(57)【要約】【課題】生産性の劣化を抑制しつつ、ソルダーレジストパターンを良好に形成できる配線基板の製造方法を提供する。【解決手段】製造方法は、撥液性材料を所定のパターンで塗布するスタンプ部材のスタンプ面を、配線パターンが形成された基材に接触させて、基材に撥液性材料を転写して、所定のパターンの撥液性領域を形成する工程と、ソルダーレジストを含む機能液を、吐出ヘッドにて、撥液性材料が転写された撥液性領域の領域外に吐出して、配線パターンが形成された基材の所定領域にソルダーレジストパターンを形成する工程と、を具備する。【選択図】図１
2008226947.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線パターンが形成された基材と、前記基材に形成された前記配線パターンを保護するソルダーレジストパターンとを具備する配線基板の製造方法であって、
撥液性材料を所定のパターンで塗布するスタンプ部材のスタンプ面を、前記配線パターンが形成された前記基材に接触させて、前記基材に前記撥液性材料を転写して、前記所定のパターンの撥液性領域を形成する工程と、
ソルダーレジストを含む機能液を、吐出ヘッドにて、前記撥液性材料が転写された前記撥液性領域の領域外に吐出して、前記配線パターンが形成された前記基材の所定領域に前記ソルダーレジストパターンを形成する工程と、を具備する配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記スタンプ面は、弾性変形する弾性体を有し、
前記基材の前記配線パターン同士の間隙を含む領域に、前記スタンプ面を接触させて、前記撥液性材料を転写して、前記所定のパターンの撥液性領域を形成する工程を具備する請求項１記載の配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記基材は、可撓性を有するテープ基材を含み、
前記テープ基材には、位置決めのためのアライメントマークが形成され、
前記スタンプ部材を含む第１処理機構、及び前記吐出ヘッドを含む第２処理機構のそれぞれを前記テープ基材が通過するように前記テープ基材を繰り出す工程と、
前記第１処理機構において、
前記アライメントマークを用いて前記テープ基材を位置決めする工程と、
前記位置決めされた前記テープ基材に、前記スタンプ部材を用いて前記撥液性領域を形成する工程と、
前記第２処理機構において、
前記アライメントマークを用いて前記撥液性領域が形成された前記テープ基材を位置決めする工程と、
前記位置決めされた前記テープ基材に、前記吐出ヘッドを用いて前記ソルダーレジストパターンを形成する工程と、
前記ソルダーレジストパターンが形成された前記テープ基材を巻き取る工程と、
を具備する請求項１又は２記載の配線基板の製造方法。
【請求項４】
第１液体とフィラーとを混合した第１の混合液を、前記基材の前記撥液性領域の領域外に吐出する工程と、
前記第１液体とは沸点が異なる第２液体と、前記ソルダーレジストとを混合した第２の混合液を、前記混合液が吐出された領域に吐出する工程と、
前記第１の混合液及び前記第２の混合液が吐出された前記基材を加熱する工程と、
を具備する請求項１乃至３記載の配線基板の製造方法。
【請求項５】
配線パターンが形成された基材と、前記基材に形成された前記配線パターンを保護するソルダーレジストパターンとを具備する配線基板の製造装置であって、
撥液性材料が所定のパターンで塗布されたスタンプ面を有するスタンプ部材を有し、前記配線パターン及びアライメントマークが形成された可撓性を有するテープ基材を位置決めして、前記スタンプ部材を用いて前記テープ基材に前記所定のパターンの撥液性領域を形成する第１処理機構と、
ソルダーレジストを含む機能液を吐出する吐出ヘッドを有し、前記テープ基材を位置決めして、前記撥液性材料が転写された前記撥液性領域の領域外に前記吐出ヘッドを用いて前記ソルダーレジストパターンを形成する第２処理機構と、
前記第１処理機構、及び前記第２処理機構のそれぞれを通過するように前記テープ基材を搬送する搬送機構と、を具備する配線基板の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板の製造方法及び製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体チップの実装にプリント基板、フレキシブルテープ基板等が利用されている。これらの基板の表面には配線パターンが形成されている。配線パターンのうち、実装に関係しない、保護の必要性がある領域にはソルダーレジストが塗布される。ソルダーレジストは、一般に、スクリーン印刷法で塗布される。下記特許文献１には、スクリーン印刷法を用いてプリント基板上にソルダーレジストを塗布する技術の一例が開示されている。
【特許文献１】特開平１−１８８３８５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
スクリーン印刷法は、接触方式のため、異物が発生する可能性がある。また、形成しようとするソルダーレジストパターンに応じて版材を作成しなければならず、生産性が劣化する可能性がある。また、配線パターンの微細化により、配線同士の間隔が小さくなると、毛管現象等によって、ソルダーレジストパターンを形成しようとする領域の外側に、ソルダーレジストを含むインク（機能液）が流出してしまう可能性がある。
