(57)【要約】【課題】良好な表示特性の液晶装置を高い生産性で製造する製造方法を提供する。【解決手段】画素電極９を備えた第１基板１０と、これに対向配置される第２基板と、これら基板間に挟持された液晶層とを備え、画素電極９に対応する位置が表示領域Ｐとされ、この表示領域Ｐ間が非表示領域ＢＭとされる液晶装置の製造方法である。画素電極９を表示領域Ｐとなる位置に、その周縁部を非表示領域ＢＭとなる位置に形成し、画素電極９上の表示領域Ｐとなる位置に垂直配向膜４１を形成し、非表示領域ＢＭの少なくとも画素電極９の周縁部上に水平配向膜４２を形成する。このとき、基板１０Ａ上の樹脂膜４２ａにラビング処理し、レジストパターンＲをマスクにしてエッチングして、水平配向膜４２を形成し、垂直配向膜４１の材料膜４１ａを形成し、レジストパターンＲを除去して、垂直配向膜４１を形成する。【選択図】図６
2008216739.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素電極を有してなる第１基板と、該第１基板に対向して配置される第２基板と、これら基板間に挟持された液晶層とを備え、前記液晶層は初期配向状態が垂直配向を呈しかつ誘電体異方性が負の液晶によって形成され、前記画素電極に対応する位置が表示領域とされ、該表示領域間が非表示領域とされる液晶装置の製造方法であって、
前記画素電極を、前記第１基板の表示領域となる位置に形成し、かつその周縁部を前記非表示領域となる位置に張り出して形成する工程と、
前記画素電極上で、かつ少なくとも前記表示領域となる位置に、前記液晶を略垂直に配向させる第１の配向膜を形成する工程と、
前記第１基板の画素電極側で、かつ前記非表示領域における、少なくとも前記画素電極の前記非表示領域に張り出してなる周縁部上に、前記液晶を所定の方位角で配向させる第２の配向膜を形成する工程と、を有し、
前記第２の配向膜を形成する工程は、前記画素電極が形成された第１基板の画素電極側に第２の配向膜材料層を形成する工程と、前記配向膜材料層上の第２の配向膜形成箇所にレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクにしてエッチングを行う工程と、を有し
前記第１の配向膜を形成する工程は、前記第２の配向膜が形成された第１基板の該第２の配向膜を形成した側に、前記レジストパターンを覆って第１の配向膜材料層を形成する工程と、その後に前記レジストパターンを除去する工程と、を有することを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項２】
前記第２の配向膜材料膜を形成する工程は、有機材料からなる樹脂膜を形成する工程と、前記樹脂膜にラビング処理して配向性を付与する工程と、を有することを特徴とする請求項１に記載の液晶装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶装置を用いて映像を大画面に表示する装置として液晶プロジェクタがある。プロジェクタにおいては高輝度、高コントラストが要求されており、その点、垂直配向方式の液晶装置は高コントラストの表示が可能で、近年、プロジェクタ用の液晶装置の液晶配向方式として採用されつつある。
【０００３】
しかし、垂直配向方式では液晶が基板表面に対して垂直に立っており、電圧印加時に倒れる方位方向での相互作用が弱い。しかも、画素電位を印加すると、画素電極端から基板面に平行な方向に、横方向の電界が発生する。そのため、この横方向の電界に起因して、液晶が様々な方向に倒れてしまい、ディスクリネーションを生じることがあった。ディスクリネーションが生じると、明暗のムラやコントラストの低下、残像等の表示欠陥が視認されてしまう。
【０００４】
そのため、表示領域では液晶を垂直配向させて、良好なコントラスト特性を確保し、画素領域周辺の、主に非表示領域では液晶を水平配向させ、液晶の配向を規制することでディスクリネーションを防止することが考えられる。このような構成の液晶装置は、例えば特許文献１に開示されており、特許文献１の液晶装置では、無機配向膜を斜方蒸着法によって形成し、その厚さを変化させることで無機配向膜の配向角を制御し、配向膜上の液晶の方位角を制御している。
