(57)【要約】【課題】発光効率を落とさずに、外光の反射率を抑えることで、外光下での視認性の高い有機ＥＬ素子を提供することを目的とする。【解決手段】光取り出し面側に位置する第１電極と、光取り出し面と反対側に位置する第２電極とで有機発光層が挟持されて成り、前記第１電極の外側に偏光板が設けられた有機ＥＬ素子において、前記第２電極は、有機発光層側から順に半透過金属層、透明導電層、反射金属層を有する構成とされていることを特徴とする。【選択図】図１
2008130486.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光取り出し面側に位置する第１電極と、光取り出し面と反対側に位置する第２電極とで有機発光層が挟持されて成り、前記第１電極の外側に偏光板が設けられた有機ＥＬ素子において、
第２電極は、有機発光層側から順に半透過金属層、透明導電層、反射金属層を有する構成とされていることを特徴とする、有機ＥＬ素子。
【請求項２】
反射金属層と半透過金属層との間の光学的距離は、
【数１】
2008130486.tif 000004
（ｍは１以上の整数）
（但し、前記半透過金属層と前記透明導電層界面における反射光の位相シフトおよび前記金属反射層と前記透明導電層界面での反射光の位相シフトの合計をΦ、前記反射金属層と前記半透過金属層との間の光学的距離をＬ、消光したい光の波長をλとする。）
を満たすように設定されていることを特徴とする、請求項１に記載の有機ＥＬ素子。
【請求項３】
偏光板は多層構造からなることを特徴とする、請求項１又は請求項２に記載の有機ＥＬ素子。
【請求項４】
偏光板は１／４波長板と直線偏光板からなることを特徴とする、請求項３に記載の有機ＥＬ素子。
【請求項５】
複数個の有機ＥＬ素子を有し、二色以上の発光色を呈する有機ＥＬ表示装置において、
選択された発光色を呈する有機ＥＬ素子は、光取り出し面側に位置する第１電極と、光取り出し面と反対側に位置する第２電極とで有機発光層が挟持されて成り、前記第１電極の外側に偏光板が設けられていること、
前記有機ＥＬ素子の第２電極は、有機発光層側から順に半透過金属層、透明導電層、反射金属層を有する構成とされていることを特徴とする、有機ＥＬ表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は有機化合物を用いた発光素子である有機ＥＬ素子および有機ＥＬ表示装置の技術分野に属する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ素子（有機発光素子、有機エレクトロルミネッセンス素子）は、有機発光層を一対の電極によって挟持して成る積層構造である。両電極間に駆動電圧を印加すると、陽極からは正孔が、陰極からは電子が注入され、注入された正孔と電子とが有機発光層で再結合し、発光する構成とされている。ここで有機発光層とは、発光層以外にも電子注入層、電子輸送層、正孔注入層、正孔輸送層といった有機層も含むことにする。
【０００３】
一般的な有機ＥＬ素子は発光効率を高めるために、光取り出し面側に位置する電極を透明電極とし、光取り出し面とは反対側に位置する電極を金属から成る反射電極とすることが多い。
【０００４】
しかし、反射電極を有する有機ＥＬ素子は外光の反射によるコントラストの低下という問題がある。
【０００５】
そこで、特許文献１では光取り出し面側の外側に偏光板を設けることで外光の反射を防止している。偏光板の具体例としては、特許文献２にあるような、直線偏光板と１／４波長板との組み合わせから成る円偏光板がある。
【０００６】
