(57)【要約】【課題】従来よりも、膜厚方向の導通性、膜面方向の絶縁性に優れた異方性導電膜を製造可能な製造方法、異方性導電膜を提供すること。【解決手段】多数の孔部を有し、高分子よりなる多孔質膜を形成する膜形成工程と、多孔質膜の孔部に、導電性粒子を、孔部深さ方向に積み重ならないように充填する充填工程と、孔部に充填された導電性粒子を孔部に固定する固定工程とを少なくとも有する異方性導電膜の製造方法とする。上記多孔質膜の形成は、水と混ざらず、揮発する有機溶媒中に高分子を溶かし、この高分子溶液をキャストした支持体を、高湿度雰囲気下に存在させる方法によると良い。また、充填工程では、孔部１つにつき、導電性粒子を１つ充填すると良い。【選択図】図１３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
多数の孔部を有し、高分子よりなる多孔質膜を形成する膜形成工程と、
前記多孔質膜の孔部に、導電性粒子を、孔部深さ方向に積み重ならないように充填する充填工程と、
前記孔部に充填された導電性粒子を前記孔部に固定する固定工程とを少なくとも有することを特徴とする異方性導電膜の製造方法。
【請求項２】
前記充填工程において、前記孔部１つにつき、前記導電性粒子を１つ充填することを特徴とする請求項１に記載の異方性導電膜の製造方法。
【請求項３】
前記固定の方法は、下記（１）、（２）、および、（３）から選択される１または２以上の方法によることを特徴とする請求項１または２に記載の異方性導電膜の製造方法。
（１）前記多孔質膜を形成している高分子を前記導電性粒子に融着させる
（２）前記孔部に充填された前記導電性粒子をさらに前記孔部内へ押し込む
（３）前記導電性粒子が充填された多孔質膜の表面に高分子層を形成する
【請求項４】
前記多孔質膜は、前記孔部の内壁面が外側方向に湾曲されていることを特徴とする請求項１から３の何れかに記載の異方性導電膜の製造方法。
【請求項５】
前記多孔質膜の形成は、疎水性および揮発性を有する有機溶媒と、この有機溶媒に可溶な高分子と、両親媒性物質とを少なくとも含む高分子溶液をキャストした支持体を相対湿度５０％以上の雰囲気下に存在させることによることを特徴とする請求項１から４の何れかに記載の異方性導電膜の製造方法。
【請求項６】
前記多孔質膜の形成は、疎水性および揮発性を有する有機溶媒と、両親媒性高分子とを少なくとも含む高分子溶液をキャストした支持体を相対湿度５０％以上の雰囲気下に存在させることによることを特徴とする請求項１から４の何れかに記載の異方性導電膜の製造方法。
【請求項７】
前記膜形成工程において、多数の非貫通孔を有する多孔質膜を形成した場合、
前記非貫通孔の形成面側の高分子を架橋させる架橋工程をさらに有することを特徴とする請求項１から６の何れかに記載の異方性導電膜の製造方法。
【請求項８】
前記多孔質膜の少なくとも一方面に接着層を形成する接着層形成工程をさらに有することを特徴とする請求項１から７の何れかに記載の異方性導電膜の製造方法。
【請求項９】
多数の孔部を有し、高分子よりなる多孔質膜と、
前記孔部深さ方向に積み重ならないように前記孔部に固定されている導電性粒子とを少なくとも有することを特徴とする異方性導電膜。
【請求項１０】
前記孔部は貫通孔であることを特徴とする請求項９に記載の異方性導電膜。
【請求項１１】
前記孔部は非貫通孔であり、前記多孔質膜を形成する高分子は、前記非貫通孔の形成面側からその膜厚方向に一定範囲にわたって架橋されていることを特徴とする請求項９に記載の異方性導電膜。
【請求項１２】
前記多孔質膜の少なくとも一方面に、接着層が形成されていることを特徴とする請求項９から１１の何れかに記載の異方性導電膜。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、異方性導電膜の製造方法および異方性導電膜に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、膜厚方向に導電性を示し、かつ、膜面方向に絶縁性を示す異方性導電膜（Anisotropic Conductive Film：ＡＣＦ）が知られている。異方性導電膜は、その異方導電性を利用して、例えば、電子部品の検査用途、感圧センサ用途、狭ピッチに配列された複数の導体間を電気的、かつ、機械的に接続する用途などに用いられている。
【０００３】
この種の異方性導電膜の製造方法としては、例えば、本件出願人による特許文献１には、５μｍ程度の大きさの貫通孔を多数有する多孔質膜を形成し、この多孔質膜を、粒径５０ｎｍ程度のＡｇ粒子をエタノール中に分散させた分散溶液中に浸漬し、貫通孔内にＡｇ粒子を充填した後、多孔質膜の両面に接着層をラミネートする異方性導電膜の製造方法が開示されている。
【０００４】
この製造方法によれば、図２２に示すように、多数の貫通孔１００を有する多孔質膜１０１と、貫通孔１００内に充填された多数の細かなＡｇ粒子１０２の群と、多孔質膜１０１の両面に被覆された接着層１０３とを備えた異方性導電膜１０４が得られる。
【０００５】
【特許文献１】国際公開第ＷＯ２００５／０９６４４２号パンフレット
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
これまでの本件出願人による研究によれば、図２２に示した構造の異方性導電膜は、以下の点で改良すべき点があることが判明した。
【０００７】
すなわち、従来の異方性導電膜のように、その孔部内に、多数の細かな導電性粒子が充填されている場合、膜厚方向の導通性能に、導電性粒子同士の接触抵抗が関与する。そのため、その接触抵抗分だけ、膜厚方向の導通性が低下しやすくなる。
【０００８】
また、膜厚方向に比較的高い加圧力が加わると、その加圧力により、膜厚方向に導電性粒子群が押し潰される。そして、その際に、孔部から細かな導電性粒子が流出し、膜面方向に押し広げられやすくなる。それ故、このような状態が生じると、隣接する孔部間の導電性粒子同士が接触し、膜面方向の絶縁性が低下するおそれがあることも分かってきた。
【０００９】
このような絶縁性の低下は、確実な接続を得ようとして加圧力を強くした場合や、熱圧着など、加圧力のみならず加熱によって導電性粒子の流動性が増大する場合などに顕著に発生しやすくなると考えられる。
【００１０】
そこで、本発明が解決しようとする課題は、従来よりも、膜厚方向の導通性、膜面方向の絶縁性に優れた異方性導電膜を製造可能な製造方法、異方性導電膜を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するため、本発明に係る異方性導電膜の製造方法は、多数の孔部を有し、高分子よりなる多孔質膜を形成する膜形成工程と、上記多孔質膜の孔部に、導電性粒子を、孔部深さ方向に積み重ならないように充填する充填工程と、上記孔部に充填された導電性粒子を上記孔部に固定する固定工程とを少なくとも有することを要旨とする。
【００１２】
この際、上記充填工程では、上記孔部１つにつき、上記導電性粒子を１つ充填することが好ましい。
【００１３】
また、上記固定の方法は、下記（１）、（２）、および、（３）から選択される１または２以上の方法によると良い。
（１）上記多孔質膜を形成している高分子を上記導電性粒子に融着させる
（２）上記孔部に充填された上記導電性粒子をさらに上記孔部内へ押し込む
（３）上記導電性粒子が充填された多孔質膜の表面に高分子層を形成する
【００１４】
また、上記多孔質膜は、上記孔部の内壁面が外側方向に湾曲されていると良い。
【００１５】
また、上記多孔質膜の形成は、疎水性および揮発性を有する有機溶媒と、この有機溶媒に可溶な高分子と、両親媒性物質とを少なくとも含む高分子溶液、または、疎水性および揮発性を有する有機溶媒と、両親媒性高分子とを少なくとも含む高分子溶液をキャストした支持体を相対湿度５０％以上の雰囲気下に存在させることによると良い。
【００１６】
また、上記膜形成工程において、多数の非貫通孔を有する多孔質膜を形成した場合、上記非貫通孔の形成面側の高分子を架橋させる架橋工程をさらに有していると良い。
【００１７】
また、上記多孔質膜の少なくとも一方面に接着層を形成する接着層形成工程をさらに有していても良い。
【００１８】
一方、本発明に係る異方性導電膜は、多数の孔部を有し、高分子よりなる多孔質膜と、上記孔部深さ方向に積み重ならないように上記孔部に固定されている導電性粒子とを少なくとも有することを要旨とする。
【００１９】
この際、上記孔部は貫通孔であっても良いし、非貫通孔であっても良い。孔部が非貫通孔である場合には、上記多孔質膜を形成する高分子は、上記非貫通孔の形成面側からその膜厚方向に一定範囲にわたって架橋されていると良い。
【００２０】
また、上記多孔質膜の少なくとも一方面には、接着層が形成されていても良い。
【発明の効果】
【００２１】
本発明に係る異方性導電膜の製造方法では、上記充填工程により、多孔質膜の孔部に、導電性粒子が、孔部深さ方向に積み重ならないように充填される。そして、上記充填状態を維持したまま、上記固定工程により、導電性粒子が孔部に固定され、導電性粒子と多孔質膜との密着性が向上する。
【００２２】
そのため、本発明に係る異方性導電膜によれば、多数の孔部を有し、高分子よりなる多孔質膜と、孔部深さ方向に積み重ならないように孔部に固定されている導電性粒子とを少なくとも有する異方性導電膜を得ることができる。
【００２３】
この異方性導電膜によれば、膜厚方向の導通を、導電性粒子同士の接触によらずに確保することができる。そのため、従来に比較して、膜厚方向の導通性に優れる。また、膜厚方向に加圧力が加わっても、孔部から導電性粒子が流出し難く、膜面方向に導電性粒子が押し広げられることもない。そのため、従来に比較して、膜面方向の絶縁性にも優れる。
【００２４】
他にも、導電性粒子と多孔質膜との密着性が向上しているので、導電性粒子が孔部より脱落し難く、膜製造時における膜のハンドリングがやりやすくなるなどの利点がある。また、加圧されても、導電性粒子の規則的な配列を維持しやすいので、性能保証などをしやすくなるなどの利点もある。
【００２５】
ここで、上記充填工程において、孔部１つにつき、導電性粒子を１つ充填するようにした場合には、膜厚方向の導通性、および、膜面方向の絶縁性をより優れたものにすることができる。
【００２６】
また、上記固定工程における固定の方法が、上記（１）、（２）、および、（３）から選択される１または２以上の方法による場合には、導電性粒子を多孔質膜に確実に固定しやすいなどの利点もある。
【００２７】
また、上記製造方法において、上記多孔質膜の形成方法として、高分子溶液をキャストした支持体を高湿度雰囲気下に存在させる方法を用いた場合には、貫通孔、非貫通孔によらず、多数の孔部を有する多孔質膜を、比較的簡易かつ安価に形成しやすい利点がある。
【００２８】
また、上記製造方法において、膜形成工程において、多数の非貫通孔を有する多孔質膜を形成する場合、さらに、上記架橋工程を行った場合には、非貫通孔を有する多孔質膜は、非貫通孔の形成面側は耐熱性が向上するが、非貫通孔の形成面側と反対方向の面側は相対的に耐熱性が低くなる。
