(57)【要約】【課題】高画素化・微細化および動作電圧を低電圧化した固体撮像装置においても、固定パターンノイズやシェーディング等の不良の発生を抑えることが可能な固体撮像装置を提供する。【解決手段】アレイ状に形成されたフォトダイオード部１の各列それぞれの両側に垂直転送部２を形成するとともに、撮像部の下部および上部に第１および第２の水平転送部３、４を形成して、各フォトダイオード部１で生成された信号電荷それぞれを両側の垂直転送部２へ均等に分割して読み出し、その分割した各信号電荷を互いに逆方向へ転送する。【選択図】図１
2008017066.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電変換により信号電荷を生成する光電変換部がアレイ状に形成され、かつ前記光電変換部の各列それぞれの両側に垂直転送部が形成された撮像部と、
前記撮像部の上部および下部に形成された２つの水平転送部と、
前記各水平転送部の一端に形成された出力部と、
前記各光電変換部で生成された信号電荷をそれぞれ分割して両側の前記垂直転送部へ読み出すためのパルス電圧を前記各垂直転送部が有する読み出し電極へ印加し、その分割された各信号電荷を前記撮像部の上側および下側へ垂直転送させるためのパルス電圧を前記各垂直転送部が有する転送電極へ印加する回路と、
を備えることを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】
請求項１記載の固体撮像装置であって、
前記各出力部は、前記各水平転送部の互いに反対の端に形成されており、
さらに、前記各水平転送部へ転送された信号電荷を互いに反対の方向へ水平転送させるためのパルス電圧を前記各水平転送部が有する転送電極へ印加する回路を備える
ことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項３】
隣り合う前記垂直転送部が電気的に分離されていることを特徴とする請求項１もしくは２のいずれかに記載の固体撮像装置。
【請求項４】
光電変換により信号電荷を生成する光電変換部がアレイ状に形成され、かつ前記光電変換部の各列それぞれの両側に垂直転送部が形成された撮像部と、
前記撮像部の上部および下部に形成された２つの水平転送部と、
前記各水平転送部の一端に形成された出力部と、
を備えることを特徴とする固体撮像素子。
【請求項５】
請求項４記載の固体撮像素子であって、前記各出力部は、前記各水平転送部の互いに反対の端に形成されていることを特徴とする固体撮像素子。
【請求項６】
隣り合う前記垂直転送部が電気的に分離されていることを特徴とする請求項４もしくは５のいずれかに記載の固体撮像素子。
【請求項７】
光電変換により信号電荷を生成する光電変換部がアレイ状に形成され、かつ前記光電変換部の各列それぞれの両側に垂直転送部が形成された撮像部と、
前記撮像部の上部および下部に形成された２つの水平転送部と、
前記各水平転送部の一端に形成された出力部と、
を備える固体撮像素子の駆動方法であって、
前記各光電変換部で生成された信号電荷をそれぞれ分割して両側の前記垂直転送部へ読み出し、その分割された各信号電荷を前記撮像部の上側および下側へ垂直転送させる、
ことを特徴とする固体撮像素子の駆動方法。
【請求項８】
光電変換により信号電荷を生成する光電変換部がアレイ状に形成され、かつ前記光電変換部の各列それぞれの両側に垂直転送部が形成された撮像部と、
前記撮像部の上部および下部に形成された２つの水平転送部と、
前記各水平転送部の互いに反対の端に形成された出力部と、
を備える固体撮像素子の駆動方法であって、
前記各光電変換部で生成された信号電荷をそれぞれ分割して両側の前記垂直転送部へ読み出し、その分割された各信号電荷を前記撮像部の上側および下側へ垂直転送させ、前記２つの水平転送部へ転送された信号電荷を互いに反対の方向へ水平転送させる、
ことを特徴とする固体撮像素子の駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、固体撮像装置、および固体撮像素子、並びに固体撮像素子の駆動方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
