(57)【要約】【課題】高い発光効率及び，アドレス放電電圧の低減化を有するＰＤＰを提供する。【解決手段】行電極対（Ｘ１，Ｙ１）を構成する一対の行電極Ｘ１，Ｙ１のそれぞれの放電ギャップｇ１を介してサステイン放電を行う透明電極Ｘ１ａ，Ｙ１ａの少なくとも一方の列方向の幅が１５０μｍ以下に設定され，放電空間内に封入される放電ガス中のキセノン分圧が，６．６７ｋＰａ以上に設定されている。さらに，前記列電極と対向する，前記行電極対の各対の一方の行電極であって，スキャンパルスが印加されるスキャン電極の幅が，放電維持電圧が印加される前記対の他方の行電極の幅よりも大きい。【選択図】図２
2008027608.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放電空間を挟んで対向する一対の基板と，前記一対の基板のうちの一方の基板側に配置されて行方向に延び列方向に並設されているとともに，それぞれ放電ギャップを介して互いに対向する対になった行電極によって形成された複数の行電極対と，前記一方の基板側に形成された前記行電極対を被覆する誘電体層と，前記一対の基板の他方の基板側に配置されて列方向に延び行方向に並設された複数の列電極を備え，前記列電極と行電極対が交差するそれぞれの部分に放電空間を有して，単位発光領域が形成され，前記放電空間内にキセノンを含む放電ガスが封入されているプラズマディスプレイパネルにおいて，
前記行電極対を構成する一対の行電極の少なくとも一つの電極の列方向の幅が，１５０μｍ以下に設定され，
前記放電ガス中のキセノンの分圧が，６．６７ｋＰａ以上に設定され，更に
前記列電極と対向する，前記複数の行電極対の各対の一方の行電極であって，スキャンパルスが印加される行電極の幅が，前記対の他方の行電極の幅よりも大きい
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項２】
請求項１において，
前記行電極対を構成する各行電極が，それぞれ列方向において所要の幅を有し放電ギャップを介して対になっている他方の行電極側と互いに対向する透明電極と，この透明電極よりも小さい列方向の幅を有し行方向に帯状に延びるとともに透明電極に電気的に接続された金属性のバス電極とを備えている，
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項３】
請求項１又は２において，
前記一対の基板の間に，行方向に平行に延びる複数の横壁部と列方向に平行に延びる複数の縦壁部とによって略格子形状に成形された隔壁が形成されて，この隔壁によって放電空間が単位発光領域毎に区画され，
前記行電極が隔壁によって区画された単位発光領域に対向する位置にそれぞれ配置されている，
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項４】
放電空間を挟んで対向する一対の基板と，この一対の基板のうちの一方の基板側に配置されて行方向に延び列方向に並設されているとともに，それぞれ放電ギャップを介して互いに対向する対になった行電極によって構成される複数の行電極対と，一方の基板側に形成されて行電極対を被覆する誘電体層と，他方の基板側に配置されて列方向に延び行方向に並設された複数の列電極とを備え，この列電極と行電極対が交差する部分の放電空間にそれぞれ単位発光領域が形成され，放電空間内にキセノンを含む放電ガスが封入されているプラズマディスプレイパネルにおいて，
前記誘電体層は，薄膜の部分と，前記薄膜の部分よりも厚さが大の厚膜の部分からなり，前記誘電体層の薄膜の部分が，前記対となった行電極の少なくとも一方の行電極上の１５０μｍ以下の列方向の幅領域に形成され，前記対となった行電極の他方の行電極上には前記１５０μｍ以下に設定された薄膜の列方向幅よりも大きな列方向幅を持つ薄膜が形成され,
前記放電ガス中のキセノンの分圧が，６．６７ｋＰａ以上に設定されている，
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項５】
請求項４において，
前記誘電体層の厚膜の部分の厚さが，誘電体層の薄膜の部分の厚さの２倍以上に設定されていることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項６】
請求項４又は５において，
前記誘電体層の薄膜の部分が，行方向に延びる帯状に形成されていることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項７】
請求項４又は５において，
前記誘電体層の薄膜の部分が，各単位発光領域毎に島状に形成され，厚膜の部分が，この薄膜の部分を囲む略格子形状に成形されていることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項８】
請求項４又は５において，
前記一対の基板の間に，行方向に平行に延びる複数の横壁部と列方向に平行に延びる複数の縦壁部とによって略格子形状に成形された隔壁が形成されて，この隔壁によって放電空間が単位発光領域毎に区画され，
前記行電極が隔壁によって区画された単位発光領域に対向する位置にそれぞれ配置されていることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項９】
放電空間を挟んで対向する一対の基板と，この一対の基板のうちの一方の基板側に配置されて行方向に延び列方向に並設されているとともに，それぞれ放電ギャップを介して互いに対向する対になった行電極によって構成される複数の行電極対と，一方の基板側に形成されて行電極対を被覆する誘電体層と，他方の基板側に配置されて列方向に延び行方向に並設された複数の列電極とを備え，この列電極と行電極対が交差する部分の放電空間にそれぞれ単位発光領域が形成され，放電空間内にキセノンを含む放電ガスが封入されているプラズマディスプレイパネルにおいて，
