(57)【要約】【課題】ＩＴＯ膜によって構成された電極の凹凸形状に影響されて形成された無機配向膜の凹凸に起因して液晶の配向不良が発生し、表示ムラ等の表示不良が発生してしまうことを、液晶装置の生産性及び信頼性の向上を図りながら簡単に防止することができる液晶装置の製造方法を提供する。【解決手段】ＴＦＴ基板及び対向基板に、成膜装置を用いて、液晶に駆動電圧を印加するＩＴＯからなる画素電極、対向電極を、常温でそれぞれ形成するステップＳ１、ステップＳ３と、画素電極、対向電極上に無機配向膜を形成するステップＳ２、ステップＳ４と、を具備することを特徴とする。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板と該第１の基板に対向する第２の基板との間に液晶が介在された液晶装置の製造方法であって、
前記第１の基板及び前記第２の基板に、成膜装置を用いて、前記液晶に駆動電圧を印加するＩＴＯからなる電極を、常温でそれぞれ形成する電極形成工程と、
各電極上に無機配向膜を形成する無機配向膜形成工程と、
を具備することを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項２】
前記電極形成工程において、前記第１の基板に形成する前記電極は、前記第１の基板の少なくとも表示領域において平面視した状態でマトリクス状に配置される画素電極であることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項３】
前記電極形成工程において、前記第２の基板に形成する前記電極は、前記第２の基板の少なくとも表示領域の全面に亘って配置される対向電極であることを特徴とすることを特徴とする請求項１または２に記載の液晶装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、第１の基板と該第１の基板に対向する第２の基板との間に液晶が介在された液晶装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
周知のように、例えば光透過型の液晶装置は、ガラス基板、石英基板等からなる２枚の基板間に液晶が介在されて構成されている。
【０００３】
また、液晶装置は、一方の基板に、例えば薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor、以下、ＴＦＴと称す)等のスイッチング素子及び画素電極をマトリクス状に配置し、他方の基板に対向電極を配置して、両基板間に介在された液晶層による光学応答を画像信号に応じて変化させることで、画像表示を可能としている。
【０００４】
また、ＴＦＴを配置したＴＦＴ基板と、このＴＦＴ基板に相対して配置される対向基板とは、別々に製造される。ＴＦＴ基板及び対向基板は、例えば石英基板上に、所定のパターンを有する半導体薄膜、絶縁性薄膜又は導電性薄膜を積層することによって構成される。層毎に各種膜の成膜工程とフォトリソグラフィ工程を繰り返すことによって形成されるのである。
【０００５】
このようにして形成されたＴＦＴ基板及び対向基板は、パネル組立工程において高精度（例えばアライメント誤差１μｍ以内）に貼り合わされる。このパネル組立工程の一例を説明すると、先ず、各基板の製造工程において夫々製造されたＴＦＴ基板の画素電極上、及び対向基板の対向電極上に、液晶分子を基板面に沿って配向させるためのポリイミド等の有機配向膜が形成される、その後、焼成が行われ、さらに有機配向膜に対し、電圧無印加時の液晶分子の配列を規定させるためのラビング処理が施される。
【０００６】
次いで、例えば液晶封入方式により、ＴＦＴ基板と対向基板との間に液晶が介在される場合には、ＴＦＴ基板と対向基板との一方の基板上に、接着剤となるシール材が、一部に注入口となる切り欠きを有するよう略周状に塗布され、このシール材が用いられてＴＦＴ基板に対し、対向基板が貼り合わされる。
【０００７】
次いで、アライメントが施されてそれぞれ圧着硬化された後、真空下においてＴＦＴ基板のシール材の注入口の近傍に、規定量の液晶がそれぞれ滴下され、その後、大気解放されることにより、注入口を介して液晶がＴＦＴ基板と対向基板との間にそれぞれ注入され、最後に、注入口が、封止材により封止されて、液晶装置が製造される。
【０００８】
ところで、ＴＦＴ基板の画素電極上及び対向基板の対向電極上には、有機配向膜に限らず、例えばＳｉＯ２から構成された無機配向膜が形成される場合がある。
