(57)【要約】【課題】基板表面にエッチングにより凹凸を付す場合でも、基板強度の低下に起因する基板の割れや、内面に不要な凹凸が発生することのない電気光学装置の製造方法、電気光学装置、および電子機器を提供すること。【解決手段】液晶装置１を製造するにあたって、パネル構造体３００の両面のうち、第２の大型基板２００の外側表面にマスク３４０を形成して選択エッチングを行い、凸パターンを形成する一方、第１の大型基板１００の外側表面には全面エッチングを行い、第１の大型基板１００を薄板化する。【選択図】図４
2008052165.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板と第２の基板とを貼り合わせてパネル構造体を形成する貼り合わせ工程を有
する電気光学装置の製造方法において、
前記貼り合わせ工程の後、前記パネル構造体の外側の面のうち、少なくとも一方の面に
エッチングを施して前記パネル構造体の表面に凹凸を形成するエッチング工程を行うこと
を特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項２】
前記エッチング工程では、前記パネル構造体の外側の面のうち、少なくとも一方の面に
所定形状のマスクを形成して選択エッチングを行い、前記パネル構造体の表面に所定形状
の凸パターンを形成することを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項３】
前記エッチング工程では、前記パネル構造体の外側の面のうち、一方の面に前記マスク
を形成した状態で選択エッチングを行って前記凸パターンを形成し、他方の面には全面エ
ッチングを行うことを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項４】
前記エッチング工程では、前記パネル構造体の外側の面のうち、少なくとも一方の面に
、光散乱性を備えた微細な凹凸を形成することを特徴とする請求項１に記載の電気光学装
置の製造方法。
【請求項５】
前記第１の基板および前記第２の基板は、前記エッチング工程においてエッチングが施
された領域の厚さが０．５ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至４の何れか一項
に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１乃至５の何れか一項に記載の方法で製造されたことを特徴とする電気光学装置
。
【請求項７】
第１の基板と第２の基板とが貼り合わされたパネルを備えた電気光学装置において、
前記パネルの外側の面のうち、少なくとも一方の面には凹凸が形成されていることを特
徴とする電気光学装置。
【請求項８】
前記パネルには、前記凹凸として所定形状の凸パターンが形成されていることを特徴と
する請求項７に記載の電気光学装置。
【請求項９】
前記パネルには、前記凹凸として、光散乱性を備えた微細な凹凸が形成されていること
を特徴とする請求項７に記載の電気光学装置。
【請求項１０】
請求項６乃至９の何れか一項に記載の電気光学装置を備えていることを特徴とする電子
機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、２枚の基板が貼り合わされた電気光学装置の製造方法、電気光学装置、およ
び電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
各種の電気光学装置のうち、例えば、アクティブマトリクス型の液晶装置は、素子基板
と対向基板とを貼り合せたパネル構造を有しており、素子基板と対向基板との間に液晶が
保持されている。
【０００３】
また、素子基板あるいは対向基板に所定の機能を付与することを目的に、その内面にエ
ッチングを施すことが提案されている。例えば、反射型液晶表示装置において、一対の基
板において、表示光が出射される側とは反対側に配置された基板の内面にエッチングを施
して微細な凹凸を形成した後、金属膜を形成し、金属膜で反射した光に散乱性を付与する
ことが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００２−１３１５１７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、液晶装置に用いる基板にエッチングを施すと、その分、基板が薄くなっ
てしまい、その後、半導体プロセスなどを利用して基板に配線、電極、スイッチング素子
などを形成する際や、基板同士を貼り合せる際に基板が割れてしまうことがある。また、
基板の内面にエッチングを施すと、内面に不要な凹凸が形成されてしまい、その上層に形
成した配線、電極、スイッチング素子を好適に形成できなくなるという問題点がある。
