(57)【要約】      （修正有）【課題】半導体装置の組み立てのモールド工程において半導体チップのクラックや樹脂残りを防止する。【解決手段】樹脂成形金型の下金型のキャビティの底面から上金型のキャビティの天井面までの距離を、ダイパッド５の下面５ｂからプレート端子９の上面９ａまでの距離と同じか、またはそれ以下とし、かつプレート端子９とダイパッド５の間の半導体素子１ａ，１ｂ上にＵ字型の弾性体１０を配置することにより、モールド工程において金型クランプ圧力による負荷を弾性体１０の弾性変形によって緩和することができ、半導体素子１ａ，１ｂにかかる負荷を低減して半導体素子１ａ，１ｂにクラックが形成されることを防止できる。【選択図】図１
2008227131.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主面とその反対側の裏面とにそれぞれ電極が形成された半導体チップと、
前記半導体チップが搭載され、前記半導体チップの裏面の電極と導電性接合材を介して接続する裏面側板状部材と、
前記半導体チップの主面上に配置され、前記主面の電極と導電性接合材を介して接続する導電性の弾性体と、
前記弾性体上に配置され、前記弾性体と導電性接合材を介して接続する主面側板状部材と、
前記半導体チップ、前記弾性体、前記裏面側板状部材及び前記主面側板状部材を樹脂封止する封止体とを有し、
前記主面側板状部材は前記封止体の天面から露出するとともに、前記裏面側板状部材は前記封止体の底面から露出し、
前記弾性体は、前記半導体チップの厚さ方向に対して弾性変形するように配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置において、前記裏面側板状部材上に２つの半導体チップが搭載されており、前記弾性体はＵ字型に形成され、それぞれの前記半導体チップ上の前記弾性体は、それぞれのＵ字型の開口方向が相反する方向を向いて配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１記載の半導体装置において、前記裏面側板状部材上に１つまたは複数の半導体チップが搭載されており、前記半導体チップごとに分離された前記弾性体が各半導体チップ上に配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１記載の半導体装置において、前記弾性体はＳ字型に形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１記載の半導体装置において、前記弾性体は環状または筒状に形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項５記載の半導体装置において、前記環状の弾性体の環内に、熱伝導率が前記封止体を形成する樹脂より大きく、かつ弾性率が前記弾性体を形成する部材より小さい第１材料が充填されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項６記載の半導体装置において、前記弾性体は銅合金によって形成され、かつ前記第１材料は銀ペーストであることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１記載の半導体装置において、前記裏面側板状部材上に２つの半導体チップが搭載され、一方の前記半導体チップは絶縁ゲートバイポーラトランジスタ素子を有し、他方の前記半導体チップはダイオード素子を有していることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
主面とその反対側の裏面とにそれぞれ電極が形成された半導体チップと、
前記半導体チップが搭載され、前記半導体チップの裏面の電極と導電性接合材を介して接続する裏面側板状部材と、
対向する一方及び他方の平坦面とこれらの平坦面を連結する曲げ部とを備え、前記半導体チップの主面上に配置され、前記一方の平坦面が前記半導体チップの主面の電極と導電性接合材を介して接続する導電性の弾性体と、
前記弾性体上に配置され、前記弾性体の前記他方の平坦面と導電性接合材を介して接続する主面側板状部材と、
前記半導体チップ、前記弾性体、前記裏面側板状部材及び前記主面側板状部材を樹脂封止する封止体とを有し、
前記主面側板状部材は前記封止体の天面から露出するとともに、前記裏面側板状部材は前記封止体の底面から露出し、
前記弾性体は、前記半導体チップの厚さ方向に対して弾性変形するように配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項９記載の半導体装置において、前記裏面側板状部材上に２つの半導体チップが搭載されており、前記弾性体はＵ字型に形成され、それぞれの前記半導体チップ上の前記弾性体は、それぞれのＵ字型の開口方向が相反する方向を向いて配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項９記載の半導体装置において、前記裏面側板状部材上に１つまたは複数の半導体チップが搭載されており、前記半導体チップごとに分離された前記弾性体が各半導体チップ上に配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項９記載の半導体装置において、前記弾性体はＳ字型に形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項９記載の半導体装置において、前記弾性体は環状に形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
請求項１３記載の半導体装置において、前記環状の弾性体の環内に、熱伝導率が前記封止体を形成する樹脂より大きく、かつ弾性率が前記弾性体を形成する部材より小さい第１材料が充填されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１５】
（ａ）裏面側板状部材上に半導体チップをその主面を上方に向けて導電性接合材を介して配置する工程と、
（ｂ）前記半導体チップの主面上に、前記半導体チップの厚さ方向に対して弾性変形するように弾性体を導電性接合材を介して配置する工程と、
（ｃ）前記弾性体上に主面側板状部材を導電性接合材を介して配置する工程と、
