(57)【要約】【課題】経年変化による不純物の析出を抑え、ＮＯ窒化処理プロセスの安定を阻害しない窒化処理装置を得ること。【解決手段】半導体装置を窒化処理する反応容器室１１に配管２０を介してＮＯガスボンベ１２と窒素ガス供給部１３とが接続され、ＮＯガスボンベ１２からのＮＯガスと窒素ガス供給部１３からの窒素ガスとを混合し、所定のＮＯ濃度にした処理用ガスを反応容器室１１に導入して半導体装置の窒化処理を行う窒化処理装置において、ＮＯガスボンベ１２は、ＮＯガスを窒素ガスで希釈した希釈ＮＯガスによって充填される。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置を窒化処理する反応容器室に配管を介してＮＯガスボンベと第１の窒素ガス供給部とが接続され、前記ＮＯガスボンベからのＮＯガスと前記第１の窒素供給部からの窒素ガスとを混合し、所定のＮＯ濃度にした処理用ガスを前記反応容器室に導入して前記半導体装置の窒化処理を行う窒化処理装置において、
前記ＮＯガスボンベは、ＮＯガスを窒素ガスで希釈した希釈ＮＯガスによって充填されることを特徴とする窒化処理装置。
【請求項２】
前記ＮＯガスボンベ中のＮＯガス濃度は、前記反応容器室で前記半導体装置を窒化処理する際のＮＯ濃度以上の濃度であることを特徴とする請求項１に記載の窒化処理装置。
【請求項３】
前記ＮＯガスボンベからのＮＯガスと前記第１の窒素供給部からの窒素ガスとを混合して処理用ガスにするガス混合部と、
前記ガス混合部から前記反応容器室に流れる処理用ガス中のＮＯガス濃度を計測するＮＯガス濃度監視部と、
前記ＮＯガス濃度監視部によって計測されたＮＯガス濃度が、前記反応容器室に導入する予め設定されたＮＯガス濃度設定値となるように前記第１の窒素ガス供給部からの窒素ガスの流量を調整する窒素ガス流量制御部と、
をさらに備えることを特徴とする請求項１または２に記載の窒化処理装置。
【請求項４】
前記ＮＯガスボンベの充填圧が所定の圧力になると、前記ＮＯガスボンベ内のＮＯガス濃度を所定の濃度とするように前記ＮＯガスボンベ内に窒素ガスを供給する第２の窒素ガス供給部をさらに備えることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の窒化処理装置。
【請求項５】
半導体装置を窒化処理する反応容器室に配管を介してＮＯガスボンベと窒素ガス供給部とが接続され、前記ＮＯガスボンベからのＮＯガスと前記窒素供給部からの窒素ガスとを混合し、所定のＮＯ濃度にした処理用ガスを前記反応容器室に導入して前記半導体装置の窒化処理を行う窒化処理方法において、
前記ＮＯガスボンベの充填圧が第１の圧力になると、前記反応容器室に導入する予め設定されたＮＯガス濃度設定値よりも高いＮＯガス濃度で、充填圧が前記第１の圧力よりも高い第２の圧力となるように、前記ＮＯガスボンベ内に窒素ガスを供給する処理を、前記ＮＯガスボンベ内のＮＯガス濃度が、前記ＮＯガス濃度設定値よりも小さくなるまで繰り返し実行することを特徴とする窒化処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体装置の製造におけるＮＯ窒化処理プロセスで使用される窒化処理装置および窒化処理方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
図５は、半導体装置のＮＯ窒化処理プロセスに用いられるＮＯ窒化処理装置の概略構成を模式的に示す図である。ここでは、縦型拡散炉装置を例示している。このＮＯ窒化処理装置は、半導体装置の窒化処理を行う反応容器室１１１と、ＮＯガスの供給源であり、純度９９％以上の高純度ＮＯガスが３．４ＭＰａの充填圧で充填される高純度ＮＯガスボンベ１１２と、ＮＯガスを希釈するＮ2ガスの供給源であるＮ2ガス供給部１１３と、ＮＯガスボンベ１１２を収容するとともにＮＯガスボンベ１１２と反応容器室１１１とを結ぶ配管を有するガスボックス１１４と、を備える。ここで、ガスボックス１１４と、ＮＯガスボンベ１１２、Ｎ2ガス供給部１１３との間と、ガスボックス１１４と反応容器室１１１との間とが配管１２０を介して接続される。
