(57)【要約】【課題】デバイスパターンの粗密に影響を与えず、且つ、不良チップの発生を防止することが可能な露光用マスク、電子装置の製造方法、及び露光用マスクの検査方法を提供すること。【解決手段】  透明基板２２と、矩形状のショット領域Rsを囲うように透明基板２２の上に形成された遮光帯２３と、ショット領域Rsを縁取る外周スクライブ領域Roの内側に形成されたマスクパターン２６と、外周スクライブ領域Roの第１の辺３１に形成された検査マーク２５とを有し、第１の辺に対向する第２の辺に、ショット間隔に相当する距離だけ検査マーク２５を仮想的に平行移動したときに、平行移動後の該検査マーク２５に対応する部分の外周スクライブ領域Roが露光光を透過する露光用マスク２１による。【選択図】図６
2008102360.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板と、
矩形状のショット領域を囲うように前記透明基板の上に形成された遮光帯と、
前記ショット領域を縁取る外周スクライブ領域の内側に形成されたマスクパターンと、
前記外周スクライブ領域の第１の辺に形成された検査マークとを有し、
前記外周スクライブ領域のうち前記第１の辺に対向する第２の辺に、ショット間隔に相当する距離だけ前記検査マークを仮想的に平行移動したときに、平行移動後の該検査マークに対応する部分の前記外周スクライブ領域が露光光を透過することを特徴とする露光用マスク。
【請求項２】
前記遮光帯は、前記検査マークの幅よりも狭い距離だけ前記透明基板の縁から後退して形成されたことを特徴とする請求項１に記載の露光用マスク。
【請求項３】
前記検査マークは矩形状の仮想枠の内側に配され、該仮想枠の中心を軸にして前記検査マークを１８０°回転してなるマークを、前記第２の辺に平行移動して検査マークとして設けることを特徴とする請求項１に記載の露光用マスク。
【請求項４】
前記検査マークは、前記仮想枠内の半分の領域のみに配されることを特徴とする請求項３に記載の露光用マスク。
【請求項５】
基板の上に膜を形成する工程と、
前記膜の上にフォトレジストを塗布する工程と、
矩形状のショット領域を縁取る外周スクライブ領域と、前記外周スクライブ領域の第１の辺に形成された検査マークを有する露光用マスクを用いて第１の露光を行う工程と、
前記第１の露光において前記第１の辺が露光された領域に、前記外周スクライブ領域のうち前記第１の辺と対向する第２の辺が露光されるように、前記基板を移動させて第２の露光を行う工程とを有し、
前記第１の露光において前記検査マークが投影された領域には、第２の露光において露光光が入射されることを特徴とする電子装置の製造方法。
【請求項６】
前記露光用マスクとして、ショット間隔に相当する距離だけ前記検査マークを前記第２の辺に仮想的に平行移動したときに、平行移動後の該検査マークに対応する部分の前記外周スクライブ領域が露光光を透過するマスクを使用することを特徴とする請求項５に記載の電子装置の製造方法。
【請求項７】
前記第２の露光の後に、前記フォトレジストを現像してレジストパターンにする工程と、
前記レジストパターンをマスクにして前記膜をエッチングすることによりデバイスパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンを除去する工程と、
前記外周スクライブ領域に沿って前記基板をダイシングすることにより、該基板から複数のチップを切り出す工程とを更に有することを特徴とする請求項５に記載の電子装置の製造方法。
【請求項８】
前記基板の周縁部に沿って前記フォトレジストに光を照射する工程を更に有することを特徴とする請求項５に記載の電子装置の製造方法。
【請求項９】
前記ショット領域は、遮光帯によって囲われていることを特徴とする請求項６に記載の電子装置の製造方法。
【請求項１０】
露光用マスクが備える透明基板において、矩形状のショット領域を縁取る外周スクライブ領域の第１の辺に形成された複数の検査マークの位置座標を求めるステップと、
前記位置座標を基にして、前記外周スクライブ領域の内側の前記透明基板上に形成されたマスクパターンが、設計された位置に配されているかどうかを評価するステップとを有し、
前記露光用マスクが、前記ショット領域を囲うように前記透明基板の上に形成された遮光帯を有すると共に、
前記外周スクライブ領域のうち前記第１の辺に対向する第２の辺に、ショット間隔に相当する距離だけ前記検査マークを仮想的に平行移動したときに、平行移動後の該検査マークに対応する部分の前記外周スクライブ領域が露光光を透過することを特徴とする露光用マスクの検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、露光用マスク、電子装置の製造方法、及び露光用マスクの検査方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
