(57)【要約】【課題】半導体光素子の端面における金属層の厚みを所望の値に調整することができる半導体光素子の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】  まず、基板上に設けられた埋め込み層３０で埋め込まれた半導体メサ部２０Ｂ上に開口部４０ａを有する絶縁体層４０を形成する。次に、絶縁体層４０の開口部４０ａ内に第１金属層５０（Ｔｉ層５１／Ｐｔ層５２／Ａｕ層５３）を形成する。次に、第１金属層５０上及び絶縁体層４０上に第２金属層６０（Ｔｉ層６１／Ａｕ層６２）を形成する。次に、第２金属層６０上に互いに離間して複数のメッキ電極７０を形成する。次に、複数のメッキ電極７０をマスクとして第１金属層５０のＡｕ層５３が露出するまで第２金属層６０をドライエッチングする。次に、ｎ型半導体基板１０の裏面上に電極８０を形成する。次に、複数のメッキ電極７０を分離するように切断する。【選択図】  図１
2008226999.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に設けられた半導体層上に開口部を有する絶縁体層を形成する工程と、
前記開口部内にＰｔ及びＡｕのうち少なくともいずれか一方を含む第１金属層を形成する工程と、
前記第１金属層上及び前記絶縁体層上にＴｉを含む第２金属層を形成する工程と、
前記第２金属層上に互いに離間して複数の電極を形成する工程と、
前記複数の電極をマスクとして前記第１金属層が露出するまで前記第２金属層をドライエッチングする工程と、
前記第２金属層をドライエッチングする工程の後、前記複数の電極を分離するように前記基板、前記半導体層及び前記第１金属層を切断することによって複数の半導体光素子を形成する工程と、
を含む半導体光素子の製造方法。
【請求項２】
前記半導体層と前記第１金属層との間に、ＡｕＺｎ、Ｐｔ、及びＰｄＺｎのうち少なくとも一つを含む第３金属層を形成する工程を更に含む、請求項１に記載の半導体光素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体光素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の半導体レーザ素子の製造方法では、劈開時に隣り合う素子同士を分離し易くするため、Ａｕメッキ電極をマスクとしてドライエッチングを行い、素子分離領域の金属層を除去している。しかし、ドライエッチングの際、活性層が物理的ダメージを受けてしまうことにより、半導体レーザ素子の閾値電流が増加するなどの問題が生じていた。そこで、特許文献１に記載されている半導体光素子の製造方法では、素子分離領域の金属層を残すことでかかる問題の解決を図っている。
【０００３】
特許文献１に記載されている半導体レーザ素子の製造方法では、まず、半導体基板上に複数の半導体層を形成する。次に、最表面に位置する半導体層上に、ストライプ窓を有するＳｉＯ２膜を形成する。次に、ストライプ窓内を埋め込むと共にＳｉＯ２膜を覆うＴｉ層を形成する。次に、Ｔｉ層上に、Ｐｔ層、及びＡｕ層を形成する。
【０００４】
次に、Ａｕ層上に複数のＡｕメッキ電極を形成する。複数のＡｕメッキ電極は、ストライプ窓に沿って互いに離間して配置される。次に、Ａｕ層のストライプ窓上の部分上にレジストを形成する。このレジストを用いて、Ａｕ層のストライプ窓上以外の部分をドライエッチングする。レジストを剥離した後、Ａｕ層のストライプ窓上の部分と、Ｐｔ層のストライプ窓上以外の部分とをドライエッチングする。
【０００５】
続いて、Ｔｉ層をドライエッチングした後、複数のＡｕメッキ電極間を劈開することにより、複数の半導体レーザ素子を形成する。劈開により形成される半導体レーザ素子の端面には、Ｔｉ層及びＰｔ層からなる金属層が形成される。
