(57)【要約】【課題】  研磨加工による研磨傷を発生させずに電子写真感光体の表面を研磨処理し、画像欠陥を大幅に改善させることができる電子写真感光体の研磨方法を提供する。【解決手段】  少なくともアモルファスシリコンからなる光電導層を含む電子写真感光体表面の突起頭頂部を除去する突起研磨方法において、前記電子写真感光体を保持し回転させ、円筒状の押圧部材により研磨テープを前記感光体の表面に加圧当接させながら、前記研磨テープを送ることによって突起研磨を行う方法であって、前記円筒状の押圧部材の表面をスパイラル形状とすることで、前記感光体表面と前記研磨テープとが当接され、研磨加工が行われている箇所に、研磨初期に発生する塊片が達しないようにする。【選択図】  図１
2008216306.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくともアモルファスシリコンからなる光電導層を含む電子写真感光体表面の突起頭頂部を除去する突起研磨方法において、前記電子写真感光体を保持し回転させ、円筒状の押圧部材により研磨テープを前記感光体の表面に加圧当接させながら、前記研磨テープを送ることによって突起研磨を行う方法であって、前記円筒状の押圧部材の表面が、スパイラル形状となっていることを特徴とする電子写真感光体の突起研磨方法。
【請求項２】
前記研磨テープを加熱しながら前記感光体表面の突起頭頂部を除去することを特徴とする、請求項1に記載の電子写真感光体の突起研磨方法。
【請求項３】
前記感光体と前記研磨テープとが、前記感光体の回転方向と直行する方向に、相対的に交互運動をする事を特徴とする、請求項1及び2に記載の電子写真感光体の突起研磨方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
固体撮像装置、あるいは像形成分野における電子写真用の電子写真感光体や原稿読み取り装置における光導電層を形成する材料として、高感度でSN比［光電流（IP）/暗電流（Id）］が高く、照射する電磁波のスペクトル特性にマッチングした吸収スペクトル特性を有すること、光応答性が速く、所望の暗抵抗値を有すること、使用時において人体に無公害であること、さらには固体撮像装置においては、残像を所定時間内に容易に処理することができる等の特性が要求される。
【０００２】
特に事務機としてオフィスで使用される電子写真感光体の場合には、上記の使用時における無公害性は重要な点である。
【０００３】
この様な観点に立脚して注目されている材料に、水素やハロゲン原子等の一価の元素でダングリングボンドが修飾されたアモルファスシリコン（以後、「a-Si」と表記する）があり、電子写真用電子写真感光体への応用がなされている。
【０００４】
従来、導電性基体上にa-Siからなる電子写真感光体を形成するに形成方法として、スパッタリング法、熱により原料ガスを分解する方法（熱CVD法）、光により原料ガスを分解する方法（光CVD法）、プラズマにより原料ガスを分解する方法（プラズマCVD法）等、多数知られている。なかでもプラズマCVD法、すなわち、原料ガスを直流または高周波、マイクロ波などのグロー放電によって分解し、導電性基体上に堆積膜を形成する方法は電子写真感光体の形成方法等、現在実用化が非常に進んでいる。このような堆積膜の層構成として、従来から行われてきたa-Siを母体とし、適宜修飾元素を添加した電子写真感光体に加えて、更に表面側に阻止能を持った、いわゆる表面層や上部阻止層を積層する構成も提案されている（例えば特許文献１）。特許文献１では、光導電層と表面層との間に、炭素原子の含有量を表面層より減らし、伝導性を制御する原子を含有させた中間層（上部阻止層）を設けた感光体が開示されている。
【０００５】
また、a-Si膜は基体表面に数μｍオーダーのダストが付着していた場合、成膜中にそのダストを核として異常成長、いわゆる「突起」が成長してしまうという性質を持っている。この突起が原因となり画像上に欠陥を作ってしまう。この画像欠陥を防ぐ為に、成膜後の感光体表面に存在する突起の頭頂部を研磨加工により平坦化する技術も提案されている（例えば特許文献２）。特許文献２では、電子写真感光体を保持し回転させ、弾性ローラに巻回させた研磨テープと感光体の表面を加圧当接させながら研磨テープを送ることによって、感光体の表面突起物の平坦化研磨を行う後処理方法が開示されている。
【特許文献１】特開平08-15882号公報
【特許文献２】特開2001-318480号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
このような従来の電子写真感光体製造方法により、ある程度実用的な特性と均一性を持つ電子写真感光体を得ることが可能になった。
【０００７】
しかし、これら従来の電子写真感光体の製造方法では、例えば電子写真感光体のように大面積で比較的厚い堆積膜が要求される製品については、均一膜質で光学的及び電気的諸特性の要求を満足し、かつ電子写真プロセスにより画像形成時に画像欠陥の少ない堆積膜を高収率で得るのは難しいという解決すべき問題が残存している。
【０００８】
特に、a-Si膜は基体表面に数μｍオーダーのダストが付着していた場合、成膜中にそのダストを核として異常成長、いわゆる「突起」が成長してしまうという性質を持っている。突起はダストを起点とした円錐形を逆転させた形をしており、正常堆積部分と突起部分の界面では局在準位が非常に多いために低抵抗化し、帯電電荷が界面を通って基体側に抜けてしまうという性質を持っている。このため、突起のある部分は、画像上ではベタ黒画像で白い点となって現れる（反転現像の場合はベタ白画像に黒い点となって現れる）。このいわゆる「ポチ」と呼ばれる画像欠陥は年々規格が厳しくなっており、大きさによってはA3用紙に数個存在していても不良として扱われることがあり、カラー複写機に搭載される場合には更に規格は厳しくなり、A3用紙に１個存在していても不良となる場合がある。この突起は、ダストを起点としているため、使用する基体は成膜前に精密に洗浄され、成膜装置に設置する行程は全てクリーンルームあるいは真空下で作業が行われる。このようにして、成膜開始前に基体上に付着するダストは極力少なくするよう努力されてきており、効果を上げてきた。
【０００９】
