(57)【要約】      （修正有）【課題】消費電力の無駄を少なくして効率のよいマイクロ波加熱を行うことができ、短時間で焼成でき、かつ、焼成後の処理が自在である連続焼成装置を提供する。【解決手段】マイクロ波発生源１で発生されたマイクロ波の進行波を複数の導波管を接続してなる導波管列５０の長さ方向に伝播させ、導波管列内に連続搬入された加熱対象物を電磁界強度の弱い位置から強い位置へと変化させながら加熱焼成する連続焼成装置において、導波管列の昇温導入部５２及び高温保持部５３からなる加熱焼成部の内壁面に断熱材を配設し、導波管列に形成された搬入口から搬出口まで搬送ガイドが加熱対象物を載置した搬送体を案内し、加熱対象物を進行波の進行方向に移動させながら電磁界強度の強い位置に移動させて加熱焼成温度を上昇させるものである。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
加熱対象物を電磁界強度の弱い位置から強い位置へと変化させながら導波管内に取り込む取り込み部と、
前記取り込み部で取り込んだ前記加熱対象物を電磁界強度の弱い位置から強い位置へと変化させながら前記導波管の長さ方向に搬送して加熱する昇温導入部と、
少なくとも加熱に寄与する前記導波管の壁面に配設された前記導波管内からの放熱を防止する断熱材と、
前記導波管の搬入口から搬出口まで前記導波管内に配設された搬送ガイドと、
前記搬送ガイドに案内され、前記加熱対象物を前記導波管の長さ方向に搬送する搬送体とを具備し、
マイクロ波発生源で発生されたマイクロ波の進行波を、複数直列接続した前記導波管の長さ方向に伝播させ、前記導波管内に搬入された前記加熱対象物を電磁界強度の弱い位置から強い位置へと変化させながら前記導波管の長さ方向に搬送して加熱焼成することを特徴とする連続焼成装置。
【請求項２】
加熱対象物を電磁界強度の弱い位置から強い位置へと変化させながら導波管内に取り込む取り込み部と、
前記取り込み部で取り込んだ前記加熱対象物を電磁界強度の弱い位置から強い位置へと変化させながら前記導波管の長さ方向に搬送して加熱する昇温導入部と、
少なくとも加熱に寄与する前記導波管の壁面に配設された前記導波管内からの放熱を防止する断熱材と、
前記導波管の搬入口から搬出口まで前記導波管内に配設された搬送ガイドと、
前記搬送ガイドに案内され、前記加熱対象物を前記導波管の長さ方向に搬送する搬送体と、
前記搬送ガイドに案内された前記搬送体を前記導波管の搬入口から搬出口まで順次移動させる送り機構とを具備し、
マイクロ波発生源で発生されたマイクロ波の進行波を、複数直列接続した前記導波管の長さ方向に伝播させ、前記導波管内に搬入された前記加熱対象物を電磁界強度の弱い位置から強い位置へと変化させながら前記導波管の長さ方向に搬送して加熱焼成することを特徴とする連続焼成装置。
【請求項３】
前記取り込み部の導波管の搬入口は、エネルギ密度の低い位置とし、前記加熱対象物を挿入し、前記加熱対象物をエネルギ密度の高い位置に移動させることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の連続焼成装置。
【請求項４】
前記導波管内には、焼成温度及び高温保持温度を設定する所定の誘電損率の値の輻射加熱体を前記搬送体の移動する前記搬送ガイドに沿って配設したことを特徴とする請求項１乃至請求項３の何れか１つに記載の連続焼成装置。
【請求項５】
前記加熱対象物の焼成温度及び焼成時間を確保するために、前記搬送体と前記導波管内に配設した所定の誘電損率の値の輻射加熱体を前記断熱体の内側に配設したことを特徴とする請求項１乃至請求項４の何れか１つに記載の連続焼成装置。
【請求項６】
前記取り込み部の導波管の搬入口は、前記導波管の長さ方向に対する直角方向の断面積が１／１０以下としたことを特徴とする請求項１乃至請求項５の何れか１つに記載の連続焼成装置。
【請求項７】
前記取り込み部の導波管の搬入口は、ベンドまたはコーナの直線延長線上に１／１０以下の断面で、１／４波長以上の突出部を形成してなる端部の開口としたことを特徴とする請求項１乃至請求項６の何れか１つに記載の連続焼成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、セラミックス材料等で形成された被焼成体を連続焼成する連続焼成装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
この種の連続焼成装置としては、特許文献１及び特許文献２の技術思想が公知である。
特許文献１で、マイクロ波によって自己発熱する発熱層及び前記発熱層の外側を包囲する断熱層からなる隔壁により区画された焼成室を有し、その焼成室内を入口から出口に向かって搬送される被焼成体に対してマイクロ波を照射して当該被焼成体を加熱焼成する連続焼成装置において、前記断熱層に冷却媒体の流路を設け、前記流路と前記発熱層との間の距離を変化させることにより炉長方向の温度分布を変化させる技術思想が開示されている。
【０００３】
この構成によって、マイクロ波によって発熱層が自己発熱して焼成室内が高温状態にあるとき、断熱層に形成された空孔にボンベから常温空気を導入し、空孔に導入された空気が空孔内を流通するときにその空孔近傍の発熱層との間で熱交換し、空孔近傍の限られた領域で焼成室内の温度が低下する。また、この空孔内を流通する空気による焼成室内の温度低下の度合いは、空孔に導入する空気の導入速度を調節して熱交換効率を変化させることで、任意に制御することができる。したがって、各空孔に導入する空気の導入速度を調節することで、仮に設計後の炉であっても焼成室内の温度プロファイルを任意に設定することができ、被焼成体の材質や形状、大きさに応じて焼成室内の温度プロファイルを最適化することで、一つの連続焼成炉で種々の被焼成体の焼成に対応することができるものである。
【０００４】
また、特許文献２で、電磁波照射による焼成を行なう加熱・焼結領域が少なくとも設けられているトンネル式連続焼成炉を用いて、焼成温度の異なる多種類の焼成体を連続して得る焼成体の焼成方法において、所定の被焼成体に対する焼成温度条件に設定されている上記加熱・焼結領域に、上記と異なる焼成温度を有する被焼成体を該被焼成体の周囲を前記被焼成体の電磁波発熱特性を有する材料で形成した輻射加熱体で囲った状態で挿入する連続焼成方法の技術思想が開示されている。
この構成によって、加熱・焼結領域の温度条件を、所定の被焼成体の焼成温度に対するものに設定したマイクロ波連続焼成炉を用いているにもかかわらず、個々に異なる焼成温度を有する多種類の被焼成体に対して、個々の焼成温度に応じた最適な焼成を同時に行なうことができ、マイクロ波加熱によって品質に優れた種々の焼成体が得られ、少量多品種生産に適し、経済性に優れる連続焼成方法が得られるものである。
【０００５】
【特許文献１】特許第３６８７９０２号
【特許文献２】特開２００４−３５２５７４
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、上記特許文献１では、断熱層の冷却媒体の流路と発熱層との間の距離を変化させることによって、炉長方向の温度分布を変化させることは、冷媒によって熱エネルギを放出することになり、供給するエネルギに無駄があった。
また、上記特許文献２では、異なる焼成温度を有する複数種類の被焼成体に対して、被焼成体の周囲を前記被焼成体の有する電磁波発熱特性に応じた電磁波発熱特性を有する材料で形成した輻射加熱体で囲って焼成することによって、前記被焼成体の焼成温度を変化させる技術思想を開示しているが、この技術においても、輻射加熱体でマイクロ波の電力を消費させるものであり、無駄な電力消費を行わせることになり、供給するエネルギに無駄があった。
【０００７】
一方、近年、セラミック電子部品は省エネルギの観点から小型・軽量化、かつ、高性能化の要望が高くなり、ＩＴ産業、家電産業分野では、顕著に部品の微細化が図られてきている。しかし、部品製造の要である焼成工程は、多段に棚組みした棚板上にそれらの部品を積載する焼成炉による大量生産のため、焼成エネルギの大部分は製品よりも棚板の加熱に供され、焼成効率の向上ができない現状がある。ここでは、特許文献１及び特許文献２の管体内多重モード共振型加熱方式では、焼成エネルギ効率に限界が予測される。
【０００８】
そこで、この発明はかかる不具合を解決するためになされたもので、消費電力の無駄を少なくして効率のよいマイクロ波加熱を行うことができ、短時間で焼成でき、かつ、焼成品質が安定し、焼成後の処理が自在である連続焼成装置の提供を課題とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
請求項１にかかる連続焼成装置は、マイクロ波を発生するマイクロ波発生源で発生されたマイクロ波の進行波を、複数直列接続した導波管の長さ方向に伝播させ、前記導波管内に連続搬入された加熱対象物を電磁界強度の弱い位置から強い位置へと変化させながら前記導波管の長さ方向に搬送して加熱焼成する連続焼成装置であって、前記加熱対象物を電磁界強度の弱い位置から強い位置へと変化させながら前記導波管内に取り込む取り込み部と、前記取り込み部で取り込んだ前記加熱対象物を電磁界強度の弱い位置から強い位置へと変化させながら前記導波管の長さ方向に搬送して加熱焼成する昇温導入部と、前記導波管の少なくとも加熱焼成部の壁面に配設された前記導波管内からの放熱を防止する断熱材が配設され、前記導波管に形成された搬入口から搬出口まで、その長さ方向に形成されてなる搬送ガイドと、前記搬送ガイドに案内されて加熱対象物を載置した状態で前記導波管の長さ方向に移動する搬送体を具備し、前記搬送体を前記導波管内の前記搬送ガイドに案内されて前記導波管の搬入口から搬出口まで移動させるものである。
ここで、上記取り込み部は、加熱対象物を電磁界強度の弱い位置から強い位置へと変化させながら導波管内に取り込むものであり、焼成炉としての焼成前の加熱対象物の取り込みを行うものであればよい。また、上記昇温導入部は、前記取り込み部で取り込んだ前記加熱対象物を、電磁界強度の弱い位置から強い位置へと変化させながら前記導波管の長さ方向に搬送して加熱焼成するものであり、前記取り込み部と兼用してもよいし、前記取り込み部から独立させてもよい。
そして、上記マイクロ波発生源は、１０００ＭＨｚ前後の周波数、即ち、３０ｃｍ程度の波長のマイクロ波発振器であり、実施の形態では１ＫＷ乃至５０ＫＷ程度の出力を有するものを用いたが、本発明を実施する場合には、焼成能力を決定する搬送速度等の負荷の関係でマイクロ波の出力を決定し、かつ、焼成空間の大きさによってマイクロ波の周波数を決定すればよい。しかし、前記加熱対象物のサイズから導波管のサイズが決定されるから、それによれば１０００ＭＨｚ前後の周波数を使用するのが好適である。
上記マイクロ波発生源で発生されたマイクロ波の進行波を複数直列接続した導波管は、フランジによって接続されているが、本発明を実施する場合には、直接溶接等の手段によって接合しても良い。何れにせよ、収容した加熱対象物を加熱焼成処理する導波管としては、それに供給する導波管を入れて２個以上で構成されておればよい。
また、上記導波管は、マイクロ波発生源から供給されたマイクロ波を閉じ込め、その進行波をその長さ方向に伝播させると共に、収容した加熱対象物を加熱焼成処理する導波管特性を有するものであればよい。特に、前記導波管は、その長さ方向に対し直角方向の電磁界強度の弱い位置から前記加熱対象物を取り込み、前記加熱対象物を電磁界強度の強い中心位置に移動させることによって、徐々に電磁界強度の強い位置に前記加熱対象物を移動でき，前記加熱対象物の加熱焼成温度を上昇させるものであればよい。
そして、上記搬送ガイドをローラコンベア、ベルトコンベア、レール、平底等とすることができ、前記搬送ガイドに案内され、加熱対象物を載置した状態で移動する搬送体は、加熱対象物を載置するコンテナとすることができる。
【００１０】
請求項２にかかる連続焼成装置は、マイクロ波を発生するマイクロ波発生源で発生されたマイクロ波の進行波を、複数直列接続した導波管の長さ方向に伝播させ、前記導波管内に連続搬入された加熱対象物を電磁界強度の弱い位置から強い位置へと変化させながら前記導波管の長さ方向に搬送して加熱焼成する連続焼成装置にあって、前記加熱対象物を電磁界強度の弱い位置から強い位置へと変化させながら前記導波管内に取り込む取り込み部と、前記取り込み部で取り込んだ前記加熱対象物を電磁界強度の弱い位置から強い位置へと変化させながら前記導波管の長さ方向に搬送して加熱焼成する昇温導入部と、前記導波管内からの放熱を防止する前記導波管の少なくとも加熱焼成部の壁面に配設された断熱材と、前記導波管に形成された搬入口から搬出口まで前記導波管内に配設された搬送ガイドと、前記搬送ガイドに案内され、前記加熱対象物を前記導波管の長さ方向に搬送する搬送体を具備し、前記搬送体を前記導波管の前記搬送ガイドに案内されて前記導波管の搬入口から搬出口まで移動させるものである。
