(57)【要約】【課題】光ピックアップ用高周波重畳モジュールからの不要輻射（特に高次高調波）を低減する。【解決手段】高周波電流を生成可能な発振回路を含み、この発振回路により生成した高周波電流を光ピックアップ用ＬＤの駆動電流に重畳する高周波重畳モジュールであって、ＬＤと発振回路との間にインピーダンス整合回路を備え、このインピーダンス整合回路が、ＬＤと発振回路との間に直列に接続したインダクタを含み、このインダクタを介して発振回路への電源供給を行う。ＬＤと発振回路との間にインピーダンス整合回路を備え、このインピーダンス整合回路にキャパシタを並列に接続してノッチフィルタを形成するようにしても良い。【選択図】図５
2008052856.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高周波電流を生成可能な発振回路を含み、この発振回路により生成した高周波電流を光ピックアップ用レーザダイオードの駆動電流に重畳する高周波重畳モジュールであって、
前記レーザダイオードと前記発振回路との間にインピーダンス整合回路を備え、
このインピーダンス整合回路は、前記レーザダイオードと前記発振回路との間に直列に接続したインダクタを含み、
このインダクタを介して前記発振回路への電源供給を行うようにした
ことを特徴とする光ピックアップ用高周波重畳モジュール。
【請求項２】
高周波電流を生成可能な発振回路を含み、この発振回路により生成した高周波電流を光ピックアップ用レーザダイオードの駆動電流に重畳する高周波重畳モジュールであって、
前記レーザダイオードと前記発振回路との間にインピーダンス整合回路を備え、
このインピーダンス整合回路にキャパシタを並列に接続することによりノッチフィルタを形成した
ことを特徴とする光ピックアップ用高周波重畳モジュール。
【請求項３】
前記インピーダンス整合回路は、前記レーザダイオードと前記発振回路との間に直列に接続したインダクタを含み、
このインダクタを介して前記発振回路への電源供給を行うようにした
ことを特徴とする請求項２に記載の光ピックアップ用高周波重畳モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光ピックアップ用高周波重畳モジュールに係り、特に、光ピックアップ用高周波重畳モジュールから発生される高次高調波を低減する回路構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
光ピックアップの読取りエラーを低減させる手法として、高周波重畳法が従来から知られている。この方法を実現する機能モジュールである高周波重畳モジュールは、レーザダイオード（以下、ＬＤと略称する場合がある）の直流駆動電流に高周波信号を重畳するもので、高周波電流の重畳によりシングルモードであるＬＤのモード波形をマルチモード化し、ディスクからの反射光による戻り光ノイズと、温度変動によるモードホッピングノイズとを共に低減することが出来る。
【０００３】
図７は、従来の高周波重畳モジュールの一例を示す回路図である。この図に示すように従来の高周波重畳モジュール１は、高周波電流を発生させる発振回路２と、この発振回路２に電源を供給する電源端子８と発振回路２との間に挿入したローパスフィルタ３とを備え、発振回路２で生成した高周波電流を、ＬＤ用電源端子７からＬＤ４に供給される直流駆動電流に対し主回路１０を通じて供給する。
【０００４】
発振回路２は、主回路１０にコレクタを接続したトランジスタＱ１と、トランジスタＱ１のベースと主回路１０との間に挿入した抵抗Ｒ１と、トランジスタＱ１のベース‐エミッタ間に接続したキャパシタＣ４と、トランジスタＱ１のエミッタとグランド９ａとの間に挿入した発振用のキャパシタＣ５と、トランジスタＱ１のベースとグランド９ａとの間に順に直列に挿入した発振用のインダクタＬ５およびキャパシタＣ６と、発振用キャパシタＣ５に並列にかつトランジスタＱ１のエミッタとグランド９ａとの間に挿入した出力調整用の抵抗Ｒ２とを有する。尚、上記抵抗Ｒ１はトランジスタＱ１のベース電流を設定するものであり、キャパシタＣ４はトランジスタＱ１の容量値のばらつきを低減する機能を奏する。
