(57)【要約】【課題】ランプ容器表面のセンサ設置部への水銀の集中を抑え、かつ、制御レスポンスが早い、平面型蛍光ランプの制御回路を提供する。【解決手段】透光性の放電容器６と、この放電容器６内に気密に封入された水銀蒸気および希ガスを含む放電媒体と、この放電媒体を放電させるために前記放電容器に設けられた一対の電極７ａ、７ｂと、前記放電容器６の表面から離れた位置に設置された赤外線センサ１１と、この赤外線センサ１１の出力信号が供給され、この出力信号に基づいて前記放電容器に設けられた一対の電極７ａ、７ｂに供給する電力を制御する電力制御回路１２と、この電力制御回路１２により制御された出力電圧を前記放電容器６に設けられた一対の電極７ａ、７ｂに供給する電圧供給回路１３と、を備えたことを特徴とする放電ランプ点灯装置。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
水銀蒸気および希ガスを含む平面型蛍光ランプと、前記平面型蛍光ランプから離間設置され、前記平面型蛍光ランプの放電による光放射を検出する光検出手段と、前記光検出手段からの検出結果に基づいて前記平面型蛍光ランプの管壁温度を推定し、前記平面型蛍光ランプへの供給電力を制御する制御回路と、前記制御回路の制御信号に基づいて前記平面型蛍光ランプに電力を供給する供給回路とを備えたことを特徴とする放電ランプ点灯装置。
【請求項２】
前記光検出手段は赤外線センサであり、前記希ガスからの赤外線放射強度を検出することを特徴とする請求項１に記載の放電ランプ点灯装置。
【請求項３】
前記制御回路は、赤外線放射効率が大きいほど、前記平面型蛍光ランプに供給する電力を増加させるよう前記供給回路に制御信号を入力することを特徴とする請求項２に記載の放電ランプ点灯装置。
【請求項４】
前記光検出手段は、前記平面型蛍光ランプの非発光面側に配置されていることを特徴とする請求項１乃至請求項３の何れかに記載の放電ランプ点灯装置。
【請求項５】
前記希ガスは少なくともＡｒを含むことを特徴とする請求項１乃至請求項４の何れかに記載の放電ランプ点灯装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放電ランプ点灯装置に関し、特に、平面型放電ランプ点灯装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、液晶ディスプレイのバックライト光源や照明装置として、特開平11-204080号公報(特許文献1)に記載された平面型放電ランプが知られている。この従来の平面型放電ランプは、例えば、ソーダガラス等からなる透光性の前面板とソーダガラスやセラミック等からなる背面基板と側板とが低融点ガラスで一体に気密封着され、扁平状の放電容器を構成している。そして前面板の内面には互いに平行な一対の放電電極が設けられ、該放電電極の表面は厚膜印刷法等によって設けられた誘電体層によって覆われている。そして、背面基板の内面には蛍光体が塗布されており、密閉容器の放電空間には水銀や希ガスの放電ガスが封入されている。
【０００３】
このような従来の平面型放電ランプでは、放電電極間に高周波電圧を印加することにより、放電空間内に放電が発生し、放電で放電媒体である水銀から発生した紫外線により蛍光体が励起されて発光し、その光が前面板を通して外部に放射される。
【０００４】
この種の放電媒体として水銀を封入した平面型放電ランプの明るさは、封入されている水銀の蒸気圧、すなわち、ランプの管壁温度に大きく影響される。ランプの発光効率が最高となるランプ管壁温度は40℃〜60℃であり、これよりも高くても低くても、ランプ効率は低下する。
【０００５】
一方、一般的な特性として、平面型放電ランプは、放電溶器を構成するガラス材料の熱容量が大きいため、管壁温度が一定の動作温度に達するにはかなりの時間を要する。その結果、点灯初期は輝度の立ち上がりが遅く、所定の明るさに達するまでかなりの時間を要する問題点があった。
【０００６】
