(57)【要約】【課題】極微量のアルカリ金属がドーピングされたアモルファスセレンを歩留まりよく、かつ均質に製造する。【解決手段】密閉系で所定濃度よりも高い濃度のアルカリ金属をドープした母セレン合金を作製した後、前記母セレン合金と純セレン合金を混合してアルカリ金属が所定濃度ドーピングされたアモルファスセレンを製造する。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
密閉系で所定濃度よりも高い濃度のアルカリ金属をドープした母セレン合金を作製した後、前記母セレン合金と純セレン合金を混合してアルカリ金属が所定濃度ドーピングされたアモルファスセレンを製造することを特徴とするアモルファスセレンの製造方法。
【請求項２】
前記母セレン合金を作製した後、該母セレン合金のアルカリ金属濃度分析を行って、該分析結果に基づいて、前記母セレン合金と純セレン合金の混合割合を決定することを特徴とする請求項１記載のアモルファスセレンの製造方法。
【請求項３】
前記母セレン合金と純セレン合金を混合してアルカリ金属が所定濃度ドーピングされたアモルファスセレンを製造する工程がショッティングにより行われることを特徴とする請求項１または２記載のアモルファスセレンの製造方法。
【請求項４】
前記母セレン合金と純セレン合金を混合してアルカリ金属が所定濃度ドーピングされたアモルファスセレンを製造する工程がチャンクを製造することにより行われることを特徴とする請求項１または２記載のアモルファスセレンの製造方法。
【請求項５】
前記母セレン合金のアルカリ金属濃度が５０重量ｐｐｍ〜３００重量ｐｐｍであることを特徴とする請求項１〜４いずれか１項記載のアモルファスセレンの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、Ｘ線などの放射線撮像装置に適用される放射線撮像パネルに用いて好適な、アルカリ金属がドーピングされたアモルファスセレンの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、医療用Ｘ線撮影において、被験者の受ける被曝線量の減少、診断性能の向上等のために、Ｘ線に感応する光導電層を感光体として用い、この光導電層にＸ線により形成された静電潜像を、光或いは多数の電極で読み取って記録するＸ線撮像パネルが知られている。これらは、周知の撮影法であるＴＶ撮像管による間接撮影法と比較して高解像度である点で優れている。
【０００３】
上述したＸ線撮像パネルは、この撮像パネル内に設けられた電荷生成層にＸ線を照射することによって、Ｘ線エネルギーに相当する電荷を生成し、生成した電荷を電気信号として読み出すようにしたものであって、上記光導電層は電荷生成層として機能する。従来より、この光導電層としてはアモルファスセレン（ａ−Ｓｅ）、ＰｂＯ、ＰｂＩ2、ＨｇＩ2、ＢｉＩ３、Ｃｄ（Ｚｎ）Ｔｅなどの材料が使用されている。
【０００４】
上記アモルファスセレンは、真空蒸着法等の薄膜形成技術を利用して容易に大面積化に対応が可能であるが、アモルファスゆえの構造欠陥を多く含む傾向があるため、感度が劣化しやすい。このため、性能を改善するために、アルカリ金属元素をドープすることが一般的に行われている（特許文献１）。特に、性能を改善するために必要なドープ量の範囲は０．０１〜１０ｐｐｍと極微量であり、その許容範囲も狭いことが知られている（特許文献２）。
【特許文献１】米国特許第３６８５９８９号明細書
【特許文献２】特開２００３−３１５４６４号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記特許文献２に記載されているような極微量かつ許容範囲の狭いアルカリ金属がドーピングされたアモルファスセレンを非密閉系で製造しようとすると、製造のばらつきが大きい上に歩留まりが悪いという問題がある。
【０００６】
