(57)【要約】【課題】高密度な磁気記録媒体を提供する。【解決手段】非磁性材２１からなる母材中にそれぞれ独立して複数の磁性領域２２が設けられている磁気記録層５を有する磁気記録媒体において、前記磁性領域２２は少なくとも磁気記録層面内方向に軟磁性層２３および硬磁性層２５をそれぞれ少なくとも一層以上有し、かつ該軟磁性層２３と硬磁性層２５間に非磁性材からなる非磁性層２４を有する磁気記録媒体。前記軟磁性層の平均磁気異方性エネルギー密度が、硬磁性層の平均磁気異方性エネルギー密度より小さいことが好ましい。【選択図】図２
2008052877.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非磁性材からなる母材中にそれぞれ独立して複数の磁性領域が設けられている磁気記録膜を有する磁気記録媒体において、前記磁性領域は少なくとも磁気記録膜の面内方向に軟磁性層および硬磁性層をそれぞれ少なくとも一層以上有し、かつ該軟磁性層と硬磁性層間に非磁性材からなる非磁性層を有することを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】
前記磁性領域には、硬磁性層を中心として該硬磁性層を取り囲んで非磁性層が設けられ、該非磁性層を取り囲んで軟磁性層が設けられていることを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体。
【請求項３】
前記磁性領域には、軟磁性層を中心として該軟磁性層を取り囲んで非磁性層が設けられ、該非磁性層を取り囲んで硬磁性層が設けられていることを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体。
【請求項４】
前記磁性領域には、硬磁性層を中心として該硬磁性層を挟んで非磁性層が設けられ、該非磁性層を挟んで軟磁性層が設けられていることを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体。
【請求項５】
前記磁性領域には、軟磁性層を中心として該軟磁性層を挟んで非磁性層が設けられ、該非磁性層を挟んで硬磁性層が設けられていることを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体。
【請求項６】
前記軟磁性層の平均磁気異方性エネルギー密度が、硬磁性層の平均磁気異方性エネルギー密度より小さいことを特徴とする請求項１乃至５のいずれかの項に記載の磁気記録媒体。
【請求項７】
前記軟磁性層と硬磁性層との磁化方向は記録用外部磁界が印加されない状態で反平行を向いていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかの項に記載の磁気記録媒体。
【請求項８】
前記軟磁性層と硬磁性層との磁化方向は記録用外部磁界が印加された状態で該印加磁界の方向に平行となることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかの項に記載の磁気記録媒体。
【請求項９】
前記軟磁性層の磁化方向は記録用外部磁界が印加された後、硬磁性層の磁化方向に反平行となることを特徴とする特許請求項７または８記載の磁気記録媒体。
【請求項１０】
前記軟磁性層の磁気記録膜面での断面積と飽和磁化の大きさの積が、硬磁性層の磁気記録膜面での断面積と飽和磁化の大きさの積より小さいことを特徴とする請求項１乃至９のいずれかの項に記載の磁気記録媒体。
【請求項１１】
前記硬磁性層の磁気記録膜面での断面積と飽和磁化の大きさの積が、軟磁性層の磁気記録膜面での断面積と飽和磁化の大きさの積より小さいことを特徴とする請求項１乃至９のいずれかの項に記載の磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高密度磁気記録が可能な磁気記録媒体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、情報量の増大化に伴いハードディスクドライブ（以下、「ＨＤＤ」という。）等の磁気記録媒体の面記録密度の向上が期待されており、磁気記録媒体上の各記録ビットサイズは数１０ｎｍ程度の極めて微細なものになってきている。
【０００３】
従来の長手磁気記録方式の磁気記録媒体では、記録密度の高い領域の記録ビット内の減磁界が強くなるため、磁性粒子径が比較的大きいうちから「熱揺らぎ」の影響を受けやすい。これに対し、垂直磁気記録方式の磁気記録媒体では、膜厚方向に磁性粒子を成長させることで、媒体表面の粒径は小さいまま磁化最小単位体積を大きくできるため、「熱揺らぎ」の影響を抑制できるためさらなる高密度記録方式として期待されている。
【０００４】
垂直磁気記録方式を採用した垂直磁気記録媒体の磁気記録層材料としては、これまで主に、ＣｏＣｒＰｔ、ＣｏＣｒＴａ等の合金材料が用いられてきた。これらの合金材料では、結晶粒界に非磁性材料であるＣｒが偏析することにより、個々の結晶粒が磁気的に分離され、高い保磁力（Ｈｃ）など磁気記録媒体として必要な特性を発現する。このような結晶粒界へのＣｒの偏析は、面内媒体では、加熱や基板バイアス印加など成膜プロセスの工夫により促進されてきた。
【０００５】
しかし、垂直磁気記録媒体では、面内媒体と同様に加熱や基板バイアス印加を施してもＣｒの偏析量が少なく、それが原因で媒体ノイズが高くなってしまうことが問題となっていた。
【０００６】
この問題を解決する方法として、酸化物や窒化物を結晶粒界に偏析させることにより、結晶粒の磁気的な分離を促進するグラニュラー媒体が提案されている。例えば、ＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ2グラニュラー膜では、ＣｏＣｒＰｔ結晶粒の周囲をＳｉＯ2が取り囲むように偏析し、これにより個々のＣｏＣｒＰｔ結晶粒は磁気的に分離される。このように、グラニュラー膜では合金材料の相分離（磁気相分離）を利用するのではなく、酸化物や窒化物など合金材料と固溶しにくい非晶質材料を加えることが特徴である。そのために、従来のＣｏＣｒ系材料を磁気記録層とする媒体と比較して媒体ノイズが低減できることが確認されている。
【０００７】
さらに磁気的結合を分断する目的で特許文献１のような媒体構成が開示されている。特許文献１では非磁性体層に自己組織的に形成されたナノメートルサイズのホール（以降ナノホールと称する）に磁性体を坎合することで、各ホール内に坎合された磁性体間の結合がグラニュラ媒体に比べ効果的に分断されることで媒体ノイズの低減効果が大きい。
【０００８】
このような自己組織化的にナノホールを作成する方法としては例えば、特許文献１では相分離構造を形成する材料を用いて、柱状の部材がそれを取り囲む領域に分散した構造を形成し、当該柱状の部材を除去することにより多孔質層を得る方法が開示されている。
【０００９】
また特許文献２ではアルミニウムやアルミニウムを含む合金を、シュウ酸やリン酸等の溶液中で陽極酸化処理して孔を形成する方法が開示されている。
ナノホールを形成する非磁性体層として、例えばＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＴｉＯ2などの酸化物や、Ｓｉ3Ｎ4、ＡｌＮ、ＴｉＮなどの窒化物、ＴｉＣなどの炭化物、ＢＮ等の硼化物が用いられ、これらの非磁性体層中に選択的に強磁性体領域が形成される。
【００１０】
特にこれらのようなナノホールに磁性体を坎合した垂直記録媒体では、孤立磁性体領域を周期的に配列させ、１孤立磁性体領域に１ビットを記録する方式が可能となりより高密度記録が達成されることが期待される。
【００１１】
しかしながら、このような１孤立磁性領域に１ビットを記録する方式で高密度記録を達成するため孤立領域の面密度を増加させると、反磁界により記録磁化が不安定になりやすいという問題点を有していた。
【００１２】
特に垂直磁気記録の場合は磁極が磁気記録層表面に発生し、孤立磁性領域の密度を上げるほど磁気記録層表面に発生する磁極密度が増加するため、反磁界による影響は増加することとなる。この影響は垂直磁気記録媒体を通常のＭ−Ｈループで評価した時には媒体角型比の劣化として現れる。即ち、Ｍ−Ｈループ曲線の保持力Ｈｃでの磁化増加対印加磁界増加ΔＭ／ΔＨの傾きが小さくなり、保磁力の大きさが小さい場合には印加磁化がない場合の残留磁化の大きさを小さくしてしまう。またこの反磁界の影響で記録時ノイズの発生が増加する。
【００１３】
このような反磁界の影響を防ぐために、特許文献３には、非記録領域で分断された複数の孤立磁性領域をパターニングし、該孤立磁性領域に磁化方向が互いに反平行の複数の磁区を形成する垂直磁気記録媒体が開示されている。
