(57)【要約】【課題】簡便に形成でき、基板同士を接合する際に加わる力によって破壊されにくいバンプ構造体を備えた半導体パッケージを提供する。【解決手段】センサ基板電極５の直下に接続用キャビティ７を設け、バンプ４がセンサ基板電極５を接続用キャビティ７方向に押し曲げてバンプ４とセンサ基板電極５とが接続される構成としたので、製造ばらつきによりバンプ４が所定の高さより上回っていても、所定高さを超えた分が接続用キャビティ７に逃げ、バンプ４からセンサ基板２や窓基板１への応力が低減されて、センサ基板電極５や窓基板電極３やその周辺部位にクラック等の破壊を引き起こすことがない。またセンサ基板電極５を弾性体によって構成したため、弾性力によってセンサ基板電極５がバンプ４側に付勢され、センサ基板電極５とバンプ４とが確実に接続される。【選択図】図３
2008130961.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方の基板と他方の基板とが、バンプ構造体を介して電気的に接続される半導体パッケージにおいて、
前記一方の基板に前記バンプ構造体が設けられ、
前記他方の基板に、
弾性体によって構成されて前記バンプ構造体と接触する接触部と、
該接触部が前記バンプ構造体によって付勢される側に形成された接続用キャビティと、が設けられていることを特徴とする半導体パッケージ。
【請求項２】
前記接触部と前記バンプ構造体とが非接触の状態で、
前記接触部は、前記接続用キャビティに対して反対側方向に向かって反っていることを特徴とする請求項１に記載の半導体パッケージ。
【請求項３】
前記一方の基板は窓基板であり、
前記他方の基板は素子が形成される素子基板であることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体パッケージ。
【請求項４】
前記素子は、センサ用キャビティを有するセンサであり、
前記接続用キャビティは、前記センサ用キャビティと同一工程で形成されていることを特徴とする請求項３に記載の半導体パッケージ。
【請求項５】
バンプ構造体が設けられた一方の基板と、
弾性体によって構成されて前記バンプ構造体と接触する接触部と、該接触部の直下に形成された接続用キャビティとを有する他方の基板と、
を電気的に接続する半導体パッケージ方法であって、
前記バンプ構造体によって前記接触部を前記接続用キャビティ側に付勢して、前記一方の基板と前記他方の基板とを電気的に接続することを特徴とする半導体パッケージ方法。
【請求項６】
前記一方の基板は窓基板であり、
前記他方の基板は、センサ用キャビティを有するセンサが設けられる素子基板であり、
前記接続用キャビティと前記センサ用キャビティを、同一工程で形成することを特徴とする請求項５に記載の半導体パッケージ方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子内の２つの電極をバンプを介して接続する半導体パッケージに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体パッケージにおいて、第１基板に備えられた電極と第２基板に備えられた電極との間にバンプ構造体を挟み、電気的に接続することが行われている。
またこのバンプ構造体を、中空構造の多角錐または円錐、あるいはこれらを組み合わせた形状に形成したものが、たとえば特許文献１に記載されている。
【特許文献１】特許第３０８００４７号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、このような従来のものにおいては、バンプ構造体が多角錐または円錐、あるいはこれらの組み合わせによって形成されているので、バンプ構造体に加わる力が、バンプ構造体の多角錐または円錐が接合されている接合部や、バンプ構造体と基板との接合部に力が集中しバンプ構造体が壊れやすいといった問題がある。
また、中空構造のバンプ構造体を形成する工程が複雑であり、製造コストもかかるといった問題がある。
【０００４】
