(57)【要約】【課題】  プリズムの接着面から信号検出用フォトダイオードの受光面までの距離を一定の値以上とすることを確実に実現することを課題とする。【解決手段】基体３上にプリズム４と該プリズムに対向配置された発光素子６と前記プリズムの下側で前記基体上に形成された信号検出用受光素子ＰＤ１、ＰＤ２とを備えた複合光学素子１において、前記プリズムの底面を紫外線硬化型樹脂ｍによって基体上に接着し、前記プリズムの底面に２酸化珪素の層７を追加するすることによって前記プリズムの底面と前記信号検出用受光素子の受光面との間の間隔Ｃを８μｍ以上とした。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体上にプリズムと該プリズムに対向配置された発光素子と前記プリズムの下側で前記基体上に形成された信号検出用受光素子とを備えた複合光学素子において、
前記プリズムの底面を紫外線硬化型樹脂によって基体上に接着し、
前記紫外線硬化型樹脂を除く層を追加又は増厚することによって前記プリズムの底面と前記信号検出用受光素子の受光面との間の間隔を８μｍ（ミクロン）以上とした
ことを特徴とする複合光学素子。
【請求項２】
前記プリズムの底面と紫外線硬化型樹脂との間に２酸化珪素の層を追加した
ことを特徴とする請求項１に記載の複合光学素子。
【請求項３】
前記プリズムの底面と紫外線硬化型樹脂との間にガラス層を追加した
ことを特徴とする請求項１に記載の複合光学素子。
【請求項４】
前記受光素子の受光面に形成されている２酸化珪素の層を増厚した
ことを特徴とする請求項１に記載の複合光学素子。
【請求項５】
基体上にプリズムと該プリズムに対向配置された発光素子と前記プリズムの下側で前記基体上に形成された信号検出用受光素子とを備えた複合光学素子と、
照射された光を変調させて反射する信号記録要素が形成された記録媒体へ前記発光素子から出射された光を導く光学要素とを備え、
前記光学要素によって前記発光素子の光を１点上を順次走行する信号記録要素に照射し且つ前記信号記録要素で反射されることによって変調された戻り光が前記プリズムに入射し、さらに、前記信号検出用受光素子によって受光される光学式信号読取装置であって、
前記複合光学素子において、前記プリズムの底面を紫外線硬化型樹脂によって基体上に接着し、
前記紫外線硬化型樹脂を除く層を追加又は増厚することによって前記プリズムの底面と前記信号検出用受光素子の受光面との間の間隔を８μｍ（ミクロン）以上とした
ことを特徴とする光学式信号読取装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は新規な複合光学素子及び光学式信号読取装置に関する。詳しくは、プリズムと信号検出用受光素子との間の層による多重干渉を抑制する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、複合光学素子として、例えば、コンパクトディスク（Ｃｏｍｐａｃｔ Ｄｉｓｃ＝ＣＤ）プレーヤ等の光学式信号読取装置の発光部と信号検出部とを一体化したレーザカプラが知られている。
【０００３】
前記レーザカプラは、図６に示すような構造をしている。すなわち、レーザカプラａは、基体であるフォトダイオードＩＣｂの上にマイクロプリズムｃとフォトダイオードｄ上に半導体レーザｅを載せたいわゆるＬＯＰ（Ｌａｓｅｒ  Ｏｎ  Ｐｈｏｔｏｄｉｏｄｅ）チップｆとが互いに隣接してマウントされている。なお、フォトダイオードＩＣｂ上には信号検出用フォトダイオードｇ１、ｇ２が前後（マイクロプリズムｃとＬＯＰチップｆの配列方向）に並んで形成され、これら２つのフォトダイオードｇ１、ｇ２の上に前記マイクロプリズムｃがマウントされている。さらに、前記フォトダイオードＩＣ上には、前記フォトダイオードｇ１、ｇ２の出力電流信号の電流−電圧（Ｉ−Ｖ）変換アンプや演算処理部等がＩＣ化されて形成されている。
