(57)【要約】【課題】基板上に、少なくとも第１電極層と、発光層を含む有機化合物層と、第２電極層とを有する有機ＥＬ素子を封止部材により密着封止構造を有する有機ＥＬパネルを製造する時、使用する接着剤、封止部材に制限を加えることなく、有機ＥＬ素子の性能劣化を生じさせない有機ＥＬパネルの製造方法及び有機ＥＬパネルの提供。【解決手段】基板上に、少なくとも第１電極層と、発光層を含む有機化合物層と、第２電極層とを有する有機エレクトロルミネッセンス素子を封止部材により密着封止構造を有する有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法において、少なくとも前記第２電極層の上面を平滑化処理した後、前記封止部材を積層することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法。【選択図】図１
2008226471.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、少なくとも第１電極層と、発光層を含む有機化合物層と、第２電極層とを有する有機エレクトロルミネッセンス素子を封止部材により密着封止構造を有する有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法において、
少なくとも前記第２電極層の前記封止部材を貼合する側の面をドライエッチング処理した後、
前記封止部材を積層することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法。
【請求項２】
前記ドライエッチング処理した後の第２電極層の上面の表面粗さＲａが３０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法。
【請求項３】
前記ドライエッチング処理を行った後、更に、酸化処理を行うことを特徴とする請求項１又は２に記載の有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法。
【請求項４】
前記ドライエッチング処理と同時に酸化処理を行うことを特徴とする請求項１又は２に記載の有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法。
【請求項５】
前記ドライエッチング処理を行った第２電極層の上に接着剤層を形成した後、封止部材を積層することを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法。
【請求項６】
前記ドライエッチング処理を行った第２電極層の上に無機膜を形成することを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法。
【請求項７】
前記ドライエッチング処理を行った第２電極層の上に無機膜を形成した後、該無機膜の上に接着剤層を形成し、この後該封止部材を積層することを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法。
【請求項８】
前記ドライエッチング処理を行った第２電極層の上に無機膜を形成した後、該無機膜の上面をドライエッチング処理で表面粗さＲａを３０ｎｍ以下に処理し、この後、該無機膜の上に接着剤層を形成し、該封止部材を積層することを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法。
【請求項９】
請求項１〜８の何れか１項に記載の製造方法により製造されたことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンスパネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は有機エレクトロルミネッセンスパネル（以下、有機ＥＬパネルとも言う）の製造方法及びこの製造方法により製造された有機ＥＬパネルに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、有機物質を使用した有機ＥＬ素子は、固体発光型の安価な大面積フルカラー表示素子や書き込み光源アレイとしての用途が有望視されており、活発な研究開発が進められている。有機ＥＬ素子は、基板上に形成された第１電極（陽極又は陰極）と、その上に積層された有機発光物質を含有する有機化合物層（単層部又は多層部）すなわち発光層と、この発光層上に積層された第２電極（陰極又は陽極）とを有する薄膜型の素子である。この様な有機ＥＬ素子に電圧を印加すると、有機化合物層に陰極から電子が注入され陽極から正孔が注入される。この電子と正孔が発光層において再結合し、エネルギー準位が伝導帯から価電子帯に戻る際にエネルギーを光として放出することにより発光が得られることが知られている。
【０００３】
この様に、有機ＥＬ素子は薄膜型の素子であるため、１個又は複数個の有機ＥＬ素子を基板上に形成した有機ＥＬパネルをバックライト等の面光源として利用した場合には、面光源を備えた装置を容易に薄型にすることが出来る。又、画素としての有機ＥＬ素子を基板上に所定個数形成した有機ＥＬパネルをディスプレイパネルとして用いて表示装置を構成した場合には視認性が高い、視野角依存性がないなど、液晶表示装置では得られない利点がある。
【０００４】
有機ＥＬ素子に用いられる有機発光材料等の有機物は水分や酸素等に弱く性能が劣化し、又電極も、酸化により大気中では特性が急激に劣化する。これらの劣化を防止するために最上層に封止層を設けて使用しているのが一般的である。
【０００５】
有機ＥＬ素子の封止方法としてはこれまでに多くの検討がされてきており、ケーシングタイプの封止方法と、密着タイプの封止方法との２つの方法に大別される。
【０００６】
ケーシングタイプの封止方法とは有機ＥＬ素子をケース内に入れて外界と遮断し、前記のケース内に有機ＥＬ素子と共に所定の封止用の気体又は流体を充填しておくことにより封止する方法である。密着タイプの封止方法とは、基板上に形成されている有機ＥＬ素子の背面（基板側からみて素子の後ろ）にガラス板等の封止材を接着剤で面接着することにより封止する方法である。
【０００７】
ケーシングタイプの封止方法の場合は、薄型とすることが出来ない、ケース内に封止用の気体又は流体を充填するための工程を必要とする、大量生産には不向き等の課題があるため、薄型対応が可能、大量生産が比較的容易、高い封止効果を容易に得ることが可能であることから密着タイプの封止方法が主流となり検討が進められている。
【０００８】
密着タイプの封止方法としては、例えば特開平５−１８２７５９号公報に記載の様にＳｉＯ2等の無機化合物からなる保護膜の上に接着剤、光硬化性樹脂等を介してガラス基板を固着する方法が知られている。しかしながら、この方法では接着剤、光硬化性樹脂が硬化する時、体積が収縮することから残留応力が発生し、この残留応力は、封止対象の有機ＥＬ素子と接着剤や光硬化性樹脂との間にＳｉＯ2等の膜があったとしてもその膜厚がμｍオーダーと薄いと有機ＥＬに伝わってしまう。特開平５−１０１８８４号公報に記載の様に、防湿性高分子フィルムと接着層により形成された封止フィルムを、有機エレクトロルミネッセンス素子の外表面上に被覆する方法が知られている。しかしながら、この方法では接着剤が硬化する時、体積が収縮することから残留応力が発生し、この残留応力は有機ＥＬに伝わってしまう。この結果、例えば第２電極の微小な変形に共なう発光不良、未発光部（点状の発光欠陥、ダークスポットとも言う）等が発生する。
【０００９】
これらの対応として、接着剤、光硬化性樹脂を使用した密着タイプの封止方法で接着剤、光硬化性樹脂が硬化する時の残留応力の緩和対策がこれまでに検討されてきた。例えば、バリア層として引っ張り強さや耐ストレスクラッキング性、加工性などが低下を防止するため、ＪＩＳ  Ｋ  ７２１０規定のメルトフローレートが５ｇ／１０ｍｉｎ以上、２０ｇ／１０ｍｉｎ以下の熱可塑性接着性樹脂からなるシーラント層を含む封止フィルムで密着封止した有機ＥＬ素子が知られている（例えば、特許文献１を参照。）。
【００１０】
有機ＥＬ素子上に接着剤層として、有機ＥＬ素子側の接着剤の収縮率を、封止材側の接着剤の収縮率よりも小さい接着剤を使用し２層とすることで接着剤の硬化収縮による応力の影響を発光素子が受けない様にして封止材を接着剤で固着する方法が知られている（例えば、特許文献２を参照。）。
【００１１】
特許文献１、特許文献２に記載の密着タイプの封止方法により、大量生産が比較的容易、高い封止効果を有した薄型の有機ＥＬ素子対応が可能となるのであるが、未だ密着封止（有機エレクトロルミネッセンス素子上への面接着）に起因する発光素子へのダメージが散見され、対応が不十分となっている。又、使用する接着剤、封止部材の範囲が限られて汎用性の材料の使用が困難となる。
【００１２】
この様な状況から、封止材を接着剤を介して固着する密着タイプの封止方法で有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、有機ＥＬ素子とも言う）を封止した有機エレクトロルミネッセンスパネル（以下、有機ＥＬパネルとも言う）を製造する時、使用する接着剤、封止部材の選択の範囲を広げ、有機ＥＬ素子の性能劣化を生じさせない有機ＥＬパネルの製造方法及び有機ＥＬパネルの開発が望まれている。尚、本発明では基板上に第一電極と有機層と第二電極まで形成した状態を、有機ＥＬ素子と言い、封止部材で密着封止した状態を有機ＥＬパネルと言う。
【特許文献１】特開２００１−３０７８７１号公報
【特許文献２】特開２００３−１０９７５０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
本発明は、上記状況を鑑みなされたものであり、その目的は、基板上に、少なくとも第１電極層と、発光層を含む有機化合物層と、第２電極層とを有する有機ＥＬ素子を封止部材により密着封止構造を有する有機ＥＬパネルを製造する時、使用する接着剤、封止部材に制限を加えることなく、有機ＥＬ素子の性能劣化を生じさせない有機ＥＬパネルの製造方法及び有機ＥＬパネルを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明の上記目的は、下記の構成により達成された。
【００１５】
１．基板上に、少なくとも第１電極層と、発光層を含む有機化合物層と、第２電極層とを有する有機エレクトロルミネッセンス素子を封止部材により密着封止構造を有する有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法において、少なくとも前記第２電極層の前記封止部材を貼合する側の面をドライエッチング処理した後、前記封止部材を積層することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法。
【００１６】
２．前記ドライエッチング処理した後の第２電極層の上面の表面粗さＲａが３０ｎｍ以下であることを特徴とする前記１に記載の有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法。
【００１７】
３．前記ドライエッチング処理を行った後、更に、酸化処理を行うことを特徴とする前記１又は２に記載の有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法。
【００１８】
４．前記ドライエッチング処理と同時に酸化処理を行うことを特徴とする前記１又は２に記載の有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法。
【００１９】
５．前記ドライエッチング処理を行った第２電極層の上に接着剤層を形成した後、封止部材を積層することを特徴とする前記１〜４の何れか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法。
【００２０】
６．前記ドライエッチング処理を行った第２電極層の上に無機膜を形成することを特徴とする前記１〜４の何れか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法。
【００２１】
７．前記ドライエッチング処理を行った第２電極層の上に無機膜を形成した後、該無機膜の上に接着剤層を形成し、この後該封止部材を積層することを特徴とする前記１〜４の何れか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法。
【００２２】
８．前記ドライエッチング処理を行った第２電極層の上に無機膜を形成した後、該無機膜の上面をドライエッチング処理で表面粗さＲａを３０ｎｍ以下に処理し、この後、該無機膜の上に接着剤層を形成し、該封止部材を積層することを特徴とする前記１〜４の何れか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法。
【００２３】
９．前記１〜８の何れか１項に記載の製造方法により製造されたことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンスパネル。
【発明の効果】
【００２４】
基板上に、少なくとも第１電極層と、発光層を含む有機化合物層と、第２電極層とを有する有機ＥＬ素子を封止部材により密着封止構造を有する有機ＥＬパネルを製造する時、使用する接着剤、封止部材に制限を加えることなく、有機ＥＬ素子の性能劣化を生じさせない有機ＥＬパネルの製造方法及び有機ＥＬパネルを提供することが出来、高品質の薄型・軽量の有機ＥＬパネルの生産が可能となった。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
本発明の実施の形態を図１〜図７を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００２６】
図１は枚葉基材を使用して作製した有機ＥＬ素子を封止部材で密着封止構造を有する有機ＥＬパネルの製造プロセスの一例を示す模式図である。尚、本図で示す製造方法の説明は、既に、枚葉基材上に、第１電極、正孔輸送層、発光層、電子注入層、第２電極の順番に形成されている有機ＥＬ素子を使用するため、有機ＥＬ素子の製造工程は省略してある。