【特許文献１】特開２００５−１０７３７３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、無機配向膜は有機配向膜よりも液晶を配向させる規制力が弱く、無機配向膜によって配向させられた液晶は横方向電界に負けて配向不良を生じるおそれがある。したがって、表示領域に垂直配向膜を形成し、非表示領域には有機材料からなる水平配向膜を形成する方法が考えられる。この方法によれば、電圧印加時に画素領域周辺の液晶が倒れる方向を、有機配向膜によって十分に規制することができるので、液晶の配向不良を防止することができると考えられる。
【０００６】
ところで、このような配向膜を形成する場合、通常は垂直配向膜と水平配向膜とのうち一方を先に形成し、他方を後で形成する。水平配向膜を先に形成した場合、この水平配向膜に配向性を付与するラビング工程において、表示領域の画素電極上に水平配向膜材料を転写してしまうおそれがある。また、画素電極がラビング処理されることにより、画素電極上にラビング痕等のキズが付いてしまうおそれがある。また、垂直配向膜を形成する際にその形成材料が、先に形成された水平配向膜上に付着し、水平配向膜の配向性を損なうおそれもある。このような不具合が生じると画素の表示特性が低下してしまう。また、水平配向膜となる部分を精度良く選択的にラビング処理しようとすると、生産性が損なわれてしまうといった課題が生じてしまう。また、垂直配向膜を先に形成した場合、後に水平配向膜となる材料層に配向性を付与する工程において、先に形成された垂直配向膜にもラビング処理が施されてしまい、ラビング痕によって表示特性を低下させてしまうおそれがある。
【０００７】
本発明は、上記従来技術の問題点に鑑み成されたものであって、精度よく、かつ効率的に配向膜をパターニングし、良好な表示品質の液晶装置を高い生産性で製造することができる製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の液晶装置の製造方法は、複数の画素電極を有してなる第１基板と、該第１基板に対向して配置される第２基板と、これら基板間に挟持された液晶層とを備え、前記液晶層は初期配向状態が垂直配向を呈しかつ誘電体異方性が負の液晶によって形成され、前記画素電極に対応する位置が表示領域とされ、該表示領域間が非表示領域とされる液晶装置の製造方法であって、
前記画素電極を、前記第１基板の表示領域となる位置に形成し、かつその周縁部を前記非表示領域となる位置に張り出して形成する工程と、
前記画素電極上で、かつ少なくとも前記表示領域となる位置に、前記液晶を略垂直に配向させる第１の配向膜を形成する工程と、
前記第１基板の画素電極側で、かつ前記非表示領域における、少なくとも前記画素電極の前記非表示領域に張り出してなる周縁部上に、前記液晶を所定の方位角で配向させる第２の配向膜を形成する工程と、を有し、
前記第２の配向膜を形成する工程は、前記画素電極が形成された第１基板の画素電極側に第２の配向膜材料層を形成する工程と、前記配向膜材料層上の第２の配向膜形成箇所にレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクにしてエッチングを行う工程と、を有し
前記第１の配向膜を形成する工程は、前記第２の配向膜が形成された第１基板の該第２の配向膜を形成した側に、前記レジストパターンを覆って第１の配向膜材料層を形成する工程と、その後に前記レジストパターンを除去する工程と、を有することを特徴とする。
【０００９】
このようにすれば、表示領域側から非表示領域側に張り出した画素電極の周縁部上（第２のエリア）には、液晶を所定の方位角で配向させる第２の配向膜を形成しているので、前記周縁上の液晶は、画素電位を印加した際に、揃った方向に配向するようになる。したがって、表示領域（第１のエリア）内の液晶は、前記周縁部上の液晶によって配向する方向が規制され、画素電極端から基板と略平行な方向に発生する横方向電界に影響されることなく、一定の方向に配向するようになる。よって、表示領域での液晶の配向不良が防止され、ディスクリネーションが防止された液晶装置を製造することができる。
【００１０】
