(57)【要約】【課題】有機ＥＬ表示装置において、画面の焼付き現象を正しく測定して画像データを補正し、正しい画像を形成する。【解決手段】特定画素ＰＸの電圧―電流特性を測定して一ライン分のデータをラインメモリＭＲ１に記録する。特性データの比較は隣あう画素同士で比較する。比較をする画素が欠陥画素か否かを不良判定部８１で検出し、欠陥画素であれば比較の対象から外す。焼付き判定部８２では正常画素のみを比較し、正しい焼付きのデータを得る。この焼付きのデータを演算部９において、ホストからの画像データに反映する。【選択図】図１０
2008216874.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＯＬＥＤ素子を有する複数の画素がマトリクス状に形成されて画面が構成され、前記ＯＬＥＤ素子の特性を特定の時間間隔で測定してＯＬＥＤ素子の特性変化を画像信号に反映させる表示装置であって、
特定画素のＯＬＥＤ素子の特性変化は前記特定画素のＯＬＥＤ素子の特性と前記特定画素と同じ走査線上にある他の画素のＯＬＥＤ素子の特性と比較して得ることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記他の画素は前記特定画素の隣の画素であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記他の画素は複数の画素を含み、前記複数の画素のＯＬＥＤ素子の特性を統計処理して得られた特性と前記特定画素のＯＬＥＤ素子の特性を比較することによって特定画素のＯＬＥＤ素子の特性変化を得ることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
前記表示装置は前記走査線上の画素のＯＬＥＤ素子の特性を記録するラインメモリを有することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項５】
ＯＬＥＤ素子を有する複数の画素がマトリクス状に形成されて画面が構成され、前記ＯＬＥＤ素子の特性を特定の時間間隔で測定してＯＬＥＤ素子の特性変化を画像信号に反映させる表示装置であって、
特定画素のＯＬＥＤ素子の特性変化は前記特定画素のＯＬＥＤ素子の特性と画像表示領域の他の画素のＯＬＥＤ素子の特性と比較して得るものであって、前記他の画素のＯＬＥＤ素子の特性はあらかじめ設定されたＯＬＥＤ素子特性の範囲内であることを特徴とする表示装置。
【請求項６】
前記他の画素は前記特定画素と同じ走査線上にあることを特徴とする請求項５に記載の表示装置。
【請求項７】
前記特定画素のＯＬＥＤ素子の特性はＯＬＥＤ素子の端子間電圧であり、前記他の画素のＯＬＥＤ素子の特性はＯＬＥＤ素子の端子間電圧であり、前記他の画素のＯＬＥＤ素子の特性は、特定電流を流した場合のＯＬＥＤ素子の端子間電圧があらかじめ設定された範囲内にあることを特徴とする請求項５に記載の表示装置。
【請求項８】
前記他の画素は前記特定画素と同じ走査線上にある前記特定画素の隣に存在する画素であることを特徴とする請求項５に記載の表示装置。
【請求項９】
前記他の画素のＯＬＥＤ素子特性が前記あらかじめ設定されたＯＬＥＤ素子特性の範囲内に無い場合は、前記他の画素の隣の画素のＯＬＥＤ素子の特性と比較することを特徴とする請求項５に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記表示装置は前記走査線上の画素のＯＬＥＤ素子の特性を記録するラインメモリを有することを特徴とする請求項５に記載の表示装置。
【請求項１１】
ＯＬＥＤ素子を有する複数の画素がマトリクス状に形成されて画面が構成され、前記ＯＬＥＤ素子の特性を特定の時間間隔で測定してＯＬＥＤ素子の特性変化を画像信号に反映させる表示装置であって、
特定画素のＯＬＥＤ素子の特性変化は前記特定画素のＯＬＥＤ素子の特性と
あらかじめ定められた基準画素のＯＬＥＤ素子の特性と比較するものであって、前記基準画素のＯＬＥＤ素子の特性は予め定められた範囲内のものであり、前記基準画素のＯＬＥＤ素子特性は予め定められた範囲内にあるか否かを定期的に検査をすることを特徴とする表示装置。
【請求項１２】
前記基準画素は複数存在し、特定の基準画素のＯＬＥＤ素子特性が、前記予め定められたＯＬＥＤ素子特性の範囲内にない場合は、前記複数の基準画素のうちの他の基準画素のＯＬＥＤ素子特性と比較することを特徴とする請求項１１に記載の表示装置。
【請求項１３】
前記特定画素のＯＬＥＤ素子の特性はＯＬＥＤ素子の端子間電圧であり、前記基準画素のＯＬＥＤ素子の特性はＯＬＥＤ素子の端子間電圧であり、前記基準画素のＯＬＥＤ素子の特性は、特定電流を流した場合のＯＬＥＤ素子の端子間電圧があらかじめ設定された範囲内にあることを特徴とする請求項１１に記載の表示装置。
【請求項１４】
前記特定画素のＯＬＥＤ素子の特性の測定を行った都度、基準画素のＯＬＥＤ素子の特性と比較して特定画素のＯＬＥＤ素子の特性変化を検出することを特徴とする請求項１１に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は有機ＥＬ表示装置に係り、特に有機ＥＬ素子の発光特性が動作時間ともに変化することを補正する表示技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来表示装置の主流はＣＲＴであったが、これに替わって、フラットデスプレイ装置である液晶表示装置、プラズマ表示装置等が実用化され、需要が増大している。さらにこれらの表示装置に加え、有機エレクトロルミネッセンスを用いた表示装置（以下有機ＥＬ表示装置（ＯＬＥＤ）という）や、フィールドエミッションを利用する電子源をマトリクス状に配置して、陽極に配置された蛍光体を光らすことによって画像を形成する表示装置（ＦＥＤ表示装置）の開発、実用化も進んでいる。
