(57)【要約】【課題】接合深さが浅く、結晶欠陥がない極浅接合を形成する。【解決手段】不純物（イオン）が注入された表層部が溶融しない条件で表層部の単位領域あたりのレーザ光の総照射時間が１μ秒〜９９９μ秒の範囲内で且つ照射回数が所定回数以下となるようにパルスレーザ光６のパルス幅及び半導体基板１の移動速度を制御して、表層部にパルスレーザ光６を照射する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の不純物としてのイオンが注入されている表層部にレーザ光を照射してアニールするレーザアニール方法であって、
連続レーザ発振器から連続レーザ光を発振し、該連続レーザ光を変調器によりパルスレーザ光に変調し、前記半導体基板の表面にパルスレーザ光が走査されるように前記半導体基板を移動させ、前記表層部が溶融しない条件で前記表層部の単位領域あたりのレーザ光の総照射時間が１μ秒〜９９９μ秒の範囲内で且つ照射回数が所定回数以下となるように前記パルスレーザ光のパルス幅及び前記半導体基板の移動速度を制御して、前記表層部に前記パルスレーザ光を照射する、ことを特徴とするレーザアニール方法。
【請求項２】
前記変調器は、音響光学素子、電気光学素子もしくは磁気光学素子を用いたもの、又は機械的にレーザ光の通過と遮断を切り替える高速シャッターである請求項１記載のレーザアニール方法。
【請求項３】
半導体基板の不純物としてのイオンが注入されている表層部にレーザ光を照射してアニールするレーザアニール方法であって、
半導体レーザからパルスレーザ光を発振し、前記半導体基板の表面にパルスレーザ光が走査されるように前記半導体基板を移動させ、前記表層部が溶融しない条件で前記表層部の単位領域あたりのレーザ光の総照射時間が１μ秒〜９９９μ秒の範囲内で且つ照射回数が所定回数以下となるように前記パルスレーザ光のパルス幅及び前記半導体基板の移動速度を制御して、前記表層部に前記パルスレーザ光を照射する、ことを特徴とするレーザアニール方法。
【請求項４】
半導体基板の不純物としてのイオンが注入されている表層部にレーザ光を照射してアニールするレーザアニール装置であって、
連続レーザ光を発振する連続レーザ発振器と、
該連続レーザ発振器からのレーザ光を前記半導体基板の表面に集光させるビーム整形器と、
前記連続レーザ光をパルスレーザ光に変調する変調器と、
前記半導体基板の表面に前記パルスレーザ光が走査されるように前記半導体基板を移動させる搬送ステージと、を備え、
前記表層部が溶融しない条件で前記表層部の単位領域あたりのレーザ光の総照射時間が１μ秒〜９９９μ秒の範囲内で且つ照射回数が所定回数以下となるように前記パルスレーザ光のパルス幅及び前記半導体基板の移動速度を制御して、前記表層部に前記パルスレーザ光を照射する、ことを特徴とするレーザアニール装置。
【請求項５】
前記変調器は、音響光学素子、電気光学素子もしくは磁気光学素子を用いたもの、又は機械的にレーザ光の通過と遮断を切り替える高速シャッターである請求項４記載のレーザアニール装置。
【請求項６】
半導体基板の不純物としてのイオンが注入されている表層部にレーザ光を照射してアニールするレーザアニール装置であって、
パルスレーザ光を発振する半導体レーザと、
該半導体レーザからのパルスレーザ光を前記半導体基板の表面に集光させるビーム整形器と、
前記半導体基板の表面に前記パルスレーザ光が走査されるように前記半導体基板を移動させる搬送ステージと、を備え、
前記表層部が溶融しない条件で前記表層部の単位領域あたりのレーザ光の総照射時間が１μ秒〜９９９μ秒の範囲内で且つ照射回数が所定回数以下となるように前記パルスレーザ光のパルス幅及び前記半導体基板の移動速度を制御して、前記表層部に前記パルスレーザ光を照射する、ことを特徴とするレーザアニール装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レーザアニール方法及びレーザアニール装置に関し、より詳しくは、ＭＯＳ電界効果トランジスタの極浅接合の形成に有効な技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＭＯＳ電界効果トランジスタ（以下、ＭＯＳＦＥＴという）において、ソース・ドレイン領域に隣接し、基板表面からの深さが浅い不純物拡散領域は、極浅接合（又はエクステンション領域）と呼ばれている。極浅接合は、ＦＥＴ作動時に高い電界が発生することによるゲートの劣化現象を防ぐ役割を果たす。