この問題点を解決するものとして、同特許文献1には、放電容器の外表面に加熱手段を設けて、始動時に密閉容器を加熱してガラスの管壁温度の上昇を促進させることにより、輝度の立ち上がり特性を改善する技術が開示されている。しかしながら、この従来技術にあって、加熱手段にヒーターを用いる構成の場合、ヒーターやヒーター制御回路が必要であり、放電点灯以外の部品を多く搭載しなければならず、装置コストの大幅な上昇が避けられない問題点があった。
【０００７】
また、特開平9-288262号公報(特許文献2)には、水銀を含有する放電媒体を、蛇行した管状の放電容器内に封入した冷陰極放電ランプを用いた液晶ディスプレイにおいて、輝度の立ち上り特性を改善するために、下記の技術が記載されている。すなわち、インバータ回路は、定電圧回路から供給される直流電圧を所定周波数の交流に変換し、ランプに電圧を供給する。サーミスタは、冷陰極蛍光ランプの陽光柱の中央部のガラス管外壁に設置され、ランプの温度に応じたサーミスタ出力電圧を出力している。温度制御部は、サーミスタ出力電圧に応じたコントロールDC電圧を輝度制御部に対して出力する。輝度制御部は、コントロールDC電圧及びそのときのユーザー設定値に応じたデューティ比の調整信号をインバータ回路に出力する。インバータ回路は、該調整信号に従って直流電圧の入力をON/OFFすることでランプヘ供給される交流電圧のデューティ比を調整する。これにより、ランプの管壁温度に応じて電圧のデューティ比を制御しながらランプは点灯される。そしてこの従来例では、点灯初期のランプの温度が低い場合には、デューティ比を高くすることでランプヘの投入電力を増加させてランプの発熱を促進し、ランプの温度上昇にしたがってデューティ比を小さくするような制御を行う。
【０００８】
しかしながら、温度センサを用いて放電ランプの温度を検出する場合、以下のような問題が生ずる。
【０００９】
第１に、温度センサを温度変化のレスポンスを早くするためにランプの放電容器表面に直接接触して設置する場合、接触部分の容器壁温度が低下し、その部分に容器内の水銀が集中し、あるいは、温度センサへの漏れ電流が発生し、放電が不安定となる。
【００１０】
第２に、この問題を除去するために温度センサをランプ容器表面から話して設置すると、ランプ容器の表面温度の変化に比べて、ランプ容器周囲の空気温度の変化は遅いため、温度センサのレスポンスが遅くなり、放電ランプの電力制御のタイミングが遅れる問題がある。
【特許文献１】特開平11-204080号公報
【特許文献２】特開平9-288262号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明は、上述した従来の技術的な課題に鑑みてなされたもので、放電ランプ容器内の水銀の集中を生ずることなく、レスポンスの早い温度センサによりタイミングよく電力制御を行うことができる放電ランプ点灯装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明者の実験によれば、水銀と希ガスを封入した蛍光ランプの場合、放電容器の形成する壁面温度、すなわち、管壁温度が低い場合は水銀に比べて、希ガスの放射が多くなる。管壁温度が上昇すると、水銀が蒸気化して、水銀の放射が増加し、逆に、希ガスの放射は減少する特性を有する。
【００１３】
本発明では、管壁温度と希ガスからの赤外線強度の上記の関係を利用して、ランプから離間して配置された光センサーにより、ランプの希ガスからの赤外線強度を測定して管壁温度を推定して、ランプへの投入電力を制御するものである。具体的には、赤外線強度が強くなる管壁温度が低い状態では、大電力を投入してランプへの発熱を促進し、また、管壁温度が上昇し、希ガスの強度が減少すると、投入電力を徐々に低減する制御を行うことを特徴としている。
【００１４】
したがって、本発明はより具体的には次のような解決手段を備えるものである。
【００１５】
本発明に係る放電ランプ点灯装置は、水銀蒸気および希ガスを含む平面型蛍光ランプと、前記平面型蛍光ランプから離間設置され、前記平面型蛍光ランプの放電による光放射を検出する光検出手段と、前記光検出手段からの検出結果に基づいて前記平面型蛍光ランプの管壁温度を推定し、前記平面型蛍光ランプへの供給電力を制御する制御回路と、前記制御回路の制御信号に基づいて前記平面型蛍光ランプに電力を供給する供給回路とを備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の実施形態によれば、センサをランプから離間して配置することにより、ランプの温度低下に伴う水銀の偏り現象を防止することができ、また、ランプの発光状態を直接モニターして制御するので、制御のレスポンスを向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の実施形態について図面を用いて詳細に説明する。
