(57)【要約】【課題】セラミック素体の稜線部において焼付け電極層の厚みが薄くなるのを防ぐことが可能な電子部品及びその製造方法を提供すること。【解決手段】セラミック素体１０と、セラミック素体１０の稜線部１２を含む所定の領域に形成された焼付け電極層（第１の金属電極層３２）とを備える電子部品（積層型チップコンデンサ１）の製造方法であって、セラミック素体１０と、導電性粉末及び溶剤を含む導電性ペースト４４とを用意する工程と、セラミック素体１０の少なくとも稜線部１２に粘着剤４０を付着させる工程と、導電性ペースト４４に含まれる溶剤に対して濡れ性を有する粉体（ガラス粉末４２）を粘着剤４０に付着させる工程と、所定の領域に導電性ペースト４４を付与する工程と、所定の領域に付与した導電性ペースト４４を焼き付けて、焼付け電極層（第１の金属電極層３２）を形成する工程と、を備えている。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミック素体と、前記セラミック素体の稜線部を含む所定の領域に形成された焼付け電極層とを備える電子部品の製造方法であって、
前記セラミック素体と、導電性粉末及び溶剤を含む導電性ペーストとを用意する工程と、
前記セラミック素体の少なくとも前記稜線部に、前記導電性ペーストに含まれる前記溶剤に対して濡れ性を有する粉体を付着させる工程と、
前記所定の領域に前記導電性ペーストを付与する工程と、
前記所定の領域に付与した前記導電性ペーストを焼き付けて、焼付け電極層を形成する工程と、を備えていることを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項２】
前記粉体が、ガラス粉末であることを特徴とする請求項１に記載の電子部品の製造方法。
【請求項３】
前記粉体を付着させる工程が、
前記セラミック素体の少なくとも前記稜線部に粘着剤を付着させる工程と、
付着させた前記粘着剤に、前記粉体を付着させる工程と、
を含んでいることを特徴とする請求項１又は２に記載の電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、セラミック素体を備える電子部品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
セラミック素体と、当該セラミック素体の稜線部を含む所定の領域に形成された焼付け電極層とを備える電子部品の製造方法として、セラミック素体と、導電性粉末及び溶剤を含む導電性ペーストとを用意する工程と、上記所定の領域に導電性ペーストを付与する工程と、上記所定の領域に付与した導電性ペーストを焼き付けて、焼付け電極層を形成する工程と、を備えているものが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平５−１２９１５２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、特許文献１に記載された製造方法では、稜線部を含む所定の領域に導電性ペーストを付与した場合、導電性ペーストの表面張力等の影響を受けて、稜線部に付与された導電性ペーストの膜厚が平面部（セラミック素体の端面や側面等）に付与された導電性ペーストの膜厚に比して薄くなってしまうという問題点を有している。特に、近年、電子部品の小型化に伴って、稜線部のＲが小さくなる傾向にあり、稜線部のＲが小さくなればなるほど、稜線部に付与された導電性ペーストの膜厚がより一層薄くなってしまう。
【０００４】
稜線部に付与された導電性ペーストの膜厚が薄いと、形成された焼付け電極層の厚みも薄くなってしまい、電子部品の信頼性が低下する懼れがある。例えば、焼付け電極層上に電気めっきによりめっき電極層を形成する場合、セラミック素体内にめっき液が浸入し、電気的特性（例えば、ＩＲ特性等）や信頼性が低下する原因となってしまう。一方、稜線部に付与された導電性ペーストの膜厚を十分な厚みにしようとすると、平面部に付与された導電性ペーストの膜厚が厚くなり過ぎ、電子部品を実装する際にチップ立ちといった実装不良を招いてしまう懼れがある。
【０００５】
稜線部に付与された導電性ペーストの膜厚を厚くするために、稜線部のみに導電性ペーストを付与し乾燥させた後に、稜線部を含む上記所定の領域に導電性ペーストを付与することが考えられる。しかしながら、この場合、製造工程の増加や、先に付与した導電性ペーストの乾燥時間が必要となることによる工数の増加等から、生産性が悪化する問題がある。
