(57)【要約】      （修正有）【課題】高ドーズ量を照射するリソグラフィプロセスでは基板、基板テーブルの温度上昇による基板膨張が原因で修正不可能なオーバーレイ誤差を生ずる。【解決手段】基板を保持する基板テーブルに熱調整プレートと弾性的に熱接触するように構築する。基板プレートには所定以上の熱伝導率を持つ材料を用い、熱調整プレートは、熱調整流体を通過させるよう構成することにより、基板および基板テーブルの温度は所定の温度内に維持される。リソグラフィ装置は、パターン付与された照射ビームを基板の目標部分に投影するように構築されかつ配置された投影システムをさらに備える。【選択図】図２
2008227489.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
照射ビームを調整するように構築されかつ配置された照明システムと、
前記照射ビームの断面にパターンを付与するように設定されたパターニング用デバイスを支持するように構築されかつ配置された支持構造と、
基板を保持するように構築かつ配置された基板テーブルであって、熱調整プレートと熱接触する基板支持プレートを備える基板テーブルと、
パターン付与された照射ビームを前記基板の目標部分に投影するように構築されかつ配置された投影システムと、
を備えることを特徴とするリソグラフィ装置。
【請求項２】
前記基板支持プレートは、前記基板と接触し該基板を支持するように配置された複数の表面変形部を画成する基板支持面を有することを特徴とする請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項３】
前記表面変形部は、前記基板支持面と接触するように配置された基板の表面積の最大約２０％と接触するように配置されていることを特徴とする請求項２に記載のリソグラフィ装置。
【請求項４】
前記表面変形部は、前記基板支持面と接触するように配置された基板の表面積の約１０％以上と接触するように配置されていることを特徴とする請求項２に記載のリソグラフィ装置。
【請求項５】
前記表面変形部がこぶ（burl）であることを特徴とする請求項２に記載のリソグラフィ装置。
【請求項６】
前記基板支持プレートが少なくとも約５ｍｍ厚であることを特徴とする請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項７】
前記基板支持プレートが約５０Ｗ／ｍＫ以上の熱伝導率を有する材料からなることを特徴とする請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項８】
前記基板支持プレートが、炭化ケイ素、シリコン処理炭化ケイ素等からなるグループから選択される材料で構成されることを特徴とする請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項９】
前記熱調整プレートが、金属、非金属、セラミック、合金、およびそれらの混合物からなるグループから選択される材料で構成されることを特徴とする請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１０】
前記熱調整プレートが、前記基板支持プレートの温度を所定の温度範囲内に維持するように配置された熱調整部材を備えることを特徴とする請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１１】
前記熱調整部材が、熱調整流体を通過させるように配置された流路であることを特徴とする請求項１０に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１２】
前記熱調整流体が水であることを特徴とする請求項１１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１３】
前記基板支持プレートが前記熱調整プレートと弾性的に接続されることを特徴とする請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１４】
前記基板支持プレートが接着層によって前記熱調整プレートと接続されることを特徴とする請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１５】
前記基板支持プレートが一つまたは複数の弾性接続ブロックによって前記熱調整プレートと接続されることを特徴とする請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１６】
