(57)【要約】  【課題】本発明は、成膜室に異常が発生すると、バッファ室に基板を成膜室が復旧するまで、一時的にストックし、バッファ室に製品不良の発生を抑制することが可能な成膜装置を提供することを目的とする。【解決手段】上流側から下流側に向かって移動する基板に対して成膜材料を被着させる成膜装置であって、前記基板に成膜材料を被着させる第１の成膜室と、前記第１の成膜室よりも前記基板の移動方向の下流側に配置され、前記第１の成膜室から搬送される前記基板をストックすることにより、下流側への前記基板の搬送を一時的に中断させることが可能なバッファ室と、前記バッファ室よりも前記基板の移動方向の下流側に配置され、搬送されてきた前記基板に成膜材料を被着させる第２の成膜室と、を備えたことを特徴とする。【選択図】図１
2008056966.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上流側から下流側に向かって移動する基板に対して第１及び第２の成膜材料を被着させる成膜装置であって、
前記基板に第１の成膜材料を被着させる第１の成膜室と、
前記第１の成膜室よりも前記基板の移動方向の下流側に配置され、前記第１の成膜室から搬送される前記基板をストックすることにより、下流側への前記基板の搬送を一時的に中断させることが可能なバッファ室と、
前記バッファ室よりも前記基板の移動方向の下流側に配置され、搬送されてきた前記基板に第２の成膜材料を被着させる第２の成膜室と、
を備えたことを特徴とする成膜装置。
【請求項２】
請求項１に記載の成膜装置において、
前記第２の成膜室の異常を検出する異常検出手段を更に備え、
前記バッファ室は、前記異常検出手段が前記第２の成膜室の異常を検出した場合に、前記基板をストックすることを特徴とする成膜装置。
【請求項３】
請求項１に記載の成膜装置において、
前記バッファ室は、前記基板を上下に重ねてストックする複数の支持部材を備えたことを特徴とする成膜装置。
【請求項４】
請求項３に記載の成膜装置において、
前記支持部材は、上方に移動して下方から上方に向かって前記基板を掬い上げてストックすることを特徴とする成膜装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の成膜装置において、
前記バッファ室に、前記バッファ室を真空状態に維持したまま前記第１及び前記第２の成膜室との間を遮るシャッターを備えたことを特徴とする成膜装置。
【請求項６】
第１の成膜室からバッファ室を介して第２の成膜室に向かって基板を搬送し、前記基板に対して成膜を行う成膜方法において、
前記第２の成膜室の異常を検出した場合に、第１の成膜室内の基板を前記バッファ室にてストックし、前記第２の成膜室への基板の搬送を一時的に中断する工程と、
を備えたことを特徴とする成膜方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、成膜装置及び成膜方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ素子等の各種素子の製造技術として、基板上に所望の材料を成膜させる手法（蒸着法、ＣＶＤ法等）が知られている。
【０００３】
ここで、有機ＥＬ素子等の各種素子を量産する技術としては、上流側から下流側に向かって連続的に基板を搬送し、その移動する基板に対して成膜材料を被着するインライン式の成膜装置が提案されている（下記特許文献１、２参照）。
【０００４】
また、蒸着法によって基板にＲＧＢ（Ｒｅｄ、Ｇｒｅｅｎ、Ｂｌｕｅ）の有機ＥＬ素子を形成する場合は、複数の成膜室を備えた蒸着装置を準備し、各成膜室にてＲＧＢに対応する成膜材料を坩堝等の容器に収容し、この容器が加熱することで成膜材料を蒸発させて、基板に対して各種成膜材料を被着する。
【特許文献１】特開２００２−３４８６５９号公報
