(57)【要約】【課題】ヘッド素子の損傷を回避することができるヘッドスライダを提供する。【解決手段】レール３８の頂上面には第１膜厚の第１保護膜８１が被さる。レール３８の空気流出側で非磁性膜３２の表面には第１膜厚の第２保護膜８２が被さる。レール３８の空気流出側でヘッド素子３３には第１膜厚よりも小さい第２膜厚の第３保護膜８３が被さる。したがって、非磁性膜３２の表面からヘッド素子３３が突き出しても、第３保護膜８３は第１および第２保護膜８１、８２よりも記憶媒体１３に近づかない。ヘッド素子３３および記憶媒体１３の接触は回避される。ヘッド素子３３の損傷は回避される。しかも、レール３８の空気流出側に小さい膜厚の第３保護膜８３が形成されることから、ヘッド素子３３は記憶媒体１３に近づくことができる。加えて、第１および第２保護膜８１、８２の働きで例えば記憶媒体１３上の塵埃とヘッド素子との接触は回避される。【選択図】図７
2008102989.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
媒体対向面で記憶媒体に向き合わせられるスライダ本体と、スライダ本体の空気流出側端面に積層される絶縁性の非磁性膜と、スライダ本体の媒体対向面に形成され、スライダ本体の空気流出側端まで延びるレールと、レールの空気流出側で非磁性膜に埋め込まれ、非磁性膜の表面で少なくとも書き込みギャップを露出させるヘッド素子と、レールの頂上面に被さる第１膜厚の第１保護膜と、第１保護膜に連続し、レールの空気流出側で非磁性膜の表面に被さる第１膜厚の第２保護膜と、レールの空気流出側で書き込みギャップに被さる第１膜厚よりも小さい第２膜厚の第３保護膜とを備えることを特徴とするヘッドスライダ。
【請求項２】
媒体対向面で記憶媒体に向き合わせられるスライダ本体と、スライダ本体の空気流出側端面に積層される絶縁性の非磁性膜と、スライダ本体の媒体対向面に形成され、スライダ本体の空気流出側端まで延びるレールと、レールの空気流出側で非磁性膜に埋め込まれ、非磁性膜の表面で少なくとも書き込みギャップを露出させるヘッド素子と、レールの頂上面に被さる第１膜厚の第１保護膜と、第１保護膜に連続し、レールの空気流出側で非磁性膜の表面に被さる第１膜厚の第２保護膜と、レールの空気流出側で書き込みギャップに被さる第１膜厚よりも小さい第２膜厚の第３保護膜とを備えるヘッドスライダが組み込まれたことを特徴とする記憶媒体駆動装置。
【請求項３】
媒体対向面で記憶媒体に向き合わせられるスライダ本体と、スライダ本体の空気流出側端面に積層される絶縁性の非磁性膜と、スライダ本体の媒体対向面に形成され、スライダ本体の空気流出側端まで延びるレールと、レールの頂上面に被さる第１保護膜と、第１保護膜に連続し、レールの空気流出側で非磁性膜の表面に被さる第２保護膜と、少なくとも部分的に第２保護膜に区画される窪みと、レールの空気流出側で非磁性膜に埋め込まれ、窪み内に少なくとも書き込みギャップを配置するヘッド素子とを備えることを特徴とするヘッドスライダ。
【請求項４】
請求項３に記載のヘッドスライダにおいて、前記第２保護膜の膜厚は前記第１保護膜の膜厚よりも小さく設定されることを特徴とするヘッドスライダ。
【請求項５】
請求項３に記載のヘッドスライダにおいて、前記第１および第２保護膜の膜厚は、前記レールの空気流入側から空気流出側に向かうにつれて減少することを特徴とするヘッドスライダ。
【請求項６】
媒体対向面で記憶媒体に向き合わせられるスライダ本体と、スライダ本体の空気流出側端面に積層される絶縁性の非磁性膜と、スライダ本体の媒体対向面に形成され、スライダ本体の空気流出側端まで延びるレールと、レールの頂上面に被さる第１保護膜と、第１保護膜に連続し、レールの空気流出側で非磁性膜の表面に被さる第２保護膜と、少なくとも部分的に第２保護膜に区画される窪みと、レールの空気流出側で非磁性膜に埋め込まれ、窪み内に少なくとも書き込みギャップを配置するヘッド素子とを備えるヘッドスライダが組み込まれたことを特徴とする記憶媒体駆動装置。
【請求項７】
