(57)【要約】【課題】磁気特性に優れた磁性層を有し、低コストかつ高スループットで実施することが可能なパターンドメディアの製造方法の提供。【解決手段】トラックパターン内での自己組織化材料の自己組織化を利用して作製したビットパターンスタンパを用いて、基板上のシード層をパターン化し、該シード層上に磁性層を設けることを特徴とするパターンドメディアの製造方法。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にシード層を配向成膜する工程と、
シード層上に第３レジスト層を形成する工程と、
ビットパターンスタンパを用いて第３レジスト層にインプリントを行って、パターン化第３レジスト層を形成する工程と、
パターン化第３レジスト層をマスクとして、シード層をエッチングしてパターン化シード層を形成する工程と、
パターン化第３レジスト層を除去する工程と、
パターン化シード層の上にパターン化磁性層を柱状成長させる工程と
を含むことを特徴とするパターンドメディアの製造方法。
【請求項２】
前記ビットパターンスタンパを、
ビットパターンスタンパ基板とその上に第２レジスト層とを有する積層体を準備する工程と、
ビットパターン原版を用いて、第２レジスト層にインプリントを行い、パターン化第２レジスト層を形成する工程と、
パターン化第２レジスト層をマスクとして、ビットパターンスタンパ基板をエッチングして、ビットパターンが転写されたビットパターンスタンパを形成する工程と
を含む方法によって製造することを特徴とする請求項１に記載のパターンドメディアの製造方法。
【請求項３】
前記ビットパターンスタンパ原版を、
ビットパターン原版基板とその上に第１レジスト層とを有する積層体を準備する工程と、
記録再生トラックパターンが形成されたトラックパターン原版を用いて、第１レジスト層にインプリントを行い、パターン化第１レジスト層を形成する工程と、
パターン化第１レジスト層をマスクとして、ビットパターン原版基板をエッチングして、ビットパターン原版基板に記録再生トラックパターンを転写する工程と、
パターン化第１レジスト層を除去する工程と、
ビットパターン原版基板に転写された記録再生トラックパターン内に自己組織化材料を塗布する工程と、
自己組織化材料を組織化して、ビットパターンを形成する工程と、
ビットパターンが形成されたビットパターン原版基板をエッチングして、ビットパターンがその表面から突出したビットパターン原版を形成する工程と
を含む方法によって製造することを特徴とする請求項２に記載のパターンドメディアの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パターン化された磁性層を有するパターンドメディアの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在のハードディスクドライブ（ＨＤＤ）用磁気記録メディアは、記録層として多結晶磁性連続膜を使用している。多結晶磁性連続膜においては、サイズおよび形状の不規則な結晶粒の境界に起因して、磁気ビットの境界が不規則なジグザグの形状となり、再生信号の雑音の原因となることが知られている。したがって、ＨＤＤの記録密度の向上のためには、記録層である多結晶磁性連続膜中の結晶粒の微細化とともに、再生信号の雑音の原因となるジグザグ形状ではなく直線状の磁気ビット境界を得ることが必要となる。しかしながら、結晶粒を微細化すると、熱揺らぎによる影響を受けやすくなり、時間の経過とともに記録情報が失われてしまうという問題が発生する。
【０００３】
そこで、現在の磁気記録メディアに代わる次世代のメディア技術として、パターンドメディアが注目されてきている。パターンドメディアとは、形状および寸法を人工的にそろえた単一磁区の微粒子をアレイ状に配列したものを記録層として用い、１つの微粒子を１ビットとして記録を行う磁気メディアである。すなわち、ビットを形成する単一磁区微粒子が隣接する他の微粒子と空間的に完全に離隔されているため、単一磁区微粒子を微細化したとしても、隣接する微粒子の影響をほとんど受けず、熱揺らぎの影響による記録情報の喪失の問題点を回避することが可能となる。
【０００４】
