(57)【要約】【課題】導電性組成物によるビアホールの直上のビアランド上に、簡便な工程で電子部品を高い接続信頼性を持って接合する。【解決手段】導電層１０４間を導通させるためのビアホール１１０が絶縁性基材１０５を貫通しており、ビアホールの直上のビアランド１１２上にＩＣチップ１０１が接続された多層配線板において、ビアホール内に導電性組成物１０７が充填されると共に、電子部品とビアランドが導電性組成物１０７Ａによって接続され、かつ、ビアランドを構成する導電層には、ビアホールの絶縁性基材部分の孔径よりも小径の貫通孔１０４ａが穿設されており、この貫通径の孔を介して、ビアホール内に充填された導電性組成物１０７と、電子部品とビアランドを接続する導電性組成物１０７Ａとが、相互に混合された状態にある。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電層間を導通させるためのビアホールが絶縁性基材を貫通しており、前記ビアホールの直上のビアランド上に電子部品が接続された多層配線板において、
前記ビアホール内に導電性組成物が充填されると共に、前記電子部品とビアランドが導電性組成物によって接続され、かつ、前記ビアランドを構成する導電層には、前記ビアホールの絶縁性基材部分の孔径よりも小径の孔が穿設されており、当該小径の孔を介して、前記ビアホール内に充填された導電性組成物と、前記電子部品とビアランドを接続する導電性組成物とが、相互に混じり合った状態にあることを特徴とする多層配線板。
【請求項２】
請求項１に記載の多層配線板であって、
前記導電性組成物が樹脂を含有しており、前記ビアホール内に充填された導電性組成物内の樹脂と、前記電子部品とビアランドを接続する導電性組成物内の樹脂とが、界面なく硬化していることを特徴とする多層配線板。
【請求項３】
請求項１または２に記載の多層配線板であって、
前記ビアホール内に充填された導電性組成物内の金属と、前記電子部品とビアランドを接続する導電性組成物内の金属とが、相互拡散していることを特徴とする多層配線板。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の多層配線板であって、
前記ビアホール内に充填された導電性組成物と、前記電子部品とビアランドを接続する導電性組成物とが同じ材料であることを特徴とする多層配線板。
【請求項５】
絶縁性基材と導電層が積層されてなる配線板用基材に、絶縁性基材部分の孔径よりも導電層部分の孔径が小さくなるようビアホールとなる貫通孔を形成する工程と、
前記貫通孔に導電性組成物を充填する工程と、
前記ビアホールの直上のビアランドとなる前記貫通孔を含む導電層上に電子部品を接続するための導電性組成物を塗布して、その上に電子部品を搭載する工程と、
一度の加熱により、前記貫通孔内に充填した導電性組成物と電子部品を接続するために前記導電層上に塗布した導電性組成物とを同時に硬化させる工程と、
を有することを特徴とする多層配線板の製造方法。
【請求項６】
絶縁性基材と導電層が積層されてなる配線板用基材に、絶縁性基材部分の孔径よりも導電層部分の孔径が小さくなるようビアホールとなる貫通孔を形成する工程と、
前記貫通孔に導電性組成物を充填する工程と、
該貫通孔に充填した導電性組成物を加熱により半硬化状態とする工程と、
前記ビアホールの直上のビアランドとなる前記貫通孔を含む導電層上に電子部品を接続するための導電性組成物を塗布して、その上に電子部品を搭載する工程と、
加熱により、前記貫通孔内に充填して半硬化状態とした導電性組成物と電子部品を接続するために前記導電層上に塗布した導電性組成物とを同時に硬化させる工程と、
