(57)【要約】【課題】圧力で変形しない中空構造を有し、貫通電極やその周囲の樹脂封止部に熱応力等に起因したクラック等が発生することを抑制すること。【解決手段】本発明は、基板１０に設けられた弾性波素子１２と、弾性波素子１２上に空洞１６を有し空洞１６の側面および上面を覆うように基板１０上に設けられた樹脂封止部２０と、空洞１６以外において樹脂封止部２０を貫通し弾性波素子１２に電気的に接続する貫通電極４０と、貫通電極４０上に設けられた接続端子４８と、空洞１６上において、上下を樹脂封止部２０に挟まれ、樹脂封止部２０より弾性率の大きい補強層３０と、を具備する弾性波デバイス及びその製造方法である。【選択図】図１
2008227748.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に設けられた弾性波素子と、
前記弾性波素子上に空洞を有し該空洞の側面および上面を覆うように前記基板上に設けられた樹脂封止部と、
前記空洞以外において前記樹脂封止部を貫通し前記弾性波素子に電気的に接続する貫通電極と、
前記貫通電極上に設けられた接続端子と、
前記空洞上において、上下を前記樹脂封止部に挟まれ、前記樹脂封止部より弾性率の大きい補強層と、を具備することを特徴とする弾性波デバイス。
【請求項２】
前記補強層は前記樹脂封止部に完全に囲まれていることを特徴とする請求項１記載の弾性波デバイス。
【請求項３】
前記補強層は金属からなることを特徴とする請求項１または２記載の弾性波デバイス。
【請求項４】
前記補強層は前記弾性波素子から電気的に分離されていることを特徴とする請求項３記載の弾性波デバイス。
【請求項５】
第１樹脂層上に前記第１樹脂層より弾性率が大きい補強層を形成する工程と、
前記補強層を覆うように前記補強層より弾性率が小さい第２樹脂層を形成し、前記第１樹脂層及び前記第２樹脂層を含む樹脂封止部を形成する工程と、
弾性波素子が設けられた基板上に、前記弾性波素子上に空洞を有し該空洞の側面および上面を前記樹脂封止部が覆い、前記補強層が前記空洞上に配置されるように前記樹脂封止部を固定する工程と、
を有することを特徴とする弾性波デバイスの製造方法。
【請求項６】
前記空洞以外において、前記樹脂封止部を貫通し、前記弾性波素子と電気的に接続する貫通電極を形成する工程を有することを特徴とする請求項５記載の弾性波デバイスの製造方法。
【請求項７】
前記貫通電極上に接続端子を形成する工程を有することを特徴とする請求項６記載の弾性波デバイスの製造方法。
【請求項８】
前記補強層は金属からなることを特徴とする請求項５から７のいずれか一項記載の弾性波デバイスの製造方法。
【請求項９】
前記補強層はメッキ法を用い形成されることを特徴とする請求項８記載の弾性波デバイスの製造方法。
【請求項１０】
前記樹脂封止部を形成する工程は、前記第２樹脂層上に前記空洞となるべき凹部を有する第３樹脂層を形成する工程を含み、
前記樹脂封止部を固定する工程は、前記第３樹脂層を前記基板に固定することにより、前記樹脂封止部を前記基板に固定する工程であることを特徴とする請求項５から９のいずれか一項記載の弾性波デバイスの製造方法。
【請求項１１】
前記第３樹脂層は接着性樹脂であり、
前記樹脂封止部を固定する工程は、前記第３樹脂層を用い、前記樹脂封止部を前記基板に接着する工程であることを特徴とする請求項１０記載の弾性波デバイスの製造方法。
【請求項１２】
前記第３樹脂層を覆うように接着層を形成する工程を有し、
前記樹脂封止部を固定する工程は、前記接着層を用い、前記樹脂封止部を前記基板に接着する工程であることを特徴とする請求項１０記載の弾性波デバイスの製造方法。
【請求項１３】
前記第２樹脂層及び前記第３樹脂層は感光性樹脂であり、
前記第３樹脂層を形成する工程は、現像することにより、前記第２樹脂層及び前記第３樹脂層に貫通電極を形成すべき孔及び前記空洞となるべき前記凹部を同時に形成する工程を含むことを特徴とする請求項１０から１２のいずれか一項記載の弾性波デバイスの製造方法。
【請求項１４】
支持板上に前記樹脂封止部を形成する工程を有し、
前記樹脂封止部を固定する工程は、前記樹脂封止部が前記支持板に形成された状態で行われ、
前記支持板を前記樹脂封止部から剥離する工程を有することを特徴とする請求項５から９のいずれか一項記載の弾性波デバイスの製造方法。
【請求項１５】
