(57)【要約】【課題】優れた分極反転の応答性およびヒステリシス特性を有する有機強誘電体メモリの製造方法、有機強誘電体キャパシタ、有機強誘電体メモリ、および電子機器を提供すること。【解決手段】本発明の有機強誘電体キャパシタの製造方法は、アルカリハライド単結晶板３０上に、互いに対向するように１対の電極２０、２１を形成する第１の工程と、有機強誘電体材料を含む液状材料をアルカリハライド単結晶板３０に接触するように１対の電極２０、２１間に充填し、有機強誘電体材料の分極軸をアルカリハライド単結晶板３０の所定の結晶軸に対し平行とするように配向させつつ有機強誘電体材料を結晶成長させて、記録層２２を形成する第２の工程とを有する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルカリハライド単結晶板上に、互いに対向するように１対の電極を形成する第１の工程と、
有機強誘電体材料を含む液状材料を前記アルカリハライド単結晶板に接触するように前記１対の電極間に充填し、前記有機強誘電体材料の分極軸を前記アルカリハライド単結晶板の所定の結晶軸に対し平行とするように配向させつつ前記有機強誘電体材料を結晶成長させて、記録層を形成する第２の工程とを有することを特徴とする有機強誘電体メモリの製造方法。
【請求項２】
前記第２の工程の後に、前記電極および前記記録層の前記基板と反対側の面上に、前記電極に導通する導通パターンを備える回路層を形成する第３の工程を有する請求項１に記載の有機強誘電体メモリの製造方法。
【請求項３】
前記第３の工程の後に、前記回路層の前記アルカリハライド単結晶板と反対側の面に、基板を接合する第４の工程を有する請求項２に記載の有機強誘電体メモリの製造方法。
【請求項４】
前記第４の工程の後に、前記アルカリハライド単結晶板を除去する第５の工程を有する請求項３に記載の有機強誘電体メモリの製造方法。
【請求項５】
前記第１の工程では、前記１対の電極の互いに対向する電極面がそれぞれ前記アルカリハライド単結晶板の板面に直角となるように形成する請求項４に記載の有機強誘電体メモリの製造方法。
【請求項６】
前記第１の工程では、前記１対の電極を、平面視にて一方の電極が他方の電極の外周を囲むように形成する請求項５に記載の有機強誘電体メモリの製造方法。
【請求項７】
前記有機強誘電体材料は、フッ化ビニリデンとトリフルオロエチレンとの共重合体、フッ化ビニリデンの重合体のうちの１種を単独または２種を組み合わせたものである請求項１ないし６のいずれかに記載の有機強誘電体メモリの製造方法。
【請求項８】
前記アルカリハライド単結晶板は、（００１）ＫＢｒ単結晶板である請求項７に記載の有機強誘電体メモリの製造方法。
【請求項９】
基板と、
前記基板上に互いに対向して設けられた１対の電極と、
前記１対の電極間に介挿され、有機強誘電体材料を主材料として構成された記録層とを有し、
前記記録層中の前記有機強誘電体材料の分極軸が、前記基板の板面に平行で、かつ、前記１対の電極の互いに対向する電極面に直角となるように配向していることを特徴とする有機強誘電体キャパシタ。
【請求項１０】
基板と、
前記基板上に互いに対向して設けられた１対の電極と、
前記１対の電極間に介挿され、有機強誘電体材料を主材料として構成された記録層とを有し、
前記記録層中の前記有機強誘電体材料の分極軸が、前記基板の板面に平行で、かつ、前記１対の電極の互いに対向する電極面に直角となるように配向していることを特徴とする有機強誘電体メモリ。
【請求項１１】
前記１対の電極は、平面視にて一方の電極が他方の電極の外周を囲むように形成されている請求項１０に記載の有機強誘電体メモリ。
【請求項１２】
前記１対の電極間の領域の平面視形状は、略四角環状である請求項１１に記載の有機強誘電体メモリ。
【請求項１３】
基板と、
前記基板上に互いに対向して設けられた１対の電極と、
前記１対の電極間に介挿され、有機強誘電体材料を主材料として構成された記録層とを有し、
前記１対の電極は、平面視にて、一方の電極が他方の電極の外周を囲むように形成されていることを特徴とする有機強誘電体メモリ。
【請求項１４】
請求項１０ないし１３のいずれかに記載の有機強誘電体メモリを備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機強誘電体メモリの製造方法、有機強誘電体キャパシタ、有機強誘電体メモリ、および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
不揮発性のメモリとしては、例えば、強誘電体材料により構成された強誘電体層を一対の電極（上部電極および下部電極）で挟持した構成したキャパシタを備えるものが知られている（例えば、非特許文献１参照。）。
このようなメモリにあっては、１対の電極間に電圧を印加することにより、強誘電体層内において分極状態を生じさせ、データの書き込みおよび読み出しがなされる。このような分極状態は双安定であり、電圧の印加を停止しても保持されるので、かかるメモリは不揮発性のメモリとして用いることができる。
【０００３】
また、非特許文献１にかかるメモリのキャパシタは、フレキシブル化を図ることなどを目的として、強誘電体材料として有機強誘電体材料を用いている。特に、非特許文献１では、メモリの特性向上などの目的から、有機強誘電体材料の結晶化薄膜で強誘電体層を構成している。
そのため、強誘電体層を形成するに際しては、蒸着法などの気相薄膜形成プロセスよりも結晶性を制御することが容易であるという理由から、一般に、有機強誘電体材料を含む液状材料を用い、スピンコート法などの液相薄膜形成プロセスと結晶化プロセスとを組み合わせた方法が用いられている。
【０００４】
例えば、非特許文献１では、有機強誘電体材料を含む液状材料を下部電極上に塗布して、非晶質膜を形成し、これを乾燥し脱溶媒処理して強誘電体層を形成した後、この強誘電体層上に上部電極を形成する。このような液状材料を用いて強誘電体層を形成することは、気相薄膜形成プロセスのような大型の真空装置を使用することなく、常温常圧に近い条件下で行うことができるため、有機強誘電体キャパシタの製造時における省エネルギー化・低コスト化をもたらす。
【０００５】
しかしながら、非特許文献１にかかる有機強誘電体キャパシタの製造方法では、上部電極上に液状材料を付与し脱溶媒処理するだけで強誘電体層を得るため、得られる強誘電体層（記録層）内における有機強誘電体の配向は、表面エネルギーの影響により、強誘電体層内では基板の板面に対し直角にならない分極軸をもつ有機強誘電体の分子が多くなる場合がある。
【０００６】
例えば、有機強誘電体材料としてフッ化ビニリデンとトリフルオロエチレンとの共重合体を用いた場合、得られる強誘電体層（記録層）内の有機強誘電体は、（１１０）配向や（１００）配向になる傾向が大きい。この場合、記録層内の有機強誘電体において、その配向が（１１０）配向になると、その分極軸は基板の板面に対し３０°傾き、また、（１００）配向になると、その分極軸は基板の板面に対し平行となる。
