(57)【要約】【課題】問題の多い従来の切断加工方法を適用することなく、簡単、かつ、正確に分割できる集合基板、その製造方法、及び、集合基板を用いた電子部品の製造方法を提供すること。【解決手段】  基板１は、ガラス成分を含有する焼結体からなる。電子部品要素２は、基板１の少なくとも一面上に配列されている。基板１は、電子部品要素２のそれぞれを区画する分割線Ｘ，Ｙ上に、基板厚みの方向に走るクラック４を有する。クラック４はスクライバを用いて形成する。【選択図】図１
2008227416.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、多数の電子部品要素とを含む集合基板であって、
前記基板は、セラミック成分と、ガラス成分とを含有する焼結体からなり、
前記電子部品要素は、前記基板の少なくとも一面上に配列されており、
前記基板は、前記電子部品要素のそれぞれを区画する分割線上に、基板厚みの方向に走るクラックを有する、
集合基板。
【請求項２】
請求項１に記載された集合基板であって、
前記集合基板は、受動回路素子を構成する内部電極を有する低温同時焼成基板である、集合基板。
【請求項３】
請求項１又は２に記載された集合基板であって、前記クラックは、基板厚みの２６％以上で、かつ、クラックそれ自体によっては基板割れを生じない深さを有する、集合基板。
【請求項４】
請求項１乃至３の何れかに記載された集合基板であって、前記クラックは、前記一面とは反対側の他面に形成されている、集合基板。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかに記載された集合基板であって、前記クラックは、隣接する前記電子部品要素の端子電極間に形成されている、集合基板。
【請求項６】
請求項１乃至５の何れかに記載された集合基板であって、前記一面側に、前記電子部品要素を覆う絶縁層を有する、集合基板。
【請求項７】
ガラス成分を含有する焼結体からなり、少なくとも一面上に多数の電子部品要素を配列した集合基板を用意し、
前記電子部品要素のそれぞれを区画する分割線に沿い、前記集合基板の他面にスクライバを押し当てることにより、前記集合基板を切断しない範囲で、基板厚みの方向に走るクラックを生じさせる、
工程を含む集合基板の製造方法。
【請求項８】
請求項７に記載された集合基板の製造方法であって、低温同時焼成基板である、集合基板の製造方法。
【請求項９】
請求項７又は８に記載された集合基板の製造方法であって、前記クラックは、基板厚みの２６％以上で、かつ、クラックそれ自体によっては基板割れを生じない深さを有する、集合基板の製造方法。
【請求項１０】
請求項７乃至９の何れかに記載された集合基板の製造方法であって、前記一面側に、前記電子部品要素を覆う絶縁層を形成した後、前記集合基板の他面にダイサを押し当てる、
集合基板の製造方法。
【請求項１１】
請求項７乃至１０の何れかに記載された集合基板であって、
前記集合基板にスクライバを押し当てる位置は、隣接する前記電子部品要素の端子電極間である、集合基板の製造方法。
【請求項１２】
集合基板から電子部品を取り出す工程を含む製造方法であって、
ガラス成分を含有する焼結体からなり、少なくとも一面上に多数の電子部品要素を配列した集合基板を用意し、
前記電子部品要素のそれぞれを区画する分割線に沿い、前記集合基板の他面にスクライバを押し当てることにより、前記集合基板を切断しない範囲で、基板厚みの方向に走るクラックを生じさせ、
その後、前記分割線に沿って分割し、前記電子部品要素の個品を取り出す、
工程を含む電子部品の製造方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載された電子部品の製造方法であって、低温同時焼成基板である、電子部品の製造方法。
【請求項１４】
請求項１２又は１３に記載された電子部品の製造方法であって、前記クラックは、基板厚みの２６％以上で、かつ、クラックそれ自体によっては基板割れを生じない深さを有する、電子部品の製造方法。
【請求項１５】
請求項１２乃至１４の何れかに記載された電子部品の製造方法であって、前記一面側に、前記電子部品要素を覆う絶縁層を形成した後、前記集合基板の他面にスクライバを押し当てる、