【０００３】
ＭＯＳＦＥＴの極浅接合を形成するには、シリコンウエハにヒ素（Ａｓ）イオン、リン（Ｐ）イオン、ボロン（Ｂ）イオンなどの不純物を注入する不純物注入工程と、不純物を電気的に活性化するとともに不純物注入によって生じた結晶欠陥を除去するための熱処理工程が必要となる。後者の熱処理工程は、通常、活性化アニールと呼ばれる。従来の活性化アニールでは、ハロゲンランプを用いたアニール方法が採用されていた。なお、上記「結晶欠陥の除去」は、「結晶性の回復」と言い換えることもできる。
【０００４】
近年、ＭＯＳＦＥＴの微細化による半導体集積回路の高集積化に伴い、ＭＯＳＦＥＴの極浅接合への要求は厳しくなっている。このため、上述したハロゲンランプを用いたアニール方法では、アニール時間（加熱時間）が数秒と長いため、不純物が深い領域まで拡散するという問題がある。
【０００５】
このような問題に鑑み、キセノンフラッシュランプや、パルスレーザを用いたアニール方法が開発された（後者の方式に関し、下記特許文献１参照）。前者はミリ秒、後者はナノ秒のアニール時間を実現することができる。しかしながら、テクノロジーノード４５ｎｍ以下の超微細ＭＯＳＦＥＴを実用化するためには、低抵抗、かつ接合深さ２０ｎｍを下回る極浅接合を形成する技術が求められており、このような超微細ＭＯＳＦＥＴにおいては、ミリ秒のアニール時間では不純物が深い領域まで拡散してしまうという問題がある。
【０００６】
一方、パルスレーザを用いたアニール方法では、ナノ秒のパルス幅（１パルス分のレーザ光の照射時間）を調整することが困難であり、レーザ照射時間が短いために、不純物注入時に生じた結晶欠陥の除去に必要なアニール時間が得られないという問題がある。また、また、結晶欠陥の除去に必要なアニール時間を得るために、総照射時間がマイクロ秒となるように重畳してパルスレーザを照射することも考えられるが、ナノ秒オーダーのパルスレーザ光の総照射時間をマイクロ秒オーダーとするためには、１０００〜１００，０００回程度の照射回数が必要となる。同位置にパルスレーザ光を照射すると、パルス間隔が短いために前回の照射による加熱の影響が残り、照射を重ねる毎に被照射部位の初期温度が上昇するため、同位置に上記回数の照射を行なうと、常に一定エネルギーのレーザ光を照射しても、蓄熱の効果によってアニール温度が上昇しすぎてシリコンが溶融する可能性があり、良好なアニール効果が望めない。
【０００７】
また、以上の問題を受け、近年、連続発振レーザを用いてマイクロ秒のアニール時間を得る方式の研究がなされているが、本方式でも以下の問題がある。
レーザアニールにおいては、通常、レーザ照射位置を固定し、基板を移動させることによりレーザを走査するが、マイクロ秒のアニール時間を得るために非常に高速（例えば数ｍ／ｓ）で基板を搬送することは現状では困難である。
また、下記特許文献２では、基板の位置を固定し、レーザの照射位置を高速で移動させることにより、レーザを高速で走査する技術が提案されているが、レンズの精度、走査光学系の問題に起因して、レーザを走査した際にレーザの形状が変化するために、精度良く、均一にアニール処理されない問題がある。
【０００８】
【特許文献１】特開２００５−１０１１９６号公報
【特許文献２】特表２００６−５０５９５３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、接合深さが浅く、結晶欠陥がない極浅接合を形成することができるレーザアニール方法及びレーザアニール装置を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するために、本発明のレーザアニール方法およびレーザアニール装置は、以下の手段を採用する。
