(57)【要約】【課題】半透過反射型の液晶装置において、互いに対向する基板同士の配向状態を揃えることにより反射表示領域と透過表示領域の境界における液晶分子の配向不良を防止する。【解決手段】第１基板１５と第２基板１７との間に設けられた液晶層１４と、基板１５の液晶層側に設けられた光反射膜３６と、基板１５及び基板１７の面内に配列された複数のサブ画素Ｐとを有する液晶装置である。サブ画素Ｐは光反射膜３６が設けられた反射表示領域Ｒと光反射膜３６が設けられていない透過表示領域Ｔとを有し、領域Ｒにおける液晶層１４の層厚ｄ０は領域Ｔにおける液晶層１４の層厚ｄ１よりも薄く、領域Ｒにおける基板１５から液晶層１４までの高さＨ１Ｒは領域Ｔにおける基板１５から液晶層１４までの高さＨ１Ｔよりも低く、領域Ｒにおける基板１７から液晶層１４までの高さＨ２Ｒは領域Ｔにおける基板１７から液晶層１４までの高さＨ２Ｔよりも高くなっている。【選択図】図６
2008216723.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と第２基板との間に設けられた液晶層と、
前記第１基板の前記液晶層側に設けられた光反射膜と、
前記第１基板及び前記第２基板の面内に配列された複数のサブ画素と、を有し、
前記サブ画素は、前記光反射膜によって反射された光を用いて表示を行う反射表示領域
と、前記光反射膜が設けられていない領域を透過する光を用いて表示を行う透過表示領域
とを有し、
前記反射表示領域における前記液晶層の層厚は、前記透過表示領域における前記液晶層
の層厚よりも薄く、
前記反射表示領域における前記第１基板から前記液晶層までの高さは前記透過表示領域
における前記第１基板から前記液晶層までの高さよりも低く、
前記反射表示領域における前記第２基板から前記液晶層までの高さは前記透過表示領域
における前記第２基板から前記液晶層までの高さよりも高い
ことを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
請求項１記載の液晶装置において、前記第１基板の前記液晶層側の表面であって前記反
射表示領域と前記透過表示領域との境界に形成される第１の段差面と、前記第２基板の前
記液晶層側の表面であって前記反射表示領域と前記透過表示領域との境界に形成される第
２の段差面は平面視で互いに重なっていることを特徴とする液晶装置。
【請求項３】
請求項２記載の液晶装置において、
前記第１基板の前記液晶層に接する表面には第１配向膜が設けられ、該第１配向膜は前
記第１段差面に対向する側から当該第１段差面に向かう方向にラビングされ、
前記第２基板の前記液晶層に接する表面には第２配向膜が設けられ、該第２配向膜は前
記第２段差面に対向する側から当該第２段差面に向かう方向にラビングされる
ことを特徴とする液晶装置。
【請求項４】
請求項３記載の液晶装置において、前記第１配向膜に対するラビング方向と前記第２配
向膜に対するラビング方向は逆平行の関係にあることを特徴とする液晶装置。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれか１つに記載の液晶装置において、前記第１基板の前記
液晶層の側には、第１電極と、該第１電極との間で電界を生じさせる第２電極とが設けら
れ、前記第２電極は間隙を有して平行に配列した複数の電極線状部を備えることを特徴と
する液晶装置。
【請求項６】
請求項５記載の液晶装置において、前記ラビング方向は前記第２電極の間隙の延在方向
に対して５°〜２０°傾いていることを特徴とする液晶装置。
【請求項７】
請求項３記載の液晶装置において、前記第２基板と前記第２配向膜との間には、液晶層
厚調整膜が前記反射表示領域内に設けられ、前記第２段差面は前記液晶層厚調整膜の端辺
に形成された段差によって形成されることを特徴とする液晶装置。
【請求項８】
請求項７記載の液晶装置において、前記液晶層厚調整膜は位相差膜を含んで形成され、
前記位相差膜のリタデーション（Δｎｄ）は２分の１波長であることを特徴とする液晶装
置。
【請求項９】
請求項１から請求項８のいずれか１つに記載の液晶装置において、前記第１基板と前記
光反射膜の間には絶縁膜が設けられ、前記第１段差面は前記絶縁膜に形成された段差によ
って形成されることを特徴とする液晶装置。
【請求項１０】
請求項９記載の液晶装置において、前記絶縁膜の前記光反射膜側の表面には、該光反射
膜表面に複数の凹凸を付与する凹凸が設けれらており、前記段差は前記絶縁膜の凹凸を形
成した領域の端部に配置されていることを特徴とする液晶装置。
【請求項１１】
請求項１から請求項１０のいずれか１つに記載の液晶装置において、前記第１段差面及
び前記第２段差面は、前記第１基板上及び前記第２基板上からの厚み方向に厚さが連続的
に変化する傾斜面であることを特徴とする液晶装置。
【請求項１２】
請求項１から請求項１１のいずれか１つに記載の液晶装置を有することを特徴とする電
子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、反射型表示と透過型表示の両方を選択的に行うことができる液晶装置に関す
る。また、本発明は、その液晶装置を用いて構成される電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、携帯電話機、ＰＤＡ（Personal Digital Assistant：携帯情報端末機）、カーナ
ビゲーションシステム等といった電子機器に液晶装置が広く用いられている。例えば、電
子機器に関する各種の情報を画像として表示するための表示部として液晶装置が用いられ
ている。この液晶装置として、反射型と透過型の表示方式を兼ね備えた半透過反射型のも
のが知られている。透過型は、液晶層を１回透過した光によって表示を行う表示形態であ
る。また、反射型は、液晶層を１回透過した後に光反射膜で反射して再度液晶層を透過し
た光によって表示を行う表示形態である。半透過反射型は、上記の透過型表示及び上記の
反射型表示の一方を選択的に行う表示形態である。この半透過反射型の液晶装置は、１つ
のサブ画素内に反射表示領域と透過表示領域とを備え、周囲の明るさに応じて反射モード
又は透過モードのいずれかの表示方式に切替えることにより、消費電力を低減しつつ周囲
が暗い場合でも明瞭な表示を行うことができるものである（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−３３８２５６号公報（第６頁〜第７頁、図２）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
このような半透過反射型の液晶装置では、反射表示領域と透過表示領域とで最適となる
リタデーション値が異なるため、液晶層の層厚を反射表示領域と透過表示領域との間で異
ならせている。特許文献１に開示された液晶装置では、一方の基板の反射表示領域内に液
晶層側に層厚調整膜を設けて段差を形成し、他方の基板にはオーバーコート層を設けて液
晶層側の基板表面を平坦に形成している。こうして反射表示領域内の液晶層の層厚を透過
表示領域内の液晶層の層厚より薄くしている。
【０００５】
一方の基板に設けられた層厚調整膜の端辺、すなわち反射表示領域と透過表示領域との
境界部分の層厚調整膜には段差面が形成されている。この段差面に対向する他方の基板の
表面は略平坦である。そのため、段差面の近傍において、一方の基板と他方の基板とで配
向膜に対するラビング処理の状態に違いが生じ、配向膜上の配向状態に違いが生じること
がある。この配向状態の違いが原因となり、段差面近傍で配向不良が生じるおそれがある
。
【０００６】
また、液晶装置には、いわゆる縦電界型の液晶装置と横電界型の液晶装置とがある。縦
電界型の液晶装置は、ＴＮ（Twisted Nematic）型液晶装置に代表されるように、液晶層
を挟んで互いに対向する一対の基板のそれぞれに電極を設け、それらの電極に電圧を印加
することによりそれらの基板に対して垂直方向の電界、いわゆる縦電界を発生させ、液晶
層内の液晶分子の配向をその縦電界によって制御することにより、その液晶層を通過する
光を変調する。
【０００７】
一方、横電界型の液晶装置は、液晶層を挟んで互いに対向する一対の基板の一方に共通
電極及び画素電極の２つの電極を設け、それらの電極に電圧を印加することによりそれら
の基板に対して平行方向又は斜め方向の電界、いわゆる横電界を発生させ、液晶層内の液
晶分子の配向をその横電界によって制御することにより、その液晶層を通過する光を変調
する。
【０００８】
上記の横電界型及び縦電界型の液晶装置のうち、特に、横電界型の液晶装置では、一方
の基板側のラビング方向と他方の基板のラビング方向とがアンチパラレル（逆平行）とな
っているので、配向状態の違いが表示に影響を及ぼす可能性が高くなる。
【０００９】
本発明は、上記の問題点に鑑みて成されたものであって、半透過反射型である液晶装置
及びそれを用いた電子機器において、互いに対向する基板同士の配向状態を揃えることに
より、反射表示領域と透過表示領域の境界における液晶分子の配向不良を防止し、表示の
コントラストが低下するのを防止することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明に係る液晶装置は、第１基板と第２基板との間に設けられた液晶層と、前記第１
基板の前記液晶層側に設けられた光反射膜と、前記第１基板及び前記第２基板の面内に配
列された複数のサブ画素とを有し、前記サブ画素は、前記光反射膜によって反射された光
を用いて表示を行う反射表示領域と、前記光反射膜が設けられていない領域を透過する光
を用いて表示を行う透過表示領域とを有し、前記反射表示領域における前記液晶層の層厚
は前記透過表示領域における前記液晶層の層厚よりも薄く、前記反射表示領域における前