電子部品の製造方法の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多数の電子部品要素を配列した集合基板、及び、その製造方法、並びに、集合基板を用いた電子部品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、受動電子部品、能動電子部品、又は、受動／能動複合電子部品などを製造する場合、一枚の基板上に上述した各種電子部品要素をマトリクス状配列となるように実装して集合基板とし、次に、この集合基板を切断することにより、電子部品要素を個別に取り出す方法が知られている。この製造方法には、大別して、２つの手法がある。1つの手法は、焼成前の基板上に電子部品要素を配列しておき、焼成前の状態で分割して個品化し、その後に個品毎に焼成する方法であり、もうひとつの手法は、焼成済の焼結基板の上に電子部品要素を整列して実装し、その後に個品化する方法である。
【０００３】
前者は、電子部品要素の個品化に当たり、焼成前のセラミックグリーンシートの積層体のように比較的柔らかい基板を対象とするので、ダイサや切断用のナイフなどを用いて、容易に切断することができる。しかし、モジュール状の電子部品を製造しようとすると、個品化した後、焼成して得られた能動電子部品や受動／能動複合電子部品をセラミック基板上に実装しなければならないので、基板に対する実装作業が必要であるなど、手間がかかり量産性が悪いなどの問題がある。
【０００４】
後者は、上述したような問題点がないので、セラミック基板上にチップ状の表面実装部品を実装したモジュール状の電子部品の製造には勿論のこと、能動電子部品、又は、受動／能動複合電子部品の製造にも適用できる。
【０００５】
焼結した集合基板の切断方法としては、従来より種々の方法が提案されている。例えば、特許文献１は、セラミックグリーンシートに溝部を形成しておき、セラミックグリーンシートを焼成した後に、溝部に沿ってダイシング加工を施すことにより、配線基板領域を個々に分割する方法を開示している。特許文献２は、硬質脆性基板を円盤状の回転ブレードにて切断する改良された基板切断方法を開示している。特許文献３は、特有の形状及び角度を持つ切込刃を、セラミックグリーンシートに圧入して分割溝を形成し、しかる後、セラミックグリーンシートを焼結させる方法を開示している。特許文献４も、セラミック配線基板を、分割溝に従って分割する製造方法を開示している。
【０００６】
特許文献５は、セラミック積層体に対して、研磨材としてセラミック層と同質のセラミック粒子からなる砥粒を含有した高圧の液体噴流を、噴出ノズルから吹き付けることにより、セラミック積層体を切断するセラミック積層体の切断方法を開示している。
【０００７】
特許文献６は、回転体を高速回転させ、打撃体を加工対象物の臨界衝撃速度以上の速度で加工対象物に衝突させることにより、ガラス、セラミックス、樹脂、金属等の単一部材または複合部材からなる物体を切断する方法を開示している。
【０００８】
しかし、焼結して切断しにくくなっている集合基板を切断して、電子部品要素を個品化しなければならず、加工時間が長くなること、切断面チッピングが多発することなどの問題点が発生する。
【０００９】
更に、集合基板上では、電子部品要素が、通常、マトリクス状に配置されるので、電子部品要素を個品化するには、ＸＹ平面で見て、まず、Ｘ方向に沿ってセラミック基板を切断して、バー状の集合基板を得た後、このバー状集合基板を、Ｙ方向に沿ってセラミック基板を切断しなければならない。Ｘ方向に沿って切断する段階では、集合基板を通じて一体化されているので、問題はないのであるが、Ｙ方向に切断する場合には、分離されて独立の状態にあるバー状集合基板をもう一度、もとの集合基板の状態に再統合し、切断作業を実行しなければならない。この再統合作業は、作業効率を低下させるとともに、バー状集合基板の相互間に位置合わせズレを生じ、Ｙ方向切断に切断誤差を生じる。
【００１０】
このような切断誤差を回避するためには、集合基板を接着シート上に接着して切断するなど、余分な工程を付加せざるを得ず、切断作業効率が悪くなる。
【００１１】