【０００３】
このような構成の従来のＮＯ窒化処理装置におけるＮＯ窒化処理方法について説明する。ＮＯ窒化処理は、高純度ＮＯガスボンベ１１２からの９９％以上の高純度ＮＯガスを、Ｎ2ガス供給部１１３からのＮ2ガスで、たとえば２０％ＮＯ／８０％Ｎ2ガスに希釈する。そして、この希釈したＮＯガスを反応容器室１１１に導入して、ＮＯガス約２０％の雰囲気下でプロセス処理を行っている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、従来のＮＯ窒化処理装置における高純度ＮＯガスボンベ１１２は、純度９９％以上のものを使用しており、経年劣化による不純物の析出が懸念されるため、ＮＯガスを製造しているメーカ推奨のガスボンベ使用期限は６ヶ月となっている。これは、従来使用している純度９９％以上のＮＯガスは、経年劣化による純度低下が早いことによるものである。つまり、新品の高純度ＮＯガスボンベ１１２の入替時と、たとえば２ヶ月経過した高純度ＮＯガスボンベ１１２におけるＮＯガスの分圧とは異なり、２ヶ月経過した高純度ＮＯガスボンベ１１２の方がＮＯガスの分圧が低くなってしまう。その結果、２ヶ月経過した高純度ＮＯガスボンベ１１２で、新品の高純度ＮＯガスボンベ１１２の入替時と同じ条件でＮＯ窒化処理を行うと、ＮＯガスの濃度が異なるために、ＮＯ窒化処理プロセスの安定性を阻害するという問題点があった。また、従来の高純度ＮＯガスボンベ１１２には、充填時の圧縮熱による影響で３．４ＭＰａまでしか充填することができないので、交換頻度が多くなり、手間がかかるという問題点もあった。さらに、従来の高純度ＮＯガスボンベ１１２は、充填圧（残圧）が使用により、たとえば０．３ＭＰａとなるとガスボンベの交換を実施しなければならず、高純度ＮＯガスボンベ１１２内に残っているＮＯガスを廃棄しなければならないという問題点もあった。
【０００５】
この発明は、上記に鑑みてなされたもので、経年変化による不純物の析出を抑え、ＮＯ窒化処理プロセスの安定性を阻害しない窒化処理装置を得ることを目的とする。また、ＮＯガスボンベを使用したＮＯ窒化処理において、所定の充填圧（残圧）になったガスボンベ内のＮＯガスの使用効率を高めた窒化処理方法を得ることも目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するため、この発明にかかる窒化処理装置は、半導体装置を窒化処理する反応容器室に配管を介してＮＯガスボンベと第１の窒素ガス供給部とが接続され、前記ＮＯガスボンベからのＮＯガスと前記第１の窒素供給部からの窒素ガスとを混合し、所定のＮＯ濃度にした処理用ガスを前記反応容器室に導入して前記半導体装置の窒化処理を行う窒化処理装置において、前記ＮＯガスボンベは、ＮＯガスを窒素ガスで希釈した希釈ＮＯガスによって充填されることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
この発明によれば、予めＮ2ガスで希釈させたＮＯガスをＮＯガスボンベに充填して使用することによって、経年劣化によるＮＯXガスなどの不純物の析出を抑制することができ、安定したＮＯ窒化処理プロセスを実現することができるという効果を有する。また、Ｎ2ガスでＮＯガスを希釈するため、ガスボンベに充填することができる充填圧を上げることができ、ガスボンベの交換頻度を抑えることができるという効果も有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下に添付図面を参照して、この発明にかかる窒化処理装置および窒化処理方法の好適な実施の形態を詳細に説明する。なお、これらの実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。また、以下では、この発明の概要について説明し、その後に具体的な例を挙げた実施の形態について説明する。
