(57)【要約】【課題】  半導体装置のダイナミック特性を改善すること。【解決手段】  半導体装置１０は、IGBTが作り込まれている中心領域１０Ａとその中心領域１０Ａの周囲に設けられている終端領域１０Ｂに区画されている。半導体装置１０は、中心領域１０Ａから終端領域１０Ｂに亘って連続しているｎ−型のドリフト領域２６と、中心領域１０Ａのドリフト領域２６上に設けられているｐ型のボディ領域５２と、終端領域１０Ｂのドリフト領域２６上に設けられているｐ型のリサーフ層４２と、そのリサーフ層４２の下方の少なくとも一部に設けられているｎ型の半導体領域４４を備えている。半導体領域４４は、ドリフト領域２６よりも不純物を高濃度に含んでいる。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路素子が作り込まれている中心領域とその中心領域の周囲に設けられている終端領域に区画されている半導体装置であって、
中心領域から終端領域に亘って連続しており、第１導電型の不純物を含んでいる第１半導体領域と、
中心領域の第１半導体領域上に設けられており、第２導電型の不純物を含んでいる第２半導体領域と、
終端領域の第１半導体領域上に設けられており、第２導電型の不純物を含んでいる終端耐圧構造と、
その終端耐圧構造の下方の少なくとも一部に配置されており、第１半導体領域よりも第１導電型の不純物を高濃度に含んでいる第３半導体領域と、を備えている半導体装置。
【請求項２】
前記終端耐圧構造は、
一方の側面が前記第２半導体領域の側面に接しており、第２半導体領域よりも第２導電型の不純物を低濃度に含んでいるリサーフ層であることを特徴とする請求項１の半導体装置。
【請求項３】
前記第３半導体領域は、リサーフ層の下面に直接的に接していることを特徴とする請求項２の半導体装置。
【請求項４】
前記第３半導体領域は、前記リサーフ層の下面に平行な面内を延びていることを特徴とする請求項２又は３の半導体装置。
【請求項５】
前記第３半導体領域は、前記リサーフ層の下方の全範囲に対向していることを特徴とする請求項４の半導体装置。
【請求項６】
前記リサーフ層の不純物濃度は、中心領域側から反中心領域側に向けて減少していることを特徴とする請求項２〜５のいずれかの半導体装置。
【請求項７】
前記第２半導体領域によって前記第１半導体領域から隔てられており、第１導電型の不純物を含んでいる第４半導体領域と、
前記第４半導体領域に電気的に接続されている表面電極と、
前記第２半導体領域によって前記第１半導体領域及び前記第４半導体領域から隔てられており、第１導電型の不純物を含んでいるキャリア蓄積層と、をさらに備えており、
前記キャリア蓄積層と前記第３半導体領域は、同一面内に設けられていることを特徴とする請求項１〜６のいずれかの半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置は、回路素子が作り込まれている中心領域と、その中心領域の周囲に設けられている終端領域に区画されている。回路素子には、IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）、MOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）、ダイオードなどが用いられることが多い。終端領域は、中心領域の周囲を一巡しており、回路素子が非導通状態のときに中心領域から終端領域の周縁に向けて空乏層を伸展させるための終端耐圧構造を備えている。終端耐圧構造は、回路素子に加わる電圧を横方向で負担しており、半導体装置の耐圧を向上させるために必要とされている。終端耐圧構造には、リサーフ層、ガードリング等が広く用いられている。
この種の半導体装置は、特許文献１に記載されている。
【０００３】
【特許文献１】特開平３−９４４６９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
以下、周辺耐圧構造にリサーフ層が用いられている場合を例に説明する。本明細書で開示される技術は、周辺耐圧構造にリサーフ層以外の種類の周辺耐圧構造が設けられている半導体装置にも適用することができる。以下の説明は、本明細書で開示される技術が、リサーフ層のみに適用されることを意図するものではない。
【０００５】
