(57)【要約】【課題】半導体レーザ素子から発生する熱を放熱し易くし、半導体レーサ素子の発光特性を良好に維持できるようにすることであり、併せて、半導体レーザ素子を機器に組み込む際の操作がしやすく、将来の小型化対応が可能となること。【解決手段】  本体１と、円盤形または半円盤形で、本体１に支持され、その支持位置を中心軸のまわりに回転調整可能なステム２と、このステム上に直接またはサブマウント３を介して装着され、レーザ光を装着面４に平行に放射する半導体レーザ素子５と、ステム２上に装着または一体に形成され、放射されたレーザ光を反射して外部に放出するミラー部６とを備えた半導体レーザ素子装置Ｌ。【選択図】図１Ａ
2008198934.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
本体と、円盤形または半円盤形で、本体に支持され、その支持位置を中心軸のまわりに回転調整可能なステムと、このステム上に直接またはサブマウントを介して装着され、レーザ光を装着面に平行に放射する半導体レーザ素子と、ステム上に装着または一体に形成され、放射されたレーザ光を反射して外部に放出するミラー部とを備えた半導体レーザ素子装置。
【請求項２】
ステムが、その裏面に半導体レーザ素子で発生する熱を放散するための放熱部材を具備してなる請求項１に記載の半導体レーザ素子装置。
【請求項３】
ステムが、その円盤形または半円盤形の半径を１．０〜３．０ｍｍとしてなる請求項１または２に記載の半導体レーザ素子装置。
【請求項４】
ステムが、その厚みを０．５〜２．０ｍｍとしてなる請求項１〜３のいずれか１つに記載の半導体レーザ素子装置。
【請求項５】
ステムが、その外周の円弧部分に回転角度を調整するための単数または複数の目印を有した請求項１〜４のいずれか１つに記載の半導体レーザ素子装置。
【請求項６】
目印が、ステム外周の円弧部分に形成された切欠部である請求項５に記載の半導体レーザ素子装置。
【請求項７】
ステム上に被せられ、半導体レーザ素子およびミラー部を覆うキャップを更に備えた請求項１〜６のいずれか１つに記載の半導体レーザ素子装置。
【請求項８】
ミラー部が、ステム上にダイボンドされた別体のミラー素子である請求項１〜７のいずれか１つに記載の半導体レーザ素子装置。
【請求項９】
ステムが、その上に一体に形成したブロック部を有し、かつこのブロック部がその表面に凹みを有し、ミラー部が前記凹みに係合する係合凸起を有するミラー素子からなる請求項１〜７のいずれか１つに記載の半導体レーザ素子装置。
【請求項１０】
ステムがその表面に凹部を有し、かつこの凹部の底面に半導体レーザ素子を装着し、この凹部の壁面にミラー部を形成した請求項１〜７のいずれか１つに記載の半導体レーザ素子装置。
【請求項１１】
半導体レーザ素子が、複数のレーザ光を放射する請求項１〜１０のいずれか１つに記載の半導体レーザ素子装置。
【請求項１２】
円盤形または半円盤形のステムと、このステム上に直接またはサブマウントを介して装着され、レーザ光を装着面に平行に放射する半導体レーザ素子と、ステム上に装着または一体に形成され、放射されたレーザ光を反射して外部に放出するミラー部とを備えた半導体レーザ素子装置用ユニット。
【請求項１３】
本体と、円盤形または半円盤形で、本体に支持され、その支持位置を中心軸のまわりに回転調整可能なステムと、このステム上に直接またはサブマウントを介して装着され、レーザ光を装着面に平行に放射する半導体レーザ素子と、ステム上に装着または一体に形成され、放射されたレーザ光を反射して外部に放出するミラー部とを備えた半導体レーザ素子装置と、
ミラー部より放出されるレーザ光を収束して情報記録媒体に照射し、該情報記録媒体からの反射光を受光して情報を再生または／および記録する光学情報処理系と
を備えた光ピックアップ装置。
【請求項１４】
本体と、円盤形または半円盤形で、本体に支持され、その支持位置を中心軸のまわりに回転調整可能なステムと、このステム上に直接またはサブマウントを介して装着され、レーザ光を装着面に平行に放射する半導体レーザ素子と、ステム上に装着または一体に形成され、放射されたレーザ光を反射して外部に放出するミラー部とを備え、