しかし、突起の発生原因は基体上に付着したダストのみではない。すなわち、a-Si感光体を製造する場合、要求される膜厚が数μmから数10μmと非常に厚いため、成膜時間は数時間から数十時間に及ぶ。この間に、a-Si膜は基体のみではなく、成膜炉壁や成膜炉内の構造物にも堆積する。これらの炉壁、構造物は基体のように管理された表面を有していないため、場合によっては密着力が弱く、長時間に渡る成膜中に膜剥がれをおこす場合があった。成膜中に僅かでも剥がれが発生すると、それがダストとなり、堆積中の感光体表面に付着し、これが起点となって突起の異常成長が発生してしまう。従って、高い歩留まりを維持していくために、異常成長した突起の平坦化を図る研磨加工を行い、帯電電荷に対して阻止能を持つ上部阻止層を平坦化された突起を覆うように積層し、正常部と突起部の界面を帯電電荷がすり抜けてしまう現象を防ぐということが行われ、効果を上げてきた。
【００１０】
しかし、研磨加工を行う為には、研磨加工による研磨傷の発生を抑える目的で、1000kgf/mm2程度のダイナミック硬度を持った炭化珪素層を被研磨層として積層しなければならない。また、1000kgf/mm2程度のダイナミック硬度を持った炭化珪素層を光導電層の上に積層しただけでは帯電性能の悪化を招く場合がある。それ故、研磨加工による研磨傷の発生を抑え、且つ帯電性能の悪化を防ぐ為には、帯電電荷に対する阻止能を持つ炭化珪素層と1000kgf/mm2程度のダイナミック硬度を持った炭化珪素層を積層する必要があった。
【００１１】
炭化珪素層は、層中に含まれる珪素と炭素の割合を調整することで層自体の抵抗値を上昇させたり、周期表第13族元素、周期表第15族元素といったドーパントを選択して含有させて整流性を持たせることで、帯電電荷に対して阻止能を持つ層とすることができる。ところが、帯電電荷に対する阻止能を持つ層として機能する珪素と炭素の比率の範囲においては、比較的ダイナミック硬度が低く、従来の研磨加工では研磨傷が感光体上に発生してしまう場合があった。
【００１２】
従って、ダイナミック硬度が比較的低い炭化珪素層であっても研磨加工による傷がつかない有効な研磨方法を見出すことができれば、1000kgf/mm2程度のダイナミック硬度を持った炭化珪素層を積層する必要がなくなるというメリットを得ることができる。
【００１３】
尚、本発明中のダイナミック硬度は、島津製作所社製のダイナミック硬度計(型番DUH-201)を用いて測定した値を用いている。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
研磨残渣の除去を促して、被処理体である感光体を傷つけてしまわないようにとの目的で、一般に研磨初期では、研磨テープと被処理体である感光体との間に研磨残渣を残さぬように、研磨テープの表面移動速度を変更して当該テープを早く送ることが実施される。
【００１５】
ところが、比較的軟らかい炭化珪素層が被研磨層である場合、上記研磨方法を用いても、感光体表面に研磨傷がついてしまうことが確認された。これは、研磨初期の段階で発生する、大きさが数μm〜数十μmと研磨中間期や終了直前に比べて非常に大きい塊片が、感光体の正常面と研磨テープが当接されている箇所に残ってしまう為、感光体と研磨テープの間で塊片のある箇所だけに局所的に大きな圧力がかかり、感光体の正常面に傷をつけてしまうのではないかと考えられる。
【００１６】
この為、被研磨層が比較的軟らかい炭化珪素層である場合に、突起の頭頂部を研磨し平坦化させ、且つ感光体正常面に傷を付けないためには、研磨初期の段階で発生し、大きさが数μm〜数十μmと非常に大きい塊片が、感光体正常面と研磨テープが当接されている箇所に達しないようにすることが重要であることを本発明者らは見出した。
【００１７】
このような見識を踏まえて、前述の目的を達成するための本発明における電子写真感光体の研磨方法は、少なくともアモルファスシリコンからなる光電導層を含む電子写真感光体表面の突起頭頂部を除去する突起研磨方法において、電子写真感光体を保持し回転させ、円筒状の押圧部材により研磨テープを感光体の表面に加圧当接させながら、研磨テープを送ることによって突起研磨を行う際の、円筒状の押圧部材の表面が、スパイラル形状となっていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１８】
以上詳述したように、本発明の電子写真感光体の研磨方法によれば、感光体の表面に研磨テープを加圧当接させる押圧部材の表面がスパイラル形状となっている為、研磨初期に発生する塊片を、感光体と研磨テープの当接部から排除できることにより、ダイナミック硬度が比較的低い被研磨層であっても、感光体に研磨傷をつけることなく突起の頭頂部を平坦化研磨できることが達成された。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、必要に応じて図面を参照しつつ、本発明を詳細に説明する。
【００２０】
《本発明に係わる表面研磨装置》
図１は、本発明に係わる研磨装置の一例を示す模式的な概略図である。
【００２１】
感光体(100)は、弾性支持機構(120)に保持され、移動ステージ(140)上の移動範囲(141)の所定位置に固定されている。弾性支持機構(120)は具体的には空気圧ホルダーであり、例えば、ブリジストン社製空気圧ホルダー（商品名：エアーピック、型番：PO45TCA＊820）を使用することができる。研磨テープ(131)は、送り出しローラ(132)に保持され、そこから繰り出され、押圧部材(130)にて感光体(100)に押し当てられ、さらに定量引き取りローラ(134)とキャプスタンローラ(135)に挟持され、定量速度で引き取られ、巻き取りローラ(133)にて巻き取られる。またこの際、研磨テープ(231)を、図２に示されるようなテープガイドローラ(236)を経由させる形態をとってもよい。なお、押圧部材(130)は加圧機構(137)によって感光体(100)に押し当てられている。
【００２２】
感光体(100)を回転させて、その線速度と異なる速度で研磨テープ(131)を送ることで研磨処理を行う。この時、感光体(100)の線速度が10〜40cm/secの範囲、研磨テープの送り速度が1〜20cm/minの範囲で、研磨テープの消費量、研磨処理時間、研磨傷との関係から総合的に決定される。
【００２３】
また、研磨テープ(131)の厚さは、研磨テープ自体の耐久性や本発明の押圧部材表面のスパイラル形状に対する追従性、押圧部材の材質により適宜決定される。研磨テープの厚さが薄ければ、押圧部材表面のスパイラル形状に対する追従性は増すが、研磨テープ自体の耐久性の低下が起きたり、押圧部材に金属ローラを用いた場合に、研磨傷が発生する場合がある。具体的には、5〜150μmの範囲、より好ましくは、20〜80μmの範囲に設定される。尚、本発明中の、押圧部材表面のスパイラル形状に対する、研磨テープの追従性とは、どの程度、研磨テープが押圧部材表面の形状を再現しているかを指し、図１０(a)が追従性が低い例であり、図１０(b)が追従性が高い例である。