【００２７】
図１（ａ）について説明する。図中、１ａは有機ＥＬ素子の製造プロセスを示す。製造プロセス１ａは、有機ＥＬ素子の供給工程１０１と、ドライエッチング処理工程１０２と、接着剤塗設工程１０３と、封止部材貼合工程１０４と、打ち抜き工程１０５と、回収工程１０６とを有している。
【００２８】
供給工程１０１は、枚葉基材の上に少なくとも一つの有機ＥＬ素子が形成されている有機ＥＬ素子１０１ａを次工程に供給する供給装置１０１ｂを有している。
【００２９】
ドライエッチング処理工程１０２は平滑化処理工程１０２ａと酸化処理工程１０２ｂとを有している。平滑化処理工程１０２ａでは、有機ＥＬ素子１０１ａの第２電極の封止部材を貼合する側の面をドライエッチング装置１０２ａ１にて表面をドライエッチング処理（平滑化処理とも言う）する。ドライエッチング処理後の第２電極の封止部材を貼合する側の面の表面粗さＲａは、接着剤の伸縮に共なう応力緩和、接着剤の伸縮に共なう応力に伴う第２電極の微小な変形に共なう発光不良、未発光部（点状の発光欠陥、ダークスポットとも言う）の防止、接着剤と第２電極との界面からの水分の浸透防止等を考慮し、３０ｎｍ以下が好ましい。更に好ましくは０．１ｎｍ以上、２０ｎｍ以下である。尚、表面粗さＲａは、エスアイアイナノテクノロジー（株）製、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）ＳＰＡ３００により測定した値を示す。
【００３０】
ドライエッチング装置１０２ａ１としては特に限定はなく、例えば反応性ガスエッチング装置、大気圧プラズマ反応性イオンエッチング装置、減圧プラズマ反応性イオンエッチング装置、反応性イオンビームエッチング装置、イオンビームエッチング装置、反応性レーザービームエッチング装置、レーザービームエッチング装置等が挙げられる。これらのドライエッチング装置は上市されているドライエッチング装置の使用が可能である。
【００３１】
酸化処理工程１０２ｂはドライエッチング装置１０２ｂ１にて、ドライエッチング処理（平滑化処理）後の第２電極の表面に酸化膜を形成させる。ドライエッチング装置１０２ｂ１としては特に限定はなく、例えば反応ガスに酸素を使用した、反応性ガスエッチング装置、大気圧プラズマ反応性イオンエッチング装置、反応性イオンビームエッチング装置、反応性レーザービームエッチング装置が挙げられる。また、低圧水銀ランプ、エキシマランプを照射する表面処理装置の使用も可能である。これらのドライエッチング装置は上市されているドライエッチング装置の使用が可能である。
【００３２】
酸化被膜を形成させることで、第２電極の表面が硬くなり、微小な変形に共なう発光不良、未発光部（点状の発光欠陥、ダークスポットとも言う）、接着剤と第２電極との密着性が向上し界面からの水分の浸透防止等の防止が得られる。酸化処理工程は必要に応じて省略することも可能である。
【００３３】
接着剤塗設工程１０３は、接着剤塗設装置１０３ａと酸化処理工程１０２ｂから送られてくる有機ＥＬ素子を載置する載置台１０３ｂとを有している。接着剤塗設工程１０３では、酸化処理工程１０２ｂから送られてくる有機ＥＬ素子の第１電極及び第２電極の引き出し電極の端部を除いて発光領域及び発光領域の周辺に接着剤が塗設される。
【００３４】
封止部材貼合工程１０４では、接着剤塗設工程１０３で接着剤が塗設された有機ＥＬ素子を載置台１０４ａの上に載置し、枚葉シート状可撓性封止部材１０４ｂを積重した後、可撓性封止部材貼合装置１０４ｃにより貼合する。
【００３５】
打ち抜き工程１０５では、貼合された可撓性封止部材の不要部分を除去し、第１電極、第２電極の端部を除いて第２電極上に可撓性封止部材が貼合された状態とすることで枚葉基材の上に少なくとも一つの有機ＥＬパネルが形成された状態とした後、枚葉基材から打ち抜き断裁装置１０５ａで個別の有機ＥＬパネル素子を打ち抜き断裁する。
【００３６】
回収工程１０６では、打ち抜き工程１０５で打ち抜かれた個別の有機ＥＬパネル１０６ａが回収される。
【００３７】
図１（ｂ）について説明する。図中、１ｂは有機ＥＬ素子の製造プロセスを示す。製造プロセス１ｂは、有機ＥＬ素子の供給工程１０１と、ドライエッチング処理工程１０２と、無機膜形成工程１０７と、接着剤塗設工程１０３と、封止部材貼合工程１０４と、打ち抜き工程１０５と、回収工程１０６とを有している。図１（ａ）に示す有機ＥＬ素子の製造プロセスとの違いは酸化処理工程１０２ｂの後に無機膜形成工程１０７を配設したことであり、他の工程は全て同じである。酸化処理工程１０２ｂは必要に応じて省略することも可能である。
【００３８】
無機膜形成工程１０７は、蒸発源容器１０７ａを有する蒸着装置１０７ｂを有している。無機膜形成工程１０７では、酸化処理工程１０２ｂから送られてくる有機ＥＬ素子の第２電極の画像形成領域の上に蒸着装置１０７ｂで減圧条件下で無機膜が形成されるようになっている。他の符号は図１（ａ）と同義である。
【００３９】
無機膜の形成方法については、特に限定はなく、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、コーティング法等を用いることが出来るが、特開２００４−６８１４３号に記載されているような大気圧プラズマ重合法によるものが特に好ましい。
【００４０】
図１（ｃ）について説明する。図中、１ｃは有機ＥＬ素子の製造プロセスを示す。製造プロセス１ｃは、有機ＥＬ素子の供給工程１０１と、ドライエッチング処理工程１０２と、無機膜形成工程１０７と、無機膜ドライエッチング処理工程（無機膜平滑化処理工程共言う）１０８と、無機膜酸化処理工程１０９と、接着剤塗設工程１０３と、封止部材貼合工程１０４と、打ち抜き工程１０５と、回収工程１０６とを有している。図１（ａ）に示す有機ＥＬ素子の製造プロセスとの違いは酸化処理工程１０２ｂの後に無機膜形成工程１０７と、無機膜平滑化処理工程１０８と、無機膜酸化処理工程１０９とを配設したことであり、他の工程は全て同じである。酸化処理工程１０２ｂは必要に応じて省略することも可能である。無機膜平滑化処理工程１０８は平滑化処理工程１０２ａと同じドライエッチング装置１０８ａを有しており、無機膜形成工程１０７で形成された無機膜の上層と隣接する面を平滑化処理する。平滑化処理後の無機膜の表面の表面粗さＲａは、接着剤の伸縮に伴う応力緩和により有機ＥＬ素子への影響の緩和、接着剤と無機膜との密着性が向上し界面からの水分の浸透防止等を考慮し、３０ｎｍ以下が好ましい。更に好ましくは０．１ｎｍ以上、２０ｎｍ以下である。尚、表面粗さＲａは、エスアイアイナノテクノロジー（株）製、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）ＳＰＡ３００により測定した値を示す。
【００４１】
無機膜酸化処理工程１０９は、ドライエッチング装置１０９ａにて平滑化処理後の無機膜の表面に酸化膜を形成させる。
【００４２】
酸化被膜を形成させることで、無機膜の弾性率が低下することで、更に接着剤の伸縮に伴う応力緩和により有機ＥＬ素子への影響を緩和及び接着剤と無機膜との密着性が向上し界面からの水分の浸透防止する効果が得られる。無機膜酸化処理工程は必要に応じて省略することも可能である。
【００４３】
尚、ドライエッチング装置１０８ａは図１（ａ）に示したドライエッチング装置１０２ａ１、及びドライエッチング装置１０９ａは図１（ａ）に示したドライエッチング装置１０２ｂ１と同じドライエッチング装置を使用することが可能である。他の符号は図１（ａ）、図１（ｂ）と同義である。
【００４４】
図２は帯状基材を使用して作製した有機ＥＬ素子を封止部材で密着封止構造を有する有機ＥＬパネルの製造プロセスの一例を示す模式図である。尚、本図で示す製造方法の説明は、既に、帯状基材上に、第１電極、正孔輸送層、発光層、電子注入層、第２電極の順番に形成されている有機ＥＬ素子を使用するため、有機ＥＬ素子の製造工程は省略してある。
【００４５】
図２（ａ）について説明する。図中、２ａは有機ＥＬ素子の製造プロセスを示す。製造プロセス２ａは、有機ＥＬ素子の供給工程２０１と、ドライエッチング処理工程２０２と、接着剤塗設工程２０３と、封止部材貼合工程２０４と、回収工程２０５とを有している。本図で示される製造プロセスは、供給工程２０１〜回収工程２０５迄を連続して大気圧条件下で行う場合を示している。
【００４６】
供給工程２０１は、ロール状に巻き取られた有機ＥＬ素子２０１ａの繰り出し装置（不図示）を有している。供給工程２０１ではロール状に巻き取られた有機ＥＬ素子２０１ａを連続的に、次工程のドライエッチング処理工程２０２に繰り出す様になっている。
【００４７】
ドライエッチング処理工程２０２は平滑化処理工程２０２ａと酸化処理工程２０２ｂとを有している。平滑化処理工程２０２では、有機ＥＬ素子２０１ａの第２電極の封止部材を貼合する側の面をドライエッチング装置２０２ａ１にて表面をドライエッチング処理（平滑化処理とも言う）する。ドライエッチング処理（平滑化処理）後の第２電極の封止部材を貼合する側の面の表面粗さＲａは、接着剤の伸縮に共なう応力緩和、接着剤の伸縮に共なう応力に伴う第２電極の微小な変形に共なう発光不良、未発光部（点状の発光欠陥、ダークスポットとも言う）の防止、接着剤と第２電極との密着性が向上し界面からの水分の浸透防止等を考慮し、３０ｎｍ以下が好ましい。更に好ましくは０．１ｎｍ以上、２０ｎｍ以下である。尚、表面粗さＲａは、エスアイアイナノテクノロジー（株）製、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）ＳＰＡ３００により測定した値を示す。
【００４８】
ドライエッチング装置２０２ａ１としては図１（ａ）で使用しているドライエッチング装置１０２ａ１、と同じドライエッチング装置の使用が可能である。
【００４９】
酸化処理工程２０２ｂは、ドライエッチング装置２０２ｂ１にて、平滑化処理後の第２電極の表面に酸化膜を形成させる。ドライエッチング装置２０２ｂ１としては図１（ａ）で使用しているドライエッチング装置１０２ｂ１と同じドライエッチング装置の使用が可能である。
【００５０】
酸化被膜を形成させることで、第２電極の表面が硬くなり、微小な変形に共なう発光不良、未発光部（点状の発光欠陥、ダークスポットとも言う）等の防止、及び接着剤と第２電極との密着性が向上し界面からの水分の浸透防止が得られる。酸化処理工程は必要に応じて省略することも可能である。アキュームレータ２０２ｃは次工程の接着剤塗設工程２０３との速度調整のために配設されている。
【００５１】
接着剤塗設工程２０３は、接着剤塗設装置２０３ａを有している。接着剤塗設工程２０３では、酸化処理工程２０２ｂから送られてくる有機ＥＬ素子の第１電極及び第２電極の引き出し電極の端部を除いて発光領域及び発光領域の周辺に接着剤が塗設される。
【００５２】
封止部材貼合工程２０４では、接着剤塗設工程２０４で接着剤が塗設された有機ＥＬ素子と、封止部材供給工程２０４ａから送られてくる帯状の封止部材２０４ｂとを圧着ロール２０４ｃで貼合する。
【００５３】
回収工程２０５では、封止部材２０４ｂが貼合された帯状の有機ＥＬパネルがロール状に巻き取られ回収される。２０５ａはロール状有機ＥＬパネルを示す。この後、ロール状有機ＥＬパネル２０５ａは断裁工程（不図示）で個別の有機ＥＬパネルに断裁される。断裁された有機ＥＬパネルは図１（ａ）で製造された有機ＥＬパネルと同じ構成を有している。
【００５４】
図２（ｂ）について説明する。図中、２ｂは有機ＥＬ素子の製造プロセスを示す。製造プロセス２ｂは、有機ＥＬ素子の供給工程２０１と、ドライエッチング処理工程２０２と、無機膜形成工程２０６と、接着剤塗設工程２０３と、封止部材貼合工程２０４と、回収工程２０５とを有している。本図で示される製造プロセスは、無機膜形成工程２０６を減圧条件下で行う以外は大気圧条件下で行う場合を示している。図２（ａ）に示す有機ＥＬ素子の製造プロセスとの違いは酸化処理工程２０２ｂの後に無機膜形成工程２０６を配設したことであり、他の工程は全て同じである。酸化処理工程は必要に応じて省略することも可能である。
【００５５】
無機膜形成工程２０６は、蒸発源容器２０６ａを有する蒸着装置２０６ｂを有している。無機膜形成工程２０６では、酸化処理工程２０２ｂから送られてくる有機ＥＬ素子の第２電極の画像形成領域の上に蒸着装置２０６ｂで減圧条件下で無機膜が形成されるようになっている。無機膜を形成する材料としては、図１（ｂ）に示した無機膜の材料と同じである。無機膜の形成方法についてもは、図１（ｂ）に示した無機膜の形成方法と同じ方法である。無機膜の厚さは、水分透過率、ガス透過率、膜応力に伴うヒビワレ等を考慮し、３０ｎｍ以上、２０００ｎｍ以下が好ましい。アキュームレータ２０６ｃは次工程の接着剤塗設工程２０３との速度調整のために配設されている。他の符号は図２（ａ）と同義である。
【００５６】
図２（ｃ）について説明する。図中、２ｃは有機ＥＬ素子の製造プロセスを示す。製造プロセス２ｃは、有機ＥＬ素子の供給工程２０１と、ドライエッチング処理工程２０２と、無機膜形成工程２０６と、無機膜平滑化処理工程２０７と、無機膜酸化処理工程２０８と、接着剤塗設工程２０３と、封止部材貼合工程２０４と、回収工程２０５とを有している。図２（ａ）に示す有機ＥＬ素子の製造プロセスとの違いは酸化処理工程２０２ｂの後に無機膜形成工程２０６と、無機膜ドライエッチング処理工程（無機膜平滑化処理工程）２０７と、無機膜酸化処理工程２０８とを配設したことであり、他の工程は全て同じである。酸化処理工程２０２ｂ及び無機膜酸化処理工程２０８は必要に応じて省略することも可能である。無機膜平滑化処理工程２０７は平滑化処理工程２０２と同じドライエッチング装置２０７ａを有しており、無機膜形成工程２０６で形成された無機膜の上層と隣接する面を平滑化処理する。ドライエッチング装置２０７ａとしては図１（ａ）で使用しているドライエッチング装置１０２ａ１と同じドライエッチング装置の使用が可能である。
【００５７】