前記基板支持プレートが一つまたは複数の接続ブロックによって前記熱調整プレートと接続され、前記一つまたは複数の接続ブロックは、前記照射ビームによる照射の間、前記目標部分の近傍で前記基板の制限されない局所的な変形が可能となるように、前記基板の目標部分から十分な距離離れて配置されることを特徴とする請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１７】
前記基板支持プレートと前記熱調整プレートの向かい合う面の平均間隔が約０．０５ｍｍであることを特徴とする請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１８】
プレート間の熱伝導係数が約１００μｍの距離にわたって約０．０７Ｗ／ｍＫとなるように、前記基板支持プレートと前記熱調整プレートが配置されることを特徴とする請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１９】
前記熱調整プレートが支持されるミラーブロックをさらに備えることを特徴とする請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項２０】
前記ミラーブロックが、少なくとも一つの取付ブロックによって、前記基板支持プレートおよび前記熱調整プレートの少なくとも一方と接続されることを特徴とする請求項１９に記載のリソグラフィ装置。
【請求項２１】
熱調整プレートと熱接触する基板支持プレートを備えることを特徴とするリソグラフィ基板支持テーブル。
【請求項２２】
基板の目標部分に照射ビームを投影し、
熱調整プレートと熱接触する基板支持プレートを備える基板支持テーブル上に基板を支持することを含むリソグラフィ方法。
【請求項２３】
前記照射ビームの断面にパターンを付与し、
パターン付与された照射ビームを前記基板の目標部分に投影することをさらに含むことを特徴とする請求項２２に記載のリソグラフィ方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リソグラフィ装置および方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
リソグラフィ装置は、基板の目標部分に所望のパターンを付与する機械である。リソグラフィ装置は、例えば集積回路（ＩＣ）の製造に用いることができる。この場合、マスク、レチクルとも呼ばれるパターニング用デバイスを用いて、ＩＣの個々のレイヤに対応する回路パターンを生成することができ、照射感受性材料（レジスト）の層を有する基板（例えば、シリコンウェハ）上の目標部分（例えば、一つまたは複数のダイの部分からなる）にこのパターンを転写することができる。一般に、単一の基板は、連続して露光される隣接する目標部分のネットワークを有する。既知のリソグラフィ装置には、いわゆるステッパといわゆるスキャナとがある。ステッパでは、各目標部分にパターンの全体を一度に露光することによって、各目標部分が照射される。スキャナでは、所与の方向（「走査」方向）にビームを用いてパターンを走査する一方、この方向と平行にまたは逆平行に基板を同期させて走査することによって、各目標部分が照射される。
【０００３】
ＩＣを基板に接続するために従来からワイヤが用いられているが、この方法は「フリップチップボンディング」と呼ばれる方法で次第に置き換えられている。フリップチップボンディングでは、基板上に付与されたレジストのより厚い層（すなわち、従来のリソグラフィで使用されるレジスト層よりも厚い）にパターンがイメージングされる。レジストが現像され処理され、所定の位置に凹部が形成され、さらに凹部内にはんだが電気メッキされる。続いて、レジストが除去され基板の最上面から上方に突き出すはんだの「バンプ」が残る。一般的に言って、はんだバンプの必要な位置精度は通常約１ミクロンであるので（これは、高解像度リソグラフィ装置により提供される数十ナノメータの精度よりもかなり低い精度である）、リソグラフィ装置の解像度は低くてもよい。
【０００４】
より厚い層のレジストにパターンが付与されるフリップチップボンディング等のプロセスは、通常、所望のパターンを生成するためにより高いドース量の照射を使用する。しかしながら、照射のドース量を増大させると、レジスト、基板および／または基板支持テーブルの加熱の増加につながる。例えば、露光されたレジストの近傍での基板温度が過度に上昇し、基板の局所すべりまたは局所膨張を引き起こす。さらに、基板のより広い面積、すなわち実際には基板の全体を増加したドース量の照射で露光すると、基板の全体平均温度が許容可能限度を超えて増加し、基板の全体的なすべりまたは膨張を引き起こし、おそらくは大規模で修正不可能なパターンのオーバーレイ誤差を生じる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