従来のパターンドメディアの製造方法の一例として、スタンパによるインプリントを利用した方法を、図４および図５を参照して説明する。図４はスタンパの製造方法を示す図である。最初に、図４（ａ）に示すように、スタンパ基板５００ａの上にレジスト層５０２ａを形成する。次に、図４（ｂ）に示すように、レジスト層５０２ａを加熱しながら、ビットの凹凸パターン（ビットパターン）を形成したビットパターン原版５５０を押し付け（インプリント）、ビットパターン原版６００のパターンをレジスト層５０２ａに転写し、図４（ｃ）に示すようなパターン化レジスト層５０２ｂを形成する。次いで、図４（ｄ）に示すように、パターン化レジスト層５０２ｂをマスクとして、スタンパ基板５００ａのエッチングを行い、最後にパターン化レジスト層５０２ｂを除去して、ビットパターンスタンパ５００ｂを得る。この方法で用いられるビットパターン原版６００は、電子ビーム描画装置などによりビットパターンを直接描画し、エッチングにより凹凸を形成したものである。
【０００５】
図５は、前述のビットパターンスタンパ５００ｂを用いたパターンドメディアの製造方法を示す図である。最初に、図５（ａ）に示すように、従来の磁気記録メディアと同様に、支持体６００上に、軟磁性層６０２、シード層６０４ａ、および磁性層６０６ａを積層し、さらに磁性層６０６ａの上にレジスト層６１０ａを形成する。次いで、図５（ｂ）に示すように、レジスト層６１０ａを加熱しながらビットパターンスタンパ５００ｂによるインプリントを行い、ビットパターンスタンパ５００ｂのビットパターンをレジスト層６１０ａに転写し、図５（ｃ）に示すようなパターン化レジスト層６１０ｂを形成する。次いで、パターン化レジスト層６１０ｂをマスクとして、磁性層６０６ａおよびシード層６０４ａをエッチングし、パターン化磁性層６０６ｂおよびパターン化シード層６０４ｂを形成し、最後にパターン化レジスト層６１０ｂを除去して、図５（ｄ）に示すようなパターンドメディアを得ることができる。なお、図５（ｄ）のパターンドメディアにおいて、パターン化磁性層６０６ａが集中して形成されている部分が磁気ヘッドによる読み書きを行う記録再生トラック領域６２１であり、パターン化磁性層６０６ａが形成されていない部分が記録再生トラック間の干渉を防止するためのガード領域６２２である。
【０００６】
また、ビットパターンスタンパを作製する際に、電子ビーム描画装置などを用いて１００ｎｍ程度の幅を有するトラックパターンを形成し、該トラックパターン内に自己組織化材料を用いて２０ｎｍ径の微粒子を自己組織化させたビットパターンを形成することが提案されている（特許文献１参照）。
【０００７】
あるいはまた、ナノ粒子を自己組織化によって分散させたシード層を用い、その上に形成される磁気記録層中の磁性粒子の寸法および配列を制御することが提案されている（特許文献２参照）。
【０００８】
あるいはまた、磁性層の磁性粒子そのものを自己組織化により配列させる方法が提案されている（特許文献３参照）。
【０００９】
【特許文献１】特開２００５−１００４９９号公報
【特許文献２】特開２００２−１７０２２７号公報
【特許文献３】特開２００３−１６８６０６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
現状のパターンドメディアにおいて、１つの磁気ビットとなる単一磁区微粒子の径は２０ｎｍ程度またはそれ以下であり、ビットパターン原版に２０ｎｍ径のパターンを形成する手段として電子ビーム描画装置を使用している。しかしながら、ビットパターン原版全面に２０ｎｍ径のパターンを直接描画するためには極めて長い時間（たとえば数日間）が必要であり、製造コストの増大ならびにスループットの低下を招く。また、単一磁区微粒子の寸法は、今後の記録密度向上の要請にともなってさらなる微細化が必要となることが予想される。そのような微細化が進行した場合、描画自体が困難になる可能性がある。
【００１１】
また、磁性層をエッチングしてパターン化する方法、または磁性粒子そのものを自己組織化する方法においては、磁気特性の劣化の恐れがある。すなわち、現在の磁気記録メディア磁性層中の磁性粒子は、配向成膜されたシード層の結晶構造をテンプレートとしてエピタキシャル的に柱状成長させることによって、所望の磁気特性を実現している（図６参照）。したがって、その結晶性を無視したエッチングないし配列を行った場合には、その磁気特性が劣化することになる。
【００１２】