【０００７】
このように、強誘電体層内では基板の板面に対し直角にならない分極軸をもつ有機強誘電体の分子が多くなるため、有機強誘電体の自発分極を最大限生かすことができず、有機強誘電体の分極軸の方位のゆらぎによる分極のロスが大きくなってしまう。その結果、得られる有機強誘電体キャパシタでは、分極反転の応答性が悪化するとともに、ヒステリシス曲線における角型性が悪化してしまう。
【０００８】
【非特許文献１】J.Appl.Phys., Vol.89, No.5, pp.2613-16
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明の目的は、優れた分極反転の応答性およびヒステリシス特性を有する有機強誘電体メモリの製造方法、有機強誘電体キャパシタ、有機強誘電体メモリ、および電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の有機強誘電体メモリの製造方法は、アルカリハライド単結晶板上に、互いに対向するように１対の電極を形成する第１の工程と、
有機強誘電体材料を含む液状材料を前記アルカリハライド単結晶板に接触するように前記１対の電極間に充填し、前記有機強誘電体材料の分極軸を前記アルカリハライド単結晶板の所定の結晶軸に対し平行とするように配向させつつ前記有機強誘電体材料を結晶成長させて、記録層を形成する第２の工程とを有することを特徴とする。
【００１１】
これにより、得られる有機強誘電体メモリでは、記録層の分極軸の方位のゆらぎによる分極のロスを低減することができる。その結果、得られる有機強誘電体メモリでは、分極反転の応答性の向上を図るとともに、ヒステリシス曲線における角型性を優れたものとすることができる。すなわち、本発明の製造方法によれば、優れた分極反転の応答性およびヒステリシス特性を有する有機強誘電体メモリを製造することができる。
【００１２】
本発明の有機強誘電体メモリの製造方法では、前記第２の工程の後に、前記電極および前記記録層の前記基板と反対側の面上に、前記電極に導通する導通パターンを備える回路層を形成する第３の工程を有することが好ましい。
これにより、比較的簡単に、有機強誘電体メモリを製造することができる。例えば、回路層にトランジスタを形成することで、有機強誘電体メモリを得ることができる。
【００１３】
本発明の有機強誘電体メモリの製造方法では、前記第３の工程の後に、前記回路層の前記アルカリハライド単結晶板と反対側の面に、基板を接合する第４の工程を有することが好ましい。
これにより、記録層や各電極が基板に支持されるため、得られる有機強誘電体メモリの機械的強度を向上させることができる。また、基板として樹脂基板のようなフレキシブルな基板を用いることで、フレキシブルな有機強誘電体メモリを提供することができる。
【００１４】
本発明の有機強誘電体メモリの製造方法では、前記第４の工程の後に、前記アルカリハライド単結晶板を除去する第５の工程を有することが好ましい。
アルカリハライド単結晶板は化学的な安定性が比較的低いため、アルカリハライド単結晶板を除去し、プラスチックフィルム基板などに転写することで、フレキシブルな有機強誘電体メモリを形成することが可能になる。なお、この場合、アルカリハライド単結晶板は有機強誘電体メモリの機能に必要ではないため、得られる有機強誘電体メモリに不都合が生じることはない。
【００１５】
本発明の有機強誘電体メモリの製造方法では、前記第１の工程では、前記１対の電極の互いに対向する電極面がそれぞれ前記アルカリハライド単結晶板の板面に直角となるように形成することが好ましい。
これにより、得られる有機強誘電体メモリでは、記録層の分極軸が各電極の電極面に対し直角となるため、分極反転の応答性およびヒステリシス特性を向上させることができる。
【００１６】
本発明の有機強誘電体メモリの製造方法では、前記第１の工程では、前記１対の電極を、平面視にて一方の電極が他方の電極の外周を囲むように形成することが好ましい。
これにより、第２の工程にて、液状材料を１対の電極間に充填したときに、液状材料を１対の電極間から溢れ出すのを防止することができる。また、簡単に、１対の電極間に液状材料を均一に充填することができる。これらのことから、第２の工程の簡単化を図りつつ、優れた特性を有する有機強誘電体メモリを得ることができる。
【００１７】
本発明の有機強誘電体メモリの製造方法では、前記有機強誘電体材料は、フッ化ビニリデンとトリフルオロエチレンとの共重合体、フッ化ビニリデンの重合体のうちの１種を単独または２種を組み合わせたものであることが好ましい。
これらの材料は、有機強誘電体材料の中でも優れた強誘電性を有している。そのため、得られる有機強誘電体メモリの分極反転の応答性およびヒステリシス特性を向上させることができる。
【００１８】
本発明の有機強誘電体メモリの製造方法では、前記アルカリハライド単結晶板は、（００１）ＫＢｒ単結晶板であることが好ましい。
これにより、（００１）ＫＢｒ単結晶板の［１１０］方位に平行となるように有機強誘電体材料の分極軸を揃えることができる。特に、（００１）ＫＢｒ単結晶板は、有機強誘電体材料であるフッ化ビニリデン系の重合体の分極軸を効果的に揃えることができる。そのため、得られる有機強誘電体メモリの分極反転の応答性およびヒステリシス特性を向上させることができる。
【００１９】
本発明の有機強誘電体キャパシタは、基板と、
前記基板上に互いに対向して設けられた１対の電極と、
前記１対の電極間に介挿され、有機強誘電体材料を主材料として構成された記録層とを有し、
前記記録層中の前記有機強誘電体材料の分極軸が、前記基板の板面に平行で、かつ、前記１対の電極の互いに対向する電極面に直角となるように配向していることを特徴とする。
これにより、優れた分極反転の応答性およびヒステリシス特性を有する有機強誘電体キャパシタを提供することができる。
【００２０】
本発明の有機強誘電体メモリは、基板と、
前記基板上に互いに対向して設けられた１対の電極と、
前記１対の電極間に介挿され、有機強誘電体材料を主材料として構成された記録層とを有し、
前記記録層中の前記有機強誘電体材料の分極軸が、前記基板の板面に平行で、かつ、前記１対の電極の互いに対向する電極面に直角となるように配向していることを特徴とする。
これにより、優れた分極反転の応答性およびヒステリシス特性を有する有機強誘電体メモリを提供することができる。
【００２１】
本発明の有機強誘電体メモリでは、前記１対の電極は、平面視にて一方の電極が他方の電極の外周を囲むように形成されていることが好ましい。
