(57)【要約】      （修正有）【課題】垂直磁気記録媒体の製造において、生産効率を低下させることなく、磁気記録層のピンホールの原因となるパーティクルを捕捉することができ、磁気記録層のピンホールが起因の磁気再生出力低下による不良を低減することができる。【解決手段】製膜装置の基板搬送ホルダー除膜室１４と基板ロード室２の間にパーティクル捕捉電極１６を設置する。さらに、基板ロード室２以降でＣｏ合金キャップ層形成室１１までの任意の層形成室間に、パーティクル捕捉電極１６を設置する。製膜装置内の電荷を帯びたパーティクルを、正または負に電圧印加されたパーティクル捕捉電極１６のクーロン力によりに捕捉する。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板搬送ホルダーに基板を搭載し、該基板搬送ホルダーを搬送しながら、前記基板に少なくとも、軟磁性層、中間層、磁気記録層、ダイヤモンドライクカーボン保護層を形成し、該各層を形成した基板を前記基板搬送ホルダーから取り外した後、該基板搬送ホルダーに堆積した膜をプラズマで除膜し、当該基板搬送ホルダーに別の基板を搭載する垂直磁気記録媒体の製造方法において、前記基板搬送ホルダーに堆積した膜を除膜した後、クーロン力により前記基板搬送ホルダーに堆積した膜が原因で発生したパーティクルを捕捉することを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２】
さらに前記磁気記録層の形成前に、クーロン力により前記基板搬送ホルダーに堆積した膜が原因で発生したパーティクルを捕捉することを特徴とする請求項１記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
【請求項３】
さらに前記中間層の形成後に、クーロン力により前記基板搬送ホルダーに堆積した膜が原因で発生したパーティクルを捕捉することを特徴とする請求項１記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
【請求項４】
前記軟磁性層を、下部軟磁性層と、反強磁性結合誘発層と、上部軟磁性層を積層することにより形成し、前記下部軟磁性層形成後に、クーロン力により前記基板搬送ホルダーに堆積した膜が原因で発生したパーティクルを捕捉することを特徴とする請求項１記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
【請求項５】
前記軟磁性層を、下部軟磁性層と、反強磁性結合誘発層と、上部軟磁性層を積層することにより形成し、前記上部軟磁性層形成後に、クーロン力により前記基板搬送ホルダーに堆積した膜が原因で発生したパーティクルを捕捉することを特徴とする請求項１記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
【請求項６】
前記軟磁性層を、下部軟磁性層と、反強磁性結合誘発層と、上部軟磁性層を積層することにより形成し、前記下部軟磁性層形成後と、前記上部軟磁性層形成後と、前記中間層形成後に、クーロン力により前記基板搬送ホルダーに堆積した膜が原因で発生したパーティクルを捕捉することを特徴とする請求項１記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
【請求項７】
基板搬送ホルダーに基板を搭載する基板ロード室と、前記基板に軟磁性層を形成する軟磁性層形成室と、前記軟磁性層の上に中間層を形成する中間層形成室と、前記中間層の上に磁気記録層を形成する磁気記録層形成室と、前記磁気記録層の上にダイヤモンドライクカーボン保護層を形成するダイヤモンドライクカーボン保護層形成室と、前記各層を形成した基板を前記基板搬送ホルダーから取り外すアンロード室と、前記基板搬送ホルダーに堆積した膜を除去する基板搬送ホルダー除膜室とを有し、さらに前記基板搬送ホルダー除膜室と前記基板ロード室との間にパーティクル捕捉電極が設けられ、該パーティクル捕捉電極に電圧を印加することにより、前記基板搬送ホルダーに堆積した膜が原因で発生したパーティクルを前記パーティクル捕捉電極に捕捉することを特徴とする垂直磁気記録媒体の製膜装置。
