(57)【要約】【課題】可動構造体の製造方法において、簡便な製造プロセスにより加工精度良く、高速動作可能な可動構造体を製造可能にする。【解決手段】可動構造体は、第１のシリコン基板１０ａと第２のシリコン基板１０ｂとが接合されて成るＳＯＩ基板１００により形成されている。第１のシリコン基板１０ａには、ポーラスシリコン１５が形成された可動板２、ばね部３、垂直静電コム６等が形成されている。可動構造体は、第１のシリコン基板１０ａのうち可動板２が形成される部位を陽極酸化してポーラスシリコン１５を形成する第１の工程、第１のシリコン基板１０ａに第２のシリコン基板１０ｂを接合する第２の工程、第２の工程にて形成されたＳＯＩ基板１００に可動板２等を形成する第３の工程を経て製造される。これにより、従来の高段差部へのエッチング等を行う必要がなくなり、簡便な製造プロセスにより精度良く可動構造体を製造することができる。【選択図】図２
2008052218.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のシリコン基板と第２のシリコン基板とが絶縁膜を介し互いに接合されて成るＳＯＩ（Silicon on Insulator）基板から構成され、
前記第１のシリコン基板に、フレーム部と、このフレーム部に対してばね部を介して回転可能な可動板とが形成されて成る可動構造体の製造方法であって、
前記第１のシリコン基板のうち前記可動板が形成される部位に、当該部位を陽極酸化することによりポーラスシリコンを形成する第１の工程と、
前記第１の工程の後、前記第１のシリコン基板に、絶縁膜を介して前記第２のシリコン基板を接合し、前記ＳＯＩ基板を形成する第２の工程と、
前記第２の工程の後、前記ＳＯＩ基板の前記ポーラスシリコン形成部位を含んだ領域に可動板を形成する第３の工程と、を有することを特徴とする可動構造体の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の製造方法により製造された可動構造体を備え、
前記可動板にはミラー構造が設けられており、前記可動板が回転動作することにより、前記ミラー構造に入射した光ビームを走査させることを特徴とする光学素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ミラー構造を有する可動板を回転軸周りに回転させることにより光を走査する光学素子に適用可能であり、可動板が軽量化され高速動作が可能な可動構造体の製造方法、及び同構造体を備えた光学素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、例えばバーコードリーダやプロジェクタ等の光学機器には、ミラーが設けられた可動板を揺動させて、そのミラーに入射した光ビーム等を走査させる光学素子が搭載されている。このような光学素子としては、例えば特許文献１に示されているような、マイクロマシニング技術を用いて成形される小型の可動構造体を搭載したものが知られている。可動構造体において、可動板は、周囲のフレーム部に支持された梁状のばね部により保持されている。可動板は、例えば磁力や静電気力等の駆動力を受け、ばね部を回転軸としてばね部を捻りながら揺動する。
【０００３】
ところで、上記のような光学素子においては、光ビームの走査角を大きく、且つ、走査速度を速くすることが望まれている。可動板の揺動の共振周波数を大きくし、走査速度を早くするためには、例えばばね部のばね定数を大きくすればよいが、走査角が小さくなってしまう。一方、例えば可動板の厚みを薄くしてその質量を小さくすれば、共振周波数を大きく、且つ、走査角度も大きくすることができるが、可動板の剛性が不足し可動板が撓んでしまうため、光ビームを正確に偏向させて走査することができなくなる。そこで、例えば特許文献１に示されている光学素子においては、可動板の一部を多孔質のポーラスシリコンとすることにより、可動板を剛性を保ちつつ軽量化し、可動板の揺動の共振周波数を向上させている。
【０００４】