請求項６に記載の記憶媒体駆動装置において、前記第２保護膜の膜厚は前記第１保護膜の膜厚よりも小さく設定されることを特徴とする記憶媒体駆動装置。
【請求項８】
請求項６に記載の記憶媒体駆動装置において、前記第１および第２保護膜の膜厚は、前記レールの空気流入側から空気流出側に向かうにつれて減少することを特徴とする記憶媒体駆動装置。
【請求項９】
スライダ本体に区画されるレールの頂上面に、ヘッド素子の前端に被さる保護膜を形成する工程と、レールの頂上面からヘッド素子を突き出させて保護膜の表面を研磨する工程とを備えることを特徴とするヘッドスライダの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えばハードディスク駆動装置（ＨＤＤ）といった記憶媒体駆動装置に組み込まれるヘッドスライダに関する。
【背景技術】
【０００２】
例えばＨＤＤの浮上ヘッドスライダは、スライダ本体と、スライダ本体の空気流出側端面に積層される絶縁性の非磁性膜とを備える。非磁性膜にはヘッド素子すなわち電磁変換素子が埋め込まれる。電磁変換素子は保護膜で覆われる。電磁変換素子の磁気コイルに供給される書き込み電流に基づき電磁変換素子から磁束が漏れ出る。こうして漏れ出る磁束は磁気ディスクに作用する。磁気ディスクには磁気情報が書き込まれる。
【特許文献１】特開２００４−３３５０７３号公報
【特許文献２】特開２００５−１５８２３８号公報
【特許文献３】特開平１１−３１６９２７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
磁気情報の書き込み時、磁気コイルは発熱する。非磁性膜の熱膨張は促される。電磁変換素子は磁気ディスクに向かって突き出る。その結果、浮上ヘッドスライダは電磁変換素子で磁気ディスクに接触する。接触の衝撃に基づき電磁変換素子の特性は劣化してしまう。しかも、磁気ディスクとの接触に基づき保護膜は摩耗してしまう。電磁変換素子は腐食してしまう。
【０００４】
本発明は、上記実状に鑑みてなされたもので、ヘッド素子の損傷を回避することができるヘッドスライダを提供することを目的とする。本発明はそういったヘッドスライダの実現に大いに貢献することができる製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記目的を達成するために、第１発明によれば、媒体対向面で記憶媒体に向き合わせられるスライダ本体と、スライダ本体の空気流出側端面に積層される絶縁性の非磁性膜と、スライダ本体の媒体対向面に形成され、スライダ本体の空気流出側端まで延びるレールと、レールの空気流出側で非磁性膜に埋め込まれ、非磁性膜の表面で少なくとも書き込みギャップを露出させるヘッド素子と、レールの頂上面に被さる第１膜厚の第１保護膜と、第１保護膜に連続し、レールの空気流出側で非磁性膜の表面に被さる第１膜厚の第２保護膜と、レールの空気流出側で書き込みギャップに被さる第１膜厚よりも小さい第２膜厚の第３保護膜とを備えることを特徴とするヘッドスライダが提供される。
【０００６】
こうしたヘッドスライダでは、レールの頂上面には第１膜厚の第１保護膜が被さる。同様に、レールの空気流出側で非磁性膜の表面には第１膜厚の第２保護膜が被さる。レールの空気流出側でヘッド素子の書き込みギャップには第１膜厚よりも小さい第２膜厚の第３保護膜が被さる。したがって、非磁性膜の表面からヘッド素子が突き出しても、第３保護膜は第１および第２保護膜よりも記憶媒体に近づかない。ヘッド素子および記憶媒体の接触は回避される。ヘッド素子の損傷は回避される。
【０００７】
しかも、レールの空気流出側に小さい膜厚の第３保護膜が形成されることから、ヘッド素子は記憶媒体に近づくことができる。ヘッド素子は記憶媒体に正確に情報を書き込むことができる。同様に、ヘッド素子は記憶媒体から正確に情報を読み出すことができる。さらにまた、第１および第２保護膜の働きで例えば記憶媒体上の塵埃とヘッド素子との接触は回避される。こうした浮上ヘッドスライダは記憶媒体駆動装置に組み込まれればよい。
【０００８】