また、表示領域（第の１エリア）に配置された液晶は、画素電極の周縁部上（第２のエリア）によって、配向する方向を規制されるようになるので、電圧が印加されていない状態で略０度に垂直配向させた場合にも、電圧を印加した際には揃った方向に倒れて配向するようになり、表示領域においてディスクリネーションが防止される。よって、良好なコントラスト特性を有し、かつ表示不良が防止された液晶装置を製造することができる。
【００１１】
また、液晶を所定の方位角で配向させる第２のエリアは、前記画素電極の前記非表示領域に張り出してなる周縁部上、すなわち、表示領域の外部のみに形成しているので、表示領域には、略０度に垂直配向された液晶のみが配置されるようになる。したがって、画素の透過率は同一画素内で均一になり、所望の透過率とすることができる。よって、透過率が所望のものとならないことに起因する各画素の表示コントラスト低下が防止された液晶装置を製造することができる。
【００１２】
また、配向膜の形成方法としては、ポリイミド等の有機材料を塗布して配向膜材料層を形成し、これにラビング処理して配向性を付与する方法が一般的である。したがって、第２の配向膜の形成にこの方法を採用すれば、前記画素電極上を第２の配向膜材料層で覆った状態でラビング処理することができるので、画素電極が直接ラビング処理されることを防止できる。したがって、画素電極が直接ラビング処理されることによるラビング痕が視認される等の表示不良が防止され、また、第２の配向膜材料が画素電極上に転写されることにより、第１の配向膜の配向性が所望のものにならないことに起因して表示コントラストが低下することも防止される。
【００１３】
また、ラビング処理を前記第２の配向膜材料層上の全面に行うことができるので、効率よく第２の配向膜を形成することができる。また、前記第２の配向膜を前記第１の配向膜よりも先に形成しているので、前記第２の配向膜を形成する処理が第１の配向膜に悪影響を及ぼすことはない。
【００１４】
また、前記第１の配向膜を形成する工程において、第１の配向膜材料を第１基板の全基体に配する際に、前記第２の配向膜上は前記レジストパターンに覆われており、前記レジストパターンに付着した第１の配向膜材料は、レジストパターンを除去すると該レジストパターンとともに除去される。したがって、第１の配向膜材料を前記レジストパターン上も含めた全面に配しても、前記第２の配向膜上に前記第１の配向膜材料が付着することが防止され、第２の配向膜の配向性が損なわれることが防止される。よって、液晶に電圧を印加した際に、表示領域周縁部の液晶を良好に配向させることができ、良好な表示特性の液晶装置とすることができる。また、前記第１の配向膜材料を前記レジストパターン上も含めて全面に配することができるので、第１の配向膜を効率よく形成することができる。
【００１５】
また、前記第２の配向膜材料層を形成する工程は、有機材料からなる樹脂膜を形成する工程と、前記樹脂膜にラビング処理して配向性を付与する工程と、を有することが好ましい。
このようにすれば、公知のレジスト材料やエッチング方法を用いて第２の配向膜をパターニングし形成することができるため、高精度にパターニングされ、信頼性の高い第２の配向膜を形成することができる。また、有機材料からなる配向膜によれば、液晶に電圧を印加した際に、液晶が倒れる方向を十分に規制することができるので、横方向電界に起因する液晶の配向不良をより確実に防止でき、ディスクリネーション等の表示不良が防止される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、図面を参照して本発明の一実施形態について、ＴＦＴ（Thin-Film Transistor）素子を用いたアクティブマトリクス型の透過型液晶装置の製造方法を例に説明するが、本発明の技術範囲は以下の実施形態に限定されるものではない。また、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。
【００１７】
まず、本発明の製造方法の説明に先立ち、図１〜４を用いて本発明の製造方法によって得られる液晶装置（透過型液晶装置）１の構成を説明する。
【００１８】
図１は透過型液晶装置１のマトリクス状に配置された複数の画素におけるスイッチング素子、信号線等の等価回路図である。