LSI等の半導体装置の製造工程では、微細なデバイスパターンを形成するために、ステッパ等の露光装置を用いてレチクル（露光用マスク）に形成されたマスクパターンを半導体ウエハ上に縮小投影することが行われる。
【０００３】
レチクルのマスクパターンはLSIのデバイスパターンに対応して形成されるが、マスクパターンが歪んでいたりすると、半導体ウエハに所定の形のマスクパターンを投影することができない。
【０００４】
そのため、通常は、レチクルを製造した後に、レチクルに形成された検査マークを光学的に検査することにより、マスクパターンが所定の精度で形成されているかどうかを検査する。
【０００５】
図１は、このような検査マークが設けられた従来例に係るレチクルの全体平面図である。
【０００６】
そのレチクル１は、石英基板等の透明基板２の上に、４つのチップに対応した４つのマスクパターン６を有する。また、これらのマスクパターン６を囲うようにして遮光帯３が形成され、その遮光帯３の内側の領域が、１回の露光で半導体ウエハに投影されるショット領域となる。なお、遮光帯３は、その外側の領域から露光光がまわり込むことでフォトレジストが不必要に感光するのを防止するために設けられる。
【０００７】
そして、この遮光帯３の外側の領域に、上記したマスクパターン６が設計通りの位置に形成されているかどうかを検査するためのL字型の検査マーク５が形成されると共に、露光装置とレチクル１との位置合わせに使用される十字型のアライメントマーク４が形成される。
【０００８】
なお、上記の各要素３〜６は、いずれもクロム膜等の遮光膜をパターニングして形成されたものである。
【０００９】
ところが、このような構造のレチクル１では、遮光帯３の外側の領域に検査マーク５を形成したにも関わらず、露光の際に検査マーク５が回折して半導体ウエハに映ってしまうという現象が発生する。このような現象は、照明系フレアと呼ばれ、半導体ウエハのデバイスパターンに欠陥が発生する一因となる。
【００１０】
このような照明系フレアを防止するため、検査マーク５をマスクパターン６の中に形成することも考えられる。
【００１１】
しかし、検査をし易くするために検査マーク５は或る程度大きく形成しなければならないので、このようにマスクパターン６の中に検査マーク５を形成すると、検査マーク５の分だけチップサイズが大きくなるという不都合が生じる。
【００１２】
しかも、マスクパターン６の中に検査マーク５を形成すると、検査マーク５に対応したダミーパターンが半導体ウエハに形成され、そのダミーパターンによってデバイスパターンの分布の粗密が乱されてしまう。
【００１３】
図２〜図５は、半導体装置において、金属配線等のデバイスパターンの分布に課せられる条件について説明するための平面図である。
【００１４】
図２の例では、半導体ウエハ１０の上に形成されているデバイスパターン１１が、その分布の粗密が面内で一定になるように形成されている。このような分布が理想的なデバイスパターン１１の分布である。
【００１５】
これに対し、図３〜図５では、点線で示した領域Aにおいて分布が疎になったり（図３）、分布が密になったり（図４）、或いは周囲のデバイスパターン１１と形状の異なるパターンが挿入されている（図５）。このような不均一な粗密でデバイスパターン１１が分布していると、このデバイスパターン１１の上に形成される層間絶縁膜の表面の高さが、疎な部分で低くなったり、密な部分で高くなったりして、層間絶縁膜に段差が発生する。
【００１６】
そのような段差の発生を抑えるためにも、マスクパターン６の中に検査マーク４を形成せず、面内におけるデバイスパターン１１の粗密をなるべく一定にする必要がある。このような制約は、ゲート電極のように微細な加工を必要とする層（クリティカル層）において特に厳しい。
【００１７】
一方、特許文献１では、半導体ウエハに位置合わせ用のマークを形成するためにレチクルのスクライブ領域にアライメントマークを設けると共に、このアライメントマークと対向する部分のスクライブ領域に保護パターンを設けることにより、最初の露光でアライメントマークが投影された部分を次の露光において保護パターンで遮光し、アライメントマークに対応するマークを半導体ウエハに残すようにしている。
【００１８】
しかしながら、このようにスクライブ領域にマークが残ると、ダイシングにより半導体チップを切り出す際にマークからバリが発生し、このバリが付着した半導体チップが不良になるという問題がある。
【００１９】
なお、このようなアライメントマークについては、特許文献２にも開示されている。
【特許文献１】特開平５−３４１４９９号公報
