(57)【要約】 【課題】ＰＤＰの放電特性の向上を図る。【解決手段】放電空間を介して対向する前面ガラス基板１および背面ガラス基板４と、この前面ガラス基板１側に設けられた複数の行電極対（Ｘ，Ｙ）と、背面ガラス基板４側に行電極対（Ｘ，Ｙ）に対して交差する方向に延びるように設けられて行電極対（Ｘ，Ｙ）との各交差部分の放電空間にそれぞれ放電セルＣを形成する複数の列電極Ｄと、この列電極Ｄと行電極対（Ｘ，Ｙ）の間の放電セルＣに面する位置に設けられた蛍光体層７とを備え、蛍光体層７に、電子線によって励起されて波長域２００〜３００ｎｍ内にピークを有するカソード・ルミネッセンス発光を行う特性を有する酸化マグネシウム結晶体を含むＭｇＯ結晶７Ｂと低仕事関数材料７Ｃとを含む二次電子放出材が含まれている。【選択図】図４
2008251515.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放電空間を介して対向する一対の基板と、この一対の基板の一方の基板側に設けられた複数の行電極対と、他方の基板側に行電極対に対して交差する方向に延びるように設けられて行電極対との各交差部分の放電空間にそれぞれ単位発光領域を形成する複数の列電極と、この列電極と行電極対の間の単位発光領域に面する位置に設けられた蛍光体層とを備え、放電空間内に放電ガスが封入されているプラズマディスプレイパネルにおいて、
前記蛍光体層に、電子線によって励起されて波長域２００〜３００ｎｍ内にピークを有するカソード・ルミネッセンス発光を行う特性を有する酸化マグネシウム結晶体を含む酸化マグネシウムと酸化マグネシウムよりも仕事関数が低い低仕事関数材料とを含む二次電子放出材が含まれていることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項２】
前記低仕事関数材料が、
金属であるＡｌ，Ａｕ，Ａｇ，Ｃｏ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｔｉ、
アルカリ金属元素，アルカリ土類金属元素，ホウ素，土類金属元素，ケイ素，チタン，イットリウムの中の１種類以上を含む酸化物、
ＬａＢ6,Ｌａ2Ｏ3,Ｃｓ2ＳＯ4，Ｃｓ2ＣＯ3，（Ｓｒ，Ｃａ）ＣＯ3、
の材料の中の１種類以上の材料を含んでいる請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項３】
前記低仕事関数材料が、ＺｎＯとカーボンナノチューブの材料の中の１種類以上の材料を含んでいる請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項４】
前記二次電子放出材が、放電空間に露出している請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項５】
前記二次電子放出材が、蛍光体層を構成する蛍光材に混合されている請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項６】
前記二次電子放出材によって形成された層が、蛍光体層を構成する蛍光材によって形成された層上に積層されている請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項７】
前記蛍光体層の中の緑色の蛍光体層に緑色蛍光材料としてＺｎ2ＳｉＯ4：Ｍｎのみが含まれている請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項８】
前記酸化マグネシウム結晶体が、２３０ｎｍ〜２５０ｎｍ内にピークを有するカソード・ルミネッセンス発光を行う特性を有している請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項９】
前記酸化マグネシウム結晶体が、気相酸化法によって生成された酸化マグネシウム単結晶体である請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１０】
前記酸化マグネシウム結晶体が、２０００オングストローム以上の粒径を有している請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１１】
放電空間を介して対向する一対の基板と、この一対の基板の一方の基板側に設けられた複数の行電極対と、他方の基板側に行電極対に対して交差する方向に延びるように設けられて行電極対との各交差部分の放電空間にそれぞれ単位発光領域を形成する複数の列電極と、この列電極と行電極対の間の単位発光領域に面する位置に設けられた蛍光体層とを備え、この蛍光体層に酸化マグネシウムと仕事関数が酸化マグネシウムよりも低い低仕事関数材料とを含む二次電子放出材が含まれており、放電空間内に放電ガスが封入されているプラズマディスプレイパネルの駆動行程に、
前記行電極対を構成する一方の行電極に電圧パルスが印加されるとともに、この電圧パルスが印加された一方の行電極に対して列電極の電位が相対的に負極側に設定されることによって、列電極と一方の行電極との間に対向放電が発生される行程が含まれている、
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項１２】
前記低仕事関数材料が、
金属であるＡｌ，Ａｕ，Ａｇ，Ｃｏ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｔｉ、
アルカリ金属元素，アルカリ土類金属元素，ホウ素，土類金属元素，ケイ素，チタン，イットリウムの中の１種類以上を含む酸化物、
ＬａＢ6,Ｌａ2Ｏ3,Ｃｓ2ＳＯ4，Ｃｓ2ＣＯ3，（Ｓｒ，Ｃａ）ＣＯ3、
の材料の中の１種類以上の材料を含んでいる請求項１１に記載のプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項１３】
前記低仕事関数材料が、ＺｎＯとカーボンナノチューブの材料の中の１種類以上の材料を含んでいる請求項１１に記載のプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項１４】
前記対向放電が、単位発光領域の初期化を行うリセット放電である請求項１１に記載のプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項１５】
前記一方の行電極に正極性の電圧パルスが印加され、列電極に負極性の電圧パルスが印加される請求項１１に記載のプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項１６】
前記一方の行電極に正極性の電圧パルスが印加され、列電極が接地電位に保持される請求項１１に記載のプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項１７】
前記一方の行電極への電圧パルスの印加と同時に、行電極対を構成する他方の行電極に、一方の行電極に印加される電圧パルスと同極性の電圧パルスが印加される請求項１１に記載のプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項１８】
前記電圧パルスが、印加開始から時間の経過に伴って所要の増加率で電圧が大きくなってゆく態様で印加される請求項１１に記載のプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項１９】
前記二次電子放出材が放電空間に露出している請求項１１に記載のプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項２０】
前記二次電子放出材が蛍光体層を構成する蛍光材に混合されている請求項１１に記載のプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項２１】
前記二次電子放出材によって形成された層が、蛍光体層を構成する蛍光材によって形成された層上に積層されている請求項１１に記載のプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項２２】
前記蛍光体層の中の緑色の蛍光体層に緑色蛍光材料としてＺｎ2ＳｉＯ4：Ｍｎのみが含まれている請求項１１に記載のプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項２３】
前記酸化マグネシウムが、電子線によって励起されて波長域２００〜３００ｎｍ内にピークを有するカソード・ルミネッセンス発光を行う特性を有する酸化マグネシウム結晶体を含んでいる請求項１１に記載のプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項２４】
前記酸化マグネシウム結晶体が、２３０ｎｍ〜２５０ｎｍ内にピークを有するカソード・ルミネッセンス発光を行う特性を有している請求項２３に記載のプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項２５】
前記酸化マグネシウム結晶体が、気相酸化法によって生成された酸化マグネシウム単結晶体である請求項２３に記載のプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項２６】
