(57)【要約】【課題】本発明の目的は、印刷法またはフォトリソグラフィによるパターニング工程を要せずに、より簡単なプロセスでバンクを形成することができ、これによりパターンの微細化および材料使用量の低減化を図ることができる膜製造方法を提供する。【解決手段】本発明に係る膜形成方法は、基板上に第１の液滴を滴下して、前記第１の液滴の周縁部にスキン層を形成させて、該スキン層の内部を液状のままとしたバンクを形成する工程と、前記バンク内に、第２の液滴を滴下し、乾燥させて単層膜を形成する工程と、を含む。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に第１の液滴を滴下して、前記第１の液滴の周縁部にスキン層を形成させて、該スキン層の内部を液状のままとしたバンクを形成する工程と、
前記バンク内に、第２の液滴を滴下し、乾燥させて単層膜を形成する工程と、
を含む、膜形成方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の液滴と前記第２の液滴は、少なくとも１種の同じ溶媒を含む、膜形成方法。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記第１の液滴と前記第２の液滴は、同じ膜材料液からなる、膜形成方法。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかにおいて、
前記第１の液滴の膜材料液における初期の溶質の体積分率Ｃ０は、０．０５≦Ｃ０≦０．２である、膜形成方法。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれかにおいて、
前記第１の液滴の膜材料液におけるゲル化するときの溶質の体積分率Ｃ１は、０．５≦Ｃ１≦０．８である、膜形成方法。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれかにおいて、
さらに、前記基板上の第１の液滴を滴下する領域の周辺領域を、前記第１の液滴に対して撥液性に加工する工程を含む、膜形成方法。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれかにおいて、
前記周辺領域を、シランカップリング剤またはチオール化合物により形成された自己組織化単分子膜を用いて撥液性に加工する、膜形成方法。
【請求項８】
請求項１ないし７のいずれかに記載の膜形成方法により、前記基板上に膜パターンを形成する、デバイスの製造方法。
【請求項９】
請求項８に記載のデバイスの製造方法を用いる、電気光学装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、膜形成方法、デバイス製造方法、および電気光学装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、基板上に膜を形成する技術としては、スパッタ法等の気相成長法が用いられてきた。近年、液体から膜を形成し得る技術として、インクジェット法等の印刷法が注目されている。インクジェット法は、スピンコート法等よりも、液体材料の無駄が少なく、液体材料の塗布量や位置を制御しやすいというメリットがある。
【０００３】
ところで、液体材料を使用して有機エレクトロルミネッセンス素子や液晶表示素子等のデバイスを形成する際に、基板上にバンクを形成し、そのバンクに囲われた領域内に液滴を滴下し、膜を形成する技術がある（例えば、特許文献１および２参照）。そのバンクを形成するためには、印刷法またはフォトリソグラフィによるパターニングを必要としていた。しかしながら、印刷法は、パターンの微細化に適応できない。一方、フォトリソグラフィは、パターニングに伴い、不要なバンクの形成材料を除去するので、材料の無駄が多い。
【０００４】
そこで、印刷法またはフォトリソグラフィによるパターニング工程を必要としない、より簡便なバンク形成プロセスが望まれていた。
【特許文献１】特開平１１−２７１７５３号公報
