(57)【要約】【課題】本発明は、コストを増加させることなく、複数の製品用半導体基板に形成される膜の厚さばらつき及び膜質ばらつきを低減することのできる膜形成方法を提供することを課題とする。【解決手段】複数のダミー用半導体基板２５を多段に支持する第１の基板収容部３２、及び複数の製品用半導体基板２６を多段に支持する第２の基板収容部３３を有する半導体基板支持体１３と、炉本体１１の外壁と接触するように配置された反応ガス供給管２３と、を備えた縦型反応炉１０の炉本体１１に反応ガスを供給して、複数の製品用半導体基板２６に膜を形成する膜形成方法であって、炉本体１１を加熱した状態で、第１の基板収容部３２と対向する部分の炉本体１１の外壁１１−２Ａ、及び／又は第１の基板収容部３２よりも下方に位置する部分の炉本体１１の外壁１１−１Ａに巻回された反応ガス供給管２３により反応ガスを炉本体１１に供給する。【選択図】図４
2008227096.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のダミー用半導体基板を多段に支持する第１の基板収容部と、前記第１の基板収容部上に設けられ、複数の製品用半導体基板を多段に支持する第２の基板収容部とを備えた半導体基板支持体と、
前記半導体基板支持体を収容する炉本体と、
前記炉本体を加熱する加熱手段と、
前記炉本体の上部と反応ガスを供給する反応ガス供給装置とを接続すると共に、前記炉本体の外壁と接触するように配置された反応ガス供給管と、を備えた縦型反応炉の前記炉本体に前記反応ガスを供給して、前記複数の製品用半導体基板に膜を形成する膜形成方法であって、
前記反応ガス供給管は、前記第１の基板収容部と対向する部分の前記炉本体の外壁、及び／又は前記第１の基板収容部よりも下方に位置する部分の前記炉本体の外壁に巻回されており、
前記加熱手段により前記炉本体を加熱した状態で、前記反応ガス供給管により前記反応ガスを前記炉本体に供給することを特徴とする膜形成方法。
【請求項２】
前記炉本体に供給される前記反応ガスの温度を前記炉本体内の雰囲気の温度と略等しくしたことを特徴とする請求項１記載の膜形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、膜形成方法に係り、特に、加熱された炉本体に反応ガスを供給することで、炉本体に収容された複数の製品用半導体基板に膜を形成する膜形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
図１は、従来の縦型反応炉の概略構成を示す断面図であり、図２は、図１に示す反応ガス供給管が設けられた炉本体の平面図である。図１において、Ｙ，Ｙ方向は鉛直方向を示しており、Ｘ，Ｘ方向はＹ，Ｙ方向と直交する面方向を示している。
【０００３】
図１を参照するに、従来の縦型反応炉１００は、炉本体１０１と、断熱部材１０２と、半導体基板支持体１０３と、均熱管１０４と、加熱手段１０６と、筐体１０７と、排気装置１０８と、排気管１１１と、反応ガス供給装置１１２と、反応ガス供給管１１３とを有する。ここでは、反応ガスとして酸素を用いて、半導体基板支持体１０３に支持された複数の製品用半導体基板１１６に熱酸化膜を形成する場合を例に挙げて以下の説明をする。
【０００４】
炉本体１０１は、筐体１０７の底部上に設けられている。炉本体１０１は、反応室Ｊと、反応ガス導入部１１８と、ガス排出部１１９とを有する。反応室Ｊは、断熱部材１０２及び半導体基板支持体１０３を収容すると共に、反応ガスを導入するための空間である。反応室Ｊは、加熱手段１０６により、炉本体１０１を介して加熱される製品用半導体基板１１６と、反応ガスとを反応させることにより、複数の製品用半導体基板１１６に熱酸化膜を形成するための空間である。なお、ここでの製品用半導体基板１１６とは、拡散層、絶縁膜、ビア、及び配線等から構成される半導体集積回路が形成される半導体基板のことである。
