(57)【要約】      （修正有）【課題】実装後に集積回路に与える影響を減らす手段を提供する。【解決手段】半導体チップ１０は、集積回路１２が形成され、集積回路１２に電気的に接続された複数の電極１４を有し、それぞれの電極１４の少なくとも一部が露出するようにパッシベーション膜１６が形成されている。樹脂層１８がパッシベーション膜１６上に形成されている。複数の配線２０が、複数の電極１４にそれぞれ電気的に接続されるように、複数の電極１４上からそれぞれ樹脂層１８上に形成されている。配線基板３０は、複数の配線２０の樹脂層１８上の部分が対向して電気的に接続される配線パターン３２を有する。半導体チップ１０と配線基板３０の間に硬化した接着樹脂４２が介在する。接着樹脂４２は、硬化時の収縮による残存ストレスを内在する。樹脂層１８の隣り合う配線２０間の部分と、配線基板３０との間に、接着樹脂４２の一部が配置されてなる。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積回路が形成され、前記集積回路に電気的に接続された複数の電極を有し、それぞれの前記電極の少なくとも一部が露出するようにパッシベーション膜が形成されている半導体チップと、
前記パッシベーション膜上に形成された樹脂層と、
前記複数の電極にそれぞれ電気的に接続されるように、前記複数の電極上からそれぞれ前記樹脂層上に形成された複数の配線と、
前記複数の配線の前記樹脂層上の部分が対向して電気的に接続される配線パターンを有する配線基板と、
前記半導体チップと前記配線基板の間に介在する、硬化した接着樹脂と、
を有し、
前記接着樹脂は、硬化時の収縮による残存ストレスを内在し、
前記樹脂層の隣り合う前記配線間の部分と、前記配線基板との間に、前記接着樹脂の一部が配置されてなる電子装置。
【請求項２】
請求項１に記載された電子装置において、
前記樹脂層の上面は、前記複数の配線とオーバーラップする領域よりも、前記複数の配線とオーバーラップしない領域が低くなるように形成されている電子装置。
【請求項３】
集積回路が形成され、前記集積回路に電気的に接続された複数の電極を有し、それぞれの前記電極の少なくとも一部が露出するようにパッシベーション膜が形成されている半導体チップと、前記パッシベーション膜上に形成された樹脂層と、前記複数の電極にそれぞれ電気的に接続されるように前記複数の電極上からそれぞれ前記樹脂層上に形成された複数の配線と、を有する半導体装置を用意する工程と、
前記半導体装置を、熱硬化性の接着樹脂前駆体を介して、配線パターンを有する配線基板上に配置する工程と、
前記半導体装置及び前記配線基板の間に押圧力及び熱を加える工程と、
を含み、
前記押圧力及び熱を加える工程で、前記樹脂層上の前記複数の配線が前記配線パターンに電気的に接続するが、前記樹脂層の隣り合う前記配線間の部分が前記配線基板に接触しない程度に前記押圧力を加え、前記樹脂層の隣り合う前記配線間の部分上に前記接着樹脂前駆体の一部を配置して、前記熱によって、前記接着樹脂前駆体を硬化収縮させる電子装置の製造方法。
【請求項４】
請求項３に記載された電子装置の製造方法において、
前記半導体装置を用意する工程は、
前記樹脂層上に前記複数の配線を形成する工程と、
前記樹脂層の隣り合う前記配線間の部分をエッチングする工程と、
を含み、
前記エッチングによって、前記樹脂層の前記複数の配線とオーバーラップする領域よりも、前記樹脂層の前記複数の配線とオーバーラップしない領域を低くする電子装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
能動面に形成された樹脂層と、電極パッドの表面から樹脂層の表面にかけて配設された配線と、を備える半導体装置が知られている（特許文献１）。樹脂層とその上の配線は外部端子を構成している。１つの樹脂層上に複数の配線が形成されている半導体装置は、マザーボードに実装すると、複数の配線の電気的接続に伴って樹脂層の全体がマザーボードに押圧され、その押圧力で半導体チップに形成された集積回路に影響を与えることがあった。
【特許文献１】特開平２−２７２７３７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明の目的は、実装後に集積回路に与える影響を減らすことにある。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
（１）本発明に係る電子装置は、
集積回路が形成され、前記集積回路に電気的に接続された複数の電極を有し、それぞれの前記電極の少なくとも一部が露出するようにパッシベーション膜が形成されている半導体チップと、
前記パッシベーション膜上に形成された樹脂層と、