この種の半導体装置では、半導体装置がオンからオフに切換わるまでの過渡期間（以下、ターンオフする過渡期間という）の特性を改善する技術が望まれている。このターンオフする過渡期間の特性（ダイナミック特性という）は、キャリアの挙動に支配されている。
半導体装置がオフしているときは、空乏層がリサーフ層の周縁を越えて終端領域の広い範囲に広がっている。この種の半導体装置では、リサーフ層の周縁のコーナー部で電界が集中し易い。このため、半導体装置がターンオフする過渡期間において、高いサージ電圧が半導体装置に加わると、リサーフ層のコーナー部の電界が強くなる。このため、半導体装置がターンオフする過渡期間では、リサーフ層のコーナー部でアバランシェ現象が発生し、リサーフ層のコーナー部で多量のキャリアが発生する。これにより、終端領域のチャージバランスが大きく崩れ、空乏層が中心領域側に向けて収縮する。この結果、半導体装置がターンオフする過渡期間では、半導体装置の耐圧が急激に変動する。
【０００６】
この様子を図５に示す。半導体装置に加わる印加電圧が大きくなると、図中１Ａにおいて、リサーフ層のコーナー部でアバランシェ現象が発生する。アバランシェ現象が発生すると、アバランシェ電流が増加し、終端領域のチャージバランスが大きく崩れ、空乏層が中心領域側に向けて収縮する。図中１Ｂに示すように、空乏層が急激に収縮することによって、半導体装置の耐圧が急激に低下する（図中１Ｃ）。
なお、場合によっては、アバランシェ現象が発生してチャージバランスが崩れると、半導体装置の耐圧が急激に増加することもあり得る。いずれの場合も、ターンオフする過渡期間において、半導体装置の耐圧が変動することによって半導体装置のダイナミック特性が不安定になってしまう。
【０００７】
半導体装置の耐圧を向上させるためには、ドリフト領域の不純物濃度を薄く調整するのが望ましい。しかし、ドリフト領域の不純物濃度を薄く調整すると、前記したように、アバランシェ現象が発生したときのチャージバランスの崩れが大きく、半導体装置がターンオフする過渡期間の耐圧変動が大きくなってしまう。このため、半導体装置のダイナミック特性が不安定になってしまう。
本発明は、安定したダイナミック特性を備えた半導体装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本明細書で開示される技術は、周辺耐圧構造の下方に周辺耐圧構造とは反対導電型の半導体領域が設けられていることを特徴とする。この半導体領域は、不純物濃度が濃く調整されていることを特徴としている。このため、周辺領域でアバランシェ現象が発生したとしても、チャージバランスの崩れが相対的に小さく抑えられる。このため、空乏層の急激な変動が抑えられ、半導体装置の耐圧変動が小さくなる。この結果、半導体装置は、安定したダイナミック特性を得ることができる。
【０００９】
即ち、本明細書で開示される半導体装置は、回路素子が作り込まれている中心領域と、その中心領域の周囲に設けられている終端領域に区画されている。半導体装置は、中心領域から終端領域に亘って連続しており、第１導電型の不純物を含んでいる第１半導体領域を備えている。半導体装置はさらに、中心領域の第１半導体領域上に設けられており、第２導電型の不純物を含んでいる第２半導体領域を備えている。半導体装置はさらに、終端領域の第１半導体領域上に設けられており、第２導電型の不純物を含んでいる周辺耐圧構造を備えている。半導体装置はさらに、その終端耐圧構造の下方の少なくとも一部に配置されており、第１導電型の不純物を第１半導体領域よりも高濃度に含んでいる第３半導体領域を備えている。
上記の形態の半導体装置は、周辺耐圧構造の下方に第３半導体領域が設けられている。第３半導体領域は、第１半導体領域よりも不純物濃度が濃く調整されている。このため、周辺領域でアバランシェ現象が発生したとしても、第１半導体領域と周辺耐圧構造の間のチャージバランスの崩れが、第３半導体領域が存在することによって相対的に小さく抑えられる。このため、空乏層の急激な変動が抑えられ、半導体装置の耐圧変動が小さくなる。この結果、半導体装置は、安定したダイナミック特性を得ることができる。
【００１０】
本明細書で開示される半導体装置では、終端耐圧構造が、一方の側面が前記第２半導体領域の側面に接しており、第２導電型の不純物を第２半導体領域よりも低濃度に含んでいるリサーフ層であってもよい。
【００１１】
本明細書で開示される半導体装置では、第３半導体領域が、リサーフ層の下面に直接的に接していることが好ましい。
