(57)【要約】【課題】液組成物塗膜の状態を安定させて、微細で精密なパターンを再現性よく安定して形成することが可能なパターン形成方法および電子素子の製造方法を提供する。【解決手段】第１版１０上に液組成物を塗布することで、導電性膜Ｄを形成するとともに、第１版１０を加熱する第１工程と、表面側に凹凸パターン形状を有する第２版２０を、第１版１０の導電性膜Ｄの形成面側に押圧し、第２版２０の凸部２０ａの頂面に、導電性膜Ｄの不要なパターンを転写して除去することで、第１版１０上に導電性パターンＤ’を形成する第２工程と、第１版１０の導電性パターンＤ’の形成面側を、被転写基板の表面に押圧することで、被転写基板の表面に導電性パターンＤ’を転写する第３工程とを有し、上記液組成物は、加熱された第１版１０の表面温度において１３３Ｐａ以下の蒸気圧を示す溶媒を含有してなることを特徴とするパターン形成方法および電子素子の製造方法。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１版上に液組成物を塗布することで、液組成物塗膜を形成するとともに、当該第１版を加熱する第１工程と、
表面側に凹凸パターンを有する第２版を、前記第１版の前記液組成物塗膜の形成面側に押圧し、当該第２版の凸部の頂面に、前記液組成物塗膜の不要なパターンを転写して除去することで、前記第１版上にパターンを形成する第２工程と、
前記第１版の前記パターンの形成面側を、被転写基板の表面に押圧することで、当該被転写基板の表面に前記パターンを転写する第３工程とを有し、
前記液組成物は、加熱された前記第１版の表面温度において１３３Ｐａ以下の蒸気圧を示す溶媒を含有してなる
ことを特徴とするパターン形成方法。
【請求項２】
請求項１記載のパターン形成方法において、
前記液組成物は導電性材料を含有しており、
前記第１工程では、前記第１版上に前記液組成物を塗布することで、導電性膜を形成する
ことを特徴とするパターン形成方法。
【請求項３】
第１版上に液組成物を塗布することで、液組成物塗膜を形成するとともに、当該第１版を加熱する第１工程と、
表面側に凹凸パターンを有する第２版を、前記第１版の前記液組成物塗膜の形成面側に押圧し、当該第２版の凸部の頂面に、前記液組成物塗膜の不要なパターンを転写して除去することで、前記第１版上にパターンを形成する第２工程と、
前記第１版の前記パターンの形成面側を、被転写基板の表面に押圧することで、当該被転写基板の表面に前記パターンを転写する第３工程とを有し、
前記液組成物は、加熱された前記第１版の表面温度において１３３Ｐａ以下の蒸気圧を示す溶媒を含有してなる
ことを特徴とする電子素子の製造方法。
【請求項４】
請求項３記載の電子素子の製造方法において、
前記電子素子は、基板上に、ソース・ドレイン電極、ゲート絶縁膜およびゲート電極がこの順またはこれと逆の順に積層され、ソース・ドレイン電極の上層側または下層側に半導体層を備えた半導体装置であり、
前記第１工程では、前記第１版上に導電性材料を含有する前記液組成物を塗布することで、導電性膜を形成するとともに、当該第１版を加熱し、
前記第２工程では、表面側に凹凸パターンを有する第２版を、前記第１版の前記導電性膜の形成面側に押圧し、当該第２版の凸部の頂面に、前記導電性膜の不要なパターンを転写して除去することで、前記第１版上に導電性パターンを形成し、
前記第３工程では、前記第１版の前記導電性パターンの形成面側を、前記被転写基板の表面に押圧し、当該被転写基板の表面に前記導電性パターンを転写することで、前記ソース・ドレイン電極または前記ゲート電極を形成する
ことを特徴とする電子素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パターン形成方法および電子素子の製造方法に関し、さらに詳しくは、導電性パターンの形成方法およびこれを用いた電子素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
微細で精密なパターンをガラス基板やプラスチック基板などに効率的に低コストで形成するために、様々な方法が検討されている。例えば、表面が剥離性を有するシリコーンゴムにて被覆されたブランケットとよばれる第１版の表面に、印刷する樹脂を全面塗布した後、表面側に凹凸パターンを有する第２版を、第１版の樹脂形成面側に押圧することで、第２版の凸部の頂面に上記樹脂の不要なパターンを転写して除去し、第１版の表面に残存した樹脂パターンを被転写基板上に転写する印刷法が開示されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
