(57)【要約】【目的】薄型磁気誘導素子より小さな半導体素子を含む部品を薄膜磁気誘導素子の外周部に形成された電極の位置に制約されずに薄膜磁気誘導素子上の所定の位置に面実装できる超小型電力変換装置を提供する。【解決手段】薄型磁気誘導素子１００を構成するコイル導体１６ａ上に絶縁層１７を介して配線１４を形成し、この配線１４に実装する半導体素子２１を含む部品を固着することで、部品のサイズを制限することがなくなり、部品のコスト低減をはかることができ、超小型電力変換装置のコストを低減させることができる。【選択図】        図１
2008171965.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体集積回路が形成された半導体基板と薄型磁気誘導素子とコンデンサを有し、前記薄型磁気誘導素子が磁性絶縁基板と該磁性絶縁基板の中央部に形成されたコイルと該磁性絶縁基板の第１主面および第２主面の外周部で貫通孔を介して電気的に接続された電極を有する超小型電力変換装置において、前記第１主面のコイル形成領域上に絶縁層を介して一端が前記電極と接続して形成された配線を有することを特徴とする超小型電力変換装置。
【請求項２】
前記コイルが、前記磁性絶縁基板の第１主面に形成された第１導体と前記磁性絶縁基板の第２主面に形成された第２導体と前記磁性絶縁基板を貫通する貫通孔に形成された接続導体とをそれぞれに接続してなるソレノイド状コイルであることを特徴とする請求項１に記載の超小型電力変換装置。
【請求項３】
前記配線の他端に半導体素子を含む部品を接続したことを特徴とする請求項１または２に記載の超小型電力変換装置。
【請求項４】
前記磁性絶縁基板がフェライト基板であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の超小型電力変換装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体集積回路（以下ＩＣと記す）などの半導体素子（電子部品）と、コイルやコンデンサおよび抵抗などの受動部品で構成されるＤＣ−ＤＣコンバータなどの超小型電力変換装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子情報機器、特に携帯型の各種電子情報機器の普及が著しい。それらの電子情報機器は、電池を電源とするものが多く、ＤＣ−ＤＣコンバータなどの電力変換装置を内蔵している。通常その電力変換装置は、スイッチング素子、整流素子、制御用ＩＣなどの能動素子と、磁気部品、コンデンサ、抵抗などの受動素子の各個別部品とをセラミック基板やプラスチックなどのプリント基板などの上に実装することでハイブリッド型電源モジュールとして構成されている。
【０００３】
前記した携帯用を含めた各種電子情報機器の小型、薄型、軽量化の要望に伴い、内蔵される電力変換装置の小型、薄型、軽量化の要求も強い。ハイブリッド型電源モジュールの小型化は、ＭＣＭ（マルチチップモジュール）技術や、積層セラミック部品などの技術により進歩してきている。しかしながら、個別の部品を同一基板上に、並べて実装するため、電源モジュールの実装面積の縮小化が制限されている。特にインダクタやトランスなどの磁気部品は、集積回路と比較すると体積が非常に大きいために電子機器の小型、薄型化をはかる上で最大の制約となっている。
【０００４】
これら磁気部品の小型、薄型化に対する今後の方向としては、チップ部品として限りなく小さく、薄くし、面実装する方向と、シリコン基板上に薄膜で形成する方向の２つが考えられる。近年、半導体技術の適用により、半導体基板上に薄型のマイクロ磁気素子（コイル、トランス）を搭載した例も報告されている。