前記対となった行電極の少なくとも一方の行電極を被覆する誘電体上に，列方向幅が１５０μｍ以下である高γ材料によって二次電子放出層が形成され，かつ前記対となった行電極の他方の行電極を被覆する誘電体層上に前記１５０μｍ以下に設定された高γ材料の列方向幅よりも大きな列方向幅を持つ高γ材料によって二次電子放出層が形成され，
前記放電ガス中のキセノンの分圧が，６．６７ｋｐａ以上に設定されている，
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は，プラズマディスプレイパネルの構成に関する。特に，アドレス放電電圧の低圧化を可能とし，更に電圧のバラツキを防止できるプラズマディスプレイパネルの構成に関する。
【背景技術】
【０００２】
面放電方式交流型プラズマディスプレイパネル（以下，ＰＤＰという）は，一般的に，対向する二枚のガラス基板間に放電ガスを封入し，放電空間を形成している。前記二枚のガラス基板の一方のガラス基板側（以下，前面板という）に，行方向に延びるとともに列方向に並設された複数の行電極対が配置され，更に前記複数の行電極対が，誘電体層によって被覆されている。
【０００３】
前記二枚のガラス基板の他方のガラス基板側（以下，背面板という）には，列方向に延びるとともに行方向に並設された複数の列電極が配置されている。そして，前記放電空間の行電極対と列電極がそれぞれ交差する部分に対面する領域に，赤，緑，青の蛍光体層を備えた放電セルが形成され，この放電セルがパネル面にマトリクス状に配置された構成を備えている。
【０００４】
前記二枚のガラス基板間に封入される放電ガスとして，例えば，体積比１〜１０パーセントのキセノンを含む放電ガスが使用される。
【０００５】
上記の構造のＰＤＰは，行電極対を構成する対になっている行電極のうちの一方の行電極と列電極との間で選択的にアドレス放電が発生されて，発光セル（対向する部分の誘電体層に壁電荷が形成されている放電セル）と非発光セル（対向する部分の誘電体層の壁電荷が消去されている放電セル）の選択が行われる。これにより，発光セルと非発光セルが映像信号の画像データに対応してパネル面に分布される。
【０００６】
さらに，各行電極対の互いに対になっている行電極に交互にサステイン・パルスが印加されると，発光セル内において維持（サステイン）放電が発生され，このサステイン放電によって放電空間内の放電ガス中のキセノンから真空紫外線が発生する。発生した真空紫外線によって各発光セル内の赤，緑，青の蛍光体層が励起されて可視光が発生されることにより，パネル面にマトリクス表示による前記画像データに対応した画像が形成される。
【０００７】
ここで，上記のような構成のＰＤＰにおいて，行電極の寸法は，従来は以下のように設定されている。
【０００８】
すなわち，図１は，従来のＰＤＰの行電極対のうち一個の放電セルＣに対向している部分の平面構成を示しており，この図１において，行電極対（Ｘ，Ｙ）を構成する行電極ＸとＹは，それぞれ，互いに行方向に平行に延びるとともに列方向において放電ギャップｇを介して対向される帯状の透明電極Ｘａ，Ｙａと，この透明電極Ｘａ，Ｙａに電気的に接して配置され，行方向に延びる帯状のバス電極Ｘｂ，Ｙｂとによって構成されている。
【０００９】
図１において，Ｄは列電極である。
【００１０】
かかる従来のＰＤＰの各行電極Ｘ，Ｙの列方向の幅ｗは，一般的に４００〜１０００μｍの値に設定されている（例えば，特許文献１参照）。
【００１１】
そして，この従来のＰＤＰにおいて，行電極の列方向の幅が上記のように設定されているのは，以下のような理由による。
【００１２】
すなわち，ＰＤＰにおいては，サステイン放電によって放電ガス中のキセノンから発生する真空紫外線のうちその主成分である波長１４７ｎｍの共鳴線によって，蛍光体層が励起されて可視光が発生されるが，この共鳴線は，放電ガス中を蛍光体層に向かって進んでゆく過程で，放電ガス中のキセノン原子と衝突し，このキセノン原子との間で吸収と放射が繰り返されることによって減衰してしまう。
【００１３】
このため，含まれているキセノンの体積比が１〜１０パーセントであるような低キセノン分圧の放電ガスが封入されているＰＤＰにおいては，サステイン放電時に蛍光体層に到達する共鳴線の量が少なくなり，所要の輝度を得ることが出来なくなる場合がある。
【００１４】
このため，従来のＰＤＰでは，上記図１に示したように，各行電極Ｘ，Ｙの列方向の幅ｗを広く設定することによって，放電セルＣ内の広い領域でサステイン放電が発生されるようにし，このサステイン放電によって発生する真空紫外線の量（すなわち，共鳴線の量）を増加させて，蛍光体層に到達する共鳴線の量が所定値以上になるようにすることによって，所定値以上の輝度が確保されるようになっている。
【００１５】
しかしながら，上記従来のＰＤＰの構成では，高輝度の画面を形成するために必要な高い発光効率を得ることが出来ないという問題点を有していた。
【００１６】
かかる問題点に対し，種々思考，及び実験の結果，本発明者等は好ましい態様を見いだし，先の出願（特願２００５―２４１２７４号）において提案している。
【００１７】
かかる先の出願（以下，単に先願という）に示した態様の特徴は，行電極対を構成する一対の行電極のそれぞれの放電ギャップを介して行われる放電に関与する部分の列方向の幅が１５０μｍ以下に設定されているとともに，前面ガラス基板と背面ガラス基板の間の放電空間内に，キセノンの分圧が６．６７ｋＰａ以上に設定された放電ガスが封入されていることにある。
【００１８】
しかし，本発明者等の更なる検討において，かかる先願により提示した特徴構造によって所定値以上の輝度は確保されるものの，アドレス放電電圧が高くなってしまう，更にパネル構造における精度誤差により，アドレス放電電圧がばらつくという現象が見られるようになった。
【特許文献１】特開平８−２２７７２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１９】
したがって，本発明の目的は，かかる先願により示される特徴構造において，アドレス放電電圧が高くなり，また，パネル構造における誤差によるアドレス放電電圧がばらつくことを解消し得るプラズマディスプレイパネルを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
