(57)【要約】【課題】複数の光束を高密度で安定して射出する。【解決手段】配線の引き出し方向が−Ｘ方向で−Ｘ方向にのみ段切れ防止構造を有する６個の発光部と、配線の引き出し方向が−Ｙ方向で−Ｙ方向にのみ段切れ防止構造を有する２個の発光部と、配線の引き出し方向が＋Ｘ方向で＋Ｘ方向にのみ段切れ防止構造を有する６個の発光部と、配線の引き出し方向が＋Ｙ方向で＋Ｙ方向にのみ段切れ防止構造を有する２個の発光部とを有し、それぞれが配線１５により対応する電極パッド１６に接続されている。【選択図】図１４
2008130708.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
それぞれが配線により対応する電極パッドに接続される複数の発光部を有する面発光型半導体レーザアレイを製造する半導体レーザアレイ製造方法であって、
基板上に複数の半導体層が積層された積層体表面にフォトレジストを塗布する工程と；
光を遮光する遮光パターンと該遮光パターンの第１方向に隣接し該第１の方向に向かって光透過率が徐々に増加する透過率変化パターンとからなる少なくとも１つの第１のメサ構造体用パターンと、光を遮光する遮光パターンと該遮光パターンの前記第１の方向と異なる第２の方向に隣接し該第２の方向に向かって光透過率が徐々に増加する透過率変化パターンとからなる少なくとも１つの第２のメサ構造体用パターンとを含む複数のメサ構造体用パターンが前記複数の発光部に対応して配置されたマスクを介して、前記フォトレジストが塗布された面に光を照射し、前記積層体表面にエッチング用マスクを形成する工程と；を含む半導体レーザアレイ製造方法。
【請求項２】
前記複数の発光部は、千鳥状に配列されることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザアレイ製造方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の半導体レーザアレイ製造方法によって製造された面発光型半導体レーザアレイ。
【請求項４】
それぞれが配線により対応する電極パッドに接続される複数の発光部を有する面発光型半導体レーザアレイにおいて、
前記複数の発光部は、配線の引き出し方向が第１の方向で該第１の方向にのみ段切れ防止構造を有する少なくとも１つの第１の発光部と、配線の引き出し方向が前記第１の方向と異なる第２の方向で該第２の方向にのみ段切れ防止構造を有する少なくとも１つの第２の発光部とを含むことを特徴とする面発光型半導体レーザアレイ。
【請求項５】
前記第１の発光部の段切れ防止構造は、その上面から前記第１の方向に向かって傾斜している傾斜面を含み、前記第２の発光部の段切れ防止構造は、その上面から前記第２の方向に向かって傾斜している傾斜面を含むことを特徴とする請求項４に記載の面発光型半導体レーザアレイ。
【請求項６】
前記複数の発光部は、千鳥状に配列されていることを特徴とする請求項４又は５に記載の面発光型半導体レーザアレイ。
【請求項７】
前記第１の発光部からは前記第１の方向に配線が引き出され、前記第２の発光部からは前記第２の方向に配線が引き出されていることを特徴とする請求項４〜６のいずれか一項に記載の面発光型半導体レーザアレイ。
【請求項８】
前記複数の発光部のうち隣接する２つの発光部の間を通る配線は１本であることを特徴とする請求項４〜７のいずれか一項に記載の面発光型半導体レーザアレイ。
【請求項９】
光束によって被走査面上を走査する光走査装置であって、
請求項３〜８のいずれか一項に記載の面発光型半導体レーザアレイを含む光源ユニットと；
前記光源ユニットからの光束を偏向する偏向器と；
前記偏光器で偏向された光束を被走査面上に集光する走査光学系と；を備える光走査装置。
【請求項１０】
少なくとも１つの像担持体と；
前記少なくとも１つの像担持体に対して画像情報が含まれる複数の光束を走査する少なくとも１つの請求項９に記載の光走査装置と；を備える画像形成装置。
【請求項１１】
前記画像情報は、カラー画像情報であることを特徴とする請求項１０に記載の画像形成装置。
【請求項１２】
入力される電気信号に応じた光信号を生成する光伝送モジュールであって、
請求項３〜８のいずれか一項に記載の面発光型半導体レーザアレイと；
前記面発光型半導体レーザアレイを、前記入力される電気信号に応じて駆動する駆動装置と；を備える光伝送モジュール。
【請求項１３】
請求項１２に記載の光伝送モジュールと；
前記光伝送モジュールで生成された光信号を伝達する光伝達媒体と；
前記光伝達媒体を介した光信号を電気信号に変換する変換器と；を備える光伝送システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体レーザアレイ製造方法、面発光型半導体レーザアレイ、光走査装置、画像形成装置、光伝送モジュール及び光伝送システムに係り、更に詳しくは、複数の発光部を有する面発光型半導体レーザアレイを製造する半導体レーザアレイ製造方法、複数の発光部を有する面発光型半導体レーザアレイ、該面発光型半導体レーザアレイを有する光走査装置、前記光走査装置を備える画像形成装置、前記面発光型半導体レーザアレイを有する光伝送モジュール、及び該光伝送モジュールを備える光伝送システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
電子写真の画像記録では、レーザを用いた画像形成装置が広く用いられている。この場合、画像形成装置は光走査装置を備え、感光性を有するドラムの軸方向にポリゴンスキャナ（例えば、ポリゴンミラー）を用いてレーザ光を走査しつつ、ドラムを回転させ潜像を形成する方法が一般的である。このような電子写真の分野では、画像品質を向上させるために画像の高密度化、及び操作性を向上させるために画像出力の高速化が画像形成装置に求められている。
【０００３】
高密度化と高速化を両立させる方法として、光源から射出される光束のマルチビーム化があり、マルチビーム光源として面発光型半導体レーザ（ＶＣＳＥＬ：Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ｃａｖｉｔｙ  Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｌａｓｅｒ）の２次元アレイ（以下では、便宜上「ＶＣＳＥＬアレイ」ともいう）を用いることが考えられた。
【０００４】
また、面発光型半導体レーザは、端面発光型半導体レーザに比べて、製造コストが安く、アレイ化による集積化が容易であるなどの多くの利点を有していることから、光通信、光インターコネクション、光記録などの多くの分野で用いられることが期待されている。
