(57)【要約】【課題】反りの発生および開口部から導体パターンとカバー絶縁層との間への材料の染み込みが防止されるとともに良好な屈曲特性を有する配線回路基板およびその製造方法を提供する。【解決手段】ベース絶縁層１上に導体パターン２ａを形成する。導体パターン２ａの表面に凹凸６を形成する。導体パターン２ａ上に錫めっき層３を形成する。錫めっき層３上に開口部５ａを有するカバー絶縁層４を錫めっき層３を覆うようにベース絶縁層１上に形成する。カバー絶縁層４の２５℃における弾性率は１ＧＰａ以下である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベース絶縁層と、
前記ベース絶縁層上に形成されるとともに表面に凹凸が形成される導体パターンと、
前記導体パターン上に形成される金属めっき層と、
前記金属めっき層上に開口部を有し、前記金属めっき層を覆うように前記ベース絶縁層上に形成されるカバー絶縁層とを備え、
前記カバー絶縁層の２５℃における弾性率が１ＧＰａ以下であることを特徴とする配線回路基板。
【請求項２】
前記凹凸の底部から頂部までの高さは０．２μｍ以上１．０μｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の配線回路基板。
【請求項３】
前記金属めっき層は、無電解錫めっき層を含むことを特徴とする請求項１または２記載の配線回路基板。
【請求項４】
前記金属めっき層の厚みは０．０５μｍ以上１．０μｍ以下であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の配線回路基板。
【請求項５】
ベース絶縁層上に導体パターンを形成する工程と、
前記導体パターンの表面に凹凸を形成する工程と、
前記導体パターン上に金属めっき層を形成する工程と、
前記金属めっき層を覆うように前記金属めっき層上に開口部を有するカバー絶縁層を前記ベース絶縁層上に形成する工程とを備え、
前記カバー絶縁層の２５℃における弾性率が１ＧＰａ以下であることを特徴とする配線回路基板の製造方法。
【請求項６】
前記凹凸を形成する工程は、前記導体パターンが形成された前記ベース絶縁層を硫酸と過酸化水素との混合液、アルカリ−亜塩素酸系の処理液、または有機酸系の処理液に浸漬する工程を含むことを特徴とする請求項５記載の配線回路基板の製造方法。
【請求項７】
前記導体パターン上に金属めっき層を形成する工程は、前記導体パターン上に前記金属めっき層として無電解錫めっき層を形成する工程を含むことを特徴とする請求項５または６記載の配線回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線回路基板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の小型化および薄型化に伴い、その電子機器に搭載される配線回路基板の配置スペースも小さくなり、配線回路基板には非常に高い屈曲特性が要求されている。配線回路基板の屈曲特性を向上させるためには、配線回路基板の構成材料の厚みを薄くする方法がある。しかしながら、配線回路基板の総厚みを薄くすると、配線回路基板に反り（カール）が発生する。
【０００３】
そこで、反りの発生を防止するために、カバー絶縁層等の材料として低弾性材料が使用される（例えば特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００３−２９８１９６号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
配線回路基板は、主としてベース絶縁層、導体パターンおよびカバー絶縁層により構成される。導体パターンには端子部が設けられる。端子部上のカバー絶縁層の領域には開口部が設けられる。開口部内で露出した導体パターンの端子部上にはめっき層が形成される。開口部内のめっき層に電子部品の端子またはワイヤ等が半田付けされる。
【０００５】
上記のように、配線回路基板において低弾性材料をカバー絶縁層として使用すると、カバー絶縁層と導体パターンとの接着強度が不足する。それにより、カバー絶縁層の開口部からカバー絶縁層と導体パターンとの間にめっき材料の染み込み（めっきもぐり）が発生する。カバー絶縁層と導体パターンとの間に半田材料が染み込む場合もある。また、カバー絶縁層と導体パターンとの接着強度が不足すると、屈曲の繰り返しにより導体パターンの抵抗値が上昇し、配線回路基板の屈曲寿命が著しく短くなる。