したがって、本発明の課題は、低コストかつ高スループットのプロセスによって、磁気特性に優れた磁性層を有するパターンドメディアの製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明は、トラックパターンが転写されたビットパターンスタンパ原版において、トラックパターン内部に自己組織化材料を用いてビットパターンを形成し、該ビットパターンスタンパ原版を転写したビットパターンスタンパを用いるインプリントおよびエッチングによりシード層をパターニングし、パターン化されたシード層の上に磁性層を形成することによって、磁気特性に優れた磁性層を有するパターンドメディアの低コストかつ高スループットの製造方法を提供する。
【発明の効果】
【００１４】
前述のような構成を採ることによって、時間のかかるビットパターンの形成を自己組織化材料を用いて簡便かつ短時間に行うことによって、コスト低減およびスループット向上を実現することができる。また、このようにしてビットパターンが形成されたビットパターンスタンパ原版を用いて、複数のビットパターンスタンパを形成することが可能である点も、コスト低減およびスループット向上に有利である。さらに、ビットパターンスタンパを用いてシード層のパターン化を行うことによって、磁性層のパターン化に付随する問題点を回避し、優れた磁気特性を有する磁性層を提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
最初に、本発明のパターンドメディアの製造方法に用いるビットスタンパ原版の製造過程を、図１を参照して説明する。
【００１６】
図１（ａ）に示すように、ビットスタンパ原版基板２０ａの上に、均一な膜厚を有する第１レジスト層２２ａを設けた積層体を準備する。ビットスタンパ原版基板２０ａは、後述するビットスタンパ形成時に用いる第２レジストに対するインプリントを行うのに充分な剛性を有し、自己組織化材料中の微粒子との間で選択的エッチングが可能な任意の材料、例えばＳｉを用いて形成することができる。第１レジスト層２２ａは、室温または加熱条件下で、トラックパターン原版１００のインプリントによってパターン化を行うのに充分な粘度および流動性を有し、ビットスタンパ原版基板２０ａのエッチング条件に耐えることができる任意の材料、好ましくは、加熱条件下で行なう熱インプリントにおいては熱可塑性樹脂、室温下でのＵＶインプリント方式を用いる場合は光硬化性樹脂を用いて形成することができる。第１レジスト層２２ａは、スピンコート、ディップコートなどの当該技術において知られている任意の手段によって形成することができる。第１レジスト層２２ａの膜厚は、ビットスタンパ原版基板２０ａを所定の深さにエッチングする工程に耐えられることを条件として、任意に選択することができる。
【００１７】
次に、図１（ｂ）に示すようにトラックパターン原版１００のインプリントによって第１レジスト層２２ａをパターン化する。本工程は、室温または加熱条件下、好ましくは２０℃〜２００℃の範囲内の温度で実施することができる。トラックパターン原版１００は、最終製品のパターンドメディアにおいて記録再生トラックとなる部分に凸部を有する。トラックパターン原版１００は、電子ビーム描画装置などの人工的描画手段によって形成することができる。トラックパターンは、同心円状に配置された複数の円周状の溝であることが望ましく、溝のそれぞれはたとえば幅１００ｎｍの矩形断面を有することが望ましい。インプリント時に、トラックパターン原版１００の凸部において第１レジスト層２２ａが排除され、図１（ｃ）に示すように、パターン化第１レジスト層２２ｂが形成される。
【００１８】
次に、図１（ｄ）に示すように、パターン化第１レジスト層２２ｂをマスクとして用いて、ビットスタンパ原版基板２０ａをエッチングする。本工程は、たとえば、湿式エッチング、スパッタエッチング、プラズマエッチング、反応性イオンエッチングなど当該技術において知られている任意の手段を用いて実施することができる。エッチングの終了後、溶媒による洗浄、プラズマアッシングなどによってパターン化第１レジスト層２２ｂを除去して、図１（ｅ）に示すような、記録再生トラックが形成される部分が凹部となったパターン化ビットスタンパ原版基板２０ｂを得ることができる。
【００１９】
