(57)【要約】【課題】放射線の照射を受けて電荷を発生する記録用光導電層と、その発生した電荷を蓄積する電荷輸送層と、読取光の照射により電荷を発生する読取用光導電層と、読取光の照射に対して電荷対発生用の線状の電荷対発生電極と読取光の照射に対して電荷対非発生用の線状の電荷対非発生電極とが交互に多数配置された電極層とがこの順に積層された放射線画像検出器において、電荷対発生用電極から電荷対非発生電極へオフセット電流が流れるのを抑制し、放射線画像の画質の向上を図る。【解決手段】電荷対非発生電極６の長さ方向に延びる側端部に０．０５ｓ以上６０ｓ以下のリーク時定数を有する線状抵抗体９を設ける。【選択図】図２
2008130668.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射線画像を担持した記録用の電磁波の照射を受けて電荷を発生し、該発生した電荷を蓄積する電荷蓄積層と、読取光の照射により電荷を発生する光導電層と、前記読取光の照射に対して電荷対発生用の線状の電荷対発生電極と前記読取光の照射に対して電荷対非発生用の線状の電荷対非発生電極とが交互に多数配置された電極層とがこの順に積層された放射線画像検出器において、
前記電荷対非発生電極の長さ方向に延びる側端部に０．０５ｓ以上６０ｓ以下のリーク時定数を有する線状抵抗体が設けられていることを特徴とする放射線画像検出器。
【請求項２】
放射線画像を担持した記録用の電磁波の照射を受けて電荷を発生し、該発生した電荷を蓄積する電荷蓄積層と、読取光の照射により電荷を発生する光導電層と、前記読取光の照射に対して電荷対発生用の線状の電荷対発生電極と前記読取光の照射に対して電荷対非発生用の線状の電荷対非発生電極とが交互に多数配置された電極層とがこの順に積層された放射線画像検出器であって、前記記録用の電磁波の照射によって前記放射線画像検出器に前記放射線画像を記録し、前記読取光の照射によって前記放射線画像検出器から前記放射線画像を読み取る放射線画像記録読取装置に用いられる放射線画像検出器において、
前記電荷対非発生電極の長さ方向に延びる側端部に下式を満たすリーク時定数τを有する線状抵抗体が設けられていることを特徴とする放射線画像検出器。
ｔ≦τ≦３Ｔ
ただし、ｔ：前記放射線画像記録読取装置による前記記録用の電磁波の照射時間
Ｔ：前記放射線画像記録読取装置による前記記録用の電磁波の照射間隔
【請求項３】
前記線状抵抗体が、該線状抵抗体の長さ方向に延びる側端面が前記電荷発生用電極の長さ方向に延びる側端面と前記電荷非発生電極の長さ方向に延びる側端面との間に位置するような幅を有するものであることを特徴とする請求項１または２記載の放射線画像検出器。
【請求項４】
前記電荷対非発生用電極が透明線状電極であり、
前記線状抵抗体が前記透明線状電極の長さ方向に延びる側端面および上面を被覆する、前記読取光に対して遮光性を有する線状遮光体であることを特徴とする請求項１から３いずれか１項記載の放射線画像検出器。
【請求項５】
前記放射線画像検出器が、消去光の照射によって前記読取り後に前記放射線画像検出器に残留した電荷が消去されるものであり、
前記線状抵抗体が、前記消去光に対して透過性を有するものであることを特徴とする請求項１から４いずれか１項記載の放射線画像検出器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放射線画像を担持した放射線の照射を受けて放射線画像を記録し、読取光により走査されて放射線画像に応じた信号が読み出される放射線画像検出器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、医療分野などにおいて、被写体を透過した放射線の照射を受けて電荷を発生し、その電荷を蓄積することにより被写体に関する放射線画像を記録する放射線画像検出器が各種提案、実用化されている。
【０００３】
