(57)【要約】【課題】幅広い用途に適応することが可能な液晶表示装置を提供すること。【解決手段】コンタクトホール４４が樹脂層４５の表示領域９に、ダミーコンタクトホール周辺見切り領域８に設けられているので、周辺見切り領域８においても表示領域９と同様に光がコンタクトホール４４、ダミーコンタクトホールを透過し、少なくともバックライトユニット３によって反射されることになり、サブ画素１０の輝度を向上させることになる。このように、周辺見切り領域８が表示領域９に比べて暗く見える一因を解消することができるので、周辺見切り領域８の外観を表示領域９の外観に近づけることができ、幅広い用途に適応することが可能な液晶表示装置１を得ることができる。【選択図】図２
2008216620.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の基板が液晶層を挟持するように対向配置されてなり、画像を表示する表示面を有
し、前記画像を表示する表示領域と前記表示領域の周辺に設けられた周辺領域とに亘って
複数のサブ画素が平面視でマトリクス状に配列された液晶パネルと、前記液晶パネルの前
記表示面とは反対面側に設けられ、前記液晶パネルに光を照射するバックライトユニット
とを具備する液晶表示装置であって、
前記一対の基板の前記バックライトユニット側の基板上のうち前記表示領域及び前記周
辺領域を含む領域に設けられ、表面が凹凸状の絶縁性の光散乱層と、前記光散乱層上のう
ち前記複数のサブ画素内に設けられた反射層と、前記周辺領域の前記サブ画素内に設けら
れ前記光散乱層を貫通するダミーコンタクトホールとを具備することを特徴とする液晶表
示装置。
【請求項２】
前記表示領域の各サブ画素には画素電極に信号を供給するスイッチング素子が配置され
、前記光散乱層には前記スイッチング素子と前記画素電極とを電気的に接続するためのコ
ンタクトホールが形成され、各サブ画素を平面視したときに前記コンタクトホールと前記
ダミーコンタクトホールが同じ位置に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の
液晶表示装置。
【請求項３】
前記周辺領域では、前記バックライトユニット側の基板上に配線が設けられており、前
記光散乱層が前記配線を覆うように設けられており、少なくとも前記ダミーコンタクトホ
ールの設けられた領域内には前記配線と前記光散乱層との間に絶縁層が設けられているこ
とを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記絶縁層の前記液晶層側が平坦になっており、前記光散乱層が、前記絶縁層の前記液
晶層側に直接設けられていることを特徴とする請求項３に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記絶縁層が、前記周辺領域のほぼ全面に設けられていることを特徴とする請求項３又
は請求項４に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
一対の基板が液晶層を挟持するように対向配置されてなり、画像を表示する表示面を有
し、前記画像を表示する表示領域と前記表示領域の周辺に設けられた周辺領域とに亘って
複数のサブ画素が平面視でマトリクス状に配列された液晶表示装置であって、
前記複数のサブ画素が、前記表示面からの光を反射して表示するものであり、前記一対
の基板上のうち前記表示領域及び前記周辺領域を含む領域に設けられ、表面が凹凸状の絶
縁性の光散乱層と、前記光散乱層上のうち前記複数のサブ画素内に設けられた反射層と、
前記周辺領域の前記サブ画素内に設けられ前記光散乱層を貫通するダミーコンタクトホー
ルとを具備することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項７】
前記表示領域の各サブ画素には画素電極に信号を供給するスイッチング素子が配置され
、前記光散乱層には前記スイッチング素子と前記画素電極とを電気的に接続するためのコ
ンタクトホールが形成され、各サブ画素を平面視したときに前記コンタクトホールと前記
ダミーコンタクトホールが同じ位置に形成されていることを特徴とする請求項６に記載の
