(57)【要約】      （修正有）【課題】圧電体のグレインサイズが均一で小さく、破損しにくい信頼性の高い圧電素子、およびその製造方法を提供する。【解決手段】圧電素子１００は、基体１０と、基体１０の上に設けられた下部電極２０と、基体１０の上に設けられ、下部電極２０とスリット２４によって離間されて電気的に絶縁され、その上に形成される圧電体層３０のグレインサイズを小さくする機能と、圧電体の結晶の配向をより良好にする機能を有する下部ダミー電極２２と、基体１０、下部電極２０および下部ダミー電極２２の上に設けられ、一般式ＡＢＯ３で示されるペロブスカイト型酸化物が好適な圧電体層３０と、圧電体層３０の上に設けられた上部電極４０と、を含む。【選択図】図１
2008227146.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体と、
前記基体の上に設けられた下部電極と、
前記基体の上に設けられ、前記下部電極と電気的に絶縁された下部ダミー電極と、
前記基体、前記下部電極および前記下部ダミー電極の上に設けられた圧電体層と、
前記圧電体層の上に設けられた上部電極と、
を含む、圧電素子。
【請求項２】
請求項１において、
前記下部電極と前記下部ダミー電極との間の距離は、３０ｎｍ以上、１０００ｎｍ以下である、圧電素子。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
さらに、少なくとも前記圧電体層を覆うように設けられた保護層を含む、圧電素子。
【請求項４】
基体の上に下部電極層を形成する工程と、
前記下部電極層の一部を除去して、前記下部電極層を下部電極と下部ダミー電極とに分離する第１パターニング工程と、
前記基体、前記下部電極および前記下部ダミー電極の上に圧電体層を形成する工程と、
前記圧電体層の上に上部電極を形成する工程と、
少なくとも前記上部電極および前記圧電体層をエッチングによってパターニングする第２パターニング工程と、
を含む、圧電素子の製造方法。
【請求項５】
請求項４において、
前記圧電体層を形成する工程は、圧電体原料を塗布して乾燥する塗布乾燥工程を複数回繰り返して行われ、前記いずれかの塗布乾燥工程の後に、圧電体原料の結晶化を行う結晶化アニール工程を少なくとも１つ有する、圧電素子の製造方法。
【請求項６】
請求項５において、
前記圧電体層を形成する工程は、さらに、前記下部電極層を形成する工程の後であって、かつ前記第１パターニング工程の前に、前記塗布乾燥工程および前記結晶化アニール工程を少なくとも一回行って前記圧電体層のシード層を形成する工程、を含む、圧電素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、圧電素子およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
圧電素子は、一般に、無機酸化物からなる圧電体を２つの電極によって挟んだ構造を有する。圧電素子は、これらの電極間に電界を印加して圧電体に変形を生じさせ、電気機械変換を行うことができる。圧電体は、電極からの電気信号にしたがって伸縮動作する。圧電体としては、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）などの多結晶の焼結体が代表的である。
【０００３】
圧電体は、伸縮動作を繰り返すことによって破損する場合がある。たとえば特開２００７−００６６２０号公報に記載の圧電アクチュエータのように、圧電体層の一部のみが２つの電極に挟まれた構造においては、動作する部分としない部分とを１つの圧電体層の中に有することになる。このような圧電体層の伸縮動作しない部分は、伸縮動作する部分の伸縮によって応力を受けて破損することがある。しかも、このように圧電体の底部の外周よりも内側に下部電極が配置されている場合には、下部電極上で形成された圧電体の焼結体の結晶粒の大きさ（グレインサイズ）と下部電極上で形成されない圧電体のグレインサイズとは異なるのが一般的である。
【特許文献１】特開２００７−００６６２０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