図６は、従来のＣＣＤタイプの典型的な固体撮像素子の構成を示す平面パターンレイアウトの概略図である。ＣＣＤ固体撮像素子は、図６に示すように、光電変換により信号電荷を生成するフォトダイオード部（光電変換部）１がアレイ状に形成され、かつフォトダイオード部１から読み出された信号電荷を垂直転送する垂直転送部２が形成された撮像部と、垂直転送部２から転送された信号電荷を水平転送する水平転送部３と、水平転送部３の一端に形成されたアンプ部（出力部）５と、これらで構成されるアレイを囲む周辺部領域に形成されるＬＯＣＯＳ部７と、で構成される。
【０００３】
フォトダイオード部１に入射した光は入射強度に対応した信号電荷に変換され、垂直転送部２の読み出しゲート電極（読み出し電極）へのパルス電圧（読み出し電圧）の印加により垂直転送部２に蓄積される。垂直転送部２に蓄積された信号電荷は、垂直転送部２の転送ゲート電極（転送電極）へのパルス電圧の印加により水平転送部３の方向へ垂直転送される。水平転送部３に蓄積された信号電荷は、水平転送部３の転送ゲート電極（転送電極）へのパルス電圧の印加によりアンプ部５へ水平転送され、アンプ部５から出力信号として取り出される。
【０００４】
詳しくは、垂直転送部２は、１層目ポリシリコン膜と２層目ポリシリコン膜で形成された独立した４ゲート（転送ゲート電極）Ｖ１〜Ｖ４を有し、これらの転送ゲート電極へ４相垂直駆動パルスφＶ１〜φＶ４が印加されることで、信号電荷を垂直方向へ転送する。より詳しくは、転送ゲート電極Ｖ１、Ｖ２（読み出しゲート電極）にパルス電圧（読み出し電圧）を加えると、垂直転送部２のポテンシャル（電位）が深くなり、フォトダイオード部１で発生した信号電荷は垂直転送部２へ移動して蓄積混合される（フィールド読み出し）。その後、転送ゲート電極Ｖ１〜Ｖ４に適切なタイミングでパルス電圧φＶ１〜φＶ４が印加されると、垂直転送部２は信号電荷を水平転送部３の方向（垂直方向）に転送する。なお、フィールド読み出しとは、垂直方向に隣接する複数のフォトダイオード部から読み出された信号電荷を垂直転送部内で加算する読み出し方式である。
【０００５】
同様に、水平転送部３は、１層目ポリシリコン膜と２層目ポリシリコン膜で形成された独立した２ゲート（転送ゲート電極）Ｈ１、Ｈ２を有し、これらの転送ゲート電極へ適切なタイミングでパルス電圧（２相水平駆動パルス）φＨ１、φＨ２が印加されることで、信号電荷をアンプ部５の方向（水平方向）へ順次転送する。
【０００６】
アンプ部５からの出力信号は各フォトダイオード部１に対応しており、出力信号を時系列に復元することで画像として再現できる。以上が通常用いられている固体撮像素子の構造と駆動方式である（例えば、特許文献１参照。）。
【０００７】
しかしながら、現在、固体撮像装置では、画質の向上のための画素数の増加・素子パターンの微細化、低消費電力化のための動作電圧の低電圧化が進んでおり、図６に示すような従来の固体撮像素子を使用する場合、高画素数化・微細化により転送段数が増えると、固体撮像素子の製造工程で電荷転送経路に沿う半導体基板中あるいは半導体基板上に発生した各種欠陥が歩留や特性に影響する度合いが高くなるという問題があった。すなわち、例えばパーティクル（微量のごみ）に起因するパターン欠陥、パターン不良、結晶欠陥に起因する電子トラップやイオン注入（不純物物質の注入）のムラによるポテンシャルのポケットの発生などの各種欠陥の発生確率が一定だとすると、転送段数が増えた場合、これら各種欠陥による信号電荷の転送異常が原因とされる固定パターンノイズの発生確率が高くなり、出力信号が劣化する。
【０００８】
さらに、従来の固体撮像素子では、シェーディング不良が問題となっていた。すなわち、図７に示すように画素の位置によってフォトダイオード部１から水平転送部３までの信号電荷の転送距離（移動距離）が異なるため、水平転送部３から遠いフォトダイオード部１で発生した信号電荷の転送中に、半導体基板とその表面に形成された絶縁膜との界面に主として存在する界面準位でトラップされて減少していく信号電荷量は、水平転送部３から近いフォトダイオード部１で発生した信号電荷の転送中に減少する信号電荷量と比べて多くなる。このように転送中に界面順位と結合して減る信号電荷量が画素の位置によって異なるため、画像上で明暗のムラが起こりやすくなるという問題があった。高画素化・微細化で特に垂直転送部の転送段数が増えるとこの不良が顕著に現れる。