【特許文献２】特開平３−０１８０１２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２０】
本発明の目的は、デバイスパターンの粗密に影響を与えず、且つ、不良チップの発生を防止することが可能な露光用マスク、電子装置の製造方法、及び露光用マスクの検査方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
本発明の一観点によれば、透明基板と、矩形状のショット領域を囲うように前記透明基板の上に形成された遮光帯と、前記ショット領域を縁取る外周スクライブ領域の内側に形成されたマスクパターンと、前記外周スクライブ領域の第１の辺に形成された検査マークとを有し、前記外周スクライブ領域のうち前記第１の辺に対向する第２の辺に、ショット間隔に相当する距離だけ前記検査マークを仮想的に平行移動したときに、平行移動後の該検査マークに対応する部分の前記外周スクライブ領域が露光光を透過する露光用マスクが提供される。
【００２２】
また、本発明の別の観点によれば、基板の上に膜を形成する工程と、前記膜の上にフォトレジストを塗布する工程と、矩形状のショット領域を縁取る外周スクライブ領域と、前記外周スクライブ領域の第１の辺に形成された検査マークを有する露光用マスクを用いて第１の露光を行う工程と、前記第１の露光において前記第１の辺が露光された領域に、前記外周スクライブ領域のうち前記第１の辺と対向する第２の辺が露光されるように、前記基板を移動させて第２の露光を行う工程とを有し、前記第１の露光において前記検査マークが投影された領域には、第２の露光において露光光が入射される電子装置の製造方法が提供される。
【００２３】
更に、本発明の他の観点によれば、露光用マスクが備える透明基板において、矩形状のショット領域を縁取る外周スクライブ領域の第１の辺に形成された複数の検査マークの位置座標を求めるステップと、前記位置座標を基にして、前記外周スクライブ領域の内側の前記透明基板上に形成されたマスクパターンが、設計された位置に配されているかどうかを評価するステップとを有し、前記露光用マスクが、前記ショット領域を囲うように前記透明基板の上に形成された遮光帯を有すると共に、前記外周スクライブ領域のうち前記第１の辺に対向する第２の辺に、ショット間隔に相当する距離だけ前記検査マークを仮想的に平行移動したときに、平行移動後の該検査マークに対応する部分の前記外周スクライブ領域が露光光を透過する露光用マスクの検査方法が提供される。
【００２４】
次に、本発明の作用について説明する。
【００２５】
本発明では、外周スクライブ領域の第１の辺に対向する第２の辺に、ショット間隔に相当する距離だけ検査マークを仮想的に平行移動したときに、平行移動後の該検査マークに対応する部分の外周スクライブ領域が露光光を透過する露光用マスクを用いる。
【００２６】
このような露光用マスクによれば、外周スクライブ領域に相当する部分のフォトレジストが二重露光されるように露光を行うことで、検査マークに対応したフォトレジストの未感光部を消去でき、外周スクライブ領域におけるフォトレジストの全ての部分を感光させることが可能となる。
【００２７】
これにより、フォトレジストを現像することで外周スクライブ領域にフォトレジストが残らなくなり、外周スクライブ領域における膜をエッチングにより完全に除去できる。
【００２８】
その結果、外周スクライブ領域に沿って基板をダイシングしても、外周スクライブ領域に残存する膜に起因したバリが発生せず、基板に再付着したバリによってチップが不良になるのを防止できる。
【００２９】
しかも、検査マークは外周スクライブ領域に設けられるので、外周スクライブ領域の内側に形成されたマスクパターンの粗密が検査マークによって影響を受けることは無く、マスクパターンに対応したデバイスパターンを所定の粗密で基板上に形成することができる。
【発明の効果】
【００３０】
本発明によれば、検査マークに対応したフォトレジストの未感光部を二重露光により消去するので、外周スクライブ領域にフォトレジストが残存せず、外周スクライブ領域の膜をエッチングにより除去することが可能となる。これにより、外周スクライブ領域に残存した膜に起因するバリがダイシングのときに発生せず、不良チップの数を低減できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
以下に、本発明の実施の形態について、添付図面を参照しながら詳細に説明する。
【００３２】
レチクルについて
図６は、本実施形態に係るレチクル（露光用マスク）の平面図である。
【００３３】
このレチクル２１は、石英等の透明基板２２の上に、クロム膜等の遮光膜をパターニングしてなる遮光帯２３を有する。遮光帯２３は、矩形状のショット領域Rsを囲うように形成されていると共に、透明基板２２の縁の近くにまで形成されている。