これにより、１対の電極および記録層の小型化を図ることができる。その結果、有機強誘電体メモリの高容量化（高集積化）を図ることができる。
本発明の有機強誘電体メモリでは、前記１対の電極間の領域の平面視形状は、略四角環状であることが好ましい。
これにより、分極反転の応答性およびヒステリシス特性を向上させることができる。
【００２２】
本発明の有機強誘電体メモリは、基板と、
前記基板上に互いに対向して設けられた１対の電極と、
前記１対の電極間に介挿され、有機強誘電体材料を主材料として構成された記録層とを有し、
前記１対の電極は、平面視にて、一方の電極が他方の電極の外周を囲むように形成されていることを特徴とする。
これにより、１対の電極および記録層の小型化を図ることができる。その結果、有機強誘電体メモリの高容量化（高集積化）を図ることができる。
本発明の電子機器は、本発明の有機強誘電体メモリを備えることを特徴とする。
これにより、優れた信頼性を有する電子機器を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、本発明の有機強誘電体キャパシタの製造方法、有機強誘電体キャパシタ、有機強誘電体メモリ、および電子機器の好適な実施形態について説明する。
（第１実施形態）
まず、本発明の第１実施形態を説明する。
図１は、本発明の第１実施形態にかかる有機強誘電体メモリの概略構成を示す部分破断平面図、図２は、図１に示す有機強誘電体メモリの断面図（（ａ）は、図１中におけるＡ−Ａ線断面図、（ｂ）は、図１中におけるＢ−Ｂ線断面図）である。
【００２４】
図１および図２に示す有機強誘電体メモリ１０は、いわゆる１Ｔ１Ｃ（１トランジスタ１キャパシタ）型の有機強誘電体メモリである。
かかる有機強誘電体メモリ１０は、図１および図２に示すように、複数の有機強誘電体キャパシタ１と、複数の有機強誘電体キャパシタ１に対応して設けられた複数のトランジスタを含む回路層２とを有している。
【００２５】
回路層２には、基板１１に接合層１２を介して接合されている。
基板１１としては、例えば、ガラス基板、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、芳香族ポリエステル（液晶ポリマー）等で構成されるプラスチック基板（樹脂基板）、石英基板、シリコン基板、ガリウム砒素基板等を用いることができる。有機強誘電体メモリ１０に可撓性を付与する場合には、基板１１には、樹脂基板が選択される。
【００２６】
接合層（下地層）１２は、例えば、基板１１表面からのイオンの拡散を防止する目的、回路層２（より具体的には、後述する絶縁層１３）と基板１１との接合性（密着性）を向上させる目的等により設けられる。なお、接合層１２を省略して、回路層２と基板１１とを直接的に接合することもできる。
接合層１２の構成材料としては、特に限定されないが、酸化珪素（ＳｉＯ２）、窒化珪素（ＳｉＮ）、ポリイミド、ポリアミド、あるいは架橋されて不溶化された高分子等が好適に用いられる。
【００２７】
このようにして基板１１に支持された回路層２は、接合層１２上に設けられた絶縁層１３と、絶縁層１３上に設けられた複数のワード線（ゲート電極）１４と、絶縁層１３および複数のワード線１４を覆うように設けられたゲート絶縁層１５と、ゲート絶縁層１５上に設けられた半導体層１６と、半導体層１６上に設けられた複数のビット線（ソース電極）１７および複数のドレイン電極１８とを備えている。このような回路層２に備えられた各部は、各有機強誘電体キャパシタ１に対応してトランジスタを構成するように（すなわち１Ｔ１Ｃ型を構成するように）設けられている。
【００２８】
絶縁層１３は、前述した接合層１２の基板１１と反対側の面上に形成され、ワード線１４と基板１１との間を電気的に絶縁する機能を有する。
このような絶縁層１３の構成材料は、絶縁性を有するものであれば特に限定されず、各種絶縁性材料を用いることができ、有機材料、無機材料のいずれも使用可能であるが、有機材料が好適に用いられる。
【００２９】
このような有機材料で絶縁層１３を構成すると、薄型化・軽量化が可能であり、かつ、可撓性にも優れた有機強誘電体メモリができるため、フレキシブルディスプレイ等に代表される、各種フレキシブルエレクトロニクスデバイスに搭載される不揮発性メモリとしての応用に適している。
複数のワード線１４は、前述した絶縁層１３の接合層１２と反対側の面上に、図１にて左右方向に延在するとともに上下方向に間隔を隔てて並設されている。
このような各ワード線１４は、ゲート電極としての機能を有する。
【００３０】
各ワード線１４の構成材料は、導電性を有するものであれば特に限定されないが、例えば、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｃｕまたはこれらを含む合金等の金属材料、ＩＴＯ、ＦＴＯ、ＡＴＯ、ＳｎＯ２等の導電性酸化物、カーボンブラック、カーボンナノチューブ、フラーレン等の炭素材料、ポリアセチレン、ポリピロール、ＰＥＤＯＴ（ｐｏｌｙ−ｅｔｈｙｌｅｎｅｄｉｏｘｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）のようなポリチオフェン、ポリアニリン、ポリ（ｐ−フェニレン）、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）、ポリフルオレン、ポリカルバゾール、ポリシランまたはこれらの誘導体等の導電性高分子材料等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。なお、前記導電性高分子材料は、通常、塩化鉄、ヨウ素、無機酸、有機酸、ポリスチレンサルフォニック酸のようなポリマー等がドープされ、導電性を付与された状態で用いられる。
【００３１】
ゲート絶縁層１５は、絶縁層１３および複数のワード線（ゲート電極）１４を覆うように形成されている。
このゲート絶縁層１５は、各ビット線（ソース電極）１７および各ドレイン電極１８に対してワード線（ゲート電極）１４を絶縁する機能を有する。
このようなゲート絶縁層１５の構成材料としては、公知のゲート絶縁体材料であれば、種類は特に限定されるものではなく、有機材料、無機材料のいずれも使用可能である。
【００３２】
有機材料としては、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルフェノール、ポリイミド、ポリスチレン、ポリビニルアルコール、ポリビニルアセテート等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
一方、無機材料としては、シリカ、窒化珪素、酸化アルミ、酸化タンタル等の金属酸化物、チタン酸バリウムストロンチウム、ジルコニウムチタン酸鉛等の金属複合酸化物が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００３３】
