(57)【要約】【課題】  長寿命化を図ることの可能な電極構造および熱電子放出型光源を提供する。【解決手段】  本発明の電極構造５は、フィラメント１と、該フィラメント１上に形成された第１層目の電子放出材料２と、該第１層目の電子放出材料２上に第１層目の電子放出材料２とは異種の材料で形成された第２層目の電子放出材料３とを有し、前記フィラメント１と前記第１層目の電子放出材料２と前記第２層目の電子放出材料３は、第１層目の電子放出材料２の仕事関数の値がフィラメント１の仕事関数の値よりも小さく、第２層目の電子放出材料３の仕事関数の値が第１層目の電子放出材料２の仕事関数の値よりも小さいものとなっており、かつ、前記第１層目の電子放出材料２は、前記第２層目の電子放出材料３よりも耐スパッタ性のある材料で形成されている。【選択図】      図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
フィラメントと、該フィラメント上に形成された第１層目の電子放出材料と、該第１層目の電子放出材料上に第１層目の電子放出材料とは異種の材料で形成された第２層目の電子放出材料とを有し、前記フィラメントと前記第１層目の電子放出材料と前記第２層目の電子放出材料は、第１層目の電子放出材料の仕事関数の値がフィラメントの仕事関数の値よりも小さく、第２層目の電子放出材料の仕事関数の値が第１層目の電子放出材料の仕事関数の値よりも小さいものとなっており、かつ、前記第１層目の電子放出材料は、前記第２層目の電子放出材料よりも耐スパッタ性のある材料で形成されていることを特徴とする電極構造。
【請求項２】
請求項１記載の電極構造において、前記フィラメントと前記第１層目の電子放出材料との間に、所定の金属層がさらに形成されていることを特徴とする電極構造。
【請求項３】
請求項１または請求項２記載の電極構造において、前記第１層目の電子放出材料は、窒化物材料で形成されていることを特徴とする電極構造。
【請求項４】
内面に蛍光体層を有する透光性の封止体と、電極とを有し、前記封止体内には放電媒体ガスが封入されており、前記電極には、請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の電極構造が用いられることを特徴とする熱電子放出型光源。
【請求項５】
請求項４記載の熱電子放出型光源において、該熱電子放出型光源は、熱電子放出型蛍光ランプであることを特徴とする熱電子放出型光源。
【請求項６】
請求項４または請求項５記載の熱電子放出型光源において、前記放電媒体ガスには水銀が含まれていることを特徴とする熱電子放出型光源。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電極構造および熱電子放出型光源に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、例えば特許文献１に示されているような熱電子放出型蛍光ランプが知られている。図１はこの種の熱電子放出型蛍光ランプの構造を示す図（一部切欠図）である。図１を参照すると、熱電子放出型蛍光ランプの構造は、内面に蛍光体層２０を有する透光性の封止体２１（具体的には、内壁に蛍光物質が塗布されたガラス管）と、電極２２とを有している。なお、図１の例では、電極２２は、封止体２１の両端にそれぞれ２２ａ，２２ｂとして設けられている。そして、封止体２１（ガラス管）内の空気を抜いて真空にした後、封止体２１内には放電媒体ガス２３（例えば、少量の水銀とアルゴンなどの希ガス）が封入されている。また、電極２２（各電極２２ａ，２２ｂ）は、フィラメント（タングステンフィラメント（特許文献１の例では、タングステン副線を巻き回したタングステン主線をさらに２回巻き回したフィラメント））に電子放出材料（電子放射性物質）が塗布（充填）されたものとなっている。
【０００３】
ここで、この種の熱電子放出型蛍光ランプの電極２２のフィラメントに塗布（充填）される電子放出材料（電子放射性物質）としては、具体的には例えば（Ｂａ／Ｓｒ／Ｃａ）Ｏ三元酸化物が用いられている。
【０００４】