【０００５】
面発光型半導体レーザは、例えばｎ型ＧａＡｓ基板上にｎ型半導体多層膜反射鏡、下部スペーサ層、多重量子井戸活性層、上部スペーサ層、ｐ型半導体多層膜反射鏡を順次積層した半導体積層体を垂直方向にエッチングして複数のメサを形成し、メサの側壁と周辺を絶縁体で被覆し、メサ上部の開口した発光面からレーザ光を射出する構成となっている。メサ上部に設けられた上部電極は配線によって電極パッドに接続されている。なお、ＶＣＳＥＬアレイは、メサ構造のレーザ発振部（発光部）が２次元的に集積化されたものである。
【０００６】
ところで、面発光型半導体レーザの中で、しきい電流値、消費電力等、レーザ特性の観点から最も有望視されているものに、選択酸化型ＶＣＳＥＬと呼ばれるものがある。これは、結晶成長の際に被酸化層（ＡｌＡｓ層あるいはＡｌ組成が極めて１に近いＡｌＧａＡｓ層）を分布ブラッグ反射鏡（ＤＢＲ：Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ  Ｂｒａｇｇ  Ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ）の一部として成長させ、結晶成長後にこの被酸化層を選択酸化することで、ＶＣＳＥＬ構造の中にいわゆる電流狭窄構造を作りこんだものである。
【０００７】
特許文献１には、半導体基板上に、下部半導体多層膜反射鏡と、発振波長が１．１μｍよりも長波長の活性層を含む共振器構造と、上部半導体多層膜反射鏡とが順次に積層されて半導体積層構造として形成されており、該半導体積層構造の表面から少なくとも活性層の下端までがエッチング除去により柱状構造として形成されており、該柱状構造の周辺には厚さｈが３μｍ以上のポリイミド膜が設けられている面発光半導体レーザ装置が開示されている。
【０００８】
選択酸化型ＶＣＳＥＬは、電流狭窄構造における酸化物に歪みが発生するため劣化しやすく、製造プロセス上十分な考慮が必要である。また、選択酸化型ＶＣＳＥＬでは、メサを取り囲むように形成されているパッシベーションやポリイミドによる応力が素子寿命に影響を及ぼすことがある。特に、ＶＣＳＥＬアレイでは、動作時に発生した熱によってポリイミドが膨張し、メサに大きな力が加わるおそれがある。そこで、選択酸化型ＶＣＳＥＬでは、メサにかかる応力を極力小さなものにすることが必要となる。
【０００９】
従来の選択酸化型ＶＣＳＥＬの製造方法では、ポリイミドによって段差部を平坦化して、配線の断切れを防止している。この場合には、配線及び電極パッド（ボンディングパッド）部がポリイミド上に形成されることとなる。
【００１０】
しかしながら、ポリイミドと金属とは密着性が悪く、膜剥れやボンディング不良が発生する場合がある。また、ポリイミドが柔らかいことに起因するボンディング不良が発生する場合がある。それらを改善するために、ボンディング作業時に付加される超音波振動を強くすることが考えられるが、この場合には、電極パッドの金属とポリイミドとの界面の剥離を生じるおそれがある。
【００１１】
さらに、高密度化の要求に対して電極パッドのピッチを狭くすることが望まれており、必然的にワイヤ径が細くなることでボール径も小さなものとなる。ボール径が小さくなるということは接合面積も小さくなるので、さらにボンディング不良が増加することとなる。
【００１２】
このようなポリイミドが関係する不都合を抑制するため、ポリイミドを用いない構造のＶＣＳＥＬアレイを実現したいという要求がある。
【００１３】
しかし、メサの側壁がほぼ垂直の場合、段差部がポリイミドで平坦化されていないと、通常の蒸着法ではメサの側壁への蒸着が難しく、いわゆる配線の段切れが発生する。
【００１４】
特許文献２には、基板の上に、活性層および電流狭窄層を含む積層構造体が傾斜構造を有して形成され、積層構造体の最上層に電極が電流狭窄層の電流狭窄部に対してオフセットして設けられ、積層構造体の鈍角側の傾斜面に沿って絶縁膜が設けられ、絶縁膜の表面に電極に対する配線が形成されている面発光レーザ素子が開示されている。この面発光レーザ素子では、電極の光出力窓は、第１の傾斜面寄りに設けられており、電極の、鋭角側の傾斜面寄りの面積の方が鈍角側の傾斜面寄りの面積よりも大きくなっている。これにより、電流注入量の増大、単一横モードの実現、絶縁膜や配線の形成不良等の発生防止を図っている。
【００１５】
【特許文献１】特開２００２−２７０９５９号公報
【特許文献２】特開２００５−１５０４４２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
しかしながら、特許文献２に開示されている面発光レーザ素子では、アレイ化すると、各発光部から配線を一方向からしか取り出すことができないため、配線引き回しが複雑になり、配線の折り曲げ回数が多くなるという不都合があった。また、４個×６個や４個×８個などのように発光部の数を増やすと互いに隣接する２つの発光部の間に２本の配線を通さなければならない場合があり、高密度化には適さない。
【００１７】
本発明は、かかる事情の下になされたもので、その第１の目的は、複数の発光部の高密度配列を維持しつつ、配線の段切れが抑制された面発光型半導体レーザアレイを製造することができる半導体レーザアレイ製造方法を提供することにある。
【００１８】
また、本発明の第２の目的は、複数の光束を高密度で安定して射出できる面発光型半導体レーザアレイを提供することにある。
【００１９】
また、本発明の第３の目的は、高密度で高速の光走査を安定して行うことができる光走査装置を提供することにある。
【００２０】
また、本発明の第４の目的は、高品質の画像を高速で安定して形成することができる画像形成装置を提供することにある。
【００２１】
また、本発明の第５の目的は、安定した光信号を生成することができる光伝送モジュールを提供することにある。
【００２２】
また、本発明の第６の目的は、安定した光伝送を行うことができる光伝送システムを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２３】
本発明は、第１の観点からすると、それぞれが配線により対応する電極パッドに接続される複数の発光部を有する面発光型半導体レーザアレイを製造する半導体レーザアレイ製造方法であって、基板上に複数の半導体層が積層された積層体表面にフォトレジストを塗布する工程と；光を遮光する遮光パターンと該遮光パターンの第１の方向に隣接し該第１の方向に向かって光透過率が徐々に増加する透過率変化パターンとからなる少なくとも１つの第１のメサ構造体用パターンと、光を遮光する遮光パターンと該遮光パターンの前記第１の方向と異なる第２の方向に隣接し該第２の方向に向かって光透過率が徐々に増加する透過率変化パターンとからなる少なくとも１つの第２のメサ構造体用パターンとを含む複数のメサ構造体用パターンが前記複数の発光部に対応して配置されたマスクを介して、前記フォトレジストが塗布された面に光を照射し、前記積層体表面にエッチング用マスクを形成する工程と；を含む半導体レーザアレイ製造方法である。