前記複数の電極にそれぞれ電気的に接続されるように、前記複数の電極上からそれぞれ前記樹脂層上に形成された複数の配線と、
前記複数の配線の前記樹脂層上の部分が対向して電気的に接続される配線パターンを有する配線基板と、
前記半導体チップと前記配線基板の間に介在する、硬化した接着樹脂と、
を有し、
前記接着樹脂は、硬化時の収縮による残存ストレスを内在し、
前記樹脂層の隣り合う前記配線間の部分と、前記配線基板との間に、前記接着樹脂の一部が配置されてなる。本発明によれば、隣り合う配線間において、接着樹脂の残存ストレスによって、樹脂層と配線基板の間に収縮力を加えているので、集積回路に加えられる外力を減らして、集積回路に与える影響を減らすことができる。
（２）この電子装置において、
前記樹脂層の上面は、前記複数の配線とオーバーラップする領域よりも、前記複数の配線とオーバーラップしない領域が低くなるように形成されてもよい。
（３）本発明に係る電子装置の製造方法は、
集積回路が形成され、前記集積回路に電気的に接続された複数の電極を有し、それぞれの前記電極の少なくとも一部が露出するようにパッシベーション膜が形成されている半導体チップと、前記パッシベーション膜上に形成された樹脂層と、前記複数の電極にそれぞれ電気的に接続されるように前記複数の電極上からそれぞれ前記樹脂層上に形成された複数の配線と、を有する半導体装置を用意する工程と、
前記半導体装置を、熱硬化性の接着樹脂前駆体を介して、配線パターンを有する配線基板上に配置する工程と、
前記半導体装置及び前記配線基板の間に押圧力及び熱を加える工程と、
を含み、
前記押圧力及び熱を加える工程で、前記樹脂層上の前記複数の配線が前記配線パターンに電気的に接続するが、前記樹脂層の隣り合う前記配線間の部分が前記配線基板に接触しない程度に前記押圧力を加え、前記樹脂層の隣り合う前記配線間の部分上に前記接着樹脂前駆体の一部を配置して、前記熱によって、前記接着樹脂前駆体を硬化収縮させる。本発明によれば、樹脂層の隣り合う配線間の部分を配線基板に接触させないので、外力による集積回路に与える影響を減らすことができる。また、硬化収縮した接着樹脂の残存ストレスによって、樹脂層と配線基板の間に収縮力を加えているので、集積回路に加えられる外力を減らして、集積回路に与える影響を減らすことができる。
（４）この電子装置の製造方法において、
前記半導体装置を用意する工程は、
前記樹脂層上に前記複数の配線を形成する工程と、
前記樹脂層の隣り合う前記配線間の部分をエッチングする工程と、
を含み、
前記エッチングによって、前記樹脂層の前記複数の配線とオーバーラップする領域よりも、前記樹脂層の前記複数の配線とオーバーラップしない領域を低くしてもよい。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００５】
図１は、本発明の実施の形態に係る電子装置に使用する半導体装置を示す平面図である。図２は、図１に示す半導体装置のII-II線断面図である。図３は、図１に示す半導体装置のIII-III線断面図である。
【０００６】
半導体装置は、半導体チップ１０を有する。半導体チップ１０には、集積回路（トランジスタ等）１２が形成されている。半導体チップ１０は、内部配線（図示せず）を介して集積回路１２に電気的に接続された電極１４を有する。半導体チップ１０が一方向に長い形状（平面形状が長方形）であって、長い方の辺に沿って、複数の電極１４が配列されている。半導体チップ１０には、電極１４の少なくとも一部が露出する様にパッシベーション膜１６が形成されている。パッシベーション膜１６は、例えば、ＳｉＯ２やＳｉＮ等の無機材料のみで形成されていてもよい。パッシベーション膜１６は、集積回路１２の上方に形成されている。
【０００７】
パッシベーション膜１６上に樹脂層１８が形成されている。半導体チップ１０の端部に電極１４が形成され、電極１４よりも中央側に樹脂層１８が形成されている。樹脂層１８の材料としては、例えばポリイミド樹脂、シリコーン変性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ；benzocyclobutene）、ポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ；pol ybenzoxazole）、フェノール系樹脂等の樹脂を用いてもよい。
【０００８】