ここで、上記のような可動板の一部にポーラスシリコンが形成された光学素子の製造工程の一例について、図１７（ａ）乃至（ｄ）を参照しつつ説明する。光学素子は、櫛歯電極により構成された垂直静電コムにより可動板を駆動する２枚のシリコン基板８０ａ，８０ｂが酸化膜８２０を介して互いに接合されて成るＳＯＩ（Silicon on Insulator）基板８００をマイクロマシニング技術を用いて加工することにより製造される。シリコン基板８０ａの厚みは、例えば３０μｍ程度であり、シリコン基板８０ｂの厚みは、例えば３００μｍ程度である。可動板８２はシリコン基板８０ａに形成されるが、ミラーは平坦な面に形成しなければならないため、ポーラスシリコンは、シリコン基板８０ｂをエッチングしてシリコン基板８０ａのうちミラーが形成される面とは反対の面に形成される。
【０００５】
例えば、先ず、ＳＯＩ基板８００の表面に酸化膜８２０を形成した後、シリコン基板８０ｂの表面に、フォトリゾグラフィによりレジスト８３２をパターニングし、その面に露出する酸化膜８２０をエッチングして除去する（図１７（ａ））。次に、酸化膜８２０が除去されて露出したシリコン基板８０ｂをエッチングして除去し、可動板８２を形成する部位の下方に空間８４０を設ける。そして、ポーラスシリコンを形成する際の保護膜として、窒化膜８３１をフォトリゾグラフィを行いながら形成する（図１７（ｂ））。その後、シリコン基板８０ｂのうち空間８４０に露出する部位に、フッ酸水溶液とエタノールの混合液中で陽極酸化することにより、ポーラスシリコン８１５を形成する（図１７（ｃ））。ポーラスシリコン８１５を形成した後には、フォトリゾグラフィやスパッタリングを行うことにより、シリコン基板８０ａの表面にミラー８２ａ及び電極８７を形成する。その後、シリコン基板８１０ａをエッチングし、シリコン基板８１０ａに、可動板８２やばね部（図示せず）、また可動板８２を駆動するための櫛歯電極８６等を形成する（図１７（ｄ））。そして、不要なレジスト８３２、窒化膜８３１、及び酸化膜８２０を除去し、光学素子が得られる。
【特許文献１】特開２００５‐１８１４３０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記のような従来の製造方法では、ＳＯＩ基板８００にポーラスシリコン８１５を形成する際に、シリコン基板８０ｂの表面から深い高段差部に、レジスト８３２を形成したり、フォトリゾグラフィやエッチング等を行なったりしなければならない。そのため、特殊なレジスト塗布装置が必要になる等、製造プロセスが複雑であるという問題がある。また、レジスト８３２の厚さを均一にしたりパターンを露光する際の焦点を合わせたりすることが困難であるため、加工精度を高めにくく、良品率を高くすることが困難であった。
【０００７】
本発明は、上記問題点を鑑みてなされたものであり、簡便な製造プロセスにより加工精度良く、高速動作可能な可動構造体を製造することができる可動構造体の製造方法、及び同構造体を備えた光学素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するため、請求項１の可動構造体の製造方法は、第１のシリコン基板と第２のシリコン基板とが絶縁膜を介し互いに接合されて成るＳＯＩ（Silicon on Insulator）基板から構成され、前記第１のシリコン基板に、フレーム部と、このフレーム部に対してばね部を介して回転可能な可動板とが形成されて成る可動構造体の製造方法であって、前記第１のシリコン基板のうち前記可動板が形成される部位に、当該部位を陽極酸化することによりポーラスシリコンを形成する第１の工程と、前記第１の工程の後、前記第１のシリコン基板に、絶縁膜を介して前記第２のシリコン基板を接合し、前記ＳＯＩ基板を形成する第２の工程と、前記第２の工程の後、前記ＳＯＩ基板の前記ポーラスシリコン形成部位を含んだ領域に可動板を形成する第３の工程と、を有するものである。
【０００９】
請求項２の光学素子は、請求項１に記載の製造方法により製造された可動構造体を備え、前記可動板にはミラー構造が設けられており、前記可動板が回転動作することにより、前記ミラー構造に入射した光ビームを走査させるものである。
【発明の効果】
【００１０】