このミラー部が、その反射面に反射光を非コヒーレント光に変換する変換処理面を具備し、該非コヒーレント光を照明光とする照明機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体レーザ装置および光ピックアップ装置に関し、さらに詳しくは、ステム上に半導体レーザ素子を装着し、この半導体レーザ素子から放射されるレーザ光を外部に放出する半導体レーザ装置、およびこの半導体レーザ装置と、この半導体レーザ装置で得られるレーザ光を収束して情報記録媒体に照射し、該情報記録媒体からの反射光を受光して情報を再生または／および記録する光学情報処理系とを含み、ＣＤ、ＤＶＤ，ＢＤなどの光学情報記録媒体に対する信号の再生・記録・消去などを行う光ピックアップ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体レーザ装置（以下、単に半導体レーザ、または半導体レーザ素子装置と称することもある）は、光ストレージ業界の成長とともに需要を伸ばしている。そして、この半導体レーザ装置には、高出力化の要望があり、さらに組み込まれるパッケージは小型化の流れにある。
従って、１つの半導体レーザ素子からの発熱量は、大幅に増えつづけている。しかしながら、半導体レーザ素子からの放熱設計が十分考えられていないので、結果として発光特性に影響をきたす結果となっている。
一方、半導体レーザ素子は偏光特性をもっており、光ピックアップ装置などの機器に組み込む際には、パッケージを回転させて調整する必要がある。従って、半導体レーザ素子が小さくなればなる程、機器に組み込む際の回転調整操作が難しくなる。
【０００３】
通常、光ピックアップ装置に用いられる半導体レーザ装置は、本体に装着されたステム（パッケージのステム）と、このステム上に一体に形成されたブロック部と、このブロック部の側面にサブマウントを介して装着された半導体レーザ素子とを備え、半導体レーザ素子から放射されるレーザ光を外部へ所定の方向に放出する（特許文献１、特許文献２および特許文献３参照）。
【０００４】
例えば、図１０のごとく、半導体レーザ装置１００Ｌは、本体（図示省略）に装着されたステム（パッケージのステム）１０１と、このステム上に一体に形成されたブロック部１０２と、このブロック部の側面にサブマウント１０３を介して装着された半導体レーザ素子（レーザチップ）１０４とからなり、半導体レーザ素子１０４から放射されるレーザ光を外部へ所定の方向（矢印Ａ）に放出するよう構成されている。
【０００５】
従って、この半導体レーザ装置１００Ｌは、半導体レーザ素子１０４およびサブマウント１０３を、ブロック部１０２を介してステム１０１に装着されているので、半導体レーザ素子１０４から発生する熱がサブマウント１０３からブロック部１０２を経由してステム１０１から放散されることになる。従って、発生する熱は、長い放熱経を必要とするので、ステム１０１に（またはパッケージ内に）伝わり難く、半導体レーザ素子１０４の発光特性が良好に維持できないおそれがあった。
さらに、半導体レーザ装置１０Ｌは、半導体レーザ素子１０４が小さくなれば、それだけ機器に組み込む際の回転調整操作、つまりレーザ光形状(及び偏光特性)の回転による調整操作が難しくなる。
【特許文献１】特開平４−１５５９７６号公報
【特許文献２】実開昭６３−１１８２５９号公報
【特許文献３】特開２００２−１１１１２８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
そこで、本発明の主要な課題の１つは、半導体レーザ素子から発生する熱を放熱し易くし、半導体レーサ素子の発光特性を良好に維持できるようにすることであり、併せて、半導体レーザ素子を機器に組み込む際の操作がしやすく、将来の小型化対応が可能となる半導体レーザ装置の提供が期待されるわけである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、本体と、円盤形または半円盤形で、本体に支持され、その支持位置を中心軸のまわりに回転調整可能なステムと、このステム上に直接またはサブマウントを介して装着されレーザ光を装着面に平行に放射する半導体レーザ素子と、ステム上に装着または一体に形成され、放射されたレーザ光を反射して外部に放出するミラー部とを備えた半導体レーザ素子装置を提供する。