あるいは、電子放出材料としては、特許文献２に示されているように、アルミニウム、シリコン、チタニウム、ジルコニウム、ハフニウム、タンタリウム、モリブデンタングステン及びこれらの合金より形成されるグループから選択した還元金属粉末を含み、貴金属を含む粉末のコーティング層を形成させたものが知られている。
【特許文献１】特開平５−２５８７２８号公報
【特許文献２】特開２００１−１５５６７９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、タングステンフィラメントに電子放出材料（電子放射性物質）として例えば（Ｂａ／Ｓｒ／Ｃａ）Ｏ三元酸化物が塗布（充填）されている電極は、図２に示すように、電子放出材料（エミッター）が消耗されるとタングステンフィラメントが剥き出しになりＡｒイオンやＨｇイオンでスパッタされて次第に細くなり、ついには断線してしまい、ランプ寿命が短い原因になっていた。
【０００６】
また、特許文献２のように、電子放出材料として、アルミニウム、シリコン、チタニウム、ジルコニウム、ハフニウム、タンタリウム、モリブデンタングステン及びこれらの合金より形成されるグループから選択した還元金属粉末を含み、貴金属を含む粉末のコーティング層を形成させたものを用いる場合、蛍光ランプを始動させると、エミッタが消耗してフィラメントが剥き出しになった部分で、放電電流が供給される側（陰極時に電位的にマイナスになる側）で、かつ、主放電（陽光柱）に距離が近い部分が選択的にスパッタを受ける。その際、金属スパッタ粒子は、放電媒体ガスに含まれる水銀蒸気と反応して、ランプ内壁やエミッタ上に黒化を生じさせる。このような黒化は電子放出特性を劣化させる原因となり、ランプ寿命が短くなる原因ともなっていた。
【０００７】
本発明は、長寿命化を図ることの可能な電極構造および熱電子放出型光源を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために、請求項１記載の発明は、フィラメントと、該フィラメント上に形成された第１層目の電子放出材料と、該第１層目の電子放出材料上に第１層目の電子放出材料とは異種の材料で形成された第２層目の電子放出材料とを有し、前記フィラメントと前記第１層目の電子放出材料と前記第２層目の電子放出材料は、第１層目の電子放出材料の仕事関数の値がフィラメントの仕事関数の値よりも小さく、第２層目の電子放出材料の仕事関数の値が第１層目の電子放出材料の仕事関数の値よりも小さいものとなっており、かつ、前記第１層目の電子放出材料は、前記第２層目の電子放出材料よりも耐スパッタ性のある材料で形成されていることを特徴とする電極構造である。
【０００９】
また、請求項２記載の発明は、請求項１記載の電極構造において、前記フィラメントと前記第１層目の電子放出材料との間に、所定の金属層がさらに形成されていることを特徴としている。
【００１０】
また、請求項３記載の発明は、請求項１または請求項２記載の電極構造において、前記第１層目の電子放出材料は、窒化物材料で形成されていることを特徴としている。
【００１１】
また、請求項４記載の発明は、内面に蛍光体層を有する透光性の封止体と、電極とを有し、前記封止体内には放電媒体ガスが封入されており、前記電極には、請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の電極構造が用いられることを特徴とする熱電子放出型光源である。
【００１２】
また、請求項５記載の発明は、請求項４記載の熱電子放出型光源において、該熱電子放出型光源は、熱電子放出型蛍光ランプであることを特徴としている。
【００１３】
また、請求項６記載の発明は、請求項４または請求項５記載の熱電子放出型光源において、前記放電媒体ガスには水銀が含まれていることを特徴としている。
【発明の効果】
【００１４】
請求項１乃至請求項３記載の発明によれば、フィラメントと、該フィラメント上に形成された第１層目の電子放出材料と、該第１層目の電子放出材料上に第１層目の電子放出材料とは異種の材料で形成された第２層目の電子放出材料とを有し、前記フィラメントと前記第１層目の電子放出材料と前記第２層目の電子放出材料は、第１層目の電子放出材料の仕事関数の値がフィラメントの仕事関数の値よりも小さく、第２層目の電子放出材料の仕事関数の値が第１層目の電子放出材料の仕事関数の値よりも小さいものとなっており、かつ、前記第１層目の電子放出材料は、前記第２層目の電子放出材料よりも耐スパッタ性のある材料で形成されているので、フィラメントの長寿命化を図ることができる。