更に、焼結後にセラミック基板を切断する場合、上述した問題点に加えて、切断方法それ自体に付随する問題点もある。焼結したセラミック基板の切断に利用できる技術としては、熱衝撃方法、及び、ダイヤモンドホイールカッタ、バンド状カッタ（バンドソー）、円盤状カッタ（メタルソー）、グラインダ、バンドソー、メタルソー、エンドミル等などの回転切断ツールを用いた切断法など、様々な手法が考えられる。
【００１２】
このうち、例えば、熱衝撃を利用するヒータ線通電加熱方式では、安定した切断加熱条件を見出したり、安定した一定の切断面を形成することが困難である。回転切断ツールを用いた切断にも，次のような問題点がある。
（ａ）ダイヤモンドホイールカッタを用いた場合、切断スピードを早めれば、摩擦熱により回転切断ツールの摩耗速度が大きくなるので、切断速度は制限される。しかも、回転切断ツールは高価であり、切断量と回転切断ツールの摩耗量とは密接な関係にあり切断コストが大きい。
（ｂ）回転切断ツールで切断する場合、切れ刃部を被切断物に強く押しつけるため、切断部位の摩擦熱は大きく、熱による刃先の脆化と軟弱化は刃先の摩耗を増大する。切れ刃部の摩耗により切断速度は大幅に低下し制限される。また切れ刃部を被切断物に食い込ませるため、回転切断ツールの保持と被切断物の保持とに大きな剛性を要し、大掛かりな保持機構と高い設備コストを要する。
（ｃ）砥石を用いたグラインダ切断を用いた場合は、砥粒の持つ切れ刃による連続した小さな剪断によって行われる。砥粒の角部（切れ刃）はさほど鋭利ではないこと及びグラインダの周速度が比較的大きいことにより切断部位の摩擦熱は大きい。砥石の寿命を確保するには切断部位の温度を適切に抑制する必要があり切断速度が制限される。切断時の熱対策のために、水のような冷却材を流しながら切断することもあるが、製品内部に水が浸入し、電気部品の信頼性を低下させる原因となる場合がある。
（ｄ）回転切断ツールで切断する場合、切断に時間がかかるうえ、切断部分の削りロスが生じるため、近年の小型化、モジュール化された電子部品では製品全体に占める切断部分の削りロスの占める割合が大きくなり適応性に欠ける。このことは、基板面にＶ字状の溝を付けて切断する場合も同じである。
（ｅ）樹脂成型品等の切断に回転切断ツールを用いた場合、切断速度を大きくするとツールとの摩擦熱により被切断物の切断部位近傍が発火または溶融し物理的性質が変化する。そもそも、異なる物性を持つ複数の部材（例えば、金属、樹脂成形品、ガラス、フェライト等）で構成された被切断物を、同一のツールで順次、連続して切断することは極めて困難である。
【特許文献１】特開２００５−１３６１７４
【特許文献２】特開２００５−２７９９７７
【特許文献３】特開２００３−４６２０６
【特許文献４】特開２００３−１９８０７４
【特許文献５】特開２００５−６７０６９
【特許文献６】特開２００４−９８２２２
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
本発明の課題は、問題の多い従来の切断加工方法を適用することなく、簡単、かつ、正確に分割できる集合基板を提供することである。
【００１４】
本発明のもう一つの課題は、受動電子部品、能動電子部品、又は、受動／能動複合電子部品の何れを集合したものであっても、自由に分割できる集合基板を提供することである。
【００１５】
本発明の更にもう一つの課題は、上述した集合基板を製造するのに適した方法を提供することである。
【００１６】
本発明の更にもう一つの課題は、上述した集合基板を用いた電子部品の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
上述した課題を解決するため、本発明に係る集合基板は、セラミック成分と、ガラス成分を含有する焼結体からなり、少なくとも一面上に多数の電子部品要素を配列してあって、前記電子部品要素のそれぞれを区画する分割線上に、基板厚みの方向に走るクラックが形成されている。
【００１８】
本発明に係る集合基板は、セラミック成分と、ガラス成分を含有する焼結体からなるから、電子部品要素のそれぞれを区画する分割線上に形成されたクラックにそって、例えば手動的又は機械的に簡単、かつ、正確に折ることができる。したがって、グラインダ切断加工方法と異なって、削りロスを無くし、簡便に、短時間に、水や基板を固定する発泡性粘着シート等を使うことなく、集合基板を分割することができる。