液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１などに示される液晶表示装置は、例えば電子機器などの表示部として広く用
いられている。一般に液晶表示装置は、液晶パネルと当該液晶パネルに光を照射するバッ
クライトユニットとを有している。液晶パネルは、対向配置された一対の基板に液晶層が
挟持された構成になっており、当該一対の基板にはサブ画素が配列されている。このサブ
画素は、画像を表示する表示領域及び当該表示領域の周辺領域（周辺見切り領域）に設け
られている。電子機器の表示部は、通常この表示領域と周辺見切り領域とが見えるように
設けられている。
【０００３】
表示領域に設けられたサブ画素には遮光部は設けられておらず、表示光を射出可能とな
っている。一方、周辺見切り領域に設けられたサブ画素（ダミー画素）には、光を透過し
ないようにサブ画素全体に遮光部が設けられている。表示領域に設けられたサブ画素にお
いては、液晶表示装置の表示面に入射する光の一部が当該サブ画素内から装置内部に進行
し、バックライトユニットの光学シートや拡散板などによって反射されて外部に射出され
る。これに対して周辺見切り領域では、表示面に入射する光は遮光部によって吸収される
。このため、例えば液晶表示装置の電源をオフにしたときには、表示領域の周囲が暗く視
認される外観になる。
【０００４】
近年ではデザイン性の高い電子機器が求められている。例えば、表示部をできるだけ広
く見せることによってデザイン性の向上を図ろうとする提案がなされている。特に、表示
領域と周辺見切り領域とが同様の外観となるような表示部をできるだけ広く見せられる用
途にも適応が可能な液晶表示装置が求められている。  
【特許文献１】特開平１１−２９５７１７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、通常の液晶表示装置は、周辺見切り領域が暗く見えるため、表示部を広
く見せる上での妨げになってしまう。このため、表示部をできるだけ広く見せるような用
途に適応できない。  
以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、表示部をできるだけ広く見せられる用途に
適応することが可能な液晶表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するため、本発明に係る液晶表示装置は、一対の基板が液晶層を挟持す
るように対向配置されてなり、画像を表示する表示面を有し、前記画像を表示する表示領
域と前記表示領域の周辺に設けられた周辺領域とに亘って複数のサブ画素が平面視でマト
リクス状に配列された液晶パネルと、前記液晶パネルの前記表示面とは反対面側に設けら
れ、前記液晶パネルに光を照射するバックライトユニットとを具備する液晶表示装置であ
って、前記一対の基板の前記バックライトユニット側の基板上のうち前記表示領域及び前
記周辺領域を含む領域に設けられ、表面が凹凸状の絶縁性の光散乱層と、前記光散乱層上
のうち前記複数のサブ画素内に設けられた反射層と、前記周辺領域の前記サブ画素内に設
けられ前記光散乱層を貫通するダミーコンタクトホールとを具備することを特徴とする。
従来、液晶表示装置の表示領域にのみコンタクトホールが設けられており、このコンタ
クトホールを光が透過しバックライトユニットで反射されることによって、サブ画素の輝
度を向上させるという現象が起こっていた。この現象は、コンタクトホールの設けられて
いない周辺領域がコンタクトホールの設けられている表示領域に比べて暗く見える一因と
なっていた。  
本発明によれば、一対の基板のバックライトユニット側の基板上のうち表示領域及び周
辺領域を含む領域にバックライトユニットからの光を散乱する光散乱層が設けられており
、この光散乱層上のうち複数のサブ画素内に画素電極が設けられており、表示領域にはコ
ンタクトホールが、周辺領域にはダミーコンタクトホールが光散乱層を貫通するように設
けられているため、周辺領域においても光がダミーコンタクトホールを透過し、少なくと
もバックライトユニットによって反射されることになり、サブ画素の輝度を向上させるこ