前記第１樹脂層には前記補強層を露出する開口が形成されていることを特徴とする請求項５から１４のいずれか一項記載の弾性波デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は弾性波デバイスおよびその製造方法に関し、特に弾性波素子の上部に空洞を有する封止部を備えた弾性波デバイスおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
弾性波デバイスは、例えば４５ＭＨｚ〜２ＧＨｚの周波数帯における無線信号を処理する各種回路、例えば送信用バンドパスフィルタ、受信用バンドパスフィルタ、局所発振フィルタ、アンテナ共用器、中間周波数フィルタ、ＦＭ変調器等に用いられている。近年これらの信号処理機器は小型化が進み、使用される弾性波デバイス等の電子部品も小型化が求められている。弾性波デバイスに用いる弾性波素子としては、圧電基板上に金属膜を用いすだれ電極（ＩＤＴ：Ｉｎｔｅｒｄｉｇｉｔａｌ  Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）や反射器を形成した弾性表面波（ＳＡＷ）素子、圧電薄膜を金属電極で挟む圧電薄膜共振器（ＦＢＡＲ）素子などがある。
【０００３】
特に移動体電話端末等の携帯用電子機器においては、電子部品をモジュール化して用いることが多くなってきている。モジュール化は、低コスト化のため、電子部品を表面実装し樹脂封止することにより行われる。そのため、表面実装可能で、モジュール化の樹脂封止（例えばトランスファーモールド）の際の圧力に耐えられる弾性波デバイスが求められる。同時に、弾性波素子の特性を維持するためには弾性波素子の機能部分（振動部分）上面に空洞を設けることが求められている。弾性波素子の機能部分としては、弾性表面波素子ではＩＤＴの電極指であり、圧電薄膜共振器素子では圧電薄膜を挟みこむ上下電極の重なる領域である。
【０００４】
このような要求を満たすために、弾性波素子内の機能部分上に接する空洞を有する封止部を設けた構造（いわゆる中空構造）を形成する方法が提案されている。特許文献１には、弾性波素子上に空洞となるべき領域に溶解用樹脂を形成し、溶解用樹脂上に上部板を形成した後、溶解用樹脂を除去することにより中空構造を形成する方法(従来例１)が開示されている。特許文献２には、電気的構造素子を包囲するフレーム構造体を形成し、電気的構造素子上が空洞になるように、フレーム構造体上に補助フィルムを貼り、その上に樹脂層を形成し、フレーム構造体の屋根部分以外を除去することにより中空構造を形成する方法(従来例２)が開示されている。特許文献３には、弾性波素子を形成した圧電基板上に樹脂フィルムを貼り、弾性波素子が複数設けられた基板の機能部分上部の樹脂フィルムを開口し、樹脂フィルム上に回路基板を接着し中空構造を形成する方法（従来例３）が開示されている。特許文献４には、弾性波素子を複数設けた基板上に感光性樹脂を形成し、弾性波素子の機能部分上部の感光性樹脂を開口し、その上に配線基板集合体の基板を実装し、ダイシングで分割することにより中空構造を形成する方法(従来例４)が開示されている。特許文献５には、弾性波素子を包囲する包囲壁と、中空構造を形成するための蓋体とを異なる樹脂を用いる方法（従来例５）が開示されている。また、特許文献６には、弾性波素子上に金属キャップを設け、金属キャップ上を樹脂で封止する方法（従来例６）が開示されている。
【特許文献１】特許３２９１０４６号公報
【特許文献２】特表２００３−５２３０８２号公報
【特許文献３】特許３１９６６９３号公報
【特許文献４】特許３２２５９０６号公報
【特許文献５】特開平１０−９３３８３号公報
【特許文献６】特開平１１−２５１８５５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従来例１ないし４の方法で形成された弾性波デバイスは、モジュール化の際に加わる圧力に対し耐えられず、中空構造が変形してしまう。一方、従来例５の方法はモジュール化の際に中空構造が変形することを抑制することを目的としている。しかしながら、例えば、表面実装の要求のため弾性波デバイスの表面側（弾性表波素子が形成された側）に外部と電気的に接続するための接続端子を設けた場合、蓋体を貫通して貫通電極を設け、貫通電極上に接続端子が設けられる。蓋体は変形防止のため弾性率の高い材料が用いられる。このため、貫通電極や接続端子と蓋体との熱応力等により、蓋体、貫通電極や接続端子にクラック等が発生する。特に、接続端子と貫通極との間に応力が集中しクラック等の発生が生じ易い。一方、従来例６のように、弾性波素子の近くに金属キャップを設けると、浮遊容量が大きくなってしまう。さらに、従来例６においては、金属キャップを弾性波素子上に個々に搭載することを想定しており、製造コストが増大する。
