(57)【要約】【課題】化合物半導体ウエハの表裏面を迅速かつ正確に判別することのできる化合物半導体ウエハ表裏面の検査方法および検査装置を提供する。【解決手段】表面および裏面の両方にメサが形成された化合物半導体ウエハ表裏面の検査方法である。まず、化合物半導体ウエハ１の表面および裏面におけるメサ４ａの延びる方向に対して−４５°を超えて４５°未満の方向に、第１の光１２ａをそれぞれ照射する。そして、化合物半導体ウエハ１の表面および裏面におけるメサ４ａの延びる方向と垂直の方向に対して−４５°を超えて４５°未満の方向に第２の光１３ａをそれぞれ照射する。そして、化合物半導体ウエハ１の表面および裏面に形成されたメサ４ａの形状を反映した反射光を受光して、反射光量値をそれぞれ測定する。そして、反射光量値に基づいて、化合物半導体ウエハ１の表面および裏面を判断する。【選択図】図１
2008130831.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面および裏面の両方にメサが形成された化合物半導体ウエハ表裏面の検査方法であって、
前記化合物半導体ウエハの表面および裏面における前記メサの延びる方向に対して−４５°を超えて４５°未満の方向に、第１の光をそれぞれ照射する第１照射工程と、
前記化合物半導体ウエハの表面および裏面における前記メサの延びる方向と垂直の方向に対して−４５°を超えて４５°未満の方向に第２の光をそれぞれ照射する第２照射工程と、
前記化合物半導体ウエハの表面および裏面に形成された前記メサの形状を反映した反射光を受光して、反射光量値をそれぞれ測定する測定工程と、
前記反射光量値に基づいて、前記化合物半導体ウエハの表面および裏面を判断する判断工程とを備える、化合物半導体ウエハ表裏面の検査方法。
【請求項２】
前記第１照射工程では、前記化合物半導体ウエハの表面および裏面における前記メサの延びる方向に対して−３０°以上３０°以下の方向に第１の光をそれぞれ照射し、
前記第２照射工程では、前記化合物半導体ウエハの表面および裏面における前記メサの延びる方向と垂直の方向に対して−３０°以上３０°以下の方向に第２の光をそれぞれ照射する、請求項１に記載の化合物半導体ウエハ表裏面の検査方法。
【請求項３】
前記化合物半導体ウエハの表面および裏面は、｛１００｝面に対して６°以下傾斜している、請求項１または２に記載の化合物半導体ウエハ表裏面の検査方法。
【請求項４】
前記第１照射工程および前記第２照射工程に先立って、前記化合物半導体ウエハを薬液処理する工程をさらに備える、請求項１〜３のいずれかに記載の化合物半導体ウエハ表裏面の検査方法。
【請求項５】
前記判断工程後に、オリエンテーションフラットおよびインデックスフラットを前記化合物半導体ウエハに形成する形成工程をさらに備える、請求項１〜４のいずれかに記載の化合物半導体ウエハ表裏面の検査方法。
【請求項６】
表面および裏面の両方にメサが形成された化合物半導体ウエハ表裏面の検査装置であって、
前記化合物半導体ウエハを載置するための載置面を含むウエハ保持体と、
前記化合物半導体ウエハの表面および裏面における前記メサの延びる方向に対して−４５°を超えて４５°未満の方向に、第１の光を照射するための第１照射装置と、
前記化合物半導体ウエハの表面および裏面における前記メサの延びる方向と垂直の方向に対して−４５°を超えて４５°未満の方向に第２の光を照射するための第２照射装置と、
前記化合物半導体ウエハの表面および裏面に形成された前記メサの形状を反映した反射光を受光して、反射光量値を測定するための測定装置とを備える、化合物半導体ウエハ表裏面の検査装置。
【請求項７】
前記第１照射装置は、前記化合物半導体ウエハの表面および裏面における前記メサの延びる方向に対して−３０°以上３０°以下の方向に、第１の光を照射し、
前記第２照射装置は、前記化合物半導体ウエハの表面および裏面における前記メサの延びる方向と垂直の方向に対して−３０°以上３０°以下の方向に第２の光を照射する、請求項６に記載の化合物半導体ウエハ表裏面の検査装置。
【請求項８】
前記ウエハ保持体は、前記載置面の角度および方向を調節できる、請求項６または７に記載の化合物半導体ウエハ表裏面の検査装置。
【請求項９】
前記第１照射装置から照射される前記第１の光および前記第２照射装置から照射される前記第２の光は、可視光レーザである、請求項６〜８のいずれかに記載の化合物半導体ウエハ表裏面の検査装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、化合物半導体ウエハ表裏面の検査方法および化合物半導体ウエハの表裏面の検査装置に関し、たとえば表面および裏面の両方にメサが形成された化合物半導体ウエハ表裏面の検査方法および化合物半導体ウエハの表裏面の検査装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＬＳＩ（Large  scale  integrated  circuit）などの半導体チップを製造する各プロセスにおいて、ウエハに様々な処理を施す際には、その表裏面を完全な信頼度で判別しなければならない。通常、ウエハの表裏面は以下の方法により判別されている。すなわち、インゴットから切り出したウエハの表裏面に薬液処理（エッチング）を施した後で、ウエハの外径加工時に、ＯＦ（オリエンテーションフラット）およびＩＦ（インデックスフラット）と呼ばれる直線部分をウエハの端部に形成する。ＯＦは、ウエハの表面から見た場合にたとえば１２時の位置に形成され、ＩＦは、たとえば３時の位置に形成される。そして、その後の製造工程においては、ＯＦおよびＩＦの位置によってウエハの表裏面が判別されている。
【０００３】
しかしながら、ＯＦおよびＩＦを誤った位置に形成してしまい、これによってウエハの表裏面が誤って判別され、表裏面が逆になった状態で最終工程までウエハの処理工程（たとえばウエハの研磨工程など）が進み、不良品のウエハが製造されることがあった。
【０００４】
