(57)【要約】【課題】  電鋳によって形成された金属盤が導通リングより外れることが無く、マスター担体の歪みを低減し、高品質の磁気転写用マスター担体を製造する磁気転写用マスター担体の製造方法を提供すること。【解決手段】  陰極７２との導通をとる導通リング８６Ａを原盤１７上に配置し、導通リング８６Ａの内経が導通リング８６Ａと原盤１７とを固定する抑えリング８８Ａの内径よりも小さい状態で電鋳を行う。【選択図】図６
2008226352.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に転写情報に対応した凹凸形状を有する磁気転写用マスター担体の製造方法であって、
表面に転写情報に対応した凹凸形状が形成された原盤上に、導通リングが配置され、前記原盤に対して金属層を電鋳によって形成し、
前記導通リングの内径は該導通リングと前記原盤とを固定する抑えリングの内径よりも小さいことを特徴とする磁気転写用マスター担体の製造方法。
【請求項２】
前記導通リングの内周面はテーパ状に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の磁気転写用マスター担体の製造方法。
【請求項３】
前記導通リングの内周面は段差状に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の磁気転写用マスター担体の製造方法。
【請求項４】
前記原盤に対して行われる金属層の電鋳では、該原盤上と、前記導通リングの内周面と、前記抑えリングが接触しない該導通リングの平面部とに金属層が電鋳されることを特徴とする請求項１、２、または３のいずれか１項に記載の磁気転写用マスター担体の製造方法。
【請求項５】
前記導通リングの内周面の表面には凹凸形状が形成されていることを特徴とする請求項１、２、３、または４のいずれか１項に記載の磁気転写用マスター担体の製造方法。
【請求項６】
前記抑えリングの内径は前記導通リングの内径より大きく、前記導通リングの内径は前記マスター担体の外径より大きいことを特徴とする請求項１、２、３、４、または５のいずれか１項に記載の磁気転写用マスター担体の製造方法。
【請求項７】
前記導通リングの内径は、前記マスター担体の外径１．５倍以上であることを特徴とする請求項１、２、３、４、５、または６のいずれか１項に記載の磁気転写用マスター担体の製造方法。
【請求項８】
前記抑えリングの内径は前記導通リングの内径より２ｍｍ以上であることを特徴とする請求項１、２、３、４、５、６、または７のいずれか１項に記載の磁気転写用マスター担体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は磁気転写用マスター担体の製造方法に係り、特にハードディスク装置等に用いられる磁気ディスクにフォーマット情報等の磁気情報を転写するのに好適な磁気転写用マスター担体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、急速に普及しているハードディスクドライブに使用される磁気ディスク（ハードディスク）は、磁気ディスクメーカーよりドライブメーカーに納入された後、ドライブに組み込まれる前に、フォーマット情報やアドレス情報が書き込まれるのが一般的である。この書き込みは、磁気ヘッドにより行うこともできるが、フォーマット情報やアドレス情報が書き込まれたマスター担体であるマスターディスクより一括転写する方法が効率的であり、好ましい。
【０００３】
この一括転写する磁気転写方法は、マスターディスクと被転写用ディスク（スレーブディスク）とを密着させた状態で、片面又は両面に電磁石装置、永久磁石装置等の磁界生成手段を配設して転写用磁界を印加することにより、マスターディスクの有する情報（たとえばサーボ信号）をスレーブディスクに磁気転写する。そして、磁気転写を精度良く行うには、マスターディスクとスレーブディスクとを均一に隙間なく密着させることが極めて重要である。
【０００４】
