(57)【要約】【課題】基板の成膜処理により成膜される付着膜を容易に剥離・除去することができる成膜装置用部品、成膜装置、成膜装置用部品の製造方法、成膜装置用部品の再生方法を提案する。【解決手段】基板Ｐ類への成膜処理中に不要な付着膜３０が成膜される成膜装置用部品２０は、成膜装置用部品本体２１と、成膜装置用部品本体２１の表面に形成されて付着膜３０と共に剥離可能な保護膜２２と、を有する。保護膜２２は、ジメチルシリコーン重合膜である。成膜装置用部品としては、例えば、防着板２０がある。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板類への成膜処理中に不要な付着膜が成膜される成膜装置用部品において、
成膜装置用部品本体と、
前記成膜装置用部品本体の表面に形成されて前記付着膜と共に剥離可能な保護膜と、
を有することを特徴とする成膜装置用部品。
【請求項２】
前記保護膜は、ジメチルシリコーン重合膜であることを特徴とする請求項１に記載の成膜装置用部品。
【請求項３】
基板類を成膜処理する容器を有する成膜装置において、
前記容器内に収容される成膜装置用部品として、請求項１又は請求項２に記載の成膜装置用部品を用いることを特徴とする成膜装置。
【請求項４】
前記成膜装置用部品が防着板であることを特徴とする請求項３に記載の成膜装置。
【請求項５】
前記成膜装置用部品がシャッター板であることを特徴とする請求項３に記載の成膜装置。
【請求項６】
前記容器が真空容器であることを特徴とする請求項３から請求項５のうちいずれか一項に記載の成膜装置。
【請求項７】
基板類への成膜処理中に不要な付着膜が成膜される成膜装置用部品の製造方法において、
前記成膜処理に先立って、成膜装置用部品本体の表面に前記付着膜と共に剥離可能な保護膜を形成することを特徴とする成膜装置用部品の製造方法。
【請求項８】
前記保護膜は、ジメチルシリコーン重合膜であることを特徴とする請求項７に記載の成膜装置用部品の製造方法。
【請求項９】
前記成膜装置用部品本体を真空製膜装置の電極に密着配置しつつジメチルシリコーンと不活性ガスを導入して前記保護膜を形成することを特徴とする請求項７又は請求項８に記載の成膜装置用部品の製造方法。
【請求項１０】
基板類への成膜処理中に不要な付着膜が成膜される成膜装置用部品の再生方法において、
請求項７から請求項９に記載の製造方法からなる工程と、
前記保護膜に液体を付着させて前記保護膜と共に剥離する工程と、
を有することを特徴とする成膜装置用部品の再生方法。
【請求項１１】
前記成膜装置用部品を所定温度の水中に所定時間浸漬することを特徴とする請求項１０に記載の成膜装置用部品の再生方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、成膜装置用部品、成膜装置、成膜装置用部品の製造方法、成膜装置用部品の再生方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、スパッタ装置や蒸着装置等の成膜装置は、容器内に収容された基板に対して薄膜を形成する装置であるが、この基板以外の成膜装置用部品にも薄膜が形成されてしまう。
成膜装置では、成膜装置用部品上に付着した膜を一定期間毎に剥離・除去する必要がある。成膜装置用部品（例えば、防着板）上に成膜した膜が基板の成膜処理中に剥離して、塵埃の発生の原因となってしまうからである。
【０００３】
成膜装置用部品上に成膜された付着膜を除去（剥離）する方法としては、ブラスト法等により付着膜を機械的に除去する方法、酸洗いなどにより付着膜をエッチングして化学的に除去する方法、成膜装置用部品上に保護膜を形成し付着膜をこの保護膜と共に除去する方法（特許文献１参照）が知られている。
【特許文献１】特開平６−４９６２６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、機械的な除去方法では、成膜装置用部品に損傷を与えて再使用できなくなってしまう可能性が高い。また、化学的な除去方法では、薬品等を大量に使用したり、除去が困難であったりする場合がある。更に、保護膜と共に除去する方法においても、化学的にエッチングを用いる必要がある。