このようにゲート絶縁層１５の構成材料としては、有機材料、無機材料のいずれも使用可能であるが、有機材料が好適に用いられる。
このような有機材料でゲート絶縁層１５を構成すると、薄型化・軽量化が可能であり、かつ、可撓性にも優れた有機強誘電体メモリができるため、フレキシブルディスプレイ等に代表される、各種フレキシブルエレクトロニクスデバイスに搭載される不揮発性メモリとしての応用に適している。
【００３４】
半導体層１６の構成材料としては、特に限定されず、各種有機半道体材料および各種無機半導体材料を用いることができるが、各種有機半導体材料が好適に用いられる。
有機半導体材料としては、例えば、ナフタレン、アントラセン、テトラセン、ペンタセン、ヘキサセン、フタロシアニン、ペリレン、ヒドラゾン、トリフェニルメタン、ジフェニルメタン、スチルベン、アリールビニル、ピラゾリン、トリフェニルアミン、トリアリールアミン、オリゴチオフェン、フタロシアニンまたはこれらの誘導体のような低分子の有機半導体材料や、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリビニルピレン、ポリビニルアントラセン、ポリチオフェン、ポリアルキルチオフェン、ポリヘキシルチオフェン、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）、ポリチニレンビニレン、ポリアリールアミン、ピレンホルムアルデヒド樹脂、エチルカルバゾールホルムアルデヒド樹脂、フルオレン−ビチオフェン共重合体、フルオレン−アリールアミン共重合体またはこれらの誘導体のような高分子の有機半導体材料（共役系高分子材料）が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができるが、特に、高分子の有機半導体材料（共役系高分子材料）を主とするものを用いるのが好ましい。共役系高分子材料は、その特有な電子雲の広がりにより、キャリアの移動能が特に高い。
【００３５】
また、このうち、空気中で酸化され難く、安定であること等の理由から、高分子の有機半導体材料（共役系高分子材料）としては、フルオレン−ビチオフェン共重合体、フルオレン−アリールアミン共重合体、ポリアリールアミンまたはこれらの誘導体のうちの少なくとも１種を主成分とするものを用いるのが特に好ましい。
このような高分子の有機半導体材料を主材料として半導体層１６を構成すると、薄型化・軽量化が可能であり、かつ、可撓性にも優れた有機強誘電体メモリができるため、フレキシブルディスプレイ等に代表される、各種フレキシブルエレクトロニクスデバイスに搭載される不揮発性メモリとしての応用に適している。
このような半導体層１６のゲート絶縁層１５と反対側の面上には、複数のビット線１７が、図１にて上下方向に延在するとともに左右方向に互いに間隔を隔てて並設され、複数のドレイン電極１８が、ビット線１７同士の間で、図１にて上下方向に互いに間隔を隔てて並設されている。
【００３６】
各ビット線１７は、ソース電極としての機能を有し、各ビット線１７に隣接する各ドレイン電極１８に対し所定距離（チャネル長Ｌ）離間している。ここで、各ビット線１７のうち各ドレイン電極１８と対向する部分が主にソース電極として機能し、半導体層１６のうち各ビット線１７とドレイン電極１８との間の部分がチャネル領域を構成している。
このような各ビット線（ソース電極）１７およびドレイン電極１８のそれぞれの構成材料としては、例えば、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｃｕまたはこれらを含む合金等の金属材料が挙げられ、チャネル領域を移動するキャリアの種類に応じて適宜選択するのが好ましい。
【００３７】
例えば、キャリアとしてホールがチャネル領域を移動するｐチャネルトランジスタの場合には、仕事関数が比較的大きいＰｄ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｃｕまたはこれら金属を含む合金を使用するのが好ましい。
また、各ビット線（ソース電極）１７およびドレイン電極１８のそれぞれの構成材料としては、前記の金属材料の他、ＩＴＯ、ＦＴＯ、ＡＴＯ、ＳｎＯ２等の導電性酸化物、カーボンブラック、カーボンナノチューブ、フラーレン等の炭素材料、ポリアセチレン、ポリピロール、ＰＥＤＯＴ（ｐｏｌｙ−ｅｔｈｙｌｅｎｅｄｉｏｘｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）のようなポリチオフェン、ポリアニリン、ポリ（ｐ−フェニレン）、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）、ポリフルオレン、ポリカルバゾール、ポリシランまたはこれらの誘導体等の導電性高分子材料等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００３８】
なお、前記導電性高分子材料は、通常、塩化鉄、ヨウ素、無機酸、有機酸、ポリスチレンサルフォニック酸のようなポリマー等がドープされ、導電性を付与された状態で用いられる。
以上のようにして構成された回路層２の基板１１と反対側の面上には、図１に示すように、平面視にて正方格子状（行列状）に複数の有機強誘電体キャパシタ１が配列されているとともに、有機強誘電体キャパシタ１同士の間には、絶縁層１９が設けられている。
【００３９】
各有機強誘電体キャパシタ１は、互いに間隔を隔てて設けられた電極２０、２１と、電極２０、２１間に設けられた記録層２２とを有している。
このような有機強誘電体キャパシタ１は、前述した回路層２の各トランジスタの作動に応じて、電極２０、２１間に電圧（電界）を印加することにより、データの書き込みおよび読み出しがなされる。かかる有機強誘電体キャパシタ１では、電界の印加を停止しても、記録層２２内の分極状態が保持される。そのため、有機強誘電体メモリ１０を不揮発性メモリとして機能させることができる。
【００４０】
電極（プレート線）２１は、図１にて上下方向に延在するとともに左右方向に互いに間隔を隔てて複数並設され、また、各電極２１には、図１にて上下方向に互いに間隔を隔てて並設された複数の開口２１１が形成されている。
このような各電極２１の各開口２１１内に、電極２０が設けられている。
各電極２０、２１は、互いに対向する電極面がそれぞれ基板１１の板面に直角となるように形成されている。
【００４１】