請求項１の発明によれば、第１のシリコン基板にポーラスシリコンを形成した後に第１のシリコン基板と第２のシリコン基板とを接合してＳＯＩ基板を形成するので、特殊なレジスト塗布装置等は必要なく、従来と比較して簡便な製造プロセスで高速動作可能な可動構造体を製造することができる。また、ＳＯＩ基板を精度良く加工して可動構造体を製造することができるので、可動構造体の製造時の良品率が向上する。
【００１１】
請求項２の発明によれば、簡便な製造プロセスで精度良く加工された可動構造体を用いた光学素子を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明の一実施形態について図面を参照して説明する。図１及び図２（ａ）、（ｂ）は、本実施形態に係る光学素子の一例を示す。光学素子１は、マイクロマシニング技術を用いた製造方法により、シリコン基板を加工することにより構成された小型の可動構造体により構成されている。この光学素子１は、例えば、バーコードリーダ、外部のスクリーン等に画像を投影するプロジェクタ装置、又は光スイッチ等の光学機器に搭載されるものであり、外部の光源等（図示せず）から入射する光ビーム等を走査させる機能を有している。
【００１３】
先ず、この光学素子１の構成について以下に説明する。光学素子１は、導電性を有する第１のシリコン基板１０ａと第２のシリコン基板１０ｂとを、絶縁性を有するシリコンの酸化膜（絶縁膜）２０を介して接合して成る３層のＳＯＩ（Silicon on Insulator）基板１００から構成されている。ＳＯＩ基板１００の厚みは、例えばおよそ４００μｍであり、第１のシリコン基板１０ａ、酸化膜２０、及び第２のシリコン基板１０ｂの厚みは、それぞれ、例えば、３０μｍ程度、２μｍ程度、３７０μｍ程度である。この光学素子１は、上面視で例えば一辺が約４ｍｍの略正方形である直方体状の素子であり、例えば、ガラス基板（図示せず）上に配置されて光学機器等に搭載される。
【００１４】
第１のシリコン基板１０ａには、例えば矩形形状の可動板２と、可動板２の両側部にそれぞれ互いに同軸となるように配置された２本の梁状のばね部３と、ばね部３のうち可動板２が設けられている部位とは反対側の端部を保持するフレーム部４とが一体に形成されている。フレーム部４は、可動板２を囲むように配置されている。可動板２とフレーム部４には、可動板２の駆動力を発生する垂直静電コム６が形成されている。フレーム部４の上面には、電極パッド７ａ，７ｂが配置されている。この光学素子１は、駆動されていない静止状態にあるとき、可動板２、ばね部３、及びフレーム部４の上面が、略水平に並ぶように構成されている。酸化膜２０及び第２のシリコン基板１０ｂのうち可動板２の下方の部位には空間４０が形成されており、可動板２は、ばね部３を介してフレーム部４に保持されている。
【００１５】
垂直静電コム６は、可動板２のうちばね部３が接続されていない両端部とそれに対向するフレーム部４とのそれぞれに、互いに噛み合うように形成された櫛歯形状の電極２ｂ，４ｃで構成されている。電極２ｂ，４ｃ間の隙間はわずかであり、垂直静電コム６は、これらの両電極２ｂ，４ｃ間に電圧が印加されたとき、互いに引き合う静電力を発生するように構成されている。垂直静電コム６が発生する静電力は、可動板２の上面に対し略垂直な方向に作用するように構成されており、可動板２は、この静電力を駆動力として駆動される。
【００１６】
可動板２の両側部の略中央部には、ばね部３の一端がそれぞれ接続されている。２つのばね部３は、可動板２に対して略対称に形成されており、可動板２をバランス良く保持している。可動板２の重心は、２つのばね部３が並ぶ軸付近に位置しており、可動板２は、駆動されて揺動するとき、ばね部３を捻りながらばね部３を回転軸として回転運動し、バランスを保ち揺動する。可動板２の上面には、例えば外部から入射される光ビーム等を反射するための矩形形状のミラー膜（ミラー構造）２ａが形成されている。このミラー膜２ａは、光学素子１と共に用いられる光源の種類等に応じて選択された、例えばアルミニウムや金等の金属膜である。なお、可動板２やミラー膜２ａの形状は、矩形に限られず、例えば略楕円形等であってもよい。
【００１７】