（ｄ）前記導電性接合材を加熱して前記裏面側板状部材、前記半導体チップ、前記弾性体、前記主面側板状部材それぞれを接続する工程と、
（ｅ）前記主面側板状部材の上方及び前記裏面側板状部材の下方からそれぞれの前記板状部材を押さえ付けた状態で、前記裏面側板状部材、前記半導体チップ、前記弾性体及び前記主面側板状部材を樹脂封止する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
請求項１５記載の半導体装置の製造方法において、前記（ｅ）工程で、樹脂成形用の下金型のキャビティの底面に前記裏面側板状部材を接触させ、かつ上金型のキャビティの天井面に前記主面側板状部材を接触させ、その後、前記上金型から前記主面側板状部材に対して、かつ前記下金型から前記裏面側板状部材に対してそれぞれ圧力を付与した状態で封止用の樹脂を前記キャビティに充填して封止体を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
請求項１６記載の半導体装置の製造方法において、前記（ｅ）工程で、前記下金型と前記上金型による型締め後の前記下金型の前記キャビティの底面から前記上金型の前記キャビティの天井面までの距離は、前記裏面側板状部材の下面から前記主面側板状部材の上面までの距離と同じか、もしくはそれより短いことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及びその製造技術に関し、特に、高放熱タイプの半導体装置とその組み立てに適用して有効な技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
両面放熱構造の半導体モジュールとして、２つの半導体素子を１パッケージに形成し、各半導体素子を熱伝導性に優れた金属（例えば、銅やアルミニウム）で挟んだ構造が開示されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
また、半導体素子の表裏両面側に板状の金属板が配置された構造が開示されている（例えば、特許文献２参照）。
【特許文献１】特開２００６−１２０９７０号公報
【特許文献２】特開２００４−２２８４６１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
自動車の電力制御などに用いられるＩＧＢＴ（Insulated Gate BipolarTransistor：絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）などのパワー半導体素子は、使用時の発熱量が非常に大きいため、放熱性を向上させることが必須の技術となっている。
【０００５】
そこで、半導体素子（半導体チップ）の放熱性向上（または熱抵抗の低減化）を実現するパッケージ構造として、半導体チップの上下両面に熱伝導率の大きい導電性部材を接続し、この導電性部材をパッケージの樹脂封止体から露出させる構造が考えられている。この構造では、半導体チップで発生した熱は、導電性部材に伝わり、導電性部材の露出面から半導体装置の外部に放熱されるようになる。このような両面放熱構造に関する例として、前記特許文献１（特開２００６−１２０９７０号公報）が挙げられる。前記特許文献１では、２つの半導体素子を１つのパッケージに組み込み、各半導体素子を熱伝導性に優れた金属（例えば、銅合金やアルミニウム）で挟んだ構造としている。
【０００６】
しかしながら、上記に示したような両面放熱構造においては、次のような課題が考えられる。
【０００７】
まず、図２９の比較例に、一般的な両面放熱構造を用いた半導体装置の組立工程後の断面図を示す。組立工程では、接合材７を介して２つの板状の導電性部材であるダイパッド５及びクリップ６を、半導体素子１ａ，１ｂに接続する。また、接合材７を介してクリップ６を外部電極であるアウタリード１７に接続する。ここで、ダイパッド５の下面５ｂからクリップ６の上面６ａまでの高さＬ１は、クリップ６の加工精度や接合材７の厚さのばらつきなどによって、高さばらつきを生じている。
【０００８】
次に、図３０の比較例に、前記半導体装置の組み立てのモールド工程の断面図を示す。組み立て後の半導体装置は、上金型２及び下金型３に挟まれてクランプ圧力が負荷され、その内部に樹脂１２を注入することによって樹脂封止が行われる。
【０００９】
ここで、下金型３のキャビティ３ａの底面３ｂから上金型２のキャビティ２ａの天井面２ｂまでの距離Ｌ２は、一定である。そのため、組立後の半導体装置の高さＬ１が距離Ｌ２よりも大きい場合、金型によるクランプ圧力が、ダイパッド５及びクリップ６を介して、半導体素子１ａまたは１ｂに負荷され、半導体素子１ａ，１ｂのクラックを引き起こす可能性が増大する。
【００１０】
また、高さＬ１が距離Ｌ２よりも小さい場合、図３１の比較例に示すように、クリップ６の上面６ａに樹脂１２が回り込み、クリップ６がパッケージの上面から露出しない可能性が増大する。このように、モールド工程において、半導体素子１ａ，１ｂのクラックや樹脂残りによる製品不良が多発する可能性が高いことが問題である。
【００１１】
また、図２９に示す比較例の構造の場合、パッケージ上面に露出させるクリップ６が直接半導体素子１ａまたは１ｂに接続するため、半導体素子１ａや１ｂの厚さなどの形状変更が行われた際には、クリップ６の厚さなどの形状を変更する必要が生じる。曲げ加工やエッチング加工などを伴うことが多いクリップ６の形状は一般的に複雑であり、半導体素子１ａまたは１ｂの形状変更の度にクリップ形状の設計を行うことは、多大な時間とコストを必要とすることが問題である。
【００１２】
また、半導体素子の表裏両面側に板状の金属板が配置された他の構造として、前記特許文献２（特開２００４−２２８４６１号公報）にその構造が開示されている。前記特許文献２に記載されている構造では、半導体素子の表面側（上側）に配置された金属板である引き出し電極配線部は、その図１及び図４に示すように素子間で一体に繋がって形成されている。このような構造では、一方の半導体素子がその厚さ等において形状変更となった場合、引き出し電極配線部の形状を設計変更しなければならない。前述のように、曲げ加工やエッチング加工などを伴うことが多い引き出し電極配線部の形状は一般的に複雑であり、半導体素子の形状変更の度に引き出し電極配線部の形状の設計を行うことは、多大な時間とコストを必要とすることが問題である。
