(57)【要約】【課題】テクスチャー工程後の基板表面に残存する残留物を効果的に除去することにより、洗浄工程後に基板表面に残存する残留物の量を非常に少なくすることができ、高品質な磁気記録媒体を歩留まりよく製造できる磁気記録媒体の製造方法を提供する。【解決手段】ガラス基板１の表面にテクスチャー加工を施すテクスチャー工程と、前記テクスチャー工程の後に、トリエタノールアミンを０．００３質量％〜０．１８質量％含む洗浄水溶液を用いて前記ガラス基板１の表面を洗浄する洗浄工程と、前記洗浄工程の後に、前記ガラス基板１の表面上に、少なくとも非磁性下地層と磁性層と保護層とを形成する積層工程とを備える磁気記録媒体の製造方法とする。【選択図】図３
2008171497.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス基板の表面にテクスチャー加工を施すテクスチャー工程と、
前記テクスチャー工程の後に、トリエタノールアミンを０．００３質量％〜０．１８質量％含む洗浄水溶液を用いて前記ガラス基板の表面を洗浄する洗浄工程と、
前記洗浄工程の後に、前記ガラス基板の表面上に、少なくとも非磁性下地層と磁性層と保護層とを形成する積層工程とを備えることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２】
前記洗浄水溶液が、ポリエチレングリコールデシルエーテルを含むことを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項３】
前記テクスチャー工程は、砥粒としてのダイヤモンドと水とを含むスラリーであって、前記スラリー中の前記ダイヤモンドの濃度が０．１質量％〜５質量％の範囲である前記スラリーと、テクスチャーテープとを用いて行なうことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項４】
前記洗浄工程は、クリーニングテープを用いて行なうことを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項５】
請求項１〜請求項４のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法を用いて製造したことを特徴とする磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気記録媒体の製造方法、及び磁気記録媒体に関し、特に、高記録密度のハードディスク装置に好適に用いられる磁気記録媒体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、ハードディスク装置などに用いられる磁気記録媒体は、ＮｉＰまたはＮｉＰ合金を無電解メッキしたアルミニウム合金基板（以下、「ＮｉＰメッキＡｌ基板」という。）やガラス基板の上に、ＣｒもしくはＣｒ合金からなる非磁性下地層、Ｃｏ合金からなる磁性層、カーボン等からなる保護膜を順に成膜することによって製造されている。
また、従来から、非磁性下地層、磁性層、保護層の各層を形成する前に、テクスチャー加工とテクスチャー加工後の洗浄とが行なわれている（例えば、特許文献１、特許文献２参照）。
【０００３】
テクスチャー加工は、基板表面を粗くする処理であり、磁気記録媒体の表面と磁気ヘッドとの固着を防止するために行なわれている。また、テクスチャー加工後の洗浄は、テクスチャー加工後の残留物を除去し、基板表面を清浄にするために行なわれている。
【特許文献１】特開平１０−１４３８５８号公報
【特許文献２】特開２００３−１７３５１７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、従来のテクスチャー加工や洗浄は、ＮｉＰメッキＡｌ基板を対象としたものであるため、基板としてガラス基板を用いた場合、テクスチャー加工に用いた砥粒やテクスチャー加工によって削り取られた基板からなる切子など、洗浄によって除去されなかった残留物が洗浄後の基板表面に残存してしまうことが問題となっていた。基板表面に残存する残留物は、最終製品である磁気記録媒体の読み書きエラーやヘッドクラッシュなどの原因となる。