【特許文献２】特開２００５−２８２７６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、印刷法またはフォトリソグラフィによるパターニング工程を要せずに、より簡単なプロセスでバンクを形成することができ、これによりパターンの微細化および材料使用量の低減化を図ることができる膜製造方法を提供する。また、本発明の他の目的は、上記膜製造方法を用いたデバイス製造方法、電気光学装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る膜形成方法は、基板上に第１の液滴を滴下して、前記第１の液滴の周縁部にスキン層を形成させて、該スキン層の内部を液状のままとしたバンクを形成する工程と、前記バンク内に、第２の液滴を滴下し、乾燥させて単層膜を形成する工程と、を含む。
【０００７】
本発明に係る膜形成方法において、前記第１の液滴と前記第２の液滴は、少なくとも１種の同じ溶媒を含むことができる。
【０００８】
本発明に係る膜形成方法において、前記第１の液滴と前記第２の液滴は、同じ膜材料液からなることができる。
【０００９】
本発明に係る膜形成方法において、前記第１の液滴の膜材料液における初期の溶質の体積分率Ｃ０は、０．０５≦Ｃ０≦０．２であることができる。
【００１０】
本発明に係る膜形成方法において、前記第１の液滴の膜材料液におけるゲル化するときの溶質の体積分率Ｃ１は、０．５≦Ｃ１≦０．８であることができる。
【００１１】
本発明に係る膜形成方法において、さらに、前記基板上の前記第１の液滴を滴下する領域の周辺領域を、前記第１の液滴に対して撥液性に加工する工程を含むことができる。
【００１２】
本発明に係る膜形成方法において、前記周辺領域を、シランカップリング剤またはチオール化合物により形成された自己組織化単分子膜を用いて撥液性に加工することができる。
【００１３】
本発明に係るデバイスの製造方法は、上記の膜形成方法により、前記基板上に膜パターンを形成することができる。
【００１４】
本発明に係る電気光学装置の製造方法は、上記のデバイスの製造方法を用いることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明に好適な実施形態について、図面を参照しながら説明する。
【００１６】
１．膜形成方法
１．１  第１の実施形態
以下に、第１の実施形態に係る膜形成方法の一例について説明する。
【００１７】
図１〜図４は、本発明の第１の実施形態に係る膜形成方法を模式的に示す断面図である。
【００１８】
第１の実施形態に係る膜形成方法は、基板上に第１の液滴を滴下して、前記第１の液滴の周縁部にスキン層を形成させて、該スキン層の内部を液状のままとしたバンクを形成する工程と、前記バンク内に第２の液滴を滴下し、乾燥させて単層膜を形成する工程と、を含む。
【００１９】
（１）図１に示すように、基板１０の上の膜を形成すべき領域に、第１の液滴２０ａを配置する。
【００２０】
基板１０としては、ガラス基板、シリコン基板、石英基板、セラミックス基板、金属基板、プラスチック基板、プラスチックフィルム基板等を用いることができる。また、これらの基板の表面に、半導体膜、金属膜、誘電体膜、有機膜等が下地層として形成されたものも含まれる。前記プラスチックとして、例えば、ポリオレフィン、ポリエステル、ポリアクリレート、ポリカーボネート、ポリエーテルスルフォン、ポリエーテルケトン等を用いることができる。
【００２１】
第１の実施形態では、第１の液滴２０ａの配置方法として、インクジェット法を適用する。インクジェット法は、吐出ヘッド３０から膜材料液２０を液滴状に吐出する方法である。具体的には、基板１０と吐出ヘッド３０とを相対的に移動させながら、吐出ヘッド３０から吐出した液滴を基板１０の上に配置させる。
【００２２】
インクジェット法の方式としては、ピエゾジェット方式でもよいし、加熱により気泡を発生させて膜材料液２０を吐出させる方式であってもよい。
【００２３】
ピエゾジェット方式では、圧力室の下方にノズル、上方に圧電体素子が設けられている。この圧電体素子に電圧を印加すると、圧電体素子は、体積変化を生じる。この体積変化により、圧力室にも体積変化を生じ、ノズルから膜材料液２０の液滴が吐出される。
【００２４】
気泡発生により吐出する方式では、ノズルに通ずる圧力室に発熱体が設けられている。その発熱体を発熱させて、ノズル周辺の膜材料液２０を沸騰させ、気泡を発生させる。その気泡による体積膨張により、膜材料液２０を吐出させる。
【００２５】
気泡発生により吐出する方式は、加熱により膜材料液２０を変質させてしまうことがあるため、ピエゾジェット方式の方が好ましい。
【００２６】