特に、平面型磁気部品として、スイッチング素子や制御回路などの半導体部品を作り込んだ半導体基板の表面上に、薄膜コイルを磁性基板とフェライト基板とで挟んだ形の平面型磁気部品（薄型インダクタ）を薄膜技術により形成したものが開示されている（例えば、特許文献１など）。
これにより、磁気素子の薄型化とその実装面積の削減が可能となった。しかし、真空プロセスでの製造でコストが高くなる。また、電流の大きい所で使用する場合などは、磁性膜と絶縁膜に関する多大な積層工程が必要であり、コストが非常に高くなるという問題があった。
【０００５】
平面型磁気素子としてスパイラル（渦巻き状）のコイル導体の隙間に磁性を帯びた微粒子を混入した樹脂を充填し、上面、下面をフェライト基板で挟み込んで形成したものが開示されている（例えば、特許文献２など）。
この方法では、コイル導体のインダクタンスは、スパイラルの回数（ターン数）にほぼ比例するため、大きなインダクタンスを得るためには、ターン数を増やす必要がある。実装面積を増やさずにターン数を増やすと、コイル導体の断面積を小さくする必要がある。つまり、大きなインダクタンスを得るためには、コイル導体の断面積を小さく、導体線長を長くしなければならない。しかし、コイル断面積を小さく、導体線長を長くすると、コイル導体の直流抵抗が増大するため電力損失が増大してしまうという課題があった。
【０００６】
その点を解消するために、磁性絶縁基板と、該磁性絶縁基板の第１主面に形成された第１導体と前記磁性絶縁基板の第２主面に形成された第２導体と前記磁性絶縁基板を貫通する貫通孔に形成された接続導体とをそれぞれ接続してなるソレノイド状のコイル導体と、からなる薄型磁気素子が開示されている（例えば、特許文献３など）。
この特許文献３に記載されている構造は、磁性絶縁基板に貫通孔を形成し、コイル導体を形成する際、同時に半導体素子や、実装基板などと接続するための実装端子を形成し、コイルとなる磁性絶縁基板にＩＣを実装するだけで、新たな実装基板を不要とし、超小型・薄型の電力変換装置を実現するものである。
【０００７】
特許文献３に記載されている超小型電力変換素子の特徴は、磁性絶縁基板に貫通孔を形成し、その貫通孔を通して電気的に接続されたコイル導体を第１主面、第２主面に具備し、さらに同様に第１主面に半導体素子との電気的接続をするための電極（接合単端子）、第２主面に実際に使用される場合のプリント板などとの電気的接続のための電極（実装電極）を具備している薄型磁気誘導素子を有することである。この構造を適用することにより、デバイスを構成する部品を最小限に留め、薄型化を実現した超小型電力変換装置を得ることができる。この超小型電力変換装置について説明する。
【０００８】
図１５は、従来の超小型電力変換装置の構成図であり、同図（ａ）はＩＣチップを搭載した薄膜磁気誘導素子の要部断面図、同図（ｂ）は薄型磁気誘導素子の第１主面（表面）から透視した要部平面図である。同図（ａ）は同図（ｂ）のＹ−Ｙ線で切断した要部断面図である。また、同図（ｂ）ではＩＣチップ８０を点線で示した。
従来の薄型磁気誘導素子３００は、フェライト基板８６の中央部にソレノイド状コイルが形成され、周辺部に電極８２、８８が形成されている。ソレノイド状コイルはフェライト基板８６の第１主面と第２主面と貫通孔８５に形成されるコイル導体８４（接続導体も含んでいる）で出来ている。電極８２は第１主面、電極８８は第２主面に形成され，貫通孔８３に形成される接続導体８３ａで互いに接続されている。
【０００９】
第１主面に形成された電極８２とＩＣチップ８０はスタッドバンプ８１を介して固着し、ＩＣチップ８０とフェライト基板８６の間にはアンダーフィル樹脂８９が充填されている。また、第２主面に形成されたコイル導体８４は保護膜８７で被覆されている。