【０００５】
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、テクスチャー工程後の基板表面に残存する残留物を効果的に除去することにより、洗浄工程後に基板表面に残存する残留物の量を非常に少なくすることができ、高品質な磁気記録媒体を歩留まりよく製造できる磁気記録媒体の製造方法を提供することを目的とする。
さらに、上記の磁気記録媒体の製造方法で得られ、洗浄工程後の基板表面に残存する残留物に起因する読み書きエラーの生じにくい高品質な磁気記録媒体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者等は、上記問題を解決するために、テクスチャー工程後の基板表面の濡れ性と、洗浄工程において使用される洗浄液との関係が、洗浄工程における残留物の除去効果に影響を及ぼしていることに着目し、鋭意検討を行なった。そして、ＮｉＰメッキＡｌ基板では、テクスチャー工程後の基板表面を撥水性（疎水性）とし、洗浄工程において基板表面の撥水性が維持される洗浄液を使用することが望ましいが、ガラス基板では、テクスチャー工程後の基板表面を親水性とし、洗浄工程において基板表面の親水性が維持される洗浄水溶液を使用することが望ましいことを見出し、本発明を完成した。
即ち、本発明は以下に関する。
【０００７】
［１］  ガラス基板の表面にテクスチャー加工を施すテクスチャー工程と、前記テクスチャー工程の後に、トリエタノールアミンを０．００３質量％〜０．１８質量％含む洗浄水溶液を用いて前記ガラス基板の表面を洗浄する洗浄工程と、前記洗浄工程の後に、前記ガラス基板の表面上に、少なくとも非磁性下地層と磁性層と保護層とを形成する積層工程とを備えることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
［２］  前記洗浄水溶液が、ポリエチレングリコールデシルエーテルを含むことを特徴とする［１］に記載の磁気記録媒体の製造方法。
［３］  前記テクスチャー工程は、砥粒としてのダイヤモンドと水とを含むスラリーであって、前記スラリー中の前記ダイヤモンドの濃度が０．１質量％〜５質量％の範囲である前記スラリーと、テクスチャーテープとを用いて行なうことを特徴とする［１］または［２］に記載の磁気記録媒体の製造方法。
［４］前記洗浄工程は、クリーニングテープを用いて行なうことを特徴とする［１］〜［３］のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法。
［５］［１］〜［４］のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法を用いて製造したことを特徴とする磁気記録媒体。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の磁気記録媒体の製造方法は、前記テクスチャー工程の後に、トリエタノールアミンを０．００３質量％〜０．１８質量％含む洗浄水溶液を用いて前記ガラス基板の表面を洗浄する洗浄工程を備えているので、テクスチャー工程後のガラス基板の表面と洗浄水溶液との濡れ性が適正なものとなり、洗浄工程においてガラス基板の表面の親水性が維持される。よって、テクスチャー工程後の基板表面に残存する残留物を効果的に除去することができる。このため、本発明によれば、洗浄工程後に基板表面に残存する残留物の量を非常に少なくすることができ、高品質な磁気記録媒体を歩留まりよく製造できる。
【０００９】
また、本発明の磁気記録媒体の製造方法において、前記洗浄水溶液として、ポリエチレングリコールデシルエーテルを含むものを用いた場合、テクスチャー工程後の基板表面に残存する残留物をより一層効果的に除去することができる。
【００１０】