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、ステムを円盤形または半円盤形で、本体に対する支持位置をその中心軸のまわりに回転調整可能とし、かつステム上にミラー部を装着または一体に形成することによって、半導体レーザ素子をステム上に直接またはサブマウントを介して装着できるようにし、それによって半導体レーザ素子から発生する熱を放熱し易くし、半導体レーサ素子の発光特性を良好に維持できるようにする。これらの効果は、半導体レーザ素子の将来の小型化に対応できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
本発明に係る半導体レーザ素子装置は、本体と、円盤形または半円盤形で、本体に支持され、その支持位置を中心軸のまわりに回転調整可能なステムと、このステム上に直接またはサブマウントを介して装着されレーザ光を装着面に平行に放射する半導体レーザ素子と、ステム上に装着または一体に形成され、放射されたレーザ光を反射して外部に放出するミラー部とを備えたことを特徴とする。
【００１０】
本発明において、ステムは、円盤形または半円盤形で、本体に支持され、その支持位置を中心軸のまわりに回転調整可能であり、かつこのステム上に半導体レーザ素子とミラー部とが装着される。
ステムは、通常、金属（例えば、鉄，銅及び金めっき）で形成され、半導体レーザ素子を直接またはサブマウントを介して装着される。従って半導体レーザ素子で発生する熱がすばやくステムから放散される。さらにステムは、上述のごとく円盤形または半円盤形であるので、半導体レーザで発生する熱を放射状に放散でき、放熱効果がより大きくなる。
【００１１】
さらに、ステムの裏面に半導体レーザ素子で発生する熱を放散するための放熱部材を具備すると、半導体レーザ素子温度の過度の上昇を防止でき、それによって半導体レーザ素子の発光特性を良好に維持できるのでより好ましい。ここで、放熱部材としては、放熱用金具や、放熱フイン（金属薄板、特にアルミニウム薄板）が好ましいものとして挙げられる。
【００１２】
また、ステムは、その円盤形または半円盤形の半径を１．０〜３．０ｍｍとするのが、回転調整をする上で好ましく、厚みを１．０〜６．０ｍｍとするのが、半導体レーザ素子の基台とし、かつ放熱を促進させる上で好ましい。
ステムは、その外周部（半円形の場合は円弧部分）に単数または複数の目印、例えば３〜４個の切欠部（等間隔が好ましい）を有すると、回転調整する際に角度の判定および調整回転が容易になり好ましい。
本発明において、ステムには、通常、その上に装着された半導体レーザ素子およびミラー部を覆うキャップ（通常、ステムと同一材料で形成される）が被せられ、ステムとキャップとを併せてパッケージと称することもある。なお、ステムのみでも、パッケージと称することもある。
【００１３】
本発明において、ステム上には、直接またはサブマウントを介して半導体レーザ素子が装着され、レーザ光を装着面に平行に放射する。例えば、半導体レーザ素子（発光ダイオード）として、特に限定されないが、例えば、ＡｌxＧａyＩｎzＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１，０≦ｚ≦１，ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で構成される窒化物半導体素子が挙げられる。なお、半導体レーザ素子は、複数のレーザ光（発振波長は同一でも、異なってもよい）を放射するものでもよい。
【００１４】
本発明において、ステム上には、半導体レーザによって放射されたレーザ光を反射して外部（の所定の方向）に放出するミラー部（反射部）が装着される。このミラー部は、ステム上に一体に形成してもよく、ステム上にダイボンドされた別体のミラー素子（例えば、ガラスミラー、アルミニウムミラー、ホログラムミラー）でもよい。さらに、ステムがその上に一体に形成したブロック部を有し、かつこのブロック部がその表面に凹部を有し、ミラー部が前記凹部に係合する係合凸部を有するミラー素子であってもよい。
【００１５】
本発明において、さらに、ステムがその表面に凹部を有し、かつこの凹部の底面に半導体レーザ素子を装着し、この凹部の壁面に、半導体レーザ素子から放射されたレーザ光を反射して外部に放出するミラー部を一体に形成するか、別体のミラー素子をダイボンドしてもよい。
