(57)【要約】【課題】コストの増大及びアクセス速度の低下を抑制しつつ、記憶領域の不良対策を行うことができる情報記憶装置を提供することを目的とする。【解決手段】ハードディスク２のＨＤ交替記憶領域２２に記憶されたデータを読み出して、ＳＤＲＡＭ４の交替データ記憶領域４１に記憶させる初期処理部６１と、交替データ記憶領域４１に記憶されたデータが記憶されるべきであったハードディスク２の不良セクタと当該データが記憶されている交替データ記憶領域４１とを対応付ける対応関係情報４２１を記憶するＳＤＲＡＭ対応関係記憶領域４２と、ハードディスク２に記憶されているデータを読み出す際に、当該データがＨＤ交替記憶領域２２に記憶されている場合、対応関係情報４２１によって当該不良記憶領域と対応付けられているＳＤＲＡＭ４の交替データ記憶領域４１から、当該データを読み出す読出処理部６５とを備えた。【選択図】図１
2008171526.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
不揮発性の複数の記憶領域を備え、当該複数の記憶領域のうち正常にデータを記憶することができない不良記憶領域に記憶されるべきデータが、当該不良記憶領域の代わりに記憶される交替記憶領域が設けられた不揮発性記憶部と、
揮発性の複数の記憶領域を備えた揮発性記憶部と、
前記交替記憶領域に記憶されたデータを読み出して、前記揮発性記憶部に記憶させる初期処理部と、
前記交替記憶領域から読み出されて前記揮発性記憶部に記憶されたデータが記憶されるべきであった不良記憶領域と当該データが記憶されている前記揮発性記憶部の記憶領域とを対応付ける対応関係情報を記憶する対応関係記憶部と、
前記不揮発性記憶部に記憶されているデータを読み出す際に、当該データが前記交替記憶領域に記憶されている場合、前記対応関係記憶部に記憶された対応関係情報によって当該データが記憶されるべきであった不良記憶領域と対応付けられている前記揮発性記憶部の記憶領域から、当該データを読み出す読出処理部と
を備えることを特徴とする情報記憶装置。
【請求項２】
前記読出処理部は、前記不揮発性記憶部の複数の記憶領域に記憶されているデータを読み出す際に、当該複数の記憶領域に前記不良記憶領域が含まれている場合、当該複数の記憶領域のうち当該不良記憶領域を除く記憶領域からのデータの読み出しと、前記対応関係記憶部に記憶された対応関係情報により当該不良記憶領域と対応付けられている前記揮発性記憶部の記憶領域からのデータの読み出しとを並行して実行した後、当該不良記憶領域を除く記憶領域から読み出されたデータと前記揮発性記憶部から読み出されたデータとを、前記対応関係記憶部に記憶されている対応関係情報に基づく順序に並べて前記複数の記憶領域に記憶されているデータを取得すること
を特徴とする請求項１記載の情報記憶装置。
【請求項３】
前記不揮発性記憶部における複数の記憶領域にデータを記憶させる際に、当該複数の記憶領域に前記不良記憶領域が含まれている場合、当該不良記憶領域を除く残余の記憶領域にそれぞれ対応するデータを記憶させ、当該不良記憶領域に記憶させるべきデータを、前記対応関係記憶部に記憶されている対応関係情報により当該不良記憶領域と対応付けられている前記揮発性記憶部の記憶領域に記憶させた後、当該データを前記不揮発性記憶部の交替記憶領域に記憶させる書込処理部をさらに備えること
を特徴とする請求項１又は２記載の情報記憶装置。
【請求項４】
前記不揮発性記憶部は、ハードディスクであり、
前記揮発性記憶部は、半導体メモリであること
を特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の情報記憶装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の記憶領域が、連続的に配置された場合よりも不連続に配置された場合に当該記憶領域へのアクセス速度が低下する情報記憶装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ＨＤＤ（Hard Disk Drive）装置や光ディスク装置等の情報記憶装置では、磁気ディスクや光ディスク等の記憶媒体をブロックあるいはセクタといった単位で管理し、不良のあるブロックやセクタに対しては記憶媒体中の予備の領域を交替セクタとして割り当てることによって、記憶装置としての歩留まり向上や経年劣化により生じる不良への対策としていた。