次に、図１（ｅ）に示すように、パターン化ビットスタンパ原版基板２０ｂの凹部に自己組織化材料を塗布する。自己組織化材料は、微粒子３０が分散された分散液３２である。本工程は、微粒子３０を含む分散液３２を準備し、該分散液をディップコート、スピンコート、ナイフコートなどの当該技術において知られている任意の手段で塗布することによって実施される。微粒子３０は、最終的に得られるパターンドメディアの磁性層において、１つの磁気ビットを形成する単一磁区微粒子に相当する直径を有するべきであり、好ましくは５〜２０ｎｍの直径を有する。また、微粒子３０は、後述するパターン化ビットスタンパ原版基板２０ｂのエッチングの際に、エッチング作用を受けない材料またはパターン化ビットスタンパ原版基板２０ｂの材料に比較してエッチング速度が著しく小さい材料から形成されるべきである。好ましい材料は、ＳｉＯ２などである。前述の分散液は、水、またはアルカリなどの溶媒を含んでもよい。次いで、自己組織化材料の自己組織化を実施する。すなわち、微粒子を分散させた溶媒をスピンコートし、乾燥させる。図１（ｆ）に示すように、自己組織化によってビットパターン状に配列された微粒子３０が得られる。
【００２０】
最後に、図１（ｈ）に示すように、微粒子３０をエッチングすることなしに、選択的にパターン化ビットスタンパ原版基板２０ｂのみをエッチングして、微粒子３０をビットスタンパ原版支持体２０ｃの上表面から突出させて、ビットスタンパ原版２００を得る。本工程のエッチングは、微粒子３０の形状および配列に影響を与えないことを条件として、たとえば、スパッタエッチング、プラズマエッチング、反応性イオンエッチング、湿式エッチングなど当該技術において知られている任意の手段を用いて実施することができる。エッチングは、後述するビットスタンパ製造過程におけるインプリントに充分な微粒子３０の突出高さが得られるように実施される。ビットスタンパ原版２００は、最終製品のパターンドメディアにおいてパターン状磁気ビットとなる部分に凸部（微粒子３０）を有する。
【００２１】
次に、本発明のパターンドメディアの製造方法に用いるビットスタンパの製造過程を、図２を参照して説明する。
【００２２】
図２（ａ）に示すように、ビットスタンパ基板４０の上に、均一な膜厚を有する第２レジスト層４２ａを設けた積層体を準備する。ビットスタンパ基板４０は、後述するパターンドメディア形成時に用いる第３レジストに対するインプリントを行うのに充分な剛性を有する任意の材料、たとえばＳｉや石英などを用いて形成することができる。第２レジスト層４２ｂは、室温または加熱条件下で、ビットスタンパ原版２００のインプリントによってパターン化を行うのに充分な粘度および流動性を有し、ビットスタンパ基板４０のエッチング条件に耐えることができる任意の材料、好ましくは熱可塑性樹脂を用いて形成することができる。第２レジスト層４２ａは、スピンコート、ディップコートなどの当該技術において知られている任意の手段によって形成することができる。第２レジスト層４２ａの膜厚は、ビットスタンパ基板４０を所定の深さにエッチングする工程に耐えられることを条件として、任意に選択することができる。
【００２３】
次に、図２（ｂ）に示すようにビットスタンパ原版２００のインプリントによって第２レジスト層４２ａをパターン化する。本工程は、室温または加熱条件下、好ましくは２０℃〜２００℃の範囲内の温度で実施することができる。インプリント時に、ビットスタンパ原版２００の凸部（微粒子３０）において第２レジスト層４２ａが排除され、図２（ｃ）に示すように、パターン化第２レジスト層４２ｂが形成される。
【００２４】
次に、パターン化第２レジスト層４２ｂをマスクとして用いて、ビットスタンパ基板４０をエッチングする。本工程は、たとえば、湿式エッチング、スパッタエッチング、プラズマエッチング、反応性イオンエッチングなど当該技術において知られている任意の手段を用いて実施することができる。エッチングの深さは、後述するパターンドメディア製造過程において所望されるパターン化第３レジスト層６０ｂの膜厚に依存して決定される。エッチングの終了後、溶媒による洗浄、プラズマアッシングなどによってパターン化第２レジスト層４２ｂを除去して、図２（ｄ）に示すような、パターン状磁気ビットが形成される部分が凹部となったパターン化ビットスタンパ原版基板３００を得ることができる。
【００２５】
最後に、本発明のパターンドメディアの製造方法におけるビットスタンパを用いたパターンドメディアの製造過程を、図３を参照して説明する。
【００２６】
まず、図３（ａ）に示すように、メディア基板５０の上に、シード層５６ａを全面に形成し、その上に均一な膜厚を有する第３レジスト層６０ａを形成する。メディア基板５０は、非磁性基体５２であってもよく、あるいは非磁性基体５２の上に必要に応じて非磁性下地層、軟磁性層などを設けた積層基板であってもよい。図３においては、メディア基板５０が、非磁性基体５２と軟磁性層５４との積層体である一例を示した。
