(57)【要約】【課題】プラズマ処理後に誘電体層に蓄積する残留電荷を抑えることができるプラズマ処理方法を提供する。【解決手段】本発明のプラズマ処理方法は、被処理基板を吸着保持できるように、静電チャック１９のＨＶ(High Voltage)電極２０にプラス又はマイナスの極性の直流電圧を印加する直流電圧印加工程と、高周波電源１３，４３が高周波電力を印加し始めてから終了するまでのプラズマ処理中に、静電チャック１９のＨＶ電極２０に印加する直流電圧の極性を逆の極性に入れ替える極性入替え工程と、を備える。被処理基板のプラズマ処理中にＨＶ電極２０に印加する直流電圧の極性を入れ替えるので、誘電体層に蓄積する残留電荷がプラズマ処理中に抜ける。よって、プラズマ処理後に誘電体層に蓄積する残留電荷量を低減することができる。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向する上部電極と下部電極との間に高周波電源から高周波電力を印加してプラズマを発生させ、被処理基板にプラズマ処理を行うプラズマ処理方法において、
被処理基板を吸着保持できるように、下部電極上の静電チャックの内部電極にプラス又はマイナスの極性の直流電圧を印加する直流電圧印加工程と、
前記高周波電源が被処理基板のプラズマ処理を行うために高周波電力を印加し始めてから前記プラズマ処理が終了するまでの間に、前記静電チャックの前記内部電極に印加する直流電圧の極性を前記プラス又は前記マイナスの極性とは逆の極性に入れ替える極性入替え工程と、
を備えるプラズマ処理方法。
【請求項２】
前記極性入替え工程において、
あらかじめ、前記高周波電源が被処理基板のプラズマ処理を行うための高周波電力を印加するのを中断すると共に、被処理基板の裏面と前記静電チャックの上面との間に伝熱ガスを供給するのを中断し、
その後、前記静電チャックの前記内部電極に印加する直流電圧の極性を入れ替え、
その後、前記高周波電源が被処理基板のプラズマ処理を行うための高周波電力を印加すると共に、被処理基板の裏面と前記静電チャックの上面との間に伝熱ガスを供給することを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理方法。
【請求項３】
前記極性入替え工程において、
前記静電チャックの前記内部電極に印加する直流電圧の極性を入れ替える最中に、前記高周波電源が被処理基板のプラズマ処理を行うための高周波電力を印加し続けると共に、被処理基板の裏面と前記静電チャックの上面との間に伝熱ガスを供給し続けることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理方法。
【請求項４】
前記プラズマ処理方法はさらに、
前記高周波電源が被処理基板のプラズマ処理を行うための高周波電力を印加し終わった後に、前記静電チャックの前記内部電極に前記プラス又は前記マイナスの極性、又は前記逆の極性の直流電圧を印加する逆印加工程を備えることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載のプラズマ処理方法。
【請求項５】
前記直流電圧印加工程において、前記静電チャックの内部電極にプラス又はマイナスの極性の直流電圧を印加する時間は、極性入替え工程において、前記静電チャックの前記内部電極に前記逆の極性の直流電圧を印加する時間よりも長く、
逆印加工程において、前記静電チャックの前記内部電極に前記逆の極性の直流電圧をさらに印加することを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載のプラズマ処理方法。
【請求項６】
前記静電チャックが、誘電体としてのセラミックスの内部に内部電極を設けてなることを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載のプラズマ処理方法。
【請求項７】