上記の形態の半導体装置によると、ターンオフする過渡期間において、耐圧変動を抑制するとともに耐圧も向上することが本発明者らの検討によって確認されている。
【００１２】
本明細書で開示される半導体装置では、第３半導体領域が、リサーフ層の下面に平行な面内を延びていることが好ましい。
この形態によると、第３半導体領域は、リサーフ層の下方を横方向に沿って設けられているので、第１半導体領域とリサーフ層の間のチャージバランスの崩れを良好に抑えることができる。
【００１３】
本明細書で開示される半導体装置では、第３半導体領域が、リサーフ層の下方の全範囲に対向していることが好ましい。
この形態によると、第３半導体領域は、リサーフ層の下方の全体に亘って横方向に沿って設けられているので、リサーフ層の全体に亘って第１半導体領域とリサーフ層の間のチャージバランスの崩れを良好に抑えることができる。
【００１４】
本明細書で開示される半導体装置では、リサーフ層の不純物濃度が、中心領域側から反中心領域側に向けて減少していることが好ましい。リサーフ層の不純物濃度は、連続的に減少していてもよく、多段的に減少していてもよい。
この形態によると、リサーフ層のコーナー部での電界集中が緩和される。このため、高耐圧な半導体装置を得ることができる。
【００１５】
本明細書で開示される半導体装置はさらに、第４半導体領域と表面電極とキャリア蓄積層を備えていてもよい。第４半導体領域は、第２半導体領域によって前記第１半導体領域から隔てられており、第１導電型の不純物を含んでいる。表面電極は、第４半導体領域に電気的に接続されている。キャリア蓄積層は、第２半導体領域によって第１半導体領域及び第４半導体領域から隔てられており、第１導電型の不純物を含んでいる。この場合、キャリア蓄積層と第３半導体領域は、同一面内に設けられていることが好ましい。
キャリア蓄積層は、中心領域において、第２半導体領域内にキャリアを蓄積することによってオン電圧を低減するために設けられている。上記の形態の半導体装置では、このキャリア蓄積層と第３半導体領域が同一面内に設けられている。即ち、キャリア蓄積層と第３半導体領域が同一の製造工程を利用して作製されている。上記の半導体装置は、製造工程数の増加を抑えながら、キャリア蓄積層と第３半導体領域を同時に作製することに適した形態を有している。
【発明の効果】
【００１６】
本明細書で開示される半導体装置によると、ターンオフする過渡期間の耐圧変動が抑えられ、安定したダイナミック特性を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
本発明の好ましい特徴を列記する。
（第１特徴）  回路素子には、IGBT、MISFET、MOSFET、ダイオード、SIT、UMOSFET等を用いるのが好ましい。
（第２特徴）  周辺耐圧構造の下方に設けられている半導体領域は、周辺耐圧構造の周縁よりも側方に突出していないことが望ましい。半導体領域が周辺耐圧構造よりも側方に突出していると、場合によっては半導体装置の耐圧が悪化する。半導体領域が周辺耐圧構造の周縁よりも突出していなければ、このことを理由として耐圧が悪化することがない。
【実施例】
【００１８】
以下、図面を参照して実施例を説明する。以下の実施例では、半導体材料にシリコンが用いられた例を説明するが、その例に代えて、炭化シリコン、ガリウムヒ素、窒化ガリウム等の半導体材料を用いてもよい。
【００１９】
（第１実施例）
図１に、半導体装置１０の要部縦断面図を模式的に示す。半導体装置１０は、縦型のn型IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor：回路素子の一例）が作り込まれている中心領域１０Ａと、その中心領域１０Ａの周囲に設けられている終端領域１０Ｂに区画されている。中心領域１０Ａは、半導体基板２１の中心側に配置されている。終端領域１０Ｂは、中心領域１０Ａの周囲を一巡して配置されている。中心領域１０Ａに作り込まれている縦型のn型IGBTは、電流のオン・オフを経時的に切替えるための構造である。終端領域１０Ｂは、縦型のn型IGBTに加わる電圧を横方向で負担している。図１は、中心領域１０Ａと終端領域１０Ｂの境界部分を示している。
【００２０】
