(57)【要約】【課題】素子サイズが非常に小さい場合にもシールド層とフリー層との磁気的結合を効果的に遮断可能な薄膜磁気ヘッド及び磁気ディスクドライブ装置を提供する。【解決手段】下部電極を兼用する下部シールド層と、下部シールド層上に形成されており積層面と垂直方向に電流が流れるＭＲ積層体と、ＭＲ積層体のトラック幅方向の両側に形成された磁区制御層と、ＭＲ積層体及び磁区制御層上に形成されており積層面と垂直方向に導電性を有しかつ磁化率が負となる反磁性材料層と、反磁性材料層上に形成された上部電極を兼用する上部シールド層とを備えている。【選択図】図５
2008102980.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下部電極を兼用する下部シールド層と、該下部シールド層上に形成されており積層面と垂直方向に電流が流れる磁気抵抗効果積層体と、該磁気抵抗効果積層体のトラック幅方向の両側に形成された磁区制御層と、前記磁気抵抗効果積層体及び前記磁区制御層上に形成されており積層面と垂直方向に導電性を有しかつ磁化率が負となる反磁性材料層と、該反磁性材料層上に形成された上部電極を兼用する上部シールド層とを備えていることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】
前記反磁性材料層が、前記磁気抵抗効果積層体の上面を少なくとも覆う範囲に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】
下部電極を兼用する下部シールド層と、該下部シールド層上に形成されており積層面と垂直方向に導電性を有しかつ磁化率が負となる反磁性材料層と、該反磁性材料層上に形成されており積層面と垂直方向に電流が流れる磁気抵抗効果積層体と、該磁気抵抗効果積層体のトラック幅方向の両側に形成された磁区制御層と、前記磁気抵抗効果積層体及び前記磁区制御層上に形成された上部電極を兼用する上部シールド層とを備えていることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項４】
前記反磁性材料層が、前記磁気抵抗効果積層体の下面を少なくとも覆う範囲に形成されていることを特徴とする請求項３に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項５】
前記下部シールド層、前記磁気抵抗効果積層体、前記磁区制御層及び前記上部シールド層を含む磁気抵抗効果読出しヘッド素子と、該磁気抵抗効果読出しヘッド素子上に形成されたインダクティブ書込みヘッド素子と、該磁気抵抗効果読出しヘッド素子及び該インダクティブ書込みヘッド素子の間に形成されており積層面と垂直方向に導電性を有しかつ磁化率が負となる追加の反磁性材料層とを備えていることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項６】
下部電極を兼用する下部シールド層、該下部シールド層上に形成されており積層面と垂直方向に電流が流れる磁気抵抗効果積層体、該磁気抵抗効果積層体のトラック幅方向の両側に形成された磁区制御層、並びに前記磁気抵抗効果積層体及び前記磁区制御層上に形成された上部電極を兼用する上部シールド層を含む磁気抵抗効果読出しヘッド素子と、該磁気抵抗効果読出しヘッド素子上に形成されたインダクティブ書込みヘッド素子と、該磁気抵抗効果読出しヘッド素子及び該インダクティブ書込みヘッド素子の間に形成されており積層面と垂直方向に導電性を有しかつ磁化率が負となる反磁性材料層とを備えていることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項７】
前記反磁性材料層が、前記磁気抵抗効果読出しヘッド素子の前記上部シールド層と、前記インダクティブ書込みヘッド素子の下部磁極層又は主磁極層との間に形成されていることを特徴とする請求項６に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項８】
前記反磁性材料層が、積層面と垂直方向に導電性を有しかつ磁化率が負となるグラファイト層であることを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項９】
前記磁気抵抗効果積層体が、トンネル磁気抵抗効果積層体又は垂直方向電流通過型巨大磁気抵抗効果積層体であることを特徴とする請求項１から８のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１０】
請求項１から９のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドと、該薄膜磁気ヘッドが対向する磁気ディスクとを備えたことを特徴とする磁気ディスクドライブ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気記録媒体等の磁界強度を信号として読み出しを行う磁気抵抗効果（ＭＲ）読出しヘッド素子を有する薄膜磁気ヘッド及びこの薄膜磁気ヘッドを備えた磁気ディスクドライブ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）の大容量小型化に伴い、高感度かつ高出力の薄膜磁気ヘッドが要求されている。この要求に対応するため、巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ）読出しヘッド素子を有するＧＭＲヘッドの特性改善が進んでおり、一方では、ＧＭＲヘッドの２倍以上の抵抗変化率が期待できるトンネル磁気抵抗効果（ＴＭＲ）読出しヘッド素子を有するＴＭＲヘッドの実用化も始まっている。
【０００３】
ＴＭＲヘッドと一般的なＧＭＲヘッドとでは、センス電流の流れる方向の違いからヘッド構造が互いに異なっている。一般的なＧＭＲヘッドのように、積層面（膜面）に対して平行にセンス電流を流すＧＭＲヘッドを水平（面内）方向電流通過型ＧＭＲヘッド、ＣＩＰ（Ｃｕｒｒｅｎｔ Ｉｎ Ｐｌａｎｅ）−ＧＭＲヘッドと呼び、ＴＭＲヘッドのように膜面に対して垂直方向にセンス電流を流すＧＭＲヘッドを垂直方向電流通過型ＧＭＲヘッド、ＣＰＰ（Ｃｕｒｒｅｎｔ Ｐｅｒｐｅｎｄｉｃｕｌａｒ ｔｏ Ｐｌａｎｅ）−ＧＭＲヘッドと呼んでいる。最近は、後者のＣＰＰ−ＧＭＲヘッドの開発も行われている。