【００１５】
特に、請求項２記載の発明では、請求項１記載の電極構造において、前記フィラメントと前記第１層目の電子放出材料との間に、所定の金属層がさらに形成されているので、フィラメントに第１層目の電子放出材料を直接設ける場合に比べて付着力を強くすることができる。
【００１６】
また、請求項３記載の発明によれば、前記第１層目の電子放出材料が窒化物材料で形成されていることにより、第２層目の電子放出材料が消耗した部分に第１層目の電子放出材料である窒化物材料が現れるが、窒化物材料は電子放出特性がフィラメントよりも良く、Ａｒイオンによるアタック（スパッタ）にも耐スパッタ性が有ることから、フィラメントのスパッタによるフィラメント原子の飛散量を低減することができる。
【００１７】
また、請求項４，請求項５記載の発明では、内面に蛍光体層を有する透光性の封止体と、電極とを有し、前記封止体内には放電媒体ガスが封入されており、前記電極には、請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の電極構造が用いられることを特徴とする熱電子放出型光源であるので、熱電子放出型光源の長寿命化を図ることができる。
【００１８】
また、請求項６記載の発明によれば、前記第１層目の電子放出材料である窒化物材料は水銀と反応しないため、Ａｒイオンによりスパッタされた窒化物材料の粒子も水銀と反応せず、従って、ランプ内壁やエミッタ上に黒化を生じさせない。つまり、ランプ黒化を防ぎ、エミッタ表面の黒化を抑制できるので、電子放出特性の劣化を防止でき、ランプの長寿命化を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明を実施するための最良の形態を図面に基づいて説明する。
【００２０】
図３は本発明に係る電極構造の一実施形態を説明するための図である。図３を参照すると、この実施形態の電極構造５は、フィラメント１と、該フィラメント１上に形成された第１層目の電子放出材料（電子放射性物質）２と、該第１層目の電子放出材料２上に第１層目の電子放出材料２とは異種の材料で形成された第２層目の電子放出材料（電子放射性物質）３とを有し、前記フィラメント１と前記第１層目の電子放出材料２と前記第２層目の電子放出材料３は、第１層目の電子放出材料２の仕事関数の値がフィラメント１の仕事関数の値よりも小さく、第２層目の電子放出材料３の仕事関数の値が第１層目の電子放出材料２の仕事関数の値よりも小さいものとなっており、かつ、前記第１層目の電子放出材料２は、前記第２層目の電子放出材料３よりも耐スパッタ性のある材料で形成されている。
【００２１】
ここで、フィラメント１は、例えばタングステン（Ｗ）フィラメントである。また、第１層目の電子放出材料２は、具体的には例えば窒化物材料（より具体的には、例えば、窒化ハフニウム（ＨｆＮ））で形成されている。また、第２層目の電子放出材料２は、具体的には例えば酸化バリウム系の材料で形成されている。
【００２２】
図３の電極構造は、以下のように作製することができる。すなわち、先ず、フィラメント１（例えばタングステンフィラメント）上に第１層目の電子放出材料２（エミッター）をコート（被覆）する。ここで、第１層目の電子放出材料２は、上述したように、仕事関数がフィラメント（タングステンフィラメントの場合、仕事関数は約４．５）と第２層目の電子放出材料３（酸化バリウム系の場合、仕事関数は約１）との間の値を持つ材料で、構造が緻密で（緻密な構造をもち）耐スパッタ性のある材料が好ましい。例えば窒化ハフニウムは、仕事関数が約３．８で窒化物であるため硬く耐スパッタ性があり、第１層目の電子放出材料２（エミッター）として好ましい。
【００２３】
具体的には、例えば第１層目の電子放出材料２に窒化ハフニウムも用いた場合、６００ｅＶのエネルギーを持ったＡｒイオンの入射エネルギーに対するスパッタ率は１以下で約０．９５であるのに対し、第２層目の電子放出材料３に酸化バリウム系材料としてＢａＯを用いた場合のスパッタ率は約１．９と２倍大きくスパッタされやすいことが分る。つまり第１層目の電子放出材料２の窒化ハフニウムは、第２層目の電子放出材料３の酸化バリウム系材料に対して２倍耐スパッタ性があることが分る。