【０００６】
本発明は、実装不良や生産性の悪化といった不具合を招くことなく、セラミック素体の稜線部において焼付け電極層の厚みが薄くなるのを防ぐことが可能な電子部品及びその製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る電子部品の製造方法は、セラミック素体と、セラミック素体の稜線部を含む所定の領域に形成された焼付け電極層とを備える電子部品の製造方法であって、セラミック素体と、導電性粉末及び溶剤を含む導電性ペーストとを用意する工程と、セラミック素体の少なくとも稜線部に、導電性ペーストに含まれる溶剤に対して濡れ性を有する粉体を付着させる工程と、所定の領域に導電性ペーストを付与する工程と、所定の領域に付与した導電性ペーストを焼き付けて、焼付け電極層を形成する工程と、を備えていることを特徴とする。
【０００８】
本発明に係る電子部品の製造方法では、導電性ペーストに含まれる溶剤に対して濡れ性を有する粉体が稜線部に付着した状態で、導電性ペーストを付与するので、導電性ペーストが稜線部にも付着し易くなり、稜線部に付与された導電性ペーストの膜厚が薄くなるのを防ぐことができる。この結果、セラミック素体の稜線部において焼付け電極層の厚みが薄くなるのを防ぐことができる。
【０００９】
好ましくは、上記粉体が、ガラス粉末である。この場合、セラミック素体に対する焼付け電極層の固着強度が大きくなる。
【００１０】
好ましくは、上記粉体を付着させる工程が、セラミック素体の少なくとも稜線部に粘着剤を付着させる工程と、付着させた粘着剤に、上記粉体を付着させる工程と、を含んでいる。この場合は、上記粉体を確実に付着させることができる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、実装不良や生産性の悪化といった不具合を招くことなく、セラミック素体の稜線部において焼付け電極層の厚みが薄くなるのを防ぐことが可能な電子部品及びその製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。
【００１３】
まず、図１及び図２を参照して、本実施形態に係る積層型チップコンデンサの構成について説明する。図１は、本実施形態に係る積層型チップコンデンサの斜視図である。図２は、本実施形態に係る積層型チップコンデンサの断面構成を説明するための図である。本実施形態は、本発明を積層型チップコンデンサの製造方法に適用した例である。
【００１４】
積層型チップコンデンサは、図１及び２に示されるように、セラミック素体（コンデンサ素体）１０と、２つの外部電極３０とを備えている。
【００１５】
セラミック素体１０は、誘電体セラミック材料からなる、誘電体特性を有する焼結体であり、複数の誘電体層が積層された積層体として構成されている。実際の積層型チップコンデンサでは、複数の誘電体層は、互いの間の境界が視認できない程度に一体化されている。誘電体層は、誘電体層は、例えば、ＢａＴｉＯ３系、Ｂａ(Ｔｉ，Ｚｒ)Ｏ３系、（Ｂａ，Ｃａ）ＴｉＯ３系などの誘電体材料からなる。
【００１６】
セラミック素体１０は、略直方体形状を呈しており、互いに対向する第１及び第２の主面１０ａ，１０ｂと、第１及び第２の主面１０ａ，１０ｂ間を連結する第１の側面１０ｃ、第２の側面１０ｄ、第３の側面１０ｅ及び第４の側面１０ｆを有している。第１の側面１０ｃと第２の側面１０ｄとは、互いに対向している。第３の側面１０ｅと第４の側面１０ｆとは、互いに対向している。セラミック素体１０では、第１の主面１０ａと第１〜第４の側面１０ｃ〜１０ｆとで稜線部が形成され、第２の主面１０ｂと第１〜第４の側面１０ｃ〜１０ｆとで稜線部が形成されている。また、第１の側面１０ｃと第３〜第４の側面１０ｅ，１０ｆとで稜線部が形成され、第２の側面１０ｄと第３〜第４の側面１０ｅ，１０ｆとで稜線部が形成されている。
【００１７】
セラミック素体１０内には、複数の内部電極２０が少なくとも一層の誘電体層を挟んで互いに対向するように配置されている。複数の内部電極２０は、セラミック素体１０の対向する２つの端面に交互に引き出されている。すなわち、内部電極２０は、その端部が端面に露出している。内部電極２０は、積層型の電気素子の内部電極として通常用いられる導電材を含んでいる。内部電極２０に含まれる導電材としては、特に限定されないが、Ｎｉなどの卑金属材料等が挙げられる。
