(57)【要約】【課題】  凹部形状が維持された凹パターン形成方法、及び優れた性能を有するトレンチ型コンデンサの製造方法を提供する。【解決手段】  材料３によって、凹部Ｄの開口端面位置と同等の高さを有する凹部周辺領域３０が形成されるが、予め、ドライフィルムレジストＤＦによって、凹部Ｄに蓋がされているので、堆積材料が凹部Ｄ内に侵入してくることがない。したがって、ドライフィルムレジストＤＦを除去した後においても、凹部Ｄの形状が維持されており、優れた性能のトレンチ型コンデンサを製造することが可能となる。【選択図】  図２
2008251728.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に複数の凸部を形成する第１工程と、
ドライフィルムレジストで前記凸部間に形成される凹部に蓋をする第２工程と、
前記凸部の周辺領域及び前記ドライフィルムレジスト上に平坦化用材料を堆積する第３工程と、
前記ドライフィルムレジストを除去可能な位置まで前記平坦化用材料を研磨する第４工程と、
前記ドライフィルムレジストを除去する第５工程と、
を備えることを特徴とする凹パターン形成方法。
【請求項２】
前記第４工程は、前記ドライフィルムレジストが残留した状態で、前記凹部の開口端面と前記平坦化用材料の被研磨表面が同一平面になるまで行われることを特徴とする請求項１に記載の凹パターン形成方法。
【請求項３】
前記第１工程において、前記凸部は、前記基板上にフレームめっき法によって金属パターンを形成することで形成されることを特徴とする請求項１又は２に記載の凹パターン形成方法。
【請求項４】
端子電極に電気的に接続される上部電極及び下部電極によって挟まれる絶縁層を凹部内に形成してなるトレンチ型コンデンサの製造方法であって、
基板上に複数の凸部を形成する第１工程と、
ドライフィルムレジストで前記凸部間に形成される凹部に蓋をする第２工程と、
前記凸部の周辺領域及び前記ドライフィルムレジスト上に平坦化用材料を堆積する第３工程と、
前記ドライフィルムレジストを除去可能な位置まで前記平坦化用材料を研磨する第４工程と、
前記ドライフィルムレジストを除去する第５工程と、
を備えることを特徴とするトレンチ型コンデンサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、凹パターン形成方法及びトレンチ型コンデンサの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来のトレンチ型コンデンサは、例えば下記特許文献１に記載されている。このようなトレンチ型コンデンサは、凹パターンを有しており、凹部の内壁に沿って誘電体層を形成することで、一対の電極間に挟まれた誘電体層からなるコンデンサを形成している。トレンチ型コンデンサは、平板型コンデンサに比べて、同一平面領域内の電極対向面積が大きくなるという利点がある。隣接する凹部の数を増加させると、コンデンサの全体容量は更に大きくなるため、近年では複数の凹部が隣接した構造のトレンチ型コンデンサが製造されている。
【０００３】
トレンチ型コンデンサの周辺領域上の材料は、凹部の形成後に形成される場合がある。基板表面から延びる複数の柱状パターンを形成することで、柱状パターン間を凹部とした場合、柱状パターン形成領域の周辺領域は、一般には基板表面のままである。この周辺領域の高さを柱状パターンの開口端面位置に合わせるには、凹部の形成後に、その周辺領域を材料の堆積工程によって形成する必要がある。
【特許文献１】特開２０００−１２４４２７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、凹部の形成後に、その周辺領域構成材料を堆積工程によって形成する場合、周辺領域構成材料が凹部内にも埋設され、この材料が凹部内から除去できなくなる。この凹部はコンデンサを形成するための構造体であるため、その凹部形状が維持できない場合には、優れた性能を有するトレンチ型コンデンサを製造することはできない。
