(57)【要約】【課題】大型基板から複数のＥＬ素子パネルを多面取りする場合に特に有効な、製造方法及び封止基板を提供することを課題とする。【解決手段】（ａ）第一基材上に接着剤層を設けて封止基板を形成する第一工程、（ｂ）第二基材上に表示部と配線部を含むエレクトロルミネッセンス素子を複数設けた素子基板を形成する第二工程、（ｃ）前記封止基板を前記素子基板に貼り合わせてエレクトロルミネッセンス素子パネルを形成する第三工程、を含むエレクトロルミネッセンス素子パネルの製造方法であって、前記第一工程において、前記接着剤層上の特定領域に、少なくともＡｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｄ、Ｃｕ、Ｍｇ、Ｓｎ、Ｔｉのいずれか１種の金属を含む非接着層パターンを設け、且つ前記特定領域が、少なくとも前記配線部の一部を含む前記表示部の外周領域に相当する領域であることを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子パネルの製造方法。【選択図】図４
2008130312.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）第一基材上に接着剤層を設けて封止基板を形成する第一工程、
（ｂ）第二基材上に表示部と配線部を含むエレクトロルミネッセンス素子を複数設けた素子基板を形成する第二工程、
（ｃ）前記封止基板を前記素子基板に貼り合わせてエレクトロルミネッセンス素子パネルを形成する第三工程、
を含むエレクトロルミネッセンス素子パネルの製造方法であって、前記第一工程において、前記接着剤層上の特定領域に、少なくともＡｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｄ、Ｃｕ、Ｍｇ、Ｓｎ、Ｔｉのいずれか１種の金属を含む非接着層パターンを設け、且つ前記特定領域が、少なくとも前記配線部の一部を含む前記表示部の外周領域に相当する領域であることを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子パネルの製造方法。
【請求項２】
（ａ）第一基材上に接着剤層を設けて封止基板を形成する第一工程、
（ｂ）第二基材上に表示部と配線部を含むエレクトロルミネッセンス素子を複数設けた素子基板を形成する第二工程、
（ｃ）前記封止基板を前記素子基板に貼り合わせてエレクトロルミネッセンス素子パネルを形成する第三工程、
を含むエレクトロルミネッセンス素子パネルの製造方法であって、前記第一工程において、前記接着剤層上の特定領域に、少なくともフッ素樹脂を含む非接着層パターンを設け、且つ前記特定領域が、少なくとも前記配線部の一部を含む前記表示部の外周領域に相当する領域であることを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子パネルの製造方法。
【請求項３】
前記非接着層パターンが転写法で形成されることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のエレクトロルミネッセンス素子パネルの製造方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれかに記載のエレクトロルミネッセンス素子パネルの製造方法であって、さらに、
（ｄ）前記エレクトロルミネッセンス素子パネルから、特定領域の前記第一基材と前記接着剤層と前記非接着層パターンを取り除く第４工程、
を含み、且つ前記特定領域は、前記非接着層パターンが設けられた領域であって、少なくとも前記配線部の一部を含む領域であることを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子パネルの製造方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項３のいずれかに記載のエレクトロルミネッセンス素子パネルの製造方法であって、さらに、
（ｄ）前記エレクトロルミネッセンス素子パネルから、特定領域の前記第一基材と前記接着剤層と前記非接着層パターンを取り除くと同時に前記エレクトロルミネッセンス素子パネルを個片化する第４工程、
を含み、且つ前記特定領域は、前記非接着層パターンが設けられた領域であって、少なくとも前記配線部の一部を含む領域であることを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子パネルの製造方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項３のいずれかに記載のエレクトロルミネッセンス素子パネルの製造方法であって、さらに、
（ｄ）前記エレクトロルミネッセンス素子パネルを個片化する第４工程、
（ｅ）前記個片化されたエレクトロルミネッセンス素子パネルから、特定領域の前記第一基材と前記接着剤層と前記非接着層パターンを取り除く第５工程、
を含み、且つ前記特定領域は、前記非接着層パターンが設けられた領域であって、少なくとも前記配線部の一部を含む領域であることを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子パネルの製造方法。
【請求項７】
前記第一基材の水蒸気透過率が１０−４ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下であることを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれかに記載のエレクトロルミネッセンス素子パネルの製造方法。
【請求項８】
前記第一基材の光透過率が８０％以上であることを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれかに記載のエレクトロルミネッセンス素子パネルの製造方法。
【請求項９】
水蒸気透過率が１０−４ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下の第一基材上に接着剤層を有し、且つ前記接着剤層上の一部に、少なくともＡｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｄ、Ｃｕ、Ｍｇ、Ｓｎ、Ｔｉのいずれか１種の金属を含む非接着層パターンが設けられていることを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子パネル用封止基板。
【請求項１０】