【０００４】
ＣＰＰ−ＧＭＲヘッドやＴＭＲヘッドは、磁気シールド層そのものを電極層として用いることができるため、ＣＩＰ−ＧＭＲヘッドにおける狭リードギャップ化において深刻な問題となっている磁気シールド層と素子との間の短絡（絶縁不良）が本質的に生じない。このため、ＣＰＰ−ＧＭＲヘッドやＴＭＲヘッドは、高記録密度化に非常に有利となっている。
【０００５】
ＣＰＰ−ＧＭＲヘッドやＴＭＲヘッドのごとくリードギャップが狭小化すると、シールド層とフリー層との間に磁気的結合が生じ、シールド層に入った磁界がフリー層に回り込むことによりヘッド出力波形に大きな影響が現れる。また、磁区制御層とシールド層が近接することによって、バイアス磁界がシールド層に逃げてしまい、フリー層にかかる実効磁界が落ちてしまう現象も看過できない。
【０００６】
シールド層とフリー層との間ではないが、ＭＲ読出しヘッド素子とインダクティブ書込みヘッド素子との間に白金（Ｐｔ）による磁気遮断層を設けることにより、書込みヘッド素子の記録動作直後にＭＲ読出しヘッド素子の再生信号に発生するノイズを低減できる薄膜磁気ヘッドが提案されている（特許文献１）。
【０００７】
【特許文献１】特開２００１−３３１９０９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、従来頻繁に用いられてきたタンタル（Ｔａ）層や特許文献１に開示されているＰｔ層は、単なる非磁性金属層（即ち、常磁性層）であり、磁束を遮断する機能としては、この層を２層間に挿入することによって２層間距離を大きくする非磁性セパレータ程度の消極的機能しか得られない。素子サイズが大きい場合は、このような非磁性セパレータをシールド層とフリー層との間に挿入することによって、磁気遮断効果はそれなりに期待できるであろうが、素子サイズが狭小化した場合、充分な磁気的スペースを稼ぐことができないので、その効果を期待することは全くできない。しかも、このような常磁性層は、静磁界については遮断機能を全く有していない。
【０００９】
従って、本発明の目的は、素子サイズが非常に小さい場合にもシールド層とフリー層との磁気的結合を効果的に遮断可能な薄膜磁気ヘッド及び磁気ディスクドライブ装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明によれば、下部電極を兼用する下部シールド層と、下部シールド層上に形成されており積層面と垂直方向に電流が流れるＭＲ積層体と、ＭＲ積層体のトラック幅方向の両側に形成された磁区制御層と、ＭＲ積層体及び磁区制御層上に形成されており積層面と垂直方向に導電性を有しかつ磁化率が負となる反磁性材料層と、反磁性材料層上に形成された上部電極を兼用する上部シールド層とを備えている薄膜磁気ヘッドが提供される。
【００１１】
本発明によれば、さらに、下部電極を兼用する下部シールド層と、下部シールド層上に形成されており積層面と垂直方向に導電性を有しかつ磁化率が負となる反磁性材料層と、反磁性材料層上に形成されており積層面と垂直方向に電流が流れるＭＲ積層体と、ＭＲ積層体のトラック幅方向の両側に形成された磁区制御層と、ＭＲ積層体及び磁区制御層上に形成された上部電極を兼用する上部シールド層とを備えている薄膜磁気ヘッドが提供される。
【００１２】
上部シールド層又は下部シールド層とＭＲ積層体との間に、積層面と垂直方向に導電性を有しかつ磁化率が負となる反磁性材料層が挿入されている。このため、上部シールド層又は下部シールド層から印加される磁界がこの反磁性材料層で打ち消され、確実に遮断されてＭＲ積層体のフリー層に印加されない。しかも、この場合、反磁性材料層はさほど厚くする必要がないため、素子サイズを非常に小さい状態に保った状態で上部シールド層又は下部シールド層とＭＲ積層体のフリー層との磁気的結合を効果的に遮断することができる。さらに、磁区制御層から与えられるバイアス磁界を上部シールド層又は下部シールド層側に逃がすことなく、ＭＲ積層体のフリー層に効果的に導くことが可能となる。
【００１３】
反磁性材料層が、ＭＲ積層体の上面又は下面を少なくとも覆う範囲に形成されていることが好ましい。
【００１４】
下部シールド層、ＭＲ積層体、磁区制御層及び上部シールド層を含むＭＲ読出しヘッド素子と、ＭＲ読出しヘッド素子上に形成されたインダクティブ書込みヘッド素子と、ＭＲ読出しヘッド素子及びインダクティブ書込みヘッド素子の間に形成されており積層面と垂直方向に導電性を有しかつ磁化率が負となる追加の反磁性材料層とを備えていることが好ましい。
【００１５】
本発明によれば、さらにまた、下部電極を兼用する下部シールド層、下部シールド層上に形成されており積層面と垂直方向に電流が流れるＭＲ積層体、ＭＲ積層体のトラック幅方向の両側に形成された磁区制御層、並びにＭＲ積層体及び磁区制御層上に形成された上部電極を兼用する上部シールド層を含むＭＲ読出しヘッド素子と、ＭＲ読出しヘッド素子上に形成されたインダクティブ書込みヘッド素子と、ＭＲ読出しヘッド素子及びインダクティブ書込みヘッド素子の間に形成されており積層面と垂直方向に導電性を有しかつ磁化率が負となる反磁性材料層とを備えている薄膜磁気ヘッドが提供される。
【００１６】
ＭＲ読出しヘッド素子及びインダクティブ書込みヘッド素子の間に、積層面と垂直方向に導電性を有しかつ磁化率が負となる反磁性材料層が挿入されている。このため、インダクティブ書込みヘッド素子から上部シールド層を介して印加される磁界がこの反磁性材料層で打ち消され、確実に遮断されてＭＲ積層体のフリー層に印加されない。しかも、この場合、反磁性材料層はさほど厚くする必要がないため、素子サイズを非常に小さい状態に保った状態でインダクティブ書込みヘッド素子とＭＲ積層体のフリー層との磁気的結合を効果的に遮断することができる。
【００１７】
反磁性材料層が、ＭＲ読出しヘッド素子の上部シールド層と、インダクティブ書込みヘッド素子の下部磁極層又は主磁極層との間に形成されていることが好ましい。
【００１８】
反磁性材料層が、積層面と垂直方向に導電性を有しかつ磁化率が負となるグラファイト層であることが好ましい。
【００１９】
ＭＲ積層体が、ＴＭＲ積層体又はＣＰＰ−ＧＭＲ積層体であることも好ましい。
【００２０】