本発明は上記事情に鑑みなされたものであり、極微量のアルカリ金属がドーピングされたアモルファスセレンを歩留まりよく、かつ均質に製造することが可能なアルカリ金属が所定量ドーピングされたアモルファスセレンの製造方法を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明のアモルファスセレンの製造方法は、密閉系で所定濃度よりも高い濃度のアルカリ金属をドープした母セレン合金を作製した後、前記母セレン合金と純セレン合金を混合してアルカリ金属が所定濃度ドーピングされたアモルファスセレンを製造することを特徴とするものである。
【０００８】
ここで、前記所定濃度よりも高い濃度とは、所定濃度の１０倍以上の濃度を意味する。純セレン合金とは、アルカリ金属を含まないか検出限界以下のセレン合金であることを意味する。母セレン合金を製造する密閉系とは、原料であるセレンとアルカリ金属を密閉でき、かつ水分と酸素が入らない環境下であることを意味する。
【０００９】
母セレン合金を作製した後、この母セレン合金と純セレン合金を混合する際は、密閉系であっても非密閉系であってもよい。
【００１０】
前記母セレン合金を作製した後、該母セレン合金のアルカリ金属濃度分析を行って、該分析結果に基づいて、前記母セレン合金と純セレン合金の混合割合を決定することが好ましい。
【００１１】
前記母セレン合金と純セレン合金を混合してアルカリ金属が所定濃度ドーピングされたアモルファスセレンを製造する工程は、ショッティングにより、あるいはチャンクを製造することにより行われることが好ましい。
【００１２】
前記母セレン合金のアルカリ金属濃度は、５０重量ｐｐｍ〜３００重量ｐｐｍであることが好ましい。
【発明の効果】
【００１３】
本発明のアルカリ金属が所定濃度ドーピングされたアモルファスセレンの製造方法は、密閉系で所定濃度よりも高い濃度のアルカリ金属をドープした母セレン合金を作製した後、母セレン合金と純セレン合金を混合してアルカリ金属が所定濃度ドーピングされたアモルファスセレンを製造するので、アルカリ金属が所定濃度ドーピングされたアモルファスセレンを最初から非密閉系で製造するよりも、極微量のアルカリ金属がドーピングされたアモルファスセレンを歩留まりよく製造することが可能である。
【００１４】
そして、このように製造される極微量のアルカリ金属がドーピングされたアモルファスセレンを放射線撮像パネルの光導電層に適用した場合、局所的な結晶化が起こりにくく、電子走行性が改良されて、経時による局所的な結晶化進行に伴う画像欠陥の増加を抑制することが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
本発明のアモルファスセレンの製造方法は、密閉系で所定濃度よりも高い濃度のアルカリ金属をドープした母セレン合金を作製した後、母セレン合金と純セレン合金を混合することを特徴とする。
【００１６】
母セレン合金を製造する密閉系とは、上記のように原料であるセレンとアルカリ金属を密閉でき、かつ水分と酸素が入らない環境下であって、好ましくは、石英管等に封入された状態であることが望ましい。また、混合のために温度を上げる際の石英管の破裂を防ぐために０．５気圧以下に減圧することが望ましい。
【００１７】
アルカリ金属はＮａ、Ｌｉ、Ｋ、Ｒｂ、Ｓｃであり、母セレン合金および最終的なアルカリ金属が所定濃度ドーピングされたアモルファスセレンは、Ｎａ２Ｓｅ、Ｌｉ２Ｓｅ、Ｋ２Ｓｅ、Ｒｂ２Ｓｅ、Ｓｃ２Ｓｅである。母セレン合金のアルカリ金属濃度は、所定濃度よりも１０倍以上高い濃度であって、好ましくは５０重量ｐｐｍ〜３００重量ｐｐｍであることが好ましい。３００重量ｐｐｍよりも濃度が大きい場合にはアルカリ金属が析出しやすくなり、５０重量ｐｐｍよりも濃度が小さいと、母合金の製造量を多くする必要があって、経済的でない。母セレン合金を作製した後に、この母セレン合金のアルカリ金属濃度分析を行って、この分析結果に基づいて、母セレン合金と純セレン合金の混合割合を決定する。
【００１８】
母セレン合金と純セレン合金を混合してアルカリ金属が所定濃度ドーピングされたアモルファスセレンを製造する工程は、ショッティングにより、あるいはチャンクを製造することにより行われることが好ましい。ショッティングとは、母セレン合金と純セレン合金を混合して溶液化、攪拌した後、大気中または窒素ガス中で、0.5から3mm程度小さな穴の空いたノズルから溶液を押し出して、粒状に製造する方法であり、チャンクとは母セレン合金と純セレン合金を混合して溶液とした後、これをそのまま冷却し固体状態とする製造方法である。
