(57)【要約】【課題】静電レンズを用いてゲート弁を取り付けたＲＦイオン伝送管の伝送効率を高める混成イオン伝送装置を提供する。【解決手段】静電レンズ及びＲＦイオン伝送管の組み合わせにより、前部に静電レンズイオン伝送管を用い、且つ、途中部分にはゲート弁を用いることを可能にし、後部には高磁場における伝送効率がよいＲＦイオン伝送管を用いて検出感度及び分解能を高める混成イオン伝送装置を製作することができる。すなわち、混成イオン伝送装置は、注入されるイオンを伝送し、イオンがイオン伝送方向軸の中心に集中可能に電圧をかける静電レンズと、静電レンズに接続され、イオン伝送方向軸の中心に集中された前記イオンを通過させるＲＦイオン伝送管がゲート弁を介して接続されるような構成を有する。このような構成により、イオン伝送率を高めると共に、安定した真空状態を提供して周辺の中性ガスとの衝突による信号減衰を極力抑えることにより、混成イオン伝送装置は検出感度及び分解能を高めることができる。【選択図】図１
2008130534.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
注入されるイオンを伝送し、前記イオンがイオン伝送方向軸の中心に集中可能に電圧をかける静電レンズと、
前記静電レンズに接続され、イオン伝送方向軸の中心に集中された前記イオンを通過させるＲＦイオン伝送管と、を備えることを特徴とする混成イオン伝送装置。
【請求項２】
前記静電レンズ及び前記ＲＦイオン伝送管は、ゲート弁を介して接続され、
前記ゲート弁を通過したイオンは、前記静電レンズにより前記ＲＦイオン伝送管の中央に集中して入射することを特徴とする請求項１に記載の混成イオン伝送装置。
【請求項３】
前記静電レンズは、第１の電極、第２の電極、及び第３の電極の３つの電極により構成され、前記第１の電極及び前記第３の電極には同じレベルの電圧がかけられることを特徴とする請求項１に記載の混成イオン伝送装置。
【請求項４】
前記第１の電極及び前記第３の電極を接地電位とし、該電極には同じレベルの電圧がかけられることを特徴とする請求項３に記載の混成イオン伝送装置。
【請求項５】
前記電極同士の絶縁及び電極の固定のために前記電極間に設けられる絶縁体をさらに備えることを特徴とする請求項３に記載の混成イオン伝送装置。
【請求項６】
前記電極は、脱ガス処理されたステインレス鋼からなることを特徴とする請求項３に記載の混成イオン伝送装置。
【請求項７】
前記絶縁体は、真空中における粒子またはガスの放出が少ない材料からなることを特徴とする請求項５に記載の混成イオン伝送装置。
【請求項８】
前記静電レンズは、２重管状、コーン状、円板状及び円筒状のいずれかの形状を有することを特徴とする請求項１に記載の混成イオン伝送装置。
【請求項９】
前記静電レンズは、真空度を高めて各電極間の間隔を均一に維持すると共に、前記電極間に形成される電場分布の均一性を維持して真空絶縁破壊の臨界電圧を高めることにより、前記真空絶縁破壊による電極間の放電を防ぐことを特徴とする請求項１に記載の混成イオン伝送装置。
【請求項１０】
注入されるイオンにおける視線に対して前記絶縁体を隠すことにより、前記絶縁体の絶縁破壊による放電を防ぐことを特徴とする請求項５に記載の混成イオン伝送装置。
【請求項１１】
前記ＲＦイオン伝送管は、各ロッドの中心が単一の円周に等間隔にて配置され、無限な長さを有すると共に、互いに平行な８本のロッドにより構成されることを特徴とする請求項１に記載の混成イオン伝送装置。
【請求項１２】
前記ＲＦイオン伝送管は、ＲＦ電圧値及びＲＦ周波数を調整することにより所望のイオン伝送効率を得ることを特徴とする請求項１に記載の混成イオン伝送装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、静電レンズとＲＦイオン伝送管、そしてこれらの間にゲート弁を配置して高真空部分の真空度を安定化させると共に、静電レンズを用いてＲＦイオン伝送管の伝送効率を高める装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
