(57)【要約】【課題】  アモルファスシリコン系光受容部材形成用の治具である基体ホルダーと円筒形基体を清浄な状態で設置し、歩留りよくかつ能率的にアモルファスシリコン系光受容部材を製造する方法を提供するものである。【解決手段】  電子写真感光体用円筒形基体の設置方法において、円筒形基体を基体ホルダー中心軸と同心円上かつ基体ホルダー外面よりも外側にある円筒形基体内部下方保持部材に円筒形基体の中心軸と前記鉛直線を合わせるように設置し、円筒形基体の内部上方保持を開放し、基体ホルダーの上部から円筒形基体を基体ホルダーの下方へ円筒形基体内部下方保持部材を円筒形基体の長さと概同じ長さ下降させ、順次設置した部材分だけ下降させながら設置していく方法と用いる。  また、そのような設置方法で無人連続的に処理できるように構成した設置装置を用いる。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子写真感光体の円筒形基体の設置方法において、
基体ホルダーを、搬送手段により組上げ工程を行うステージに搬送し、前記ステージ上の所定の鉛直線上に前記基体ホルダーの中心軸を合わせ、
前記円筒形基体を前記搬送手段により前記基体ホルダーの上方に搬送し、
前記円筒形基体を基体移送手段上において前記円筒形基体の中心軸と前記鉛直線を合わせるように載置し、
前記円筒形基体ならびに前記基体移送手段を前記基体ホルダーの上方から下方へ前記円筒形基体の長さと概同じ長さ下降させ、
次に円筒形基体上端カバーを前記搬送手段により前記基体ホルダーの上方に搬送し、
前記円筒形基体上端カバーを前記円筒形基体の上端部に載置し、
前記円筒形基体を前記基体移送手段により前記円筒形基体の下端面が前記基体ホルダーの下部の基体接触部に到達するまで下降させることを特徴とする円筒形基体の設置方法。
【請求項２】
前記円筒形基体の保持は、前記円筒形基体の外面に接触しないことを特徴とする請求項１記載の円筒形基体の設置方法。
【請求項３】
前記内部上方保持を開放するときの保持していた部品の設置面は、基体ホルダーに対して常に同じ位置関係になるようすることを特徴とする請求項１及び２記載の円筒形基体の設置方法。
【請求項４】
前記基体ホルダーへの設置において、先ず円筒形基体下端カバーを前記搬送手段により円筒形基体下端カバーの内部上方を保持して基体ホルダーの上方に搬送し、円筒形基体下端カバーを円筒形基体下端カバー移送手段上において前記円筒形基体の中心軸と前記鉛直線を合わせるように載置し、
円筒形基体下端カバーの内部上方保持を開放し、基体ホルダーの上部から円筒形基体下端カバーを基体ホルダーの下方へ円筒形基体下端カバー移送手段上を円筒形基体下端カバーの長さと概同じ長さ下降させ、その円筒形基体下端カバー上端載置部に円筒形基体を順じ載置することを特徴とする請求項１から３記載の円筒形基体の設置方法。
【請求項５】
前記円筒形基体を複数個、基体ホルダーに設置する場合には、設置した円筒形基体の上端の接触部に円筒形基体接続部材を設置し、接続部材に次の円筒形基体の下端接触部分を接触させるように設置することを特徴とする請求項１から４記載の円筒形基体の設置方法。
【請求項６】
前記基体ホルダーは上端が閉端である円筒形であることを特徴とする請求項１から５記載の円筒形基体の設置方法。
【請求項７】
電子写真感光体作成用に円筒形基体を精密清浄する洗浄機に接続されたISOクラス３以下のクリーン環境下の基体用ストッカと、基体ホルダーを精密洗浄する洗浄機に接続されたISOクラス３以下のクリーン環境下の基体ホルダー用ストッカと、円筒形基体上端カバーを精密洗浄する洗浄機に接続されたISOクラス３以下のクリーン環境下の円筒形基体上端カバー用ストッカと、円筒形基体下端カバーを精密洗浄する洗浄機に接続されたISOクラス３以下のクリーン環境下の円筒形基体下端カバー用ストッカと、ISOクラス３以下のクリーン環境下において、基体ホルダーを順じ待機させるストッカから設置処理を行うステージに搬送する搬送手段と、円筒形基体を順じ待機させるストッカから円筒形基体の内部上方を保持して基体ホルダーの上部に搬送し基体移送手段に載置する搬送手段と、円筒形基体を基体ホルダーの上方から下方へ円筒形基体の長さと概同じ長さ下降させる基体移送手段と、円筒形基体上端カバーを順じ待機させるストッカから内部上方を保持して前記の円筒形基体を設置した基体ホルダーの上部で円筒形基体上端カバーの中心軸と前記鉛直線を合わせるように搬送し円筒形基体の上端部の接触部に載置する搬送手段と、円筒形基体の設置が終了した基体ホルダーを成膜待機ステージに搬送する搬送手段と、成膜待機ステージに設置した基体ホルダーを真空容器内に移動させる移動手段とを有する円筒形基体の設置装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はアモルファスシリコン系光受容部材の製造に関し、特に、円筒形基体を処理装置内に設置する方法および設置装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
円筒状基体上に気相成長法にて、アモルファスシリコン系光受容部材を形成するに際しては、基体を真空容器内に運搬、保持する必要がある。また、光受容部材の特性の均一性を確保するという目的で、基体上下に補助基体を設ける必要がある。（特許文献１）これらの理由から、円筒状基体内部に基体ホルダーを挿入することが一般に行われる。
【０００３】
そして、該基体ホルダーは上記の如く基体の運搬そして放電の均−化等のいくつかの機能乃至属性を有するものであることから、そのものの構成上に種々の工夫がなされている。
【０００４】
したがって、そのコストは決して安くなく、作成終了毎に廃棄することはせず、繰り返し使用するというのが通常である。作成においては、基体ホルダーの気相成長空間に露出する部分にも膜が形成されるが、そうした膜はいずれは脱落するため、何らかの方法で毎回もしくは定期的に基体ホルダー表面を更新してやる必要がある。
【０００５】
この基体ホルダーに円筒形基体を設置して、円筒形基体の設置が終了した基体ホルダーを成膜装置に搬送設置して、アモルファスシリコン系光受容部材を積層させて、電子写真感光体を作成する。
【０００６】
この円筒形基体の設置取扱に関しては、従来から清浄性に注意して行われており、例えば精密洗浄を行った円筒形基体をクリーンルーム内で、手作業により慎重に基体ホルダーに設置する方法で行っている。しかし、電子写真の高画質化により円筒形基体への粉塵等の付着防止が極めて重要になってきているのが実情である。
【０００７】
大面積の円筒形基体に数μｍの大きさの付着物があるだけで、画像欠陥となるために、半導体工場、特に液晶ディスプレイと同様の配慮がなされてきている。
【特許文献１】特公昭６１−５３４３２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
円筒形基体を基体ホルダーに設置する際に、画像欠陥となるダスト等を円筒形基体に付着させないことを目的になされたものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者らは、円筒形基体に粉塵の付着無く、基体ホルダーに設置する方法について鋭意検討して本発明に至った。
【００１０】
本発明は、
１、電子写真感光体の円筒形基体の設置方法において、
前記基体ホルダーを、搬送手段により組上げ工程を行うステージに搬送し、前記ステージ上の所定の鉛直線上に前記基体ホルダーの中心軸を合わせ、
前記円筒形基体を前記搬送手段により前記基体ホルダーの上方に搬送し、
前記円筒形基体を基体移送手段上において前記円筒形基体の中心軸と前記鉛直線を合わせるように載置し、
前記円筒形基体ならびに前記基体移送手段を前記基体ホルダーの上方から下方へ前記円筒形基体の長さと概同じ長さ下降させ、
次に円筒形基体上端カバーを前記搬送手段により前記基体ホルダーの上方に搬送し、
前記円筒形基体上端カバーを前記円筒形基体の上端部に載置し、
前記円筒形基体を前記基体移送手段により前記円筒形基体の下端面が前記基体ホルダーの下部の基体接触部に到達するまで下降させることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、アモルファスシリコン系光受容部材形成用の治具である基体ホルダーと円筒形基体を清浄な状態で設置することができ、画像欠陥がほとんどない電子写真感光ドラムを得ることができる。
【００１２】
また、無人連続的に基体ホルダーと円筒形基体を清浄な状態で設置できるように構成した設置装置を提供するものである。
【００１３】