前記酸化マグネシウム結晶体が、２０００オングストローム以上の粒径を有している請求項２３に記載のプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、プラズマディスプレイパネルの構成およびプラズマディスプレイパネルの駆動方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の面放電方式交流型プラズマディスプレイパネル（以下、ＰＤＰという）には、前面ガラス基板と背面ガラス基板の間に、行方向に延びる行電極対と、列方向に延びて行電極対との交差部分の放電空間に放電セルを形成する列電極が設けられ、縦壁と横壁を備えて略格子形状に成形された隔壁によって放電空間が各放電セル毎に区画され、行電極対を被覆する誘電体層の表面が保護層によって被覆されていて、この保護層が、電子線によって励起されることにより波長域２００〜３００ｎｍ内（特に、２３０〜２５０ｎｍ内，２３５ｎｍ付近）にピークを有するカソード・ルミネッセンス発光を行う酸化マグネシウム結晶体を含む結晶酸化マグネシウム層を有する構成を備えているものがある（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
この従来のＰＤＰは、誘電体層の保護層を構成する結晶酸化マグネシウム層が、電子線によって励起されることにより波長域２００〜３００ｎｍ内にピークを有するカソード・ルミネッセンス発光を行う酸化マグネシウム結晶体を含んでいることにより、格子形状の隔壁を備えていることによって互いに隣接している放電セル間が閉じられているような場合であっても、放電セル内において発生される放電の放電確率が悪化するのが防止され、隔壁を設けることによるＰＤＰの輝度の向上および階調数増加の効果と、放電確率の向上効果とを両立させることが可能になるといった技術的効果を発揮することが出来る。
【０００４】
しかしながら、ＰＤＰに対しては、近年のフルＨＤのような画面の高精細化に伴って、更なる放電特性の改善および輝度の向上と、ＰＤＰの駆動時における暗コントラストの改善を図ることが強く要望されて来ており、このような要望にことえることが出来るＰＤＰの開発が急がれている。
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−１３４７３５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
この発明は、上記のような従来のＰＤＰに対する要求に応えることをその技術的課題の一つとしている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
第１の発明（請求項１に記載の発明）によるＰＤＰは、上記課題を解決するために、放電空間を介して対向する一対の基板と、この一対の基板の一方の基板側に設けられた複数の行電極対と、他方の基板側に行電極対に対して交差する方向に延びるように設けられて行電極対との各交差部分の放電空間にそれぞれ単位発光領域を形成する複数の列電極と、この列電極と行電極対の間の単位発光領域に面する位置に設けられた蛍光体層とを備え、放電空間内に放電ガスが封入されているプラズマディスプレイパネルにおいて、前記蛍光体層に、電子線によって励起されて波長域２００〜３００ｎｍ内にピークを有するカソード・ルミネッセンス発光を行う特性を有する酸化マグネシウム結晶体を含む酸化マグネシウムと酸化マグネシウムよりも仕事関数が低い低仕事関数材料とを含む二次電子放出材が含まれていることを特徴としている。
【０００８】
第２の発明（請求項７に記載の発明）によるＰＤＰの駆動方法は、前記課題を達成するために、放電空間を介して対向する一対の基板と、この一対の基板の一方の基板側に設けられた複数の行電極対と、他方の基板側に行電極対に対して交差する方向に延びるように設けられて行電極対との各交差部分の放電空間にそれぞれ単位発光領域を形成する複数の列電極と、この列電極と行電極対の間の単位発光領域に面する位置に設けられた蛍光体層とを備え、この蛍光体層に酸化マグネシウムと仕事関数が酸化マグネシウムよりも低い低仕事関数材料とを含む二次電子放出材が含まれており、放電空間内に放電ガスが封入されているプラズマディスプレイパネルの駆動行程に、前記行電極対を構成する一方の行電極に電圧パルスが印加されるとともに、この電圧パルスが印加された一方の行電極に対して列電極の電位が相対的に負極側に設定されることによって、列電極と一方の行電極との間に対向放電が発生される行程が含まれていることを特徴としている。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
この発明によるＰＤＰは、放電空間を介して対向する一対の基板と、この一対の基板の一方の基板側に設けられた複数の行電極対と、他方の基板側に行電極対に対して交差する方向に延びるように設けられて行電極対との各交差部分の放電空間にそれぞれ単位発光領域を形成する複数の列電極と、この列電極と行電極対の間の単位発光領域に面する位置に設けられた蛍光体層とを備え、蛍光体層に、電子線によって励起されて波長域２００〜３００ｎｍ内にピークを有するカソード・ルミネッセンス発光を行う特性を有する酸化マグネシウム結晶体を含む酸化マグネシウムと酸化マグネシウムよりも仕事関数が低い低仕事関数材料とを含む二次電子放出材が含まれているＰＤＰを、最良の実施形態としている。
【００１０】
そして、この発明によるＰＤＰの駆動方法は、上記実施形態のＰＤＰにおいて、駆動行程に、行電極対を構成する一方の行電極に電圧パルスが印加されるとともに、この電圧パルスが印加された一方の行電極に対して列電極の電位が相対的に負極側に設定されることによって、列電極と一方の行電極との間に対向放電が発生される行程が含まれている駆動方法を、最良の実施形態としている。
【００１１】
上記実施形態におけるＰＤＰは、単位発光領域に面する位置に形成された蛍光体層が二次電子放出材を含んでいて、行電極対の一方の行電極と列電極との間で対向放電が行われる際に、この対向放電によって、単位発光領域内において放電ガスから生成される陽イオンが蛍光体層に含まれている二次電子放出材と衝突して、この二次電子放出材から単位発光領域内に二次電子が放出される。
【００１２】
このとき、二次電子放出材には、電子線によって励起されて波長域２００〜３００ｎｍ内にピークを有するカソード・ルミネッセンス発光を行う特性を有する酸化マグネシウム結晶体を含む酸化マグネシウムと、酸化マグネシウムよりも仕事関数が低い低仕事関数材料が含まれていることによって、陽イオンと衝突する酸化マグネシウムおよび低仕事関数材料からそれぞれ単位発光領域内に二次電子が放出されるが、低仕事関数材料は高γ材料であって仕事関数が低いほど二次電子放出機能が高いため、単位発光領域内への二次電子放出量が酸化マグネシウムよりも多くなる。
【００１３】
そして、この二次電子は放電電圧を低下させる機能を持っており、酸化マグネシウムのみが蛍光体層に混合されていせる場合と比べて、さらに放電電圧を低下させることが出来、これによって、一方の行電極と列電極間で行われる対向放電の次に行われる放電が、単位発光領域内に存在している二次電子によって発生し易くなって、この放電の放電開始電圧が低下される。
【００１４】
そして、一方の行電極と列電極との間で行われる対向放電が、ＰＤＰの駆動時に全ての単位発光領域を初期化するリセット放電である場合には、この対向放電が、一対の基板のうちのＰＤＰのパネル面を構成する基板から離れた単位発光領域のほぼ中心部位において行われるようになるので、リセット放電がパネル面に近い位置における行電極間での面放電によって行われる場合に比べて、パネル面で認識されるリセット放電による発光が減少するので、このリセット放電による映像の階調表示に関係の無い発光によって暗コントラストが低下するのが防止されて、ＰＤＰの暗コントラストの向上が図られるようになる。
【００１５】
そして、上記実施形態におけるＰＤＰの駆動方法によれば、一方の行電極と列電極との間で行われる対向放電が、一方の行電極に電圧パルスが印加され、この電圧パルスが印加された一方の行電極に対して列電極の電位が相対的に負極側に設定されて発生されることにより、この対向放電によって放電ガスから生成される陽イオンが、負極側となる列電極の方向に向かって蛍光体層に含まれている二次電子放出材と衝突するので、この二次電子放出材から単位発光領域内に二次電子が効率良く放出されるようになる。
【００１６】
前記実施形態のＰＤＰおよびその駆動方法において、低仕事関数材料としては、金属であるＡｌ，Ａｕ，Ａｇ，Ｃｏ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｔｉと、アルカリ金属元素，アルカリ土類金属元素，ホウ素，土類金属元素，ケイ素，チタン，イットリウムの中の１種類以上を含む酸化物と、ＬａＢ6,Ｌａ2Ｏ3,Ｃｓ2ＳＯ4，Ｃｓ2ＣＯ3， （Ｓｒ，Ｃａ）ＣＯ3の材料の中から選ばれた１種類以上を含む材料、および、ＺｎＯとカーボンナノチューブの材料の中の１種類以上の材料が挙げられ、この低仕事関数材料は、高γ材料であって二次電子放出機能が高いため、放電ガスから生成される陽イオンとの衝突によって酸化マグネシウムよりも単位発光領域内に多くの二次電子を放出することが出来る。