第２発明によれば、媒体対向面で記憶媒体に向き合わせられるスライダ本体と、スライダ本体の空気流出側端面に積層される絶縁性の非磁性膜と、スライダ本体の媒体対向面に形成され、スライダ本体の空気流出側端まで延びるレールと、レールの頂上面に被さる第１保護膜と、第１保護膜に連続し、レールの空気流出側で非磁性膜の表面に被さる第２保護膜と、少なくとも部分的に第２保護膜に区画される窪みと、レールの空気流出側で非磁性膜に埋め込まれ、窪み内に少なくとも書き込みギャップを配置するヘッド素子とを備えることを特徴とするヘッドスライダが提供される。
【０００９】
こうしたヘッドスライダでは、第２保護膜に窪みが形成される。窪み内にはヘッド素子の書き込みギャップが配置される。したがって、非磁性膜の表面からヘッド素子が突き出しても、窪み内で第２保護膜は窪みの外側の第２保護膜よりも記憶媒体に近づかない。ヘッド素子および記憶媒体の接触は回避される。ヘッド素子の損傷は回避される。
【００１０】
しかも、窪みに基づき書き込みギャップに被さる第２保護膜の膜厚は小さく設定される。ヘッド素子の突き出し時、ヘッド素子および記憶媒体の距離は縮小される。ヘッド素子は記憶媒体に正確に情報を書き込むことができる。同様に、ヘッド素子は記憶媒体から正確に情報を読み出すことができる。加えて、窪みの働きで例えば記憶媒体状の塵埃はヘッド素子に接触しない。
【００１１】
こうしたヘッドスライダでは、第２保護膜の膜厚は第１保護膜の膜厚よりも小さく設定されてもよい。同様に、第１および第２保護膜の膜厚は、レールの空気流入側から空気流出側に向かうにつれて減少してもよい。こうした浮上ヘッドスライダは記憶媒体駆動装置に組み込まれればよい。
【００１２】
第３発明によれば、スライダ本体に区画されるレールの頂上面に、ヘッド素子の前端に被さる保護膜を形成する工程と、レールの頂上面からヘッド素子を突き出させて保護膜の表面を研磨する工程とを備えることを特徴とするヘッドスライダの製造方法が提供される。
【００１３】
こういった製造方法では、レールの頂上面からヘッド素子が突き出る。ヘッド素子の突き出しに基づき保護膜は部分的に突き出る。保護膜は研磨される。ヘッド素子の突き出しが解消されると、保護膜には窪みが形成される。こうして前述のヘッドスライダは製造されることができる。
【発明の効果】
【００１４】
以上のように本発明によれば、ヘッド素子の損傷を回避することができるヘッドスライダが提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、添付図面を参照しつつ本発明の一実施形態を説明する。
【００１６】
図１は、本発明に係る記憶媒体駆動装置の一具体例すなわちハードディスク駆動装置（ＨＤＤ）１１の内部構造を概略的に示す。このＨＤＤ１１は、例えば平たい直方体の内部空間を区画する箱形の筐体本体１２を備える。筐体本体１２は例えばアルミニウムといった金属材料から鋳造に基づき成形されればよい。筐体本体１２には蓋体すなわちカバー（図示されず）が結合される。カバーと筐体本体１２との間で収容空間は密閉される。カバーは例えばプレス加工に基づき１枚の板材から成形されればよい。
【００１７】
収容空間には、記憶媒体としての１枚以上の磁気ディスク１３が収容される。磁気ディスク１３はスピンドルモータ１４の回転軸に装着される。スピンドルモータ１４は例えば５４００ｒｐｍや７２００ｒｐｍ、１００００ｒｐｍ、１５０００ｒｐｍといった高速度で磁気ディスク１３を回転させることができる。
【００１８】
収容空間にはキャリッジ１５がさらに収容される。キャリッジ１５はキャリッジブロック１６を備える。キャリッジブロック１６は、垂直方向に延びる支軸１７に回転自在に連結される。キャリッジブロック１６には、支軸１７から水平方向に延びる複数のキャリッジアーム１８が区画される。キャリッジブロック１６は例えば押し出し成形に基づきアルミニウムから成型されればよい。
【００１９】
個々のキャリッジアーム１８の先端には、キャリッジアーム１８から前方に延びるヘッドサスペンション１９が取り付けられる。ヘッドサスペンション１９の前端には磁気ディスク１３の表面に向かって所定の押し付け力が作用する。ヘッドサスペンション１９の前端には浮上ヘッドスライダ２１が固定される。浮上ヘッドスライダ２１にはヘッド素子すなわち電磁変換素子（図示されず）が搭載される。
