(57)【要約】【課題】ワイヤボンディング工程において接合品質の安定化を図り、比較的容易に半導体装置を製造することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置の製造方法において、半導体チップ６を搭載するためのダイパッド１と、ダイパッド１の外方に設けられたフレーム枠３と、先端部がダイパッド１に対向し、後端部がフレーム枠３と接続されており、薄肉部１９を有する複数の第１のリード４ａとを有するリードフレーム５１を準備する工程（ａ）と、複数の第１のリード４ａの各々における薄肉部１９の下面上に、樹脂支柱１５を形成する工程（ｂ）とを備えている。工程（ｂ）の後、半導体チップ６に備えられた電極パッドと各第１のリード４ａとを金属細線９を介して、薄肉部１９の上面上でそれぞれ接続することで、ワイヤボンディング工程を行う。【選択図】図１
2008130660.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップを搭載するためのダイパッドと、前記ダイパッドの外方に設けられたフレーム枠と、先端部が前記ダイパッドに対向し、後端部が前記フレーム枠と接続されており、第１の領域の膜厚が他の部分の膜厚よりも小さい複数の第１のリードとを有するリードフレームを準備する工程（ａ）と、
前記複数の第１のリードの各々における前記第１の領域の下面上に、樹脂支柱を形成する工程（ｂ）と、
前記ダイパッド上に、電極パッドを有する前記半導体チップを搭載する工程（ｃ）と、
前記電極パッドと前記各第１のリードとを金属細線を介して、前記第１の領域の上面上でそれぞれ接続する工程（ｄ）と、
前記半導体チップ、前記ダイパッド、前記複数の第１のリード、および前記金属細線を樹脂封止する工程（ｅ）と
を備えている半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記複数の第１のリードのうち少なくとも一部は、第１の領域の膜厚が先端部の膜厚よりも小さい請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記工程（ｂ）において前記複数の第１のリードの下面上にそれぞれ形成された樹脂支柱は、柱状である請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記工程（ａ）で準備される前記リードフレームは、先端部が前記ダイパッドに対向し、後端部が前記フレーム枠に接続されており、第２の領域を有する複数の第２のリードをさらに有しており、
前記工程（ｄ）は、前記電極パッドと前記複数の第２のリードの各々とを金属細線を介して、前記第２の領域の上面上でそれぞれ接続する工程をさらに含んでおり、
前記工程（ｅ）では、前記複数の第２のリードも樹脂封止する請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記工程（ｂ）において前記複数の第１のリードの下面上にそれぞれ形成された前記樹脂支柱は、リング状に一体化されている請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記樹脂支柱は非導電性の材料から構成されている請求項１〜５のうちいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記工程（ｂ）の後、且つ、前記工程（ｃ）の前に、前記ダイパッドの下面、前記フレーム枠の下面、前記樹脂支柱の下面、および前記各第１のリードの先端部の下面の上に、樹脂フィルムを貼付する工程（ｆ）をさらに備えており、
前記工程（ｆ）では、前記樹脂支柱内に含まれるフィラーの直径が、前記第１の領域の下面から前記樹脂フィルムまでの距離よりも小さい請求項４〜６のうちいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体チップが搭載されるリードフレームを有する半導体装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年の半導体チップの機能の増大に伴う、半導体装置の外部リード端子の増加に対応するために、図８〜図１１に示すような樹脂封止型半導体装置が考案されている。
【０００３】