【００１７】
前記実施形態のＰＤＰおよびその駆動方法において、二次電子放出材が、蛍光体層の単位発光領域に面する部分に位置されているようにするのが好ましい。
これによって、蛍光体層に含まれる二次電子放出材が陽イオンと効率よく衝突して、二次電子をさらに効率よく単位発光領域内に放出することが出来るようになる。
【００１８】
前記実施形態のＰＤＰおよびその駆動方法において、蛍光体層に二次電子放出材が含まれる形態としては、二次電子放出材が蛍光体層を構成する蛍光材と混合される形態や、二次電子放出材が層を形成して、蛍光体層を構成する蛍光材によって形成された層上に積層される形態等がある。
【００１９】
前記実施形態のＰＤＰおよびその駆動方法において、蛍光体層の中の緑色の蛍光体層に緑色蛍光材料としてＺｎ2ＳｉＯ4：Ｍｎのみが含まれるようにするのが好ましく、これによって、従来のように緑色蛍光材料としてＺｎ2ＳｉＯ4：Ｍｎの他に（Ｙ，Ｇｄ）ＢＯ3：Ｔｂを含まなくても緑色の蛍光体層が形成された単位発光領域内における対向放電の放電開始電圧を低下させることが出来るとともに、この（Ｙ，Ｇｄ）ＢＯ3：Ｔｂを含まないことによって、緑色の蛍光体層が形成された単位発光領域において色度が悪化する虞が無い。
【００２０】
前記実施形態のＰＤＰおよびその駆動方法において、二次電子放出材として酸化マグネシウムを使用するのが好ましく、これによって、蛍光体層から単位発光領域内に効率よく二次電子を放出することが出来る。
【００２１】
さらに、前記実施形態のＰＤＰおよびその駆動方法において、二次電子放出材として、電子線によって励起されて波長域２００〜３００ｎｍ内、さらには、２３０ｎｍ〜２５０ｎｍ内にピークを有するカソード・ルミネッセンス発光を行う特性を有する酸化マグネシウム結晶体、特に、気相酸化法によって生成された酸化マグネシウム単結晶体を含む酸化マグネシウムを使用するのが好ましい。
これによって、一方の行電極と列電極との間で行われる対向放電の放電強度および放電遅れを減少させることが出来るとともに、ＰＤＰの輝度を向上させることが出来る。
【００２２】
前記実施形態のＰＤＰの駆動方法において、一方の行電極と列電極との間で行われる対向放電を、単位発光領域の初期化を行うリセット放電に用いるのが好ましい。
これによって、リセット放電が、一対の基板のうちのＰＤＰのパネル面を構成する基板から離れた単位発光領域のほぼ中心部位において行われることになるので、リセット放電がパネル面に近い位置における行電極間での面放電によって行われる場合に比べて、パネル面で認識されるリセット放電による発光が減少するので、このリセット放電による映像の階調表示に関係の無い発光によって暗コントラストが低下するのが防止されて、ＰＤＰの暗コントラストが向上されるようになる。
【００２３】
前記実施形態のＰＤＰの駆動方法において、一方の行電極に正極の電圧パルスが印加されるとともに、列電極に負極の電圧パルスが印加されるか、または、列電極が接地電位に保持されるようにすることが好ましい。
これによって、一方の行電極と列電極との間に、放電によって放電ガスから生成される陽イオンが負極となる列電極の方向に向かう所謂陰列電極放電が発生される。
【００２４】
そして、この実施形態のＰＤＰの駆動方法において、一方の行電極への電圧パルスの印加と同時に、行電極対を構成する他方の行電極に、一方の行電極に印加される電圧パルスと同極で一方の行電極との間で放電を発生させる電位を生じさせない電位の電圧パルスが印加されるようにするのが好ましい。
これによって、行電極対の行電極間で放電が発生するのが防止されて、一方の行電極と列電極との間で確実に対向放電が発生するようにすることが出来る。
【００２５】
そしてさらに、前記実施形態のＰＤＰの駆動方法において、一方の行電極に電圧パルスが、印加開始から所要の増加率で電圧が大きくなってゆく態様で印加されるようにするのが好ましい。
これによって、電圧パルスの立ち上がりの電圧があまり大きくなっていない状態で対向放電が発生されるので、この対向放電の放電強度を減少させることが出来る。
【００２６】
前記実施形態のＰＤＰおよびその駆動方法において、酸化マグネシウム結晶体が２０００オングストローム以上の粒径を有しているのが好ましく、これによって、酸化マグネシウム結晶体の電子線によって励起されて波長域２００〜３００ｎｍ内にピークを有するカソード・ルミネッセンス発光を行う特性が大きくなる。
【実施例１】
【００２７】
図１ないし３は、この発明によるＰＤＰの実施形態の第１実施例を示しており、図１はこの第１実施例におけるＰＤＰを模式的に示す正面図、図２は図１のＶ−Ｖ線における断面図、図３は図１のＷ−Ｗ線における断面図である。
【００２８】
この図１ないし３に示されるＰＤＰは、表示面である前面ガラス基板１の背面に、複数の行電極対（Ｘ，Ｙ）が、前面ガラス基板１の行方向（図１の左右方向）に延びるように平行に配列されている。
【００２９】
行電極Ｘは、Ｔ字形状に形成されたＩＴＯ等の透明導電膜からなる透明電極Ｘａと、前面ガラス基板１の行方向に延びて透明電極Ｘａの狭小の基端部に接続された金属膜からなるバス電極Ｘｂとによって構成されている。
【００３０】
行電極Ｙも同様に、Ｔ字形状に形成されたＩＴＯ等の透明導電膜からなる透明電極Ｙａと、前面ガラス基板１の行方向に延びて透明電極Ｙａの狭小の基端部に接続された金属膜からなるバス電極Ｙｂとによって構成されている。
【００３１】
この行電極ＸとＹは、前面ガラス基板１の列方向（図１の上下方向）に交互に配列されており、バス電極ＸｂとＹｂに沿って並列されたそれぞれの透明電極ＸａとＹａが、互いに対となる相手の行電極側に延びて、透明電極ＸａとＹａの幅広部の頂辺が、それぞれ所要の幅の放電ギャップｇを介して互いに対向されている。
【００３２】
前面ガラス基板１の背面には、行電極対（Ｘ，Ｙ）を被覆するように誘電体層２が形成されており、この誘電体層２の背面には、互いに隣接する行電極対（Ｘ，Ｙ）の背中合わせに位置するバス電極ＸｂおよびＹｂに対向する位置およびこの背中合わせに位置するバス電極Ｘｂとバス電極Ｙｂの間の領域部分に対向する位置に、誘電体層２の背面側に突出する嵩上げ誘電体層２Ａが、バス電極Ｘｂ，Ｙｂと平行に延びるように形成されている。
【００３３】
そして、この誘電体層２と嵩上げ誘電体層２Ａの背面側には、後述するような電子線によって励起されることにより波長域２００〜３００ｎｍ内にピークを有するカソード・ルミネッセンス発光（以下、ＣＬ発光という）を行う酸化マグネシウム結晶体（以下、ＣＬ発光ＭｇＯ結晶体という）を含む酸化マグネシウム層３が形成されている。
【００３４】
一方、前面ガラス基板１と平行に配置された背面ガラス基板４の表示側の面上には、列電極Ｄが、各行電極対（Ｘ，Ｙ）の互いに対になった透明電極ＸａおよびＹａに対向する位置において行電極対（Ｘ，Ｙ）と直交する方向（列方向）に延びるように、互いに所定の間隔を開けて平行に配列されている。
【００３５】
背面ガラス基板４の表示側の面上には、さらに、列電極Ｄを被覆する白色の列電極保護層５が形成され、この列電極保護層５上に、隔壁６が形成されている。
この隔壁６は、各行電極対（Ｘ，Ｙ）のバス電極ＸｂとＹｂに対向する位置においてそれぞれ行方向に延びる一対の横壁６Ａと、隣接する列電極Ｄの間の中間位置において一対の横壁６Ａ間を列方向に延びる縦壁６Ｂとによって梯子形状に形成されており、各隔壁６が、隣接する他の隔壁６の背中合わせに対向する横壁６Ａとの間において行方向に延びる隙間ＳＬを介して、列方向に並設されている。
【００３６】
そして、この梯子状の隔壁６によって、前面ガラス基板１と背面ガラス基板４の間の放電空間Ｓが、各行電極対（Ｘ，Ｙ）において対になっている透明電極Ｘａ，Ｙａに対向する部分毎に方形に区画されて、放電セルＣがそれぞれ形成されている。
【００３７】
放電セルＣに面する隔壁６の横壁６Ａおよび縦壁６Ｂの側面と列電極保護層５の表面には、これらの五つの面を全て覆うように蛍光体層７が形成されており、この蛍光体層７の色は、各放電セルＣ毎に赤，緑，青の三原色が行方向に順に並ぶように配列されている。
この蛍光体層７の構成については、後で詳述する。
【００３８】
嵩上げ誘電体層２Ａは、この嵩上げ誘電体層２Ａを被覆している酸化マグネシウム層３が隔壁６の横壁６Ａの表示側の面に当接される（図２参照）ことによって、放電セルＣと隙間ＳＬの間がそれぞれ閉じられているが、縦壁６Ｂの表示側の面は酸化マグネシウム層３に当接されておらず（図３参照）、その間に隙間ｒが形成されて、行方向において隣接する放電セルＣがこの隙間ｒを介して互いに連通されている。
放電空間Ｓ内には、キセノンを含む放電ガスが封入されている。
【００３９】
図４は、蛍光体層７の構成を示すために一個の放電セルＣを拡大して示す断面図である。