を有することを特徴とする多層配線板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導電性組成物を用いて接続を行った多層配線板、および、その製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年の電子機器は、高周波信号化やデジタル化等に加え、小型、軽量化が進み、それに伴い、搭載されるプリント配線板においても、小型、高密度実装化等が要求され、これらの要求にこたえるべくプリント配線板として、多層配線板が数多く発表されている。特に、ＩＶＨタイプの多層配線板は配線の高密度化、配線の自由度の高さ、という点に関する優位性によって、携帯電話等、小型の電気製品に広く利用されている。
【０００３】
その代表的な工法として、松下電子部品社のＡＬＩＶＨ工法や、ＤＴサーキットテクノロジー社のＢ2ｉｔ工法などが挙げられる。
【０００４】
これらの工法は、導電性ペーストによりビアホールが充填されていることから、メッキによってビアホールを形成する方法とは異なり、ビアホール直上の表層導電層上ではんだによって電子部品を接続する、いわゆるチップ・オン・ビアが可能であり、基板上への実装密度を大きく向上させることができる。
【０００５】
しかし、これら工法は、積層後に回路形成を実施するため、回路形成工程の数が層数に比例して増大することとなり、工程が煩雑でしかも良品率を高くすることが難しいという問題がある。
【０００６】
そこで、これらの問題を解決する手段として、別途ＩＶＨタイプの多層配線板の構造が提案されている（特許文献１参照）。
【０００７】
特許文献１に記載の構造は、図９に示すように、片面に導電層１０４の付いた絶縁性基材（樹脂基材）１０５に、導電性組成物１０７によるビアホール１１０を設けた後、これを複数枚（図９において２枚）を接着層１０６を介して貼り合せすることで、多層配線板を得るようにしたものである。この構造によれば、全層を−括で積層することができるために、工程数、不良率を大きく削減することができる。
【０００８】
この場合、導電性組成物１０７を、気泡の混入なくビアホール１１０内に充填するために、導電層１０４に小孔１０４ａを穿設し、ビアホール１１０の直上のビアランド１１２上に、電子部品１０１の電極１０２をはんだ８０１で接続している。
【０００９】
この工法は、ビアホール上にビアホールを設ける、いわゆるビア・オン・ビアが可能であるというＩＶＨ構造のメリットを生かすことができるものの、実際は図９の左側の構造のように、ビアホール１１０上にはんだ８０１を設けて電子部品１０１を接続する、いわゆるチップ・オン・ビアという形態をとるのが難しい。
【００１０】
その理由は、導電性組成物１０７に含まれるエポキシ等の樹脂バインダーの成分が表面導電層１０４上に露出し、その影響ではんだの金属拡散による接合が期待できない可能性があり、特に著しい場合には、図示のように小孔１０４ａから導電性組成物１０７が流出して、部品実装用パッドの全面を被ってしまい（図中１０８で示す部分）、はんだ１０７との金属拡散接続がまったく得られない場合すらあるからである。
【００１１】
この問題を解決する手段として、小孔上で導電性組成物が露出する導電層表面に、メッキによって別途金属層を設けた多層配線板が提案されている（特許文献２参照）。しかし、この技術では、表面に金属層を設ける工程が増加するので、工程の煩雑化を避けられない。
【特許文献１】特開２００３−３１８５４６号公報
【特許文献２】特開２００４−１５２７９３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
そこで、本発明の目的は、導電性組成物によるビアホールの直上のビアランド上に、簡便な工程で電子部品を高い接続信頼性を持って接合する、いわゆるチップ・オン・ビアという形態をとることのできる多層配線板とその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