【００１９】
更に、集合基板上では、通常、電子部品要素が、通常、マトリクス状に配置されるので、電子部品要素を個品化するには、ＸＹ平面で見て、まず、Ｘ方向に沿ってセラミック基板を切断して、バー状の集合基板を得た後、このバー状集合基板を、Ｙ方向に沿ってセラミック基板を切断しなければならないことは、既に述べたとおりである。
【００２０】
本発明によれば、クラックを、Ｘ方向及びＹ方向に形成した後、Ｘ方向に延びるクラックを利用して、Ｘ方向に沿って折り、バー状集合基板を得た後、更に、このバー状集合基板を、Ｙ方向に沿って形成されたクラックに沿って折ることにより、電子部品要素の個品を取り出すことができる。分離されて独立の状態にあるバー状集合基板を再統合する必要はない。
【００２１】
このため、バー状集合基板を再統合しなければならない従来方法に比べて、作業効率が向上するとともに、切断誤差に起因する電子部品の寸法変動も回避し得る。しかも、集合基板を接着シート上に接着して切断するなどの余分な工程も不用であるから、電子部品要素を個品化する工程の効率が高くなる。
【００２２】
勿論、クラックを、Ｘ方向及びＹ方向に形成した後、Ｘ方向及びＹ方向に同時に折る工程、つまり、個品化工程を一工程化することもできる。
【００２３】
更に、従来、回転切断ツールで切断する場合、切断に時間がかかり、また切断部分の削りロスが生じるため、小型のモジュール化された電子部品には適用しにくいという問題点があったが、本発明では基板にクラックを入れることにより、削りロスを無くし、簡便で短時間に集合基板を分割することができる。
【００２４】
特に、片面が樹脂モールドされているＬＴＣＣ集合基板では、従来のグラインダでは樹脂とセラミックという特性の大きく異なる素材を同時に削ることになるため、切断設備を痛めるという問題点があったが、本発明ではこのような問題を生じることがない。
【００２５】
クラックは、受動電子部品、能動電子部品、又は、受動／能動複合電子部品を搭載した後に、形成することができる。したがって、受動電子部品、能動電子部品、又は、受動／能動複合電子部品の何れを集合したものであっても、自由に分割できる集合基板となる。
【００２６】
本発明に係る集合基板は、好ましくは、低温同時焼成セラミック基板（ＬＴＣＣ基板）によって構成する。ＬＴＣＣ基板は、セラミックを主成分とし、それにガラス成分を含有させることにより、その含有するガラス成分により脆性が増しており、クラックによって集合基板を、容易、かつ、高精度で割ることができる。
【００２７】
クラックは、電子部品要素を搭載する一面とは反対側の他面に形成することが好ましい。電子部品要素は、絶縁樹脂層によって保護される。電子部品要素を搭載する一面とは反対側の他面に、クラックを設ける構成であると、電子部品要素を、絶縁樹脂層によって被覆した最終工程の後であっても、クラックの形成、及び、分割ができるからである。
【００２８】
本発明は、更に上述した集合基板の製造方法を開示する。この製造方法では、まず、ガラス成分を含有する焼結体からなり、少なくとも一面上に多数の電子部品要素を配列した集合基板を用意する。
【００２９】
そして、前記電子部品要素のそれぞれを区画する分割線に沿い、前記集合基板の他面にスクライバを押し当てることにより、前記集合基板を切断しない範囲で、基板厚みの方向に走るクラックを生じさせる。集合基板が、ＬＴＣＣ基板であれば、スクライバによって、確実に、必要な深さのクラックを形成することができる。
【００３０】
スクライバによるクラックの形成タイミングは、電子部品要素を覆う絶縁層を形成した後であることが好ましい。このタイミングであれば、最終工程に近いからである。
【００３１】
クラック位置を決定する手段として、集合基板に形成された端子電極を画像処理で読み取り、その読取データに基づいて、クラック位置を決めることができる。この工程によれば、最終的に得られる電子部品のそれぞれに備えられる端子電極の位置を、画像処理で読み取ってクラック位置を決めることができるため、基板の焼成時の収縮状態に影響されることなく、精度よくクラックを形成することができる。端子電極の代わりに、又は、端子電極とともに、予め付与された識別マークを読み取ってクラック位置を忌めることもできる。
