(57)【要約】【課題】  損傷の少ない状態で半導体発光素子チップを支持基板に搭載してなる発光素子基板、及び、発光素子基板をスライダーに取り付けてなる高信頼性の熱アシスト磁気ヘッド、このような熱アシスト磁気ヘッドが用いられてなるヘッドジンバルアセンブリ及びハードディスク装置を提供する。【解決手段】  半導体発光素子チップ２１Ｂ３の一方面Ｆ１は支持基板の電極領域Ｅ１に固定されている。支持基板上の絶縁層２１Ｂ２上には複数の電極領域Ｅ１，Ｅ２，Ｅ３が設けられている。ワイヤーＷは、電極領域Ｅ１，Ｅ２，Ｅ３に両端がそれぞれ固定され、半導体発光素子チップ２１Ｂ３の他方面Ｆ２上を跨ぐように設けられ、他方面Ｆ２に電気的に接続されている。【選択図】  図５
2008251117.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体発光素子チップの一方面を支持基板に固定してなる発光素子基板において、
前記支持基板上に設けられた複数の電極領域と、
前記電極領域に両端がそれぞれ固定され、前記半導体発光素子チップの他方面上を跨ぐように設けられ、前記他方面に電気的に接続されたワイヤーと、
を備えることを特徴とする発光素子基板。
【請求項２】
前記ワイヤーと前記他方面とを電気的に接続する導電性接続剤を更に備えることを特徴とする請求項１に記載の発光素子基板。
【請求項３】
前記ワイヤーと前記他方面とは接触していないことを特徴とする請求項２に記載の発光素子基板。
【請求項４】
前記半導体発光素子チップの前記他方面上に溝を設け、前記溝内に前記導電性接続剤が位置することを特徴とする請求項２に記載の発光素子基板。
【請求項５】
前記半導体発光素子チップは、
前記他方面と、
この他方面に隣接すると共に前記他方面側からみて前記ワイヤーが横切る領域に位置する一対の対向側面と、
を有しており、
前記他方面と前記側面とはそれぞれ鈍角を成していることを特徴とする請求項１に記載の発光素子基板。
【請求項６】
前記ワイヤーの数は複数であり、前記他方面側からみて前記ワイヤーは前記他方面上で交差し、この交差点に前記導電性接続剤が設けられていることを特徴とする請求項２に記載の発光素子基板。
【請求項７】
前記ワイヤーの数は複数であり、前記他方面の形状は多角形であり、前記他方面側からみて前記ワイヤーは前記他方面の角部を横切っていることを特徴とする請求項１に記載の発光素子基板。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか１項に記載の前記発光素子基板と、
磁気記録素子を有し、前記半導体発光素子チップからの光が媒体対向面に導かれるよう、前記発光素子基板が取り付けられたスライダーと、
を備えることを特徴とする熱アシスト磁気ヘッド。
【請求項９】
請求項８に記載の熱アシスト磁気ヘッドと、
前記熱アシスト磁気ヘッドを支持するサスペンションと、
を備えたヘッドジンバルアセンブリ。
【請求項１０】
請求項９に記載のヘッドジンバルアセンブリと、
前記媒体対向面に対向する前記磁気記録媒体と、
を備えたハードディスク装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子基板、熱アシスト磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリ及びハードディスク装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ハードディスク（ＨＤＤ）の高密度化に伴い、薄膜磁気ヘッドの性能向上が要求されている。薄膜磁気ヘッドとしては、読み出し用の磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子）を有する再生ヘッドと書き込み用の誘導型電磁変換素子を有する記録ヘッドとを積層した構造の複合型薄膜磁気ヘッドが広く用いられている。
【０００３】
磁気記録では、記録媒体は磁性微粒子の不連続媒体で作られており、それぞれの磁性微粒子は単磁区構造となっている。記録には複数の微粒子が用いられる。記録密度を高めるためには、記録領域間の境界の凹凸を減らさなければならない。その為には、磁性微粒子を小さくしなくてはならないが、微粒子の体積を減少させると、熱安定性が悪化するという問題がある。
【０００４】
