(57)【要約】      （修正有）【課題】長尺の可撓性樹脂基板において、透明導電膜パターンのマスクパターニングの実現手段を提供することであり、可撓性樹脂基板において、透明導電膜パターン形成を連続的に行うことで、品質が高く、生産性が高いコストダウン可能な透明導電膜形成装置を提供することにある。また、これに用いるマスク部材、前記の形成装置により作製された有機ＥＬ用の透明導電膜樹脂基板を提供する。【解決手段】真空槽１内を連続して搬送される長尺の可撓性樹脂基板上に、透明導電膜を形成する透明導電膜の形成装置において、可撓性樹脂基板２の搬送中に、パターン形成用のマスク部材を可撓性樹脂基板に密着し同期して移動させながら、マスク部材Ｍとの密着区間にて薄膜形成手段を用いてパターン成膜を行う透明導電膜の形成装置。【選択図】図１
2008226689.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空槽内を連続して搬送される長尺の可撓性樹脂基板上に、透明導電膜を形成する透明導電膜の形成装置において、可撓性樹脂基板の搬送中に、パターン形成用のマスク部材を可撓性樹脂基板に密着し同期して移動させながら、マスク部材との密着区間にて薄膜形成手段を用いてパターン成膜を行うことを特徴とする透明導電膜の形成装置。
【請求項２】
前記薄膜形成手段がスパッタであることを特徴とする請求項１に記載の透明導電膜の形成装置。
【請求項３】
前記薄膜形成手段が圧力勾配型プラズマガンを使用する活性化反応蒸着法であることを特徴とする請求項１に記載の透明導電膜の形成装置。
【請求項４】
薄膜形成手段を有する真空槽内に設置される、真空槽内を回転するロール状の透明導電膜のマスク部材であって、前記マスク部材が、同じ真空槽内に設置される可撓性樹脂基板と同期して搬送されることにより、その一部に可撓性樹脂基板を密着させ、マスク部材と可撓性樹脂基板とが密着し同期して搬送される成膜区間において、前記薄膜形成手段により、マスク部材を介して可撓性樹脂基板がパターン成膜されることを特徴とする透明導電膜のマスク部材。
【請求項５】
薄膜形成手段を有する真空槽内に設置される、真空槽内を循環するベルト状の透明導電膜のマスク部材であって、前記マスク部材が、同じ真空槽内に設置される可撓性樹脂基板と同期して、搬送されることにより、その一部に可撓性樹脂基板を密着させ、前記マスク部材と前記可撓性樹脂基板とが密着し同期して搬送される成膜区間において、薄膜形成手段により、マスク部材を介して可撓性樹脂基板がパターン成膜されることを特徴とする透明導電膜のマスク部材。
【請求項６】
マスク部材が、マスク部材のパターン端部において、可撓性部材と密着しない形状を有することを特徴とする請求項４または５に記載のマスク部材。
【請求項７】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の透明導電膜の形成装置により作製されたことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子用透明導電膜樹脂基板。
【請求項８】
請求項７に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用透明導電膜樹脂基板を用い作製されたことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス面発光光源。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
可撓性樹脂基板上に形成された透明導電膜パターンの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
透明導電膜は透明電極として例えば液晶表示素子、有機ＥＬ素子、またプラズマディスプレイ等、種々の表示デバイスに用いられている。
これらのデバイスにおいては、基板上に透明導電膜を素子パターン様にパターニング形成して透明電極として用いている。