また、超小型電力変換装置ではないが、コイル導体および磁性材料からなるコイルが内部に形成され、回路部品を搭載するための外部電極が上面に形成され、当該外部電極と前記コイルとの配線を行うための配線パターンを内部に設けることにより、搭載する回路部品の配置の自由度を高めた積層基板が開示されている（例えば、特許文献４など）。
【特許文献１】特開２００１−１９６５４２号公報
【特許文献２】特開２００２−２３３１４０号公報（図１）
【特許文献３】特開２００４−２７４００４号公報
【特許文献４】特開２００５−１８３８９０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
前述した特許文献３の構造では、図１５に示したように、薄型磁気誘導素子の外周部に半導体素子であるＩＣチップ８０との接合電極(電極８２)がある。これは薄型磁気誘導素子のコイルの形状がソレノイド状であるために、磁気誘導素子の中央部にコイルを配置しなければならないためで、必然的にＩＣチップ８０などの半導体素子との接合電極は、薄型磁気誘導素子の外周部に配置しなければならなくなる。
【００１１】
薄型磁気誘導素子の特性のうちインダクタンス値は、磁気誘導素子のサイズに大きく依存するために、必要な特性を得るためには磁気誘導素子のサイズの制限が非常に大きい。
一方、半導体素子のサイズについては、特性でサイズが制限されることはもちろんであるが、機能によってサイズを大幅に低減できる場合もある。
従って、半導体素子と薄型磁気誘導素子のサイズには本来相関はないが、本構造の場合には、半導体素子を薄型磁気誘導素子に面実装することと、電極８２が外周に配置されていることから、半導体素子のサイズが薄型磁気誘導素子のサイズによって制限されてしまうという問題があった。
【００１２】
このため、半導体素子の小型化が可能であっても、薄型磁気誘導素子の小型化ができない場合は、半導体素子はサイズを大きくしなければならず、コスト低減を妨げる要因になっていた。
また、電極８２が外周に配置されていることから、複数の半導体素子を実装することが困難であり、薄型磁気誘導素子ひとつに対して、実装できる半導体素子はひとつという制限もあり、多機能化の妨げとなっていた。
【００１３】
また、特許文献４の積層基板は、内部に形成されたコイル（インダクタ）に接続される部品の配置の自由度はあるものの、複雑な構成であり、コストおよび超小型化には問題のある構造となっている。
この発明の目的は、前記の課題を解決して、薄型磁気誘導素子より小さな半導体素子を含む部品を薄型磁気誘導素子の外周部に形成された電極の位置に制約されずに薄型磁気誘導素子上の所定の位置に面実装できる超小型電力変換装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
前記の目的を達成するために、半導体集積回路が形成された半導体基板と薄型磁気誘導素子とコンデンサを有し、前記薄型磁気誘導素子が磁性絶縁基板と該磁性絶縁基板の中央部に形成されたコイルと該磁性絶縁基板の第１主面および第２主面の外周部で貫通孔を介して電気的に接続された電極を有する超小型電力変換装置において、前記第１主面のコイル形成領域上に絶縁層を介して一端が前記電極と接続して形成された配線を有する構成とする。
【００１５】
また、前記コイルが、前記磁性絶縁基板の第１主面に形成された第１導体と前記磁性絶縁基板の第２主面に形成された第２導体と前記磁性絶縁基板を貫通する貫通孔に形成された接続導体とをそれぞれに接続してなるソレノイド状コイルであるとよい。
また、前記配線の他端に半導体素子を含む部品を接続する構成とするとよい。
また、前記磁性絶縁基板がフェライト基板であるとよい。
【発明の効果】
【００１６】
この発明によれば、薄型磁気誘導素子を構成するコイル導体上に絶縁膜を介して配線を形成し、この配線に所定の大きさの半導体素子を含む部品を面実装（固着）することで、部品のサイズを制限することがなくなり、部品のコスト低減を図ることができ、超小型電力変換装置のコストを低減させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