ここで、上記取り込み部は、加熱対象物を電磁界強度の弱い位置から強い位置へと変化させながら導波管内に取り込むものであり、焼成装置(炉)としての焼成前の焼成装置に対する取り込みを行うものであればよい。また、上記昇温導入部は、前記取り込み部で取り込んだ前記加熱対象物を電磁界強度の弱い位置から強い位置へと変化させながら前記導波管の長さ方向に搬送して加熱焼成するものであり、前記取り込み部と兼用してもよいし、前記取り込み部から独立させてもよい。
そして、上記マイクロ波発生源は、１０００ＭＨｚ前後の周波数、即ち、３０ｃｍ程度の波長のマイクロ波発振器であり、実施の形態では１ＫＷ乃至５０ＫＷ程度の出力を有するものを用いたが、本発明を実施する場合には、焼成能力を決定する搬送速度等の負荷の関係でマイクロ波の出力を決定し、かつ、焼成空間の大きさによってマイクロ波の周波数を決定すればよい。しかし、前記加熱対象物のサイズから導波管のサイズが決定されるから、それによれば１０００ＭＨｚ前後の周波数を使用するのが好適である。
上記マイクロ波発生源で発生されたマイクロ波の進行波を複数直列接続した導波管は、フランジによって接続されているが、本発明を実施する場合には、直接溶接等の手段によって接合しても良い。何れにせよ、収容した加熱対象物を加熱焼成処理する導波管としては、それに供給する導波管を入れて２個以上で構成されておればよい。
また、上記導波管は、マイクロ波発生源から供給されたマイクロ波を閉じ込め、その進行波をその長さ方向に伝播させると共に、収容した加熱対象物を加熱焼成処理する導波管特性を有するものであればよい。特に、前記導波管は、その長さ方向に対し直角方向の電磁界強度の弱い位置から前記加熱対象物を取り込み、前記加熱対象物を電磁界強度の強い中心位置に移動させることによって、徐々に電磁界強度の強い位置に前記加熱対象物を移動でき，前記加熱対象物の加熱焼成温度を上昇させるものであればよい。
そして、上記搬送ガイドをローラコンベア、ベルトコンベア、レール等とすることができ、前記搬送ガイドに案内され、加熱対象物を載置した状態で移動する搬送体は、加熱対象物を載置するコンテナとすることができる。
更に、上記送り機構は、前記搬送ガイドに案内された前記搬送体を前記導波管の搬入口から搬出口まで順次移動させるものであり、外力を得て回転するローラ式、環状のベルトコンベア式、前記搬送体を順次押し出すプッシャ式等とすることができる。
【００１１】
請求項３にかかる連続焼成装置の前記導波管の搬入口は、エネルギ密度の低い位置とし、前記加熱対象物を挿入し、前記加熱対象物をエネルギ密度の高い位置に移動させるものである。
ここで、前記導波管の下面側から取り込み、前記導波管の断面中央に移動させるもの、前記導波管の上面側から取り込み、前記導波管の断面中央に移動させるもの、前記導波管の左右面側から取り込み、前記導波管の断面中央に移動させるもの等の形態が採れる。結果的に、前記導波管の電磁界強度の弱い位置から前記加熱対象物を取り入れ、前記加熱対象物を電磁界強度の強い位置に相対移動させるものであればよい。更に、前記加熱対象物を電磁界強度の弱い位置から挿入し、電磁界強度の強い中心位置に移動させることは、直線的に変化させることもできるし、複数の段階的変化とすることもできる。
【００１２】
請求項４にかかる連続焼成装置の前記導波管内には、焼成温度及び高温保持温度を設定する所定の誘電損率の値の輻射加熱体を前記搬送体の移動する前記搬送ガイドに沿って配設したものである。
所定の誘電損率の値の輻射加熱体を前記搬送体の移動する前記搬送ガイドに沿って配設することによって、前記所定の誘電損率の値の輻射加熱体を熱源とし、前記加熱対象物を輻射熱で加熱するものであればよい。また、前記所定の誘電損率の値の輻射加熱体と前記加熱対象物との電力消費の割合が変化するから、前記加熱対象物を設定された直接加熱によって任意の加熱状態とすることができればよい。
【００１３】
請求項５にかかる連続焼成装置は、前記加熱対象物の焼成温度及び焼成時間を確保するために、前記搬送体と前記導波管内に配設した所定の誘電損率の値の輻射加熱体を前記断熱体の内側に配設したものである。
ここで、所定の誘電損率の値の輻射加熱体は、前記搬送体の移動する前記搬送ガイドに沿って配設することによって、前記所定の誘電損率の値の輻射加熱体を熱源とし、前記加熱対象物を輻射熱で加熱するものであればよい。前記搬送体は、前記輻射加熱体と同様、特定の誘電損率の値の誘電体とし、前記所定の誘電損率の値の搬送体が熱源となり、前記加熱対象物を輻射熱で加熱するものであればよい。加えて、前記所定の誘電損率の値の輻射加熱体と前記搬送体が、前記加熱対象物との電力消費の割合を変化させ、前記加熱対象物を設定された直接加熱によって任意の加熱状態とすることができればよい。特に、前記搬送体と所定の誘電損率の値の輻射加熱体は、一体に移動することもできる。
【００１４】
請求項６にかかる連続焼成装置の前記導波管の搬入口及び搬出口は、前記導波管の長さ方向に対する直角方向断面積が１／１０以下としたものである。ここで、前記導波管の長さ方向に対する直角方向断面積が１／１０以下としたものとは、例えば、９１５ＭＨｚの導波管（伝送回路）に相当する内寸１２４×２４８ｍｍ、１４６×２９２ｍｍを前提とすれば、３０００ｍｍ2、４０００ｍｍ2程度以下であればよい。
【００１５】
請求項７にかかる連続焼成装置の前記導波管の搬入口は、ベンドまたはコーナの直線延長線上に１／１０以下の断面で、１／４波長以上の突出部を形成し、その端部の開口としたものである。ここで１／１０以下の断面で、１／４波長以上の突出部は、方形導波管の形態または円形導波管の形態とすることができるが、現実的には、前記搬送体の形態から方形導波管の形態を採るのが望ましい。
【発明の効果】
【００１６】
請求項１の連続焼成装置は、マイクロ波発生源で発生されたマイクロ波を導波管に供給し、前記導波管の少なくとも加熱焼成部の壁面に配設された前記導波管内からの放熱を防止する断熱材で覆った導波管内に連続搬入された加熱対象物が、電磁界強度の弱い位置から強い位置へと変化させて加熱焼成させながら、前記導波管の長さ方向に搬送するものであり、前記導波管の端部に形成された搬入口から反対側の搬出口まで、その長さ方向に誘電体で形成されてなる搬送ガイドに案内される搬送体は、前記加熱対象物を載置した状態で前記導波管の長さ方向に移動し、前記搬送ガイドに案内されて前記導波管の搬入口から搬出口まで搬送され、前記加熱対象物を加熱焼成するものである。
したがって、導波管内で焼成を行う場合、突然、高エネルギで加熱対象物の加熱を開始すると、前記加熱対象物にひびが入ったり、毀損したりするが、本発明では、電磁界の弱い状態から電磁界の強い状態に導くものであるから、前記加熱対象物に与えるショックが少ない。また、電磁界の弱い状態で前記加熱対象物を取り込むものであるから、導波管からもれる電磁波が殆どない。そして、導波管内の負荷分担によって温度上昇を制御するものではないので、消費電力に無駄がなく、焼成速度が速い。更に、常に、移動する前記加熱対象物の焼成環境が一致するから、同一エネルギ分布の条件化で前記加熱対象物が均一に焼成でき、その均一焼成の結果、その品質が良くなり、焼成品質が安定する。更にまた、導波管内の反射波の発生が殆どないから、マイクロ波発生源を構成するマイクロ波発振器を反射波で傷めることがない。
具体的には、装置が飛躍的にコンパクト化され、かつ、前記加熱対象物の一段積載の高効率迅速処理により、小型電子部品の焼成効率が数倍に向上され、また、雰囲気焼成を付加自在であるから、大気中で焼成されるセラミックス電子部品に止まることなく、雰囲気焼成中で焼成されるセラミックス電子部品及び金属部品である自動車部品等用としても使用できる。また、マイクロ波の内部加熱効果が最大級に生かされる加熱プロセスであることから、電子部品等の材料の特性が向上するという効果が期待できる。
よって、消費電力の無駄を少なくして効率のよいマイクロ波加熱を行うことができ、短時間で焼成でき、かつ、焼成後の処理が任意に設定でき自在である。
【００１７】
請求項２の連続焼成装置は、マイクロ波発生源で発生されたマイクロ波を導波管に閉じ込め、前記導波管の少なくとも加熱焼成部の壁面を断熱材で覆った導波管内に連続搬入された加熱対象物が、電磁界強度の弱い位置から強い位置へと変化させて加熱焼成させながら、前記導波管の長さ方向に搬送するものであり、前記導波管の搬入口から反対側の搬出口まで、その長さ方向に形成されてなる搬送ガイドに案内される搬送体は、前記加熱対象物を載置した状態で前記導波管の長さ方向に移動し、前記搬送体は順次移動させる送り機構によって、前記搬送ガイドに案内されて前記導波管の搬入口から搬出口まで搬送され、前記加熱対象物を加熱焼成するものである。
したがって、導波管内で焼成を行う場合、突然、高エネルギで加熱対象物の加熱を開始すると、前記加熱対象物にひびが入ったり、毀損したりするが、本発明では、電磁界の弱い状態から電磁界の強い状態に導くものであるから、前記加熱対象物に与えるショックが少ない。また、電磁界の弱い状態で前記加熱対象物を取り込むものであるから、導波管からもれる電磁波が殆どない。そして、導波管内の負荷分担によって温度上昇を制御するものではないので、消費電力に無駄がなく、焼成速度が速い。更に、常に、移動する前記加熱対象物の焼成環境が一致するから、同一エネルギ分布の条件化で前記加熱対象物が均一に焼成でき、その均一焼成の結果、その品質が良くなり、焼成品質が安定する。更にまた、導波管内の反射波の発生が殆どないから、マイクロ波発生源を構成するマイクロ波発振器を反射波で傷めることがない。
具体的には、装置が飛躍的にコンパクト化され、かつ、前記加熱対象物の一段積載の高効率迅速処理により、小型電子部品の焼成効率が数倍に向上され、また、雰囲気焼成を付加自在であるから、大気中で焼成されるセラミックス電子部品に止まることなく、雰囲気焼成中で焼成されるセラミックス電子部品及び金属部品である自動車部品等用としても使用できる。また、マイクロ波の内部加熱効果が最大級に生かされる加熱プロセスであることから、電子部品等の材料の特性値が向上するという効果が期待できる。
加えて、前記搬送体を順次移動させる送り機構は、前記搬送ガイドに案内されて前記導波管の搬入口から搬出口まで搬送される。加熱対象物が電磁界強度の弱い位置から強い位置へと変化させて加熱焼成することが要件になっているが、この要件は搬送経路を直線とすることもできるし、任意の高さとすることもできるので、任意の温度条件で、前記加熱対象物を加熱焼成することができる。
よって、消費電力の無駄を少なくして効率のよいマイクロ波加熱を行うことができ、短時間で焼成でき、かつ、焼成後の処理が任意に設定でき自在である。
【００１８】
請求項３の連続焼成装置は、導波管の搬入口をエネルギ密度の低い位置とし、前記加熱対象物を挿入し、前記加熱対象物をエネルギ密度の高い位置に移動させるものであるから、請求項１または請求項２に記載の効果に加えて、例えば、前記導波管の下面側から取り込み、前記導波管の断面中央に移動させるもの、前記導波管の上面側から取り込み、前記導波管の断面中央に移動させるもの、前記導波管の左右面側から取り込み、前記導波管の断面中央に移動させるもの等の形態が採れ、マイクロ波発生源から前記導波管までのマイクロ波を伝播する導波管の設計自由度が高くなる。また、エネルギ密度の低い状態で前記加熱対象物を取り込むものであるから、導波管から漏れる電磁波が殆どない。そして、前記導波管内の前記加熱対象物を電磁界強度の強い位置に移動させることによる入反射特性に影響を与えることなく、加熱を開始し、任意の昇温速度によって前記加熱対象物の温度を上昇させ、前記加熱対象物を任意の条件で焼成することができる。
【００１９】
請求項４の連続焼成装置は、前記導波管内に焼成温度及び高温保持温度を設定する所定の誘電損率の値の輻射加熱体を前記搬送体の移動する前記搬送ガイドに沿って配設したものであるから、請求項１乃至請求項３の何れか１つに記載の効果に加えて、所定の誘電損率の値の輻射加熱体を前記搬送体の移動する前記搬送ガイドに沿って配設することによって、前記所定の誘電損率の値の輻射加熱体が熱源となり、前記加熱対象物を輻射熱で加熱することができる。また、前記所定の誘電損率の値の輻射加熱体と前記加熱対象物との電力消費の割合を変化させるから、前記加熱対象物を設定された直接加熱によって任意の加熱状態とすることができる。
【００２０】
請求項５の連続焼成装置は、前記加熱対象物の焼成温度及び焼成時間を確保するために、前記搬送体と前記導波管内に配設した所定の誘電損率の値の輻射加熱体を前記断熱体の内側に配設したものであるから、請求項１乃至請求項４の何れか１つに記載の効果に加えて、所定の誘電損率の値の輻射加熱体を前記搬送体の移動する前記搬送ガイドに沿って配設することによって、前記所定の誘電損率の値の輻射加熱体が熱源となり、前記加熱対象物を輻射熱で加熱することができる。前記輻射加熱体と同様に、前記搬送体を特定の誘電損率の値の誘電体とし、前記所定の誘電損率の値の搬送体を熱源とし、前記加熱対象物を輻射熱で加熱することができる。加えて、前記所定の誘電損率の値の誘電体と前記加熱対象物との電力消費の割合を変化させることによって、前記加熱対象物を設定された直接加熱と輻射（放射）加熱によって任意の加熱状態とすることができる。