半導体装置１０は、半導体基板２１の裏面に形成されているコレクタ電極２２を備えている。コレクタ電極２２には、アルミニウムが用いられている。半導体装置１０はさらに、ｐ＋型のコレクタ領域２３と、ｎ＋型のバッファ領域２４と、ｎ−型のドリフト領域２６（第１半導体領域の一例）を備えている。コレクタ領域２３、バッファ領域２４及びドリフト領域２６は、半導体基板２１内に形成されている。コレクタ領域２３、バッファ領域２４及びドリフト領域２６は、中心領域１０Ａから終端領域１０Ｂに亘って連続して形成されている。コレクタ領域２３の不純物には、ボロンが用いられている。バッファ領域２４とドリフト領域２６の不純物には、リンが用いられている。
【００２１】
終端領域１０Ｂは、ｐ型のリサーフ層４２と、ｎ＋型のチャネルストッパ領域３２を備えている。
リサーフ層４２は、終端領域１０Ｂのドリフト領域２６上の一部に形成されている。リサーフ層４２の一方の側面は、ボディ領域５２の側面に接している。リサーフ層４２の他方の側面は、チャネルストッパ領域３２から離反している。リサーフ層４２とチャネルストッパ領域３２は、ドリフト領域２６によって隔てられている。リサーフ層４２は、平面視したときに、終端領域１０Ｂに沿って中心領域１０Ａの周囲を一巡して設けられている。リサーフ層４２の不純物濃度は、ボディ領域２７の不純物濃度よりも薄い。リサーフ層４２は、中心領域１０Ａのn型IGBTがオフしたときに、中心領域１０Ａから終端領域１０Ｂの周縁に向けて空乏層を伸展させる。リサーフ層４２の不純物には、ボロンが用いられている。
【００２２】
チャネルストッパ領域３２は、終端領域１０Ｂの周縁のドリフト領域２６上に設けられている。チャネルストッパ領域３２は、平面視したときに、終端領域１０Ｂの周縁に沿って中心領域１０Ａの周囲を一巡している。チャネルストッパ領域３２は、チャネルストッパ電極３４に電気的に接続されている。チャネルストッパ電極３４は、コレクタ電極２２と同電位に固定されている。チャネルストッパ領域３２は、終端領域１０Ｂのドリフト領域２６の電位を安定させている。チャネルストッパ領域３２の不純物には、リンが用いられている。
【００２３】
中心領域１０Ａは、ｐ型のボディ領域５２（第２半導体領域の一例）と、ｐ＋型のボディコンタクト領域５３と、ｎ＋型のエミッタ領域５４（第４半導体領域の一例）と、酸化シリコンのゲート絶縁膜５５と、ポリシリコンのトレンチゲート電極５６と、アルミニウムのエミッタ電極５７を備えている。
ボディ領域５２は、中心領域１０Ａのドリフト領域２６上に設けられており、中心領域１０Ａの全範囲に亘って設けられている。ボディコンタクト領域５３は、ボディ領域５２よりも不純物濃度が濃く調整されており、エミッタ電極５７に電気的に接続されている。エミッタ領域５４は、ボディ領域５２によってドリフト領域２６から隔てられており、エミッタ電極５７に電気的に接続されている。トレンチゲート電極５６は、半導体基板２１の表面から深部に向けて伸びており、ドリフト領域２６とエミッタ領域５４を隔てているボディ領域５２にゲート絶縁膜５５を介して対向している。ボディ領域５２とボディコンタクト領域５３の不純物には、ボロンが用いられている。エミッタ領域５４の不純物には、リンが用いられている。
【００２４】
半導体装置１０はさらに、終端領域１０Ｂの半導体基板２１上に形成されている酸化シリコンのフィールド酸化膜３８と、半導体基板２１の表面を覆っている保護膜３６を備えている。フィールド酸化膜３８の厚みは約1μm以上である。フィールド酸化膜３８の表面の一部には、ソース電極５７の一部が張り出しており、フィールドプレート電極を構成している。保護膜３６の材料には、プラズマ絶縁膜が用いられている。保護膜３６は、半導体装置１０を機械的応力、不純物の侵入、湿気などから保護するために設けられている。
【００２５】
半導体装置１０はさらに、中心領域１０Ａのボディ領域５２内に設けられているｎ型のキャリア蓄積層５８と、終端領域１０Ｂのリサーフ層４２の下方に設けられているｎ型の半導体領域４４（第３半導体領域の一例）を備えている。
キャリア蓄積層５８は、ボディ領域５２によってドリフト領域２６及びソース領域５４から隔てられている。キャリア蓄積層５２は、ボディ領域５２の所定深さに位置する面内を延びている。キャリア蓄積層５８は、中心領域１０Ａの全体に亘って設けられている。キャリア蓄積層５８は、ボディ領域５２内において正孔に対するエネルギー障壁を形成し、ボディ領域５２内の正孔濃度を上昇させ、半導体装置１０のオン電圧を低減することができる。なお、キャリア蓄積層５８に係る技術は、例えば、本出願人が出願した国際公開番号ＷＯ２００５／１０９５２１に詳しく記載されている。