【０００３】
有機ＥＬ表示装置は（１）液晶と比較して自発光型であるので、バックライトが不要である、（２）発光に必要な電圧が１０Ｖ以下と低く、消費電力を小さくできる可能性がある、（３）プラズマ表示装置やＦＥＤ表示装置と比較して、真空構造が不要であり、軽量化、薄型化に適している、（４）応答時間が数マイクロ秒と短く、動画特性がすぐれている、（５）視野角が１７０度以上と広い、等の特徴がある。
【０００４】
有機ＥＬ表示装置は上記のような特徴があるが、問題点のひとつとして、有機ＥＬ発光素子（以後ＯＬＥＤ素子という）は動作時間とともに発光特性が変化するという現象がある。さらにこのＯＬＥＤの特性変化は特定の画像を長時間表示した場合に、その画像の部分のみの特性が劣化するいわゆる「焼き付き」となって現れることがある。この焼き付きの現象は画面全体の輝度が徐々に小さくなる場合に比べて非常に目立つ。この焼き付きを目立たなくするには全ての画像のＯＬＥＤ素子の特性を検出して、その結果をホストから入力される入力信号にフィードバックする必要がある。
【０００５】
ＯＬＥＤ素子の特性変化はＯＬＥＤ素子の電圧―電流特性の変化および、電流―発光輝度特性の変化となって現れる。この内、電圧―電流特性の変化は、動作時間とともに、同じ電圧を印加しても流れる電流が小さくなる。この現象を図１６に示す。図１６の横軸はＯＬＥＤ素子に印加する電圧で、縦軸はＯＬＥＤ素子に流れる電流密度である。特性１はＯＬＥＤ素子の初期特性である。特性２はＯＬＥＤ素子の時間経過後の特性である。ＯＬＥＤ素子の発光はＯＬＥＤ素子を流れる電流に比例すると考えると、時間経過とともに同じ電圧を印加してもＯＬＥＤ素子の発光輝度は変わってしまうことになり、正確な画像表示ができなくなる。
【０００６】
このことは、逆に言えば、同じ発光をさせるために、同じ電流を流すためには、より高い電圧を印加する必要があるということである。図１７はＯＬＥＤ素子に同じ電流を流すための印加電圧の変化を示すものである。図１７において、横軸は動作時間であり、縦軸はＯＬＥＤ素子に一定電流を流すための印加電圧である。図１７は、ＯＬＥＤ素子に同じ電流を流すためには、動作時間とともに印加電圧を増加しなければならないことを示している。
【０００７】
以上のように、有機ＥＬ表示装置で正しい画像を表示するためには定期的に全画素のＯＬＥＤ素子の電圧―電流特性を測定し、これを入力される画像信号にフィードバックする必要がある。このような技術を記載した文献として「特許文献１」または「特許文献２」があげられる。
【０００８】
【特許文献１】特開２００５−１５６６９７号公報
【特許文献２】特開２００２−３４１８２５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
以上のような従来技術には、画像表示のための画像データの書き込みあるいは画像形成のためのＯＬＥＤ素子の発光と、ＯＬＥＤ素子の特性検出とをどのように両立させるかの技術の記載がある。しかし、ＯＬＥＤ素子の特性の変化をどのような基準で測定するかについては開示が無い。ＯＬＥＤ素子の特性が変化したか否かの基準が適切でなければ誤ったデータをフィードバックすることになり、正しい表示が出来なくなり、フィードバックの意味が無くなる。
【００１０】
従来行われてきた方法の一つは、各画素の特性を記録し、新しく測定したデータと前回測定のデータを比較してその差を経時変化あるいは焼付きのデータとしてフィードバックする方法がある。この方法は該画素が寿命中に断線あるいはショートのような異常画素に変わった場合は誤ったデータをフィードバックしていまうことになる。
【００１１】
従来の行われた他の方法は基準画素を設け、この基準画素のＯＬＥＤ素子と各画素のＯＬＥＤ素子の特性を比較してきた。しかし、この基準画素が経時変化を起こす場合がある。基準画素が経時変化を起こせば比較に基準が変化してしまうことになり、適切なフィードバックが不可能になる。また、基準画素が画像表示領域から離れたところにあると、画像表示領域と基準画素との温度差によるＯＬＥＤ素子特性への影響が生ずる。これを適切に補正しないと画像データへの正しいフィードバックが出来なくなる。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明は以上述べた課題を解決するものであり、ＯＬＥＤ素子の経時劣化を表示領域外の基準画素のＯＬＥＤ素子と比較するのではなく、例えば、表示領域内の隣どおしの画素のＯＬＥＤ素子と比較するものである。これによって、表示領域内と表示領域外とで温度がことなることの影響は除去することができる。
【００１３】
しかし、表示領域内であっても異常画素は存在する。異常画素と比較すると間違った比較データが得られ、画像データへの正しいフィードバックが出来なくなる。本発明は隣同士のＯＬＥＤ素子を比較する際、比較となる画素が異常画素であるか否かを判定し、もし、比較となる画素が異常画素であれば比較の対象としない。そうすると比較の対象は常に正常の画素と比較できるので、正しいフィードバックデータを得ることが出来る。