記第１基板から前記液晶層までの高さは前記透過表示領域における前記第１基板から前記
液晶層までの高さよりも低く、前記反射表示領域における前記第２基板から前記液晶層ま
での高さは前記透過表示領域における前記第２基板から前記液晶層までの高さよりも高い
ことを特徴とする。
【００１１】
この液晶装置は、いわゆる半透過反射型の液晶装置である。この半透過反射型の液晶装
置は、サブ画素内に透過表示領域と反射表示領域とを有する。反射表示領域は、光反射膜
が設けられその光反射膜によって反射した光を用いて、いわゆる反射型表示を行う。一方
、透過表示領域は、光反射膜が設けられずに一方の基板から他方の基板へと透過する光を
用いて、いわゆる透過型表示を行う。本発明の液晶装置では、反射表示領域と透過表示領
域のいずれかを用いて透過型表示と反射型表示を選択的に行うことができる。
【００１２】
また、上記の液晶装置では、反射表示領域内の液晶層厚を透過表示領域内の液晶層厚よ
りも薄くした構造、いわゆるマルチギャップ構造を有している。この液晶層厚の調整は、
例えば、第１基板又は第２基板上に液晶層厚調整膜を設けることにより行うことができる
。このように液晶層厚を異ならせることにより、液晶層のリタデーション値を、反射表示
領域と透過表示領域とで最適化している。
【００１３】
また、上記の液晶装置において、第１基板上に設けられる複数の要素、又は第２基板上
に設けられる複数の要素としては、液晶装置を構成するために必要な要素、例えば、電極
、絶縁膜、光反射膜、配向膜等が考えられる。例えば、これらの要素を選択的に形成した
り又は選択的に除去することにより、基板から液晶層までの高さを反射表示領域と透過表
示領域とで異ならせることができる。
【００１４】
本発明の液晶装置では、反射表示領域における第１基板から液晶層までの高さを透過表
示領域における第１基板から液晶層までの高さよりも低くしたので、反射表示領域と透過
表示領域との境界に段差が形成される。一方、反射表示領域における第２基板から液晶層
までの高さを透過表示領域における第２基板から液晶層までの高さよりも高くしたので、
反射表示領域と透過表示領域との境界に段差が形成される。このように、第１基板上の液
晶層側の表面と第２基板上の液晶層側の表面との両方に段差を設ければ、その段差の部分
において液晶の配向を第１基板上と第２基板上とで揃えることができる。特に、反射表示
領域と透過表示領域の境界において揃えることができる。その結果、液晶の配向不良に起
因して、表示のコントラストが低下することを防止できる。
【００１５】
次に、本発明に係る液晶装置において、前記第１基板の前記液晶層側の表面であって前
記反射表示領域と前記透過表示領域との境界に形成される第１の段差面と、前記第２基板
の前記液晶層側の表面であって前記反射表示領域と前記透過表示領域との境界に形成され
る第２の段差面は平面視で互いに重なっていることが望ましい。こうすれば、互いに対向
する第１基板上の配向状態と第２基板上の配向状態とを、第１段差面と第２段差面が重な
る部分、すなわち反射表示領域と透過表示領域の境界においてより確実に揃えることがで
きる。その結果、液晶の配向不良に起因して、表示のコントラストが低下することを防止
できる。
【００１６】
なお、第１段差面は、第１基板と光反射膜との間に設けられた絶縁膜を部分的に薄く形
成することによって設けることができる。具体的には、絶縁膜の薄膜部分の端部に段差を
形成し、その段差部分が第１段差面を形成することができる。また、絶縁層の光反射膜側
の表面には、当該光反射膜表面に複数の凹凸を付与する凹凸が設けられており、前記絶縁
膜に形成された段差は絶縁膜の凹凸を形成した領域の端部に配置することができる。この
凹凸は、光反射膜３６において反射する光を散乱させる機能を有する。この凹凸を形成し
た領域の端部に段差を配置することにすれば、絶縁膜の段差を凹凸をパターニングにより
形成する際に容易に形成できる。
【００１７】
また、第２段差面は、例えば第２基板と前記第２配向膜との間であって反射表示領域内
に液晶層厚調整膜を形成することによって設けることができる。具体的には、液晶層厚調
整膜の端部に段差を形成し、その段差部分が第２段差面を形成することができる。これら
の絶縁膜の薄膜部分及び液晶層厚調整膜は、例えばフォトリソグラフィ処理等を用いてパ
ターニングすることによって形成できる。
【００１８】
絶縁膜に形成される段差及び液晶層厚調整膜の段差は、前記第１基板上及び第２基板上
から厚み方向に厚さが連続的に変化する傾斜面とすることができる。この傾斜面は、絶縁
膜又は液晶層厚調整膜をパターニングする際に、必然的に傾斜面に形成されることがある
。この場合、絶縁膜又は液晶層厚調整膜の傾斜面に従って、第１段差面及び第２段差面も
傾斜面に形成される。
【００１９】
次に、本発明に係る液晶装置において、前記第１基板の前記液晶層に接する表面には第
１配向膜が設けられ、該第１配向膜は前記第１段差面に対向する側から当該第１段差面に
向かう方向にラビングされ、前記第２基板の前記液晶層に接する表面には第２配向膜が設
けられ、該第２配向膜は前記第２段差面に対向する側から当該第２段差面に向かう方向に
ラビングされることが望ましい。
【００２０】
ラビングは、一般に、ラビング布を巻き付けた円筒状のローラを用いて行われる。具体
的には、ローラを回転させながらそのローラを配向膜面の面内の所定方向へ移動させるこ
とにより、ローラ表面に巻き付けたラビング布を配向膜の表面に擦りつけることにより行
われる。このラビングにより、液晶層に含まれる液晶分子が配向される。また、配向膜に
ラビングを施すことにより、液晶分子は、電界が印加されていない状態（すなわち、初期
配向の状態）で、配向膜の表面から所定角度傾斜した状態に配向されることがある。この
配向状態が、いわゆるプレチルト状態である。
【００２１】
本発明に係る液晶装置によれば、第１配向膜は第１段差面に対向する側から当該第１段
差面に向かう方向にラビングされ、第２配向膜は第２段差面に対向する側から当該第２段
差面に向かう方向にラビングされるので、第１段差面と第２段差面の両方に対して強いラ
ビング強度を付与でき、配向力を強くでき、配向ムラを防止できる。その結果、第１段差
面及び第２段差面の位置、すなわち反射表示領域と透過表示領域との境界において配向不
良を防止し、高いコントラストを確保できる。ラビングが、本発明とは逆に、段差面の山
部から谷部へ向かって行われると、当該段差面に付与されるラビング強度が弱くなって表
示不良を生じるおそれがある。これに対し本発明によれば、段差面に対して強いラビング
強度を付与できるので、ラビング不良に起因する表示不良の発生を防止できる。
【００２２】
次に、段差面に向かう方向にラビングを行うことにした液晶装置において、前記第１配
向膜に対するラビング方向と前記第２配向膜に対するラビング方向は逆平行（アンチパラ
レル）の関係にあることが望ましい。本発明態様では、第１段差面と第２段差面が互いに
対向している。すなわち、段差面に向かう方向が、第１基板と第２基板とで対向する方向
となっている。この構成の液晶装置に対して、第１配向膜に対するラビング方向と第２配
向膜に対するラビング方向とを逆平行の関係とすれば、第１配向膜と第２配向膜、特に第
１段差面と第２段差面とで配向状態を揃えることができる。の結果、液晶の配向不良に起
因して、表示のコントラストが低下することを防止できる。
【００２３】
次に、本発明に係る液晶装置において、前記第１基板の前記液晶層の側には、第１電極
と、該第１電極との間で電界を生じさせる第２電極とが設けられ、前記第２電極は間隙を
有して平行に配列した複数の電極線状部を備えることが望ましい。また、本発明に係る液
晶装置においては、前記ラビング方向は前記第２電極の間隙の延在方向に対して５°〜２
０°傾いていることが望ましい。
【００２４】
この構成の液晶装置は、第１電極と第２電極との間の液晶層に、基板面に対して略平行
方向に形成される電界を印加することにより液晶を駆動する、いわゆる横電界型の液晶装
置である。このような横電界型の液晶装置の動作モードとしては、例えばＩＰＳ（In-Pla
ne Switching）モードやＦＦＳ（Fringe Field Switching）モードが知られている。ＩＰ
Ｓモードは、第１電極と第２電極とが平面視で重ならない位置に配設された構成を有する
。一方、ＦＦＳモードは、第１電極と第２電極とが平面視で重なる位置に配設された構成
を有する。このＦＦＳモードは、基板に平行な横電界に加えて液晶層の層厚方向にも電界
を生じさせることができる。また、第１電極と第２電極との間に電気的な保持容量を形成
することができる。これらの作用により、ＩＰＳモードに比べて、広視角、高コントラス
ト、低電圧の液晶装置を構成できる。なお、本発明態様は、液晶として正の誘電率異方性
を有する液晶を用いて構成されている。
【００２５】
本発明に係る液晶装置の構成は、横電界モードの液晶装置に好適に用いることができる
。こうすれば、反射表示領域と透過表示領域の境界における液晶分子の配向状態を、第１
基板と第２基板とで揃えることをより確実にできるので、表示のコントラストが低下する
ことをより確実に防止できる。
【００２６】
次に、本発明に係る液晶装置において、前記液晶層厚調整膜は位相差膜を含んで形成さ
れ、前記位相差膜のリタデーション（Δｎｄ）は２分の１波長であることが望ましい。本
発明において、液晶層厚調整膜は反射表示領域に対応して第２基板上に設けられる。液晶
層厚調整膜は、反射表示領域と透過表示領域とで異なる最適リタデーション値を実現する
ために用いられる。
【００２７】
次に、本発明に係る電子機器は、以上に記載した構成の液晶装置を有することを特徴と
する。本発明に係る液晶装置は、反射表示領域における第１基板から液晶層までの高さを