【００２４】
この第１層目の電子放出材料２（エミッター）の形成方法としては、バインダー中に分散させたエミッター材をスプレー法，ディップ法等の湿式法でフィラメント１上に塗布した後に窒素雰囲気中の炉で焼き固める方法とか、真空チャンバー内にてプラズマ法や蒸着法等の気相法にてフィラメント１上に被覆させる方法などがある。
【００２５】
図４には、一例としてアークプラズマ蒸着法を用いてタングステンフィラメント１上に窒化ハフニウム膜（第１層目の電子放出材料２）を被覆する工程が示されている。図４の工程例では、真空チャンバー１０内の上部にフィラメント１を設置する。この設置機構には回転機構１３が付随しており、蒸発物をフィラメント１全面に形成できるようにしてある。排気用ポンプ１２によって真空チャンバー１０内を１０−６ｔｏｒｒ以下の真空にした後、１０−２〜１０−３ｔｏｒｒ台の窒素ガス雰囲気下にてアークプラズマガン１４からの高密度プラズマを坩堝１１内の蒸発材料となる窒化ハフニウム（図示せず）に照射するか、または、高密度プラズマ発生中に電子銃で電子を窒化ハフニウムに照射し、蒸発物をフィラメント１上に堆積させる。この方法で形成された窒化ハフニウム膜（第１層目の電子放出材料２）は、フィラメント１に付着力が強く、フィラメント１からはがれにくく緻密な膜となり、フィラメント１の耐スパッタ性が向上する。
【００２６】
次に、第１層目の電子放出材料２の上に第２層目の電子放出材料３を形成する。第２層目の電子放出材料３は、例えば酸化バリウム系の材料で（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ）Ｏが用いられる。この材料は、仕事関数が約１で、在来の熱電子放出型蛍光ランプの電子放出材料（電子放射性物質）として用いられているものである。この第２層目の電子放出材料２の塗布方法は、スプレー法，ディップ法等の湿式法で形成される。
【００２７】
このように、図３の実施形態では、フィラメント１上に電子放出材料を異種材料で二重に形成することを特徴としている。
【００２８】
従来の電極構造では、図２に示したように、エミッター（電子放出材料）が消耗されるとタングステンフィラメントが剥き出しになりＡｒイオンやＨｇイオンでスパッタされて次第に細くなり、ついには断線してしまい、ランプ寿命が短い原因になっていた。これに対し、図３の電極構造では、フィラメント１を第１層目の電子放出材料２（例えば窒化物材料）で被覆した上に第２層目の電子放出材料３（例えば酸化バリウム系の材料）を形成することで、図５に示すように、第２層目の電子放出材料３が消耗した部分には第１層目の電子放出材料２が現れ、第１層目の電子放出材料２は第２層目の電子放出材料３よりも仕事関数が高いので、電子は主に第２層目の電子放出材料３より出されるが、第１層目の電子放出材料２からも出るし、第１層目の電子放出材料２には耐スパッタ性があるので（すなわち、第１層目の電極放出材料２は、フィラメント１をＡｒイオンやＨｇイオンからのスパッタによる衝撃から保護するので）、完全に第２層目の電子放出材料３が消耗しきるまでフィラメント１は断線することなく、電極（フィラメント）の長寿命化を図ることができる。
【００２９】
さらに、第１層目の電子放出材料が窒化物材料で形成されることにより、第２層目の電子放出材料が消耗した部分に第１層目の電子放出材料である窒化物材料が露出し、かつ、Ａｒイオンによるアタック（スパッタ）にも耐スパッタ性があることから、フィラメントであるタングステンのスパッタによるタングステン原子の飛散量を低減することができる。
【００３０】
そして、このような電極構造の熱電子放出型光源とした場合、金属と放電媒体ガスに含まれる水銀は反応して黒化の原因である物質を形成してしまうが、第１層目の電子放出材料である窒化物材料は水銀と反応しないため、Ａｒイオンによりスパッタされた窒化物材料の粒子も水銀と反応せず、従って、ランプ内壁やエミッタ上に黒化を生じさせない。
【００３１】
