(57)【要約】【課題】  片面２層光ディスクの生産コストを低減し、かつ容易に生産でき、歩留まりを向上させる。【解決手段】  第１アクセス層１と、第２アクセス層２と、第１アクセス層１を第２アクセス層２に貼り合わせるための接着層１３と、保護層１４とを備えている。第２アクセス層２は、第２基板１２と、反射層１２２と、第１アクセス層１に対向した第２記録層１２１とを有している。保護層１４は、金属またはシリコンから成り、第２記録層１２１と接着層１３との間に積層されている。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
片面２層光ディスクであって、
駆動装置が前記光ディスクにアクセスするために用いられる第１アクセス層と、
前記駆動装置が前記光ディスクにアクセスするために用いられ、第２塗布表面を有する第２基板と、前記第２塗布表面に積層される反射層と、前記反射層に積層される第２記録層とを備える第２アクセス層と、
前記第１アクセス層と前記第２記録層とが対向するよう、前記第１アクセス層と第２アクセス層を貼り合わせる接着層と、
前記第２記録層と前記接着層との間に積層され、金属またはシリコンから成る保護層とを備えることを特徴とする片面２層光ディスク。
【請求項２】
前記保護層の厚さは、２０ｎｍ未満であることを特徴とする請求項１に記載の片面２層光ディスク。
【請求項３】
前記保護層は、貴金属または半導体材料から成ることを特徴とする請求項１に記載の片面２層光ディスク。
【請求項４】
前記貴金属が、金、銀、白金、パラジウム、ロジウム、またはイリジウムであることを特徴とする請求項３に記載の片面２層光ディスク。
【請求項５】
前記半導体材料が、ガリウム、インジウム、またはゲルマニウムであることを特徴とする請求項３に記載の片面２層光ディスク。
【請求項６】
前記保護層が、モリブデン、タンタル、チタニウム、またはチタン合金から成ることを特徴とする請求項１に記載の片面２層光ディスク。
【請求項７】
前記チタン合金が、アルミニウム−チタンまたはシルバー−チタンであることを特徴とする請求項６に記載の片面２層光ディスク。
【請求項８】
前記第１アクセス層は、
第１塗布表面を有する第１基板と、
前記第１塗布表面に積層される第１記録層と、
前記第１記録層に積層される半反射層とを備えることを特徴とする請求項１に記載の片面２層光ディスク。
【請求項９】
片面２層光ディスクの製造方法であって、
第１アクセス層を準備するステップと、
第２塗布表面を有する第２基板を提供し、前記第２塗布表面に積層される反射層を形成し、前記反射層に積層される第２記録層を形成するステップを含んだ第２アクセス層を準備するステップと、
前記第２記録層に積層され、金属またはシリコンから成る保護層を形成するステップと、
前記第１アクセス層と前記第２記録層が対向するよう、前記第１アクセス層と前記第２アクセス層を貼り合わせるステップとを含むことを特徴とする片面２層光ディスクの製造方法。
【請求項１０】
保護層の厚さが、２０ｎｍ未満であることを特徴とする請求項９に記載の片面２層光ディスクの製造方法。
【請求項１１】
保護層が、直流スパッタリング法または高周波スパッタリング法により形成されることを特徴とする請求項９に記載の片面２層光ディスクの製造方法。
【請求項１２】
前記保護層は、貴金属または半導体材料から成ることを特徴とする請求項９に記載の片面２層光ディスクの製造方法。
【請求項１３】
前記貴金属は、金、銀、白金、パラジウム、ロジウム、およびイリジウムから成るグループより選ばれる１つであることを特徴とする請求項１２に記載の片面２層光ディスクの製造方法。
【請求項１４】
前記半導体材料が、ガリウム、インジウム、およびゲルマニウムから成るグループより選ばれる１つであることを特徴とする請求項１２に記載の片面２層光ディスクの製造方法。
【請求項１５】
前記保護層が、モリブデン、タンタル、チタニウム、およびチタン合金から成るグループより選ばれる１つであることを特徴とする請求項９に記載の片面２層光ディスクの製造方法。
【請求項１６】
前記チタン合金が、アルミニウム−チタンまたはシルバー−チタンであることを特徴とする請求項１５に記載の片面２層光ディスクの製造方法。
【請求項１７】
前記第１アクセス層を準備するステップは、
第１塗布表面を有する第１基板を提供するステップと、
前記第１塗布表面に積層される第１記録層を形成するステップと、
前記第１記録層に積層される半反射層を形成するステップとを含むことを特徴とする請求項９に記載の片面２層光ディスクの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、片面２層光ディスクおよびその製造方法に関し、特に、改良された保護層を備える片面２層光ディスクおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
光ディスクは、例えば、画像データ、デジタル画像データファイルおよび一般的な文書ファイルなど、さまざまな書式の資料を記録することができる。光ディスクは新たな光記録の市場で最も便利な記録媒体であり、例えば、図書館の蔵書、バックアップ・データ、電子出版、画像データ記録、個人の医療記録の管理など、広範囲にわたって適用することができる。
【０００３】
光ディスクの記憶容量を有効に増加させるために、従来の技術では記録層を別途に増設して２層記録の光ディスクとした。図１Ａ〜図１Ｃは、ＣＤ−Ｒ（Compact Disc-Recordable）を例とする従来技術による片面２層光ディスクの製造方法である。
