(57)【要約】【課題】より良い冷却効果が得られる高圧取囲み冷却ターゲットチェンバを提供する。【解決手段】中央に貫通孔部がある第１のチェンバがあり、貫通孔部の両端面に、それぞれ第１、２の薄膜層が設けられ、第１のチェンバは流路部が環設され、流路部に、それぞれ液体入力部と気体入力部が連通され、また、第１のチェンバの一面に設置される第２のチェンバがあり、第２のチェンバは一端縁に凹口が設置される収納部があり、周縁に収納部に連通される出力部があり、また、収納部の中に設置される搭載ユニットがあり、搭載ユニットは一端面に放置区があり、また、搭載ユニットに欠け口を有する凹み部が環設される。【選択図】図２
2008056971.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
中央および両端面にそれぞれ第１、２の薄膜層が設けられる貫通孔部があり、また、当該第１のチェンバの一面に貫通孔部の周縁に環設される流路部があり、また、当該第１のチェンバの周縁に、それぞれ流路部に連通する液体入力部と気体入力部が設置される第１のチェンバと、
上記第１のチェンバの流路部を有する一面に設置され、中央に収納部があり、当該収納部の端縁において適当な位置に凹口があり、また、周縁に収納部に連通する出力部がある第２のチェンバと、
上記第２のチェンバの収納部の中に設置され、一端面に放置区があり、また、凹み部が環設され、当該凹み部の一側において、適当な位置に欠け口が形成される搭載ユニットと、
が含有される、
ことを特徴とする高圧取囲み冷却ターゲットチェンバ。
【請求項２】
当該第１、２のチェンバに複数の対応する固定孔があり、固定孔により固定素子に合わせてロックして結合することを特徴とする請求項１に記載の高圧取囲み冷却ターゲットチェンバ。
【請求項３】
当該第２のチェンバが盤状体と盤状体の一側端面に設置される延伸部から構成され、当該収納部により盤状体と延伸部とが連通され、当該収納部の端縁の凹口が盤状体に設置され、出力部が延伸部の周縁に設置されることを特徴とする請求項１に記載の高圧取囲み冷却ターゲットチェンバ。
【請求項４】
当該第２のチェンバの出力部にパイプが連接されることを特徴とする請求項１に記載の高圧取囲み冷却ターゲットチェンバ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高圧取囲み冷却ターゲットチェンバに関し、特に、より良い冷却効果が得られるターゲットチェンバに関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に従来のものは、例えば、中華民国専利公報公告第５３３４７８号である「半導体素子製造のスパッタリング装置と当該装置を利用するスパッタリング方法」があり、当該スパッタリング装置は、ウェハに対してスパッタリング加工を行う加工室と、加工室の上面に実装されてウェハと所定の距離を離れるターゲット電極と、下方にターゲット電極があり、また、冷却気体パイプが含有され、冷却ターゲット電極用の冷却気体が当該冷却気体パイプの中で循環する背板と、当該背板に対して冷却気体を供給して循環させる冷却気体パイプである冷却気体供給部品とが含有される。
【０００３】
当該スパッタリング装置のスパッタリング方法は、ａ)ウェハを当該スパッタリング装置の加工室にあるサセプタに搭載し、ｂ)１５ｋＷ乃至４５ｋＷの高周波パワーをウェハ上に実装されたターゲット電極に印加し、当該スパッタリング装置に対して３ＳＣＣＭ乃至１０ＳＣＣＭで反応気体を供給し、スパッタリング装置内の圧力を０.１ｍＴｏｒｒ至１ｍＴｏｒｒに維持し、また、ターゲット電極材料をウェハ上にスパッタリングして、ターゲット電極材料をウェハ上に沈着する。そのため、優れた段階被覆と快速沈着できるスパッタリング方法である。
【０００４】
上記従来の「半導体素子製造のスパッタリング装置と当該装置を利用するスパッタリング方法」は、優れた段階被覆と快速沈着できるスパッタリング方法であるが、全体構造においての冷却気体パイプにより達成できる冷却効果が悪いため、ターゲット材に陽子線を照射することにより生成した高温を耐えず、当該「半導体素子製造のスパッタリング装置と当該装置を利用するスパッタリング方法」に、ターゲット材に陽子線を照射することが適用できない。
【特許文献１】中華民国専利公報公告第５３３４７８号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の主な目的は、液体入力部と気体入力部により必要とする冷却液体と気体を第１のチェンバに注入し、搭載ユニットの凹み部で取囲んだ後、第２のチェンバの出力部から流出することにより、より良い冷却効果が得られるターゲットチェンバを提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
請求項１の発明は、中央および両端面にそれぞれ第１、２の薄膜層が設けられる貫通孔部があり、また、当該第１のチェンバの一面に貫通孔部の周縁に環設される流路部があり、また、当該第１のチェンバの周縁に、それぞれ流路部に連通する液体入力部と気体入力部が設置される第１のチェンバと、上記第１のチェンバの流路部を有する一面に設置され、中央に収納部があり、当該収納部の端縁において適当な位置に凹口があり、また、周縁に収納部に連通する出力部がある第２のチェンバと、上記第２のチェンバの収納部の中に設置され、一端面に放置区があり、また、凹み部が環設され、当該凹み部の一側において、適当な位置に欠け口が形成される搭載ユニットと、が含有される、ことを特徴とする高圧取囲み冷却ターゲットチェンバである。
【０００７】
請求項２の発明は、当該第１、２のチェンバに複数の対応する固定孔があり、固定孔により固定素子に合わせてロックして結合することを特徴とする請求項１に記載の高圧取囲み冷却ターゲットチェンバである。
【０００８】