【００１４】
図４を用いて特許文献３に開示された従来例について説明する。なお説明は特に本従来技術について特徴的なものについて行い、当該技術分野について広く知られている部分に関しては省略を加えることもある。図４中４０１は不図示の基板上に作成せれた軟磁性裏打ち層、４０２は非磁性下地層、４０３は垂直磁気記録層、４０４は磁性領域、４０５非磁性領域、４０６は磁区、４０７は記録用磁気ヘッドである。
【００１５】
本従来例はＨＤＤなどのディスク状の垂直記録媒体へ適用するものである。具体的には、回転動作に耐える機械特性をもつアルミなどのディスク状基板（表記略）にスパッタ等で成膜された軟磁性裏打ち層４０１、非磁性下地層４０２、垂直磁気記録層４０３から構成される垂直磁気記録媒体である。垂直磁気記録層４０３は電子線描画法などにより非磁性領域４０５中に複数の磁性領域４０４をパターングされてなる。垂直磁気記録層４０３には同層を保護するための保護層や記録用磁気ヘッド４０７を円滑に滑走させるための潤滑層が設けられることが多い。
【００１６】
記録用磁気ヘッド４０７はディスク状の媒体の回転によって、媒体表面に対して数十から二百ナノメートルの間隔で浮上し滑走する。記録する情報データに応じて記録用磁気ヘッド４０７より略媒体表面に垂直に記録印加磁界が印加される。
【００１７】
記録印加磁界は記録用磁気ヘッド４０７の主磁極より、主磁極鉛直下の垂直磁気記録層４０３、非磁性下地層４０２を略膜面垂直に貫通する。そして、軟磁性裏打ち層４０１を通って記録用磁気ヘッド４０７主磁極後方の副磁極位置で非磁性下地層４０２、垂直磁気記録層４０３を貫通して記録用磁気ヘッド４０７の副磁極へ達する。このように記録用磁気ヘッド４０７の主磁極、副磁極と垂直記録媒体の軟磁性裏打ち層４０１で略閉磁回路を形成するため、記録印加磁界が途中で発散しにくくなっている。これにより垂直磁気記録層４０３中で磁界の強度が低下したり、磁界印加領域が拡散する影響が抑制される。
【００１８】
軟磁性裏打ち層４０１は上記のように印加磁界の効果的な利用のため設けられるが、軟磁性裏打ち層４０１内の磁壁によるスパイクノイズの発生を抑制する目的で、面内で磁気異方性容易軸を配向させたり、反強磁性膜を含む多層構成とすることも可能である。
【００１９】
垂直磁気記録層４０３の磁性領域４０４は磁気異方性容易軸が垂直磁気記録層４０３面に垂直方向を向いており、磁性領域４０４内の磁化は記録情報に応じて上または下方向を向く。また各磁性領域４０４は非磁性領域４０５で分断されており、磁気的交換結合などの磁気的結合が断たれている。
【００２０】
このため各磁性領域４０４間は磁性領域の磁化が発生する静磁相互作用である反磁界を通して以外は互いに影響を及ぼしあわない。垂直磁気記録層４０３表面での磁性領域４０４の面積密度が小さい時には、表面に現れる磁極の大きさが小さい。そのため、この反磁界の大きさは小さく、各磁性領域４０４は独立に磁化方向の反転ができるため、一般にこのような磁性領域が非磁性領域により分離された垂直磁気記録層構成の媒体は記録時のノイズが小さいものとなる。
【００２１】
一方高密度化のため、垂直磁気記録層４０３表面での磁性領域４０４表面の密度を増やし磁性領域４０４間の間を小さくしていくと、反磁界の影響により、記録印加磁界などの外部磁界の印加がなくとも磁性領域４０４の磁化が反転して記録情報の破壊が生じやすくなる。
【００２２】
特許文献３では磁性領域４０４は３つの磁区４０６からなり、各磁区内の磁化は略揃っているが、磁区間の磁化の方向は反平行の方向となっている。このため磁性領域４０４を単一磁区とする構成にくらべ、表面へ現れる磁極の大きさが小さいものとなる。また反平行の磁区領域が隣接するため、磁性領域４０４で発生する静磁界が磁区同士で相殺して磁気的閉磁回路を形成し、隣接する磁性領域への反磁界の影響が小さいものとなる。これにより記録密度を上げて行っても反磁界の影響は増大することなく記録特性に優れた媒体が提供できる。
【００２３】
しかしながらこのような従来技術では磁性領域内に互いに反平行の磁区が作られるように記録をし、それを信号として再生しなければならなかった。例えば特許文献３ではある磁性領域に”１”の信号（これを例えば上向きの磁化方向とする）を記録するには、その隣接に逆向きの磁化方向をもつ磁区が磁性領域内に存在する必要がある。このためこの”１”の上向きの磁化方向の領域の前後に”０”の下向きの磁化を記録しなければならない。このため記録時の信号処理方式を従来のものと変更する必要があり、従来のＨＤＤ装置へそのまま適用することはできない。
【００２４】
さらにこのような従来例では高密度化のために磁性領域を小さくしていく際に以下のような問題点を有していた。即ち、磁性領域内の連続磁性体中に複数の磁区を構成するためには、磁区の間に磁壁と呼ばれる磁化方向の変異領域が存在する。この磁壁の大きさは磁性体の磁気特性によって決定されるが、一般に磁性領域を小さくしていって磁壁の大きさ（厚さ）以下では磁化方向の揃った複数の磁区は存在できない。このため磁性領域の大きさが限定され、高密度化に不適切な構成となってしまう。
【００２５】
磁壁の厚みσと磁性体磁気特性の関係は、例えば非特許文献１に以下の式１のように記載されている。
【００２６】
【数１】
2008052877.tif 000003
【００２７】
ここで、Ａは磁性材料の交換定数、Ｋは磁性材料の磁気異方性エネルギー密度であり、ｃは定数で結晶や磁壁を挟む磁区の磁化の方向によるが、本従来例のように磁壁の前後で１８０度磁化の方向が変化するときには一般にπ（円周率）以上の大きさとなる。
【００２８】
この式（１）より計算すると磁壁の厚みσは一般的な磁気記録用の硬磁性材料で１０ｎｍ程度以上、磁気異方性エネルギー密度が従来の磁性体より一桁程度大きいといわれるＦｅＰｔ、ＦｅＰｄの規則化合金材料でも４ｎｍ程度以上の値となる。このため磁化方向の揃った複数の磁区とその間の複数の磁壁を設けるためには磁性領域の大きさは数十ナノメートル、特に３０ｎｍ程度以上の大きさが必要となる。
【００２９】
このため、単純計算でも１ビットあたり２５ｎｍ平方以下の磁性領域となる１テラビット／平方インチを超えるような高密度記録を行う媒体には適した構成とはなっていないという問題点を有していた。
【特許文献１】特開２００４−２３７４２９号公報
【特許文献２】特開２００２−１７５６２１号公報
【特許文献３】特開２００３−０３０８１２号公報
【非特許文献１】太田恵造著、「磁気工学の基礎ＩＩ」ｐ．２７２−２７３、共立出版株式会社、１９７２年発行
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００３０】
特許文献３に記載の従来技術では磁性領域内に複数の磁区を形成するために記録時に特別な方式を用いねばならず、通常のＨＤＤ装置と同様の記録方式をそのまま適用できず、信号処理の過程が複雑化するという問題を有していた。
【００３１】
さらに特許文献３に記載の従来技術では磁性領域内で複数の磁区を有するために、境界が一定厚みの磁壁をもち、磁壁部分では磁化方向が変化するため有効な記録領域として用いられないために、磁性領域の大きさが制限される。このため磁性領域が小さくできず高密度化がしにくいという問題点を有していた。
【００３２】
本発明は、これらの問題点を解消し、高密度な磁気記録媒体を提供するものである。特に、本発明は、磁気記録層が非磁性材料で磁気的に分断された複数の磁性領域をもつ構成の磁気記録媒体に於いて、磁気記録層の反磁界の増加を抑制して、媒体の高密度化を達成するものである。
【課題を解決するための手段】
【００３３】
上記の課題を解決する磁気記録媒体は、非磁性材からなる母材中にそれぞれ独立して複数の磁性領域が設けられている磁気記録層を有する磁気記録媒体において、前記磁性領域は少なくとも磁気記録層面内方向に軟磁性層および硬磁性層をそれぞれ少なくとも一層以上有し、かつ該軟磁性層と硬磁性層間に非磁性材からなる非磁性層を有することを特徴とする。
【００３４】
前記磁性領域には、硬磁性層を中心として該硬磁性層を取り囲んで非磁性層が設けられ、該非磁性層を取り囲んで軟磁性層が設けられていることが好ましい。
前記磁性領域には、軟磁性層を中心として該軟磁性層を取り囲んで非磁性層が設けられ、該非磁性層を取り囲んで硬磁性層が設けられていることが好ましい。
【００３５】
前記磁性領域には、硬磁性層を中心として該硬磁性層を挟んで非磁性層が設けられ、該非磁性層を挟んで軟磁性層が設けられていることが好ましい。