以下に磁気転写用マスターディスクについて説明する。図１は磁気転写用マスターディスク１０（以下、マスターディスク１０という）の部分斜視図であり、図２は図１のＡ−Ａ線に沿った断面図であり、被転写用ディスク（スレーブディスク１４）を想像線で示したものである。
【０００５】
図１及び図２に示されるように、マスターディスク１０は、金属製のマスター基板１１と磁性層１２とで構成され、マスター基板１１の表面に転写情報に対応する微細な凹凸パターンＰ（たとえばサーボ情報パターン）を有するとともに、その凹凸パターンＰに磁性層１２が被覆されている。
【０００６】
これにより、マスター基板１１の片面に磁性層１２が被覆された微細な凹凸パターンＰを有する情報担持面１３が形成される。図１から分かるように、この微細な凹凸パターンＰは、平面視で長方形であり、磁性層１２が形成された状態でトラック方向（図の矢印方向）の長さｐと、半径方向の長さＬとよりなる。
【０００７】
この長さｐと長さＬとの最適値は、記録密度や記録信号波形により異なるが、たとえば長さｐを８０ｎｍ、長さＬを２００ｎｍにできる。この微細な凹凸パターンＰはサーボ信号の場合は、半径方向に長く形成される。この場合、たとえば半径方向の長さＬが０．０５〜２０μｍ、トラック方向（円周方向）の長さｐが０．０１〜５μｍであることが好ましい。
【０００８】
この範囲で半径方向の方が長い凹凸パターンＰを選ぶことがサーボ信号を担持するパターンとして好ましい。凹凸パターンＰの深さｔ（突起の高さ）は、３０〜８００ｎｍの範囲が好ましく、５０〜３００ｎｍの範囲がより好ましい。
【０００９】
マスター基板１１は、電鋳により作製され、図３に示されるように、中心孔１１Ｇを有する円盤状に形成され、片面の（情報担持面１３）の内周部１１Ｄ及び外周部１１Ｅを除く円環状領域１１Ｆに凹凸パターンＰが形成される。このマスターディスク１０の製造は、情報を凹凸パターンＰで形成した原盤上に電鋳を施して、電鋳層から成る金属盤を原盤上に積層して該金属盤面に凹凸パターンＰを転写する電鋳工程、金属盤を原盤上から剥離する剥離工程、剥離した金属盤を所定サイズに打ち抜きする打ち抜き工程を経てマスター基板１１を製造した後、凹凸パターンの面に磁性層を被覆することにより製造されるのが一般的である（たとえば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開２００１−２５６６４４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
次に磁気転写用マスター担体の製造に使用される電鋳装置の構成について説明する。図４は電鋳装置６０の断面図である。この電鋳装置６０は、鍍金液（浴）６２を貯留する鍍金槽６４と、鍍金槽６４よりオーバーフローした鍍金液６２を受けるドレーン槽６６と、陽極となるＮｉペレット６８、６８…が充填され、鍍金槽６４よりオーバーフローした鍍金液６２を受けるアノード室７０と、原盤を保持する陰極７２等より構成される。
【００１１】
鍍金槽６４には鍍金液供給配管７４より鍍金液６２が供給されるようになっている。また、鍍金槽６４よりドレーン槽６６にオーバーフローした鍍金液６２は、ドレーン槽排水配管７６より回収されるようになっている。また、鍍金槽６４よりアノード室７０にオーバーフローした鍍金液６２は、アノード室排水配管７８より回収されるようになっている。
【００１２】
鍍金槽６４とアノード室７０とは、隔壁板８０により区切られている。また、鍍金槽６４側の隔壁板８０の表面には、電極遮蔽板８２が陰極７２と対向するように固定されている。この電極遮蔽板８２は、電鋳した膜厚が面内で均一になるように、電極の所定部分を覆うように形成されているものである。
【００１３】
以上の構成からなる電鋳装置６０において、陰極７２に原盤を保持させ、陰極７２に負電極を接続し、アノード室７０の正電極を接続して通電することにより、マスター基板１１の電鋳が行われる。
【００１４】
図５は陰極７２構成を示す断面図である。陰極７２は、フランジ部８４Ａを有する円盤状部材である陰極本体８４と、導通リング８６と、抑えリング８８と、シャフト９０より構成される。