半導体領域４４は、リサーフ層４２の下方に位置している面内を延びている。半導体領域４４は、リサーフ層４２の下面に直接的に接している。半導体領域４４は、リサーフ層４２の下方の全範囲に対向しており、一方の側面でキャリア蓄積層５８に接している。半導体領域４４は、リサーフ層４２の周縁のコーナー部４２ａよりも側方に突出していない。半導体領域４４の不純物濃度は、ドリフト領域２６の不純物濃度よりも濃く調整されている。半導体領域４４の不純物濃度は、ドリフト領域２６の不純物濃度よりも１桁〜２桁程度濃く調整されているのが好ましい。
キャリア蓄積層５８と半導体層４４は、同一面内に設けられている。したがって、キャリア蓄積層５８と半導体層４４は、同一の製造工程を利用して同時に作製することができる。なお、キャリア蓄積層５８と半導体層４４を作製するときに、マスクの開口率を変えることによって、キャリア蓄積層５８の不純物濃度と半導体層４４の不純物濃度を異なるようにしてもよい。
【００２６】
次に、半導体装置１０の特徴を説明する。
半導体装置１０がオフしているときは、空乏層がリサーフ層４２の周縁を越えてドリフト領域２６内の広い範囲に広がっている。半導体装置１０では、リサーフ層４２の周縁のコーナー部４２ａで電界が集中し易い。このため、半導体装置１０がターンオフする過渡期間において、高いサージ電圧が半導体装置１０に加わると、リサーフ層４２のコーナー部４２ａの電界が強くなる。このため、半導体装置１０がターンオフする過渡期間では、リサーフ層４２のコーナー部４２ａでアバランシェ現象が発生し、リサーフ層４２のコーナー部４２ａでキャリアが多量に発生する。このとき、リサーフ層４２の下方にドリフト領域２６よりも不純物濃度が濃い半導体領域４４が設けられていると、リサーフ層４２のコーナー部４２ａでアバランシェ現象が発生したとしても、ドリフト領域２６とリサーフ層４２の間のチャージバランスの崩れが、半導体領域４４が存在することによって相対的に小さく抑えられる。このため、空乏層の急激な収縮が抑えられ、半導体装置１０の耐圧変動が小さく抑えられる。この結果、半導体装置１０は、安定したダイナミック特性を得ることができる。
【００２７】
（第２実施例）
図２に、第２実施例の半導体装置１００の要部縦断面図を模式的に示す。なお、図１の半導体装置１０と実質的に同一の作用効果を示す構成要素に関しては、同一符号を付し、その説明を省略する。
半導体装置１００は、リサーフ層１４２が、３つのリサーフ領域１４２ａ、１４２ｂ、１４２ｃを備えていることを特徴としている。第１リサーフ領域１４２ａ、第２リサーフ領域１４２ｂ、第３リサーフ領域１４２ｃは、半導体基板２１の水平方向に沿って配置されている。第１リサーフ領域１４２ａは中心領域１０Ａ側に配置されており、第３リサーフ領域１４２ｃは反中心領域側に配置されており、第２リサーフ領域１４２ｂは第１リサーフ領域１４２ａと第３リサーフ領域１４２ｃの間に配置されている。各リサーフ領域１４２ａ、１４２ｂ、１４２ｃは、平面視したときに、終端領域１０Ｂに沿って中心領域１０Ａの周囲を一巡して形成されている。
【００２８】
リサーフ層１４２の不純物濃度は、中心領域１０Ａから反中心領域１０Ａ側に向けて、即ち中心領域１０Ａから遠ざかるにつれて減少している。第１リサーフ領域１４２ａの不純物濃度が最も濃く、第３リサーフ領域１４２ｃの不純物濃度が最も薄い。第１リサーフ領域１４２ａは、そのドーズ量が２．５×１０１２ｃｍ−２であり、拡散深さが４．５μｍである。第２リサーフ領域１４２ｂは、そのドーズ量が１．５×１０１２ｃｍ−２であり、拡散深さが４．２μｍである。第３リサーフ層１４２ｃは、そのドーズ量が１．０×１０１２ｃｍ−２であり、拡散深さが４．０μｍである。
【００２９】
図３に、半導体装置１００に印加される電圧と、ボディコンタクト領域５３とチャネルストッパ領域３２の間を流れるアバランシェ電流の関係を示す。なお、図３は、以下の条件のときの結果である。ドリフト領域２６の不純物濃度は、５．８×１０１３ｃｍ−３である。半導体領域４４は、その不純物濃度が５×１０１５ｃｍ−３であり、その位置は半導体基板２１の表面から４、６、８μｍの深さを中心に幅が１μｍである。半導体領域４４の位置が半導体基板２１の表面から４μｍの場合が、図２に示す形態である。半導体領域４４の位置が半導体基板２１の表面から６、８μｍの場合は、半導体領域４４がリサーフ層１４２から離反している場合であり、変形例である。なお、比較例は、半導体領域４４が設けられていない場合である。