水蒸気透過率が１０−４ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下の第一基材上に接着剤層を有し、且つ前記接着剤層上の一部に、少なくともフッ素樹脂を含む非接着層パターンが設けられていることを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子パネル用封止基板。
【請求項１１】
前記非接着剤層パターンが格子状であることを特徴とする請求項９または請求項１０に記載のエレクトロルミネッセンス素子パネル用封止基板。
【請求項１２】
請求項９乃至請求項１１のいずれかに記載のエレクトロルミネッセンス素子パネル用封止基板であって、光透過率が８０％以上であることを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子パネル用封止基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
エレクトロルミネッセンス素子パネルの製造方法及びエレクトロルミネッセンス素子パネル用封止基板に関する。特には、大型基板で複数のエレクトロルミネッセンス素子パネルを形成する場合（以下、多面取り、ともいう）に有効な製造方法及び封止基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、携帯電話やＰＤＡ等の携帯機器やパーソナルコンピューター等の表示部に、エレクトロルミネッセンス（以下、単にＥＬともいう）表示装置を用いたものが開発されている。ＥＬ表示装置は、単独またはアレイ状の発光層を有するＥＬ素子を駆動し、所望の表示を行っている。このようなＥＬ表示装置は、発光層からの光の取り出し方向の違いにより、例えば素子基板側から光を取り出すボトムエミッション型と、封止部材側から光を取り出すトップエミッション型のものとに分類できるが、材料選択の自由度が高い等の理由から、これまで主にボトムエミッション型の構造について研究されてきた。
【０００３】
一方、表示装置の分野では、大型化、高精細化、高輝度化に対するニーズが高く、ＥＬ表示装置についても大型化を目指した研究が盛んに行われている。しかし、上述のボトムエミッション型のＥＬ表示装置を大型化した場合、電極に信号を供給する配線電極を太くする必要があり、画素の開口率が低下するという問題があった。また、このように開口率が低下した場合、画素の輝度を確保するために発光層に大きな電流を流す結果、製品寿命が短くなるという問題も生じていた。このため、近年、画素の開口率が配線等の構造に影響されないトップエミッション型の構造が注目され、盛んに研究されている。
【０００４】
ここで、ＥＬ素子は、陽極としての電極と、陰極としての電極との間に、少なくともＥＬ現象を呈する発光層を挟持してなる構造を有し、電極間に電圧が印加されると、発光層に正孔と電子が注入され、この正孔と電子とが発光層で再結合することにより、発光層が発光する自発光型の素子である。さらに、発光効率を増大させるなどの目的から、陽極と発光層との間に正孔注入層、正孔輸送層、又は、及び、発光層と陰極との間に電子輸送層、電子注入層などが適宜選択して設けられている。そして、発光層とこれら正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層などを合わせて発光媒体層と呼ばれている。
【０００５】
ＥＬ素子には、無機ＥＬ素子と有機ＥＬ素子とがあるが、有機ＥＬ素子の発光媒体層の典型的な例としては、正孔注入層に銅フタロシアニン、正孔輸送層にＮ、Ｎ’−ジ（１−ナフチル）−Ｎ、Ｎ’−ジフェニル−１、１’−ビフェニル−４、４’−ジアミン、蛍光体層にトリス（８−キノリノール）アルミニウムをそれぞれ積層した低分子型ＥＬ素子や、正孔輸送層にポリチオフェン誘導体、発光層にポリアルキルフルオレン誘導体を積層した高分子型ＥＬ素子がある。
【０００６】
ＥＬ素子は、発光媒体層や陰極層を大気暴露させた状態で放置すると、大気中の水分や酸素により劣化することが知られている。特に水分の影響は顕著で、具体的な代表例として、ダークスポットと呼ばれる非発光領域が発生し、時間の経過と共に拡大するといった現象がある。
【０００７】
そこで、水分を遮断する封止構造が必要となるが、従来は水分を遮断するガラス又は金属製の封止缶を接着剤で貼り合わせて中空構造とし、接着剤断面から侵入する水分は、封止缶の内側に設けた乾燥剤で捕集し、素子に到達させない構造（缶封止構造）を一般に用いてきた（例えば、特許文献１，２参照）。
【０００８】
しかしながら、トップエミッション構造では、表示側に中空の封止缶を被せると、画像の多重化を引き起こすため、好ましくない。従って、平板を密着させて封止するベタ封止が必要となる。ベタ封止の方法として、例えば特許文献３のようにシート状の固体接着剤と平板をＥＬ素子上に貼り合わせる方法が提案されているが、このようなシート状の固体接着剤を複数のＥＬ素子が設けられた多面取り用の素子基板上に貼り合わせた場合、ＥＬ素子の外周部に設けられた配線部も接着剤で覆われてしまい、ＥＬ素子を駆動させることが出来なくなってしまうという問題があった。
【特許文献１】特開平７−１６９５６７号公報
【特許文献２】特開平１０−１２３７６号公報
【特許文献３】特開２００６−１７９３５２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、上記問題を鑑みてなされたもので、大型基板から複数のＥＬ素子パネルを多面取りする場合に特に有効な、製造方法及び封止基板を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
請求項１に係る発明は、
（ａ）第一基材上に接着剤層を設けて封止基板を形成する第一工程、
（ｂ）第二基材上に表示部と配線部を含むエレクトロルミネッセンス素子を複数設けた素子基板を形成する第二工程、
（ｃ）前記封止基板を前記素子基板に貼り合わせてエレクトロルミネッセンス素子パネルを形成する第三工程、
を含むエレクトロルミネッセンス素子パネルの製造方法であって、前記第一工程において、前記接着剤層上の特定領域に、少なくともＡｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｄ、Ｃｕ、Ｍｇ、Ｓｎ、Ｔｉのいずれか１種の金属を含む非接着層パターンを設け、且つ前記特定領域が、少なくとも前記配線部の一部を含む前記表示部の外周領域に相当する領域であることを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子パネルの製造方法である。