請求項１記載の発明は、導電層間を導通させるためのビアホールが絶縁性基材を貫通しており、前記ビアホールの直上のビアランド上に電子部品が接続された多層配線板において、前記ビアホール内に導電性組成物が充填されると共に、前記電子部品とビアランドが導電性組成物によって接続され、かつ、前記ビアランドを構成する導電層には、前記ビアホールの絶縁性基材部分の孔径よりも小径の孔が穿設されており、当該小径の孔を介して、前記ビアホール内に充填された導電性組成物と、前記電子部品とビアランドを接続する導電性組成物とが、相互に混じり合った状態にあることを特徴とする。
【００１４】
請求項２記載の発明は、請求項１に記載の多層配線板であって、前記導電性組成物が樹脂を含有しており、前記ビアホール内に充填された導電性組成物内の樹脂と、前記電子部品とビアランドを接続する導電性組成物内の樹脂とが、界面なく硬化していることを特徴とする。
【００１５】
請求項３記載の発明は、請求項１または２に記載の多層配線板であって、前記ビアホール内に充填された導電性組成物内の金属と、前記電子部品とビアランドを接続する導電性組成物内の金属とが、相互拡散していることを特徴とする。
【００１６】
請求項４記載の発明は、請求項１乃至３のいずれか一項に記載された多層配線板であって、前記ビアホール内に充填された導電性組成物と、前記電子部品とビアランドを接続する導電性組成物とが同じ材料であることを特徴とする。
【００１７】
請求項５の発明の多層配線板の製造方法は、絶縁性基材と導電層が積層されてなる配線板用基材に、絶縁性基材部分の孔径よりも導電層部分の孔径が小さくなるようビアホールとなる貫通孔を形成する工程と、前記貫通孔に導電性組成物を充填する工程と、前記ビアホールの直上のビアランドとなる前記貫通孔を含む導電層上に電子部品を接続するための導電性組成物を塗布して、その上に電子部品を搭載する工程と、一度の加熱により、前記貫通孔内に充填した導電性組成物と電子部品を接続するために前記導電層上に塗布した導電性組成物とを同時に硬化させる工程と、を有することを特徴とする。
【００１８】
請求項６の発明の多層配線板の製造方法は、絶縁性基材と導電層が積層されてなる配線板用基材に、絶縁性基材部分の孔径よりも導電層部分の孔径が小さくなるようビアホールとなる貫通孔を形成する工程と、前記貫通孔に導電性組成物を充填する工程と、該貫通孔に充填した導電性組成物を加熱により半硬化状態とする工程と、前記ビアホールの直上のビアランドとなる前記貫通孔を含む導電層上に電子部品を接続するための導電性組成物を塗布して、その上に電子部品を搭載する工程と、加熱により、前記貫通孔内に充填して半硬化状態とした導電性組成物と電子部品を接続するために前記導電層上に塗布した導電性組成物とを同時に硬化させる工程と、を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１９】
請求項１記載の発明によれば、ビアホール内に充填された導電性組成物と、ビアランド上において電子部品を接続する導電性組成物とが、導電層に形成した小孔を介して相互に混じり合った状態にあるので、これら導電性組成物には接合界面が存在しないことになり、高い信頼性を持って電子部品がビアランド上に接合される。つまり、いわゆるチップ・オン・ビアという形態をとることができる。また、ビアランド上に特別な金属層を設けるような面倒な工程が不要であるから、簡便な工程で電子部品を高強度に実装することができる。
【００２０】
請求項２記載の発明によれば、導電性組成物に含有された樹脂が混合状態で硬化することにより界面なく接合しているので、高い接合強度を発揮できる。
【００２１】
請求項３記載の発明によれば、導電性組成物に含有された金属が相互拡散していることにより、導電性組成物の破断強度が高くなる。また、加熱により導電性組成物と導電層金属とを金属結合している場合、導電層金属と導電性組成物金属間の破断強度が高くなるので、耐衝撃性の向上が図れる。