対向する上部電極と下部電極との間に高周波電力を印加してプラズマを発生させる高周波電源と、被処理基板を吸着保持できるように、下部電極上の静電チャックの内部電極にプラス又はマイナスの極性の直流電圧を印加する直流電源と、前記高周波電源及び前記直流電源を制御する制御部と、を備えるプラズマ処理装置において、
前記制御部は、前記高周波電源が被処理基板のプラズマ処理を行うために高周波電力を印加し始めてから前記プラズマ処理が終了するまでの間に、前記静電チャックの前記内部電極に印加する直流電圧の極性を前記プラス又は前記マイナスの極性とは逆の極性に入れ替えることを特徴とするプラズマ処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウェハやＬＣＤ（liquid crystal display）用基板等の被処理基板にプラズマエッチング処理や、成膜処理を施すプラズマ処理方法及び装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの製造工程においては、成膜処理、アニール処理、エッチング処理、酸化拡散処理等の各種の処理が行われる。これらの処理の多くは、高周波電力を用いたプラズマ処理で行われる傾向にある。プラズマ処理装置の一種として、平行平板型のプラズマ処理装置が知られている。載置台を兼ねる下部電極上に半導体ウェハを載置し、下部電極とこれに対向する上部電極との間で高周波電力を印加することによりプラズマを発生させ、このプラズマによって被処理基板の成膜処理やエッチング処理等の各種の処理を行う。
【０００３】
このプラズマ処理装置においては、被処理基板は下部電極上の静電チャック（ＥＳＣ）に吸着される。静電チャックは誘電体の内部にＨＶ(High Voltage)電極を埋め込んでなる。ＨＶ電極には直流電源が接続される。図７の静電チャックの原理図に示されるように、ＨＶ電極５１にプラスの高電圧を印加すると、コンデンサの両極に電荷がチャージするのと同じ様に、被処理基板Ｗにマイナスの電荷、ＨＶ電極５１にプラスの電荷がチャージする。マイナスの電荷とプラスの電荷が引き合う力、すなわちクーロン力によって吸着が行われる。
【０００４】
この他にも、図８に示されるように、ジョンソン・ラーベック力タイプの静電チャックも知られている。誘電体の抵抗値を若干下げて電流がある程度は流れるタイプの静電チャックである。ジョンソン・ラーベック力は基本的にはクーロン力であるが、静電チャックと被処理基板の間の微小なギャップでクーロン力が発揮される場合にこの名称が使用される。図において、Ｃ１：微小ギャップの容量、Ｒ１：被処理基板と静電チャックの接触抵抗、Ｃ２：誘電体の容量、Ｒ２：誘電体の抵抗分、である。被処理基板の吸着力はＣ１の両極で発揮される。
【０００５】
クーロン力を利用した静電チャックにおいても、ジョンソン・ラーベック力を利用した静電チャックにおいても、誘電体層に蓄積する残留電荷が問題になる。残留電荷が蓄積したままだと、静電チャックと被処理基板とが引き合う力が残り、プラズマ処理後に被処理基板を脱離できなくなるからである。
【０００６】
被処理基板を脱離し易くするために、プラズマ処理後に、静電チャックのＨＶ電極に吸着時とは逆の極性の直流電圧を一旦印加する逆印加方法が知られている（特許文献１参照）。例えば、吸着時にＨＶ電極にプラスの直流電圧を印加したときは、プラズマ処理後の逆印加工程において、マイナスの直流電圧を印加して誘電体層に蓄積するプラスの残留電荷を直流電源へ移動させる。一方、吸着時にマイナスの極性の直流電圧を印加したときは、プラズマ処理後の逆印加工程において、ＨＶ電極にプラスの極性の直流電圧を印加する。逆極性の直流電圧を印加することで、蓄積した残留電荷を抜くことができるので、被処理基板を脱離し易くなる。