【特許文献２】特開２００３−３３２０５２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、上述した蒸着法による従来のインライン式の成膜装置では、通常、基板の搬送される下流側の成膜室に異常が発生したとき等は、基板の搬送を一時停止させるとともに成膜室内の容器の加熱も中断する。ところが、成膜材料を収容した容器は、加熱を中断したとしても、すぐに冷却されないため、基板の搬送が停止した後も依然として成膜材料を蒸発し続けている。それ故、一時停止している基板に対して成膜材料が継続して被着される。
【０００６】
かかる場合、基板に被着する膜の厚みが所望の厚みよりも大きくなってしまい、製品不良が発生してしまうという問題があった。
【０００７】
本発明は、上述した課題に鑑みなされたものであって、製品不良の発生を抑制することが可能な成膜装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するため、請求項１の発明は、上流側から下流側に向かって移動する基板に対して第１及び第２の成膜材料を被着させる成膜装置であって、前記基板に第１の成膜材料を被着させる第１の成膜室と、前記第１の成膜室よりも前記基板の移動方向の下流側に配置され、前記第１の成膜室から搬送される前記基板をストックすることにより、下流側への前記基板の搬送を一時的に中断させることが可能なバッファ室と、前記バッファ室よりも前記基板の移動方向の下流側に配置され、搬送されてきた前記基板に第２の成膜材料を被着させる第２の成膜室と、を備えたことを特徴とする。
【０００９】
また、請求項２の発明は、請求項１に記載の成膜装置において、前記第２の成膜室の異常を検出する異常検出手段を更に備え、前記バッファ室は、前記異常検出手段が前記第２の成膜室の異常を検出した場合に、前記基板をストックすることを特徴とする。
【００１０】
また、請求項３の発明は、請求項１に記載の成膜装置において、前記バッファ室は、前記基板を上下に重ねてストックする複数の支持部材を備えたことを特徴とする。
【００１１】
また、請求項４の発明は、請求項３に記載の成膜装置において、前記支持部材は、上方に移動して下方から上方に向かって前記基板を掬い上げてストックすることを特徴とする。
【００１２】
また、請求項５の発明は、請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の成膜装置において、前記バッファ室に、前記バッファ室を真空状態に維持したまま前記第１及び前記第２の成膜室との間を遮るシャッターを備えたことを特徴とする。
【００１３】
また、請求項６の発明は、第１の成膜室からバッファ室を介して第２の成膜室に向かって基板を搬送し、前記基板に対して成膜を行う成膜方法において、前記第２の成膜室の異常を検出した場合に、第１の成膜室内の基板を前記バッファ室にてストックし、前記第２の成膜室への基板の搬送を一時的に中断する工程と、を備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、第１及び第２の成膜室の間に、基板を一時的にストックすることが可能なバッファ室を備え、第１の成膜室に対して下流側に位置する第２の成膜室に異常が発生した場合、バッファ室にて第１の成膜室からバッファ室に搬送される基板を一時的にストックする。そして、第２の成膜室の異常が解消した後、バッファ室にストックしている基板を第２の成膜室に搬送し、製品不良となる基板の発生を抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下に、本発明にかかる成膜装置の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
【００１６】
＜成膜装置の構成＞
図１に本発明の一実施形態に係る成膜装置の平面図を示す。
【００１７】