【０００３】
一般的に、ガラス基板上に透明導電膜をパターン形成する場合は以下の様な流れが主流である。
透明導電膜成膜（スパッタ）→レジスト塗布→露光現像→エッチング→レジスト剥離
上記工程においては、高細精、且つ複雑なパターン形成が可能であり、ガラス基板上のパターニングにおいては一般的に用いられている方法である。
【０００４】
近年、可撓性の基板上に例えば有機ＥＬ素子等の表示デバイスを形成し、フレキシブル性をもたせることで、ガラスの、重くまた割れやすいという欠点を回避した軽量なデバイスに対する要求がある。この為には可撓性の基板上に、出来れば連続的に透明導電膜（又そのパターン）を形成できれば、前記の工程の削減が可能となり、大幅なコストダウンが可能となる。
【０００５】
これまで、可撓性樹脂基板上に形成する透明導電膜は全面に形成するベタ形成が一般的であった（例えば、特許文献１、特許文献２参照）。
【０００６】
可撓性樹脂基板上のパターニングに関しても同様な工程を用いることが考えられるが、下記のような問題があり実用上難しいのが現状である。
【０００７】
例えば、工程が多数に亘り、連続シートでのパターニングは設備的にも大がかりなものとなる。更に、レジスト等を用いる場合、樹脂基板が薬液（酸、アルカリ）に弱いものは使用できない。
【０００８】
また、有機ＥＬ用途の場合、水分に弱く、パターニングに水処理を伴う方式では、樹脂基板の脱水処理が必要となる。更に、有機層は１００〜２００ｎｍ程度と非常に薄い為電極上の異物に対しショート、リーク、発光不良等の故障が発生し易くレジスト残渣の残留というリスクがある。
【０００９】
一方で液晶用カラーフィルター用途においては、マスク形成による透明導電膜形成例もあるが（例えば、特許文献３、特許文献４参照）、ガラス等の枚葉基板に限られるのが現状であり、可撓性の樹脂基板でのマスクパターニングに関しては知られていない。
【特許文献１】特開平９−１９５０３５号公報
【特許文献２】特開平８−３２５７３１号公報
【特許文献３】特開平９−１４３６７７号公報
【特許文献４】特開２００３−５７６７１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
従って、本発明の目的は、長尺の可撓性樹脂基板において、透明導電膜パターンのマスクパターニングの実現手段を提供することであり、可撓性樹脂基板において、透明導電膜パターン形成を連続的に行うことで、品質が高く、生産性が高いコストダウン可能な透明導電膜の形成装置を提供することにある。また、これに用いるマスク部材、前記の形成装置により作製された有機ＥＬ用透明導電膜樹脂基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の上記課題は以下の手段により達成される。
【００１２】
１．真空槽内を連続して搬送される長尺の可撓性樹脂基板上に、透明導電膜を形成する透明導電膜の形成装置において、可撓性樹脂基板の搬送中に、パターン形成用のマスク部材を可撓性樹脂基板に密着し同期して移動させながら、マスク部材との密着区間にて薄膜形成手段を用いてパターン成膜を行うことを特徴とする透明導電膜の形成装置。
【００１３】
２．前記薄膜形成手段がスパッタであることを特徴とする前記１に記載の透明導電膜の形成装置。
【００１４】
３．前記薄膜形成手段が圧力勾配型プラズマガンを使用する活性化反応蒸着法であることを特徴とする前記１に記載の透明導電膜の形成装置。
【００１５】
４．薄膜形成手段を有する真空槽内に設置される、真空槽内を回転するロール状の透明導電膜のマスク部材であって、前記マスク部材が、同じ真空槽内に設置される可撓性樹脂基板と同期して搬送されることにより、その一部に可撓性樹脂基板を密着させ、マスク部材と可撓性樹脂基板とが密着し同期して搬送される成膜区間において、前記薄膜形成手段により、マスク部材を介して可撓性樹脂基板がパターン成膜されることを特徴とする透明導電膜のマスク部材。