そこで本発明はこのような問題点に鑑み、簡便に形成でき、基板同士を接合する際に加わる力によって破壊されにくいバンプ構造体を備えた半導体パッケージを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、一方の基板と他方の基板とが、バンプ構造体を介して電気的に接続される半導体パッケージにおいて、一方の基板にバンプ構造体を設け、他方の基板に、弾性体によって構成されてバンプ構造体と接触する接触部と、接触部がバンプ構造体によって付勢される側に形成された接続用キャビティとを設けるものとした。
【発明の効果】
【０００６】
本発明によれば、バンプ構造体によって接続部が付勢される側に接続用キャビティを設けたので、基板同士を電気的に接続する際に、接続部が撓むことによってバンプ構造体が接続部を付勢する力が緩和され、バンプ構造体や接続部などが破壊されることがない。また、接続用キャビティを設けるだけでよいので、簡便に形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
次に本発明の実施の形態を実施例により説明する。
まず第１の実施例について説明する。
図１に半導体パッケージの外観を示し、図２にセンサ基板の上面を示す。また図３に、図１における面Ａ部断面を示す。
なお図３は、センサの繰り返し部分については煩雑さを避けるため一部省略して図示し、センサ基板２に窓基板１を重ねた状態を示す。
【０００８】
センサ基板２と窓基板１とを接合することによって半導体パッケージ３０が構成される。
窓基板１は、所定波長の光を通すものである。したがって、半導体パッケージ３０の上面に向けて照射された光のうち、所定波長の光のみが窓基板１を通過してセンサ基板２に照射される。
窓基板１において、センサ基板２との接合面の外周縁にサイドウォール９が形成され（図３参照）、サイドウォール９の高さ分により半導体パッケージ３０内に中空構造が形成される。
【０００９】
半導体パッケージ３０は、少なくとも１つ以上のセンサ６（図２、３参照）を内封するものであり、内部に備えたセンサ６等を保護するとともに、センサ６の駆動に必要な雰囲気を気密性よく保持するものである。
たとえば、センサ６が熱型の赤外線検出センサやジャイロセンサ等であれば、その中空構造の内部雰囲気は希ガスや真空となっている。
【００１０】
図２に示すように、センサ基板２の上面側（窓基板１と接合される側の面）には、所定数のセンサ６が配置されている。
図２では、センサ６はアレイ状に配置されている。
センサ基板２上において、センサ６の周囲には所定数のセンサ基板電極５が載置されている。
センサ６は、駆動に必要な回路（図示しない）やセンサ基板電極５と電気的に接続されている。
ここでセンサ６は、センサ基板２にセンサ用キャビティ１０を有するもの（たとえば赤外線センサ）とする。
【００１１】
図３に示すように、センサ基板電極５の直下には、接続用キャビティ７が形成されている。
接続用キャビティ７は、詳しくは後述する製造工程により角錐状にエッチングすることによって形成されている。
センサ基板電極５は図２に示すように、平面形が四角形に形成され、対角線上に切込みが設けられている。
センサ基板電極５は弾性体によって構成されている。
【００１２】
窓基板１は、センサ基板２と接合した時にセンサ基板電極５と対向する位置に、円柱形状の窓基板貫通配線８が設けられている。
窓基板貫通配線８におけるセンサ基板２側の端部には、窓基板電極３が備えられ、さらに窓基板電極３には金等からなるバンプ４が備えられている。
窓基板１とセンサ基板２との接合時に、窓基板貫通配線８、窓基板電極３およびバンプ４は電気的に接続される。
窓基板１の下面（センサ基板２と接合される側の面）において、バンプ４の突出高さは、サイドウォール９の突出高さと略同一に形成されている。
【００１３】
窓基板１とセンサ基板２とを重ねて接合すると、バンプ４がセンサ基板電極５を接続用キャビティ７方向に押し曲げてバンプ４とセンサ基板電極５とが接続される。
これにより、センサ６、センサ基板電極５、バンプ４、窓基板電極３、窓基板貫通配線８が電気的に接続される。
このような電気的接続構造によって、センサ６への電気的入出力を半導体パッケージ３０の外部より行うことができる。
