(57)【要約】【課題】ディスクリートトラック媒体、パターンド媒体においてメニスカス吸着力を低減し、かつ隣接トラックへの書き込みを防止することである。【解決手段】ディスクリートトラック媒体、パターンド媒体のランド部、パターン部の前記磁性層を膜厚一定で円筒殻状、球殻状に形成し、半径位置によって、円筒殻状突起高さ及び球殻状突起高さを５ｎｍから３０ｎｍまで変化させることによって高密度記録化、高信頼性化に優れた磁気記録媒体及び磁気ディスク装置を提供するのに効果がある。【選択図】図１
2008052850.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気記録層を有し記録トラックを構成するランド部と、
隣接する前記ランド部の間に形成された溝とを備え、
前記ランド部に設けられた前記磁気記録層の上面は、媒体表面方向に凸となった曲面形状を有することを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】
請求項１記載の磁気記録媒体において、前記ランド部に設けられた前記磁気記録層の膜厚はトラック幅方向に略一定であることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項３】
請求項１記載の磁気記録媒体において、トラック幅方向断面でみたとき前記磁気記録層の上面及び下面は上方に凸となった曲線形状を示すことを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項４】
請求項１記載の磁気記録媒体において、前記磁気記録層の上に保護膜を有し、前記磁気記録層の膜厚をｔmag、前記保護膜の膜厚をｔc、記録ヘッドのトラック幅をＬw、磁気ヘッドの浮上量をｈfとし、前記磁気記録層の上面を表す曲面形状が始まる位置から当該曲面形状の頂点までの高さを突起高さδとするとき、次式を満たすことを特徴とする磁気記録媒体。
【数１】
2008052850.tif 000006
【請求項５】
請求項１記載の磁気記録媒体において、前記磁気記録層の上面を表す曲面形状が始まる位置から当該曲面形状の頂点までの高さを突起高さとするとき、前記突起高さは５ｎｍ以上３０ｎｍ以下であることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項６】
請求項５記載の磁気記録媒体において、前記突起高さは、内周側領域と外周側領域に挟まれた領域より前記内周側領域及び外周側領域の方が高いことを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項７】
請求項１記載の磁気記録媒体において、前記溝は非磁性体で埋められていることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項８】
請求項１記載の磁気記録媒体において、前記磁気記録層の下面は、媒体表面方向に凸となった曲面形状を有することを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項９】
磁気記録層を有しトラック方向に沿って周囲から孤立して配置された複数のビットパターンを備え、
前記ビットパターンに設けられた磁気記録層の上面は、媒体表面方向に凸となった曲面形状を有することを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項１０】
請求項９記載の磁気記録媒体において、前記ビットパターンに設けられた前記磁気記録層の膜厚はトラック方向及びトラック幅方向に略一定であることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項１１】
請求項９記載の磁気記録媒体において、前記ビットパターンに設けられた前記磁気記録層は球殻状の形状を有することを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項１２】
請求項９記載の磁気記録媒体において、前記磁気記録層の上に保護膜を有し、前記磁気記録層の膜厚をｔmag、前記保護膜の膜厚をｔc、記録ヘッドのトラック幅をＬw、磁気ヘッドの浮上量をｈfとし、前記磁気記録層の上面を表す曲面形状が始まる位置から当該曲面形状の頂点までの高さを突起高さδとするとき、次式を満たすことを特徴とする磁気記録媒体。
【数２】
2008052850.tif 000007
【請求項１３】
請求項９記載の磁気記録媒体において、前記磁気記録層の上面を表す曲面形状が始まる位置から当該曲面形状の頂点までの高さを突起高さとするとき、前記突起高さは５ｎｍ以上３０ｎｍ以下であることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項１４】
請求項１３記載の磁気記録媒体において、前記突起高さは、内周側領域と外周側領域に挟まれた領域より前記内周側領域及び外周側領域の方が高いことを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項１５】
請求項９記載の磁気記録媒体において、前記孤立して配置された複数のビットパターン同士の間には非磁性体が配置されていることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項１６】
請求項９記載の磁気記録媒体において、前記磁気記録層の下面は、媒体表面方向に凸となった曲面形状を有することを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項１７】
磁気記録媒体と、前記磁気記録媒体を駆動する媒体駆動部と、前記磁気記録媒体に対して記録・再生動作を行う磁気ヘッドと、前記磁気ヘッドを前記磁気記録媒体に対して位置決めする磁気ヘッド駆動部とを備え、
前記磁気記録媒体は、磁気記録層を有し記録トラックを構成するランド部と、隣接する前記ランド部の間に形成された溝とを備え、前記ランド部に設けられた前記磁気記録層の上面は、媒体表面方向に凸となった曲面形状を有することを特徴とする磁気記録再生装置。
