(57)【要約】【課題】複数の反応ステップを行う必要が無く、単一の反応によって高収率で１，３−ジケトンを製造する方法を提供する。【解決手段】（Ａ）エノンと（Ｂ）アルデヒドとのカップリング反応を、（Ｃ）VIII族金属を含有する金属錯体触媒の存在下で、行うことからなる１，３−ジケトンを製造する方法：2008037765.tif 000009［式中、Ｒ１およびＲ４は、カップリング反応を阻害せずかつカップリング反応に対して安定である炭素数１〜４０の有機基、Ｒ２およびＲ３は、水素原子またはカップリング反応を阻害せずかつカップリング反応に対して安定である炭素数１〜４０の有機基である。］。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）エノンと
（Ｂ）アルデヒドとの下式のカップリング反応を、
（Ｃ）VIII族金属を含有する金属錯体触媒の存在下で、
行うことからなる１，３−ジケトンの製造方法：
2008037765.tif 000008
［式中、Ｒ１およびＲ４は、カップリング反応を阻害せずかつカップリング反応に対して安定である炭素数１〜４０の有機基、
Ｒ２およびＲ３は、水素原子またはカップリング反応を阻害せずかつカップリング反応に対して安定である炭素数１〜４０の有機基である。］。
【請求項２】
Ｒ１およびＲ４は、炭素数１〜２０の不飽和または飽和の脂肪族基、炭素数６〜４０の芳香族基、炭素数７〜４０の芳香脂肪族基であり、
Ｒ２およびＲ３は、水素原子または炭素数１〜２０の不飽和または飽和の脂肪族基、炭素数６〜４０の芳香族基、炭素数７〜４０の芳香脂肪族基であり、
ただし、Ｒ１とＲ２は一体となって、少なくとも１つの炭素−炭素二重結合を有する環を形成することがある請求項１に記載の方法。
【請求項３】
金属錯体触媒において、VIII族金属が、ルテニウム（Ｒｕ）、イリジウム（Ｉｒ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、コバルト（Ｃｏ）または鉄（Ｆｅ）である請求項１に記載の方法。
【請求項４】
金属錯体触媒において、VIII族金属がルテニウム（Ｒｕ）、イリジウム（Ｉｒ）またはロジウム（Ｒｈ）である請求項１に記載の方法。
【請求項５】
金属錯体触媒において、配位子が、水素原子、ハロゲン原子、カルボキシル基、アルコキシ基（炭素数１〜１０）、ヒドロキシ基、ホスフィン（例えば、モノホスフィン、ポリホスフィン、例示すればビスホスフィン）、オレフィン（例えば、鎖状または環状の、モノオレフィン、ポリオレフィン、例示すればジオレフィン）、ＣＯ（一酸化炭素）、イソニトリル、アミン、オキサゾリン、ビスオキサゾリン、スルホニルである請求項１に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、金属錯体触媒の存在下で、エノンとアルデヒドを反応させることからなる１，３−ジケトンを製造する方法に関する。本発明は、医薬、農薬、各種化学品あるいはその原料や合成中間体として有用な１，３−ジケトンを簡単にかつ高収率で製造できる製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
１，３−ジケトンは、医薬、農薬、各種化学品の原料や合成中間体として有用である。従来、１，３−ジケトンは、アルドールを経る方法（例えば、下記「非特許文献１」を参照）、あるいはエナミンを経る方法（例えば、下記「非特許文献２」を参照）によって製造されていた。
【０００３】
アルドールを経る方法では、ケトンとアルデヒドとの反応により得たアルドールを酸化することが必要であるので、複数の反応ステップが必要であり、１，３−ジケトンの収率が低い。また、エナミンを経る方法では、ケトンから得られたエナミンをアルデヒドまたは酸クロリドと反応させることが必要であり、複数の反応ステップが必要であり、１，３−ジケトンの収率が低い。
