(57)【要約】【課題】レジスト間あるいはレジストとリフトオフ材料間が混ざり合って寸法精度やパターン精度が劣化することを防止すると共に、リフトオフ時に容易に有機溶剤に溶解し、安定した製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板１０上に非水溶性フォトレジスト材料１１を塗布形成する工程と、上記非水溶性フォトレジスト材料１１の上面に中間層として水溶性フッ化物含有溶液２０を塗布形成する工程と、上記中間層２０上に非水溶性フォトレジスト材料１２を塗布形成する工程とを有する製造方法。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に非水溶性フォトレジスト材料を塗布形成する工程と、上記非水溶性フォトレジスト材料の上面に中間層として水溶性フッ化物含有溶液を塗布形成する工程と、上記中間層上に非水溶性フォトレジスト材料を塗布形成する工程とを有する半導体装置の製造方法。
【請求項２】
半導体基板上に電子ビーム用レジスト材料を塗布形成する工程と、上記電子ビーム用レジスト材料の上面に中間層として水溶性フッ化物含有溶液を塗布形成する工程と、上記中間層上に非水溶性フォトレジスト材料を塗布形成する工程と、回路パターンが形成されたフォトマスクを通して上記非水溶性フォトレジスト材料を露光する工程と、現像液により上記非水溶性フォトレジスト材料の露光部もしくは未露光部と上記露光部もしくは未露光部に対応する中間層とを除去する工程と、上記非水溶性フォトレジスト材料の除去部を経て上記電子ビーム用レジスト材料を電子ビームによって露光した後、現像液によって上記電子ビーム用レジスト材料を現像する工程とを有する半導体装置の製造方法。
【請求項３】
半導体基板上に電子ビーム用レジスト材料を塗布形成する工程と、上記電子ビーム用レジスト材料を電子ビームによって露光した後、露光部を現像液によって現像する工程と、現像された電子ビーム用レジスト材料上に中間層として水溶性フッ化物含有溶液を塗布形成する工程と、上記中間層上に非水溶性フォトレジスト材料を塗布形成する工程と、回路パターンが形成されたフォトマスクを通して上記非水溶性フォトレジスト材料を露光する工程と、現像液により上記非水溶性フォトレジスト材料の露光部もしくは未露光部と上記露光部もしくは未露光部に対応する中間層とを除去する工程とを有する半導体装置の製造方法。
【請求項４】
半導体基板上に電子ビーム用レジスト材料を塗布形成する工程と、上記電子ビーム用レジスト材料を電子ビームによって露光した後、上記電子ビーム用レジスト材料の上面に中間層として水溶性フッ化物含有溶液を塗布形成する工程と、上記中間層上に非水溶性フォトレジスト材料を塗布形成する工程と、回路パターンが形成されたフォトマスクを通して上記非水溶性フォトレジスト材料を露光する工程と、現像液により上記非水溶性フォトレジスト材料の露光部もしくは未露光部と上記露光部もしくは未露光部に対応する中間層とを除去する工程とを有する半導体装置の製造方法。
【請求項５】
半導体基板上に非水溶性フォトレジスト材料を塗布形成する工程と、上記非水溶性フォトレジスト材料の上面に中間層として水溶性フッ化物含有溶液を塗布形成する工程と、上記中間層上に非水溶性フォトレジスト材料より紫外線に対する感度が低い非水溶性フォトレジスト材料を塗布形成する工程と、回路パターンが形成されたフォトマスクを通して上記２つの非水溶性フォトレジスト材料を露光する工程と、現像液により上記２つの非水溶性フォトレジスト材料の露光部及び上記露光部に対応する中間層を除去する工程とを有する半導体装置の製造方法。
【請求項６】
半導体基板上に非水溶性フォトレジスト材料を塗布形成した後、全面を露光する工程と、上記非水溶性フォトレジスト材料の上面に中間層として水溶性フッ化物含有溶液を塗布形成する工程と、上記中間層上に非水溶性フォトレジスト材料を塗布形成する工程と、回路パターンが形成されたフォトマスクを通して上記２つの非水溶性フォトレジスト材料を露光する工程と、現像液により上記２つの非水溶性フォトレジスト材料の露光部及び上記露光部に対応する中間層を除去する工程とを有する半導体装置の製造方法。
【請求項７】
半導体基板上に非水溶性フォトレジスト材料を塗布形成する工程と、回路パターンが形成されたフォトマスクを通して上記非水溶性フォトレジスト材料を露光する工程と、露光された上記非水溶性フォトレジスト材料の上面に中間層として水溶性フッ化物含有溶液を塗布形成する工程と、上記中間層上に非水溶性フォトレジスト材料を塗布形成する工程と、上記回路パターンと同一サイズもしくはそれより狭い回路パターンが形成されたフォトマスクを通して上記２つの非水溶性フォトレジスト材料を露光する工程と、現像液により上記２つの非水溶性フォトレジスト材料の露光部及び上記露光部に対応する中間層を除去する工程とを有する半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