ここで、ウエハの表面と裏面とでは表面のメサの状態が異なっている。そこで、ウエハの外径加工前にメサの状態を顕微鏡で観察し、ウエハ表裏面を確認しておくことで、ＯＦおよびＩＦが誤った位置に形成されることを防止する方法も考えられる。しかしながら、ウエハの外径加工前にメサの状態を顕微鏡で観察する方法では、ウエハ一枚一枚について表面または裏面を顕微鏡で観察する必要があり、ウエハの表裏面の判別に時間がかかるという問題があった。
【０００５】
また、たとえば特開昭６３−１１０６５１号公報（特許文献１）には、エッチング、鏡面研磨、洗浄処理、および酸化膜形成などの処理が表面のみ施されており、裏面には施されていないウエハについて、レーザ光の反射率の違いを利用した表裏判別方法が開示されている。具体的には、ウエハに対してレーザ光を照射し、ウエハ表面または裏面からの反射光（散乱光）強度に対応する電気信号を処理して、表面または裏面からの反射光強度に夫々対応する処理値を求める。そして、この処理値の差異に基づいてウエハの表裏面を決定している。
【０００６】
また、特開２００６−１５６８９５号公報（特許文献２）にウエハ表裏面の検査方法および検査装置が開示されている。具体的には、ウエハの表面および裏面の少なくとも一方に光を照射して、反射する光の光量値が表面と裏面とで異なる特性を利用して、反射光の光量値に閾値を設けて、表面と裏面との判別を行なっている。
【特許文献１】特開昭６３−１１０６５１号公報
【特許文献２】特開２００６−１５６８９５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、ウエハの外径加工前にメサの状態を顕微鏡で観察する方法では、ウエハ一枚一枚について表面または裏面を顕微鏡で観察する必要があり、ウエハの表裏面の判別に時間がかかるという問題があった。
【０００８】
また、上記特許文献１に開示の方法では、エッチングなどの条件により変化するウエハの表面状態によって、反射光の光量値が変わるため、製品ロット毎に閾値が変わってしまう。そのため、ウエハの表面と裏面とを判別するための閾値を変える必要があった。よって、ウエハの表裏面の判別に時間がかかるという問題がある。また、ＯＦおよびＩＦを形成する直前のウエハには、表面と裏面とで同様の処理が施されているため、ウエハの表面の反射光強度とウエハの裏面の反射光強度との間に差異は生じず、ＯＦおよびＩＦを誤った位置に形成するおそれが依然としてあった。よって、ウエハの表裏面が誤って判別されるという問題があった。
【０００９】
また、上記特許文献２に開示の方法および装置では、ウエハ表面の結晶状態によっては、反射光の形状の判別が難しい場合が生じる。よって、ウエハの表裏面の判別の正確性に未だ改善の余地がある。
【００１０】
したがって、本発明の目的は、化合物半導体ウエハの表裏面を迅速かつ正確に判別することのできる化合物半導体ウエハ表裏面の検査方法および化合物半導体ウエハ表裏面の検査装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の化合物半導体ウエハ表裏面の検査方法は、表面および裏面の両方にメサが形成された化合物半導体ウエハ表裏面の検査方法であって、第１照射工程と、第２照射工程と、測定工程と、判断工程とを備えている。第１照射工程は、化合物半導体ウエハの表面および裏面におけるメサの延びる方向に対して−４５°を超えて４５°未満の方向に、第１の光をそれぞれ照射する。第２照射工程は、化合物半導体ウエハの表面および裏面におけるメサの延びる方向と垂直の方向に対して−４５°を超えて４５°未満の方向に第２の光をそれぞれ照射する。測定工程は、化合物半導体ウエハの表面および裏面に形成されたメサの形状を反映した反射光を受光して、反射光量値をそれぞれ測定する。判断工程は、反射光量値に基づいて、化合物半導体ウエハの表面および裏面を判断する。
【００１２】
本願発明者が化合物半導体ウエハの表面と裏面とでは表面のメサの状態が異なっていることに着目して鋭意研究した結果、どのような表面状態の化合物半導体ウエハにおいても、第１の光の反射光量値と第２の光の反射光量値との大小関係が表面と裏面とでは逆転することを見出した。すなわち、判断工程で、第１の光による反射光量値が第２の光による反射光量値よりも大きい面を表面とし、第２の光による反射光値が第１の光による反射光量値よりも大きい面を裏面と判断できる。そのため、製品ロット毎に閾値を調整するなどの工程を要しないので、化合物半導体ウエハの表裏面を迅速かつ正確に判別することができる。
【００１３】
また、化合物半導体ウエハの表裏面の結晶状態によらず、少なくとも一方の面における第１の反射光の反射光量値と第２の反射光の反射光量値との差が明確である。よって、化合物半導体ウエハの表面の状態に依存せずに、化合物半導体ウエハの表裏面を正確に判断できる。
【００１４】
上記化合物半導体ウエハ表裏面の検査方法において好ましくは、第１照射工程では、化合物半導体ウエハの表面および裏面におけるメサの延びる方向に対して−３０°以上３０°以下の方向に第１の光をそれぞれ照射する。また、第２照射工程では、化合物半導体ウエハの表面および裏面におけるメサの延びる方向と垂直の方向に対して−３０°以上３０°以下の方向に第２の光をそれぞれ照射する。
【００１５】
これにより、第１および第２の光による反射光量値の差が大きくなる。そのため、化合物半導体ウエハの表裏面をより正確に判断できる。
【００１６】
上記化合物半導体ウエハ表裏面の検査方法において好ましくは、化合物半導体ウエハの表面および裏面は、｛１００｝面に対して６°以下傾斜している。
【００１７】
これにより、表面および裏面のメサが明確に現れやすいので、化合物半導体ウエハの表裏面をより正確に判断できる。
【００１８】
上記化合物半導体ウエハ表裏面の検査方法において好ましくは、第１照射工程および第２照射工程に先立って、化合物半導体ウエハを薬液処理する工程をさらに備えている。
【００１９】
これにより、化合物半導体ウエハの表面および裏面にそれぞれ特有の形状を持ったメサを形成することができる。
【００２０】
上記化合物半導体ウエハ表裏面の検査方法において好ましくは、判断工程後に、オリエンテーションフラット（ＯＦ）およびインデックスフラット（ＩＦ）を化合物半導体ウエハに形成する形成工程をさらに備えている。
