(57)【要約】【課題】本発明の課題の1つは、回折スペクトルからスッキャトロメータ測定オブジェクトの輪郭を迅速に再構築する方法を提供するために、スッキャトロメータ測定オブジェクトの測定ポイントまたはパラメータの自由度の数を減少させるシステムを提供することである。【解決手段】ターゲット形状の再構成時に、基板上の複雑なターゲットの輪郭を効率的かつ迅速に求めるために、１つの輪郭を構成する様々な形状の様々な自由度または可変パラメータは、単純な式を使用して可変パラメータを相互にリンクする、またはその輪郭を構成する様々な形状を考慮に入れるように、全体的輪郭の形状を近似することによって減少させることができる。パラメータが減少すると、これらのパラメータに関する計算の反復数が減少し、これは輪郭再構成の速度を上昇させる。【選択図】図２
2008102125.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
オブジェクトを照明する放射の結果として生じる回折パターンから前記オブジェクトの形状を再構築する方法であって、
前記オブジェクトから回折した放射の回折パターンを検出すること、
前記オブジェクト形状を予測すること、
前記予測した形状からモデル回折パターンを導出すること、
前記モデル回折パターンと前記検出した回折パターンとを比較すること、
前記モデル回折パターンと前記検出した回折パターンとの相違から実際のオブジェクト形状を求めること、
を含み、
前記オブジェクト形状は、それぞれが複数の可変パラメータを有する複数の２次元または３次元形状として定義されており、さらに、
減少した数の可変パラメータで２次元または３次元形状によって画定されたオブジェクト形状を近似するために、異なる台形の前記可変パラメータを相互にリンクすることを含む方法。
【請求項２】
前記２次元または３次元形状が台形である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記可変パラメータが幾何学的パラメータを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記可変パラメータが前記オブジェクトの材料の屈折率を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記オブジェクト形状が、少なくとも２次元または３次元の形状を含み、前記２次元または３次元形状がそれぞれ、少なくとも２つの可変パラメータを有し、前記少なくとも２つの可変パラメータが、前記２次元または３次元形状のそれぞれの少なくとも高さおよび幅を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
各２次元または３次元形状のさらなる可変パラメータが、前記２次元または３次元形状の２つの結合する辺の間の角度である、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記２次元または３次元形状が曲線の辺を有し、前記角度が、前記２つの結合する辺の選択された接線間の角度である、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記オブジェクト形状の可変パラメータが、前記オブジェクトを基板に印刷するプロセスの結果としての前記オブジェクト形状の自由度である、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記オブジェクト形状が、少なくとも１つの他の２次元または３次元形状に積み重ねた少なくとも１つの２次元または３次元形状を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記オブジェクト形状が、少なくとも第二の２次元または３次元形状内に少なくとも第一の２次元または３次元形状を含み、前記少なくとも第二の２次元または３次元形状が、前記少なくとも第一の２次元または３次元形状の周囲のコーティングを画定する、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
オブジェクト形状が、相互に接触しない複数の別個の２次元または３次元形状を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記オブジェクト形状が非対称であり、さらに、
複数の形状をそれぞれ別個にモデリングし、その後に組み合わせるように、オブジェクト輪郭を構成する複数の形状の相対的位置合わせを画定することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
基板に印刷されているオブジェクトの実際の輪郭を求める方法であって、
（ｉ）前記オブジェクトに関連する実際のスペクトル信号を受信すること、
（ｉｉ）第一のモデル輪郭を選択すること、
（ｉｉｉ）前記第一のモデル輪郭に関連する第一のモデルスペクトル信号を生成すること、
（ｉｖ）前記第一のモデルスペクトル信号と実際のスペクトル信号とを比較すること、および、前記第一のスペクトル信号と前記実際のスペクトル信号とが所望の公差まで一致しない場合は、
（ｖ）第二のモデル輪郭で（ｉｉ）から（ｉｖ）を実行すること、
を含み、
前記第二のモデル輪郭が、前記第一のモデル輪郭の複数の可変パラメータのそれぞれに基づいて最適化プロセスを経た前記第一モデルスペクトル信号に基づいて選択され、可変パラメータの数が、減少した数の可変パラメータで前記第一のモデル輪郭を１つの形状に近似させることによって減少している方法。