基板の望ましくない加熱に対処するよう設計された方法は、露光中に基板を「冷却流体」または「調整流体」に浸し、基板に発生した過度のレベルの熱を周囲の流体に発散させるものである。この方法の問題点は、従来のリソグラフィ装置に対してかなりの改良を施す必要があることであり、コストと時間の両方を消費する。基板の過度の加熱に関連する問題を緩和するように意図された別の方法は、露光中に基板を所望の温度範囲内に維持する内部「冷却部材」または「調整部材」を備えた基板支持テーブルを準備することである。この方法では、基板に生じた過度の熱は、基板から運び去られる。典型的な調整部材は、水等の冷却流体を露光中に連続して通過させるように支持テーブル内に形成された一連の流路からなる。この方法に関連する問題点は、従来のリソグラフィ装置に対しかなりの改良を必要とすること、特に基板支持テーブルの改良が必要なこと、および、防水かつ所要の平坦度を有するように支持テーブルを設計し製造するのが複雑であり費用のかかることである。
【０００６】
本明細書または他の場所で特定される従来技術の一つまたは複数の問題点を除去するか軽減する、例えばリソグラフィ装置および方法を提供することが望ましい。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様によると、照射ビームを調整するように構築されかつ配置された照明システムと、パターニング用デバイスを支持するように構築されかつ配置された支持構造とを備えるリソグラフィ装置が提供される。パターニング用デバイスは照射ビームの断面にパターンを付与するように設定されている。リソグラフィ装置は基板を保持するように構築かつ配置された基板テーブルも備える。基板テーブルは熱調整プレートと熱接触する基板支持プレートを備える。リソグラフィ装置は、パターン付与された照射ビームを基板の目標部分に投影するように構築されかつ配置された投影システムをさらに備える。
【０００８】
本発明の別の態様によると、熱調整プレートと熱接触する基板支持プレートを備えるリソグラフィ基板支持テーブルが提供される。
【０００９】
本発明の別の態様によると、基板の目標部分に照射ビームを投影し、基板支持プレートを備える基板支持テーブル上に基板を支持することを含むリソグラフィ方法が提供される。基板支持プレートは、熱調整プレートと熱接触する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
対応する参照符号が対応する部分を示す添付の概略図を参照して、例示のみを目的として本発明の実施形態を以下に説明する。
【００１１】
ＩＣ製造時におけるリソグラフィ装置の使用について本文で特定した言及がなされるかもしれないが、本明細書で述べるリソグラフィ装置は、集積光学システム、磁気領域メモリ用の誘導および検出パターン（guidance and detection pattern）、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造といった他の応用形態も有していることを理解すべきである。当業者は、このような代替的な応用形態の文脈において、「ウェハ」または「ダイ」という用語のあらゆる使用が、より一般的な用語である「基板」または「目標部分」とそれぞれ同義であるとみなしうることを認められよう。本明細書で参照される基板を、例えばトラック（通常、基板にレジスト層を塗布し露光されたレジストを現像する工具）または計測工具または検査工具で、露光の前後に処理することができる。可能であれば、本明細書の開示をこれらのおよび他の基板処理工具に適用することができる。さらに、例えば多層ＩＣを作製するために基板を二回以上処理してもよく、したがって、本明細書で使用される基板という用語は、複数回処理された層を既に有している基板のことも指す場合がある。
【００１２】
本明細書で使用される「照射」および「ビーム」という用語は、あらゆるタイプの電磁照射を包含しており、紫外線（ＵＶ）照射（例えば、４３６、４０５、３６５、２４８、１９３、１５７または１２６ｎｍの波長を有する）、極紫外線（ＥＵＶ）照射（例えば、５〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）、さらにイオンビームまたは電子ビーム等の粒子ビームを含む。
【００１３】
本明細書で使用される「パターニング用デバイス」という用語は、照射ビームの断面にパターンを与え、基板の目標部分にパターンを形成するために使用可能であるデバイスを参照するものとして、広く解釈されるべきである。照射ビームに与えられるパターンが、基板の目標部分における所望のパターンに正確に対応していなくてもよいことに注意する。通常、照射ビームに与えられるパターンは、集積回路などの、目標部分に作成されるデバイス内の特定の機能層と対応している。