【００２１】
これにより、化合物半導体ウエハの表裏面を正確に判別した後にＯＦおよびＩＦを形成することができる。したがって、その後の工程において、ＯＦおよびＩＦの位置を手がかりにして化合物半導体ウエハの表裏面を容易かつ正確に判別することができる。
【００２２】
本発明の化合物半導体ウエハ表裏面の検査装置は、表面および裏面の両方にメサが形成された化合物半導体ウエハ表裏面の検査装置であって、ウエハ保持体と、第１照射装置と、第２照射装置と、測定装置とを備えている。ウエハ保持体は、化合物半導体ウエハを載置するための載置面を含んでいる。第１照射装置は、化合物半導体ウエハの表面および裏面におけるメサの延びる方向に対して−４５°を超えて４５°未満の方向に、第１の光を照射する。第２照射装置は、化合物半導体ウエハの表面および裏面におけるメサの延びる方向と垂直の方向に対して−４５°を超えて４５°未満の方向に第２の光を照射する。測定装置は、化合物半導体ウエハの表面および裏面に形成されたメサの形状を反映した反射光を受光して、反射光量値を測定する。
【００２３】
本発明の化合物半導体ウエハ表裏面の検査装置によれば、測定装置により測定される第１の光による反射光量値が第２の光による反射光量値よりも大きい面を表面と判断できるとともに、測定装置により測定される第２の光による反射光値が第１の光による反射光量値よりも大きい面を裏面と判断できる。どのような表面状態の化合物半導体ウエハにおいても、表面と裏面とでは第１の光の反射光量値と第２の光の反射光量値との大小関係が逆転するので、製品ロット毎に閾値を調整する必要がない。よって、化合物半導体ウエハの表裏面を迅速かつ正確に判別することができる。
【００２４】
また、測定装置で測定される反射光量値は、化合物半導体ウエハの表裏面の結晶状態によらず、少なくとも一方の面における第１の反射光の反射光量値と第２の反射光の反射光量値との差が明確である。本発明の化合物半導体ウエハ表裏面の測定装置は、このことを利用できるので、化合物半導体ウエハの表面の状態に依存せずに、化合物半導体ウエハの表裏面を正確に判断できる。
【００２５】
上記化合物半導体ウエハ表裏面の検査装置において好ましくは、第１照射装置は、化合物半導体ウエハの表面および裏面におけるメサの延びる方向に対して−３０°以上３０°以下の方向に、第１の光を照射する。また、第２照射装置は、化合物半導体ウエハの表面および裏面におけるメサの延びる方向と垂直の方向に対して−３０°以上３０°以下の方向に第２の光を照射する。
【００２６】
これにより、第１および第２照射装置から照射される第１および第２の光による反射光量値の差が大きくなる。そのため、化合物半導体ウエハの表裏面をより正確に判断できる。
【００２７】
上記化合物半導体ウエハの表裏面の検査装置において好ましくは、ウエハ保持体は、載置面の角度および方向を調節できる。
【００２８】
これにより、化合物半導体ウエハ表面および裏面に第１および第２の光を所望の方向から照射することができる。
【００２９】
上記化合物半導体ウエハ表裏面の検査装置において好ましくは、第１照射装置から照射される第１の光および第２照射装置から照射される第２の光は、可視光レーザである。
【００３０】
これにより、測定装置で反射光量値を測定しやすいため、反射光量値をより正確に測定できる。
【００３１】
なお、本明細書中においては、個別面を（）、集合面を｛｝でそれぞれ示している。
【発明の効果】
【００３２】
本発明の化合物半導体ウエハ表裏面の検査方法および化合物半導体ウエハの表裏面の検査装置によれば、第１の光による反射光量値が第２の光による反射光量値よりも大きい面を表面とし、第２の光による反射光値が第１の光による反射光量値よりも大きい面を裏面と判断できる。そのため、化合物半導体ウエハの表裏面を迅速かつ正確に判別することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
以下、図面に基づいて本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の図面において同一または相当する部分には、同一の参照符号を付し、その説明は繰り返さない。
【００３４】
（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１における化合物半導体ウエハ表裏面の検査装置を示す概略斜視図である。図２は、第１および第２照射装置により化合物半導体ウエハに第１および第２の光を照射する方向を説明するための図である。図１および図２を参照して、実施の形態１における化合物半導体ウエハ表裏面の検査装置を説明する。
【００３５】
実施の形態１における化合物半導体ウエハ表裏面の検査装置１０は、表面および裏面の両方にメサが形成された化合物半導体ウエハ表裏面の検査装置であって、ウエハ保持体１１と、第１照射装置１２と、第２照射装置１３と、測定装置１４とを備えている。ウエハ保持体１１は、化合物半導体ウエハ１を載置するための載置面１１ａを含んでいる。第１照射装置１２は、化合物半導体ウエハ１の表面および裏面におけるメサ４ａの延びる方向に対して−４５°を超えて４５°未満の方向に、第１の光１２ａを照射する。第２照射装置１３は、化合物半導体ウエハ１の表面および裏面に、メサ４ａの延びる方向と垂直の方向に対して−４５°を超えて４５°未満の方向に第２の光１３ａを照射する。測定装置１４は、化合物半導体ウエハ１の表面および裏面に形成されたメサの形状を反映した反射光１２ｂ，１３ｂを受光して、反射光量値を測定する。
【００３６】
ウエハ保持体１１は、化合物半導体ウエハ１に第１および第２の光１２ａ，１３ａを照射するために、化合物半導体ウエハ１を配置するための部材である。ウエハ保持体１１は、四角形や矩形など任意の形状の化合物半導体ウエハ１を載置できる。
【００３７】
また、ウエハ保持体１１は、載置面１１ａの角度および方向を調節できることが好ましい。ウエハ保持体１１は、載置面１１ａの角度および方向を調節するために、回転部材（図示せず）などをさらに含んでいてもよい。
【００３８】