【００１６】
５．薄膜形成手段を有する真空槽内に設置される、真空槽内を循環するベルト状の透明導電膜のマスク部材であって、前記マスク部材が、同じ真空槽内に設置される可撓性樹脂基板と同期して、搬送されることにより、その一部に可撓性樹脂基板を密着させ、前記マスク部材と前記可撓性樹脂基板とが密着し同期して搬送される成膜区間において、薄膜形成手段により、マスク部材を介して可撓性樹脂基板がパターン成膜されることを特徴とする透明導電膜のマスク部材。
【００１７】
６．マスク部材が、マスク部材のパターン端部において、可撓性部材と密着しない形状を有することを特徴とする前記４または５に記載のマスク部材。
【００１８】
７．前記１〜３のいずれか１項に記載の透明導電膜の形成装置により作製されたことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子用透明導電膜樹脂基板。
【００１９】
８．前記７に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用透明導電膜樹脂基板を用い作製されたことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス面発光光源。
【発明の効果】
【００２０】
フォトリソ工程がないので、付帯設備や薬液がなく、大幅なコストダウンが図れ、レジスト残り等の残渣の除去や入念な水分の脱水工程を必要としないので、微細な異物や水分に弱い有機ＥＬ発光デバイスに適した透明導電膜樹脂基板が得られる。特に、圧力勾配型プラズマガンを使用する活性化反応蒸着法により透明導電膜を形成した場合、平滑性が高く低抵抗な有機ＥＬ発光デバイスに好適な透明導電膜樹脂基板が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下に本発明を実施するための最良の形態について詳細に説明する。
【００２２】
本発明は、真空槽内を連続して搬送される長尺の可撓性樹脂基板上に、透明導電膜を形成する透明導電膜の形成装置において、可撓性樹脂基板の搬送中にて、パターン形成用のマスク部材を可撓性樹脂基板に密着し同期して移動させながら、マスク部材との密着区間にて薄膜形成手段を用いて可撓性樹脂基板上に透明導電膜のパターン成膜を行うものである。
【００２３】
長尺の可撓性樹脂基板とは具体的にはロール状の樹脂フィルムで、本発明はロール状の樹脂フィルムを用いて、これを巻き出し、その上に、透明導電膜をパターニングしつつ連続的に形成するものである。
【００２４】
従って、例えば、有機ＥＬデバイスに必要となる透明導電膜パターンを、多数、連続して或いは並置して、繰り返し可撓性樹脂基板上に連続してパターニング形成する。これらのパターニングされた個々の透明導電膜パターンは、それぞれ、有機ＥＬデバイスの透明電極（陽極）として、その上に有機層、陰極等を積層し有機ＥＬ素子としたのち、可撓性基板上に複数、連続して形成された各素子を断裁し、有機ＥＬデバイスとする。なお、透明導電膜パターンが形成された可撓性樹脂基板を裁断したのち有機ＥＬデバイスを作製してもよい。
【００２５】
本発明において、樹脂フィルムロールから巻き出され搬送される可撓性樹脂基板に密着し、これと同期して移動するパターン形成用のマスク部材は、真空槽内を循環して移動するロール状の部材、或いはベルト状の部材である。
【００２６】
循環するこれらのマスク部材が可撓性樹脂基板と密着し同期して搬送される区間において、マスクの開口部を介して、薄膜形成手段により透明導電膜が成膜される。マスク部材はロール或いは循環するベルト状であるため、所定の透明導電膜パターンが繰り返し可撓性樹脂基板上に形成される。
【００２７】