【００２２】
請求項４記載の発明によれば、ビアホール内の導電性組成物とビアランド上の導電性組成物とを同じ材料にすることにより、加熱硬化条件を等しくすることができ、工程の簡素化を図ることができる。また、導電性組成物の混合状態を、導電性組成物同士が互いに接触しているだけで得られるようにすることができる。
【００２３】
請求項５記載の発明によれば、加熱によって導電性組成物を一括で硬化させるので、加熱硬化回数を１回とすることができ、工程の合理化が図れる。
【００２４】
請求項６記載の発明によれば、ビアホール内の導電性組成物を一旦半硬化状態にした上で次の処理をし、最後の加熱で全ての導電性組成物を一括で硬化させるので、作業のしやすさを確保することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、本発明の各実施の形態を図面を参照して説明する。
【００２６】
＜第１の実施の形態＞
図１は第１の実施の形態の多層プリント配線板（多層配線板）の断面構造を示している。
【００２７】
図１において、１０１はＩＣチップ（電子部品）、１０２はＩＣチップの電極、１０４は銅箔よりなる導電層（銅回路層ともいう）、１０５はポリイミドよりなる絶縁性基材（絶縁層）、１０６はエポキシを主成分とする層間接着層、１０７は導電性ペースト（導電性組成物）、１１０は異なる導電層１０４間を導通させるために絶縁性基材１０５を貫通したビアホール、１１２はビアホール１１０の直上のビアランドである。
【００２８】
ＩＣチップ１０１の図１中左側の電極１０２は、ビアランド１１２上に塗布された導電性ペースト１０７Ａを介して接合されている。この場合、図１中左側の最上層の導電層１０４および絶縁性基材１０５並びにその下の層間接着層１０６には、ビアホール１１０を形成するための貫通孔１０４ａ、１０５ａ、１０６ａが形成されており、その貫通孔内に導電性ペースト１０７が充填されている。
【００２９】
ここで、導電層１０４部分の貫通孔（小孔）１０４ａは、絶縁性基材１０５および層間接着層１０６部分の貫通孔１０５ａ、１０６ａよりも小径に形成されている。また、ビアランド１１２上の導電性ペースト１０７Ａは、導電層１０４の貫通孔１０４ａを内包し且つ貫通孔１０４ａよりも大きい領域で配設されている。そして、ビアランド１１２上の導電性ペースト１０７Ａおよびビアホール１１０（貫通孔１０４ａ、１０５ａ、１０６ａ）内の導電性ペースト１０７が、相互に混じり合った状態になっている。
【００３０】
この場合の導電性ペースト１０７、１０７Ａは樹脂を含有しており、ビアホール１１０内の導電性ペースト１０７に含有された樹脂とビアランド１１２上に配された導電性ペースト１０７Ａに含有された樹脂とが、界面なく硬化している。また、ビアホール１１０内の導電性ペースト１０７とビアランド１１２上に配された導電性ペースト１０７Ａに含有された金属は相互拡散している。特に両方の導電性ペースト１０７、１０７Ａは全て同じ材料のものよりなる。
【００３１】
また、ＩＣチップ１０１の図１において右側の電極１０２は、最上層の導電層１０４に導電性ペースト１０７Ａを介して接合されている。
【００３２】
＜第２の実施の形態＞
図２は第２の実施の形態の多層プリント配線板（多層配線板）の断面構造を示している。
【００３３】