既存の質量分析器は、分析対象となる試料を外部において電子噴霧イオン源（ＥＳＩ：Electrospray Ionization）やマトリックス補助レーザー脱着イオン化源（ＭＡＬＤＩ：Matrix Assisted Laser Desorption Ionization）などのイオン化装置を用いて、大気圧中においてイオンを生成させて真空の内部に注入するような構造となっている。こうして注入されたイオンを実際の分析が行われる高真空内にある検出部まで伝送しなければ、検出及び分析を行うことができない。
【０００３】
特に、フーリエ変換イオンサイクロトロン共鳴質量分析器（ＦＴ−ＩＣＲＭＳ：Fourier Transform Ion Cyclotron Resonance Mass Spectrometer）などの装置は、外部のイオン注入装置において測定が行われる高磁場領域まで長いイオン伝送管を介して連通しており、これらの装置の伝送効率が装置全体の検出性能に大きな影響を及ぼすことになる。
【０００４】
一般的に用いられているイオン伝送管としては、静電レンズタイプとＲＦイオン伝送管タイプがある。
【０００５】
静電レンズタイプは、伝送中のイオンを中央に集中させる方式であって、イオンが経路を外れないように調節しなければならない電極の数が相対的に多く存在するため最適化の変数が多く、且つ、超伝導磁石の取り替えなど周辺装置の構造の変化により設計し直さなければならないという短所がある。特に、１５テスラ以上のＦＴ−ＩＣＲＭＳにおいては、高磁場勾配においてイオンの磁気鏡現象によりイオンが中心に集中できない場合、増加する入射方向に跳ね返るようになる。
【０００６】
このような高磁場内のイオン伝送を向上させるために、イオン伝達レンズの電圧を調整するのに一層長時間をかけて最適化を行う必要がある。
【０００７】
ＲＦイオン伝送管タイプは、線形イオントラップ状にイオンの伝送方向に垂直な方向の動きをＲＦ電圧をかけて閉じ込め、磁場と平衡方向の動きのみを許容して伝送する方式であって、調節すべき変数が静電レンズよりも相対的に少なくて最適化が簡単であり、超伝導磁石の取り替えなど周辺装置の構造の変化に伴い別途の設計を行う必要がないという長所がある。
【０００８】
しかしながら、磁場の変化がある領域を通過しなければならないＦＴ−ＩＣＲＭＳにおいて、一部のイオンの損失が起こることがある。
【０００９】
イオン伝送装置が有するこのような問題点に対する改善の必要性が絶えず提起されてきている。
【００１０】
そして、ＦＴ−ＩＣＲＭＳ装置は、超高真空部分と低真空部分とを分離するために、ゲート弁をイオン伝送管の途中に取り付けることが一般的である。このゲート弁の取り付けは、必然的にイオン伝送管を物理的に分離させ、これにより、ゲート弁を通過するイオンの経路に影響してイオン伝送率が下がる。
【００１１】
このような損失を極力抑えるために、既存より種々の方法が試みられており、それらのうち一つの方法として、イオン伝送管をいずれも静電レンズ状にし、ゲート弁を通過させる方法がある。この場合には、イオンの伝送を、イオン化源から検出部に至るまで静電レンズシステムに全的に依存する場合となる。
【００１２】
もう一つの方法は、イオン伝送管としていずれもＲＦイオン伝送管を用い、ゲート弁を通過するイオン伝送率の減少は、ゲート弁の厚みを最小化させる方式により解決している。
【００１３】
これと類似する方法は、ＲＦイオン伝送管を用い、ゲート弁を閉じるときにはＲＦイオン伝送管の中央部分を分離して動かしてゲート弁が閉じるようにし、開くときには、再び動かして分離された２本のＲＦイオン伝送管をつなぎ合わせる方法である。
【００１４】
しかしながら、これらの方法は装置が複雑となり、製作し難いほか、使い勝手がよくないという面があった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
本発明の目的は、静電レンズとＲＦイオン伝送管を組み合わせてゲート弁付き高効率の混成イオン伝送装置を実現することにより、イオン伝送率を改善させることである。
【００１６】
特に、ＦＴ−ＩＣＲＭＳ装置内においてゲート弁により生じる種々のイオン伝送上の問題点と高磁場を用いるＦＴ−ＩＣＲＭＳ装置における磁場の増大によるイオン伝送上の問題点を改善して、一層高い感度を有する質量分析器、特に、ＦＴ−ＩＣＲＭＳを提供するところにその目的がある。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
