(57)【要約】【課題】バリアメタル膜上に形成される金属めっき膜から、その金属成分が層間絶縁膜に拡散することを防止すること。【解決手段】層間絶縁膜６、バリアメタル膜９、Ｃｕシード膜１０及びＣｕめっき膜１１の成膜領域に関して、バリアメタル膜９、Ｃｕシード膜１０、Ｃｕめっき膜１１を成膜する時のウェハ外周領域での各端部位置が、上層になるほど、層間絶縁膜６の端部位置よりも段階的にウェハ内側にくるように形成する。これにより、Ｃｕシード膜１０及びＣｕめっき膜１１の下には、必ずバリアメタル膜９が存在することになる。その結果、Ｃｕシード膜１０やＣｕめっき膜１１を形成した後の工程における熱処理中に、Ｃｕシード膜１０やＣｕめっき膜１１からＣｕが層間絶縁膜６中に異常拡散して、デバイス特性を変動させることを防止できる。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウェハ上に、コンタクトホールを含む配線溝が形成された層間絶縁膜、バリアメタル膜、金属めっき膜を順次形成する半導体ウェハであって、
当該ウェハの外周領域において、前記バリアメタル膜の端部は、前記層間絶縁膜の端部よりも前記ウェハの内側の位置で終端し、さらに、前記金属めっき膜の端部は、前記バリアメタル膜の端部よりも前記ウェハの内側の位置で終端していることを特徴とする半導体ウェハ。
【請求項２】
前記金属めっき膜は、前記バリアメタル膜上に形成されるめっきシード膜と、当該めっきシード膜上に形成される電気めっき膜とからなり、
前記めっきシード膜の端部は、前記バリアメタル膜の端部よりも前記ウェハの内側の位置で終端し、前記電気めっき膜の端部は、前記めっきシード膜の端部よりも前記ウェハの内側の位置で終端していることを特徴とする請求項１に記載の半導体ウェハ。
【請求項３】
前記金属めっき膜はＣｕからなることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導体ウェハ。
【請求項４】
前記層間絶縁膜は、ＴＥＯＳ膜、ＳＯＧ膜、及びそれらを積層した積層膜のいずれかであることを特徴とする請求項１乃至請求項３に記載の半導体ウェハ
【請求項５】
前記バリアメタル膜は、ＴｉＮ，ＴｉＷ，Ｔａ，ＴａＮのいずれかからなることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の半導体ウェハ。
【請求項６】
前記ウェハは、内部に埋め込み絶縁膜を備えたＳＯＩウェハであることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の半導体ウェハ。
【請求項７】
ウェハ上に層間絶縁膜を形成する工程と、
前記層間絶縁膜に、コンタクトホールを含む配線溝を形成する工程と、
端部が、前記層間絶縁膜の端部よりも前記ウェハの内側の位置で終端するように、前記層間絶縁膜上にバリアメタル膜を成膜する工程と、
端部が、前記バリアメタル膜の端部よりも前記ウェハの内側の位置で終端するように、前記バリアメタル膜上に金属めっき膜を成膜する工程と、
前記配線溝内に前記バリアメタル膜及び金属めっき膜が残り、かつ前記層間絶縁膜の表面が露出するように、前記バリアメタル膜及び金属めっき膜を研磨する工程とを備えることを特徴とする半導体ウェハの製造方法。
【請求項８】
前記金属めっき膜の成膜工程は、前記バリアメタル膜上にめっきシード膜を成膜する工程と、前記めっきシード膜上に電気めっき膜を成膜する工程とからなり、
前記めっきシード膜の成膜工程では、当該めっきシード膜の端部が、前記バリアメタル膜の端部よりも前記ウェハの内側の位置で終端するように、前記めっきシード膜を成膜し、前記電気めっき膜の成膜工程では、当該電気めっき膜の端部が、前記めっきシード膜の端部よりも前記ウェハの内側の位置で終端するように、前記電気めっき膜を成膜することを特徴とする請求項７に記載の半導体ウェハの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、いわゆるダマシン法によって層間絶縁膜に配線金属層を形成する半導体ウェハ及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ダマシン法によって層間絶縁膜に配線金属層を形成するものとして、例えば特許文献１に記載されたものが知られている。特許文献１に記載された製造方法では、まず、ウェハの外周縁部をクランプリングでマスクして、スパッタ法によりＴｉＮバリア膜を成膜する。次いで、ＴｉＮバリア膜を成膜したときに用いたクランプリングよりも内径寸法が大きなクランプリングを用いて、スパッタ法によりＣｕシード膜を成膜する。その結果、Ｃｕシード膜はＴｉＮバリア膜を覆うように広い面積に成膜される。