図８（ａ）は、従来の半導体装置の構成を示す上面図であり、図８（ｂ）は、図８（ａ）に示すVIIIｂ−VIIIｂ線における断面図である。図８に示すように、従来の半導体装置は、ダイパッド１０１と、ダイパッド１０１上に接着剤１０７を介して搭載された半導体チップ１０６と、先端部がダイパッド１０１に対向し、第１の外部端子１０５ａに接続される第１の信号接続用リード１０４ａと、半導体チップ１０６と第１の信号接続用リード１０４ａとをワイヤボンド接合点１０８において接続する金属細線１０９と、ダイパッド１０１、半導体チップ１０６、第１の信号接続用リード１０４ａ、および金属細線１０９を封止する封止樹脂１１０とを備えている。
【０００４】
ここで、第１の信号接続用リード１０４ａは、ハーフエッチングにより形成された薄肉部を有しており、中央部および後端部の膜厚は、第１の外部端子１０５ａに接続される先端部よりも薄くなっている。なお、図示していないが、従来の半導体装置では、第２の外部端子１０５ｂに接続される第２の信号接続用リード１０４ｂも設けられており、第１の信号接続用リード１０４ａと同様にして樹脂封止されている。また、第２の信号接続用リード１０４ｂも、ハーフエッチングにより薄肉部を有しており、第２の外部端子１０５ｂに接続されている部分以外の膜厚が、他の部分よりも薄く形成されている。
【０００５】
次に、図９〜図１１を参照しながら従来の半導体装置の製造方法を簡単に説明する。図９（ａ）は、従来の半導体装置のリードフレーム部分を示す上面図であり、図９（ｂ）は、図９（ａ）に示すIXｂ−IXｂ線における断面図であり、図９（ｃ）は、図９（ａ）に示すIXｃ−IXｃ線における断面図である。また、図１０（ａ）は、樹脂封止前における従来の半導体装置の構成を示す上面図であり、図１０（ｂ）および図１０（ｃ）は、それぞれ図８（ａ）に示すXｂ−Xｂ線およびXｃ−Xｃ線に示す断面図である。さらに、図１１は、従来の半導体装置の製造方法の一部を示す断面図である。
【０００６】
最初に、工程（ａ）では、半導体チップ１０６を搭載するためのダイパッド１０１と、ダイパッド１０１の外方に設けられたフレーム枠１０３と、先端部がダイパッド１０１に対向し、後端部がフレーム枠１０３にそれぞれ接続された第１の信号接続用リード１０４ａおよび第２の信号接続用リード１０４ｂとを有するリードフレーム１２０を準備する。なお、第１の信号接続用リード１０４ａおよび第２の信号接続用リード１０４ｂは、それぞれ第１の外部端子１０５ａおよび第２の外部端子１０５ｂに接続されている。また、ダイパッド１０１とフレーム枠１０３の四隅同士は、吊りリード１０２によりそれぞれ固定されている（図９参照）。
【０００７】
次に、工程（ｂ）では、リードフレーム１２０の下面上に樹脂フィルム１１３を貼り付ける。その後、リードフレーム１２０上のダイパッド１０１に電極パッドを有する半導体チップ１０６を搭載する。それから、突起部１１２を有する治具（図１１参照）を準備し、樹脂フィルム１１３の下面上に該治具を設置する。なお、突起部１１２は、第１の信号接続用リード１０４ａの薄肉部を支持するために設けられている。
【０００８】
続いて、工程（ｃ）では、半導体チップ１０６上に設けられた電極パッド（図示せず）と第１の信号接続用リード１０４ａおよび第２の信号接続用リード１０４ｂを、ワイヤボンディング工法により、それぞれ金属細線１０９を介して接続する。この時、半導体チップ１０６上のワイヤボンド接合点１０８と第１の信号接続用リード１０４ａおよび第２の信号接続用リード１０４ｂの上の金属細線接合点１２１ａ、１２１ｂとをそれぞれ接続することで、ワイヤボンディングが行われる（図１０参照）。
【０００９】
最後に、工程（ｄ）では、樹脂フィルム１１３をリードフレーム１２０の下面上に押し当てた状態で、半導体チップ１０６、ダイパッド１０１、第１の信号接続用リード１０４ａ、第２の信号接続用リード１０４ｂ、及び金属細線１０９を封止樹脂１１０により封止する。その後、樹脂フィルム１１３を剥離し、ダイシング工程などを経て、従来の半導体装置を製造することができる。
【００１０】