複数の電極１４上からそれぞれ樹脂層１８上に複数の配線２０が形成されている。配線２０が、電極１４に電気的に接続されて樹脂層１８上に形成されている。配線２０は、電極１４上から、パッシベーション膜１６上を通って、樹脂層１８上に至る。配線２０は、電極１４上で電極１４に電気的に接続している。配線２０と電極１４は直接接触していてもよいし、両者間に導電膜（図示せず）が介在していてもよい。配線２０は、樹脂層１８の、電極１４とは反対側の端部を越えて、パッシベーション膜１６上に至るように形成されている。半導体チップ１０の端部に配置された電極１４から中央方向へ配線２０が延びている。
【０００９】
樹脂層１８の上面は、複数の配線２０とオーバーラップする領域よりも、複数の配線２０とオーバーラップしない領域が低くなるように形成されている（図３参照）。樹脂層１８上に複数の配線２０を形成した後に、樹脂層１８の隣り合う配線２０間の部分をエッチングしてもよい。
【００１０】
図４（Ａ）及び図４（Ｂ）は、本発明の実施の形態に係る電子装置の製造方法を説明する図である。なお、図４（Ａ）に示す半導体装置は図１のII-II線断面（図２）に対応し、図４（Ｂ）に示す半導体装置は図１のIII-III線断面（図３）に対応している。
【００１１】
本実施の形態では、上述した半導体装置を、熱硬化性の接着樹脂前駆体４０を介して、配線パターン３２を有する配線基板３０上に配置する。配線基板３０は、液晶パネル又は有機ＥＬパネルであってもよい。配線パターン３２を支持する基板３４はガラス又は樹脂のいずれであってもよい。接着樹脂前駆体４０に導電粒子が分散されてなる異方性導電材料を使用してもよい。そして、半導体装置及び配線基板３０の間に押圧力及び熱を加える。加えられる押圧力は、樹脂層１８上の複数の配線２０が配線パターン３２に電気的に接続するが、樹脂層１８の隣り合う配線２０間の部分（その表面）が配線基板３０に接触しない程度にとどめる。こうすることで、樹脂層１８の配線２０とオーバーラップする面（接触する面）は抗力を受けるが、配線２０とオーバーラップしていない面（接触しない面）は抗力を受けない。したがって、抗力を受ける面積が小さくなるので、集積回路の、外力によって影響を受ける領域が小さくなる。また、樹脂層１８の隣り合う配線２０間の部分上に接着樹脂前駆体４０を配置して、熱によって、これを硬化収縮させる。接着樹脂前駆体４０が硬化するまで押圧力を加えたまま維持する。接着樹脂前駆体４０が硬化したら押圧力を解除する。こうして、電子装置を製造する。
【００１２】
図５（Ａ）及び図５（Ｂ）は、本発明の実施の形態に係る電子装置を説明する図である。なお、図５（Ａ）に示す半導体装置は図１のII-II線断面（図２）に対応し、図５（Ｂ）に示す半導体装置は図１のIII-III線断面（図３）に対応している。
【００１３】
電子装置は、上述した半導体装置（半導体チップ１０、樹脂層１８及び複数の配線２０）と、複数の配線２０の樹脂層１８上の部分が対向して電気的に接続される配線パターン３２を有する配線基板３０と、を有する。半導体チップ１０と配線基板３０の間には、硬化した接着樹脂４２が介在する。接着樹脂４２は、硬化時の収縮による残存ストレスを内在している。樹脂層１８の隣り合う配線２０間の部分と、配線基板３０との間に、接着樹脂４２の一部が配置されてなる。本実施の形態によれば、隣り合う配線２０間において、接着樹脂４２の残存ストレスによって、樹脂層１８と配線基板３０の間に収縮力を加えているので、集積回路１２に加えられる外力を減らして、集積回路１２に与える影響を減らすことができる。
【００１４】
本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び結果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】図１は、本発明の実施の形態に係る電子装置に使用する半導体装置を示す平面図である。
【図２】図２は、図１に示す半導体装置のII-II線断面図である。
【図３】図３は、図１に示す半導体装置のIII-III線断面図である。
【図４】図４（Ａ）及び図４（Ｂ）は、本発明の実施の形態に係る電子装置の製造方法を説明する図である。
【図５】図５（Ａ）及び図５（Ｂ）は、本発明の実施の形態に係る電子装置を説明する図である。
【符号の説明】
【００１６】
１０…半導体チップ、  １２…集積回路、  １４…電極、  １６…パッシベーション膜、  １８…樹脂層、  ２０…配線、  ３０…配線基板、  ３２…配線パターン、  ３４…基板、  ４０…接着樹脂前駆体、  ４２…接着樹脂
【図１】
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【図２】
2008227241.tif 000004
【図３】
2008227241.tif 000005
【図４】
2008227241.tif 000006
【図５】
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