【０００６】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたもので、圧力で変形しない中空構造を有し、貫通電極やその周囲の樹脂封止部に熱応力等に起因したクラック等が発生することを抑制する、または、圧力で変形しない中空構造の製造コストを削減することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、基板に設けられた弾性波素子と、前記弾性波素子上に空洞を有し該空洞の側面および上面を覆うように前記基板上に設けられた樹脂封止部と、前記空洞以外において前記樹脂封止部を貫通し前記弾性波素子に電気的に接続する貫通電極と、前記貫通電極上に設けられた接続端子と、前記空洞上において、上下を前記樹脂封止部に挟まれ、前記樹脂封止部より弾性率の大きい補強層と、を具備することを特徴とする弾性波デバイスである。本発明によれば、補強層の上が弾性率の小さな樹脂封止部からなるため、応力を緩和させることができる。さらに、空洞上に樹脂封止部より弾性率の大きい補強層が設けられているためより、圧力で変形しない中空構造を提供することができる。さらに、補強層と空洞との間に樹脂封止部が設けられているため、浮遊容量を抑制することができる。
【０００８】
上記構成において、前記補強層は前記樹脂封止部に完全に囲まれている構成とすることができる。この構成によれば、補強層を弾性波素子に電気的に接続する工程を削減できる。
【０００９】
上記構成において、前記補強層は金属からなる構成とすることができる。この構成によれば、弾性率の大きな補強層とすることができる。
【００１０】
前記補強層は前記弾性波素子から電気的に分離されている構成とすることができる。この構成によれば、補強層を弾性波素子に電気的に接続する工程を削減できる。
【００１１】
本発明は、第１樹脂層上に前記第１樹脂層より弾性率が大きい補強層を形成する工程と、前記補強層を覆うように前記補強層より弾性率が小さい第２樹脂層を形成し、前記第１樹脂層及び前記第２樹脂層を含む樹脂封止部を形成する工程と、弾性波素子が設けられた基板上に、前記弾性波素子上に空洞を有し該空洞の側面および上面を前記樹脂封止部が覆い、前記補強層が前記空洞上に配置されるように前記樹脂封止部を固定する工程と、を有することを特徴とする弾性波デバイスの製造方法である。本発明によれば、各弾性波素子上に補強層を個々に配置することを要さず、製造コストを削減することができる。
【００１２】
上記構成において、前記空洞以外において、前記樹脂封止部を貫通し、前記弾性波素子と電気的に接続する貫通電極を形成する工程を有する構成とすることができる。この構成によれば、貫通電極に起因する応力を第１樹脂層が緩和し、さらに、補強層により空洞上の樹脂封止部の強度を確保することができる。
【００１３】
上記構成において、前記貫通電極上に接続端子を形成する工程を有する構成とすることができる。この構成によれば、接続端子と貫通電極との間に生じる応力を第１樹脂層により緩和させることができる。
【００１４】
上記構成において、前記補強層は金属からなる構成とすることができる。また、上記構成において、補強層はメッキ法を用い形成される構成とすることができる。これらの構成によれば、弾性率の大きな補強層を容易に形成することができる。
【００１５】
上記構成において、前記樹脂封止部を形成する工程は、前記第２樹脂層上に前記空洞となるべき凹部を有する第３樹脂層を形成する工程を含み、前記樹脂封止部を固定する工程は、前記第３樹脂層を前記基板に固定することにより、前記樹脂封止部を前記基板に固定する工程である構成とすることができる。この構成によれば、第３樹脂層を用いることにより、空洞を簡単に形成することができる。
【００１６】
上記構成において、前記第３樹脂層は接着性樹脂であり、前記樹脂封止部を固定する工程は、前記第３樹脂層を用い、前記樹脂封止部を前記基板に接着する工程である構成とすることができる。この構成によれば、空洞となる凹部を有する第３樹脂層を接着剤と兼用することにより製造工程を削減することができる。
【００１７】
上記構成において、前記第３樹脂層を覆うように接着層を形成する工程を有し、前記樹脂封止部を固定する工程は、前記接着層を用い、前記樹脂封止部を前記基板に接着する工程である構成とすることができる。この構成によれば、第３樹脂層として接着性の樹脂を用いる必要がない。よって、第３樹脂層及び接着層の材料選択の余地を広げることができる。