【０００４】
図７は図６に示したレーザカプラａの要部の拡大断面図である。
【０００５】
マイクロプリズムｃの接着面、すなわち、フォトダイオードＩＣｂに接着される底面ｃ１には多層膜、例えば、ハーフミラー膜ｉが形成され、また、信号検出用フォトダイーオードｇの受光面には先ず窒化珪素（ＳｉＮ）の膜ｋが形成され、該窒化珪素膜ｋの上に保護層として２酸化珪素（ＳｉＯ２）の層ｌが形成されている。
【０００６】
そして、マイクロプリズムｃは紫外線硬化型樹脂ｍによってフォトダイオードＩＣｂにマウントされる。すなわち、マイクロプリズムｃの底面に形成された多層膜ｉとフォトダイオードＩＣｂの上面に形成された２酸化珪素の層ｌとの間が紫外線硬化型樹脂ｍによって接着される。
【０００７】
上記したレーザカプラａにおいては、前記半導体レーザｅの前面から出射されたＳ偏光のレーザ光Ｌ１がマイクロプリズムｃの斜面ｃ２で反射されて垂直方向に立ち上がり、図示しない１／４波長板及び図示しない対物レンズを介して１点上を順次走行する信号記録要素、例えば、ＣＤ等の光ディスクのトラック状に形成されたピットに照射され、信号記録要素で反射されＰ偏光とされた戻り光Ｌ２が同じ光路を逆にたどってマイクロプリズムｃの斜面ｃ２からマイクロプリズムｃ内に入射し、そして、フォトダイオードｇ１上に形成された多層膜（ハーフミラー）ｉを半分の光が透過してフォトダイオードｇ１で受光され、且つ、フォトダイオードｇ１上の多層膜（ハーフミラー）ｉで反射された半分の光がさらに上面の全反射面で反射されてフォトダイオードｇ２で受光され、これによって、信号記録要素で記録された信号が読み出される。
【０００８】
そして、前記した信号の読み出し或いは光ディスク等への記録媒体に対する信号の書き込みにはそれぞれ所定のレーザ出力が必要である。そこで、半導体レーザｅの後端面からの光出力をフォトダイオードｄでモニターし、それによって、前端面からの光出力Ｌが所望の値となるように制御する目安としている。
【０００９】
ところで、信号検出用フォトダイーオードｇに受光される光は、マイクロプリズムｃから各層ｉ、ｍ、ｌ、ｋを透過した光と紫外線硬化型樹脂ｍ及び２酸化珪素ｌからなる層（両層とも屈折率が約１．５と近似しており屈折及び反射に関し一つの層と見なすことができ、この２つの層を合わせた部分を便宜上「接着層」という）の中で多重反射された後の光とが重ね合わされたものとなる。そして、前記接着層とフォトダイオードｇとの界面でｎ回反射してからフォトダイオードｇに入射する光は、前記界面で反射せずに直接フォトダイオードｇに入射する光に対してδ＝４πｎｔ／λｃｏｓθだけ位相が遅れる。ここで、ｔは前記接着層の厚さ、λはレーザ光Ｌの波長、θはフォトダイオードｇへの入射角である。この位相差δの大きさによってフォトダイオードｇに入射するレーザ光は強められたり弱められたりする。すなわち光の干渉が起こる。このような光の干渉が起こると、フォトダイオードｇの入射光量が安定せず、正確な信号検出ができない。
【００１０】
前記した接着層における多重反射による光の干渉はプリズムの接着面からフォトダイオードｇの受光面までの距離を一定に制御することで抑制可能であることが分かっている。
【００１１】
そこで、特許文献１では、前記紫外線硬化型樹脂ｍの層厚を一定の範囲とすることによって多重干渉現象を抑制する技術が開示されている。
【００１２】
【特許文献１】特開２００４−１３４００５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
