(57)【要約】【課題】レーザ光を集光照射するのみで凸部を形成することができ、集光照射後の現像処理が不要である光ディスク用スタンパの製造方法を提供する。【解決手段】遷移金属の硫化物又は酸化物、あるいはこれらの混合物を主成分とする相変化層にレーザ光を集光照射すると、照射領域がアモルファス状態から結晶状態に相変化し、その相変化に伴う体積増加により凸部が形成される。したがって、平坦な基板上に少なくとも遷移金属の硫化物又は酸化物、あるいはこれらの混合物を主成分とする相変化層を形成し、該相変化層に光ディスクの信号パターンに対応してレーザ光を集光照射することで、光ディスク用スタンパの作製が可能となる。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光ディスクの信号パターンに対応する凸部を有する光ディスク用スタンパであって、
平坦な基板の上に少なくとも遷移金属の硫化物又は酸化物、あるいはこれらの混合物を主成分とする相変化層を有し、
前記凸部は前記相変化層の結晶層であり、それ以外の領域は前記相変化層のアモルファス層であることを特徴とする光ディスク用スタンパ。
【請求項２】
前記平坦な基板と前記相変化層との間に、前記平坦な基板より熱伝導率の低い中間層を有することを特徴とする請求項１に記載の光ディスク用スタンパ。
【請求項３】
前記中間層は、樹脂材料からなることを特徴とする請求項２に記載の光ディスク用スタンパ。
【請求項４】
前記樹脂材料が、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、紫外線硬化性樹脂から選択された材料からなることを特徴とする請求項３に記載の光ディスク用スタンパ。
【請求項５】
前記相変化層に接して光吸収層が設けられていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかの請求項に記載の光ディスク用スタンパ。
【請求項６】
前記光吸収層が、Ａｌ又はＳｉの酸化物、窒化物、酸窒化物、あるいはこれらの混合物を主成分とすることを特徴とする請求項５に記載の光ディスク用スタンパ。
【請求項７】
前記光吸収層が、Ａｌの酸化物、窒化物、酸窒化物、あるいはこれらの混合物を主成分とする第１の光吸収層と、Ｓｉの酸化物、窒化物、酸窒化物、あるいはこれらの混合物を主成分とする第２の光吸収層の積層構造であることを特徴とする請求項５に記載の光ディスク用スタンパ。
【請求項８】
前記遷移金属は、Ｚｎ，Ｍｏ，Ｗのうち少なくとも一つであることを特徴とする請求項１乃至７のいずれかの請求項に記載の光ディスク用スタンパ。
【請求項９】
前記相変化層は、Ｍｏ又はＷの酸化物であって、これら金属のとりうる価数に応じた化学量論的組成よりも酸素含有量が少ない方向にずれた不完全酸化物を主成分とすることを特徴とする請求項８に記載の光ディスク用スタンパ。
【請求項１０】
前記相変化層は、ＺｎＳ又はＺｎＳとＳｉＯ2の混合物からなることを特徴とする請求項８に記載の光ディスク用スタンパ。
【請求項１１】
平坦な基板の上に少なくとも遷移金属の硫化物又は酸化物、あるいはこれらの混合物を主成分とする相変化層を形成し、
該相変化層に光ディスクの信号パターンに対応してレーザ光を集光照射し、照射した領域に凸部を形成することを特徴とする光ディスク用スタンパの製造方法。
【請求項１２】
前記平坦な基板と相変化層との間に、前記基板より熱伝導率の低い中間層を有することを特徴とする請求項１１に記載の光ディスク用スタンパの製造方法。
【請求項１３】
前記中間層は、樹脂材料からなることを特徴とする請求項１２に記載の光ディスク用スタンパの製造方法。
【請求項１４】
前記樹脂材料が、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、紫外線硬化性樹脂から選択された材料からなることを特徴とする請求項１３に記載の光ディスク用スタンパの製造方法。
【請求項１５】
前記相変化層に接して光吸収層が設けられていることを特徴とする請求項１０乃至１４のいずれかの請求項に記載の光ディスク用スタンパの製造方法。
【請求項１６】
前記光吸収層が、Ａｌ又はＳｉの酸化物、窒化物、酸窒化物、あるいはこれらの混合物を主成分とすることを特徴とする請求項１５に記載の光ディスク用スタンパの製造方法。