この印刷法を利用して微細で精密なパターンを形成する際、これに使用される液組成物は、第１版上への液組成物の塗布、第１版上から第２版上への液組成物塗膜の不要なパターンの転写、第１版上から被転写基板上へのパターンの転写の各工程において、適切な液組成物の転移特性を保持する必要がある。
【０００４】
まず、第１版上への液組成物の塗布工程では、通常剥離性を有する材料にて第１版の表面を形成するため、この剥離性表面に薄膜で平滑かつ均一な液組成物塗膜を形成しなければならないことから、液組成物の物性値を適切にコントロールする必要がある。
【０００５】
また、次の第１版上から第２版上への液組成物塗膜の不要なパターンの転写工程においては、第１版上に塗布された液組成物塗膜は、接触する第２版の凸部の頂面にそのパターン形状通りに完全に転写されなければならない。そのためには、第１版上に塗布された後、液組成物塗膜の粘度が適度に上昇し、第１版上の液組成物塗膜が適切な粘着性と凝集性を保持する必要がある。
【０００６】
さらに、被転写基板への転写工程においては、第１版上に残存するパターニングされた液組成物塗膜が、完全に被転写基板に転写されなければならない。このためには、パターニング後の液組成物塗膜が、転写に適した適切な塗膜状態（乾燥状態）である必要がある。
【０００７】
これらの技術的課題に対して、印刷に使用するインキ組成物（液組成物）の粘度値、表面エネルギー値、溶剤の蒸気圧値を設定し対処したカラーフィルター作製用インキ組成物の例が開示されている（例えば、特許文献２参照）。
【０００８】
【特許文献１】特開平１１−５８９２１号公報
【特許文献２】特開２００５−１２８３４６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかし、特許文献２には、印刷工程中の温度については記載されておらず、仮に室温でこの印刷法を行った場合には、第１版上の液組成物塗膜の乾燥状態が室温によってばらつくため、液組成物塗膜の粘着性にばらつきが生じる。このため、第１版から第２版への不要なパターンの転写工程および第１版から被転写基板へのパターンの転写工程において、再現性よく確実にパターンを転写することが難しい。これにより、形成されるパターンに欠陥が生じる等の問題がある。
【００１０】
また、特許文献２に記載された液組成物の物性では、液組成物を構成する溶媒の蒸気圧の規定が十分ではなく、液組成物塗膜からの溶媒の揮発が進み、適切な粘着性および凝集性を有した状態で維持されない場合があるため、パターンの転写が確実に行われない、という問題があった。
【００１１】
上述したような課題を解決するために、本発明は、液組成物塗膜の状態を安定させて、微細で精密なパターンを再現性よく安定して形成することが可能なパターン形成方法および電子素子の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上述したような目的を達成するために、本発明のパターン形成方法は、次のような工程を順次行うものである。まず、第１工程では、第１版上に液組成物を塗布することで、液組成物塗膜を形成するとともに、熱処理を行う。次に、第２工程では、表面側に凹凸パターンを有する第２版を、第１版の液組成物塗膜の形成面側に押圧し、第２版の凸部の頂面に、液組成物塗膜の不要なパターンを転写して除去することで、第１版上にパターンを形成する。次いで、第３工程では、第１版のパターンの形成面側を、被転写基板の表面に押圧することで、被転写基板の表面にパターンを転写する。そして、液組成物は、熱処理中の第１版の表面温度において１３３Ｐａ以下の蒸気圧を示す溶媒を含有してなることを特徴としている。
【００１３】
このようなパターン形成方法によれば、第１工程において、第１版上に液組成物を塗布することで、液組成物塗膜を形成するとともに、第１版を加熱することから、熱処理の温度で規定された状態の液組成物塗膜が安定して形成される。そして、液組成物が、加熱された第１版の表面温度において１３３Ｐａ以下の蒸気圧を示す溶媒を含有することで、熱処理を行っても、この溶媒は上記液組成物塗膜中に残存するため、液組成物塗膜が転写に適切な粘着性および凝集性を有した状態で維持される。これにより、第１版から第２版への不要なパターンの転写工程および第１版から被転写基板へのパターンの転写工程において、確実にパターンを転写することが可能となる。
