(57)【要約】【課題】プラズマディスプレイ装置における電源モジュールの温度上昇を抑制することを目的とする。【解決手段】この目的を達成するため本発明は、パネル部１０と、このパネル部１０と空間を介して配置され、裏面に放熱部１１を有する電源モジュール１２とを備え、放熱部１１は、パネル部１０と対向するとともに、このパネル部１０との対向面には熱反射層２２が形成され、この熱反射層２２は、波長８．０μｍ以上９．０μｍ以下の遠赤外線反射率が放熱部１１本体よりも大きい材料で形成されたものとする。これにより本発明は、パネル部１０から放射される遠赤外線を、放熱部１１のパネル部１０との対向面で反射することができ、結果として、プラズマディスプレイ装置９における電源モジュール１２の温度上昇を抑制することができるのである。【選択図】図１
2008216405.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パネル部と、
このパネル部と空間を介して配置された電源モジュールと、
この電源モジュールの裏面に配置された放熱部とを備え、
この放熱部は、
前記パネル部と対向するとともに、
このパネル部との対向面には熱反射層が形成され、
この熱反射層は、
波長８．０μｍ以上９．０μｍ以下の遠赤外線反射率が放熱部よりも大きい材料で形成されたプラズマディスプレイ装置。
【請求項２】
前記熱反射層は、
波長８．０μｍ以上９．０μｍ以下の遠赤外線反射率が８０％以上である請求項１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項３】
前記放熱部のパネル部との対向面は凹凸を有し、
この凹凸形状に沿って前記熱反射層は形成されている請求項１または２に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項４】
前記熱反射層の表面粗度は、
前記パネル部の表面粗度よりも大きい請求項１から３のいずれか一つに記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項５】
前記熱反射層は、金または銀の少なくともいずれか一方で形成された請求項１から４のいずれか一つに記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項６】
前記熱反射層は、蒸着またはメッキで形成された請求項１から５のいずれか一つに記載のプラズマディスプレイ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマディスプレイ装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
図５に示すように、従来のプラズマディスプレイ装置１は、パネル部２と、このパネル部２と空間を介して配置された電源モジュール３と、この電源モジュール３の裏面であって、パネル部２と対向する側に形成された放熱部４と、電源モジュール３と接続された制御用の回路モジュール５とを備えている。
【０００３】
また電源モジュール３は、発熱性の高いスイッチング用のパワー半導体素子６やトランス７が実装されるため、放熱部４の面積を大きくとって放熱している。
【０００４】
そしてこのプラズマディスプレイ装置１は、パネル部２の内部で放電を起こす事により、蛍光体を発光させ、映像を表示するものである。
【０００５】
なお、この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献１が知られている。
【特許文献１】特開２００６−３０８６２０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記従来の構成では、電源モジュール３が高温になり、実装したパワー半導体素子６等の信頼性を低下させることがあった。
【０００７】
それは、パネル部２が放電により発熱し、遠赤外線８として熱を放射して、この遠赤外線８を放熱部４が吸収してしまうためである。そしてこの放熱部４からの熱が電源モジュール３に伝導し、高温になるのである。
【０００８】
そこで本発明は、プラズマディスプレイ装置における電源モジュールの温度上昇を抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するため本発明は、放熱部のパネル部との対向面には、熱反射層が形成され、この熱反射層は、波長８．０μｍ以上９．０μｍ以下の遠赤外線反射率が放熱部よりも大きい材料で形成するものとした。
【発明の効果】
【００１０】
これにより本発明は、プラズマディスプレイ装置における電源モジュールの温度上昇を抑制することができる。
【００１１】
それは、放熱部のパネル部との対向面に、遠赤外線の反射率が放熱部より高い熱反射層を形成したためである。
【００１２】
したがって、パネル部が発熱して遠赤外線を放射しても、放熱部のパネル部との対向面で反射することができ、電源モジュールへの熱伝導を低減することができる。そしてその結果、プラズマディスプレイ装置における電源モジュールの温度上昇を抑制することができるのである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
（実施の形態１）
