(57)【要約】【課題】本発明は、異常検出用の試験光の光源の数を大幅に削減することができ、装置の低コスト化及びサイズの小型化が可能なＭＥＭＳ光スイッチ装置を提供することを目的とする。【解決手段】第１の分岐手段で分岐された試験光を検出する第１のモニタ手段と、第２の分岐手段で分岐された試験光をモニタする第２のモニタ手段と、特定の入力ポートに対応する特定の入力偏向手段を駆動して試験光を複数の出力偏向手段に順次入射させ、第１のモニタ手段で検出された試験光の光レベルから出力偏向手段の動作確認を行い、かつ、特定の出力ポートに対応する特定の出力偏向手段を駆動して試験光を複数の入力偏向手段に順次入射させ、第２のモニタ手段で検出された試験光の光レベルから入力偏向手段の動作確認を行う動作確認手段を有する。【選択図】図１
2008052212.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の入力ポートから入力された光信号をチャネル毎に複数の入力偏向手段及び複数の出力偏向手段で偏向して複数の出力ポートのいずれかから出力するＭＥＭＳ光スイッチ装置において、
試験光を発生して特定の入力ポートに供給する第１の試験光発生手段と、
前記複数の出力ポートそれぞれに設けられ前記ＭＥＭＳ光スイッチ装置から供給される前記試験光を分岐する第１の分岐手段と、
前記第１の分岐手段で分岐された試験光を検出する第１のモニタ手段と、
試験光を発生して特定の出力ポートに供給する第２の試験光発生手段と、
前記複数の入力ポートそれぞれに設けられ前記ＭＥＭＳ光スイッチ装置から供給される前記試験光を分岐する第２の分岐手段と、
前記第２の分岐手段で分岐された試験光をモニタする第２のモニタ手段と、
前記特定の入力ポートに対応する特定の入力偏向手段を駆動して前記試験光を前記複数の出力偏向手段に順次入射させ、前記第１のモニタ手段で検出された前記試験光の光レベルから前記出力偏向手段の動作確認を行い、かつ、前記特定の出力ポートに対応する特定の出力偏向手段を駆動して前記試験光を前記複数の入力偏向手段に順次入射させ、前記第２のモニタ手段で検出された前記試験光の光レベルから前記入力偏向手段の動作確認を行う動作確認手段を
有することを特徴とするＭＥＭＳ光スイッチ装置。
【請求項２】
請求項１記載のＭＥＭＳ光スイッチ装置において、
前記動作確認手段は、前記出力偏向手段の動作確認の際に前記試験光を前記複数の出力偏向手段のうち未使用の出力偏向手段に順次入射させ、前記入力偏向手段の動作確認の際に前記試験光を前記複数の入力偏向手段のうち未使用の入力偏向手段に順次入射させることを特徴とするＭＥＭＳ光スイッチ装置。
【請求項３】
請求項１または２記載のＭＥＭＳ光スイッチ装置において、
前記動作確認手段は、前記特定の入力ポートに対応する特定の入力偏向手段を駆動して前記試験光を前記複数の出力偏向手段に順次入射させたとき、前記第１のモニタ手段で検出された前記試験光の光レベルが最大となるよう前記複数の出力偏向手段に対する偏向制御量のフィードバック制御を行い、かつ、前記特定の出力ポートに対応する特定の出力偏向手段を駆動して前記試験光を前記複数の入力偏向手段に順次入射させたとき、前記第２のモニタ手段で検出された前記試験光の光レベルが最大となるよう前記複数の出力偏向手段に対する偏向制御量のフィードバック制御を行うフィードバック制御手段を
有することを特徴とするＭＥＭＳ光スイッチ装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか１項記載のＭＥＭＳ光スイッチ装置において、