前記磁性領域には、軟磁性層を中心として該軟磁性層を挟んで非磁性層が設けられ、該非磁性層を挟んで硬磁性層が設けられていることが好ましい。
【００３６】
前記軟磁性層の平均磁気異方性エネルギー密度が、硬磁性層の平均磁気異方性エネルギー密度より小さいことが好ましい。
前記軟磁性層と硬磁性層との磁化方向は記録用外部磁界が印加されない状態で反平行を向いていることが好ましい。
【００３７】
前記軟磁性層と硬磁性層との磁化方向は記録用外部磁界が印加された状態で該印加磁界の方向に平行となることが好ましい。
前記軟磁性層の磁化方向は記録用外部磁界が印加された後、硬磁性層の磁化方向に反平行となることが好ましい。
【００３８】
前記軟磁性層の磁気記録層面での断面積と飽和磁化の大きさの積が、硬磁性層の磁気記録層面での断面積と飽和磁化の大きさの積より小さいことが好ましい。
前記硬磁性層の磁気記録層面での断面積と飽和磁化の大きさの積が、軟磁性層の磁気記録層面での断面積と飽和磁化の大きさの積より小さいことが好ましい。
【発明の効果】
【００３９】
本発明によれば、高密度な磁気記録媒体を提供することができる。特に、本発明は、磁気記録層が非磁性材料で磁気的に分断された複数の磁性領域をもつ構成の磁気記録媒体に於いて、磁性記録膜の反磁界の増加を抑制して、媒体の高密度化を達成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４０】
以下、本発明を詳細に説明する。
図１、図２を用いて本発明の実施形態について説明する。図１は本発明に関わる磁気記録媒体の断面の構成図である。図中１は基板、２は下地層、３は軟磁性裏打ち層、４は非磁性下地層、５は磁気記録層、６は保護層、７は潤滑層である。
【００４１】
ここでは本発明をＨＤＤのディスク状媒体に適用した構成について説明する。その場合には図８に示すように、上記磁気記録媒体８１を読み取り書き込み用磁気ヘッド８３、磁気ヘッド８３を所望の記録位置へ移動させる磁気ヘッド駆動部８４、モーターなどによりディスク状磁気記録媒体８１を回転駆動する磁気記録媒体駆動部８２、信号処理部８５、等からなるＨＤＤ装置に組み込むことができる。しかしながら、本発明の主要な構成は一般の磁気記録媒体の磁気記録層に適用が可能であり、固形基板上に垂直磁気記録層を有する媒体に対して使用でき、本発明の適用範囲をディスク状回転媒体に限るものではない。
【００４２】
基板１はガラス、アルミニウム、カーボン基板やプラスチック基板、Ｓｉ基板などからなり上部の各層を加持するものである。なお、基板は、磁気記録層５への信号の記録、同層からの磁気信号の再生が良好に行える機械特性を備えるものであれば他の材質を用いても良い。
【００４３】
下地層２は、基板１上に軟磁性裏打ち層３以降の各層を構成する上で基板１の表面あれ等の影響を除去するため、酸素・水分などから上層の各層を保護するため、また基板１の硬度補強、上層との密着性向上のために設けられる。下地層２は、以上の目的を達成するものであればその材料、膜厚などは自由に取れる。一般にはＮｉＰなどをめっき法などで基板１上に数ナノメートルから数百ナノメートル厚で作成される。さらに軟磁性裏打ち層３の磁気特性を制御する効果をもたせてもよい。
【００４４】
軟磁性裏打ち層３は磁気記録媒体へ記録磁気ヘッドより発生する磁界で情報書き込みを行う際に、磁気記録層５内で磁束が収斂し磁界強度を強めるとともに記録膜面垂直方向へ磁界の方向が揃う目的で設けられる。特に垂直磁気記録用のモノポール記録磁気ヘッドを用いて、記録磁気ヘッドの記録用主磁極（モノポール）、軟磁性裏打ち層３、記録磁気ヘッドの副磁極で磁束の還流を生じ閉磁回路を構成することで良好な磁気記録がなされる。磁束を収斂するために高透磁率な材料例えばＮｉＦｅ合金（パーマロイ）などやＦｅＴａＣ、ＣｏＺｒＮｂなどのアモルファス軟磁性材料が使用できるが、上層の膜材料との成膜上の整合から他の高透磁率材料を用いてもよい。また軟磁性裏打ち層３内での磁壁の移動によるスパイクノイズの防止を目的に多層構成、反強磁性磁性材の利用、配向制御などを行ってもよい。膜厚はほぼ１００ナノメートル以下になると磁束収斂の効果が低下するが、厚すぎると生産性や媒体耐久性が劣化するため、数百ナノメートルから数ミクロン程度をとることが好ましい。
【００４５】
非磁性下地層４は軟磁性裏打ち層３と磁気記録層５の磁気的結合を制御する目的と、磁気記録層５成膜時の配向制御などの目的で設けられる。
磁気記録層５は膜面垂直方向に記録情報信号に応じて磁化の方向を記録する記録膜である。本発明の特徴は主に磁気記録層５の構成にあるため、後に磁気記録層５の構成に関して図２を用いて説明する。
【００４６】
保護層６は上層の潤滑層７や外気、媒体表面への外部からの衝撃などから磁気記録層５を保護する目的でカーボン、特にダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）を成膜して作成される。
【００４７】
潤滑層７は浮上磁気ヘッドによる記録再生のため、媒体表面と浮上磁気ヘッドの潤滑性向上のためのもので通常のＨＤＤ媒体で利用されるもの、たとえばＰＦＰＥ（パーフルオロポリエーテル）等が使用できる。
【００４８】
記録時には潤滑層７表面上の浮上型磁気記録ヘッドより本垂直磁気媒体へほぼ媒体面垂直方向の記録磁界を印加する。磁気記録ヘッドはモノポール型ヘッドと言われるものが記録磁界が収斂し記録磁界を効率的に磁気記録層５へ印加できるため好ましい。浮上型磁気記録ヘッドは潤滑層７表面上を十数ナノメートルのフライングハイトで浮上滑走し、主磁極より本垂直磁気媒体のほぼ垂直方向に磁界を発生する。発生する磁界は磁気記録ヘッド−潤滑層７表面間の間隔、潤滑層７、保護層６を通過し磁気記録層５内の記録部の磁化を所定の記録方向（媒体面垂直の上下方向の何れか）に反転させ、非磁性下地層４を通って軟磁性裏打ち層３へ達する。軟磁性裏打ち層３の高透磁率のため膜面に平行となった磁界は、磁気記録ヘッドヘッド後方で非磁性下地層４、磁気記録層５、保護層６、潤滑層７を横断して磁気記録ヘッドの主磁極後方の副磁極へ達する。
【００４９】
図２は本発明を実施する第一の実施形態に於ける磁気記録層の構成を示す図である。図２中５は図１と同様に磁気記録層を表す。２２は磁性領域、２１は各磁性領域２２を磁気的に分離する非磁性材、２３は磁性領域２２を構成する軟磁性層、２３は磁性領域２２を構成する非磁性層、２５は磁性領域２２を構成する硬磁性層である。本発明の本実施形態に関わる磁性領域２２の特徴は、少なくとも磁気記録層面内方向に磁性領域２２の径方向に内・外に渡って二層以上の磁性層とそれらの間に非磁性層２４を設けた構成とし、磁性層はそれぞれに軟磁性層２３、硬磁性層２５から構成される。また本発明に関わる複数の磁性領域２２の特徴は磁気記録層面方向に磁気的に分断されて存在するところにある。
【００５０】
本発明を実施する第一の形態は硬磁性層２５を内径とする該円柱の磁性体構造の外径に沿って非磁性層２４を有し、さらにその外径に沿って磁気記録層５面内方向に軟磁性層２３を有するものである。なお、磁気記録層面内方向とは、磁気記録層の膜表面に対して平行な任意の方向を示し、例えば図２の矢印８で表される方向である。
【００５１】
本発明の磁性領域を構成する磁性層は図２の硬磁性層２５、軟磁性層２３の二層に限らず硬磁性材、軟磁性材の多層の構成とすることが可能である。本発明の特徴は磁性領域内の磁性材を、磁性記録層面内方向に硬磁性材からなる硬磁性層、軟磁性材からなる軟磁性層の多層の構造とし、硬磁性材層と軟磁性材層の境界に非磁性材の層を設けることである。
【００５２】
多層構成をとり各層での磁気特性を変化させることにより、磁性領域内の磁気特性を調整できるという利点を有する。ただし硬磁性材層、軟磁性材層を多層に構成する場合には作成プロセスが複雑になり、またその境界ごとに非磁性層を設けるため、磁性領域全体の径が大きくなり、高密度化には不利な構成となる。
【００５３】
軟磁性層、硬磁性層の磁気異方性エネルギー密度、飽和磁化は各層内で場所による分布をもっても良い。
本発明による軟磁性層２３、硬磁性層２５の違いは該当層の平均磁気異方性エネルギー密度の大きさによる。本発明による軟磁性層とは該当層の平均磁気異方性エネルギー密度が硬磁性層の平均磁気異方性エネルギー密度よりも小さいものをいう。なお、平均磁気異方性エネルギーとは、軟磁性層２３及び／または硬磁性層２５を多層の膜からなる多層構成とした場合、あるいは軟磁性層２３及び／または硬磁性層２５の各層内で磁気異方性エネルギー密度が場所による分布を持つ場合に軟磁性層２３及び／または硬磁性層２５ごとにとった磁気異方性エネルギー密度の平均値を意味する。
【００５４】
