(57)【要約】【課題】電圧定在波比を小さくし、減衰量を小さくする高周波同軸ケーブルを提供する。【解決手段】内部導体２の外周に、内部充実層３、発泡樹脂絶縁層４、外部充実層５、外部導体６を順に設けた高周波同軸ケーブル１において、上記外部充実層５は、２ＧＨｚでの誘電正接の値が１．０×１０-4以下である。【選択図】図１
2008027899.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部導体の外周に、内部充実層、発泡樹脂絶縁層、外部充実層、外部導体を順に設けた高周波同軸ケーブルにおいて、上記外部充実層は、２ＧＨｚでの誘電正接の値が１．０×１０-4以下であることを特徴とする高周波同軸ケーブル。
【請求項２】
上記外部充実層は、厚さが０．１〜０．２ｍｍであることを特徴とする請求項１記載の高周波同軸ケーブル。
【請求項３】
上記外部充実層は、高密度ポリエチレンからなることを特徴とする請求項１又は２記載の高周波同軸ケーブル。
【請求項４】
上記外部充実層を成形する材料は、密度が０．９６０ｇ／ｃｍ3以上であり、メルトフローレートが５〜１０ｇ／分であることを特徴とする請求項１〜３いずれか記載の高周波同軸ケーブル。
【請求項５】
上記外部充実層を成形する材料は、内径２．０９５ｍｍ、長さ８．０３ｍｍのフラットキャピラリを用い、１９０℃でピストンスピード１０ｍｍ／ｍｉｎ、引取加速度４００ｍ／ｍｉｎ2の条件で、炉体径が９．５５ｍｍのキャピラリーレオメータを用いて測定した溶融破断張力が１０〜５０ｍＮであることを特徴とする請求項１〜４いずれか記載の高周波同軸ケーブル。
【請求項６】
上記発泡樹脂絶縁層は、主材料である樹脂１００重量部当たりに発泡核剤として、４、４’−オキシビスベンゼンスルホニルヒドラジッド（ＯＢＳＨ）あるいはアゾジカルボンアミド（ＡＤＣＡ）を０．００１〜０．２重量部添加するか、又は、両者を合計で０．００１〜０．２重量部添加したものであることを特徴とする請求項１〜５いずれか記載の高周波同軸ケーブル。
【請求項７】
上記発泡樹脂絶縁層は、窒素、炭酸ガス等の不活性ガス単独あるいは混合ガスを発泡剤として使用したものであることを特徴とする請求項１〜６いずれか記載の高周波同軸ケーブル。
【請求項８】
上記発泡樹脂絶縁層の発泡度は７０％以上であることを特徴とする請求項１〜７いずれか記載の高周波同軸ケーブル。
【請求項９】
上記内部充実層が、低密度ポリエチレンと、該低密度ポリエチレンよりも密度が低く、かつ無水マレイン酸でグラフト共重合された超低密度ポリエチレンとを混合してなることを特徴とする請求項１〜８いずれか記載の高周波同軸ケーブル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電圧定在波比を小さくし、減衰量を小さくする高周波同軸ケーブルに関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話の回線中継のための移動体通信施設やテレビの回線中継のためのマイクロ波通信施設で用いられる高周波同軸ケーブル４１は、図４（ａ）、図４（ｂ）に示されるように、内部導体４２と外部導体４６との間に、内部充実層４３、発泡樹脂絶縁層４４、外部充実層４５の３層からなる絶縁層４７を有し、外部導体４６の外周に外皮４８を有する。
【０００３】
この高周波同軸ケーブル４１は、通信速度と通信容量の向上を目的として、使用周波数が高くなる傾向にある。これに伴い、減衰量（信号減衰量のこと）を小さくすることが要求されるようになった。同軸ケーブルの減衰量は、導体径に起因する導体損失と、絶縁層４７の材料に起因する誘電体損失とを足した値である。導体損失は高周波同軸ケーブル４１の形状で決定されるため、変更できない。そこで、誘電体損失を小さくすることで減衰量を小さくする。