【請求項１８】
請求項１７記載の磁気記録再生装置において、前記ランド部に設けられた前記磁気記録層の膜厚はトラック幅方向に略一定であることを特徴とする磁気記録再生装置。
【請求項１９】
請求項１７記載の磁気記録再生装置において、トラック幅方向断面でみたとき前記磁気記録層の上面及び下面は上方に凸となった曲線形状を示すことを特徴とする磁気記録再生装置。
【請求項２０】
請求項１７記載の磁気記録再生装置において、前記磁気記録媒体は、前記磁気記録層の上に保護膜を有し、前記磁気記録層の膜厚をｔmag、前記保護膜の膜厚をｔc、前記磁気ヘッドの記録ヘッドのトラック幅をＬw、前記磁気ヘッドの浮上量をｈfとし、前記磁気記録層の上面を表す曲面形状が始まる位置から当該曲面形状の頂点までの高さを突起高さδとするとき、次式を満たすことを特徴とする磁気記録再生装置。
【数３】
2008052850.tif 000008
【請求項２１】
請求項１７記載の磁気記録再生装置において、前記磁気記録層の上面を表す曲面形状が始まる位置から当該曲面形状の頂点までの高さを突起高さとするとき、前記突起高さは５ｎｍ以上３０ｎｍ以下であることを特徴とする磁気記録再生装置。
【請求項２２】
請求項２１記載の磁気記録再生装置において、前記突起高さは、内周側領域と外周側領域に挟まれた領域より前記内周側領域及び外周側領域の方が高いことを特徴とする磁気記録再生装置。
【請求項２３】
請求項１７記載の磁気記録再生装置において、前記溝は非磁性体で埋められていることを特徴とする磁気記録再生装置。
【請求項２４】
請求項１７記載の磁気記録再生装置において、前記磁気記録層の下面は、媒体表面方向に凸となった曲面形状を有することを特徴とする磁気記録再生装置。
【請求項２５】
磁気記録媒体と、前記磁気記録媒体を駆動する媒体駆動部と、前記磁気記録媒体に対して記録・再生動作を行う磁気ヘッドと、前記磁気ヘッドを前記磁気記録媒体に対して位置決めする磁気ヘッド駆動部とを備え、
前記磁気記録媒体は、磁気記録層を有しトラック方向に沿って周囲から孤立して配置された複数のビットパターンを備え、前記ビットパターンに設けられた磁気記録層の上面は、媒体表面方向に凸となった曲面形状を有することを特徴とする磁気記録再生装置。
【請求項２６】
請求項２５記載の磁気記録再生装置において、前記ビットパターンに設けられた前記磁気記録層の膜厚はトラック方向及びトラック幅方向に略一定であることを特徴とする磁気記録再生装置。
【請求項２７】
請求項２５記載の磁気記録再生装置において、前記ビットパターンに設けられた前記磁気記録層は球殻状の形状を有することを特徴とする磁気記録再生装置。
【請求項２８】
請求項２５記載の磁気記録再生装置において、前記磁気記録媒体は、前記磁気記録層の上に保護膜を有し、前記磁気記録層の膜厚をｔmag、前記保護膜の膜厚をｔc、前記磁気ヘッドの記録ヘッドのトラック幅をＬw、前記磁気ヘッドの浮上量をｈfとし、前記磁気記録層の上面を表す曲面形状が始まる位置から当該曲面形状の頂点までの高さを突起高さδとするとき、次式を満たすことを特徴とする磁気記録再生装置。
【数４】
2008052850.tif 000009
【請求項２９】
請求項２５記載の磁気記録再生装置において、前記磁気記録層の上面を表す曲面形状が始まる位置から当該曲面形状の頂点までの高さを突起高さとするとき、前記突起高さは５ｎｍ以上３０ｎｍ以下であることを特徴とする磁気記録再生装置。
【請求項３０】
請求項２９記載の磁気記録再生装置において、前記突起高さは、内周側領域と外周側領域に挟まれた領域より前記内周側領域及び外周側領域の方が高いことを特徴とする磁気記録再生装置。
【請求項３１】
請求項２５記載の磁気記録再生装置において、前記孤立して配置された複数のビットパターン同士の間には非磁性体が配置されていることを特徴とする磁気記録再生装置。
【請求項３２】
請求項２５記載の磁気記録再生装置において、前記磁気記録層の下面は、媒体表面方向に凸となった曲面形状を有することを特徴とする磁気記録再生装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は磁気記録媒体及び磁気記録再生装置に係わり、特に高記録密度化、高信頼性化に優れた磁気記録再生装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
大型コンピュータ、パーソナルコンピュータシステムの外部記憶装置として使用されている磁気ディスク装置は、ディスク１枚あたりの記録容量（面記録密度）を高めることが求められている。今後、更なる高記録密度を達成するには、磁気ヘッドの記録再生素子から磁性層までの磁気的スペーシングを低減させること、磁気ヘッド及び磁気記録媒体の記録再生性能、位置決め精度、再生信号の処理性能を向上させることが必要である。特に、磁界の強さは磁気的スペーシングの２乗に反比例するため、磁気的スペーシングが小さくなると飛躍的に面記録密度が高くなる。磁気的スペーシングは、空気膜潤滑の原理に基づいて磁気記録媒体面上で安定浮上している磁気ヘッドの記録再生素子位置での浮上量、磁気抵抗効果型磁気ヘッドの磁気抵抗センサ露出部の加工量の違いによる凹み、スライダ保護膜厚さ、媒体潤滑膜厚さ、媒体保護膜厚さの和として表され、磁気的スペーシングを小さくする方法は、これらの値を小さくすることである。磁気ヘッドの記録再生素子位置での浮上量を数ｎｍに微小化すると、スライダとディスクはディスク面の粗さ突起と間欠的に接触しやすくなり、また突起を小さくしてディスク面を平滑にすると潤滑膜のメニスカス吸着力により接触振動を起してしまうという問題が生じる。
【０００３】