図１に示すように、マトリクス状に配置された複数の画素には、画素電極９と当該画素電極９への通電制御を行うためのスイッチング素子であるＴＦＴ素子３０がそれぞれ形成されており、画像信号が供給されるデータ線６ａが当該ＴＦＴ素子３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給されるか、あるいは相隣接する複数のデータ線６ａに対してグループ毎に供給される。
【００１９】
また、走査線３ａがＴＦＴ素子３０のゲートに電気的に接続されており、複数の走査線３ａに対して走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍが所定のタイミングでパルス的に線順次で印加される。また、画素電極９はＴＦＴ素子３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ素子３０を一定期間だけオンすることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイミングで書き込む。
【００２０】
画素電極９を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、後述する共通電極との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能にする。ここで、保持された画像信号がリークすることを防止するために、画素電極９と共通電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０が付加されている。
【００２１】
図２は、透過型液晶装置１の表示部を示す図であって、画素電極９が配された第１基板の、配向膜（図示せず）が形成された面側から平面視した模式図である。液晶装置の表示部は、画素電極９（外周９ａとする）に対応してその内側に設けられた表示領域Ｐと、この表示領域Ｐ間、すなわち表示領域Ｐに囲まれた位置に設けられた非表示領域ＢＭとから構成されており、前記画素電極９は、その周縁部が非表示領域ＢＭに張り出して配置されている。また、少なくとも表示領域Ｐ全体を含んで、第１のエリアＡ１が形成されており、非表示領域ＢＭには第２のエリアＡ２が形成されている。
【００２２】
図３は、図２のＸ−Ｘ線断面の模式図である。図３に示すように、透過型液晶装置１は、第１基板１０と、第２基板２０と、これら基板間に挟持された液晶層５０とから構成されている。第１基板１０は、ガラス等の透明な基板１０Ａと、この基板１０Ａ上に形成された画素電極９や遮光膜１３、および第１の配向膜（垂直配向膜）４１、ＰＩ（ポリイミド）等からなる第２の配向膜（水平配向膜）４２等から構成されている。前記ＴＦＴ素子（図示せず）や配線（図示せず）等は遮光膜１３上に形成されており、前記基板１０Ａ側から入射する光が、前記ＴＦＴ素子等にあたることはない。また、前記遮光膜１３が形成されていることにより、非表示領域ＢＭが規定され、非表示領域ＢＭ間の画素開口部として表示領域Ｐが規定されている。
【００２３】
また、第１基板１０上には、少なくとも前記表示領域Ｐを含んで、第１のエリアＡ１が形成されており、前記非表示領域ＢＭには、少なくとも前記画素電極９の前記非表示領域に張り出してなる周縁部９ｂ上を含んで第２のエリアＡ２が形成されている。図３に示すように第１のエリアＡ１と第２のエリアＡ２とは連続して設けられている。また、前記第１のエリアＡ１に対応する画素電極９上には、第１の配向膜（垂直配向膜）４１が形成されており、前記第２のエリアＡ２に対応する画素電極９上および遮光膜１３上には、第２の配向膜４２（水平配向膜）が形成されている。
【００２４】
第２基板２０は、ガラス等からなる透明な基板２０Ａと、第１の配向膜（垂直配向膜）６１と、共通電極２１等から構成されている。なお、第２の基板側にも前記遮光膜１３を形成してもよい。
【００２５】
図４は、画素電極９と共通電極２１との間に電圧を印加したときの液晶の配向を模式的に示す図である。前記画素電極９と前記共通電極２１との間に電圧を印加すると、その間の電圧に応じて液晶層５０の液晶が配向し、透過型液晶装置１の厚さ方向に透過する光が変調され、透過型液晶装置１は階調表示が可能なものとなる。