【００１４】
センサ基板電極５の直下に接続用キャビティ７を設けたことにより、図３に示す窓基板１とセンサ基板２との接合において、製造ばらつきによりバンプ４が所定の高さ（窓基板１の下面からの突出高さ）より上回っていても、所定高さを超えた分が接続用キャビティ７に逃げる。
これにより、バンプ４からセンサ基板２や窓基板１への応力が低減され、センサ基板電極５や窓基板電極３やその周辺部位にクラック等の破壊を引き起こすことがなく、センサ基板電極５とバンプ４とを接続することができる。
【００１５】
なお図２に示すように、センサ基板電極５を、略正方形に形成された電極の中心から四隅に向かって切り込みを入れた形状とすることにより、バンプ４によって接続用キャビティ７側に押し曲げられたセンサ基板電極５が、接続用キャビティ７の内壁に接触して破壊してしまうことが防止できる。
またセンサ基板電極５を中心から四隅に向かって切り込みを入れたので、略正方形の辺側から中心に向かって電極の幅が狭くなる形状となり、バンプ４とセンサ基板電極５との接続時にセンサ基板電極５のバンプ４方向への反力が増し、バンプ４とセンサ基板電極５の接続をより確実に行うことができる。
【００１６】
次に半導体パッケージ３０の製造工程について説明する。
まず図４の（ａ）〜（ｅ）、図５の（ａ）〜（ｅ）を用いて、センサ基板２にセンサ６、センサ基板電極５および接続用キャビティ７などを形成する工程について説明する。
なお図４の（ａ）〜（ｅ）、図５の（ａ）〜（ｅ）は、図１の面Ａ部断面に対応し、図４、５中ではセンサ基板電極５を１つ分、センサ６を１つ分のみ表記してある。
また本工程で製造するセンサ６は、熱型の赤外線検出センサであるものとする。さらにセンサ基板２はシリコン基板であり、その基板表面が面方位（１００）となるように形成されているものとする。
【００１７】
図４の（ａ）に示す第１の工程では、センサ基板２の表面にＰＳＧ膜５０をＣＶＤ等により形成する。
図４の（ｂ）に示す第２の工程では、センサ基板２の外周縁近傍のみ、すなわち窓基板１のサイドウォール９が当接する部位のみにＰＳＧ膜５０を残して他はドライエッチングにより除去する。
このＰＳＧ膜５０は、センサ基板２における窓基板１との接合面を保護するためのものである。
【００１８】
図４の（ｃ）に示す第３の工程では、ＰＳＧ膜５０が形成されたセンサ基板２の上面にポリシリコン５１を形成する。
図４の（ｄ）に示す第４の工程では、ポリシリコン５１にボロンをイオン注入してエッチストッパ５２を形成する。
なおセンサ基板２上の所定位置に矩形のポリシリコン５１が形成されるように、ボロンをイオン注入する
したがって、矩形のポリシリコン５１の周りをエッチストッパ５２が囲んでいる。
【００１９】
図４の（ｅ）に示す第５の工程では、シリコン酸化膜５３を形成する。
図５の（ａ）に示す第６の工程では、ポリシリコン５１と対応するシリコン酸化膜５３上にＰ型ポリシリコンおよびＮ型ポリシリコンによるサーモパイル５４を形成する。
たとえば、シリコン酸化膜５３上の全面にポリシリコン膜を形成し、そのポリシリコン膜にリン（Ｐ）またはヒ素（Ａｓ）をイオン注入してＮ型ポリシリコンを形成し、また、ポリシリコン膜にボロン（Ｂ）をイオン注入してＰ型ポリシリコンを形成する。
そして、それらをエッチングでパターニングすることにより、Ｐ型ポリシリコンおよびＮ型ポリシリコンによるサーモパイル５４を形成する。
【００２０】
図５の（ｂ）に示す第７の工程では、サーモパイル５４の上からシリコン酸化膜５３を形成した後、配線５５およびセンサ基板電極５を形成する。
なお配線５５は、後の工程で完成するセンサ６内の配線である。
図５の（ｃ）に示す第８の工程では、さらに保護層としてセンサ基板電極５および配線５５の上からシリコン酸化膜５３を形成する。
そして、センサ基板電極５上のシリコン酸化膜５３をエッチングによって除去してセンサ基板電極５を露出させる。
さらに、プラズマエッチング等による異方性エッチングにより、ポリシリコン５１まで達するエッチングスリット５６を形成する。
【００２１】