【０００９】
無機配向膜は、プレチルト角に相当する所定の角度を以て、対象基板に複数本、柱状構造物として蒸着されて形成されることにより、形成後、ラビング処理を不要として、液晶のプレチルト角を規定することができる。尚、このような無機配向膜の形成方法は、斜方蒸着法と称される。
【００１０】
ここで、ＴＦＴ基板の画素電極及び対向基板の対向電極は、一般に、既知のスパッタリング装置を用いて、スパッタリング法により、酸素にアルゴンが希釈された雰囲気中において、例えば２５０℃の高温で、ＩＴＯ(Indium Tin Oxide)膜によって形成される。しかしながら、形成後のＩＴＯ膜は、サブグレインを有するそれぞれ多方向を指向する複数のグレインから構成されるため、加熱により成長した各グレイン間の界面や各グレインの面内等において、凹凸が発生しやすい。即ち、形成後の各電極の表面には、凹凸が形成されやすい。
【００１１】
よって、このように凹凸が形成された各電極上に、無機配向膜を、上述した斜方蒸着法によってそれぞれ形成すると、形成後の無機配向膜の表面にも、各電極の凹凸の影響を受けて、凹凸が形成されてしまう。
【００１２】
無機配向膜の表面に凹凸が形成されてしまうと、該凹凸に起因して液晶の配向不良が発生し、表示ムラ等の表示不良が発生してしまうといった問題があった。尚、このような問題は、各電極上に、有機配向膜がそれぞれ形成される場合には、有機配向膜の表面には、上述したように、ラビング処理が施され、積極的に凹凸が形成されることから発生しない。
【００１３】
このような問題に鑑み、特許文献１には、凹凸を有する下地膜上に、例えばシリコン酸化物の微粒子が閉じこめられたオーバーコート膜を形成して表面を平坦化した後、オーバーコート膜上に、成膜を行うことにより、成膜された膜表面に、下地膜の凹凸に影響して凹凸が発生することを防止する技術が開示されている。
【００１４】
この技術を適用して、画素電極及び対向電極上に、それぞれオーバーコート膜を形成して表面を平坦化した後、各オーバーコート膜上に無機配向膜をそれぞれ形成すれば、無機配向膜の表面に、各電極の凹凸に影響されて凹凸が形成されてしまうことを防止することができる。
【特許文献１】特開平９−１５２５８１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
しかしながら、特許文献１に開示された技術においては、オーバーコート膜を成膜する工程を別途有するため、液晶装置の生産性が低下する他、電極と無機配向膜との間のオーバーコート膜に結果的にキャパシタが形成されてしまい、各電極の電気特性が変化してしまうといった問題があった。よって、液晶装置の生産性及び信頼性を向上させながら、無機配向膜の表面に、電極の凹凸に影響されて凹凸が形成されてしまうことを、簡単に防止できる技術が望まれていた。
【００１６】
本発明は上記事情に着目してなされたものであり、ＩＴＯ膜によって構成された電極の凹凸形状に影響されて形成された無機配向膜の凹凸に起因して液晶の配向不良が発生し、表示ムラ等の表示不良が発生してしまうことを、液晶装置の生産性及び信頼性の向上を図りながら簡単に防止することができる液晶装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
上記目的を達成するために本発明に係る液晶装置の製造方法は、第１の基板と該第１の基板に対向する第２の基板との間に液晶が介在された液晶装置の製造方法であって、前記第１の基板及び前記第２の基板に、成膜装置を用いて、前記液晶に駆動電圧を印加するＩＴＯからなる電極を、常温でそれぞれ形成する電極形成工程と、各電極上に無機配向膜を形成する無機配向膜形成工程と、を具備することを特徴とする。
【００１８】
本発明によれば、ＩＴＯ膜によって電極を形成する際、常温で形成するのみで、電極を、凹凸の極めて少ない微結晶透明導電膜またはアモルファス透明導電膜に形成することができる。よって、電極上に形成される無機配向膜を、電極の形状に影響することなく、凹凸の極めて少ない膜に生産性の向上を図りながら形成することができることから、電極の凹凸形状に影響されて形成された無機配向膜の表面の凹凸に起因して、液晶の配向不良が発生し、表示ムラ等の表示不良が発生してしまうことを生産性及び信頼性の向上を図りながら簡単に防止することができる液晶装置の製造方法を提供することができる。