【請求項１７】
前記光吸収層が、Ａｌの酸化物、窒化物、酸窒化物、あるいはこれらの混合物を主成分とする第１の光吸収層と、Ｓｉの酸化物、窒化物、酸窒化物、あるいはこれらの混合物を主成分とする第２の光吸収層の積層構造であることを特徴とする請求項１５に記載の光ディスク用スタンパの製造方法。
【請求項１８】
前記遷移金属は、Ｚｎ，Ｍｏ，Ｗのうち少なくとも一つであることを特徴とする請求項１０乃至１７のいずれか１項に記載の光ディスク用スタンパの製造方法。
【請求項１９】
前記相変化層は、Ｍｏ又はＷの酸化物であって、これら金属のとりうる価数に応じた化学量論的組成よりも酸素含有量が少ない方向にずれた不完全酸化物を主成分とすることを特徴とする請求項１８に記載の光ディスク用スタンパの製造方法。
【請求項２０】
前記相変化層は、ＺｎＳ又はＺｎＳとＳｉＯ2の混合物からなることを特徴とする請求項１８に記載の光ディスク用スタンパの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高密度に情報を記録する光ディスク等の光記録媒体を製造するために用いられる光ディスク用スタンパ及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
今日、半導体デバイス、光学デバイス、磁気デバイス等はフォトリソグラフィ技術により微細加工されており、さらに高密度かつ高精度の微細加工を達成すべく、光源、レジスト材料や微細パターン形成方法について精力的な研究開発が進められている。
【０００３】
フォトリソグラフィ技術による微細パターンの形成技術は、例えば、ＤＲＡＭやＣＰＵ等の半導体デバイス、磁気ヘッド等の磁気デバイス、液晶等の表示デバイス、光記録媒体や光変調素子等の光デバイス等、各種デバイスの作製に多岐にわたる。
【０００４】
一般に、フォトリソグラフィ技術による微細パターン形成方法は、基板上に設けたレジスト層の露光現像によって各種パターンを形成するというものであり、必ず現像処理工程を含むものであった。
【０００５】
従来の微細パターン形成方法について、光ディスクを例に挙げ、さらに説明する。情報記録媒体として用いられている光ディスクには、ＭＤ、ＭＯ、ＤＶＤ、Ｂｌｕ−ｒａｙ  Ｄｉｓｋ（登録商標）等の様々なフォーマットがあり、用途に応じて使い分けられている。そして、いずれのフォーマットで使用される光ディスクのスタンパも、一般的には樹脂材料の射出成型により作製されている。
【０００６】
光ディスクの高密度化を実現するために、光ディスク基板に形成される案内溝やプリピット（単にピットと称する場合もある）の微細化が進められている。この光ディスク基板の案内溝やプリピット等の微細パターンは、対応するスタンパから転写して形成される。このスタンパの形成に、前述のフォトリソグラフィ技術が用いられている。
【０００７】
例えば、ガラス基板上に塗布された有機フォトレジストにレーザ光を集光照射し、フォトレジストの露光現像を行うことで光ディスク基板用のマスタースタンパを作製している。
【０００８】
このマスタースタンパ上にニッケル（Ｎｉ）あるいはコバルト（Ｃｏ）等の金属薄膜を蒸着し、この薄膜を電極としてＮｉの金属電解メッキ層を形成し、このメッキ層を剥がしてスタンパとする。そして、このスタンパを設置した金型内にポリカーボネート等の樹脂を射出成形し、スタンパ表面の凹凸が転写された光ディスク用基板が得られる。
【０００９】
このように、マスタリングプロセスは多数の製造工程を必要とするため、長時間を要する。さらに、レジスト液（現像液）の管理、メッキ液の濃度管理等の煩雑な管理作業を必要とする。
【００１０】
これに対して、特許文献１では、プリグルーブの形成された光硬化性樹脂層に相変化する金属膜を蒸着等により被着し、この金属膜にレーザ光を照射して凸型パターンを形成し、これをスタンパとして使用することが開示されている。つまり、現像やメッキを行わないことで、レジスト液の管理、メッキ液の濃度管理等が不要となるというものである。
【００１１】
一方、高密度化に際して、レーザ光の波長をλとし、レーザ光を集光させる対物レンズの開口数をＮＡとすると、集光されたレーザ光のスポット（以下、光スポットと称する）径は、ほぼ０．８λ／ＮＡとなる。光ディスクの案内溝やプリピットの微細化を行うためには、この光スポット径を小さくする必要があり、そのためには波長λを短くし、また、ＮＡを大きくする必要がある。