図１０は、従来の半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図で、断面がＴ型、Ｙ型、Γ型形状の電極を有する半導体装置を形成する場合を例示するものである。
まず、図１０（ａ）に示すように、半絶縁性基板、例えばGaAs基板１０上に電子ビーム用レジスト１３を塗布形成し、200〜350℃で熱処理を行う。（熱処理工程は図示せず）。
【０００３】
次に、図１０（ｂ）に示すように、電子ビーム用レジスト１３の上面に画像反転レジスト１４を塗布形成した後、回路パターンが形成されたフォトマスク３１を通して水銀ランプを光源とした光４１で画像反転レジスト１４を露光し、画像反転レジスト１４内に潜像１４ｂを得る。その後、反転ベーク、全面露光（いずれも図示せず）を行う。
【０００４】
次に、図１０（ｃ）に示すように、アルカリ現像液（図示せず）、例えばTMAH濃度2.38％の現像液により画像反転レジスト１４を現像し、レジストパターン１４ａを得る。
その後、図１０（ｄ）に示すように、レジストパターン１４ａの開口部を通して下層の電子ビーム用レジスト１３を電子ビーム４２で露光し、電子ビーム用レジスト１３内に潜像１３ｂを得る。
【０００５】
次に、図１０（ｅ）に示すように、アルカリ現像液（図示せず）により電子ビーム用レジスト１３を現像し、レジストパターン１３ａを得る。次に、図１０（ｆ）に示すようにレジストパターン１３ａを通してドライエッチングあるいはウェットエッチングなど（図示せず）により基板１０をエッチングし、エッチング溝５１を得る。
【０００６】
その後、図１０（ｇ）に示すように、電極材料６１を蒸着法によりレジストパターン１４ａ上及び基板１０並びにレジストパターン１３ａ上に堆積し、その後有機溶剤への浸漬などにより不要金属を除去して図１０(ｈ)に示すように断面Ｔ型形状の電極６２を得る。断面形状は上層レジスト１４ａと下層レジスト１３ａの重なり具合や形状、厚みなどにより断面Ｙ型、Γ型など任意に調整することが可能である。
【０００７】
次に、図１１を用いて、断面が台形状の電極を有する半導体装置を形成する場合について説明する。
まず、図１１（ａ）に示すように、半絶縁性基板、例えばGaAs基板１０上にリフトオフ用材料１９を塗布形成し、100〜250℃で熱処理を行う。（熱処理工程は図示せず）。その後、ポジ型フォトレジスト７０をリフトオフ用材料１９の上面に塗布形成する。
【０００８】
次に、図１１（ｂ）に示すように、回路パターンが形成されたフォトマスク３２を通して水銀ランプを光源とした光４１でポジ型フォトレジスト７０を露光し、ポジ型フォトレジスト７０内に潜像７０ｂを得る。
【０００９】
その後、図１１（ｃ）に示すように、アルカリ現像液（図示せず）、例えばTMAH濃度2.38％の現像液によりポジ型フォトレジスト７０を現像しレジストパターン７０ａを得ると共に、引き続き現像時間を延長することにより下層のリフトオフ用材料１９をも溶解してパターン１９ａを得る。このとき下層のリフトオフ用材料１９は上層のポジ型フォトレジスト７０に比較して現像液に対する溶解速度が速いため、図示のようにオーバーハング形状を有するレジストパターンが形成される。
【００１０】
次に、図1１（ｄ）に示すように、レジストパターン７０ａを通して電極材料６１を蒸着法によって基板１０上及びレジストパターン７０ａ上に堆積し、その後有機溶剤への浸漬などにより不要金属を除去して図１１（ｅ）に示すような断面が台形状の電極６２を得ている。（例えば特許文献１参照）。
【００１１】
【特許文献１】特開平４−２６９７５６号公報（要約）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
従来の半導体装置の製造方法は上記のように構成されていたため、下層のレジスト１３、１９と上層のレジスト１４あるいは７０とが混ざり合うことを抑制するため、下層のレジスト１３あるいは１９を塗布した後、100℃〜350℃での高温の熱処理が必要であった。
そのため、電極材料を蒸着した後に有機溶剤へ浸漬した際、各レジストやリフトオフ材料が溶解しにくい状態となり、溶解に時間がかかるだけでなく溶解しきれずに残渣として残ってしまうなどの問題点があった。
【００１３】