【００１４】
パターニング用デバイスは、透過型でも反射型でもよい。パターニング用デバイスの例には、マスク、プログラム可能なミラーアレイ、プログラム可能なＬＣＤパネルがある。マスクはリソグラフィ分野では周知であり、バイナリマスク、交互位相シフト（alternating phase-shift）マスク、ハーフトーン型位相シフト（attenuated phase-shift）マスク、および様々なハイブリッド型マスクタイプなどのマスクタイプがある。プログラム可能なミラーアレイの例では、小型ミラーがそれぞれ個別に傾斜して入射する照射ビームを異なる方向に反射させることが可能な、小型ミラーのマトリックス配列を使用する。このようにして、反射されたビームにパターンが付与される。
【００１５】
支持構造は、パターニング用デバイスを支持する。支持構造は、パターニング用デバイスの配向、リソグラフィ装置の設計、例えばパターニング用デバイスが真空環境に保持されているか否かなどの他の条件に応じた態様で、パターニング用デバイスを保持する。支持構造は、機械的クランプ、バキューム、または真空条件下での静電気クランプなどの他の固定技術を使用することができる。支持構造は、フレーム状またはテーブル状であってもよく、例えば、必要に応じて固定されていても移動可能でもよい。支持構造により、例えば投影系に対してパターニング用デバイスを確実に所望の位置に配置することができる。本明細書における「レチクル」または「マスク」という用語のいかなる使用も、より一般的な用語である「パターニング用デバイス」と同義であるとみなしてよい。
【００１６】
本明細書で使用される「投影系」という用語は、例えば、使用中の露光照射に適した、あるいは液浸の使用または真空の使用といった他の要因に適した、屈折光学系、反射光学系、反射屈折光学系を含む様々なタイプの投影系を包含するものとして広く解釈されるべきである。本明細書における「投影レンズ」という用語のいかなる使用も、より一般的な用語である「投影系」と同義であるとみなしてよい。
【００１７】
照明系は、照射ビームの進行方向を決め、成形し、または制御するための屈折光学部品、反射光学部品、または反射屈折光学部品を含む様々な種類の光学部品で構成されており、このような部品は、以下において集合的にまたは単独で「レンズ」と呼ばれることもある。
【００１８】
リソグラフィ装置は、二つの基板テーブルを有するタイプ（デュアルステージ）であっても、より多数の基板テーブル（および／または二つ以上の支持構造）を有するタイプであってもよい。このような「マルチステージ」の装置では、追加のテーブルを並列して使用してもよいし、または、一以上のテーブルに対して準備ステップを実行する一方、一以上の他のテーブルを露光用として使用してもよい。
【００１９】
リソグラフィ装置は、投影系の最終構成要素と基板の間の空間を満たすように、比較的屈折率の高い液体（例えば、水）の中に基板が浸されているタイプの装置であってもよい。リソグラフィ装置の他の空間、例えばマスクと投影系の最初の構成要素との間にも液浸を適用してもよい。液浸技術は、投影系の開口数を増大する技術として周知である。
【００２０】
図１は、本発明の特定の実施形態に従ったリソグラフィ装置を模式的に示す。この装置は、以下の要素を含む。照射ビームＰＢ（例えば、紫外線照射）を調整する照明系（照射器）ＩＬ。パターニング用デバイス（例えば、マスク）ＭＡを支持し、ＰＬに対してパターニング用デバイスを正確に位置決めするよう第１位置決め装置ＰＭに接続される支持構造（例えば、支持構造）ＭＴ。ｉ）基板（例えば、レジストコートされたウェハ）Ｗを保持するためのウェハテーブル／基板支持テーブルＷＴ、およびｉｉ）ＰＬに対して基板を正確に位置決めするために第２位置決め装置ＰＷに接続されるミラーブロックを備えるチャックＣＨ。基板Ｗの目標部分Ｃ（例えば、一つまたは複数のダイからなる）に、パターニング用デバイスＭＡによって照射ビームＰＢに与えられたパターンをイメージングするように構成された投影系（例えば、屈折投影レンズ）ＰＬ。
【００２１】
図示するように、リソグラフィ装置は透過型（例えば、透過型マスクを使用）である。代替的に、リソグラフィ装置は反射型（例えば、上述したタイプのプログラム可能なミラーアレイを使用）であってもよい。
【００２２】
照明器ＩＬは照射源ＳＯから照射ビームを受け取る。例えば照射源がエキシマレーザである場合、照射源とリソグラフィ装置は別個のものであってもよい。この場合、照射源はリソグラフィ装置の一部を形成するとはみなされず、例えば適切な配向ミラー（directing mirror）および／またはビーム・エキスパンダを備えるビーム伝送系ＢＤを用いて、照射源ＳＯから照明器ＩＬに照射ビームが渡される。他の場合、例えば照射源が水銀灯である場合、照射源はリソグラフィ装置と一体的な部品であってもよい。照射源ＳＯと照明器ＩＬ、必要であればビーム伝送系ＢＤを合わせて、照射系と称してもよい。
