(57)【要約】【課題】半導体ウェハを分断する前に基板の裏面をエッチング加工して凹凸面とする工程を有しながら、その後の工程で、半導体ウェハを歩留りよくチップ状に分断することのできる、窒化物ＬＥＤ素子の製造方法を提供すること。【解決手段】（Ａ）一方の面が鏡面である透光性の基板と、該基板の他方の面上に形成され発光ダイオード構造を備えた窒化物半導体層と、を少なくとも含む、半導体ウェハを準備する工程と、（Ｂ）上記基板の一方の面上に、分断予定ライン上の領域を保護するための保護膜を部分的に形成する工程と、（Ｃ）上記基板の一方の面上の上記保護膜で覆われていない領域をエッチング加工して凹凸面とする工程と、を有する。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）一方の面が鏡面である透光性の基板と、該基板の他方の面上に形成され発光ダイオード構造を備えた窒化物半導体層と、を少なくとも含む、半導体ウェハを準備する工程と、
（Ｂ）上記基板の一方の面上に、分断予定ライン上の領域を保護するための保護膜を部分的に形成する工程と、
（Ｃ）上記基板の一方の面上の上記保護膜で覆われていない領域をエッチング加工して凹凸面とする工程と、
を有する窒化物ＬＥＤ素子の製造方法。
【請求項２】
上記（Ｂ）の工程において、上記保護膜の形成と同時に、上記保護膜と同じ材料を用いて、上記（Ｃ）の工程でエッチング加工に用いるためのエッチングマスクの形成を行う、請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
上記（Ｃ）の工程の後、上記保護膜を除去したうえで、上記分断予定ラインに沿って上記半導体ウェハを分断する、請求項１または２に記載の製造方法。
【請求項４】
上記保護膜の除去によって露出した上記基板の一方の面上に、上記分断予定ラインをなぞるように割り溝を形成する工程を有する、請求項３に記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、化学式ＡｌａＩｎｂＧａ１−ａ−ｂＮ（０≦ａ≦１、０≦ｂ≦１、０≦ａ＋ｂ≦１）で表される窒化物半導体を用いて発光ダイオード構造を形成してなる窒化物ＬＥＤ素子を製造する方法に関し、とりわけ、光取出し効率を改善するために基板に凹凸面を設けた窒化物ＬＥＤ素子を製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
窒化物ＬＥＤ素子の一般的な製造方法は、（ア）基板上に発光ダイオード構造を備えた窒化物半導体層を形成して半導体ウェハを形成する工程、（イ）該半導体ウェハに対してＬＥＤ素子に必要な構造（正負の電極を含む）を付与する工程、（ウ）（イ）の工程を経た半導体ウェハを分断予定ラインに沿って分断しチップ状のＬＥＤ素子を得る工程、を有する。上記（ウ）の工程で半導体ウェハを分断する方法のひとつは、半導体ウェハに対し、分断予定ラインをなぞるようにして基板に達する割り溝を形成したうえ、外力を加えて半導体ウェハをこの割り溝に沿って破断する方法である。この方法は、基板として、サファイア基板、ＳｉＣ基板、ＧａＮ基板などの硬い基板を用いた場合に適している。割り溝として汎用されているのは、ダイヤモンドペンを用いて形成されるスクライブ溝である。割り溝は、レーザ加工やダイシングソーによる加工により形成されることもある。他の方法として、割り溝を形成する代わりに、高エネルギーのレーザビームを用いて、半導体ウェハの内部に、ウェハに外力を加えたときに破断の起点となる脆弱部を、ライン状に形成する方法もある。その他、レーザ加工やダイシングソーを用いた加工のみにより半導体ウェハを切断する方法も用いられる。
【０００３】
ところで、照明用途などへの展開のために、窒化物ＬＥＤ素子の更なる高出力化が求められている。透光性の基板を用いた窒化物ＬＥＤ素子では、高出力化の手段として、エッチング加工によって基板の裏面（窒化物半導体層が形成されていない側の面）を凹凸面とし、当該凹凸面によって光を散乱させたり、あるいは、凹凸面とすることによって当該基板裏面を光が透過し易くして、ＬＥＤ素子の光取出し効率を向上させる方法が提案されている（例えば、特許文献１、特許文献２）。
【特許文献１】特開２００６−１００５１８号公報
【特許文献２】特開２００５−３５４０２０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