図５の（ｄ）に示す第９の工程では、ヒドラジン等のアルカリ液を用いて、エッチングスリット５６からポリシリコン５１およびシリコンで構成されたセンサ基板２を異方性エッチングする。
この異方性エッチングは、エッチストッパ５２のところでストップし、センサ基板２に接続用キャビティ７およびセンサ用キャビティ１０が形成される。
このエッチングによってポリシリコン５１が除去される。
前述したように、センサ基板２の表面は（１００）面となっているため、結晶性異方性エッチングにより角錐状にエッチングされ、シリコン結晶の（１１１）面が露出する。
このようにして、熱型の赤外線センサ（センサ６）のセンサ用キャビティ１０と、センサ基板電極５の直下に接続用キャビティ７を形成することができる。
次に、図５の（ｅ）に示す第１０の工程において、ＰＳＧ膜５０を除去することによってセンサ基板２側の製造工程が終了する。
【００２２】
次に、図６の（ａ）〜（ｅ）、図７の（ａ）〜（ｅ）を用いて、窓基板１に窓基板貫通配線８やバンプ４などを形成する工程について説明する。
なお、窓基板１の材料は、センサ６が赤外線センサであれば赤外線を透過するもの、可視センサであれば、可視光が透過するものを選択する。またジャイロセンサ等のように力学的量を検知するものであれば、より広い範囲で材料を選択することができる。
図６の（ａ）に示す第１の工程では、平板形状の窓基板１の外周縁にサイドウォール９を形成する。
なおサイドウォール９は、窓基板１の中心部分をエッチングで掘り下げて形成してもよく、サイドウォール９をＣＶＤ等で形成してもよい。あるいは窓基板１に別の基板を接合してサイドウォール９を形成してもよい。
【００２３】
図６の（ｂ）に示す第２の工程では、窓基板１のサイドウォール９が形成された側の面に、ソリグラフィー技術とエッチング技術で窓基板電極３をパターニングする。
なお窓基板電極３は、センサ基板２と接合させたときに、センサ基板電極５と対向する位置に形成される。
図６の（ｃ）に示す第３の工程では、窓基板電極３が形成された側に対して反対側の面から窓基板電極３に向けて反応性イオンエッチングなどの手法により、窓基板電極３まで到達する電極差込穴４０を形成する。
【００２４】
図６の（ｄ）に示す第４の工程では、電極差込穴４０の内部および窓基板電極３が形成された側に対して反対側の面に、無電解鍍金やＣＶＤ等により通電膜６０を形成する。
なお通電膜６０は、次の工程で電解鍍金を行うために必要となるものである。
また窓基板１が、シリコンやゲルマニウムのように電気的に通電するものであれば、各々の窓基板貫通配線８（次の工程で形成される）間の絶縁を図るため、通電膜６０を形成する前に絶縁膜を形成しておく。この絶縁膜は、表面酸化処理やＣＶＤ等により形成する。
【００２５】
図６の（ｅ）に示す第５の工程では、窓基板１の窓基板電極３が形成された側に対して反対側の面から電解鍍金を行い、形成された金属膜８’によって電極差込穴４０をすべて埋めきるか、あるいは、半導体パッケージ３０内の気密性や強度が保てる程度に銅などの金属膜８’を形成する。
そして図７の（ａ）に示す第６の工程において、センサ基板２の窓基板電極３が形成された側に対して反対側の面に形成された余分な金属膜８’を研磨などによって除去して窓基板１に窓基板貫通配線８を形成する。
【００２６】
次に第７から第９の工程において金ワイヤによるバンプ４を窓基板電極３上に形成する。
図７の（ｂ）に示す第７の工程において、放電処理によって球形化した金ワイヤ４’の先端をキャピラリ６１にて窓基板電極３に押し当て、超音波印加して球形化した金ワイヤ４’の先端と窓基板電極３とを接合する。
その後、キャピラリ６１を鉛直方向に引きつつ、キャピラリを閉じることで、図７の（ｂ）中の右側に示す金ワイヤ４’のように、先端がとがった形状に引き切られる。
次に図７の（ｃ）、（ｄ）に示す第８の工程において、高さを揃えるために、スタンパ６２によって金ワイヤ４’のとがった先端部を押さえつけてバンプ４を形成する。
これによって図７の（ｅ）に示すように、窓基板１側の製造工程が終了する。
【００２７】