平均磁気異方性エネルギー密度、平均飽和磁化の違いは軟磁性層、硬磁性層を構成材料の構成元素の違いによってもよい。また平均磁気異方性エネルギー密度、平均飽和磁化の違いは軟磁性層、硬磁性層を構成材料の構成元素の組成比の違いによってもよい。また平均磁気異方性エネルギー、平均飽和磁化の違いは軟磁性層、硬磁性層を構成材料の結晶構造の違いによってもよい。さらに平均磁気異方性エネルギー密度、平均飽和磁化の違いは以上の組み合わせによって軟磁性層、硬磁性層間に生じせしめてもよい。
【００５５】
図５を用いて本発明による磁気記録層５付近での反磁界発生の抑制効果を説明する。図５（ａ）は非磁性材に埋め込まれた磁性領域が硬磁性材料のみから構成された磁気記録媒体の１つの磁性領域の周囲の模式断面図である。図５（ｂ）は本発明に於ける１つの磁性領域２２の磁化の配置とその周囲の模式断面図である。２３，２４，２５は図２と同様に軟磁性層２３、非磁性層２４、硬磁性層２５を表し、２６は磁性領域２２によって発生する磁界の磁束線を模式的にあらわしたものである。図５（ａ）、（ｂ）ともに磁気情報を担う硬磁性材部分の硬磁性層２５は上向きに磁化されている場合を示す。
【００５６】
図５（ａ）の磁気記録媒体では磁性領域が一様に上向きに磁化されているため、当該領域の磁気記録層５の上下表面に磁極が励起され、これによる反磁界が磁気記録層５の表面付近に発生する。この反磁界は一般に磁気記録層５の面方向には比較的広い領域まで減衰することがないため、一般にある磁性領域は周囲の広範囲に存在する他の磁性領域からの反磁界を受けることとなる。たとえばある磁性領域の磁化の向きが周囲の磁性領域からの反磁界の総和の方向と反平行にある場合には当該磁性領域の磁化の向きが反転しやすくなり、記録の保持能力が低くなる。また記録磁界の印加時にも磁化方向の反転が起こりやすくなる。一方当該磁性領域の磁化の向きが周囲の磁性領域からの反磁界の総和の方向と平行にある場合には記録磁界の印加時にも磁化方向の反転が生じにくくなる。当該磁性領域で感じる反磁界の大きさは周囲の磁性領域の各々の磁化の方向によって決まるため、周囲の広範囲に存在する他の磁性領域の各々の磁化の向きの影響を受ける。
【００５７】
そのため、記録時には記録磁気ヘッドの印加磁界のほか、このような周囲の磁性領域の各々の磁化の方向による統計的な反磁界の外乱を受けて記録ノイズを発生する。また非記録時にもこのような反磁界のばらつきによって記録保持能力のバラツキが生じてしまう。
【００５８】
一方、本発明では、図５（ｂ）に示す様に、磁性領域２２が軟磁性層２３、非磁性層２４、硬磁性層２５からなり、このうち軟磁性層２３と硬磁性層２５の磁化方向は磁気記録層５面に垂直に互いに反平行となっている。このため軟磁性層２３、硬磁性層２５の各磁化によって発生する反磁界は相殺し、磁力線２６は軟磁性層２３、硬磁性層２５の磁気記録層５の表面で還流している。このため磁性領域２２が発生する反磁界は磁気記録層５の膜面方向では距離に対して急激減少する。このため、ある磁性領域に着目した時に、当該磁性領域より遠方の磁性領域から発生する反磁界の影響が減少する。その結果当該磁性領域にかかる反磁界のバイアスはその値自体が小さいものとなると同時に影響をあたえる周囲の磁性領域の範囲が小さくなるため、その値のバラツキが小さくなる。これにより記録時に発生する記録ノイズが抑制される。また非記録時にも磁性領域２２にかかる反磁界のバイアスもその値とバラツキが小さいため記録保持能力のバラツキは押さえられ、記録媒体全体での記録保持が均一化する。
【００５９】
また再生信号となる硬磁性層２５の磁化からの磁界のうち磁性領域２２上方向での強度に関しては軟磁性層２３の磁化からの磁界により相殺されて強度は落ちるものの、硬磁性層２５真上では相殺分が相対的に少なくなる。そのため、磁気記録層５表面での再生磁界の平面的な強度分布はよりシャープなものとなり、再生時の再生磁界分布の平面解像度が向上することとなる。このため該構造では磁気信号再生にも再生磁界分布のエッジ検出が容易となり結果的に再生信号品質を向上させる効果を有する。
【００６０】
特に硬磁性層２５と反平行の磁化を持つ軟磁性層２３からの磁界により再生信号強度を劣化させない為には軟磁性層の磁気記録層面内方向の厚みを無造作に厚くとることは好ましくない。この厚みは軟磁性層２３の磁化の大きさ等にもより、硬磁性層２５の磁気記録層５面での断面積と飽和磁化Ｍｓの大きさの積、及び軟磁性層２３の磁気記録層５面での断面積と飽和磁化Ｍｓの大きさの積、が各々磁気記録層５表面に励起する磁極の大きさとほぼ同じになる。磁性領域２２全体として再生信号となる硬磁性層２５の磁化方向による磁界を再生ヘッドで検出する。そのためには、軟磁性層２３の厚みは、軟磁性層２３の磁気記録層５面での断面積と飽和磁化Ｍｓの大きさの積が硬磁性層２５の磁気記録層５面での断面積と飽和磁化Ｍｓの大きさの積の半分以下となることが好ましい。軟磁性層２３の厚み及び飽和磁化Ｍｓを大きくすることで反磁界抑制効果は高まるが、再生信号強度は低くなる。好ましくは軟磁性層２３の磁気記録層５面での断面積と飽和磁化Ｍｓの大きさの積（Ａ）と硬磁性層２５の磁気記録層５面での断面積と飽和磁化Ｍｓの大きさの積（Ｂ）の比は、Ａ：Ｂ＝１：１０から１：２程度となることが好ましい。
【００６１】
本発明の磁性領域２２の第一の特徴は、記録保持時に磁性領域２２内に互いに反平行の磁化方向をもつ領域を、平均磁気異方性エネルギー密度が異なる軟磁性層２３と硬磁性層２５とから構成する点にある。このような構成から生じる本発明の磁性領域２２の作用について以下に説明する。
【００６２】
図６を用いて記録時の磁性領域２２の記録時の磁化反転の様子について説明する。図６（ａ）は記録磁界印加前の磁気記録層５中の１つの磁性領域２２に於ける磁化の様子を模式的にあらわしたものである。ここでは該磁性領域２２は図の上方向に磁化方向が向くように記録されているとする。これに対応して磁性領域２２の内側にある硬磁性層２５は図の上方向に、外側にある軟磁性層２３は図の下方向に磁化方向が向いている。硬磁性層２５と軟磁性層２３は互いに反平行の磁化方向を向くことで磁気記録層表面に発生する磁極を打ち消しあって、磁気記録層表面付近での反磁界の発生を防いでいる。
【００６３】
磁性領域２２に磁気記録を行うために不図示の記録ヘッドにより媒体の媒体面垂直方向へ記録磁界が印加される。ここで始めに記録された方向と逆方向、図の下方向に記録磁界Ｈｅｘｔが印加されたとすると、この記録磁界Ｈｅｘｔによって図６（ｂ）に示すように硬磁性層２５と軟磁性層２３の磁化方向が平行になり、ともに図の下方向に磁化が向く。
【００６４】
磁気ヘッドからの記録磁界Ｈｅｘｔがなくなった時点で図６（ｃ）に示す配置に落ち着く。硬磁性層２５は磁気異方性エネルギー密度が高いため磁化方向を保持する。これに対して軟磁性層２３は硬磁性層２５に比べ磁気異方性エネルギー密度が低いため、硬磁性層２５によって発生する反磁界によって磁化方向が反転し、硬磁性層２５に磁化方向と反平行の方向を向く事となる。その結果、図６（ａ）とは逆方向に、磁性領域２２の内側にある硬磁性層２５は図の下方向に、外側にある軟磁性層２３は図の上方向に磁化方向が向き、硬磁性層２５と軟磁性層２３は互いに反平行の磁化方向を向く。このことで磁気記録層表面に発生する磁極を打ち消し合い磁気記録層表面に発生する反磁界は小さい値になる。
【００６５】
記録ヘッドからの記録磁界の方向が図６（ａ）に示す初期の磁性領域２２の磁化方向と同じ方向に印加される場合は、例えば図６に従って図の上方向に記録磁界が印加されると、印加記録磁界により硬磁性層２５と軟磁性層２３の磁化は平行に揃って図の上方向を向く。記録ヘッドからの印加磁界がなくなった後には同様に硬磁性層２５と軟磁性層２３の磁気異方性エネルギーの大きさの違いから軟磁性層２３の磁化方向のみが反転して図６（ａ）の磁化方向の配置で安定する。その結果図６（ａ）に示す初期状態に落ち着き反平行を向いた硬磁性層２５と軟磁性層２３の磁化により磁気記録層５表面付近での反磁界の発生が抑制される。
【００６６】
以上のように本発明においては磁気異方性エネルギー密度が高い硬磁性層２５の周囲に磁気異方性エネルギー密度の低い軟磁性層２３を具備するため、その磁気異方性エネルギーの差によって軟磁性層２３の磁化方向が自然に硬磁性層２５の磁化方向と反平行方向を向く。このため、記録印加磁界などの外部手段を用いて軟磁性層２３の磁化の向きを硬磁性層２５の磁化の向きと反平行にそろえる必要がなく、外部からの磁界が印加されていない場合には自動的に図に示したような反平行の磁化配置が得られる。これにより記録ヘッドへの記録信号の変更や、外部手段をもちいた従来とは異なる記録方式をとることなく自動的に図に示したような反平行の磁化配置が磁性領域２２内に構成される。これにより磁気記録層５表面付近での反磁界の発生が抑制されるという利点を有している。
