(57)【要約】【課題】半導体ウエハ等の被処理基板に対してハイドロフルオロエーテルを含む洗浄液により洗浄処理を行う際に、当該被処理基板の表面にウォーターマークが形成されたり、あるいは被処理基板の表面で露出している銅配線が腐蝕してしまったりすることを抑制することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。【解決手段】基板処理装置１は、チャンバー１０と、チャンバー１０内にある被処理基板Ｗに対してハイドロフルオロエーテルを含む洗浄液を供給する洗浄液供給部とを備えている。また、チャンバー１０内に、被処理基板Ｗにハイドロフルオロエーテルを含む洗浄液が供給された際に当該被処理基板Ｗに水分が取り込まれるのを抑制するような気体を供給する気体供給部４０（４１、４２）が更に設置されている。【選択図】図１
2008130822.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャンバーと、
前記チャンバー内に設置された、被処理基板を保持するための基板保持機構と、
前記基板保持機構により保持される被処理基板に対してハイドロフルオロエーテルを含む洗浄液を供給する洗浄液供給部と、
前記チャンバー内に、被処理基板にハイドロフルオロエーテルを含む洗浄液が供給された際に当該被処理基板に水分が取り込まれるのを抑制するような気体を供給する気体供給部と、
を備えたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記洗浄液供給部および前記気体供給部の制御を行う制御部であって、前記基板保持機構に保持された被処理基板に対して前記洗浄液供給部からハイドロフルオロエーテルを含む洗浄液が供給される際に前記チャンバー内が前記気体で充満されているよう予め前記気体供給部から前記チャンバー内に当該気体を供給させるような制御を行う制御部を更に備えたことを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記気体は前記チャンバーの外部における大気よりも湿度が低いような、窒素ガスまたは空気であることを特徴とする請求項１または２記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記気体は前記チャンバーの外部における大気よりも温度が低いような、窒素ガスまたは空気であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記気体はハイドロフルオロエーテルの蒸気からなることを特徴とする請求項１または２記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記洗浄液供給部から被処理基板に供給されるハイドロフルオロエーテルを含む洗浄液を冷却する洗浄液冷却機構を更に備えたことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記洗浄液供給部からハイドロフルオロエーテルを含む洗浄液が供給されて温度が低下した被処理基板を、前記チャンバーの外部における大気よりも湿度が低い状態で当該大気と略同一の温度に戻すための温度調整手段を更に備えたことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記温度調整手段は、前記気体供給部から前記チャンバー内に供給される気体を加熱する気体加熱機構からなり、
被処理基板に対して前記洗浄液供給部からハイドロフルオロエーテルを含む洗浄液が供給された後に、前記気体供給部から供給され前記気体加熱機構により加熱された気体を前記チャンバー内に送ることにより被処理基板を前記チャンバーの外部における大気と略同一の温度に戻すようになっていることを特徴とする請求項７記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記温度調整手段は、前記基板保持機構に設けられた基板加熱機構からなり、
被処理基板に対して前記洗浄液供給部からハイドロフルオロエーテルを含む洗浄液が供給された後に、前記基板加熱機構により被処理基板を加熱することによってこの被処理基板を前記チャンバーの外部における大気と略同一の温度に戻すようになっていることを特徴とする請求項７記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記チャンバーの外部に設けられ、当該チャンバーの外部における大気よりも湿度が低く当該大気と略同一の温度である気体が充満された基板温度調整チャンバーを更に備えたことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項１１】
前記洗浄液供給部から被処理基板の表面に対して供給されるハイドロフルオロエーテルを含む洗浄液に超音波振動を付与する超音波付与機構を更に備えたことを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項１２】
液滴生成用気体を供給する液滴生成用気体供給部と、
前記洗浄液供給部から供給されるハイドロフルオロエーテルを含む洗浄液と前記液滴生成用気体供給部から供給される液滴生成用気体とを混合してハイドロフルオロエーテルを含む液滴を生成し、前記基板保持機構により保持される被処理基板に対してこの液滴を噴霧する二流体ノズルと、
を更に備えたことを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項１３】
チャンバー内に、被処理基板にハイドロフルオロエーテルを含む洗浄液が供給された際に当該被処理基板に水分が取り込まれるのを抑制するような気体を充満させる工程と、
前記チャンバー内が前記気体で充満された状態において当該チャンバー内にある被処理基板に対してハイドロフルオロエーテルを含む洗浄液を供給する工程と、
を備えたことを特徴とする基板処理方法。
【請求項１４】
前記気体は前記チャンバーの外部における大気よりも湿度が低いような、窒素ガスまたは空気であることを特徴とする請求項１３記載の基板処理方法。
【請求項１５】
前記気体は前記チャンバーの外部における大気よりも温度が低いような、窒素ガスまたは空気であることを特徴とする請求項１３または１４に記載の基板処理方法。
【請求項１６】
前記気体はハイドロフルオロエーテルの蒸気からなることを特徴とする請求項１３記載の基板処理方法。
【請求項１７】
被処理基板に供給されるハイドロフルオロエーテルを含む洗浄液は前記チャンバーの外部における大気よりも低い温度のものであることを特徴とする請求項１３乃至１６のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項１８】