【００２６】
このとき、本発明の透過型液晶装置１では、第２のエリアＡ２に位置する液晶５２については、電圧無印加状態において所定のプレチルト角で配向させているので、電圧を印加した場合に、揃った方向へ倒れて配向する。したがって、第１のエリアＡ１に位置する液晶５１は、電圧を印加された場合に倒れる方向が前記液晶５２に規制され、揃った方向に配向するようになる。すなわち、第１のエリアＡ１の、第２のエリアＡ２近傍に位置する液晶は、第２のエリアＡ２の外周部となる前記画素電極９の周縁部９ｂ上の液晶５２の動作に大きく影響を受け、特にその倒れる方向が周縁部９ｂ上の液晶５２の倒れる方向に規制される。
これにより、第１のエリアＡ１の液晶５１は、全て揃った方向に倒れ、均一に配向するようになる。よって、画素電極９の端部から第１基板１０に平行な方向に横方向電界が生じても、表示領域Ｐの液晶５１は、配向不良を生じることが防止される。また、本実施形態のように、ＰＩ等の有機材料からなる水平配向膜４２は、無機材料からなる配向膜よりも液晶５２の配向方向を規制する力が強いので、液晶５２の配向不良をより確実に防止できる。
【００２７】
また、表示領域Ｐに対応する液晶５１と異なる配向となる液晶５２は、非表示領域ＢＭ内のみに配置しているので、表示領域（画素開口部）Ｐに対応する画素の透過率は液晶５１のみに規定され、均一なものとなる。したがって、前記画素の透過率を所望のものとすることができる。また、表示領域Ｐに対応する液晶５１は、配向不良が防止されているので、電圧無印加状態で略垂直に配向させることができる。
【００２８】
次に本発明に係る液晶装置の製造方法の一実施形態を、上記透過型液晶装置１の製造方法を例にして説明する。
【００２９】
図５〜図７は、上記透過型液晶装置１（液晶装置）の製造方法を説明する図である。
まず、図５（ａ）に示すように、ガラス等からなる透明な基板１０Ａ上にＣｒ（クロム）等からなる遮光膜１３を格子状に形成し、この遮光膜１３によって非表示領域ＢＭを規定するとともに、この非表示領域ＢＭに囲まれた領域を表示領域（画素開口部）Ｐとする。続いて、遮光膜１３上に図１に示したＴＦＴ素子３０やデータ線６ａ、走査線３ａ等の配線を形成する。次に、前記表示領域Ｐから非表示領域ＢＭに張り出して、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）等の透明導電体を用いて画素電極９を形成する。これらの工程は、公知の方法を用いることができる。
【００３０】
次に、図５（ｂ）に示すように、画素電極９が形成された基板１０Ａの画素電極９側に、例えばスピンコート法等の方法を用いて、後述する水平配向膜（第２の配向膜）の材料を塗布し、樹脂膜（第２の配向膜材料層）４２ａを形成する。この水平配向膜の材料としては、例えばＰＩ（ポリイミド）等を用いる。
【００３１】
そして、図５（ｃ）に示すように、ラビング布をローラに巻きつけたラビング処理装置５５により、前記樹脂膜４２ａの全面にラビング処理を行い、前記樹脂膜４２ａに配向性を付与する。この時、画素電極９を樹脂膜４２ａで覆った状態でラビング処理しているので、前記画素電極９はラビング処理から保護され、前記画素電極９上にラビング痕等のキズがつくことが防止され、また、水平配向膜の材料が画素電極９上に転写されることが防止される。また、このとき、後述する垂直配向膜（第１の配向膜）は形成されていないため、垂直配向膜に配向性が付与されてしまう等の不都合を生じることもない。
【００３２】
次に、図６（ａ）に示すように、前記樹脂膜４２ａの第２の配向膜形成箇所にレジストパターンＲを形成する。そして、このレジストパターンＲをマスクにして、例えばドライエッチングすることによって、図６（ｂ）に示すように、水平配向膜（第２の配向膜）４１を形成する。水平配向膜４２が形成されたことにより、水平配向膜４２上に第２のエリアＡ２が形成可能となる。また、第２のエリアＡ２間が第１のエリアＡ１として規定される。なお、水平配向膜４２を覆っているレジストパターンＲについては、これを除去することなく、そのままに保持しておく。
【００３３】