【００１３】
本発明の目的は、半導体装置の組み立てのモールド工程において半導体チップのクラックや樹脂残りを防止することができる技術を提供することにある。
【００１４】
また、本発明の他の目的は、半導体チップの形状の設計変更時にも容易に、かつ安価に半導体装置の設計変更を完了することができる技術を提供することにある。
【００１５】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【００１７】
すなわち、本発明は、主面と裏面とにそれぞれ電極が形成された半導体チップと、半導体チップが搭載され、半導体チップの裏面の電極と導電性接合材を介して接続する裏面側板状部材と、半導体チップの主面上に配置され、主面の電極と導電性接合材を介して接続する導電性の弾性体と、弾性体上に配置され、弾性体と導電性接合材を介して接続する主面側板状部材と、半導体チップ、弾性体、裏面側板状部材及び主面側板状部材を樹脂封止する封止体とを有し、主面側板状部材は封止体の天面から露出するとともに、裏面側板状部材は封止体の底面から露出し、弾性体は、半導体チップの厚さ方向に対して弾性変形するように配置されているものである。
【００１８】
また、本発明は、主面と裏面とにそれぞれ電極が形成された半導体チップと、半導体チップが搭載され、半導体チップの裏面の電極と導電性接合材を介して接続する裏面側板状部材と、対向する一方及び他方の平坦面とこれらの平坦面を連結する曲げ部とを備え、半導体チップの主面上に配置され、一方の平坦面が半導体チップの主面の電極と導電性接合材を介して接続する導電性の弾性体と、弾性体上に配置され、弾性体の他方の平坦面と導電性接合材を介して接続する主面側板状部材と、半導体チップ、弾性体、裏面側板状部材及び主面側板状部材を樹脂封止する封止体とを有し、主面側板状部材は封止体の天面から露出するとともに、裏面側板状部材は封止体の底面から露出し、弾性体は、半導体チップの厚さ方向に対して弾性変形するように配置されているものである。
【００１９】
さらに、本発明は、裏面側板状部材上に半導体チップをその主面を上方に向けて導電性接合材を介して配置する工程と、半導体チップの主面上に、半導体チップの厚さ方向に対して弾性変形するように弾性体を導電性接合材を介して配置する工程と、弾性体上に主面側板状部材を導電性接合材を介して配置する工程と、導電性接合材を加熱して裏面側板状部材、半導体チップ、弾性体、主面側板状部材それぞれを接続する工程と、主面側板状部材の上方及び裏面側板状部材の下方からそれぞれの板状部材を押さえ付けた状態で、裏面側板状部材、半導体チップ、弾性体及び主面側板状部材を樹脂封止する工程とを有するものである。
【発明の効果】
【００２０】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【００２１】
半導体装置の組み立てのモールド工程において、樹脂成形金型の下金型のキャビティの底面から上金型のキャビティの天井面までの距離（Ｌ２）を、裏面側板状部材の下面から主面側板状部材の上面までの距離（Ｌ１）と同じか、またはそれ以下とし、主面側板状部材と裏面側板状部材の間に弾性体を配置することにより、金型クランプ圧力による負荷を弾性体の弾性変形によって緩和することができる。これにより、半導体チップにかかる負荷を低減して半導体チップにクラックが形成されることを防止でき、製品（半導体装置）の品質や信頼性を向上できる。
【００２２】
また、距離（Ｌ２）を、想定される高さ（Ｌ１）の最小値であるＬ１ｍｉｎと同値またはＬ１ｍｉｎよりも小さくすることによって、モールド工程時に樹脂が主面側板状部材の上面側に回り込むことを防止することができる。これにより、主面側板状部材上での樹脂残りを防止することができ、製品（半導体装置）の品質や信頼性を向上できる。
【００２３】
さらに、半導体チップの形状を変更する場合においても、設計・製造に時間やコストを要する主面側板状部材の形状は変更せずに、設計・製造が容易で、かつ安価な弾性体の形状を変更することで、対応することができる。すなわち、半導体チップの形状の設計変更時にも容易に、かつ安価に半導体装置の設計変更を完了することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下の実施の形態では特に必要なとき以外は同一または同様な部分の説明を原則として繰り返さない。
【００２５】
さらに、以下の実施の形態では便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明などの関係にある。
【００２６】
また、以下の実施の形態において、要素の数など（個数、数値、量、範囲などを含む）に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合などを除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも良いものとする。
【００２７】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。また、図面を分かりやすくするために斜視図や平面図であってもハッチングを付す場合がある。
【００２８】
（実施の形態１）
図１は本発明の実施の形態１の半導体装置の構造の一例を示す断面図、図２は図１に示す半導体装置の樹脂を取り除いた内部構造の一例を示す斜視図、図３は図２に示す構造から主面側板状部材を取り除いた構造の一例を示す斜視図、図４は図１に示す半導体装置に組み込まれた半導体素子（絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）の構造の一例を示す平面図、図５は図４に示す半導体素子の構造の一例を示す裏面図である。また、図６は図３に示す構造において外部接続リードと半導体素子のボンディングパッドとのワイヤ接続状態の一例を示す断面図、図７は図１に示す半導体装置に組み込まれた半導体素子（ダイオード）の構造の一例を示す平面図、図８は図７に示す半導体素子の構造の一例を示す裏面図、図９は図３に示す構造の変形例の構造を示す斜視図、図１０は図３に示す構造の他の変形例の構造を示す斜視図である。