【００２０】
磁気ディスク１３の回転に基づき磁気ディスク１３の表面で気流が生成されると、気流の働きで浮上ヘッドスライダ２１には正圧すなわち浮力および負圧が作用する。浮力および負圧とヘッドサスペンション１９の押し付け力とが釣り合うことで磁気ディスク１３の回転中に比較的に高い剛性で浮上ヘッドスライダ２１は浮上し続けることができる。
【００２１】
キャリッジブロック１６にはボイスコイルモータ（ＶＣＭ）２２が連結される。ＶＣＭ２２の働きでキャリッジブロック１６は支軸１７回りで回転することができる。こうしたキャリッジブロック１６の回転に基づきキャリッジアーム１８の揺動は実現される。浮上ヘッドスライダ２１の浮上中に支軸１７回りでキャリッジアーム１８が揺動すると、浮上ヘッドスライダ２１は半径方向に磁気ディスク１３の表面を横切ることができる。こうした浮上ヘッドスライダ２１の移動に基づき電磁変換素子は目標記録トラックに対して位置決めされることができる。
【００２２】
図２は一具体例に係る浮上ヘッドスライダ２１を示す。この浮上ヘッドスライダ２１は、例えば平たい直方体に形成されるスライダ本体３１を備える。スライダ本体３１の空気流出端面には絶縁性の非磁性膜すなわち素子内蔵膜３２が積層される。この素子内蔵膜３２に前述の電磁変換素子３３が組み込まれる。電磁変換素子３３の詳細は後述される。
【００２３】
スライダ本体３１は例えばＡｌ２Ｏ３−ＴｉＣ（アルチック）といった硬質の非磁性材料から形成されればよい。素子内蔵膜３２は例えばＡｌ２Ｏ３（アルミナ）といった比較的に軟質の絶縁非磁性材料から形成されればよい。スライダ本体３１は媒体対向面すなわち浮上面３４で磁気ディスク１３に向き合う。浮上面３４には平坦なベース面３５すなわち基準面が規定される。磁気ディスク１３が回転すると、スライダ本体３１の前端から後端に向かって浮上面３４には気流３６が作用する。
【００２４】
浮上面３４には、前述の気流３６の上流側すなわち空気流入側でベース面３５から立ち上がる１筋のフロントレール３７が形成される。フロントレール３７はベース面３５の空気流入端に沿ってスライダ幅方向に延びる。同様に、浮上面３４には、気流の下流側すなわち空気流出側でベース面３５から立ち上がるリアレール３８が形成される。リアレール３８はスライダ幅方向の中央位置に配置される。
【００２５】
浮上面３４には、空気流出側でベース面３５から立ち上がる左右１対の補助リアレール３９、３９がさらに形成される。補助リアレール３９、３９はベース面３５の左右の縁に沿ってそれぞれ配置される。その結果、補助リアレール３９、３９同士はスライダ幅方向に間隔を空けて配置される。補助リアレール３９、３９同士の間にリアレール３８は配置される。
【００２６】
フロントレール３７、リアレール３８および補助リアレール３９、３９の頂上面にはいわゆる空気軸受け面（ＡＢＳ）４１、４２、４３が規定される。空気軸受け面４１、４２、４３の空気流入端は段差４４、４５、４６でレール４４、４５、４６の頂上面に接続される。磁気ディスク１３の回転に基づき生成される気流３６は浮上面３４に受け止められる。このとき、段差４４、４５、４６の働きで空気軸受け面４１、４２、４３には比較的に大きな正圧すなわち浮力が生成される。しかも、フロントレール３７の後方すなわち背後には大きな負圧が生成される。これら浮力および負圧のバランスに基づき浮上ヘッドスライダ２１の浮上姿勢は確立される。
【００２７】
この浮上ヘッドスライダ２１では空気軸受け面４２、４３に比べて空気軸受け面４１で大きな正圧すなわち浮力が生成される。したがって、スライダ本体３１が磁気ディスク１３の表面から浮上すると、スライダ本体３１はピッチ角αの傾斜姿勢で維持される。ここで、ピッチ角αとは、気流３６の流れ方向に沿ったスライダ本体前後方向の傾斜角をいう。
【００２８】