図１に示すように、本実施の形態のプラズマディスプレイ装置９は、パネル部１０と、このパネル部１０と空間を介して配置され、その裏面に放熱部１１が形成された電源モジュール１２とを備えている。すなわち放熱部１１は、パネル部１０の裏面と対向するように配置されている。
【００１４】
そして図１および図２に示すように、この電源モジュール１２は、放熱板１３と、この放熱板１３の表面上の一部に形成された絶縁層１４と、この絶縁層１４上に形成された配線パターン１５と、この配線パターン１５上に実装されたパワー半導体素子１６と、放熱板１３に直接接着されたトランス１７とを備えている。そして図１に示すように、放熱板１３はできるだけ面積を大きくとった放熱部１１にボルトで密着させ、発熱性の高いトランス１７やパワー半導体素子１６の熱を放出できるようにしている。
【００１５】
そして本実施の形態では、この電源モジュール１２の素子実装面側には、空間を介して回路基板１８を配置し、この回路基板１８には、図１および図３に示すように、制御用素子１９などを実装している。以下、この回路基板１８とこの回路基板１８に実装された制御用素子１９等とをまとめて回路モジュール２０とする。
【００１６】
そして図１に示すように、電源モジュール１２のパワー半導体素子１６やトランス１７は、配線パターン１５や端子２１を介して回路モジュール２０と電気的に接続されている。
【００１７】
さらに本実施の形態では、放熱部１１の裏面（パネル部１０との対向面）には、熱反射層２２が形成され、この熱反射層２２は、パネル部１０の裏面側から発せられる８．０μｍ以上９．０μｍ以下の遠赤外線の反射率が８０％以上の材料で構成されており、この遠赤外線反射率は放熱部１１本体よりも大きいものとした。
【００１８】
なお、図１では、パネル部１０から放射された遠赤外線２３と熱反射層２２で反射された遠赤外線２４とを矢印で模式的に図示している。
【００１９】
以下に本実施の形態における部材の材料等について説明する。
【００２０】
本実施の形態では、放熱部１１として０．５ｍｍ〜３ｍｍ程度のアルミ板を用いた。このアルミ板の代わりにアルミ等で出来たヒートシンクを用いてもよく、またアルミ板とヒートシンクとを接着したものを用いてもよい。そしてこの放熱部１１は、パネル部１０と略平行に配置している。
【００２１】
また熱反射層２２は、金を蒸着して形成したものである。この熱反射層２２としては、少なくとも放熱部１１本体より８．０μｍ以上９．０μｍ以下の遠赤外線反射率が大きいもので形成することとし、８．０μｍ以上９．０μｍ以下の遠赤外線反射率が８０％以上であることが好ましい。例えば、金のほかに銀などが挙げられる。なお、蒸着以外にも、メッキでもよく、接着剤などで貼り付けても良い。
【００２２】
電源モジュール１２の放熱板１３としては、０．５ｍｍ〜３ｍｍ程度のアルミ板を用いた。このアルミ板以外にも、銅板を用いてもよく、場合によっては放熱板１３を設けず直接絶縁層１４を放熱部１１に貼り付けても良い。なお本実施の形態では、放熱板１３の大きさは、絶縁層１４の大きさに合わせたため、この放熱板１３よりも放熱部１１の方が大きくなっている。
【００２３】
絶縁層１４としては、エポキシ樹脂あるいはフェノール樹脂などの熱硬化性樹脂、あるいは液晶ポリマーやＰＰＳなどの高熱伝導性熱可塑性樹脂に、平均粒径1μｍ〜５０μｍのアルミナあるいは窒化アルミなどの無機フィラを７０重量％〜９５重量％程度含有させた熱伝導性の良い（熱伝導率が１Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上）複合材料を用いた。
【００２４】
電源モジュール１２の配線パターン１５としては、厚み０．１ｍｍ〜２ｍｍ程度の銅板を用いた。
【００２５】
また回路モジュール２０の回路基板１８としては、厚み０．５ｍｍ〜１．５ｍｍ程度のガラスエポキシ板を用いた。
【００２６】
以下に、本実施の形態の製造工程を簡潔に説明する。
【００２７】
まず、図１に示す放熱板１３と配線パターン１５との間に樹脂層を配置し、２００℃で硬化させた後、パワー半導体素子１６およびトランス１７を実装し、電源モジュール１２を形成する。
【００２８】
次に、回路基板１８上に制御用の素子などを実装し、回路モジュール２０を形成する。
【００２９】
その後、配線パターン１５およびトランス１７の端子２１を折り曲げ、回路モジュール２０と接続する。
【００３０】
次に、放熱部１１の裏面側に１０-3〜１０-4Ｐａ程度の真空条件化で金を蒸着し、熱反射層２２を形成する。そしてその後、放熱部１１の表面側に放熱板１３をボルトでネジ止めし、放熱部１１と電源モジュール１２と回路モジュール２０とを一体化させる。
【００３１】
最後にこの一体化したものを、パネル部１０の裏面（背面）と放熱部１１の裏面とが対向するように配置すれば本実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置９となる。
【００３２】
本実施の形態の効果を以下に説明する。
【００３３】
本実施の形態では、プラズマディスプレイ装置９において、電源モジュール１２の温度上昇を抑制することができる。
【００３４】
すなわち、図５に示すように、従来、プラズマディスプレイ装置１の薄型化に伴い、部材の配置スペースが狭くなっており、パネル部２と電源モジュール３とを接近して配置する必要があった。
【００３５】