【００２４】
これによれば、配線の引き出し方向が第１の方向で該第１の方向にのみ段切れ防止構造を有する少なくとも１つの第１のメサ構造体と、配線の引き出し方向が第１の方向と異なる第２の方向で該第２の方向にのみ段切れ防止構造を有する少なくとも１つの第２のメサ構造体とを含む複数のメサ構造体を複数の発光部に対応して形成することができる。この場合に、互いに隣接する２つのメサ構造体が干渉しないように、かつ、対応する電極パッドとの配線が単純な配線となるように各段切れ防止構造を設けることが可能となる。従って、複数の発光部の高密度配列を維持しつつ、配線の段切れが抑制された面発光型半導体レーザアレイを製造することが可能となる。
【００２５】
本発明は、第２の観点からすると、本発明の半導体レーザアレイ製造方法によって製造された面発光型半導体レーザアレイである。
【００２６】
これによれば、互いに隣接する２つのメサ構造体が干渉しないように、かつ、対応する電極パッドとの配線が単純な配線となるように各段切れ防止構造を設けることが可能となる。従って、複数の発光部の高密度配列を維持しつつ、配線の段切れを抑制することができ、その結果、複数の光束を高密度で安定して射出することが可能となる。
【００２７】
本発明は、第３の観点からすると、それぞれが配線により対応する電極パッドに接続される複数の発光部を有する面発光型半導体レーザアレイにおいて、前記複数の発光部は、配線の引き出し方向が第１の方向で該第１の方向にのみ段切れ防止構造を有する少なくとも１つの第１の発光部と、配線の引き出し方向が前記第１の方向と異なる第２の方向で該第２の方向にのみ段切れ防止構造を有する少なくとも１つの第２の発光部とを含むことを特徴とする面発光型半導体レーザアレイである。
【００２８】
これによれば、複数の発光部は、配線の引き出し方向が第１の方向で該第１の方向にのみ段切れ防止構造を有する少なくとも１つの第１の発光部と、配線の引き出し方向が第１の方向と異なる第２の方向で該第２の方向にのみ段切れ防止構造を有する少なくとも１つの第２の発光部とを含むため、複数の発光部の高密度配列を維持しつつ、配線の段切れを抑制することができ、その結果、複数の光束を高密度で安定して射出することが可能となる。
【００２９】
本発明は、第４の観点からすると、光束によって被走査面上を走査する光走査装置であって、本発明の面発光型半導体レーザアレイを含む光源ユニットと；前記光源ユニットからの光束を偏向する偏向器と；前記偏光器で偏向された光束を被走査面上に集光する走査光学系と；を備える光走査装置である。
【００３０】
これによれば、光源ユニットが本発明の面発光型半導体レーザアレイを含んでいるため、高密度で高速の光走査を安定して行うことが可能となる。
【００３１】
本発明は、第５の観点からすると、少なくとも１つの像担持体と；前記少なくとも１つの像担持体に対して画像情報が含まれる複数の光束を走査する少なくとも１つの本発明の光走査装置と；を備える画像形成装置である。
【００３２】
これによれば、少なくとも１つの本発明の光走査装置を備えているため、結果として高品質の画像を高速で安定して形成することが可能となる。
【００３３】
本発明は、第６の観点からすると、入力される電気信号に応じた光信号を生成する光伝送モジュールであって、本発明の面発光型半導体レーザアレイと；前記面発光型半導体レーザアレイを、前記入力される電気信号に応じて駆動する駆動装置と；を備える光伝送モジュールである。
【００３４】
これによれば、本発明の面発光型半導体レーザアレイを備えているため、結果として安定した光信号を生成することが可能となる。
【００３５】
本発明は、第７の観点からすると、本発明の光伝送モジュールと；前記光伝送モジュールで生成された光信号を伝達する光伝達媒体と；前記光伝達媒体を介した光信号を電気信号に変換する変換器と；を備える光伝送システムである。
【００３６】
これによれば、本発明の光伝送モジュールを備えているため、結果として安定した光伝送を行うことが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３７】
《半導体レーザアレイ製造方法》
以下、本発明の半導体レーザアレイ製造方法の一実施形態として、７８０ｎｍ帯の面発光型半導体レーザアレイの製造方法について図１（Ａ）〜図１４を用いて説明する。なお、本明細書では、レーザ発振方向をＺ軸方向とし、Ｚ軸方向に垂直な面内における互いに直交する２つの方向をＸ軸方向及びＹ軸方向として説明する。
【００３８】
（１）有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）を用いた結晶成長によって、ｎ−ＧａＡｓ基板１上に、下部反射鏡２、下部スペーサ層３、活性層４、上部スペーサ層５、被選択酸化層６、上部反射鏡７などの半導体層を、順次積層する（図１（Ａ）参照）。なお、以下では、これら複数の半導体層が積層されているものを「半導体積層体」ともいう。
【００３９】
前記ｎ−ＧａＡｓ基板１は、主面が傾いているいわゆるオフ基板（傾斜基板）である。
【００４０】
前記下部反射鏡２は、ｎ−Ａｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓからなる低屈折率層とｎ−Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓからなる高屈折率層のペアを４０．５ペア有している。各屈折率層の光学厚さは、発振波長をλとすると、λ／４である。なお、低屈折率層と高屈折率層との間には、電気抵抗を低減するため、一方の組成から他方の組成に向かって組成を徐々に変化させた組成傾斜層（図示省略）が設けられている。
【００４１】
前記下部スペーサ層３は、Ａｌ０．６Ｇａ０．４Ａｓからなる層である。
【００４２】
前記活性層４は、Ａｌ０．１２Ｇａ０．８８Ａｓからなる量子井戸層とＡｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓからなる障壁層とを有している。
【００４３】
前記上部スペーサ層５は、Ａｌ０．６Ｇａ０．４Ａｓからなる層である。
【００４４】
下部スペーサ層３と活性層４と上部スペーサ層５とよって共振器領域が形成されている。この共振器領域の光学厚さはλである。