【００１１】
接着剤層上の特定領域に、少なくともＡｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｄ、Ｃｕ、Ｍｇ、Ｓｎ、Ｔｉのいずれか１種の金属を含む非接着層パターンを設け、且つ特定領域が、少なくとも配線部の一部を含む表示部の外周領域に相当する領域であることで、ＥＬ素子表示部を接着剤でベタ封止できると同時に、ＥＬ素子表示部の外周領域にある配線部は接着剤で直接ベタ封止されることのないＥＬ素子パネルの製造方法を提供することができる。
【００１２】
請求項２に係る発明は、
（ａ）第一基材上に接着剤層を設けて封止基板を形成する第一工程、
（ｂ）第二基材上に表示部と配線部を含むエレクトロルミネッセンス素子を複数設けた素子基板を形成する第二工程、
（ｃ）前記封止基板を前記素子基板に貼り合わせてエレクトロルミネッセンス素子パネルを形成する第三工程、
を含むエレクトロルミネッセンス素子パネルの製造方法であって、前記第一工程において、前記接着剤層上の特定領域に、少なくともフッ素樹脂を含む非接着層パターンを設け、且つ前記特定領域が、少なくとも前記配線部の一部を含む前記表示部の外周領域に相当する領域であることを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子パネルの製造方法である。
【００１３】
接着剤層上の特定領域に、少なくともフッ素樹脂を含む非接着層パターンを設け、且つ特定領域が、少なくとも配線部の一部を含む表示部の外周領域に相当する領域であることで、ＥＬ素子表示部を接着剤でベタ封止できると同時に、ＥＬ素子表示部の外周領域にある配線部は接着剤で直接ベタ封止されることのないＥＬ素子パネルの製造方法を提供することができる。
【００１４】
請求項３に係る発明は、前記非接着層パターンが転写法で形成されることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のエレクトロルミネッセンス素子パネルの製造方法である。
【００１５】
非接着層パターンを転写法で形成することで、パターン形成時の接着剤の劣化を防止することができる。
【００１６】
請求項４に係る発明は、請求項１乃至請求項３のいずれかに記載のエレクトロルミネッセンス素子パネルの製造方法であって、さらに、
（ｄ）前記エレクトロルミネッセンス素子パネルから、特定領域の前記第一基材と前記接着剤層と前記非接着層パターンを取り除く第４工程、
を含み、且つ前記特定領域は、前記非接着層パターンが設けられた領域であって、少なくとも前記配線部の一部を含む領域であることを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子パネルの製造方法である。
【００１７】
非接着層パターンが設けられた領域であって、少なくとも配線部の一部を含む領域について、第一基材と接着剤層と非接着層パターンとを取り除く工程を含むことで、ＥＬ素子表示部が接着剤層でベタ封止されている同時に、ＥＬ素子表示部の外周領域にある配線部が取り出されたＥＬ素子パネルの製造方法を提供することができる。
【００１８】
請求項５に係る発明は、請求項１乃至請求項３のいずれかに記載のエレクトロルミネッセンス素子パネルの製造方法であって、さらに、
（ｄ）前記エレクトロルミネッセンス素子パネルから、特定領域の前記第一基材と前記接着剤層と前記非接着層パターンを取り除くと同時に前記エレクトロルミネッセンス素子パネルを個片化する第４工程、
を含み、且つ前記特定領域は、前記非接着層パターンが設けられた領域であって、少なくとも前記配線部の一部を含む領域であることを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子パネルの製造方法である。
【００１９】
非接着層パターンが設けられた領域であって、少なくとも配線部の一部を含む領域について、第一基材と接着剤層と非接着層パターンとを取り除くと同時にＥＬ素子パネルを個片化する工程を含むことで、ＥＬ素子表示部が接着剤層でベタ封止されている同時に、ＥＬ素子表示部の外周領域にある配線部が取り出され、且つ個片化されたＥＬ素子パネルの製造方法を提供することができる。
【００２０】
請求項６に係る発明は、請求項１乃至請求項３のいずれかに記載のエレクトロルミネッセンス素子パネルの製造方法であって、さらに、
（ｄ）前記エレクトロルミネッセンス素子パネルを個片化する第４工程、
（ｅ）前記個片化されたエレクトロルミネッセンス素子パネルから、特定領域の前記第一基材と前記接着剤層と前記非接着層パターンを取り除く第５工程、
を含み、且つ前記特定領域は、前記非接着層パターンが設けられた領域であって、少なくとも前記配線部の一部を含む領域であることを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子パネルの製造方法である。
【００２１】
ＥＬ素子パネルを個片化した後に、非接着層パターンが設けられた領域であって、少なくとも配線部の一部を含む領域について、第一基材と接着剤層と非接着層パターンとを取り除く工程を含むことで、ＥＬ素子表示部が接着剤層でベタ封止されている同時に、ＥＬ素子表示部の外周領域にある配線部が取り出され、且つ個片化されたＥＬ素子パネルの製造方法を提供することができる。
【００２２】
請求項７に係る発明は、前記第一基材の水蒸気透過率が１０−４ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下であることを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれかに記載のエレクトロルミネッセンス素子パネルの製造方法である。
【００２３】
第一基材の水蒸気透過率が１０−４ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下であることで、水分の浸入が防止され、ダークスポットの発生が防止されたＥＬ素子パネルの製造方法を提供することができる。
【００２４】
請求項８に係る発明は、前記第一基材の光透過率が８０％以上であることを特徴とする請求項１乃至請求項７に記載のいずれかにエレクトロルミネッセンス素子パネルの製造方法である。
【００２５】
第一基材の光透過率が８０％以上であることで、トップエミッション型のＥＬ素子パネルの製造方法を提供することができる。
【００２６】