そして、上記のような放射線画像検出器としては、たとえば、特許文献１には、放射線を透過する第１の電極層、放射線の照射を受けることにより電荷を発生する記録用光導電層、潜像電荷に対しては絶縁体として作用し、かつ潜像電荷と逆極性の輸送電荷に対しては導電体として作用する電荷輸送層、読取光の照射を受けることにより電荷を発生する読取用光導電層、および読取光を透過する線状に延びる透明線状電極と読取光を遮光する線状に延びる遮光線状電極とが平行に交互に配列された第２の電極層をこの順に積層してなる放射線画像検出器が提案されている。
【０００４】
上記のように構成された放射線画像検出器により放射線画像の記録を行う際には、図８（Ａ）に示すように、まず、第１の電極層５１に負の高電圧が印加された状態で、被写体を透過した放射線が第１の電極層５１側から照射される。上記のようにして照射された放射線は、第１の電極層５１を透過し、記録用光導電層５２に照射され、記録用光導電層５２の放射線の照射された部分において電荷対が発生し、この電荷対のうち正の電荷は負に帯電した第１の電極層５１に向かって移動し、第１の電極層５１における負の電荷と結合して消滅する。一方、上記ようにして発生した電荷対のうち負の電荷は正に帯電した透明線状電極５５および遮光線状電極５６に向かって移動するが、上記のように電荷輸送層５３は負の電荷に対しては絶縁体として作用するため、上記負の電荷は記録用光導電層５２と電荷輸送層５３との界面である蓄電部５７に蓄積され、この蓄電部５７への負の電荷の蓄積により放射線画像の記録が行われる（図８（Ｂ））。
【０００５】
そして、上記のようにして記録された放射線画像を放射線画像検出器から読み取る際には、図９に示すように、まず、読取光Ｌ１が透明線状電極５５および遮光線状電極５６側から照射される。照射された読取光Ｌ１は、透明線状電極５５を透過し、読取用光導電層５４に照射され、読取用光導電層５４において電荷対が発生する。そして、読取光Ｌ１の照射により読取用光導電層５４において発生した正の電荷が蓄電部５７における負の電荷と結合するとともに、読取用光導電層４において発生した負の電荷が電荷対発生電極５に帯電した正の電荷と結合するとともに、チャージアンプ３５を介して電荷対非発生電極５６に帯電した正の電荷と結合することによってチャージアンプ３５に電流が流れ、この電流が積分されて画像信号として検出され、放射線画像に応じた画像信号の読取りが行われる。
【０００６】
そして、上記のように放射線画像の読取りが行われた後、透明線状電極５５および遮光線状電極５６側から消去光が照射され、蓄電部５７に残留した電荷の消去が行われ、再度放射線画像の記録に供される。
【０００７】
【特許文献１】特開２０００−２８４０５６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ここで、上記のようにして放射線画像の読取り行う際、読取光の照射によって発生した正の電荷は蓄電部５７に向かって移動するだけでなく、光起電力による電荷の拡散の作用によって、図１０に示すように、遮光線状電極５６に向かって移動し、これがオフセット電流として画像信号とともに検出され、画質の劣化を招いていた。
【０００９】
そして、このオフセット電流は、読取光の変化や消去光の照射履歴によってその大きさが変化するため、読み取られた画像信号の補正によっては適切に除去することができなかった。
【００１０】
また、図１１に示すように、透明線状電極５５と遮光線状電極５５との間に絶縁層５８が設けられた放射線画像検出器も提案されている。
【００１１】
しかしながら、この放射線画像検出器においては、たとえば、大線量が放射線画像検出器に照射された場合、記録用光導電層５２で発生した電荷を全て蓄電部５７に蓄積することは容易ではないため、その線量に応じた負の電荷の一部が電荷輸送層５３を通過して絶縁層５８に蓄積していた。そして、その絶縁層５８に蓄積された電荷は、上記消去処理を行った後においても、絶縁層５８に残り、次の放射線画像の記録において残像となり、画質を劣化させていた。