【特許文献１】特開平４-２９１９７９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、特許文献１に記載されている半導体レーザ素子の製造方法では、Ａｕ層のストライプ窓上の部分と、Ｐｔ層のストライプ窓上以外の部分とをドライエッチングする際に、Ｐｔ層のストライプ窓上の部分も一部ドライエッチングされてしまう場合がある。その結果、Ｐｔ層のストライプ窓上の部分の厚みを所望の値に調整することができないので、得られる半導体レーザ素子の端面における金属層の厚みを所望の値に調整することができない。
【０００７】
本発明は上記事情を鑑みてなされたものであり、半導体光素子の端面における金属層の厚みを所望の値に調整することができる半導体光素子の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上述の課題を解決するため、本発明の半導体光素子の製造方法では、基板上に設けられた半導体層上に開口部を有する絶縁体層を形成する工程と、前記開口部内にＰｔ及びＡｕのうち少なくともいずれか一方を含む第１金属層を形成する工程と、前記第１金属層上及び前記絶縁体層上にＴｉを含む第２金属層を形成する工程と、前記第２金属層上に互いに離間して複数の電極を形成する工程と、前記複数の電極をマスクとして前記第１金属層が露出するまで前記第２金属層をドライエッチングする工程と、前記第２金属層をドライエッチングする工程の後、前記複数の電極を分離するように前記基板、前記半導体層及び前記第１金属層を切断することによって複数の半導体光素子を形成する工程と、を含む。
【０００９】
本発明の半導体光素子の製造方法では、ドライエッチングの際、第２金属層が選択的にエッチングされ、第１金属層が露出しても第１金属層はほとんどエッチングされない。そのため、第１金属層を形成する工程において、第１金属層の厚みを予め所望の値に調整することによって、切断により得られる半導体光素子の端面における第１金属層の厚みを所望の値に調整することができる。
【００１０】
上記半導体光素子の製造方法は、前記半導体層と前記第１金属層との間に、ＡｕＺｎ、Ｐｔ、及びＰｄＺｎのうち少なくとも一つの材料を含む第３金属層を形成する工程を更に含むことが好ましい。かかる第３金属層が半導体層の表層と合金化することにより、Ｔｉ層が半導体層の表層と合金化した場合に比べて接触抵抗を下げることができる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、半導体光素子の端面における金属層の厚みを所望の値に調整することができる半導体光素子の製造方法が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、添付図面を参照しながら本発明の実施形態を詳細に説明する。なお、図面の説明
において、同一又は同等の要素には同一符号を用い、重複する説明を省略する。
【００１３】
（第1実施形態）
図１（ａ）は、第１実施形態に係る半導体光素子を模式的に示す断面図である。図１（ｂ）は図１（ａ）のＩb−Ｉb線に沿った断面図である。
【００１４】
図１（ａ）〜図１（ｂ）に示される半導体光素子１Ａは、例えば半導体レーザである。半導体光素子１Ａは、n型半導体基板１０と、ｎ型半導体基板１０上に設けられた半導体メサ部２０Ｂと、半導体メサ部２０Ｂ上に設けられたメッキ電極７０を備える。ｎ型半導体基板１０は、例えばＳｎが３×１０１８ｃｍ−３の濃度でドーピングされたｎ型ＩｎＰ基板である。ｎ型半導体基板１０の厚みは、例えば３５０μｍである。ｎ型半導体基板１０の裏面には電極８０が設けられている。電極８０は、例えばＡｕＧｅＮｉ（膜厚２００Å）／Ａｕ（膜厚２００Å）／Ｔｉ（膜厚５００Å）／Ｐｔ（膜厚５００Å）／Ａｕ（膜厚８０００Å）からなる。