上記目的を達成する本発明に従うプラズマディスプレイパネルの第１の側面は，放電空間を挟んで対向する一対の基板と，前記一対の基板のうちの一方の基板側に配置されて行方向に延び列方向に並設されているとともに，それぞれ放電ギャップを介して互いに対向する対になった行電極によって形成された複数の行電極対と，前記一方の基板側に形成された前記行電極対を被覆する誘電体層と，前記一対の基板の他方の基板側に配置されて列方向に延び行方向に並設された複数の列電極を備え，前記列電極と行電極対が交差するそれぞれの部分に放電空間を有して，単位発光領域が形成され，前記放電空間内にキセノンを含む放電ガスが封入されているプラズマディスプレイパネルにおいて，前記行電極対を構成する一対の行電極の少なくとも一つの電極の列方向の幅が，１５０μｍ以下に設定され，前記放電ガス中のキセノンの分圧が，６．６７ｋＰａ以上に設定され，更に前記列電極と対向する，前記複数の行電極対の各対の一方の行電極であって，スキャンパルスが印加される行電極の幅が，前記対の他方の行電極の幅よりも大きいことを特徴とする。
【００２１】
前記第１の側面において，前記行電極対を構成する各行電極が，それぞれ列方向において所要の幅を有し放電ギャップを介して対になっている他方の行電極側と互いに対向する透明電極と，この透明電極よりも小さい列方向の幅を有し行方向に帯状に延びるとともに透明電極に電気的に接続された金属性のバス電極とを備えるように構成できる。
【００２２】
また，前記第１の側面において，さらに，前記一対の基板の間に，行方向に平行に延びる複数の横壁部と列方向に平行に延びる複数の縦壁部とによって略格子形状に成形された隔壁が形成されて，この隔壁によって放電空間が単位発光領域毎に区画され，前記行電極が隔壁によって区画された単位発光領域に対向する位置にそれぞれ配置されているように構成できる。
【００２３】
上記目的を達成する本発明に従うプラズマディスプレイパネルの第２の側面は，放電空間を挟んで対向する一対の基板と，この一対の基板のうちの一方の基板側に配置されて行方向に延び列方向に並設されているとともに，それぞれ放電ギャップを介して互いに対向する対になった行電極によって構成される複数の行電極対と，一方の基板側に形成されて行電極対を被覆する誘電体層と，他方の基板側に配置されて列方向に延び行方向に並設された複数の列電極とを備え，この列電極と行電極対が交差する部分の放電空間にそれぞれ単位発光領域が形成され，放電空間内にキセノンを含む放電ガスが封入されているプラズマディスプレイパネルにおいて，前記誘電体層は，薄膜の部分と，この薄膜の部分よりも厚さが大の厚膜の部分からなり，この誘電体層の薄膜の部分は，前記対となった行電極の，少なくとも一方の行電極上の放電ギャップ側の先端部分の列方向の幅１５０μｍ以下の部分を被覆する誘電体層であり，前記対となった行電極の他方の行電極上には前記１５０μｍ以下に設定された薄膜の列方向幅よりも大きな列方向幅を持つ薄膜が形成され，前記放電ガス中のキセノンの分圧が，６．６７ｋＰａ以上に設定されていることを特徴とする。
【００２４】
前記第２の側面において，前記誘電体層の厚膜の部分の厚さが，誘電体層の薄膜の部分の厚さの２倍以上に設定されているように構成できる。
【００２５】
また，前記第２の側面において，前記誘電体層の薄膜の部分が，行方向に延びる帯状に形成されているように構成できる。
【００２６】
さらに，前記第２の側面において，特徴として前記誘電体層の薄膜の部分が，各単位発光領域毎に島状に形成され，厚膜の部分が，この薄膜の部分を囲む略格子形状に成形してもよい。
【００２７】
さらに，また，前記第２の側面において，前記一対の基板の間に，行方向に平行に延びる複数の横壁部と列方向に平行に延びる複数の縦壁部とによって略格子形状に成形された隔壁が形成されて，この隔壁によって放電空間が単位発光領域毎に区画され，
前記行電極が隔壁によって区画された単位発光領域に対向する位置にそれぞれ配置されるようにしてもよい。
【００２８】
上記目的を達成する本発明に従うプラズマディスプレイパネルの第３の側面は，放電空間を挟んで対向する一対の基板と，この一対の基板のうちの一方の基板側に配置されて行方向に延び列方向に並設されているとともに，それぞれ放電ギャップを介して互いに対向する対になった行電極によって構成される複数の行電極対と，一方の基板側に形成されて行電極対を被覆する誘電体層と，他方の基板側に配置されて列方向に延び行方向に並設された複数の列電極とを備え，この列電極と行電極対が交差する部分の放電空間にそれぞれ単位発光領域が形成され，放電空間内にキセノンを含む放電ガスが封入されているプラズマディスプレイパネルにおいて，前記対となった行電極の，少なくとも一つの行電極を被覆する誘電体層上の放電ギャップ側の先端部分に列方向幅１５０μｍ以下の高γ材料によって二次電子放出層が形成され，前記対となった他方の行電極を被覆する誘電体上には前記１５０μｍ以下に設定された高γ材料の列方向幅よりも大きな列方向幅を持つ高γ材料によって二次電子放出層が形成され，前記放電ガス中のキセノンの分圧が，６．６７ｋｐａ以上に設定され，ことを特徴とする。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
以下に図面に従い本発明の実施の形態例を説明する。なお，実施の形態例は，本発明の理解のためのものであり，本発明の技術的範囲がこれに限定されるものではない。
【００３０】
本発明によるＰＤＰは，第１の実施の形態として行電極対の少なくとも一つの電極の列方向の幅が１５０μｍ以下に設定されているとともに，スキャンパルスが印加される行電極の幅が，前記対の他方の行電極の幅よりも大きく，前面ガラス基板と背面ガラス基板の間の放電空間内に，キセノンの分圧が６．６７ｋＰａ以上に設定された放電ガスが封入されている構成をその最良の実施形態としている。
【００３１】
先願では，図１に示したように一対の行電極Ｘ，Ｙの列方向の幅をそれぞれ１５０μｍ以下に設定し，放電ガスセルＣ中のキセノンの分圧を６．６７ｋＰａ以上に設定することにより，高い発光効率を得ることが実現できた。