【００１５】
図５の状態（姿勢）において、陰極本体８４の表面には原盤１７が載置可能となっている。陰極本体８４の材質としては、電鋳装置６０での使用により錆び等の変質を生じない各種金属部材が採用できる。
【００１６】
導通リング８６は原盤１７上に配置され、導通リング８６の材質としては、電鋳装置６０での使用により錆び等の変質を生じない各種金属部材、たとえば、ステンレス鋼、チタン等が採用できる。
【００１７】
抑えリング８８は、導通リング８６と同等の内径を有し、陰極本体８４にセット（たとえば、図示しないボルト部材で陰極本体８４に固定）した際に、導通リング８６及び原盤１７の陰極本体８４よりの離脱を防止できる形状のリング部材である。抑えリング８８の材質としては、各種樹脂材料、たとえば、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）等が採用できる。
【００１８】
シャフト９０は、陰極本体８４の下面の中央部に着脱自在にセットされる円柱部材である。シャフト９０の材質としては、電鋳装置６０での使用により錆び等の変質を生じない各種金属部材等が採用できる。
【００１９】
このような電鋳装置６０により電鋳を行うことにより、原盤１７上の導通リング８６の内側には鍍金液６２よる所望の厚さの金属盤１８が積層する。その後、金属盤１８を原盤１７から剥離し、洗浄、打ち抜き工程を経て所定サイズのマスター基板１１が得られる。このマスター基板１１の凹凸パターン面に磁性層１２を成膜することでマスターディスク１０を製造することができる。
【００２０】
しかしながら、上記の工程によって製造された従来のマスターディスク１０は、電鋳により形成される層に内部応力が生じやすく、また金属盤１８を原盤１７から剥離する剥離工程や、洗浄工程、及び打ち抜き工程などの各加工時に発生した変形などによりマスターディスク１０は必ずしも平坦面ではなく、反りや歪を有している。
【００２１】
ところで、磁気転写を行う際に品質良く信号を転写するには、マスターディスク１０とスレーブディスク１４とを隙間なく密着させることが重要である。しかし前述のようにマスターディスク１０には歪が生じているため、スレーブディスク１４に密着させるにあたり転写時の密着圧力を高める、またはマスターディスク１０を保持するホルダーの平坦性を高めるなどの調整が行なわれる。
【００２２】
しかし、密着圧力を高めることは、マスターディスク１０に形成された凹凸パターンの破損や変形を発生させる可能性があり、マスターディスク１０の耐久性能を低下させる原因となる。よって、密着性を向上するためにマスターディスク１０の薄型化が進められ、マスターディスク１０の厚みは３００μｍ以下であることを要求されている。
【００２３】
しかし、このようなマスター担体の製造方法において、電鋳工程で積層した金属盤１８は、導通リング８６に対し導通リング８６の内周面の狭い範囲でのみ接している。
【００２４】
このため、原盤１７より剥離した後に導通リング８６と共に搬送される薄型化した金属盤１８（例えば、厚み３０μｍ〜２００μｍ）は、外力が加わると導通リング８６より外れやすくなる。外れた金属盤１８には大きな変形が生じる。
【００２５】
このような外力が加えられた金属盤１８より製造されるマスターディスク１０は、歪みが大きくなり、転写性が悪くなるとともに、転写品の品質を劣化させる。更には、生産性及び生産効率を低下させることにもなる。
【００２６】
本発明は、このような問題に対してなされたものであって、電鋳によって形成された金属盤が導通リングより外れることが無く、マスター担体の歪みを低減し、高品質の磁気転写用マスター担体を製造する磁気転写用マスター担体の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２７】
本発明は前記目的を達成するために、請求項１に記載の発明は、表面に転写情報に対応した凹凸形状を有する磁気転写用マスター担体の製造方法であって、表面に転写情報に対応した凹凸形状が形成された原盤上に、導通リングが配置され、前記原盤に対して金属層を電鋳によって形成し、前記導通リングの内径は該導通リングと前記原盤とを固定する抑えリングの内径よりも小さいことを特徴としている。