ハイドロフルオロエーテルを含む洗浄液が供給されて温度が低下した被処理基板を、前記チャンバーの外部における大気よりも湿度が低い状態で当該大気と略同一の温度に戻す工程を更に備えたことを特徴とする請求項１３乃至１７のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハ等の被処理基板の表面を処理するための基板処理装置および基板処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造工程において、半導体ウエハ（以下、単にウエハともいう。）の表面に成膜やエッチングなどの処理を行う際にパーティクルが付着する場合がある。このため、ウエハの表面に対して洗浄処理を行う必要がある。
【０００３】
ウエハに対して洗浄処理を行うようなウエハ洗浄装置としては、例えばウエハをスピンチャック上で回転させながらその表面に純水や薬液からなる洗浄液をノズル等から供給することによりウエハを洗浄し、その後ウエハに対してリンス処理を行い、最後にウエハを高速回転させることにより乾燥させるようなものが知られている。
【０００４】
ここで、ウエハに供給される洗浄液として、ハイドロフルオロエーテル（以下、単にＨＦＥともいう。）を含む洗浄液が用いられる場合がある（例えば、特許文献１乃至３等参照）。ＨＦＥを含む洗浄液は、従来の例えば純水からなる洗浄液と比較して表面張力および粘度が著しく低いため、ウエハの表面にある微細な凹部内に容易に進入することができ、この微細な凹部内にある微量のパーティクルを良好に除去することができる。また、ＨＦＥの比重は約１．５であり、水の比重よりも大きいため、ウエハの表面に供給される際に当該ＨＦＥは大きな運動エネルギーを有してウエハに衝突することとなる。このため、ウエハに対する処理効率を高くすることができる。しかも、ＨＦＥは引火点を有さないので、ウエハを処理する際に発火するおそれがない。
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−５４６９号公報
【特許文献２】特開２００６−４１０６５号公報
【特許文献３】特開２００２−１２４５０４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、ＨＦＥは揮発性が高い液体であるため、ＨＦＥを含む洗浄液をウエハに供給した際に当該ＨＦＥが蒸発することにより、ウエハの熱が奪われてしまい、当該ウエハの温度が急激に低下してしまう。ウエハの温度が急激に低下すると、当該ウエハの周囲の雰囲気中の水蒸気が冷却され、この水蒸気が水滴となってウエハの表面に付着してしまう。ウエハの洗浄工程においてこのウエハの表面に水滴が付着すると、ウエハの表面にウォーターマークが形成されたり、あるいはウエハの表面で露出している銅配線が腐蝕してしまったりするという問題が発生する。
【０００７】
本発明は、このような点を考慮してなされたものであり、半導体ウエハ等の被処理基板に対してハイドロフルオロエーテルを含む洗浄液により洗浄処理を行う際に、当該被処理基板の表面にウォーターマークが形成されたり、あるいは被処理基板の表面で露出している銅配線が腐蝕してしまったりすることを抑制することができる基板処理装置および基板処理方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、チャンバーと、前記チャンバー内に設置された、被処理基板を保持するための基板保持機構と、前記基板保持機構により保持される被処理基板に対してハイドロフルオロエーテルを含む洗浄液を供給する洗浄液供給部と、前記チャンバー内に、被処理基板にハイドロフルオロエーテルを含む洗浄液が供給された際に当該被処理基板に水分が取り込まれるのを抑制するような気体を供給する気体供給部と、を備えたことを特徴とする基板処理装置である。
【０００９】
また、本発明は、チャンバー内に、被処理基板にハイドロフルオロエーテルを含む洗浄液が供給された際に当該被処理基板に水分が取り込まれるのを抑制するような気体を充満させる工程と、前記チャンバー内が前記気体で充満された状態において当該チャンバー内にある被処理基板に対してハイドロフルオロエーテルを含む洗浄液を供給する工程と、を備えたことを特徴とする基板処理方法である。
【００１０】
ここで、ハイドロフルオロエーテルは揮発性が高いため、被処理基板に対してハイドロフルオロエーテルを含む洗浄液を供給したときには当該洗浄液が蒸発することにより被処理基板の熱が奪われてしまい、被処理基板の温度が低下する。しかしながら、上述のような基板処理装置および基板処理方法によれば、チャンバー内が、被処理基板にハイドロフルオロエーテルを含む洗浄液が供給された際に当該被処理基板に水分が取り込まれるのを抑制するような気体で充満されていることにより、被処理基板の温度が低下したときに当該被処理基板に水分が取り込まれることはない。このことにより、被処理基板に対してハイドロフルオロエーテルを含む洗浄液により洗浄処理を行う際に、当該被処理基板の表面にウォーターマークが形成されたり、あるいはこの被処理基板の表面で露出している銅配線が腐蝕してしまったりすることを抑制することができる。
【００１１】
上述の基板処理装置においては、前記洗浄液供給部および前記気体供給部の制御を行う制御部であって、前記基板保持機構に保持された被処理基板に対して前記洗浄液供給部からハイドロフルオロエーテルを含む洗浄液が供給される際に前記チャンバー内が前記気体で充満されているよう予め前記気体供給部から前記チャンバー内に当該気体を供給させるような制御を行う制御部を更に備えたことが好ましい。このことにより、被処理基板に対してハイドロフルオロエーテルを含む洗浄液を供給する際に、チャンバー内に上述のような特定の気体を確実に充満させることができる。
【００１２】
上述の基板処理装置および基板処理方法においては、前記気体は前記チャンバーの外部における大気よりも湿度が低いような、窒素ガスまたは空気であることが好ましい。このことにより、被処理基板に対してハイドロフルオロエーテルを含む洗浄液が供給されて当該被処理基板の温度が低下したとしても、チャンバー内の窒素ガスまたは空気の湿度が大気よりも低いことにより、当該被処理基板に取り込まれる水分の量が低減される。
【００１３】
上述の基板処理装置および基板処理方法においては、前記気体は前記チャンバーの外部における大気よりも温度が低いような、窒素ガスまたは空気であることが好ましい。この場合には、被処理基板にハイドロフルオロエーテルを含む洗浄液を供給する際に、チャンバー内の温度が予め低くなっていることにより、被処理基板の温度の低下する度合いが小さくなり、チャンバー内の気体中の水分が被処理基板に取り込まれることが抑制される。