発明者の検討によれば、圧電体層のうち電極上で形成される部分には小さいグレインが形成され、電極上で形成されない部分には大きいグレインが形成されることが分かっている。したがって、上述の例では、圧電体層の動作しない部分に、より大きなグレインが形成されることになり、この部分の圧電体のグレインの界面に応力が集中しやすく機械的強度がさらに低下して破損しやすいと考えられる。
【０００５】
本発明の目的は、圧電体中に大きなグレインを有さず信頼性の高い圧電素子およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明にかかる圧電素子は、
基体と、
前記基体の上に設けられた下部電極と、
前記基体の上に設けられ、前記下部電極と電気的に絶縁された下部ダミー電極と、
前記基体、前記下部電極および前記下部ダミー電極の上に設けられた圧電体層と、
前記圧電体層の上に設けられた上部電極と、
を含む。
【０００７】
このような圧電素子は、圧電体層全体のグレインサイズが均一で小さく、動作しない部分の圧電体に応力集中が起きにくく破損しにくい。
【０００８】
本発明にかかる圧電素子は、前記下部電極と前記下部ダミー電極との間の距離が、３０ｎｍ以上、１０００ｎｍ以下であることができる。
【０００９】
本発明にかかる圧電素子は、さらに、少なくとも前記圧電体層を覆うように設けられた保護層を含むことができる。
【００１０】
本発明にかかる圧電素子の製造方法は、
基体の上に下部電極層を形成する工程と、
前記下部電極層の一部を除去して、前記下部電極層を下部電極と下部ダミー電極とに分離する第１パターニング工程と、
前記基体、前記下部電極および前記下部ダミー電極の上に圧電体層を形成する工程と、
前記圧電体層の上に上部電極を形成する工程と、
少なくとも前記上部電極および前記圧電体層をエッチングによってパターニングする第２パターニング工程と、
を含む。
【００１１】
このようにすれば、圧電体層全体にわたって大きなグレインを有さず、動作しない部分の圧電体に応力集中が起きにくく、信頼性の高い圧電素子を得ることができる。
【００１２】
本発明にかかる圧電素子の製造方法において、前記圧電体層を形成する工程は、圧電体原料を塗布して乾燥する塗布乾燥工程を複数回繰り返して行われ、前記いずれかの塗布乾燥工程の後に、圧電体原料の結晶化を行う結晶化アニール工程を少なくとも１つ有することができる。
【００１３】
本発明にかかる圧電素子の製造方法において、前記圧電体層を形成する工程は、さらに、前記下部電極層を形成する工程の後であって、かつ前記第１パターニング工程の前に、前記塗布乾燥工程および前記結晶化アニール工程を少なくとも一回行って前記圧電体層のシード層を形成する工程、を含むことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下に本発明の好適な実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、以下の実施形態は、本発明の一例を説明するものである。
【００１５】
１．圧電素子
図１は、本実施形態の圧電素子１００を模式的に示す断面図である。図１は、図２のＡ−Ａ線に沿った断面図である。図２は、本実施形態にかかる圧電素子１００を模式的に示す平面図である。図３および図４は、圧電体の表面を走査型電子顕微鏡で観察した結果を示す写真である。
【００１６】
圧電素子１００は、基体１０と下部電極２０と下部ダミー電極２２と圧電体層３０と上部電極４０とを含む。
【００１７】
基体１０は、圧電素子１００が動作したときの機械的な出力を行う部材である。基体１０は、たとえば、振動板を含んで構成し、液体噴射ヘッドの可動部分となってもよく、圧力発生室などの壁の一部を構成していてもよい。基体１０は、圧電体層３０の動作により、たわんだり振動したりすることができる。基体１０の厚みは、用いる材質の弾性率などにしたがって、最適に選ばれる。基体１０の材質には、剛性および機械的強度の高い材料を含むことが望ましい。基体１０の材質としては、たとえば、酸化ジルコニウム、窒化シリコン、酸化シリコンなどの無機酸化物、ニッケル、ステンレス鋼などの金属、シリコンなどの半導体などを好適に用いることができる。基体１０は、２種以上の物質の積層構造であってもよい。
【００１８】