【００３４】
このように遮光帯２３の幅Wを限界まで広めることにより、遮光帯２３の外側の領域を通った露光光に起因するフレア現象を防止できる。その幅Wは特に限定されないが、例えば１２〜１６mm程度である。
【００３５】
但し、透明基板２２の縁を遮光帯２３によって完全に覆ってしまうと、透明基板２０の側面から遮光帯２３が剥がれ易くなるので、透明基板２２の縁から後退して遮光帯２３を形成するのが好ましい。その後退距離Δは、例えば、後述の検査マーク２５の幅よりも狭く設定するのが好ましい。
【００３６】
また、遮光帯２３には三箇所に開口２３ａが形成されており、この開口２３ａの内側の領域に十字型のアライメントマーク２４が形成されている。露光装置にレチクル２１をセットする際、このアライメントマーク２４を目印にして露光装置とレチクル２１とが位置合わせされる。
【００３７】
ショット領域Rsには四つの半導体チップに対応したマスクパターン２６が形成される。このマスクパターン２６も、遮光帯２３と同様にクロム膜をパターニングして形成されたものである。
【００３８】
ここで、ショット領域Rsを縁取り、且つ各マスクパターン２６を内包する領域は、外周スクライブ領域Roと呼ばれる。一方、各マスクパターン２６の間の領域はインナースクライブ領域Riと呼ばれる。
【００３９】
本実施形態では、この外周スクライブ領域Roに、マスクパターン２６が設計通りの位置に形成されているかどうかを検査するための検査マーク２５が設けられる。
【００４０】
なお、検査マーク２５の平面形状は特に限定されず、図示のような十字型に代えてL字型を採用してもよい。
【００４１】
図７は、その検査マーク２５の配置方法を説明するための模式図である。
【００４２】
検査マーク２５は、外周スクライブ領域Roのそれぞれの辺３１〜３４に５〜１０個ずつ設けられ、四つの辺を合わせた検査マーク２５の個数は２０〜４０個である。
【００４３】
これらの検査マーク２５は、ショット領域Rsを挟んで互いに向かい合わないように形成される。
【００４４】
例えば、辺３１の位置A1にある検査マーク２５をショット間隔に相当する距離、すなわちショット領域Rsの幅Tから外周スクライブ領域Roの幅tを引いた距離T−tだけX軸方向に仮想的に平行移動したとき、平行移動後の検査マーク２５に対応する位置A2に検査マーク２５は存在しない。同様に、辺３２の位置B1にある検査マーク２５をY軸方向に仮想的に平行移動しても、位置B2に検査マーク２５は存在しない。
【００４５】
このような配置をすることで、外周スクライブ領域Roにおける位置A2、B2には露光光を遮るパターンが存在せず、これらの位置における外周スクライブ領域Roは露光光を通すことになる。
【００４６】
なお、各検査マーク２５同士の間隔は、上記の規則に従って配置される限り、等ピッチでもよいしランダムであってもよい。更に、外周スクライブ領域Roの四つの全ての辺３１〜３４について検査マーク２５を設ける必要もなく、一つの辺、若しくは隣接する二つの辺にのみ検査マーク２５を設けてもよい。
【００４７】
図８〜図１１は、このような配置を実現するための検査マーク２５の拡大平面図である。
【００４８】
図８の例では、辺３１の検査マーク２５を内包する矩形状の仮想枠３５を設ける。なお、仮想枠３５は、検査マーク２５を設計する段階において便宜上設定されるものであって、実際のレチクルに形成されるわけではない。また、仮想枠３５の内側には一つの検査マーク２５のみが配されることとし、複数個の検査マーク２５は仮想枠３５内に配されない。
【００４９】
そして、この仮想枠３５の中心Cを軸にして検査マーク２５を１８０°だけ回転してなるマークを、辺３１の対辺３３に平行移動して検査マーク２５として設ける。
【００５０】
このとき、仮想枠３５内の上半分又は下半分の領域に検査マーク２５が配されていれば、辺３１、３３において検査マーク２５同士が互いに対向することがない。
【００５１】
なお、図８の例では、各辺３１、３３に平行となるように仮想枠３５の長辺を配したが、これに代えて、図９に示すように、仮想枠３５の短辺が各辺３１、３３と平行になるようにしてもよい。
【００５２】
同様に、図１０の例でも、向かい合う辺３２、３４のそれぞれに、中心Cを軸にして一方の辺における検査マーク２５を回転したものを他方の辺に設けることで、各辺３２、３４における検査マーク２５が互いに対向しないようにする。
【００５３】
更に、図１１に示すように、仮想枠３５の短辺が各辺３２、３４と平行になるように仮想枠３５と検査マーク２５とを配してもよい。
【００５４】
露光方法について
次に、上記したレチクル２２を用いた電子装置の製造方法について説明する。
【００５５】
図１２〜図１５は、本実施形態に係る電子装置の製造方法について説明するための平面図である。