【非特許文献１】Heng, K. K.; Smith, R. A.J. Tetrahedron 1979, 35, 425
【非特許文献２】Stork, G.; Terrell, R. J. Am. Chem. Soc. 1954, 76, 2029
【０００４】
従来の１，３−ジケトンの製造方法は、反応工程が複雑であり、収率も低く、満足できるものではなかった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、複数の反応ステップを行う必要が無く、単一の反応によって高収率で１，３−ジケトンを製造する方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、
（Ａ）エノンと
（Ｂ）アルデヒドとの下式のカップリング反応を、
（Ｃ）VIII族金属を含有する金属錯体触媒の存在下で、
行うことからなる１，３−ジケトンの製造方法：
2008037765.tif 000002
［式中、Ｒ１およびＲ４は、カップリング反応を阻害せずかつカップリング反応に対して安定である炭素数１〜４０の有機基、
Ｒ２およびＲ３は、水素原子またはカップリング反応を阻害せずかつカップリング反応に対して安定である炭素数１〜４０の有機基である。］。
関する。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、単純な原料化合物を使用することによって、一段階の反応で、１，３−ジケトンを製造することができる。反応において、原子効率（原子経済性）は高く、副生物の生成は少ない。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
本発明の製造方法において、エノンとアルデヒドがカップリングして１，３−ジケトンが得られる。反応スキームは、次のとおりであると考えられる。
2008037765.tif 000003
【０００９】
エノン（Ａ）およびアルデヒド（Ｂ）において、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は、カップリング反応を阻害せずかつカップリング反応に対して安定である炭素数１〜４０の有機基である。Ｒ２およびＲ３は、水素原子であってもよい。Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４の例は、不飽和または飽和の脂肪族基（炭素数：例えば、１〜２０）、芳香族基（炭素数：例えば、６〜４０）、芳香脂肪族基（炭素数：例えば、７〜４０）である。Ｒ１とＲ２は一体となって、少なくとも１つの炭素−炭素二重結合を有する環、例えば５〜１０員環、特に６〜７員環を形成しても良い。Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は、構成原子（例えば、環構成原子）として酸素、窒素、リンおよび／または硫黄を有していてもよい。脂肪族基、芳香族基および芳香脂肪族基は、置換基で置換されていても置換されていなくてもどちらでもよい。置換基の例は、ヒドロキシル基、オキシアルキル基、アリール基、アシル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、シアノ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アシルオキシ基、カルボキシル基、カルバモイル基、ハロゲン原子、イミド基、アルキルチオ基、アリールチオ基、スルホニル基、スルフィノ基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスホノ基又は シリル基である。置換基の炭素数は、一般に、０〜４０である。Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４の具体例は、アルキル基（炭素数：例えば、１〜２０）、アリール基（炭素数：例えば、６〜４０）、アルケニル基（炭素数：例えば、２〜２０）、アルキニル基（炭素数：例えば、２〜２０）である。