【００１２】
しかしながら、ＮＡはすでに現在上限に近い０．９以上が使われており、ＮＡをさらに大きくすることで光スポット径を小さくすることは事実上困難である。また、λを現状より短い紫外領域にすることも考えられるが、紫外領域とすると、光学部品のコストが上がることとなり、加えて、焦点深度が小さくなるため、原盤露光機の条件がさらに厳しくなってしまう。
【００１３】
そこで、既存の露光装置と光源を用いつつ、加工精度を向上させるため、従来のフォトンモード記録ではなく、ヒートモード記録を可能とする無機レジスト材料を用いる方法が試みられている。特許文献２には、遷移金属の不完全酸化物を含む無機レジスト材料と、それを用いた微細パターン形成方法が開示されている。
【００１４】
該特許文献２の微細パターン形成方法を以下に説明する。レジスト材料としてＷＯx（０．１＜ｘ＜０．７５）等の遷移金属の不完全酸化物を用いて、波長４０５ｎｍのレーザ光を記録情報に応じて照射し露光を行う。その後、アルカリ現像液としてはテトラメチルアンモニウム水酸化溶液を用いて現像を行うと露光部と未露光部とでエッチング差があるため記録情報に対応した凹凸パターンが形成されるというものである。無機レジストは低分子であり、露光部と未露光部との境界部で明瞭なパターンが得られるため、有機レジストに比較して高精度の微細加工が達成されている。
【特許文献１】特開平４−８２０３５号公報
【特許文献２】特開２００３−３１５９８８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
しかし、特許文献１に記載の方法では、基板にプリグルーブが予め形成されていることが必須であり、ＣＤ−ＲＯＭ、ＣＤ、ＤＶＤ−ＲＯＭのように溝がない凹部の位相ピットのみから形成されている光ディスクの作製には適用できないという問題があった。また、金属膜を用いているため照射するレーザパワーが多く必要であり、高線速でピットを形成できないという問題もあった。
【００１６】
また、特許文献２に提案されている方法においても、レーザ照射後に現像液による現像工程が必要であり、現像液の管理や廃液の処理を必要とする等の問題があった。
【００１７】
本発明は上記問題点を解決するためになされたものであり、その目的は、現在ある比較的安価な製造装置を用いて、現像処理工程が不要な光ディスク用スタンパの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
そこで、本発明者らは、検討を重ねた結果、平坦な基板上に相変化する遷移金属の硫化物又は酸化物、あるいはこれらの混合物を主成分とする相変化層を形成し、該相変化層にレーザ光を集光照射すると、照射した領域に凸部が形成されることを見出した。そして、このように形成された凸部が、光ディスク用スタンパとして使用可能な微細パターンであることを突き止めた。つまり、本発明者らは、集光照射するのみで凸部を形成することができ、集光照射後の現像処理が不要である光ディスク用スタンパの製造方法を発明した。
【００１９】
すなわち、本発明に係る光ディスク用スタンパは、
光ディスクの信号パターンに対応する凸部を有する光ディスク用スタンパであって、
平坦な基板上に少なくとも遷移金属の硫化物又は酸化物、あるいはこれらの混合物を主成分とする相変化層を有し、
前記凸部に前記相変化層の結晶層が存在し、それ以外の領域に前記相変化層のアモルファス層が存在することを特徴とする。
【００２０】
本発明に係る光ディスク用スタンパの製造方法は、
平坦な基板上に少なくとも遷移金属の硫化物又は酸化物、あるいはこれらの混合物を主成分とする相変化層を形成し、
該相変化層に光ディスクの信号パターンに対応してレーザ光を集光照射し、照射した領域に凸部を形成することを特徴とする。
【発明の効果】
【００２１】
本発明に係る光ディスク用スタンパの製造方法は、集光照射するのみで凸部を形成することが可能であり、集光照射後の現像処理が不要である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明に係る光ディスク用スタンパ及びその製造方法について、図面を参照しながら詳細に説明する。