前記動作確認手段は、前記第１の試験光発生手段で発生する試験光の光レベルと前記第１のモニタ手段で検出された前記試験光の光レベルの差分が所定の許容範囲外であるとき対応する出力偏向手段の故障と判定し、前記第２の試験光発生手段で発生する試験光の光レベルと前記第２のモニタ手段で検出された前記試験光の光レベルの差分が所定の許容範囲外であるとき対応する入力偏向手段の故障と判定することを特徴とするＭＥＭＳ光スイッチ装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか１項記載のＭＥＭＳ光スイッチ装置において、
前記特定の入力ポートは、複数であることを特徴とするＭＥＭＳ光スイッチ装置。
【請求項６】
請求項１乃至４のいずれか１項記載のＭＥＭＳ光スイッチ装置において、
前記特定の出力ポートは、複数であることを特徴とするＭＥＭＳ光スイッチ装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか１項記載のＭＥＭＳ光スイッチ装置において、
前記試験光は、特定の波長であることを特徴とするＭＥＭＳ光スイッチ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍｓ）光スイッチ装置に関し、ＭＥＭＳミラーを用いた光スイッチであるＭＥＭＳ光スイッチ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
大容量光通信網を構築する有力な手段として波長分割多重（ＷＤＭ：Ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ  Ｄｉｖｉｓｉｏｎ  Ｍｕｌｔｉｐｌｅｘｉｎｇ）方式があり、近年、インターネットの爆発的な普及と共に、そのトラフィックが爆発的に増加している。
【０００３】
上述のＷＤＭ方式による基幹光ネットワークとしての一般的な光クロスコネクト（ＯＸＣ：Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｃｒｏｓｓ−Ｃｏｎｎｅｃｔ）システムは、複数の光信号交換装置が光ファイバにより相互に接続されてなるものである。光信号交換装置は、波長多重された光信号が光ファイバを通じて入力されると、波長単位で光信号の方路を切り替えると共に、同一方路の光信号について波長多重して伝送し得るものである。
【０００４】
このような光クロスコネクト装置においては、ある通信ルートをなす光ファイバに障害が発生した場合、即時に予備の光ファイバや別ルートの光ファイバに自動的に迂回してシステムを高速に復旧させることができる他、波長単位での光パスの編集が可能である。
【０００５】
ＭＥＭＳ光スイッチにおいては、機械的に動作するＭＥＭＳミラーが光スイッチの構成部品の中で信頼性が最も懸念される部分であり、光通信システムの信頼性を向上させるためにはＭＥＭＳミラーの故障検出が不可欠である。
【０００６】
従来のＭＥＭＳを用いた光スイッチ装置では、特許文献１に記載のように、カプラを介してすべての入力ポートに光源を接続し、光スイッチのすべての出力ポートの出力レベルをモニタして異常検出を行っている。
【０００７】
また、特許文献２には、入出力ポートにアライメントテスト専用のポートを各1個設け、それを用いてアライメントの代表特性を測定し、その結果により他のミラーの補正を行う点が記載されている。
【特許文献１】特開２００４−４８１８７号公報
【特許文献２】特開２００５−５７７８８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
従来の特許文献１のＭＥＭＳ光スイッチ装置では、すべての入力ポートに試験光の光源を接続し、すべての出力ポートの出力レベルをモニタして異常検出を行っているため、試験光の光源の数が多くなってコストが高くなり、装置サイズが大きくなるという問題があった。
【０００９】
本発明は、上記の点に鑑みなされたものであり、異常検出用の試験光の光源の数を大幅に削減することができ、装置の低コスト化及びサイズの小型化が可能なＭＥＭＳ光スイッチ装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一実施態様によるＭＥＭＳ光スイッチ装置は、