次に、前記水平配向膜４２が形成された基板１０Ａの第１のエリアＡ１となる位置に垂直配向膜（第１の配向膜）を形成する。まず、前記基板１０Ａに、例えばＮ２雰囲気にて１５０〜１８０℃程度の温度で３時間程度乾燥処理を行う。その後、前記基板１０Ａを、例えばＯＤＳ（Ｏｃｔａｄｅｎｃｙｌｔｒｉｍｅｔｈｏｘｙｓｉｌａｎｅ）溶液を有した容器とともに密閉容器内に放置する。そして、この容器を例えば１５０℃の温度で一時間程度加熱することによって、前記ＯＤＳ溶液の蒸気を前記基板１０Ａの画素電極９露出面に接触させ、図６（ｃ）に示すように、垂直配向膜の材料層（第１の配向膜材料層）４１ａを形成する。
【００３４】
このとき、前記水平配向膜４２の上面は前記レジストパターンＲに覆われているので、水平配向膜４２上面に前記垂直配向膜の材料が付着することが防止される。また、前記画素電極９にラビング痕等のキズがつくことを防止しているので、この画素電極９上の垂直配向膜４１の配向性が、ラビング痕等のキズによって影響を受けることもない。
【００３５】
次に、図６（ｄ）に示すように、前記レジストパターンＲを除去し、その上に設けられた垂直配向膜の材料層４１ａも一緒に除去することにより、水平配向膜４２を露出させる。これにより第１のエリアＡ１に垂直配向膜４１を、第２のエリアＡ２に水平配向膜４２を、それぞれ備えた第１基板１０を形成する。
【００３６】
また、第１基板１０とは別に、図７（ａ）に示すように第２基板２０を形成する。この第２基板２０は、ガラス等の透明な材料からなる基板２０Ａ上に、ＩＴＯ等の透明導電体を用いて共通電極２１を形成し、この共通電極２１上に、垂直配向膜６１を形成する。これらの工程は公知の手法を用いることができ、例えば共通電極２１の形成にはスパッタ法等が、また、垂直配向膜６１の形成には、配向膜材料に応じてスピンコート法や蒸着法等が用いられる。
【００３７】
次に、図７（ｂ）に示すように、第１基板１０と第２基板とを、垂直配向膜（第１の配向膜）４１、６１および水平配向膜（第２の配向膜）４２が内側になるように貼り合わせ、図７（ｃ）に示すように、第１基板１０と第２基板２０との間に、液晶層５０を封入することで、透過型液晶装置１を形成する。
【００３８】
以上のような製造方法によれば、樹脂膜（第２の配向膜材料層）４２ａ上の全面にラビング処理しても、画素電極９が直接ラビング処理されることが防止される、また、レジストマスクＲが設けられた基板１０Ａ上の全面に第１の配向膜材料を配しても、第２の配向膜上に第１の配向膜材料が付着することが防止される。したがって、効率的に第２の配向膜４２と第１の配向膜４１とを形成することができ、よって、高い生産性で液晶装置（透過型液晶装置）１を製造できる。
【００３９】
なお、本実施形態では、第２のエリアＡ２を画素電極９の周縁部と画素電極９間とに連続して形成しているが、各画素電極９の周縁部９ｂのみに形成しても良い。また、遮光膜１３をＣｒ等によって形成して非表示領域ＢＭを規定しているが、例えば配線電極等によって非表示領域ＢＭを規定しても良い。
また、垂直配向膜４１を形成する方法としては、水平配向膜４２を形成した後に、例えポリシロキサンを含有する溶剤を、スピンコート法等の液相法によって第１基板の前記水平配向膜４２を形成した面側に塗布し、２００℃程度の温度で硬化させることによって形成してもよい。
また、水平配向膜（第２の配向膜）として、例えばＳｉＯ２等からなる無機配向膜を斜方蒸着法によって形成する場合等では、この無機配向膜の材料層についてはラビング処理を省略することができる。
【００４０】
［電子機器］
上記実施形態の液晶装置を備えた電子機器の例について説明する。
図８（ａ）は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図８（ａ）において、符号５００は携帯電話本体を示し、符号５０１は上記実施形態の液晶装置を用いた液晶表示部を示している。
【００４１】
図８（ｂ）は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図８（ｂ）において、符号６００は情報処理装置、符号６０１はキーボードなどの入力部、符号６０３は情報処理装置本体、符号６０２は上記実施形態の液晶装置を用いた液晶表示部を示している。
【００４２】