【０００３】
一方、ＨＤＤ装置等の情報記憶装置は、ランダムアクセス可能であるものの、内部の構造上の制約により全ての記憶領域に対するアクセス速度は均一でない。これは、不連続な記憶領域にアクセスする場合、ヘッドを移動させるためにシーク時間やディスクの回転待ち時間が必要となるからである。
【０００４】
このように、不連続な記憶領域にアクセスする場合にアクセス速度が低下するような情報記憶装置において、上述のような不良対策を施した場合、交替セクタを割り当てられた不良セクタを含む領域をアクセスする場合に、内部的には不連続アクセスとなり、交替セクタを割り当てられなかった場合に比べてアクセス速度が低下してしまうおそれがあった。
【０００５】
このような不良対策として、不良セクタ以降の論理的な記憶位置指定アドレスと物理的な記憶箇所の対応をずらしていくことにより連続性を維持する方式もあるが、この場合、経年劣化によってすでに情報が書き込まれている領域の一部のセクタが不良になった場合は、記憶位置指定アドレスと物理的な記憶箇所の対応をずらすことができないので、このような方式では、不良対策を行うことができない。
【０００６】
このような問題点に対して、ディスク上に交替セクタを設けるのではなく、高速アクセス可能な不揮発性固体メモリであるＥＥＰＲＯＭ（Electrically Erasable and Programmable Read Only Memory）、及びバッテリ−バックアップＲＡＭ（Random Access Memory）を不良セクタの代わりに用いる方法が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開平７−３０７０６１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、ＥＥＰＲＯＭやバッテリ−バックアップＲＡＭは高価なため、上述のような不揮発性固体メモリを不良セクタの代わりに用いる方法では、情報記憶装置のコスト上昇が増大するという不都合があった。
【０００８】
本発明は、このような事情に鑑みて為された発明であり、コストの増大及びアクセス速度の低下を抑制しつつ、記憶領域の不良対策を行うことができる情報記憶装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係る情報記憶装置は、不揮発性の複数の記憶領域を備え、当該複数の記憶領域のうち正常にデータを記憶することができない不良記憶領域に記憶されるべきデータが、当該不良記憶領域の代わりに記憶される交替記憶領域が設けられた不揮発性記憶部と、揮発性の複数の記憶領域を備えた揮発性記憶部と、前記交替記憶領域に記憶されたデータを読み出して、前記揮発性記憶部に記憶させる初期処理部と、前記交替記憶領域から読み出されて前記揮発性記憶部に記憶されたデータが記憶されるべきであった不良記憶領域と当該データが記憶されている前記揮発性記憶部の記憶領域とを対応付ける対応関係情報を記憶する対応関係記憶部と、前記不揮発性記憶部に記憶されているデータを読み出す際に、当該データが前記交替記憶領域に記憶されている場合、前記対応関係記憶部に記憶された対応関係情報によって当該データが記憶されるべきであった不良記憶領域と対応付けられている前記揮発性記憶部の記憶領域から、当該データを読み出す読出処理部とを備える。
【００１０】
この構成によれば、正常にデータを記憶することができない不良記憶領域に記憶されるべきデータが、当該不良記憶領域の代わりに不揮発性の交替記憶領域に記憶される。また、初期処理部によって、交替記憶領域に記憶されたデータが読み出されて揮発性記憶部に記憶される。そして、対応関係記憶部によって、交替記憶領域から読み出されて揮発性記憶部に記憶されたデータが記憶されるべきであった不良記憶領域と、当該データが記憶されている揮発性記憶部の記憶領域とを対応付ける対応関係情報が記憶される。さらに、不揮発性記憶部に記憶されているデータを読み出す際に、当該データが交替記憶領域に記憶されている場合、読出処理部によって、対応関係記憶部に記憶された対応関係情報によって当該不良記憶領域と対応付けられている揮発性記憶部の記憶領域から、当該データが読み出される。