【０００５】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、基板表面にエッチングにより凹凸を付す場合
でも、基板強度の低下に起因する基板の割れや、内面に不要な凹凸が発生することのない
電気光学装置の製造方法、電気光学装置、および電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明では、第１の基板と第２の基板とを貼り合わせてパ
ネル構造体を形成する貼り合わせ工程を有する電気光学装置の製造方法において、前記貼
り合わせ工程の後、前記パネル構造体の外側の面のうち、少なくとも一方の面にエッチン
グを施して前記パネル構造体の外側表面に凹凸を形成するエッチング工程を行うことを特
徴とする。
【０００７】
本発明では、基板にエッチングを施す場合でも、基板同士を貼り合わせたパネル構造体
の状態でエッチングを行う。このため、基板が薄くなるとしても、半導体プロセスなどを
利用して基板に配線、電極、スイッチング素子などを形成した後、さらに、パネル構造体
とした後であるので、基板強度の低下に起因する基板の割れが発生しない。また、エッチ
ングを施すのは、パネル構造体の外側表面であるため、基板の内面に不要な凹凸が形成さ
れないので、基板の平坦な内面に配線、電極、スイッチング素子などを形成するので、電
気光学装置の信頼性が高い。
【０００８】
本発明において、前記エッチング工程では、例えば、前記パネル構造体の外側の面のう
ち、少なくとも一方の面に所定形状のマスクを形成して選択エッチングを行い、前記パネ
ル構造体の外側表面に所定形状の凸パターンを形成する。このように構成すると、例えば
、電気光学装置において、画像を表示した際、および画像の表示を行わない場合のいずれ
の場合でも、凸パターンが形成するパターンが浮かび上がるので、電気光学装置の意匠性
を高めることができる。
【０００９】
本発明において、前記エッチング工程では、前記パネル構造体の外側の面のうち、一方
の面に前記マスクを形成した状態で選択エッチングを行って前記凸パターンを形成し、他
方の面には全面エッチングを行うことが好ましい。このように構成すると、他方の面を構
成する基板については薄板化することができるので、電気光学装置の薄型化を図ることが
できる。この場合も、基板の薄板化は、パネル構造体の状態で行うので、基板強度の低下
に起因する基板の割れが発生しない。
【００１０】
本発明において、前記エッチング工程では、前記パネル構造体の外側の面のうち、少な
くとも一方の面に、光散乱性を備えた微細な凹凸を形成してもよい。このように構成する
と、例えば、バックライト装置とパネル構造体との間に光散乱シートなどを配置しなくて
も、バックライト装置からの光は、散乱性が付与された状態でパネル構造体に入射する。
それ故、バックライト装置から出射された光に輝度ムラがあった場合でも、かかる輝度ム
ラを解消できる。
【００１１】
本発明において、前記第１の基板および前記第２の基板は、前記エッチング工程におい
てエッチングが施された領域の厚さが０．５ｍｍ以下、さらには厚さが０．２５ｍｍであ
ることが好ましい。このようなレベルにまで基板の薄板化を図っても、薄型化をパネル構
造体の状態で行うので、基板強度の低下に起因する基板の割れが発生しない。
【００１２】
本発明に係る方法で製造した電気光学装置は、第１の基板と第２の基板とが貼り合わさ
れたパネルを備えた電気光学装置において、前記パネルの外側の面のうち、少なくとも一
方の面には凹凸が形成されていることを特徴とする。
【００１３】
本発明において、前記パネルには、例えば、前記凹凸として所定形状の凸パターンが形
成されている。また、本発明において、前記パネルには、例えば、前記凹凸として、光散
乱性を備えた微細な凹凸が形成されている。
【００１４】
本発明を適用した電気光学装置は、例えば、モバイルコンピュータや携帯電話機などと
いった電子機器に用いられる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の説明に用いた各
図では、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に
縮尺を相違させてある。
【００１６】
［実施の形態１］
（液晶装置の全体構成）
図１（ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態１に係る液晶装置（電気光学装置）を
その上に形成された各構成要素と共に対向基板の側（表示光が出射される側）から見た平
面図、およびそのＨ−Ｈ′断面図である。図２（ａ）、（ｂ）は、図１に示す液晶装置の
表示光が出射される側の構成を模式的に示す分解斜視図、および表示光が出射される側と
は反対側の構成を模式的に示す分解斜視図である。なお、図１（ａ）では、偏光板や位相
差板などの図示を省略してある。
