(57)【要約】【課題】スタンパーと被転写体の樹脂層との剥離性が良好であり、高精度な凹凸パターンを効率良く形成することができる凹凸パターン形成方法の提供。【解決手段】被転写体における基材上の樹脂層に、表面に凹凸パターンを有するスタンパー押し付けて該樹脂層に凹凸パターンを転写する際に、前記スタンパーにおける電鋳層の線膨張率をＡ（×１０−６／℃）とし、前記樹脂層における樹脂の線膨張率をＢ（×１０−６／℃）とすると、次式、Ｂ／Ａ≧５０を満たす凹凸パターン形成方法である。該電鋳層の線膨張率Ａ（×１０−６／℃）が２以下である態様が好ましい。【選択図】図４Ａ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被転写体における基材上の樹脂層に、表面に凹凸パターンを有するスタンパーを押し付けて該樹脂層に凹凸パターンを転写する凹凸パターン形成方法であって、
前記スタンパーにおける電鋳層の線膨張率をＡ（×１０−６／℃）とし、前記樹脂層における樹脂の線膨張率をＢ（×１０−６／℃）とすると、次式、Ｂ／Ａ≧５０を満たすことを特徴とする凹凸パターン形成方法。
【請求項２】
電鋳層の線膨張率Ａ（×１０−６／℃）が、２以下である請求項１に記載の凹凸パターン形成方法。
【請求項３】
電鋳層が少なくともＮｉを含有する請求項１から２のいずれかに記載の凹凸パターン形成方法。
【請求項４】
電鋳層が、ＦｅＮｉ合金からなる請求項１から３のいずれかに記載の凹凸パターン形成方法。
【請求項５】
ＦｅとＮｉの組成比率（Ｆｅ：Ｎｉ）が、原子％で３０：７０〜４０：６０である請求項４に記載の凹凸パターン形成方法。
【請求項６】
樹脂層における樹脂の線膨張率Ｂ（×１０−６／℃）が、５０〜１００である請求項１から５のいずれかに記載の凹凸パターン形成方法。
【請求項７】
ディスクリートトラック媒体、及びパターンド媒体のいずれかの製造に用いられる請求項１から６のいずれかに記載の凹凸パターン形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ディスクリートトラック媒体及びパターンド媒体の製造に好適な凹凸パターン形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、磁気記録媒体は、その記録層を構成する磁性粒子の微細化、材料の変更、ヘッド加工の微細化等の改良により著しい面記録密度の向上が図られており、今後も更なる面記録密度の向上が期待されている。
しかし、ヘッドの加工限界、磁界の広がりに起因する記録対象のトラックに隣り合う他のトラックへの誤った情報の記録、再生時のクロストークなどの問題が顕在化し、従来の改良手法による面記録密度の向上は限界にきている。そこで、一層の面記録密度の向上を実現可能である磁気記録媒体の候補として、トラック間で発生する磁気的相互作用を低減するための凹凸パターンもしくは磁性層を分断した構造を持つディスクリートトラック媒体やパターンド媒体が提案されている（特許文献１参照）。前記ディスクリートトラック媒体の場合、記録層はデータ領域においてトラックパターン形状で形成される。前記パターンド媒体の場合、記録層はビット等のパターン形状で形成される。また、前記ディスクリートトラック媒体及びパターンド媒体の場合、サーボ領域において記録層がサーボパターン形状で形成される。
【０００３】
このような磁気記録媒体における凹凸パターンを、ナノメートルサイズの凹凸パターンを形成したスタンパーを基材上の樹脂層に押し付けて該スタンパーの凹凸形状を樹脂層に転写することによって、基材上にナノメートルサイズの凹凸パターンを形成するナノインプリントリソグラフィ法（ナノメートルサイズの凹凸パターンを形成するインプリント方法：以下、「インプリント方法」と称することもある）で形成することが提案されている（特許文献２参照）。
【０００４】
しかし、前記インプリント法では、被転写体の樹脂層にスタンパーを押し付けて凹凸パターンを形成する際に、スタンパーの電鋳層と被転写体の樹脂層との密着力が高すぎると、剥離剤を用いても樹脂層からスタンパーを剥離することが困難となり、スタンパー表面に樹脂層の残渣が多く発生し、残渣の除去に手間がかかる。また、剥離時に、樹脂層に形成された凹凸パターンの変形や欠落が生じて高精度な凹凸パターンが形成できないという問題がある。
【０００５】
【特許文献１】特開２０００−１９５０４２号公報