【０００３】
これにより、ＴｉＮバリア膜とＣｕシード膜との成膜時に位置ずれが生じた場合であっても、ＴｉＮバリア膜が露呈されることが防止されるので、Ｃｕシード膜上に成膜するＣｕめっき膜が直接ＴｉＮバリア膜上に成長されることが防止される。このようにして、ＴｉＮとＣｕとの密着性の悪さに起因して生じる、製造段階において異物となり得る、Ｃｕめっき膜のＴｉＮバリア膜からの剥がれを防止している。
【特許文献１】特開平１１−２９７６９５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
例えば、半導体ウェハのデバイス形成領域上にボンディング用パッドを形成する場合、ボンディング時のＡｌの塑性変形を下層に伝搬させないようにするため、Ａｌ膜の下に、硬く比較的厚い金属膜（例えば、５ｕｍのＣｕ膜）を形成することが多い。Ｃｕ膜の加工は、ドライエッチングでは難しいため、一般的には、上述したダマシン法によって加工される。
【０００５】
ここで、ＳＯＩウェハを例として、従来のダマシン法によって層間絶縁膜に配線金属層を形成した場合の問題点について説明する。図５は、ベース層１、埋め込み酸化膜２、及びＳＯＩ層3からなるＳＯＩウェハ上に、シリコン酸化膜などからなる絶縁膜４を介して、ＴＥＯＳ膜からなる層間絶縁膜６と、例えばＴｉＮからなるバリアメタル膜９、及びＣｕシード膜１０を順次形成したときの、ＳＯＩウェハの外周領域における断面形状を示す断面図である。なお、図示していないが、Ｃｕシード膜１０上にはさらに、電気めっきによりＣｕめっき膜が形成される。
【０００６】
図５において、層間絶縁膜６にＣｕ膜が埋め込み配線される配線溝（図示せず）の形成時に、ＳＯＩウェハの外周領域では、レジスト膜による異物の発生を防止することなどを目的として、サイドリンス処理によって、外周領域のレジスト膜がエッチングされる。このため、配線溝を形成するための層間絶縁膜６のエッチングが行われると、同時に、外周領域の層間絶縁膜６もエッチングされる。
【０００７】
このように、外周領域の層間絶縁膜６がエッチング除去されることによって形成された外周テラス部８は、下地に埋め込み酸化膜２がある。この埋め込み酸化膜２は、いくつかのエッチングプロセスを経ているため、その表面が荒れた状態となっている。この埋め込み酸化膜２の表面状態の影響と、上述した層間絶縁膜６のエッチングの影響などによって、外周テラス部８の表面も非常に荒れた状態となる。
【０００８】
この外周テラス部８に、バリアメタル膜９、及びＣｕシード膜１０などが成膜されると、下地の表面荒れに起因して、バリアメタル膜９が正常に成膜されていない箇所にＣｕシード膜１０が形成されてしまうことがある。この場合、Ｃｕシード膜１０が、層間絶縁膜６に直接接触した状態となり、後工程での熱処理で層間絶縁膜６中にＣｕが拡散して、デバイスの特性変動を招く可能性が生じる。
【０００９】
本発明は、上述した点に鑑みてなされたものであり、バリアメタル膜上に形成される金属めっき膜から、その金属成分が層間絶縁膜に拡散することを防止することが可能な半導体ウェハ及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するために、請求項１に記載の半導体ウェハは、ウェハ上に、コンタクトホールを含む配線溝が形成された層間絶縁膜、バリアメタル膜、金属めっき膜を順次形成するものであって、
当該ウェハの外周領域において、バリアメタル膜の端部は、層間絶縁膜の端部よりもウェハの内側の位置で終端し、さらに、金属めっき膜の端部は、バリアメタル膜の端部よりもウェハの内側の位置で終端していることを特徴とする。