【００６７】
本発明の磁性領域２２の第二の特徴は、記録保持時に互い反平行の磁化方向を持つ軟磁性層２３と硬磁性層２５の間に磁気的結合、より正確には磁気交換結合を断つ非磁性層２４を具備する点にある。
【００６８】
この非磁性層２４の効果について図を用いて説明する。図７（ａ）は軟磁性層２３と硬磁性層２５間に非磁性層２４を設けない構成で軟磁性層２３と硬磁性層２５の磁化方向を反平行にした場合の両層間接合部分付近での磁化方向分布の模式図である。軟磁性層２３、硬磁性層２５内の磁化は強磁性体の磁気的交換結合相互作用の働きで隣接する磁化同士の方向を揃えようとする。この交換結合相互作用により、磁気異方性エネルギー密度の小さい軟磁性層２３の、特に硬磁性層２５との境界付近では磁化の方向が硬磁性層２５の磁化の方向に揃おうとする。このため軟磁性層２３と硬磁性層２５の境界で直ちに磁化方向を反平行にすることが困難となり、軟磁性層２３に硬磁性層２５の磁化方向と反平行の磁化方向をもつ領域を有するためには境界面から磁化の方向が連続的に変化する遷移領域が必要となる。この遷移領域は磁壁と呼ばれこの磁壁の厚みはほほ磁性体の磁気特性によって見積もることができる。
【００６９】
前述の式１に従って代表的な軟磁性材料に関して計算すれば、この磁壁厚みが約１００ｎｍから数μｍになる。このため高密度記録用に磁性領域２２を磁気記録層５の表面で数十ｎｍ程度の大きさをしなければならない場合に、この磁性領域２２内に軟磁性層２３を具備しようとする場合には、軟磁性層２３の厚みが薄いため磁壁を作ることができずに軟磁性層２３の磁化方向を硬磁性層２５の磁化方向と反平行にすることは不可能となる。また、磁気記録層５の表面で１００ｎｍ以上の磁性領域２２に軟磁性層２３を構成した場合でも軟磁性層２３内の磁壁部分から発生する磁界は硬磁性層２５からの磁界を相殺する効果が弱い。磁気記録層５の反磁界を抑制するためにはより一層の軟磁性層２３厚を必要とするため、このような構成で反磁界抑制効果を得るには磁性領域２２の大きさはサブミクロン程度のものとなり、高密度記録には適用できない。
【００７０】
さらにいえば、この磁壁の厚みは硬磁性材料でも１０ｎｍ程度以上、異方性定数が従来の磁性体より一桁程度大きいといわれるＦｅＰｔ、ＦｅＰｄの規則化合金材料でも４ｎｍ程度以上の値となる。そのため、硬磁性層２５内にも数ｎｍから１０ｎｍの磁壁が生じる。このため硬磁性層２５からの再生磁界が低下したり、硬磁性層２５の記録保持能力を低下させる。
【００７１】
これに対し図７（ｂ）に示した本発明の構成では軟磁性層２３と硬磁性層２５間に非磁性層２４を設けているため、軟磁性層２３と硬磁性層２５間に磁気的交換結合相互作用がはたらくことがない。このため軟磁性層２３の磁化方向は非磁性層２４との境界付近より、硬磁性層２５の磁化方向とは（磁気的交換結合の観点からは）独立な方向を向くことができる。また、硬磁性層２５の発生する磁界の作用を受け、良好に硬磁性層２５の磁化方向と反平行の方向へ向くことができる。
【００７２】
非磁性層２４の厚みは軟磁性層２３と硬磁性層２５の磁気的交換結合を断つことができれば良く、磁気的交換結合は基本的には磁性材料の原子間の相互作用で発生する近接相互作用であるため、原理的には境界に非磁性原子が数原子層存在すればよい。実際には作成上の便宜より１ｎｍ以上数ｎｍ以下の厚さがあればよく、非磁性層２４を介さない場合の磁壁厚みに比較すると極端に薄い膜厚で作成できるため１００ｎｍ以下の磁性領域２２でも領域内に、数十ｎｍ厚みの軟磁性層２３と硬磁性層２５を充分構成できる。
【実施例】
【００７３】
以下、実施例を示し本発明をさらに具体的に説明する。
実施例１
本実施例は多孔質部材の多数の孔に硬磁性材を坎合することで略円柱状の硬磁性層２５を作成し、多孔質部材の母材を除去し硬磁性層２５の外側に非磁性層２４、軟磁性層２３を作成した後にその間を非磁性材で埋め込んで図２に示した実施形態を作成する。
【００７４】
本実施例の主眼は主に磁気記録層５の構成に関するものであり、磁気記録層５の下部構造である基板１から軟磁性裏打ち層３まで、および上部構造の保護層６、潤滑層７は従来のＨＤＤ用垂直記録媒体と同様の作成方法で作成できる。また磁気記録層５の作成に関しては非磁性下地層４を磁気記録層５に対する下地として使用する場合があるため、以下の説明は主に磁気記録層５と非磁性下地層４に関して行う。
【００７５】
始めに軟磁性裏打ち層３上に非磁性下地層４と後に磁気記録層５を構成する多孔質部材を作成する。これを多孔質部材作成工程と称する。次に多孔質部材の孔中に硬磁性層２５を構成する硬磁性材料を坎合する。これを硬磁性材坎合工程と称する。次に多孔質部材の母材部分の一部を除去し硬磁性材料部分を露出させる。これを多孔質母材除去工程と称する。次に露出した硬磁性材部分の上に非磁性層２４を構成する非磁性材を積層する。これを非磁性材被覆過程と称する。さらにこの非磁性材の上に軟磁性層２３を構成する軟磁性材を積層する。これを軟磁性材被覆工程と称する。さらに磁性領域を構成する軟磁性材で包まれた硬磁性材料部分を非磁性材で埋め込む。これを非磁性材への埋め込み工程と称する。最後に表面部分を整形し磁気記録層５とする。これを磁気記録層表面整形工程と称する。
【００７６】
上記硬磁性材は磁気異方性エネルギー密度が高い一般の硬磁性材料であればかまわないが、特にＬ１０規則化構造をとるＦｅＰｔ、ＦｅＰｄ、ＣｏＰｔ、ＣｏＰｄの何れかを用いることで高い磁気異方性エネルギー密度を確保することができる。この場合には多孔質部材の孔中に該材料を坎合後、熱処理により該材料にＬ１０規則化を進行させる工程を含むことが好ましい。
【００７７】
上記軟磁性材は磁気異方性エネルギーが低く、飽和磁化Ｍｓが高い一般の軟磁性材料であればよく、ＮｉＦｅ合金（パーマロイ）などを用いることもできる。また硬磁性層２５との同種の、ＦｅまたはＣｏ、ＰｔまたはＰｄの成分をもち規則化せれていない金属材料を用いることで小さい磁気異方性エネルギー密度をもつ軟磁性層２３を構成することもできる。
【００７８】
また上記非磁性は非磁性の材料であればかまわないが、本実施例ではメッキにより軟磁性層２３を作成するため導電性がありメッキ時に触媒として使用できるＰｔ、Ｐｄなどの貴金属が好ましい。
【００７９】
以下に図３を用いて、各工程についてのより具体的に説明する。
始めに軟磁性裏打ち層３上に非磁性下地層４を作成する。非磁性下地層４は磁気記録層５が磁気記録層となるように配向制御の機能をもつことが好ましい。また非磁性材被覆工程において電解メッキ法を用いる際に非磁性下地層４を電極の一部として使用するため導電性が必要となる。
【００８０】
一方で軟磁性材被覆過程で非磁性下地層４に直接軟磁性材が付着すると後に磁性領域間が磁気的結合を生じてしまい磁気記録層５の記録特性にとって好ましくない。このため非磁性下地層４に導電性をもたせ、軟磁性材被覆工程で電解メッキを行う際に多孔質母材除去工程での母材の除去に際して磁気記録層４付近の一部母材を残す必要がある。
【００８１】
配向制御のためには非磁性下地層４に（００１）配向したＭｇＯなどの配向制御層を挿入し、更に配向制御層の上にめっきのための電極層などを設けることも可能である。また、配向制御及び電極層の両者の役割を果たすＺｎＯ等を用いる事も可能である。ここで、孔に充填する磁性材料の配向を制御するために下地電極層の配向を（００１）することが好ましい。
【００８２】
特に本発明の硬磁性材として磁気異方性エネルギー密度が大きいＬ１０規則化合金を用いる場合には、磁性体におけるＬ１０規則合金層のｃ軸を基板垂直方向に配向させるためには下地電極層が基板面に対して平行に正方状の結晶配列を有していることが好ましい。特に、ｆｃｃ構造の（００１）配向を利用することが好ましい。
【００８３】
例えば非磁性下地層４の最下層を配向したＭｇＯなどの配向制御層とし、該配向制御層に基づき、（００１）配向を有するＰｔやＰｂ膜をエピタキシャル成長させたものを非磁性下地層４とすることも好ましい形態である。配向制御のためにはｃ軸配向したＺｎＯ等を用いる事も可能である。ここで、孔に充填する磁性材料の配向を制御するために下地にはｆｃｃ構造を有する材料を用い、且つ（１１１）または（００１）配向させることが好ましく、最も好適なのは（００１）配向である。
【００８４】
また非磁性下地層４にＰｔやＰｄを含む場合に軟磁性裏打ち層３へこれら金属が拡散するのを防ぐため、非磁性下地層４の下層部分を下引き層としてＴｉなどからなる保護層を構成することもできる。