基板の裏面をエッチング加工して凹凸面とする場合、製造効率などの観点から、ＬＥＤ素子をチップ状にする前に、すなわち、半導体ウェハを分断する工程の前に、該エッチング加工を行うことが望ましい。ところが、本発明者等が検討したところ、半導体ウェハに含まれる基板の裏面を凹凸面にすると、該ウェハを歩留りよくチップ状に分断することが困難となることが分かった。例えば、ダイヤモンドペンを用いて割り溝を形成しようとした場合には、凹凸面の凹部の底にダイヤモンドペンの先端が届かないために、スクライブラインが形成できなくなる。
【０００５】
本発明は上記課題を解決するためになされたものであり、その主な目的は、半導体ウェハを分断する工程の前に基板の裏面をエッチング加工して凹凸面とする工程を有しながら、その後の工程で、半導体ウェハを歩留りよくチップ状に分断することのできる、窒化物ＬＥＤ素子の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明によれば、上記課題を解決するために、次の特徴を有する窒化物ＬＥＤ素子の製造方法が提供される。
（１）（Ａ）一方の面が鏡面である透光性の基板と、該基板の他方の面上に形成され発光ダイオード構造を備えた窒化物半導体層と、を少なくとも含む、半導体ウェハを準備する工程と、（Ｂ）上記基板の一方の面上に、分断予定ライン上の領域を保護するための保護膜を部分的に形成する工程と、（Ｃ）上記基板の一方の面上の上記保護膜で覆われていない領域をエッチング加工して凹凸面とする工程と、を有する窒化物ＬＥＤ素子の製造方法。
（２）上記（Ｂ）の工程において、上記保護膜の形成と同時に、上記保護膜と同じ材料を用いて、上記（Ｃ）の工程でエッチング加工に用いるためのエッチングマスクの形成を行う、上記（１）に記載の製造方法。
（３）上記（Ｃ）の工程の後、上記保護膜を除去したうえで、上記分断予定ラインに沿って上記半導体ウェハを分断する、上記（１）または（２）に記載の製造方法。
（４）上記保護膜の除去によって露出した上記基板の一方の面上に、上記分断予定ラインをなぞるように割り溝を形成する工程を有する、上記（３）に記載の製造方法。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の好適な実施形態に係る窒化物ＬＥＤ素子の製造方法によれば、半導体ウェハを分断する工程の前に基板の裏面をエッチング加工して凹凸面とする工程を有しながら、その後の工程で、半導体ウェハを歩留りよくチップ状に分断することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下、本発明の好適な実施形態に係る窒化物ＬＥＤ素子の製造方法を、図面を参照しながら説明する。この製造方法は、（Ａ）一方の面が鏡面である透光性の基板と、該基板の他方の面上に形成され発光ダイオード構造を備えた窒化物半導体層と、を少なくとも含む、半導体ウェハを準備する工程と、（Ｂ）上記基板の一方の面上に、分断予定ライン上の領域を保護するための保護膜を部分的に形成する工程と、（Ｃ）上記基板の一方の面上の上記保護膜で覆われていない領域をエッチング加工して凹凸面とする工程と、を有している。この製造方法において、（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）の工程は、この順番に行われる。
【０００９】
（実施形態１）
本実施形態１では、（Ａ）の工程が、サブ工程である（Ａ−１）工程、（Ａ−２）工程、（Ａ−３）工程とからなる。
（Ａ−１）工程では、図１に示すように、基板１１上に、発光層１２２を挟んでｎ型層１２１とｐ型層１２３とが積層されてなる発光ダイオード構造を備えた窒化物半導体層１２を形成して、半導体ウェハ１０を作製する。
【００１０】
基板１１は、透光性を有し、かつ、窒化物半導体結晶のエピタキシャル成長に使用可能なものであればよい。ここでいう透光性とは、製造しようとするＬＥＤ素子が放出する光を透過させる性質のことをいう。窒化物ＬＥＤ素子の典型的な発光波長の範囲は近紫外〜緑色であるから、基板１１の材料は、サファイア、ＳｉＣ、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＡｌＮ、スピネル、ＺｎＯ、ＮＧＯ、ＬＡＯなどから選択することができる。基板１１の厚さ（研磨前）は、例えば、３００μｍ〜１０００μｍである。
【００１１】