【特許文献１】国際公開第２００４／０２１４２７号パンフレット（１３頁１行〜７行）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、プラズマ処理後に逆の極性の直流電圧を逆印加しても電荷が残り、静電チャックから被処理基板が剥がれにくくなる場合がある。
【０００８】
例えば、誘電体層に耐熱性を持たせるためにセラミックスを使用し、誘電体層を高温にすると、体積抵抗率が下がるので、残留電荷が抜けにくくなる。そして、プラズマ処理のプロセス時間が長ければ長いほど、誘電体層に蓄積する電荷が経時的に増えるため、逆印加する時間もより長くなる。逆印加する時間が長くなると、プラズマ処理装置のスループットが悪くなる。
【０００９】
そこで、本発明は、プラズマ処理後に誘電体層に蓄積する残留電荷を抑えることができるプラズマ処理方法及び装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するために、請求項１に記載の発明は、対向する上部電極と下部電極との間に高周波電源から高周波電力を印加してプラズマを発生させ、被処理基板にプラズマ処理を行うプラズマ処理方法において、被処理基板を吸着保持できるように、下部電極上の静電チャックの内部電極にプラス又はマイナスの極性の直流電圧を印加する直流電圧印加工程と、前記高周波電源が被処理基板のプラズマ処理を行うために高周波電力を印加し始めてから前記プラズマ処理が終了するまでの間に、前記静電チャックの前記内部電極に印加する直流電圧の極性を前記プラス又は前記マイナスの極性とは逆の極性に入れ替える極性入替え工程と、を備えるプラズマ処理方法である。
【００１１】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載のプラズマ処理方法の、前記極性入替え工程において、あらかじめ、前記高周波電源が被処理基板のプラズマ処理を行うための高周波電力を印加するのを中断すると共に、被処理基板の裏面と前記静電チャックの上面との間に伝熱ガスを供給するのを中断し、その後、前記静電チャックの前記内部電極に印加する直流電圧の極性を入れ替え、その後、前記高周波電源が被処理基板のプラズマ処理を行うための高周波電力を印加すると共に、被処理基板の裏面と前記静電チャックの上面との間に伝熱ガスを供給することを特徴とする。
【００１２】
請求項３に記載の発明は、請求項１に記載のプラズマ処理方法の、前記極性入替え工程において、前記静電チャックの前記内部電極に印加する直流電圧の極性を入れ替える最中に、前記高周波電源が被処理基板のプラズマ処理を行うための高周波電力を印加し続けると共に、被処理基板の裏面と前記静電チャックの上面との間に伝熱ガスを供給し続けることを特徴とする。
【００１３】
請求項４に記載の発明は、請求項１ないし３のいずれかに記載のプラズマ処理方法において、さらに、前記高周波電源が被処理基板のプラズマ処理を行うための高周波電力を印加し終わった後に、前記静電チャックの前記内部電極に前記プラス又は前記マイナスの極性、又は前記逆の極性の直流電圧を印加する逆印加工程を備えることを特徴とする。
【００１４】
請求項５に記載の発明は、請求項１ないし４のいずれかに記載のプラズマ処理方法において、前記直流電圧印加工程において、静電チャックの内部電極にプラス又はマイナスの極性の直流電圧を印加する時間は、極性入替え工程において、前記静電チャックの前記内部電極に前記逆の極性の直流電圧を印加する時間よりも長く、逆印加工程において、前記静電チャックの前記内部電極に前記逆の極性の直流電圧をさらに印加することを特徴とする。
【００１５】
請求項６に記載の発明は、請求項１ないし５のいずれかに記載のプラズマ処理方法において、前記静電チャックが、誘電体としてのセラミックスの内部に内部電極を設けてなることを特徴とする。
【００１６】