【０００４】
誘電体損失は、（１）式のような関係で示される。
【０００５】
誘電体損失∝√ε×ｔａｎδ×ｆ           （１）
εは誘電率
ｔａｎδは誘電正接
ｆは周波数
つまり、誘電体損失は誘電正接に比例し、かつ周波数に比例する。従って、使用周波数が高い高周波同軸ケーブル４１においては誘電正接を小さくすることが重要となる。
【０００６】
発泡樹脂絶縁層４４の材料としてポリエチレンを考えると、低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥ）よりも高密度ポリエチレン（ＨＤＰＥ）の方が誘電正接が小さい。これは、高密度ポリエチレンの分子構造中に側鎖が少ないことが原因である。このため、発泡樹脂絶縁層４４の主材料として高密度ポリエチレンが使用されることが多い。
【０００７】
しかし、高密度ポリエチレンは側鎖が少ないために、分子同士の絡み合いが小さくなって、溶融張力（ＭＴ）が小さくなる。そのため、発泡樹脂絶縁層４４内の気泡が独立せず、気泡同士が繋がって連続気泡になりやすい。
【０００８】
発泡樹脂絶縁層４４は押出機により押出成型される。押出機を出た発泡樹脂絶縁層４４は、水槽内の冷却水で冷却・固化される。このとき、発泡樹脂絶縁層４４の表面にできた気泡内に水が浸入し、この水が連続気泡を通って発泡樹脂絶縁層４４内に浸入し、高周波同軸ケーブルの電気特性が悪化する。
【０００９】
そこで、図４の高周波同軸ケーブル４１では、発泡樹脂絶縁層４４の外周に外部充実層４５を設けることで水の浸入を防止している。
【００１０】
外部充実層４５の材料には、発泡樹脂絶縁層４４を押さえ込むために、溶融張力が大きい材料として、低密度ポリエチレンや高分子量で密度が０．９５g／ｃｍ3以下の高密度ポリエチレンが用いられる。
【００１１】
しかし、低密度ポリエチレンや密度が０．９５ｇ／ｃｍ3以下の高密度ポリエチレンは、高周波での誘電正接が大きいため、これらを外部充実層４５に用いると、誘電体損失が大きくなって高周波同軸ケーブル４１の減衰量が大きくなる。
【００１２】
また、内部充実層４３がない場合、発泡樹脂絶縁層が発泡するときに発泡剤が排出されるが、このガスが導体側に逃げる。更に発泡樹脂絶縁層は発泡するとき外側に向けて拡径していくため、導体と発泡樹脂絶縁層との間に隙間を発生させるため、ケーブルの電圧定在波比が悪化する。
【００１３】
例えば、特許文献１では、内部充実層が無く、外部充実層の厚さを０．３ｍｍ以下、外部充実層の材料の溶融張力を６〜２０ｇ、発泡樹脂絶縁層の発泡度を７８％以上としている。そして、発泡剤である不活性ガスのガス抜けや異常発泡（巣状の巨大気泡ができる）を防止すること、発泡度を高くすること、高周波同軸ケーブルの減衰量を小さくすることを目的として、外部充実層の材料に弾性の大きい低密度ポリエチレンを用いている。
【００１４】
しかし、低密度ポリエチレンは、高密度ポリエチレンに比較して誘電正接が大きいため、発泡度を高くしても誘電体損失が小さくならず、高周波同軸ケーブルの減衰量を小さくすることができない。また、内部充実層が無いためケーブルの電圧定在波比が悪化してしまう。更には外部充実層の厚さを０．２ｍｍ以上とした場合、外部導体が外部充実層が硬いため充分に食い込ませることが出来なくなる。
【００１５】
【特許文献１】特開２００５−３０２４１２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