【０００９】
一酸化窒素ＮＯと窒素Ｎ2と酸素Ｏ2ガスとの間には、次式（１）に示される平衡関係が成り立つ。
【００１０】
【化１】
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【００１１】
この（１）式に示されるように、体積比でいうと一酸化窒素１と、窒素１＋酸素１とが平衡状態にあるので、窒素または酸素の量をこの体積比よりも多くすることで平衡が左の方向に移動する。しかし、ＮＯガスは、還元性の物質と激しく反応し、空気（酸素）に触れると直ちにＮＯ2ガスを生じるという特性を有するので、酸素を導入することはできない。一方の窒素ガスは、ＮＯと反応することがない。そこで、この発明では、ＮＯガスを窒素ガスで希釈することで、ＮＯガスを安定化させ、この窒素ガスで希釈したＮＯガス（以下、希釈ＮＯガスという）をＮＯガスの供給源として用いることを特徴とする。
【００１２】
この発明で用いる希釈ＮＯガスは、ＮＯガスをＮ2ガスによって９９％未満の濃度で希釈することができるが、実際の半導体装置の製造で使用することを考えると、２０〜５０％で希釈されることが望ましい。
【００１３】
実施の形態１．
図１は、この発明にかかる窒化処理装置の実施の形態１の概略構成を模式的に示す図である。ここでは、縦型拡散炉装置を例示している。この窒化処理装置は、窒化処理を行う反応容器室１１と、希釈ＮＯガスの供給源であるＮＯガスボンベ１２と、希釈ＮＯガスを希釈するＮ2ガスの供給源であるＮ2ガス供給部１３と、ＮＯガスボンベ１２からのＮＯガスとＮ2ガス供給部１３からのＮ2ガスとを所定の比率に混合するガスボックス１４と、が配管２０で接続される構成を有する。
【００１４】
ここで、ＮＯガスボンベ１２には、反応容器室１１に導入するＮＯガスの濃度以上で、Ｎ2ガスで希釈された純度９９％未満、望ましくは濃度２０〜５０％のＮＯガスが、高圧ガス保安法によって定められる最大充填圧以下の充填圧で充填されている。たとえば、濃度が２３．０％程度のＮＯガスの場合の充填圧は１４．７ＭＰａである。
【００１５】
ガスボックス１４は、ＮＯガスボンベ１２とＮ2ガス供給部１３と配管２０で接続されている。このガスボックス１４で混合された希釈ＮＯガスとＮ2ガスとの混合ガスは、処理用ガスとして、配管２０を介して反応容器室１１へと導入される。なお、反応容器室１１へ所定のＮＯガス濃度の処理用ガスが導入されるのであれば、Ｎ2ガス供給部１３から延びる配管２０は、ガスボックス１４に接続されるのではなく、ガスボックス１４と反応容器室１１との間の配管２０に接続されるようにしてもよい。
【００１６】
このような窒化処理装置におけるＮＯ窒化処理方法について説明する。ＮＯ窒化処理は、Ｎ2ガスによって所定の濃度に希釈されたＮＯガスボンベ１２からの希釈ＮＯガスとＮ2ガス供給部１３からのＮ2ガスとを、反応容器室１１内で行う窒化処理で定められたＮＯガス濃度となるようにガスボックスで混合して処理用ガスとする。たとえば、反応容器室１１内で、２０％のＮＯガス濃度でＮＯ窒化処理を行い、ＮＯガスボンベ１２のＮＯガス濃度が２３％である場合には、ＮＯガスボンベ１２からの希釈ＮＯガスの体積を１００とすると、Ｎ2ガスの体積比が３８となるようにＮ2ガス供給部１３からのＮ2ガスの流量を調節する。これにより、２０％ＮＯガス／８０％Ｎ2ガスからなる処理用ガスが生成され、反応容器室１１内に供給される。そして、この状態で、反応容器室１１内に置かれた半導体装置の窒化処理が行われる。
【００１７】
ここで、この実施の形態１の濃度が２３％のＮＯガスボンベ１２を用いた場合と従来の純度９９％以上の高濃度ＮＯガスボンベを用いた場合のコストを計算する。まず、予めＮ2ガスで希釈させた希釈ＮＯガスを使用することによって、ＮＯガスボンベ１本当りの充填圧を増加させることが可能となり、その点だけでもコストを削減することができる。現在、ＮＯガスボンベ１２は、ガスが一部（たとえば０．３ＭＰａとする）残った状態で返却している。
【００１８】