請求項７に記載の発明は、対向する上部電極と下部電極との間に高周波電力を印加してプラズマを発生させる高周波電源と、被処理基板を吸着保持できるように、下部電極上の静電チャックの内部電極にプラス又はマイナスの極性の直流電圧を印加する直流電源と、前記高周波電源及び前記直流電源を制御する制御部と、を備えるプラズマ処理装置において、前記制御部は、前記高周波電源が被処理基板のプラズマ処理を行うために高周波電力を印加し始めてから前記プラズマ処理が終了するまでの間に、前記静電チャックの前記内部電極に印加する直流電圧の極性を前記プラス又は前記マイナスの極性とは逆の極性に入れ替えることを特徴とするプラズマ処理装置である。
【発明の効果】
【００１７】
被処理基板のプラズマ処理中に静電チャックの内部電極に印加する直流電圧の極性を入れ替えるので、誘電体層に蓄積する残留電荷がプラズマ処理中に抜ける。よって、プラズマ処理後に誘電体層に蓄積する残留電荷量を低減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、添付図面を参照して、本発明の一実施形態に係るプラズマ処理装置を示す。図１は、プラズマ処理装置（エッチング装置）の全体の概略構成図を示す。図１において、符号１は、材質が例えばアルミニウム、ステンレス鋼等からなり、内部を気密に閉鎖可能な円筒形のチャンバ１である。このチャンバ１はアースに接地されている。
【００１９】
チャンバ１の内部には、被処理基板として例えば半導体ウェハＷが載置される円板状のサセプタ２が設けられる。サセプタ２は、アルミニウム等の導電性材料からなり、下部電極を兼ねている。サセプタ２は、セラミックス等の絶縁性の筒状保持部３に支持される。筒状保持部３はチャンバ１の筒状支持部４に支持される。筒状保持部３の上面には、サセプタ２の上面を環状に囲む石英等からなるフォーカスリング５が配置される。
【００２０】
チャンバ１の側壁と筒部支持部４との間には、環状の排気路６が形成される。この排気路６の入口又は途中に環状のバッフル板７が取り付けられる。排気路６の底部には、排気口８が設けられる。排気口８には排気管９を介して排気装置１０が接続される。排気装置１０は、真空ポンプを有しており、チャンバ１内の処理空間を所定の真空度まで減圧する。チャンバ１の側壁には、半導体ウェハＷの搬入出口を開閉するゲートバルブ１１が取り付けられる。
【００２１】
サセプタ２には、プラズマ生成用の高周波電源１３が整合器１４及び給電棒１５を介して電気的に接続される。高周波電源１３は、例えば４０ＭＨｚのＨＦ（High Frequency）の高周波電力をサセプタ２、すなわち下部電極に供給する。チャンバ１の天井部には、シャワーヘッド１７が上部電極として設けられる。高周波電源１３からの高周波電力のサセプタ２への印加によりサセプタ２とシャワーヘッド１７との間にプラズマが生成される。
【００２２】
またサセプタ２には、プラズマ中のイオンを半導体ウェハＷに引き込むバイアス用の高周波電源４３が整合器４４及び給電棒４５を介して接続される。高周波電源４３は、例えば１２．８８ＭＨｚ，３．２ＭＨｚ等のＬＦ（Low Frequency）の高周波電力をサセプタ２に供給する。プラズマ中のイオンは、ＬＦ（Low Frequency）の高周波電力によって半導体ウェハＷ上に引き込まれる。
【００２３】
サセプタ２の上面には、半導体ウェハＷを静電吸着力で保持するための静電チャック１９が設けられる。静電チャック１９は、セラミックス等の誘電体からなる。静電チャック１９の内部には、導電体であるＨＶ(High Voltage)電極２０（内部電極２０）が設けられる。ＨＶ電極２０は、例えば銅、タングステン等の導電膜からなる。
【００２４】
ＨＶ電極２０には、直流電源２２がスイッチ２３を介して電気的に接続される。直流電源２２は、ＨＶ電極２０に２５００Ｖ，３０００Ｖ等のプラス又はマイナスの直流電圧を印加する。スイッチ２３は、直流電源２２から静電チャック１９に印加する直流電圧のプラス又はマイナスの極性を切り替える。直流電源２２からＨＶ電極２０に直流電圧を印加すると、クーロン力によって半導体ウェハＷが静電チャック１９に吸着保持される。静電チャック１９には、単極型と双極型とがあり、これらのタイプにそれぞれクーロン型とジョンソン・ラーベック型とがある。本発明には、いずれのタイプの静電チャック１９も用いることができる。