図３に示すように、半導体領域４４が設けられていると、アバランシェ現象が発生した後の耐圧変動の幅が小さくなっていることが分かる。また、半導体領域４４の位置が半導体基板２１の表面から４μｍの場合、即ち、半導体領域４４とリサーフ層１４２が直接的に接している場合は、半導体領域４４とリサーフ層１４２が離反している場合に比して、ターンオン過渡期間の耐圧が向上している。これらの結果から、半導体装置１００は、安定したダイナミック特性を得ていることが確認された。
【００３０】
（第３実施例）
図３に、第３実施例の半導体装置２００の要部断面図を模式的に示す。なお、図１の半導体装置１０の実質的に同一の作用効果を示す構成要素に関しては、同一符号を付し、その説明を省略する。
半導体装置２００は、周辺耐圧構造が複数のｐ型のガードリング２４２の場合である。ガードリング２４２の不純物にはボロンが用いられている。
ガードリング２４２は、終端領域１０Ｂのドリフト領域２６の表面に分散して設けられている。ガードリング２４２は、半導体基板２１の表面から深部に向けて伸びている。複数のガードリング２４２は、所定の間隔を隔てて、中心領域１０Ａ側から終端領域１０Ｂの周縁側の方向に向けて並んでいる。ガードリング２４２は、平面視したときに、終端領域１０Ｂに沿って中心領域１０Ａの周囲を一巡して形成されている。ガードリング２４２は、ガードリング電極２４６に電気的に接続されている。ガードリング電極２４６は、フローティング状態である。ガードリング２４２は、中心領域１０Ａのn型MOSFETがオフしたときに、中心領域１０Ａから終端領域１０Ｂの周縁に向けて空乏層を伸展させる。
また、半導体領域４４は、最外周のガードリング２４２のコーナー部よりも側方に突出していない。
【００３１】
この場合も同様に、半導体装置２００がターンオフする過渡期間において、高いサージ電圧が半導体装置２００に加わると、ガードリング２４２のコーナー部（典型的には最外周のガードリング２４２のコーナー部であるが、それ以外のガードリング２４２のコーナー部の場合もある）の電界が強くなる。このため、半導体装置２００がターンオフする過渡期間では、ガードリング２４２のコーナー部でアバランシェ現象が発生し、ガードリング２４２のコーナー部でキャリアが多量に発生する。このとき、ガードリング２４２の下方にドリフト領域２６よりも不純物濃度が濃い半導体領域４４が設けられていると、ガードリング２４２のコーナー部でアバランシェ現象が発生したとしても、ドリフト領域２６とガードリング２４２の間のチャージバランスの崩れが、半導体領域４４が存在することによって相対的に小さく抑えられる。このため、空乏層の急激な変動（収縮又は増加）が抑えられ、半導体装置２００の耐圧変動が小さく抑えられる。この結果、半導体装置２００は、安定したダイナミック特性を得ることができる。
【００３２】
以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。
また、本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成し得るものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】第１実施例の半導体装置の要部断面図を模式的に示す。
【図２】第２実施例の半導体装置の要部断面図を模式的に示す。
【図３】第１実施例の半導体装置の印加電圧とアバランシェ電流の関係を示す。
【図４】第３実施例の半導体装置の要部断面図を模式的に示す。
【図５】従来の半導体装置の印加電圧とアバランシェ電流の関係を示す。
【符号の説明】
【００３４】
１０Ａ：中心領域
１０Ｂ：終端領域
２１：半導体基板
２２：コレクタ電極
２３：コレクタ領域
２４：バッファ領域
２６：ドリフト領域
３２：チャネルストッパ領域
３４：チャネルストッパ電極
４２、１４２、２４２：リサーフ層
４４：半導体領域
５８：キャリア蓄積層
【図１】
2008227238.tif 000003
【図２】
2008227238.tif 000004
【図３】
2008227238.tif 000005
【図４】
2008227238.tif 000006
【図５】
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