【００１５】
半導体メサ部２０Ｂは、埋め込み層３０によって埋め込まれている。半導体メサ部２０Ｂは、ｎ型バッファ層２１、下部光閉じ込め層２２、活性層２３、上部光閉じ込め層２４、ｐ型クラッド層２５、ｐ型中間層２６及びｐ型コンタクト層２７を有する。ｎ型バッファ層２１は、例えばＩｎＰからなる。下部光閉じ込め層２２及び上部光閉じ込め層２４は、例えばドーピングされていないＩｎＧａＡｓＰからなる。活性層２３は、例えばＩｎＧａＰからなる。ｐ型クラッド層２５は、例えばＺｎが１×１０１８ｃｍ−３の濃度でドーピングされたＩｎＰからなる。ｐ型クラッド層２５の厚みは、例えば２．０μｍである。
【００１６】
ｐ型中間層２６は、例えばＺｎが５×１０１８ｃｍ−３の濃度でドーピングされたＩｎＧａＡｓＰからなる。ｐ型中間層２６の厚みは、例えば０．１μｍである。ｐ型コンタクト層２７は、Ｉｎ、Ｇａ、及びＡｓを含むIII−V 族化合物半導体からなることが好ましい。ｐ型コンタクト層２７は、例えばＺｎが１×１０１９ｃｍ−３の濃度でドーピングされたＩｎＧａＡｓからなる。ｐ型コンタクト層２７の厚みは、例えば０．２μｍである。埋め込み層３０は、例えばＦｅがドーピングされたＩｎＰからなる。メッキ電極７０は、例えばＡｕメッキ電極である。メッキ電極７０の厚みは、約３．０μｍであることが好ましい。
【００１７】
半導体メサ部２０Ｂとメッキ電極７０との間には、第1金属層５０及び第２金属層６０が設けられている。第1金属層５０は、開口部４０ａを有する絶縁体層４０の開口部４０ａ内に設けられており、Ｔｉ層５１、Ｐｔ層５２及びＡｕ層５３からなる。Ｔｉ層５１、Ｐｔ層５２及びＡｕ層５３の厚みは、例えばそれぞれ５００Å、５００Å及び１５００Åである。絶縁体層４０の開口部４０ａの延在方向は、半導体メサ部２０Ｂの延在方向と一致していることが好ましい。絶縁体層４０は、例えばＳｉＯ２からなる。絶縁体層４０の厚みは、例えば４０００Åである。絶縁体層４０の開口部４０ａの幅は、例えば３．０μｍである。
【００１８】
絶縁体層４０及び第1金属層５０とメッキ電極７０との間には第２金属層６０が設けられている。第２金属層６０は、Ｔｉ層６１及びＡｕ層６２からなる。第２金属層６０のＴｉ層６１及びＡｕ層６２の厚みは、例えばそれぞれ５００Å及び１０００Åである。
【００１９】
図２〜図９は、本実施形態に係る半導体光素子１Ａの製造方法の各工程を模式的に示す図である。図４〜図９の（ａ）は半導体光素子１Ａの製造方法の各工程を模式的に示す平面図である。図４（ｂ）は図４（ａ）のIVｂ−IVｂ線に沿った断面図である。図５（ｂ）は図５（ａ）のV ｂ−V ｂ線に沿った断面図である。図６（ｂ）は図６（ａ）のVIｂ−VIｂ線に沿った断面図である。図７（ｂ）は図７（ａ）のVIIｂ−VIIｂ線に沿った断面図である。図８（ｂ）は図８（ａ）のVIIIｂ−VIIIｂ線に沿った断面図である。図９（ｂ）は図９（ａ）のIXｂ−IXｂ線に沿った断面図である。
【００２０】
図４（ｃ）は図４（ａ）のIVｃ−IVｃ線に沿った断面図である。図５（ｃ）は図５（ａ）のVｃ−Vｃ線に沿った断面図である。図６（ｃ）は図６（ａ）のVIｃ−VIｃ線に沿った断面図である。図７（ｃ）は図７（ａ）のVIIｃ−VIIｃ線に沿った断面図である。図８（ｃ）は図８（ａ）のVIIIｃ−VIIIｃ線に沿った断面図である。図９（ｃ）は図９（ａ）のIXｃ−IXｃ線に沿った断面図である。図７（ｄ）は図７（ａ）のVIIｄ−VIIｄ線に沿った断面図である。図８（ｄ）は図８（ａ）のVIIIｄ−VIIIｄ線に沿った断面図である。図９（ｄ）は図９（ａ）のIXｄ−IXｄ線に沿った断面図である。半導体光素子１Ａは、例えば下記各工程を順に経ることによって製造される。
