(57)【要約】【課題】小型化と高輝度化とを図ることが可能な半導体発光装置を提供すること。【解決手段】ボンディング部１１を有するリードフレーム１と、ボンディング部１１の表面に搭載されたＬＥＤチップ２と、リードフレーム１の一部を覆うケース３と、を備える半導体発光装置Ａであって、ボンディング部１１の裏面は、ケース３から露出しており、リードフレーム１は、ボンディング部１１から延びており、表面がボンディング部１１の表面と面一であり、裏面がボンディング部１１の裏面よりもケース３内方に位置する薄肉延出部１２をさらに備えている。【選択図】  図１
2008251937.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ボンディング部を有するリードフレームと、
上記ボンディング部の表面に搭載された半導体発光素子と、
上記リードフレームの一部を覆うケースと、
を備える半導体発光装置であって、
上記ボンディング部の裏面は、上記ケースから露出しており、
上記リードフレームは、上記ボンディング部から延びており、表面が上記ボンディング部の表面と面一であり、裏面が上記ボンディング部の裏面よりも上記ケース内方に位置する薄肉延出部をさらに備えていることを特徴とする、半導体発光装置。
【請求項２】
上記リードフレームは、上記ボンディング部から延びており、上記薄肉延出部と隣り合っており、かつ、厚さが上記ボンディング部と同じであり、裏面が上記ケースから露出している厚肉延出部をさらに備えている、請求項１に記載の半導体発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体発光素子を備える半導体発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
図６および図７は、従来の半導体発光装置の一例を示している（たとえば特許文献１参照）。これらの図に示された半導体発光装置Ｘは、リードフレーム９１、ＬＥＤチップ９２、ケース９３、および透光樹脂９４を備えている。リードフレーム９１は、略一定の幅とされた２つの帯状部分からなる。リードフレーム９１の裏面は、ケース９３から露出している。ＬＥＤチップ９２は、半導体発光装置Ｘの光源であり、リードフレーム９１の一方の帯状部分に含まれるボンディング部９１ａにボンディングされている。ＬＥＤチップ９２は、リードフレーム９１の他方の帯状部分に対して、ワイヤ９５によって接続されている。
【０００３】
半導体発光装置Ｘの高輝度化を図るには、ＬＥＤチップ９２への投入電力を大きくする必要がある。これに伴い、ＬＥＤチップ９２から発せられる熱量が増大する。この熱は、ボンディング部９１ａを介して、半導体発光装置Ｘが実装されるたとえば回路基板に逃がすことが好ましい。しかしながら、全体が比較的小型である長矩形状とされた半導体発光装置Ｘにおいて、ケース９３に対するボンディング部９１ａの大きさを大きくすると、リードフレーム９１がケース９３から抜け落ちてしまうという問題があった。
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−３５３９１４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、小型化と高輝度化とを図ることが可能な半導体発光装置を提供することをその課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明によって提供される半導体発光装置は、ボンディング部を有するリードフレームと、上記ボンディング部の表面に搭載された半導体発光素子と、上記リードフレームの一部を覆うケースと、を備える半導体発光装置であって、上記ボンディング部の裏面は、上記ケースから露出しており、上記リードフレームは、上記ボンディング部から延びており、表面が上記ボンディング部の表面と面一であり、裏面が上記ボンディング部の裏面よりも上記ケース内方に位置する薄肉延出部をさらに備えていることを特徴としている。
【０００７】
このような構成によれば、上記薄肉延出部を上記ケースが抱え込む格好となる。これにより、上記リードフレームのうち上記ケースから露出する部分の面積を大きくしても、上記リードフレームが上記ケースから抜け出ることを防止することができる。したがって、上記半導体発光装置からの熱を適切に逃がすことが可能であり、上記半導体発光装置の小型化と高輝度化とを図ることができる。
【０００８】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記リードフレームは、上記ボンディング部から延びており、上記薄肉延出部と隣り合っており、かつ、厚さが上記ボンディング部と同じであり、裏面が上記ケースから露出している厚肉延出部をさらに備えている。このような構成によれば、上記薄肉延出部を上記ケースに抱え込ませつつ、上記ケースから露出した上記厚肉延出部の分だけ、上記リードフレームの露出面積を拡大することが可能である。これは、上記半導体発光装置の小型化と高輝度化とを図るのに好適である。
【０００９】
本発明のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明の好ましい実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。
【００１１】