【００１８】
上記構成において、前記第２樹脂層及び前記第３樹脂層は感光性樹脂であり、前記第３樹脂層を形成する工程は、現像することにより、前記第２樹脂層及び前記第３樹脂層に貫通電極を形成すべき孔及び前記空洞となるべき前記凹部を同時に形成する工程を含む構成とすることができる。この構成によれば、第３樹脂層をほぼ平坦な第２樹脂層上に形成することができる。
【００１９】
上記構成において、支持板上に前記樹脂封止部を形成する工程を有し、前記樹脂封止部を固定する工程は、前記樹脂封止部が前記支持板に形成された状態で行われ、前記支持板を前記樹脂封止部から剥離する工程を有する構成とすることができる。この構成によれば、製造コストを削減することができる。
【００２０】
上記構成において、前記第１樹脂層には前記補強層を露出する開口が形成されている構成とすることができる。この構成によれば、補強層を外部と電気的に接続することができる。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、補強層の上が弾性率の小さな樹脂封止部からなるため、応力を緩和させることができる。さらに、空洞上に樹脂封止部より弾性率の大きい補強層が設けられているためより、圧力で変形しない中空構造を提供することができる。さらに、補強層と空洞との間にも樹脂封止部が設けられているため、浮遊容量を抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、図面を用い本発明の実施例について説明する。
【実施例１】
【００２３】
図１（ａ）は実施例１に係る弾性波デバイス１００の平面図（樹脂封止部は図示せず、接続端子４８、補強層３０及び空洞１６を示している）、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ断面図である。図１（ｂ）を参照に、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）やニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）からなる圧電基板１０上に櫛型電極からなる弾性波素子１２が設けられている。弾性波素子１２上に空洞１６を有し空洞１６の上面及び側面を覆うようにエポキシ樹脂からなる樹脂封止部２０が設けられている。樹脂封止部２０は第１樹脂層２２、第２樹脂層２４及び第３樹脂層２６からなる。金属からなる補強層３０が空洞１６上において第１樹脂層２２と第２樹脂層２４とに挟まれている。密着層４２、導電層４４及びバリア層４６からなる貫通電極４０は空洞１６以外において樹脂封止部２０を貫通し、配線１４を介し弾性波素子１２に接続されている。貫通電極４０上には半田からなる接続端子４８が設けられている。図１（ａ）を参照に、上から見た平面において補強層３０は空洞１６に含まれるように配置されている。
【００２４】
弾性波デバイス１００を表面実装するため、樹脂封止部２０を貫通する貫通電極４０が設けられ、貫通電極４０上に接続端子４８が設けられ、貫通電極４０と接続端子４８とは電気的に接続される。貫通電極４０と接続端子４８との界面、つまり樹脂封止部２０の上面付近には、貫通電極４０と接続端子４８の熱膨張係数の差等により応力が加わる。よって、樹脂封止部２０の上面付近でのクラック等の発生を抑制するため樹脂封止部２０の上面付近は弾性率の小さな樹脂からなることが好ましい。一方、金属からなる補強層３０が空洞１６の直上に配置されると、浮遊容量が増大する。
【００２５】
浮遊容量が増大した場合の影響について図２及び図３を用い説明する。図２のように、表面弾性波ダブルモードフィルタ７０、７２を入力端子Ｉｎ及び出力端子Ｏｕｔの間に接続し、入力端子Ｉｎ及び出力端子Ｏｕｔの間に浮遊容量Ｃｆが付加した場合についてシミュレーションした。図３は浮遊容量Ｃｆ＝０の場合及びＣｆ＝１０ｐＦのときの通過特性のシミュレーション結果である。浮遊容量Ｃｆが１０ｐＦとなると、通過帯域外の低帯域側及び高帯域側において、減衰量が小さくなり抑圧特性が劣化している。このように、浮遊容量Ｃｆが大きくなると、抑圧特性が劣化してしまう。
【００２６】