とになる。このように、周辺領域が表示領域に比べて暗く見える一因を解消することがで
きるので、周辺領域の外観を表示領域の外観に近づけることができ、表示部をできるだけ
広く見せられる用途に適応することが可能な液晶表示装置を得ることができる。
【０００７】
上記液晶表示装置は、前記表示領域の各サブ画素には画素電極に信号を供給するスイッ
チング素子が配置され、前記光散乱層には前記スイッチング素子と前記画素電極とを電気
的に接続するためのコンタクトホールが形成され、各サブ画素を平面視したときに前記コ
ンタクトホールと前記ダミーコンタクトホールが同じ位置に形成されていることを特徴と
する。  
本発明によれは、前記コンタクトホールと前記ダミーコンタクトホールが同じ位置に形
成されていることにより、表示領域と周辺領域の外観を近づけることができる。
【０００８】
上記の液晶表示装置は、前記周辺領域では、前記バックライトユニット側の基板上に配
線が設けられており、前記光散乱層が前記配線を覆うように設けられており、少なくとも
前記ダミーコンタクトホールの設けられた領域内には前記配線と前記光散乱層との間に絶
縁層が設けられていることを特徴とする。  
本発明によれば、周辺領域では、バックライトユニット側の基板上に配線が設けられて
おり、光散乱層がこの配線を覆うように設けられており、少なくともダミーコンタクトホ
ールの設けられた領域内には上記配線と上記光散乱層との間に絶縁層が設けられているこ
ととしたので、ダミーコンタクトホールと配線との間を電気的に遮断することができる。
これにより、ダミーコンタクトホールと配線との間に電界が印加されてしまうのを回避す
ることができるので、液晶表示装置の安定駆動を図ることができる。
【０００９】
上記の液晶表示装置は、前記絶縁層の前記液晶層側が平坦になっており、前記光散乱層
が、前記絶縁層の前記液晶層側に直接設けられていることを特徴とする。  
本発明によれば、絶縁層の液晶層側が平坦になっており、光散乱層が当該絶縁層の液晶
層側に直接設けられていることとしたので、周辺領域においては光散乱層を形成する土台
が平坦になる。このため、光散乱層を容易に形成することができ、また、光散乱層の層厚
を容易に均一にすることができる。
【００１０】
上記の液晶表示装置は、前記絶縁層が、前記周辺領域のほぼ全面に設けられていること
を特徴とする。  
本発明によれば、絶縁層が周辺領域のほぼ全面に設けられているので、周辺領域に設け
られたダミーコンタクトホールと配線との間をより確実に電気的に遮断することが可能と
なる。これにより、ダミーコンタクトホールと配線との間に電圧が印加されてしまうのを
一層確実に回避することができる。
【００１１】
本発明に係る液晶表示装置は、一対の基板が液晶層を挟持するように対向配置されてな
り、画像を表示する表示面を有し、前記画像を表示する表示領域と前記表示領域の周辺に
設けられた周辺領域とに亘って複数のサブ画素が平面視でマトリクス状に配列された液晶
表示装置であって、前記複数のサブ画素が、前記表示面からの光を反射して表示するもの
であり、前記一対の基板上のうち前記表示領域及び前記周辺領域を含む領域に設けられ、
表面が凹凸状の絶縁性の光散乱層と、前記光散乱層上のうち前記複数のサブ画素内に設け
られた反射層と、前記周辺領域の前記サブ画素内に設けられ前記光散乱層を貫通するダミ
ーコンタクトホールとを具備することを特徴とする。  
本発明は、複数のサブ画素が表示面からの光を反射して表示する、いわゆる反射型の液
晶表示装置であっても適用可能である。本発明によれば、上記液晶表示装置と同様に、周
辺領域にもコンタクトホールが設けられているので、周辺領域においても光がダミーコン
タクトホールを透過し、サブ画素内で反射されることになり、サブ画素の輝度を向上させ
ることになる。このように、周辺領域が表示領域に比べて暗く見える一因を解消すること
ができるので、周辺領域の外観を表示領域の外観に近づけることができ、表示部をできる
だけ広く見せられる用途に適応することが可能な液晶表示装置を得ることができる。
【００１２】
本発明に係る液晶表示装置は、前記表示領域の各サブ画素には画素電極に信号を供給す