この場合、不揮発性記憶部の不良記憶領域に記憶されるべきデータを読み出そうとすると、不揮発性記憶部に設けられた他の記憶領域である交替記憶領域にアクセスすることなく、揮発性記憶部から、当該不良記憶領域に記憶されるべきであったデータが読み出されるので、アクセスが不連続になってデータの読み出し速度が低下するおそれを低減しつつ、不揮発性記憶部の記憶領域の不良対策を行うことができる。また、揮発性記憶部は、不揮発性固体メモリより安価に入手可能であるので、コストの増大を抑制することが可能となる。
【００１１】
また、前記読出処理部は、前記不揮発性記憶部の複数の記憶領域に記憶されているデータを読み出す際に、当該複数の記憶領域に前記不良記憶領域が含まれている場合、当該複数の記憶領域のうち当該不良記憶領域を除く記憶領域からのデータの読み出しと、前記対応関係記憶部に記憶された対応関係情報により当該不良記憶領域と対応付けられている前記揮発性記憶部の記憶領域からのデータの読み出しとを並行して実行した後、当該不良記憶領域を除く記憶領域から読み出されたデータと前記揮発性記憶部から読み出されたデータとを、前記対応関係記憶部に記憶されている対応関係情報に基づく順序に並べて前記複数の記憶領域に記憶されているデータを取得することが好ましい。
【００１２】
この構成によれば、揮発性記憶部の複数の記憶領域に記憶されているデータを読み出す際に、当該複数の記憶領域に不良記憶領域が含まれている場合、読出処理部によって、当該複数の記憶領域のうち当該不良記憶領域を除く記憶領域からのデータの読み出しと、対応関係記憶部に記憶された対応関係情報により当該不良記憶領域と対応付けられている揮発性記憶部の記憶領域からのデータの読み出しとが並行して実行された後、当該不良記憶領域を除く記憶領域から読み出されたデータと揮発性記憶部から読み出されたデータとが、対応関係記憶部に記憶されている対応関係情報に基づく順序に並べられて複数の記憶領域に記憶されているデータが取得されるので、データの読み出し時間が短縮される。
【００１３】
また、前記不揮発性記憶部における複数の記憶領域にデータを記憶させる際に、当該複数の記憶領域に前記不良記憶領域が含まれている場合、当該不良記憶領域を除く残余の記憶領域にそれぞれ対応するデータを記憶させ、当該不良記憶領域に記憶させるべきデータを、前記対応関係記憶部に記憶されている対応関係情報により当該不良記憶領域と対応付けられている前記揮発性記憶部の記憶領域に記憶させた後、当該データを前記不揮発性記憶部の交替記憶領域に記憶させる書込処理部をさらに備えることが好ましい。
【００１４】
この構成によれば、不揮発性記憶部における複数の記憶領域にデータを記憶させる際に、当該複数の記憶領域に不良記憶領域が含まれている場合、書込処理部によって、当該不良記憶領域を除く残余の記憶領域にそれぞれ対応するデータが記憶され、当該不良記憶領域に記憶させるべきデータが、対応関係記憶部に記憶されている対応関係情報により当該不良記憶領域と対応付けられている揮発性記憶部の記憶領域に記憶される。この場合、データを記憶させようとする不揮発性記憶部の記憶領域に不良記憶領域が含まれていても、不揮発性記憶部に設けられた他の記憶領域である交替記憶領域にアクセスすることなく、不揮発性記憶部の不良記憶領域を除く残余の記憶領域と、揮発性記憶部とに当該データを記憶させることができるので、アクセスが不連続になってデータの書き込み速度が低下するおそれを低減しつつ、不揮発性記憶部の記憶領域の不良対策を行うことができる。また、不揮発性記憶部の不良記憶領域を除く残余の記憶領域と、揮発性記憶部とに当該データが記憶された後に、書込処理部によって、当該データが不揮発性記憶部の交替記憶領域に記憶されるので、揮発性記憶部に記憶されたデータが消失しても、当該データを不揮発性記憶部の交替記憶領域から読み出して、再び揮発性記憶部に記憶させることが可能となる。
【００１５】
また、前記不揮発性記憶部は、ハードディスクであり、前記揮発性記憶部は、半導体メモリであることが好ましい。ハードディスクは、不揮発性記憶部として好適に用いることができ、半導体メモリは、揮発性記憶部として好適に用いることができる。
【発明の効果】