近年、磁気ディスク装置の高記録密度化に対応した革新的技術として、ディスクリートトラック記録方式、パターン記録方式が提案されている。これらは、磁気記録媒体の記録トラック間に溝を形成したり、ビットを孤立させたりすることによって、隣接トラック、ビット間の磁気的干渉を低減し、高トラック密度化、高記録密度化を可能とする技術である。特開２００５−１０８３３５号公報に記載されている磁気記録媒体は、媒体保護膜であるカーボン膜の強磁性体ドットの中心を通る断面における膜面形状が滑らかで中心から外側に向かって徐々に減少する形状を有する。つまり、カーボン膜厚が一定ではなく、膜厚分布を有し、強磁性体ドットの中心を通る中央部の膜厚は５ｎｍであり、端部から強磁性体ドットの半径の１／１０の位置におけるカーボン膜の膜厚は３．５ｎｍである。このような断面形状を有するカーボン膜は、イオン入射角度を基板垂直方向から長手方向に徐々に変化させるエッチングを行うことによって形成される。特開２００５−２７６３２５号公報に記載されている情報記録媒体は、所定の凹凸バターンに形成された磁性層の各凹部に非磁性材料が埋め込まれると共に、磁性層の各凸部の上部に非磁性層が形成されている。また、磁性層の各凸部の上面中央部が上方に徐々に突出する山形に形成されている。その突出量は１ｎｍである。このような形状は、非磁性層に対するイオンビームエッチング時間を長時間に設定することによって形成される。特開２００５−５２９５６号公報に記載されているナノ構造体は、柱状の第１の部材と第１の部材を取り囲むように形成した第２の部材を備え、第２の部材が共晶を形成し得る２種類以上の材料を含有し、かつ前記材料の１種類が半導体材料であり、第１の部材の基板からの高さが、第２の部材の基板からの高さよりも高く、第１の部材の突出部が円錐状である。
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−１０８３３５号公報
【特許文献２】特開２００５−２７６３２５号公報
【特許文献３】特開２００５−５２９５６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記従来の磁気記録媒体は、低浮上量化の阻害要因として、平滑媒体面、ディスクリートトラック媒体、パターンド媒体との接触時に、潤滑剤のメニスカス吸着力及び摩擦力増大化によるスライダ振動が発生する。また、ヨー角度の絶対値が大きくなる最内周側及び最外周側の領域では、ヨー角度ゼロの中周に比べて記録ヘッドが隣接トラックに近づくため、磁束が漏れやすくなる。また、従来のディスクリートトラック媒体は、円柱状突起形状及び記録再生素子位置での浮上量ｈfを同じにした場合、媒体保護膜のカーボン膜を分布させて円柱状突起形状を形成したため、磁気的スペーシングが大きくなり、高面記録密度化できない。
【０００６】
本発明の目的は、低浮上量化の阻害要因であるメニスカス吸着力を低減し、かつヨー角度の絶対値が大きくなる最内周側及び最外周側の領域でも隣接トラックへの書き込みを防止し、高記録密度化と低浮上量化を同時に満足する磁気記録媒体、及びその磁気記録媒体を組み込んだ磁気ディスク装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の目的は、ディスクリートトラック媒体、パターンド媒体のランド部、パターン部の磁性層を膜厚一定でそれぞれ円筒殻状、球殻状に形成し、ディスク半径位置によって、円筒殻状突起高さ及び球殻状突起高さを５ｎｍから３０ｎｍまで変化させることによって達成される。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によると、高記録密度化と低浮上量化を同時に満足する磁気記録媒体、及びその磁気記録媒体を組み込んだ磁気ディスク装置が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。
図１は本発明の実施例１の磁気記録媒体の断面模式図、図２は概略斜視図である。本実施例の磁気記録媒体１は、溝１１とランド１２を有し、ランド１２がトラックを構成するディスクリートトラック媒体である。ランド１２は、保護膜１１１、磁性層１１２、ＳｉＯ2等の下地層１１３、軟磁性層等の下地層１１１３、非磁性基板１１４を有する。保護膜１１１の表面には、液体潤滑剤１１１１が塗布されている。磁性層１１２は、膜厚を一定にした状態で端部より中央部の高さが高い曲面形状に形成されている。図１に示すように、磁性層１１２のトラック幅方向端部に対する中央部の突出高さを円筒殻状突起高さと定義する。図２に寸法例を示す。溝１１の幅Ｇwcは１００ｎｍ、溝の深さＧdcは７５ｎｍ、ランド１２の幅Ｌwcは１００ｎｍ、隣接するランド間の距離であるトラック幅Ｔpは２００ｎｍ程度である。ランド１２の円筒殻状突起高さδcは５ｎｍ程度、円筒殻状突起の曲率半径Ｒcは５０５ｎｍ程度である。円筒殻状突起の曲率半径Ｒcは、ランド幅Ｌwcと円筒殻状突起高さを用いると、
Ｒc=((Ｌwc/２)2＋δc2)/(２δc)
と表される。
【００１０】
図３は本発明の実施例２の磁気記録媒体の断面模式図であり、図４は概略斜視図である。本実施例の磁気記録媒体２は、溝２１とパターン２２を有し、パターンが個々の記録ビットを構成するパターンド媒体である。パターン２２は、保護膜１１１、磁性層１１２、ＳｉＯ2等の下地層１１３、軟磁性層等の下地層１１１３、非磁性基板１１４から構成されている。保護膜１１１の表面には、液体潤滑剤１１１１が塗布されている。磁性層１１２は、磁性層の膜厚を一定にした状態で球殻状に形成されている。図３に示すように、磁性層１１２の側端部に対する中央部の突出高さを球殻状突起高さと定義する。図４に寸法例を示す。溝２１の幅Ｇwは１００ｎｍ、溝の深さＧdは７５ｎｍ、パターン２２の幅Ｌwは１００ｎｍ、隣接するパターン間の距離であるトラック幅Ｔp及びビット幅Ｔppは２００ｎｍ程度である。パターン２２の球殻状突起高さδは５ｎｍ、球殻状突起の曲率半径Ｒは５０５ｎｍ程度である。球殻状突起の曲率半径Ｒは、パターン２２の幅Ｌwと球殻状突起高さδを用いると、
Ｒ=((Ｌw/２)2＋δ2)/(２δ)
と表される。
【００１１】