【００２８】
請求項１の発明によれば、微小な凹凸形状が形成された磁気転写用マスター担体製造用の原盤上には、電極との導通をとる導通リングが配置されている。導通リングと原盤とは抑えリングにより固定され、導通リングの内径は抑えリングの内径よりも小さく形成されている。
【００２９】
電鋳により、原盤上に積層された金属盤は、導通リングの内周面だけでなく、抑えリングが接触していない導通リング上の平面部上にも積層され、導通リングと一体となり導通リングから外れにくくなる。よって、金属盤に不要な外力が加わることがあっても導通リングから外れることが無く、金属盤の歪みが低減し、高品質の磁気転写用マスター担体を製造することが可能となる。
【００３０】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記導通リングの内周面はテーパ状に形成されていることを特徴としている。
【００３１】
請求項２の発明によれば、電鋳により積層される金属盤は、テーパ状に形成された導通リングの内周面と、抑えリングが接触していない導通リング状の平面部上に容易に積層され、導通リングと金属盤とが一体となり導通リングから外れにくくなる。よって、金属盤に不要な外力が加わることがあっても導通リングから外れることがなく、金属盤の歪みが低減し、高品質の磁気転写用マスター担体を製造することが可能となる。
【００３２】
請求項３に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記導通リングの内周面は段差状に形成されていることを特徴としている。
【００３３】
請求項３の発明によれば、電鋳により積層される金属盤は、段差状に形成された導通リングの内周面と、抑えリングが接触していない導通リング状の平面部上に容易に積層され、導通リングと金属盤とが一体となり導通リングから外れにくくなる。よって、金属盤に不要な外力が加わることがあっても導通リングから外れることがなく、金属盤の歪みが低減し、高品質の磁気転写用マスター担体を製造することが可能となる。
【００３４】
請求項４に記載の発明は、請求項１、２、又は３のうちいずれか１項に記載の発明において、前記原盤に対して行われる金属層の電鋳では、該原盤上と、前記導通リングの内周面と、前記抑えリングが接触しない該導通リングの平面部とに金属層が電鋳されることを特徴としている。
【００３５】
請求項４によれば、電鋳により積層される金属盤は、原盤上と、導通リング内周面のテーパ部分または段差部分と、抑えリングが接触しない導通リングの平面部に積層されている。
【００３６】
これにより、導通リングと金属盤とが一体となり導通リングから外れにくくなる。よって、金属盤に不要な外力が加わることがあっても導通リングから外れることがなく、金属盤の歪みが低減し、高品質の磁気転写用マスター担体を製造することが可能となる。
【００３７】
請求項５に記載の発明は、請求項１、２、３、又は４のうちいずれか１項に記載の発明において、前記導通リングの内周面の表面には凹凸形状が形成されていることを特徴としている。
【００３８】
請求項５によれば、電鋳により積層される金属盤と導通リングとの接触面積が増え、金属盤と導通リングとがより強く一体となり、金属盤が導通リングから外れにくくなる。
【００３９】
請求項６に記載の発明は、請求項１、２、３、４、又は５のうちいずれか１項に記載の発明において、前記抑えリングの内径は前記導通リングの内径より大きく、前記導通リングの内径は前記マスター担体の外径より大きいことを特徴としている。
【００４０】
請求項６によれば、抑えリング内径は導通リングの内径よりも大きいので、導通リング上に金属が積層される平面部が残る。これにより、平面部に金属が積層され、金属盤と導通リングとがより強く一体となる。更に、導通リングの内径が製造されるマスター担体の外径より大きいので、製造されるマスター担体に問題が生じない。
【発明の効果】