【００５６】
まず、図１２に示すように、シリコン基板４０の上に、パターニングの対象となる膜４１を形成する。その膜４１は、例えば配線用のアルミニウム膜でありスパッタ法で形成される。そして、この膜４１の上に、スピンコート法によりポジ型のフォトレジスト４２を塗布する。
【００５７】
次に、図１３に示すように、ステッパ等の不図示の露光装置のステージ上にシリコン基板４０を載せた後、その露光装置に備えられたレチクル２２のショット領域Rsに露光光を透過させて、複数のチップ領域Rcを包含する領域におけるフォトレジスト４２を１ショットで露光する。なお、用いる露光光は特に限定されないが、例えばKrFレーザ光が使用される。
【００５８】
この露光では、レチクル２２の検査マーク２５とマスクパターン２６とがフォトレジスト４２に投影され、ショット領域Rsにおいてこれらが投影されなかった部分のフォトレジスト４２が感光する。一方、検査マーク２５とマスクパターン２６が投影された部分のフォトレジスト４２はそれぞれ第１の未感光部４２ａ及び第２の未感光部４２ｂとなる。
【００５９】
ここで、図６を参照して説明したように、レチクル２１の遮光帯２３を透明基板２２の縁の近くにまで形成したので、遮光帯２３の外側の領域を通った露光光によって照明系フレアが発生するのを防止でき、フレア起因してフォトレジスト４２が不必要に感光するのを抑制することが可能となる。
【００６０】
次いで、図１４に示すように、ショット間隔だけ露光装置のステージを移動させた後、再び１ショットでフォトレジスト４２を露光して、検査マーク２５とマスクパターン２６に相当する部分のフォトレジスト４２をそれぞれ第１の未感光部４２ａ及び第２の未感光部４２ｂとする。
【００６１】
ここで、図１４に示した領域Dでは、前の露光と今回の露光のそれぞれの外周スクライブ領域Roが重なるので、フォトレジスト４２が二重露光されることになる。
【００６２】
そして、図７を参照して説明したように、対辺にある検査マーク２５同士が対向しないように各検査マーク２５を配置したので、前の露光で形成された第１の未感光部４２ａが今回の露光で感光して消去され、二重露光された外周スクライブ領域Roに相当する部分のフォトレジスト４２には未感光部は残らない。
【００６３】
このようにして、本実施形態では、外周スクライブ領域Roの一辺に相当する部分のフォトレジスト４２が二重露光されるように露光の度にシリコン基板４０を移動させながら、マスクパターン２６（図６参照）をフォトレジスト４２に投影していくことにより、複数のチップ領域Rcにおけるフォトレジスト４２を次々と露光していく。
【００６４】
図１５は、このようにして全てのチップ領域Rcに対する露光を終了した後の拡大平面図である。
【００６５】
これに示されるように、外周スクライブ領域Roに相当する部分のフォトレジスト４２を二重露光したことで、検査マーク２５に対応した第１の未感光部４２ａは全て消去される。
【００６６】
図１６は、露光を終了した後のシリコン基板４０の全体平面図である。
【００６７】
同図に示されるように、チップを取り出すことができないシリコン基板４０の周縁部分では、ショット領域Rsが基板４０の外側にはみ出るようにダミーショットと呼ばれる露光が行われる。このようなダミーショットをすることで、シリコン基板４０の周縁部分においても外周スクライブ領域Roが二重露光され、シリコン基板４０の全ての領域で検査マーク２５に対応した第１の未感光部４２ａを消去することが可能となる。
【００６８】
これ以降の工程について、図１７〜図２０を参照して説明する。
【００６９】
上記のようにスピンコートにより塗布されたフォトレジスト４２は、シリコン基板４０の周縁部分において他の部分よりも厚く、この状態で現像すると周縁部分にフォトレジストの残渣が発生する恐れがある。
【００７０】
そこで、本実施形態では、このような残渣の発生を防止するために、図１７に示すように、露光を終えたシリコン基板４０を回転させながら、レーザ光源６０から出たレーザ光６１をシリコン基板４０の周縁部に照射し、レーザ光６１を照射された部分のフォトレジスト４２を完全に感光さて周縁感光部４２ｃを形成する。
【００７１】
この後に、図１８の全体平面図に示すように、フォトレジスト４２を現像してレジストパターン４２ｄを形成する。上記のようにシリコン基板４０の周縁部にレーザ光を照射したことで、現像によって周縁部４０ａのフォトレジスト４２が完全に除去されるので、フォトレジスト４２の残渣が発生せず、シリコン基板４０に再付着するレジスト残渣によってデバイスパターンに欠陥が発生するのを抑止できる。
【００７２】
次に、レジストパターン４２ｄをエッチングマスクにして膜４１（図１８では不図示）をドライエッチングした後、レジストパターン４２ｄを除去する。これにより、図１９に示すように、エッチングされずに残存する膜４１がデバイスパターン４１ａとなる。