第１照射装置１２は、図２に示すように、化合物半導体ウエハ１の表面および裏面におけるメサ４ａの延びる方向ｘに対して−４５°を超えて４５°未満の方向θ１に、第１の光１２ａを照射する。方向θ１は、メサ４ａの延びる方向ｘに対して−３０°以上３０°以下が好ましく、メサ４ａの延びる方向ｘに対して−５°以上５°以下がより好ましい。
【００３９】
また、第２照射装置１３は、図２に示すように、化合物半導体ウエハ１の表面および裏面におけるメサ４ａの延びる方向と垂直の方向ｙに対して−４５°を超えて４５°未満の方向θ２に第２の光１３ａを照射する。方向θ２は、メサ４ａの延びる方向と垂直の方向ｙに対して−３０°以上３０°以下が好ましく、メサ４ａの延びる方向と垂直の方向ｙに対して−５°以上５°以下がより好ましい。
【００４０】
なお、上記方向θ１で規定する角度は、第１の光１２ａを化合物半導体ウエハ１の表面または裏面に照射したときに、上方から見たときの第１の光１２ａとメサ４ａの延びる方向ｘとのなす角度を意味する。また、上記方向θ２で規定される角度は、第２の光１３ａを化合物半導体ウエハ１の表面または裏面に照射したときに、上方から見たときの第２の光１３ａとメサ４ａの延びる方向と垂直の方向ｙとのなす角度を意味する。
【００４１】
化合物半導体ウエハ表裏面の検査装置１０は、第１および第２照射装置１２，１３を固定しており、ウエハ保持体１１の上に配置する化合物半導体ウエハ１の位置合わせをして、上記方向θ１，θ２に第１および第２の光１２ａ，１３ａを照射できる配置としている。したがって、上記方向θ１，θ２の範囲内に第１および第２の光１２ａ，１３ａを照射できるように、間隔を隔てて第１および第２照射装置１２，１３は配置されている。
【００４２】
第１および第２照射装置１２，１３から照射される第１および第２の光１２ａ，１３ａは、レーザであることが好ましく、可視光レーザであることがより好ましい。なお、可視光レーザとは、レーザ光の波長で約４００ｍｍ以上７００ｍｍ以下の波長帯を持つ目に見える光を発光するレーザを意味する。
【００４３】
第１および第２照射装置１２，１３は、第１および第２の光１２ａ，１３ａを照射できれば特に限定されないが、たとえば発光素子やレーザ照射装置などを用いることができる。
【００４４】
測定装置１４は、化合物半導体ウエハ１から反射された第１および第２の反射光１２ｂ，１３ｂを受光する。第１および第２の反射光１２ｂ，１３ｂは、化合物半導体ウエハ１の表面および裏面に形成されたメサ４ａの形状を反映した反射光を受光して、反射光量値を測定する。すなわち、メサ４ａの延びている方向と第１および第２の光１２ａ，１３ａとの関係によって、第１および第２の反射光１２ｂ，１３ｂの反射光量値が決まる。
【００４５】
なお、反射光量値とは、化合物半導体ウエハ１からの反射光（第１および第２の反射光１２ｂ，１３ｂ）を測定装置１４で検出して得られる出力信号に基づく値である。
【００４６】
実施の形態１における測定装置１４は、受光する機能と反射光量値とを測定できる機能とを兼ね備える装置としているが、特にこれに限定されない。測定装置１４は、たとえば受光する機能や反射光量値を測定する機能などをそれぞれ別に有する複数の装置を含んでいてもよい。
【００４７】
また、実施の形態１における測定装置１４は、図１に示すように第１および第２の照射装置１２，１３と同じ装置内にそれぞれ配置され、第１および第２の光１２ａ，１３ａの反射光である第１および第２の反射光１２ｂ，１３ｂの反射光量値を測定している。このような第１または第２の照射装置１２，１３と、測定装置１４とを含む装置として、キーエンス社製の光電センサＬＶ−Ｈ３２などを用いることができる。
【００４８】
なお、第１および第２の照射装置１２，１３と測定装置１４とは、同じ装置内に配置されていることに特に限定されない。第１および第２の照射装置１２，１３と、測定装置１４とは別個に配置されていてもよい。この場合は、測定装置１４の数は特にこれに限定されず、たとえば移動可能な１つの装置としてもよい。
【００４９】
化合物半導体ウエハ表裏面の検査装置１０は、ウエハ保持体１１に載置した化合物半導体ウエハ１の位置決めをするための部材を備えていることが好ましい。位置決めするための部材としては、アライメントなどが好適に用いられる。
【００５０】
次に、図１および図３〜図９を参照して、実施の形態１における化合物半導体ウエハ表裏面の検査方法について説明する。なお、図３は、本発明の実施の形態１における化合物半導体ウエハ表裏面の検査方法を示すフローチャートである。図４は、インゴットから化合物半導体ウエハを切り出す様子を模式的に示す斜視図である。図５は、インゴットから切り出された直後の化合物半導体ウエハの平面図である。図６は、化合物半導体ウエハの表面に形成されたメサを模式的に示す平面図である。図７は、化合物半導体ウエハの裏面に形成されたメサを模式的に示す平面図である。図８は、本発明の実施の形態１における化合物半導体ウエハ表裏面の検査方法を詳細に示すフローチャートである。
【００５１】
まず、図３および図４に示すように、たとえばＩｎＰ（インジウムリン）やＧａＡｓ（ガリウム砒素）など、ＩＩＩ―Ｖ族よりなる化合物半導体のインゴット２０の所定の位置に仮ＯＦ２ａを形成する（Ｓ１０）。仮ＯＦ２ａの位置はインゴット２０の結晶方位に基づいて決められる。続いて、たとえばワイヤなどを用いてインゴット２０から化合物半導体ウエハ１を切り出す（Ｓ２０）。
【００５２】
続いて、化合物半導体ウエハ１の表面と裏面とを薬液処理する（Ｓ３０）。この薬液処理は、化合物半導体ウエハ１の反りを緩和し、化合物半導体ウエハ１の表面と裏面とを洗浄する目的で行なわれる。具体的には、たとえばＩｎＰ（インジウムリン）の場合は硫酸と過酸化水素を用いて、ＧａＡｓ（ガリウム砒素）の場合はアンモニア溶液と過酸化水素を用いて、化合物半導体ウエハ１の表面と裏面とをウエットエッチングする。
【００５３】