【００１９】
放射線撮像パネルには、放射線を直接電荷に変換し電荷を蓄積する直接変換方式と、放射線を一度ＣｓＩ：Ｔｌ、Ｇｄ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂなどのシンチレータで光に変換し、その光をa−Ｓｉフォトダイオードで電荷に変換し蓄積する間接変換方式があるが、本発明の製造方法により製造されたアモルファスセレンは、前者の直接変換方式にも、間接変換型の光-電子変換層にも用いることができる。なお、放射線としてはＸ線の他、γ線、α線などについて使用することが可能である。
【００２０】
また、本発明の製造方法により製造されたアモルファスセレンは、光の照射により電荷を発生する半導体材料を利用した放射線画像検出器により読み取る、いわゆる光読取方式にも、また、放射線の照射により発生した電荷を蓄積し、その蓄積した電荷を薄膜トランジスタ（thin film transistor：ＴＦＴ）などの電気的スイッチを１画素ずつＯＮ・ＯＦＦすることにより読み取る方式（以下、ＴＦＴ方式という）にも用いることができる。
【００２１】
まず、前者の光読取方式に用いられる放射線撮像パネルを例にとって説明する。図１は本発明の製造方法により製造されたアモルファスセレンを光導電層として用いた放射線撮像パネルの一実施の形態を示す断面図を示すものである。
【００２２】
この放射線撮像パネル10は、後述する記録用の放射線L1に対して透過性を有する第１の導電層１、この導電層１を透過した放射線L1の照射を受けることにより導電性を呈する記録用放射線導電層２、導電層１に帯電される電荷（潜像極性電荷；例えば負電荷）に対しては略絶縁体として作用し、かつ、電荷と逆極性の電荷（輸送極性電荷；上述の例においては正電荷）に対しては略導電体として作用する電荷輸送層３、後述する読取用の読取光L2の照射を受けることにより導電性を呈する読取光導電層４、電磁波L2に対して透過性を有する第２の導電層５を、この順に積層してなるものである。
【００２３】
ここで、導電層１および５としては、例えば、透明ガラス板上に導電性物質を一様に塗布したもの（ネサ皮膜等）、より具体的には、多結晶ＩＴＯ（Ｉｎ2Ｏ3：Ｓｎ）、アモルファスＩＴＯ（Ｉｎ2Ｏ3：Ｓｎ）、アモルファスＩＺＯ（Ｉｎ2Ｏ3：Ｚｎ）、ＡＴＯ（ＳｎＯ2：Ｓｂ）、ＦＴＯ（ＳｎＯ2：Ｆ）、ＡＺＯ（ＺｎＯ：Ａｌ）、ＧＺＯ（ＺｎＯ：Ｇａ）、金、銀、白金、アルミニウム、インジウム等の薄膜、１０〜１０００ｎｍ程度のサイズからなる貴金属（白金、金、銀）の分散物の塗布膜等が好ましい。
【００２４】
電荷輸送層３としては、導電層１に帯電される負電荷の移動度と、その逆極性となる正電荷の移動度の差が大きい程良く、ポリＮ−ビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、N,N'−ジフェニル−N,N'−ビス（３−メチルフェニル）−〔1,1'−ビフェニル〕−4,4'−ジアミン（ＴＰＤ）やディスコティック液晶等の有機系化合物、或いはＴＰＤのポリマー（ポリカーボネート、ポリスチレン、ＰＶＫ、ポリビニルアルコール）分散物，Ａｓ2Ｓｅ3、Ｓｂ2Ｓ3、シリコンオイル、Ｃｌを１０〜２００ｐｐｍドープしたａ−Ｓｅ等の半導体物質、ポリカーボネートが適当である。特に、有機系化合物（ＰＶＫ，ＴＰＤ、ディスコティック液晶等）は光不感性を有するため好ましく、また、誘電率が一般に小さいため電荷輸送層３と読取光導電層４の容量が小さくなり読み取り時の信号取り出し効率を大きくすることができる。
【００２５】