【０００５】
反応ガス導入部１１８は、炉本体１０１の上端部に形成されている。反応ガス導入部１１８は、反応ガス供給管１１３と接続されている。反応ガス導入部１１８は、反応ガス供給管１１３から供給される反応ガスを反応室Ｊに導入するためのものである。ガス排出部１１９は、炉本体１０１の下部に形成されている。ガス排出部１１９は、排気管１１１と接続されている。ガス排出部１１９は、反応室Ｊ内のガスを排気管１１１に排出するためのものである。
【０００６】
断熱部材１０２は、炉本体１０１の底部上に設けられている。断熱部材１０２は、半導体基板支持体１０３を載置すると共に、加熱された半導体基板支持体１０３の熱が外部に逃げることを防止するためのものである。
【０００７】
半導体基板支持体１０３は、断熱部材１０２上に載置されている。半導体基板支持体１０３は、複数のダミー用半導体基板１１５を多段に支持する第１の基板収容部１２２と、第１の基板収容部１２２上に一体的に構成され、複数の製品用半導体基板１１６を多段に支持する第２の基板収容部１２３とを有する。半導体基板支持体１０３としては、例えば、ウエハボートを用いることができる。また、ダミー用半導体基板１１５は、反応室Ｊの雰囲気（例えば、炉本体１０１の上部から下部に移動する反応ガスの移動状態や、炉本体１０１の鉛直方向の温度分布）を反応室Ｊ内において略等しくするためのものである。
【０００８】
均熱管１０４は、反応ガス供給管１１３が配設された炉本体１０１を囲むように、炉本体１０１及び反応ガス供給管１１３から離間した位置に配置されている。均熱管１０４は、加熱手段１０６により加熱される炉本体１０１全体を略均一な温度（複数の製品用半導体基板１１６に熱酸化膜形成するときの温度）にするためのものである。
【０００９】
加熱手段１０６は、均熱管１０４の外壁を囲むように配置されている。加熱手段１０６は、炉本体１０１を加熱するためのものである。複数の製品用半導体基板１１６に熱酸化膜形成する場合、加熱手段１０６は、例えば、８００℃〜１２００℃の温度となるように炉本体１０１を加熱する。
【００１０】
筐体１０７は、排気管１１１を筐体１０７の外部に引き出すための貫通部１２５と、反応ガス供給管１１３を筐体１０７の外部に引き出すための貫通部１２６とを有する。筐体１０７は、炉本体１０１、均熱管１０４、加熱手段１０６、排気管１１１の一部、及び反応ガス供給管１１３の一部を収容するためのものである。
【００１１】
排気装置１０８は、筐体１０７の外部に設けられている。排気装置１０８は、排気管１１１と接続されている。排気装置１０８は、排気管１１１を介して、反応室Ｊに存在するガスを排気するためのものである。排気管１１１は、その一方の端部がガス排出部１１９と接続されており、他方の端部が排気装置１０８と接続されている。
【００１２】
反応ガス供給装置１１２は、筐体１０７の外部に設けられている。反応ガス供給装置１１２は、反応ガス供給管１１３と接続されている。反応ガス供給装置１１２は、反応ガス供給管１１３を介して、反応室Ｊに反応ガスである酸素を室温（例えば、２４℃）で供給するためのものである。
【００１３】
反応ガス供給管１１３は、その一方の端部が反応ガス導入部１１８と接続されており、他方の端部が反応ガス供給装置１１２と接続されている。図２を参照するに、反応ガス供給管１１３は、第１及び第２の基板収容部１２２，１２３と対向する部分の炉本体１０１の外壁１０１Ａと接触するように設けられている。反応ガス供給管１１３は、反応ガス供給装置１１２から供給された温度が室温（例えば、２４℃）とされた酸素を反応室Ｊに移送するためのものである。
【００１４】
上記構成とされた縦型反応炉１００は、所定の温度（例えば、８００℃〜１２００℃）に加熱された複数の製品用半導体基板１１６及びダミー用半導体基板１１５と、反応ガス供給装置１１２から室温（２４℃）で供給された酸素（反応ガス）とを反応室Ｊで反応させることにより、複数の製品用半導体基板１１６に熱酸化膜を形成する。
