電性が向上する。
【実施例】
【００４２】
以下、実施例によって本発明をさらに詳細に説明する。
バインダー樹脂１２ａとして、紫外線硬化樹脂、例えば１００重量％の樹脂（共栄社化学製、ライトアクリレートＭＤＰ−Ａ）に対して、３重量％の重合開始剤（チバスペシャリティケミカルズ製、イルガキュア３６９）を添加したものを使用した。
【００４３】
導電性微粒子１２ｂとして、Ｍｅｒｃｋ社製の導電性マイカＭｉｎａｔｅｃ３１ＣＭを使用した。
【００４４】
超伝導磁石２０として、住友重機械工業製のスプリット型ＨＦ５−１００ＶＴ−５０ＨＴを使用した。
【００４５】
図６は、図１の塗装導電膜の具体的な実験例で使用される超伝導磁石の磁気勾配を示すグラフである。図６に示すように、超伝導磁石２０は、磁気中心から約１０〜１２ｃｍ程度ずれた位置で最大勾配となるような磁気勾配を有している。
【００４６】
８０重量％のバインダー樹脂１２ａと２０重量％の導電性微粒子１２ｂとを混合することにより塗布材料１２を作成し、この塗布材料１２を基材１１としてのＰＥＴフィルム上にワイヤーバーにより塗布してサンプルを作製した。
【００４７】
このサンプルを超伝導磁石２０の中空部２１内にて、磁場中心から約１０ｃｍだけ上方に配置し、約５分間だけ５テスラの強磁場Ｈを印加した後、数秒間の紫外線照射によりバインダー樹脂１２ａを硬化させた。
【００４８】
次に、実施例に対する比較例について説明する。
（比較例１）
比較例１の塗装膜として、上記サンプルを超伝導磁石２０の中空部２１内にて磁場中心に配置し、約５分間だけ５テスラの強磁場Ｈを印加した後、数秒間の紫外線照射によりバインダー樹脂１２ａを硬化させた。
【００４９】
（比較例２）
比較例２の塗装膜として、上記サンプルを、強磁場Ｈの印加を省略して数秒間の紫外線照射によりバインダー樹脂１２ａを硬化させた。
【００５０】
実施例及び比較例において製作した塗装膜を観察した。
図７は実施例の塗装導電膜の断面における走査型電子鏡像を示す図であり、図８は図７の実施例の塗装導電膜の上部表面を斜視した走査型電子鏡像を示す図である。走査型電子顕微鏡の加速電圧速電庄は１５ｋＶであり、倍率は１５００倍である。
図７から明らかなように、実施例の塗装導電膜においては、基材上に厚さが５０μｍの塗装導電膜が形成され、導電性微粒子１２ｂが塗布材料１２の表面付近に偏位して、高密度で凝集していることが分かる。この導電性微粒子１２ｂの厚さは１μｍ以下であった。さらに、図８から明らかなように、実施例の塗装導電膜においては導電性微粒子１２ｂが表面に露出していることが分かる。
【００５１】
図９は比較例１で形成した塗装膜の断面の走査型電子鏡像を示す図である。図９から明らかなように、比較例１の塗装膜の場合には、導電性微粒子１２ｂがバインダー樹脂１２ａ中に均一に散在しており、表面付近に凝集していないことが分かる。
【００５２】
比較例２の塗装膜でも、比較例１と同様に導電性微粒子１２ｂがバインダー樹脂１２ａ中に均一に散在しており、表面付近に凝集していないことが判明した。
【００５３】
実施例、比較例１、比較例２について、表面抵抗率を測定した結果について説明する。表面抵抗率、所謂シート抵抗を測定しその結果を表１に示す。測定は、ＪＩＳに準拠した測定方法として高抵抗率計（株）ダイアインスツルメンツ製、ハイレスタＵＰ  ＭＣＰ−ＨＴ４５０を用い、二重リング法（関連規格ＪＩＳ  Ｋ６９１１、ＩＳＯ  ２９５１）により測定した。
実施例では１×１０５Ωの表面抵抗率であったのに対して、比較例１及び比較例２では１×１０７Ω以上であり、導通しない状態であった。
【表１】
2008130328.tif 000003
【００５４】
上記実施例によれば、本発明による塗装導電膜の形成方法により作製された塗装導電膜において、表面抵抗率が大幅に減少し、導電性が向上していることが判明した。
【００５５】
本発明は、上記実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した発明の範囲内で種々の変形が可能であり、例えば、用いるバインダー樹脂や導電性微粒子はその目的に応じて設定することができ、それらも本発明の範囲内に含まれることはいうまでもない。
【産業上の利用可能性】
【００５６】
本発明に係る塗布導電膜は、導電性微粒子を基材の表面領域に高密度で偏位させることができ、その表面抵抗率を小さくすることができるので、樹脂膜表面への帯電防止膜などに用いるのに適している。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】本発明により形成された塗装導電膜の一実施形態の構成を示す模式的な断面図である。
【図２】図１の塗装導電膜において、硬化前の磁場印加開始時の状態を示す概略断面図である。
【図３】図１の塗装導電膜の超伝導磁石による磁場印加工程を示す一部破断斜視図である。
【図４】図３の超伝導磁石による磁場印加及び磁場勾配を示す概略図である。
【図５】本発明による塗装導電膜の形成方法の一実施形態を示すフローチャートである。
【図６】図１の塗装導電膜の具体的な実験例で使用される超伝導磁石の磁気勾配を示すグラフである。
【図７】実施例における塗装導電膜の断面の走査型電子鏡像を示す図である。
【図８】実施例における塗装導電膜の上部表面を斜めから観察した走査型電子鏡像を示す図である。
【図９】比較例１で形成した塗装膜の断面の走査型電子鏡像を示す図でありある。
【符号の説明】
【００５８】
１０：塗装導電膜
１１：基材
１２：塗布材料
１２ａ：バインダー樹脂
１２ｂ：導電性微粒子
２０：超伝導磁石
２１：中空部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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