この図４において、蛍光体層７は、赤，緑，青の粒子状の蛍光材７Ａと二次電子放出材であるＣＬ発光ＭｇＯ結晶体を含むＭｇＯ結晶７Ｂおよび仕事関数がＭｇＯよりも低いＭｇＯ以外の材料（以下、低仕事関数材料という）７Ｃとが混合されて形成されており、このＭｇＯ結晶７Ｂと低仕事関数材料７Ｃが、それぞれ、蛍光体層７の表面、すなわち、放電セルＣ内に露出する位置に配されている。
【００４０】
この低仕事関数材料７Ｃとしては、以下のような材料が挙げられ、これらの材料の少なくとも１種類以上が含まれる。
【００４１】
・Ａｌ，Ａｕ，Ａｇ，Ｃｏ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｔｉ等の金属材料、
・Ｃｓ2Ｏ，ＣａＯ，ＳｒＯ，ＢａＯ，Ａｌ2Ｏ3，Ｂ2Ｏ3，ＴｉＯ，ＳｉＯ2，Ｙ2Ｏ3 等のアルカリ金属元素，アルカリ土類金属元素，ホウ素，土類金属元素，ケイ素，チタン，イットリウムの中の１種類または２種類以上を含む酸化物
・ＬａＢ6，Ｌａ2Ｏ3，Ｃｓ2ＳＯ4，Ｃｓ2ＣＯ3，（Ｓｒ，Ｃａ）ＣＯ3等の化合物
【００４２】
この蛍光体層７の形成方法としては、蛍光材７ＡにＭｇＯ結晶７Ｂと低仕事関数材料７Ｃが混合されたペーストを、印刷法やディスペンサ塗布法，インクジェット法、転写法などの方法によって放電セルＣ内の列電極保護層５上に塗布する等の方法が挙げられる。
【００４３】
なお、図４においては、ＭｇＯ結晶７Ｂと低仕事関数材料７Ｃが蛍光体層７の表面のみに配されている状態が示されているが、このＭｇＯ結晶７Ｂと低仕事関数材料７Ｃが放電セルＣに露出していれば、ＭｇＯ結晶７Ｂまたは低仕事関数材料７Ｃが蛍光体層７の内部に混在されていてもよい。
【００４４】
また、ＭｇＯ結晶７Ｂには、電子線によって励起されることにより波長域２００〜３００ｎｍ内にピークを有するＣＬ発光を行う特性のＣＬ発光ＭｇＯ結晶体のほか二次電子を放出する特性を有する他の形態のＭｇＯ結晶体が含まれていても良い。
【００４５】
このＣＬ発光ＭｇＯ結晶体には、例えば、マグネシウムを加熱して発生するマグネシウム蒸気を気相酸化して得られるマグネシウムの単結晶体（以下、このマグネシウムの単結晶体を気相法酸化マグネシウム単結晶体という）を含み、この気相法酸化マグネシウム単結晶体には、例えば、図５のＳＥＭ写真像に示されるような、立方体の単結晶構造を有する酸化マグネシウム単結晶体と、図６のＳＥＭ写真像に示されるような、立方体の結晶体が互いに嵌り込んだ構造（すなわち、立方体の多重結晶構造）を有する酸化マグネシウム単結晶体が含まれる。
【００４６】
この気相法酸化マグネシウム単結晶体は、後述するように、ＰＤＰの放電遅れの減少などの放電特性の改善に寄与する。
そして、この気相法酸化マグネシウム単結晶体は、他の方法によって得られる酸化マグネシウムと比較すると、高純度であるとともに微粒子が得られ、さらに、粒子の凝集が少ないなどの特徴を備えている。
【００４７】
この実施例においては、ＢＥＴ法によって測定した平均粒径が２０００オングストローム以上の気相法酸化マグネシウム単結晶体が用いられる。
この粒径の大きな気相法酸化マグネシウム単結晶体は、３００〜４００ｎｍにピークを有するＣＬ発光に加えて、波長域２００〜３００ｎｍ内（特に、２３５ｎｍ付近，２３０〜２５０ｎｍ内）にピークを有するＣＬ発光が励起される特性を備えている。
【００４８】
この波長域２００〜３００ｎｍ内（特に、２３５ｎｍ付近，２３０〜２５０ｎｍ内）にピークを有するＣＬ発光は、図９に示されるように、通常の蒸着ＭｇＯからは励起されず、３００〜４００ｎｍにピークを有するＣＬ発光のみが励起される。
また、図７および８から分かるように、波長域２００〜３００ｎｍ内（特に、２３５ｎｍ）にピークを有するＣＬ発光は、気相法酸化マグネシウム単結晶体の粒径が大きくなるほどそのピーク強度が大きくなる。
【００４９】
なお、気相法酸化マグネシウム単結晶体の粒径（ＤBET）は、窒素吸着法によってＢＥＴ比表面積（ｓ）が測定され、この値から次式によって算出される。
ＤＢＥＴ＝Ａ／ｓ×ρ          Ａ：形状計数（Ａ＝６）          ρ：マグネシウムの真密度  
【００５０】
図１０は、気相法酸化マグネシウム単結晶体が有するＣＬ発光強度とＰＤＰの放電遅れとの相関関係を示すグラフである。
この図１０から、気相法酸化マグネシウム単結晶体が２３５ｎｍのＣＬ発光特性を有していることにより、ＰＤＰの放電セル内にこの気相法酸化マグネシウム単結晶体を含む酸化マグネシウム層が形成されることによって、放電セル内で発生される放電の遅れが短縮されることが分かり、さらに、この２３５ｎｍのＣＬ発光強度が強いほどこの放電遅れが短縮されることが分かる。
【００５１】
以上のことから、ＢＥＴ法による測定値２０００オングストローム以上の平均粒径を有する気相法酸化マグネシウム単結晶体は、ＰＤＰの放電セルに面した部分に用いられることによって、ＰＤＰの放電確率や放電遅れなどの放電特性の改善（放電遅れの減少および放電確率の向上）に寄与することが出来ることが分かる。
【００５２】
図１１は、ＰＤＰの放電セルに面するように配置される酸化マグネシウム層を、平均粒径が２０００〜３０００オングストロームの気相法酸化マグネシウム単結晶体を含むペーストを塗布することによって形成した場合と、従来の蒸着法によって形成した場合と、形成しなかった場合におけるそれぞれの酸化マグネシウム層を挟んで行われる放電（例えば、アドレス放電）の放電確率を比較したグラフであり、図１２は、図１１において放電の休止時間が１０００μｓｅｃの場合のそれぞれの放電確率を示している。
【００５３】
さらに、図１３は、同様に、ＰＤＰの放電セルに面するように配置される酸化マグネシウム層を、平均粒径が２０００〜３０００オングストロームの気相法酸化マグネシウム単結晶体を含むペーストを塗布することによって形成した場合と、従来の蒸着法によって形成した場合と、形成しなかった場合のそれぞれの放電遅れ時間を比較したグラフであり、図１４は、図１３において放電の休止時間が１０００μｓｅｃの場合のそれぞれの放電遅れ時間を示している。
【００５４】
なお、この図１１ないし１４においては、酸化マグネシウム層に多重結晶構造の気相法酸化マグネシウム単結晶体が含まれている場合が示されている。
この図１１ないし１４から、ＰＤＰの放電セルに面する部分に配された気相法酸化マグネシウム単結晶体が、ＰＤＰの放電確率や放電遅れの改善および放電遅れの休止時間依存性の減少等の放電特性の改善に大きく寄与出来ることが分かる。
【００５５】
図１５は、ＰＤＰにおいて、放電セルに面する部分に配される気相法酸化マグネシウム単結晶体の粒径と放電確率の関係を示すグラフである。
この図１５から、気相法酸化マグネシウム単結晶体の粒径が大きいほどＰＤＰ放電確率が高く、上記したような２３５ｎｍにピークを有するＣＬ発光が励起される粒径（図示の例では、２０００オングストロームと３０００オングストローム）の気相法酸化マグネシウム単結晶体によって、放電確率が大幅に向上されることが分かる。
【００５６】
上記のように、波長域２００〜３００ｎｍ内（特に、２３５ｎｍ付近，２３０〜２５０ｎｍ内）にピークを有するＣＬ発光を行う気相法酸化マグネシウム単結晶体が、ＰＤＰの放電特性の改善に寄与するのは、気相法酸化マグネシウム単結晶体が、そのピーク波長に対応したエネルギ準位を有し、そのエネルギ準位によって電子を長時間（数ｍｓｅｃ以上）トラップすることができ、この電子が電界によって取り出されることで、放電開始に必要な初期電子が得られことによるものと推測される。
【００５７】
そして、この気相法酸化マグネシウム単結晶体による放電特性の改善効果が、波長域２００〜３００ｎｍ内（特に、２３５ｎｍ付近，２３０〜２５０ｎｍ内）にピークを有するＣＬ発光の強度が大きくなるほど大きくなるのは、前述したように、ＣＬ発光強度と気相法酸化マグネシウム単結晶体の粒径との間に相関関係（図８参照）があるためである。
【００５８】
すなわち、大きな粒径の気相法酸化マグネシウム単結晶体を形成しようとする場合には、マグネシウム蒸気を発生させる際の加熱温度を高くする必要があり、このため、マグネシウムと酸素が反応する火炎の長さが長くなり、この火炎と周囲との温度差が大きくなることによって、粒径の大きい気相法酸化マグネシウム単結晶体ほど上述したようなＣＬ発光のピーク波長（例えば、２３５ｎｍ付近，２３０〜２５０ｎｍ内）に対応したエネルギ準位が多数形成されるためである。
【００５９】
また、一般的な気相酸化法に比べて、単位時間当たりのＭｇの蒸発量を増加させてＭｇとＯ２との反応領域を増大させ、より多くのＯ２と反応させることによって生成された気相法酸化マグネシウム単結晶体は、上述したようなＣＬ発光のピーク波長に対応したエネルギ準位が形成される。
【００６０】
また、立方体の多重結晶構造の気相法酸化マグネシウム単結晶体については、結晶面欠陥を多く含んでいるおり、この面欠陥エネルギ準位の存在が放電確率の改善に寄与しているためと推測される。
【００６１】
次に、図１ないし３のＰＤＰの駆動方法について説明を行う。
【００６２】
このＰＤＰは、サブフィールド法によって行われ、１フィールドの表示期間が複数個に分割された各サブフィールドは、全放電セルを一斉に初期化するリセット放電が行われるリセット放電期間と、発光させる放電セルＣを選択するアドレス放電が行われるアドレス放電期間と、画像形成のための発光を行うサステイン放電が行われるサステイン放電期間とから構成されている。