【００１４】
上述の基板処理装置および基板処理方法においては、前記気体はハイドロフルオロエーテルの蒸気からなることが好ましい。この場合には、被処理基板に対してハイドロフルオロエーテルを含む洗浄液が供給されたときに、チャンバー内の雰囲気がハイドロフルオロエーテルの蒸気であることにより、被処理基板に供給されたハイドロフルオロエーテルの洗浄液が蒸発しにくくなり、被処理基板から熱が奪われにくくなる。このため、被処理基板の温度の低下の度合いも小さくなり、被処理基板に取り込まれる水分の量を大幅に抑制することができる。
【００１５】
上述の基板処理装置においては、前記洗浄液供給部から被処理基板に供給されるハイドロフルオロエーテルを含む洗浄液を冷却する洗浄液冷却機構を更に備えたことが好ましい。あるいは、上述の基板処理方法においては、被処理基板に供給されるハイドロフルオロエーテルを含む洗浄液は前記チャンバーの外部における大気よりも低い温度のものであることが好ましい。
ここで、常温のハイドロフルオロエーテルを含む洗浄液を被処理基板に供給する場合においては、当該被処理基板に供給された常温の洗浄液はすぐに蒸発してしまう。これに対して、低温のハイドロフルオロエーテルを含む洗浄液を被処理基板に供給する場合は、被処理基板に供給される低温の洗浄液は蒸発することなく被処理基板上に残るので、この被処理基板に洗浄液の液膜が形成される。このことにより、被処理基板に対する洗浄液の液盛り時間が長くなる。また、被処理基板に対する洗浄液の供給を開始した後に、当該被処理基板から遊離してチャンバー内のカップの内壁等で跳ね返ったパーティクルが被処理基板の表面に再度付着した場合であっても、洗浄液の液膜を被処理基板の回転等により当該被処理基板から流し落とす際にこのパーティクルを洗浄液の液膜と共に流し落とすことができるようになる。また、被処理基板に洗浄液の液膜が形成されるので、当該被処理基板の表面の乾燥が均一に行われることとなる。このように、低温のハイドロフルオロエーテルを含む洗浄液を被処理基板に供給した場合には、被処理基板に対する処理効率をより一層高くすることができる。
【００１６】
上述の基板処理装置においては、前記洗浄液供給部からハイドロフルオロエーテルを含む洗浄液が供給されて温度が低下した被処理基板を、前記チャンバーの外部における大気よりも湿度が低い状態で当該大気と略同一の温度に戻すための温度調整手段を更に備えたことが好ましい。あるいは、上述の基板処理方法においては、ハイドロフルオロエーテルを含む洗浄液が供給されて温度が低下した被処理基板を、前記チャンバーの外部における大気よりも湿度が低い状態で当該大気と略同一の温度に戻す工程を更に備えたことが好ましい。このように、温度が低下している被処理基板を大気と略同一の温度に戻す際に、当該被処理基板が大気よりも湿度の低い状態となっていることにより、被処理基板に水滴が付着して結露が生じてしまうことを抑制することができる。
【００１７】
上述の基板処理装置においては、前記温度調整手段は、前記気体供給部から前記チャンバー内に供給される気体を加熱する気体加熱機構からなり、被処理基板に対して前記洗浄液供給部からハイドロフルオロエーテルを含む洗浄液が供給された後に、前記気体供給部から供給され前記気体加熱機構により加熱された気体を前記チャンバー内に送ることにより被処理基板を前記チャンバーの外部における大気と略同一の温度に戻すようになっていることが更に好ましい。
あるいは、前記温度調整手段は、前記基板保持機構に設けられた基板加熱機構からなり、被処理基板に対して前記洗浄液供給部からハイドロフルオロエーテルを含む洗浄液が供給された後に、前記基板加熱機構により被処理基板を加熱することによってこの被処理基板を前記チャンバーの外部における大気と略同一の温度に戻すようになっていることが更に好ましい。
【００１８】
あるいは、前記チャンバーの外部に設けられ、当該チャンバーの外部における大気よりも湿度が低く当該大気と略同一の温度である気体が充満された基板温度調整チャンバーを設けてもよい。さらに、前記チャンバーから前記基板温度調整チャンバーに被処理基板を搬送する基板搬送機構を備え、被処理基板に対して前記洗浄液供給部からハイドロフルオロエーテルを含む洗浄液が供給された後に、前記基板搬送機構により被処理基板を前記チャンバーから前記基板温度調整チャンバーに搬送することによって被処理基板を前記チャンバーの外部における大気と略同一の温度に戻すようになっていることが好ましい。
【００１９】
上述の基板処理装置においては、前記洗浄液供給部から被処理基板の表面に対して供給されるハイドロフルオロエーテルを含む洗浄液に超音波振動を付与する超音波付与機構を更に備えたことが好ましい。このように、ハイドロフルオロエーテルを含む洗浄液に超音波振動が付与されるので、当該洗浄液に超音波振動エネルギーを追加的に与えることができ、被処理基板の微細な凹部にあるパーティクルをより良好に除去することができるようになる。
【００２０】
上述の基板処理装置においては、液滴生成用気体を供給する液滴生成用気体供給部と、前記洗浄液供給部から供給されるハイドロフルオロエーテルを含む洗浄液と前記液滴生成用気体供給部から供給される液滴生成用気体とを混合してハイドロフルオロエーテルを含む液滴を生成し、前記基板保持機構により保持される被処理基板に対してこの液滴を噴霧する二流体ノズルと、を更に備えたことが好ましい。このような二流体ノズルを用いることにより、被処理基板に対してハイドロフルオロエーテルの微小な液滴を噴霧することができるので、この液滴の運動エネルギーにより被処理基板の表面に付着しているパーティクルを物理的に除去することができ、被処理基板に対する洗浄能力を向上させることができる。
【発明の効果】
【００２１】
本発明による基板処理装置および基板処理方法によれば、半導体ウエハ等の被処理基板に対してハイドロフルオロエーテルを含む洗浄液により洗浄処理を行う際に、当該被処理基板の表面にウォーターマークが形成されたり、あるいは被処理基板の表面で露出している銅配線が腐蝕してしまったりすることを抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、図面を参照して本発明の一の実施の形態について説明する。図１乃至図３は、本発明による基板処理装置の一の実施の形態を示す図である。
このうち、図１は、本発明の一の実施の形態における基板処理装置の構成を示す概略構成図であり、図２は、図１に示す基板処理装置における二流体ノズルの構成の詳細を示す断面図であり、図３は、図１に示す基板処理装置を上方から見た上面図である。
【００２３】