【００２１】
請求項６の連続焼成装置の前記導波管の搬入口及び搬出口は、前記導波管の長さ方向に対する直角方向断面積が１／１０以下としたものであるから、請求項１乃至請求項５の何れか１つに記載の効果に加えて、電磁界の弱い位置が開口していても、マイクロ波の波長に対して十分に小さい開口となるので、そこから漏れる電磁波が殆どない。
【００２２】
請求項７の連続焼成装置の前記導波管の搬入口は、ベンドまたはコーナの直線延長線上に１／１０以下の断面で、１／４波長以上の突出部を形成し、その端部の開口としたものであるから、請求項１乃至請求項６の何れか１つに記載の効果に加えて、１／１０以下の断面で、１／４波長以上の突出部は、方形導波管の形態または円形導波管の形態とすることができるが、現実的には、前記搬送体の形態から方形導波管の形態を採るのが望ましく、設計自由度が高い。導波管の搬入口をベンドまたはコーナの直線延長線上に設けているから、無理のない搬入ができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、本発明の実施の形態について、図面に基づいて説明する。なお、実施の形態において、同一記号及び同一符号は、同一または相当する機能を意味するものであるから、重複する説明を省略する。
図１は本発明の実施の形態における連続焼成装置の全体構成を概念的に示す概念図であり、図２は本発明の実施の形態における連続焼成装置の全体構成を示す具体的構成を示す側面図である。また、図３は本発明の実施の形態における連続焼成装置の供給導波管を示す正面図であり、図４は本発明の実施の形態における連続焼成装置の供給導波管を示す要部斜視図である。そして、図５は本発明の実施の形態における連続焼成装置の変形Ｅベンドを示す側面図（ａ）、正面図（ｂ）、開口のみの正面図（ｃ）で、図６は本発明の実施の形態における連続焼成装置の変形Ｅベンドの搬入口の正面図である。
【００２４】
図において、マイクロ波を発生するマイクロ波発生源１は、９１５ＭＨｚのマイクロ波発振器で、その出力が１ＫＷ乃至５０ＫＷ程度のものを用いて実施した。なお、実施例としては９１５ＭＨｚのマイクロ波で、発振出力１５ＫＷを分岐して２系統とし、発振出力は各々７．５ＫＷの出力とした例の１系統として説明する。９１５ＭＨｚのマイクロ波は、伝送路としての方形導波管ＷＲ９７５（ＥＩＡ形名）の断面内側寸法１２４×２４８ｍｍとし、具体的には、内寸１２４×２４８ｍｍの単位導波管３０の加熱領域は９０％フラットトップの幅が６０ｍｍ程度である。また、単位導波管３０としては、方形導波管ＷＲ１１５０（ＥＩＡ形名）の断面内側寸法と一致した１４６×２９２ｍｍの内寸を使用することもできる。
【００２５】
マイクロ波の出力は、具体的には、後述する単位導波管３０-2，３０-3，３０-4に１０ｍｍの測定孔を穿設し、放射温度計により当該位置が最高温度になるように制御系を設定した。なお、マイクロ波は導波管断面の長手面の中心では電磁界強度がゼロであるから、マイクロ波の漏洩が全く無いことは明らかである。但し、測定孔を多数個穿設する場合、漏洩は無いものの、周波数の変動を避けるために不連続とすることが好ましい。具体的事例としては、１０ｍｍの測定孔を１００ｍｍ間隔とした場合、周波数の変動、漏洩は全く確認されなかった。
因みに、市販されているマイクロ波発生源１として２．４５ＧＨｚのマイクロ波発振器を使用すると、導波管の断面内側寸法は５５×１０９ｍｍで、９０％フラットトップの幅は２０ｍｍ程度である。
【００２６】
本実施の形態では、加熱及び焼成する加熱対象物Ｗの焼成エリアの形態を満たすため、加熱領域が９０％フラットトップの幅を大きくするには、例えば、５０ｍｍ程度を維持するには、９０％フラットトップの幅を採れる導波管のサイズから、９１５ＭＨｚの周波数帯のマイクロ波が必要となる。但し、同一の方形導波管ＷＲ９７５（ＥＩＡ形名）の内寸法を使用しても、その基本モードの周波数範囲は、０．７６乃至１．１５ＧＨｚの範囲のマイクロ波の使用が可能である。したがって、本発明を実施する場合、９０％フラットトップの幅を重要視すれば、マイクロ波発振器の周波数は、１ＧＨｚ前後の周波数帯、即ち、３０ｃｍ程度の波長のマイクロ波発振器が使用可能であり、このように、加熱対象物Ｗの焼成空間の大きさによってマイクロ波の周波数が決定できる。
【００２７】
殊に、本実施の形態のように、マイクロ波発振器の周波数として加熱対象物Ｗのサイズから単位導波管３０の規格サイズが決定され、それによれば、焼成処理のスペース確保の必要性から、９１５ＭＨｚを含む１ＧＨｚ前後の周波数の使用が好適である。
なお、本実施の形態において、特定の単位導波管を指す場合は、単位導波管３０-1，３０-2，３０-3、・・・、３０-9と記載するが、共通する説明の場合には、単位導波管３０または連続する単位導波管３０の全体を示す場合には導波管列５０と記載することとする。
【００２８】
マイクロ波発生源１から発生した９１５ＭＨｚのマイクロ波は、マイクロ波発生源１に設けられた出力窓２から出力され、直管３、Ｅベンド４、直管５、１／２分波器６、Ｈベンド７（７Ｒ，７Ｌ）、パワーモニタ８（８Ｒ，８Ｌ）、チューナ９（９Ｒ，９Ｌ）、変形Ｅベンド１０（１０Ｒ，１０Ｌ）を介して、分岐されたマイクロ波の配分が所望の値に制御されている。
なお、本実施の形態における図示されたＨベンド７（７Ｒ，７Ｌ）、パワーモニタ８（８Ｒ，８Ｌ）、チューナ９（９Ｒ，９Ｌ）、変形Ｅベンド１０（１０Ｒ，１０Ｌ）のうち、図３に示す右側のものと左側のものを区別する技術的意味では、数字にＲ、Ｌを付すこととし、左右の何れでもよいときには、数字のみで、それにＲまたはＬは付さないこととする。
【００２９】
直管３及び直管５は、規格化された方形導波管ＷＲ９７５（ＥＩＡ形名）の内寸を用いたものである。Ｅベンド４及びＨベンド７についても、規格化された方形導波管ＷＲ９７５（ＥＩＡ形名）に接続される内寸の曲がりである。１／２分波器６は、導波管の分岐を行うもので、右のＨベンド７Ｒと左のＨベンド７Ｌ側に直管５を介して出力されたマイクロ波エネルギを分配するものである。また、パワーモニタ８は、マイクロ波エネルギの配分状況を検出するもので、右のＨベンド７Ｒと左のＨベンド７Ｌ側に分配入力する入力波電力を示すものである。
ここで、前述したマイクロ波発生源１の出力窓２に接続された直管３、Ｅベンド４、直管５、１／２分波器６、Ｈベンド７、パワーモニタ８、チューナ９は、マイクロ波発生源１で発生したマイクロ波エネルギを閉じ込めて、その進行波を導波管列５０に伝播させる供給導波管２０を構成し、チューナ９によって分岐された導波管列５０に所望の配分でマイクロ波を供給することができる。
【００３０】
この供給導波管２０は、本実施の形態では、直管３、Ｅベンド４、直管５、１／２分波器６、Ｈベンド７、パワーモニタ８、チューナ９で構成している。なお、導波管列５０が１列のみのもののときには、直管３、図示しないベンドまたはコーナ（「ベンド」と「コーナ」とは確立された形状を定義するものは見当たらない。本明細書を通じて「ベンド」と「コーナ」は図に対応する形態のものと仮定して説明する）、パワーモニタ８、チューナ９とすることができる。また、導波管列５０が４列のときには、１／２分波器で２つに分け、更にそれを２つに分けて構成することになる。勿論、マイクロ波発生源１の出力窓２の開口位置と導波管列５０の位置によって、他の構成を採ることができる。
なお、本実施の形態の変形Ｅベンド１０は、Ｅベンド４のようにマイクロ波を閉じ込めて、導波管列５０まで伝播させる機能に加えて、曲げを利用して加熱対象物Ｗを電磁界強度の弱い位置から導波管列５０内に取り込む機能を有している。
【００３１】
本実施の形態の導波管列５０は、図１の概念図に示すように、導波管列５０の長さ方向、即ち、進行波の進行方向に対し直角方向の電磁界強度の弱い位置から加熱対象物Ｗを取り込む取り込み部５１、加熱対象物Ｗを進行波の進行方向に沿って電磁界強度の強い位置に移動させる昇温導入部５２、所定の焼成温度に維持する高温保持部（恒温保持部）５３、減衰した進行波を反射させることなく吸収して更に減衰消耗させる残存マイクロ波吸収部５４、加熱対象物Ｗを冷却する冷却処理部５５で全体が構成されている。具体的には、本実施の形態の連続焼成装置は、取り込み部５１、昇温導入部５２、高温保持部５３、残存マイクロ波吸収部５４、冷却処理部５５は、架台９０及び補助架台９１の上に載置され、所定の位置関係を維持するようになっている。取り込み部５１、昇温導入部５２、高温保持部５３、残存マイクロ波吸収部５４、冷却処理部５５の全長は、６〜１０ｍ程度であり、コンパクトに構成されている。なお、送り機構１００は、搬送ガイド６０に案内された搬送体７０を導波管列５０の搬入口１３から搬出口１５まで順次移動させる送りを行う機構部である。
【００３２】
なお、本発明を実施する場合の導波管列５０は、取り込み部５１、昇温導入部５２、高温保持部５３、残存マイクロ波吸収部５４、冷却処理部５５の全構成を必要とするものではなく、マイクロ波発生源１で発生されたマイクロ波を閉じ込めて、導波管の特性で進行波を伝播すると共に、収容した加熱対象物Ｗを進行波の進行方向に移動させながら加熱焼成する昇温導入部５２及び高温保持部５３を構成要件とするものである。
また、本実施の形態の導波管列５０は、複数直列接続した導波管によって構成されている。
【００３３】
次に、本実施の形態の連続焼成装置の取り込み部５１、昇温導入部５２、高温保持部５３、残存マイクロ波吸収部５４、冷却処理部５５、送り機構１００の構造及び特性について順次説明する。
本実施の形態の取り込み部５１は、曲げの内側のフランジ１９側直線と接触する接線を使用することから、変形Ｅベンド１０によってなされている。変形Ｅベンド１０には、導波管列５０の加熱対象物Ｗの搬入口１３に、変形Ｅベンド１０のフランジ１９側の内側下面の延長線上に、導波管列５０の図８に示す導波管本体３９に比較して図６に示す搬入口１３は、縦が約１/８、横が約１/３と小さく、開口面積が１／１０〜１／２０以下の断面積で、１／４波長以上の突出部１１を形成し、その端部に開口１２を形成している。
【００３４】
具体的には、図５及び図６に示すように、導波管列５０の加熱対象物Ｗの搬入口１３となる突出部１１の開口１２が、断面内側寸法の高さ１０〜２０ｍｍ、横幅６０〜１００ｍｍで、肉厚が１〜１０ｍｍである。Ｅベンド４のようにマイクロ波を閉じ込めて伝播させる導波管本体３９の機能部、即ち、変形Ｅベンド１０のフランジ１９からは、最大位置（下側）で３００ｍｍ、最小位置（上側）で１００ｍｍだけ突出するように設定している。これは、突出部１１が導波管の機能部から１／４波長以上突出していることを示すものである。因みに、１ＧＨｚのマイクロ波の波長は３００ｍｍであり、その１／４波長は７５ｍｍである。
【００３５】
したがって、変形Ｅベンド１０の導波管列５０の加熱対象物Ｗの搬入口１３は、仮に、開口１２が開放状態であっても、または、そこから一部の加熱対象物Ｗが外部に突出していても、それに反射、誘導されて、マイクロ波エネルギが導波管列５０の外部に漏れることがない。
【００３６】
更に、加熱対象物Ｗの搬入口１３には、１対のレール６１，６２からなる搬送ガイド６０が配設されている。搬送ガイド６０は、突出部１１の開口１２及びその変形Ｅベンド１０のフランジ１９の位置で最低位置にあり、単位導波管３０-1のフランジ４１Ｆ側の位置でもそれが維持されている。
【００３７】
加熱対象物Ｗの搬入口１３としての突出部１１の開口１２からは、搬送ガイド６０が突出しており、それは単位導波管３０-1以降の搬送ガイド６０に繋がっている。変形Ｅベンド１０の突出部１１に配設された搬送ガイド６０は、エネルギ損失の小さい断熱材からなるスペーサ６６を介して突出部１１に堅固に固定されている。変形Ｅベンド１０の内部では、基本的に直線的に配置した単位導波管３０-1以降の搬送ガイド６０としての１対のレール６１，６２に繋がっている。
【００３８】
このように、本実施の形態の取り込み部５１は、導波管の曲げの直線状の接線を使用することによって、開口１２が開放状態であっても、または、そこから一部の加熱対象物Ｗが外部に突出していても、それに反射、誘導されて、マイクロ波エネルギが導波管列５０の外部に漏れることがない搬入口１３を形成することができる。また、後述するように、搬送ガイド６０を水平を含む所定の直線運動とすることができる。
【００３９】
本実施の形態の導波管列５０の昇温導入部５２は、主に、２個の単位導波管３０-1，３０-2によって構成されている。
図７は本発明の実施の形態における連続焼成装置の昇温導入部の構成を示す要部側面図である。図８は図７の切断線Ａ−Ａによる断面図、図９は図７の切断線Ｂ−Ｂによる断面図、図１０は図７の切断線Ｃ−Ｃによる断面図である。
【００４０】