【００１０】
（Ａ）エノン
反応原料として使用されるエノンは、式：
2008037765.tif 000004
で示される化合物である。
【００１１】
Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は、同一もしくは異なり、水素原子、Ｃ1−Ｃ18アルキル基、Ｃ2−Ｃ18アルケニル基、Ｃ2−Ｃ18アルキニル基、Ｃ3−Ｃ8シクロアルキル基、Ｃ6−Ｃ18アリール基、Ｃ7−Ｃ19アラルキル基、Ｃ６−Ｃ18ヘテロアリール基またはＣ７−Ｃ19ヘテロアラルキル基であってよい。Ｒ１、Ｒ２およびＲ３に関して挙げた基は、Ｒ１１、ハロゲン（フッ素、塩素、臭素、ヨウ素）、NO2、NR11R12、PO0-3R11R12、SO0-3R11、OR11、CO2R11、CONHR11またはCOR11から選択された少なくとも１つの置換基により置換されてもよく、そしてＲ１、Ｒ２およびＲ３中の１以上のCH2基は、O、SO0-2、NR11またはPO0-2R11で場合により置換されていてもよい。
【００１２】
ここでＲ１１およびＲ１２は、同一もしくは異なり、Ｈ、Ｃ1−Ｃ18アルキル基、Ｃ2−Ｃ18アルケニル基、Ｃ2−Ｃ18アルキニル基、Ｃ3−Ｃ8シクロアルキル基、Ｃ6−Ｃ18アリール基、Ｃ1−Ｃ18ヘテロアリール基、Ｃ1−Ｃ8アルキル-Ｃ6−Ｃ8アリール基、Ｃ1−Ｃ8アルキル-Ｃ６−Ｃ８ヘテロアリール基、Ｃ1−Ｃ8アルキル-Ｃ3−Ｃ8シクロアルキル基であり、そしてこれらの基Ｒ１１およびＲ１２は、同一もしくは異なる１つ以上のハロゲン原子により置換されてもよい。
【００１３】
Ｃ1−Ｃ18アルキル基の例としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基およびヘキシル基が挙げられる。
Ｃ2−Ｃ18アルケニル基の例としては、エチレニル基、オレイル基が挙げられる。
Ｃ2−Ｃ18アルキニル基の例としては、アセチレニル基、オクチニル基が挙げられる。
【００１４】
Ｃ3−Ｃ8シクロアルキル基は、一般に、３〜８個のＣ原子を有し、そして適当な場合はどこにでも分枝を有する環式アルキル基を意味する。Ｃ3−Ｃ8シクロアルキル基の例として、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基およびシクロヘプチル基が挙げられる。１以上の二重結合がこの基に存在してよい。
【００１５】
Ｃ6−Ｃ18アリール基の例としては、フェニル基、ナフチル基、アントリル基およびフェナントリル基が挙げられる。
【００１６】
Ｃ7−Ｃ19アラルキル基は、一般に、Ｃ1−Ｃ8アルキル基を介して分子に連結されたＣ6−Ｃ18アリール基を意味する。
【００１７】
Ｃ1−Ｃ18ヘテロアリール基は、一般に、１〜18個のＣ原子を有し、そして１以上のヘテロ原子、好ましくはＮ、ＯまたはＳを環に有する５、６または７員の芳香族環系を表す。これらのヘテロアリール基の例としては、2-、3-フリル基、1-、2-、3-ピロリル基、2-、3-チエニル基、2-、3-、4-ピリジル基、2-、3-、4-、5-、6-、7-インドリル基、3-、4-、5-ピラゾリル基、2-、4-、5-イミダゾリル基、1-、3-、4-、5-トリアゾリル基、1-、4-、5-テトラゾリル基、アクリジニル基、キノリニル基、フェナントリジニル基、2-、4-、5-、6-ピリミジニル基および4-、5-、6-、7-(1-アザ)-インドリジニル基が挙げられる。
【００１８】
Ｃ2−Ｃ19ヘテロアラルキル基は、一般に、Ｃ7−Ｃ19アラルキル基に対応するヘテロ芳香族系を意味する。
【００１９】
エノンにおいて、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は、同一もしくは異なり、水素原子、Ｃ1−Ｃ12アルキル基、Ｃ2−Ｃ12アルケニル基、Ｃ2−Ｃ12アルキニル基、Ｃ5−Ｃ8シクロアルキル基、Ｃ6−Ｃ12アリールまたはＣ６−Ｃ12ヘテロアリールであることが好ましい。