【０００５】
発振回路２へは電源端子８から電源を供給するが、この発振回路用電源端子８と発振回路２との間にはローパスフィルタ３を介在させる。このローパスフィルタ３は、発振回路用電源端子８から発振回路２へ電源を供給する電源ライン８ａに直列に挿入したインダクタＬ４と、当該インダクタＬ４の前後においてそれぞれ前記発振回路用電源ラインとグランド９ａとの間に接続した２つのキャパシタＣ２，Ｃ３とからなる。
【０００６】
さらにこの重畳モジュール１では、発振回路２とＬＤ４とを接続する上記主回路１０にキャパシタ（結合キャパシタ（結合コンデンサ））Ｃ７を直列に挿入し、このキャパシタＣ７を介して発振回路２とＬＤ４とを接続する。この結合キャパシタＣ７により直流分はカットされ、高周波成分のみが発振回路２からＬＤ４へ通過する。また、重畳モジュール１から発生される電磁波ノイズを低減するＥＭＣ（electromagnetic compatibility）対策回路５として、ＬＤ用電源端子７、発振回路用電源端子８およびグランド端子９と、ＬＤ４およびローパスフィルタ３との間に、インダクタ（ビーズ）Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３がそれぞれ接続されている。
【０００７】
また、ＬＤ用の電源端子７（ＬＤ用電源ライン７ａ）には、ＬＤ４を静電気破壊あるいはサージ電流等による電気的破壊から保護するサージ対策回路（ＬＤ保護用部品）６としてキャパシタＣ１が並列に接続される。尚、上記結合キャパシタＣ７、ＥＭＣ対策回路５（インダクタＬ１〜Ｌ３）およびサージ対策回路６（キャパシタＣ１）は、いずれもディスクリート部品として重畳モジュール１に外付けされる。
【０００８】
図８は、上記従来の高周波重畳モジュールの基板構造を模式的に示す概念図である。この図に示すようにこのモジュールは、表裏面を含め２２層の配線層を備えた積層基板にモジュールを形成する上記各回路素子を実装する。
【０００９】
具体的には、基板表面である第１層には、発振回路２に含まれるトランジスタＱ１を実装する接続パッド、並びにディスクリート部品（個別部品）として実装する抵抗Ｒ１，Ｒ２を搭載するための接続パッドをそれぞれ設けてある。第５層から第８層の各層には、ループ状の導体パターンを設け、これらをビアホールで接続することにより発振回路に含まれるインダクタＬ５を形成する。第１０層から第１４層の各層にはキャパシタを構成するため隣接する配線層との間で対向するように配置した平板状の電極膜をそれぞれ設け、第１０層と第１１層、第１１層と第１２層、第１２層と第１３層、並びに第１３層と第１４層との各間で発振回路２に含まれるキャパシタＣ６，Ｃ４，Ｃ５、およびローパスフィルタ３に含まれるキャパシタＣ３をそれぞれ形成する。
【００１０】
さらに、第１５層から第２０層の各層には、前記第５層から第８層と同様にループ状の導体パターンを設け、これらをビアホールで接続することによりローパスフィルタ３に含まれるインダクタＬ４を形成する。第２１層および第２２層には、前記第１０層ないし第１４層と同様に平板状の電極膜を設けると共に基板裏面である第２２層の電極をグランド電極としてこの電極と第２１層の電極とにより、ローパスフィルタ３に含まれるキャパシタＣ２を形成する。
【００１１】
尚、図８において黒丸「●」はビアホールを、白抜きの丸「○」はビアホールの接続箇所をそれぞれ示している。また、基板外形線から外側に突出させるように示した部分（第３層、第５層、第１３層、第１４層、第２１層および第２２層）は、当該位置に設けたキャスタレーション（基板の側面に設けたサイドビアホール）を通じて層間接続を行うことを示している。
【００１２】
また、高周波重畳モジュールを開示するものとして下記文献がある。
【特許文献１】特許第３７５５７５０号公報