円偏光板は以下の通り作用する。有機ＥＬ素子に入射する光は、直線偏光板に入射する際、直線偏光板の偏光軸に合致する直線偏光のみが透過する。この直線偏光板は１／４波長板の影響を受けることで円偏光となる。よって、円偏光板を通過した光は円偏光となって有機ＥＬ素子内部に入るが、反射電極で反射する際に回転方向が逆の円偏光となる。反射した光は入射時とは逆の円偏光となって再度１／４波長板に入射する。そして、１／４波長板により直線偏光に変換された反射光は直線偏光板の偏光軸に合致していないため、直線偏光板により吸収される。このため、外光下での表示画像のコントラストが改善される。
【０００７】
しかし、円偏光板を有する有機ＥＬ素子は発光層から射出する光の約半分が円偏光板で吸収されるため、発光効率が落ちるという問題がある。
【０００８】
そこで、特許文献３では円偏光板の透過率や偏光効率を特定波長帯ごとに異ならせることで、発光効率を向上させている。
【０００９】
【特許文献１】特許第２７６１４５３号公報
【特許文献２】特開平９−１２７８８５号公報
【特許文献３】特開２００５−３３２８１５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、円偏光板は視感度の高い波長５５５ｎｍ周辺の外光反射を特に防止する構成になっているため波長５５５ｎｍから離れる程、反射率が大きくなる。可視光は一般的に３８０ｎｍ〜７８０ｎｍあたりの波長帯域であるため、円偏光板を用いるだけでは可視光全体の反射率を低くすることが難しく、青波長帯域である４５０ｎｍ前後、もしくは、赤波長帯域である６００ｎｍ前後においての反射率が比較的高い。そのため、円偏光板を有する有機ＥＬ素子に外光が入射した場合、青みがかる、もしくは、赤みがかるという問題がある。
【００１１】
特に、特定波長帯の透過率を上げた円偏光板の場合、その特定波長帯の反射率も上がるため、コントラストが落ちる、特定波長帯の色味が出るという問題がある
円偏光板表面における反射を防止するために、円偏光板表面にＡＲコートを施す手法もあるが、ＡＲコートも視感度の高い波長５５５ｎｍの反射率を中心に抑える設計になっているため、上記と同様な問題を抱える。
【００１２】
本発明はこのような問題点を解決すべく、偏光板を有する有機ＥＬ素子および有機ＥＬ表示装置において、発光効率をできるだけ落とさずに、外光の反射率を抑えることで、外光下での視認性を高めることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記背景技術の課題を解決するための手段として、請求項１に記載した発明に係る有機ＥＬ素子は、
光取り出し面側に位置する第１電極と、光取り出し面と反対側に位置する第２電極とで有機発光層が挟持されて成り、前記第１電極の外側に偏光板が設けられた有機ＥＬ素子において、
第２電極は、有機発光層側から順に半透過金属層、透明導電層、反射金属層を有する構成とされていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、偏光板だけでは防止しきれない波長帯域の外光反射率を小さくすることができる。これにより外光下でも良好な視認性を得ることのできる有機ＥＬ素子、および有機ＥＬ表示装置を提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
光取り出し面側に位置する第１電極と、前記光取り出し面と反対側に位置する第２電極とで挟持されて成り、前記第１電極の外側に偏光板が設けられた有機ＥＬ素子および同有機ＥＬ素子を有する有機ＥＬ表示装置である。
【００１６】
本発明に係る有機ＥＬ素子および同有機ＥＬ素子を有する有機ＥＬ表示装置は、偏光板だけでは防止しきれない波長帯域の外光反射率を下げるために、第２電極を有機発光層側から順に半透過金属層、透明導電層、反射金属層の３層で構成している。半透過金属層で反射する光と反射金属層で反射する光がお互い打ち消しあうよう、半透過金属層、透明導電層、反射金属層の膜厚を調整する。そのため、前記偏光板だけでは防止しきれない波長帯域の入射光は第２電極内で減衰され、良好に外光反射率を小さくすることができる。
【００１７】