【０００５】
本発明は、このような課題に鑑みてなされたものであり、凹部形状を維持可能な凹パターン形成方法、及び優れた性能を有するトレンチ型コンデンサの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上述の課題を解決するため、本発明に係る凹パターン形成方法は、基板上に複数の凸部を形成する第１工程と、ドライフィルムレジストで凸部間に形成される凹部に蓋をする第２工程と、凸部の周辺領域及びドライフィルムレジスト上に平坦化用材料を堆積する第３工程と、ドライフィルムレジストを除去可能な位置まで平坦化用材料を研磨する第４工程と、ドライフィルムレジストを除去する第５工程とを備えることを特徴とする。
【０００７】
この方法によれば、第４工程の研磨後において周辺領域に残留する平坦化用材料によって、凹部の開口端面位置と同等の高さを有する凹部周辺領域が形成されるが、ドライフィルムレジストによって凹部に予め蓋がされているので、堆積時及び研磨時において、堆積材料が凹部内に侵入してくることがない。したがって、第５工程においてドライフィルムレジストを除去した後においても、凹部形状が維持される。
【０００８】
この方法で製造されるトレンチ型コンデンサは、端子電極に電気的に接続される上部電極及び下部電極よって挟まれる絶縁層を凹部内に形成してなる。この方法によれば、凹部形状が維持されるので、優れた性能のトレンチ型コンデンサを製造することが可能となる。
【０００９】
また、この周辺領域の高さが不揃いである場合、周辺領域上に形成される電極や配線の特性や信頼性がばらつくが、この製造方法によれば、周辺領域の高さが研磨により揃っているので、このようなばらつきが低減される。
【００１０】
また、第４工程は、ドライフィルムレジストが残留した状態で、凹部の開口端面と平坦化用材料の被研磨表面が同一平面になるまで行われることが好ましい。この場合、凹部の開口端面と周辺領域の表面とが同じ高さを有することとなるため、電極や配線形成時の信頼性が更に向上し、また、単位高さ当りの容量を最大にすることが可能となる。
【００１１】
また、第１工程において、凸部は、基板上にフレームめっき法によって金属パターンを形成することで形成されることが好ましい。すなわち、フレームメッキ法は、ドライエッチング法などによる凹部の形成方法と比較して、安価且つ短時間に凹部を形成することが可能な方法であり、量産性に優れることとなる。特に、このような金属パターンを形成する工程の場合には、凹部形成領域の周辺はもとの基板表面のままであるため、上述の方法の有効性が優れることとなる。
【００１２】
但し、凹部の形成手法には、ある表面をエッチングして複数の凹部を形成する方法と、基板表面から延びる複数の柱状パターンを形成することで凹部を形成する方法があり、前者の場合においても、その周辺領域の高さを凹部開口端面の高さに揃える必要がある場合、すなわち、凹部形成後に周辺領域構成材料をエッチングにより除去し、この上に例えば絶縁材料などを埋め込む場合には、本発明の手法を適用することで、優れた特性のトレンチ型コンデンサを製造することが可能となる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、凹部形状を維持された凹パターンを形成することができ、また、優れた性能のトレンチ型コンデンサを製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、実施の形態に係る凹パターン形成方法を用いたトレンチ型コンデンサの製造方法について説明する。同一要素には同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。まず、トレンチ型コンデンサの構造について説明する。
【００１５】
図１（ａ）はトレンチ型コンデンサの平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）に示したトレンチ型コンデンサのＩｂ−Ｉｂ矢印断面図である。