平滑化処理後の無機膜の表面の表面粗さＲａは、接着剤の伸縮に伴う応力緩和により有機ＥＬ素子への影響の緩和、接着剤と無機膜との密着性が向上し界面からの水分の浸透防止等を考慮し、３０ｎｍ以下が好ましい。更に好ましくは０．１ｎｍ以上、２０ｎｍ以下である。尚、表面粗さＲａは、エスアイアイナノテクノロジー（株）製、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）ＳＰＡ３００により測定した値を示す。アキュームレータ２０７ｂは次工程の無機膜酸化処理工程２０８との速度調整のために配設されている。
【００５８】
無機膜酸化処理工程２０８はドライエッチング装置２０８ａにて、平滑化処理後の無機膜の表面に酸化膜を形成させる。ドライエッチング装置２０８ａとしては図１（ａ）で使用しているドライエッチング装置１０２ｂ１と同じドライエッチング装置の使用が可能である。アキュームレータ２０８ｃは次工程の接着剤塗設工程２０３との速度調整のために配設されている。
【００５９】
酸化被膜を形成させることで、無機膜の弾性率が低下することで、更に接着剤の伸縮に伴う応力緩和により有機ＥＬ素子への影響を緩和、及び接着剤と無機膜との密着性が向上し界面からの水分の浸透防止する効果が得られる。無機膜酸化処理工程は必要に応じて省略することも可能である。他の符号は図２（ａ）、図２（ｂ）と同義である。
【００６０】
図１、図２に示される接着剤塗設工程で塗設される接着層の厚さは１μｍ以上、２００μｍ以下が好ましい。より好ましくは、５μｍ以上、１００μｍ以下である。
【００６１】
図３は図１（ａ）に示す有機ＥＬパネルの製造プロセスで製造された有機ＥＬパネルの概略図である。図３（ａ）は有機ＥＬパネルの概略斜視図を示す。図３（ｂ）は図３（ａ）のＡ−Ａ′に沿った概略断面図である。図３（ｃ）は図３（ａ）のＢ−Ｂ′に沿った概略断面図である。
【００６２】
図中、３ａは有機ＥＬパネルを示す。有機ＥＬパネル３ａは、基材３０１上に、第１電極層３０２と、正孔輸送層（正孔注入層）３０３ａと、発光層３０３ｂと、電子注入層３０３ｃとを有する有機化合物層３０３と第２電極層３０４とを有する有機ＥＬ素子３０５と、有機ＥＬ素子３０５の周囲と表面に設けられた接着剤層３０６を介して封止部材３０７により封止された密着封止構造となっている。
【００６３】
図４は図３（ｃ）のＰで示される部分が形成されるまでの拡大概略フロー図である。
【００６４】
Ｓ１は図１（ａ）で示される平滑化処理工程１０２のドライエッチング装置１０２ａで処理される前の有機ＥＬ素子の第２電極３０４の表面３０４ａの状態を示す。３０４ａ１は表面３０４ａにある凸状部を示す。本図に示す状態の第２電極３０４の上に接着剤を塗設し接着剤層３０６を形成した後、封止部材３０７（図３を参照）を貼合した場合、接着剤層３０６の伸縮に伴う応力が凸状部３０４ａ１に集中することで第２電極３０４の微小な変形に共なうクラック、下層との剥離、等が発生し、発光不良、未発光部（点状の発光欠陥、ダークスポットとも言う）等の故障、及び第２電極３０４と接着剤層３０６との密着性の不足に伴い界面からの水分の浸透に伴う有機ＥＬ素子の短寿命化等の故障が発生する原因となる。
【００６５】
Ｓ２は図１（ａ）で示される平滑化処理工程１０２のドライエッチング装置１０２ａで処理された後の有機ＥＬ素子の第２電極３０４の表面３０４ａの状態を示す。ドライエッチング装置１０２ａで処理することでＳ１で示される凸状部３０４ａ１は除去され、表面３０４ａの粗さＲａは３０ｎｍ以下の状態となる。尚、この後、必要に応じ図１（ａ）で示される酸化処理工程１０２ｂで酸化処理することが好ましい。
【００６６】
Ｓ３は第２電極３０４の表面３０４ａをＳ２に示される状態にした後、図１（ａ）で示される接着剤塗設工程１０４で接着剤を塗設し接着剤層３０６を形成した後、封止部材貼合工程１０５で封止部材を貼合した状態を示す（図３（ｃ）のＰで示される部分に該当）。本図に示される如く、第２電極３０４の表面３０４ａを３０ｎｍ以下の状態にすることで、第２電極３０４の上に形成された接着剤層３０６が伸縮した場合でも、伸縮に伴う応力は分散されるため第２電極３０４への影響は緩和される。又、第２電極３０４の表面３０４ａと接着剤層３０６との界面の密着性の向上に伴い界面からの水分の浸透が防止され有機ＥＬの寿命がのびる。
【００６７】
図５は図１（ｂ）、図１（ｃ）に示す有機ＥＬパネルの製造プロセスで製造された有機ＥＬパネルの概略図である。図５（ａ）は有機ＥＬパネルの概略斜視図を示す。図５（ｂ）は図５（ａ）のＣ−Ｃ′に沿った概略断面図である。図５（ｃ）は図５（ａ）のＤ−Ｄ′に沿った概略断面図である。
【００６８】
図中、３ｂは有機ＥＬパネルを示す。有機ＥＬパネル３ｂは、基材３０１上に、第１電極層３０２と、正孔輸送層（正孔注入層）３０３ａと、発光層３０３ｂと、電子注入層３０３ｃとを有する有機化合物層３０３と第２電極層３０４とを有する有機ＥＬ素子３０５と、第２電極層３０４の上に積層された無機膜３０８と有機ＥＬ素子３０５の周囲と無機膜３０８の表面に設けられた接着剤層３０６を介して封止部材３０７により封止された密着封止構造となっている。本図で示される有機ＥＬパネル３ｂは無機膜３０８が形成されている他は、図３に示される有機ＥＬパネル３ａと同じ構成をしている。
【００６９】
図６は図５（ｃ）のＱで示される部分が形成されるまでの拡大概略フロー図である。
【００７０】
Ｓ′１は図１（ｂ）で示される平滑化処理工程１０２のドライエッチング装置１０２ａで処理される前の有機ＥＬ素子の第２電極３０４の表面３０４ａの状態を示す。３０４ａ１は表面３０４ａにある凸状部を示す。
【００７１】
Ｓ′２は図１（ｂ）で示される平滑化処理工程１０２のドライエッチング装置１０２ａで処理された後の有機ＥＬ素子の第２電極３０４の表面３０４ａの状態を示す。ドライエッチング装置１０２ａで処理することでＳ′１で示される凸状部３０４ａ１は除去され、表面３０４ａの粗さＲａは３０ｎｍ以下の状態となる。尚、この後、必要に応じ図１（ｂ）で示される酸化処理工程１０３で酸化処理することが好ましい。
【００７２】
Ｓ′３は第２電極３０４の表面３０４ａをＳ′２に示される状態にした後、図１（ｂ）で示される無機膜形成工程１０８で平滑化処理された第２電極３０４の上に無機膜３０８が形成された状態を示す。無機膜３０８の表面３０８ａは第２電極３０４の表面３０４ａに応じて平滑な表面となっている。
【００７３】
Ｓ′４はＳ′３で形成された無機膜３０８の表面３０８ａに図１（ｂ）で示される接着剤塗設工程１０４で接着剤を塗設し接着剤層３０６を形成した状態を示す。
【００７４】
Ｓ′５はＳ′４で形成された接着剤層３０６の上に図１（ｂ）で示される封止部材貼合工程１０５で封止部材３０７を貼合した状態を示す（図５（ｃ）のＱで示される部分に該当）。本図に示される如く、第２電極３０４の表面３０４ａを５０ｎｍ以下の状態にしてあるため、第２電極３０４の上に無機膜３０８を形成し、無機膜３０８の上に形成された接着剤層３０６の伸縮に伴う応力は、以下に示す理由から緩和され第２電極３０４への影響は緩和される（無くなる）。
１）無機膜３０８の表面３０８ａは第２電極３０４の表面３０４ａにならってある程度平滑な面となっているため、応力が集中する箇所が少ないため、無機膜３０８に伝播する応力は小さく、多くは接着剤層３０６の中で分散される。
２）無機膜３０８へ伝播した応力は第２電極３０４の表面３０４ａが平滑処理されているため、無機膜３０８の内部で分散される。
【００７５】
図７は図５（ｃ）のＱで示される部分が形成されるまでの拡大概略フロー図である。
【００７６】
Ｓ″１は図１（ｃ）で示される平滑化処理工程１０２のドライエッチング装置１０２ａで処理される前の有機ＥＬ素子の第２電極３０４の表面３０４ａの状態を示す。３０４ａ１は表面３０４ａにある凸状部を示す。
【００７７】
Ｓ″２は図１（ｃ）で示される平滑化処理工程１０２のドライエッチング装置１０２ａで処理された後の有機ＥＬ素子の第２電極３０４の表面３０４ａの状態を示す。ドライエッチング装置１０２ａで処理することでＳ″１で示される凸状部３０４ａ１は除去され、表面３０４ａの粗さＲａは３０ｎｍ以下の状態となる。尚、この後、必要に応じ図１（ｃ）で示される酸化処理工程１０３で酸化処理することが好ましい。
【００７８】
Ｓ″３は第２電極３０４の表面３０４ａをＳ″２に示される状態にした後、図１（ｃ）で示される無機膜形成工程１０８で平滑化処理された第２電極３０４の上に無機膜３０８が形成された状態を示す。
【００７９】
Ｓ″４はＳ″３に示す無機膜３０８の表面３０８ａを図１（ｃ）で示される無機膜平滑化処理工程１０８で平滑化処理し、表面粗さＲａを３０ｎｍ以下にした状態を示す。尚、この後、必要に応じ図１（ｃ）で示される無機膜酸化処理工程１０９で酸化処理することが好ましい。
【００８０】
Ｓ″５はＳ″３で形成された無機膜３０８の表面３０８ａに図１（ｃ）で示される接着剤塗設工程１０３で接着剤を塗設し接着剤層３０６を形成した状態を示す。
【００８１】
Ｓ′５はＳ′４で形成された接着剤層３０６の上に図１（ｃ）で示される封止部材貼合工程１０５で封止部材３０７を貼合した状態を示す（図５（ｃ）のＱで示される部分に該当）。本図に示される如く、第２電極３０４の表面３０４ａの粗さＲａを３０ｎｍ以下の状態にして更に、第２電極３０４の上に形成した無機膜３０８の表面３０８ａの粗さＲａを３０ｎｍ以下としてあるため、無機膜３０８の上に形成された接着剤層３０６の伸縮に伴う応力は、無機膜３０８に伝播することなく示す接着剤層３０６で分散され、第２電極３０４への影響は緩和される（無くなる）。
【００８２】
図１〜図７に示す有機ＥＬパネルの製造方法により次の効果が挙げられる。
１．使用する接着剤、封止部材に制限を加えることなく、有機ＥＬ素子の性能劣化を生じさせない有機ＥＬパネルの製造が可能となった。
２．防湿性を高めるため、無機膜を中間に形成しても、有機ＥＬ素子の性能劣化を生じさせない有機ＥＬパネルの製造が可能となり、更に高品質の有機ＥＬパネルの製造が可能となった。
３．特定の接着剤、封止部材を使用することが無くなり、幅広い材料の選択が可能になり、製造コストを抑えることが可能となった。
４．接着剤との密着力が向上し、有機ＥＬパネルの防湿性能の向上が可能となった。
【００８３】
次に本発明の有機ＥＬパネルの製造方法により製造される図３及び図５に示される有機ＥＬパネルの構成に使用する部材に付き説明する。
【００８４】
（封止部材）
封止部材の基材としては特に限定はなく、例えばエチレンテトラフルオロエチル共重合体（ＥＴＦＥ）、高密度ポリエチレン（ＨＤＰＥ）、延伸ポリプロピレン（ＯＰＰ）、ポリスチレン（ＰＳ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、延伸ナイロン（ＯＮｙ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリイミド、ポリエーテルスチレン（ＰＥＳ）など一般の包装用フィルムに使用されている熱可塑性樹脂フィルム材料、ガラス、金属箔等を使用することが出来る。又、これら熱可塑性樹脂フィルムは、必要に応じて異種フィルムと共押出しで作った多層フィルム、延伸角度を変えて貼り合せて作った多層フィルム等も当然使用出来る。更に必要とする物性を得るために使用するフィルムの密度、分子量分布を組合せて作ることも当然可能である。
【００８５】
熱可塑性樹脂フィルムの場合は、蒸着法やコーティング法でバリア層を形成する必要がある。バリア層としては、例えば金属蒸着膜、金属箔が挙げられる。無機蒸着膜としては薄膜ハンドブックｐ８７９〜ｐ９０１（日本学術振興会）、真空技術ハンドブックｐ５０２〜ｐ５０９、ｐ６１２、ｐ８１０（日刊工業新聞社）、真空ハンドブック増訂版ｐ１３２〜ｐ１３４（ＵＬＶＡＣ  日本真空技術Ｋ．Ｋ）に記載されている如き金属蒸着膜が挙げられる。例えば、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｉ等の金属が用いられる。又、金属箔の材料としては、例えばアルミニウム、銅、ニッケルなどの金属材料や、ステンレス、アルミニウム合金などの合金材料を用いることが出来るが、加工性やコストの面でアルミニウムが好ましい。膜厚は、１〜１００μｍ程度、好ましくは１０μｍ〜５０μｍ程度が望ましい。又、製造時の取り扱いを容易にするために、ポリエチレンテレフタレート、ナイロンなどのフィルムを予めラミネートしておいてもよい。可撓性封止部材に樹脂フィルムを使用する場合、液状シール剤と接触する側に熱可塑性接着性樹脂層を有することが好ましい。
【００８６】
更に、バリア層の上に保護層を設けてもよい。保護層の膜厚は、バリア層の耐ストレスクラッキング性、耐電気的絶縁性、シール剤層として使用する場合は接着性（接着力、段差追従性）等を考慮し、１００ｎｍ〜２００μｍが好ましい。保護層としてはＪＩＳ  Ｋ  ７２１０規定のメルトフローレートが５〜２０ｇ／１０ｍｉｎである熱可塑性樹脂フィルムが好ましく、更に好ましくは、６〜１５ｇ／１０ｍｉｎ以下の熱可塑性樹脂フィルムを用いることが好ましい。これは、メルトフローレートが５（ｇ／１０ｍｉｎ）以下の樹脂を用いると、各電極の取り出し電極の段差により生じる隙間部を完全に埋めることが出来ず、２０（ｇ／１０ｍｉｎ）以上の樹脂を用いると引っ張り強さや耐ストレスクラッキング性、加工性などが低下するためである。熱可塑性樹脂フィルムは、上記数値を満たすものであれば特に限定されるものではないが、例えば機能性包装材料の新展開株式会社東レリサーチセンター記載の高分子フィルムである低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥ）、ＨＤＰＥ、線状低密度ポリエチレン（ＬＬＤＰＥ）、中密度ポリエチレン、未延伸ポリプロピレン（ＣＰＰ）、ＯＰＰ、ＯＮｙ、ＰＥＴ、セロハン、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、延伸ビニロン（ＯＶ）、エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＯＨ）、エチレン−プロピレン共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、エチレン−メタクリル酸共重合体、塩化ビニリデン（ＰＶＤＣ）等の使用が可能である。これらの熱可塑性樹脂フィルムの中で特にＬＤＰＥ、ＬＬＤＰＥ及びメタロセン触媒を使用して製造したＬＤＰＥ、ＬＬＤＰＥ、又、これらフィルムとＨＤＰＥフィルムの混合使用したフィルムを使用することが好ましい。