【請求項８】
前記パーティクル捕捉電極は、導電性物質でできていることを特徴とする請求項７記載の垂直磁気記録媒体の製膜装置。
【請求項９】
前記パーティクル捕捉電極は、Ｃｕでできていることを特徴とする請求項７記載の垂直磁気記録媒体の製膜装置。
【請求項１０】
さらに前記軟磁性層形成室と前記中間層形成室との間に、パーティクル捕捉電極が設けられることを特徴とする請求項７記載の垂直磁気記録媒体の製膜装置。
【請求項１１】
さらに前記中間層形成室と前記磁気記録層形成室との間に、パーティクル捕捉電極が設けられることを特徴とする請求項７記載の垂直磁気記録媒体の製膜装置。
【請求項１２】
前記軟磁性層形成室は、下部軟磁性層形成室と、反強磁性結合誘発層形成室と、上部軟磁性層形成室とを有し、前記下部軟磁性層形成室と反強磁性結合誘発層形成室の間にパーティクル捕捉電極を有することを特徴とする請求項７記載の垂直磁気記録媒体の製膜装置。
【請求項１３】
前記軟磁性層形成室は、下部軟磁性層形成室と、反強磁性結合誘発層形成室と、上部軟磁性層形成室とを有し、前記上部軟磁性層形成室と前記中間層形勢室の間にパーティクル捕捉電極を有することを特徴とする請求項７記載の垂直磁気記録媒体の製膜装置。
【請求項１４】
前記軟磁性層形成室は、下部軟磁性層形成室と、反強磁性結合誘発層形成室と、上部軟磁性層形成室とを有し、前記下部軟磁性層形成室と反強磁性結合誘発層形成室との間、及び前記上部軟磁性層形成室と中間層形成室との間に、パーティクル捕捉電極を有することを特徴とする請求項７記載の垂直磁気記録媒体の製膜装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、垂直磁気記録媒体の製造方法および製膜装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
大型コンピュータ、ワークステーション、パーソナルコンピュータ等の記憶装置に用いられる磁気ディスク装置は年々その重要性が高まり、大容量小型化へと発展を遂げている。磁気ディスク装置の大容量小型化には高密度化が不可欠である。そのため近年、従来の面内磁気記録方式に比べて高密度化が可能な垂直磁気記録方式による製品実用化が進んでいる。垂直磁気記録方式に用いる磁気記録媒体として、ガラス基板やアルミニウムにニッケルリンメッキを施した剛性の非磁性基板上に密着層、軟磁性層、中間層、グラニュラー磁性層、キャップ層、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）保護膜を設け、保護膜の上にパーフルオロポリエーテル液体潤滑材による潤滑膜を設ける層構成が用いられることがある。
【０００３】
ドライプロセスによる成膜技術を用いて作製される垂直磁気記録媒体は、基板を大気から真空状態の基板ロード室に導入し、真空中内を順次、各プロセス室に搬送することで、作製される。基板は真空中内を、搬送機構を有するスライダーに基板搬送ホルダーを搭載したキャリアが永久磁石のレール上を移動することで搬送される。磁気記録媒体の製造工程において、真空装置内に存在するパーティクルは、磁気記録媒体の特性や歩留まりに影響を与える為、パーティクルの低減は重要な課題である。以下に真空装置内でのパーティクルの発生過程について詳細に説明する。基板搬送ホルダーは、ＤＬＣ保護膜成膜の際にプラズマの反応場に曝され、かつ基板と同電位である為、ＤＬＣ膜が堆積する。これを除去せずに製造を続けると、図９に示すように基板搬送ホルダーにはメタル膜とＤＬＣ膜が交互に堆積する。ＤＬＣ膜は内部応力が大きく、メタル膜と交互に堆積すると、付着膜の剥離脱落により発塵が生じる。これを軽減する為に、基板搬送ホルダーに堆積したＤＬＣ膜を除去する基板搬送ホルダー除膜室を備えている。ここでは、基板搬送ホルダーに直接、高周波電力を印加し、酸素プラズマによりＤＬＣ膜の除去を行っている。基板搬送ホルダー除膜室は、基板ロード室の直前に配置されている。
【０００４】