これらのことは、Ｘ線マイクロアナライザ（ＥＰＭＡ）を用いた組成分析結果（図８，図９，図１０，図１１）によっても明らかである。なお、図８はＨｆＮコートＷフィラメント上のエミッタ部のＥＰＭＡ組成分析の結果を示す図、図９はＨｆＮ未コートＷフィラメント上のエミッタ部のＥＰＭＡ組成分析の結果を示す図、図１０はＨｆＮコートＷフィラメント使用のガラス部のＥＰＭＡ組成分析の結果を示す図、図１１はＨｆＮ未コートＷフィラメント使用の黒化したガラス部のＥＰＭＡ組成分析の結果を示す図である。
【００３２】
図１２（ａ）には、窒化物材料であるＨｆＮがコートされたタングステン（Ｗ）フィラメント（すなわち、ＨｆＮコート付Ｗフィラメント）と、窒化物材料であるＨｆＮがコートされていないタングステン（Ｗ）フィラメント（すなわち、ＨｆＮ未コートＷフィラメント）とを、それぞれ３０分点灯した場合の状態（試験前（点灯前）の状態、試験後（３０分点灯後）の状態）が示され、また、図１２（ｂ）には、ＨｆＮコート付Ｗフィラメント品とＨｆＮ未コートＷフィラメント品とを、それぞれ１２０分点灯した後のランプ管壁の状態が示されている。
【００３３】
図１２（ａ）から、ＨｆＮ未コートＷフィラメントでは、３０分以上点灯すると、エミッタ表面が黒化するのに対し、ＨｆＮコートＷフィラメントでは、３０分点灯しても、エミッタ表面は黒化しないことがわかる。
【００３４】
また、図１２（ｂ）から、ＨｆＮ未コートＷフィラメント品では、１２０分点灯すると、ランプ管壁が黒化するのに対し、ＨｆＮコートＷフィラメントでは、１２０分点灯しても、ランプ管壁は黒化しないことがわかる。
【００３５】
このように、第１層目の電子放出材料が窒化物材料で形成される場合には、ランプ管壁の黒化を防ぎ、エミッタ表面の黒化を抑制できるので、電子放出特性の劣化を防止し、ランプの長寿命化を図ることができる。
【００３６】
次に、本発明の電極構造の他の実施形態について説明する。先の実施形態（図３の実施形態）における電極構造では、フィラメント１と、該フィラメント１上に形成された第１層目の電子放出材料２と、該第１層目の電子放出材料上に第１層目の電子放出材料２とは異種の材料で形成された第２層目の電子放出材料３とを有しているが、本実施形態では、図６に示すように、さらに、フィラメント１と第１層目の電子放出材料２との間に所定の金属層７が形成されている。
【００３７】
ここで、金属層７は、その仕事関数がフィラメント材の仕事関数（タングステンフィラメントの場合、仕事関数は約４．５ｅＶ）と第２層目の電子放出材料３の仕事関数（酸化バリウム系の場合、仕事関数は約１ｅＶ）の間の値の材料とする。具体的に、金属層７は、例えばハフニウム金属である。この場合、第１層目の電子放出材料２を金属層７の窒化物とすることが好適である。
【００３８】
本実施形態（図６の実施形態）の電極構造は、以下のように作製することができる。すなわち、先ずタングステンフィラメント１上に金属層７として、アークプラズマ蒸着法を用いてハフニウム金属もしくはハフニウム金属を主とするハフニウム合金からなる金属層７を形成する。次いで、同じくアークプラズマ蒸着法を用いた反応性蒸着により窒素ガスを高密度プラズマにより活性化し、同時にハフニウム金属を蒸着させることで窒化して窒化ハフニウム膜２を金属ハフニウム７上に形成する。若しくは金属層７を形成した後に、窒素ガスを活性化して金属層７の表面を窒化して窒化ハフニウム膜２と変性させて第１層目の電子放出材料とする。その後に、先の実施形態（図３の実施形態）と同一の工程で第２層目の電子放出材料３を第１層目の電子放出材料２上に形成する。
【００３９】
先の実施形態（図３の実施形態）では、金属フィラメント１上に、第１層目の電子放出材料２を設けていたが、本実施形態（図６の実施形態）では、中間の仕事関数を有する金属層７を介している。このように、本実施形態（図６の実施形態）では、金属層を介しているので、フィラメント１に第１層目の電子放出材料２を直接設ける場合に比べて付着力を強くすることができる。特に、第１層目の電子放出材料２を金属層７と同一の金属の窒化物とすると、金属層７と第１層目の電子放出材料２との付着力をより強固にすることができ、さらに耐スパッタ性を高めることができ好適である。
【００４０】
本発明では、図３あるいは図６に示したような本発明の電極構造を熱電子放出型光源の電極に適用することができる。図７は、本発明の熱電子放出型光源の一例を示す図（一部切欠図）である。なお、図７において、図１と同様の箇所には同じ符号を付している。