複数の入力ポートから入力された光信号をチャネル毎に複数の入力偏向手段及び複数の出力偏向手段で偏向して複数の出力ポートのいずれかから出力するＭＥＭＳ光スイッチ装置において、
試験光を発生して特定の入力ポートに供給する第１の試験光発生手段と、
前記複数の出力ポートそれぞれに設けられ前記ＭＥＭＳ光スイッチ装置から供給される前記試験光を分岐する第１の分岐手段と、
前記第１の分岐手段で分岐された試験光を検出する第１のモニタ手段と、
試験光を発生して特定の出力ポートに供給する第２の試験光発生手段と、
前記複数の入力ポートそれぞれに設けられ前記ＭＥＭＳ光スイッチ装置から供給される前記試験光を分岐する第２の分岐手段と、
前記第２の分岐手段で分岐された試験光をモニタする第２のモニタ手段と、
前記特定の入力ポートに対応する特定の入力偏向手段を駆動して前記試験光を前記複数の出力偏向手段に順次入射させ、前記第１のモニタ手段で検出された前記試験光の光レベルから前記出力偏向手段の動作確認を行い、かつ、前記特定の出力ポートに対応する特定の出力偏向手段を駆動して前記試験光を前記複数の入力偏向手段に順次入射させ、前記第２のモニタ手段で検出された前記試験光の光レベルから前記入力偏向手段の動作確認を行う動作確認手段を有することにより、異常検出用の試験光の光源の数を大幅に削減することができ、装置の低コスト化及びサイズの小型化が可能となる。
【００１１】
前記ＭＥＭＳ光スイッチ装置において、
前記動作確認手段は、前記出力偏向手段の動作確認の際に前記試験光を前記複数の出力偏向手段のうち未使用の出力偏向手段に順次入射させ、前記入力偏向手段の動作確認の際に前記試験光を前記複数の入力偏向手段のうち未使用の入力偏向手段に順次入射させる構成としても良い。
【００１２】
前記ＭＥＭＳ光スイッチ装置において、
前記動作確認手段は、前記特定の入力ポートに対応する特定の入力偏向手段を駆動して前記試験光を前記複数の出力偏向手段に順次入射させたとき、前記第１のモニタ手段で検出された前記試験光の光レベルが最大となるよう前記複数の出力偏向手段に対する偏向制御量のフィードバック制御を行い、かつ、前記特定の出力ポートに対応する特定の出力偏向手段を駆動して前記試験光を前記複数の入力偏向手段に順次入射させたとき、前記第２のモニタ手段で検出された前記試験光の光レベルが最大となるよう前記複数の出力偏向手段に対する偏向制御量のフィードバック制御を行うフィードバック制御手段を有する構成としても良い。
【００１３】
前記ＭＥＭＳ光スイッチ装置において、
前記動作確認手段は、前記第１の試験光発生手段で発生する試験光の光レベルと前記第１のモニタ手段で検出された前記試験光の光レベルの差分が所定の許容範囲外であるとき対応する出力偏向手段の故障と判定し、前記第２の試験光発生手段で発生する試験光の光レベルと前記第２のモニタ手段で検出された前記試験光の光レベルの差分が所定の許容範囲外であるとき対応する入力偏向手段の故障と判定する構成としても良い。
【００１４】
前記ＭＥＭＳ光スイッチ装置において、
前記特定の入力ポートは、複数である構成としても良い。
【００１５】
前記ＭＥＭＳ光スイッチ装置において、
前記特定の出力ポートは、複数である構成としても良い。
【００１６】
前記ＭＥＭＳ光スイッチ装置において、
前記試験光は、特定の波長である構成としても良い。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、異常検出用の試験光の光源の数を大幅に削減することができ、装置の低コスト化及びサイズの小型化が可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、図面に基づいて本発明の実施形態について説明する。