【００４１】
以上説明したように、本発明の磁気転写用マスター担体の製造方法によれば、電鋳によって形成された金属盤と導通リングとがより強く一体となり、金属盤が導通リングより外れることが無く、マスター担体の歪みを低減し、高品質の磁気転写用マスター担体を製造することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４２】
以下添付図面に従って本発明に係る磁気転写用マスター担体の製造方法の好ましい実施の形態について詳説する。図６は、はマスターディスク１０を製造するステップを示す工程図である。先ず、図６（ａ）に示されるように、表面が平滑且つ清浄なシリコンウェーハによる原板１５（ガラス板、石英板でもよい）の上に、密着層形成等の前処理を行い、電子線レジスト液をスピンコート等で塗布してレジスト膜１６を形成し、ベーキングする。
【００４３】
そして、高精度な回転ステージ又はＸ−Ｙステージを備えた電子ビーム露光装置（図示せず）にて、そのステージに搭載した原板１５にサーボ信号等に対応して変調した電子ビームＢを照射し、レジスト膜１６に所望の凹凸パターンＰ' を描画露光する。
【００４４】
次に、図６（ｂ）に示されるように、レジスト膜１６を現像処理し、露光部分を除去して残ったレジスト膜１６によって所望の凹凸パターンＰ' を形成する。この凹凸パターンＰ' 上にたとえばスタッパリング、電気メッキ、無電解鍍金などの方法により導電膜（図示せず）を付与し、電鋳可能な原盤１７を作製する。導電膜の材料としてはＮｉ、Ｆｅ、Ｃｏ等単体金属またはそれらの合金を使用できる。
【００４５】
次に、図６（ｃ）に示されるように、原盤１７の全面に図４に示される電鋳装置６０で電鋳処理を施す。電鋳装置６０は、鍍金液（浴）６２を貯留する鍍金槽６４と、鍍金槽６４よりオーバーフローした鍍金液６２を受けるドレーン槽６６と、陽極となるＮｉペレット６８、６８…が充填され、鍍金槽６４よりオーバーフローした鍍金液６２を受けるアノード室７０と、原盤を保持する陰極７２等より構成される。
【００４６】
以上の構成からなる電鋳装置６０において、陰極７２に原盤１７を保持させ、陰極７２に負電極を接続し、アノード室７０の正電極を接続して通電することにより電鋳が行われる。
【００４７】
電鋳層としては各種金属や合金類を使用できるが、本実施の形態ではＮｉ金属による所望厚さの金属盤１８（Ｎｉ電鋳層）を積層する。Ｎｉは面心立方格子の結晶構造を有しており、電鋳時の電流密度を制御して規定の結晶構造となるように電鋳する。
【００４８】
陰極７２は、図７に示されるように、フランジ部８４Ａを有する円盤状部材である陰極本体８４と、導通リング８６Ａと、抑えリング８８Ａと、シャフト９０より構成されている。図７の状態（姿勢）において、陰極本体８４の表面には原盤１７が載置可能となっている。
【００４９】
導通リング８６Ａは原盤１７上に配置され、製造されるマスター担体の外径よりも１．５倍以上大きい内径を有し、導通リングの８６Ａの内周面表面はヤスリ等で加工されることにより微細な凹凸形状が形成されている。導通リング８６Ａの材質としては、電鋳装置６０での使用により錆び等の変質を生じない各種金属部材、たとえば、ステンレス鋼、チタン等が採用できる。
【００５０】
抑えリング８８Ａは、導通リング８６Ａの内径よりも２ｍｍ以上大きい内径を有し、陰極本体８４にセット（たとえば、図示しないボルト部材で陰極本体８４に固定）した際に、導通リング８６Ａ及び原盤１７の陰極本体８４よりの離脱を防止できる形状のリング部材である。抑えリング８８Ａの材質としては、各種樹脂材料、たとえば、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）が採用できる。
【００５１】
シャフト９０は、陰極本体８４の下面の中央部に着脱自在にセットされる円柱部材である。シャフト９０の材質としては、電鋳装置６０での使用により錆び等の変質を生じない各種金属部材が採用できる。
【００５２】