【０００４】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、生産性の劣化を抑制しつつ、ソルダーレジストパターンを良好に形成できる配線基板の製造方法及び製造装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記の課題を解決するため、本発明は以下の構成を採用する。
【０００６】
本発明の第１の観点によると、配線パターンが形成された基材と、前記基材に形成された前記配線パターンを保護するソルダーレジストパターンとを具備する配線基板の製造方法であって、撥液性材料を所定のパターンで塗布するスタンプ部材のスタンプ面を、前記配線パターンが形成された前記基材に接触させて、前記基材に前記撥液性材料を転写して、前記所定のパターンの撥液性領域を形成する工程と、ソルダーレジストを含む機能液を、吐出ヘッドにて、前記撥液性材料が転写された前記撥液性領域の領域外に吐出して、前記配線パターンが形成された前記基材の所定領域に前記ソルダーレジストパターンを形成する工程と、を具備する配線基板の製造方法が提供される。
【０００７】
本発明の第１の観点によれば、スタンプ部材のスタンプ面で撥液性領域を形成した後、液滴吐出法（インクジェット法）に基づいて、撥液性領域の領域外にソルダーレジストを供給するので、異物の発生等を抑制しつつ、高い生産性で所望のソルダーレジストパターンを形成できる。スタンプ部材で撥液性材料を塗布することで、配線同士の間の領域にも撥液性材料を良好に行き渡らせることができる。したがって、供給されたソルダーレジストの機能液が、ソルダーレジストパターンを形成しようとする領域の外側に流出することを抑制でき、所望のソルダーレジストパターンを形成できる。また、非接触方式であるインクジェット法を用いてソルダーレジストパターンを形成するので、異物の発生を抑制でき、種々のソルダーレジストパターンを生産性良く形成できる。
【０００８】
本発明の製造方法において、前記スタンプ面は、弾性変形する弾性体を有し、前記基材の前記配線パターン同士の間隙を含む領域に、前記スタンプ面を接触させて、前記撥液性材料を転写して、前記所定のパターンの撥液性領域を形成する工程を具備する構成を採用できる。これによれば、配線同士の間の領域にも撥液性材料を良好に行き渡らせることができる。
【０００９】
本発明の製造方法において、前記基材は、可撓性を有するテープ基材を含み、前記テープ基材には、位置決めのためのアライメントマークが形成され、前記スタンプ部材を含む第１処理機構、及び前記吐出ヘッドを含む第２処理機構のそれぞれを前記テープ基材が通過するように前記テープ基材を繰り出す工程と、前記第１処理機構において、前記アライメントマークを用いて前記テープ基材を位置決めする工程と、前記位置決めされた前記テープ基材に、前記スタンプ部材を用いて前記撥液性領域を形成する工程と、前記第２処理機構において、前記アライメントマークを用いて前記撥液性領域が形成された前記テープ基材を位置決めする工程と、前記位置決めされた前記テープ基材に、前記吐出ヘッドを用いて前記ソルダーレジストパターンを形成する工程と、前記ソルダーレジストパターンが形成された前記テープ基材を巻き取る工程と、を具備する構成を採用できる。これによれば、フレキシブルテープ基板を効率良く製造できる。
【００１０】
本発明の製造方法において、第１液体とフィラーとを混合した第１の混合液を、前記基材の前記撥液性領域の領域外に吐出する工程と、前記第１液体とは沸点が異なる第２液体と、前記ソルダーレジストとを混合した第２の混合液を、前記混合液が吐出された領域に吐出する工程と、前記第１の混合液及び前記第２の混合液が吐出された前記基材を加熱する工程と、を具備する構成を採用できる。これによれば、基材上において、フィラーとソルダーレジストとを円滑に混合できる。
【００１１】
本発明の第２の観点によると、配線パターンが形成された基材と、前記基材に形成された前記配線パターンを保護するソルダーレジストパターンとを具備する配線基板の製造装置であって、撥液性材料が所定のパターンで塗布されたスタンプ面を有するスタンプ部材を有し、前記配線パターン及びアライメントマークが形成された可撓性を有するテープ基材を位置決めして、前記スタンプ部材を用いて前記テープ基材に前記所定のパターンの撥液性領域を形成する第１処理機構と、ソルダーレジストを含む機能液を吐出する吐出ヘッドを有し、前記テープ基材を位置決めして、前記撥液性材料が転写された前記撥液性領域の領域外に前記吐出ヘッドを用いて前記ソルダーレジストパターンを形成する第２処理機構と、前記第１処理機構、及び前記第２処理機構のそれぞれを通過するように前記テープ基材を搬送する搬送機構と、を具備する配線基板の製造装置が提供される。
【００１２】
本発明の第２の観点によれば、スタンプ部材で撥液性領域を形成した後、液滴吐出法（インクジェット法）に基づいて、撥液性領域の領域外にソルダーレジストを供給するので、異物の発生等を抑制しつつ、高い生産性で所望のソルダーレジストパターンを形成できる。スタンプ部材で撥液性材料を塗布することで、配線同士の間の領域にも撥液性材料を良好に行き渡らせることができる。したがって、供給されたソルダーレジストの機能液が、ソルダーレジストパターンを形成しようとする領域の外側に流出してしまうことを抑制でき、所望のソルダーレジストパターンを形成できる。また、非接触方式であるインクジェット法を用いてソルダーレジストパターンを形成するので、異物の発生を抑制でき、種々のソルダーレジストパターンを生産性良く形成できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。そして、水平面内の所定方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれと直交する方向（すなわち鉛直方向）をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわりの回転（傾斜）方向をそれぞれ、θＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。