この発明は上記のような問題点を解消するためになされたもので、各レジスト間あるいはレジストとリフトオフ材料間が混ざり合って寸法精度やパターン精度が劣化することを防止すると共に、リフトオフ時に容易に有機溶剤に溶解し、安定した製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
この発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板上に非水溶性フォトレジスト材料を塗布形成する工程と、上記非水溶性フォトレジスト材料の上面に中間層として水溶性フッ化物含有溶液を塗布形成する工程と、上記中間層上に非水溶性フォトレジスト材料を塗布形成する工程とを有するものである。
【発明の効果】
【００１５】
この発明に係る半導体装置の製造方法は上記のように構成されているため、高温の熱処理を行なうことなしに材料間の混ざり合いを防止することができ、リフトオフによるレジスト溶解時においても残渣が残ることなく、安定したプロセスを得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
実施の形態１．
以下、この発明の実施の形態１を図にもとづいて説明する。図１は、実施の形態１による半導体装置の製造方法の基本部分を工程順に示す断面図である。
まず図１(ａ)に示すように、半導体基板、例えばGaAs基板１０上に非水溶性フォトレジスト材料１１を塗布形成した後、必要に応じ50〜120℃で熱処理を行う。熱処理工程は図示を省略する。以後の各工程についても同様である。
【００１７】
次に図１（ｂ）に示すように、非水溶性フォトレジスト材料１１の上面に中間層として水溶性フッ化物含有溶液２０を塗布形成した後、必要に応じ50〜120℃で熱処理を行う。
その後、図１（ｃ）に示すように、中間層２０の上面に非水溶性フォトレジスト材料１２を塗布形成した後、必要に応じ50〜120℃で熱処理を行う。  
【００１８】
以上のように水溶性フッ化物含有溶液を塗布形成して中間層２０を形成しているため、有機系フォトレジスト材料同士が直接接触することがなく、従って、各材料間で高温の熱処理を行って混ざり合うことを防止する必要がない。また、各材料の有機溶剤に対する溶解速度も低下せず、安定なリフトオフプロセスに有効なパターン形成をすることができる。
【００１９】
実施の形態２．
次に、この発明の実施の形態２を図にもとづいて説明する。図２は、実施の形態２による半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図で、断面がＴ型、Ｙ型、Γ型形状の電極を有する半導体装置を形成する場合を例示するものである。
【００２０】
まず図２（ａ）に示すように、半導体基板、例えばGaAs基板１０上に電子ビーム用レジスト１３を塗布形成した後、必要に応じ100〜200℃で熱処理を行う。
次に、図２（ｂ）に示すように、電子ビーム用レジスト１３の上面に中間層として水溶性フッ化物含有溶液２０を塗布形成した後、必要に応じ50〜120℃で熱処理を行う。
【００２１】
続いて、図２（ｃ）に示すように、中間層２０の上面に非水溶性フォトレジスト材料、例えば画像反転レジスト１４を塗布形成した後、必要に応じ50〜120℃で熱処理を行う。
その後、図２（ｄ）に示すように、回路パターンが形成されたフォトマスク３１を通して水銀ランプを光源とした光４１で画像反転フォトレジスト１４を露光し、レジスト内に潜像１４ｂを得る。その後、反転ベーク、全面露光（いずれも図示せず）を行う。
【００２２】
次に、図２（ｅ）に示すように、アルカリ現像液（図示せず）、例えばTMAH濃度2.38％の現像液により画像反転フォトレジスト１４を現像し、露光部もしくは未露光部を除去すると共に、露光部に対応した中間層２０を溶解し、回路パターン１４a、２０ａを得る。
続いて、図２（ｆ）に示すように、回路パターン１４ａの開口部を通して下層の電子ビーム用レジスト１３を電子ビーム４２で露光し、レジスト内に潜像１３ｂを得る。
【００２３】
次に、図２（ｇ）に示すように、アルカリ現像液（図示せず）により電子ビーム用レジスト１３を現像し、レジストパターン１３ａを得る。断面形状は上層の回路パターン１４ａと下層の回路パターン１３ａとの重なり具合や形状、厚みなどによりＴ型、Ｙ型、Γ型など任意に調整することが可能である。
【００２４】
実施の形態２は上記のように構成されているため、半導体装置用多層レジストプロセスを得ることができる。
【００２５】
実施の形態３．
次に、この発明の実施の形態３を図にもとづいて説明する。図３は、実施の形態３による半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図で、断面がＴ型、Ｙ型、Γ型形状の電極を有する半導体装置を形成する場合を例示するものである。