（２）図２に示すように、基板１０の上に配置された第１の液滴２０ａの周縁部にスキン層を形成させて、第１の液滴２０ａの周縁部の膜厚が中央部よりも厚い形状を有するバンクを形成させる。ここで、バンクとは、吐出された第２の液滴２０ｂが隣接領域に流出することを防止するために領域を仕切る部材のことをいう。また、スキン層とは、膜材料液の表面のみをゲル化させた表面層のことをいう。
【００２７】
従来の技術では、バンクを形成するために、液滴を乾燥させて乾燥膜とする必要があった。すなわち、液滴中の溶質濃度または液滴の乾燥速度のいずれか一方をパラメータとすれば、液滴の乾燥膜の形状を制御することができる。これにより、液滴を乾燥させて、端部の膜厚が中央部よりも厚い形状を有するバンクを形成することができる。しかしながら、一旦完全に乾燥させて形成されたバンクの上に、膜材料液を滴下して膜を形成すると、境界が存在することにより、一様な電界がかかりづらいこと、膜の性質が安定しないこと、および空隙が発生してしまうこと等の問題点があった。
【００２８】
一方、第１の実施形態に係る方法では、第１の液滴２０ａを完全には乾燥させず、第１の膜材料液２０ａの周縁部にスキン層を形成するに留めておくところに特徴がある。すなわち、膜を形成するための膜材料液（第１の液滴２０ａ）を用いてバンクを形成するので、スキン層の内部に液状のまま存在する膜材料液と、工程（３）で滴下される第２の液滴２０ｂとは、完全に一体化される。したがって、従来技術のような境界は存在せず、上記のような問題は発生しない。
【００２９】
ここで、第１の液滴２０ａの周縁部にスキン層を形成するメカニズムについて説明する。まず、第１の液滴２０ａの周縁部から溶媒が揮発し始める。そうすると、揮発により失われた溶媒を補おうとするため、第１の液滴２０ａの中央部から周縁部に向かって、膜材料液の流動現象が起こる。この流動現象が強くなると、第１の液滴２０ａの周縁部に多くの溶質が運搬されるようになる。こうして、第１の液滴２０ａの周縁部にスキン層が形成される。
【００３０】
また、上記の流動現象は、第１の液滴２０ａの溶質の体積分率が小さいほど強くなり、溶媒の蒸発強度が大きいほど強くなる。したがって、第１の液滴２０ａの溶質の体積分率を小さくしたり、または溶媒の蒸発強度を大きくすることによって、第１の液滴２０ａの周縁部の膜厚を中央部の膜厚よりも厚くすることができる。こうして、第１の液滴２０ａの周縁部の膜厚が中央部の膜厚よりも厚い形状を有し、かつ第１の液滴２０ａの周縁部にスキン層が形成されたバンクを得ることができる。
【００３１】
上記のように、別途乾燥工程を設けずに、スキン層を形成するためには、膜材料液２０は、下記一般式（１）の関係を満たすとよい。
【数１】
2008251203.tif 000002
【００３２】
（１）式において、膜材料液２０の初期の溶質の体積分率をＣ０、膜材料液２０のゲル化するときの溶質の体積分率をＣ１とする。また、Ｐｅは、第１の液滴２０ａの膜厚をｈ、溶媒の蒸発強度をＪ、溶媒の拡散係数をＤとしたときの、ｈＪ／Ｄにより演算されるペクレ数を表している。
【００３３】
この関係は、溶質や溶媒により異なるが、以下のようにして求めることができる。
【００３４】
溶質として重量平均分子量３０万のポリスチレンを用い、溶媒としてアニソールおよびデカリンを用いた場合の一例を示す。まず、溶質の濃度を種々変えた膜材料液を調製する。インクジェット装置から、前記の膜材料液を同量ずつ、接触角の異なる基板上に吐出させる。接触角の異なる基板を用いるのは、膜厚ｈを変化させるためである。このようにして、上記のパラメータを基にして、計算から図５に示すようなグラフを求めた。図５は、縦軸に溶質の初期濃度Ｃ０を、横軸に無次元数量のペクレ数Ｐｅをとっている。なお、溶媒の蒸発速度Ｊは、真空乾燥炉を用いて測定した。また、溶媒の拡散係数Ｄは、パラメータとしてプロットしている。
【００３５】
図５において、白のプロットは、スキン層を形成することができる第１の液滴２０の条件を示している。一方、黒のプロットは、スキン層を形成することができない第１の液滴２０の条件を示している。図５より、例えば、初期の溶質の体積分率Ｃ０を０．２と設定した場合、スキン層を形成するためには、ペクレ数が０．８以上であることが必要となる。すなわち、ペクレ数が０．８未満であると、第１の液滴２０はスキン層を形成せず、乾燥膜となってしまうことを示している。
【００３６】
