(57)【要約】【課題】薄型で高密度な配線基板を効率よく製造することが可能な配線基板の製造方法を提供すること。【解決手段】平坦な主面を有する支持基板１の前記主面上に半固体状の介在層２を介して金属箔１１を被着するとともに前記主面の外周部と金属箔１１との間に介在層２を気密に封止する封止部材３を設ける工程と、金属箔１１上に絶縁層２１〜２５と導体層１２〜１５とを交互に複数積層して金属箔１１と絶縁層２１〜２５と導体層１２〜１５とから成る配線基板用の積層体１０を形成する工程と、封止部材３の内側領域に位置する積層体１０を封止部材３から切り離す工程と、切り離した積層体１０を支持基板１から介在層２において分離する工程とを含む配線基板の製造方法である。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
平坦な主面を有する支持基板の前記主面上に、半固体状の介在層を介して金属箔を被着するとともに、前記主面の外周部と前記金属箔との間に前記介在層を気密に封止する封止部材を設ける工程と、
前記封止部材を設けた後、前記金属箔上に絶縁層と導体層とを交互に複数積層して、前記金属箔と前記絶縁層と前記導体層とから成る配線基板用の積層体を形成する工程と、
前記封止部材の内側領域に位置する前記積層体を前記封止部材から切り離す工程と、
切り離した前記積層体を前記支持基板から前記介在層において分離する工程とを含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記封止部材を設ける工程は、
前記支持基板の主面外周部に、熱硬化性樹脂を含む封止部材を半硬化状態で枠状に被着する工程と、
この枠状の封止部材で囲まれた前記支持基板の主面上に半固体状の介在層を設ける工程と、
前記封止部材および介在層上に金属箔を密着させるとともに加熱して、前記封止部材を熱硬化させる工程とを含む請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記介在層がシリコーン系グリースから成る請求項１または２に記載の配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記介在層の厚みが１０〜２００μｍである請求項１〜３のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記介在層は、２５℃におけるＪＩＳ  Ｋ  ２２２０に規定のちょう度番号が、２号以上である請求項１〜４のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
【請求項６】
前記金属箔の厚みが５〜５０μｍである請求項１〜５のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
【請求項７】
前記介在層の厚みと、熱硬化後の前記封止部材の厚みとが実質的に同じ厚みとなるように前記封止部材を設ける請求項２〜５のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
【請求項８】
前記封止部材を設ける工程が、前記支持基板の上下両面上に、それぞれ半固体状の介在層を介して金属箔を被着するとともに、前記主面の外周部と前記金属箔との間に前記介在層を気密に封止する封止部材を設ける工程である請求項１〜７のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子等の電子部品を搭載するために用いられる配線基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、半導体素子等の電子部品を搭載するために用いられる高密度多層配線基板として、ビルドアップ配線基板がある。図７は、一般的なビルドアップ配線基板を示す概略断面図である。同図に示すように、このビルドアップ配線基板８０は、厚みが０．２〜２．０ｍｍ程度のガラス−樹脂板８１の両面に銅箔から成る配線導体８２を有するコア基板８３と、このコア基板８３の両面に、それぞれの厚みが１０〜１００μｍ程度の樹脂から成る絶縁層８４と、めっき膜から成る配線導体８５とを交互に積層して成る。このようなビルドアップ配線基板８０は、例えば下記の方法により製作される。
【０００３】