また、本発明の磁気記録媒体は、本発明の磁気記録媒体の製造方法を用いて製造したものであるので、洗浄工程後の基板表面に残存する残留物に起因する読み書きエラーの生じにくい高品質なものとなる。よって、本発明の磁気記録媒体は、高記録密度のハードディスク装置に好適に用いることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明に係る磁気記録媒体の製造方法、及び磁気記録媒体の一実施形態について、図面を参照して説明する。
［磁気記録媒体］
図１は、本発明に係る磁気記録媒体の一例を模式的に示した概略断面図である。
図１において、符号１は、ガラス基板を示している。基板１の上には、非磁性下地層２と磁性層３と保護層４と潤滑膜５とが順に積層されている。また、図１に示す磁気記録媒体においては、基板１の下にも基板１の上と同様に、非磁性下地層（図示略）と磁性層（図示略）と保護層（図示略）と潤滑膜（図示略）とが順に積層されている。
ガラス基板１としては、上側および下側の表面に後述するテクスチャー工程および洗浄工程が施されたものが用いられている。
【００１２】
なお、本実施形態においては、ガラス基板１の上および下に非磁性下地層と磁性層と保護層と潤滑膜とが積層されているものを例に挙げて説明するが、ガラス基板１の上または下にのみ非磁性下地層と磁性層と保護層と潤滑膜とが積層されているものであってもよい。  
【００１３】
非磁性下地層２は、磁性層３を構成するＣｏ合金結晶の配向を制御するものであり、例えば、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｗなどの単一組成膜、またはこれらの主成分の結晶性を損なわない範囲で他の元素をこれらに含有させた合金からなる膜などを使用できる。中でも特に、Ｃｒ単一組成、またはＣｒにＭｏ、Ｗ、Ｖ、Ｔｉ、Ｎｂのうち１種または２種以上を含有させた材料を用いるのが好ましい。また、Ｃｒ、Ｃｒ合金にＢやＺｒ, Ｔａなどを添加することで、非磁性下地層２の結晶粒径を細かくすることができる。
さらに、非磁性下地層２は、単層構造をなすものとしても良いし、多層構造をなすものとしても良い。多層構造の場合、材料は上述したもののうち互いに同一または異なる組成を積層したものとすることができる。たとえば、Ｃｒ層の上にＣｒＭｏ合金層（Ｍｏ含有量３０ａｔ％以下）などを用いることが出来る。
【００１４】
磁性層３としては、ＣｏＣｒ系合金、ＣｏＣｒＴａ系合金、ＣｏＣｒＰｔ系合金、ＣｏＣｒＰｔＴａ系合金、ＣｏＣｒＰｔＢ系合金等の従来公知のＣｏ合金を用いることができる。さらに、磁性層３は、単層構造をなすものとしても良いし、多層構造をなすものとしても良い。多層構造の場合、材料は上述したもののうち互いに同一または異なる組成を積層したものとすることができる。
非磁性下地層２と磁性層３との間には非磁性中間層を設けることもできる。
【００１５】
保護層４は、ヘッドが媒体に接触した時に媒体表面の損傷を防ぐために、あるいはヘッドと媒体の間の潤滑特性を確保するために設けられる。保護層４の材料としては、従来公知のものを使用でき、例えば、Ｃ、ＳｉＯ2、ＺｒＯ2の単一組成、またはこれらを主成分とし他元素を含むものが使用可能である。
【００１６】
保護膜４上には、潤滑膜５が形成されている。潤滑膜５の材料としては、ＰＦＰＥ（パーフルオロポリエーテル）等の弗化系液体潤滑剤、脂肪酸等の固体潤滑剤などが使用される。
なお、基板１上に形成される積層構造は、上記のものに限定されず、上記以外に公知のいかなる積層構造であってもよく、特に限定されない。例えば、図１に示すように、保護膜４上には潤滑膜５が形成されていてもよいが、形成されていなくてもよい。
【００１７】
［磁気記録媒体の製造方法］
次に、図１に示す磁気記録媒体を製造する方法について説明する。
（テクスチャー工程）
