(57)【要約】【課題】コンタクトの位置ズレに対するマージンを大きくとることができ、閉ループカットに対するマージンも大きくとることができる半導体装置を提供する。【解決手段】ハードマスク１１の側壁に沿った閉ループを有する側壁膜１２を形成した後このハードマスク１１をエッチング除去して側壁膜１２のみを残存させる。その後この側壁膜１２をマスクとして配線材料２００をエッチングしてなる配線層２００´を形成する。ハードマスク１１は、配線層２００´の長手方向に沿った-長辺１１Ｌと、この長辺と交差する方向に沿った複数の短辺１１Ｓとからなる。配線層２００´は、短辺の位置１１Ｓ又は短辺１１Ｓに挟まれる位置に存在する長辺１１Ｌの位置において切断されて、２本の配線層２００Ａ、２００Ｂとされる。【選択図】図１
2008027991.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ハードマスクの側壁に沿った閉ループを有する側壁膜を形成し、このハードマスクをエッチング除去して前記側壁膜を残存させた後この側壁膜をマスクとして被エッチング部材をエッチングしてなる配線層を備え、
前記配線層は、前記ハードマスクの端部に沿うように形成された折り返し配線部と、この折り返し配線部から続く２本の平行な配線からなる平行部とを備えると共に、前記折り返し配線部と前記平行部とを除く部分において閉ループカットを施されており、
前記折り返し配線部又は前記平行部が、他の配線と接続するためのコンタクト領域として用いられることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
ハードマスクの側壁に沿った閉ループを有する側壁膜を形成し、このハードマスクをエッチング除去して前記側壁膜を残存させた後この側壁膜をマスクとして被エッチング部材をエッチングしてなる配線層を備え、
前記配線層は、前記ハードマスクの端部に沿うように形成され他の部分に比べ幅広とされている折り返し配線部を備えると共に、前記折り返し配線部を除く部分において閉ループカットを施されており、
前記折り返し配線部が、他の配線と接続するためのコンタクト領域として用いられることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
長辺とこの長辺に直交する方向に沿った複数の短辺とからなるハードマスクの側壁に沿った閉ループを有する側壁膜を形成し、このハードマスクをエッチング除去して前記側壁膜を残存させた後この側壁膜をマスクとして被エッチング部材をエッチングしてなる配線層を備え、
前記配線層は、前記短辺の位置又は前記短辺に挟まれる位置に存在する長辺の位置において切断され、且つ前記長辺の一端において切断されている
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
前記短辺が少なくとも３本形成され、
前記配線層は、前記短辺の位置において切断されている
ことを特徴とする請求項３記載の半導体装置。
【請求項５】
前記ハードマスクは、
前記長辺から第１の方向に沿って伸びる前記短辺を有する第１ハードマスクと、
前記長辺から前記第１の方向とは反対の第２方向に沿って前記第１ハードマスクの前記長辺に直交するように伸びる前記短辺を有する第２ハードマスクと
を形成され、
前記第１ハードマスクの前記短辺は、前記第２ハードマスクの前記短辺の間のスペースに配置されている
ことを特徴とする請求項３記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に関するものであり、特に、いわゆる側壁転写プロセスを用いて被エッチング部材をエッチングする半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造プロセスにおいて配線パターン（ラインアンドスペース）を形成する場合、フォトリソグラフィマスクを用いてレジストを現像することでレジストにパターンを転写した後、これをマスクとして被エッチング材をエッチングしてエッチング処理を行うのが一般的である。
【０００３】