【００２３】
照明器ＩＬは、ビームの角度強度分布を調節するための調節手段ＡＭを備えてもよい。一般に、照明器の瞳面における強度分布の外径範囲および／または内径範囲（一般に、それぞれσアウターおよびσインナーと呼ばれる）を少なくとも調節することができる。加えて、照明器ＩＬは、インテグレータＩＮおよび集光器ＣＯ等の様々な他の構成要素を通常備えている。照明器は、その断面において所望の均一性および強度分布を有する調節された照射ビームＰＢを提供する。
【００２４】
照射ビームＰＢは、支持構造上に保持されたパターニング用デバイス（例えば、マスク）ＭＡに入射する。パターニング用デバイスＭＡを横切ると、ビームＰＢはレンズＰＬを通過し、そこでビームが基板Ｗの目標部分Ｃに合焦される。第２位置決め装置ＰＷおよび位置センサＩＦ（例えば、干渉計デバイス）を用いて、基板テーブルＷＴを正確に移動して、例えば異なる目標部分ＣをビームＰＢの経路に配置することができる。同様に、第１位置決め装置ＰＭおよび別の位置センサ（図１には明示せず）を使用して、例えばマスクライブラリからの機械的復帰の後にまたは走査中に、ビームＰＢの経路に対してパターニング用デバイスＭＡを正確に配置することができる。一般に、オブジェクトテーブルＭＴおよびＷＴの移動は、位置決め装置ＰＭおよびＰＷの一部を形成する長ストロークモジュール（粗い位置決め）と短ストロークモジュール（微細な位置決め）を用いて達成することができる。しかしながら、ステッパの場合には、スキャナとは対照的に、支持構造ＭＴが短ストロークのアクチュエータにのみ接続されていてもよいし、または固定されていてもよい。パターニング用デバイスアライメントマークＭ１、Ｍ２と基板アライメントマークＰ１、Ｐ２とを用いて、パターニング用デバイスＭＡと基板Ｗを位置合わせしてもよい。
【００２５】
図示する装置は、以下の好適なモードで使用することができる。
【００２６】
１．ステップモードでは、支持構造ＭＴと、基板テーブルＷＴとが本質的に静止状態を保つ一方、ビームＰＢに与えられたパターン全体が目標部分Ｃ上に一度に投影される（つまり、単一の静的露光）。続いて、基板テーブルＷＴをＸおよび／またはＹ方向に移動して、異なる目標部分Ｃを露光することができる。ステップモードでは、露光領域の最大サイズにより、単一の静的露光で像が与えられる目標部分Ｃのサイズが制限される。
【００２７】
２．走査モードでは、支持構造ＭＴと基板テーブルＷＴとが同期して走査される一方、ビームＰＢに与えられたパターンが目標部分Ｃ上に投影される（すなわち、単一の動的露光）。支持構造ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影系ＰＬの倍率（縮小）および像反転特性によって決定される。走査モードでは、露光領域の最大サイズが単一の動的露光における目標部分の（非走査方向における）幅を制限するのに対して、走査移動の長さが目標部分の（走査方向における）高さを決定する。
【００２８】
３．他のモードでは、支持構造ＭＴが、プログラム可能なパターニング用デバイスを本質的に静的に保持し続ける。基板テーブルＷＴが移動すなわち走査する一方、ビームＰＢに与えられたパターンが目標部分Ｃ上に投影される。このモードでは、通常、パルス照射源が使用され、基板テーブルＷＴの毎回の移動後に、または走査中の連続する照射パルスの間に、プログラム可能なパターニング用デバイスが必要に応じて更新される。この動作モードは、上述したようなプログラマブルミラーアレイなどのプログラム可能なパターニング用デバイスを利用するマスクレス・リソグラフィに容易に適用することができる。
【００２９】
上述の使用モードの組み合わせおよび／または変形や、または全く異なる使用モードも利用することができる。
【００３０】
図２は、図１に示すリソグラフィ装置の一部を形成するウェハテーブルＷＴの好適であるが限定されない実施形態を模式的に示す。図２に示すチャックＣＨはミラーブロック１を備える。ミラーブロック１は、ミラーブロック１と基板支持プレート２の間に配置される熱調整プレート３で基板支持プレート２を支持する。熱調整プレート３は、特定の操作に使用される機械温度設定値（典型的に、設定値は約２１．５〜２２．０°Ｃである）に対し約０〜１．５°Ｃの所定の温度範囲内に、基板支持プレート２の温度を維持するために設けられる。これによって、プレート２上に支持される基板（例えば、図１の基板Ｗであり、図２には示されていない）温度の望ましくない上昇を制限する。このような温度上昇は、例えば、より厚い層のレジストにパターンが付与されるフリップチップボンディング等のプロセスで用いられる、高ドース量の照射での露光により生じうる。熱調整プレート３は、使用中に冷却水等の調整流体（conditioning fluid）が流れる流路（図示せず）の形態の熱調整部材を備える。機械の設定値温度とほぼ等温に水温が保持されることが好ましい。水の流速は約０．５〜３．０ｌ／ｍｉｎであることが好ましい。