【００８７】
封止層を形成するのに使用する可撓性封止部材は、製造時の取り扱いを容易にするために、樹脂基材の上にバリア層（必要に応じて保護層）を形成し積層フィルム状にした状態で使用することが好ましい。積層フィルムの製造方法としては、無機物を蒸着した熱可塑性樹脂フィルム及びアルミニウム箔をラミネートした熱可塑性樹脂フィルムの無機物層の上に一般的に知られている各種の方法、例えばウェットラミネート法、ドライラミネート法、ホットメルトラミネート法、押出しラミネート法、熱ラミネート法を利用して作ることが可能である。
【００８８】
本発明に使用する可撓性封止部材の水蒸気透過度は、有機ＥＬパネルとして製品化する際に必要とするガスバリア性等を考慮し、０．０１ｇ／ｍ2・ｄａｙ以下であることが好ましく、且つ酸素透過度は、０．１ｍｌ／ｍ2・ｄａｙ・ＭＰａ以下であることが好ましい。水分透過度はＪＩＳ  Ｋ７１２９Ｂ法（１９９２年）に準拠した方法で主としてＭＯＣＯＮ法により測定した値であり、酸素透過度はＪＩＳ  Ｋ７１２６Ｂ法（１９８７年）に準拠した方法で主としてＭＯＣＯＮ法により測定した値である。可撓性封止部材のヤング率は有機ＥＬ素子との密着性、液状接着剤の塗れ広がり防止等を考慮し、１×１０-3ＧＰａ〜８０ＧＰａであり、厚みが１０μｍ〜５００μｍであることが好ましい。
【００８９】
（無機膜）
無機膜を形成する材料としては、水分や酸素等素子の劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｉ等の金属、ＭｇＯ、ＳｉＯ、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＧｅＯ、ＮｉＯ、ＣａＯ、ＢａＯ、Ｆｅ2Ｏ3、Ｙ2Ｏ3、ＴｉＯ2等を用いることが出来る。無機膜の厚さは、水分透過率、ガス透過率、膜応力等を考慮し、３０ｎｍ以上、２０００ｎｍ以下が好ましい。
【００９０】
（接着剤）
本発明に係わる接着剤としては液状接着剤、シート状接着剤、熱可塑性樹脂等が挙げられる。液状接着剤としては、アクリル酸系オリゴマー、メタクリル酸系オリゴマーの反応性ビニル基を有する光硬化及び熱硬化型シール剤、２−シアノアクリル酸エステルなどの湿気硬化型等の接着剤、エポキシ系などの熱及び化学硬化型（二液混合）等の接着剤、カチオン硬化タイプの紫外線硬化型エポキシ樹脂接着剤等を挙げることが出来る。液状接着剤には必要に応じてフィラーを添加することが好ましい。フィラーの添加量としては、接着力を考慮し、５〜７０体積％が好ましい。又、添加するフィラーの大きさは、接着力、貼合圧着後の接着剤厚み等を考慮し、１μｍ〜１００μｍが好ましい。添加するフィラーの種類としては特に限定はなく、例えばソーダガラス、無アルカリガラス或いはシリカ、二酸化チタン、酸化アンチモン、チタニア、アルミナ、ジルコニアや酸化タングステン等の金属酸化物等が挙げられる。
【００９１】
液状接着剤を使用して封止部材と有機ＥＬ素子とを接着する場合、貼合部５０４は、貼合安定性、貼合部内への気泡混入防止、可撓性封止部材の平面性保持等を考慮し、１０〜１×１０-5Ｐａの減圧条件で行うことが好ましい。
【００９２】
シート状の接着剤としては、常温（２５℃程度）では非流動性を示し、且つ、加熱すると５０℃〜１００℃の範囲で流動性を発現し、シート状に成形された接着剤を言う。使用する接着剤としては、例えば分子の末端又は側鎖にエチレン性二重結合を有する化合物と、光重合開始剤とを主成分とする光硬化性樹脂が挙げられる。使用に際しては、例えば、予め、封止部材側に貼合して常温（２５℃程度）以下にして使用することが好ましい。
【００９３】
熱可塑性樹脂としては、ＪＩＳ  Ｋ  ７２１０規定のメルトフローレートが５〜２０ｇ／１０ｍｉｎである熱可塑性樹脂が好ましく、更に好ましくは、６〜１５ｇ／１０ｍｉｎ以下の熱可塑性樹脂を用いることが好ましい。これは、メルトフローレートが５（ｇ／１０ｍｉｎ）以下の樹脂を用いると、各電極の取り出し電極の段差により生じる隙間部を完全に埋めることが出来ず、２０（ｇ／１０ｍｉｎ）以上の樹脂を用いると引っ張り強さや耐ストレスクラッキング性、加工性などが低下するためである。これらの熱可塑性樹脂をフィルム状に成形し可撓性封止部材（帯状可撓性封止部材、枚葉シート状可撓性封止部材）に貼合して使用することが好ましい。貼合方法は一般的に知られている各種の方法、例えばウェットラミネート法、ドライラミネート法、ホットメルトラミネート法、押出しラミネート法、熱ラミネート法を利用して作ることが可能である。
【００９４】
熱可塑性樹脂は、上記数値を満たすものであれば特に限定されるものではないが、例えば機能性包装材料の新展開（株式会社東レリサーチセンター）に記載の高分子フィルムである低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥ）、ＨＤＰＥ、線状低密度ポリエチレン（ＬＬＤＰＥ）、中密度ポリエチレン、未延伸ポリプロピレン（ＣＰＰ）、ＯＰＰ、ＯＮｙ、ＰＥＴ、セロハン、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、延伸ビニロン（ＯＶ）、エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＯＨ）、エチレン−プロピレン共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、エチレン−メタクリル酸共重合体、塩化ビニリデン（ＰＶＤＣ）等の使用が可能である。これらの熱可塑性樹脂の中で特にＬＤＰＥ、ＬＬＤＰＥ及びメタロセン触媒を使用して製造したＬＤＰＥ、ＬＬＤＰＥ、又、ＬＤＰＥ、ＬＬＤＰＥとＨＤＰＥフィルムの混合使用した熱可塑性樹脂を使用することが好ましい。
【００９５】
（有機ＥＬ素子の基材）
基材としては、枚葉シート状基板、帯状可撓性基板が挙げられる。枚葉シート状基材としては、透明ガラス板、シート状透明樹脂フィルムが挙げられる。樹脂フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、セロハン、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）、セルロースアセテートフタレート（ＴＡＣ）、セルロースナイトレート等のセルロースエステル類又はそれらの誘導体、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリエチレンビニルアルコール、シンジオタクティックポリスチレン、ポリカーボネート、ノルボルネン樹脂、ポリメチルペンテン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン類、ポリエーテルイミド、ポリエーテルケトンイミド、ポリアミド、フッ素樹脂、ナイロン、ポリメチルメタクリレート、アクリル或いはポリアリレート類、アートン（商品名ＪＳＲ社製）或いはアペル（商品名三井化学社製）といったシクロオレフィン系樹脂等が挙げられる。帯状可撓性基材としては、透明樹脂フィルムが挙げられ、枚葉シート状基材と同じ樹脂フィルムが使用可能である。
【００９６】
基材として透明樹脂フィルムを使用する場合、樹脂フィルムの表面にはガスバリア膜が必要に応じて形成されることが好ましい。ガスバリア膜としては無機物、有機物の被膜又はその両者のハイブリッド被膜が挙げられる。ガスバリア膜の特性としては、水蒸気透過度が０．０１ｇ／ｍ2・ｄａｙ以下であることが好ましい。更には、酸素透過度０．１ｍｌ／ｍ2・ｄａｙ・ＭＰａ以下、水蒸気透過度１０-5ｇ／ｍ2・ｄａｙ以下の高バリア性フィルムであることが好ましい。
【００９７】
バリア膜を形成する材料としては、水分や酸素等素子の劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素等を用いることが出来る。更に該膜の脆弱性を改良するためにこれら無機層と有機材料からなる層の積層構造を持たせることがより好ましい。無機層と有機層の積層順については特に制限はないが、両者を交互に複数回積層させることが好ましい。バリア膜の形成方法については、特に限定はなく、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、コーティング法等を用いることが出来るが、特開２００４−６８１４３号に記載されているような大気圧プラズマ重合法によるものが特に好ましい。
【００９８】
（電極）
有機ＥＬパネルの場合、通常、陽極（第１電極）側が観察側になるため第１電極としては光透過率が高い電極が使用されている。第１電極としては、仕事関数の大きい（４ｅＶ以上）金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用いられる。この様な電極物質の具体例としてはＡｕ等の金属、ＣｕＩ、インジウムチンオキシド（ＩＴＯ）、ＳｎＯ2、ＺｎＯ等の導電性透明材料が挙げられる。又、ＩＤＩＸＯ（Ｉｎ2Ｏ3・ＺｎＯ）等非晶質で透明導電膜を作製可能な材料を用いてもよい。陽極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により、薄膜を形成させ、フォトリソグラフィー法で所望の形状のパターンを形成してもよく、或いはパターン精度をあまり必要としない場合は（１００μｍ以上程度）、上記電極物質の蒸着やスパッタリング時に所望の形状のマスクを介してパターンを形成してもよい。この陽極より発光を取り出す場合には、透過率を１０％より大きくすることが望ましく、又陽極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましい。更に膜厚は材料にもよるが、通常１０〜１０００ｎｍ、好ましくは１０〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。
【００９９】
第２電極としては、仕事関数の小さい（４ｅＶ以下）金属（電子注入性金属と称する）、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。この様な電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム／銅混合物、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）混合物、インジウム、リチウム／アルミニウム混合物、希土類金属等が挙げられる。これらの中で、電子注入性及び酸化等に対する耐久性の点から、電子注入性金属とこれより仕事関数の値が大きく安定な金属である第二金属との混合物、例えば、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）混合物、リチウム／アルミニウム混合物、アルミニウム等が好適である。陰極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより、作製することが出来る。又、陰極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましく、膜厚は通常１０ｎｍ〜５μｍ、好ましくは５０〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。尚、発光した光を透過させるため、有機ＥＬ素子の第１電極（陽極）又は第２電極（陰極）の何れか一方が、透明又は半透明であれば発光輝度が向上し好都合である。
【０１００】
又、第２電極に上記金属を１〜２０ｎｍの膜厚で作製した後に、第１電極の説明で挙げた導電性透明材料をその上に作製することで、透明又は半透明の第２電極（陰極）を作製することが出来、これを応用することで第１電極（陽極）と第２電極（陰極）の両方が透過性を有する素子を作製することが出来る。
【０１０１】
（発光層を含む有機化合物層）
図３及び図５に示される有機ＥＬパネルの発光層を含む有機化合物層の層構成としては次の構成が挙げられる。
【０１０２】
（１）正孔輸送層（正孔注入層）／発光層／電子注入層
（２）発光層／電子輸送層
（３）正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層
（４）正孔輸送層（正孔注入層）／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／陰極バッファー層（電子注入層）
（５）陽極バッファー層（正孔注入層）／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／陰極バッファー層（電子注入層）
以下、正孔輸送層、発光層、電子注入層に付き説明する。
【０１０３】
（正孔輸送層）
第１電極と発光層又は正孔輸送層の間、正孔注入層（陽極バッファー層）を存在させてもよい。正孔注入層とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために電極と有機層間に設けられる層のことで、「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」の第２編第２章「電極材料」（１２３−１６６頁）に詳細に記載されている。陽極バッファー層（正孔注入層）に使用する材料の一例としては、特開２０００−１６０３２８号公報に記載されている材料が挙げられる。
【０１０４】
正孔輸送層とは、正孔を輸送する機能を有する正孔輸送材料からなり、広い意味で正孔注入層、電子阻止層も正孔輸送層に含まれる。正孔輸送層は単層又は複数層設けることが出来る。正孔輸送材料としては、正孔の注入又は輸送、電子の障壁性の何れかを有するものであり、有機物、無機物の何れであってもよい。例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン系共重合体、又導電性高分子オリゴマー、特にチオフェンオリゴマー等が挙げられる。