【００１１】
上述した構成を採用することにより、金属めっき膜の下地として、必ずバリアメタル膜が存在することになる。このため、熱処理中に、金属めっき膜の金属成分が層間絶縁膜に異常拡散して、デバイス特性を変動させることを防止することができる。
【００１２】
なお、ウェハの外周領域において、サイドリンス処理のために層間絶縁膜がエッチング除去された場合であっても、そのエッチングなどによって表面が荒れた外周テラス部には、バリアメタル膜及び金属めっき膜が成膜されることはないので、この点からも、金属成分が層間絶縁膜内に拡散することを防止できる。
【００１３】
請求項２に記載したように、金属めっき膜は、バリアメタル膜上に形成されるめっきシード膜と、当該めっきシード膜上に形成される電気めっき膜とからなり、めっきシード膜の端部は、バリアメタル膜の端部よりもウェハの内側の位置で終端し、電気めっき膜の端部は、めっきシード膜の端部よりもウェハの内側の位置で終端していることが好ましい。このように、めっきシード膜上に電気めっき膜を成長させるとき、その電気めっき膜の端部を、めっきシード膜の端部よりもウェハの内側で終端させるようにすると、金属めっき膜をより確実にバリアメタル膜の範囲内に形成することができる。
【００１４】
請求項３に記載したように、金属めっき膜はＣｕからなる場合がある。半導体ウェハにおいて、アルミボンディングの下地として用いられたりするためである。このＣｕは、層間絶縁膜中に拡散しやすい性質を持っている。このため、金属めっき膜がＣｕからなる場合、特に上述した本発明の構成を採用し、Ｃｕの層間絶縁膜への拡散を防止することが好ましい。
【００１５】
層間絶縁膜としては、請求項４に記載したように、ＴＥＯＳ膜、ＳＯＧ膜、及びそれらを積層した積層膜のいずれかを用いることができる。また、バリアメタル膜は、請求項５に記載したように、ＴｉＮ，ＴｉＷ，Ｔａ，ＴａＮのいずれかから膜を用いることができる。
【００１６】
請求項６に記載したように、ウェハとして、ＳＯＩウェハを用いても良い。ＳＯＩウェハの場合、埋め込み酸化膜の影響によって、ＳＯＩウェハの外周領域の表面が荒れやすくなる。しかし、本願発明では、そのように表面が荒れた外周領域を避けて、バリアメタル膜及び金属めっき膜を形成するので、金属めっき膜が直接層間絶縁膜に接触する箇所が生じることを防止できる。
【００１７】
請求項７及び請求項８は、請求項１及び請求項２に記載した半導体ウェハを製造するための製造方法に関するものである。すなわち、請求項７に記載の半導体ウェハの製造方法は、ウェハ上に層間絶縁膜を形成する工程と、層間絶縁膜に、コンタクトホールを含む配線溝を形成する工程と、端部が、層間絶縁膜の端部よりもウェハの内側の位置で終端するように、層間絶縁膜上にバリアメタル膜を成膜する工程と、端部が、バリアメタル膜の端部よりもウェハの内側の位置で終端するように、バリアメタル膜上に金属めっき膜を成膜する工程と、配線溝内にバリアメタル膜及び金属めっき膜が残り、かつ層間絶縁膜の表面が露出するように、バリアメタル膜及び金属めっき膜を研磨する工程とを備えることを特徴とする。
【００１８】
また、請求項８に記載の製造方法は、金属めっき膜の成膜工程が、バリアメタル膜上にめっきシード膜を成膜する工程と、めっきシード膜上に電気めっき膜を成膜する工程とからなり、めっきシード膜の成膜工程では、当該めっきシード膜の端部が、バリアメタル膜の端部よりもウェハの内側の位置で終端するように、めっきシード膜を成膜し、電気めっき膜の成膜工程では、当該電気めっき膜の端部が、めっきシード膜の端部よりもウェハの内側の位置で終端するように、電気めっき膜を成膜することを特徴とする。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明の実施形態による半導体ウェハ及びその製造方法について説明する。図１（ａ）〜（ｃ）及び図２（ａ）〜（ｄ）は、半導体ウェハとして、ＳＯＩウェハを例にとり、その製造工程を示す図である。まず、これらの図を用いて、本実施形態によるＳＯＩウェハの製造方法について説明する。なお、ＳＯＩウェハの状態が理解しやすくなるように、図１（ａ）〜（ｃ）及び図２（ａ）〜（ｄ）は、ＳＯＩウェハの外縁近辺の外周領域と、半導体デバイスが形成される内部領域とを示している。