【００３２】
次に、上述した工程を経て得られた集合基板を、前記分割線に沿って分割し、前記電子部品要素の個品を取り出す。集合基板の製造工程と、これに付加された分割工程を含むことが、本発明に係る電子部品の製造方法の内容となる。
【００３３】
本発明の他の目的、構成及び利点については、添付図面を参照し、更に詳しく説明する。添付図面は、単に、例示に過ぎない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
１．集合基板
図１は、本発明に係る集合基板の平面図、図２は図１に示した集合基板の側面図である。これらの図を参照すると、本発明に係る集合基板は、基板１と、多数の電子部品要素２とを含んでいる。基板１は、直交２軸ＸＹ平面で見て、Ｘ方向の幅Ｗ、Ｙ方向の長さＬの平板状であって、ガラス成分を含有する焼結体、好ましくは、低温同時焼成セラミック基板（ＬＴＣＣ基板）によって構成する。ＬＴＣＣ基板は、セラミック成分と、ガラス成分とを含有する組成であって、焼成温度を、７００〜８００℃前後まで低下させたものである。ＬＴＣＣ基板の組成については、例えば、特開平９−２９５８２７など開示されている。基本的には、Ａｌ２Ｏ３とガラス成分との混合物である。ガラス成分の組成としては、限定するものではないが、Ｓｉ−Ｂ−Ａｌ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｏ系のものがある。基板１１の厚さは、０．３〜２ｍｍ程度である。基板１の内部には、図示はされていないが、基板に内蔵されたコンデンサ素子やインダクタ素子などの受動回路素子を形成する内部電極が形成されており、基板１上に実装された他の素子とともに、電子部品要素２を構成する。電子部品要素２の具体的な一例としては、ＶＣＯ、アンテナスイッチモジュール、ＰＡ（パワーアンプ）モジュール、各種フィルタ素子を含むものを挙げることができる。
【００３５】
電子部品要素２は、基板１の少なくとも一面上に配列されている。電子部品要素２は、受動電子部品、能動電子部品、又は、受動／能動複合電子部品となりえるものであれば、何でもよい。電子部品要素２は、任意数のものが、例えば、マトリクス状に配置される。電子部品要素２の群の全体は、連続する絶縁保護層３によって共通に被覆されている。絶縁保護層３は、有機系絶縁樹脂を主成分とし、無機酸化物粒子から成るフィラーなどを含有させたものが適している。フィラーを含有させると、基板１をクラックに沿って折る際に、クラックがそのまま絶縁保護層３に向かって走り、絶縁保護層３が基板１のクラック位置と同一位置で切断されるので、極めて好都合である。フィラーの含有量は，そのような作用が確実に得られる量となるように定めることになる。
【００３６】
基板１の一面上には、電子部品要素２のそれぞれを区画すべく想定される分割線Ｘ、Ｙ上に、基板１厚みＴの方向に走るクラック４が形成されている。クラック４は、分割線ＸＹの全長に渡っていてもよいし、途中で止めてあってもよい。特に、先に分割される分割線、例えば分割線Ｘは、両端を分割線Ｙの上で止めるような配置をとることができる。クラック４は、基板１厚みの２６％以上の深さにすることが、その折れ易さの点で好ましい。もっとも、クラック４それ自体によっては基板１に割れを生じない深さでなければならない。この点から考えて、クラック４の深さは、基板１厚みの８５％前後を上限とするのがよい。
【００３７】
電子部品要素２のそれぞれは、外部に接続する際に用いられる端子電極２１を有する。図示の実施例は、端子電極２１を、クラック位置決定のためのターゲットとして用いるのに好適な端子電極配置を示している。即ち、隣接する２つの電子部品要素２に注目すると、それぞれに属する２種の端子電極２１、２１を、クラック位置である分割線Ｘ（又はＹ）の両側に配置してある。この端子電極配置によれば、端子電極２１、２１の位置を読み取り、その読取データに基づいて、クラック位置を、端子電極２１−２１の中間位置になるように決めることができるから、基板の焼成時の収縮状態に影響されることなく、精度よくクラックを形成することができる。端子電極の代わりに、又は、端子電極とともに、予め付与された識別マークを読み取ってクラック位置を定めることもできる。