【００２９】
そのため、その結果得られた異方性導電膜は、加熱・加圧された場合に、孔部の立体形状を維持したまま、非貫通孔の下層に存在する高分子だけが流動排除されやすくなる。これにより、非貫通孔の下層に存在する高分子によって膜厚方向の導通が妨げられ難くなり、膜厚方向の導通信頼性を確保しやすくなる。
【００３０】
また、上記製造方法において、上記固定工程の後、上記接着層形成工程を有する場合には、接着性が付与された上記異方性導電膜を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
以下、本実施形態に係る異方性導電膜の製造方法（以下、「本製造方法」という。）、本実施形態に係る異方性導電膜（以下、「本ＡＣＦ」ということがある。）について詳細に説明する。なお、説明の順序は、次の通りである。
【００３２】
１．本製造方法
１．１  膜形成工程
１．１．１  形成する多孔質膜の構成
（孔部）
（高分子）
（膜厚）
１．１．２  多孔質膜の形成方法
（（３）の膜形成方法）
（原理）
（具体的な内容）
（高分子溶液）
（支持体）
（塗布厚）
（相対湿度）
（貫通孔と非貫通孔との関係）
（その他）
１．２  充填工程
（充填状態）
（導電性粒子の構造、材質など）
（充填方法）
（（４）の充填方法）
１．３  固定工程
１．４  付加的な工程
（架橋工程）
（加熱処理工程）
（加熱・加圧処理工程）
（親水化処理工程）
（接着層形成工程）
２．本ＡＣＦの使用例
【００３３】
１．本製造方法
本製造方法は、多孔質膜を形成する膜形成工程と、多孔質膜の孔部に導電性粒子を充填する充填工程と、孔部に導電性粒子を固定する固定工程とを少なくとも有している。以下、各工程につき、詳細に説明する。
【００３４】
１．１  膜形成工程
本製造方法において、膜形成工程は、多数の孔部を有し、高分子よりなる多孔質膜を形成する工程である。
【００３５】
１．１．１  形成する多孔質膜の構成
（孔部）
形成する多孔質膜の孔部は、膜厚方向に貫通する貫通孔、膜厚方向に貫通しない非貫通孔の何れであっても良い。また、形成する多孔質膜は、貫通孔と非貫通孔との両方を有していても良い。
【００３６】
上記孔部の形状としては、具体的には、例えば、図１に示すように、多孔質膜１０の孔部１２の内壁面１４が、略球面状（厚み方向に潰れた略球面状なども含む）など、外側方向に湾曲している形状や、図２に示すように、円柱形状または多角柱形状などを例示することができる。なお、図１および図２中、（ａ）が貫通孔１２ａの断面、（ｂ）が非貫通孔１２ｂの断面を示している。これら孔部の形状は、多孔質膜中に１種または２種以上含まれていても良い。上記孔部の形状は、好ましくは、後述する方法により容易に形成できるなどの観点から、孔部の内壁面が外側方向に湾曲している形状であると良い。
【００３７】
上記孔部の配列としては、具体的には、例えば、ハニカム状、格子状、ランダム状などを例示することができる。これら孔部の配列は、多孔質膜の膜面に１種または２種以上含まれていても良い。好ましくは、後述する方法により容易に形成できるなどの観点から、ハニカム状であると良い。
【００３８】
上記孔部の開口径および孔部の間隔は、被接続物が有する複数の導体（例えば、ＩＣチップなどの電子部品の突起電極、フレキシブルプリント配線板などの配線パターンなど）の幅やピッチ、圧力変化を電気抵抗の変化として検知（感知）する検知領域（感知領域）の大きさなどを考慮して決定することができる。
【００３９】
もっとも、高い導通信頼性を得るなどの観点から、孔部の開口径は、例えば、被接続物が有する複数の導体の間隔のうち、最も狭いものよりも小さく、かつ、孔部の間隔は、被接続物が有する複数の導体の幅のうち、最も狭いものよりも小さいことが望ましい。
【００４０】
この場合、好ましくは、孔部の開口径は、被接続物が有する複数の導体の間隔のうち、最も狭いものの１／２以下、かつ、孔部の間隔は、被接続物が有する複数の導体の幅のうち、最も狭いものの１／２以下であると良い。
【００４１】
なお、上記孔部の開口径とは、多孔質膜表面をレーザー顕微鏡で観察し、任意に選択した孔部１０個について測定した各開口部分の直径の平均値をいう。また、上記孔部の間隔とは、多孔質膜表面をレーザー顕微鏡で観察し、任意に選択した隣接する孔部の開口縁部間１０箇所について測定した各開口縁部間の距離の平均値をいう。
【００４２】
（高分子）
上記多孔質膜を構成する高分子は、基本的には、膜の形成に支障がないものであれば、何れの種類であっても用いることができる。例えば、耐熱性などを考慮して選択することができる。
【００４３】
上記高分子としては、具体的には、例えば、ゴム、熱可塑性エラストマー、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリフェニレンサルファイド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエステル、ポリアミド、ポリブチラール、ポリフェニレンエーテル、ポリテトラフルオロエチレンなどのフッ素樹脂などを例示することができる。これらは１種または２種以上含まれていても良い。
【００４４】
上記ゴムとしては、より具体的には、例えば、ブタジエンゴム、スチレンブタジエンゴム、イソプレンゴム、ブチルゴム、ウレタンゴム、アクリルゴム、シリコーンゴム、クロルスルホン化ポリエチレン、エピクロルヒドリンゴム、ニトリルゴム、水素化ニトリルゴム、フッ素ゴム、クロロプレンゴム、エチレン・プロピレン・ジエン３元共重合体、天然ゴムなどを例示することができる。これらは１種または２種以上含まれていても良い。
【００４５】
上記熱可塑性エラストマーとしては、より具体的には、例えば、スチレン系熱可塑性エラストマー、オレフィン系熱可塑性エラストマー、ウレタン系熱可塑性エラストマー、エステル系熱可塑性エラストマー、アミド系熱可塑性エラストマー、シリコーン系熱可塑性エラストマー、フッ素系熱可塑性エラストマーなどを例示することができる。これらは１種または２種以上含まれていても良い。
【００４６】
上記ポリイミドとしては、より具体的には、例えば、シロキサン成分を重合成分として含むポリイミドなどを例示することができる。
【００４７】
上記ポリアミドイミドとしては、より具体的には、例えば、シロキサン成分を重合成分として含むポリアミドイミドや、環式炭化水素基（脂環式炭化水素基および／または芳香族炭化水素基）を有するジイソシアネート成分またはジアミン成分と、酸無水物、多価カルボン酸、酸クロリドなどの酸成分とを重合成分として含むポリアミドイミド、このポリアミドイミドにポリカプロラクトンなどのポリエステルなどが共重合されたものなどを例示することができる。これらは１種または２種以上含まれていても良い。
【００４８】
なお、上記環式炭化水素基を有するジイソシアネート成分としては、具体的には、例えば、イソホロンジイソシアネート、ジフェニルメタン４，４’ジイソシアネート、２，４トリレンジイソシアネートなどを例示することができる。上記環式炭化水素基を有するジアミン成分としては、具体的には、例えば、イソホロンジアミン、４，４’ジアミノジフェニルメタン、２，４トリレンジアミンなどを例示することができる。上記酸成分としては、具体的には、例えば、トリメリット酸無水物、トリメリット酸、シクロヘキサンジカルボン酸、これら酸の酸クロリドなどを例示することができる。
【００４９】
また、上記環式炭化水素基を有するジイソシアネート成分またはジアミン成分と、酸成分とを重合成分として含むポリアミドイミドを得る方法としては、具体的には、例えば、ジイソシアネート（ジアミン）成分と、酸成分とから、イソシアネート法または酸クロリド法などの方法を用い、任意に触媒を存在させ、アミド系溶剤などの極性溶剤中で重合する方法などを例示することができる。また、このポリアミドイミドにポリエステルなどを共重合させる場合には、溶液重合法、溶融重合法、これらを組み合わせた方法などを用いれば良い。例えば、ポリアミドイミドを溶液重合した溶液に、予め溶融重合したポリエステルなどを加えて重合する方法などを例示することができる。
【００５０】
ここで、非貫通孔を有する多孔質膜を形成する場合には、上記高分子以外に、可視光線、紫外線、電子線などのエネルギー線により架橋が形成されうる架橋性の高分子を好適に用いることができる。その理由については、後述する「１．４  付加的な工程  （架橋工程）」にて説明する。
【００５１】
架橋性の高分子としては、具体的には、例えば、二重結合を有するポリマーおよび／またはオリゴマーなどを例示することができる。これらは１種または２種以上含まれていても良い。
【００５２】
上記二重結合を有するポリマー、オリゴマーとしては、より具体的には、例えば、アクリロイル基、メタクリロイル基などの（メタ）アクリロイル基、シンナモイル基、ビニル基、アリル基などの二重結合を主鎖、末端またはペンダント基として有する、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、ポリブタジエン樹脂、マレイン化油樹脂などを例示することができる。これらは１種または２種以上含まれていても良い。
【００５３】
なお、上記二重結合を主鎖、末端またはペンダント基として有するアクリル樹脂を得る方法としては、具体的には、例えば、不飽和カルボン酸（アクリル酸、メタアクリル酸、イタコン酸、クロトン酸、マレイン酸、フマル酸、ビニル酢酸、これらの酸無水物など）と、エチレン性不飽和化合物（メチルアクリレート、メチルメタアクリレート、エチルアクリレート、エチルメタクリレート、ｎ−プロピルアクリレート、イソプロピルアクリレート、ｎ−ブチルアクリレート、ｎ−ブチルメタクリレート、ｓｅｃ−ブチルアクリレート、ｓｅｃ−ブチルメタクリレート、イソブチルアクリレート、イソブチルメタクリレート、ｔｅｒｔ−ブチルアクリレート、ｔｅｒｔ−ブチルメタクリレート、ｎ−ペンチルアクリレート、ｎ−ペンチルメタクリレート、スチレン、ｐ−メチルスチレン、ｏ−メチルスチレン、ｍ−メチルスチレンなど）とを共重合して、更に、グリシジル基を有するエチレン性不飽和化合物（グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレート、アリルグリシジルエーテル、α−グリシジルエチルアクリレート、クロトニルグリシジルエーテル、クロトン酸グリシジルエーテル、イソクロトン酸グリシジルエーテルなど）やクロライドアクリレート化合物（クロライドアクリレート、クロライドメタアクリレート、アリルクロライドなど）を付加反応させる方法などを例示することができる。なお、これら方法を行うにあたり、光開始剤などの重合開始剤、増感剤などの添加剤を１種または２種以上適宜混合しても良い。
【００５４】
（膜厚）