【００４５】
前記上部反射鏡７は、ｐ−Ａｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓからなる低屈折率層とｐ−Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓからなる高屈折率層のペアを２４ペア有している。なお、低屈折率層と高屈折率層との間には、電気抵抗を低減するため、一方の組成から他方の組成に向かって組成を徐々に変化させた組成傾斜層（図示省略）が設けられている。
【００４６】
前記被選択酸化層６は、ＡｌＡｓからなる層であり、上部反射鏡６中であって、共振器領域からλ／４離れた位置に設けられている。
【００４７】
ここでは、III族の原料には、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）、トリメチルインジウム（ＴＭＩ）を用い、Ｖ族の原料にはアルシン（ＡｓＨ３）ガスを用いている。また、ｐ型ドーパントの原料には四臭化炭素（ＣＢｒ４）を用い、ｎ型ドーパントの原料にはセレン化水素（Ｈ２Ｓｅ）を用いている。
【００４８】
（２）半導体積層体の表面（基板１と反対側の面）である積層体表面にフォトレジスト８を塗布する（図１（Ｂ）参照）。
【００４９】
（３）フォトマスクを介してフォトレジスト８に光を照射する。
【００５０】
ここでは、フォトマスクは予め作成されており、そのフォトマスクには、一例として図２に示されるパターン（以下では、便宜上「チップパターン」という）２０がチップ個数分だけ配置されているものとする。そして、このチップパターン２０には、一例として図３に示されるパターン（以下では、便宜上「発光部パターン」という）２２が、１チップに含まれる発光部の数に応じた数（ここでは、一例として１６個）だけ含まれている。
【００５１】
このフォトマスクは、いわゆるグレースケールマスクである。各発光部パターンは、例えばステッパー露光機を用いる場合にはアウトフォーカス（ピントをずらす）状態で光を照射したとき、あるいは密着露光機を用いる場合にはフォトマスクとランプの間に光散乱板を挿入して光を照射したとき、図３に示されるように、光透過率が０％の第１パターン２２ａと、該第１パターン２２ａに隣接し、第１パターン２２ａから遠くなるにつれて光透過率が徐々に高くなる第２パターン２２ｂとから構成されている。
【００５２】
なお、説明を分かりやすくするため、チップパターン２０において、最も−Ｘ側にある４個の発光部パターンを第１列の発光部パターン、第１列の発光部パターンの＋Ｘ側にある４個の発光部パターンを第２列の発光部パターン、第２列の発光部パターンの＋Ｘ側にある４個の発光部パターンを第３列の発光部パターン、第３列の発光部パターンの＋Ｘ側にある４個の発光部パターンを第４列の発光部パターンという。そして、各発光部パターンをそれぞれ区別する必要があるときには、便宜上、図４に示されるように、第１列の発光部パターンの４個の発光部パターンを、紙面左から紙面右に向かって、発光部パターン２２１〜２２４とし、第２列の発光部パターンの４個の発光部パターンを、紙面左から紙面右に向かって、発光部パターン２２５〜２２８とし、第３列の発光部パターンの４個の発光部パターンを、紙面左から紙面右に向かって、発光部パターン２２９〜２２１２とし、第４列の発光部パターンの４個の発光部パターンを、紙面左から紙面右に向かって、発光部パターン２２１３〜２２１６とする。
【００５３】
各発光部パターンでは、それぞれ隣接する発光部が干渉しないように、かつ、対応する電極パッドとの配線に有利な配線となるように配置されている（図５参照）。
【００５４】
ここでは、発光部パターン２２１〜２２４、２２６及び２２７では、第１パターン２２ａの−Ｘ側に第２パターン２２ｂが設けられている。発光部パターン２２５及び２２９では、第１パターン２２ａの−Ｙ側に第２パターン２２ｂが設けられている。発光部パターン２２８及び２２１２では、第１パターン２２ａの＋Ｙ側に第２パターン２２ｂが設けられている。発光部パターン２２１０、２２１１、及び発光部パターン２２１３〜２２１６では、第１パターン２２ａの＋Ｘ側に第２パターン２２ｂが設けられている。
【００５５】
（４）フォトレジスト８を現像する。
【００５６】
一例として図６（Ａ）〜図６（Ｄ）に示されるように、フォトマスクの光透過率によって、現像後のフォトレジストの膜厚が異なる。従って、一例として図７（Ａ）及び図７（Ａ）のＡ−Ａ断面図である図７（Ｂ）に示されるように、積層体表面に残っているフォトレジストは、第１パターン２２ａに対応する部分が積層体表面に平行な平面となり、第２パターン２２ｂに対応する部分が積層体表面に対して傾斜した傾斜面となる。
【００５７】
そして、発光部パターン２２ｋ（ｋ＝１〜１６）に対応する現像後のフォトレジストをレジスト８ｋとすると、ここでは、レジスト８１〜８４、８６及び８７は、平面の−Ｘ側に隣接し、−Ｘ方向に徐々に低くなる傾斜面を有し、レジスト８５及び８９は、平面の−Ｙ側に隣接し、−Ｙ方向に徐々に低くなる傾斜面を有し、レジスト８８及び８１２は、平面の＋Ｙ側に隣接し、＋Ｙ方向に徐々に低くなる傾斜面を有し、レジスト８１０、８１１、及びレジスト８１３〜８１６では、平面の＋Ｘ側に隣接し、＋Ｘ方向に徐々に低くなる傾斜面を有することとなる。
【００５８】
現像後の半導体積層体の１チップに対応する部分が図８及び図８のＢ−Ｂ断面図である図９に示されている。なお、以下では、説明を分かりやすくするため、１チップに対応する部分を用いて説明する。
【００５９】
（５）フォトレジスト８をエッチング用マスクとして、ドライエッチングを行う（図１０（Ａ）参照）。
【００６０】
ここでは、一例として、フォトレジストが０．１μｍエッチングされるときに、半導体積層体は０．５μｍエッチングされる（いわゆる選択比＝５）ようにエッチング条件を設定している。これにより、４つの側壁のうちの１つの側壁が傾斜面、３つの側壁が略垂直面となる形状のメサ構造体が形成される。
【００６１】
このように、本実施形態のメサ構造体は、従来のメサ構造体である柱状構造体の１つの側壁を傾斜面にした形状のメサ構造体である。そこで、本実施形態のメサ構造体は、柱状構造部と傾斜構造部とから構成されるとみなすことができる。この傾斜構造部が段切れ防止構造である。なお、以下では、メサ構造体を「メサ」と略述する。
【００６２】
なお、一例として、メサの高さは３μｍ、柱状構造部のサイズは１６μｍ×１６μｍである。そこで、例えば、傾斜構造部の底辺の長さを３μｍにすると、傾斜構造部の傾斜面の傾斜角は４５度となる。なお、柱状構造部及び傾斜構造部の寸法はこれに限定されるものではなく、設計において任意に変えられることは言うまでもない。