【００３８】
クラック４は、電子部品要素２を搭載する一面とは反対側の他面に形成することが好ましい。電子部品要素２は、絶縁保護層３によって保護されているから、電子部品要素２を搭載する一面とは反対側の他面に、クラック４を設ける構成であると、電子部品要素２を、絶縁保護層３によって被覆した最終工程の後であっても、クラック４の形成、及び、分割ができるからである。
【００３９】
本発明に係る基板１は、ガラス成分を含有する焼結体からなるから、電子部品要素２のそれぞれを区画する分割線Ｘ，Ｙ上に形成されたクラック４にそって、例えば手動的又は機械的に簡単、かつ、正確に折ることができる。したがって、問題の多い従来の回転切断ツールによる切断加工方法を適用する必要がない。
【００４０】
更に、基板１上では、通常、電子部品要素２が、マトリクス状に配置されるので、電子部品要素２を個品化するには、ＸＹ平面で見て、まず、Ｘ方向に沿ってセラミック基板１を切断して、バー状の基板１を得た後、このバー状基板１を、Ｙ方向に沿ってセラミック基板１を切断しなければならないことは、既に述べたとおりである。
【００４１】
本発明によれば、図３に図示するように、Ｘ方向に延びるクラック４を利用して、Ｘ方向に沿って折り、バー状基板１を得た後、図４に図示するように、更に、このバー状基板１を、Ｙ方向に沿って形成されたクラック４に沿って折ることにより、電子部品要素２の個品を取り出すことができる。分離されて独立の状態にあるバー状基板１を再統合する必要はない。
【００４２】
このため、バー状基板１を再統合しなければならない従来方法に比べて、作業効率が向上するとともに、切断誤差に起因する電子部品の寸法変動も回避し得る。しかも、基板１を接着シート上に接着して切断するなどの余分な工程も不用であるから、電子部品要素２の個品化の作業効率が高くなる。勿論、クラック４を、Ｘ方向及びＹ方向に形成した後、Ｘ方向及びＹ方向に同時に折る工程、つまり、個品化工程を一工程化することもできる。
【００４３】
更に、従来、回転切断ツールで切断する場合、切断に時間がかかり、また切断部分の削りロスが生じるため、小型のモジュール化された電子部品には適用しにくいという問題点があったが、本発明では基板１にクラック４を入れることにより、削りロスを無くし、簡便で短時間に基板１を分割することができる。
【００４４】
特に、片面が樹脂モールドされているＬＴＣＣ基板を、従来の回転切断ツールで切断すると、樹脂とセラミックという特性の大きく異なる素材を同時に削ることになるため、回転切断ツールを痛めるという問題点があったが、本発明ではこのような問題を生じる余地がない。
【００４５】
クラック４は、基板１の表面に受動電子部品、能動電子部品、又は、受動／能動複合電子部品を搭載した後に、形成することができる。更に、基板１の表面に受動電子部品、能動電子部品、又は、受動／能動複合電子部品を搭載し、これらの搭載した電子部品を樹脂モールドした後に、形成することができる。したがって、受動電子部品、能動電子部品、又は、受動／能動複合電子部品の何れを集合したものであっても、自由に分割し、電子部品を取り出す集合基板として用いることができる。
【００４６】
次に、実測データを参照して、本発明の効果を具体的に説明する。表１は、基板１の厚みＴに対するクラック４の深さｄの割合（ｄ／T）に対する最大寸法誤差（％）、寸法誤差σ（寸法バラツキ）及び工程能力指数ＣＰＫの関係に係る実測データである。データ採取に当たっては、各測定毎に、基準外形寸法（W×L）＝８×８ｍｍの正方形の基板１を４０個準備した。表１において、最大寸法誤差は、基板１の基準外形寸法（W×L）＝８×８ｍｍの基準値から、実際に分割して得られた基板１の外形寸法の最大誤差を百分率（％）で表示したものである。工程能力指数ＣＰＫとは、管理状態にある工程においてその工程の持つ品質達成能力を数値化したもので、ある特性において規格幅を６σで割った値で定義される。
【００４７】
【表１】
2008227416.tif 000003
【００４８】
図５は、表１のデータをグラフ化示す図である。まず、図５（ａ）は、基板１の厚みＴに対するクラック４の深さｄの割合（ｄ／T)と、分割して得られた基板１の最大寸法誤差との関係を示すグラフである。横軸に、基板１の厚みＴに対するクラック４の深さｄの比（ｄ／T)を、百分率（％）で表示し、縦軸に最大寸法誤差（％）を表示してある。