この実施の形態の多層プリント配線板では、絶縁性基材１０５の両面（ＩＣチップ搭載側の面とその裏面）に導電層１０４が形成されており、両面の導電層１０４を導通させるためにビアホール１１０が設けられ、そのために上側の導電層１０４、絶縁性基材１０５、下側の導電層１０４に貫通孔１０４ａ、１０５ａ、１０４ｂが設けられている。この場合、上側の導電層１０４の貫通孔１０４ａは、絶縁性基材１０５および下側の導電層１０４の貫通孔１０４ｂより小径となっている。そして、導電性ペースト１０７が充填されたビアホール１１０の直上のビアランド１１２に、ＩＣチップ１０１の図中左側の電極１０２が、導電性ペースト１０７Ａを介して接合されており、ビアランド１１２上の導電性ペースト１０７Ａおよびビアホール１１０（貫通孔１０４ａ、１０５ａ、１０４ｂａ）内の導電性ペースト１０７が、相互に混合された状態になっている。それ以外の点は、第１の実施の形態と同様であるので、同一構成部分に同一符号を付して説明を省略する。
【００３４】
＜第３の実施の形態＞
図３は第３の実施の形態の多層プリント配線板（多層配線板）の断面構造を示している。
【００３５】
この実施の形態の多層プリント配線板では、電子部品１０１が多層配線板内に内蔵されている。
【００３６】
具体的には、片面に導電層１０４が形成された絶縁性基材１０５が３層、層間接着層１０６を介して順番に積層されており、中間層の片面導体層１０４付き絶縁性基材１０５上に導電層１０４上にＩＣチップ１０１が導電性ペースト１０７Ａを介して接合され、ＩＣチップ１０１の上に、更に最上層の片面導体層１０４付き絶縁性基材１０５が積層されている。この場合、配線板内には、複数のビアホール１１０、３１０が形成されており、そのうちの１つのビアホール１１０の直上に位置するビアランド１１２にＩＣチップ１０１の図３中左側の電極１０２が接合されている。
【００３７】
＜第４の実施の形態＞
次に、図４、図５を用いて、図１の第１の実施の形態で示した多層プリント配線板と同様のものを製造する方法の一例について説明する。
【００３８】
まず、図４（Ａ）に示す片面銅箔（導電層）１０４付き絶縁性基材１０５を用意する。ベース材料としては、ポリイミド以外にも、繊維含浸エポキシ、エポキシ、液晶ポリマー等を採用することができ、材料に制約はない。
【００３９】
次に、図４（Ａ）の基材の導電層１０４部分をエッチングして回路パターンを形成し、図４（Ｂ）に示す基材を得た。
【００４０】
次に、図４（Ｂ）に示す基材の導電層１０４とは反対側の面にエポキシを主成分とする層間接着材１０６を設けることで図４（Ｃ）に示す基材を得た。層間接着材１０６には、エポキシ系以外にも、ポリイミド系、アクリル系、ウレタン系等を採用することができ、採用できる材料に制約はない。
【００４１】
次に、図４（Ｃ）に示す基材の層間接着材１０６側にＰＥＴマスキングフィルム１０８を貼り合せすることで、図４（Ｄ）に示す基材を得た。
【００４２】
次に、図４（Ｄ）に示す基材にＹＡＧレーザーの第三高調波である波長３５５ｎｍのレーザー光照射によって所定の位置に連通孔１０９を明けることで図４（Ｅ）に示す基材を得た。このとき、ビアランド３００μｍに対し、絶縁性基材１０５部分および層間接着材１０６の孔径（貫通孔１０５ａ、１０６ａの孔径）は１００μｍ、導電層１０４部分の孔径（貫通孔１０４ａの径）は２０〜３０μｍとなるよう連通孔１０９を穿設することで、導電層１０４の孔径は絶縁性基材１０５の孔１０５ａの径よりも小さくしている。なお、レーザー光としては、ＹＡＧレーザー以外にも、炭酸ガスレーザーやエキシマレーザーなど、あらゆるレーザー光が適用可能であるが、導電層１０４に孔を穿設できる程度の高出力であることが必要となる。また、導電層１０４部分の孔明けは、本実施の形態のようにレーザー光で穿設する方法のほかにも、図４（Ａ）から図４（Ｂ）の状態に移行する際のエッチング工程で、同時に穿設することができる。
【００４３】
ついで、図４（Ｅ）に示すように、マスキングフィルム１１０側から印刷法により導電性組成物（導電性ペースト）１０７を孔に充填することで、図４（Ｆ）に示す基材を得た。導電性組成物は樹脂バインダーを含み、かつ、加熱により金属粒同士、および、金属粒と導電層が金属結合するものを使用した。ほかにも、導電性組成物は、金属粒は加熱で金属接合せず、樹脂バインダーによって金属粒同士の接触を保持するものや、樹脂バインダーを含まず、金属粒の金属結合によって導通を得るものも使用可能である。