実施の形態を以下の実施例で説明する。
【実施例１】
【００１８】
図１および図２は、この発明の第１実施例の超小型電力変換装置の構成図であり、図１（ａ）は薄型磁気誘導素子の第１主面から透視した要部平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＹ−Ｙ線で切断したときの要部断面図であり、図２（ａ）は半導体素子を面実装した薄型磁気誘導素子の要部平面図であり、図２（ｂ）は図２（ａ）のＹ−Ｙ線で切断した要部断面図である。図２の半導体素子２１は電源制御部などが集積された電源ＩＣなどである。
【００１９】
この薄型磁気誘導素子１００の構成は、貫通孔１２ａ、１３ａを形成した磁性絶縁基板１１に第１主面および第２主面のコイル導体１６ａ、１６ｂと電極１５ａ、電極１５ｂをそれぞれ形成し、コイル導体１６ａと１６ｂを貫通孔１３ａに形成された接続導体１３ｂで、電極１５ａと１５ｂを貫通孔１２ａに形成された接続導体１２ｂでそれぞれ接続するとともに、第１主面のコイル導体１６ａの上に絶縁層１７を形成し、第１主面の電極１５ａ上の絶縁層１７に開口部３３を設け、その開口部３３を介して電極１５ａと電気的に接続する配線１４を絶縁層１７上に形成する。配線１４は配線部１４ａとパッド電極部１４ｂおよび接続電極部１４ｃとを有し、接続電極部１４ｃは電極１５ａと接続し、パッド電極部１４ｂは半導体素子２１に形成した図示しない電極（パッド電極）と接続する実装電極の役割をする。従って、パッド電極部１４ｂの配置は半導体素子２１に形成した電極（パッド電極）の配置に合わせて形成する必要がある。また、配線１４は配線部１４ａとパッド電極部１４ｂおよび接続電極部１４ｃのそれぞれの幅を点線１４ｄで示したように全て同じにしても構わない。この場合もパッド電極部１４ｂに相当する箇所の配置は半導体素子２１に形成した電極の配置に合わせる必要がある。
【００２０】
尚、第２主面の１８はコイル導体１６ｂに対する保護膜である。
この構成とすることで、薄型磁気誘導素子１００のサイズや電極１５ａの位置に左右されることなく、半導体素子２１のサイズ（チップサイズのこと）や半導体素子２１の電極位置を任意に設定することができる。このため、半導体素子２１のサイズの小型化が薄型磁気誘導素子１００の大きさ（フェライト基板１１の大きさ）に左右されずに可能となる。半導体素子２１のサイズを小さくすることで、超小型電力変換装置の低コスト化を図ることができる。
【００２１】
図３〜図１２は、図１の薄型磁気誘導素子１００の製造工程を説明するための製造工程順に示した要部製造工程断面図である。尚、図３〜図１２は図１（ｂ）の断面図に相当する要部断面図である。図３〜図１２は、１つの薄型磁気誘導素子片のみについて拡大して示してあるが、実際はこのような薄型磁気誘導素子片を大きなフェライト基板１１に多数形成し、最終的に図示しないスクライブラインに沿って大きなフェライト基板１１を切断して１つの薄型磁気誘導素子１００となる。つぎにその詳細を説明する。
【００２２】
磁性絶縁基板としては、厚さ５２５μｍのＮｉ−Ｚｎ系フェライト基板１１を用いた。尚、フェライト基板１１の厚さは必要なインダクタンス、コイル電流値、フェライト基板１１である磁性絶縁基板の特性から決定されるものであり、今回の実施例での厚さに限ったものではなく、絶縁性の磁性基板であればどの材料でも良い。今回は、基板状に容易に成型し得る材料としてフェライト基板１１を用いた。
【００２３】