磁気ヘッドにおける熱安定性の目安は、ＫｕＶ／ｋＢＴで与えられる。ここで、Ｋｕは磁性微粒子の異方性エネルギー、Ｖは磁性微粒子１個の体積、ｋＢはボルツマン定数、Ｔは絶対温度である。磁性微粒子の体積Ｖを小さくすると、ＫｕＶ／ｋＢＴの値は小さくなり熱安定性が低下する。保磁力を増加させることで、係数ＫＵを大きくし、熱安定性を増加させる手法も考えられる。ところが、媒体の保磁力には本質的に上限がある。媒体の受ける磁束密度は、記録時に磁気ヘッドが作る磁界の大きさに制限され、この磁界の大きさもコアの軟磁性材料の飽和磁束密度に制限される。
【０００５】
そこで、熱安定性の問題を解決する方法として、係数Ｋｕの大きな磁性材料を用いるが、記録時に媒体に磁界と同時に熱も加え、保磁力を下げて記録する方法が提案されている。この記録方法は、熱アシスト磁気記録と呼ばれている。これは光磁気記録とよく似ているが、光磁気記録は空間分解能を光に持たせているのに対し、熱アシスト磁気記録は空間分解能を磁界に持たせている。下記特許文献１は、記録再生装置において固体イマージョン・レンズを用いたヘッドを利用し、光磁気ディスクに超微細な光ビームスポットで、超微細な磁区信号を記録する技術が開示されている。
【０００６】
熱アシスト磁気記録には、幾つかの手法が提案されている。
【０００７】
下記特許文献２は、近接場プローブを用いる光記録に関する技術を開示している。近接場プローブは、基板上に形成された円錐体や三角形などの形状をした金属の散乱体と、その散乱体の周辺に形成された誘電体などの膜から構成さている。
【０００８】
下記特許文献３は、近接場プローブを構成する散乱体を、記録媒体に垂直となるように、垂直磁気記録用単磁極書き込みヘッドの主磁極に接して形成する技術が開示されている。特許文献３によると、光源（半導体レーザー、若しくは光ファイバー）の光出射面は、媒体面と平行に、且つ、媒体面に近接した場所に設置する必要がある。この構造では、光源が媒体と衝突する可能性があり、ハードディスクドライブの信頼性という観点から好ましくない。
【０００９】
一方で、特許文献３は、ミラーを用いて入射光を９０度屈折させることで、光源を媒体面から遠ざける工夫も提案している。スライダー本体に直接搭載する場合には、生産歩留まりの観点に不都合が生じる。一般に、ＬＤ（レーザーダイオード）チップは、チップ単体では特性評価（出力パワー、広がり角、寿命等）を行う事が非常に困難である。従って、ＬＤチップをスライダーに実装した後に、ＬＤの特性評価を行う事になる。組立て製品の歩留まりは、ヘッドそのものの歩留まりと、レーザーダイオードの歩留まり双方の乗算によって決定されるため、組立て後に特性検査を行うと、個別に検査を行ってから組み立てた場合よりも、歩留まりが低くなる。光ファイバー等を用いてスライダーに光を導入させる設計を採用する場合には、個別に特性を評価することが可能となるため、歩留まりの問題は解決する。しかしながら、光ファイバーへの光の結合部と光ファイバーから導波路への結合により、光を大幅に損失するという懸念がある。
【００１０】
以上の観点から、熱アシスト磁気ヘッドにはＬＤホルダーユニット構造が好ましいと考えられる。ＬＤホルダーユニットは、ＬＤチップを搭載する支持基板をスライダーに取り付けてなり、結合損失の低下を抑制することができる。スライダーには光導波路が形成され、ＬＤチップからの光がスライダーに入射する。ＬＤチップの支持基板の熱伝導率は、スライダーの熱伝導率以上に設定すればよい。これにより、ＬＤチップが発生する熱を、効果的にスライダーから遠ざけることが可能となる。
【００１１】
ＬＤチップには電力を供給しなくてはならない。ＬＤチップに電力を供給する為には、通常、チップのＬＤの上下面間に電圧を印加する必要がある。ＬＤチップへの電力供給技術として、ワイヤーボンディング法がある。ワイヤーボンディング法では、ＬＤチップの上面に高周波を印加し、この高周波加熱を用いてＡｕワイヤーをＬＤの上面に取り付けている。
【００１２】
下記特許文献４に記載の方法によれば、ワイヤーボンディング法を用いず、ＬＤチップの一部に下部電極まで通じる陥没部を設け、ＬＤチップの下面から、上下双方の電極を一度に引き出す構造を採用している。
【特許文献１】特開平１０−１６２４４４号公報
【特許文献２】特開２００１−２５５２５４号公報
【特許文献３】特開２００４−１５８０６７号公報
【特許文献４】特開平７−２３５７２９号公報
【非特許文献１】ＩＥＥＥ  Ｔｒａｎｓ．Ｍａｇｎ．Ｖｏｌ．４１，ｐ２８１７（２００５）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