【００４４】
ついで、図４（Ｆ）に示す基材からマスキングフィルム１１０を剥離することで、図４（Ｇ）に示す基材を得た。
【００４５】
ついで、回路形成済み片面導電層１０４付き絶縁性基材１０５に、図４（Ｇ）に示す基材と同様の方法で作製された基材２枚を位置合わせを施したのち、図５（Ｈ）に示すように重ね合わせ、導電性組成物１０７を完全硬化させないよう仮留めを施すことで、図５（Ｉ）に示す基材を得た。仮留めの方法は、基材の製品となるパターン以外の部分の接着材を加熱硬化させることで位置固定をしても構わないし、導電性組成物１０７の樹脂バインダーが半硬化状態となるよう全体を加熱加圧しても構わない。
【００４６】
ついで、図５（Ｉ）に示す基材のビアランド１１２上にビアホール１１０と同様の導電性組成物１０７Ａを塗布することで、図５（Ｊ）に示す基材を得た。この導電性組成物１０７Ａは、ビアホール１１０内の導電性組成物１０７と同じものが好ましいが、異なる導電性組成物を使用する場合には、それぞれの樹脂バインダーが分離して界面を作ることのない樹脂同士を選択しなくてはならない。また、本実施の形態ではビアランド１１２上でないチップ接続部分（図中の右側）でも同様の導電性組成物１０７Ａを使用しているが、ビアランド１１２上でない部分の接続方法は、はんだ接続や他の導電性組成物を使用して接続する方法など、いずれの方法を用いても構わない。
【００４７】
ついで、図５（Ｊ）に示す基材にＩＣチップ１０１を載せた後、加熱によって導電性組成物１０７、１０７Ａの硬化と層間接着材１０６の硬化を同時に実施することで、図５（Ｋ）に示すように、ＩＣチップ１０１の電極１０２が導電層１０４に接続されたプリント配線板を得た。このとき、ビアホール（図中左側の層間接続部分）１１０内の導電性組成物１０７とチップ接続用の導電性組成物１０７Ａは同時に硬化がなされるため、それぞれの金属粒同士は金属結合し、且つ、それぞれの樹脂バインダーは界面なく硬化する。
【００４８】
図９に示した従来構造のように、ビアホール１１０の直上のビアランド１１２上にＩＣチップ１０１をはんだ８０１によって接続したものの場合と、当該実施の形態で得られた基板の場合とで、ＩＣチップ１０１と実装用パッド間の（シア）強度を測定比較したところ、図９に示す場合では１００個のパッド中６７個が２００ｇ以下であったのに対し、本実施の形態に示す場合では、１００個のパッドで（シア）強度２００ｇ以下のものは０個であり、小孔１０４ａなく導電層１０４に直接ＩＣチップ１０１を実装した場合と同様に、（シア）強度の高いプリント配線板を得ることができた。
【００４９】
＜第５の実施の形態＞
次に、図６を用いて、図２の第２の実施の形態で示した多層プリント配線板と同様のものを製造する方法の一例について説明する。
【００５０】
まず、図６（Ａ）に示す両面銅箔（導電層）１０４付き絶縁性基材１０５を用意する。ベース材料としては、ポリイミド以外にも、繊維含浸エポキシ、エポキシ、液晶ポリマー等を採用することができ、材料に制約はない。
【００５１】
次に、図６（Ａ）に示す基材の導電層１０４部分をエッチングして回路パターンを形成し、図６（Ｂ）に示す基材を得た。
【００５２】
この回路パターン形成時に、片面の導電層１０４のビアホールに位置する部分に孔１０４ｂを設けておく。実施にあたっては１００μｍの孔を開口した。
【００５３】
ついで、図６（Ｂ）に示す基材の導電層上の孔１０４ｂをコンフォーマルマスクとして、ＹＡＧレーザーの第三高調波である波長３５５ｎｍのレーザー光照射によって所定の位置を孔あけすることで図６（Ｃ）に示す基材を得た。このとき、絶縁性基材１０５部分の孔径（貫通孔１０５ａの径）は１００μｍ、導電層１０４部分の孔径（貫通孔１０４ａの径）は２０〜３０μｍとなるよう貫通孔１０９を穿設することで、導電層１０４の孔径を絶縁性基材の孔径よりも小さくしている。