（１）本発明は、半導体基板の不純物としてのイオンが注入されている表層部にレーザ光を照射してアニールするレーザアニール方法であって、連続レーザ発振器から連続レーザ光を発振し、該連続レーザ光を変調器によりパルスレーザ光に変調し、前記半導体基板の表面にパルスレーザ光が走査されるように前記半導体基板を移動させ、前記表層部が溶融しない条件で前記表層部の単位領域あたりのレーザ光の総照射時間が１μ秒〜９９９μ秒の範囲内で且つ照射回数が所定回数以下となるように前記パルスレーザ光のパルス幅及び前記半導体基板の移動速度を制御して、前記表層部に前記パルスレーザ光を照射する、ことを特徴とする。
【００１１】
（２）また、本発明は、半導体基板の不純物としてのイオンが注入されている表層部にレーザ光を照射してアニールするレーザアニール装置であって、連続レーザ光を発振する連続レーザ発振器と、該連続レーザ発振器からのレーザ光を前記半導体基板の表面に集光させるビーム整形器と、前記連続レーザ光をパルスレーザ光に変調する変調器と、前記半導体基板の表面に前記パルスレーザ光が走査されるように前記半導体基板を移動させる搬送ステージと、を備え、前記表層部が溶融しない条件で前記表層部の単位領域あたりのレーザ光の総照射時間が１μ秒〜９９９μ秒の範囲内で且つ照射回数が所定回数以下となるように前記パルスレーザ光のパルス幅及び前記半導体基板の移動速度を制御して、前記表層部に前記パルスレーザ光を照射する、ことを特徴とする。
【００１２】
上記本発明のレーザアニール方法及び装置によれば、半導体基板を移動させながら、不純物（イオン）が注入されている表層部が溶融しない条件で表層部の単位領域あたりのレーザ光の総照射時間が１μ秒〜９９９μ秒の範囲内となるようにパルス幅及び半導体基板の移動速度を制御して、表層部にパルスレーザ光を照射するので、フラッシュランプや単にパルスレーザを用いた従来の方法では実現できなかったマイクロ秒のアニール時間を実現できる。したがって、不純物を深い領域まで拡散させることなく、不純物注入時に生じた結晶欠陥を除去するのに十分な程度のアニール時間を確保することができるので、接合深さが浅く、結晶欠陥がない極浅接合を形成することができる。
また、単位領域あたりの照射回数が所定回数以下となるようにパルス幅及び半導体基板の移動速度を制御して、表層部にパルスレーザ光を照射するので、蓄熱の効果を抑制し、温度の上がり過ぎを回避することができる。
また、半導体基板を移動させることにより、半導体基板の表面にレーザ光を走査するので、上記特許文献２の技術において必要とされる、製作が困難な走査光学系を用いることなく、従来用いられてきた基板ステージをそのまま適用することができる。
【００１３】
（３）また、上記本発明のレーザアニール方法及び装置において、前記変調器は、音響光学素子、電気光学素子もしくは磁気光学素子を用いたもの、又は機械的にレーザ光の通過と遮断を切り替える高速シャッターであることを特徴とする。
【００１４】
上記に列挙した変調器により、連続レーザ光を所望のパルス幅のパルスレーザ光に変調することができる。
【００１５】
（４）また、本発明は、半導体基板の不純物としてのイオンが注入されている表層部にレーザ光を照射してアニールするレーザアニール方法であって、半導体レーザからパルスレーザ光を発振し、前記半導体基板の表面にパルスレーザ光が走査されるように前記半導体基板を移動させ、前記表層部が溶融しない条件で前記表層部の単位領域あたりのレーザ光の総照射時間が１μ秒〜９９９μ秒の範囲内で且つ照射回数が所定回数以下となるように前記パルスレーザ光のパルス幅及び前記半導体基板の移動速度を制御して、前記表層部に前記パルスレーザ光を照射する、ことを特徴とする。
【００１６】
（５）また、本発明は、半導体基板の不純物としてのイオンが注入されている表層部にレーザ光を照射してアニールするレーザアニール装置であって、パルスレーザ光を発振する半導体レーザと、該半導体レーザからのパルスレーザ光を前記半導体基板の表面に集光させるビーム整形器と、前記半導体基板の表面に前記パルスレーザ光が走査されるように前記半導体基板を移動させる搬送ステージと、を備え、前記表層部が溶融しない条件で前記表層部の単位領域あたりのレーザ光の総照射時間が１μ秒〜９９９μ秒の範囲内で且つ照射回数が所定回数以下となるように前記パルスレーザ光のパルス幅及び前記半導体基板の移動速度を制御して、前記表層部に前記パルスレーザ光を照射する、ことを特徴とする。
【００１７】