しかしながら、ワイヤーボンディング法を用いた場合、ＬＤチップの上面に、ボンディング時の圧力と高周波が印加されることとなり、ＬＤチップの特性が劣化する場合がある。もちろん、特許文献４に記載のスルーホール方法を用いた場合、ＬＤチップの電極部分に導通させるために設けられたサブマウント側の導体柱の高さ制御が困難である。導体柱が短すぎれば導通がとれず、長すぎればＬＤチップに応力が印加されることになるからである。特に、ＧａＡｓ系ＬＤは非常に脆いため、ハードディスクのような過酷な条件下で使用される薄膜磁気ヘッドにとって、応力の印加による信頼性の低下は好ましくはない。
【００１４】
本発明は、このような課題に鑑みてなされたものであり、損傷の少ない状態で半導体発光素子チップを支持基板に搭載してなる発光素子基板、及び、発光素子基板をスライダーに取り付けてなる高信頼性の熱アシスト磁気ヘッド、このような熱アシスト磁気ヘッドが用いられてなるヘッドジンバルアセンブリ及びハードディスク装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上述の課題を解決するため、本発明に係る発光素子基板は、半導体発光素子チップの一方面を支持基板に固定してなる発光素子基板において、支持基板上に設けられた複数の電極領域と、電極領域に両端がそれぞれ固定され、半導体発光素子チップの他方面上を跨ぐように設けられ、他方面に電気的に接続されたワイヤーとを備えることを特徴とする。
【００１６】
本発明によれば、ワイヤーは半導体発光素子チップの他方面上を跨いでおり、所謂ワイヤーボンディング法により押圧されることなく、半導体発光素子チップの他方面に電気的に接続されているので、半導体発光素子チップに損傷が与えられることが低減され、特性劣化が抑制されている。電極領域と半導体発光素子チップの一方面との間に電圧を印加すると、半導体発光素子チップの一方面と他方面の間に電流が流れ、半導体発光素子チップが発光する。
【００１７】
ワイヤーは半導体発光素子チップの他方面に直接接触することで電気的な接続を保持してもよいが、接触抵抗を低下させるため、本発明に係る発光素子基板は、ワイヤーと前記他方面とを電気的に接続する導電性接続剤を更に備えることが好ましい。導電性接続剤としては、導電性ペーストなどの導電性接着剤や半田などが挙げられる。
【００１８】
なお、導電性接続剤を用いるのであれば、ワイヤーと前記他方面とは接触していないことが好ましい。この場合には、ワイヤー自身は他方面には殆ど応力を与えないので、半導体発光素子チップの劣化を更に抑制することができる。
【００１９】
また、半導体発光素子チップの他方面上に溝を設け、この溝内に導電性接続剤が位置することとすれば、導電性接続剤は溝内において拘束される傾向が強くなり、導電性接続剤の位置決めが容易となる。溝内或いは溝の上方にワイヤーが延びている場合には、導電性接続剤とワイヤーが確実に接続される傾向が高くなり、接続の信頼性を向上させることができる。
【００２０】
また、半導体発光素子チップは、他方面と、この他方面に隣接すると共に、他方面側からみてワイヤーが横切る領域に位置する一対の対向側面と、を有しており、他方面と前記側面とはそれぞれ鈍角を成していることを特徴とする。ワイヤーの延びる方向と交差するチップの側面角部は、面取りされており、ワイヤーがチップの角部に接触することなく他方面上を跨ぐことが可能となる。この場合、ワイヤーが角部に接触する場合よりも、側面に与える応力を低減することができ、ワイヤーが角部を避けて大回りに延びている場合よりも、ワイヤー長を短くすることができる。すなわち、材料コストを低減することが可能となる。
【００２１】
また、導電性接続剤を用いる場合、ワイヤーの数は複数であり、他方面側からみてワイヤーは他方面上で交差し、この交差点に導電性接続剤が設けられていることとしてもよい。線状の複数のワイヤーが交差点を有するようにワイヤーを配置した場合、半導体発光素子チップの他方面と交差点の位置は二次元的に固定される傾向が高くなる。すなわち、ワイヤーは、延びている方向に垂直な方向によりも、延びている方向の方が、許容移動量が小さくなる傾向がある。したがって、ワイヤーを交差させることによって、熱膨張や熱収縮時における、他方面に対する交差点の相対移動量を規制することが可能となる。これにより、ワイヤーや導電性接着剤の他方面からの剥離が減少するため、発光素子基板の信頼性が向上する。
【００２２】