上記の目的を達成するために、本発明において提案される方式は、既存の静電レンズとＲＦイオン伝送管の長所を組み合わせて混成イオン伝送装置を構成するものであり、本発明による混成イオン伝送装置は、注入されるイオンを伝送し、イオンがイオン伝送方向軸の中心に集中可能に電圧をかける静電レンズと、静電レンズに接続され、イオン伝送方向軸の中心に集中された前記イオンを通過させるＲＦイオン伝送管と、を備える構成を有する。このような混成イオン伝送装置の構成によりイオンの伝送率を高めることが可能になる。
【００１８】
一方、ＦＴ−ＩＣＲＭＳのようにイオンの発生と測定が区間の圧力差が大きく、且つ、検出部において高真空度が求められる装備においては、安定して高真空を維持しなければならず、同時に試料イオンの伝送率を改善しなければ、高感度の装置を実現することができない。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によるゲート弁を備える、静電レンズとＲＦイオン伝送管の組み合わせにより構成された混成イオン伝送装置は、安定した高真空状態の維持とイオン伝送率の増加を通じてイオン測定器の感度を高めることができる。
【００２０】
ＦＴ−ＩＣＲ質量分析器と同じ超高真空が求められるに伴い、試料の注入と検出部の位置が相対的に遠く離れている装置において向上されたイオン伝送率と同時に安定した真空状態を提供して周辺の中性ガスとの衝突による信号減衰を極力抑えることにより、混成イオン伝送装置は、検出感度及び分解能を高めるために使用可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、添付図面に基づき、本発明の混成イオン伝送装置の構造とその作動原理について詳細に説明する。
【００２２】
図１は、本発明の一実施の形態による混成イオン伝送装置の構造を概略的に示している。図１に示すように、本発明の一実施の形態による混成イオン伝送装置は、静電レンズ１０及びＲＦイオン伝送管１５の組み合わせよりなり、このような組み合わせがゲート弁１４を介して接続されるような構造となっている。
【００２３】
静電レンズ１０は、本発明の混成イオン伝送装置の一部分を構成するものであり、本発明の一実施の形態による静電レンズ１０は、注入されるイオンをイオン伝送方向軸の中心に集中させるために、３本の電極により構成される。このように、静電レンズ１０は、適切に電圧がかけられた第１の電極１１、第２の電極１２、及び第３の電極１３の３本の電極により構成され、第１の電極１１と第３の電極１３には同じレベルの電圧がかけられる。
【００２４】
通常、静電レンズ１０は、第１の電極１１と第３の電極１３、すなわち、両端部分の電極を接地電位とし、中央部分の第２の電極１２に適切な電圧をかけ、電極間の絶縁及び電極の固定のために電極間に絶縁体を設けて実現する。このような静電レンズ１０は、２重管状、コーン状、円板状及び円筒状などの種々の形状に実現可能である。
【００２５】
このとき、静電レンズにおいて用いられる電極としては、例えば、脱ガス処理されたステインレス鋼からなるものであればよく、絶縁体としては、真空中において粒子またはガスの放出が少ない材料（例えば、セラミック）からなるものであればよい。それは、本発明による混成イオン伝送装置内においてイオンが進んでいく間、該装置内に残留するガス粒子との衝突による散乱を極力抑えるために高真空下で作動するためである。
【００２６】
このように静電レンズを構成する材料への考慮も行わなければならないが、絶縁破壊による放電防止などの電気的な側面の考慮が極めて重要である。
【００２７】
静電レンズは、適切にかけられた電圧により形成される電場が注入されるイオンに及ぼす電気力によりイオンをイオンの進行方向の中心軸に集中させるものであるため、電極にかけられた電圧による絶縁破壊を防ぐことが重要な問題となる。
【００２８】
絶縁破壊を防ぐためには、次の２つの事項を考慮しなければならない。
【００２９】
先ず第一に、真空の絶縁破壊による電極間における放電への考慮である。真空の絶縁破壊は、電極にかけられた過度な電圧により真空の絶縁が破壊されて放電現象が起こることである。