特に、第２電極の反射金属層と半透過金属層との間の光学的距離が、＜数１＞を満たすように設定すると、より良好に入射光を減衰することができる。具体的には消光したい光の波長λにおいて、２つの反射光の位相が反転しており強度が等しいことが理想的である。強度の調整を半透過金属層の膜厚で行い、位相の調整を反射金属層と半透過金属層との間の光学的距離で行う。従って、半透過金属層の膜厚および光学的距離を適切に設定することが重要である。
【００１８】
【数１】
2008130486.tif 000003
（ｍは１以上の整数）
【００１９】
但し、前記半透過金属層と前記透明導電層界面における反射光の位相シフトおよび前記金属反射層と前記透明導電層界面での反射光の位相シフトの合計をΦ、前記反射金属層と前記半透過金属層との間の光学的距離をＬ、消光したい光の波長をλとする。
【００２０】
＜実施形態１＞
本発明に係る有機ＥＬ素子の実施形態を図面に基いて説明する。
【００２１】
図１は本発明による有機ＥＬ素子に関する概略部分拡大断面図を示している。ここで説明する有機ＥＬ素子はＴＦＴ基板側から光を取り出すボトムエミッション方式である。
【００２２】
図１に示す有機ＥＬ素子は、ＴＦＴ駆動回路が形成された基板１上に、コンタクトホールが設けられた平坦化膜（図示省略）が形成されている。この平坦化膜上に陽極（第１電極）として透明アノード電極２、有機発光層として正孔注入層３、正孔輸送層４、発光層５、電子輸送層６、電子注入層７、陰極（第２電極）として反射カソード電極１１が順次形成されている。そして、光取り出し面側の基板１の表面（即ち、第１電極の外側）には偏光板１４が設けられており、同偏光板１４は直線偏光板１２と１／４波長板１３とから成る多層構造（円偏光板）とされている。
【００２３】
この有機ＥＬ素子は、反射カソード電極１１が、半透過金属層８、透明導電層９、金属層１０を順次積層した構成であることを特徴としている。
【００２４】
ここで、波長４００ｎｍの光の反射率を落とすために反射カソード電極１１の構成を、
半透過金属層８；Ａｇ  ４５ｎｍ
透明導電層９；ＩＴＯ  ６０ｎｍ
金属層１０；Ａｌ  １００ｎｍ
とする。半透過金属層８と透明導電層９の間の反射光位相シフトおよび透明導電層９と金属層１０の間の反射光位相シフトの合計はほぼ４π／５である。従って数１をｍ＝１において成立させるにはＬ＝１２０となる。光学距離Ｌは透明導電層９の屈折率と膜厚の積になる。波長４００ｎｍにおける透明導電層９の屈折率は２〜２．１前後のため、膜厚は６０ｎｍとした。位相シフトおよび反射率の計算等はフレネル係数を用いた光学計算から求められる。
【００２５】
上記構成の有機ＥＬ素子における有機発光層（ｎ＝１．７）から反射カソード電極１１に入射した光の反射率を図２に示している。波長４００ｎｍでの反射率が４７％と低くなっている一方、有機ＥＬ素子の発光波長に対応する４５０〜６５０ｎｍの波長帯域での反射率は８５％以上と高くなっており、高効率な有機ＥＬ素子となっていることが分かる。
【００２６】
なお、有機発光層の各層に用いる材料は従来から知られている有機ＥＬ材料を用いることができる。
【００２７】
透明アノード電極２の材料としては、正孔の注入を効率よく行うため、仕事関数が大きい材料が好適であり、例えばＩＴＯ又はＩＺＯなどの透明導電材料が用いられる。
【００２８】
反射カソード電極１１の材料としては、電子の注入を効率よく行うため、仕事関数が小さい材料が好適である。金属層８に用いる材料の具体例としては、アルミニウム、カルシウム、マグネシウム、銀、金等の金属、あるいはこれら金属を含む合金が用いられる。
【００２９】
成膜方法に関しては有機材料、電極材料共に従来から知られている手法が用いられ、特に制限されるものではない。
【００３０】
＜比較例１＞
比較例１として、反射カソード電極が膜厚１００ｎｍのＡｇで形成されている以外は、実施形態１と同様な有機ＥＬ素子を考える。
【００３１】