【００１９】
<ＭＥＭＳ光スイッチ装置の構成>
図１は、本発明の一実施形態にかかるＭＥＭＳ光スイッチ装置の構成図を示す。このＭＥＭＳ光スイッチ装置は、複数入力ポートからの入力光信号をチャネル毎にスイッチングして、各入力ポートに割り当てられた出力ポートから選択的に出力するものである。ここでは、１つの入力ポートに入力される光信号を単波長または波長多重に拘わらず１チャネルという。
【００２０】
同図中、ＭＥＭＳ光スイッチ装置１０は、入力ポートＰｉ＃１〜Ｐｉ＃Ｎそれぞれの光ファイバからＮチャネルの光信号が入力される。これらの光信号は波長フィルタ１１−１〜１１−Ｎを通して３次元ＭＥＭＳ光スイッチ光学系１２に供給される。さらに、波長フィルタ１１−０には試験光源であるレーザダイオード１３が発生した例えば波長λ０の試験光が供給されている。
【００２１】
波長フィルタ１１−０〜１１−Ｎは、レーザダイオード１３乃至入力ポートＰｉ＃１〜Ｐｉ＃Ｎから供給される光信号を３次元ＭＥＭＳ光スイッチ光学系１２のＮ＋１チャネルの入力ポートに供給する。また、３次元ＭＥＭＳ光スイッチ光学系１２から供給される光信号のうち波長λ０の試験光を分岐してモニタ回路１４に供給する。
【００２２】
３次元ＭＥＭＳ光スイッチ光学系１２のＮ＋１チャネルの出力ポートから出力される光信号は波長フィルタ１５−０〜１５−Ｎに供給される。波長フィルタ１５−０〜１５−Ｎは、３次元ＭＥＭＳ光スイッチ光学系１２のＮ＋１チャネルの出力ポートから供給される光信号のうち波長λ０の試験光を分岐してモニタ回路１６に供給し、波長λ０以外の光信号をレーザダイオード１７乃至出力ポートＰｏ＃１〜Ｐｏ＃Ｎそれぞれの光ファイバに出力する。また、試験光源であるレーザダイオード１７が発生した例えば波長λ０の試験光は波長フィルタ１５−０を通して３次元ＭＥＭＳ光スイッチ光学系１２の出力ポートに供給される。
【００２３】
３次元ＭＥＭＳ光スイッチ光学系１２は、図２，図３の構造図に示すように、２次元配列されたＮ＋１チャネル分の入力光ファイバアレイ２１、２次元配列されたＮ＋１チャネル分の入力コリメータアレイ２２、２次元配列されたＮ＋１チャネル分の入力ＭＥＭＳミラーアレイ２３、折り返しミラー２４、２次元配列されたＮ＋１チャネル分の出力ＭＥＭＳミラーアレイ２５、２次元配列されたＮ＋１チャネル分の出力コリメータアレイ２６、２次元配列されたＮ＋１チャネル分の出力光ファイバアレイ２７から構成されている。
【００２４】
入力光ファイバアレイ２１から入力される各チャネルの光信号は入力コリメータアレイ２２にて平行光とされて入力ＭＥＭＳミラーアレイ２３に入力される。
【００２５】
入力ＭＥＭＳミラーアレイ２３及び出力ＭＥＭＳミラーアレイ２５は、Ｘ軸及びＹ軸に平行な回動軸を持つＮ＋１個のティルトミラーを平面上に配列したものであり、各ティルトミラーは後述する制御回路３０の制御により駆動回路３１から駆動され、２軸それぞれの角度を調整されて信号光を反射する。
【００２６】
入力ＭＥＭＳミラーアレイ２３で反射された信号光は、入力ＭＥＭＳミラーアレイ２３の面に対し４５度で配置された折り返しミラー２４のミラー面２４ａで反射され、さらに、ミラー面２４ａに対し９０度をなし、かつ、出力ＭＥＭＳミラーアレイ２５の面に対し４５度で配置された折り返しミラー２４のミラー面２４ｂで反射されて、出力ＭＥＭＳミラーアレイ２５の各ＭＥＭＳミラーに照射される。そして、各チャネルの信号光は出力ＭＥＭＳミラーアレイ２５で反射されて出力コリメータアレイ２６を通して出力光ファイバアレイ２７に出力される。
【００２７】
入力ＭＥＭＳミラーアレイ２３のＭＥＭＳミラーの角度調整は入射光を出力ＭＥＭＳミラーアレイ２５のどのＭＥＭＳミラーに入射するかを決定し、出力ＭＥＭＳミラーアレイ２５のＭＥＭＳミラーの角度調整は入射光を出力光ファイバアレイ２７のどの光ファイバに出力するかを決定する。