まず、ガラスクロスにエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させた絶縁シートを準備する。次に、この絶縁シートの両面に銅箔を貼着するとともに、絶縁シート中の熱硬化性樹脂を熱硬化させて両面銅張り板を得る。この両面銅張り板に、その上下面を貫通するスルーホールを穿孔するとともに、前記スルーホール内壁にめっき膜を被着させて、上下面の銅箔をスルーホール内のめっき膜で電気的に接続する。そして、スルーホール内を樹脂で充填した後、上下面の銅箔を所定パターンにエッチングすることにより、ガラス−樹脂板８１の両面に銅箔から成る配線導体８２を有するコア基板８３を得る。
【０００４】
次に、このコア基板８３の上下面にエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂に無機絶縁性フィラーを分散させた樹脂フィルムを貼着するとともに、樹脂フィルム中の熱硬化性樹脂を熱硬化させて絶縁層８４を形成する。この絶縁層８４にレーザ加工によりビアホールを穿孔するとともに、ビアホール内を含む絶縁層８４の表面にセミアディティブ法でめっき膜から成る配線導体８５を上下面同時に形成する。そして、次層の絶縁層８４や配線導体８５の形成を複数回繰り返すことにより、ガラス−樹脂板８１の両面に銅箔から成る配線導体８２を有するコア基板８３と、このコア基板８３の両面に樹脂から成る絶縁層８４と、めっき膜とから成る配線導体８５とを交互に積層して成るビルドアップ配線基板８０が製作される。
【０００５】
しかしながら、このようなビルドアップ配線基板８０は高密度配線が可能であるものの、コア基板８３として厚みが０．２〜２．０ｍｍ程度のガラス−樹脂板８１を使用することから、配線基板８０の全体厚みを薄くすることが困難であるという問題点があった。
【０００６】
そこで、特許文献１には、金属板の一面側に配線導体と絶縁層とを、半導体素子搭載面側から外部接続端子装着面側に向けて順次多層に形成した後、前記金属板をエッチング除去することにより半導体装置用の多層基板を製造する方法が提案されている。この特許文献１に示された方法によれば、半導体素子搭載面が平坦であり、且つ薄型の半導体装置用の多層基板を提供できるとしている。
しかしながら、この方法によると、比較的厚みを必要とする金属板をエッチング除去することが必要であり、そのエッチングに長時間を要する。そのため生産効率が低いという解決すべき問題点があった。
【特許文献１】特許第３６３５２１９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の課題は、薄型で高密度な配線基板を効率よく製造することが可能な配線基板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者は、上記課題を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、以下の構成からなる解決手段を見出し、本発明を完成するに至った。
（１）平坦な主面を有する支持基板の前記主面上に、半固体状の介在層を介して金属箔を被着するとともに、前記主面の外周部と前記金属箔との間に前記介在層を気密に封止する封止部材を設ける工程と、前記封止部材を設けた後、前記金属箔上に絶縁層と導体層とを交互に複数積層して、前記金属箔と前記絶縁層と前記導体層とから成る配線基板用の積層体を形成する工程と、前記封止部材の内側領域に位置する前記積層体を前記封止部材から切り離す工程と、切り離した前記積層体を前記支持基板から前記介在層において分離する工程とを含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
【０００９】
（２）前記封止部材を設ける工程は、前記支持基板の主面外周部に、熱硬化性樹脂を含む封止部材を半硬化状態で枠状に被着する工程と、この枠状の封止部材で囲まれた前記支持基板の主面上に半固体状の介在層を設ける工程と、前記封止部材および介在層上に金属箔を密着させるとともに加熱して、前記封止部材を熱硬化させる工程とを含む前記（１）に記載の配線基板の製造方法。
（３）前記介在層がシリコーン系グリースから成る前記（１）または（２）に記載の配線基板の製造方法。
（４）前記介在層の厚みが１０〜２００μｍである前記（１）〜（３）のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
（５）前記介在層は、２５℃におけるＪＩＳ  Ｋ  ２２２０に規定のちょう度番号が、２号以上である前記（１）〜（４）のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