実施例１によれば、上面が弾性率の小さな第１樹脂層２２からなるため、貫通電極４０と接続端子４８の熱膨張係数の差等による応力を緩和させることができる。第１樹脂層２２の弾性率を小さくするためフィラー等は含有しないことが好ましい。さらに、空洞１６上に第１樹脂層２２より弾性率の大きい補強層３０が設けられているため例えば弾性波デバイス１００をモジュールにする際のトランスファーモールドの圧力等により、空洞１６が潰れることを抑制することができる。さらに、補強層３０と空洞１６との間に第２樹脂層２４が設けられているため、浮遊容量を抑制することができる。補強層３０は第１樹脂層２２及び第２樹脂層２４より、弾性波デバイス１００をモジュールにする際のモールド時の温度における弾性率が大きい材料が好ましい。例えば、ニッケルや銅等の金属を用いることができる。例えば、フィラーを用いない樹脂の弾性率はモールド時の温度１５０℃から２００℃の範囲では１ＧＰａ程度以下であり、ニッケルのこの温度範囲での弾性率は２００ＧＰａ程度である。補強層３０としては絶縁体でもよいが、弾性率の大きな材料で容易に形成するためには金属であることが好ましい。
【００２７】
また、補強層３０は樹脂封止部２０に完全に囲まれ、弾性波素子１２から電気的に分離されていることが好ましい。これにより、補強層３０を弾性波素子１２に電気的に接続する工程を削減できる。
【実施例２】
【００２８】
実施例２は実施例１に係る弾性波デバイスの製造方法の例である。図４（ａ）から図８（ｂ）を用い実施例２に係る弾性波デバイスの製造方法について説明する。実施例２においては、弾性波素子が複数形成されたウエハに樹脂封止部が複数形成された支持板を固定し弾性波デバイスを形成する。以下の図では弾性波デバイス及び樹脂封止部をそれぞれ１個図示している。図４（ａ）を参照に、ガラス板や圧電基板等の支持板５０上に剥離層５２を形成する。剥離層５２は例えば膜厚が１０ｎｍから１μｍの酸化マグネシウム層または膜厚が１００ｎｍから１０μｍのリフトオフ用耐熱ポリイミド樹脂を用いる。剥離層５２上に膜厚が１０μｍの感光性エポキシ樹脂からなる第１樹脂層２２を塗布し形成する。第１樹脂層２２は低弾性率とするため、フィラーは含有しないことが好ましい。
【００２９】
図４（ｂ）を参照に、露光現像することにより、第１樹脂層２２を所定の形状に加工する。図４（ｃ）を参照に、剥離層５２及び第１樹脂層２２上に例えば膜厚が１００ｎｍ程度のシード金属３２を形成する。図４（ｄ）を参照に、シード金属３２上にフォトレジスト６０を塗布する。
【００３０】
図５（ａ）を参照に、露光現像することによりフォトレジスト６０に開口６２を形成する。図５（ｂ）を参照に、シード金属３２を介し給電することにより、開口６２内に例えば膜厚が５μｍ程度のニッケルからなるメッキ層３４を電解メッキ法を用い形成する。図５（ｃ）を参照に、フォトレジスト６０を除去する。図５（ｄ）を参照に、メッキ層３４をマスクにシード金属３２を除去する。これにより、シード金属３２とメッキ層３４とから補強層３０が構成される。
【００３１】
図６（ａ）を参照に、感光性エポキシ樹脂からなる第２樹脂層２４を剥離層５２、第１樹脂層２２及び補強層３０上に塗布する。第２樹脂層２４の膜厚は例えば２０μｍである。図６（ｂ）を参照に、露光現像することにより、第２樹脂層２４に貫通電極を形成すべき孔６４及び分離領域用の溝６５を形成する。なお、支持板５０上には同じパターンが配列しているため、符号６５は溝を構成している。図６（ｃ）を参照に、接着性の感光性エポキシ樹脂からなる第３樹脂層２６を塗布する。第３樹脂層２６の第２樹脂層２４上の膜厚は例えば１０μｍ程度である。図６（ｄ）を参照に、露光現像することにより、第３樹脂層２６に貫通電極を形成すべき孔６４、分離領域用の溝６５及び空洞となるべき凹部６６を形成する。これにより、第１樹脂層２２、第２樹脂層２４及び第３樹脂層２６より樹脂封止部２０が形成される。
【００３２】
図７（ａ）を参照に、圧電基板１０上に例えばアルミニウムのパターンからなる櫛型電極からなる弾性波素子１２及びアルミニウムからなる配線１４を形成する。配線１４上の貫通電極が形成されるべき領域に密着層４２を形成する。図６（ｄ）の支持板５０を圧電基板１０からなるウエハ上に配置する。このとき、圧電基板１０上のパターンと支持板５０上（図７（ａ）では下）のパターンが一致するように位置合わせる。すなわち、圧電基板１０に設けられた弾性波素子１２上に空洞１６が配置され、密着層４２上に孔６４が配置されるように位置合わせされる。図７（ｂ）を参照に、第３樹脂層２６が圧電基板１０上に接した状態で例えば１５０℃から１８０℃に加熱する。これにより、第３樹脂層２６が圧電基板１０に接着し、固定される。また、第１樹脂層２２、第２樹脂層２４及び第３樹脂層２６が熱硬化する。
【００３３】