【００１６】
本発明は、別の観点によれば、円盤形または半円盤形のステムと、このステム上に直接またはサブマウントを介して装着されレーザ光を装着面に平行に放射する半導体レーザ素子と、ステム上に装着または一体に形成され、放射されたレーザ光を反射して外部に放出するミラー部とを備えた半導体レーザ素子装置用ユニットを提供できる。
【００１７】
本発明は、さらに別の観点によれば、本体と、円盤形または半円盤形で、その中心軸のまわりに回転調整可能に本体に支持されたステムと、このステム上に直接またはサブマウントを介して装着されレーザ光を装着面に平行に放射する半導体レーザ素子と、ステム上に装着または一体に形成され、放射されたレーザ光を反射して外部に放出するミラー部とを備えた半導体レーザ素子装置と、
ミラー部より放出されるレーザ光を収束して情報記録媒体に照射し、該情報記録媒体からの反射光を受光して情報を再生または／および記録する光学情報処理系とを備えた光ピックアップ装置を提供できる。
【００１８】
本発明は、さらに別の観点によれば、本体と、円盤形または半円盤形で、その中心軸のまわりに回転調整可能に本体に支持されたステムと、このステム上に直接またはサブマウントを介して装着されレーザ光を装着面に平行に放射する半導体レーザ素子と、ステム上に装着または一体に形成され、放射されたレーザ光を反射して外部に放出するミラー部とを備え、
このミラー部が、その反射面に反射光を非コヒーレント光に変換する変換処理面を具備し、該非コヒーレント光を照明光とする照明機器を提供できる。
ここで、反射光を非コヒーレント光に変換できる好ましい変換処理面としては、レーザ光のコヒーレント性を乱す微細な凹凸を有する凹凸処理面、梨地処理面などが挙げられる。
【００１９】
以下、本発明に係る半導体レーザ装置の実施の形態を図面に基づいて説明する。
＜実施の形態1＞
図１は本発明に係る半導体レーザ装置の実施の形態１を示す概略説明図であり、その（Ａ）は結合状態を含む概略説明分解斜視図、（Ｂ）はその要部拡大説明図、（Ｃ）はこの半導体レーザ装置を組み込んだ光ピックアップ装置の概略構成説明図である。
【００２０】
まず、図１（Ｃ）において、光ピックアップ装置Ｐは、半導体レーザ装置Ｌと、光ディスクホルダＨと、光学系Ｋと、受光素子（ＲＦ受光用ＯＰＩＣ）Ｊとからなり、光学系Ｋは、ハーフミラーｈと、コリメータレンズｃと、対物レンズｔと、凹レンズｒとからなる。
そして、半導体レーザ装置Ｌから放射されるレーザ光（レーザビーム）は、ハーフミラーｈでその半分が反射され、他の半分が透過される。反射された半分のレーザ光は、コリメータレンズｃにより平行光に変換され、次いで対物レンズｔで収束されて情報記録媒体としての光ディスクｄに照射される。
【００２１】
次いで、光ディスクｄからの反射光（データの有無により光の反射量が変化する）は、対物レンズｔおよびコリメータレンズｃを介してハーフミラーｈに戻り、透過した他の半分と合流し凹レンズｒを介して受光素子Ｊに受光され、光ディスクｄの情報として読み取られる（再生される）。
【００２２】
さて、半導体レーザ装置Ｌは、図１（Ａ）・（Ｂ）において、本体１と、円盤形で、その中心軸のまわりに回転調整可能に本体１に支持された金属ステム２と、このステム上にサブマウント（誘電体）３を介して装着され、レーザ光を装着面４に平行に放射する半導体レーザ素子（半導体レーザチップ）５と、ステム２上に装着され、放射されたレーザ光を反射して外部に放出するミラー部（反射ミラー素子）６とを主として備えている。なお、７は、金属ステム２の金属キャップであり、金属ステム２と併せて金属パッケージと称する。
半導体レーザ素子５は、発光層及びＰ型半導体、Ｎ型半導体で構成され、端面発光型の共振器構造を持ち、Ｎ側、Ｐ側でワイヤボンド部９：９において金属ステム２のリード部８ａ，８ｂ、８ｃと接続されている。
【００２３】
かくして半導体レーザ素子５より放射されたレーザ光は、金属ステム２の中心付近に設置されたミラー部（反射ミラー）６で反射され、金属ステム２の平面（図中のｘ−ｙ平面）に対して垂直方向に曲げられ、金属パッケージの外へ放出される。