ペクレ数を大きくするためには、膜厚ｈを大きくするか、溶媒の蒸発強度を大きくする必要がある。溶媒の蒸発強度は、蒸気圧から導き出される溶媒固有のパラメータであるため、通常は膜厚ｈを大きくする。
【００３７】
膜材料液２０の初期の溶質の体積分率Ｃ０は、０．０５以上０．２以下であることが好ましい。０．０５未満であると、スキン層を形成しにくくなるため、バンクの形成が困難となる。一方、０．２を超えると、膜材料液の粘性が大きくなりすぎるため、インクジェット法では膜材料液を吐出しづらくなり、実用的ではない。
【００３８】
膜材料液２０のゲル化するときの溶質の体積分率Ｃ１は、０．５以上０．８以下であることが好ましい。０．５未満であると、第１の膜材料液２０ａは、すぐに乾燥膜を形成してしまうため、スキン層に留めておくことが困難となる。一方、０．８を超えると、溶媒を揮発させてスキン層を形成するのに時間を要するため、実用的ではない。
【００３９】
（３）図３に示すように、基板１０の上に形成されたバンクの上に、第２の液滴２０ｂを滴下して充填する。第１の液滴２０ａと第２の液滴２０ｂは、同一の膜材料液とする。第１の実施形態では、第２の液滴２０ｂの配置方法として、第１の液滴２０ａと同様に、インクジェット法を適用する。すなわち、吐出ヘッド３０から第２の液滴２０ｂを液滴状に吐出し、その液滴をバンクの上に配置する。
【００４０】
具体的には、バンクの周縁部に囲まれた領域内に、第２の液滴２０ｂを配置する。このとき、バンクの周縁部は、仕切部材として機能する。これにより、第２の液滴２０ｂは、所定の位置に確実に配置され、かつ基板１０の表面への流出を防止することができる。例えば、図６（Ａ）に示すように、第２の液滴２０ｂの吐出された位置がバンクの中央部から多少ずれた場合でも、図６（Ｂ）に示すように、第２の液滴２０ｂは、バンクの周縁部にぶつかって、バンクの内部へ誘導される。また、図７（Ａ）に示すように、バンクの直径よりも第２の液滴２０ｂの直径の方が大きい場合には、第２の液滴２０ｂの液滴の一部は、バンクの周縁部の上に乗っかってしまうが、図７（Ｂ）に示すように、第２の液滴２０ｂは、毛細管現象等によりバンクの周縁部内の領域に入り込むことができる。
【００４１】
また、第２の液滴２０ｂを滴下する前に、バンクの中央部にもスキン層が形成されていることがある。このバンクの中央部に形成されたスキン層を加熱処理または減圧処理によって再溶解させておくと、境界が存在することによる問題点（例えば、一様な電界がかかりづらいこと、膜の性質が安定しないこと、および空隙が発生してしまうこと等）は発生しないので、より好ましい。
【００４２】
（４）最後に乾燥させると、図４に示すような、単層膜５０を形成することができる。
【００４３】
第１の実施形態に係る膜形成方法は、第１の液滴２０ａにより形成されたバンクの周縁部に囲まれた領域内に、第２の液滴２０ｂを配置する。このとき、バンクの周縁部はスキン層の形成により仕切部材として機能するため、第２の液滴２０ｂを所定の位置に確実に配置することができ、第２の液滴２０ｂの基板表面への流出を防止することができる。また、第１の液滴２０ａと第２の液滴２０ｂは、同じ材料であり、かつ第１の液滴２０ａの中央部は液状のままであるから、境界のない一体化された膜を形成することができる。
【００４４】
また、第１の液滴２０ａと第２の液滴２０ｂとが完全に同一の膜材料液ではない場合であっても、第１の液滴２０ａおよび第２の液滴２０ｂに含まれる溶媒のうち少なくとも１種を同じとすることによって、境界のない一体化された膜を形成できることがある。
【００４５】
このように、第１の実施形態に係る膜形成方法は、印刷法またはフォトリソグラフィによるパターニング工程を要せずに、より簡単なプロセスでバンクを形成することができ、これによりパターンの微細化および材料使用量の低減化を図ることができる。
【００４６】
１．２  第２の実施形態
第２の実施形態に係る膜形成方法は、基板上に第１の液滴を滴下して、前記第１の液滴の周縁部にスキン層を形成させて、該スキン層の内部を液状のままとしたバンクを形成する工程と、前記バンク内に、第２の液滴を滴下し、乾燥させて単層膜を形成する工程と、を含む点で、第１の実施形態に係る膜形成方法と同じである。
【００４７】
第２の実施形態に係る膜形成方法では、さらに、基板上に第１の液滴２０ａを滴下する領域の周辺領域を、第１の液滴２０ａに対して撥液性に加工する工程を含むことができる。これにより、撥液領域によって区画された領域に、第１の液滴２０ａを簡便かつ確実に配置することができる。
