(57)【要約】【課題】パッケージ用の樹脂漏れを防止するためのテープを、リードフレームから自動で剥がす。【解決手段】半導体チップが搭載される主面とテープＰＴが貼り付けられる裏面とを有するフレーム材からなるリードフレームＬＦが、半導体チップが搭載される搭載部ＤＰおよびその近傍の複数のリードＬＤと、フレーム材の縁から切り欠けられた切り欠き部ＣＰとを有する。この切り欠き部ＣＰ内を通って爪状の治具を移動させて、リードフレームＬＦの主面側から裏面側へテープＰＴの一部を剥がした後、剥離テープでテープＰＴ全部を剥がす。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップが搭載される主面と、前記主面とは反対の裏面とを有する板状のフレーム材からなるリードフレームであって、
前記半導体チップが搭載される搭載部と、
前記搭載部近傍の複数のリードと、
前記フレーム材の縁から切り欠けられた切り欠き部とが設けられていることを特徴とするリードフレーム。
【請求項２】
以下の工程を含む半導体装置の製造方法：
（ａ）半導体チップが搭載される主面と、前記主面とは反対の裏面とを有する板状のフレーム材からなり、
前記半導体チップが搭載される搭載部および前記搭載部近傍の複数のリードと、
前記搭載部および前記複数のリードより外側であって前記フレーム材の外周側に前記主面側から前記裏面側まで貫通する穴部と、
前記フレーム材の縁から切り欠けられた切り欠き部とが設けられているリードフレームを準備する工程、
（ｂ）前記穴部を塞がず、前記切り欠き部に掛かるように前記リードフレームの前記裏面にテープを貼り付ける工程、
（ｃ）前記穴部を位置決めに利用し、前記搭載部に前記半導体チップを搭載する工程、
（ｄ）前記半導体チップおよび前記複数のリードを覆うように、前記リードフレームの前記主面側から樹脂封止する工程、
（ｅ）前記切り欠き部側から前記テープを剥がす工程。
【請求項３】
前記工程（ｅ）は以下の工程を含む請求項２記載の半導体装置の製造方法：
（ｅ１１）前記切り欠き部内を前記主面側から前記裏面側へ治具を移動させることによって、前記テープの一部を剥がす工程、
（ｅ１２）前記工程（ｅ１１）の後、前記治具を前記リードフレームの外周側から中心側へ移動させることによって、前記テープの一部を剥がす工程、
（ｅ１３）前記工程（ｅ１２）の後、前記治具を前記リードフレームの縁に沿って移動させることによって、前記テープの一部を剥がす工程、
（ｅ１４）前記工程（ｅ１３）の後、前記切り欠き部側から前記テープの全部を剥がす工程。
【請求項４】
前記工程（ｅ）は以下の工程を含む請求項２記載の半導体装置の製造方法：
（ｅ２１）前記リードフレームの前記裏面から前記テープを剥離できる吸着力を有する剥離テープを前記切り欠き部側の前記テープに貼り付ける工程、
（ｅ２２）前記工程（ｅ２１）の後、前記リードフレームを移動させることによって、前記切り欠き部側から前記テープの全部を剥がす工程。
【請求項５】
前記工程（ｅ）は以下の工程を含む請求項２記載の半導体装置の製造方法：
（ｅ３１）前記切り欠き部内を前記主面側から前記裏面側へ治具を移動させることによって、前記テープの一部を剥がす工程、
（ｅ３２）前記工程（ｅ３１）の後、前記治具を前記リードフレームの外周側から中心側へ移動させることによって、前記テープの一部を剥がす工程、
（ｅ３３）前記工程（ｅ３２）の後、前記治具を前記リードフレームの縁に沿って移動させることによって、前記テープの一部を剥がす工程、
（ｅ３４）前記工程（ｅ３３）の後、前記リードフレームの前記裏面から前記テープを剥離できる吸着力を有する剥離テープを前記切り欠き部側の前記テープに貼り付ける工程、