このとき、レーザ光が金属ステム２の平面(ｘ−y平面)と垂直になるように、ミラー部６の角度は設計されている。また、金属ステム２が円盤形に形成され（外周径が２．０−６．０ｍｍ、板厚が０．５−２．０ｍｍ）、本体１の丸孔２ａがその周囲に金属ステム２を回転可能に支持する円形段部２ｂ［図（Ｃ）参照］を備えているので、半導体レーザ装置Ｌを光ピックアップ装置Ｐに設置する際に必要となる、金属ステム２の回転調整が容易になる。
【００２４】
これにより、半導体レーザ装置Ｌを光ピックアップ装置Ｐに設置するとき、レーザ光の偏光特性による影響が最小限になるような角度に回転調整できる［図１（Ｃ）の部分説明図Ｘ参照］。つまり、半導体レーザ特有のＦＦＰ特性により角度によって光強度および偏光特性が異なるので、半導体レーザ装置Ｌを回転調整することによって最適な角度で光ピックアップ装置Ｐに設置されるわけである。
【００２５】
ここで、図１（Ｂ）において、金属ステム２は、半導体レーザ素子５と金属ステム２とのダイボンド面裏側が、放熱機能を備えた放熱用金具２ｃで外部と直接接触が可能であり、更に平面形状になっているため、放熱設計を取りやすく、半導体レーザ素子５に電流を流すことで発生する熱を金属ステム２（パッケージ）の外部に逃がしやすいという利点がある。
【００２６】
＜実施の形態２＞
図２は本発明に係る半導体レーザ装置の実施の形態２を示す、結合状態を含む概略説明分解斜視図である。
さて、半導体レーザ装置１０Ｌは、図２において、本体［図１（Ｃ）の本体１と同様の構成であり、図示を省略］と、円盤形で、その中心軸のまわりに回転調整可能に本体に支持された金属ステム１２と、このステム上にサブマウント（誘電体、以下、各構成について、実施の形態１と同様の場合は説明を省略することもある）１３を介して装着され、レーザ光を装着面１４に平行に放射する半導体レーザ素子（半導体レーザチップ）１５と、ステム１２上に装着され、放射されたレーザ光を反射して外部に放出するミラー部（反射ミラー素子）１６とを主として備えている。なお、１７は、金属ステム１２の金属キャップであり、金属ステム１２と併せて金属パッケージと称する。
【００２７】
半導体レーザ素子１５は、端面発光型の共振器構造を持ち、Ｎ側、Ｐ側でワイヤボンド部１９において金属ステム１２のリード部１８ａ，１８ｂ、１８ｃと接続されている。
かくして半導体レーザ素子１５より放射されたレーザ光は、金属ステム１２の中心付近に設置されたミラー部（反射ミラー）１６で反射され、金属ステム１２の平面（図中のｘ−ｙ平面）に対して垂直方向に曲げられ、金属パッケージの外へ放出される。
【００２８】
また、金属ステム１２が円盤形に形成され（外周径が２．０−６．０ｍｍ、板厚が０．５−２．０ｍｍ）、本体の丸孔（図示省略）がその周囲に金属ステム１２を回転可能に支持する円形段部（図示省略）を備えているので、半導体レーザ装置１０Ｌを光ピックアップ装置（図示省略）に設置する際に必要となる、金属ステム１２の回転調整が容易になる。
【００２９】
＜実施の形態３＞
図３は、本発明に係る半導体レーザ装置の実施の形態３を示す、結合状態を含む概略説明分解斜視図である。
図３において、半導体レーザ装置２０Ｌは、本体［図１（Ｃ）の本体１と同様の構成であり、図示を省略］と、円盤形で、その中心軸のまわりに回転調整可能に本体に支持された金属ステム２２と、このステム上にサブマウント２３を介して装着されレーザ光を装着面２４に平行に放射する半導体レーザ素子（半導体レーザチップ）２５と、ステム２２上に一体に形成され、必要によりその上に反射材（例えば、銀ペースト、樹脂）を塗布して鏡面にされ、放射されたレーザ光を反射して外部に放出するためのミラー部（反射ミラー素子）２６とを主として備えている。なお、２７は、金属ステム２２の金属キャップであり、金属ステム２２と併せて金属パッケージと称する。
【００３０】
半導体レーザ素子２５は、端面発光型の共振器構造を持ち、Ｎ側、Ｐ側でワイヤボンド部２９において金属ステム２２のリード部２８ａ，２８ｂ、２８ｃと接続されている。
かくして半導体レーザ素子２５より放射されたレーザ光は、金属ステム２２の中心付近に設置されたミラー部（反射ミラー）２６で反射され、金属ステム２２の平面（図中のｘ−ｙ平面）に対して垂直方向に曲げられ、金属パッケージの外へ放出される。
【００３１】