【００２３】
図１は、本発明に係る光ディスク用スタンパの作製に用いられる光ディスク用スタンパの原盤の一実施形態を示す断面図である。基板１０１の上に相変化層１０２が形成されている。
【００２４】
基板１０１の材料としては、例えば、石英ガラス、金属、ポリエステル、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、オレフィン樹脂、エポキシ樹脂等を用いることができる。
【００２５】
相変化層１０２は、遷移金属の硫化物又は酸化物、あるいはこれらの混合物を主成分としてなる。例えば、相変化層は、ＺｎＳ等の遷移金属の硫化物、ＭｏＯ、ＷＯ、ＺｎＯ、ＭｎＯ、ＡｇＯ、ＣｏＯ等の遷移金属の酸化物、あるいはこれらの混合物等を主成分として成膜される。これらのうち、相変化に伴う体積増加の観点から、ＺｎＳ、ＷＯ、ＭｏＯを主成分とすることがより好ましい。
【００２６】
ここで、上述の遷移金属の酸化物には、遷移金属のとりうる価数に応じた化学量論的組成よりも酸素含有量が少ない方向にずれた不完全酸化物も含まれる。
【００２７】
相変化層１０２は、スパッタリング、蒸着、ＣＶＤ等の従来から知られている方法により形成することができる。例えば、単体からなるＭｏ、Ｗ、Ｚｎ等をスパッタターゲットとし、Ａｒと酸素との混合雰囲気中で反応性スパッタ法によりＭｏＯ、ＷＯ、ＺｎＯからなる相変化層を成膜することができる。また、この際、酸素ガス濃度を変えることにより不完全酸化物の酸化度合いを制御することも可能である。通常、スパッタリング法により成膜するとアモルファス状態になる。
【００２８】
また、相変化層１０２には、安定化の観点から、従来から安定化添加物として使用されているＳｉＯ2等の酸化物を添加してもよい。この場合は、スパッタリング法等の従来の手段で成膜することができる。
【００２９】
相変化層１０２の厚さとしては特に限定するものではないが、情報記録に好ましい高さの凸部を形成させるため、２０ｎｍから５００ｎｍとすることが好ましく、３０ｎｍから３００ｎｍとすることがより好ましい。
【００３０】
次に、上記光ディスク用スタンパの原盤の相変化層にレーザ光を集光照射すると、図２に示すように、照射領域に凸部が形成され、光ディスク用スタンパを作製することができる。集光照射するのみで凸部を形成することができるため、集光照射後の現像処理は不要である。
【００３１】
凸部が形成される理由を、図１及び図２を参照して、以下に示す。レーザ光を相変化層１０２に集光照射すると、照射領域がアモルファス状態から結晶状態へ相変化する。アモルファス状態と結晶状態で密度が異なると相変化により体積増加が生じ、照射されて結晶状態となった部分に凸部が形成されることになる。結晶状態となった部分（凸部が形成された部分）を結晶層１０３として図２に示す。また、集光照射後の相変化層１０２のうち、結晶層１０３以外の領域をアモルファス層１０４として図２に示す。つまり、集光照射後の相変化層１０２では、凸部は結晶層であり、それ以外の領域はアモルファス層となっている。
【００３２】
また、基板として石英ガラスや金属等を用いた場合、これらは熱伝導率が大きいのでレーザ光を集光照射して凸部形成温度に昇温するのに必要な光エネルギーが大きくなる。そこで、図３に示すように、相変化層（相変化層）と基板との間に、基板よりも熱伝導率が小さい材料からなる中間層１０５を設けることで、基板への熱の散逸を防止することができる。
【００３３】
中間層１０５としては、従来から光ディスクに用いられているポリカーボネート樹脂の他、アクリル樹脂、オレフィン樹脂、紫外線照射により硬化可能な樹脂を用いることができる。例えば、エポキシアクリレート樹脂、ウレタンアクリレート樹脂、シリコンアクリレート樹脂等の樹脂材料が好ましく用いられる。その他に、アモルファスシリコン、二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）、窒化シリコン（ＳｉＮ）、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）等の無機材料も使用できる。
【００３４】
中間層１０５は、スピンコート法等の従来の手段で成膜することができる。
【００３５】