【００２１】
［半導体層形成工程］
まず、図２に示されるように、ｎ型半導体基板１０上に半導体層２０Ａを形成する。半導体層２０Ａは、例えばｎ型バッファ層２１、下部光閉じ込め層２２、活性層２３、上部光閉じ込め層２４、ｐ型クラッド層２５、ｐ型中間層２６及びｐ型コンタクト層２７を順に成長して形成される。この半導体層２０Ａの成長には、例えば有機金属気相成長法（Metal OrganicChemical Vapor Deposition：ＭＯＣＶＤ）等を用いることができる。
【００２２】
［半導体メサ部形成工程］
次に、図３に示されるように、上記の半導体層２０Ａから半導体メサ部２０Ｂを形成する。半導体メサ部２０Ｂは半導体層２０Ａを例えばドライエッチングして形成される。まず、半導体層２０Ａ上に絶縁体（例えばＳｉＮ）を堆積させ、通常のフォトリソグラフィー技術を用いて、ストライプ状（例えば、幅１．５μｍ程度）の絶縁体層を形成する。絶縁体層をマスクとしてＳｉＣｌ４などのガスを用いて半導体層２０Ａをドライエッチングする。このドライエッチングは、例えばｎ型半導体基板１０が露出するまで行われる。半導体メサ部２０Ｂの高さは、例えば４．０μｍである。半導体メサ部２０Ｂの形成後、ウェットエッチングによりドライエッチング時に形成された変性層を除去してもよい。
【００２３】
［埋め込み層形成工程］
引き続いて、図３に示されるように、半導体メサ部２０Ｂを埋め込む埋め込み層３０をｎ型半導体基板１０上に形成する。埋め込み層３０は、例えば、ＭＯＣＶＤ法によりＦｅがドーピングされたＩｎＰ層を積層することにより形成される。その後、例えばウェットエッチングでストライプ状の絶縁体層を除去する。
【００２４】
[開口部を有する絶縁体層形成工程]
次に、図４（ａ）〜図４（ｃ）に示されるように、ストライプ状の開口部４０ａを有する絶縁体層４０を半導体メサ部２０Ｂ（半導体層）及び埋め込み層３０上に形成する。開口部４０ａは、半導体メサ部２０Ｂ上に位置する。まず、ｐ型コンタクト層２７表面上に絶縁体層（例えば、ＳｉＯ２層）を形成し、通常のフォトリソグラフィー技術を用いて、ストライプ状の開口部４０ａに対応する開口部を有するレジストマスクを絶縁体層上に形成する。このレジストマスクを用いて、絶縁体層をエッチングすることによりストライプ状の開口部４０ａを有する絶縁体層４０を形成する。
【００２５】
ストライプ状の開口部４０ａの延在方向は、半導体メサ部２０Ｂの延在方向と一致していることが好ましい。ストライプ状の開口部４０ａの幅は、半導体メサ部２０Ｂの幅より広い。ストライプ状の開口部４０ａを有する絶縁体層４０を形成することにより、半導体光素子１Ａの駆動の際、半導体メサ部２０Ｂの活性層２３に注入される電流が流れる領域を限定することが可能となる。なお、ストライプ状の開口部４０ａの形成時のレジストマスクは除去せず、次の第１金属層５０の形成工程を行うことが好ましい。
【００２６】
[第１金属層形成工程]
次に、図５（ａ）〜図５（ｃ）に示されるように、ストライプ状の開口部４０ａ内に第１金属層５０を形成する。第１金属層５０は、例えばＴｉ層５１、Ｐｔ層５２及びＡｕ層５３からなる。第１金属層５０の最上層はＡｕ層５３である。第１金属層５０は、例えば以下のように形成される。まず、前工程のレジストマスクの上及びストライプ状の開口部４０ａ内に、蒸着装置を用いてＴｉ、Ｐｔ及びＡｕを順次蒸着する。その後、リフトオフ法によりレジストマスクを除去する。これにより、レジストマスク上の金属層、すなわち絶縁体層４０上の金属層はレジストマスクと共に除去され、開口部４０ａ内の第1金属層５０のみが残る。Ｔｉ層５１、Ｐｔ層５２及びＡｕ層５３の厚みは、例えばそれぞれ５００Å、５００Å及び１５００Åである。
【００２７】