【００１６】
このような構成の情報記憶装置は、不揮発性記憶部の不良記憶領域に記憶されるべきデータを読み出そうとすると、不揮発性記憶部に設けられた他の記憶領域である交替記憶領域にアクセスすることなく、揮発性記憶部から、当該不良記憶領域に記憶されるべきであったデータが読み出されるので、アクセスが不連続になってデータの読み出し速度が低下するおそれを低減しつつ、不揮発性記憶部の記憶領域の不良対策を行うことができる。また、揮発性記憶部は、不揮発性固体メモリより安価に入手可能であるので、コストの増大を抑制することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明に係る実施形態を図面に基づいて説明する。なお、各図において同一の符号を付した構成は、同一の構成であることを示し、その説明を省略する。図１は、本発明の一実施形態に係る情報記憶装置の一例であるハードディスクドライブ装置の構成の一例を示すブロック図である。図１に示すハードディスクドライブ装置１は、例えば複写機、ファクシミリ、プリンター、並びにこれらの複合機等の画像形成装置、及びパーソナルコンピュータ等の情報処理装置において、画像データやプログラムその他のデータを記憶するために用いられる情報記憶装置である。
【００１８】
図１に示すハードディスクドライブ装置１は、ハードディスク２（不揮発性記憶部）、ＨＤＣ（Hard Disk Controller）３、ＳＤＲＡＭ（Synchronous Dynamic Random Access Memory）４（揮発性記憶部）、インターフェイス部５、及び制御部６を備えている。
【００１９】
ハードディスク２は、磁気ディスク上に複数のセクタが記憶領域として設けられ、各記憶領域にセクタ番号やシリンダ番号等が付与されている。各セクタは、例えば５１２バイトにされている。そして、ハードディスク２には、データを記憶させるために使用可能なデータ記憶領域２１、データ記憶領域２１にデータを正常に記憶することができない不良セクタが有った場合、当該不良セクタの代わりにデータを記憶する交替記憶領域２２、及び不良セクタと当該不良セクタの代わりに用いられる交替記憶領域２２のセクタとの対応関係を記憶するＨＤ対応関係記憶領域２３が設けられている。また、ハードディスク２は、図略のスピンドルモータや磁気ヘッドによって、ＨＤＣ３により指定されたセクタへのアクセスが可能にされている。
【００２０】
ＨＤＣ３は、制御部６からの制御信号に応じて図略のスピンドルモータや磁気ヘッドを駆動することで、ハードディスク２へのデータの書き込みや読み出し等を行う制御回路である。
【００２１】
ＳＤＲＡＭ４は、揮発性のランダムアクセス可能なメモリであり、ハードディスク２よりもアクセス速度が高速である。また、ＳＤＲＡＭ４は、不揮発性固体メモリであるＥＥＰＲＯＭやバッテリ−バックアップＲＡＭよりも安価に入手可能である。そして、ＳＤＲＡＭ４には、ハードディスク２の交替記憶領域２２から読み出されたデータを記憶する交替データ記憶領域４１、及び交替記憶領域２２と交替データ記憶領域４１との対応関係を示す対応関係情報を記憶するＳＤＲＡＭ対応関係記憶領域４２（対応関係記憶部）とが設けられている。
【００２２】
なお、揮発性記憶部は、ハードディスク２よりもアクセス速度が高速であって、不揮発性固体メモリより安価に入手可能なものであればよく、例えば単なるＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）やＳＲＡＭ（Static Random Access Memory）等を用いてもよい。
【００２３】
インターフェイス部５は、制御部６と、ハードディスクドライブ装置１を使用する画像形成装置や情報処理装置との間でデータをやりとりするためのインターフェイス回路で、例えばＩＤＥ（Integrated Device Electronics）、やＡＴＡ（AT Attachment）等、種々のインターフェイス回路を用いることができる。
【００２４】