【００１２】
本発明は、上記事情に鑑み、上記のようなオフセット電流を抑制するとともに、上記のような残像の発生を抑制し、読み取られる放射線画像の画質の向上を図ることができる放射線画像検出器を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の第１の放射線画像検出器は、放射線画像を担持した記録用の電磁波の照射を受けて電荷を発生し、その発生した電荷を蓄積する電荷蓄積層と、読取光の照射により電荷を発生する光導電層と、読取光の照射に対して電荷対発生用の線状の電荷対発生電極と読取光の照射に対して電荷対非発生用の線状の電荷対非発生電極とが交互に多数配置された電極層とがこの順に積層された放射線画像検出器において、電荷対非発生電極の長さ方向に延びる側端部に０．０５ｓ以上６０ｓ以下のリーク時定数を有する線状抵抗体が設けられていることを特徴とする。
【００１４】
本発明の第２の放射線画像検出器は、放射線画像を担持した記録用の電磁波の照射を受けて電荷を発生し、その発生した電荷を蓄積する電荷蓄積層と、読取光の照射により電荷を発生する光導電層と、読取光の照射に対して電荷対発生用の線状の電荷対発生電極と読取光の照射に対して電荷対非発生用の線状の電荷対非発生電極とが交互に多数配置された電極層とがこの順に積層された放射線画像検出器であって、記録用の電磁波の照射によって放射線画像検出器に放射線画像を記録し、読取光の照射によって放射線画像検出器から放射線画像を読み取る放射線画像記録読取装置に用いられる放射線画像検出器において、
電荷対非発生電極の長さ方向に延びる側端部に下式を満たすリーク時定数τを有する線状抵抗体が設けられていることを特徴とする。
【００１５】
ｔ≦τ≦３Ｔ
ただし、ｔ：放射線画像記録読取装置による記録用の電磁波の照射時間
Ｔ：放射線画像記録読取装置による記録用の電磁波の照射間隔
また、上記第１および第２の放射線画像検出器においては、線状抵抗体を、その線状抵抗体の長さ方向に延びる側端面が電荷発生用電極の長さ方向に延びる側端面と電荷非発生電極の長さ方向に延びる側端面との間に位置するような幅を有するものとすることができる。
【００１６】
また、電荷対非発生用電極を透明線状電極とし、線状抵抗体を透明線状電極の長さ方向に延びる側端面および上面を被覆する、読取光に対して遮光性を有する線状遮光体とすることができる。
【００１７】
また、放射線画像検出器を、消去光の照射によって読取り後に放射線画像検出器に残留した電荷が消去されるものとし、線状抵抗体を、消去光に対して透過性を有するものとすることができる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明の第１の放射線画像検出器によれば、電荷対非発生電極の長さ方向に延びる側端部に０．０５ｓ以上６０ｓ以下のリーク時定数を有する線状抵抗体を設けるようにしたので、上記オフセット電流を抑制するとともに、上記残像の発生を抑制し、読み取られる放射線画像の画質の向上を図ることができる。なお、オフセット電流および残像の発生を抑制することができる理由については、後で詳述する。
【００１９】
本発明の第２の放射線画像検出器は、電荷対非発生電極の長さ方向に延びる側端部に下式を満たすリーク時定数τを有する線状抵抗体を設けるようにしたので、上記本発明の第１の放射線画像検出器と同様の効果を得ることができる。
【００２０】
ｔ≦τ≦３Ｔ
ただし、ｔ：放射線画像記録読取装置による記録用の電磁波の照射時間
Ｔ：放射線画像記録読取装置による記録用の電磁波の照射間隔
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、図面を参照して本発明の放射線画像検出器の一実施形態を用いた放射線画像記録読取装置について説明する。図１は放射線画像検出器の斜視図、図２は図１に示す放射線画像検出器の２−２線断面図である。