【００２４】
また、研磨テープ(131)との摩擦抵抗により、感光体(100)と連れ周りが発生し易いため、感光体(100)の回転方向とは逆の方向に研磨テープ(131)を送って、研磨処理することが望ましい。この場合、巻き取りローラ(133)、定量引き取りローラ(134)とキャプスタンローラ(135)が研磨テープ(131)のスピードを調整し、送り出しローラ(132)がテープ張力を調整する。一方、加圧とテープ張力を適正に保持することで感光体(100)の回転方向と研磨テープ(131)の送り出し方向が同方向での研磨処理も有効である。テープ張力は、感光体(100)と連れ周りや、本発明の押圧部材表面のスパイラル形状に対する追従性などを鑑み、適宜、最適な範囲に設定される。
【００２５】
また、研磨初期には、研磨残渣による研磨傷を防止するために、感光体(100)の回転線速度よりも大きな速度で研磨テープ(131)を送って研磨することがあるが、通常は線速度よりも小さな速度で研磨テープ(131)を送って研磨処理を行う。
【００２６】
感光体(100)の支持は、すぼめた状態の空気圧ホルダーを感光体基体の空洞部に挿入し、次いで、100kPa〜1000kPaの空気を送り込むことによって達成される。研磨に際しては、ユニット全体を回転させ、感光体(100)を回転させる。ガイドとして、嵌め合いの緩い、潤滑性に富み、弾性を有するガイドフランジを設けても良い。ガイドフランジの材質としては、ポリアセタール(POM)、ポリアミド(PA)、ポリカーボネート(PC)等の樹脂が好ましい。感光体(100)の支持は空気圧ホルダーの空気圧で制御され、ビビリ、突入ショックなどの微少振動は空気圧ホルダーにより吸収緩和される。
【００２７】
本発明の押圧部材(130)は、ネオプレンゴム、シリコンゴムなどの材質であってもよい。この時のJISゴム硬度(JIS K 6253-1997年)は、20〜80の範囲、より好ましくは30〜40の範囲が好ましい。また、押圧部材の形状は、長手方向において、中央部の直径が両端部の直径より若干太いものが好ましく、例えば、両者の直径差が0.0〜0.6ｍｍの範囲、より好ましくは、0.2〜0.4ｍｍの範囲となる形状が好適である。また、押圧部材(130)は、表面がスパイラル形状であれば、ステンレスや鉄、銅、真鋳、アルミなどの材質で作られた、金属ローラでも良い。
【００２８】
また、押圧部材(130)の加圧は9.8〜980kPaの範囲で、研磨すべき感光体表面の微細表面形状、研磨処理時間と研磨傷との関係から総合的に決定される。加圧を制御するために、押圧部材(130)の支持部にシリンダーを設けて空圧や油圧等で制御することも有効である。
【００２９】
そして、本発明においては、円筒状の押圧部材(130)の表面が、図５(a)に示されるように、スパイラル形状をしている。このようなスパイラル形状とすることで、加工対象物である感光体(100)と研磨テープ(131)との当接部に、凹部と凸部が形成される。そして、凸部において突起(611)の頭頂部の研磨処理が行わる。その時に発生する塊片は、凹部に入り込むために、感光体(100)と研磨テープ(131)との当接部に達することなく、良好な研磨加工を行うことができる。
【００３０】
また、押圧部材(130)表面のスパイラル形状の断面形状は、加工対象物である感光体(100)と研磨テープ(131)との当接部に、凹部と凸部が形成されうる形状であれば良く、具体的には、図５(b)〜(e)に示されるような形状が一例として挙げられる。
【００３１】
また、研磨テープ(131)を加熱しながら研磨加工を行うことは、研磨傷の発生を抑制する上でより好ましい。具体的には、図３(a)に示すように、押圧部材(330)の内部にハロゲンランプ等の加熱体(338)を備え、押圧部材(330)を加熱することで研磨テープ(331)を加熱する方法や、図３(b)に示すように、加工対象物である感光体(300)と研磨テープ(331)との当接部の上流に、ハロゲンランプ等の加熱体(338)を備え、研磨テープ(331)を加熱する方法のいずれでもよい。このように、研磨テープ(331)を加熱することで、研磨テープ(331)が軟化し、押圧部材(330)表面のスパイラル形状に対する追従性が増し、より研磨傷の発生を抑えることができる。また、押圧部材(330)の表面温度は加熱体(338)と、温度検出素子（図示せず）と、制御手段（図示せず）とにより、常に研磨テープ(331)が軟化可能な最適温度に維持される。
【００３２】
また、感光体と研磨テープとが、感光体の回転方向と直行する方向に、相対的に交互運動しながら研磨加工を行うことは、研磨ムラを抑制する上でより好ましい。具体的には、図４に示すように、弾性支持機構(420)にレシプロ機構(450)を設けることで、感光体(400)と研磨テープ(431)とが、感光体(400)の回転方向と直行する方向に、相対的に交互運動をさせることができる。また、押圧部材(430)にレシプロ機構(450)を設けることでも同様に交互運動をさせることができる。尚、感光体の回転方向のスピードと、感光体の回転方向と直行する方向のスピードとの関係は、研磨傷や研磨ムラの観点から適宜決定される。
【００３３】
《本発明に係わるa-Ｓｉ感光体》
図９に本発明に係わる電子写真感光体の一例を示す。
【００３４】
本発明の電子写真感光体は、例えばAl、ステンレス等の導電性材料からなる基体(901)を、第1ステップとして、排気手段と原料ガス供給手段を備えた真空気密可能な成膜炉内に設置し、少なくとも原料ガスを高周波電力により分解し、基体(901)上に少なくとも非単結晶材料からなる光導電層(906)と、少なくとも炭素、珪素を含む非単結晶材料から成る炭化珪素層(913)を第1の層(902)として積層する工程と、第２ステップとして、第1の層(902)を積層した円筒状基体を一旦成膜炉から取り出す工程と、第３ステップとして、第1の層(902)を積層した円筒状基体上の炭化珪素層(913)の表面を加工する本発明の研磨工程と、第４ステップとして、第1の層(902)を積層した円筒状基体を再び成膜炉内に設置し、少なくとも原料ガスを高周波電力により分解し、第１の層(902)上に非単結晶材料から成る第２の層(903)を堆積したものである。
【００３５】
このように成膜することによって、第１の層(902)中から発生している異常成長部(911)を覆うように第2の層(903)を積層することができ、たとえ異常成長部(911)が存在しても画像には現れず良好な画質を保つことが可能となった。