まず、所定の寸法形状のガラス基板１を用意し、ガラス基板１の表面にテクスチャー加工を施す。テクスチャー工程は、例えば、図２に示すテクスチャー加工装置を用いて行なうことができる。図２は、テクスチャー加工装置の一例を示した図であり、図２（ａ）は正面図であり、図２（ｂ）は側面図である。図２に示すテクスチャー加工装置は、ガラス基板１の両側の表面に同時にテクスチャー加工を施すものである。
なお、本実施形態においては、ガラス基板１の両側の表面に同時にテクスチャー加工を施す場合を例に挙げて説明するが、ガラス基板１の片側ずつ別々にテクスチャー加工を行なってもよい。
【００１８】
図２に示すテクスチャー加工装置を用いて、ガラス基板１のテクスチャー加工を行なうには、ガラス基板１をスピンドル１０１に固定して回転させ、図２（ｂ）に示すように、ガラス基板１の両側に配置されたテクスチャーテープ１０３を、図２（ａ）に示すように、ガラス基板１の半径方向に沿って配置されたロール１０４により所定の押し付け圧力でガラス基板１の表面に両側から押し付けながら、テクスチャーテープ１０３をそれぞれ巻き取り装置１０６により巻き取ってガラス基板１の両側の表面上で移動させるとともに、図２（ｂ）に示すように、ガラス基板１の両側に配置されたスラリー供給管１０７を介してテクスチャーテープ１０３とガラス基板１の両側の表面との間にスラリー１０５を供給させて、ガラス基板１の両側の表面を研削する方法によって行われる。
【００１９】
スラリー１０５としては、砥粒を添加剤等と共に水に分散させたものが用いられる。砥粒としては、ダイヤモンド砥粒を用いる。砥粒の平均粒径は、０．０３〜０．５［μｍ］（より好ましくは０．０４〜０．２μｍ）であるのが好ましく、砥粒の濃度は、０．１質量％〜５質量％（より好ましくは０．５質量％〜１質量％）であるのが好ましい。砥粒の平均粒径および／または濃度が上記の範囲であると、研削レートが高く維持され、かつ表面平均粗さが小さくなる。砥粒の平均粒径および／または濃度が、上記の範囲より小さくなると、研削レートが小さくなってしまう場合があり、上記の範囲より大きくなると、表面平均粗さが大きくなってしまう場合がある。
【００２０】
スラリー１０５の供給量は、５０〜２００ｍｌ／分であるのが好ましい。
テクスチャーテープ１０３としては、繊維径の細かいポリエステル織物を用いるのが好ましい。
【００２１】
また、図２に示すように、テクスチャーテープ１０３は、巻き取りながら使用されることにより、常に新しい面に砥粒を保持させてガラス基板１の表面に押し付けられながら移動される。
テクスチャーテープ１０３をガラス基板１に押し付ける圧力（ロール１０４のロール圧）は、１×９．８×１０4〜３×９．８×１０4［Ｐａ］（より好ましくは１.１×９．８×１０4〜１．５×９．８×１０4［Ｐａ］）とすることが好ましい。ロール１０４のロール圧が上記の範囲であると、充分な研削量を得ることができ、スクラッチの発生を抑えることができる。なお、押し付け圧力の単位は、［ｋｇｆ］＝９．８×１０4［Ｐａ］で換算できる。
【００２２】
ガラス基板１を静止させたときのガラス基板１上におけるテクスチャーテープ１０３の移動速度（テクスチャーテープ１０３の巻き取り速度）は、１０〜１００ｍｍ／分（より好ましくは３０〜８０ｍｍ／分）であるのが好ましい。テクスチャーテープ１０３の移動速度が上記の範囲であると、砥粒によるスクラッチの発生や、砥粒がガラス基板１の表面に突き刺さったり埋めこまれたりすることなどを抑えることができる。
【００２３】
また、テクスチャー加工時のガラス基板１の回転数は、２００〜１０００ｒｐｍ（より好ましくは５００〜７００ｒｐｍ）であるのが好ましい。回転数が上記の範囲であると、充分な研削量が得られる。なお、ガラス基板１の回転方向とテクスチャーテープ１０３の移動方向とは、逆方向であることが好ましい。テクスチャーテープ１０３とガラス基板１との接触状態がより密着した状態になり、かつテクスチャーテープ１０３をスムーズに巻き取ることができるためである。
【００２４】
（洗浄工程）