本発明によれば、さらに、上述した薄膜磁気ヘッドと、この薄膜磁気ヘッドが対向する磁気ディスクとを備えた磁気ディスクドライブ装置が提供される。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、上部シールド層又は下部シールド層から印加される磁界がこの反磁性材料層で打ち消され、確実に遮断されてＭＲ積層体のフリー層に印加されない。しかも、この場合、反磁性材料層はさほど厚くする必要がないため、素子サイズを非常に小さい状態に保った状態で上部シールド層又は下部シールド層とＭＲ積層体のフリー層との磁気的結合を効果的に遮断することができる。さらに、磁区制御層から与えられるバイアス磁界を上部シールド層又は下部シールド層側に逃がすことなく、ＭＲ積層体のフリー層に効果的に導くことが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
図１は本発明の一実施形態として、磁気ディスクドライブ装置の要部の構成を概略的に示す斜視図であり、図２はＨＧＡの一構成例を示す斜視図であり、図３は図２のＨＧＡの先端部に装着されている薄膜磁気ヘッドを示す斜視図である。
【００２３】
図１において、１０はスピンドルモータ１１の回転軸の回りを回転する複数の磁気ディスク、１２は薄膜磁気ヘッド（磁気ヘッドスライダ）をトラック上に位置決めするためのアセンブリキャリッジ装置、１３は薄膜磁気ヘッドの読み書き動作を制御するための記録再生制御回路をそれぞれ示している。
【００２４】
アセンブリキャリッジ装置１２には、複数の駆動アーム１４が設けられている。これら駆動アーム１４は、ボイスコイルモータ（ＶＣＭ）１５によってピボットベアリング軸１６を中心にして角揺動可能であり、この軸１６に沿った方向にスタックされている。各駆動アーム１４の先端部には、ＨＧＡ１７が取り付けられている。各ＨＧＡ１７には、磁気ヘッドスライダ２１が、各磁気ディスク１０の表面に対向するように設けられている。磁気ディスクドライブ装置に、単数の磁気ディスク１０、駆動アーム１４及びＨＧＡ１７を設けるようにしても良い。
【００２５】
図２に示すように、ＨＧＡは、サスペンション２０の先端部に、インダクティブ書込みヘッド素子及び多層構造のＭＲ読出しヘッド素子を有する磁気ヘッドスライダ２１を固着し、さらにその磁気ヘッドスライダ２１の端子電極に配線部材２５の一端を電気的に接続して構成される。
【００２６】
サスペンション２０は、磁気ヘッドスライダ２１に印加される荷重を発生するロードビーム２２と、このロードビーム２２上に固着され支持された弾性を有するフレクシャ２３と、ロードビーム２２の基部に設けられたベースプレート２４と、フレクシャ２３及びロードビーム２２上に設けられておりリード導体及びその両端に電気的に接続された接続パッドからなる配線部材２５とから主として構成されている。
【００２７】
本発明の磁気ヘッドアセンブリにおけるサスペンションの構造は、以上述べた構造に限定されるものではないことは明らかである。なお、図示されていないが、サスペンション２０の途中にヘッド駆動用ＩＣチップを装着してもよい。
【００２８】
図３に示すように、本実施形態における磁気ヘッドスライダ２１は、互いに積層されたＭＲ読出しヘッド素子３０及びインダクティブ書込みヘッド素子３１からなる複合型薄膜磁気ヘッド３２と、これらＭＲ読出しヘッド素子３０及びインダクティブ書込みヘッド素子３１にそれぞれ接続された４つの信号端子電極３３及び３４とを、磁気ヘッドスライダのＡＢＳ３５を底面とした際の１つの側面である素子形成面３６上に備えている。なお、これらの端子電極の位置は、図３の形態に限定されるものではない。
【００２９】
図４は本実施形態における薄膜磁気ヘッドの構造を概略的に示す中心断面図であり、図５はこの薄膜磁気ヘッドにおけるＭＲ読出しヘッド素子部分の構成を示す断面図である。なお、本実施形態は、インダクティブ書込みヘッド素子が垂直磁気記録構造の書込みヘッド素子の場合であり、ＭＲ読出しヘッド素子がＴＭＲ読出しヘッド素子の場合であるが、膜面に対して垂直にセンス電流を流すＣＰＰ−ＧＭＲ読出しヘッド素子の場合もトンネルバリア層に代えて非磁性導電層を備える点が異なるのみであり、その他の構成は基本的に同様である。
【００３０】
図４に示すように、アルティック（ＡｌＴｉＣ、Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＣ）等の導電材料から形成されたスライダ基板４０には、磁気ディスク表面に対向するＡＢＳ４５が形成されている。磁気ヘッドスライダ２１は、動作中、回転する磁気ディスク表面上を所定の浮上量で流体力学的に浮上する。このスライダ基板４０の素子形成面３６上には例えばアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）又は酸化珪素（ＳｉＯ２）等の絶縁材料からなる厚さ０．０５〜１０μｍ程度の下地絶縁層４１が積層されており、この絶縁層４１上に例えば鉄アルミニウム珪素（ＦｅＡｌＳｉ）、ニッケル鉄（ＮｉＦｅ）、コバルト鉄（ＣｏＦｅ）、鉄ニッケルコバルト（ＦｅＮｉＣｏ）、窒化鉄（ＦｅＮ）、窒化鉄ジルコニウム（ＦｅＺｒＮ）、窒化鉄タンタル（ＦｅＴａＮ）、コバルトジルコニウムニオブ（ＣｏＺｒＮｂ）、コバルトジルコニウムタンタル（ＣｏＺｒＴａ）等の金属磁性材料による厚さ０．１〜３μｍ程度の下部電極層を兼用する下部シールド層（ＳＦ）４２が積層されている。
【００３１】
この下部シールド層４２上には、ＴＭＲ積層体４３と、Ａｌ２Ｏ３又はＳｉＯ２等の絶縁材料による絶縁層４４とが積層されている。
【００３２】