【００２０】
図１（ａ）の断面図は、ＳＯＩウェハにおいて第１配線層５が形成され、パターニングされた状態を示している。ＳＯＩウェハは、ベース層１、埋め込み酸化膜２、及びＳＯＩ層３を有し、ＳＯＩ層３には、図示しないトランジスタなどの能動素子が形成されている。そして、ＳＯＩ層３の能動素子と電気的に接続する電極を設けるため、コンタクトホールが形成されたＢＰＳＧ膜やＳｉＯ２膜などからなる絶縁膜４上に、例えば多結晶シリコンなどの導電体によって第１配線層５が形成される。この第１配線層は、所望の電極形状にパターニングされ、各々の電極が分離、絶縁されている。
【００２１】
図１（ｂ）に示す工程では、第１配線層５の上に、例えばＴＥＯＳ膜からなる層間絶縁膜６を成膜する。この層間絶縁膜６は、ＣＭＰ法などの研磨法によって、その表面が平坦化される。なお、平坦化処理時に、第１配線層５上の層間絶縁膜６が、例えば２μｍ程度残るように、層間絶縁膜６を研磨する。層間絶縁膜６として、ＴＥＯＳ膜の他、例えばＳＯＧ膜のようなポーラスな膜を用いても良い。
【００２２】
図１（ｃ）に示す工程では、フォトリソグラフィー・ドライエッチング技術を用いて、第１配線層５とのコンタクトホールを含む配線溝７を、層間絶縁膜６に形成する。図１（ｃ）は、配線溝７の形成のために用いられたレジストが既に除去された状態を示している。このレジストは、フォトリソグラフィー工程において、配線溝７の形成予定部位に対応して開口部が形成されるのと同時に、外周部におけるレジストの欠けなどによる異物の発生を防止する目的などのため、サイドリンス処理により、外周領域の一部のレジストが除去される。このため、レジストをマスクとした層間絶縁膜６のドライエッチング工程では、レジストがオープンとなっている配線溝７の形成予定部位及び外周領域の層間絶縁膜６がエッチング除去され、ＳＯＩウェハの外周領域に外周テラス部８が形成される。
【００２３】
ただし、外周テラス部８が形成されるＳＯＩウェハの最外周部は、半導体チップの形成領域外となるため、外周テラス部８における層間絶縁膜６は完全に除去されず、微小な凹凸があるままとされる。
【００２４】
次に、図２（ａ）に示す工程では、配線溝７の形成部位を含む層間絶縁膜６上に、バリアメタル膜９を、スパッタ法などによって例えば２０ｎｍの厚さに形成する。バリアメタル膜９は、後述するＣｕシード膜１０やＣｕめっき膜１１から層間絶縁膜６中へＣｕの拡散を防止するためのものであり、ＴｉＮから形成されるが、その他に、ＴｉＷ，Ｔａ，ＴａＮなどから形成しても良い。
【００２５】
このバリアメタル膜９を形成する際には、図２（ａ）に示すように、リング状に形成された遮蔽板２０を用いて、ＳＯＩウェハの外周領域を遮蔽して、バリアメタル膜９の成膜領域をコントロールする。具体的には、バリアメタル膜９の端部が、サイドリンス処理のために除去された層間絶縁膜６の端部よりも、ＳＯＩウェハの内側の位置で終端するように、遮蔽板２０の開口径を設定する。例えば、遮蔽板２０により、層間絶縁膜６の端部とバリアメタル膜９の端部との間に、０．５ｍｍ程度の間隔が設けられるようにする。これにより、バリアメタル膜９が、表面が荒れた外周テラス部８上に形成されることが防止される。
【００２６】
図２（ｂ）に示す工程では、バリアメタル膜９上に、スパッタ法などによって、Ｃｕシード膜１０を例えば２００ｎｍの厚さに形成する。このＣｕシード膜１０は、電界めっき法によってＣｕめっき膜１１を形成する際の一方の電極となり、Ｃｕめっき膜１１は、このＣｕシード膜１０上に成長する。
【００２７】
Ｃｕシード膜１０を形成する際にも、リング状の遮蔽板２１によってＳＯＩウェハの外周領域が遮蔽され、Ｃｕシード膜１０の成膜領域がコントロールされる。このＣｕシード膜１０の成膜領域を規定するための遮蔽板２１は、バリアメタル膜９の成膜領域を規定するための遮蔽板２０よりも、小さい開口径を有している。また、両遮蔽板２０，２１は、各々の開口部の中心が同じ位置となるように、ＳＯＩウェハに対して設置される。従って、遮蔽板２１により、Ｃｕシード膜１０の成膜領域は、バリアメタル膜９の成膜領域よりも縮径した範囲となる。その結果、Ｃｕシード膜１０の端部は、バリアメタル膜９の端部よりも、ＳＯＩウェハの内側の位置で終端するようになる。この場合も、例えば、バリアメタル膜９の端部とＣｕシード膜１０の端部との間に、０．５ｍｍ程度の間隔が設けられるように、遮蔽板２１の開口径を設定する。