（６）前記金属箔の厚みが５〜５０μｍである前記（１）〜（５）のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
（７）前記介在層の厚みと、熱硬化後の前記封止部材の厚みとが実質的に同じ厚みとなるように前記封止部材を設ける前記（２）〜（５）のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
（８）前記封止部材を設ける工程が、前記支持基板の上下両面上に、それぞれ半固体状の介在層を介して金属箔を被着するとともに、前記主面の外周部と前記金属箔との間に前記介在層を気密に封止する封止部材を設ける工程である前記（１）〜（７）のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
【発明の効果】
【００１０】
前記（１）によれば、薄型で高密度な配線基板を効率よく製造することができるという効果を有する。すなわち前記（１）によれば、平坦な主面を有する支持基板の前記主面上に半固体状の介在層を介して金属箔を被着するとともに前記主面の外周部と前記金属箔との間に前記介在層を気密に封止する封止部材を設け、次に前記金属箔上に絶縁層と導体層とを交互に複数積層して前記金属箔と前記絶縁層と前記導体層とから成る配線基板用の積層体を形成するので、ガラス−樹脂板を使用することによる配線基板の全体厚みを薄くすることができないという問題がなく、薄型で高密度の配線基板を提供することができる。
【００１１】
次に前記封止部材の内側領域に位置する前記積層体を前記封止部材から切り離し、切り離した前記積層体を前記支持基板から前記介在層において分離することから、短時間かつ簡単に配線基板用の積層体を支持基板から分離でき、それにより薄型で高密度な配線基板を効率よく製造することができる。しかも、前記積層体を構成する金属箔は、所定パターンにエッチングし配線導体の一部として利用することができるという効果がある。
【００１２】
前記（２）によれば、所定の工程で前記封止部材を設けるので、簡単に効率よく本発明にかかる封止部材を設けることができる。
前記（３）によれば、前記介在層がシリコーン系グリースから成るので、介在層が耐熱性に優れるという効果を有する。すなわち金属箔上に絶縁層と導体層とを交互に複数積層する際には、所定の熱が介在層に加わるが、介在層が耐熱性に優れるシリコーン系グリースから成ると、前記所定の熱で介在層が液状化するのを抑制することができる。
前記（４）によれば、前記介在層の厚みが１０〜２００μｍであるので、この介在層を介して被着する金属箔の安定性および固定性を向上させることができ、その結果、該金属箔上に絶縁層と導体層とを交互に複数積層する際の作業性を向上させることができる。
前記（５）によれば、前記介在層の２５℃におけるＪＩＳ  Ｋ  ２２２０に規定のちょう度番号が２号以上であるので、介在層を封止部材で確実に気密に封止することができる。
前記（６）によれば、前記金属箔の厚みが５〜５０μｍであるので、該金属箔をエッチング除去する際には、短時間でエッチング除去することができる。しかも、このような厚みを有する前記金属箔は、全てエッチング除去する必要はなく、所定パターンにエッチングし配線導体の一部として好適に利用することができる。
前記（７）によれば、介在層の厚みと、熱硬化後の封止部材の厚みとが実質的に同じ厚みとなるように前記封止部材を設けるので、前記封止部材および介在層上に被着する金属箔の密着性を向上させて確実に固定することができ、その結果、該金属箔上に絶縁層と導体層とを交互に複数積層する際の作業性を向上させることができる。
前記（８）によれば、前記封止部材を設ける工程が、前記支持基板の上下両面上に、それぞれ半固体状の介在層を介して金属箔を被着するとともに、前記主面の外周部と前記金属箔との間に前記介在層を気密に封止する封止部材を設ける工程であるので、積層体を効率よく形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
次に、本発明にかかる配線基板の製造方法の一実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。図１〜図５は、本実施形態にかかる配線基板の製造方法を示す工程毎の図である。これらのうち、図１は、封止部材を設ける工程を示す概略断面図である。図２は、封止部材を設ける工程を示す概略斜視図である。図３は、積層体を形成する工程を示す概略断面図である。図４は、積層体を封止部材から切り離す工程を示す概略断面図である。図５は、分離した積層体に更に加工を施して配線基板を製造する工程を示す概略断面図である。