上記のレーザアニール方法及び装置によれば、上記（１）の方法及び上記（２）の装置と同様に、接合深さが浅く、結晶欠陥がない極浅接合を形成することができ、従来用いられてきた基板ステージをそのまま適用することができる。
また、レーザ光源として半導体レーザを用いるので、大掛かりなレーザ発信器を用いる必要が無く、装置構成を簡略化することができ、装置の小型化も可能となる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、接合深さが浅く、結晶欠陥がない極浅接合を形成することができるという優れた効果が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明の好ましい実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、各図において共通する部分には同一の符号を付し、重複した説明を省略する。
【００２０】
［第１実施形態］
図１は、本発明の第１実施形態にかかるレーザアニール装置Ａの全体概略構成を示す図である。
図１に示すように、レーザアニール装置Ａは、半導体基板１の不純物が注入されている表層部にレーザ光６を照射してアニールするための装置であり、連続レーザ光３ａを発振する連続レーザ発振器３と、連続レーザ発振器３からのレーザ光を半導体基板１の表面に集光させるビーム整形器５と、連続レーザ光３ａをパルスレーザ光６に変調する変調器４と、半導体基板１の表面にパルスレーザ光６が走査されるように半導体基板１を移動させる搬送ステージ２を備えている。
【００２１】
上記の半導体基板１は例えばシリコンウエハであり、上記の不純物は例えばヒ素（Ａｓ）イオン、リン（Ｐ）イオン、ボロン（Ｂ）イオン等である。
上記の連続レーザ発振器３は特に限定されず、連続レーザ光３ａを発振することができるものであれば良い。このような連続レーザ発振器３として、エキシマレーザの他、ＹＡＧ、ＹＬＦ、ＹＶＯ４等の固体レーザ、半導体レーザ、ＣＯ２レーザが例示される。より具体的には、波長２４８ｎｍや３０８ｎｍのエキシマレーザ、１０６４ｎｍ、５３２ｎｍや３５５ｎｍのＹＡＧレーザ、波長６００ｎｍ〜１０００ｎｍの半導体レーザ（レーザダイオード）、波長１０.６μｍのＣＯ２レーザが例示される。
【００２２】
図２に示すように、レーザアニールでは通常、レーザ光６を線状ビームに整形して半導体基板１の表面に集光する。したがって、上記のビーム整形器５は、レーザ光６を線状に整形することができるものが好ましい。この線状ビームを図２に示すように細長い矩形状ビームとして考えた場合の短尺寸法９は例えば数１０μｍ〜数１００μｍであり、長尺寸法１０は例えば５０ｍｍ〜１００ｍｍである。図２に示した例では、半導体基板１の直径よりも線状ビームの長尺寸法１０のほうが短い。なお、上記のようにレーザ光を線状ビームに整形できるビーム整形器５は従来周知であるため詳細な説明は省略するが、ビームエキスパンダ、シリンドリカルレンズ、シリンドリカルレンズアレイ等で構成されるのが好ましい。
【００２３】
上記の変調器４は、連続レーザ光３を所望のパルス幅のパルスレーザ光６に変調することができれば、特に限定されないが、音響光学素子、電気光学素子もしくは磁気光学素子を用いたもの、又は機械的にレーザ光の通過と遮断を切り替える高速シャッターであるのが好ましい。なお、パスル幅は、１パルス分のレーザ光の照射時間を意味する。
【００２４】
音響光学素子は、音響光学効果を利用して、外部から入射された連続光をパルス光に変換する変調器５に適用できる。音響光学効果とは、超音波が固体や液体中を伝播すると、その媒質中には、光弾性効果によって、音の進行方向と平行にそして音の波長を周期とした光に対する屈折率の周期的変動が生じ、この媒質中に入射された光の一部が回折する現象をいう。
音響光学素子としては、Ａｓ12Ｇｅ33Ｓｅ55、Ａｓ2Ｓｅ3等のカルコゲナイド系ガラスやＴｅガラス、ＰｂＭｏＯ4、ＴｅＯ2、Ｇｅ、ＬｉＮｂＯ3、ＧａＰ等の光学結晶に、超音波を伝送するＬｉＮｂO3、ＺｎＯ等の圧電薄膜トランスデューサを取付けて高周波電圧をかけて結晶内に高周波の音波を発生させるものが例示される。