【０００４】
図１Ａに示すように、まず、第１基板１１の第１塗布表面１１ａに第１記録層１１１を形成し、次に第１記録層１１１に積層された半反射層１１２を形成することによって、第１アクセス層１が形成される。
【０００５】
次に、図１Ｂに示すように、第２基板１２の第２塗布表面１２ａに反射層１２２を形成し、反射層１２２に積層された第２記録層１２１を次に形成することによって、第２アクセス層２が形成される。
【０００６】
最後に、図１Ｃに示すように、第１アクセス層１の半反射層１１２を第２アクセス層２の第２記録層１２１に対向させ、接着層１３により貼り合わせると、片面２層光ディスク３を得ることができる。
【０００７】
接着層１３の材料は、多くがＵＶ（UltraViolet rays、紫外線）硬化樹脂であり、ＵＶ硬化樹脂と第２記録層の染料が物理的、および化学的変化を起こし、光ディスクの記録データの正確性、および保存性に影響を与える。光ディスクの記録データの正確性、および保存性を確保するために、図２に示した片面２層光ディスク４のように、接着層１３と第２記録層１２１との間に保護層１４を加えて、接着層１３と第２記録層１２１とは物理的、または化学的変化が起きないようにする。
【０００８】
保護層１４の材料は、高透光性、かつ接着層１３および第２記録層１２１とは反応しない特性を備えなければならない。従来の保護層１４の材料は、接着層１３と第２記録層１２１が反応するのを有効に回避するよう、多くが例えば、硫化亜鉛（zinc sulfide）または窒化ケイ素（silicon nitride）の誘電体材料であり、かつ保護層の厚さは、多くが１００〜１５０ｎｍの範囲であった。
【０００９】
誘電体材料を保護層１４にすると、透光性はよいが、しかし、多くの欠点がある。
【００１０】
例えば、誘電体層の多くは分子構造が緻密なセラミック材料であり、その購入コストは相対的に高く、かつ直流スパッタリング法による塗布ができず、高周波スパッタリング法により行わなければならない。したがって、高価な高周波電源を使用して塗布を行う必要があり、かつ生産パラメータを制御するのが困難である。この他、物理的な制限から、誘電体材料を、高周波スパッタリング法により厚さが１００〜１５０ｎｍの保護層に形成するには、成膜に時間がかかる。光ディスクは、真空スパッタリング室内の滞留時間が長過ぎる場合、スパッタリング室内の高温および誘電体材料層の内部応力（internal stress）により、光ディスクが変形するために、光ディスクの歩留まりが低下したり、または光ディスクの保存性が劣化してしまう。
【００１１】
上記のとおり、片面２層光ディスクの保護層を如何に改良し、生産コストを低減し、かつ容易に生産するかが、目下の達成すべき目標である。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
上記の問題に鑑み、本発明は生産コストを低減し、かつ容易に生産でき、歩留まりを向上する改良された保護層を備える片面２層光ディスクと、その製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記の目的を実現するために、本発明の片面２層光ディスクは、第１アクセス層と、第２アクセス層と、接着層と、保護層とを備えている。前記第１アクセス層および第２アクセス層は、駆動装置が光ディスクにアクセスするために用いられる。前記第２アクセス層は、第２塗布表面を有する第２基板と、前記第２塗布表面に積層される反射層と、前記反射層に積層される第２記録層とを有している。前記接着層は、前記第１アクセス層を前記第２アクセス層に貼り合わせるために用いられ、前記第２記録層は、前記第１アクセス層と対向する。前記保護層は、金属またはシリコンから成り、前記第２記録層と前記接着層との間に積層される。
【００１４】
また、本発明は、片面２層光ディスクの製造方法を開示する。この製造方法は、
第１アクセス層を準備するステップと、
第２塗布表面を有する第２基板を提供し、前記第２塗布表面に積層される反射層を形成し、前記反射層に積層される第２記録層を形成する第２アクセス層を準備するステップと、
前記第２記録層に積層され、金属またはシリコンから成る保護層を形成するステップと、
前記第２記録層が前記第１アクセス層に対向するように前記第１アクセス層と前記第２アクセス層とを貼り合わせるステップとを含む。
【００１５】
本発明の改良された保護層を備える片面２層光ディスクおよびその製造方法によれば、改良された保護層により、その材料を直流スパッタリング法で塗布することができ、生産パラメータを容易に制御できるため、生産コストを低減できる。この他、材料の特性により、保護層の厚さが相対的に薄くても、接着層と第２記録層が反応するのを有効に回避することができる。したがって、保護層をスパッタリングする時間が短縮し、スパッタリング室の高温による光ディスク変形の発生を低減して、光ディスクの歩留まりが向上する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
次に、図面を参照しながら、本発明の改良された保護層を備える片面２層光ディスクおよびその製造方法の実施形態を説明する。同一の部材は、同一の符号をもって説明する。
【００１７】