【００１９】
また、前記電極形成工程において、前記第１の基板に形成する前記電極は、前記第１の基板の少なくとも表示領域において平面視した状態でマトリクス状に配置される画素電極であることを特徴とする。
【００２０】
本発明によれば、ＩＴＯ膜によって画素電極を形成する際、常温で形成するのみで、画素電極を、凹凸の極めて少ない微結晶透明導電膜またはアモルファス透明導電膜に形成することができる。よって、画素電極上に形成される無機配向膜を、画素電極の形状に影響することなく、凹凸の極めて少ない膜に生産性の向上を図りながら形成することができることから、画素電極の凹凸形状に影響されて形成された無機配向膜の表面の凹凸に起因して、液晶の配向不良が発生し、表示ムラ等の表示不良が発生してしまうことを生産性及び信頼性の向上を図りながら簡単に防止することができる液晶装置の製造方法を提供することができる。
【００２１】
さらに、前記電極形成工程において、前記第２の基板に形成する前記電極は、前記第２の基板の少なくとも表示領域の全面に亘って配置される対向電極であることを特徴とすることを特徴とする。
【００２２】
本発明によれば、ＩＴＯによって対向電極を形成する際、常温で形成するのみで、対向電極を、凹凸の極めて少ない微結晶透明導電膜またはアモルファス透明導電膜に形成することができる。よって、対向電極上に形成される無機配向膜を、対向電極の形状に影響することなく、凹凸の極めて少ない膜に生産性の向上を図りながら形成することができることから、対向電極の凹凸形状に影響されて形成された無機配向膜の表面の凹凸に起因して、液晶の配向不良が発生し、表示ムラ等の表示不良が発生してしまうことを生産性及び信頼性の向上を図りながら簡単に防止することができる液晶装置の製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、図面を参照にして本発明の実施の形態を説明する。尚、以下に示す実施の形態において液晶装置は、光透過型の液晶装置を例に挙げて説明する。
【００２４】
また、液晶装置において対向配置される一対の基板の内、一方の基板は、第１の基板である素子基板（以下、ＴＦＴ基板と称す）を、また他方の基板は、ＴＦＴ基板に対向する第２の基板である対向基板を例に挙げて説明する。
【００２５】
先ず、本実施の形態の液晶装置の製造方法によって製造される液晶装置の構成を、図１〜図３を用いて示す。
【００２６】
図１は、本実施の形態の液晶装置の製造方法によって製造される液晶装置の平面図、図２は、図１中のII-II線に沿って切断した断面図、図３は、図１の液晶装置における画素電極及び無機配向膜と、その近傍を示す部分拡大断面図である。
【００２７】
図１、図２に示すように、液晶装置１は、例えば、石英基板やガラス基板等を用いたＴＦＴ基板１０と、該ＴＦＴ基板１０に対向配置される、例えばガラス基板や石英基板等を用いた対向基板２０との間に、液晶５０が介在されて構成される。対向配置されたＴＦＴ基板１０と対向基板２０とは、シール材５２によって貼り合わされている。
【００２８】
ＴＦＴ基板１０の液晶５０と接する領域に、液晶装置１の表示領域４０を構成するＴＦＴ基板１０の表示領域１０ｈが構成されている。また、表示領域１０ｈに、画素を構成するとともに、後述する対向電極２１とともに液晶５０に駆動電圧を印加する、透明電極、例えば後述するＩＴＯ膜から構成された画素電極９が平面視した状態でマトリクス状に配置されている。
【００２９】
また、対向基板２０の液晶５０と接する領域に、液晶５０に画素電極９とともに駆動電圧を印加する透明電極、例えばＩＴＯ膜から構成された対向電極２１が全面に亘って設けられており、対向電極２１の表示領域１０ｈに対向する領域に、液晶装置１の表示領域４０を構成する対向基板２０の表示領域２０ｈが構成されている。
【００３０】
ＴＦＴ基板１０の画素電極９上に、無機配向膜から構成された配向膜（以下、無機配向膜と称す）１６が設けられており、また、対向基板２０上の全面に亘って形成された対向電極２１上にも、無機配向膜２６が設けられている。
【００３１】
詳しくは、図３に示すように、画素電極９上に、ＳｉＯ２やＳｉＯ等のシリコン酸化物等の絶縁物により構成された複数本の柱状構造を有する無機配向膜１６が、画素電極９に垂直な面に対し所定の角度傾くよう、上述した斜方蒸着法により形成されている。その結果、液晶５０は、斜方蒸着された無機配向膜１６により垂直配向されている。