本発明においては、薄膜形成手段としては、特に限定はなく、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法などを用いることができる。中でも、所定の真空条件で透明導電膜即ち金属酸化物膜を効率よく形成できるスパッタリング、またイオンプレーティング、中でも圧力勾配型プラズマガンを使用する活性化反応蒸着法（以降、プラズマイオンプレーティングと記載する）が好ましく、本発明においては、特に、低温であり、イオンダメージが少なく形成される透明導電膜の表面性が良いため有機ＥＬデバイスに適しているプラズマイオンプレーティングが好ましい。
【００２８】
以下、本発明を、好ましい実施の形態を示し説明する。
【００２９】
（好ましい実施の形態）
図１に、スパッタを薄膜形成手段に用いた本発明の透明導電膜形成装置の１例を概略図で示す。
【００３０】
真空槽１中にあらかじめ脱ガスされた可撓性樹脂基板（樹脂フィルム）２のロールが配置されており、アンワインダー（ＵＷ）〜ワインダー（Ｗ）間を搬送される。真空槽１中は例えば、１０-4Ｐａ台の高真空度にして、これに例えば、不活性ガス（Ａｒ）を導入して、チャンバーの真空度を数Ｐａに維持する。
【００３１】
アンワインダー（ＵＷ）から巻き出された該樹脂フィルム２は中空のロール状のマスク部材Ｍに所定位置で密着され、マスク部材Ｍの回転と共に移動、搬送され、マスク部材が密着する所定の成膜区間を搬送されて樹脂フィルム２は成膜を受ける。成膜後、再びマスク部材から離れ、ワインダー（Ｗ）に巻き取られる。
【００３２】
マスク部材Ｍは、図１に示すように樹脂フィルムの支持ロールとしての役割ももつ中空の金属（例えばステンレス）の中空のロールであり透明導電膜パターンを形成する開口部をその表面に有している。
【００３３】
可撓性樹脂基板（樹脂フィルム）２と支持ロールを兼ねたマスク部材Ｍが密着して搬送される成膜区間においてこの開口部を通して、マスク部材Ｍの内部に設置された薄膜形成手段により、マスクを介して樹脂フィルム２にスパッタにより、成膜するものである。支持部材としてのマスク部材の回転と共に、樹脂フィルム基材が搬送され、搬送速度に応じて、透明導電膜がパターニング形成される。
【００３４】
図１においては、薄膜形成手段としてマグネトロンスパッタ装置を用いている。
【００３５】
スパッタは、全体を真空状態にして、試料とターゲット間に電圧をかけ、高速の電子やイオンを発生させ、ターゲットに衝突したイオンがターゲットの粒子をはじき飛ばす（スパッタリング現象）ことで、はじき飛ばされた原材料の粒子が試料に衝突、付着し、膜が形成されるもので、真空槽１を、排気口（これも省略）に接続された図示しない真空ポンプにより槽内を減圧状態にして、ターゲット３と接続されたカソード（陰極）を介して電圧が印加され、スパッタガスが導入されると、所定のガス圧の環境下において、ターゲットの近傍空間にプラズマが発生してスパッタリングが行われる。ターゲット３としては、スパッタターゲット用の例えばＩＴＯ材料を用い、スパッタガスとしてアルゴン、酸素を用い形成する。マグネット４は、所定の磁界を発生する磁界発生手段であり、プラズマ発生空間で所定の磁界を発生する位置に配置すればよいが、図では、スパッタリングが行われるターゲット材料近くに配置され、電子は磁界（磁力線）に沿って運動するので、プラズマが電子の周りに発生し、プラズマをターゲット付近に封じ込めスパッタ速度があげることができる。ターゲットに電圧を印加する電源は材料の導電性により直流、或いは直流バイアスを印加させた交流を用いる。
【００３６】
成膜区間において、樹脂フィルムの支持ロールを兼ねるマスク部材Ｍと密着して搬送された樹脂フィルム２は、透明導電膜（ＩＴＯ膜）が、マスク部材を介したスパッタによりパターン成膜され、成膜された樹脂フィルムは真空槽１内にあるワインダーＷに順次に巻き取られる。一方、ロール状のマスク部材Ｍはロール断面中心を回転軸として基材フィルムの搬送と同期して回転しており、回転することで再度未成膜の樹脂フィルムと密着され、再度樹脂フィルム上に透明導電膜パターンを成膜する。ロール状のマスク部材を用いることでこの工程を繰り返し、連続して長尺の可撓性樹脂基板（ロールフィルム）上に透明導電膜のパターニング形成を行うことができる。