半導体装置の微細化の要求により、リソグラフィの解像限界以下の配線パターンの形成が必要になってきているが、これを実現する方法として、所謂レジストスリミング方法が知られている。この方法は、レジストの現像後、レジスト、又はレジストをマスクとしてエッチングされた犠牲膜等に等方性エッチングを施すことにより、リソグラフィの解像限界以下、例えば解像限界幅Ｗよりも小さな幅のラインパターンを形成することができるものである。
【０００４】
他の方法として、いわゆる側壁転写プロセスが知られている（例えば、特許文献１及び２参照）。この方法は、配線材料の上にハードマスク更にはレジストを形成し、レジストをスリミングした後、ハードマスクをレジストをマスクとしてエッチングする。レジストを剥離した後、側壁膜となる薄膜を堆積させ、異方性エッチング等を用いて底部及び上部の薄膜をエッチングすることで、ハードマスク側壁に側壁膜を形成する（尚、上記のスリミング工程は、レジストに対し行う代わりに、ハードマスク加工後にハードマスク自体をスリミングするのでもよい）。そして、異方性エッチングもしくは等方性エッチングより選択的にハードマスクのみを除去して側壁膜は残すようにする。そして、この側壁膜をマスクとして配線材料を加工する。この方法によれば、リソグラフィの解像限界の制限を受けるハードマスクの寸法よりも小さい幅を有するラインアンドスペースを形成することが可能になる。
【０００５】
この側壁転写プロセスでは、ハードマスクを囲うように閉ループ状に側壁膜が形成され、配線層もこれに沿って形成される。従って、配線層は、閉ループのいずれかの部分でエッチング等により切断された上で使用される必要がある（以下、このような切断を行なうことを「閉ループカット」という）。
【０００６】
側壁転写プロセスで形成された配線層は、リソグラフィの解像限界の１／２程度の幅の配線パターンとなるため、他の配線に接続するためのコンタクト領域を形成することが困難となる。特許文献２では、長楕円上の閉ループに形成された側壁膜の屈曲部を切断し、その屈曲部をコンタクト領域とすることを開示している。しかし、この特許文献２の構成の場合、コンタクト領域とされる屈曲部が隣接する配線層と近接するため、コンタクトの位置ズレに対するマージンが小さくなる等の問題がある。
【０００７】
また、配線層がリソグラフィの解像度以下の狭ピッチで形成されているため、閉ループカットに対する位置合せズレの許容度（マージン）が小さいという問題がある。
【特許文献１】特開平７−２６３６７７号公報
【特許文献２】特開２００６−１５６６５７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、コンタクトの位置ズレに対するマージンを大きくとることができ、閉ループカットに対するマージンも大きくとることができる半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
この発明の一態様に係る半導体装置は、ハードマスクの側壁に沿った閉ループを有する側壁膜を形成し、このハードマスクをエッチング除去して前記側壁膜を残存させた後この側壁膜をマスクとして被エッチング部材をエッチングしてなる配線層を備え、前記配線層は、前記ハードマスクの端部に沿うように形成された折り返し配線部と、この折り返し配線部から続く２本の平行な配線からなる平行部とを備えると共に、前記折り返し配線部と前記平行部とを除く部分において閉ループカットを施されており、前記折り返し配線部又は前記平行部が、他の配線と接続するためのコンタクト領域として用いられることを特徴とする。
【００１０】
また、この発明の別の一態様に係る半導体装置は、ハードマスクの側壁に沿った閉ループを有する側壁膜を形成し、このハードマスクをエッチング除去して前記側壁膜を残存させた後この側壁膜をマスクとして被エッチング部材をエッチングしてなる配線層を備え、前記配線層は、前記ハードマスクの端部に沿うように形成され他の部分に比べ幅広とされている折り返し配線部を備えると共に、前記折り返し配線部を除く部分において閉ループカットを施されており、前記折り返し配線部が、他の配線と接続するためのコンタクト領域として用いられることを特徴とする。
【００１１】
また、この発明の更に別の一態様に係る半導体装置は、長辺とこの長辺に直交する方向に沿った複数の短辺とからなるハードマスクの側壁に沿った閉ループを有する側壁膜を形成し、このハードマスクをエッチング除去して前記側壁膜を残存させた後この側壁膜をマスクとして被エッチング部材をエッチングしてなる配線層を備え、前記配線層は、前記短辺の位置又は前記短辺に挟まれる位置に存在する長辺の位置において切断され、且つ前記長辺の一端において切断されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