【００７３】
既述のように、本実施形態では、検査マーク２５に相当する第１の未感光部４２ａが二重露光によって消去されるので、シリコン基板４０の外周スクライブ領域Roにはレジストパターンが残存せず、検査マーク２５に対応した膜４１の残膜は外周スクライブ領域Roに形成されない。
【００７４】
しかも、検査マーク２５が外周スクライブ領域Roに設けられるので、外周スクライブ領域Roの内側に形成されたマスクパターン２６の粗密が検査マーク２５によって影響を受けることは無く、マスクパターン２５に対応したデバイスパターン４１ａを所定の粗密でシリコン基板４０上に形成することができる。
【００７５】
続いて、図２０に示すように、ダイシングソー７０を用いて外周スクライブ領域Roとインナースクライブ領域Riに沿ってシリコン基板４０をダイシングし、チップ領域毎にシリコン基板４０を個片化して半導体チップを取り出す。
【００７６】
このとき、上記のように膜４１の残膜が外周スクライブ領域Roに無いので、ダイシングソー７０が残膜を切断することがなく、残膜に起因したバリが発生しなくなる。その結果、シリコン基板４０にバリが再付着することで起きる半導体チップの不良を防止でき、半導体チップの歩留まりを向上させることが可能となる。
【００７７】
以上により、本実施形態に係る電子装置の製造方法の主要工程が終了したことになる。
【００７８】
上記した本実施形態では、図６に示したように、外周スクライブ領域Roに形成された検査マーク２５が、対向する辺において互いに向き合わないように配される。
【００７９】
そのため、図１４のように外周スクライブ領域Roに相当する部分のフォトレジスト４２が二重露光されるように露光を行うことで、検査マーク２５に対応した第１の未感光部４２ａを消去でき、外周スクライブ領域Roにおけるフォトレジスト４２の全ての部分を感光させることが可能となる。
【００８０】
これにより、フォトレジスト４２を現像することで外周スクライブ領域Roにレジストが残らず、外周スクライブ領域Roにおける膜４１をエッチングにより完全に除去でき、膜４１に起因したバリがダイシングの際に発生せず、シリコン基板４０に再付着したバリによって半導体チップが不良になるのを防止できる。
【００８１】
なお、上記では、ダイシングの対象となる基板としてシリコン基板４０を用いたが、これに代えて、液晶表示装置や磁気記録媒体において使用される石英基板を用いてもよい。
【００８２】
検査方法について
次に、上記のレチクル２２の検査方法について、図２１及び図２２を参照しながら説明する。
【００８３】
図２１は本実施形態に係るレチクルの検査方法のフローチャートであり、図２２はこの検査方法について説明するための平面図である。
【００８４】
この検査では、以下のようにして、マスクパターン２６が設計通りの位置に配置されているかどうかが評価される。
【００８５】
検査を行うには、図２２に示すように、市販のレチクル検査装置を用いて、検査マーク２５にレーザ光を照射してその反射光を測定することにより、各検査マーク２５の基準位置Pの座標を求める（ステップＳ１）。図２２の例では、左右の列の検査マーク２５のX座標をそれぞれXA〜XD、Xa〜Xdで表している。また、上下の行の検査マーク２５の座標をそれぞれ(XI,YI)〜(XL,YL)、(Xi,Yi)〜(Xl,Yl)で表している。
【００８６】
なお、検査マーク２５の基準点Pの取り方は特に限定されない。
【００８７】
図２３は、その基準点Pの位置の一例を示す図であり、この例では、十字型の検査マーク２５の中心点を基準点Pとしている。
【００８８】
これに代えて、図２４のように、検査マーク２５をL字型に形成し、その屈曲点を基準点Pとしてもよい。
【００８９】
次いで、このようにして得られた検査マーク２５の座標を基にして、以下のように(i)X方向の収縮率ΔX、(ii)Y方向の収縮率ΔY、及び(iii)直交度ΔOを求める（ステップＳ２）。
【００９０】
(i)X方向の収縮率
X方向の収縮率ΔXは次式により算出される
ΔX＝[[(Xa+Xb+Xc+Xd)−(XA+XB+XC+XD)]／4−PX]×1000000／PX  (ppm)
ここで、PXは、二つの検査マーク２５の各基準点P同士のX方向の設計距離であって、例えば１１８mm程度の値である。
【００９１】
この式で得られた収縮率ΔXは、レチクル２１がX方向に全体的にどの程度収縮しているかを評価するための一つの指標であって、その値がゼロのとき、レチクル２１はX方向に収縮していないと評価される。
【００９２】
(ii)Y方向の収縮率
Y方向の収縮率ΔYは次式により算出される
ΔX＝[[(Yi+Yj+Yk+Yl)−(YI+YJ+YK+YL)]／4−PY]×1000000／PY  (ppm)