請求項９に係る発明は、水蒸気透過率が１０−４ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下の第一基材上に接着剤層を有し、且つ前記接着剤層上の一部に、少なくともＡｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｄ、Ｃｕ、Ｍｇ、Ｓｎ、Ｔｉのいずれか１種の金属を含む非接着層パターンが設けられていることを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子パネル用封止基板である。
【００２７】
表示部と配線部を含むＥＬ素子が設けられた素子基板へ貼り合わせた際、第一基材の水蒸気透過率が１０−４ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下であることで、ＥＬ素子への水分の浸入が防止され、ダークスポットの発生を防止でき、且つ接着剤層によりＥＬ素子表示部をベタ封止することができるＥＬ素子パネル用封止基板を提供することができる。
【００２８】
さらに、接着剤層上の一部に、少なくともＡｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｄ、Ｃｕ、Ｍｇ、Ｓｎ、Ｔｉのいずれか１種の金属を含む非接着層パターンが設けられていることで、配線部等の所望の領域は接着剤で直接ベタ封止することのないＥＬ素子パネル用封止基板を提供することができる。
【００２９】
請求項１０に係る発明は、水蒸気透過率が１０−４ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下の第一基材上に接着剤層を有し、且つ前記接着剤層上の一部に、少なくともフッ素樹脂を含む非接着層パターンが設けられていることを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子パネル用封止基板である。
【００３０】
表示部と配線部を含むＥＬ素子が設けられた素子基板へ貼り合わせた際、第一基材の水蒸気透過率が１０−４ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下であることで、ＥＬ素子への水分の浸入が防止され、ダークスポットの発生を防止でき、且つ接着剤層によりＥＬ素子表示部をベタ封止することができるＥＬ素子パネル用封止基板を提供することができる。
【００３１】
さらに、接着剤層上の一部に、少なくともフッ素樹脂を含む非接着層パターンが設けられていることで、配線部等の所望の領域は接着剤で直接ベタ封止することのないＥＬ素子パネル用封止基板を提供することができる。
【００３２】
請求項１１に係る発明は、前記非接着剤層パターンが格子状であることを特徴とする請求項９または請求項１０に記載のエレクトロルミネッセンス素子パネル用封止基板である。
【００３３】
非接着層パターンが格子状であることで、表示部と配線部を含むＥＬ素子が複数設けられた素子基板へ貼り合わせた際、配線部等の所望の領域は接着剤で直接ベタ封止することのないＥＬ素子パネル用封止基板を提供することができる。
【００３４】
請求項１２に係る発明は、請求項９乃至請求項１１のいずれかに記載のエレクトロルミネッセンス素子パネル用封止基板であって、光透過率が８０％以上であることを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子パネル用封止基板である。
【００３５】
第一基材の光透過率が８０％以上であることで、トップエミッション型のＥＬ素子パネルに適用可能な封止基板を提供することができる。
【発明の効果】
【００３６】
本発明によれば、（ａ）第一基材上に接着剤層を設けて封止基板を形成する第一工程、（ｂ）第二基材上に表示部と配線部を含むＥＬ素子を複数設けた素子基板を形成する第二工程、（ｃ）封止基板を素子基板に貼り合わせてＥＬ素子パネルを形成する第三工程、を含むＥＬ素子パネルの製造方法であって、第一工程において、接着剤層上の特定領域に、少なくともＡｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｄ、Ｃｕ、Ｍｇ、Ｓｎ、Ｔｉのいずれか１種の金属を含む非接着層パターンを設け、且つ特定領域が、少なくとも配線部の一部を含む表示部の外周領域に相当する領域であることを特徴とすることで、ＥＬ素子表示部を接着剤でベタ封止できると同時に、ＥＬ素子表示部の外周領域にある配線部は接着剤で直接ベタ封止されることのないＥＬ素子パネルの製造方法を提供することができた。
【００３７】
また、（ａ）第一基材上に接着剤層を設けて封止基板を形成する第一工程、（ｂ）第二基材上に表示部と配線部を含むエレクトロルミネッセンス素子を複数設けた素子基板を形成する第二工程、
（ｃ）封止基板を素子基板に貼り合わせてＥＬ素子パネルを形成する第三工程、を含むＥＬ素子パネルの製造方法であって、前記第一工程において、前記接着剤層上の特定領域に、少なくともフッ素樹脂を含む非接着層パターンを設け、且つ特定領域が、少なくとも配線部の一部を含む表示部の外周領域に相当する領域であることを特徴とすることで、ＥＬ素子表示部を接着剤でベタ封止できると同時に、ＥＬ素子表示部の外周領域にある配線部は接着剤で直接ベタ封止されることのないＥＬ素子パネルの製造方法を提供することができた。
【００３８】
さらには、水蒸気透過率が１０−４ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下の第一基材上に接着剤層を有し、且つ接着剤層上の一部に、少なくともＡｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｄ、Ｃｕ、Ｍｇ、Ｓｎ、Ｔｉのいずれか１種の金属を含む非接着層パターンが設けられていることを特徴とすることで、表示部と配線部を含むＥＬ素子が設けられた素子基板へ貼り合わせた際、第一基材の水蒸気透過率が１０−４ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下であるので、ＥＬ素子への水分の浸入が防止され、ダークスポットの発生を防止でき、且つ接着剤層によりＥＬ素子表示部をベタ封止することができるＥＬ素子パネル用封止基板を提供することができた。さらに、接着剤層上の一部に、少なくともＡｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｄ、Ｃｕ、Ｍｇ、Ｓｎ、Ｔｉのいずれか１種の金属を含む非接着層パターンが設けられていることで、配線部等の所望の領域は接着剤で直接ベタ封止することのないＥＬ素子パネル用封止基板を提供することができた。