【００３６】
更に、第1のステップにおいて第1の層(902)の最表面に炭化珪素層(913)を積層することによって、第４ステップにおいて積層する第2の層と、第1の層との膜の密着性が向上し、膜ハガレに対するラチチュードを広くすることができる。又、炭化珪素層(913)は周期表第13族元素や周期表第15族元素といったドーパントを選択して含有させて、整流性を持たせることにより帯電電荷に対する阻止能を持たせることもでき、帯電性能を維持することも可能となる。
【００３７】
本発明においては第１の層(902)には光導電層(906)が含まれ、光導電層(906)の材料として、a-Siが用いられる。尚、第１の層(902)には必要に応じて更に下部阻止層(905)を設けてもよい。
【００３８】
また、本発明においては第2の層(903)には上部阻止層(908)が含まれてもよく、上部阻止層(908)の材料としてa-Siを母体とし、必要に応じて炭素、窒素、硼素、酸素を含有した層が用いられる。
【００３９】
上部阻止層(908)には、周期表第13族元素、周期表第15族元素といったドーパントを選択して含有させて、整流性を持たせることが帯電性能の向上の点で望ましく、また、正帯電、負帯電といった帯電極性の制御も可能である。
【００４０】
更に、第2の層(903)には少なくとも非単結晶材料からなるダイナミック硬度が1000kgf/mm2以上の表面層(904)を積層することもでき、これにより電子写真感光体の耐摩耗性や耐傷性を向上させることができる。
【００４１】
尚、第2の層(903)には、必要に応じて上部阻止層(908)の下に、a-Si系の中間層(907)を設けてもよい。中間層(907)は、第１の層(902)と 第2の層(903)との密着性向上の目的で、炭化珪素層(913)と同組成の層が用いられる。
【００４２】
《本発明に係わる基体の形状及び材質》
図９に示す基体(901)の形状は電子写真感光体の駆動方式などに応じた所望のものとしてよい。
【００４３】
例えば、平滑表面あるいは凹凸表面の円筒状または板状無端ベルト状であることができ、その厚さは、所望通りの電子写真感光体を形成し得るように適宜決定するが、電子写真感光体としての押圧が要求される場合には、基体としての機能が充分発揮できる範囲内で可能な限り薄くすることができる。しかしながら、基体は製造上および取り扱い上、機械的強度等の点から通常の場合、円筒状は0.5mm以上、板状無端ベルト状は10μｍ以上とされる。
【００４４】
基体材質としては上記Alやステンレスの如き導電性材料が一般的であるが、例えば各種のプラスチックやガラス、セラミックス等、特には導電性を有しないものに下記導電性材料を少なくとも光受容層を形成する側の表面に蒸着するなどして導電性を付与したものも用いることができる。
【００４５】
導電性材料としては上記の他、Cr、Mo、Au、In、Nb、Te、V、Ti、Pt、Pd、Fe等の金属、およびこれらの合金が挙げられる。
【００４６】
プラスチックとしてはポリエステル、ポリエチレン、ポリカーボネート、セルロースアセテート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、ポリアミド等のフィルムまたはシートが挙げられる。
【００４７】
《本発明に係わる第１の層》
図９に示す第１の層(902)としては、本発明ではシリコン原子を母体とし、更に水素原子及び/又はハロゲン原子を含む非晶質材料(「a-Si:(H,X)」と略記する)で構成される。
【００４８】
光導電層(906)は、プラズマCVD法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等によって作成可能であるが、プラズマCVD法を用いて作成した膜は特に高品質の膜が得られるため好ましい。原料としてはSiH4、Si2H6、Si3H8、Si4H10等のガス状態の、またはガス化し得る水素化珪素(シラン類)を原料ガスとして用い、高周波電力によって分解することによって作成可能である。更に層作製時の取り扱い易さ、Si供給効率の良さ等の点でSiH4、Si2H6が好ましいものとして挙げられる。
【００４９】
このとき、基体の温度は、200℃〜450℃、より好ましくは250℃〜350℃程度の温度に保つことが特性上好ましい。これは基体表面での表面反応を促進させ、充分に構造緩和をさせるためである。
【００５０】
又、これらのガスに更にH2あるいはハロゲン原子を含むガスを所望量混合して層形成することも特性向上の上で好ましい。ハロゲン原子供給用の原料ガスとして有効なのは、弗素ガス(F2)、BrF、ClF、ClF3、BrF3、BrF5、IF5、IF7等のハロゲン間化合物を挙げることができる。ハロゲン原子を含む珪素化合物、いわゆるハロゲン原子で置換されたシラン誘導体としては、具体的には、たとえばSiF4、Si2F6等の弗化珪素が好ましいものとして挙げることができる。
【００５１】
又、これらの珪素供給用の原料ガスを必要に応じてH2、He、Ar、Ne等のガスにより希釈して使用してもよい。
【００５２】
光導電層(906)の層厚としては特に限定はないが、製造コストなどを考慮すると15〜50μｍ程度が適当である。
【００５３】
また、炭化珪素層(913)は光導電層(906)と同様にプラズマCVD法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等によって作成可能であるが、プラズマCVD法を用いて作成した膜は特に高品質の膜が得られるため好ましい。原料としてSi供給源はSiH4、Si2H6、Si3H8、Si4H10等のガス状態の、またはガス化し得る水素化珪素(シラン類)を原料ガスとして用いられ、層作製時の取り扱い易さ、Si供給効率の良さ等の点でSiH4、Si2H6が好ましいものとして挙げられる。また、C供給源としては、CH4、C2H4を原料ガスとして用い、高周波電力によって分解することによって作成可能である。そして、炭素と珪素の和に対する炭素の含有率が30%以上50%以下であることを特徴としている。
【００５４】