図８（ａ）を参照に、剥離層５２をエッチングし、支持板５０を剥離する。剥離層５２のエッチング用のエッチング液としては、剥離層５２が酸化マグネシウムの場合は酢酸、リフトオフ用耐熱ポリイミド樹脂の場合はアルカリ現像液を用いることができる。図８（ｂ）を参照に、孔６４内の密着層４２上に銅からなる導電層４４及びニッケルからなるバリア層４６を形成する。これにより、密着層４２、導電層４４及びバリア層４６から貫通電極４０が形成される。貫通電極４０上に半田からなる接続端子４８を形成する。その後、圧電基板１０であるウエハをダイシング法等により切断することにより実施例１の図２に係る弾性波デバイスが完成する。
【００３４】
実施例２によれば、図５（ａ）から（ｄ）のように、第１樹脂層２２上に補強層３０形成する。図６（ａ）及び図６（ｄ）のように、補強層３０を覆うように第２樹脂層２４を形成し、第１樹脂層２２、第２樹脂層２４及び第３樹脂層２６から樹脂封止部２０を形成する。図７（ａ）及び図７（ｂ）のように、弾性波素子１２が設けられた圧電基板１０上に、弾性波素子１２上に空洞１６を有し空洞１６の側面および上面を樹脂封止部２０覆い、補強層３０が空洞１６上に配置されるように樹脂封止部２０を固定する。これにより、ウエハ状態で、個々の弾性波素子１２上に樹脂封止部２０に挟まれた補強層３０を配置することができる。よって、従来例６のように、各弾性波素子１２上に補強層３０を個々に配置することを要さず、製造コストを削減することができる。
【００３５】
また、図８（ｂ）のように、空洞１６以外において、樹脂封止部２０を貫通し、弾性波素子１２と電気的に接続する貫通電極４０を形成する。また、貫通電極４０上に接続端子４８を形成する。貫通電極４０または接続端子４８に起因する応力を第１樹脂層２２が緩和し、さらに、補強層３０により空洞１６上の樹脂封止部２０の強度を確保することができる。
【００３６】
さらに、図５（ｂ）のように、補強層３０はメッキ法を用い形成されることが好ましい。これにより、複数の補強層３０を一度に形成することができる。
【００３７】
さらに、図６（ｃ）及び図６（ｄ）のように。樹脂封止部２０を形成する際に、第２樹脂層２４上に空洞１６となるべき凹部６６を有する第３樹脂層２６を形成する。図７（ａ）及び図７（ｂ）において、第３樹脂層２６を圧電基板１０に固定することにより、樹脂封止部２０を圧電基板１０に固定する。このように、第３樹脂層２６を用いることにより、空洞１６を簡単に形成することができる。
【００３８】
さらに、第３樹脂層２６は接着性樹脂であり、図７（ｄ）のように、第３樹脂層２６を用い、樹脂封止部２０を圧電基板１０に接着する。このように、空洞１６となる凹部６６を有する第３樹脂層２６を接着剤と兼用することにより製造工程を削減することができる。
【００３９】
さらに、図５（ａ）から図６（ｄ）のように、支持板５０上に樹脂封止部２０を形成する。図７（ａ）及び図７（ｂ）のように、樹脂封止部２０が支持板５０に形成された状態で、樹脂封止部２０を圧電基板１０に固定する。図８（ａ）のように、支持板５０を樹脂封止部２０から剥離する。これにより、複数の樹脂封止部２０が支持板５０に配列した状態で、複数の弾性波素子が設けられた圧電基板１０上に樹脂封止部２０を固定することができる。よって、個々に樹脂封止部２０を弾性波素子１２上に形成するのに比べ、製造コストを削減することができる。さらに、圧電基板１０上に第３樹脂層及び第２樹脂層２４を形成した後、第２樹脂層２４上に補強層３０を形成すると、貫通電極４０用の孔６４が形成された状態で補強層３０を形成することとなる。このため、凹凸の大きな樹脂上に補強層３０を形成することとなる。一方、実施例２によれば、図４（ａ）から図５（ｄ）のように、比較的平坦な樹脂上に補強層を形成することができる。よって、補強層３０を容易に形成することができる。
【実施例３】
【００４０】
図９（ａ）から図９（ｄ）を用い実施例３に係る弾性波デバイスの製造方法について説明する。図９（ａ）を参照に、実施例２の図４（ａ）から図６（ａ）の工程を行う。ここで、第２樹脂層２４はネガ型の感光性樹脂である。図９（ｂ）を参照に、残存すべき第２樹脂層２４に紫外線を露光する。図９（ｃ）を参照に、第２樹脂層２４上に、接着性を有しネガ型の感光性エポキシ樹脂を塗布する。残存すべき第３樹脂層２６に紫外線を露光する。図９（ｄ）を参照に、現像することにより、第２樹脂層２４及び第３樹脂層２６を貫通する孔６４、溝６５及び凹部６６を形成する。以下、実施例２の図７（ａ）から図８（ｂ）の工程を行うことにより実施例３に係る弾性波デバイスが完成する。