また、ワイヤーの数は複数であり、他方面の形状は多角形であり、他方面側からみてワイヤーは他方面の角部を横切っていることとしてもよい。この場合、ワイヤーは角部の位置を固定する傾向があるため、複数の角部の位置をワイヤーによって拘束することにより、半導体発光素子チップの他方面の面内移動を抑制することが可能となる。
【００２３】
また、本発明に係る熱アシスト磁気ヘッドは、上述の発光素子基板と、磁気記録素子を有し、半導体発光素子チップからの光が媒体対向面に導かれるよう、発光素子基板が取り付けられたスライダーとを備えることを特徴とする。この熱アシスト磁気ヘッドによれば、半導体発光素子チップからの光がスライダーを介して磁気記録媒体の記録領域に導かれるので、この光による加熱によって、記憶領域における磁性体の保持力が一時的に低下する。この際、スライダーの磁気記録素子の周囲に書き込み用の磁界を発生させると、記憶領域に発生した磁場に応じた情報を書き込むことができる。すなわち、保持力の高い磁性材料を用いても書き込みを行うことが可能となるため、熱安定性を確保しつつ磁性微粒子の粒子径を小さくすることができるので、記録密度を高めることができる。なお、発光素子基板とスライダーとの相対位置が固定されることになるため、半導体発光素子チップからの光を高い信頼性で記録領域に導くことが可能となる。
【００２４】
また、本発明に係るヘッドジンバルアセンブリは、上述の熱アシスト磁気ヘッドと、熱アシスト磁気ヘッドを支持するサスペンションとを備えている。このヘッドジンバルアセンブリは、高い歩留まりと信頼性を有することとなる。
【００２５】
また、本発明に係るハードディスク装置は、上述のヘッドジンバルアセンブリと、媒体対向面に対向する磁気記録媒体とを備えている。このハードディスク装置は、上述のヘッドジンバルアセンブリを備えているので、高い歩留まりで製造することができ、また、高信頼性で動作することとなる。
【発明の効果】
【００２６】
本発明の発光素子基板によれば、損傷の少ない状態で半導体発光素子チップが支持基板に搭載されており、これを用いた熱アシスト磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリ及びハードディスク装置は、高信頼性で動作することとなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、実施の形態に係る発光素子基板、熱アシスト磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリ及びハードディスク装置について説明する。同一要素には同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。
【００２８】
図１は、実施の形態に係るハードディスク装置の斜視図である。
【００２９】
ハードディスク装置１は、スピンドルモータ１１の回転軸の回りを回転する複数の磁気記録媒体である磁気ディスク１０、熱アシスト磁気ヘッド２１をトラック上に位置決めするためのアセンブリキャリッジ装置１２、この熱アシスト磁気ヘッド２１の書き込み及び読み出し動作を制御し、熱アシスト磁気記録用のレーザ光を発生させる光源であるレーザダイオード（半導体発光素子）を制御するための記録再生及び発光制御回路（制御回路）１３を備えている。
【００３０】
アセンブリキャリッジ装置１２には、複数の駆動アーム１４が設けられている。これらの駆動アーム１４は、ボイスコイルモータ（ＶＣＭ）１５によってピボットベアリング軸１６を中心にして揺動可能であり、この軸１６に沿った方向に積層されている。各駆動アーム１４の先端部には、ヘッドジンバルアセンブリ（ＨＧＡ）１７が取り付けられている。各ＨＧＡ１７には、熱アシスト磁気ヘッド２１が、各磁気ディスク１０の表面に対向するように設けられている。磁気ディスク１０の表面に対向する面が熱アシスト磁気ヘッド２１の媒体対向面（ＡＢＳ）Ｓである。なお、磁気ディスク１０、駆動アーム１４、ＨＧＡ１７及び熱アシスト磁気ヘッド２１は、単数であってもよい。
【００３１】
図２は、ＨＧＡ１７の斜視図である。同図は、ＨＧＡ１７の媒体対向面Ｓを上にして示してある。
【００３２】
ＨＧＡ１７は、サスペンション２０の先端部に、熱アシスト磁気ヘッド２１を固着し、さらにその熱アシスト磁気ヘッド２１の端子電極に配線部材２０３の一端を電気的に接続して構成される。サスペンション２０は、ロードビーム２００と、このロードビーム２００上に固着され支持された弾性を有するフレクシャ２０１と、フレックシャ２０１の先端に板ばね状に形成されたタング部２０４と、ロードビーム２００の基部に設けられたベースプレート２０２と、フレクシャ２０１上に設けられておりリード導体及びその両端に電気的に接続された接続パッドからなる配線部材２０３とから主として構成されている。