【００１８】
本発明に使用する平面光源の一例として、平面型蛍光ランプの構造を図１に示す。図１(a)は光を出射し光源として利用される側の前面側からみた平面型蛍光ランプLの外観図を、図１(b)は背面側からみた平面型蛍光ランプLの外観図を示す。また、図１(c)は、図１(a)に示す直線A−A´間のランプの断面を矢印の方向に見た断面図を示す。さらに、図１(ｄ)は、平面型蛍光ランプLの平面図である。
【００１９】
本実施の形態の平面型蛍光ランプLは、透光性のガラス板から構成される前面基板１と、この前面基板１に略一定の間隔で対向させて配置した背面基板２を、側壁３とスペーサ４を一体的に形成した周辺部をフリットガラス５で封着して平面形放電容器６を形成している（図１（ｄ）、図５）。
【００２０】
前面基板１の外面には、放電容器６の端部に沿って、高圧電圧を印加する外部電極７aと低圧電圧を印加する外部電極７ｂとが、放電媒体と接触しないように配置してある。本実施の形態の場合、外部電極７a、７ｂと放電媒体との遮断は、前面基板１自身で行っているが、電極７a、７ｂを放電容器６の内部に設ける場合には、誘電体層を用いて遮断する。また電極７a、７ｂのうちの一方を内部電極とし、他方の電極だけを放電媒体と遮断するような構成でも構わない。また、放電容器内部に一対以上の金属電極を設けた構成でも良い。
【００２１】
また、本実施の形態では、外部電極７a、７ｂは前面基板１にのみ設けているが、外部電極を背面基板１のみに形成する構成、前面基板１と背面基板２の両面に形成する構成あるいは前面基板、背面基板および前面基板と背面基板を接合する側面に形成する構成を採る事ができる。
【００２２】
電極形成方法の一例としては、アルミニュウムなどの導電性テー一プを導電性接着剤を介して放電容器６上に形成する方法、銀などの金属粉と溶剤とバインダーを混合した導電性ペーストをスクリーン印刷、ディスペンサー塗布または浸漬により放電容器表面に塗布した後、乾燥、焼成をおこなって形成する方法、あるいはスズ、インジウム、ビスマス、鉛、亜鉛、アンチモン、または、銀を少なくとも１種以上含む半田を加熱溶融したものを、例えば、超音波振動を加えながらディスペンサーや浸漬により放電容器６の表面に塗布する方法などが採られる。電極層と放電容器６の接着を高めるために、電極が形成される位置の放電容器６の表面を例えばサンドブラスト処理で凹凸化する方法を採ることができる。
【００２３】
外部電極７aと７ｂの形状は、図示した帯形状とする以外に、スペーサで分離した各放電空間８へ向かって凸部を形成するなど、多彩な異形状をとることができる。また、図１では一対の電極を示したが、複数対の電極構成とすることも可能である。
【００２４】
この平面形放電容器６の内部には、図１(c)に示すように、放電媒体として少なくとも水銀蒸気を含み、その他に、キセノン、クリプトン、アルゴン、ネオン、ヘリウムの希ガスの内の１つを単独もしくは２種類以上を混合して、数kPaから数１００kPaの封入圧力で封入している。
【００２５】
封入ガスの一例としては、水銀蒸気とアルゴンとネオンの混合気体である。ネオンとアルゴンガスの比率は、発光効率およびランプの低電圧始動を優先させる場合は５０:５０〜９９:１とネオンの配合比を多くし、発光の立ち上がり速度を優先させる場合は１:９９から５０:５０とアルゴン配合比を多くした構成を採る。ガス圧力に関しては、１Torrから７００Torr範囲であり、好ましくは、低電圧始動性、発光効率、寿命の観点から、２０〜１００Torrの範囲に設定される。
【００２６】
前面基板１、背面基板２、スペーサ４の内側には、それぞれ、蛍光体層９が形成されている。この蛍光体層９は、放電によって水銀蒸気から放射される紫外線を可視光に変換する。蛍光体層９は、一般照明、冷陰極蛍光ランプに使用される蛍光体が用いられ、単独で又は発光色の異なる数種類の蛍光体が混合されて塗布されている。尚、異なる発光色の蛍光体を個別に縞状に又はドット状に塗布して蛍光体層９を構成することもできる。