可動板２のうち空間４０に面する部位には、多孔質化されたポーラスシリコン１５が形成されている。ポーラスシリコン１５の密度は、例えば、第１のシリコン基板１０ａを構成する単結晶のシリコンの密度の約５０％である。ポーラスシリコン１５は、シリコンの酸化物であり、絶縁性を有しており、その表面には凹凸がある。そのため、ポーラスシリコン１５は、可動板２の上面のミラー膜２ａが形成される部位と電極２ｂとを除いた部位に形成される。可動板２において、少なくともミラー膜２ａが形成される部位と電極２ｂとは、単結晶のシリコンにより形成されている。可動板２の一部にポーラスシリコン１５が形成されているので、可動板２は、可動板２の全部が単結晶のシリコンにより構成されている場合よりも軽量化されており、且つ、剛性があり撓みにくい厚みに形成されている。
【００１８】
フレーム部４は、各ばね部３の他端をそれぞれ支持する支持部４ａと、電極４ｃが配置されており、可動板２の回転軸に対し略対称に、可動板２の側部とばね部３を囲むように配された固定電極部４ｂとを有している。支持部４ａと固定電極部４ｂとは、その境界に溝状の絶縁部５が形成されて互いに電気的に絶縁された状態となっている。なお、溝状の絶縁部５に替えて、酸化膜が形成されていることにより、支持部４ａと固定電極部４ｂとが絶縁されていてもよい。電極パッド７ａ，７ｂは、それぞれ、支持部４ａ、固定電極部４ｂの上面に形成されている。すなわち、電極パッド７ａ，７ｂの電位を変更することにより、垂直静電コム６の電極２ｂ，４ｃそれぞれの電位を変更することができるように構成されている。
【００１９】
次に、上記のように構成された光学素子１の動作について説明する。光学素子１の可動板２は、垂直静電コム６が所定の駆動周波数で駆動力を発生することにより駆動される。垂直静電コム６は、例えば、支持部４ａに配された電極パッド７ａがグランド電位に接続され、可動板２の電極２ｂが基準電位である状態で、固定電極部４ｂに配された電極パッド７ｂの電位を周期的に変化させて、電極２ｂ，４ｃ間に所定の駆動周波数の電圧が印加されて駆動される。垂直静電コム６のうち２つの電極４ｃの電位が、同時に所定の駆動電位（例えば、数十ボルト）まで変化することにより、可動板２の両端部に設けられた２つの電極２ｂが、それぞれと対向する電極４ｃに、静電力により同時に引き寄せられる。この光学素子１において、垂直静電コム６には、例えば矩形波形状の電圧が印加され、垂直静電コム６による駆動力が周期的に発生するように構成されている。
【００２０】
上述のように形成された可動板２は、一般に多くの場合、その成型時に内部応力等が生じることにより、静止状態でも可動板２が水平姿勢ではなく、きわめて僅かであるが傾いている。そのため、静止状態からであっても、垂直静電コム６が駆動されると、可動板２にそれに略垂直な方向の駆動力が加わり、可動板２がばね部３を回転軸として回動する。そして、垂直静電コム６の駆動力を、可動板２が電極２ｂ，４ｃが完全に重なりあうような姿勢となったときに解除すると、可動板２は、その慣性力により、ばね部３を捻りながら回動を継続する。そして、可動板２の回動方向への慣性力と、ばね部３の復元力とが等しくなったとき、可動板２のその方向への回動が止まる。このとき、垂直静電コム６が再び駆動され、可動板２は、ばね部３の復元力と垂直静電コム６の駆動力により、それまでとは逆の方向への回動を開始する。可動板２は、このような垂直静電コム６の駆動力とばね部３の復元力による回動を繰り返して揺動する。垂直静電コム６は、可動板２とばね部３により構成される振動系の共振周波数の略２倍の周波数の電圧が印加されて駆動され、可動板２が共振現象を伴って駆動され、その揺動角が大きくなるように構成されている。なお、垂直静電コム６の電圧の印加態様や駆動周波数は、上述に限られるものではなく、例えば、駆動電圧が正弦波形で印加されるように構成されていても、また、電極２ｂ，４ｃの電位が共に変化するように構成されていてもよい。
【００２１】
ここで、可動板２の揺動の共振周波数は、ばね部３のばね定数をＫ、可動板２の質量をｍ、可動板２の回転軸に直交する方向の辺の長さをＬ、可動板２の揺動の慣性モーメントをｉとすると、次式のように表される。
【数１】
2008052218.tif 000003
【００２２】