その一方で、左右の空気軸受け面４３、４３ではそれぞれ均等に浮力が生成される。したがって、浮上中の浮上ヘッドスライダ２１ではロール角βの変動は抑制される。こうして空気軸受け面４３と磁気ディスク１３との衝突は防止される。ここで、ロール角βとは、気流３６の流れ方向に直交するスライダ幅方向の傾斜角をいう。
【００２９】
空気軸受け面４１、４２、４３ではスライダ本体３１の表面に例えば保護膜（図示されず）が形成される。前述の電磁変換素子３３は空気軸受け面４２の空気流出側でスライダ本体３１の表面から読み出しギャップや書き込みギャップを露出させる。保護膜は電磁変換素子３３の読み出しギャップや書き込みギャップに覆い被さる。保護膜には例えばＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）が用いられればよい。なお、浮上ヘッドスライダ２１の形態はこういった形態に限られるものではない。
【００３０】
図３は浮上面３４の様子を詳細に示す。電磁変換素子３３は書き込みヘッド６１と読み出しヘッド６２とを備える。書き込みヘッド６１は、周知の通り、例えば磁気コイルで生起される磁界を利用して磁気ディスク１３に２値情報を書き込むことができる。読み出しヘッド６２は、磁気ディスク１３から作用する磁界に応じて変化する抵抗に基づき２値情報を検出することができる。
【００３１】
読み出しヘッド６２では、ＧＭＲ素子やＴＭＲ素子といった読み出し素子すなわち磁気抵抗効果膜６３が上下１対の導電層すなわち上部シールド層６４および下部シールド層６５の間に配置される。上部シールド層６４は下部シールド層６５に平行な一面に沿って広がる。上部および下部シールド層６４、６５は例えばＦｅＮやＮｉＦｅといった磁性材料から構成されればよい。
【００３２】
磁気抵抗効果膜６３は、下部シールド層６５の表面に覆い被さる例えばＡｌ２Ｏ３製の絶縁層６６内に埋め込まれる。上部シールド層６４は絶縁層６６の表面に沿って広がる。磁気抵抗効果膜６３は下部シールド層６５および上部シールド層６４に個別に電気接続される。上部シールド層６４および下部シールド層６５同士の間隔は磁気ディスク１３上で記録トラックの線方向に磁気記録の分解能を決定する。
【００３３】
書き込みヘッド６１は、空気軸受け面４２で前端を露出させる上部磁極層６７および下部磁極層６８とを備える。下部磁極層６８は上部シールド層６４に平行な一面に沿って広がる。下部磁極層６８上には前端で空気軸受け面４２に露出する磁極端層６９が形成される。上部磁極層６７、下部磁極層６８および磁極端層６９は例えばＦｅＮやＮｉＦｅから形成されればよい。上部磁極層６７、下部磁極層６８および磁極端層６９は協働して書き込みヘッド６１の磁性コアを構成する。
【００３４】
磁極端層６９は上部磁極層６７に向き合わせられる。上部磁極層６７および磁極端層６９の間には例えばＡｌ２Ｏ３製の非磁性ギャップ層７１が挟み込まれる。周知の通り、後述の磁気コイルで磁界が生起されると、非磁性ギャップ層７１の働きで、上部磁極層６７と下部磁極層６８とを行き交う磁束は浮上面３４から漏れ出る。こうして漏れ出る磁束がギャップ磁界すなわち記録磁界を形成する。すなわち、上部磁極層６７および磁極端層６９の間には書き込みギャップが区画される。
【００３５】
図４を併せて参照し、下部磁極層６８は、上部シールド層６４上に均一な厚みで積層形成される絶縁層７２上に形成される。絶縁層７２は上部シールド層６４と下部磁極層６８との間で磁気的な結合を断ち切る。下部磁極層６８上には、絶縁層７２に埋め込まれた磁気コイルすなわち薄膜コイル７３が形成される。薄膜コイル７３は例えばＣｕから形成されればよい。非磁性ギャップ層７１の表面には前述の上部磁極層６７が形成される。上部磁極層６７の後端は薄膜コイル７３の中心位置で下部磁極層６８の後端に磁気的に連結される。こうして上部磁極層６７と下部磁極層６８とは、薄膜コイル７３の中心位置を貫通する磁性コアを形成する。
【００３６】