【００２６】
まず図３（ａ）に示すように、半導体基板、例えばGaAs基板１０上に電子ビーム用レジスト１３を塗布形成した後、必要に応じ100〜200℃で熱処理を行う。その後、電子ビーム用レジスト１３を電子ビーム４２で露光し、レジスト内に潜像１３ｂを得る。
【００２７】
次に、図３（ｂ）に示すように、アルカリ現像液（図示せず）により電子ビーム用レジスト１３を現像し、レジストパターン１３ａを得る。続いて、図３（ｃ）に示すように、レジストパターン１３ａの上面に中間層として水溶性フッ化物含有溶液２０を塗布形成した後、必要に応じ50〜120℃で熱処理を行う。
【００２８】
その後、図３（ｄ）に示すように、中間層２０の上面に非水溶性フォトレジスト材料、例えば画像反転レジスト１４を塗布形成した後、必要に応じ50〜120℃で熱処理を行う。
次に、図３（ｅ）に示すように、回路パターンが形成されたフォトマスク３１を通して水銀ランプを光源とした光４１で画像反転レジスト１４を露光し、レジスト内に潜像１４ｂを得る。その後、反転ベーク、全面露光（いずれも図示せず）を行う。
【００２９】
続いて、図３（ｆ）に示すように、アルカリ現像液（図示せず）により画像反転レジスト１４を現像すると共に、露光部に対応した中間層２０を溶解し、回路パターン１４a、１３ａを得る。断面形状は上層の回路パターン１４ａと下層の回路パターン１３ａとの重なり具合や形状、厚みなどによりＴ型、Ｙ型、Γ型など任意に調整することが可能である。
【００３０】
実施の形態３は上記のように構成されているため、半導体装置用多層レジストプロセスを得ることができる。
【００３１】
実施の形態４．
次に、この発明の実施の形態４を図にもとづいて説明する。図４は、実施の形態４による半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図で、断面がＴ型、Ｙ型、Γ型形状の電極を有する半導体装置を形成する場合を例示するものである。
【００３２】
まず図４（ａ）に示すように、半導体基板、例えばGaAs基板１０上に電子ビーム用レジスト１３を塗布形成した後、必要に応じ100〜200℃で熱処理を行う。
その後、図４（ｂ）に示すように、電子ビーム用レジスト１３を電子ビーム４２で露光し、レジスト内に潜像１３ｂを得る。
【００３３】
次に、図４（ｃ）に示すように、電子ビーム用レジスト１３の上面に中間層として水溶性フッ化物含有溶液２０を塗布形成した後、必要に応じ50〜120℃で熱処理を行う。
続いて、図４（ｄ）に示すように、中間層２０の上面に非水溶性フォトレジスト材料、例えば画像反転レジスト１４を塗布形成した後、必要に応じ50〜120℃で熱処理を行う。
【００３４】
次に、図４（ｅ）に示すように、回路パターンが形成されたフォトマスク３１を通して水銀ランプを光源とした光４１で画像反転レジスト１４を露光し、レジスト内に潜像１４ｂを得る。その後、反転ベーク、全面露光（いずれも図示せず）を行う。
【００３５】
その後、図４（ｆ）に示すように、アルカリ現像液（図示せず）により画像反転レジスト１４を現像すると共に、露光部に対応した中間層２０を溶解し、さらに電子ビーム用レジスト１３を現像し、回路パターン１４a、２０a、１３ａを得る。断面形状は上層の回路パターン１４ａと下層の回路パターン１３ａとの重なり具合や形状、厚みなどによりＴ型、Ｙ型、Γ型など任意に調整することが可能である。
【００３６】
実施の形態４は上記のように構成されているため、半導体装置用多層レジストプロセスを得ることができる。
【００３７】
実施の形態５．
次に、この発明の実施の形態５を図にもとづいて説明する。図５は、実施の形態５による半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図で、断面が台形状の電極を有する半導体装置を形成する場合を例示するものである。
【００３８】
まず図５（ａ）に示すように、半導体基板、例えばGaAs基板１０上に紫外線に対する感度が高い非水溶性フォトレジスト１５を塗布形成した後、必要に応じ50〜120℃で熱処理を行う。その後、図５（ｂ）に示すように、非水溶性フォトレジスト１５の上面に中間層として水溶性フッ化物含有溶液２０を塗布形成した後、必要に応じ50〜120℃で熱処理を行う。
【００３９】