【００１４】
＜第１実施形態＞
第１実施形態について説明する。図１は、本実施形態に係る配線基板の製造装置１の一例を示す図である。本実施形態においては、配線基板として、フレキシブル配線板（ＦＰＣ:flexible printed circuit board）にＩＣチップを実装する場合、すなわち、ＣＯＦ（chip on film）構造を有する配線基板を製造する場合を例にして説明する。
【００１５】
図１において、製造装置１は、スタンプ部材２を有し、スタンプ部材２を用いてフレキシブルなテープ基材Ｔに撥液性領域を形成する第１処理機構３と、吐出ヘッド４を有し、吐出ヘッド４を用いてテープ基材Ｔにソルダーレジストパターンを形成する第２処理機構５と、ソルダーレジストパターンを加熱する加熱機構６と、第１処理機構３、第２処理機構５、及び加熱機構６のそれぞれを通過するようにテープ基材Ｔを搬送する搬送機構７と、製造装置１全体の動作を制御する制御装置８とを備えている。
【００１６】
テープ基材Ｔは、可撓性を有する。テープ基材Ｔは、例えばポリイミド等、フレキシブルなテープ部材と、そのテープ部材の表面に形成された金属層（例えば銅）とを有する。テープ基材Ｔの表面には、配線パターン及びアライメントマークが予め形成されている。
【００１７】
搬送機構７は、テープ基材Ｔを繰り出すローダ７Ａと、テープ基材Ｔを巻き取るアンローダ７Ｂとを含む。第１処理機構３、第２処理機構５、及び加熱機構６は、ローダ７Ａとアンローダ７Ｂとの間に配置されている。搬送機構７は、第１処理機構３、第２処理機構５、及び加熱機構６のそれぞれを通過するようにテープ基材Ｔを搬送する。
【００１８】
ローダ７Ａは、テープ基材Ｔを繰り出す繰り出しローラ７Ｃを備えており、第１処理機構３、第２処理機構５、及び加熱機構６のそれぞれをテープ基材Ｔが通過するように、テープ基材Ｔを繰り出す。アンローダ７Ｂは、ソルダーレジストパターンが形成され、加熱機構６で加熱処理されたテープ基材Ｔを巻き取る巻き取りローラ７Ｄを備えている。また、搬送機構７は、複数の所定位置に配置され、搬送されるテープ基材Ｔを支持する支持ローラ７Ｅを備えている。
【００１９】
第１処理機構３は、テープ基材Ｔの表面と対向するように配置されるスタンプ面２Ａを有するスタンプ部材２と、テープ基材Ｔの裏面と対向するように配置される保持面９Ａを有するステージ９とを有する。ステージ９は、ローダ７Ａからのテープ基材Ｔの裏面の所定領域を吸着して保持する吸着機構９Ｈを備える。吸着機構９Ｈは、保持面９Ａに形成され、気体を吸引可能な吸引口を含む。ステージ９は、吸着機構９Ｈを用いて、第１処理機構３に搬送されたテープ基材Ｔを一時的に吸着し、固定可能である。また、ステージ９は、吸着したテープ基材Ｔの温度を調整するための温度調整機構９Ｃを備えている。これにより、テープ基材Ｔに供給された撥液性材料を含むインクの粘度が調整される。
【００２０】
また、第１処理機構１は、テープ基材Ｔを位置決めするアライメント装置１０を備えている。アライメント装置１０は、テープ基材Ｔに形成されているアライメントマークを検出可能な複数の撮像装置１０Ａを有する。制御装置８は、アライメント装置１０の検出結果に基づいて、テープ基材Ｔを位置決めする。
【００２１】
第１処理装置３は、テープ基材Ｔを位置決めして、スタンプ部材２を用いてテープ基材Ｔの表面に撥液性領域を形成する。スタンプ部材２は、撥液性材料が所定のパターンで塗布されたスタンプ面２Ａを有する。第１処理機構３は、その撥液性材料が所定のパターンで塗布されたスタンプ部材２のスタンプ面２Ａと配線パターン及びアライメントマークが形成されたテープ基材Ｔの表面とを接触させて、テープ基材Ｔの表面に撥液性材料を転写して、所定のパターンの撥液性領域を形成する。
【００２２】
スタンプ部材２のスタンプ面２Ａは、所定の形状（パターン）を有する。本実施形態においては、テープ基材Ｔの表面には、スタンプ面２Ａのパターンに応じた撥液性領域が形成される。本実施形態においては、一例として、スタンプ面２Ａは、ＸＹ平面と平行であり、Ｙ軸方向に長い矩形状（長方形状、スリット状）である。
【００２３】
図２は、第１処理機構３の一例を示す模式図である。図２に示すように、第１処理機構３は、スタンプ面２Ａを有するスタンプ部材２と、スタンプ面２Ａと接触可能な面１１Ａを有し、スタンプ面２Ａに撥液性材料を供給（塗布、付着）可能なスタンプ台１１とを備えている。スタンプ部材２は、下方（−Ｚ方向）に突出する凸部を有し、その凸部の端面（下面）にスタンプ面２Ａが配置されている。スタンプ部材２（スタンプ面２Ａ）は、例えば、ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）系の弾性体で形成されている。スタンプ面２Ａは、例えば、Ｓｉ（ＣＨ３）３−Ｏ−Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ）ｎ−Ｓｉ（ＣＨ３）３で表される構造を持つ弾性変形する弾性体で形成されている。スタンプ部材２は、例えば型に入れてキャストして成型できる。