【００１４】
また、本発明における電子素子の製造方法は、上述したパターン形成方法を電子素子の製造方法に適用したことを特徴としていることから、第１版から第２版への不要なパターンの転写工程および第１版から被転写基板へのパターンの転写工程において、確実にパターンを転写することが可能となる。
【発明の効果】
【００１５】
以上、説明したように、本発明のパターン形成方法およびこれを用いた電子素子の製造方法によれば、第１版から第２版への不要なパターンの転写工程および第１版から被転写基板へのパターンの転写工程において、確実にパターンを転写することができるため、微細で精密なパターンを再現性よく安定して形成することができる。したがって、印刷法により、電子素子の微細な電極パターンを形成することができ、電子素子の製造工程を簡略化することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
【００１７】
本発明のパターン形成法に係わる実施の形態の一例を、ボトムゲート・ボトムコンタクト型の薄膜トランジスタからなる電子素子の製造方法を例にとり、図１の製造工程断面図によって説明する。本実施形態においては、上記薄膜トランジスタのソース・ドレイン電極の形成に本発明のパターン形成方法を適用する。
【００１８】
図１（ａ）に示すように、ブランケットとなる第１版１０は、ガラス基板１１とガラス基板１１上に設けられた例えばポリジメチルシラン（ＰＤＭＳ）層１２とを備えた平版で構成されている。この第１版１０は、例えばスピンコート法により、ガラス基板１１上にＰＤＭＳを塗布した後、加熱処理によりＰＤＭＳを硬化することで、作製され、ＰＤＭＳ層１２は、表面側が平坦に設けられている。
【００１９】
ここで、後工程で、塗膜が形成された状態の第１版１０を加熱することから、第１版１０には、ＰＤＭＳ層１２に例えばオイルヒーター等の熱源が内蔵されている。なお、熱源は第１版１０に内蔵されていなくてもよく、例えば処理雰囲気を加熱することで、第１版１０を加熱してもよい。また、ここでは、上記第１版１０が平版である例について説明するが、ロール状であってもよい。
【００２０】
まず、図１（ｂ）に示すように、例えばキャップコーティング法により、第１版１０のＰＤＭＳ層１２上に、例えば銀ナノ粒子からなる導電性粒子を有機溶剤に分散させた液組成物を塗布することで、導電性膜Ｄ（液組成物塗膜）を例えば１μｍの膜厚で形成した後、第１版１０を加熱する。また、この第１版１０の加熱は、例えば２０℃の室温から、上述した第１版１０に内蔵された熱源によって、３０℃〜９０℃、好ましくは３０℃〜６０℃の範囲で行われる。この第１版１０の加熱により、第１版１０上の導電性膜Ｄの乾燥状態は、加熱温度で規定された状態で維持され、室温と比較して、導電性膜Ｄの乾燥状態がばらつくことが抑制される。
【００２１】
そして、上記液組成物は、加熱された第１版１０の表面温度において１３３Ｐａ以下の蒸気圧を示す溶媒を含有している。これにより、第１版１０を加熱しても、この溶媒は上記導電性膜Ｄ中に残存するため、導電性膜Ｄが転写に適切な粘着性および凝集性を有した状態で維持される。
【００２２】
ここで、上記導電性膜Ｄの粘着性が強すぎると、後述するように、凹凸パターンを有する第２版を押圧し、第２版の凸部の頂面に導電性膜Ｄの不要なパターンを転写する工程において、導電性膜Ｄの第１版１０への密着性が高くなり、第２版の凸部の頂面に不要なパターンが転写され難くなる。また、導電性膜Ｄの粘着性が弱すぎると、上記工程において、第２版の凸部の頂面に付着した不要なパターンに引きずられて、第１版１０上に、寸法制御性よく導電性パターンを残存させることができなくなる。さらに、導電性膜Ｄの凝集性が強すぎると、膜強度が高くなるため、上記工程において、第２版の凸部の頂面に不要なパターンが転写され難くなる。また、導電性膜Ｄの凝集性が弱すぎると、上記工程において第１版１０上の導電性膜Ｄを取り除くべき箇所に残存が発生してしまう。
【００２３】