【００２７】
非磁性基体５２としては、当該技術において知られている、表面が平滑である様々な基体を用いることができる。例えば、磁気記録媒体用に用いられる、ＮｉＰメッキを施したＡｌ合金または強化ガラス、結晶化ガラス等を、非磁性基体１として用いることができる。
【００２８】
軟磁性層５４としては、ＦｅＴａＣ、センダスト（ＦｅＳｉＡｌ）合金などの結晶性材料；ＦｅＴａＣ、ＣｏＦｅＮｉ、ＣｏＮｉＰなどの微結晶性材料；またはＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＴａＺｒなどのＣｏ合金を含む非晶質材料を用いることができる。軟磁性層５４の膜厚は、記録に使用する磁気ヘッドの構造や特性によって最適値が変化するが、おおむね１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下程度であることが、生産性との兼ね合いから望ましい。
【００２９】
任意選択的に設けてもよい非磁性下地層は、Ｔｉ、またはＴｉＣｒ合金のようなＣｒを含む非磁性材料を用いて形成することができる。
【００３０】
シード層５６ａは、ＮｉＦｅＡｌ、ＮｉＦｅＳｉ、ＮｉＦｅＮｂ、ＮｉＦｅＢ、ＮｉＦｅＮｂＢ、ＮｉＦｅＭｏ、ＮｉＦｅＣｒなどのようなパーマロイ系材料；ＣｏＮｉＦｅ、ＣｏＮｉＦｅＳｉ、ＣｏＮｉＦｅＢ、ＣｏＮｉＦｅＮｂなどのようなパーマロイ系材料にＣｏをさらに添加した材料；Ｃｏ；あるいはＣｏＢ，ＣｏＳｉ，ＣｏＮｉ，ＣｏＦｅなどのＣｏ基合金を用いて形成することができる。シード層５６ａは、磁性層５８の結晶構造を制御するのに充分な膜厚を有することが望ましく、通常の場合、３ｎｍ以上５０ｎｍ以下の膜厚を有することが望ましい。
【００３１】
非磁性基体５２の上に形成される、シード層５６ａ、ならびに任意選択的に設けてもよい層である非磁性下地層および軟磁性層５４の形成は、スパッタ法（ＤＣマグネトロンスパッタ法、ＲＦマグネトロンスパッタ法などを含む）、真空蒸着法など当該技術において知られている任意の方法を用いて実施することができる。
【００３２】
第３レジスト層６０ａは、室温または加熱条件下で、ビットスタンパ原版２００のインプリントによってパターン化を行うのに充分な粘度および流動性を有し、シード層５６ａのエッチング条件に耐えることができる任意の材料、好ましくは、加熱条件下で行なう熱インプリントにおいては熱可塑性樹脂、室温下でのＵＶインプリント方式を用いる場合は光硬化性樹脂を用いて形成することができる。第３レジスト層６０ａは、スピンコート、ディップコートなどの当該技術において知られている任意の手段によって形成することができる。第３レジスト層６０ａの膜厚は、シード層５６ａのエッチング工程に耐えられることを条件として、任意に選択することができる。
【００３３】
次に、図３（ｂ）に示すようにビットスタンパ３００のインプリントによって第３レジスト層６０ａをパターン化する。本工程は、室温または加熱条件下、好ましくは２０℃〜２００℃の範囲内の温度で実施することができる。インプリント時に、ビットスタンパ３００の凹部において第３レジスト層が残存し、その他の部分で第３レジスト層が排除され、図３（ｃ）に示すように、パターン化第３レジスト層６０ｂが形成される。
【００３４】
次に、パターン化第３レジスト層６０ｂをマスクとして用いて、シード層５６ａをエッチングする。本工程は、たとえば、湿式エッチング、スパッタエッチング、プラズマエッチング、反応性イオンエッチングなど当該技術において知られている任意の手段を用いて実施することができる。エッチングの終了後、溶媒による洗浄、プラズマアッシングなどによってパターン化第３レジスト層６０ｂを除去して、図３（ｄ）に示すような、パターン状磁気ビットが形成される部分のみにシード層材料が残存しているパターン化シード層５６ｂを得ることができる。
【００３５】
最後に、図３（ｅ）に示すように、パターン化シード層５６ｂの上に選択的に磁性層５８を成膜して、パターンドメディアを得る。
【００３６】