比較例１における有機発光層（ｎ＝１．７）から反射カソード電極であるＡｇに入射した光の反射率を図２に示しているが、４００〜５００ｎｍの波長帯域における反射率が上記実施形態１よりも高いことが分かる。
【００３２】
また、実施形態１、比較例１の有機ＥＬ素子における４５度入射角での正反射特性の比較を行ったものを図３に示している。実施形態１は比較例１よりも４００〜５００ｎｍの波長帯域における反射率が小さくなっているため、可視光全体の反射率平均も小さくなる。よって実施形態１の有機ＥＬ素子は比較例１の有機ＥＬ素子に較べて、外光下でも良好な視認性を得ることができる。
【００３３】
＜実施形態２＞
図４は本発明による有機ＥＬ表示装置に関する概略部分拡大断面図を示している。ここで説明する有機ＥＬ表示装置はガラス板（封止部材）側から光を取り出すトップエミッッション方式である。
【００３４】
図４に示す有機ＥＬ表示装置は、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の発光色を呈する有機ＥＬ素子２１２Ｒ、２１２Ｇ、２１２Ｂを有する。なお、本実施形態では、各色の有機ＥＬ素子２１２Ｒ、２１２Ｇ、２１２Ｂを本発明に係る有機ＥＬ素子で構成したが、少なくとも青色の発光色を呈する有機ＥＬ素子２１２Ｂを本発明に係る有機ＥＬ素子で構成すればよい。
【００３５】
具体的に云うと、ＴＦＴ駆動回路が形成された基板２１上にコンタクトホールが設けられた平坦化膜（図示省略）が形成されている。この平坦化膜上に、陽極（第２電極）として反射アノード電極２６、有機発光層として正孔輸送層２７、発光層２８Ｒ（２８Ｇ、２８Ｂ）、電子輸送層２９、電子注入層２１０、陰極（第１電極）として透明カソード電極２１１、保護層２１３が形成されている。そして、透明カソード電極２１１の外側には青透過偏光板２１７が形成されており、同青透過偏光板２１７は１／４波長板２１５と直線偏光板２１６とから成る多層構造（円偏光板）とされている。ちなみに、青透過円偏光板とは、通常の円偏光板に較べて青波長領域での透過率が高いものをいう。
【００３６】
この有機ＥＬ表示装置は、反射アノード電極２６が金属層２２、透明導電層２３、半透過金属層２４、透明導電層２５を順次積層した構成であることを特徴としている。なお、本実施形態の反射アノード電極２６は、正孔注入性の観点から透明導電層２５を形成している。
【００３７】
ここで、反射アノード電極２６の構成を、
金属層２２；Ａｌ  １００ｎｍ
透明導電層２３；ＩＴＯ  ６０ｎｍ
半透過金属層２４；Ａｇ  ４０ｎｍ
透明導電層２５；ＩＺＯ  ２０ｎｍ
とする。このとき、正孔の注入効率を上げるために有機発光層と接するアノード材料にはＩＺＯを用いる。透明導電層２３の膜厚は実施例１と同様にして求めた。
【００３８】
上記構成の有機ＥＬ素子における有機発光層（ｎ＝１．７）から反射アノード電極２６に入射した光の反射率を図５に示している。波長４００ｎｍでの反射率が２０％と低くなっている一方、４５０〜６５０ｎｍの波長帯域での反射率は７５％以上になっており、高効率な有機ＥＬ表示装置となっていることが分かる。
【００３９】
＜比較例２＞
比較例２として、反射アノード電極が膜厚１００ｎｍのＡｇと膜厚２０ｎｍのＩＺＯとから成り、有機発光層、透明カソード電極、保護層は実施形態２と同様の有機ＥＬ表示装置を考える。
【００４０】
比較例２における有機発光層（ｎ＝１．７）からの反射アノード電極に入射した光の反射率を図５に示しているが、４００〜５００ｎｍの波長帯域における反射率が実施形態２よりも高いことが分かる。
【００４１】
また、実施形態２、比較例２の有機ＥＬ表示装置における４５度入射角での正反射特性の比較を行ったものを図６に示している。実施形態２では青波長帯域での透過率が高い青透過円偏光板を用いているため、通常の円偏光板よりも青波長帯域での反射が大きくなっている。この時の反射光のＣＩＥ色度座標は実施形態２が（０．２４、０．２４）、比較例２が（０．２３、０．２２）であった。つまり、実施形態２では、青透過円偏光板を用いた場合の反射光の青色味が改善されているのが分かる。