【０００６】
本発明の目的は、反りの発生および開口部から導体パターンとカバー絶縁層との間への材料の染み込みが防止されるとともに良好な屈曲特性を有する配線回路基板およびその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
（１）第１の発明に係る配線回路基板は、ベース絶縁層と、ベース絶縁層上に形成されるとともに表面に凹凸が形成される導体パターンと、導体パターン上に形成される金属めっき層と、金属めっき層上に開口部を有し、金属めっき層を覆うようにベース絶縁層上に形成されるカバー絶縁層とを備え、カバー絶縁層の２５℃における弾性率が１ＧＰａ以下であるものである。
【０００８】
その配線回路基板においては、導体パターンの表面に凹凸が形成されることにより、導体パターンとカバー絶縁層との接着強度が向上する。それにより、配線回路基板の屈曲を繰り返しても、導体パターンの抵抗値の上昇が防止される。したがって、良好な屈曲特性が得られる。
【０００９】
また、導体パターン上に金属めっき層が形成されることにより、導体パターン２とカバー絶縁層との間の接着強度がさらに向上する。それにより、カバー絶縁層の開口部から導体パターンとカバー絶縁層との間に材料が染み込むことが防止される。
【００１０】
さらに、カバー絶縁層の２５℃における弾性率が１ＧＰａ以下であるので、配線回路基板に反りが発生しない。
【００１１】
これらの結果、反りの発生および開口部から導体パターンとカバー絶縁層との間への材料の染み込みが防止されるとともに良好な屈曲特性を有する配線回路基板が提供される。
【００１２】
（２）凹凸の底部から頂部までの高さは０．２μｍ以上１．０μｍ以下であることが好ましい。
【００１３】
この場合、導体パターンの抵抗値の上昇を確実に防止しつつ屈曲特性をより向上させることができる。
【００１４】
（３）金属めっき層は、無電解錫めっき層を含んでもよい。この場合、導体パターンとカバー絶縁層との間の接着強度がさらに十分に向上する。
【００１５】
（４）金属めっき層の厚みは０．０５μｍ以上１．０μｍ以下であってもよい。この場合、金属めっき層が導体パターンの表面の凹凸を埋め込んでしまうことが防止されるとともに、導体パターンの表面の凹凸を金属めっき層で安定して被覆することができる。それにより、導体パターンとカバー絶縁層との密着性を十分に確保することが可能となる。
【００１６】
（５）第２の発明に係る配線回路基板の製造方法は、ベース絶縁層上に導体パターンを形成する工程と、導体パターンの表面に凹凸を形成する工程と、導体パターン上に金属めっき層を形成する工程と、金属めっき層を覆うように金属めっき層上に開口部を有するカバー絶縁層をベース絶縁層上に形成する工程とを備え、カバー絶縁層の２５℃における弾性率が１ＧＰａ以下であるものである。
【００１７】
その配線回路基板の製造方法においては、導体パターンの表面に凹凸が形成されることにより、導体パターンとカバー絶縁層との接着強度が向上する。それにより、配線回路基板の屈曲を繰り返しても、導体パターンの抵抗値の上昇が防止される。したがって、良好な屈曲特性が得られる。
【００１８】
また、導体パターン上に金属めっき層が形成されることにより、導体パターン２とカバー絶縁層との間の接着強度がさらに向上する。それにより、カバー絶縁層の開口部から導体パターンとカバー絶縁層との間に材料が染み込むことが防止される。
【００１９】
さらに、カバー絶縁層の２５℃における弾性率が１ＧＰａ以下であるので、配線回路基板に反りが発生しない。
【００２０】
これらの結果、反りの発生および開口部から導体パターンとカバー絶縁層との間への材料の染み込みが防止されるとともに良好な屈曲特性を有する配線回路基板が提供される。
【００２１】
（６）凹凸を形成する工程は、導体パターンが形成されたベース絶縁層を硫酸と過酸化水素との混合液、アルカリ−亜塩素酸系の処理液、または有機酸系の処理液に浸漬する工程を含んでもよい。
【００２２】
この場合、導体パターンの表面に簡単な処理により凹凸を形成することができる。
【００２３】
（７）導体パターン上に金属めっき層を形成する工程は、導体パターン上に金属めっき層として無電解錫めっき層を形成する工程を含んでもよい。