本実施の形態においては、基板上に有機ＥＬ素子を構成する有機層を、蒸着法によって形成する成膜装置について説明する。
【００１８】
図１に示すように、成膜装置１は、ＲＧＢ（Ｒｅｄ、Ｇｒｅｅｎ、Ｂｌｕｅ）の３色を連続して蒸着するインライン式の有機ＥＬ素子用の成膜装置であって、前工程（上流側）から送られてきた基板ａに各種の有機材料からなる成膜材料を蒸着法によって被着し、成膜材料が堆積した基板ａを後工程（下流側）に送るものである。
【００１９】
成膜装置１は、おおまかには、赤色を発光する有機層を成膜する第１成膜部Ｒと、緑色を発光する有機層を成膜する第２成膜部Ｇ、青色を発光する有機層を成膜する成膜する第３成膜部Ｂと、基板の搬送や各成膜室の状態等を制御する図示しない制御部とを含んで構成されている。
【００２０】
第１及び第２及び第３の成膜部Ｒ、G、Ｂは、基板の搬送方向の上流側から下流側に向かって第１成膜部Ｒ、第２成膜部G、第３成膜部Ｂの順に配置されている。
【００２１】
第１及び第２及び第３の成膜部Ｒ、Ｇ、Ｂは、基板ａとメタルマスクｂとを位置合わせし、基板ａのＲを被着させる領域を露出させるアライメント室３、６、１０と、アライメント室３（アライメント室６、アライメント室１０）に接続され、基板ａに赤色用の有機層Ｒ、緑色用の有機層Ｇ、青色用の有機層Ｂを被着する成膜室４、８、１２と、成膜室４（成膜室８、成膜室１２）から搬送されてきた基板ａをストックすることが可能なバッファ室５、９、１３とを含んでそれぞれ構成されている。なお、アライメント室６、１０とバッファ室９、１３との間には、基板ａの搬送方向を９０度変更するターンテーブル室７、１１が備えられている。
【００２２】
また、第３成膜部Ｇの下流側には、基板ａとメタルマスクｂを回収する回収室Ｃが備えられている。
【００２３】
回収室Ｃは、バッファ室１３と接続され、基板ａとメタルマスクｂとの接続を解除する解除室１４と、解除室１４と接続され、基板ａを搬出する取出室１５と、解除室１４と接続され、メタルマスクｂの進行方向を９０度変更するターンテーブル室１６と、ターンテーブル室１６とアライメント室３に接続され、メタルマスクｂをアライメント室３まで搬送するマスク搬送室１７と、を含んで構成されている。なお、上述した各室には、基板ａ及びメタルマスクｂを搬送する搬送装置１８が備えられており、基板ａ及びメタルマスクｂを各成膜室内にて所定の一定速度で搬送する。
【００２４】
また、アライメント室３の上流側には、基板ａを投入する投入室２が備えられている。投入室２は、前工程にて成膜処理された基板ａを投入する箇所である。なお、投入室２に搬送された基板ａは、例えば、プラスチックやガラスにより構成されており、基板ａ上には、薄膜トランジスタ等の駆動回路層や、窒化珪素等の絶縁層等の薄膜層が積層されている。
【００２５】
アライメント室３は、投入室２から搬送されてきた基板ａとマスク搬送室１７から搬送されてきたメタルマスクｂとを位置合わせする箇所である。また、基板ａは、メタルマスクｂと、メタルマスクｂを磁力によって引き付けて吸着するマグネットプレートｃによって挟持され、成膜室４に向かって搬送される。
【００２６】
また、アライメント室６、１０は、上述したアライメント室３と同様に、基板ａとメタルマスクｂとを位置合わせする箇所であって、メタルマスクｂを基板ａに対してずらして基板ａのメタルマスクｂで被覆されていない領域を変更する。
【００２７】
ここで、搬送される基板ａとメタルマスクｂとマグネットプレートｃの位置関係は、下側から上側に向かって、メタルマスクｂ、基板ａ、マグネットプレートｃの順番に配置されている。また、基板ａは、成膜材料を被着すべき面を下向きに保持されている。
【００２８】
なお、後工程において、メタルマスクｂとマグネットプレートｃとの接合を解除する際に、メタルマスクｂに外力が印加され、メタルマスクｂに歪みが発生するのを抑制するために、メタルマスクｂとマグネットプレートｃとの間に中間プレートを介在するようにしてもよい。なお、メタルマスクｂは、ニッケル又はニッケル系合金等の磁性体から構成されている。