また、本発明における磁気転写用マスター担体の製造方法の電極７２の構成としては、図７に示される構成のほかに、図８に示すように、フランジ部８４Ａを有する円盤状部材である陰極本体８４と、導通リング８６Ｂと、抑えリング８８Ａと、シャフト９０により構成されていてもよい。
【００５３】
導通リング８６Ｂは、導通リング８６Ａと同様に原盤１７上に配置され、製造されるマスター担体の外径よりも１．５倍以上大きい内径を有している。導通リングの８６Ｂの内周面はテーパ状に形成されるとともに、テーパ部分表面はヤスリ等で加工されることにより微細な凹凸形状が形成されている。導通リング８６Ｂの材質としては、電鋳装置６０での使用により錆び等の変質を生じない各種金属部材、たとえば、ステンレス鋼、チタン等が採用できる。
【００５４】
更に、本発明における磁気転写用マスター担体の製造方法の電極７２の構成としては、図７、図８に示される構成のほかに、図９に示すように、フランジ部８４Ａを有する円盤状部材である陰極本体８４と、導通リング８６Ｃと、抑えリング８８Ａと、シャフト９０により構成されていてもよい。
【００５５】
導通リング８６Ｃは、導通リング８６Ａ、８６Ｂと同様に原盤１７上に配置され、製造されるマスター担体の外径よりも１．５以上倍大きい内径を有している。導通リングの８６Ｃの内周面は段差状に形成されるとともに、段差部分表面はヤスリ等で加工されることにより微細な凹凸形状が形成されている。導通リング８６Ｃの材質としては、電鋳装置６０での使用により錆び等の変質を生じない各種金属部材、たとえば、ステンレス鋼、チタン等が採用できる。
【００５６】
また、これら導通リングの内周面は、段差面を有するようにしてもよく、テーパ面を有するようにしてもよい。更に、段差面とテーパ面とを組み合わせた形状にしてもよい。
【００５７】
これら導通リング８６Ａ、８６Ｂ、８６Ｃにより、原盤１７上に積層された金属盤１８は、導通リング８６Ａ、８６Ｂ、８６Ｃの内周面だけでなく、抑えリング８８Ａが接触していない導通リング８６Ａ、８６Ｂ、８６Ｃ上の平面部上にも積層され、導通リング８６Ａ、８６Ｂ、８６Ｃと一体となり導通リング８６Ａ、８６Ｂ、８６Ｃから外れにくくなる。よって、金属盤１８に不要な外力が加わることがあっても導通リングから外れることが無く、金属盤１８の歪みが低減し、高品質の磁気転写用マスター担体を製造することが可能となる。
【００５８】
図６に戻り、次に、前述のように規定した結晶構造を有する金属盤１８を原盤１７から剥離し、残留するレジスト膜１６を除去・洗浄する。これにより、図６（ｄ）に示されるように、反転した凹凸パターンＰを有し、且つ所定サイズに打ち抜く前の外径Ｄを有するマスター基板１１の原盤１１' が得られる。
【００５９】
この原盤１１' を打ち抜いて、図６（ｅ）に示される外径ｄの所定サイズのマスター基板１１が得られる。このマスター基板１１の凹凸パターン面に磁性層１２を成膜することでマスターディスク１０を製造することができる。
【００６０】
なお、マスターディスク１０の他の製造工程としては、原盤１７に電鋳を施して第２原盤を作製する。そして、この第２原盤を使用して電鋳を行い、反転した凹凸パターンを有する金属盤を作製し、所定サイズに打ち抜いてマスター基板としてもよい。
【００６１】
更には、第２原盤に電鋳を行うか、樹脂液を押しつけて硬化を行って第３原盤を作製し、この第３原盤に電鋳を行って金属盤を作製し、更に反転した凹凸パターンを有する金属盤を剥離してマスター基板としてもよい。第２原盤又は第３原盤を繰り返し使用し、複数の金属盤１８を作製することができる。
【００６２】
また、原盤の作製において、レジスト膜を露光・現像処理した後、エッチング処理を行って、原盤の表面にエッチングによる凹凸パターンを形成してからレジスト膜を除去してもよい。
【００６３】
磁性層１２の形成は、磁性材料を真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の真空成膜手段、又はメッキ法、塗布法等により成膜する。磁性層の磁性材料としては、Ｃｏ、Ｃｏ合金（ＣｏＮｉ、ＣｏＮｉＺｒ、ＣｏＮｂＴａＺｒ等）、Ｆｅ、Ｆｅ合金（ＦｅＣｏ、ＦｅＣｏＮｉ、ＦｅＮｉＭｏ、ＦｅＡｌＳｉ、ＦｅＡｌ、ＦｅＴａＮ等）、Ｎｉ、Ｎｉ合金（ＮｉＦｅ等）、を用いることができる。特にＦｅＣｏ、ＦｅＣｏＮｉを好ましく使用することができる。磁性層１２の厚さは１０〜５００ｎｍの範囲が好ましく、１０〜４００ｎｍの範囲が更に好ましい。