前述したように、導波管列５０は規格化された単位導波管３０を使用しており、両端にフランジ４１Ｆ（フランジのＦはマイクロ波発生源１側），４１Ｒ（フランジのＲはマイクロ波発生源１の反対側）、４２Ｆ，４２Ｒ、・・・、４９Ｆ，４９Ｒを有する特定の単位導波管３０-1，３０-2，３０-3、・・・、３０-9、具体的には方形導波管ＷＲ９７５（ＥＩＡ形名）の内寸を用いたもので、その断面内側寸法は、高さ１２３．８±０．２５ｍｍ、横幅２４７．６５±０．２５ｍｍで、板厚１０ｍｍである。単位導波管３０-1，３０-2，３０-3、・・・、３０-9は、フランジ４１Ｆ，４１Ｒ、４２Ｆ，４２Ｒ、・・・、４９Ｆ，４９Ｒによって密に接続され、マイクロ波の漏れが生じない構造となっている。
【００４１】
単位導波管３０の材料は、マイクロ波の伝送損失の少ないものの使用が好ましく、銅、アルミ、ステンレス、一般鋼の何れかの使用が望ましい。本実施の形態では、経済性、加工性の観点からアルミを選択した。直管３、Ｅベンド４、直管５、１／２分波器６、Ｈベンド７（７Ｒ，７Ｌ）、パワーモニタ８（８Ｒ，８Ｌ）、チューナ９（９Ｒ，９Ｌ）、変形Ｅベンド１０（１０Ｒ，１０Ｌ）の材料も同様である。
【００４２】
昇温導入部５２及び高温保持部５３を構成する単位導波管３０、即ち、単位導波管３０-1，３０-2，３０-3、・・・、３０-6には、上面及び下面に２０〜３０ｍｍの厚みの断熱材３１，３２が、左右面には４０〜６０ｍｍの厚みの断熱材３３，３４が配設されている。本実施の形態の断熱材３１，３２及び断熱材３３，３４は、良好な誘電体であり、マイクロ波エネルギによって発熱しない特性、即ち、誘電体に吸収されるエネルギ損失の非常に小さいセラミックス等からなり、吸収されるエネルギが小さいものである。本実施の形態では、昇温導入部５２及び高温保持部５３を構成する単位導波管３０に断熱材３１，３２及び断熱材３３，３４を配設しているが、変形Ｅベンド１０における加熱対象物Ｗの導波管列５０内への取り込みを行う構造では、断熱材を使用することも、省略することもできる。また、導波管列５０の途中に冷却処理を組み入れた場合には、その冷却処理においても、断熱材の使用を省略することができる。何れにせよ、断熱材３１，３２及び断熱材３３，３４の配設は、少なくとも加熱に寄与する単位導波管３０-1，３０-2，３０-3、・・・、３０-6の内壁面に配設され、単位導波管３０-1，３０-2，３０-3、・・・、３０-6内からの放熱を防止するものが好適である。しかし、本発明を実施する場合には、単位導波管３０-1，３０-2，３０-3、・・・、３０-6の内部の状態によっては、例えば、内部にベルトコンベアを通すような場合には、単位導波管３０-1，３０-2，３０-3、・・・、３０-6の外壁面に配設することもできる。
【００４３】
ここで、本実施の形態の断熱材３１，３２及び断熱材３３，３４の断熱材とは、誘電体に吸収されるエネルギをＰとすると、エネルギＰは次式で表される。
Ｐ＝（ε0・ε"・ω・Ｅ2・ＶS）1/2
ここで、    εO＝真空の誘電率
ε"＝εr・ｔａｎδ＝誘電体の誘電損率
εr＝比誘電率
ｔａｎδ＝誘電体損失角
ω＝各周波数
Ｅ＝電界強度
ＶS＝誘電体の体積
である。即ち、誘電体の誘電損率の小さい材料であれば、マイクロ波エネルギを吸収して発熱し難いので、断熱材として機能する。
因みに、Ａｌ2０3は２５℃で０．０６、１０００℃で０．１６であり、ＺｒＯ2は２５℃で０．２７、１０００℃で２２．６４である。両者をエネルギ損失から比較すれば、Ａｌ2０3の方が断熱材として好適であることが分る。
【００４４】
このように、断熱材３１〜３４は、マイクロ波を吸収し難く、昇温プロファイルに見合う断熱能力を有することが必要である。因みに、本実施の形態の断熱材３１〜３４としては、アルミナ−シリカ系断熱材、シリカ−チタニア系断熱材の使用が可能である。
本実施の形態では、最高温度１２００℃のとき、導波管本体３９の断熱材３１〜３４により、導波管本体３９の外表面の温度は８０℃以下であり、導波管列５０の熱膨張による歪みや応力は全く無視できるものであった。最高温度を更に高くする場合には、導波管列５０自身の熱膨張により歪みや応力が発生することが懸念されるから、高温部となる導波管列５０の外周を水冷、空冷等により温度制御とすることが必要となる。
念のため記載すると、周波数９１５ＭＨzのマイクロ波導波管の内寸サイズをＷＲ９７５からＷＲ１１５０の内寸法とすることにより、断面形状を大きくし、断熱材を厚くした構成により導波管列５０の表面の温度を低減する方法も用いることができる。
【００４５】
突出部１１の開口１２から単位導波管３０-1を通過して単位導波管３０-2の単位導波管３０-1の反対側のフランジ４２Ｒの間には、１対のレール６１，６２からなる搬送ガイド６０が配設されている。搬送ガイド６０は、図８に示すように、突出部１１の開口１２及び単位導波管３０-1のフランジ４１Ｆの位置で最低位置にあり、単位導波管３０-2のフランジ４２Ｒの位置で、図１０に示すように、導波管本体３９の中心位置になるように設定されている。
通常、搬送ガイド６０は、加熱対象物Ｗの機械的搬送のし易さを考慮すると、搬送ガイド６０は直線運動とし、２個の単位導波管３０-1，３０-2を所定の角度傾斜させることによって相対的に変化させるのがよい。
【００４６】
単位導波管３０-3以降の単位導波管３０については、搬送ガイド６０は、２個の単位導波管３０-1，３０-2の搬送ガイド６０の延長線上の直線位置に配置され、単位導波管３０-3以降と搬送ガイド６０との間には、図１に示すように、相対変化は生じていない。
【００４７】
ここで、本実施の形態の搬送体７０と導波管列５０の内面との相対移動について、更に、詳述する。
本実施の形態の変形Ｅベンド１０の導波管列５０の加熱対象物Ｗの搬入口１３としての突出部１１の下面側に形成した開口１２は、突出部１１の開口１２から導波管列５０の搬出口１５までの搬送ガイド６０を直線状とし、それに対し導波管列５０の位置を相対変化させている。
【００４８】
この導波管列５０と搬送ガイド６０としての１対のレール６１，６２との位置の相対変化は、変形Ｅベンド１０のフランジ１９と単位導波管３０-1のフランジ４１Ｆとの間に、アルミ製で導波管列５０の導波管特性を一致させる開口を有する角度調整アダプタ６６を挟むように締め付けている。角度調整アダプタ６６は、単位導波管３０-1と単位導波管３０-2の長さＬｍｍに対して、導波管列５０の中央断面の高さ位置１２４／２ｍｍの変化があるように設定される。即ち、所定長の単位導波管３０相互間を接続するフランジ間にのみに角度をつけて加熱対象物を電磁界強度の強い位置に移動させている。しかし、変形Ｅベンド１０の導波管列５０の加熱対象物Ｗの搬入口１３としての突出部１１の開口１２及び単位導波管３０-1の搬送ガイド６０の位置は、下面から所定の距離離れた初期値δを有している。通常、導波管列５０の加熱対象物Ｗを導波管列５０の断面中央位置に設定するので、現実には、導波管列５０の中央断面の高さ位置１２４／２＝６２ｍｍよりもδｍｍ程度の範囲で低く設定される。
【００４９】
昇温導入部５２を２個の単位導波管３０-1，３０-2としたときの角度調整アダプタ６６の角度θは、
θ＝tan-1（６２−δ）ｍｍ／２本の単位導波管の長さＬｍｍ
通常、加熱対象物Ｗを中心位置に配設するから、
θ＞tan-1５０ｍｍ／２本の単位導波管の長さＬｍｍ
θ＜tan-1７５ｍｍ／２本の単位導波管の長さＬｍｍ
の角度に設定される。
即ち、本実施の形態の角度調整アダプタ６６の角度θは、上側を厚く、下側を薄い４角枠体とし、その角度θは導波管列５０の下面から中の距離とその変化を設定する導波管列５０の長さによって決定される。
なお、本実施の形態では、昇温導入部５２を２個の単位導波管３０-1，３０-2とした事例で説明したが、本発明を実施する場合には、加熱対象物Ｗの特性に応じて、１個の単位導波管３０-1または３個の単位導波管３０-1，３０-2，３０-3以上とすることができる。
【００５０】
また、単位導波管３０-2のフランジ４２Ｒと単位導波管３０-3のフランジ４３Ｆとの間にも、角度調整アダプタ６７を設けている。角度調整アダプタ６７は、角度調整アダプタ６６とは逆で、即ち、角度調整アダプタ６６と同一のものを作成し、その天地を逆として取り付けたものである。角度調整アダプタ６７の角度−θは、角度調整アダプタ６６で下降させた角度を同一角度だけ上昇させることにより、単位導波管３０-3以降と、搬送ガイド６０との位置の角度変化のない導波管列５０とするものである。
したがって、角度調整アダプタ６６の角度θによって搬送体７０を取り込み、搬送体７０を導波管特性の導波管列５０の電磁界強度の強い位置に移動させ、その後は導波管列５０の電磁界強度の強い位置で搬送することができる。
【００５１】
本実施の形態では、変形Ｅベンド１０の加熱対象物Ｗの搬入口１３の事例で説明したが、本発明を実施する場合には、変形Ｅベンド１０の導波管列５０の加熱対象物Ｗの搬入口１３として、上面側に形成した突出部１１、開口１２とすることもできる。特に、本実施の形態では、供給導波管２０から供給されてくるマイクロ波エネルギが変形Ｅベンド１０の上側であることから、変形Ｅベンド１０の突出部１１の下面側において、搬送体７０を順次移動させる送り機構１００を配設するスペースが確保できやすくなる。
【００５２】
逆に、変形Ｅベンド１０に供給導波管２０から供給されてくるマイクロ波エネルギが下側から供給されると、変形Ｅベンド１０の上側に設けた突出部１１から搬送体７０を順次移動させる送り機構１００を配設するスペースが確保できやすくなる。
更に、供給導波管２０から供給されてくるマイクロ波エネルギが左側または右側のときは、変形Ｅベンド１０の右側または左側に設けた突出部１１から供給することもできる。また、本実施の形態では、変形Ｅベンド１０としてＥベンド４を用いているが、それをＨベンドを用いた変形Ｈベンドとすることができるし、コーナを用いた変形Ｅコーナまたは変形Ｈコーナとすることもできる。
何れにせよ、本実施の形態の変形Ｅベンド１０は、Ｅベンド４のようにマイクロ波を閉じ込めて、導波管列５０まで伝播させる機能に加えて、曲げを利用して加熱対象物Ｗを電磁界強度の弱い位置から導波管列５０内に取り込む機能を有しておればよい。
【００５３】
搬送ガイド６０としての１対のレール６１，６２は、誘電損率（ε"＝εr・ｔａｎδ）の小さいアルミナ材料で形成された断面略Ｃ字状の棒材で構成され、所定の間隔毎に配設した間隔保持用耐熱体３５には、断面略長方形状の開口部３８を形成している。この間隔保持用耐熱体３５の開口部３８には、断面略Ｃ字状の棒材の搬送ガイド６０の開口が対向するように保持されている。上下同一の断熱材３１，３２及び左右同一の断熱材３３，３４の内側には、更に、断熱材からなる間隔保持用耐熱体３５に包まれた搬送ガイド６０が配設され、搬送ガイド６０と間隔保持用耐熱体３５との間は容易に移動しないように固定されている。
この搬送ガイド６０の間の位置は、単位導波管３０の導波管本体３９の左右の幅方向の断面積で表現すると、導波管本体３９の中央位置にある。
【００５４】
搬送ガイド６０の間には、ＳｉＣ材料で１００×６０ｍｍの面で厚みが１〜１０ｍｍ程度に形成されたＳｉＣ板からなる搬送板７１及びその両端に断面略Ｃ字状の棒材からなるガイド７２を取り付けて構成される搬送体７０が搬送ガイド６０としての１対のレール６１，６２の長さ方向に移動自在に配設されている。即ち、搬送体７０は、ＳｉＣ板からなる搬送板７１の少なくとも対向辺に搬送ガイド６０に移動方向を特定されるガイド７２を取り付けて構成されるが、搬送体７０の上面に加熱対象物Ｗを載置させた状態で搬送すると、加熱対象物Ｗが落下する可能性のある場合には、ＳｉＣ板からなる搬送板７１の２対向辺にガイド７２を配設すると、進行方向の辺から落下する可能性がなくなる。因みに、焼成速度との関係で、通常は、略球形の加熱対象物Ｗでない限り、搬送板７１から落下することはない。また、本実施の形態では、搬送板７１の２対向辺にガイド７２を配設しているが、搬送板７１の１辺にガイド７２を配設しても、１辺のガイド７２とレール６１またはレール６２との連結が維持されれば、ＳｉＣ板からなる搬送板７１がレール６１及びレール６２から外れなければ、その状態で搬送体７０として機能する。
【００５５】
２個の単位導波管３０-1，３０-2において、搬送ガイド６０は、単位導波管３０-2のフランジ４２Ｒの位置で、搬送ガイド６０の位置が、導波管本体３９の断面の中心位置になるように設定される。即ち、単位導波管３０-1のフランジ４１Ｆ側では下面位置とし、単位導波管３０-2のフランジ４２Ｒの位置で導波管本体３９の断面の中心位置になるように設定される。このため、間隔保持用耐熱体３５の下に施工する断熱材の厚みが徐々に厚く調整される。
【００５６】
搬入口１３から供給した加熱対象物Ｗの搬送板７１を移動させる場合に相互間の間隔は、高焼成効率を得るために、連続する搬送板７１の間隔をゼロとしても、それ以上に間隔を設けても、入反射特性に問題がないことを確認した。