【００１５】
しかしながら、従来の縦型反応炉１００では、第１及び第２の基板収容部１２２，１２３と対向する部分の炉本体１０１の外壁１０１Ａと接触するように設けられた反応ガス供給管１１３を介して、反応ガス供給装置１１２から室温（２４℃）で供給された酸素（反応ガス）を高温（８００℃〜１２００℃）に加熱された炉本体１０１に供給していたため、第２の基板収容部１２３と対向する部分の炉本体１０１の外壁１０１Ａに設けられた反応ガス供給管１１３を流れる酸素（反応ガス）により、複数の製品用半導体基板１１６の温度が部分的に低下して、各製品用半導体基板１１６の面内における熱酸化膜の厚さばらつきや、製品用半導体基板１１６間における熱酸化膜の厚さばらつきが大きくなってしまうという問題があった。
【００１６】
また、各製品用半導体基板１１６の面内における膜質ばらつきや、製品用半導体基板１１６間における膜質ばらつきが大きくなってしまうという問題があった。
【００１７】
このような問題を解決可能な従来の縦型反応炉として、図３に示すような縦型反応炉１３０がある。
【００１８】
図３は、従来の他の縦型反応炉の概略構成を示す断面図である。図３において、図１に示す縦型反応炉１００と同一構成部分には同一符号を付す。
【００１９】
図３を参照するに、従来の他の縦型反応炉１３０は、図１に示す縦型反応炉１００の構成に反応ガス加熱手段１３１を設けた以外は、縦型反応炉１００と同様に構成される。反応ガス加熱手段１３１は、反応ガス供給装置１１２と貫通部１２６との間に位置する部分の反応ガス供給管１１３に接続されている。反応ガス加熱手段１３１は、反応ガス供給装置１１２から供給された酸素（反応ガス）を加熱することにより、酸素（反応ガス）の温度を反応室Ｊの雰囲気の温度と略等しくするためのものである。反応ガス加熱手段１３１により加熱された酸素（反応ガス）は、反応ガス供給管１１３を介して、反応室Ｊに供給される。
【００２０】
このように、反応ガス加熱手段１３１を設けて、反応ガス供給装置１１２から供給された酸素（反応ガス）を反応室Ｊ内の温度と略等しくなるように加熱し、その後、加熱した酸素（反応ガス）を反応室Ｊに供給することにより、複数の製品用半導体基板１１６に形成される熱酸化膜の厚さの面内ばらつきや膜質ばらつき等を低減することが可能となる（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開平７−１７６４９８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２１】
しかしながら、従来の縦型反応炉１３０では、反応ガスを加熱するために、反応ガス加熱手段１３１を別途設ける必要があるため、熱酸化膜を形成する際のコストが増加してしまうという問題があった。
【００２２】
そこで、本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、コストを増加させることなく、複数の製品用半導体基板に形成される膜の厚さばらつき及び膜質ばらつきを低減することのできる膜形成方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２３】
本発明の一観点によれば、複数のダミー用半導体基板（２５）を多段に支持する第１の基板収容部（３２）と、前記第１の基板収容部（３２）上に設けられ、複数の製品用半導体基板（２６）を多段に支持する第２の基板収容部（３３）とを備えた半導体基板支持体（１３）と、前記半導体基板支持体（１３）を収容する炉本体（１１）と、前記炉本体（１１）を加熱する加熱手段（１６）と、前記炉本体（１１）の上部と反応ガスを供給する反応ガス供給装置（２２）とを接続すると共に、前記炉本体（１１）の外壁と接触するように配置された反応ガス供給管（２３）と、を備えた縦型反応炉（１０）の前記炉