【００３７】
また、図１に本発明で用いられるロール状のマスク部材の例を示した。例えば円筒状の金属の支持ロールであって、円筒面に、形成される透明導電膜パターンに対応する所定の形状の開口部をもち、樹脂フィルムを支持ロールとして密着搬送すしつつ、マスク部材として、その内部に薄膜形成手段を備え使用される。金属（例えばステンレス）等の、腐食や、変形のない平滑な面をもつ材料で作製される。
【００３８】
次いで、図２に、薄膜形成手段にプラズマイオンプレーティングを用いた本発明の透明導電膜の形成装置の例を同じく概略図で示す。
【００３９】
図２においては、真空槽１中に可撓性樹脂基板（樹脂フィルム）２のロールが配置されており、アンワインダー（ＵＷ）から巻き出された該樹脂フィルム２は、支持ロール１１上に略円弧状に支持、密着、搬送され、ワインダー（Ｗ）に巻き取られる。真空槽１中において、アンワインダー（ＵＷ）から巻き出された可撓性樹脂基板２は、１１上で、マスク部材が密着されてマスク部材とともに搬送される。樹脂フィルムに密着されるマスク部材は、所定の開口部をもつ、例えばステンレス等の金属ベルトからなる循環して移送されるエンドレスベルトである。このベルト状マスク部材は、可撓性樹脂基板２のワインダーＷ、アンワインダーＵＷと連動して駆動される駆動ロール２１により複数のガイドロールに懸架されて樹脂フィルムと同期した速度で、循環、移送される。マスク部材は張力によって樹脂フィルム２に支持ロール１１上で密着し、マスク部材と樹脂フィルムが密着搬送される区間において、薄膜形成手段はマスク部材を介して樹脂フィルム上に透明導電膜パターンを成膜する。
【００４０】
前記各ロールは温度制御が可能に構成されていて、各々任意の温度に調整可能である。
【００４１】
支持ロール１１は、例えば、液体循環式による温度制御がされる（非図示）。支持ロール１１の温度を検出する温度センサーの設定温度情報を基に温度制御手段（非図示）により温調される。これらにより、成膜途中でのＩＴＯの結晶性を変えることが可能となり、抵抗値、表面粗さを変化させることが可能となる。また、成膜エネルギーにより経時で上昇する樹脂フィルム基板表面の温度上昇を抑える事が可能となる。
【００４２】
また支持ロール１１は駆動手段（不図示）と接続され、任意の設定された搬送速度で駆動、搬送される。
【００４３】
樹脂フィルムは透明導電膜をパターン成膜された後、支持ロールの回転と共に再びマスク部材から分離されワインダーに巻き取られる。また、マスク部材も支持ロールの回転と共に樹脂フィルムから分離され、これは再度循環して、マスク部材として連続使用される。
【００４４】
図２においては薄膜形成装置は、プラズマイオンプレーティング法による。
【００４５】
即ち、支持ロール１１上において、マスク材が密着して搬送される間に、支持ロールの図で下方に備えられたプラズマイオンプレーティング装置によってマスクを通して樹脂フィルム上に、透明導電膜がパターン成膜される。
【００４６】
薄膜形成装置は、真空槽１の底部に配置したるつぼ５と、側壁に取り付けられた圧力勾配型プラズマガン６によって構成されている。圧力勾配型プラズマガンはマイナスの電源に接続されている。また図示されていないが、るつぼと近傍にはマスフローコントローラを介して反応ガス供給装置に接続されている。また、真空槽は真空排気装置に接続され、所定の真空度に維持されるようになっている。圧力勾配型プラズマガン６は、圧力勾配型ホロカソードプラズマガンで、放電ガス（Ａｒガス）の導入によりその複合陰極から熱電子が放出され、プラズマビームＰが発生する。圧力勾配型プラズマガン６内部の圧力を真空槽１内の蒸着室より高くし、圧力勾配を持たせることで酸素ガス等の反応ガスからの劣化を抑えられる構造となっている。プラズマビームＰは、これを収束するための環状永久磁石や収束コイルを内蔵した電極、ステアリングコイル等で制御され、るつぼ５へ照射される。