窓基板１側とセンサ基板２側の製造後、図８に示すように、窓基板１のバンプ４が形成された側の面と、センサ基板２のセンサ６が形成された側の面とを対向させて両者を接合することにより、図３に示すような半導体パッケージ３０が完成する。
窓基板１とセンサ基板２との接合方法は、各基板材料やセンサ６の耐熱性などの条件によっても異なるが、たとえば陽極接合や直接接合、表面活性化接合などを用いることができる。
【００２８】
特に表面活性化接合は、真空中にてその表面をイオンビームなどにより表面除去して、原子の結合手を露出させ、その結合手の出ている面同士を真空中にて接触させて接合させる手法である。
この接合方法は、接合に加熱が必要ないことから、窓基板１とセンサ基板２が異種の材料であったとしても常温下で熱ひずみを起こすことなく接合できる。
さらに真空中で接合を行うため、センサ６として半導体パッケージ３０内部を真空に保つ必要のある、熱型の赤外線センサやジャイロといったセンサを用いた場合には、最も友好な接合方法である。
【００２９】
なお本実施例において、窓基板１が本発明における一方の基板を構成し、センサ基板２が本発明における他方の基板を構成する。またバンプ４が本発明におけるバンプ構造体を構成し、センサ基板電極５が本発明における接触部を構成する。
【００３０】
本実施例は以上のように構成され、センサ基板電極５の直下に接続用キャビティ７を設け、バンプ４がセンサ基板電極５を接続用キャビティ７方向に押し曲げてバンプ４とセンサ基板電極５とが接続される構成としたので、製造ばらつきによりバンプ４が所定の高さより上回っていても、所定高さを超えた分が接続用キャビティ７に逃げ、バンプ４からセンサ基板２や窓基板１への応力が低減されて、センサ基板電極５や窓基板電極３やその周辺部位にクラック等の破壊を引き起こすことがない。
またセンサ基板電極５を弾性体によって構成したため、弾性力によってセンサ基板電極５がバンプ４側に付勢され、センサ基板電極５とバンプ４とが確実に接続される。
【００３１】
センサ６が熱型赤外線センサなどのセンサ用キャビティ１０を有するものである場合、センサ基板電極５の直下に形成する接続用キャビティ７とセンサ用キャビティ１０とを同一工程で同時に形成することができ、製造工程の簡素化を図ることができる。
【００３２】
なお本実施例において、接続用キャビティ７をセンサ基板電極５の直下に設けてバンプ４の応力を緩和する構造としたが、図９の（ａ）、（ｂ）に示す半導体パッケージ３０Ａのように、窓基板電極３Ａが備えられた窓基板１Ａに接続用キャビティ７Ａを設け、センサ基板２Ａのセンサ基板電極５Ａの上にバンプ４Ａを設けてもよい。
なお第１の実施例と同一構成物については、同一番号を付して説明を省略する。
窓基板１Ａとセンサ基板２Ａの接合時には図９の（ｂ）に示す半導体パッケージ３０Ａのように、バンプ４Ａが窓基板電極３Ａを接続用キャビティ７Ａ側に押し上げることにより、上記と同様にバンプ４Ａからの応力を接続用キャビティ７Ａによって吸収することができる。
また窓基板１Ａは、窓基板１Ａをシリコン基板によって構成し、その表面が（１００）面となるように形成すれば、図４、５に示す工程に準じて製造することができる。
【００３３】
次に、第２の実施例について説明する。
なお本実施例における半導体パッケージ３０Ｂは、図１に示した半導体パッケージ３０と同様の外観を有している。
図１０の（ａ）に、図１における半導体パッケージ３０Ｂの面Ａ部断面を示し、図１０の（ｂ）に、窓基板１とセンサ基板２とを接合する前の断面を示す。
本実施例においては、センサ基板２の上面に配置されたセンサ基板電極５Ｂの直下に接続用キャビティ７を設け、図１０の（ｂ）に示すようにセンサ基板電極５Ｂを上方側に反り上がる構造とした。
他の構成については、第１の実施例と同じであり、同一番号を付して説明を省略する。
センサ基板電極５Ｂが反り上がる構造としたので、製造ばらつきによりバンプ４の高さが所定値より上回っていても、下回っていても、バンプ４とセンサ基板電極５Ｂとを確実に接続させながら、バンプ４から各基板への応力を低減することができる。
【００３４】
次に、半導体パッケージ３０Ｂの製造工程について説明する。
なお、窓基板１側の製造工程については第１の実施例における窓基板１と同じであり説明を省略する。