【００２２】
放射線画像検出器１０は、図１および図２に示すように、放射線画像を担持した放射線を透過する第１の電極層１、第１の電極層１を透過した放射線の照射を受けることにより電荷を発生する記録用光導電層２、記録用光導電層２において発生した電荷のうち一方の極性の電荷に対しては絶縁体として作用し、且つ他方の極性の電荷に対しては導電体として作用する電荷輸送層３、読取光の照射を受けることにより電荷を発生する読取用光導電層４、および読取光の照射に対して電荷対発生用の線状の電荷対発生電極５と読取光の照射に対して電荷対非発生用の線状の電荷対非発生電極６とが交互に多数配列された第２の電極層７をこの順に積層してなるものである。記録用光導電層２と電荷輸送層３との間には、記録用光導電層２内で発生した電荷を蓄積する蓄電部８が形成されている。なお、上記各層は、ガラス基板上に第２の電極層７から順に形成されるものであるが、図１および図２においては、ガラス基板を省略している。また、記録用光導電層２と電荷輸送層３とにより請求項における電荷蓄積層が形成されている。
【００２３】
第１の電極層１としては、放射線を透過するものであればよく、たとえば、ネサ皮膜（ＳｎＯ2）、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、アモルファス状光透過性酸化膜であるＩＤＩＸＯ（Idemitsu Indium X-metal Oxide ；出光興産（株））などを５０〜２００ｎｍ厚にして用いることができ、また、１００ｎｍ厚のＡｌやＡｕなども用いることもできる。
【００２４】
第２の電極層７は、上記のように電荷発生用電極５と電荷非発生用電極６とを有するものである。
【００２５】
電荷対発生電極５および電荷非発生電極６は、読取光を透過し、導電性を呈する材料であれば如何なるもので形成してもよいが、たとえば、第１の電極層１と同様に、ＩＴＯやＩＤＩＸＯを用いることができる。
【００２６】
そして、図２に示すように、電荷非発生電極６には、読取光に対して遮光性を有するとともに、後述する消去光に対して透過性を有し、かつリーク時定数が０．０５ｓ以上６０ｓ以下の線状抵抗体９が設けられている。
【００２７】
線状抵抗体９は、たとえば、読取光として波長が４００ｎｍ〜４８０ｎｍの青色光を使用し、消去光として波長が５８０ｎｍ〜７００ｎｍの赤色光を使用する場合には、フォトレジストに、黄色または赤色の顔料と、Ｉｎ２Ｏ３顔料とを含めたものから形成するようにすればよい。線状抵抗体９のリーク時定数は、Ｉｎ２Ｏ３顔料の量によって調整される。リーク時定数は望ましくは、０．５ｓ以上２０ｓ以下であり、たとえば、１５ｓ程度とすればよい。リーク時定数を５ｓ秒程度にするには、たとえば、カーボンブラック粒子を固形分全体に対し５〜１０％添加して、体積抵抗を１×１０１３Ω・ｃｍに調整し、誘電率は４．５となるよう線状抵抗体９を形成するようにすればよい。
【００２８】
ここで、線状抵抗体９のリーク時定数を上記のような範囲で設定する理由について以下に説明する。
【００２９】
後で詳述するが、本放射線画像検出器１０を用いて放射線画像の撮影を行う際には、まず、放射線画像検出器１０へ前露光光が照射され、放射線画像検出器１０に残留した電荷が消去される。そして、その後、放射線画像検出器１０へ被写体を透過した放射線が照射されて放射線画像か記録され、その後、放射線画像検出器１０へ読取光が照射されて放射線画像の読取り行われる。
【００３０】
そして、上述したオフセット電流は、読取光を照射した時に電荷発生電極５から電荷非発生電極６へ電荷が移動することによって発生するが、たとえば、上記のように前露光光を照射し、この前露光光の照射によって発生した電荷を電荷非発生電極６近傍に蓄積して飽和させるようにすれば、電荷発生電極５から電荷非発生電極６への電荷の移動を妨げることができ、その結果、オフセット電流を抑制することができる。