【０００９】
一方、転送中に界面準位で信号電荷がトラップされるのを抑えるため、ポテンシャルを深くして半導体基板の深いところで信号電荷を転送する方法があるが、駆動電圧を高くしなければならず、またそのため転送できる信号電荷の容量が減少するという問題があった。
【００１０】
従来の固体撮像素子の構造と駆動方式では、以上に述べたような高画素化・微細化および動作電圧の低電圧化を実現しようとすると、以上のように固定パターンノイズやシェーディング等の各種の特性不良が発生しやすくなるという問題があった。
【特許文献１】特開２００３−２３４４６６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明は、上記問題点に鑑み、フォトダイオード部（光電変換部）の各列それぞれの両側に垂直転送部を形成するとともに、撮像部の下部および上部に水平転送部を形成して、各フォトダイオード部で生成された信号電荷それぞれを両側の垂直転送部へ均等に分割して読み出し、その分割した各信号電荷を互いに逆方向へ転送することにより、高画素化・微細化および動作電圧を低電圧化した固体撮像装置においても、固定パターンノイズやシェーディング等の不良の発生を抑えることが可能な固体撮像装置、および固体撮像素子、並びに固体撮像素子の駆動方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の請求項１記載の固体撮像装置は、光電変換により信号電荷を生成する光電変換部がアレイ状に形成され、かつ前記光電変換部の各列それぞれの両側に垂直転送部が形成された撮像部と、前記撮像部の上部および下部に形成された２つの水平転送部と、前記各水平転送部の一端に形成された出力部と、前記各光電変換部で生成された信号電荷をそれぞれ分割して両側の前記垂直転送部へ読み出すためのパルス電圧を前記各垂直転送部が有する読み出し電極へ印加し、その分割された各信号電荷を前記撮像部の上側および下側へ垂直転送させるためのパルス電圧を前記各垂直転送部が有する転送電極へ印加する回路と、を備えることを特徴とする。
【００１３】
また、本発明の請求項２記載の固体撮像装置は、請求項１記載の固体撮像装置であって、前記各出力部は、前記各水平転送部の互いに反対の端に形成されており、さらに、前記各水平転送部へ転送された信号電荷を互いに反対の方向へ水平転送させるためのパルス電圧を前記各水平転送部が有する転送電極へ印加する回路を備えることを特徴とする。また、本発明の請求項３記載の固体撮像装置は、請求項１もしくは２のいずれかに記載の固体撮像装置であって、隣り合う前記垂直転送部が電気的に分離されていることを特徴とする。
【００１４】
また、本発明の請求項４記載の固体撮像素子は、光電変換により信号電荷を生成する光電変換部がアレイ状に形成され、かつ前記光電変換部の各列それぞれの両側に垂直転送部が形成された撮像部と、前記撮像部の上部および下部に形成された２つの水平転送部と、前記各水平転送部の一端に形成された出力部と、を備えることを特徴とする。
【００１５】
また、本発明の請求項５記載の固体撮像素子は、請求項４記載の固体撮像素子であって、前記各出力部は、前記各水平転送部の互いに反対の端に形成されていることを特徴とする。また、本発明の請求項６記載の固体撮像素子は、請求項４もしくは５のいずれかに記載の固体撮像素子であって、隣り合う前記垂直転送部が電気的に分離されていることを特徴とする。
【００１６】
また、本発明の請求項７記載の固体撮像素子の駆動方法は、光電変換により信号電荷を生成する光電変換部がアレイ状に形成され、かつ前記光電変換部の各列それぞれの両側に垂直転送部が形成された撮像部と、前記撮像部の上部および下部に形成された２つの水平転送部と、前記各水平転送部の一端に形成された出力部と、を備える固体撮像素子の駆動方法であって、前記各光電変換部で生成された信号電荷をそれぞれ分割して両側の前記垂直転送部へ読み出し、その分割された各信号電荷を前記撮像部の上側および下側へ垂直転送させる、ことを特徴とする。
【００１７】