るスイッチング素子が配置され、前記光散乱層には前記スイッチング素子と前記画素電極
とを電気的に接続するためのコンタクトホールが形成され、各サブ画素を平面視したとき
に前記コンタクトホールと前記ダミーコンタクトホールが同じ位置に形成されていること
を特徴とする。  
本発明によれは、反射型の液晶表示装置においても、前記コンタクトホールと前記ダミ
ーコンタクトホールが同じ位置に形成されていることにより、表示領域と周辺領域の外観
を近づけることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
本発明の実施の形態を図面に基づき説明する。以下の図では、各部材を認識可能な大き
さとするため、縮尺を適宜変更している。  
図１は、液晶表示装置１の全体構成を示す図である。本実施形態では、スイッチング素
子に薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor、以下ＴＦＴという）素子を用いたアクテ
ィブマトリクス方式の半透過反射型液晶表示装置を例に挙げて説明する。
【００１４】
図１に示すように、液晶表示装置１は、液晶パネル２と、バックライトユニット３と、
フレキシブル基板Ｆとを主体として構成されている。液晶パネル２とバックライトユニッ
ト３とは平面視で重なるように配置されており、図１では液晶パネル２のみが示されてい
る。フレキシブル基板Ｆには電源回路等が接続されている。
【００１５】
液晶パネル２は、一対の基板、具体的にはＴＦＴアレイ基板４とカラーフィルタ基板５
とがシール材７によって貼り合わされると共に、このシール材７によって区画された領域
内に液晶層６が封入された構成になっている。シール材７の一部には液晶を注入する注入
口７ａが設けられている。注入口７ａは封止材７ｂにより封止されている。シール材７の
内側の領域には、周辺見切り領域（周辺領域）８が設けられている。周辺見切り領域８の
内側の領域は、画像や動画等を表示する表示領域９になっている。周辺見切り領域８及び
表示領域９には、複数のサブ画素１０がマトリクス状に設けられている。周辺見切り領域
８に設けられたサブ画素１０はダミー画素であり、表示領域９に設けられたサブ画素１０
は表示用のサブ画素である。
【００１６】
本実施形態では、図中左右方向に隣接する３つのサブ画素１０が１組になって１つの画
素を構成している。この１画素を構成する３つのサブ画素１０は、それぞれ赤色光を表示
する赤色サブ画素、緑色光を表示する緑色サブ画素、青色光を表示する青色サブ画素であ
る。この１画素の構成は、周辺見切り領域８と表示領域９とにおいて同様である。サブ画
素１０の間の領域は画素間領域１１である。
【００１７】
ＴＦＴアレイ基板４の周縁部は、カラーフィルタ基板５から張り出した張出領域になっ
ている。この張出領域のうち図中左辺側及び右辺側には、走査信号を生成する走査線駆動
回路１２が形成されている図中下辺側には、データ信号を生成するデータ線駆動回路１３
と、フレキシブル基板Ｆに形成された電源回路等に接続するための接続端子１５とが形成
されている。走査線駆動回路１２と接続端子１５との間の領域には、両者を接続する配線
１６が形成されている。カラーフィルタ基板５の各角部には、ＴＦＴアレイ基板４とカラ
ーフィルタ基板５との間で電気的に接続するための基板間導通材１７が設けられている。
【００１８】
図２は、図１のＡ−Ａ断面に沿った構成を示す図である。図３は、周辺見切り領域８内
の１つのサブ画素１０の平面構成を示す図である。図４は、液晶パネル２の構成を概略的
に示す平面図である。  
図２に示すように、ＴＦＴアレイ基板４は、基材４ａと、配線４１と、絶縁層４２と、
樹脂層（光散乱層）４３、４５と、スイッチング素子４７と、画素電極４８と、配向膜４
６と、偏光板４９とを主体として構成されている。
【００１９】
基材４ａは、例えばガラスや石英等の透光性の高い材料から形成されている。配線４１
は、スイッチング素子４７に接続されるデータ線や走査線のうちいずれか一方が引き回さ
れたものであり、基材４ａ上のうち周辺見切り領域８内に１層設けられている。スイッチ
ング素子４７は、例えば薄膜トランジスタからなる素子であり、基材４ａ上のうち表示領