【００４７】
プラズマビームＰによる加熱で蒸発した原材料や導入ガスは、このプラズマ内でイオン化され樹脂フィルム上にマスク材を介して成膜される。
【００４８】
成膜は、るつぼ５に蒸発材料、本発明に係わる、例えばＩＴＯ膜の場合にはＩｎ／Ｓｎ酸化物（または、Ｉｎ／Ｓｎ金属）を充填して行われる。連続搬送する樹脂フィルム２に成膜する際には蒸発材料供給手段（不図示）により蒸発量に見合う量の蒸発材料がるつぼ４に供給される。
【００４９】
真空槽１は、ターボ分子ポンプ等の真空ポンプ（不図示）と接続されており、ガス導入前は高真空が保たれる。真空槽１の内部の圧力は、電離真空計、ピラニ真空計等のセンサー（不図示）でモニターされ、成膜時の圧力は真空槽１の側面のポートからの導入ガスによりコントロールされる。
【００５０】
図２に同じく循環するベルト状のマスク材の１例を示した。
【００５１】
切り出される有機ＥＬパネルの陽極及び陽極配線パターンに対応した開口部を連続して複数、繰り返しもつ金属（ステンレスが好ましい）のベルトである。
【００５２】
図２のベルト状マスク部材はスパッタ方式でも用いることができ、図３は同じベルト状のマスク部材を用いたスパッタによる透明導電膜形成装置の別の例である。真空槽１下部の薄膜形成手段に、スパッタを用い、同様に、可撓性樹脂フィルム基板にマスク材を介し連続して成膜が可能である。
【００５３】
以上、透明導電膜のマスク部材によるパターニングにおいては、マスク部材が、マスク部材のパターン端部において、可撓性部材と密着しない形状を有することが好ましい。
【００５４】
即ち、マスク端部において可撓性部材と密着せず、クリアランスをもたせることが好ましい。
【００５５】
マスクパターンの端部においては成膜後にエッジが立つ可能性や、これにより欠けが発生する可能性があり、マスクパターン端部エッジの回避のため図４に示すようにマスクパターン端部エッジにおいてクリアランス（ｃ）をもたせることが好ましい。これによりエッジ部をややぼかして、エッジ部の欠けや、それによる異物等の発生を防止する。マスク端部において、クリアランス、奥行き共に５０〜２００μｍ程度の値であることが好ましい。その形状は段差、テーパ（面取り形状）、Ｒ形状等の形状が用いることが可能である。
【００５６】
図４（１）は、マスク端部にクリアランスがない場合の成膜の様子を示す模式図であり、図４（２）はそれに対しクリアランスを設けた場合の成膜の様子である。エッジが立たないので、欠け等の発生がない。
【００５７】
このように、本発明により、可撓性樹脂基板をロールツウロールで連続的に透明導電膜パターン形成を行うことができる。また、フォトリソグラフィー方式でのパターニングによらず可動式のマスクにより連続的にパターニングしながら成膜を行うことができる。また、透明導電膜の形成を、スパッタ、好ましくはプラズマイオンプレーティングで行うことからイオンダメージが少なく、表面性がよいため、有機ＥＬ素子基板として用いる場合に適している。特に有機ＥＬ用途としての照明や面発光素子に用いるパターン作製に有用である。
【００５８】
以下、図２に示したプラズマイオンプレーティングを用いた透明導電膜のパターン成膜の好ましい実施形態について示す。
【００５９】
図２に示す装置を用いて透明導電膜としてＩＴＯを樹脂フィルム基板にパターン成膜した。
（１）樹脂フィルムは、防湿層としてＳｉＮｘからなる機能層を少なくとも有している幅３００ｍｍ、厚さ２００μｍのＰＥＳ（ポリエーテルサルホン）を用いた。
（２）また、成膜（蒸発）材料としては、Ｉｎ2Ｏ3にＳｎＯ2を５質量％ドープしたＩＴＯペレット材料を使用した。
【００６０】
なお、透明導電膜材料はＳｎドープＩｎ2Ｏ3のＩＴＯ以外にＺｎＯや、ドープ材を加えた、例えばＧＺＯ、ＩＺＯ、ＡＺＯ等がスパッタ、プラズマイオンプレーティングでの成膜方式の適性にあわせ使用可能である。