まず、本実施の形態の基板処理装置１の概略的な構成について図１を用いて説明する。なお、図３に示すような基板処理装置１の全体構成については後述する。この基板処理装置１は、被処理基板としての半導体ウエハ（以下、単にウエハともいう。）Ｗの表面を洗浄するためのものである。
基板処理装置１は、チャンバー１０と、このチャンバー１０内に設置された、ウエハＷを保持するためのスピンチャック１２と、を備えている。また、この基板処理装置１において、スピンチャック１２により保持されるウエハＷに対して、ハイドロフルオロエーテル（以下、単にＨＦＥともいう。）を含む洗浄液を供給する洗浄液供給部が設置されている。また、ウエハＷにＨＦＥを含む洗浄液が供給された際に当該ウエハＷに水分が取り込まれるのを抑制するような気体を、チャンバー１０内に供給するための気体供給部が設置されている。また、基板処理装置１には、洗浄液供給部および気体供給部の制御を行う制御部８０が設けられている。さらに、この基板処理装置１において、洗浄液供給部からＨＦＥを含む洗浄液が供給されて温度が低下したウエハＷを、チャンバー１０の外部における大気よりも低い湿度下で当該大気と略同一の温度に戻すための温度調節手段が設けられている。
【００２４】
次に、図１に示す基板処理装置１の各構成要素の詳細について以下に説明する。
【００２５】
スピンチャック１２は、ウエハＷをほぼ水平に保持しながら回転するものであり、具体的には、鉛直方向に延びるよう配置された回転軸部と、この回転軸部の上端に取り付けられた円板状のスピンベースとを有している。スピンチャック１２によりウエハＷを保持する際に、当該ウエハＷはスピンベースの上面に載置されるようになっている。回転軸部にはスピンチャック駆動機構（図示せず）が取り付けられており、このスピンチャック駆動機構は回転軸部をその中心軸のまわりに回転させることができるようになっている。このことにより、スピンチャック１２に保持されたウエハＷを水平面上で回転させることができるようになっている。また、スピンチャック１２はスピンチャック昇降機構（図示せず）により鉛直方向にも往復移動することができるようになっている。このことにより、ウエハＷを搬入してスピンチャック１２に保持させるときや、スピンチャック１２上にあるウエハＷを搬出するときには、スピンチャック１２の上端を外筒１６（後述）の上端よりも高くすることができる。一方、スピンチャック１２に保持されたウエハＷに対して二流体ノズル２０（後述）からＨＦＥを含む洗浄液を供給するときには、スピンチャック１２に保持されたウエハＷの側方に外筒１６の側壁が位置するようにすることができる。なお、スピンチャック駆動機構およびスピンチャック昇降機構はそれぞれ制御部８０により制御されるようになっている。
【００２６】
チャンバー１０内において、スピンチャック１２の側方を取り囲むように、略円筒状の外筒１６およびこの外筒１６の内部に配置された内筒１８がそれぞれ設けられている。外筒１６および内筒１８の中心軸はそれぞれスピンチャック１２の回転軸部の中心軸と略一致しており、これらの外筒１６および内筒１８は、それぞれ下端に底板が設けられているとともに上端は開口している。図１に示すように、外筒１６の上端は内筒１８の上端よりも高くなっている。
【００２７】
外筒１６と内筒１８との間の位置における外筒１６の底板には洗浄液排出管５０の一端が接続されており、この洗浄液排出管５０の他端は洗浄液排出部５２に接続されている。ここで、ウエハＷに対する洗浄等に用いられ外筒１６の底板に送られた洗浄液は洗浄液排出管５０を介して洗浄液排出部５２に流れるようになっている。洗浄液排出部５２に送られたＨＦＥを含む洗浄液は、回収されて再利用されたり、あるいは廃棄等のために基板処理装置１の外部に送られたりするようになっている。
【００２８】
チャンバー１０内においてスピンチャック１２により保持されたときのウエハＷの上方の位置に、二流体ノズル２０が下向きに設けられている。この二流体ノズル２０は、アーム２２を介して回転軸部２４に連結されている。アーム２２の内部には、二流体ノズル２０の内部空間に連通する洗浄液流路（図１の点線部分参照）が形成されている。また、回転軸部２４には、当該回転軸部２４を正逆両方向に回転させるアーム駆動機構（図示せず）が設けられている。このアーム駆動機構が、回転軸部２４を中心としてアーム２２を水平方向に揺動させることにより、二流体ノズル２０を、ウエハＷの中心部の上方の位置（図１参照）からウエハＷの周縁部よりも外方の位置までの範囲内で水平面に沿って往復移動させるようになっている。また、アーム駆動機構は、回転軸部２４を鉛直方向に往復移動させることができるようになっている。このことにより、二流体ノズル２０の先端と、スピンチャック１２に保持されたウエハＷとの間隔を、例えば５ｍｍ〜５０ｍｍの範囲内で調整することができるようになっている。
【００２９】
二流体ノズルとは、一般的にガスと液体とを混合させることにより微小な液滴を生成し、この微小な液滴を噴霧する方式のノズルのことをいう。本実施の形態においては、二流体ノズル２０には、アーム２２の内部に設けられた洗浄液流路を介してＨＦＥを含む洗浄液が供給されるとともに、窒素ガス供給管２８（後述）から窒素ガスが供給されるようになっている。この二流体ノズル２０の構成の詳細について図２を用いて説明する。図２に示すように、二流体ノズル２０は例えばフッ素樹脂から形成された略円柱状のノズル本体２０ａを有しており、このノズル本体２０ａの内部には、アーム２２内部にある洗浄液流路に連通するような洗浄液流路２０ｂと、窒素ガス供給管２８に連通するような窒素ガス流路２０ｃとがそれぞれ設けられている。これらの洗浄液流路２０ｂおよび窒素ガス流路２０ｃはノズル本体２０ａ内部にある三つ又状の合流部２０ｄで合流し、この合流部２０ｄから二流体ノズル２０の吐出口２０ｅまで内部流路が更に形成されている。
【００３０】
このような二流体ノズル２０においては、ノズル本体２０ａ内において、アーム２２の内部にある洗浄液流路から洗浄液流路２０ｂに送られたＨＦＥを含む洗浄液と、窒素ガス供給管２８から窒素ガス流路２０ｃに送られた窒素ガスとが合流部２０ｄで衝突して混合し、このことにより当該合流部２０ｄにおいてＨＦＥを含む液滴が生成され、ウエハＷに対して吐出口２０ｅからこのＨＦＥを含む液滴が噴霧されるようになっている。
【００３１】