【００２５】
サセプタ２の内部には、例えば円周方向に延在する冷媒室２ａが設けられる。この冷媒室２ａには、チラーユニット２９より配管３０を介して所定温度の冷媒例えば冷却水が循環供給される。冷媒の温度によって、静電チャック１９上の半導体ウェハＷの処理温度を制御できる。
【００２６】
静電チャック１９の上面と半導体ウェハＷの裏面との間には、伝熱ガス供給部３１からの伝熱ガス、例えばＨｅガスがガス供給配管３２を介して供給される。半導体ウェハＷの裏面及び静電チャック１９の上面は、ミクロ的にみると平面ではなくて凸凹である。半導体ウェハＷと静電チャック１９との接触面積は少ない。半導体ウェハＷの裏面と静電チャック１９との間に伝熱ガスを供給することで、半導体ウェハＷと静電チャック１９との伝熱性を向上することができる。
【００２７】
サセプタ２の内部には、静電チャック１９の上面から突出あるいは、静電チャック１９の上面よりも下方に引き込まれるプッシャーピン４６が設けられる（図２参照）。静電チャック１９に半導体ウェハＷを吸着させるときは、静電チャック１９の上面から突出したプッシャーピン４６に半導体ウェハＷを載せ、プッシャーピン４６を降下させて半導体ウェハＷを静電チャック１９の上面に降ろす。一方、静電チャック１９から半導体Ｗウェハを離脱させるときは、静電チャック１９の上面よりも下方に引き込まれたプッシャーピン４６を上昇させ、プッシャーピン４６が静電チャック１９の上面に吸着された半導体ウェハＷを持ち上げる。
【００２８】
天井部のシャワーヘッド１７は、多数のガス通気孔を有する下面の電極板３４と、この電極板３４を着脱可能に支持する電極支持体３５と、を有する。電極支持体３５の内部にはバッファ室３６が設けられ、このバッファ室３６のガス導入口３７には処理ガス供給部３８からのガス供給配管３９が接続される。
【００２９】
シャワーヘッド１７は、サセプタ２と平行に対向すると共にアースに接地されている。シャワーヘッド１７とサセプタ２は一対の電極、すなわち上部電極と下部電極として機能する。シャワーヘッド１７とサセプタ２との間の空間には、高周波電力によって鉛直方向の高周波電界が形成される。高周波の放電によって、サセプタ２の表面近傍に高密度のプラズマが生成される。
【００３０】
チャンバ１の周囲には、チャンバ１と同心円状に環状のリング磁石３３が配置される。リング磁石３３は、サセプタ２とシャワーヘッド１７との間の処理空間に磁場を形成する。このリング磁石３３は、回転機構によってチャンバ１の回りを回転可能とされている。
【００３１】
制御部４１は、プラズマエッチング装置内の各部、例えば排気装置１０、高周波電源１３，４３、静電チャック用のスイッチ２３、チラーユニット２９、伝熱ガス供給部３１及び処理ガス供給部３８等の動作を制御する。
【００３２】
以下に、上記のように構成されたエッチング装置によるエッチング処理の手順について説明する。
【００３３】
まず、チャンバ１に設けられたゲートバルブ１１を開ける。図示しない搬送機構は、半導体ウェハＷをゲートバルブ１１に隣接して配置されたロードロック室（図示せず）からチャンバ内に搬入し、半導体ウェハＷをサセプタ２のプッシャーピン４６上に載置する。搬送作業が終わったら、搬送機構はチャンバ１の外に退避する。この後、ゲートバルブ１１がチャンバ１の搬出入口を閉じ、排気装置１０がチャンバ１の室内を真空にする。
【００３４】
図３は、エッチング処理のタイミングチャートを示す。図３において、横軸は時間を示し、縦軸はＨＶ電極２０に印加される直流電圧、高周波電源１３，４３のオン・オフ、Ｈｅガスのオン・オフをそれぞれ示す。
【００３５】