【特許文献２】特開２００５−３５３１６４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、従来における前記諸問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、本発明は、スタンパーの電鋳層と被転写体の樹脂層との剥離性が良好であり、変形や欠落のない高精度な凹凸パターンを効率良く形成することができる凹凸パターン形成方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記課題を解決するための手段としては、以下の通りである。即ち、
＜１＞  被転写体における基材上の樹脂層に、表面に凹凸パターンを有するスタンパーを押し付けて該樹脂層に凹凸パターンを転写する凹凸パターン形成方法であって、
前記スタンパーにおける電鋳層の線膨張率をＡ（×１０−６／℃）とし、前記樹脂層における樹脂の線膨張率をＢ（×１０−６／℃）とすると、次式、Ｂ／Ａ≧５０を満たすことを特徴とする凹凸パターン形成方法である。
＜２＞  電鋳層の線膨張率Ａ（×１０−６／℃）が、２以下である前記＜１＞に記載の凹凸パターン形成方法である。
＜３＞  電鋳層が少なくともＮｉを含有する前記＜１＞から＜２＞のいずれかに記載の凹凸パターン形成方法である。
＜４＞  電鋳層が、ＦｅＮｉ合金からなる前記＜１＞から＜３＞のいずれかに記載の凹凸パターン形成方法である。
＜５＞  ＦｅとＮｉの組成比率（Ｆｅ：Ｎｉ）が、原子％で３０：７０〜４０：６０である前記＜４＞に記載の凹凸パターン形成方法である。
＜６＞  樹脂層における樹脂の線膨張率Ｂ（×１０−６／℃）が、５０〜１００である前記＜１＞から＜５＞のいずれかに記載の凹凸パターン形成方法である。
＜７＞  ディスクリートトラック媒体、及びパターンド媒体のいずれかの製造に用いられる前記＜１＞から＜６＞のいずれかに記載の凹凸パターン形成方法である。
＜８＞  前記＜１＞から＜７＞のいずれかに記載の凹凸パターン形成方法によりデータ記録用トラック及びサーボ情報の少なくともいずれかが記録されていることを特徴とする磁気記録媒体である。
【０００８】
本発明の凹凸パターン形成方法は、スタンパーにおける電鋳層の線膨張率をＡ（×１０−６／℃）とし、被転写体の樹脂層における樹脂の線膨張率をＢ（×１０−６／℃）とすると、次式、Ｂ／Ａ≧５０を満たすことにより、スタンパーの電鋳層と被転写体の樹脂層との線膨張率の差が大きくなり、剥離時（冷却時）の膨張差（変形差）が大きくなってスタンパーの電鋳層と被転写体の樹脂層との剥離性が向上し、変形や欠落のない高精度な凹凸パターンを効率良く形成することができる。本発明の凹凸パターン形成方法は、ディスクリートトラック媒体、及びパターンド媒体のいずれかの製造に好適に用いられる。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によると、従来における問題を解決することができ、スタンパーの電鋳層と被転写体の樹脂層との剥離性が良好であり、変形や欠落のない高精度な凹凸パターンを効率良く形成することができる凹凸パターン形成方法を提供することができる。
【００１０】
（凹凸パターン形成方法）
本発明の凹凸パターン形成方法は、被転写体における基材上に樹脂層を形成してなる被転写体における該樹脂層に、表面に凹凸パターンを有するスタンパーを当接させて該樹脂層に凹凸パターンを転写する工程を含み、更に必要に応じてその他の工程を含んでなる。
【００１１】
前記被転写体としては、基材上に凹凸パターンを形成可能な樹脂層を有すれば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、磁気記録媒体を製造するための磁性層を有する基板などが好適である。
【００１２】
本発明においては、前記スタンパーにおける電鋳層の線膨張率をＡ（×１０−６／℃）とし、前記樹脂層における樹脂の線膨張率をＢ（×１０−６／℃）とすると、次式、Ｂ／Ａ≧５０を満たす。なお、前記Ｂ／Ａの上限値は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
前記Ｂ／Ａが５０未満であると、剥離時に膨張差が小さくなるため、スタンパー／樹脂間での空隙が少なく、剥離剤の作用に強く依存するため、変形や残渣が生じやすいことがある。