このような各電極２０、２１の構成材料としては、導電性を有するものであれば、特に限定されず、例えば、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｃｕまたはこれらを含む合金等の導電性材料、ＩＴＯ、ＦＴＯ、ＡＴＯ、ＳｎＯ２等の導電性酸化物、カーボンブラック、カーボンナノチューブ、フラーレン等の炭素系材料、ポリアセチレン、ポリピロール、ＰＥＤＯＴ（ｐｏｌｙ−ｅｔｈｙｌｅｎｅｄｉｏｘｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）のようなポリチオフェン、ポリアニリン、ポリ（ｐ−フェニレン）、ポリフルオレン、ポリカルバゾール、ポリシランまたはこれらの誘導体等の導電性高分子材料等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。なお、前記導電性高分子材料は、通常、酸化鉄、ヨウ素、無機酸、有機酸、ポリスチレンサルフォニック酸などの高分子でドープされ導電性を付与された状態で用いられる。これらの中でも、各電極２０、２１の構成材料としては、それぞれ、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｐｔまたはこれらを含む合金を主とするものが好適に用いられる。これらの金属材料を用いると、電解あるいは無電解メッキ法を用いて、容易かつ安価に各電極２０、２１を形成することができる。また、有機強誘電体キャパシタ１の特性を向上させることができる。
【００４２】
このような電極２０、２１の間には、有機強誘電体材料を主材料として構成された記録層２２が充填されている。
記録層２２は、結晶性を有する有機強誘電体材料を主材料として構成されたものである。
この記録層２２は、基板１１の板面に対し平行でかつ各電極２０、２１の電極面にほぼ直角な分極軸を有する有機強誘電体材料を主材料として構成されている。これにより、有機強誘電体キャパシタ１は、優れた分極反転の応答性およびヒステリシス特性を有するものとなる。
すなわち、記録層２２中の有機強誘電体材料の分極軸が基板１１の板面に平行でかつ電極２０、２１の互いに対向する電極面に直角となるように配向している。これにより、優れた分極反転の応答性およびヒステリシス特性を有する有機強誘電体キャパシタ１（有機強誘電体メモリ１０）を提供することができる。
【００４３】
有機強誘電体材料としては、特に限定されないが、例えば、フッ化ビニリデン系の重合体、より具体的には、Ｐ（ＶＤＦ／ＴｒＦＥ）（ビニリデンフルオライドとトリフルオロエチレンとの共重合体）、ＰＶＤＦ（フッ化ビニリデンの重合体）などを好適に用いることができる。これらの材料は、有機強誘電体材料の中でも優れた強誘電性を有している。したがって、有機強誘電体材料として、フッ化ビニリデンとトリフルオロエチレンとの共重合体、フッ化ビニリデンの重合体のうちの１種を単独または２種を組み合わせたものを用いると、得られる有機強誘電体メモリ１０の分極反転の応答性およびヒステリシス特性を向上させることができる。
【００４４】
また、記録層２２の厚さ（すなわち、電極２０、２１間の距離）は、特に限定されないが、５ｎｍ〜５００ｎｍ程度とするのが好ましく、１０ｎｍ〜２００ｎｍ程度とするのがより好ましい。
以上のようにして構成された有機強誘電体キャパシタ１同士の間には、絶縁層１９が形成され、さらには、複数の有機強誘電体キャパシタ１および絶縁層１９を覆うように、保護層２３が形成されている。
【００４５】
絶縁層１９は、有機強誘電体キャパシタ１同士の間を絶縁する機能を有する。
このような絶縁層１９の構成材料としては、特に限定されず、各種絶縁材料を用いることができる。
保護層２３は、各有機強誘電体キャパシタ１を外部から保護する機能を有する。
このような保護層２３の構成材料としては、前述した機能および絶縁性をするものであれば特に限定されず、各種有機材料および各種無機材料を用いることができる。
【００４６】
以上のようにして構成された有機強誘電体メモリ１０（有機強誘電体キャパシタ１）によれば、記録層２２中の有機強誘電体材料の分極軸が、基板１１の板面に平行で、かつ、電極２０、２１の互いに対向する電極面に直角となるように配向しているため、優れた分極反転の応答性およびヒステリシス特性を有する。
特に、平面視にて電極２１が電極２０の外周を囲むように形成されているため、電極２０、２１および記録層２２の小型化を図ることができる。その結果、有機強誘電体メモリ１０の高容量化（高集積化）を図ることができる。
また、電極２０、２１間の領域の平面視形状が略四角環状であるため、分極反転の応答性およびヒステリシス特性を向上させることができる。
【００４７】
次に、本発明の有機強誘電体メモリの製造方法について、図３ないし図７に基づいて、有機強誘電体メモリ１０の製造方法を一例に説明する。
図３ないし図６は、ぞれぞれ、図１に示す有機強誘電体メモリの製造方法を説明するための図、図７は、図３（ｃ）に示す記録層の製造工程を説明するための図である。なお、図７において、（ａ）はアルカリハライド単結晶板を平面視した図、（ｂ）は（ａ）中におけるＣ−Ｃ線断面図である。
有機強誘電体メモリ１０の製造方法は、［Ａ］アルカリハライド単結晶板を用いて有機強誘電体キャパシタ１を形成する工程（第１の工程および第２の工程）と、［Ｂ］回路層２を形成する工程（第３の工程）と、［Ｃ］有機強誘電体キャパシタ１および回路層２を含む構造体を基板１１に接合する工程（第４の工程）と、［Ｄ］アルカリハライド単結晶板を除去する工程（第５の工程）とを有している。
特に、工程［Ａ］は、アルカリハライド単結晶板上に電極２０、２１を形成する第１の工程と、有機強誘電体材料を含む液状材料を電極２０、２１間に充填し結晶化させて記録層２２を形成する第２の工程とを含んでいる。
【００４８】
以下、各工程を順次詳細に説明する。
［Ａ］有機強誘電体キャパシタ１の形成工程
−Ａ１−
まず、図３（ａ）に示すように、アルカリハライド単結晶板３０を用意する。
アルカリハライド単結晶板３０としては、用いる有機強誘電体材料に応じて構成および結晶面が選択され、特に限定されず、ＮａＣｌ、ＫＣｌ、ＫＢｒ、ＫＩ等の各種アルカリハライド単結晶板を用いることができるが、例えば、有機強誘電体材料としてフッ化ビニリデン系の重合体（特にＰ（ＶＤＦ／ＴｒＦＥ））を用いる場合には、（００１）ＫＢｒ単結晶板が好適に用いられる。アルカリハライド単結晶板３０として（００１）ＫＢｒ単結晶板を用いると、後に詳述するように、（００１）ＫＢｒ単結晶板の［１１０］方位に平行となるように有機強誘電体材料の分極軸を揃えることができる。特に、（００１）ＫＢｒ単結晶板は、有機強誘電体材料であるフッ化ビニリデン系の重合体の分極軸を効果的に揃えることができる。そのため、得られる有機強誘電体メモリ１０の分極反転の応答性およびヒステリシス特性を向上させることができる。
【００４９】
以下、有機強誘電体材料としてフッ化ビニリデン系の重合体（特にＰ（ＶＤＦ／ＴｒＦＥ））を用い、アルカリハライド単結晶板として（００１）ＫＢｒ単結晶板を用いた場合を例に説明する。