【００３２】
しかし，一方，本願発明者等は，かかる構成においてアドレス放電電圧が従来より高くなり，また構造のばらつきにより電圧のばらつきにも影響を与えることを経験した。
【００３３】
したがって，かかる問題を更に解決するべく，検討した結果，図２に示すように，行電極Ｘ１，Ｙ１の少なくとも一方をスキャン電極としてスキャンパルスが印加される行電極（Ｙ１とする）の電極幅を，他方の行電極（Ｘ１）の電極幅よりも大きく設定することにより解決されることを見いだした。
【００３４】
本発明では行電極を構成する一対の行電極のうち少なくとも一つの電極の列方向の幅を１５０μｍ以下に設定している。これにより，放電空間の単位発光領域内において行電極間で発生される放電が拡がる奥行きが従来のＰＤＰに比べて狭くなり，この放電の成長領域が，初期グロー放電の発生領域と重なる放電ギャップの近傍の狭い領域に制限される。
【００３５】
これによって，放電ガス中のキセノンからの真空紫外線の生成が，従来のＰＤＰと比べて非常に高い効率で行われるようになる。
【００３６】
そして，放電ガス中のキセノン分圧が６．６７ｋＰａ以上に設定されていることによって，放電ガス中のキセノンから発生する真空紫外線のうち，主として波長１７２ｎｍの分子線によって蛍光体層の励起が行われ，この分子線が共鳴線のように放電ガス中を進んで行く過程でほとんど減衰することがない。
【００３７】
これにより，行電極間で発生される放電が放電ギャップの近傍の範囲に局在化される場合であっても，真空紫外線が蛍光体層に十分に到達するようになるので，従来のＰＤＰと比べて真空紫外線の生成が高い効率で行われるという特性がそのまま生かされて，高い発光効率を得ることが出来るようになる。
【００３８】
なお，放電の性質は行電極対の狭い方の列方向の幅によって決まるため，行電極対の少なくとも一つの電極の列方向の幅（図２において，Ｘ１）が１５０μｍ以下に設定されているだけでこの効果が得られる。なお，行電極幅の下限値は，製造上の観点から３０μｍ以上が好ましい。
【００３９】
図２および図３は，上記の通り，本発明に従うＰＤＰの実施形態例を示し，図２は，実施形態例のＰＤＰの一部を模式的に示す正面図，図３は図２のＶ１−Ｖ１線における断面図である。
【００４０】
この図２および図３において，ＰＤＰ１０は，表示面である前面ガラス基板１１の背面に，行方向（図２の左右方向）に延びる複数の行電極対（Ｘ１，Ｙ１）が，列方向（図２の上下方向）に所要の間隔を開けて等間隔に並設されている。
【００４１】
この行電極対（Ｘ１，Ｙ１）を構成する一方の行電極Ｘ１は，前面ガラス基板１１の背面にＩＴＯ等の透明導電膜によって行方向に帯状に延びるように形成された透明電極Ｘ１ａと，この透明電極Ｘ１ａの背面において，金属膜によって形成されて列方向の幅が透明電極Ｘ１ａの列方向の幅よりも小さい帯状の行方向に延びるバス電極Ｘ１ｂとによって構成されている。
【００４２】
行電極対（Ｘ１，Ｙ１）を構成する他方の行電極Ｙ１も，行電極Ｘ１と同様に，前面ガラス基板１１の背面にＩＴＯ等の透明導電膜によって行方向に帯状に延びるように形成されて，行電極Ｘ１の透明電極Ｘ１ａと所要の間隔ｇ１を開けて平行に延びるように配置された透明電極Ｙ１ａと，この透明電極Ｙ１ａの背面において，金属膜によって形成されて列方向の幅が透明電極Ｙ１ａの列方向の幅よりも小さい帯状の行方向に延びるバス電極Ｙ１ｂとによって構成されている。
【００４３】
ここで，本発明の特徴は，行電極対（Ｘ１，Ｙ１）の一方の電極Ｙ１の列方向の幅Ｗy1が，他方の電極Ｘ１の列方向の幅Ｗx1よりも大きく設定されていることである。但し，Ｗx1は，１５０μｍ以下であることは先に説明したとおりである。
【００４４】
さらに，行電極Ｘ１とＹ１は，前面ガラス基板１１の列方向に沿って交互に配列されている。行電極対（Ｘ１，Ｙ１）において，対になっている行電極Ｘ１とＹ１の互いに対向している透明電極Ｘ１ａとＹ１ａの間の所要の幅の間隔が，それぞれ，放電ギャップｇ１を構成している。
【００４５】
前面ガラス基板１１の背面には，さらに，誘電体層１２が形成されて，この誘電体層１２によって行電極対（Ｘ１，Ｙ１）が被覆されている。
【００４６】
さらに，この誘電体層１２全体を覆う様に，酸化マグネシウム（ＭｇＯ）等の高γ材料からなる図示しない二次電子放出層が形成されている。
【００４７】
この前面ガラス基板１１に対して，背面ガラス基板１３が，放電空間を介して平行に対向されている。
【００４８】
そして，この背面ガラス基板１３の前面ガラス基板１１と対向する側の面上に，列方向に帯状に延びる複数の列電極Ｄ１が，行方向に所要の間隔を開けて等間隔に形成されている。
【００４９】
背面ガラス基板１３の面上には，さらに，列電極保護層（誘電体層）１４が形成さ
れて，この列電極保護層１４によって列電極Ｄ１が被覆されている。
【００５０】
この列電極保護層１４上には，以下のような形状を有する隔壁１５が形成されている。
【００５１】
すなわち，この隔壁１５は，列方向において互いに隣接する行電極対（Ｘ１，Ｙ１）の間の中間位置に対向する位置においてそれぞれ行方向に延びる複数の横壁１５Ａと，列方向に延びるとともに行方向に所要の間隔を開けて等間隔に並設された複数の縦壁１５Ｂとによって，略格子形状に成形されている。
【００５２】
この隔壁１５によって，前面ガラス基板１１と背面ガラス基板１３の間の放電空間がそれぞれ略方形形状に区画されることにより，パネル面にマトリクス状に配置された複数の放電セルＣ１が形成されている。
【００５３】
そして，この各放電セルＣ１の中央部分に，それぞれ，行電極対（Ｘ１，Ｙ１）が対向されている。
【００５４】
各放電セルＣ１において，この放電セルＣ１内の放電空間に面する隔壁１５の横壁１５Ａおよび縦壁１５Ｂの四つの側面と列電極保護層１４の表面には，これらの五つの面を全て覆うように蛍光体層１６が形成されており，この蛍光体層１６の色が各放電セルＣ１毎に三原色の赤，緑，青に色分けされて，この三原色が行方向に順に並ぶように配列されている。