【００１７】
図１（ａ）、（ｂ）、および図２（ａ）、（ｂ）において、本形態の液晶装置１は、Ｔ
Ｎ（Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＥＣＢ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ  Ｃ
ｏｎｔｒｏｌｌｅｄ  Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、あるいはＶＡＮ（Ｖｅｒｔ
ｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）モードの透過型のアクティブマトリクス型
の液晶装置である。この液晶装置１では、矩形の素子基板１０（第１の基板）と矩形の対
向基板２０（第２の基板）とがシール材２２を介して貼り合わされたパネル３０を有して
おり、パネル３０では、素子基板１０と対向基板２０との間に液晶１ｆが保持されている
。この液晶装置１では、対向基板２０の側から表示光が出射されるように構成され、素子
基板１０が配置された背面側にはバックライト装置９０が配置されている。パネル３０と
バックライト装置９０との間には、シート状あるいは薄板状の偏光板９１および位相差板
９２が配置され、パネル３０において、表示光が出射される対向基板２０の側には、シー
ト状あるいは薄板状の偏光板９６および位相差板９７が配置されている。
【００１８】
パネル３０において、シール材２２は、素子基板１０と対向基板２０とをそれらの周辺
で貼り合わせるための光硬化樹脂や熱硬化性樹脂などからなる接着剤であり、両基板間の
距離を所定値とするためのグラスファイバー、あるいはガラスビーズ等のギャップ材が配
合されている。シール材２２には、その途切れ部分によって液晶注入口２５が形成され、
液晶１ｆを注入した後、封止材２５０により封止されている。
【００１９】
素子基板１０において、シール材２２で囲まれた領域内には、画素トランジスタ１ｃや
画素電極２ａがマトリクス状に形成され、その表面に配向膜１９が形成されている。対向
基板２０には、シール材２２の内側領域に遮光性材料からなる額縁２６（図１（ｂ）では
図示を省略）が形成され、その内側が画像表示領域１ａ（画素領域）になっている。対向
基板２０には、図示を省略するが、各画素の縦横の境界領域と対向する領域にブラックマ
トリクス、あるいはブラックストライプなどと称せられる遮光膜が形成され、その上層側
には、対向電極２８および配向膜２９が形成されている。また、対向基板２０において、
素子基板１０の各画素に対向する領域には、ＲＧＢのカラーフィルタ（図示せず）がその
保護膜とともに形成され、それにより、液晶装置１をモバイルコンピュータ、携帯電話機
、液晶テレビなどといった電子機器のカラー表示装置として用いることができる。なお、
図１（ａ）に模式的に示すように、素子基板１０と対向基板２０との間では、シール材２
２に配合された基板間導通用の導電材２３などにより、素子基板１０に形成された共通配
線と対向基板２０の対向電極２８とが電気的に接続されている。
【００２０】
素子基板１０は対向基板２０よりも大きく、素子基板１０は、シール材２２の外側で対
向基板２０の基板縁から張り出した張り出し領域１５を備えている。張り出し領域１５に
は、ＩＣ実装領域１ｓが形成されており、このＩＣ実装領域１ｓには、ゲート線駆動回路
６６およびソース線駆動回路６７を内蔵の駆動用ＩＣ６０がＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｇ
ｌａｓｓ）実装されている。また、素子基板１０の張り出し領域１５には、ＩＣ実装領域
１ｓより外周縁側に基板接続領域１ｔが形成されており、この基板接続領域１ｔにはフレ
キシブル配線基板７０が接続されている。従って、素子基板１０において、画像表示領域
１ａからＩＣ実装領域１ｓに向けては、画像表示領域１ａの外側領域１ｂを通って引き回
し配線１ｘ、１ｙが延びているとともに、ＩＣ実装領域１ｓと基板接続領域１ｔとの間に
は配線（図示せず）が形成されている。
【００２１】
（パネル３０および光学部材の構成）
このように構成した液晶装置１において、対向基板２０では、その基材たるガラス基板
２１の外側表面には、例えば、星形の凸パターン３３０が形成されている。このため、液
晶装置１では、図１（ａ）に示すように、画像を表示している期間中、および画像の表示
を休止している期間中のいずれにおいても、星形模様が浮かび上がっている。
【００２２】
ここで、対向基板２０は、ガラス基板２１において、凸パターン３３０が形成されてい
ない領域の基板厚が０．５ｍｍ以下、さらには０．２５ｍｍ以下の厚さまで薄板化されて
いる。また、素子基板１０の基体たるガラス基板１１は、０．５ｍｍ以下、さらには０．
２５ｍｍ以下の厚さまで薄板化されている。このため、液晶装置１全体としての厚さ寸法