【００２０】
エノン（鎖状エノン）の具体例としては、メチルビニルケトン、ｔｒａｎｓ−３−ペンテン−２−オン、ｔｒａｎｓ−３−ヘキセン−２−オン、ｔｒａｎｓ−３−ヘプテン−２−オン、ｔｒａｎｓ−３−オクテン−２−オン、ｔｒａｎｓ−３−ノネン−２−オン、エチルビニルケトン、ｔｒａｎｓ−４−ヘキセン−３−オン、ｔｒａｎｓ−４−へプテン−３−オン、ｔｒａｎｓ−４−オクテン−３−オン、ｔｒａｎｓ−４−ノネン−３−オン、イソプロピルビニルケトン、ｔｒａｎｓ−２−メチル−４−ヘキセン−３−オン、ｔｒａｎｓ−２−メチル−４−へプテン−３−オン、ｔｒａｎｓ−２−メチル−４−オクテン−３−オン、ｔｒａｎｓ−２−メチル−４−ノネン−３−オン、ｔｒａｎｓ−１，３−ジフェニル−２−プロピレンン−１−オン（カルコン）、ｔｒａｎｓ−２−メチル−５−フェニル−４−ペンテン−３−オン、４−メチル−１−フェニル−３−ペンテン−２−オン、４−フェニル−３−ブチレン−２−オン、６−フェニル−３−へキセン−２−オン、５−フェニル−３−ヘキセン−２−オン等が挙げられる。
【００２１】
Ｒ１とＲ２が一体となって、少なくとも１つの炭素−炭素二重結合を有する環を形成している環状エノンの例は、シクロヘキサ−2−エノン、シクロヘプタ−2−エノン、シクロオクタ−2−エノン、シクロノナ−2−エノン、シクロデカ−2−エノンである。
【００２２】
（Ｂ）アルデヒド
反応原料として使用されるアルデヒドは、式：
2008037765.tif 000005
で示される化合物である。
【００２３】
Ｒ４は、Ｃ1−Ｃ18アルキル基、Ｃ2−Ｃ18アルケニル基、Ｃ2−Ｃ18アルキニル基、Ｃ3−Ｃ8シクロアルキル基、Ｃ6−Ｃ18アリール基、Ｃ7−Ｃ19アラルキル基、Ｃ1−Ｃ18ヘテロアリールまたはＣ2−Ｃ19ヘテロアラルキルである。Ｒ４に関して挙げた基は、同一もしくは異なる基Ｒ１１、ハロゲン（フッ素、塩素、臭素、ヨウ素）、NO2、NＲ１１Ｒ１２、PO0-3Ｒ１１Ｒ１２、SO0-3Ｒ１１、ＯＲ１１、CO2Ｒ１１、CONHＲ１１またはCOＲ１１から選択された置換基により置換されてもよく、そして基Ｒ４中の１以上のCH2基は、Ｏ、SO0-2、NＲ１１またはPO0-2Ｒ１１で場合により置換されていてもよい。
【００２４】
アルデヒドとしては、任意のアルデヒドが使用可能であるが、具体例としては、ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピオンアルデヒド、ブチルアルデヒド、バレルアルデヒド、３−（メチルチオ）プロピオンアルデヒド、２−エチルヘキサナール、イソブチルアルデヒド、フルフラール、クロトンアルデヒド、アクロレイン、ベンズアルデヒド、置換ベンズアルデヒド、フェニルアセトアルデヒド、２，４−ジヒドロキシフェニルアセトアルデヒド、グリオキサル酸及びα−アセトキシプロピオンアルデヒド等が使用できる。
【００２５】
アルデヒドの量は、エノン１モルに対して、０．３〜３．０モル、好ましくは０．７〜１．５モル、特に約１モルであってよい。
【００２６】
（Ｃ）金属錯体触媒
金属錯体触媒において、VIII族金属としては、ルテニウム（Ｒｕ）、イリジウム（Ｉｒ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、コバルト（Ｃｏ）、鉄（Ｆｅ）等が用いられる。ルテニウム（Ｒｕ）、イリジウム（Ｉｒ）、ロジウム（Ｒｈ）が好ましく、なかでも、ルテニウム（Ｒｕ）が特に活性の高いものとして例示される。
【００２７】
金属錯体触媒は、不均一系触媒であってもよいが、均一系触媒を構成することが好ましい。
【００２８】
金属錯体触媒は、式：
ＭＸｍＬｎ
［式中、Ｍは、第VIII族金属、