【００６４】
なお、磁性層１２の上に、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）、スパッタカーボン等の保護膜を設けることが好ましく、保護膜の上に更に潤滑剤層を設けても良い。この場合、保護膜として厚さが３〜３０ｎｍのＤＬＣ膜と潤滑剤層とする構成が好ましい。
【００６５】
また、磁性層と保護膜との間に、Ｓｉ等の密着強化層を設けるようにしても良い。潤滑剤はスレーブディスク１４との接触過程で生じるずれを補正する際の、摩擦による傷の発生などの耐久性の劣化を改善する効果を有する。
【００６６】
本発明では、電鋳処理による金属盤１８の積層において、電流密度と時間を制御して、残留応力の非常に小さいＮｉ電鋳層が形成されるようにした。
【００６７】
通常、マスターディスク１０に使用される金属はニッケル（Ｎｉ）であるが、マスターディスク１０を電鋳で製造する場合には、応力の小さなマスター基板１１が得られ易いスルファミン酸ニッケル浴を使用することが好ましい。
【００６８】
スルファミン酸ニッケル浴は、たとえば、スルファミン酸ニッケルを４００〜８００ｇ／Ｌ、ホウ酸を２０〜５０ｇ／Ｌ（過飽和）をベースとして界面活性剤（たとえばラウリル硫酸ナトリウム）等の添加物を必要に応じて添加したものである。メッキ浴の浴温度は４０〜６０°Ｃが好適である。電鋳時の対極にはチタンケースに入れたニッケルボールを使用することが好ましい。
【実施例】
【００６９】
次に本発明に係わる磁気転写用マスター担体の製造方法の具体的な実施例を説明する。
【００７０】
図１０、図１１は、図４に示される電鋳装置６０により、通常の導通リングにより電鋳を行った場合と、本発明の実施の形態で使用される導通リング８６Ａ、８６Ｂを使用して電鋳を行った場合における、マスター基板１１の歪量を比較した図表、図１２は通常の導通リングの場合と本実施の形態で使用される導通リングの場合との金属盤１８の導通リングからの外れる確率を比較した図表である。
【００７１】
実施例では、図５に示される通常の導通リング８６として、内径が直径１９３ｍｍ、厚さ１ｍｍ、リング幅１６ｍｍのＳＵＳ製の物を使用する。図７に示される導通リング８６Ａとしては、内径が直径１８０ｍｍ、厚さ１ｍｍ、リング幅２２．５ｍｍのＳＵＳ製の物を使用する。図８に示される導通リング８６Ｂは、導通リング８６Ａと同様に内径が直径１８０ｍｍ、厚さ１ｍｍ、リング幅２２．５ｍｍであって内周面がテーパ状に加工されたＳＵＳ製の物を使用する。抑えリング８８、８８Ａの内径は導通リング８６と同様に直径１９３ｍｍとする。
【００７２】
これらの導通リングを使用して電鋳装置６０により電鋳を行う。電鋳を行った後、剥離、洗浄、打ち抜き工程等を経て外径６５ｍｍ、内径２４ｍｍのマスター基板１１とする。
【００７３】
歪の測定は、マスター基板１１を定盤上に載置し、マスター基板１１を１回転させながらレーザー変位計により変位を測定する。１回転測定した後、１回転あたりの変位の平均値を求め、レーザー変位計での測定位置を半径方向に移動させて再び１回転あたりの変位の平均値を求める。これを数十回転繰り返し、周方向の変位平均を引いた後の周方向変位最高値と最低値の差を歪とする。
【００７４】
金属盤１８の導通リングからの外れ確率は、電鋳後の各厚みのマスター基板１１において、剥離、洗浄、打ち抜き工程等を行っている際に金属盤１８が導通リングから外れた枚数が、電鋳した金属盤１８の総枚数に占める割合で示す。
【００７５】
まず、１５０μｍの厚みのマスター基板１１の歪について比較する。通常の導通リング８６は５枚のマスター基板１１を製造し、テーパ付きの導通リングである導通リング８６Ｂでは４枚のマスター基板１１を製造して測定した。
【００７６】