前述したように、従来の高周波同軸ケーブル４１は、減衰量を小さくするという要求に対して内部充実層４３、外部充実層４５をどのようにするかが課題である。
【００１７】
また、外部充実層４５には発泡樹脂絶縁層への浸水防止という本来の機能があるので、減衰量を小さくする場合も、浸水防止を維持しなければならない。
【００１８】
さらに、外部充実層４５は押出成型されるので、外観を良く仕上げるために材料の成形性が良くなければならないし、厚さを調整し易くなければならない。
【００１９】
また、内部充実層４３には内部導体と発泡樹脂絶縁層との間に隙間を発生させないよう内部導体、発泡樹脂絶縁層とを接着する必要がある。
【００２０】
また、電圧定在波比は、高周波同軸ケーブルに電流を流したときの誤差を意味する。この誤差は、連続気泡の発生や水の浸入により発生する。よって、高周波同軸ケーブルの特性向上を図るためには、連続気泡の発生や水の浸入を防止して電圧定在波比を小さくする必要がある。
【００２１】
そこで、本発明の目的は、上記課題を解決し、電圧定在波比を小さくし、減衰量を小さくする高周波同軸ケーブルを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２２】
上記目的を達成するために本発明は、内部導体の外周に、内部充実層、発泡樹脂絶縁層、外部充実層、外部導体を順に設けた高周波同軸ケーブルにおいて、上記外部充実層は、２ＧＨｚでの誘電正接の値が１．０×１０-4以下であるものである。
【００２３】
上記外部充実層は、厚さが０．１〜０．２ｍｍであってもよい。
【００２４】
上記外部充実層は、高密度ポリエチレンからなってもよい。
【００２５】
上記外部充実層を成形する材料は、密度が０．９６０ｇ／ｃｍ3以上であり、メルトフローレートが５〜１０ｇ／分であってもよい。
【００２６】
上記外部充実層を成形する材料は、内径２．０９５ｍｍ、長さ８．０３ｍｍのフラットキャピラリを用い、１９０℃でピストンスピード１０ｍｍ／ｍｉｎ、引取加速度４００ｍ／ｍｉｎ2の条件で、炉体径が９．５５ｍｍのキャピラリーレオメータを用いて測定した溶融破断張力が１０〜５０ｍＮであってもよい。
【００２７】
上記発泡樹脂絶縁層は、主材料である樹脂１００重量部当たりに発泡核剤として、４、４’−オキシビスベンゼンスルホニルヒドラジッド（ＯＢＳＨ）あるいはアゾジカルボンアミド（ＡＤＣＡ）を０．００１〜０．２重量部添加するか、又は、両者を合計で０．００１〜０．２重量部添加したものであってもよい。
【００２８】
上記発泡樹脂絶縁層は、窒素、炭酸ガス等の不活性ガス単独あるいは混合ガスを発泡剤として使用したものであってもよい。
【００２９】
上記発泡樹脂絶縁層の発泡度は７０％以上であってもよい。
【００３０】
内部充実層の樹脂組成物としては低密度ポリエチレンと該低密度ポリエチレンより密度が低く、かつ、無水マレイン酸でグラフト共重合した超低密度ポリエチレンとを混合したものであってもよい。また、上記無水マレイン酸でグラフト共重合した超低密度ポリエチレンは、超低密度ポリエチレンに無水マレイン酸を０．５〜５％の割合でグラフト共重合させたものであってもよい。また、好ましくは、上記内部充実層は、密度が０．９２０ｇ／ｃｍ3以下の超低密度ポリエチレン５〜５０重量部に対し、密度が０．９２５〜０．９３０ｇ／ｃｍ3の低密度ポリエチレンを９５〜５０重量部の割合で配合してなる。
【発明の効果】
【００３１】
本発明は、減衰量を小さくすることができるという優れた効果を発揮する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