上記多孔質膜の膜厚は、特に限定されるものではなく、要求される機械的強度、耐電圧性、膜のハンドリング性などを考慮して適宜決定することができる。膜厚としては、その好ましい上限値として、具体的には、例えば、１００μｍ、５０μｍなどを例示することができる。一方、これら好ましい上限値と組み合わせ可能な好ましい下限値として、具体的には、例えば、１μｍ、５μｍなどを例示することができる。
【００５５】
１．１．２  多孔質膜の形成方法
上記構成を有する多孔質膜の形成方法は、例えば、得たい孔部形状・孔部配列、膜の生産性、コストなどを考慮して適宜選択することができる。
【００５６】
多孔質膜の形成方法としては、具体的には、例えば、（１）高分子よりなる膜に対して、パンチング、ドリリング、レーザ、化学的・物理的エッチングなどの加工手段を用いて孔部を後形成する方法、（２）孔部を転写可能な鋳型に高分子の融液を流し込んだ後、その膜を剥離することにより、膜面に孔部を転写する方法、（３）水と混ざらず、揮発する有機溶媒中に高分子を溶かし、この高分子溶液をキャストした支持体を、高湿度雰囲気下に存在させる方法などを例示することができる。
【００５７】
好ましくは、多数の孔部を有する多孔質膜を比較的簡易かつ安価に形成することができるなどの観点から、（３）の膜形成方法を好適に用いることができる。以下、この方法について詳細に説明する。
【００５８】
（（３）の膜形成方法）
（原理）
上記（３）の膜形成方法を用いた場合、概ね以下の原理によって多孔質膜が自発的に形成される。
【００５９】
すなわち、支持体の表面に、所定塗布厚で膜状に形成された高分子溶液は、溶液中の有機溶媒が蒸発する際に潜熱を奪われる。そのため、温度が下がった高分子溶液の表面には、雰囲気中の水蒸気が凝結して形成された微小な水滴群が付着する。付着した水滴群は、潜熱によって高分子溶液内に生じた対流やキャピラリーフォースなどにより輸送、集積され、最終的には最密充填される。その後、最密充填された水滴群が蒸発すると、自己組織化的に配列した水滴群を鋳型として、例えば、図３〜図５に例示するような孔部配列・孔部形状を有する多孔質膜が形成される。
【００６０】
ここで、図３は、上記（３）の膜形成方法により形成された、孔部がハニカム状に配列されている多孔質膜の表面を模式的に示した図である。図４は、上記（３）の膜形成方法により形成された、貫通孔を有する多孔質膜の断面を模式的に示した図である。図５は、上記（３）の膜形成方法により形成された、非貫通孔を有する多孔質膜の断面を模式的に示した図である。
【００６１】
上記（３）の膜形成方法により形成されたばかりの多孔質膜は、貫通孔、非貫通孔の何れの孔部を有している場合であっても、基本的には、次のような立体構造を有している。すなわち、図３〜図５に示すように、孔部１２は、ハニカム状に配列されており、隣接する各孔部１２同士は、隔壁１６により離間されている。また、これら孔部１２は、水滴を鋳型として形成されることから、その内壁面１４は、外側方向に向かって略球面状に湾曲されている（孔部の開口径より孔部の内径の方が大きくなっている）。また、それ故、隔壁１６は、隣接する各孔部１２の内壁面１４同士が最も近接する付近に、膜面付近よりも肉厚の薄いくびれ部１８を有している。
【００６２】
（具体的な内容）
上記（３）の膜形成方法としては、具体的には、例えば、疎水性および揮発性を有する有機溶媒と、この有機溶媒に可溶な高分子と、両親媒性物質とを少なくとも含む高分子溶液をキャストした支持体を相対湿度５０％以上の雰囲気下に存在させる方法などを好適に用いることができる。
【００６３】
（高分子溶液）
この場合、上記疎水性および揮発性を有する有機溶媒としては、具体的には、例えば、クロロホルム、塩化メチレンなどのハロゲン化物、ベンゼン、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素、酢酸エチル、酢酸ブチルなどのエステル類、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、アセトンなどのケトン類などを例示することができる。これらは１種または２種以上混合されていても良い。
【００６４】
上記有機溶媒に可溶な高分子としては、具体的には、例えば、上記高分子（架橋性の高分子も含む）を例示することができる。これらは１種または２種以上混合されていても良い。
【００６５】
なお、上記ポリイミド、ポリアミドイミドとして、シロキサン成分や、環式炭化水素基を有するジイソシアネート成分またはジアミン成分などを重合成分として含むものを例示したのは、疎水性の有機溶媒中に溶解させやすいなどの利点があるからである。
【００６６】
上記両親媒性物質とは、いわゆる、界面活性剤のことであり、疎水的な部位と親水的な部位とを合わせ持った化合物をいう。この両親媒性物質は、主として、高分子溶液の表面上に付着する水滴群を安定化させるなどの目的で添加される。
【００６７】
このような両親媒性物質としては、具体的には、例えば、親水性のアクリルアミドポリマーを主鎖骨格とし、疎水性側鎖としてドデシル基など、親水性側鎖としてラクトース基もしくはカルボキシル基などを併せもつポリマー、または、ヘパリンやデキストラン硫酸などのアニオン性多糖と４級の長鎖アルキルアンモニウム塩とのポリイオン性錯体などを例示することができる。これらは１種または２種以上混合されていても良い。
【００６８】
上記高分子溶液中に含まれる高分子の濃度としては、その好ましい上限値として、具体的には、例えば、５０重量％、１０重量％などを例示することができる。一方、これら好ましい上限値と組み合わせ可能な好ましい下限値として、具体的には、例えば、０．０５重量％、０．１重量％などを例示することができる。
【００６９】
上記高分子溶液中に含まれる両親媒性物質の割合としては、上記高分子に対し、その好ましい上限値として、具体的には、例えば、２０重量％、１０重量％などを例示することができる。一方、これら好ましい上限値と組み合わせ可能な好ましい下限値として、具体的には、例えば、０．０１重量％、０．０５重量％などを例示することができる。
【００７０】
なお、上記高分子溶液には、必要に応じて、架橋助剤（例えば、二重結合を有するモノマーなど）、光開始剤、光増感剤などの添加剤が１種または２種以上含まれていても良い。
【００７１】
（高分子溶液の変形例）
上記（３）の膜形成方法において、上述した高分子溶液に代えて、疎水性および揮発性を有する有機溶媒と、両親媒性高分子とを少なくとも含む高分子溶液を用いても、図３〜図５に示すような孔部配列・孔部形状を有する多孔質膜を形成することが可能である。
【００７２】
ここで、両親媒性高分子とは、疎水的な部位と親水的な部位とを合わせ持った高分子をいう。
【００７３】
このような両親媒性高分子としては、具体的には、例えば、主鎖および／または側鎖に−ＳＯ３Ｈ基、−ＣＯＯＨ基などの親水性基を導入したポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミドなどの高分子と、カチオン性脂質とのポリイオン性錯体などを例示することができる。より具体的には、例えば、ポリアミック酸とカチオン性脂質とのポリイオン性錯体などを例示することができる。これらは１種または２種以上混合されていても良い。
【００７４】
上記ポリアミック酸とは、テトラカルボン酸二無水物とジアミン化合物とを極性溶媒中で重合させて得られうる樹脂組成物である。
【００７５】
上記ポリアミック酸としては、具体的には、例えば、３，３’４、４’−ビフェニルテトラカルボン酸、３，３’４，４’−ビフェニルエ−テルテトラカルボン酸、３、３’４、４’−ビフェニルスルホンテトラカルボン酸、３、３’４、４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸、２、２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）プロパン、１、１、１、３、３、３−ヘキサフルオロ−２、２−ビス（３、４ジカルボキシフェニル）プロパン、ビス（３、４ジカルボキシフェニル）テトラメチルジシロキサンなどのビフェニル構造を有するテトラカルボン酸およびこれらの二無水物、シクロブタンテトラカルボン酸、１、２、３、４−シクロペンタンテトラカルボン酸、２、３、４、５−テトラヒドロフランテトラカルボン酸、１、２、４、５−シクロヘキサンテトラカルボン酸、３、４−ジカルボキシ−１−シクロヘキシルコハク酸、３、４−ジカルボキシ−１、２、３、４−テトラヒドロ−１−ナフタレンコハク酸などの脂環式テトラカルボン酸およびこれらの二無水物、ピロメリット酸、２、３、６、７−ナフタレンテトラカルボン酸、１、２、５、６−ナフタレンテトラカルボン酸、１、４、５、８−ナフタレンテトラカルボン酸、２、３、６、７−アントラセンテトラカルボン酸、１、２、５、６−アントラセンテトラカルボン酸、２、３、４、５、−ピリジンテトラカルボン酸、２、６−ビス（３、４−ジカルボキシフェニル）ピリジンなどの芳香族テトラカルボン酸およびこれらの二無水物、ピロメサート酸、トリメリート酸などを例示することができる。これらは１種または２種以上混合されていても良い。
【００７６】
上記ジアミン化合物としては、具体的には、例えば、ｐ−フェニレンジアミン、ｍ−フェニレンジアミン、２、５−ジアミノトルエン、２、６−ジアミノトルエン、４、４−ジアミノビフェニル、３、３’−ジメチル−４、４’−ジアミノビフェニル、３、３’−ジメトキシ−４、４’−ジアミノビフェニル、ジアミノジフェニルメタン、ジアミノジフェニルエ−テル、２、２’−ジアミノジフェニルプロパン、ビス（３、５−ジエチル４−アミノフェニル）メタン、ジアミノジフェニルスルホン、ジアミノベンゾフェノン、ジアミノナフタレン、１、４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１、４−ビス（４−アミノフェニル）ベンゼン、９、１０−ビス（４−アミノフェニル）アントラセン、１、３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、４、４’−ビス（４−アミノフェノキシ）ジフェニルスルホン、２、２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、２、２’−トリフルオロメチル−４、４’−ジアミノビフェニル、４、４’−ビス（４−ジアミノフェノキシ）オクタフルオロビフェニルなどの芳香族ジアミン、ビス（４−アミノシクロヘキシル）メタン、ビス（４−アミノ−３−メチルシクロヘキシル）メタンなどの脂環式ジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミンなどの脂肪族ジアミン、ジアミノシロキサンなどを例示することができる。これらは１種または２種以上混合されていても良い。
【００７７】
上記カチオン性脂質としては、具体的には、例えば、炭素数４以上の脂肪族アンモニウム塩化合物、脂環式アンモニウム塩化合物などを例示することができる。
【００７８】