【００１８】
外部電極３０は、セラミック素体１０の表面に配置されている。外部電極３０は、第１の金属電極層３２（焼付け電極層）と、第２の金属電極層３４（めっき電極層）と、第３の金属電極層３６（めっき電極層）とを有している。
【００１９】
第１の金属電極層３２は、金属（例えば、Ｃｕなどの卑金属材料やＡｇなどの貴金属材料等）を主成分として含有している。第１の金属電極層３２は、セラミック素体１０の表面における所定の領域、すなわち第１〜第２の側面１０ｃ，１０ｄと、第１〜第２の主面１０ａ，１０ｂ及び第３〜第４の側面１０ｅ，１０ｆの端部に形成され、内部電極２０と物理的且つ電気的に接続されている。したがって、上記所定の領域は、セラミック素体１０の上述した稜線部を含むこととなる。
【００２０】
第１の金属電極層３２は、導電性金属粉末（例えば、Ｃｕ粉末等）及びガラス粉末（例えば、ガラスフリット等）を含有する導電性ペーストをセラミック素体１０の表面の上記所定の領域に付与し、焼き付けることによって形成されている。第１の金属電極層３２の厚みは、例えば、５〜１００μｍである。
【００２１】
第２の金属電極層３４は、Ｎｉを主成分として含む。第２の金属電極層３４は、第１の金属電極層３２上に、第１の金属電極層３２を覆うように形成されている。第２の金属電極層３４は、第１の金属電極層３２の表面をＮｉでメッキ処理することによって形成されている。第２の金属電極層３４の厚みは、例えば、１〜５μｍである。
【００２２】
第３の金属電極層３６は、ＳｎあるいはＳｎ合金を主成分として含む。第３の金属電極層３６は、第２の金属電極層３４上に、第２の金属電極層３４を覆うように形成されている。第３の金属電極層３６は、第２の金属電極層３４の表面をＳｎ又はＳｎ合金でメッキ処理することによって形成されている。第３の金属電極層３６の厚みは、例えば、１〜５μｍである。
【００２３】
続いて、図３〜図６を参照して、上述した構成を有する積層型チップコンデンサ１の製造過程について説明する。図３は、本実施形態に係る積層型チップコンデンサの製造過程を説明するためのフロー図である。図４〜６は、本実施形態に係る積層型チップコンデンサの製造過程を説明するための模式図である。
【００２４】
積層型チップコンデンサ１の製造においては、まず、誘電体層を形成するためのセラミックスペースト、内部電極２０を形成するための内部電極ペーストをそれぞれ準備する。
【００２５】
セラミックスペーストは、誘電体層を構成する誘電体材料の原料に有機ビヒクルなどを混合・混錬して得ることができる。誘電体材料の原料としては、例えば、誘電体材料が上述したような各種の複合酸化物系材料である場合は、当該複合酸化物に含まれる各金属原子の酸化物、炭酸塩、硝酸塩、水酸化物、有機金属化合物などの組み合わせが挙げられる。
【００２６】
有機ビヒクルは、バインダ及び溶剤を含むものである。バインダとしては、例えば、エチルセルロース、ポリビニルブチラール、アクリル樹脂などが挙げられる。また、溶剤としては、例えば、テルピネオール、ブチルカルビトール、アセトン、トルエン、キシレン、エタノール、メチルエチルケトンなどの有機溶剤が挙げられる。
【００２７】
また、セラミックスペーストは、上記以外に各種分散剤、可塑剤、誘電体、ガラスフリット、絶縁体などが必要に応じて含有されていてもよい。
【００２８】
内部電極ペーストは、内部電極２０を構成するための導電性粉末と有機ビヒクルとを混合・混錬したものである。導電材料としては、上述したような金属粉末を用い、球状や鱗片状などの種々の形状のものを適用できる。また、内部電極ペースト中には、必要に応じて無機化合物を適量含有させることが好ましい。これにより、後述する焼成時において、セラミックスグリーンシート及び内部電極ペースト層の体積変化の差を小さくして、これに起因する応力の発生を低減することができる。その結果、この応力に基づくクラックや反りなどの不具合を抑制することが可能となる。
【００２９】
有機ビヒクルは、バインダ及び溶剤を含むものである。バインダとしては、例えば、エチルセルロース、アクリル樹脂、ポリビニルブチラール、ポリビニルアセタール、ポリビニルアルコール、ポリオレフィン、ポリウレタン、ポリスチレン、またはこれらの共重合体などが挙げられる。溶剤としては、例えば、テルピネオール、ブチルカルビトール、ケロシン、アセトンなどが挙げられる。