中間層１０５の厚さとしては特に限定するものではないが、相変化層の熱の散逸を防止させるため、０．１μｍから７０μｍとすることが好ましく、０．５μｍから５０μｍとすることがより好ましい。
【００３６】
また、遷移金属の硫化物又は酸化物等からなる相変化層（凸部形成層）は、一般に紫外光又は可視光の吸収率が低い。そのため、レーザ光を集光照射して凸部を形成する温度まで昇温するのに必要な光エネルギーが大きくなる場合がある。そこで、相変化層（凸部形成層）に接して紫外光又は可視光の吸収率の高い材料からなる光吸収層を設けることができる。
【００３７】
光吸収層は、相変化層に接していれば、相変化層と基板との間あるいは基板の反対側のいずれに設けても良い。また、図４に示すように、相変化層を基板側の相変化層（第１の相変化層１０６）と表面側の相変化層（第２の相変化層１０７）の２層とし、その間に光吸収層１０８を形成しても良い。図４では、図３に示した中間層１０５を設けていないが、図５に示すように基板側に中間層１０５を設けても良い。
【００３８】
また、光吸収層は、図４，５に示すような単層の光吸収層の他、複数の層から形成される積層構造としても良い。例えば、図６に示すように、第１の相変化層１０６，第１の光吸収層１０９，第２の光吸収層１１０，第２の相変化層１０７の順で各層を設けることができる。
【００３９】
光吸収層の材料としては、使用するレーザ光の波長に十分な吸収を有し、相変化層における体積変化を妨げないものであればいずれの材料であっても良い。好ましくは、ＳｉＮ、ＡｌＮ、ＧｅＮ等の窒化物、ＳｉＯ、ＡｌＯ、ＴａＯ等の酸化物、ＳｉＯＮ、ＡｌＯＮ等の酸窒化物（いずれも非化学量論組成）、あるいはこれらの混合物を用いることができる。特に、Ａｌ又はＳｉの窒化物、酸化物、酸窒化物あるいはこれらの混合物が好ましい。例えば、図６に示すような積層構造とする場合、Ａｌの窒化物、酸化物、酸窒化物あるいはこれらの混合物を主成分とする第１の光吸収層１０９と、Ｓｉの窒化物、酸化物、酸窒化物あるいはこれらの混合物を主成分とする第２の光吸収層１１０の積層構造とできる。また、これら第１の光吸収層と第２の光吸収層の基板側からの積層順序を逆にした構造とすることができる。
【００４０】
光吸収層は、基板１０１の上にスパッタリング法、あるいはプラズマＣＶＤ法等により成膜することができる。例えば、スパッタターゲットにＳｉＮ、ＡｌＮ、ＳｉＯ、ＡｌＯ、ＳｉＯＮ又はＡｌＯＮ、あるいはこれらの混合物等を選択し、スパッタリング法により成膜することができる。また、例えば、Ｓｉ又はＡｌをターゲットに選択し、Ａｒガス、酸素及び／又は窒素の混合ガスを用いた反応性スパッタ法により形成することができる。
【００４１】
また、光吸収層は、厚すぎると基板側の相変化層１０６の凸部形成を妨げ、薄すぎると十分に光を吸収することができないため、３ｎｍから５０ｎｍとすることが好ましく、５ｎｍから２０ｎｍとすることがより好ましい。
【００４２】
このように形成したスタンパをマスタースタンパとして使用し、マスタースタンパ表面にメッキ法等によりＮｉ等の金属材料を析出し、凸パターンの転写されたマザースタンパを製造することができる。さらに、マザースタンパにメッキを施し、凸パターンを有する成型用スタンパを製造することができる。また、マザースタンパを用いて樹脂材料の射出成形により透明な樹脂スタンパを製造し、多層構造の光ディスクにパターンを転写することもできる。
【実施例】
【００４３】
本発明の実施の一形態である光ディスク用スタンパ及びその製造方法について、図を用いて以下に説明する。
【００４４】
（実施例１）
実施例１では、図３に示す構成の光ディスク用スタンパの原盤を作製した。まず、外径が１３０ｍｍで厚さ２ｍｍの平坦な石英ガラスの基板１０１の上に、中間層１０５として、アクリル系の紫外線硬化性樹脂をスピンコート法により５０μｍ形成した。
【００４５】
次に、中間層１０５の上に、Ｗの不完全酸化物を成膜して相変化層１０２を形成し、光ディスク用スタンパの原盤を作製した。Ｗの不完全酸化物からなる相変化層１０２は、Ｗ金属ターゲットを用いて、所定の真空度に排気したスパッタ装置にアルゴンと酸素の混合ガスを導入し反応性スパッタ法により形成した。その際のアルゴンと酸素の流量はそれぞれ２０ｓｃｃｍと５ｓｃｃｍであった。
【００４６】