【００２９】
なお、アライメント室６（アライメント室１０）と後述するバッファ室５（バッファ室９）との配置が逆であっても構わない。
【００３０】
成膜室４、８、１２（以下、各成膜室とする。）は、図２に示すように、成膜材料を加熱及び蒸発させる蒸着用坩堝１９と、蒸着用坩堝１９上であって、メタルマスクｂとマグネットプレートｃによって挟持された基板ａ（以下、基板ａ等とする。）を搬送する搬送装置１８とを含んで構成されている。なお、各成膜室内は高真空状態に保たれている。
【００３１】
また、蒸着用坩堝１９は、蒸着用坩堝１９内に入れられた成膜材料を該成膜材料の蒸発温度以上に加熱することによって、成膜材料を蒸発する。そして、基板ａのメタルマスクｂで被覆されていない箇所に蒸発した成膜材料が堆積し、基板ａにＲＧＢに対応した有機層を形成する。
【００３２】
ここで、有機層は、電子注入層、電子輸送層、発光層、ホール輸送層、ホール注入層等の数種類の層から構成されており、各成膜室内には、複数の蒸着用坩堝１９が所定の間隔を空けて配置されている。かかる複数の蒸着用坩堝１９内には、基板の移動方向である上流側から下流側に向かって、基板aに堆積させる電子注入層等の成膜材料に対応した有機材料が入れられている。なお、蒸着用坩堝１９は、基板ａに被着して堆積する有機発光層の膜厚ムラを防止するために、長尺状であることが望ましい。
【００３３】
また、蒸着用坩堝１９に入れられる成膜材料は、例えば、アルミ錯体、アントラセン類、希土類錯体、イリジウム錯体、アリールアミン類、フタロシアニン類、オキサジアゾール類、トリアゾール類等が用いられる。
【００３４】
解除室１４は、マグネットプレートｃの磁力によって一体化されている基板ａとメタルマスクｂとを分離する箇所である。なお、基板ａとメタルマスクｂとを分離する方法は、例えば、油圧シリンダーやモーター駆動のプッシャーピン等によってメタルマスクｂ及びマグネットプレートｃに外力を印加することにより分離する。
【００３５】
取出室１５は、メタルマスクｂ及びマグネットプレートｃから分離した基板ａのみを後工程に搬送する箇所である。解除室１４で分離された基板ａは、例えば、ロボットアーム等によって、支持されたまま解除室１４から取出室１５に向かって搬送される。そして、基板aから分離されたメタルマスクｂ及びマグネットプレートｃは、ターンテーブル室１６に搬送する。
【００３６】
マスク搬送室１７は、解除室１４にて基板ａから分離されたメタルマスクｂ及びマグネットプレートｃをアライメント室３に搬送する箇所である。なお、マスク搬送室１７には、マスクストック室１７ａが備えている。このマスクストック室１７aは、前工程から搬送されてくる基板ａに成膜材料を被着させて量産作業を開始するときに、マスクストック室１７ａに収容されているメタルマスクｂ及びマグネットプレートｃを、マスク搬送室１７に搬送する。なお、量産作業を終了するときは、マスク搬送室１７からマスクストック室１７aに向かってメタルマスクｂ及びマグネットプレートｃを搬送する。
【００３７】
次に、図３及び図４に示すように、バッファ室５、９、１３（以下、各バッファ室とする。）について説明する。
【００３８】
各バッファ室は、基板ａ等を上下方向に移動させる昇降装置２０と、基板ａ等を検出することが可能な基板検出センサ２１ａ、２１ｂと、各成膜室及び各アライメント室との間を遮るためのシャッターＳとが備えられている。かかる昇降装置２０は、立設した一対のマスト２２と、マスト２２に沿って上下に移動することが可能な基板支持部材２３（支持部材）と、基板支持部材２３をマストに沿って移動させる図示しない駆動装置とを含んで構成されている。なお、基板支持部材２３は、各成膜室内にて搬送中の基板ａの個数分以上、設けられている。
【００３９】
ここで、基板支持部材２３は、マスト２２に沿って上昇することによって、各バッファ室内の搬送装置１８上に載置されている基板aを下方から上方に向かって持ち上げ、マスト２２に沿って下降することによって、基板支持部材２３に支持されている基板ａ等を搬送装置１８上に載置することができる。
【００４０】
なお、基板支持部材２３は、各バッファ室内の搬送装置１８上に載置されている基板ａ等を左右から挟んで昇降するものであっても構わない。
【００４１】
基板検出センサ２１ａ、２１ｂは、各バッファ室の入口と出口に備えられており、基板ａ等が搬送装置１８によって各バッファ室内に搬送されているかを検出することができる。具体的には、基板検出センサ２１ａ、２１ｂは、例えば、赤外線等の光線を送信する送信機と、光線を受信する受信機とで構成され、送信機上に受信機を配置し、送信機と受信機の間に、基板ａ等が通過するように配置する。そして、基板ａ等によって送信機と受信機との間を通過する光線が遮られたときは、基板ａ等が各バッファ室に搬送中又は各バッファ室から搬送中と判断し、送信機と受信機との間を光線が通過しているときは、各バッファ室内に基板ａ等が入っていると判断する。
【００４２】
シャッターＳは、各バッファ室内を真空状態に維持するためのものであって、各バッファ室と各バッファ室に接続された各室との間に設けられており、各バッファ室を密封することができる。シャッターSによって密封された各バッファ室は、各バッファ室に接続された各室の真空が破られたとしても、各バッファ室内を真空状態に維持することができる。
【００４３】
＜制御部＞
以下では、基板ａを各バッファ室内にストックする制御部について説明する。
【００４４】
制御部は、図５に示すように、各成膜室内の温度を検出する温度検出センサ２４（温度検出手段）と、各成膜室内の真空中に含有される成膜材料の含有量を検出する濃度検出センサ２５（濃度検出手段）と、各成膜室内を搬送される基板ａ等の速度を検出する速度検出センサ２６（速度検出手段）と、各成膜室内の真空度を検出する真空度検出センサ２９（真空度検出手段）と、搬送装置１８と昇降装置２０とシャッターＳとを駆動制御するＣＰＵ２７と、後述する各種データを蓄積したメモリ２８とを含んで構成されている。
【００４５】
温度検出センサ２４は、各成膜室内の温度を継続して検出することができ、検出した温度に対応する電気信号をＣＰＵ２７に送信する。かかるＣＰＵ２７は、メモリ２８に予め記憶されている各成膜室内の基準温度と、温度検出センサ２４から受信した各成膜室内の温度と比較し、基準温度に対して各成膜室内のいずれかの温度が５％以上ずれていて、更に、基板検出センサ２１ａ、２１ｂからの信号に基づき各成膜室内に基板ａ等が入っている場合、各成膜室内の駆動装置１８の駆動を停止させる。そして、昇降装置２０が上昇し、各成膜室内の駆動装置１８上に支持されている基板ａ等を基板支持部材２３によって下方から持ち上げて、基板ａ等を所定高さまで上昇させる。
【００４６】
さらに、新たな基板ａ等が各バッファ室に搬送されてきたのを基板検出センサ２１ａが検出すると、昇降装置２０の上昇が停止する。そして、昇降装置２０の上昇と停止を繰り返し、各成膜室内の基板ａ等を全て各バッファ室にストックする。そして、シャッターＳを作動させて、各バッファ室を隣接する各室と遮断して、各バッファ室内を真空状態に維持する。
【００４７】
なお、各成膜室内の基準温度は、各成膜室内で蒸発させる成膜材料の蒸発温度に対応するように定められている。また、ここで温度が５％以上ずれるとは、検出した温度を基準温度で割った値が、１よりも０．０５以上大きい又は小さいときである。
【００４８】
次に、濃度検出センサ２５について説明する。
【００４９】