ＴＭＲ積層体４３は、ピンド層及び反強磁性材料によるピン層からなる磁化固定層、トンネルバリア層、並びに磁化自由層（フリー層）の多層構造で構成されている。磁化固定層は、本実施形態では、シンセティック型であり、例えばイリジウムマンガン（ＩｒＭｎ）、白金マンガン（ＰｔＭｎ）、ニッケルマンガン（ＮｉＭｎ）、ルテニウムロジウムマンガン（ＲｕＲｈＭｎ）等からなる厚さ５〜３０ｎｍ程度の反強磁性膜（ピン層）と、ピンド層を構成する、例えばＣｏＦｅ等からなる厚さ１〜５ｎｍ程度の第１の強磁性膜と、例えばルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、イリジウム（Ｉｒ）、クロム（Ｃｒ）、レニウム（Ｒｅ）及び銅（Ｃｕ）等のうちの１つ又は２つ以上の合金からなる厚さ０．８ｎｍ程度の非磁性膜と、例えばＣｏＦｅ、コバルト鉄珪素（ＣｏＦｅＳｉ）、コバルトマンガンゲルマニウム（ＣｏＭｎＧｅ）、コバルトマンガン珪素（ＣｏＭｎＳｉ）、コバルトマンガンアルミニウム（ＣｏＭｎＡｌ）等からなる厚さ１〜３ｎｍ程度の第２の強磁性膜とが順次積層されている。磁化固定層用には、厚さ０．５〜１ｎｍ程度のアルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、マグネシウム（Ｍｇ）、珪素（Ｓｉ）又は亜鉛（Ｚｎ）の酸化物よりなるトンネルバリア層が積層されている。トンネルバリア層上には、例えばＣｏＦｅ、ＣｏＦｅＳｉ、ＣｏＭｎＧｅ、ＣｏＭｎＳｉ、ＣｏＭｎＡｌ等からなる厚さ１ｎｍ程度の高分極率膜と、例えばＮｉＦｅ等からなる厚さ１〜９ｎｍ程度の軟磁性膜とによるフリー層が積層されている。
【００３３】
ＴＭＲ積層体４３としては、その他の種々の層構成が適用可能であることはもちろんである。例えば、磁化固定層においては、反強磁性膜を除く３つの膜からなる３層構造の他に、強磁性膜からなる単層構造又はその他の層数の多層構造を採用することもできる。さらに、磁化自由層においても、２層構造の他に、高分極率膜の存在しない単層構造、又は磁歪調整用の膜を含む３層以上の多層構造を採用することも可能である。またさらに、感磁部において、磁化固定層、バリア層及び磁化自由層が、逆順に、即ち、磁化自由層、バリア層、磁化固定層の順に積層されていてもよい。ただし、この場合、磁化固定層内の反強磁性膜は最上の位置となる。
【００３４】
このＴＭＲ積層体４３の側面には、図５に示すように、フリー層の磁区制御を行うための厚さ１０〜４０ｎｍ程度の磁区制御層４６とＡｌ２Ｏ３又はＳｉＯ２等の絶縁材料による厚さ３〜２０ｎｍ程度の下地絶縁層４５とが形成されている。
【００３５】
ＴＭＲ積層体４３、磁区制御層４６及び絶縁層４４上には、反磁性材料層として、積層面と垂直方向に導電性を有しかつ磁化率が負となる厚さ０．０１μｍ程度のグラファイト層４７が積層されている。このグラファイト層４７は、少なくともＴＭＲ積層体４３の上面又はその近傍を覆うように形成されている。ウエハの集積面全体を覆うように形成しても良い。
【００３６】
グラファイト層４７上には、例えばＦｅＡｌＳｉ、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＦｅＮｉＣｏ、ＦｅＮ、ＦｅＺｒＮ、ＦｅＴａＮ、ＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＺｒＴａ等の金属磁性材料による厚さ０．１〜３μｍ程度の上部電極層を兼用する上部シールド層（ＳＳ）４８が積層されている。
【００３７】
下部シールド層４２、ＴＭＲ積層体４３、絶縁層４４、下地絶縁層４５、磁区制御層４６、グラファイト層４７、上部シールド層４８及び図示されていないリード導体層等からＴＭＲ読出しヘッド素子が構成されている。
【００３８】
上部シールド層４８上には、ＴＭＲ読出しヘッド素子とその上のインダクティブ書込みヘッド素子とを分離するためのものであり、例えばＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）又はダイアモンドライクカーボン（ＤＬＣ）等の絶縁材料又はＴｉ、Ｔａ又はＰｔ等の金属材料による厚さ０．１〜０．５μｍ程度の非磁性中間層４９が積層されている。
【００３９】
この非磁性中間層４９上に、例えばＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２等の絶縁材料による絶縁層５０、隣接トラック消去（ＡＴＥ）を回避するべく書込み磁束を誘導するための、例えばＣｕ等の導電材料による厚さ１〜５μｍ程度のバッキングコイル層５１、及び例えば熱硬化されたノボラック系等のレジストによる厚さ０．５〜７μｍ程度のバッキングコイル絶縁層５２が積層されている。バッキングコイル絶縁層５２上には、書込みコイル層５５によって誘導された磁束を、書込みがなされる磁気ディスクの垂直磁気記録層まで収束させながら導くための磁路であり、例えばＦｅＡｌＳｉ、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＮｉＦｅＣｏ、ＦｅＮ、ＦｅＺｒＮ、ＦｅＴａＮ、ＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＺｒＴａ等の金属磁性材料又はこれらの材料からなる多層膜による厚さ０．５〜３μｍ程度の主磁極層５３、例えばＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２等の絶縁材料による絶縁ギャップ層５４、例えばＣｕ等の導電材料による厚さ１〜５μｍ程度の書込みコイル層５５、及び厚さ０．５〜７μｍ程度の例えば熱硬化されたノボラック系等のレジストからなる書込みコイル絶縁層５６が形成されている。この書込みコイル絶縁層５６を覆うように、例えばＦｅＡｌＳｉ、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＮｉＦｅＣｏ、ＦｅＮ、ＦｅＺｒＮ、ＦｅＴａＮ、ＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＺｒＴａ等の金属磁性材料、又はこれらの材料の多層膜からなる厚さ０．５〜３μｍ程度の補助磁極層５７が形成されている。この補助磁極層５７は、リターンヨークを構成している。
【００４０】
バッキングコイル層５１、バッキングコイル絶縁層５２、主磁極層５３、絶縁ギャップ層５４、書込みコイル層５５、書込みコイル絶縁層５６及び補助磁極層５７によってインダクティブ書込みヘッド素子が構成されている。
【００４１】
このインダクティブ書込みヘッド素子上には、例えばＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２等の絶縁材料による保護層５８が設けられている。
【００４２】