半導体ウェハＷがチャンバ１内に搬入されたら、直流電源２２がＨＶ電極２０に直流電圧（ＨＶ）を印加する。図２に示されるように、プッシャーピン４６が上がっている時にＨＶ電極２０にプラスの極性の直流電圧を印加すると、プッシャーピン４６を介してマイナスの電荷が半導体ウェハＷにチャージされる。プッシャーピン４６が半導体ウェハＷを静電チャック１９の上に降ろすと、クーロン力によって半導体ウェハＷが静電チャック１９に吸着される。
【００３６】
ＨＶ電極２０に例えば２５００Ｖのプラスの直流電圧（ＨＶ）を印加した後、処理ガス供給部３８からチャンバ１内にエッチングガスを供給し、高周波電源１３，４３から下部電極としてのサセプタ２にＨＦ(High Frequency)及びＬＦ（Low Frequency）の高周波電力を供給する。サセプタ２への高周波電力の供給によって、上部電極であるシャワーヘッド１７と下部電極であるサセプタ２との間の処理空間には高周波電界が形成され、プラズマが発生する。サセプタ２への高周波電力の供給と同時に、伝熱ガス供給部３１が半導体ウェハＷの裏面と静電チャック１９の上面との間に、Ｈｅ等の伝熱ガスを供給する。この状態で半導体ウェハＷのエッチング処理が開始する。
【００３７】
そして、高周波電源１３，４３がサセプタ２に高周波電力を印加し始めてからエッチング処理が終了するまでの間に、静電チャック１９のＨＶ電極２０に印加する直流電圧の極性をマイナスの極性に入れ替える。すなわち、静電チャック１９のＨＶ電極２０に例えばプラス２５００Ｖの直流電圧を印加していたのを、エッチング処理中に例えばマイナス２５００Ｖの直流電圧に印加し直している。クーロン力により吸着力が確保できれば、マイナスの直流電圧値はプラスの直流電圧値と同じであっても異なっていてもよい。エッチング処理中に静電チャック１９のＨＶ電極２０の極性を入れ替えると、誘電体層に蓄積する残留電荷がエッチング処理中に抜ける。
【００３８】
この実施形態では、静電チャック１９のＨＶ電極２０に印加する直流電圧の極性を入れ替える最中に、半導体ウェハＷの裏面と静電チャック１９の上面との間に伝熱ガスを供給し続けると共に、高周波電源１３，４３が高周波電力を印加し続ける。静電チャック１９のＨＶ電極２０に印加する直流電圧の極性を入れ替えるとき、ＨＶ電極２０が一瞬ゼロになるので、そのときに半導体ウェハＷの吸着力が落ちるおそれがある。しかし、プラズマが発生している最中は、半導体ウェハＷに自己バイアスがかかるので、それによる吸着力も発生している。このため、エッチング処理中に静電チャック１９のＨＶ電極２０に印加する直流電圧の極性を入れ替えても、半導体ウェハＷが静電チャック１９からずれることは殆どない。
【００３９】
所定の時間が経過したり、エッチング処理のエンドポイントが検出されたりすると、制御部４１が所定のエッチング処理が終了したと判断し、高周波電源１３，４３からの高周波電力の供給を停止する。これと同時に伝熱ガス供給部３１が伝熱ガスを供給するのを停止する。例えば酸化膜をエッチングするとき、エッチング処理が酸化膜の下の膜まで到達すると、酸化膜の元素とは別の元素がチャンバ１内に現れる。プラズマの発光を検知することで、エッチング処理のエンドポイントを検出することができる。
【００４０】
高周波電源１３，４３が高周波電力を印加し終わった後、すなわちエッチング処理が終了した後、静電チャック１９のＨＶ電極２０にマイナスの直流電圧を印加するのを一旦停止する。その後、マイナスの極性（吸着のために印加したプラスの極性とは逆の極性）の直流電圧を逆印加する。逆印加の時間を短くするように、逆印加の直流電圧はエッチング処理中に印加される電圧よりも大きく、例えばマイナス３０００Ｖに設定される。直流電圧の逆印加は、誘電体層に蓄積する残留電荷量を低減するために行われる。直流電圧の逆印加の時間は、静電チャック１９のＨＶ電極２０に印加するプラスの直流電圧の大きさや印加時間、マイナスの直流電圧の大きさや印加時間によって定められる。本実施形態によれば、エッチング処理中に静電チャック１９のＨＶ電極２０への直流電圧の極性を入れ替えるので、誘電体層に蓄積する残留電荷がエッチング処理中にも抜ける。よって、エッチング処理後の逆印加の時間を短くすることができる。