【００４２】
しかも、実施形態２は比較例２よりも４００〜５００ｎｍの波長帯域における反射率が小さくなっているため、視感反射率（Ｙ刺激値）も小さい。よって実施形態２の有機ＥＬ表示装置は比較例２の有機ＥＬ表示装置に較べて、外光下でも良好な視認性を得ることができる。
【００４３】
＜実施形態３＞
本発明による実施形態３として、実施形態２と同様な構成であるが、反射アノード電極における各層の膜厚が異なる有機ＥＬ表示装置を示す（図示省略）。
【００４４】
上記実施形態２と同様にして、光取り出し面とは反対側に位置する反射アノード電極２６が金属層２２、透明導電層２３、半透過金属層２４、透明導電層２５を順次積層した構成とされている。
【００４５】
ここで、各層の膜厚を、
金属層２２；Ａｌ  １００ｎｍ
透明導電層２３；ＩＴＯ  ７０ｎｍ
半透過金属層２４；Ａｇ  １５ｎｍ
とする。青波長帯における反射率を抑えるために、波長４５０ｎｍ前後を消光波長とする。半透過金属層２４と透明導電層２３の間の反射光位相シフトおよび透明導電層２３と金属層２２の間の反射光位相シフトの合計はほぼ１１π／１５である。従って数１をｍ＝１において成立させるにはＬ＝１４２．５となる。波長４５０ｎｍにおける透明導電層２３の屈折率は２〜２．１前後のため、膜厚は７０ｎｍとした。
【００４６】
上記構成の有機ＥＬ表示装置における有機発光層（ｎ＝１．７）から反射カソード電極１１に入射した光の反射率を図７に示している。実施形態３は青透過円偏光板を用いた時の青色味を完全に消す構成としているため、青波長帯における反射率が抑えられている。実施形態１，２に較べて、本実施形態は反射率の低い領域が広帯域化している。これは半透過金属層の膜厚が薄いために、半透過金属層での反射率が低くなっているためである。
【００４７】
また、実施形態３、比較例２の有機ＥＬ表示装置における４５度入射角での正反射特性の比較を行ったものを図８に示している。この時の反射光のＣＩＥ色度座標は実施形態３が（０．３３，０．３５）、比較例２が（０．２３，０．２２）であった。よって、実施形態３では青透過円偏光板を用いた場合の反射光の青色味が完全に消えており、視感反射率（Ｙ刺激値）も比較例２に比べて小さい。従って、実施形態３の有機ＥＬ表示装置は外光下でも良好な視認性を得ることができる。
【００４８】
以上、実施形態により本発明を説明し、比較例を挙げながら本発明の効果を示した。ただし、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態では光取り出し面側の電極を透明電極としてきたが、金属薄膜を光取り出し面側の電極に用いてもよい。
【００４９】
また、本発明は複数の金属層と複数の透明導電層を順次積層した構成でも同様な効果を得ることができる。偏光板に関しては、１／４波長板と直線偏光板からなる円偏光板を用いて説明したが、偏光板が１／４波長板と直線偏光板との組み合わせに制限されるわけではない。実際、実施形態２および実施形態３では青の波長帯域である４００〜５００ｎｍでの透過率が通常の円偏光板よりも大きい、青透過円偏光板を用いている。但し、４００〜５００ｎｍの波長帯域における透過率の極大値が５０％以上で、５００〜６００ｎｍの波長帯域における透過率の極小値が５０％未満の円偏光板を青透過円偏光板とした。図９に透過率特性を示しているが、青透過円偏光板の４００〜５００ｎｍの波長帯域における透過率の極大値は５０％以上であるが、通常の円偏光板は５０％未満である。
【００５０】
更に、複数の有機ＥＬ素子が積層されたマルチフォトン構成や多段階積層構成に対しても本発明は実施可能である。
【実施例】
【００５１】
以下、実施例により本発明を具体的に説明する。
【００５２】
＜実施例１＞