図２に示すテクスチャー加工装置のテクスチャーテープ１０３をガラス基板１の表面から離し、スラリー１０５の供給を停止させて、テクスチャー工程を終了させた後、洗浄水溶液を用いてガラス基板１の表面を洗浄する。本実施形態においては、洗浄工程は、ガラス基板１の両側の表面を同時に洗浄する場合を例に挙げて説明するが、ガラス基板１の片側ずつ別々に洗浄してもよい。
【００２５】
ガラス基板１の洗浄を行なうには、図３に示すように、テクスチャー工程と同様にしてガラス基板１をテクスチャー加工装置のスピンドル１０１に固定して回転させ、ガラス基板１の両側に配置されたクリーニングテープ３０３を、ガラス基板１の半径方向に沿って配置されたロール３０４によりテクスチャー工程と同様にして所定の押し付け圧力でガラス基板１の表面に両側から押し付けながら、クリーニングテープ３０３をそれぞれ巻き取り装置１０６により巻き取ってガラス基板１の両側の表面上で移動させるとともに、ガラス基板１の両側に配置された洗浄液供給管３０７を介してクリーニングテープ３０３とガラス基板１の両側の表面との間に洗浄水溶液を供給させて、ガラス基板１の表面を拭き取る方法によって行われる。
その後、クリーニングテープ３０３をガラス基板１の表面から離し、洗浄水溶液の供給を停止させて、洗浄工程を終了させる。
【００２６】
洗浄水溶液としては、トリエタノールアミンを０．００３質量％〜０．１８質量％含むものが用いられ、０．０５６質量％〜０．１６５質量％含むものが用いられることが好ましい。トリエタノールアミンの濃度が、０．００３質量％未満であると、トリエタノールアミン自体の洗浄能力の低下に加え、洗浄水溶液の粘性が低下するためガラス基板の洗浄能力が低下する。また、トリエタノールアミンの濃度が０．１８質量％を超えると、トリエタノールアミンがディスク表面上に残り、その後の成膜工程に悪影響するとともに、検査工程において検査ヘッドを汚染するようになる。
【００２７】
また、洗浄水溶液が、ポリエチレングリコールデシルエーテルを含むことが好ましい。ポリエチレングリコールデシルエーテルは、界面活性剤の役割を果たし、基板表面の残留物をディスク表面に固着しないようにする働きがある。
【００２８】
さらに、洗浄水溶液は、上記材料の他に添加剤を含んでいてもよい。ここで用いる添加剤としては、ザルコシン、ポリエチレングリコール、不飽和脂肪酸、リン酸エステルなどを用いることができる。これらの物質は、基板表面から脱離させた汚れを、キレート作用により、基板表面に再付着させない働きを有する。
【００２９】
また、洗浄水溶液は、具体的には、０．２質量％〜０．５質量％のＰＳクール（商品名：株式会社ピーエス製）を含む水溶液であることが好ましく、０．３質量％のＰＳクールを含む水溶液であることが特に好ましい。ＰＳクールは、トリエタノールアミンを２８質量％含み、ポリエチレングリコールデシルエーテルを１３質量％含むものである。
【００３０】
洗浄水溶液の供給量は、４００〜８００ｍｌ／分であるのが好ましい。
クリーニングテープ３０３としては、ナイロン、ポリエステル、これらの複合物を用いるのが好ましい。また、これらのテープは、不織布として用いるのが好ましい。
【００３１】
また、クリーニングテープ３０３は、巻き取りながら使用されることにより、常に新しい面に砥粒を保持させてガラス基板１の表面に押し付けられながら移動される。
クリーニングテープ３０３をガラス基板１に押し付ける圧力（ロール３０４のロール圧）は、０．５×９．８×１０４〜１．０×９．８×１０４［Ｐａ］（より好ましくは、０．５×９．８×１０４〜０．９×９．８×１０４［Ｐａ］）とすることが好ましい。ロール３０４のロール圧が上記の範囲であると、充分な拭き取り効果を得ることができる。なお、押し付け圧力の単位は、［ｋｇｆ］＝９．８×１０4［Ｐａ］で換算できる。 
【００３２】
ガラス基板１を静止させたときのガラス基板１上におけるクリーニングテープ３０３の移動速度（クリーニングテープ３０３の巻き取り速度）は、５０〜１５０ｍｍ／分（より好ましくは７０〜１１０ｍｍ／分）であるのが好ましい。クリーニングテープ３０３の移動速度が上記の範囲であると、充分な拭き取り効果を得ることができるとともに、砥粒がガラス基板１の表面に突き刺さったり埋めこまれたりすることなどを抑えることができる。