−Ａ２−
そして、図３（ｂ）に示すように、アルカリハライド単結晶板３０の一方の面上に、電極２０、２１を形成する（第１の工程）。
【００５０】
電極２０、２１の形成方法としては、特に限定されないが、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法（低温スパッタリング）、イオンプレーティング等のような物理的気相堆積法（ＰＶＤ法）、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法のような化学気相堆積法（ＣＶＤ法）、電解メッキ、浸漬メッキ、無電解メッキ等の湿式メッキ法、スピンコート法、溶液霧化堆積法（ＬＳＭＣＤ法）などの溶液塗布法、スクリーン印刷法、インクジェット法などの各種印刷法等により形成することができる。
【００５１】
−Ａ３−
次に、図３（ｃ）に示すように、電極２０、２１間に記録層２２を形成する（第２の工程）。これにより、複数の有機強誘電体キャパシタ１が形成される。
その際、電極２０、２１間に、有機強誘電体材料を含む液状材料を充填し、必要に応じて熱処理等を施して、記録層２２を形成する。このとき、かかる液状材料をアルカリハライド単結晶板の板面に接触するように電極２０、２１間に充填する。これにより、液状材料中の有機強誘電体材料の分極軸がアルカリハライド単結晶板の特定の結晶軸に平行となるように配向しつつ、有機強誘電体材料が結晶成長する。
【００５２】
より具体的に説明すると、有機強誘電体材料としてＰ（ＶＤＦ／ＴｒＦＥ）を用い、アルカリハライド単結晶板として（００１）ＫＢｒ単結晶板を用いた場合、図７に示すように、ＫＢｒ単結晶板上に付与されたＰ（ＶＤＦ／ＴｒＦＥ）は、ＫＢｒ単結晶板の（００１）へき開面との間に静電的相互作用が生じる。この静電気的相互作用により、Ｐ（ＶＤＦ／ＴｒＦＥ）の分子のフッ素側がＫＢｒ単結晶板のＫ＋側へ、水素側がＢｒ−側へ引き付けられる。そのため、Ｐ（ＶＤＦ／ＴｒＦＥ）の分極軸ＰがＫＢｒの［１１０］方位、に平行となるように配向しつつ、Ｐ（ＶＤＦ／ＴｒＦＥ）がエピタキシャル成長する。
【００５３】
このようにして、得られる記録層２２内の有機強誘電体材料の分極軸を特定の方向に揃える（配向性を高める）ことができる。
ここで、液状材料としては、結晶性の有機強誘電体材料を溶媒に溶解または分散媒に分散させたものを用いることができる。
特に、液状材料は、前記有機強誘電体材料を溶媒に溶解したものであるのが好ましい。これにより、アルカリハライド単結晶板３０への液状材料の付与（塗布）を容易なものとするとともに、比較的簡単に記録層２２の膜厚を均一なものとすることができる。
【００５４】
液状材料中の有機強誘電体材料としては、前述した記録層２２の構成材料を用いることができる。特に、前記有機強誘電体材料として、フッ化ビニリデンとトリフルオロエチレンとの共重合体、フッ化ビニリデンの重合体のうちの１種を単独または２種を組み合わせたものを用いることが好ましい。また、有機強誘電体キャパシタ１に必要な強誘電性を極めて容易に得ることができるという理由から、前記有機強誘電体材料としては、フッ化ビニリデンとトリフルオロエチレンとの共重合体（Ｐ（ＶＤＦ／ＴｒＦＥ））を用いるのがさらに好ましい。
【００５５】
なお、液状材料には、有機強誘電体材料、溶媒または分散媒以外に、他の物質が含まれていてもよい。
液状材料中の溶媒または分散媒としては、前記有機強誘電体材料を溶解または分散させることができるものであれば、特に限定されず、例えば、硝酸、硫酸、アンモニア、過酸化水素、水、二硫化炭素、四塩化炭素、エチレンカーボネイト等の無機溶媒や、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、アセトン、ジエチルケトン、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）、メチルイソプロピルケトン（ＭＩＰｒＫ）、メチルイソペンチルケトン（ＭＩＰｅＫ）、アセチルアセトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、ジエチルカーボネート（ＤＥＣ）、メタノール、エタノール、イソプロパノール、エチレングリコール、ジエチレングリコール（ＤＥＧ）、グリセリン等のアルコール系溶媒、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、１，２−ジメトキシエタン（ＤＭＥ）、１，４−ジオキサン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、テトラヒドロピラン（ＴＨＰ）、アニソール、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ジグリム）、ジエチレングリコールエチルエーテル（カルビトール）等のエーテル系溶媒、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、フェニルセロソルブ等のセロソルブ系溶媒、ヘキサン、ペンタン、ヘプタン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素系溶媒、トルエン、キシレン、ベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒、ピリジン、ピラジン、フラン、ピロール、チオフェン、メチルピロリドン等の芳香族複素環化合物系溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡ）等のアミド系溶媒、ジクロロメタン、クロロホルム、１，２−ジクロロエタン等のハロゲン化合物系溶媒、酢酸エチル、酢酸メチル、ギ酸エチル等のエステル系溶媒、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、スルホラン等の硫黄化合物系溶媒、アセトニトリル、プロピオニトリル、アクリロニトリル等のニトリル系溶媒、ギ酸、酢酸、トリクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸等の有機酸系溶媒のような各種有機溶媒、または、これらを含む混合溶媒等を用いることができる。
【００５６】
特に、有機強誘電体材料としてＰ（ＶＤＦ／ＴｒＦＥ）を用いる場合には、溶媒としてＭＥＫ（メチルエチルケトン：２−ブタノン）、ＭＩＰｒＫ（メチルイソプロピルケトン：３−メチル−２−ブタノン）、２−ペンタノン、３−ペンタノン、ＭＩＢＫ（メチルイソブチルケトン：４−メチル−２−ペンタノン）、２−ヘキサノン、２，４−ジメチル−３−ペンタノン、４−ヘプタノン、ＭＩＰｅＫ（メチルイソペンチルケトン：５−メチル−２−ヘキサノン）、２−ヘプタノン、３−ヘプタノン、シクロヘキサノン、またはＤＥＣ（ジエチルカーボネート）の各種有機溶媒、またはこれらの混合溶媒を用いることが好ましい。