【特許文献２】特許第３７８６３４８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
ところで、光ピックアップ用高周波重畳モジュールは発振器の一種であるから、高次高調波の不要輻射に対する対策が本来必要であり、上記従来の重畳モジュールでもＥＭＣ対策回路を設けるなどしてその対策が図られている。
【００１４】
ところが近年、電磁波の不要輻射に対する低減要求が強まる傾向にあり、例えばＦＣＣ（米国連邦通信委員会）規格などの国家主導の公的な規格のみならず、国内外の装置組立メーカー独自の規格としても、不要輻射に対する厳格なレベル要求がある。
【００１５】
一方、不要輻射を低減するには、上記のように発振回路に回路要素を付加して電磁波の発生を防ぐだけなく、発生した電磁波を外部に逃がさないように筐体側にシールドを設けることも行われており、このシールドを強化することも考えられる。しかしながら、筐体側のシールドの強化は、装置の小型化および製造コストの低減を図る上では不利であり、シールドの改良に代えあるいはそれと共に、可能な限り発生源である重畳モジュールからの発生量自体を低減することが望まれる。
【００１６】
したがって、本発明の目的は、光ピックアップ用高周波重畳モジュールからの不要輻射を低減可能な新たなモジュール構造を得る点にある。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
前記課題を解決し目的を達成するため、本願の第一の発明に係る光ピックアップ用高周波重畳モジュールは、高周波電流を生成可能な発振回路を含み、この発振回路により生成した高周波電流を光ピックアップ用レーザダイオードの駆動電流に重畳する高周波重畳モジュールであって、前記レーザダイオードと前記発振回路との間にインピーダンス整合回路を備え、このインピーダンス整合回路は、前記レーザダイオードと前記発振回路との間に直列に接続したインダクタを含み、このインダクタを介して前記発振回路への電源供給を行うようにした。
【００１８】
本発明は、光ピックアップ用の高周波重畳モジュールの回路構成を種々検討し各回路構成における輻射量の測定を行った結果得られたもので、上記第一の発明ならびに後述の第二および第三の発明のような回路構成とすれば、重畳モジュール自体からの電磁波の輻射量、特に高次（２次以上）の高調波の輻射量を従来より大幅に低減することが出来ることを本発明者は見出した。
【００１９】
上記第一の発明では、まず、ＬＤ（レーザダイオード）と、ＬＤに重畳する高周波電流を発生する発振回路との間にインピーダンス整合回路を設ける。このインピーダンス整合回路は、発振回路の出力インピーダンスをＬＤの入力インピーダンスに整合させると共に、発振回路から発生される高調波を遮断し、その輻射を阻止する機能を果たす。また、このインピーダンス整合回路は、ＬＤと発振回路との間に直列に接続したインダクタを含んでおり、発振回路へ電源の供給をこのインダクタを通じて行えば、高調波の輻射をより一層低減することが出来る。尚、この高調波の輻射量低減の効果については、実測データと共に後の実施形態の説明においてさらに詳しく述べる。
【００２０】
本願の第二の発明に係る光ピックアップ用高周波重畳モジュールは、高周波電流を生成可能な発振回路を含み、この発振回路により生成した高周波電流を光ピックアップ用ＬＤの駆動電流に重畳する高周波重畳モジュールであって、ＬＤと発振回路との間にインピーダンス整合回路を備え、このインピーダンス整合回路にキャパシタを並列に接続することによりノッチフィルタを形成する。
【００２１】
本願の第二の発明では、前記第一の発明と同様にＬＤと、これに重畳する高周波電流を発生する発振回路との間にインピーダンス整合回路を設けるが、これに加えてキャパシタを当該インピーダンス整合回路に並列に接続することによりノッチフィルタを形成する。このような回路構成によっても、従来と較べて高調波の輻射を低減することが出来る。尚、この第二の発明では、発振回路への電源供給は、ＬＤと発振回路との間に設けたインダクタ（インピーダンス整合回路）を介して行う必要はない。