このため、基板の成膜処理中においては成膜装置用部品上に成膜された付着膜が剥離しづらく、その一方で、除去処理においては付着膜が剥離・除去しやすく、また剥離・除去作業が容易なことが要請されている。
【０００５】
本発明は、上述した事情に鑑みてなされたもので、基板の成膜処理により成膜される付着膜を容易に剥離・除去することができる成膜装置用部品、成膜装置、成膜装置用部品の製造方法、成膜装置用部品の再生方法を提案することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る成膜装置用部品、成膜装置、成膜装置用部品の製造方法、成膜装置用部品の再生方法では、上記課題を解決するために以下の手段を採用した。
【０００７】
第１の発明は、基板類への成膜処理中に不要な付着膜が成膜される成膜装置用部品において、成膜装置用部品本体と、前記成膜装置用部品本体の表面に形成されて前記付着膜と共に剥離可能な保護膜と、を有することを特徴とする。
これにより、成膜装置用部品本体から、付着膜を保護膜と共に容易に剥離・除去することができる。
【０００８】
また、前記保護膜は、ジメチルシリコーン重合膜であることを特徴とする。
これにより、好適に、付着膜を保護膜と共に容易に剥離・除去することができる。
【０００９】
第２の発明は、基板類を成膜処理する容器を有する成膜装置において、前記容器内に収容される成膜装置用部品として、第１の発明に係る成膜装置用部品を用いることを特徴とする。
これにより、成膜装置のメンテナンス（付着層の除去）を効率かつ短時間に行うことができる。
【００１０】
また、前記成膜装置用部品が防着板であることを特徴とする。
また、前記成膜装置用部品がシャッター板であることを特徴とする。
これにより、防着板等を繰り返し使用することができる。
【００１１】
また、前記容器が真空容器であることを特徴とする。
これにより、真空製膜装置において、真空チャンバ内の部品のメンテナンスが容易となる。
【００１２】
第３の発明は、基板類への成膜処理中に不要な付着膜が成膜される成膜装置用部品の製造方法において、前記成膜処理に先立って、成膜装置用部品本体の表面に前記付着膜と共に剥離可能な保護膜を形成することを特徴とする。
これにより、成膜装置用部品本体から、付着膜を保護膜と共に容易に剥離・除去することができる。
【００１３】
また、前記保護膜は、ジメチルシリコーン重合膜であることを特徴とする。
また、前記成膜装置用部品本体を真空製膜装置の電極に密着配置しつつジメチルシリコーンと不活性ガスを導入して前記保護膜を形成することを特徴とする。
これにより、好適に、前記成膜装置用部品本体から、付着膜を保護膜と共に容易に剥離・除去することができる。
【００１４】
第４の発明は、基板類への成膜処理中に不要な付着膜が成膜される成膜装置用部品の再生方法において、第３の発明に係る方法からなる工程と、前記保護膜に液体を付着させて前記保護膜と共に剥離する工程と、を有することを特徴とする。
【００１５】
これにより、成膜装置用部品を繰り返し使用することができ、また、成膜装置のメンテナンスを効率かつ短時間に行うことができる。
【００１６】
また、前記成膜装置用部品を所定温度の水中に所定時間浸漬することを特徴とする。
これにより、付着膜の剥離・除去を容易かつ確実に行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明に係る成膜装置用部品、成膜装置、成膜装置用部品の製造方法、成膜装置用部品の再生方法の実施形態について図を参照して説明する。
【００１８】
〔真空成膜装置〕
図１は、本発明の実施形態に係る成膜装置の概略構成を示す模式図である。
成膜装置１０は、スパッタ法により基板Ｐ上に薄膜Ｓを形成する装置である。