【００５７】
また、塗布する液状材料中における有機強誘電体材料の含有率は、０．１〜８．０重量％であるのが好ましく、０．２〜４．０重量％であるのがより好ましい。これにより、アルカリハライド単結晶板３０への液状材料の塗布を容易なものとするとともに、比較的簡単に記録層２２の膜厚を均一なものとすることができる。
前述した液状材料を電極２０、２１間に充填する方法としては、特に限定されず、スピンコート法、溶液霧化堆積法（ＬＳＭＣＤ法）、インクジェット法などの各種溶液塗布法を用いることができるが、インクジェット法が好適に用いられる。
また、このような溶液塗布法を用いる場合、液状材料の付与予定部位に対し予め、液状材料中の溶媒の種類に応じた親液処理や撥液処理などの表面処理を行うことにより、選択的に液状材料を堆積させることができる。
【００５８】
また、有機強誘電体材料の結晶化方法としては、特に限定されないが、例えば、ホットプレート、オーブン、真空オーブンなどを用いた結晶化法、マイクロ波などによる内部加熱を用いた結晶化法、赤外線などによる輻射伝熱による結晶法などを用いることができる。特に、ホットプレート、オーブン、真空オーブンなどによる結晶化熱処理工程が好適に用いることができる。有機強誘電体材料を結晶化するに際して、有機強誘電体材料に対し適切な温度域で熱処理を施すことにより、結晶化を行うと、比較的簡単に短時間で、有機強誘電体材料の不本意な結晶構造変化を防止しつつ、記録層２２内の有機強誘電体材料を効率的に結晶化することができる。
【００５９】
有機強誘電体材料の結晶化方法として熱処理を用いる場合、処理温度は、有機強誘電体材料の結晶化温度以上で、かつ融点以下で行い、具体的には、用いる有機強誘電体材料にもよるが、Ｐ（ＶＤＦ／ＴｒＦＥ）（ＶＤＦ／ＴｒＦＥ＝７５／２５）の場合、１３０℃〜１５０℃であるのが好ましく、１３５℃〜１４５℃であるのがより好ましい。
また、結晶化処理の際における処理時間は、用いる有機強誘電体材料や、充填（塗布）された液状材料の膜厚などにもよるが、０．５〜１２０分間であるのが好ましく、１〜３０分間であるのがより好ましい。
また、結晶化処理の際における雰囲気は、空気中で良いが、窒素、アルゴンなどの不活性雰囲気中、あるいは真空中であることがより好ましい。
【００６０】
−Ａ４−
その後、図３（ｄ）に示すように、有機強誘電体キャパシタ１同士の間を埋めるように、絶縁層１９を形成する。
絶縁層１９の形成方法としては、絶縁層１９の構成材料などに応じて決定され、特に限定されず、各種成膜法を用いることができる。
以上のようにして複数の有機強誘電体キャパシタ１を備える構造体が得られる。
【００６１】
［Ｂ］回路層２の形成工程（第３の工程）
−Ｂ１−
次に、図４（ａ）に示すように、前述したようにして得られた複数の有機強誘電体キャパシタ１を備える構造体上（アルカリハライド単結晶板３０と反対側の面上）に、複数のビット線１７および複数のドレイン電極１８からなる導通パターン３を形成する。
導通パターン３（ビット線１７およびドレイン電極１８）の形成方法としては、前述した電極２０、２１の形成方法と同様の方法を用いることができる。
【００６２】
−Ｂ２−
次いで、図４（ｂ）に示すように、導通パターン３を覆うように、半導体層１６を形成する。
半導体層１６の形成方法としては、半導体層１６の構成材料などに応じて決定され、特に限定されず、各種成膜法を用いることができる。
【００６３】
−Ｂ３−
その後、図４（ｃ）に示すように、半導体層１６の導通パターン３と反対側の面上に、ゲート絶縁層１５を形成する。
ゲート絶縁層１５の形成方法としては、ゲート絶縁層１５の構成材料などに応じて決定され、特に限定されず、各種成膜法を用いることができる。
【００６４】
−Ｂ４−
次に、図５（ａ）に示すように、ゲート絶縁層１５の半導体層１６と反対側の面上に、複数のワード線（ゲート電極）１４を形成する。
ワード線１４の形成方法としては、前述した電極２０、２１の形成方法と同様の方法を用いることができる。
【００６５】
−Ｂ５−
そして、図５（ｂ）に示すように、複数のワード線１４を覆うように、絶縁層１３を形成する。
絶縁層１３の形成方法としては、絶縁層１３の構成材料などに応じて決定され、特に限定されず、各種成膜法を用いることができる。
以上のようにして、各有機強誘電体キャパシタ１に導通する導通パターン３を有する回路層２が得られる。
【００６６】
［Ｃ］基板１１の接合工程（第４の工程）
−Ｃ１−
次に、図６（ａ）に示すように、前述した回路層２上（絶縁層１３のワード線１４と反対側の面上）に、接着剤などで構成された接合層１２を介して基板１１を接合する。
［Ｄ］アルカリハライド単結晶板３０の除去工程（第５の工程）
−Ｄ１−
その後、図６（ｂ）に示すように、アルカリハライド単結晶板３０を除去する。これにより、電極２０、２１と記録層２２と絶縁層１９のそれぞれの一部が露出する。
アルカリハライド単結晶板３０の除去方法としては、特に限定されないが、例えば、水により溶かす方法が好適に用いられる。
【００６７】
−Ｄ２−
そして、図６（ｃ）に示すように、電極２０、２１と記録層２２と絶縁層１９の露出部分を覆うように、保護層２３を形成する。
保護膜２３の形成方法としては、保護膜２３の構成材料に応じて決定され、特に限定されず、各種成膜法を用いることができる。
以上のようにして有機強誘電体メモリ１０を製造することができる。
【００６８】
かかる製造方法によれば、前述したような第１の工程および第２の工程を有しているため、得られる有機強誘電体メモリ１０では、記録層２２の分極軸の方位のゆらぎによる分極のロスを低減することができる。その結果、得られる有機強誘電体メモリ１０では、分極反転の応答性の向上を図るとともに、ヒステリシス曲線における角型性を優れたものとすることができる。すなわち、本発明の製造方法によれば、優れた分極反転の応答性およびヒステリシス特性を有する有機強誘電体メモリ１０を製造することができる。
【００６９】
また、前述したような第２の工程の後に、第３の工程では、導通パターン３を含む回路層２を形成するため、比較的簡単に、有機強誘電体メモリ１０を製造することができる。特に、回路層２にトランジスタを形成することで、有機強誘電体メモリ１０を得ることができる。
また、前述した第３の工程の後に、第４の工程では、回路層２のアルカリハライド単結晶板３０と反対側の面に、基板１１を接合するため、記録層２２や各電極２０、２１が基板１１に支持されるため、得られる有機強誘電体メモリ１０の機械的強度を向上させることができる。また、基板１１として樹脂基板のようなフレキシブルな基板を用いることで、フレキシブルな有機強誘電体メモリを提供することができる。
【００７０】