図５は、本発明の実施例３の磁気記録媒体の断面模式図である。本実施例の磁気記録媒体１，２は、溝１１とランド１２、あるいは溝２１とパターン２２を有する。ランド１２あるいはパターン２２は、保護膜１１１、磁性層１１２、ＳｉＯ2等の下地層１１３、軟磁性層等の下地層１１１３、非磁性基板１１４から構成されている。溝１１あるいは溝２２は、保護膜１１１、非磁性体１１８、磁性層１１２、軟磁性層等の下地層１１１３から構成されている。保護膜１１１の表面には、液体潤滑剤１１１１が塗布されている。本実施例の媒体は、図１，２に示した実施例１のディスクリートトラック媒体において、磁性膜１１２を成膜した後、溝１１を非磁性体１１８で埋めてから、保護膜１１１を形成したものに相当する。あるいは、図３，４に示した実施例２のパターンド媒体において、磁性膜１１２を成膜した後、溝１１を非磁性体１１８で埋めてから、保護膜１１１を形成したものに相当する。
【００１２】
図６は、本発明の実施例４の磁気記録媒体の断面模式図である。本実施例の磁気記録媒体１，２は、溝１１とランド１２、あるいは溝２１とパターン２２を有する。ランド１２あるいはパターン２２は、保護膜１１１と磁性層１１２から構成されている。保護膜１１１の表面には、液体潤滑剤１１１１が塗布されている。ディスクリートトラック媒体の場合には、ランド１２がトラックを構成し、パターンド媒体の場合には、パターンが個々の記録ビットを構成する。
【００１３】
図７は、本発明の実施例５の磁気記録媒体の断面模式図である。本実施例の磁気記録媒体１、２は、溝１１とランド１２、あるいは溝２１とパターン２２を有する。ランド１２あるいはパターン２２、保護膜１１１、磁性層１１２から構成され、溝１１あるいは溝２２は、保護膜１１１、非磁性体１１８から構成される。保護膜１１１の表面には、液体潤滑剤１１１１が塗布されている。ディスクリートトラック媒体の場合には、ランド１２がトラックを構成し、パターンド媒体の場合には、パターンが個々の記録ビットを構成する。
【００１４】
図８に、本発明の実施例６の磁気記録媒体の模式図を示す。磁気記録媒体１，２は、半径方向に少なくとも３つの領域Ａ，Ｂ，Ｃに分けられており、それぞれの領域毎に、円筒殻状突起高さδc、円筒殻状突起の曲率半径Ｒc、あるいは球殻状突起高さδ、球殻状突起の曲率半径Ｒが異なっている。さらに、ヨー角度の絶対値が小さい中周の領域Ｂの円筒殻状突起高さδcあるいは球殻状突起高さδが最も小さく、ヨー角度の絶対値が大きくなる内周、外周側の領域Ａ，Ｃの円筒殻状突起高さδcあるいは球殻状突起高さδはそれより大きい。例えば、領域Ａ，Ｃの円筒殻状突起高さδcあるいは球殻状突起高さδは５ｎｍ、領域Ｂの円柱状突起高さδcあるいは球殻状突起高さδは３０ｎｍである。
【００１５】
図９〜図１４を用いて、本発明の磁気記録媒体がもたらす効果について説明する。
図９に、ヨー角度ゼロの中周で、従来のディスクリートトラック媒体に記録ヘッドで磁界を加えた時の磁束ベクトルの模式図を示す。記録ヘッド３で磁界を加えて従来のディスクリートトラック媒体に記録する場合、記録トラック幅Ｔwwの方がランドＬwcより広いために、磁束がランドに集中し、記録ヘッド３の脇からの磁束が隣接トラックに漏れる。磁束が隣接トラックに漏れると、書き込まれた情報が消去してしまう。図１０に、ヨー角度の絶対値が大きくなる最内周及び最外周で、従来のディスクリートトラック媒体に記録ヘッドで磁界を加えた時の磁束ベクトルの模式図を示す。ヨー角度の絶対値が大きくなる最内周側及び最外周側の領域では、ヨー角度ゼロの中周に比べて記録ヘッドが隣接トラックに近づくため、磁束が漏れやすくなる。
【００１６】
図１１及び図１４は、磁気記録媒体の磁性層１１２と記録ヘッド３の距離を、磁性層１１２が湾曲した本発明のディスクリートトラック媒体と、平坦な磁性層を有する従来のディスクリートトラック媒体とで比較して示した図である。図１１は、円筒殻状突起高さδcが５ｎｍの本発明のディスクリートトラック媒体と従来のディスクリートトラック媒体とを比較して示した図である。また、図１４は、円筒殻状突起高さδcが３０ｎｍの本発明のディスクリートトラック媒体と従来のディスクリートトラック媒体とを比較して示した図である。図１１及び図１４中において、Ｌ１は従来のディスクリートトラック媒体の隣接トラックの磁性層と記録ヘッド３との距離、Ｌ２は本発明のディスクリートトラック媒体の隣接トラックの磁性層と記録ヘッド３との距離である。
【００１７】
図１２，１３は、磁気ヘッドの構成を示す概略図である。磁気ヘッドは、記録ヘッド３、磁気ヘッドの記録再生素子３１、下部磁極３０１、コイル３０２、上部シールド３１１、下部シールド３１２、電極パターン３１３、基体３１４から構成されている。
【００１８】
図１１及び図１４に示すように、本発明の実施例１のディスクリートトラック媒体の方が、平坦な磁性層を有する従来のディスクリートトラック媒体に比べて、隣接トラックの磁性層と記録ヘッド３との距離が大きくなる。磁界の強さは距離の２乗に反比例して小さくなるため、本発明の実施例１のディスクリートトラック媒体の方が従来のディスクリートトラック媒体に比べて、隣接トラックへ磁束が漏れにくくなる。さらに、本発明の実施例１のディスクリートトラック媒体の突起高さが大きい方が隣接トラックへ磁束が漏れにくくなるため、内周あるいは外周側になるほど円筒殻状突起高さδcを大きくする必要がある。この効果は、図３，４に示した本発明の実施例２のパターンド媒体においても同様である。本発明の実施例１、２の磁気記録媒体の円筒殻状突起高さδc及び球殻状突起高さδは、メニスカス吸着低減効果が出始める保護膜厚程度の５ｎｍ以上から、磁気的スペーシングを増加させないようにするために必要な３０ｎｍ以下の範囲が使用範囲である。
【００１９】
図１５（ａ）（ｂ）は、磁気的スペーシングｈmと磁気ヘッドの記録再生素子位置での浮上量ｈfを、湾曲した磁性層を有する本発明のディスクリートトラック媒体と、平坦な磁性層と湾曲した保護層を有する従来のディスクリートトラック媒体とで比較して示した図である。垂直記録方式で再生する場合あるいは面内記録方式で記録再生する場合の磁気的スペーシングｈmは磁性層１１２の表面から磁気ヘッドの再生素子３１あるいは記録ヘッド３までの距離である。垂直記録方式で記録する場合の磁気的スペーシングｈmは軟磁性層等の下地層１１１３の表面から記録ヘッド３までの距離である。図１５（ａ）垂直記録方式で再生する場合あるいは面内記録方式で記録再生する場合を示し、図１５（ｂ）は垂直記録方式で記録する場合を示している。