特許文献１には、半導体集積回路や液晶パネルなどの電子デバイスの製造工程で用いられる真空容器部を有する基板処理装置において、集塵用基板を真空容器部内に搬入する前に、非接触で集塵用基板を帯電させ、帯電させた集塵用基板を真空容器部内に搬入し、真空容器部内に浮遊する微細なパーティクルを集塵用基板に吸着させ、真空容器部の外に取り出すことにより、真空容器部内に存在するパーティクルを除去する基板処理装置が開示されている。
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−５１５２３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記、基板搬送ホルダー除膜室では、基板搬送ホルダーに堆積した膜を完全に除去することは困難である。その為、除去しきれないＤＬＣ膜やＤＬＣ膜に積層したメタル膜が、基板搬送ホルダーから脱落したパーティクルが搬送中に拡散し、基板に付着する。このパーティクルにより磁気記録層にピンホールが生じ、ピンホール起因の磁気再生出力低下による不良が増加するという問題がある。プラズマ中のパーティクルは、プラズマ電位（プラズマ電位は正電位）とほぼ同等の負電荷を帯びている性質がある。
【０００７】
このパーティクルを除去するために、特許文献１に記載された方法を適用することが考えられるが、この場合には、製膜前に、帯電させた集塵用基板を、各プロセス室を通過させてパーティクルを捕捉する必要があり、生産効率が低下するという問題がある。また、基板搬送ホルダーに付着したメタル膜とＤＬＣ膜は、製膜時と搬送時に剥離脱落する可能性があり、この場合には、発生したパーティクルを捕捉することができないという問題がある。
本発明の目的は、垂直磁気記録媒体の製造において、生産効率を低下させることなく、磁気記録層のピンホールの原因となるパーティクルを捕捉することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記目的を達成するために、本発明の代表的な垂直磁気記録媒体の製造方法は、基板搬送ホルダーに基板を搭載し、基板搬送ホルダーを搬送しながら、基板に少なくとも、軟磁性層、中間層、磁気記録層、ダイヤモンドライクカーボン保護層を形成し、各層を形成した基板を基板搬送ホルダーから取り外した後、基板搬送ホルダーに堆積した膜をプラズマで除膜し、基板搬送ホルダーに別の基板を搭載する垂直磁気記録媒体の製造方法において、前記基板搬送ホルダーに堆積した膜を除膜した後、クーロン力により基板搬送ホルダーに堆積した膜が原因で発生したパーティクルを捕捉するものである。
また、本発明の代表的な製膜装置は、基板搬送ホルダーに基板を搭載する基板ロード室と、基板に軟磁性層を形成する軟磁性層形成室と、軟磁性層の上に中間層を形成する中間層形成室と、中間層の上に磁気記録層を形成する磁気記録層形成室と、磁気記録層の上にダイヤモンドライクカーボン保護層を形成するダイヤモンドライクカーボン保護層形成室と、各層を形成した基板を基板搬送ホルダーから取り外すアンロード室と、基板搬送ホルダーに堆積した膜を除去する基板搬送ホルダー除膜室とを有し、さらに前記基板搬送ホルダー除膜室と基板ロード室との間にパーティクル捕捉電極が設けられ、このパーティクル捕捉電極に電圧を印加することにより、基板搬送ホルダーに堆積した膜が原因で発生したパーティクルをパーティクル捕捉電極に捕捉するものである。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、垂直磁気記録媒体の製造において、生産効率を低下させることなく、磁気記録層のピンホールの原因となるパーティクルを捕捉することができる。これにより、磁気記録層のピンホールが起因の磁気再生出力低下による不良を低減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する。図１は、実施例による垂直磁気記録媒体（垂直磁気記録ディスク）の製造方法における製膜プロセスのフローチャートである。図２は垂直磁気記録ディスクの断面を模式的に示したものである。まず、図２を参照して垂直磁気記録ディスク２０の層構成を説明する。垂直磁気記録ディスク２０は、非磁性基板２１の両面に、密着層２２、軟磁性層２３、シード層２４、Ｒｕ中間層２５、グラニュラー磁気記録層２６、Ｃｏ合金キャップ層２７、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）保護層２８が形成されてなり、保護層２８の上に、潤滑層２９が形成されているのが望ましい。非磁性基板２１の上下で、層構成が対称であるので、図２では、上側の層のみを示している。また、軟磁性層２３は、下部軟磁性層２３ａ、反強磁性結合誘発層２３ｂ、上部軟磁性層２３ｃが積層されて構成されている。