ここで、前記線膨張率とは、線膨張係数ともいい、温度の上昇によって物体の長さが変化（膨張）する割合を１Ｋ（℃）当りで示した物性値であり、例えばエスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社製のＥＸＳＴＡＲ６０００  ＴＭＡなどを用いて測定することができる。
【００１３】
前記スタンパーにおける電鋳層の線膨張率Ａ（×１０−６／℃）は、材料により異なり一概には規定できないが、２以下が好ましい。前記線膨張率Ａ（×１０−６／℃）が２を超えると、樹脂との膨張差が小さくなることから、剥離時の変形や残渣が生じやすくなることがある。
以下に、前記電鋳層における代表的な材料の線膨張率Ａ（×１０−６／℃）を示す（温度１００〜２００℃）。
・Ｆｅ−３５％Ｎｉ：０．９〜１．５
・Ｎｉ：１２
・Ｃｕ：１６
・Ｃｒ：９
・Ｔａ：６．６
【００１４】
また、前記樹脂層における樹脂の線膨張率Ｂ（×１０−６／℃）は、材料により異なり一概には規定できないが、５０〜１００が好ましい。前記線膨張率Ｂ（×１０−６／℃）が５０未満であると、Ｂ／Ａ値が５０より小さくなる場合が多くなり、剥離性が低下してしまうことがあり、１００を超えると、剥離冷却後の寸法精度を制御することが困難となることがある。
以下に、前記樹脂層における代表的な材料の線膨張率Ｂ（×１０−６／℃）を示す（温度１００〜２００℃）。
・ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）樹脂：５０〜９０
・ポリスチレン樹脂：６０〜８０
・ポリエーテル樹脂：８４
・ポリカーボネート樹脂：６０
・ポリプロピレン樹脂：６０〜１００
・ポリエチレン樹脂：１１０〜１５０
【００１５】
＜スタンパー＞
前記スタンパーは、少なくとも電鋳層を有してなり、導電層、更に必要に応じてその他の層を有してなる。
前記スタンパーの表面には、データ記録用トラック及びサーボ情報の少なくともいずれかに対応した凹凸パターンが形成されている。
【００１６】
−電鋳層−
前記電極層としては、上記線膨張率の数値範囲を満たせば、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、前記構造としては単層構造であってもよいし、積層構造であってもよく、前記大きさとしては用途等に応じて適宜選択することができる。
前記電鋳層の材料としては、例えばＮｉ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｔａ、Ａｌ、Ｍｏ、Ｃｏ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕ等の各種金属、又はこれらの合金を用いることができる。これらの中でも、Ｎｉ合金が特に好ましい。
前記Ｎｉ合金としては、ＮｉＦｅ合金が好ましく、ＦｅとＮｉの組成比率（Ｆｅ：Ｎｉ）が、原子％で、３０：７０〜４０：６０が好ましく、３５：６５（Ｎｉ−３５％Ｆｅ）が特に好ましい。
前記電鋳層の形成方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、鍍金法、印刷法、スパッタリング法、ＣＶＤ法、蒸着法、などが挙げられるが、鍍金法が好ましく、後述するスタンパーの製造方法により形成することができる。
前記電鋳層の厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、１００〜３５０μｍが好ましく、１５０〜３００μｍがより好ましい。
【００１７】
−導電層−
前記導電層は、その材料、形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、前記構造としては単層構造であってもよいし、積層構造であってもよく、前記大きさとしては用途等に応じて適宜選択することができる。
前記材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、Ｎｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｆｅ、Ｒｕ、又はこれらの合金、などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