さらに、図１１は図１に示す半導体装置に組み込まれた弾性体の構造の一例を示す側面図、図１２は図１１に示す弾性体の構造の一例を示す平面図、図１３は図１に示す半導体装置に組み込まれた裏面側板状部材の構造の一例を示す平面図、図１４は図１３に示す裏面側板状部材の構造の一例を示す側面図、図１５は図１に示す半導体装置の外観構造の一例を示す斜視図である。また、図１６は図１に示す半導体装置の組み立て手順の一例を示す製造プロセスフロー図、図１７は図１に示す半導体装置の組み立てにおける主面側板状部材取り付け後の構造の一例を示す断面図、図１８は図１に示す半導体装置の組み立てにおける樹脂封止時の構造の一例を示す断面図、図１９は図１に示す半導体装置の組み立てにおけるリード切断後の構造の一例を示す断面図である。さらに、図２０は図１に示す半導体装置の組み立てにおける弾性体実装後の構造の一例を示す断面図、図２１は図２０に示す構造の一例を示す部分平面図、図２２は図１に示す半導体装置の組み立てにおける主面側板状部材実装後の構造の一例を示す断面図、図２３は図２２に示す構造の一例を示す部分平面図である。また、図２４は図１に示す半導体装置の組み立てにおける樹脂封止後の構造の一例を示す断面図、図２５は図２４に示す構造の一例を示す部分平面図である。
【００２９】
図１に示す本実施の形態１の半導体装置１９は、放熱性の向上を図ることが可能な両面放熱構造の半導体パッケージであり、図１に示すように、半導体素子（半導体チップ）１ａ、半導体素子（半導体チップ）１ｂ、封止体４、ダイパッド（裏面側板状部材）５、プレート端子（主面側板状部材）９、弾性体１０、接合材（導電性接合材）７、外部接続用エミッタ電極１３及び外部接続用コレクタ電極１４等を有する構成になっている。
【００３０】
また、半導体素子１ａ、半導体素子１ｂ、ダイパッド５、プレート端子９、弾性体１０及び接合材７は、封止体４によって封止されており、そのうち、ダイパッド５の下面５ｂ及びプレート端子９の上面９ａは、半導体装置１９の封止体４からそれぞれ露出している。
【００３１】
次に、図１〜図９を用いて半導体装置１９の全体概略構造について説明すると、主面１ｃとその反対側の裏面１ｄとにそれぞれ電極が形成された半導体チップである半導体素子１ａ、半導体素子１ｂと、半導体素子１ａ，１ｂが搭載され、かつ半導体素子１ａ，１ｂの裏面１ｄの電極と接合材７を介して接続するダイパッド５と、対向する一方及び他方の平坦面１０ａとこれらの平坦面１０ａを連結する曲げ部１０ｂとを備え、かつ半導体素子１ａ，１ｂの主面１ｃ上に配置され、さらに一方の平坦面１０ａが半導体素子１ａ，１ｂの主面１ｃの電極と接合材７を介して接続する導電性の弾性体１０と、弾性体１０上に配置され、かつ弾性体１０の他方の平坦面１０ａと接合材７を介して接続するプレート端子９と、半導体素子１ａ，１ｂ、弾性体１０、ダイパッド５及びプレート端子９を樹脂封止する封止体４とを有している。
【００３２】
なお、図１５に示すように、プレート端子９はその上面９ａが封止体４の天面４ａから露出するとともに、図１に示すように、ダイパッド５はその下面５ｂが封止体４の底面４ｂから露出している。これにより、プレート端子９とダイパッド５のそれぞれの一部が封止体４から露出しているため、両面放熱構造となっており、したがって、半導体装置１９の放熱性の向上を図ることができる。
【００３３】
また、本実施の形態１においては、図１に示すように弾性体１０は、Ｕ字型に形成されており、半導体素子１ａ，１ｂ上において、それぞれの半導体素子１ａ，１ｂの厚さ方向３４に対して弾性が作用するように配置されている。すなわち、各弾性体１０は、Ｕ字型の開口方向が半導体素子１ａ，１ｂそれぞれの主面１ｃに沿う方向を向くように配置されており、かつＵ字型を形成する対向した平坦面１０ａが半導体装置１９の高さ方向に対して対向するように配置されている。これにより、それぞれの半導体素子１ａ，１ｂの厚さ方向（半導体装置１９の高さ方向）３４に対して弾性が作用して弾性変形するようになっている。
【００３４】
次に、半導体装置１９に搭載される半導体素子１ａについて説明する。半導体素子１ａには、例えばＩＧＢＴ（絶縁ゲートバイポーラトランジスタ素子）が形成されている。図４は、半導体素子１ａの主面１ｃ（上面）側の構成を示す平面図であり、半導体素子１ａの主面１ｃには、エミッタ電極１１と複数のボンディングパッド（電極）１５が形成されている。
【００３５】
なお、エミッタ電極１１には、図１に示すように、Ｕ字型の弾性体１０が接合材７を介して接続され、さらに、このエミッタ電極１１は、弾性体１０とプレート端子９を介して外部接続用エミッタ電極１３に接続されている。また、半導体素子１ａのボンディングパッド１５は、図６に示すように外部接続リード１６にワイヤ１８を用いて接続されている。
【００３６】
図５は、半導体素子１ａの裏面側の構成を示す平面図であり、裏面１ｄには、コレクタ電極２０が形成されている。このコレクタ電極２０は、図１に示すように、接合材７を介してダイパッド５に接続し、さらにこのダイパッド５と一体に形成された外部接続用コレクタ電極１４に接続されている。
【００３７】
図１及び図１５に示すように、外部接続用エミッタ電極１３、外部接続用コレクタ電極１４及び複数の外部接続リード１６は、それぞれ封止体４の側面４ｃから外部に突出しており、それぞれ外部端子となっている。
【００３８】
次に、半導体装置１９に搭載される半導体素子１ｂについて説明する。半導体素子１ｂには、例えば、ダイオード素子が形成されている。図７は、半導体素子１ｂの主面１ｃ（上面）側の構成を示す平面図である。半導体素子１ｂの主面１ｃには、アノード電極２１が形成されている。このアノード電極２１には、図１に示すように、Ｕ字型の弾性体１０が接合材７を介して接続されている。さらに、アノード電極２１は、弾性体１０とプレート端子９を介して外部接続用エミッタ電極１３に接続されている。
【００３９】
また、図８に示すように、半導体素子１ｂの裏面（下面）１ｄには、カソード電極２２が形成されている。このカソード電極２２は、図１に示すようにダイパッド５に接合材７を介して接続されており、さらにこのダイパッド５と一体に形成された外部接続用コレクタ電極１４に接続されている。
【００４０】