【００８５】
次に多孔質部材作成工程に付いて説明する。
始めに非磁性下地層４上に、後に磁気記録層５を構成する膜層を成膜し、その膜面内に複数の孔を作成する。
【００８６】
図３（ａ）に、複数の孔を有する多孔質部材３００を示す。多孔質部材３００の厚みは磁気記録層５と同等或いはそれ以上とする。磁気記録層５はほぼ１００ｎｍ以下、好ましくは５０ｎｍ以下、さらに好適には３０ｎｍ以下であり、より好適には５ｎｍ以上３０ｎｍ以下が好ましいた。そのため、それ以上に成膜し、作成された構造体表面を後工程としてエッチングなどで膜厚の調整を行うこともできるが、好ましくは磁気記録層５膜厚程度とする。
【００８７】
部材を孔上面側から見ると、孔が図９のように分散した状態である。図３、図９において、３０１は孔、３０２は孔間に介在する孔壁である。この孔壁部に孔が分散配置されており、母材（あるいはマトリックス部）と表現する場合がある。図３の孔３０１は非磁性下地層４上に貫通している。
【００８８】
前記多孔質部材３００において、多孔質部材３００の孔３０１は、柱状の孔であるが、この複数の孔の平均直径は前記の硬磁性層２５の径程度とする。「熱揺らぎ」効果の低減と記録密度化の観点から直径２ｎｍ以上３０ｎｍ以下が好ましい。
【００８９】
前記多孔質部材３００は、例えば、特開２００４−２３７４２９号公報に記載されているように、アルミニウムやアルミニウムを含む合金を、シュウ酸やリン酸等の溶液中で陽極酸化処理して孔を形成することで得られる。当該方法によれば、酸化物であるアルミナを孔壁に有する多孔質体が形成される。
【００９０】
また、例えば、特開２００２−１７５６２１号公報に記載されているように、相分離構造を形成する材料を用いて、柱状の部材がそれを取り囲む領域に分散した構造を形成し、当該柱状の部材を除去することにより多孔質層を得ることができる。
【００９１】
孔径は１ｎｍ以上１００ｎｍ以下、特に本実施形態で利用する形態の直径１ｎｍ以上３０ｎｍ以下、更に直径１ｎｍ以上１５ｎｍ以下で、且つ孔間の平均間隔２０ｎｍ以下であるような鋳型を用いて、磁性体を坎合した構造体を作成するためには有用である。
【００９２】
また孔の深さ（孔の長手方向の厚さ）は、５ｎｍ以上１００ｎｍ以下、特に５０ｎｍ以下、更に好ましくは３０ｎｍ以下の深さを好適に作成できため、磁気記録層５膜厚を貫通した孔の深さを好適に構成できる。
【００９３】
以下に、特に特開２００２−１７５６２１号公報に記載されている方法に基づいた例についてより詳しく説明する。
具体的には、柱状の部材の周囲が別な材料により構成される領域に取り囲まれている構造物を用意し、柱状部材を選択的に除去する。該構造物には前記領域を構成する材料が、前記柱状の部材を構成する材料と前記領域を構成する材料の全量に対して２０ａｔｏｍｉｃ％以上７０ａｔｏｍｉｃ％以下の割合で含まれている構造物である。上記割合の範囲であれば、実質的に柱状の部材がそれを取り囲むマトリックス領域に分散した構造体が実現される。ここで柱状の部材の構成材料としては、ＡｌやＭｇなどが挙げられる。前記柱状の部材を取り囲む領域を構成する材料としては、Ｓｉ、Ｇｅ、ＳｉとＧｅの混合物（以降、ＳｉxＧｅ1-x（０＜ｘ＜１）と記載することがある。）などが挙げられる。
【００９４】
このような柱状の部材がそれらを取り囲む領域に分散した構造体を得るには、前記柱状の部材及びそれを取り囲む領域を構成する材料の両方を含むターゲットを用いたスパッタリング法などの非平衡成膜法により実現される。後述する実施例中においてより具体的に説明する。
【００９５】
成膜後、柱状部材を選択的に除去する。例えば、柱状部材がＡｌの場合、２．８％に希釈したアンモニア水に浸漬することにより、Ａｌ部分が溶出し多孔質材料が形成される。その他、各種酸溶液等も使用することが可能である。マトリックッス部はＡｌ柱状部材の溶解後酸化されてＳｉＯ2またはＧｅＯ2、及びＳｉＯ2とＧｅＯ2の混合物となる。
【００９６】
次に硬磁性材充填工程に付いて説明する。
多孔質部材３００の複数の孔内に、第一の作成方法では硬磁性材料を充填する。図３（ｂ）に、孔３０１内に内包充填物３０３を充填し余剰な充填材料を研磨等により除去した構造を示す。
【００９７】
充填物３０３は磁気異方性エネルギー密度が大きい硬磁性材料である。例えばＣｏＣｒＰｔなどをスパッタ法、ＣＶＤ法、蒸着法等のドライプロセスやメッキ法により充填することもできる．磁気異方性エネルギー密度がより大きなＬ１０規則化合金のＦｅＰｔ、ＦｅＰｄ、ＣｏＰｔ、ＣｏＰｄなどを充填することが好ましい。
【００９８】
このとき最も充填性に優れる手法はメッキ法である。非磁性下地層４にＰｔ又はＰｄ、その他の導電性金属成分を含有させる。非磁性下地層４を電極とし充填する材料に応じて、Ｐｔ，Ｐｄ原料としてヘキサクロロ白金（ＩＶ）酸塩、ヘキサクロロＰｄ酸塩を、Ｆｅ、Ｃｏの原料としてそれぞれの塩化塩、硫酸塩を含んだメッキ液を用いて電解メッキを行えばよい。
【００９９】
なお、めっき浴中のＦｅイオンは比較的不安定であり沈殿物を形成しやすいので、Ｆｅイオンの安定化のために、錯化剤を添加することもできる。錯化剤には酒石酸、クエン酸、コハク酸、マロン酸、リンゴ酸、グルコン酸や、これらの塩から適宜選択される。特に酒石酸もしくはその塩および／またはクエン酸もしくはその塩、更には、酒石酸ナトリウムおよび／または酒石酸アンモニウムを用いることが好ましい。
【０１００】
また、ヘキサクロロ白金（ＩＶ）酸塩の経時変化を抑制するために、ＮａＣｌなどのＣｌ−イオンを過剰に含む溶液とすることも効果的である。必要に応じてアンモニウムイオンを添加することによりヘキサクロロ白金（ＩＶ）酸アンモニウムの錯体を形成し溶液中での安定化を更に促進することも可能である。
【０１０１】
めっき液中に加える原料の割合、及びめっき電位の制御を行い、Ｆｅ、またはＣｏ組成とＰｔ、Ｐｄ組成がほぼ同等となりＬ１０規則化組成と同等になるようにする。充填直後のＦｅＰｔ、ＦｅＰｄ、ＣｏＰｔ、ＣｏＰｄは一般にＬ１０規則化されていないのでこの段階で４００℃以上６５０℃以下で数十分から数時間の熱処理を行いＬ１０規則化を進行させる熱処理過程を行うことが好ましい。またこの熱処理は還元雰囲気下、真空下または水素雰囲気下で行なう事が好ましい。特に水素雰囲気下で熱処理を行なう事が好ましい。
【０１０２】
一方、充填にスパッタ法、ＣＶＤ法、蒸着法等のドライプロセスを用いることも可能である。特に、アークプラズマガンは、イオン化された金属粒子を成膜するイオンプレーティングに近い手法であり、ダマシン等の配線形成において埋め込み性能に優れる成膜手法であることが証明されている。また、基板バイアスをかけることにより充填性が良好となる。
【０１０３】
この他、堆積する粒子が基板に対して直進性良く飛散する、例えばイオンビームスパッタ等も孔内への埋め込みに適した手法である。しかしながら、ドライプロセスを用いる場合、孔内のみならず孔壁上へも成膜されるため、充填性が悪化する可能性がある。故に、本実施例の硬磁性材の充填にドライプロセスを用いるに際して、硬磁性層２５の直径が５０ｎｍ以下の場合には（磁気記録層厚）／（硬磁性層）で示されるアスペクト比が２以下のものに適用することが好ましい。より好ましくはアスペクト比が１以下のものにドライプロセスが好適に適用できる。また、必要に応じて、孔壁上の堆積物をエッチングプロセスにより取り除く工程と、充填工程とを交互に行なう事で充填性を改善する事も可能である。
【０１０４】
充填工程にて溢れ出た部分は研磨等の手法により除去するのが好ましい。
次に多孔質母材除去工程に付いて説明する。
図３（ｃ）に多孔質母材除去工程で母材の一部を除去した構造を示す。
【０１０５】
母材３０２は図３（ａ）の工程でアルミの陽極酸化を用いる場合はアルミナであり、相分離構造を用いた場合はＳｉまたはＧｅ、またはＳｉ，Ｇｅの酸化物であるためＮａＯＨ等のアルカリ溶液またはフッ化水素などで除去が可能である。溶液の種類、濃度及び温度などを制御することにより、母材材料の溶解速度及び溶解量を制御することが可能となり、図３（ｃ）のように母材の一部を残すことが可能である。図３（ｃ）に示すように孔３０１内の内包充填物３０３は露出して突起構造体３０４となり、除去し残した母材残部３０５が突起構造体３０４間に非磁性下地層４を被覆して残っている。
【０１０６】
本工程により、上に凸な突起状構造体３０４が形成される。突起状構造体３０４は硬磁性体材、特に好ましくはＬ１規則化したＦｅＰｔ、ＦｅＰｄ、ＣｏＰｔ、ＣｏＰｄ合金である。
【０１０７】
これを硬磁性層２５とし、その上に非磁性層２４、軟磁性層２３を順次作成する。非磁性層２４、軟磁性層２３は各々金属非磁性材、軟磁性材をメッキ法によって被覆していくことで作成できる。