【００２４】
本実施形態においては、スタンプ面２Ａの幅（Ｘ軸方向のサイズ）は、２ｍｍ以下であり、好ましくは、２００μｍ以下である。また、弾性体で形成されている部分２Ｂの高さ（厚み）は、少なくとも１０μｍである。本実施形態においては、配線パターンの高さ（厚み）が１５μｍであり、スタンプ部材２の弾性体で形成されている部分２Ｂの高さ（厚み）は、４０μｍである。
【００２５】
スタンプ台（印肉）１１は、所定の板部材の表面に、撥液性材料を含む機能液（インク）を塗布したものであって、スタンプ台１１の表面とスタンプ面２Ａとが接触することによって、スタンプ面２Ａに撥液性材料を含むインクが付着する。
【００２６】
スタンプ部材２には、制御装置８によって制御される駆動装置２Ｃが接続されており、制御装置８は、駆動装置２Ｃを用いて、スタンプ台１１の表面１１Ａと対向する位置と、ステージ１０に保持されたテープ基材Ｔの表面と対向する位置との間で、スタンプ部材２を移動可能である。スタンプ部材２は、スタンプ台１１から供給された撥液性材料を含むインクを、テープ基材Ｔの表面に転写可能である。
【００２７】
撥液性材料としては、例えば、ダイキン工業株式会社製オプツールＤＳＸを用いることができる。また、撥液性材料としては、以下に示す高分子化合物を用いることもできる。例えば、分子内にフッ素原子を含有するオリゴマー又はポリマーを用いることができ、ポリ４フッ化エチレン（ＰＴＦＥ）、エチレン−４フッ化エチレン共重合体、６フッ化プロピレン−４フッ化エチレン共重合体、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶｄＦ）、ポリ（ペンタデカフルオロヘプチルエチルメタクリレート）（ＰＰＦＭＡ）、ポリ（パーフルオロオクチルエチルアクリレート）等の長鎖パーフルオロアルキル構造を有するエチレン、エステル、アクリレート、メタクリレート、ビニル、ウレタン、シリコーン、イミド、カーボネート系ポリマー等が挙げられる。
【００２８】
また、撥液性材料として、シランカップリング材を用いることもできる。シランカップリング材としては、ＣＦ3 −ＣＨ2 ＣＨ2 −Ｓｉ（ＯＣＨ3） 3 、ＣＦ3 （ＣＦ2）3 −ＣＨ2 ＣＨ2 −Ｓｉ（ＯＣＨ3） 3、ＣＦ3 （ＣＦ2）5 −ＣＨ2 ＣＨ2 −Ｓｉ（ＯＣＨ3） 3、ＣＦ3 （ＣＦ2）5 −ＣＨ2 ＣＨ2 −Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5）3 、ＣＦ3 （ＣＦ2） 7−ＣＨ2 ＣＨ2 −Ｓｉ（ＯＣＨ3） 3、ＣＦ3 （ＣＦ2）11−ＣＨ2 ＣＨ2 −Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5）3 、ＣＦ3 （ＣＦ2）3 −ＣＨ2 ＣＨ2 −Ｓｉ（ＣＨ3 ）（ＯＣＨ3） 2、ＣＦ3 （ＣＦ2） 7−ＣＨ2 ＣＨ2 −Ｓｉ（ＣＨ3 ）（ＯＣＨ3） 2、ＣＦ3 （ＣＦ2）8 −ＣＨ2 ＣＨ2 −Ｓｉ（ＣＨ3 ）（ＯＣ2 Ｈ5）2 、ＣＦ3 （ＣＦ2）8 −ＣＨ2 ＣＨ2 −Ｓｉ（Ｃ2 Ｈ5 ）（ＯＣ2 Ｈ5）2、ＣＦ3 Ｏ（ＣＦ2 Ｏ）6 −ＣＨ2 ＣＨ2 −Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5）3 、ＣＦ3 Ｏ（Ｃ3 Ｆ6 Ｏ）4 −ＣＨ2 ＣＨ2 −Ｓｉ（ＯＣＨ3） 3、ＣＦ3 Ｏ（Ｃ3 Ｆ6 Ｏ）2 （ＣＦ2 Ｏ）3 −ＣＨ2 ＣＨ2 −Ｓｉ（ＯＣＨ3） 3、ＣＦ3 Ｏ（Ｃ3 Ｆ6 Ｏ）8 −ＣＨ2 ＣＨ2 −Ｓｉ（ＯＣＨ3） 3、ＣＦ3 Ｏ（Ｃ4 Ｆ9 Ｏ）5 −ＣＨ2 ＣＨ2 −Ｓｉ（ＯＣＨ3） 3、ＣＦ3 Ｏ（Ｃ4 Ｆ9 Ｏ）5 −ＣＨ2 ＣＨ2 −Ｓｉ（ＣＨ3 ）（ＯＣ2 Ｈ5）2 、ＣＦ3 Ｏ（Ｃ3 Ｆ6 Ｏ）4 −ＣＨ2 ＣＨ2 −Ｓｉ（Ｃ2 Ｈ5）（ＯＣＨ3）2等が挙げられる。
【００２９】
また、界面活性剤を用いることもでき、例えば、ＣＦ3 −ＣＨ2 ＣＨ2 −ＣＯＯＮａ、ＣＦ3 （ＣＦ2）3 −ＣＨ2 ＣＨ2 −ＣＯＯＮａ、ＣＦ3 （ＣＦ2）5 −ＣＨ2 ＣＨ2 −ＮＨ３Ｂｒ、ＣＦ3 （ＣＦ2）5 −ＣＨ2 ＣＨ2 −ＮＨ３Ｂｒ、ＣＦ3 （ＣＦ2） 7−ＣＨ2 ＣＨ2 −ＮＨ３Ｂｒ、ＣＦ3 （ＣＦ2）11−ＣＨ2 ＣＨ2 −ＮＨ３Ｂｒ、ＣＦ3 （ＣＦ2）3 −ＣＨ2 ＣＨ2 −ＮＨ３Ｂｒ、ＣＦ3 （ＣＦ2） 7−ＣＨ2 ＣＨ2 −ＯＳＯ３Ｎａ、ＣＦ3 （ＣＦ2）8 −ＣＨ2 ＣＨ2 −ＯＳＯ３Ｎａ、ＣＦ3 （ＣＦ2）8 −ＣＨ2 ＣＨ2 −ＯＳＯ３Ｎａ、ＣＦ3 Ｏ（ＣＦ2 Ｏ）6 −ＣＨ2 ＣＨ2 −ＯＳＯ３Ｎａ、ＣＦ3 Ｏ（Ｃ3 Ｆ6 Ｏ）4 −ＣＨ2 ＣＨ2 −ＯＳＯ３Ｎａ、ＣＦ3 Ｏ（Ｃ3 Ｆ6 Ｏ）2 （ＣＦ2 Ｏ）3 −ＣＨ2 ＣＨ2 −ＯＳＯ３Ｎａ、ＣＦ3 Ｏ（Ｃ3 Ｆ6 Ｏ）8 −ＣＨ2 ＣＨ2 −ＯＳＯ３Ｎａ、ＣＦ3 Ｏ（Ｃ4 Ｆ9 Ｏ）5 −ＣＨ2 ＣＨ2 −ＯＳＯ３Ｎａ、ＣＦ3 Ｏ（Ｃ4 Ｆ9 Ｏ）5 −ＣＨ2 ＣＨ2 −ＯＳＯ３Ｎａ、ＣＦ3 Ｏ（Ｃ3 Ｆ6 Ｏ）4 −ＣＨ2 ＣＨ2 −ＯＳＯ３Ｎａ等が挙げられる
【００３０】
スタンプ台１１は、ガラス、金属、シリコンウエハ等で形成される板部材に、例えば、押出コーティング方法、スピンコーティング方法、グラビアコーティング方法、リバースロールコーティング方法、ロッドコーティング方法、スリットコーティング方法、マイクログラビアコーティング方法、ディップコーティング方法、インクジェットコーティング方法などを用いて、上述の撥液性材料を塗布することによって形成可能である。本実施形態においては、スリットコーティング方法を用いて、撥液性材料をシリコンウエハに塗布することによって、スタンプ台が形成される。