前記特許文献１では、多重干渉現象を抑制するために、マイクロプリズムｃをフォトダイオードＩＣｂに接着する紫外線硬化型樹脂ｍの層厚を制御することが開示されているが、紫外線硬化型樹脂ｍは紫外線照射前は流動性を有するので、厚み制御は極めて困難である。例えば、紫外線硬化型樹脂の供給量が一定であっても、マイクロプリズムｃを押しつける圧力の変化によって、厚くも薄くもなる。また、押しつけ圧を一定にしようとしても、紫外線硬化型樹脂の粘度が変化すれば層厚が変化する。そして、紫外線硬化型樹脂の粘度の制御は極めて難しく、且つ、粘度の経時変化もあり、紫外線硬化型樹脂の層厚の制御は非常に困難である。
【００１４】
本発明は、前記した事情に鑑みて為されたものである。発明者の検討では、前記接着層の厚さが７μｍ以下だと多重干渉現象が発生しやすく、８μｍ以上では多重干渉現象を抑制することができることが分かっている。そこで、本発明は、プリズムの接着面から信号検出用フォトダイオードの受光面までの距離を一定の値以上とすることを確実に実現することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明の一実施形態による複合光学素子は、基体上にプリズムと該プリズムに対向配置された発光素子と前記プリズムの下側で前記基体上に形成された信号検出用受光素子とを備えた複合光学素子において、前記プリズムの底面を紫外線硬化型樹脂によって基体上に接着し、前記紫外線硬化型樹脂を除く層を追加又は増厚することによって前記プリズムの底面と前記信号検出用受光素子の受光面との間の間隔を８μｍ（ミクロン）以上としたものである。
【００１６】
また、本発明の一実施形態による光学式信号読取装置は、基体上にプリズムと該プリズムに対向配置された発光素子と前記プリズムの下側で前記基体上に形成された信号検出用受光素子とを備えた複合光学素子と、照射された光を変調させて反射する信号記録要素が形成された記録媒体へ前記発光素子から出射された光を導く光学要素とを備え、前記光学要素によって前記発光素子の光を１点上を順次走行する信号記録要素に照射し且つ前記信号記録要素で反射されることによって変調された戻り光が前記プリズムに入射し、さらに、前記信号検出用受光素子によって受光される光学式信号読取装置であって、前記複合光学素子において、前記プリズムの底面を紫外線硬化型樹脂によって基体上に接着し、前記紫外線硬化型樹脂を除く層を追加又は増厚することによって前記プリズムの底面と前記信号検出用受光素子の受光面との間の間隔を８μｍ以上としたものである。
【発明の効果】
【００１７】
本発明にあっては、プリズムの接着面から信号検出用フォトダイオードの受光面までの距離を確実に８μｍ以上とすることができ、これによって多重干渉現象を抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下に、本発明複合光学素子及び光学式信号読取装置を実施するための最良の形態について図面を参照して説明する。
【００１９】
本発明複合光学素子は、基体上にプリズムと該プリズムに対向配置された発光素子と前記プリズムの下側で前記基体上に形成された信号検出用受光素子とを備えた複合光学素子において、前記プリズムの底面を紫外線硬化型樹脂によって基体上に接着し、前記紫外線硬化型樹脂を除く層を追加又は増厚することによって前記プリズムの底面と前記信号検出用受光素子の受光面との間の間隔を８μｍ以上としたものである。
【００２０】
従って、本発明複合光学素子にあっては、プリズムの接着面と信号検出用受光素子との間で生じる多重干渉現象を抑制することができ、信号検出用受光素子の安定した出力を得ることができる。
【００２１】