ここで、従来の半導体装置に設けられた第１の信号接続用リード１０４ａおよび第２の信号接続用リード１０４ｂは、それぞれ薄肉部を有している。この場合、工程（ｃ）において、第２の信号接続用リード１０４ｂと半導体チップ１０６を接続する際は、平面的に見て第２の外部端子１０５ｂと重なる部分に金属細線接合点１２１ｂがあるため、接合時の圧力が金属細線接合点１２１ｂに有効に加わり、ワイヤボンディングを行うことができる。一方、第１の信号接続用リード１０４ａと半導体チップ１０６を接続する際は、金属細線接合点１２１ａが薄肉部上にあるため、接合時の圧力が金属細線接合点１２１ａに有効に加わらないおそれがある。したがって、従来の半導体装置の製造方法では、工程（ｂ）において突起部１１２が設けられた治具を用いることで、上述の不具合を解消している。これにより、図１１に示すように、工程（ｃ）においては、第１の信号接続用リード１０４ａ上の金属細線接合点１２１ａが突起部１１２により樹脂フィルム１１３を介して下方より支持され、金属細線接合点１２１ａに圧力が有効に加わることにより、ワイヤボンディング工程を確実に行うことができる。
【特許文献１】特許第３４７０１１１号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
ところが、上述の従来の半導体装置の製造方法では、図１２に示すような不具合が起こる可能性がある。図１２は、従来の半導体装置の製造方法の不具合を示す断面図である。同図に示すように、例えば、樹脂フィルム１１３の材料として、剛性の高いフィルムを使用した場合、もしくは、突起部１１２による樹脂フィルム１１３への突き上げが極端に大きい場合には、樹脂フィルム１１３に引っ張られることで、第１の信号接続用リード１０４ａがヒートプレート１１１から浮き上がり、平面的に見て金属細線接合点１２１ａの真下の部分では、第１の信号接続用リード１０４ａと樹脂フィルム１１３との間に空隙１２２が発生してしまうことがある。このため、ワイヤボンディング工程において、金属細線接合点１２１ａに圧力が有効に加わらず、ワイヤボンディングの接合品質が安定しないという不具合が生じる可能性があった。
【００１２】
本発明は、上述の不具合に鑑みてなされたものであり、安定的にワイヤボンディング工程を行うことができ、比較的容易に半導体装置を製造することが可能な半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記課題を解決するために、本発明の半導体装置の製造方法は、半導体チップを搭載するためのダイパッドと、前記ダイパッドの外方に設けられたフレーム枠と、先端部が前記ダイパッドに対向し、後端部が前記フレーム枠と接続されており、第１の領域の膜厚が他の部分の膜厚よりも小さい複数の第１のリードとを有するリードフレームを準備する工程（ａ）と、前記複数の第１のリードの各々における前記第１の領域の下面上に、樹脂支柱を形成する工程（ｂ）と、前記ダイパッド上に、電極パッドを有する前記半導体チップを搭載する工程（ｃ）と、前記電極パッドと前記各第１のリードとを金属細線を介して、前記第１の領域の上面上でそれぞれ接続する工程（ｄ）と、前記半導体チップ、前記ダイパッド、前記複数の第１のリード、および前記金属細線を樹脂封止する工程（ｅ）とを備えている。
【００１４】
この方法によれば、工程（ｂ）で第１の領域の下面上に樹脂支柱が形成されるため、工程（ｄ）において第１の接続用リードと電極パッドと接続する際に、第１の領域が樹脂支柱により支えられることで、第１の領域の上面に圧力が有効に加わるようになる。このため、第１の領域の上面上において、第１のリードと電極パッドとを確実に接続することができる。その結果、本発明の半導体装置の製造方法では、ワイヤボンディング工程において接合品質を安定化することができ、金属細線の接続不良による歩留まりの低下を防ぐことができる。          
【００１５】
また、本実施形態の製造方法では、前記工程（ａ）で準備される前記リードフレームは、先端部が前記ダイパッドに対向し、後端部が前記フレーム枠に接続されており、第２の領域を有する複数の第２のリードをさらに有しており、前記工程（ｄ）は、前記電極パッドと前記複数の第２のリードの各々とを金属細線を介して、前記第２の領域の上面上でそれぞれ接続する工程をさらに含んでおり、前記工程（ｅ）では、前記複数の第２のリードも樹脂封止してもよい。
【００１６】
なお、前記工程（ｂ）において前記複数の第１のリードの下面上にそれぞれ形成された前記樹脂支柱は、リング状に一体化されていてもよい。これにより、接続不良を抑えるための工程を簡略化することができ、比較的簡単に信頼性の高い半導体装置を製造することができる。
【００１７】