読取光導電層４には、ａ−Ｓｅ，Ｃｌを１０〜２００ｐｐｍドープしたａ−Ｓｅ、Ｓｅ−Ｔｅ，Ｓｅ−Ａｓ−Ｔｅ，Ａｓ2Ｓｅ3、無金属フタロシアニン，金属フタロシアニン，ＭｇＰｃ（ Magnesium phtalocyanine），ＶｏＰｃ（phaseII of Vanadyl phthalocyanine），ＣｕＰｃ（Cupper phtalocyanine）、Ｂｉ12MＯ20 (M：Ｔｉ、Ｓｉ、Ｇｅ)、Ｂｉ4M3Ｏ12 (M：Ｔｉ、Ｓｉ、Ｇｅ)、Ｂｉ2Ｏ3、ＢｉＭＯ4（Ｍ：Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ）、Ｂｉ2ＷＯ6、Ｂｉ24Ｂ2Ｏ39、ＺｎＯ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ，ＭＮｂＯ３(M：Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ)、ＰｂＯ，ＨｇＩ2、ＰｂＩ2 ，ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＢｉＩ3等のうち少なくとも１つを主成分とする光導電性物質が好適である。
【００２６】
記録用放射線導電層２には、本発明の製造方法により製造されたアモルファスセレンを使用する。すなわち、本発明の製造方法により製造されたアモルファスセレンは記録用放射線導電層である。
【００２７】
なお、第１の導電層と記録用放射線導電層２との間に、電子注入阻止層があってもよい。電子注入阻止層としては、硫化アンチモン、N,N'−ジフェニル−N,N'−ビス（３−メチルフェニル）−〔1,1'−ビフェニル〕−4,4'−ジアミン（ＴＰＤ）が用いられる。また、読取光導電層４と第２の導電層５の間に、正孔注入阻止層があってもよい。正孔注入阻止層としては、酸化セリウム、硫化アンチモン、硫化亜鉛が用いられる。
【００２８】
続いて、静電潜像を読み取るために光を用いる方式について簡単に説明する。図２は放射線撮像パネル10を用いた記録読取システム（静電潜像記録装置と静電潜像読取装置を一体にしたもの）の概略構成図を示すものである。この記録読取システムは、放射線撮像パネル10、記録用照射手段90、電源50、電流検出手段70、読取用露光手段92並びに接続手段S1、S2とからなり、静電潜像記録装置部分は放射線撮像パネル10、電源50、記録用照射手段90、接続手段S1とからなり、静電潜像読取装置部分は放射線撮像パネル10、電流検出手段70、接続手段S2とからなる。
【００２９】
放射線撮像パネル10の導電層１は接続手段S1を介して電源50の負極に接続されるとともに、接続手段S2の一端にも接続されている。接続手段S2の他端の一方は電流検出手段70に接続され、放射線撮像パネル10の導電層５、電源50の正極並びに接続手段S2の他端の他方は接地されている。電流検出手段70はオペアンプからなる検出アンプ70aと帰還抵抗70b とからなり、いわゆる電流電圧変換回路を構成している。
【００３０】
導電層５は、特開２００１-３３７１７１号や特開２００１−１６０９２２号記載の構造のものであってもよい。
【００３１】
導電層１の上面には被写体９が配設されており、被写体９は放射線L1に対して透過性を有する部分9aと透過性を有しない遮断部9bが存在する。記録用照射手段90は放射線L1を被写体９に一様に曝射するものであり、読取用露光手段92はレーザ光やＬＥＤ、有機ＥＬ、無機ＥＬ等の読取光L2を図３中の矢印方向へ走査露光するものであり、読取光L2は直線状に収束された形状をしていることが望ましい。
【００３２】
以下、上記構成の記録読取システムにおける静電潜像記録過程について電荷モデル（図３）を参照しながら説明する。図２において接続手段S2を開放状態（接地、電流検出手段70の何れにも接続させない）にして、接続手段S1をオンし導電層１と導電層５との間に電源50による直流電圧Edを印加し、電源50から負の電荷を導電層１に、正の電荷を導電層５に帯電させる（図３(A)参照）。これにより、放射線撮像パネル10には導電層１と５との間に平行な電場が形成される。
【００３３】
次に記録用照射手段90から放射線L1を被写体９に向けて一様に曝射する。放射線L1は被写体９の透過部9aを透過し、さらに導電層１をも透過する。放射線導電層２はこの透過した放射線L1を受け導電性を呈するようになる。これは放射線L1の線量に応じて可変の抵抗値を示す可変抵抗器として作用することで理解され、抵抗値は放射線L1によって電子（負電荷）とホール（正電荷）の電荷対が生じることに依存し、被写体９を透過した放射線L1の線量が少なければ大きな抵抗値を示すものである（図３(B)参照）。なお、放射線L1によって生成される負電荷（−）および正電荷（＋）を、図面上では−または＋を○で囲んで表している。
