(57)【要約】      （修正有）【課題】露光用マスク上に形成された微小開口のパターンを、被露光物に対して正確に効率よく、１：１に等倍露光することが可能となる近接場露光方法を提供する。【解決手段】開口部を有する遮光膜を備えた露光用マスクの前記開口部に発生する近接場光を用いて被露光物を露光する近接場露光方法であって、前記露光用マスクの前記開口部の開口幅をｓ（ｎｍ）、前記被露光物の加工ピッチをｐ（ｎｍ）、係数をａ及びｂとしたとき、以下の（式１）、（式２）及び（式３）を満たすように前記開口幅を決定する工程と、前記開口幅を備えた前記開口部を有する前記露光用マスクを用意する工程と、前記露光用マスクへ前記露光光を照射し、前記被露光物を露光する工程と、を有する構成とする。2008227337.tif 000006【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
露光用光源の光の波長よりも小さい開口部を有する遮光膜を備えた露光用マスクを用い、露光用光源からの露光光により前記露光用マスクの開口部に発生する近接場光によって被露光物を露光する近接場露光方法であって、
前記露光用マスクの前記開口部の開口幅をｓ（ｎｍ）、前記被露光物の加工ピッチをｐ（ｎｍ）、係数をａ及びｂとしたとき、以下の（式１）、（式２）及び（式３）を満たすように前記開口幅を決定する工程と、
前記開口幅を備えた前記開口部を有する前記露光用マスクを用意する工程と、
前記露光用マスクへ前記露光光を照射し、前記被露光物を露光する工程と、
を有することを特徴とする近接場露光方法。
2008227337.tif 000005
【請求項２】
前記被露光物は、前記露光光に対して反射率の高い基板とレジスト層から構成され、該レジスト層の厚さが１２０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下とされていることを特徴とする請求項１に記載の近接場露光方法。
【請求項３】
前記レジスト層は、少なくとも上層レジスト層と下層レジスト層から成る多層レジスト層によって構成され、上層レジスト層の厚さは５ｎｍ以上１５ｎｍ以下とされていることを特徴とする請求項２に記載の近接場露光方法。
【請求項４】
前記被露光物を露光する工程の後工程に現像工程を含み、
前記現像工程の後に、残された上層レジスト層をマスクとして、該上層レジスト層の下地として形成された下地層をエッチングし、
該エッチングされた下地層をマスクとして、前記下層レジスト層をエッチングすることを特徴とする請求項３に記載の近接場露光方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は近接場露光方法に関し、詳しくは露光用光源の光の波長よりも小さい開口部を有する遮光膜を備えた露光用マスクを用い、
露光用光源からの露光光により露光用マスクの開口部に発生する近接場光によって被露光物を露光する近接場露光方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体デバイスを始めとする微細加工を必要とする各種電子デバイスの分野ではデバイスの高密度化、高集積化の要求がますます高まっており、これらの要求を満たすにはパターンの微細化が必須となってきている。
これらの要求を満たすものとして投影系露光装置が近年主流となっている。
投影系露光装置は一般的に光源と照明光学系とパターンが描画されたマスクと投影光学系と被露光物をスキャンさせるステージにより構成されており、解像限界は光の波長程度である。
このようなことから、解像度を上げるために投影光学系と被露光物を液体で満たして露光する液浸露光技術が提案されているが、投影光学系の大型化、高精度化、装置の複雑化により装置コストが上昇するという課題も生じている。
【０００３】
一方、解像度が光の波長に依らないローコストな微細加工方法の一つとして露光用マスク面上の遮光膜に形成された微小開口から生ずる近接場光を利用した近接場露光方法が提案されている。
近接場光の強度は一般的に微小開口からの距離に対して急激に減衰するため、実用的には被露光物と微小開口は１００ｎｍ以下に近接させることが必要である。また、微小開口近傍における近接場光強度は露光用マスク面上の遮光膜の厚さや微小開口のピッチあるいは開口幅により変化することが知られている。