【００３１】
図３は、アライメント装置１０を説明するための模式図である。アライメント装置１０は、テープ基材Ｔに形成されているアライメントマーク７３を検出可能な複数の撮像装置１０Ａを有する。撮像装置１０Ａは、所定の位置に固定されている。撮像装置１０Ａのそれぞれは、撮像視野内に基準マーク２０を備えている。制御装置８は、アライメント装置１０の検出結果に基づいて、テープ基材Ｔを位置決めする。具体的には、制御装置８は、撮像装置１０Ａの基準マーク２０と、テープ基材Ｔのアライメントマーク７３とが合致するように、ステージ９によるテープ基材Ｔに対する保持を解除した状態で、撮像装置１０Ａでアライメントマーク７３を観察しつつ、搬送機構７を用いて、テープ基材ＴをＸ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向に動かす。本実施形態の搬送機構７は、テープ基材Ｔを支持する支持ローラ７Ｅ、繰り出しローラ７Ｃ、及び巻き取りローラ７Ｄのそれぞれを移動可能な駆動機構（不図示）を備えており、制御装置８は、それら各ローラの位置（姿勢）を調整することによって、それら各ローラに支持されているテープ基材Ｔの位置（姿勢）を調整可能である。そして、基準マーク２０とアライメントマーク７３と合致した後、制御装置８は、ステージ９によるテープ基材Ｔに対する保持を実行する。これにより、テープ基材Ｔは、第１処理機構３内において、基準マーク２０に対して所定の位置に位置決めされる。
【００３２】
図１に示すように、第２処理機構５は、テープ基材Ｔの表面と対向するように配置される吐出口１２が形成された吐出面を有する吐出ヘッド４と、テープ基材Ｔの裏面と対向するように配置される保持面１３Ａを有するステージ１３とを有する。ステージ１３は、第１処理機構３からのテープ基材Ｔの裏面の所定領域を吸着して保持する吸着機構１３Ｈを備える。吸着機構１３Ｈは、保持面１３Ａに形成され、気体を吸引可能な吸引口を含む。ステージ１３は、吸着機構１３Ｈを用いて、第２処理機構５に搬送されたテープ基材Ｔを一時的に吸着し、固定可能である。また、ステージ１３は、吸着したテープ基材Ｔの温度を調整するための温度調整機構１３Ｃを備えている。これにより、テープ基材Ｔに供給されたソルダーレジストを含むインクの粘度が調整される。
【００３３】
また、第２処理機構５は、テープ基材Ｔを位置決めするアライメント装置１４を備えている。アライメント装置１４は、テープ基材Ｔに形成されているアライメントマークを検出可能な複数の撮像装置１４Ａを有する。制御装置８は、アライメント装置１４の検出結果に基づいて、テープ基材Ｔを位置決めする。なお、アライメント装置１４を用いた位置決め動作は、図３を参照して説明したアライメント装置１０を用いた位置決め動作を同様であるため、説明を簡略する。アライメント装置１４により、テープ基材Ｔは、第２処理機構５内において、撮像装置１４Ａの基準マークに対して所定の位置に位置決めされる。
【００３４】
第２処理機構５は、テープ基材Ｔを位置決めして、吐出ヘッド４を用いてテープ基材Ｔの表面のうち、撥液性材料が転写された撥液性領域の領域外にソルダーレジストを供給する。以下の説明において、テープ基材Ｔの表面のうち、撥液性材料が転写された撥液性領域の領域外を適宜、非撥液性領域、と称する。
【００３５】
吐出ヘッド４は、ソルダーレジストを含む機能液（インク）を吐出可能である。第２処理機構５は、吐出ヘッド４より、撥液性材料が転写されていないテープ基材Ｔ上の非撥液性領域にソルダーレジストを含む機能液を供給して、配線パターンの少なくとも一部が形成されたテープ基材Ｔの所定領域にソルダーレジストパターンを形成する。
【００３６】
図４は、第２処理機構５に設けられている吐出ヘッド４の原理を説明するための模式図である。本実施形態の吐出ヘッド４は、ピエゾ方式の吐出ヘッド（インクジェットヘッド）であって、機能液を収容する液体室１５と、液体室１５に隣接するように設置されたピエゾ素子１６とを備えている。液体室１５には、機能液を収容する材料タンクを含む供給系１７を介して機能液が供給される。ピエゾ素子１６には、駆動回路１８が接続されており、この駆動回路１８よりピエゾ素子１６に駆動信号（電圧）が供給され、ピエゾ素子１６が変形する。ピエゾ素子１６が変形することにより、液体室１５が変形し、吐出口１２から機能液の滴が吐出される。
【００３７】
図５は、第２処理機構５に設けられている吐出ヘッド４の一例を示す模式図である。本実施形態においては、Ｙ軸方向に沿って複数の吐出口１２が配置されている。一例として、Ｙ軸方向に関する吐出口１２同士の間隔（ピッチ）は、３５μｍである。本実施形態においては、吐出ヘッド４を移動可能な不図示の駆動装置が設けられており、吐出口１２よりテープ基材Ｔに機能液を供給するとき、制御装置８は、ステージ１３に保持されたテープ基材Ｔに対して吐出ヘッド４をＸ軸方向に移動しつつ、機能液を供給する。これにより、テープ基材Ｔの表面の広い領域に機能液が一括して供給される。
【００３８】
ソルダーレジストとしては、例えば、日立化成工業株式会社製ＳＮ９０００を用いることができる。本実施形態においては、そのソルダーレジストを、溶媒であるγ−ブチルラクトンで溶解することによって、機能液が生成される。本実施形態においては、吐出ヘッド４から吐出可能なように、ソルダーレジストを含む機能液の粘度が２０ｃｐｓ以下、固形分濃度が７％以下になるように調整されている。