図５に示されるように、スライダ本体３１ではリアレール３８の頂上面に第１保護膜８１が被さる。リアレール３８の空気流出側で素子内蔵膜３２の表面には第２保護膜８２が被さる。第２保護膜８２は素子内蔵膜３２の空気流入端に沿って所定の間隔で配置される。第２保護膜８２、８２の間には電磁変換素子３３が配置される。第２保護膜８２は第１保護膜８１に連続する。第２保護膜８２の外側で素子内蔵膜３２の表面には電磁変換素子３３に被さる第３保護膜８３が形成される。第３保護膜８３は第１および第２保護膜８１、８２に連続する。電磁変換素子３３の空気流入側には第１保護膜８１が形成される。
【００３７】
図６を併せて参照し、第１および第２保護膜８１、８２は第１膜厚に形成される。第１膜厚は例えば５ｎｍ程度に設定される。第３保護膜８３は第２膜厚に形成される。第２膜厚は例えば３ｎｍ程度に設定される。第１膜厚と第２膜厚との差は電磁変換素子３３の最大突き出し量に等しく設定されればよい。
【００３８】
いま、磁気ディスク１３に２値情報が書き込まれる場面を想定する。磁気ディスク１３の回転中、浮上ヘッドスライダ２１は所定のピッチ角αで浮上姿勢を確立する。薄膜コイル７３には書き込み電流が供給される。薄膜コイル７３は発熱する。薄膜コイル７３の発熱に基づき薄膜コイル７３の周囲で素子内蔵膜３２の熱膨張は促される。こうして電磁変換素子３３は磁気ディスク１３に向かって突き出る。
【００３９】
その結果、図７に示されるように、電磁変換素子３３の突き出しに応じて第３保護膜８３は磁気ディスク１３に向かって突き出る。第１膜厚と第２膜厚との差は電磁変換素子３３の最大突き出し量に等しいことから、電磁変換素子３３が最大限に突き出すと第３保護膜８３の表面は第１および第２保護膜８１、８２の表面に面一に広がる。このとき、書き込みヘッド６１の書き込みギャップでは磁気ディスク１３に磁界が作用する。こうして磁気ディスク１３に２値情報が書き込まれる。
【００４０】
以上のような浮上ヘッドスライダ２１では、電磁変換素子３３に被さる第３保護膜８３は第１および第２保護膜８１、８２の第１膜厚よりも小さい第２膜厚に形成される。電磁変換素子３３すなわち第３保護膜８３の突き出しに基づき第１〜第３保護膜８１、８２、８３の表面は面一に広がる。空気軸受け面４２から電磁変換素子３３の突き出しは回避される。電磁変換素子３３および磁気ディスク１３の接触は回避される。電磁変換素子３３の損傷は回避される。
【００４１】
しかも、リアレール３８の空気流出側に膜厚の小さい第３保護膜８３が形成されることから、浮上ヘッドスライダ２１は磁気ディスク１３に近づくことができる。書き込みヘッド６１は磁気ディスク１３に正確に２値情報を書き込むことができる。同様に、読み出しヘッド６２は磁気ディスク１３から正確に２値情報を読み出すことができる。さらにまた、第１および第２保護膜８１、８２の働きで例えば磁気ディスク１３上の塵埃と電磁変換素子３３との接触は回避される。
【００４２】
次に、浮上ヘッドスライダ２１の製造方法を簡単に説明する。まず、アルチック製のウエハにアルミナ膜が積層される。アルミナ膜内には電磁変換素子が埋め込まれる。ウエハからウエハバーが切り出される。ウエハバーの切断面には第１ＤＬＣ膜が形成される。膜厚は前述の第２膜厚に設定される。第１ＤＬＣ膜の表面には第３保護膜８３の形成領域にレジスト膜が形成される。レジスト膜の外側で第１ＤＬＣ膜の表面には第２ＤＬＣ膜が形成される。こうして第１〜第３保護膜８１、８２、８３が形成される。その後、フロントレール３７やリアレール３８が形成される。こうして浮上面３４が形作られる。その後、ウエハバーからスライダ本体３１は切り出される。こうして浮上ヘッドスライダ２１は製造される。
【００４３】
図８に示されるように、ＨＤＤ１１には前述の浮上ヘッドスライダ２１に代えて浮上ヘッドスライダ２１ａが組み込まれてもよい。浮上ヘッドスライダ２１ａでは、スライダ本体３１でリアレール３８の頂上面に第１保護膜９１が被さる。リアレール３８の空気流出側で素子内蔵膜３２の表面には第２保護膜９２が被さる。第２保護膜９２は第１保護膜９１に連続する。第２保護膜９２には部分的に窪み９３が区画される。窪み９３内には電磁変換素子３３が配置される。ここでは、電磁変換素子３３は窪み９３内に少なくとも書き込みギャップを配置すればよい。窪み９３は例えば素子内蔵膜３２の空気流入端に沿ってスライダ幅方向に延びればよい。