設置装置を生産プラントに組み込むことにより、清浄な状態の基体ホルダーや円筒形基体に人が触れることなく、基体ホルダーと円筒形基体を設置することができ、そのまま清浄な状態で感光ドラムの製造を行うことができるようにするものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
図１にアモルファスシリコン系光受容部材形成用基体とその基体ホルダー（以下、これらを合わせて基体部材と称する）の代表的な例を示す。
【００１５】
膜形成に際しては、円筒形基体（１０２）を設置した基体ホルダー（１０３）は通常、まず運搬用取手（１０１）をチャックされ、昇降装置などで成膜装置内に移動され、次に装置内の受台などに基体ホルダー下端部（１０５）が接するような形で置かれる。基体の上側には、基体と面が凡そ揃うように基体上端カバー（１０４）を設置している。
【００１６】
次に所定の操作を経てアモルファスシリコン膜が形成されるが、その際、放電空間に直接さらされる部分は基体ホルダーといえども基体（１０２）上に堆積する膜と略同量の膜が形成される。これらの膜は前述のように次回以降の作成に悪影響を与えるため、毎回、基体ホルダー表面は堆積膜を除去して、清浄な基体ホルダーを成膜に供するようにしている。
【００１７】
アモルファスシリコン膜の形成中は、基体ホルダーの内部のヒーターにより円筒形基体を所定の温度に加熱する。このヒーターを放電プラズマやプラズマ活性種から保護するために、基体ホルダーの上端は閉端にすることが有効である。
【００１８】
円筒形基体も基体ホルダー及び基体上端カバーも洗浄され、清浄表面にされてクリーンルームに運ばれる。その後、従来は人手により円筒形基体を基体ホルダー及び基体上端カバーに設置し、成膜待機ステージに設置し、真空処理装置内に運ばれて感光層が積層される。
【００１９】
成膜待機ステージから真空処理装置間は、円筒形基体及び基体ホルダーは真空環境下に置かれて、搬送及び表面処理される。真空環境下においては、発塵及び円筒形基体への付着防止対策を施した機器、機構を採用して、清浄表面の維持に対して一定の効果を得ている。
【００２０】
しかしながら、人手作業である基体ホルダーへの設置作業において、僅かながら円筒形基体表面へのダスト等の付着が発生している。
【００２１】
真空処理装置内で成膜をする際の、円筒形基体の電気的導通（アース）は基体ホルダーを通じて得るために、円筒形基体と基体ホルダーの勘合部ではお互いを接触させ、その面積をある程度確保する必要がある。すなわち「擦れる」部分の存在は必須の構成である。
【００２２】
また、真空処理装置内の基体ヒーターは、基体ホルダーの内側に位置し、輻射で基体ホルダーを加熱し、さらに円筒形基体を加熱し均一温度に保つように制御する必要がある。このために、円筒形基体内面と基体ホルダーの距離は比較的近く、かつ周方向において均等な距離である必要がある。すなわち、３５０ｍｍ以上の長さの円筒形基体の内側に、間隙が概ね１ｍｍの基体ホルダーを挿入することになり、「擦れる」こと無く行う事はほぼ不可能であった。
【００２３】
この「擦れる」ことによる発塵と、人手起因のダスト（有機物等々）を根絶するために、本発明者らは鋭意検討を行った。
【００２４】
人手の変わりにロボットを用いての設置を検討した。基体ホルダーが新品の時には、擦れることなく設置できることがわかった。しかしながら、基体ホルダーは成膜に供すると、３００℃の熱に晒され、アモルファスシリコン膜の応力も受ける事になり、僅かであるが歪んでくる事が分かった。この歪みのために、ロボットでの設置についても、間隙をセンシングするなどして、行う必要があることが分かった。特に、量産のために円筒形基体を２本重ねるような真空処理装置においては、総長さ７６２ｍｍもの円筒形基体を設置する必要があり、精密なセンシングと間隙制御が必要となった。
【００２５】
精密なセンシングと制御を行う事で、勘合部以外の部分において擦ることなく清浄な表面を維持したまま、成膜ステージに設置することができることが分かった。しかしながら、非常に高価な装置となり、かつセンシング＆制御のために、設置作業にかかる時間が非常に長くなってしまい、非実用的であることが判った。
【００２６】
本発明者らは、絶対に擦れないように行うのではなく、もし擦れたとしても、円筒形基体表面への付着しないで、円筒形基体を基体ホルダーに設置する方法について検討を進めた。
【００２７】
その結果、本発明に至った。