図１および図２に示すように、本実施形態では、下部電極２０の一部と下部ダミー電極２２の一部と圧電体層３０と上部電極４０とからなる部分をキャパシタ構造部５０と称する。圧電素子１００は、図２に示すようにキャパシタ構造部５０を複数有してもよい。
【００１９】
下部電極２０は、基体１０の上に設けられる。下部電極２０は、上部電極４０と対になり、圧電体層３０を挟む一方の電極として機能する。下部電極２０は、たとえば、図２に示すように、隣のキャパシタ構造部５０の下部電極２０と共通して構成することができる。下部電極２０は、図示せぬ外部回路と電気的に接続されている。下部電極２０の厚みは、基体１０に圧電体層３０の変形が伝達できる範囲であれば任意である。下部電極２０の厚みは、たとえば５０ｎｍ〜３００ｎｍとすることができる。下部電極２０は、その上面に圧電体層３０が形成される場合、圧電体のグレインサイズを小さくする機能と、圧電体の結晶の配向をより良好にする機能を有する。下部電極２０の材質は、この機能を満足する導電性を有する物質である限り特に限定されない。たとえば、下部電極２０の材質には、ニッケル、イリジウム、白金、チタンなどの各種の金属、それらの導電性酸化物（たとえば酸化イリジウムなど）、ストロンチウムとルテニウムの複合酸化物（ＳＲＯ）、ランタンとニッケルの複合酸化物（ＬＮＯ）などを用いることができる。また、下部電極２０は、前記例示した材料の単層でもよいし、複数の材料を積層した構造であってもよい。
【００２０】
下部ダミー電極２２は、基体１０の上に形成される。下部ダミー電極２２は、たとえば、図２に示すように、隣のキャパシタ構造部５０の下部ダミー電極２２と共通して構成することができる。下部ダミー電極２２の上には圧電体層３０の少なくとも一部が形成される。下部ダミー電極２２は、下部電極２０と電気的に絶縁される。下部ダミー電極２２と下部電極２０との間は、スリット２４によって離間されて電気的に絶縁される。スリット２４の形状は、直線状であっても屈曲した形状であってもよい。また、スリット２４の個数は、図２の例では２本であるが、１本であっても複数本であってもよい。スリット２４の幅は、下部ダミー電極２２と下部電極２０とが絶縁される程度であればよく、たとえば、３０ｎｍ以上とすることができる。スリット２４の幅が３０ｎｍより小さいと、絶縁が不十分となる、また、スリット２４の幅は、１０００ｎｍより大きいと、下部ダミー電極２２の効果が十分に得られなくなることがある。
【００２１】
下部ダミー電極２２は、下部電極２０と同様に、その上に形成される圧電体層３０のグレインサイズを小さくする機能を有する。下部ダミー電極２２の材質は、この機能を満足する導電性を有する物質である限り特に限定されない。たとえば、下部ダミー電極２２の材質には、ニッケル、イリジウム、白金、チタンなどの各種の金属、それらの導電性酸化物（たとえば酸化イリジウムなど）、ストロンチウムとルテニウムの複合酸化物、ランタンとニッケルの複合酸化物などを用いることができる。また、下部ダミー電極２２は、前記例示した材料の単層でもよいし、複数の材料を積層した構造であってもよい。また、下部ダミー電極２２は、下部電極２０と同様の厚み、材質および層構成でもよい。
【００２２】
圧電体層３０は、基体１０、下部電極２０および下部ダミー電極２２の上に設けられる。圧電体層３０の厚みは、５００ｎｍ〜３０００ｎｍとすることができる。圧電体層３０は、下部電極２０および、上部電極４０によって電界が印加されることで伸縮変形し、これにより基体１０をたわませたり振動させたりする。圧電体層３０には、圧電性を有する材料を用いることができる。圧電体層３０の材質としては、一般式ＡＢＯ３で示されるペロブスカイト型酸化物（Ａは、Ｐｂを含み、Ｂは、ＺｒおよびＴｉを含む。）が好適に用いられる。たとえば、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）やニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴＮ）などは、圧電性能が良好なため、圧電体層３０の材質として好ましい。
【００２３】