【００３４】
放射線導電層２中に生じた正電荷は放射線導電層２中を導電層１に向かって高速に移動し、導電層１と放射線導電層２との界面で導電層１に帯電している負電荷と電荷再結合して消滅する（図３(C),(D)を参照）。一方、放射線導電層２中に生じた負電荷は放射線導電層２中を電荷輸送層３に向かって移動する。電荷輸送層３は導電層１に帯電した電荷と同じ極性の電荷（本例では負電荷）に対して絶縁体として作用するものであるから、放射線導電層２中を移動してきた負電荷は放射線導電層２と電荷輸送層３との界面で停止し、この界面に蓄積されることになる（図３(C),(D)を参照）。蓄積される電荷量は放射線導電層２中に生じる負電荷の量、即ち、放射線L1の被写体９を透過した線量によって定まるものである。
【００３５】
一方、放射線L1は被写体９の遮断部9bを透過しないから、放射線撮像パネル10の遮断部9bの下部にあたる部分は何ら変化を生じない（ 図３(B)〜(D)を参照）。このようにして、被写体９に放射線L1を曝射することにより、被写体像に応じた電荷を放射線導電層２と電荷輸送層３との界面に蓄積することができるようになる。なお、この蓄積せしめられた電荷による被写体像を静電潜像という。
【００３６】
次に静電潜像読取過程について電荷モデル（図４）を参照しつつ説明する。接続手段S1を開放し電源供給を停止すると共に、S2を一旦接地側に接続し、静電潜像が記録された放射線撮像パネル10の導電層１および５を同電位に帯電させて電荷の再配列を行った後に（図４(A)参照）、接続手段S2を電流検出手段70側に接続する。
【００３７】
読取用露光手段92により読取光L2を放射線撮像パネル10の導電層５側に走査露光すると、読取光L2は導電層５を透過し、この透過した読取光L2が照射された光導電層４は走査露光に応じて導電性を呈するようになる。これは上記放射線導電層２が放射線L1の照射を受けて正負の電荷対が生じることにより導電性を呈するのと同様に、読取光L2の照射を受けて正負の電荷対が生じることに依存するものである（図４(B)参照）。なお、記録過程と同様に、読取光L2によって生成される負電荷（−）および正電荷（＋）を、図面上では−または＋を○で囲んで表している。
【００３８】
電荷輸送層３は正電荷に対しては導電体として作用するものであるから、光導電層４に生じた正電荷は蓄積電荷に引きつけられるように電荷輸送層３の中を急速に移動し、放射線導電層２と電荷輸送層３との界面で蓄積電荷と電荷再結合し消滅する（図４(C)参照）。一方、光導電層４に生じた負電荷は導電層５の正電荷と電荷再結合し消滅する（図４(C)参照）。光導電層４は読取光L2により十分な光量でもって走査露光されており、放射線導電層２と電荷輸送層３との界面に蓄積されている蓄積電荷、即ち静電潜像が全て電荷再結合により消滅せしめられる。このように、放射線撮像パネル10に蓄積されていた電荷が消滅するということは、放射線撮像パネル10に電荷の移動による電流Ｉが流れたことを意味するものであり、この状態は放射線撮像パネル10を電流量が蓄積電荷量に依存する電流源で表した図４(D)のような等価回路でもって示すことができる。
【００３９】
このように、読取光L2を走査露光しながら、放射線撮像パネル10から流れ出す電流を検出することにより、走査露光された各部（画素に対応する）の蓄積電荷量を順次読み取ることができ、これにより静電潜像を読み取ることができる。なお、本放射線検出部動作については特開2000-105297号等に記載されている。
【００４０】
次に、後者のＴＦＴ方式の放射線撮像パネルについて説明する。この放射線撮像パネルは、図５に示すように放射線検出部100とアクティブマトリックスアレイ基板（以下AMA基板）200が接合された構造となっている。図６に示すように放射線検出部100は大きく分けて放射線入射側から順に、バイアス電圧印加用の共通電極103と、検出対象の放射線に感応して電子−正孔対であるキャリアを生成する光導電層104と、キャリア収集用の検出電極107とが積層形成された構成となっている。共通電極の上層には放射線検出部支持体を有していてもよい。