【００１４】
一方、ＯＬＥＤ素子の特性を隣どおしの画素と比較する場合でなく、基準画素を設け、基準となる画素と比較する場合には、基準となる画素が寿命中に異常画素に変化することを考慮して、本発明ではこれを対策する手段を有する。すなわち、基準となる画素についても、予め異常画素に変わった場合のデータを検出する手段を設けておき、基準画素が異常画素に変化した時点で該基準画素を基準画素からはずし、他の画素を基準画素として使用する手段を有する。具体的手段は次の通りである。
【００１５】
（１）ＯＬＥＤ素子を有する複数の画素がマトリクス状に形成されて画面が構成され、前記ＯＬＥＤ素子の特性を特定の時間間隔で測定してＯＬＥＤ素子の特性変化を画像信号に反映させる表示装置であって、特定画素のＯＬＥＤ素子の特性変化は前記特定画素のＯＬＥＤ素子の特性と前記特定画素と同じ走査線上にある他の画素のＯＬＥＤ素子の特性と比較して得ることを特徴とする表示装置。
（２）前記他の画素は前記特定画素の隣の画素であることを特徴とする（１）に記載の表示装置。
（３）前記他の画素は複数の画素を含み、前記複数の画素のＯＬＥＤ素子の特性を統計処理して得られた特性と前記特定画素のＯＬＥＤ素子の特性を比較することによって特定画素のＯＬＥＤ素子の特性変化を得ることを特徴とする（１）に記載の表示装置。
（４）前記表示装置は前記走査線上の画素のＯＬＥＤ素子の特性を記録するラインメモリを有することを特徴とする（１）に記載の表示装置。
【００１６】
（５）ＯＬＥＤ素子を有する複数の画素がマトリクス状に形成されて画面が構成され、前記ＯＬＥＤ素子の特性を特定の時間間隔で測定してＯＬＥＤ素子の特性変化を画像信号に反映させる表示装置であって、特定画素のＯＬＥＤ素子の特性変化は前記特定画素のＯＬＥＤ素子の特性と画像表示領域の他の画素のＯＬＥＤ素子の特性と比較して得るものであって、前記他の画素のＯＬＥＤ素子の特性はあらかじめ設定されたＯＬＥＤ素子特性の範囲内であることを特徴とする表示装置。
（６）前記他の画素は前記特定画素と同じ走査線上にあることを特徴とする（５）に記載の表示装置。
（７）前記特定画素のＯＬＥＤ素子の特性はＯＬＥＤ素子の端子間電圧であり、前記他の画素のＯＬＥＤ素子の特性はＯＬＥＤ素子の端子間電圧であり、前記他の画素のＯＬＥＤ素子の特性は、特定電流を流した場合のＯＬＥＤ素子の端子間電圧があらかじめ設定された範囲内にあることを特徴とする（５）に記載の表示装置。
（８）前記他の画素は前記特定画素と同じ走査線上にある前記特定画素の隣に存在する画素であることを特徴とする（５）に記載の表示装置。
（９）前記他の画素のＯＬＥＤ素子特性が前記あらかじめ設定されたＯＬＥＤ素子特性の範囲内に無い場合は、前記他の画素の隣の画素のＯＬＥＤ素子の特性と比較することを特徴とする（８）に記載の表示装置。
（１０）前記表示装置は前記走査線上の画素のＯＬＥＤ素子の特性を記録するラインメモリを有することを特徴とする（５）に記載の表示装置。
【００１７】
（１１）ＯＬＥＤ素子を有する複数の画素がマトリクス状に形成されて画面が構成され、前記ＯＬＥＤ素子の特性を特定の時間間隔で測定してＯＬＥＤ素子の特性変化を画像信号に反映させる表示装置であって、特定画素のＯＬＥＤ素子の特性変化は前記特定画素のＯＬＥＤ素子の特性とあらかじめ定められた基準画素のＯＬＥＤ素子の特性と比較するものであって、前記基準画素のＯＬＥＤ素子の特性は予め定められた範囲内のものであり、前記基準画素のＯＬＥＤ素子特性は予め定められた範囲内にあるか否かを定期的に検査をすることを特徴とする表示装置。
（１２）前記基準画素は複数存在し、特定の基準画素のＯＬＥＤ素子特性が、前記予め定められたＯＬＥＤ素子特性の範囲内にない場合は、前記複数の基準画素のうちの他の基準画素のＯＬＥＤ素子特性と比較することを特徴とする（１１）に記載の表示装置。
（１３）前記特定画素のＯＬＥＤ素子の特性はＯＬＥＤ素子の端子間電圧であり、前記基準画素のＯＬＥＤ素子の特性はＯＬＥＤ素子の端子間電圧であり、前記基準画素のＯＬＥＤ素子の特性は、特定電流を流した場合のＯＬＥＤ素子の端子間電圧があらかじめ設定された範囲内にあることを特徴とする（１１）に記載の表示装置。
（１４）前記特定画素のＯＬＥＤ素子の特性の測定を行った都度、基準画素のＯＬＥＤ素子の特性と比較して特定画素のＯＬＥＤ素子の特性変化を検出することを特徴とする（１１）に記載の表示装置。
【発明の効果】
【００１８】
以上の手段を用いることによって、表示領域でのＯＬＥＤ素子の劣化特性を正しく評価することが出来、ホストからの画像データに対する適正なフィードバックデータを得ることができる。したがって、本発明によれば、正確な画像を形成することが出来る。手段ごとの効果は次の通である。
【００１９】
手段（１）によれば特定画素のＯＬＥＤ素子の特性を同じ走査線上の他の画素のＯＬＥＤ素子の特性と比較するので、ほぼ同じ領域でのＯＬＥＤ素子と比較できるために、温度特性等が影響が限定的なものとなり、ＯＬＥＤ素子の特性変化のより正確がフィードバックが可能になる。
【００２０】
手段（２）にれば、同じ走査線上の隣の画素のＯＬＥＤ素子と比較するので、場所による条件の差は無視することが出来、かつ、木目細かい比較が可能となる。