【００２８】
図１に戻って説明するに、制御回路３０にはメモリ３２が接続されている。メモリ３２は、入力光ファイバアレイ２１の各チャンネルと出力光ファイバアレイ２７の各チャネル出力ポートの交換を行うための偏向制御量（初期値）に関する情報をデータベースとして格納している。また、上位システム３３からのパス設定情報を保持し、光スイッチ内のアラーム等のステータス情報も格納する。
【００２９】
波長フィルタ１１−０〜１１−Ｎ，１５−０〜１５−Ｎについて説明する。出力ポート側から入力した光は、入力ポートに接続されている波長フィルタ１１−０〜１１−Ｎによりモニタ回路１４に１００％分岐する。
【００３０】
入力ポート側から入力する光は、実運用中の光信号でフィードバック制御を行う必要があるため、試験光の波長λ０と運用される波長が同一帯域の場合には出力ポートから試験光が漏れても問題ないレベルとするため、レーザダイオード１３から出力される光レベルは微小なレベルとし、モニタ回路１６で増幅する。
【００３１】
一方、入力ポート側から入力される光信号の波長が運用される波長とは別帯域の場合は、出力ポート側に接続される波長フィルタ１５−０〜１５−Ｎによりモニタ回路１６に１００％分岐する。この場合、運用される波長に対しては、波長フィルタは５〜１０％程度の分岐比とし、運用される光信号でもフィードバック制御が可能な特性とする。
【００３２】
モニタ回路１４，１６は、上記の波長フィルタ１１−０〜１１−Ｎ，１５−０〜１５−Ｎにより分岐された光信号をそれぞれモニタするもので、例えば各光信号のレベルに応じた電気信号（フォトカレント；電流信号）を出力するフォトダイオードと、フォトカレントを電圧信号に変換して出力する電流／電圧変換器等により構成される。
【００３３】
駆動回路３１は、制御回路３０からのディジタル制御量を受けて、これをアナログ制御量に変換することにより、入力ＭＥＭＳミラーアレイ２３を構成する各ティルトミラー及び出力ＭＥＭＳミラーアレイ２５を構成する各ティルトミラーの角度を可変制御するものである。すなわち、駆動回路３１により、３次元ＭＥＭＳ光スイッチ光学系１２の各チャネルの光信号の偏向状態を可変している。
【００３４】
制御回路３０は、モニタ回路１４，１６からのモニタ結果に基づいて、３次元ＭＥＭＳ光スイッチ光学系１２における偏向状態を設定すべくドライバを制御するものであり、例えば、ＦＰＧＡ（Ｆｉｅｌｄ  Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  Ｇａｔｅ  Ａｒｒａｙｓ）等のＡＳＩＣ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ  Ｓｐｅｃｉｆｉｃ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）により構成することができる。
【００３５】
また、上位システム３３からパス設定要求があった場合、パス設定要求のパス接続を行うために必要な偏向制御量をメモリ３２から読出して駆動回路３１を制御する。また、未接続パスについては、レーザダイオード１３，１７から入力される試験光を用いてパス接続試験を行い、常時３次元ＭＥＭＳ光スイッチ光学系１２の動作確認を行い、検出された光レベルに異常がある場合には、上位システム３３に異常を通知する。
【００３６】
レーザダイオード１３，１７は、３次元ＭＥＭＳ光スイッチ光学系１２のＭＥＭＳミラーの動作確認を行うためのものであるが、試験光を入力する波長フィルタはいずれの波長フィルタでもよい。
【００３７】
３次元ＭＥＭＳ光スイッチ光学系１２が冗長構成となっている場合、例えば１４４チャネル分の入力ポートと出力ポートと入力ＭＥＭＳミラーアレイ２３，出力ＭＥＭＳミラーアレイ２５が配置され、１２８チャネルの光信号をスイッチングする場合、冗長分の１６チャネルを試験ポートとすることができる。そして、冗長分の１６チャネルをレーザダイオード１３，１７に接続して試験光を入力する。