【００３０】
このような真空の絶縁破壊は、通常、６〜１０ｋＶ／ｍｍ範囲の電位差において生じる。このような真空の絶縁破壊を防ぐためには、レンズ内の最大電位差が上記の値よりも小さくなるように電極間の間隔を維持しなければならない。真空絶縁破壊の臨界電圧（６ｋＶ／ｍｍ〜１０ｋＶ／ｍｍ）は、電極間の間隔が極めて均一に維持されている状態での理想的な真空中における値であるため、実際の静電レンズにおいては、上記の臨界値以下において絶縁破壊が起こる。
【００３１】
このため、実際の静電レンズの実現に際し、真空絶縁破壊の臨界電圧を高めるためには、静電レンズの周辺環境、すなわち、真空度を高めて各電極間の間隔を極めて均一に維持して電極間に形成される電場分布の均一性を維持しなければならない。すなわち、特定の部位の電場の強さが大きくなって、予想される真空の絶縁破壊臨界電圧の予想値よりも低い電位差にて絶縁破壊が起こることを防がなければならない。
【００３２】
第二に、電極間の絶縁と固定のために用いられる絶縁体の絶縁破壊による放電を防がなければならない。
【００３３】
絶縁体の絶縁破壊現象は、大きく２つの場合に分けられるが、一つは、絶縁体の体積絶縁破壊である。これは、絶縁体の両端の電極にかけられた電圧による絶縁破壊であって、単なる絶縁体の内部絶縁破壊、すなわち、表面効果は考慮しない場合である。
【００３４】
このときの絶縁破壊臨界電圧は、絶縁体の内部が均一に構成されている場合にはかなり減少する。絶縁体の内部の欠陥や亀裂がない場合の体積絶縁破壊の臨界電圧は、物質によって異なるが、通常、数十ｋＶに至る。
【００３５】
もう一つの絶縁体の絶縁破壊は、絶縁体の表面効果による絶縁破壊である。これは、通常、外部において生じたり、あるいは、電極の表面において生成された電子（２次電子）が電極にかけられた電圧により形成される電場により表面を移動する電子移動現象により生じることになる。
【００３６】
すなわち、絶縁体の表面に沿って移動する電子がさらなる２次電子を発生させ、このような現象が継続して増幅されて、結局として、絶縁体の表面に沿って大電流が流れる経路が形成されて絶縁破壊に至ることになる。このような絶縁体の表面効果による絶縁破壊の臨界電圧は、上述の体積絶縁破壊の場合に比べて低い値を有し、セラミックの場合に約２ｋＶ／ｍｍ程度の値を有する。
【００３７】
上述の如き絶縁体の絶縁破壊現象を考慮すると、実際に安定した静電レンズの実現のためには、体積絶縁破壊の臨界電圧ではなく、表面効果による絶縁破壊の臨界電圧により絶縁体を設計しなければならない。
【００３８】
このような絶縁体の表面における電子移動による絶縁破壊を防ぐためには、電極において生じる２次電子の発生原因を最大限に排除しなければならない。すなわち、注入されるイオンが電極に衝突することを防ぐか、あるいは、既に発生した２次電子が絶縁体の表面に移動することを防ぐ必要がある。このために、電極において注入されるイオンの絶縁体に対する視線をできる限り無くさなければならない。
【００３９】
本発明の一実施の形態による静電レンズにおいて、上述のように、両端部分の電極に同じレベルの電圧がかけられ、中央部分の電極に一定の電圧をかける構成を有する。また、本発明の一実施の形態により各電極間の間隔を均一に維持して真空絶縁破壊による放電現象が起こることを抑え、また、注入されるイオンにおけるいかなる視線に対しても絶縁体が見られないようにする。
【００４０】
これにより、絶縁体の絶縁破壊臨界電圧を高めてより安定した静電レンズを設計・製作することが可能になり、このような静電レンズに注入されるイオンの運動経路をイオンの進行方向軸の中心に集中させることが可能になる。
【００４１】
図１に示すように、圧力が高いイオン化部の洗浄や故障修理などのメンテナンスを容易に行わせるために、必要に応じて遮断可能なゲート弁１４を静電レンズ１０とＲＦイオン伝送管１５との間に取り付けている。
【００４２】
注入されるイオンが静電レンズ１０を通過しながらイオンの進行方向軸の中心に集中されることにより、イオンは静電レンズ１０とＲＦイオン伝送管１５との組み合わせの間に取り付けられたゲート弁１４を通過することが可能になる。すなわち、ゲート弁１４の前方に静電レンズ１０を取り付けてイオンの運動経路を中央に集中させながら、イオンがゲート弁１４を通過するように動作するのである。