【００５５】
放電空間内には，キセノンを含む放電ガスが封入されている。すなわち，先願と同様に，放電空間内に封入される放電ガス中のキセノン分圧が，６．６７ｋＰａ（５０ｔｏｒｒ）以上に設定されている。
【００５６】
このＰＤＰ１０は，各行電極対（Ｘ１，Ｙ１）の行電極Ｙ１に順次スキャンパルスが印加され，これと同時に，列電極Ｄ１に選択的にデータパルスが印加される。このとき，スキャンパルスが印加された行電極Ｙ１とデータパルスが印加された列電極Ｄ１が交差している部分に形成されている放電セルＣ１内において，行電極Ｙ１と列電極Ｄ１との間でアドレス放電が発生される。
【００５７】
このアドレス放電によって形成される発光セル（対向している部分の誘電体層１２に壁電荷が形成されている放電セルＣ１）と非発光セル（対向している部分の誘電体層１２の壁電荷が消去されている放電セルＣ１）とが，映像信号の画像データに対応してパネル面に分布される。
【００５８】
この後，各行電極対（Ｘ１，Ｙ１）のそれぞれ対になっている行電極Ｘ１とＹ１に交互にサステインパルスが印加されて，発光セル内において，透明電極Ｘ１ａとＹ１ａの間で放電ギャップｇ１を介してサステイン放電が発生される。
【００５９】
そして，発光セル内において，このサステイン放電によって，放電空間内に封入されている放電ガス中のキセノンから真空紫外線が発生され，この真空紫外線によって発光セル内の赤，緑，青の蛍光体層１６が励起されて可視光が発生されることにより，パネル面にマトリクス表示による画像が形成される。
【００６０】
図４Ａ，図４Ｂは，先願と本発明を模式的に示す断面図である。図４Ａは，行電極Ｘ１，Ｙ１の電極幅Ｗx1，Ｗy1が等しい場合を示す図である。このとき，本発明の上記発光輝度を高めるために行電極の電極幅を小さくしたことにより，アドレス電極Ｄ１と，スキャン電極Ｙ１との交点にかかる電圧により放電を開始するアドレス放電電圧が大きくなる。
【００６１】
これに対し，本発明では，図４Ｂに示すように，更なる特徴として列電極Ｄ１との間でスキャンパルスが印加される行電極Ｙ１の電極幅Ｗy1を，他方の行電極Ｘ１の電極幅Ｗx1よりも大きくする。これにより，アドレス放電電圧が低減できる。また，構造におけるばらつきによる影響を受け難くなる。この時，放電の性質は維持され，高い発光効率の放電を行うことが出来る。
【００６２】
図５は，スキャンパルスが印加される行電極Ｙ１の電極幅に対するアドレス放電電圧の依存性を測定したグラフである。
測定に用いたパネルのセルサイズは７００μｍ×３１０ μｍで開口サイズ６４０μｍ×２５０ μｍである。このパネルの縦２０セル×横１９２セル、合計３８４０セルを用いて測定した。
【００６３】
ここで，アドレス放電電圧を徐々に上げて行った場合に全てのセル（３８４０番目のセル）が点灯したときのアドレス放電電圧をＶaminとする。そして，行電極Ｘ１の電極幅を１００（＜１５０）μｍとして，行電極Ｙ１の電極幅を大きくしていった時のＶaminを求めた。
【００６４】
その結果，行電極Ｘ１の電極幅を行電極Ｙ１の電極幅より大きくしていくとＶaminの値が小さくなることが確認された。
【００６５】
なお，図５で，ＳＴＤは，行電極Ｘ１の電極幅と行電極Ｙ１の電極幅の大きさをともに２５０μｍとしたときのＶaminであり，およそ２０Ｖである。また，図５の測定対象としたＰＤＰは，キセノン圧１３．３４ｋＰａ，ネオン圧５３．３６ｋＰａである。
【００６６】
行電極Ｘ１の電極幅と行電極Ｙ１の電極幅の大きさがともに２５０μｍである時は，Ｖaminがおよそ２０Ｖである。したがって，行電極Ｙ１の電極幅を行電極Ｘ１の電極に対して大きくすることで，これにほぼ等しくなり，先に説明したように，一対の行電極の幅をそれぞれ１５０μｍ以下に設定したことによりアドレス放電電圧が増加するという問題も解消されることが理解できる。
【００６７】
先願では一対の行電極の幅をそれぞれ１５０μｍ以下に設定することで高い発光効率の放電を維持していたが，本発明では，一対の行電極の少なくとも一つの電極の列方向の幅が１５０μｍ以下であれば，高い発光効率の放電を維持できることを見いだした。
【００６８】
先の図４Ａでは，各行電極Ｘ１の列方向の幅Ｗｘ１，透明電極Ｙ１の列方向の列方向の幅Ｗｙ１がそれぞれ１５０μｍ以下に設定され，放電空間内の放電ガス中のキセノン分圧が６．６７ｋＰａ（５０ｔｏｒｒ）以上に設定されていることによって，高い発光効率を得ることが出来るようになっていた。
【００６９】
すなわち，図６は，Ｗｘ１とＷｙ１が等しい場合のＰＤＰにおける行電極の列方向の幅（以下，電極幅と略称する）と発光効率との関係を示している。
【００７０】
なお，この図６は，放電セルのサイズが７００（μｍ）×３１０（μｍ），開口部サイズが６４０（μｍ）×２５０（μｍ）の場合の測定結果を示している。
【００７１】
この図６において，キセノン分圧が６．６７ｋＰａ（５０ｔｏｒｒ）未満の場合（図４においては，キセノン分圧が２．６７ｋＰａ（２０ｔｏｒｒ）の場合が示されている）には，電極幅が小さくなるほど発光効率が低下している。
【００７２】
そして，キセノン分圧が６．６７ｋＰａ（５０ｔｏｒｒ）以上になると，電極幅が小さくなるにしたがって，発光効率が上昇し，キセノン分圧が大きくなるほど（図６においては，キセノン分圧が１３．３３ｋＰａ（１００ｔｏｒｒ）の場合が示されている），発光効率の上昇が顕著になる。
【００７３】
ＰＤＰにおいて要求される発光効率としては，２．０（ｌｍ／Ｗ）以上の値が有用な値となる。
【００７４】
したがって，この図６に示す測定値から，ＰＤＰ１０において，放電ガス中のキセノン分圧が６．６７ｋＰａ（５０ｔｏｒｒ）以上に設定されている状態で，行電極Ｘ１，Ｙ１の電極幅Ｗｘ１およびＷｙ１がそれぞれ１５０μｍ以下であれば，２．０（ｌｍ／Ｗ）以上の発光効率を得ることが出来ることが分かる。
【００７５】
このような高い発光効率の放電は電極幅Ｗｘ１およびＷｙ１のそれぞれを小さくしていった場合だけでなく，電極幅Ｗｘ１およびＷｙ１の少なくとも一つだけ小さくする事でも得られることがわかった。すなわち，図７に片側の電極幅に対する発光効率の依存性を測定したデータを示す。図６の測定対象としたＰＤＰと同じ条件で測定している。