より具体的には、例えば、オクチルアミン、デシルアミン、テトラデシルアミン、ヘキサデシルアミン、ステアリルアミン、ドコシルアミン、シクロヘキシルアミンなどの第一アミン類の塩、ジペンチルアミン、ジヘキシルアミン、ジオクチルアミン、ジデシルアミン、ジテトラデシルアミン、ジヘキサデシルアミン、ジステアリルアミン、ジドコシルアミン、Ｎ−メチルオクチルアミン、Ｎ−メチル−ｎ−デシルアミン、Ｎ−メチル−ｎ−テトラデシルアミン、Ｎ−メチル−ｎ−ヘキサデシルアミン、Ｎ−メチル−ｎ−オクタデシルアミン、Ｎ−メチル−ｎ−エイコシルアミン、Ｎ−メチル−ｎ−ドコシルアミン、Ｎ−メチル−ｎ−シクロヘキシルアミンなどの第２アミン類の塩、Ｎ，Ｎ−ジメチルオクチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−ｎ−デシルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−ｎ−テトラデシルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−ｎ−ヘキサデシルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−ｎ−オクタデシルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−ｎ−エイコシルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−ｎ−ドコシルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−ｎ−シクロヘキシルアミンなどの第３アミン類の塩、ジメチルジオクチルアミン、ジメチルジデシルアミン、ジメチルジテトラデシルアミン、ジメチルジヘキサデシルアミン、ジメチルジオクタデシルアミン、ジメチルジエイコシルアミン、ジメチルジドコシルアミン、ジメチルジシクロヘキシルアミンなどの第４アミン類の塩などを例示することができる。これらは１種または２種以上混合されていても良い。
【００７９】
上記ポリアミック酸とカチオン性脂質とのポリイオン性錯体は、ポリアミック酸を塩基により中和したものを含む溶液にカチオン性脂質、または、上記アミック酸の重合に用いることができる有機溶媒に溶解させたカチオン性脂質の溶液を配合することなどにより得ることができる。
【００８０】
なお、ポリアミック酸とカチオン性脂質とのポリイオン性錯体を用いた場合には、膜形成後、その形成された膜を、既知の手法によりイミド化するのが好ましい。ポリアミック酸を閉環してポリイミドよりなる多孔質膜とするためである。
【００８１】
上記高分子溶液中に含まれる両親媒性高分子の濃度は、その好ましい上限値として、具体的には、例えば、５０重量％、１０重量％などを例示することができる。一方、これら好ましい上限値と組み合わせ可能な好ましい下限値として、具体的には、例えば、０．０５重量％、０．１重量％などを例示することができる。
【００８２】
上記疎水性および揮発性を有する有機溶媒などについては、上述したものと同様であるので説明は省略する。
【００８３】
（支持体）
上記高分子溶液をキャストする支持体の材料は、上記高分子溶液による液膜の形成に影響を及ぼさない一方、当該溶液に含まれる有機溶媒や各種の添加剤などにより、変質したり、腐食したりしない材料であれば、特に限定されるものではない。支持体の材料としては、具体的には、例えば、ガラス、金属、シリコンウェハーなどの無機材料、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリエーテルケトン、フッ素樹脂などの高分子材料、水、流動パラフィンなどの液体などを例示することができる。
【００８４】
上記支持体の形状は、特に限定されるものではなく、上記高分子溶液による液膜をその表面で安定して保持できるような形状であれば良い。通常は、例えば、板状、フィルム状などの平面状のものを好適に用いることができる。
【００８５】
（塗布厚）
上記高分子溶液を支持体上にキャストする際の塗布厚は、例えば、高分子の濃度、溶液の粘度などを考慮して、水滴群が貫通孔、非貫通孔を形成できるように適宜調節することができる。
【００８６】
貫通孔を形成する場合、塗布厚としては、その好ましい上限値として、具体的には、例えば、３５００μｍ、２０００μｍなどを例示することができる。これら好ましい上限値と組み合わせ可能な好ましい下限値として、具体的には、例えば、５μｍ、１０μｍなどを例示することができる。
【００８７】
一方、非貫通孔を形成する場合、塗布厚としては、その好ましい上限値として、具体的には、例えば、３５００μｍ、２０００μｍなどを例示することができる。これら好ましい上限値と組み合わせ可能な好ましい下限値として、具体的には、例えば、１０μｍ、１５μｍなどを例示することができる。
【００８８】
（相対湿度）
上記高分子溶液をキャストした支持体は、相対湿度５０％以上、好ましくは、５０％〜９５％の気体雰囲気下に存在させることが望ましい。相対湿度が上記範囲内にあれば、十分な結露が生じやすく、環境制御も比較的行いやすいためである。
【００８９】
上記（３）の膜形成方法では、相対湿度５０％以上の雰囲気下中で上記高分子溶液を支持体上にキャストしても良いし、予め高分子溶液をキャストした支持体を相対湿度５０％以上の雰囲気下に置いても良い。また、相対湿度５０％以上の気体を高分子溶液に吹きかけるなどしても良い。この際、雰囲気中の気体、吹きかける気体としては、具体的には、例えば、アルゴンガス、窒素ガスなどの不活性ガス、空気などを例示することができる。これらは１種または２種以上含まれていても良い。好ましくは、コスト的に有利な空気（大気）を用いると良い。
【００９０】
（貫通孔と非貫通孔との関係）
上記（３）の膜形成方法では、膜の形成条件を適宜調整することにより、貫通孔、非貫通孔の何れについても形成可能である。貫通・非貫通を決する膜の形成条件としては、具体的には、例えば、高分子溶液の塗布厚（キャスト量）、高分子溶液に含まれる高分子の濃度、相対湿度などを例示することができる。  
【００９１】
より具体的には、例えば、高分子溶液の塗布厚（キャスト量）を厚くする（多くする）、高分子溶液に含まれる高分子の濃度を高くする、相対湿度を低くするなどの調整を行えば、非貫通孔が形成されやすくなる。その逆の調整を行えば、貫通孔が形成されやすくなる。
【００９２】
これらのうち、簡単かつ効果的に、貫通・非貫通を決することができる条件は、高分子溶液の塗布厚（キャスト量）、高分子溶液に含まれる高分子の濃度である。
【００９３】
なお、形成した多孔質膜が貫通孔、非貫通孔の何れを有しているかを確認するには、膜の表面を観察し、孔部内に支持体が露出しているか否かを確認したり、支持体から膜を剥離し、膜の裏面を観察したりするなどすれば良い。
【００９４】
（その他）
上記（３）の膜形成方法では、膜形成時に、有機溶媒の蒸発や、水滴群の蒸発を促進させるなどのため、必要に応じて、多孔質膜の形成に影響を及ぼさない範囲内で、加熱、乾燥などを行っても良い。
【００９５】
１．２  充填工程
本製造方法において、充填工程は、上記膜形成工程の後、多孔質膜の孔部に導電性粒子を充填する工程である。
【００９６】
（充填状態）
この充填工程では、孔部深さ方向に導電性粒子が積み重ならないように、導電性粒子を充填する。このように導電性粒子を充填することにより、異方性導電膜の膜厚方向の導通を、導電性粒子同士の接触によらずに確保することができる。そのため、膜厚方向の導通性を向上させやすくなる。以下、図面を用いて導電性粒子の充填状態について詳しく説明する。
【００９７】
先ず、導電性粒子の粒径Ｄ＜孔部の開口径Ｒを満たす場合について考える。図６は、ある一つの孔部に着目し、その孔部に導電性粒子が充填されている状態を、上から見た図である。図６（ａ）、（ｂ）は、孔部深さ方向に導電性粒子２０が積み重なっていない状態の一例を、図６（ｃ）は、孔部深さ方向に導電性粒子２０が積み重なっている状態の一例を示している。
【００９８】
具体的には、図６（ａ）では、孔部１２（１２ａ、１２ｂ）１つにつき、導電性粒子２０が１つ充填されている。このような充填状態は、本充填工程における「充填」の典型例である。なお、この導電性粒子２０は、それ１つで、孔部１２（１２ａ、１２ｂ）の内部空間を主に占めている。
【００９９】
また、図６（ｂ）では、孔部１２（１２ａ、１２ｂ）１つにつき、ほぼ同じ大きさの導電性粒子２０が複数（３つ）充填されている。この際、孔部１２（１２ａ、１２ｂ）の底部において、これら導電性粒子２０は、平面的に配置されており、孔部深さ方向には積み重なっていない。このような充填状態も本充填工程における「充填」に含まれる。
【０１００】
一方、これらに対し、図６（ｃ）では、孔部１２（１２ａ、１２ｂ）１つにつき、ほぼ同じ大きさの導電性粒子２０’が複数（４つ）充填されている。そして、孔部１２（１２ａ、１２ｂ）の底部において、これら導電性粒子２０’は、孔部深さ方向に積み重なっている。このような充填状態は、本充填工程にいう「充填」には含まれない。膜厚方向の導通に、導電性粒子同士の接触抵抗が関与するため、膜厚方向の導通性に劣るからである。
【０１０１】
なお、本充填工程は、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内であれば、孔部の内壁面と導電性粒子との隙間２２などに、主となる導電性粒子２０以外にも、細かな導電性粒子が１つまたは２つ以上充填される場合を意図的に除外するものではない。
【０１０２】
本充填工程では、図６（ｂ）などの充填状態よりも、図６（ａ）の充填状態となるように充填することが好ましい。膜面方向の絶縁性をより確実にすることができるからである。
【０１０３】
ここで、孔部深さをＣとする（このＣは、貫通孔の場合には膜厚に相当する。以下では、非貫通孔を用いて説明する。）と、孔部深さＣと、導電性粒子の粒径Ｄとは、図７（ａ）に例示するように、（２／３）×Ｃ＜Ｄの関係を満たしていると良い。この関係を満たしておれば、ほぼ同じ大きさの導電性粒子２０が孔部１２ｂに積み重なって充填され難いからである。
【０１０４】
また、孔部深さＣと、導電性粒子の粒径Ｄとは、図７（ｂ）に例示するように、（１／４）×Ｄ＜Ｃの関係を満たしていると良い。この関係を満たしておれば、孔部１２ｂに充填された導電性粒子２０が、外力などにより、孔部１２ｂから剥がれ難いからである。なお、本充填工程における「充填」では、図７（ｂ）に示されるように、導電性粒子２０が孔部１２ｂの開口部から突出していても、孔部１２ｂの底（貫通孔の場合は、膜を支持する支持体などの表面に相当する）に導電性粒子２０が接しておれば、孔部１２ｂから剥がれずに導電性粒子２０を保持した状態で充填可能である。
【０１０５】