前記導電層の形成方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、メッキ法、印刷法、スパッタリング法、ＣＶＤ法、蒸着法、などにより形成することができる。
前記導電層の厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、５〜２００ｎｍが好ましく、７〜１５０ｎｍがより好ましい。
【００１８】
−その他の層−
前記スタンパーは、凹凸パターンの表面にフッ素系材料を含有する離型層を有することが、前記スタンパーを用いてナノインプリントする際の樹脂層との離型性を向上させることができる点から好ましい。また、前記電鋳層の凹凸パターン上には、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）、スパッタカーボン等の保護膜を設けることもできる。
【００１９】
ここで、前記スタンパーの具体例について、図面を参照しながら説明する。図１は、スタンパーの一例を示す部分斜視図であり、図２は図１のＡ−Ａ線に沿った概略断面図である。なお、図１及び図２において電鋳層以外の層の記載は省略している。
図１及び図２で示されるように、スタンパー１０の表面には、データ記録用トラック及びサーボ情報の少なくともいずれかに対応した微細な凹凸パターンＰを有する。この微細な凹凸パターンＰは、平面視で長方形であり、トラック方向（図の矢印方向）の長さｑと、半径方向の長さＬとからなる。この長さｑと長さＬとの最適値は、記録密度や記録信号波形により異なるが、例えば長さｑを８０ｎｍ、長さＬを２００ｎｍとすることができる。この微細な凹凸パターンＰはサーボ信号の場合は、半径方向に長く形成される。この場合、例えば半径方向の長さＬが０．０５〜２０μｍ、トラック方向（円周方向）の長さｑが０．０１〜５μｍであることが好ましい。この範囲で半径方向の方が長い凹凸パターンＰを選ぶことがサーボ信号を担持するパターンとして好ましい。凹凸パターンＰの高さｔ（突起の高さ）は、３０〜８００ｎｍの範囲が好ましく、５０〜３００ｎｍの範囲がより好ましい。
【００２０】
−スタンパーの製造方法−
前記スタンパーの製造方法は、電鋳工程と、剥離工程とを含み、更に必要に応じてその他の工程を含んでなる。
前記電鋳工程は、表面に凹凸パターンを形成した原版上に電鋳層からなる金属盤を電鋳により形成し、該金属盤面に前記凹凸パターンを転写する工程である。
前記剥離工程は、前記金属盤を前記原版上から剥離してスタンパーとする工程である。
前記剥離としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、導電層と電鋳層と原版との積層体に対してウェットエッチング処理を実行して原版を除去することで、金属盤を剥離する方法などが挙げられる。
【００２１】
ここで、図３Ａ〜図３Ｅは、前記スタンパーの製造方法を示す工程図である。
まず、図３Ａに示すように、表面が平滑かつ清浄なシリコンウエハによる基板１５（ガラス板、石英板でもよい）の上に、密着層形成等の前処理を行い、電子線レジスト液をスピンコート等で塗布してレジスト膜１６を形成し、ベーキングする。前記レジスト膜の材料としては、ポジ型レジスト材料及びネガ型レジスト材料のいずれであってもよい。
次に、図３Ｂに示すように、高精度な回転ステージ又はＸ−Ｙステージを備えた電子ビーム露光装置（不図示）にて、そのステージに搭載した基板１５にサーボ信号等に対応して変調した電子ビームを照射し、レジスト膜１６に所望の凹凸パターンＰ'を描画露光する。
【００２２】
次に、図３Ｃに示すように、レジスト膜１６を現像処理し、露光部分を除去して残ったレジスト膜１６によって所望の凹凸パターンＰ'を形成する。この凹凸パターンＰ'上に例えばスタッパリングにより導電層（不図示）を付与し、電鋳可能な原版１７を作製する。
【００２３】
次に、図３Ｃに示すように、原版１７の全面に電鋳装置（不図示）で電鋳処理を施し、所望厚み及び線膨張率を有する金属盤１８を形成する。
スタンパーにおける電鋳層に使用される金属がニッケル（Ｎｉ）である場合には、応力の小さなスタンパーが得られ易いスルファミン酸ニッケル浴を使用することが好ましい。このようなスルファミン酸ニッケル浴は、例えば、スルファミン酸ニッケルを４００〜８００ｇ／Ｌ、ホウ酸を２０〜５０ｇ／Ｌ（過飽和）をベースとして界面活性剤（例えばラウリル硫酸ナトリウム）等の添加物を必要に応じて添加したものである。メッキ浴の浴温度は４０〜６０℃が好適である。電鋳時の対極にはチタンケースに入れたニッケルボールを使用することが好ましい。