また、金属ステム２２が円盤形に形成され、本体の丸孔（図示省略）がその周囲に金属ステム２２を回転可能に支持する円形段部（図示省略）を備えているので、半導体レーザ装置２０Ｌを光ピックアップ装置に設置する際に必要となる、金属ステム２２の回転調整が容易になる。
【００３２】
＜実施の形態４＞
図４は本発明に係る半導体レーザ装置の実施の形態４を示す、結合状態を含む概略説明分解斜視図である。
図４において、半導体レーザ装置３０Ｌは、本体［図１（Ｃ）の本体１と同様の構成であり、図示を省略］と、円盤形で、その中心軸のまわりに回転調整可能に本体に支持された金属ステム３２と、このステム上にサブマウント３３を介して装着され、レーザ光を装着面３４に平行に放射する半導体レーザ素子（半導体レーザチップ）３５と、同じくサブマウント３３上に一体に形成され、必要によりその上に反射材（例えば、銀ペースト、樹脂など）を塗布して構成され、放射されたレーザ光を反射して外部に放出するためのミラー部（反射ミラー素子）３６とを主として備えている。
【００３３】
ここで、サブマウント３３とミラー部３６とは、２枚の金属板を一体に張り合わせて金属ステム３２、下の金属板をサブマウント３３とし、上の金属板を一部除去すると共に、除去面を傾斜をつけて削ることによってミラー部（表面に銀ペーストを塗布）３６とする。
なお、３７は、金属ステム３２の金属キャップであり、金属ステム３２と併せて金属パッケージと称する。
半導体レーザ素子３５は、端面発光型の共振器構造を持ち、Ｎ側、Ｐ側でワイヤボンド部３９において金属ステム３２のリード部３８ａ，３８ｂ、３８ｃと接続されている。
【００３４】
かくして半導体レーザ素子３５より放射されたレーザ光は、サブマウント３３上に形成されたミラー部（反射ミラー）３６で反射され、金属ステム３２の平面（図中のｘ−ｙ平面）に対して垂直方向に曲げられ、金属パッケージの外へ放出される。
また、金属ステム３２が円盤形に形成され、本体の丸孔（図示省略）がその周囲に金属ステム３２を回転可能に支持する円形段部（図示省略）を備えているので、半導体レーザ装置３０Ｌを光ピックアップ装置に設置する際に必要となる、金属ステム３２の回転調整が容易になる。
【００３５】
＜実施の形態５＞
図５は、本発明に係る半導体レーザ装置の実施の形態５を示す、結合状態を含む概略説明分解斜視図である。
図５において、半導体レーザ装置４０Ｌは、本体［図１（Ｃ）の本体１と同様の構成であり、図示を省略］と、円盤形で、その中心軸のまわりに回転調整可能に本体に支持された金属ステム４２と、このステム上にサブマウント４３を介して装着され、レーザ光を装着面４４に平行に放射する半導体レーザ素子（半導体レーザチップ）４５と、金属ステム４２上に一体に形成され、放射されたレーザ光を反射して外部に放出するためのミラー部（反射ミラー素子）４６とを主として備えている。
【００３６】
ここで、ミラー部４６は、金属ステム４２の上に一体に形成され、表面に凹み４６ｂを有する傾斜ブロック部４６ａと、係合凸起４６ｃを有し、この係合凸起を傾斜ブロック部４６ａの凹み４６ｂに係合させたミラー素子４６ｄとからなる。
なお、４７は、金属ステム４２の金属キャップであり、金属ステム４２と併せて金属パッケージと称する。
半導体レーザ素子４５は、端面発光型の共振器構造を持ち、Ｎ側、Ｐ側でワイヤボンド部４９において金属ステム４２のリード部４８ａ，４８ｂ、４８ｃと接続されている。
【００３７】
かくして半導体レーザ素子４５より放射されたレーザ光は、サブマウント４３上に形成されたミラー部（反射ミラー）４６で反射され、金属ステム４２の平面（図中のｘ−ｙ平面）に対して垂直方向に曲げられ、金属パッケージの外へ放出される。
また、金属ステム４２が円盤形に形成され、本体の丸孔（図示省略）がその周囲に金属ステム４２を回転可能に支持する円形段部（図示省略）を備えているので、半導体レーザ装置４０Ｌを光ピックアップ装置に設置する際に必要となる、金属ステム４２の回転調整が容易になる。
【００３８】
＜実施の形態６＞
図６は、本発明に係る半導体レーザ装置の実施の形態６を示す、結合状態を含む概略説明分解斜視図である。