【００２１】
手段（３）によれば、比較の対象とする画素が同じ走査線上の複数の画素の特性を反映したものであるので、比較の対象がより安定したものとなり、フィードバックの誤差を軽減することが出来る。
【００２２】
手段（４）によれば、表示装置はラインメモリを有し、ラインメモリに1ライン上の画素のＯＬＥＤ素子の特性を記録するために、特定画素との比較を容易に行うことが出来る。
【００２３】
手段（５）によれば、特定画素のＯＬＥＤ素子の特性比較に対象として、表示領域の画素のＯＬＥＤ素子を用い、かつ、このＯＬＥＤ素子の特性が一定の範囲内にあるときのみ、比較の対象とするので、誤判定を回避することが出来る。
【００２４】
手段（６）によれば、比較の対象とする他の画素は同じ走査線上にあるので、比較を容易に行うことが出来る。
【００２５】
手段（７）によれば、ＯＬＥＤ素子の特性として特定電流を流した場合のＯＬＥＤ素子の端子間電圧を測定するので比較が容易である。また、欠陥画素も容易に焼付きの判定から除外することが出来る。
【００２６】
手段（８）によれば、比較の対象となる画素が同じ走査線上の特定画素の隣に存在する画素であるために、比較が容易である。また、検出の場所的な制度も上げることが出来る。
【００２７】
手段（９）によれば、特定画素のＯＬＥＤ素子の特性と比較すべき隣の画素のＯＬＥＤ素子が欠陥であった場合はさらにその隣の画素のＯＬＥＤ素子との比較を行うので、比較が出来ずにフィードバックデータを作成できないということを避けることが出来る。
【００２８】
手段（１０）によれば、表示装置はラインメモリを有しているので、ＯＬＥＤ素子特性の色々な測定方法、比較方法のバリエーションに対応することが出来る。
【００２９】
手段（１１）によれば、特定画素のＯＬＥＤ素子の特性比較を基準画素のＯＬＥＤ素子の特性と比較をするが、基準画素のＯＬＥＤ素子の特性は予め設定された範囲内であることを定期的に検査をするので、基準画素が動作中に欠陥画素に変わっても誤判定をするということが無い。
【００３０】
手段（１２）によれば、基準画素は複数形成されており、当初の基準画素が欠陥画素に変わった場合であっても複数の基準画素のうちの他の基準画素と比較をするので、比較対象がなくなって画像データへのフィードバックが出来ないという事態にはならない。
【００３１】
手段（１３）によれば、ＯＬＥＤ素子の特性はＯＬＥＤ素子に特定電流を流した場合の端子間電圧であるので、特性測定および比較が容易である。
【００３２】
手段（１４）によれば、特定画素のＯＬＥＤ素子特性の検出を行う都度、その画素の異常判定を行い、かつ、焼付き量を検出するので、ラインメモリを省略することが出来る。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
実施例にしたがって、本発明の詳細な内容を開示する。
【実施例１】
【００３４】
図１は本発明が実施される有機ＥＬ表示装置の例である。図１において、有機ＥＬ表示パネル１の大部分には表示領域２が形成されている。画面下側には有機ＥＬ表示パネル１を駆動するための駆動ＩＣ３１が設置されている。駆動ＩＣ３１のさらに下側にはフレキシブル配線基板３２が有機ＥＬ表示パネル１にとりつけられている。フレキシブル配線基板３２を通して外部からの画像信号、電源等が有機ＥＬ表示パネル１に供給される。フレキシブル配線基板は一般には有機ＥＬ表示パネルの後方に曲げられてフレームに収容される。
【００３５】
図１の表示領域２には多くの画素ＰＸが形成されている。しかし、全ての画素ＰＸが正常というわけではなく、図１のいくつかの黒点で示すような異常画素が存在する。この部分は画素のＯＬＥＤ素子がショートまたは開放していること等によって、ＯＬＥＤ素子が発光しない部分、あるいは非常に輝度が小さい部分である。全ての画素ＰＸが正常でなければならないとすると、製造コストが膨大となって現実的ではないため、人間の目に気にならない範囲での異常画素は許容されている。異常画素は動作中にも増大する場合がある。
【００３６】
異常画素となる場合はＯＬＥＤ素子１１がショートする場合と断線する場合とがある。図２（ａ）はＯＬＥＤ素子１１がショートした場合である。図２（ａ）において、電源Ｖｄと基準電位との間にＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ１２とＯＬＥＤ素子１１が直列に接続されている。ここで、基準電位とは有機ＥＬ表示装置の基準となる電位であって、アースを含む広い概念である。ＯＬＥＤ素子１１は厚さ２０ｎｍ程度の有機ＥＬ層が複数（一般的には５層）積層されており、各層は非常に薄いため、異物等が存在するとショートし易い。
【００３７】
図２（ｂ）はＯＬＥＤ素子１１が断線した例である。ＯＬＥＤ素子１１が断線に至らなくとも、長時間動作によってＯＬＥＤ素子１１に電流が流れなくなる現象も生ずる。
【００３８】
図３はＯＬＥＤ素子１１の電圧―電流特性である。ＯＬＥＤ素子１１はダイオードであるから、ある電圧に達すると電流が急激に増加する。図３ではＯＬＥＤ素子１１がショートした場合、断線した場合、正常な場合の例が示してある。ＯＬＥＤ素子１１の特性は電圧―電流特性で検出するので、図３のような電圧―電流特性から正常画素の範囲を設定しておくことが出来る。
【００３９】