（ｅ３５）前記工程（ｅ３４）の後、前記リードフレームを移動させることによって、前記テープの全部を剥がすように、前記剥離テープと共に前記テープを巻き取る工程。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リードフレームおよび半導体装置の製造技術に関し、特に、半導体チップが搭載されるリードフレームの主面側から樹脂封止する半導体装置の製造に適用して有効な技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＬＳＩ（Large Scale Integration）は、小型化、薄膜化の要求のために、例えば、ＬＳＩのベアチップと同程度のサイズにまで小型化したＣＳＰ（Chip Scale Package）を適用している。このＣＳＰは、リードフレームの主面上に複数の半導体チップを搭載し、ワイヤボンディングなどでリードフレームと半導体チップとを電気的に接続し、半導体チップを樹脂（レジン）によって封止（モールド、パッケージング）した後、半導体チップ間を切り離し、個片化してなるものである。
【０００３】
なお、本発明者らは、発明した結果に基づき、樹脂封止時において半導体装置の端子部分への樹脂漏れを防止するためのテープを、樹脂封止後に自動に剥がす観点で先行技術調査を行った。その結果、半導体ウエハの裏面からテープを自動に剥がす特開２００３−２０９０８２号公報（特許文献１）が抽出された。特許文献１は、バックグラインド時の半導体ウエハの主面（表面）を保護したテープを剥がすことについて記載されているが、パッケージ用の樹脂漏れを防止するためのテープを剥がすことについての記載はない。
【特許文献１】特開２００３−２０９０８２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
平面板状のフレーム材の片面（主面）側から樹脂封止（モールド）し、ダイシングによって個別化されるようなダイシングパッケージ品の半導体装置は、主面側が樹脂（レジン）で覆われ、主面と反対の裏面側に端子が存在するものである。樹脂封止時においては、裏面側の端子に樹脂が周り込まないように、フレーム材の裏面にポリミドからなるテープを貼り付けた状態で行われる。
【０００５】
このテープはダイシングによって個別化される前にフレーム材から剥がされることとなるが、本発明者はこのようなダイシングパッケージ品に用いられるテープを剥がす方法について検討を行っている。図１０および図１１には本発明者が検討した製造工程の一例が模式的に示されている。
【０００６】
図１０に示すように、リードフレームＬＦの主面側から樹脂封止した後、ダイシングパッケージ品をクランプなどに固定し、リードフレームＬＦの裏面に貼り付けられたテープＰＴの端に作業者が自身の爪を引っかけて剥がす手作業の方法が考えられる。しかしながら、手作業によるテープＰＴの剥がしは、リードフレームＬＦの曲がり、キズ、樹脂損失など品質に問題が生じる。また、作業者により行うため人件費などのコストがかかる問題もある。さらに、作業者によってはテープＰＴを剥がすための時間がかかり、ＴＡＴ（Turn Around Time）が増加してしまう問題もある。
【０００７】
また、図１１に示すように、半導体ウエハＳＷのバックグラインド後に、バックグラインド時に損傷を与えないためのテープＰＴを剥離テープＴＰに貼り付け、半導体ウエハＳＷからテープＰＴを剥がす方法を、ダイシングパッケージ品に利用することが考えられる。バックグラインド時の半導体ウエハＳＷの面圧は例えば２ｋｇ／ｃｍ２程度である。一方、ダイシングパッケージ品においては、裏面側の端子に樹脂が周り込まないように粘着力が強いテープがリードフレームＬＦに貼り付けられており、樹脂封止時の面圧も高いものと考えられる。樹脂封止工程でリードフレームＬＦの構造からフレーム外枠を押さえてしまうとエアー逃げが遮断されてボイド不良が発生するため、リードフレームＬＦを押さえずに圧力をかけて樹脂封止されるからである。
【０００８】
このため、図１０に示したようなリードフレームＬＦからテープＰＴを剥がす際に、図１１に示したようなに工程を利用しても、テープＰＴの粘着力が強く、剥がすことが困難な場合がある。
【０００９】
本発明の目的は、パッケージ用の樹脂漏れを防止するためのテープを、リードフレームから自動で剥がすことにある。