【００６３】
ところで、エッチング底面は少なくとも被選択酸化層６を超えたところにあれば良い。そこで、ここでは、エッチング底面は下部スペーサ層３中に達するように設定されている。なお、これにより、被選択酸化層６がメサの側壁に現れることとなる。
【００６４】
また、以下では、便宜上、発光部パターン２２ｋ（ｋ＝１〜１６）に対応するメサをメサＭｋとする。
【００６５】
メサＭ１〜Ｍ４、Ｍ６及びＭ７では、傾斜構造部は柱状構造部の−Ｘ側に隣接し、−Ｘ方向に徐々に低くなる傾斜面を含み、メサＭ５及びＭ９では、傾斜構造部は柱状構造部の−Ｙ側に隣接し、−Ｙ方向に徐々に低くなる傾斜面を含み、メサＭ８及びＭ１２では、傾斜構造部は柱状構造部の＋Ｙ側に隣接し、＋Ｙ方向に徐々に低くなる傾斜面を含み、メサＭ１０、Ｍ１１、及びメサＭ１３〜Ｍ１６では、傾斜構造部は柱状構造部の＋Ｘ側に隣接し、＋Ｘ方向に徐々に低くなる傾斜面を含んでいる。
【００６６】
（６）残っているフォトレジスト８を除去する（図１０（Ｂ）参照）。
【００６７】
（７）エッチングにより側面が露出した被選択酸化層６を、水蒸気中で熱処理し、被選択酸化層６を部分的に酸化させ、駆動電流の経路を被選択酸化層６の中心部の酸化されていない領域だけに制限するいわゆる電流狭窄構造を形成する（図１１（Ａ）参照）。
【００６８】
（８）パッシベーション膜として、ＳｉＯ２からなる絶縁膜１１を形成する（図１１（Ｂ）参照）。
【００６９】
（９）メサ上部のＰ側電極コンタクトの窓開けを行う（図１２（Ａ）参照）。ここでは、フォトレジストによるマスクを施した後、露光してメサ上部の開口部となる部分のフォトレジストを除去し、ＢＨＦにて絶縁膜１１をエッチングして開口した。
【００７０】
（１０）リフトオフ法によりｐ側電極１２を形成する。具体的には、予め電極以外の部分をフォトレジストによりマスクしておき、電極材料を蒸着後アセトン等のフォトレジストが溶解する溶液中で超音波洗浄する。ｐ側電極１２の材料としてはＣｒ／ＡｕＺｎ／Ａｕからなる多層膜、もしくはＡｕＺｎ／Ｔｉ／Ａｕからなる多層膜が用いられる。なお、ｐ側電極１２はメサ中央に窓が開けられ、この部分からレーザ光が射出される。
【００７１】
（１１）複数の電極パッド１６をそれぞれ半導体積層体上の所定位置に形成する。また、各ｐ側電極１２からそれぞれの傾斜面を通って対応する電極パッド１６に向かう配線１５を形成する（図１２（Ｂ）参照）。
【００７２】
ここでは、メサＭ１〜Ｍ４、Ｍ６及びＭ７では−Ｘ方向に配線が引き出され、メサＭ５及びＭ９では−Ｙ方向に配線が引き出される。また、メサＭ８及びＭ１２では＋Ｙ方向に配線が引き出され、メサＭ１０、Ｍ１１、及びＭ１３〜Ｍ１６では＋Ｘ方向に配線が引き出される。
【００７３】
前述したように、各発光部パターン２２が、それぞれ隣接する発光部が干渉しないように、かつ、対応する電極パッドとの配線が有利となるように配置されているため、従来よりも単純な配線の這い回しが可能である。また、発光部の数が多くても、互いに隣接する２つのメサの間に複数本の配線を配置することなく全ての配線が可能である。従って、互いに隣接する２つのメサの間隔を狭めることが可能となり、高密度化に対応可能な面発光型半導体レーザアレイを製造することができる。
【００７４】
（１２）基板１の裏側を１００μｍ程度まで研磨してからｎ側電極１４を形成する（図１３参照）。なお、ｎ側電極１４はＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕからなる多層膜とすることでオーミックコンタクトを得ている。これにより、各メサは発光部１７となる。
【００７５】
（１３）チップ間に設けられているダイシングラインに沿って切断し、チップ毎に分離する。
【００７６】
このようにして製造された面発光型半導体レーザアレイ１００が図１４に示されている。
【００７７】
この面発光型半導体レーザアレイ１００は、配線の引き出し方向が−Ｘ方向で−Ｘ方向にのみ段切れ防止構造を有する６個の発光部と、配線の引き出し方向が−Ｙ方向で−Ｙ方向にのみ段切れ防止構造を有する２個の発光部と、配線の引き出し方向が＋Ｘ方向で＋Ｘ方向にのみ段切れ防止構造を有する６個の発光部と、配線の引き出し方向が＋Ｙ方向で＋Ｙ方向にのみ段切れ防止構造を有する２個の発光部とを有し、それぞれが配線により対応する電極パッドに接続されている。また、隣接する発光部間を通る配線は１本である。
【００７８】
以上説明したように、本実施形態に係る半導体レーザアレイ製造方法によると、前記積層体を積層体表面からエッチングし、配線の引き出し方向が−Ｘ方向で−Ｘ方向にのみ段切れ防止構造を有する少なくとも１つのメサ構造体と、配線の引き出し方向が−Ｙ方向で−Ｙ方向にのみ段切れ防止構造を有する少なくとも１つのメサ構造体と、配線の引き出し方向が＋Ｘ方向で＋Ｘ方向にのみ段切れ防止構造を有する少なくとも１つのメサ構造体と、配線の引き出し方向が＋Ｙ方向で＋Ｙ方向にのみ段切れ防止構造を有する少なくとも１つのメサ構造体とを、複数の発光部に対応して形成している。
【００７９】
そして、各段切れ防止構造を、隣接する発光部が干渉しないように、かつ、対応する電極パッドとの配線が有利となるように配置している。従って、複数の発光部の高密度配列を維持しつつ、配線の段切れが抑制された面発光型半導体レーザアレイを製造することが可能となる。
【００８０】
また、柱状構造部と段切れ防止構造を有する傾斜構造部とが一体化しているので、大きな段切れ防止効果を得ることができる。
【００８１】
また、傾斜構造部は、柱状構造部の上面からエッチングの底面に向かう傾斜面を有しているため、ｐ側電極１２の形成には影響せず、ｐ側電極１２の形成工程では通常の半導体プロセスをそのまま使用することができる。
【００８２】
また、柱状構造部と傾斜構造部とが同時に形成されるため、製造工程の増加を抑制することができるとともに、精度の高い加工が可能となる。そして、通常の半導体プロセスで柱状構造部及び傾斜構造部を形成できるため、大量生産が容易である。すなわち、低コスト化を図ることができる。
【００８３】
また、フォトマスクにグレースケールマスクを用いているため、通常の半導体プロセスに適用することが容易である。そして、フォトマスクの設計のみで段切れ防止構造を任意の位置に任意の方向で設けることができる。
【００８４】
なお、上記実施形態では、１つのチップ内に含まれる発光部の数が１６個の場合について説明したが、これに限定されるものではない。例えば、１つのチップ内に４０（４×１０）個の発光部を有する面発光型半導体レーザアレイも、同様にして製造することができる。
【００８５】