本発明複合光学素子は、以下の（１）〜（３）の実施態様によって実施することができる。
【００２２】
（１）前記プリズムの底面と紫外線硬化型樹脂との間に２酸化珪素の層を追加することによってプリズムの底面と前記信号検出用受光素子の受光面との間の間隔を８μｍ以上とする。２酸化珪素の層は形成及び層厚の制御が比較的容易であり、所望の層厚を確保することができる。また、２酸化珪素の層は紫外線硬化型樹脂との間の接着力を強化する効果がある。
【００２３】
（２）前記プリズムの底面と紫外線硬化型樹脂との間にガラス層を追加することによってプリズムの底面と前記信号検出用受光素子の受光面との間の間隔を８μｍ以上とする。ガラス層の追加は、２酸化珪素の層を形成するのに比較して、短時間で行うことができ、かつ、コストを低減することができる。
【００２４】
（３）前記受光素子の受光面に形成されている２酸化珪素の層を増厚することによってプリズムの底面と前記信号検出用受光素子の受光面との間の間隔を８μｍ以上とする。フォトダイオードＩＣへのマウント前にプリズム底面に付加される層を少なくすることによってプリズムの歪みを小さくすることができる。
【００２５】
なお、前記した実施態様（１）〜（３）は、本発明複合光学素子の実施態様の代表的な例であって、これ以外の実施態様によって実施することを妨げるものではない。
【００２６】
次に、本発明複合光学素子をより具体的に説明する。なお、以下に示す実施の形態は、本発明複合光学素子をレーザカプラに適用したものである。
【００２７】
先ず、図１にレーザカプラの概要を示す。
【００２８】
レーザカプラ１は、例えば、セラミックス製のフラットパッケージ２内に収容され、フラットパッケージ２の開放された上面が図示しない透明なウインドウキャップにより封止される。
【００２９】
次に、レーザカプラの詳細について説明する。
【００３０】
図２はレーザカプラの断面図である。
【００３１】
レーザカプラ１において、基体であるフォトダイオードＩＣ３の上にマイクロプリズム４がマウントされ、フォトダイオードＩＣ３上のマイクロプリズム４に対向した位置にフォトダイオード５がマウントされ、該フォトダイオード５の上に発光素子として半導体レーザ６がマウントされている。
【００３２】
前記マイクロプリズム４は、前記半導体レーザ６に対向した位置に半導体レーザ６のレーザ光の射出方向に対してほぼ４５°に傾斜した斜面４ａが形成され、該斜面４ａには図示しないハーフミラー膜が形成されている。また、マイクロプリズム４の上面４ｂには図示しない全反射膜が形成され、前記斜面４ａとは反対側に位置した後面４ｃには光吸収膜が形成されている。
【００３３】
前記フォトダイオードＩＣ３の上面のうち前記マイクロプリズム４の下面に対向した位置には信号検出用受光素子として２つの信号検出用フォトダイオードＰＤ１、ＰＤ２が半導体レーザ６のレーザ光の射出方向に並んで形成されている。
【００３４】
前記２つの信号検出用フォトダイオードＰＤ１、ＰＤ２によって記録媒体に記録された信号の検出及びトラッキングエラー信号の検出が行われる。また、前記半導体レーザ６のリア側から射出されるレーザ光がフォトダイオード５によって受光され、半導体レーザ６の出力パワーのモニタリングが行われる。さらに、前記フォトダイオードＩＣ３には、前記フォトダイオード５、ＰＤ１、ＰＤ２の出力電流信号の電流−電圧（Ｉ−Ｖ）変換アンプや演算処理部等がＩＣ化されて形成されている。
【００３５】
図３はレーザカプラ１の要部、詳しくは、プリズム４と信号検出用フォトダイオードＰＤ１、ＰＤ２の受光面との間の層構成を模式的に示す拡大断面図である。
【００３６】