【００１０】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
【００１２】
本発明の一実施の形態は、半導体チップが搭載される主面と、その主面とは反対の裏面とを有する平面板状のフレーム材からなるリードフレームが、半導体チップが搭載される搭載部およびその近傍の複数のリードと、搭載部および複数のリードより外側であってフレーム材の外周側に主面側から裏面側まで貫通する穴部と、フレーム材の縁から切り欠けられた切り欠き部とを有するものである。
【００１３】
また、本発明の一実施の形態は、前記リードフレームを用いた半導体装置の製造方法において、切り欠き部に掛かるようにリードフレームの裏面にテープを貼り付け、穴部を位置決めに利用して搭載部に半導体チップを搭載した後、半導体チップおよび複数のリードを覆うようにリードフレームの主面側から樹脂封止し、切り欠き部側からテープを剥がすものである。
【発明の効果】
【００１４】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。
【００１５】
この一実施の形態によれば、リードフレームの切り欠き部を利用してテープの初期剥がしを行うものであり、テープの自動剥がし化を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【００１７】
まず、本発明の実施の形態におけるリードフレームＬＦについて説明する。図１は本実施の形態におけるリードフレームＬＦを模式的に示す平面図であり、図２は図１の要部拡大図である。なお、図１では、図２に示すようなリードＬＤは省略されている。
【００１８】
本実施の形態におけるリードフレームＬＦは、半導体チップが搭載される主面と、主面とは反対の裏面とを有する平面板状（薄い金属製の板）のフレーム材からなるものである。図１では、リードフレームＬＦの主面を示しているが、裏面も同様の構造となっている。フレーム材としては、例えばＣｕ（銅）やＣｕを主成分とした金属などが挙げられる。図１に示すような形状とするには、エッチング加工やプレス加工が行われる。
【００１９】
このリードフレームＬＦには、半導体チップが搭載される搭載部ＤＰおよび搭載部ＤＰ近傍の複数のリードＬＤが設けられている。平面矩形状の搭載部ＤＰの各辺にリードＬＤの端部が沿うように、複数のリードＬＤが搭載部ＤＰの近傍に設けられている。これら搭載部ＤＰおよび複数のリードＬＤはマトリクス状に配置されてマップを構成している。
【００２０】
搭載部ＤＰの主面、すなわちリードフレームＬＦの主面に半導体チップが搭載される。また、搭載部ＤＰ近傍の複数のリードＬＤの主面、すなわちリードフレームＬＦの主面に半導体チップと電気的に接続するためのワイヤがボンディングされる。なお、搭載部ＤＰの裏面およびリードＬＤの裏面は樹脂封止されて個片化したパッケージ状態において、外部と電気的に接続するための端子となる。
【００２１】
また、リードフレームＬＦには、搭載部ＤＰおよびリードＬＤより外側であって外周側に主面側から裏面側まで貫通する穴部ＨＰが設けられている。この穴部ＨＰは本実施の形態におけるリードフレームＬＦを半導体装置の製造に用いた場合、例えば半導体チップを搭載部ＤＰに搭載するときの位置決めの印となるためのものである。
【００２２】
さらに、リードフレームＬＦには、縁から切り欠けられた切り欠き部ＣＰが設けられている。図１に示すように、平面形状が矩形状のリードフレームＬＦの場合、その一辺に切り欠き部ＣＰが設けられている。すなわち、フレーム材がない領域（空間）が存在する。
【００２３】
また、図２のハッチングが付されている部分がパッケージされた半導体装置においては例えば搭載部ＤＰおよびリードＬＤに必要な部分であり、ハッチングが付されていない部分は主面側から裏面側へリードフレームＬＦが貫通するようにフレーム材がない部分である。例えば搭載部ＤＰとリードＬＤとの間の隙間（空間）、リードＬＤ間の隙間（空間）としてフレーム材がない部分である。
【００２４】