【請求項１４】
前記２次元または３次元形状が台形である、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記可変パラメータが幾何学的パラメータを含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１６】
前記可変パラメータが、前記オブジェクトの材料の屈折率を含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１７】
前記オブジェクトの前記モデル輪郭が、少なくとも２次元または３次元の形状を含み、前記２次元または３次元形状がそれぞれ、少なくとも２つの可変パラメータを有し、前記少なくとも２つの可変パラメータが、前記２次元または３次元形状のそれぞれの少なくとも高さおよび幅を含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１８】
各２次元または３次元形状のさらなる可変パラメータが、前記２次元または３次元形状の２つの結合する辺の間の角度である、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記オブジェクト形状の可変パラメータが、前記オブジェクトを前記基板に印刷するプロセスの結果としての前記オブジェクト形状の自由度である、請求項１３に記載の方法。
【請求項２０】
前記１つの形状が、少なくとも１つの他の２次元または３次元形状に積み重ねた少なくとも１つの２次元または３次元形状を含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項２１】
前記１つの形状が、少なくとも第二の２次元または３次元形状内に少なくとも第一の２次元または３次元形状を含み、前記少なくとも第二の２次元または３次元形状が、前記少なくとも第一の２または３次元形状の周囲のコーティングを画定する、請求項１３に記載の方法。
【請求項２２】
前記１つの形状が、相互に接触していない複数の別個の形状を含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項２３】
前記１つの形状が非対称であり、
複数の形状をそれぞれ別個にモデリングし、その後に組み合わせるように、オブジェクト輪郭を構成する複数の形状の相対的位置合わせを画定することを含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項２４】
基板の特性を測定するように構成された検査装置であって、
（ｉ）前記基板上のオブジェクトに関連する実際のスペクトル信号を受信するように構成された検出器と、
（ｉｉ）第一のモデル輪郭を選択するように構成された制御装置と、
（ｉｉｉ）前記第一のモデル輪郭に関連する第一のモデルスペクトル信号を生成するように構成された生成器と、
（ｉｖ）前記第一のモデルスペクトル信号と実際のスペクトル信号とを比較するように構成された比較器と、
を備え、
前記第一のスペクトル信号と前記実際のスペクトル信号とが所望の公差内まで一致しない場合は、制御装置、生成器および比較器が、第二のモデル輪郭を選択して、前記第二のモデルスペクトル信号を前記実際のスペクトル信号と比較するように構成され、前記第二のモデル輪郭は、前記第一のモデル輪郭の複数の可変パラメータのそれぞれに基づいて最適化プロセスを経た前記第一のモデルスペクトル信号に基づいて選択され、可変パラメータの数が、減少した数の可変パラメータで前記第一のモデル輪郭を１つの形状に近似させることによって減少している検査装置。
【請求項２５】
基板の特性を測定するように構成されたリソグラフィ装置であって、
（ｉ）前記基板上のオブジェクトに関連する実際のスペクトル信号を受信するように構成された検出器と、
（ｉｉ）第一のモデル輪郭を選択するように構成された制御装置と、
（ｉｉｉ）前記第一のモデル輪郭に関連する第一のモデルスペクトル信号を生成するように構成された生成器と、
（ｉｖ）前記第一のモデルスペクトル信号と実際のスペクトル信号とを比較するように構成された比較器と
を備え、
前記第一スペクトル信号と前記実際のスペクトル信号とが所望の公差内まで一致しない場合は、制御装置、生成器および比較器が、第二のモデル輪郭を選択して、前記第二のモデルスペクトル信号を前記実際のスペクトル信号と比較するように構成され、前記第二のモデル輪郭は、前記第一のモデル輪郭の複数の可変パラメータのそれぞれに基づいて最適化プロセスを経た前記第一のモデルスペクトル信号に基づいて選択され、可変パラメータの数が、減少した数の可変パラメータで前記第一のモデル輪郭を１つの形状に近似させることによって減少しているリソグラフィ装置。
【請求項２６】
基板の特性を測定するように構成されたリソグラフィセルであって、
（ｉ）前記基板上のオブジェクトに関連する実際のスペクトル信号を受信するように構成された検出器と、
（ｉｉ）第一のモデル輪郭を選択するように構成された制御装置と、
（ｉｉｉ）前記第一のモデル輪郭に関連する第一のモデルスペクトル信号を生成するように構成された生成器と、
（ｉｖ）前記第一のモデルスペクトル信号を実際のスペクトル信号と比較するように構成された比較器と
を備え、