Ｘは、水素原子、ハロゲン原子（例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、ハロゲン原子団[ハロゲン原子を含む基、例えばＢＦ４、ＰＦ６、OTf（すなわち、OSO2CF3）、NTf2（すなわち、N(SO2CF3)2）]、カルボキシル基、アルコキシ基（炭素数１〜１０）またはヒドロキシ基などの配位子、
Ｌは、ホスフィン（例えば、モノホスフィン、ポリホスフィン、例示すればビスホスフィン）、オレフィン（例えば、鎖状または環状の、モノオレフィン、ポリオレフィン、例示すればジオレフィン）、ＣＯ（一酸化炭素）、イソニトリル、アミン、オキサゾリン、ビスオキサゾリン、スルホニルなどの配位子、
ｍは０〜５、特に１〜４、
ｎは０〜５、特に１〜４、
ｍとｎの合計は２〜８、特に４〜７、特別には６である。］
として表わすことができる。
【００２９】
たとえば、ホスフィン配位子は一般式ＰＲ２１ Ｒ２２ Ｒ２３ で示すことができ、Ｒ２１、Ｒ２２ 、Ｒ２３ は、同じであっても異なってよく、脂肪族基（例えば、アルキル基）（例えば、炭素数１〜１０）、脂環族基（例えば、炭素数１〜１０）、芳香族基（例えば、炭素数６〜２０）（特に、フェニル基）、芳香脂肪族基（例えば、炭素数７〜２１）であってよい。芳香族基は、ハロゲン（例えば、フッ素原子、塩素原子）、トリフルオロメチル基、メトキシ基、アミノ基などで置換されていてもよい。ホスフィン配位子は、一座配位、二座配位または三座配位であってよい。ホスフィン配位子としては、たとえば、トリメチルホスフィン、トリエチルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリフェニルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、トリ（p −トリル）ホスフィン、ジフェニルメチルホスフィン、ジメチルフェニルホスフィンなどの一座配位の３級ホスフィン化合物；ならびに、ビスジフェニルホスフィノメタン、ビスジフェニルホスフィノエタン、ビスジフェニルホスフィノプロパン、ビスジフェニルホスフィノブタン、ビスジメチルホスフィノエタン、ビスジメチルホスフィノプロパンなどの二座配位の３級ホスフィン化合物等が例示される。
オレフィン配位子としては、エチレン、シクロペンタジエン、ペンタメチルシクロペンタジエン、１，５−シクロオクタジエン、ノルボルナジエン等が例示される。
アミン配位子としては、アミン配位子としては、ビスオキサゾリン、サレン、ポルフィリン、ウレア等が例示される。
スルホニル配位子としては、メタンスルホニル基（メシラート）、トリフルオロメタンスルホニル基（トリフラート）が例示される。
【００３０】
Ｘは、水素原子、ハロゲン原子であることが好ましい。
Ｌは、ＣＯ（一酸化炭素）、ホスフィンであることが好ましい。
【００３１】
金属錯体触媒は、配位子として、水素原子、ハロゲン原子、およびＣＯ（カルボニル基）を有することが好ましい。さらに、配位子としてホスフィンをも有することが好ましい。
【００３２】
VIII族金属がルテニウム（Ｒｕ）、イリジウム（Ｉｒ）またはロジウム（Ｒｈ）である金属錯体触媒の具体例は、これらに限定されるものではないが、次のとおりである。
RuHCl(CO)[P(C6H5)3]3, RuHCl(CO)[P(CH3)3]4 ,
RuCl2[P(C6H5)3]4 , RuBr2[P(C6H5)3]3 ,
RuH2(CO)[P(C6H5)3 ]3 , RuHF[P(C2H5)3]4 ,
RuH(HCOO)[P(C6H5)3]3 , RuH(CH3COO)[P(C6H5)3]3 ,
RuH(CH3SO2)Br2[P(CH3)(C6H5)2]2 , 
RuHCl[(C6H5)2P(CH2)2 P(C6H5)2]2 ,
RuCl2[(C6H5)2P(CH2)2 P(C6H5)2]2 ,
RuCl2[P(CH3)3]4(PF6), RuHCl(CO)[P(C6H5)3]2(BF4),
RuHCl(CO)[P(CH3)3]4 , RuHBr[P(C6H5)3]4 , RuI2(CO)[P(C6H5)3]3