本体（１１）に前記反応ガスを供給して、前記複数の製品用半導体基板（２６）に膜を形成する膜形成方法であって、前記反応ガス供給管（２３）は、前記第１の基板収容部（３２）と対向する部分の前記炉本体（１１）の外壁（１１−２Ａ）、及び／又は前記第１の基板収容部（３２）よりも下方に位置する部分の前記炉本体（１１）の外壁（１１−１Ａ）に巻回されており、前記加熱手段（１６）により前記炉本体（１１）を加熱した状態で、前記反応ガス供給管（２３）により前記反応ガスを前記炉本体（１１）に供給することを特徴とする膜形成方法が提供される。
【００２４】
本発明によれば、加熱手段（１６）により炉本体（１１）を加熱した状態で、複数のダミー用半導体基板（２５）を多段に支持する第１の基板収容部（３２）と対向する部分の炉本体（１１）の外壁（１１−２Ａ）、及び／又は第１の基板収容部（３２）よりも下方に位置する部分の炉本体（１１）の外壁（１１−１Ａ）に巻回された反応ガス供給管（２３）を介して、炉本体（１１）に反応ガスを供給することにより、反応ガス加熱手段（１３１）を設けることなく、第１の基板収容部（３２）と対向する部分の炉本体（１１）の外壁（１１−２Ａ）、及び／又は第１の基板収容部（３２）よりも下方に位置する部分の炉本体（１１）の外壁（１１−１Ａ）に巻回された部分の反応ガス供給管（２３）により、反応ガスを加熱することが可能となる。これにより、第２の基板収容部（３３）と対向する部分の炉本体（１１）の外壁（１１−３Ａ）に設けられた反応ガス供給管（２３）を流れる反応ガスにより、炉本体（１１）の外壁（１１−３Ａ）が冷却されることがなくなるため、コストを増加させることなく、複数の製品用半導体基板（２６）に形成される膜の厚さばらつき及び膜質ばらつきを低減することができる。
【００２５】
また、前記炉本体（１１）に供給される前記反応ガスの温度を前記炉本体（１１）内の雰囲気の温度と略等しくしてもよい。これにより、複数の製品用半導体基板（２６）に形成される膜の厚さばらつき及び膜質ばらつきをさらに低減することができる。
【００２６】
なお、上記参照符号は、あくまでも参考であり、これによって、本願発明が図示の態様に限定されるものではない。
【発明の効果】
【００２７】
本発明によれば、コストを増加させることなく、複数の製品用半導体基板に形成される膜の厚さばらつき及び膜質ばらつきを低減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
次に、図面に基づいて本発明の実施の形態を説明する。
【００２９】
（実施の形態）
図４は、本発明の実施の形態に係る縦型反応炉の概略構成を示す断面図である。図４において、Ｙ，Ｙ方向は鉛直方向を示しており、Ｘ，Ｘ方向はＹ，Ｙ方向と直交する面方向を示している。
【００３０】
図４を参照するに、本実施の形態の縦型反応炉１０は、炉本体１１と、断熱部材１２と、半導体基板支持体１３と、均熱管１４と、加熱手段１６と、筐体１７と、排気装置１８と、排気管２１と、反応ガス供給装置２２と、反応ガス供給管２３とを有する。縦型反応炉１０としては、例えば、縦型酸化炉を用いることができる。本実施の形態では、縦型反応炉１０として縦型酸化炉を用いて、複数の製品用半導体基板２６に熱酸化膜を形成する場合を例に挙げて以下の説明を行う。
【００３１】
炉本体１１は、筐体１７の底部上に設けられている。炉本体１１は、反応室Ａと、反応ガス導入部２８と、ガス排出部２９とを有する。反応室Ａは、炉本体１１の内部に形成された空間である。反応室Ａは、断熱部材１２及び半導体基板支持体１３を収容すると共に、反応ガスを導入するための空間である。反応室Ａは、加熱手段１６により、炉本体１１を介して加熱される複数の製品用半導体基板２６と、反応ガスとを反応させることにより、複数の製品用半導体基板２６に熱酸化膜を形成するための空間である。反応ガスとしては、例えば、室温（例えば、２４℃）とされた酸素を用いることができる。また、ここでの製品用半導体基板２６とは、拡散層、絶縁膜、ビア、及び配線等から構成される半導体集積回路が形成される半導体基板のことである。製品用半導体基板２６としては、例えば、シリコン基板を用いることができる。