【００２７】
光を取り出す側の前面基板１の蛍光体層９は、背面基板２側からの蛍光体の光を損失なく透過させるために、例えば、平均粒径(１次粒子径)が約２.５μm以上の蛍光体粒子を、厚さ５〜１５μmと薄く形成する構成とする。一方、光を取り出さない背面基板２の蛍光体層９は、光を前面基板１側に多く導くために、例えば、平均粒径が約２.５μm以下の蛍光体粒子を厚さ３０〜１００μmと厚く形成して、反射輝度を高める構成とする。
【００２８】
また、背面基板２と蛍光体層９との間には、微粒子の金属酸化物の反射層を形成することもできる。また、前面基板１及び背面基板２と蛍光体層９との間に、例えば酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化イットリウムなどの金属酸化物の層を形成し、水銀がガラス表面に移動するのを防止したり、放電から発生する紫外線を吸収したりすることも可能である。尚、本実施の形態では、両方のガラス基板１、２の内面に蛍光体層９を設けているが、どちらか一方の蛍光体層を省略する構成にすることもできる。また、前面基板１と背面基板２の当接面の蛍光体層９を省略する構成もとることができる。
【００２９】
また、陽光柱部分には蛍光体層を設けるのに対し、電極７a、７ｂが形成されている前面基板１においては、電極７a、７ｂが形成される位置の基板内側に蛍光体層がある場合、蛍光体層が放電によりスパッタリングされて、ガスの消耗速度を速めることから、電極部が設けられる位置の基板内側には蛍光体層を設けないことが望ましい。
【００３０】
背面基板２に一体的に形成された細長状のスペーサ４は、所定の間隔で配置されており、前面基板１と背面基板２の間隔を一定に保つとともに、放電容器６の内外気圧差によるランプの爆縮による破損を防止する。また、スペーサ４は、電極７a、７ｂに対して垂直方向に配置されており、電極７a、７ｂ間を複数の放電領域に分割している。
【００３１】
また、本実施の形態では、背面基板２を熱加工して一体的に形成して、平板の前面基板２と組み合わせているが、図２(b)に示すように前面基板１を熱加工して平板の背面基板２と張り合わせる構成や、図２(c)に示すように前面基板１と背面基板２を共に熱加工して張り合わせる構成もとることができる。また、図２(d)に示すように、前面基板と背面基板２がともに平板ガラスとし、その間にスペーサ４を別個に設けた構成をとることもできる。スペーサ４の形状は、波型形状、方形形状以外に、半楕円形状、台形形状など任意形状をとることができる。
【００３２】
スペーサ４によって分割された放電空間８の大きさは、要求されるランプの始動電圧・管電圧および光量に応じて設定され、例えば、放電空間８の幅Wが０.５〜３０mmの範囲で、放電空間の高さHが０.５〜６mmの範囲で設定される。図では、各空間の放電空間の面積を全て同一にした場合を図示しているが、場所によって放電空間の断面積を異なる構成とすることも可能である。
【００３３】
図１(d)は、前面基板１と背面基板２の接合面を水平面で切断して示す水平断面図である。スペーサ４により分割された放電空間８は、隣り合う放電空間との間を連結する溝形状が前面基板１、背面基板２、スペーサ４そして側壁３に設けられておらず、スペーサ４の接合面およびフリットの接合面によって、隣り合う放電セルと構造的に分離された状態となる構造である。
【００３４】
高電圧側の外部電極７aと低電圧側の外部電極７ｂとの間に、周波数１０〜２００kHzの正弦波電圧を連続的または断続的に印加することで、各放電分空間内の水銀及び希ガスを励起して放電を起こさせて紫外線を発生させ、これを蛍光体に照射させることで可視光を発光させ、これを外部に放射させる。
【００３５】
ランプＬからの発光スペクトルを図３に示す。同図（ａ）は可視光領域の発光スペクトルを示し、同図（ｂ）は赤外線領域の発光スペクトルを示す。これらの図において、横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は発光強度(相対値)である。可視光領域は図３(a)に示すように蛍光体と水銀の発光スペクトルが、また、赤外線領域には、図３(b)示すようにアルゴンの発光スペクトルが発生する。