【００４１】
実施例３によれば、第３樹脂層２６の塗布が第２樹脂層２４の現像に影響しない材料を選択することにより、図９（ｄ）のように、第２樹脂層２４及び第３樹脂層２６を一度に現像することにより、第２樹脂層２４及び第３樹脂層２６に貫通電極を形成すべき孔６４、溝６５及び空洞となるべき凹部６６を同時に形成することができる。これにより、第３樹脂層２６を図９（ｃ）のようにほぼ平坦な第２樹脂層２４上に形成することができる。よって、第３樹脂層２６の膜厚の均一性を向上させることができる。また、第２樹脂層２４及び第３樹脂層２６を同時に現像しているため現像を行う工程を削減することができる。
【実施例４】
【００４２】
実施例４は接着剤を第３樹脂層とは別に用いる例である。図１０（ａ）から図１２（ｂ）を用い実施例４に係る弾性波デバイスの製造方法について説明する。図１０（ａ）を参照に、実施例３の図９（ｄ）までの工程を行う。ここで、第３樹脂層２６ａとしては、接着性を有さない感光性のエポキシ樹脂を用いる。図１０（ｂ）を参照に、孔６４及び溝６５を介しエッチング液を導入し剥離層５２の上部を一部エッチングする。これにより、剥離層５２ａにテーパ状の凹部５７が形成される。図１０（ｃ）を参照に、接着性のエポキシ樹脂からなる接着層５４を塗布する。これにより、樹脂封止部２０上並びに孔６４、溝６５及び凹部６６の内面に接着層５４が形成される。
【００４３】
図１１（ａ）を参照に、支持板５０に貼り付けられた状態で樹脂封止部２０を弾性波素子１２が設けられた圧電基板１０であるウエハに貼り合わせる。接着層５４を硬化させ、樹脂封止部２０と圧電基板１０とを接着する。図１１（ｂ）を参照に、ダイシング装置等を用い、支持板５０を切断し、剥離層５２ａまで達するように溝６９を形成する。図１２（ａ）を参照に、溝６９を介し剥離層５２ａをエッチングする。これにより、支持板５０を剥離する。図１０（ｂ）において、剥離層５２ａに凹部５７を形成しておいたため、孔６４及び溝６５の上部には接着層５４のブリッジ５４ａが形成されている。図１２（ｂ）を参照に、空気等の噴出による圧力、粘着テープの貼り付け剥離等を行うことにより、接着層５４のブリッジ５４ａを除去する。このように、剥離層５２ａに凹部５７を形成して接着層５４をブリッジ５４ａとしたため、ブリッジ５４ａを容易に除去することができる。その後、実施例２の図８（ｂ）の工程を行うことにより、実施例４に係る弾性波デバイスが完成する。
【００４４】
実施例４によれば、図１０（ｃ）のように、第３樹脂層２６ａを覆うように接着層５４を形成する。図１１（ａ）のように、接着層５４を用い、樹脂封止部２０を圧電基板１０に接着する。これにより、実施例２及び実施例３のように第３樹脂層２６ａとして接着性の樹脂を用いる必要がない。また、接着層５４として感光性の樹脂を用いる必要がない。よって、第３樹脂層２６ａ及び接着層５４の材料選択の余地を広げることができる。例えば、コストや第３樹脂層２６ａ及び接着層の物性（例えば熱膨張係数、弾性率）として適切な材料を選択することができる。
【実施例５】
【００４５】
実施例５は金属からなる補強層３０を外部と接続可能とする例である。図１３（ａ）から図１３（ｃ）を用い実施例５に係る弾性波デバイスの製造方法について説明する。図１３（ａ）を参照に、支持板５０上に形成された剥離層５２上に第１樹脂層２２ａを形成する。第１樹脂層２２ａは開口６８を有する。図１３（ｂ）を参照に、実施例２の図４（ｃ）から図５（ｄ）と同様の工程を行い、第１樹脂層２２ａ上に補強層３０を形成する。第１樹脂層２２ａの開口６８内にも補強層３０が形成される。図１３（ｃ）を参照に、実施例２の図６（ａ）から図８（ｂ）と同様の工程を行う。さらに、接続端子４８を形成する際に、第１樹脂層２２ａを介し補強層３０に接続する接続端子４８ａを形成する。以上により、実施例４に係る弾性波デバイスが完成する。
【００４６】
実施例５によれば、第１樹脂層２２ａには補強層３０を露出する孔６４（開口）が形成されている。これにより、補強層３０を外部と電気に接続することができる。例えば補強層３０をグランドに接続することにより、浮遊容量Ｃｆを削減することができる。よって、図３より、通過帯域外の低周波側及び高周波側の抑圧特性を改善することができる。
【実施例６】
【００４７】
実施例６は、補強層の形状を変えた例である。図１４（ａ）を参照に、補強層３０ａを格子状に形成することができる。また、図１４（ｂ）を参照に、補強層３０ｂをストライプ状に形成することができる。さらに、図１４（ｃ）を参照に、補強層３０ｃをドット状に形成することができる。浮遊容量Ｃｆを削減するためには、補強層は小さいことが好ましく、樹脂封止部２０の強度を維持するためには大きいことが好ましい。これらを考慮し補強層の形状を適宜設定することができる。