【００３２】
反応ガス導入部２８は、炉本体１１の上部に形成されている。反応ガス導入部２８は、反応ガス供給管２３と接続されている。反応ガス導入部２８は、反応ガス供給管２３から供給された反応ガスを反応室Ａに導入するためのものである。ガス排出部２９は、炉本体１１の下部側壁に形成されている。ガス排出部２９は、排気管２１と接続されている。ガス排出部２９は、反応室Ａ内のガスを排気管２１に排出するためのものである。
【００３３】
断熱部材１２は、炉本体１１の底部上に設けられている。断熱部材１２は、半導体基板支持体１３を保持すると共に、加熱された半導体基板支持体１３の熱が外部に逃げることを防止するためのものである。
【００３４】
半導体基板支持体１３は、断熱部材１２上に載置されている。半導体基板支持体１３は、複数のダミー用半導体基板２５を多段に支持する第１の基板収容部３２と、第１の基板収容部３２上に第１の基板収容部３２と一体的に構成され、複数の製品用半導体基板２６を多段に支持する第２の基板収容部３３とを有する。半導体基板支持体１３としては、ウエハボートを用いることができる。また、ダミー用半導体基板２５は、反応室Ａの雰囲気（例えば、炉本体１１の上部から下部に移動する反応ガスの移動状態や、炉本体１１の鉛直方向の温度分布）を反応室Ａ内において略等しくするためのものである。ダミー用半導体基板２５としては、例えば、シリコン基板を用いることができる。
【００３５】
均熱管１４は、反応ガス供給管２３が配設された炉本体１１を囲むように設けられている。均熱管１４は、炉本体１１及び反応ガス供給管２３から離間した位置に配置されている。均熱管１４は、加熱手段１６により加熱された炉本体１１全体を略均一な温度Ｔx（複数の製品用半導体基板２６に熱酸化膜形成するときの温度）となるようにするためのものである。複数の製品用半導体基板２６に熱酸化膜形成する場合、温度Ｔxは、例えば、８００℃〜１２００℃の範囲内で適宜設定することができる。また、複数の製品用半導体基板２６に熱酸化膜形成するときの温度とは、炉本体１１内の雰囲気の温度のことである。
【００３６】
加熱手段１６は、均熱管１４の外壁を囲むように配置されている。加熱手段１６は、均熱管１４を介して、炉本体１１を加熱するためのものである。加熱手段１６としては、例えば、ヒーターを用いることができる。
【００３７】
筐体１７は、炉本体１１、均熱管１４、加熱手段１６、排気管２１の一部、及び反応ガス供給管２３の一部を収容している。筐体１７は、貫通部３６，３７を有する。貫通部３６は、筐体１７の下部側壁を貫通するように形成されている。貫通部３６は、反応ガス供給管２３を筐体１７内に導くためのものである。貫通部３７は、筐体１７の下部側壁を貫通するように形成されている。貫通部３７は、排気管２１を筐体１７内に導くための貫通穴である。
【００３８】
排気装置１８は、筐体１７の外部に設けられている。排気装置１８は、排気管２１と接続されている。排気装置１８は、排気管２１を介して、反応室Ａに存在する不要なガスを排気するためのものである。排気管２１は、その一方の端部がガス排出部２９と接続されており、他方の端部が排気装置１８と接続されている。
【００３９】
反応ガス供給装置２２は、筐体１７の外部に設けられている。反応ガス供給装置２２は、反応ガス供給管２３と接続されている。反応ガス供給装置２２は、反応ガス供給管２３を介して、反応室Ａに反応ガスを室温（例えば、２４℃）で供給するためのものである。複数の製品用半導体基板２６に熱酸化膜を形成する場合、反応ガスとしては、例えば、酸素を用いることができる。
【００４０】