次に、半導体装置１９に組み込まれる弾性体１０について説明する。図１に示すように、本実施の形態１の弾性体１０は、Ｕ字型に形成されており、半導体素子１ａ及び１ｂのそれぞれの主面１ｃの電極部分（エミッタ電極１１、アノード電極２１）に、はんだ材などの接合材７を介してそれぞれ接続されている。その際、それぞれの半導体素子１ａ，１ｂ上において、弾性体１０は、Ｕ字型の開口方向が半導体素子１ａ，１ｂそれぞれの主面１ｃに沿う方向を向くように配置されており、かつＵ字型を形成する対向した平坦面１０ａが半導体装置１９の高さ方向に対して対向するように配置されている。これにより、それぞれの半導体素子１ａ，１ｂの厚さ方向（半導体装置１９の高さ方向）３４に対して弾性が作用するようになっている。
【００４１】
なお、弾性体１０は、その内部は非導電性の材料で形成されていてもよく、その際、表面に導電性めっき等が被覆されていればよい。すなわち、弾性体１０は、導電性の材料によって形成されている方が好ましいが、必ずしも導電性の材料によって形成されていなくてもよく、少なくとも表面が導電性めっき等で被覆されていればよい。
【００４２】
また、各半導体素子１ａ，１ｂ上に配置されるＵ字型の弾性体１０は、図３に示すように、リード材２３を介して一体に形成されていてもよいし、あるいは、図９（図１）に示すように各半導体素子１ａ，１ｂごとに分離して形成されていてもよい。図１や図９に示すように、ダイパッド５上に２つ以上の複数の半導体チップを搭載する場合、各半導体チップごとに分離された弾性体１０が各半導体チップ上に配置されていることにより、半導体チップの厚さなどの形状変更が行われた場合でも、変更が行われたチップ上の弾性体１０のみの形状を変更するだけで済む。すなわち、設計・製造に時間やコストを要するプレート端子９の形状は変更せずに、設計・製造が容易で、かつ安価な弾性体１０のみの形状を変更することで、対応することができる。
【００４３】
したがって、半導体チップの形状の設計変更時にも容易に、かつ安価に半導体装置１９の設計変更を完了することができる。
【００４４】
本実施の形態１の半導体装置１９では、各半導体素子１ａ，１ｂ上に配置されるＵ字型の弾性体１０は、それぞれの弾性体１０のＵ字型の開口方向が相反する方向を向くように配置されていることが好ましい。
【００４５】
すなわち、各チップ上に、一体又は分離して配置された複数の弾性体１０において、それぞれのＵ字型の開口方向が相反する方向を向いていることで、弾性体１０上に配置されるプレート端子９が傾いて設けられることを防止できる。なお、この場合、図３に示すように、複数の弾性体１０をリード材２３を介して一体で形成することで、弾性体１０の曲げ方向がチップ間で対称になるようにすることができ、容易に、かつ安価に弾性体１０を形成することができる。
【００４６】
また、図１０の変形例に示すように、各半導体素子１ａ，１ｂ上に配置される弾性体１０をリード材２３を介して一体に形成するとともに、Ｕ字型の開口方向の向きを図３に示す向きと９０度変えて配置してもよく、この場合においても、図３に示す構造と同様の効果を得ることができる。
【００４７】
ここで、図１１及び図１２を用いて弾性体１０の詳細構造について説明する。弾性体１０は、Ｕ字型に形成されており、対向する２つの平坦面１０ａとこれらを繋ぐ曲げ部１０ｂとから構成され、対向する２つの平坦面１０ａと曲げ部１０ｂとによりＵ字型が形成されている。さらに、弾性体１０の平坦面１０ａの表面上には、その半導体チップ及びプレート端子９と接続される面上に、それぞれ４つの突起部２４を有している。ただし、突起部２４の個数は、弾性体１０が安定して支持されるように少なくとも各面上に３個設けられていればよく、好ましくは４個またはそれ以上である。
【００４８】
半導体装置１９の組み立てでは、ダイパッド５、半導体素子１ａ，１ｂ、プレート端子９及び弾性体１０の間にそれぞれはんだ材などの接合材７を塗布し、接合材７を加熱溶融することによってそれぞれを固着させる組み立て方法を採用するが、弾性体１０の平坦面１０ａに突起部２４が設けられていることで、接合材７の厚さを突起部２４の高さと同等もしくはそれ以上に確保することができる。
【００４９】
このように接合材７の厚さを確保することによって、接合材７の疲労寿命を向上させることができる。なお、弾性体１０の材質としては、放熱性を向上させるために、例えば、熱伝導率が大きな銅合金などを用いることが好ましい。
【００５０】
次に、図１、図２及び図１５を用いてプレート端子（主面側板状部材）９について説明する。図１に示すように、プレート端子９は弾性体１０の平坦面１０ａと接合材７を介して接続し、かつ図１５に示すように、封止体４の天面４ａから上面９ａが露出する。また、封止体４との密着性を向上させて剥離を防止するために、図２に示すようにプレート端子９の周縁部に段差部２５が設けられている。さらに、封止体４の天面４ａから露出する任意の辺には、切欠き部２６が設けられている。すなわち、プレート端子９の周縁部に段差部２５が設けられていることにより、封止体４とのパッケージ高さ方向のロック機能を持つことが可能になり、また、プレート端子９の封止体４の天面４ａから露出する任意の辺に切欠き部２６が設けられていることにより、封止体４とのパッケージ水平方向のロック機能を持つことが可能になる。これにより、プレート端子９のパッケージ高さ方向とパッケージ水平方向に対しての封止体４からの脱落を防止することができる。ただし、段差部２５や切欠き部２６は必ずしもプレート端子９に設けられていなくてもよい。
【００５１】
また、プレート端子９の材質としては、放熱性を向上させるために、例えば、熱伝導率が大きな銅合金などを用いることが好ましい。
【００５２】
次に、接合材７について説明する。接合材７は、例えば、すず（Ｓｎ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）から成るはんだや、すず（Ｓｎ）、アンチモン（Ｓｂ）から成るはんだを用いることが好ましい。これらは、鉛フリーはんだであり、環境に配慮して鉛を含有しない材料構成とすることが環境に対して非常に有効である。
【００５３】
次に、図１、図１３及び図１４を用いてダイパッド５について説明する。図１に示すように、ダイパッド５は、その上面５ａに半導体素子１ａ，１ｂを搭載するとともに、下面５ｂが封止体４の底面４ｂから露出している。また、図１３及び図１４に示すように、ダイパッド５の上面５ａである素子搭載面上には、素子搭載部２７，２８に複数の突起部２９が設けられている。突起部２９の個数は、各素子搭載部２７，２８上に３個以上設けられていればよく、４個もしくはそれ以上設けられていることにより、各半導体素子１ａ，１ｂを安定して支持することができる。