【００４８】
実施例１から５において、弾性波素子１２および空洞１６はそれぞれ２つずつ形成されているが、これらの数に限られるものではない。第１樹脂層２２、第２樹脂層２４及び第３樹脂層２６としては、エポキシ樹脂以外にもポリイミド樹脂やシリコン樹脂等を用いることができる。これらに限られず、弾性波素子１２を保護する樹脂であれば良い。接続端子４８として半田ボールを例に説明したが、他の金属で構成されていてもよい。貫通電極４０と接続端子４８の材料が異なる場合、特に樹脂封止部２０の上面近傍に応力が加わるため、弾性率の小さい第１樹脂層２２を樹脂封止部２０の上面に配置し、補強層３０を樹脂封止部２０に埋め込むことがより有効である。
【００４９】
弾性波素子１２としては圧電基板１０に設けられた弾性表面波素子を例に説明したが、圧電薄膜共振素子でもよい。圧電薄膜共振素子の場合、基板は圧電基板１０以外のシリコン基板、ガラス基板、石英基板等を用いることもできる。
【００５０】
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明は係る特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】図１（ａ）は実施例１に弾性波デバイスの平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ断面図である。
【図２】図２はシミュレーションに用いた回路模式図である。
【図３】図３は浮遊容量の有無による通過特性のシミュレーション結果である。
【図４】図４（ａ）から図４（ｄ）は実施例２に係る弾性波デバイスの製造工程を示す断面図（その１）である。
【図５】図５（ａ）から図５（ｄ）は実施例２に係る弾性波デバイスの製造工程を示す断面図（その２）である。
【図６】図６（ａ）から図６（ｄ）は実施例２に係る弾性波デバイスの製造工程を示す断面図（その３）である。
【図７】図７（ａ）及び図７（ｂ）は実施例２に係る弾性波デバイスの製造工程を示す断面図（その４）である。
【図８】図８（ａ）及び図８（ｂ）は実施例２に係る弾性波デバイスの製造工程を示す断面図（その５）である。
【図９】図９（ａ）から図９（ｄ）は実施例３に係る弾性波デバイスの製造工程を示す断面図である。
【図１０】図１０（ａ）から図１０（ｃ）は実施例４に係る弾性波デバイスの製造工程を示す断面図（その１）である。
【図１１】図１１（ａ）及び図１１（ｂ）は実施例４に係る弾性波デバイスの製造工程を示す断面図（その２）である。
【図１２】図１２（ａ）及び図１２（ｂ）は実施例４に係る弾性波デバイスの製造工程を示す断面図（その３）である。
【図１３】図１３（ａ）から図１３（ｃ）は実施例５に係る弾性波デバイスの製造工程を示す断面図である。
【図１４】図１４（ａ）から図１４（ｃ）は実施例６に係る弾性波デバイスの空洞及び補強層を示した平面図である。
【符号の説明】
【００５２】
１０          圧電基板
１２          弾性波素子
１４          配線
２０          樹脂封止部
２２          第１樹脂層
２４          第２樹脂層
２６          第３樹脂層
３０          補強層
４０          貫通電極
４８          接続端子
５０          支持板
５２          剥離層
５４          接着層
【図１】
2008227748.tif 000003
【図２】
2008227748.tif 000004
【図３】
2008227748.tif 000005
【図４】
2008227748.tif 000006
【図５】
2008227748.tif 000007
【図６】
2008227748.tif 000008
【図７】
2008227748.tif 000009
【図８】
2008227748.tif 000010
【図９】
2008227748.tif 000011
【図１０】
2008227748.tif 000012
【図１１】
2008227748.tif 000013
【図１２】
2008227748.tif 000014
【図１３】
2008227748.tif 000015
【図１４】
2008227748.tif 000016