そして、このＰＤＰは、各サブフィールドの最初のリセット放電期間において行われるリセット放電が、行電極Ｙと列電極Ｄとの間で対向放電によって行われる。
【００６３】
図１６は、このリセット放電時に行電極Ｙと列電極Ｄに印加される電圧パルスを示すパルス波形図である。
この図１６において、行電極Ｙに、矩形パルスではなく、立ち上がりが緩やかな時定数の大きい正極の行電極リセット・パルスＲｙが印加され、列電極Ｄに、行電極リセット・パルスＲｙの印加と同時に、負極の列電極リセット・パルスＲｄが印加される。
【００６４】
この負極の列電極リセット・パルスＲｄと正極の行電極リセット・パルスＲｙの印加によって、陰極となる列電極Ｄと陽極となる行電極Ｙとの間で、行電極Ｙからアドレス電極Ｄの方向（電子の流れは列電極Ｄから行電極Ｙの方向）の放電が発生される（以下、この列電極Ｄが陰極側に設定され行電極Ｙが陽極に設定されて発生される放電を、陰列電極放電と総称する）。
【００６５】
なお、図１６中、ＳＰは、アドレス放電期間に行電極Ｙに印加されるスキャン・パルスであり、ＤＰは、同じくアドレス放電期間に列電極Ｄに選択的に印加されるデータ・パルスであり、このスキャン・パルスＳＰが印加された行電極Ｙとデータ・パルスＤＰが印加された列電極Ｄとの間で、アドレス放電が発生される。
【００６６】
上記ＰＤＰは、リセット放電が放電セルＣを挟んで対向する行電極Ｙと列電極Ｄとの間で陰列電極放電によって行われることにより、リセット放電時に、放電によって放電ガスから生成される放電ガスＣ内の陽イオンが、負極となる列電極Ｄの側へ向かい、列電極Ｄ側に位置する蛍光体層７内に混合されている二次電子放出材であるＭｇＯ結晶７Ｂおよび低仕事関数材料７Ｃと衝突して、このＭｇＯ結晶７Ｂと低仕事関数材料７Ｃからそれぞれ放電セルＣ内に二次電子が放出される。
【００６７】
このとき、低仕事関数材料７Ｃは高γ材料であり、仕事関数が低いほど二次電子放出機能が高いため、放電発生時に放電ガスから生成される陽イオンがこの低仕事関数材料７Ｃと衝突することによって、この低仕事関数材料７Ｃよりも仕事関数が高いＭｇＯ結晶７Ｂよりも放電セルＣ内への二次電子放出量が多くなる。
この二次電子は放電電圧を低下させる機能を持っているので、ＭｇＯ結晶７Ｂのみが蛍光体層に混合されている場合と比べて、さらに放電電圧を低下させることが出来る。
【００６８】
また、このＰＤＰの蛍光体層７のＭｇＯ結晶７Ｂに含まれるＣＬ発光ＭｇＯ結晶は、電極への電圧印加時における初期電子の放出機能が高く、この初期電子によって、放電遅れ時間の短縮や放電確率の向上効果を発揮することができる。
【００６９】
このように、蛍光体層７を形成する蛍光材７ＡにＭｇＯ結晶７Ｂに加えて低仕事関数材料７Ｃが混合されていることによって、放電セルＣ内で発生される各種放電が、放電セルＣ内に存在している二次電子によって発生し易くなって、この放電の放電開始電圧を低下させることが出来、さらに、放電遅れの短縮と放電確率の向上という放電特性全般の改善効果を発揮することが出来るようになる。
【００７０】
特に、ＭｇＯ結晶７Ｂと低仕事関数材料７Ｃが蛍光体層７の表面に露出されていることにより、放電セルＣを挟んで列電極を陰極側とする対向放電が発生する際に、ＭｇＯ結晶７Ｂと低仕事関数材料７Ｃが放電ガスから発生する陽イオンと効率よく衝突して二次電子をさらに効率よく放電セルＣ内に放出するので、リセット放電の次に行われるアドレス放電の放電開始電圧が顕著に低下する。
【００７１】
図１７は、蛍光体層にＭｇＯ結晶と低仕事関数材料が混合されている場合の二次電子放出量を示すグラフである。
この図１７において、横軸は蛍光体層を構成する材料に付加されるエネルギ、すなわち、陽イオンが衝突する際のエネルギを示しており、縦軸は陽イオンが衝突した際の二次電子放出量の相対値を付加されるエネルギ毎に示している。
【００７２】
そして、図中、ａは蛍光体層の蛍光材にＭｇＯ結晶のみが混合されている場合を示しており、ｂは蛍光体層の蛍光材にＭｇＯ結晶と低仕事関数材料であるＡｌ粉体が混合されている場合、ｃは蛍光体層の蛍光材にＭｇＯ結晶と低仕事関数材料であるＬａＢ6粉体が混合されている場合をそれぞれ示している。
【００７３】
なお、ａ，ｂ，ｃの何れの場合も、蛍光材の種類および重量は同一であり、この蛍光材に混合されるＭｇＯ結晶またはＭｇＯ結晶と低仕事関数材料の重量も同一になるように設定されている。
【００７４】
この図１７から、蛍光体層を形成する蛍光材に低仕事関数材料であるＡｌ粉体やＬａＢ6が混合されている場合には、ＭｇＯ結晶７Ｂのみが混合されている場合に比べて蛍光体層からの二次電子放出量が増大することが分かり、この二次電子放出量の増大によって、放電電圧の低下機能が向上されることが分かる。
【００７５】
一般にＰＤＰにおいては、リセット放電も発光を伴い、このリセット放電による発光は映像の階調表示に関係の無い発光であるため、特に輝度０の映像表示が行われる場合等にリセット放電による発光がパネル面で認識されると、映像の暗コントラストが低下することになる。
【００７６】
上記ＰＤＰは、リセット放電が行電極Ｙと列電極Ｄとの間の対向放電によって行われ、この対向放電がパネル面（前面ガラス基板１の表面）から離れた放電セルＣの中心部位で行われるので、リセット放電がパネル面に近い位置における行電極間での面放電によって行われる場合に比べて、パネル面で認識されるリセット放電による発光が減少し、これによって、表示される映像の暗コントラストを向上させることが出来るようになる。
【００７７】
なお、上記においては、列電極Ｄに負極の列電極リセット・パルスＲｄが印加される例（図１６）について説明を行ったが、行電極Ｙと列電極Ｄ間でリセット放電を発生させるためには、行電極Ｙに正極の行電極リセット・パルスＲｙが印加された際に、この正極となる行電極Ｙに対して、列電極Ｄが相対的に負極側に設定されていれば良く、例えば、図１８に示されるように、列電極Ｄが接地（ＧＮＤ）電位に設定される場合でもよく、また、列電極Ｄに、行電極Ｙに印加される行電極リセット・パルスＲｙよりも電位が小さく、行電極Ｙと列電極Ｄとの間で放電が発生するような正極の電圧パルスが印加される場合であっても良い。
【００７８】
以下においては、陰列電極放電は、リセット放電の際に、列電極Ｄが接地（ＧＮＤ）電位に設定される場合や、列電極Ｄに行電極リセット・パルスＲｙよりも電位が小さい正極の電圧パルスが印加される場合等のように、列電極Ｄの電位が行電極Ｙに対して相対的に負極側に設定される全ての場合を含むものとする。
【００７９】
また、このリセット放電の際に、行電極Ｙと行電極対を構成する行電極Ｘは、リセット放電期間の間、接地（ＧＮＤ）電位を保持するようにしても良いが、図１９に示されるように、Ｙ電極に印加される行電極リセット・パルスＲｙと同極で、行電極Ｙとの間に放電を発生させるような電位差を生じさせない電位の電圧パルスＲｘを印加するようにしても良い。
【００８０】
これによって、リセット放電が発生される間、行電極対を構成する行電極ＸとＹ間に放電を発生させるような電位差が生じるのが防止されて、確実に、リセット放電を行電極Ｙと列電極Ｄ間での対向放電のみにすることができ、表示映像の暗コントラストをさらに向上させることが出来るようになる。
【００８１】
上記ＰＤＰにおいて、蛍光体層７に混合されるＭｇＯ結晶７Ｂが、前述したような電子線によって励起されることにより波長域２００〜３００ｎｍ内にピークを有するＣＬ発光を行う特性のＣＬ発光ＭｇＯ結晶体を含む場合には、このＣＬ発光を行う特性を有しない通常のＭｇＯ結晶（以下、このＣＬ発光特性を有しないＭｇＯ結晶を通常のＭｇＯ結晶という）のみからなる場合に比べて、このＣＬ発光ＭｇＯ結晶体が有する図７ないし１５に基づいて説明したような特性によって放電遅れ時間が短縮され、さらに、行電極Ｙに時定数が大きく立ち上がりが緩やかな電圧パルスが印加されることにより、暗コントラストの低下の原因となるリセット放電の放電強度が減少されて、ＰＤＰの暗コントラストが大幅に向上されるようになる。
【００８２】
さらに、上記ＰＤＰは、蛍光体層７にＣＬ発光ＭｇＯ結晶体がＭｇＯ結晶７Ｂに含まれて混合される場合には、リセット放電によって、蛍光体層７中のＣＬ発光ＭｇＯ結晶体から放電セルＣ内に初期電子が放出され、この初期電子によってリセット放電の放電遅れがさらに短縮されるとともに、プライミング効果が長く持続するので、リセット放電の次に発生されるアドレス放電がさらに高速化される。
【００８３】
そして、上記ＰＤＰは、図４に示されるように、蛍光体層７に混合されたＣＬ発光ＭｇＯ結晶体が蛍光体層７の表面の放電セルＣ内に露出する位置に配置されていることにより、蛍光体層７中の蛍光体粒子に邪魔されることなく効率よく初期電子を放電セルＣ内に放出することができるので、アドレス放電の放電開始電圧をより減少させることが出来る。
【００８４】
図２０は、図１ないし３のＰＤＰの蛍光体層７に混合されるＭｇＯ結晶７ＢがＣＬ発光ＭｇＯ結晶体を含むＰＤＰにおいて、行電極Ｙと列電極Ｄに図１８に示される形態の電圧パルスが印加されて、リセット放電が陰列電極放電によって行われる場合の放電強度を示すオシロスコープ波形図であり、図２１は、蛍光体層が蛍光材のみによって形成された従来のＰＤＰにおいて、行電極と列電極に図１８に示される形態の電圧パルスが印加されることによってリセット放電が行われる場合の放電強度を示すオシロスコープ波形図である。