真空チャンバ１１は、ステンレス等により形成されており、アルゴンガス等の不活性ガスを導入する導入口１２、導入口１２に略対向する位置に形成される排気口１３が形成される。そして、排気口１３に接続された真空ポンプ（不図示）を駆動することで、真空チャンバ１１内が減圧されるようになっている。
【００１９】
また、真空チャンバ１１内には、底面側に、高周波電源１５に接続された電極１４及びターゲット１６が配置される。また、天井側に、ターゲット１６に対して基板Ｐを対向かつ平行にして保持する基板ホルダ１７が配置される。
基板ホルダ１７にはバイアス電源（不図示）が接続される。基板ホルダ１７は、回転機構１８に連結されており、成膜処理時に基板Ｐを保持しつつ回転するようになっている。
また、基板ホルダ１７には、基板Ｐを所定の温度に加熱するためのヒーター（不図示）も配置される。
【００２０】
そして、基板ホルダ１７に保持された基板Ｐの下方（ターゲット１６側）には、ステンレス製のシャッター板１９が設けられる。シャッター板１９は、成膜処理の際に移動可能に構成されている。
【００２１】
また、真空チャンバ１１の内壁（天井、底面、側面）には、複数の防着板２０が取り付けられている。各防着板２０は、ステンレス等により形成されており、その形状は取り付け位置に応じて様々である。
この防着板２０は、防着板本体２１の表面（真空チャンバ１１の内側に露出する面）に保護膜２２が形成されたものである。
【００２２】
〔防着層、防着層の形成方法〕
図２は、防着板本体２１上に保護膜２２が形成された防着板２０を示す模式図である。
防着板２０は、ステンレス等により形成された板状の防着板本体２１と、その表面に保護膜２２とからなる。
保護膜２２は、後述する再生処理により、防着板本体２１から容易に剥離・除去可能な膜であって、例えば、ジメチルシリコーン重合膜からなる。
保護膜２２上には、後述するように、基板Ｐに対する成膜工程の際に、不要な材料（基板Ｐに成膜される薄膜材料）からなる付着膜３０が成膜される。そして、その後に再生処理を行うことで、保護膜２２は付着膜３０と共に防着板本体２１から容易に剥離・除去される。
【００２３】
図３は、防着板本体２１上に保護膜２２を形成する方法を示す図である。
まず、上述した成膜装置１０の電極１４上に、保護膜２２の形成されていない防着板本体２１を載置する。
次に、成膜装置１０の真空チャンバ１１内を、１０Ｐａ程度に減圧して、導入口１２からアルゴンガスとジメチルシリコーンをそれぞれ１０ｓｃｃｍ（標準立方センチメートル毎分）程度で導入する。
【００２４】
そして、高周波電源１５により５０Ｗ程度の高周波電力を印加する。
これにより、電極１４上に載置された防着板本体２１の表面には、徐々に保護膜２２が成膜される。なお、保護膜２２の膜厚は、任意に設定することができる。
このようにして、防着板本体２１上に保護膜２２が成膜された防着板２０が形成される。
【００２５】
〔基板製膜工程〕
基板Ｐに対する成膜工程では、まず、基板Ｐを基板ホルダ１７上に載置・保持する。
次に、成膜装置１０の真空チャンバ１１内を、例えば、真空度０．００１〜０．１Ｐａ程度に減圧して、導入口１２からアルゴンガスを導入する。
そして、高周波電源１５によりターゲット１６に高周波電力を印加することで、ターゲット１６からターゲット原子が叩き出される。
【００２６】
シャッター板１９は、スパッタリングの開始時点では閉じられているので、シャッター板１９を開くことで、基板ホルダ１７に保持された基板Ｐ上への成膜が開始される。
このようにして、基板Ｐ上に所望の薄膜が成膜される。
【００２７】
ところで、このような成膜処理を複数回もしくは長時間行うと、防着板２０には、不要な付着膜３０が徐々に厚く形成されていく。
そこで、定期的に、防着板２０を真空チャンバ１１の内から取り外した上で、防着板２０に成膜した不要な付着膜３０を剥離・除去する。
【００２８】
〔防着板の再生方法〕
上述したように、防着板２０の防着板本体２１上には、保護膜２２が成膜されており、更に基板製膜工程を経ることにより、保護膜２２上に不要な付着膜３０が積層されていく。
この防着板２０を再生するためには、まず、真空チャンバ１１内から取り外す。