図４は本発明が実施される有機ＥＬ表示装置の例である。図５は図４の画素ＰＸの構成例である。表示領域２には多数の画素ＰＸがマトリクス状に配置されている。各画素には陽極と陰極と、その間に挟まれた有機ＥＬ発光層を有するＯＬＥＤ素子１１と、これを駆動する薄膜トランジタ（ＴＦＴ）、蓄積容量等が存在している。表示領域２の左側には画面を行毎に走査して画像を形成する表示用走査回路３が設置されている。すなわち、選択した行に信号駆動回路から画像データが供給される。
【００４０】
画面の右側にはＯＬＥＤ素子１１の特性を検出する検出用走査回路４が設置されている。ＯＬＥＤ素子１１の特性検出は、各ＯＬＥＤ素子１１の電圧―電流特性を測定するものであるが、この測定も行毎に行われる。そして測定のための走査は画像形成のための走査とは独立に行うことが出来る。
【００４１】
各画素には画像信号を供給するためのデータ線５とＯＬＥＤ素子１１の特性すなわち電圧―電流特性を測定するための検出線６とが接続されている。図５は画素部分の駆動回路である。図５において、電源Ｖｄと基準電位との間にＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ１２、ＢスイッチＳＷＢ、ＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ１２が直列に接続されている。ＢスイッチＳＷＢはＯＬＥＤ素子１１に発光のための電流を流すか否かを制御するものであって、一般にはＴＦＴスイッチで構成される。ＢスイッチＳＷＢへは表示用走査回路３から制御信号が送られる。
【００４２】
図５において、ＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ１２は画像の階調を決めるためにＯＬＥＤ素子１１に流す電流の量を制御するＴＦＴである。図５のＡスイッチＳＷＡを閉じると信号駆動回路からの画像信号が取り込まれる。ＡスイッチＳＷＡを閉じることによって画像信号が蓄積容量１３に取り込まれる。この蓄積容量１３に蓄積された電荷によってＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ１２のゲート電圧が定まり、ＯＬＥＤ素子１１に流れる電流の量が決定される。ここで、ＢスイッチＳＷＢを閉じるとＯＬＥＤ素子１１に電流が流れて発光し、画像が形成さる。画像信号が蓄積容量１３にとりこまれると、ＡスイッチＳＷＡは開き、再び該走査線が選択されるまでの１フレームの間、信号電圧は蓄積容量１３に保持される。
【００４３】
図５において、ＯＬＥＤ素子１１の陽極と検出線６の間にはＣスイッチＳＷＣが設置されている。ＣスイッチＳＷＣも一般にはＴＦＴで形成される。ＣスイッチＳＷＣは画像形成のための電流がＯＬＥＤ素子１１に流れている間は開いている。ＯＬＥＤ素子特性検出時はＢスイッチＳＷＢを開くとともに、ＣスイッチＳＷＣを閉じてＯＬＥＤ素子１１の電圧―電流特性を検出する。
【００４４】
ＯＬＥＤ素子１１の特性検出は図４の検出部７によって行なわれる。ＯＬＥＤ素子特性の検出方法は例えば、図６または図８のような方法がある。図６は検出部７に定電流源を設置している場合である。すなわち、検出部７に存在する定電流源から検出線６を通して測定画素に定電流が供給される。ＯＬＥＤ素子１１が劣化するとＯＬＥＤ素子１１の抵抗が大きくなるためにＯＬＥＤ素子１１の端子間電圧が上昇する。すなわち、ＯＬＥＤ素子１１の陽極電圧が上昇する。この陽極電圧を差動増幅器によって検出する。この陽極電圧をアナログ―デジタルコンバータＡＤＣによってデジタルデータに変換し、このデータを図４に示す第１メモリＭＲ１に保存する。第１メモリＭＲ１には１ライン分の画素ＰＸの検出結果が蓄積される。
【００４５】
図８は検出部７に定電圧源Ｖｄｄを設置している場合である。定電流源の場合と同様、ＯＬＥＤ素子１１は劣化すると抵抗が増加するために、ＯＬＥＤ素子１１の陽極電圧が上昇する。この陽極電圧を差動増幅器によって検出する。この陽極電圧をアナログ―デジタルコンバータＡＤＣによってデジタルデータに変換し、このデータを第１メモリＭＲ１に保存する。第１メモリＭＲ１には１ライン分の画素ＰＸの検出結果が蓄積されることは、定電流源を用いた場合と同様である。
【００４６】
図４において、検出はライン毎に行なわれ、ライン上のＯＬＥＤ素子１１のデータは全て第１メモリＭＲ１に蓄積される。判定部８では第１メモリＭＲ１に蓄積されたＯＬＥＤ素子１１の特性を参照し、各ＯＬＥＤ素子の劣化の状態を判定する。判定の仕方は、後で述べるように、特性検出した1ライン中の隣り合う画素を比較することによって画素間の特性劣化の差を判定する。
【００４７】
上記のような動作によって判定部８において必要な補正量を判定するとその結果は第２メモリＭＲ２に記録される。図４の演算部９には1ライン分のデータが入力される。演算部９では第２メモリＭＲ２を参照してホストからのデータに対して補正量を加味して、焼き付き等の影響が表示画像に現れないようにする。演算部９において補正された１行分の画像データはラッチ１０において保持され、１ライン分まとめて転送される。
【００４８】