ここで、化合物半導体ウエハ１がたとえばＧａＡｓ（ガリウム砒素）からなっている場合には、これをアンモニア溶液と過酸化水素でエッチングすると、内部の結晶構造に基づいて、急速にエッチングされる面とほとんどエッチングされない面が存在する。また、化合物半導体ウエハ１が他のＩＩＩ―Ｖ族の化合物半導体よりなる場合にも、同様にエッチングされやすい面が存在する。このように、化合物半導体ウエハ１にはエッチングされやすい面（方向）があることから、化合物半導体ウエハ１を薬液処理すると、その面が急速にエッチングされ、化合物半導体ウエハ１の表面および裏面にはメサ（凹凸）が形成される。メサは、たとえば台形の断面形状を有している。化合物半導体ウエハ表面、裏面のエッチング量としては、片面で０．５μｍ〜５０μｍ程度が好ましい。
【００５４】
図６に示すように、化合物半導体ウエハの表面１ａには、たとえば仮ＯＦ２ａに対して平行な方向に細長いような平面形状を有する複数の凹部であるが形成される。この複数の凹部が表面１ａに形成されたメサ４ａである。
【００５５】
図７に示すように、化合物半導体ウエハの裏面１ｂには、たとえば仮ＯＦ２ａに対して垂直な方向に細長いような平面形状を有する複数の凹部が形成される。この複数の凹部が裏面１ｂに形成されたメサ４ｂである。つまり、裏面１ｂのメサ４ｂは、表面１ａのメサを９０°回転したような形状となっている。
【００５６】
なお、実施の形態１では、裏面１ｂのメサ４ｂが、表面１ａのメサ４ａを９０°回転したような形状となっている場合について示したが、本発明において、化合物半導体ウエハ１の裏面１ｂのメサ４ｂと化合物半導体ウエハ１の表面１ａのメサ４ａとの関係はこのような場合に限定されるものではない。
【００５７】
このようにして得られる化合物半導体ウエハ１の表面１ａおよび裏面１ｂは、｛１００｝面に対して６°以下傾斜していることが好ましい。このような表面では、メサ４ａ，４ｂがより明確に現れ、後述する化合物半導体ウエハ表裏面の検査方法で、表面および裏面の両方において、第１および第２の光による反射光量値の差が大きくなる。そのため、化合物半導体ウエハの表裏面をより正確に判断できるので、実施の形態における化合物半導体ウエハ表裏面の検査方法に好適に用いられる。
【００５８】
また、化合物半導体ウエハ１は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなり、極性を有するウエハであることが好ましい。この場合にも、実施の形態における化合物半導体ウエハ表裏面の検査方法に好適に用いられる。
【００５９】
次に、図１、図３、および図８を参照して、表面および裏面の両方にメサが形成された化合物半導体ウエハ１について、表裏面の検査を行なう（Ｓ４０）。実施の形態１における化合物半導体ウエハ表裏面の検査方法は、上述した化合物半導体ウエハ表裏面の検査装置１０を用いて行ない、以下の方法によって工程（Ｓ４０）を実施する。
【００６０】
まず、図１に示すように、化合物半導体ウエハ１をウエハ保持体１１上に配置する。このとき、仮ＯＦ２ａを所定の位置に配置することで化合物半導体ウエハ１の位置決めを行なう。図１では、仮ＯＦ２ａをウエハ保持体１１の載置面の一の辺１１ｂに平行になるような位置に配置している。なお、化合物半導体ウエハ１の位置決め精度は、仮ＯＦ２ａと辺１１ｂとのなす角で表わせば、±２０°以内であることが好ましい。
【００６１】
次に、図１および図８に示すように、第１照射装置１２から、化合物半導体ウエハ１の一方面（表裏面いずれであるのかは不明）におけるメサの延びる方向に対して−４５°を超えて４５°未満の方向に、第１の光１２ａを照射する（Ｓ４１）。そして、メサの形状を反映した反射光である第１の反射光１２ｂを測定装置１４で受光して、反射光量値を測定する（Ｓ４２）。
【００６２】
次に、第２照射装置１３から化合物半導体ウエハ１の一方面（表裏面いずれであるのかは不明）におけるメサの延びる方向と垂直の方向に対して−４５°を超えて４５°未満の方向に、第２の光１３ａを照射する（Ｓ４３）。そして、その反射光である第２の反射光１３ｂを測定装置１４で受光して、反射光量値を測定する（Ｓ４４）。
【００６３】
次に、ウエハ保持体１１に載置している化合物半導体ウエハ１をひっくり返す。そして、第１照射装置１２から、化合物半導体ウエハ１の他方面（表裏面いずれであるのかは不明）におけるメサの延びる方向に対して−４５°を超えて４５°未満の方向に、第１の光１２ａを照射する（Ｓ４５）。そして、その反射光である第１の反射光１２ｂを測定装置１４で受光して、反射光量値を測定する（Ｓ４６）。
【００６４】
次に、第２照射装置１３から化合物半導体ウエハ１の他方面（表裏面いずれであるのかは不明）におけるメサの延びる方向と垂直の方向に対して−４５°を超えて４５°未満の方向に、第２の光１３ａを照射する（Ｓ４７）。そして、その反射光である第２の反射光１３ｂを測定装置１４で受光して、反射光量値を測定する（Ｓ４８）。
【００６５】
次に、第１の光１２ａによる反射光量値が第２の光１３ａによる反射光量値よりも大きい面を表面と判断する判断工程（Ｓ４９）を実施する。第１および第２の反射光１２ｂ，１３ｂは、メサの形状を反映しており、メサの延びる方向に近い方向から照射して反射された光ほど、その光量値が大きい。そのため、判断工程（Ｓ４９）では、上記の工程（Ｓ４２、Ｓ４４，Ｓ４６，Ｓ４８）で測定されたそれぞれの反射光量値に基づいて、第１の光１２ａによる反射光量値が第２の光１３ａによる反射光量値よりも大きい面を表面とし、第２の光１３ａによる反射光値が第１の光１２ａによる反射光量値よりも大きい面を裏面と判断する。
【００６６】
具体的には、一方面において、工程（Ｓ４２）で測定される第１の光１２ａによる第１の反射光１２ｂの反射光量値Ｘ12と、工程（Ｓ４４）で測定される第２の光１３ａによる第２の反射光１３ｂの反射光量値Ｘ13と間に、Ｘ12＞Ｘ13の関係が成立すれば、一方面を表面と判断する。この場合には、他方面において、第１の光１２ａによる第１の反射光１２ｂの反射光量値Ｘ12と、第２の光１３ａによる第２の反射光１３ｂの反射光量値Ｘ13と間に、Ｘ12＜Ｘ13の関係が成立する。なお、当該関係が成立すれば他方面を裏面と判断する。化合物半導体ウエハの表面の結晶状態によって、一方面および他方面のいずれか一方において、Ｘ12とＸ13との差が僅かな場合あっても、他方についてはＸ12とＸ13との差がはっきりと測定できるので、化合物半導体ウエハの表裏を正確に判断できる。
