(57)【要約】  【課題】基板に対する端子及びヒートシンク等の取り付けを樹脂により異種金属であっても同時に封止状態で射出成形接合し、確実で安定化を図った半導体基板の封止成形体とその封止成形技術を提供する。  【解決手段】金属製のヒートシンクと端子キャップに化学エッチングにより表面処理を施し、表面に微細凹凸面を形成する。ヒートシンクに第１樹脂体を射出成形し、この射出成形されたヒートシンクに電子部品６が実装され端部に端子接続部の設けられた半導体基板を合体させ、端子キャップ４を取り付けた状態で第２樹脂体を射出成形し封止成形体１とする。  【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品が実装され端部に端子接続部が設けられた半導体基板と、
この端子接続部に電気的に接続される端子キャップと、
熱放散のため前記半導体基板に取り付けられる金属製のヒートシンクと、
このヒートシンクに前記電子部品を封入可能にするために、凹部形状を形成して射出成形し成形ヒートシンクとするための第１樹脂体と、
前記電子部品が前記ヒートシンクとの間に封入されるように前記半導体基板を前記ヒートシンクに射出成形し、且つ前記端子キャップの接続部分を前記半導体基板に射出成形し接合させる第２樹脂体と
からなる半導体基板の封止成形体。
【請求項２】
請求項１に記載された半導体基板の封止成形体において、
前記端子キャップは複数であって各々異種金属で構成されていることを特徴とする半導体基板の封止成形体。
【請求項３】
請求項１に記載された半導体基板の封止成形体において、
前記第１樹脂体及び前記第２樹脂体は高硬度結晶性樹脂組成物であることを特徴とする半導体基板の封止成形体。
【請求項４】
請求項１に記載された半導体基板の封止成形体において、
前記端子キャップと前記ヒートシンクは、化学エッチングにより表面処理がなされ微細凹凸面を有していることを特徴とする半導体基板の封止成形体。
【請求項５】
請求項１に記載された半導体基板の封止成形体において、
前記封止成形体は複数個並列し前記第１樹脂体、又は第２樹脂体を介して相互に結合が可能であることを特徴とする半導体基板の封止成形体。
【請求項６】
請求項３に記載された半導体基板の封止成形体において、
前記高硬度結晶性樹脂組成物は、ポリフェニレンサルファイド系樹脂、又はポリアルキレンテレフタレート系樹脂であることを特徴とする半導体基板の封止成形体。
【請求項７】
請求項５に記載された半導体基板の封止成形体において、
前記封止成形体はレーザ溶接により複数個並列結合されることを特徴とする半導体基板の封止成形体。
【請求項８】
金属製のヒートシンク及び端子キャップに化学エッチングにより微細凹凸面を形成する表面処理を行う工程と、
前記ヒートシンクに半導体基板の電子部品が封入可能な形状に第１樹脂体を射出成形し成形ヒートシンクとする工程と、
前記電子部品を前記成形ヒートシンクとの間に封入するように前記電子部品及び端子接続部の実装された半導体基板と前記成形ヒートシンクとを合体させる工程と、
前記半導体基板の前記端子接続部に前記端子キャップを取り付ける工程と、
前記成形ヒートシンク及び前記端子キャップが取り付けられ合体された前記半導体基板に第２樹脂体を射出成形し封止一体化する工程と
からなる半導体基板の封止成形方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体基板の封止成形体とその封止成形技術に関する。更に詳しくは、半導体基板にヒートシンクと端子キャップを同時に接合封止させ、半導体基板全体を封止成形させる封止成形体とその封止成形技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から半導体基板においては、基板上に電子部品を形成した後、ＰＰＳ等の樹脂体で被覆することは行われている。又、基板上の端子接続部分をむき出しにしておき端子をハンダ付けあるいは導電性接着剤、ペースト等により接合することも行われている。又、熱発生容量が大きい電子部品を有する基板においては、複数の放熱フィンを有するヒートシンクが取り付けられた構成も知られている。
【０００３】
更に、単体構成の基板を複数個並列あるいは積層にしてマルチ化した構成の基板も知られている。一般に端子を基板に取り付けるのはハンダ付による場合が多い。この端子は種々の形状のものがあり、直列状のもの、曲げ形状のもの等がある。また配置方法は基板上にピン状に垂直に配列したりするもの、配線のリード線部分に並列して直接接合するもの、被せるタイプ等種々雑多でその形態は公知である。