図１に示すように、アーム２２には洗浄液供給管２６が接続されており、この洗浄液供給管２６から送られたＨＦＥを含む洗浄液がアーム２２の内部にある洗浄液流路に送られるようになっている。また、洗浄液供給管２６の上流側端部には洗浄液タンク３０が設けられており、この洗浄液タンク３０にはＨＦＥを含む洗浄液が貯留されている。そして、図示しない圧送手段により、洗浄液タンク３０からＨＦＥを含む洗浄液が洗浄液供給管２６に送られるようになっている。また、洗浄液供給管２６には、開度調整が可能なバルブ３４、およびパーティクル除去用のフィルタ３８が介設されている。このバルブ３４は制御部８０によりその開閉が調整されるようになっている。ここで、洗浄液タンク３０、洗浄液供給管２６、バルブ３４等により、前述した洗浄液供給部が構成されている。
【００３２】
また、二流体ノズル２０には窒素ガス供給管２８が接続されており、この窒素ガス供給管２８の上流側端部には窒素ガス供給部３２が設けられている。この窒素ガス供給部３２は高圧の窒素ガスを窒素ガス供給管２８に供給することができるようになっている。また、窒素ガス供給管２８にはバルブ３６が介設されており、このバルブ３６は制御部８０により制御されるようになっている。バルブ３６の開度を変え、二流体ノズル２０に送られる窒素ガスの圧力（流量）を変えることにより、二流体ノズル２０において生成されるＨＦＥの液滴の粒径を変化させることができる。このことにより、ＨＦＥの液滴によるウエハＷの処理性能を変化させることができる。ここで、窒素ガス供給部３２、窒素ガス供給管２８およびバルブ３６により、液滴生成用気体供給部が構成されている。
【００３３】
洗浄液タンク３０の上方には、チャンバー１０内に特定の種類の気体を供給するための気体供給部が設けられている。具体的には、気体供給部は、ドライエアーを発生させるドライエアー発生器４０と、ドライエアー発生器４０からチャンバー１０内にドライエアーを供給する気体供給管４７と、気体供給管４７に介設されたブロア４６とから構成されている。
【００３４】
ブロア４６は、ドライエアー発生器４０において発生したドライエアーを、気体供給管４７を介してチャンバー１０内に送るようになっている。ここで、チャンバー１０の上部にはフィルタ４８が設けられており、気体供給管４７からチャンバー１０内に送られるドライエアーは、フィルタ４８によって、含有されるパーティクルが除去されるようになっている。なお、ブロア４６は制御部８０により制御されるようになっている。
【００３５】
制御部８０は、前述のように、ブロア４６、バルブ３４、３６、スピンチャック駆動機構（図示せず）、スピンチャック昇降機構（図示せず）およびアーム駆動機構（図示せず）の駆動を制御するようになっている。
【００３６】
次に、図１に概略的な構成が示される基板処理装置１について、その全体構成を上方から見たような上面図が図３に示されている。以下、図３を用いて基板処理装置１の全体構成について説明する。
【００３７】
図３に示すように、基板処理装置１には、外部にあるカセット（図示せず）等から送られたウエハＷが一時的に載置される受け渡しユニット（ＴＲＳ；Ｔｒａｎｓｉｔ  Ｓｔａｔｉｏｎ）８２と、図１にその概略的な構成が示されるような２つのチャンバー１０と、各チャンバー１０の近傍にそれぞれ設けられた基板温度調整チャンバー８４とを備えている。ここで、基板温度調整チャンバー８４には、チャンバー１０の外部における大気よりも湿度が低く、当該大気と略同一の温度である気体、具体的には例えば常温のドライエアーが充満されている。また、基板温度調整チャンバー８４内には、ウエハＷを一時的に載置するための載置台（図示せず）が設けられている。
【００３８】
各チャンバー１０には、ウエハＷの搬出および搬入を行うためのシャッター１０ａ、１０ｂが設けられており、これらのシャッター１０ａ、１０ｂが閉じられることにより各チャンバー１０内において密閉状態を維持することができるようになっている。また、各基板温度調整チャンバー８４にも、ウエハＷの搬出および搬入を行うためのシャッター８４ａ、８４ｂが設けられており、これらのシャッター８４ａ、８４ｂが閉じられることにより各基板温度調整チャンバー８４内において密閉状態を維持することができるようになっている。
【００３９】
また、この基板処理装置１には、受け渡しユニット８２に一時的に載置されるウエハＷを各チャンバー１０に搬送するとともに、各チャンバー１０または各基板温度調整チャンバー８４からウエハＷを受け渡しユニット８２に戻すための第１のウエハ搬送機構（ＣＲＡ）８６が設けられている。この第１のウエハ搬送機構８６は、基板処理装置１の筐体内において、図３におけるＸ，Ｙ方向の２方向に移動することができるとともに、Ｘ−Ｙ平面内で回転（図３におけるθ方向）することができるようになっており、水平方向に伸縮自在のアームを有している。第１のウエハ搬送機構８６によりウエハＷの搬送を行う際に、シャッター１０ａまたはシャッター８４ａが一時的に開状態とされる。
【００４０】
さらに、基板処理装置１における各チャンバー１０とこれに対応する各基板温度調整チャンバー８４との間の空間には、チャンバー１０内にあるウエハＷを基板温度調整チャンバー８４に搬送するための第２のウエハ搬送機構８８が設けられている。この第２のウエハ搬送機構８８も、図３におけるＸ，Ｙ方向の２方向に移動することができるとともに、Ｘ−Ｙ平面内で回転（図３におけるθ方向）することができるようになっており、水平方向に伸縮自在のアームを有している。第２のウエハ搬送機構８８によりウエハＷの搬送を行う際に、シャッター１０ｂおよびシャッター８４ｂが一時的に開状態とされる。
【００４１】
ここで、シャッター１０ａ、１０ｂ、８４ａ、８４ｂ、第１のウエハ搬送機構８６、および第２のウエハ搬送機構８８はそれぞれ制御部８０によりその駆動が制御されるようになっている。
【００４２】
次に、このような構成からなる基板処理装置１の動作について説明する。
【００４３】
まず、チャンバー１０内にドライエアーを充満させる工程を行う。具体的には、制御部８０による制御によってブロア４６を駆動させる。このことにより、ドライエアー発生器４０により発生したドライエアーがブロア４６によって気体供給管４７およびフィルタ４８を介してチャンバー１０内に送られることとなる。
【００４４】
次に、チャンバー１０内がドライエアーで充満された状態において当該チャンバー１０内にあるウエハＷに対してＨＦＥを含む洗浄液を供給する工程を行う。具体的には、まず、第１のウエハ搬送機構８６により受け渡しユニット８２からウエハＷがチャンバー１０のスピンチャック１２上に搬送される。次に、制御部８０による制御によってバルブ３４、３６を同時に開状態とする。このことにより、二流体ノズル２０にＨＦＥを含む洗浄液および窒素ガスを同時に供給し、この二流体ノズル２０からＨＦＥを含む液滴をスピンチャック１２上のウエハＷに噴霧する。このようにしてウエハＷに対する処理が行われる。なお、ＨＦＥは揮発性が高い液体であるため、このＨＦＥの液滴をウエハＷに供給した際に当該ＨＦＥが蒸発することにより、ウエハＷの熱が奪われてしまい、当該ウエハＷの温度が低下する。