なお、本発明の半導体装置の製造方法では、前記樹脂支柱は非導電性の材料から構成されていることが好ましい。これにより、工程（ｅ）の樹脂封止の後に、互いに隣接する 第１のリード同士の電気的絶縁性を確保することができる。
【００１８】
また、本実施形態の製造方法は、前記工程（ｂ）の後、且つ、前記工程（ｃ）の前に、前記ダイパッドの下面、前記フレーム枠の下面、前記樹脂支柱の下面、および前記各第１のリードの先端部の下面の上に、樹脂フィルムを貼付する工程（ｆ）をさらに備えており、前記工程（ｆ）では、前記樹脂支柱内に含まれるフィラーの直径が、前記第１の領域の下面から前記樹脂フィルムまでの距離よりも小さいことが好ましい。この方法によれば、必要以上に樹脂支柱が第１のリードを突き上げるのを抑制できるので、樹脂フィルムから第１のリードが離れ、第１のリードが接続不良となることを防止することができる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明の半導体装置の製造方法によれば、半導体チップと接続用リードとを接続するワイヤボンディング工程において、接合品質を安定化することができ、比較的簡単に半導体装置を作製することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
（第１の実施形態）
以下、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法について図面を参照しながら説明する。図１（ａ）〜（ｅ）および図２（ａ）、（ｂ）は、それぞれ本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。また、図３は、本実施形態に係る半導体装置のリードフレームの構成を示す上面図である。
【００２１】
最初に、図１（ａ）に示す工程では、ダイパッド１と、ダイパッド１の外方に設けられたフレーム枠３と、先端部がダイパッド１と対向し、後端部がフレーム枠３に接続された複数の第１の信号接続用リード４ａを有するリードフレーム５１を準備する。ここで、第１の信号接続用リード４ａの先端部の下部は、完成品の半導体装置において、第１の外部端子５ａとなる。また、第１の信号接続用リード４ａは、ハーフエッチングにより形成された薄肉部１９を有しており、薄肉部１９の一部である中央部の膜厚は先端部よりも薄くなっている。なお、図３に示すように、リードフレーム５１上には、それぞれ１個の半導体装置が搭載されるための複数のリードフレーム区画５２が２次元的に配列されている。
【００２２】
次に、図１（ｂ）に示す工程では、第１の信号接続用リード４ａの薄肉部１９における中央部付近の下面上に、塗布用ノズル１６を用いて熱硬化性の樹脂ペースト１５ｐを塗布する。
【００２３】
次に、図１（ｃ）に示す工程では、ダイパッド１の下面、第１の信号接続用リード４ａの先端部の下面、およびフレーム枠３の下面上に、樹脂フィルム１３を貼付する。その後、リードフレーム５１全体を高温の炉へ投入し、前の工程で塗布した樹脂ペースト１５ｐを硬化させる。これにより、第１の信号接続用リード４ａの薄肉部１９の下面と樹脂フィルム１３との間に、樹脂支柱１５が形成される。
【００２４】
次に、図１（ｄ）に示す工程では、ダイパッド１上に接着剤１４を介して、電極パッド（図示せず）を備えた半導体チップ６を搭載する。
【００２５】
続いて、図１（ｅ）に示す工程では、ヒートプレート１１上にリードフレーム５１を設置する。その後、ヒートプレート１１に設けられた複数の吸引孔１１ｂから樹脂フィルム１３を介してリードフレーム５１を吸引しながら、半導体チップ６に設けられた電極パッド（図示せず）と第１の信号接続用リード４ａを金属細線９を介して電気的に接続する。
【００２６】
次いで、図２（ａ）に示す工程では、トランスファーモールド工法により、リードフレーム５１上に設けられたダイパッド１、半導体チップ６、第１の信号接続用リード４ａ、フレーム枠３、および金属細線９を封止樹脂１０により封止する。
【００２７】
最後に、図２（ｂ）に示す工程では、樹脂フィルム１３を剥離し、リードフレーム５１をダイサーによって半導体装置の所定の形状にカットする。以上の方法により、本実施形態の半導体装置を製造することができる。
【００２８】