本充填工程では、導電性粒子の充填容易性、孔部による導電性粒子の保持容易性、後述する固定工程における孔部内の脱ガス容易性などに優れるなどの観点から、導電性粒子の粒径Ｄ＜孔部の開口径Ｒの関係を満たしていることが好ましい。しかしながら、導電性粒子の粒径Ｄ≧孔部の開口径Ｒの関係を満たしていても、以下に説明するように、孔部から剥がれずに導電性粒子を保持した状態で充填可能である。
【０１０６】
すなわち、図８（ａ）に例示するように、この場合は、孔部１２ｂの底に導電性粒子２０が接している。そのため、孔部１２ｂから剥がれずに導電性粒子２０を保持した状態で充填可能である。もちろん、Ｄ≧Ｒであるから、孔部深さＣ方向には導電性粒子２０が積み重なることもない。このような充填状態も本充填工程にいう「充填」に含まれる。
【０１０７】
より具体的的には、このような充填状態となり得るのは、（Ｄ／２）＞Ｃが成り立つとき、
（Ｒ／２）２＋（Ｄ／２−Ｃ）２＞（Ｄ／２）２
Ｃ２−ＤＣ＋Ｒ２／４＞０
｛Ｄ−√（Ｄ２−Ｒ２）｝／２＞Ｃ，｛Ｄ＋√（Ｄ２−Ｒ２）｝／２＜Ｃ
の関係を満たす場合である。
【０１０８】
なお、図８（ｂ）に例示するように、この場合は、孔部１２ｂの底に導電性粒子２０が接していない。そのため、充填された導電性粒子２０が孔部１２ｂから外れやすい。したがって、このような充填状態は、本充填工程にいう「充填」には含まれない。
【０１０９】
（導電性粒子の構造、材質など）
上記導電性粒子２０は、少なくとも粒子表面が導電性を有しておれば良い。したがって、上記導電性粒子２０としては、具体的には、例えば、これまで図示してきたように、その表面から中心部まで導電性物質で満たされている粒子や、図９に示すように、絶縁性粒子２４の表面に、１層または２層以上の導電性層２６が被覆されている粒子などを例示することができる（なお、図９では、導電性層２６が１層被覆されている場合を例示している。）。これらは１種または２種以上混合されていても良い。
【０１１０】
より具体的には、例えば、前者の例として金属粒子、カーボン粒子などを、後者の例として、高分子粒子の表面に１層または２層以上の金属めっき層を有する粒子などを例示することができる。好ましくは、後者を用いると良い。圧力により粒子が変形しやすいことから、得られた本ＡＣＦに、例えば、被接続物などが押しつけられた場合に、被接続物が有する導体との接触面積が大きくなり、膜厚方向の導通信頼性を向上させることができるからである。
【０１１１】
また、上記導電性粒子に樹脂などの有機成分を被覆することもできる。この場合、電極などにより圧力が作用したときに、薄い有機成分層のうち、電極などに接する部分は破壊して導通し、一方、電極などに接しない部分は破壊が生じない。そのため、本ＡＣＦの膜面方向の絶縁性をより向上させることが可能となる。
【０１１２】
上記金属粒子を構成する金属、金属めっき層を構成する金属としては、具体的には、例えば、銀、金、白金属（白金、パラジウム、ルテニウム、ロジウム、オスミニウム、イリジウム）、ニッケル、銅などの金属、これら金属の合金などを例示することができる。これらは１種または２種以上含まれていても良い。
【０１１３】
（充填方法）
上記導電性粒子を多孔質膜の孔部に充填する充填方法としては、具体的には、例えば、適当な溶媒中に上記導電性粒子を分散させた分散溶液を用い、（１）この分散溶液中に多孔質膜を浸漬する方法、（２）多孔質膜の表面に、上記分散溶液を滴下もしくは塗布する方法、（３）上記（１）、（２）などを用いて多孔質膜表面に上記分散溶液を付着させた後、外部から磁力や振動などを加え、上記導電性粒子を充填する方法、（４）第１の基板上に載置された多孔質膜表面と一定距離離間させて第２の基板を配置し、多孔質膜表面と第２の基板との隙間に、上記分散溶液を導入し、少なくとも一方の基板を膜面方向にスライド移動させる方法などを例示することができる。
【０１１４】
ここで、上記分散溶液の溶媒は、上記導電性粒子を分散させやすく、多孔質膜を形成する高分子を侵食し難いものであれば、特に限定されるものではない。多孔質膜を形成する高分子の種類などを勘案して適宜選択することができる。上記分散溶液の溶媒としては、具体的には、例えば、エタノールなどのアルコール系溶媒、水、エステル系溶媒、アミド系溶媒、炭化水素系溶媒、ケトン系溶媒、エーテル系溶媒などを例示することができる。これらは１種または２種以上混合されていても良い。
【０１１５】
上記分散溶液中における、上記導電性粒子の含有量としては、その好ましい上限値として、具体的には、例えば、３０重量％、２０重量％、１０重量％、５重量％などを例示することができる。一方、これら好ましい上限値と組み合わせ可能な好ましい下限値として、具体的には、例えば、０．１重量％、０．５重量％、１重量％などを例示することができる。
【０１１６】
これら充填方法のうち、好ましくは、孔部に選択的に導電性粒子を充填しやすいなどの観点から、上記（４）の充填方法を好適に用いることができる。以下、この方法について詳細に説明する。
【０１１７】
（（４）の充填方法）
上記（４）の充填方法によれば、次の原理により、孔部に選択的に導電性粒子が充填されると考えられる。すなわち、図１０に示すように、例えば、第２の基板２８を膜面方向にゆっくり移動させると、第１の基板３０上に載置された多孔質膜１０の表面では、隙間３２に導入された分散溶液３４中の溶媒の表面張力により、導電性粒子２０が滑っていく。そして、孔部１２（１２ａ）上を分散溶液３４の界面が通り越すときに、毛管現象により、導電性粒子２０と溶媒とが孔部１２（１２ａ）内に引き込まれる。その後、孔部１２（１２ａ）内の溶媒が蒸発することにより、孔部１２（１２ａ）に選択的に導電性粒子２０が充填される。
【０１１８】
上記（４）の充填方法において、第１の基板および第２の基板は、平坦で平滑な面を有するものであることが好ましい。また、第１の基板および第２の基板の材質は、同一であっても良いし、異なっていても良い。第１の基板および第２の基板の材質としては、具体的には、例えば、ガラス、セラミックス、金属などの無機材料、高分子などの有機材料、あるいは、これらを複合した複合材料などを例示することができる。
【０１１９】
上記多孔質膜の表面と第２の基板との間の距離は、隙間に導入される分散溶液の溶媒の表面張力により、分散溶液を保持できる範囲内にあれば良い。
【０１２０】
両者の距離が過度に近すぎると、隙間に導入できる分散溶液の量が少なくなるので、孔部に導電性粒子を選択的に充填し難くなる傾向が見られる。一方、両者の距離が過度に遠すぎると、両者の間に分散溶液を保持できなくなり、基板をスライド移動させる方法自体を採用し難くなる傾向が見られる。したがって、多孔質膜の表面と第２の基板との間の距離は、これらに留意して設定すると良い。
【０１２１】
上記基板の移動速度は、基本的には、導電性粒子の粒径、種類、孔部の開口径、分散溶液の溶媒の種類、溶媒の表面張力、分散溶液の濃度などを考慮し、孔部に導電性粒子が選択的に充填されるように、適宜最適な移動速度を選択すれば良い。
【０１２２】
上記移動速度が過度に速くなると、導電性粒子が充填されていない孔部が発生しやすくなるなどの傾向が見られる。一方、上記移動速度が過度に遅くなると、分散溶液中の溶媒が蒸発し、分散溶液の濃度が高くなりすぎて、導電性粒子を移動させ難くなったり、生産性が低下したりするなどの傾向が見られる。したがって、これらに留意して移動速度を選択すると良い。
【０１２３】
好ましくは、上記移動速度は等速であると良い。上記移動速度としては、その好ましい上限値として、具体的には、例えば、５００００、３００００μｍ／ｓｅｃなどを例示することができる。一方、これら好ましい上限値と組み合わせ可能な好ましい下限値として、具体的には、例えば、１、２μｍ／ｓｅｃなどを例示することができる。
【０１２４】
上記（４）の充填方法では、導電性粒子の充填性などに影響がない範囲内で、環境雰囲気の温度を高温にしたり、多孔質膜を加熱したりするなどして、孔部内へ浸透した溶媒の蒸発を促進させても良い。
【０１２５】
なお、この充填工程では、多孔質膜が有する全ての孔部に導電性粒子が充填されても良いし、導電性粒子が充填されていない孔部が部分的に存在していても良い。すなわち、被接続物が有する導体と対向する孔部のうち、少なくとも１つ以上の孔部に導電性粒子が充填されていれば良い。
【０１２６】
１．３  固定工程
本製造方法において、固定工程は、上記充填工程の後、孔部に充填されている導電性粒子を孔部に固定する工程である。
【０１２７】
本固定工程を経ることにより、導電性粒子と多孔質膜との密着性を向上させることができる。導電性粒子と多孔質膜との密着性が向上すれば、導電性粒子が孔部より脱落し難くなるので、膜製造時における膜のハンドリングがやりやすくなるなどの利点がある。また、上記充填工程だけでは、孔部の内壁面と導電性粒子との間に、膜形成当初の大きさの隙間があるため、このままでは異方性導電膜が加圧された時に、導電性粒子の位置がずれ、導電性粒子の規則的な配列が乱れることがある。しかし、本固定工程を経ることで、導電性粒子の規則的な配列を維持しやすくなり、性能保証などをしやすくなる利点がある。
【０１２８】
上記固定の方法としては、具体的には、例えば、（１）多孔質膜を形成している高分子を導電性粒子に融着させる方法、（２）孔部に充填された導電性粒子をさらに孔部内へ押し込む方法、（３）導電性粒子が充填された多孔質膜の表面に高分子層を形成する方法などを例示することができる。これら方法は、互いに組み合わせて行っても良い。
【０１２９】
なお、上記（１）および（２）の方法は、孔部の内壁面と導電性粒子との間の隙間を減少させる方法であり、上記（３）の方法は、当該隙間があってもなくても良く、充填後に上から蓋を被せる方法であると言える。
【０１３０】
上記（１）の固定方法において、多孔質膜を形成している高分子を導電性粒子に融着させるには、具体的には、例えば、多孔質膜を加熱するなどすれば良い。
【０１３１】
この場合、上記加熱は、多孔質膜を形成する高分子が非晶性高分子の場合には、ガラス転移温度〜ガラス転移温度＋１５０℃の温度範囲で行えば良い。また、多孔質膜を形成する高分子が結晶性高分子の場合には、融点近傍の温度で行えば良い。
【０１３２】
なお、「融点近傍」と記載したのは、導電性粒子を固定できれば、多孔質膜を形成する高分子の融点を中心にして、その前後の温度範囲まで多孔質膜を加熱することが可能であることを意味している。
【０１３３】
もっとも、多孔質膜を形成する高分子が非晶性高分子の場合、ガラス転移温度＋１５０℃、結晶性高分子の場合、融点より過度に高温になると、多孔質膜が変形してしまうことがある。一方、多孔質膜を形成する高分子が非晶性高分子の場合、ガラス転移温度、結晶性高分子の場合、融点より過度に低温であると、融着が不十分になるなどの傾向が見られる。したがって、多孔質膜を加熱する際には、これらに留意すると良い。
【０１３４】
また、多孔質膜を加熱する時間は、上記温度範囲などとの兼ね合いで、適宜調整することが可能である。加熱時間が過度に長すぎると、多孔質膜が変形してしまう場合がある。一方、加熱時間が過度に短すぎると、融着が不十分になるなどの傾向が見られる。したがって、多孔質膜の加熱する際には、これらに留意すると良い。