この発明によれば、コンタクトの位置ズレに対するマージンを大きくとることができ、閉ループカットに対するマージンも大きくとることができる半導体装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
次に、本発明の実施の形態を、図面を参照して詳細に説明する。
【００１４】
［第１の実施の形態］
本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置を説明する。
【００１５】
図１は、この第１の実施の形態による半導体装置の製造工程を説明する断面図である。半導体基板１００上に、配線層を形成するための配線材料２００が堆積され、この上にハードマスク１１が形成される。
【００１６】
図１（ａ）に示すように、このハードマスク１１を、図示しないレジストを用いたフォトリソグラフィ及びエッチングにより所望の配線パターンにパターニングし、その後、図１（ｂ）に示すように、等方性エッチングにより所謂スリミング処理を行ってハードマスク１１の幅を細化させた後、このハードマスク１１の側壁を含めた全面に側壁転写プロセス用の側壁膜となる薄膜を堆積させ、この薄膜のうちハードマスク１１の上面及び底面に堆積されたものを異方性エッチング等を用いてエッチング除去し、ハードマスク１１の側壁に側壁転写プロセス用の側壁膜１２を形成する。
【００１７】
ハードマスク１１は、例えばＢＳＧ膜から構成することができる。側壁膜１２は、ハードマスク１１に対する選択比が高い材料により形成され、例えばハードマスク１１がＢＳＧ膜からなる場合、シリコン窒化膜を材料として形成され得る。
【００１８】
次に、図１（ｃ）に示すように、アルカリ系溶液を用いたウエットエッチングによりハードマスク１１をエッチング除去し、ハードマスク１１に対し選択比が高い側壁膜１２のみを残存させる。その後、図１（ｄ）に示すように、この側壁膜１２をマスクとした異方性エッチングにより、配線材料２００をエッチングして配線層２００´を形成する。側壁膜１２は、パターニングされたハードマスク１１の外周を覆う閉ループ形状に形成されるので、配線層２００´もこの側壁膜１２に沿った閉ループ形状に形成される。
【００１９】
閉ループ形状とされた配線層２００Ａは、後述するように閉ループ中の２箇所以上で閉ループカットを施され、これにより２本又はそれ以上の配線とされる。
【００２０】
図２Ａは、図１で説明したハードマスク１１及びその側壁に形成される側壁膜１２（即ちその下層に形成される配線層２００´）の平面形状の一例を示す。図２Ａ（ａ）に示すように、この実施の形態のハードマスク１１は、後に形成される配線層２００´の長手方向と一致する長辺１１Ｌと、この長辺と直交する方向に伸びる複数本（この例では２本）の端部である短辺１１Ｓを有する「Ｆ字」形状に形成されている。側壁膜１２はこの長辺１１Ｌだけでなく、短辺１１Ｓの外周にも沿って、その短辺１１Ｓで折り返される端部１２Ｔを有するように形成されハードマスク１１の外周を覆う閉ループ形状に形成される。
【００２１】
側壁膜１２の形成後、図１（ｂ）の工程によりハードマスク１１がエッチング除去されると、図２Ａ（ｂ）に示すように、Ｆ字パターンの外周に沿った閉ループ状の側壁膜１２のみが配線材料２００上に残存する。その後、図１（ｃ）のように配線材料２００がエッチングされ配線層２００´とされた後、図２Ａ（ｃ）に示すように、「Ｆ字」形状のハードマスク１１の２本の短辺１１Ｓに挟まれた長辺１１Ｌの右側の側壁膜１２、及び長辺の一端の部分１２ＬＴのみを露出させ、他の部分は覆われるようにレジスト１３を形成する。
【００２２】