前記第一のスペクトル信号と前記実際のスペクトル信号とが所望の公差内まで一致しない場合は、制御装置、生成器および比較器が、第二のモデル輪郭を選択して、前記第二のモデルスペクトル信号を前記実際のスペクトル信号と比較するように構成され、前記第二のモデル輪郭は、前記第一のモデル輪郭の複数の可変パラメータのそれぞれに基づいて最適化プロセスを経た前記第一のモデルスペクトル信号に基づいて選択され、可変パラメータの数が、減少した数の可変パラメータで前記第一のモデル輪郭を１つの形状に近似させることによって減少しているリソグラフィセル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[0001]  本発明は、例えばリソグラフィ技術によってデバイスの製造などに使用可能な検査方法、およびリソグラフィ技術を使用するデバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
[0002]  リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通常は基板のターゲット部分に適用する機械である。リソグラフィ装置は例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。このような場合、代替的にマスクまたはレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ＩＣの個々の層上に形成すべき回路パターンを生成することができる。このパターンを、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば１つまたは幾つかのダイの一部を備える）に転写することができる。パターンの転写は通常、基板に設けた放射感応性材料（レジスト）の層への結像により行われる。一般的に、１枚の基板は、順次パターンが与えられる網の目状の互いに近接したターゲット部分を含んでいる。従来のリソグラフィ装置は、パターン全体をターゲット部分に１回で露光することによって各ターゲット部分が照射される、いわゆるステッパと、基板を所定の方向(「スキャン」方向）と平行あるいは逆平行にスキャンしながら、パターンを所定の方向（「スキャン」方向）に放射ビームでスキャンすることにより、各ターゲット部分が照射される、いわゆるスキャナとを具備している。パターンを基板にインプリントすることによっても、パターニングデバイスから基板へとパターンを転写することが可能である。
【０００３】
[0003]  リソグラフィプロセスを監視するために、パターン付き基板のパラメータ、例えばその中またはその上に形成された連続層の間のオーバレイエラーを測定する必要がある。リソグラフィプロセスで形成された顕微鏡的構造を測定するには、走査電子顕微鏡および様々な専門的ツールの使用を含め、様々な技術がある。専門的検査ツールの１つの形態は、放射のビームを基板の表面上のターゲットへと誘導し、散乱または反射したビームの特性を測定するスッキャトロメータである。基板によって反射または散乱する前後のビームの特性を比較することによって、基板の特性を求めることができる。これは、例えば反射ビームを、既知の基板特性に関連する既知の測定値のライブラリに記憶されたデータと比較することによって実行することができる。２つの主要なタイプのスッキャトロメータが知られている。分光スッキャトロメータは、広帯域放射ビームを基板へと誘導し、特定の狭い角度範囲に散乱した放射のスペクトル（波長の関数としての強度）を測定する。角度分解スッキャトロメータは、単色放射ビームを使用して、散乱した放射の強度を角度の関数として測定する。
【０００４】
[0004]  基板に当たる放射が回折するためには、特定の輪郭のオブジェクトを基板に印刷し、これは往々にしてスッキャトロメータ測定輪郭として知られる。基板に印刷されるオブジェクトは、所定の形状を有し、印刷される度に完全に印刷されることが理想的である。しかし、オブジェクトの（数ナノメートル程度の）サイズのせいで、オブジェクトがいかに正確に成形されるかを判断するシステムがあることが望ましい。つまり、オブジェクトの輪郭を知ることが望ましい。オブジェクトは、格子状配列または他の周期的構造で構成されるが、基板表面の上方向からの輪郭である断面を有する回折格子などでよい。
【０００５】
[0005]  上述したように、走査電子顕微鏡などを使用してスッキャトロメータ測定オブジェクトの実際の形状を求めることが可能である。しかし、これは多大な時間、努力および装置を伴う。
【０００６】
[0006]  スッキャトロメータ測定オブジェクトの輪郭を求める別の方法は、オブジェクトからの放射ビームを回折し、回折パターンを、回折パターンのライブラリに記憶されているモデル回折パターンと、そのモデルパターンを生成するモデル輪郭とともに比較することである。この一般的概念は当技術分野で知られている。例えば、米国特許出願公開第２００３／００２８３５８Ａ１号（Niuその他）は、スッキャトロメータ測定オブジェクトからの実際の信号を、記憶した信号のライブラリと比較し、最も近く一致する信号を見つけようとするシステムについて説明している。記憶された信号はそれぞれ、オブジェクトの輪郭パラメータにリンクされる。オブジェクト輪郭パラメータは、例えばクリティカルディメンジョン（ＣＤ）、オブジェクトの幅（高さとともに変化することがある）、オブジェクトの高さまたはオブジェクトの側面の角度であってもよく、この角度は、基板の表面から、または基板表面に対する法線から測定される。