【００２８】
本発明では、特に保持部材へ円筒形基体を含め部材を設置する時に、基体ホルダーとの位置関係が常に同じになるようにした。すなわちこれにより、接触及び擦れる個所が同じ位置になり、内面及び外面からの吸引及びエアブローにより円筒形基体表面への付着防止が行えるようになった。また、基体ホルダーに上方から設置していく構成にしたことにより、発塵したものは、そのダウンフロー環境により円筒形基体よりも下方向へ導かれるようになり、円筒形基体内面と基体ホルダー外面の擦れによる発塵に対しても、円筒形基体表面への付着を効果的に無くす事ができた。
【００２９】
さらに、円筒形基体を含め部材の外面への接触及び外面の保持を行わないようにした。
【００３０】
これらの事は、さらに量産のために複数個の円筒形基体を設置する場合にも、有効である事が判った。円筒形基体の上に円筒形基体を設置するときも、その接触部は内面にあり、ダスト等の円筒形基体表面への付着はほぼ皆無である事がわかった。
【００３１】
また、円筒形基体を基体ホルダーに設置する際に、円筒形基体の下端内面を保持する部材を円筒形基体下端カバーとすることは、ダスト等の円筒形基体表面への付着防止に有効である。円筒形基体下端カバーを用いる事で、基体ホルダーに円筒形基体を設置する時に、円筒形基体の保持が円筒形基体下端カバーとの勘合で行われるために、精度良く保持位置決めがなされる。また、円筒形基体下端カバーを把持するために、円筒形基体下端を把持することに比べて、格段に把持力を向上させる事ができ、円筒形基体の設置動作として下降させるときの揺れが少なく高精度にする事ができる。
【００３２】
また、ミニエンバイラメントの思想の上で、円筒形基体、基体ホルダー、基体下端および上端カバーと設置装置を小さなクリーン環境下に置き、さらに発塵の可能性がある局所に対して、発塵物質と円筒形基体表面の分離をすることで、さらに発塵を減らし円筒形基体表面へのダスト付着を減らせる電子写真感光体生産システムとしての円筒形基体の設置装置ができることがわかった。
【００３３】
本発明の設置方法の基本構成及び例を図２に示す。
【００３４】
図２では、設置の工程がA〜Dまで示されている。
【００３５】
基体ホルダー（２０３）は、ストッカ（不図示）から運搬用取手（２０１）で保持搬送されて、ステージ（２１１）中心の鉛直線上に、基体ホルダーの中心軸を合わせて、基体ホルダー下端部（２０５）でステージ（２１１）に固定されている。
【００３６】
まず、工程Aでは、円筒形基体（２０２A)は、円筒形基体内部上方保持部材（２０７）により保持されて、ロボットアーム（２０８）でストッカ（不図示）から搬送されて、基体ホルダーの上部に搬送される。そして、基体移送手段（２０９）に設置される。
【００３７】
基体移送手段（２０９）は、基体ホルダー中心軸と同心円状かつ基体ホルダー外面よりも外側にある。また、本図には、円筒形基体内部ダスト吸引口（２０６）で、接触時の発塵を吸引している。
【００３８】
次に、工程Bでは、基体移送手段（２０９）が円筒形基体の長さ分降下し、設置作業が基体ホルダーの上方の同じ位置になるようにする。そして、円筒形基体接続部材（２１２）をロボットアーム先端の保持部材（２１０）でストッカ（不図示）から搬送し、円筒形基体（２０２A）の上端部に設置する。
【００３９】
次に、工程Cでは、基体移送手段（２０９）が円筒形基体接続部材（２１２）の半分の長さ分降下し、設置作業が基体ホルダーに対して同じ位置になるようにする。そして、そして、円筒形基体（２０２B）をロボットアーム先端の円筒形基体内部上方保持部材（２０７）でストッカ（不図示）から搬送し、円筒形基体（２０２A）の上端部、円筒形基体接続部材に載置する。
【００４０】
次に工程Dでは、基体移送手段２０９）が円筒形基体（２０２B）の長さ分降下し、設置作業が基体ホルダーに対して同じ位置になるようにする。そして、円筒形基体上端カバー（２０４）をロボットアーム先端の保持部材（２１０）でストッカ（不図示）から搬送し、円筒形基体（２０２B）の上端部に設置する。
【００４１】
このDの後の工程E（不図示）で、基体移送手段（２０９）が円筒形基体上端カバー（２０４）の長さ分降下し、基体移送手段を開放して円筒形基体の保持を解除することで、基体ホルダーへの設置が完了する。
【００４２】
また、図３には、本発明の円筒形基体下端カバー（３０１）を採用した場合の設置方法の基本構成及び例を示す。