【００３９】
さらには、水蒸気透過率が１０−４ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下の第一基材上に接着剤層を有し、且つ接着剤層上の一部に、少なくともフッ素樹脂を含む非接着層パターンが設けられていることを特徴とすることで、表示部と配線部を含むＥＬ素子が設けられた素子基板へ貼り合わせた際、第一基材の水蒸気透過率が１０−４ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下であるので、ＥＬ素子への水分の浸入が防止され、ダークスポットの発生を防止でき、且つ接着剤層によりＥＬ素子表示部をベタ封止することができるＥＬ素子パネル用封止基板を提供することができた。さらに、接着剤層上の一部に、少なくともフッ素樹脂を含む非接着層パターンが設けられていることで、配線部等の所望の領域は接着剤で直接ベタ封止することのないＥＬ素子パネル用封止基板を提供することができた。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４０】
以下、本発明の実施の形態を、図面を用いて説明する。なお、以下の実施の形態の説明において参照する図面は、本発明の構成を説明するためのものであり、図示される各部の大きさや厚さ、寸法等は、実際のものとは異なる。また、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００４１】
図１に、封止基板１０の一例を示す。図１は断面の模式図である。第一基材１１上に接着剤層１２が設けられ、接着剤層１２上に格子状の非接着層パターン１３が設けられている。
【００４２】
ここで、接着剤層１２上に形成された非接着層パターン１３は、図２に示す様に封止基板１０と、第二基材２１上に表示部２２と配線部２３を含むＥＬ素子が複数設けられた素子基板２０とを対向配置した時の、少なくとも配線部２３の一部を含む、表示部２２の外周領域に相当する領域に設けられている。これにより、表示部２２をベタ封止できると同時に、ＥＬ素子の配線部２３全体が接着剤層１２で直接ベタ封止されることのない封止基板を得ることができる。
【００４３】
ここで、配線部２３は外付けの駆動ＩＣとのコンタクト部や内蔵駆動回路と外部とのコンタクト部が接着剤層で直接覆われなければ良く、配線部２３の一部又は大部分が接着剤層に覆われていても良い。図２では、ＥＬ素子として、ライン状の第一電極３１、発光媒体層３２、発光媒体層を隔てるための隔壁３４を設け、第１電極３１と直交するように第２電極３３を積層して設けられたものを例示したが、これに限られるものではない。
【００４４】
図３に本発明の封止基板１０の製造方法の一例を示す。まず、第一基材１１上に接着剤層１２を形成する。
【００４５】
第一基材１１は、第一基材側が表示側となる、トップエミッション型のＥＬ素子パネルに適用する場合には、透明基材であることが好ましく、光透過率は８０％以上であることが好ましい。光透過率が８０％より小さいと、所望の輝度を満たすためにより大きな電圧を要し、ＥＬ素子の短寿命化に繋がってしまう。さらには平滑性が高いことが好ましい。
【００４６】
例えばソーダ石灰ガラス、鉛アルカリガラス、ホウケイ酸ガラス、アルミノケイ酸ガラス、シリカガラス等のガラス板等の無機材料、またはフィルム上に成形が可能な樹脂基板等を用いることができる。このような樹脂基板に用いられる樹脂としては、ＥＬ素子に影響を与える揮発成分を含まない耐溶媒性、耐熱性の比較的高い高分子材料が好ましく、具体的には、フッ素系樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、ＡＢＳ樹脂、ポリアミド、ポリアセタール、ポリエステル、ポリカーボネート、変性ポリフェニレンエーテル、ポリスルホン、ポリアリレート、ポリエーテルイミド、ポリエーテルサルフォン、ポリアミドイミド、ポリイミド、ポリフェニレンスルフィド、液晶性ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリミクロイキシレンジメチレンテレフタレート、ポリオキシメチレン、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルケトン、ポリアクリレート、アクリルニトリル−スチレン樹脂、シリコーン樹脂、非昌質ポリオレフィン等が挙げられ、これらを１種、または２種類以上の共重合体として用いても良い。
【００４７】
また、ＥＬ素子は、酸素や水分によってダークスポットや端部劣化が生じるので、樹脂基板は水分、酸素に対するバリア性があることが望ましく、水蒸気透過率は１０−４ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下が望ましい。水蒸気透過率が１０−４ｇ／ｍ２／ｄａｙより大きいと、ＥＬ素子は、透過してきた水分によってダークスポットや端部劣化を生ずる。
【００４８】
厚さとしては、トップエミッション型のＥＬ素子パネルに適用する場合には、高透過率を有する厚さであればよく、特に制限されるものではないが、ガラス等については、０．５ｍｍから１．８ｍｍが好ましく、また、樹脂基板等については、１０μｍから２ｍｍが好ましい。
【００４９】
接着剤層１２の材料としては、例えば、ポリエステルアクリレート，ポリエーテルアクリレート，エポキシアクリレート，ポリウレタンアクリレートなどの各種アクリレートを主成分とする光ラジカル重合性樹脂や、エポキシ，ビニルエーテルなどの樹脂を主成分とする光カチオン重合性樹脂や、チオール・エン付加型樹脂などの光硬化性樹脂や、ポリエチレン，ポリプロピレン，ポリエチレンテレフタレート，ポリメチルメタクリレート，ポリスチレン，ポリエーテルスルホン，ポリアリレート，ポリカーボネート，ポリウレタン，アクリル樹脂，ポリアクリルニトリル，ポリビニルアセタール，ポリアミド，ポリイミド，ジアクリルフタレート樹脂，セルロース系プラスチック，ポリ酢酸ビニル，ポリ塩化ビニル，ポリ塩化ビニリデンなどや、これらの２つまたは３つ以上の共重合体などの熱可塑性樹脂や、熱硬化型樹脂などが挙げられる。接着剤層１２を形成する樹脂は、ＥＬ素子パネルの作製工程の中で劣化原因となるアウトガスを発生しない、または発生量が少なく、温度や経時で変形、収縮、膨張などの変化が小さいものであれば、特に限定されるものではない。しかしながら、第一基材１１や表示部２２への密着性及び接着性が良好であるという点から、接着剤層１２を形成する樹脂としては、加熱されることによって硬化する熱硬化型の樹脂が好ましい。また、膜厚均一性や貯蔵安定性を考慮すれば、接着剤層材料は常温では非流動性を示し、固体もしくは軟質固体であり、５０〜１００℃で溶融する樹脂であることが望ましく、また、シート状（フィルム状）に加工されていることが望ましい。接着剤層１２の膜厚は１０μｍから１００μｍが好ましい。さらにはトップエミッション型のＥＬ素子パネルに適用する場合には、透明な接着剤が望ましい。