【００１４】
まず、図１（ａ）に示すように、平坦な主面を有する支持基板１を準備する。この支持基板１は、後述する配線基板用の積層体１０を製造する際に該積層体１０を必要な平坦度を維持して支持するための仮の支持体として機能するものである。よって、この支持基板１としては、例えば金属やガラス、樹脂等の硬質材料から成るのが好ましい。また、支持基板１は、通常、厚み０．２〜２．０ｍｍ程度、１辺の長さ３００〜１０００ｍｍ程度の略四角形の平板で構成されるが、これに限定されるものではない。
【００１５】
次に、図１（ｂ）に示すように、支持基板１の主面に半固体状の介在層２を介して金属箔１１を被着するとともに、前記主面の外周部と金属箔１１との間に介在層２を気密に封止する封止部材３を設ける。介在層２は、後述するように、この介在層２上に形成される配線基板用の積層体１０と支持基板１とを分離する際にその分離を容易とするための境界層として機能するものである。
【００１６】
ここで、本実施形態にかかる介在層２は半固体状物質である。前記半固体状物質とは、固体と液体との中間にある物質のことを意味する。前記半固体状物質としては、例えばグリース等が挙げられ、前記グリースとしては、例えばシリコーン系グリース、フッ素系グリース等が挙げられ、これらはブレンドして用いてもよい。
【００１７】
特に本実施形態では、耐熱性に優れる上で、介在層２がシリコーン系グリースから成るのが好ましい。すなわち、金属箔１１上に絶縁層と導体層とを交互に複数積層する際には、所定の熱が介在層２に加わるが、介在層２が耐熱性に優れるシリコーン系グリースから成ると、前記所定の熱で介在層２が液状化するのを抑制することができる。
【００１８】
また、介在層２は半固体状の薄層であるのが好ましく、具体的な厚みとしては、例えば１０〜２００μｍであるのが好ましい。これにより、この介在層２を介して被着する金属箔１１の安定性および固定性を向上させることができ、その結果、該金属箔１１上に絶縁層と導体層とを交互に複数積層する際の作業性を向上させることができる。これに対し、介在層２の厚みが１０μｍより薄いと、介在層２を介在させることによる効果（すなわち前記境界層としての機能）が得られないおそれがあり、２００μｍより厚いと、金属箔１１の安定性が低下するおそれがある。
【００１９】
上記のような介在層２は、２１０℃以下の温度で液状化しないものが好ましい。これは、２１０℃以下の温度で液状化すると、後述するように金属箔１１上に第１の絶縁層２１等を形成する際に加えられる熱により介在層２が液状化して、そのため金属箔１１や絶縁層２１等に変形が起こる危険性があるからである。
【００２０】
また、介在層２は２５℃におけるＪＩＳ  Ｋ  ２２２０に規定のちょう度番号が２号以上、好ましくは２号〜４号であるのがよい。これにより、介在層２を封止部材３で確実に気密に封止することができる。これに対し、２５℃におけるＪＩＳ  Ｋ  ２２２０に規定のちょう度番号が２号未満であると、介在層２の封止密閉時に介在層２が液状化して介在層２を封止できない危険性がある。
【００２１】
金属箔１１は例えば銅箔等から成り、該金属箔１１の厚みとしては、例えば５〜５０μｍ程度が挙げられる。これにより、該金属箔１１をエッチング除去する際には、短時間でエッチング除去することができる。また、このような厚みの金属箔１１は、全てエッチング除去する必要はなく、所定パターンにエッチングし配線導体の一部として好適に利用することができる。これに対し、金属箔１１の厚みが５μｍより薄いと、金属箔１１の強度が低下し、この金属箔１１上に絶縁層と導体層とを交互に複数積層する際の作業性が低下するおそれがあり、５０μｍより厚いと、必要以上に厚くなりすぎるとともに、エッチング除去する際に要する時間が長くなるので好ましくない。
【００２２】
封止部材３は、金属箔１１を支持基板１上に固定するとともに、支持基板１と金属箔１１との間の介在層２を気密に封止するものである。この封止部材３は、熱硬化性樹脂を含むのが好ましい。これにより、下記で説明するように、前記熱硬化性樹脂を加熱硬化させて簡単に介在層２を気密に封止することができる。前記熱硬化性樹脂としては、例えばエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂、アリル変性ポリフェニレンエーテル樹脂等が挙げられる。