制御部６は、例えば所定の演算処理を実行するＣＰＵ（Central Processing Unit）と、所定の制御プログラムが記憶されたＲＯＭ（Read Only Memory）と、データを一時的に記憶するＲＡＭ（Random Access Memory）と、これらの周辺回路等とを備えて構成され、ＲＯＭに記憶された制御プログラムを実行することにより、初期処理部６１、ＨＤ対応関係記憶処理部６２、ＳＤＲＡＭ対応関係記憶処理部６３、書込処理部６４、読出処理部６５、及び不良セクタ検出部６６として機能する。
【００２５】
初期処理部６１は、例えばハードディスクドライブ装置１の電源が投入される等してハードディスクドライブ装置１が動作を開始した際に、ＨＤ交替記憶領域２２に記憶されているデータを読み出して、ＳＤＲＡＭ４の交替データ記憶領域４１に記憶させる。
【００２６】
不良セクタ検出部６６は、ハードディスク２の検査を行い、不良セクタを検出する。具体的には、不良セクタ検出部６６は、例えばＨＤＣ３によって、ハードディスク２の各セクタへのデータ書き込み、及び読み出しを行わせ、書き込みデータと読み出しデータとの比較を行う等の方法により、不良セクタを検出する。
【００２７】
ＨＤ対応関係記憶処理部６２は、不良セクタ検出部６６によって不良セクタが検出されると、当該不良セクタの代わりに用いられる交替セクタをＨＤ交替記憶領域２２に設定し、当該不良セクタと交替セクタとを対応させて、ＨＤ交替記憶領域２２に記憶させる。
【００２８】
ＳＤＲＡＭ対応関係記憶処理部６３は、不良セクタ検出部６６によって不良セクタが検出されると、当該不良セクタに対応するＳＤＲＡＭ４の記憶領域を交替データ記憶領域４１に設定し、当該不良セクタと交替データ記憶領域４１に設定された記憶領域のメモリアドレスとを対応させてＳＤＲＡＭ対応関係記憶領域４２に記憶させる。
【００２９】
書込処理部６４は、ハードディスク２におけるデータ記憶領域２１の連続した複数のセクタにデータを記憶させる際に、ＳＤＲＡＭ対応関係記憶領域４２を参照して当該データを記憶させようとするセクタに不良セクタが含まれているか否かを確認し、不良セクタが含まれている場合、当該不良セクタを除く残余のセクタにデータを記憶させ、当該不良セクタに記憶させるべきデータをＳＤＲＡＭ４に記憶させた後、当該データをＨＤ交替記憶領域２２に記憶させる。
【００３０】
読出処理部６５は、ハードディスク２の複数のセクタからデータを読み出す際に、ＳＤＲＡＭ対応関係記憶領域４２を参照して当該データが記憶されているセクタに不良セクタが含まれているか否かを確認し、不良セクタが含まれている場合、ＳＤＲＡＭ対応関係記憶領域４２に記憶されている情報に基づいて、当該データをＳＤＲＡＭ４の交替データ記憶領域４１から読み出す。
【００３１】
次に、上述のように構成されたハードディスクドライブ装置１の動作について説明する。図２は、ハードディスク２の構成の一例を示す説明図である。図２に示すハードディスク２は、データ記憶領域２１における例えばセクタ＃３が不良セクタとなっている。このような状態で、不良セクタ検出部６６による検査が行われると、不良セクタ検出部６６によってセクタ＃３が不良セクタとして検出される。そうすると、ＨＤ対応関係記憶処理部６２によって、セクタ＃３の代わりに用いる交替セクタとして、ＨＤ交替記憶領域２２の例えばセクタ＃１０が割り当てられ、図３に示すようにセクタ＃３とセクタ＃１０との対応関係を示す対応関係情報２３１が、ＨＤ対応関係記憶領域２３に記憶される。さらに、ＳＤＲＡＭ対応関係記憶処理部６３によって、セクタ＃３の代わりに用いるＳＤＲＡＭ４の例えば５１２バイトの記憶領域が割り当てられ、図４に示すようにセクタ＃３と、セクタ＃３に割り当てられた記憶領域の先頭アドレスａｄｄ１との対応関係を示す対応関係情報４２１が、ＳＤＲＡＭ対応関係記憶領域４２に記憶される。
【００３２】
その後、例えばハードディスクドライブ装置１の電源がオフされるなどすると、ＨＤ対応関係記憶領域２３に記憶された対応関係情報２３１は、そのまま記憶が保持されるが、ＳＤＲＡＭ対応関係記憶領域４２に記憶された対応関係情報４２１は、記憶が保持されることなく消去される。
【００３３】