【００６７】
また、一方面において、工程（Ｓ４２）で測定される第１の光１２ａによる第１の反射光１２ｂの反射光量値Ｘ12と、工程（Ｓ４４）で測定される第２の光１３ａによる第２の反射光１３ｂの反射光量値Ｘ13と間に、Ｘ12＜Ｘ13の関係が成立すれば、一方面を裏面と判断する。この場合には、他方面において、第１の光１２ａによる第１の反射光１２ｂの反射光量値Ｘ12と、第２の光１３ａによる第２の反射光１３ｂの反射光量値Ｘ13と間に、Ｘ12＞Ｘ13の関係が成立する。なお、当該関係が成立すれば他方面を裏面と判断する。
【００６８】
上記反射光量値を測定する工程（Ｓ４２，Ｓ４４，Ｓ４６，Ｓ４８）において、第１および第２の反射光１２ｂ，１３ｂは、たとえばキーエンス社製の光電センサＬＶ−Ｈ３２など任意の方法で測定することができる。
【００６９】
なお、たとえば裏面１ｂであると判別された場合には、化合物半導体ウエハ１をひっくり返して、表面１ａが上になるように化合物半導体ウエハ１を配置し直してもよい。これによって、全ての化合物半導体ウエハ１についての表裏面の向きを揃えることができる。
【００７０】
また、反射光量値を測定しやすい観点および正確に測定できる観点から、第１およびの光１２ａ，１３ａは、可視光レーザであることが好ましい。なお、実施の形態１における化合物半導体ウエハ表裏面の検査方法および検査装置では、レーザ光を照射する場合について示したが、本発明はレーザ光を照射する場合に限定されるものではなく、化合物半導体ウエハの表面および裏面に形成されたメサの形状を反映した反射光が得られる光を照射すればよい。
【００７１】
また、第１および第２の光を化合物半導体ウエハ１に照射する方向は、実質的に同じ方向にすることが好ましい。これにより、｛１００｝面に対して６°以下傾斜している表面１ａおよび裏面１ｂを有する化合物半導体ウエハ１は、一方面および他方面における第１および第２の光による反射光量値の差が同程度となり、表裏面の判断の正確性を向上できる。
【００７２】
次に、図３に示すように、化合物半導体ウエハ１の端部を面取り加工し、ＯＦおよびＩＦを化合物半導体ウエハ１に形成する（Ｓ５０）。ＯＦおよびＩＦは、たとえば、回転可能な吸着テーブルと、移動可能な円柱形状の砥石とを備える加工装置により形成できる。具体的には、仮ＯＦ２ａが形成されていた位置にＯＦ２を形成し、化合物半導体ウエハ１の表面においてＯＦ２を化合物半導体ウエハ１の１２時の位置に持ってきた場合に、３時の位置にＩＦ３を形成する。なお、上記工程は省略されてもよい。
【００７３】
次に、研磨処理などの工程を行ない、たとえば半導体チップが製造されるが、この後の工程については説明を省略する。
【００７４】
以上説明したように、本発明の実施の形態１における化合物半導体ウエハ表裏面の検査方法によれば、表面１ａおよび裏面１ｂの両方にメサ４ａ，４ｂが形成された化合物半導体ウエハ表裏面の検査方法であって、化合物半導体ウエハ１の表面１ａおよび裏面１ｂにおけるメサ４ａ，４ｂの延びる方向ｘに対して−４５°を超えて４５°未満の方向に、第１の光１２ａをそれぞれ照射する第１照射工程（Ｓ４１，Ｓ４５）と、化合物半導体ウエハ１の表面１ａおよび裏面１ｂにおけるメサ４ａ，４ｂの延びる方向ｘと垂直の方向ｙに対して−４５°を超えて４５°未満の方向θ２に第２の光１３ａをそれぞれ照射する第２照射工程（Ｓ４３，Ｓ４７）と、化合物半導体ウエハ１の表面１ａおよび裏面１ｂに形成されたメサ４ａ，４ｂの形状を反映した反射光を受光して、反射光量値をそれぞれ測定する測定工程（Ｓ４２，Ｓ４４，Ｓ４６，Ｓ４８）と、反射光量値に基づいて、化合物半導体ウエハ１の表面１ａおよび裏面１ｂを判断する判断工程（Ｓ４９）とを備えている。実施の形態１における判断工程（Ｓ４９）で、第１の反射光１２ｂの反射光量値が第２の反射光１３ｂの反射光量値よりも大きい面を表面とし、第２の反射光１３ｂによる反射光値が第１の反射光１２ｂによる反射光量値よりも大きい面を裏面と判断することができる。そのため、製品ロット毎に閾値を調整するなどの工程を要しないので、化合物半導体ウエハの表裏面を迅速かつ正確に判別することができる。
【００７５】
また、化合物半導体ウエハの表裏面の結晶状態によらず、少なくとも一方の面において、第１の反射光１２ｂの反射光量値と、第２の反射光１３ｂの反射光量値との差が明確である。よって、化合物半導体ウエハの表面の状態に依存せずに、表裏面を正確に判断できる。
【００７６】
上記化合物半導体ウエハ表裏面の検査方法において好ましくは、第１照射工程（Ｓ４１，Ｓ４５）では、化合物半導体ウエハ１の表面１ａおよび裏面１ｂにおけるメサ４ａ，４ｂの延びる方向ｘに対して−３０°以上３０°以下の方向θ１に第１の光１２ａをそれぞれ照射し、第２照射工程（Ｓ４３，Ｓ４７）では、化合物半導体ウエハ１の表面１ａおよび裏面１ｂにおけるメサ４ａ，４ｂの延びる方向ｘと垂直の方向ｙに対して−３０°以上３０°以下の方向θ２に第２の光１３ａをそれぞれ照射する。これにより、第１および第２の光１２ａ，１３ａによる反射光量値（第１および第２の反射光１２ｂ，１３ｂの反射光量値）の差が大きくなる。そのため、化合物半導体ウエハの表裏面をより正確に判断できる。
【００７７】
上記化合物半導体ウエハ表裏面の検査方法において好ましくは、化合物半導体ウエハ１の表面１ａおよび裏面１ｂは、｛１００｝面に対して６°以下傾斜している。これにより、表面１ａおよび裏面１ｂに、メサ４ａ，４ｂがより明確に現れるので、表面１ａおよび裏面１ｂの両面において、第１および第２の光１２ａ，１３ａによる反射光量値の差が大きくなる。そのため、化合物半導体ウエハ１の表裏面をより正確に判断できる。よって、実施の形態１における化合物半導体ウエハ表裏面の検査方法に好適に用いられる。
【００７８】
上記化合物半導体ウエハ表裏面の検査方法において好ましくは、第１照射工程（Ｓ４１，Ｓ４５）および第２照射工程（Ｓ４３，Ｓ４７）に先立って、化合物半導体ウエハを薬液処理する工程をさらに備えている。これにより、化合物半導体ウエハの表面および裏面にそれぞれ特有の形状を持ったメサを形成することができる。