【００８５】
なお、図２０と２１の横軸（時間）は、図２１が１０目盛で１ｍｓを示しているのに対し、図２０では、リセット放電の放電強度が微小であるため１０目盛で０．１ｍｓを示していて、図２１の場合の１０倍のスケールで表示されており、また、図２０の縦軸（放電強度）のスケールも図２１の場合の１０倍のスケールで表示されている。
【００８６】
この図２０と図２１を比較すると、図２０においては、リセット放電（陰列電極放電）の放電強度が図２１の場合に比べて非常に弱く（約１／４０〜１／５０程度）、その放電時間が約０．０４ｍｓ以内であるのに対し、図２１の場合は、リセット放電の放電強度が強く、その放電時間が１ｍｓ以上の長時間に亘っているのが分かる。
【００８７】
このことから、図２１の場合においては放電強度および放電遅れが大きいのに対して、図２０の場合には放電強度および放電遅れが大幅に減少しており、図１ないし３のＰＤＰにおいて、蛍光体層７にＭｇＯ結晶７ＢとしてＣＬ発光ＭｇＯ結晶体が混合されることにより、放電強度の減少および放電遅れ時間の短縮によって、さらに、暗コントラストの大幅な改善が図られることが分かる。
【００８８】
図２０において、放電強度が減少しているのは、ＣＬ発光ＭｇＯ結晶体は、前述したように放電遅れを改善する効果を有しており、このＣＬ発光ＭｇＯ結晶体が蛍光体層７に混合されていることによって、リセット放電の放電時間が約０．０４ｍｓ以内と大幅に短縮され、そして、行電極Ｙに矩形パルスに比べて図１６や１７に示されるような時定数が大きく立ち上がりが緩やかな電圧パルスが印加される場合には、行電極Ｙに印加される電圧パルスの立ち上がり途中の電圧値が小さい段階でリセット放電が終了することになるためと考えられる。
【００８９】
図２２は、図１ないし３のＰＤＰの蛍光体層７にＭｇＯ結晶７ＢとしてＣＬ発光ＭｇＯ結晶体が含まれたＰＤＰにおいて、行電極Ｙに時定数が大きく立ち上がりが緩やかな電圧パルスを印加して、陰列電極放電を発生させた場合の放電遅れ時間の測定結果を示している。
【００９０】
この図２２の横軸は、ＣＬ発光ＭｇＯ結晶体を含んだＭｇＯ結晶の蛍光材に対する混合率（重量パーセント）を示し、縦軸は、放電遅れ時間を示している。
ここで、図２２の縦軸の放電遅れを示す数値は、このＭｇＯ結晶の混合率が５パーセントである場合の放電遅れを１．０として規格化された値が示されている。
【００９１】
この図２２から、蛍光体層７において蛍光材に対するＭｇＯ結晶の混合比、すなわち、ＣＬ発光ＭｇＯ結晶体の混合率が大きいほど陰列電極放電の放電遅れが減少していて、ＣＬ発光ＭｇＯ結晶体による放電遅れ時間の短縮効果が大きいことが分かる。
【００９２】
以上のように、図２０によって、図１ないし３のＰＤＰの蛍光体層７にＭｇＯ結晶７ＢとしてＣＬ発光ＭｇＯ結晶体が含まれて混合され、行電極Ｙに時定数が大きく立ち上がりが緩やかな電圧パルスが印加されることにより、リセット放電の放電遅れが減少し、さらに、放電強度が減少して、ＰＤＰの暗コントラストが大幅に改善されることが分かる。
【００９３】
なお、蛍光体層にＣＬ発光ＭｇＯ結晶体ではない通常のＭｇＯ結晶のみを図４の状態で混合したＰＤＰについて、同様の測定を行ったところ、図２１とほぼ同じ結果が得られ、前述したような二次電子放出による放電開始電圧の減少効果と暗コントラストの改善効果は得ることが出来るが、放電遅れと放電強度の改善効果は得られなかった。
【００９４】
この理由は、ＣＬ発光ＭｇＯ結晶体ではない通常のＭｇＯ結晶は、二次電子の放出機能を有しているが、ＣＬ発光ＭｇＯ結晶体の様な２３０ないし２５０ｎｍのピーク波長域に対応したエネルギー準位を有しておらず、電子を長時間トラップすることができないため、電圧パルスが印加された際に放電空間に取り出される初期電子を十分に得ることが出来ないためと推測される。
【００９５】
図１ないし３のＰＤＰは、蛍光体層７にＭｇＯ結晶７ＢとしてＣＬ発光ＭｇＯ結晶体が含まれて混合されることによって、上記のような暗コントラストの向上効果に加えて、ＰＤＰの輝度を向上させる効果を有する。
【００９６】
すなわち、サブフィールドのサステイン放電期間には、その前のアドレス放電期間に行われたアドレス放電によって選択された放電セルＣ内において、行電極対の行電極ＸとＹ間において面放電によるサステイン放電が発生されるが、このサステイン放電によって、放電ガス中のキセノンから１４６ｎｍと１７２ｎｍの真空紫外線が発生し、この真空紫外線によって蛍光体層７内のＣＬ発光ＭｇＯ結晶体が励起されてＰＬ発光（フォトルミネッセンス発光）を行うことにより、２３０〜２５０ｎｍにピークを有する紫外線（以下、ＰＬ紫外線という）が発生する。
【００９７】
そして、このＰＬ紫外線によって、さらに蛍光体層７中の蛍光材７Ａが励起されるので、蛍光体層に通常のＭｇＯ結晶のみが混合されている場合に比べて、ＰＤＰの輝度が向上される。
【００９８】
蛍光体層７にＭｇＯ結晶７ＢとしてＣＬ発光ＭｇＯ結晶体が含まれて混合された場合に、上記のようなＰＤＰの輝度向上効果が発揮されるのは、以下のような理由による。
【００９９】
すなわち、一般に、ＭｇＯ結晶は、放電によって放電ガス中のキセノンから発生する真空紫外線を透過させずに、吸収してしまう特性を有しており、このため、例えば、ＣＬ発光ＭｇＯ結晶体ではない通常のＭｇＯ結晶のみが蛍光体層に混合される場合には、放電ガスのキセノンから発生する真空紫外線をＭｇＯ結晶が吸収してしまい、ＭｇＯ結晶の周辺の蛍光体粒子に照射される真空紫外線の量が減少して、蛍光体層７が蛍光材のみによって形成されている場合に比べて、ＰＤＰの輝度が減少してしまうことになる。
【０１００】
これに対して、蛍光体層７にＭｇＯ結晶７ＢとしてＣＬ発光ＭｇＯ結晶体が含まれて混合されている場合には、このＣＬ発光ＭｇＯ結晶体は、放電ガス中のキセノンから発生する真空紫外線を吸収した後、この真空紫外線によってＰＬ発光を行って、波長２３０〜２５０ｎｍにピーク波長を有するＰＬ紫外線を放射する。
【０１０１】
そして、このＰＬ紫外線が、蛍光体層７中の蛍光材７Ａを励起して発光させるので、前述したように蛍光体層７に通常のＭｇＯ結晶のみを混合したことによって輝度が減少する虞は無く、放電ガスのキセノンから発生する真空紫外線に加えてＣＬ発光ＭｇＯ結晶体から発生されるＰＬ紫外線によっても蛍光体層７の蛍光材７Ａが励起されるので、蛍光体層７から発生する可視光量が、混合されるＭｇＯ結晶７ＢがＣＬ発光ＭｇＯ結晶体以外の通常のＭｇＯ結晶のみである場合に比べて、ＰＤＰの輝度を大幅に増加させる。
【０１０２】
さらに、ＣＬ発光ＭｇＯ結晶体が蛍光体層７内に蛍光材７Ａとともに混合されて蛍光体粒子のすぐ傍に位置しているので、ＣＬ発光ＭｇＯ結晶体から発生するＰＬ紫外線が、効率良く蛍光材７Ａに照射されて、ＰＤＰの輝度をさらに増加させる。
【０１０３】
上記においては、リセット放電の際に行電極Ｙに印加される行電極リセット・パルスを、図１６および１８に示されるように、その立ち上がりの傾きを変化させながら滑らかに増加してゆく形態の電圧パルスとした例について説明を行ったが、この他に、行電極リセット・パルスを、図２３に示されるような立ち上がりの傾きが一定の状態で直線状に増加してゆく形態の電圧パルスＲ１ｙとしても良い。
この場合も、行電極リセット・パルスを図１６および１８に示されるような形態の電圧パルスとする場合とほぼ同様の、暗コントラストの向上効果を得ることが出来る。
【０１０４】
そして、図１９の場合と同様に、行電極Ｙへの行電極リセット・パルスの印加と同時に行電極対を構成する他方の行電極Ｘにも電圧パルスを印加する場合には、図２４に示されるように、行電極Ｙに印加される行電極リセット・パルスＲ１ｙと同極で同じは波形の電圧パルスＲ１ｘを印加するようにするのが好ましい。
これによって、行電極Ｙと列電極Ｄ間のみにおいて、確実にリセット放電が発生されるようにすることが出来る。
【０１０５】
なお、上記においては、行電極Ｙと列電極Ｄとの間でリセット放電が行われる構成を例に挙げて説明を行ったが、ＰＤＰを、Ｘ電極に行電極リセット・パルスを印加して、この行電極Ｘと列電極Ｄの間でリセット放電が行われる構成にしても良い。
【実施例２】
【０１０６】
図２５は、この発明によるＰＤＰの実施形態の第２実施例を示す断面図である。
【０１０７】
前述した第１実施例のＰＤＰの蛍光体層が、蛍光材に二次電子放出材であるＭｇＯ結晶と低仕事関数材料が混合されて形成されているのに対し、この第２実施例におけるＰＤＰは、蛍光体層１７が、蛍光材によって形成される蛍光材層１７Ａ上に、二次電子放出材であるＭｇＯ結晶と低仕事関数材料が混合された材料によって形成された二次電子放出材層１７Ｂが放電セルＣに露出された状態で積層された構成を備えていている。
【０１０８】
この二次電子放出材層１７Ｂは、蛍光材料層１７Ａの形成後、この蛍光材料層１７Ａ上に、ＭｇＯ結晶と低仕事関数材料が混合されたペースト材料を印刷法やディスペンサ塗布法，インクジェット法，転写法等の方法によって塗布する等の方法によって形成される。