透過表示領域内における第１基板から液晶層までの高さよりも低くし、反射表示領域にお
ける第２基板から液晶層までの高さを透過表示領域内における第２基板から液晶層までの
高さよりも高くすることで、第１基板の液晶層側の表面と第２基板側の液晶層側の表面と
の両方に段差を設けている。これにより、その段差の部分において液晶の配向を第１基板
上と第２基板上とで揃えることができるので、液晶の配向不良に起因して、表示のコント
ラストが低下することを防止できる。従って、この液晶装置を用いて構成される電子機器
においても、表示のコントラストが低下することを防止できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
（液晶装置の第１実施形態）
以下、液晶装置の一例として、半透過反射型でカラー表示が可能なアクティブマトリク
ス方式の液晶装置に本発明を適用した場合を例に挙げて本発明の実施形態を説明する。ま
た、本実施形態では、チャネルエッチ型でシングルゲート構造のポリシリコンＴＦＴ素子
をスイッチング素子として用いた液晶装置に本発明を適用する。また、本実施形態におけ
る液晶装置では、動作モードとしてＦＦＳ（Fringe Field Switching）モードを採用する
ものとする。なお、本発明がこの実施形態に限定されないことはもちろんである。また、
以下の説明で用いる図面では、特徴部分を分かり易く示すために、複数の構成要素の寸法
を実際とは異なった比率で示す場合がある。
【００２９】
図１は本発明に係る液晶装置の一実施形態を示している。図１において、液晶装置１は
、液晶パネル２と照明装置３とを有する。この液晶装置１に関しては、矢印Ａが描かれた
側が観察側であり、上記の照明装置３は液晶パネル２に関して観察側と反対側に配置され
てバックライトとして機能する。照明装置３は、光源としてのＬＥＤ（Light Emitting D
iode：発光ダイオード）４と、透光性の樹脂によって形成された導光体５とを有する。Ｌ
ＥＤ４から出射した光は導光体５の光入射面５ａから導光体５の内部へ取り込まれ、光出
射面５ｂから面状の光となって液晶パネル２へ供給される。照明装置３は、ＬＥＤ４のよ
うな点状光源を用いたものでなく、冷陰極管のような線状光源を用いたものでも良い。
【００３０】
液晶パネル２は、矢印Ａ方向から見て長方形又は正方形で環状（すなわち枠状）のシー
ル材７によって互いに貼り合わされた基板８及び基板９を有する。基板８はスイッチング
素子が形成される素子基板である。基板９はカラーフィルタが形成されるカラーフィルタ
基板である。本実施形態では、観察側にカラーフィルタ基板９が配置され、観察側から見
て背面に素子基板８が配置される。シール材７は、例えば熱硬化性又は紫外線硬化性の樹
脂、例えばエポキシ系樹脂によって形成されており、例えばスクリーン印刷によって所望
の環状に形成されている。
【００３１】
液晶パネル２の内部であってシール材７に囲まれた領域内において、複数の互いに平行
な走査線１１が行方向Ｘ（後述するサブ画素の短手方向）へ延びて設けられている。また
、走査線１１（行方向Ｘ）と交差した方向で複数の互いに平行な信号線１２が列方向Ｙ（
サブ画素の長手方向）へ延びて設けられている。複数の走査線１１と複数の信号線１２と
によって囲まれる複数のドット状（すなわち島状）の領域が基板８の法線方向（矢印Ａ方
向）から見て行列状（いわゆるマトリクス状）に並んでいる。そして、これらの各領域内
にサブ画素Ｐが設けられる。これらのサブ画素Ｐが行列状に並ぶことによって表示領域Ｖ
が形成されている。なお、図１ではサブ画素Ｐを実際のものよりも拡大して模式的に示し
ている。また、表示が観察されるのは液晶パネル２の最も外側の面であり、表示領域Ｖは
その平面内に形成された領域である。行方向Ｘ及び列方向Ｙは、それぞれ、観察者が液晶
パネル２の画像表示を見たときに横方向及び縦方向となる方向である。
【００３２】
サブ画素Ｐは明表示（白表示）及び暗表示（黒表示）のスイッチングの単位となる領域
であり、このサブ画素Ｐが複数集まって表示の単位となる１画素が形成される。例えば、
Ｒ（赤色）、Ｇ（緑色）、Ｂ（青色）の各１色に対応してサブ画素Ｐが形成され、Ｒ、Ｇ
、Ｂ３色の個々に対応する３つのサブ画素Ｐが集まって１画素が形成される。また、Ｒ、
Ｇ、Ｂの３色に他の１色（例えば、青緑）を加えた４色のサブ画素Ｐが集まって１画素が
形成されることもある。本実施形態では、Ｒ，Ｇ，Ｂの３色のサブ画素によって１画素が
形成されるものとする。
【００３３】
素子基板８はカラーフィルタ基板９の外側に張り出した張出し部を有しており、その張
出し部上に駆動用ＩＣ１３がＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film：異方性導電膜）を
用いたＣＯＧ（Chip On Glass）技術によって実装されている。駆動用ＩＣ１３は外部の
制御回路から制御信号を入力し、走査線１１へ走査信号を供給し、信号線１２へデータ信
号を供給する。駆動用ＩＣ１３はＣＯＧ技術によって液晶パネル２に接続されることに限
られず、ＦＰＣ（Flexible Printed Circuit：可撓性配線）基板を介して液晶パネル２へ
接続することもできる。
【００３４】
図２は、図１の素子基板８上の１画素近傍の平面構造を液晶層側の基板法線方向から見
た状態を示している。図３は、図１に示すカラーフィルタ基板９の１画素近傍の平面構造
を観察側（すなわち液晶層と反対側）の基板法線方向から見た状態を示している。つまり
、図３は図２と同じ側からカラーフィルタ基板９を見た状態を示している。図４は、図２
におけるＺＤ−ＺＤ線に従った１つのサブ画素Ｐの行方向Ｙに沿った断面構造を示してい
る。図５は、図２におけるＺＥ−ＺＥ線に従った１つのサブ画素Ｐの行方向Ｘに沿った断
面構造を示している。
【００３５】
図１において、素子基板８とカラーフィルタ基板９との間には所定厚さの間隙、いわゆ
るセルギャップが形成されている。このセルギャップの厚さは、シール材７の中に含まれ
ているギャップ材と、素子基板８又はカラーフィルタ基板９の表面に置かれたスペーサ１
０（図２参照）とによって維持される。本実施形態において、スペーサ１０はフォトリソ
グラフィ処理によって基板８又は基板９上に、例えば柱状に形成されている。なお、スペ
ーサは球状部材を基板８又は基板９上に分散して形成しても良い。このようにして形成さ
れるセルギャップが図４において符号Ｇで示されている。このセルギャップＧの中に液晶
が注入されて液晶層１４が形成されている。
【００３６】
本実施形態では、液晶として正の誘電率異方性（Δε＞０）を持つネマティック液晶（
いわゆる、ポジ液晶）を用いるものとする。符号１９は液晶内に含まれる液晶分子を模式
的に示している。本実施形態では、液晶分子１９の初期配向はラビングによりホモジニア
ス配向、すなわち素子基板８及びカラーフィルタ基板９に対して平行配向に設定されてい
る。なお、ここでいう平行配向とは、液晶分子が基板に対して所定のプレチルト角を持っ
ている場合を含む意味である。液晶層厚は５μｍとする。
【００３７】
素子基板８は矢印Ａ方向から見て長方形又は正方形の第１基板としての第１透光性基板
１５を有する。この第１透光性基板１５は、例えば透光性のガラス、透光性のプラスチッ
ク等によって形成されている。第１透光性基板１５の外側表面には第１偏光板１６が貼り
付けられている。一方、カラーフィルタ基板９は基板の法線方向から見て長方形又は正方
形の第２基板としての第２の透光性基板１７を有する。この第２透光性基板１７は、例え
ば透光性のガラス、透光性のプラスチック等によって形成されている。第２透光性基板１
７の外側表面には第２偏光板１８が貼り付けられている。
【００３８】
第１透光性基板１５の内側表面（すなわち液晶側表面）に、ゲート線２０及び共通線２
１が設けられている。ゲート線２０は、図２に示すように、複数本が互いに平行に行方向
Ｘに延びて形成されている。共通線２１は、複数本がゲート線２０と平行に行方向Ｘに延
びて形成されている。ゲート線２０は、図１の走査線１１として機能する。
【００３９】
図４において、ゲート線２０及び共通線２１の上に、これらを被覆する面状の樹脂膜で
あるゲート絶縁膜２３が形成され、その上にソース線２４が列方向Ｙに延びて形成されて
いる。ソース線２４は、図１の信号線１２として機能する。図２において、ゲート線２０
とソース線２４とによって囲まれる長方形状の領域がサブ画素Ｐの領域である。本実施形
態ではＲ（赤色）、Ｇ（緑色）、Ｂ（青色）の３色によってカラー表示を行うものとして
おり、サブ画素Ｐは個々の色に対応した単位画素であり、行方向に並ぶそれら３つの色に
対応する３つのサブ画素Ｐの集まりによって表示の単位である１画素Ｐｘが構成される。
符号（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）はそれぞれ赤色のサブ画素Ｐ（Ｒ）、緑色のサブ画素Ｐ（Ｇ
）、青色のサブ画素Ｐ（Ｂ）が列方向に一列に並べられることを示している。
【００４０】
ゲート線２０とソース線２４との交差部分の近傍に、スイッチング素子として機能する
アクティブ素子であるＴＦＴ（Thin Film Transistor：薄膜トランジスタ）素子２５が設
けられている。ＴＦＴ素子２５は、ボトムゲート構造及びシングルゲート構造のチャネル
エッチ型のポリシリコンＴＦＴとして形成されている。このＴＦＴ素子２５は、図４にお
いて、ゲート線２０の一部分であるゲート電極２０ａと、ゲート絶縁膜２３と、ポリシリ
コンを用いて形成された半導体膜２６と、ソース電極２７と、そしてドレイン電極２８と
を有する。ソース電極２７及びドレイン電極２８は、スイッチング素子であるＴＦＴ素子
２５の電極端子である。ソース電極２７は、図２に示すように、ソース線２４から分岐し