【００７９】
上記化合物半導体ウエハ表裏面の検査方法において好ましくは、判断工程（Ｓ４９）後に、オリエンテーションフラット（ＯＦ）およびインデックスフラット（ＩＦ）を化合物半導体ウエハに形成する形成工程（Ｓ５０）をさらに備えている。これにより、化合物半導体ウエハ１の表裏面を正確に判別した後にＯＦおよびＩＦを形成することができる。したがって、その後の工程において、ＯＦおよびＩＦの位置を手がかりにして化合物半導体ウエハの表裏面を容易かつ正確に判別することができる。
【００８０】
本発明の化合物半導体ウエハ表裏面の検査装置１０は、表面１ａおよび裏面１ｂの両方にメサ４ａ，４ｂが形成された化合物半導体ウエハ表裏面の検査装置であって、化合物半導体ウエハ１を載置するための載置面１１ａを含むウエハ保持体１１と、化合物半導体ウエハ１の表面１ａおよび裏面１ｂにおけるメサ４ａ，４ｂの延びる方向ｘに対して−４５°を超えて４５°未満の方向に、第１の光１２ａを照射するための第１照射装置１２と、化合物半導体ウエハ１の表面および裏面におけるメサ４ａ，４ｂの延びる方向ｘと垂直の方向ｙに対して−４５°を超えて４５°未満の方向に第２の光１３ａを照射するための第２照射装置１３と、化合物半導体ウエハ１の表面１ａおよび裏面１ｂに形成されたメサ４ａ，４ｂの形状を反映した反射光（第１および第２の反射光１２ｂ，１３ｂ）を受光して、反射光量値を測定するための測定装置１４とを備えている。すなわち、ウエハ保持体１で保持する化合物半導体ウエハ１のメサ４ａ，４ｂに対して所定の方向に第１および第２の光１２ａ，１３ａを照射できる位置に第１および第２照射装置１２，１３を配置する。実施の形態１における化合物半導体ウエハ表裏面の検査装置１０によれば、測定装置１４により測定される第１の光１２ａによる反射光量値が第２の光１３ａによる反射光量値よりも大きい面を表面と判断できるとともに、測定装置１４により測定される第２の光１３ａによる反射光値が第１の光１２ａによる反射光量値よりも大きい面を裏面と判断できる。どのような表面状態の化合物半導体ウエハ１においても、表面１ａと裏面１ｂとでは第１の光１２ａの反射光量値と第２の光１３ａの反射光量値との大小関係が逆転するので、製品ロット毎に閾値を調整する必要がない。よって、化合物半導体ウエハの表裏面を迅速かつ正確に判別することができる。
【００８１】
また、測定装置１４で測定される反射光量値は、化合物半導体ウエハ１の表裏面の結晶状態によらず、少なくとも一方の面における第１の反射光１２ｂの反射光量値と第２の反射光１３ｂの反射光量値との差が明確である。実施の形態における化合物半導体ウエハ表裏面の検査装置１０は、このことを利用できるので、化合物半導体ウエハの表面の状態に依存せずに、化合物半導体ウエハの表裏面を正確に判断できる。
【００８２】
上記化合物半導体ウエハ表裏面の検査装置１０において好ましくは、第１照射装置１２は、化合物半導体ウエハ１の表面および裏面におけるメサ４ａ，４ｂの延びる方向ｘに対して−３０°以上３０°以下の方向θ１に、第１の光１２ａを照射し、第２照射装置１３は、化合物半導体ウエハ１の表面および裏面におけるメサ４ａ，４ｂの延びる方向ｘと垂直の方向ｙに対して−３０°以上３０°以下の方向θに第２の光を照射する。これにより、第１および第２照射装置１２，１３から照射される第１および第２の光１２ａ，１３ａによる反射光量値の差が大きくなる。そのため、化合物半導体ウエハの表裏面をより正確に判断できる。
【００８３】
上記化合物半導体ウエハの表裏面の検査装置１０において好ましくは、ウエハ保持体１１は、載置面１１ａの角度および方向を調節できる。これにより、化合物半導体ウエハ表面および裏面に第１および第２の光１２ａ，１３ａを所望の方向から照射することができる。
【００８４】
上記化合物半導体ウエハ表裏面の検査装置１０において好ましくは、第１照射装置１２から照射される第１の光１２ａおよび第２照射装置１３から照射される第２の光１３ａは、可視光レーザである。これにより、測定装置１４で反射光量値を測定しやすいため、反射光量値をより正確に測定できる。
【００８５】
（実施の形態２）
図９〜図１１を参照して、本発明の実施の形態２における化合物半導体ウエハ表裏面の検査方法について説明する。なお、図９は、本発明の実施の形態２における化合物半導体ウエハ表裏面の検査方法を示すフローチャートである。図１０は、化合物半導体ウエハの表面に形成されたメサと、ＯＦおよびＩＦとの関係を模式的に示す平面図である。図１１は、化合物半導体ウエハの裏面に形成されたメサと、ＯＦおよびＩＦとの関係を模式的に示す平面図である。
【００８６】
実施の形態２における化合物半導体ウエハの表裏面の検査方法は、基本的には、実施の形態１と同様であるが、表裏面の検査（Ｓ４０）を実施する順序においてのみ異なる。
【００８７】
具体的には、図９に示すように、実施の形態２では、まず、仮ＯＦを形成する（Ｓ１０）。次に、インゴットからの切り出し（Ｓ２０）を行なう。次に、薬液処理（Ｓ３０）を実施する。これらの工程（Ｓ１０〜Ｓ３０）は、実施の形態１と同様であるので、その説明は繰り返さない。
【００８８】
次に、仮ＯＦの位置を基準として、ＯＦおよびＩＦを化合物半導体ウエハに形成する（Ｓ５０）。この工程（Ｓ５０）は実施の形態１と同様である。
【００８９】
具体的には、図１０を参照して、化合物半導体ウエハ１の表面１ａに形成されたメサ４ａを構成する複数の凹部は、たとえばＯＦ２に対して平行な方向であってＩＦ３に垂直な方向に細長いような平面形状を有している。
【００９０】
また、図１１に示すように、化合物半導体ウエハ１の裏面１ｂに形成されたメサ４ｂを構成する複数の凹部は、たとえばＯＦ２に垂直な方向であってＩＦ３に対して平行な方向に細長いような平面形状を有している。
【００９１】
次に、表面および裏面の両方にメサ４ａ，４ｂが形成された化合物半導体ウエハ１について、実施の形態１と同様の方法を用いて表裏面の検査を行なう（Ｓ４０）。
【００９２】