ラッチ１０から出力された時点では画像データはデジタルデータである。デジタルデータは輝度階調をデジタルで表示したものである。このデジタルデータを実際にＯＬＥＤ素子１１に印加する電圧に変換するものがアナログ−デジタルコンバータＡＤＣである。ＡＤＣからの各画素への電圧はデータ線５を介して各画素に伝達される。以上の動作はタイミングコントローラＴｃｏｎによって制御される。図１の全画素のＯＬＥＤ素子１１には電源Ｖｄから陽極電圧が供給される。
【００４９】
図６はＯＬＥＤ素子１１の特性検出を行なう回路である。この回路の動作は先に説明したとおりである。図７は図６の回路によってＯＬＥＤ素子１１を測定した例である。図７において、横軸はＯＬＥＤ素子１１の陽極に生ずる陽極電圧である。縦軸はＯＬＥＤ素子１１に流れる電圧である。図６では定電流源をＯＬＥＤ素子１１に供給している。したがって、検査時は縦軸は一定の値たとえば、Ｉ０である。
【００５０】
ＯＬＥＤ素子１１に異常が生ずると、ＯＬＥＤ素子１１の陽極電圧の異常となって現れる。したがって、標準的なＯＬＥＤ素子の電圧―電流特性を測定しておくことによって、正常画素と異常画素とを判別することが出来る。図７においては、ＯＬＥＤ素子１１の陽極電圧がＶ１以下となったとき、および、ＯＬＥＤ素子１１の陽極電圧がＶ２以上となったときに異常画素であると判定をする。そして異常と判定された画素は比較の対象からは外される。
【００５１】
図８はＯＬＥＤ素子１１の特性検出に定電圧源を用いた場合である。この動作は先に説明したとおりである。図９は図８の回路を用いてＯＬＥＤ素子１１の特性を検出した場合の例である。図９の横軸はＯＬＥＤ素子１１の陽極に印加される電圧であり、縦軸はＯＬＥＤ素子１１を流れる電流である。図８において、ＯＬＥＤ素子１１の陽極には一定電圧、例えば図９における電圧Ｖ０、が印加される。ＯＬＥＤ素子１１が断線に近くなると電流は非常に小さくなり、例えば、Ｉ１以下となる。一方、ＯＬＥＤ素子１１がショートに近くなると電流は非常に多くなり、例えば、Ｉ２以上となる。
【００５２】
したがって、標準的なＯＬＥＤ素子１１の特性を予め測定しておくことにより、正常画素と異常画素を判別することができる。本実施例においては、ＯＬＥＤ素子１１を流れる電流がＩ１以下の場合とＩ２以上の場合は異常画素として比較の対象から外される。なお、図９の場合は定電圧源と対応させて電流の範囲を示したが、この場合も実際の回路では電圧に換算できるので、図８のように差動増幅器によって特性を検出することが出来る。
【００５３】
図１０は本実施例の動作を具体的に示す有機ＥＬ表示装置の例である。基本的な動作は図４で説明したとおりである。個々の画素ＰＸの構成は図５と同様である。図１０において、検出用走査回路４によって検出を行う特定の行を選択する。検出を行うときは図１０に示すデータ線５は画素ＰＸからは遮断されている。各行には画素ＰＸがｎ個並んでいる。ｎ個の画素ＰＸのＯＬＥＤ素子特性をスイッチ走査によって、例えば、左側から順に測定していく。検出回路は図６または図８で説明した回路を用いてＯＬＥＤ素子１１の電圧―電流特性を測定する。
【００５４】
左側の画素ＰＸから順にＯＬＥＤ素子１１の特性が検出されると、検出結果は随時ＡＤ変換されて第１メモリＭＲ１に蓄えられる。第１メモリＭＲ１は１行分のＯＬＥＤ素子１１のデータを蓄えるラインメモリである。第１メモリＭＲ１に１行分のデータが蓄えられると不良判定部８１において、第１メモリＭＲ１のデータを順次読み出し、不良画素判定を行う。不良判定部８１においては、図７または図９で説明したように、電圧―電流特性が規定範囲外の画素は不良画素として判定の対象から外す。そして、正常な画素のみ焼付き判定部８２に転送する。
【００５５】
焼付き判定部８２では正常な画素のみに対して隣あった画素のＯＬＥＤ素子特性の比較を行い焼付きがあるか否かを判定する。焼付きの有無を第２メモリＭＲ２に蓄える。第２メモリＭＲ２は画面全体の補正データを蓄えるフレームメモリである。すなわち、第２メモリＭＲ２にはライン毎に焼付きのデータが更新されることになる。
【００５６】
演算部９において、ホストから入力される画像データに対して第２メモリＭＲ２に蓄えられた焼付きデータを参照し、補正された画像データを算出する。補正された画像データはラッチ１０に転送され、１ライン分まとめてアナログデジタルコンバータＡＤＣによって、デジタルデータを実際にＯＬＥＤ素子１１に印加される電圧に変換する。
【００５７】
図１１は実際に焼付きの検出をする画面の例である。図１１において、種々の黒点は不良画素を表す。長方形の斜線部は焼付きが生じた領域である。焼付きは長方形のパターンが比較的長時間表示された場合に生じたものと仮定する。ＯＬＥＤ素子１１の特性検出は図１１の点線で示す検査ライン、すなわち走査線に沿って行われる。検出回路は例えば、図６に示す定電流源を使用する。
【００５８】
図１２は検査ライン上の画素を左から順に測定をした場合のＯＬＥＤ素子１１の陽極電位をあらわす。横軸は画素の水平方向の位置を表す。各画素を測定するので、データは離散的であるが、画素が多いのでこれらのデータを線で結んで表示している。図１２において、陽極電圧がＶ２よりも大きい場合、および、陽極電位がＶ１よりも小さい場合は欠陥画素である。この情報は図１０の不良判定部８１に入力されている。
【００５９】
図１２において、画面左側から検出を始める。検出ライン上において焼付きが生じていない左側の領域はＯＬＥＤ素子１１の特性が一定であることを示している。焼付きが生じている領域ではＯＬＥＤ素子１１の特性が劣化してＯＬＥＤ素子１１の抵抗が増加しているので、陽極電圧が上昇する。この陽極電圧の上昇分をＡＤ変換したものが焼付き量として図１０の演算部９にてホストから送られる画像データに反映される。