【００３１】
したがって、前露光光によって発生した電荷は、読取光の照射時まで電荷非発生電極６近傍に蓄積させておくことが望ましい。つまり、前露光光の照射時から読取光の照射時までの時間、電荷非発生電極６近傍に蓄積させておくことが望ましい。放射線の照射は前露光光の直後に行われ、読取光の照射は放射線の照射直後に行われるため、前露光光の照射時から読取光の照射時までの時間は、放射線の照射時間にほとんど等しい。したがって、前露光光の照射によって発生した電荷を、少なくとも放射線の照射時間だけ電荷非発生電極６近傍に蓄積させておくことが望ましく、放射線の照射時間は、たとえば、胸部画像を撮像する際には、比較的短く０．０５ｓである。したがって、線状抵抗体９のリーク時定数を少なくとも０．０５ｓ以上としておけば、少なくともこの時間は前露光光によって発生した電荷を電荷非発生電極６近傍に蓄積させておくことができ、オフセット電流を抑制することができる。
【００３２】
一方、大線量が放射線画像検出器１０に照射された場合には、その放射線の照射によって発生した電荷の一部が、線状抵抗体９に蓄積し、これが残像となってしまう。したがって、上記のようにして線状抵抗体９に蓄積した電荷は、次の放射線画像の記録までに消滅させておくことが望ましい。
【００３３】
また、上記のように前露光光の照射によって発生した電荷は、読取光の照射時にはオフセット電流を抑制するため電荷非発生電極近傍に蓄積しておくことが望ましいが、前露光光の照射の度に蓄積させてしまうと、蓄積電荷が多くなりすぎて放射線画像に悪影響を及ぼすおそれがある。したがって、次の放射線画像の記録までの間には消滅させておくことが望ましい。
【００３４】
したがって、線状抵抗体９のリーク時定数を放射線の照射間隔以下にしておけば、次の放射線画像の記録までに、線状抵抗体９に蓄積した電荷を消滅させるようにすることができ、残像を抑制することができる。放射線の照射間隔は、たとえば、２０ｓ程度である。したがって、たとえば、線状抵抗体９のリーク時定数をこの放射線の照射間隔の３倍の６０ｓ以下としておけば、線状抵抗体９に蓄積した電荷を放射線画像に影響を及ぼさない程度にまで消滅させることができる。そして、望ましくは放射線の照射間隔である２０ｓ以下である。
【００３５】
上記のような理由により、線状抵抗体９のリーク時定数は、０．０５ｓ以上６０ｓ以下とすることが望ましい。
【００３６】
別の言い方をすれば、線状抵抗体９のリーク時定数τは、下式を満たすような値であることが望ましい。
【００３７】
ｔ≦τ≦３Ｔ
ただし、ｔ：放射線画像記録読取装置による放射線の照射時間
Ｔ：放射線画像記録読取装置による放射線の照射間隔
記録用光導電層２は、放射線の照射を受けることにより電荷を発生するものであればよく、放射線に対して比較的量子効率が高く、また暗抵抗が高いなどの点で優れているａ−Ｓｅを主成分とするものを使用する。厚さは５００μｍ程度が適切である。
【００３８】
電荷輸送層３としては、たとえば、放射線画像の記録の際に第１の電極層１に帯電する電荷の移動度と、その逆極性となる電荷の移動度の差が大きい程良く（例えば１０２以上、望ましくは１０３以上）ポリＮ−ビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、N,N'−ジフェニル−N,N'−ビス（３−メチルフェニル）−〔1,1'−ビフェニル〕−4,4'−ジアミン（ＴＰＤ）やディスコティック液晶等の有機系化合物、或いはＴＰＤのポリマー（ポリカーボネート、ポリスチレン、ＰＶＫ）分散物，Ｃｌを１０〜２００ｐｐｍドープしたａ−Ｓｅ等の半導体物質が適当である。
【００３９】