図６において、半導体レーザ装置５０Ｌは、本体［図１（Ｃ）の本体１と同様の構成であり、図示を省略］と、円盤形で、その中心軸のまわりに回転調整可能に本体に支持され、表面に凹部５２ａを有する金属ステム５２と、このステムの凹部５２ａの底面上にサブマウント５３を介して装着されレーザ光を装着面５４に平行に放射する半導体レーザ素子（半導体レーザチップ）５５と、金属ステム５２の凹部５２ａの一壁面に傾斜して一体に形成され（表面に銀ペーストを塗布）、放射されたレーザ光を反射して外部に放出するためのミラー部（反射ミラー素子）５６とを主として備えている。
【００３９】
なお、５７は、金属ステム５２の金属キャップであり、金属ステム５２と併せて金属パッケージと称する。
半導体レーザ素子５５は、端面発光型の共振器構造を持ち、Ｎ側、Ｐ側でワイヤボンド部５９において金属ステム５２のリード部５８ａ，５８ｂ、５８ｃと接続されている。
【００４０】
かくして半導体レーザ素子５５より放射されたレーザ光は、サブマウント５３上に形成されたミラー部（反射ミラー）５６で反射され、金属ステム５２の平面（図中のｘ−ｙ平面）に対して垂直方向に曲げられ、金属パッケージの外へ放出される。
また、金属ステム５２が円盤形に形成され、本体の丸孔（図示省略）がその周囲に金属ステム５２を回転可能に支持する円形段部（図示省略）を備えているので、半導体レーザ装置５０Ｌを光ピックアップ装置に設置する際に必要となる、金属ステム５２の回転調整が容易になる。
【００４１】
＜実施の形態７＞
図７は、本発明に係る半導体レーザ装置の実施の形態７を示す、結合状態を含む概略説明分解斜視図である。
図７において、半導体レーザ装置６０Ｌは、本体［図１（Ｃ）の本体１と同様の構成であり、図示を省略］と、円盤形で、その中心軸のまわりに回転調整可能に本体に支持された金属ステム６２と、このステム上にサブマウント６３を介して装着され、波長の異なる二つのレーザ光（発振波長：６２０−６８０ｎｍと３９０−４７０ｎｍ）を装着面６４に平行に放射する半導体レーザ素子（半導体レーザチップ）６５と、ステム６２上に装着され、放射された各レーザ光を反射して外部に放出するミラー部（反射ミラー素子）６６とを主として備えている。
なお、６７は、金属ステム６２の金属キャップであり、金属ステム６２と併せて金属パッケージと称する。
【００４２】
半導体レーザ素子６５は、端面発光型の共振器構造を持ち、Ｎ側、Ｐ側でワイヤボンド部６９において金属ステム６２のリード部６８ａ，６８ｂ、６８ｃと接続されている。
かくして半導体レーザ素子６５より放射された波長の異なる二つのレーザ光は、金属ステム６２の中心付近に設置されたミラー部（反射ミラー）６６で反射され、金属ステム６２の平面（図中のｘ−ｙ平面）に対して垂直方向に曲げられ、金属パッケージの外へ放出される。
【００４３】
また、金属ステム６２が円盤形に形成され、本体の丸孔（図示省略）がその周囲に金属ステム６２を回転可能に支持する円形段部（図示省略）を備えているので、半導体レーザ装置６０Ｌを光ピックアップ装置に設置する際に必要となる、金属ステム６２の回転調整が容易になる。
【００４４】
＜実施の形態８＞
図８は、本発明に係る半導体レーザ装置の実施の形態８を示す、結合状態を含む概略説明分解斜視図である。
図８において、半導体レーザ装置７０Ｌは、本体［図１（Ｃ）の本体１と同様の構成であり、図示を省略］と、円盤形で、その中心軸のまわりに回転調整可能に本体に支持され、外周囲に目印としての３つの切欠部７２ａ、７２ｂ、７２ｃを有する金属ステム７２と、このステム上にサブマウント７３を介して装着されレーザ光を装着面７４に平行に放射する半導体レーザ素子（半導体レーザチップ）７５と、ステム７２上に装着され、放射されたレーザ光を反射して外部に放出するミラー部（反射ミラー素子）７６とを主として備えている。なお、７７は、金属ステム７２の金属キャップであり、金属ステム７２と併せて金属パッケージと称する。
【００４５】
半導体レーザ素子７５は、端面発光型の共振器構造を持ち、Ｎ側、Ｐ側でワイヤボンド部７９において金属ステム７２のリード部７８ａ，７８ｂ、７８ｃと接続されている。
かくして半導体レーザ素子７５より放射されたレーザ光は、金属ステム７２の中心付近に設置されたミラー部（反射ミラー）７６で反射され、金属ステム７２の平面（図中のｘ−ｙ平面）に対して垂直方向に曲げられ、金属パッケージの外へ放出される。
【００４６】