本実施形態においては、特に、図５に示すように、ＴＭＲ積層体４３及び磁区制御層４６と上部シールド層４８との間に、積層面と垂直方向に導電性を有しかつ磁化率が負となるグラファイト層４７が挿入されているので、上部シールド層４８から印加される磁界がこのグラファイト層４７で打ち消され、確実に遮断されてＴＭＲ積層体４３のフリー層に印加されない。しかも、その場合、グラファイト層４７はさほど厚くする必要がないため。上部シールド層４８とＴＭＲ積層体４３との間隔を１０ｎｍ以下という小さな値に維持することができるから、素子サイズを非常に小さく維持することができる。さらに、磁区制御層４６から与えられるバイアス磁界を上部シールド層４８側に逃がすことなく、ＴＭＲ積層体４３のフリー層に効果的に導くことが可能となる。
【００４３】
磁気遮断材料として、Ｐｔ（特許文献１）やＴａを用いた場合、表１に示すように、これらは磁化率が正の常磁性材料であるため、２層間距離を大きくする単なる非磁性セパレータ程度の消極的機能しか得られない。これに対して、銅（Ｃｕ）等に代表される反磁性材料は、磁石等を近づけたときに、反発する振る舞いを示す。この振る舞いは、非常に弱い２つの磁石の同極同士を互いに近づけた場合に似ている。しかしながら、反磁性材料と磁石との間で決定的に違う点は、近づける磁石の極を反転したときの現象である。即ち、反磁性材料の反発力は近づける磁石の極性によらない。このような違いは、反磁性という性質が、外部磁界の影響によって、反磁性物質自体が周りの磁界を打ち消す方向の極性の磁石になるという性質を有しているためである。このようにして現れる磁力は、外部磁界が存在するとこと自体に由来しているため、外部磁界がなくなると、消滅する。
【００４４】
このような反磁性材料による磁界を打ち消す性質を磁気遮断に用いれば、常磁性を示すＰｔやＴａ等を用いる場合より、狭いマグネティックスペーシングにおいても、同等以上の磁気遮断効果を得ることができる。
【００４５】
磁化率が負の反磁性を示す材料は、表１に示すように比較的多いが、その典型例であるＣｕは磁化率が小さいので、その作用は弱い。これに対して、例えばビスマス（Ｂｉ）等は、反磁性は大きいものの、融点が著しく低く、薄膜磁気ヘッドの構成材料としては不適切である。また、Ａｌ２Ｏ３、酸化珪素（ＳｉＯ２）等、薄膜磁気ヘッドでは頻繁に使われ、比較的大きな反磁性を示すが導電性を有していないため、ＴＭＲ素子やＣＰＰ−ＧＭＲ素子等には使用できない。これに対して、本実施形態で用いているグラファイト層は、表１に示すように、その特異な構造から、非常に大きな負の磁化率を有しており、しかも導電性であるため、ＴＭＲ積層体又はＣＰＰ−ＧＭＲ積層体を有するＭＲ読出しヘッド素子における磁界遮断材料として非常に好適である。もちろん、本実施形態の変更態様として、表１に示すように、グラファイト層に代えて、積層面と垂直方向に導電性を有しかつ磁化率が負となる他の反磁性材料層を用いても良い。
【００４６】
【表１】
2008102980.tif 000003
【００４７】
本実施形態では、垂直磁気記録構造のインダクティブ書込みヘッド素子を用いているが、水平又は面内磁気記録構造のインダクティブ書込みヘッド素子を用いても良いことは明らかである。また、垂直磁気記録構造のインダクティブ書込みヘッド素子として、図４に示した構造以外にも種々の構造が適用可能であることも明らかである。
【００４８】
図６は本発明の他の実施形態における薄膜磁気ヘッドの構造を概略的に示す中心断面図であり、図７はこの薄膜磁気ヘッドにおけるＭＲ読出しヘッド素子部分の構成を示す断面図である。本実施形態における薄膜磁気ヘッド以外の構成は、図１の実施形態の場合と同様である。従って、図１の実施形態の場合と同じ構成要素については、同じ参照符号を用いている。なお、本実施形態は、インダクティブ書込みヘッド素子が垂直磁気記録構造の書込みヘッド素子の場合であり、ＭＲ読出しヘッド素子がＴＭＲ読出しヘッド素子の場合であるが、膜面に対して垂直にセンス電流を流すＣＰＰ−ＧＭＲ読出しヘッド素子の場合もトンネルバリア層に代えて非磁性導電層を備える点が異なるのみであり、その他の構成は基本的に同様である。
【００４９】
図６に示すように、ＡｌＴｉＣ等の導電材料から形成されたスライダ基板４０には、磁気ディスク表面に対向するＡＢＳ４５が形成されている。磁気ヘッドスライダ２１は、動作中、回転する磁気ディスク表面上を所定の浮上量で流体力学的に浮上する。このスライダ基板４０の素子形成面３６上には例えばＡｌ２Ｏ３又はＳｉＯ２等の絶縁材料からなる厚さ０．０５〜１０μｍ程度の下地絶縁層４１が積層されており、この絶縁層４１上に例えばＦｅＡｌＳｉ、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＦｅＮｉＣｏ、ＦｅＮ、ＦｅＺｒＮ、ＦｅＴａＮ、ＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＺｒＴａ等の金属磁性材料による厚さ０．１〜３μｍ程度の下部電極層を兼用する下部シールド層（ＳＦ）４２が積層されている。
【００５０】
この下部シールド層４２上には、反磁性材料層として、積層面と垂直方向に導電性を有しかつ磁化率が負となる厚さ０．０１μｍ程度のグラファイト層４７′が積層されている。このグラファイト層４７′は、少なくともＴＭＲ積層体４３の下面又はその近傍を下から覆うように形成されている。ウエハの集積面全体を覆うように形成しても良い。
【００５１】
グラファイト層４７′上には、ＴＭＲ積層体４３と、Ａｌ２Ｏ３又はＳｉＯ２等の絶縁材料による絶縁層４４とが積層されている。
【００５２】
ＴＭＲ積層体４３は、ピンド層及び反強磁性材料によるピン層からなる磁化固定層、トンネルバリア層、並びに磁化自由層（フリー層）の多層構造で構成されている。磁化固定層は、本実施形態では、シンセティック型であり、例えばＩｒＭｎ、ＰｔＭｎ、ＮｉＭｎ、ＲｕＲｈＭｎ等からなる厚さ５〜３０ｎｍ程度の反強磁性膜（ピン層）と、ピンド層を構成する、例えばＣｏＦｅ等からなる厚さ１〜５ｎｍ程度の第１の強磁性膜と、例えばＲｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｒｅ及びＣｕ等のうちの１つ又は２つ以上の合金からなる厚さ０．８ｎｍ程度の非磁性膜と、例えばＣｏＦｅ、ＣｏＦｅＳｉ、ＣｏＭｎＧｅ、ＣｏＭｎＳｉ、ＣｏＭｎＡｌ等からなる厚さ１〜３ｎｍ程度の第２の強磁性膜とが順次積層されている。磁化固定層用には、厚さ０．５〜１ｎｍ程度のＡｌ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｍｇ、Ｓｉ又はＺｎの酸化物よりなるトンネルバリア層が積層されている。トンネルバリア層上には、例えばＣｏＦｅ、ＣｏＦｅＳｉ、ＣｏＭｎＧｅ、ＣｏＭｎＳｉ、ＣｏＭｎＡｌ等からなる厚さ１ｎｍ程度の高分極率膜と、例えばＮｉＦｅ等からなる厚さ１〜９ｎｍ程度の軟磁性膜とによるフリー層が積層されている。