そのため、近接場光を用いてレジストにパターンを精度よく露光する上で、露光用マスク面上の遮光膜や微小開口の寸法によって微小開口近傍に生ずる近接場光分布を制御することが重要である。
【０００４】
このような近接場光分布を制御するため、従来において特許文献１では、露光用マスク面上の遮光膜の厚みに着目した提案がなされている。
すなわち、これによると遮光膜の厚さと微小開口の開口幅と近接場光強度の関係を明確にし、遮光膜の厚さを所望の近接場光強度が得られるように選択している。
また、非特許文献１では、レジスト中において開口部近傍に生ずる近接場光分布のコントラストに着目して、レジスト層の厚さを最適化することが報告されている。
【特許文献１】特開２００４−３３５７５２号公報
【非特許文献１】Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  Ｌｅｔｔｅｒｓ  ８９，０３３１１３（２００６）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記従来例では近接場光の強度やコントラストについての関係は明確とされているが、近接場光強度の空間分布、特に１：１に等倍露光するために近接場光の強度勾配については、明らかにされていなかった。
特に、露光用マスク上に形成された微小開口パターンをレジストに正確に効率よく露光するためには、近接場光強度の空間分布をどのようにするかが重要な課題となる。
【０００６】
本発明は、上記課題に鑑み、露光用マスク上に形成された微小開口のパターンを、被露光物に対して正確に効率よく、１：１に等倍露光することが可能となる近接場露光方法を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、次のように構成した近接場露光方法を提供するものである。
本発明の近接場露光方法は、露光用光源の光の波長よりも小さい開口部を有する遮光膜を備えた露光用マスクを用い、露光用光源からの露光光により前記露光用マスクの開口部に発生する近接場光によって被露光物を露光する近接場露光方法であって、
前記露光用マスクの前記開口部の開口幅をｓ（ｎｍ）、前記被露光物の加工ピッチをｐ（ｎｍ）、係数をａ及びｂとしたとき、以下の（式１）、（式２）及び（式３）を満たすように前記開口幅を決定する工程と、
前記開口幅を備えた前記開口部を有する前記露光用マスクを用意する工程と、
前記露光用マスクへ前記露光光を照射し、前記被露光物を露光する工程と、
を有することを特徴とする。
2008227337.tif 000002
【０００８】
また、本発明の近接場露光方法は、前記被露光物が、前記露光光に対して反射率の高い基板とレジスト層から構成され、該レジスト層の厚さが１２０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下とされていることを特徴とする。
本発明の近接場露光方法は、前記レジスト層が、少なくとも上層レジスト層と下層レジスト層から成る多層レジスト層によって構成され、上層レジスト層の厚さは５ｎｍ以上１５ｎｍ以下とされていることを特徴とする。
本発明の近接場露光方法は、前記被露光物を露光する工程の後工程に現像工程を含み、
前記現像工程の後に、残された上層レジスト層をマスクとして、該上層レジスト層の下地として形成された下地層をエッチングし、
該エッチングされた下地層をマスクとして、前記下層レジスト層をエッチングすることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、露光用マスク上に形成された微小開口のパターンを、被露光物に対して正確に効率よく、１：１に等倍露光することが可能となる近接場露光方法を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
上記構成による近接場露光方法によれば、露光用マスク上に形成された微小開口のパターンを、被露光物に対して正確に効率よく、１：１に等倍露光することが可能となるが、それは本発明者らのつぎのような知見に基づくものである。
すなわち、前記露光用マスクの遮光膜上に形成された微小開口の開口中心から加工ピッチの１／４の距離において、被露光物の近接場光強度の勾配が最大となる。