窒化物半導体層１２は、基板１１上に、ＨＶＰＥ法、ＭＯＶＰＥ法、ＭＢＥ法などを用いて窒化物半導体結晶をエピタキシャル成長させることにより、形成する。高品質な窒化物半導体結晶を成長させるために必要となる手法、構造、技術などは適宜用いてよい。例えば、基板１１と窒化物半導体層１２との間にバッファ層（特に、窒化物半導体材料からなる低温バッファ層や高温バッファ層）を介在させる技術、基板１１の結晶成長面に酸化ケイ素からなるマスクパターンを形成したり、あるいは、該結晶成長面を加工して凹凸面とし、それによって窒化物半導体結晶のラテラル成長を発生させて転位密度を低下させる技術、などである。
【００１２】
発光ダイオード構造を構成するｎ型層１２１、発光層１２２、ｐ型層１２３の詳細については、公知技術を参照すればよい。各層の内部では、層を構成する窒化物半導体結晶の組成や、添加された不純物の種類や濃度が、厚さ方向に連続的または不連続的に変化していてもよい。ｎ型層１２１に添加し得るｎ型不純物は好ましくはＳｉ（ケイ素）であり、ｐ型層１２３に添加し得るｐ型不純物は好ましくはＭｇ（マグネシウム）である。発光ダイオード構造はダブルヘテロ型とすることが好ましく、また、発光層１２２は（多重）量子井戸構造とすることが好ましい。
【００１３】
（Ａ−２）工程では、図２に示すように、半導体ウェハ１０に対して、ＬＥＤ素子に必要な構造である正負の電極を付与する。具体的には、窒化物半導体層１２にドライエッチングにより凹部を形成し、該凹部内に露出したｎ型層１２１上に負電極Ｐ１１を形成する。また、窒化物半導体層１２上（ｐ型層１２３上）に正電極Ｐ１２を形成する。
【００１４】
（Ａ−３）工程では、図３に示すように、（Ａ−２）工程を経た半導体ウェハ１０に含まれる基板１１の裏面（窒化物半導体層１２が形成されていない側の面）を研磨して、該基板を分断のために好適な厚さへと薄くする。後の工程で、半導体ウェハ１０の分断を分断予定ラインに沿って歩留まり良く行うための、好ましい研磨後の基板１１の厚さは２００μｍ以下、より好ましくは１００μｍ以下である。ＬＥＤ素子のサイズが大きくなると少々厚くても割れるようにはなるが、それでもサファイア、ＳｉＣ、ＧａＮ等からなる硬い基板では、前記厚さ以下に薄くすることが望ましい。この研磨は、研磨面が鏡面となるように行う。好ましくは、研磨面の表面粗さが、算術平均荒さＲａを指標として０．０１μｍ以下となるようにする。研磨の代わりに研削を行ってもよいが、その場合には、最後に研磨を行って、基板１１の裏面が鏡面となるようにする。
【００１５】
このように、（Ａ−１）〜（Ａ−３）工程によって、一方の面が鏡面である透光性の基板１１と、該基板の他方の面上に形成され発光ダイオード構造を備えた窒化物半導体層１２とを含む、半導体ウェハ１０が準備される。
【００１６】
次に、（Ｂ）の工程を説明する。
（Ｂ）の工程では、図４に示すように、半導体ウェハ１０に含まれる基板１１の裏面上に、分断予定ライン１３上の領域を保護するための保護膜１４を部分的に形成する。本実施形態１では、この（Ｂ）の工程において、保護膜１４の形成と同時に、保護膜１４と同じ材料を用いて、エッチングマスク１５を形成する。エッチングマスク１５は、後の（Ｃ）の工程において、基板１１の裏面をエッチング加工して凹凸面とするために用いるマスクである。
【００１７】
保護膜１４の目的は、後の（Ｃ）の工程で基板１１の裏面をエッチング加工したときに、該裏面における分断予定ライン上の領域がエッチングされて非鏡面となるのを防ぐことである。本実施形態１では、後の（Ｃ）の工程で行うエッチング加工にドライエッチング法を用いることから、フォトレジストを用いて保護膜１４およびエッチングマスク１５を形成することができる。
【００１８】
保護膜１４およびエッチングマスク１５のパターニングは、周知のフォトリソグラフィ技法を用いて行うことができる。保護膜１４は、分断予定ライン１３がその略中心を通るように、帯状に形成する。保護膜１４の幅ｗは、例えば、５μｍ〜１００μｍとすることができる。エッチングマスク１５は、形成しようとする凹凸面の凹凸パターンに応じてパターニングする。エッチング加工によって、基板１１の裏面上の、エッチングマスク１５に覆われていなかった領域に、凹部が形成されることになる。凹凸パターンとしては、ドット状の凸部（突起）が分散したパターン（凹部を「海部」とし凸部を「島部」とする「海島状」のパターン）、その逆に、ドット状の凹部（孔）が分散したパターン（凸部を「海部」とし凹部を「島部」とする「海島状」のパターン）、ストライプ状の凸部（リッジ）とストライプ状の凹部（溝）が交互に並んだパターンなどが例示される。どのパターンを採用する場合であっても、ＬＥＤの光取出し効率を高くするうえでは、パターンを微細に形成することが好ましい。ドット状、ストライプ状などに形成された凹部または凸部の幅、凹部を挟んで隣接する凸部と凸部の間隔、凸部を挟んで隣接する凹部と凹部の間隔は、例えば、０．１μｍ〜１０μｍとすることができるが、好ましくは５μｍ以下であり、より好ましくは１μｍ以下である。