また、金属ステム７２が円盤形に形成され、本体の丸孔（図示省略）がその周囲に金属ステム７２を回転可能に支持する円形段部（図示省略）を備えているので、半導体レーザ装置７０Ｌを光ピックアップ装置に設置する際に必要となる、金属ステム７２の回転調整が容易になる。特に、金属ステム７２が、その外周囲に目印としての３つの切欠部７２ａ、７２ｂ、７２ｃを有しているので、回転調整する際に角度の判定および調整回転が容易になり、より好ましい。
【００４７】
＜実施の形態９＞
図９は、本発明に係る半導体レーザ装置の実施の形態９を示す、結合状態を含む概略説明分解斜視図である。
図９において、半導体レーザ装置８０Ｌは、本体［図１（Ｃ）の本体１と同様の構成であり、図示を省略］と、円盤形で、その中心軸のまわりに回転調整可能に本体に支持され、外周囲に目印としての３つの切欠部８２ａ、８２ｂ、８２ｃを有する金属ステム８２と、このステム上にサブマウント８３を介して装着されレーザ光を装着面８４に平行に放射する半導体レーザ素子（半導体レーザチップ）８５と、ステム８２上に装着され、放射されたレーザ光を非コヒーレント性に変換して反射し外部に放出するミラー部（表面を梨地処理した反射ミラー素子）８６とを主として備えている。なお、８７は、金属ステム８２の金属キャップであり、金属ステム８２と併せて金属パッケージと称する。
【００４８】
半導体レーザ素子８５は、端面発光型の共振器構造を持ち、Ｎ側、Ｐ側でワイヤボンド部８９において金属ステム８２のリード部８８ａ，８８ｂ、８８ｃと接続されている。
かくして半導体レーザ素子８５より放射されたレーザ光は、金属ステム８２の中心付近に設置されたミラー部（反射ミラー）８６で非コヒーレント性に変換されて反射され、金属ステム８２の平面（図中のｘ−ｙ平面）に対して垂直方向に曲げられ、人間の目に影響のないレーザ光として金属パッケージの外へ放出される。もちろん、レーザ光を照明光として利用でき、さらにミラー部を緩やかな凸面として周囲に拡散できるようにしても良い。
【００４９】
以上のごとく、本発明に係る半導体レーザ装置の各実施の形態は、ピックアップ用途や照明用途という限られたスペースの中に組み込まれて使用されているにもかかわらず、チップからの放熱しやすい形のパッケージとなり、かつ軸合わせ時の回転調整も可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明に係る半導体レーザ装置の実施の形態１を示す概略説明図であり、その（Ａ）は結合状態を含む概略説明分解斜視図、（Ｂ）はその要部拡大説明図、（Ｃ）はこの半導体レーザ装置を組み込んだ光ピックアップ装置の概略構成説明図を示す。
【図２】本発明に係る半導体レーザ装置の実施の形態２を示す、結合状態を含む概略説明分解斜視図である。
【図３】本発明に係る半導体レーザ装置の実施の形態３を示す図２相当図である。
【図４】本発明に係る半導体レーザ装置の実施の形態４を示す図２相当図である。
【図５】本発明に係る半導体レーザ装置の実施の形態５を示す図２相当図である。
【図６】本発明に係る半導体レーザ装置の実施の形態６を示す図２相当図である。
【図７】本発明に係る半導体レーザ装置の実施の形態７を示す図２相当図である。
【図８】本発明に係る半導体レーザ装置の実施の形態８を示す図２相当図である。
【図９】本発明に係る半導体レーザ装置の実施の形態９を示す図２相当図である。
【図１０】従来の半導体レーザ装置の要部拡大説明図である。
【符号の説明】
【００５１】
１     本体
２     金属ステム
２ａ   丸孔
２ｂ   円形段部
２ｃ   放熱用金具
３     サブマウント
４     装着面
５     半導体レーザ素子
６     ミラー部
７     金属キャップ
８ａ  リード部
８ｂ  リード部
８ｃ  リード部
９    ワイヤボンド部
１０  放熱金具
Ｌ    半導体レーザ装置
【図１Ａ】
2008198934.tif 000003
【図１Ｂ】
2008198934.tif 000004
【図１Ｃ】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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