反応ガス供給管２３は、その一方の端部が反応ガス供給装置２２と接続されており、他方の端部が反応ガス導入部２８と接続されている。反応ガス供給管２３は、反応ガス供給装置２２から供給された反応ガスを反応室Ａ内に供給するためのものである。
【００４１】
図５は、図４に示す反応ガス供給管が設けられた炉本体の側面図であり、図６は、図５に示す構造体の平面図である。図５及び図６において、図４に示す縦型反応炉１０と同一構成部分には同一符号を付す。
【００４２】
図５及び図６を参照するに、反応ガス供給管２３は、複数のダミー用半導体基板２５が収容される第１の基板収容部３２よりも下方に位置する部分の炉本体１１（以下、「炉本体部分１１−１」とする）の外壁１１−１Ａ、及び第１の基板収容部３２と対向する部分の炉本体１１（以下、「炉本体部分１１−２」とする）の外壁１１−２Ａに巻回された後、複数の製品用半導体基板２６が収容される第２の基板収容部３３と対向する部分の炉本体１１（以下、「炉本体部分１１−３」とする）の外壁１１−３Ａと接触するように鉛直方向（Ｙ，Ｙ方向）に引き回されている。
【００４３】
このように、複数のダミー用半導体基板２５が収容される第１の基板収容部３２よりも下方に位置する炉本体部分１１−１の外壁１１−１Ａ、及び第１の基板収容部３２と対向する部分の炉本体部分１１−２の外壁１１−２Ａに反応ガス供給管２３を巻回することにより、炉本体部分１１−１，１１−２の外壁１１−１Ａ，１１−２Ａと反応ガス供給管２３との接触面積が増加するため、加熱手段１６により加熱された炉本体部分１１−１，１１−２により反応ガス供給管２３を流れる反応ガスを加熱することが可能となる。これにより、従来の縦型反応炉１３０に設けられていた反応ガス加熱手段１３１（図３参照）を設けることなく、第２の基板収容部３３と対向する部分の炉本体１１（以下、「炉本体部分１１−３」とする）の外壁１１−３Ａに設けられた部分の反応ガス供給管２３に加熱された反応ガスを供給することが可能となるため、コスト（具体的には、縦型反応炉１０のコストや熱酸化膜形成する際の製造コスト等）を増加させることなく、複数の製品用半導体基板２６に形成される熱酸化膜の厚さばらつき及び膜質ばらつきを低減することができる。
【００４４】
また、反応ガス供給管２３は、炉本体１１（具体的には、反応室Ａ）に供給される反応ガスの温度が炉本体１１内の雰囲気の温度と略等しくなるように、炉本体部分１１−１，１１−２の外壁１１−１Ａ，１１−２Ａに巻回するとよい。これにより、複数の製品用半導体基板２６に形成される熱酸化膜の厚さばらつきや膜質ばらつきをさらに低減することができる。
【００４５】
本実施の形態の縦型反応炉によれば、加熱手段１６により炉本体１１が加熱された状態において、複数のダミー用半導体基板２５が収容される第１の基板収容部３２よりも下方に位置する炉本体部分１１−１の外壁１１−１Ａ、及び第１の基板収容部３２と対向する部分の炉本体部分１１−２の外壁１１−２Ａに巻回された反応ガス供給管２３を介して、反応ガスを供給することにより、従来の縦型反応炉１３０に設けられていた反応ガス加熱手段１３１（図３参照）を設けることなく、第２の基板収容部３３と対向する部分の炉本体部分１１−３の外壁１１−３Ａに設けられた部分の反応ガス供給管２３に加熱された反応ガスを供給することが可能となるため、コスト（具体的には、縦型反応炉１０のコストや熱酸化膜形成する際の製造コスト等）を増加させることなく、複数の製品用半導体基板２６に形成される熱酸化膜の厚さばらつき及び膜質ばらつきを低減することができる。
【００４６】
本実施の形態では、上記構成とされた縦型反応炉１０を用いて、複数の製品用半導体基板２６に熱酸化膜を形成する。具体的には、始めに、複数のダミー用半導体基板２５及び製品用半導体基板２６が収容された半導体基板支持体１３を反応室Ａに収容する。次いで、加熱手段１６により炉本体１１を加熱すると共に、均熱管１４により反応室Ａ全体の温度が略一定の温度Ｔx（例えば、８００℃〜１２００℃）となるように調整する。これにより、半導体基板支持体１３に支持された複数の製品用半導体基板２６の温度が温度Ｔxと略等しくなる。