【００４８】
撥液処理の方法として、例えば、基板の表面に自己組織化単分子膜（以下、「ＳＡＭｓ」ともいう。）を形成する方法、プラズマ処理法（プラズマ重合法）、共析めっき法、金チオールで撥液化する手法等を挙げることができる。
【００４９】
具体的には、上記のいずれかの方法を用いて、基板の表面全体を撥液性に加工した後、膜を形成すべき領域を親液化とすることにより、撥液領域を形成することができる。または、所定のパターン形状を有するマスクを用いて、基板表面を撥液処理することにより、基板上に所定のパターン形状を有する撥液領域を形成することができる。
【００５０】
ここで、基板の表面にＳＡＭｓを形成する方法について説明する。
【００５１】
まず、基板の表面に金などを真空蒸着させる。次に基板を洗浄した後、例えば、チオール類の数十μｍｏｌ／Ｌエタノール溶液に、基板を所定時間浸漬させ、自己組織化単分子膜を形成させる。その後、エタノール、純水の順に金表面を洗浄する。また、必要に応じて、金表面を窒素雰囲気下で乾燥させる。このようにして、ＳＡＭｓを形成することができる。
【００５２】
ＳＡＭｓは、例えば、シランカップリング剤（有機ケイ素化合物）またはチオール化合物を用いて形成することができる。ここで、チオール化合物とは、メルカプト基（−ＳＨ）を有する有機化合物（Ｒ１−ＳＨ）の総称をいう。シランカップリング剤とは、Ｒ２ｎＳｉＸ４−ｎで表される化合物をいう。特に、Ｒ１またはＲ２が、ＣｎＦ２ｎ＋１ＣｍＨ２ｍで表されるフッ素原子を有する化合物は、他の材料との親和性が低く、撥液性が高いため、撥液領域を形成する材料として好適に用いることができる。
【００５３】
所定のパターン形状を有するＳＡＭｓを形成する方法としては、例えば、基板に所定のパターン形状のマスク層を形成した後、基板上にＳＡＭｓを形成し、マスク層を除去するという方法がある。マスク層として、例えば、レジストを好適に用いることができる。
【００５４】
または、基板上にＳＡＭｓを形成した後、電子線、イオンビームおよび光から選択される少なくとも１種を用いて、ＳＡＭｓの所定部分を除去、または所定部分の表面を改質（表面エネルギー）することにより、ＳＡＭｓのパターニングを行ってもよい。電子線、イオンビームおよび光（例えば、波長２５０ｎｍ以下）は、極めて微小なスポットにでき、簡易にかつ高精度に位置制御することができるので、微細なパターニングを実現することができる。
【００５５】
または、所定の形状のスタンプを作成し、そのスタンプ上にＳＡＭｓを成膜した後、ＳＡＭｓを基板に転写することにより、ＳＡＭｓのパターニングを行ってもよい。ＳＡＭｓの基板への転写は、例えば、マイクロコンタクトプリンティング法、またはレーザーアブレーション法を適用することができる。この方法は、１つのスタンプを繰り返し使用でき、同一パターンのＳＡＭｓを複数形成することができる。
【００５６】
ＳＡＭｓは、上記のような簡単な方法で、高度かつ精密なパターンを形成することができる。
【００５７】
第２の実施形態に係る膜形成方法は、第１の液滴２０ａを基板１０上に滴下する際、撥液領域によって第１の液滴２０ａの配置される領域が規定されているため、第１の液滴２０ａを所定の位置に確実に配置することができる。すなわち、吐出ヘッド３０から吐出された第１の液滴２０ａの一部が基板１０上の撥液領域に乗ったとしても、第１の液滴２０ａは撥液領域によってはじかれ、撥液領域外の領域に位置決めされる。したがって、第２の実施形態に係る膜形成方法を用いて、デバイスを製造することにより、基板上の所定の位置に確実に膜を形成することができ、デバイスの品質向上を図ることができる。
【００５８】
１．３  第３の実施形態
以下に、第３の実施形態に係る膜形成方法の一例を説明する。図８〜１１は、本発明の第３の実施形態に係る膜形成方法を模式的に示す断面図である。
【００５９】
第３の実施形態は、本発明に係る膜形成方法を用いて、有機エレクトロルミネッセンス（以下、「有機ＥＬ」ともいう。）層を形成している。
【００６０】
（１）図８に示すように、ガラス基板１２を用意する。ガラス基板１２の上に、フォトリソグラフィを適用して、ＩＴＯ電極３０をパターニングする。次いで、プラズマ処理により、有機ＥＬ膜材料液２６に対して、ＩＴＯ電極３０が形成された領域２２を親液性とし、その他の領域２４を撥液性とする。