【０１３５】
多孔質膜を加熱する方法は、接触式、非接触式の何れの加熱方法であっても良く、特に限定されるものではない。
【０１３６】
上記加熱方法としては、具体的には、例えば、上記融着が生じる温度に調温された加熱源と、導電性粒子を孔部に充填した多孔質膜とを、直接または熱伝導可能な部材などを介した状態で、一定時間当接させる方法、当該加熱源と多孔質膜とを近接させる方法などを例示することができる。より具体的には、例えば、所定温度に調温されたホットプレートなどの加熱源上に、ガラス基板などを介して、導電性粒子を孔部に充填した多孔質膜を一定時間載置する方法などを例示することができる。
【０１３７】
上記融着は、上記加熱以外にも、例えば、導電性粒子を孔部に充填した多孔質膜に対し、赤外線、レーザ光、マイクロ波、超音波などを照射するなどしても良い。これらの融着方法は、１種または２種以上併用して用いても良い。
【０１３８】
上記（２）の固定方法において、孔部に充填された導電性粒子をさらに孔部内へ押し込むには、具体的には、例えば、導電性粒子を孔部に充填した多孔質膜を加圧するなどすれば良い。
【０１３９】
この場合、加圧方法としては、具体的には、例えば、導電性粒子を孔部に充填した多孔質膜を、平坦面を有する板状部材など挟持し、この状態を保持したまま、公知の加圧装置により直接あるいは介在部材を介して間接的に加圧する方法などを例示することができる。なお、加熱し、多孔質膜を軟化させた状態で、加圧を行えば、導電性粒子をより固定しやすくなる。
【０１４０】
なお、加圧力は、導電性粒子が孔部内へ押し込まれて固定されれば、特に限定されるものではない。もっとも、当該多孔質膜を過度に加圧すると、膜の立体構造がくずれてしまう場合がある。一方、当該多孔質膜に対する加圧力が過度に少ないと、導電性粒子を固定する効果が少なくなる傾向などが見られる。したがって、これらに留意すると良い。
【０１４１】
上記（３）の固定方法において、導電性粒子が充填された多孔質膜の表面に高分子層を形成するには、具体的には、例えば、高分子を含む塗工液を塗工するなどの方法を例示することができる。なお、上記（３）の固定方法は、例えば、図７（ｂ）、図８（ａ）などに示したように、孔部より導電性粒子が多く突出している場合などに行うことが好ましい。
【０１４２】
被覆に用いる高分子としては、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ビスマレイミド樹脂、シアネート樹脂などの熱硬化性樹脂、膜を形成する高分子と同種の高分子などを例示することができる。
【０１４３】
なお、接着性を有する高分子を用いた場合には、後述する接着層として使用することができるため、接着層を形成する工程を一部または全部省略することができるなどの利点がある。
【０１４４】
本固定工程では、例えば、図１１に示すように、導電性粒子２０は、孔部１２（１２ａ、１２ｂ）の内壁面との間の隙間がほとんどない状態で、孔部１２（１２ａ、１２ｂ）内に固定されていても良いし、また、図１２に示すように、孔部１２（１２ａ、１２ｂ）から剥がれ落ちなければ、導電性粒子２０は、孔部１２（１２ａ、１２ｂ）の内壁面と間にわずかに隙間３６が存在する状態で、孔部１２（１２ａ、１２ｂ）に固定されていても良い。後者の場合には、わずかに残った隙間３６が、導電性粒子２０のたわみ空間となり、変形しやすいなどの利点がある。
【０１４５】
以上、本製造方法によれば、図１３（ａ）（ｂ）に例示するような、多数の孔部１２（１２ａ、１２ｂ）を有し、孔部１２（１２ａ、１２ｂ）の内壁面１４が外側方向に湾曲されている、高分子よりなる多孔質膜１０と、この多孔質膜１０の孔部１２（１２ａ、１２ｂ）に、孔部深さ方向に積み重ならないように固定されている導電性粒子２０とを少なくとも備えた本ＡＣＦ４０、４２を得ることができる。なお、図１３（ａ）は、孔部１２が貫通孔１２ａの場合、図１３（ｂ）は、孔部１２が非貫通孔１２ｂの場合をそれぞれ模式的に例示したものである。
【０１４６】
本製造方法は、上記工程以外にも、以下に説明する付加的な工程を１つまたは２つ以上有していても良い。
【０１４７】
１．４  付加的な工程
（架橋工程）
上記膜形成工程において、多数の非貫通孔を有する多孔質膜を形成する場合、本製造方法は、非貫通孔の形成面側の高分子を架橋させる架橋工程を有していても良い。上記架橋工程は、上記膜形成工程と上記充填工程との間、上記充填工程と上記固定工程との間、または、上記固定工程の後の何れにあっても良い。
【０１４８】
もっとも、架橋により多孔質膜の耐熱性が向上するので、上記固定工程における固定を行い易くするなどの観点から、上記架橋工程は、上記固定工程の後に行うのが好ましい。
【０１４９】
この架橋工程を行った場合には、図１４に例示するような本ＡＣＦを得ることができる。すなわち、図１４に示した本ＡＣＦ４４は、基本的な構造は、図１３（ｂ）に示した本ＡＣＦ４２の構造と同じである。しかしながら、図１４に示した本ＡＣＦ４４は、その多孔質膜１０において、非貫通孔１２ｂの形成面側から膜厚方向に一定範囲（図では、非貫通孔１２ｂの形成面から非貫通孔１２ｂの最深部までの範囲を例示）にわたって架橋４６が形成されている点、非貫通孔１２ｂの下層に、実質的に架橋４６が形成されていない非架橋高分子層４８が形成されている点で大きく相違している。
【０１５０】
つまり、上記架橋工程では、多孔質膜の全部を架橋するわけではなく、多孔質膜中に、非貫通孔の形成面側に主として架橋部位が、非貫通孔の形成面側と反対方向の面側に主として非架橋部位が分布するように、部分的な架橋を行うのである。このような架橋を施す利点は、次の通りである。
【０１５１】
すなわち、上記架橋工程を経ると、非貫通孔を有する多孔質膜は、非貫通孔の形成面側は耐熱性が向上するが、非貫通孔の形成面側と反対方向の面側は相対的に耐熱性が低くなる。
【０１５２】
そのため、図１４に示す本ＡＣＦ４４は、図１３（ｂ）に示す本ＡＣＦ４２に比較して、加熱された場合に、非貫通孔１２（１２ｂ）の下層の非架橋高分子層４８が先に流動可能な状態になる。そしてさらに、加圧された場合には、非貫通孔１２（１２ｂ）間に位置する隔壁１６（主として架橋部位）は、ほぼ形状を保ったまま、加圧力により非架橋高分子層４８だけが流動排除される（詳しくは、後述の「２．本ＡＣＦの使用例」を参照）。したがって、図１４に示す本ＡＣＦ４４によれば、非貫通孔１２（１２ｂ）の下層に存在する非架橋高分子により、膜厚方向の導通が妨げられ難くなり、膜厚方向の導通信頼性を向上させることができる。
【０１５３】
なお、上記架橋部位および非架橋部位は、上記作用を奏するように分布しておれば、隔壁中に非架橋部位が存在していても良く、また、非架橋高分子層中に架橋部位が存在していても良い。つまり、上記架橋部位と非架橋部位との境界は、厳密な意味で明確である必要性は少ない。
【０１５４】
上記架橋工程では、非貫通孔の形成面側からその膜厚方向に向かって、ほぼ同じ架橋密度で架橋部位を形成しても良いし、異なる架橋密度で架橋部位を形成しても良い。後者の場合、非貫通孔の形成面側からその膜厚方向に向かって密から疎に傾斜するように架橋を形成すると良い。非貫通孔の形成面から膜厚方向に向かって徐々に多孔質膜の耐熱性が低くなるので、上記作用効果に優れるからである。
【０１５５】
上記架橋方法としては、具体的には、例えば、非貫通孔の形成面側から、紫外線、電子線などのエネルギー線を照射する方法などを例示することができる。
【０１５６】
なお、上記エネルギー線を照射する場合、その照射量、照射時間などの照射条件は、上述した架橋部位および非架橋部位が形成されるように、適宜設定すれば良い。
【０１５７】
エネルギー線の照射量、照射時間は、エネルギー線の種類、多孔質膜を形成する高分子の種類などによっても異なるが、具体的には、例えば、紫外線を用いる場合、波長１５０ｎｍ〜３８０ｎｍの紫外光を１分〜２０分程度照射すれば良い。
【０１５８】
なお、上記エネルギー線の照射条件にもよるが、非貫通孔の形成面側からエネルギー線を照射すれば、基本的には、非貫通孔の形成面側から膜厚方向に向かって密から疎に傾斜した架橋を自然に形成することができる。
【０１５９】
（加熱処理工程）
上記膜形成工程において、上記（３）の膜形成方法を用いて多孔質膜を形成した場合、本製造方法は、上記膜形成工程と上記充填工程との間に、多孔質膜を形成する高分子が非晶性高分子の場合は、ガラス転移温度〜ガラス転移温度＋１５０℃まで、結晶性高分子の場合は、融点近傍まで、形成した多孔質膜を加熱処理する加熱処理工程を有していても良い。
【０１６０】
上記（３）の膜形成方法によれば、隣接する各孔部同士の間に位置する隔壁は、隣接する水滴同士の隙間に入り込んだ高分子溶液により形成される。
【０１６１】
そのため、水滴と水滴とが最も近接するくびれ部付近は、特に、隔壁が薄くなる傾向がある。ときには、隣接する孔部同士を連通する連通孔がくびれ部に存在することもありうる。
【０１６２】
ところが、上記加熱処理工程を行った場合には、多孔質膜の隔壁のうち、肉厚の薄いくびれ部がいち早く軟化・溶融し、くびれ部に存在することがある連通孔が潰される。そのため、隣接する各孔部間の独立性を増大させることができる。また、隔壁の強度も向上させることができる。その後、この孔部同士の独立性が向上した多孔質膜の孔部に導電性粒子を充填すれば、得られる異方性導電膜の膜面方向の絶縁信頼性を向上させることができる。
【０１６３】
もっとも、後の工程である固定工程において多孔質膜を加熱する場合、この固定工程でも、上記と同様の孔部の独立化が生じていると推測される。それ故、膜形成後に、この加熱処理工程を行うか否かは、要求される膜面方向の絶縁信頼性などを勘案して決定すれば良い。
【０１６４】
なお、この加熱処理工程における、加熱温度、膜の加熱方法などは、上記固定工程で説明した内容とほぼ同様であるので、その説明は省略する。
【０１６５】
（加熱・加圧処理工程）
上記加熱処理工程は、さらに、膜厚方向への多孔質膜の加圧を伴った加熱・加圧処理工程であっても良い。
【０１６６】
上記（３）の膜形成方法では、高分子溶液の表面上に結露した水滴は、浮島状に密集する。そして、この浮島状に密集した水滴群が輸送、集積されると、水滴群同士がぶつかり合った境界近辺に、膜厚方向の段差ないし凹凸が生じやすい。
【０１６７】
ところが、膜形成後、多孔質膜を加熱・加圧した場合には、多孔質膜表面に生じた段差ないし凹凸が均一化される。その後、上記充填工程、とりわけ、上記（３）の充填方法を行った場合には、孔部に導電性粒子を充填しやすくなる。また、くびれ部に存在することがある膜面方向の連通孔も、加圧により潰されやすくなる。そのため、上記した隣接する各孔部間の独立化も図りやすくなる。
【０１６８】
多孔質膜を加圧する方法としては、具体的には、例えば、平坦面を有する板状部材により多孔質膜を挟持し、この状態を保持したまま、公知の加圧装置により直接あるいは介在部材を介して間接的に加圧する方法などを例示することができる。