て形成されている。本実施形態のＴＦＴ素子２５はボトムゲート構造であるが、これをト
ップゲート構造とすることもできる。
【００４１】
図４において、ＴＦＴ素子２５及びソース線２４を被覆するための面状の樹脂膜である
パッシベーション膜（保護膜）２９がゲート絶縁膜２３の上に設けられている。パッシベ
ーション膜２９の上には樹脂膜であるオーバーレイヤ３０が設けられ、その上に光反射膜
３６が設けられ、その上に第１電極としての共通電極２２が設けられている。共通線２１
の上部領域においてゲート絶縁膜２３、パッシベーション膜２９及びオーバーレイヤ３０
を貫通するスルーホール３３ａが形成され、このスルーホール３３ａを介して共通電極２
２と共通線２１とが導電接続されている。
【００４２】
共通電極２２の上には容量絶縁膜３４が設けられ、その上に第２電極としての画素電極
３１が設けられている。容量絶縁膜３４は、共通電極２２と画素電極３１との間に介在す
る絶縁膜である。画素電極３１及び容量絶縁膜３４の上には素子基板８の面内全域にわた
って配向膜３２が設けられている。配向膜３２の表面には配向処理、例えばラビングが施
される。図２では配向膜３２の図示を省略している。図４において、ＴＦＴ素子２５のド
レイン電極２８の上部領域においてパッシベーション膜２９、オーバーレイヤ３０及び容
量絶縁膜３４を貫通するスルーホール３３ｂが形成され、このスルーホール３３ｂを介し
て画素電極３１とドレイン電極２８とが導電接続されている。
【００４３】
本実施形態では、図２においてソース線２４が信号線であってその信号線からＴＦＴ素
子２５のソース電極２７が延びており、ＴＦＴ素子２５のドレイン電極２８が画素電極３
１に接続される構成となっている。これに代えて、信号線２４につながる電極がドレイン
電極２８であり、画素電極３１につながる電極がソース電極２９であるとすることもでき
る。
【００４４】
オーバーレイヤ３０は、図４に示すように、光反射膜３６が設けられる部分の膜厚を他
の部分に比べて薄く形成している。このように膜厚が薄い部分は、例えばオーバーレイヤ
３０の表面をフォトリソグラフィ処理によってパターニングすることにより形成できる。
膜厚が厚い部分と膜厚が薄い部分の境界には段差面３０ａが形成されている。この段差面
３０ａは、フォトリソグラフィ処理によってパターニングする際に傾斜面となって形成さ
れる。以下、段差面３０ａのことを傾斜面という場合がある。
【００４５】
また、オーバーレイヤ３０の膜厚が薄い部分の表面には、複数の凹部又は凸部から成る
凹凸形状パターン３７が形成されている。この凹凸形状パターン３７は、例えば、オーバ
ーレイヤ３０の表面をフォトリソグラフィ処理によってパターニングすることにより形成
される。このパターニングは、上記のオーバーレイヤ３０の膜厚を薄くする際のパターニ
ングと同時に行うことができる。
【００４６】
光反射膜３６は、例えばＣｒ（クロム）、Ａｌ（アルミニウム）等をフォトエッチング
処理することによって形成されている。この光反射膜３６は、オーバーレイヤ３０に形成
された凹凸形状パターン３７上に形成される。これにより、光反射膜３６の表面にも凹凸
形状パターンが形成される。このように光反射膜３６の表面に凹凸形状パターン３７を形
成することにより、光反射膜３６において反射する光を散乱させることができる。
【００４７】
共通電極２２及び画素電極３１は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide：インジウム・スズ酸化
物）等といった透光性の金属酸化物をフォトエッチング処理することによって形成されて
いる。ゲート絶縁膜２３、パッシベーション膜２９、オーバーレイヤ３０、容量絶縁膜３
４は、例えば、アクリル系樹脂、ＳｉＮ（窒化シリコン）、又はＳｉＯ２（酸化シリコン
）等によって形成されている。配向膜３２は、例えばポリイミドによって形成されている
。この配向膜３２の液晶層側の表面には、オーバーレイヤ３０の段差面３０ａに従って第
１段差面３８ａが形成されている。本実施形態において、オーバーレイヤ３０の膜厚が薄
い部分は、行方向Ｘに延びる帯状に形成されており、複数のサブ画素Ｐにわたって連続し
て設けられている。なお、オーバーレイヤ３０の膜厚が薄い部分は、素子基板８の光反射
膜３６に対応した領域に部分的に設けることもできる。
【００４８】
本実施形態において、光反射膜３６に対応する領域が反射表示領域Ｒであり、反射表示
領域Ｒ以外で共通電極２２と画素電極３１とが平面視で重なり合う領域が透過表示領域Ｔ
である。図４において基板の法線方向から入射した外部光Ｌ０は反射表示領域Ｒにおいて
光反射膜３６で反射する。一方、図１の照明装置３から出射した図４の光Ｌ１は、透過表
示領域Ｔを透過する。
【００４９】
画素電極３１は、図２に示すように、サブ画素Ｐに対応して長方形状の平面形状に形成
されており、その内部に複数の間隙であるスリット３５を有している。スリット３５は画
素電極３１を貫通する溝状の開口であり、当該スリット３５を通して画素電極３１の下層
である容量絶縁膜３４を見ることができる。また、複数のスリット３５は、サブ画素Ｐの
短手方向（行方向Ｘ）に平行に延在し、長手方向（列方向Ｙ）に沿って互いに間隔を空け
て設けられている。これらのスリット３５の間に帯状の電極線状部３１ａが形成されてい
る。なお、本明細書の図面に示すスリット３５及び電極線状部３１ａは模式的に描かれて
おり、それらの実際の数は図示のものと異なることもある。
【００５０】
本実施形態ではスリット３５の両短辺が閉じた状態となっているが、スリット３５の両
短辺の一方は開放状態とすることができる。この開放状態の場合には、複数の電極線状部
３１ａのそれぞれは片持ち梁の状態となり、全体的には櫛歯形状となる。また、スリット
３５の両短辺を開放状態とすることもできる。以上のように本実施形態では、サブ画素Ｐ
において１つの基板である素子基板８上に一対の電極である共通電極２２及び画素電極３
１の両電極が設けられており、両電極間に所定の電圧を印加することにより素子基板８の
表面に略平行な電界、いわゆる横電界が形成され、この横電界によって液晶層１４内の液
晶分子１９の配向が基板８と略平行な面内で制御される。
【００５１】
図４において第２透光性基板１７の内側表面（すなわち液晶側表面）には、カラーフィ
ルタを構成する着色膜４１が形成され、その周囲に遮光膜４２が形成されている。個々の
着色膜４１は基板１７の法線方向から見て図３に示すように、サブ画素Ｐに対応する長方
形又は正方形のドット状（すなわち島状）に形成されている。また、着色膜４１は複数個
が行方向Ｘ及び列方向Ｙにマトリクス状に配列されている。遮光膜４２はそれらの着色膜
４１を囲む格子状に形成されている。
【００５２】
着色膜４１の個々はＲ（赤色）、Ｇ（緑色）、Ｂ（青色）の１つを通過させる光学的特
性に設定され、それらＲ，Ｇ，Ｂの着色膜４１がストライプ配列で並べられている。本明
細書において符号４１に添えられた（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）の符号は、それぞれ、着色膜
の色が赤色、緑色、青色であることを示している。ストライプ配列は、列方向ＹにＲ，Ｇ
，Ｂの同色が並び、行方向ＸにＲ，Ｇ，Ｂが１色ずつ順々に交互に並ぶ配列である。スト
ライプ配列に代えてその他の配列、例えばモザイク配列、デルタ配列で各色の着色膜４１
を並べることもできる。なお、着色膜４１の光学的特性は、Ｒ，Ｇ，Ｂの３色に限られず
、Ｃ（シアン）、Ｍ（マゼンタ）、Ｙ（イエロー）の３色とすることもでき、あるいは、
その他の４色以上とすることもできる。遮光膜４２は、遮光性を有した樹脂、例えばカー
ボン等を含んだ黒色の樹脂によって形成されている。なお、遮光膜４２は異なる色の着色
膜４１を２色又は３色重ねることによって樹脂膜として形成することもできる。また、遮
光膜４２はＣｒ（クロム）等といった金属膜によって形成することもできる。
【００５３】
なお、Ｒ，Ｇ，Ｂの着色領域は、波長に応じて色相が変化する可視光領域（３８０〜７
８０ｎｍ）のうち、赤系の色相の着色領域、緑系の色相の着色領域、青系の色相の着色領
域から成る領域である。例えば、「Ｂ」は波長のピークが４１５〜５００ｎｍ、「Ｇ」は
波長のピークが４８５〜５３５ｎｍ、「Ｒ」は波長のピークが６００ｎｍ以上、のそれぞ
れの領域にある着色領域である。もちろん、本発明は着色領域を限定するものではないの
で、必要に応じて、その他の任意の波長領域を選定できる。
【００５４】
図４及び図５において、着色膜４１及び遮光膜４２の上にオーバーコート層４３が形成
され、その上に液晶層厚調整膜が形成され、その上に配向膜４４が形成されている。オー
バーコート層４３は、着色膜４１及び遮光膜４２を覆って面状（ベタ状）に設けられる層
である。着色膜４１は、例えば、感光性樹脂材料に顔料や染料を混合することによって形
成されている。オーバーコート層４３は、例えばアクリル系樹脂によって形成されている
。このオーバーコート層４３は、カラーフィルタの構成材料が液晶に混入することを防止
する保護膜及びカラーフィルタの表面を平坦化する平坦化膜として機能する。また、配向
膜４４はポリイミドによって形成されてその表面にラビング、すなわち配向処理が施され
る。
【００５５】
本実施形態において液晶層厚調整膜４５は、位相差膜として形成されている。この位相
差膜は、例えば、液晶高分子を厚さ２〜３μｍで一様に形成した後にフォトリソグラフィ
法に基づいたパターニング手法によって反射表示領域Ｒに対応した部分が残るように形成
する。液晶層厚調整膜４５の両端は段差面４５ａであり、この段差面４５ａはフォトリソ
グラフィ法に基づいたパターニング処理の際に傾斜面となって形成される。以下、段差面
４５ａのことを傾斜面と呼ぶことがある。段差面４５ａはオーバーコート層４３の面から