純度が９９％のＮＯガスボンベ１２の１．０ＭＰａ当りの金額をｙ円とすると、従来のＮＯガスボンベ１２を返却した場合、０．３ＭＰａ×ｙ円／ＭＰａ＝０．３ｙ円分のＮＯガスを返却したこととなる。一方、この実施の形態１の濃度が２３％のＮＯガスボンベ１２を返却した場合、０．３ＭＰａ×ｙ円／ＭＰａ×２３／９９＝０．０７ｙ円分のＮＯガスを返却したこととなる。つまり、従来よりも０．２３ｙ円（＝７４％）分のコストを削減することが可能なる。
【００１９】
この実施の形態１によれば、ＮＯガスをＮ2ガスで所定の濃度に希釈して、ＮＯガスボンベ１２で保存するようにしたので、経年劣化による純度低下を抑えることができ、ＮＯガスボンベ１２中でＮＯガスが安定して存在する。その結果、ＮＯガスボンベ１２を導入した直後や、その後時間が経過した後でも、反応容器室１１内に導入されるＮＯガスの濃度を所定の濃度（２０％）に保つことができ、ＮＯ窒化処理プロセスを安定化させることができるという効果を有する。また、ＮＯガスの濃度を下げることによって、ＮＯガスボンベ１２に充填することができる高圧ガス保安法によって制限される充填圧を、純度９９％のときの３．４ＭＰａから濃度２３．０％のときの１４．７ＭＰａへと増大させることができ、コストを削減することができる。さらに、経年劣化によるＮＯXガスなどの不純物の析出を抑えることができるので、ＮＯガスボンベ１２の使用期限を延長することができるという効果を有する。
【００２０】
実施の形態２．
図２は、この発明にかかる窒化処理装置の実施の形態２の概略構成を模式的に示す図である。ここでは、縦型拡散炉装置を例示している。この窒化処理装置は、窒化処理を行う反応容器室１１と、ＮＯガスの供給源であるＮＯガスボンベ１２と、ＮＯガスを希釈するＮ2ガスの供給源であるＮ2ガス供給部１３と、ＮＯガスボンベ１２からのＮＯガスとＮ2ガス供給部１３からのＮ2ガスとを所定の比率に混合するガスボックス１４と、が配管２０を介して接続される構成を有する。また、この窒化処理装置は、この窒化処理装置におけるＮＯガス濃度の設定を行う装置制御部１５と、反応容器室１１とガスボックス１４とを結ぶ配管２０上に設けられ、ガスボックス１４から出力されるガスのＮＯガス濃度を計測するＮＯガス濃度監視部１６と、Ｎ2ガス供給部１３とガスボックス１４とを結ぶ配管２０上に設けられ、ＮＯガス濃度監視部１６のＮＯガス濃度に基づいてＮ2ガスの流量を調節するバルブなどのＮ2ガス流量制御部１７と、をさらに備える。なお、実施の形態１と同一の構成要素には同一の符号を付してその説明を省略している。また、ガスボックス１４は、特許請求の範囲におけるガス混合部に対応している。
【００２１】
装置制御部１５は、この窒化処理装置で使用する処理用ガスのＮＯガス濃度の設定を行う。これは、窒化処理装置の使用者によって設定されるＮＯガス濃度の値を設定値として、ＮＯガス濃度監視部１６とＮ2ガス流量制御部１７に設定する。なお、この装置制御部１５によって設定されるＮＯガス濃度の値を以下では、ＮＯガス濃度設定値という。また、Ｎ2ガス流量制御部１７は、ガスボックス１４から反応容器室１１に流れる処理用ガス中のＮＯガス濃度をＮＯガス濃度監視部１６から取得し、取得したＮＯガス濃度がＮＯガス濃度設定値から外れている場合に、Ｎ2ガス流量制御部１７でＮＯガス濃度設定値となるようにＮ2ガス流量を調整する。
【００２２】
ここで、ＮＯガスボンベ１２には、反応容器室１１に導入するＮＯガスの濃度以上で、Ｎ2ガスで希釈された純度９９％未満、望ましくは濃度２０〜５０％のＮＯガスが、高圧ガス保安法によって定められる最大充填圧以下の充填圧で充填されている。たとえば、濃度が２３．０％程度のＮＯガスの場合の充填圧は１４．７ＭＰａである。
【００２３】