【００２２】
この第二の発明に加えて、前記第一の発明の特徴である、ＬＤと発振回路間に直列に接続したインダクタを介して発振回路への電源供給を行う構成を備えたものが、本願の第三の発明である。
【００２３】
すなわち、本願の第三の発明に係る光ピックアップ用高周波重畳モジュールは、前記第一の発明と同様にインピーダンス整合回路がレーザダイオードと発振回路との間に直列に接続したインダクタを含み、このインダクタを介して発振回路への電源供給を行うと共に、インピーダンス整合回路にキャパシタを並列に接続してノッチフィルタを形成する。
【００２４】
このような第三の発明に係る高周波重畳モジュールによれば、不要輻射（特に高次高調波の輻射）をより一層低減することが出来る。
【００２５】
本発明は、各種の光ピックアップ（ＬＤ）用の高周波重畳モジュールに対して適用が可能であり、本発明に言う光ピックアップないしレーザダイオードは、例えばＣＤ（ＣＤ−ＲＯＭ、ＣＤ−Ｒ、ＣＤ−ＲＷ等）、ＤＶＤ（ＤＶＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ−ＲＡＭ、ＤＶＤ−Ｒ、ＤＶＤ−ＲＷ等）、ＭＤ、ＭＯ、光ビデオディスク、光ＰＣＭオーディオディスクその他各種の光ディスクを記録媒体として使用する光ディスク装置（複数種類の記録媒体への記録再生が可能なコンボドライブ装置またはＤＶＤマルチドライブ装置等を含む）に備えられるものであって良い。
【発明の効果】
【００２６】
本発明によれば、光ピックアップ用高周波重畳モジュールからの不要輻射を低減することが出来る。
【００２７】
本発明の他の目的、特徴および利点は、図面に基づいて述べる以下の本発明の実施の形態の説明により明らかにする。尚、前記図７および図８を含め各図中、同一又は相当する部分については同一の符号を付して重複した説明を省略する。また、本発明は下記の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載の範囲内で種々の変更を行うことができることは当業者に明らかである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下、本発明の実施の形態について説明するが、まず、本発明者が前記従来の重畳モジュールに対して改良を加えた２つの新規な重畳モジュールについて説明し、その後にこれら改良されたモジュールを基礎として本発明の実施形態について説明する。
【００２９】
〔改良モジュール（１）〕
図１は、前記従来のモジュールに改良を加えた第一の改良に係る重畳モジュールを示す回路図である。この図に示すように第一の改良モジュールは、従来のモジュールに対して、発振回路２とＬＤ４との間に介在されるようにモジュール１１（発振回路２）の出力部にインピーダンス整合回路１２を付加したものである。このインピーダンス整合回路１２は、発振回路２とＬＤ４とを接続して発振回路２で発生した高周波電流をＬＤ４に供給する主回路１０に挿入したインダクタＬ６と、当該主回路１０とグランド９ａとの間に接続したキャパシタＣ８とからなり、発振回路２の出力インピーダンスをＬＤ４の入力インピーダンスに整合させるものである。後述の第一から第三実施形態のモジュールにおいても同様のインピーダンス整合回路を設けている。
【００３０】
〔改良モジュール（２）〕
図２は、第二の改良に係る重畳モジュールを示す回路図である。この図に示すように第二の改良モジュールは、前記第一の改良モジュールにおける改良点（インピーダンス整合回路１２の付加）に加えて発振回路２２の入力部（電源端子８と発振回路２２との間）に従来設けられていたローパスフィルタ３（図７参照）を省いたものである。尚、発振回路２２の発振動作を安定化させるため、発振回路２２の入力部（電源端子８側）にキャパシタ（バイパスコンデンサ）Ｃ３１を並列に接続している。
【００３１】