以下、片面２層の光ディスク、例えばＤＶＤ−Ｒ  ＤＬ（Digital Versatile Disc-Recordable Dual Layer）を例として説明する。
【００１８】
図２に示されるように、本発明の実施形態である改良された保護層を備える片面２層光ディスクは、第１アクセス層１と、第２アクセス層２と、接着層１３と、保護層１４とを備えている。
【００１９】
第１アクセス層１および第２アクセス層２は、駆動装置が光ディスク４にアクセスするために用いられる。例えば、第１アクセス層１は、第１塗布表面１１ａを有する第１基板１１と、第１塗布表面１１ａに積層される第１記録層１１１と、第１記録層１１１に積層される半反射層１１２とを備えている。第２アクセス層２は、第２塗布表面１２ａを有する第２基板１２と、第２塗布表面１２ａに積層される反射層１２２と、反射層１２２に積層される第２記録層１２１とを備えている。半反射層１１２および反射層１２２は、金属材料により形成してもよい。第１記録層１１１および第２記録層１２１は、染料により形成してもよい。
【００２０】
接着層１３は、第１アクセス層１を第２アクセス層２と貼り合わせるのに用いられる。その貼り合わせ方法は、第２アクセス層２の第２記録層１２１を第１アクセス層１に対向させて貼り合わせる。
【００２１】
保護層１４は、第２記録層１２１と接着層１３との間に積層される。保護層１４の材料は、金属またはシリコンでよい。例えば、保護層１４の材料は、例えば、金、銀、白金、パラジウム、ロジウム、もしくはイリジウムのような貴金属でよい。または、例えば、ガリウム、インジウム、もしくはゲルマニウムのような半導体材料でもよい。または、チタニウム、もしくはアルミニウム−チタンやシルバー−チタンのようなチタン合金でもよい。または、モリブデン、タンタルでもよい。前記保護層の材料が緻密である特徴から、厚さが相対的に薄い保護層１４でも接着層１３と第２記録層１２１が反応するのを回避することができる。例えば、保護層１４の厚さは２０ｎｍ以下であり、好ましくは１０ｎｍ以下、さらに好ましくは５ｎｍ以下である。
【００２２】
次に、上記片面２層光ディスクの製造方法を説明する。
【００２３】
まず、第１アクセス層１および第２アクセス層２を準備する。例えば、第１アクセス層１の準備ステップは、第１塗布表面１１ａを有する第１基板１１を提供し、第１塗布表面１１ａに積層される第１記録層１１１を形成し、第１記録層１１１に積層される半反射層１１２を形成する。第２アクセス層２の準備ステップは、第２塗布表面１２ａを有する第２基板１２を提供し、第２塗布表面１２ａに積層される反射層１２２を形成し、反射層１２２に積層される第２記録層１２１を形成する。
【００２４】
次に、第２記録層１２１に積層される保護層１４を形成する。保護層１４の材料は前述したため、ここでは述べない。尚、注意すべきは、保護層１４が直流スパッタリング法または高周波スパッタリング法により形成可能であり、直流スパッタリング法がより良い。
【００２５】
最後に、第２記録層１２１と第１アクセス層１とが対向するよう第１アクセス層１と第２アクセス層２とを貼り合わせる。
【００２６】
本発明の改良された保護層を備える片面２層光ディスクとその製造方法によると、改良された保護層は、その材料を直流スパッタリング法で塗布することができ、生産パラメータが容易に制御できる。かつ、前記保護層材料の多くは価格が従来使用した誘電体材料よりも低廉であるため、生産コストが低減できる。この他、材料の特性により保護層の厚さが相対的に薄くても、接着層と第２記録層が反応するのを有効に回避することができる。したがって、準備過程において、光ディスクがスパッタリング室内に滞留する時間が短縮され、スパッタリング室の高温により光ディスクが変形するのを低減し、光ディスクの歩留まりを有効に向上させる。
【００２７】
前記実施例による説明は、本発明の内容を簡単に説明するための内容に過ぎず、本発明をそれらの構造に狭義的に制限するものではない。例えば、上記はＤＶＤ−Ｒ  ＤＬを例に説明したが、本発明はＨＤ  ＤＶＤ−ＤＬ（High Definition DVD-R DL）等の片面２層光ディスク、または多層光ディスクに応用可能である。故に、本発明の要旨を逸脱しない範囲の設計変更があっても本発明に含まれる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１Ａ】片面２層光ディスクの第１アクセス層の局部断面図である。
【図１Ｂ】片面２層光ディスクの第２アクセス層の局部断面図である。
【図１Ｃ】保護層がない片面２層光ディスクの局部断面図である。
【図２】片面２層光ディスクの局部断面図である。
【符号の説明】
【００２９】
１    第１アクセス層
１１    第１基板
１１ａ  第１塗布表面
１１１    第１記録層
１１２    半反射層
１２    第２基板
１２ａ  第２塗布表面
１２１    第２記録層
１２２    反射層
１３    接着層
１４    保護層
２    第２アクセス層
３    保護層がない片面２層光ディスク
４    片面２層光ディスク
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
2008052886.tif 000004
【図１Ｃ】
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【図２】
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