このような窒化処理装置におけるＮＯ窒化処理方法について、ＮＯ窒化処理をＮＯガス約２０％の雰囲気でプロセス処理する場合を例に挙げて説明する。まず、装置制御部１５によって、反応容器室１１に導入する処理用ガスのＮＯガス濃度設定値をＮＯガス濃度監視部１６とＮ2ガス流量制御部１７に設定する。ついで、ＮＯガスボンベ１２から濃度２３．０％程度の希釈ＮＯガスをガスボックス１４内に導入するとともに、Ｎ2ガス供給部１３からもＮ2ガス流量制御部１７を調節してＮ2ガスをガスボックス１４内に導入する。そして、ガスボックス１４内で希釈ＮＯガスとＮ2ガスとが混合されて処理用ガスにされ、ガスボックス１４から反応容器室１１へと導入される。
【００２４】
ガスボックス１４と反応容器室１１とを結ぶ配管２０に設けられたＮＯガス濃度監視部１６によって、ガスボックス１４から流出する処理用ガス中のＮＯガス濃度が測定され、その結果がＮ2ガス流量制御部１７に出力される。Ｎ2ガス流量制御部１７では、ＮＯガス濃度監視部１６によって測定されたＮＯガス濃度を基準となるＮＯガス濃度設定値（ここでは２０％）と比較し、測定されたＮＯガス濃度がＮＯガス濃度設定値よりも外れている場合には、ＮＯガス濃度が２０％となるようにＮ2ガス流量の調整を行う。具体的には、Ｎ2ガス流量制御部１７は、ＮＯガス濃度設定値よりもＮＯガス濃度が高い場合には、Ｎ2ガスの流量をより多くするように制御し、ＮＯガス濃度設定値よりもＮＯガス濃度が低い場合には、Ｎ2ガスの流量をより少なくするように制御する。これにより、予め設定されたＮＯガス濃度（ここでは、２０％）の処理用ガスが反応容器室１１内へと導入される。なお、Ｎ2ガス流量制御部１７は、ＮＯガスボンベ１２からの希釈ＮＯガスの流量が所定の値の場合に、所得したＮＯガス濃度とガス濃度設定値とのずれの量に対応して変化させるＮ2ガスの量を予めＮ2ガス流量調整情報として保持しており、このＮ2ガス流量調整保持情報に基づいてＮ2ガス流量の調整を行う。
【００２５】
この実施の形態２によれば、ＮＯガスボンベ１２とＮ2ガス供給部１３で混合され、反応容器室１１に導入された処理用ガス中のＮＯガス濃度をＮＯガス濃度監視部１６で監視し、ＮＯガス濃度がＮＯガス濃度設定値から外れている場合にＮ2ガス流量制御部１７で、ＮＯガス濃度がＮＯガス濃度設定値に等しくなるようにＮ2ガス流量を制御するようにしたので、反応容器室１１に導入するガス濃度を所望のガス濃度に自動的に設定することができるという効果を有する。
【００２６】
実施の形態３．
この実施の形態３では、ＮＯ窒化処理に使用されるＮＯガス純度９９％以上のＮＯガスボンベの使用効率を高めた窒化処理装置と窒化処理方法について説明する。
【００２７】
図３は、この発明にかかる窒化処理装置の実施の形態３の概略構成を模式的に示す図である。ここでは、縦型拡散炉装置を例示している。この窒化処理装置は、窒化処理を行う反応容器室１１と、ＮＯガスの供給源であるＮＯガスボンベ１２と、ＮＯガスを希釈するＮ2ガスの供給源である第１のＮ2ガス供給部１３−１と、ＮＯガスボンベ１２からのＮＯガスと第１のＮ2ガス供給部１３−１からのＮ2ガスとを所定の比率に混合するガスボックス１４と、が配管２０を介して接続される構成を有する。また、ＮＯガスボンベ１２には、ＮＯガスボンベ１２の充填圧が所定の圧力になった場合にＮＯガスボンベ１２内にＮ2ガスを供給して所定のＮＯガス濃度と所定の充填圧にする第２のＮ2ガス供給部１３−２が備えられる。なお、第１のＮ2ガス供給部１３−１と第２のＮ2ガス供給部１３−２とは、別個に設けられてもよいし、同一のものであってもよい。ここで、この実施の形態３では、ＮＯガスの純度が９９％以上で、充填圧が３．４ＭＰａのＮＯガスボンベ１２が最初に用いられる。
【００２８】
このような窒化処理装置におけるＮＯ窒化処理方法について、ＮＯ窒化処理をＮＯガス約２０％の雰囲気でプロセス処理する場合を例に挙げて説明する。図４は、この実施の形態３におけるＮＯガスボンベのＮ2ガスの充填方法の手順の一例を示す図である。まず、ＮＯガス純度が９９％以上のＮＯガスボンベ１２が設置された状態で、このＮＯガスボンベ１２のバルブを開き、ガスボックス１４に所定の流量のＮＯガスを送出する。また、第１のＮ2ガス供給部１３−１からもＮ2ガスを供給する。そして、ガスボックス１４で、９９％以上の高純度ＮＯガスをＮ2ガスで希釈して、２０％ＮＯガス／８０％Ｎ2ガスからなる処理用ガスを生成し、反応容器室１１へと流す。これにより、反応容器室１１内に置かれた半導体装置のＮＯ窒化処理が行われる。