【００２４】
この場合、導体パターンとカバー絶縁層との間の接着強度がさらに十分に向上する。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によれば、反りの発生および開口部から導体パターンとカバー絶縁層との間への材料の染み込みが防止されるとともに良好な屈曲特性を有する配線回路基板が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、本発明の一実施の形態に係る配線回路基板について図面を参照しながら説明する。本実施の形態に係る配線回路基板は、低弾性の高周波用フレシキブル配線回路基板である。
【００２７】
（１）配線回路基板の製造方法
図１は本発明の一実施の形態に係る配線回路基板の製造方法を示す工程断面図である。図１の製造方法はサブトラクティブ法である。
【００２８】
まず、図１（ａ）に示すように、ベース絶縁層１および導体層２の積層構造を有する二層基材１０を用意する。本実施の形態では、ベース絶縁層１はポリイミドからなり、導体層２は銅からなる。ベース絶縁層１の厚みは１０μｍ以上２０μｍ以下であることが好ましく、例えば１２μｍである。導体層２の厚みは５μｍ以上２５μｍ以下であることが好ましく、例えば１２μｍである。
【００２９】
次に、図１（ｂ）に示すように、導体層２をエッチングすることにより導体パターン２ａを形成する。導体パターン２ａは線状の配線部および端子部を有する。図１には、導体パターン２ａの端子部が示される。本実施の形態では、端子部は矩形に形成される。導体パターン２ａの配線部の幅は１５μｍ以上２００μｍ以下であり、例えば１００μｍである。導体パターン２ａの端子部の一辺の長さは１５μｍ以上２００μｍ以下であり、例えば１００μｍである。
【００３０】
次に、図１（ｃ）に示すように、導体パターン２ａの表面に凹凸６を形成する。この場合、少なくとも導体パターン２ａの端子部を含みかつ端子部よりも大きい領域に凹凸６を形成する。本実施の形態では、導体パターン２ａの配線部および端子部の表面に凹凸６を形成する。なお、導体パターン２ａの端子部のみの表面に凹凸６を形成してもよい。凹凸６の形成方法については後述する。
【００３１】
その後、図１（ｄ）に示すように、無電解めっき処理により導体パターン２ａ上に錫（Ｓｎ）めっき層３を形成する。本実施の形態では、めっき液として、ホウ化錫−チオ尿素液または塩化錫−チオ尿素液を用いる。無電解めっき処理は、約２０℃で約５分、および５０℃〜６０℃で約１分行う。
【００３２】
このような条件での無電解めっき処理によれば、銅からなる導体パターン２ａの表面にチオ尿素の金属錯体の形成に基づくＣｕとＳｎとの置換反応が生じ、厚み０．０５μｍ〜２．０μｍの錫めっき層３が形成される。この場合、ＣｕとＳｎとの置換反応であるため、図１（ｃ）の工程で導体パターン２ａに形成された凹凸の形状を破壊することが防止される。それにより、凹凸６の表面を錫めっき層３で被覆することができる。
【００３３】
錫めっき層３の厚みが１．０μｍを超えると、導体パターン２ａの表面の凹凸６を埋め込んでしまうので、導体パターン２ａとカバー絶縁層４との間に高い密着性を確保することが難しくなる。一方、錫めっき層３の厚みが０．０５μｍ未満であると、導体パターン２ａの凹凸６の表面の全体を安定して被覆することができない。したがって、錫めっき層３の厚みは０．０５μｍ以上１．０μｍ以下であることが好ましく、０．０７μｍ以上０．３μｍ以下であることがより好ましい。
【００３４】
次に、図１（ｅ）に示すように、ベース絶縁層１および錫めっき層３上に感光性材料を塗布することにより、端子部の錫めっき層３上に開口部４ａを有するカバー絶縁層４を錫めっき層３を覆うようにベース絶縁層１上に形成する。それにより、カバー絶縁層４の開口部４ａ内で端子部の錫めっき層３が露出する。開口部４ａ内で露出した錫めっき層３上にＮｉ（ニッケル）／Ａｕ（金）からなる厚み１．０μｍ〜５．０μｍの電解金属めっき層５を電解めっきにより形成する。この端子部上の電解金属めっき層５が電気的接続のための端子となる。このようにして、配線回路基板１００が完成する。
【００３５】