本実施形態の半導体装置の製造方法の特徴は、図１（ｃ）に示す工程において、第１の信号接続用リード４ａの薄肉部１９における下面上に樹脂支柱１５を形成することにある。ここで、この樹脂支柱１５の効果について、図４を参照しながら、説明する。図４（ａ）は、図１（ｅ）に示す工程における半導体装置の構成を示す上面図であり、図４（ｂ）は、図４（ａ）に示すIVｂ−IVｂ線における断面図であり、図４（ｃ）は、図４（ｂ）に示すIVｃ−IVｃ線における断面図である。
【００２９】
図４（ａ）〜（ｃ）に示すように、図１（ｅ）に示す工程では、金属細線接合点２１ａとワイヤボンド接合点８ａとを接続することで、第１の信号接続用リード４ａと半導体チップ６とのワイヤボンディングを行う。この時、第１の信号接続用リード４ａ上の金属細線接合点２１ａと図１（ｃ）の工程で形成された樹脂支柱１５とは、平面的に見て互いに重なっている。これにより、第１の信号接続用リード４ａ上の金属細線接合点２１ａに金属細線９を接続する際に、金属細線接合点２１ａが樹脂支柱１５により下方から支持されることで、金属細線接合点２１ａに圧力が有効に加わるため、確実にワイヤボンディングを行うことができる。したがって、本実施形態の半導体装置の製造方法を用いると、ワイヤボンディング工程において接合品質を安定化することができ、金属細線の接続不良による歩留まりの低下を防ぐことができる。          
【００３０】
なお、本実施形態の半導体装置の製造方法では、樹脂支柱１５の材料が非導電性の材料から構成されていることが望ましい。これは、図２（ａ）に示す樹脂封止の工程後に、互いに隣接する第１の信号接続用リード４ａ同士、および互いに隣接する半導体装置の外部端子同士の電気的絶縁性を確保するためである。
【００３１】
また、図２（ａ）において、樹脂支柱１５内に含まれるフィラーの直径は、樹脂フィルム１３から第１の信号接続用リード４ａの薄肉部１９の下面までの距離よりも小さいことが望ましい。この場合、必要以上に樹脂支柱１５が第１の信号接続用リード４ａを突き上げるのを防ぐことができるので、樹脂フィルム１３から第１の信号接続用リード４ａが離れ、第１の信号接続用リード４ａが接続不良となることを防止することができる。なお、図２（ａ）に示す工程で用いる封止樹脂１０内にフィラーを含んでいてもよく、この場合、直径が樹脂フィルム１３から第１の信号接続用リード４ａの薄肉部１９の下面までの距離よりも小さいフィラーを用いてもよい。
【００３２】
なお、本実施形態の半導体装置の製造方法では、図４（ｃ）に示すように、樹脂支柱１５が柱状に形成されているが、これに限定されるものではない。
【００３３】
また、本実施形態の半導体装置の製造方法においては、半導体チップと外部の端子を接続するための接続用リードとして、先端部の下部が第１の外部端子５ａとなる第１の接続信号用リード４ａを用いたが、第１の接続信号用リード４ａの他に、先端部以外の部分が外部の端子となる第２の接続用リードを含んでいてもよい。
【００３４】
なお、図１（ａ）で使用される第１のリードフレーム４ａの薄肉部１９は、ハーフエッチングの他に、プレス加工等により形成することが可能である。
【００３５】
（第２の実施形態）
以下、本発明の第２の実施形態における半導体装置の製造方法について図面を参照しながら説明する。図５（ａ）〜（ｅ）および図６（ａ）、（ｂ）は、それぞれ本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。なお、本実施形態の半導体装置の製造方法では、樹脂支柱の代わりにサポートリングが用いられる点が第１の実施形態の半導体装置と異なっている。
【００３６】
最初に、図５（ａ）に示す工程では、ダイパッド１と、ダイパッド１の外方に設けられたフレーム枠３と、先端部がダイパッド１と対向し、後端部がフレーム枠３にそれぞれ接続された複数の第１の信号接続用リード４ａおよび第２の信号接続用リード４ｂ（図６参照）とを有するリードフレーム５３を準備する。ここで、第１の信号接続用リード４ａおよび第２の信号接続用リード４ｂの一部は、完成品の半導体装置において、それぞれ第１の外部端子５ａおよび第２の外部端子５ｂとなる。また、第１の信号接続用リード４ａは、ハーフエッチングにより形成された薄肉部１９ａを有しており、中央部および後端部の膜厚は先端部よりも薄くなっている。さらに、第２の信号接続用リード４ｂも薄肉部１９ｂを有しており、下部が第２の外部端子５ｂとなる部分膜厚は、他の部分よりも厚くなっている。なお、第１の実施形態と同様に、リードフレーム５３上には、それぞれ１個の半導体装置が搭載されるための複数のリードフレーム区画５２が２次元的に配列されている（図３参照）。