【００５０】
また、熱硬化型の樹脂を使用した場合の硬化のための加熱は、ＥＬ素子との貼り合わせ後に行うことが好ましいが、これに限られるものではない。
【００５１】
接着剤層１２の形成方法に特に制限はなく、ロール法、ダイコート法、グラビア印刷法、コンマコータ法等の各種コーティング法を好適に用いて、第一基材１１上に形成する方法の他、図３（ａ）、（ｂ）に示すように、保護基材４１上に、前述の各種コーティング法を用い接着剤層１２を形成した後、熱ラミネータ、真空ラミネータ等の公知のラミネータを使用し、転写法で第一基材１１上に転写することもできる。
【００５２】
保護基材４１の材料としては、フィルム状であることが好ましく、例えば、ポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、ＰＥＴ等のプラスチックフィルムが挙げられるがこれらに制限されるものではない。膜厚は１０μｍから１００μｍが好ましい。
【００５３】
次に、接着剤層１２上に、非接着層パターン１３を設け、封止基板１０を形成する。非接着剤層パターン１３は、図２に示したように、封止基板１０と、素子基板２０とを対向配置した時、少なくとも配線部２３の一部を含む、表示部２２の外周領域に相当する領域に設ける。
【００５４】
非接着層パターン１３の材料としては、ＥＬ素子の配線部２３との密着性及び接着性が低いものであれば制限はないが、パターニングが容易であることから、フォトレジスト材料、金属材料等が望ましい。フォトレジスト材料はフッ素樹脂が好ましく、ポジ型のものがより好ましい。また、金属材料は、成膜が容易な材料であることが好ましく、Ａｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｄ、Ｃｕ、Ｍｇ、Ｓｎ、Ｔｉのいずれか１種の金属を含むことがより好ましい。形成方法としては、フォトレジスト材料の場合は、スピンコート法、スリットコータ法により塗布した後、フォトマスクを使用し、露光・現像し、パターン形成を行うことができる。金属材料の場合は、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、高周波誘導加熱蒸着法などの真空蒸着法で膜形成した後、ケミカルエッチングによりパターン形成を行うことができる。非接着層パターン１３の膜厚としては、１０ｎｍから５０μｍが好ましい。
【００５５】
また、非接着層パターン１３の別の形成方法としては、図３（ｃ）から（ｆ）に示すように、転写基材５１上に上述の方法で、非接着層パターン１３を設け、転写基板５０を形成した後、熱ラミネータ、真空ラミネータ等の公知のラミネータを使用し、転写法で非接着層パターン１３を接着剤層１２上に形成することもできる。転写法を用いることで、接着剤層１２上に直接非接着層パターン１３を形成する場合に比べ、パターン形成時の接着剤層の劣化を防止することができる。
【００５６】
また、転写基材５１はフィルム状であることが好ましく、例えば、ポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、ＰＥＴ等のプラスチックフィルムが挙げられるがこれらに制限されるものではない。膜厚は１０μｍから１００μｍが好ましい。
【００５７】
このとき、非接着層パターン１３と接着剤層１２の界面強度は、非接着層パターン１３と転写基材５１の界面強度よりも大きい必要がある。
【００５８】
図４に、ＥＬ素子パネルの製造方法の一例を示す。
【００５９】
表示部２２と配線部２３を含むＥＬ素子を複数設けた素子基板２０と、第一基材１１上に接着剤層１２と少なくとも配線部２３の一部を含む、表示部２２の外周領域に相当する領域に非接着層パターン１３を設けた封止基板１０とを貼り合わせる（図４（ａ））ことにより、ＥＬ素子パネル１００（図４（ｂ））を製造することができる。
【００６０】
ＥＬ素子パネル１００により、表示部２２がベタ封止されていると同時に、表示部２２の外周領域にある配線部２３の一部は接着剤で直接ベタ封止されておらず、配線の取り出しが容易なＥＬ素子パネルを得ることができる。
【００６１】
貼り合わせ方法は公知の方法を用いることができるが、例えば、熱ラミネート、真空ラミネート等の公知のラミネート法が挙げられる。
【００６２】
素子基板の第二基材２１としては、ガラスや石英、プラスチックシート等の透光性基材の他に、アルミニウムやステンレスなどの金属箔やシート、シリコン基板、プラスチックフィルムやシートにアルミニウム、銅、ニッケル、ステンレスなどの金属膜を積層させた非透光性基材などを用いることができる。
【００６３】
第二基材２１上に必要に応じて、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を設けることもできる。ＴＦＴの半導体材料としては、ポリチオフェンやポリアニリン、銅フタロシアニンやペリレン誘導体等の有機半導体材料や、アモルファスシリコンやポリシリコンのケイ素半導体材料が挙げられるが特に制限はなく、好適に用いることができる。
【００６４】
ＥＬ素子としては、例えば、図５に示すように、ライン状の第一電極３１、発光媒体層３２、発光媒体層を隔てるための隔壁３４を設け、第一電極３１と直交するように第２電極３３を積層して設けられたものを例示したが、これに限られるものではない。
【００６５】
第１電極３１の材料や形成方法としては、公知のものを好適に使用でき、例えば、第１電極が陽極の場合、ＩＴＯ（インジウムスズ複合酸化物）やインジウム亜鉛複合酸化物、亜鉛アルミニウム複合酸化物などの金属複合酸化物や、金、白金などの金属材料等を抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、反応性蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法などの乾式成膜法で成膜してパターニング処理するか、金属酸化物や金属材料の微粒子をエポキシ樹脂やアクリル樹脂などに分散した微粒子分散液をグラビア印刷法、スクリーン印刷法などの湿式成膜法などを用いてパターン印刷して得ることができる。また、第１電極の形状は好適に設定することができ、ライン状でもデルタ配列でもセグメント状でも画素状でも良い。