【００１６】
トレンチ型コンデンサは、基板１の表面上に設定された長方形の設定領域Ｒ内に形成されている。なお、この設定領域Ｒの外縁に沿ってダイシングを行うことも可能である。基板１上には、コンデンサ２を取り囲む周辺領域構成材料３が形成されており、周辺領域構成材料３上にはコンデンサ２の両端に位置する電極パッド（バンプ：端子電極）２ｅ１，２ｅ２が設けられており、下部電極２ｂ及び上部電極２ｄがこれらに電気的に接続されている。
【００１７】
コンデンサ２は、基板１の表面から柱状に立設した複数の凸部２Ａを備えており、複数の凸部２Ａは電極パッド２ｅ１，２ｅ２間の離隔方向に沿って離隔している。複数の凸部２Ａ間のトレンチ溝は、凹部Ｄを構成しており、凸部２Ａの側壁ＩＷ、すなわち凹部Ｄの内側面上に下地絶縁層２ａ、下部電極２ｂ、誘電体層２ｃ、上部電極２ｄが順次形成されており、それぞれの層が凹部Ｄの開口端面上にまで延びている。
【００１８】
図面左側の周辺領域構成材料３上には、下地絶縁層２ａ、下部電極２ｂ、誘電体層２ｃが積層されており、誘電体層２ｃの中央に設けられた開口Ｐを介して、電極パッド２ｅ１が下部電極２ｂに接触している。図面右側の周辺領域構成材料３上には、下地絶縁層２ａ、下部電極２ｂ、誘電体層２ｃ及び上部電極２ｄが順次積層され、上部電極２ｄの露出表面上に電極パッド２ｅ２が接触している。なお、トレンチ型コンデンサは、露出表面を被覆する保護膜を更に備えていても良い。保護膜の材料としてはアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）を用いることができる。
【００１９】
コンデンサ２は、上下の電極２ｂ，２ｄによって挟まれる誘電体層２ｃを凹部Ｄ内に形成してなるトレンチ型コンデンサである。本実施形態のトレンチ型コンデンサの材料の一例は以下の通りである。
基板１：アルミナ
凸部２Ａ：Ｎｉ
下地絶縁層２ａ：アルミナ（厚さ０．１μｍ）
下部電極２ｂ：Ｃｕ（厚さ０．１μｍ）
誘電体層２ｃ：アルミナ（厚さ０．１μｍ）
上部電極２ｄ：Ｃｕ（厚さ０．１μｍ）
電極パッド２ｅ１：Ａｕ
電極パッド２ｅ２：Ａｕ
周辺領域構成材料３：アルミナ（２５μｍ）
【００２０】
本形態では、基板１の表面から凸部２Ａの頂面（凹部Ｄの開口端面）までの距離Ｚ１は、基板１の表面から周辺領域構成材料３の露出表面までの距離Ｚ２に実質的に等しい。「実質的に」とは±１０％の誤差を含むことを意味することとする。なお、基板表面から凹部開口端面までの距離Ｚ１は、基板表面から周辺領域露出表面までの距離Ｚ２よりも、距離ΔＺだけ小さくてもよい（Ｚ２−Ｚ１＝ΔＺ）。距離ΔＺは、後述のドライフィルムレジストの厚さをｔとすると、ΔＺ＜ｔで与えられる。
【００２１】
以下、トレンチ型コンデンサの製造方法について詳説する。
【００２２】
図２は、製造方法を説明するための図である。
【００２３】
この製造に先立って、基板１を用意する。基板１は、直径６インチ、厚さ２ｍｍのアルミナウエハである。
【００２４】
次に、以下の工程（１）、（２）、（３）、（４）、（５）を順次実行する。
【００２５】
なお、図２の左列（ａ−１）〜（ａ−５）は、それぞれ工程（１）〜工程（５）に対応したトレンチ型コンデンサ中間体の断面構成を示すものであり、図２の右列（ｂ−１）〜（ｂ−５）は、それぞれ工程（１）〜工程（５）に対応したトレンチ型コンデンサ中間体の平面構成を示す。なお、図２では、平面視直線状の凸部２Ａを配列することによって凹部Ｄを構成している。
【００２６】
まず、図２の形状のトレンチ型コンデンサ中間体の製造方法について説明する。
【００２７】
（工程（１）：（ａ−１）、（ｂ−１）参照）
【００２８】