実施の形態１で述べたように、第１および第２の反射光１２ｂ，１３ｂはメサの形状を反映している。したがって、第１および第２の反射光１２ｂ，１３ｂから、ＯＦ２およびＩＦ３の位置と、メサの形状とを対比させて、図１０および図１１に示すような関係になっているかについて確認することでき、ＯＦおよびＩＦが正しく化合物半導体ウエハの表裏面を示しているかについて検査することができる。なお、検査の結果、ＯＦ２およびＩＦ３が正しく化合物半導体ウエハの表裏面を示していない場合には、不良品としてその化合物半導体ウエハを除去する。
【００９３】
以上説明したように、本発明の実施の形態２における化合物半導体ウエハ表裏面の検査方法においては、化合物半導体ウエハの表面および裏面の少なくとも一方に光を照射する前に、ＯＦ２およびＩＦ３を化合物半導体ウエハの端部に形成している。これにより、ＯＦ２およびＩＦ３が形成された化合物半導体ウエハについて、ＯＦ２およびＩＦ３の位置と、第１および第２の反射光１２ｂ，１３ｂとを対比させて、ＯＦ２およびＩＦ３が正しく化合物半導体ウエハの表裏面を示しているかについて検査することができる。
【００９４】
［実施例］
実施例では、第１の光による反射光量値が第２の光による反射光量値よりも大きい面を表面とし、第２の光による反射光値が第１の光による反射光量値よりも大きい面を裏面と判断できることの効果について確認した。
【００９５】
具体的には、表面および裏面について判別できていたＧａＡｓからなる化合物半導体ウエハを５枚準備した。当該化合物半導体ウエハの表面および裏面は、（１００）面であった。また、当該化合物半導体ウエハの裏面のメサは、表面のメサを９０°回転したような形状となっていた。
【００９６】
次に、実施の形態１における化合物半導体ウエハ表裏面の検査装置を用いて、化合物半導体ウエハ表裏面の検査方法に従って、化合物半導体ウエハ表裏面の反射光量値をそれぞれ測定した。なお、実施例では、第１および第２の光として、可視光レーザを用いた。
【００９７】
詳細には、化合物半導体ウエハの表面におけるメサの延びる方向と同じ方向に、第１の光を照射した。そして、第１の光から反射される第１の反射光を受光して、反射光量値を測定した。
【００９８】
次に、化合物半導体ウエハの表面におけるメサの延びる方向と垂直な方向に、第２の光を照射した。そして、第２の光から反射される第２の反射光を受光して、反射光量値を測定した。
【００９９】
次に、化合物半導体ウエハの裏面におけるメサの延びる方向に、第１の光を照射した。そして、第１の光から反射される第１の反射光を受光して、反射光量値を測定した。
【０１００】
次に、化合物半導体ウエハの裏面におけるメサの延びる方向と垂直な方向に、第２の光を照射した。そして、第２の光から反射される第２の反射光を受光して、反射光値を測定した。
【０１０１】
なお、反射光量値は、キーエンス社製の光電センサＬＶ−Ｈ３２により測定した。
以上の工程を、他の試料についても行ない、それぞれの表面および裏面について、第１および第２の反射光の反射光量値を測定した。その結果を表１に示す。
【０１０２】
【表１】
2008130831.tif 000003
【０１０３】
表１に示すように、いずれの化合物半導体ウエハの表面では、第１の光による反射光量値は、第２の光による反射光量値よりも大きかった。また、いずれの化合物半導体ウエハの裏面では、第２の光による反射光量値は、第１の光による反射光量値よりも大きかった。そのため、本発明の化合物半導体ウエハ表裏面の検査方法によれば、正確に化合物半導体ウエハの表裏面を判断できることが確認できた。
【産業上の利用可能性】
【０１０４】
本発明は、表面と裏面とで同様の処理が施された化合物半導体ウエハの表裏面の検査方法および検査装置に適している。
【図面の簡単な説明】
【０１０５】
【図１】本発明の実施の形態１における化合物半導体ウエハ表裏面の検査装置を示す概略斜視図である。
【図２】第１および第２照射装置により化合物半導体ウエハに第１および第２の光を照射する方向を説明するための図である。
【図３】本発明の実施の形態１における化合物半導体ウエハ表裏面の検査方法を示すフローチャートである。
【図４】インゴットから化合物半導体ウエハを切り出す様子を模式的に示す斜視図である。
【図５】インゴットから切り出された直後の化合物半導体ウエハの平面図である。
【図６】化合物半導体ウエハの表面に形成されたメサを模式的に示す平面図である。
【図７】化合物半導体ウエハの裏面に形成されたメサを模式的に示す平面図である。
【図８】本発明の実施の形態１における化合物半導体ウエハ表裏面の検査方法を詳細に示すフローチャートである。
【図９】本発明の実施の形態２における化合物半導体ウエハ表裏面の検査方法を示すフローチャートである。
【図１０】化合物半導体ウエハの表面に形成されたメサと、ＯＦおよびＩＦとの関係を模式的に示す平面図である。
【図１１】化合物半導体ウエハの裏面に形成されたメサと、ＯＦおよびＩＦとの関係を模式的に示す平面図である。
【符号の説明】
【０１０６】
１  化合物半導体ウエハ、１ａ  表面、１ｂ  裏面、２  ＯＦ、２ａ  仮ＯＦ、３  ＩＦ、３ａ  仮ＩＦ、４ａ，４ｂ  メサ、１０  化合物半導体ウエハ表裏面の検査装置、１１  ウエハ保持体、１１ａ  載置面、１１ｂ  辺、１２ａ  第１の光、１３ａ  第２の光、１２ｂ  第１の反射光、１３ｂ  第２の反射光、１２  第１照射装置、１３  第２照射装置、１４  測定装置、２０  インゴット、ｘ，ｙ，θ１，θ２  方向。
【図１】
2008130831.tif 000004
【図２】
2008130831.tif 000005
【図３】
2008130831.tif 000006
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2008130831.tif 000010
【図８】
2008130831.tif 000011
【図９】
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【図１０】
2008130831.tif 000013
【図１１】
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