【００２８】
従って、Ｃｕシード膜１０の下地として、必ずバリアメタル膜９が存在することになる。このため、Ｃｕシード膜１０を一方の電極として電界めっきを行って、Ｃｕめっき膜１１を成長させた場合においても、Ｃｕシード膜１０及びＣｕめっき膜１１が、バリアメタル膜９を介さずに、直接的に層間絶縁膜６に接するような箇所が発生することがない。
【００２９】
さらに、本実施形態では、Ｃｕシード膜１０上にＣｕめっき膜１１を成長させる電気めっき工程において、Ｃｕめっき膜１１が確実にＣｕシード膜１０上においてのみ成長するように、Ｃｕめっき膜１１の形成時、図２（ｃ）に示すように、ＳＯＩウェハの外周領域をシールドする遮蔽板２２を用いる。すなわち、この遮蔽板２２の内径部は、Ｃｕシード膜１０に当接して、電界めっき液が、ＳＯＩウェハの外周領域に回りこまないようにしている。この状態で電界めっき処理が実行され、Ｃｕめっき膜１１が例えば５μｍ程度の厚さに形成される。
【００３０】
ＳＯＩウェハの外周領域をシールドする遮蔽板２２は、Ｃｕシード膜１０の形成時に用いられる遮蔽板２１よりも、さらに小さい開口径を有する。このため、Ｃｕめっき膜１１の成膜領域は、Ｃｕシード膜１０の成膜領域よりもさらに縮径した範囲となり、Ｃｕめっき膜１１の端部は、Ｃｕシード膜１０の端部よりも、ＳＯＩウェハの内側の位置で終端するようになる。この場合も、例えば、Ｃｕシード膜１０の端部とＣｕめっき膜１１の端部との間に、０．５ｍｍ程度の間隔が設けられるように、遮蔽板２２の開口径を設定する。
【００３１】
このような遮蔽板２２を用いることにより、Ｃｕめっき膜１１が誤ってバリアメタル膜９上に直接形成され、層間絶縁膜６との距離を縮めてしまうような事態の発生を防止することができる。
【００３２】
最後に、図２（ｄ）に示す工程において、層間絶縁膜６の配線溝７内にバリアメタル膜９、Ｃｕシード膜１０及びＣｕめっき膜１１が残り、かつ層間絶縁膜６の表面が露出するように、例えばＣＭＰ法により、ＳＯＩウェハの表面を研磨する。この研磨によって、配線溝７内を除く層間絶縁膜６上の大部分のバリアメタル膜９、Ｃｕシード膜１０及びＣｕめっき膜１１が除去される。ただし、図２（ｄ）に示すように、ＳＯＩウェハの外周領域には、一部のバリアメタル膜９、Ｃｕシード膜１０及びＣｕめっき膜１１が残ってしまう。このように、ＳＯＩウェハの外周領域において、一部のバリアメタル膜９、Ｃｕシード膜１０及びＣｕめっき膜１１が残っても、Ｃｕシード膜１０及びＣｕめっき膜１１の下には、必ずバリアメタル膜９が存在する。
【００３３】
ダマシン法で配線構造を形成する場合に、上述した製造方法を採用することにより、図３に示すように、層間絶縁膜６に配線溝を形成する際にサイドリンス処理によって同時に形成される、層間絶縁膜６の端部が、最もＳＯＩウェハの外縁に近い位置に形成される。そして、バリアメタル膜９の端部は、層間絶縁膜６の端部よりもＳＯＩウェハの内側に位置し、Ｃｕシード膜１０の端部は、さらに、バリアメタル膜９の端部よりも内側に位置し、最も上層のＣｕめっき膜１１の端部は、Ｃｕシード膜１０の端部よりもさらに内側に位置する。
【００３４】
すなわち、本実施形態によれば、層間絶縁膜６、バリアメタル膜９、Ｃｕシード膜１０及びＣｕめっき膜１１の成膜領域に関して、バリアメタル膜９、Ｃｕシード膜１０、Ｃｕめっき膜１１を成膜する時のウェハ外周領域での各薄膜端が、上層になるほど、層間絶縁膜６の端部位置よりも段階的にウェハ内側にくるようにされる。
【００３５】
このため、Ｃｕシード膜１０及びＣｕめっき膜１１の下には、必ずバリアメタル膜９が存在することになる。その結果、Ｃｕシード膜１０やＣｕめっき膜１１を形成した後の工程における熱処理中に、Ｃｕシード膜１０やＣｕめっき膜１１からＣｕが層間絶縁膜６中に異常拡散して、デバイス特性を変動させることを防止することができる。