【０１０５】
正孔輸送材料としては上記のものを使用することが出来るが、ポルフィリン化合物、芳香族第３級アミン化合物及びスチリルアミン化合物、特に芳香族第３級アミン化合物を用いることが好ましい。芳香族第３級アミン化合物及びスチリルアミン化合物の代表例としては、Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラフェニル−４，４′−ジアミノフェニル；Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（３−メチルフェニル）−〔１，１′−ビフェニル〕−４，４′−ジアミン（ＴＰＤ）；２，２−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）プロパン；１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）シクロヘキサン；Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラ−ｐ−トリル−４，４′−ジアミノビフェニル；１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）−４−フェニルシクロヘキサン；ビス（４−ジメチルアミノ−２−メチルフェニル）フェニルメタン；ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）フェニルメタン；Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ジ（４−メトキシフェニル）−４，４′−ジアミノビフェニル；Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラフェニル−４，４′−ジアミノジフェニルエーテル；４，４′−ビス（ジフェニルアミノ）クオードリフェニル；Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリ（ｐ−トリル）アミン；４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）−４′−〔４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）スチリル〕スチルベン；４−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ−（２−ジフェニルビニル）ベンゼン；３−メトキシ−４′−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノスチルベンゼン；Ｎ−フェニルカルバゾール、更には米国特許第５，０６１，５６９号明細書に記載されている２個の縮合芳香族環を分子内に有するもの、例えば、４，４′−ビス〔Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ〕ビフェニル（ＮＰＤ）、特開平４−３０８６８８号公報に記載されているトリフェニルアミンユニットが３つスターバースト型に連結された４，４′，４″−トリス〔Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ〕トリフェニルアミン（ＭＴＤＡＴＡ）等が挙げられる。
【０１０６】
更にこれらの材料を高分子鎖に導入した、又はこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることも出来る。又、ｐ型−Ｓｉ、ｐ型−ＳｉＣ等の無機化合物も正孔注入材料、正孔輸送材料として使用することが出来る。
【０１０７】
又、特開平１１−２５１０６７号公報、Ｊ．Ｈｕａｎｇ  ｅｔ．ａｌ．著文献（Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  Ｌｅｔｔｅｒｓ  ８０（２００２），ｐ．１３９）に記載されているような所謂ｐ型正孔輸送材料を用いることも出来る。本発明においては、より高効率の発光素子が得られることから、これらの材料を用いることが好ましい。
【０１０８】
正孔輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍ程度、好ましくは５〜２００ｎｍである。この正孔輸送層は上記材料の１種又は２種以上からなる一層構造であってもよい。又、不純物をドープしたｐ性の高い正孔輸送層を用いることも出来る。その例としては、特開平４−２９７０７６号、特開２０００−１９６１４０号、特開２００１−１０２１７５号、Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，９５，５７７３（２００４）等に記載されたものが挙げられる。この様なｐ性の高い正孔輸送層を用いることが、より低消費電力の有機ＥＬ素子を作製することが出来るため好ましい。
【０１０９】
（発光層）
本発明において、発光層とは青色発光層、緑色発光層、赤色発光層を指す。発光層を積層する場合の積層順としては、特に制限はなく、又各発光層間に非発光性の中間層を有していてもよい。本発明においては、少なくとも１つの青発光層が、全発光層中最も陽極に近い位置に設けられていることが好ましい。又、発光層を４層以上設ける場合には、陽極に近い順から、例えば青色発光層／緑色発光層／赤色発光層／青色発光層、青色発光層／緑色発光層／赤色発光層／青色発光層／緑色発光層、青色発光層／緑色発光層／赤色発光層／青色発光層／緑色発光層／赤色発光層のように青色発光層、緑色発光層、赤色発光層を順に積層することが、輝度安定性を高める上で好ましい。発光層を多層にすることで白色素子の作製が可能である。
【０１１０】
発光層の膜厚の総和は特に制限はないが、膜の均質性、発光に必要な電圧等を考慮し、通常２ｎｍ〜５μｍ、好ましくは２〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。更に１０〜２０ｎｍの範囲にあるのが好ましい。膜厚を２０ｎｍ以下にすると電圧面のみならず、駆動電流に対する発光色の安定性が向上する効果があり好ましい。個々の発光層の膜厚は、好ましくは２〜１００ｎｍの範囲で選ばれ、２〜２０ｎｍの範囲にあるのが更に好ましい。青、緑、赤の各発光層の膜厚の関係については、特に制限はないが、３発光層中、青発光層（複数層ある場合はその総和）が最も厚いことが好ましい。
【０１１１】
発光層は発光極大波長が各々４３０〜４８０ｎｍ、５１０〜５５０ｎｍ、６００〜６４０ｎｍの範囲にある発光スペクトルの異なる少なくとも３層以上の層を含む。３層以上であれば、特に制限はない。４層より多い場合には、同一の発光スペクトルを有する層が複数層あってもよい。発光極大波長が４３０〜４８０ｎｍにある層を青発光層、５１０〜５５０ｎｍにある層を緑発光層、６００〜６４０ｎｍの範囲にある層を赤発光層と言う。又、前記の極大波長を維持する範囲において、各発光層には複数の発光性化合物を混合してもよい。例えば、青発光層に、極大波長４３０〜４８０ｎｍの青発光性化合物と、同５１０〜５５０ｎｍの緑発光性化合物を混合して用いてもよい。
【０１１２】
発光層の材料として使用する有機発光材料は、（ａ）電荷の注入機能、すなわち、電界印加時に陽極或いは正孔注入層から正孔を注入することが出来、陰極或いは電子注入層から電子を注入することが出来る機能、（ｂ）輸送機能、すなわち、注入された正孔及び電子を電界の力で移動させる機能、及び（ｃ）発光機能、すなわち、電子と正孔の再結合の場を提供し、これらを発光に繋げる機能、の３つの機能を併せもつものであれば特に限定はない。例えば、ベンゾチアゾール系、ベンゾイミダゾール系、ベンゾオキサゾール系等の蛍光増白剤や、スチリルベンゼン系化合物を用いることが出来る。上記の蛍光増白剤の具体例としては、ベンゾオキサゾール系では、２，５−ビス（５，７−ジ−ｔ−ペンチル−２−ベンゾオキサゾリル）−１，３，４−チアジアゾール、４，４′−ビス（５，７−ｔ−ペンチル−２−ベンゾオキサゾリル）スチルベン、４，４′−ビス［５，７−ジ−（２−メチル−２−ブチル）−２−ベンゾオキサゾオリル］スチルベン、２，５−ビス（５，７−ジ−ｔ−ペンチル−２−ベンゾオキサゾリル）チオフェン、２，５−ビス［５−α，α−ジメチルベンジル−２−ベンゾオキサゾリル］チオフェン、２，５−ビス［５，７−ジ−（２−メチル−２−ブチル）−２−ベンゾオキサゾリル］−３，４−ジフェニルチオフェン、２，５−ビス（５−メチル−２−ベンゾオキサゾリル）チオフェン、４，４′−ビス（２−ベンゾオキサゾリル）ビフェニル、５−メチル−２−［２−［４−（５−メチル−２−ベンゾオキサゾリル）フェニル］ビニル］ベンゾオキサゾール、２−［２−（４−クロロフェニル）ビニル］ナフト［１，２−ｄ］オキサゾール等が挙げられる。ベンゾチアゾール系では、２，２′−（ｐ−フェニレンジビニレン）−ビスベンゾチアゾール等が挙げられ、ベンゾイミダゾール系では、２−［２−［４−（２−ベンゾイミダゾリル）フェニル］ビニル］ベンゾイミダゾール、２−［２−（４−カルボキシフェニル）ビニル］ベンゾイミダゾール等が挙げられる。更に、他の有用な化合物は、ケミストリー・オブ・シンセティック・ダイズ（１９７１），第６２８〜６３７頁及び第６４０頁に列挙されている。
【０１１３】
又、上記のスチリルベンゼン系化合物の具体例としては、１，４−ビス（２−メチルスチリル）ベンゼン、１，４−ビス（３−メチルスチリル）ベンゼン、１，４−ビス（４−メチルスチリル）ベンゼン、ジスチリルベンゼン、１，４−ビス（２−エチルスチリル）ベンゼン、１，４−ビス（３−メチルスチリル）ベンゼン、１，４−ビス（２−メチルスチリル）−２−メチルベンゼン、１，４−ビス（２−メチルスチリル）−２−エチルベンゼン等が挙げられる。
【０１１４】
更に、上述した蛍光増白剤及びスチリルベンゼン系化合物以外にも、例えば、１２−フタロペリノン、１，４−ジフェニル−１，３−ブタジエン、１，１，４，４−テトラフェニル−１，３−ブタジエン、ナフタルイミド誘導体、ペリレン誘導体、オキサジアゾール誘導体、アルダジン誘導体、ピラジリン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、ピロロピロール誘導体、スチリルアミン誘導体、クマリン系化合物、国際公開公報ＷＯ９０／１３１４８やＡｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，ｖｏｌ  ５８，１８，Ｐ１９８２（１９９１）に記載されているような高分子化合物、芳香族ジメチリディン系化合物が挙げられる。芳香族ジメチリディン系化合物の具体例としては、１，４−フェニレンジメチリディン、４，４′−フェニレンジメチリディン、２，５−キシリレンジメチリディン、２，６−ナフチレンジメチリディン、１，４−ビフェニレンジメチリディン、１，４−ｐ−テレフェニレンジメチリディン、４，４′−ビス（２，２−ジ−ｔ−ブチルフェニルビニル）ビフェニル、４，４′−ビス（２，２−ジフェニルビニル）ビフェニル等、及びこれらの誘導体が挙げられる。又、上記一般式（Ｉ）で表される化合物の具体例としては、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（ｐ−フェニルフェノラート）アルミニウム（III）、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（１−ナフトラート）アルミニウム（III）等が挙げられる。
【０１１５】
その他、上述した有機発光材料をホストとし、当該ホストに青色から緑色までの強い蛍光色素、例えばクマリン系或いは前記ホストと同様の蛍光色素をドープした化合物も、有機発光材料として好適である。有機発光材料として前記の化合物を用いた場合には、青色から緑色の発光（発光色はドーパントの種類によって異なる）を高効率で得ることが出来る。前記化合物の材料であるホストの具体例としては、ジスチリルアリーレン骨格の有機発光材料（特に好ましくは、例えば、４，４′−ビス（２，２−ジフェニルビニル）ビフェニル）が挙げられ、前記化合物の材料であるドーパントの具体例としては、ジフェニルアミノビニルアリレーン（特に好ましくは、例えば、Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノビフェニルベンゼンや４，４′−ビス［２−［４−（Ｎ，Ｎ−ジ−ｐ−トリル）フェニル］ビニル］ビフェニル）が挙げられる。
【０１１６】
発光層には、発光層の発光効率を高くするために公知のホスト化合物と公知のリン光性化合物（リン光発光性化合物とも言う）を含有することが好ましい。
【０１１７】
ホスト化合物とは、発光層に含有される化合物の内で、その層中での質量比が２０％以上であり、且つ室温（２５℃）においてリン光発光のリン光量子収率が、０．１未満の化合物と定義される。好ましくはリン光量子収率が０．０１未満である。ホスト化合物を複数種併用して用いてもよい。ホスト化合物を複数種用いることで、電荷の移動を調整することが可能であり、有機ＥＬ素子を高効率化することが出来る。又、リン光性化合物を複数種用いることで、異なる発光を混ぜることが可能となり、これにより任意の発光色を得ることが出来る。リン光性化合物の種類、ドープ量を調整することで白色発光が可能であり、照明、バックライトへの応用も出来る。
【０１１８】