【０１０８】
次に非磁性材被覆過程並びに軟磁性材被覆工程について説明する。
非磁性層２４の材料としてＰｔ、Ｐｄなどを用い、非磁性下地層４，突起状構造体３０４を電極として電解メッキにより突起状構造体３０４上にＰｔ、Ｐｄなどの皮膜を作成し、これを非磁性層２４とする。突起状構造体３０４間は多孔質母材除去工程で除去し残した母材残部３０５で被覆されている。そのため、メッキ液と電極である非磁性下地層４が直接接触しないため、Ｐｔ、Ｐｄ皮膜が形成されず、図３（ｄ）に示すように硬磁性層２５の露出部分のみに非磁性層２４が形成される。図３（ｃ）で硬磁性層２５のみで構成された突起状構造体３０４は非磁性層２４が被覆された突起状構造体３０６になる。
【０１０９】
電解メッキはヘキサクロロ白金（ＩＶ）酸塩、或いはヘキサクロロＰｄ酸塩を含んだメッキ液を用いて行えばよい。特に非磁性下地層４としてＰｔを用いる場合にはヘキサクロロ白金（ＩＶ）酸塩の経時変化を抑制するために、ＮａＣｌなどのＣｌ-イオンを過剰に含む溶液とすることも効果的である。必要に応じてアンモニウムイオンを添加することによりヘキサクロロ白金（ＩＶ）酸アンモニウムの錯体を形成し溶液中での安定化を更に促進することも可能である。
【０１１０】
さらに、非磁性下地層４、突起状構造体３０６を電極として電解メッキで軟磁性材を皮膜することで突起状構造体３０６上に軟磁性層２３を積層する。軟磁性材としてパーマロイなどを用いてメッキを行う。たとえば硫酸ニッケル、塩化ニッケル、硫酸鉄の混合液に緩衝剤として硼酸、添加剤としてサッカリンナトリウム、界面活性剤としてラウリル酸ソーダなどを添加したメッキ液を用いて電解メッキを行えばよい。パーマロイのＦｅとＮｉの組成比は主に電圧とメッキ液中の硫酸鉄の成分でコントロールできる。
【０１１１】
このようにして図３（ｅ）に示す様に、突起状構造体３０６に軟磁性層２３が被覆された突起状構造体３０７が形成される。非磁性材の被覆工程と同様にして母材残部３０５で非磁性下地層４が被覆され直接メッキ液に接触することがないため、各突起状構造体３０７間には磁性材が付着せず、各突起状構造体３０７間が磁気的に結合することはない。
【０１１２】
メッキされる軟磁性層２３の厚みは厚いほど硬磁性層２５からの反磁界を相殺する効果が高いが軟磁性層２３の厚みが厚いほど磁性領域の大きさが大きくなるため、記録密度の観点からは好ましくない。反磁界相殺効果との兼ね合いにもよるが、硬磁性層２５の半径程度かそれ以下にすることが望ましい。磁性領域の大きさを１０ｎｍ以上４０ｎｍ程度以下にする場合には、軟磁性層２３の厚は数ｎｍから１０ｎｍ程度にとることが好ましく、この厚みはメッキで充分被覆される厚みである。
【０１１３】
最後に非磁性体への埋め込み工程および磁気記録層表面整形工程を行う。
埋め込む非磁性材２１は非磁性で、接触する軟磁性層２３を劣化させないものであればよいが、例えばＳｉＯ2やＳｉＮ２をスパッタ、ＣＶＤ、蒸着などにより埋め込めばよい。埋め込み後磁気記録層５の表面を平坦化するために研磨、エッチングなどの磁気記録層表面整形工程を行うこうが好ましい。これらの工程後に図３（ｆ）のような磁性層５が作成できる。
【０１１４】
最終的に記録媒体とするためには、上記のように作成された磁気記録層５上に、この後通常の成膜プロセスを用いて保護層６、潤滑層７を作成すればよい。
【０１１５】
実施例２
本実施例は、非磁性材に埋め込まれた略円柱状の磁性領域の中心部分を軟磁性材料からなる軟磁性層、外周部分を硬磁性材料からからなる硬磁性層として構成し、両磁性層間に非磁性層を設けたものである。
【０１１６】
図１０に本実施例に於ける磁気記録層５の構成を示す。図１０中５は図１と同様に磁気記録層を表す。また図２と同様に２２は磁性領域、２１は各磁性領域２２を磁気的に分離する非磁性材、２３は磁性領域２２を構成する軟磁性層である。２３は磁性領域２２を構成する非磁性層、２５は磁性領域２２を構成する硬磁性層である。本実施例に関わる磁性領域２２の特徴は、実施例１とは反対に該円柱状の磁性領域２２の径方向の内側に軟磁性材料からなる軟磁性層２３、外側に硬磁性材料からなる硬磁性層２５を設け、両磁性層の間に非磁性層２４を具備するものである。また実施例１と同様に軟磁性層、硬磁性層は二層以上の多層構成とし、その間に非磁性層を具備する構成でも良い。
【０１１７】
図１１に本実施例における磁気記録層５上の磁性領域２２付近での反磁界の様子と記録磁界印加時での磁気領域内の磁化の反転の様子を示す。図１１（ａ）は記録磁化が印加されていないときの磁性領域２２内の磁化方向とその付近での反磁界を模式的に示す。図１１（ｂ）から（ｄ）は記録磁界印加時前後の磁性領域２２内の磁化方向の反転の様子を模式的に示したものである。図中の符号は図５、図６と同じものを指す。
【０１１８】
図１１（ａ）で本実施例では磁性領域２２の中心付近の軟磁性層２３と磁性領域２２の周囲の硬磁性層２５の磁化方向は反平行であり、図５と同様に磁力線が閉磁回路を構成することで周辺への反磁界の発生を抑制する効果がある。
【０１１９】
図１１（ｂ）は記録磁界印加前、図１１（ｃ）は記録磁界印加時、図１１（ｄ）は記録磁界印加後の磁性領域２２内の磁化方向を模式的に示す。記録磁気ヘッドより印加された記録磁界Ｈｅｘｔにより図１１（ｃ）では軟磁性層２３、硬磁性層２５とも磁化の方向が平行となり記録磁界Ｈｅｘｔの方向へ揃う。記録磁界がなくなった図１１（ｄ）では磁気異方性エネルギー密度が大きい硬磁性層２５は磁化の方向を保持する。磁気異方性エネルギー密度が小さい軟磁性層２３は硬磁性層２５からの反磁界で磁化の方向を反転し、硬磁性層２５と軟磁性層２３の磁化の方向が反平行となって安定する。
【０１２０】
実施例１とは異なり、記録磁界Ｈｅｘｔ印加後で磁化方向を反転する軟磁性層２３が磁性領域２２の中心部分に存在する。第一の実施形態と同様に硬磁性層２５の磁化方向を信号の記録方向として磁気記録媒体に情報記録を行うことも可能である。その場合には再生すべき信号を発生する硬磁性層２５が磁性領域２２の周囲に存在するため孤立ピットの再生信号波形がブロードになり再生解像度の点からは好ましくない。
【０１２１】
これ点より本実施例では、再生信号時と記録信号時の磁界の方向を反転した逆位相記録方式をとることも可能である。具体的には記録する信号に対応した磁化方向を磁性領域２２中心に存在する軟磁性層２３の磁化方向に担わせればよい。このため硬磁性層２５の磁気記録層５面での断面積と飽和磁化Ｍｓの大きさの積が軟磁性層２３の磁気記録層５面での断面積と飽和磁化Ｍｓの大きさの積の半分以下となるようにする。これにより再生ヘッドが磁性領域２２の中心部分上にある場合検出する磁界の方向は磁性領域２２中心に存在する軟磁性層２３の磁化方向となる。この方向は図１１に示したように印加した記録磁界の方向とは逆方向となっている。
【０１２２】
図１１で示した如く、印加記録磁界の方向は硬磁性層２５の磁化方向に記録されるが、印加後は図１１（ｄ）のように硬磁性層２５からの反磁界で軟磁性層２３は硬磁性層２５の磁化方向と必ず反平行の方向にある。そのため、再生時の磁性領域２２からの再生磁界の方向は記録時の印加磁界の方向と逆極性となっている。換言すれが、再生信号と記録信号を１８０度位相を変えた逆位相で記録、或いは再生することで記録信号を再生信号の対応が可能である。
【０１２３】
本実施例では軟磁性層２３の厚み及び飽和磁化Ｍｓを大きくすることで反磁界抑制効果、及び再生信号強度は高まるが、軟磁性層２３の体積が小さくなると熱揺らぎの影響を受け易くなり磁化方向を保持しにくくなる。しかしながら軟磁性層２３にＬ１０規則化合金のＦｅＰｔ、ＦｅＰｄ、ＣｏＰｔ、ＣｏＰｄを用いることにより従来硬磁性材料の１桁程度大きい磁気異方性エネルギー密度を得られる。そのため、好ましくは軟磁性層２３の磁気記録層５面での断面積と飽和磁化Ｍｓの大きさの積と硬磁性層２５の磁気記録層５面での断面積と飽和磁化Ｍｓの大きさの積の比は１０：１から２：１程度とすることが可能である。
【０１２４】
本実施例の記録信号は従来の記録信号を逆位相にとることが必要となり従来のＨＤＤ記録装置の信号処理回路に若干の変更が必要となるが、主な変更は信号位相の反転ですむため従来技術の特許文献３に記載の装置に比べ簡易に実現できる。
【０１２５】