【００３３】
なお、ＨＧＡ１７におけるサスペンションの構造は、以上述べた構造に限定されるものではないことは明らかである。なお、図示されていないが、サスペンション２０の途中にヘッド駆動用ＩＣチップを装着してもよい。
【００３４】
図３は、熱アシスト磁気ヘッド２１の斜視図である。
【００３５】
記録媒体のトラック幅方向をＸ軸、熱アシスト磁気ヘッド２１直下における記録ビットの配列方向をＹ軸、媒体対向面ＳをＸＹ平面、ＸＹ平面に垂直な軸をＺ軸とする。
【００３６】
熱アシスト磁気ヘッド２１は、スライダー２１Ａと発光素子基板２１Ｂとからなる。スライダー２１Ａの媒体対向面Ｓは、媒体の記録領域Ｒに対向している。スライダー２１Ａは、スライダー基板２１Ａ１と、スライダー基板２１Ａ１のＺＸ面上に形成された磁気ヘッド部２１Ａ２とを有している。磁気ヘッド部２１Ａ２は、媒体対向面Ｓ上に露出した磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子）２１Ａ２１と、ＭＲ素子のＹ軸方向延長線上には主磁極２１Ａ２２が配置されている。
【００３７】
主磁極２１Ａ２２の近傍にはプラズモン・プローブ（近接場光発生部）２１Ａ２３が配置されている。近接場光発生部２１Ａ２３は、磁気ヘッド部２１Ａ２内に埋設された光導波路のコア２１Ａ２４の光出射面２１Ａ２５上に位置する。光導波路のコア２１Ａ２４の構造としては、直線導波路の他、複数の構造が知られているため、同図では光線と共通かして一点鎖線で示している。光導波路のコア２１Ａ２４はレーザ光が入射する光入射面２１Ａ２６を備えている。主磁極２１Ａ２２は、磁気ヘッド部２１Ａ２内に埋設された書き込み磁場発生用のコイル２１Ａ２７から媒体対向面Ｓに向けて延びている。
【００３８】
発光素子基板２１Ｂは、放熱性の金属材料からなる支持基板２１Ｂ１と、支持基板２１Ｂ１のＸＺ平面上に搭載された半導体発光素子チップ（レーザーダイオード）２１Ｂ３を備えている。支持基板２１Ｂ１はアルティック（Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＣ）等からなり、支持基板２１Ｂ１のＸＺ面は絶縁層２１Ｂ２によって被覆され、この平面上に半導体発光素子チップ２１Ｂ３が固定されている。支持基板２１Ｂ１上の絶縁層２１Ｂ２上には複数の電極パッド（電極領域）Ｅ１，Ｅ２，Ｅ３が形成されている。電極領域Ｅ１上には半導体発光素子チップ２１Ｂ３の一方面が導電性接着剤等を介して固定されている。電極領域Ｅ２とＥ３との間にはワイヤーＷが設けられており、ワイヤーＷの中央部は半導体発光素子チップ２１Ｂ３の他方面上に位置し、この他方面とワイヤーＷとは導電性接続剤Ｂによって電気的に接続されている。
【００３９】
図４は、半導体発光素子チップ２１Ｂ３の斜視図である。
【００４０】
半導体発光素子チップ２１Ｂ３は、下部クラッド層Ｃ１と上部クラッド層Ｃ２との間に挟まれた活性層Ａを備えており、活性層Ａの端面の中央に位置する発光領域ＥＲから、レーザ光がＺ軸の負方向に向けて出射する。半導体発光素子チップ２１Ｂ３内部にはＰＮ接合が形成されている。半導体発光素子チップ２１Ｂ３の構造としては、種々の形態のものが知られているが、基本構成は上述の通りである。活性層Ａとして量子井戸構造を用いたものや、複数のクラッド層を備えるもの、必要に応じてバッファ層を具備するもの、熱処理時の元素の蒸発を抑制するキャップ層を備えるものなどが知られているが、半導体発光素子チップ２１Ｂ３としては、如何なる形態のものも採用することができるが、半導体発光素子チップ半導体発光素子を構成する半導体層の積層方向に垂直な一対の平面、すなわち上下面には、電圧印加用の電極層ｅ１，ｅ２がそれぞれ形成されている。
【００４１】
再び図３を参照する。
【００４２】
磁気ヘッド部２１Ａ２は大部分が絶縁体から構成されており、その中に各素子が埋設されている。半導体発光素子チップ２１Ｂ３の露出したＸＺ面上には、複数の電極パッドからなる電極群Ｇ１が形成されており、それぞれの電極パッドは、磁気ヘッド部２１Ａ２内に埋設された上述の各素子に電気的に接続されている。サスペンション２０の先端部には電極群Ｇ２が形成されており、電極群Ｇ２内の各電極パッドは、電極領域Ｅ１，Ｅ２，Ｅ３と、電極群Ｇ１内の各電極パッドに電気的に接続されており、配線２０３を介して外部に接続されている。