【００４３】
図２で示した基体移送手段（２０９）が円筒形基体下端カバー（３１２）及び円筒形基体下端カバー移送手段（３１３）に変更になっている。
【００４４】
円筒形基体下端カバー移送手段（３１３は、円筒形基体よりも下方にあることと、円筒形基体表面から離れている事から外面を保持する事も可能である。
【００４５】
工程Aでは、円筒形基体下端カバー（３１２)は、保持部材（不図示）により保持されて、ストッカ（不図示）から搬送されて、基体ホルダーの上部に搬送される。そして、円筒形基体下端カバー移送手段（３１３）で保持される。次に図２の工程Aと同様に円筒形基体（３０２A)は、円筒形基体内部上方保持部材（３０７）により保持されて、ロボットアーム（３０８）でストッカ（不図示）から搬送されて、基体ホルダーの上部に搬送される。そして、円筒形基体（３０２A)は、円筒形基体下端カバー（３１２）に設置される。
【００４６】
また、本図でも、円筒形基体内部ダスト吸引口（３０６）で、接触時の発塵を吸引している。
【００４７】
この後、設置作業が基体ホルダーの上方の同じ位置になるように円筒形基体下端カバー移送手段（３１３）を随時下降させながら、図２の工程B、C、Dと同様に行われる。
【００４８】
工程Eでは、円筒形基体下端カバー移送手段（３１３）を最下端までさげて、円筒形基体下端カバー内部で基体ホルダーと勘合させる。その後、円筒形基体下端カバー移送手段（３１３）を開放し保持を解除することで、基体ホルダーへの設置が完了する。
【００４９】
また、本発明の設置装置（システム）の基本構成(上面図)及び具体例を図４に示す。
【００５０】
図４の装置は、図３で示したように円筒形基体下端カバーを用いる場合の構成図である。入力側（４０１）には、円筒形基体（４０６）、円筒形基体上端カバー（４０７）、円筒形基体接続部材（４０８）、円筒形基体下端カバー（４０９）、基体ホルダー（４１０）がそれぞれの洗浄機で清浄に処理された後、クリーン化対策された各ストッカに設置されて、設置作業部（４０２）に送られる。本図で各ストッカは独立にクリーンエアが供給されて、ISOクラス３以下のクリーン環境を維持されるように構成されている。また、設置作業部（４０２）には必要な数量のみが入力され、それ以外は入力側（４０１）と設置作業部（４０２）の間のシャッターにより環境が分けられている。
【００５１】
設置作業部（４０２）もISOクラス３以下のクリーン環境に保たれている。
【００５２】
設置作業部（４０２）には、設置を自動で行うロボット（４０４）が、ストッカから基体ホルダー（４１０）をステージ（４０５）に搬送し、円筒形基体下端カバー（４０９）、円筒形基体（４０６）、円筒形基体接続部材（４０８）、円筒形基体（４０６）、円筒形基体上端カバー（４０７）の順に搬送し設置する。設置が完了した基体ホルダーは、成膜待機ステージ（４１１）に設置する。成膜待機ステージ（４１１）上の基体ホルダーは、設置作業部（４０２）から水平移動し、出力部（４０３）に搬送される。
【００５３】
出力部（４０３）から、真空容器内へ搬送されて真空に排気するように構成されている。
【００５４】
本図では、成膜待機ステージ（４１１）は４個で構成されている。４個の基体ホルダーが設置作業部（４０２）で成膜待機ステージ（４１１）に設置された後、設置作業部（４０２）と出力側（４０３）の間のシャッターを一時的に開放して、出力側（４０３）に基体ホルダーを搬送するように構成されている。出力側（４０３）もISOクラス３以下のクリーンな環境に保たれているが、設置完了の基体ホルダーを搬送する時以外は、入設置作業部（４０２）と出力側（４０３）の間のシャッターにより環境が分けられている。
【００５５】
また、本発明の設置装置をプラントの一部としたときの基本構成及び具体例を図７に示す。図６は従来のプラント構成の一例を示す。
【００５６】
従来は、洗浄機（６０２）に円筒形基体、基体ホルダー等部材を投入し、クリーンルーム（６０１）内のストッカに洗浄後の基体、基体ホルダー等の部材が準備される。その後、人手によって基体ホルダーに設置されて、成膜ステージ（６０３）に設置される。
【００５７】
組みあがった基体ホルダーは真空搬送システム（６０４）で、成膜処理装置（６０５）に搬送されて、円筒形基体上に感光層を形成させて電子写真感光体を製造する。
【００５８】
