(57)【要約】【課題】ランプアニールに起因するランダムノイズを低減する。【解決手段】固体撮像素子は、入射光に応じた信号電荷を生成し蓄積する光電変換部と、前記信号電荷をゲート電極４５に受け取って前記信号電荷に応じた画素信号を出力するＭＯＳトランジスタからなる画素アンプ１５とを有する画素を複数備える。複数の画素は、２次元状に配置される。シリコン窒化膜６０が、薄いシリコン酸化膜５９のみを介して各画素アンプ１５のゲート電極４５を覆うように、ゲート電極４５の付近に局所的に設けられる。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
入射光に応じた信号電荷を生成し蓄積する光電変換部と、前記信号電荷をゲート電極に受け取って前記信号電荷に応じた画素信号を出力するＭＯＳトランジスタからなる画素アンプとを有する画素を複数備え、前記複数の画素が２次元状に配置された固体撮像素子であって、
シリコン窒化膜が、前記各画素アンプの前記ゲート電極を覆うように設けられたことを特徴とする固体撮像素子。
【請求項２】
前記シリコン窒化膜は、シリコン酸化膜のみを介して前記各画素アンプの前記ゲート電極を覆うことを特徴とする請求項１記載の固体撮像素子。
【請求項３】
前記シリコン窒化膜は、前記光電変換部上には設けられていないことを特徴とする請求項１又は２記載の固体撮像素子。
【請求項４】
前記シリコン窒化膜は、前記各画素アンプの前記ゲート電極の付近に局所的に設けられたことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の固体撮像素子。
【請求項５】
前記画素アンプから出力される前記画素信号を受け取る垂直信号線であって、前記画素のカラム毎に設けられた垂直信号線と、
前記各垂直信号線に対応して設けられたカラムアンプであって、対応する前記垂直信号線の信号をゲート電極に受け取って当該信号に応じたカラム信号を出力するＭＯＳトランジスタからなるカラムアンプと、
前記各カラムアンプからの前記カラム信号に基づく信号を受け取る水平信号線と、
前記水平信号線の信号をゲート電極に受け取って当該信号に応じた出力信号を出力するＭＯＳトランジスタからなる出力アンプと、
を備え、
シリコン窒化膜が、前記各カラムアンプの前記ゲート電極及び前記出力アンプの前記ゲート電極を覆うように、設けられたことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の固体撮像素子。
【請求項６】
前記シリコン窒化膜は、前記各画素アンプの前記ゲート電極の付近、前記各カラムアンプの前記ゲート電極の付近及び前記出力アンプの前記ゲート電極の付近に、局所的に設けられたことを特徴とする請求項５記載の固体撮像素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、固体撮像素子に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、ビデオカメラや電子スチルカメラが広く一般に普及している。これらのカメラには、ＣＣＤ型固体撮像素子や増幅型固体撮像素子が使用されている。最近、増幅型固体撮像素子のうちのＭＯＳ型固体撮像素子が、低消費電力であり多機能を有するため注目されつつある。
【０００３】
ＭＯＳ型固体撮像素子では、画素の光電変換部にて生成・蓄積された信号電荷を、画素に設けられたＭＯＳトランジスタで構成される画素アンプに導き、信号電荷に対応した画素信号を画素アンプから出力する（例えば、下記特許文献１，２）。
【０００４】
ところで、固体撮像素子を製造するために、Ｐ型半導体領域やＮ型半導体領域をイオン注入法に従って形成することは周知である。そして、所望のイオンを予め設けられたマスクを介してシリコン基板に注入し、注入した後に欠陥回復アニールを行う。この欠陥回復アニールは、一般的には電気炉で行われる。電気炉によるアニールは、電気炉により高温に施された雰囲気中にシリコン基板を一定時間挿入して施される。
【０００５】
しかし、電気炉による欠陥回復アニールでは、シリコン基板が長時間高温にさらされる。このため、注入された不純物がランダムに拡散してしまい、その拡散の度合いがシリコン基板の位置により異なり、拡散領域の大きさにばらつきが生ずるおそれがあった。特に、固体撮像素子においては、光電変換部は、マスクパターンと異なる面積であると、設計通りの特性が得られない。また、画素ごとで光電変換部の面積にばらつきがあると、画素ごとで特性がばらつくため、大きな問題を生じ、ひいては歩留まりの低下をきたすこととなる。