【００３２】
また、このことは、無機配向膜２６であっても同様であり、対向電極２１上に、ＳｉＯ２やＳｉＯ等のシリコン酸化物等の絶縁物により構成された複数本の柱状の構造を有する無機配向膜２６が、対向電極２１に垂直な面に対し所定の角度傾くよう、上述した斜方蒸着法により形成されている。その結果、液晶５０は、斜方蒸着された無機配向膜２６により垂直配向されている。
【００３３】
また、ＴＦＴ基板１０の表示領域１０ｈにおいては、複数本の図示しない走査線と複数本の図示しないデータ線とが交差するように配線され、走査線とデータ線とで区画された領域に画素電極９がマトリクス状に配置される。そして、走査線とデータ線との各交差部分に対応して図示しない薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が設けられ、このＴＦＴ毎に画素電極９が電気的に接続されている。
【００３４】
ＴＦＴは走査線のＯＮ信号によってオンとなり、これにより、データ線に供給された画像信号が画素電極９に供給される。この画素電極９と対向基板２０に設けられた対向電極２１との間の電圧が液晶５０に印加される。
【００３５】
対向基板２０に、液晶装置１の表示領域４０を規定する額縁としての遮光膜５３が設けられている。
【００３６】
液晶５０がＴＦＴ基板１０と対向基板２０との間に、既知の液晶注入方式で注入される場合、シール材５２は、シール材５２の１辺の一部において欠落して塗布されている。
【００３７】
シール材５２の欠落した箇所は、該欠落した箇所から貼り合わされたＴＦＴ基板１０及び対向基板２０との間において、シール材５２により囲まれた領域に液晶５０を注入するための切り欠きである液晶注入口１０８を構成している。液晶注入口１０８は、液晶注入後、封止剤１０９によって封止される。
【００３８】
シール材５２の外側の領域に、ＴＦＴ基板１０の図示しないデータ線に画像信号を所定のタイミングで供給して該データ線を駆動するドライバであるデータ線駆動回路１０１と外部回路との接続のための外部接続端子１０２とが、ＴＦＴ基板１０の液晶注入口１０８が位置する１辺に沿って設けられている。尚、外部接続端子１０２は、対向基板２０に設けられていても構わない。
【００３９】
外部接続端子１０２に、液晶装置１を、プロジェクタ等の電子機器と電気的に接続する、図示しない特定の長さを有する柔軟なフレキシブル配線基板（Flexible Printed Circuits、以下ＦＰＣと称す）の一端が接続される。ＦＰＣの他端がプロジェクタ等の電子機器に接続されることにより、液晶装置１と電子機器とは電気的に接続される。
【００４０】
外部接続端子１０２が設けられたＴＦＴ基板１０の１辺に隣接する２辺に沿って、ＴＦＴ基板１０の図示しない走査線及びゲート電極に、走査信号を所定のタイミングで供給することにより、ゲート電極を駆動するドライバである走査線駆動回路１０３、１０４が設けられている。走査線駆動回路１０３、１０４は、シール材５２の内側の遮光膜５３に対向する位置において、ＴＦＴ基板１０上に形成されている。
【００４１】
また、ＴＦＴ基板１０上に、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０３、１０４、外部接続端子１０２及び上下導通端子１０７を接続する配線１０５が、遮光膜５３の３辺に対向して設けられている。
【００４２】
上下導通端子１０７は、シール材５２のコーナー部の４箇所のＴＦＴ基板１０上に形成されている。そして、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０相互間に、下端が上下導通端子１０７に接触し上端が対向電極２１に接触する上下導通材１０６が設けられており、該上下導通材１０６によって、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通がとられている。
【００４３】
次に、図１〜図３のように構成された液晶装置の製造方法、具体的には、液晶装置１における画素電極９、対向電極２１の形成方法を主に、図４〜図７を用いて説明する。図４は、本実施の形態の液晶装置の製造方法を示すフローチャート、図５は、形成後の電極を構成するＩＴＯ膜の組織を示す図、図６は、従来の製造方法により形成した後の電極を構成するＩＴＯ膜の組織を示す図、図７は、従来の製造方法により画素電極を形成した際の液晶装置における画素電極及び無機配向膜と、その近傍を示す部分拡大断面図である。