また、スタンパーにおける電鋳層に使用される金属がＦｅＮｉ合金である場合には、ＮｉＳＯ４・６Ｈ２Ｏを２４０〜２６０ｇ／Ｌ、ＮｉＣｌ２・６Ｈ２Ｏを３８〜４２ｇ／Ｌ、ＦｅＳＯ４・７Ｈ２Ｏを７４〜８２ｍｏｌ／Ｌをベースとしてホウ酸、マロン酸、サッカリンナトリウム等の添加物を必要に応じて添加したＦｅＮｉ浴が用いられる。メッキ浴の浴温度は４０〜６０℃が好適である。
【００２４】
次に、この金属盤１８を原版１７から剥離し、残留するレジスト膜１６を除去し、洗浄する。これにより、図３Ｄに示すように、反転した凹凸パターンＰを有し、かつ所定サイズに打ち抜く前の外径Ｄを有するスタンパーの原盤１１'が得られる。この原盤１１'を打ち抜いて、必要に応じて裏面を研磨して表面粗さ（Ｒａ）を１μｍ以下とし、図３Ｅに示す外径ｄの所定サイズのスタンパー１０が得られる。
前記その他の工程としては、例えば保護層形成工程などが含まれる。
【００２５】
なお、前記スタンパーの他の製造方法としては、原版１７に電鋳を施して第２原版を作製する。そして、この第２原版を使用して電鋳を行い、反転した凹凸パターンを有する金属盤を作製し、所定サイズに打ち抜いてスタンパーとしてもよい。更に、第２原版に電鋳を行うか、樹脂液を押しつけて硬化を行って第３原版を作製し、この第３原版に電鋳を行って金属盤を作製し、更に反転した凹凸パターンを有する金属盤を剥離してスタンパーとしてもよい。第２原版又は第３原版を繰り返し使用し、複数の金属盤１８を作製することができる。また、原版の作製において、レジスト膜を露光し、現像処理した後、エッチング処理を行って、原版の表面にエッチングによる凹凸パターンを形成してからレジスト膜を除去してもよい。
以上のようにして作製されたスタンパーは、電鋳層の線膨張率Ａ（×１０−６／℃）が２０以下（好ましくは２以下）であり、高温時の寸法精度が高く、高精度な凹凸パターンの形成が可能であり、特に、以下に示す被転写体の樹脂層に凹凸パターンを転写するのに好適に用いられる。
【００２６】
＜被転写体＞
前記被転写体は、基板と、樹脂層とを少なくとも有してなり、更に必要に応じてその他の層を有してなる。
【００２７】
−基板−
前記樹脂層が形成される基板としては、その形状、構造、大きさ等については、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、前記形状としては、例えば平板状などが挙げられ、前記構造としては、単層構造であってもよいし、積層構造であってもよく、前記大きさとしては、前記電極層の大きさ等に応じて適宜選択することができる。
前記基板としては、例えば、ガラス基板、石英基板、シリコン基板、ＳｉＯ２膜被覆シリコン基板、ポリエチレンテレフタレート基板、ポリカーボネート基板、ポリスチレン基板、ポリメチルメタクリレート基板等のポリマー基板、アルミニウム基板にＮｉＰ（ニッケルリン）メッキした基板などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。これらの中でも、ガラス基板、石英基板、シリコン基板が特に好ましい。
【００２８】
前記基板は、適宜合成したものであってもよいし、市販品を使用してもよい。
前記基板の厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、１００μｍ以上が好ましく、５００μｍ以上がより好ましい。前記基板の厚みが１００μｍ未満であると、基板の撓みにより密着性が低下することがある。
【００２９】
−樹脂層−
前記樹脂層は、上記線膨張率の数値範囲を満たせば、その材料、形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、前記構造としては単層構造であってもよいし、積層構造であってもよく、前記大きさとしては用途等に応じて適宜選択することができる。前記樹脂層の厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
前記樹脂層における材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えばアクリル系樹脂、ポリスチレン系樹脂、フェノール系樹脂、ノボラック系樹脂、などが挙げられる。これらの中でも、アクリル系樹脂が特に好ましい。