９０°以下の角度で行方向Ｘ（紙面垂直方向）に帯状に延びている。つまり、段差面４５
ａは、液晶層厚調整膜４５の層厚が連続的に変化する傾斜面となっている。この段差面４
５ａによって、カラーフィルタ基板９の液晶層側の表面、すなわち配向膜４４の表面に第
２段差面３８ｂが形成されている。
【００５６】
液晶層厚調整膜４５は、図４に示すように、オーバーコート層４３上であって、素子基
板８上の光反射膜３６に対向した位置に設けられている。また、液晶層厚調整膜４５は、
図３に示すように、行方向Ｘに延びる帯状に形成されており、複数のサブ画素Ｐにわたっ
て連続して設けられている。なお、液晶層厚調整膜４５は、素子基板８の光反射膜３６に
対応した領域に島状に設けることもできる。この層厚調整膜（位相差膜）４５のリタデー
ション（Δｎｄ）は２分の１波長に設定されている。図２では段差面４５ａと光反射膜３
６の端辺とがわずかにずれて描かれているが、実際には、段差面４５ａと光反射膜３６の
端辺は略重なっている。
【００５７】
液晶層厚調整膜は、一般に、半透過反射型液晶装置において反射表示領域と透過表示領
域とで液晶層の層厚を異ならせる構造、いわゆるマルチギャップ構造を形成するための膜
である。このマルチギャップ構造では、液晶層厚調整膜を用いて液晶層厚を調整すること
によって反射表示領域と透過表示領域とで異なる最適リタデーション値を実現するために
用いられる。
【００５８】
具体的には、図４において、液晶層厚調整膜４５は反射表示領域Ｒに対応して設けられ
ており、透過表示領域Ｔに対応する領域には設けられていない。このため、反射表示領域
Ｒ内の液晶層１４の層厚ｄ０は、透過表示領域Ｔ内の液晶層１４の層厚ｄ１よりも薄くな
っている。このように液晶層１４の層厚の調整をすることにより、反射表示領域Ｒ内で光
Ｌ０が液晶層１４を２回通過する反射表示の場合と、透過表示領域Ｔ内で光Ｌ１が液晶層
１４を１回しか通過しない透過表示の場合とで、各々を最適なリタデーション（Δｎｄ）
にすることができる。但し、“Δｎ”は屈折率異方性、“ｄ”は液晶層厚を示している。
【００５９】
また、本実施形態の液晶装置では、反射表示領域Ｒに対応する領域に設けられた液晶層
厚調整膜４５を位相差膜を用いて形成している。このとき位相差膜４５のリタデーション
(Δｎｄ)は２分の１波長に、反射領域Ｒの液晶層のリタデーション(Δｎｄ)は４分の１波
長に設定されている。このことにより反射表示領域Ｒにおいて位相差膜４６と液晶層によ
り反射表示領域Ｒのリタデーション(Δｎｄ)を反射表示に最適な広帯域の４分の１波長と
することができる。
【００６０】
位相差膜４５と液晶層厚調整膜４５は、兼用ではなく、別々に設けることもできる。例
えば、カラーフィルタ基板９の液晶側の表面に液晶層厚調整膜４５を設け、カラーフィル
タ基板９の外側表面に位相差膜４５を設けることができる。カラーフィルタ基板９の外側
に設ける位相差膜４５は、フォトリソグラフィ法に従ったパターニングによって形成する
のではなく、フィルム状の位相差膜を貼着することによって形成しても良い。
【００６１】
次に、配向膜３２，４４に施されるラビングについて説明する。ラビングは、一般に、
回転する円筒形のローラに巻き付けたラビング布（例えば、植毛布）で配向膜の表面を擦
ることにより行われる。具体的には、ラビング布を巻き付けたローラを配向膜の表面に接
触させた状態で回転させながら配向膜面に沿って一定方向に移動させることにより、所定
の方向にラビングがなされる。液晶分子は、このラビングの方向に配向する。
【００６２】
図８（ａ）は軸配置の関係を示している。符号１３５は、図２の画素電極３１のスリッ
ト（間隙）３５の延在方向（従って電極線状部３１ａの延在方向）を示している。符号Ｒ
１は、図２の素子基板８側のラビング方向を示している。符号Ｒ２は、図３のカラーフィ
ルタ基板９側のラビング方向を示している。符号１３８は図２の第１段差面３８ａの延在
方向を示している。なお、符号１３８は図３の第２段差面３８ｂの延在方向も示している
。符号１１６は図４のバックライト側の第１偏光板１６の透過軸の方向を示している。符
号１１８は図４の観察側の第２偏光板１８の透過軸の方向を示している。
【００６３】
図８（ａ）を参照して軸配置の関係を説明すれば、図２の画素電極３１のスリット３５
はサブ画素Ｐの短手方向（図２の左右方向）に延びている（図８（ａ）の方向１３５）。
スリット３５に対する素子基板８側のラビング方向Ｒ１の角度βはβ＝５°に規定されて
いる（図８（ａ）の方向Ｒ１）。図３のカラーフィルタ基板９側のラビング方向Ｒ２は、
素子基板８側のラビング方向Ｒ１に対して逆平行（アンチパラレル）である（図８（ａ）
の方向Ｒ２）。図２の段差面３８ａ及び図３の３８ｂは行方向Ｘに延びており（図８（ａ
）の１３８方向参照）、図２の画素電極３１のスリット３５（すなわち電極線状部３１ａ
）の延在方向と平行方向に延在している。従って、図２の素子基板側のラビング方向Ｒ１
と第１段差面３８ａ及び図３のカラーフィルタ基板側のラビング方向Ｒ２と第２段差面３
８ｂとの成す角度αはα＝５°を成している。
【００６４】
図４において、素子基板８側（バックライト側）の第１偏光板１６及びカラーフィルタ
基板９側（観察側）の第２偏光板１８の各透過軸は互いに直角であり（図８（ａ）の方向
１１６及び方向１１８）、観察側の第２偏光板１８の透過軸（１１８）は、ラビング方向
Ｒ１，Ｒ２と直角であり、バックライト側の第１偏光板１６の透過軸（１１６）はラビン
グ方向Ｒ１，Ｒ２と平行である。
【００６５】
本実施形態の液晶装置１において透過表示が行われる場合、図１の照明装置３の導光体
５の光出射面５ｂから出射された面状の光が図４の透過表示領域Ｔ内へ供給される。供給
された光Ｌ１は第１偏光板１６によって直線偏光とされて液晶層１４へ入射する。オフ電
圧印加時、当該偏光の振動方向は液晶配向方向に平行なため（図８（ａ）の符号１１６、
Ｒ１、Ｒ２参照）、液晶層１４によって位相差を与えられない。この直線偏光は第２偏光
板１８によって吸収されて外部へは出射しない。これにより、低透過率の暗表示を実現で
きる。オン電圧印加時、液晶層１４へ入射した偏光は液晶層１４によってその位相が変調
され、第２偏光板１８を透過して外部へ出射して明表示となる。本実施形態では液晶分子
がオン電圧印加時に基板平行面内で配向制御されるので、縦方向に配向制御される縦電界
制御の場合に比べて広視角の明表示が実現される。また、透過表示領域Ｔには位相差膜４
５が存在しないので、視角方向に余分な位相差が発生せず、広視角の暗表示を実現できる
。
【００６６】
一方、反射表示が行われる場合、外部からカラーフィルタ基板９へ光Ｌ０が供給される
。この光は、第２偏光板１８によって直線偏光に変換され、液晶層１４を通過して光反射
膜３６で反射された後、再び第２偏光板１８を通過して観察者側へ向かう。この光路は上
記の透過表示の場合と異なっており、反射表示領域と透過表示領域とでは光の位相差が異
なっている。このままでは、反射表示領域と透過表示領域とに同じ電圧を印加したときに
表示状態が均等でなくなるおそれがある。例えば、暗表示と明表示とが逆になるおそれが
ある。
【００６７】
このことに関し、本実施形態では、反射表示領域Ｒに対応して位相差膜である液晶層厚
調整膜４５のリタデーション(Δｎｄ)を２分の１波長に、反射領域Ｒの液晶層のリタデー
ション(Δｎｄ)を４分の１波長に設定されている。このことにより反射表示領域Ｒにおい
て位相差膜４５と液晶層により反射表示領域Ｒのリタデーション(Δｎｄ)を反射表示に最
適な広帯域の４分の１波長とすることができる。しかも、本実施形態では、位相差膜４５
が設けられているのは反射表示領域Ｒ内だけであって、透過表示領域Ｔ内には設けられて
いないので、透過表示領域Ｔにおいて暗表示の視角特性が低下することがない。
【００６８】
反射表示領域Ｒにおいて、オフ電圧印加時、第２偏光板１８、位相差膜４５、液晶層１
４を通過した光は円偏光になって光反射膜３６に入射する。反射後に再び第２偏光板１８
に入射した偏光はその第２偏光板１８によって吸収されて外部へは出射しない。これによ
り、低透過率の暗表示を実現できる。オン電圧印加時、液晶層１４へ入射した偏光は液晶
層１４によってその位相が変調され、第２偏光板１８を透過して外部へ出射して明表示と
なる。
【００６９】
図６は、図４の反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔの境界近傍を拡大して示している。以
下の説明において、第１透光性基板１５上に設けられた複数の要素、すなわち、オーバー
レイヤ３０、光反射膜３６、画素電極３１、配向膜３２等をまとめて第１基板要素８ａと
する。また、第２透光性基板１７上に設けられた複数の要素、すなわち、着色膜４１、液
晶層厚調整膜４５、配向膜４４等をまとめて第２基板要素９ａとする。
【００７０】
図６において、反射表示領域Ｒにおける第１透光性基板１５から液晶層１４までの高さ
（すなわち、第１透光性基板１５上に設けられた第１基板要素８ａの液晶層１４までの高
さ）Ｈ１Ｒは透過表示領域Ｔ内における第１透光性基板１５から液晶層１４までの高さＨ
１Ｔよりも低くなっている（Ｈ１Ｒ＜Ｈ１Ｔ）。従って、反射表示領域Ｒと透過表示領域
Ｔの境界に第１段差面３８ａが形成されることになる。この第１段差面３８ａは、その表
面が反射表示領域Ｒ側へ向いた傾斜面に形成されている。この第１段差面３８ａは、図２
に示すように、サブ画素Ｐの短手方向Ｘに平行の方向に延在している（図８（ａ）の１３
８方向参照）。
【００７１】
一方、反射表示領域Ｒにおける第２透光性基板１７から液晶層１４までの高さ（すなわ
ち、第２透光性基板１７上の第２基板要素９ａの液晶層１４までの高さ）Ｈ２Ｒは透過表
示領域Ｔにおける第２透光性基板１７から液晶層１４までの高さＨ２Ｔよりも高くなって