【００３６】
図４は、上記平面型蛍光ランプＬの管壁温度と放射効率の関係を示す図である。同図において横軸は放電容器６の管壁温度、縦軸は放射効率(相対値)である。同図の曲線Ａ，Ｂはそれぞれ、管電力がWLの場合における、Hgスペクトルの放射強度ＩＨｇと、Arスペクトルの放射強度ＩＡｒを求め、それぞれの放射効率ＩＨｇ/WL、ＩＡｒ/WLを算出して、管壁温度との関係をプロットしたものである。曲線Ａで示すように、Hgの放射効率ＩＨｇ/WLは、管壁温度が約６０度で最大値となり、それより、温度が高くても、低くても低下する。一方、アルゴンの放射効率ＩＡｒ/WLは、曲線Ｂで示すように、０℃の低温で高く、周囲温度が高くなると、低下する。この図より、ランプ電力WLとArの放射強度ＩＡｒが求まれば、これより算出した放射効率ＩＡｒ/WLより、相関的に、Hgの放射効率すなわち蛍光体の発光効率と、管壁温度を推定することができる。
【００３７】
図５は上記構成の平面型蛍光ランプを用いた本発明の第１の実施形態である点灯装置のブロック図である。
【００３８】
ランプＬの裏面から約０.１〜１０mm離れた位置に、光検出手段１１が設置される。光検出手段１１は、赤外線センサであり、例えばアルゴンからの８００nm乃至１０００nmの赤外線発光領域を感度にもつものを使用する。なお、光検出手段１１として可視光センサを使用してもよい。
【００３９】
ある瞬間tにおいて、ランプに管電力WL(t)となるように点灯すると、ランプから水銀、蛍光体、アルゴンからの光が放射される。その中で、光検出手段１１は、感度をもつアルゴンの赤外線放射ＩＡｒ(t)の強度を測定し、これを電気信号に変換して、制御回路１２に出力する。
【００４０】
制御回路１２では、光検出手段１１から得られるアルゴンの赤外線の強度のデータＩＡｒ(t)と、管電力WL(t)のデータより、アルゴンの赤外線放射効率をＩＡｒ(t)/WL(t)を算出し、図６(a)に示す相関図よりランプの管壁温度を、図６(b)に示す相関図より、次のステップの時間t+１における管電力WL(t+１)を算出する。ここで、図６は、アルゴンの赤外線放射効率ＩＡｒ(t)/WL(t)と放電容器６の管壁温度の推定値の関係を示すグラフであり、同図（ａ）は現在における推定値を示し、同図（ｂ）は次のステップにおける推定値を示している。各図において、横軸はアルゴンの放射効率（相対値）であり、同図（ａ）の縦軸は管壁温度の推定値（℃）、同図（ｂ）の縦軸は次のステップにおける管壁温度の推定値（相対値）である。
【００４１】
図６(b)の曲線Ａ、Ｂは、制御回路１２において、アルゴンの赤外線放射効率に基づいて次のステップにおける管電力を決定するために用いる制御曲線である。制御回路１２が制御曲線Ａを採用する場合、アルゴンの赤外線放射効率ＩＡｒ(t)/WL(t)が高いほど管壁温度が低いと判断し、投入する電力を高くしてランプの温度上昇を促進させる。そして、図６(ａ)に示されるように、管壁温度の上昇に伴い、アルゴンの赤外線放射効率ＩＡｒ(t)/WL(t)が低くなり、投入電力が効率の最適温度６０℃に達すると、その後は投入電力を一定値に保つ制御を行う。
【００４２】
また、制御回路１２が制御曲線Ｂを採用する場合、管壁温度が電極と放電容器を分離する誘電体層やガラス容器が溶融する限界温度に達するのを防止するため、管壁温度が６０℃以上に相当すると、さらに電力値の減衰率を高くして、限界温度に達しないような制御を行う。
【００４３】
電圧供給回路１３では、図７に示すように、制御回路１２より指示された次のステップ電力値ＷＬ（ｔ＋１）と成るように、単位期間、例えば、１０秒ごとに電力値を更新する。その際、電力値を大きく変化させると、切り替え時に発光のちらつきが生じてしまうため、電力の変化率は１．０％以内にするのが好ましい。
【００４４】