まず、基板１に上述の複数の凹部Ｄを構成する金属パターンを形成する。凹部Ｄは複数の凸部２Ａ間の領域によって規定される。金属パターンは、フレームめっき法で形成する。形成する金属パターンの各凸部２Ａの形状は、幅＝５μｍ、長さ１００μｍ、高さ（厚さ）２０μｍであり、これらは幅方向に５μｍ間隔で離隔し、凸部２Ａの数は４つである。また、使用する金属はＮｉである。なお、図１には５本の凸部２Ａが形成されており、図２では４本の凸部２Ａが示されているが、図１の構造を形成する場合には、凸部２Ａの数を５本にすればよい。
【００２９】
この工程において、凹部Ｄは、基板１上にフレームめっき法によって金属パターンを形成することで形成されている。フレームめっき法は、ドライエッチング法などによる凹部の形成方法と比較して、安価且つ短時間に凹部を形成することが可能な方法であり、量産性に優れている。特に、このような金属パターンを形成する工程の場合には、凹部形成領域Ｒ１の周辺はもとの基板１の表面のままであるため、本実施形態の方法の有効性が優れることとなる。
【００３０】
（工程（２）：（ａ−２）、（ｂ−２）参照）
【００３１】
次に、ドライフィルムレジストＤＦで凹部Ｄに蓋をする。すなわち、凹部Ｄの開口端面上にドライフィルムレジストＤＦを貼り付け、若干の圧力をドライフィルムレジストＤＦにかける。使用するドライフィルムレジストＤＦは、旭化成エレクロニクス社製の「ＳＵＮＦＯＲＴ」（登録商標）を用いた。ドライフィルムレジストＤＦの膜厚は１０μｍである。このドライフィルムレジストＤＦを、基準条件（＊）よりも、基板加熱温度Ｔ１、ロール温度Ｔ２、ロール圧力Ｐ１、真空度Ｐ２が高くなるように設定し、ドライフィルムレジストＤＦの一部が凹部Ｄの表面付近の中にまで入り込むように、（株）ＭＣＫ製の真空ラミネーターを用いて貼り付けた。各パラメータＴ１，Ｔ２，Ｐ１，Ｐ２を後述の基準条件（＊）の場合によりも１０％高くする。
【００３２】
長方形の凹部形成領域Ｒ１が現像時に残留するように、ドライフィルムレジストＤＦに露光を行った。露光装置としては、キャノン社製の「ＰＬＡ」（登録商標）を用い、露光量は１００ｍＪ／ｃｍ２とし、現像にはスプレー現像（スプレー圧力：０．２５Ｐａ）を用い、現像液は１％−無水炭酸水素ナトリウム（Ｎａ２ＣＯ３）水溶液（３０℃）、現像時間は３０秒とした。得られた被覆レジストパターンの寸法は３５μｍ×１２０μｍであるが、これよりも多少小さなパターンとすることもできる。
【００３３】
（工程（３）：（ａ−３）、（ｂ−３）参照）
【００３４】
次に、凹部Ｄの周辺領域３０及びドライフィルムレジストＤＦ上に平坦化用の材料３を堆積する。この材料３としては、アルミナを用いることができ、これをスパッタ法で厚さ２５μｍになるまで堆積した。もちろん、他の絶縁材料を堆積することも可能である。
【００３５】
（工程（４）：（ａ−４）、（ｂ−４）参照）
【００３６】
次に、ドライフィルムレジストＤＦを除去可能な位置まで材料３を研磨する。すなわち、材料３の表面を化学機械研磨により表面側から除去する。この化学機械研磨には、ウレタンパッドとアルミナスラリー（粒径＝２５０ｎｍ）を用いた。ドライフィルムレジストＤＦは研磨工程において、凹部Ｄに蓋をしたままであるが、その表層部分は削られる。ドライフィルムレジストＤＦが残留しているので、研磨時に凹部Ｄ内にはスラリーが入りにくいという利点がある。材料３の研磨によって、露出面がドライフィルムレジストＤＦに到達した場合には、後工程において、ドライフィルムレジストＤＦを溶剤で簡単に除去することができる。
【００３７】
本例では、ドライフィルムレジストＤＦの表面と材料３の被研磨表面が同一平面になるまで平坦化の研磨を行う。ドライフィルムレジストＤＦが残留した状態で、凹部Ｄの開口端面と材料３の被研磨表面が同一平面になるまで行われる場合、凹部Ｄの開口端面と周辺領域３０の表面とが同じ高さを有することとなるため、電極や配線形成時の信頼性が向上し、また、単位高さ当りのコンデンサの容量を最大にすることが可能となる。このような研磨が可能となるのは、ドライフィルムレジストＤＦの一部を、工程（２）において凹部Ｄ内に若干埋め込んでいるからである。
【００３８】