【００１１】
図３は非磁性基板２１に上記各層を製膜する製膜装置の構成を製膜工程順に示す上面図である。製膜装置１は、基板ロード室２と、密着層形成室３と、下部軟磁性層形成室４と、反強磁性結合誘発層形成室５と、上部軟磁性層形成室６と、基板冷却室７と、中間層形成室８と、Ｒｕ中間層形成室９と、グラニュラー磁気記録層形成室１０と、Ｃｏ合金キャップ層形成室１１と、ＤＬＣ保護層形成室１２と、アンロード室１３と、基板搬送ホルダー除膜室（ホルダーアッシング室）１４とで構成されている。なお、下部軟磁性層形成室４と、反強磁性結合誘発層形成室５と、上部軟磁性層形成室６をまとめて、軟磁性層形成室と呼ぶことにする。また、中間層形成室８とＲｕ中間層形成室９をまとめて、中間層形成室と呼ぶことにする。さらに、グラニュラー磁気記録層形成室１０と、Ｃｏ合金キャップ層形成室１１をまとめて、磁気記録層形成室と呼ぶことにする。
【００１２】
図４は、図３に示した製膜装置１に、パーティクル捕捉電極１６を設置した様子を示す模式図である。なお、図４では、密着層形成室３からＲｕ中間層形成室９までを省略して示してある。パーティクル捕捉電極１６は基板搬送ホルダー除膜室１４の出口と基板ロード室２の入口に設けられている。基板ロード室２以降は、任意の層形成室（チャンバー）の出口及び入口に設けることができる。図４は、あくまでも、パーティクル捕捉電極１６を設置する位置を例示しているに過ぎない。基板ロード室２の入口（基板搬送ホルダー除膜室１４側）に設置したパーティクル捕捉電極１６は、電圧（＋１００Ｖ）を常時印加することとし、他の処理室に設置したパーティクル捕捉電極１６については、基板搬送ホルダー１５の搬送時に電圧を印加するＯＮ／ＯＦＦ制御とした。これにより、製膜装置内に存在する電荷を帯びたパーティクルをクーロン力によりパーティクル捕捉電極１６に吸着させることができ、パーティクルの基板２１への付着を低減することができる。
【００１３】
図５に、基板搬送ホルダー除膜室１４の概略構成を示す。この基板搬送ホルダー除膜室１４は、１３．５６ＭＨｚの高周波(Radio Frequency)電源からマッチングボックスを介して基板搬送ホルダー１５に、直接ＲＦ電力を印加し、ターボモレキュラーポンプで排気しながら、酸素ガスをマスフローコントローラを介して、５００sccm (Standard Cubic Centimeter Minutes)導入するものである。酸素ガスを導入してから、０．５sec後に基板搬送ホルダー１５にＲＦ電力を印加し、プラズマを誘引する。ＲＦ電力は、７００Ｗとした。このとき、基板搬送ホルダー除膜室１４の圧力は、バラトロンゲージの読み値で５．０Ｐａであった。
【００１４】
次に、図１〜図５を参照して、実施例による製膜プロセスを説明する。まず、ガラス基板（外径４８ｍｍ、内径１２ｍｍ、厚さ０．５ｍｍ）２１の洗浄を十分に行い、これを約１．３×１０−５Ｐａ以下まで排気された基板ロード室２に導入する(ステップ１００)。