【００２３】
さらに、介在層２の厚みと、熱硬化後の封止部材３の厚みとが実質的に同じ厚みとなるように封止部材３を設けるのが好ましい。これにより、封止部材３および介在層２上に被着する金属箔１１の密着性を向上させて確実に固定することができる。このような厚みとなるように封止部材３を設けるには、例えば封止部材３を構成する前記熱硬化性樹脂の硬化前の厚みや、組成、加熱硬化させる際の温度条件等を調整すればよい。
【００２４】
ここで、前記した図１（ｂ）に示す支持基板１の主面に半固体状の介在層２を介して金属箔１１を被着するとともに、前記主面の外周部と金属箔１１との間に介在層２を気密に封止する封止部材３を設ける方法としては、例えば図２に示すような方法が挙げられる。すなわち支持基板１の主面外周部に半硬化状態の枠状の封止部材３を被着するとともに（図２（ａ’），（ｂ’）参照）、その内側領域における支持基板１の主面上に半固体状の介在層２をスクリーン印刷法等により所定の厚みに印刷し（図２（ｃ’）参照）、しかる後、封止部材３および介在層２上に金属箔１１を密着させるとともに加熱して、封止部材３を熱硬化させる（図２（ｄ’）参照）。これにより、金属箔１１、封止部材３および支持基板１によって囲まれた空間内に存在する空気と、介在層２中に残留する空気とが排出された状態で、封止部材３によって介在層２が気密に封止される。その結果、金属箔１１が高い密着力で介在層２および封止部材３上に固定されるので、安定した状態で金属箔１１上に絶縁層と導体層とを交互に複数積層することができる。
【００２５】
また、本発明にかかる封止部材３を設ける方法は、図２に示すような方法に限定されるものではなく、例えば支持基板１の主面の中央部に半固体状の介在層２をスクリーン印刷法等により所定の厚みに印刷するとともに、その外側領域に半硬化状態の封止部材３を被着させ、しかる後、封止部材３および介在層２上に金属箔１１を密着させるとともに加熱して封止部材３を熱硬化させてもよい。なお、金属箔１１、封止部材３および支持基板１によって囲まれた空間内に存在する空気と、介在層２中に残留する空気とを確実に排出する上で、例えば真空ラミネーター装置等を用いるのが好ましい。
【００２６】
半硬化状態の封止部材３を支持基板１の主面外周部に被着するには、未硬化状態の熱硬化性樹脂を含むペースト状の樹脂組成物をスクリーン印刷法により支持基板１の主面外周部に枠状に印刷するとともに印刷した樹脂組成物を半硬化させる方法や、半硬化状態の熱硬化性樹脂から成る枠状の樹脂フィルムを支持基板１の主面外周部に圧着する方法等が採用される。
【００２７】
上記のようにして封止部材３を設けた後、図３（ｃ）に示すように、金属箔（第１の導体層）１１上に層間絶縁用の第１の絶縁層２１を積層する。第１の絶縁層２１は、例えばエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂にシリカやタルク等の無機絶縁性フィラーを分散させた電気絶縁材料から成る。このような第１の絶縁層２１は、例えばエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂の未硬化物に無機絶縁性フィラーを分散させた混合物をペースト状としたものを金属箔１１上に塗布した後に熱硬化させることによって形成される。また、これに限定されるものではなく、例えば前記混合物をフィルム状としたものを金属箔１１上に貼着した後に熱硬化させることにより形成してもよい。なお、第１の絶縁層２１には、金属箔１１の一部を露出させるビア用の開口部Ｖを形成する。開口部Ｖは、例えばレーザ加工により形成する。あるいは第１の樹脂層２１用の混合物に感光性を持たせておき、それにフォトリソグラフィー技術を採用して露光・現像処理を施すこと等により形成することができるが、これらに限定されるものではない。
【００２８】
次に、図３（ｄ）に示すように、第１の絶縁層２１の表面および開口部Ｖ内に配線導体用の第２の導体層１２を所定のパターンに形成する。第２の導体層１２は、例えば無電解銅めっき膜および電解銅めっき膜等から成り、周知のセミアディティブ法によって形成するのが好ましい。セミアディティブ法は微細配線化に優れるので、薄型で高密度な配線基板を効率よく製造するのに好適である。具体的には、先ず、第１の絶縁層２１の表面を必要に応じて粗化し、次にその表面に無電解銅めっき膜を０．１〜２．０μｍ程度の厚みに被着させる。
【００２９】