これらのホスト化合物としては、正孔輸送能、電子輸送能を有しつつ、且つ発光の長波長化を防ぎ、尚且つ高Ｔｇ（ガラス転移温度）である化合物が好ましい。公知のホスト化合物としては、例えば、特開２００１−２５７０７６号公報、同２００２−３０８８５５号公報、同２００１−３１３１７９号公報、同２００２−３１９４９１号公報、同２００１−３５７９７７号公報、同２００２−３３４７８６号公報、同２００２−８８６０号公報、同２００２−３３４７８７号公報、同２００２−１５８７１号公報、同２００２−３３４７８８号公報、同２００２−４３０５６号公報、同２００２−３３４７８９号公報、同２００２−７５６４５号公報、同２００２−３３８５７９号公報、同２００２−１０５４４５号公報、同２００２−３４３５６８号公報、同２００２−１４１１７３号公報、同２００２−３５２９５７号公報、同２００２−２０３６８３号公報、同２００２−３６３２２７号公報、同２００２−２３１４５３号公報、同２００３−３１６５号公報、同２００２−２３４８８８号公報、同２００３−２７０４８号公報、同２００２−２５５９３４号公報、同２００２−２６０８６１号公報、同２００２−２８０１８３号公報、同２００２−２９９０６０号公報、同２００２−３０２５１６号公報、同２００２−３０５０８３号公報、同２００２−３０５０８４号公報、同２００２−３０８８３７号公報等に記載の化合物が挙げられる。
【０１１９】
複数の発光層を有する場合、これら各層のホスト化合物の５０質量％以上が同一の化合物であることが、有機層全体に渡って均質な膜性状を得やすいことから好ましく、更にはホスト化合物のリン光発光エネルギーが２．９ｅＶ以上であることが、ドーパントからのエネルギー移動を効率的に抑制し、高輝度を得る上で有利となることからより好ましい。リン光発光エネルギーとは、ホスト化合物を基板上に１００ｎｍの蒸着膜のフォトルミネッセンスを測定し、そのリン光発光の０−０バンドのピークエネルギーを言う。
【０１２０】
ホスト化合物は、有機ＥＬ素子の経時での劣化（輝度低下、膜性状の劣化）、光源としての市場ニーズ等を考慮し、リン光発光エネルギーが２．９ｅＶ以上且つＴｇが９０℃以上のものであることが好ましい。すなわち、輝度と耐久性の両方を満足するためには、リン光発光エネルギーが２．９ｅＶ以上且つＴｇが９０℃以上のものであることが好ましい。Ｔｇは、更に好ましくは１００℃以上である。
【０１２１】
リン光性化合物（リン光発光性化合物）とは、励起三重項からの発光が観測される化合物であり、室温（２５℃）にてリン光発光する化合物であり、リン光量子収率が、２５℃において０．０１以上の化合物である。先に説明したホスト化合物と合わせ使用することで、より発光効率の高い有機ＥＬ素子とすることが出来る。
【０１２２】
本発明に係るリン光性化合物は、リン光量子収率は好ましくは０．１以上である。上記リン光量子収率は、第４版実験化学講座７の分光IIの３９８頁（１９９２年版、丸善）に記載の方法により測定出来る。溶液中でのリン光量子収率は種々の溶媒を用いて測定出来るが、本発明に用いられるリン光性化合物は、任意の溶媒の何れかにおいて上記リン光量子収率が達成されればよい。
【０１２３】
リン光性化合物の発光は原理としては２種挙げられ、１つはキャリアが輸送されるホスト化合物上でキャリアの再結合が起こってホスト化合物の励起状態が生成し、このエネルギーをリン光性化合物に移動させることでリン光性化合物からの発光を得るというエネルギー移動型、もう一つはリン光性化合物がキャリアトラップとなり、リン光性化合物上でキャリアの再結合が起こりリン光性化合物からの発光が得られるというキャリアトラップ型であるが、何れの場合においても、リン光性化合物の励起状態のエネルギーはホスト化合物の励起状態のエネルギーよりも低いことが条件である。
【０１２４】
リン光性化合物は、有機ＥＬ素子の発光層に使用される公知のものの中から適宜選択して用いることが出来る。リン光性化合物としては、好ましくは元素の周期表で８族−１０族の金属を含有する錯体系化合物であり、更に好ましくはイリジウム化合物、オスミウム化合物、又は白金化合物（白金錯体系化合物）、希土類錯体であり、中でも最も好ましいのはイリジウム化合物である。
【０１２５】
本発明においては、リン光性化合物のリン光発光極大波長としては特に制限されるものではなく、原理的には中心金属、配位子、配位子の置換基等を選択することで得られる発光波長を変化させることが出来る。
【０１２６】
本発明の有機ＥＬ素子や本発明に係る化合物の発光する色は、「新編色彩科学ハンドブック」（日本色彩学会編、東京大学出版会、１９８５）の１０８頁の図４．１６において、分光放射輝度計ＣＳ−１０００（コニカミノルタセンシング社製）で測定した結果をＣＩＥ色度座標に当て嵌めた時の色で決定される。
【０１２７】
本発明で言うところの白色素子とは、２°視野角正面輝度を上記方法により測定した際に、１０００ｃｄ／ｍ2でのＣＩＥ１９３１  表色系における色度がＸ＝０．３３±０．０７、Ｙ＝０．３３±０．０７の領域内にあることを言う。
【０１２８】
（電子注入層）
電子注入層とは、電子を輸送する機能を有する材料からなり広い意味で電子輸送層に含まれる。電子注入層とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために電極と有機層間に設けられる層のことで、「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」の第２編第２章「電極材料」（１２３〜１６６頁）に詳細に記載されている。電子注入層（陰極バッファー層）は、特開平６−３２５８７１号公報、同９−１７５７４号公報、同１０−７４５８６号公報等にもその詳細が記載されており、具体的にはストロンチウムやアルミニウム等に代表される金属バッファー層、フッ化リチウムに代表されるアルカリ金属化合物バッファー層、フッ化マグネシウムに代表されるアルカリ土類金属化合物バッファー層、酸化アルミニウムに代表される酸化物バッファー層等が挙げられる。上記バッファー層（注入層）はごく薄い膜であることが望ましく、素材にもよるがその膜厚は０．１ｎｍ〜５μｍの範囲が好ましい。
【０１２９】
他に発光層側に隣接する電子輸送層に用いられる電子輸送材料（正孔阻止材料を兼ねる）としては、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能を有していればよく、その材料としては従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることが出来、例えば、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタン及びアントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体等が挙げられる。更に、上記オキサジアゾール誘導体において、オキサジアゾール環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾール誘導体、電子吸引基として知られているキノキサリン環を有するキノキサリン誘導体も、電子輸送材料として用いることが出来る。更にこれらの材料を高分子鎖に導入した、又はこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることも出来る。
【０１３０】
又、８−キノリノール誘導体の金属錯体、例えば、トリス（８−キノリノール）アルミニウム（Ａｌｑ）、トリス（５，７−ジクロロ−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（５，７−ジブロモ−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（２−メチル−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（５−メチル−８−キノリノール）アルミニウム、ビス（８−キノリノール）亜鉛（Ｚｎｑ）等、及びこれらの金属錯体の中心金属がＩｎ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｃａ、Ｓｎ、Ｇａ又はＰｂに置き替わった金属錯体も、電子輸送材料として用いることが出来る。その他、メタルフリーもしくはメタルフタロシアニン、又はそれらの末端がアルキル基やスルホン酸基等で置換されているものも、電子輸送材料として好ましく用いることが出来る。又、ジスチリルピラジン誘導体も、電子輸送材料として用いることが出来るし、正孔注入層、正孔輸送層と同様に、ｎ型−Ｓｉ、ｎ型−ＳｉＣ等の無機半導体も電子輸送材料として用いることが出来る。電子輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍ程度、好ましくは５〜２００ｎｍである。電子輸送層は上記材料の１種又は２種以上からなる一層構造であってもよい。
【０１３１】
又、不純物をドープしたｎ性の高い電子輸送層を用いることも出来る。その例としては、特開平４−２９７０７６号公報、特開平１０−２７０１７２号公報、特開２０００−１９６１４０号公報、特開２００１−１０２１７５号公報、Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，９５，５７７３（２００４）等に記載されたものが挙げられる。この様なｎ性の高い電子輸送層を用いることがより低消費電力の素子を作製することが出来るため好ましい。
【０１３２】
本発明に係わる有機ＥＬ素子の発光の室温における外部取り出し効率は１％以上であることが好ましく、より好ましくは５％以上である。ここに、外部取り出し量子効率（％）＝有機ＥＬ素子外部に発光した光子数／有機ＥＬ素子に流した電子数×１００である。
【０１３３】
又、カラーフィルター等の色相改良フィルター等を併用しても、有機ＥＬ素子からの発光色を蛍光体を用いて多色へ変換する色変換フィルターを併用してもよい。色変換フィルターを用いる場合においては、有機ＥＬ素子の発光のλｍａｘは４８０ｎｍ以下が好ましい。
【０１３４】
（その他）
本発明に係わる有機ＥＬ素子は、発光層で発生した光を効率よく取り出すために以下に示す方法を併用することが好ましい。有機ＥＬ素子は、空気よりも屈折率の高い（屈折率が１．７〜２．１程度）層の内部で発光し、発光層で発生した光の内１５％から２０％程度の光しか取り出せないことが一般的に言われている。これは、臨界角以上の角度θで界面（透明基板と空気との界面）に入射する光は、全反射を起こし素子外部に取り出すことが出来ないことや、透明電極ないし発光層と透明基板との間で光が全反射を起こし、光が透明電極ないし発光層を導波し、結果として、光が素子側面方向に逃げるためである。
【０１３５】
この光の取り出しの効率を向上させる手法としては、例えば、透明基板表面に凹凸を形成し、透明基板と空気界面での全反射を防ぐ方法（米国特許第４，７７４，４３５）。基板に集光性を持たせることにより効率を向上させる方法（特開昭６３−３１４７９５号公報）。素子の側面等に反射面を形成する方法（特開平１−２２０３９４号公報）。基板と発光体の間に中間の屈折率を持つ平坦層を導入し、反射防止膜を形成する方法（特開昭６２−１７２６９１号公報）。基板と発光体の間に基板よりも低屈折率を持つ平坦層を導入する方法（特開２００１−２０２８２７号公報）。基板、透明電極層や発光層の何れかの層間（含む、基板と外界間）に回折格子を形成する方法（特開平１１−２８３７５１号公報）等がある。
【０１３６】
本発明においては、これらの方法を有機ＥＬ素子と組合せて用いることが出来るが、基板と発光体の間に基板よりも低屈折率を持つ平坦層を導入する方法、或いは基板、透明電極層や発光層の何れかの層間（含む、基板と外界間）に回折格子を形成する方法を好適に用いることが出来る。本発明においては、これらの手段を組合せることにより、更に高輝度或いは耐久性に優れた素子を得ることが出来る。
【０１３７】
透明電極と透明基板の間に低屈折率の媒質を光の波長よりも長い厚みで形成すると、透明電極から出てきた光は、媒質の屈折率が低いほど、外部への取り出し効率が高くなる。低屈折率層としては、例えば、エアロゲル、多孔質シリカ、フッ化マグネシウム、フッ素系ポリマー等が挙げられる。透明基板の屈折率は一般に１．５〜１．７程度であるので、低屈折率層は、屈折率がおよそ１．５以下であることが好ましい。又、更に１．３５以下であることが好ましい。低屈折率媒質の厚みは、媒質中の波長の２倍以上となるのが望ましい。これは、低屈折率媒質の厚みが、光の波長程度になってエバネッセントで染み出した電磁波が基板内に入り込む膜厚になると、低屈折率層の効果が薄れるからである。全反射を起こす界面もしくは何れかの媒質中に回折格子を導入する方法は、光取り出し効率の向上効果が高いという特徴がある。この方法は、回折格子が１次の回折や、２次の回折といった所謂ブラッグ回折により、光の向きを屈折とは異なる特定の向きに変えることが出来る性質を利用して、発光層から発生した光の内、層間での全反射等により外に出ることが出来ない光を、何れかの層間もしくは、媒質中（透明基板内や透明電極内）に回折格子を導入することで光を回折させ、光を外に取り出そうとするものである。導入する回折格子は、二次元的な周期屈折率を持っていることが望ましい。これは、発光層で発光する光はあらゆる方向にランダムに発生するので、ある方向にのみ周期的な屈折率分布を持っている一般的な１次元回折格子では、特定の方向に進む光しか回折されず、光の取り出し効率がさほど上がらない。しかしながら、屈折率分布を二次元的な分布にすることにより、あらゆる方向に進む光が回折され、光の取り出し効率が上がる。
【０１３８】
回折格子を導入する位置としては前述の通り、何れかの層間もしくは、媒質中（透明基板内や透明電極内）でもよいが、光が発生する場所である有機発光層の近傍が望ましい。この時、回折格子の周期は、媒質中の光の波長の約１／２〜３倍程度が好ましい。回折格子の配列は、正方形のラチス状、三角形のラチス状、ハニカムラチス状等、２次元的に配列が繰り返されることが好ましい。
【０１３９】
更に、本発明に係わる有機ＥＬ素子は、発光層で発生した光を効率よく取り出すために、基板の光取り出し側に、例えばマイクロレンズアレイ上の構造を設けるように加工したり、或いは、所謂集光シートと組合せることにより、特定方向、例えば素子発光面に対し正面方向に集光することにより、特定方向上の輝度を高めることが出来る。マイクロレンズアレイの例としては、基板の光取り出し側に一辺が３０μｍでその頂角が９０度となるような四角錐を２次元に配列する。一辺は１０μｍ〜１００μｍが好ましい。これより小さくなると回折の効果が発生して色付く、大き過ぎると厚みが厚くなり好ましくない。