発明者等の実験によれば、本実施の形態の搬送体７０の配列密度は、ＳｉＣ板からなる搬送板７１相互間の間隔としては、０〜１０ｍｍ間隔として連続配置し、かつ、導波管列５０の長さ方向に対し直角方向の電磁界強度の弱い下面の位置から搬送体７０を取り込み、搬送体７０を電磁界強度の強い位置に移動させることによる入反射特性を確認した。本実施の形態で使用しているマイクロ波発生源１の出力周波数は、９１５ＭＨｚであり、何れも、搬送板７１の配列、磁界強度の弱い下面の位置から搬送体７０を取り込み、搬送体７０を電磁界強度の強い位置に移動させることによる入反射特性に影響を与えないことが確認された。当該入反射特性の影響は誤差範囲の問題と同等であることが確認され、ＶＳＷＲが殆ど１（反射率は殆どゼロ）に近い値であることが確認された。
【００５７】
ここで、１対のレール６１，６２からなる搬送ガイド６０は、搬送体７０の搬送に対して磨耗強度の高い材質を用いる必要がある。但し、マイクロ波の進行波に対して進行を妨げるような導電性を有する材質は好ましくない。通常、高温に耐える材質として、Ａｌ2Ｏ3、ムライト、コ一ディエライト、Ｓｉ3Ｎ4及びそれらの複合化物の中から選定するのが望ましい。また、磨耗強度が高い導電性を有するＳｉＣを使用する場合には、進行波の妨げを低減するために、一定の間隔で非導電性の材質により縁切りすれば使用可能となる。
【００５８】
また、加熱対象物Ｗを積載する搬送体７０は、ＳｉＣ、Ｓｉ3Ｎ4、アルミナ、ムライト、コ一ディエライト及びこれらの複合化物の中から、加熱対象物Ｗに合わせて適宜選定される。そして、加熱対象物Ｗの焼成時における反応を防ぐために、ＺｒＯ2、Ａｌ2０3等のコ一ティングを付与した搬送体７０を用いても良い。
【００５９】
所定の高い温度を維持する高温保持部５３は、４個の単位導波管３０-3，・・・，３０-6によって構成している。
図１１は本発明の実施の形態における連続焼成装置の高温保持部の構成を示す要部断面図である。図１２は本発明の実施の形態における連続焼成装置の温度特性を示す特性図である。
【００６０】
ここで、高温保持部５３は、マイクロ波発生源１で発生されたマイクロ波を、導波管の特性で進行波を単位導波管３０-3，・・・，３０-6内を伝播させると共に、収容する加熱対象物Ｗを進行波の進行方向に移動させながら加熱し、その特定の加熱最高温度を維持するように機能するものであり、現実には、進行波が単位導波管３０-1，３０-2内を進行する際に、その多くのエネルギを消費するから、温度は降下する傾向にある。
【００６１】
そこで、搬送体７０のＳｉＣ板からなる搬送板７１の厚み、搬送ガイド６０の上部開口を塞ぐとともに、マイクロ波エネルギによって加熱するＳｉＣ板からなる輻射加熱体２１によって、マイクロ波エネルギが低下しても、焼成温度を保持する構成としている。ここで、輻射加熱体２１とは、誘電体に吸収されるエネルギＰが大きいもので、誘電体の誘電損率εr・ｔａｎδを大きい材料を使用したり、誘電体の体積ＶSを大きくしたりして使用され、加熱対象物Ｗに対する熱源となる。
【００６２】
この輻射加熱体２１の材質はＳｉＣ、Ａｌ2０3、ムライト、コ一ディエライト及びこれらの複合化物の中から、加熱対象物Ｗに合わせて適宜選定する。
【００６３】
本実施の形態における連続焼成装置の温度特性は、輻射加熱体２１を使用しない場合で、マイクロ波発生源１で発生されたマイクロ波を単位導波管３０-2で１２００℃のピークとなるようにしたときの温度分布は、図１２に示す通りである。このとき、マイクロ波の出力は４．５ＫＷであった。
ここで、輻射加熱体２１を使用することは、輻射加熱体２１に吸収されるエネルギＰが存在するから、単位導波管３０-3以降の高温保持部５３では、輻射熱による加熱及び保温効果が生じ、徐々に所定の温度を維持した降温状態となる。
【００６４】
ここで、更に、本実施の形態の連続焼成装置で所定の高温ピーク値(１２００℃)に到達してからの保持温度を維持する場合の実施の形態として、前者と重複する昇温導入部５２及び高温保持部５３について、図１３乃至図１４を用いて詳述する。
図１３は図７の切断線Ｂ−Ｂによる断面図、図１４は図７の切断線Ｃ−Ｃによる断面図及び高温保持部の内部構造を示すものである。
【００６５】
図において、搬送ガイド６０としての１対のレール６１，６２は、Ａｌ2０3で形成された断面略Ｃ字状の棒材で構成され、所定の間隔毎に配設した間隔保持用兼輻射熱用の輻射加熱体２２によって断面略Ｃ字状の棒材の搬送ガイド６０の開口が対向するように保持されている。この輻射加熱体２１及び輻射加熱体２２の構成は、図８乃至図１０に示す断熱材３１,３２の内側に輻射加熱体２１及び輻射加熱体２２を配置したものとなっている。上下同一の断熱材３１，３２及び左右同一の断熱材３３，３４の内側には、吸収されるマイクロ波エネルギが比較的大きいＳｉＣ板からなる間隔保持用兼輻射熱用の輻射加熱体２２に包まれて搬送ガイド６０が配設され、搬送ガイド６０と輻射加熱体２２との間は相対移動しないように容易に移動しないようにされている。更に、搬送ガイド６０の上方の開口は、吸収されるエネルギが比較的大きいＳｉＣ板からなる輻射加熱体２１を配置している。これによって、輻射加熱体２１も加熱され、輻射加熱体２２及び輻射加熱体２１からの輻射熱（放射熱）によって、二次的に搬送体７０の上面の加熱対象物Ｗを加熱することができる。
【００６６】
このような構成とすることにより、マイクロ波によって加熱される加熱対象物Ｗ以外にも、誘電損率の大きさによって輻射加熱体２１及び輻射加熱体２２が所定の温度に加熱される。加熱対象物Ｗと輻射加熱体２１及び輻射加熱体２２との温度は、両者の誘電損率の大きさによって左右される。即ち、誘電体に吸収されるエネルギＰは、その殆どが導波管列５０内で吸収され、放出されることとなるから、エネルギＰは
Ｐ＝（ε0・ε"・ω・Ｅ2・ＶS）1/2
となり、誘電体の誘電損率（ε"＝εr・ｔａｎδ）、体積等の１／２乗に影響する。したがって、輻射加熱体２１及び輻射加熱体２２の上昇温度または加熱対象物Ｗの上昇温度を任意に設定できる。
また、出入りするエネルギＰとその温度変化をＴ、熱容量をＣとすると、
Ｐ＝Ｔ・Ｃ
が成り立つ。したがって、温度変化Ｔと熱容量Ｃによって、任意の温度上昇及び温度変化とすることができる。
【００６７】
また、上記実施の形態の１対のレール６１，６２からなる搬送ガイド６０及びその搬送ガイド６０間のＳｉＣ板からなる搬送板７１及びその両端に断面略Ｃ字状の棒材からなるガイド７２を取り付けて構成される搬送体７０は、本発明を実施する場合は、この構造に限定されることなく、次のように構成することもできる。
図１５は図１０の要部断面図に相当する本実施の形態の事例１の搬送ガイド及び搬送体の説明図である。
図１５に示すように、本実施の形態の連続焼成装置の高温保持部５３（図１参照）については、特に、輻射加熱体２２及び輻射加熱体２１の輻射熱を利用しようとするものであるから、この構成を搬送体７０の上面の加熱対象物Ｗを覆うようにしたマイクロ波エネルギの吸収が比較的大きい、即ち、誘電損率の大きいＳｉＣ板からなるカバー用輻射加熱体２５とし、搬送体７０と一体となって移動する構成とすると、恒温効果が著しく安定する。
このときのマイクロ波エネルギの吸収が比較的大きいＳｉＣ板からなるカバー用輻射加熱体２５の質量は、加熱対象物Ｗの温度及び高温雰囲気時間によって決定される。
【００６８】
図１６は図１０の要部断面図に相当する本実施の形態の事例２の搬送ガイド及び搬送体の説明図である。
図１６に示すように、本実施の形態の連続焼成装置の昇温導入部５２及び／または高温保持部５３（図１参照）の単位導波管３０においては、上下同一の断熱材３１，３２及び左右同一の断熱材３３，３４が配設される。搬送ガイド６０は、間隔保持用耐熱体３５によって容易に相対移動しないように、導波管本体３９の断面の中心位置になるように設定される。即ち、単位導波管３０-1のフランジ４１Ｆ側では下面位置とし、単位導波管３０-2のフランジ４２Ｒの位置で導波管本体３９の断面の中心位置になるように設定される。このため、間隔保持用耐熱体３５の下に施工する断熱材の厚みが徐々に厚く調整される。また、ＳｉＣ板からなる搬送板７１及びその両端に断面略Ｃ字状の棒材からなるガイド７２を取り付けて構成される搬送体７０は、図１３乃至図１５のものと相違するものではない。
本実施の形態では、ＳｉＣ板からなる搬送板７１に載置する誘電損率の大きいＳｉＣ板からなる輻射加熱体２６及び誘電損率の大きいＳｉＣ板からなるカバー用輻射加熱体２５によって、加熱対象物Ｗを包み込んでいる。
【００６９】
本実施の形態の連続焼成装置の昇温導入部５２、高温保持部５３（図１参照）については、輻射加熱体２６及びカバー用輻射加熱体２５の輻射熱を利用しようとするものであるから、この構成を搬送体７０の上面の加熱対象物Ｗを覆うようにしたマイクロ波エネルギの吸収が比較的大きい、即ち、誘電損率の大きいＳｉＣ板からなる輻射加熱体２６及びカバー用輻射加熱体２５とし、搬送体７０と一体となって移動する構成とすることによって、搬送時の恒温効果を著しく安定させる。このときのマイクロ波エネルギの吸収が比較的大きいＳｉＣ板からなる輻射加熱体２６及びカバー用輻射加熱体２５の質量は、加熱対象物Ｗの温度及び搬送時の高温雰囲気移動時間によって決定される。
即ち、この実施の形態では、搬送体７０を誘電損率の大きいＳｉＣ板からなる輻射加熱体として実施することができる。
【００７０】
このように、本実施の形態の連続焼成装置の昇温導入部５２及び／または高温保持部５３（図１参照）の単位導波管３０からなる導波管内には、焼成温度及び高温保持温度を設定する所定の誘電損率の値の輻射加熱体２１及び輻射加熱体２２、輻射加熱体２６及びカバー用輻射加熱体２５等からなる輻射加熱体を搬送体７０の移動する搬送ガイド６０に沿って配設したものである。したがって、所定の誘電損率の値の輻射加熱体２１及び輻射加熱体２２、輻射加熱体２６及びカバー用輻射加熱体２５等からなる輻射加熱体を搬送体７０の移動する搬送ガイド６０に沿って配設することによって、所定の誘電損率の値の輻射加熱体２１及び輻射加熱体２２、輻射加熱体２６及びカバー用輻射加熱体２５等からなる輻射加熱体が熱源となり、加熱対象物Ｗを輻射熱で加熱することができる。また、所定の誘電損率の値の輻射加熱体２１及び輻射加熱体２２、輻射加熱体２６及びカバー用輻射加熱体２５等の輻射加熱体と加熱対象物Ｗとの電力消費の割合を変化させるから、加熱対象物Ｗを設定された直接加熱によって任意の加熱状態とすることができる。
【００７１】
また、本実施の形態の連続焼成装置の昇温導入部５２及び／または高温保持部５３（図１参照）の単位導波管３０からなる単位導波管３０からなる導波管内には、加熱対象物Ｗの焼成温度及び焼成時間を確保するために、搬送体７０と単位導波管３０からなる導波管内に配設した所定の誘電損率の値の輻射加熱体２１及び輻射加熱体２２、輻射加熱体２６及びカバー用輻射加熱体２５等からなる輻射加熱体を上下同一の断熱材３１，３２及び左右同一の断熱材３３，３４からなる断熱体の内側に配設したものである。
【００７２】
所定の誘電損率の値の輻射加熱体２１及び輻射加熱体２２、輻射加熱体２６及びカバー用輻射加熱体２５等を搬送体７０の移動する搬送ガイド６０に沿って配設することによって、所定の誘電損率の値の輻射加熱体２１及び輻射加熱体２２、輻射加熱体２６及びカバー用輻射加熱体２５等が熱源となり、加熱対象物Ｗを輻射熱で加熱することができる。したがって、輻射加熱体２１及び輻射加熱体２２、輻射加熱体２６及びカバー用輻射加熱体２５等からなる輻射加熱体と同様に、搬送体７０を特定の誘電損率の値の誘電体とし、所定の誘電損率の値の搬送体７０を熱源とし、加熱対象物Ｗを輻射熱で加熱することができる。加えて、所定の誘電損率の値の誘電体と加熱対象物Ｗとの電力消費の割合を変化させることによって、加熱対象物Ｗを設定された直接加熱と輻射（放射）加熱によって任意の加熱状態とすることができる。
【００７３】
図１７は図１０の要部断面図に相当する本実施の形態の事例３の搬送ガイド及び搬送体の説明図である。図１８は図１０の要部断面図に相当する本実施の形態の事例４の搬送ガイド及び搬送体の説明図、図１９は図１０の要部断面図に相当する本実施の形態の事例５の搬送ガイド及び搬送体の説明図、図２０は図１０の要部断面図に相当する本実施の形態の事例６の搬送ガイド及び搬送体の説明図である。
【００７４】
図１７において、搬送体７０はＳｉＣ材料で厚みが１〜１０ｍｍ程度に形成されたＳｉＣ板からなる有底箱体状の搬送箱体７１Ａによって構成され、加熱対象物Ｗが落下し難くなっている。また、断熱材３１，３２及び断熱材３３，３４で囲まれた空間に配設した間隔保持用耐熱体３５Ａには、断面略長方形状の開口部３８Ａを形成している。この間隔保持用耐熱体３５Ａは、誘電損率の小さい良好な誘電体からなり、マイクロ波エネルギによって発熱しないエネルギ損失の非常に小さいＡｌ2０3材料等からなり、その底面は平滑面となっており、平滑底面によって搬送ガイド６０を構成している。