また、本発明の請求項８記載の固体撮像素子の駆動方法は、光電変換により信号電荷を生成する光電変換部がアレイ状に形成され、かつ前記光電変換部の各列それぞれの両側に垂直転送部が形成された撮像部と、前記撮像部の上部および下部に形成された２つの水平転送部と、前記各水平転送部の互いに反対の端に形成された出力部と、を備える固体撮像素子の駆動方法であって、前記各光電変換部で生成された信号電荷をそれぞれ分割して両側の前記垂直転送部へ読み出し、その分割された各信号電荷を前記撮像部の上側および下側へ垂直転送させ、前記２つの水平転送部へ転送された信号電荷を互いに反対の方向へ水平転送させる、ことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、高画素化・微細化および動作電圧を低電圧化した固体撮像装置においても、固定パターンノイズやシェーディング等の不良の発生を抑えることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明の実施の形態における固体撮像装置（固体撮像素子）の構造、並びに固体撮像素子の駆動方法について説明する。図１は本発明の実施の形態における固体撮像素子の構成を示す平面パターンレイアウトの概略図である。
【００２０】
図１に示すように、当該固体撮像素子は、光電変換により信号電荷を生成するフォトダイオード部（光電変換部）１がアレイ状に形成され、かつフォトダイオード部１の各列それぞれの両側に、フォトダイオード部１から読み出された信号電荷を垂直転送する垂直転送部２が形成された撮像部と、撮像部の上部および下部に形成された第１、第２の水平転送部３、４と、第１、第２の水平転送部３、４の互いに反対の端に形成された第１、第２のアンプ部（出力部）５、６と、を備える。
【００２１】
詳しくは、垂直転送部２は、１層目ポリシリコン膜と２層目ポリシリコン膜で形成された独立した４つの転送ゲート電極（転送電極）Ｖ１〜Ｖ４を有する。これら４つのゲートのうちのあるゲートは読み出しゲート電極（読み出し電極）を兼任する。当該固体撮像素子を用いた固体撮像装置は、これら４つの転送ゲート電極それぞれに４相垂直駆動パルスφＶ１〜φＶ４をそれぞれ印加して信号電荷を垂直転送するが、本実施の形態では、フォトダイオード部１の各列の両側においてその転送方向は逆である。
【００２２】
また、第１、第２の水平転送ゲート３、４は、１層目ポリシリコン膜と２層目ポリシリコン膜で形成された独立した２つの転送ゲート電極（転送電極）Ｈ１、Ｈ２を有する。当該固体撮像素子を用いた固体撮像装置は、これら２つの転送ゲート電極それぞれに２相水平駆動パルスφＨ１、φＨ２をそれぞれ印加して信号電荷を水平転送するが、本実施の形態では、その転送方向は逆である。
【００２３】
また、フォトダイオードアレイ領域と第１、第２の水平転送部３、４を囲むように絶縁分離領域であるＬＯＣＯＳ部７が設けられている。また、図示しないが、各画素のフォトダイオード部に蓄積された信号電荷が垂直転送中に水平方向に拡散しないように、ＬＯＣＯＳ部は画素列の間にも設けられている。なお、本実施の形態では絶縁分離領域をＬＯＣＯＳとしているが、例えば溝型絶縁分離（ＳＴＩ）やＰＮ接合分離としてもよい。
【００２４】
当該固体撮像素子の構成をさらに詳細に説明する。図２は本発明の実施の形態における固体撮像素子の拡大平面図、図３は図２のＡ−Ａ’線で切断した部分の断面図、図４は図２のＢ−Ｂ’線で切断した部分の断面図である。
【００２５】
当該固体撮像素子は、図３、４に示すように、半導体基板８にフォトダイオード部１の拡散層９と垂直転送部２の拡散層１０が形成され、半導体基板８上に、ゲート絶縁膜１１を介して転送ゲート電極である１層目ポリシリコン膜１２および２層目ポリシリコン膜１３が形成されている。このポリシリコン膜１２、１３は別々の工程で形成される。
【００２６】
また、図３に示すように、画素列の間に設けられている絶縁分離領域であるＬＯＣＯＳ部７は、左右の画素に属する垂直転送部の拡散層１０を電気的に分離するように、１層目ポリシリコン膜１２および２層目ポリシリコン膜１３の境界部に形成される。また、当該固体撮像素子は、図４に示すように、２層目ポリシリコン膜１３は薄い絶縁膜を介して１層目ポリシリコン膜１２に一部重なるように形成されている。
【００２７】