最初に密着層形成室３に搬送し、Ａｒ雰囲気約０．８Ｐａの条件下で、ＤＣマグネトロンスパッタリング法により、Ａｌ−５０.０ａｔ％Ｔｉ密着層２２を５ｎｍ形成した（ステップ１０２）。次に下部軟磁性形成室４に搬送し、Ａｒ雰囲気約０．８Ｐａの条件下で、ＤＣマグネトロンスパッタリング法により、Ｆｅ−３０〜４０ａｔ％Ｃｏ−５〜１５ａｔ％Ｔａ−３〜１３ａｔ％Ｚｒの下部軟磁性層２３ａを３５ｎｍ形成した（ステップ１０４）。次に、パーティクル捕捉電極１６の間を搬送して、パーティクル捕捉電極１６にクーロン力によりパーティクルを捕捉した（ステップ１０６）。次に反強磁性結合誘発層形成室５に搬送し、Ａｒ雰囲気約０．８Ｐａの条件下で、ＤＣマグネトロンスパッタリング法により、Ｒｕ層２３ｂを０．５ｎｍ形成した（ステップ１０８）。次に上部軟磁性層形成室６に搬送し、Ａｒ雰囲気約０．８Ｐａの条件下で、ＤＣマグネトロンスパッタリング法により、Ｆｅ−３０〜４０ａｔ％Ｃｏ−５〜１５ａｔ％Ｔａ−３〜１３ａｔ％Ｚｒの上部軟磁性層２３ｃを３５ｎｍ形成した（ステップ１１０）。次に、パーティクル捕捉電極１６の間を搬送して、パーティクル捕捉電極１６にパーティクルを捕捉した（ステップ１１２）。
【００１５】
続いて基板２１を基板冷却室７に搬送し、スパッタリングによる熱の影響で上昇した基板温度を６０゜Ｃまで低下した後、中間層形成室８に搬送し、Ａｒ雰囲気約０．８Ｐａの条件下で、ＤＣマグネトロンスパッタリング法により、Ｃｒ−４０〜６０ａｔ％Ｔｉ層を２．５ｎｍ形成し、この上にＮｉ−５〜１０ａｔ％Ｗ層を９ｎｍ積層して、中間層２４を形成した（ステップ１１４）。次にＲｕ中間層形成室９に搬送し、Ａｒ雰囲気約０．８Ｐａの条件下で、ＤＣマグネトロンスパッタリング法により、Ｒｕ中間層２５を２０ｎｍ形成した（ステップ１１６）。次に、パーティクル捕捉電極１６の間を搬送して、パーティクル捕捉電極１６にパーティクルを捕捉した（ステップ１１８）。次に磁気記録層形成室１０に搬送し、Ａｒ雰囲気約０．９Ｐａの条件下で、ＤＣマグネトロンスパッタリング法により、９０ｍｏｌ％（Ｃｏ−１０〜２０ａｔ％Ｃｒ−１０〜２０ａｔ％Ｐｔ）１０ｍｏｌ％ＳｉＯ２グラニュラー磁気記録層２６を２０ｎｍ形成した（ステップ１２０）。次にＣｏ合金キャップ層形成室１１に搬送し、Ａｒ雰囲気約０．８Ｐａの条件下で、Ｃｏ−２０〜３０ａｔ％Ｃｒ−５〜１５ａｔ％ＰｔのＣｏ合金キャップ層２７を１０ｎｍ形成した（ステップ１２２）。次にＤＬＣ保護層形成室１２に搬送し、エチレンガス（Ｃ２Ｈ４）等の炭化水素ガスを導入し、１３．５６ＭＨｚの高周波によるケミカルベーパーデポジション法（ＲＦ−ＣＶＤ）により、ＤＬＣ保護層２８を４．０ｎｍ形成した（ステップ１２４）。次に基板アンロード室１３に搬送し、垂直磁気記録ディスク２０を大気中へ取り出した（ステップ１２６）。次に垂直磁気記録ディスク２０がアンロードされた基板搬送ホルダー１５を、基板搬送除膜室１４へ搬送し、酸素プラズマによるアッシングを行い、基板搬送ホルダー１５に堆積したＤＬＣ膜及びメタル膜を除去した（ステップ１２８）。次に、パーティクル捕捉電極１６の間を搬送して、パーティクル捕捉電極１６にパーティクルを捕捉した（ステップ１３０）。
【００１６】
以上の工程により、垂直磁気記録ディスク２０を作製することが出来るが、図２に示すようにＤＬＣ保護層２８の上には潤滑層２９を形成することが望ましい。本実施例では、フルオロカーボン系の潤滑材を浸漬法により厚さ１．２ｎｍ塗布して形成した。
【００１７】
上記実施例による製膜プロセスでは、パーティクルの捕捉を、基板搬送ホルダー１５に堆積したＤＬＣ膜及びメタル膜を除去した後と、下部軟磁性層形成後と、上部軟磁性層形成後と、Ｒｕ中間層形成後に実施したが、基板搬送ホルダー除膜工程後は必須であるが、それ以降は、任意の製膜工程の間で実施することができる。また、全ての製膜工程の前後で実施しても良い。
【００１８】
また、基板２１としては、ソーダライムガラスの他に、化学強化したアルミのシリケート、Ｎｉ−Ｐを無電解めっきしたＡｌ−Ｍｇ合金基板、シリコン，硼珪酸ガラス等からなるセラミクス、または、ガラスグレージングを施したセラミックス等からなる非磁性の剛体基板を用いることができる。
【００１９】
密着層２２は、ソーダライムガラスからのアルカリ金属の電気化学溶出を防ぐ為、またガラスと軟磁性層との密着性を向上するために設けてあるもので、厚さは任意である。また、特に用いる必要がなければ省略することもできる。
【００２０】
基板冷却工程は、上部軟磁性層２３ｃの形成後ではなく、上部軟磁性層２３ｃの形成前、あるいはグラニュラー磁気記録層２６の形成前に設けることもでき、さらにこれらを複数組み合わせることも可能である。
【００２１】