【００２０】
図１５（ａ）（ｂ）に示すように、両者の円筒殻状突起形状及び磁気ディスク装置の耐久性に関係する磁気ヘッドスライダの記録再生素子位置での浮上量ｈfを同じにした場合、本発明の実施例１の磁気記録媒体のｈmの方が、従来のディスクリートトラック媒体のｈmに比べて小さい。例えば、本発明の実施例１のディスクリートトラック媒体及び従来のディスクリートトラック媒体の媒体保護膜１１１の膜厚を５ｎｍ、磁性層１１２の膜厚を３２ｎｍ、本発明の実施例１のディスクリートトラック媒体及び従来のディスクリートトラック媒体の円筒殻状突起高さδcを３０ｎｍに設定した場合、記録再生素子位置での浮上量ｈfを同じにした時、従来のディスクリートトラック媒体の円筒殻状突起高さδcを３０ｎｍにするためには、媒体保護膜の中央部の膜厚は３５ｎｍ必要になり、円筒殻状突起高さδc ３０ｎｍだけ磁気的スペーシングｈmが増加する。磁界の強さは磁気的スペーシングの２乗に反比例して小さくなるため、磁気的スペーシングが小さい本発明の実施例１のディスクリートトラック媒体の方が高面記録密度になることが分かる。
【００２１】
図１５（ｃ）を用いて、磁気的スペーシングを増加させないようにするための、本発明の実施例１のディスクリートトラック媒体の円筒殻状突起高さδcの使用範囲を説明する。記録ヘッド３の端から軟磁性層等の下地層１１１３の中心位置までの距離を磁気的スペーシングｈm1、記録ヘッド３の端から軟磁性層等の下地層１１１３の端までの距離を磁気的スペーシングｈm2とすると、磁界の強さは磁気的スペーシングの２乗に反比例して小さくなるため、記録時に記録ヘッド３から発生する磁束を軟磁性層等の下地層１１１３の端に到達させずに、全て軟磁性層等の下地層１１１３の中心位置に集中させるためには、式（１）〜（３）で表される条件が必要である。
【００２２】
【数１】
2008052850.tif 000003
【００２３】
ここで、Ｌwc：ランドの幅、記録ヘッド３のトラック幅、ｔc：媒体保護膜１１１の膜厚、ｔmag：磁性層１１２の膜厚である。式（１）〜（３）を解くと式（４）になる。
【００２４】
【数２】
2008052850.tif 000004
【００２５】
したがって、磁気的スペーシングを増加させないようにするための、本発明の実施例１のディスクリートトラック媒体の円筒殻状突起高さδcの使用範囲は式（４）となる。例えば、Ｌwc=100nm、ｔc=5nm、ｔmag =15nm、ｈf=5nmの場合、磁気的スペーシングを増加させないようにするための、本発明の実施例１のディスクリートトラック媒体の円筒殻状突起高さδcの使用範囲は３０ｎｍ以下となる。
【００２６】
ここではディスクリートトラック媒体について説明したが、湾曲した磁性層を有する本発明のパターンド媒体と平坦な磁性層と湾曲した保護層を有するパターンド媒体についても同様のことが言える。
【００２７】
図１６〜図１８を用いて、本発明による磁気記録媒体の別な効果について説明する。
図１６（ａ）は本発明によるディスクリートトラック媒体１あるいはパターンド媒体２と磁気ヘッドスライダ４とが接触した時の断面摸式図、図１６（ｂ）は従来のディスクリートトラック媒体１０あるいはパターンド媒体２０と磁気ヘッドスライダ４とが接触した時の断面摸式図である。各媒体の表面には潤滑剤１１１１が塗布されている。
【００２８】
ディスクリートトラック媒体との接触時に、潤滑剤のメニスカス吸着力Ｆmc、パターンド媒体との接触時に、潤滑剤のメニスカス吸着力Ｆmが発生する。メニスカス吸着力Ｆmc、Ｆmはそれぞれ、Ｆmc＝８πγＲc、Ｆm＝４πγＲで表される。γは潤滑剤の表面エネルギーで、潤滑剤Z-dolの場合、γ=0.022N/m。円筒殻状突起の曲率半径Ｒcはランドの幅Ｌwcと円筒殻状突起高さδcを用いると、Ｒc=((Ｌwc/２)２＋δc２)/δcで表される。球殻状突起の曲率半径Ｒはパターンの幅Ｌwと球殻状突起高さδを用いると、Ｒ=((Ｌw/２)２＋δ２)/(２δ)で表される。
【００２９】
潤滑剤Z-dol(γ=0.022Ｎ/ｍ)を用いた場合に、メニスカス吸着力Ｆmcと円筒殻状突起の曲率半径Ｒcとの関係を前記式より計算した結果を図１７（ａ）に、メニスカス吸着力Ｆmcと円筒殻状突起高さδcとの関係を前記式より計算した結果を図１７（ｂ）に示す。これらの図より、円筒殻状突起の曲率半径Ｒcが小さくなるほど、また、円筒殻状突起高さδcが大きくなるほど、メニスカス吸着力Ｆmcは小さくなることが分かる。実施例１の磁気記録媒体（Ｌwc＝100nm、δc＝5nm）の場合、メニスカス吸着力Ｆmcは0.00014mNとなる。Ｒc＝∞の従来の磁気記録媒体の場合、メニスカス吸着力Ｆmcは無限大になる。したがって、実施例１の磁気記録媒体の場合、スライダと円筒殻状突起高さが大きい円筒殻状突起で接触しているため、従来のディスクリートトラック媒体に比べて、メニスカス吸着力は小さくなり、媒体との吸着現象によるスライダ振動の低減化、スライダの低浮上量化が可能となる。
【００３０】
潤滑剤Z-dol(γ=0.022N/m)を用いた場合に、メニスカス吸着力Ｆmと球殻状突起の曲率半径Ｒとの関係を前記式より計算した結果を図１８（ａ）に示し、メニスカス吸着力Ｆmと球殻状突起高さδとの関係を前記式より計算した結果を図１８（ｂ）に示す。これらの図より、球殻状突起の曲率半径Ｒが小さくなるほど、球殻状突起高さδが大きくなるほどメニスカス吸着力Ｆmは小さくなることが分かる。実施例２の磁気記録媒体の場合、メニスカス吸着力Ｆmは0.00007mNと小さくなる。Ｒ＝∞の従来の磁気記録媒体の場合、メニスカス吸着力Ｆmも無限大になる。したがって、実施例２の磁気記録媒体の場合、スライダと球殻状突起高さが大きい球殻状突起で接触しているため、従来のパターンド媒体に比べて、メニスカス吸着力は小さくなり、媒体との吸着現象によるスライダ振動の低減化、スライダの低浮上量化が可能となる。
【００３１】
特に図１８（ａ）、図１８（ｂ）より、円筒殻状突起高さδcを５ｎｍ以下あるいは球殻状突起高さδcを５ｎｍ以下にすると、メニスカス吸着力の低減効果が極端に表れ、Ｆmc、Ｆmとも0.0006mN以下となることが分かる。