【００６０】
焼付きを生じた領域を通過するとＯＬＥＤ素子１１の陽極電圧はふたたび正常値に戻る。さらに検出ライン上で検出をすすめると、図１１に示すように、検出ライン上に欠陥画素Ａが存在する。この欠陥は焼付きではなく、ＯＬＥＤ素子１１がショートに近くなった不良である。この時のＯＬＥＤ素子１１の陽極電圧の変化を図１２に示す。図１２において、Ａが欠陥画素の陽極電位である。この電位はＶ１より低いので、図１０の不良判定部８１において、欠陥画素であると判定されて、比較の対象から外される。
【００６１】
図１２において、欠陥画素Ａの左側の画素Ｃおよび右側の画素Ｂは正常な画素である。画素Ａのデータを左側の画素Ｃと比較するとＡの陽極電圧は低いので、本来ならば図１０の演算部９においてこの差を外部からの画像信号にフィードバックする。しかし、画素Ａは欠陥画素と判定されているので、画素Ａにたいする画像信号にはこのデータは反映されない。また、欠陥画素Ａの右側の画素Ｂの陽極電圧を欠陥画素Ａと比較するとＢの陽極電圧は低い。したがって、本来ならば、この差を外部からの画像信号にフィードバックする。すなわち、外部信号に補正電圧を上乗せして、画素Ｂにはより高い電圧を加えることになる。そうすると画素Ｂの輝度は非常に高くなり、正しい画像が形成できない。
【００６２】
本実施例ではＡは欠陥画素として比較の対象から外されるので、画素Ｂに対して間違った補正がされることは無い。そのかわり、画素Ｂのデータは欠陥画素Ａの左側の画素Ｃのデータと比較される。画素Ｃの陽極電圧と画素Ｂの陽極電圧は同じであるから、画素Ｂには焼付きがなかったと判定さる。したがって、図１０の演算部９において、ホストからの画像信号に対しては補正は加えられないので、正しい画像を表示することが出来る。
【００６３】
以上説明したように、焼付き判定部８２においては、隣り合った画素を比較して焼付きの有無を判定するが、異常画素は比較の対象から外すために、誤補正を避けることが出来る。すなわち、正常画素のみ比較するために、焼付きの有無、あるいは焼付きの量のみを判定することができる。そして正しい焼付きの量を判定することによって、正確な画像が表示できる。
【実施例２】
【００６４】
実施例１では、画素ＰＸの焼付きの判定を隣の画素と比較をしている。すなわち、測定画素のＯＬＥＤ素子１１の陽極電圧を隣の画素のＯＬＥＤ素子１１の陽極電圧と比較をしている。このような評価方法は、各画素を比較したときの測定の誤差が累積される恐れがある。
【００６５】
誤差が累積されることを防止する方法として本実施例は次のような方法をとる。本実施例が適用される有機ＥＬ表示装置の構成は図１０と同様である。すなわち、図１０の不良判定部８１において不良と判定された画素のデータを除いて各画素のデータが焼付き判定部８２に転送される。本実施例においては、焼付き判定部８２において、転送されてきた１ライン分のデータを用いて比較の基準となる基準データを作成する。そしてこの基準データと各画素のデータを比較することによって各画素の焼付き量を判定する。こうすることによって、隣どうしの画素を比較することによって誤差が累積するという問題は回避することが出来る。
【００６６】
基準データ作成の方法としては例えば、次のような方法がある。不良判定部８１からは不良画素のデータを除くデータが送られて来る。すなわち、送られてくるデータは主として焼きつきの量を含んだデータであると判断できる。このデータを統計処理して例えば、平均値ｍから標準偏差σを引いた値をｍ−σを設定し、この値との差を焼付き量とすることもできる。これによってより安定的な補正が可能になる。
【実施例３】
【００６７】
図１３は本発明の第３の実施例による有機ＥＬ表示装置の例である。本実施例においても図１１に示すように、走査線である検出ライン上の画素ＰＸを左から順次検出していくことは実施例１と同様である。しかし、本実施例では画素ＰＸの焼付き判定は隣どおしの画素との比較ではなく、基準画素のデータと比較する。
【００６８】
この場合、基準画素に異常が発生すれば、補正データが全て使用できなくなるという危険がある。これを防止するために、基準画素にたいしても、正常値を維持しているかいなかのチェックを定期的にかける。例えば、基準データに対しても図７に示したように、あらかじめ正常範囲と異常範囲を決めておき、基準画素が正常範囲から外れた場合は基準画素から外すというような動作が必要である。たとえば、基準画素を複数設けておき、特定の基準画素に欠陥が生じたら、別の基準画素に乗り換えるというようなプログラムとしておけばよい。
【００６９】
図１３において、検出部７は図６の検出回路を使用すると仮定する。この場合、検出はＯＬＥＤ素子１１の陽極電圧を測定する。検出部７において、画素ＰＸのＯＬＥＤ素子１１の特性を検出すると、その都度不良判定を行う。不良判定はその画素が欠陥画素か否かの判定である。不良判定は図７に示すように、不良画素として判断する陽極電圧の範囲を決めておく。実施例１と異なるところは、画素ＰＸの特性判定結果をラインメモリに蓄積してその後、画素ＰＸの欠陥判定をするのではなく、画素ＰＸの特性判定を行ったらその都度、欠陥判定をすることである。
【００７０】