【００４３】
このとき、ゲート弁１４を通過するためにイオンの進行方向軸の中心に集中されたイオンは、ゲート弁１４の後方に取り付けられたＲＦイオン伝送管１５の中心に集中して入射することになる。
【００４４】
本発明の一実施の形態による混成イオン伝送装置において、ＲＦイオン伝送管１５は、上述の静電レンズ１０と共に本発明の混成イオン伝送装置を構成している主な構成部分であって、本発明の一実施の形態によるＲＦイオン伝送管１５は、図１に示すように、各ロッドの中心が単一の円周に等間隔にて配置され、無限な長さを有すると共に、互いに平行な８本のロッドにより構成される。
【００４５】
このように構成された電極の構造により２次元八極電場が形成されるが、電場Ｅ及び誘導された磁場Ｂの存在下におけるイオン動作は、ローレンツ式に基づき、次式（１）で表わすことができる。
【００４６】
【数１】
2008130534.tif 000003
【００４７】
ここで、ｍは、イオンの質量、ｑは、イオンの電荷量、ｒは、イオンの位置を示す。
【００４８】
以下、上記の如き電場Ｅ及び磁場Ｂの影響下におけるイオン伝送効率について述べる。
【００４９】
図２は、磁場の影響がない場合のＲＦイオン伝送管におけるイオン軌跡を示す。イオンは、初期位置（ｘ,ｙ）＝（１．０ｍｍ,０．０ｍｍ）及び初期速度（ｖｘ,ｖｙ）＝（１００ｍ／ｓ,１００ｍ／ｓ）から始まり、イオンの各運動量を維持しながら一定の最大半径を有する安定した軌跡を描く。
【００５０】
しかしながら、磁場の影響は、複雑なイオン動作を引き起こす。磁場が相対的に弱いＲＦイオン伝送管の入口部分を入るときの初期のイオン動作は、磁場の影響がない場合と類似している。しかしながら、イオンが高磁場領域を通過しながら、イオンは、サイクロトロン動作及びマグネトロン動作を行うことになる。
【００５１】
ＲＦ電圧を十分に大きくするために、ＲＦイオン伝送管内の電圧は、擬似電圧（Ｖｐ）と呼ばれる有効ｄｃ電圧に近づくことになる。このような擬似電圧Ｖｐは、次式（２）で表わすことができる。
【００５２】
【数２】
2008130534.tif 000004
【００５３】
ここで、２ｎは、ＲＦイオン伝送管のロッド数、ｑは、イオンの電荷量、ｍは、イオンの質量、Ｖ０は、ＲＦ電圧の大きさ、ｗ＝２πυ（υは、ＲＦフィールドの周波数）、ｒは、ＲＦイオン伝送管の中心からの放射状の半径を示す。
【００５４】
これにより、八極電場は、次式（３）で表わすことができる。
【００５５】
【数３】
2008130534.tif 000005
【００５６】
一方、前式（１）から、放射状の力は、次式（４）で表わすことができる。
【００５７】
【数４】
2008130534.tif 000006
【００５８】
上記の式をΩに対して計算すると、次式（５ａ）及び（５ｂ）の通りである。
【００５９】
【数５ａ】
2008130534.tif 000007
【００６０】
【数５ｂ】
2008130534.tif 000008
【００６１】
ここで、下付き字＋、−は、磁場及びＲＦ電場の複合的な影響下におけるサイクロトロン周波数及びマグネトロン周波数のそれぞれを示す。
【００６２】
ＲＦイオン伝送管を介して伝送されるイオンのイオン伝送効率は、任意に構成されている多くの初期条件のそれぞれを比較することにより判断することができる。周波数を高めるために、イオンは、時平均静的電場を通過する。これによる擬似電圧は、電場のサイズの二乗に比例し、周波数の二乗に反比例する。つまり、次式（６）で表わすことができる。
【００６３】
【数６】
2008130534.tif 000009
【００６４】
ＲＦイオン伝送管の中心付近の擬似電圧は、イオン伝送管軸に対して略円筒状に対称となる。ＲＦイオン伝送管を構成する八極ロッドの分離された形態の構造により、擬似電圧は半径の増加に伴い円筒状の対称から増加する形に変わる。
【００６５】
擬似電圧は、イオンがイオン伝送管軸の中心付近に沿って伝送するように制限する。すなわち、相対的に大きな位置エネルギーを有するイオンは、より高い電圧に向かって放射状に進むことができるが、このようなイオンの放射状の位置エネルギーがロッド付近における有効な擬似電圧よりも低ければ、イオンはＲＦイオン伝送管軸の中心に沿って伝送される。