ここで、PYは、二つの検査マーク２５の各基準点P同士のY方向の設計距離であって、例えば１３８mm程度の値である。
【００９３】
この式で得られた収縮率ΔYは、レチクル２１がY方向に全体的にどの程度収縮しているかを評価するための一つの指標であって、その値がゼロのとき、レチクル２１はY方向に収縮していないと評価される。
【００９４】
(iii)直交度
直交度ΔOとは、各検査マーク２５の並びがどの程度傾いているかを示す指標であり、次式により算出される
ΔO＝[[(Xi+Xj+Xk+Xl)−(XI+XJ+XK+XL)]／4]×1000000／PY  (ppm)
ΔOがゼロのとき、X方向に配列された検査マーク２５の並びと、Y方向に配列された検査マーク２５の並びとが、設計通りに直交していると評価される。
【００９５】
そして、ステップＳ２では、これらの指標ΔX、ΔY、ΔOを基にして、マスクパターン２６が設計通りの位置に配置されているかどうかが検査される。
【００９６】
例えば、ΔXやΔYがゼロではない場合は、マスクパターン２６がX方向又はY方向に収縮していると評価することができる。また、ΔOがゼロでない場合には、マスクパターン２６のX方向の並び、又はY方向の並びが傾いていると評価することができる。
【００９７】
以下に、本発明の特徴について付記する。
【００９８】
（付記１）  透明基板と、
矩形状のショット領域を囲うように前記透明基板の上に形成された遮光帯と、
前記ショット領域を縁取る外周スクライブ領域の内側に形成されたマスクパターンと、
前記外周スクライブ領域の第１の辺に形成された検査マークとを有し、
前記外周スクライブ領域のうち前記第１の辺に対向する第２の辺に、ショット間隔に相当する距離だけ前記検査マークを仮想的に平行移動したときに、平行移動後の該検査マークに対応する部分の前記外周スクライブ領域が露光光を透過することを特徴とする露光用マスク。
【００９９】
（付記２）  前記遮光帯は、前記検査マークの幅よりも狭い距離だけ前記透明基板の縁から後退して形成されたことを特徴とする付記１に記載の露光用マスク。
【０１００】
（付記３）  前記遮光帯に開口が形成され、該開口の内側の領域における前記透明基板に、露光装置に対するアライメントマークが形成されたことを特徴とする付記１に記載の露光用マスク。
【０１０１】
（付記４）  前記検査マークは矩形状の仮想枠の内側に配され、該仮想枠の中心を軸にして前記検査マークを１８０°回転してなるマークを、前記第２の辺に平行移動して検査マークとして設けることを特徴とする付記１に記載の露光用マスク。
【０１０２】
（付記５）  前記検査マークは、前記仮想枠内の半分の領域のみに配されることを特徴とする付記４に記載の露光用マスク。
【０１０３】
（付記６）  基板の上に膜を形成する工程と、
前記膜の上にフォトレジストを塗布する工程と、
矩形状のショット領域を縁取る外周スクライブ領域と、前記外周スクライブ領域の第１の辺に形成された検査マークを有する露光用マスクを用いて第１の露光を行う工程と、
前記第１の露光において前記第１の辺が露光された領域に、前記外周スクライブ領域のうち前記第１の辺と対向する第２の辺が露光されるように、前記基板を移動させて第２の露光を行う工程とを有し、
前記第１の露光において前記検査マークが投影された領域には、第２の露光において露光光が入射されることを特徴とする電子装置の製造方法。
【０１０４】
（付記７）  前記露光用マスクとして、ショット間隔に相当する距離だけ前記検査マークを前記第２の辺に仮想的に平行移動したときに、平行移動後の該検査マークに対応する部分の前記外周スクライブ領域が露光光を透過するマスクを使用することを特徴とする付記６に記載の電子装置の製造方法。
【０１０５】
（付記８）  前記ショット領域は、遮光帯によって囲われていることを特徴とする付記６に記載の電子装置の製造方法。
【０１０６】
（付記９）  前記第２の露光の後に、前記フォトレジストを現像してレジストパターンにする工程と、
前記レジストパターンをマスクにして前記膜をエッチングすることによりデバイスパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンを除去する工程と、
前記外周スクライブ領域に沿って前記基板をダイシングすることにより、該基板から複数のチップを切り出す工程とを更に有することを特徴とする付記６に記載の電子装置の製造方法。
【０１０７】
（付記１０）  前記基板の周縁部に沿って前記フォトレジストに光を照射する工程を更に有することを特徴とする付記６に記載の電子装置の製造方法。
【０１０８】
（付記１１）  前記第１の露光又は前記第２の露光において、前記基板の外周から前記マスクパターンの投影像がはみ出るように前記フォトレジストを露光することを特徴とする付記６に記載の電子装置の製造方法。