【００４１】
光導電層104は本発明の製造方法により製造されたアモルファスセレンである。共通電極103や検出電極107は、例えばＩＴＯ（インジウム錫酸化物）や、ＡｕあるいはＰｔなどの導電材料からなる。バイアス電圧の極性に応じて、正孔注入阻止層、電子注入阻止層が共通電極103や検出電極107に付設されていてもよい。正孔注入阻止層としては、酸化セリウム、硫化アンチモン、硫化亜鉛、電子注入阻止層としては、硫化アンチモン、N,N'−ジフェニル−N,N'−ビス（３−メチルフェニル）−〔1,1'−ビフェニル〕−4,4'−ジアミン（ＴＰＤ）が用いられる。
【００４２】
ＡＭＡ基板200の各部の構成について簡単に説明する。ＡＭＡ基板200は図７に示すように、画素相当分の放射線検出部105の各々に対して電荷蓄積容量であるコンデンサ210とスイッチング素子としてＴＦＴ220とが各１個ずつ設けられている。支持体102においては、必要画素に応じて縦1000〜3000×横1000〜3000程度のマトリックス構成で画素相当分の放射線検出部105が２次元配列されており、また、ＡＭＡ基板200においても、画素数と同じ数のコンデンサ210およびＴＦＴ220が、同様のマトリックス構成で２次元配列されている。光導電層で発生した電荷はコンデンサ210に蓄積され、光読取方式に対応して静電潜像となる。ＴＦＴ方式においては、放射線で発生した静電潜像は電荷蓄積容量に保持される。
【００４３】
ＡＭＡ基板200におけるコンデンサ210およびＴＦＴ220の具体的構成は、図６に示す通りである。すなわち、ＡＭＡ基板支持体230は絶縁体であり、その表面に形成されたコンデンサ210の接地側電極210aとＴＦＴ220のゲート電極220aの上に絶縁膜240を介してコンデンサ210の接続側電極210bとＴＦＴ220のソース電極220bおよびドレイン電極220cが積層形成されているのに加え、最表面側が保護用の絶縁膜250で覆われた状態となっている。また接続側電極210bとソース電極220bはひとつに繋がっており同時形成されている。コンデンサ210の容量絶縁膜およびＴＦＴ220のゲート絶縁膜の両方を構成している絶縁膜240としては、例えば、プラズマＳｉＮ膜が用いられる。このＡＭＡ基板200は、液晶表示用基板の作製に用いられるような薄膜形成技術や微細加工技術を用いて製造される。
【００４４】
続いて放射線検出部100とＡＭＡ基板200の接合について説明する。検出電極107とコンデンサ210の接続側電極210bを位置合わせした状態で、両基板100、200を銀粒子などの導電性粒子を含み厚み方向のみに導電性を有する異方導電性フィルム（ＡＣＦ）を間にして加熱・加圧接着して貼り合わせることで、両基板100、200が機械的に合体されると同時に、検出電極107と接続側電極210bが介在導体部140によって電気的に接続される。
【００４５】
さらに、ＡＭＡ基板200には、読み出し駆動回路260とゲート駆動回路270とが設けられている。読み出し駆動回路260は、図７に示すように、列が同一のＴＦＴ220のドレイン電極を結ぶ縦（Ｙ）方向の読み出し配線（読み出しアドレス線）280に接続されており、ゲート駆動回路270は行が同一のＴＦＴ220のゲート電極を結ぶ横（Ｘ）方向の読み出し線（ゲートアドレス線）290に接続されている。なお、図示しないが、読み出し駆動回路260内では、１本の読み出し配線280に対してプリアンプ（電荷−電圧変換器）が１個それぞれ接続されている。このように、ＡＭＡ基板200には、読み出し駆動回路260とゲート駆動回路270とが接続されている。ただし、ＡＭＡ基板200内に読み出し駆動回路260とゲート駆動回路270とを一体成型し、集積化を図ったものも用いられる。
【００４６】
なお、上述の放射線検出器100とＡＭＡ基板200とを接合合体させた放射線撮像装置による放射線検出動作については、例えば特開平１１−２８７８６２号などに記載されている。  