なお、研磨時に研磨停止の標識となる材料を、予め材料３内に埋め込んでおいてもよい。この埋め込みは前段の工程（３）において行う。これにより、研磨残留膜厚の制御性を高くすることができる。また、好適ではないが、ドライフィルムレジストＤＦが、後工程の有機溶剤で溶けるようであれば、ドライフィルムレジストＤＦに僅かに到達しない程度の厚さを残して研磨を終了することも可能である。
【００３９】
（工程（５）：（ａ−５）、（ｂ−５）参照）
【００４０】
次に、ドライフィルムレジストＤＦを除去する。前工程で製造されたトレンチ型コンデンサ中間体を有機溶剤中に浸し、揺動させる。この場合、ドライフィルムレジストＤＦがアセトンなどの有機溶剤に溶けて除去される。
【００４１】
以上のようにして、凹部Ｄ内に周辺領域構成材料３が入ることなく、トレンチ型コンデンサ中間体が製造された。この段階のトレンチ型コンデンサ中間体は、凹パターンを有しており、その凹部形状は維持されている。このようなトレンチ構造を形成した後、図１に示した各層を順次スパッタ法にて形成してパターニングした後、最後にフレームめっき法などにより電極パッドを露出した電極上に形成することで、トレンチ型コンデンサを製造することができる。
【００４２】
次に、図３の形状のトレンチ型コンデンサ中間体の製造方法について説明する。図３の左列（ａ−１）〜（ａ−５）は、それぞれ工程（１）〜工程（５）に対応したトレンチ型コンデンサ中間体の断面構成を示すものであり、図３の右列（ｃ−１）〜（ｃ−５）は、それぞれ工程（１）〜工程（５）に対応したトレンチ型コンデンサ中間体の平面構成を示す。なお、図３では、環状凸部２Ａと柱状凸部２Ａを配置することによって凹部Ｄを構成している。
【００４３】
図３の形状のトレンチ型コンデンサの製造方法は、図２の製造方法と比較して、工程（１）のみが異なり、他の工程は同一である。
（工程（１）：（ａ−１），（ｃ−１）参照）
【００４４】
工程（１）では、図２のものと同一の基板１を用意し、この基板１に複数の凹部Ｄを構成する金属パターンを形成する。金属パターンは、フレームめっき法で形成するが、形成する金属パターンの各凸部２Ａは、外側の環状凸部２Ａと、内側に配置された柱状凸部２Ａかなる。矩形環状凸部２Ａのリング幅は５μｍ、長さは１００μｍ、高さ（厚さ）２０μｍであり、幅方向の最大寸法は３５μｍである。内側に配置された柱状凸部２Ａの各柱の幅は５μｍ、隣接する凸部２Ａとの間隔は５μｍである。なお、使用する金属はＮｉである。
【００４５】
（工程（２）〜工程（５）：（ａ−２）〜（ａ−５），（ｃ−２）〜（ｃ−５）参照）
【００４６】
図２の製造方法と同一である。工程（１）の後、上記と同一の工程を実行することで、トレンチ型コンデンサを製造することができる。
【００４７】
但し、図２の工程（３）においては（（ｂ−３）参照）、凹部Ｄの長さ方向の両端は、凸部に覆われることなく開放しているので（図６（ａ）参照）、材料３がドライフィルムレジストＤＦの基板１への投影領域よりも内側に入ってくるのに対し、図３の工程（３）においては（（ｃ−３）参照）、環状の凸部２Ａが凹部Ｄの長さ方向の両端を遮蔽しているので（図６（ｂ））、材料３がドライフィルムレジストＤＦの基板１への投影領域よりも内側に入ってこないという利点がある。
【００４８】
次に、ドライフィルムレジストＤＦの貼り付けを、上述の基準条件（＊）で行う例について説明する。
【００４９】
図４及び図５は、この場合の製造方法を説明するための図である。但し、図４では、図２と同じく凸部２Ａの形状が直線状であるのに対し、図５では、図３と同じく凸部２Ａの形状が矩形環状と柱状のものを組み合わせたものである。
【００５０】
図４及び図５の製造方法は、それぞれ図２及び図３の製造方法と比較して、工程（２）の貼り付け条件と工程（４）の研磨条件のみが異なり、他の工程は同一である。
【００５１】
図４の左列（ａ−１）〜（ａ−５）は、それぞれ工程（１）〜工程（５）に対応したトレンチ型コンデンサ中間体の断面構成を示すものであり、図４の右列（ｂ−１）〜（ｂ−５）は、それぞれ工程（１）〜工程（５）に対応したトレンチ型コンデンサ中間体の平面構成を示す。なお、図４では、平面視直線状の凸部２Ａを配列することによって凹部Ｄを構成グしている。