【００４３】
電極領域Ｅ１に半導体発光素子チップ２１Ｂ３の電極層ｅ１の一方面を固定し、電極層ｅ２の他方面をワイヤーＷを介して電極領域Ｅ２，Ｅ３に接続した状態で、電極Ｅ１と電極領域Ｅ２（Ｅ３）との間に発光閾値以上の電圧を印加すると、半導体発光素子チップ２１Ｂ３の厚み方向に電流が流れ、ＸＹ面を端面として、この端面から−Ｚ方向に光が出射する。この光は、光入射面２１Ａ２６を介して、光出射面２１Ａ２５に設けられた近接場光発生部２１Ａ２３に照射される。近接場光発生部２１Ａ２３を備えない磁気ヘッド部を採用してもよいが、本例では、近接場光発生部２１Ａ２３を備えていることとする。
【００４４】
近接場光発生部２１Ａ２３は、光出射面２１Ａ２５のほぼ中央に配置されている板状部材である。本例では、近接場光発生部２１Ａ２３は三角形状であるとする。近接場光発生部２１Ａ２３は、その端面が媒体対向面Ｓに露出するようにコアの光出射面２１Ａ２５に埋設されている。半導体発光素子チップ２１Ｂ３からの光が近接場光発生部２１Ａ２３に照射されることで近接場光が発生する。近接場光発生部２１Ａ２３に光を照射すると、近接場光発生部２１Ａ２３を構成する金属内の電子がプラズマ振動し、その先端部において電界の集中が生じる。この近接場光の拡がりは、プラズモン・プローブ先端部の半径程度となるため、この先端部の半径をトラック幅以下とすれば、擬似的に出射光が回折限界以下にまで絞り込まれた効果を奏する。
【００４５】
近接場光発生部２１Ａ２３は、まず、下部クラッドを構成する絶縁層のＸＺ平面上に金属層を堆積し、次に、フォトグラフィ技術を用いて、Ｚ軸に延び且つ根元の部分が括れたフォトレジストパターンを金属層上に形成し、このフォトレジストパターンをマスクとしてミリング等のドライエッチングを行うことで、Ｚ軸に沿って延びる金属線パターンをＸＺ平面上に作製する。フォトレジストパターンの根元は括れているので、金属線パターンのＹ軸負方向の先端部は、ドライエッチングによって、Ｘ軸方向幅が狭くなり、金属線パターンのＸＹ平面内における断面形状は三角形となる。この上にコアとなる絶縁材料を堆積し、さらにクラッドとなる絶縁材料を堆積した後、ＸＺ平面をＺ軸に正方向に向かって研磨すると、薄い厚みで三角形状の近接場光発生部２１Ａ２３を形成することができる。
【００４６】
主磁極２１Ａ２２の周囲に発生する磁場による書き込み領域Ｗ１は、近接場光の照射領域Ｒの近傍に設定されており、記録媒体をＹ軸正方向に移動させると、加熱された領域Ｒのあった位置に書き込み領域Ｗ１が位置することとなり、データが書き込まれる。領域Ｒと領域Ｗ１とは重複する領域に設定してもよい。データの読み出し時には、記録領域Ｒ２からの磁場をＭＲ素子２１Ａ２１が検出する。ＭＲ素子２１Ａ２１の構造としては、ＧＭＲ素子やＴＭＲ素子を採用することができ、これらの素子では、そのフリー層のＸ軸両端にハードマグネットが位置している。
【００４７】
図５は、図４に示した半導体発光素子チップ２１Ｂ３のＶ−Ｖ矢印断面図である。なお、チップ内の各層は発明の明確化のため記載を省略する。
【００４８】
図５（ａ）−（ｄ）に示すように、半導体発光素子チップ２１Ｂ３の一方面Ｆ１は支持基板の電極領域Ｅ１に固定されている。支持基板上の絶縁層２１Ｂ２上には複数の電極領域Ｅ１，Ｅ２，Ｅ３が設けられている。ワイヤーＷは、電極領域Ｅ１，Ｅ２，Ｅ３に両端がそれぞれ固定され、半導体発光素子チップ２１Ｂ３の他方面Ｆ２上を跨ぐように設けられ、他方面Ｆ２に電気的に接続されている。
【００４９】
ワイヤーＷは半導体発光素子チップ２１Ｂ３の他方面Ｆ２上を跨いでおり、所謂ワイヤーボンディング法により押圧されることなく、半導体発光素子チップ２１Ｂ３の他方面Ｆ２に電気的に接続されているので、半導体発光素子チップ２１Ｂ３に損傷が与えられることが低減され、特性劣化が抑制されている。電極領域Ｅ２（Ｅ３）と半導体発光素子チップ２１Ｂ３の一方面Ｆ１との間に電圧を印加すると、半導体発光素子チップ２１Ｂ３の一方面Ｆ１と他方面Ｆ２の間に電流が流れ、半導体発光素子チップ２１Ｂ３が発光する。
【００５０】
図５（ａ）では、ワイヤーＷは、半導体発光素子チップ２１Ｂ３の他方面Ｆ２に直接接触することで電気的な接続を保持している。接触抵抗を低下させるため、ワイヤーＷと他方面Ｆ２とを電気的に接続する導電性接続剤Ｂが更に設けられている。導電性接続剤Ｂとしては、導電性ペーストなどの導電性接着剤や半田などが挙げられる。
【００５１】