【０００６】
そこで、近年、ランプアニール（RTA：Rapid Thermal Anneal）による欠陥回復アニールが行われつつある（例えば、下記特許文献２）。ランプアニールは、ランプによる急激な高温処理である。ランプアニールでは、高温にさらされる時間は短時間であり、前述したランダムな拡散が生じ難い。このため、ランプアニールを行うことで、設計通りの光電変換部の特性や、画素ごとに均一な特性が得られると期待されている。
【特許文献１】特開２００５−１４２５０３号公報
【特許文献２】特開２００６−２６１４１４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、ランプアニールをＭＯＳ型固体撮像素子における光電変換部の形成時に用いると、固体撮像素子の出力信号においてランダムノイズが増大してしまうことが判明した。特に、高感度化を要求される固体撮像素子においては、このようなノイズは大きな支障となる。
【０００８】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、光電変換部の形成時等にランプアニールを用いても、そのランプアニールに起因するランダムノイズを低減することができる固体撮像素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者の研究の結果、前記ランダムノイズの発生箇所及び原因が次の通りであることが判明した。
【００１０】
ランダムノイズが発生するのは画素アンプ等のアンプを構成するＭＯＳトランジスタであった。そして、そのゲート電極下（ソース・ドレイン間のチャネル領域の界面）において、ダングリングボンド（ここでは、シリコン基板（チャネル領域）のシリコン酸化膜との界面に存在するシリコン原子の未結合手）が増大し、これによりランダムノイズが増大していることが判明した。このダングリングボンドが増大すると界面準位が増大し、このためノイズが増大するのである。
【００１１】
前記ダングリングボンドが増大したのは、ランプアニールによる急激な高温上昇が施されたために、ゲート電極下の界面において、シリコン原子と結合されていた酸素原子の結合が切れて、当該酸素原子がその界面から他所へ脱離してしまったためである。
【００１２】
本発明は、このような前記ランダムノイズの発生箇所及び原因の究明の結果としてなされたものである。すなわち、前記課題を解決するため、本発明の第１の態様による固体撮像素子は、入射光に応じた信号電荷を生成し蓄積する光電変換部と、前記信号電荷をゲート電極に受け取って前記信号電荷に応じた画素信号を出力するＭＯＳトランジスタからなる画素アンプとを有する画素を複数備え、前記複数の画素が２次元状に配置された固体撮像素子であって、シリコン窒化膜が、前記各画素アンプの前記ゲート電極を覆うように設けられたものである。
【００１３】
本発明の第２の態様による固体撮像素子は、前記第１の態様において、前記シリコン窒化膜は、シリコン酸化膜のみを介して前記各画素アンプの前記ゲート電極を覆うものである。
【００１４】
この第２の態様において、前記ランダムノイズをより低減するためには、前記シリコン酸化膜の厚さは、０．３μｍ以下であることが好ましく、０．２μｍ以下であることがより好ましく、０．１μｍ以下であることがより一層好ましい。
【００１５】
本発明の第３の態様による固体撮像素子は、前記第１又は第２の態様において、前記シリコン窒化膜は、前記光電変換部上には設けられていないものである。
【００１６】
本発明の第４の態様による固体撮像素子は、前記第１乃至第３のいずれかの態様において、前記シリコン窒化膜は、前記各画素アンプの前記ゲート電極の付近に局所的に設けられたものである。
【００１７】
本発明の第５の態様による固体撮像素子は、前記第１乃至第３のいずれかの態様において、前記画素アンプから出力される前記画素信号を受け取る垂直信号線であって、前記画素のカラム毎に設けられた垂直信号線と、前記各垂直信号線に対応して設けられたカラムアンプであって、対応する前記垂直信号線の信号をゲート電極に受け取って当該信号に応じたカラム信号を出力するＭＯＳトランジスタからなるカラムアンプと、前記各カラムアンプからの前記カラム信号に基づく信号を受け取る水平信号線と、前記水平信号線の信号をゲート電極に受け取って当該信号に応じた出力信号を出力するＭＯＳトランジスタからなる出力アンプと、を備え、シリコン窒化膜が、前記各カラムアンプの前記ゲート電極及び前記出力アンプの前記ゲート電極を覆うように、設けられたものである。