次に、防着板２０を水中に浸漬する。好ましくは高温のお湯（１００℃程度）に浸漬する。そして、その状態で数時間程度放置することで、保護膜２２が水を含んで脆くなり、付着膜３０と共に防着板本体２１上から剥離し始める。特に、高温のお湯（１００℃程度）に浸漬した場合には、１時間程度の浸漬処理を行うことで、保護膜２２は付着膜３０と共に剥離し始める。
更に、この際、防着板本体２１に変形を与えない程度の圧力で、水を吹き付けることで、更に確実に保護膜２２及び付着膜３０を防着板本体２１から取り除くことができる。
【００２９】
このようにして、防着板本体２１から保護膜２２及び付着膜３０を除去したら、再度、防着板本体２１上に保護膜２２を形成し、真空チャンバ１１内に取り付ける。
こうして、防着板２０を再生し、半永久的に繰り返し使用することができる。
【００３０】
以上のように、本発明に係る成膜装置用部品、成膜装置、成膜装置用部品の製造方法、成膜装置用部品の再生方法によれば、基板Ｐの成膜処理中においては防着板本体２１上に成膜された付着膜３０は剥離しづらくなっている。その一方で、再生処理においては付着膜３０が容易かつ確実に剥離・除去することができる。しかも、付着膜３０の剥離・除去作業の容易化が図られている。
更に、防着板本体２１上への付着膜３０の成膜も容易である。
したがって、防着板２０を半永久的に繰り返し使用することが可能となる。
【００３１】
なお、基板Ｐとしては、金属、ガラス、シリコン等のいずれであってもよい。
また、基板Ｐ上に形成される薄膜Ｓとしては、無機材料層、有機材料層、金属膜、半導体膜等のいずれであってもよい。また、薄膜Ｓは単層の場合に限らず、複数の薄膜Ｓが積層される場合であってもよい。
例えば、ガラス基板上にＳｉＯ２からなる絶縁層を形成し、その後に、ポリシロキサンからなる撥液膜を形成する場合には、ＳｉＯ２とポリシロキサンのいずれも、本発明における薄膜Ｓとなり、また同時に付着膜３０となる。
【００３２】
成膜装置１０としては、ウエハ等の基板Ｐ表面上に、金属膜・半導体膜等の薄膜Ｓを形成する装置であれば、どのような方式の成膜装置であってもよい。例えば、スパッタ装置、ＣＶＤ装置、真空蒸着装置が挙げられるが、これらに限定されない。
【００３３】
また、上述した実施形態では、成膜装置用部品として、防着板２０について説明したが、これに限らない。成膜装置用部品としては、成膜装置１０の真空チャンバ１１内に設置される機器・部品であればよい。すなわち、成膜装置１０の構成部品の表面に保護膜２２を形成したものであればよい。
例えば、シャッター板１９、各種治具、各種カバー・シールド類等であってもよい。これらの成膜装置用部品本体は、例えば、ステンレス、アルミ、チタン等の金属からなり、ステンレスが多用されている。
【００３４】
なお、本発明に係る成膜装置１０により基板Ｐ上に薄膜Ｓを形成する成膜工程は、半導体素子や液晶表示素子の製造工程に限られるものではなく、各種記録媒体や記録再生用ヘッドの製造工程、薄膜コンデンサや抵抗器等の電子部品の製造工程、ガラス部品の製造工程等に対しても適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】本発明の実施形態に係る成膜装置の概略構成を示す模式図である。
【図２】防着板本体上に保護膜が形成された防着板を示す模式図である。
【図３】防着板本体上に保護膜を形成する方法を示す図である。
【符号の説明】
【００３６】
１０…成膜装置、  １１…真空チャンバ（真空容器）、  １２…導入口、  １３…排気口、  １４…電極、  １５…高周波電源、  １６…ターゲット、  １７…基板ホルダ、  １８…回転機構、  １９…シャッター板、  ２０…防着板（成膜装置用部品）、  ２１…防着板本体（成膜装置用部品本体）、  ２２…保護膜、  ３０…付着膜、  Ｐ…基板、  Ｓ…薄膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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