域９内の画素電極４８に一対一で対応するように配置されている。スイッチング素子４７
には、図示しない走査線やデータ線に接続されており、この走査線とデータ線とが表示領
域９内の異なる層に２層構造となるように設けられている。
【００２０】
樹脂層４３、４５は、例えばアクリルなどの光透過可能な樹脂からなり、配線４１及び
スイッチング素子４７を覆うように設けられている。この樹脂層４３、４５は、光が散乱
するように表面に凹凸が設けられた構成になっている。樹脂層４５は、表示領域９から周
辺見切り領域８にかけて段差が形成されており、周辺見切り領域８に設けられた部分の層
厚が表示領域９に設けられた部分の層厚に比べて薄くなっている。
【００２１】
画素電極４８は、樹脂層４３、４５上のうち周辺見切り領域８及び表示領域９のサブ画
素１０に平面視で重なる領域に配置されており、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の
透明な導電材料からなる。表示領域９では、画素電極４８とスイッチング素子４７とを電
気的に接続するために、樹脂層４５にコンタクトホール４４が形成されている。つまり、
スイッチング素子４７の電極の一部が露出するように樹脂層４５を貫通するコンタクトホ
ール４４が形成され、このコンタクトホール４４を介して画素電極４８がスイッチング素
子４７と接触している。周辺見切り領域８のサブ画素にはスイッチング素子は存在しない
。しかし、周辺見切り領域８のサブ画素内にも表示領域９のサブ画素のコンタクトホール
４４と平面視で同じ位置に樹脂層４３を貫通するダミーコンタクトホール４４’が形成さ
れている。コンタクトホール４４もダミーコンタクトホール４４’も同じ樹脂膜４３、４
５を貫通する孔なので、同一工程で形成される。また、コンタクトホール４４とダミーコ
ンタクトホール４４’の形状、大きさ、サブ画素内の位置を同じにすることで、表示領域
９内と周辺見切り領域９でコンタクトホール４４及びダミーコンタクトホール４４’によ
る表示への影響を同じにすることができる。このダミーコンタクトホール４４’内にも画
素電極４８が介在するが、ダミーコンタクトホール４４’の下にはスイッチング素子が存
在しないため、画素電極４８はダミーコンタクトホール４４’を介して他の導体と接触す
るものではない。図３に示すように、コンタクトホール４４は、平面視でサブ画素１０の
長手方向（図３の上下方向）の一端に配置されている。
【００２２】
絶縁層４２は、例えばアクリル、エポキシなどの樹脂材料や無機材料等の絶縁材料から
なる層である。この絶縁層４２は、表示領域９内の走査線の層及びデータ線の層のうち上
層部分に、二層に積層または一層で厚膜に設けられている。絶縁層４２のうち液晶層６側
の面４２ａは平坦になっている。絶縁層４２の面４２ａを平坦に形成するには、例えば樹
脂材料の場合にはスピンコート法などによって形成する。絶縁層４２の面４２ａ上には樹
脂層４５が直接設けられている。絶縁層４２の面４２ａを平坦にすることにより、絶縁層
４２を形成した後で当該絶縁層４２を土台にして樹脂層４５を形成することができるよう
になっている。無機材料を用いる場合には、ＣＶＤ法により二層に積層または一層で厚膜
に設けてもよい。
【００２３】
絶縁層４２の平面構成については、図４に示すように、液晶パネル２のうち周辺見切り
領域８に平面視で重なる領域に設けられている。周辺見切り領域８のほぼ全面を覆うよう
に設けられていることにより、周辺見切り領域８内のほぼ全てのダミーコンタクトホール
４４’
と配線４１との間を遮断することができるようになっている。
【００２４】
この他、周辺見切り領域８及び表示領域９の樹脂層４５上には、例えば光反射率の高い
アルミニウムなどの金属からなる図示しない光反射層が設けられている。表示領域９にお
いて、この光反射層が設けられた領域は、カラーフィルタ基板５からの光を反射して表示
する反射表示領域１０ａ（図３参照）になっている。また、光反射層が設けられていない
領域は、バックライトユニット３からの光を透過して表示する透過表示領域１０ｂ（図３
参照）になっている。透過表示領域１０ｂでは、樹脂層４５の表面が平坦になっており、
凹凸が形成されていない状態になっている。