この光学素子１では、可動板２にポーラスシリコン１５が形成されており、ポーラスシリコン１５が形成されていない場合と比較して、可動板２が軽量化され可動板２の回動軸周りの慣性モーメントが小さくなっている。従って、可動板２の共振周波数は、ポーラスシリコン１５が形成されていない場合よりも高くなる。すなわち、この光学素子１は、可動板２の揺動角が大きく、且つ、高速に動作し、外部からミラー膜２ａに入射された光を、高速に広い範囲に走査させることができる。
【００２３】
以下に、この光学素子１の製造工程の一例について、図３乃至図１６を参照しつつ説明する。この光学素子１の製造工程においては、第１のシリコン基板１０ａにポーラスシリコン１５を形成する第１の工程を行い、その後に、第１のシリコン基板１０ａと第２のシリコン基板１０ｂとを接合してＳＯＩ基板１００を形成する第２の工程を行う点で、従来の製造工程と相違する。この光学素子１は、例えば大きさが直径４インチ程度のシリコンウェハ上に複数個同時に形成された後、互いに切り離されて製造される。
【００２４】
第１の工程では、第１のシリコン基板１０ａのうち可動板２が形成される部位に、その部位を陽極酸化することによりポーラスシリコン１５を形成する。ポーラスシリコン１５は多孔質であり絶縁物であるため、この光学素子１では、可動板２のうち、ミラー膜２ａが形成される上面とは反対の面となる下面にポーラスシリコン１５が形成される。
【００２５】
第１の工程は、例えば以下のように行われる。先ず、酸素雰囲気の拡散炉中で、第１のシリコン基板１０ａの両面に酸化膜２０ａを形成する。その後、ＬＰＣＶＤ（Low Pressure Chemical Vapor Deposition）により、酸化膜２０ａの表面に、窒化膜３１ａを成膜する（図３）。このとき、第１のシリコン基板１０ａの厚みは例えば約３００μｍ程度であり、酸化膜２０ａの厚みは、例えば約６０００Å程度であり、窒化膜３１ａの厚みは、例えば１０００Å程度である。
【００２６】
その後、可動板２が形成される所定の部位のみを陽極酸化するために、第１のシリコン基板１０ａの下面のうち、可動板２が形成される部位以外の部位を、フォトリゾグラフィによりレジスト３２ａをパターニングすることによりマスクする。そして、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）を行い、第１のシリコン基板１０ａの下面のうち、露出している酸化膜２０ａと窒化膜３１ａを除去する（図４）。なお、このとき、陽極酸化を行う際に電極が接続される部位についても、同様に、酸化膜２０ａ及び窒化膜３１ａを除去する。酸化膜２０ａと窒化膜３１ａを除去した後、酸素プラズマ中で、レジスト３２ａの除去を行う。その後、第１のシリコン基板１０ａに陽極となる電極を接続し、対向電極として例えば白金を用いて、フッ酸水溶液とエタノールの混合液中で陽極酸化を行う。これにより、第１のシリコン基板１０ａの下面の所望部位に、ポーラスシリコン１５が形成される（図５）。
【００２７】
次に、上記第１の工程によりポーラスシリコン１５を形成した第１のシリコン基板１０ａに第２のシリコン基板１０ｂを接合し、ＳＯＩ基板１００を作成する（第２の工程）。この第２の工程は、例えば以下のようにして行われる。先ず、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polish）により、第１のシリコン基板１０ａの下面のシリコン単結晶部分を鏡面研磨する（図６）。そして、第１のシリコン基板１０ａと、酸化膜２０が上面に形成された第２のシリコン基板１０ｂとを、第１のシリコン基板１０ａの鏡面研磨した面に酸化膜２０が接するようにして、１１００℃程度の拡散炉内で接合する。これにより、絶縁膜である酸化膜２０を介して第１のシリコン基板１０ａと第２のシリコン基板１０ｂとが互いに接合され、第１のシリコン基板１０ａにポーラスシリコン１５が形成されているＳＯＩ基板１００が形成される（図７）。ＳＯＩ基板１００を形成した後、ＣＭＰにより、第１のシリコン基板１０ａの上面を、第１のシリコン基板１０ａの厚みが３０ｕｍ程度になるように鏡面研磨する（図８）。これにより、第１のシリコン基板１０ａの厚みを、後に形成する可動板２の厚みと略同等にする。
【００２８】