【００６６】
なお、必要に応じ、外付けの駆動ＩＣとのコンタクト部や内蔵駆動回路と外部とのコンタクト部となる配線部２３の配線抵抗を低減させるために第１電極上に銅、クロム、アルミニウム、チタン等の金属もしくはこれらの積層物をバス電極３５として部分的に設けることもできる。
【００６７】
隔壁３４は必要に応じ形成することができる。第１電極３１が形成された第二基材２１上に例えば、アクリル樹脂あるいはポリイミド樹脂をベース樹脂とした感光性樹脂溶液をロールコート、スピンコート、スクリーン印刷、スプレーコート等のコーティング法を用いて、所定厚の感光層を形成し、パターン露光、現像等のパターニング処理を行って、所定位置に隔壁３４を形成することができる。隔壁３４は、特に、多色の有機の発光媒体層をウエットプロセスで塗り分ける際、混色を防ぐ場合に有効である。
【００６８】
発光媒体層３１は、発光層を含む単層膜、あるいは多層膜で形成することができる。発光媒体層３１を多層膜で形成する場合の例としては、正孔注入輸送層と電子輸送性発光層や、正孔輸送性発光層と電子輸送層の２層構成の他、正孔注入輸送層、発光層、電子注入輸送層からなる３層構成、さらには、必要に応じて、電子ブロック層や正孔ブロック層などを挿入することにより、さらに多層で形成することも可能である。材料は無機、有機の公知の材料を好適に使用することができ、形成方法も、特に制限は無く、公知のドライプロセスやウエットプロセスを材料に応じて好適に使用することができる。
【００６９】
第２電極３３は、公知の材料を好適に用いることができるが、例えば、第２電極３３が陰極で、表示側の場合、仕事関数が低いＬｉ、Ｃａ、Ｂａを薄く設けた後に、ＩＴＯ（インジウムスズ複合酸化物）やインジウム亜鉛複合酸化物、亜鉛アルミニウム複合酸化物などの金属複合酸化物のような透明性材料を使用することができる。また、発光媒体層３１に、仕事関数が低いＬｉ、Ｃａなどの金属を少量ドーピングして、ＩＴＯなどの金属酸化物を積層しても良い。第２電極３３の形成方法は、材料に応じて、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、反応性蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法を用いることができる。
【００７０】
また、第２電極の表示部以外の下部に配線部２３の一部として補助電極３６をＩＴＯ等で予め設けておくこともでき、必要に応じ、外付けの駆動ＩＣとのコンタクト部や内蔵駆動回路と外部とのコンタクト部となる配線部２３の配線抵抗を低減させるために第２電極上に銅、クロム、アルミニウム、チタン等の金属もしくはこれらの積層物をバス電極３５として部分的に併設することもできる。
【００７１】
さらには、上記ＥＬ素子上にＳｉＮｘ、ＳｉＯＮｘ、ポリパラキシレン膜等の材料のパッシベーション層を好適に設けることもできる。
【００７２】
ここで、ＥＬ素子パネル１００は、非接着層パターンが少なくとも配線部２３の一部を含む、表示部２２の外周領域に相当する領域に設けられている封止基板が貼り合わされているので、非接着層パターンが設けられている領域については、容易に第一基材と接着剤層と非接着層パターンを取り除くことでき、配線部若しくは所望の配線部の一部を取り出すことができる。
【００７３】
取り除く方法としては、例えば、第一基材１１が樹脂基板ならばカッター、ガラス等ならダイヤモンドカッター又はスクライバー装置等を使用して図６（ａ）のＡの部分に切り込み６１を入れ（図６（ｂ））、必要に応じ、ブレーク装置等で切り込み口とは反対側から力を加え、亀裂６２を非接着層パターンまで達しさせるもしくは、非接着層パターン近くに達しさせた後（図６（ｃ））、吸着装置等を利用して取り除くことができ、配線部の一部が露出されたＥＬ素子パネル２００を得ることができる（図６（ｄ）)。
【００７４】
切り込みの深さに制限はなく、切り込み６１を入れ、必要に応じ力を加えることにより、亀裂６２が非接着層パターン１３に達するもしくは、非接着層パターン１３近くに達すれば良く、第一基材１１のみに切り込みを入れても良いし、第一基材１１と接着剤層１２に切り込みを入れても良い。
【００７５】
また、ＥＬ素子パネル１００について、上述同様に配線部若しくは所望の配線部の一部を取り出すために第一基材と接着剤層と非接着層パターンを取り除くと同時に、ＥＬ素子パネルの個片化を行うこともできる。例えば、図７（ａ）のＡ〜Ｃの部分に切り込みを入れ、好適にブレイク装置等で力を加えることで実施することができる。切り込む順序、力を加える順序に制限はないが、例えば、まず、図７（ａ）のＡとＢの部分に切り込み６１を入れ（図７（ｂ））、必要に応じ、ブレーク装置等で切り込み口とは反対側から力を加え、亀裂６２を非接着層パターンに達しさせるもしくは、非接着層パターン近くに達しさせることができる（図７（ｃ））。その後、Ｃの部分に切り込みを入れ（図７（ｄ））、ブレーク装置等でＣの切り口の反対側から力を加え、ＡとＢの間の第一基材と接着剤層と非接着層パターンを取り除くと同時に、ＥＬ素子パネルを個片化することができ、ＥＬ素子の配線部の一部が露出され、且つ個片化されたＥＬ素子パネル３００を得ることができる（図７（ｅ））。
【００７６】
切り込みの深さに制限はなく、第一基材への切込み６１は、切り込みを入れ、必要に応じ力を加えることにより、亀裂６２が非接着剤層パターン１３に達するもしくは、非接着層パターン１３近くに達すれば良く、第一基材１１のみに切り込みを入れても良いし、第一基材１１と接着剤層１２に切り込みを入れても良い。第二基材２１への切り込みは、切り込み６１を入れ、必要に応じ力を加えることで、亀裂がＢの亀裂に達すれば良い。
【００７７】
さらには、ＥＬ素子パネル１００について、ＥＬ素子パネルを個片化した後、上述同様に配線部若しくは所望の配線部の一部を取り出すために第一基材と接着剤層と非接着層パターンを取り除くこともできる。例えば、図７（ａ）のＢに切り込み６１を入れ、必要に応じ、ブレーク装置等で切り込み口とは反対側から力を加え、亀裂６２を非接着層パターン１３に達しさせるもしくは、非接着層パターン１３近くに達しさせた後、Ｃの部分に切り込みを入れ、ブレーク装置等でＣの切り口の反対側から力を加え、ＥＬ素子パネルを個片化することができる。その後、Ａに切り込み６１を入れ、必要に応じ、ブレーク装置等で切り込み口とは反対側から力を加え、亀裂６２を非接着層パターンに達しさせるもしくは、非接着層パターン近くに達しさせ、必要に応じ吸着装置等を利用することで、ＡとＢの間の第一基材と接着剤層と非接着層パターンを容易に取り除くことができ、ＥＬ素子の配線部の一部が露出され、且つ個片化されたＥＬ素子パネル３００を得ることができる。