本発明は、このように近接場光強度の勾配が最大となるときに、被露光物における露光部と未露光部の境界においてドーズ量（Ｄｏｓｅ量）の差が最大となり、
これによりドーズ量制御（Ｄｏｓｅ  Ｃｏｎｔｒｏｌ）が容易であり、線幅均一性が高く矩形性の高い１：１の等倍露光が可能となるという知見に基づいて、見出されたものである。
【実施例】
【００１１】
以下に、本発明の実施例における近接場露光方法について説明する。
図１に、本実施例の近接場露光方法を説明するためのフローチャートを示す。
図２に、本実施例の近接場露光方法に用いる露光用マスクを説明するための図を示す。
図２において、１はマスク母材、２は遮光膜、３は露光用マスクの開口部による微小開口パターン、ｓ（ｎｍ）は露光用マスクの開口部の開口幅、ｐ（ｎｍ）は開口パターンのピッチ（被露光物の加工ピッチ）である。
【００１２】
本実施例においては、露光光の波長は３６５ｎｍのものを用いる。また露光用マスクとして図２の構成のものを用い、この露光用マスクは露光用光源の光の波長よりも小さい開口部を有する遮光膜を備えている。
そして、本実施例の近接場露光方法においては、以下の各工程により、露光用光源からの露光光により上記露光用マスクの開口部に発生する近接場光によって被露光物を露光する。
まず、工程１において、被露光物を加工する加工ピッチをｐ（ｎｍ）、フォトマスクの遮光膜上の微小開口パターンの開口幅をｓ（ｎｍ）としたときに、以下の（式Ａ）を満たすようにして露光用マスクに設ける遮光膜の開口幅を決定する。
なお、ここで被露光物を加工する加工ピッチは微小開口パターンのピッチと同じである。
ｓ＝０．５３ｐ−８．３……（式Ａ）
次に、工程２において、工程１で決定された開口幅を備えるフォトマスクを製作する。
工程３はフォトマスクと被露光物の表面を密着させた上で露光光を照射し、被露光物を露光する。
【００１３】
つぎに、図２を用いて本実施例によって行われる近接場露光の詳細について説明する。
マスク母材１と遮光膜２および近接場光を発生させるための微小開口パターン３によりフォトマスク４が構成されている。
微小開口パターン３のピッチは、上記したように被露光物へ加工する所望の加工ピッチと同じであり、概ね２００ｎｍ以下が望ましい。
マスク母材１の材料は窒化シリコンであり、その厚みは５００ｎｍ程度である。
また、遮光膜２の材料はアモルファスシリコンでありその厚さは５０ｎｍ程度である。
【００１４】
つぎに、本実施例に用いられる被露光物について説明する。
図３に、本実施例に用いられる被露光物の概略構成を示す。
被露光物９は、上層レジスト層５とＳＯＧ層６と下層レジスト層７から成る多層レジスト層と、基板８から成る多層構造によって構成されている。
上層レジスト層５は露光波長により感光し、現像工程においてパターニングされるものである。
各層の厚みは概ね上層レジスト層５が１０ｎｍ、ＳＯＧ層６が２０ｎｍ、下層レジスト層７が１００ｎｍ、基板８が５００ｕｍである。
上層レジスト層５および下層レジスト層７は、樹脂系の材料が一般的に使われ、基板８の材料はシリコンである。
【００１５】
つぎに、本実施例における近接場露光方法の概要を説明する。
図４に、本実施例における近接場露光の概要を説明する図を示す。
近接場露光において、フォトマスク４と被露光物９の上層レジスト層５を密着させた上で、露光光をフォトマスク４に照射し、微小開口パターン３の近傍に生じる近接場光１０により上層レジスト層５を感光させる。
すなわち、上層レジスト層５のうち相対的に近接場光の強度が高い空間が露光部となり、強度が低い空間が未露光部となる。
このとき微小開口パターン３のピッチや開口幅、あるいは被露光物９の層構造の厚みや材料により、近接場光１０の強度やその空間分布が複雑に変化することが知られている。
また、近接場光の強度やその空間分布を予測する手法として、ＦＤＴＤ法による電磁界解析法が知られている。
【００１６】
本発明者らは、ＦＤＴＤ法を図４にあらわした近接場露光に適用し、近接場光１０の強度や空間分布を予測することに成功した。
図５に、ＦＤＴＤ法によって得られた図４におけるフォトマスク４と被露光物９との密着界面近傍における近接場光強度の例を示す。
便宜的にフォトマスク４に対して垂直な方向をＺ、水平方向をＸとする。
等強度線１４によって近接場光強度の空間分布を示している。