【０１０９】
このＰＤＰの他の部分の構成は、第１実施例の場合とほぼ同様であり、同一の構成部分については、第１実施例の場合と同一の符号が付されている。
このＰＤＰは、第１実施例の場合と同様の方法によって駆動される。
【０１１０】
すなわち、リセット放電が、行電極Ｙに図１６または２３に示されるような形態の行電極リセット・パルスが印加されて、列電極Ｄとの間において陰列電極放電による対向放電によって行われる。
【０１１１】
これによって、第１実施例の場合と同様に、リセット放電が対向放電によって行われることによるＰＤＰの暗コントラストの向上効果と、リセット放電によって二次電子放出材層１７Ｂから放電セルＣ内に放出される二次電子により、次に行われるアドレス放電の放電開始電圧の低減効果が発揮される。
【０１１２】
そして、二次電子放出材層１７Ｂに含まれるＣＬ発光ＭｇＯ結晶体と低仕事関数材料によって、第１実施例の場合と同様に、放電遅れの短縮および放電強度の減少効果が顕著になり、これによって暗コントラストをさらに向上させることができるとともに、ＣＬ発光ＭｇＯ結晶体が放電ガス中のキセノンから発生する真空紫外線によってＰＬ発光してＰＬ紫外線を発生し、このＰＬ紫外線が蛍光体層１７の蛍光材層１７Ａをさらに励起して発光させるので、ＰＤＰの輝度を増加させることが出来る。
【実施例３】
【０１１３】
以下、この発明によるＰＤＰの実施形態における第３実施例について説明を行う。
前述した第１実施例においては、ＰＤＰの蛍光体層に、低仕事関数材料として、
・Ａｌ，Ａｕ，Ａｇ，Ｃｏ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｔｉ等の金属材料、
・Ｃｓ2Ｏ，ＣａＯ，ＳｒＯ，ＢａＯ，Ａｌ2Ｏ3，Ｂ2Ｏ3，ＴｉＯ，ＳｉＯ2，Ｙ2Ｏ3 等のアルカリ金属元素，アルカリ土類金属元素，ホウ素，土類金属元素，ケイ素，チタン，イットリウムの中の１種類または２種類以上を含む酸化物
・ＬａＢ6，Ｌａ2Ｏ3，Ｃｓ2ＳＯ4，Ｃｓ2ＣＯ3，（Ｓｒ，Ｃａ）ＣＯ3等の化合物
のうちの少なくとも１種類以上が含まれる例が示されている。
【０１１４】
これに対して、この第３実施例におけるＰＤＰは、蛍光体層に、低仕事関数材料として、ＺｎＯまたはカーボンナノチューブの材料の中の１種類以上の材料が含まれている。
【０１１５】
図２６は、この実施例におけるＰＤＰにおいて、列電極が陰極側に設定され行電極Ｙが陽極側に設定されるように電圧が印加されて放電セル内で陰列電極放電が発生される場合の放電開始電圧を、赤，緑，青の各色の蛍光体層毎に第１実施例のＰＤＰの場合と比較した値を示している。
【０１１６】
この図２６において、ＡないしＣは第１実施例のＰＤＰを示す比較例であり、それぞれ、
Ａ：蛍光体層に、ＣＬ発光ＭｇＯ結晶体を含むＭｇＯ結晶が５重量パーセント含まれている場合、
Ｂ：蛍光体層に、ＣＬ発光ＭｇＯ結晶体を含むＭｇＯ結晶および低仕事関数材料であるＣｓ2ＣＯ3がそれぞれ５重量パーセント含まれている場合、
Ｃ：蛍光体層に、ＣＬ発光ＭｇＯ結晶体を含むＭｇＯ結晶および低仕事関数材料であるＣｓ2ＳＯ4がそれぞれ５重量パーセント含まれている場合、
を示している。
【０１１７】
そして、図２６において、ＤとＥはこの実施例のＰＤＰを示しており、それぞれ、
Ｄ：蛍光体層に、ＣＬ発光ＭｇＯ結晶体を含むＭｇＯ結晶および低仕事関数材料であるＺｎＯがそれぞれ５重量パーセント含まれている場合、
Ｅ：蛍光体層に、ＣＬ発光ＭｇＯ結晶体を含むＭｇＯ結晶が５重量パーセントと低仕事関数材料であるカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）が１．５重量パーセント含まれている場合、
を示している。
【０１１８】
なお、図２６の各数値は、上記Ａの比較例の場合（蛍光体層にＣＬ発光Ｍｇ０結晶体を含むＭｇＯ結晶が５重量パーセント含まれている場合）のＰＤＰの赤色の蛍光体層が形成された放電セルにおける放電開始電圧を基準の値（０）とした場合の放電開始電圧の値の差（Ｖ）を示している。
【０１１９】
さらに、図２６の実施例のＤとＥの矢印が示されている各数値において、矢印の左側の数値は、ＰＤＰの製造工程におけるパネル封止後の蛍光体層のエージングが比較例のＡないしＣの場合と同じ時間で行われた場合の基準値との差圧を示しており、矢印の右側の数値は、このエージングが比較例のＡないしＣの場合よりも長い時間行われた場合の基準値との差圧を示している。
【０１２０】
同じエージング時間の場合、Ａの例の赤色蛍光体層の場合に比べて、ＢとＣの例では蛍光体層の色が赤，緑，青の何れの場合も放電開始電圧が下がっている。
これに対して、同じエージング時間の場合、Ａの例の赤色蛍光体層の場合に比べて、ＤとＥの例では、Ｅの例の青色蛍光体層が形成された放電セルを除いて放電開始電圧が上がっているが、エージング時間が長いと、何れもＡの例の赤色蛍光体層が形成された放電セルの場合よりも放電開始電圧が下がっていることが分かる。
【０１２１】
なお、Ａの例において、エージング時間を長くしても、放電開始電圧はほとんど変化がなかった。
ＤとＥの例においてエージング時間を長くした場合に放電開始電圧が低下する理由としては、エージング時間が短い場合には、低仕事関数材料であるＺｎＯおよびＣＮＴの表面活性化が不十分であるためと考えられる。
【０１２２】
この実施例のＰＤＰにおいては、蛍光体層のエージング時間を第１実施例の場合よりも長い任意の時間に設定することによって、陰列電極放電の放電開始電圧を低減することが出来る。
【実施例４】
【０１２３】
以下、この発明によるＰＤＰの実施形態の第４実施例について説明を行う。
この第４実施例におけるＰＤＰは、緑色の蛍光体層が、Ｚｎ2ＳｉＯ4：Ｍｎのみを含む蛍光材料と、ＣＬ発光ＭｇＯ結晶体を含むＭｇＯ結晶および低仕事関数材料とによって形成されている。
このＣＬ発光ＭｇＯ結晶体を含むＭｇＯ結晶および低仕事関数材料の態様については、前述した第１ないし第３実施例の場合と同様である。
【０１２４】
図２７は、この実施例におけるＰＤＰの緑色の蛍光体層が形成された放電セルにおいて陰列電極放電を発生させた場合の放電開始電圧を、緑色蛍光体層が他の態様で形成されたＰＤＰの場合と比較した値を示している。
この図２７において、ＦないしＫはこの実施例におけるＰＤＰとの比較例を示しており、それぞれ緑色蛍光体層に、
Ｆ：緑色蛍光材料としてＺｎ2Ｓｉ０4：Ｍｎのみが使用され、ＣＬ発光ＭｇＯ結晶体を含むＭｇＯ結晶が５重量パーセント含まれている場合、
Ｇ：緑色蛍光材料としてＺｎ2Ｓｉ０4：ＭｎにＹＢＴが３０重量パーセント混合された蛍光材料が使用され、ＣＬ発光ＭｇＯ結晶体を含むＭｇＯ結晶が５重量パーセント含まれている場合、
Ｈ：緑色蛍光材料としてＺｎ2Ｓｉ０4：ＭｎにＹＢＴが５０重量パーセント混合された蛍光材料が使用され、ＣＬ発光ＭｇＯ結晶体を含むＭｇＯ結晶が５重量パーセント含まれている場合、
Ｉ：緑色蛍光材料としてＺｎ2Ｓｉ０4：ＭｎにＹＢＴが７０重量パーセント混合された蛍光材料が使用され、ＣＬ発光ＭｇＯ結晶体を含むＭｇＯ結晶が５重量パーセント含まれている場合、
を示している。
【０１２５】
そして、図２７において、ＪとＫはこの実施例のＰＤＰを示しており、それぞれ緑色蛍光体層に、
Ｊ：緑色蛍光材料としてＺｎ2Ｓｉ０4：Ｍｎのみが使用され、ＣＬ発光ＭｇＯ結晶体を含むＭｇＯ結晶が５重量パーセント含まれ、さらに、低仕事関数材料としてＣｓ2ＳＯ4が５重量パーセント含まれている場合、
Ｋ：緑色蛍光材料としてＺｎ2Ｓｉ０4：Ｍｎのみが使用され、ＣＬ発光ＭｇＯ結晶体を含むＭｇＯ結晶が５重量パーセント含まれ、さらに、低仕事関数材料としてＣｓ2ＳＯ4が１０重量パーセント含まれている場合、
を示している。
【０１２６】
なお、図２７の電圧の項の各数値は、上記Ｆの比較例の場合（緑色蛍光材料としてＺｎ2Ｓｉ０4：Ｍｎのみが使用され、ＣＬ発光ＭｇＯ結晶体を含むＭｇＯ結晶が５重量パーセント含まれている場合）のＰＤＰの緑色放電セルにおける放電開始電圧を基準の値（０）とした場合の放電開始電圧の値の差（Ｖ）を示している。
そして、図２７のｘ座標の項とｙ座標の項の各数値は、それぞれ、全ての放電セルを発光させる白点灯を行った場合のｘｙ座標系におけるｘ座標値とｙ座標値を示している。
【０１２７】
一般的に、ＰＤＰの緑色の蛍光材料によって蛍光体層が形成された緑色放電セルにおいて発生される対向放電の放電開始電圧は、他の赤色や青色の蛍光材料によって蛍光体層が形成された赤色放電セルおよび青色放電セルにおける対向放電の放電開始電圧よりも高くなってしまう。
【０１２８】
このため、従来のＰＤＰにおいては、緑色の蛍光材料であるＺｎ2Ｓｉ０4：Ｍｎに、同様に緑色の蛍光材料である（Ｙ，Ｇｄ）ＢＯ3：Ｔｂ（以下ＹＢＴ）を混合することによって、緑色放電セルにおける対向放電の放電開始電圧を低下させて、他の赤色放電セルおよび青色放電セルにおける対向放電の放電開始電圧とバランスさせている。
【０１２９】
しかしながら、この緑色放電セルにおける対向放電の放電開始電圧を低下させるためにＹＢＴの混合量を増加させると、緑色放電セルにおける色度が悪化するという問題が発生する。
【０１３０】