センサ基板２側の製造工程について図１１の（ａ）〜（ｄ）を用いて説明する。
センサ基板２側の製造工程のうち第１〜第６の工程は、第１の実施例におけるセンサ基板２側の第１〜第６の製造工程と同じであり説明を省略する。
図１１の（ａ）に示す第７の工程において、シリコン酸化膜５３上にシリコン窒化膜５７を形成する。シリコン窒化膜５７を形成する位置は、センサ基板電極５Ｂが形成される位置とする。
シリコン酸化膜５３上の所定位置に配線５５を形成し、さらにシリコン窒化膜５７の上に電極５Ｂ’を形成する。
【００３５】
図１１の（ｂ）に示す第８の工程において、電極５Ｂ’や配線５５が形成されたセンサ基板２の上から保護層としてシリコン酸化膜５３を形成する。
その後、電極５Ｂ’上のシリコン酸化膜５３をエッチングでパターニングすることによって除去し、電極５Ｂ’を露出させる。
さらに、プラズマエッチング等の異方性エッチングにより、ポリシリコン５１まで到達するエッチングスリット５６Ａを形成する。
【００３６】
図１１の（ｃ）に示す第９の工程において、ヒドラジン等のアルカリ液を用いて、エッチングスリット５６Ａからポリシリコン５１およびシリコンで構成されたセンサ基板２を異方性エッチングする。
この異方性エッチングは、エッチストッパ５２のところでストップし、センサ基板２に接続用キャビティ７およびセンサ用キャビティ１０が形成される。
センサ基板電極５Ｂは、直下に接続用キャビティ７が形成されることによって薄膜化しており、シリコン窒化膜５７の圧縮応力が顕著となり、電極５Ｂ’およびシリコン窒化膜５７が反り上がる。
このように、反りあがったシリコン窒化膜５７および電極５Ｂ’によってセンサ基板電極５Ｂが構成される。
【００３７】
その後、図１１の（ｄ）に示す第１０の工程のように、センサ基板２の外周縁に沿って設けたＰＳＧ膜５０を除去する。
なお本実施例において、窓基板１が本発明における一方の基板を構成し、センサ基板２が本発明における他方の基板を構成する。またバンプ４が本発明におけるバンプ構造体を構成し、センサ基板電極５Ｂが本発明における接触部を構成する。
【００３８】
本実施例は以上のように構成され、センサ基板電極５Ｂをバンプ４側に反り上がる形状としたことにより、製造ばらつきによってバンプ４の高さが所定値より上回っていても、下回っていても、窓基板１とセンサ基板２との接合時にバンプ４とセンサ基板電極５Ｂとを確実に当接させることができる。
また第１の実施例と同様に、センサ基板電極５Ｂがバンプ４によって押し曲げられる方向に接続用キャビティ７を設けたことにより、バンプ４から各基板に加わる応力が接続用キャビティ７によって吸収され、センサ基板電極５Ｂや窓基板電極３やその周辺部位にクラック等の破壊を引き起こすことがない。
【００３９】
また図１２の（ａ）に示す半導体パッケージ３０Ｂのように、窓基板１Ｂにセンサ基板２Ｂ側に反り上がる窓基板電極３Ｂを設け、窓基板１Ｂの窓基板電極３Ｂ直下に接続用キャビティ７Ａを設けて、センサ基板２Ｂのセンサ基板電極５Ａにバンプ４Ａを設けてもよい。
なお上記各実施例と同一構成物については、同一番号を付して説明を省略する。
窓基板１Ｂとセンサ基板２Ｂとの接合時には図１２の（ｂ）に示すようにバンプ４Ａが窓基板電極３Ｂを接続用キャビティ７Ａ方向に押し上げて両者が接続される。
【００４０】
バンプ４Ａによる窓基板電極３Ｂの押し込み方向に７Ａが設けられていることにより、第２の実施例と同様に、バンプ４Ａの高さが所定値より上回っていても、下回っていても、バンプ４Ａと窓基板電極３Ｂとを確実に当接させることができ、バンプ４Ａから各基板に加わる応力が接続用キャビティ７Ａによって吸収され、センサ基板電極５Ａや窓基板電極３Ｂやその周辺部位にクラック等の破壊を引き起こすことがない。
【００４１】
次に、第３の実施例について説明する。
なお本実施例における半導体パッケージ３０Ｃは、図１に示した半導体パッケージ３０と同様の外観を有している。
図１３に、図１における半導体パッケージ３０Ｃの面Ａ部断面を示す。
窓基板１Ｃに、窓基板貫通配線８および窓基板電極３を設け、さらに窓基板電極３上にバンプ４Ｂを形成する。