図５は図２において転送ゲート電極の一部をなす２層目ポリシリコン膜１３を除いた平面図であり、１層目ポリシリコン膜１２のパターンを示している。図５から明らかなように、本実施の形態では、１層目ポリシリコン膜１２により、垂直駆動パルスφＶ２とφＶ４を印加する転送ゲート電極Ｖ２とＶ４が形成される。同様に、垂直駆動パルスφＶ１とφＶ３を印加する転送ゲート電極Ｖ１とＶ３は、２層目ポリシリコン膜１３により形成される。
【００２８】
なお、図５では、異なる垂直駆動パルスφＶ２、φＶ４が印加される転送ゲート電極Ｖ２、Ｖ４が模式的に接触しているように見えるが、実際は離間しており、その間隔は現実のフォトリソ工程で十分分離形成できる距離だけ離れている。同様に、垂直駆動パルスφＶ１とφＶ３が印加される転送ゲート電極Ｖ１とＶ３も離間している。但し、各転送ゲート電極はそれぞれ画素アレイの両端部まで連続的に水平に繋がっている。
【００２９】
続いて、当該固体撮像素子の動作について説明する。フォトダイオード部１に入射した光は入射強度に応じた信号電荷に変換され、フォトダイオード部１に蓄積される。そして、その信号電荷は半分に分割されて、左右両側の垂直転送部２へ読み出される。この垂直転送部２への読み出しは、垂直転送部の転送ゲート電極（読み出し電極）Ｖ１、Ｖ３に同時に同じ電位のパルス電圧（読み出し電圧）を印加するという駆動方法によって実現できる。分割された信号電荷は、フォトダイオード部１の垂直方向の中心軸で左右に分けられて隣り合っている垂直転送部の転送ゲート電極直下の半導体基板表面部に一時的に蓄積混合される（フィールド読み出し）。その後、転送ゲート電極Ｖ１〜Ｖ４に適切なタイミングでパルス電圧φＶ１〜φＶ４が印加されると、この分割された信号電荷は互いに逆方向に転送される。その後、この分割された信号電荷は、第１、第２の水平転送部３、４に蓄積され、それぞれ逆方向に水平転送されて、第１、第２のアンプ部５からそれぞれ分割された出力信号として取り出される。
【００３０】
詳しくは、垂直転送部２の転送ゲート電極Ｖ１およびＶ３に同時に適切な電位のパルス電圧（読み出し電圧）を印加すると、すなわち同時にパルス電圧が立ち上がると垂直転送部２の拡散層１０のポテンシャルが深くなる。すでに述べたように、転送ゲート電極直下の半導体基板には転送方向、すなわち垂直方向に伸びる拡散層１０が分離形成されているため、任意のフォトダイオード部１で発生した信号電荷は左右両側の拡散層１０内部に均等に振り分けられる。このようにして両側の拡散層１０に分割され一時蓄積混合された信号電荷は、４相垂直駆動パルスφＶ１〜φＶ４により、互いに逆方向に転送される。
【００３１】
垂直転送された信号電荷は、第１および第２水平転送部３、４に達する。第１、第２の水平転送部３、４も一部が重なり合った１層目ポリシリコン膜と２層目ポリシリコン膜で形成された転送ゲート電極を有する。この２つのゲートに適切なタイミングでパルス電圧（２相水平駆動パルス）φＨ１、φＨ２を加えることで、第１、第２の水平転送部３、４に蓄積された信号電荷は互いに逆方向に順次転送されて、第１、第２のアンプ部５、６から出力信号として取り出される。
【００３２】
ここで、各々のアンプからの出力信号は半分の信号となっているが、出力信号は特定のフォトダイオード部１に対応しており、メモリ等を用いた信号処理等により合成させることで元の画像信号として再現が可能である。例えば、それぞれの出力信号は、各フォトダイオード部から互いに反対方向に転送されてきたものであるから、第１および第２のアンプ部５、６から出力される画像信号は時系列的に互いに逆になるので、各画像信号を２つのメモリにそれぞれ保存し、一方のメモリからの出力を逆にして合成させることで、画像を再現させることができる。
【００３３】
また、当該固体撮像素子を用いた固体撮像装置は、図示しないが、図１に示す固体撮像素子に加えて、各フォトダイオード部１で生成された信号電荷をそれぞれ分割して両側の垂直転送部２へ読み出すためのパルス電圧（読み出し電圧）を垂直転送部２の転送ゲート電極（読み出しゲート電極）Ｖ１、Ｖ３へ印加し、その分割された各信号電荷を撮像部の上側および下側へ垂直転送させるための４相垂直駆動パルスφＶ１〜φＶ４を垂直転送部２の転送ゲート電極Ｖ１〜Ｖ４へ印加する回路と、２つの水平転送部３、４へ転送された各信号電荷を互いに反対の方向へ水平転送させるための２相水平駆動パルスφＨ１、φＨ２を水平転送部３、４の転送ゲート電極Ｈ１、Ｈ２へ印加する回路と、を備えることで、各フォトダイオード部１から信号電荷を分割して読み出して互いに逆方向へ転送する。