いる（Ｈ２Ｒ＞Ｈ２Ｔ）。従って、反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔの境界に第２段差面
３８ｂが形成されることになる。この第２段差面３８ｂは、その表面が透過表示領域Ｔ側
へ向いた傾斜面に形成されている。この第２段差面３８ｂは、図３に示すように、サブ画
素Ｐの短手方向Ｘに平行の方向に延在している（図８（ａ）の１３８方向参照）。
【００７２】
第１段差面３８ａと第２段差面３８ｂは、どちらも反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔと
の境界に、サブ画素Ｐの短手方向Ｘに平行の方向に延在している。従って、第１段差面３
８ａと第２段差面３８ｂとは、平面視で互いに重なっている。本実施形態において、素子
基板８側のラビング方向Ｒ１とカラーフィルタ基板９側のラビング方向Ｒ２とは逆平行（
アンチパラレル）である。図６においては、素子基板８側のラビング方向Ｒ１は、紙面手
前側から奥側の方向であり、カラーフィルタ基板９側のラビング方向Ｒ２は、紙面奥側か
ら手前側の方向である。
【００７３】
ところで、半透過反射型であってマルチギャップ構造を有した従来の液晶装置は、一般
に、一方の基板の液晶層側表面には液晶層厚調整膜の端辺によって段差面が形成され、対
向する他方の基板の液晶層側表面は略平坦となっている。段差面にラビングを施した場合
と、平坦面にラビングを施した場合とでは配向状態が異なるため、段差面の近傍において
、一方の基板と他方の基板とで配向膜に対するラビング処理の状態に違いが生じ、配向膜
上の配向状態に違いが生じることがある。この配向状態の違いが原因となり、段差面近傍
で配向不良が生じるおそれがある。特に、横電界型の液晶装置では、一方の基板側のラビ
ング方向と他方の基板のラビング方向とが逆平行（アンチパラレル）となっているので、
配向状態の違いが表示に影響を及ぼす可能性が高くなる。
【００７４】
これに対し本実施形態では、図６に示すように、反射表示領域Ｒにおける第１透光性基
板１５から液晶層１４までの高さＨ１Ｒを透過表示領域Ｔにおける第１透光性基板１５か
ら液晶層１４までの高さＨ１Ｔよりも低くしたことにより、反射表示領域Ｒと透過表示領
域Ｔとの境界に第１段差面３８ａを形成した。また、反射表示領域Ｒにおける第２透光性
基板１７から液晶層１４までの高さＨ２Ｒを透過表示領域Ｔにおける第２透光性基板１７
から液晶層１４までの高さＨ２Ｔよりも高くしたことにより、反射表示領域Ｒと透過表示
領域Ｔとの境界に第２段差面３８ｂを形成した。このように、素子基板８の液晶層側の表
面と、それに対向するカラーフィルタ基板９の液晶層側の表面との両方に段差面を設けれ
ば、液晶の配向状態を素子基板８上とカラーフィルタ基板９上とで揃えることができる。
【００７５】
また、本実施形態では、第１段差面３８ａと第２段差面３８ｂとが平面視で重なり、液
晶層１４を挟んで互いに向き合う構成としている。そして、配向膜３２のラビング方向と
配向膜４４のラビング方向とが逆平行であるので、液晶層１４側から見て、配向膜３２と
配向膜４４とはどちらも同じ状態にラビングされる。こうすれば、互いに対向する素子基
板８とカラーフィルタ基板９とで同じ条件でラビングが施されるので、基板８と基板９と
で配向状態を揃えることができる。
【００７６】
以上のように、互いに対向する素子基板８とカラーフィルタ基板９との配向状態を揃え
ることにより、液晶の配向不良に起因して、表示のコントラストが低下することを防止で
きる。
【００７７】
（液晶装置の第２実施形態）
図７は本発明に係る液晶装置の第２実施形態を示している。本第２実施形態に係る液晶
装置の全体的な構成は図１に示した第１実施形態の場合と同じである。また、図７におけ
るＺＤ−ＺＤ線に従った１つのサブ画素Ｐの列方向Ｙに沿った断面構造は、第１実施形態
において図４に示した断面構造と同じである。また、図７におけるＺＥ−ＺＥ線に従った
１つのサブ画素の行方向Ｘに沿った断面構造は、第１実施形態において図５に示した断面
構造と同じである。
【００７８】
この実施形態が図２及び図３に示した第１実施形態と異なる点は、素子基板８上の画素
電極のスリットの形状とラビング方向に改変を加えたことである。本実施形態において図
２及び図３と同じ部材は同じ符号を付すことにしてその説明は省略する。
【００７９】
本実施形態において、カラーフィルタ基板９の構成に関しては、ラビング方向を除いて
図３に示したものと同じである。なお、ラビング方向Ｒ２は、説明の便宜上、素子基板８
側のラビング方向Ｒ１と逆平行の方向に図７に示している。図７において、画素電極５１
内に設けられた間隙としてのスリット５５（すなわち電極線状部５１ａ）はサブ画素Ｐの
短手方向（行方向）Ｘに対して傾いて直線状に延在している。
【００８０】
図８（ｂ）は、本実施形態の液晶装置における光学軸の軸配置関係を示している。符号
１５５は、図７の画素電極５１のスリット（間隙）５５（すなわち電極線状部５１ａ）の
延在方向を示している。符号Ｒ１は、図７の素子基板８側のラビング方向を示している。
符号Ｒ２は、図３のカラーフィルタ基板９側のラビング方向を示している。
【００８１】
図８（ｂ）に示すように、図７の画素電極５１のスリット５５はサブ画素Ｐの短手方向
（図７の左右方向）に対して５°傾いて延在している（図８（ｂ）の方向１５５）。スリ
ット５５に対する素子基板８側のラビング方向Ｒ１の角度βはβ＝５°に規定されている
（図８（ｂ）の方向Ｒ１）。図３のカラーフィルタ基板９側のラビング方向Ｒ２は、素子
基板８側のラビング方向Ｒ１に対して逆平行（アンチパラレル）であり（図８（ｂ）の方
向Ｒ２）、第１段差面３８ａ及び第２段差面３８ｂと平行の方向である（図８（ｂ）の１
３８方向参照）。段差面３８ａ，３８ｂはサブ画素Ｐの短手向Ｘに延びており、図７の画
素電極５１のスリット５５（すなわち電極線状部５１ａ）の延在方向に対して５°傾いた
方向に延在している。従って、図７の素子基板側のラビング方向Ｒ１と第１段差面３８ａ
及び図３のカラーフィルタ基板側のラビング方向Ｒ２と第２段差面３８ｂとは平行（α＝
０°）である。
【００８２】
図４において、素子基板８側（バックライト側）の第１偏光板１６及びカラーフィルタ
基板９側（観察側）の第２偏光板１８の各透過軸は互いに直角であり（図８（ｂ）の方向
１１６及び方向１１８）、観察側の第２偏光板１８の透過軸（１１８）は、ラビング方向
Ｒ１，Ｒ２と直角であり、バックライト側の第１偏光板１６の透過軸（１１６）はラビン
グ方向Ｒ１，Ｒ２と平行である。
【００８３】
本実施形態においても、図６に示すように、反射表示領域Ｒにおける第１透光性基板１
５から液晶層１４までの高さ（すなわち、第１透光性基板１５上の第１基板要素８ａの液
晶層１４までの高さ）Ｈ１Ｒを透過表示領域Ｔにおける第１透光性基板１５から液晶層１
４までの高さＨ１Ｔよりも低くしたことにより、反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとの境
界に第１段差面３８ａを形成した。また、反射表示領域Ｒにおける第２透光性基板１７か
ら液晶層１４までの高さ（すなわち、第２透光性基板１７上の第２基板要素９ａの液晶層
１４までの高さ）Ｈ２Ｒを透過表示領域Ｔにおける第２透光性基板１７から液晶層１４ま
での高さＨ２Ｔよりも高くしたことにより、反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとの境界に
第２段差面３８ｂを形成した。このように、素子基板８の液晶層側の表面と、それに対向
するカラーフィルタ基板９の液晶層側の表面との両方に段差面を設ければ、液晶の配向状
態を素子基板８上とカラーフィルタ基板９上とで揃えることができる。
【００８４】
また、本実施形態では、第１段差面３８ａと第２段差面３８ｂとが平面視で重なり、液
晶層１４を挟んで互いに向き合う構成としている。こうすれば、互いに対向する素子基板
８とカラーフィルタ基板９とで同じ条件でラビングが施されるので、基板８と基板９とで
配向状態を揃えることができる。
【００８５】
（液晶装置の第３実施形態）
図９は本発明に係る液晶装置の第３実施形態を示している。本第３実施形態に係る液晶
装置の全体的な構成は図１に示した第１実施形態の場合と同じである。また、図９におけ
るＺＤ−ＺＤ線に従った１つのサブ画素Ｐの列方向Ｙに沿った断面構造は、第１実施形態
において図４に示した断面構造と同じである。また、図９におけるＺＥ−ＺＥ線に従った
１つのサブ画素の行方向Ｘに沿った断面構造は、第１実施形態において図５に示した断面
構造と同じである。また、カラーフィルタ基板９の構成に関しては、ラビング方向を除い
て図３に示したものと同じである。なお、ラビング方向Ｒ２は、説明の便宜上、素子基板
８側のラビング方向Ｒ１と逆平行の方向に図９に示している。
【００８６】
この実施形態が図２及び図３に示した第１実施形態と異なる点は、素子基板８上の画素
電極のスリットの形状とラビング方向に改変を加えたことにより、スリットの延在方向が
異なっている２つのドメインを画素電極内に設けている。以下、本実施形態の液晶装置に
ついて詳しく説明する。
【００８７】
図９において、画素電極６１内の上部領域には、スリット６５ａ（すなわち電極線状部
６１ａ）が左下がりの方向に延在して形成されている。また、画素電極６１の下部領域に
は、スリット６５ｂ（すなわち電極線状部６１ｂ）が右下がりの方向に延在して形成され
ている。
【００８８】
図１２（ａ）は、本実施形態の液晶装置における光学軸の軸配置関係を示している。符
号１６５ａは、図９の画素電極６１の上部領域内のスリット（間隙）６５ａ（すなわち電
極線状部６１ａ）の延在方向を示している。また、符号１６５ｂは、図９の画素電極６１