を圧縮することができる。
【００２３】
（液晶装置１の製造方法）
図３は、図１に示す液晶装置を製造する際の貼り合わせ工程までの説明図であり、図３
（ａ）、（ｂ）、（ｃ）の各々には、液晶装置の製造に用いた第１の大型基板（第１の基
板）、第２の大型基板（第２の基板）、および第１の大型基板と第２の大型基板とを貼り
合わせた大型のパネル構造体を示してある。図４は、図１に示す液晶装置を製造する際の
エッチング工程でパネル構造体にマスクを形成した状態の説明図である。図５は、図１に
示す液晶装置を製造する際のエッチング工程および分断工程の説明図であり、図５（ａ）
、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）の各々には、大型のパネル構造体にエッチング工程を施した後
の様子、大型のパネル構造体を短冊状に分断した後の様子、短冊状のパネル構造体を単品
サイズのパネルに分断した後の様子、および単品サイズのパネルに張り出し領域を形成し
た後の様子を示してある。なお、図３、図４および図５には、大型基板やパネル構造体な
どを上面側（表示光が出射される側）からみた様子と、矢印Ｔで示すように表裏反転させ
て下面側（表示光が出射される側とは反対側）からみた様子とを示してある。
【００２４】
本形態の液晶装置１の薄型化を図るにあたって、素子基板１０および対向基板２０とし
て最初から薄い基板を用いると、半導体プロセスを利用して画素トランジスタ１ｃ、画素
電極２ａ、対向電極２８などを形成すると基板が割れてしまうおそれがある。また、素子
基板１０および対向基板２０を各々、１枚ずつ製作したのでは生産性が低い。
【００２５】
そこで、本形態では、図３（ａ）、（ｂ）に示すように、単品サイズの素子基板１０を
多数取りできる厚いガラス製の第１の大型基板１００と、単品サイズの対向基板２０を多
数取りできる厚いガラス製の第２の大型基板２００とを準備して、これらの大型基板１０
０、２００に対して、半導体プロセスなどを利用して、画素トランジスタ１ｃ、画素電極
２ａ、および対向電極２８などの各構成要素を複数の基板分を形成する。
【００２６】
次に、貼り合わせ工程では、第１の大型基板１００あるいは第２の大型基板２００に対
して、素子基板１０あるいは対向基板２０として切り出される領域の各々に対してシール
材２２（図１（ａ）、（ｂ）参照）を塗布、あるいは印刷した後、図３（ｃ）に示すよう
に、大型基板１００、２００同士をシール材２２によって貼り合せて、大型のパネル構造
体３００を形成する。
【００２７】
ここで、第１の大型基板１００および第２の大型基板２００は、後述する分断工程にお
いて分断されるので、図３〜図５には、分断の際、スクライブ溝が形成される分断予定線
を一点鎖線で示してある。本形態において、分断予定線は、パネル構造体３００の両側の
外側表面（第１の大型基板１００の外側表面および第２の大型基板２００の外側表面）の
重なる位置において一方方向に延びた複数本の第１の分断予定線３０１、３０２と、パネ
ル構造体３００の両側の外側表面（第１の大型基板１００の外側表面および第２の大型基
板２００の外側表面）の重なる位置において第１の分断予定線３０１、３０２に対して交
差する方向に延びた複数本の第２の分断予定線３０３、３０４と、パネル構造体３００の
一方の外側表面（第２の大型基板２００の外側表面）で第１の分断予定線３０１、３０２
に並行して延びた複数本の第３の分断予定線３０５とを含んでいる。
【００２８】
次に、エッチング工程では、まず、図４に示すように、フォトリソグラフィ技術を用い
て、パネル構造体３００の両面のうち、第２の大型基板２００において単品サイズのパネ
ル３０が切り出される領域に、感光性樹脂からなるマスク３４０を星形に形成する（マス
キング工程）。これに対して、パネル構造体３００の第１の大型基板１００の側にはマス
ク３４０を形成しない。また、パネル構造体３００の外周縁で開口する大型基板１００、
２００の隙間をエポキシ樹脂やピッチ系塗料などの被覆材（図示せず）で塞いでおく。な
お、マスク３４０としては、感光性樹脂の他、フィルムを貼ってもよい。
【００２９】
そして、エッチング工程では、パネル構造体３００をフッ酸を含むエッチング液に浸漬
し、パネル構造体３００の両面（大型基板１００、２００の外側表面）のうち、第２の大
型基板２００において、マスク３４０から露出している領域を、０．５ｍｍ以下、さらに
は０．２５ｍｍ以下の厚さになるまで選択エッチングする。また、第１の大型基板１００
の外側表面については、第１の大型基板１００の厚さが０．５ｍｍ以下、さらには０．２
５ｍｍ以下の厚さになるまで全面エッチングする。その際、エッチング液として、フッ酸
に加えて、塩酸、硫酸、硝酸、またはリン酸を添加した水溶液を用いると、エッチング速