【００１８】
本発明の第６の態様による固体撮像素子は、前記第５の態様において、前記シリコン窒化膜は、前記各画素アンプの前記ゲート電極の付近、前記各カラムアンプの前記ゲート電極の付近及び前記出力アンプの前記ゲート電極の付近に、局所的に設けられたものである。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、光電変換部の形成時等にランプアニールを用いても、そのランプアニールに起因するランダムノイズを低減することができる固体撮像素子を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明による固体撮像素子について、図面を参照して説明する。
【００２１】
図１は、本発明の一実施の形態による固体撮像装置１を示す回路図である。図１では、３×３個の画素１１を有するものとして示しているが、画素数はこれに限られるものではない。
【００２２】
固体撮像素子１は、２次元状に配置された複数の画素１１と、画素１１の出力を選択するための垂直走査回路４及び水平走査回路５と、画素１１のカラム毎に設けられ画素１１（特に、その画素アンプ１５）から出力される画素信号を受け取る垂直信号線３２と、各垂直信号線３２に対応して設けられ対応する垂直信号線３２の信号をゲート電極（図示せず）に受け取って当該信号に応じたカラム信号を出力するＭＯＳトランジスタからなるカラムアンプ３５と、対応するカラムアンプ３５からの信号について相関二重サンプリング処理を行うＣＤＳ回路３６と、ＣＤＳ回路３６の出力（前記カラム信号に基づく信号）を水平スイッチトランジスタ３７を介して受け取る水平信号線３１と、水平信号線３１の信号をゲート電極（図示せず）に受け取って当該信号に応じた出力信号を出力するＭＯＳトランジスタからなる出力アンプ３８と、を備えている。
【００２３】
各画素１１は、図１に示すように、光電変換部１３、転送トランジスタ１４、画素アンプ１５、行選択トランジスタ１６及びリセットトランジスタ１７を有している。ここでは、転送トランジスタ１４、画素アンプ１５、行選択トランジスタ１６、リセットトランジスタ１７のいずれも、ＮＭＯＳトランジスタを用いている。
【００２４】
転送トランジスタ１４は、そのゲートが駆動配線２１によって行方向に共通に接続され、垂直走査回路４の駆動信号φＴＧ（ｎ，ｎ＋１）に従って動作する。行選択トランジスタ１６は、そのゲートが駆動配線２２によって行方向に共通に接続され、垂直走査回路４の駆動信号φＬ（ｎ，ｎ＋１）に従って動作する。また、リセットトランジスタ１７は、そのゲートが駆動配線２３によって行方向に共通に接続され、垂直走査回路４の駆動信号φＲＳ（ｎ，ｎ＋１）に従って動作する。画素アンプ１５のドレインとリセットトランジスタ１７のドレインは、全画素共通に接続され、配線２４を介して電源電圧ＶＤＤに接続されている。画素アンプ１５のソースは行選択トランジスタ１６のドレインと接続され、行選択トランジスタ１６のソースは垂直信号線３２と列方向（カラム方向）に共通に接続されている。
【００２５】
各垂直信号線３２の一方の端部には定電流源３３と、垂直信号線３２をリセットする垂直信号線リセットトランジスタ３４が配置される。定電流源３３には一定電圧ＶＣＳが、垂直信号線リセットトランジスタ３４には一定電圧ＶＲＶが印加される。ここでは、ＶＣＳ、ＶＲＶの両方とも接地電位としている。垂直信号線リセットトランジスタ３４のゲートには駆動信号φＲＶが印加され、この駆動信号φＲＶに従って垂直信号線３２がリセットされる。
【００２６】
各垂直信号線３２の他方の端部は、カラムアンプ３５、ＣＤＳ回路３６、水平スイッチトランジスタ３７を介して水平信号線３１に接続されている。水平信号線３１には、出力アンプ３８が接続されている。水平スイッチトランジスタ３７のゲート電極は、駆動配線２５と接続されている。水平スイッチトランジスタ３７は、水平走査回路５からの駆動信号φＨによって動作する。
【００２７】
なお、図示されていないが、水平信号線３１には水平信号線３１をリセットする水平リセットトランジスタが実際には配置され、信号が読み出されるたびに水平信号線３１を一定電位にリセットする。