なお、ここでは、上述した第１版１０の加熱を導電性膜Ｄを形成した後に行うこととしたが、予め第１版１０を加熱した状態で液組成物を塗布してもよい。
【００２４】
ここで、第１版１０が加熱される３０℃〜９０℃の範囲で、１３３Ｐａ以下の蒸気圧を示す溶媒としては、例えば３９℃で１３３Ｐａの蒸気圧を示す安息香酸メチル、５３℃で１３３Ｐａの蒸気圧を示すテルピネオール、５８℃で１３３Ｐａの蒸気圧を示すベンジルアルコール、９６℃で１３３Ｐａの蒸気圧を示すトリプロピレングリコール等が挙げられる。上記溶媒は単独溶媒として用いてもよく、これらを組み合わせて用いてもよい。
【００２５】
また、上記液組成物中に、加熱された第１版１０の表面温度において、１３３Ｐａ以下の蒸気圧を示す溶媒は１つ以上含まれていればよく、上記以外の溶媒を含んでいてもよい。上記以外の溶媒としては、水の他、エステル系溶剤、アルコ−ル系溶剤、ケトン系溶剤からなる極性溶剤や非極性溶剤を印刷性に応じて使用することが可能である。例えば、上記エステル系溶剤としては、酢酸メチル、酢酸エチル、プロピオン酸エチル等が挙げられる。上記アルコ−ル系溶剤としては、エタノ−ル、プロパノ−ル、イソプロパノ−ル等が挙げられる。上記ケトン系溶剤としては、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等を列挙することができる。また、非極性溶剤としてはペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、デカン、ドデカン、イソペンタン、イソヘキサン、イソオクタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、シクロペンタン等の炭化水素系溶剤が挙げられる。さらに、トルエン、キシレン、メシチレンなどの芳香族系溶剤も好ましく使用することができる。
【００２６】
ここで、上記液組成物中に、導電性粒子が３wt％〜５０wt％で含まれる場合において、導電性膜Ｄが転写に適切な粘着性を呈するためには、上記１３３Ｐａ以下の蒸気圧を示す溶媒の液組成物への添加量は、３wt％〜６０wt％が好ましく、５wt％〜４０wt％であることがさらに好ましい。
【００２７】
なお、ここでは、液組成物が銀ナノ粒子からなる導電性粒子を含むこととしたが、銀以外にも、金、ニッケル、銅、白金からなる導電性粒子を用いることができる。一般的にはこれら導電性粒子の表面は高分子材料等で被覆表面処理がなされており、水または有機溶剤に分散された状態のものが用いられる。また、上記液組成物が、上記導電性粒子以外の導電性材料を含んでいてもよい。なお、液組成物に、上述した導電性材料および溶媒以外にも樹脂や界面活性剤を含有させることで、液組成物の物性を制御してもよい。
【００２８】
ここで、上記液組成物の塗布法としては、上述したキャップコーティング法以外に、ロールコーティング法、スプレーコーティング法、ディップコーティング法、カーテンフローコーティング法、ワイヤーバーコーティング法、グラビアコーティング法、エアナイフコーティング法、ドクターブレードコーティング法、スクリーンコーティング法、ダイコーティング法等を挙げることができる。塗布法については、ロール状、平版状等の第１版１０の形状に合わせて選択することが望ましい。上述した中でも、特にキャップコーティング法は、塗布特性に優れているため、好ましい。
【００２９】
次いで、図１（ｃ）に示すように、表面側に凹凸パターンを有する例えばガラス版からなる第２版２０を、上記第１版１０の導電性膜Ｄの形成面側に押圧する。上記凹凸パターンは、凸パターンが後述する導電性パターンの反転パターンとなるように形成される。この第２版２０の凹凸パターンを通常のフォトリソグラフィー技術を用いたエッチングにより形成することで、微細で精密な凹凸パターンを形成することができる。
【００３０】
ここで、第１版１０の表面よりも第２版２０の凸部２０ａの頂面の方が導電性膜Ｄとの密着性が高くなるように、第２版２０の表面は第１版１０の表面よりも表面張力が低い材質で構成される。これにより、図１（ｄ）に示すように、第２版２０を第１版１０の導電性膜Ｄの形成面側に押圧することで、凸部２０ａの頂面に導電性膜Ｄ（前記図１（ｃ）参照）の不要なパターンが転写し、第１版１０上に導電性パターンＤ’が形成される。この際、上述したように、導電性膜Ｄが適切な粘着性を有することで、不要なパターンが確実に凸部２０ａの頂面に転写される。なお、凸部２０ａの頂面に転写された導電性膜Ｄの不要なパターンは回収して再利用されることとする。