度を制御でき、平滑にエッチングすることができる。また、エッチング液に、脂肪酸エス
テル系、リン酸エステル系、硫酸エステル系、スルホン酸系などの界面活性剤を添加する
と、ピットの発生を防止でき、平滑にエッチングすることができる。
【００３０】
次に、パネル構造体３００を洗浄するとともに、マスク３４０を除去する。その結果、
マスク３４０で覆われていた領域に星形の凸パターン３３０が形成される。なお、被覆材
として用いたエポキシ樹脂やピッチ系塗料については溶剤などにより除去してもよいが、
以下に説明する分断工程により、被覆材が付着している部分を除去することが好ましい。
また、基板に対するエッチングとしては、ウエットエッチングの他、ドライエッチングを
採用してもよい。
【００３１】
次に、分断工程を行う。この分断工程では、まず、図５（ａ）に示す第１の分断予定線
３０１、３０２に沿ってパネル構造体３００（第１の大型基板１００および第２の大型基
板２００）を分断して、図５（ｂ）に示す短冊状のパネル構造体３５０を得る。
【００３２】
かかる分断を行う際は、スクライブ溝形成処理として、第１の大型基板１００に対して
、第１の分断予定線３０１の端部からスクライブ刃を進入させて、第１の分断予定線３０
１に沿ってスクライブ溝を形成した後、ブレーク処理として、第２の大型基板２００の側
からブレークバーやブレークローラなどによって押圧して第１の大型基板１００を撓ませ
、その曲げ応力により、第１の大型基板１００を割断する。第２の大型基板１００を分断
する際も、同様なスクライブ溝形成処理およびブレーク処理を行う。
【００３３】
このようにして、大型のパネル構造体３００を短冊状のパネル構造体３５０に分断する
と、図１に示すシール材２２の途切れ部分が液晶注入口２５として、短冊状のパネル構造
体３５０の外周縁で開口するので、液晶注入口２５から液晶をパネル内に注入した後、液
晶注入口２５を封止材２５０により封止する。
【００３４】
次に、図５（ｂ）に示す第２の分断予定線３０３、３０４に沿って短冊状のパネル構造
体３５０を分断して、図５（ｃ）に示すように、単品サイズのパネル３０を得る。かかる
分断を行う際も、短冊状のパネル構造体３５０を構成する第１の大型基板１００および第
２の大型基板２００の各々に対して、前記のスクライブ溝形成処理およびブレーク処理を
行う。
【００３５】
次に、図５（ｃ）に示す第３の分断予定線３０５に沿って対向基板２０を分断して、図
５（ｄ）に示すように、対向基板２０のうち、素子基板１０の張り出し領域１５に被さる
部分を除去し、張り出し領域１５に形成されているＩＣ実装領域１ｓや基板接続領域１ｔ
の上方を開放する。かかる分断を行う際も、対向基板２０に対して、前記のスクライブ溝
形成処理およびブレーク処理を行う。
【００３６】
次に、実装工程では、図示を省略するが、素子基板１０をステージ（図示せず）に向け
た状態でパネル３０をステージ上に載置した状態で、素子基板１０のＩＣ実装領域１ｓに
対して異方性導電材を介して駆動用ＩＣ６０を配置し、しかる後に、異方性導電材を加熱
しながら、ヘッド（図示せず）により駆動用ＩＣ６０を押圧する。その結果、素子基板１
０のパッドと駆動用ＩＣ６０のバンプとは、異方性導電材に含まれる導電粒子によって接
続される。このようなＩＣ実装工程の後、あるいはその前に、異方性導電材などを用いて
、基板接続領域１ｔにフレキシブル基板７０を接続する。
【００３７】
（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態の液晶装置１およびその製造方法では、大型基板１００、
２００にエッチングを施す場合でも、パネル構造体３００の状態でエッチングを行う。こ
のため、大型基板１００、２００が薄くなるとしても、半導体プロセスなどを利用して基
板に配線、電極、画素トランジスタなどを形成した後、さらには、パネル構造体３００と
した後であるので、基板強度の低下に起因する大型基板１００、２００の割れが発生しな
い。
【００３８】
また、エッチングを施すのは、パネル構造体３００の外側表面であるため、大型基板１
００、２００の内面に不要な凹凸が形成されないので、基板の平坦な内面に配線、電極、
画素トランジスタなどを形成するので、液晶装置１の信頼性が高い。
【００３９】
さらに、本形態では、エッチング工程において、パネル構造体３００の両面のうち、第
２の大型基板２００の外側表面に所定形状のマスク３４０を形成して選択エッチングを行
い、パネル構造体３００の外側表面に所定形状の星形の凸パターン３３０を形成する。こ
のため、液晶装置１では、画像を表示している期間中、および画像の表示を休止している
期間中のいずれにおいても、星形模様が浮かび上がっており、液晶装置１の意匠性が高い
。
【００４０】
さらにまた、エッチング工程では、パネル構造体３００の両面のうち、第２の大型基板