前記樹脂層には、必要に応じて剥離剤を添加することができる。該剥離剤としては、例えばシランカップリング剤などが挙げられる。該シランカップリング剤としては、末端基に気相反応によりＣＦ３を付加したものが好ましい。
前記樹脂層の形成方法としては、特に制限はなく、目的に応じて公知の塗布方法の中から適宜選択することができ、例えば、スピンコート法などが好適に挙げられる。
【００３０】
−磁性層−
前記被転写体が磁気記録媒体である場合には、更に被転写体は磁性層を有する。
前記磁性層の材料としては、特に制限はなく、目的に応じて公知のものの中から適宜選択することができるが、例えば、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、ＦｅＣｏ、ＦｅＮｉ、ＣｏＮｉ、ＣｏＮｉＰ、ＦｅＰｔ、ＣｏＰｔ、ＮｉＰｔ、ＣｏＰｔＣｒ−ＳｉＯ２、ＣｏＰｔＣｒ−ＴｉＯ２などが好適に挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
前記磁性層の形成方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、鍍金法、印刷法、スパッタリング法、ＣＶＤ法、蒸着法、などが挙げられる。
前記磁性層の厚みは、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、５〜２００ｎｍが好ましく、５〜１００μｍがより好ましい。
このように磁性層を形成した基板上に樹脂組成物をスピンコートして磁性層上に樹脂層を形成することにより被転写体が作製される。
【００３１】
ここで、前記スタンパーをディスクリートトラック媒体用スタンパーとして用いた場合における、前記被転写体としての磁気記録媒体の製造方法（インプリント法）について説明する。
【００３２】
図４Ａ〜図４Ｅは、インプリント法による磁気記録媒体の製造方法を説明するための断面模式図である。
まず、図４Ａに示すように、スピンコート法等により、表面に磁性層７２を具備した磁気記録媒体基板７１上に樹脂層７３を形成した後、この樹脂層７３にスタンパー５０を押し付けて凹凸形状を転写する。この際、樹脂層を構成している樹脂のガラス転移温度よりも高温に加熱処理することにより、樹脂層が軟化して容易に変形可能な状態となる。
すると、図４Ｂに示すように、樹脂層７３表面に本発明のスタンパー５０の凹凸形状が転写される。このとき、樹脂層７３の凹部底にはレジスト残渣が生じている。
次に、図４Ｃに示すように、反応性イオンエッチングにより、樹脂層凹部底の樹脂残渣を除去し、磁性層７２を露出させる。
次に、図４Ｄに示すように、Ａｒ等のイオンミリングを用いて、樹脂層７３の凹凸形状をマスクとし、磁性層露出部を凹部について基板垂直方向に切削する。
次に、図４Ｅに示すように、磁性層７２凸部上の樹脂層７３を除去することにより、凹凸パターンを有するディスクリート型の磁気記録媒体７０を得る。前記磁性層の凹部をＳｉＯ２、カーボン、アルミナ；ポリメタアクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）、ポリスチレン（ＰＳ）等のポリマー、又は円滑油等の非磁性材料で埋めてもよい。
次に、表面を平坦化する。平坦化した表面にＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）等で保護膜を形成し、最後に潤滑剤を塗布する。これにより、磁気記録媒体が作製される。
【００３３】
本発明のパターン形成方法によれば、スタンパーにおける電鋳層の線膨張率をＡ（×１０−６／℃）とし、被転写体の樹脂層における樹脂の線膨張率をＢ（×１０−６／℃）とすると、次式、Ｂ／Ａ≧５０を満たすことにより、スタンパーの電鋳層と被転写体の樹脂層との剥離性が向上し、変形や欠落のない高精度な凹凸パターンを効率良く形成することができる。
【実施例】
【００３４】
以下、本発明の実施例について説明するが、本発明は下記実施例に何ら限定されるものではない。
【００３５】
（比較例１）
−スタンパーの作製−
図３Ａに示すように、表面が平滑かつ清浄なシリコンウエハによる原板１５（ガラス板）上に、電子線レジスト液をスピンコート法で塗布してレジスト膜１６を形成し、ベーキングした。そして、高精度な回転ステージ又はＸ−Ｙステージを備えた電子ビーム露光装置（不図示）にて、そのステージに搭載した原板１５にサーボ信号等に対応して変調した電子ビームＢを照射し、レジスト膜１６に所望の凹凸パターンＰ'を描画露光した。