【００２９】
ついで、ＮＯガスの使用によりＮＯガスボンベ１２の充填圧（残圧）が所定の圧力、たとえば０．３ＭＰａになると、ＮＯガスボンベ１２のＮＯガスが第１の濃度（たとえば、濃度５０％）となるように、第２のＮ2ガス供給部１３−２からＮＯガスボンベ１２内にＮ2ガスが供給され、希釈ＮＯガスが生成される。このとき、Ｎ2ガスを充填したことによるＮＯガスボンベ１２内の充填圧は、高圧ガス保安法などの制限を満たすものとする（たとえば、１．５ＭＰａであるとする）。その後、ＮＯガスボンベ１２と第１のＮ2ガス供給部１３−１からそれぞれ所定の流量の希釈ＮＯガスとＮ2ガスがガスボックス１４に供給され、２０％ＮＯガス／８０％Ｎ2ガスからなる処理用ガスが反応容器室１１へと導入される。
【００３０】
ついで、ＮＯガスの使用によりＮＯガスボンベ１２の充填圧（残圧）が所定の圧力（たとえば、０．３ＭＰａ）になると、ＮＯガスボンベ１２のＮＯガスが第２の濃度（たとえば、濃度２５％）となるように、第２のＮ2ガス供給部１３−２からＮＯガスボンベ１２内に、充填圧が高圧ガス保安法によって定められる所定の圧力以下となるようにＮ2ガスが供給され、希釈ＮＯガスが生成される。その後、ＮＯガスボンベ１２と第１のＮ2ガス供給部１３−１からそれぞれ所定の流量の希釈ＮＯガスとＮ2ガスがガスボックス１４に供給され、２０％ＮＯガス／８０％Ｎ2ガスからなる処理用ＮＯガスが反応容器室１１へと導入される。
【００３１】
このように、ＮＯガスボンベ１２の充填圧（残圧）が所定の圧力になると、ＮＯガスボンベ１２内のＮＯガス濃度が任意の濃度となるまで、ＮＯガスボンベ１２内にＮ2ガスを供給して希釈ＮＯガスを生成する工程が繰り返される。なお、ＮＯガスボンベ１２内の希釈ＮＯガスのＮＯガス濃度が、反応容器室１１内に導入する処理用ガスのＮＯガス濃度よりも低くなってしまった場合に、ＮＯガスボンベ１２が新しいＮＯガスボンベ１２と交換されることになる。
【００３２】
この実施の形態３によれば、ＮＯガスの純度が９９％以上のＮＯガスボンベ１２を使用する際に、従来では充填圧（残圧）が、たとえば０．３ＭＰａになるとＮＯガスボンベ１２を交換して、ＮＯガスボンベ１２内に存在するＮＯガスを廃棄していた無駄をなくすことができるとともに、ＮＯガスボンベ１２内のＮＯガスを希釈するガスとしてＮ2ガスを用いるようにしたので、ＮＯガスボンベ１２内でのＮＯを安定化させることができるという効果を有する。
【産業上の利用可能性】
【００３３】
以上のように、この発明にかかる窒化処理装置は、ＮＯ窒化が必要な半導体装置における窒化プロセスに有用である。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】この発明による窒化処理装置の実施の形態１の概略構成を模式的に示す図である。
【図２】この発明による窒化処理装置の実施の形態２の概略構成を模式的に示す図である。
【図３】この発明による窒化処理装置の実施の形態３の概略構成を模式的に示す図である。
【図４】この実施の形態３におけるＮＯガスボンベのＮ2ガスの充填方法の手順の一例を示す図である。
【図５】半導体装置のＮＯ窒化処理プロセスに用いられるＮＯ窒化処理装置の概略構成を模式的に示す図である。
【符号の説明】
【００３５】
１１  反応容器室
１２  ＮＯガスボンベ
１３  Ｎ2ガス供給部
１４  ガスボックス
１５  装置制御部
１６  ＮＯ濃度監視部
１７  Ｎ2ガス流量制御部
【図１】
2008045169.tif 000004
【図２】
2008045169.tif 000005
【図３】
2008045169.tif 000006
【図４】
2008045169.tif 000007
【図５】
2008045169.tif 000008