【００７６】
これより片側の電極幅だけが小さくなった場合でも，放電空間の単位発光領域内において行電極間で発生される放電が拡がる奥行きが従来のＰＤＰに比べて狭くなり，初期グロー放電の発生領域と重なる放電ギャップの近傍の狭い領域に制限され，高い発光効率は保持されることがわかる。
【００７７】
これら図５，図７の測定結果から，行電極Ｙ１の電極幅を増すと，アドレス放電電圧は，大幅に低下することが理解できる（図５参照）。これに対し，行電極Ｙ１の電極幅を変化しても，発光効率は変わらない（図７参照）。
【００７８】
上記において，実施の形態例として，先願（特願２００５―２４１２７４号）に示された第１の実施例に対応して，行電極Ｙ１の電極幅の大きさを，行電極Ｘ１の電極幅より大きくする実施例構成について示した。
【００７９】
しかし，本発明の適用は，かかる場合に限定されず，先願において示された他の実施例においても，適用が可能であることは，容易に理解できる。
【００８０】
すなわち，行電極対を構成する一対の行電極Ｘ１，Ｙ１のそれぞれの放電ギャップを介して行われる放電に関与する部分の少なくとも一方の列方向の幅を１５０μｍ以下に設定する構成として，上記図２に示したように，各行電極の列方向の幅を１５０μｍ以下において，行電極Ｙ１の幅を行電極Ｘ１の幅よりも大きく設定するという構成の他に次のような等価な態様とすることが可能である。
【００８１】
その第１は，図８Ａ，図８Ｂに説明される態様である。図８Ａは，行電極Ｙ１の幅を行電極Ｘ１の幅よりも大きく設定する先願に従う原理に基づく他の構成を示す図である。
【００８２】
行電極Ｘ１，Ｙ１の電極幅は等しく（Ｗｙ１＝Ｗｘ１），従来のＰＤＰにおける幅（４００μｍ〜１０００μｍ）とされているが，行電極Ｘ１，Ｙ１を覆う誘電体厚膜部の厚みＴが，行電極Ｘ１，Ｙ１それぞれの電極幅の少なくとも１５０μｍ以下の幅領域Ｗｓの厚みＴａが，誘電体厚膜部１２の他の領域厚みＴより薄く形成されている。これにより，行電極Ｘ１，Ｙ１の電極幅は等しく等価的に１５０μｍ以下とされる。
【００８３】
これに対し，図８Ｂは，図８Ａの構成と対比される本願発明に従う構成例を示す図である。  
【００８４】
図８Ｂに示される構成は，図８Ａに示す先願構成と同様に，各行電極Ｘ１，Ｙ１の列方向の幅は従来のＰＤＰにおける幅（４００μｍ〜１０００μｍ）でよい。特徴として，行電極Ｘ１，Ｙ１対を被覆する誘電体層１２について，スキャンパルスが印加される行電極Ｙ１の幅全体及び，サステイン行電極Ｘ１の電極幅の少なくとも１５０μｍ以下の幅領域Ｗｓを被覆する誘電体層１２の厚さＴａを薄くし，他の部分の誘電体層１２の厚さを壁電荷が形成されないような２倍以上の厚さＴとする構成である。
【００８５】
かかる構成により，実質的な行電極の列方向の幅を設定できる。この場合，誘電体層１２の厚さを薄くする部分の領域幅は，行電極Ｙ１に対して，行電極Ｘ１よりも大きくなる。
【００８６】
さらに，別の態様として，図９Ａ，図９Ｂに説明される態様が可能である。図９Ａは，行電極Ｙ１の幅を行電極Ｘ１の幅よりも大きく設定する先願に従う原理に基づく別の構成を示す図である。
【００８７】
図９Ａにおいて，行電極Ｘ１，Ｙ１の電極幅は等しく（Ｗｙ１＝Ｗｘ１），従来のＰＤＰにおける幅（４００μｍ〜１０００μｍ）としてよい。一方，図８Ａの構成と対比すると，行電極Ｘ１，Ｙ１のそれぞれの先端部分を被覆している誘電体層１２の厚さを薄くする代わりに，電極対である行電極Ｘ１，Ｙ１を被覆する誘電体層１２上に，行電極Ｘ１，Ｙ１の先端部分のみに対応して，高γ材料によって二次電子放出層γ１，γ２を形成する。図９Ａに示す先願の構成では，二次電子放出層γ１，γ２のそれぞれの先端部分の幅Ｗｓを１５０μｍ以下としている。
【００８８】
これに対し，図９Ｂは，図９Ａの構成と対比される本願発明に従う構成例を示す図である。  
【００８９】
図９Ｂに示される構成は，図９Ａに示す先願構成と同様に，各行電極の列方向の幅を従来のＰＤＰにおける幅（４００μｍ〜１０００μｍ）としてよい。さらに，スキャンパルスが印加されるスキャン行電極Ｙ１，及びサステインパルスが印加される行電極Ｘ１を被覆する誘電体層１２上に形成される高γ材料の二次電子放出層γ１，γ２の領域を，行電極Ｘ１の先端部分（１５０μｍ以下）のみに対応する領域幅Ｗｓと，行電極Ｙ１に対応する領域幅に対応する大きさとする。
【００９０】
すなわち，図９Ｂに示す例では，スキャン行電極Ｙ１に対応する二次電子放出層γ２の幅が，サステイン行電極Ｘ１に対応する二次電子放出層γ２の幅Ｗｓよりも大きい領域となるように形成されている。
【００９１】
このように，サステイン放電を維持できる領域を制限することにより，実質的な行電極の列方向の幅を設定できる。かかる場合も二次電子放出層を形成する部分の大きさは，行電極Ｙ１に対して，行電極Ｘ１よりも大きくなる。
【００９２】
また，上記実施の形態例の説明でバス電極Ｘ１ｂ，Ｙ１ｂを透明電極Ｘ１ａ，Ｙ１ａの上に電気的接触を持って配置する構成を示したが，バス電極の構成は，かかる実施の形態例構成に限定されず，他の種々の構成によっても本発明の適用及び効果は妨げられるものではない。
【００９３】
上記の通り，行電極対を構成する一対の行電極の構成部分のうち，少なくとも一方の電極の列方向の幅が，従来のＰＤＰにおける４００〜１０００μｍの幅に比べて小さい１５０μｍ以下に設定されていることにより，放電空間の単位発光領域内において行電極間で発生される放電が拡がる奥行きが従来のＰＤＰに比べて狭くなり，この放電の成長領域が，初期グロー放電の発生領域と重なる放電ギャップの近傍の狭い領域に制限される。
【００９４】
これによって，この実施形態におけるＰＤＰは，放電ガス中のキセノンからの真空紫外線の生成が，従来のＰＤＰと比べて非常に高い効率で行われるようになる。
【００９５】