【００１７】
つぎに、１：１の微細な凹凸パターン、例えばラインアンドスペースパターンを被露光物９の上層レジスト層５に形成するための条件を示す。
微小開口パターン３の中で、ひとつの微小開口の開口中心からＸ方向に微小開口パターン３のピッチの１／４の位置であって、被露光物９の上層レジスト層５とＳＯＧ層６の境界にあたるＺ方向の位置に着目する。
前記に示した位置は１：１のラインアンドスペースパターンにおいて、上層レジスト層５の露光部と未露光部の境界にあたる。
上層レジスト層５における露光部と未露光部の境界で近接場光のＸ方向における強度勾配が最大のときに、一定時間露光光を照射後のＤｏｓｅ量の差が最大となり、１：１のラインアンドスペースパターンが線幅精度よく得られる。
【００１８】
つぎに、図６に、上記のＦＤＴＤ法により得られた結果をプロットした近接場光強度勾配が最大になる開口幅と加工ピッチの関係を説明するための図を示す。
この図６は上記のＦＤＴＤ法により得られた結果をプロットしたものである。
図６は、被露光物９に対して所望の加工ピッチをｐ（ｎｍ）として、前記の露光部と未露光部の境界における近接場光の強度勾配が最大となるような微小開口パターン３の開口幅をｓ（ｎｍ）としたときに、上記のＦＤＴＤ法により得られたものを示すものである。
ＦＤＴＤ法によって得られた加工ピッチｐと開口幅ｓは、比較的精度よく直線で近似することができ、その関係は上記（式Ａ）で示したようにｓ＝０．５３ｐ−８．３と表せることを見出した。
なお、前記の関係はマスク母材１の厚み、材料には依存しない。
【００１９】
図７に、開口幅と近接場光強度勾配の関係を説明するための図を示す
この図７は加工ピッチが４４ｎｍのときに種々の開口幅に対するＸ方向１ｎｍ当たりの近接場光強度変位をプロットしたものである。
上記（式Ａ）によって加工ピッチが４４ｎｍのときは開口幅が１５ｎｍのときに近接場光の強度勾配が最大になるが、これは図７の近接場光強度変位の最大値と一致している。
さらに、Ｘ方向１ｎｍ当たりの近接場光強度変位の最大値は０．０５２であり、最適な開口幅１５ｎｍに対して±５ｎｍの範囲ではＸ方向１ｎｍ当たりの近接場光強度変位として最大値の８０％に当たる０．０４以上が得られる。
近接場光強度変位の最大値の概ね８０％以上あれば、１：１のラインアンドスペースパターンを概ね精度よく得られる。
このとき上記（式Ａ）のように１次関数の係数は傾き０．５３で切片−８．３に限定されるものではなく、加工ピッチｐ（ｎｍ）及び開口幅ｓ（ｎｍ）について以下の（式１）を満たすように前記開口幅を決定するようにしてもよい。
ｓ＝ａｐ−ｂ………（式１）
ただし、上記近接場光強度変位の最大値の８０％以上にあたる強度勾配を得るためには、係数ａ及びｂは以下の（式２）及び（式３）を満たすようにする。
2008227337.tif 000003
【００２０】
次に、上記によって得られた加工ピッチとフォトマスク４の微小開口パターン３の開口幅の関係をもとに図１であらわされた各工程の詳細について説明する。
工程１では、被露光物９の加工ピッチｐ（ｎｍ）が与えられたとき、ｓ＝０．５３ｐ−８．３によりフォトマスク４の微小開口パターン３の開口幅ｓ（ｎｍ）を得る。
また、工程２では、上記工程１で得られた開口幅と加工ピッチを有する微小開口パターン３を設けるフォトマスク４を用意する。
【００２１】
つぎに、本実施例におけるメンブレンフォトマスクの製作方法について説明する。
図８に、本実施例におけるメンブレンフォトマスクの製作方法を説明するための図を示す。
まず、シリコン基板１５の両面に窒化シリコン膜１６を、４００ｎｍ程度成膜したものを用意する（図８の（ａ））。
次に、シリコン基板裏面にバックエッチ孔１７を形成する（図８の（ｂ））。
次に、基板表面に遮光膜１８であるアモルファスシリコンを５０ｎｍ程度成膜する（図８の（ｃ））。
次に、工程１で得られた加工ピッチおよび開口幅を有する微小開口パターン１９を電子線描画装置などで遮光膜１８上にパターニングする（図８の（ｄ））。
次に、ＫＯＨを用いた異方性ウェットエッチングでバックエッチ孔１７からシリコン基板１５を除去することで微小開口パターン１９がパターニングされている領域を薄膜化してフォトマスク４と同等の構成のメンブレンフォトマスク２０を得る（図８の（ｅ））。