【００６６】
しかしながら、ロッド付近における擬似電圧よりも高いか、あるいは、それと同じ位置エネルギーを有するイオンは、ロッドと衝突したり、または、ロッド間の隙間を通ってＲＦイオン伝送管から離脱することになる。
【００６７】
図３は、ＲＦ電圧値に対する周波数の比が一定している状態において、ＲＦイオン伝送管を介してのイオン伝送効率をＲＦ周波数に対する関数にて示すグラフである。図３のグラフから明らかなように、ＲＦ周波数が２ＭＨｚ以上であれば、イオン伝送効率が９５％以上となる。このため、ＲＦ電圧値及び周波数を調整することにより所望のイオン伝送効率が得られることが分かる。
【００６８】
結論的に、本発明による混成イオン伝送装置の構成において、ゲート弁の前方には静電レンズを取り付けてイオンの運動経路を中央に集中させながらゲート弁を通過するように動作させ、その次の経路では、ＲＦイオン伝送管を用いて検出部までイオンを伝送するようにする。
【００６９】
このとき、前端においてゲート弁の通過を目的として中央に集中させたイオンは、ＲＦイオン伝送管の中心に集中され、高い磁場下においてＲＦイオン伝送率を高めるが、これは、上述のように、ＲＦ電圧の大きさ及び周波数を調整することにより可能になるのである。
【００７０】
したがって、本発明は、静電レンズとＲＦイオン伝送管を組み合わせた構成により、静電レンズのゲート弁の通過容易性と、高い磁場勾配領域におけるＲＦイオン伝送管の高いイオン伝送率とを併せ持つようになる。
【００７１】
図４は、本発明の一実施の形態による混成イオン伝送装置の作動メカニズムの流れを示している。
【００７２】
該メカニズムによれば、本発明の混成イオン伝送装置の通常の作動において、注入された様々な質量を有するイオンが静電レンズを介して入射すると、静電レンズは、試料がゲート弁を通過可能に誘導し、同時にイオンをイオン伝送方向軸の中心に試料が集中可能に電圧をかける。試料は、ガスやそれと類似の状態で試料注入装置を介して注入され、このようにして注入された試料は、イオン化源においてイオンに切り換えられた後、所望の距離だけ所望の方向に移動する。
【００７３】
このようにゲート弁を通過した試料は、静電レンズにより後続するＲＦイオン伝送管の中央に集中して入射し、このようにＲＦイオン伝送管の中心に集中したイオンは、ＲＦイオン伝送管の開始部分において作られる不完全なフリンジ電場の影響を最低限に受けることができ、より高い伝送率を期待することが可能になる。
【００７４】
これにより、高いイオン伝送率により検出感度が高くなり、同時により高い真空度を安定して維持することができて、周辺の中性ガスとの衝突による信号減衰を極力抑えて検出感度及び分解能を高めることができ、しかも、システム全体としての安定性を高めることができる。
【００７５】
以上述べた本発明は、上述の実施の形態及び添付図面により限定されるものではなく、本発明の技術的な思想を逸脱しない範囲内において種々の置換、変形及び変更が可能であることが本発明の属する技術分野において通常の知識を持った者にとって明らかであると言えるであろう。
【産業上の利用可能性】
【００７６】
本発明の混成イオン伝送装置は、イオンの伝送率が高められた混成イオン伝送装置として有用である。
【図面の簡単な説明】
【００７７】
【図１】本発明の一実施の形態による混成イオン伝送装置の構造を示す概略図である。
【図２】磁場の影響がない場合のＲＦイオン伝送管におけるイオン軌跡を示す図である。
【図３】ＲＦイオン伝送管を介してのイオン伝送効率をＲＦ周波数に対する関数にて示す図である。
【図４】本発明の一実施の形態による混成イオン伝送装置の作動原理を示すフローチャートである。
【符号の説明】
【００７８】
１０：静電レンズ
１１：第１の電極
１２：第２の電極
１３：第３の電極
１４：ゲート弁
１５：ＲＦイオン伝送管
【図１】
2008130534.tif 000010
【図２】
2008130534.tif 000011
【図３】
2008130534.tif 000012
【図４】
2008130534.tif 000013