圧電体層３０のうち下部電極２０および下部ダミー電極２２の上に位置する部位は、小さいグレインを有する。一方、圧電体層３０の基体１０の上に位置する部位、すなわちスリット２４内に設けられた部位は、グレインが電極上のグレインよりも大きくなる。この部分のグレインサイズは、スリット２４の幅に依存し、スリット２４の幅よりも小さくなる。そのため、たとえば、スリット２４の幅が１０００ｎｍであれば、この部位の圧電体は、大きくとも１０００ｎｍのグレインサイズを有することになる。このような場合には、圧電体層３０は、全体にわたって大きくとも１０００ｎｍ以下のグレインサイズを有する。圧電体層３０のグレインサイズは、１０００ｎｍよりも大きいと、応力を分散させて破損を抑制する効果が十分に得られない。したがってスリット２４の幅は、１０００ｎｍ以下が好ましい。
【００２４】
また、下部電極２０の上面が、ＬＮＯやＳＲＯで形成される場合には、その上の圧電体層３０の結晶の配向をより良好にすることができる。たとえば、圧電体層３０がＰＺＴで構成される場合、圧電素子１００の圧電性能は、ＰＺＴの結晶が上下の電極が対向する方向に沿って、＜１００＞方向に配向している場合に良好となる（このような配向状態を以下、「＜１００＞配向」という。）。ＬＮＯやＳＲＯを＜１００＞配向するように形成すれば、その上に形成される圧電体層３０の＜１００＞配向の程度をさらに高めることができる。すなわち、下部電極２０の上面がＬＮＯやＳＲＯで形成される場合には、その上の圧電体層３０のグレインサイズを小さくできることに加えて、圧電体層３０の結晶の配向をより良好にすることができる。
【００２５】
図３は、電極上で結晶化アニールされた圧電体の表面の形態を示している。図４は、基体上で結晶化アニールされた圧電体の表面の形態を示している。図３をみると、１００ｎｍないし２００ｎｍに区画された形態が認められる。一方、図４をみると、３μｍないし５μｍ程度に区画された形態が認められる。いずれの形態においても、各区画は、結晶粒（グレイン）を示している。図３に示すように、下部電極２０および下部ダミー電極２２上で結晶化アニールされた圧電体は、１００ｎｍないし２００ｎｍのグレインサイズを有する。これに対して、図４に示すように、基体１０上で結晶化アニールされた圧電体は、３μｍないし５μｍのグレインサイズを有する。本実施形態の圧電素子１００では、圧電体層３０の中のグレインサイズが、下部電極２０および下部ダミー電極２２の上では、１００ｎｍないし２００ｎｍであり、基板１０の上では、スリット２４の幅よりも小さい。よって、圧電体層３０の全体にわたってグレインサイズがスリット２４の幅よりも小さくなる。
【００２６】
上部電極４０は、圧電体層４０の上に設けられる。上部電極４０は、下部電極２０と対になり他方の電極として機能する。上部電極４０の厚みは、たとえば５０ｎｍ〜２００ｎｍとすることができる。上部電極４０の材質は、前記機能を満足する導電性を有する物質である限り、特に限定されない。上部電極４０の材質は、ニッケル、イリジウム、金、白金、チタンなどの各種の金属、それらの導電性酸化物（たとえば酸化イリジウムなど）、ストロンチウムとルテニウムの複合酸化物、ランタンとニッケルの複合酸化物などを用いることができる。また、上部電極４０は、例示した材料の単層でもよいし、複数の材料を積層した構造であってもよい。
【００２７】
本実施形態の圧電素子１００は、圧電体層３０のグレインサイズを小さくするための方法として、下部ダミー電極２２を設けた。発明者の検討により、グレインが一定の大きさより小さければ応力が分散されることが分かっている。本実施形態の圧電素子１００は、圧電体層３０全体にわたって小さいグレインを有する。したがって、本実施形態の圧電素子１００は、圧電体層３０に応力が生じたときに、グレイン間の粒界や界面に応力が集中しにくく破損しにくい。
【００２８】
本実施形態にかかる圧電素子１００は、種々の変形が可能である。図５は、本実施形態にかかる圧電素子１００の変形例を模式的に示す断面図である。図５は、図６のＡ−Ａ線に沿った断面図である。図６は、本実施形態にかかる圧電素子１００の変形例を模式的に示す平面図である。
【００２９】
圧電素子１００は、図５に示すように、さらに、少なくとも圧電体層３０を覆うように設けられた保護層７０を含むことができる。保護層７０は、上部電極４０の上方に設けられている場合には、上部電極４０に配線を行うために、たとえば上部電極４０の上方に開口部７２を有することができる。保護層７０は、外部から拡散してくる水素、水、炭素を含む化合物などの不純物が圧電体層３０へ拡散し、圧電体層３０が劣化することを防止する機能を有する。保護層７０の厚みは、前述のバリア性を有する厚さ以上の厚さで、かつ、圧電素子１００の動作を阻害しない厚さが好ましい。保護層７０の材質としては、バリア性、絶縁性を有すればよく、たとえばアルミニウム酸化物が好適である。