【００３０】
内部電極ペースト中には、適宜、可塑剤を含有させてもよい。可塑剤としては、例えば、フタル酸ベンジルブチル（ＢＢＰ）などのフタル酸エステル、アジピン酸、リン酸エステル、グリコール類などが適用できる。
【００３１】
次に、上述したセラミックスペースト及び内部電極ペーストを準備した後、まず、例えば、ＰＥＴなどからなるキャリアシート上にセラミックスペーストをドクターブレード法などの公知の方法でセラミックスグリーンシートを形成する（Ｓ１０１）。そして、セラミックスグリーンシート上に内部電極ペーストをスクリーン印刷法などの公知の方法で複数の内部電極パターンを形成する（Ｓ１０３）。
【００３２】
次に、内部電極パターンが形成されたセラミックスグリーンシートを所定の大きさに揃えて所定の枚数で積層し、積層方向から加圧（プレス）してグリーン積層体を形成する（Ｓ１０５）。そして、グリーン積層体を切断機で所定の大きさのチップに切断しグリーンチップを得る（Ｓ１０７）。
【００３３】
次に、グリーンチップから、各部に含まれるバインダを除去した後（脱バインダ）、このグリーンチップを焼成する（Ｓ１０９）。この焼成により、セラミックスグリーンシートから誘電体層が、また、内部電極ペースト層から内部電極２０がそれぞれ形成されたセラミック素体１０が得られる。脱バインダは、グリーンチップを、空気中、又は、Ｎ２及びＨ２の混合ガスなどの還元雰囲気中で、２００〜６００℃程度に加熱することにより行うことができる。また、焼成は、脱バインダ後のグリーンチップを、例えば、還元雰囲気下で１１００〜１３００℃程度に加熱することにより行うことができる。そして、かかるグリーンチップの焼成後、得られた焼成物に、必要に応じて８００〜１１００℃、２〜１０時間保持するアニール処理を施す。
【００３４】
次に、図４に示されるように、セラミック素体１０の表面における上記所定の領域（第１〜第２の側面１０ｃ，１０ｄと、第１〜第２の主面１０ａ，１０ｂ及び第３〜第４の側面１０ｅ，１０ｆの端部）に粘着剤４０を付着させる（Ｓ１１１）。粘着剤４０の付着は、ディップ法、印刷法、又は転写法等により行なうことができる。粘着剤４０の厚みは、例えば、２〜２０μｍである。粘着剤４０は、例えばガラス粉末４２を固着すると共に加熱処理（焼き付け）時に残留しないといった特性を有していればよく、例えばエチルセルロース、アクリル樹脂、ポリビニルブチラール、ポリビニルアセタール、ポリビニルアルコール、ポリオレフィン、ポリウレタン、ポリスチレン、またはこれらの共重合体等を用いることができる。なお、粘着剤４０は、上記所定の領域全体に付着させる必要はなく、少なくとも稜線部１２に付着させればよい。
【００３５】
次に、図５に示されるように、粘着剤４０にガラス粉末４２（例えば、ガラスフリット等）を付着させる（Ｓ１１３）。ガラス粉末４２は、第１の金属電極層３２を形成するための導電性ペーストに含まれる溶剤に対して濡れ性を有している粉体である。
【００３６】
次に、セラミック素体１０の表面における上記所定の領域に、第１の金属電極層３２を形成する（Ｓ１１５）。ここでは、図６に示されるように、セラミック素体１０の表面における上記所定の領域、すなわち粘着剤４０に付着したガラス粉末４２の上に導電性ペースト４４を付与する。導電性ペースト４４の付与は、ディップ法、印刷法、又は転写法等により行うことができる。導電性ペースト４４には、上述したように、Ｃｕ粉末を主成分とする金属粉末に、ガラス粉末（例えば、ガラスフリット等）、上述したような有機ビヒクルを混合したものを用いる。
【００３７】
ところで、稜線部１２を含む所定の領域に導電性ペーストを付与する場合、導電性ペーストの表面張力等の影響を受けて、稜線部１２に付与された導電性ペーストの膜厚が第１〜第４の側面１０ｃ〜１０ｆや第１〜第２の主面１０ａ，１０ｂに付与された導電性ペーストの膜厚に比して薄くなってしまう。しかしながら、本実施形態では、稜線部１２に粘着剤４０を介してガラス粉末４２が付着しているので、付与された導電性ペースト４４とガラス粉末４２とが接触し、導電性ペースト４４がガラス粉末４２に保持される。したがって、導電性ペースト４４を保持する保形性が稜線部１２においても高く、導電性ペースト４４が稜線部１２に付着し易くなる。これにより、稜線部１２における導電性ペースト４４の厚みが厚くなり、稜線部１２が導電性ペースト４４により確実に覆われることとなる。