【００５４】
また、突起部２９を複数設けることによって、ダイパッド５と半導体素子１ａ，１ｂの接続に用いる接合材７の厚さを突起部２９の高さと同等もしくはそれ以上に確保することができ、接合材７の疲労寿命を向上させることができる。なお、ダイパッド５の材質としては、放熱性を向上させるために、例えば、熱伝導率が大きな銅合金などを用いることが好ましい。
【００５５】
次に、封止体４を形成する封止用の樹脂１２（図１８参照）について説明する。樹脂１２としては、例えば、フェノール系硬化剤、シリコーンゴム及びフィラー等が添加されたエポキシ系の熱硬化性樹脂などを用いることが好ましい。また、樹脂１２によって形成される封止体４は、大量生産に好適なトランスファーモールディング方法によって形成されている。トランスファーモールディング方法は、ポット、ランナー、レジン注入ゲート、及びキャビティ等を備えた樹脂成形金型（下金型３及び上金型２から成るモールド金型）を使用し、ポットからランナー及びレジン注入ゲートを通してキャビティ２ａ，３ａの内部に熱硬化性の樹脂１２を注入して封止体４を形成する方法である。
【００５６】
次に、図１６に示すプロセスフロー図を用いて本実施の形態１の半導体装置の組み立て方法について説明する。
【００５７】
まず、図１６のステップＳ１に示すダイパッド上にはんだ塗布を行う。ここでは、図２０に示すように、ダイパッド５の上面５ａにダイパッド用接合材（接合材７）３０を塗布し、その後、ステップＳ２のチップ搭載を行う。すなわち、２箇所（図１３に示す素子搭載部２７，２８）に塗布したダイパッド用接合材３０の上に半導体素子１ａと半導体素子１ｂを搭載する。その際、半導体素子１ａ，１ｂそれぞれの主面１ｃを上方に向けてダイパッド５上に搭載する。
【００５８】
その後、ステップＳ３のチップ上にはんだ塗布を行い、さらにステップＳ４の弾性体搭載を行う。ここでは、それぞれの半導体素子１ａ，１ｂ上に弾性体用接合材（接合材７）３１を塗布し、半導体素子１ａ，１ｂ上にＵ字型の弾性体１０を搭載する。その際、半導体素子１ａ，１ｂの厚さ方向（パッケージ高さ方向）３４に対して弾性が作用して弾性変形するように弾性体１０のＵ字型を横に向けて配置する。
【００５９】
その後、ステップＳ５の弾性体上にはんだ塗布を行い、さらにステップＳ６のプレート端子搭載を行う。ここでは、図２０及び図２１に示すように、リードフレーム８の外部接続用エミッタ電極１３の端部上にプレート端子用接合材（接合材７）３２を塗布するとともに、図２２に示すように弾性体１０上にプレート端子用接合材３２を塗布し、さらに、図２２及び図２３に示すように弾性体１０上及び外部接続用エミッタ電極１３上にプレート端子９を搭載する。
【００６０】
プレート端子９搭載を完了した後、ステップＳ７に示すリフローを行って、各部材を固定する。ここでは、一括リフローを行って各部材を接続する。すなわち、一括リフローによってダイパッド用接合材３０、弾性体用接合材３１及びプレート端子用接合材３２を溶融して各部材を接続する。
【００６１】
その後、ステップＳ８に示すワイヤボンディングを行う。ここでは、図６に示すように、半導体素子１ａの主面１ｃの電極（図４に示すボンディングパッド１５）と外部接続リード１６とを金線などのワイヤ１８で接続する。
【００６２】
ワイヤボンディング後、ステップＳ９に示すモールドを行う。ここでは、トランスファーモールディング方法により、半導体素子１ａ，１ｂ、弾性体１０、ダイパッド５及びプレート端子９を樹脂封止して封止体４を形成する。その際、まず、リフロー及びワイヤボンディング後の図１７に示す組み立て体３３を図１８に示す下金型３の上に配置する。
【００６３】
さらに、上金型２によって組み立て体３３を覆った後、下金型３と上金型２で型締めを行ってクランプ圧力を印加する。その後、封止用の樹脂１２を図示しない注入口より流し込み、樹脂封止を行って封止体４を形成する。
【００６４】
なお、本実施の形態１の半導体装置１９の組み立てでは、図１７に示す組み立て体３３において、ダイパッド５の下面５ｂからプレート端子９の上面９ａまでの距離（Ｌ１）は、接合材７の厚さや弾性体１０の加工精度等によって、ばらつきが存在する。ここで、（Ｌ１）のばらつきを踏まえた最小値を（Ｌ１）ｍｉｎとし、図１８に示すように下金型３と上金型２で型締め（クランプ）を行った際の下金型３のキャビティ３ａの底面３ｂから上金型２のキャビティ２ａの天井面２ｂまでの距離（Ｌ２）とすると、半導体装置１９の組み立てでは、距離（Ｌ２）を距離（Ｌ１）と同値か（Ｌ１）ｍｉｎ以下に設定している。
【００６５】
この場合、上金型２からプレート端子９に対して、かつ下金型３からダイパッド５に対してそれぞれ圧力を付与した状態で封止用の樹脂１２をキャビティ２ａ，３ａに充填することになり、金型クランプ（型締め）から樹脂充填までの流れとしては、下金型３のキャビティ３ａの底面３ｂにダイパッド５を接触させ、かつ上金型２のキャビティ２ａの天井面２ｂにプレート端子９を接触させ、その後、プレート端子９の上方及びダイパッド５の下方からそれぞれの板状部材（ダイパッド５及びプレート端子９）を押さえ付けた状態で、樹脂１２をキャビティ２ａ，３ａに充填し、ダイパッド５、半導体素子１ａ，１ｂ、弾性体１０及びプレート端子９を樹脂封止する。これによって、ダイパッド５の下面５ｂとプレート端子９の上面９ａが露出するように封止体４が形成される。
【００６６】
なお、樹脂充填時、クランプ圧力がプレート端子９、弾性体１０及びダイパッド５を介して、半導体素子１ａ，１ｂに負荷されるが、その際、この負荷は、弾性体１０の曲げ部１０ｂが変形して弾性が作用することによって緩和される。すなわち、弾性体１０がパッケージ高さ方向（半導体チップの厚さ方向３４）に対して弾性変形する。
【００６７】
さらに、上金型２のキャビティ２ａの天井面２ｂは、必ずプレート端子９と接触するため、樹脂充填時に、プレート端子９の上面９ａ側に樹脂１２が回り込むことを阻止できる。このように縦方向（パッケージ高さ方向、半導体チップの厚さ方向３４）の弾性率が小さくなる曲げ部１０ｂを有する弾性体１０が設けられていることにより、半導体素子１ａ，１ｂのクラックを防止することができ、さらに、プレート端子９の上面９ａへの樹脂残りによる半導体装置１９の不良の発生を防止することができる。