【００５３】
ＴＭＲ積層体４３としては、その他の種々の層構成が適用可能であることはもちろんである。例えば、磁化固定層においては、反強磁性膜を除く３つの膜からなる３層構造の他に、強磁性膜からなる単層構造又はその他の層数の多層構造を採用することもできる。さらに、磁化自由層においても、２層構造の他に、高分極率膜の存在しない単層構造、又は磁歪調整用の膜を含む３層以上の多層構造を採用することも可能である。またさらに、感磁部において、磁化固定層、バリア層及び磁化自由層が、逆順に、即ち、磁化自由層、バリア層、磁化固定層の順に積層されていてもよい。ただし、この場合、磁化固定層内の反強磁性膜は最上の位置となる。
【００５４】
このＴＭＲ積層体４３の側面には、図７に示すように、フリー層の磁区制御を行うための厚さ１０〜４０ｎｍ程度の磁区制御層４６とＡｌ２Ｏ３又はＳｉＯ２等の絶縁材料による厚さ３〜２０ｎｍ程度の下地絶縁層４５とが形成されている。
【００５５】
ＴＭＲ積層体４３、磁区制御層４６及び絶縁層４４上には、例えばＦｅＡｌＳｉ、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＦｅＮｉＣｏ、ＦｅＮ、ＦｅＺｒＮ、ＦｅＴａＮ、ＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＺｒＴａ等の金属磁性材料による厚さ０．１〜３μｍ程度の上部電極層を兼用する上部シールド層（ＳＳ）４８が積層されている。
【００５６】
下部シールド層４２、グラファイト層４７′、ＴＭＲ積層体４３、絶縁層４４、下地絶縁層４５、磁区制御層４６、上部シールド層４８及び図示されていないリード導体層等からＴＭＲ読出しヘッド素子が構成されている。
【００５７】
上部シールド層４８上には、ＴＭＲ読出しヘッド素子とその上のインダクティブ書込みヘッド素子とを分離するためのものであり、例えばＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＡｌＮ又はＤＬＣ等の絶縁材料又はＴｉ、Ｔａ又はＰｔ等の金属材料による厚さ０．１〜０．５μｍ程度の非磁性中間層４９が積層されている。
【００５８】
この非磁性中間層４９上に、例えばＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２等の絶縁材料による絶縁層５０、ＡＴＥを回避するべく書込み磁束を誘導するための、例えばＣｕ等の導電材料による厚さ１〜５μｍ程度のバッキングコイル層５１、及び例えば熱硬化されたノボラック系等のレジストによる厚さ０．５〜７μｍ程度のバッキングコイル絶縁層５２が積層されている。バッキングコイル絶縁層５２上には、書込みコイル層５５によって誘導された磁束を、書込みがなされる磁気ディスクの垂直磁気記録層まで収束させながら導くための磁路であり、例えばＦｅＡｌＳｉ、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＮｉＦｅＣｏ、ＦｅＮ、ＦｅＺｒＮ、ＦｅＴａＮ、ＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＺｒＴａ等の金属磁性材料又はこれらの材料からなる多層膜による厚さ０．５〜３μｍ程度の主磁極層５３、例えばＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２等の絶縁材料による絶縁ギャップ層５４、例えばＣｕ等の導電材料による厚さ１〜５μｍ程度の書込みコイル層５５、及び厚さ０．５〜７μｍ程度の例えば熱硬化されたノボラック系等のレジストからなる書込みコイル絶縁層５６が形成されている。この書込みコイル絶縁層５６を覆うように、例えばＦｅＡｌＳｉ、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＮｉＦｅＣｏ、ＦｅＮ、ＦｅＺｒＮ、ＦｅＴａＮ、ＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＺｒＴａ等の金属磁性材料、又はこれらの材料の多層膜からなる厚さ０．５〜３μｍ程度の補助磁極層５７が形成されている。この補助磁極層５７は、リターンヨークを構成している。
【００５９】
バッキングコイル層５１、バッキングコイル絶縁層５２、主磁極層５３、絶縁ギャップ層５４、書込みコイル層５５、書込みコイル絶縁層５６及び補助磁極層５７によってインダクティブ書込みヘッド素子が構成されている。
【００６０】
このインダクティブ書込みヘッド素子上には、例えばＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２等の絶縁材料による保護層５８が設けられている。
【００６１】
本実施形態においては、特に、図７に示すように、下部シールド層４２とＴＭＲ積層体４３及び磁区制御層４６との間に、積層面と垂直方向に導電性を有しかつ磁化率が負となるグラファイト層４７′が挿入されているので、下部シールド層４２から印加される磁界がこのグラファイト層４７′で打ち消され、確実に遮断されてＴＭＲ積層体４３のフリー層に印加されない。しかも、その場合、グラファイト層４７′はさほど厚くする必要がないため。下部シールド層４２とＴＭＲ積層体４３との間隔を１０ｎｍ以下という小さな値に維持することができるから、素子サイズを非常に小さく維持することができる。さらに、磁区制御層４６から与えられるバイアス磁界を下部シールド層４２側に逃がすことなく、ＴＭＲ積層体４３のフリー層に効果的に導くことが可能となる。
【００６２】
本実施形態で用いているグラファイト層は、表１に示すように、その特異な構造から、非常に大きな負の磁化率を有しており、しかも導電性であるため、ＴＭＲ積層体又はＣＰＰ−ＧＭＲ積層体を有するＭＲ読出しヘッド素子における磁界遮断材料として非常に好適である。もちろん、本実施形態の変更態様として、表１に示すように、グラファイト層に代えて、積層面と垂直方向に導電性を有しかつ磁化率が負となる他の反磁性材料層を用いても良い。