【００４９】
表１及び図５（ａ）を参照すると、基板１の厚みＴに対するクラック４の深さｄの比（ｄ／T)が、２０（％）より小さくなる範囲、つまり、クラック４の深さｄの小さい範囲では、クラック４の深さｄが小さくなると、それにつれ、最大寸法誤差が著しく増大する。
【００５０】
他方、比（ｄ／T)が、２０（％）〜８４（％）の範囲で、最大寸法誤差が０．８〜０．９（％）という極めて小さい値で安定する。
【００５１】
図５（ｂ）は、基板１の厚みＴに対するクラック４の深さｄの割合（ｄ／T)と、分割して得られた基板１の寸法誤差σ（寸法バラツキ）との関係を示すデータである。横軸に、基板１の厚みＴに対するクラック４の深さｄの比（ｄ／T)を、百分率（％）で表示し、縦軸に標準偏差σをとってある。
【００５２】
表１及び図５（ｂ）を参照すると、基板１の厚みＴに対するクラック４の深さｄの比（ｄ／T)が、２０（％）より小さくなる範囲、つまり、クラック４の深さｄの小さい範囲では、クラック４の深さｄが小さくなると、それにつれ、標準偏差σは、０．０２を超え、著しく大きくなる。
【００５３】
他方、比（ｄ／T)が、２０（％）〜８４（％）の範囲で、標準偏差σは０．０２０よりは小さく、０．０１３よりは大きい範囲という極めて小さい値で安定している。
【００５４】
図５（ｃ）は、基板１の厚みＴに対するクラック４の深さｄの割合（ｄ／T)と、分割後の工程能力指数との関係を示すデータである。横軸に、基板１の厚みＴに対するクラック４の深さｄの比（ｄ／T)を、百分率（％）で表示し、縦軸に工程能力指数ＣＰＫをとってある。
【００５５】
表１及び図５（ｃ）を参照すると、基板１の厚みＴに対するクラック４の深さｄの比（ｄ／T)が、２０（％）より小さくなる範囲では、工程能力指数ＣＰＫは１．３以下であり、比（ｄ／T)が小さくなるにつれて、更に低下する。
【００５６】
他方、比（ｄ／T)が、２０（％）〜８４（％）の範囲で、１．３を超える安定した工程能力指数ＣＰＫを確保することができる。
【００５７】
なお、最大寸法誤差、標準偏差σ、及び、工程能力指数ＣＰＫは、図５のデータを基本にすると、比（ｄ／T)が、２０（％）〜８４（％）の範囲が好ましい範囲といえ、更に、これに表１のデータを加味して考えると、２６（％）〜８４（％）の範囲が、より限定された好ましい範囲と言える。
【００５８】
以上の結果から、寸法精度の安定した電子部品を得るためには、比（ｄ／T)が２０（％）〜８４（％）の範囲、より好ましくは、２６（％）〜８４（％）の範囲に入るように、クラック４の深さｄを定めればよいことになる。
【００５９】
２．集合基板の製造方法及び電子部品の製造方法
次に、本発明に係る集合基板の製造方法について、図５〜図１３を参照して説明する。まず、図５に示すように、Ａｌ２Ｏ３などのセラミック成分と、ガラス成分を含有する焼結体からなり、少なくとも一面上に多数の電子部品要素２を配列した基板１を用意する。基板１は、ＬＴＣＣ基板であることが好ましいこと、電子部品要素２は、受動電子部品、能動電子部品、又は、受動／能動複合電子部品の何れでもよいこと、隣接する２つの電子部品要素２のそれぞれに属する２種の端子電極２１、２１を、クラック位置となる分割線Ｘ（又はＹ）の両側に配置してあること、などは、既に述べたとおりである。
【００６０】
次に、必要であれば、図６に示すように、電子部品要素２を搭載してある基板１の一面側に、絶縁保護膜３を形成する。この絶縁保護膜３は、フィラーを含有させた有機絶縁膜であることが好ましい。
【００６１】
次に、図７に図示するように、基板１を反転させて、電子部品要素２の搭載していない他面が表側になるように、支持台６の上に取り付ける。そして、例えば、電子部品要素２のそれぞれを区画する分割線Ｘに沿い、基板１の他面にスクライバ５を押し当てることにより、基板１を切断しない範囲で、基板１の厚みの方向に走るクラック４を生じさせる。スクライバ５は、開き角度θを持つ刃先が、ダイヤモンドなどの硬質材料によって構成されたもので、通常は、矢印Ｒで示す如く回転させ、かつ、押圧力を加えながら直線的に移動（スクライブ操作）させる。このスクライブ操作により、基板１にクラック４が発生する。発生するクラック４は、実際には、肉眼でみることに困難をきたすほどの極微小幅を持つ一種の割れである。