【００３４】
以上のように、本実施の形態では、各フォトダイオード部１で生成された信号電荷をそれぞれ均等に分割して両側の垂直転送部２へ読み出し、その分割された各信号電荷を撮像部の上側および下側へ垂直転送させ、２つの水平転送部３、４へ転送された各信号電荷を互いに反対の方向へ水平転送させる。
【００３５】
本実施の形態によれば、同一のフォトダイオード部で生成された信号電荷を半分に分けて転送するので、パターン欠陥や、パターン不良、ポテンシャルのポケットの発生などの各種欠陥による信号電荷の転送異常が原因とされる固定パターンノイズの発生確率を低くすることができる。
【００３６】
すなわち、パターン欠陥や、パターン不良、ポテンシャルのポケットの発生などの各種欠陥がある割合で発生すると仮定したとき、従来の固体撮像素子では、垂直転送部の１箇所に欠陥が存在した場合、強い固定パターンノイズが発生する。しかし、本実施の形態によれば、信号電荷を２つに分割しているため、垂直転送部の１箇所に欠陥が存在したとしても、残りの半分の電荷は欠陥のない経路を経て出力されるので、半分の強度の固定パターンノイズでおさまる。
【００３７】
また、信号電荷を半分にした電荷量で転送しているので、垂直転送部の４相垂直駆動パルスのパルス電圧を小さくしても、全ての電荷を転送できるだけの半導体基板表面のポテンシャル深さを確保できるので、低電圧化が可能となる。
【００３８】
また、シェーディングは垂直転送部での電荷の移動距離（転送距離）と相関がある。すなわち移動距離が長い程シェーディングによる信号電荷のロスが大きくなる。本実施の形態では、同一のフォトダイオード部に発生した信号電荷を半分にして互いに逆方向に垂直転送するため、すべてのフォトダイオード部において信号電荷の移動距離の合計が等しくなり、画像上で明暗のムラが起きにくくなる。なお、水平転送については、転送周波数が垂直転送に比べ極めて高く、信号電荷が界面準位でトラップされる前に転送されるので、影響は少ない。
【００３９】
なお、本実施の形態では、アンプ部５、６が２つの水平転送部３、４の互いに反対の端に形成されている固体撮像素子並びに固体撮像装置について説明したが、２つのアンプ部が２つの水平転送部の一方側の端にのみ形成された構成であってもよい。
【産業上の利用可能性】
【００４０】
本発明にかかる固体撮像装置、および固体撮像素子、並びに固体撮像素子の駆動方法
は高画素化・微細化・低電圧化が可能となり、また固体撮像装置特有の固定パターンノイズおよびシェーディング不良の低減が可能となり、固体撮像装置を搭載した電子機器に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明の実施の形態における固体撮像素子の構成を示す平面パターンレイアウトの概略図
【図２】本発明の実施の形態における固体撮像素子の概略拡大平面図
【図３】図２のＡ−Ａ’線で切断した部分の概略断面図
【図４】図２のＢ−Ｂ’線で切断した部分の概略断面図
【図５】本発明の実施の形態における固体撮像素子の１層目ポリシリコン膜のパターンを示す概略拡大平面図
【図６】従来のＣＣＤタイプの典型的な固体撮像素子の構成を示す平面パターンレイアウトの概略図
【図７】従来の固体撮像装置のシェーディング不良の原因を説明するための図
【符号の説明】
【００４２】
１      フォトダイオード部
２      垂直転送部
３、４      水平転送部
５、６      アンプ部
７      ＬＯＣＯＳ部
８      半導体基板
９      フォトダイオード部の拡散層
１０      垂直転送部の拡散層
１１      ゲート絶縁膜
１２      １層目ポリシリコン膜
１３      ２層目ポリシリコン膜
【図１】
2008017066.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2008017066.tif 000009