【００１９】
次に（Ｃ）の工程を説明する。
（Ｃ）の工程は、保護膜１４を形成した基板１１の裏面上の、該保護膜１４で覆われていない領域をエッチング加工して凹凸面とする工程である。この工程では、図５に示すように、基板１１の裏面上の、保護膜１４またはエッチングマスク１５で覆われていない領域に、凹部が形成される。本実施形態１では、この（Ｃ）の工程をドライエッチング（例えば、プラズマエッチング、反応性イオンエッチング）で行う。ＬＥＤ素子の光取出し効率を改善するために、凹部の深さは、当該ＬＥＤ素子の発光波長（窒化物半導体層１２内における波長）の４分の１以上となるようにする。発光波長４００ｎｍのＬＥＤ素子を例にすると、空気中での波長が４００ｎｍである光は、屈折率が約２．５である窒化物半導体結晶中においては、その波長が約１６０ｎｍとなることから、凹部を４０ｎｍ以上の深さに形成する。発光波長が近紫外〜緑色の場合、凹部の深さは、好ましくは０．１μｍ以上であり、より好ましくは０．５μｍ以上である。凹部の深さが５μｍを超えると、光取出し効率の改善効果が飽和するので、凹部の深さは５μｍ以下としてよい。製造効率を考慮すると、好ましい凹部の深さは３μｍ以下である。
【００２０】
図６は、（Ｃ）の工程の後、リムーバを用いて、フォトレジストで形成した保護膜１４およびエッチングマスク１５を基板１１から除去する工程を示している。保護膜１４の除去によって露出する基板１１の裏面上の領域（分断予定ライン上の領域）は、鏡面状態に保たれているので、該領域上にダイヤモンドペンなどを用いた割り溝の形成を容易に行うことができる。逆に、保護膜１４を形成することなく、基板１１の裏面全体を光を散乱させる凹凸面とした場合には、基板１１の裏面側から光学的な手段（例えば、光学顕微鏡観察）によって窒化物半導体層１２上に形成した負電極Ｐ１１や正電極Ｐ１２の位置を検知することが困難となるために、割り溝を形成すべき位置を定めることが困難となる。その他、保護膜１４を形成することなく基板１１の裏面全体を凹凸面とした場合には、該裏面に対するダイシングテープの接着性が低下するために、該裏面にダイシングテープを貼り付けて、窒化物半導体層１２側の面から半導体ウェハ１０に割り溝を形成することが困難となるとともに、そのように割り溝を形成し得たとしても、ウェハを分断して得られるチップがダイシングテープから簡単に脱落してしまうという問題が発生する。
【００２１】
図７は、半導体ウェハ１０を分断してチップ状の窒化物ＬＥＤ素子１を得る工程を示している。上述のように、基板１１の裏面上の、分断予定ライン上の領域は鏡面状態に保たれているので、分断予定ラインをなぞって、スクライブ溝などの割り溝を容易に形成することができる。レーザ加工により割り溝を形成する場合には、分断予定ライン上の領域が鏡面であることによって、加工用のレーザビームの散乱が抑えられるので、散乱したレーザ光により窒化物半導体層１２内に形成された発光ダイオード構造が損傷を受けることがない。同様の効果が、高エネルギーのレーザビームを用いて、分断予定ラインに沿った脆弱部を基板１１の内部に形成する場合や、レーザ加工のみによって半導体ウェハ１０を切断する場合にも得られる。ダイシングソーを用いて基板１１に割り溝を形成したり、あるいは、半導体ウェハ１０を切断する場合にも、基板１１の裏面の分断予定ライン上の領域が鏡面であることによって、安定した加工を行うことができる。
【００２２】
（実施形態１の変形）
上述の実施形態１では、（Ｂ）の工程において、保護膜１４の形成と同時に、保護膜１４と同じ材料を用いて、エッチングマスク１５を形成しているが、本変形実施形態では、図８に示すように、（Ｂ）の工程では保護膜１４の形成のみを行う。そして、（Ｃ）の工程では、エッチングとデポジションが同時に生じる条件を用いて、基板１１の裏面上の保護膜１４に覆われていない領域をドライエッチング加工し、凹凸面を形成する。エッチングとデポジションが同時に生じる条件でドライエッチングを行うことにより面を加工して凹凸状にする方法の詳細については、特許文献１を参照することができる。その後の、保護膜１４の除去と、半導体ウェハ１０のチップへの分断は、実施形態１と同様にして行う。