送り機構１００のプッシャ機能により、搬送ガイド６０の平滑底面上を搬送箱体７１Ａが連続して押圧され、間隔保持用耐熱体３５Ａの側壁に案内されながら搬送ガイド６０が搬送体７０を搬送方向に沿って案内する。したがって、搬送体７０が搬送箱体７１Ａによって構成されているから、焼成しようとする加熱対象物Ｗが頻繁に変更される場合、転がりやすい加熱対象物Ｗを積載して搬送する場合に好適となる。
【００７５】
図１８において、搬送体７０はＳｉＣ材料で厚みが１〜１０ｍｍ程度に形成されたＳｉＣ板からなる板状の搬送板７１Ｂによって構成され、加熱対象物Ｗが平面的に保持できるようになっている。また、断熱材３１，３２及び断熱材３３，３４で囲まれた空間に配設した間隔保持用耐熱体３５Ｂには、断面略長方形状の開口部３８Ｂを有している。この間隔保持用耐熱体３５Ｂは、誘電損率の小さい良好な誘電体からなり、その開口部３８Ｂの底面には搬送ガイド６０が配設されている。搬送ガイド６０は基部６６Ｂとその基部６６Ｂに配設した１対の平行に形成された三角柱状のレール６１Ｂから構成されている。
送り機構１００のプッシャ機能により、搬送ガイド６０の１対のレール６１Ｂ上を板状の搬送板７１Ｂが連続して押圧されると、間隔保持用耐熱体３５Ｂの側壁に案内されながら搬送体７０を搬送方向に沿って案内する。したがって、搬送体７０が搬送板７１Ｂによって構成されているから、焼成しようとする加熱対象物Ｗが板状のもので、大小に変化するものに好適となる。また、接触抵抗が小さいから、機械的なエネルギ損失を少なくすることができる。
【００７６】
図１９において、搬送体７０はＳｉＣ板からなる板状の搬送板７１Ｃによって構成され、加熱対象物Ｗが平面的に保持できるようになっている。また、搬送板７１Ｃの対向辺にガイド７２Ｃを配設し、進行方向に並行する辺から加熱対象物Ｗが落下する可能性をなくしている。断熱材３１，３２及び断熱材３３，３４で囲まれた空間に配設した間隔保持用耐熱体３５Ｃは、断面略長方形状の開口部３８Ｃを有している。この間隔保持用耐熱体３５Ｃは、誘電損率の小さい良好な誘電体からなり、マイクロ波エネルギによって発熱しないエネルギ損失の非常に小さい材料からなり、その底面は平滑面となっており、平滑底面によって搬送ガイド６０を構成している。
送り機構１００のプッシャ機能により、搬送ガイド６０の平滑底面上を対向辺のガイド７２Ｃに支持されながら、間隔保持用耐熱体３５Ｃの側壁に案内されながら搬送ガイド６０が搬送体７０を搬送方向に沿って案内する。ガイド７２Ｃによって搬送ガイド６０の平滑底面上を移動するから、接触抵抗を小さくした状態で移動が可能となる。また、搬送体７０が搬搬送板７１Ｃによって構成されているから、焼成しようとする加熱対象物Ｗが頻繁に変更される場合に好適となる。
【００７７】
図２０において、搬送体７０は板状の搬送板７１Ｄによって構成され、加熱対象物Ｗが平面的に保持できるようになっている。また、ＳｉＣ板からなる搬送板７１Ｄの対向辺にガイド７２Ｄを配設し、進行方向の辺から加熱対象物Ｗが落下する可能性をなくしている。断熱材３１，３２及び断熱材３３，３４で囲まれた空間に配設した間隔保持用耐熱体３５Ｄは、断面略長方形状の開口部３８Ｄを有している。この間隔保持用耐熱体３５Ｄは、誘電損率の小さい良好な誘電体からなり、マイクロ波エネルギによって発熱しないエネルギ損失の非常に小さい材料からなり、その底面には１対の平行に形成された半円柱状のレール６１Ｄから構成されている。半円柱のレール６１Ｄの上面は平滑面となっており、１対のレール６１Ｄによって搬送ガイド６０を構成している。
送り機構１００のプッシャ機能により、搬送ガイド６０の１対のレール６１Ｄに支持されながら、その上を間隔保持用耐熱体３５Ｄの側壁に案内されながら搬送ガイド６０が搬送体７０を搬送方向に沿った移動を案内する。したがって、搬送体７０が搬搬送板７１Ｄによって構成されて、レール６１Ｄによって搬送ガイド６０の平滑底面上を移動するから、接触抵抗を小さくした状態で移動が可能となる。
【００７８】
このように、上記実施の形態の１対のレール６１，６２からなる搬送ガイド６０及びその搬送ガイド６０間の搬送板７１及びその両端に断面略Ｃ字状の棒材からなるガイド７２を取り付けて構成される搬送体７０は、本発明を実施する場合、図１３乃至図２０に示す実施の形態並びに事例１乃至事例６のように、実施することもできる。また、搬送ガイド６０及び搬送体７０を任意に組み合わせて使用することもでき、そして、搬送ガイド６０と搬送体７０の構成部分を任意に組み合わせることもできる。
【００７９】
次に、残存マイクロ波吸収部５４について説明する。高温保持部５３までに消費されなかったマイクロ波エネルギは、残存マイクロ波吸収部５４によって吸収される。
図２１は本発明の実施の形態における連続焼成装置の残存マイクロ波吸収部の構成を示す要部断面図である。
【００８０】
この残存マイクロ波吸収部５４は、２個の単位導波管３０-7，３０-8によって構成している。
導波管列５０の２個の単位導波管３０-7，３０-8は、残存マイクロ波吸収部５４と機能し、減衰した進行波を反射させることなく吸収し、更に進行波を減衰消耗させる。このため、残存マイクロ波吸収部５４には、導波管列５０の内部中心部に設定した搬送ガイド６０の上部と下部に２枚のマイクロ波吸収体８０Ｕとマイクロ波吸収体８０Ｄを設けている。マイクロ波吸収体８０Ｕは導波管列５０の内面上面から搬送ガイド６０に密接されるように傾斜させ、また、マイクロ波吸収体８０Ｄは導波管列５０の内面下面から搬送ガイド６０に密接されるように傾斜させている。
【００８１】
マイクロ波吸収体８０Ｕとマイクロ波吸収体８０Ｄは、マイクロ波エネルギを吸収特性の高いＳｉＣからなる板材を用いているが、本発明を実施する場合には、ＳｉＣからなる板材に限定されるものではなく、カーボン、フェライト等のマイクロ波エネルギを吸収消費する材料から選択することができる。
【００８２】
マイクロ波吸収体８０Ｕとマイクロ波吸収体８０Ｄは、導波管列５０の内部上面と下面に一致する幅で、単位導波管３０-7のフランジ４７Ｆ側で内部上面または内部下面に当接した位置とし、単位導波管３０-8のフランジ４８Ｒ側で搬送ガイド６０に当接した位置となるように、連続変化するように傾斜して配設されている。
所定の間隔毎に配設した間隔保持用の保持材３６によってマイクロ波吸収体８０Ｕとマイクロ波吸収体８０Ｄが、２個の単位導波管３０-7，３０-8内に容易に移動しないようにされている。
【００８３】
導波管列５０の２個の単位導波管３０-7，３０-8では、マイクロ波吸収体８０Ｕとマイクロ波吸収体８０Ｄがマイクロ波エネルギを吸収消費する材料であり、結果的に、マイクロ波エネルギは熱に変換される。したがって、全体に断熱材を設けることなく、放熱特性を持たせるようになっている。マイクロ波吸収体８０Ｕとマイクロ波吸収体８０Ｄの保持材３６は、基本的に断熱材であるが、連続設置しないことで、導波管本体３９から放熱させるように構成している。
【００８４】
発明者らの実験によれば、マイクロ波吸収体８０Ｕとマイクロ波吸収体８０Ｄによってマイクロ波エネルギを吸収消費される電力は、数パーセント以下であり、単位導波管３０-7，３０-8からの外表面からの自然放熱で加熱対象物Ｗの焼成温度を急冷することなく、徐々に冷却することが確認された。また、本実施の形態では、導波管列５０の２個の単位導波管３０-7，３０-8に、マイクロ波吸収体８０Ｕとマイクロ波吸収体８０Ｄを配設しているが、本発明を実施する場合には、マイクロ波エネルギを吸収消費する目的のみであれば、１個の単位導波管３０-7または単位導波管３０-8のみに配設してもよい。逆に、３個以上の単位導波管３０にマイクロ波吸収体８０Ｕ及びマイクロ波吸収体８０Ｄを配設しても良いし、複数段に繰り返し設けても良い。
【００８５】
本実施の形態においては、マイクロ波吸収体８０Ｕとマイクロ波吸収体８０Ｄを搬送ガイド６０の導波管本体３９の内部開口の上下に配設したものであるが、本発明を実施する場合には、マイクロ波吸収体を導波管本体３９の内部開口の左右側に配設してもよい。この場合には、単位導波管３０-8のフランジ４８Ｒ側で搬送ガイド６０に当接した位置となるように配設するものではなく、搬送ガイド６０に当接した位置で切り欠きを設けて、搬送ガイド６０間を回避した２枚のマイクロ波吸収体とすることが、マイクロ波の漏れを防ぐという観点からは望ましい。
【００８６】
マイクロ波吸収体８０Ｕとマイクロ波吸収体８０Ｄの材質は、誘電体に吸収されるエネルギＰが特に大きいことが望まれる。したがって、誘電体の誘電損率εr・ｔａｎδを大きくし、誘電体の体積ＶSを大きくしている。具体的には、マイクロ波吸収特性の高いＳｉＣ、カーボン、 フェライト等の中から適宜選定される。また、マイクロ波の漏洩防止を完全とするためにそれらの重量を適宜選択される。勿論、その形態も、板状物に限定されるものではなく、糸状、綿状の物質とすることもできる。
【００８７】
次に、本実施の形態の冷却処理部５５について説明する。
導波管列５０の単位導波管３０-8のフランジ４８Ｒ側を通過した搬送ガイド６０は、必要に応じて単位導波管３０-9及び／または室温で冷却する構成となっている。
図２２は本発明の実施の形態における連続焼成装置の冷却処理部の構成を示す要部断面図、また、図２３は本発明の実施の形態における連続焼成装置の搬出口の構成を示す要部正面図、図２４は本発明の実施の形態における連続焼成装置の冷却処理部の構成を示す要部正面図である。
【００８８】
即ち、単位導波管３０-7，３０-8で急激な冷却によって破損しない程度に加熱対象物Ｗを徐々に冷却すべく、また、冷却温度が人手によって取り上げられると火傷の可能性がないように、冷却処理部５５として単位導波管３０-9を通過させた後、図２２に示すように、単位導波管３０-9のフランジ４９Ｒに取り付けた封止部材１６の搬出口１５から排出し、室温で更に温度を下げる冷却処理部５５の外気冷却部５６に導き、そこで、次の工程を意識した温度に冷却している。
【００８９】
この冷却処理部５５では、外気冷却部５６のように室温で自然冷却を行ってもよいし、水冷または空冷で強制冷却を行ってもよい。また、単位導波管３０-9のように、単数または複数の単位導波管３０を冷却に使用してもよい。冷却処理部５５で加熱対象物Ｗの温度を効率よく低くするには、搬送ガイド６０を覆うカバーを設け、その内部に冷却気体を循環させたり、吹き付けたりするのが望ましい。
【００９０】
本実施の形態の冷却処理部５５において、導波管列５０の単位導波管３０-9のフランジ４９Ｒ側を通過した搬送ガイド６０は、フランジ４９Ｒに取り付けた封止部材１６を通過した後、両端側を彎曲させた金属板からなる搬送ベース６５に固着され、室内を特定の位置まで、図２２では図示していない架台９０及びその上の補助架台９２上を移動自在としている。
【００９１】
次に、本実施の形態の送り機構１００について説明する。
図２５乃至図２７は、本発明の実施の形態における３種類の連続焼成装置の送り機構の構成を示す要部正面図である。
本実施の形態の連続焼成装置における搬送体７０を搬送ガイド６０に案内されて導波管列５０の搬入口１３から搬出口１５まで順次移動させる図２５の送り機構１００は、搬送体７０を押し出すプッシャ機能となっている。送り機構１００は、搬送体７０を複数段内蔵していて、それを導波管列５０の搬入口１３の搬送ガイド６０に搬送体７０のガイド７２を嵌合し、その状態で、搬送板７１をプッシュする機構を有している。このとき、搬送板７１と隣接する搬送板７１との間隔は、連続当接しているガイド７２との組み付け位置によって、その間隔を決定している。
図２５に示す送り機構１００は、搬送ガイド６０としての１対のレール６１，６２を使用した事例で説明したが、本発明を実施する場合には、他の方法を採用することもできる。
【００９２】
図２６に示す本実施の形態の連続焼成装置は、搬送ガイド６０Ａとして連続的に個々に独立回動するローラ６０ａを配設し、搬送体７０をそのローラ６０ａの上を移動させるものである。この実施の形態では、搬送ガイド６０Ａとしてのローラ６０ａは、左右側面が移動規制され所定の間隔を連続移動自在に構成されたものである。ローラ６０ａは、誘電損率の小さい良好な誘電体からなり、マイクロ波エネルギによって発熱しない特性、即ち、誘電体に吸収されるエネルギ損失の非常に小さいＡｌ2０3材料等からなる。本実施の形態では、導波管列５０への搬入口１３を上側とし、導波管５０の下側からマイクロ波を導入する供給導波管２０を配設したものである。導波管列５０の搬入口１３から搬出口１５まで順次移動させる図２２の送り機構１００は、搬送体７０を押し出すプッシャ機能となっている。送り機構１００は、搬送体７０を複数段内蔵していて、それを導波管列５０の搬入口１３から供給し、ローラ６０ａの上の搬送体７０をプッシュする機構を有している。このとき、搬送板７１と隣接する搬送板７１との間隔は、前者同様、連続当接しているガイド７２との組み付け位置によって決定している。
【００９３】