（３）樹脂フィルムと同期して循環されるエンドレスのベルト状マスク部材として、図２に示した透明電極に対応する１００ｍｍ×１００ｍｍの開口部の繰り返しパターンを有する樹脂フィルムと同じ幅のステンレスのベルト（厚み０．１ｍｍ）を用いた。また、ステンレスベルトは樹脂フィルム基材にマスク端部においてクリアランスもたせた（図４で、ｃ＝５０μｍ）。
（４）真空槽内に装着した樹脂フィルム基板のロールは、フィルムに含有する水分、ガスの除去を行うため、真空槽の圧力が１．５×１０-4Ｐａになるまで減圧を行った。
（５）圧力勾配型プラズマガンに１５ｓｃｃｍ（ｓｃｃｍ：ｓｔａｎｄａｒｄ  ｍｌ／ｍｉｎ（１×１０-6ｍ3／ｍｉｎ））のＡｒガスを流し、Ｏ2ガスを２０ｓｃｃｍ流し、更に真空槽内圧力を０．１５ＰａになるようにＡｒガスを１０〜２０ｓｃｃｍ流した。
（６）圧力勾配型プラズマガンの出力を４ｋｗになるまで徐々に電力を加え、プラズマビームを発生させペレット材料に照射し材料を蒸発させた。
（７）放電が安定した後、樹脂フィルム基板を搬送させ、搬送速度１．９６ｍ／ｍｉｎに安定したところでシャッター（図示されていない）を開け成膜を開始した。この時の成膜レートは、２．５ｎｍ／ｓｅｃで、ＩＴＯの膜厚は１２０ｎｍ。
【００６１】
上記の成膜条件において、支持ロールの温度を１００℃の温度条件で、連続して成膜を実施した。防湿層としてＳｉＮｘ層を有するＰＥＳ（ポリエーテルサルホン）のロールフィルムを３０ｍ連続パターニング成膜を行った。
【００６２】
比抵抗は、抵抗率測定器ロレスタＧＰ（三菱化学社製）で測定したところ、得られたＩＴＯ膜は、比抵抗３．５×１０-4Ωｃｍ以上であった。
【００６３】
このようにして得られた、バリア膜、また透明導電膜（ＩＴＯ膜）を有する樹脂フィルム上に、例えば、有機ＥＬ各層を形成し陰極を形成して、有機ＥＬ素子が得られる。
【００６４】
例えば、この上に有機ＥＬ素子材料であるα−ＮＰＤを正孔輸送層として５００Åの厚さの蒸着層を形成、Ａｌｑ3を６００Åの厚さで蒸着して発光層を、更に、アルミニウム（陰極）を２０００Åの膜厚になるように蒸着形成する。露出させたＩＴＯ膜（陽極）とアルミニウム（陰極）に電圧を与え通電すると発光が確認される。
【００６５】
【化１】
2008226689.tif 000003
【００６６】
このように、本発明の透明導電膜の形成装置を用いて透明導電膜をパターン形成した樹脂フィルムはこれを基板として、透明導電膜上に別途、有機ＥＬを構成する各有機層、陰極を形成し、所定パターンに切断すれば有機ＥＬパネルが形成される。
【００６７】
有機ＥＬ各層の構成は、上記に限らず、また、陽極／発光層／電子輸送層／陰極からなるもの、また、陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極からなるもの等種々の公知の構成でよい。また、発光層も、蛍光発光タイプのほか、ホスト化合物とリン光ドーパント化合物が含有されるリン光発光タイプもあり上記に限定されない。
【００６８】
有機ＥＬ素パネルはディスプレイ等の表示デバイスに加えて各種の照明装置として、また面発光光源や液晶表示装置のバックライト等に有用に用いられる。
【図面の簡単な説明】
【００６９】
【図１】スパッタを薄膜形成手段に用いた透明導電膜形成装置の１例を示す概略図である。
【図２】プラズマイオンプレーティングを薄膜形成手段に用いた透明導電膜の形成装置の例を示す概略図である。
【図３】透明導電膜形成装置の別の例を示す概略図である。
【図４】成膜の様子を示す模式図である。
【符号の説明】
【００７０】
１  真空槽
２  可撓性樹脂基板
３  ターゲット
４  マグネット
５  るつぼ
６  圧力勾配型プラズマガン
Ｍ  マスク部材
【図１】
2008226689.tif 000004
【図２】
2008226689.tif 000005
【図３】
2008226689.tif 000006
【図４】
2008226689.tif 000007