その後、このレジスト１３をマスクとしたエッチングを行なうことにより、図２Ａ（ｄ）に示すように、側壁膜１２、更にはその下層の配線層２００´が露出部１２Ｃ、及び長辺１１Ｌの一端の部分１２ＬＴにおいてエッチング即ち切断される。これにより、閉ループ形状の側壁膜１２が露出部１２Ｃ及び長辺１１Ｌの一端の部分１２ＬＴでカットされ、２本の側壁膜１２Ａ、１２Ｂとなる。配線層２００´も、この２本の側壁膜の下で、２つに分断され、図２Ｂ（ｅ）に示すように、２本の配線層２００Ａ、２００Ｂとされる。なお、配線層２００´の切断は、側壁膜１２を形成し、配線材料２００をエッチングする前に、側壁膜１２のうち、所望の部分（図２Ａ（ｃ）で開口される部分）を切断することでも達成される。すなわち配線材料２００を所望の形状にエッチングする前に、側壁膜１２自体を所望の最終形状にエッチングしておき、それをマスクに配線材料２００をエッチングすることで、自動的に所望の位置で所望の形状に切断された配線層２００Ａ及び２００Ｂを形成することができる。
【００２３】
一方、短辺１１Ｓ周りに折り返されるように形成された端部２００Ｔは、図２Ｂに示すように、当該折り返しの部分である折り返し配線部２００ＴＡと、これに続く２本の互いに略平行な配線からなる平行部２００ＴＢとを備えている。
【００２４】
端部２００Ｔを除く部分（例えば前述の１２ＬＴ、１２Ｃ）において配線層２００´が上述のように閉ループカットされて２本の配線層２００Ａ、２００Ｂとされた場合において、これら２つの端部２００Ｔ（折り返し配線部２００ＴＡ及び平行部２００ＴＢ）は、これら２本の配線層２００Ａ、２００Ｂ各々のコンタクト領域として使用され得る。ハードマスク１１の短辺１１Ｓがリソグラフィの解像限界Ｗに近い幅に形成され、その後所謂スリミング処理（等方性エッチングにより、レジストの幅を細らせる処理）がされ解像限界Ｗの１／２程度の幅１／２Ｗとされていれば、側壁膜１２の幅もこの１／２Ｗ程度であるから、コンタクト領域とされる端部２００ＴのＡ−Ａ´方向（図２Ｂ）に沿った配線幅は、ライン、スペース、ラインの合計で３／２Ｗ（＝３×１／２Ｗ）程度の幅を有する。従って、図２Ｂ（ｅ）のＡ−Ａ´線分の断面図である図２Ｂ（ｆ）に示すように、端部２００ＴにコンタクトＣを落とした場合において、リソグラフィの位置合せズレに対するマージンを大きく設定することが可能になる。すなわち、コンタクトＣの位置合せは、図２Ｂ（ｅ）に示すＸ方向（短辺１１Ｓの長手方向）に関しては、短辺１１Ｓ即ち端部２００Ｔ（折り返し配線部２００ＴＡ＋平行部２００ＴＢ）の長さに従った合せずれマージンを設定することが可能である。
【００２５】
一方、図２Ｂ（ｅ）及び図２Ｂ（ｆ）に示すＹ方向（短辺１１Ｓの短手方向）においても、３／２Ｗの幅があり、解像限界のＷの幅のコンタクトは、通常、図２Ｂ（ｆ）に示すように、端部２００Ｔの折り返し配線の両側にコンタクトさせることができる。もしコンタクトＣが大きくずれて端部２００Ｔの折り返し配線の片側のみに接触するのでも、電気接続上は問題ない。従って、Ｙ方向においても大きな位置合せずれマージンを設定することが可能である。
【００２６】
なお、本実施の形態では、ハードマスク１１をＦ字形状に形成し、この短辺１１Ｓに沿って形成される端部２００Ｔを配線層２００Ａ、２００Ｂのコンタクト領域としたが、本発明はこれに限定されるものではない。すなわち、上記と同様の端部２００Ｔが形成し得るのであれば、ハードマスク１１の形状は任意である。
【００２７】
［第２の実施の形態］  次に、本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置を、図３等を参照して説明する。第１の実施の形態と同一の構成要素については同一の符号を図中で付し、以下、その詳細な説明は省略することとする。この実施の形態は、ハードマスク１１の短辺１１Ｓが３本設けられ、このため、これに沿って形成される側壁膜１２の端部１２Ｔも、図３（ａ）に示すように３つとされている点において、第１の実施の形態と異なっている（なお、図３（ａ）の状態を得るための工程は、図２（ａ）で説明したのと略同様であるので、詳細な説明は省略する）。
【００２８】
そして、図３（ｂ）に示すように、３つの端部１２Ｔのうち中央のものの一部分（例えば先端部）、及びハードマスク１１の長辺１１Ｌの一端の端部１２ＬＴのみを露出させ、その他はレジスト１３Ａで覆う。これにより、図３（ｃ）に示すように、３つの端部１２Ｔのうち、中央の一部分（図３（ｃ）では先端部分）、及び長辺１１Ｌの一端１１ＬＴ付近のみをカットして、閉ループ形状の配線層２００´を２本の配線層２００Ａ、２００Ｂに分断する（図３（ｄ））。
【００２９】