【０１４０】
集光シートとしては、例えば液晶表示装置のＬＥＤバックライトで実用化されているものを用いることが可能である。この様なシートとして例えば、住友スリーエム社製輝度上昇フィルム（ＢＥＦ）等を用いることが出来る。プリズムシートの形状としては、例えば基板に頂角９０度、ピッチ５０μｍの△状のストライプが形成されたものであってもよいし、頂角が丸みを帯びた形状、ピッチをランダムに変化させた形状、その他の形状であってもよい。又、発光素子からの光放射角を制御するために光拡散板・フィルムを、集光シートと併用してもよい。例えば、（株）きもと製拡散フィルム（ライトアップ）等を用いることが出来る。
【実施例】
【０１４１】
以下、実施例を挙げて本発明の具体的な効果を示すが、本発明の態様はこれに限定されるものではない。
【０１４２】
実施例１
（有機ＥＬ素子の作製）
以下に示す方法で、第１電極、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、第２電極を基板上にこの順で形成した有機ＥＬ素子を作製した。
【０１４３】
（基板の準備）
基板として厚さ１．１ｍｍ、幅４０ｍｍ、長さ６０ｍｍソーダ石灰ガラスを準備した。尚、ソーダ石灰ガラスの全面には、酸やアルカリから保護するためのシリカコートしたものを使用した。
【０１４４】
（第１電極の形成）
準備したガラス基板を波長１８４．２ｎｍの低圧水銀ランプを使用し、照射強度１５ｍＷ／ｃｍ2で、距離１２ｍｍで照射し洗浄を行った。この後、気相堆積装置を使用し、５×１０-4Ｐａの真空下にてインジウムチンオキシド（ＩＴＯ）を使用し、準備したガラス基板の堆積膜形成領域（第１電極形成領域）に、図１に示す様に幅２ｍｍ、長さ５０ｍｍ、間隔２ｍｍ、厚さ１５０ｎｍ、１０列のパターン化した第１電極を形成した。
【０１４５】
（正孔輸送層の形成）
第１電極が形成されたガラス基板を使用し、５×１０-4Ｐａの真空下にて正孔輸送層形成気相堆積装置で正孔輸送層形成用材料としてＮ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ｍ−トリル４，４′−ジアミノ−１，１′−ビフェニルを使用し、ガラス基板上に形成された第１電極の一方の端部を除き第１電極の上に、蒸着（気相堆積）した。
【０１４６】
（発光層の形成）
正孔輸送層が形成された各ガラス基板を使用し、正孔輸送層が形成された領域に、発光層形成用材料としてＡｌｑ3を使用し、５×１０-4Ｐａの真空下にて発光層形成気相堆積装置で蒸着した。
【０１４７】
（電子輸送層の形成）
発光層が形成されたガラス基板を使用し、発光層を含め正孔輸送層が形成された領域に、電子輸送層形成用材料としてＬｉＦを使用し、５×１０-4Ｐａの真空下にて電子輸送層形成気相堆積装置でＬｉＦを蒸着した。
【０１４８】
（第２電極の形成）
電子輸送層が形成されたガラス基板を使用し、電子輸送層の上に図１に示す様に第１電極と直交する方向で、第２電極形成用材料としてＡｌを使用し、５×１０-4Ｐａの真空下にて気相堆積装置でＡｌを蒸着した。尚、形成した第２電極は、幅２ｍｍ、長さ３５ｍｍ、間隔２ｍｍ、厚さ１５０ｎｍ、７列のパターンとした。
【０１４９】
（有機ＥＬパネルの作製）
図１（ａ）に示す製造プロセスに従って有機ＥＬパネルを作製した。
【０１５０】
（第２電極の表面平滑化処理）
準備した有機ＥＬ素子の第２電極の封止部材を貼合する側の面を以下に示す平滑化処理にて表面粗さＲａを表１に示すように変えた有機ＥＬ素子を作製しＮｏ．１−１〜１−７とした。尚、比較試料用として平滑化処理を施さない有機ＥＬ素子を作製しＮｏ．１−８とした。
【０１５１】
平滑化処理として反応性イオンエッチング装置を使用し、高周波電源（ＲＦ）電力、導入ガス種、導入ガス量、チャンバ内圧力、を変化させ第２電極を所望の表面粗さに処理した。
【０１５２】
表面粗さＲａは、エスアイアイナノテクノロジー（株）製  原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）ＳＰＡ３００により測定した値を示す。
【０１５３】
【表１】
2008226471.tif 000003
【０１５４】
表中、ＲＦ電力とは高周波電源電力を示す。Ａｒはアルゴンガス、Ｃｌ2は塩素ガスを示す。
【０１５５】
（接着剤の塗設）
準備した有機ＥＬ素子Ｎｏ．１−１〜１−８の第１電極及び第２電極の引き出し電極の端部を除いて発光領域及び発光領域の周辺に熱硬化型の液状接着剤（エポキシ樹脂系）を使用し、厚さ３０μｍで塗設した。
【０１５６】
（封止部材の貼合）
この後、以下に示す封止部材を準備した有機ＥＬ素子Ｎｏ．１−１〜１−８の接着剤塗設面に積重し、１Ｐａの真空環境下にて押圧力０．１ＭＰａで圧着した後、大気圧８０℃の環境にて３時間放置し固着させ貼合し、有機ＥＬパネルを作製し試料Ｎｏ．１０１〜１０８とした。
【０１５７】
（封止部材の準備）
封止部材として、基材としてＰＥＮフィルム（帝人・デュポン社製）、バリア層として導電性材料のアルミ箔を使用した２層構成としたシート状封止部材を準備した。ＰＥＮの厚さ１００μｍ、バリア層の厚さ７μｍとした。尚、基材とバリア層の接合はポリエステル系接着剤を用いドライラミネート法により実施し、接合後の封止部材の厚みを１１０μｍとした。ＪＩＳ  Ｋ−７１２９Ｂ法（１９９２年）に準拠した方法で主としてＭＯＣＯＮ法により測定した水蒸気透過度は０．０１ｇ／ｍ2・ｄａｙであった。ＪＩＳ  Ｋ７１２６Ｂ法（１９８７年）に準拠した方法で主としてＭＯＣＯＮ法により測定した酸素透過度は０．１ｍｌ／ｍ2・ｄａｙ・ＭＰａであった。準備したシート状封止部材を、準備した有機ＥＬ素子の大きさに合わせ断裁した。
【０１５８】
評価
作製した各試料Ｎｏ．１０１〜１０８に付き、ダークスポット（スポット状に非発光部）の発生割合を以下に示す試験方法により試験し、以下に示す評価ランクに従って評価した結果を表２に示す。
【０１５９】
ダークスポット（スポット状の非発光部）の発生割合の試験方法
定電圧電源を用いて、有機ＥＬパネルの１ドットに直流５Ｖを印加し、ダークスポットの有無をルーペ（倍率８倍）を用い目視にて観察した。７０ドット（発光領域）全てにおいて測定を行い、ダークスポットの発生したドットの数からダークスポットの発生割合を算出した。
【０１６０】
ダークスポット（スポット状の非発光部）の発生割合の評価ランク
◎：発生率０％（ダークスポットの発生が全くない。）
○：発生率１％以上５％未満
△：発生率５％以上１０％未満
×：発生率１０％以上
【０１６１】
【表２】
2008226471.tif 000004
【０１６２】
本発明の有効性が確認された。
【０１６３】
実施例２
（有機ＥＬ素子の作製）
実施例１と同じ有機ＥＬ素子を作製した。
【０１６４】
（有機ＥＬパネルの作製）
図１（ａ）に示す製造プロセスに従って有機ＥＬパネルを作製した。
【０１６５】
（第２電極の表面平滑化処理及び酸化処理）
準備した有機ＥＬ素子の第２電極の封止部材を貼合する側の面を平滑化処理した後、酸化処理工程で平滑化処理した第２電極の表面を表３に示す条件で酸化処理しＮｏ．２−１〜２−６とした。
【０１６６】
平滑化処理としては、実施例１と同じ反応性イオンエッチング装置を使用した。酸化処理としては、反応性イオンエッチング装置を使用し、高周波電源（ＲＦ）電力、導入ガス種、導入ガス量、チャンバ内圧力を変化させ、平滑化処理した第２電極の表面を所所望の状態に酸化処理した。
【０１６７】
【表３】
2008226471.tif 000005
【０１６８】
表中、ＲＦ電力とは高周波電源電力を示す。Ａｒはアルゴンガス、Ｏ2は酸素ガスを示す。
【０１６９】
（接着剤の塗設）
準備した有機ＥＬ素子Ｎｏ．２−１〜２−６の第１電極及び第２電極の引き出し電極の端部を除いて発光領域及び発光領域の周辺に熱硬化型の液状接着剤（エポキシ樹脂系）を使用し、厚さ３０μｍで塗設した。
【０１７０】
（封止部材の貼合）
この後、実施例１と同じ封止部材を準備した有機ＥＬ素子Ｎｏ．２−１〜２−６の接着剤塗設面に積重し、１００Ｐａの真空環境下にて押圧力０．１ＭＰａで圧着した後、大気圧８０℃の環境にて３時間放置し固着させ貼合し、有機ＥＬパネルを作製し試料Ｎｏ．２０１〜２０６とした。
【０１７１】
評価
作製した各試料Ｎｏ．２０１〜２０６に付き、ダークスポットの発生割合を実施例１と同じ方法により試験し、実施例１と同じ評価ランクに従って評価した結果を表４に示す。
【０１７２】
【表４】
2008226471.tif 000006
【０１７３】
本発明の有効性が確認された。
【０１７４】
実施例３
（有機ＥＬ素子の作製）
実施例１と同じ有機ＥＬ素子を作製した。
【０１７５】
（有機ＥＬパネルの作製）
図１（ｂ）に示す製造プロセスに従って有機ＥＬパネルを作製した。
【０１７６】
（第２電極の表面平滑化処理）
準備した有機ＥＬ素子の第２電極の封止部材を貼合する側の面を表５に示す条件で平滑化処理しＮｏ．３ａ〜３ｆとした。
【０１７７】
【表５】
2008226471.tif 000007
【０１７８】
表中、ＲＦ電力とは高周波電源電力を示す。Ａｒはアルゴンガス、Ｃｌ2は塩素ガスを示す。
【０１７９】
（無機膜の形成）
平滑処理した有機ＥＬ素子Ｎｏ．３ａ〜３ｆの第２電極の上に、無機膜（ＳｉＮ）をスパッタリング法により厚さ１００μｍで積層し無機膜形成済み有機ＥＬ素子Ｎｏ．３−１〜３−６とした。
【０１８０】
（接着剤の塗設）
準備した無機膜形成済み有機ＥＬ素子Ｎｏ．３−１〜３−６の第１電極及び第２電極の引き出し電極の端部を除いて発光領域及び発光領域の周辺に熱硬化型の液状接着剤（エポキシ樹脂系）を使用し、厚さ３０μｍで塗設した。
【０１８１】
（封止部材の貼合）
この後、実施例１と同じ封止部材を準備した無機膜形成済み有機ＥＬ素子Ｎｏ．３−１〜３−６の接着剤塗設面に積重し、１００Ｐａの真空環境下にて押圧力０．１ＭＰａで圧着した後、大気圧８０℃の環境にて３時間放置し固着させ貼合し、有機ＥＬパネルを作製し試料Ｎｏ．３０１〜３０６とした。
【０１８２】
評価
作製した各試料Ｎｏ．３０１〜３０６に付き、ダークスポットの発生割合を実施例１と同じ方法により試験し、実施例１と同じ評価ランクに従って評価した結果を表６に示す。
【０１８３】
【表６】
2008226471.tif 000008
【０１８４】
本発明の有効性が確認された。
【０１８５】
実施例４
（有機ＥＬ素子の作製）
実施例１と同じ有機ＥＬ素子を作製した。
【０１８６】
（有機ＥＬパネルの作製）
図１（ｂ）に示す製造プロセスに従って有機ＥＬパネルを作製した。
【０１８７】
（第２電極の表面平滑化処理及び酸化処理）
準備した有機ＥＬ素子の第２電極の封止部材を貼合する側の面を平滑化処理した後、酸化処理工程で酸化処理した第２電極の表面を表７に示す条件で酸化処理しＮｏ．４ａ〜４ｆとした。
【０１８８】
平滑化処理としては、実施例１と同じ反応性イオンエッチング装置を使用した。酸化処理としては、反応性イオンエッチング装置を使用し、高周波電源（ＲＦ）電力、導入ガス種、導入ガス量、チャンバ内圧力を変化させ、平滑化処理した第２電極の表面を所所望の状態に酸化処理した。
【０１８９】
【表７】
2008226471.tif 000009
【０１９０】
表中、ＲＦ電力とは高周波電源電力を示す。Ａｒはアルゴンガス、Ｃｌ2は塩素ガスを示す。
【０１９１】
（無機膜の形成）
酸化処理した有機ＥＬ素子Ｎｏ．４ａ〜４ｆの第２電極の上に、無機膜（ＳｉＮ）をスパッタ法により厚さ１００ｎｍで積層し無機膜形成済み有機ＥＬ素子Ｎｏ．４−１〜４−６とした。
【０１９２】
（接着剤の塗設）
準備した無機膜形成済み有機ＥＬ素子Ｎｏ．４−１〜４−６の第１電極及び第２電極の引き出し電極の端部を除いて発光領域及び発光領域の周辺に熱硬化型の液状接着剤（エポキシ樹脂系）を使用し、厚さ３０μｍで塗設した。
【０１９３】
（封止部材の貼合）
この後、実施例１と同じ封止部材を準備した無機膜形成済み有機ＥＬ素子Ｎｏ．４−１〜４−６の接着剤塗設面に積重し、１００Ｐａの真空環境下にて押圧力０．１ＭＰａで圧着した後、大気圧８０℃の環境にて３時間放置し固着させ貼合し、有機ＥＬパネルを作製し試料Ｎｏ．４０１〜４０６とした。
【０１９４】
評価
作製した各試料Ｎｏ．４０１〜４０６に付き、ダークスポットの発生割合を実施例１と同じ方法により試験し、実施例１と同じ評価ランクに従って評価した結果を表８に示す。
【０１９５】
【表８】
2008226471.tif 000010
【０１９６】
本発明の有効性が確認された。
【０１９７】
実施例５
（有機ＥＬ素子の作製）
実施例１と同じ有機ＥＬ素子を作製した。
【０１９８】
（有機ＥＬパネルの作製）
図１（ｂ）に示す製造プロセスに従って有機ＥＬパネルを作製した。
【０１９９】
（第２電極の平滑化処理及び酸化処理）
準備した有機ＥＬ素子の第２電極の封止部材を貼合する側の面を、実施例２の試料Ｎｏ．２−３と同じ条件で平滑化処理し表面粗さＲａを２０ｎｍとした。
【０２００】
（無機膜の形成）
酸化処理した有機ＥＬ素子の第２電極の上に、無機膜（ＳｉＮ）をスパッタリング法で厚さ１００ｎｍで積層し無機膜形成済み有機ＥＬ素子とした。
【０２０１】
（無機膜の平滑化処理）
準備した無機膜を形成した有機ＥＬ素子の無機膜の表面を以下に示す平滑化処理にて表面粗さＲａを表９に示すように変えた有機ＥＬ素子を作製しＮｏ．５−１〜５−７とした。平滑化処理として反応性イオンエッチング装置を使用し、高周波電源（ＲＦ）電力、導入ガス種、導入ガス量、チャンバ内圧力、を変化させ無機膜を所望の表面粗さに処理した。表面粗さＲａは、エスアイアイナノテクノロジー（株）製  原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）ＳＰＡ３００により測定した値を示す。
【０２０２】
【表９】
2008226471.tif 000011
【０２０３】
表中、ＲＦ電力とは高周波電源電力を示す。Ａｒはアルゴンガス、ＣＦ4はフレオンガスを示す。
【０２０４】
（接着剤の塗設）
準備した無機膜の平滑化処理済み有機ＥＬ素子Ｎｏ．５−１〜５−７の第１電極及び第２電極の引き出し電極の端部を除いて発光領域及び発光領域の周辺に熱硬化型の液状接着剤（エポキシ樹脂系）を使用し、厚さ３０μｍで塗設した。