【００４５】
次に、温度が低下したウエハＷを、チャンバー１０の外部にある大気よりも低い湿度の条件下で当該大気と略同一の温度に戻す工程を行う。具体的には、制御部８０による制御によってチャンバー１０のシャッター１０ｂおよび基板温度調整チャンバー８４のシャッター８４ｂを開状態とし、第２のウエハ搬送機構８８によってチャンバー１０内でスピンチャック１２に保持されたウエハＷを基板温度調整チャンバー８４内にある載置台（図示せず）に移送する。ここで、基板温度調整チャンバー８４内の雰囲気は、前述のように、外部における大気と略同一の温度であるドライエアーとなっているので、この基板温度調整チャンバー８４内でウエハＷの温度がチャンバー１０の外部における大気と略同一の温度まで戻ることとなる。また、この際に基板温度調整チャンバー８４内はドライエアーの雰囲気となっているため、当該ウエハＷに水滴が付着して結露が生じてしまうことはない。
【００４６】
最後に、制御部８０による制御によって基板温度調整チャンバー８４のシャッター８４ａが開状態となり、第１のウエハ搬送機構８６によって基板温度調整チャンバー８４内にあるウエハＷが受け渡しユニット８２に戻される。このようにして、基板処理装置１における一連の動作が終了する。
【００４７】
以上のように本実施の形態による基板処理装置１および基板処理方法によれば、まずチャンバー１０内にドライエアーを充満させ、次にチャンバー１０内がドライエアーで充満された状態において当該チャンバー１０内にあるウエハＷに対してＨＦＥを含む洗浄液を供給するようになっている。ここで、ＨＦＥは揮発性が高いため、ウエハＷに対してＨＦＥを含む洗浄液を供給したときには当該洗浄液が蒸発することによりウエハＷの熱が奪われてしまい、ウエハＷの温度が低下する。しかしながら、チャンバー１０内がドライエアーで充満されていることにより、ウエハＷの温度が低下したときに当該ウエハＷに水滴が付着して結露が生じてしまうことはない。このことにより、ウエハＷに対してＨＦＥを含む洗浄液により洗浄処理を行う際に、当該ウエハＷの表面にウォーターマークが形成されたり、あるいはこのウエハＷの表面で露出している銅配線が腐蝕してしまったりすることを抑制することができる。
【００４８】
なお、チャンバー１０内に事前に供給される気体は、ドライエアーに限定されることはなく、チャンバー１０の外部における大気よりも湿度が低いような窒素ガスや空気等の他の気体を用いることもできる。具体的には、例えばドライエアー発生器４０の代わりに、チャンバー１０の外部における大気よりも湿度が低い窒素ガスを発生させるような低湿度窒素ガス発生器を設置してもよい。
【００４９】
また、基板温度調整チャンバー８４内に充満される気体はドライエアーに限定されることはなく、チャンバー１０の外部における大気よりも湿度が低く当該大気と略同一の温度の気体であれば他の気体を用いることもできる。
【００５０】
また、上述のような二流体ノズル２０を用いることにより、ウエハＷに対してＨＦＥの微小な液滴を噴霧することができるので、この液滴の運動エネルギーによりウエハＷの表面に付着しているパーティクルを物理的に除去することができ、ウエハＷに対する洗浄能力を向上させることができる。
【００５１】
なお、本実施の形態による基板処理装置１は、上記の態様に限定されるものではなく、様々の変更を加えることができる。図４は、本発明における基板処理装置１の他の構成を示す概略構成図である。
【００５２】
図４に示すような基板処理装置１は、洗浄液供給管２６に洗浄液冷却機構２６ａが介設された点が異なるのみであり、他は実質的に図１乃至図３に示すような基板処理装置１と同様の構成を有している。
図４に示すような基板処理装置１の変形例に係る説明において、図１乃至図３に示すような基板処理装置１と同一部分には同一符号を付して詳細な説明は省略する。
【００５３】
図４において、洗浄液冷却機構２６ａは例えば二重管からなり、二重管のうち内側の管に洗浄液タンク３０から送られたＨＦＥを含む洗浄液が流れるとともに外側の管に冷却水が逆向きに流れるようになっている。このような洗浄液冷却機構２６ａが設けられていることにより、二流体ノズル２０に送られるＨＦＥを含む洗浄液の温度は、チャンバー１０の外部における大気よりも十分に低い温度となり、具体的には例えば５℃以下の温度となる。このため、二流体ノズル２０からウエハＷに噴霧されるＨＦＥの液滴の温度も例えば５℃以下の温度となる。なお、この洗浄液冷却機構２６ａは制御部８０により制御されるようになっている。具体的には、制御部８０により、洗浄液冷却機構２６ａの二重管における外側の管に冷却水が流れるか否かの切り換えの制御が行われるようになっている。
【００５４】
ウエハＷに対してＨＦＥを含む洗浄液を供給する工程において、制御部８０が洗浄液冷却機構２６ａをＯＮ状態とした場合には、チャンバー１０の外部における大気よりも十分に低い温度であるＨＦＥの液滴がウエハＷに噴霧されることとなる。ここで、常温のＨＦＥの液滴をウエハＷに供給する場合においては、二流体ノズル２０からウエハＷに噴霧されたＨＦＥを含む洗浄液はすぐに蒸発してしまう。これに対して、洗浄液冷却機構２６ａを用いることにより低温のＨＦＥの液滴をウエハＷに供給する場合は、二流体ノズル２０からウエハＷに噴霧されたＨＦＥを含む洗浄液は蒸発することなくウエハＷ上に残るので、このウエハＷにＨＦＥを含む洗浄液の液膜が形成される。このことにより、ウエハＷに対する洗浄液の液盛り時間が長くなる。また、ウエハＷに洗浄液を噴霧した後に、当該ウエハＷから遊離してチャンバーの外筒１６の内壁等で跳ね返ったパーティクルがウエハＷの表面に再度付着した場合であっても、洗浄液の液膜をウエハＷの回転により当該ウエハＷから流し落とす際にこのパーティクルを洗浄液の液膜と共に流し落とすことができるようになる。また、ウエハＷに洗浄液の液膜が形成されるので、当該ウエハＷの表面の乾燥が均一に行われることとなる。このように、低温のＨＦＥを含む洗浄液をウエハＷに供給した場合には、ウエハＷに対する処理効率をより一層高くすることができる。
【００５５】
なお、二流体ノズル２０からウエハＷに冷却された洗浄液を噴霧するにあたり、必ずしも洗浄液冷却機構２６ａを設置する必要はなく、他の方法として、例えば別個に設けられた冷却ＨＦＥ洗浄液供給部から、冷却されたＨＦＥを含む洗浄液を直接的に二流体ノズル２０内に送るようになっていてもよい。
【００５６】
基板処理装置１の更に他の構成について図５を用いて説明する。図５は、本発明における基板処理装置１の更に他の構成を示す概略構成図である。