本発明の設置装置を組み込んだプラントでは、洗浄機（７０２）に円筒形基体、基体ホルダー等部材を投入し、設置作業部（７０８）の入力側ストッカ（７０６）に洗浄後の基体、基体ホルダー等の部材が準備される。設置作業ロボット（７０１）により設置作業が行われて、成膜ステージ（７０３）に設置される。
【００５９】
組みあがった基体ホルダーは真空搬送システム（７０４）で、成膜処理装置（７０５）に搬送されて、円筒形基体上に感光層を形成させて電子写真感光体を製造する。
【００６０】
以下実施例に従ってさらに具体的に説明する。
【実施例１】
【００６１】
図５のようなＲＦプラズマCVD装置を用い、図３に示すように円筒形基体下端カバーを使う設置方法で、１０本の基体ホルダーに２０本の円筒形基体を設置した。設置するとき、各々の設置中のワークと設置済みのワークの設置面が、基体ホルダーに対して常に同じ位置関係になるように、ワークの設置が一つ完了する毎に、円筒形基体下端カバーを設置したワーク分だけ下降するようにした。また、設置面の内側に吸引口を配置するようにし、設置作業中吸引を行った。
【００６２】
図７に示すようなプラント構成で本実施例を行った。
【００６３】
表１の膜形成条件で、感光ドラムを２０本作製した。感光ドラム作製の手順を図５に従って説明する。
【００６４】
まず基体３１１２と基体ホルダー３１２１とからなる基体部材を反応容器３１１０内の受台に固定した。次にガスボンベ３２２１〜３２２５の元バルブ３２３１〜３２３５、マスフロー流入バルブ３２４１〜３２４５、リークバルブ３１１７が閉じられていることを確認し、またマスフロー流出バルブ３２５１〜３２５５、ガス導入バルブ３２６０が開かれていることを確認して排気バルブ３１１８を開いて不図示の真空ポンプにより反応容器３１１０及びガス導入配管内を排気すると同時にヒーター３１１３をＯＮにし、その出力を１．５ｋＷに保持した。その後、真空計(付図示）の読みが０．５ｍＰａになった時点で流出バルブ３２５１〜３２５６を閉じる。その後原料ガスボンベ３２２１〜３２２６より各ガスをガスボンベバルブ３２３１〜３２３６を開いて導入し、圧力調整器３２６１〜３２６６により各原料ガス圧を０．２ＭＰａに調整する。次に流入バルブ３２４１〜３２４６を徐々に開けて各原料ガスをマスフローコントローラー３２１１〜３２１６内に導入する。
【００６５】
以上の手順によってａ−Ｓｉ系感光層の作成形成準備を完了した後、基体３１１２上に、感光層を構成する所定の層の形成を行なう。即ち、基体３１１２が所望の温度になったところで、各流出バルブ３２５１〜３２５６のうちの必要なものとガス導入バルブ３２６０とを徐々に開き、各層の作成形成に必要な原料ガスボンベ３２２１〜３２２６から所定の原料ガスを原料ガス導入管３１１４を介して反応容器３１１０内に導入する。次に、各マスフローコントローラー３２１１〜３２１６によって、所定の原料ガスが所望の流量になる様に調整する。その際、反応容器３１１０内が１３．３ｍＰa〜１３３０Ｐaの所望の圧力になる様に、真空計を見ながらメイン排気バルブの開口を調整する。内圧が安定したところで、高周波電源３１１５を所望の電力に設定して、１３．５６ＭＨzのRF電源を用いて、高周波電力を高周波マッチングボックス３１１５を通じてカソード電極３１１１に供給し高周波グロー放電を生起させる。この放電エネルギーによって反応容器３１１０内に導入した各原料ガスが分解され、基体３１１２上にシリコン原子を主成分とする感光層の所望の各層が作成形成される。
【００６６】
成膜処理装置３１００においては、カソード電極３１１１と基体３１１２により取り囲まれた放電空間において、導入された原料ガスは、放電エネルギーにより励起されて解離し、基体３１１２上にａ−Ｓｉ系感光層の所望の層が形成される。この時、形成される層の均一化を図るために基体回転用モーター(不図示）によって、所望の回転速度で回転させる。
【００６７】
所定の層厚を有する、ａ−Ｓｉ系感光層の各所望の層の形成が行なわれた後、高周波電力の供給を止め、各流出バルブ３２５１〜３２５６を閉じて反応容器３１１０への各原料ガスの流入を止め、ａ−Ｓｉ系感光層の形成を終える。ａ−Ｓｉ系感光層を構成する各層の組成や層厚は公知のものの中から使用目的に応じて適切なものを選択し設定することができる。
【００６８】