【００２８】
ＣＤＳ回路３６は、相関二重サンプリングを行う。画素アンプ１５から出力される電気信号には、固定パターンノイズやリセットノイズなど（以下、単にノイズと記載する）に対応するダークレベルが含まれている。ダークレベルは、画素アンプ１５のゲート電位をリセットするごとに変化する。そこで、まず、リセット直後のノイズに対応する電気信号（ダークレベル）を画素１１から出力し、ＣＤＳ回路３６に一旦蓄積させる。次いで、光電変換部１３に蓄積されている光電荷を画素アンプ１５のゲートに転送しノイズと重畳した光電荷に対応する電気信号を画素からＣＤＳ回路３６に出力し、両者を差し引いて光電荷に対応する真の電気信号を水平スイッチトランジスタ３７を介して水平信号線３１に出力する。相関二重サンプリングの手法は周知技術であり、ここではその詳細な説明は省略する。
【００２９】
本実施の形態による固体撮像装置１では、前述した各駆動信号が所定のタイミングで出力されることにより、信号の読み出し駆動が行われる。ここで、この信号の読み出し駆動に関して、簡単に説明する。
【００３０】
露光が開始され所定時間経過したのち、選択行の行選択トランジスタ１６がオン状態とされ、ソースフォロワ読み出しが開始される。それと同時に、選択行のリセットトランジスタ１７がオン状態とされる。これにより、フローティング拡散部及び画素アンプ１５のゲートは、電源電圧ＶＤＤの電圧にリセットされる。次いで、リセットトランジスタ１７はオフ状態とされるが、フローティング拡散部及び画素アンプ１５のゲートは、リセット時の電位を保持する。
【００３１】
この動作と並行して、ソースフォロワ読み出しが行われ、行選択トランジスタ１６を介して画素アンプ１５から、上記のリセット時の電位に対応する信号（以下暗信号と称す）が垂直信号線３２に出力されＣＤＳ回路３６に保持される。
【００３２】
次いで、転送トランジスタ１４がオン状態とされて光電変換部１３の電荷蓄積層５５（図３参照）に蓄積されていた入射光による電荷がフローティング拡散部４１，４２（図２参照）に転送される。そして、リセット時の電位と入射光による電荷の重畳された電圧に対応する電気信号（以下明信号と称す）が、垂直信号線３２に出力されＣＤＳ回路３６に保持される。
【００３３】
ＣＤＳ回路３６では、明信号から暗信号を減算処理し、リセット時のノイズが除去された真の信号を、水平スイッチトランジスタ３７を介して出力アンプ３８に供給する。出力アンプ３８は、ＣＤＳ回路３６から水平スイッチトランジスタ３７を介して受け取った信号を増幅して、外部へ出力する。
【００３４】
ここで、図１に示す固体撮像装置１の各画素１１の構造について、図２乃至図４を参照して説明する。図２は、図１に示す固体撮像装置１の２×２個の画素１１を模式的に示す概略平面図である。図３は、図２中のＡ−Ａ’線に沿った概略断面図である。図４は、図２中のＢ−Ｂ’線に沿った概略断面図である。実際には、光電変換部１３の上部にはカラーフィルタやマイクロレンズが配置されるが、ここでは省略する。
【００３５】
本実施の形態では、Ｎ型シリコン基板５１上にＰ型ウエル５２を設け、Ｐ型ウエル５２中に光電変換部１３などの画素部における各素子を配置させている。各画素１１は、ＬＯＣＯＳによる厚いシリコン酸化膜５６とその下に配置された分離拡散５７によって分離されている。
【００３６】
図２において、符号４１、４２、４８、４９及び５０は、前述した各トランジスタの一部となっているＮ型不純物拡散領域である。符号４３、４４、４５及び４６は、ポリシリコンによる各トランジスタのゲート電極である。なお、符号４８は、電源電圧ＶＤＤが印加される電源拡散部であり、符号４１、４２はフローティング拡散部である。また、電極４３、４４、４６は、駆動用配線２１、２３、２２とそれぞれ接続されており、垂直走査回路４から出力される駆動信号φＴＧ、φＲＳ、φＬがそれぞれ印加される。
【００３７】
光電変換部１３は、Ｎ型の電荷蓄積層５５とその表面側に配置されたＰ型の空乏化防止層５４からなる埋め込み型フォトダイオードである。しかし、光電変換部１３は、埋め込みフォトダイオードに代えて、空乏化防止層５４の無いフォトダイオードにしても良い。
【００３８】
光電変換部１３は、入射する光を光電変換し、生じた電荷を電荷蓄積層５５に蓄積する。光電変換部１３の電荷蓄積層５５に蓄積された電荷は、転送トランジスタ１４がオン状態とされることによってフローティング拡散部４１、４２に転送される。