【０１０９】
（付記１２）  露光用マスクが備える透明基板において、矩形状のショット領域を縁取る外周スクライブ領域の第１の辺に形成された複数の検査マークの位置座標を求めるステップと、
前記位置座標を基にして、前記外周スクライブ領域の内側の前記透明基板上に形成されたマスクパターンが、設計された位置に配されているかどうかを評価するステップとを有し、
前記露光用マスクが、前記ショット領域を囲うように前記透明基板の上に形成された遮光帯を有すると共に、
前記外周スクライブ領域のうち前記第１の辺に対向する第２の辺に、ショット間隔に相当する距離だけ前記検査マークを仮想的に平行移動したときに、平行移動後の該検査マークに対応する部分の前記外周スクライブ領域が露光光を透過することを特徴とする露光用マスクの検査方法。
【０１１０】
（付記１３）  前記マスクパターンを評価するステップでは、前記マスクパターンの収縮、又は前記マスクパターンの並びの傾きが検査されることを特徴とする付記１２に記載の露光用マスクの検査方法。
【０１１１】
（付記１４）  前記検査マークの前記位置座標として、該検査マークの基準点の位置座標を用いることを特徴とする付記１２に記載の露光用マスクの検査方法。
【図面の簡単な説明】
【０１１２】
【図１】従来例に係るレチクルの全体平面図である。
【図２】図２は、ウエハの面内において粗密が一定となるように配されたデバイスパターンの平面図である。
【図３】図３は、ウエハの面内において局所的に疎となったデバイスパターンの平面図である。
【図４】図４は、ウエハの面内において局所的に密となったデバイスパターンの平面図である。
【図５】図３は、ウエハの面内において局所的に異なる形のデバイスパターンが挿入された場合の平面図である。
【図６】図６は、本発明の実施の形態に係るレチクルの平面図である。
【図７】図７は、本発明の実施の形態において、検査マークの配置方法を説明するための模式図である。
【図８】図８は、本発明の実施の形態における検査マークの拡大平面図（その１）である。
【図９】図９は、本発明の実施の形態における検査マークの拡大平面図（その２）である。
【図１０】図１０は、本発明の実施の形態における検査マークの拡大平面図（その３）である。
【図１１】図１１は、本発明の実施の形態における検査マークの拡大平面図（その４）である。
【図１２】図１２は、本発明の実施の形態に係る電子装置の製造方法について説明するための平面図（その１）である。
【図１３】図１３は、本発明の実施の形態に係る電子装置の製造方法について説明するための平面図（その２）である。
【図１４】図１４は、本発明の実施の形態に係る電子装置の製造方法について説明するための平面図（その３）である。
【図１５】図１５は、本発明の実施の形態に係る電子装置の製造方法について説明するための平面図（その４）である。
【図１６】図１６は、本発明の実施の形態において、露光を終了した後のシリコン基板の全体平面図である。
【図１７】図１７は、本発明の実施の形態において、シリコン基板の周縁部のフォトレジストを露光する方法について示す斜視図である。
【図１８】図１８は、本発明の実施の形態において、レジストパターンを形成した後のシリコン基板の全体平面図である。
【図１９】図１９は、本発明の実施の形態において、デバイスパターンを形成した後のシリコン基板の拡大平面図である。
【図２０】図２０は、本発明の実施の形態において、ダイシング中のシリコン基板の拡大平面図である。
【図２１】図２１は、本発明の実施の形態に係るレチクルの検査方法のフローチャートである。
【図２２】図２２は、本発明の実施の形態に係るレチクルの検査方法について説明するための平面図である。
【図２３】図２３は、本発明の実施の形態において、検査マークの基準点の位置の例を示す平面図である。
【図２４】図２４は、本発明の実施の形態において、検査マークの基準点の位置の別の例を示す平面図である。
【符号の説明】
【０１１３】
１、２１…レチクル、２、２２…透明基板、３、２３…遮光帯、２３ａ…開口、４、２４…アライメントマーク、５、２５…検査マーク、６、２６…マスクパターン、１０…半導体ウエハ、１１…デバイスパターン、３１〜３４…辺、３５…仮想枠、４０…シリコン基板、４０ａ…周縁部、４１…膜、４１ａ…デバイスパターン、４２…フォトレジスト、４２ａ、４２ｂ…第１、第２未感光部、４２ｄ…レジストパターン、Ro…外周スクライブ領域、Ri…インナースクライブ領域、Rc…チップ領域、C…中心、P…基準点。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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