以下、本発明の一実施形態を図１に基づいて詳述する。
【００３３】
本発明の高周波同軸ケーブル１は、内部導体２の外周に、内部充実層３、発泡樹脂絶縁層４、外部充実層５、外部導体６を順に設けた高周波同軸ケーブル１において、上記外部充実層５は、空洞共振器摂動法により測定した２ＧＨｚでの誘電正接の値が１．０×１０-4以下であるものである。内部充実層３、発泡樹脂絶縁層４、外部充実層５を絶縁層７と言う。外部導体６の外周に外皮８が設けられる。
【００３４】
内部導体２は、銅パイプを用いて構成される。
【００３５】
外部導体６は、銅コルゲートを用いてリング状に形成される。
【００３６】
外部充実層５の誘電正接は、空洞共振器摂動法により測定するとよい。
【００３７】
外部充実層５は、厚さが０．１〜０．２ｍｍである。
【００３８】
外部充実層５は、高密度ポリエチレンからなる。
【００３９】
外部充実層５を成形する材料は、密度が０．９６０ｇ／ｃｍ3以上であり、メルトフローレートが５〜１０ｇ／分である。メルトフローレートは、ＪＩＳ  Ｋ７２１０に基づいて、１９０℃、２１．８Ｎの荷重で測定する。
【００４０】
外部充実層５を成形する材料は、内径２．０９５ｍｍ、長さ８．０３ｍｍのフラットキャピラリを用い、１９０℃でピストンスピード１０ｍｍ／ｍｉｎ、引取加速度４００ｍ／ｍｉｎ2の条件で、炉体径が９．５５ｍｍのキャピラリーレオメータを用いて測定した溶融破断張力が１０〜５０ｍＮである。
【００４１】
発泡樹脂絶縁層４は、発泡樹脂絶縁層４の主材料である樹脂１００重量部当たりに発泡核剤として、４、４’−オキシビスベンゼンスルホニルヒドラジッド（ＯＢＳＨ）あるいはアゾジカルボンアミド（ＡＤＣＡ）を０．００１〜０．２重量部添加するか、又は、両者を合計で０．００１〜０．２重量部添加したものである。
【００４２】
発泡樹脂絶縁層４は、窒素、炭酸ガス等の不活性ガス単独あるいは混合ガスを発泡剤として使用したものである。
【００４３】
発泡樹脂絶縁層４の発泡度は７０％以上である。発泡樹脂絶縁層４の発泡度は、（２）式により求める。
【００４４】
発泡度（％）＝１００
−（発泡後の比重／発泡前の比重）×１００
（２）
発泡後の比重、発泡前の比重は、例えば、東洋精機製自動比重計Ｄ−Ｈ−１００を用い、ＪＩＳ  Ｚ８８０７に従って測定するとよい。
【００４５】
次に、本発明の高周波同軸ケーブル１の製造装置を説明する。
【００４６】
図２は、本発明の高周波同軸ケーブル１の製造装置から外部導体６及び外皮８を設ける部分を省いたものである。
【００４７】
図２に示されるように、高周波同軸ケーブル１の製造装置は、発泡コンパウンドと不活性ガスの混練を行う第一押出機２１と、その混練物を発泡に適した温度まで下げる第二押出機２２と、第一押出機２１に不活性ガスを注入するガス注入装置２３と、第一押出機２１に発泡コンパウンドを投入するホッパ２４と、内部充実層３までが形成された中間製品に対して発泡樹脂絶縁層４を形成する押出ヘッド２５と、外部充実層５までが形成された中間製品を冷却する冷却水槽２６と、内部導体２に対して内部充実層３を形成する内部充実層押出機２７と、押出ヘッド２５に一体的に組み込まれ発泡樹脂絶縁層４と同時に外部充実層５を形成する外部充実層押出機２８と、内部導体２を送り出す送出機２９と、内部導体２を引き延ばす延伸機３０と、高周波同軸ケーブル１を巻き取る巻取機３１を備える。
【００４８】