【００３９】
加熱機構６は、ソルダーレジストパターンが形成されたテープ基材Ｔを加熱して、ソルダーレジストパターンを乾燥する。また、本実施形態においては、製造装置１は、検査機構１９を備えており、その検査機構１９を用いて、少なくともソルダーレジストパターンの外観検査を行う。
【００４０】
図６は、製造装置１により製造された配線基板７０の一例を示す図である。配線基板７０は、テープ基材Ｔと、テープ基材Ｔ上に形成された配線パターン７２と、テープ基材Ｔ上に形成されたアライメントアーク７３と、配線パターン７２の少なくとも一部を含むテープ基材Ｔの所定領域に形成されたソルダーレジストパターン７４とを備えている。テープ基材Ｔの表面のうち、ソルダーレジストパターン７４が形成されていない領域には、ＩＣチップ７５及び各種電子部品７６が実装されている。ＩＣチップ７５及び電子部品７６は、ソルダーレジストパターン７４が形成されていない領域に配置されている配線パターン７２又はその配線パターン７２に接続されている接続端子と電気的に接続されている。
【００４１】
次に、上述の構成を有する製造装置１を用いて、配線基板７０を製造する方法の一例について、主にソルダーレジストパターン７４を形成する手順を中心に、図７のフローチャート図、及び図８の模式図を参照しながら説明する。以下の説明においては、簡単のため、図６に示す領域ＡＲにソルダーレジストパターン７４が形成される場合を例にして説明する。
【００４２】
ローダ７Ａから繰り出されるテープ基材Ｔの表面には、予め金属層（例えば銅）が形成されており、感光材の塗布処理、露光処理、及び現像処理等を含むフォトリソグラフィ処理によって、図８（Ａ）に示すように、テープ基材Ｔ上に、配線パターン７２及びアライメントマーク７３が形成される（ステップＳ１）。
【００４３】
なお、必要に応じて、ソルダーレジストパターン７４が形成されるテープ基材Ｔの表面を、純水等で洗浄し、乾燥処理を実行できる。また、紫外光（エキシマレーザ光）を照射したり、酸素を反応ガスとして用いるプラズマ処理（大気圧プラズマ処理）を実行したりして、ソルダーレジストパターン７４が形成されるテープ基材Ｔの表面を親液性にする処理を実行できる。
【００４４】
次に、配線パターン７２及びアライメントマーク７３が形成されたテープ基材Ｔが、ローダ７Ａから繰り出される（ステップＳ２）。そして、制御装置８は、図３を参照して説明したように、第１処理機構３において、アライメント装置１０及びアライメントマーク７３を用いて、テープ基材Ｔを位置決めする（ステップＳ３）。そして、制御装置８は、ステージ９でテープ基材Ｔを保持した状態で、図２を参照して説明したように、その位置決めされたテープ基材Ｔにスタンプ部材２を用いて撥液性領域を形成する（ステップＳ４）。図８（Ｂ）に示すように、テープ基材Ｔの表面には、スタンプ部材２のスタンプ面２Ａの形状（パターン）に応じた撥液性領域７７が形成される。本実施形態においては、複数の配線パターン７２に跨るように、撥液性領域７７が形成される。
【００４５】
形成しようとするソルダーレジストパターン７４の大きさ及び形状は、設計データより既知であり、制御装置８は、形成しようとするソルダーレジストパターン７４のエッジと隣接するように、撥液性領域７７を形成する。
【００４６】
本実施形態においては、弾性変形可能なスタンプ部材２がテープ基材Ｔの表面に押し付けられることによって、図９の模式図に示すように、スタンプ部材２の一部は、配線パターン７２同士の間に入り込み、配線パターン７２同士の間の領域にも撥液性材料が良好に行き渡る。すなわち、配線パターン７２のような凹凸構造があっても、その凹部の内部まで撥液性領域７７を良好に形成できる。このように、本実施形態においては、製造装置１は、テープ基材Ｔの配線パターン７２同士の間隙を含む領域に、スタンプ面２Ａを接触させて、撥液性材料を転写して、所定のパターンの撥液性領域を形成する。
【００４７】
次に、必要に応じて、スタンプ部材２によってテープ基材Ｔに転写された撥液性材料を含む機能液を不図示の乾燥機構を用いて乾燥した後、制御装置８は、搬送機構７を用いて、撥液性領域７７が形成されたテープ基材Ｔ（テープ基材Ｔの一部の領域）を、第２処理機構５に搬送する（ステップＳ５）。次に、制御装置８は、第２処理機構５において、アライメント装置１４及びアライメントマーク７３を用いて、撥液性領域７７が形成されたテープ基材Ｔを位置決めする（ステップＳ６）。そして、制御装置８は、ステージ１３でテープ基材Ｔを保持した状態で、図５を参照して説明したように、その位置決めされたテープ基材Ｔに吐出ヘッド４を用いてソルダーレジストパターン７４を形成する（ステップＳ７）。制御装置８は、テープ基材Ｔの撥液性材料が転写されていない非撥液領域７８に、吐出ヘッド４よりソルダーレジストを含む機能液を供給する。これにより、テープ基材Ｔ上には、所定のソルダーレジストパターン７４が形成される。
【００４８】
本実施形態においては、ステップＳ４において、配線パターン７２の上面はもちろん、配線パターン７２同士の間の領域にも、撥液性材料が十分に行き渡っており、配線パターン７２の上面はもちろん、配線パターン７２同士の間の領域も、十分な撥液性を有する。したがって、非撥液性領域７８に供給されたソルダーレジストの機能液が、ソルダーレジストパターン７４を形成しようとする領域の外側に流出してしまうことを抑制でき、領域ＡＲにおけるソルダーレジストパターン７４のエッジの形状を良好に規定できる。これにより、所望のソルダーレジストパターン７４を形成できる。