本発明者は重畳モジュールの回路構成を検討する中で、従来一般的に設けられていた上記ローパスフィルタ３を設けなくても、重畳モジュールとしての機能が損なわれることはなく、また不要輻射が増大することも殆どないことを見出した。このような改良を行えば、ローパスフィルタ３の省略によりモジュールの部品点数が削減され、製造コスト並びにモジュールの小型化の点で有利となる。この改良に基づいて、後に述べる第一から第三実施形態のモジュールにおいても同様に、従来設けられていたローパスフィルタ３を省いている。
【００３２】
〔第１実施形態〕
図３は、本発明の第一の実施形態に係る高周波重畳モジュールを示す回路図である。同図に示すようにこの高周波重畳モジュール３１は、光ピックアップのＬＤ４へＬＤ用電源端子７から供給される直流駆動電流に対して高周波電流を重畳するもので、当該高周波電流を生成する発振回路２２と、発振回路２２とＬＤ４を接続して発振回路２２で発生した高周波電流をＬＤ４に供給するための主回路１０と、発振回路２２とＬＤ４との間に介在させることが出来るよう当該重畳モジュール３１（発振回路２２）の出力段に設けたインピーダンス整合回路１２とを備える。また、前記第二の改良に基づいて、発振回路２２と電源端子８との間に従来設けられていたローパスフィルタを設けていない。
【００３３】
発振回路２２は、主回路１０にコレクタを接続したトランジスタＱ１と、トランジスタＱ１のベースと主回路１０との間に挿入した抵抗Ｒ１と、トランジスタＱ１のベース‐エミッタ間に接続したキャパシタＣ４と、トランジスタＱ１のエミッタとグランドとの間に挿入した発振用のキャパシタＣ５と、トランジスタＱ１のベースとグランド９ａとの間に順に直列に挿入した発振用のインダクタＬ５およびキャパシタＣ６と、発振用キャパシタＣ５に並列にかつトランジスタＱ１のエミッタとグランド９ａとの間に挿入した出力調整用の抵抗Ｒ２とを有し、さらに主回路１０（トランジスタＱ１のコレクタ）とグラント９ａの間に挿入したキャパシタＣ３とを有する。ここで、上記抵抗Ｒ１はトランジスタＱ１のベース電流を設定するものであり、キャパシタＣ４はトランジスタＱ１の容量値のばらつきを低減する機能を奏する。
【００３４】
インピーダンス整合回路１２は、発振回路２２とＬＤ４とを接続して発振回路２２で発生した高周波電流をＬＤ４に供給する主回路１０に直列に接続したインダクタＬ６と、当該主回路１０とグランド９ａとの間に接続したキャパシタＣ８とからなり、発振回路２２の出力インピーダンスをＬＤ４の入力インピーダンスに整合させる。尚、重畳モジュール３１とＬＤ４とは、前記従来のモジュール（図７）と同様に直流分をカットし高周波成分のみを発振回路２２からＬＤ４へ供給できるよう結合キャパシタＣ７を介して接続する。すなわち、主回路１０上に設けたインピーダンス整合回路１２のインダクタＬ６に結合キャパシタＣ７を直列に接続してこの結合キャパシタＣ７を介して主回路１０（インダクタＬ６）をＬＤ用電源ライン７ａ（ＬＤ４）に接続する。
【００３５】
発振回路２２へは発振回路用電源端子８から電源を供給するが、本実施形態では、この電源供給をインピーダンス整合回路１２のインダクタＬ６を介して行う。すなわち、前記従来のモジュール（図７）では、発振回路用電源端子８と発振回路２との間に設けたローパスフィルタ３を介して発振回路２へ電源供給を行ったが、本実施形態のモジュール３１では、発振回路用電源端子８からの電源ライン８ａを主回路１０上のインダクタＬ６（インピーダンス整合回路１２のインダクタＬ６）と、発振回路２２とＬＤ４とを接続する結合キャパシタＣ７との間に接続することにより、当該インピーダンス整合回路１２のインダクタＬ６を介して発振回路２２へ電源を供給する。
【００３６】
このような発振回路２２への電源ライン８ａの配線変更を行うことにより、従来のモジュールと比較して不要輻射（特に２次以上の高次高調波の輻射量）を低減することが出来る（図１２参照／後述する）。
【００３７】