図２の製造装置よりも前工程において、発泡核剤を低密度ポリエチレンに練り込んで核剤マスターバッチを製造し、その核剤マスターバッチを低密度ポリエチレンと高密度ポリエチレンの混和物に添加し、ドライブレンドして発泡コンパウンドを製造する。発泡コンパウンドは、１００重量部の樹脂に対して０．００５重量部の発泡核剤を含むものとなる。しかし、いきなり１００重量部の樹脂に対して０．００５重量部という希薄な比率で発泡核剤を混ぜ込むことはせずに、いったん発泡核剤の比率が発泡コンパウンドにおける比率の１０〜１００倍となる核剤マスターバッチを製造してから、この核剤マスターバッチを別の樹脂に添加して発泡コンパウンドを得る。
【００４９】
この発泡コンパウンドをホッパ２４より第一押出機２１に投入する。ガス注入装置２３から第一押出機２１に不活性ガスを注入し、第一押出機２１で混練を行う。第二押出機２２では、その混練物を発泡に適した温度まで下げていく。
【００５０】
一方、内部充実層押出機２７では、内部導体２に対して内部充実層３を形成し、その中間製品を押出ヘッド２５に供給する。
【００５１】
押出ヘッド２５及び外部充実層押出機２８では、φ９．０ｍｍの内部導体２にあらかじめ内部充実層３を被覆しておき、この被覆をした内部導体２に対し、発泡樹脂絶縁層４、外部充実層５を同時に押し出し被覆する。外部充実層押出機２８に投入する外部充実層５の材料としては、ＨＤＰＥ６９４４Ｎ（表１参照）がある。
【００５２】
冷却水槽２６では、外部充実層５までが形成された中間製品を冷却する。冷却された中間製品に対して周知・慣用の方法で外部導体６及び外皮８を設けると、高周波同軸ケーブル１が製造できる。製造された高周波同軸ケーブル１は、一般に多く使用され、減衰量の値が最も大きい２０Ｄアニューラを取り付けて高周波同軸ケーブル１を製造する。アニューラとは図１（ｂ）に示すアニューラリング９のことであり、２０はアニューラリング９の内径、Ｄはインピーダンス５０Ωを表す。複数のアニューラリング９により外部導体６が形成される。
【００５３】
次に、本発明の高周波同軸ケーブル１の作用効果を述べる。
【００５４】
外部充実層５は、当該高周波同軸ケーブル１の使用周波数である２ＧＨｚでの誘電正接の値が１．０×１０-4以下という小さい値である。従って、この高周波同軸ケーブル１の誘電体損失が小さく、減衰量が小さい。
【００５５】
外部充実層５の厚さは、水の浸入を防止できる最低限の厚さが０．１ｍｍであるから、として０．１ｍｍ以上であることが好ましい。これにより、この高周波同軸ケーブル１は水の浸入を防止できる。一方、外部充実層５の厚さが０．２ｍｍを超えると、発泡樹脂絶縁層４の発泡度が低下し、更には外部導体６が充分に外部充実層５に食い込ませることが出来ない。よって、外部充実層５の厚さは０．２ｍｍ以下であることが好ましい。
【００５６】
外部充実層５は、高密度ポリエチレンからなる。
【００５７】
外部充実層５を成形する材料である高密度ポリエチレンは、密度が０．９６０ｇ／ｃｍ3以上であり、メルトフローレートが５〜１０ｇ／分である。０．９６０ｇ／ｃｍ3以上の高密度ポリエチレンは、０．９５ｇ／ｃｍ3以下の高密度ポリエチレンに比べて溶融張力は小さくなるものの、優れた電気特性を得ることができると共に、成形性が良く、より外観の良好な高周波同軸ケーブル１が製造可能となる。
【００５８】
外部充実層５を成形する材料である高密度ポリエチレンは、内径２．０９５ｍｍ、長さ８．０３ｍｍのフラットキャピラリを用い、１９０℃でピストンスピード１０ｍｍ／ｍｉｎ、引取加速度４００ｍ／ｍｉｎ2の条件で、炉体径が９．５５ｍｍのキャピラリーレオメータを用いて測定した溶融破断張力が１０〜５０ｍＮである。この溶融破断張力は１〜５ｇに相当する。このような、高密度ポリエチレンは、外部充実層５の厚さの調整を容易にする。
【００５９】