２００の外側表面にのみ所定形状のマスク３４０を形成して選択エッチングを行い、第１
の大型基板１００の外側表面には全面エッチングを行う。このため、第１の大型基板１０
０については薄板化することができるので、液晶装置１の薄型化を図ることができる。こ
の場合も、第１の大型基板１００の薄板化は、パネル構造体３００の状態で行うので、基
板強度の低下に起因する第１の大型基板１００に割れが発生しない。
【００４１】
［実施の形態１の変形例１］
上記実施の形態１では、パネル構造体３００の両面のうち、第２の大型基板２００の外
側表面に所定形状のマスク３４０を形成して選択エッチングを行ったが、第１の大型基板
１００の外側表面に所定形状のマスク３４０を形成して選択エッチングを行い、第２の大
型基板２００の外側表面には全面エッチングを行ってもよい。
【００４２】
［実施の形態１の変形例２］
上記実施の形態１は、パネル構造体３００の両面のうち、第２の大型基板２００の外側
表面のみに所定形状のマスク３４０を形成して選択エッチングを行ったが、第１の大型基
板１００の外側表面、および第２の大型基板２００の外側表面の双方に所定形状のマスク
３４０を形成して選択エッチングを行ってもよい。この場合、第２の大型基板２００の外
側表面と、第１の大型基板１００の外側表面とにおいて、マスク３４０の形状や位置が同
一であってもよいし、異なっていてもよい。
【００４３】
［実施の形態２］
図６（ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態２に係る液晶装置（電気光学装置）を
その上に形成された各構成要素と共に対向基板の側（表示光が出射される側）から見た平
面図、およびそのＨ−Ｈ′断面図である。図７は、図６に示す液晶装置を製造するにあた
って、パネル構造体にマスクを形成した状態の説明図である。なお、本形態の基本的な構
成は、実施の形態１と同様であるので、共通する部分には同一の符号を付して図示し、そ
れらの説明を省略する。
【００４４】
図６（ａ）、（ｂ）に示すように、本形態の液晶装置１も、実施の形態１と同様、矩形
の素子基板１０（第１の基板）と矩形の対向基板２０（第２の基板）とがシール材２２を
介して貼り合わされたパネル３０を有しており、パネル３０では、素子基板１０と対向基
板２０との間に液晶１ｆが保持されている。この液晶装置１では、パネル３０とバックラ
イト装置９０との間にシート状あるいは薄板状の偏光板９１および位相差板９２が配置さ
れ、パネル３０において、表示光が出射される対向基板２０の側には、シート状あるいは
薄板状の偏光板９６および位相差板９７が配置されている。
【００４５】
このように構成した液晶装置１において、対向基板２０では、その基材たるガラス基板
２１の外側表面は平滑面である。また、ガラス基板２１は、基板厚が０．５ｍｍより厚い
。これに対して、素子基板１０では、その基材たるガラス基板１１の外側表面に、光散乱
性を備えた微細な凹凸３６０が付されている。また、ガラス基板１１は、基板厚が０．５
ｍｍ以下、さらには０．２５ｍｍ以下の厚さまで薄板化されており、液晶装置１全体とし
ての厚さ寸法を圧縮することができる。
【００４６】
このように構成した液晶装置１では、バックライト装置９０から出射された光がパネル
３０に入射した後、光変調され、表示光として出射される。ここで、素子基板１０の外側
表面には光散乱性を備えた微細な凹凸３６０が付されているため、バックライト装置９０
とパネル３０との間に光散乱シートなどを配置しなくても、バックライト装置９０からの
光は、散乱性が付与された状態でパネル３０に入射する。それ故、バックライト装置９０
から出射された光に輝度ムラがあった場合でも、かかる輝度ムラを解消できる。
【００４７】
かかる液晶装置１を製造するにあたっても、素子基板１０および対向基板２０として最
初から薄い基板を用いると、半導体プロセスを利用して画素トランジスタ１ｃ、画素電極
２ａ、対向電極２８などを形成すると基板が割れてしまうおそれがある。また、素子基板
１０および対向基板２０を各々、１枚ずつ製作したのでは生産性が低い。そこで、本形態
でも、実施の形態１と同様、図３（ａ）〜（ｃ）を参照して説明したように、単品サイズ
の素子基板１０を多数取りできる厚いガラス製の第１の大型基板１００と、単品サイズの
対向基板２０を多数取りできる厚いガラス製の第２の大型基板２００とを準備した後、こ
れらの大型基板１００、２００に対して、半導体プロセスなどを利用して、画素トランジ
スタ１ｃ、画素電極２ａ、および対向電極２８などの各構成要素を複数の基板分を形成し
、しかる後に、大型基板１００、２００同士をシール材２２によって貼り合せて、大型の
パネル構造体３００を形成する。
【００４８】
次に、エッチング工程では、図７に示すように、パネル構造体３００の両面のうち、第
２の大型基板２００の外側表面の全面に感光性樹脂などからなるマスク３７０を形成する