具体的には、図５に示すような基板処理装置１は、チャンバー１０内に供給されるドライエアーを発生させるためのドライエアー発生器４０の代わりに大気と同じ空気を発生させる空気発生器４１が設置され、また気体供給管４７に気体冷却機構４７ａが追加的に介設された点が異なるのみであり、他は実質的に図１乃至図３に示すような基板処理装置１と同様の構成を有している。
図５に示すような基板処理装置１の変形例に係る説明において、図１乃至図３に示すような基板処理装置１と同一部分には同一符号を付して詳細な説明は省略する。
【００５７】
空気発生器４１は、チャンバー１０の外部における大気と略同一の湿度および温度の空気を発生することができるようになっている。
【００５８】
気体冷却機構４７ａは例えば熱交換器からなり、空気発生器４１において発生しブロア４６によって気体供給管４７に搬送される空気を冷却するようになっている。このような気体冷却機構４７ａが設けられていることにより、チャンバー１０内に供給される空気の温度は、チャンバー１０の外部における大気よりも十分に低い温度となる。このため、このような気体冷却機構４７ａを用いた場合、ウエハＷにＨＦＥの液滴を噴霧する際に、チャンバー１０内の雰囲気を、予め低温度の空気で充満された状態とすることができる。なお、この気体冷却機構４７ａは制御部８０により制御されるようになっている。
【００５９】
空気発生器４１において発生した空気をチャンバー１０内に充満させる工程において、制御部８０が気体冷却機構４７ａをＯＮ状態とした場合には、チャンバー１０内には当該チャンバー１０の外部における大気よりも十分に低い温度である空気が充満することとなる。このときには、ウエハＷにＨＦＥの液滴を噴霧する際に、チャンバー１０内の温度が低くなっていることにより、ウエハＷの温度の低下する度合いが小さくなり、チャンバー１０内の空気中の水蒸気の液化によってウエハＷに取り込まれるような水分の量もより一層少なくなる。このため、ウエハＷの表面にウォーターマークが形成されたり、あるいはウエハＷの表面で露出している銅配線が腐蝕してしまったりするということがより一層抑制されることとなる。
【００６０】
なお、チャンバー１０内に低い温度の空気を充満させる際に、必ずしも気体冷却機構４７ａによって空気発生器４１から送られた空気を冷却させる必要はなく、他の方法として、空気発生器４１が予め冷却された空気を発生させ、当該空気発生器４１から冷却された空気を直接的にチャンバー１０内に送るようになっていてもよい。
【００６１】
また、チャンバー１０内に事前に供給される気体は冷却された空気に限定されることはなく、チャンバー１０の外部における大気よりも温度が低いような窒素ガス等の他の気体を用いることもできる。具体的には、例えば空気発生器４１の代わりに窒素ガス発生器を設置してもよい。
【００６２】
また、図５に示すような基板処理装置１において、図４に示すような洗浄液冷却機構２６ａを追加的に洗浄液供給管２６に介設させてもよい。このことにより、ウエハＷに噴霧されるＨＦＥの液滴を、チャンバー１０の外部における大気よりも十分に低い温度のものとすることができ、図４に示すような基板処理装置１と同様の作用効果を得ることができるようになる。
【００６３】
また、図４に示すような基板処理装置１において、図５に示すような気体冷却機構４７ａを追加的に気体供給管４７に介設させてもよい。
【００６４】
基板処理装置１の更に他の構成について図６を用いて説明する。図６は、本発明における基板処理装置１の更に他の構成を示す概略構成図である。
具体的には、図６に示すような基板処理装置１は、チャンバー１０内に供給されるドライエアーを発生させるためのドライエアー発生器４０の代わりにＨＦＥの蒸気を発生させるＨＦＥ蒸気発生器４２が設置された点が異なるのみであり、他は実質的に図１乃至図３に示すような基板処理装置１と同様の構成を有している。
図６に示すような基板処理装置１の変形例に係る説明において、図１乃至図３に示すような基板処理装置１と同一部分には同一符号を付して詳細な説明は省略する。
【００６５】
図６に示すような基板処理装置１によれば、ウエハＷに対してＨＦＥを含む洗浄液が供給される際に、チャンバー１０内は予めＨＦＥの蒸気で充満されることとなる。ここで、ウエハＷに対してＨＦＥを含む洗浄液が供給されたときに、チャンバー１０内の雰囲気がＨＦＥの蒸気であることにより、ウエハＷに供給されたＨＦＥの洗浄液が蒸発しにくくなり、ウエハＷから熱が奪われにくくなる。このため、ウエハＷの温度の低下の度合いも小さくなり、ウエハＷに取り込まれる水分の量を大幅に抑制することができる。このようにして、ウエハＷに対してＨＦＥを含む洗浄液により洗浄処理を行う際に、当該ウエハＷの表面にウォーターマークが形成されたり、あるいはこのウエハＷの表面で露出している銅配線が腐蝕してしまったりすることを抑制することができる。
【００６６】
なお、図６に示すような基板処理装置１において、図４に示すような洗浄液冷却機構２６ａを追加的に洗浄液供給管２６に介設させてもよい。このことにより、ウエハＷに噴霧されるＨＦＥの液滴を、チャンバー１０の外部における大気よりも十分に低い温度のものとすることができ、図４に示すような基板処理装置１と同様の作用効果を得ることができるようになる。
【００６７】
基板処理装置１の更に他の構成について図７を用いて説明する。図７は、本発明における基板処理装置１の更に他の構成を示す概略構成図である。
具体的には、図７に示すような基板処理装置１は、気体供給管４７に気体加熱機構４７ｂが追加的に介設された点が異なるのみであり、他は実質的に図１乃至図３に示すような基板処理装置１と同様の構成を有している。
図７に示すような基板処理装置１の変形例に係る説明において、図１乃至図３に示すような基板処理装置１と同一部分には同一符号を付して詳細な説明は省略する。
【００６８】
気体加熱機構４７ｂは例えば熱交換器からなり、ドライエアー発生器４０において発生しブロア４６によって気体供給管４７に搬送されるドライエアーを加熱するようになっている。このような気体加熱機構４７ｂが設けられていることにより、チャンバー１０の外部における大気よりも温度が高いドライエアーをチャンバー１０内に選択的に供給することが可能となる。なお、この気体加熱機構４７ｂは、制御部８０により制御されるようになっており、ＨＦＥを含む洗浄液が噴霧されることにより温度が低下したウエハＷを、チャンバー１０の外部における大気と略同一の温度に戻す工程においてのみ用いられるようになっている。
【００６９】