このレーザカプラ１において、信号検出用フォトダイーオードＰＤ１、ＰＤ２の受光面に形成された窒化珪素膜ｋ、該窒化珪素膜ｋの上に形成された２酸化珪素層ｌ及びマイクロプリズム４をフォトダイオードＩＣ３に接着するための紫外線硬化型樹脂ｍは従来と同様である。このレーザカプラ１においては、マイクロプリズム４の底面に形成された多層膜ｉの下面に２酸化珪素の層７が形成されている。プリズム４と信号検出用フォトダイオードＰＤ１、ＰＤ２との間において、２酸化珪素層７、紫外線硬化型樹脂ｍ及び２酸化珪素層ｌの３層は、それぞれ屈折率が約１．５と近似しており屈折及び反射に関し一つの層と見なすことができる。そのため、従来と同様の方法によりマイクロプリズム４をフォトダイオードＩＣ３にマウント（接着）すると、マイクロプリズム４の底面の２酸化珪素の層７の層が１層増えている分、マイクロプリズム４の底面の多層膜ｉと信号検出用フォトダイーオードＰＤ１、ＰＤ２の受光面上の窒化珪素の膜ｋとの間の間隔Ｃが増大することになる。例えば、従来のレーザカプラにおける２酸化珪素の層ｌの層厚が約１μｍ、紫外線硬化型樹脂ｍの厚みが約５〜１５μｍとした場合、マイクロプリズム４の底面の２酸化珪素の層７の厚みを３μｍ以上とすれば、マイクロプリズム４の底面の多層膜ｉと信号検出用フォトダイーオードＰＤ１、ＰＤ２の受光面上の窒化珪素の膜ｋとの間の間隔Ｃが９μｍ以上となり、多重干渉現象を抑制することができる。
【００３７】
そして、２酸化珪素の層７は形成及び層厚の制御が比較的容易であり、所望の層厚を確保することができる。また、２酸化珪素の層は紫外線硬化型樹脂ｍとの間の接着力を強化する効果がある。
【００３８】
図４は第２の実施の形態に係るレーザカプラ１１の要部、詳しくは、プリズム１４と信号検出用フォトダイオードＰＤ１、ＰＤ２の受光面との間の層構成を模式的に示す拡大断面図である。
【００３９】
この第２の実施の形態に係るレーザカプラ１１は、マイクロプリズム１４の底面の多層膜ｉのさらに下面に形成する層が２酸化珪素の層に替えてガラス板である点で第１の実施の形態に係るレーザカプラ１と異なる。すなわち、このレーザカプラ１１にあっては、多層膜ｉの下面にガラス板、例えば、屈折率が紫外線硬化型樹脂ｍに近似している（約１．５）白板ガラスの層８を紫外線硬化型樹脂９によって接着したものである。
【００４０】
このレーザカプラ１１において、マイクロプリズム１４と信号検出用フォトダイオードＰＤ１、ＰＤ２との間で、紫外線硬化型樹脂の層９、白板ガラスの層８紫外線硬化型樹脂ｍ及び２酸化珪素層ｌの４層は、それぞれ屈折率が約１．５と近似しており屈折及び反射に関し一つの層と見なすことができる。そのため、従来と同様の方法によりマイクロプリズム１４をフォトダイオードＩＣにマウント（接着）すると、マイクロプリズム１４の底面の紫外線硬化型樹脂の層９、白板ガラスの層８が２層増えている分、マイクロプリズム１４の底面の多層膜ｉと信号検出用フォトダイーオードＰＤ１、ＰＤ２の受光面上の窒化珪素の膜ｋとの間の間隔１Ｃが増大することになる。例えば、従来のレーザカプラにおける２酸化珪素の層ｌの層厚が約１μｍ、紫外線硬化型樹脂ｍの厚みが約５〜１５μｍとした場合、紫外線硬化型樹脂の層９及び白板ガラスの層８を合わせた厚みを３μｍ以上とすれば、マイクロプリズム１４の底面の多層膜ｉと信号検出用フォトダイーオードＰＤ１、ＰＤ２の受光面上の窒化珪素の膜ｋとの間の間隔１Ｃが９μｍ以上となり、多重干渉現象を抑制することができる。
【００４１】
また、マイクロプリズム１４の底面にガラス板の層を形成するのは、２酸化珪素の層を形成するのに比較して、短時間で形成することができ、かつ、コストを低減することができる。
【００４２】
図５は第３の実施の形態に係るレーザカプラ２１の要部、詳しくは、プリズム２４と信号検出用フォトダイオードＰＤ１、ＰＤ２の受光面との間の層構成を模式的に示す拡大断面図である。