そして、上記のように第２の工程にてＳＯＩ基板１００を形成した後、以後の工程で、ＳＯＩ基板１００に、可動板２、ばね部３、垂直静電コム６、電極パッド７ａ，７ｂ等を形成する（第３の工程）。第３の工程においては、例えば、先ず、第１のシリコン基板１０ａにミラー膜２ａ、電極パッド７ａ，７ｂ、を形成し、その後、第１のシリコン基板１０ａ、第２のシリコン基板１０ｂを加工して、光学素子１を形成する。
【００２９】
ミラー膜２ａと電極パッド７ａ，７ｂとは、例えばスパッタリング技術等を用いて、共に同時に形成される。例えば、先ず、酸素雰囲気の拡散炉中にて、ＳＯＩ基板１００の表面に、酸化膜２０ｂを形成する（図９）。酸化膜２０ｂの厚みは、例えば約６０００Åにすればよい。そして、第１のシリコン基板１０ａの上面に形成された酸化膜２０ｂの表面のうち、ミラー膜２ａと電極パッド７ａ，７ｂとを形成しない部位に、フォトリゾグラフィによりレジスト３２ｂをパターニングし、ＲＩＥにより酸化膜２０ｂのうちレジスト３２ｂにマスクされていない部位を除去する（図１０）。その後、酸素プラズマ中でレジスト３２ｂを除去し、例えばアルミニウムをスパッタリングすることにより、第１のシリコン基板１０ａの上面にアルミニウム膜を形成する。アルミニウム膜は、例えば厚みが１０００Å程度になるように形成される。そして、フォトリゾフラフィによりレジスト３２ｃをパターニングした後にＲＩＥを行い、アルミニウム膜のうち、ミラー膜２ａと電極パッド７ａ，７ｂとを形成しない部位を除去する（図１１）。レジスト３２ｃは、酸素プラズマ中で除去しておく。
【００３０】
次に、ＳＯＩ基板１００の上部にレジスト３２ｄを塗布し、フォトリゾグラフィにより可動板２、ばね部３、垂直静電コム６等の形状をパターニングする。そして、ＲＩＥを行い、酸化膜２０ｂのうちレジスト３２ｄにより除去されていない部位を除去する（図１２）。これにより、第１のシリコン基板１０ａの上面のうち、可動板２、ばね部３、垂直静電コム６等を形成しない部位を露出させる。そして、Ｄ−ＲＩＥ（Deep Reactive Ion Etching）を行い、第１のシリコン基板１０ａのうち上面が露出している部位をエッチングする（図１３）。第１のシリコン基板１０ａと第２のシリコン基板１０ｂとの間に介在する酸化層２０のエッチングレートは、活性層である第１のシリコン基板１０ａのエッチングレートとは異なるため、酸化膜２０はエッチングされない。これにより、第１のシリコン基板１０ａに、可動板２、ばね部３、フレーム部４、絶縁部５、垂直静電コム６等が形成される。レジスト３２ｄは、酸素プラズマ中で除去しておく。
【００３１】
その後、ＳＯＩ基板１００の裏面の第２のシリコン基板１０ｂのうち、可動板２が形成された部位の下方の部位に空間４０を形成するため、第２のシリコン基板１０ｂの表面に、フォトリゾグラフィによりレジスト３２ｅを形成する。そして、ＲＩＥを行い、酸化膜２０ｂのうちレジスト３２ｅが形成されておらず露出している部位を除去し、第２のシリコン基板１０ｂのうち空間４０を形成する部位を露出させる（図１４）。そして、Ｄ−ＲＩＥを行い、第２のシリコン基板１０ｂのエッチングを行い、第２のシリコン基板１０ｂのうち可動板２に対応する部位に空間４０を形成する（ず１５）。このとき、上述と同様に、酸化膜２０とシリコンのエッチングレートが互いに異なるので、酸化膜２０はエッチングされず、第２のシリコン基板１０ｂのみがエッチングされる。レジスト３２ｅは、酸素プラズマ中で除去しておく。
【００３２】
空間４０を形成した後には、ＲＩＥを行い、ＳＯＩ基板１００の裏面に露出する酸化膜２０，２０ｂを除去する（図１６）。また、同様に、ＳＯＩ基板１００の上面の酸化膜２０ｂも除去する。これにより、可動板２がばね部３により揺動可能に保持された光学素子１が形成される。光学素子１は、ガラス基板等に陽極接合等により接合されて用いられる。
【００３３】
上記のように、本実施形態では、光学素子１の製造工程において、第１のシリコン基板１０ａにポーラスシリコン１５を形成した後に第１のシリコン基板１０ａと第２のシリコン基板１０ｂとを接合してＳＯＩ基板１００を形成するので、ポーラスシリコン１５を形成するために特殊なレジスト塗布装置等は必要無く、従来と比較して簡便な製造プロセスにより、高速動作可能な光学素子１の可動構造体を製造することが可能になる。そして、高段差部への困難な加工等が必要無く、ＳＯＩ基板１００を精度良く加工して光学素子１の可動構造体を製造することができるので、可動構造体の製造時の良品率を向上させることができる。