【００３０】
２．圧電素子の製造方法
図７ないし図１１は、図１の圧電素子１００の製造工程を模式的に示す断面図である。
【００３１】
本実施形態の圧電素子１００の製造方法は、下部電極層を形成する工程と、第１パターニング工程と、圧電体層を形成する工程と、上部電極を形成する工程と、第２パターニング工程と、を含む。
【００３２】
図７に示すように、まず、基体１０を準備し、基体１０の上に、下部電極層２０ａを形成する。下部電極層２０ａは、たとえば、スパッタ法、真空蒸着、ＣＶＤ法などの方法で形成することができる。
【００３３】
次に、図８に示すように下部電極層２０ａをエッチングして、下部電極層２０ａを下部電極２０と下部ダミー電極２２とに分離する第１パターニング工程を行う。下部電極層２０aのエッチングは、フォトリソグラフィー等の方法で行うことができる。この工程により、スリット２４が形成され、下部電極２０と下部ダミー電極２２が分離される。スリット２４は、図示の例では２本形成しているが、１本でもよく３本以上形成してもよい。また、スリット２４は、直線状であっても屈曲した形状であってもよい。
【００３４】
次に、図９に示すように、圧電体層３０ａを基体１０上すなわちスリット２４上、下部電極２０上および下部ダミー電極２２上に形成する。圧電体層３０ａは、ゾルゲル法やＣＶＤ法やスパッタ法などによって形成される。ゾルゲル法においては、圧電体原料を塗布して乾燥する塗布乾燥工程を複数回繰り返し、いずれかの塗布乾燥工程の後に、圧電体原料の結晶化を行う結晶化アニール工程を少なくとも１回行うようにすることができる。塗布乾燥工程の繰り返しは、合計の厚みが所望の膜厚となるまでの回数行う。結晶化アニール工程において、下部電極２０および下部ダミー電極２２の上の圧電体は、小さいグレインサイズを有するように形成される。
【００３５】
次いで、図１０に示すように、圧電体層３０ａの上に上部電極層４０ａを形成する。上部部電極層４０ａは、たとえば、スパッタ法、真空蒸着、ＣＶＤ法などの方法で形成することができる。
【００３６】
次に、図１１に示すように、少なくとも上部電極層４０ａおよび圧電体層３０ａをエッチングして、下部電極２０、下部ダミー電極２２、圧電体層３０および上部電極４０を含むキャパシタ構造部５０を形成する第２パターニング工程を行う。第２パターニング工程は、フォトリソグラフィー等の方法を用いマスク等を形成して行うことができる。また第２パターニング工程は、フォトリソグラフィー等を複数回行ってもよい。本工程のエッチングは、公知のドライエッチング等の方法により行うことができる。本工程によって、下部電極２０および下部ダミー電極２２のうち、圧電体層３０の下面から延出した部分を除去してもよい。
【００３７】
以上のようにして圧電素子１００が製造されるが、本実施形態の製造方法は、各工程の間に適宜他の層を形成する工程や表面処理を行う工程を有することができる。たとえば、図５に示すような保護層７０を設ける場合は、たとえば、第２パターニング工程の後に、ＣＶＤ等の公知の方法で保護層７０を設ける工程、必要に応じて上部電極４０の上の保護層７０に貫通孔７２を設ける工程を追加することができる。保護層７０を設ける工程は、ＣＶＤ等の公知の方法で行うことができ、貫通孔７２を設ける工程は、フォトリソグラフィー等の公知の方法によって行うことができる。
【００３８】