この切り欠き部ＣＰは本実施の形態におけるリードフレームＬＦを半導体装置の製造に用いた場合、切り欠き部ＣＰ内においてリードフレームＬＦの主面側から裏面側へ爪状の治具を移動させて、リードフレームＬＦの裏面に貼り付けられたテープＰＴを剥がしやすくするためのものである。この点については後の半導体装置の製造方法においても説明する。
【００２５】
切り欠き部ＣＰは、図１では３つ設けられているが、少なくとも１つ以上あれば良い。また、図１では切り欠き部ＣＰの形状が矩形状の場合について示されているが、これに限らず、切り欠き部ＣＰの形状は、例えば図３に示すように円形状や、図４に示すように、三角形状であっても良い。すなわち、切り欠き部ＣＰ内においてリードフレームＬＦの主面側から裏面側へ爪状の治具を移動させて、リードフレームＬＦの裏面に貼り付けられたテープを剥がしやすくするために、フレーム材がない領域（空間）があれば良い。
【００２６】
このようにリードフレームＬＦを構成するフレーム材の縁に切り欠き部ＣＰを設けることによって、リードフレームＬＦの裏面に貼り付けられたテープを剥がしやすくすることができる。
【００２７】
次に、本発明の実施の形態における半導体装置の製造方法について説明する。図５〜図９の（ａ）は製造工程における半導体装置を模式的に示す斜視図であり、（ｂ）は（ａ）の断面図である。なお、図中には、ＸＹＺ座標が示されている。
【００２８】
まず、図１に示したリードフレームＬＦを準備した後、平面板状のフレーム材の外周側に設けられた穴部ＨＰを塞がず、切り欠き部ＣＰに掛かる（覆う）ようにリードフレームＬＦの裏面にテープＰＴを貼り付ける。図１では、リードフレームＬＦの裏面にテープＰＴが貼り付けられる領域を破線で示している。なお、図１では、テープＰＴが切り欠き部ＣＰの一部に掛かるように貼り付けられることとなるが、穴部ＨＰを塞がなければ切り欠き部ＣＰの全体に掛かるように貼り付けても良い。
【００２９】
また、リードフレームＬＦの裏面に貼り付けられたテープＰＴによって、図２で示したフレーム材がない部分、例えば搭載部ＤＰとリードＬＤとの間の隙間（空間）が塞がれることとなる。テープＰＴは、リードフレームＬＦからテープＰＴが後の樹脂封止工程の際に、少なくとも流し込まれる樹脂の圧力によっても剥がれない粘着力を有しているものである。本実施の形態においてテープＰＴはポリミドテープを用いている。樹脂封止工程での金型温度が１８０℃前後となるため、２２０℃程度まで耐えることのできるポリミドテープを用いている。
【００３０】
続いて、穴部ＨＰを位置決めに利用し、半導体チップＣＨを搭載部ＤＰにダイボンディング（搭載）した後、半導体チップＣＨとリードＬＤとを電気的に接続するワイヤＢＷをワイヤボンディングする（図５参照）。
【００３１】
続いて、半導体チップＣＨおよび複数のリードＬＤを覆うように、リードフレームＬＦの主面側から樹脂封止（モールド）することによって、リードフレームＬＦの主面上に樹脂ＲＮを形成する（図５参照）。
【００３２】
このときリードフレームＬＦの主面側から流し込まれる樹脂ＲＮは例えば搭載部ＤＰとリードＬＤとの間の隙間（空間）などフレーム材がない部分（図２参照）を埋め込むように充填される。リードフレームＬＦの裏面にはテープＰＴが貼り付けられているため、樹脂ＲＮはリードフレームＬＦの裏面、具体的には端子となる搭載部ＤＰの裏面およびリードＬＤの裏面には周り込まない。これは樹脂封止する圧力よりもリードフレームＬＦとテープＰＴとの粘着力が大きいからである。すなわち、テープＰＴは、少なくとも流し込まれる樹脂の圧力によっても剥がれない粘着力を有している。
【００３３】
続いて、図５に示すように、リードフレームＬＦの主面側を下にしてリードフレームＬＦを吸着ステージＡＳに搭載し、樹脂ＲＮを真空吸着ＶＡしながらフレームクランパＦＣと吸着ステージＡＳとによってリードフレームＬＦを固定する。このとき吸着ステージＡＳに設けられ、空間を有する凹み部ＴＨとそれに対応したリードフレームＬＦの切り欠き部ＣＰとが重なるようにリードフレームＬＦを固定する。これにより切り欠き部ＣＰに掛かるように貼り付けられたテープＰＴ下には、切り欠き部ＣＰおよび凹み部ＴＨによって空間が設けられていることとなる。なお、本実施の形態では、吸着ステージＡＳの凹み部ＴＨを１つ設けた場合について説明するが、凹み部ＴＨが複数あっても良い。例えば図５（ａ）において３つの切り欠き部ＣＰが設けられているリードフレームＬＦのそれぞれに対応した３つの凹み部ＴＨを設けても良い。