【００４４】
尚、画素電極９、対向電極２１以外の液晶装置の製造方法については、周知であるため、その説明は省略するか、簡単に説明する。
【００４５】
先ず、ＴＦＴ基板１０側の形成工程を示す。図４に示すように、ステップＳ１において、既知の半導体薄膜、絶縁性薄膜又は導電性薄膜を積層することによって複数の薄膜が形成されたＴＦＴ基板１０に対し、上述した画素電極９を形成する電極形成工程を行う。
【００４６】
具体的には、例えば図示しないスパッタリング装置を用いて、酸素にアルゴンが希釈された、例えば２０℃〜２５℃の常温雰囲気中において、８００Ｗ（ワット）〜３．３ｋＷ（キロワット）の出力で、既知のスパッタリング法によりＩＴＯ膜を形成する。
【００４７】
その結果、ＩＴＯ膜は、常温で形成されることから、結晶化し難く、結晶化したとしても結晶が成長し難いため、図３に示すように、表面に凹凸の極めて少ない、好ましくは平坦な、図５に示すような結晶の極めて少ない微結晶透明導電膜に形成される。
【００４８】
よって、例えば２５０℃で形成した図６に示す従来のように、ＩＴＯ膜が、サブグレインを有するそれぞれ多方向を指向する複数のグレイン３０から構成された結果、加熱により成長した各グレイン３０間の界面３０ｋや各グレイン３０の面内３０ｍ等において、画素電極９を構成するＩＴＯ膜に、図７に示すような凹凸９ｔが形成されてしまうことを防げる。
【００４９】
次いで、ステップＳ２において、図示しない斜方蒸着装置を用いて、画素電極９上に、上述した斜方蒸着法により無機配向膜１６を形成する無機配向膜形成工程を行う。この際、上述した図３に示したように、画素電極９は凹凸が極めて少なくなるよう形成されていることから、無機配向膜１６は、図３に示すように、表面に凹凸を極めて少ない状態で画素電極９上に形成される。
【００５０】
よって、凹凸９ｔが形成された画素電極９上に、無機配向膜１６を形成した図７に示す場合のように、形成後の無機配向膜１６の表面に、画素電極９の凹凸９ｔの影響を受けて、凹凸１６ｔが形成されてしまうことを防止することができる。
【００５１】
次に、対向基板２０側の形成工程を示す。図４に示すように、ステップＳ３において、既知の半導体薄膜、絶縁性薄膜又は導電性薄膜を積層することによって複数の薄膜が形成された対向基板２０に対し、上述した対向電極２１を形成する電極形成工程を行う。
【００５２】
具体的には、例えば図示しないスパッタリング装置を用いて、酸素にアルゴンが希釈された、例えば２０℃〜２５℃の常温雰囲気中において、８００Ｗ（ワット）〜３．３ｋＷ（キロワット）の出力で、既知のスパッタリング法によりＩＴＯ膜を形成する。
【００５３】
その結果、ＩＴＯ膜は、常温で形成されることから、結晶化し難く、結晶化したとしても結晶が成長し難いため、表面に凹凸の極めて少ない、好ましくは平坦な、図５に示すような結晶の極めて少ない微結晶透明導電膜に形成される。
【００５４】
よって、例えば２５０℃で形成した図６に示す従来のように、ＩＴＯ膜が、サブグレインを有するそれぞれ多方向を指向する複数のグレイン３０から構成された結果、加熱により成長した各グレイン３０間の界面３０ｋや各グレイン３０の面内３０ｍ等において、対向電極２１を構成するＩＴＯ膜に、凹凸が形成されてしまうことを防げる。
【００５５】
次いで、ステップＳ４において、図示しない斜方蒸着装置を用いて、対向電極２１上に、上述した斜方蒸着法により無機配向膜２６を形成する無機配向膜形成工程を行う。この際、対向電極２１は凹凸が極めて少なくなるよう形成されていることから、無機配向膜２６は、表面に凹凸を極めて少ない状態で対向電極２１上に形成される。
【００５６】
よって、凹凸が形成された対向電極２１上に、無機配向膜２６を形成した場合のように、形成後の無機配向膜２６の表面に、対向電極２１の凹凸の影響を受けて、凹凸が形成されてしまうことない。
【００５７】
無機配向膜１６、２６の形成後、最後に、ステップＳ５において、ＴＦＴ基板１０に対して対向基板２０を貼り合わせ、該貼り合わせの前後いずれかに、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０との間に負の誘電異方性を有する液晶５０を介在させる貼着工程を行う。
【００５８】