以下に本発明の製造方法の実施例を示す。
【実施例】
【００４７】
（実施例１〜３）
内径３ｃｍの石英管に、Ｎａ２Ｓｅと６Ｎの高純度セレンを合計５００ｇ入れ、１０−５Ｐａ以下の真空度で封入し、これをロッキング炉において５００℃で４時間熱処理し混合した。得られたＮａドープＳｅのＮａ濃度分析を行ったところ、Ｎａが７５重量ｐｐｍドープされた母セレン合金が得られていた。この母セレン合金と６Ｎの高純度セレンを１５、７．５、３．８重量ｐｐｍのＮａ濃度になるよう混合し、密閉した炉中で３５０℃、１時間攪拌・混合し、チャンクのＮａドープＳｅを得た。実際の濃度をＩＣＰ−ＭＳ法によって求めた結果、それぞれ、１５、７、４重量ｐｐｍとなった。
【００４８】
（実施例４）
実施例１と同様に、内径３ｃｍの石英管に、Ｎａ２Ｓｅと６Ｎの高純度セレンを合計５００ｇ入れ、１０−５Ｐａ以下の真空度で封入し、これをロッキング炉において５００℃で４時間熱処理し、混合してＮａが４１重量ｐｐｍドープされた母セレン合金を得た。この母セレン合金と６Ｎの高純度セレンを８重量ｐｐｍのＮａ濃度になるよう混合し、密閉した炉中で３５０℃、１時間攪拌・混合し、チャンクのＮａドープＳｅを得た。実際の濃度をＩＣＰ−ＭＳ法によって求めた結果、６．５重量ｐｐｍとなった。
【００４９】
（実施例５）
実施例１と同様に、内径３ｃｍの石英管に、Ｎａ２Ｓｅと６Ｎの高純度セレンを合計５００ｇ入れ、１０−５Ｐａ以下の真空度で封入し、これをロッキング炉において５００℃で４時間熱処理し、混合してＮａが１１０重量ｐｐｍドープされた母セレン合金を得た。この母セレン合金と６Ｎの高純度セレンと１５．５重量ｐｐｍの濃度になるよう混合し、ショッティング炉中で３５０℃、１時間攪拌・混合し、ショッティングにより（非密閉系）ＮａドープＳｅを得た。実際の濃度をＩＣＰ−ＭＳ法によって求めた結果、１２．５重量ｐｐｍとなった。
【００５０】
（比較例）
Ｎａ２Ｓｅを直接高純度セレンと炉中に入れ、３５０℃、１時間攪拌・混合し、ショッティングによりＮａドープＳｅを得た。仕込み濃度を１２重量ｐｐｍとして１４回作製し、ＩＣＰ−ＭＳ法によって濃度分析を行った。
【００５１】
実施例及び比較例の結果を表１、２に示す。なお、表１中、仕込み濃度は計算上の濃度であり、実際の濃度はＩＣＰ−ＭＳ法によって求めた濃度である。
【表１】
2008198896.tif 000002
【表２】
2008198896.tif 000003
【００５２】
表１に示すように、密閉系で所定濃度よりも高い濃度の母セレン合金を作製した後、母セレン合金と純セレン合金を混合してＮａドープＳｅを得た実施例１〜５では、最初から非密閉系で製造する比較例に比べて、得られたＮａドープＳｅが仕込み濃度からのズレが小さく、分布が抑えられ、歩留まりよく製造できた。一方、当初から非密閉系で作製した比較例では、仕込み濃度１２重量ｐｐｍに対し、ＩＣＰ−ＭＳ法によって求めた実際の濃度は４から１０ｐｐｍの間で分布が見られた。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本発明の製造方法により製造されたアモルファスセレンを光導電層として用いた放射線撮像パネルの一実施の形態を示す断面図
【図２】放射線撮像パネルを用いた記録読取システムの概略構成図
【図３】記録読取システムにおける静電潜像記録過程を電荷モデルにより示した図
【図４】記録読取システムにおける静電潜像読取過程を電荷モデルにより示した図
【図５】放射線検出器とＡＭＡ基板の合体状態を示す概略模式図
【図６】放射線検出部の画素分を示す概略断面図
【図７】ＡＭＡ基板の等価回路を示す電気回路図
【符号の説明】
【００５４】
１    導電層
２    記録用放射線導電層
３    電荷輸送層
４    読取光導電層
５    導電層
１０  放射線撮像パネル
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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