まず、フェライト基板１１に貫通孔１２ａ、１３ａを形成する（図３）。貫通孔１２ａは第１主面の電極１５ａと第２主面の電極１５ｂを接続するのに用いられ、貫通孔１３ａは第１主面のコイル導体１６ａと第２主面のコイル導体１６ｂを接続するのに用いられる。加工方法は、レーザ加工、サンドブラスト加工、放電加工、超音波加工、機械加工などいずれの方法も適用でき、加工コスト、加工寸法などで決定する必要がある。今回の実施例では、貫通孔１２ａ、１３ａの最小加工寸法幅が０．１３ｍｍと微小なこと、加工箇所が多いことからサンドブラスト法を用いた。
【００２４】
つぎに、貫通孔１２ａ、１３ａとフェライト基板１１の第１主面、第２主面に、接続導体１２ｂ、１３ｂとコイル導体１６ａ、１６ｂおよび電極１５ａ、１５ｂをそれぞれ同時に形成する。つぎにその詳細を説明する。
まず、フェライト基板１１全面に導電性を付与するために、Ｃｒ／Ｃｕをスパッタ法で成膜し、めっきシード層３１を形成する（図４）。このとき、貫通孔１２ａ、１３ａの側壁へも導電性は付与されるが、必要であれば、無電解めっきなどを施しても良い。また、スパッタ法にかぎらず真空蒸着法、ＣＶＤ（ケミカルベイパーデポジション）法、などを用いても良い。無電解めっきのみで形成する方法でも良い。ただし、フェライト基板１１との密着性を十分得られる方法が望ましい。なお、導電性材料については導電性を持つ材料であればなんでも良い。密着性を得るための密着層として今回はＣｒを用いたが、Ｔｉ、Ｗ、Ｎｂ、Ｔａなども用いることができる。また、Ｃｕが後工程の電解めっき工程でめっきが生成されるめっきシード層３１となるが、Ｃｕ以外にもＮｉ、Ａｕなどを用いることができる。今回は、後工程での加工の容易さも考慮し、Ｃｒ／Ｃｕの膜構成とした。
【００２５】
つぎに、第１主面、第２主面に形成されるべきコイル導体１６ａ、１６ｂ、電極１５ａ、１５ｂのパターンをフォトレジストを用いて形成する。本実施例ではネガ型のフィルムタイプのフォトレジストを用いてこれらのレジストパターン３２を形成する（図５）。
つぎに、レジストパターン３２の開口部へ電解めっきで導電層３４であるＣｕを形成させる（図６）。このとき、貫通孔１２ａ、１３ａへもＣｕがめっきされて、接続導体１２ｂ、１３ｂが同時に形成される。接続導体１３ａによって第１主面と第２主面のコイル導体１６ａ、１６ｂが接続されて、ソレノイド状コイルが形成される。また、電極１５ａ、１５ｂも同時に形成され、接続導体１２ａでそれぞれが接続される。電解めっき後、レジストパターン３２を除去し、その後で不要なめっきシード層３１を除去することで、所望のコイル導体１６ａ，１６ｂと電極１５ａ、１５ｂが形成される（図７）。
【００２６】
つぎに、コイル導体１６ａが形成される第１主面には電極１５ａが部分的に露出するように絶縁膜１７を形成し、コイル導体１６ｂが形成される第２主面には電極１５ｂを除きその他の箇所に保護膜１８を形成する（図８）。本実施例では両者ともフィルム型の感光性絶縁材料を用いた。絶縁層１７はコイル導体１６ａとその上部に配置される配線１４（配線パターン）とを電気的に絶縁する層間絶縁膜の役割を果たし、保護膜１８は、第２主面のコイル導体１６ｂを保護する役割を果たす。また、この両者（絶縁膜１６および保護膜１８）は貫通孔１２ａ，１３ａの内部を充填する機能も持つ。コイル導体１６ａ、１６ｂは複雑な凹凸構造であるために、十分導体間を埋め込み、かつ貫通孔１２ａ、１３ａの内部もボイドなく埋め込むために、両者には真空ラミネート法を用いた。
【００２７】
また、両者の形成は感光性であるため、通常のフォトレジストのように露光、現像を実施し、絶縁層１７には開口部３３も同時に形成した。使用した感光性絶縁材料は熱硬化型であるため、加工後に１８０℃で熱硬化した。なお、絶縁層１７や保護膜１８の形成方法はフィルム型の材料に限定されるものではなく、液状の絶縁材料をスクリーン印刷でパターン形成し、熱硬化させても良い。
【００２８】