図２（ｂ）及び図３（ｂ）の比較から明らかなように、第２の実施の形態においては、端部１２Ｔの根元の長辺に沿った部分ではなく端部１２Ｔの一部例えば先端部を閉ループカットすればよいため、フォトリソグラフィの位置合せズレに対するマージンを、第１の実施の形態に比べ広くとることができる。この点、第１の実施の形態に比べ歩留まりを向上させることができる。
【００３０】
図４Ａ、図４Ｂは、この第２の実施の形態の配線層２００´のレイアウトの一例を示している。図４Ｂがこのレイアウトの全体図を示しており、図４Ａはその一部の拡大図を示している。このレイアウト例はあくまでも一例であり、上記の本実施の形態の効果が得られる範囲において、様々なレイアウトが採用可能である。また、第１の実施の形態のような形状の配線層２００´において、同様なレイアウトを採用することも可能である。ここでは、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリのワード線に本実施の形態が適用されている場合を想定する。
【００３１】
この図４Ａ、図４Ｂの例では、図３に示すような形状の配線層２００Ａ、２００Ｂが、中央に配置された選択ゲート線１４に関し左右対称に、しかも左右各々の側に複数個ずつ配置されている。この例では、図４Ｂに示すように、選択ゲート線１４の左側に、８本の配線層２００Ａ及び２００Ｂ（配線層２００Ａ、２００Ｂが各４本、計８本）からなる組Ｌが配置され、選択ゲート線１４の右側に、同様に８本の配線層２００Ａ及び２００Ｂ（配線層２００Ａ、２００Ｂが各４本、計８本）からなる組Ｒが配置される。
【００３２】
そして、２つの選択ゲート線１４と、これらの間に挟まれた組Ｌ、Ｒに含まれる計１６本の配線層２００Ａ、２００Ｂ（ワード線）により、１つのＮＡＮＤセルユニットが形成されている。なお、１つのＮＡＮＤセルユニットに含まれるワード線の数は、１６本に限られないのは言うまでもない。
【００３３】
図４Ａでは、これら組Ｌ，Ｒに含まれる配線層２００Ａ、２００Ｂを、２００Ａ−ｉＬ、２００Ｂ−ｉＬ、２００Ａ−ｉＲ、２００Ｂ−ｉＲのような符号で表現している。Ｌは組Ｌ内の配線層であること、Ｒは組Ｒ内の配線層であることを示し、添字ｉ（ｉ＝１，２，３・・・）は組Ｌ、Ｒ各々に含まれるの複数個の配線層の１つであることを表している。
【００３４】
また、左右各々（組Ｌ、Ｒの各々）の側において、１対の配線層２００Ａ−ｉ＋１Ｌ（Ｒ）及び２００Ｂ−ｉ＋ｉＬ（Ｒ）が備える端部２００Ｔの下に、他の１対の配線層２００Ａ−ｉＬ（Ｒ）及び２００Ｂ−ｉＬ（Ｒ）の全体が納まり、両者の端部２００Ｔの先端がほぼ揃ったような形で配置されている。
【００３５】
しかも、左右両側に対向して配置される２対の配線層（２００Ａ−ｉＬ、２００Ｂ−ｉＬ）、（２００Ａ−ｉＲ、２００Ｂ−ｉＲ）は、その端部２００Ｔが略同一直線上に揃ったような状態に配置されている。
【００３６】
図４Ｃでは、この図４Ａのレイアウト例の場合における製造工程の一部を示しており、配線層２００Ａ−ｉＬ、２００Ｂ−ｉＬ、２００Ａ−ｉＲ、２００Ｂ−ｉＲを形成するためこれらの上層に形成されるハードマスク１１−ｉＬ及び１１−ｉＲ、並びにこれらの外周に形成される側壁膜１２−ｉＬ及び１２−ｉＲが示されている。製造工程は、図３で示したのと同一であるので重複する説明はここでは省略する。ただし、このようなレイアウトの場合、端部１２Ｔの閉ループカットは、図４Ｃに点線で示すように、左右両側に共通する開口を有するレジスト１３により実行することが可能である。
【００３７】
図４Ａ、図４Ｂのようなレイアウトの場合、微細化が進むにつれ、選択ゲート線１４に最も近いハードマスク１１−１Ｌ、Ｒは、その短辺１１Ｓが短くなり、形成される側壁膜１２の端部１２Ｔ´も、次第に図５に示すように、矩形形状とはかけ離れた波状の形状（先端から離れるほど幅が広くなる）に近づいてくる。この場合、端部１２Ｔの下層の配線層の端部２００Ｔをコンタクト領域とする場合に、スペースが広すぎて隙間にコンタクトＣが落ちてしまったり、また、閉ループカットを行なうためのリソグラフィ及びエッチングにおける位置合せマージン（レジスト１３の開口部の形成位置の合せズレマージン）が小さくなってしまったりするという問題が生じる。
【００３８】