【００２５】
配向膜４６は、液晶層６との界面に樹脂層４５及び画素電極４８を覆うように設けられ
ており、配向膜５６との間で液晶層６を構成する液晶分子の配向を規制している。偏光板
４９は、基材４ａの外側（液晶層６とは反対側）に貼付されている。
【００２６】
一方、カラーフィルタ基板５は、基材５ａと、カラーフィルタ層５０と、ブラックマト
リクス５１、５７と、ギャップ層５２と、共通電極５８と、配向膜５６とを主体として構
成されている。  
基材５ａは、基材４ａと同様に例えばガラスや石英等の透光性の高い材料から形成され
た矩形の板状部材である。ブラックマトリクス５１は、表示領域９及び周辺見切り領域８
の画素間領域１１に設けられており、光を吸収する例えばクロムなどの材料からなる。遮
光膜５７は、ブラックマトリクス５１と同様クロムなどの材料からなり、周辺見切り領域
８のサブ画素１０のうち透過表示領域１０ｂに平面視で重なる領域を覆うように設けられ
ている。
【００２７】
カラーフィルタ層５０は、基材５ａの液晶層６側に平面視でサブ画素１０に重なるよう
に設けられた色層である。カラーフィルタ層５０は、例えば有機材料や無機材料など公知
の材料からなる赤色層５０Ｒ、緑色層５０Ｇ、青色層５０Ｂの３色の色層からなる。上記
赤色層５０Ｒは、平面視で赤色サブ画素に重なる領域に設けられている。上記緑色層５０
Ｇは、平面視で緑色サブ画素に重なる領域に設けられている。上記青色層５０Ｂは、平面
視で青色サブ画素に重なる領域に設けられている。
【００２８】
ギャップ層５２は、例えばアクリルなどの無色透明な材料からなり、画素間領域１１を
中心にサブ画素１０の反射表示領域１０ａに平面視で重なる領域に設けられている。共通
電極５８は、例えばＩＴＯなどの透明な導電材料によって形成された電極であり、カラー
フィルタ層５０及びブラックマトリクス５１を覆うように設けられている。ギャップ層５
２により、共通電極５８の一部が、他の部分に比べて液晶層６側に突出するように形成さ
れている。配向膜５６は、液晶層６との界面に設けられており、液晶層６を構成する液晶
分子の配向を規制する。透過表示領域１０ｂのセルギャップは、反射表示領域１０ａのセ
ルギャップのほぼ２倍になっている。
【００２９】
液晶層６は、例えばフッ素系液晶化合物や非フッ素系液晶化合物等の液晶分子によって
構成されており、ＴＦＴアレイ基板４側の配向膜４６とカラーフィルタ基板５側の配向膜
５６との双方に接するように両基板に挟持されている。
【００３０】
バックライトユニット３は、公知の構成となっている。具体的には、ＬＥＤなどの光源
部３ａと、アクリル樹脂などの透明な材料からなる導光板３ｂと、当該導光板３ｂに対し
て液晶パネル２側に設けられた拡散板３ｃと、拡散板３ｃの液晶パネル側２に設けられた
集光板３ｄとを主体として構成されている。拡散板３ｃのうち液晶パネル２側の表面では
光が反射可能になっている。また、図示を省略するが、導光板３ｂのうち液晶パネル２と
は反対の面側には反射板が設けられている。光源部３ａからの光は、導光板３ｂによって
液晶パネル２側へと導光されるようになっている。
【００３１】
上記のように構成された液晶表示装置１の駆動時には、周辺見切り領域８に設けられた
配線４１に電流が流れ、当該配線４１を介して表示領域９内に設けられたスイッチング素
子４７及び画素電極４８に電気信号が印加される。当該電気信号の送信に伴って配線４１
に電流が流れるものの、配線４１上には絶縁層４２が設けられており、配線４１とダミー
コンタクトホール４４’との間が電気的に遮断されているため、配線４１とダミーコンタ
クトホール４４’との間に電圧が印加されない状態になる。
【００３２】
さらに、液晶表示装置１における外光の作用については、外光のうち一部の光成分は、
表示領域９の透過表示領域１０ｂから液晶パネル２内部に入射する。この光成分は、液晶
層６を透過し、例えばＴＦＴアレイ基板４のコンタクトホール４４を透過してバックライ
トユニット３の拡散板３ｃによって反射される。当該反射された光成分は、ＴＦＴアレイ
基板４、液晶層６を透過してカラーフィルタ基板５の透過表示領域１０ｂから液晶表示装
置１の外部に射出される。
【００３３】