また、炭化珪素層(913)は周期表第13族元素、周期表第15族元素といったドーパントを選択して含有させて帯電電荷に対して阻止能を有する上部阻止層(913)とすることもできる。上部阻止層(913)は、電子写真感光体が一定極性の帯電処理をその自由表面に受けた際、表面側より第１の層(902)側に電荷が注入されるのを阻止する機能を有し、逆の極性の帯電処理を受けた際にはそのような機能は発揮されない、いわゆる極性依存性を有している。そのような機能を付与するために、上部阻止層(913)には伝導性を制御する原子を適切に含有させることが必要である。そのような目的で用いられる原子としては、本発明においては周期表第13族原子、あるいは周期表第15族原子を用いることができる。このような周期表第13族原子としては、具体的には、硼素（B）、アルミニウム（Al）、ガリウム（Ga）、インジウム（In）、タリウム（Tl）等があり、特に硼素（B）が好適である。周期表第15族原子としては、具体的にはリン（P）、砒素（As），アンチモン（Sb）、ビスマス（Bi）等があり、特にリン（P）が好適である。
【００５５】
上部阻止層(913)に含有される伝導性を制御する原子の必要な含有量は、上部阻止層(913)の組成や製造方法により一概にはいえないが、一般的にはネットワーク構成原子に対して100原子ppm以上、30000原子ppm以下とされることが好ましい。
【００５６】
上部阻止層(913)に含有される伝導性を制御する原子は、上部阻止層(913)中に万偏なく均一に分布されていても良いし、あるいは層厚方向に不均一に分布する状態で含有していてもよい。しかしながら、いずれの場合にも基体の表面と平行面内方向においては、均一な分布で万偏なく含有されることが面内方向における特性の均一化を図る点からも必要である。
【００５７】
更に、特性を向上させる為に第１の層(902)を複数の層構成にしても良い。例えばよりバンドギャップの狭い層を表面側に、よりバンドギャップの広い層を基板側に配置することで光感度や帯電特性を同時に向上させることができる。特に、半導体レーザーの様に、比較的長波長であって且つ波長ばらつきのほとんどない光源に対しては、こうした層構成の工夫によって画期的な効果が現れる。
【００５８】
例えば、必要に応じて設けられる下部阻止層(905)は、一般的にa-Si:(H,X)をベースとし、周期表第13族元素、周期表第15族元素などのドーパントを含有させることにより伝導型を制御し、基体からのキャリアの注入阻止能を持たせることが可能である。この場合、必要に応じて、C、N、Oから選ばれる少なくとも１つ以上の元素を含有させることで応力を調整し、光導電層(906)の密着性向上の機能を持たせることもできる。
【００５９】
下部阻止層(905)のドーパントとして用いられる周期表第13族元素、周期表第15族元素としては記載のものが用いられる。また、周期表第13族原子導入用の原料物質として具体的には、硼素原子導入用として、B2H6、B4H10、B5H9、B5H11、B6H10、B6H12、B6H14等の水素化硼素、BF3、BCl3、BBr3等のハロゲン化硼素等が挙げられる。この他、AlCl3、GaCl3、Ga(CH3)3、InCl3、TlCl3等も挙げることができる。中でもB2H6は取り扱いの面からも好ましい原料物質の1つである。
【００６０】
周期表第15族原子導入用の原料物質として有効に使用されるのは、燐原子導入用として、PH3,P2H4等の水素化燐、PF3,PF5,PCl3,PCl5,PBr3,PI3等のハロゲン化燐、さらにPH4I等が挙げられる。この他、AsH3、AsF3、AsCl3、AsBr3、AsF5、SbH3、SbF3、SbF5、SbCl3、SbCl5、BiH3、BiCl3、BiBr3等が周期表第15族原子導入用の出発物質の有効なものとして挙げられる。
【００６１】
ドーパントの原子の含有量としては、好ましくは１×10-2〜１×104原子ppm、より好ましくは5×10-2〜5×103原子ppm、最適には1×10-1〜1×103原子ppmとされるのが望ましい。
【００６２】
又、第1の層(902)を積層する際のプラズマCVD法に用いる放電周波数としては如何なる周波数も用いることが出来、工業的にはRF周波数帯と呼ばれる1MHz以上、50MHz未満の高周波でも、VHF帯と呼ばれる50MHz以上、450MHz以下の高周波でも好適に用いることが出来る。
【００６３】
又、成膜炉から感光体を取り出した際に、必要に応じて感光体の外観検査や特性評価をおこなうことも有意義である。この時点で検査を行うことで、品質不良の電子写真感光体については後の工程を省略することができ、全体としてコストの低減を図ることができる。
【００６４】
更に、成膜炉に再度設置する前に、電子写真感光体を洗浄することは、後述する第2の層(903)の密着性向上やダスト付着低減のために望ましい。具体的な洗浄方法としては、清浄な布や紙で表面を拭き取る方法や、望ましくは有機洗浄や水洗浄などにより精密洗浄した方が望ましい。特に、近年の環境に対する配慮からは後述する水洗浄装置による水洗浄がより好ましい。
【００６５】
《本発明に係わる第2の層》
図９に示す本発明に関わる第2の層(903)は、第１の層(902)が形成された後に一旦放電を止めて、研磨加工を施された後に積層される。
【００６６】
また、本発明の第2の層(903)には上部阻止層(908)を含むことができる。上部阻止層(908)は、a-Si系の材料であればいずれの材質でも可能であるが、第１の層で積層される被研磨層(913)と同様の材料で構成することが好ましい。また、上部阻止層(908)は、電子写真感光体が一定極性の帯電処理をその自由表面に受けた際、表面側より第１の層(902)側に電荷が注入されるのを阻止する機能を有し、逆の極性の帯電処理を受けた際にはそのような機能は発揮されない、いわゆる極性依存性を有している。そのような機能を付与するために、上部阻止層(908)には伝導性を制御する原子を適切に含有させることが必要である。そのような目的で用いられる原子としては、本発明においては周期表第13族原子、あるいは周期表第15族原子を用いることができる。このような周期表第13族原子としては、具体的には、硼素（B）、アルミニウム（Al）、ガリウム（Ga）、インジウム（In）、タリウム（Tl）等があり、特に硼素が好適である。周期表第15族原子としては、具体的にはリン（P）、砒素（As），アンチモン（Sb）、ビスマス（Bi）等があり、特にリン（P）が好適である。
【００６７】
上部阻止層(908)に含有される伝導性を制御する原子の必要な含有量は、上部阻止層(908)の組成や製造方法により一概にはいえないが、一般的にはネットワーク構成原子に対して100原子ppm以上、30000原子ppm以下とされることが好ましい。
【００６８】