図６Ａは、この問題に対応したレイアウトの例を示している。この例では、左右の配線層２００Ａ−ｉＬ、２００Ｂ−ｉＬ、２００Ａ−ｉＲ、２００Ｂ−ｉＲは左右対称形状とはなっておらず、配線層２００Ａ−ｉＬ、２００Ｂ−ｉＬの端部（２００Ｔ）が、対向する配線層２００Ａ−ｉＲ、２００Ｂ−ｉＲの端部２００Ｔの間のスペースに入り込む、所謂入れ子形状となっている点において、図４Ａ、図４Ｂのレイアウト例と異なっている。
【００３９】
このレイアウト例の場合、選択ゲート線１４に近い側の配線層２００Ａ−１Ｌ、２００Ｂ−１Ｌ、２００Ａ−１Ｒ、２００Ｂ−１Ｒも、その微細化が進展した状況下においても、端部２００Ｔの長手方向（Ｘ方向）の長さを十分に維持することができる。従って、コンタクト形成、並びにリソグラフィ及びエッチングにおける位置合せマージンが大きく、従って歩留まりを向上させることができる。図６Ｂは、この図６Ａのレイアウト例の場合における製造工程の一部を示しており、配線層２００Ａ−ｉＬ、２００Ｂ−ｉＬ、２００Ａ−ｉＲ、２００Ｂ−ｉＲを形成するためこれらの上層に形成されるハードマスク１１−ｉＬ及び１１−ｉＲ、並びにこれらの外周に形成される側壁膜１２−ｉＬ及び１２−ｉＲが示されている。
【００４０】
製造工程は、図３で示したのと同一であるので重複する説明はここでは省略する。ただしこの場合、端部１２Ｔの閉ループカットは、図６Ｂに点線で示すように、前述のスペースに入り込んだ端部１２Ｔを囲う矩形状の開口を有するレジスト１３により実行することが可能である。
【００４１】
なお、ここでは３本の短辺１１Ｓを有するハードマスク１１を用いる例を示したが、第１の実施の形態のような２本の短辺のハードマスクにもこのレイアウトは適用可能であり、また、短辺１１Ｓを４本以上とすることも可能である。
【００４２】
［第３の実施の形態］  次に、本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置の半導体装置を、図７を参照して説明する。第１の実施の形態と同一の構成要素については同一の符号を図中で付し、以下、その詳細な説明は省略することとする。ここでは、第１の実施の形態と同様に、２本の短辺１１Ｓを有するハードマスク１１を形成する場合を例にとって説明する。
【００４３】
この例では、図７（ａ）に示すように、図２（ａ）と同様にしてハードマスク１１及び側壁膜１２を形成した後（ここではハードマスク１１がアモルファスシリコンからなり、側壁膜１２がシリコン窒化膜であるものとする）、短辺１１Ｓの先端も含めた位置が開口部１６Ａとなっているレジスト１６を形成する。そして、図７（ｂ）に示すように、このレジスト１６をマスクとして、開口部１６Ａに不純物イオンを注入する。注入される不純物イオンは、ハードマスク１１がアモルファスシリコンである場合、ボロン（Ｂ）、二フッ化ボロン（ＢＦ２）等を用いることができる。このイオン注入がされたハードマスク１１の部分は、イオン注入がされないハードマスク１１の部分に比べ、アルカリ系溶液を用いたウエットエッチングに対する選択比が高い、すなわちウエットエッチングに対するエッチングレートが低下したものとされる。このため、アルカリ系溶液を用いたウエットエッチングを実行すると、イオン注入がされたハードマスク１１の短辺１１Ｓの先端部及び側壁膜１２は残存し、ハードマスク１１のその他の部分はエッチング除去される（図７（ｃ））。この状況において、残存したハードマスク１１Ｓ及び側壁膜１２をマスクとして配線材料２００をエッチングする。更に、図２（ｃ）での説明と同様にして露出部２００Ｃ及び１２ＬＴ（図７では図示せず）の位置において閉ループカットを行い、配線層を２本の配線層２００Ａ、２００Ｂに分断する（図７（ｄ））。配線層２００Ａ，２００Ｂのうち、残存した短辺１１Ｓの先端の端部２００Ｔ（折り返し配線部）の線幅は広くなり、この部分をコンタクトＣを落とすためのコンタクト領域として用いることができる。
【００４４】
この第３の実施の形態の説明では、ハードマスク１１を２本の短辺１１Ｓを有するＦ字形状とする例を説明したが、図８に示すように、３本の短辺１１Ｓ（或いはそれ以上の本数）を有するハードマスク１１とすることも可能である。
【００４５】