図５、図６は、ハードディスクドライブ装置１の動作の一例を説明するためのフローチャートである。例えば、ハードディスクドライブ装置１の電源がオンされる等してハードディスクドライブ装置１が動作を開始すると、まず、初期処理部６１によって、ＨＤ対応関係記憶領域２３に記憶されている対応関係情報２３１が読み出され、対応関係情報２３１により不良セクタであるとされているセクタ＃３の代わりに用いるＳＤＲＡＭ４の例えば５１２バイトの記憶領域が割り当てられる。そして、初期処理部６１によって、図４に示すように、セクタ＃３と、セクタ＃３に割り当てられた記憶領域の先頭アドレスａｄｄ１との対応関係を示す対応関係情報４２１が、ＳＤＲＡＭ対応関係記憶領域４２に記憶される（ステップＳ１）。
【００３４】
次に、インターフェイス部５に接続された図略の画像形成装置等の情報処理装置から、複数のセクタ、例えばセクタ＃１〜＃６へのデータ書き込み指示が出力され、当該データ書き込み指示がインターフェイス部５によって受信されると（ステップＳ３でＹＥＳ）、書込処理部６４によって、ＳＤＲＡＭ対応関係記憶領域４２に記憶されている対応関係情報４２１が参照され、書き込み範囲のセクタ＃１〜＃６に不良セクタが含まれているか否かが確認される（ステップＳ４）。そして、書き込み範囲のセクタに不良セクタが含まれていなければ（ステップＳ４でＮＯ）、書き込み範囲の全データがデータ記憶領域２１のセクタ＃１〜＃６に書き込まれて（ステップＳ５）、処理を終了する。
【００３５】
一方、例えば図４に示すように、対応関係情報４２１によって、セクタ＃３が不良セクタとして記憶されている場合、書き込み範囲のセクタに不良セクタが含まれているから（ステップＳ４でＹＥＳ）、書込処理部６４によって、不良セクタであるセクタ＃３を除くデータ記憶領域２１のセクタ＃１，＃２，＃４，＃５，＃６にデータが記憶される（ステップＳ６）。そして、書込処理部６４によって、図４に示す対応関係情報４２１に基づいて、不良セクタであるセクタ＃３に記憶させるべきであったデータが、ＳＤＲＡＭ４における交替データ記憶領域４１のアドレスａｄｄ１から開始される５１２バイトの記憶領域に記憶される（ステップＳ７）。
【００３６】
この場合、データ記憶領域２１のセクタ＃１，＃２，＃４，＃５，＃６は、ハードディスク２において連続して配置されているので、セクタ＃１，＃２，＃４，＃５，＃６にデータを記憶させる際には、途中で磁気ヘッドをＨＤ交替記憶領域２２に移動させて不連続なセクタへのアクセスを生じることがなく、背景技術のように不良セクタの代わりにハードディスク上の交替記憶領域にデータを書き込むために、磁気ヘッドの不連続な移動が生じてハードディスクへのアクセスが遅くなるおそれが低減される。また、背景技術のように、不良セクタの代わりに不揮発性メモリを用いる場合と比べて、ＳＤＲＡＭ４は、不揮発性メモリより安価であるので、ハードディスクドライブ装置１のコストを低減することが容易となる。
【００３７】
次に、書込処理部６４によって、交替データ記憶領域４１に記憶されたセクタ＃３に記憶されるべきであったデータが、ＨＤ対応関係記憶領域２３に記憶された対応関係情報２３１に基づき、ハードディスク２のデータ記憶領域２１に記憶され（ステップＳ８）、処理を終了する。
【００３８】
一方、ステップＳ３において、インターフェイス部５に接続された図略の画像形成装置等の情報処理装置からのデータ書き込み指示はなく（ステップＳ３でＮＯ）、複数のセクタ、例えばセクタ＃１〜＃６からのデータ読み出し指示がインターフェイス部５によって受信された場合（ステップＳ９でＹＥＳ）、ハードディスク２へのデータ書き込み処理を実行するべく図６のステップＳ１１へ移行する。
【００３９】
図６に示すステップＳ１１において、読出処理部６５によって、ＳＤＲＡＭ対応関係記憶領域４２に記憶されている対応関係情報４２１が参照され、読み出し範囲のセクタ＃１〜＃６に不良セクタが含まれているか否かが確認される（ステップＳ１１）。そして、読み出し範囲のセクタに不良セクタが含まれていなければ（ステップＳ１１でＮＯ）、読出処理部６５によって、読み出し範囲の全セクタ＃１〜＃６から、データが読み出されて（ステップＳ１２）、セクタ＃１〜＃６から読み出されたデータがインターフェイス部５によって、図略の情報処理装置へ出力されて（ステップＳ１６）、処理を終了する。
【００４０】