【００６２】
図示の実施例の場合、隣接する２つの電子部品要素２のそれぞれに属する２種の端子電極２１、２１を、クラック位置となる分割線Ｘ（又はＹ）の両側に配置してあるから、クラック４を形成する位置、つまり分割線Ｘを決定する手段として、基板１に形成された電子部品要素２の端子電極２１を画像処理で読み取り、その読取データに基づいて決定することができる。即ち、端子電極２１、２１の位置を読み取り、その読取データに基づいて、クラック位置を、端子電極２１−２１の中間位置になるように決めることができる。これにより、基板の焼成時の収縮状態に影響されることなく、精度よくクラックを形成することができ、延いては、基板１を高精度で分割することができる。
【００６３】
そして、図７及び図８に図示するように、上述したスクライブ操作を、分割線Ｘの本数だけ実行する。これにより、図９に図示するように、分割線Ｘのほぼ全長又はその一部に沿って、直線状のクラック４が形成される。
【００６４】
上述したスクライブ操作は、図１１及び図１２に図示するように、分割線Ｙに沿っても、同様に実行される。これにより、図１３に図示するように、分割線Ｘ，Ｙに沿って、クラック４を、縦横に線状に形成した集合基板が得られる。
【００６５】
上述のようにして製造された集合基板は、図３及び図４に図示したように、分割線Ｘ，Ｙに沿って基板１を分割して、電子部品要素２の個品を取り出す電子部品の製造方法に供される。
【００６６】
クラック４は、電子部品要素２の個品を取り出す分割工程（電子部品の製造工程）において、容易に折ることができるように、その深さｄをコントロールすることが必要である。クラック４の深さは、スクライブ圧力を調整することによって、コントロールすることができる。
【００６７】
そして、クラック４の深さｄを調整することにより、最大寸法誤差、寸法誤差σ、及び、工程能力指数ＣＰＫについて、好ましい結果が得られることは、表１及び図５に示したとおりである。
【００６８】
以上、好ましい実施例を参照して本発明の内容を具体的に説明したが、本発明の基本的技術思想及び教示に基づいて、当業者であれば、種々の変形態様を採り得ることは自明である。
【図面の簡単な説明】
【００６９】
【図１】本発明に係る集合基板の平面図である。
【図２】図１に示した集合基板の側面図である。
【図３】本発明に係る集合基板から電子部品要素を取り出す分割工程を示す図である。
【図４】図３に示した工程の後の工程を示す図である。
【図５】図５（ａ）は、基板１の厚みＴに対するクラック４の深さｄの割合（ｄ／T)と、分割して得られた基板１の最大寸法誤差との関係を示すグラフ、  図５（ｂ）は、基板１の厚みＴに対するクラック４の深さｄの割合（ｄ／T)と、分割して得られた基板１の寸法誤差σ（寸法バラツキ）との関係を示すグラフ、  図５（ｃ）は、基板１の厚みＴに対するクラック４の深さｄの割合（ｄ／T)と、分割後の工程能力指数との関係を示すデータである。
【図６】本発明に係る製造方法の適用される集合基板の平面図。
【図７】図６に示した工程の後の工程を示す図である。
【図８】図７に示した工程の後の工程を示す図である。
【図９】図８に示した工程の後の工程を示す図である。
【図１０】図９に示した工程の後の工程を示す図である。
【図１１】図１０に示した工程の後の工程を示す図である。
【図１２】図１１に示した工程の後の工程を示す図である。
【図１３】図１２に示した工程の後の工程を示す図である。
【符号の説明】
【００７０】
１                    基板
２                    電子部品要素
２１                    端子電極
３                    絶縁保護層
４                    クラック
５                    スクライバ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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