感光性材料としては、例えば感光性ポリイミドを用いる。カバー絶縁層４の厚みは１０μｍ以上１８μｍ以下であることが好ましく、例えば１２μｍである。このカバー絶縁層４の２５℃における弾性率は１ＧＰａ以下である。それにより、屈曲特性が良好となる。一方、カバー絶縁層４の２５℃における弾性率が１ＭＰａよりも小さいと、屈曲後に元の形状に復元しにくいため、カバー絶縁層４の２５℃における弾性率は１ＭＰａ以上であることが好ましい。このような物性を有する感光性ポリイミドは次の方法により得られる。
【００３６】
【化１】
2008198722.tif 000003
【００３７】
上式（１）において、ｎは８である。上式（１）で表されるシリコーンジアミン（東レダウコーニング社製ＢＹ１６−８５３Ｃ）５２．０ｇ、および４，４’−ジアミノジフェニルエーテル（ＤＤＥ）１７．７ｇを、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）１９５ｇに添加し、ＤＤＥが溶解するまで攪拌する。次に、この溶液にピロメリット酸二無水物（ＰＭＤＡ）３５．０ｇを加え、１時間反応させる。さらにこの溶液を７０℃に加熱し、５時間攪拌して透明な溶液を得る。冷却後、この透明な溶液に１−エチル−３，５−ジエトキシカルボニル−４−（２−ニトロフェニル）−１，４−ジヒドロピリジン１５．７ｇおよびイミダゾール２．１ｇを添加し、溶解させてポジ型感光性樹脂組成物である感光性ポリイミドを得る。
【００３８】
（２）凹凸６の形成方法
ここで、図１（ｃ）の工程での導体パターン２ａの表面への凹凸６の形成方法について説明する。
【００３９】
本実施の形態では、下記の処理液により導体パターン２ａの表面に凹凸６を形成する。処理液として、例えば、硫酸と過酸化水素との混合液、アルカリ−亜塩素酸系の処理液、または有機酸系の処理液を用いることができる。
【００４０】
具体的には、メック社製のメックブライト（ＣＢ−５００４）、メック社製のメックエッチボンド（ＣＺ−８１００）またはメックＶ−Ｂｏｎｄ（Ｂ０−７７７０）等が挙げられる。また、マクダーミッド社製のＭＥ−６０５、マルチボンド（ＭＢ−１００）、オムニボンド（オムニボンド９２５１）およびＢ０−２０００等が挙げられる。
【００４１】
（３）凹凸６の確認方法
図２は導体パターン２ａの表面に形成された凹凸６の拡大断面図である。
【００４２】
図２おいて、凹凸６の底部から頂部までの高さｈが凹凸６の大きさに相当する。凹凸６の高さｈは、例えば３次元表面粗さ計を用いて測定することにより確認することができる。凹凸６の大きさは表面粗さ（算術平均高さ）Ｒａで表される。なお、表面粗さ（算術平均高さ）Ｒａとは、日本工業規格（ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１−１９９４）に定められた表面粗さを表すパラメータである。
【００４３】
凹凸６の高さｈが０．２μｍ未満であると、接着強度が十分に改善されない。一方、凹凸６の高さｈが１．０μｍを超えると、導体パターン２ａの表面抵抗が増大する。したがって、凹凸６の高さは０．２μｍ以上１．０μｍ以下であることが好ましい。それにより、導体パターン２ａの抵抗値の上昇を防止しつつ屈曲特性を十分に向上させることができる。
【００４４】
（４）実施の形態の効果
本実施の形態に係る配線回路基板１００においては、導体パターン２ａの表面に凹凸６が形成されることにより、導体パターン２ａとカバー絶縁層４との接着強度が向上する。それにより、配線回路基板１００の屈曲を繰り返しても、導体パターン２ａの抵抗値の上昇が防止される。したがって、良好な屈曲特性が得られる。
【００４５】
また、導体パターン２ａ上に錫めっき層３が形成されることにより、導体パターン２ａとカバー絶縁層４との間の接着強度がさらに向上する。それにより、カバー絶縁層４の開口部４ａから導体パターン２ａとカバー絶縁層４との間にめっき材料が染み込むこと（めっきもぐり）が防止される。
【００４６】
さらに、カバー絶縁層４の２５℃における弾性率が１ＧＰａ以下であるので、配線回路基板１００に反りが発生しない。
【００４７】
（５）他の実施の形態
ベース絶縁層１の材料は、ポリイミドに限らず、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルニトリル、ポリエーテルスルフォン等の他の絶縁材料を用いてもよい。
【００４８】
導体層２および導体パターン２ａの材料は、銅に限らず、銅合金、金、アルミニウム等の他の金属材料を用いてもよい。