【００３２】
浮上スライダが媒体面上の潤滑剤と接近し、メニスカス吸着力Ｆmが発生しても、浮上スライダが媒体面と吸着させないようにするためには、メニスカス吸着力Ｆmを浮上スライダの浮上力に比べて極端に小さくする必要がある。現在使用しているサスペンションの荷重は約10〜30mNである。浮上スライダの浮上力もサスペンションの荷重と同程度である。円筒殻状突起高さδcを５ｎｍ以下にすると、メニスカス吸着力Ｆmを浮上力10mNに比べて0.006％以下と極端に小さくする効果があるため、円筒殻状突起高さδcの使用範囲を５ｎｍ以下とする。
【００３３】
図１９（ａ）〜（ｆ）を用いて、本発明の実施例１、２の磁気記録媒体の製造方法を説明する。図にはランドと溝を有する実施例１のディスクリートトラック媒体の製造方法を示すが、実施例２のパターンド媒体の製造の場合には、トラックを構成するランドに代えて個々の記録ビットを構成するパターンを形成することになる。
（ａ）非磁性基板１１４上にＳｉＯ2等の下地層１１３をスピンコートで作製する。ＳｉＯ2等の下地層１１３上にレジスト１１５をスピンコートで作製する。
（ｂ）ＥＢリソグラフィー法あるいはフォトリソグラフィー法で、レジスト１１５を所定のランドあるいはグルーブの形状に形成する。
（ｃ）レジスト１１５のある非磁性基板１１４を約１２０度〜約１８０度に加熱したホットプレート１１７上に約１５分から約６０分間乗せる。
（ｄ）レジスト１１５が再融解して、その表面張力によってランドあるいはグルーブを所定の円筒殻状あるいは球殻状に形成可能となる。
（ｅ）円筒殻状あるいは球殻状の形状をしたランドあるいはグルーブのレジスト１１５上で反応性イオンスパッタ法によりスパッタを行い、円筒殻状あるいは球殻状の形状をしたＳｉＯ2等の下地層１１３を作製する。
（ｆ）反応性イオンスパッタ法によりスパッタを行い、円筒殻状あるいは球殻状の形状をしたランドあるいはグルーブのＳｉＯ2等の下地層１１３上に軟磁性層等の下地層１１１３、磁性層１１２、保護膜１１１、液体潤滑剤１１１１を作製する。
【００３４】
図２０（ａ）〜（ｄ）を用いて、本発明の実施例１、２の磁気記録媒体の別な製造方法を説明する。図にはランドと溝を有する実施例１のディスクリートトラック媒体の製造方法を示すが、実施例２のパターンド媒体の製造の場合には、トラックを構成するランドに代えて個々の記録ビットを構成するパターンを形成することになる。
（ａ）非磁性基板１１４上にＳｉＯ2等の下地層１１３をスピンコートで作製する。ＳｉＯ2等の下地層１１３上にレジスト１１５をスピンコートで作製する。
（ｂ）ＥＢリソグラフィー法あるいはフォトリソグラフィー法で、露光時間あるいは現像時間を長くして、レジスト１１５を円筒殻状あるいは球殻状の形状をしたランドあるいはグルーブに形成する。
（ｃ）円筒殻状あるいは球殻状の形状をしたランドあるいはグルーブのレジスト１１５上で反応性イオンスパッタ法によりスパッタを行い、円筒殻状あるいは球殻状の形状をしたＳｉＯ2等の下地層１１３を作製する。
（ｄ）反応性イオンスパッタ法によりスパッタを行い、円柱状あるいは球状の形状をしたランドあるいはグルーブのＳｉＯ2等の下地層１１３上に軟磁性層等の下地層１１１３、磁性層１１２、保護膜１１１、液体潤滑剤１１１１を作製する。
【００３５】
図２１（ａ）〜（ｈ）を用いて、本発明の実施例１、２の磁気記録媒体の別な製造方法を説明する。図にはランドと溝を有する実施例１のディスクリートトラック媒体の製造方法を示すが、実施例２のパターンド媒体の製造の場合には、トラックを構成するランドに代えて個々の記録ビットを構成するパターンを形成することになる。
（ａ）非磁性基板１１４上にＳｉＯ2等の下地層１１３をスピンコートで作製する。ＳｉＯ2等の下地層１１３上にレジスト１１５をスピンコートで作製する。
（ｂ）（ｃ）（ｄ）ナノインプリント法で、型１１６でレジスト１１５に圧力をかけて、レジスト１１５を所定のランドあるいはグルーブの形状に形成する。
（ｅ）レジスト１１５のある非磁性基板１１４を約１２０度〜約１８０度に加熱したホットプレート１１７上に約１５分から約６０分間乗せる。
（ｆ）レジスト１１５が再融解して、その表面張力によってランドあるいはグルーブを所定の円筒殻状あるいは球殻状に形成可能となる。
（ｇ）円筒殻状あるいは球殻状の形成をしたランドあるいはグルーブのレジスト１１５上で反応性イオンスパッタ法によりスパッタを行い、円筒殻状あるいは球殻状の形状をしたＳｉＯ2等の下地層１１３を作製する。
（ｈ）反応性イオンスパッタ法によりスパッタを行い、円筒殻状あるいは球殻状の形状をしたランドあるいはグルーブのＳｉＯ2等の下地層１１３上に軟磁性層等の下地層１１１３、磁性層１１２、保護膜１１１、液体潤滑剤１１１１を作製する。
【００３６】
図２２（ａ）〜（ｆ）を用いて、本発明の実施例１、２の磁気記録媒体の別な製造方法を説明する。図にはランドと溝を有する実施例１のディスクリートトラック媒体の製造方法を示すが、実施例２のパターンド媒体の製造の場合には、トラックを構成するランドに代えて個々の記録ビットを構成するパターンを形成することになる。
（ａ）非磁性基板１１４上にＳｉＯ2等の下地層１１３をスピンコートで作製する。ＳｉＯ2等の下地層１１３上にレジスト１１５をスピンコートで作製する。
（ｂ）（ｃ）（ｄ）ナノインプリント法で、所定の円筒殻状あるいは球殻状の形状をした型１１６でレジスト１１５に圧力をかけて、レジスト１１５を所定の円筒殻状あるいは球殻状の形状をしたランドあるいはグルーブに形成する。
（ｅ）円筒殻状あるいは球殻状の形状をしたランドあるいはグルーブのレジスト１１５上で反応性イオンスパッタ法によりスパッタを行い、円筒殻状あるいは球殻状の形状をしたＳｉＯ2等の下地層１１３を作製する。
（ｆ）反応性イオンスパッタ法によりスパッタを行い、円筒殻状あるいは球殻状の形状をしたランドあるいはグルーブのＳｉＯ2等の下地層１１３上に軟磁性層等の下地層１１１３、磁性層１１２、保護膜１１１、液体潤滑剤１１１１を作製する。
【００３７】