つぎに絶縁層１７上にスパッタ法で導電膜３５であるＡｌ膜を１μｍ成膜した（図９）。今回はスパッタ法を用いたが、手法は蒸着法、ＣＶＤ法など、どのような手法でも良いが、第１主面の電極１５ａとの密着性が十分得られる手法を選択する必要がある。密着性を得るために、導電膜３５の下部に密着層を成膜するなども必要に応じて取る。本実施例では、導電膜３５であるＡｌ膜の下にＣｒを０．２μｍ成膜し、密着性を向上させている。また、配線抵抗が特性に影響を与える場合には、成膜時の膜厚を厚くするか、めっきなどの手法を用いてさらに導電膜３５であるＡｌ膜の膜厚を厚くする手法を取る必要がある。導電膜３５（配線材料）には、Ａｌ以外の材料を用いても良いが、後工程での半導体素子２１との接続工程に対応できる材料を選択し、且つ、配線１４の加工を考慮して選択する。本実施例では、超音波接合を用いるためにＡｌを選択した。
【００２９】
つぎに、導電膜３５を加工するためのレジストパターン３６を形成し（図１０）、ウェットエッチングで導電膜３５を所望の形状に加工し（図１１）、その後レジストを剥離して薄型磁気誘導素子１００の配線１４を形成する（図１２）。
上記工程で、薄型磁気誘導素子１００を製作した。このあと、図２に示すように、スタッドバンプ２２を用いた超音波接合法により半導体素子２１と接続し、半導体素子２１と薄型磁気誘導素子１００の間をアンダーフィル樹脂２３で封止し、図示しないコンデンサなど接続して超小型電力変換装置が完成する。接続方法として本実施例ではスタッドバンプ２２と超音波接合を用いたが、これに限定されるものではなく、はんだ接合、導電接着材などを用いても問題はない。また、半導体素子２１と薄型磁気誘導素子１００の固定にはアンダーフィル樹脂２３を用いたが、これは必要に応じて材料を選定すれば良く、エポキシ樹脂などの封止材などでも良い。
【００３０】
本実施例では、薄型磁気誘導素子１００の外形が３．５ｍｍ×３．５ｍｍのものを用いた。これと同じ大きさの図１５に示す従来の薄型磁気誘導素子３００を用いた場合には、半導体素子８０と接続する電極８２が外周部に配置されているため、半導体素子８０のサイズは３．０ｍｍ×３．０ｍｍ程度までしか小さくすることができず、それ以上小さくするためには、薄型磁気誘導素子３００の大きさを小さくしなければならず、特性を悪化させてしまう。
【００３１】
第１実施例では、薄型磁気誘導素子１００を小さくすることなく、面実装する半導体素子２１のみ小さくできる。具体的には所望される半導体素子２１のサイズである２．０ｍｍ×２．０ｍｍまで小さくすることができ、半導体素子２１のコスト低減効果は、４／９（面積比）であり、大幅なコスト低減効果が得られた。
【実施例２】
【００３２】
図１３および図１４は、この発明の第２実施例の超小型電力変換装置の構成図であり、図１３は薄型磁気誘導素子２００を第１主面から透視した要部平面図、図１４は図１３の薄型磁気誘導素子２００の配線に半導体素子とコンデンサを固着し面実装した要部平面図である。
第２実施例では、部品として１個の半導体素子２１と３個のコンデンサ４１を薄型磁気誘導素子２００上の絶縁層１７上に形成した配線１４に固着して面実装した例を示した。この部品の個数は超小型電力変換装置に付与する機能によって増減するのは勿論である。
【００３３】
従来の外周電極構造では、実装する半導体素子のサイズに制限があるため、所望の特性を持つ素子を複数実装することは困難であった。
しかし、本発明により、必要な配線１４を必要な形状、位置で薄型磁気誘導素子２００上に形成することができるため、部品サイズの制限もなく、実装する部品数も増加させることができる。これにより、要求機能が複雑になり、複数の部品が必要な場合でも、問題なく構造を製作することができる。
【００３４】
このように、半導体素子２１を含む複数の部品を薄型磁気誘導素子２００に面実装させることで、超小型電力変換装置の外形を大きくすることなく機能向上を図ることができる。