音響光学素子に直線偏光の連続レーザ光３ａを入力し、音響光学素子のトランスデューサに印加する電圧を所定のパルスとすれば、音響光学素子を透過する連続レーザ光を、印加時には回折光にし、非印加時には透過光にすることができ、その回折光のみ、あるいは透過光のみを光路に入れるようにすれば所望のパルス幅のパルスレーザ光６に変調することができる。ここで、音響光学素子への直線偏光の連続レーザ光３ａは、音響光学素子内で生じる超音波波面に対してブラッグ反射条件を満たすように入射される。
【００２５】
電気光学素子は、電気光学効果を利用して、外部から入射された連続光をパルスレーザ光６に変換する変調器４に適用できる。電気光学効果は、ＬｉＮｂＯ3、ＫＤＰ（ＫＨ2ＰＯ4）、ＡＤＰ等の結晶の物質に電界を加えると複屈折を生じ、物質中を通過する光の位相が変化する現象をいう。
電気光学素子に直線偏光の連続レーザ光を入力し、電気光学素子に電圧を加えると連続レーザ光３ａに一定の偏光角を与えることができる。したがって、電気光学素子に印加する電圧を所定のパルスとすれば、電気光学素子を透過する連続レーザ光３ａを、非印加時には偏光方向が変化しない常光線とし、印加時には偏光方向が変化する異常光線とすることができる。そして、電気光学素子のレーザ光の出射側に、常光線と異常光線のいずれか一方の偏光方向と一致する光線のみを通過させる偏向フィルタを設けておき、常光線のみ、あるいは異常光線のみを光路に入れるようにすれば、所望のパスル幅のパルスレーザ光６に変調することができる。
【００２６】
磁気光学素子は、磁気光学効果を利用して、外部から入射された連続レーザ光３ａをパルスレーザ光６に変換する変調器４に適用できる。磁気光学効果は、直線偏光の進行方向に対して垂直方向から磁場が加わる際に、磁場方向と垂直方向とで屈折率の差、すなわち複屈折が生じる現象をいう。
磁気光学素子に直線偏光の連続レーザ光３ａを入力し、磁気光学素子に磁場を加えると連続レーザ光３ａに一定の偏光角を与えることができる。したがって、磁気光学素子に印加する磁場を所定のパルスとすれば、磁気光学素子を透過する連続レーザ光３ａを、非印加時には常光線とし、印加時には偏光方向が変化する異常光線とすることができる。そして、磁気光学素子のレーザ光の出射側に、常光線と異常光線のいずれか一方の偏光方向と一致する光線のみを通過させる偏向フィルタを設けおき、常光線のみ、あるいは異常光線のみを光路に入れるようにすれば、所望のパルス幅のパルスレーザ光６に変調することができる。なお、磁気光学素子の後に複屈折結晶を導入して、偏光角を拡大することもできる。
【００２７】
搬送ステージ２は、上面に半導体基板１を載せて水平面内を２次元的に移動させる機能を有する。図２に示すように本実施形態では、搬送ステージ２は、線状ビームの短尺方向と一致するＸ方向と、線状ビームの長尺方向と一致するＹ方向に移動することができる。したがって、搬送ステージ２をＸ方向及びＹ方向に移動させることにより、その上に載置された半導体基板１の表面にパルスレーザ光６を走査することができる。より具体的には、図２に示すように、線状ビームの長尺寸法１０が半導体基板１の直径よりも短い場合には、半導体基板１の表面にレーザ光６を照射しながら半導体基板１をＸ方向の一方に移動させ、半導体基板１の端部まで照射したら、レーザ光６の照射部分が長尺寸法１０の分だけ未照射部分の側にずれるように半導体基板１をＹ方向に移動させ、次に半導体基板をＸ方向の他方に移動させ、このような動作を繰り返すことにより、半導体基板１の表面全体にレーザ光６を照射することができる。
【００２８】
また、レーザアニール装置Ａは、さらに、変調器４と搬送ステージ２を制御する制御装置１４を備える。この制御装置１４は、上記の表層部が溶融しない条件で表層部の単位領域あたりのレーザ光６の総照射時間が１μ秒〜９９９μ秒の範囲内で且つ照射回数が所定回数以下となるように、連続レーザ発信器３（具体的にはパルスレーザ光６のパルス幅）と搬送ステージ２（具体的には半導体基板１の移動速度）を制御する。
ここで、前記所定回数は、任意に設定することが可能であり、蓄熱の効果を抑制するために、例えば、５回以内とするのが好ましい。
【００２９】