また、前述した第４の工程の後に、第５の工程では、アルカリハライド単結晶板３０を除去し、プラスチックフィルム基板などの基板１１に転写することで、フレキシブルな有機強誘電体メモリ１０を形成することが可能になる。なお、アルカリハライド単結晶板３０は有機強誘電体メモリ１０の機能に必要ではないため、得られる有機強誘電体メモリ１０に不都合が生じることはない。
【００７１】
また、前述した第１の工程では、電極２０、２１の互いに対向する電極面がそれぞれアルカリハライド単結晶板３０の板面に直角となるように形成するため、得られる有機強誘電体メモリ１０では、記録層２２の分極軸が各電極２０、２１の電極面に対し直角となるため、分極反転の応答性およびヒステリシス特性を向上させることができる。
また、前述した第１の工程では、平面視にて一方の電極２１が他方の電極２０の外周を囲むように形成するため、第２の工程にて、液状材料を電極２０、２１間に充填したときに、液状材料を電極２０、２１間から溢れ出すのを防止すること（すなわち、電極２０、２１をバンクとして機能させること）ができる。また、簡単に、電極２０、２１間に液状材料を均一に充填することができる。これらのことから、第２の工程の簡単化を図りつつ、優れた特性を有する有機強誘電体メモリ１０を得ることができる。
【００７２】
（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態を説明する。なお、第２実施形態について、前述した第１実施形態と同様の事項に関しては、その説明を省略する。
図８は、本発明の第２実施形態にかかる有機強誘電体メモリの概略構成を示す部分破断平面図、図９は、図８に示す有機強誘電体メモリの断面図（（ａ）は、図８中におけるＡ−Ａ線断面図、（ｂ）は、図８中におけるＢ−Ｂ線断面図）である。
【００７３】
図８および図９に示す有機強誘電体メモリ１０Ａは、ゲート絶縁層１５と半導体層１６とビット線（ソース電極）１７とドレイン電極１８とを省略した以外は、前述した第１実施形態の有機強誘電体メモリ１０と同様である。
このような有機強誘電体メモリ１０Ａは、クロスポイント型（所謂ＣＰ型）の有機強誘電体メモリであり、図８および図９に示すように、前述した有機強誘電体メモリ１０の回路層２に代えて、絶縁層１３と複数のワード線１４（導通パターン３Ａ）とを備えた回路層２Ａを有している。
【００７４】
この回路層２Ａでは、各ワード線１４が、対応する複数の電極２０に導通している。
このような有機強誘電体メモリ１０Ａにあっては、図示しない駆動回路により、複数のワード線１４および複数の電極（プレート線）２１に選択的に電圧を印加することにより、データの書き込みおよび読み出しがなされる。
以上のようにして構成された有機強誘電体メモリ１０Ａの製造方法としては、前述した第１実施形態の有機強誘電体メモリ１０の製造方法において、工程Ｂ１から工程Ｂ３を省略する以外は、有機強誘電体メモリ１０の製造方法と同様の方法を用いることができる。
【００７５】
以上説明したような有機強誘電体メモリ１０Ａによっても、前述した第１実施形態の有機強誘電体メモリ１０と同様の効果を発揮することができる。
以上説明したような有機強誘電体メモリ１０、１０Ａは、各種電子機器に適用することができる。これにより、各種電子機器の信頼性を高めることができる。
この電子機器としては、例えば、パーソナルコンピューター、携帯情報機器等が挙げられる。
【００７６】
以上、本発明の有機強誘電体キャパシタおよび強誘電体メモリ、ならびにこれらの製造方法について、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明は、これに限定されるものではない。
例えば、本発明の有機強誘電体キャパシタおよび強誘電体メモリを構成する各部は、同様の機能を発揮する任意のものと置換、または、その他の構成を追加することもできる。
【００７７】
また、例えば、記録層２２と、電極２０、２１との間には、それぞれ、任意の目的の層が、１層または２層以上設けられていてもよい。
また、前述した実施形態では、電極２１がプレート線を兼ねている構成を説明したが、プレート線を別途設け、電極２１を電極２０と対をなすように形成してもよい。
また、前述した実施形態では、１トランジスタ１キャパシタ型（所謂１Ｔ１Ｃ型）およびクロスポイント型（所謂ＣＰ型）の有機強誘電体メモリに本発明を適用した例を説明したが、本発明は、トランジスタのゲート絶縁膜の構成材料を有機強誘電体材料とした１Ｔ型や、１Ｔ１Ｃ型の有機強誘電体メモリを二つ組み合わせた２トランジスタ２キャパシタ型（所謂２Ｔ２Ｃ型）の有機強誘電体メモリにも適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００７８】
【図１】本発明の第１実施形態にかかる有機強誘電体メモリの概略構成を示す平面図である。
【図２】（ａ）は、図１中におけるＡ−Ａ線断面図、（ｂ）は、図１中におけるＢ−Ｂ線断面図である。
【図３】図１に示す有機強誘電体メモリの製造方法を説明するための図である。
【図４】図１に示す有機強誘電体メモリの製造方法を説明するための図である。
【図５】図１に示す有機強誘電体メモリの製造方法を説明するための図である。
【図６】図１に示す有機強誘電体メモリの製造方法を説明するための図である。
【図７】図３（ｃ）に示す記録層の製造工程を説明するための図である。
【図８】本発明の第２実施形態にかかる有機強誘電体メモリの概略構成を示す平面図である。
【図９】（ａ）は、図８中におけるＡ−Ａ線断面図、（ｂ）は、図８中におけるＢ−Ｂ線断面図である。
【符号の説明】
【００７９】
１‥‥有機強誘電体キャパシタ  １１‥‥基板  １２‥‥接合層  １３‥‥絶縁層  １４‥‥ワード線  １５‥‥ゲート絶縁層  １６‥‥半導体層  １７‥‥ビット線  １８‥‥ドレイン電極  １９‥‥絶縁層  ２０、２１‥‥電極  ２１１‥‥開口  ２２‥‥記録層  ２３‥‥保護層  ２、２Ａ‥‥回路層  ３‥‥導通パターン  ３０‥‥アルカリハライド単結晶板  １０、１０Ａ‥‥有機強誘電体メモリ
【図１】
2008198804.tif 000003
【図２】
2008198804.tif 000004
【図３】
2008198804.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
2008198804.tif 000008
【図７】
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【図８】
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【図９】
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