さらに電源モジュール３は、トランス７やスイッチング用ＩＣ６（半導体素子）など、発熱性の素子を実装するため、もともと温度が上昇しやすく、パネル部２と略平行に大きな放熱部４を設け、放熱を図っていた。
【００３６】
しかしこのような従来の構成では、放熱のための放熱部４が、パネル部２の放射（輻射）する遠赤外線８を吸収してしまい、電源モジュール３に熱を伝導してしまうという矛盾が生じていた。そして電源モジュール３の温度が過剰に上昇すると、パワー半導体素子６の信頼性が低下するなどの問題があった。
【００３７】
一方図１に示すように、本実施の形態では、放熱部１１の裏面（パネル部１０との対向面）に、８．０μｍ以上９．０μｍ以下の遠赤外線の反射率が、放熱部１１本体より高い熱反射層２２を形成している。
【００３８】
したがって、パネル部１０が発熱し遠赤外線２３を放射しても、放熱部１１の裏面側で反射することができ、電源モジュール１２への熱伝導を低減することができる。そしてその結果、電源モジュール１２の温度上昇を抑制することができるのである。
【００３９】
なお、熱源（パネル部１０の裏面）の温度Ｔが５０℃（３２３Ｋ）の場合、この熱源の放射する電磁波のうち放射強度が最大となる電磁波の波長λmaxは、ウィーンの変位則λmax=0.002898／Ｔ［Ｋ］を用いて近似的に求めると、約８．９７μｍであり、９０℃（３６３Ｋ）の場合約８．０７μｍとなる。したがって、波長８．０μｍ以上９．０μｍ以下の遠赤外線に対する反射率が大きいことは、約５０℃〜９０℃程度のパネル部１０からの輻射熱を効率よく反射できることを意味している。
【００４０】
ここで、本実施の形態において、パネル部１０が５０℃〜９０℃程度にまで発熱することを想定したのは、本実施の形態に基づいた実験の結果、プラズマディスプレイ装置９内部の環境温度は４０℃程度であり、パネル部１０はこの環境温度より１０℃〜５０℃程度上昇することがわかっているためである。
【００４１】
以上のように本実施の形態では、上記温度帯にパネル部１０が発熱したことに起因する、電源モジュール１２の温度上昇を抑制することができるのである。
【００４２】
（実施の形態２）
本実施の形態と実施の形態１との違いは、図４に示すように、放熱部１１の裏面に凹凸を設け、この凹凸形状に沿うように放熱部１１上に熱反射層２２を蒸着した点である。
【００４３】
このように熱反射層２２に凹凸を形成すると、熱反射層２２はパネル部１０からの遠赤外線２３を乱反射する。これにより、反射した遠赤外線２４が、パネル部１０の一部分に集中することなく、均一に入射する。そしてその結果、パネル部１０の偏った温度上昇を抑制し、輝度ムラを抑制することができる。
【００４４】
また熱反射層２２で遠赤外線２３を乱反射することにより、パネル部１０外方へも遠赤外線２４を逃がすことができ、結果としてパネル部１０の温度上昇を抑制することができる。
【００４５】
また本実施の形態では、放熱部１１本体に凹凸を設けた後、その形状に沿うように熱反射層２２を設けている。したがって、熱反射層２２の厚みを比較的均一にすることができ、熱反射層２２における遠赤外線２３の反射効率のばらつきを抑制することができる。
【００４６】
（実施の形態３）
本実施の形態と実施の形態１との違いは、熱反射層２２の表面を粗面化した点である。したがって、熱反射層２２の表面粗度は、パネル部１０の表面粗度よりも大きくなっている。
【００４７】
これにより本実施の形態では、実施の形態２と同様に、パネル部１０から放射された遠赤外線２３を、熱反射層２２で乱反射することができる。よって、反射された遠赤外線２４が、パネル部１０の一部分に集中することなく、均一に入射される。そしてその結果、パネル部１０の一部分に偏った温度上昇を抑制し、輝度ムラを抑制することができる。
【００４８】
また、実施の形態２と同様に、熱反射層２２で遠赤外線２３を乱反射することにより、パネル部１０外方へも遠赤外線２４を逃がすことができ、結果としてパネル部１０の温度上昇を抑制することができる。
【産業上の利用可能性】
【００４９】
以上のように本発明は、プラズマディスプレイ装置において、パネル部からの輻射熱に対し、耐性の強い電源モジュールを構成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明の一実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置の断面図
【図２】同プラズマディスプレイ装置の斜視図
【図３】同プラズマディスプレイ装置の電源モジュール部分の斜視図
【図４】同プラズマディスプレイ装置の回路モジュール部分の断面図
【図５】従来のプラズマディスプレイ装置の断面図
【符号の説明】
【００５１】
９  プラズマディスプレイ装置
１０  パネル部
１１  放熱部
１２  電源モジュール
１３  放熱板
１４  絶縁層
１５  配線パターン
１６  パワー半導体素子
１７  トランス
１８  回路基板
１９  制御用素子
２０  回路モジュール
２１  端子
２２  熱反射層
２３  遠赤外線
２４  遠赤外線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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