発泡樹脂絶縁層４は、発泡樹脂絶縁層４の主材料である樹脂１００重量部当たりに発泡核剤として、ＯＢＳＨあるいはＡＤＣＡを０．００１〜０．２重量部添加するか、又は、両者を合計で０．００１〜０．２重量部添加した。添加量が０．００１重量部未満であると、核剤効果が得られないが、本発明は添加量を０．００１重量部以上としたのでので、核剤効果が得られる。また、添加量が０．２重量部を超えると、誘電正接ｔａｎδが大きくなるが、本発明は添加量を０．２重量部以下としたので、誘電正接ｔａｎδが大きくならない。
【００６０】
発泡樹脂絶縁層４は、窒素、炭酸ガス等の不活性ガス単独あるいは混合ガスを発泡剤として使用した。発泡には、化学発泡と物理発泡とがある。化学発泡は分解ガスで発泡するため、分解残渣が残り、この分解残渣が高周波同軸ケーブルの電気特性の悪化を招く。物理発泡には、フロンガスによる発泡、炭化水素ガスによる発泡、不活性ガスによる発泡があるが、フロンガスは環境保護の点から使用不可であり、炭化水素ガスは引火性があるので好ましくなく、不活性ガスを用いるのが最良の発泡方法である。
【００６１】
発泡樹脂絶縁層４の発泡度を７０％以上とした。これにより、誘電率の低下、誘電正接ｔａｎの低下という効果がある。
【００６２】
図３は、本発明の高周波同軸ケーブル１の製造装置の別の形態を示すものである。
【００６３】
図３に示されるように、高周波同軸ケーブル１の製造装置は、発泡樹脂絶縁層４を押し出すための第二押出機３１と、第二押出機３１の押出ヘッドである第二押出機ヘッド３２と、その第二押出機ヘッド３２に取り付けられた内部充実層３を押し出すための内部充実層押出機３３と、同様に第二押出機ヘッド３２に取り付けられた外部充実層５を押し出すための外部充実層押出機３４とを備える。
【００６４】
この製造装置では、内部導体２を第二押出機ヘッド３２に送り込み、第二押出機ヘッド３２で内部充実層３と発泡樹脂絶縁層４と外部充実層５とを同時に押し出して絶縁層７を一括に成型する。
【実施例】
【００６５】
【表１】
2008027899.tif 000003
【００６６】
表１に示すように、実施例１〜５と比較例１〜５を製造し、試験を行った。発泡樹脂絶縁層４に使用した材料は、ＨＤＰＥの６９４４Ｎと、ＬＤＰＥのＢ０２８と、発泡核剤のＡＤＣＡである。外部充実層５に使用した材料は、いずれもＨＤＰＥの６９４４Ｎ、２５００、２０７０、１３０Ｊ、２１０ＪＺ、２３２Ｊである。各材料のメーカ名は欄外に記す。各材料の特性は、外部充実層の特性の欄に記す。
【００６７】
実施例１〜５と比較例１〜５のいずれも図２の製造装置を用い、下記の製造方法で製造したが、実施例１〜５は本発明の条件を全て満足し、比較例１〜５は本発明の条件を部分的に満足しない。
【００６８】
発泡核剤を低密度ポリエチレンに発泡コンパウンドにおける発泡核剤の濃度の１０〜１００倍に練り込み、核剤マスターバッチを製造した。この核剤マスターバッチを低密度ポリエチレンと高密度ポリエチレンの混和物に発泡核剤の濃度が０．００５重量部となるように添加し、ドライブレンドして発泡コンパウンドを製造した。
【００６９】
この発泡コンパウンドをホッパ２４より第一押出機２１に投入した。ガス注入装置２３から第一押出機２１に不活性ガスを注入し、第一押出機２１で混練を行う。第二押出機２２では、その混練物を発泡に適した温度まで下げていった。
【００７０】
一方、内部充実層押出機２７では、内部導体２に対して内部充実層３を形成し、その中間製品を押出ヘッド２５に供給した。
【００７１】