また、上記実施形態では、活性層４がＡｌ０．１２Ｇａ０．８８Ａｓからなる量子井戸層とＡｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓからなる障壁層とを有する場合について説明したが、これに限定されるものではなく、例えば圧縮歪組成であってバンドギャップ波長が７８０ｎｍとなる３層のＧａＩｎＰＡｓ量子井戸層と、該ＧａＩｎＰＡｓ量子井戸層と格子整合する４層の引張り歪みを有するＧａ０．６Ｉｎ０．４Ｐ障壁層とを有する活性層を用いても良い。このときに、電子を閉じ込めるためのクラッド層（上記実施形態ではスペーサ層）として、ワイドバンドギャップである（Ａｌ０．７Ｇａ０．３）０．５Ｉｎ０．５Ｐを用いても良く、クラッド層をＡｌＧａＡｓ系で形成した場合に比べて、クラッド層と量子井戸層とのバンドギャップ差を極めて大きく取ることができる。
【００８６】
また、上記実施形態では、７８０ｎｍ帯の面発光型半導体レーザアレイを製造する場合について説明したが、これに限定されるものではない。
【００８７】
また、上記実施形態では、結晶成長方法としてＭＯＣＶＤ法を用いる場合について説明したが、これに限定されるものではなく、例えば分子線結晶成長法（ＭＢＥ法）等のその他の結晶成長法を用いることもできる。
【００８８】
また、上記実施形態では、複数の発光部がマトリックス状に配置される場合について説明したが、これに限定されるものではなく、例えば、複数の発光部が千鳥状に配列されても良い。
【００８９】
また、上記実施形態において、発光部パターンの第２パターン２２ｂでは、一定の大きさの遮光ブロックの密度を変化させて光透過率を変化させても良い（図１５（Ａ）〜図１５（Ｄ）参照）。
【００９０】
《画像形成装置》
次に、本発明の画像形成装置の一実施形態を図１６に基づいて説明する。図１６には、本発明の一実施形態に係る画像形成装置としてのレーザプリンタ５００の概略構成が示されている。
【００９１】
このレーザプリンタ５００は、光走査装置９００、感光体ドラム９０１、帯電チャージャ９０２、現像ローラ９０３、トナーカートリッジ９０４、クリーニングブレード９０５、給紙トレイ９０６、給紙コロ９０７、レジストローラ対９０８、転写チャージャ９１１、除電ユニット９１４、定着ローラ９０９、排紙ローラ９１２、及び排紙トレイ９１０などを備えている。
【００９２】
帯電チャージャ９０２、現像ローラ９０３、転写チャージャ９１１、除電ユニット９１４及びクリーニングブレード９０５は、それぞれ感光体ドラム９０１の表面近傍に配置されている。そして、感光体ドラム９０１の回転方向に関して、帯電チャージャ９０２→現像ローラ９０３→転写チャージャ９１１→除電ユニット９１４→クリーニングブレード９０５の順に配置されている。
【００９３】
感光体ドラム９０１の表面には、感光層が形成されている。ここでは、感光体ドラム９０１は、図１６における面内で時計回り（矢印方向）に回転するようになっている。
【００９４】
帯電チャージャ９０２は、感光体ドラム９０１の表面を均一に帯電させる。
【００９５】
光走査装置９００は、帯電チャージャ９０２で帯電された感光体ドラム９０１の表面に、上位装置（例えばパソコン）からの画像情報に基づいて変調された光を照射する。これにより、感光体ドラム９０１の表面では、画像情報に対応した潜像が感光体ドラム９０１の表面に形成される。ここで形成された潜像は、感光体ドラム９０１の回転に伴って現像ローラ９０３の方向に移動する。なお、この光走査装置９００の構成については後述する。
【００９６】
トナーカートリッジ９０４にはトナーが格納されており、該トナーは現像ローラ９０３に供給される。
【００９７】
現像ローラ９０３は、感光体ドラム９０１の表面に形成された潜像にトナーカートリッジ９０４から供給されたトナーを付着させて画像情報を顕像化させる。ここでトナーが付着された潜像（以下では、便宜上「トナー像」ともいう）は、感光体ドラム９０１の回転に伴って転写チャージャ９１１の方向に移動する。
【００９８】
給紙トレイ９０６には記録紙９１３が格納されている。この給紙トレイ９０６の近傍には給紙コロ９０７が配置されており、該給紙コロ９０７は、記録紙９１３を給紙トレイ９０６から１枚づつ取り出し、レジストローラ対９０８に搬送する。該レジストローラ対９０８は、転写ローラ９１１の近傍に配置され、給紙コロ９０７によって取り出された記録紙９１３を一旦保持するとともに、該記録紙９１３を感光体ドラム９０１の回転に合わせて感光体ドラム９０１と転写チャージャ９１１との間隙に向けて送り出す。
【００９９】
転写チャージャ９１１には、感光体ドラム９０１の表面上のトナーを電気的に記録紙９１３に引きつけるために、トナーとは逆極性の電圧が印加されている。この電圧により、感光体ドラム９０１の表面のトナー像が記録紙９１３に転写される。ここで転写された記録紙９１３は、定着ローラ９０９に送られる。
【０１００】
この定着ローラ９０９では、熱と圧力とが記録紙９１３に加えられ、これによってトナーが記録紙９１３上に定着される。ここで定着された記録紙９１３は、排紙ローラ９１２を介して排紙トレイ９１０に送られ、排紙トレイ９１０上に順次スタックされる。
【０１０１】
除電ユニット９１４は、感光体ドラム９０１の表面を除電する。
【０１０２】
クリーニングブレード９０５は、感光体ドラム９０１の表面に残ったトナー（残留トナー）を除去する。なお、除去された残留トナーは、再度利用されるようになっている。残留トナーが除去された感光体ドラム９０１の表面は、再度帯電チャージャ９０２の位置に戻る。
【０１０３】
《光走査装置》
次に、前記光走査装置９００の構成及び作用について図１７及び図１８を用いて説明する。
【０１０４】
この光走査装置９００は、光源ユニット１２１、カップリングレンズ１２２、開口板１２３、アナモルフィックレンズ１２４、ポリゴンミラー１２５、偏向器側走査レンズ１２６、像面側走査レンズ１２７、及び処理装置１４０などを備えている。図１７では、紙面左右方向が主走査方向であり、紙面に垂直な方向が副走査方向である。
【０１０５】
前記光源ユニット１２１は、図１８に示されるように、前述した半導体レーザアレイ製造方法と同様にして製造された面発光型半導体レーザアレイ２００を備え、１６本の光束を同時に出力することができる。なお、図１８では、段切れ防止構造、電極パッド及び配線の図示を省略している。
【０１０６】
前記カップリングレンズ１２２は、光源ユニット１２１から出力された複数の光束をそれぞれ弱い発散光にする。
【０１０７】
前記開口板１２３は、開口部を有し、カップリングレンズ１２２からの複数の光束のビーム径を規定する。
【０１０８】