【００５４】
なお、レーザー光としては、ＹＡＧレーザー以外にも、炭酸ガスレーザーやエキシマレーザーなど、あらゆるレーザー光が適用可能であるが、導電層１０４に孔を穿設できる程度の高出力であることが必要となる。また、導電層１０４部分の孔明けは、本実施の形態のようにレーザー光で穿設する方法のほかにも、図６（Ａ）から図６（Ｂ）の状態に移行する際のエッチング工程で、同時に穿設することができる。
【００５５】
次に、図６（Ｃ）に示す基材の大きな孔１０４ｂが開口された導電層１０４側からマスクを介した印刷法により、導電性組成物１０７を貫通孔１０９（孔１０４ｂ、１０４ａ、１０５ａ）に充填することで、図６（Ｄ）に示す基材を得た。
【００５６】
導電性組成物１０７は樹脂バインダーを含み、かつ、加熱により金属粒同士、および、金属粒と導電層が金属結合するものを使用した。ほかにも、導電性組成物１０７は、金属粒は加熱で金属接合せず、樹脂パインダーによって金属粒同士の接触を保持するものや、樹脂バインダーを含まず、金属粒の金属結合によって導通を得るものも使用可能である。
【００５７】
ついで、図６（Ｄ）に示す基材のビアランド１１２上の小孔１０４ａ側にビアホール１１０と同様の導電性組成物１０７Ａを塗布することで、図６（Ｅ）に示す基材を得た。この導電性組成物１０７Ａは、ビアホール１１０内の導電性組成物１０７と同じものが好ましいが、異なる導電性組成物を使用する場合は、それぞれの樹脂バインダーが分離して界面を作ることのない樹脂同士を選択しなくてはならない。
【００５８】
また、本実施の形態ではビアホール１１０上でないチップ接続部分（図中の右側）でも同様の導電性組成物１０７Ａを使用しているが、ビアホール１１０上でない部分の接続方法は、はんだ接続や他の導電性組成物を使用して接続する方法など、いずれの方法を用いても構わない。
【００５９】
ついで、図６（Ｅ）に示す基材にＩＣチップ１０１を載せた後，加熱によって導電性組成物１０７、１０７Ａを硬化させることで、図６（Ｆ）に示す基材を得た。この場合、ビアホール１１０内の導電性組成物１０７とチップ接続用の導電性組成物１０７Ａは同時に硬化がなされるため、それぞれの金属粒同士は金属結合し、かつ、それぞれの樹脂バインダーは界面なく硬化する。
【００６０】
＜第６の実施の形態＞
次に、図７を用いて、図３の第３の実施の形態で示したプリント配線板と同様のものを製造する方法の一例について説明する。
【００６１】
まず、回路形成済み片面導電層１０４付き絶縁性基材１０５に、第４の実施の形態と同様の方法で作成された基材を位置合わせを施したのち、図７（Ａ）に示すように重ね合わせ、導電性組成物１０７を完全硬化させないよう仮留めを施すことで、図７（Ｂ）に示す基材を得た。仮留めの方法は、基材の製品となるパターン以外の部分の接着材を加熱硬化させることで位置固定をしても構わないし、導電性組成物の樹脂バインダーが半硬化状態となるよう全体を加熱加圧しても構わない。
【００６２】
ついで、図７（Ｂ）に示す基材のビアランド１１２上にビアホール１１０と同様の導電性組成物１０７Ａを塗布することで図７（Ｃ）に示す基材を得た。この導電性組成物１０７Ａは、ビアホール１１０内の導電性組成物１０７と同じものが好ましいが、異なる導電性組成物を使用する場合には、それぞれの樹脂バインダーが分離して界面を作ることのない樹脂同士を選択しなくてはならない。また、本実施の形態では、ビアホール１１０上でないチップ接続部分でも同様の導電性組成物１０７Ａを使用しているが、ビアホール１１０上でない部分の接続方法は、はんだ接続や他の導電性組成物を使用して接続する方法など、いずれの方法を用いても構わない。
【００６３】