本実施例による磁気記録層５を作成するためには実施例１とほぼ同様に多孔質部材の多数の孔に磁性材を坎合することで略円柱状の磁性層を作成する。その後、多孔質部材の母材を除去し該磁性の外側に非磁性層、磁性層を作成した後にその間を非磁性材で埋め込んで図１０に示した実施形態を作成すればよい。実施例１との相違は、始めに多孔質部材の孔に坎合する磁性材料を軟磁性材料に、非磁性層上に被覆する磁性材料を硬磁性材料とする点にある。各磁性層、非磁性層の坎合及び被覆は第一の実施例と同様に電解メッキを用いればよく、電解メッキ手順を交換すればほぼ第一の実施例と同等の工程で作成できるため、詳細は省略する。
【０１２６】
概要を以下に記せば、始めに軟磁性裏打ち層３上に非磁性下地層４と後に磁気記録層５を構成する多孔質部材を作成する。次に多孔質部材の孔中に軟磁性層２３を構成する軟磁性材料を坎合する。次に多孔質部材の母材部分の一部を除去し軟磁性材料部分を露出させる。次に露出した軟磁性材部分の上に非磁性層２４を構成する非磁性材を積層する。さらにこの非磁性材の上に硬磁性層２５を構成する硬磁性材を積層する。さらに磁性領域を構成する軟磁性材で包まれた硬磁性材料部分を非磁性材で埋め込む。最後に表面部分を整形し磁気記録層５とする。
【０１２７】
軟磁性材の坎合は非磁性下地層４を電極とした電解メッキで行うことができる。非磁性下地層４は第一の実施例と同様に電極として使用するため導電性を有する膜、例えばＰｔなどを成膜して得られる。たとえば硫酸ニッケル、塩化ニッケル、硫酸鉄の混合液に緩衝剤として硼酸、添加剤としてサッカリンナトリウム、界面活性剤としてラウリル酸ソーダなどを添加したメッキ液を用いる。そして、電解メッキを行いパーマロイからなる軟磁性層２３を孔内に坎合すればよい。
【０１２８】
その後多孔質母材に一部をアルカリ溶液などで除去し、露出した軟磁性層２３を電極としてヘキサクロロ白金（ＩＶ）酸塩、或いはヘキサクロロＰｄ酸塩を含んだメッキ液を用いてＰｔまたはＰｄからなる非磁性層２４を被覆する。その後実施例１に記載のメッキ液を用いてＦｅＰｔ、或いはＦｅＰｄ、ＣｏＰｔ、ＣｏＰｄの何れかをメッキする。メッキ後４００度から６５０度で水素雰囲気中で熱処理を行いＬ１０規則化合金の硬磁性層２５を作成する。
【０１２９】
最後にＳｉＯ2などをスパッタして突起部分を埋め込んで磁気記録層５を作成すればよい。
【０１３０】
実施例３
本実施例は、従来技術に於ける特許文献３記載の磁気記録媒体に本発明を適用したものである。
【０１３１】
図１２に本実施例における磁気記録層の構成を示す。符合は図２と同様に記載されており、２１は非磁性材、２２は磁性領域、２３は磁性領域を構成する軟磁性層、２４は磁性領域を構成する非磁性層、２５は磁性領域を構成する硬磁性層である。
【０１３２】
本実施例は磁性領域２２の磁気記録層５面方向断面が略方形をとることと、非磁性層２４、並びに軟磁性層２３が硬磁性層２５を取り囲んで連続な層を形成しておらず、硬磁性層２５を挟んで記録トラック方向に硬磁性層２５の前後に配されている。
【０１３３】
本構成に於いても図５に示した如く、硬磁性層２５と軟磁性層２３の磁化が反平行を向くことによって記録トラック方向に対しては反磁界を相殺する効果が生じる。
本実施例では非磁性下地層上に磁気異方性エネルギー密度が高い硬磁性体を成膜する。次に、電子描画法、光干渉リソグラフィ法、Ｘ線リソグラフィ法、走査プローブ顕微鏡法、イオンビームリソグラフィ法などで始めに硬磁性層２５のパターンを作成する。特に一酸化炭素とアンモニアの混合ガスによる反応性イオンエッチングを用いて硬磁性層２５のパターンを作成することが好ましい。硬磁性層材料は、Ｌ１規則化したＦｅＰｔ、ＦｅＰｄ、ＣｏＰｔ、ＣｏＰｄ合金、あるいはＣｏＣｒＰｔ、ＣｏＣｒＴａ等の従来使用されている磁性体をスパッタ法等のドライ成膜、メッキ法等のウエット成膜何れの成膜方法で成膜しても良い。
【０１３４】
硬磁性層２５のパターン作成後非磁性層２４、軟磁性層２３を斜め蒸着法によって硬磁性層２５パターンの側面に成膜する。非磁性層２４の材質はＰｔ、Ｐｄなどでも良いが、より安価なＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4、Ａｌ2Ｏ3などの酸化物、窒化物を用いても良い。また軟磁性層２５の材料として飽和磁化Ｍｓが大きく磁気異方性エネルギー密度が低い軟磁性材料で蒸着、スパッタリング法が可能なものであればよいが、特に実施例１、２と同様にパーマロイ材を用いることができる。
【０１３５】
最後に磁性領域２２をＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4、Ａｌ2Ｏ3などの非磁性材に埋め込んで表面を研磨、エッチングなどで仕上げればよい。
本実施例ではパターニングプロセスを使用するため、主にメッキ法を用いた実施例１、２と比較して硬磁性層２３、非磁性層２４、軟磁性層２５に使用する材料に選択幅が広く取れる。特に非磁性層２４に実施例１、２のようなＰｔ、Ｐｄ以外の安価な材料が選択できるという利点を有する。
【０１３６】
本実施例では非磁性層２４、並びに軟磁性層２３が硬磁性層２５を取り囲んで連続な層を形成しておらず、硬磁性層２５を挟んで記録トラック方向に硬磁性層２５の前後に配されているものに関して説明した。また、磁性領域２２の間隔が広いものに関しては記録トラックと垂直方向にも斜め蒸着を行うことで非磁性層２４、並びに軟磁性層２３が硬磁性層２５を取り囲んで構成することも可能である。
【０１３７】
また本実施例では主に記録トラック方向に反磁界を相殺するため記録トラックと垂直方向には反磁界の相殺が起こりにくいという欠点を有する。しかしながら一般にトラック方向はヘッドの走行方向であるために記録密度が高く、トラック垂直方向にはヘッドのトラックング制御の精度の影響でトラック方向ほど記録密度が上げられない。このため磁性領域２２間の幅は一般にトラック垂直方向はトラック方向より広く取られるため、本構成でも簡便に記録ノイズを低減する効果がある。
【０１３８】
特に磁気記録層５の表面をトラック方向に凹凸を設けた構成にすることでトラック垂直方向の反磁界による磁気記録層５間での記録感度のバラツキを少なくすることも可能である。
【産業上の利用可能性】
【０１３９】
本発明に係る磁気記録媒体は、ＨＤＤ装置などの高密度磁気記録装置、及びそれら装置を含む情報処理装置、画像記録装置などに利用が可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１４０】
【図１】本発明に関わる垂直記録媒体の構成を示す図せある。
【図２】本発明に関わる第一の実施形態の磁気記録層の構成を示す図である。
【図３】本発明に関わる垂直記録媒体の磁気記録層の作成方法を説明するための図である。
【図４】従来例に於ける垂直記録媒体の構成を示す図である。
【図５】本発明の第一の実施形態における磁性領域付近の磁界の様子をあらわす図である。
【図６】本発明の第一の実施形態における磁性領域内の磁化の方向を表す模式図である。
【図７】本発明に於ける非磁性層の効果を説明するための図である。
【図８】本発明に関わる垂直記録媒体を利用した磁気記録装置の構成を示す図である。
【図９】本発明に関わる磁気記録層の作成方法における多孔質部材を示す図である。
【図１０】本発明に関わる第二の実施形態の磁気記録層の構成を示す図である。
【図１１】本発明の第二の実施形態における磁性領域内の磁化の方向を表す模式図である。
【図１２】本発明に関わる第二の実施形態の磁気記録層の構成を示す図である。
【符号の説明】
【０１４１】
１  基板
２  下地層
３  軟磁性裏打ち層
４  非磁性下地層
５  磁気記録層
６  保護層
７  潤滑層
８  磁気記録層の膜面に対して平行方向
２１  非磁性材
２２  磁性領域
２３  軟磁性層
２４  非磁性層
２５  硬磁性層
２６  磁束線
３００  多孔質部材
３０１  孔
３０２  母材
３０３  内包充填物
３０４  突起状構造体（硬磁性体）
３０５  母材残部
３０６  突起状構造体（非磁性材被覆）
３０７  突起状構造体（軟磁性材被覆）
４０１  軟磁性裏打ち層
４０２  非磁性下地層
４０３  垂直磁気記録層
４０４  磁性領域
４０５  非磁性領域
４０６  磁区
４０７  記録用磁気ヘッド
【図１】
2008052877.tif 000004
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2008052877.tif 000010
【図８】
2008052877.tif 000011
【図９】
2008052877.tif 000012
【図１０】
2008052877.tif 000013
【図１１】
2008052877.tif 000014
【図１２】
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