上部阻止層(908)に含有される伝導性を制御する原子は、上部阻止層(908)中に万偏なく均一に分布されていても良いし、あるいは層厚方向に不均一に分布する状態で含有していてもよい。しかしながら、いずれの場合にも基体の表面と平行面内方向においては、均一な分布で万偏なく含有されることが面内方向における特性の均一化を図る点からも必要である。
【００６９】
そして、上部阻止層(908)の膜厚は効果的に異常成長部(911)による画像欠陥を防止できる膜厚に調整される。異常成長部(911)を表面側から見た場合の大きさには様々なものがあるが、直径の大きいものほど電荷の注入度合いが大きく、画像に出やすいという性質がある。従って、上部阻止層(908)の膜厚も、大きな突起ほど厚くすることが効果的である。具体的には感光体上に存在する異常成長部(911)の最大のものの直径に対して10-4倍以上の厚さとすることが望ましい。この範囲の厚さとすることで、異常成長部(911)からの電荷のすり抜けを効果的に防止することができる。又、膜厚の上限は１μｍ以下とすることが感度低下を最小限に抑えるという観点から望ましい。
【００７０】
上部阻止層(908)を形成するには、反応容器内の圧力や基体(901)の加熱温度（Ts）を所望により適宜設定する必要がある。
【００７１】
反応容器内の圧力は層設計にしたがって最適範囲が適宜選択されるが、通常の場合1×10-2〜1×103Pa、好ましくは5×10-2〜5×102Pa、最適には1×10-1〜1×102Paとするのが好ましい。
【００７２】
更に、基体(901)の加熱温度（Ts）は、層設計にしたがって最適範囲が適宜選択されるが、通常の場合、好ましくは150〜350℃、より好ましくは180〜330℃、最適には200〜300℃とするのが望ましい。
【００７３】
又、本発明の第2の層(903)には、必要に応じて上部阻止層(908)の下に、a-Si系の中間層(907)を設けてもよい。
【００７４】
中間層(907)は、a-Si系の材料であればいずれの材質でも可能であるが、第１の層で積層される被研磨層(913)と同様の材料で構成することが好ましい。
【００７５】
中間層(907)を形成するには、基体(901)の加熱温度（Ts）、反応容器内のガス圧を所望により適宜設定する必要がある。基体(901)の加熱温度（Ts）は、層設計にしたがって最適範囲が適宜選択されるが、通常の場合、好ましくは150〜350℃、より好ましくは180〜330℃、最適には200〜300℃とするのが望ましい。反応容器内の圧力も同様に層設計にしたがって最適範囲が適宜選択されるが、通常の場合1×10-2〜1×103Pa、好ましくは5×10-2〜5×102Pa、最適には1×10-1〜1×102Paとするのが好ましい。
【００７６】
また、第２の層には少なくとも非単結晶材料からなる層を表面層(909)として、上部阻止層(908)の上に設けることができる。表面層(909)はダイナミック硬度が1000kgf/mm2以上であることを特徴とし、これにより電子写真感光体の耐摩耗性や耐傷性を向上させることができる。
【００７７】
また、ダイナミック硬度は、シリコンウェハー上に導電性基体上に作成する条件と同条件でサンプルを作成し、島津製作所社製のダイナミック硬度計(型番DUH-201)を用いて測定した。組成分析はコーニング製7059ガラス基板上に導電性基体上に作成する条件と同条件でサンプルを作成し、アルバックファイ社製のX線光電子分析装置(型式Quantum2000)を用いて行った。
【００７８】
《本発明に係わるa-Si感光体成膜装置》
図８は、高周波電源を用いたRFプラズマCVD法による電子写真感光体の成膜装置の一例を模式的に示した図である。
【００７９】
この装置は大別すると、成膜装置(8100)、原料ガスの供給装置(8200)、成膜炉(8110)内を減圧する為の排気装置(図示せず)から構成されている。成膜装置(8100)中の成膜炉(8110)内にはアースに接続された基体(8112)、基体の加熱用ヒーター(8113)、ガス導入管(8114)が設置され、更に高周波マッチングボックス(8115)を介して高周波電源(8120)が接続されている。
【００８０】
ガス供給装置(8200)は、SiH4、H2、CH4、NO、B2H6、CF4等の原料ガスボンベ(8221〜8225)とバルブ(8231〜8235)、(8241〜8245)、(8251〜8255)及びマスフローコントローラ(8211〜8215)から構成され、各構成ガスのボンベはバルブ(8260)を介して成膜炉(8110)内のガス導入管(8114)に接続されている。
【００８１】
基体(8112)は導電性受け台の上に設置されることによってアースに接続される。
【００８２】
以下、図８の装置を用いた感光体の形成方法の手順の一例について説明する。
【００８３】
成膜炉(8110)内に基体(8112)を設置し、不図示の排気装置(例えば真空ポンプ)により成膜炉(8110)内を排気する。続いて基体加熱用ヒーター(8113)により基体(8112)の温度を200 ℃〜450℃より好ましくは250℃〜350℃の所望の温度に制御する。次いで、感光体形成用の原料ガスを成膜炉(8110)内に流入させるにはガスボンベのバルブ(8231〜8235)、成膜炉のリークバルブ(8117)が閉じられている事を確認し又、流入バルブ(8241〜8245)、流出バルブ(8251〜8255)、補助バルブ(8260)が開かれている事を確認し、メインバルブ(8118)を開いて成膜炉(8110)及びガス供給配管(8116)を排気する。
【００８４】
その後、真空計(8119)の読みが0.67mPaになった時点で補助バルブ(8260)、流出バルブ(8251〜8255)を閉じる。その後ガスボンベ(8221〜8225)より各ガスをバルブ(8231〜8235)を開いて導入し圧力調整器(8261〜8265)により各ガス圧を0.2MPaに調整する。次に流入バルブ(8241〜8245)を徐々に開けて各ガスをマスフローコントローラ(8211〜8215)内に導入する。
【００８５】
以上の手順によって成膜準備を完了した後、基体(8112)上に、まず第１の層として、例えば光導電層の積層を行う。
【００８６】