【００５２】
図５の左列（ａ−１）〜（ａ−５）は、それぞれ工程（１）〜工程（５）に対応したトレンチ型コンデンサ中間体の断面構成を示すものであり、図５の右列（ｃ−１）〜（ｃ−５）は、それぞれ工程（１）〜工程（５）に対応したトレンチ型コンデンサ中間体の平面構成を示す。なお、図５では、平面視直線状の凸部２Ａを配列することによって凹部Ｄを構成している。
【００５３】
以下、図４と図５の相違点は、図２と図３の相違点のみであるため、以下、図４及び図５の製造方法を同時に説明する。これらの製造方法では、工程（１）、（２’）、（３）、（４’）、（５）を順次実行する。
【００５４】
（工程（１）；図４（ａ−１），（ｂ−１）、図５（ａ−１），（ｃ−１）参照）
【００５５】
上記と同一の基板１を用意し、上記と同一の工程を行う。
【００５６】
図４及び図５のいずれの場合においても、この方法では、上述の工程（１）の実行後、以下の工程（２’）を実行する。
【００５７】
（工程（２’）；図４（ａ−２），（ｂ−２）、図５（ａ−２），（ｃ−２）参照）
【００５８】
まず、ドライフィルムレジストＤＦで凹部Ｄに蓋をする。すなわち、凹部Ｄの開口端面上にドライフィルムレジストＤＦを貼り付け、若干の圧力をドライフィルムレジストＤＦにかける。使用するドライフィルムレジストＤＦは、上述のものと同一である。このドライフィルムレジストＤＦを、ドライフィルムレジストＤＦの一部が凹部Ｄの表面付近の中に入り込まないように、上述の真空ラミネーターを用いて貼り付けた。各パラメータＴ１，Ｔ２，Ｐ１，Ｐ２は基準条件（＊）に設定する。基準条件（＊）は、貼り付け時の基板加熱温度Ｔ１＝５０℃、圧力をかける際のロール温度Ｔ２＝１０５℃、ロール圧力Ｐ１＝０．３＝ＭＰａ、ラミネート速度Ｖ＝２．０ｍ／ｍｉｎ、真空度Ｐ２＝５０Ｐａである。
【００５９】
長方形の凹部形成領域Ｒ１が現像時に残留するようにドライフィルムレジストＤＦの露光を行った。露光条件及び現像条件は上記と同一であう。得られた被覆レジストパターンの寸法は３５μｍ×１２０μｍであるが、これよりも多少小さなパターンとすることもできる。
【００６０】
（工程（３）：図４（ａ−３），（ｂ−３）、図５（ａ−３），（ｃ−３）参照）
【００６１】
上記と同一の工程を行う。
【００６２】
（工程（４’）：図４（ａ−４），（ｂ−４）、図５（ａ−４），（ｃ−４）参照）
【００６３】
上述の工程（３）を実行した後、工程（４’）を実行する。上記と同様に、ドライフィルムレジストＤＦを除去可能な位置まで材料３を研磨する。すなわち、材料３の表面を化学機械研磨により表面側から除去する。この化学機械研磨には、ウレタンパッドとアルミナスラリー（粒径＝２５０ｎｍ）を用いた。ドライフィルムレジストＤＦは研磨工程において、凹部Ｄに蓋をしたままであるが、その表層部分は削られる。ドライフィルムレジストＤＦが残留しているので、研磨時に凹部Ｄ内にはスラリーが入りにくいという利点がある。
【００６４】
材料３の研磨によって、露出表面がドライフィルムレジストＤＦに到達した場合には、後工程において、ドライフィルムレジストＤＦを除去することができる。本例では、ドライフィルムレジストＤＦの表面と材料３の被研磨表面が同一平面になるまで平坦化の研磨を行う。
【００６５】
本例では、ドライフィルムレジストＤＦが凹部Ｄ内に入り込んでいないため、研磨工程において、凹部Ｄの開口端面を研磨していない。したがって、平坦化研磨はされないものの、開口端面における機械的ダメージは低減されるという利点がある。
【００６６】
なお、本例の場合も、研磨時に研磨停止の標識となる材料を、予め材料３内に埋め込んでおいてよい。この埋め込みは前段の工程（３）において行う。これにより、研磨残留膜厚の制御性を高くすることができる。また、好適ではないが、ドライフィルムレジストＤＦが、後工程の有機溶剤で溶けるようであれば、ドライフィルムレジストＤＦに僅かに到達しない程度の厚さを残して研磨を終了することも可能である。