また、前記従来のモジュール１と同様に本実施形態のモジュール３１においても、高周波重畳モジュールから発生される電磁波ノイズを低減するＥＭＣ対策回路５として、ＬＤ用電源端子７、発振回路用電源端子８およびグランド端子９と、ＬＤ４および発振回路２２との間にインダクタ（ビーズ）Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３をそれぞれ接続すると共に、ＬＤ用電源端子７にサージ対策回路６（ＬＤ保護用部品）としてキャパシタＣ１を並列に接続して良い。
【００３８】
〔第２実施形態〕
図４は、本発明の第二の実施形態に係る高周波重畳モジュールを示す回路図である。同図に示すようにこの高周波重畳モジュール４１は、前記第一の実施形態に係る重畳モジュール３１と同様に、発振回路２２と、発振回路２２とＬＤ４との間に挿入されるように設けたインダクタＬ６およびキャパシタＣ８からなるインピーダンス整合回路１２とを備えるものであるが、発振回路２２への電源供給は、インピーダンス整合回路１２のインダクタＬ６を介して行うようにしておらず、従来（図７）と同様に発振回路用電源端子８からＥＭＣ対策回路５のインダクタＬ２を介して行っている。尚、前記第一実施形態と同様に前記第二の改良に基づいて、発振回路２２と電源端子８との間にローパスフィルタは設けない。
【００３９】
一方、この実施形態では、上記インピーダンス整合回路１２のインダクタＬ６に対して並列にキャパシタＣ９を接続することにより、発振回路２２（重畳モジュール４１）の出力部にノッチフィルタを形成する。すなわち、本実施形態では、互いに並列に接続したキャパシタＣ９と前記インピーダンス整合回路１２のインダクタＬ６とを、発振回路２２とＬＤ４とを接続する主回路１０に直列に接続してノッチフィルタを形成する。このように発振回路２２の出力部に設けたインピーダンス整合回路１２のインダクタＬ６と並列にキャパシタＣ９を設けてノッチフィルタを形成することによっても、重畳モジュール４１からの不要輻射を低減することが可能である（図１３参照／後述する）。
【００４０】
〔第３実施形態〕
図５は、本発明の第三の実施形態に係る高周波重畳モジュールを示す回路図である。同図に示すようにこの高周波重畳モジュール５１は、前記第一の実施形態と第二の実施形態とを組み合わせたもので、変更された発振回路２２への電源ライン８ａと、ノッチフィルタを形成するキャパシタＣ９とを備えている。
【００４１】
具体的には、前記第一および第二実施形態に係る重畳モジュール３１，４１と同様に、発振回路２２と、発振回路‐ＬＤ間に設けたインピーダンス整合回路１２とを備え、さらにインピーダンス整合回路１２中のインダクタＬ６に対して並列にかつ当該インダクタＬ６と共に主回路１０に直列に挿入されるようにキャパシタＣ９を設けてノッチフィルタを発振回路２２の出力部に形成し、このノッチフィルタを通して発振回路２２で生成された高周波電流をＬＤ４へ供給する。
【００４２】
このように発振回路２２への電源供給を発振回路‐ＬＤ間に設けたインピーダンス整合回路１２中のインダクタＬ６を通じて行い、かつ当該発振回路２２の出力部にノッチフィルタを形成すれば、重畳モジュール５１からの不要輻射をより一層低減することが可能となる（図１４参照／後述する）。
【００４３】
図６は、上記第三の実施形態に係る高周波重畳モジュール５１を形成する基板各層の構造を模式的に示す平面図である。同図に示すようにこのモジュール５１は、表裏面を含め例えば２２層の配線層を備えた積層基板に重畳モジュール５１を形成する上記各回路素子を実装することにより作製することが出来る。
【００４４】
具体的には、基板表面である第１層には、発振回路２２に含まれるトランジスタＱ１を実装する接続パッド、並びにディスクリート部品（個別部品）として実装する抵抗Ｒ１，Ｒ２を接続するための接続パッドをそれぞれ設けてある。第５層から第９層の各層には、ループ状の導体パターンを設け、これらをビアホールで接続することにより発振回路２２に含まれるインダクタＬ５を形成する。
【００４５】