上記下部層の形成後引続き光導電層、上部層を形成した。上部層の形成が終了した後は、ガス導入系の全バルブを閉じ、ヒーターをｏｆｆにし反応容器内を０．５ｍＰａまで排気した。そして、アルゴンガスでパージを３〜５回実施し、反応容器内のガス置換を行った後に、０．５ｍＰａまで排気した。
【００６９】
その後、１時間ほど放置して、排気バルブ３３１８を閉じ、リークバルブ３１１７を徐々に開いて窒素ガスを反応容器内に導入して大気圧に戻し、光受容層の形成が完了した感光ドラムを基体ホルダーごと反応容器から取り出した。
【００７０】
（ドラム上の突起観測）
作製した２０本のドラムを、ラインセンサCCD（竹中システム機器株式会社製  TL-7400CL)を用いて、ドラムの全周スキャンを行い、画像から１０〜３０μｍの突起個数を計測し、２０本の平均値で評価した。
【００７１】
評価は、比較例１の個数を５０とした時の相対値で示す。
【００７２】
１９点以下で、                  優秀              ：Ａ
２０以上３０点未満で、          非常に良好        ：Ｂ
３０以上４０点未満で、          良好              ：Ｃ
４０点以上で、                  比較例１と同等    ：Ｄ
とした。
【００７３】
（発塵パーティクルの評価）
設置作業中のステージ部分でパーティクルカウンター（RION製  KC-01D）で計測した。粒子径０．３μｍと１μｍについて評価した。
【００７４】
１０本の基体ホルダーに設置が完了するまで、１CF（1辺が１フィートの立方体の体積）を測定流量として繰り返し測定し、平均値で評価した。
評価は、比較例１の粒子数を５０としたときの相対値で示す。
【００７５】
１９点以下で、                  優秀              ：Ａ
２０以上３０点未満で、          非常に良好        ：Ｂ
３０以上４０点未満で、          良好              ：Ｃ
４０点以上で、                  比較例１と同等    ：Ｄ
とした。
【００７６】
総合評価は、ドラム上の突起観測と発塵パーティクルの値での和で示す。
総合評価が      ４０点以下で、          優秀            ：Ａ
４１以上６０点未満で、  非常に良好      ：Ｂ
６０以上８０点未満で、  良好            ：Ｃ
８０点以上で、          比較例１と同等  ：Ｄ
とした。
【００７７】
評価結果を表２に示す。
【００７８】
【表１】
2008216774.tif 000003
（比較例１）
比較例１では、従来どおり人手による設置作業をおこなった。
【００７９】
具体的には、図8に示すように工程Aで円筒形基体上端カバー（８０４）をステージ（８１１）に天地逆に置く。次に工程Bで円筒形基体（８０２A)を積み、円筒形基体接続部材（８１２）、円筒形基体（８０２B)、円筒形基体下端カバー（８１３）を積み重ねる。次に工程Cで、上方から基体ホルダー下部（８０３）を手で持って、工程Bで積上げた円筒形基体に挿入する。最後に工程Dで、基体ホルダー下端部（８０５）と運搬用取手（８０１）を持って、上下反転させて設置完了とした。
【００８０】
人手での作業でも、他の実施例及び比較例と同様に円筒形基体の外面には接触しないように行った。
【００８１】
図６に示すようなプラント構成で本比較例を行った。
【００８２】
実施例１と同様に１０本の基体ホルダーに２０本の円筒形基体を設置して、実施例１と同様の評価を行った。結果は表２に示す。
【実施例２】
【００８３】
実施例２では、実施例１と変えて、円筒形基体下端カバーを使用せずに、図２のように基体移送手段の装置を用いて設置をした。
【００８４】
それ以外は、実施例１と同様に行った。結果は表２に示す。
【００８５】
（比較例２）
比較例２では、実施例２と同様に円筒形基体下端内部保持部材の装置であるが、図２の工程Ｂの後、円筒形基体を基体ホルダー下方の基体接触部まで下降させた。その後、円筒形基体下端内部保持部材を２本目の円筒形基体を設置するために上方へ移動させて、２本目の円筒形基体と円筒形基体上端カバーを設置した。
それ以外は、実施例１と同様に行った。結果は表２に示す。
【実施例３】
【００８６】
実施例３では、設置時の吸引を停止させた。
【００８７】