【００３８】
<動作確認方法>
図４は、制御回路３０が実行する出力ＭＥＭＳミラーの動作確認処理のフローチャートを示す。図２にこの出力ＭＥＭＳミラーの動作確認の様子を示す。図４において、ステップＳ１１でレーザダイオード１３に試験光を発光させる。
【００３９】
次に、ステップＳ１２で制御回路３０はメモリ３２のパス設定情報を参照して出力ＭＥＭＳミラーアレイ２５内で未使用の出力ＭＥＭＳミラー（動作未確認のもの）を１つ抽出する。制御回路３０は、試験光が入力される入力ＭＥＭＳミラーアレイ２３内の入力ＭＥＭＳミラー（図２に２３ａで示す）と、抽出した未使用の出力ＭＥＭＳミラーとの間で、メモリ３２内の偏向制御量情報（初期値）に基づいて偏向制御を行い、その後、入力ＭＥＭＳミラーと出力ＭＥＭＳミラーのフィードバック制御を行って、モニタ回路１６で検出される試験光の光レベルが最大となる（損失が最小となる）ようにする。
【００４０】
次に、ステップＳ１３でレーザダイオード１３の発生する試験光の光レベルと検出された光レベルの差分が許容範囲内であるか否かを判別し、差分が許容範囲内であればステップＳ１４で当該出力ＭＥＭＳミラーは正常に動作しているとしてメモリ３２にステータス情報を書き込み、差分が許容範囲外であれば当該出力ＭＥＭＳミラーが故障しているとしてメモリ３２にステータス情報を書き込む。
【００４１】
この後、出力ＭＥＭＳミラーアレイ２５内で未使用の出力ＭＥＭＳミラーすべての動作確認が終了したかを判別し、終了していなければステップＳ１２に進んでステップＳ１２〜Ｓ１６を繰り返す。
【００４２】
図５は、制御回路３０が実行する入力ＭＥＭＳミラーの動作確認処理のフローチャートを示す。図３にこの入力ＭＥＭＳミラーの動作確認の様子を示す。図５において、ステップＳ２１でレーザダイオード１７に試験光を発光させる。
【００４３】
次に、ステップＳ２２で制御回路３０はメモリ３２のパス設定情報を参照して入力ＭＥＭＳミラーアレイ２３内で未使用の入力ＭＥＭＳミラー（動作未確認のもの）を１つ抽出する。制御回路３０は、試験光が入力される出力ＭＥＭＳミラーアレイ２５内の出力ＭＥＭＳミラー（図３に２５ａで示す）と、抽出した未使用の入力ＭＥＭＳミラーとの間で、メモリ３２内の偏向制御量情報（初期値）に基づいて偏向制御を行い、その後、出力ＭＥＭＳミラーと入力ＭＥＭＳミラーのフィードバック制御を行って、モニタ回路１４で検出される試験光の光レベルが最大となる（損失が最小となる）ようにする。
【００４４】
次に、ステップＳ２３でレーザダイオード１７の発生する試験光の光レベルと検出された光レベルの差分が許容範囲内であるか否かを判別し、差分が許容範囲内であればステップＳ２４で当該入力ＭＥＭＳミラーは正常に動作しているとしてメモリ３２にステータス情報を書き込み、差分が許容範囲外であれば当該入力ＭＥＭＳミラーが故障しているとしてメモリ３２にステータス情報を書き込む。
【００４５】
この後、入力ＭＥＭＳミラーアレイ２３内で未使用の入力ＭＥＭＳミラーすべての動作確認が終了したかを判別し、終了していなければステップＳ２２に進んでステップＳ２２〜Ｓ２６を繰り返す。
【００４６】
なお、入力ミラー入力ＭＥＭＳミラーアレイ２３と出力ＭＥＭＳミラーアレイ２５の動作確認は、並行して同時に行うことも可能であり、上記の動作確認は常時行うことができる。
【００４７】
このように、ステップＳ１２，Ｓ２２では未使用のＭＥＭＳミラーを抽出しているため、運用状態で入力ミラー入力ＭＥＭＳミラーアレイ２３と出力ＭＥＭＳミラーアレイ２５の動作確認を行うことができる。なお、使用中のＭＥＭＳミラーについては必ず信号光が入射されているため、モニタ回路１４，１６で検出される光レベルが所定の閾値以下であれば故障と判断することができる。