Ｐｔ層５２の厚みは、１０００Å以下にすることが好ましい。Ｐｔは膜応力が高いため、Ｐｔ層５２の厚みが厚すぎると、Ｔｉ層５１との密着力の低下や反り等の問題が生じる傾向にあるからである。また、Ｐｔ層５２上に膜応力が小さいＡｕ層５３をさらに堆積することで、Ｐｔの高い膜応力による上記の問題を緩和することができる。Ａｕの電気抵抗率はＰｔの電気抵抗率の約１／５である。そのため、Ｐｔ層５２を薄くしてＡｕ層５３を厚くすることにより、半導体光素子の端面付近まで電気抵抗を抑えることができる。
【００２８】
[第２金属層形成工程]
次に、図６（ａ）〜図６（ｃ）に示されるように、第２金属層６０を第１金属層５０上及び絶縁体層４０上に形成する。第２金属層６０は、例えばＴｉ層６１及びＡｕ層６２からなる。第２金属層６０の最下層はＴｉ層６１である。第２金属層６０は、第１金属層５０及び絶縁体層４０の表面全体上に、例えば蒸着装置を用いてＴｉ及びＡｕを順次蒸着することにより形成される。Ｔｉ層６１及びＡｕ層６２の厚みは、例えばそれぞれ５００Å及び１０００Åである。より好ましくは第２金属層６０の形成後、４００℃で３分間熱処理を行う。
【００２９】
[メッキ電極形成工程]
次に、図７（ａ）〜図７（ｄ）に示されるように、第２金属層６０上に複数のメッキ電極７０を形成する。メッキ電極７０は、例えばAuメッキ電極である。まず、第２金属層６０の表面全体にフォトレジストを塗布し、フォトリソグラフィーによってメッキ電極７０の形成が予定されている複数の部分のレジストを除去する。メッキ電極７０は、例えばストライプ状の開口部４０ａに沿った長方形部７０ａとそれに繋がる電極パッド部７０ｂを有する。その後、亜硫酸金ナトリウムが含有されたノンシアン系弱アルカリ性の高純度光沢金メッキ液に浸清させ、電解メッキ法により複数のメッキ電極７０を形成する。
【００３０】
[ドライエッチング工程]
次に、図８（ａ）〜図８（ｄ）に示されるように、複数のメッキ電極７０をマスクとして、第１金属層５０のＡｕ層５３が露出するまで第２金属層６０をドライエッチングする。これにより、隣り合うメッキ電極７０の間に素子分離領域Ｄを形成することができる。Ａｕ層６２をドライエッチングする際に用いるガスとしては、Ａｒガスが好ましい。また、Ｔｉ層６１をドライエッチングする際に用いるガスとしては、ＣＦ４ガス等のフッ素含有ガスが好ましい。ＡｕはＣＦ４ガスではほとんどエッチングされない。そのため、第２金属層６０のＴｉ層６１のエッチングの際に、ＣＦ４ガスを用いると、Ｔｉ層６１が選択的にエッチングされ、第1金属層５０のＡｕ層５３はほとんどエッチングされない。
【００３１】
その結果、Ａｕ層５３の厚みを予め所望の値に調整することによって、切断により得られる半導体光素子１Ａの端面におけるＡｕ層５３の厚みを所望の値に調整することができる。さらに、メッキ電極７０の存在有無に関係なく、Ａｕ層５３の厚みが均一となる。特に、Ａｕの電気抵抗率は低いため、メッキ電極７０が存在しない部分におけるＡｕ層５３の厚みと、メッキ電極７０が存在する部分におけるＡｕ層５３の厚みとを均一にすることで、活性層２３への電流注入が容易となり半導体光素子１Ａの特性を向上させることができる。
【００３２】
なお、本実施形態において、Ａｕ層６２のドライエッチングの条件は、例えば以下の通りである。
・チャンバ圧力：１．０Ｐａ
・ガス流量：３０ｓｃｃｍ
・ＲＦパワー：１００Ｗ
・    エッチングレート：１５０Å／ｍｉｎ
また、本実施形態において、Ｔｉ層６１のドライエッチングの条件は、例えば以下の通りである。
・チャンバ圧力：１．０Ｐａ
・ガス流量：３０ｓｃｃｍ
・ＲＦパワー：１００Ｗ
・    エッチングレート：１００Å／ｍｉｎ    
[電極形成工程]