【００６３】
図８は本発明のさらに他の実施形態における薄膜磁気ヘッドの構造を概略的に示す中心断面図であり、図９はこの薄膜磁気ヘッドにおけるＭＲ読出しヘッド素子部分の構成を示す断面図である。本実施形態における薄膜磁気ヘッド以外の構成は、図１の実施形態の場合と同様である。従って、図１の実施形態の場合と同じ構成要素については、同じ参照符号を用いている。なお、本実施形態は、インダクティブ書込みヘッド素子が垂直磁気記録構造の書込みヘッド素子の場合であり、ＭＲ読出しヘッド素子がＴＭＲ読出しヘッド素子の場合であるが、膜面に対して垂直にセンス電流を流すＣＰＰ−ＧＭＲ読出しヘッド素子の場合もトンネルバリア層に代えて非磁性導電層を備える点が異なるのみであり、その他の構成は基本的に同様である。
【００６４】
図８に示すように、ＡｌＴｉＣ等の導電材料から形成されたスライダ基板４０には、磁気ディスク表面に対向するＡＢＳ４５が形成されている。磁気ヘッドスライダ２１は、動作中、回転する磁気ディスク表面上を所定の浮上量で流体力学的に浮上する。このスライダ基板４０の素子形成面３６上には例えばＡｌ２Ｏ３又はＳｉＯ２等の絶縁材料からなる厚さ０．０５〜１０μｍ程度の下地絶縁層４１が積層されており、この絶縁層４１上に例えばＦｅＡｌＳｉ、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＦｅＮｉＣｏ、ＦｅＮ、ＦｅＺｒＮ、ＦｅＴａＮ、ＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＺｒＴａ等の金属磁性材料による厚さ０．１〜３μｍ程度の下部電極層を兼用する下部シールド層（ＳＦ）４２が積層されている。
【００６５】
この下部シールド層４２上には、ＴＭＲ積層体４３と、Ａｌ２Ｏ３又はＳｉＯ２等の絶縁材料による絶縁層４４とが積層されている。
【００６６】
ＴＭＲ積層体４３は、ピンド層及び反強磁性材料によるピン層からなる磁化固定層、トンネルバリア層、並びに磁化自由層（フリー層）の多層構造で構成されている。磁化固定層は、本実施形態では、シンセティック型であり、例えばＩｒＭｎ、ＰｔＭｎ、ＮｉＭｎ、ＲｕＲｈＭｎ等からなる厚さ５〜３０ｎｍ程度の反強磁性膜（ピン層）と、ピンド層を構成する、例えばＣｏＦｅ等からなる厚さ１〜５ｎｍ程度の第１の強磁性膜と、例えばＲｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｒｅ及びＣｕ等のうちの１つ又は２つ以上の合金からなる厚さ０．８ｎｍ程度の非磁性膜と、例えばＣｏＦｅ、ＣｏＦｅＳｉ、ＣｏＭｎＧｅ、ＣｏＭｎＳｉ、ＣｏＭｎＡｌ等からなる厚さ１〜３ｎｍ程度の第２の強磁性膜とが順次積層されている。磁化固定層用には、厚さ０．５〜１ｎｍ程度のＡｌ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｍｇ、Ｓｉ又はＺｎの酸化物よりなるトンネルバリア層が積層されている。トンネルバリア層上には、例えばＣｏＦｅ、ＣｏＦｅＳｉ、ＣｏＭｎＧｅ、ＣｏＭｎＳｉ、ＣｏＭｎＡｌ等からなる厚さ１ｎｍ程度の高分極率膜と、例えばＮｉＦｅ等からなる厚さ１〜９ｎｍ程度の軟磁性膜とによるフリー層が積層されている。
【００６７】
ＴＭＲ積層体４３としては、その他の種々の層構成が適用可能であることはもちろんである。例えば、磁化固定層においては、反強磁性膜を除く３つの膜からなる３層構造の他に、強磁性膜からなる単層構造又はその他の層数の多層構造を採用することもできる。さらに、磁化自由層においても、２層構造の他に、高分極率膜の存在しない単層構造、又は磁歪調整用の膜を含む３層以上の多層構造を採用することも可能である。またさらに、感磁部において、磁化固定層、バリア層及び磁化自由層が、逆順に、即ち、磁化自由層、バリア層、磁化固定層の順に積層されていてもよい。ただし、この場合、磁化固定層内の反強磁性膜は最上の位置となる。
【００６８】
このＴＭＲ積層体４３の側面には、図９に示すように、フリー層の磁区制御を行うための厚さ１０〜４０ｎｍ程度の磁区制御層４６とＡｌ２Ｏ３又はＳｉＯ２等の絶縁材料による厚さ３〜２０ｎｍ程度の下地絶縁層４５とが形成されている。
【００６９】
ＴＭＲ積層体４３、磁区制御層４６及び絶縁層４４上には、例えばＦｅＡｌＳｉ、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＦｅＮｉＣｏ、ＦｅＮ、ＦｅＺｒＮ、ＦｅＴａＮ、ＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＺｒＴａ等の金属磁性材料による厚さ０．１〜３μｍ程度の上部電極層を兼用する上部シールド層（ＳＳ）４８が積層されている。
【００７０】
下部シールド層４２、ＴＭＲ積層体４３、絶縁層４４、下地絶縁層４５、磁区制御層４６、上部シールド層４８及び図示されていないリード導体層等からＴＭＲ読出しヘッド素子が構成されている。
【００７１】
上部シールド層４８上には、例えばＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２等の絶縁材料による絶縁層５９が積層されており、その上には、反磁性材料層として、積層面と垂直方向に導電性を有しかつ磁化率が負となる厚さ０．５μｍ程度のグラファイト層４７″が積層されている。このグラファイト層４７″は、少なくともＴＭＲ積層体４３の下面又はその近傍を下から覆うように形成されている。ウエハの集積面全体を覆うように形成しても良い。
【００７２】