【００４８】
<フィードバック制御>
図６は、制御回路３０が実行する任意の出力ＭＥＭＳミラーまたは入力ＭＥＭＳミラーのフィードバック制御のフローチャートを示す。同図中、ステップＳ３１でメモリ３２から読み出した当該ＭＥＭＳミラーの偏向制御量（初期値）を駆動回路３１に供給して当該ＭＥＭＳミラーを駆動する。
【００４９】
次に、ステップＳ３２で偏向制御量を微小量ｄだけ増加させてＭＥＭＳミラーを駆動し、ステップＳ３３でモニタ回路１６またはモニタ回路１４でモニタした試験光の光レベルが増大したか否かを判別する。
【００５０】
ここで、光レベルが増大した場合は、ステップＳ３４において偏向制御量をさらに微小量ｄだけ増加させてＭＥＭＳミラーを駆動し、ステップＳ３５でモニタ回路１６またはモニタ回路１４でモニタした試験光の光レベルが増大したか否かを判別し、光レベルが増大した場合はステップＳ３４に進んでステップＳ３４，Ｓ３５を繰返し、光レベルが増大しない場合はこの処理を終了する。
【００５１】
一方、光レベルが増大しない場合は、ステップＳ３６において偏向制御量をさらに微小量ｄだけ減少させてＭＥＭＳミラーを駆動し、ステップＳ３７でモニタ回路１６またはモニタ回路１４でモニタした試験光の光レベルが増大したか否かを判別し、光レベルが増大した場合はステップＳ３６に進んでステップＳ３４，Ｓ３５を繰返し、光レベルが増大しない場合はこの処理を終了する。
【００５２】
このように、本実施形態にかかる光スイッチ構成及び故障検出制御方式を用いると、すべてのポートに光源を接続しなくてもＭＥＭＳミラーの故障検出を行うことが可能となるため、光通信システムの信頼性向上を図ると共に、光スイッチの低コスト化、小型化を実現することが可能となる。
【００５３】
なお、レーザダイオード１３が請求項記載の第１の試験光発生手段に相当し、レーザダイオード１７が第２の試験光発生手段に相当し、波長フィルタ１５−０〜１５−Ｎが第１の分岐手段に相当し、波長フィルタ１１−０〜１１−Ｎが第２の分岐手段に相当し、モニタ回路１６が第１のモニタ手段に相当し、モニタ回路１４が第２のモニタ手段に相当し、制御回路３０が動作確認手段に相当し、ステップＳ３１〜３７がフィードバック制御手段に相当する。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本発明の一実施形態にかかるＭＥＭＳ光スイッチ装置の構成図である。
【図２】出力ＭＥＭＳミラーの動作確認の様子を示す構造図である。
【図３】入力ＭＥＭＳミラーの動作確認の様子を示す構造図である。
【図４】出力ＭＥＭＳミラーの動作確認処理のフローチャートである。
【図５】入力ＭＥＭＳミラーの動作確認処理のフローチャートである。
【図６】フィードバック制御のフローチャートである。
【符号の説明】
【００５５】
１０  ＭＥＭＳ光スイッチ装置
１１−０〜１１−Ｎ，１５−０〜１５−Ｎ  波長フィルタ
１２  ３次元ＭＥＭＳ光スイッチ光学系
１３，１７  レーザダイオード
１４，１６  モニタ回路
２１  入力光ファイバアレイ
２２  入力コリメータアレイ
２３  入力ＭＥＭＳミラーアレイ
２４  折り返しミラー
２５  出力ＭＥＭＳミラーアレイ
２６  出力コリメータアレイ
２７  出力光ファイバアレイ
３０  制御回路
３１  駆動回路
３２  メモリ
３３  上位システム
Ｐｉ＃１〜Ｐｉ＃Ｎ  入力ポート
【図１】
2008052212.tif 000003
【図２】
2008052212.tif 000004
【図３】
2008052212.tif 000005
【図４】
2008052212.tif 000006
【図５】
2008052212.tif 000007
【図６】
2008052212.tif 000008