【００４９】
ソルダーレジストパターン７４が形成された後、制御装置８は、搬送機構７を用いて、ソルダーレジストパターン７４が形成されたテープ基材Ｔ（テープ基材Ｔの一部の領域）を、加熱機構６に搬送する（ステップＳ８）。次に、制御装置８は、加熱機構６において、ソルダーレジストパターン７４を加熱する（ステップＳ９）。これにより、ソルダーレジストパターン７４は乾燥され、テープ基材Ｔに密着する。その後、制御装置８は、搬送機構７のアンローダ７Ｂを用いて、ソルダーレジストパターン７４が形成されたテープ基材Ｔ（テープ基材Ｔの一部の領域）を巻き取る（ステップＳ１０）。その後、テープ基材Ｔのうち、ソルダーレジストパターン７４が設けられていない領域に、金（Ａｕ）等がメッキされた後、ＩＣチップ７５、電子部品７６等が接続される。以上により、所定のソルダーレジストパターン７４を備えた配線基板７０が形成される。
【００５０】
なお、本実施形態においては、図６に示す領域ＡＲにおけるソルダーレジストパターン７４のエッジの形状を良好に規定するために、所定のパターンを有したスタンプ部材２を用いて撥液性領域７７を所定の位置に形成する場合を例にして説明したが、例えばＩＣチップ７５を配置する領域にソルダーレジストパターン７４が流入するのを抑制したり、ＩＣチップ７５を配置する領域を形成するソルダーレジストパターン７４のエッジの形状を規定するための撥液性領域を形成する場合には、図１０（Ａ）に示すような枠状のパターンを有するスタンプ面２Ａ’を有するスタンプ部材２’が用いられる。これにより、図１０（Ｂ）に示すように、ＩＣチップ７５を配置するための領域を形成するソルダーレジストパターン７４のエッジの形状を良好に規定できる。よって、撥液性領域７７の内側に、撥液材料が塗布されていないため、ハンダペースト、アンダーフィラー剤などがはじかれることなく塗布できる。このように、テープ基材Ｔに接続されるＩＣチップ７５、電子部品７６の形状、大きさ等に応じたスタンプ部材を予め用意しておくことで、撥液性領域を効率良く形成できる。また、互いに異なる大きさ（長さ）のスタンプ面を有するスタンプ部材を複数用意しておき、形成しようとする撥液性領域に応じて、それら複数のスタンプ部材を組み合わせることによって、所望の撥液性領域を形成することができる。
【００５１】
なお、本実施形態においては、テープ基材Ｔの表面には、スタンプ部材２のスタンプ面２Ａの形状（パターン）に応じた撥液性領域７７が形成されるが、スタンプ面２Ａの形状（外形）を任意とし、例えばスタンプ面２Ａと接触可能なスタンプ台１１の面１１Ａの形状を所定のパターンにすることによっても、スタンプ面２Ａは、テープ基材Ｔに、撥液性材料を所定のパターンで塗布することができる。
【００５２】
以上説明したように、スタンプ部材２で撥液性領域７７を形成した後、液滴吐出法（インクジェット法）に基づいて、非撥液性領域７８にソルダーレジストを含む機能液を供給するので、異物の発生等を抑制しつつ、高い生産性で所望のソルダーレジストパターン７４を形成できる。弾性変形する弾性体を含むスタンプ部材２で撥液性材料を塗布することで、配線パターン７２同士の間の領域にも撥液性材料を良好に行き渡らせることができる。したがって、非撥液性領域７８に供給されたソルダーレジストの機能液が、例えば毛管現象等によって、ソルダーレジストパターン７４を形成しようとする領域の外側に流出してしまうことを抑制でき、所望のエッジ形状でソルダーレジストパターン７４を形成できる。また、非接触方式であるインクジェット法を用いてソルダーレジストパターン７４を形成するので、異物の発生を抑制でき、種々のソルダーレジストパターン７４を生産性良く形成できる。
【００５３】
ところで、本実施形態においては、例えば厚み２０μｍ程度のソルダーレジストパターン７４が液滴吐出法（インクジェット法）に基づいて形成される。インクジェット法においては、パターン（ソルダーレジストパターン）を形成しようとするパターン形成領域に対してビットマップデータを作成し、その作成したビットマップデータに応じて吐出ヘッド４による吐出動作が実行される。ビットマップデータは、形成しようとするパターン（ソルダーレジストパターン）の設計データに応じて設定されたパターン形成領域を、滴の大きさに応じた複数のピクセルでマトリクス状に区画し、それら複数のピクセルのうち、滴を吐出するピクセルの配列情報、及び／又は滴を吐出しないピクセルの配列情報である。以下、ビットマップデータの作成方法について説明する。
【００５４】
例えば、図１１において、パターン形成領域８０にソルダーレジストパターン７４を形成する場合について考える。本実施形態においては、吐出ヘッド４より機能液を円滑に吐出できるように、機能液の粘度、固形分濃度が十分に抑えられている。その場合、パターン形成領域８０を囲むように、スタンプ部材２を用いて撥液性領域７７を形成したとしても、配線パターン７２同士の間の毛管現象等によって、パターン形成領域８０の外側に、ソルダーレジストを含む機能液が流出する可能性が高くなる。なお、図１１には、配線パターン７２の図示は省略されている。
【００５５】
本実施形態においては、図１１に示すように、吐出ヘッド４の吐出口１２より吐出され、テープ基材Ｔ上に接触した後の機能液の滴の大きさ（所謂、着弾径）Ｄ２を考慮して、ビットマップデータが作成されている。すなわち、着弾後の滴のエッジとパターン形成領域８０のエッジとが合致するように、ビットマップデータが作成されている。ここで、着弾径Ｄ２は、吐出口１２から吐出され、テープ基材Ｔに接触する前の機能液の滴の大きさ（所謂、飛翔径）Ｄ１よりも大きい。