なお、搬送ステージ２は、防塵や基板表面における酸化膜生成の防止の観点から、照射チャンバー１２内にあることが好ましい。その場合、連続レーザ発振器３と、変調器４と、ビーム整形器５は、照射チャンバー１２の外部に配し、搬送ステージ２上の半導体基板１へのパルスレーザ光６は、照射チャンバー１２の上部に備わる照射ウィンドウ１３を介して照射される。また、照射チャンバー１２の方式は、特に限定されないが、チャンバー内に真空あるいは不活性ガス雰囲気を充填する方式、レーザ光６の照射部分を不活性ガス噴射によってパージする方式が例示される。
【００３０】
上述した本実施形態によれば、半導体基板１を移動させながら、不純物が注入されている表層部が溶融しない条件で表層部の単位領域あたりのレーザ光の総照射時間が１μ秒〜９９９μ秒の範囲内となるようにパルスレーザ光６のパルス幅及び半導体基板１の移動速度を制御して、表層部にパルスレーザ光６を照射するので、フラッシュランプや単にパルスレーザを用いた従来の方法では実現できなかったマイクロ秒のアニール時間を実現できる。したがって、不純物を深い領域まで拡散させることなく、不純物注入時に生じた結晶欠陥を除去するのに十分な程度のアニール時間を確保することができるので、接合深さが浅く、結晶欠陥がない極浅接合を形成することができる。
【００３１】
また、単位領域あたりの照射回数が所定数以下となるようにパルス幅及び半導体基板１の移動速度を制御して、表層部にパルスレーザ光６を照射するので、蓄熱の効果を抑制し、被照射部位の温度の上がり過ぎを回避することができる。
【００３２】
また、半導体基板１を移動させることにより、半導体基板１の表面にレーザ光６を走査するので、上記特許文献２の技術において必要とされる、製作が困難な走査光学系を用いることなく、従来用いられてきた搬送ステージ２をそのまま適用することができる。
【００３３】
［第２実施形態］
図３は、本発明の第２実施形態にかかるレーザアニール装置Ｂの全体概略構成を示す図である。
図３に示すように、第２実施形態のレーザアニール装置Ｂは、第１実施形態における、連続レーザ発振器３及び変調器４を、パルスレーザ光６を発振する半導体レーザ（レーザダイオード）１１に置き換えた形態である。半導体レーザ１１が発振するパルスレーザ光６のパルス幅及びパルス周波数は、半導体レーザ１１に印加する電圧のＯＮ／ＯＦＦのタイミングによって任意に調整することができる。このＯＮ／ＯＦＦのタイミングの制御は制御装置１４によって行われる。その他の構成については、第１実施形態と同様である。
【００３４】
上記構成のレーザアニール装置Ｂは、半導体基板１の不純物が注入されている表層部が溶融しない条件で表層部の単位領域あたりのレーザ光の総照射時間が１μ秒〜９９９μ秒の範囲内で且つ照射回数が所定回数以下となるようにパルスレーザ光６のパルス幅及び半導体基板１の移動速度を制御して、表層部にパルスレーザ光６を照射する。
【００３５】
本実施形態によれば、第１実施形態と同様に、接合深さが浅く、結晶欠陥がない極浅接合を形成することができ、従来用いられてきた搬送ステージ２をそのまま適用することができ、蓄熱の効果を抑制し、被照射部位の温度の上がり過ぎを回避することができる。
また、本実施形態では、レーザ光源として半導体レーザ１１を用いるので、大掛かりなレーザ発信器を用いる必要が無く、装置構成を簡略化することができ、装置の小型化も可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本発明の第１実施形態にかかるレーザアニール装置Ａの全体概略構成を示す図である。
【図２】本発明のレーザアニール方法およびレーザアニール装置におけるパルスレーザと搬送ステージの動作を模式的に示した図である。
【図３】本発明の第２実施形態にかかるレーザアニール装置Ｂの全体概略構成を示す図である。
【符号の説明】
【００３７】
Ａ，Ｂ  レーザアニール装置
１  半導体基板
２  搬送ステージ
３  レーザ発振器
３ａ  連続レーザ光
４  変調器
５  ビーム整形器
６  パルスレーザ光
９  搬送ステージの搬送方向のＸ軸寸法
１０  搬送ステージの搬送方向のＹ軸寸法
１１  半導体レーザ（レーザダイオード）
１２  照射チャンバー
１３  照射ウィンドウ
１４  制御装置
【図１】
2008251839.tif 000003
【図２】
2008251839.tif 000004
【図３】
2008251839.tif 000005