（マスキング工程）。これに対して、パネル構造体３００の第１の大型基板１００の側に
はマスクを形成しない。また、パネル構造体３００の外周縁で開口する大型基板１００、
２００の隙間をエポキシ樹脂やピッチ系塗料などの被覆材（図示せず）で塞いでおく。な
お、マスク３７０としては、感光性樹脂の他、フィルムを貼ってもよい。
【００４９】
そして、エッチング工程では、パネル構造体３００をフッ酸を含むエッチング液に浸漬
し、パネル構造体３００の両面（大型基板１００、２００の外側表面）のうち、マスクが
形成されていない第１の大型基板１００を全面エッチングする。その際、フッ酸−塩酸−
水系のエッチング液を用いると、第１の大型基板１００の外側表面は、微細な凹凸３６０
を有するようにエッチングされる。その理由は、エッチング中、第１の大型基板１００の
外側表面では、ガラスからの珪素の溶出と、珪素が溶出した際に生成される珪フッ化物な
どの反応生成物の基板への付着とが起こるため、微細な凹凸３６０が形成されると考えら
れる。また、第１の大型基板１００は、エッチングにより、０．５ｍｍ以下、さらには０
．２５ｍｍ以下の厚さまで薄板化される。それに対して、マスク３７０で覆われていた第
２の大型基板２００は、エッチングされず、厚さは変化しない。
【００５０】
次に、パネル構造体３００を洗浄するとともに、マスク３７０を除去する。なお、被覆
材として用いたエポキシ樹脂やピッチ系塗料については溶剤などにより除去してもよいが
、次に行う分断工程により、被覆材が付着している部分を除去することが好ましい。次に
、分断工程を行うが、この分断工程の内容などは実施の形態１と同様であるため、説明を
省略する。
【００５１】
以上説明したように、本形態の液晶装置１およびその製造方法では、第１の大型基板１
００にエッチングを施す場合でも、パネル構造体３００の状態でエッチングを行う。この
ため、第１の大型基板１００が薄くなるとしても、半導体プロセスなどを利用して基板に
配線、電極、画素トランジスタなどを形成した後、さらには、パネル構造体３００とした
後であるので、基板強度の低下に起因する第１の大型基板１００の割れが発生しない。ま
た、エッチングを施すのは、パネル構造体３００の外側表面であるため、大型基板１００
、２００の内面に不要な凹凸が形成されないので、基板の平坦な内面に配線、電極、画素
トランジスタなどを形成するので、液晶装置１の信頼性が高い。
【００５２】
さらに、本形態では、素子基板１０の外側表面（第１の大型基板１００の外側表面）に
光散乱性を備えた微細な凹凸３６０を形成したので、バックライト装置９０とパネル３０
との間に光散乱シートなどを配置しなくても、バックライト装置９０からの光に散乱性を
付与することができる。
【００５３】
さらにまた、エッチング工程では、パネル構造体３００の両面のうち、第１の大型基板
１００の外側表面には全面エッチングを行い、薄板化を図ったので、液晶装置１の薄型化
を図ることができる。この場合も、第１の大型基板１００の薄板化は、パネル構造体３０
０の状態で行うので、基板強度の低下に起因する第１の大型基板１００に割れが発生しな
い。
【００５４】
［実施の形態２の変形例１］
上記実施の形態２では、第２の大型基板２００の外側表面にマスク３７０を形成して、
第１の大型基板１００に全面エッチングを行ったが、第１の大型基板１００の外側表面に
マスク３７０を形成して、第２の大型基板２００に全面エッチングを行い、第２の大型基
板２００の外側表面に光散乱性を備えた微細な凹凸３６０を形成してもよい。この場合、
第２の大型基板２００の外側表面に形成した微細な凹凸３６０は、従来にない新たな形態
の表示の実現に寄与する。
【００５５】
［実施の形態２の変形例２］
上記実施の形態２では、第２の大型基板２００の外側表面にマスク３７０を形成して、
第１の大型基板１００に全面エッチングを行ったが、マスクを形成せずに、第１の大型基
板１００の外側表面、および第２の大型基板２００の外側表面の双方に全面エッチングを
行い、第１の大型基板１００の外側表面、および第２の大型基板２００の外側表面の双方
に光散乱性を備えた微細な凹凸３６０を形成してもよい。この場合、第１の大型基板１０
０の外側表面に形成した微細な凹凸３６０は、光散乱シートとしての機能を担う一方、第
２の大型基板２００の外側表面に形成した微細な凹凸３６０は、従来にない新たな形態の
表示の実現に寄与する。
【００５６】
［実施の形態２の変形例３］
上記実施の形態２では、第１の大型基板１００の外側表面に形成した微細な凹凸３６０
は、光散乱シートとしての機能を担う例であったが、第１の大型基板１００の外側表面に
おいて微細な凹凸３６０の表面に金属層を形成すれば、反射型表示装置あるいは半透過反
射型表示装置において、金属膜で反射した光に散乱性を付与する機能を担うことになる。
【００５７】