ついで、図８（Ｄ）に示すように、図７（Ｃ）に示す基材にＩＣチップ１０１を載せ、さらにその上に、第４の実施の形態の図４（Ｇ）に示す基材と同様の方法で作製された基材を位置合わせを施した後に重ね合わせ、加熱加圧によつて導電性組成物１０７、１０７Ａの硬化と接着材１０６の硬化を同時に実施することで、図８（Ｅ）に示す基材を得た。
【００６４】
このとき、ビアホール１１０内の導電性組成物１０７とチップ接続用の導電性組成物１０７Ａは同時に硬化がなされるため、それぞれの金属粒同士は金属結合し、かつ、それぞれの樹脂バインダーは界面なく硬化する。
【００６５】
以上のように各実施の形態において作製した多層プリント配線板では、ビアホール１１０内に充填された導電性組成物１０７と、ビアランド１１２上においてＩＣチップ１０１等の電子部品を接続する導電性組成物１０７とが、導電層１０４に形成した貫通孔１０４ａを介して相互に混合された状態にあるので、これら導電性組成物１０７、１０７Ａには接合界面が存在しないことになり、高い信頼性を持ってＩＣチップ１０１等の電子部品がビアランド１１２上に接合される。つまり、いわゆるチップ・オン・ビアという形態をとることができる。また、ビアランド１１２上に特別な金属層を設けるような面倒な工程が不要であるから、簡便な工程で電子部品を高強度に実装することができる。
【００６６】
特に、導電性組成物１０７、１０７Ａに含有された樹脂が混合状態で硬化することにより界面なく接合しているので、高い接合強度を発揮できる。また、導電性組成物１０７、１０７Ａに含有された金属が相互拡散していることにより、導電性組成物１０７、１０７Ａの破断強度が高くなる。また、加熱により導電性組成物１０７、１０７Ａと導電層１０４の金属とを金属結合している場合、導電層１０４の金属と導電性組成物１０７、１０７Ａ内の金属間の破断強度が高くなるので、耐衝撃性の向上が図れる。
【００６７】
また、ビアホール１１０内の導電性組成物１０７とビアランド１１２上の導電性組成物１０７Ａとを同じ材料にすることにより、加熱硬化条件を等しくすることができるので、工程の簡素化を図ることができる。
【００６８】
また、上記の各実施の形態の製造方法は、加熱によって導電性組成物１０７、１０７Ａを最終的にまとめて硬化させるので、加熱硬化回数を減らすことができ、工程の合理化が図れる。また、ビアホール１１０内の導電性組成物１０７を一旦半硬化状態にした上で次の処理をし、最後の加熱で全ての導電性組成物１０７、１０７Ａを一括で硬化させる場合は、途中での作業のしやすさを確保することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６９】
【図１】本発明の第１の実施の形態のプリント配線板の断面図である。
【図２】本発明の第２の実施の形態のプリント配線板の断面図である。
【図３】本発明の第３の実施の形態のプリント配線板の断面図である。
【図４】第１の実施の形態のプリント配線板の製造工程の前半部分を示す図である。
【図５】第１の実施の形態のプリント配線板の製造工程の後半部分を示す図である。
【図６】第２の実施の形態のプリント配線板の製造工程を示す図である。
【図７】第３の実施の形態のプリント配線板の製造工程を示す図である。
【図８】第３の実施の形態のプリント配線板の製造工程を示す図である。
【図９】従来の多層配線板の構造を示す断面図である。
【符号の説明】
【００７０】
１０１  ＩＣチップ（電子部品）
１０４  導電層（銅箔）
１０４ａ  貫通孔
１０５  絶縁性基材
１０６  層間接着材
１０７，１０７Ａ  導電性ペースト
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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