次に、図９（ａ）〜図９（ｄ）に示されるように、ｎ型半導体基板１０の裏面上に電極８０を形成する。まず、ｎ型半導体基板１０を石英基板に貼り付けて、ｎ型半導体基板１０の裏面を研磨することにより、厚み１００μｍ程度のｎ型半導体基板１０を形成する。その後、ｎ型半導体基板１０の裏面上に電極８０を形成する。電極８０は、例えば蒸着装置を用いてＡｕＧｅＮｉ（膜厚２００Å）／Ａｕ（膜厚２００Å）／Ｔｉ（膜厚５００Å）／Ｐｔ（膜厚５００Å）／Ａｕ（膜厚８０００Å）を堆積した後、例えば３５０℃で３分間熱処理を施して形成する。
【００３３】
[分割工程]
続いて、複数のメッキ電極７０を分離するように図９に示される切断ラインＬｄに沿って、ｎ型半導体基板１０、半導体メサ部２０Ｂ、第１金属層５０及び電極８０を例えば劈開により切断することによって図１（ａ）及び図１（ｂ）に示される半導体光素子１Ａを複数形成する。
【００３４】
以上説明したように、第１実施形態の半導体光素子の製造方法によれば、第１金属層５０を予め所望の値に調整することによって、切断により得られる半導体光素子１Ａの端面１００（図１）における第１金属層５０の厚みを所望の値に調整することができる。これにより、ウェハー面内及びロット間の第１金属層５０の厚みを均一化できる。
【００３５】
（第２実施形態）
図１０（ａ）は、第２実施形態に係る半導体光素子を模式的に示す断面図である。図１０（ｂ）は図１０（ａ）のXｂ−Xｂ線に沿った断面図である。図１０（ａ）〜図１０（ｂ）に示される半導体光素子１Ｂは、例えば半導体レーザである。
【００３６】
半導体光素子１Ｂは、半導体光素子１Ａの構成に加えて、第３金属層９０を更に備える。第３金属層９０は、絶縁体層４０の開口部４０ａ内に位置し、第1金属層５０と半導体メサ部２０Ｂとの間に設けられている。第３金属層９０は、例えばＡｕＺｎを含む金属からなる。第３金属層９０の厚みは、例えば２００Åである。
【００３７】
図１１は、半導体光素子１Ｂの製造方法の一工程を示す図である。図１１の（ａ）は半導体光素子１Ｂの製造方法の一工程を示す平面図である。図１１（ｂ）は図１１（ａ）のXIｂ−XIｂ線に沿った断面図である。図１１（ｃ）は図１１（ａ）のXIｃ−XIｃ線に沿った断面図である。半導体光素子１Ｂは、例えば、下記各工程を順に経ることによって製造される。
【００３８】
第１実施形態にかかる製造方法では、半導体メサ部２０Ｂ上及び埋め込み層３０上に開口部４０ａを有する絶縁体層４０を形成し、その開口部４０ａ内に第１金属層５０を形成する。これに対して、第２実施形態にかかる製造方法では、半導体メサ部２０Ｂ（半導体層）と第１金属層５０との間に、ＡｕＺｎを含む金属からなる第３金属層９０を開口部４０ａ内に形成する工程を更に含む点で第１実施形態にかかる製造方法と相違する。
【００３９】
図１１に示されるように、第３金属層９０は、例えば以下のように形成される。まず、開口部４０ａを有する絶縁体層４０の形成工程（前工程）のレジストマスク上及び絶縁体層４０の開口部４０ａ内に、蒸着装置を用いてＡｕＺｎを含む金属を蒸着する。次に、蒸着装置を用いてＴｉ、Ｐｔ及びＡｕを順次蒸着する。その後、リフトオフ法によりレジストマスクを除去する。これにより、レジストマスク上の金属層、すなわち絶縁体層４０上の金属層はレジストマスクと共に除去され、開口部４０ａ内の第３金属層９０（ＡｕＺｎ層）及び第1金属層５０（Ｔｉ層／Ｐｔ層／Ａｕ層）のみが残る。ＡｕＺｎ層、Ｔｉ層５１、Ｐｔ層５２及びＡｕ層５３の厚みは、例えばそれぞれ２００Å、５００Å、５００Å及び１５００Åである。
【００４０】
本実施形態において、第３金属層９０及び第１金属層５０の形成工程以外の工程は第1実施形態の工程と同様である。これにより、図１０（ａ）及び図１０（ｂ）で示されている半導体光素子１Ｂが形成される。
【００４１】