【０００４】
例えば、端子ハンダ付けされた基板にヒートシンクを取り付ける構成のものが従来から知られている（例えば特許文献１、２参照）。又、半導体マルチチップモジュールで、複数のＩＣチップ等を搭載接続し、これらを一体的に気密封止しチップからの発熱をヒートシンクに伝達して外部に放熱するように構成された基板も知られている（例えば、特許文献３参照）。
【０００５】
以上は、基板構成に関わる従来技術の説明であるが、一方金属と樹脂の接合技術も知られており確立されている。これは金属表面を表面処理して高硬度結晶性樹脂組成物である樹脂体を射出成形により接合する技術である。これは接着剤を使用しないで接合させる技術であるが、この技術はマグネシウム合金、アルミニウム合金等の軽金属、又、ステンレス等の鉄合金類に対し、接着剤の介在なしに高強度のエンジニアリング樹脂を接合し一体化させるものである。例えば、金型を使用し射出と同時に接合する方法として、アルミニウム合金に対しポリブチレンテレフタレート樹脂（以下「ＰＢＴ」という。）又はポリフェニレンサルファイド樹脂（以下「ＰＰＳ」という。）を射出成形させる製造技術が知られている（例えば、特許文献４、５、６参照）。この技術は、アルミニウム合金形状物の表面に超微細凹凸面を形成し、同時にこの超微細凹凸面にアミン系化合物を化学吸着させ、アルミニウム合金形状物と樹脂を接合一体化させる技術である。
【０００６】
【特許文献１】特開２００５−２７８３３９号公報
【特許文献２】特開平１１−３５４６７７号公報
【特許文献３】特開平６−７７３６１号公報
【特許文献４】特開２００４−２１６４２５号公報
【特許文献５】特開２００４−２１６６０９号公報
【特許文献６】ＷＯ２００４−０５５２４８  Ａ１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
以上説明したように、従来の例えば基板に対する端子取り付けは一部樹脂での接合はあるものの、大半は個々にハンダ付け等により行われている。このような従来の方法は時間を要し必ずしも能率的とはいえない。端子金属の性質が異なると、ハンダ付け等の処置方法も異なり、又、取り付けのピッチ間が狭いと接合の限界も生じる。さらに、異種金属の端子を同時に接合することも容易ではなかった。又、電力容量の大きい電子部品、例えば半導体基板でインバータ等電力用半導体素子である電子部品等を取り付けたものは、ヒートシンクを取り付ける場合が多く、その接合は強固でなくてはならず、又、自動車関連では振動等の影響も考慮しなければならなかった。
【０００８】
このことから、基板に対する電子部品の取り付けは当然のことながら、電子部品以外に端子やヒートシンク等の付随部品の取り付けも確実で安定していることが求められていた。更に、基板は単独のみならず、複数個を接続させて使用されることも多い。この場合においても、基板相互間の接合の確実性も求められていた。前述のように、金属に樹脂を接合させる技術は、金属がアルミニウム合金や銅合金等に対して確立されている。従って、この技術を、半導体実装の基板に適用することで、封止構造が確実でしかも接合性に優れた半導体装置の製造が可能である。
【０００９】
本発明は従来法の問題点を考慮し開発したもので次の目的を達成する。本発明の目的は、基板に対する端子及びヒートシンク等の取り付けを、樹脂により異種金属であっても電子部品を含め同時に封止する状態で射出成形接合し、確実で安定化を図った半導体基板の封止成形体とその封止成形技術の提供にある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、前記目的を達成するために次の手段をとる。
本発明１の半導体基板の封止成形体は、電子部品が実装され端部に端子接続部の設けられた半導体基板と、この半導体基板の端子接続部に接続される端子キャップと、熱放散のため前記半導体基板に取り付けられる金属製のヒートシンクと、
このヒートシンクに前記電子部品を封入可能に凹部形状を形成して射出成形し成形ヒートシンクとするための第１樹脂体と、前記電子部品が前記ヒートシンクとの間に封入されるように前記半導体基板を前記ヒートシンクに射出成形し、且つ前記端子キャップの接続部分を前記半導体基板に射出成形し接合させる第２樹脂体と、からなっている。
【００１１】