図２７に示す本実施の形態の連続焼成装置は、搬送ガイド６０Ｂとしてベルトコンベアのモータ６０ｅで駆動される回転ドラム６０ｃ及び回転ドラム６０ｄに掛けた搬送ベルト６０ｂを配設し、搬送体７０をその搬送ベルト６０ｂの上に載置した状態で移動するものである。この実施の形態では、搬送ガイド６０Ｂとしての搬送ベルト６０ｂは、左右側面が移動規制され所定の間隔を連続移動自在に構成されたものである。搬送ベルト６０ｂは、良好な誘電体からなり、マイクロ波エネルギによって発熱しない特性、即ち、誘電損率の小さい、即ち、誘電体に吸収されるエネルギ損失の非常に小さいセラミックス板等からなり、無限軌道状に軸連結されている。本実施の形態では、導波管列５０への搬入口１３を下側とし、導波管５０の上側から供給導波管２０でマイクロ波を導入するものである。導波管列５０の搬入口１３から搬出口１５まで順次移動させる図２７の送り機構１００は、連続移動（回転）させるものである。
【００９４】
送り機構１００は、搬送体７０を複数段内蔵していて、それを導波管列５０の搬入口１３の搬送ベルト６０ｂに載置し、その状態で、搬送板７１を移動する。このとき、搬送板７１と隣接する搬送板７１との間隔は、前者同様、連続当接しているガイド７２との組み付け位置、載置位置によって決定している。
【００９５】
このように、プッシャ機能及びローラコンベアの送り機構１００は、基本的に、搬送ガイド６０，６０Ａ，６０Ｂと加熱対象物Ｗを積載する搬送体７０、搬送体７０を押すブッシャ機能または搬送体７０を載置して移動するベルトコンベア等の送り機構１００の構成からなる。
【００９６】
本実施の形態の連続焼成装置は、基本的に大気中での焼成装置として説明したが、本発明を実施する場合には、導波管列５０に窒素、窒素+水素、アルゴン+窒素等の雰囲気ガス等を入れることにより、不活性雰囲気焼成装置としても使用することが可能である。この場合、導波管列５０内に挿入する雰囲気ガスを大気圧より若干正圧として雰囲気焼成する場合と、導波管列５０の前後に真空置換室を設けて完全に大気と雰囲気ガスとを置換して雰囲気焼成する場合のどちらでも対応が可能である。
【００９７】
特に、本実施の形態の連続焼成装置としてコンデンサの焼成試験を行った。焼成温度１２００℃、焼成能力は２列の導波管列５０で加熱対象物Ｗと搬送体７０の合計が６ｋｇを処理速度０．３〜１時間焼成した。この時のマイクロ波出力は２系列で１０ｋＷ、５×５ｍｍの製品を７００個／分にて処理することが可能であり、焼成コストとしては従来方式の焼成炉に対して約１／２となった。
【００９８】
以上のように、本実施の形態の連続焼成装置は、マイクロ波を発生するマイクロ波発生源１で発生されたマイクロ波の進行波を、複数の導波管を接続してなる導波管列５０の長さ方向に伝播させ、前記導波管内に連続搬入された加熱対象物Ｗを電磁界強度の弱い位置から強い位置へと変化させながら前記導波管の長さ方向に搬送して加熱焼成する連続焼成装置であって、導波管列５０の昇温導入部５２及び高温保持部５３からなる加熱焼成部の内壁面に配設された導波管列５０内からの放熱を防止する断熱材３１〜３４と、複数の導波管を接続してなる導波管列５０に形成された搬入口１３から搬出口１５まで前記導波管内に配設され導波管列５０内を案内する搬送ガイド６０と、搬送ガイド６０に案内され、加熱対象物Ｗを導波管列５０の長さ方向に搬送するベルトコンベア等の搬送体７０とを具備し、加熱対象物Ｗを進行波の進行方向に移動させながら電磁界強度の強い位置に移動させて加熱焼成温度を上昇させるものである。
【００９９】
このように、マイクロ波を発生するマイクロ波発生源１と、マイクロ波発生源１で発生されたマイクロ波を閉じ込め、導波管の特性で進行波を伝播すると共に、収容した加熱対象物Ｗを進行波の進行方向に移動させながら加熱焼成する導波管列５０と、マイクロ波発生源1で発生したマイクロ波を閉じ込め、導波管列５０まで伝播させる供給導波管２０を具備し、導波管列５０では、導波管列５０の長さ方向に対し直角方向の電磁界強度の弱い位置から加熱対象物Ｗを取り込み、加熱対象物Ｗを電磁界強度の強い位置に移動させることによって、加熱対象物Ｗの加熱焼成温度を上昇させるものである。
【０１００】
したがって、導波管列５０内で焼成を行う場合、突然、高エネルギで加熱対象物Ｗの加熱を開始すると、加熱対象物Ｗが局部的に乾燥したり、部分的にヒビが入ったり、毀損したりするが、本実施の形態では、電磁界の弱い導波管列５０の壁面近傍から加熱対象物Ｗを取り込み、その後、徐々に電磁界の強い導波管列５０の中央に導くものであるから、加熱対象物Ｗに与えるショックが少ない。また、電磁界の弱い導波管列５０の壁面近傍から加熱対象物Ｗを取り込むものであるから、導波管列５０から漏れる電磁波が殆どない。そして、導波管列５０内の負荷分担によって温度上昇を制御するものではないので、消費電力に無駄がない。更に、導波管列５０内の反射波の発生が殆どないから、マイクロ波発生源１を構成するマイクロ波発振器を反射波で傷めることがない。
【０１０１】
更に具体的には、連続焼成装置が飛躍的にコンパクト化され、かつ、従来の炉のように加熱対象物Ｗを多段に積み上げる必要性がなくなり、加熱対象物Ｗの一段積載の高効率迅速処理により、小型電子部品の焼成効率が数倍に向上され、更に、輻射加熱体２１及び輻射加熱体２２、カバー用輻射加熱体２５等の雰囲気焼成を付加自在であるから、大気中で焼成されるセラミックス電子部品に止まることなく、雰囲気焼成中で焼成されるセラミックス電子部品及び金属部品である自動車部品等用としても使用できる。また、マイクロ波の内部加熱効果が最大級に生かされる加熱プロセスであり、しかも、導波管列５０の電磁界強度の弱い位置から加熱対象物Ｗを取り込み、加熱対象物Ｗを電磁界強度の強い位置に移動させる動作は、繰り返し搬入された加熱対象物Ｗが同一行程を経るものであるから、全ての加熱対象物Ｗが同一行程で加熱焼成され、電子部品等の材料の特性値が向上するという効果が期待できる。
【０１０２】
加えて、搬送体７０を搬送ガイド６０に案内されて複数個の導波管からなる導波管列５０の搬入口１３から搬出口１５まで順次移動させる送り機構１００を具備するものは、連続製造ラインに組み込むことにより、人件費を低減させることができる。
また、昇温導入部５２及び高温保持部５３からなる加熱焼成部の内壁面に配設された導波管列５０内からの放熱を防止する断熱材３１〜３４は、必要な高温度を得たいときのみ断熱材を使用すればよいので、他の取り込み部５１、残存マイクロ波吸収部５４、冷却処理部５５に対応が自在である。
【０１０３】
本実施の形態の連続焼成装置は、導波管列５０の電磁界強度の弱い位置から加熱対象物Ｗを取り込み、加熱対象物Ｗを電磁界強度の強い位置に移動させる動作は、導波管列５０の下面側から取り込み、導波管列５０の断面中央に移動させるものであるから、導波管列５０の上方に設計自由度が大きくなり、導波管列５０までマイクロ波を伝播する供給導波管２０が上部に配置されたものに好適な位置設定となる。
【０１０４】
逆に、導波管列５０の上面側から取り込み、導波管列５０の断面中央に移動させるものでは、導波管列５０の上方向から徐々に中央に下降させるものであるから、導波管列５０までマイクロ波を伝播する供給導波管２０が下部に配置されたものに好適な位置設定となる。
【０１０５】
本実施の形態の連続焼成装置の導波管列５０による加熱焼成後の降温処理は、高温保持処理及び冷却処理を行うものであるから、所定の焼成温度で特定時間焼成し、その後、冷却処理され、焼成されたものを直接取り出すことができ、焼成冷却管理が容易になる。
しかし、本発明を実施する場合には、導波管列５０による加熱焼成後の降温処理を省略し、別の装置で温度管理を行うようにすることもできる。即ち、本発明を実施する場合の導波管列５０では、加熱焼成のみとすることができる。また、加熱焼成の後の恒温処理とすることもできる。更に、加熱焼成の後の恒温処理及び冷却処理、加熱焼成の後の冷却処理とすることもできる。何れにせよ、加熱焼成の後は、その後の目的に合致した処理を行えればよい。
【０１０６】
本実施の形態の連続焼成装置の供給導波管２０には、チューナ９を具備しているものであるから、単数のマイクロ波発生源１から複数列の導波管列５０に対して分岐する供給導波管２０は、分岐されたマイクロ波の配分が所望の値に制御できる。したがって、マイクロ波発生源１のマイクロ波発振器の出力が大きい場合には、複数列の導波管列５０を配列させて、その生産能力を高めることができる。２系列、４系列とすることができる。
【０１０７】
本実施の形態の連続焼成装置の導波管列５０の電磁界強度の弱い位置から加熱対象物Ｗを取り込み、加熱対象物Ｗを電磁界強度の強い位置に移動させる動作は、導波管列５０相互を接続するフランジ４１Ｆ、４２Ｒ側の角度調整アダプタ６６，６７で角度をつけて加熱対象物Ｗを電磁界強度の強い位置に移動させるものである。したがって、単位導波管３０相互を接続するフランジ４１Ｆ、４２Ｒ側の角度調整アダプタ６６，６７のみで、導波管列５０と加熱対象物Ｗの相対移動方向の変更を行うものであるから、規格化された導波管の形状を変更する必要性がなくなり、導波管列５０として廉価な規格品を使用することができる。勿論、フランジ４１Ｆ、４２Ｒに角度調整アダプタ６６，６７の機能を持たせることもできる。
【０１０８】
上記実施の形態の連続焼成装置において、昇温プロファイル及び降温プロファイルのうち、昇温プロファイルは単位導波管３０-2，３０-3の導波管本体３９に測定孔を穿設し、放射温度計により当該位置が最高温度になるように制御するものであり、マイクロ波発生源１と協調して任意の温度特性を持たせることができる。
特に、加熱対象物Ｗは導波管列５０の上部或いは下部より供給することにより、マイクロ波の電磁界密度が導波管本体３９の断面において中心部が最も強いことが明らかであり、電磁界密度の低い導波管本体３９の上部或いは下部より加熱対象物Ｗを挿入し、徐々に中心部に加熱対象物Ｗを移動させることに伴い、温度を上昇させるという昇温プロファイルを形成させ、加熱対象物Ｗは移動する傾斜部で目標の最高温度まで一定の昇温速度で加熱することが可能となる。また、降温プロファイルは、搬送板７１の厚み、輻射加熱体２１，２２、カバー型輻射加熱体２５の組み合わせによって任意に温度保持、降温特性を持たせることができる。傾斜部の後ろに基準床に平行な平行部を有する導波管列５０は、昇温部５２である単位導波管３０-2，３０-3による傾斜部の最高位置で最高温度に達し、そして、最高温度を保持する平行部、即ち、単位導波管３０-4，・・，３０-6による高温保持部５３を搬送することにより、目標の最高温度での保持時間が与えられる。また、保持時間を必要としない加熱対象物Ｗにおいては冷却処理することが可能となる。
【０１０９】
更に、上記実施の形態の連続焼成装置においては、加熱対象物Ｗを電磁界強度の弱い位置から挿入し、電磁界強度の強い中心位置に移動させる事例として、２個の単位導波管３０-1，３０-2を直線的に変化させるものであるが、更に多くの複数の段階的変化とすることもできる。例えば、２個の単位導波管３０-1，３０-2を１／２の長さとし、その間のフランジ間にθ／２の角度調整アダプタを配設し、４個の折れ線変化とすることができる。
このように、角度調整アダプタの角度θを任意に設定することにより、任意の複数の相対変化を得て、加熱対象物Ｗを電磁界強度の弱い位置から挿入し、電磁界強度の強い中心位置に移動させることができる。
【０１１０】
更にまた、上記実施の形態の連続焼成装置においては、マイクロ波発生源１で発生されたマイクロ波の進行波を複数直列接続した導波管列５０及び供給導波管２０からなる導波管は、フランジ４１Ｆ，４１Ｒ、４２Ｆ，４２Ｒ、・・・、４９Ｆ，４９Ｒによって接続されているが、本発明を実施する場合には、直接溶接等の他の接続手段によって接合しても良い。何れにせよ、導波管列５０からなる導波管に収容した加熱対象物Ｗを加熱焼成処理する導波管としては、それに供給する供給導波管２０を入れて２個以上で構成されておればよい。
【０１１１】
本発明の実施の形態について種々述べたが、更に、本実施の形態の変形Ｅベンド１０は、Ｅベンド４のようにマイクロ波を閉じ込めて、導波管列５０まで伝播させる機能に加えて、曲げを利用して加熱対象物Ｗを電磁界強度の弱い位置から導波管列５０内に取り込む機能を有しておればよい。即ち、本実施の形態の変形Ｅベンド１０は、マイクロ波発生源から供給されたマイクロ波を閉じ込めて導波管の特性で進行波を伝播すると共に、収容された加熱対象物Ｗを加熱焼成するものであればよい。導波管列５０は、その長さ方向に対し直角方向の電磁界強度の弱い位置から加熱対象物Ｗを挿入し、加熱対象物Ｗを電磁界強度の強い中心位置に移動させることによって、加熱対象物Ｗの加熱焼成温度を上昇させるものであり、導波管列５０内の電磁界強度の弱い位置から加熱対象物Ｗを取り込み、徐々に電磁界強度の強い位置に加熱対象物Ｗを移動できればよい。
したがって、例えば、Ｈベンドの形態でマイクロ波を閉じ込めて、導波管列５０まで伝播させる機能に加えて、曲げを利用して加熱対象物Ｗを電磁界強度の弱い位置から導波管列５０内に取り込む機能を有するように構成することもできる。即ち、本実施の形態の変形Ｅベンド１０は、変形Ｈベンドとすることもできる。