【００３６】
また、ＳＯＩウェハの外周領域において、サイドリンス処理のために層間絶縁膜６がエッチング除去されることによって形成される外周テラス部８には、バリアメタル膜９、Ｃｕシード膜及びＣｕめっき膜１１が成膜されることはないので、この点からも、Ｃｕの層間絶縁膜６内への異常拡散を効果的に防止することができる。
【００３７】
（変形例）
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、上述した実施形態になんら制限されることなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、種々の変形が可能である。
【００３８】
例えば、上述した実施形態では、遮蔽板２０，２１，２２を用いて、バリアメタル膜９、Ｃｕシード膜１０、Ｃｕめっき膜１１の各端部位置が、上層になるほど、層間絶縁膜６の端部位置よりも段階的にウェハ内側にくるように配置した。
【００３９】
しかしながら、これらの薄膜の各端部位置は、フォトリソグラフィー・ドライエッチング技術を用いてコントロールするようにしても良い。図４（ａ）〜（ｃ）に、フォトリソグラフィー・ドライエッチング技術を用いてバリアメタル膜９の端部位置をコントロールする例を示す。
【００４０】
まず、図４（ａ）に示す工程では、バリアメタル膜９を遮蔽板２０を用いることなく、層間絶縁膜６の全面に成膜する。そして、図４（ｂ）に示す工程において、ＳＯＩウェハの外周領域のバリアメタル膜９を除去し、層間絶縁膜６の端部よりもＳＯＩウェハの内側で所望の位置にバリアメタル膜９の端部を形成するように、塗布したレジスト膜１２のサイドリンス幅を調整する。このとき、ウェハ内部は、レジスト膜１２によってカバーされる。
【００４１】
このレジスト膜１２をマスクとして、図４（ｃ）に示すように、ウェットエッチング（例えば、アンモニア水、過酸化水素水、水の混合液）を実施し、ウェハ外周領域のバリアメタル膜９を除去する。その後、レジスト膜１２を除去する。
【００４２】
なお、図４（ａ）〜（ｃ）ではバリアメタル膜９を例に説明したが、Ｃｕシード膜１０でも同様に処理できる。
【００４３】
また、上述した実施形態では、ＳＯＩウェハ上において、第２配線層を形成する場合を例にとって説明したが、層間絶縁膜、バリアメタル膜、めっきシード膜、電気めっき膜という組み合わせのプロセスであれば、多層配線でも本発明を適用することができる。
【００４４】
さらに、上述した実施形態では、半導体ウェハとしてＳＯＩウェハを用いる例について説明したが、バルクウェハでも適用できる。
【００４５】
また、めっきシード膜及び電気めっき膜をＣｕによって形成したが、その他の金属を用いても良いことはもちろんである。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】（ａ）〜（ｃ）は、実施形態による半導体ウェハの製造方法の一部の製造工程を示す断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｄ）は、図１（ａ）〜（ｃ）に続く、半導体ウェハの製造方法の残りの製造工程を示す断面図である。
【図３】本実施形態による半導体ウェハの製造方法によって得られる、製造途中における半導体ウェハの状態を示す断面図である。
【図４】（ａ）〜（ｃ）は、変形例による、半導体ウェハの製造工程を説明するための断面図である。
【図５】従来のダマシン法によって層間絶縁膜に配線金属層を形成した場合の問題点について説明するための説明図である。
【符号の説明】
【００４７】
１  ベース層
２  埋め込み酸化膜
３  ＳＯＩ層
４  絶縁膜
５  第１配線層
６  層間絶縁膜
７  配線溝
８  外周テラス部
９  バリアメタル膜
１０  Ｃｕシード膜
１１  Ｃｕめっき膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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