グラファイト層４７″上には、例えばＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２等の絶縁材料による絶縁層５０、ＡＴＥを回避するべく書込み磁束を誘導するための、例えばＣｕ等の導電材料による厚さ１〜５μｍ程度のバッキングコイル層５１、及び例えば熱硬化されたノボラック系等のレジストによる厚さ０．５〜７μｍ程度のバッキングコイル絶縁層５２が積層されている。バッキングコイル絶縁層５２上には、書込みコイル層５５によって誘導された磁束を、書込みがなされる磁気ディスクの垂直磁気記録層まで収束させながら導くための磁路であり、例えばＦｅＡｌＳｉ、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＮｉＦｅＣｏ、ＦｅＮ、ＦｅＺｒＮ、ＦｅＴａＮ、ＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＺｒＴａ等の金属磁性材料又はこれらの材料からなる多層膜による厚さ０．５〜３μｍ程度の主磁極層５３、例えばＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２等の絶縁材料による絶縁ギャップ層５４、例えばＣｕ等の導電材料による厚さ１〜５μｍ程度の書込みコイル層５５、及び厚さ０．５〜７μｍ程度の例えば熱硬化されたノボラック系等のレジストからなる書込みコイル絶縁層５６が形成されている。この書込みコイル絶縁層５６を覆うように、例えばＦｅＡｌＳｉ、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＮｉＦｅＣｏ、ＦｅＮ、ＦｅＺｒＮ、ＦｅＴａＮ、ＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＺｒＴａ等の金属磁性材料、又はこれらの材料の多層膜からなる厚さ０．５〜３μｍ程度の補助磁極層５７が形成されている。この補助磁極層５７は、リターンヨークを構成している。
【００７３】
バッキングコイル層５１、バッキングコイル絶縁層５２、主磁極層５３、絶縁ギャップ層５４、書込みコイル層５５、書込みコイル絶縁層５６及び補助磁極層５７によってインダクティブ書込みヘッド素子が構成されている。
【００７４】
このインダクティブ書込みヘッド素子上には、例えばＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２等の絶縁材料による保護層５８が設けられている。
【００７５】
本実施形態においては、特に、図９に示すように、ＭＲ読出しヘッド素子の上部シールド層とインダクティブ書込みヘッド素子の主磁極層（垂直磁気記録構造インダクティブ書込みヘッド素子の場合、水平又は面内磁気記録構造インダクティブ書込みヘッド素子の場合は下部磁極層）との間に、積層面と垂直方向に導電性を有しかつ磁化率が負となるグラファイト層４７″が挿入されているので、インダクティブ書込みヘッド素子から印加される磁界がこのグラファイト層４７″で打ち消され、確実に遮断され、上部シールド層４８を介してＴＭＲ積層体４３のフリー層に印加されることはない。しかも、その場合、グラファイト層４７″はさほど厚くする必要がないため。ＭＲ読出しヘッド素子とインダクティブ書込みヘッド素子との間隔を小さな値に維持することができるから、素子サイズを小さく維持することができる。
【００７６】
本実施形態で用いているグラファイト層は、表１に示すように、その特異な構造から、非常に大きな負の磁化率を有しており、しかも導電性であるため、ＴＭＲ積層体又はＣＰＰ−ＧＭＲ積層体を有するＭＲ読出しヘッド素子における磁界遮断材料として非常に好適である。もちろん、本実施形態の変更態様として、表１に示すように、グラファイト層に代えて、積層面と垂直方向に導電性を有しかつ磁化率が負となる他の反磁性材料層を用いても良い。
【００７７】
なお、複数のグラファイト層を上述した実施形態の位置にそれぞれ設けても良い。即ち、ＭＲ積層体及び磁区制御層と上部シールド層との間、及び/又は下部シールド層とＭＲ積層体との間、及び/又はＭＲ読出しヘッド素子とインダクティブ書込みヘッド素子との間に、グラファイト層又は他の反磁性材料層をそれぞれ挿入するようにしても良い。
【００７８】
以上述べた実施形態は全て本発明を例示的に示すものであって限定的に示すものではなく、本発明は他の種々の変形態様及び変更態様で実施することができる。従って本発明の範囲は特許請求の範囲及びその均等範囲によってのみ規定されるものである。
【図面の簡単な説明】
【００７９】
【図１】本発明の一実施形態として、磁気ディスクドライブ装置の要部の構成を概略的に示す斜視図である。
【図２】図１のＨＧＡの一構成例を示す斜視図である。
【図３】図２のＨＧＡの先端部に装着されている薄膜磁気ヘッドを示す斜視図である。
【図４】図３の薄膜磁気ヘッドの構造を概略的に示す中心断面図である。
【図５】図３の薄膜磁気ヘッドにおけるＭＲ読出しヘッド素子部分の構成を示す断面図である。
【図６】本発明の他の実施形態における薄膜磁気ヘッドの構造を概略的に示す中心断面図である。
【図７】図６の薄膜磁気ヘッドにおけるＭＲ読出しヘッド素子部分の構成を示す断面図である。
【図８】本発明のさらに他の実施形態における薄膜磁気ヘッドの構造を概略的に示す中心断面図である。
【図９】図８の薄膜磁気ヘッドにおけるＭＲ読出しヘッド素子部分の構成を示す断面図である。
【符号の説明】
【００８０】
１０  磁気ディスク
１１  スピンドルモータ
１２  アセンブリキャリッジ装置
１３  記録再生制御回路
１４  駆動アーム
１５  ボイスコイルモータ（ＶＣＭ）
１６  ピボットベアリング軸
１７  ＨＧＡ
２０  サスペンション
２１  磁気ヘッドスライダ
２２  ロードビーム
２３  フレクシャ
２４  ベースプレート
２５  配線部材
３０  ＭＲ読出しヘッド素子
３１  インダクティブ書込みヘッド素子
３２  薄膜磁気ヘッド
３３、３４  信号端子電極
３５  ＡＢＳ
３６  素子形成面
４０  スライダ基板
４１  下地絶縁層
４２  下部シールド層
４３  ＴＭＲ積層体
４４、５０、５９  絶縁層
４５  下地絶縁層
４６  磁区制御層
４７、４７′、４７″  グラファイト層
４８  上部シールド層
４９  シールド中間絶縁層
５１  バッキングコイル層
５２  バッキングコイル絶縁層
５３  主磁極層
５４  絶縁ギャップ層
５５  書込みコイル層
５６  書込みコイル絶縁層
５７  補助磁極層
５８  保護層
【図１】
2008102980.tif 000004
【図２】
2008102980.tif 000005
【図３】
2008102980.tif 000006
【図４】
2008102980.tif 000007
【図５】
2008102980.tif 000008
【図６】
2008102980.tif 000009
【図７】
2008102980.tif 000010
【図８】
2008102980.tif 000011
【図９】
2008102980.tif 000012