本発明２の半導体基板の封止成形体は、本発明１において、
前記端子キャップは複数であって各々異種金属で構成されていることを特徴とする。
半導体基板の封止成形体。前記荷重計測装置および前記緩衝部材が取り付けられ前記試験用杭の杭頭に当接する支持部材を設けたことを特徴とする。
本発明３の半導体基板の封止成形体は、本発明１において、
前記第１樹脂体及び前記第２樹脂体は高硬度結晶性樹脂組成物であることを特徴とする。
【００１２】
本発明４の半導体基板の封止成形体は、本発明１において、
前記端子キャップと前記ヒートシンクは、化学エッチングにより表面処理がなされ微細凹凸面を有していることを特徴とする。
本発明５の半導体基板の封止成形体は、本発明１において、
前記封止成形体は複数個並列し前記第１樹脂体、又は第２樹脂体を介して相互に結合が可能であることを特徴とする。
【００１３】
本発明６の半導体基板の封止成形体は、本発明３において、
前記高硬度結晶性樹脂組成物は、ポリフェニレンサルファイド系樹脂、又はポリアルキレンテレフタレート系樹脂であることを特徴とする。
本発明７の半導体基板の封止成形体は、本発明５において、
前記封止成形体はレーザ溶接により複数個並列結合されることを特徴とする。
【００１４】
本発明８の半導体基板の封止成形方法は、金属製のヒートシンク及び端子キャップに化学エッチングにより微細凹凸面を形成する表面処理を行う工程と、前記ヒートシンクに半導体基板の電子部品が封入可能な形状に第１樹脂体を射出成形し成形ヒートシンクとする工程と、前記電子部品を前記成形ヒートシンクとの間に封止するように前記電子部品及び端子接続部の実装された半導体基板と前記成形ヒートシンクとを合体させる工程と、前記半導体基板の前記端子接続部に前記端子キャップを取り付ける工程と、前記成形ヒートシンク及び前記端子キャップが取り付けられ合体された前記半導体基板に第２樹脂体を射出成形し封止一体化する工程と、からなっている。
【発明の効果】
【００１５】
以上詳記したように、本発明の基板の封止成形技術は、相互に異種金属である端子とヒートシンクに微細凹凸面を有する表面処理を施し、これに高硬度結晶性樹脂組成物の樹脂により射出成形を施し、端子キャップとヒートシンクを同時に接合し、基板と封止一体化する技術である。このとき基板上の電子部品も封止された状態となる。このため基板に対し端子とヒートシンクの取り付けが確実で強固なものとなった。又、この技術により効率よく基板を安定して製造できることとなった。しかも複数個の基板の接続も容易で確実になったので、並列的なマルチ基板の製造も容易に行うことができるようになった。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
本発明の実施の形態を、図面に基づいて詳細に説明する。図１は、本発明の実施の形態例を示す半導体基板の封止成形体の平面図である。図２は、図１のＸ−Ｘ断面図、図３は、図１のＹ−Ｙ断面図である。図４（ａ）〜（ｄ）は、半導体基板の封止成形体を形成する過程を示す工程図である。図5、図６は、封止成形体とする前と後の状態を示す説明図である。図において、この封止成形体１は端的にいうと、電子部品６が実装されたプリント基板２にヒートシンク３及び端子キャップ４を取り付け、樹脂体５で封止し成形したものである。
【００１７】
配線等が施されているプリント基板２上に各種電子部品６が実装されている。実際のプリント基板２上には種々の電子部品６が搭載され実装されるが、このプリント基板２には、高容量で高熱を発生する電子部品６が取り付けられているものとして説明する。この高熱を発散させるためにヒートシンク３がプリント基板２の片面に設けられている。このヒートシンク３は、アルミニウム合金製で複数のフィンを設けた成形構成のものであり、電子分品６に直接、又は間接的に接触して熱伝導によりヒートシンク３に伝え、これに一体に形成されているフィンを介して放熱するものである。このヒートシンク３とプリント基板２の接合（固着）は、第１樹脂体５ａによって行われる。
【００１８】
更に、プリント基板２には配線回路（図示せず）が組み込まれていて、この配線回路に直結する接続部分がプリント基板２の外周に配置され、この接続部分に端子キャップ４が取り付けられる。この端子キャップ４は、電子部品６の機能、用途に応じて、各種タイプのものが使用され、その材質も異なるが一般的には銅合金、アルミニウム合金等の導電材料が仕様されている。図１、及び２に示すように、本例では比較的に電気容量の大きい端子キャップ４として中央部に穴があり他機器との強固な接続、又は固定を可能とする高容量端子キャップ４ａと、信号、制御用等のように大容量の電力電導を要しない小容量端子４ｂが取り付けられている。