図５（ｂ）では、ワイヤーＷは、半導体発光素子チップ２１Ｂ３の角部にのみ接触している。図５（ｃ）では、ワイヤーＷは、半導体発光素子チップ２１Ｂ３には全く接触していない。ワイヤーＷと他方面Ｆ２とを電気的に接続しているのは、これらの間に介在する導電性接続剤Ｂである。これらの形態では、ワイヤーＷは、ワイヤーＷと他方面Ｆ２とは接触しておらず、ワイヤーＷ自身が他方面Ｆ２には殆ど応力を与えないので、半導体発光素子チップ２１Ｂ３の劣化を更に抑制することができる。
【００５２】
図５（ｄ）では、半導体発光素子チップ２１Ｂ３は、他方面Ｆ２と、他方面Ｆ２に隣接すると共に、他方面Ｆ２側からみてワイヤーＷが横切る領域に位置する一対の対向側面ＳＤ１，ＳＤ２とを有している。他方面Ｆ２と側面ＳＤ１，ＳＤ２とはそれぞれ鈍角θを成している。ワイヤーＷの延びる方向（Ｘ方向）と交差するチップの側面角部は、面取りされており、ワイヤーＷがチップの角部に接触することなく他方面Ｆ２上を跨いでいる。この場合、ワイヤーが角部に接触する場合（図５（ｂ））よりも、側面に与える応力を低減することができ、ワイヤーＷが角部を避けて大回りに延びている場合（図５（ｃ））よりも、ワイヤーＷの長さを短くすることができる。すなわち、材料コストを低減することが可能となる。
【００５３】
なお、図５（ｄ）のように、面取りが行われる場合においても、ワイヤーＷの橋渡し手法として、他方面Ｆ２に接触している場合や、角部に接触している場合や、チップには全く接触していない場合を採用することができることは言うまでもない。
【００５４】
図６は、他方面に溝ＧＲを設けた半導体発光素子チップ２１Ｂ３の斜視図である。
【００５５】
半導体発光素子チップ２１Ｂ３の他方面Ｆ２上に溝ＧＲが設けられており、この溝ＧＲ内に導電性接続剤Ｂが位置している。導電性接続剤Ｂは溝ＧＲ内において拘束される傾向が強くなり、導電性接続剤Ｂの位置決めが容易となる。液状の導電性接続剤Ｂを滴下する場合、溝ＧＲの位置から若干ずれた位置に滴下されても、溝ＧＲ内に導電性接続剤Ｂが吸い込まれるので、結果的には導電性接続剤Ｂが溝ＧＲに寄ってくる。
【００５６】
同図ではワイヤーＷは、溝ＧＲに沿っており、且つ、溝ＧＲ内に位置しているが、ワイヤーＷの位置は溝ＧＲに沿わず、溝ＧＲの上方に位置していてもよい。少なくとも、ワイヤーＷが溝ＧＲ内或いは溝ＧＲの上方に延びている場合には、導電性接続剤ＢとワイヤーＷが確実に接続される傾向が高くなり、接続の信頼性を向上させることができる。なお、本例では、溝ＧＲの深さは上部の電極ｅ１の厚みよりも小さく設定されている。ワイヤーＷの設置方法としては、本説明内の他の形態のものも適用することが可能である。
【００５７】
図７は、ワイヤーＷの設置方法を説明するための半導体発光素子チップ２１Ｂ３の平面図である。この図は、半導体発光素子チップ２１Ｂ３を他方面Ｆ２側から見た図である。
【００５８】
図７（ａ）では、ワイヤーＷの数は複数であり、ワイヤーＷは他方面Ｆ２上で交差し、この交差点ＸＸに導電性接続剤Ｂが設けられている。電極領域Ｅ２とＥ３の間、電極領域Ｅ４とＥ５の間にワイヤーＷが設けられている。線状の複数のワイヤーＷが交差点ＸＸを有するようにワイヤーＷを配置した場合、他方面Ｆ２と交差点ＸＸの位置は二次元的に固定される傾向が高くなる。
【００５９】
ワイヤーＷは、延びている方向に垂直な方向によりも、延びている方向の方が、許容移動量が小さくなる傾向がある。したがって、ワイヤーＷを交差させることによって、熱膨張や熱収縮時における、他方面Ｆ２に対する交差点ＸＸの相対移動量を規制することが可能となる。これにより、ワイヤーＷや導電性接着剤Ｂの他方面Ｆ２からの剥離が減少するため、発光素子基板の信頼性が向上する。
【００６０】
図７（ｂ）は、ワイヤーＷの数は複数であるが、ワイヤーＷは他方面Ｆ２上では交差していないものを示している。
【００６１】
図７（ｃ）では、ワイヤーＷの数は複数であり、他方面Ｆ２の形状は多角形（四角形）であり、ワイヤーＷは他方面Ｆ２の角部ＣＮを横切っている。各ワイヤーＷには導電性接続剤Ｂが固定されている。本例では、ワイヤーＷは角部ＣＮの位置を固定する傾向があるため、複数の角部ＣＮの位置をワイヤーＷによって拘束することにより、他方面Ｆ２の面内移動を抑制することが可能となる。
【００６２】
図７（ｄ）は、ワイヤーＷの数は複数であるが、ワイヤーＷは他方面Ｆ２上では交差していないものを示している。１つの電極領域Ｅ２と複数の電極領域Ｅ３，Ｅ４とがワイヤーＷによって接続され、各ワイヤーＷ上には導電性接続剤Ｂが滴下されている。
【００６３】