【００２３】
（実施形態２）
本実施形態２では、（Ａ）の工程で、図９に示す半導体ウェハ２０を準備する。この半導体ウェハ２０は、透光性を有する基板２１上に、発光層２２２を挟んでｎ型層２２１とｐ型層２２３とが積層されてなる発光ダイオード構造を備えた窒化物半導体層２２を形成した後、窒化物半導体層２２の表面に半導体保護膜２６を形成するとともに、基板２１の裏面を研磨して、分断のために好適な厚さへと薄くすることにより、形成する。実施形態１と同様に、基板２１の裏面は鏡面となるように研磨する。ここで、半導体保護膜２６は、後の工程で行うエッチングプロセスにおいて、窒化物半導体層２２の表面がエッチングされるのを防止するための保護被覆である。半導体保護膜２６を形成する工程と、基板２１の裏面を研磨する工程とは、いずれが先であってもよい。半導体保護膜２６の材料については後述する。
【００２４】
次に、（Ｂ）の工程として、図１０に示すように、基板２１の裏面上に、分断予定ライン２３上の領域を保護するための保護膜２４と、エッチングマスク２５とを、形成する。これらは、同じ材料を用いて、同時に形成してもよい。
【００２５】
次に、（Ｃ）の工程として、図１１に示すように、エッチング加工を行うことにより、基板２１の裏面上の、保護膜２４またはエッチングマスク２５に覆われていない領域に凹部を形成する。本実施形態２では、このエッチング加工を、ウェットエッチング法を用いて行う。ウェットエッチング法で用いることのできるエッチング液としては、基板２１の材料にもよるが、塩酸、硝酸、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、硫酸、リン酸などが挙げられる。基板２１がサファイアまたは窒化物半導体（ＧａＮ、ＡｌＧａＮなど）からなる場合には、エッチング液として、リン酸、硫酸またはこれらの混合物を、好ましく用いることができる。サファイア基板のウェットエッチングは、リン酸と硫酸を体積比１：３〜５：１（リン酸：硫酸）で混合し、３００℃以上に加熱した溶液をエッチング液に用いることにより、好ましく行うことができる。
【００２６】
保護膜２４、エッチングマスク２５および半導体保護膜２６の材料は、（Ｃ）の工程で行うエッチング加工の条件に応じて決定する。基板２１が、塩酸に溶解する材料からなる場合には、保護膜２４、エッチングマスク２５および半導体保護膜２６をフォトレジストで形成し、（Ｃ）の工程では塩酸を用いてエッチング加工を行うことができる。塩酸は窒化物半導体結晶を殆ど溶解させないことから、この場合には、半導体保護膜２６の形成を省略することも可能である。基板２１がサファイアまたは窒化物半導体からなり、（Ｃ）の工程で、エッチング液としてリン酸、硫酸またはこれらの混合物を用いる場合には、保護膜２４、エッチングマスク２５および半導体保護膜２６を、酸化ケイ素、窒化ケイ素またはＳＯＧからなる薄膜とする。特に好ましいのは、プラズマＣＶＤ法を用いて形成される酸化ケイ素膜である。
【００２７】
（Ｃ）の工程の終了後、保護膜２４、エッチングマスク２５および半導体保護膜２６を除去する。フォトレジストからなる膜は、リムーバを用いて除去することができる。また、酸化ケイ素、窒化ケイ素またはＳＯＧからなる膜は、バッファーフッ酸（Ｂｕｆｆｅｒｅｄ  ＨＦ）を用いることにより、サファイアや窒化物半導体層には殆どダメージを殆ど与えることなく、除去することができる。
【００２８】
その後は、前述の実施形態１と同様の方法を用いて、窒化物半導体層２２上に負電極および正電極を形成し、最後に半導体ウェハ２０を分断予定ライン２３に沿って分断して、チップ状の窒化物ＬＥＤ素子を得る。
【００２９】
（実施形態３）
本実施形態３では、（Ａ）の工程として、前述の実施形態２と同様にして、図１２に示す半導体ウェハ３０を準備する。半導体保護膜３６の形成は省略してもよい。次に、（Ｂ）の工程として、図１３に示すように、半導体ウェハ３０に含まれる基板３１の裏面上に、分断予定ライン３３上の領域を保護する保護膜３４を形成する。保護膜３４は、無機材料で形成するか、または、基板３１に対する密着性の良好な金属、例えば、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｗ、Ｃｒなどを用いて形成する。次に、基板３１の裏面上の全面に、基板３１の表面との密着性が低いＡｕからなる薄膜を形成する。