【００１９】
本例では、高容量端子キャップ４ａは銅合金製とし、小容量端子キャップ４ｂはアルミニウム合金である。この両端子キャップ４の取り付けは、プリント基板２の対向する両サイドに設けられる。このプリント基板２の表裏両面には、全体に樹脂体５が被覆されている。電子部品６の接合された片面にはヒートシンク３が対面接合され、相対する裏面側には端子キャップ４の一部を被覆し、プリント基板２の全体を封止状態で覆う。プリント基板２は第２樹脂体５ｂが被覆成形されると、一体化成形された封止成形体１となる。
【００２０】
従って、この封止成形体１は電子部品６を含むプリント基板２、ヒートシンク３、端子キャップ４を含め、樹脂体５による封止構成で接合一体化されたものである。一方、プリント基板２の端子キャップ４を取り付ける側と異なる９０度方向のプリント基板２の端部は、第１樹脂体５ａの射出成形時に一部の樹脂体をプリント基板２の端部より張り出すような構成としている。この張り出し部分７は、プリント基板２の対向する両サイドに設けられ、交差する勝手違いの階段状の段差部７ａ，７ｂを構成している（図３参照）。
【００２１】
この段差部７ａ，７ｂは複数の封止成形体１を接続させるためのものであり、接合するとき重ね合わせができるように前述した勝手違いの段差形状としている。複数の封止成形体１をこの段差部７ａ，７ｂを介して接合すると、並列的に同一面になる平坦な封止成形体１を直列に接続したシリアルのマルチ基板構成が可能となる。以上が本発明になる封止成形体１の構成であるが、次にこの封止成形体１の製造方法について説明する。
【００２２】
［製造方法］
前述のように、このプリント基板２は、ヒートシンク３、端子キャップ４を樹脂体５により封止し接合されたものである。この封止接合のための技術について説明する。先ず接合されるヒートシンク３及び端子キャップ４は金属体であるので、接合を効果的にするために前述のように表面処理を行う。この表面処理は金属表面として表面に、化学エッチングにより微細な微細凹凸面を設け、その周期が適当であるように表面を硬くする処理、好ましくは高硬度のセラミックス層、又はその金属地金の酸化層で覆われるように硬くする処理である。さらには、このセラミック層と内部合金生地との接合力が十分に強いことが必要である。
【００２３】
このような処理のなされた金属体としてのヒートシンク３、及び端子キャップ４に樹脂体５による射出成形を施し、接合力の高い金属と樹脂の一体化が図られる。次にこの処理について説明する。この処理については樹脂体の構成を含め、特許文献４、５に記載されているので詳細な説明は省略するが、本発明の理解を容易にするためその概要を説明する。
【００２４】
表面処理は所定形状に形状化した後の部品に対して行われるが、例えばアルミニウム合金製品であるヒートシンク３の場合に適用して説明する。その表面処理の内容は、処理工程を３段階、即ち脱脂、前処理、本処理としている。この処理は、言い換えると、脱脂後、化学エッチング、特殊超微細エッチングを行なう処理である。脱脂処理は、ヒートシンク３に付着する加工油等の油類の落としが目的である。これは市販のアルミニウム合金用脱脂剤が使用できる。
【００２５】
前処理は、酸塩基性の水溶液で本処理に備えて綺麗な表面を得る処理で、アルミニウム合金を溶かせるようにした処理である。塩基性液としては、０．５〜５％濃度の苛性ソーダ水溶液を２５〜４０℃で使用し、酸性液としては、０．５〜５％濃度の一水素二弗化アンモニウム、塩酸、又は硝酸の水溶液を２５〜４０℃に温度制御して使用する。この化学エッチングによりミクロンオーダーの粗度が得られる。
【００２６】
本処理は、前処理の終ったヒートシンク３をアンモニア、水和ヒドラジン、又は水溶性アミンの水溶液に浸漬する処理である。具体的には、２〜５％濃度の一水和ヒドラジン水溶液を５０〜７０℃にして使用するのが好ましい。このような処理を行なうことでミクロンオーダーの凹凸表面を更に超微細エッチングし、表面に平均直径２０〜８０ｎｍの微細凹凸面を構成し、同時にヒドラジン分子を吸着させる。このとき、不思議にアルミニウム合金の表面酸化層は元より厚くなっており、超微細凹凸面はミクロ的な意味でだが硬化されている。
【００２７】