次に、図５（ｃ）に示すように、中間層２０の上面に非水溶性フォトレジスト１５に比較して紫外線に対する感度が低い非水溶性フォトレジスト１６を塗布形成した後、必要に応じ50〜120℃で熱処理を行う。続いて、図５（ｄ）に示すように、回路パターンが形成されたフォトマスク３２を通して水銀ランプを光源とした光４１でフォトレジスト１６及び１５を同時に露光し、レジスト内に潜像１６b及び１５ｂを得る。このとき下層の非水溶性フォトレジスト１５は上層の非水溶性フォトレジスト１６より紫外線に対する感度が高いため、より広がりをもった潜像１５ｂが得られることになる。
【００４０】
次に、図５（ｅ）に示すように、アルカリ現像液（図示せず）、例えばTMAH濃度2.38％の現像液により上層の非水溶性フォトレジスト１６を現像してレジストパターン１６aを得ると共に、中間層の水溶性フッ化物含有層２０の露光部に対応する部分を溶解し、さらに下層の非水溶性フォトレジスト１５を現像してレジストパターン１５ａを得ることにより、図示のようなオーバーハング形状を有するレジストパターンが形成でき、台形状の電極を形成することができる。
【００４１】
実施の形状６．
次に、この発明の実施の形態６を図にもとづいて説明する。図６は、実施の形態６による半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図で、断面が台形状の電極を有する半導体装置を形成する場合を例示するものである。
【００４２】
まず図６（ａ）に示すように、半導体基板、例えばGaAs基板１０上に非水溶性フォトレジスト１７を塗布形成した後、必要に応じ50〜120℃で熱処理を行う。次に、図６（ｂ）に示すように、水銀ランプを光源とした光４１で非水溶性フォトレジスト１７の全面を露光する。
【００４３】
続いて、図６（ｃ）に示すように、非水溶性フォトレジスト１７の上面に中間層として水溶性フッ化物含有溶液２０を塗布形成した後、必要に応じ50〜120℃で熱処理を行う。
次に、図６（ｄ）に示すように、中間層２０の上面に非水溶性フォトレジスト１８を塗布形成した後、必要に応じ50〜120℃で熱処理を行う。
【００４４】
その後、図６（ｅ）に示すように、回路パターンが形成されたフォトマスク３２を通して水銀ランプを光源とした光４１で非水溶性フォトレジスト１８を露光し、レジスト内に潜像１８ｂを得る。このとき下層の非水溶性フォトレジスト１７は既に一度露光されているため、上層の非水溶性フォトレジスト１８より現像液に溶けやすい状態となる。
【００４５】
次に、図６（ｆ）に示すように、アルカリ現像液（図示せず）、例えばTMAH濃度2.38％の現像液により上層の非水溶性フォトレジスト１８を現像してレジストパターン１８ａを得ると共に、中間層の水溶性フッ化物含有層２０の露光部に対応する部分を溶解し、さらに下層の非水溶性フォトレジスト１７を現像してレジストパターン１７ａを得ることにより、オーバーハング形状を有するレジストパターンを形成することができる。
【００４６】
実施の形態７．
次に、この発明の実施の形態７を図にもとづいて説明する。図７は、実施の形態７による半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図で、断面が台形状の電極を有する半導体装置を形成する場合を例示するものである。
【００４７】
まず図７（ａ）に示すように、半導体基板、例えばGaAs基板１０上に非水溶性フォトレジスト１７を塗布形成した後、必要に応じ50〜120℃で熱処理を行う。次に、図７（ｂ）に示すように、回路パターンが形成されたフォトマスク３２を通して水銀ランプを光源とした光４１で非水溶性フォトレジスト１７を露光し、レジスト内に潜像１７ｂを得る。
【００４８】
続いて、図７（ｃ）に示すように、非水溶性フォトレジスト１７の上面に中間層として水溶性フッ化物含有溶液２０を塗布形成した後、必要に応じ50〜120℃で熱処理を行う。
その後、図７（ｄ）に示すように、中間層２０の上面に非水溶性フォトレジスト１８を塗布形成した後、必要に応じ50〜120℃で熱処理を行う。
【００４９】
次に、図７（ｅ）に示すように、一度目の露光に使用された回路パターン３２と同一サイズもしくは僅かに狭い回路パターンが形成されたフォトマスク３３を通して水銀ランプを光源とした光４１でフォトレジスト１８を露光し、レジスト内に潜像１８ｂを得る。
【００５０】
その後、図７（ｆ）に示すように、アルカリ現像液（図示せず）、例えばTMAH濃度2.38％の現像液により上層の非水溶性フォトレジスト１８を現像してレジストパターン１８aを得ると共に、中間層の水溶性フッ化物含有層２０の露光部に対応する部分を溶解し、さらに下層の非水溶性フォトレジスト１７を現像してレジストパターン１７ａを得ることにより、オーバーハング形状を有するレジストパターンを形成することができる。
【００５１】
実施の形態８．