センサ基板２Ｃに、センサ６およびセンサ基板電極５Ｂを形成する。
窓基板１Ｃとセンサ基板２Ｃとを接合させると、バンプ４Ｂの先端がセンサ基板電極５Ｂに接触して電気的に接続される。
他の構成は第１の実施例と同じであるので、同一番号を付して説明を省略する。
【００４２】
図１４に窓基板１Ｃとセンサ基板２Ｃとを接合する前の様子を示す。
バンプ４Ｂは、センサ基板電極５Ｂとの接続側に、当接するセンサ基板電極５Ｂに対して所定角度で傾斜する先端部４４が設けられている。
先端部４４は、センサ基板電極５Ｂとの当接によって折れ曲がる構造となっている。
したがって、窓基板１Ｃとセンサ基板２Ｃとの接合時にバンプ４Ｂからセンサ基板電極５Ｂへの応力が先端部４４によって緩和される。
【００４３】
次に、窓基板１Ｃを製造する工程について図１５の（ａ）、（ｂ）を用いて説明する。
なお窓基板１Ｃは、第６の工程までは図６の（ａ）〜（ｅ）、図７の（ａ）に示す工程と同じであり説明を省略する。
図１５の（ａ）に示す第７の工程において、先端を球形状に加工された金ワイヤの先端部と窓基板電極３とを超音波接合し、キャピラリ６１を窓基板電極３に対して所定角度で引き上げて金ワイヤを引き切る。
これによって図１５の（ｂ）に示すように、窓基板電極３に対して所定角度で傾斜する先端部４４を備えたバンプ４Ｂを形成することができる。
【００４４】
本実施例は以上のように構成され、バンプ４Ｂの先端に所定角度で傾斜する先端部４４を形成したので、窓基板１Ｃとセンサ基板２Ｃとの接合時に、センサ基板電極５Ｂと接触した先端部４４が変形してバンプ４Ｂからの応力が緩和され、センサ基板電極５Ｂや窓基板電極３Ｂやその周辺部位にクラック等の破壊を引き起こすことなく、センサ基板電極５Ｂとバンプ４Ｂとの接続が可能となる。
また、バンプ４Ｂに先端部４４を形成するだけでよいので、より簡単に応力を緩和するための構造を得ることができる。
【００４５】
なお第３の実施例では、窓基板１Ｃ側に先端部４４を有するバンプ４Ｂを備えるものとしたが、図１６の（ａ）、（ｂ）に示す半導体パッケージ３０Ｄのように、先端部４４を有するバンプ４Ｂをセンサ基板電極５Ｂ上に形成してもよい。
この場合にも、窓基板１Ｃとセンサ基板２Ｃとを接合して半導体パッケージ３０Ｄを形成する際に、先端部４４が折れ曲がりながらバンプ４Ｂと窓基板電極３とが接続されることにより上記と同様の効果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】第１〜３の実施例における半導体パッケージの外観図である。
【図２】センサ基板の上面を示す図である。
【図３】第１の実施例における図１の面Ａ部断面を示す図である。
【図４】センサ基板側の製造工程を示す図である。
【図５】センサ基板側の製造工程を示す図である。
【図６】窓基板側の製造工程を示す図である。
【図７】窓基板側の製造工程を示す図である。
【図８】窓基板とセンサ基板とを接合する様子を示す図である。
【図９】変形例を示す図である。
【図１０】第２の実施例における図１の面Ａ部断面を示す図である。
【図１１】センサ基板の製造工程を示す図である。
【図１２】変形例を示す図である。
【図１３】第３の実施例における図１の面Ａ部断面を示す図である。
【図１４】窓基板とセンサ基板とを接合する様子を示す図である。
【図１５】窓基板側の製造工程を示す図である。
【図１６】変形例を示す図である。
【符号の説明】
【００４７】
１、１Ａ、１Ｂ、１Ｃ    窓基板
２、２Ａ、２Ｂ、２Ｃ    センサ基板
３、３Ａ、３Ｂ    窓基板電極
４、４Ａ、４Ｂ    バンプ
５、５Ａ、５Ｂ    センサ基板電極
６    センサ
７、７Ａ    接続用キャビティ
８    窓基板貫通配線
９    サイドウォール
１０    センサ用キャビティ
３０、３０Ａ、３０Ｂ、３０Ｃ、３０Ｄ    半導体パッケージ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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