【００４４】
図９を併せて参照し、第１保護膜９１は第１膜厚に形成される。第１膜厚は例えば５ｎｍ程度に設定される。第２保護膜９２は第２膜厚に形成されればよい。第２膜厚は例えば５ｎｍに設定される。その一方で、窪み９３内で第２保護膜９２の膜厚は第３膜厚に形成される。第３膜厚は例えば３ｎｍ程度に設定されればよい。第１および第２膜厚と第３膜厚との差すなわち窪み９３の深さは電磁変換素子３３の最大突き出し量に等しく設定されればよい。その他、前述の浮上ヘッドスライダ２１と均等な構成や構造には同一の参照符号が付される。
【００４５】
いま、磁気ディスク１３に２値情報が書き込まれる場面を想定する。磁気ディスク１３の回転中、浮上ヘッドスライダ２１ａは所定のピッチ角αで浮上姿勢を確立する。薄膜コイル７３には書き込み電流が供給される。薄膜コイル７３は発熱する。薄膜コイル７３の発熱に基づき薄膜コイル７３の周囲で素子内蔵膜３２の熱膨張は促される。こうして電磁変換素子３３は磁気ディスク１３に向かって突き出る。
【００４６】
その結果、図１０に示されるように、電磁変換素子３３の突き出しに応じて窪み９３の深さは減少する。窪み９３の深さは電磁変換素子３３の最大突き出し量に等しいことから、電磁変換素子３３が最大限に突き出すと窪み９３は消滅する。このとき、書き込みヘッド６１の書き込みギャップでは磁気ディスク１３に磁界が作用する。こうして磁気ディスク１３に２値情報が書き込まれる。
【００４７】
以上のような浮上ヘッドスライダ２１ａでは、第２保護膜９２に窪み９３が形成される。窪み９３内には電磁変換素子３３が配置される。電磁変換素子３３すなわち第２保護膜９２の突き出しに基づき窪み９３は消滅する。空気軸受け面４２から電磁変換素子３３の突き出しは回避される。電磁変換素子３３および磁気ディスク１３の接触は回避される。電磁変換素子３３の損傷は回避される。
【００４８】
しかも、窪み９３に基づき電磁変換素子３３の前端に被さる第２保護膜９２の膜厚は小さく設定される。電磁変換素子３３の突き出し時、電磁変換素子３３および磁気ディスク１３の距離は縮小される。書き込みヘッド６１は磁気ディスク１３に正確に２値情報を書き込むことができる。同様に、読み出しヘッド６２は磁気ディスク１３から正確に２値情報を読み出すことができる。加えて、窪み９３の働きで例えば磁気ディスク１３上の塵埃は電磁変換素子３３の前端に接触しない。
【００４９】
次に、浮上ヘッドスライダ２１ａの製造方法を簡単に説明する。まず、アルチック製のウエハにアルミナ膜が積層される。アルミナ膜内には電磁変換素子が埋め込まれる。ウエハからウエハバーが切り出される。ウエハバーの切断面には浮上面が形作られる。フロントレールやリアレールが形成される。こうして、図１１に示されるように、リアレール３８の頂上面にはＤＬＣ膜９５が形成される。ＤＬＣ膜９５の膜厚は前述の第１および第２膜厚よりも大きく設定されればよい。
【００５０】
その後、図１２に示されるように、浮上面３４は定盤９６に向き合わせられる。このとき、例えば電磁変換素子３３の薄膜コイル７３には電流が供給される。その結果、電磁変換素子３３は最大限に突き出る。こうしてＤＬＣ膜９５には電磁変換素子３３の突き出しに対応する突起９７が形成される。ＤＬＣ膜９５は定盤９６に押し当てられる。ＤＬＣ膜９５の表面は研磨される。こうしてＤＬＣ膜９５から突起９７は削り取られる。
【００５１】
ＤＬＣ膜９５の膜厚の設定にあたって電磁変換素子３３の電磁変換特性が観察されればよい。定盤９６の表面には記録磁性層（図示されず）が形成される。記録磁性層には例えば２値情報が書き込まれる。ＤＬＣ膜９５の研磨中、ＤＬＣ膜９５の膜厚が減少するにつれて読み出しヘッド６２の分解能は高まる。分解能とＤＬＣ膜９５の膜厚との関係は予め把握される。したがって、ＤＬＣ膜９５の研磨中に分解能が観察されれば、ＤＬＣ膜９５すなわち第１および第２保護膜９１、９２の膜厚は特定されることができる。
【００５２】