【００４１】
図７の例では、熱電子放出型光源（例えば、熱電子放出型蛍光ランプ）は、内面に蛍光体層２０を有する透光性の封止体２１（具体的には、内壁に蛍光物質が塗布されたガラス管）と、電極５とを有している。なお、図７の例では、電極５は、封止体２１の両端にそれぞれ５ａ，５ｂとして設けられている。そして、封止体２１（ガラス管）内の空気を抜いて真空にした後、封止体２１内には放電媒体ガス２３（例えば、少量の水銀とアルゴンなどの希ガス）が封入されている。
【００４２】
ところで、図７の例の熱電子放出型光源において、電極５（５ａ，５ｂ）には、図３あるいは図６に示したような本発明の電極構造が用いられる。
【００４３】
このように、図７の例の熱電子放出型光源において、電極５（５ａ，５ｂ）には、図３あるいは図６に示したような本発明の電極構造が用いられることにより、熱電子放出型光源（例えば、図７に示したような熱電子放出型蛍光ランプ）の長寿命化を図ることができる。
【００４４】
なお、図７の例では、電極５（一対の電極５ａ，５ｂ）は、封止体２１の両端に取付けられているが、一対の電極５ａ，５ｂは必ずしも封止体２１の両端に取付けられていなくも良く、この意味で、図７の例に限らず、任意の形状，構造の熱電子放出型光源の電極に本発明の電極構造を適用することができる。
【００４５】
また、本発明の電極構造は、図３あるいは図６に示した例の形状，構造のものに限らず、フィラメント１と、該フィラメント１上に形成された第１層目の電子放出材料（電子放射性物質）２と、該第１層目の電子放出材料２上に第１層目の電子放出材料２とは異種の材料で形成された第２層目の電子放出材料（電子放射性物質）３とを有するものであれば（図６の例では、さらに、フィラメント１と第１層目の電子放出材料（電子放射性物質）２との間に金属層７を有するものであれば）、任意の形状，構造のものにすることができる。
【産業上の利用可能性】
【００４６】
本発明は、ＣＲＴディスプレイなどの陰極等にも利用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】熱電子放出型蛍光ランプの構造を示す図である。
【図２】従来の電極構造の問題を説明するための図である。
【図３】本発明の電極構造を説明するための図である。
【図４】アークプラズマ蒸着法を用いてタングステンフィラメント上に窒化ハフニウム膜（第１層目の電子放出材料）を被覆する工程を説明するための図である。
【図５】本発明の電極構造を説明するための図である。
【図６】本発明の他の電極構造を説明するための図である。
【図７】本発明の熱電子放出型光源の一例を示す図（一部切欠図）である。
【図８】ＨｆＮコートＷフィラメント上のエミッタ部のＥＰＭＡ組成分析の結果を示す図である。
【図９】ＨｆＮ未コートＷフィラメント上のエミッタ部のＥＰＭＡ組成分析の結果を示す図である。
【図１０】ＨｆＮコートＷフィラメント使用のガラス部のＥＰＭＡ組成分析の結果を示す図である。
【図１１】ＨｆＮ未コートＷフィラメント使用の黒化したガラス部のＥＰＭＡ組成分析の結果を示す図である。
【図１２】ＨｆＮコートＷフィラメントを用いる場合とＨｆＮ未コートＷフィラメントを用いる場合との比較結果を示す図である。
【符号の説明】
【００４８】
１                フィラメント
２                第１層目の電子放出材料
３                第２層目の電子放出材料
５，５ａ，５ｂ    電極構造
７                金属層
１０              真空チャンバー
１１              坩堝
２０              蛍光体層
２１              封止体
２３              放電媒体ガス
【図１】
2008171795.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2008171795.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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