【実施例】
【００７８】
（実施例１）
まず、ＰＥＴフィルムの保護基材４１上に室温で非流動性かつ５０〜１００℃で流動性を示す熱硬化型エポキシ樹脂をエタノールに溶解したものを、ロール法で延展し、エタノールを揮発させて厚み２５μｍの接着剤層１２を形成した。
【００７９】
次に保護基材４１上に形成した接着剤層１２を、無アルカリガラスの第一基材１１上に熱ローラを使って転写した（図３（ａ）、図３（ｂ）参照）。このときの接着剤層転写条件は、温度８５℃、圧力０．２ＭＰａであった。
【００８０】
また、ＰＥＴフィルムの転写基材５１上に真空蒸着法で厚み５００ｎｍのアルミニウムを蒸着し、ケミカルエッチング法にてアルミニウムの非接着層パターン１３を形成し、転写基板５０を作製した（図３（ｃ）、図３（ｄ）参照）。非接着層パターン１３は、素子基板２０と転写基板５０を重ねた場合、配線部２３の一部を含む、表示部２２の外周領域に相当する領域に形成した。
【００８１】
そして、アルミニウムの非接着層パターン１３が形成された転写基板５０を、接着剤層１２を形成した第一基材１１上に、熱ローラを使って転写した（図３（ｅ）、図３（ｆ）参照）。このときの接着剤層転写条件は、温度７５℃、圧力０．２ＭＰａであった。
【００８２】
一方、ガラスからなる基板２１上にインジウム・錫合金酸化物、クロムを順次スパッタリングにより成膜し、それぞれ１５０ｎｍ、３００ｎｍの膜を得た。その後、ケミカルエッチングにより、ＥＬ素子のライン状の第１電極３１及びバス電極３５を形成した。次に、第１電極３１が形成された基板２１上にポリイミド樹脂からなる感光性樹脂溶液をスピンコーターにて塗布して感光層を形成し、パターン露光、現像等の１連のパターニング処理を行って、画素の土手として１μｍ厚の隔壁３４を形成した。
【００８３】
次に、隔壁３４の間にポリ（３、４−エチレンジオキシチオフェン）とポリスチレンスルホン酸との混合物からなる２０ｎｍの正孔輸送層と、ポリ［２−メトキシ−５−（２’−エチルヘキシロキシ）−１、４−フェニレンビニレン］（ＭＥＨＰＰＶ）からなる８０ｎｍ厚の発光体層とからなる２層構成の１００ｎｍ厚の有機発光媒体層３２を印刷法で形成した。
【００８４】
次に、真空蒸着でカルシウムを５ｎｍ、インジウム・錫合金化合物をスパッタリングして５０ｎｍ厚のＩＴＯ膜をパターニング成膜することで有機発光媒体層３２上に第２電極３３を形成し、素子基板２０を作製した（図５参照）。
【００８５】
そして、上記の素子基板２０と封止基板１０を対向配置し（図４（ａ）参照）、真空ラミネータで貼り合わせた。貼り合わせ条件は、温度８５℃、時間３分、圧力１．０ＭＰａで行った。その後、熱キュアを１２０℃、１ｈ行って、有機ＥＬ素子パネル１００を得た（図４（ｂ）参照）。
【００８６】
また、さらに、有機ＥＬ素子パネル１００に対し、スクライバー装置（三星ダイヤモンド製、ＭＳ５２２０）を使用し、図７（ａ）に示すＡとＢの箇所に、スクライブを行った（図７（ｂ））。切り込み量は０．１ｍｍで行った。その後、ガラスブレーカー（イーエッチシー製、ＭＬＢ−３００）を使用し、ＡとＢの箇所の亀裂を非接着層まで達しさせた（図７（ｃ））。
【００８７】
次にＣの箇所に、同様に０．１ｍｍのスクライブを行った（図７（ｄ））。その後同様の装置でＣの箇所をブレイクすることで、ＥＬ素子の配線部の一部が露出され、且つ個片化されたＥＬ素子パネル３００を得た（図７（ｅ）参照）。
【００８８】
（実施例２）
まず、ＰＥＴフィルムの保護基材４１上に室温で非流動性かつ５０〜１００℃で流動性を示す熱硬化型エポキシ樹脂をエタノールに溶解したものを、ロール法で延展し、エタノールを揮発させて厚み２５μｍの接着剤層１２を形成した。
【００８９】
次に保護基材４１上に形成した接着剤層１２を、無アルカリガラスの第一基材１１上に熱ローラを使って転写した（図３（ａ）、図３（ｂ）参照）。このときの接着剤層転写条件は、温度８５℃、圧力０．２ＭＰａであった。
【００９０】
また、ＰＥＴフィルムの転写基材５１上に、熱ラミネータ法でフッ素含有のドライフィルムレジストを２０μｍ形成し、露光・現像にてフッ素含有レジストの非接着層パターン１３を形成し、転写基板５０を作製した（図３（ｃ）、図３（ｄ）参照）。非接着層パターン１３は、素子基板２０と転写基板５０を重ねた場合、配線部２３の一部を含む、表示部２２の外周領域に相当する領域に形成した。
【００９１】
そして、フッ素含有レジストの非接着層パターン１３が形成された転写基板５０を、接着剤層１２を形成した第一基材１１上に、熱ローラを使って転写した（図３（ｅ）、図３（ｆ）参照）。このときの接着剤層転写条件は、温度７５℃、圧力０．２ＭＰａであった。
【００９２】
以下、素子基板２０の作成法及び有機ＥＬ素子パネル１００の断裁方法は実施例１と同様である。
【図面の簡単な説明】
【００９３】
【図１】本発明の封止基板の一例を示す断面図である。
【図２】本発明の封止基板と素子基板の一例を示す断面図である。
【図３】本発明の封止基板の製造方法の一例を示す断面図である。
【図４】本発明のＥＬ素子パネルの製造方法の一例を示す断面図である。
【図５】本発明の素子基板の一例を示す断面図と平面図である。
【図６】本発明のＥＬ素子パネルの製造方法の一例を示す断面図である。
【図７】本発明のＥＬ素子パネルの製造方法の一例を示す断面図である。
【符号の説明】
【００９４】
１０……封止基板
１１……第一基材
１２……接着剤層
１３……非接着層パターン
２０……素子基板           
２１……第二基材
２２……表示部
２３……配線部
３１……第１電極
３２……発光媒体層
３３……第２電極
３４……隔壁
４１……保護基材
４２……熱ラミネータ
５０……転写基板
５１……転写基材
５２……熱ラミネータ
６１……切り込み
６２……亀裂
１００……ＥＬ素子パネル
２００……ＥＬ素子パネル
３００……ＥＬ素子パネル
【図１】
2008130312.tif 000003
【図２】
2008130312.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
2008130312.tif 000007
【図６】
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【図７】
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