すなわち、基体(8112)が所望の温度になったところで、各流出バルブ(8251〜8255)のうちの必要なものと補助バルブ(8260)とを徐々に開き、各ガスボンベ(8221〜8225)から所望の原料ガスをガス導入管(8114)を介して成膜炉(8110)内に導入する。次に、各マスフローコントローラ(8211〜8215)によって、各原料ガスが所望の流量になる様に調整する。その際、成膜炉(8110)内が133Pa〜1330Paの所望の圧力になる様に、真空計(8119)を見ながらメインバルブ(8118)の開口を調整する。内圧が安定したところで、高周波電源(8120)を所望の電力に設定して例えば、周波数1MHz〜50MHz、例えば13.56MHzの高周波電力を高周波マッチングボックス(8115)を通じてカソード電極(8111)に供給し高周波グロー放電を生起させる。この放電エネルギーによって成膜炉(8110)内に導入させた各原料ガスが分解され、基体(8112)上に所望のシリコン原子を主成分とする光導電層が積層される。
【００８７】
所望の膜厚の形成がおこなわれた後、高周波電力の供給を止め、各流出バルブ(8251〜8255)を閉じて成膜炉(8110)への各原料ガスの流入を止め、光導電層の積層を終える。
【００８８】
光導電層の組成や膜厚は公知のものを使用することができる。続いて炭化珪素層を積層する場合や光導電層と基体(8112)の間に下部阻止層を積層する場合も基本的には上記の操作をあらかじめおこなえばよい。前述の手順で第１の層まで積層した基体は研磨を行うことがポイントである。
【００８９】
第2の層の積層を行う前に水洗浄あるいは有機洗浄をおこなうことが好ましいが、近年の環境への配慮から水洗浄がより好ましい。水洗浄の方法は後述する。このように第2の層の積層前に水洗浄を行うことは、密着性向上やダスト付着低減に有効である。
【００９０】
次に、研磨を行った基体は再び成膜炉に戻され、第2の層の積層をおこなう。
【００９１】
第2の層に上部阻止層や、必要により中間層、表面層を積層する時も基本的に第１の層の積層に準じる。
【００９２】
《本発明に係わる水洗浄装置》
本発明に用いられる水洗浄装置の一例を図７に示す。
【００９３】
図７に示す処理装置は、処理部(702)と被処理部材搬送機構(703)よりなっている。処理部(702)は、被処理部材投入台(711)、被処理部材洗浄槽(721)、純水接触槽(731)、乾燥槽(741)、被処理部材搬出台(751)よりなっている。洗浄槽(721)、純水接触槽(731)とも液の温度を一定に保つための温度調節装置(図示せず)が付いている。搬送機構(703)は、搬送レール(765)と搬送アーム(761)よりなり、搬送アーム(761)は、レール(765)上を移動する移動機構(762)、基体(701)を保持するチャッキング機構(763)及びチャッキング機構(763)を上下させるためのエアーシリンダー(764)よりなっている。投入台(711)上に置かれた基体(701)は、搬送機構(703)により洗浄槽(721)に搬送される。洗浄槽(721)中の界面活性剤水溶液によりなる洗浄液(722)中で超音波処理されることにより表面に付着している油及び粉体の洗浄が行なわれる。次に基体(701)は、搬送機構(703)により純水接触槽(731)へ運ばれ、25℃の温度に保たれた抵抗率 175kΩ・m(17.5MΩ・cm)の純水をノズル(732)から 4.9MPaの圧力で吹き付けられる。純水接触工程の終わった基体(701)は搬送機構(703)により乾燥槽(741)へ移動され、ノズル(742)から高温の高圧空気を吹き付けられ乾燥される。乾燥工程の終了した基体(701)は、搬送機構(703)により搬出台(751)に運ばれる。
【００９４】
（実施例及び比較例）
以下、本発明を実施例及び比較例に基づき詳細に説明する。
【００９５】
下記の実施例は、本発明の最良な実施形態の一例であるものの、本発明はこれら実施例により限定されるものではない。
【実施例１】
【００９６】
図８に示すRFプラズマCVD方式のa-Si感光体成膜装置を用いて、φ84mmのAl製基体に表１に示した条件で、少なくとも非単結晶材料からなる下部阻止層と、少なくとも非単結晶材料からなる光導電層と、ダイナミック硬度が600kgf/mm2で、少なくとも炭素、珪素を含む非単結晶材料からなる炭化珪素層を積層した電子写真感光体を作製した。
【００９７】
得られた前期感光体を、図１に示す電子写真感光体表面研磨装置に設置し、研磨加工を行った。その際、図１に示す電子写真感光体表面研磨装置に装着される押圧部材は、材質がネオプレンゴムで、図５(b)に示されるように表面がスパイラル形状となっているものを用いた。また、研磨加工の際の諸条件は、富士写真フィルム社製ラッピングテープLT-C2000 （砥粒：炭化珪素（SiC）、粒径：6μm、塗布方法：ドクターブレード（ナイフエッジ）コート法）を研磨テープに用い、押圧部材の押し当て圧を400kPa、感光体の線速度を20cm/sec、研磨テープの送り速度を10cm/minにそれぞれ設定し、2分間行った。
【００９８】
以上の手順で得られた感光体を、研磨傷と研磨ムラについて下記の手法により評価した。その結果を表２に示す。
【００９９】
《研磨傷》
直径30μm程度の突起を、図６に示される水準線(620)まで研磨し、光学顕微鏡を用いて研磨加工後の電子写真感光体の表面を観察し、正常部における研磨傷の有無を確認した。尚、表中の判定記号として、Aは正常部に研磨傷がないこと、Bは実用上問題のない軽微な研磨傷が感光体全面において5本以下発生したこと、Cは実用上問題のない軽微な研磨傷が感光体全面において5本以上発生したこと、を示している。
【０１００】
《研磨ムラ》
まず、感光体長手方向の中心部と、両端部から20mm位置の計３ヶ所において直径30μm程度の突起をピックアップし、２分間、それぞれの条件で研磨加工した。そして、光学顕微鏡を用いて研磨加工後の感光体長手方向の中心部と、両端部から20mm位置の計３ヶ所の突起を観察し、図６に示される水準線(620)から突起頭頂部の高さを測定した。前記高さの測定は、前記水準線(620)を基準とし、水準線(620)まで研磨されていれば０とした。測定された突起頭頂部の高さの最大値と最小値の差をΔHとし、ΔHの値を比較することで研磨ムラの評価とした。
【０１０１】
得られた結果は以下の基準でランク付けを行った。
【０１０２】
A・・・ΔH ＜ 0.5μm
B・・・0.5μm ≦ ΔH ≦ 1μm
【実施例２】
【０１０３】
実施例１の手順において、押圧部材の材質がアルミのローラを用いて行ったことのみを変更した電子写真感光体を作製した。
【０１０４】
また、押圧部材は、実施例１と同様に図５(b)に示されるように表面がスパイラル形状となっているものを用いた。
【０１０５】
以上の手順で得られた感光体を、研磨傷と研磨ムラについて実施例1と同様に評価した。その結果を表２に示す。
【実施例３】
【０１０６】
実施例２の手順において、研磨加工を図３(a)に示す、押圧部材(330)の内部に研磨テープを加熱するためのハロゲンランプ(338)を備えた、電子写真感光体表面研磨装置を用いて行ったことのみを変更した電子写真感光体を作製した。