【０２０５】
（封止部材の貼合）
この後、実施例１と同じ封止部材を準備した無機膜を平滑化処理した有機ＥＬ素子Ｎｏ．５−１〜５−７の接着剤塗設面に積重し、１００Ｐａの真空環境下にて押圧力０．１ＭＰａで圧着した後、大気圧８０℃の環境にて３時間放置し固着させ貼合し、有機ＥＬパネルを作製し試料Ｎｏ．５０１〜５０７とした。
【０２０６】
評価
作製した各試料Ｎｏ．５０１〜５０７に付き、ダークスポットの発生割合を実施例１と同じ方法により試験し、実施例１と同じ評価ランクに従って評価した結果を表１０に示す。
【０２０７】
【表１０】
2008226471.tif 000012
【０２０８】
本発明の有効性が確認された。
【０２０９】
実施例６
（有機ＥＬ素子の作製）
実施例１と同じ有機ＥＬ素子を作製した。
【０２１０】
（有機ＥＬパネルの作製）
図１（ｃ）に示す製造プロセスに従って有機ＥＬパネルを作製した。
【０２１１】
（第２電極の平滑化処理及び酸化処理）
準備した有機ＥＬ素子の第２電極の封止部材を貼合する側の面を、実施例２の試料Ｎｏ．２−５と同じ条件で平滑化処理及び酸化処理し表面粗さＲａを４０ｎｍとした。
【０２１２】
（無機膜の形成）
酸化処理した有機ＥＬ素子の第２電極の上に、無機膜（ＳｉＮ）をスパッタリング法を気相体積法で厚さ１００ｎｍで積層し無機膜形成済み有機ＥＬ素子とした。
【０２１３】
（無機膜の酸化処理）
準備した無機膜を形成した有機ＥＬ素子の無機膜の表面を以下に示す平滑化処理にて表面粗さＲａを表１１に示すように変えた有機ＥＬ素子を作製し、更に表面を以下に示す条件で酸化処理しＮｏ．６−１〜６−７とした。
【０２１４】
平滑化処理及び酸化処理として反応性イオンエッチング装置を使用し、高周波電源（ＲＦ）電力、導入ガス種、導入ガス量、チャンバ内圧力、を変化させ無機膜を所望の表面粗さ及び酸化処理した。表面粗さＲａは、エスアイアイナノテクノロジー（株）製  原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）ＳＰＡ３００により測定した値を示す。
【０２１５】
【表１１】
2008226471.tif 000013
【０２１６】
表中、ＲＦ電力とは高周波電源電力を示す。Ａｒはアルゴンガス、ＣＦ4はフレオンガス、Ｏ2は酸素ガスを示す。
【０２１７】
（接着剤の塗設）
準備した無機膜の酸化処理済み有機ＥＬ素子Ｎｏ．６−１〜６−７の第１電極及び第２電極の引き出し電極の端部を除いて発光領域及び発光領域の周辺に熱硬化型の液状接着剤（エポキシ樹脂系）を使用し、厚さ３０μｍで塗設した。
【０２１８】
（封止部材の貼合）
この後、実施例１と同じ封止部材を準備した無機膜を酸化処理した有機ＥＬ素子Ｎｏ．６−１〜６−７の接着剤塗設面に積重し、１００Ｐａの真空環境下にて押圧力０．１ＭＰａで圧着した後、大気圧８０℃の環境にて３時間放置し固着させ貼合し、有機ＥＬパネルを作製し試料Ｎｏ．６０１〜６０７とした。
【０２１９】
評価
作製した各試料Ｎｏ．６０１〜６０７に付き、ダークスポットの発生割合を実施例１と同じ方法により試験し、実施例１と同じ評価ランクに従って評価した結果を表１２に示す。
【０２２０】
【表１２】
2008226471.tif 000014
【０２２１】
本発明の有効性が確認された。
【０２２２】
実施例７
（有機ＥＬ素子の準備）
〈ガスバリア層と第１電極層とをこの順番で有する帯状可撓性支持体の準備〉
厚さ１００μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人・デュポン社製フィルム、以下、ＰＥＴと略記する）を用い、ガスバリア層、第１電極層、正孔輸送層、発光層、電子注入層と、第２電極とを順次積層した帯状の有機ＥＬ素子を準備した。
【０２２３】
（透明性ガスバリア層の形成）
準備したＰＥＴ上に、大気圧プラズマ放電処理法で、厚さ約９０ｎｍの透明ガスバリア層を形成した。ＪＩＳｋ−７１２９Ｂに準拠した方法により水蒸気透過率を測定した結果、１０-3ｇ／ｍ2・ｄａｙ以下であった。ＪＩＳｋ−７１２６Ｂに準拠した方法により酸素透過率を測定した結果、１０-3ｇ／ｍ2・ｄａｙ以下であった。
【０２２４】
（第１電極の形成）
形成したバリア層の上に厚さ１２０ｎｍのＩＴＯ（インジウムチンオキシド）を蒸着法によりパターニングを行い、第１電極を形成した。
【０２２５】
（正孔輸送層、発光層の形成）
第１電極の上に以下に示す正孔輸送層形成用塗布液をエクストルージョン塗布機を使用した湿式塗布方式により塗布・乾燥した後、帯電処理を行い、引き続き引き正孔輸送層上に、発光層形成用塗布液をエクストルージョン塗布機を使用した湿式塗布方式により塗布・乾燥し発光層を形成した後、帯電処理し、室温と同じ温度になるまで冷却した後、巻き芯に巻き取りロール状とした。尚、搬送速度は、２ｍ／分とした。搬送速度は、三菱電機（株）製  レーザドップラ速度計ＬＶ２０３で測定した。
【０２２６】
正孔輸送層形成用塗布液を塗布する前に、帯状可撓性支持体の洗浄表面改質処理を、波長１８４．９ｎｍの低圧水銀ランプを使用し、照射強度１５ｍＷ／ｃｍ2、距離１０ｍｍで実施した。帯電除去処理は、微弱Ｘ線による除電器を使用し行った。
【０２２７】
正孔輸送層形成用塗布液は乾燥後の厚みが５０ｎｍになるように塗布した。発光層形成用塗布液は乾燥後の厚みが１００ｎｍになるように塗布した。尚、搬送速度は２ｍ／ｍｉｎで実施した。
【０２２８】
正孔輸送層形成用塗布液の準備
ポリエチレンジオキシチオフェン・ポリスチレンスルホネート（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ、Ｂａｙｅｒ社製  Ｂｙｔｒｏｎ  Ｐ  ＡＩ  ４０８３）を純水で６５％、メタノール５％で希釈した溶液を正孔輸送層形成用塗布液として準備した。正孔輸送層形成用塗布液の表面張力は４０×１０-3Ｎ／ｍ（協和界面化学社製：表面張力計ＣＢＶＰ−Ａ３）であった。
【０２２９】
発光層形成用塗布液の準備
ホスト材のポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）にドーパント材Ｉｒ（ｐｐｙ）３を５質量％を１，２−ジクロロエタン中に溶解し１０％溶液とし発光層形成用塗布液として準備した。発光層形成用塗布液の表面張力は３２×１０-3Ｎ／ｍ（協和界面化学社製：表面張力計ＣＢＶＰ−Ａ３）であった。発光層のガラス転移温度は２２５℃であった。尚、本例は緑色の発光を有する材料を用いたが、更に青色、赤色及びドーパント材を使用し積層させることで、白色の有機ＥＬ素子を作製することが可能である。
【０２３０】
塗布条件
正孔輸送層形成用塗布液の塗布時の温度は、２５℃、発光層形成用塗布液の塗布時の温度は、２５℃の環境の大気環境下で行った。尚、湿式塗布工程は露点温度−２０℃以下且つ清浄度クラス５以下（ＪＩＳ  Ｂ  ９９２０）とした。
【０２３１】
乾燥及び加熱処理条件
正孔輸送層形成用塗布液を塗布した後、吐出風速１ｍ／ｓ、幅手の風速分布５％、温度１００℃で溶媒を除去した後、引き続き、温度２００℃で裏面伝熱方式の熱処理を行い正孔輸送層を形成した。発光層形成用塗布液を塗布した後、吐出風速１ｍ／ｓ、幅手の風速分布５％、温度６０℃で溶媒を除去した後、引き続き、温度２２０℃で加熱処理を行い発光層を形成した。
【０２３２】
（電子注入層、第２電極の形成）
引き続き、形成された発光層の上に、５×１０-4Ｐａ真空下にて厚さ０．５ｎｍのＬｉＦ層（電子注入層）を全面蒸着し、マスクを介して第１電極とは直交するように幅５０μｍ、も間隔３０μｍのパターン形成された厚さ１００ｎｍのアルミ層（第２電極）を蒸着方式で形成した後、引き続き封止層の形成を蒸着で行い、室温まで冷却した。
【０２３３】
（有機ＥＬパネルの作製）
図２（ａ）に示す製造プロセスに従って有機ＥＬパネルを作製した。
【０２３４】
（第２電極の表面平滑化処理及び酸化処理）
準備した有機ＥＬ素子の第２電極の封止部材を貼合する側の面を以下に示す平滑化処理及び酸化処理を同時に実施し、表面粗さＲａを表１３に示すように変えた有機ＥＬ素子を作製しＮｏ．７−１〜７−７とした。尚、比較試料用として平滑化処理及び酸化処理を施さない有機ＥＬ素子を作製しＮｏ．７−８とした。
【０２３５】
平滑化処理及び酸化処理として反応性イオンエッチング装置を使用し、高周波電源（ＲＦ）電力、導入ガス種、導入ガス量、チャンバ内圧力、を変化させ第２電極を所望の表面粗さに処理した。
【０２３６】
表面粗さＲａは、エスアイアイナノテクノロジー（株）製  原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）ＳＰＡ３００により測定した値を示す。
【０２３７】
【表１３】
2008226471.tif 000015
【０２３８】
表中、ＲＦ電力とは高周波電源電力を示す。Ａｒはアルゴンガス、ＣＦ4はフレオンガス、Ｏ2は酸素ガスを示す。
【０２３９】
（接着剤の塗設）
準備した有機ＥＬ素子Ｎｏ．７−１〜７−８の第１電極及び第２電極の引き出し電極の端部を除いて発光領域及び発光領域の周辺に紫外線硬化型の液状接着剤（エポキシ樹脂系）を使用し、厚さ３０μｍで塗設した。
【０２４０】
（封止部材の貼合）
この後、以下に示す連続シート状封止部材を準備した有機ＥＬ素子Ｎｏ．７−１〜７−８の接着剤塗設面にロールラミネータ法により積重し、大気圧環境化にて押圧０．１ＭＰａでロール圧着した後、波長３６５ｎｍの高圧水銀ランプを、照射強度５〜２０ｍＷ／ｃｍ2で距離５〜１５ｍｍで１分間照射し固着させ貼合し、有機ＥＬパネルを作製し試料Ｎｏ．７０１〜７０８とした。
【０２４１】
（封止部材の準備）
封止部材として、基材としてＰＥＮフィルム（帝人・デュポン社製）、バリア層として無機膜（ＳｉＮ）使用した２層構成とした連続シート状封止部材を準備した。ＰＥＮの厚さ１００μｍ、バリア層の厚さ２００ｎｍとした。尚、基材へのバリア層の成膜はスパッタリング法により実施し、成膜後の封止部材の厚みを１１０μｍとした。ＪＩＳ  Ｋ−７１２９Ｂ法（１９９２年）に準拠した方法で主としてＭＯＣＯＮ法により測定した水蒸気透過度は０．０１ｇ／ｍ2・ｄａｙであった。ＪＩＳ  Ｋ７１２６Ｂ法（１９８７年）に準拠した方法で主としてＭＯＣＯＮ法により測定した酸素透過度は０．１ｍｌ／ｍ2・ｄａｙ・ＭＰａであった。準備した連続シート状封止部材を、準備した有機ＥＬ素子の大きさに合わせサイドスリットし巻取りロール状とした。
【０２４２】
評価
作製した各試料Ｎｏ．７０１〜７０８に付き、ダークスポットの発生割合を実施例１と同じ方法により試験し、実施例１と同じ評価ランクに従って評価した結果を表１４に示す。
【０２４３】
【表１４】
2008226471.tif 000016
【０２４４】
本発明の有効性が確認された。
【０２４５】
実施例８
（有機ＥＬ素子の作製）
実施例１と同じ有機ＥＬ素子を作製した。
【０２４６】
（有機ＥＬパネルの作製）
図１（ａ）に示す製造プロセスに従って有機ＥＬパネルを作製した。
【０２４７】
（第２電極の表面平滑化処理）
準備した有機ＥＬ素子の第２電極の封止部材を貼合する側の面を表１５に示す条件で平滑化処理しＮｏ．８−１〜８−６とした。尚、比較試料用として平滑化処理を施さない有機ＥＬ素子を作製しＮｏ．８−７とした。
【０２４８】
【表１５】
2008226471.tif 000017
【０２４９】
表中、ＲＦ電力とは高周波電源電力を示す。Ａｒはアルゴンガス、Ｃｌ2は塩素ガスを示す。
（無機膜の形成）
平滑処理した有機ＥＬ素子Ｎｏ．８−１〜８−７の第２電極の上に、無機膜（ＳｉＮ）をスパッタリング法により厚さ１００ｎｍで積層し有機ＥＬパネルを作製し試料Ｎｏ．８０１〜８０７とした。
【０２５０】
評価
作製した各試料Ｎｏ．８０１〜８０７に付き、ダークスポットの発生割合を実施例１と同じ方法により試験し、実施例１と同じ評価ランクに従って評価した結果を表１６に示す。
【０２５１】
【表１６】
2008226471.tif 000018
【０２５２】
本発明の有効性が確認された。
【図面の簡単な説明】
【０２５３】
【図１】枚葉基材を使用して作製した有機ＥＬ素子を封止部材で密着封止構造を有する有機ＥＬパネルの製造プロセスの一例を示す模式図である。
【図２】帯状基材を使用して作製した有機ＥＬ素子を封止部材で密着封止構造を有する有機ＥＬパネルの製造プロセスの一例を示す模式図である。
【図３】図１（ａ）に示す有機ＥＬパネルの製造プロセスで製造された有機ＥＬパネルの概略図である。
【図４】図３（ｃ）のＰで示される部分が形成されるまでの拡大概略フロー図である。
【図５】図１（ｂ）、図１（ｃ）に示す有機ＥＬパネルの製造プロセスで製造された有機ＥＬパネルの概略図である。
【図６】図５（ｃ）のＱで示される部分が形成されるまでの拡大概略フロー図である。
【図７】図５（ｃ）のＱで示される部分が形成されるまでの拡大概略フロー図である。
【符号の説明】
【０２５４】
１ａ、２ａ  製造プロセス
１０１、２０１  供給工程
１０１ａ、２０１ａ  有機ＥＬ素子
１０２、２０２  平滑化処理工程
１０２ａ、２０２ａ、２０８ａ  ドライエッチング装置
１０３、２０３  酸化処理工程
１０３ａ、２０３ａ、２０９ａ  酸素ガス吹き付け装置
１０４、２０４  接着剤塗設工程
１０５、２０５  封止部材貼合工程
１０５ｂ、２０５ｂ  封止部材
１０６  打ち抜き工程
１０７  回収工程
１０７ａ  有機ＥＬパネル
１０８、２０７  無機膜形成工程
１０８ｂ、２０７ｂ  蒸着装置
１０９、２０８  無機膜平滑化処理工程
１１０、２０９  無機膜酸化処理工程
２０６ａ  ロール状有機ＥＬパネル
【図１】
2008226471.tif 000019
【図２】
2008226471.tif 000020
【図３】
2008226471.tif 000021
【図４】
2008226471.tif 000022
【図５】
2008226471.tif 000023
【図６】
2008226471.tif 000024
【図７】
2008226471.tif 000025