【００２２】
次に、工程２に引き続く工程３において、メンブレンフォトマスクと上層レジスト層との密着方法について説明する。
図９に、メンブレンフォトマスクと被露光物の密着露光の状態を説明するための図を示す。
工程３において、工程２で用意したメンブレンフォトマスク２０と被露光物９の上層レジスト層５を密着させる。
メンブレンフォトマスク２０を不図示の圧力容器に取り付けて加圧する。
加圧力２１によりメンブレンフォトマスク２０のパターニングされている領域は薄膜化されているために撓むことで上層レジスト層５と密着することができる。
密着後に露光光をメンブレンフォトマスク２０に照射し、微小開口パターン１９の近傍に生ずる近接場光により被露光物９の上層レジスト層５を露光する。
【００２３】
本実施例の近接場露光方法による露光工程は以上であるが、上層レジスト層５が概ね１０ｎｍ程度で通常ＬＳＩの製造など広く産業分野に利用するためには、不十分な厚さである。
そのため、これを補うための、被露光物９の露光後のパターン形成工程について、以下に説明をする。
近接場露光後の上層レジスト層５に対して現像処理を行う。このとき上層レジスト層５がポジ型レジストであれば現像工程で露光部が除去され、ネガ型レジストであれば現像工程で未露光部が除去される。
本実施例ではポジ型レジストとして説明する。
【００２４】
図１０に、露光後の被露光物のパターン形成方法を説明するための図を示す。
この図１０においては、高アスペクトなパターンを転写する工程が示されている。
本実施例において、前記した被露光物を露光する工程の後工程に現像工程を含み、該現像工程で露光部の上層レジスト層５は除去される（図１０の（ａ））。
次に、残った上層レジスト層５をマスクとしてフッ素系ガスを用いて、上層レジスト層５の下地として形成された下地層であるＳＯＧ層６をエッチングする（図１０の（ｂ））。
次に、エッチングされた下地層であるＳＯＧ層６をマスクとして酸素系ガスを用いて下層レジスト層７をエッチングする。
なお、下層レジスト層７の材料は樹脂系の中でフッ素系ガスに対して耐性があるフェノール樹脂である（図１０の（ｃ））。
【００２５】
図１０に示した高アスペクトなパターンを転写する工程を適用するためには、被露光物は図３に示すように基板上に少なくとも３層以上の積層構造を有することが望ましい。被露光物９の構成であるが、上層レジスト層５の厚みは１０ｎｍが好ましいが、５ｎｍ〜１５ｎｍの範囲であっても上記（式Ａ）は有効である。
ＳＯＧ層６の厚みは上層レジスト層での近接場光強度や空間分布には実質上影響を及ぼさないため、選択範囲は広いがエッチングを行う上で２０ｎｍが望ましい。
下層レジスト層７の厚みは上層レジスト層５とＳＯＧ層６と下層レジスト層７の厚みの総和、すなわち多層レジスト層の厚みが１３０ｎｍであることが特に好ましいが、１２０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下であっても望ましい範囲である。
【００２６】
この理由は、次によるものである。
フォトマスク４の微小開口パターン３に生ずる近接場光は伝播光に変換され、上層レジスト層５およびＳＯＧ層６を伝播する進行波が生ずる。
また、進行波が基板８と下層レジスト層７の境界で反射されることにより反射波が生ずることにより、多層レジスト層において定在波が生じる。
上層レジスト層５が１０ｎｍ程度の厚さで、多層レジスト層の厚みが１３０ｎｍ程度であるときに、上層レジスト層５とＳＯＧ層６の境界に定在波の節が形成される。
これは基板８の露光光に対する反射率が低い場合や上層レジスト層５の厚さあるいは上層レジスト層５、ＳＯＧ層６、下層レジスト層７の厚さが上記の範囲を大きく逸脱した場合と比べて、上層レジスト層５を露光する近接場光の強度が増強される。
そのため、基板８は露光光に対して反射率が高い材料が好ましく、本実施例においてはシリコンとした。
【００２７】
これら多層レジスト層中の定在波による近接場光強度の増強効果を定量的に調べた結果を以下に述べる。
図１１は、Ｚ方向深さとコントラストの関係を説明するための図である。
この図１１は、加工ピッチが４４ｎｍ、開口幅が１５ｎｍで上層レジスト厚さを１３０ｎｍとしたときに、図５におけるＺのマイナス方向で上層レジスト層表面からの位置をＺ方向深さとして、コントラストの変化をあらわしたものである。