【０１１２】
図２８は本発明の実施の形態における連続焼成装置の変形Ｈベンドを示す側面図（ａ）、正面図（ｂ）、開口のみの正面図（ｃ）である。
図１の本実施の形態の変形Ｅベンド１０Ｅを用いた取り込み部５１は、図２８の曲げの内側のフランジ１９Ｈ側の底面の直線と接触する接線を使用する変形Ｈベンド１０Ｈとすることができる。導波管列５０の加熱対象物Ｗの搬入口１３Ｈに、フランジ１９Ｈの内寸法（導波管列５０の図８に示す導波管本体３９を９０度回転させた内寸法）に比較して図２８に示す搬入口１３Ｈは、縦が約１／３、横が約１／８と小さく、開口面積が１／１０〜１／２０以下の断面積で、１／４波長以上の突出部１１Ｈを形成し、その端部に開口１２Ｈを形成している。導波管列５０の加熱対象物Ｗの搬入口１３Ｈとなる突出部１１Ｈの開口１２Ｈが、断面内側寸法の高さ６０〜１００ｍｍ、横幅１０〜２０ｍｍで、肉厚が１〜１０ｍｍである。前述した図１のＥベンド４のようにマイクロ波を閉じ込めて伝播させる導波管本体３９の機能部、即ち、変形Ｈベンド１０Ｈのフランジ１９Ｈからは、最大位置（下側）で３００ｍｍ、最小位置（上側）で１００ｍｍ程度突出するように設定している。これは、突出部１１Ｈが導波管の機能部から１／４波長以上突出していることを示すものである。このように、取り込み部５１を構成する変形Ｈベンド１０Ｈは、マイクロ波を閉じ込めて、導波管列５０まで伝播させる機能に加えて、曲げを利用して加熱対象物Ｗを電磁界強度の弱い位置から導波管列５０内に取り込む機能を有しておればよい。
【０１１３】
更に、本発明を実施する場合、上記実施の形態の変形Ｅベンド１０、変形Ｈベンドと限定されるものではなく、コーナを用いた変形Ｅコーナまたは変形Ｈコーナとすることもできる。
図２９は本発明の実施の形態における連続焼成装置の変形Ｅコーナを示す側面図（ａ）、正面図（ｂ）、開口のみの正面図（ｃ）であり、また、図３０は本発明の実施の形態における連続焼成装置の変形Ｈコーナを示す側面図（ａ）、正面図（ｂ）、開口のみの正面図（ｃ）である。
図２９において、図１の実施の形態の変形Ｅベンド１０を用いた取り込み部５１は、曲げの内側のフランジ１９Ｅ側の底面の直線と接触する接線を使用する変形Ｅコーナ１０Ｅとすることができる。導波管列５０の加熱対象物Ｗの搬入口１３Ｅに、フランジ１９Ｅの内寸法（導波管列５０の図８に示す導波管本体３９の内寸法）に比較して図２９に示す搬入口１３Ｅは、縦が約１／８、横が約１／３と小さく、開口面積が１／１０〜１／２０以下の断面積で、１／４波長以上の突出部１１Ｅを形成し、その端部に開口１２Ｅを形成している。基本的構成を図１の実施の形態の変形Ｅベンド１０のＥベンドをＥコーナに置き換えた基本形態を使用しているのみが相違点である。
【０１１４】
図３０において、図１の実施の形態の変形Ｅベンド１０を用いた取り込み部５１は、開口１２ｈが曲げの内側のフランジ１９ｈ側の側面（図３０（ｂ）の右側）の直線と接触する接線を使用する変形Ｈコーナ１０ｈとすることができる。導波管列５０の加熱対象物Ｗの搬入口１３ｈに、フランジ１９ｈの内寸法（導波管列５０の図８に示す導波管本体３９を９０度回転させた内寸法）に比較して図３０に示す搬入口１３ｈは、縦が約１／３、横が約１／８と小さく、開口面積が１／１０〜１／２０以下の断面積で、１／４波長以上の突出部１１ｈを形成し、その端部に開口１２ｈを形成している。図１の実施の形態の変形Ｅベンド１０のＥベンドの基本的構成をＨコーナに置き換えた基本形態を使用している。
導波管列５０の加熱対象物Ｗの搬入口１３ｈとなる突出部１１ｈの開口１２ｈが、断面内側寸法の高さ６０〜１００ｍｍ、横幅１０〜２０ｍｍで、肉厚が１〜１０ｍｍである。前述した図１のＥベンド４のようにマイクロ波を閉じ込めて伝播させる導波管本体３９の機能部、即ち、変形Ｈコーナ１０ｈのフランジ１９ｈからは、最大位置（下側）で３００ｍｍ、最小位置（上側）で１００ｍｍ程度突出するように設定している。これは、突出部１１ｈが導波管の機能部から１／４波長以上突出していることを示すものである。このように、取り込み部５１を構成する変形Ｈコーナ１０ｈは、マイクロ波を閉じ込めて、導波管列５０まで伝播させる機能に加えて、曲げを利用して加熱対象物Ｗを電磁界強度の弱い位置から導波管列５０内に取り込む機能を有しておればよい。
なお、図３０に示す実施の形態の搬入口１３ｈは、フランジ１９ｈ側の側面（図３０（ｂ）の右側）の上下の中央に設けられており、順次、単位導波管３０の左右の中央に加熱対象物Ｗが搬送されるものである。
【０１１５】
このように、供給導波管２０から供給されてくるマイクロ波エネルギが左側または右側のときは、変形Ｅベンド１０の右側または左側に設けた突出部１１から供給することもできる。また、図１に示す実施の形態では、変形Ｅベンド１０としてＥベンドを用いているが、それをＨベンドを用いた変形Ｈベンド１０ｈとすることができるし、コーナを用いた変形Ｅコーナ１０Ｅまたは変形Ｈコーナ１０ｈとすることもできる。
しかし、上記実施の形態において、導波管列５０の長さ方向に対し直角方向の電磁界強度の弱い位置から加熱対象物Ｗを取り込み、加熱対象物Ｗを電磁界強度の強い位置に移動させることによって、加熱対象物Ｗの加熱焼成温度を上昇させるには、変形Ｅベンド１０、変形Ｈベンド１０Ｈ、変形Ｅコーナ１０Ｅ、変形Ｈコーナ１０ｈを用いているが、単位導波管３０を用いることもできる。
【０１１６】
図３１は本発明の実施の形態における連続焼成装置の単位導波管を用いた取り込み部の配設を示す説明図である。
図３１は、単位導波管３０-1a，３０-2，３０-3を用いた取り込み部５１の配設を示すもので、本実施の形態の取り込み部５１は、単位導波管３０-1aに対して開口面積が１／１０〜１／２０以下の断面積で、１／４波長以上の突出部１１ａを形成し、その端部に開口１２ａを形成している。即ち、導波管列５０の図８に示す導波管本体３９に比較して搬入口１３ａは、縦が約１/８、横が約１/３と小さくした突出部１１ａを形成し、単位導波管３０-1aからそれを分岐している。この分岐位置は単位導波管３０-1aの特定位置に限定されるものではない。
導波管列５０の加熱対象物Ｗの搬入口１３ａは、導波管本体３９の内側下面の延長線上に設けられ、加熱対象物Ｗが水平方向の直線運動をするようになっている。
導波管本体３９と搬入口１３ａとの配設角度は、フランジ４１Ｆ、４２Ｒ側の角度調整アダプタ６６ａ，６７ａのみで設定できる。
このように、本発明を実施する場合には、導波管列５０の長さ方向に対し直角方向の電磁界強度の弱い位置から加熱対象物Ｗを取り込み、加熱対象物Ｗを電磁界強度の強い位置に移動させることによって、加熱対象物Ｗの加熱焼成温度を上昇させる構造であれば採用できる。
【０１１７】
角度調整アダプタ６６，６７は、単位導波管３０の直線性を維持して、加熱対象物Ｗを電磁界強度の弱い位置から強い位置に移動させるものであるが、本発明を実施する場合には、角度調整アダプタ６６，６７を省略し、単位導波管３０に角度を持たせるように形成してもよい。何れにせよ、導波管列５０では、導波管列５０の長さ方向に対し直角方向の電磁界強度の弱い位置から加熱対象物Ｗを取り込み、加熱対象物Ｗを電磁界強度の強い位置に移動させることによって、加熱対象物Ｗの加熱焼成温度を上昇させることができればよい。
同様に、送り機構１００についても同様に、プッシャ機能及びローラコンベア機能、ベルトコンベア機能として実施することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１１８】
【図１】図１は本発明の実施の形態における連続焼成装置の全体構成を概念的に示す概念図である。
【図２】図２は本発明の実施の形態における連続焼成装置の全体構成を示す具体的構成を示す側面図である。
【図３】図３は本発明の実施の形態における連続焼成装置の供給導波管を示す正面図である。
【図４】図４は本発明の実施の形態における連続焼成装置の供給導波管を示す要部斜視図である。
【図５】図５は本発明の実施の形態における連続焼成装置の変形Ｅベンドを示す側面図（ａ）、正面図（ｂ）、開口のみの正面図（ｃ）である。
【図６】図６は本発明の実施の形態における連続焼成装置の変形Ｅベンドの搬入口の正面図である。
【図７】図７は本発明の実施の形態における連続焼成装置の昇温導入部の構成を示す要部側面図である。
【図８】図８は図７の切断線Ａ−Ａによる要部断面図である。
【図９】図９は図７の切断線Ｂ−Ｂによる要部断面図である。
【図１０】図１０は図７の切断線Ｃ−Ｃによる要部断面図である。
【図１１】図１１は本発明の実施の形態における連続焼成装置の高温保持部の構成を示す要部断面図である。
【図１２】図１２は本発明の実施の形態における連続焼成装置の温度特性を示す特性図である。
【図１３】図１３は本発明の実施の形態における連続焼成装置の高温保持部の構成を示す図９相当の要部断面図である。
【図１４】図１４は本発明の実施の形態における連続焼成装置の高温保持部の構成を示す図１０相当の要部断面図である。
【図１５】図１５は図１０の要部断面図に相当する本実施の形態の事例１の搬送ガイド及び搬送体の説明図である。
【図１６】図１６は図１０の要部断面図に相当する本実施の形態の事例２の搬送ガイド及び搬送体の説明図である。
【図１７】図１７は図１０の要部断面図に相当する本実施の形態の事例３の搬送ガイド及び搬送体の説明図である。
【図１８】図１８は図１０の要部断面図に相当する本実施の形態の事例４の搬送ガイド及び搬送体の説明図、
【図１９】図１９は図１０の要部断面図に相当する本実施の形態の事例５の搬送ガイド及び搬送体の説明図、
【図２０】図２０は図１０の要部断面図に相当する本実施の形態の事例６の搬送ガイド及び搬送体の説明図である。
【図２１】図２１は本発明の実施の形態における連続焼成装置の残存マイクロ波吸収部の構成を示す要部断面図である。
【図２２】図２２は本発明の実施の形態における連続焼成装置の冷却処理部の構成を示す要部断面図である。
【図２３】図２３は本発明の実施の形態における連続焼成装置の搬出口の構成を示す要部正面図である。
【図２４】図２４は本発明の実施の形態における連続焼成装置の冷却処理部の構成を示す要部正面図である。
【図２５】図２５は本発明の実施の形態における連続焼成装置の送り機構の構成を示す要部正面図である。
【図２６】図２６は本発明の実施の形態における連続焼成装置の送り機構の他の構成を示す要部正面図である。
【図２７】図２７は本発明の実施の形態における連続焼成装置の送り機構の他の構成を示す要部正面図である。
【図２８】図２８は本発明の実施の形態における連続焼成装置の変形Ｈベンドを示す側面図（ａ）、正面図（ｂ）、開口のみの正面図（ｃ）である。
【図２９】図２９は本発明の実施の形態における連続焼成装置の変形Ｅコーナを示す側面図（ａ）、正面図（ｂ）、開口のみの正面図（ｃ）である。
【図３０】図３０は本発明の実施の形態における連続焼成装置の変形Ｈコーナを示す側面図（ａ）、正面図（ｂ）、開口のみの正面図（ｃ）である。
【図３１】図３１は本発明の実施の形態における連続焼成装置の単位導波管を用いた取り込み部の配設を示す説明図である。
【符号の説明】
【０１１９】
Ｗ        加熱対象物
１        マイクロ波発生源
１０（１０Ｒ，１０Ｌ）    変形Ｅベンド
１３        搬入口
１５        搬出口
２０        供給導波管
２１，２２  輻射加熱体
２５        カバー型輻射加熱体
３０        単位導波管
３１〜３４  断熱材
３５        間隔保持用耐熱体
５０        導波管列
５１        取り込み部
５２        昇温導入部
５３        高温保持部
５４        残存マイクロ波吸収部
５５        冷却処理部
６０        搬送ガイド
６１，６２      １対のレール
６６，６７      角度調整アダプタ
７０            搬送体
８０Ｕ，８０Ｄ  マイクロ波吸収体
１００          送り機構
【図１】
2008045789.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
2008045789.tif 000008
【図７】
2008045789.tif 000009
【図８】
2008045789.tif 000010
【図９】
2008045789.tif 000011
【図１０】
2008045789.tif 000012
【図１１】
2008045789.tif 000013
【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
2008045789.tif 000019
【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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