【００３８】
次に、付与した導電性ペーストを乾燥させて、外部電極３０に対応する電極部分を形成する。乾燥温度は、８０〜１５０℃の範囲にあることが好ましい。乾燥時間は、０．２〜１．５時間の範囲にあることが好ましい。
【００３９】
次に、電極部分が形成されたセラミック素体１０に、所望の加熱処理を実施して脱バインダを行なう。加熱温度は、３００〜６００℃の範囲にあることが好ましい。加熱時間は、０．２〜１．５時間の範囲にあることが好ましい。このとき、粘着剤４０も分解され、除去されることとなる。
【００４０】
次に、電極部分が形成されたセラミック素体１０に、所望の加熱処理を実施して導電性ペーストをセラミック素体１０に焼き付ける。これにより、セラミック素体１０に第１の金属電極層３２が形成されることとなる。加熱温度は、６５０〜８５０℃の範囲にあることが好ましい。加熱時間は、０．２〜１．５時間の範囲にあることが好ましい。
【００４１】
ガラス粉末４２は、導電性ペーストをセラミック素体１０に焼き付けるときの熱により、導電性ペーストに含まれるガラス粉末と共に軟化して溶融する。そして、溶融したガラス物質の一部は、第１の金属電極層３２の内側（セラミック素体１０側）にガラス相と金属相とが混在した層を形成すると共に、セラミック素体１０の表面からセラミック素体１０内に拡散し、セラミック素体１０表面にガラス拡散層を形成する。
【００４２】
再び、図３を参照する。第１の金属電極層３２を形成すると、次に、第２の金属電極層３４を電気めっきにより形成する（Ｓ１１７）。本実施形態においては、第２の金属電極層３４を形成するための上記電気めっきとして、Ｎｉめっきが用いられている。Ｎｉめっきは、Ｎｉめっき浴（例えば、ワット浴）を用いたバレルめっき法にて行うことができる。
【００４３】
次に、第３の金属電極層３６を電気めっきにより形成する（Ｓ１１９）。本実施形態においては、第３の金属電極層３６を形成するための上記電気めっきとして、Ｓｎめっきが用いられている。Ｓｎめっきは、Ｓｎめっき浴（例えば、中性Ｓｎめっき浴）を用いたバレルめっき法にて行うことができる。
【００４４】
上述した過程を経ることにより、積層型チップコンデンサ１が得られる。
【００４５】
以上のように、本実施形態においては、ガラス粉末４２が稜線部１２に付着した状態で、第１の金属電極層３２を形成するための導電性ペースト４４を付与するので、上述したように導電性ペースト４４が稜線部１２にも付着し易くなり、稜線部１２に付与された導電性ペースト４４の膜厚が薄くなるのを防ぐことができる。この結果、セラミック素体１０の稜線部１２において第１の金属電極層３２の厚みが薄くなるのを防ぐことができる。
【００４６】
特に、積層型チップコンデンサ１では、近年、小型高容量化の要請が極めて高い。この要請により、積層型チップコンデンサ１では、複数の内部電極２０のうち最外層に位置する内部電極２０と当該内部電極２０に隣り合うセラミック素体１０の第１〜第２の主面１０ａ，１０ｂとの間隔は小さくなっている。通常、セラミック素体１０では、稜線部１２にはＲ加工やＣ加工等により面取りが施されるが、最外層に位置する内部電極２０と当該内部電極２０に隣り合う第１〜第２の主面１０ａ，１０ｂとの間隔が小さいと、稜線部１２に内部電極２０が露出する懼れがあることから、稜線部１２における面取りの度合いを少なく（例えば、稜線部１２のＲを小さく）せざるを得ない。このため、稜線部１２には、導電性ペーストがより一層付着し難くなっており、稜線部１２に導電性ペーストが付着しない可能性がある。
【００４７】
これに対して、本実施形態によれば、上述したように導電性ペースト４４が稜線部１２に付着し易くなるため、セラミック素体１０が稜線部１２における面取り度合いの少ないセラミック素体であっても、稜線部１２に導電性ペーストを確実に付着させることができる。
【００４８】
稜線部１２に付与された導電性ペースト４４の膜厚を厚くするために、稜線部１２のみに導電性ペーストを付与し乾燥させた後に、稜線部１２を含む上記所定の領域に導電性ペーストを付与することが考えられる。しかしながら、この場合、製造工程の増加や、先に付与した導電性ペーストの乾燥時間が必要となることによる工数の増加等から、生産性が悪化する問題がある。また、先に付与した導電性ペーストが乾燥して被膜が形成されることから、後に付与する導電性ペーストが先に付与した導電性ペーストに含まれるガラス粉末に接触し難く、後に付与する導電性ペーストを保持する保形性が乏しく、稜線部１２に付与された導電性ペースト４４の膜厚が厚くならない可能性がある。