IrHCl(CO)[P(C6H5)3]3, IrHCl(CO)[P(CH3)3]4 ,
IrCl2[P(C6H5)3]4 , IrCl2[P(C6H5)3]3 ,
IrH2(CO)[P(C6H5)3 ]3 , IrHF[P(C2H5)3]4 ,
IrH(HCOO)[P(C6H5)3]3 , IrH(CH3COO)[P(C6H5)3]3 ,
IrH(CH3SO2)Br2[P(CH3)(C6H5)2]2 ,
IrHCl[(C6H5)2P(CH2)2 P(C6H5)2]2 ,
IrCl2[(C6H5)2P(CH2)2 P(C6H5)2]2 ,
IrCl2[P(CH3)3]4(PF6), IrHCl(CO)[P(C6H5)3]2(BF4),
IrHCl(CO)[P(CH3)3]4 , IrHBr[P(C6H5)3]4 , IrI2[P(C6H5)3]4
RhHCl(CO)[P(C6H5)3]3, RhHCl(CO)[P(CH3)3]4 ,
RhHCl[(C6H5)2P(CH2)2 P(C6H5)2]2 
【００３３】
金属錯体触媒の量は、エノン１モルに対して、０．００１〜０．３モル、好ましくは０．０１〜０．２モル、特に０．０１〜０．１モルであってよい。
【００３４】
本発明のカップリング反応は、液相で行うことが好ましい。カップリング反応は、溶媒を用いずに行ってもよいが、溶媒の存在下で行うことが好ましい。溶媒は、カップリング反応に対して不活性である。溶媒の例は、脂肪族炭化水素（例えば、オクタンおよびシクロヘキサン）、芳香族炭化水素（例えば、ベンゼン、トルエン）、ケトン（例えば、アセトンおよびメチルエチルケトン）、エーテル（例えば、テトラヒドロフラン）、エステル（例えば、酢酸エチル）、アルコール（例えば、メタノール、エタノール、エチレングリコール、ジプロピレングリコール）、含窒素化合物（例えば、アセトニトリルなどのニトリル系溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドンなどのアミド系溶媒、ピロリジンやピリジンなどのアミン系溶媒）である。溶媒は、基質（すなわち、エノンおよびアルデヒド）および反応生成物（すなわち、１，３−ジケトン）を溶解することが好ましい。溶媒の１気圧での沸点は、好ましくは５０℃以上、例えば６０〜２１０℃であってよい。溶媒の量は、基質（エノンおよびアルデヒドの合計）１重量部に対して、０．１〜１００重量部、例えば１〜１０重量部であってよい。
【００３５】
カップリング反応の反応温度は、例えば、１０〜３００℃、特に１００〜２１０℃であってよい。反応時間（滞留時間）は、例えば１．０〜３００分、特に１０〜１８０分、特別には３０〜１２０分であってよい。
【実施例】
【００３６】
次に、実施例により更に具体的に説明する。ただし、本発明は、これらの実施例により制限されるものではない。
【００３７】
実施例１
５０ｍＬ反応容器を窒素置換した後、エチルビニルケトン（エノン１ａ）（８６ｍｇ、１．０３ｍｍｏｌ）、ベンズアルデヒド（アルデヒド２ａ）（１３８ｍｇ、１．３ｍｍｏｌ）およびＲｕＨＣｌ(ＣＯ)(ＰＰｈ３)３ （９６．０ｍｇ、０.１ｍｍｏｌ）およびベンゼン（３．７５ｍＬ）を仕込んだ。攪拌下、８０℃で５時間、ベンゼンを還流しながらカップリング反応を行い、生成物である２−プロパノイルプロピオフェノン（１，３−ジケトン３ａ）を得た（１４９ｍｇ、収率７６％）。生成物の精製は、溶離剤をヘキサン／酢酸エチル（９８／２）とするシリカゲルクロマトグラフィーにより行った。
【００３８】
実施例２〜１８
エノンおよびアルデヒドとして表１に示す化合物を用いる以外は、実施例１と同様の手順を用い、カップリング反応を行った。生成物および収率を表１に示す。
【００３９】
表１
2008037765.tif 000006
【００４０】
表２
2008037765.tif 000007
【産業上の利用可能性】
【００４１】
本発明によって得られる１，３−ジケトンは、医薬、農薬、各種化学品の原料や合成中間体として有用である。