導電性接着材Ｂは、ＡｕＳｎ半田からなり、ＡｕとＳｎの重量％比は、４０：６０〜６０：４０であることが好ましい。この場合、ＡｕＳｎの固体から液体への相変化温度を２８０℃〜４１８℃の間で可変することができる。５０重量％の場合に４１８℃が得られ、その前後の温度では、上述の比率の範囲においては、相変化温度は徐々に低下する。すなわち、半導体発光素子チップの発熱によっては溶融しない程度の組成比の領域（非溶融時の下限温度を与える組成比）内において、半田溶融時に半導体発光素子チップ自体が損傷を受けない程度の組成比（溶融時の上限温度を与える組成比）に設定すれば、半導体発光素子チップの信頼性を向上することができる。なお、その他の比率の設定も可能である。
【００６４】
なお、上述の熱アシスト磁気ヘッド２１は、上述の発光素子基板２１Ｂと、磁気記録素子としての主磁極２１Ａ２２を有し、半導体発光素子チップ２１Ｂ３からの光が媒体対向面Ｓに導かれるよう、発光素子基板２１Ｂが取り付けられたスライダー２１Ａとを備えている。熱アシスト磁気ヘッド２１によれば、半導体発光素子チップ２１Ｂ３からの光がスライダー２１Ａを介して磁気記録媒体の記録領域（照射領域）Ｒに導かれるので、この光による加熱によって、記憶領域における磁性体の保持力が一時的に低下する。この際、スライダー２１Ａの主磁極２１Ａ２２の周囲に書き込み用の磁界を発生させると、記憶領域に発生した磁場に応じた情報を書き込むことができる。すなわち、保持力の高い磁性材料を用いても書き込みを行うことが可能となるため、熱安定性を確保しつつ磁性微粒子の粒子径を小さくすることができるので、記録密度を高めることができる。なお、発光素子基板２１Ｂとスライダー２１Ａとの相対位置が固定されることになるため、半導体発光素子チップ２１Ｂ３からの光を高い信頼性で記録領域に導くことが可能となる。
【００６５】
また、上述のＨＧＡ１７は、上述の熱アシスト磁気ヘッド２１と、熱アシスト磁気ヘッド２１を支持するサスペンション２０とを備えている。このＨＧＡ１７は、高い歩留まりと信頼性を有することとなる。
【００６６】
また、上述のハードディスク装置１は、上述のＨＧＡ１７と、媒体対向面Ｓに対向する磁気記録媒体としての磁気ディスク１０とを備えている。このハードディスク装置１は、ＨＧＡ１７を備えているので、高い歩留まりで製造することができ、また、高信頼性で動作することとなる。
【００６７】
上述の電極領域Ｅ１は、以下のようにして形成される。まず、半導体発光素子チップ２１Ｂ３の一方面Ｆ１が接触する絶縁層２１Ｂ２（図３参照）上に、Ａｕ電極層を５〜１０μｍ、Ｔｉを２０ｎｍ、ＡｕＳｎ半田層を１〜２μｍ程度を順次成膜する。また、その上部にはＣｕ層を０．５〜３μｍ程度成膜する。その後、これらの膜を、半導体発光素子チップ２１Ｂ３の一方面Ｆ１がコンタクトするのと同程度の面積にパターンニングする。
【００６８】
上述の電極領域Ｅ２、Ｅ３は、その後、絶縁層２１Ｂ２上に、Ａｕ電極層を５〜１０μｍ程度成膜する。次に、電極Ｅ１上に半導体発光素子チップ２１Ｂ３をのせて融着する。接着した半導体発光素子チップ２１Ｂ３を跨ぐようにＡｕからなるワイヤーＷを、電極Ｅ２，Ｅ３にボンディングする。最後に、ワイヤーＷの橋と半導体発光素子チップ２１Ｂ３の電極面が電気的に接続されるように、ＡｕＳｎ半田からなる導電性接続剤Ｂの玉を形成し、これらを融着する。
【００６９】
なお、上述の図５（ｃ）の半導体発光素子チップ２１Ｂ３を実装した場合、ボンドミスも無く、不良率も減っているが、従来のワイヤボンディング法では２５個中に２個程度の不良品が発生した。
【図面の簡単な説明】
【００７０】
【図１】実施の形態に係るハードディスク装置の斜視図である。
【図２】ＨＧＡ１７の斜視図である。
【図３】熱アシスト磁気ヘッド２１の斜視図である。
【図４】半導体発光素子チップ２１Ｂ３の斜視図である。
【図５】図４に示した半導体発光素子チップ２１Ｂ３のＶ−Ｖ矢印断面図である。
【図６】他方面に溝ＧＲを設けた半導体発光素子チップ２１Ｂ３の斜視図である。
【図７】ワイヤーＷの設置方法を説明するための半導体発光素子チップ２１Ｂ３の平面図である。
【符号の説明】
【００７１】
２１Ｂ１・・・支持基板、２１Ｂ３・・・半導体発光素子チップ、Ｗ・・・ワイヤー、電極領域Ｅ１，Ｅ２，Ｅ３、Ｆ２・・他方面。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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