作製したＷの不完全酸化物からなる相変化層１０２の膜厚は２００ｎｍであり、４０５ｎｍの波長における吸収率は２０％で、透過率は６０％であった。なお、吸収率は入射した光エネルギーを１００％とした場合の膜に吸収される割合を表し、透過率は膜を透過する割合を表す。
【００４７】
次に、該相変化層１０２に、特許文献２の図１に開示されているような一般的な露光装置を用いて膜面側から、光ディスクの信号パターンに対応してレーザ光を集光照射した。この時のレーザ光の波長は４０５ｎｍで、露光条件は線速４．９２ｍ／ｓ、レーザパワーは８ｍＷであった。
【００４８】
その結果、照射したレーザパワーに対応した、即ち記録情報に対応した凸部が形成された。凸部の高さは、約５０ｎｍであった。
【００４９】
透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）により断面観察及び電子線回折を行ったところ、凸部が形成された領域は結晶状態であり、凸部が形成されていない領域はアモルファス状態であることが確認された。
【００５０】
こうして得られた光ディスク用スタンパ（マスター）の表面に従来のスタンパ作製工程で行われているＮｉ膜による導体処理を行った。その後、メッキ法により光ディスク用スタンパのパターン面上にＮｉ膜を析出させ、これを光ディスク用スタンパから剥離させた後に所定の加工を施し、光ディスク用スタンパの凸パターンが転写されたマザースタンパを得た。このマザースタンパを用いて、メッキ法により凸部を有する成型用スタンパを作製した。この成形用スタンパを用いて射出成形により外径１２０ｍｍの光ディスクの基板（ＰＣ）を作製した。
【００５１】
その光ディスクの基板の凹凸面にＡｇ合金の反射膜と膜厚０．１ｍｍの保護膜とを形成することにより１２０ｍｍ径の光ディスクを得た。
【００５２】
この光ディスクの凹凸面をＳＥＭにて観察したところ、１５０ｎｍ長のピット、幅１３０ｎｍの線状のピットなどが実際の信号パターンに対応する状態で形成されており、記録容量２５ＧＢの光ディスクとなっていることが確認された。
【００５３】
つぎに、上記光ディスクを以下の条件で読出し、そのＲＦ信号をアイパターンとして得て、信号評価を行った。
・トラッキングサーボ：プッシュプル法
・変調：１７ＰＰ
・ビット長：１１２ｎｍ
・トラックピッチ：３２０ｎｍ
・読出し線速度：４．９２ｍ／ｓ
・読出し照射パワー：０．３５ｍＷ
リミット・イコライゼーション処理を行なったアイパターンにおけるジッター値は６％と十分に低い値となっており、記録容量２５ＧＢのＲＯＭディスクとして実用上問題のない良好な結果が得られた。
【００５４】
（実施例２）
本実施例は、図１に示すような中間層１０５を有しない構成の光ディスク用スタンパの原盤を作製した。
【００５５】
相変化層１０２としては、実施例１と同じ相変化材料であるＷの不完全酸化物を用いた。Ｗの不完全酸化物からなる相変化層１０２は実施例１と同じ方法で作製され、膜厚は１５０ｎｍであり、４０５ｎｍの波長における吸収率は２０％で透過率は７０％であった。
【００５６】
次に、実施例１と同じ露光装置を用いて、実施例１と同様な情報を記録した。このときの露光条件は、線速４．９２ｍ／ｓ、パワー１２ｍＷであった。その結果、記録情報に対応した凸部が形成され、その高さは約５０ｎｍであった。
【００５７】
さらに、実施例１と同じ方法により、得られた光ディスク用スタンパから光ディスクの基板を作製し、その光ディスクの基板にＡｇ合金の反射膜及び０．１ｍｍの保護膜を形成して光ディスクを作製した。この光ディスクについて実施例１と同じ方法で信号評価を実施したところ、実用上問題ないジッター６％が得られた。
【００５８】
（実施例３）
本実施例は、図６に示すような構成の光ディスク用スタンパの原盤を作製した。つまり、基板１０１、中間層１０５、第１の相変化層１０６、第１の光吸収層１０９、第２の光吸収層１１０及び第２の相変化層１０７を順次積層して、光ディスク用スタンパの原盤を作製した。
【００５９】
まず、外径が１３０ｍｍで厚さ２ｍｍの平坦な石英ガラス円板１０１上に、紫外線硬化性樹脂層１０５を５０μｍ形成した。
【００６０】
該中間層１０５の上に、ＺｎＳとＳｉＯ2のモル比が４：１であるＺｎＳとＳｉＯ2の混合物をスパッタ法により７０ｎｍ成膜し、基板側の相変化層１０６を形成した。