【００３４】
なお、本発明は、上記各実施形態の構成に限定されるものではなく、発明の趣旨を変更しない範囲で適宜に種々の変形が可能である。例えば、ばね部や、垂直静電コムを構成する電極等は、第２のシリコン基板に形成されていてもよい。また、可動構造体は、駆動構造として、水平静電コムや、可動板の平面に対向するように配置される駆動電極等を有しており、それらが発生する静電力を駆動力として可動板が駆動されるように構成されていてもよい。そして、可動構造体は、例えば、磁力等により可動板を駆動させるような駆動構造を有していてもよい。すなわち、本発明においては、可動板が形成される第１のシリコン基板にポーラスシリコンを形成した後、第１のシリコン基板と第２のシリコン基板とを接合してＳＯＩ基板を形成し、そのＳＯＩ基板に可動板を形成することにより、簡便且つ精度良く高速動作可能な可動構造体を製造することが可能になる。
【００３５】
そして、上述の可動構造体の製造方法は、可動板２にミラー膜２ａを形成した光学素子１の製造方法として限られるものではなく、種々の素子に用いられる可動構造体の製造方法として適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本発明の一実施形態に係る光学素子を示す斜視図。
【図２】（ａ）は上記光学素子を示す平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線における側断面図。
【図３】上記光学素子の製造工程の第１の工程における側断面図。
【図４】上記光学素子の製造工程の第１の工程における側断面図。
【図５】上記光学素子の製造工程の第１の工程における側断面図。
【図６】上記光学素子の製造工程の第２の工程における側断面図。
【図７】上記光学素子の製造工程の第２の工程における側断面図。
【図８】上記光学素子の製造工程の第２の工程における側断面図。
【図９】上記光学素子の製造工程の第３の工程における側断面図。
【図１０】上記光学素子の製造工程の第３の工程における側断面図。
【図１１】上記光学素子の製造工程の第３の工程における側断面図。
【図１２】上記光学素子の製造工程の第３の工程における側断面図。
【図１３】上記光学素子の製造工程の第３の工程における側断面図。
【図１４】上記光学素子の製造工程の第３の工程における側断面図。
【図１５】上記光学素子の製造工程の第３の工程における側断面図。
【図１６】上記光学素子の製造工程の第３の工程における側断面図。
【図１７】（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）は従来の光学素子の製造工程を時系列順に示した側断面図。
【符号の説明】
【００３７】
１  光学素子（可動構造体）
２  可動板
２ａ  ミラー膜（ミラー構造）
３  ばね部
４  フレーム部
１０ａ  第１のシリコン基板
１０ｂ  第２のシリコン基板
１５  ポーラスシリコン
２０  酸化膜（絶縁膜）
１００  ＳＯＩ基板
【図１】
2008052218.tif 000004
【図２】
2008052218.tif 000005
【図３】
2008052218.tif 000006
【図４】
2008052218.tif 000007
【図５】
2008052218.tif 000008
【図６】
2008052218.tif 000009
【図７】
2008052218.tif 000010
【図８】
2008052218.tif 000011
【図９】
2008052218.tif 000012
【図１０】
2008052218.tif 000013
【図１１】
2008052218.tif 000014
【図１２】
2008052218.tif 000015
【図１３】
2008052218.tif 000016
【図１４】
2008052218.tif 000017
【図１５】
2008052218.tif 000018
【図１６】
2008052218.tif 000019
【図１７】
2008052218.tif 000020