の下部領域内のスリット（間隙）６５ｂ（すなわち電極線状部６１ｂ）の延在方向を示し
ている。符号Ｒ１は、図９の素子基板８側のラビング方向を示している。符号Ｒ２は、図
３のカラーフィルタ基板９側のラビング方向を示している。
【００８９】
図１２（ａ）に示すように、図９の画素電極６１の上部スリット６５ａ及び下部スリッ
ト６５ｂはサブ画素Ｐの短手方向（図の左右方向）に対して５°傾いて延在している（図
１２（ａ）の方向１６５ａ及び１６５ｂ）。このように、２つのスリット６５ａと６５ｂ
の相互の傾き方向を異ならせることにより、液晶層に電界を印加した際のサブ画素Ｐ内に
おける液晶分子１９の配向方向（すなわち、液晶分子１９が面内で動く方向）を２つの異
なる方向に分けることができる。この配向方向の違いにより、サブ画素Ｐ内において２つ
のドメインにおけるそれぞれの視角特性の方位角依存性が相殺されて、視角特性を向上さ
せることができる。
【００９０】
図１２（ａ）において、上部スリット６５ａに対する素子基板８側のラビング方向Ｒ１
の角度βａはβａ＝５°に規定されている。一方、下部スリット６５ｂに対する素子基板
８側のラビング方向Ｒ１の角度βｂはβｂ＝５°に規定されている（図１２（ａ）の方向
Ｒ１）。図３のカラーフィルタ基板９側のラビング方向Ｒ２は、素子基板８側のラビング
方向Ｒ１に対して逆平行（アンチパラレル）であり（図１２（ａ）の方向Ｒ２）、第１段
差面３８ａ及び第２段差面３８ｂと平行の方向である（図１２（ａ）の１３８方向参照）
。段差面３８ａ，３８ｂはサブ画素Ｐの短手向Ｘに延びており、図９の画素電極６１の上
部スリット６５ａ及び下部スリット６５ｂの延在方向に対して５°傾いた方向に延在して
いる。従って、図９の素子基板側のラビング方向Ｒ１と第１段差面３８ａ及び図３のカラ
ーフィルタ基板側のラビング方向Ｒ２と第２段差面３８ｂとは平行（α＝０°）である。
【００９１】
図４において、素子基板８側（バックライト側）の第１偏光板１６及びカラーフィルタ
基板９側（観察側）の第２偏光板１８の各透過軸は互いに直角であり（図１２（ａ）の方
向１１６及び方向１１８）、観察側の第２偏光板１８の透過軸（１１８）は、ラビング方
向Ｒ１，Ｒ２と直角であり、バックライト側の第１偏光板１６の透過軸（１１６）はラビ
ング方向Ｒ１，Ｒ２と平行である。
【００９２】
本実施形態においても、図６に示すように、反射表示領域Ｒにおける第１透光性基板１
５から液晶層１４までの高さ（すなわち、第１透光性基板１５上の第１基板要素８ａの液
晶層１４までの高さ）Ｈ１Ｒを透過表示領域Ｔにおける第１透光性基板１５から液晶層１
４までの高さＨ１Ｔよりも低くしたことにより、反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとの境
界に第１段差面３８ａを形成した。また、反射表示領域Ｒにおける第２透光性基板１７か
ら液晶層１４までの高さ（すなわち、第２透光性基板１７上の第２基板要素９ａの液晶層
１４までの高さ）Ｈ２Ｒを透過表示領域Ｔにおける第２透光性基板１７から液晶層１４ま
での高さＨ２Ｔよりも高くしたことにより、反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとの境界に
第２段差面３８ｂを形成した。このように、素子基板８の液晶層側の表面と、それに対向
するカラーフィルタ基板９の液晶層側の表面との両方に段差面を設ければ、液晶の配向状
態を素子基板８上とカラーフィルタ基板９上とで揃えることができる。
【００９３】
また、本実施形態では、第１段差面３８ａと第２段差面３８ｂとが平面視で重なり、液
晶層１４を挟んで互いに向き合う構成としている。こうすれば、互いに対向する素子基板
８とカラーフィルタ基板９とで同じ条件でラビングが施されるので、基板８と基板９とで
配向状態を揃えることができる。
【００９４】
（液晶装置の第４実施形態）
図１０は本発明に係る液晶装置の第４実施形態を示している。本第４実施形態に係る液
晶装置の全体的な構成は図１に示した第１実施形態の場合と同じである。この実施形態が
図２及び図３に示した第１実施形態と異なる点は、素子基板８上の画素電極のスリットの
形状とラビング方向に改変を加えたことである。本実施形態において図２及び図３と同じ
部材は同じ符号を付すことにしてその説明は省略する。
【００９５】
本実施形態において、カラーフィルタ基板９の構成に関しては、ラビング方向を除いて
図３に示したものと同じである。なお、ラビング方向Ｒ２は、説明の便宜上、素子基板８
側のラビング方向Ｒ１と逆平行の方向に図１０に示している。図１１は、図１０のＺＮ−
ＺＮ断面、すなわち、反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとの境界部分の断面を示している
。図１０において、画素電極７１内に設けられた間隙としてのスリット７５（すなわち電
極線状部７１ａ）はサブ画素Ｐの長手方向（列方向）Ｙに対して平行な直線状に延在して
いる。なお、図１１の断面図では、画素電極７１の電極線状部７１ａ上の断面を示してお
り、スリット７５は図示されていない。
【００９６】
図１２（ｂ）は、本実施形態の液晶装置における光学軸の軸配置関係を示している。符
号１７５は、図１０の画素電極７１のスリット（間隙）７５（すなわち電極線状部７１ａ
）の延在方向を示している。符号Ｒ１は、図１０の素子基板８側のラビング方向を示して
いる。符号Ｒ２は、図３のカラーフィルタ基板９側のラビング方向を示している。
【００９７】
図１２（ｂ）に示すように、図１０の画素電極７１のスリット７５はサブ画素Ｐの長手
方向（図１０の上下方向）に対して平行方向に延在している（図１２（ｂ）の方向１７５
）。スリット７５に対する素子基板８側のラビング方向Ｒ１の角度βはβ＝５°に規定さ
れている（図１２（ｂ）の方向Ｒ１）。図３のカラーフィルタ基板９側のラビング方向Ｒ
２は、素子基板８側のラビング方向Ｒ１に対して逆平行（アンチパラレル）であり（図１
２（ｂ）の方向Ｒ２）、第１段差面３８ａ及び第２段差面３８ｂに対して８５°傾いた方
向である（図１２（ｂ）の１３８方向参照）。図１１において、素子基板８側のラビング
方向Ｒ１は、矢印Ｒ１で示すように右側から左側の方向である。一方、カラーフィルタ基
板９側のラビング方向Ｒ２は、矢印Ｒ２で示すように左側から右側の方向である。
【００９８】
段差面３８ａ，３８ｂはサブ画素Ｐの短手向Ｘに延びており、図１０の画素電極７１の
スリット７５（すなわち電極線状部７１ａ）の延在方向に対して９０°傾いた方向に延在
している。従って、図１０の素子基板側のラビング方向Ｒ１と第１段差面３８ａ及び図３
のカラーフィルタ基板側のラビング方向Ｒ２と第２段差面３８ｂとが成す角度αはα＝８
５°である。
【００９９】
図４において、素子基板８側（バックライト側）の第１偏光板１６及びカラーフィルタ
基板９側（観察側）の第２偏光板１８の各透過軸は互いに直角であり（図８（ｂ）の方向
１１６及び方向１１８）、観察側の第２偏光板１８の透過軸（１１８）は、ラビング方向
Ｒ１，Ｒ２と直角であり、バックライト側の第１偏光板１６の透過軸（１１６）はラビン
グ方向Ｒ１，Ｒ２と平行である。
【０１００】
本実施形態においても、図１１に示すように、反射表示領域Ｒにおける第１透光性基板
１５から液晶層１４までの高さ（すなわち、第１透光性基板１５上の第１基板要素８ａの
液晶層１４までの高さ）Ｈ１Ｒを透過表示領域Ｔにおける第１透光性基板１５から液晶層
１４までの高さＨ１Ｔよりも低くしたことにより、反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとの
境界に第１段差面３８ａを形成した。また、反射表示領域Ｒにおける第２透光性基板１７
から液晶層１４までの高さ（すなわち、第２透光性基板１７上の第２基板要素９ａの液晶
層１４までの高さ）Ｈ２Ｒを透過表示領域Ｔにおける第２透光性基板１７から液晶層１４
までの高さＨ２Ｔよりも高くしたことにより、反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとの境界
に第２段差面３８ｂを形成した。このように、素子基板８の液晶層側の表面と、それに対
向するカラーフィルタ基板９の液晶層側の表面との両方に段差面を設ければ、液晶の配向
状態を素子基板８上とカラーフィルタ基板９上とで揃えることができる。
【０１０１】
また、本実施形態では、第１段差面３８ａと第２段差面３８ｂとが平面視で重なり、液
晶層１４を挟んで互いに向き合う構成としている。こうすれば、互いに対向する素子基板
８とカラーフィルタ基板９とで同じ条件でラビングが施されるので、基板８と基板９とで
配向状態を揃えることができる。
【０１０２】
また、本実施形態の液晶装置では、図１１に示すように、配向膜３２は第１段差面３８
ａに対向する位置から第１段差面３８ａに向かう方向（すなわち、図１１の矢印Ｒ１方向
）にラビングされ、配向膜４４は第２段差面３８ｂに対向する位置から第２段差面３８ｂ
に向かう方向（すなわち、図１１の矢印Ｒ２方向）にラビングされる。こうすれば、第１
段差面３８ａ及び第２段差面３８ｂにおいて強いラビング力を付与でき、液晶分子の配向
不良の発生を確実に防止できる。
【０１０３】
（その他の実施形態）
以上、好ましい実施形態を挙げて本発明の液晶装置を説明したが、本発明はその実施形
態に限定されるものでなく、請求の範囲に記載した発明の範囲内で種々に改変できる。
例えば、以上の実施形態ではスイッチング素子としてＴＦＴ素子を用いたが、ＴＦＴ素
子以外の３端子型スイッチング素子を用いることもできる。また、ＴＦＤ（Thin Film Di
ode：薄膜ダイオード）等といった２端子型のスイッチング素子を用いることもできる。
上記実施形態では、画素電極の電極線状部と共通電極とが平面視で互いに重なり合う電