図１０に示されるように、導通リング８６を使用した場合の歪の最大値は８８．６μｍであって最小値は４４．７μｍとなっている。これに対し、導通リング８６Ｂを使用したものは、歪の最大値が２７．３μｍであり、最小値が１０．５μｍであって、従来より使用される通常の導通リング８６よりも歪が少なく、歪が低減された高品質の磁気転写用マスター担体を製造することが可能となる。
【００７７】
続いて、５０μｍの厚みのマスター基板１１の歪について比較する。通常の導通リング８６は５枚のマスター基板１１を製造し、テーパ付きの導通リングである導通リング８６Ｂでは４枚のマスター基板１１を製造し、導通リング８６よりも内径の小さい導通リング８６Ａでは３枚のマスター基板１１を製造して測定した。
【００７８】
図１１に示されるように、導通リング８６を使用した場合の歪の最大値は１１３．６μｍであって最小値は４６．０μｍとなっている。これに対し、導通リング８６Ｂを使用したものは、歪の最大値が２９．２μｍであり、最小値が１９．１μｍ。更に導通リング８６Ａを使用したものは、最大値が２９．６μｍであり、最小値が２５．７μｍであって、どちらも従来より使用される通常の導通リング８６よりも歪が少なく、歪が低減された高品質の磁気転写用マスター担体を製造することが可能となる。
【００７９】
次に、金属盤１８の導通リングからの外れ確率は、マスター基板１１の厚みが５０μｍ、１００μｍ、１５０μｍの場合でそれぞれ１０枚から５０枚のマスター基板１１を製造した結果、通常の導通リング８６を使用した場合では、図１２に示されるように、厚み５０μｍ、１００μｍ、１５０μｍでそれぞれ８０％、３０％、５％であったのに対し、テーパ付きの導通リングである導通リング８６Ｂを使用した場合では、いずれの場合も金属盤１８が導通リング８６Ｂより外れることはなかった。
【００８０】
以上説明したように、本発明の磁気転写用マスター担体の製造方法によれば、電鋳によって形成された金属盤と導通リングとがより強く一体となり、金属盤が導通リングより外れることが無く、マスター担体の歪みを低減し、高品質の磁気転写用マスター担体を製造することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００８１】
【図１】本発明のマスターディスクの部分斜視図。
【図２】図１のＡ−Ａ線に沿った断面図。
【図３】マスター基板の平面図。
【図４】電鋳装置の断面図。
【図５】陰極の構成を示す断面図。
【図６】本発明のマスターディスクの製造方法の一実施の形態における工程図。
【図７】本発明の陰極の構成を示す断面図。
【図８】本発明の第２の陰極の構成を示す断面図。
【図９】本発明の第３の陰極の構成を示す断面図。
【図１０】厚さ１５０μｍのマスター基板の歪を比較した図表。
【図１１】厚さ５０μｍのマスター基板の歪を比較した図表。
【図１２】金属盤が導通リングより外れる確率を示した図表。
【符号の説明】
【００８２】
１０…マスターディスク（磁気転写用マスターディスク），１１…マスター基板，１２…磁性層，１４…スレーブディスク，２０…磁気転写装置，６０…電鋳装置，６２…鍍金液，６４…鍍金槽，６６…ドレーン槽，６８…Ｎｉペレット，７０…アノード室，７２…陰極，８４…陰極本体，８６、８６Ａ、８６Ｂ、８６Ｃ…導通リング，８８、８８Ａ…抑えリング，９０…シャフト，Ｐ…凹凸パターン
【図１】
2008226352.tif 000003
【図２】
2008226352.tif 000004
【図３】
2008226352.tif 000005
【図４】
2008226352.tif 000006
【図５】
2008226352.tif 000007
【図６】
2008226352.tif 000008
【図７】
2008226352.tif 000009
【図８】
2008226352.tif 000010
【図９】
2008226352.tif 000011
【図１０】
2008226352.tif 000012
【図１１】
2008226352.tif 000013
【図１２】
2008226352.tif 000014