読取用光導電層４としては、読取光および消去光の照射を受けることにより導電性を呈するものであればよく、例えば、ａ−Ｓｅ、Ｓｅ−Ｔｅ、Ｓｅ−Ａｓ−Ｔｅ、無金属フタロシアニン、金属フタロシアニン、ＭｇＰｃ（Magnesium phtalocyanine），ＶｏＰｃ（phaseII of Vanadyl phthalocyanine）、ＣｕＰｃ（Cupper phtalocyanine）などのうち少なくとも１つを主成分とする光導電性物質が好適である。厚さは０．１〜１μｍ程度が適切である。
【００４０】
次に、放射線画像記録読取装置による放射線画像検出器への放射線画像の記録および読取りの作用について説明する。
【００４１】
まず、第１の電極層１および第２の電極層７が接地された状態で、図示省略した前露光光源から前露光光が射出され、放射線画像検出器１０の第２の電極層７側から前露光光が照射され、この前露光光の照射によって読取用光導電層４おいて電荷が発生し、この電荷は放射線画像検出器１０に残留した電荷を消去するとともに、図３に示すように、線状抵抗体９近傍に蓄積される。
【００４２】
次に、図４（Ａ）に示すように、放射線画像検出器１０の第１の電極層１に高電圧源２０により負の電圧を印加した状態において、図示省略した放射線源から被写体に向けて放射線が照射され、その被写体を透過して被写体の放射線画像を担持した放射線が放射線画像検出器１０の第１の電極層１側から照射される。
【００４３】
そして、放射線画像検出器１０に照射された放射線は、第１の電極層１を透過し、記録用光導電層２に照射される。そして、その放射線の照射によって記録用光導電層２において電荷対が発生し、そのうち正の電荷は第１の電極層１に帯電した負の電荷と結合して消滅し、負の電荷は潜像電荷として記録用光導電層２と電荷輸送層３との界面に形成される蓄電部８に蓄積されて放射線画像が記録される（図４（Ｂ）参照）。
【００４４】
そして、次に、図５に示すように、第１の電極層１が接地された状態において、図示省略した読取光源から読取光Ｌ１が射出され、第２の電極層７側から読取光Ｌ１が照射され、読取光Ｌ１は電荷発生用電極５を透過して読取用光導電層４に照射される。読取光Ｌ１の照射により読取用光導電層４において発生した正の電荷が蓄電部８における潜像電荷と結合するとともに、読取用光導電層４において発生した負の電荷が電荷対発生電極５に帯電した正の電荷と結合するとともに、チャージアンプ３０を介して電荷対非発生電極６に帯電した正の電荷と結合することによってチャージアンプ３０に電流が流れ、この電流が積分されて画像信号として検出され、放射線画像に応じた画像信号の読取りが行われる。
【００４５】
ここで、上述したように、従来は、読取光の照射によって電荷対発生電極５から電荷対非発生電極６へオフセット電流が流れ出し、これが上記画像信号とともにノイズ信号として検出されていたが、上記実施形態の放射線画像検出器１０によれば、上述したリーク時定数を有する線状抵抗体９を設けるようにしたので、前露光光の照射の際に発生した電荷を線状抵抗体９近傍に蓄積することができ、これによってオフセット電流が流れるのを抑制することができる。
【００４６】
そして、上記のように放射線画像の読取りが終わった後、放射線画像検出器１０の蓄電部８に残留した残留電荷を消去するための消去光Ｌ２が図示省略した消去光源から射出され、消去光Ｌ２が第２の電極層７側から照射される。消去光Ｌ２は、第２の電極層７の電荷対非発生電極６および線状抵抗体９と電荷発生電極５を透過して読取用光導電層４に照射され、この消去光Ｌ２の照射により読取用光導電層４において電荷対が発生し、そのうち正の電荷が残留電荷と結合して消滅する。
【００４７】
そして、上記のように消去処理を行った後においても、大線量の放射線の照射によって線状抵抗体９に蓄積された電荷および前露光光の照射によって線状抵抗体９近傍に蓄積された電荷は消滅しない。
【００４８】