濃度検出センサ２５は、各成膜室内の真空中に含有される成膜材料の含有量を継続して検出し、検出した含有量に対応する電気信号をＣＰＵ２７に送信する。かかるＣＰＵ２７は、メモリ２８に予め記憶されている各成膜室内の基準含有量と、濃度検出センサ２４から受信した各成膜室内の含有量と比較する。そして、基準含有量に対して各成膜室内のいずれかの含有量が５％以上ずれていて、更に、基板検出センサ２１ａ、２１ｂからの信号に基づき各バッファ室内に基板ａ等が入っている場合は、上述した温度検出センサ２４からの信号に基づいて昇降装置２０が上昇又は停止を繰り返すように、昇降装置２０が上昇又は停止を繰り返して、各成膜室内の基板ａ等を全て各バッファ室内にストックする。そして、上述したようにシャッターＳが各バッファ室内を真空状態に維持する。
【００５０】
なお、含有量は、各成膜室内の真空中に含まれる蒸着材料のモル量を基準にすることができる。含有量が５％以上ずれているとは、検出した含有量を基準含有量で割った値が、１よりも０．０５以上大きい又は小さいときである。
【００５１】
次に、速度検出センサ２６について説明する。
【００５２】
速度検出センサ２６は、搬送装置１８上で移動する基板ａ等の移動速度を検出し、検出した移動速度に対応する電気信号をＣＰＵ２７に送信する。かかるＣＰＵ２７は、メモリ２８に予め記憶されている基板ａ等の基準速度と、速度検出センサ２６から受信した各成膜室内における基板ａ等の移動速度と比較する。そして、各成膜室内にて搬送されているいずれかの基板ａ等の移動速度が、基準速度に対して５％以上ずれていて、更に、基板検出センサ２１ａ、２１ｂからの信号に基づき各バッファ室内に基板ａ等が入っている場合は、上述した各種センサ２５からの信号に基づいて昇降装置２０が上昇又は停止を繰り返すように、昇降装置２０が上昇又は停止を繰り返して、各バッファ室内の基板ａ等を全て各バッファ室内にストックする。そして、上述したように、シャッターＳによって各バッファ室内を真空状態に維持する。なお、移動速度が５％以上ずれているとは、検出した移動速度を基準速度で割った値が、１よりも０．０５以上大きい又は小さいときである。
【００５３】
なお、速度検出センサ２６は、基板ａ等の移動速度を検出すると説明したが、基板ａ等の加速度を検出し、検出した加速度の大きさに基づいて昇降装置２０を制御するものであっても構わない。
【００５４】
次に、真空度検出センサ２９について説明する。
【００５５】
真空度検出センサ２９は、各成膜室内の真空度を検出し、検出した真空度に対応する電気信号をＣＰＵ２７に送信する。かかるＣＰＵ２７は、メモリ２８に予め記憶されている各成膜室内の基準となる基準真空度と、真空度検出センサ２９から受信した各成膜室内の真空度と比較する。そして、各成膜室内の真空度が基準真空度から５％以上ずれていて、更に、更に、基板検出センサ２１ａ、２１ｂからの信号に基づき各バッファ室内に基板ａ等が入っている場合は、上述した各種センサからの信号に基づいて昇降装置２０が上昇又は停止を繰り返すように、昇降装置２０が上昇又は停止を繰り返して、各成膜室内の基板ａ等を全て各バッファ室内に搬入する。そして、上述したようにシャッターＳによって各バッファ室内を真空状態に維持する。
【００５６】
上述した各成膜室の全てのずれが補正された場合、ＣＰＵ２７は、各バッファ室内にストックされている基板ａ等を後工程に搬送するために、各室を真空状態に維持して、成膜室にて成膜材料を蒸発させる。その後、ＣＰＵ２７は、各バッファ室の昇降装置２０を下降させて、基板支持部材２３上に載置されている基板ａ等が、搬送装置１８上に接触すると、昇降装置２０が停止し、搬送装置１８が基板ａ等を後工程に向かって搬送する。そして、この昇降装置２０が、下降と停止を繰り返し行なうことで、各バッファ室内にストックされている基板ａ等を全て後工程に搬送する。
【００５７】
なお、真空度が５％以上ずれているとは、検出した真空度を基準真空度で割った値が、１よりも０．０５以上大きい又は小さいときである。
【００５８】
＜成膜方法＞
次に、成膜方法について説明する。
【００５９】