【００４７】
次いで、反応ガス供給装置２２により反応ガス供給管２３に反応ガス（この場合、酸素）を供給する。このとき、炉本体部分１１−１，１１−２の外壁１１−１Ａ，１１−２Ａに巻回された部分の反応ガス供給管２３を反応ガスが通過する際、反応ガスが加熱される。加熱された反応ガスは、炉本体部分１１−３の外壁１１−３Ａに設けられた部分の反応ガス供給管２３を介して、反応室Ａに供給される。反応室Ａに供給された反応ガスは、加熱された製品用半導体基板２６と反応する。これにより、複数の製品用半導体基板２６に熱酸化膜が形成される。
【００４８】
本実施の形態の膜形成方法によれば、加熱手段１６により炉本体１１が加熱された状態において、複数のダミー用半導体基板２５が収容される第１の基板収容部３２よりも下方に位置する炉本体部分１１−１の外壁１１−１Ａ、及び第１の基板収容部３２と対向する部分の炉本体部分１１−２の外壁１１−２Ａに巻回された反応ガス供給管２３を介して、反応ガスを供給することにより、従来の縦型反応炉１３０に設けられていた反応ガス加熱手段１３１（図３参照）を設けることなく、第２の基板収容部３３と対向する部分の炉本体部分１１−３の外壁１１−３Ａに設けられた部分の反応ガス供給管２３に加熱された反応ガスを供給することが可能となるため、コスト（具体的には、縦型反応炉１０のコストや熱酸化膜形成する際の製造コスト等）を増加させることなく、複数の製品用半導体基板２６に形成される熱酸化膜の厚さばらつき及び膜質ばらつきを低減することができる。
【００４９】
なお、本実施の形態では、炉本体部分１１−１，１１−２の外壁１１−１Ａ，１１−２Ａに反応ガス供給管２３を巻回した場合を例に挙げて説明したが、反応ガス供給管２３は、炉本体部分１１−１の外壁１１−１Ａのみに巻回してもよいし、炉本体部分１１−２の外壁１１−２Ａのみに巻回してもよい。
【００５０】
以上、本発明の好ましい実施の形態について詳述したが、本発明はかかる特定の実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲内に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【産業上の利用可能性】
【００５１】
本発明は、加熱された炉本体に反応ガスを供給することで、炉本体に収容された複数の製品用半導体基板に膜を形成する膜形成方法に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】従来の縦型反応炉の概略構成を示す断面図である。
【図２】図１に示す反応ガス供給管が設けられた炉本体の平面図である。
【図３】従来の他の縦型反応炉の概略構成を示す断面図である。
【図４】本発明の実施の形態に係る縦型反応炉の概略構成を示す断面図である。
【図５】図４に示す反応ガス供給管が設けられた炉本体の側面図である。
【図６】図５に示す構造体の平面図である。
【符号の説明】
【００５３】
１０  縦型反応炉
１１  炉本体
１１−１，１１−２，１１−３  炉本体部分
１１−１Ａ，１１−２Ａ，１１−３Ａ  外壁
１２  断熱部材
１３  半導体基板支持体
１４  均熱管
１６  加熱手段
１７  筐体
１８  排気装置
２１  排気管
２２  反応ガス供給装置
２３  反応ガス供給管
２５  ダミー用半導体基板
２６  製品用半導体基板
２８  反応ガス導入部
２９  ガス排出部
３２  第１の基板収容部
３３  第２の基板収容部
３６，３７  貫通部
Ａ  反応室
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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