極構造を有するＦＦＳモードを例示した。しなしながら、本発明はＩＰＳモード、すなわ
ち画素電極の電極線状部と共通電極の電極線状部とが平面視で重なり合うことなく、基板
平行方向においてそれらの電極線状部間に間隔が設けられる電極構造を有する表示モード
にも適用できる。
【０１０４】
また、上記の各実施形態では、液晶として正の誘電率異方性を有する液晶、いわゆるポ
ジ液晶を用いているが、これに代えて負の誘電率異方性を有する液晶、いわゆるネガ液晶
を用いることもできる。このネガ液晶を用いる場合は、ポジ液晶を用いた場合に対してラ
ビング方向が９０°変わることになる。
【０１０５】
また、上記の各実施形態は、ＦＦＳモードやＩＰＳモードといった横電界型の液晶装置
に本発明を適用しているが、これらに限られず、ＴＮ液晶等を用いた縦電界型の液晶装置
に本発明を適用することもできる。
【０１０６】
（電子機器の第１実施形態）
以下、本発明に係る電子機器の一実施形態を説明する。なお、この実施形態は本発明の
一例を示すものであり、本発明はこの実施形態に限定されるものではない。図１３は、本
発明に係る電子機器の一実施形態を示している。ここに示す電子機器は、液晶装置１０１
と、これを制御する制御回路１０２とを有する。液晶装置１０１は液晶パネル１０３及び
駆動回路１０４を有する。また、制御回路１０２は、表示情報出力源１０５、表示情報処
理回路１０６、電源回路１０７及びタイミングジェネレータ１０８によって構成される。
【０１０７】
表示情報出力源１０５は、ＲＡＭ（Random Access Memory）等といったメモリや、各種
ディスク等といったストレージユニットや、ディジタル画像信号を同調出力する同調回路
等を備え、タイミングジェネレータ１０８により生成される各種のクロック信号に基づい
て、所定フォーマットの画像信号等といった表示情報を表示情報処理回路１０６に供給す
る。
【０１０８】
表示情報処理回路１０６は、増幅・反転回路や、ローテーション回路や、ガンマ補正回
路や、クランプ回路等といった周知の回路を多数備え、入力した表示情報の処理を実行し
て、画像信号をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路１０４へ供給する。ここで、駆動回路
１０４は、走査線駆動回路やデータ線駆動回路と共に、検査回路等を総称したものである
。また、電源回路１０７は、上記の各構成要素に所定の電源電圧を供給する。
【０１０９】
液晶装置１０１は、例えば、図１に示した液晶装置１を用いて構成できる。この液晶装
置１によれば、図６に示すように、反射表示領域Ｒにおける第１透光性基板１５から液晶
層１４までの高さＨ１Ｒを透過表示領域Ｔにおける第１透光性基板１５から液晶層１４ま
での高さＨ１Ｔよりも低くし、反射表示領域Ｒにおける第２透光性基板１７から液晶層１
４までの高さＨ２Ｒを透過表示領域Ｔにおける第２透光性基板１７から液晶層１４までの
高さＨ２Ｔよりも高くすることで、素子基板８の液晶層側の表面とカラーフィルタ基板９
の液晶層側の表面との両方に段差面３８ａ，３８ｂを設けている。これにより、その段差
面３８ａ，３８ｂの部分において、液晶の配向を素子基板８上とカラーフィルタ基板９上
とで揃えることができるので、液晶の配向不良に起因して、表示のコントラストが低下す
ることを防止できる。従って、この液晶装置１を用いて構成された本実施形態の電子機器
においても、表示のコントラストが低下することを防止して、高品質の画像表示を行うこ
とができる。
【０１１０】
（電子機器の第２実施形態）
図１４は、本発明に係る電子機器の他の実施形態である携帯電話機を示している。ここ
に示す携帯電話機１１０は、本体部１１１と、この本体部１１１に対して開閉可能に設け
られた表示体部１１２とを有する。表示体部１１２には表示装置１１３及び受話部１１４
が設けられる。電話通信に関する各種表示は、表示装置１１３の表示画面１１５に表示さ
れる。表示装置１１３の動作を制御するための制御部は、携帯電話機の全体の制御を司る
制御部の一部として、又はその制御部とは別に、本体部１１１又は表示体部１１２の内部
に格納される。本体部１１１には操作ボタン１１６及び送話部１１７が設けられる。
【０１１１】
表示装置１１３は、例えば、図１に示した液晶装置１を用いて構成できる。この液晶装
置１によれば、図６に示すように、反射表示領域Ｒにおける第１透光性基板１５から液晶
層１４までの高さＨ１Ｒを透過表示領域Ｔにおける第１透光性基板１５から液晶層１４ま
での高さＨ１Ｔよりも低くし、反射表示領域Ｒにおける第２透光性基板１７から液晶層１
４までの高さＨ２Ｒを透過表示領域Ｔにおける第２透光性基板１７から液晶層１４までの
高さＨ２Ｔよりも高くすることで、素子基板８の液晶層側の表面とカラーフィルタ基板９
の液晶層側の表面との両方に段差面３８ａ，３８ｂを設けている。これにより、その段差
面３８ａ，３８ｂの部分において、液晶の配向を素子基板８上とカラーフィルタ基板９上
とで揃えることができるので、液晶の配向不良に起因して、表示のコントラストが低下す
ることを防止できる。従って、この液晶装置１を用いて構成された本実施形態の電子機器
においても、表示のコントラストが低下することを防止して、高品質の画像表示を行うこ
とができる。
【０１１２】
（その他の実施形態）
以上、好ましい実施形態を挙げて本発明の電子機器を説明したが、本発明はその実施形
態に限定されるものでなく、請求の範囲に記載した発明の範囲内で種々に改変できる。例
えば、本発明は、携帯電話機に限られず、パーソナルコンピュータ、液晶テレビ、ビュー
ファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ペー
ジャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話装置、ＰＯ
Ｓ端末、デジタルスチルカメラ、電子ブック、等といった各種の電子機器に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【０１１３】
【図１】本発明に係る液晶装置の一実施形態を示す斜視図である。
【図２】図１の液晶装置を構成する１つの基板上の１画素近傍を示す平面図である。
【図３】図１の液晶装置を構成する他の基板上の１画素近傍を示す平面図である。
【図４】図２及び図３のＺＤ−ＺＤ線に従ったサブ画素内の列方向に沿った断面図である。
【図５】図２及び図３のＺＥ−ＺＥ線に従ったサブ画素内の行方向に沿った断面図である。
【図６】図４の反射表示領域と透過表示領域の境界を拡大して示す断面図である。
【図７】本発明に係る液晶装置の他の実施形態の主要部を示す図であって、特に１つの基板上の１画素近傍を示す平面図である。
【図８】液晶装置における光学軸の軸配置関係を示す図であり、（ａ）は図２における軸配置関係を示しており、（ｂ）は図７における軸配置関係を示している。
【図９】本発明に係る液晶装置のさらに他の実施形態の主要部を示す図であって、特に１つの基板上の１画素近傍を示す平面図である。
【図１０】本発明に係る液晶装置のさらに他の実施形態の主要部を示す図であって、特に１つの基板上の１画素近傍を示す平面図である。
【図１１】図１０のＺＮ−ＺＮ線に従った断面図である。
【図１２】液晶装置における光学軸の軸配置関係を示す図であり、（ａ）は図９における軸配置関係を示しており、（ｂ）は図１０における軸配置関係を示している。
【図１３】本発明に係る電子機器の一実施形態を示すブロック図である。
【図１４】本発明に係る電子機器の他の実施形態である携帯電話機を示す斜視図である。
【符号の説明】
【０１１４】
１．液晶装置、  ２．液晶パネル、  ３．照明装置、  ４．ＬＥＤ、  ５．導光体、
５ａ．光入射面、  ５ｂ．光出射面、  ７．シール材、  ８．素子基板、
８ａ．第１基板要素、  ９．カラーフィルタ基板、  ９ａ．第２基板要素、
１０．スペーサ、  １１．走査線、  １２．信号線、  １３．駆動用ＩＣ、  
１４．液晶層、  １５．第１透光性基板（第１基板）、  １６．第１偏光板、  
１７．第２透光性基板（第２基板）、  １８．第２偏光板、  １９．液晶分子、  
２０．ゲート線、  ２１．共通線、  ２２．共通電極（第１電極）、  
２３．ゲート絶縁膜、  ２４．ソース線、  ２５．ＴＦＴ素子、  ２６．半導体膜、
２７．ソース電極、  ２８．ドレイン電極、  ２９．パッシベーション膜、  
３０．オーバーレイヤ、  ３０ａ．段差面、  
３１，５１，６１，７１．画素電極（第２電極）、
３１ａ，６１ａ，６１ｂ，７１ａ．電極線状部、  ３２．第１配向膜、  
３３ａ，３３ｂ．スルーホール、  ３４．容量絶縁膜、  
３５，５５，６５ａ，６５ｂ．スリット（間隙）、  ３６．光反射膜、
３７．凹凸形状パターン、  ３８ａ．第１段差面、  ３８ｂ．第２段差面、
４１．着色膜、  ４２．遮光膜、  ４３．オーバーコート層、  ４４．第２配向膜、
４５，８５．層厚調整膜（位相差膜）、  ４５ａ，８５ａ．段差面、
１０１．液晶装置、  １０２．制御回路、  １０３．液晶パネル、  １０４．駆動回路、
１１０．携帯電話機（電子機器）、  Ｄ０．電極間隔、  Ｇ．セルギャップ、
Ｈ１Ｒ．反射表示領域内の第１基板要素の高さ、
Ｈ１Ｔ．透過表示領域内の第１基板要素の高さ、
Ｈ２Ｒ．反射表示領域内の第２基板要素の高さ、
Ｈ２Ｔ．透過表示領域内の第２基板要素の高さ、  Ｐ．サブ画素、  
Ｒ１，Ｒ２．ラビング方向、  Ｘ．行方向（サブ画素の短手方向）、  
Ｙ．列方向（サブ画素の長手方向）、  Ｖ．表示領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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