［変形例］  以上、発明の実施の形態を説明したが、本発明はこれらに限定されるものではなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲内において、種々の変更、追加等が可能である。例えば、上記の実施の形態では、ハードマスク１１を単一の材料からなる単層膜であるとして説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、複数の異なる材料を積層させた積層膜とすることも可能である。
【００４６】
また、複数のハードマスク１１、配線層１２のレイアウト例も、上記の例に限定されず、様々なものが提供され得る。例えば、図９Ａは、別のレイアウト例を示すものである。この例では、配線層２００Ａ−ｉＬ、２００Ｂ−ｉＬ、２００Ａ−ｉＲ、２００Ｂ−ｉＲは左右対称形状とはなっておらず、配線層２００Ａ−ｉＬ、２００Ｂ−ｉＬの端部（２００Ｔ）が、対向する配線層２００Ａ−ｉＲ、２００Ｂ−ｉＲの端部２００Ｔの間のスペースに入り込む、所謂入れ子形状となっている点において、図６の例と同一である。ただし、３つの端部２００Ｔのうち、中央の端部２００Ｔのみは、同一直線上に並ぶように対向配置されている。図９Ｂに示すように、この同一直線上に対向配置される端部２００Ｔは、３本の短辺１１Ｓを有する２組のハードマスク１１−ｉＬ、１１−ｉＲの中央の短辺１１Ｓ同士を同一直線上に形成し、同一の矩形状の開口部を有するレジストにより閉ループカットすることが可能である。
【００４７】
また、図４Ａ、図６Ａのレイアウト例では、短辺１１Ｓの位置すなわち端部２００Ｔの先端の位置を揃えたレイアウトとしていたが、図１０に示すように、端部２００Ｔの位置が一列に揃わないレイアウトとしてもかまわない。
【００４８】
更にまた、図１１に示すように、短辺１１Ｓすなわち端部２００Ｔが形成される位置を、あるＮＡＮＤセルユニットでは、長辺１１Ｌの一端側（Ｙ座標の正方向）とし、別のＮＡＮＤセルユニットでは、長辺１１Ｌの他端側（Ｙ座標の負方向）とすることも可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明の第１の実施の形態による半導体装置の構成および製造工程を説明する断面図である。
【図２Ａ】本発明の第１の実施の形態による半導体装置の構成及び製造工程を説明する平面図である。
【図２Ｂ】本発明の第１の実施の形態による半導体装置の構成及び製造工程を説明する平面図である。
【図３】本発明の第２の実施の形態による半導体装置の構成及び製造工程を説明する平面図である。
【図４Ａ】本発明の第２の実施の形態による半導体装置における配線層のレイアウトの一例を示している。
【図４Ｂ】本発明の第２の実施の形態による半導体装置における配線層のレイアウトの一例を示している。
【図４Ｃ】図４Ａに示すレイアウト例を形成する場合の製造工程の一部を示している。
【図５】図４Ａのレイアウトで生じ得る問題を示している。
【図６Ａ】本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置における配線層のレイアウトの別の一例を示している。
【図６Ｂ】図６Ａに示すレイアウト例を形成する場合の製造工程の一部を示している。
【図７】本発明の第３の実施の形態による半導体装置の構成及び製造工程を説明する平面図である。
【図８】本発明の第３の実施の形態による半導体装置の構成及び製造工程を説明する平面図である。
【図９Ａ】別のレイアウト例を示している。
【図９Ｂ】図９Ａのレイアウト例の製造工程を示している。
【図１０】別のレイアウト例を示している。
【図１１】別のレイアウト例を示している。
【符号の説明】
【００５０】
１１・・・ハードマスク、１２・・・側壁膜、  １２Ｔ・・・端部、  １００・・・半導体基板、  ２００・・・配線材料、  ２００´、２００Ａ、２００Ｂ・・・配線層、  ２００Ｔ・・・端部。
【図１】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図７】
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【図８】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図１０】
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【図１１】
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