次に前記無電解銅めっき膜の表面に第２の導体層１２に対応した開口部を有するめっきレジスト層を形成する。このめっきレジスト層は、感光性の樹脂フィルムを前記無電解銅めっき膜上に貼着するとともにその樹脂フィルムにフォトリソグラフィー技術を採用して露光・現像処理を施すことにより前記開口部を有するように形成される。次に、めっきレジスト層の開口部内に露出する前記無電解銅めっき膜上に電解銅めっき膜を５〜３０μｍ程度の厚みに被着させた後、めっきレジスト層を剥離する。最後に、前記無電解銅めっき膜および電解銅めっき膜の露出部を電解銅めっき膜間の無電解銅めっき膜が消失するまで全体的にエッチングして第２の導体層１２を形成する。
【００３０】
次に、図３（ｅ）に示すように、第１の絶縁層２１および第２の導体層１２の上に層間絶縁用の第２〜第４の絶縁層２２〜２４と配線導体用の第３〜第５の導体層１３〜１５とを順次交互に形成し、さらにその上にソルダーレジスト用の第５の絶縁層２５を形成して配線基板用の積層体１０を形成する。この積層体１０の厚みとしては１００〜５００μｍ程度であるのが好ましく、積層体１０の厚みがこの範囲となるように、各絶縁層２１〜２５および各導体層１２〜１５の厚みを調整するのがよい。これに対し、積層体１０の厚みが５００μｍを超えると、配線基板の全体厚みを薄くすることが困難となり、１００μｍより薄いと、積層体１０の強度が低下するので好ましくない。
【００３１】
層間絶縁用の第２〜第４の絶縁層２２〜２４は、第１の絶縁層２１と同様の電気絶縁材料から成り、第１の絶縁層２１と同様の方法により形成することができる。また、配線導体用の第３〜第５の導体層１３〜１５は、第２の導体層１２と同様の無電解銅めっき膜および電解銅めっき膜から成り、第２の導体層１２と同様のセミアディティブ法にて形成するのが好ましい。さらに、ソルダーレジスト用の第５の絶縁層２５は、例えばアクリル変性エポキシ樹脂にシリカやタルク等の無機物粉末フィラーを３０〜７０質量％程度分散させた電気絶縁材料から成り、アクリル変性エポキシ樹脂等の感光性樹脂と光重合開始剤等とから成る混合物にシリカやタルク等の無機絶縁性フィラーを含有させた感光性樹脂ペーストを、第４の絶縁層２４および第５の導体層１５の上にスクリーン印刷やロールコート法等により１０〜３０μｍ程度の厚みに塗布し、しかる後、フォトリソグラフィー技術を採用して所定のパターンに露光・現像した後、それを紫外線硬化および熱硬化させることにより形成するのが好ましい。
【００３２】
次に、図４（ｆ）に示すように、積層体１０における封止部材３の内側領域に位置する部分を切断して、積層体１０を封止部材３から切り離す。ここで、前記した通り、金属箔１１、封止部材３および支持基板１によって囲まれた空間内に存在する空気と、介在層２中に残留する空気とが排出された状態で、封止部材３によって介在層２が気密に封止されていたが、この切り離しと同時に、前記空間内、介在層２中に空気が流入し、これにより下記で説明する切り離した積層体１０を支持基板１から介在層２において分離する際には、介在層２が前記分離を容易とするための境界層として機能し、その結果、積層体１０を破損することなく、簡単に分離することができる。
【００３３】
前記切断の方法は、本発明の効果を妨げない範囲内で任意であり、例えばダイシング装置等を用いて切断すればよい。本実施形態では、積層体１０の切断位置に対応する支持基板１まで切断しているが、本発明はこれに限定されるものではない。すなわち、積層体１０を封止部材３から切り離せばよく、必ずしも支持基板１まで切断しなくてもよい。
【００３４】
次に、図４（ｇ）に示すように、切り離した積層体１０を支持基板１から介在層２において分離する。この分離の際には、前記した理由から介在層２が境界層として機能するので、積層体１０を破損することなく、簡単に分離することができる。なお、分離した積層体１０における金属箔１１には介在層２の一部が付着しているが、この介在層２は市販の洗浄液を用いて洗浄すればよい。
【００３５】
次に、図５（ｈ）に示すように、金属箔（第１の導体層）１１を所定のパターンにエッチングするエッチング工程を施して第１の絶縁層２１の表面に配線導体を形成する。金属箔１１を所定のパターンにエッチングするには、例えば配線導体に対応する形状のエッチングレジスト層を金属箔１１の表面に形成するとともに、そのエッチングレジスト層から露出した金属箔１１をエッチング除去すればよい。なお、前記エッチングレジスト層は、感光性の樹脂フィルムを金属箔１１上に貼着するとともにその樹脂フィルムにフォトリソグラフィー技術を採用して露光・現像処理を施すことにより前記配線導体に対応する形状に形成され、金属箔１１をエッチングした後に剥離する。