一方、周辺見切り領域８内において、外光のうち上記の光成分とは異なる光成分は、例
えば透過表示領域１０ｂから液晶パネル２内部に入射する。この光成分は、液晶層６を透
過し、ＴＦＴアレイ基板４のコンタクトホール４４を透過してバックライトユニット３の
拡散板３ｃによって反射される。当該反射された光成分は、ＴＦＴアレイ基板４、液晶層
６を透過してカラーフィルタ基板５の透過表示領域１０ｂから液晶表示装置１の外部に射
出される。
【００３４】
このように、本実施形態によれば、コンタクトホール４４が樹脂層４５の表示領域９に
、ダミーコンタクトホール４４’が周辺見切り領域８に設けられているので、周辺見切り
領域８においても表示領域９と同様に光がダミーコンタクトホール４４’を透過し、少な
くともバックライトユニット３によって反射されることになり、サブ画素１０の輝度を向
上させることになる。このように、周辺見切り領域８が表示領域９に比べて暗く見える一
因を解消することができるので、周辺見切り領域８の外観を表示領域９の外観に近づける
ことができ、表示部をできるだけ広く見せられる用途に適応することが可能な液晶表示装
置１を得ることができる。
【００３５】
また、本実施形態によれば、周辺見切り領域８では、ＴＦＴアレイ基板４上に配線４１
が設けられており、樹脂層４５がこの配線４１を覆うように設けられており、少なくとも
ダミーコンタクトホール４４’の設けられた領域内には当該配線４１と当該樹脂層との間
の層に絶縁層４２が設けられていることから、ダミーコンタクトホール４４’と配線４１
との間を電気的に遮断することができる。これにより、ダミーコンタクトホール４４’と
配線４１との間に電界が印加されてしまうのを回避することができるので、液晶表示装置
１の安定駆動を図ることができる。
【００３６】
本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しな
い範囲で適宜変更を加えることができる。  
例えば、上記実施形態においては、絶縁層４２が周辺見切り領域８に平面視で重なるよ
うに、当該周辺見切り領域８のほぼ全面を覆う構成としたが、これに限られることはなく
、例えば、絶縁層４２がサブ画素１０のうちダミーコンタクトホール４４’の設けられた
部分（例えば図３の図中上側）のみを覆う構成であっても構わない。
【００３７】
また、上記実施形態においては半透過反射型の液晶表示装置を例に挙げて説明したが、
これに限られることはなく、バックライトからの光を表示面側に透過して表示する透過表
示型の液晶表示装置であっても構わないし、例えばＴＦＴアレイ基板とカラーフィルタ基
板との間に光反射部分を設けて表示面側からの光を当該表示面に反射して表示する反射表
示型の液晶表示装置であっても本発明の適用は可能である。反射型の液晶表示装置におい
ては、装置内部に進行する光は、サブ画素によって反射表示と同様の態様で反射されて表
示面から射出されることになる。これにより、上記各種の液晶表示装置と同様、幅広い用
途に適応することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本発明の第１実施形態に係る液晶表示装置の構成を示す平面図。
【図２】本実施形態に係る液晶表示装置の一部の構成を示す断面図。
【図３】本実施形態に係る液晶表示装置の一部の構成を示す平面図。
【図４】本実施形態に係る液晶表示装置の概略構成を示す平面図。
【符号の説明】
【００３９】
１…液晶表示装置  ２…液晶パネル  ３…バックライトユニット  ３ａ…光源部  ３ｂ
…導光板  ３ｃ…拡散板  ３ｄ、３ｅ…集光板  ４…ＴＦＴアレイ基板  ５…カラーフィ
ルタ基板  ６…液晶層  ８…周辺見切り領域  ９…表示領域  １０…サブ画素  ４１…配
線  ４２…絶縁層  ４３…樹脂層  ４４…コンタクトホール  ４４’…ダミーコンタクト
ホール  ４５…樹脂層  ４６…配向膜  ４７…スイッチング素子  ４８…画素電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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