成膜室４（第１の成膜室）からバッファ室５を介して成膜室８（第２の成膜室）に向かって基板ａ等を搬送し、成膜室４、８にて成膜材料を被着し、上流側から下流側に基板ａ等を搬送し、基板ａに対して有機ＥＬ素子を形成する。なお、基板ａ等は、上述した各センサのいずれか一つが成膜室８の異常を検出しない場合、バッファ室５を通過する。
【００６０】
ここで、上述した各センサのいずれか一つが各成膜室の異常を検出すると、異常に対応した電気信号をＣＰＵ２７に送信する。そして、成膜室４からバッファ室５に向かって搬送される基板ａ等がバッファ室５内にストックされて、バッファ室５から成膜室８への基板ａ等の移動が一時的に中断される。
【００６１】
そして、シャッターＳによって、バッファ室５と成膜室８及びアライメント室６との間を遮断して、バッファ室５内を真空状態に維持する。
【００６２】
また、成膜室８の異常が解消したことを各センサが検出すると、各センサは異常が解消したことに対応する電気信号をＣＰＵ２７に送信し、バッファ室５にストックされている基板ａ等の搬送を開始し、基板ａ等がバッファ室５から成膜室８に向かって搬送させる。
【００６３】
このように、各成膜室の異常を検出し、各成膜室が正常な状態に回復するまで、各バッファ室内を真空状態に維持したまま、各バッファ室に一時的に基板ａ等をストックする。そして、各成膜室が正常な状態になると、各成膜室にストックされていた基板ａ等を後工程に搬出し、基板ａに対して想定した膜厚の膜を形成することができる。その結果、製品不良となる基板ａを減らすことができる。
【００６４】
また、各バッファ室は、高真空状態に維持されており、有機発光層が露出した状態の基板ａ等を長時間収容しておくことができる。
【００６５】
上記の実施形態においては、図６に示すように、成膜装置１’は、成膜室４（成膜室８）の後に、バッファ室５（バッファ室９）を接続し、アライメント室６（アライメント室１０）を、ターンテーブル室７（ターンテーブル室１１）の後に配置してもよい。また、アライメント室３’で基板ａとメタルマスクｂを準備し、アライメント室３０にて、基板ａとメタルマスクｂとをマグネットプレートｃで位置決めするようにしてもよい。
【００６６】
また、成膜装置１’は、解除室１４’において、基板ａとメタルマスクｂとを解除するとともに、基板ａを取出室１５に搬送し、メタルマスクｂとマグネットプレートｃをマスク搬送室１７に搬送するようにしてもよい。
【００６７】
なお、本発明は、上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内において、種々の変更・改良が可能であることはいうまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】本発明の一実施形態に係る成膜装置の平面図である。
【図２】成膜室を示し、（ａ）は図１のＡ１−Ａ１断面図、（ｂ）はＡ２−Ａ２断面図である。
【図３】基板をストックしていない状態のバッファ室を示し、（ａ）は図１のＢ１−Ｂ１断面図、（ｂ）はＢ２−Ｂ２断面図である。
【図４】基板をストックしている状態のバッファ室を示し、（ａ）は図１のＢ１−Ｂ１断面図、（ｂ）はＢ２−Ｂ２断面図である。
【図５】制御部の制御経路を示すブロック図である。
【図６】変形例に係る成膜装置の平面図である。
【符号の説明】
【００６９】
１  成膜装置、  ４，８，１２  成膜室、  ５，９，１３  バッファ室、ａ  基板
【図１】
2008056966.tif 000003
【図２】
2008056966.tif 000004
【図３】
2008056966.tif 000005
【図４】
2008056966.tif 000006
【図５】
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【図６】
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