【００４３】
この第３の実施の形態に係るレーザカプラ２１は、信号検出用フォトダイーオードＰＤ１、ＰＤ２の受光面に形成される２酸化珪素の層の層厚を増厚した点で前記差第１及び第２の実施の形態に係るレーザカプラ１及び１１と異なる。すなわち、従来、信号検出用フォトダイオードＰＤ１、ＰＤ２の受光面に形成された窒化珪素ｋのさらに上に形成された２酸化珪素ｌの層厚が約１μｍであったのを４μｍ以上の厚さの２酸化珪素の層１０に替えたものである。
【００４４】
従って、このレーザカプラ２１にあっては、信号検出用フォトダイーオードＰＤ１、ＰＤ２の受光面上の２酸化珪素の層の厚みが増大している分、マイクロプリズム２４の底面の多層膜ｉと信号検出用フォトダイーオードＰＤ１、ＰＤ２の受光面上の窒化珪素の膜ｋとの間の間隔２Ｃが増大することになる。例えば、従来のレーザカプラにおけると同様に、紫外線硬化型樹脂ｍの厚みが約５〜１５μｍとした場合、マイクロプリズム２４の底面の多層膜ｉと信号検出用フォトダイーオードＰＤ１、ＰＤ２の受光面上の窒化珪素の膜ｋとの間の間隔２Ｃが９μｍ以上となり、多重干渉現象を抑制することができる。
【００４５】
また、フォトダイオードＩＣへのマウント前にマイクロプリズム２４の底面に付加される層を少なくすることによってマイクロプリズム２４の歪みを小さくすることができる。
【００４６】
なお、本発明をレーザカプラに適用した実施の形態について説明したが、本発明複合光学素子の適用がレーザカプラにのみ限られることを意味するものではない。基体上にプリズムと該プリズムに対向配置された発光素子と前記プリズムの下側で前記基体上に形成された信号検出用受光素子とを備えた複合光学素子であれば、レーザカプラ以外のもであっても、適用可能である。
【００４７】
次に、本発明光学式信号読取装置について説明する。
【００４８】
本発明光学式信号読取装置は、基体上にプリズムと該プリズムに対向配置された発光素子と前記プリズムの下側で前記基体上に形成された信号検出用受光素子とを備えた複合光学素子と、照射された光を変調させて反射する信号記録要素が形成された記録媒体へ前記発光素子から出射された光を導く光学要素とを備え、前記光学要素によって前記発光素子の光を１点上を順次走行する信号記録要素に照射し且つ前記信号記録要素で反射されることによって変調された戻り光が前記プリズムに入射し、さらに、前記信号検出用受光素子によって受光される光学式信号読取装置であって、前記複合光学素子において、前記プリズムの底面を紫外線硬化型樹脂によって基体上に接着し、前記紫外線硬化型樹脂を除く層を追加又は増厚することによって前記プリズムの底面と前記信号検出用受光素子の受光面との間の間隔を８μｍ以上としたものである。
【００４９】
従って、本発明光学式信号読取装置にあっては、プリズムの接着面と信号検出用受光素子との間で生じる多重干渉現象を抑制することができ、信号検出用受光素子の安定した出力を得ることができる。
【００５０】
次に、本発明光学式信号読取装置をコンパクトディスクプレーヤに適用した実施の形態の動作について図２を参照して説明する。
【００５１】
半導体レーザ６から射出したＳ偏光のレーザ光Ｌ１はマイクロプリズム４の斜面４ａで反射されて垂直方向に立ち上がり、１／４波長板ＱＰ及び対物レンズＯＬを介してコンパクトディスクＣＤの信号記録面ＣＤａに照射され、該記録面ＣＤａに形成されている信号記録要素で反射され対物レンズＯＬを経て１／４波長板ＱＰでＰ偏光とされた戻り光Ｌ２がマイクロプリズム４の斜面４ａからマイクロプリズム４内に入り、先ず、５０％が信号検出用フォトダイーオードＰＤ１で受光され、残り５０％がフォトダイオードＰＤ１上のハーフミラーｉで反射され、さらに、上面４ｂの全反射面で反射されて信号検出用フォトダイオードＰＤ２で受光される。