第３金属層９０は半導体メサ部２０Ｂと第１金属層５０との間に形成されるため、その開口部４０ａ内で露出されている半導体メサ部２０Ｂの表層であるｐ型コンタクト層２７とも接触することとなる。かかる場合に、第３金属層９０のＡｕＺｎ成分はｐ型コンタクト層２７と合金化してＴｉ層５１がｐ型コンタクト層２７と合金化する場合より接触抵抗を下げる。
【００４２】
また、ＡｕＺｎ成分は半導体メサ部２０Ｂとは密着力が強いが、ＳｉＯ２等の絶縁体層４０とは密着力が弱い。そのため、通常はまず、リフトオフ法でＡｕＺｎ層を絶縁体層４０に開口部内だけに形成し、その後Ｔｉ、Ｐｔ及びＡｕ等の金属を蒸着する方法がとられる。しかし、本実施形態を用いることによって、工程を増やすことなく容易にＡｎＺｎを含む金属からなる第３金属層９０を形成することが可能となる。
【００４３】
以上、本発明の好適な実施形態について説明してきたが、そのような実施形態は本発明の要旨を逸脱しない範囲で様々な変更が可能である。例えば、半導体光素子１Ａ及び半導体光素子１Ｂは、ＬＥＤ、ファブリペロー型量子細線レーザ、量子箱レーザ、又は、量子箱活性層を有する面発光レーザ等であってもよい。上記実施形態では、第１金属層５０がＴｉ層５１、Ｐｔ層５２及びＡｕ層５３からなるものであるが、Ｔｉ層５１を備えなくてもよく、またＰｔ層５２及びＡｕ層５３のうちいずれかの一方のみを備えるものであってもよい。また、第１金属層５０は、他の金属からなる金属層を更に備えるものであってもよい。
【００４４】
上記実施形態では、第２金属層６０がＴｉ層６１及びＡｕ層６２からなるものであるが、他の金属からなる金属層を更に備えるものであってもよい。第２実施形態では、第３金属層９０はＡｕＺｎを含む金属からなるものであるが、ＡｕＺｎと同様の効果が得られるＰｔ又はＰｄＺｎを含む金属からなるものであってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】第１実施形態に係る半導体光素子を模式的に示す図である。
【図２】第１実施形態に係る半導体光素子の製造方法の一工程を模式的に示す図である。
【図３】第１実施形態に係る半導体光素子の製造方法の一工程を模式的に示す図である。
【図４】第１実施形態に係る半導体光素子の製造方法の一工程を模式的に示す図である。
【図５】第１実施形態に係る半導体光素子の製造方法の一工程を模式的に示す図である。
【図６】第１実施形態に係る半導体光素子の製造方法の一工程を模式的に示す図である。
【図７】第１実施形態に係る半導体光素子の製造方法の一工程を模式的に示す図である。
【図８】第１実施形態に係る半導体光素子の製造方法の一工程を模式的に示す図である。
【図９】第１実施形態に係る半導体光素子の製造方法の一工程を模式的に示す図である。
【図１０】第２実施形態に係る半導体光素子を模式的に示す図である。
【図１１】第２実施形態に係る半導体光素子の製造方法の一工程を模式的に示す図である。
【符号の説明】
【００４６】
１Ａ〜１Ｂ…半導体光素子、１０…ｎ型半導体基板、２０Ａ…半導体層、２０Ｂ…半導体メサ部、２１…ｎ型バッファ層、２２…下部光閉じ込め層、２３…活性層、２４…上部光閉じ込め層、２５…ｐ型クラッド層、２６…ｐ型中間層、２７…ｐ型コンタクト層、３０…埋め込み層、４０…絶縁体層、４０ａ…開口部、５０…第1金属層、５１…Ｔｉ層、５２…Ｐｔ層、５３…Ａｕ層、６０…第２金属層、６１…Ｔｉ層、６２…Ａｕ層、７０…メッキ電極、７０ａ…長方形部、７０ｂ…電極パッド部、８０…電極、９０…第３金属層、１００…端面、Ｄ…素子分離領域、Ｌｄ…切断ライン。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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