図２７において、比較例のＧないしＩの場合には、緑色蛍光体層の形成に，Ｚｎ2Ｓｉ０4：ＭｎにＹＢＴが混合された緑色蛍光材料が使用されているので、放電開始電圧はＦの例の場合よりも低下しているが、ｘ座標値が増加しｙ座標値が低下していて、白の色度が悪化していることが分かる。
これは緑色蛍光材料としてＹＢＴが混合されたことによって、緑色蛍光体層の色度の悪化により白の色度が悪化したものと思われる。
【０１３１】
これに対して、この実施例のＪとＫの例の場合には、緑色蛍光材料としてＺｎ2Ｓｉ０4：Ｍｎのみが使用されていることによって白の色度の悪化は無く、さらに、緑色蛍光体層に低仕事関数材料としてＣｓ2ＳＯ4が混合されていることによって、緑色蛍光体層にＹＢＴが混合されていなくても、比較例のＦないしＨの例の場合と同等またはそれ以上の放電開始電圧の低減効果が発揮されている。
さらに、この放電開始電圧の低減効果は、Ｊの例よりも低仕事関数材料であるＣｓ2ＳＯ4の混合量が多いＫの例の場合が大きくなっている。
【０１３２】
上記各実施例のＰＤＰは、放電空間を介して対向する一対の基板と、この一対の基板の一方の基板側に設けられた複数の行電極対と、他方の基板側に行電極対に対して交差する方向に延びるように設けられて行電極対との各交差部分の放電空間にそれぞれ単位発光領域を形成する複数の列電極と、この列電極と行電極対の間の単位発光領域に面する位置に設けられた蛍光体層とを備え、蛍光体層に、電子線によって励起されて波長域２００〜３００ｎｍ内にピークを有するカソード・ルミネッセンス発光を行う特性を有する酸化マグネシウム結晶体を含む酸化マグネシウムと酸化マグネシウムよりも仕事関数が低い低仕事関数材料とを含む二次電子放出材が含まれている実施形態のＰＤＰを、その上位概念の実施形態としており、上記各実施例のＰＤＰの駆動方法は、この実施形態のＰＤＰにおいて、駆動行程に、行電極対を構成する一方の行電極に電圧パルスが印加されるとともに、この電圧パルスが印加された一方の行電極に対して列電極の電位が相対的に負極側に設定されることによって、列電極と一方の行電極との間に対向放電が発生される行程が含まれている駆動方法を、その上位概念の実施形態としている。
【０１３３】
上記実施形態におけるＰＤＰは、単位発光領域に面する位置に形成された蛍光体層が二次電子放出材を含んでいて、行電極対の一方の行電極と列電極との間で対向放電が行われる際に、この対向放電によって、単位発光領域内において放電ガスから生成される陽イオンが蛍光体層に含まれている二次電子放出材と衝突して、この二次電子放出材から単位発光領域内に二次電子が放出される。
【０１３４】
このとき、二次電子放出材には、電子線によって励起されて波長域２００〜３００ｎｍ内にピークを有するカソード・ルミネッセンス発光を行う特性を有する酸化マグネシウム結晶体を含む酸化マグネシウムと酸化マグネシウムよりも仕事関数が低い低仕事関数材料が含まれていることによって、陽イオンと衝突する酸化マグネシウムと低仕事関数材料から単位発光領域内に二次電子が放出されるが、この低仕事関数材料は高γ材料であって仕事関数が低いほど二次電子放出機能が高いため、単位発光領域内への二次電子放出量が酸化マグネシウムよりも多くなる。
【０１３５】
そして、この二次電子は放電電圧を低下させる機能を持っており、酸化マグネシウムのみが蛍光体層に混合されていせる場合と比べて、さらに放電電圧を低下させることが出来、これによって、この一方の行電極と列電極間で行われる対向放電の次に行われる放電が、単位発光領域内に存在している二次電子によって発生し易くなって、この放電の放電開始電圧が低下される。
【０１３６】
そして、この一方の行電極と列電極との間で行われる対向放電が、ＰＤＰの駆動時に全ての単位発光領域を初期化するリセット放電である場合には、この対向放電が、一対の基板のうちのＰＤＰのパネル面を構成する基板から離れた単位発光領域のほぼ中心部位において行われるようになるので、リセット放電がパネル面に近い位置における行電極間での面放電によって行われる場合に比べて、パネル面で認識されるリセット放電による発光が減少するので、このリセット放電による映像の階調表示に関係の無い発光によって暗コントラストが低下するのが防止されて、ＰＤＰの暗コントラストの向上が図られるようになる。
【０１３７】
さらに、上記実施形態におけるＰＤＰの駆動方法によれば、一方の行電極と列電極との間で行われる対向放電が、一方の行電極に電圧パルスが印加され、この電圧パルスが印加された一方の行電極に対して列電極の電位が相対的に負極側に設定されて発生されることにより、この対向放電によって放電ガスから生成される陽イオンが、負極側となる列電極の方向に向かって蛍光体層に含まれている二次電子放出材と衝突するので、この二次電子放出材から単位発光領域内に二次電子が効率良く放出されるようになる。
【図面の簡単な説明】
【０１３８】
【図１】この発明の実施形態の第１実施例を示す正面図である。
【図２】図１のＶ−Ｖ線における断面図である。
【図３】図１のＷ−Ｗ線における断面図である。
【図４】同実施例の蛍光体層の構成を示す断面図である。
【図５】立方体の単結晶構造を有する酸化マグネシウム単結晶体のＳＥＭ写真像を示す図である。
【図６】立方体の多重結晶構造を有する酸化マグネシウム単結晶体のＳＥＭ写真像を示す図である。
【図７】酸化マグネシウム単結晶体の粒径とＣＬ発光の波長および強度との関係を示すグラフである。
【図８】酸化マグネシウム単結晶体の粒径と２３５ｎｍのＣＬ発光のピーク強度との関係を示すグラフである。
【図９】蒸着法による酸化マグネシウム層からのＣＬ発光の波長の状態を示すグラフである。
【図１０】酸化マグネシウム単結晶体からの２３５ｎｍのＣＬ発光のピーク強度と放電遅れとの関係を示すグラフである。
【図１１】多重結晶構造の酸化マグネシウム単結晶体と放電確率の関係を示すグラフである。
【図１２】同多重結晶構造の酸化マグネシウム単結晶体と放電確率の関係を示す表図である。
【図１３】同多重結晶構造の酸化マグネシウム単結晶体と放電遅れの関係を示すグラフである。
【図１４】同多重結晶構造の酸化マグネシウム単結晶体と放電遅れの関係を示す表図である。
【図１５】酸化マグネシウム単結晶体の粒径と放電確率との関係を示すグラフである。
【図１６】同例において、行電極と列電極に印加される電圧パルスの形態を示すパルス波形図である。
【図１７】同例において、低仕事関数材料を含む蛍光体層からの二次電子放出量を示すグラフである。
【図１８】同電圧パルスの他の例を示すパルス波形図である。
【図１９】同電圧パルスのさらに他の例を示すパルス波形図である。
【図２０】同例において蛍光体層にＣＬ発光ＭｇＯ結晶体が含まれている場合の放電強度を示すオシロスコープ波形図である。
【図２１】蛍光体層が蛍光材のみによって形成されている場合の放電強度を示すオシロスコープ波形図である。
【図２２】同例において蛍光体層に含まれるＣＬ発光ＭｇＯ結晶体の混合比と放電遅れの関係を示すグラフである。
【図２３】同例において、行電極に印加される電圧パルスの他の形態を示すパルス波形図である。
【図２４】同電圧パルスの他の例を示すパルス波形図である。
【図２５】この発明の実施形態の第２実施例を示す断面図である。
【図２６】この発明の実施形態の第３実施例を示す表図である。
【図２７】この発明の実施形態の第４実施例を示す表図である。
【符号の説明】
【０１３９】
１            …前面ガラス基板（一方の基板）
４            …背面ガラス基板（他方の基板）
７，１７      …蛍光体層
７Ａ          …蛍光材
７Ｂ          …ＭｇＯ結晶（二次電子放出材）
７Ｃ          …低仕事関数材料（二次電子放出材）
１７Ａ        …蛍光材層
１７Ｂ        …二次電子放出材層
Ｃ            …放電セル（単位発光領域）
Ｒｘ，Ｒ１ｘ  …電圧パルス
Ｒｙ，Ｒ１ｙ  …行電極リセット・パルス（電圧パルス）
Ｒｄ          …列電極リセット・パルス（電圧パルス）
Ｘ            …行電極（他方の行電極）
Ｙ            …行電極（一方の行電極）
Ｄ            …列電極
【図１】
2008251515.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
2008251515.tif 000009
【図１０】
2008251515.tif 000010
【図１１】
2008251515.tif 000011
【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
2008251515.tif 000014
【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
2008251515.tif 000021
【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図５】
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【図６】
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