【００５２】
なお、図２ではレーザカプラ１からコンパクトディスクＣＤの信号記録面ＣＤａへと、また、前記信号記録面ＣＤａからレーザカプラ１へとレーザ光を導く光学要素として１／４波長板ＱＰと対物レンズＯＬのみを示したが、実際のＣＤプレーヤ等の光学式信号読取装置にあっては、立上ミラー等のミラー等、１／４波長板ＱＰや対物レンズＯＬ以外の光学要素を備えている。また、本明細書では、光学式信号読取装置の用語には記録媒体に記録された信号の読取、いわゆる再生のみを行うものの他、記録媒体への信号の記録をも行う、いわゆる、光学式信号記録再生装置をも含む意味で用いている。
【００５３】
さらに、記録媒体は、ＣＤ（Ｃｏｍｐａｃｔ  Ｄｉｓｃ）に限らず、ＤＶＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ  Ｄｉｓｃ）等の光ディスク、その他の形態の光学式記録媒体を含むものである。さらにまた、記録媒体に記録された信号記録要素の走行は相対的なものであって、例えば、レーザ光の照射位置が固定（トラッキングやフォーカシング時の微動は固定と考える）であって信号記録要素が移動する場合の他、信号記録要素が固定であってレーザ光の照射位置が、例えば、ガルバノミラー装置等によって信号記録要素の配列方向に移動するものであっても、何れも「１点上を順次走行する信号記録要素」の定義に含まれるものである。
【００５４】
なお、前記した各実施の形態に示した各部の形状及び構造は何れも本発明を実施するための具体化のほんの一例を示したものにすぎず、これらによって本発明の技術的範囲が限定的に解釈されることがあってはならないものである。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】図２と共に本発明複合光学素子の概要を示すものであり、本図はフラットパッケージにパッケージされた状態を示す斜視図である。
【図２】レーザカプラの拡大断面図である。
【図３】第１の実施の形態を示す要部の拡大断面図である。
【図４】第２の実施の形態を示す要部の拡大断面図である。
【図５】第３の実施の形態を示す要部の拡大断面図である。
【図６】図７と共に従来の複合光学素子の一例を示すものであり、本図は拡大断面図である。
【図７】要部の拡大断面図である。
【符号の説明】
【００５６】
１…レーザカプラ（複合光学素子）、３…フォトダイオードＩＣ（基体）、４…マイクロプリズム（プリズム）、６…半導体レーザ（発光素子）、７…２酸化珪素の層、Ｃ…プリズムの底面と信号検出用受光素子の受光面との間の間隔、ｍ…紫外線硬化型樹脂、ＰＤ１…信号検出用フォトダイーオード（信号検出用受光素子）、ＰＤ２…信号検出用フォトダイーオード（信号検出用受光素子）、１１…レーザカプラ（複合光学素子）、１４…マイクロプリズム（プリズム）、８…白板ガラス（ガラス層）、１Ｃ…プリズムの底面と信号検出用受光素子の受光面との間の間隔、２１…レーザカプラ（複合光学素子）、２４…マイクロプリズム（プリズム）、１０…２酸化珪素の層、２Ｃ…プリズムの底面と信号検出用受光素子の受光面との間の間隔、ＣＤＤＶ…ＣＤプレーヤ（光学式信号読取装置）、ＱＰ…１／４波長板（光学要素）、ＯＬ…対物レンズ（光学要素）、ＣＤ…コンパクトディスク（記録媒体）
【図１】
2008027545.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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