こうしてＤＬＣ膜９５が所定の膜厚に設定されると、ＤＬＣ膜９５は定盤９６から離される。薄膜コイル７３に向かって電流の供給は停止される。電磁変換素子３３の突き出しは解消される。電磁変換素子３３上で突起９７の分だけＤＬＣ膜９５は大きく研磨される。電磁変換素子３３の突き出しが解消されると、ＤＬＣ膜９５には前述の窪み９３が形成される。その後、ウエハバーからスライダ本体３１は切り出される。こうして浮上ヘッドスライダ２１ａは製造される。
【００５３】
図１３に示されるように、ＨＤＤ１１には浮上ヘッドスライダ２１、２１ａに代えて浮上ヘッドスライダ２１ｂが組み込まれてもよい。浮上ヘッドスライダ２１ｂでは、第２保護膜９２の第２膜厚は第１保護膜９１の第１膜厚よりも小さく設定される。ここでは、第２膜厚は例えば５ｎｍ程度に設定される。第１膜厚は例えば１０ｎｍ程度に設定される。第３膜厚は前述と同様に例えば３ｎｍ程度に設定される。こうして電磁変換素子３３から空気流入側で第１保護膜９１が大きな膜厚で形成されることから、電磁変換素子３３の突き出し時に電磁変換素子３３および磁気ディスク１３の接触の確率は格段に低減される。その他、前述の浮上ヘッドスライダ２１ａと均等な構成や構造には同一の参照符号が付される。
【００５４】
図１４に示されるように、ＨＤＤ１１には浮上ヘッドスライダ２１、２１ａ、２１ｂに代えて浮上ヘッドスライダ２１ｃが組み込まれてもよい。浮上ヘッドスライダ２１ｃでは、第１保護膜９１の第１膜厚および第２保護膜９２の第２膜厚は空気流入側から空気流出側に向かうにつれて減少する。その結果、浮上ヘッドスライダ２１ｃで所定のピッチ角αで浮上姿勢が確立されると、第１および第２保護膜９１、９２の表面すなわち空気軸受け面４２と磁気ディスク１３との間の距離は均一に設定されることができる。こうして電磁変換素子３３から空気流入側で第１保護膜９１が大きな膜厚で形成されることから、電磁変換素子３３の突き出し時に電磁変換素子３３および磁気ディスク１３の接触の確率は格段に低減される。その他、前述の浮上ヘッドスライダ２１ａと均等な構成や構造には同一の参照符号が付される。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本発明に係る記憶媒体駆動装置の一具体例すなわちハードディスク駆動装置（ＨＤＤ）の内部構造を概略的に示す平面図である。
【図２】本発明に係る浮上ヘッドスライダの構造を概略的に示す斜視図である。
【図３】媒体対向面から観察される浮上ヘッドスライダの構造を概略的に示す平面図である。
【図４】図３の４−４線に沿った断面図である。
【図５】媒体対向面から観察されるリアレールの構造を概略的に示す部分拡大平面図である。
【図６】図５の６−６線に沿った断面図である。
【図７】浮上ヘッドスライダの浮上時の様子を概略的に示す部分拡大断面図である。
【図８】媒体対向面から観察されるリアレールの構造を概略的に示す部分拡大平面図である。
【図９】図８の９−９線に沿った断面図である。
【図１０】浮上ヘッドスライダの浮上時の様子を概略的に示す部分拡大断面図である。
【図１１】浮上ヘッドスライダの製造時の様子を概略的に示す部分拡大断面図である。
【図１２】保護膜が研磨される様子を概略的に示す部分拡大断面図である。
【図１３】図９に対応し、リアレールの構造を概略的に示す部分拡大断面図である。
【図１４】浮上ヘッドスライダの浮上時の様子を概略的に示す部分拡大断面図である。
【符号の説明】
【００５６】
１１  記憶媒体駆動装置（ハードディスク駆動装置）、１３  記憶媒体（磁気ディスク）、２１  ヘッドスライダ（浮上ヘッドスライダ）、３１  スライダ本体、３２  非磁性膜（素子内蔵膜）、３４  媒体対向面（浮上面）、３８  レール（リアレール）、３３  ヘッド素子（電磁変換素子）、８１  第１保護膜、８２  第２保護膜、８３  第３保護膜、９１  第１保護膜、９２  第２保護膜、９３  窪み、９５  保護膜（ＤＬＣ膜）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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