図１〜図５は、本発明に係る半導体発光装置の一例を示している。本実施形態の半導体発光装置Ａは、リードフレーム１、ＬＥＤチップ２、ケース３、および透光樹脂４を備えている。半導体発光装置Ａは、長さが４ｍｍ程度、幅が１ｍｍ程度、高さが０．６ｍｍ程度の、ごく小型の長矩形状とされている。なお、図１においては、理解の便宜上、透光樹脂４を省略している。
【００１２】
リードフレーム１は、たとえばＣｕ、Ｎｉ、またはこれらの合金からなり、２つの部分に分割されている。図２に示すように、リードフレーム１は、裏面がケース３から露出している。このうち、比較的長手状とされた部分は、ボンディング部１１、複数の薄肉延出部１２、および複数の厚肉延出部１３を有している。
【００１３】
ボンディング部１１は、帯状とされており、表面にＬＥＤチップ２がボンディングされる部分である。薄肉延出部１２は、ボンディング部１１から延びており、本実施形態においては、その厚さがボンディング部１１の半分程度の厚さとされている。図４に示すように、薄肉延出部１２の表面は、ボンディング部１１の表面と面一とされている。薄肉延出部１１の裏面は、ボンディング部１１の裏面よりもケース３の内方に位置しており、ケース３によって覆われている。図５に示すように、厚肉延出部１３は、ボンディング部１１から延びており、その厚さがボンディング部１１と同じとされている。厚肉延出部１３の表面は、ボンディング部１１の表面と面一であり、厚肉延出部１３の裏面は、ケース３から露出している。本実施形態においては、複数の薄肉延出部１２と複数の厚肉延出部１３とがフレーム１の長手方向において交互に配置されている。
【００１４】
ＬＥＤチップ２は、半導体発光装置Ａの光源であり、所定の波長の光を発する半導体発光素子である。ＬＥＤチップ２は、たとえばＧａＮなどの半導体材料からなり、ｎ型半導体層とｐ型半導体層とに挟まれた活性層において電子と正孔とが再結合することにより青色光、緑色光、赤色光などを発する。ＬＥＤチップ２は、リードフレーム１のうち比較的短尺である部分に対して、ワイヤ５によって接続されている。
【００１５】
ケース３は、たとえば白色樹脂製であり、全体が長矩形枠状とされている。図３〜図５に示すように、ケース３の内面は、テーパ状のリフレクタ３ａとされている。リフレクタ３ａは、ＬＥＤチップ２から側方に発せられた光を上方に向けて反射するためのものである。図４に示すように、ケース３は、薄肉延出部１２を抱え込む格好となっている。また、図２に示すように、ケース３と複数の薄肉延出部１２および複数の厚肉延出部１３とは、互いに入り込みあう関係となっている。
【００１６】
透光樹脂４は、たとえば透明なエポキシ樹脂製であり、ケース３によって囲われた空間に充填されている。透光樹脂４は、ＬＥＤチップ２を覆っており、ＬＥＤチップ２を保護しつつ、ＬＥＤチップ２からの光を透過させる。
【００１７】
次に、半導体発光装置Ａの作用について説明する。
【００１８】
本実施形態によれば、薄肉延出部１２をケース３が抱え込む格好となっている。これにより、ケース３によるリードフレーム１の保持力を高めることが可能である。これにより、リードフレーム１がケース３から抜け出ることを防止することができる。この結果、半導体発光装置Ａは、図２に示すように、幅が１ｍｍ程度のごく狭幅であるにも関わらず、リードフレーム１のうちケース３から露出する部分の面積を大きくすることができる。したがって、ＬＥＤチップ２からの熱を適切に逃がすことが可能であり、半導体発光装置Ａの小型化と高輝度化とを図ることができる。
【００１９】
薄肉延出部１２と厚肉延出部１３とを交互に配置することにより、薄肉延出部１２をケース３に抱え込ませつつ、ケース３から露出した厚肉延出部１３の分だけ、リードフレーム１の露出面積を拡大することが可能である。これは、半導体発光装置Ａの小型化と高輝度化とを図るのに好適である。
【００２０】
本発明に係る半導体発光装置は、上述した実施形態に限定されるものではない。本発明に係る半導体発光装置の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明に係る半導体発光装置の一例を示す要部平面図である。
【図２】本発明に係る半導体発光装置の一例を示す底面図である。
【図３】図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿う断面図である。
【図４】図１のＩＶ−ＩＶ線に沿う断面図である。
【図５】図１のＶ−Ｖ線に沿う断面図である。
【図６】従来の半導体発光装置の一例を示す断面図である。
【図７】図６のＶＩＩ−ＶＩＩ線に沿う断面図である。
【符号の説明】
【００２２】
Ａ      半導体発光装置
１      リードフレーム
２      ＬＥＤチップ（半導体発光素子）
３      ケース
４      透光樹脂
５      ワイヤ
１１    ボンディング部
１２    薄肉延出部
１３    厚肉延出部
【図１】
2008251937.tif 000003
【図２】
2008251937.tif 000004
【図３】
2008251937.tif 000005
【図４】
2008251937.tif 000006
【図５】
2008251937.tif 000007
【図６】
2008251937.tif 000008
【図７】
2008251937.tif 000009