磁性層５８は、好適には、少なくともＣｏとＰｔを含む合金の強磁性材料を用いて形成することができる。たとえば、垂直磁気記録用のパターンドメディアを得るためには、磁性層５８の材料の磁化容易軸（六方最密充填（ｈｃｐ）構造のｃ軸）がメディア基板５０表面に垂直方向に配向していることが必要である。磁性層５８は、たとえばＣｏＰｔ、ＣｏＣｒＰｔ、ＣｏＣｒＰｔＢ、ＣｏＣｒＰｔＴａなどの合金材料を用いて形成することができる。磁性層５８の膜厚は、特に限定されるものではない。しかしながら、生産性および記録密度向上の観点から、磁性層５８は、好ましくは３０ｎｍ以下、より好ましくは１５ｎｍ以下の膜厚を有する。磁性層５８の形成は、スパッタ法（ＤＣマグネトロンスパッタ法、ＲＦマグネトロンスパッタ法などを含む）、真空蒸着法など当該技術において知られている任意の方法を用いて実施することができる。
【００３７】
任意選択的に、磁性層５８の上に保護層および／または液体潤滑剤層を設けてもよい。保護層は、下にある磁性層５８以下の各構成層を保護するための層であり、たとえば、カーボンを主成分とする薄膜を用いることができる。その他にも、当該技術において磁気記録媒体保護膜用の材料として知られている種々の薄膜材料を使用して、保護層を形成してもよい。保護層は、一般的にスパッタ法（ＤＣマグネトロンスパッタ法、ＲＦマグネトロンスパッタ法などを含む）、真空蒸着法、ＣＶＤ法などを用いて形成することができる。また、液体潤滑剤層は、記録／読み出し用ヘッドが磁気記録媒体に接触している際の潤滑を付与するための層であり、たとえば、パーフルオロポリエーテル系の液体潤滑剤、または当該技術において知られている種々の液体潤滑剤材料を使用して形成することができる。液体潤滑剤層は、ディップコート法、スピンコート法などの当該技術において知られている任意の塗布方法を用いて形成することができる。
【００３８】
以上に説明した本発明のパターンドメディアの製造方法において、電子ビーム描画装置を用いて直接描画するパターンを幅１００ｎｍ程度のトラックパターンに限定しつつ、自己組織化材料を利用することによって直径２０ｎｍのパターンの形成を可能にしている。また、トラックパターン原版のインプリントによって、複数のビットスタンパ原版を作成することが可能であり、かつ１つのビットスタンパ原版のインプリントによって、複数のビットスタンパを作成することが可能である。これらの点から、パターンドメディア１枚当たりの直接描画（電子ビーム描画装置を用いる）のコストを低減し、かつ製造工程の並列化によってスループットを向上させることが可能となる。
【００３９】
また、本発明のパターンドメディアの製造方法においては、磁性層ではなくシード層をエッチングすることによって所望の精細度のパターンを形成しており、エッチングによって磁性層材料が磁気特性に悪影響を及ぼすようなダメージを受けることがない。したがって、所望の精細度のパターンおよび優れた磁気特性を有する磁性層を提供することができ、高密度記録に対応可能なパターンドメディアを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】本発明の方法に用いるビットスタンパ原版の製造過程を示す図であり、（ａ）〜（ｈ）は各段階を示す図である。
【図２】本発明の方法に用いるビットスタンパの製造過程を示す図であり、（ａ）〜（ｄ）は各段階を示す図である。
【図３】本発明の方法において、ビットスタンパを用いたパターンドメディアの製造過程を示す図であり、（ａ）〜（ｅ）は各段階を示す図である。
【図４】従来の方法に用いるビットスタンパの製造過程を示す図であり、（ａ）〜（ｅ）は各段階を示す図である。
【図５】従来の方法において、ビットスタンパを用いたパターンドメディアの製造過程を示す図であり、（ａ）〜（ｄ）は各段階を示す図である。
【図６】磁性層の柱状成長を説明する図である。
【符号の説明】
【００４１】
２０（ａ〜ｃ）  ビットスタンパ原版基板
２２（ａ，ｂ）  第１レジスト層
３０  自己組織化材料分散液
３２  微粒子
４０  ビットスタンパ基板
４２（ａ，ｂ）  第２レジスト層
５０  メディア基板
５２  非磁性基体
５４  軟磁性層
５６（ａ，ｂ）  シード層
５８  磁性層
６０（ａ，ｂ）  第３レジスト層
１００  トラックパターン原版
２００  ビットスタンパ原版
３００  ビットスタンパ
【図１】
2008171489.tif 000003
【図２】
2008171489.tif 000004
【図３】
2008171489.tif 000005
【図４】
2008171489.tif 000006
【図５】
2008171489.tif 000007
【図６】
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