銅合金についても考え方は同じである。脱脂し、化学エッチングし、硬化処理をする。化学エッチング剤として硫酸と過酸化水素水の混合物を使用し、上手く条件を選んで行うとやはりミクロンオーダーの粗度が得られる。更に亜塩素酸ナトリウムと苛性ソーダの混合水溶液に浸漬して銅を酸化することで、表面を酸化第２銅化して硬化する。この工程で、不思議にも表面は数十ｎｍオーダーの超微細凹凸面が形成される。要するに、形状としては前記のアルミニウム合金と同様なものとする。
【００２８】
図４（ａ）〜（ｄ）中の工程（ａ）に示す形状のヒートシンク３、及び端子キャップ４は、表面処理のなされていることが前提である。次にこのように表面処理のなされたヒートシンク３を図示しない金型にインサートする。インサートされ金型を閉じた後、先ず第１樹脂体５ａを射出し、ヒートシンク３と一体化した成形ヒートシンク３ａを作成する（図４（ｂ））。第１樹脂体５ａは、ヒートシンク３に対し部分的に凹部８を構成するように成形される。
【００２９】
この凹部８には、後で接合されるプリント基板２の電子部品６が封入される。又、ヒートシンク３の対向する両端部側に張り出して勝手違いに段差部７ａ，７ｂが形成される。この段差部７ａ，７ｂは、樹脂成形ヒートシンクが並列的に相互につき合わせて接続されたとき重ね合わせられる形状となっている。射出される樹脂体５は、熱可塑性の高硬度結晶性樹脂組成物である。
【００３０】
［高硬度結晶性樹脂組成物］
次に、この高硬度結晶性樹脂組成物について説明する。この高硬度結晶性樹脂組成物は、ガラス繊維、炭素繊維、アラミド繊維、その他強化繊維、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、シリカ、タルク、粘土、及びガラス粉から選ばれる１種以上の充填材を組成物全体の２０〜６０重量％を含むポリフェニレンサルファイド系樹脂（以下「ＰＰＳ」という。）、ポリアルキレンテレフタレート系樹脂（ＰＢＴ）、芳香族ポリアミド樹脂等である。これらの充填材を含ませることで樹脂組成物の線膨張率を２〜３×１０−５℃−１として銅お及び銅合金のレベルに出来るだけ近づける。
【００３１】
本実施の形態においては、ＰＰＳを主成分として含む熱可塑性樹脂組成物である。次にＰＰＳ樹脂組成物について述べる。樹脂分組成としてＰＰＳ７０〜９９％及びポリオレフィン系樹脂１〜３０％を含む樹脂分組成物からなる場合、特に接合力に優れた複合体を得ることが出来る。ポリオレフィン系樹脂が１％以下の場合は、ポリオレフィン系樹脂を含めたことによる射出接合力向上への効果が不確かなものとなり、一方、３０％以上の場合も同様となる。
【００３２】
又、ポリオレフィン系樹脂を３０％以上添加したＰＰＳ樹脂は射出成形機の射出筒内でのポリオレフィン系樹脂の熱分解が影響して、ガス発生量が異常に大きくなり射出成形そのものが困難になる。ＰＰＳ成分としては、ＰＰＳと称される範疇に属するものであればよく、その中でも樹脂組成物部品とする際の成形加工性に優れることから直径１ｍｍ、長さ２ｍｍのダイスを装着した高化式フローテスターにて、測定温度３１５℃、荷重１０ｋｇの条件下、測定した溶融粘度が１００〜３００００ポイズであるものであることが好ましい。また、ＰＰＳはアミノ基やカルボキシル基等で置換したものや、重合時にトリクロロベンゼン等で共重合したものであってもよい。
【００３３】
また、ＰＰＳとしては、直鎖状のものであっても、分岐構造を導入したものであっても、不活性ガス中で加熱処理を施したものであってもかまわない。さらに、該ＰＰＳは、加熱硬化前又は後に脱イオン処理（酸洗浄や熱水洗浄など）、あるいはアセトンなどの有機溶媒による洗浄処理を行うことによってイオン、オリゴマーなどの不純物を低減させたものであってもよいし、重合反応終了後に酸化性ガス中で加熱処理を行って硬化を進めたものであってもよい。
【００３４】
ヒートシンクとの接合力を長期に保つために２０〜５０％重量の繊維系フィラーが含まれていることが好ましい。フィラーの含有により樹脂組成物の線膨張率をアルミニウム合金並にすることが可能である。この高硬度結晶性樹脂組成物は、本実施の形態例においては、以上のようにＰＰＳを適用することで説明したが、ＰＰＳ以外にポリブチレンテレフタレート樹脂（ＰＢＴという）やポリエチレンテレフタレート樹脂（ＰＥＴという）あるいはポリオレフィン系樹脂であってもよい。
【００３５】