【００３６】
最後に、図５（ｉ）に示すように、エッチングされた金属箔１１および第１の絶縁層２１の表面にソルダーレジスト用の第６の絶縁層２６を形成して本実施形態にかかる配線基板２０を得る。このように本実施形態によれば、支持基板１上に直接積層体１０を形成するのではなく、まず介在層２を介して金属箔１１を被着するとともに、所定の封止部材３を設け、ついで前記金属箔１１上に絶縁層と導体層とを交互に複数積層して積層体１０を得るので、積層体１０における封止部材３の内側領域に位置する部分を切断すると、介在層２を積層体１０と支持基板１とを分離する際にその分離を容易とするための境界層として機能させることができ、その結果、積層体１０を支持基板１から短時間の間に容易に剥離することができる。しかも、金属箔１１は、所定パターンにエッチングして配線導体の一部として利用することができる。したがって、本実施形態によれば、薄型で高密度な配線基板２０を効率よく製造することが可能となる。なお、ソルダーレジスト用の第６の絶縁層２６は、第５の絶縁層２５と同様の材料から成り、第５の絶縁層２５と同様の方法によって形成される。
【００３７】
なお、前記した一実施形態では、支持基板１の一方の主面に配線基板用の積層体１０を形成した場合について説明したが、本発明にかかる他の実施形態として、例えば支持基板１の両方の主面に配線基板用の積層体１０を形成してもよい。図６は、本実施形態にかかる配線基板の製造方法を示す概略断面図であり、上記で説明した図４に相当する図である。なお、図６においては、前述した図１〜５と同一の構成部分には同一の符号を付して説明は省略する。
【００３８】
図６に示すように、本実施形態にかかる積層体１０を形成する工程は、まず、支持基板１の上下両面上に、それぞれ介在層２を介して金属箔１１を被着するとともに、前記主面の外周部と金属箔１１との間に介在層２を気密に封止する封止部材３を設ける。ついで、前記した一実施形態と同様にして、各金属箔１１上に絶縁層と導体層とを交互に複数積層して、配線基板用の積層体１０を形成する。これにより、支持基板１の一方の主面のみに積層体１０を形成する前記一実施形態よりも積層体１０を形成する効率を約２倍に高めることができる。
なお、その他の構成は、前記した一実施形態と同様であるので、説明を省略する。
【００３９】
かくして本発明の配線基板の製造方法によれば、薄型で高密度な配線基板を効率よく製造することができる。なお、本発明は、上述の実施の形態例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば、種々の変更が可能であることは言うまでもない。例えば、前記したいくつかの実施形態では、金属箔は、所定パターンにエッチングして配線導体の一部として利用する場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、必要に応じて該金属箔を全てエッチング除去してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】（ａ），（ｂ）は、本発明の一実施形態にかかる封止部材を設ける工程を示す概略断面図である。
【図２】（ａ’）〜（ｄ’）は、本発明の一実施形態にかかる封止部材を設ける工程を示す概略斜視図である。
【図３】（ｃ）〜（ｅ）は、本発明の一実施形態にかかる積層体を形成する工程を示す概略断面図である。
【図４】（ｆ），（ｇ）は、本発明の一実施形態にかかる積層体を封止部材から切り離す工程を示す概略断面図である。
【図５】（ｈ），（ｉ）は、本発明の一実施形態にかかる分離した積層体に更に加工を施して配線基板を製造する工程を示す概略断面図である。
【図６】（ａ），（ｂ）は、本発明の他の実施形態にかかる配線基板の製造方法を示す概略断面図である。
【図７】一般的なビルドアップ配線基板を示す概略断面図である。
【符号の説明】
【００４１】
１    支持基板
２    介在層
３    封止部材
１０    配線基板用の積層体
１１    金属箔
１２〜１５    導体層
２１〜２５    絶縁層
２０    配線基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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