【００４１】
なお、誘電体層の残留電荷を中和するように、エッチング処理中にプラス及びマイナスの極性を入れ替えることも理論的には可能である。こうなると、エッチング処理後の逆印加の工程を省略することもできるかもしれない。しかし、パラメータが不安定であるので現実的には不可能である。直流電圧の大きさや印加時間の変更に対応するためにも、逆印加の工程が必要になる。マイナスの直流電圧の大きさが大きかったり、印加時間が長くなったりすると、逆印加の極性はプラスになることもある。
【００４２】
静電チャック１９のＨＶ電極２０にマイナスの直流電圧の逆印加を停止した後、プッシャーピン４６が静電チャック１９の上面に載置される半導体ウェハＷを持ち上げる。プッシャーピン４６上に持ち上げられた半導体ウェハＷは、搬送機構によってチャンバ１の外に搬送される。
【００４３】
図４は、エッチング処理のタイミングチャートの他の例を示す。この例においては、静電チャック１９のＨＶ電極２０に印加する直流電圧の極性をプラスからマイナスに切り替えるとき、エッチング処理を一旦中断している。すなわち、あらかじめ、高周波電源１３，４３が高周波電力を印加するのを一旦中断すると共に、伝熱ガス供給部３１がＨｅガスを供給するのを一旦中断する。そして、ＨＶ電極２０に印加する直流電圧の極性をプラスからマイナスに切り替えた後、高周波電源１３，４３が高周波電力を再び印加すると共に、伝熱ガス供給部３１がＨｅガスを再び供給する。上述したように、エッチング処理中に静電チャック１９のＨＶ電極２０に印加する直流電圧の極性を入れ替えても、半導体ウェハＷが静電チャック１９から外れるおそれは殆どない。この実施形態では、より安全にするために、静電チャック１９のＨＶ電極２０に印加する直流電圧の極性を入れ替えるときに、エッチング処理を一旦中断している。ただし、エッチング処理を中断すると、トータルのエッチング処理時間が長くなることに留意する必要がある。
【００４４】
図５は、エッチング処理のタイミングチャートのさらに他の例を示す。この例では、次の半導体ウェハＷを吸着する前に、ＨＶ電極２０にマイナスの直流電圧を印加するＥＳＣ除電工程が設けられる。ＥＳＣ除電工程以外の工程は図４に示される工程と同一である。
【実施例】
【００４５】
図３に示されるタイミングチャートでエッチング処理を行い、逆印加に必要な時間を測定した。比較例として、図６に示されるように、極性を入れ替えないタイミングチャートでエッチング処理を行い、逆印加に必要な時間を測定した。
表１はその実験結果を示す。
【表１】
2008251676.tif 000003
【００４６】
表１の＋の欄に記載されている数字は、ＨＶ電極２０にプラスの直流電圧を印加している時間（ｍｉｎ）を表し、表１の−の欄に記載されている数字は、ＨＶ電極２０にマイナスの直流電圧を印加している時間（ｍｉｎ）を表す。＋の欄に記載されている時間と、−の欄に記載されている時間とを合算したものがトータルのＲＦ時間（高周波印加時間）を表す。
【００４７】
逆印加時間は、ＨＶ電極２０に逆印加をかけている時間である。表中の○×は、半導体ウェハＷが上手く離脱できるか、すなわちプッシャーピン４６で半導体ウェハＷを持ち上げるときに、半導体ウェハＷが跳ね上げたりするかどうかを表す。上手く離脱できたときが○で、上手く離脱できないときが×である。逆印加時間が不足すると、残留電荷が残っているので、プッシャーピン４６で持ち上げたときに半導体ウェハＷが跳ね上がってしまう。
【００４８】