図８乃至図１０は、管電力を変化させる手段を示す図である。図８はランプに印加する電圧の周波数は一定とし、振幅値を変化する方法で、同図（ａ）は振幅が２０００Ｖｒｍｓ、同図（ｂ）は振幅が１８００Ｖｒｍｓ、同図（ｃ）は振幅が１６００Ｖｒｍｓの高周波電圧波形を示している。これら（ａ）〜（ｃ）は、例えば点灯初期の波形、２分後の波形、４分後の波形であり、（ａ）〜（ｂ）、（ｂ）〜（ｃ）の間は光の変動を小さくするために細かく徐々に変化させている。すなわち、電圧供給回路１３の出力電力は順次低減されている。
【００４５】
図９はランプに印加する電圧の振幅は一定とし、周波数を変化する方法で、同図（ａ）は周波数が６０ｋＨｚ、同図（ｂ）は周波数が５０ｋＨｚ、同図（ｃ）は周波数が４０ｋＨｚの高周波電圧波形を示している。これら（ａ）〜（ｃ）は、例えば点灯初期の波形、２分後の波形、４分後の波形であり、（ａ）〜（ｂ）、（ｂ）〜（ｃ）の間は光の変動を小さくするために細かく徐々に変化させている。すなわち、電圧供給回路１３の出力電力は順次低減されている。
【００４６】
図１０はランプに印力する電圧にＯＮ期間とＯＦＦ期間を設けてＯＮ期間の比率を変化する方法をそれぞれ示している。同図（ａ）はデューティ比が１００％、同図（ｂ）はデューティ比がほぼ８０％、同図（ｃ）はデューティ比がほぼ６０％の高周波電圧波形を示している。これら（ａ）〜（ｃ）は、例えば点灯初期の波形、２分後の波形、４分後の波形であり、（ａ）〜（ｂ）、（ｂ）〜（ｃ）の間は光の変動を小さくするために細かく徐々に変化させている。すなわち、電圧供給回路１３の出力電力は順次低減されている。
【００４７】
なお、これらの方法を２つないし３つ組み合わせることもできる。
【００４８】
図１１は本発明の実施形態における電力制御とランプの相対輝度の一例をに示すグラフである。この例では、ランプの点灯初期に大電力を加え、徐々に、管電力値を減少させる制御する方式とすることにより、一定の電力の加える場合に比べて、輝度の立ち上がり時間を短縮することができる。なお、同図において、横軸は点灯時間(分)を示し、縦軸は上半分では管電力(相対値) を、下半分では相対輝度（％）をそれぞれ示している。また、同図においては、曲線Ａが本発明の実施形態の場合を、曲線Ｂは本発明を適用しない場合をそれぞれ示している。
【００４９】
本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で種々変形して実施可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明の一実施形態に使用する平面型蛍光ランプの構造を示す図。
【図２】図１に示すランプの一部の断面形状を示す部分断面図。
【図３】図１に示すランプの発光波長と発光強度の関係を示す図。
【図４】図１に示すランプの管壁温度と放射効率の関係を示す図。
【図５】本発明の一実施形態を示す放電ランプ点灯装置のブロック図。
【図６】図５に示す放電ランプ点灯装置における制御方法の具体例を説明する図。
【図７】同じく図５に示す放電ランプ点灯装置における管電力の制御タイミングの一例を示す図。
【図８】同じく図５に示す放電ランプ点灯装置における電圧制御の具体例を示す図。
【図９】同じく図５に示す放電ランプ点灯装置における周波数制御の具体例を示す図。
【図１０】同じく図５に示す放電ランプ点灯装置におけるＰＭＷ制御の具体例を示す図。
【図１１】同じく図５に示す放電ランプ点灯装置による放電ランプの動作状態を示す図。
【符号の説明】
【００５１】
１…前面基板
２…背面基板
３…側壁
４…スペーサ
５…フリットガラス
６…放電容器
７ａ、７b…外部電極
８…放電空間
９…蛍光体層
１１…光検出手段
１２…制御回路
１３…電圧供給回路
【図１】
2008130246.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
2008130246.tif 000006
【図５】
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【図６】
2008130246.tif 000008
【図７】
2008130246.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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