【００６７】
（工程（５）：図４（ａ−５），（ｂ−５）、図５（ａ−５），（ｃ−５）参照）
【００６８】
上記と同一の工程を行う。本例の場合、凹部Ｄの開口端面上に残留したドライフィルムレジストＤＦの厚さだけ、周辺領域構成材料３の露出表面位置が高くなる。但し、最大離隔距離はΔＺであり、これらの高さが同等であることに変わりはない。
【００６９】
以後、上記と同様にコンデンサの構成材料を形成し、トレンチ型コンデンサを製造することができる。
【００７０】
なお、図４の工程（３）を示す平面図（ｂ−３）におけるＶＩｃ−ＶＩｃ矢印断面図は、図６（ｃ）に示されており、図５の工程（３）を示す平面図（ｂ−３）におけるＶＩｄ−ＶＩｄ矢印断面図は、図６（ｄ）に示されている。図６（ｃ）の場合には、ドライフィルムレジストＤＦの正射影の内側に材料３が入り込んでいるが、図６（ｄ）の場合には、材料３は凸部２Ａによって内側への混入がブロックされている。なお、図６（ａ）、（ｂ）は、それぞれ図２のＶＩａ−ＶＩａ矢印断面図及び図３のＶＩｂ−ＶＩｂ矢印断面図を示している。図６（ａ）、（ｂ）に示されるドライフィルムレジストＤＦよりも、図６（ｃ）、（ｄ）のドライフィルムレジストＤＦは薄く示されている。
【００７１】
なお、トレンチ型コンデンサの構造は数多く知られており、上述のものに限定されないことは言うまでもない。以下、トレンチ型コンデンサの別の構造について説明する。
【００７２】
図７（ａ）は、別の実施形態に係るトレンチ型コンデンサの平面図であり、図７（ｂ）は、トレンチ型コンデンサのＶＩＩｂ−ＶＩＩｂ矢印断面図である。
【００７３】
このトレンチ型コンデンサの上述の実施形態のものとの相違点は、フレームめっき法において、凸部２Ａを形成する際に、凹部の底部にも金属材料からなるシード層２Ａｓを残留させておき、凸部２Ａ自体を下部電極として兼用したことである。この構成の場合、図１に示した下地絶縁層２ａ及び金属層としての下部電極２ｂは不要となる。すなわち、このトレンチ型コンデンサは、下部電極２Ａ，２Ａｓと上部電極２ｄとの間に誘電体層２ｃを挟んでなる。
【００７４】
基板１の表面上の凹部形成領域Ｒ１内に形成された金属のシード層２Ａｓは平坦であり、この上に下部電極としての凸部２Ａが立設している。凸部２Ａの左端のものは、他のものと比較して、電極パッド間離隔方向の幅が大きい。
【００７５】
凸部２Ａの頂面及び側壁ＩＷ上、更にシード層２Ａｓの露出面上には誘電体層２ｃが形成されており、誘電体層２ｃ上には上部電極２ｄが形成されている。誘電体層２ｃは、左端においては凸部２Ａの頂面にまで延びており、この頂面上の誘電体層２ｃに設けられた開口Ｐを介して電極パッド２ｅ１が下部電極としての凸部２Ａに接触している。誘電体層２ｃは、右端においても周辺領域構成材料３にまで延びているが、この上に形成された上部電極２ｄは電極パッド２ｅ２に接触している。
【００７６】
他の構造及び製造方法は、図１に示したものと同一である。
【００７７】
なお、説明の明確化のため、シード層２Ａｓは、図１においては図示していないが、図１においてもシード層２Ａｓを金属凸部２Ａの直下に存在させてもよい。
【００７８】
以上、説明したように、上述の製造方法によれば、研磨後に残留する材料３によって、凹部Ｄの開口端面位置と同等の高さを有する凹部（凸部）周辺領域３０が形成されるが、ドライフィルムレジストＤＦによって予め凹部Ｄに蓋がされているので、堆積材料が凹部Ｄ内に侵入してくることがない。したがって、工程（５）において、ドライフィルムレジストＤＦを除去した後においても、凹部Ｄの形状が維持されており、優れた性能のトレンチ型コンデンサを製造することが可能となる。
【００７９】
また、この周辺領域３０の高さが不揃いである場合、周辺領域３０上に形成される電極や配線の特性や信頼性がばらつくが、この製造方法によれば、周辺領域の高さが研磨により揃っているので、このようなばらつきが低減される。