そして，放電ガス中のキセノン分圧が６．６７ｋＰａ（５０ｔｏｒｒ）以上に設定されていることによって，この放電ガス中のキセノンから発生する真空紫外線のうち，主として波長１７２ｎｍの分子線によって蛍光体層の励起が行われ，この分子線が共鳴線のように放電ガス中を進んでゆく過程でほとんど減衰することがないことによって，行電極間で発生される放電が放電ギャップの近傍の範囲に局在化される場合でも，真空紫外線が蛍光体層に十分に到達するようになる。
【００９６】
これにより，従来のＰＤＰと比べて真空紫外線の生成が高い効率で行われるという特性がそのまま生かされて，高い発光効率を得ることが出来るようになるという，先願（特願２００５―２４１２７４号）の発明の効果をそのまま維持し，更に，アドレス放電電圧を低くすることができ，構造のばらつきによるアドレス放電電圧のばらつきを無くし，ＰＤＰの信頼性をより高めることが可能である。
【００９７】
さらに，上記実施形態のＰＤＰは，単位発光領域内における真空紫外線の発生領域が従来のＰＤＰよりも小さいので，単位発光領域が隔壁によって区画されているような場合でも，壁損失などによる隔壁からの影響を受け難くなるとともに，真空紫外線の分子線を利用して蛍光体層の励起が行われるので，真空紫外線の発生領域と蛍光体層との距離のばらつきによる影響が小さくなり，これによって，単位発光領域に対する行電極対の列方向の位置に高い精度が要求されなくなり，製造工程における製品歩留の向上による製造コストの低下に寄与することが出来るようになる。
【００９８】
以下では，行電極対を構成する少なくとも一方の電極対が１５０μｍ以下に設定された場合に，放電ガス中のキセノン分圧が６．６７ｋＰａ（５０ｔｏｒｒ）以上の状態において，高発光高率な放電が維持される理由を詳しく述べる。
【００９９】
図１０は，放電の一般的な成長過程を示すグラフであり，図１１は，従来の放電セル内におけるサステイン放電の成長過程を示す状態図である。
【０１００】
この図１０および図１１に示されるように，前述したような画像形成時に放電セル内において発生されるサステイン放電は，タウンゼント放電Ｉ−初期グロー放電II−グロー放電IIIのそれぞれの過程を経て成長して行く。
【０１０１】
ＰＤＰの画像形成時における真空紫外線の生成には，一般的に，サステイン放電の発生期間うち，初期グロー放電Iとグロー放電IIの期間が利用されている。
【０１０２】
そして，この真空紫外線の生成に利用される放電期間のうち，初期グロー放電Iの期間は，空間電荷の局在化が完成する前の過程において，陰極付近に主にイオンによって形成される陰極降下部でのエネルギの損失がないため，非常に高い効率で真空紫外線が生成される。
【０１０３】
この初期グロー放電Iの期間に続くグロー放電IIの期間では，陰極降下部の生成によって放電空間内に非常に強い電界が形成され，この強電界によって多量の高エネルギ電子が生成されて，強電界部の出口となる負グロー部において多量の真空紫外線が生成されるが，陰極降下部にエネルギの損失が生じるため，初期グロー放電Iの期間と比べて，真空紫外線の生成効率は高くない。
【０１０４】
ＰＤＰの放電セルＣ1内において発生されるサステイン放電は，一般的に，図１１に示されるように，その成長過程において，行電極対の陽極Ａ側から陰極Ｋ側へと立体的に成長して行く。
【０１０５】
上記ＰＤＰ１０では，行電極Ｘ１，Ｙ１の電極幅Ｗｘ１が１５０μｍ以下に設定されていて，放電セルＣ１内においてサステイン放電が拡がる奥行きが従来のＰＤＰに比べて狭いために，このサステイン放電の成長領域が，放電ギャップｇ１の近傍の狭い領域（図１１においてｅで示される領域）に制限される。
【０１０６】
なお，このＰＤＰ１０において，放電ギャップｇ１の近傍の狭い領域において発生するサステイン放電を，以下，狭奥行放電と呼称する。
【０１０７】
交流型ＰＤＰにおけるサステイン放電は，幅が狭い方の電極によって形態が決まるため，片方の電極が１５０μｍ以下に設定されているだけで，このような狭奥行放電が誘起される。
【０１０８】
この狭奥行放電の成長領域は，前述したように非常に高い効率で真空紫外線が生成される図１１の初期グロー放電の発生領域と重なる。
【０１０９】
このため，ＰＤＰ１０は，行電極Ｘ１の電極幅Ｗｘ１が１５０μｍ以下に設定されて，サステイン放電が狭奥行き放電となることによって，真空紫外線の生成を，従来のＰＤＰと比べて非常に高い効率で行うことが出来るようになる。
【０１１０】
一方，ＰＤＰ１０において，従来と同様に，放電空間内に低キセノン分圧の放電ガスを封入して，この放電ガス中のキセノンから発生する真空紫外線のうちの主として波長１４７ｎｍの共鳴線によって蛍光体層１６を励起しようとすると，ＰＤＰ１０において発生される狭奥行き放電であるサステイン放電が，放電ギャップｇ１の近傍の範囲に局在化するために，この真空紫外線の共鳴線の蛍光体層１６に到達するまでの間の減衰が反って大きくなってしまう。
【０１１１】
一般に，放電ガス中のキセノン分圧が２．６７〜３．３３ｋＰａ（２０〜２５ｔｏｒｒ）である場合には，放電ガスから発生される真空紫外線の主成分は，波長１４７ｎｍの共鳴線であることが知られており，この共鳴線は，キセノン分圧が２．６７〜３．３３ｋＰａ（２０〜２５ｔｏｒｒ）の条件下において放電ガス中を１００μｍ進む間に，ほぼ半分に減衰する。
【０１１２】
ＰＤＰ１０においては，放電ガス中のキセノン分圧が６．６７ｋＰａ（５０ｔｏｒｒ）以上に設定されていることによって，この放電ガス中のキセノンから発生する真空紫外線のうち，主として波長１７２ｎｍの分子線によって蛍光体層１６の励起が行われる。
【０１１３】
この真空紫外線のうちの分子線は，共鳴線のように放電ガス中を進んでゆく過程でほとんど減衰することがない。
【０１１４】
従って，ＰＤＰ１０においては，サステイン放電が狭奥行き放電となって，放電ギャップｇ１の近傍の範囲に局在化される場合でも，真空紫外線が蛍光体層１６に十分に到達するので，サステイン放電が狭奥行き放電になることによって真空紫外線の生成が従来のＰＤＰと比べて非常に高い効率で行われるという特性がそのまま生かされるようになり，これによって，高い発光効率を得ることが出来るようになる。
【０１１５】