［その他の実施の形態］
上記実施の形態では、ＴＮモード、ＥＣＢモード、ＶＡＮモードのアクティブマトリク
ス型の液晶装置を例に説明したが、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モ
ードの液晶装置（電気光学装置）に本発明を適用してもよい。
【００５８】
また、電気光学装置として液晶装置に限らず、例えば、有機ＥＬ（エレクトロルミネッ
センス）装置、さらにはその他の電気光学装置に対して本発明を適用してもよい。
【００５９】
［電子機器の実施形態］
図８は、本発明に係る液晶装置を各種の電子機器の表示装置として用いる場合の一実施
形態を示している。ここに示す電子機器は、パーソナルコンピュータや携帯電話機などで
あり、表示情報出力源１７０、表示情報処理回路１７１、電源回路１７２、タイミングジ
ェネレータ１７３、そして液晶装置１を有する。また、液晶装置１は、パネル１７５およ
び駆動回路１７６を有しており、前述した液晶装置１を用いることができる。表示情報出
力源１７０は、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ  
Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）等といったメモリ、各種ディスク等といったストレージユ
ニット、デジタル画像信号を同調出力する同調回路等を備え、タイミングジェネレータ１
７３によって生成された各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号等
といった表示情報を表示情報処理回路１７１に供給する。表示情報処理回路１７１は、シ
リアル−パラレル変換回路や、増幅・反転回路、ローテーション回路、ガンマ補正回路、
クランプ回路等といった周知の各種回路を備え、入力した表示情報の処理を実行して、そ
の画像信号をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路１７６へ供給する。電源回路１７２は、
各構成要素に所定の電圧を供給する。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】（ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態１に係る液晶装置（電気光学装置）をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側（表示光が出射される側）から見た平面図、およびそのＨ−Ｈ′断面図である。
【図２】（ａ）、（ｂ）は、図１に示す液晶装置の表示光が出射される側の構成を模式的に示す分解斜視図、および表示光が出射される側とは反対側の構成を模式的に示す分解斜視図である。
【図３】図１に示す液晶装置を製造する際の貼り合わせ工程までの説明図である。
【図４】図１に示す液晶装置を製造する際のエッチング工程でパネル構造体にマスクを形成した状態の説明図である。
【図５】図１に示す液晶装置を製造する際のエッチング工程および分断工程の説明図である。
【図６】（ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態２に係る液晶装置（電気光学装置）をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側（表示光が出射される側）から見た平面図、およびそのＨ−Ｈ′断面図である。
【図７】図６に示す液晶装置を製造する際のエッチング工程でパネル構造体にマスクを形成した状態の説明図である。
【図８】本発明に係る液晶装置を各種の電子機器の表示装置として用いた場合の説明図である。
【符号の説明】
【００６１】
１・・液晶装置、１０・・素子基板（第１の基板）、２０・・対向基板（第２の基板）、
３０・・単品サイズのパネル、９０・・バックライト装置、９１、９６・・偏光板、９２
、９７・・位相差板、１００・・第１の大型基板（第１の基板）、２００・・第２の大型
基板（第２の基板）、３００、３５０・・パネル構造体、３０１、３０２・・第１の分断
予定線、３０３、３０４・・第２の分断予定線、３０５・・第３の分断予定線、３３０・
・凸パターン、３４０、３７０・・マスク、３６０・・微細な凹凸
【図１】
2008052165.tif 000003
【図２】
2008052165.tif 000004
【図３】
2008052165.tif 000005
【図４】
2008052165.tif 000006
【図５】
2008052165.tif 000007
【図６】
2008052165.tif 000008
【図７】
2008052165.tif 000009
【図８】
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