前記パーティクル捕捉電極によるパーティクル捕捉の効果を検証する為に、基板ロード室２内のパーティクル数を計測した。計測には、米国High Yield Technology 社製Model 9000を用い、基板ロード室２のターボモレキュラーポンプの上部に設置した。図６に基板ロード室２のパーティクル数の計測結果を示す。一度に計測されるパーティクル数は、基板搬送ホルダー１５が隣室まで搬送される間（約２．０ｓｅｃ）の積算値である。パーティクル捕捉工程を導入することにより、基板ロード室２のパーティクルが、従来の３５個から１４個に減少する結果が得られた。
【００２２】
次に、前述のように製膜装置内を浮遊するパーティクルが減少した状態で、垂直磁気記録ディスク２０を製造し、Ｒ/Ｗヘッドを用いて磁気エラー試験を行った。測定条件は、１０μｍピッチ、信号周波数１４５ｋＦＣＩ（ＦＣＩ：Flux Change per Inch）、磁気再生出力スライスレベル７７％とした。図７にパーティクル捕捉工程導入による磁気エラー試験の不良率の変化を、図８に磁気エラー試験の処理枚数による不良率の推移の結果を示す。パーティクル捕捉システムを導入することにより、図７に示すように磁気エラー試験の不良率が７．５％から４．３％に減少する結果が得られた。また、図８に示すように処理枚数の増加に依存して増加している不良率の増加を、100000枚程度の連続処理において、抑制していることがわかる。
【００２３】
以上説明したように上記実施例によれば、製膜装置内に存在する電荷を帯びたパーティクルをクーロン力により電極板に吸着させることができ、パーティクルの基板への付着を低減することができる。その結果、磁気記録層のピンホール起因の磁気再生出力の低下による不良を低減することができ、垂直磁気記録ディスクの製造歩留まりを改善することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明の実施例による垂直磁気記録ディスク製膜プロセスのフローチャートである。
【図２】本発明に関わる垂直磁気記録ディスクの断面図である。
【図３】製膜装置の概略構成を示す上面図である。
【図４】パーティクル捕捉電極の配置例を示す製膜装置の模式図である。
【図５】基板搬送ホルダー除膜室の概略構成図である。
【図６】パーティクル捕捉工程導入による基板ロード室のパーティクル数の変化を示す図である。
【図７】パーティクル捕捉工程導入による磁気エラー試験の不良率の変化を示す図である。
【図８】パーティクル捕捉工程導入による磁気エラー試験の処理枚数による不良率の推移を示す図である。
【図９】基板搬送ホルダーの堆積膜を説明するための図である。
【符号の説明】
【００２５】
１…製膜装置、
２…基板ロード室、
３…密着層形成室、
４…下部軟磁性層形成室、
５…反強磁性結合誘発層形成室、
６…上部軟磁性層形成室、
７…基板冷却室、
８…中間層形成室、
９…Ｒｕ中間層形成室、
１０…グラニュラー磁気記録層形成室、
１１…Ｃｏ合金キャップ層形成室、
１２…ＤＬＣ保護層形成室、
１３…アンロード室、
１４…基板搬送ホルダー除膜室、
１５…基板搬送ホルダー、
１６…パーティクル捕捉電極、
２０…垂直磁気記録ディスク、
２１…基板、
２２…密着層、
２３…軟磁性層、
２３ａ…下部軟磁性層、
２３ｂ…反強磁性結合誘発層、
２３ｃ…上部軟磁性層、
２４…中間層、
２５…Ｒｕ中間層、
２６…グラニュラー磁気記録層、
２７…Ｃｏ合金キャップ層、
２８…ＤＬＣ保護層、
２９…潤滑層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
2008130100.tif 000006
【図５】
2008130100.tif 000007
【図６】
2008130100.tif 000008
【図７】
2008130100.tif 000009
【図８】
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【図９】
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