【００３３】
また、洗浄時のガラス基板１の回転数は、２００〜１０００ｒｐｍ（より好ましくは２００〜３００ｒｐｍ）であるのが好ましい。回転数が上記の範囲であると、充分な拭き取り効果が得られる。なお、ガラス基板１の回転方向とクリーニングテープ３０３の移動方向とは、逆方向であることが好ましい。クリーニングテープ３０３とガラス基板１との接触状態がより密着した状態になり、かつクリーニングテープ３０３をスムーズに巻き取ることができるためである。
【００３４】
このようなテクスチャー工程および洗浄工程は、各一回のみ行なってもよいが、複数回行なってもよい。
また、テクスチャー工程および洗浄工程の完了したガラス基板１の表面に、化学エッチング処理または電解エッチング（電解研磨）処理を行ってもよい。これによりテクスチャー工程および洗浄工程の後に微少なバリやカエリ等が残った場合であってもこれらを除去することができ、平滑性がより良好な表面形状を得ることができる。
さらに、非磁性下地膜２を形成する直前のガラス基板１を真空中でプラズマにさらしてもよい。これにより非磁性下地膜２を形成する前のガラス基板１の表面に、自然酸化膜や汚染吸着物質が付着された場合これらを除去することができ、非磁性下地膜２や磁性層３の結晶の制御をより効果的に実現できる。
【００３５】
次に、テクスチャー工程および洗浄工程の完了したガラス基板１上に、例えば、スパッタ法による金属膜の形成方法を用いて、非磁性下地層２および磁性層３を順次形成する。次に、磁性層５３上に、スパッタ法、イオンビーム法、プラズマＣＶＤ法等を用いて保護層４を形成する。その後、保護層４上にディッピング法、スピンコート法などの従来公知の方法により潤滑膜５を形成する。
なお、非磁性下地層２、磁性層３、保護層４、潤滑膜５の形成方法は、上記の方法に限定されるものではなく、従来公知のいかなる方法で形成してもよい。
【００３６】
本実施形態の磁気記録媒体の製造方法では、テクスチャー工程の後に、トリエタノールアミンを０．０５６質量％〜０．１６５質量％含む洗浄水溶液を用いてガラス基板１の表面を洗浄するので、テクスチャー工程後のガラス基板１の表面に残存する残留物を効果的に除去することができる。
また、本実施形態の磁気記録媒体は、洗浄工程後のガラス基板１の表面に残存する残留物に起因する読み書きエラーの生じにくい高品質なものとなる。
【００３７】
［実施例１］
図１に示す磁気記録媒体を次のようにして作製した。
（テクスチャー工程）
まず、直径６５ｍｍのガラス基板１を用意し、図２に示すテクスチャー加工装置を用いて、ガラス基板１の両側の表面に同時にテクスチャー加工を施した。
ガラス基板１のテクスチャー加工は、ガラス基板１をスピンドル１０１に固定して４４５ｒｐｍで回転させ、ポリエステル極細繊維織物からなるテクスチャーテープ１０３を１．２×９．８×１０４［Ｐａ］の押し付け圧力でガラス基板１の表面に両側から押し付けながら、テクスチャーテープ１０３を巻き取り速度７３．５ｍｍ／分で巻き取ってガラス基板１の両側の表面上で移動させるとともに、テクスチャーテープ１０３とガラス基板１の両側の表面との間にダイヤモンドからなる平均粒径０．１２［μｍ］の砥粒を１質量％含む水からなるスラリー１０５を供給量２００ｍｌ／分で供給させて行った。
【００３８】
（洗浄工程）
上記のテクスチャー工程を終了させた後、ガラス基板１の表面を、トリエタノールアミンを０．０８４質量％含む洗浄水溶液を用いて洗浄した。
より詳細には、図３に示すように、ガラス基板１をスピンドル１０１に固定して２２８ｒｐｍで回転させ、発泡ポリウレタンからなるクリーニングテープ３０３を、０．６×９．８×１０４［Ｐａ］の押し付け圧力でガラス基板１の表面に両側から押し付けながら、クリーニングテープ３０３を巻き取り速度８５．８ｍｍ／分で巻き取ってガラス基板１の両側の表面上で移動させるとともに、クリーニングテープ３０３とガラス基板１の両側の表面との間に洗浄水溶液を供給量４００ｍｌ／分で供給させて行った。