【００４９】
本実施形態おいては、粘着剤４０を介してガラス粉末４２をセラミック素体１０に付着させている。上述したように、ガラス粉末４２は溶融し、第１の金属電極層３２の内側にガラス相と金属相とが混在した層を形成すると共に、セラミック素体１０の表面からセラミック素体１０内に拡散してセラミック素体１０表面にガラス拡散層を形成する。このため、セラミック素体１０に対する第１の金属電極層３２の固着強度が大きくなる。
【００５０】
ガラス粉末４２は、導電性ペースト４４に含まれているガラス粉末と同じ成分であるものが好ましい。この場合、セラミック素体１０や第１の金属電極層３２に拡散した場合でも、特性等に悪影響を及ぼすことはない。ガラス粉末４２は、例えば、Ｂｉ−Ｚｎ−Ｓｒ−Ｓｉ系ガラスを主成分とすることができる。また、ガラス粉末の平均粒径は、３〜８μｍの範囲にあることが好ましい。ガラス粉末４２は、上述したＢｉ−Ｚｎ−Ｓｒ−Ｓｉ系ガラス以外にも、例えば、Ｂｉ系ガラス、Ｂｉ含有−Ｚｎ系ガラス、Ｂｉ含有−Ｓｒ系ガラス、Ｂｉ含有−Ｓｉ系ガラス等を主成分とすることができる。
【００５１】
本実施形態においては、セラミック素体１０の上記所定の領域に粘着剤４０を付着させ、当該粘着剤４０に、ガラス粉末４２を付着させている。これにより、稜線部Ｒを含む上記所定の領域にガラス粉体４２を確実に付着させることができる。
【００５２】
以上、本発明の好適な実施形態について説明してきたが、本発明は必ずしも上述した実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変更が可能である。
【００５３】
本実施形態では、電子部品の一例として、積層型チップコンデンサ及びその製造方法を説明したが、セラミック素体を有する電子部品であれば、特に限定されるものではなく、例えば、積層チップバリスタ、積層アクチュエータ、又は積層チップインダクタ等にも適用できる。
【００５４】
本実施形態では、導電性ペーストに含まれる溶剤に対して濡れ性を有する粉体として、ガラス粉末４２を用いたが、これに限られることなく、樹脂材料、セラミック材料又は金属材料からなるものであってもよいが、セラミック素体１０に対する第１の金属電極層３２の固着強度を高めるという観点から、ガラス粉末４２が好ましい。また、セラミック材料からなる粉体を用いる場合は、セラミック素体１０を構成する誘電体セラミック材料であることが好ましい。
【００５５】
本実施形態では、セラミック素体１０の上記所定の領域に粘着剤４０を付着させ、当該粘着剤４０にガラス粉末４２を付着させているが、これに限られない。例えば、表面に粘着剤４０を付着させたガラス粉末４２を用意し、このガラス粉末４２をセラミック素体１０に付着させるようにしてもよい。また、導電性ペーストに含まれる溶剤に対して濡れ性を有する粉体として粘着性を有する材料を選択し、粉体をセラミック素体１０に直接付着させるようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】本実施形態に係る積層型チップコンデンサの斜視図である。
【図２】本実施形態に係る積層型チップコンデンサの断面構成を説明するための図である。
【図３】本実施形態に係る積層型チップコンデンサの製造過程を説明するためのフロー図である。
【図４】本実施形態に係る積層型チップコンデンサの製造過程を説明するための模式図である。
【図５】本実施形態に係る積層型チップコンデンサの製造過程を説明するための模式図である。
【図６】本実施形態に係る積層型チップコンデンサの製造過程を説明するための模式図である。
【符号の説明】
【００５７】
１…積層型チップコンデンサ、１０…セラミック素体、１２…稜線部、２０…内部電極、３０…外部電極、３２…第１の金属電極層、３４…第２の金属電極層、３６…第３の金属電極層、４０…粘着剤、４２…ガラス粉末、４４…導電性ペースト。
【図１】
2008251617.tif 000003
【図２】
2008251617.tif 000004
【図３】
2008251617.tif 000005
【図４】
2008251617.tif 000006
【図５】
2008251617.tif 000007
【図６】
2008251617.tif 000008