実施形態１と同様のボトムエミッション方式の青色有機ＥＬ素子を以下に示す方法で作成した。
【００５３】
ＴＦＴ駆動回路が形成された基板１上にコンタクトホールが設けられた平坦化膜（図示省略）を形成した。この上に透明アノード電極２としてＩＺＯをスパッタリング法により６０ｎｍの膜厚で形成しパターニングした。次に、アクリル樹脂により素子分離膜（図示省略）を形成し陽極付き基板を作成した。これをイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）で超音波洗浄し、次いで、煮沸洗浄後乾燥させた。
【００５４】
さらに、ＵＶ／オゾン洗浄してから有機化合物を真空蒸着により形成した。
【００５５】
すなわち、正孔注入層３として、Ｃｕ配位のフタロシニアン（以下、ＣｕＰｃ）を１０ｎｍの膜厚で形成した。この際の真空度は１×１０-4Ｐａ、蒸着レートは０．２ｎｍ／ｓｅｃであった。
【００５６】
正孔輸送層４として、α−ＮＰＤを２０ｎｍの膜厚で形成した。この際の真空度は１×１０-4Ｐａ、蒸着レートは０．２ｎｍ／ｓｅｃであった。
【００５７】
発光層５として、ホストとしてＢａｌｑと発光性化合物Ｐｅｒｙｌｅｎｅとを共蒸着（重量比９０：１０）して２０ｎｍの膜厚で形成した。この際の真空度は１×１０-4Ｐａ、蒸着レートは０．２ｎｍ／ｓｅｃであった。
【００５８】
電子輸送層６として、バソフェナントロリン（Ｂｐｈｅｎ）を真空蒸着法にて１０ｎｍの膜厚で形成した。蒸着時の真空度は１×１０-4Ｐａ、成膜速度は０．２ｎｍ／ｓｅｃの条件であった。
【００５９】
電子注入層７として、ＢｐｈｅｎとＣｓ2ＣＯ3とを共蒸着（重量比９０：１０）して３０ｎｍの膜厚で形成した。蒸着時の真空度は３×１０-4Ｐａ、成膜速度は０．２ｎｍ／ｓｅｃの条件であった。
【００６０】
半透過金属層８として、銀（Ａｇ）を４５ｎｍの膜厚で形成した。蒸着時の真空度は１×１０-4Ｐａ、成膜速度は、０．２ｎｍ／ｓｅｃの条件であった。そして、真空を破ること無しにスパッタ装置に移動し、透明導電層９としてＩＴＯの透明電極を６０ｎｍの膜厚で形成した。さらに金属層１０として、Ａｌを１００ｎｍの膜厚で形成し、反射カノード電極１１とした。
【００６１】
金属缶（図示省略）封止を行った後に、光取り出し面側の基板１の表面に円偏光板１４を貼り付け所望の有機ＥＬ素子を得た。
【００６２】
＜実施例２＞
実施形態２と同様のトップエミッション方式のＲＧＢ有機ＥＬ素子を有する有機ＥＬ表示装置を以下に示す方法で作成した。
【００６３】
ＴＦＴ駆動回路が形成された基板２１上にコンタクトホールが設けられた平坦化膜（図示省略）を形成した。
【００６４】
この上に金属層２２として、Ａｌをスパッタリング法にて１００ｎｍの膜厚で形成しパターニングした。透明導電層２３として、ＩＴＯをスパッタリング法にて５０ｎｍの膜厚で形成しパターニングした。半透過金属層２４として、Ａｇをスパッタリング法にて３５ｎｍの膜厚で形成し、さらに透明導電層２５として、ＩＺＯをスパッタリング法にて２０ｎｍの膜厚で形成してパターニングすることで、反射アノード電極２６を形成した。
【００６５】
次に、アクリル樹脂により素子分離膜（図示省略）を形成し陽極付き基板を作成した。これをイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）で超音波洗浄し、次いで、煮沸洗浄後乾燥させた。
【００６６】
さらに、ＵＶ／オゾン洗浄してから有機化合物を真空蒸着により形成した。
【００６７】
すなわち、共通の正孔輸送層２７として、α−ＮＰＤを２５ｎｍの膜厚で形成した。この際の真空度は１×１０-4Ｐａ、蒸着レートは０．２ｎｍ／ｓｅｃであった。
【００６８】
発光層２８として、シャドーマスクを用いて、ＲＧＢそれぞれの発光層を形成した。
【００６９】
Ｒの発光層２８Ｒとしては、ホストとしてＡｌｑ３と、