【００３４】
フレームクランパＦＣは、テープＰＴが貼り付けられていないリードフレームＬＦの裏面側から固定するものである。なお、リードフレームＬＦの裏面にテープＰＴを貼り付ける工程では、穴部ＨＰを塞がないようにテープＰＴを貼り付けたが、フレームクランパＦＣでリードフレームＬＦを固定する際には、テープＰＴを挟んで固定しなければ穴部ＨＰが塞がれていても良い。テープＰＴを後の工程でリードフレームＬＦから剥がすためである。
【００３５】
続いて、図６に示すように、凹み部ＴＨおよび切り欠き部ＣＰ内を通って爪状の治具ＮＴを移動させて（方向Ｍ１）、リードフレームＬＦの主面側から裏面側へテープＰＴの一部を剥がした後、治具ＮＴをリードフレームＬＦの外周側から中心側へ例えば数ｍｍ程度移動させて（方向Ｍ２）、よりテープＰＴの一部をリードフレームＬＦから剥がす。図６にはテープＰＴが剥がれた領域Ｐ１が示されている。
【００３６】
続いて、図７に示すように、治具ＮＴをリードフレームＬＦの縁に沿って左右に移動させて（方向Ｍ３）、よりテープＰＴの一部を剥がす。図７にはテープＰＴが剥がれた領域Ｐ２が示されている。このように治具ＮＴによってリードフレームＬＦからテープＰＴの一部を剥がす初期剥がしが行われる。
【００３７】
続いて、図８に示すように、リードフレームＬＦの裏面からテープＰＴを剥離できる粘着力を有する剥離テープＴＰを切り欠き部ＣＰ側のテープＰＴに貼り付ける（粘着させる）。具体的には、剥離テープＴＰを押さえローラＨＲによって押さえながら移動させて（方向Ｍ４）、テープＰＴが初期剥がしされた部分（図７の領域Ｐ２）、すなわちリードフレームＬＦの裏面から剥がれている切り欠き部ＣＰ側のテープＰＴに貼り付ける。なお、剥離テープＴＰが押さえローラＨＲから離れないようにするためにガイドローラＧＲが設けられている。
【００３８】
本実施の形態で用いられるテープＰＴを剥離できる剥離テープＴＰの粘着力は、リードフレームＬＦの裏面に貼り付くテープＰＴの粘着力より大きいものである。具体的に、テープＰＴと剥離テープＴＰの粘着力の差について説明する。貼り付けられる対象物をステンレス板とし、幅を同一（３３ｍｍ）としたテープＰＴ、剥離テープＴＰをステンレス板の平面から４５°の角度で剥がしたときのそれぞれの荷重を、バネ計りを用いて測定した。テープＰＴの剥がれ荷重が約２００ｇであるのに対し、剥離テープＴＰの剥がれ荷重は約１０００ｇである。このことから剥離テープＴＰの粘着力をテープＰＴの粘着力より大きいものとすることで、剥離テープＴＰがリードフレームＬＦの裏面からテープＰＴを剥離できる。
【００３９】
続いて、図９に示すように、リードフレームＬＦを搭載している吸着ステージＡＳを移動させて（方向Ｍ５）、切り欠き部ＣＰ側からテープＰＴの全部を剥がすように、巻き取りリールＲＲによって剥離テープＴＰと共にテープＰＴを巻き取る（方向Ｍ６）。本実施の形態では、剥離テープＴＰがテープＰＴに貼り付けられてからテープＰＴがリードフレームＬＦから剥がれるまで、４〜５秒程度となるようにしている。
【００４０】
このように剥がし終えたテープＰＴは剥離テープＴＰに粘着し、この状態で巻き取られる。また、リードフレームＬＦの裏面側では搭載部ＤＰの裏面およびリードＬＤの裏面、すなわち端子が露出することとなる。
【００４１】
なお、治具ＮＴを用いたテープＰＴの初期剥がしを行わず、切り欠き部ＣＰに掛かるテープＰＴから図８および図９で示した工程により、テープＰＴを剥がすこともできる。切り欠き部ＣＰによってリードフレームＬＦの裏面にテープＰＴが張り付いていない、すなわち剥がした状態とみなすことができるからである。その際は複数の切り欠き部ＣＰを設けることが望ましい。