【００５６】
また、上述のように、本実施形態においては、吐出口１２よりテープ基材Ｔに機能液の滴を供給するとき、制御装置８は、ステージ１３に保持されたテープ基材Ｔに対して吐出ヘッド４をＸ軸方向に移動しつつ、機能液の滴を供給する。すなわち、テープ基材Ｔに対して吐出ヘッド４をＸ軸方向に走査しながら、テープ基材Ｔに機能液の滴が供給される。本実施形態においては、ビットマップデータは、Ｙ軸方向に関する吐出口１２同士の間隔（ノズルピッチ）Ｙｐ、機能液の固形分濃度Ｎ、１つの滴の量（体積）Ｖ、及びソルダーレジストパターン７４の目標膜厚Ｈ等に応じて、ビットマップデータのＸ軸方向のピッチ（吐出ピッチ）Ｘｐが設定される。すなわち、スキャン方向（Ｘ軸方向）に関するパターン形成領域８０内における滴の吐出数が設定される。制御装置８は、ノズルピッチＹｐ、機能液の固形分濃度Ｎ、１つの滴の量（体積）Ｖ、及びソルダーレジストパターン７４の目標膜厚Ｈに応じて、吐出ピッチＸｐを自動的に計算する。一例として、制御装置８は、以下の式に基づいて、吐出ピッチＸｐを算出する。
Ｘｐ＝Ｖ／（Ｈ／Ｎ）×Ｙｐ
なお、制御装置８は、パターン形成領域８０の大きさ、及びスキャン回数を加味して吐出ピッチＸｐを算出してもよい。
【００５７】
＜第２実施形態＞
次に、第２実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
【００５８】
図１２は、第２実施形態に係る製造方法の一例を説明するための模式図である。本実施形態に係るソルダーレジストパターン７４’には、フィラー（酸化物ナノ粒子）が添加される。フィラーとしては、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２等が挙げられる。なお、フィラーとしては、ＳｉＮ、ＴｉＮであってもよい。
【００５９】
本実施形態においては、ソルダーレジストパターン７４’を形成するために、図１２（Ａ）に示すように、吐出ヘッド４１より、第１液体とフィラーとを混合した混合液がテープ基材Ｔの撥液性領域の領域外に供給される。これにより、テープ基材Ｔ上には、混合液からなる層５１が形成される。本実施形態においては、混合液は、γ−ブチルラクトン等、第１液体とＳｉＯ２とを混合したものである。固形分濃度は２％である。
【００６０】
次いで、図１２（Ｂ）に示すように、ソルダーレジストを含む機能液が、吐出ヘッド４２より、テープ基材Ｔの混合液が供給された領域に供給される。これにより、層５１上には、機能液からなる層５２が形成される。機能液は、第１液体とは異なる第２液体とソルダーレジストとを混合したものである。ここで、第１液体の沸点は第２液体の沸点よりも低い。
【００６１】
その後、加熱機構６を用いて、混合液及び機能液が供給されたテープ基材Ｔを加熱する。これにより、図１２（Ｃ）に示すように、第１液体を含む混合液と第２液体を含む機能液との間で対流が生じ、ソルダーレジストとフィラーとが、テープ基材Ｔ上で混合される。これにより、均一に分散されたフィラーを含むソルダーレジストパターン７４’が形成される。例えば、ソルダーレジストパターン７４’に難燃性を付与したい場合においてフィラーを添加するとき、ソルダーレジストとフィラーとを均一に混ぜ合わせることができる。
【００６２】
なお、ここでは、フィラーと混合される第１液体の沸点が、ソルダーレジストと混合される第２液体の沸点よりも低い場合を例にして説明したが、フィラーと混合される第１液体の沸点が、ソルダーレジストと混合される第２液体の沸点よりも高くてもよい。また、ここでは、フィラーと混合される第１液体をテープ基材に供給した後、ソルダーレジストと混合される第２液体を供給しているが、ソルダーレジストと混合される第２液体を基材に供給した後、フィラーと混合される第１液体を供給してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１】第１実施形態に係る製造装置の一例を示す図である。
【図２】第１処理機構の一例を示す図である。
【図３】アライメント装置の一例を示す図である。
【図４】吐出ヘッドの一例を示す図である。
【図５】第２処理機構の一例を示す図である。
【図６】配線基板の一例を示す図である。
【図７】第１実施形態に係る製造方法の一例を示すフローチャート図である。
【図８】第１実施形態に係る製造方法の一例を示す模式図である。
【図９】スタンプ部材の動作の一例を示す模式図である。
【図１０】スタンプ部材の動作の一例を示す模式図である。
【図１１】ビットマップデータの一例を示す図である。
【図１２】第２実施形態に係る製造方法の一例を示す模式図である。
【符号の説明】
【００６４】
１…製造装置、２…スタンプ部材、２Ａ…スタンプ面、３…第１処理機構、４…吐出ヘッド、５…第２処理機構、６…加熱機構、７…搬送機構、７０…配線基板、７２…配線パターン、７３…アライメントマーク、７４…ソルダーレジストパターン、７５…ＩＣチップ、７６…電子部品、７７…撥液性領域、７８…非撥液性領域、Ｔ…テープ基材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
2008226947.tif 000010
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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