【００４９】
カバー絶縁層４の材料は、ポリイミドに限らず、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルニトリル、ポリエーテルスルフォン等の他の絶縁材料を用いてもよい。
【００５０】
導体パターン２ａの形成方法は、サブトラクティブ法に限らず、セミアディティブ法を用いてもよい。この場合、二層基材１０を用いずに、ベース絶縁層１上にめっきにより導体パターン２ａを形成してもよい。
【００５１】
導体パターン２ａの端子部の形状は矩形に限らず、円形、楕円形等の他の形状であってもよい。
【００５２】
錫めっき層３の代わりに錫と他の金属との合金等からなる金属めっき層を用いてもよい。
【００５３】
（６）実施例
（実施例１）
実施例１では、次のように、図１に示した製造方法により配線回路基板１００を作製した。
【００５４】
ベース絶縁層１および導体層２からなる二層基材１０を用意し、導体層２をエッチングすることにより導体パターン２ａを形成した。ベース絶縁層１は厚み１２μｍのポリイミドからなり、導体層２は厚み１２μｍの銅からなる。
【００５５】
次に、導体パターン２ａが形成されたベース絶縁層１を硫酸と過酸化水素との混合液からなる処理液（日本マクダーミッド社製ＭＢ−１００）に３２℃で１分間浸漬し、導体パターン２ａの表面にＲａ＝０．４［μｍ］の凹凸６を形成した。表面粗さＲａは日本ビーコ株式会社製の型番ＷＹＫＯ  ＮＴ３３００の３次元表面粗さ計により測定した。
【００５６】
次に、凹凸６が形成された導体パターン２ａを有するベース絶縁層１を錫めっき液（日本マクダーミット社製ＭＢ９００）に浸漬し、導体パターン２ａの表面に厚み０．２μｍの錫めっき層３を形成した。
【００５７】
さらに、室温（２５℃）での弾性率が４００Ｐａである感光性ポリイミドをベース絶縁層１および導体パターン２ａ上の錫めっき層３の表面に塗布することにより厚み１２μｍのカバー絶縁層４を形成した。カバー絶縁層４は、導体パターン２ａの端子部上に開口部４ａを有する。感光性ポリイミドとしては、上記の実施の形態で説明したポジ型感光性樹脂組成物である感光性ポリイミドを用いた。
【００５８】
図３は配線回路基板１００の導体パターン２ａの端子部を示す平面図である。カバー絶縁層４の開口部４ａの幅Ｗ１は８０μｍであり、長さＷ２は８０μｍである。また、導体パターン２ａの端子部の幅Ｗ３は１００μｍである。
【００５９】
実施例１の配線回路基板１００は、配線部および端子部を有する導体パターン２ａを３０本有し、配線回路基板１００の縦の長さ（導体パターン２ａの配線部に平行な方向の長さ）は１５０ｍｍであり、配線回路基板１００の横の長さ（導体パターン２ａの配線部に垂直な方向の長さ）は６ｍｍである。
【００６０】
（実施例２）
実施例２では、次の点を除いて、実施例１と同様にして配線回路基板を作製した。
【００６１】
導体パターン２ａが形成されたベース絶縁層１を硫酸過水系の処理液（マクダーミッド社製ＭＢ１００）に３０℃で２分間浸漬し、導体パターン２ａの表面にＲａ＝０．８μｍの凹凸６を形成した。
【００６２】
実施例１と同様にして、導体パターン２ａの表面に厚み０．２μｍの錫めっき層３を形成した後、室温（２５℃）での弾性率が８００Ｐａである感光性ポリイミドをベース絶縁層１および導体パターン２ａ上の錫めっき層３の表面に塗布することにより厚み１２μｍのカバー絶縁層４を形成した。カバー絶縁層４は、導体パターン２ａの端子部上に実施例１と同様の開口部４ａを有する。感光性ポリイミドとしては、上記の実施の形態で説明したポジ型感光性樹脂組成物である感光性ポリイミドを用いた。
【００６３】
（比較例１）
比較例１では、次の点を除いて、実施例１と同様にして配線回路基板を作製した。比較例１では、導体パターン２ａの表面に凹凸６を形成せず、かつ導体パターン２ａ上に錫めっき層３を形成しなかった。
【００６４】
（比較例２）
比較例２では、次の点を除いて、実施例１と同様にして配線回路基板を作製した。比較例１では、導体パターン２ａ上に錫めっき層３を形成しなかった。
【００６５】
（比較例３）
比較例３では、次の点を除いて、実施例１と同様にして配線回路基板を作製した。比較例３では、導体パターン２ａの表面に凹凸６を形成しなかった。
【００６６】
（比較例４）