前記アナモルフィックレンズ１２４は、開口板１２３の開口部を通過した複数の光束を、主走査方向に関しては平行光、副走査方向に関しては前記ポリゴンミラー１２５近傍で収束する光束とする。
【０１０９】
アナモルフィックレンズ１２４からの複数の光束は、ポリゴンミラー１２５でそれぞれ偏向された後、偏向器側走査レンズ１２６と像面側走査レンズ１２７によって、感光体ドラム９０１表面上の、副走査方向に互いに所定の間隔だけ離れた位置に、光スポットとしてそれぞれ集光される。
【０１１０】
なお、ポリゴンミラー１２５は、ポリゴンモータ（不図示）によって一定の速度で回転しており、その回転に伴って、複数の光束はそれぞれ等角速度的に偏向され、感光体ドラム９０１上の各光スポットは、主走査方向に等速移動する。
【０１１１】
前記処理装置１４０は、上位装置（例えば、パソコン）からの画像情報に基づいて、画像データを生成し、該画像データに応じた面発光レーザアレイ２００の駆動信号を光源ユニット１２１に出力する。
【０１１２】
面発光型半導体レーザアレイ２００では、図１８に示されるように、各発光部の中心から副走査方向に対応する方向に延びる仮想線に垂線を下ろした時の副走査方向における各発光部の位置関係が等間隔（間隔Ｃとする）となるので、点灯のタイミングを調整することで感光体ドラム９０１上では副走査方向に等間隔で光源が並んでいる場合と同様な構成と捉えることができる。例えば、各発光部の大きさがφ２０μｍであり、主走査方向に対応する方向に関するピッチが４０μｍ、副走査方向に対応する方向に関するピッチが４０μｍとなるように配置されている場合には、間隔Ｃ＝１０μｍとなり、仮に走査光学系の倍率を１とすると、２４００ｄｐｉ（ドット／インチ）が実現できる。もちろん、主走査方向に対応する方向の発光部の数を増加したり、副走査方向に対応する方向に関するピッチを小さくして間隔Ｃを更に小さくすれば、より高密度化でき、より高品質の印刷が可能となる。なお、主走査方向の書き込み間隔は、発光部の点灯タイミングで容易に制御できる。
【０１１３】
従って、本実施形態に係る光走査装置９００によると、複数の光束を高密度で安定して射出できる本発明の面発光型半導体レーザアレイを有しているため、高密度で高速の光走査を安定して行うことが可能となる。
【０１１４】
また、本実施形態に係るレーザプリンタ５００によると、高密度で高速の光走査を安定して行うことができる光走査装置９００を備えているため、結果として、高品質の画像を高速で安定して形成することが可能となる。
【０１１５】
なお、上記実施形態では、光源ユニット１２１が１６（＝４×４）個の発光部を有する面発光型半導体レーザアレイ２００を備える場合について説明したが、これに限定されるものではない。例えば、面発光型半導体レーザアレイ２００に代えて、図１９に示されるように、前述した半導体レーザアレイの製造方法と同様にして製造された４０（＝４×１０）個の発光部を有する面発光型半導体レーザアレイ３００を用いても良い。この場合には、４０本の光ビームを同時に出射することができ、感光体ドラム９０１上を更に高密度で走査することが可能である。なお、図１９では、段切れ防止構造の図示を省略している。
【０１１６】
また、上記実施形態では、各発光部から射出されるレーザ光の波長が７８０ｎｍ帯の場合について説明したが、これに限らず、感光体ドラム９０１の感度特性に応じた波長であれば良い。なお、この場合には、各発光部を構成する材料の少なくとも一部、あるいは各発光部の構成の少なくとも一部が、発振波長に応じて変更される。
【０１１７】
また、上記実施形態では、画像形成装置としてレーザプリンタ５００の場合について説明したが、これに限定されるものではない。要するに、本発明の光走査装置を備えた画像形成装置であれば、高品質の画像を高速で安定して形成することが可能となる。
【０１１８】
また、カラー画像を形成する画像形成装置であっても、本発明の面発光型半導体レーザアレイを有し、カラー画像に対応した光走査装置を用いることにより、高品質のカラー画像を高速で安定して形成することが可能となる。
【０１１９】
また、一例として図２０に示されるように、画像形成装置として、カラー画像に対応し、複数の感光体ドラムを備えるタンデムカラー機であっても良い。このタンデムカラー機は、ブラック（Ｋ）用の感光体ドラムＫ１、帯電器Ｋ２、現像器Ｋ４、クリーニング手段Ｋ５、及び転写用帯電手段Ｋ６と、シアン（Ｃ）用の感光体ドラムＣ１、帯電器Ｃ２、現像器Ｃ４、クリーニング手段Ｃ５、及び転写用帯電手段Ｃ６と、マゼンダ（Ｍ）用の感光体ドラムＭ１、帯電器Ｍ２、現像器Ｍ４、クリーニング手段Ｍ５、及び転写用帯電手段Ｍ６と、イエロー（Ｙ）用の感光体ドラムＹ１、帯電器Ｙ２、現像器Ｙ４、クリーニング手段Ｙ５、及び転写用帯電手段Ｙ６と、光走査装置９００と、転写ベルト８０と、定着手段３０などを備えている。
【０１２０】
この場合には、光走査装置９００では、本発明の面発光型半導体レーザアレイにおける複数の発光部はブラック用、シアン用、マゼンダ用、イエロー用に分割されている。そして、ブラック用の発光部からの光束は感光体ドラムＫ１に照射され、シアン用の発光部からの光束は感光体ドラムＣ１に照射され、マゼンダ用の発光部からの光束は感光体ドラムＭ１に照射され、イエロー用の発光部からの光束は感光体ドラムＹ１に照射されるようになっている。なお、光走査装置９００は、色毎に本発明の面発光型半導体レーザアレイを備えても良い。また、色毎に本発明の光走査装置を備えても良い。
【０１２１】
各感光体ドラムは、図２０中の矢印の方向に回転し、回転順にそれぞれ帯電器、現像器、転写用帯電手段、クリーニング手段が配置されている。各帯電器は、対応する感光体ドラムの表面を均一に帯電する。この帯電器によって帯電された感光体ドラム表面に光走査装置９００により光束が照射され、感光体ドラムに静電潜像が形成されるようになっている。そして、対応する現像器により感光体ドラム表面にトナー像が形成される。さらに、対応する転写用帯電手段により、記録紙に各色のトナー像が転写され、最終的に定着手段３０により記録紙に画像が定着される。
【０１２２】
タンデムカラー機では、機械精度等に起因して各色の色ずれが発生する場合があるが、光走査装置９００は本発明の面発光型半導体レーザアレイを有しているため、点灯させる発光部を選択することで各色の色ずれの補正精度を高めることができる。
【０１２３】
また、像担持体として銀塩フィルムを用いた画像形成装置であっても良い。この場合には、光走査により銀塩フィルム上に潜像が形成され、この潜像は通常の銀塩写真プロセスにおける現像処理と同等の処理で可視化することができる。そして、通常の銀塩写真プロセスにおける焼付け処理と同等の処理で印画紙に転写することができる。このような画像形成装置は光製版装置や、ＣＴスキャン画像等を描画する光描画装置として実施できる。