なお，上記のような効果は，ＰＤＰの隔壁がストライプ状である場合にも得ることが出来るが，ＰＤＰ１０は，隔壁１５が略格子形状に成形されていることによって，蛍光体層１６が各放電セルＣ１をそれぞれ囲む横壁１５Ａと縦壁１５Ｂの四つの側面にも形成されて，この蛍光体層１６の表面積が増大されているので，さらに高い発光効率を得ることが出来る。
【０１１６】
さらに，上記ＰＤＰ１０は，行電極Ｘ１の列方向の幅が従来のＰＤＰに比べて大幅に小さくなっていることによって，電極間に形成される静電容量が大幅に減少し，その結果，無効電流の発生が減少して消費電力の低減を図ることが出来るようになる。
【０１１７】
なお，上記においては，ＰＤＰ１０の行電極対（Ｘ１，Ｙ１）が，放電セルＣ１に対して，列方向において放電セルＣ１の中央位置に配置されている例が示されているが，行電極対（Ｘ１，Ｙ１）は，放電セルＣ１に対して列方向においてその中央位置から上下にずれた位置に配置されていても良い。
【０１１８】
その理由は，以下の通りである。
【０１１９】
すなわち，従来のＰＤＰにおいては，前述したようにサステイン放電が放電セルの全体に拡がる奥行きの深い放電になるため，格子形状の隔壁によって区画された放電セルに対して行電極対が列方向において放電セルの中央位置から上下どちらかにずれた位置に位置されると，放電ギャップが放電セルを区画している隔壁の上下の横壁のどちらかに偏って位置されることによって，各放電セル毎に電圧マージンや輝度，発光効率等にばらつきが生じて，発光に悪影響が生じるという問題が発生するので，放電セルに対して行電極対の高い位置精度が要求される。
【０１２０】
しかしながら，上記のＰＤＰ１０では，サステイン放電が前述したような放電領域が狭い狭奥行き放電になって，真空紫外線の発生領域が，従来のＰＤＰよりも小さいいわゆる点光源になるので，壁損失などによる隔壁からの影響を受け難くなるとともに，真空紫外線の吸収が少ない波長１７２ｎｍの分子線を利用して蛍光体層１６の励起が行われるので，サステイン放電の放電領域（真空紫外線の発生領域）と蛍光体層１６との距離のばらつきによる影響が小さくなり，これによって，放電セルＣ１に対する行電極対（Ｘ１，Ｙ１）の列方向の位置が中央位置からずれている場合でも，発光効率および輝度の変動はほとんど生じないからである。
【０１２１】
従って，上記ＰＤＰ１０によれば，隔壁１５が略格子形状を有していて放電セルＣ１の周囲が横壁１５Ａおよび縦壁１５Ｂによって囲まれている場合でも，放電ギャップの位置（すなわち行電極対の位置）が，列方向において放電セルの中央位置に正確に位置決めされていなくてもよくなり，放電セルＣ１に対する行電極対（Ｘ１，Ｙ１）の位置精度の許容量が大きくなって，製造工程における製品歩留の向上による製造コストの低下に寄与することが出来るようになる。
【０１２２】
また，上記においては，行電極を構成する透明電極が，それぞれ，バス電極に沿って隣接する放電セル間において帯状に連続した形状に成形されている例が示されているが，透明電極が放電セル毎に独立して形成されてバス電極に接続された構成であっても良い。
【０１２３】
さらに，上記においては，行電極が透明電極とバス電極によって構成された例を述べたが，行電極が金属製のバス電極のみで構成され，その列方向の幅をそれぞれ少なくとも一方が１５０μｍ以下に設定する構成でもよい。
【図面の簡単な説明】
【０１２４】
【図１】従来のＰＤＰの構成を示す正面図である。
【図２】この発明の実施形態の第１実施例を示す正面図である。
【図３】図２のＶ１−Ｖ１線における断面図である。
【図４Ａ】先願発明との対比を説明する模式図であり，行電極Ｘ１，Ｙ１の奥行き（電極幅）が等しい場合を示す図である。
【図４Ｂ】本発明によりアドレス放電電圧が低減できることを説明する模式図である。
【図５】アドレス電圧のスキャン電極幅に対する依存性を測定したグラフである。
【図６】ＰＤＰにおける電極の幅と発光効率との関係を示すグラブである。
【図７】発光効率の電極幅に対する依存性を測定したデータである。
【図８Ａ】行電極Ｙ１の幅を行電極Ｘ１の幅よりも大きく設定する先願に従う他の構成を示す図である。
【図８Ｂ】図８Ａの構成と対比される本願発明に従う構成例を示す図である。
【図９Ａ】行電極Ｙ１の幅を行電極Ｘ１の幅よりも大きく設定する先願に従う更に他の構成を示す図である。
【図９Ｂ】図９Ａの構成と対比される本願発明に従う構成例を示す図である。
【図１０】ＰＤＰにおける放電の一般的成長過程を示すグラブである。
【図１１】ＰＤＰの放電セル内におけるサステイン放電の成長過程を示す状態図である。
【符号の説明】
【０１２５】
１１                    …前面ガラス基板（一方の基板）
１２，４２              …誘電体層
１３                    …背面ガラス基板（他方の基板）
１５                    …隔壁
１５Ａ                  …横壁（横壁部）
１５Ｂ                  …縦壁（縦壁部）
１６                    …蛍光体層
２２                    …第１誘電体層（誘電体層）
２３，３３              …第２誘電体層（誘電体層）
４３                    …二次電子放出層
Ｃ１                    …放電セル（単位発光領域）
Ｄ１                    …列電極
Ｘ１，Ｙ１              …行電極
Ｘａ１，Ｙａ１          …透明電極
Ｘｂ１，Ｙｂ１          …バス電極
ｇ１                    …放電ギャップ
【図１】
2008027608.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図１０】
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【図１１】
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