【００３９】
転送トランジスタ１４は、光電変換部１３の電荷蓄積層５５をソース、一方のフローティング拡散部４１をドレインとしたＭＯＳトランジスタである。転送トランジスタ１４は、そのゲート４３（以下、転送ゲートと称す）に印加される駆動信号φＴＧにより駆動される。
【００４０】
フローティング拡散部４１、４２は、転送ゲート４３と隣接配置される第１のフローティング拡散部４１と、第１のフローティング拡散部４１とは分離部によって隔てられた第２のフローティング拡散部４２とを有し、それらは配線４７によって電気的に接続されている。また、フローティング拡散部４１、４２は、配線電極４７によって画素アンプ１５のゲート４５と電気的に接続されている。
【００４１】
画素アンプ１５は、電源拡散部４８をドレイン、拡散領域４９をソースとするＭＯＳトランジスタである。上記のように、画素アンプ１５のゲート電極４５は、フローティング拡散部４１、４２（転送トランジスタ１４のドレイン）に接続されている。そして、画素アンプ１５は、そのゲート電極４５の電圧に応じた電気信号を出力する。したがって、画素アンプ１５は、光電変換部１３で生成・蓄積された電荷の量に応じた電気信号（画素信号）を出力する。
【００４２】
行選択トランジスタ１６は、拡散領域４９をソース、拡散領域５０をドレインとするＭＯＳトランジスタである。行選択トランジスタ１６は、オン状態にされることで、画素アンプ１５の出力を垂直信号線３２に出力する。すなわち、画素アンプ１５と行選択トランジスタ１６によって、ソースフォロワによる読み出しが可能となっている。
【００４３】
リセットトランジスタ１７は、電源拡散部４８をドレイン、第２のフローティング拡散部４２をソースとするＭＯＳトランジスタである。リセットトランジスタ１７は、オン状態にされることで、フローティング拡散部４１、４２に蓄積されている電荷をリセットする。
【００４４】
図３及び図４において、５８は各トランジスタのゲート電極４３〜４６の下側に配置された薄いシリコン酸化膜、５９は各トランジスタのゲート電極４３〜４６の上側に配置された薄いシリコン酸化膜である。シリコン酸化膜５９上には、層間絶縁膜をなすシリコン酸化膜６１が形成されている。
【００４５】
本実施の形態では、図２及び図４に示すように、シリコン窒化膜６０が、薄いシリコン酸化膜５９のみを介して各画素アンプ１５のゲート電極４５を覆うように、ゲート電極４５の付近に局所的に設けられている。
【００４６】
本実施の形態では、このようにシリコン窒化膜６０が設けられているので、ランプアニールに起因するランダムノイズをより低減することができる。その理由について、以下に説明する。
【００４７】
シリコン窒化膜６０は、酸素原子を透過させない。このため、ランプアニールによる急激な温度上昇によって、シリコンとの結合が切れてシリコン界面（画素アンプ１５のゲート電極４５下のチャネル領域（Ｐ型ウエル５２）のシリコン酸化膜５８との界面）１５ａから抜け出した酸素原子は、シリコン窒化膜６０によってブロックされ、それよりも外側へ出て行くことができない。このため、シリコン界面１５ａから抜け出した酸素原子は、シリコン界面１５ａの付近に滞ることになる。これにより、シリコン界面１５ａの付近の酸素原子の密度が高まるので、新たにシリコンとの結合が切れてシリコン界面１５ａから抜け出る酸素原子は少なくなる。仮に酸素原子とシリコンとの結合が切れても、シリコン界面１５ａの付近に滞留している酸素原子がシリコンと新たに結合する場合もある。したがって、本実施の形態によれば、光電変換部の形成時におけるイオン注入の欠陥回復アニールをランプアニールで行っても、シリコン界面１５ａのダングリングボンドの増大が抑制され、これにより、ランダムノイズの増大が防止される。このため、当該固体撮像素子１の歩留まりが向上し、ひいては製造コストも低減される。
【００４８】
図５は、本実施の形態による固体撮像素子１と比較される比較例による固体撮像素子を示す概略断面図であり、図４に対応している。この比較例が本実施の形態と異なる所は、画素アンプ１５のゲート電極４５を覆うシリコン窒化膜６０が形成されていない点のみである。この引用例は従来技術に相当している。
【００４９】