【０１２４】
また、像担持体としてビームスポットの熱エネルギにより発色する発色媒体（ポジの印画紙）を用いた画像形成装置であっても良い。この場合には、光走査により可視画像を直接、像担持体に形成することができる。
【０１２５】
《光伝送システム》
図２１には、本発明の一実施形態に係る光伝送システム１０００の概略構成が示されている。この光伝送システム１０００は、光送信モジュール１００１と光受信モジュール１００５が光ファイバケーブル１００４で接続されており、光送信モジュール１００１から光受信モジュール１００５への一方向の光通信が可能となっている。
【０１２６】
光送信モジュール１００１は、本発明の面発光型半導体レーザアレイを含む光源１００２と、外部から入力された電気信号に応じて、光源１００２から出射されるレーザ光の光強度を変調する駆動回路１００３とを有している。
【０１２７】
光源１００２から出力された光信号は、光ファイバケーブル１００４に結合し、該光ファイバケーブル１００４を導波して光受信モジュール１００５に入力される。
【０１２８】
光受信モジュール１００５は、光信号を電気信号に変換する受光素子１００６と、受光素子１００６から出力された電気信号に対して信号増幅、及び波形整形等を行う受信回路１００７とを有している。
【０１２９】
本実施形態に係る光送信モジュール１００１によると、光源１００２が、本発明の面発光型半導体レーザアレイを含んでいるため、複数の光束を高密度で安定して射出でき、結果として安定した光信号を生成することが可能となる。
【０１３０】
また、本実施形態に係る光伝送システム１０００によると、安定した光信号を生成することができる光送信モジュール１００１を備えているため、低消費電力で、高速で、大容量の光伝送を安定して行うことが可能となる。
【０１３１】
なお、本実施形態では、単チャンネルの一方向通信の構成例を示しているが、双方向通信、並列伝送方式、波長分割多重伝送方式等の構成をとることもできる。要するに、光源１００２が本発明の面発光型半導体レーザアレイを含んでいれば良い。
【産業上の利用可能性】
【０１３２】
以上説明したように、本発明の半導体レーザアレイ製造方法によれば、複数の発光部の高密度配列を維持しつつ、配線の段切れが抑制された面発光型半導体レーザアレイを製造するのに適している。また、本発明の面発光型半導体レーザアレイによれば、複数の光束を高密度で安定して射出するのに適している。また、本発明の光走査装置によれば、高密度で高速の光走査を安定して行うのに適している。また、本発明の画像形成装置によれば、高品質の画像を高速で安定して形成するのに適している。また、本発明の光伝送モジュールによれば、安定した光信号を生成するのに適している。また、本発明の光伝送システムによれば、安定した光伝送を行うのに適している。
【図面の簡単な説明】
【０１３３】
【図１】図１（Ａ）及び図１（Ｂ）は、それぞれ本発明の一実施形態に係る半導体レーザアレイ製造方法を説明するための図（その１）である。
【図２】チップパターンを説明するための図である。
【図３】発光部パターンを説明するための図である。
【図４】発光部パターンを特定するために付した符号を説明するための図である。
【図５】各発光部パターンの配置を説明するための図である。
【図６】図６（Ａ）〜図６（Ｄ）は、それぞれ発光部パターンの光透過率と現像後のフォトレジストの膜厚との関係を説明するための図である。
【図７】図７（Ａ）は現像後のフォトレジストの形状を説明するための図であり、図７（Ｂ）は図７（Ａ）のＡ−Ａ断面図である。
【図８】フォトレジストを現像した後の半導体積層体の一部を説明するための図である。
【図９】図８のＢ−Ｂ断面図である。
【図１０】図１０（Ａ）及び図１０（Ｂ）は、それぞれ本発明の一実施形態に係る半導体レーザアレイ製造方法を説明するための図（その２）である。
【図１１】図１１（Ａ）及び図１１（Ｂ）は、それぞれ本発明の一実施形態に係る半導体レーザアレイ製造方法を説明するための図（その３）である。
【図１２】図１２（Ａ）及び図１２（Ｂ）は、それぞれ本発明の一実施形態に係る半導体レーザアレイの製造方法を説明するための図（その４）である。
【図１３】本発明の一実施形態に係る半導体レーザアレイ製造方法を説明するための図（その５）である。
【図１４】本発明の一実施形態に係る半導体レーザアレイ製造方法によって製造された面発光型半導体レーザアレイを説明するための図である。
【図１５】図１５（Ａ）〜図１５（Ｄ）は、それぞれ発光部パターンとその光透過率を説明するための図である。
【図１６】本発明の一実施形態に係るレーザプリンタの概略構成を説明するための図である。
【図１７】図１６における光走査装置を示す概略図である。
【図１８】図１７における光源ユニットに含まれる面発光型半導体レーザアレイの一例を説明するための図である。
【図１９】図１７における光源ユニットに含まれる面発光型半導体レーザアレイの他の例を説明するための図である。
【図２０】タンデムカラー機の概略構成を説明するための図である。
【図２１】本発明の一実施形態に係る光伝送モジュール及び光伝送システムの概略構成を説明するための図である。
【符号の説明】
【０１３４】
１…基板、８…フォトレジスト、１５…配線、１６…電極パッド、１７…発光部、２２…発光部パターン（メサ構造体用パターン）、１００…面発光型半導体レーザアレイ、１２１…光源ユニット、１２５…ポリゴンミラー（偏向器）、１２６…偏向器側走査レンズ（走査光学系の一部）、１２７…像面側走査レンズ（走査光学系の一部）、２００…面発光型半導体レーザアレイ、３００…面発光型半導体レーザアレイ、５００…レーザプリンタ（画像形成装置）、９００…光走査装置、９０１…感光体ドラム（像担持体）、１０００…光伝送システム、１００１…光送信モジュール（光伝送モジュール）、１００３…駆動回路（駆動装置）、１００４…光ファイバケーブル（光伝達媒体）、１００６…受光素子（変換器の一部）、１００７…受信回路（変換器の一部）。
【図１】
2008130708.tif 000003
【図３】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２】
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【図４】
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【図５】
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