この文書はさらに、スッキャトロメータ測定オブジェクトの各パラメータと最も近く一致する信号を見つけるものとして、この方法を説明している。つまり、可能な様々なパラメータおよびパラメータの可能な順序を試験して、スッキャトロメータ測定オブジェクトから来た実際の信号に可能な限り近い信号を生じる組合せを見つける。これは、「モデル信号」の一連の反復を生成する。この方法は、モデル信号が実際の信号に可能な限り近くなるまで反復的に繰り返され、次にモデル信号が使用したパラメータとともに記憶される。最後に、コンピュータがパラメータを含むデータベースをチェックして、全てのパラメータの組合せが入力されているか判断する。任意の例では、単純化した３つのパラメータセット（ＣＤ、高さおよび幅）の場合、ＣＤの範囲が１００ｎｍから１２０ｎｍで、分解能が１ｎｍである場合、ＣＤには２１の可能なパラメータ値がある。高さにも２１の可能な値、幅に２１の可能な値がある場合は、合計で２１×２１×２１＝９２６１の可能なパラメータ値の組合せがある。コンピュータは、９２６１の組合せが全部シミュレーションされ、データベースに記憶されているかを調べるためにチェックする。コンピュータは、可能な組合せを全てシミュレーションすることによって、データベースを構築する。このシステムの問題は明らかに、パラメータの数が多いほど、コンピュータが実行しなければならない反復数が多くなり、必要とされる処理パワーおよび時間が多くなることである。
【０００７】
[0007]  米国特許出願公開第２００４／０２１０４０２Ａ１号（Opsalその他）は、スッキャトロメータ測定信号からオブジェクトの輪郭を構築するために必要なパラメータの数を減少することを目的とするシステムを規定している。システムがこれを実行する方法は、輪郭形状の外側に、輪郭形状を構築することができる「制御ポイント」を設けることである。例えば、正方形の輪郭のオブジェクトは、基板表面からの高さを示す１つの制御ポイント、および幅を示す２つのポイントを有する。次に、ポイントを「ドット毎」の方法で結んで、線の輪郭を与える。形状が複雑になるほど、正確な線の輪郭を構築するために必要な制御ポイントの数が多くなる。さらに、このシステムは、重なった形状（例えば比較的単純な形状が重なっているように見える複雑な形状またはコーティングを有する輪郭）、または１つの輪郭に複数の形状がある場合は、うまく働かない。ドットを結ぶ線が、誤ったドットを結び易いからである。
【０００８】
[0008]  このシステムの別の問題は、各制御ポイントが、少なくとも（２または３ではないものの）１自由度を有することである。各自由度は、変化し得るパラメータに変換され、パラメータが変化しても、計算力は大幅に低下しない。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
[0009]  回折スペクトルからスッキャトロメータ測定オブジェクトの輪郭を迅速に再構築する方法を提供するために、スッキャトロメータ測定オブジェクトの測定ポイントまたはパラメータの自由度の数を減少させるシステムを提供することが望ましい。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
[00010]  本発明の実施形態によれば、オブジェクトを照明する放射の結果として生じる回折パターンからオブジェクトの形状を再構築する方法は、オブジェクトから回折した放射の回折パターンを検出し、オブジェクト形状を予測し、予測した形状からモデル回折パターンを導出し、モデル回折パターンと検出した回折パターンとを比較し、モデル回折パターンと検出した回折パターンとの相違から実際のオブジェクト形状を求めることを含み、オブジェクト形状は、それぞれが複数の可変幾何学的パラメータを有する複数の２次元または３次元形状として定義されており、さらに、減少した数の可変パラメータで２次元または３次元形状によって画定されたオブジェクト形状を近似化するために、異なる２次元または３次元形状の可変幾何パラメータを相互にリンクすることを含む。
【００１１】
[00011]  本発明の別の実施形態によれば、基板に印刷されているオブジェクトの実際の輪郭を求める方法は、（ｉ）オブジェクトに関連する実際のスペクトル信号を受信し、（ｉｉ）第一のモデル輪郭を選択し、（ｉｉｉ）第一のモデル輪郭に関連する第一のモデルスペクトル信号を生成し、（ｉｖ）第一のモデルスペクトル信号と実際のスペクトル信号とを比較し、第一のスペクトル信号と実際のスペクトル信号とが所望の公差まで一致しない場合は、（ｖ）第二のモデル輪郭で（ｉｉ）から（ｉｖ）を実行することを含み、第二のモデル輪郭は、第一のモデル輪郭の複数かの可変パラメータのそれぞれに基づいて最適化プロセスを経た第一のモデルスペクトル信号に基づいて選択され、可変パラメータの数は、減少した数の可変パラメータで第一のモデル輪郭を１つの形状に近似させることによって減少している。
【００１２】