【００６１】
該第１の相変化層１０６の上に、ＳｉＯＮを５ｎｍ成膜し、第１の光吸収層１０９を形成した。第１の光吸収層１０９は、Ｓｉターゲットを用いて、Ａｒ、酸素及び窒素の混合ガスを用いた反応性スパッタ法により形成した。この時のＡｒと酸素及び窒素のガス流量は、それぞれ４６ｓｃｃｍ、１．５ｓｃｃｍ及び２．５ｓｃｃｍであった。
【００６２】
該第１の光吸収層１０９の上に、ＡｌＯＮを５ｎｍ成膜し、第２の光吸収層１１０を形成した。第２の光吸収層１１０は、Ａｌターゲットを用いて、Ａｒ、酸素及び窒素の混合ガスを用いた反応性スパッタ法により形成した。この時のＡｒと酸素及び窒素のガス流量は、それぞれ４４．５ｓｃｃｍ、２．５ｓｃｃｍ及び３．０ｓｃｃｍであった。
【００６３】
該第２の光吸収層１１０の上に、ＺｎＳとＳｉＯ2モル比が４：１であるＺｎＳとＳｉＯ2の混合物をスパッタ法により５０ｎｍ成膜し、第２の相変化層１０７を形成した。
【００６４】
次に、この光吸収層を間に有する相変化層に、実施例１と同じ露光装置を用いてレーザ光を照射した。この時のレーザ光の波長は４０５ｎｍで、露光条件は線速４．９２ｍ／ｓ、レーザパワーは１０ｍＷであった。
【００６５】
その結果、図５に示すように照射したレーザパワーに対応した、即ち記録情報に対応した凸部が形成された。凸部の高さは、約５０ｎｍであった。
【００６６】
透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）により断面観察及び電子線回折を行ったところ、凸部が形成された領域ではＺｎＳとＳｉＯ2のモル比が４：１であるＺｎＳとＳｉＯ2の混合物は結晶状態であり、凸部が形成されていない領域ではアモルファス状態であることがわかった。
【００６７】
さらに、実施例１と同じ方法により、得られた光ディスク用スタンパから光ディスクの基板を作製し、その光ディスクの基板にＡｇ合金の反射膜及び０．１ｍｍの保護膜を形成して光ディスクを作製した。この光ディスクについて実施例１と同じ方法で信号評価を実施したところ、実用上問題ないジッター６％が得られた。
【００６８】
また、この光ディスクの凹凸面をＳＥＭにて観察したところ、１５０ｎｍ長のピット、幅１３０ｎｍの線状のピットなどが実際の信号パターンに対応する状態でピットが形成されており、記録容量２５ＧＢの光ディスクとなっていることが確認された。
【００６９】
（実施例４）
実施例３で作製した光ディスク用スタンパの原盤に、実施例１で使用した露光装置を使用して、膜面側からレーザ光をＤＣ連続照射し、連続した線状の凸部を形成した。
【００７０】
このときのレーザーパワーはＤＣで７．５ｍＷであった。凸部の高さは、約２０ｎｍであった。
【００７１】
さらに、実施例１と同じ方法により、得られた光ディスク用スタンパから光ディスクの基板を作製し、その光ディスクの基板にＳｉ５ｎｍの反射膜及び０．１ｍｍの保護膜を形成して光ディスクを作製した。この光ディスクについて実施例１と同じ方法で信号評価を実施したところ、実用上問題ないジッター６％が得られた。
【００７２】
なお、本発明に係る光ディスク用スタンパ及びその製造方法は上述した実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００７３】
【図１】光ディスク用スタンパの原盤である。
【図２】図１に示す光ディスク用スタンパの原盤にレーザ光を集光照射した後に得られる光ディスク用スタンパである。
【図３】中間層を有する光ディスク用スタンパの原盤である。
【図４】光吸収層を有する光ディスク用スタンパの原盤である。
【図５】中間層と光吸収層を有する光ディスク用スタンパの原盤である。
【図６】中間層と二層からなる光吸収層を有する光ディスク用スタンパの原盤である。
【符号の説明】
【００７４】
１０１：基板
１０２：相変化層
１０３：結晶層
１０４：アモルファス層
１０５：中間層
１０６：第１の相変化層
１０７：第２の相変化層
１０８：光吸収層
１０９：第１の光吸収層
１１０：第２の光吸収層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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