【００６８】
また、図１９に示すように、半導体素子１ｂの厚さなどのサイズが変更された場合、弾性体１０の形状を変更するだけで対応が可能となり、プレート端子９の形状を変更する必要はない。曲げ加工やエッチング加工などを伴うことが多く、設計的には多大な時間とコストを必要とするプレート端子９の形状を変更する必要がないことは、半導体装置１９の設計期間の短縮に役立てることができる。
【００６９】
封止体４を形成した後、上金型２と下金型３の型開きを行って、図２４及び図２５に示すように組み立て体３３を取り出す。
【００７０】
図１６のステップＳ９のモールド終了後、ステップＳ１０のリード切断を行う。ここでは、リードフレーム８の切断を行って個片化する。すなわち、リードフレーム８において外部接続用エミッタ電極１３と外部接続用コレクタ電極１４におけるリード切断を行って半導体装置１９の組み立て完了となる。
【００７１】
本実施の形態１の半導体装置及びその組み立てによれば、樹脂成形金型の下金型３のキャビティ３ａの底面３ｂから上金型２のキャビティ２ａの天井面２ｂまでの距離（Ｌ２）を、組み立て体３３のダイパッド５の下面５ｂからプレート端子９の上面９ａまでの距離（Ｌ１）と同じか、またはそれ以下とし、さらにダイパッド５とプレート端子９の間の半導体素子１ａ，１ｂ上に弾性体１０を配置することにより、そのモールド工程において、樹脂成形金型の金型クランプ圧力による負荷を弾性体１０の弾性変形によって緩和することができる。
【００７２】
これにより、半導体素子１ａ，１ｂにかかる負荷を低減して半導体素子１ａ，１ｂにクラックが形成されることを防止でき、製品（半導体装置１９）の品質や信頼性を向上できる。
【００７３】
また、距離（Ｌ２）を、想定される高さ（Ｌ１）の最小値である（Ｌ１）ｍｉｎと同値または（Ｌ１）ｍｉｎよりも小さくすることによって、モールド工程の樹脂充填時に、上金型２のキャビティ２ａの天井面２ｂとプレート端子９の上面９ａとが確実に接触しているため、樹脂１２がプレート端子９の上面９ａ側に回り込むことを防止することができる。
【００７４】
その結果、プレート端子９上での樹脂残りを防止することができ、製品（半導体装置１９）の品質や信頼性を向上できる。
【００７５】
さらに、半導体素子１ａや半導体素子１ｂの厚さなどの形状を変更する場合においても、設計・製造に時間やコストを要するプレート端子９の形状は変更することなく、設計・製造が容易で、かつ安価な弾性体１０の形状を変更することで、半導体素子１ａや半導体素子１ｂの形状変更に対応することができる。すなわち、半導体素子１ａや半導体素子１ｂの形状の設計変更に対しても容易・迅速に、かつ安価に半導体装置１９の設計変更を完了することができる。
【００７６】
（実施の形態２）
図２６は本発明の実施の形態２の半導体装置の構造の一例を示す断面図である。
【００７７】
本実施の形態２の半導体装置は、実施の形態１と同様に、半導体素子１ａ、半導体素子１ｂ、封止体４、ダイパッド５、プレート端子９、弾性体１０、接合材７、外部接続用エミッタ電極１３、外部接続用コレクタ電極１４等を有する構成の半導体装置１９となっている。実施の形態１の半導体装置１９との相違点は、半導体素子１ａ，１ｂ上に配置される弾性体１０がそれぞれＳ字型に形成されていることである。
【００７８】
弾性体１０がＳ字型に形成されている場合であっても、実施の形態１と同様に、モールド工程でのクランプ圧力を弾性体１０の変形によって緩和することができ、実施の形態１の半導体装置１９の場合と同様の効果を得ることができる。
【００７９】
さらに、弾性体１０がＳ字型に形成されていることにより、弾性変形する箇所が複数箇所に分散するため、実施の形態１のＵ字型の弾性体１０に比較して各半導体素子１ａ，１ｂそれぞれに対してかかる負荷が１箇所ではなく分散してかかり、半導体素子１ａ，１ｂにクラックが形成されることをより低減できる。
【００８０】
（実施の形態３）
図２７は本発明の実施の形態３の半導体装置の構造の一例を示す断面図である。
【００８１】
本実施の形態３の半導体装置は、実施の形態１と同様に、半導体素子１ａ、半導体素子１ｂ、封止体４、ダイパッド５、プレート端子９、弾性体１０、接合材７、外部接続用エミッタ電極１３、外部接続用コレクタ電極１４等を有する構成の半導体装置１９となっている。実施の形態１の半導体装置１９との相違点は、半導体素子１ａ，１ｂ上に配置される弾性体１０がそれぞれ環状に形成されていることである。なお、この環状の弾性体１０において、プレート端子９や半導体素子１ａ，１ｂに接続する面は、平坦面１０ａとなっており、接続性を向上している。また、断面形状が環状であれば筒状の弾性体１０であってもよい。
【００８２】
さらに、環状の弾性体１０の環内には、予め、熱伝導率が樹脂１２よりも大きく、かつ弾性率が弾性体１０を形成する材料（例えば、銅合金）よりも小さい第１材料３５を充填させておいてもよい。第１材料３５は、例えば、銀ペーストなどである。
【００８３】
弾性体１０が環状に形成されている場合であっても、実施の形態１と同様に、モールド工程でのクランプ圧力を弾性体１０の変形によって緩和することができ、実施の形態１の半導体装置１９の場合と同様の効果を得ることができる。
【００８４】
また、弾性体１０が環状に形成されていることにより、弾性変形する箇所が複数箇所に分散するため、実施の形態２のＳ字型の場合と同様に、実施の形態１のＵ字型の弾性体１０に比較して各半導体素子１ａ，１ｂそれぞれに対してかかる負荷が１箇所ではなく分散してかかり、半導体素子１ａ，１ｂにクラックが形成されることをより低減できる。
【００８５】
さらに、環状の弾性体１０の環内に、熱伝導率が樹脂１２よりも大きな、例えば、銀ペーストなどの第１材料３５が充填されていることにより、半導体装置１９の放熱性をさらに向上させることができる。
【００８６】
（実施の形態４）
図２８は本発明の実施の形態４の半導体装置の構造の一例を示す断面図である。
【００８７】
本実施の形態４の半導体装置は、実施の形態１と同様に、半導体素子１ａ、半導体素子１ｂ、封止体４、ダイパッド５、プレート端子９、弾性体１０、接合材７、外部接続用エミッタ電極１３、外部接続用コレクタ電極１４等を有する構成の半導体装置１９となっている。実施の形態１の半導体装置１９との相違点は、半導体素子１ａ，１ｂ上に配置される弾性体１０が小型のものであり、これにより、それぞれの素子上に複数個配置され、かつ小型の弾性体１０それぞれがＳ字型に形成されていることである。