【００３６】
次に、図３Ｂに示すように、レジスト膜１６を現像処理し、露光部分を除去して残ったレジスト膜１６によって所望の凹凸パターンＰ'を形成した。この凹凸パターンＰ'上にスタッパリングによりＮｉ導電膜（不図示）を付与し、電鋳可能な原版１７を作製した。
【００３７】
次に、図３Ｃに示すように、Ｎｉ導電層が付与された原版１７を、下記組成のＮｉ電鋳浴に浸漬させて５０〜１５０ｒｐｍの回転速度で回転させながら電流密度６Ａ／ｄｍ２で２５０分間電鋳して、厚み３００μｍのＮｉ金属盤を形成した。
−Ｎｉ電鋳浴組成及び温度−
・スルファミン酸ニッケル・・・６００ｇ／Ｌ
・ホウ酸・・・４０ｇ／Ｌ
・界面活性剤（ラウリル硫酸ナトリウム）・・・０．１５ｇ／Ｌ
・ｐＨ＝４．０
・温度＝５５℃
【００３８】
その後、このＮｉ金属盤を原版１７から剥離し、残留するレジスト膜１６を除去し、洗浄した。これにより、図３Ｄに示すように、反転した凹凸パターンＰを有し、かつ所定サイズに打ち抜く前の外径Ｄを有する原盤１１’が得られる。この原盤１１’を打ち抜いて、裏面を研磨して表面粗さ（Ｒａ）１μｍ以下とし、図３Ｅに示す２．５インチサイズ（ディスク外径６５ｍｍ、内径２４ｍｍ）のスタンパー１０を作製した。
【００３９】
−凹凸パターンの形成−
得られたスタンパー１０を用いて、以下のようにして凹凸パターンを形成した。
下記組成の樹脂組成物をスピンコート法により、基板上に塗布し、乾燥させて、厚み０．０５μｍの樹脂層を形成した。次に、この樹脂層にスタンパー１０を押し付けて凹凸形状を転写した。この際、樹脂層を構成している樹脂のガラス転移温度よりも高温に加熱処理（１２０℃）した。
すると、樹脂層表面にスタンパーの凹凸形状が転写された。このとき、樹脂層の凹部底には樹脂残渣が生じている。次に、反応性イオンエッチングにより、樹脂層の凹部底の樹脂残渣を除去し、基板を露出させた。
−樹脂組成物の組成−
・樹脂（ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）、線膨張率６０×１０−６／℃、ガラス転移温度１１０℃）・・・３質量％
・溶剤（イソプロピルアルコール（ＩＰＡ））・・・９７質量％
【００４０】
（実施例１）
比較例１において、Ｎｉ電鋳浴の代わりに下記組成及び温度条件のＦｅ−３５％Ｎｉ電鋳浴を用い、電流密度４Ａ／ｄｍ２で２７０分間電鋳処理して厚み３００μｍのＮｉ−Ｆｅ金属盤を形成した以外は、比較例１と同様にして、実施例１のスタンパーを作製した。
得られた実施例１のスタンパーを用い、比較例１と同様にして樹脂層に凹凸パターン形成を行った。
−Ｆｅ−３５％Ｎｉ電鋳浴組成及び温度−
・ＮｉＳＯ４・６Ｈ２Ｏ・・・２５０ｇ／Ｌ（０．９５ｍｏｌ／Ｌ）
・ＮｉＣｌ２・６Ｈ２Ｏ・・・４０ｇ／Ｌ（０．１７ｍｏｌ／Ｌ）
・ホウ酸・・・３０ｇ／Ｌ（０．４９ｍｏｌ／Ｌ）
・マロン酸・・・０．０５ｍｏｌ／Ｌ
・サッカリンナトリウム（Ｃ７Ｈ４ＮＮａＯ３Ｓ／２Ｈ２Ｏ）・・・２ｇ／Ｌ（０．００８ｍｏｌ／Ｌ）
・ＦｅＳＯ４・７Ｈ２Ｏ・・・０．２８ｍｏｌ／Ｌ
・ｐＨ＝２．０
・温度＝５０℃
【００４１】
次に、比較例１及び実施例１について、以下のようにして、スタンパーの電鋳層及び樹脂層の線膨張率、パターン精度、及び凹凸パターンの形状、変形、欠落、剥離性を評価した。結果を表１に示す。
【００４２】
＜線膨張率の測定＞
スタンパーの電鋳層及び樹脂層の線膨張率は、エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社製のＥＸＳＴＡＲ６０００  ＴＭＡを用いて測定した。
【００４３】
＜パターン精度の評価方法＞
以下のようにして、パターン精度を評価した。
スタンパーの凹凸パターン上にスパッタリング法により厚み５０ｎｍの磁性層を形成した。このスタンパーを垂直記録媒体に密着させて、５０℃に加熱した状態で、垂直記録媒体の保磁力Ｈｃ以上の外部磁界を印加して凹凸パターンを磁気的に転写した。転写した信号のＰ１８  Ｐｏｓｉｔｉｏｎ  Ｅｒｒｏｒ  Ｓｉｇｎａｌ（ＰＥＳ）値をアイメックス社製Ｂｉｔｆｉｎｄｅｒ  ＹＳにより算出することで、垂直記録媒体に形成された凹凸パターンの精度を検証した。なお、算出されたＰＥＳ値の一次成分をチャッキングの偏心を排除し、ＰＥＳ値とした。合わせて下記基準によりパターン精度を評価した。