尚、第１、第２実施例において、コイルとしてソレノイド形状コイルを一例として挙げたが、本発明においては、コイル形成は関係なく、渦巻き形状（スパイラル形状）など別の形状のコイルについても適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】この発明の第１実施例の超小型電力変換装置の構成図であり、（ａ）は薄型磁気誘導素子の第１主面から透視した要部平面図、（ｂ）は（ａ）のＹ−Ｙ線で切断したときの要部断面図
【図２】この発明の第１実施例の超小型電力変換装置の構成図であり、（ａ）は半導体素子を面実装した薄型磁気誘導素子の要部平面図、（ｂ）は（ａ）のＹ−Ｙ線で切断した要部断面図
【図３】図１の薄型磁気誘導素子１００の要部製造工程断面図
【図４】図３に続く、図１の薄型磁気誘導素子１００の要部製造工程断面図
【図５】図４に続く、図１の薄型磁気誘導素子１００の要部製造工程断面図
【図６】図５に続く、図１の薄型磁気誘導素子１００の要部製造工程断面図
【図７】図６に続く、図１の薄型磁気誘導素子１００の要部製造工程断面図
【図８】図７に続く、図１の薄型磁気誘導素子１００の要部製造工程断面図
【図９】図８に続く、図１の薄型磁気誘導素子１００の要部製造工程断面図
【図１０】図９に続く、図１の薄型磁気誘導素子１００の要部製造工程断面図
【図１１】図１０に続く、図１の薄型磁気誘導素子１００の要部製造工程断面図
【図１２】図１１に続く、図１の薄型磁気誘導素子１００の要部製造工程断面図
【図１３】この発明の第２実施例の超小型電力変換装置の構成図であり、薄型磁気誘導素子２００を第１主面から透視した要部平面図
【図１４】図１３の薄型磁気誘導素子２００の配線に半導体素子とコンデンサを固着し面実装した要部平面図
【図１５】従来の超小型電力変換装置の構成図であり、（ａ）はＩＣチップを搭載した薄膜磁気誘導素子の要部断面図、（ｂ）は薄型磁気誘導素子の第１主面（表面）から透視した要部平面図
【符号の説明】
【００３６】
１１    フェライト基板
１２ａ  貫通孔(電極部)
１２ｂ  接続導体（電極部）
１３ａ  貫通孔（コイル導体部）
１３ｂ  接続導体（コイル導体部）
１４    配線
１４ａ  配線部
１４ｂ  パッド電極部
１４ｃ  接続電極部
１４ｄ  配線部、電極部および接続電極部における幅を等しくした場合の配線
１５ａ  電極（第１主面）
１５ｂ  電極（第２主面）
１６ａ  コイル導体（第１主面）
１６ｂ  コイル導体（第２主面）
１７    絶縁層
１８    保護膜
２１    半導体素子
２２    スタッドバンプ
２３    アンダーフィル樹脂
３１    めっきシード層
３２、３６  レジストパターン
３３    開口部
３４    導電層
３５    導電膜
１００、２００  薄型磁気誘導素子
【図１】
2008171965.tif 000003
【図２】
2008171965.tif 000004
【図３】
2008171965.tif 000005
【図４】
2008171965.tif 000006
【図５】
2008171965.tif 000007
【図６】
2008171965.tif 000008
【図７】
2008171965.tif 000009
【図８】
2008171965.tif 000010
【図９】
2008171965.tif 000011
【図１０】
2008171965.tif 000012
【図１１】
2008171965.tif 000013
【図１２】
2008171965.tif 000014
【図１３】
2008171965.tif 000015
【図１４】
2008171965.tif 000016
【図１５】
2008171965.tif 000017