【００３７】
次に、図５（ｂ）に示す工程では、第１の信号接続用リード４ａの薄肉部１９における中央部付近の下面上および第２の信号接続用リード４ｂにおけるフレーム枠３と第２の外部端子５ｂの接続部分との間に位置する薄肉部１９ｂの下面上に、別途作製した例えば樹脂製のサポートリング１８を取り付ける。
【００３８】
次に、図５（ｃ）に示す工程では、ダイパッド１の下面、第１の信号接続用リード４ａの先端部の下面、第２の信号接続用リード４ｂにおける第２の外部端子５ｂとの接続部分、サポートリング１８の下面、およびフレーム枠３の下面上に、樹脂フィルム１３を貼付する。
【００３９】
次に、図５（ｄ）に示す工程では、ダイパッド１上に接着剤１４を介して、電極パッド（図示せず）を備えた半導体チップ６を搭載する。
【００４０】
続いて、図５（ｅ）に示す工程では、ヒートプレート１１上にリードフレーム５１を設置する。その後、ヒートプレート１１に設けられた複数の吸引孔１１ｂから樹脂フィルム１３を介してリードフレーム５１を吸引しながら、半導体チップ６に設けられた電極パッド（図示せず）と第１の信号接続用リード４ａを金属細線９を介して電気的に接続する。ここで、図示はしないが、第２の信号接続用リード４ｂも金属細線９を介して電極パッドと電気的に接続する。       
【００４１】
次いで、図６（ａ）に示す工程では、トランスファーモールド工法により、リードフレーム５１上に設けられたダイパッド１、半導体チップ６、第１の信号接続用リード４ａ、第２の信号接続用リード４ｂ、フレーム枠３、および金属細線９を封止樹脂１０により封止する。
【００４２】
最後に、図６（ｂ）に示す工程では、樹脂フィルム１３を剥離し、リードフレーム５１をダイサーによって半導体装置の所定の形状にカットする。以上の方法により、本実施形態の半導体装置を製造することができる。
【００４３】
本実施形態の半導体装置の製造方法の特徴は、図５（ｂ）に示す工程において、第１の信号接続用リード４ａの薄肉部１９における下面上にサポートリング１８を取り付けることにある。ここで、このサポートリング１８の効果について、図７を参照しながら、説明する。図７（ａ）は、図５（ｅ）に示す工程における半導体装置の構成を示す上面図であり、図７（ｂ）は、図７（ａ）に示すVIIｂ−VIIｂ線における断面図であり、図５（ｃ）は、図７（ａ）に示すVIIｃ−VIIｃ線における断面図である。なお、図７（ｂ）、（ｃ）では、図５（ｅ）に示すヒートプレート１１、吸引孔１１ｂ、樹脂フィルムは省略している。
【００４４】
図７（ａ）〜（ｃ）に示すように、図５（ｂ）に示す工程では、金属細線接合点２１ａとワイヤボンド接合点８ａとを接続することで、第１の信号接続用リード４ａと半導体チップ６とのワイヤボンディングを行う。この時、第１の信号接続用リード４ａにおける金属細線接合点２１ａが設けられた領域の下面上には、サポートリング１８が取り付けられている。このため、第１の信号接続用リード４ａ上の金属細線接合点２１ａに金属細線９を接続する際に、金属細線接合点２１ａがサポートリング１８により下方から支持されることで、金属細線接合点２１ａに圧力が有効に加わるため、確実にワイヤボンディングを行うことができる。したがって、本実施形態の半導体装置の製造方法を用いると、ワイヤボンディング工程において接合品質を安定化することができ、金属細線の接続不良による歩留まりの低下を防ぐことができる。          
【００４５】
なお、本実施形態の半導体装置の製造方法では、サポートリング１８の材料が非導電性の材料から構成されていることが望ましい。これは、図６（ａ）に示す樹脂封止の工程後に、互いに隣接する第１の信号接続用リード４ａ同士、互いに隣接する第２の信号接続用リード４ｂ、および互いに隣接する半導体装置の外部端子同士の電気的絶縁性を確保するためである。
【００４６】
また、サポートリング１８は、各第１の信号接続用リード４ａおよび各第２の信号接続用リード４ｂの下面上にリング状に一体化して形成されていることが好ましい。この場合、接合不良を抑えるための工程を簡略化することができ、比較的容易に半導体装置を作製することができる。なお、サポートリング１８は、トランスファモールド工法などによって、リードフレーム５３上に２次元的に配列された複数のリードフレーム区画５２に対して、一体化して形成してもよい。