【００３９】
次に、テクスチャー工程および洗浄工程の完了したガラス基板１上に、ＤＣマグネトロンスパッター装置を用いて、Ｃｒからなる非磁性下地層２、ＣｏＣｒＰｔＢ合金からなる磁性層３、Ｃからなる保護層４を順次形成した。その後、保護層４上にディッピング法によりパーフロロポリエーテル潤滑剤からなる潤滑膜５を形成し、図１に示す磁気記録媒体を得た。
【００４０】
［実施例２］
洗浄工程において洗浄水溶液として、トリエタノールアミンを０．０５６質量％含むものを用いたこと以外は、実施例１と同様にして、図１に示す磁気記録媒体を作製した。
【００４１】
［実施例３］
洗浄工程において洗浄水溶液として、トリエタノールアミンを０．１４０質量％含むもの用いたこと以外は、実施例１と同様にして、図１に示す磁気記録媒体を作製した。
【００４２】
［比較例１］
洗浄工程において洗浄水溶液として、水を用いたこと以外は、実施例１と同様にして、図１に示す磁気記録媒体を作製した。
【００４３】
［比較例２］
洗浄工程において洗浄水溶液として、トリエタノールアミンを０．００２８質量％含むものを用いたこと以外は、実施例１と同様にして、図１に示す磁気記録媒体を作製した。
【００４４】
［比較例３］
洗浄工程において洗浄水溶液として、トリエタノールアミンを０．１９６質量％含むもの用いたこと以外は、実施例１と同様にして、図１に示す磁気記録媒体を作製した。
【００４５】
このようにして実施例１〜実施例３、比較例１〜比較例３の磁気記録媒体を各２１６５０個作製し、検査用ヘッドの浮上量を０．２７μｉｎｃｈとしてグライド検査（表面突起検査）を行なった。そして、検査用ヘッドと磁気記録媒体上の突起との衝突に起因する検査感度の劣化によって交換した検査用ヘッドの数を調べた。
【００４６】
その結果、グライド検査を行なった磁気記録媒体の数と使用した検査用ヘッドの数との割合「検査用ヘッド（個）／磁気記録媒体（個）」は、実施例１では（９５／２１６５０）、実施例２では（１４３／２１６５０）、実施例３では（２０６／２１６５０）となった。
また、比較例１では（２７１／２１６５０）、比較例２では（２１４／２１６５０）、比較例３では（２６４／２１６５０）となった。
このことより、実施例１〜実施例３の磁気記録媒体では、比較例１〜比較例３の磁気記録媒体と比較して、検査用ヘッドの衝突が少なく、使用した検査用ヘッドの数の少ないことが分かる。
【００４７】
この結果は、トリエタノールアミンを０．００３質量％〜０．１８質量％含む洗浄水溶液を用いる洗浄工程を行なうことで、テクスチャー工程後の基板表面に残存する残留物が効果的に除去されたためと推定される。
また、実施例１の結果より、トリエタノールアミンを０．０８４質量％含む洗浄水溶液を用いることで、テクスチャー工程後の基板表面に残存する残留物がより一層効果的に除去されたと推定できる。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】図１は、本発明に係る磁気記録媒体の一例を模式的に示した概略断面図である。
【図２】図２は、テクスチャー加工装置の一例を示した図であり、図２（ａ）は正面図であり、図２（ｂ）は側面図である。図２に示すテクスチャー加工装置は、ガラス基板１の両側の表面に同時にテクスチャー加工を施すものである。
【図３】図３は、本発明の磁気記録媒体の製造方法における洗浄工程を説明するための図である。
【符号の説明】
【００４９】
１…ガラス基板、２…非磁性下地層、３…磁性層、４…保護層、５…潤滑膜、１０１…スピンドル、１０３…テクスチャーテープ、１０４、３０４…ロール、１０５…スラリー、１０６…巻き取り装置、１０７…スラリー供給管、３０３…クリーニングテープ、３０７…洗浄液供給管。
【図１】
2008171497.tif 000003
【図２】
2008171497.tif 000004
【図３】
2008171497.tif 000005