【００６１】
（２）図９に示すように、インクジェット法を適用して、吐出ヘッドから第１の液滴２６ａをＩＴＯ電極３０上に滴下する。有機ＥＬ膜材料液２６は、例えば、ポリチオフェン、ポリフルオレン、ポリパラフェニレンビニレン等の発光性高分子、またはπ共役系高分子等の導電性高分子を溶媒に溶解させたものを用いることができる。本実施例においては、有機ＥＬ膜材料液２６ａの溶質の体積分率を０．１と設定している。
【００６２】
（３）図１０に示すように、第１の液滴２６ａの周縁部の膜厚が中央部よりも厚い形状（ステイン状）を有するバンクを形成する。第１の液滴２６ａの膜厚ｈおよび溶媒の蒸発強度Ｊを、上述した（１）式の関係を満たすように設定することにより、スキン層を形成することができる。第１の液滴２６ａの周縁部にスキン層を形成することにより、バンクを形成することができる。また、第１の液滴２６ａの中央部は、液状のままとすることが望ましい。第１の液滴２６ａの中央部にスキン層が形成されている場合には、上述したように、加熱処理または減圧処理によって、スキン層を再溶解させておくとよい。
【００６３】
（４）図１１に示すように、インクジェット法を適用して、ガラス基板１２の上に形成されたバンクに、第２の液滴２６ｂを滴下する。
【００６４】
（５）最後に乾燥させると、図１２に示すように、第１の液滴２６ａと第２の液滴２６ｂが一体となった有機ＥＬ膜５２を形成することができる。
【００６５】
第３の実施形態に係る方法では、従来の有機ＥＬ膜の形成方法と比べると、印刷法またはフォトリソグラフィによるパターニング工程を要せずに、より簡単なプロセスでバンクを形成することができる。これにより、パターンの微細化、材料使用量の低減化および低コスト化を図った有機ＥＬ膜の形成方法を提供することができる。
【００６６】
本発明に係る膜形成方法は、上記のような有機ＥＬ膜のパターニングに限定されない。例えば、電気光学装置に用いられるカラーフィルタ膜の形成、または正孔注入層等の薄膜の形成等に適用することができる。
【００６７】
本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法および結果が同一の構成、あるいは目的および効果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成または同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】第１の実施形態に係る膜形成方法を模式的に示す断面図。
【図２】第１の実施形態に係る膜形成方法を模式的に示す断面図。
【図３】第１の実施形態に係る膜形成方法を模式的に示す断面図。
【図４】第１の実施形態に係る膜形成方法を模式的に示す断面図。
【図５】スキン層を形成するためのＰｅとＣ０の関係を示すグラフ。
【図６】（Ａ）および（Ｂ）第２の液滴が配置される様子を示す図。
【図７】（Ａ）および（Ｂ）第２の液滴が配置される様子を示す図。
【図８】第３の実施形態に係る膜形成方法を模式的に示す断面図。
【図９】第３の実施形態に係る膜形成方法を模式的に示す断面図。
【図１０】第３の実施形態に係る膜形成方法を模式的に示す断面図。
【図１１】第３の実施形態に係る膜形成方法を模式的に示す断面図。
【図１２】第３の実施形態に係る膜形成方法を模式的に示す断面図。
【符号の説明】
【００６９】
１０…基板、１２…ガラス基板、２０…膜形成材料、２０ａ…第１の液滴、２０ｂ…第２の液滴、２２…親液領域、２４…撥液領域、２６…有機ＥＬ膜材料液、２６ａ…第１の液滴、２６ｂ…第２の液滴、３０…吐出ヘッド、４０…ＩＴＯ電極、５０…単層膜、５２…有機ＥＬ膜
【図１】
2008251203.tif 000003
【図２】
2008251203.tif 000004
【図３】
2008251203.tif 000005
【図４】
2008251203.tif 000006
【図５】
2008251203.tif 000007
【図６】
2008251203.tif 000008
【図７】
2008251203.tif 000009
【図８】
2008251203.tif 000010
【図９】
2008251203.tif 000011
【図１０】
2008251203.tif 000012
【図１１】
2008251203.tif 000013
【図１２】
2008251203.tif 000014