【０１６９】
また、多孔質膜を加圧する圧力は、その膜を形成する高分子の硬さ、くびれ部の肉厚、膜の加熱時間などを考慮して種々調節すれば良い。すなわち、膜形成過程において生じた段差を平坦にすることができる圧力であれば良い。多孔質膜を過度に加圧すると、膜の立体構造がくずれてしまう場合がある。一方、多孔質膜に対する加圧力が過度に少ないと、段差を平坦にし難い。したがって、多孔質膜を加圧する場合には、これらに留意すると良い。
【０１７０】
また、多孔質膜を加圧する場合、この加圧は、多孔質膜の加熱とほぼ同時に行っても良いし、加圧した多孔質膜を加熱しても、加熱した多孔質膜を加圧しても良い。すなわち、多孔質膜に対して少なくとも所望の熱および圧力が掛かった状態が得られれば、何れのタイミングで加圧しても良い。
【０１７１】
（親水化処理工程）
本製造方法は、上記膜形成工程と上記充填工程との間に、多孔質膜の膜面を親水化する親水処理工程を有していても良い。
【０１７２】
すなわち、上記多孔質膜は、疎水性を示す高分子より形成されていることが多い。そのため、上記充填工程などにおいて、水などの親水性液体と多孔質膜とを接触させる必要がある場合には、両者の濡れ性が悪いことがある。そのため、両者の濡れ性を改善する目的で、多孔質膜に対して、紫外線照射、コロナ処理、プラズマ処理などの親水化処理を予め施しておいても良い。これら親水化処理は、１種または２種以上併用しても良い。
【０１７３】
（接着層形成工程）
本製造方法は、上記固定工程の後、孔部に導電性粒子が固定されている多孔質膜の少なくとも一方面に、接着層を形成する接着層形成工程を有していても良い。この接着層形成工程を行った場合には、図１５、図１６に例示するように、接着層５０により、接着性が付与された本ＡＣＦ４０Ｓ、４４Ｓを得ることができる。なお、図１５は、図１３に例示した本ＡＣＦ４０の両面に接着層５０を被覆した場合を、図１６は、図１４に例示した本ＡＣＦ４４の両面に接着層５０を被覆した場合を例示している。
【０１７４】
ここで、上記接着層材料は、被接続物との接着性、絶縁性を有するものであれば、何れのものでも使用することができる。上記接着層材料としては、具体的には、例えば、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ビスマレイミド樹脂、シアネート樹脂などの熱硬化性樹脂を半硬化状態としたプリプレグなどを例示することができる。上記接着層がプリプレグである場合には、例えば、被接続物が有する導体間の隙間部分に接着層が流動排除されやすく、また、被接続部との密着性も高まるため好適に用いることができる。
【０１７５】
上記熱硬化性樹脂としては、被接続部との密着性に優れるなどの観点から、具体的には、例えば、エポキシ系樹脂などを好適に用いることができる。
【０１７６】
上記接着層の厚さは、被接続物が有する導体の高さ、導体の間隔などを考慮して決定すれば良い。接着層の厚さとしては、好ましい上限値として、具体的には、例えば、１００μｍ、５０μｍなどを例示することができる。一方、これら好ましい上限値と組み合わせ可能な好ましい下限値として、具体的には、例えば、０．１μｍ、１μｍなどを例示することができる。
【０１７７】
上記接着層の形成方法としては、具体的には、例えば、コーターなど公知の塗工手段を用いて接着層材料を塗工する方法、予め作製しておいた膜状の接着層をラミネートする方法などを例示することができる。
【０１７８】
２．本ＡＣＦの使用例
接着層を有しない本ＡＣＦについては、例えば、電子部品とテスト基板との間にこれを挟み込み、膜厚方向に加圧するなどすれば、導通テストなどの各種検査を行うことができる。また、膜厚方向に加圧された領域の圧力変化を電気抵抗の変化として感知させれば、感圧センサとして用いることができる。
【０１７９】
この種の用途に用いる場合には、とりわけ、多孔質膜が貫通孔のものを好適に用いることができる。なお、多孔質膜が非貫通孔のものを用いる場合には、多孔質膜の裏面を、エッチングする、溶解するなどの化学的処理や、研磨などの物理的処理などにより、多孔質膜を形成している高分子を部分的に除去し、導電性粒子を露出させるなどすれば良い。
【０１８０】
一方、接着層を有する本ＡＣＦは、例えば、次のようにして使用することができる。
【０１８１】
図１７は、図１５に示す本ＡＣＦ４０Ｓの一使用例を示した図である。図１７に示すように、本ＡＣＦ４０Ｓを、例えば、基板５２と基板５４の間に置き、接着層５０が流動する温度で熱圧着すると、接着層５０は、熱により流動可能な状態になり、圧着力により流動排除される。また、基板５２の電極５２ａと基板５４の電極５４ａとの間に導電性粒子２０が挟み込まれる。そしてこの状態を保持したまま接着層５０が硬化すると、導電性粒子２０を介して両電極５２ａ、５４ａ間は電気的に接続される。一方、隣接する電極５２ａ（５４ａ）同士は接着層５０により電気的に絶縁される。また、接着層５０の硬化により、基板５２と基板５４とは機械的に接続される。
【０１８２】
図１８は、図１６に示す本ＡＣＦ４４Ｓの一使用例を示した図である。図１８に示すように、この本ＡＣＦ４４Ｓを、例えば、基板５２と基板５４の間に置き、所定温度で熱圧着すると、接着層５０および多孔質膜１０中の非架橋高分子層４８は、熱により流動可能な状態になり、圧着力により流動排除される。また、基板５２の電極５２ａと基板５４の電極５４ａとの間に導電性粒子２０が挟み込まれる。そしてこの状態を保持したまま接着層５０が硬化すると、導電性粒子２０を介して両電極５２ａ、５４ａ間は電気的に接続される。一方、隣接する電極５２ａ（５４ａ）同士は、接着層５０により電気的に絶縁される。また、接着層５０の硬化により、基板５２と基板５４とは機械的に接続される。
【実施例】
【０１８３】
以下、実施例を用いて本発明を詳細に説明する。
【０１８４】
１．実施例および比較例に係る異方性導電膜の作製
（実施例１、実施例１Ｓ）
クロロホルムにポリスルホン（アルドリッチ製、分子量Ｍｗ＝５６０００、ガラス転移温度Ｔｇ＝１９０℃）を０．２５ｗｔ％の濃度で溶解した液に、両親媒性物質として、ドデシルアクリルアミドとカプロン酸との共重合体をポリスルホンに対して１０ｗｔ％添加し、高分子溶液を調製した。
【０１８５】
次いで、この高分子溶液を、相対湿度５０％の空気を連続的に吹き付けているシャーレ（φ９０ｍｍ）に塗布膜厚１５６０μｍでキャストし、クロロホルムを揮発させた。その結果、多数の貫通孔を有し、貫通孔がハニカム状に配列されるとともに貫通孔の内壁面が外側方向に湾曲されている、ポリスルホンよりなる多孔質膜が得られた。
【０１８６】
なお、得られた多孔質膜につき、その貫通孔の開口径および孔深さを、レーザー顕微鏡（超深度カラー３Ｄ形状測定顕微鏡、キーエンス社製「ＶＫ−９５００」）により測定した結果、それぞれ４．６μｍ、２．２μｍであった。
【０１８７】
次に、ジビニルベンゼン系架橋樹脂よりなる粒子の表面に、Ｎｉめっき層、Ａｕめっき層が順に被覆された、平均粒径４μｍの樹脂めっき粒子（積水化学（株）製、「ミクロパールＡＵ−２０４」）を、３ｗｔ％の濃度となるようにエタノール中に分散させて分散溶液を調製した。
【０１８８】
次いで、ガラス基板上に上記多孔質膜を吸着固定し、この多孔質膜表面と一定距離隔てて他のガラス基板を配置した。次いで、多孔質膜表面と他のガラス基板との隙間に上記分散溶液を注入し、表面張力により保持させた。
【０１８９】
次いで、この状態のまま、他のガラス基板を一定速度（１００μｍ／ｓｅｃ）でスライド移動させ、ガラス基板同士を引き離した。その結果、実質的に、各貫通孔に１つずつ樹脂めっき粒子が充填された。
【０１９０】
次に、貫通孔に樹脂めっき粒子が充填された多孔質膜を、ガラス基板上に載置したままの状態で、多孔質膜が２００℃の温度となるように調温されたホットプレート上に１０分間載置して加熱した。これにより、ポリスルホンを樹脂めっき粒子に融着させ、貫通孔に樹脂めっき粒子を固定した。
【０１９１】
以上により、接着性を有していない実施例１に係る異方性導電膜を得た。図１９に、膜面方向から観察した、実施例１に係る異方性導電膜のＳＥＭ写真を示す。
【０１９２】
引き続き、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン製、「エピコート１００１」）と、ＮＢＲ（日本ゼオン製、「ニポール１０７２Ｊ」）と、イミダゾール硬化剤（四国化成製、「キュアゾールＣ１１Ｚ」）とを、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂：ＮＢＲ：イミダゾール硬化剤＝４０：５０：５の重量割合で、その固形分が３０ｗｔ％となるようにＭＥＫ／ＴＨＦ＝５０／５０の混合溶媒に溶解し、この液を６０℃で１０分間乾燥させて接着層材料を作製した。
【０１９３】
次いで、この接着層材料を、実施例１に係る異方性導電膜の多孔質膜の両面にラミネートして接着層を形成した。以上により、接着性を有する実施例１Ｓに係る異方性導電膜を得た。
【０１９４】
（実施例２、実施例２Ｓ）
上記実施例１、実施例１Ｓにおいて、平均粒径４μｍの樹脂めっき粒子（積水化学（株）製、「ミクロパールＡＵ−２０４」）に代えて、平均粒径３μｍの樹脂めっき粒子（積水化学（株）製、「ミクロパールＡＵ−２０３」）を用いた点以外は同様にして、実施例２に係る異方性導電膜、実施例２Ｓに係る異方性導電膜を得た。
【０１９５】
（実施例３、実施例３Ｓ）
クロロホルムにポリブタジエンゴム（ＪＳＲ製、「ＲＢ８２０」、融点Ｔｍ＝９５℃）を０．５ｗｔ％の濃度で溶解した液に、両親媒性物質として、ドデシルアクリルアミドとカプロン酸との共重合体をポリブタジエンゴムに対して１０ｗｔ％添加し、高分子溶液を調製した。
【０１９６】
次いで、この高分子溶液を、相対湿度５０％の空気を連続的に吹き付けているシャーレ（φ９０ｍｍ）に塗布膜厚１５６０μｍでキャストし、クロロホルムを揮発させた。その結果、多数の非貫通孔を有し、非貫通孔がハニカム状に配列されるとともに非貫通孔の内壁面が外側方向に湾曲されている、ポリブタジエンゴムよりなる多孔質膜が得られた。
【０１９７】
なお、得られた多孔質膜につき、その非貫通孔の開口径および孔深さを、超深度カラー３Ｄ形状測定顕微鏡（キーエンス社製、「ＶＫ−９５００」）により測定した結果、それぞれ４．５μｍ、２．９μｍであった。なお、この多孔質膜の裏面は平滑であり、貫通孔は全く見られなかった。
【０１９８】
次に、ジビニルベンゼン系架橋樹脂よりなる粒子の表面に、Ｎｉめっき層、Ａｕめっき層が順に被覆された、平均粒径４μｍの樹脂めっき粒子（積水化学（株）製、「ミクロパールＡＵ−２０４」）を、３ｗｔ％の濃度となるようにエタノール中に分散させて分散溶液を調製した。
【０１９９】
次いで、ガラス基板上に上記多孔質膜を吸着固定し（非貫通孔の形成面側が上側）、この多孔質膜表面と一定距離隔てて他のガラス基板を配置した。次いで、多孔質膜表面と他のガラス基板との隙間に上記分散溶液を注入し、表面張力により保持させた。