【００４２】
続いて、樹脂ＲＮをキュアベークした後、テープＰＴを剥がしたことによって露出した搭載部ＤＰの裏面およびリードＬＤの裏面、すなわち端子をメッキする。次いで、複数の半導体チップＣＨが搭載されているリードフレームＬＦをダイシングして、それぞれを個片化することによって半導体装置が略完成する。
【００４３】
本実施の形態における半導体装置の製造方法では、リードフレームＬＦの切り欠き部ＣＰを利用してテープＰＴの初期剥がしを行うものであり、容易にリードフレームＬＦからテープＰＴを剥がすことができる。このため、テープＰＴの自動剥がし化を実現することができる。また、本発明者が検討したように作業者の手作業によるテープＰＴ剥がしに対して、よりＴＡＴを短縮することができる。また、作業者によるいわゆるヒューマンエラーをなくすことができる。また、ＴＡＴの短縮により半導体装置の製造コストも低減することができる。また、剥がし終えたテープＰＴを剥離テープＴＰに貼り付けながら巻き取ることで、テープＰＴを迅速に処分することができる。
【００４４】
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【００４５】
例えば、前記実施の形態では、リードフレームを用いた半導体装置に適用した場合について説明したが、平面板状のフレーム材の片面側から樹脂封止し、ダイシングによって個別化されるようなダイシングパッケージ品の半導体装置に適用することができる。フレーム材として例えばガラエポ基板を用いることができる。
【産業上の利用可能性】
【００４６】
本発明は、半導体装置、特に、平面板状のフレーム材の片面側から樹脂封止し、ダイシングによって個別化されるようなダイシングパッケージ品の半導体装置の製造業に幅広く利用されるものである。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】本発明の実施の形態におけるリードフレームの一例を模式的に示す平面図である。
【図２】図１に示すリードフレームの要部拡大図である。
【図３】本実施の形態におけるリードフレームの他の一例を模式的に示す平面図である。
【図４】本実施の形態におけるリードフレームの他の一例を模式的に示す平面図である。
【図５】（ａ）は本発明の実施の形態における製造工程中の半導体装置を模式的に示す斜視図であり、（ｂ）は（ａ）の断面図である。
【図６】（ａ）は図５に続く製造工程中の半導体装置を模式的に示す斜視図であり、（ｂ）は（ａ）の断面図である。
【図７】（ａ）は図６に続く製造工程中の半導体装置を模式的に示す斜視図であり、（ｂ）は（ａ）の断面図である。
【図８】（ａ）は図７に続く製造工程中の半導体装置を模式的に示す斜視図であり、（ｂ）は（ａ）の断面図である。
【図９】（ａ）は図８に続く製造工程中の半導体装置を模式的に示す斜視図であり、（ｂ）は（ａ）の断面図である。
【図１０】本発明者が検討した製造工程の他の一例を示す説明図である。
【図１１】本発明者が検討した製造工程の他の一例を示す説明図である。
【符号の説明】
【００４８】
ＡＳ  吸着ステージ
ＢＷ  ワイヤ
ＣＨ  半導体チップ
ＣＰ  切り欠き部
ＤＰ  搭載部
ＦＣ  フレームクランパ
ＧＲ  ガイドローラ
ＨＰ  穴部
ＨＲ  押さえローラ
ＬＤ  リード
ＬＦ  リードフレーム
Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３、Ｍ４  方向
ＮＴ  治具
Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３  領域
ＰＴ  テープ
ＲＮ  樹脂
ＲＲ  巻き取りリール
ＳＷ  半導体ウエハ
ＴＨ  凹み部
ＴＰ  剥離テープ
ＶＡ  真空吸着
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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