そして、半導体ウェハ３０を加熱することにより、Ａｕの凝集を発生させて、基板３１の裏面上の、保護膜３４に覆われていない領域に、微細なＡｕ粒子が分散した状態を得る。しかる後に、このＡｕ微粒子をエッチングマスクに用いて、ドライエッチングを行うことにより、基板３１の裏面上の保護膜３４に覆われていない領域を凹凸面とする（（Ｃ）の工程）。このようなＡｕ微粒子の形成方法、およびＡｕ微粒子をエッチングマスクとして用いた微細構造の形成方法の詳細については、特許文献２などを参照することができる。エッチング加工後、王水などを用いて保護膜３４、エッチングマスク（Ａｕ微粒子）および半導体保護膜３６を除去する。その後、前述の実施形態１と同様の方法を用いて、窒化物半導体層３２上に負電極および正電極を形成し、最後に半導体ウェハ３０を分断予定ライン３３に沿って分断して、チップ状の窒化物ＬＥＤ素子を得る。
【００３０】
以上、本発明を具体的な実施形態により説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されるものではない。例えば、上述の各実施形態では、（Ｃ）の工程の後に、基板の裏面に割り溝を形成する工程を有しているが、この順番は逆であってもよい。即ち、鏡面とされた基板の裏面に割り溝を形成した後に、該割り溝の表面を保護膜で被覆し、次に、基板の裏面上の該保護膜に覆われていない領域をエッチング加工して凹凸面とし、その後で、保護膜を除去し、半導体ウェハを予め形成された割り溝の位置で分断してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本発明の実施形態に係る窒化物ＬＥＤ素子の製造方法を説明するための断面図である。
【図２】本発明の実施形態に係る窒化物ＬＥＤ素子の製造方法を説明するための断面図である。
【図３】本発明の実施形態に係る窒化物ＬＥＤ素子の製造方法を説明するための断面図である。
【図４】本発明の実施形態に係る窒化物ＬＥＤ素子の製造方法を説明するための断面図である。
【図５】本発明の実施形態に係る窒化物ＬＥＤ素子の製造方法を説明するための断面図である。
【図６】本発明の実施形態に係る窒化物ＬＥＤ素子の製造方法を説明するための断面図である。
【図７】本発明の実施形態に係る窒化物ＬＥＤ素子の製造方法を説明するための断面図である。
【図８】本発明の実施形態に係る窒化物ＬＥＤ素子の製造方法を説明するための断面図である。
【図９】本発明の実施形態に係る窒化物ＬＥＤ素子の製造方法を説明するための断面図である。
【図１０】本発明の実施形態に係る窒化物ＬＥＤ素子の製造方法を説明するための断面図である。
【図１１】本発明の実施形態に係る窒化物ＬＥＤ素子の製造方法を説明するための断面図である。
【図１２】本発明の実施形態に係る窒化物ＬＥＤ素子の製造方法を説明するための断面図である。
【図１３】本発明の実施形態に係る窒化物ＬＥＤ素子の製造方法を説明するための断面図である。
【符号の説明】
【００３２】
１０、２０、３０  半導体ウェハ
１１、２１、３１  基板
１２、２２、３２  窒化物半導体層
１３、２３、３３  分断予定ライン
１４、２４、３４  保護膜
１５、２５        エッチングマスク
２６、３６        半導体保護膜
Ｐ１１            負電極
Ｐ１２            正電極
【図１】
2008251753.tif 000003
【図２】
2008251753.tif 000004
【図３】
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【図４】
2008251753.tif 000006
【図５】
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【図６】
2008251753.tif 000008
【図７】
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【図８】
2008251753.tif 000010
【図９】
2008251753.tif 000011
【図１０】
2008251753.tif 000012
【図１１】
2008251753.tif 000013
【図１２】
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【図１３】
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