押出ヘッド２５及び外部充実層押出機２８では、φ９．０ｍｍの内部導体２にあらかじめ内部充実層３を被覆しておき、この被覆をした内部導体２に対し、発泡樹脂絶縁層４、外部充実層５を同時に押し出し被覆した。
【００７２】
製造した高周波同軸ケーブルは、減衰量の値が最も大きい２０Ｄアニューラを取り付けて高周波同軸ケーブル１を製造した。
【００７３】
実施例１〜５、比較例１〜５の各高周波同軸ケーブルについて、減衰量と電圧定在波比（ＶＳＷＲ）を測定し、評価した。測定には、アジレント社製、スカラネットワークアナライザ８７５７Ｄを用い、２．２ＧＨｚでの減衰量が６．５ｄＢ／１００ｍ未満であれば合格とし、ＶＳＷＲは１．１以下であれば合格とした。
【００７４】
発泡樹脂絶縁層４の発泡度は、（２）式により求めた。
【００７５】
メルトフローレートは、ＪＩＳ  Ｋ７２１０に基づいて、１９０℃、２１．８Ｎの荷重で測定した。
【００７６】
評価結果を説明する。
【００７７】
実施例１〜５は、外部充実層５の２ＧＨｚでの誘電正接ｔａｎδの値が１．０×１０-４以下で、厚さが０．１〜０．２ｍｍである。実施例１〜５は、減衰量もＶＳＷＲも合格である。また、水の浸入がないことも確認できた。
【００７８】
比較例１は、外部充実層５の厚さが０．１ｍｍ未満の０．０５ｍｍである。比較例１は、発泡樹脂絶縁層４内に水が浸入し、また、発泡剤（ガス）抜けによって気泡が粗大化し、発泡度が７４％と低下してしまい、その結果、減衰量が不合格である。
【００７９】
比較例２は、外部充実層５の厚さが０．２ｍｍを超える。比較例２は、発泡樹脂絶縁層４の発泡度が低下したことにより、減衰量が不合格である。また、外部充実層５が厚いため、充分に外部導体を食い込ませることが出来ない。
【００８０】
比較例３は、外部充実層５を成形する材料の密度が０．９６０ｇ／ｃｍ3未満である。このために、比較例３は、誘電正接の値が１．０×１０-４を超えてしまい、減衰量が不合格である。
【００８１】
比較例４は、外部充実層５の厚さが０．１ｍｍ未満である。比較例４は、発泡樹脂絶縁層４内に水が浸入し、その結果、減衰量が不合格である。
【００８２】
比較例５は、外部充実層５の厚さが０．２ｍｍを超える。比較例５は、発泡樹脂絶縁層４の発泡度が低下したことにより、減衰量が不合格である。また、外部充実層５が厚いため、充分に外部導体６を食い込ませることが出来ない。
【００８３】
比較例６は、内部充実層がない場合である。内部充実層が無いため内部導体２と発泡樹脂絶縁層４との間に隙間が発生し、ＶＳＷＲが不合格であり、また発泡剤である不活性ガスが内部導体側に漏れるため高発泡化ができず、減衰量も不合格である。
【図面の簡単な説明】
【００８４】
【図１】本発明の一実施形態を示す高周波同軸ケーブルの図であり、（ａ）は断面図、（ｂ）は端末部側面部である。
【図２】本発明の高周波同軸ケーブルを製造する製造装置の要部構成図である。
【図３】本発明の高周波同軸ケーブルを製造する製造装置の要部構成図である。
【図４】従来の高周波同軸ケーブルの図であり、（ａ）は断面図、（ｂ）は端末部側面部である。
【符号の説明】
【００８５】
１  高周波同軸ケーブル
２  内部導体
３  内部充実層
４  発泡樹脂絶縁層
５  外部充実層
６  外部導体
７  絶縁層
【図１】
2008027899.tif 000004
【図２】
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【図３】
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【図４】
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