第１１層から第１６層の各層にはキャパシタを形成するため隣接する配線層との間で絶縁層を介して対向するように配置した平板状の電極膜をそれぞれ設け、第１１層と第１２層、第１２層と第１３層、第１３層と第１４層、並びに第１４層と第１５層との各間で発振回路２２に含まれるキャパシタＣ６，Ｃ４，Ｃ５，Ｃ３１をそれぞれ形成する。また、第１５層と第１６層との間で、前記ノッチフィルタを構成するためのキャパシタＣ９を形成する。
【００４６】
さらに、第１８層と第１９層には、前記第５層から第９層と同様にループ状の導体パターンを設け、これらをビアホールで接続することによりインピーダンス整合回路１２に含まれるインダクタＬ６を形成する。第２１層と第２２層には、前記第１１層ないし第１６層と同様に平板状の電極膜を設けると共に基板裏面である第２２層の電極をグランド電極としてこの電極と第２１層の電極とにより、インピーダンス整合回路１２に含まれるキャパシタＣ８を形成する。
【００４７】
尚、前記図８と同様に図６において、黒丸「●」はビアホールを、白抜きの丸「○」はビアホールの接続箇所をそれぞれ示している。また、第３層、第１４層、第１６層、第２１層および第２２層において示した基板外形線から外側に突出させた部分は、当該位置に設けたキャスタレーション（基板の側面に設けたサイドビアホール）を通じて層間接続を行うことを示している。
【００４８】
上記積層基板の種類・材料は特に限定されない。例えばセラミック多層基板、又は絶縁層にアルミナとガラス成分を用いた低温焼成多層基板（ＬＴＣＣ基板）とすることも出来るし、樹脂材料を絶縁基材とした有機多層基板、あるいは樹脂材料に無機材料を混ぜた複合材料基板とすることも可能である。また、各配線層における導体パターン（配線や接続パッド、キャパシタ用の電極、インダクタ用の導体パターン等）の形成は、基板上に導体ペーストを印刷する厚膜法により形成することも出来るし、スパッタ等の薄膜法で形成することも可能である。
【００４９】
また、従来の積層構造（前記図８）では、第１３層から第２２層にローパスフィルタ３を構成するキャパシタＣ２，Ｃ３とインダクタＬ４とを配しており、一方、本発明では当該ローパスフィルタを省き、上記図６に示した本実施形態の積層構造では、このローパスフィルタを配置していたのと略同様の第１５層から第２２層に本発明に特徴的な構成（インピーダンス整合回路１２を形成するインダクタＬ６とキャパシタＣ８、並びにノッチフィルタを形成するためのキャパシタＣ９）を配置する。
【００５０】
したがって、例えば従来のローパスフィルタのキャパシタＣ２（図８：第２１〜２２層）を本発明のインピーダンス整合回路のキャパシタＣ８（図６：第２１〜２２層）に、また従来のローパスフィルタのインダクタＬ４（図８：第１５〜２０層）の一部を本発明のインピーダンス整合回路のインダクタＬ６（図６：第１８〜１９層）にそれぞれ転用するように形成することが可能であり、このような本実施形態の積層構造によれば、従来の積層構造（前記図８）を大幅に変更する必要なく本発明の重畳モジュールを実現できる利点がある。
【００５１】
さらに本実施形態の積層構造によれば、発振回路２２のインダクタＬ５と、インピーダンス整合回路１２のインダクタＬ６との間の電磁結合が、両インダクタＬ５，Ｌ６間にグランド電極（第１４層）が介在されることにより抑制できる利点もある。
【００５２】
〔電磁波輻射量の実測結果〕
図９から図１４はそれぞれ、従来の高周波重畳モジュール（図９）、前記第一の改良に係るモジュール（図１０）および第二の改良に係るモジュール（図１１）、並びに前記第一実施形態のモジュール（図１２）、第二実施形態のモジュール（図１３）および第三実施形態のモジュール（図１４）について電磁波の輻射量を測定した結果を示す線図である。また各図において（ａ）は水平方向（ディスクに平行な方向）の輻射を、（ｂ）は垂直方向（ディスクに直交する方向）の輻射をそれぞれ示し、各線図中の符号ｆ１、ｆ２およびｆ３はそれぞれ基本波、２次高調波および３次高調波を示している。
【００５３】