図７に示すような基板処理装置１によれば、ウエハＷに対するＨＦＥを含む洗浄液の供給後において、このウエハＷを第２のウエハ搬送機構８８によりチャンバー１０から基板温度調整チャンバー８４に移しかえる代わりに、気体加熱機構４７ｂにより加熱された高温のドライエアーをチャンバー１０内に供給することにより、ウエハＷをチャンバー１０の外部における大気と略同一の温度に早く戻すことができる。このような基板処理装置１においても、図３に示すような第２のウエハ搬送機構８８および基板温度調整チャンバー８４を用いる場合と同様に、温度が低下しているウエハＷを大気と略同一の温度に戻す際に、このウエハＷが乾燥状態となっていることにより、ウエハＷに水滴が付着して結露が生じてしまうことを抑制することができる。
【００７０】
なお、チャンバー１０内に高温のドライエアーを供給する際に、他の方法として、例えば別個に設けられた加熱ドライエアー供給部から、加熱されたドライエアーを直接的にチャンバー１０内に送るようになっていてもよい。あるいは、ウエハＷに対するＨＦＥを含む洗浄液の供給後において、チャンバー１０の外部における大気と略同一の温度であるドライエアーをドライエアー発生器４０からチャンバー１０内に供給してこのチャンバー１０内の雰囲気の置換を行うことにより、チャンバー１０内のウエハＷを大気と略同一の温度に戻すようにしてもよい。
【００７１】
基板処理装置１の更に他の構成について図８を用いて説明する。図８は、本発明における基板処理装置１の更に他の構成を示す概略構成図である。
具体的には、図８に示すような基板処理装置１は、スピンチャック１２にウエハ加熱機構１２ａが設けられた点が異なるのみであり、他は実質的に図１乃至図３に示すような基板処理装置１と同様の構成を有している。
図８に示すような基板処理装置１の変形例に係る説明において、図１乃至図３に示すような基板処理装置１と同一部分には同一符号を付して詳細な説明は省略する。
【００７２】
ウエハ加熱機構１２ａは例えばヒータからなり、このヒータはスピンチャック１２のスピンベースに内蔵されている。当該ウエハ加熱機構１２ａは、スピンチャック１２により保持されたウエハＷを加熱するようになっている。なお、このウエハ加熱機構１２ａは、制御部８０により制御されるようになっており、ＨＦＥを含む洗浄液が噴霧されることにより温度が低下したウエハＷを、チャンバー１０の外部における大気と略同一の温度に戻す工程において用いられるようになっている。
【００７３】
図８に示すような基板処理装置１によれば、ウエハＷに対するＨＦＥを含む洗浄液の供給後において、このウエハＷを第２のウエハ搬送機構８８によりチャンバー１０から基板温度調整チャンバー８４に移しかえる代わりに、スピンチャック１２によって保持されたウエハＷをウエハ加熱機構１２ａにより直接的に加熱することにより、当該ウエハＷをチャンバー１０の外部における大気と略同一の温度に戻すことができる。このような基板処理装置１においても、図３に示すような第２のウエハ搬送機構８８および基板温度調整チャンバー８４を用いる場合と同様に、温度が低下しているウエハＷを大気と略同一の温度に戻す際に、このウエハＷが乾燥状態となっていることにより、ウエハＷに水滴が付着して結露が生じてしまうことを抑制することができる。
【００７４】
また、基板処理装置１に設けられるノズルとして、図２に示すような二流体ノズルの代わりに、洗浄液供給管２６から送られたＨＦＥを含む洗浄液のみを用いるような、例えば一流体ノズルを使用してもよい。ここで、ＨＦＥを含む洗浄液のみを用いるような一流体ノズルが設置される場合において、当該一流体ノズルから噴霧されるＨＦＥを含む洗浄液に超音波を付与するような超音波付与機構をこのノズルに設けてもよい。
【００７５】
図９は、上述のような超音波付与機構が設けられた一流体ノズルの構成の詳細を示す断面図である。
【００７６】
図９に示すように、ウエハＷに対してＨＦＥを含む洗浄液を噴霧するための一流体ノズル２１において、ノズル本体２１ａに超音波ヘッド部２１ｂが取り付けられている。この超音波ヘッド部２１ｂは、アーム２２の内部にある洗浄液流路からノズル本体２１ａに送られるＨＦＥを含む洗浄液に超音波振動を付与するものである。このような超音波ヘッド部２１ｂが設けられていることにより、一流体ノズル２１のノズル本体２１ａからウエハＷに噴霧されるＨＦＥの洗浄液に超音波振動エネルギーを追加的に与えることができ、ウエハＷ表面の微細な凹部にあるパーティクルをより良好に除去することができるようになる。
【図面の簡単な説明】
【００７７】
【図１】本発明の一の実施の形態における基板処理装置の構成を示す概略構成図である。
【図２】図１に示す基板処理装置における二流体ノズルの構成の詳細を示す断面図である。
【図３】図１に示す基板処理装置を上方から見た上面図である。
【図４】本発明における基板処理装置の他の構成を示す概略構成図である。
【図５】本発明における基板処理装置の更に他の構成を示す概略構成図である。
【図６】本発明における基板処理装置の更に他の構成を示す概略構成図である。
【図７】本発明における基板処理装置の更に他の構成を示す概略構成図である。
【図８】本発明における基板処理装置の更に他の構成を示す概略構成図である。
【図９】本発明における基板処理装置に設置される他のノズルの構成の詳細を示す断面図である。
【符号の説明】
【００７８】
１    基板処理装置
１０  チャンバー
１０ａ、１０ｂ  シャッター
１２  スピンチャック
１２ａ  ウエハ加熱機構
１６  外筒
１８  内筒
２０  二流体ノズル
２０ａ  ノズル本体
２０ｂ  洗浄液流路
２０ｃ  窒素ガス流路
２０ｄ  合流部
２０ｅ  吐出口
２１  一流体ノズル
２１ａ  ノズル本体
２１ｂ  超音波ヘッド
２２  アーム
２４  回転軸部
２６  洗浄液供給管
２６ａ  洗浄液冷却機構
２８  窒素ガス供給管
３０  洗浄液タンク
３２  窒素ガス供給部
３４  バルブ
３６  バルブ
３８  フィルタ
４０  ドライエアー発生器
４１  空気発生器
４２  ＨＦＥ蒸気発生器
４６  ブロア
４７  気体供給管
４７ａ  気体冷却機構
４７ｂ  気体加熱機構
４８  フィルタ
５０  洗浄液排出管
５２  洗浄液排出部
８０  制御部
８２  受け渡しユニット
８４  基板温度調整チャンバー
８４ａ、８４ｂ  シャッター
８６  第１のウエハ搬送機構
８８  第２のウエハ搬送機構
【図１】
2008130822.tif 000003
【図２】
2008130822.tif 000004
【図３】
2008130822.tif 000005
【図４】
2008130822.tif 000006
【図５】
2008130822.tif 000007
【図６】
2008130822.tif 000008
【図７】
2008130822.tif 000009
【図８】
2008130822.tif 000010
【図９】
2008130822.tif 000011