表１の一行目に示されるように、ＨＶ電極２０にプラスの直流電圧を１５分印加し、マイナスの直流電圧を印加しない場合（図６の比較例に示されるように直流電圧の入れ替えを行わない場合）、逆印加の時間が１０分必要であった。これに対し、表１の二行目に示されるように、ＨＶ電極２０にプラスの直流電圧を１２分印加し、極性を入れ替えてマイナスの直流電圧を３分印加した場合、逆印加時間を１分まで短くすることができた。
【００４９】
また、表１の四行目に示されるように、ＨＶ電極２０にプラスの直流電圧を１５分印加し、極性を入れ替えてマイナスの直流電圧を３分印加した場合、逆印加時間を１分まで短くすることができた。このとき、ＲＦ時間は、１５＋３＝１８分となり、若干長くなっている。しかし、半導体ウェハＷをチャンバ内に搬入し、搬出するまでのトータルの時間を考えると、ＲＦ時間に逆印加時間が足されるので、１５＋１０＝２５分から１８＋１＝１９分に短くすることができた。
【００５０】
表１の下から二行目と最下行はＲＦ時間を２５分以上にとった場合を比較したものである。極性を入れ替えない場合、ＲＦ時間を２５分にとると、逆印加時間は４５分必要であった。これに対し、極性を入れ替えたマイナスの直流電圧をＨＶ電極２０に５分印加すると、逆印加時間を１分まで極端に低減できることがわかった。
【００５１】
以上に本発明の一実施形態のプラズマ処理装置を説明した。本発明は上記実施形態に限られることはなく、本発明の要旨を変更しない範囲で以下のような実施形態に具現化できる。
【００５２】
図１に示されるように、上記実施形態のプラズマ処理装置においては、下部電極であるサセプタ２にＨＦ及びＬＦの二周波数の高周波電力が印加されたが、下部電極に一周波数の高周波電力を印加してもよいし、下部電極にＬＦの高周波電力を印加し、上部電極にＨＦの高周波電力を印加してもよい。
【００５３】
また、上記実施形態のプラズマ処理装置においては、静電チャックのＨＶ電極に直流電圧を印加後、プラズマ処理用の高周波電力をサセプタに供給している。そして、プラズマ処理用の高周波電力をサセプタに供給するのを停止した後、静電チャックのＨＶ電極に直流電圧を印加するのを停止している。しかし、直流電源が静電チャックのＨＶ電極へ直流電圧の印加を開始したり、停止したりするときに、高周波電源がプラズマ処理用の高周波電力よりも弱い高周波電力をサセプタに供給していてもよい。また、直流電源がＨＶ電極へ逆電圧を印加しているときに、高周波電源が弱い高周波電力をサセプタに供給していてもよい。
【００５４】
さらに、本発明は、プラズマＣＶＤ、プラズマ酸化、プラズマ窒化、スパッタリングなどの他のプラズマ処理装置にも適用可能である。
【００５５】
さらに、本発明の被処理基板は半導体ウェハに限られるものではなく、ＬＣＤ（liquid crystal display）用基板、フォトマスク、ＣＤ基板、プリント基板等であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】本発明の一実施形態のプラズマ処理装置を模式的に示す図
【図２】プッシャーピンが半導体ウェハを持ち上げた状態を模式的に示す図
【図３】エッチング処理のタイミングチャートを示す図
【図４】エッチング処理のタイミングチャートの他の例を示す図
【図５】エッチング処理のタイミングチャートのさらに他の例を示す図
【図６】エッチング処理のタイミングチャートの比較例を示す図
【図７】クーロン型の静電チャックの原理図
【図８】ジョンソン・ラーベック型の静電チャックの原理図
【符号の説明】
【００５７】
１…チャンバ（処理容器）
２…サセプタ（下部電極）
１３，４３…高周波電源
１７…シャワーヘッド（上部電極）
１９…静電チャック
２０…ＨＶ電極
２２…直流電源
２３…スイッチ
３１…伝熱ガス供給部
４１…制御部
Ｗ…半導体ウェハ（被処理基板）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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