請求項３の発明は、当該第２のチェンバが盤状体と盤状体の一側端面に設置される延伸部から構成され、当該収納部により盤状体と延伸部とが連通され、当該収納部の端縁の凹口が盤状体に設置され、出力部が延伸部の周縁に設置されることを特徴とする請求項１に記載の高圧取囲み冷却ターゲットチェンバである。
【０００９】
請求項４の発明は、当該第２のチェンバの出力部にパイプが連接されることを特徴とする請求項１に記載の高圧取囲み冷却ターゲットチェンバである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
図１と２及び３は、それぞれ、本発明の立体外観概念図と本発明の立体分解概念図及び本発明の他の角度の立体分解概念図である。本発明は、図のように、高圧取囲み冷却ターゲットチェンバであり、少なくとも、第１のチェンバ１と第２のチェンバ２及び搭載ユニット３から構成され、必要とする冷却液体と気体を第１のチェンバ１に注入し、取囲み流により搭載ユニット３を介して第２のチェンバ２から流出し、これにより、当該ターゲットチェンバに対して、より良い冷却効果が得られる。
【００１１】
第１のチェンバ１は、中央および両端面にそれぞれ第１、２の薄膜層１１、１２が設けられる貫通孔部１３があり、また、当該第１のチェンバ１の一面に貫通孔部１３の周縁に環設される流路部１４があり、また、当該第１のチェンバ１の周縁に、それぞれ流路部１４に連通する液体入力部１５と気体入力部１６が設置され、また、当該第１のチェンバ１に複数の対応する固定孔１７がある。
【００１２】
当該第２のチェンバ２は、盤状体２１と盤状体２１の一側端面に設置される延伸部２２から構成され、当該第２のチェンバ２の盤状体２１は、上記第１のチェンバ１の流路部１４を有する一面に設置され、当該盤状体２１は複数の上記第１のチェンバ１の固定孔１７に対応する固定孔２１１があり、当該互いに対応する固定孔１７、２１１により、固定素子に合わせてロックして結合することができ（図に未表示）、また、当該第２のチェンバ２は、中央に盤状体２１と延伸部２２とを連通するための収納部２３があり、当該収納部２３の端縁において、適当な位置に盤状体２１に形成された凹口２４があり、また、当該第２のチェンバ２の延伸部２２の周縁に、収納部２３に連通する出力部２５があり、当該出力部２５にパイプ２６が連接される。
【００１３】
当該搭載ユニット３は、上記第２のチェンバ２の収納部２３の中に設置され、また、当該搭載ユニット３の一端面に放置区３１があり、また、当該搭載ユニット３に凹み部３２が環設され、当該凹み部３２の一側において、適当な位置に欠け口３３が形成される。上記の構造により、新規の高圧取囲み冷却ターゲットチェンバが構成される。
【００１４】
図４と５は、それぞれ、本発明の使用状態概念図と本発明の使用状態断面概念図である。本発明は、図のように、第１のチェンバ１の一側に真空チェンバ４が連接され、また、必要とするターゲット材５を搭載ユニット３の放置区３１に放置し、そして、第１のチェンバ１の一側から陽子線を照射し、また、同時に、第１のチェンバ１の液体入力部１５と気体入力部１６で水とヘリウムを注入し、操作する時、貫通孔部１３の一端面の第１の薄膜層１１が気密に供され、また、第２の薄膜層１２により、ターゲット材５が反応する時の液態同位元素の漏れを防止し、また、液体入力部１５と気体入力部１６が水とヘリウムを注入した後、当該水とヘリウムが、第１のチェンバ１の流路部１４を介して、搭載ユニット３の凹み部３２へ流れ、当該水とヘリウムが凹み部３２で取囲んだ後、第２のチェンバ２の出力部２５から流出し、また、当該出力部２５上のパイプ２６により、流出した水とヘリウムを必要とする位置へ案内し、そのため、当該搭載ユニット３が水とヘリウムにより取囲まれることにより、有効に冷却効果が得られる。
【００１５】
上記のように、本発明に係わる高圧取囲み冷却ターゲットチェンバは、有効に従来の各々の欠点を改善でき、液体入力部と気体入力部により必要とする冷却液体と気体を第１のチェンバに注入し、また、搭載ユニットの凹み部により取囲んで、第２のチェンバの出力部から流出することにより、当該ターゲットチェンバにより、より良い冷却効果が得られ、そのため、本発明は、より進歩的かつより実用的であり、法に従って特許請求を出願する。
【００１６】
以上は、ただ、本発明のより良い実施例であり、本発明は、それによって制限されず、本発明に係わる特許請求の範囲や明細書の内容に基づいて行う等価の変更や修正は、全てが、本発明に係わる特許請求の範囲内に含まれる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の立体外観概念図
【図２】本発明の立体分解概念図
【図３】本発明の他の角度の立体分解概念図
【図４】本発明の使用状態概念図
【図５】本発明の使用状態断面概念図
【符号の説明】
【００１８】
１               第１のチェンバ
１１             第１の薄膜層
１２             第２の薄膜層
１３             貫通孔部
１４             流路部
１５             液体入力部
１６             気体入力部
１７             固定孔
２               第２のチェンバ
２１             盤状体
２１１           固定孔
２２             延伸部
２３             収納部
２４             凹口
２５             出力部
２６             パイプ
３               搭載ユニット
３１             放置区
３２             凹み部
３３             欠け口
４               真空チェンバ
５               ターゲット材
【図１】
2008056971.tif 000003
【図２】
2008056971.tif 000004
【図３】
2008056971.tif 000005
【図４】
2008056971.tif 000006
【図５】
2008056971.tif 000007