この比較例では、酸素原子をブロックするシリコン窒化膜６０が設けられていないので、ランプアニールによる急激な温度上昇によって、シリコン界面１５ａから抜け出した酸素原子は、シリコン界面１５ａの付近に滞ることなく、シリコン酸化膜６１の方へ自由に逃げていき、シリコン界面１５ａの付近の酸素原子の密度はさほど高まらない。したがって、その後も、シリコン界面１５ａから抜け出す酸素原子の数はさほど少なくなくならない。このため、ランプアニールを行うと、シリコン界面１５ａのダングリングボンドが増大し、これにより、ランダムノイズが増大するのである。
【００５０】
ところで、本発明では、シリコン窒化膜６０は、シリコン酸化膜５９を介することなく画素アンプ１５のゲート電極４５を直接に覆うように、設けてもよい。しかし、その場合には、シリコン窒化膜６０のストレスによってシリコン基板中に欠陥が生じ易い。本実施の形態のように、シリコン酸化膜５９を介してシリコン窒化膜６０を形成すれば、シリコン基板中に欠陥が生じにくくなるので、好ましい。ただし、シリコン酸化膜５９が厚ければ、シリコン界面１５ａとシリコン窒化膜６０との間が拡がってしまう。このため、界面１５ａから酸素原子が比較的逃げ易くなり、ランプアニールに起因するランダムノイズを低減する効果が低下してしまう。したがって、ランプアニールに起因するランダムノイズをより低減するためには、シリコン界面１５ａとシリコン窒化膜６０との間を狭めるべく、シリコン酸化膜５９の厚さは、０．３μｍ以下であることが好ましく、０．２μｍ以下であることがより好ましく、０．１μｍ以下であることがより一層好ましい。
【００５１】
シリコン窒化膜６０は、シリコン酸化膜等の他の絶縁膜に比べて光の透過率が低い。このため、シリコン窒化膜６０が光電変換部１３上に配置されると、光電変換部１３に入射する光量が低下して、感度が低下してしまう。これに対し、本実施の形態では、図２及び図３に示すように、光電変換部１３上にはシリコン窒化膜６０が配置されていないので、光電変換部１３に入射する光量が低下せず、好ましい。
【００５２】
シリコン窒化膜６０を広い領域に形成すると、シリコン窒化膜６０とシリコンとの間に比較的大きい応力が発生するおそれがある。そのような比較的大きい応力が生ずると、シリコンに結晶欠陥が生ずるおそれがある。これに対し、本実施の形態では、シリコン窒化膜６０はゲート電極４５の付近に局所的に設けられ、シリコン窒化膜６０が配置される領域が狭いので、その応力は低減され、シリコン窒化膜６０の応力による結晶欠陥の発生を防止することが可能となる。
【００５３】
図面には示していないが、本実施の形態では、前述したようにシリコン窒化膜６０が画素アンプ１５のゲート電極４５を覆うように設けられているのみならず、シリコン窒化膜が、薄いシリコン酸化膜５９のみを介して各カラムアンプ３５のゲート電極及び出力アンプ３８のゲート電極を覆うように、それらのゲート電極の付近に局所的に設けられている。したがって、本実施の形態によれば、ランプアニールに起因して画素アンプ１５で生ずるランダムノイズのみならず、ランプアニールに起因してカラムアンプ３５及び出力アンプ３８で生ずるランダムノイズも低減することができる。もっとも、本発明では、カラムアンプ３５のゲート電極及び出力アンプ３８のゲート電極については、シリコン窒化膜を必ずしも設ける必要はない。
【００５４】
以上、本発明の実施の形態について説明したが、本発明はこの実施の形態に限定されるものではない。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本発明の一実施の形態による固体撮像装置を示す回路図である。
【図２】図１に示す固体撮像装置の２×２個の画素を模式的に示す概略平面図である。
【図３】図２中のＡ−Ａ’線に沿った概略断面図である。
【図４】図２中のＢ−Ｂ’線に沿った概略断面図である。
【図５】本実施の形態による固体撮像素子と比較される比較例による固体撮像素子を示す概略断面図である。
【符号の説明】
【００５６】
１３  光電変換部
１５  画素アンプ
３１  水平信号線
３２  垂直信号線
３５  カラムアンプ
３８  出力アンプ
４５  画素アンプのゲート電極
５９  シリコン酸化膜
６０  シリコン窒化膜
【図１】
2008227214.tif 000003
【図２】
2008227214.tif 000004
【図３】
2008227214.tif 000005
【図４】
2008227214.tif 000006
【図５】
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