次にこの成形ヒートシンク３ａに電子部品６の取り付けられたプリント基板２の電子部品６が凹部８に封入されるように位置合わせの上合体して取り付けられる（４図（ｃ））。この４図（ｃ）の工程及び４図（ｄ）の工程は、右半分を図１のＸ−Ｘ断面に相当する図とし、左半分を図１のＹ−Ｙ断面図に相当する図としている。成形ヒートシンク３ａは、４図（ｂ）で示すようにこのプリント基板２が取り付けられることを考慮して、電子部品６が干渉しないようにやや隙間を設けてヒートシンク３と半導体基盤２との間に凹部８を形成し空間部が確保されている。
【００３６】
半導体基盤２とヒートシンク３を合体させたものを図示しない第２金型にインサートする。一方、端子キャップ４は前述のように銅合金又はアルミニウム合金で構成されており、ヒートシンク３と平行して端子キャップ４においてもヒートシンク３同様に表面処理を行う。この表面処理の行われた端子キャップ４をプリント基板２に取り付けることになるが、第２金型にインサートするときは、端子キャップ４も同時にインサートされる。
【００３７】
成形ヒートシンク３ａと端子キャップ４を有する半導体基盤２がインサートされたとき、第２金型は端子キャップ４の一部を含みプリント基板２全体を包む構成のキャビテイが得られる。第２金型が閉じた後、第２樹脂体５ｂをこのキャビテイに射出する。この射出により第２樹脂体５ｂは、プリント基板２の表面を覆い、端子キャップ４の接続部を覆い、各々を接合し第１樹脂体５ａと溶融し一体化する。射出された後は、このプリント基板２は電子部品６を含み全体を封止した状態で成形され封止成形体１となる（図４（ｄ）参照）。
【００３８】
図５は、理解を容易にするため部分的に示した図で、端子キャップ４のプリント基板２に対する取り付け部分を図示した説明図であるが、第２樹脂体５ｂが射出される前の構成を示している。図６は、図５の状態で第２樹脂体５ｂを射出した後の構成を示している。第２樹脂体５ｂは、端子キャップ４の接続部分を含むプリント基板２の全面全周囲を封止状態で覆い成形する。本例の特徴は、このように完全封止されるとともに金属と樹脂間に強固な接合を実施していることである。
【００３９】
この第２樹脂体５ｂも前述の第１樹脂体５ａと同じＰＰＳとしている。これによりプリント基板２を完全に封止した成形体が完成する。この状態において前述のように電子部品６は、ヒートシンク３との間に挟まれ封止された状態となる。完成した封止成形体１は、プリント基板２全体を第１樹脂体５ａ，第２樹脂体５ｂで封止すると同時に、端子キャップ４の一部を、即ち、プリント基板２の配線回路の接続部分を表裏両面とも被覆することになる。
【００４０】
次に図７により、複数の封止成形体１の接合例を説明する。前述したように成形ヒートシンク３ａの両端部は勝手違いの段差部７ａ，７ｂを構成しているので、封止成形体１を並列的に対向して付き合わせたとき、この段差部７ａ，７ｂが重ね合わされる。この状態で上方から図に示すようにレーザ９の溶接を施す。このレーザ溶接、又は超音波溶接等により重ね合わせ部分の段差部７ａ，７ｂは溶融し接合される。このように複数の封止成形体１を連続的に接合することにより、多連の封止成形体構成が可能となる。
以上、実施の形態について説明したが、本発明は、この形態に限定されないことはいうまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】図１は、封止成形体の平面図である。
【図２】図２は、図１のＸ−Ｘ断面図である。
【図３】図３は、図１のＹ−Ｙ断面図である。
【図４】図４（ａ）〜（ｄ）は、封止成形体の成形方法を示す工程図である。
【図５】図５は、端子キャップの半導体基板に対する取り付け部分を示した説明図で、第２樹脂体の射出される前の状態を示す。
【図６】図６は、端子キャップの半導体基板に対する取り付け部分を示した説明図で、第２樹脂体の射出された後の状態を示す。
【図７】図７は、複数の封止成形体の接合例を示す説明図である。
【符号の説明】
【００４２】
１…封止成形体
２…プリント基板
３…ヒートシンク
４…端子キャップ
５…樹脂体
６…電子部品
７…段差部
８…凹部
９…レーザ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
2008251580.tif 000006
【図５】
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【図６】
2008251580.tif 000008
【図７】
2008251580.tif 000009