【００３１】
続いて、図２（ｅ）に示すように、第１版１０の導電性パターンＤ’の形成面側を、被転写基板３０の被転写面に押圧する。ここで、被転写基板３０は、シリコン基板からなる基板３１上にポリビニルフェノール（ＰＶＰ）からなる絶縁膜３２が設けられた構成となっている。このため、絶縁膜３２の表面３２ａが被転写面となる。ここでは、シリコン基板からなる基板３１に不純物イオンがハイドープされることで、基板３１がゲート電極を兼ねており、その上層に設けられた絶縁膜３２はゲート絶縁膜として構成されることとする。
【００３２】
ここで、第２版２０の凸部２０ａの頂面よりも被転写面となる絶縁膜３２の表面３２ａが導電性パターンＤ’との密着性が高くなるように、絶縁膜３２は、第２版２０よりも表面張力が低い材質で構成される。これにより、図２（ｆ）に示すように、第１版１０の導電性パターンＤ’の形成面側を、被転写基板３０の被転写面に押圧することで、導電性パターンＤ’が絶縁膜３２の表面３２ａに転写される。この際、導電性パターンＤ’が転写に適切な粘着性を有することで、導電性パターンＤ’が絶縁膜３２の表面３２ａに確実に転写される。
【００３３】
この導電性パターンＤ’はソース・ドレイン電極３３となる。その後、例えばオーブンにて、加熱し、上記導電性パターンＤ’を焼結する。ここで、焼結後の導電性パターンＤ’の膜厚は、５００ｎｍ以下であることとする。
【００３４】
この後の工程は、通常の薄膜トランジスタの製造工程と同様に行う。すなわち、図２（ｇ）に示すように、例えばスピンコート法により、導電性パターンＤ’からなるソース・ドレイン電極３３を覆う状態で、絶縁膜３２上に、例えばトリイソプロピルシリルエチニルペンタセンからなる半導体層３４を形成する。
【００３５】
以上のようにして、基板（ゲート電極）３１上に、絶縁膜（ゲート絶縁膜）３２、ソース・ドレイン電極３３および半導体層３４がこの順に積層されたボトムゲート・ボトムトランジスタ型の薄膜トランジスタが製造される。
【００３６】
このようなパターン形成方法およびこれを用いた電子素子の製造方法によれば、第１版１０上に液組成物を塗布することで、導電性膜Ｄを形成するとともに、第１版１０を加熱することから、加熱温度で規定された状態の導電性膜Ｄが安定して形成される。そして、液組成物が、加熱された第１版１０の表面温度において１３３Ｐａ以下の蒸気圧を示す溶媒を含有することで、第１版１０を加熱してもこの溶媒は上記導電性膜Ｄ中に残存するため、導電性膜Ｄが転写に適切な粘着性および凝集性を有した状態で維持される。これにより、第１版１０から第２版２０への導電性膜Ｄの不要なパターンの転写工程および第１版１０から被転写基板３０への導電性パターンＤ’の転写工程において、確実にパターンを転写することが可能となる。したがって、微細で精密なパターンを再現性よく安定して形成することができる。これにより、印刷法を用いて、電子素子の微細な電極パターンを形成することができ、電子素子の製造工程を簡略化することができる。
【００３７】
なお、上述した実施形態では、ソース・ドレイン電極を形成する例について説明したが、例えば、絶縁性の基板上にゲート電極を形成する場合にも適用可能であり、上述したボトムゲート・ボトムコンタクト型のトランジスタ構造に限らず、他のトランジスタ構造の電極パターンを形成する場合にも適用可能である。さらには、薄膜トランジスタだけでなく、プリント配線板、ＲＦ−ＩＤタグ、様々なディスプレイ基板等他の電子素子の電極パターンの形成にも適用可能である。
【００３８】
また、本発明は、導電性パターンの形成方法に限定されるものではなく、絶縁性パターンの形成方法および半導体パターンの形成方法にも適用可能である。絶縁性パターンの形成方法に本発明を適用する場合には、液組成物の溶質として、ポリエステル系樹脂、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、メラミン系樹脂等の有機材料を単独でまたは混合して用いることが可能である。また、ラジカル型紫外線硬化型樹脂、カチオン型紫外線硬化型樹脂、電子線硬化型樹脂なども適宜必要に応じて使用することも可能である。溶媒としては、実施形態と同様のものを用いることができる。