【０１０７】
また、押圧部材は、図５(c)に示されるように表面がスパイラル形状となっているものを用いた。
【０１０８】
以上の手順で得られた感光体を、研磨傷と研磨ムラについて実施例1と同様に評価した。その結果を表２に示す。
【実施例４】
【０１０９】
実施例1の手順において、研磨加工を図３(b)に示す、感光体(300)と研磨テープ(331)との当接部の上流に、研磨テープを加熱するためのハロゲンランプ(338)を備えた、電子写真感光体表面研磨装置を用いて行ったことのみを変更した電子写真感光体を作製した。
【０１１０】
また、押圧部材は、図５(d)に示されるように表面がスパイラル形状となっているものを用いた。
【０１１１】
以上の手順で得られた感光体を、研磨傷と研磨ムラについて実施例1と同様に評価した。その結果を表２に示す。
【実施例５】
【０１１２】
実施例３の手順において、研磨加工を図４に示す、弾性支持機構(420)にレシプロ機構(450)を設けた、電子写真感光体表面研磨装置を用いて行ったことのみを変更した電子写真感光体を作製した。
【０１１３】
また、押圧部材は、実施例１と同様に図５(e)に示されるように表面がスパイラル形状となっているものを用いた。
【０１１４】
以上の手順で得られた感光体を、研磨傷と研磨ムラについて実施例1と同様に評価した。その結果を表２に示す。
【０１１５】
（比較例１）
実施例1の手順において、研磨加工を図１１に示される従来の押圧部材を備えた、図１に示す電子写真感光体表面研磨装置に設置し、研磨加工を行ったことのみを変更した電子写真感光体を作製した。
【０１１６】
以上の手順で得られた感光体を、研磨傷と研磨ムラについて実施例1と同様に評価した。その結果を表２に示す。
【０１１７】
【表１】
2008216306.tif 000003
【０１１８】
【表２】
2008216306.tif 000004
【０１１９】
表２から分かるように、本発明の研磨方法を用いた実施例１及び実施例２では、押圧部材の表面をスパイラル形状とすることで、ダイナミック硬度が比較的低い被研磨層であっても良好に研磨加工を行うことができた。
【０１２０】
また、本発明の研磨方法を用いた実施例３及び実施例４では、研磨テープを加熱することで研磨テープが軟化し、前記押圧部材表面のスパイラル形状に対する前記研磨テープの追従性が増し、より研磨傷の発生を抑える結果となった。
【０１２１】
また、本発明の研磨方法を用いた実施例５では、感光体を支持する弾性支持機構にレシプロ機構を設けることで、感光体が円周方向の回転すると同時に、感光体の回転方向とは直行する方向に交互運動をさせることができ、研磨ムラを抑制する効果が確認された。
【図面の簡単な説明】
【０１２２】
【図１】本発明に係わる電子写真感光体表面研磨装置の一例を示す模式的構成図
【図２】本発明に係わる電子写真感光体表面研磨装置の一例を示す模式的構成図
【図３】本発明に係わる電子写真感光体表面研磨装置の一例を示す模式的構成図
【図４】本発明に係わる電子写真感光体表面研磨装置の一例を示す模式的構成図
【図５】本発明に係わる電子写真感光体表面研磨装置に使用する押圧部材の一例を示す模式的構成図
【図６】突起を研磨する際の水準線を示す模式的断面図
【図７】本発明に用いた水洗浄装置の模式的断面図
【図８】本発明に係わるＲＦ−ＰＣＶＤによる電子写真感光体製造装置の一例を示す模式的構成図
【図９】本発明の電子写真感光体の一例を示す模式的断面図
【図１０】本発明に係わる、押圧部材表面のスパイラル形状に対する、研磨テープの追従性を表す模式的構成図
【図１１】従来の電子写真感光体表面研磨装置に使用する押圧部材の一例を示す模式的構成図
【符号の説明】
【０１２３】
100,200,300,400  基体（感光体）
120,220,320,420  弾性支持機構
130,230,330,430  押圧部材
131,231,331,431  研磨テープ
132,232,332,432  送り出しローラ
133,233,333,433  巻き取りローラ
134,234,334,434  定量引き取りローラ
135,235,335,435  キャプスタンローラ
236  テープガイドローラ
137,237,337,437  加圧機構
338,438  加熱体
140,240,340,440  移動ステージ
141,241,341,441  移動範囲
450  レシプロ機構
511,1111  押圧部材
512,1112  芯金
601  導電性基体
602  光導電層
603  炭化珪素層（上部阻止層、被研磨層）
604  第1の層
610  ダスト
611  異常成長部（突起）
612  異常成長部（突起）と正常積層部分の境界
620  水準線
701  導電性の表面を有する基体
702  処理部
703  被処理部材搬送機構
711  被処理部材投入台
721  被処理部材洗浄槽
722  洗浄液
731  純水接触槽
732,742  ノズル
741  乾燥槽
751  被処理部材搬出台
761  搬送アーム
762  移動機構
763  チャッキング機構
764  エアーシリンダー
765  搬送レール
8100  成膜装置
8110  反応炉
8111  カソード電極
8112  導電性基体
8113  加熱用ヒーター
8114  ガス導入管
8115  高周波マッチングボックス
8116  ガス配管
8117  リークバルブ
8118  メインバルブ
8119  真空計
8120  高周波電源
5121  絶縁材料
8200  ガス供給装置
8211〜8215  マスフローコントローラ
8221〜8225  ボンベ
8231〜8235  バルブ
8241〜8245  流入バルブ
8251〜8255  流出バルブ
8260  補助バルブ
8261〜8265  圧力調整器
901  導電性基体
902  第１の層
903  第2の層
905  下部阻止層
906  光導電層
907  中間層
908  上部阻止層
909  表面層
910  ダスト
911  異常成長部（突起）
912  異常成長部（突起）と正常積層部分の境界
913  炭化珪素層（上部阻止層、被研磨層）
1001  研磨テープ
1002  押圧部材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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