〔評価基準〕
◎：極めて良好
○：良好
△：やや劣る
×：劣る
【００４４】
＜凹凸パターンの形状、変形、欠落、剥離性の評価＞
ハロゲン光を照射して２．５インチのスタンパー全面を観察し、輝点位置をマークし、該マーク位置のＳＥＭ写真の観察により樹脂層に形成された凹凸パターンの形状、変形、欠落、剥離の有無について、下記基準により評価した。なお、ＳＥＭ写真の観察にてパターン上に付着しているのが有機物のみであれば剥離性の問題であるとし、パターン外又はパターン上に金属を含みものについては外乱によるものと判断した。また、輝点数が多いことはパターン欠陥が多く存在していることを意味し、ディスクリート化時のパターン形成状態が不均一になり、記録状態が不安定になるため、結果的にエラーレートが悪化した。
〔評価基準〕
◎：変形、欠落、剥離のない高精細な凹凸パターンである
○：変形、欠落、剥離のない凹凸パターンである
△：凹凸パターンの一部に変形や剥離がみられた
×：凹凸パターンに変形、欠落、剥離が多くみられた
【００４５】
【表１】
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＊Ｂ／Ａ：スタンパーにおける電鋳層の線膨張率をＡ（×１０−６／℃）とし、樹脂層における樹脂の線膨張率をＢ（×１０−６／℃）としたときの、両者の比である。
【産業上の利用可能性】
【００４６】
本発明の凹凸パターン形成方法は、ディスクリートトラックメディア、パターンドメディア等の凹凸パターンの記録層を有する磁気記録媒体、凹凸パターンの連続した記録層を有するパームタイプの磁気記録媒体、光磁気記録媒体、光記録媒体、ハードディスク、各種半導体製品の製造に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】図１は、本発明で用いられるスタンパーの一例を示す部分斜視図である。
【図２】図２は、図１のＡ−Ａ線に沿ったスタンパーの概略断面図である。
【図３Ａ】図３Ａは、スタンパーの製造方法における、基板上にレジスト膜を形成し、ベーキングを行う工程を示す図である。
【図３Ｂ】図３Ｂは、スタンパーの製造方法における、露光工程を示す図である。
【図３Ｃ】図３Ｃは、スタンパーの製造方法における、凹凸パターン形成工程を示す図である。
【図３Ｄ】図３Ｄは、スタンパーの製造方法における、金属盤を原版から剥離する工程を示す図である。
【図３Ｅ】図３Ｅは、スタンパーの製造方法における、金属盤を打ち抜いて所定サイズのモールドを作製する工程を示す図である。
【図４Ａ】図４Ａは、磁気記録媒体の製造方法における、基板上にレジスト層を形成する工程を示す断面模式図である。
【図４Ｂ】図４Ｂは、磁気記録媒体の製造方法における、スタンパーによる転写工程を示す断面模式図である。
【図４Ｃ】図４Ｃは、磁気記録媒体の製造方法における、反応性イオンエッチング工程を示す断面模式図である。
【図４Ｄ】図４Ｄは、磁気記録媒体の製造方法における、磁性層の切削工程を示す断面模式図である。
【図４Ｅ】図４Ｅは、磁気記録媒体の製造方法における、磁性層上のレジスト層を除去して凹凸パターンを有する磁気記録媒体を作製する工程を示す断面模式図である。
【符号の説明】
【００４８】
１０      スタンパー
１１      電鋳層
１２      磁性層
１５      基板
１６      レジスト層
１７      原版
１８      金属盤
５０      スタンパー
７０      磁気記録媒体
７１      基板
７２      磁性層
７３      樹脂層
Ｐ      凹凸パターン
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図３Ｄ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図４Ｄ】
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【図４Ｅ】
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【図３Ｅ】
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