【００４７】
また、図６（ａ）において、サポートリング１８内に含まれるフィラーの直径は、樹脂フィルム１３から第１の信号接続用リード４ａの薄肉部１９の下面までの距離よりも小さいことが望ましい。この場合、サポートリング１８が第１の信号接続用リード４ａを突き上げるのを防ぐことができるので、樹脂フィルム１３から第１の信号接続用リード４ａが離れ、第１の信号接続用リード４ａが接続不良となることを防止することができる。なお、図６（ａ）に示す工程で用いる封止樹脂１０内にフィラーを含んでいてもよく、この場合、直径が樹脂フィルム１３から第１の信号接続用リード４ａの薄肉部１９の下面までの距離よりも小さいフィラーを用いてもよい。
【産業上の利用可能性】
【００４８】
本発明の半導体装置の製造方法は、リードフレーム上に半導体チップが搭載された半導体装置の作製に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】（ａ）〜（ｅ）は、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図２】（ａ）、（ｂ）は、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図３】第１の実施形態に係る半導体装置のリードフレームの構成を示す上面図である
【図４】（ａ）〜（ｃ）は、第１の実施形態に係る図１（ｅ）に示す工程における半導体装置の構成を示す図である。
【図５】（ａ）〜（ｅ）は、本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の構成を示す断面図である。
【図６】（ａ）、（ｂ）は、本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の構成を示す断面図である。
【図７】（ａ）〜（ｃ）は、第２の実施形態に係る図５（ｅ）に示す工程における半導体装置の構成を示す図である。
【図８】（ａ）、（ｂ）は、従来の半導体装置の構成を示す図である。
【図９】（ａ）〜（ｃ）は、従来の半導体装置のリードフレーム部分を示す図である。
【図１０】（ａ）〜（ｃ）は、樹脂封止前の従来の半導体装置の構成を示す図である。
【図１１】従来の半導体装置の製造方法の一部を示す断面図である。
【図１２】従来の半導体装置の製造方法における不具合を示す断面図である。
【符号の説明】
【００５０】
１        ダイパッド 
３        フレーム枠 
４ａ      第１の信号接続用リード 
４ｂ      第２の信号接続用リード 
５ａ      第１の外部端子 
５ｂ      第２の外部端子 
６        半導体チップ 
８ａ      ワイヤボンド接合点 
９        金属細線 
１０        封止樹脂 
１１        ヒートプレート 
１１ｂ      吸引孔 
１３        樹脂フィルム 
１４        接着剤 
１５        樹脂支柱 
１５ｐ      樹脂ペースト 
１６        塗布用ノズル 
１８        サポートリング  
１９、１９ａ、１９ｂ      薄肉部 
２１ａ      金属細線接合点 
５１、５３    リードフレーム 
５２        リードフレーム区画 
１０１        ダイパッド 
１０２        リード 
１０３        フレーム枠 
１０４ａ      第１の信号接続用リード 
１０４ｂ      第２の信号接続用リード 
１０５ａ      第１の外部端子 
１０５ｂ      第２の外部端子 
１０６        半導体チップ 
１０７        接着剤 
１０８        ワイヤボンド接合点 
１０９        金属細線 
１１０        封止樹脂 
１１１        ヒートプレート 
１１２        突起部 
１１３        樹脂フィルム 
１２０        リードフレーム 
１２１ａ、１２１ｂ      金属細線接合点 
１２２        空隙
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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