ここでコントラストとはあるＺ方向の位置においてＸ方向の一断面での近接場光強度分布の最大値をＩｍａｘ，最小値をＩｍｉｎとして、つぎの（式４）によって求められる量である。
2008227337.tif 000004
【００２８】
コントラストはＺ深さ１５ｎｍ以内であれば０．６５以上を得られ、これは上層レジスト層を露光する上で十分な条件である。
すなわち、上層レジスト層の表面から１５ｎｍまで十分に露光することができる。
また、図１１によればＺ方向深さは小さいほどよいが、スピンコート法などでレジスト層を塗布できる下限が５ｎｍ程度であることから上層レジスト層５の厚さは５ｎｍ以上１５ｎｍ以下が実用的であるといえる。
【００２９】
つぎに、図１２に、レジスト層の厚さとコントラストの関係を説明するための図を示す。
図１２では加工ピッチが４４ｎｍで開口幅が１５ｎｍのときにＺ方向深さ１０ｎｍにおけるレジスト層の厚さとコントラストの変化について示されている。
コントラストに最適なレジスト層の厚さは１３０ｎｍであるが、多層レジスト層の厚さが１２０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下では、上述のコントラスト０．６５以上が得られるので好ましい。
なお、被露光物９の多層レジスト構造が望まれるのはＬＳＩ製造のように深く加工することが求められる場合であって、加工深さが１０ｎｍ以下であってもよい場合において、被露光物は単層のレジスト層と基板から成る構成でもよい。
この場合、単層のレジスト層の厚さは１３０ｎｍが最も好ましく、１２０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下が好ましく、基板はシリコンのように露光光に対して高い反射率を有するものが望ましい。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本発明の実施例における近接場露光方法を説明するためのフローチャート。
【図２】本発明の実施例における近接場露光方法に用いる露光用マスクを説明するための図。
【図３】本発明の実施例に用いられる被露光物の概略構成を説明するための図。
【図４】本発明の実施例における近接場露光の概要を説明するための図。
【図５】微小開口パターン近傍の近接場光強度分布の一例を説明するための図。
【図６】近接場光強度勾配が最大になる開口幅と加工ピッチの関係を説明するための図。
【図７】開口幅と近接場光強度勾配の関係を説明するための図。
【図８】本発明の実施例におけるメンブレンフォトマスクの製作方法を説明するための図。
【図９】本発明の実施例におけるメンブレンフォトマスクと被露光物の密着露光の状態を説明するための図。
【図１０】露光後の被露光物のパターン形成方法を説明するための図。
【図１１】Ｚ方向深さとコントラストの関係を説明するための図。
【図１２】レジスト層の厚さとコントラストの関係を説明するための図。
【符号の説明】
【００３１】
１：マスク母材
２：遮光膜
３：微小開口パターン
４：フォトマスク
５：上層レジスト層
６：ＳＯＧ層
７：下層レジスト層
８：基板
９：被露光物
１０：近接場光
１１：ＦＤＴＤ法におけるフォトマスクモデル
１２：ＦＤＴＤ法における微小開口パターンモデル
１３：ＦＤＴＤ法におけるレジスト層モデル
１４：近接場光強度分布の等高強度線
１５：シリコン基板
１６：窒化シリコン膜
１７：バックエッチ孔
１８：遮光膜
１９：微小開口パターン
２０：メンブレンフォトマスク
２１：加圧力
【図１】
2008227337.tif 000007
【図２】
2008227337.tif 000008
【図３】
2008227337.tif 000009
【図４】
2008227337.tif 000010
【図５】
2008227337.tif 000011
【図６】
2008227337.tif 000012
【図７】
2008227337.tif 000013
【図８】
2008227337.tif 000014
【図９】
2008227337.tif 000015
【図１０】
2008227337.tif 000016
【図１１】
2008227337.tif 000017
【図１２】
2008227337.tif 000018