【００３１】
調整部材を有する従来のチャックが、ミラーブロックと、内部調整部材を内蔵する基板支持テーブルとから構成される一方で、本発明のチャックＣＨは追加の部品、すなわち調整部材が設けられた熱調整プレート３を組み込む。このように、熱接触する二枚の別々のプレートを設けることによって、調整部材を内蔵するように基板支持プレート２を修正する必要がない。代わりに、調整プレート３の中に調整部材をより安価にかつ容易に設けることができる。調整プレート３は、基板支持テーブル用に従来用いられているタイプの材料よりも、調整部材を設けるように処理することがたやすい材料で形成することができる。さらに、基板支持プレート２を形成するために使用される材料の構造的な完全性が、調整部材を内蔵するための処理によって損なわれることがない。さらに、漏れや亀裂などの問題が調整部材に生じた場合、熱調整プレート３のみを修理するか交換すればよく、基板支持プレート２を修理したり交換する必要がない。加えて、ミラーブロック１と基板支持プレート２の間に熱調整プレート３を設けることによって、ミラーブロック１が熱調整プレート３、干渉計ミラーおよび画像センサを直接的に支持するために用いられるが、ミラーブロック１は基板支持プレート２を支持しない。結果として、基板支持プレート２を支持するために精密に処理された平坦な表面をミラーブロック１に設ける必要がなく、したがって、ミラーブロック１の製造コストおよび製造の複雑度を軽減することができる。
【００３２】
ミラーブロック１は、３つのミラーブロック支持ブロック４で支持される。各支持ブロック４は、ミラーブロック１によって形成される相補的な円筒形凹部６の中で位置決めするための中空の円筒形凸部５を定める。基板支持プレート２、熱調整プレート３およびミラーブロック１は、一連のピン（図示せず）によって互いに接続される。各支持ブロック４上の中空円筒形凸部５は、ピンを受け入れる中央開口部７を画成する。各ピンは、開口部７から、熱調整プレート３に作られた開口部８を通り、可撓取付ヒンジ１０に形成された開口部９に至る。可撓取付ヒンジ１０自体は、基板支持プレート２に画成された相補的凹部１１に受け入れられる。ミラーブロック１と二枚のプレート２、３に形成された開口部を通過するピンは、基板の目標部分から十分な距離離れるように配置されており、これによって、照射ビームによる照射中に目標部分の近傍での基板の局所変形が制限されないようにしている。こうして、基板支持プレート２と熱調整プレート３は、「自由に膨張」できるように弾性的に接続される。すなわち、照射ビームの加熱効果により生じる、支持プレート２の膨張および／または収縮によるあらゆる局所的な移動および／または変形が、ミラーブロック１とプレート２、３とをともに保持するピンによって制限を受けることがない。プレート２、３の間の相対移動を限られた程度許可することは、フリップチップボンディング等の特定のアプリケーションでは有利となりうる。なぜなら、高ドース量の照射による増加した加熱効果から生じる基板の微少な構造上の変形を許容するからである。基板に生じるこのような微少な構造上の変形がフリップチップボンディング等のアプリケーションで問題とならないのは、このようなアプリケーションで必要とされるパターニングの解像度が他の多くのリソグラフィプロセスの解像度よりも低いためであることは認められるだろう。
【００３３】
図２に示す本発明の例示的な実施形態は、基板支持プレート２、熱調整プレート３およびミラーブロック１にそれぞれ形成された３組の穴１２、１３、１４をさらに図示している。穴１２、１３、１４は、露光後のウェハＷのリフトを容易にするためにＥピン（図示せず）を受け入れるよう構成されている。
【００３４】
基板支持プレート２および熱調整プレート３は、図２に示す実施形態において、互いに向き合う表面間の平均距離が約０．０５ｍｍである空隙で分離されるように配置されている。この実施形態では、基板支持プレート２および熱調整プレート３の間の熱コンダクタンスは約０．０２５Ｗ／ｍＫである。
【００３５】