発光性化合物ＤＣＭ  ［４−（ｄｉｃｙａｎｏｍｅｔｈｙｌｅｎｅ）−２−ｍｅｔｈｙｌ−６（ｐ−ｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｏｓｔｙｒｙｌ）−４Ｈ−ｐｙｒａｎ］と、
を共蒸着（重量比９９：１）して５０ｎｍの膜厚で形成した。
【００７０】
Ｇの発光層２８Ｇとしては、ホストとしてＡｌｑ３と、発光性化合物クマリン６とを共蒸着（重量比９９：１）して３５ｎｍの膜厚で形成した。
【００７１】
Ｂの発光層２８Ｂとしては、ホストとしてＢａｌｑと発光性化合物Ｐｅｒｙｌｅｎｅとを共蒸着（重量比９０：１０）して２０ｎｍの膜厚で形成した。
【００７２】
この際の真空度は１×１０-4Ｐａ、蒸着レートは０．２ｎｍ／ｓｅｃであった。
【００７３】
共通の電子輸送層２９として、バソフェナントロリン（Ｂｐｈｅｎ）を真空蒸着法にて１０ｎｍの膜厚で形成した。蒸着時の真空度は１×１０-4Ｐａ、成膜速度は０．２ｎｍ／ｓｅｃの条件であった。
【００７４】
共通の電子注入層２１０として、ＢｐｈｅｎとＣｓ2ＣＯ3とを共蒸着（重量比９０：１０）して２０ｎｍの膜厚で形成した。蒸着時の真空度は３×１０-4Ｐａ、成膜速度は０．２ｎｍ／ｓｅｃの条件であった。
【００７５】
そして、真空を破ること無しにスパッタ装置に移動し、透明カソード電極２１１としてＩＺＯを６０ｎｍの膜厚で形成した。さらに保護膜２１３として、窒化酸化シリコンを７００ｎｍの膜厚で形成した。
【００７６】
続いて、保護層２１３まで形成した基板をスパッタ装置より取り出し、前記保護層２１３上に厚さ５００ｕｍのアクリル樹脂（図示省略）を、さらに前記のアクリル樹脂層の上に厚さ７００ｕｍのガラス板２１４をそれぞれ張り合わせた。
【００７７】
そして前記ガラス板２１４上に青透過円偏光板２１７を貼り付け、所望の有機ＥＬ表示装置を得た。
【００７８】
＜実施例３＞
実施形態３と略同様のトップエミッション方式のＲＧＢ有機ＥＬ素子を有する有機ＥＬ表示装置を作成した。
【００７９】
本実施例は実施例２と同様な構造をしているため、作成手順も同様である。但し、反射アノード電極２６を、透明導電層２３としてＩＴＯを７０ｎｍの膜厚で、半透過金属層２４としてＡｇを１５ｎｍの膜厚で形成した。透明導電層２３及び半透過金属層２４の膜厚が異なることを除けば、作成方法、材料、膜厚は実施例２と同様にすることで、所望の有機ＥＬ表示装置を得た。
【図面の簡単な説明】
【００８０】
【図１】本発明に係る有機ＥＬ素子の概略断面図である。
【図２】実施形態１と比較例１との電極反射率の比較図である。
【図３】実施形態１と比較例１との正反射特性の比較図である。
【図４】本発明に係る有機ＥＬ表示装置の概略断面図である。
【図５】実施形態２と比較例２との電極反射率の比較図である。
【図６】実施形態２と比較例２との正反射特性の比較図である。
【図７】実施形態３と比較例２との電極反射率の比較図である。
【図８】実施形態３と比較例２との正反射特性の比較図である。
【図９】円偏光板の透過率の比較図である。
【符号の説明】
【００８１】
１  基板
２  透明アノード電極
３  正孔注入層
４  正孔輸送層
５  発光層
６  電子輸送層
７  電子注入層
８  半透過金属層
９  透明導電層
１０  金属層
１１  反射カソード電極
１２  直線偏光板
１３  １／４波長板
１４  円偏光板
２１  基板
２２  金属層
２３  透明導電層
２４  半透過金属層
２５  透明導電層
２６  反射アノード電極
２７  正孔輸送層
２８  発光層
２９  電子輸送層
２１０  電子注入層
２１１  透明カソード電極
２１２  有機ＥＬ素子
２１３  保護層
２１４  ガラス板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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