これらの線図から明らかなように、実施形態（図１２〜図１４）のモジュールによれば従来（図９）に較べて不要輻射、特に２次および３次高調波の輻射レベルを大幅に低減することが出来る。
【００５４】
尚、電磁波の輻射レベルの規格として、例えばＦＣＣ（米国連邦通信委員会）規格では４６ｄＢμＶ／ｍ、或る光ディスク装置の組立メーカーの社内規格の一例として例えば４０ｄＢμＶ／ｍの要求が現在存在するが、上記測定結果は高周波重畳モジュールをケースに収めてない所謂むき出しの状態で測定した結果を示すものであり、実際に光ディスク装置に組み込む場合には当該モジュールは筐体に格納されあるいはシールドに覆われるから、輻射量は上記測定値より低くなり、例示した上記規格を十分に満足させることが可能である。また、本実施形態のモジュールによれば、モジュール自体からの輻射レベルを低減することが出来るから、従来に較べてシールドを簡略化することも可能であり、不要輻射の低減に向けた筐体側の負担を軽減することも出来る。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】従来の高周波重畳モジュールを改良したモジュール（第一改良モジュール）を示す回路図である。
【図２】従来の高周波重畳モジュールを改良した別のモジュール（第二改良モジュール）を示す回路図である。
【図３】本発明の第一の実施形態に係る高周波重畳モジュールを示す回路図である。
【図４】本発明の第二の実施形態に係る高周波重畳モジュールを示す回路図である。
【図５】本発明の第三の実施形態に係る高周波重畳モジュールを示す回路図である。
【図６】前記第三の実施形態に係る高周波重畳モジュールにおける基板各層の構造を模式的に示す平面図である。
【図７】従来の高周波重畳モジュールの一例を示す回路図である。
【図８】前記従来の高周波重畳モジュールにおける基板各層の構造を模式的に示す平面図である。
【図９】前記従来の高周波重畳モジュールの電磁波の輻射量を測定した結果を示す線図であり、（ａ）は水平方向（ディスクに平行な方向）の輻射を、（ｂ）は垂直方向（ディスクに直交する方向）の輻射をそれぞれ示す。
【図１０】前記第一の改良モジュールの電磁波輻射量を測定した結果を示す線図（（ａ）は水平方向の輻射，（ｂ）は垂直方向の輻射）である。
【図１１】前記第二の改良モジュールの電磁波輻射量を測定した結果を示す線図（（ａ）は水平方向の輻射，（ｂ）は垂直方向の輻射）である。
【図１２】前記第一の実施形態に係る高周波重畳モジュールの電磁波輻射量を測定した結果を示す線図（（ａ）は水平方向の輻射，（ｂ）は垂直方向の輻射）である。
【図１３】前記第二の実施形態に係る高周波重畳モジュールの電磁波輻射量を測定した結果を示す線図（（ａ）は水平方向の輻射，（ｂ）は垂直方向の輻射）である。
【図１４】前記第三の実施形態に係る高周波重畳モジュールの電磁波輻射量を測定した結果を示す線図（（ａ）は水平方向の輻射，（ｂ）は垂直方向の輻射）である。
【符号の説明】
【００５６】
１，１１，２１，３１，４１，５１  高周波重畳モジュール
２，２２  発振回路
３  ローパスフィルタ
４  レーザダイオード（ＬＤ）
５  ＥＭＣ対策回路
６  サージ対策回路
７  ＬＤ用電源端子
８  発振回路用電源端子
９  グランド端子
１０  主回路
１２  インピーダンス整合回路
Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４，Ｃ５，Ｃ６，Ｃ７，Ｃ８，Ｃ９，Ｃ３１  キャパシタ（コンデンサ）
Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４，Ｌ５，Ｌ６  インダクタ（コイル）
Ｒ１，Ｒ２  抵抗
Ｑ１  トランジスタ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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