それ以外は実施例１と同様に行った。結果は表２に示す。
【００８８】
【表２】
2008216774.tif 000004
実施例１では、本発明の方法で円筒形基体を基体ホルダーに設置することで、パーティクルの発生そのものも少なく、ドラム上の突起も非常に少ない良好な感光ドラムが得られる事が分かった。さらに設置時に吸引を行う事が、さらに効果的であることがわかった。
【００８９】
実施例２では、比較例２と比較すると同じ位置関係で設置を行う事で、パーティクルの発生が少なくでき、突起の少ない良好な感光ドラムが得られる事がわかった。
【００９０】
また実施例１と比較すると、円筒形基体下端カバーを用いた方法の方が、さらに良好な感光ドラムが得られる事がわかった。
【００９１】
実施例３では、実施例１と比較すると、接触部の吸引を実施する事で、非常に清浄度の高い表面のまま円筒形基体が基体ホルダーに設置でき、良好な感光ドラムが得られる事がわかった。
【図面の簡単な説明】
【００９２】
【図１】基体と基体ホルダーの基本的な構成を説明するための図である。
【図２】本発明の設置方法の一例を示す図である。
【図３】本発明の設置方法の一例を示す図である。
【図４】本発明の設置方法を用いた装置の一例を示す図である。
【図５】アモルファスシリコン感光体を製造する装置の模式図である。
【図６】従来例の手作業による設置方法を採用した製造プラントの一例である。
【図７】本発明の設置方法を採用した設置装置を組み込んだ製造プラントの一例である。
【図８】従来例の設置方法の一例を示す図である。
【符号の説明】
【００９３】
１０１  運搬用取手
１０２  円筒形基体
１０３  基体ホルダー
１０４  円筒形基体上端カバー
１０５  基体ホルダー下端部
２０１、３０１、８０１  運搬用取手
２０２Ａ、３０２A、８０２A  円筒形基体
２０２Ｂ、３０２B、８０２B  円筒形基体
２０３、３０３、８０３  基体ホルダー下部
２０４、３０４、８０４  円筒形基体上端カバー
２０５、３０５、８０５  基体ホルダー下端部
２０６、３０６  ダスト吸引口
２０７、３０７  円筒形基体内部上方保持部材
２０８、３０８  ロボットアーム
２０９  基体移送手段
２１０  保持部材
２１１、３１１、８１１  ステージ
２１２、８１２  円筒形基体接続部材
３１３、８１３  円筒形基体下端カバー
３１４  円筒形基体下端カバー移送手段
４０１  入力側
４０２  設置作業部
４０３  出力側
４０４  ロボット
４０５  ステージ
４０６  円筒形基体ストッカ
４０７  円筒形基体上端カバーストッカ
４０８  円筒形基体接続部材ストッカ
４０９  円筒形基体下端カバーストッカ
４１０  基体ホルダーストッカ
４１１  成膜ステージ
３１００  製造装置
３１１０  反応容器
３１１１  カソード電極
３１１２  基体
３１１３  基体加熱用ヒーター
３１１４  ガス導入管
３１１５  高周波マッチングボックス
３１１６  原料ガス配管
３１１７  リークバルブ
３１１８  メイン排気バルブ
３１１９  真空計
３１２０  下側絶縁リング
３１２１  基体ホルダー
３２００  原料ガス供給装置
３２１１〜３２１５  マスフローコントローラー
３２２１〜３２２５  ガスボンベ
３２３１〜３２３５  バルブ
３２４１〜３２４５  流入バルブ
３２５１〜３２５５  流出バルブ
３２６１〜３２６５  圧力調整器
６０１  クリーンルーム
６０２  洗浄機（各部材及び円筒形基体）
６０３  成膜ステージ
６０４  真空ロードロックシステム
６０５  成膜処理装置
７０１  設置作業ロボット
７０２  洗浄機（各部材及び円筒形基体）
７０３  成膜ステージ
７０４  真空ロードロックシステム
７０５  成膜処理装置
７０６  入力側ストッカ
７０７  入力側
７０８  設置作業部
７０９  出力側及び成膜部分
【図１】
2008216774.tif 000005
【図２】
2008216774.tif 000006
【図３】
2008216774.tif 000007
【図４】
2008216774.tif 000008
【図５】
2008216774.tif 000009
【図６】
2008216774.tif 000010
【図７】
2008216774.tif 000011
【図８】
2008216774.tif 000012