図８（ｃ）は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図８（ｃ）において、符号７００は時計本体を示し、符号７０１は上記実施形態の液晶装置を用いた液晶表示部を示している。
【００４３】
このように図８に示す電子機器は、表示部に上述の本発明の一例たる液晶装置を適用したものであるので、高コントラストで、かつ表示品質が高い表示装置となる。
【００４４】
［投射型表示装置］
次に、上記実施形態の液晶装置を光変調手段として備えた投射型表示装置（プロジェクタ）の構成について、図９を参照して説明する。図９は、上記実施形態の液晶装置を光変調装置として用いた投射型表示装置の要部を示す概略構成図である。図８において、８１０は光源、８１３、８１４はダイクロイックミラー、８１５、８１６、８１７は反射ミラー、８１８は入射レンズ、８１９はリレーレンズ、８２０は出射レンズ、８２２、８２３、８２４は液晶光変調装置、８２５はクロスダイクロイックプリズム、８２６は投写レンズを示す。
【００４５】
光源８１０はメタルハライド等のランプ８１１とランプの光を反射するリフレクタ８１２とからなる。青色光、緑色光反射のダイクロイックミラー８１３は、光源８１０からの光束のうちの赤色光を透過させるとともに、青色光と緑色光とを反射する。透過した赤色光は反射ミラー８１７で反射されて、上述の本発明の一例たる液晶装置を備えた赤色光用液晶光変調装置８２２に入射される。
【００４６】
一方、ダイクロイックミラー８１３で反射された色光のうち緑色光は緑色光反射のダイクロイックミラー８１４によって反射され、上述の本発明の一例たる液晶装置を備えた緑色光用液晶光変調装置８２３に入射される。なお、青色光は第２のダイクロイックミラー８１４も透過する。青色光に対しては、光路長が緑色光、赤色光と異なるのを補償するために、入射レンズ８１８、リレーレンズ８１９、出射レンズ８２０を含むリレーレンズ系からなる導光手段８２１が設けられ、これを介して青色光が上述の本発明の一例たる液晶装置を備えた青色光用液晶光変調装置８２４に入射される。
【００４７】
各光変調装置により変調された３つの色光はクロスダイクロイックプリズム８２５に入射する。このプリズムは４つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤光を反射する誘電体多層膜と青光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が形成される。合成された光は、投写光学系である投写レンズ８２６によってスクリーン８２７上に投写され、画像が拡大されて表示される。
【００４８】
上記構造を有する投射型表示装置は、上述の本発明の一例たる液晶装置を備えたものであるので、例えばラビング処理を施したときのようなラビング筋が表示される不具合がなく、高コントラストで、かつ表示品質が高い表示装置となる。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明に係る液晶装置１の等価回路図。
【図２】液晶装置１の表示部要部を平面視した模式図。
【図３】図２のＸ−Ｘ線断面図。
【図４】電圧を印加したときの液晶の配向を模式的に示す図。
【図５】本発明に係る液晶装置１の製造方法の説明図。
【図６】本発明に係る液晶装置１の製造方法の説明図。
【図７】本発明に係る液晶装置１の製造方法の説明図。
【図８】本発明に係る電子機器について幾つかの例を示す斜視図。
【図９】本発明に係る投射型表示装置についての一例を示す図。
【符号の説明】
【００５０】
１・・・透過型液晶装置（液晶装置）、９・・・画素電極、１０・・・第１基板、１３・・・遮光膜、２０・・・第２基板、２１・・・共通電極、４１、６１・・・第１の配向膜（垂直配向膜）、４２・・・第２の配向膜（水平配向膜）、４２ａ・・・感光性樹脂膜、５５・・・ラビング装置、Ａ１・・・第１のエリア、Ａ２・・・第２のエリア、Ｐ・・・表示領域（画素開口部）、ＢＭ・・・非表示領域、Ｒ・・・レジストパターン。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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