しかしながら、本放射線画像検出器１０においては、線状抵抗体９が、上述したリーク時定数を有するようにしたので、上記のように残留した電荷を電荷対非発生電極６に流して消去することができる。
【００４９】
そして、上記のようにして消去処理が行われた後、再び前露光光の照射が行われ、次の放射線画像の記録が行われる。
【００５０】
本実施形態の放射線画像検出器１０によれば、電荷対非発生電極６の長さ方向に延びる側端部に、上述したリーク時定数を有する線状抵抗体９を設けるようにしたので、電荷対発生電極５から電荷対非発生電極６に向けて流れるオフセット電流を抑制することができるとともに、線状抵抗体９に蓄積される電荷による残像の発生を抑制することができ、読み取られる放射線画像の画質の向上を図ることができる。
【００５１】
また、上記実施形態の放射線画像検出器１０においては、電荷対非発生電極６の長さ方向に延びる側端面および上面に線状抵抗体９を設けるようにしたが、図７に示す放射線画像検出器２０のように電荷対非発生電極６の側端面にのみ線状抵抗体９を設けるようにしてもよい。
【００５２】
また、上記実施形態の放射線画像検出器１０においては、線状抵抗体９を読取光を遮光するものとしたが、たとえば、線状抵抗体９をフォトレジストとＩｎ２Ｏ３顔料とから形成し、透明なものとしてもよい。なお、上記のように線状抵抗体９を透明なものとした場合には、たとえば、この電荷非発生電極６に読取光が入射するのを妨げる線状遮光体を放射線画像検出器１０とは別に設けるようにすればよい。
【００５３】
また、上記実施形態の放射線画像検出器１０においては、線状抵抗体９を消去光を透過するものとしたが、必ずしも消去光を透過するものでなくてもよく、たとえば、線状抵抗体９をフォトレジストとＩｎ２Ｏ３顔料とカーボンブラックとから形成するようにしてもよい。
【００５４】
また、上記実施形態は、放射線の照射を受けてその放射線を直接電荷に変換することにより放射線画像の記録を行う、いわゆる直接変換方式の放射斜線画像検出器に本発明を適用したものであるが、これに限らず、たとえば、放射線を一旦可視光に変換し、その可視光を電荷に変換することにより放射線画像の記録を行う、いわゆる間接変換方式の放射線画像検出器に本発明を適用するようにしてもよい。
【００５５】
また、放射線画像検出器の層構成は上記実施形態のような層構成に限らずその他の層を加えたりしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】本発明の放射線画像検出器の一実施形態の概略構成図
【図２】図１に示す放射線画像検出器の２−２線断面図
【図３】図１に示す放射線画像検出器への前露光光の照射の作用を説明するための図
【図４】図１に示す放射線画像検出器への放射線画像の記録の作用を説明するための図
【図５】図１に示す放射線画像検出器からの放射線画像の読取りの作用を説明するための図
【図６】図１に示す放射線画像検出器における残留電荷の消去の作用を説明するための図
【図７】本発明の放射線画像検出器のその他の実施形態を示す図
【図８】従来の放射線画像検出器への放射線画像の記録の作用を説明するための図
【図９】従来の放射線画像検出器からの放射線画像の読取りの作用を説明するための図
【図１０】従来の放射線画像検出器に流れるオフセット電流を説明するための図
【図１１】従来の放射線画像検出器を示す図
【符号の説明】
【００５７】
１    第１の電極層
２    記録用光導電層
３    電荷輸送層
４    読取用光導電層（光導電層）
５    電荷対発生用電極
６    電荷対非発生用電極
７    第２の電極層
８    蓄電部
９    線状抵抗体
１０    放射線画像検出器
３０    チャージアンプ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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