次に、この発明の実施の形態８を図にもとづいて説明する。図８は、実施の形態８による半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図で、上述した実施の形態２、３、４によって形成可能な断面がＴ型、Ｙ型、Γ型形状の電極を有する半導体装置を形成する場合を例示するものである。ここでは実施の形態２を例に挙げて説明する。図８において、（ａ）〜（ｅ）は実施の形態２の図２（ａ）〜（ｇ）と同一であるためそれ以降の工程について説明する。
【００５２】
図８（ｆ）に示すように、図８（ｅ）の工程で得られたレジストパターン１４ａを通してドライエッチングあるいはウェットエッチングなど（図示せず）により基板１０をエッチングし、エッチング溝５１を得る。
【００５３】
次に図８（ｇ）に示すように、電極材料６１を蒸着法によりレジストパターン１４ａ及び１３ａ上並びにエッチング溝５１上に堆積し、その後、有機溶剤への浸漬などにより不要金属を除去し、図８（ｈ）に示す断面形状を有する電極６２を得る。断面形状は上層の回路パターン１４ａと下層の回路パターン１３ａとの重なり具合や形状、厚みなどによりＴ型、Ｙ型、Γ型など任意に調整することが可能である。
【００５４】
実施の形態９．
次に、この発明の実施の形態９を図にもとづいて説明する。図９は、実施の形態９による半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図で、上述した実施の形態５、６、７によって形成可能な断面が台形状の電極を有する半導体装置を形成する場合を例示するものである。ここでは実施の形態５を例に挙げて説明する。図９において、（ａ）〜（ｃ）は実施の形態５の図５（ａ）〜（ｅ）と同一であるためそれ以降の工程について説明する。
【００５５】
図９（ｄ）に示すように、レジストパターン１６ａを通して電極材料６１を蒸着法によりレジストパターン１６ａ及び基板１０上に堆積し、その後、有機溶剤への浸漬などにより不要金属を除去し、図９（ｅ）に示す電極６２を得る。
なお、図９（ｃ）のパターンを得た後に、レジストパターン１６ａを通してドライエッチングあるいはウェットエッチングなど（図示せず）により基板１０をエッチングしてエッチング溝５２を得た後、図９（ｄ）（ｅ）の工程を実施し、図９（ｆ）を得るようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】この発明の実施の形態１による半導体装置の製造方法の基本部分を工程順に示す断面図である。
【図２】この発明の実施の形態２による半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図３】この発明の実施の形態３による半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図４】この発明の実施の形態４による半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図５】この発明の実施の形態５による半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図６】この発明の実施の形態６による半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図７】この発明の実施の形態７による半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図８】この発明の実施の形態８による半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図９】この発明の実施の形態９による半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図１０】従来の半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図１１】従来の半導体装置の他の製造方法を工程順に示す断面図である。
【符号の説明】
【００５７】
１０  半導体基板、  １１〜１９、７０  フォトレジスト、  １３ａ〜１９ａ、７０ａ  レジストパターン、  １３ｂ〜１８ｂ  潜像、  ２０  中間層、  ３１〜３３  フォトマスク、  ４１  光、  ４２  電子ビーム、  ５１、５２  エッチング溝、  ６１  電極材料、  ６２  電極。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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