【００８０】
最後に、フレームめっき法について説明しておく。
【００８１】
図８は、フレームめっき法による金属パターンの製造方法を示す図である。
【００８２】
まず、基板１を用意する（図８（ａ））。基板１の材料は絶縁体であるとする。基板１上にシード層２Ａｓをスパッタ法などで堆積する（図８（ｂ））。次に、形成予定の金属パターンの位置が開口したフォトレジストＰＲを、フォトリソグラフィ技術を用いて、シード層２Ａｓ上に形成する（図８（ｃ））。更に、フォトレジストＰＲのパターンをマスクとして、シード層２Ａｓ上に、金属層をめっきする（図８（ｄ））。このめっきにより、基板１から立設した凸部２Ａが形成される。次に、フォトレジストＰＲを有機溶剤に浸すことで除去し（図８（ｅ））、さらに、必要に応じて、凸部間のシード層２Ａｓをイオンミリング法などを用いて除去する（図８（ｆ））。
【００８３】
なお、上述の例では、基板１上に凸部２Ａを形成することで、凹部を構成したが、これは、基板をエッチングすることで凹部を形成し、その周辺領域を更にエッチングで除去し、この上に例えば絶縁材料などを埋め込む場合にも、上述の方法を適用するができる。この場合にも、凹部内に絶縁材料などの周辺領域構成材料が入り込まないので、優れた特性のトレンチ型コンデンサを製造することが可能となる。
【００８４】
なお、上述の例では、金属としてＣｕやＮｉを用いたが、この他にＡｌやＦｅ等を用いることも可能であり、絶縁体としてアルミナを用いたが、ＳｉＯ２やＳｉＮ等を用いることも可能である。また、フレームめっき法によるフォトレジストには液体レジストの他、ドライフィルムレジストを用いることもできる。
【００８５】
また、上述の例において、凸部２Ａは金属ではなく、フォトレジストをパターンニングして作製することが可能である。すなわち、基板上にフォトレジストを塗布した後、ラインアンドスペースパターンなどをフォトレジストに露光し、これを現像処理することで、凹凸構造を有するフォトレジストパターンを形成することができる。このフォトレジストからなる凸部間に形成される凹部にドライフィルムレジストで蓋をし、上述の処理を行うことで、凹部形状が維持されたパターンを形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００８６】
【図１】トレンチ型コンデンサの平面図（ａ）、トレンチ型コンデンサのＩｂ−Ｉｂ矢印断面図（ｂ）である。
【図２】製造方法を説明するための図である。
【図３】製造方法を説明するための図である。
【図４】製造方法を説明するための図である。
【図５】製造方法を説明するための図である。
【図６】トレンチ型コンデンサ中間体のＶＩａ−ＶＩａ矢印断面図（ａ）、ＶＩｂ−ＶＩｂ矢印断面図（ｂ）、ＶＩｃ−ＶＩｃ矢印断面図（ｃ）、ＶＩｄ−ＶＩｄ矢印断面図（ｄ）である。
【図７】別の実施形態に係るトレンチ型コンデンサの平面図（ａ）、トレンチ型コンデンサのＶｂ−Ｖｂ矢印断面図（ｂ）である。
【図８】フレームめっき法による金属パターンの製造方法を示す図である。
【符号の説明】
【００８７】
１・・・基板、２・・・コンデンサ、２Ａｓ・・・シード層、２ａ・・・下地絶縁層、２ｂ・・・下部電極、２Ａ・・・凸部、２ｄ・・・上部電極、２ｅ１，２ｅ２・・・電極パッド、２ｃ・・・誘電体層、３・・・周辺領域構成材料、３０・・・周辺領域、Ｄ・・・凹部、ＤＦ・・・ドライフィルムレジスト、Ｐ・・・開口、ＰＲ・・・フォトレジスト、Ｒ・・・設定領域、Ｒ１・・・凹部形成領域。
【図１】
2008251728.tif 000003
【図２】
2008251728.tif 000004
【図３】
2008251728.tif 000005
【図４】
2008251728.tif 000006
【図５】
2008251728.tif 000007
【図６】
2008251728.tif 000008
【図７】
2008251728.tif 000009
【図８】
2008251728.tif 000010