一方、例えば図４に示すように、対応関係情報４２１によって、セクタ＃３が不良セクタとして記憶されている場合、読み出し範囲のセクタに不良セクタが含まれているから（ステップＳ１１でＹＥＳ）、読出処理部６５によって、不良セクタであるセクタ＃３を除くデータ記憶領域２１のセクタ＃１，＃２，＃４，＃５，＃６からデータが読み出される（ステップＳ１３）のと並行して、対応関係情報４２１によりセクタ＃３と対応付けられているアドレスａｄｄ１から５１２バイト分のデータが交替データ記憶領域４１から読み出される（ステップＳ１４）。
【００４１】
ステップＳ１３においては、不良セクタであるセクタ＃３を除くデータ記憶領域２１のセクタ＃１，＃２，＃４，＃５，＃６は、ハードディスク２において連続して配置されているので、セクタ＃１，＃２，＃４，＃５，＃６からデータを読み出す際には、読み出し途中で磁気ヘッドをＨＤ交替記憶領域２２に移動させて不連続なセクタへのアクセスを生じることがなく、背景技術のように不良セクタの代わりにハードディスク上の交替記憶領域からデータを読み出すために磁気ヘッドの不連続な移動が生じてハードディスクへのアクセスが遅くなるおそれが低減される。また、背景技術のように、不良セクタの代わりに不揮発性メモリを用いる場合と比べて、ＳＤＲＡＭ４は、不揮発性メモリより安価であるので、ハードディスクドライブ装置１のコストを低減することが容易となる。
【００４２】
また、セクタ＃１，＃２，＃４，＃５，＃６はハードディスク２に記憶されており、不良セクタであるセクタ＃３に記憶されているべきデータはＳＤＲＡＭ４に記憶されており、ハードディスク２とＳＤＲＡＭ４とは異なる記憶装置であって独立して動作可能であるから、ステップＳ１３とステップＳ１４とを並列実行することで、データの読み出し時間を短縮することが可能となる。
【００４３】
次に、読出処理部６５によって、データ記憶領域２１のセクタ＃１，＃２，＃４，＃５，＃６から読み出されたデータと交替データ記憶領域４１のアドレスａｄｄ１から読み出されたデータとが、対応関係情報４２１に基づく順序に並べられ、読み出し範囲として指定されたセクタ＃１，＃２，＃３，＃４，＃５，＃６のデータが再構成される。具体的には、例えば、交替データ記憶領域４１のアドレスａｄｄ１は、対応関係情報４２１によってセクタ＃３と対応付けられているから、読出処理部６５によって、データ記憶領域２１のセクタ＃１，＃２，＃４，＃５，＃６から読み出されたデータのセクタ＃２とセクタ＃４のデータとの間に交替データ記憶領域４１のアドレスａｄｄ１から読み出されたデータが挿入されて、セクタ＃１，＃２，＃３，＃４，＃５，＃６のデータが再構成される。
【００４４】
次に、読出処理部６５により再構成されたセクタ＃１〜＃６のデータがインターフェイス部５によって、図略の情報処理装置へ出力されて（ステップＳ１６）、処理を終了する。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明の一実施形態に係る情報記憶装置の一例であるハードディスクドライブ装置の構成の一例を示すブロック図である。
【図２】図１に示すハードディスクの構成の一例を示す説明図である。
【図３】図１に示すＨＤ対応関係記憶領域に記憶される対応関係情報の一例を示す説明図である。
【図４】図１に示すＳＤＲＡＭ対応関係記憶領域に記憶される対応関係情報の一例を示す説明図である。
【図５】図１に示すハードディスクドライブ装置の動作の一例を示すフローチャートである。
【図６】図１に示すハードディスクドライブ装置の動作の一例を示すフローチャートである。
【符号の説明】
【００４６】
１  ハードディスクドライブ装置
２  ハードディスク
３  ＨＤＣ
４  ＳＤＲＡＭ
５  インターフェイス部
６  制御部
２１  データ記憶領域
２２  ＨＤ交替記憶領域
２３  ＨＤ対応関係記憶領域
４１  交替データ記憶領域
４２  ＳＤＲＡＭ対応関係記憶領域
６１  初期処理部
６２  ＨＤ対応関係記憶処理部
６３  ＳＤＲＡＭ対応関係記憶処理部
６４  書込処理部
６５  読出処理部
６６  不良セクタ検出部
２３１，４２１  対応関係情報
【図１】
2008171526.tif 000003
【図２】
2008171526.tif 000004
【図３】
2008171526.tif 000005
【図４】
2008171526.tif 000006
【図５】
2008171526.tif 000007
【図６】
2008171526.tif 000008