図２３（ａ）〜（ｅ）を用いて、本発明の実施例１、２の磁気記録媒体の円筒殻状あるいは球殻状の形状をした型１１６の製造方法を説明する。図にはランドと溝を有する実施例１のディスクリートトラック媒体の製造方法を示すが、実施例２のパターンド媒体の製造の場合には、トラックを構成するランドに代えて個々の記録ビットを構成するパターンを形成することになる。
（ａ）非磁性基板１１４上にＳｉＯ2等の下地層１１３をスピンコートで作製する。ＳｉＯ2等の下地層１１３上にレジスト１１５をスピンコートで作製する。光インプリント法の場合、非磁性基板１１４の材質は石英等、熱インプリント法の場合、非磁性基板１１４の材質はシリコン基板等を使用する。
（ｂ）ＥＢリソグラフィー法あるいはフォトリソグラフィー法で、レジスト１１５を所定のランドあるいはグルーブの形状に形成する。
（ｃ）レジスト１１５のある非磁性基板１１４を約１２０度〜約１８０度に加熱したホットプレート１１７上に約１５分から約６０分間乗せる。
（ｄ）レジスト１１５が再融解して、その表面張力によってランドあるいはグルーブを所定の円筒殻状あるいは球殻状に形成可能となる。
（ｅ）円筒殻状あるいは球殻状の形状をしたランドあるいはグルーブのレジスト１１５上で反応性イオンスパッタ法によりスパッタを行い、円筒殻状あるいは球殻状の形状をしたＳｉＯ2等の下地層１１３を作製する。円筒殻状あるいは球殻状の形状をしたＳｉＯ2等の下地層１１３を有する非磁性基板１１４を円筒殻状あるいは球殻状の形状をした型１１６として使用する。
【００３８】
図２４（ａ）〜（ｉ）を用いて、本発明の実施例３の磁気記録媒体の製造方法を説明する。
（ａ）非磁性基板１１４上にＳｉＯ2等の下地層１１３をスピンコートで作製する。ＳｉＯ2等の下地層１１３上にレジスト１１５をスピンコートで作製する。
（ｂ）ＥＢリソグラフィー法あるいはフォトリソグラフィー法で、レジスト１１５を所定のランドあるいはグルーブの形状に形成する。
（ｃ）レジスト１１５のある非磁性基板１１４を約１２０度〜約１８０度に加熱したホットプレート１１７上に約１５分から約６０分間乗せる。
（ｄ）レジスト１１５が再融解して、その表面張力によってランドあるいはグルーブを所定の円筒殻状あるいは球殻状に形成可能となる。
（ｅ）円筒殻状あるいは球殻状の形状をしたランドあるいはグルーブのレジスト１１５上で反応性イオンスパッタ法によりスパッタを行い円筒殻状あるいは球殻状の形状をした下地層１１３を作製する。
（ｆ）円筒殻状あるいは球殻状の形状をしたランドあるいはグルーブのＳｉＯ2等の下地層１１３上に軟磁性層等の下地層１１１３、磁性層１１２を作製する。
（ｇ）円筒殻状あるいは球殻状の形状をしたランドあるいはグルーブの磁性層１１２上で反応性イオンスパッタ法によりスパッタを行い、溝をＳｉＯ2等の非磁性体１１８で埋める。
（ｈ）非磁性体１１８上をイオンエッチング法により磁性層１１２が露出するまで除去する。
（ｉ）反応性イオンスパッタ法によりスパッタを行い、非磁性体１１８上及び露出した磁性層１１２上に保護膜１１１、液体潤滑剤１１１１を作製する。
【００３９】
図２５（ａ）〜（ｃ）を用いて、本発明の実施例６の磁気記録媒体の製造方法を説明する。
（ａ）図１９（ｃ）に示したレジスト１１５のある非磁性基板１１４をホットプレート１１７上に乗せる時、媒体の外周部Ｃに伝熱できるようなリング状のホットプレート１１７を使用して、外周部Ｃだけ特有の円筒殻状あるいは球殻状の形状をしたランドあるいはグルーブを作製する。
（ｂ）同様に、媒体の中周部Ｂに伝熱できるようなリング状のホットプレート１１７を使用して、媒体の中周部Ｂだけ特有の円筒殻状あるいは球殻状の形状をしたランドあるいはグルーブを作製する。
（ｃ）同様に、媒体の内周部Ａに伝熱できるようなリング状のホットプレート１１７を使用して、媒体の内周部Ａだけ特有の円筒殻状あるいは球殻状の形状をしたランドあるいはグルーブを作製する。このように、媒体の半径位置に対して加熱温度、加熱時間を変えることができるため、媒体の半径位置に対して円柱状あるいは球状の形状が異なるランドあるいはグルーブが作製可能である。
【００４０】
ここではディスクリートトラック媒体の製造方法について説明したが、湾曲した磁性層を有する本発明のパターンド媒体についても同様な方法で製造できる。
【００４１】
図２６を用いて、本発明の実施例４及び５のディスクリートトラック媒体の突起高さδcの使用範囲を説明する。本発明の実施例４及び５は、ランド部に設けられた磁気記録層の上面は、媒体表面方向に凸となった曲面形状を有し、磁気記録層の下面は平坦な形状を有することを特徴とする磁気記録媒体である。
【００４２】
図２６に示すように、記録ヘッド３で磁界を加えてディスクリートトラック媒体に記録する場合、本発明の実施例４及び５のディスクリートトラック媒体の方が、従来のディスクリートトラック媒体に比べて磁束が隣接トラックに漏れにくくするためには、式（５）〜（１２）で表される条件が必要であり、突起高さδcの使用範囲は、式（５）〜（１２）を満足する値である。つまり、本発明のディスクリートトラック媒体の隣接トラックの磁性層と記録ヘッドとの距離bbと、磁性層と記録ヘッドとの距離aaとの差（bb-aa）が、従来のディスクリートトラック媒体の隣接トラックの磁性層と記録ヘッドとの距離bと、磁性層と記録ヘッドとの距離aとの差（b-a）に比べて大きい条件が必要である。
【００４３】
【数３】
2008052850.tif 000005
【００４４】
ここで、（ｘ,ｙ）は本発明のディスクリートトラック媒体の隣接トラックの磁性層の位置、ｔLは液体潤滑剤１１１１の膜厚である。
【００４５】
例えば、Ｌwc=100nm、Ｇwc=Ｌwc/2=50nm、Ｒc=57nm、ｔc=5nm、ｔL=2nm、ｈf=25nm、ｈm3=32nm、ｘ=40nm、ｙ=18.96nm、δc=29.63nmの場合、bb-aa=27.8nm、b-a=27.36nmとなり、式（５）を満足する。したがって、本発明の実施例４及び５のディスクリートトラック媒体の突起高さδcが29.63nmの場合、従来のディスクリートトラック媒体に比べて磁束が隣接トラックに漏れにくいことが分かる。