図２に示す装置の代替実施形態では、任意の適切な数および配置のピンおよび／または支持ブロックを用いて特定のアプリケーションに適合させることができる。プレート２、３を任意の適切な距離だけ離してもよいし、また、空隙を含んでも含まなくてもよい。プレート２、３の向き合う表面を分ける距離は、０〜２ｍｍの範囲であることが好ましい。好適な実施形態では、０．１ｍｍの空隙でプレート２、３が分離されると、プレート２、３の間の熱コンダクタンスが０．０７Ｗ／ｍＫとなる。さらに別の実施形態では、熱ペーストまたは良好な熱伝導率を持つ柔軟性のあるのり等の適切な接着剤の層によって、基板支持プレート２が熱調整プレート３に接続される。支持プレート２と調整プレート３の間に所要の熱伝導率を与えるように、および／または、プレート２、３の間の柔軟性を所望の程度とするように、接着剤を選択してもよい。熱ペーストを採用した場合のプレート２、３間の距離は、プレート２、３を空隙で分離する場合より大きくてもよいが、必ずしもそうでなくてもよい。例えば、適切な熱ペーストによって接続された一組のプレート２、３は、最大で約１ｍｍだけ離すことができるが、この場合熱コンダクタンスは０．５Ｗ／ｍＫとなる。提示される正確な熱コンダクタンスは、プレート２、３間の距離およびプレート２、３間に挟まれる媒質を含む多くの様々な要因に左右される。プレート２、３間の熱コンダクタンスは、最大で約２．５Ｗ／ｍＫであることが好ましい。
【００３６】
基板支持プレート２は、基板支持面１５をさらに備える。基板支持面１５には、支持プレート２上に配置された基板（図示せず）と接触しこれを支持するように配置された、好ましくはこぶ（burl）である複数の表面変形部（図示せず）が形成されている。図２に示す装置の好ましい実施形態では、基板支持面と接触する基板の表面積の最大約２０％と接触するように表面変形部が構成される。接触面積は、基板面積の約１０％以上であることが好ましい。さらに好適な代替実施形態では、表面変形部と基板表面との間の接触面積が基板表面積の約５〜２０％であり、より好ましくは１０〜２０％である。必要に応じて基板からの熱伝達率が十分に高くなることを確実にするために、従来技術のシステムよりも接触面積を大きくすることが一般的に好ましい。
【００３７】
図２に示した基板支持プレート２は、多くの従来からの支持テーブルと比較すると、相対的に厚い。これは、支持プレート２に比較的大きな熱質量を付与して、望ましくない全体の高い温度上昇を防止するためである。このような温度上昇は、基板の照射露光中の全体的な熱ドリフトを大きくする原因となりうる。図２に示す支持プレート２は、約５ｍｍ厚である。別の好適な実施形態では、支持プレート２の厚さは約５ｍｍより大きい。支持プレート２は、約５〜２０ｍｍの範囲の厚さであることが好ましく、より好ましくは約５〜１０ｍｍの範囲である。
【００３８】
基板支持プレート２は、高い熱伝導率を有する材料からなる。約５０Ｗ／ｍＫ以上の熱伝導率を有する材料であることが好ましい。約５０〜２５０Ｗ／ｍＫの範囲の熱伝導率であることがより好ましく、約５０〜１５０Ｗ／ｍＫが最も好ましい。基板（図示せず）から熱調整プレート３への熱の効率的な放散を容易にするので、この範囲が望ましい。図２の基板支持プレート２は、シリコン処理炭化ケイ素（ＳｉＳｉＣ）からなる。別の好適な実施形態では、炭化ケイ素（ＳｉＣ）等の他の材料も使用可能である。
【００３９】
図２に模式的に示す熱調整プレート３は、ステンレス鋼からなる。他の好適な実施形態では、熱調整プレートは、一つ以上の金属（例えば、鋼、チタン、アルミニウムなど）、非金属、および／またはセラミック材料で構成されてもよいし、またはこれらの任意の所望の組み合わせ、混合物、合金で構成されてもよい。
【００４０】
調整部材を内蔵する調整プレート３の重要な機能が、典型的な処理条件下で許容可能な温度範囲内にチャックＣＨを維持し、これにより基板／ウェハＷを許容可能な温度範囲内に維持することである点は認められるだろう、さらに、好ましくは通常よりも大きい基板／ウェハＷの接触面積を使用し、および／または好ましくは通常よりも厚い基板支持プレート２を使用する重要な理由が、露光中に基板／ウェハＷを許容可能な温度範囲内に維持することである点も理解されるだろう。
【００４１】
本発明の特定の実施形態について説明したが、本発明は、説明した以外の方法でも実施可能であることは認められよう。この説明は、本発明を限定する意図でなされたものではない。本発明は、請求項によって定義される。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を示す図である。
【図２】図１のリソグラフィ装置の部品をより詳細に示す図である。
【図１】
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【図２】
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【外国語明細書】
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