不良判定部８１において、正常画素であると判断された画素のデータのみが焼付き判定部８２に転送される。焼付き判定部８２においては転送された画素のデータを基準画素のデータと比較して焼付きの量を判断する。すなわち、基準画素の陽極電圧と測定画素の陽極電圧の差を評価してこれをフレームメモリである第２メモリＭＲ２に転送する。
【００７１】
第２メモリＭＲ２には画面全体のＯＬＥＤ素子１１の特性が記憶されている。そして、送られてきた新しいデータによって該当画素のデータを更新する。欠陥画素のデータは更新されない。図１３における演算部９にホストから画像データが送られてくるとその都度第２メモリＭＲ２から対応する画素のデータを読み出し、画像データに対する補正量を計算し、補正後の画像データをラッチ１０に送る。その後は実施例１の図１０と同様である。
【００７２】
本実施例では実施例１と同様な効果を得ることができ、実施例の場合に比して、有機ＥＬ表示装置か第１メモリＭＲ１すなわち、ラインメモリを省略することが出来、その分製造コストを低減することが出来る。
【実施例４】
【００７３】
図１４は本発明の第４の実施例を示す有機ＥＬ表示装置の例である。図１５は図１４の画素ＰＸの構成である。実施例１においては、各画素に対してＯＬＥＤ素子１１の特性検出のための検出線６と、画像データを供給するためのデータ線５とが接続されている。本実施例では図１３に示すように、検出線は省略され、データ線５が検出線を兼用する。そのかわり、データ線５は表示画面外で、画像データ供給回路と検出回路とを切り変えるスイッチＳＷＡＫと接続している。
【００７４】
図１５は図１４の画素ＰＸの回路図である。図１５において、ＡスイッチＳＷＡもＣスイッチＳＷＣもデータ線５に接続している。画素に画像データを供給するときは図１４において、ＡＫスイッチＳＷＡＫは画像データ供給回路側と接続する。一方、図１５の画素においては、スイッチＣが開放になり、スイッチＡが閉じる。これによって、画像データに応じた電荷が蓄積容量１３に蓄積される。そしてＢスイッチＳＷＢを閉じるとＯＬＥＤ素子１１に画像信号に応じた電流が流れて階調表示が行われる。
【００７５】
画素ＰＸのＯＬＥＤ素子特性を測定するときは、図１４のＡＫスイッチＳＷＡＫを検出回路側に接続する。一方図１５の画素においては、ＡスイッチＳＷＡが開放し、ＣスイッチＳＷＣが閉じる。そうすると、例えば、図６に示す検出回路の定電流源からＯＬＥＤ素子１１に電流が供給され、ＯＬＥＤ素子１１の陽極電圧を測定することが出来る。
【００７６】
以上のように、検出線が無い場合であっても、データ線５をＯＬＥＤ素子特性の検出に兼用することによって、焼付き補正を行うことが出来る。そして実施例４では検出線が無い分有機ＥＬ表示装置の構成を単純化することが出来る。
【００７７】
以上の説明では、有機ＥＬ表示装置の画素駆動回路としては最も基本的な駆動回路について説明した。これは説明を単純化してわかりやすくするためであり、本発明が適用できる画素の駆動回路は図５または図１５に限る必要が無いことは言うまでも無い。また、図５または図１５の駆動回路は、一般には、画像データを書き込んだあと、ＢスイッチＳＷＢを閉じて１フレームの間ＯＬＥＤ素子１１を発光させる場合に用いられる。しかし、本発明は、このような、画像データ書き込み後直ちにＯＬＥＤ素子１１を発光させるようなタイプに限らず適用することができる。すなわち、１フレームを画像書き込み期間とＯＬＥＤ素子１１の発光期間にわけ、画像書き込み期間において、全画素に画像データを書き込んだあと、全画素のＯＬＥＤ素子１１を発光させるというような駆動方法に対しても適用することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【００７８】
【図１】有機ＥＬ表示装置の例である。
【図２】ＯＬＥＤ素子がショートまたは断線した例である。
【図３】ＯＬＥＤ素子の電圧―電流特性である。
【図４】有機ＥＬ表示装置の構成を示す概略図である。
【図５】画素の駆動回路の例である。
【図６】ＯＬＥＤ素子の特性検出回路の例である。
【図７】ＯＬＥＤ素子の特性検出の例である。
【図８】ＯＬＥＤ素子の特性検出回路の他の例である。
【図９】ＯＬＥＤ素子の特性検出の他の例である。
【図１０】実施例１の有機ＥＬ表示装置の例である。
【図１１】特性検出の例である。
【図１２】特性検出データの例である。
【図１３】実施例３の有機ＥＬ表示装置の例である。
【図１４】実施例４の有機ＥＬ表示装置の例である。
【図１５】実施例４の画素の駆動回路である。
【図１６】ＯＬＥＤ素子の電圧―電流特性である。
【図１７】ＯＬＥＤ素子特性の経時変化の例である。
【符号の説明】
【００７９】
１…有機ＥＬ表示パネル、２…表示領域、  ３…表示用走査回路、  ４…検出用走査回路、  ５…データ線、  ６…検出線、  ７…検出部、  ８…判定部、  ９…演算部、  １０…ラッチ、  １１…ＯＬＥＤ素子、  １２…ＯＬＥＤ駆動ＴＦＴ、  １３…蓄積容量、  ８１…不良判定部、  ８２…焼付き判定部、  ＡＤＣ…アナログデジタルコンバータ、  ＰＸ…画素、  ＭＲ１…第１メモリ、  ＭＲ２…第２メモリ  Ｖｄ…電源
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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