比較例４では、次の点を除いて、実施例１と同様にして配線回路基板を作製した。比較例４では、実施例１のカバー絶縁層４の代わりに、室温（２５℃）での弾性率が１２００Ｐａである感光性ポリイミドをベース絶縁層１および導体パターン２ａ上の錫めっき層３の表面に塗布することにより厚み１２μｍのカバー絶縁層４を形成した。感光性ポリイミドとしては、上記の実施の形態で説明したポジ型感光性樹脂組成物である感光性ポリイミドを用いた。
【００６７】
（評価）
実施例１，２および比較例１〜４の配線回路基板について反り（カール）、めっき染み込み（めっきもぐり）および屈曲特性の評価を行った。
【００６８】
反りの評価では、配線回路基板を平面上に置き、配線回路基板と平面との間の最も長い距離を測定し、その測定値を反り（カール）の大きさとした。反りの大きさが２ｍｍ以下の場合を良と判定し、反りの大きさが２ｍｍより大きい場合を不良と判定した。
【００６９】
めっき染み込みの評価では、配線回路基板の断面をＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）で観察し、導体パターン２ａとカバー絶縁層４との間にめっき材料の染み込みがない場合を良と判定し、めっき材料の染み込みがある場合を不良と判定した。
【００７０】
屈曲特性の評価では、温度８０℃の条件で、カバー絶縁層４の曲率半径が２ｍｍとなる状態に配線回路基板を２５Ｈｚの屈曲速度で繰り返し屈曲させながら、導体パターン２ａの抵抗値を測定した。屈曲回数が１００万回以上でも導体パターン２ａの抵抗値の上昇がない場合を良と判定し、屈曲回数が１００万回以下で導体パターン２ａの抵抗値が上昇した場合に不良と判定した。
【００７１】
表１に実施例１，２および比較例１〜４の配線回路基板の構成および評価結果を示す。
【００７２】
【表１】
2008198722.tif 000004
【００７３】
表１の評価結果において、良と判定された場合を“○”で示し、不良と判定された場合を“×”で示す。
【００７４】
表１に示すように、実施例１，２の配線回路基板は、反り、めっき染み込みおよび屈曲特性のすべてについて良と判定された。
【００７５】
一方、比較例１，２の配線回路基板は、反りについて良と判定されたが、めっき染み込みおよび屈曲特性について不良と判定された。比較例３の配線回路基板は、反りおよびめっき染み込みについて良と判定されたが、屈曲特性について不良と判定された。比較例４の配線回路基板は、反りおよびめっき染み込みについて不良と判定され、屈曲特性については反りの影響で正確な測定が不可能であった。
【００７６】
これらの結果から、実施例１，２のように、カバー絶縁層４の２５℃における弾性率が１ＧＰａ以下であり、導体パターン２ａの表面に凹凸６が形成され、導体パターン２ａ上に錫めっき層３が形成されている場合に、反りが小さく、めっき染み込みがなく、かつ屈曲特性が向上することがわかった。
【００７７】
また、比較例１，３のように、導体パターン２ａの表面に凹凸６が形成されない場合には、屈曲特性が悪いことがわかった。
【００７８】
また、比較例１，２のように、導体パターン２ａ上に錫めっき層３が形成されない場合に、めっき染み込みが発生することがわかった。
【００７９】
さらに、比較例４のように、カバー絶縁層４の２５℃における弾性率が１ＧＰａを超える場合には、反りが大きくなることがわかった。
【産業上の利用可能性】
【００８０】
本発明に係る配線回路基板は、種々の電子機器等に有効に利用できる。
【図面の簡単な説明】
【００８１】
【図１】本発明の一実施の形態に係る配線回路基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図２】導体パターンの表面に形成された凹凸の拡大断面図である。
【図３】配線回路基板の導体パターンの端子部を示す平面図である。
【符号の説明】
【００８２】
１  ベース絶縁層
２  導体層
２ａ  導体パターン
３  錫めっき層
４  カバー絶縁層
４ａ  開口部
５  電解金属めっき層
６  凹凸
１００  配線回路基板
【図１】
2008198722.tif 000005
【図２】
2008198722.tif 000006
【図３】
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