また、図１２ないし図１４に示すように、圧電体層３０を形成する工程をゾルゲル法によって行う場合には、さらに、下部電極層２０ａを形成する工程の後であって、かつ第１パターニング工程の前に、塗布乾燥工程および結晶化アニール工程を少なくとも一回行って圧電体層３０のシード層３０ｂを形成する工程、を含むことができる。このようにすれば、図１２に示すように、第１パターニング工程の前に、下部電極層２０ａの上に圧電体層３０ａを設けることができる。この場合は、まず塗布乾燥工程が１回以上行われ、最大でも圧電体層３０の最終的な膜厚にならないように行われる。そして圧電体層３０ａが塗布乾燥工程を経た状態で結晶化アニール工程を行う。その後、図１３に示すように下部電極層２０ａおよび圧電体層３０ａに対して第１パターニング工程を行う。これにより、図１３に示すような、分離された下部電極２０および下部ダミー電極２２の上にシード層３０ｂを有する積層体が形成される。次いで基板１０およびシード層３０ｂの上に、塗布乾燥工程、および必要に応じて結晶化アニール工程を行って圧電体層３０ａを形成し、図１４に示すような積層体を得る。図１４に示す圧電体層３０ａとシード層３０ｂは、材質が同一であるため一体化しており、図９に示す圧電体層３０ａと同一となる。
【００３９】
下部電極層２０ａの上に形成される圧電体層３０ａの配向度は、下部電極層２０ａの横方向の連続性に依存する。したがって第１パターニング工程が行われてスリット２４が下部電極層２０ａに設けられた後で初めて結晶化アニール工程を行うと、下部電極層２０ａの横方向の連続性が低下し、圧電体層３０ａの＜１００＞配向の程度がスリット２４がない場合より悪くなることがある。特に、下部電極層２０ａの上面が金属で形成される場合には、こういった傾向が顕著になる。これに対して、下部電極層２０ａの上面が金属で形成される場合に、結晶化アニール工程を第１パターニング工程の前に行って圧電体層３０ａを形成すると、圧電体層３０ａがパターニングされていない下部電極層２０ａの上で結晶化アニールされるため（図１２参照）、圧電体層３０ａすなわちシード層３０ｂの結晶の＜１００＞配向の程度を高めることができる。
【００４０】
本実施形態の圧電素子１００の製造方法によれば、圧電体層３０全体にわたって大きなグレインを有さず、動作しない部分の圧電体に応力集中が起きにくく、信頼性の高い圧電素子１００を簡易なプロセスによって、得ることができる。
【００４１】
本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。たとえば、本発明は、実施形態で説明した構成と実質的に同一の構成（たとえば、機能、方法および結果が同一の構成、あるいは目的および効果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成または同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明の圧電素子１００を模式的に示す断面図。
【図２】本発明の圧電素子１００を模式的に示す平面図。
【図３】電極上で結晶化アニールされた圧電体の表面ＳＥＭ観察結果。
【図４】基体上で結晶化アニールされた圧電体の表面ＳＥＭ観察結果。
【図５】本発明の圧電素子１００の変形例を模式的に示す断面図。
【図６】本発明の圧電素子１００の変形例を模式的に示す平面図。
【図７】本発明の圧電素子１００の製造工程の一部を模式的に示す断面図。
【図８】本発明の圧電素子１００の製造工程の一部を模式的に示す断面図。
【図９】本発明の圧電素子１００の製造工程の一部を模式的に示す断面図。
【図１０】本発明の圧電素子１００の製造工程の一部を模式的に示す断面図。
【図１１】本発明の圧電素子１００の製造工程の一部を模式的に示す断面図。
【図１２】本発明の圧電素子１００の製造工程の一部を模式的に示す断面図。
【図１３】本発明の圧電素子１００の製造工程の一部を模式的に示す断面図。
【図１４】本発明の圧電素子１００の製造工程の一部を模式的に示す断面図。
【符号の説明】
【００４３】
１０  基体、２０  下部電極、２２  下部ダミー電極、２４  スリット、
３０  圧電体層、３０ａ  圧電体層、３０ｂ  シード層、４０  上部電極、
５０  キャパシタ構造部、７０  保護層、７２  貫通孔、１００  圧電素子
【図１】
2008227146.tif 000003
【図２】
2008227146.tif 000004
【図５】
2008227146.tif 000005
【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図３】
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【図４】
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