【０２００】
次いで、この状態のまま、他のガラス基板を一定速度（１００μｍ／ｓｅｃ）でスライド移動させ、ガラス基板同士を引き離した。その結果、実質的に、各非貫通孔に１つずつ樹脂めっき粒子が充填された。
【０２０１】
次に、非貫通孔に樹脂めっき粒子が充填された多孔質膜を、ガラス基板上に載置したままの状態で、多孔質膜が１２０℃の温度となるように調温されたホットプレート上に１０分間載置して加熱した。これにより、ポリブタジエンゴムを樹脂めっき粒子に融着させ、非貫通孔に樹脂めっき粒子を固定した。
【０２０２】
次に、この多孔質膜に対して、非貫通孔の形成面側から２５４ｎｍのＵＶ光を５分間照射し（照射量３Ｊ／ｃｍ２）、膜表面側のポリブタジエンゴムを主に架橋させた。
【０２０３】
以上により、接着性を有していない実施例３に係る異方性導電膜を得た。図２０に、膜面方向から観察した、実施例３に係る異方性導電膜のＳＥＭ写真を示す。
【０２０４】
引き続き、上記実施例１Ｓにて作製した接着層材料を、実施例３に係る異方性導電膜の多孔質膜の両面にラミネートして接着層を形成した。以上により、接着性を有する実施例３Ｓに係る異方性導電膜を得た。
【０２０５】
（実施例４、実施例４Ｓ）
上記実施例３、実施例３Ｓにおいて、平均粒径４μｍの樹脂めっき粒子（積水化学（株）製、「ミクロパールＡＵ−２０４」）に代えて、平均粒径３μｍの樹脂めっき粒子（積水化学（株）製、「ミクロパールＡＵ−２０３」）を用いた点以外は同様にして、実施例４に係る異方性導電膜、実施例４Ｓに係る異方性導電膜を得た。
【０２０６】
（実施例５、実施例５Ｓ）
上記実施例３、実施例３Ｓにおいて、ポリブタジエンゴム（ＪＳＲ製、「ＲＢ８２０」、融点Ｔｍ＝１０５℃）に代えて、ポリブタジエンゴム（ＪＳＲ製、「ＲＢ８３０」）を用いた点以外は同様にして、実施例５に係る異方性導電膜、実施例５Ｓに係る異方性導電膜を得た。
【０２０７】
なお、この際得られた多孔質膜につき、その非貫通孔の開口径および孔深さを、上記超深度カラー３Ｄ形状測定顕微鏡により測定した結果、それぞれ３．９μｍ、１．４μｍであった。なお、この多孔質膜の裏面は平滑であり、貫通孔は全く見られなかった。
【０２０８】
（実施例６、実施例６Ｓ）
上記実施例３、実施例３Ｓにおいて、ポリブタジエンゴム（ＪＳＲ製、「ＲＢ８２０」）に代えて、ポリブタジエンゴム（ＪＳＲ製、「ＲＢ８３０」）を用いた点、平均粒径４μｍの樹脂めっき粒子（積水化学（株）製、「ミクロパールＡＵ−２０４」）に代えて、平均粒径３μｍの樹脂めっき粒子（積水化学（株）製、「ミクロパールＡＵ−２０３」）を用いた点以外は同様にして、実施例６に係る異方性導電膜、実施例６Ｓに係る異方性導電膜を得た。
【０２０９】
（比較例１、比較例１Ｓ）
平均粒径５０ｎｍのＡｇ粒子（日本ペイント製、「ファインスフィアＳＶＥ１０２」）を、３ｗｔ％の濃度となるようにエタノール中に分散させて分散溶液を調製した。
【０２１０】
次いで、実施例３にて作製した多孔質膜（非貫通孔の開口径４．５μｍ、孔深さ２．９μｍ）に対して、非貫通孔の形成面側から２５４ｎｍのＵＶ光を５分間照射し（照射量３Ｊ／ｃｍ２）、膜表面側のポリブタジエンゴムを主に架橋させた。
【０２１１】
次いで、上記分散溶液中に上記多孔質膜を浸漬し、５μｍ／ｓｅｃの速度で引き上げ、乾燥させた。
【０２１２】
これにより、上記多孔質膜の各非貫通孔内に、多数の細かなＡｇ粒子が、孔部深さ方向に積み重なった状態で充填されている、接着性を有していない比較例１に係る異方性導電膜を得た。
【０２１３】
引き続き、上記実施例１Ｓにて作製した接着層材料を、比較例１に係る異方性導電膜の多孔質膜の両面にラミネートして接着層を形成した。これにより、接着性を有する比較例１Ｓに係る異方性導電膜を得た。
【０２１４】
２．異方導電性の評価
次に、上記作製した実施例１Ｓ〜６Ｓおよび比較例１Ｓに係る異方性導電膜につき、膜厚方向の導通性能および膜面方向の絶縁性能を評価することにより異方導電性の評価を行った。
【０２１５】
（１）膜厚方向の導通性能の評価
膜厚方向の導通性能の評価は、以下のように行った。すなわち、図２１に示すように、厚み０．７ｍｍのガラス基板Ｇの表面にＩＴＯパターンＰ（パターンピッチ３０μｍ、パターン幅２０μｍ）を形成した回路基板上に、各異方導電性膜４０Ｓ（４４Ｓ）を載置し、仮圧着した。
【０２１６】
次いで、仮圧着された各異方性導電膜４０Ｓ（４４Ｓ）上に、ＡｕバンプＢを有するＩＣチップＣ（バンプピッチ３０μｍ、バンプ幅２０μｍ）を、ＩＴＯパターンＰとＡｕバンプＢとが相対峙するようにそれぞれ載置した。
【０２１７】
次いで、この状態のまま、１７０℃で２０秒間、ＡｕバンプＢの面積に対し８０ＭＰａの圧力を加えて本圧着することにより、試料Ａ１〜試料Ａ６、試料Ａ比１を作製した。なお、試料Ａ１〜試料Ａ６は、それぞれ実施例１Ｓ〜実施例６Ｓに係る異方性導電膜を用いており、試料Ａ比１は、比較例１Ｓに係る異方性導電膜を用いている。
【０２１８】
次いで、得られた各試料につき、相対峙するＩＴＯパターンＰ−ＡｕバンプＢ間の電気抵抗を、抵抗率計Ｔ１（ダイアインスツルメンツ製、「ロレスタＧＰ」）を用い、４端子４探針法により測定した。なお、各試料数は、それぞれＮ＝５［個］であり、算術平均による平均値を算出し、これを膜厚方向の電気抵抗とした。
【０２１９】
（２）膜面方向の絶縁性能の評価
膜面方向の絶縁性能の評価は、以下のように行った。すなわち、上記図２１に示すように、上記で得られた各試料につき、隣接するＩＴＯパターンＰ間の電気抵抗を、テスターＴ２（ＡＮＤ社製、「ＡＤ５５２２」）を用いて測定した。なお、各試料数は、それぞれＮ＝５［個］であり、算術平均による平均値を算出し、これを膜面方向の電気抵抗とした。
【０２２０】
３．結果
表１に、実施例および比較例に係る異方性導電膜の構成、評価結果をまとめて示す。
【０２２１】
【表１】
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【０２２２】
表１から次のことが分かる。すなわち、実施例１Ｓ〜６Ｓに係る異方性導電膜は、膜厚方向の電気抵抗が５Ω以下であり、比較例１Ｓに係る異方性導電膜と比較して、膜厚方向の導通性に優れることが確認できた。また、実施例１Ｓ〜６Ｓに係る異方性導電膜は、膜面方向の電気抵抗が１０８Ω以上であり、比較例１Ｓに係る異方性導電膜と比較して、膜面方向の絶縁性に優れることが確認できた。
【０２２３】
以上、本発明の一実施形態、一実施例について説明したが、本発明は上記実施形態、実施例に何ら限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々の改変が可能である。
【図面の簡単な説明】
【０２２４】
【図１】孔部の内壁面が外側方向に湾曲している孔部形状を有する貫通孔（ａ）および非貫通孔（ｂ）の断面の一例を、拡大して模式的に示した図である。
【図２】円柱形状または多角柱形状の孔部形状を有する貫通孔（ａ）および非貫通孔（ｂ）の断面の一例を、拡大して模式的に示した図である。
【図３】（３）の膜形成方法により形成された、孔部がハニカム状に配列されている多孔質膜の表面の一例を模式的に示した平面図である。
【図４】（３）の膜形成方法により形成された、貫通孔を有する多孔質膜の断面の一例を模式的に示した図である。
【図５】（３）の膜形成方法により形成された、非貫通孔を有する多孔質膜の断面の一例を模式的に示した図である。
【図６】形成した多孔質膜の多数の孔部のうち、ある一つの孔部に着目し、その孔部に導電性粒子が充填されている状態を上から見た図であり、（ａ）、（ｂ）は、孔部深さ方向に導電性粒子が積み重なっていない状態の一例を、（ｃ）は、孔部深さ方向に導電性粒子が積み重なっている状態の一例を拡大して模式的に示した図である。
【図７】導電性粒子の粒径Ｄ＜孔部の開口径Ｒのとき、導電性粒子の粒径Ｄと孔部深さＣとの好適な関係を説明するための図である。
【図８】導電性粒子の粒径Ｄ≧孔部の開口径Ｒのとき、導電性粒子の粒径Ｄ、孔部の開口径Ｒ、孔部深さＣとの好適な関係を説明するための図である。
【図９】絶縁性粒子の表面に導電性層が１層被覆されている導電性粒子の断面を模式的に示した図である。
【図１０】多孔質膜の孔部に選択的に導電性粒子を充填する（３）の充填方法を説明するための図である。
【図１１】固定工程を経た後における、導電性粒子と孔部との関係の一例を模試的に示したものであり、（ａ）は貫通孔の場合、（ｂ）は非貫通孔の場合である。
【図１２】固定工程を経た後における、導電性粒子と孔部との関係の他の一例を模試的に示したものであり、（ａ）は貫通孔の場合、（ｂ）は非貫通孔の場合である。
【図１３】異方性導電膜の一例を模式的に示した図であり、（ａ）は多孔質膜が貫通孔を有する場合、（ｂ）は多孔質膜が非貫通孔を有する場合である。
【図１４】非貫通孔の形成面側の高分子が主に架橋されている多孔質膜（部分架橋膜）を有する異方性導電膜の一例を模式的に示した図である。
【図１５】図１３（ａ）の異方性導電膜の両面に接着性を付与してなる異方性導電膜の一例を模式的に示した図である。
【図１６】図１４の異方性導電膜の両面に接着性を付与してなる異方性導電膜の一例を模式的に示した図である。
【図１７】図１５の異方性導電膜の一使用例を示した図である。
【図１８】図１６の異方性導電膜の一使用例を示した図である。
【図１９】実施例１に係る異方性導電膜のＳＥＭ写真である。
【図２０】実施例３に係る異方性導電膜のＳＥＭ写真である。
【図２１】実施例における異方導電性の評価方法について説明するための図である。
【図２２】細かな導電性粒子が積み重なって孔部内に充填されている従来の異方性導電膜の断面を模式的に示した図である。
【符号の説明】
【０２２５】
１０    多孔質膜
１２    孔部
１２ａ  貫通孔
１２ｂ  非貫通孔
１４    内壁面
１６    隔壁
１８    くびれ部
２０    導電性粒子
２２    隙間
２４    絶縁性粒子
２６    導電性層
２８    第２基板
３０    第１基板
３２    隙間
３４    分散溶液
３６    隙間
４０    本ＡＣＦ
４０Ｓ  本ＡＣＦ
４２    本ＡＣＦ
４４    本ＡＣＦ
４４Ｓ  本ＡＣＦ
４６    架橋
４８    非架橋高分子層
５０    接着層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図２１】
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【図２２】
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【図１９】
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【図２０】
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