このように、本実施の形態においては、各基板１０、２０上に、それぞれ画素電極９、対向電極２１をＩＴＯ膜によって形成する際、スパッタリング装置を用いて既知のスパッタリング法により、酸素にアルゴンが希釈された、例えば２０℃〜２５℃の常温雰囲気中において形成すると示した。
【００５９】
このことによれば、ＩＴＯ膜によって各電極９、２１を形成する際、常温で形成するのみで、形成後のＩＴＯ膜を、結晶化の極めて少ない膜に形成することができることから、各電極９、２１を、図３、図５に示すように、凹凸の極めて少ない微結晶透明導電膜に形成することができる。
【００６０】
よって、各電極９、２１上に形成される各無機配向膜１６、２６を、各電極９、２１の形状に影響することなく、表面に凹凸の極めて少ない膜に生産性の向上を図りながら形成することができることから、各電極９，２１の凹凸形状に影響されて形成された各無機配向膜１６、２６の表面の凹凸に起因して、液晶５０の配向不良が発生し、表示ムラ等の表示不良が発生してしまうことを生産性及び信頼性の向上を図りながら簡単に防止することができる液晶装置１の製造方法を提供することができる。
【００６１】
尚、以下、変形例を示す。本実施の形態においては、ＩＴＯ膜を、微結晶透明導電膜に形成すると示したが、これに限らず、アモルファスの透明導電膜に形成しても構わない。尚、アモルファスの透明導電膜に形成した場合、各電極９、２１の抵抗値は、飛躍的に上昇する。よって、ＩＴＯ膜を、微結晶透明導電膜に形成するか、アモルファスの透明導電膜に形成するかは、液晶装置１の設計次第で、設定可能である。
【００６２】
また、本実施の形態においては、画素電極９、対向電極２１は、ＩＴＯ膜から構成されると示したが、これに限らず、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）膜から構成されていても構わない。ＩＺＯ膜は、成膜温度を相当の温度まで高く設定しないと結晶化しないことから、常温で成膜を行う本実施の形態に適用する場合、非常に有用である。
【産業上の利用可能性】
【００６３】
また、液晶装置は、上述の図示例にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。例えば、上述した液晶装置は、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）等のアクティブ素子（能動素子）を用いたアクティブマトリクス方式の液晶表示モジュールを例に挙げて説明したが、これに限らず、ＴＦＤ（薄膜ダイオード）等のアクティブ素子（能動素子）を用いたアクティブマトリクス方式の液晶表示モジュールであっても構わない。
【００６４】
また、液晶装置は、半導体基板に素子を形成する表示用デバイス、例えばＬＣＯＳ（Liquid Crystal On Silicon）等であっても構わない。ＬＣＯＳでは、素子基板として単結晶シリコン基板を用い、画素や周辺回路に用いるスイッチング素子としてトランジスタを単結晶シリコン基板に形成する。また、画素には、反射型の画素電極を用い、画素電極の下層に画素の各素子を形成する。さらに、反射型の画素電極にアルミを用いる場合、アルミを、本実施の形態同様、常温で成膜すれば、反射型の画素電極を、凹凸の極めて少ないアルミ膜に形成することができる。即ち、本実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】本実施の形態の液晶装置の製造方法によって製造される液晶装置の平面図。
【図２】図１中のII-II線に沿って切断した断面図。
【図３】図１の液晶装置における画素電極及び無機配向膜と、その近傍を示す部分拡大断面図。
【図４】本実施の形態の液晶装置の製造方法を示すフローチャート。
【図５】形成後の電極を構成するＩＴＯ膜の組織を示す図。
【図６】従来の製造方法により形成した後の電極を構成するＩＴＯ膜の組織を示す図。
【図７】従来の製造方法により画素電極を形成した際の液晶装置における画素電極及び無機配向膜と、その近傍を示す部分拡大断面図。
【符号の説明】
【００６６】
１…液晶装置、９…画素電極、１０…ＴＦＴ基板、１０ｈ…表示領域、１６…無機配向膜、２０…対向基板、２０ｈ…表示領域、２１…対向電極、２６…無機配向膜、５０…液晶。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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