【００４６】
図２７に、本発明より成る磁気ディスク装置の実施例を示す。図２７（ａ）は、磁気記録媒体１，２の表面に浮上した状態で磁気ヘッドスライダ４が走行及びシーク動作をしている状態の平面摸式図、図２７（ｂ）は側面摸式図である。磁気ディスク装置５は、本発明の実施例１〜２の磁気記録媒体１，２とこれを回転させる駆動部６、磁気ヘッドスライダ４、磁気ヘッドスライダ４の支持体７、位置決めする支持ア−ム８とこれの駆動部９、磁気ヘッドスライダ４に搭載された磁気ヘッドの記録再生信号を処理する回路９９を有する。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】本発明の実施例１の磁気記録媒体の断面模式図。
【図２】本発明の実施例１の磁気記録媒体の概略斜視図。
【図３】本発明の実施例２の磁気記録媒体の断面模式図。
【図４】本発明の実施例２の磁気記録媒体の概略斜視図。
【図５】本発明の実施例３の磁気記録媒体の断面模式図。
【図６】本発明の実施例４の磁気記録媒体の断面模式図。
【図７】本発明の実施例５の磁気記録媒体の断面模式図。
【図８】本発明の実施例６の磁気記録媒体の模式図。
【図９】ヨー角度ゼロの中周で、従来のディスクリートトラック媒体に記録ヘッドで磁界を加えた時の磁束ベクトルの模式図。
【図１０】ヨー角度の絶対値が大きくなる最内周及び最外周で、従来のディスクリートトラック媒体に記録ヘッドで磁界を加えた時の磁束ベクトルの模式図。
【図１１】従来の媒体と本発明の媒体の磁性層から記録ヘッドまでの距離を示す図。
【図１２】磁気ヘッドの構成を示す模式図。
【図１３】磁気ヘッドの構成を示す模式図。
【図１４】従来の媒体と本発明の媒体の磁性層から記録ヘッドまでの距離を示す図。
【図１５】従来の媒体と本発明の媒体の浮上量を比較する図。
【図１６】本発明の媒体及び従来の媒体と磁気ヘッドスライダと接触した時の断面図。
【図１７】メニスカス吸着力と円筒殻状突起の曲率半径及び円筒殻状突起高さとの関係の計算結果を示す図。
【図１８】メニスカス吸着力と球殻状突起の曲率半径及び球殻状突起高さとの関係の計算結果を示す図。
【図１９】本発明の磁気記録媒体の製造方法の説明図。
【図２０】本発明の磁気記録媒体の別の製造方法の説明図。
【図２１】本発明の磁気記録媒体の別の製造方法の説明図。
【図２２】本発明の磁気記録媒体の別の製造方法の説明図。
【図２３】本発明の磁気記録媒体の型の製造方法の説明図。
【図２４】本発明の磁気記録媒体の製造方法の説明図。
【図２５】本発明の磁気記録媒体の製造方法の説明図。
【図２６】本発明の実施例４、５の磁気記録媒体の使用範囲の説明図。
【図２７】磁気ディスク装置の概略図。
【符号の説明】
【００４８】
１，２…磁気記録媒体、１１，２１…溝、１２…ランド、２２…パターン、１１１…保護膜、１１２…磁性層、１１３…ＳｉＯ2等の下地層、１１１３…軟磁性層等の下地層、１１４…非磁性基板、１１１１…液体潤滑剤、１１５…レジスト、１１６…型、１１７…ホットプレート、１１８…非磁性体、Ａ，Ｂ，Ｃ…領域、３…記録ヘッド、３１…磁気ヘッドの再生素子、３０１…下部磁極、３０２…コイル、３１１…上部シールド、３１２…下部シールド、３１３…電磁パターン、３１４…基体、４…磁気ヘッドスライダ、１０…従来のディスクリートトラック媒体、２０…従来のパターンド媒体、５…磁気ディスク装置、６…駆動部、７…支持体、８…支持ア−ム、９…支持ア−ムの駆動部、９９…記録再生信号処理回路、Ｇw，Ｇwc…溝幅、Ｇd，Ｇdc…溝の深さ、Ｌwc…ランドの幅、Ｌw…グルーブの幅、Ｔp…トラック幅、Ｔpp…ビット幅、Ｔww…記録トラック幅、Ｆmc，Ｆm，Ｆms…メニスカス吸着力、γ…潤滑剤の表面エネルギー、ｈm…磁気的スペーシング、ｈm1…記録ヘッドの端から軟磁性層等の下地層の中心位置までの距離の磁気的スペーシング、ｈm2…記録ヘッド３の端から軟磁性層等の下地層１１１３の端までの距離の磁気的スペーシング、ｔc…媒体保護膜の膜厚、ｔmag…磁性層の膜厚、bb…本発明のディスクリートトラック媒体の隣接トラックの磁性層と記録ヘッドとの距離、aa…本発明のディスクリートトラック媒体の磁性層と記録ヘッドとの距離との差、b…従来のディスクリートトラック媒体の隣接トラックの磁性層と記録ヘッドとの距離、a…従来のディスクリートトラック媒体の磁性層と記録ヘッドとの距離、ｔL…液体潤滑剤の膜厚
【図１】
2008052850.tif 000010
【図２】
2008052850.tif 000011
【図３】
2008052850.tif 000012
【図４】
2008052850.tif 000013
【図５】
2008052850.tif 000014
【図６】
2008052850.tif 000015
【図７】
2008052850.tif 000016
【図８】
2008052850.tif 000017
【図９】
2008052850.tif 000018
【図１０】
2008052850.tif 000019
【図１１】
2008052850.tif 000020
【図１２】
2008052850.tif 000021
【図１３】
2008052850.tif 000022
【図１４】
2008052850.tif 000023
【図１５】
2008052850.tif 000024
【図１６】
2008052850.tif 000025
【図１７】
2008052850.tif 000026
【図１８】
2008052850.tif 000027
【図１９】
2008052850.tif 000028
【図２０】
2008052850.tif 000029
【図２１】
2008052850.tif 000030
【図２２】
2008052850.tif 000031
【図２３】
2008052850.tif 000032
【図２４】
2008052850.tif 000033
【図２５】
2008052850.tif 000034
【図２６】
2008052850.tif 000035
【図２７】
2008052850.tif 000036