【００８８】
小型の弾性体１０それぞれがＳ字型に形成され、かつ素子上に複数個配置されている場合であっても、実施の形態１と同様に、モールド工程でのクランプ圧力を弾性体１０の変形によって緩和することができ、実施の形態１の半導体装置１９の場合と同様の効果を得ることができる。
【００８９】
さらに、小型の弾性体１０が素子上に複数個配置され、かつそれぞれがＳ字型に形成されていることにより、弾性変形する箇所がさらに複数箇所に分散するため、実施の形態１のＵ字型の弾性体１０に比較して各半導体素子１ａ，１ｂそれぞれに対してかかる負荷が１箇所ではなく複数に分散され、その結果、半導体素子１ａ，１ｂにクラックが形成されることをより低減できる。
【００９０】
なお、弾性体１０の形状がＵ字型や環状（または筒状）の場合であっても、各半導体素子１ａ，１ｂ上に２つまたはそれ以上配置することができる。
【００９１】
以上、本発明者によってなされた発明を発明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記発明の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。
【００９２】
例えば、前記実施の形態１〜４では、半導体装置１９に半導体素子が２つ搭載されている場合を取り上げて説明したが、半導体素子の搭載数は、１つであってもよく、または３つ以上であってもよい。
【００９３】
また、弾性体１０に対する接合材７の接合面積は平坦面１０ａ全面でなくてもよく、平坦面１０ａの一部と接合していてもよい。
【産業上の利用可能性】
【００９４】
本発明は、高放熱タイプの電子装置に好適である。
【図面の簡単な説明】
【００９５】
【図１】本発明の実施の形態１の半導体装置の構造の一例を示す断面図である。
【図２】図１に示す半導体装置の樹脂を取り除いた内部構造の一例を示す斜視図である。
【図３】図２に示す構造から主面側板状部材を取り除いた構造の一例を示す斜視図である。
【図４】図１に示す半導体装置に組み込まれた半導体素子（絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）の構造の一例を示す平面図である。
【図５】図４に示す半導体素子の構造の一例を示す裏面図である。
【図６】図３に示す構造において外部接続リードと半導体素子のボンディングパッドとのワイヤ接続状態の一例を示す断面図である。
【図７】図１に示す半導体装置に組み込まれた半導体素子（ダイオード）の構造の一例を示す平面図である。
【図８】図７に示す半導体素子の構造の一例を示す裏面図である。
【図９】図３に示す構造の変形例の構造を示す斜視図である。
【図１０】図３に示す構造の他の変形例の構造を示す斜視図である。
【図１１】図１に示す半導体装置に組み込まれた弾性体の構造の一例を示す側面図である。
【図１２】図１１に示す弾性体の構造の一例を示す平面図である。
【図１３】図１に示す半導体装置に組み込まれた裏面側板状部材の構造の一例を示す平面図である。
【図１４】図１３に示す裏面側板状部材の構造の一例を示す側面図である。
【図１５】図１に示す半導体装置の外観構造の一例を示す斜視図である。
【図１６】図１に示す半導体装置の組み立て手順の一例を示す製造プロセスフロー図である。
【図１７】図１に示す半導体装置の組み立てにおける主面側板状部材取り付け後の構造の一例を示す断面図である。
【図１８】図１に示す半導体装置の組み立てにおける樹脂封止時の構造の一例を示す断面図である。
【図１９】図１に示す半導体装置の組み立てにおけるリード切断後の構造の一例を示す断面図である。
【図２０】図１に示す半導体装置の組み立てにおける弾性体実装後の構造の一例を示す断面図である。
【図２１】図２０に示す構造の一例を示す部分平面図である。
【図２２】図１に示す半導体装置の組み立てにおける主面側板状部材実装後の構造の一例を示す断面図である。
【図２３】図２２に示す構造の一例を示す部分平面図である。
【図２４】図１に示す半導体装置の組み立てにおける樹脂封止後の構造の一例を示す断面図である。
【図２５】図２４に示す構造の一例を示す部分平面図である。
【図２６】本発明の実施の形態２の半導体装置の構造の一例を示す断面図である。
【図２７】本発明の実施の形態３の半導体装置の構造の一例を示す断面図である。
【図２８】本発明の実施の形態４の半導体装置の構造の一例を示す断面図である。
【図２９】比較例の両面放熱タイプの半導体装置の構造を示す断面図である。
【図３０】図２９に示す比較例の半導体装置の組み立てにおける樹脂封止時の構造を示す断面図である。
【図３１】図２９に示す比較例の半導体装置の組み立てにおける樹脂封止時の他の構造を示す断面図である。
【符号の説明】
【００９６】
１ａ，１ｂ  半導体素子（半導体チップ）
１ｃ  主面
１ｄ  裏面
２  上金型
２ａ  キャビティ
２ｂ  天井面
３  下金型
３ａ  キャビティ
３ｂ  底面
４  封止体
４ａ  天面
４ｂ  底面
４ｃ  側面
５  ダイパッド（裏面側板状部材）
５ａ  上面
５ｂ  下面
６  クリップ
６ａ  上面
７  接合材（導電性接合材）
８  リードフレーム
９  プレート端子（主面側板状部材）
９ａ  上面
１０  弾性体
１０ａ  平坦面
１０ｂ  曲げ部
１１  エミッタ電極
１２  樹脂
１３  外部接続用エミッタ電極
１４  外部接続用コレクタ電極
１５  ボンディングパッド（電極）
１６  外部接続リード
１７  アウタリード
１８  ワイヤ
１９  半導体装置
２０  コレクタ電極
２１  アノード電極
２２  カソード電極
２３  リード材
２４  突起部
２５  段差部
２６  切欠き部
２７，２８  素子搭載部
２９  突起部
３０  ダイパッド用接合材
３１  弾性体用接合材
３２  プレート端子用接合材
３３  組み立て体
３４  半導体素子の厚さ方向
３５  第１材料
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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