【００３９】
また、半導体パターンの形成方法に本発明を適用する場合には、液組成物の溶質として、例えばトリイソプロピルシリルエチニルペンタセン等の可溶性有機半導体材料などが用いられる。溶媒としては、実施形態と同様のものを用いることができる。例えば、上記実施形態で、図２（ｇ）を用いて説明した半導体層３４の形成工程において、本発明を適用し、有機半導体層をパターン形成してもよい。
【実施例】
【００４０】
さらに、本発明の具体的な実施例について、再び図１〜図２を用いて説明する。
【００４１】
（実施例１〜５）
上記実施形態と同様に、ガラス基板１１上に、スピンコーターにてＰＤＭＳ（ダウ・コーニング社製商品名シルポット）を塗布し、加熱処理してＰＤＭＳを硬化させ、第１版１０（ブランケット）を作製した。次に、オレイン酸にて表面処理が施された銀ナノ粒子（平均粒子径１０ｎｍ）を表１に示す組成比の溶媒を用いて５ｗｔ％になるように分散し、液組成物を調製した。実施例１〜５のいずれの溶媒においても加熱された第１版１０の表面温度において１３３ｐａ以下の蒸気圧を示す溶剤が含まれている。次いで、スピンコーターにより、第１版１０上に該液組成物を塗布することで、導電性膜Ｄを形成した後、表１に記載の温度となるように、第１版１０を加熱した。
【表１】
2008251888.tif 000003
【００４２】
一方、ガラス基板上にフォトレジスト（化薬マクロケム社製商品名ＳＵ−８）を、スピンコーターを用いて厚さ５μｍに塗布し、露光現像することで、表面側にラインアンドスペース（Ｌ／Ｓ）＝５μｍ（アスペクト比１：１）の凹凸パターンを形成し、ガラス版からなる第２版２０を作製した。
【００４３】
続いて、上記第２版２０を第１版１０の導電性膜Ｄの形成面側に押圧し、第２版２０の凸部２０ａに導電性膜Ｄの不要なパターンを転写して除去することで、第１版１０上に導電性パターンＤ’を形成した。
【００４４】
一方、ＰＶＰ樹脂溶液（溶媒ＰＧＭＥＡ（プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート）、濃度２０ｗｔ％）に、メラミンホルムアルデヒド樹脂からなる架橋剤を加えた溶液を、スピンコーターを用いて基板３１上に塗布することで、ＰＶＰからなる絶縁膜３２を形成した被転写基板３０を用意する。次いで、第１版１０の導電性パターンＤ’の形成面側を、被転写基板３０の被転写面３２ａに押圧することで、絶縁膜３２の表面に、導電性パターンＤ’を転写した。その後、導電性パターンＤ’を１８０℃で１時間オーブンで固着させ、銀ナノ粒子が焼結すると導電性を有する配線パターンが形成される。
【００４５】
この結果、Ｌ／Ｓ＝５μｍの導電性パターンＤ’が、問題なく形成されることが確認された（上記表１に○として記載）。
【００４６】
（比較例１〜５）
一方、上記実施例１〜５に対する比較例１〜５として、液組成物として導電性粒子を分散させる溶媒に、表２に示す組成の溶媒を用いた以外は、実施例１〜５と同様に、Ｌ／Ｓ＝５μｍの配線パターンを形成した。なお、比較例１〜５のいずれの溶媒においても加熱された第１版１０の表面温度において１３３ｐａ以下の蒸気圧を示す溶剤は含まれていない。
【表２】
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【００４７】
この結果、導電性膜Ｄからの溶媒の揮発が激しく、第２版２０にパターンが完全に転写されず、Ｌ／Ｓ＝５μｍの配線パターンが形成できないことが確認された（表２中に×として記載）。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】本発明の電子素子の製造方法に係る実施形態を説明するための製造工程断面図（その１）である。
【図２】本発明の電子素子の製造方法に係る実施形態を説明するための製造工程断面図（その２）である。
【符号の説明】
【００４９】
１０…第１版、２０…第２版、２０ａ…凸部、３０…被転写基板、３１…基板、３２…絶縁膜（ゲート絶縁膜）、３３…ソース・ドレイン電極、３４…半導体層、Ｄ…導電性膜、Ｄ’…導電性パターン
【図１】
2008251888.tif 000005
【図２】
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