[00012]  本発明の別の実施形態によれば、基板の特性を測定するように構成された検査装置、リソグラフィ装置またはリソグラフィセルは、（ｉ）基板上のオブジェクトに関連する実際のスペクトル信号を受信するように構成された検出器と、（ｉｉ）第一のモデル輪郭を選択するように構成された制御装置と、（ｉｉｉ）第一のモデル輪郭に関連する第一のモデルスペクトル信号を生成するように構成された生成器と、（ｉｖ）第一のモデルスペクトル信号と実際のスペクトル信号とを比較するように構成された比較器とを備え、第一のスペクトル信号と実際のスペクトル信号とが所望の公差内まで一致しない場合は、（ｖ）制御装置、生成器および比較器が、第二のモデル輪郭で（ｉｉ）から（ｉｖ）を実行するように構成され、第二のモデル輪郭は、第一のモデル輪郭の複数つかの可変パラメータのそれぞれに基づいて最適化プロセスを経た第一のモデルスペクトル信号に基づいて選択され、可変パラメータの数は、減少した数の可変パラメータで第一のモデル輪郭を１つの形状に近似させることによって減少している。
【００１３】
[00013]  次に、本発明の実施形態を添付の略図を参照しながら、ほんの一例として説明する。図面では対応する参照記号は対応する部品を示している。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
[00024]  図１ａは、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示したものである。この装置は、放射ビームＢ（例えばＵＶ放射またはＥＵＶ放射）を調節するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬを備える。支持体（例えばマスクテーブル）ＭＴは、パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するように構成され、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第一の位置決め装置ＰＭに接続される。基板テーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴは、基板（例えばレジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、特定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第二の位置決め装置ＰＷに接続される。投影システム（例えば屈折投影レンズシステム）ＰＬは、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに与えられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば１つまたは複数のダイを含む）に投影するように構成される。
【００１５】
[00025]  照明システムは、放射の誘導、成形、または制御を行うための、屈折、反射、磁気、電磁気、静電気型等の光学コンポーネント、またはその任意の組み合わせなどの種々のタイプの光学コンポーネントを含んでいてもよい。
【００１６】
[00026]  支持体は、パターニングデバイスを支持する、例えばその重量を支えている。該マスク支持構造体は、パターニングデバイスの方向、リソグラフィ装置の設計等の条件、例えばパターニングデバイスが真空環境で保持されているか否かに応じた方法で、パターニングデバイスを保持する。支持体は、パターニングデバイスを保持するために、機械的、真空、静電気等のクランプ技術を使用することができる。支持体は、例えばフレームまたはテーブルでよく、必要に応じて固定式または可動式でよい。支持体は、パターニングデバイスが例えば投影システムなどに対して確実に所望の位置にくるようにできる。本明細書において「レチクル」または「マスク」という用語を使用した場合、その用語は、より一般的な用語である「パターニングデバイス」と同義と見なすことができる。
【００１７】
[00027]  本明細書において使用する「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分にパターンを生成するように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用し得る任意のデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。ここで、放射ビームに与えられるパターンは、例えばパターンが位相シフトフィーチャまたはいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分における所望のパターンに正確には対応しないことがある点に留意されたい。一般的に、放射ビームに与えられるパターンは、集積回路などのターゲット部分に生成されるデバイスの特別な機能層に相当する。
【００１８】
[00028]  パターニングデバイスは透過性または反射性でよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルＬＣＤパネルがある。マスクはリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、バイナリマスク、レベンソン型（Alternating）位相シフトマスク、ハーフトーン型（Attenuated）位相シフトマスクのようなマスクタイプ、さらには様々なハイブリッドマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例として、小さなミラーのマトリクス配列を使用し、そのミラーは各々、入射する放射ビームを異なる方向に反射するよう個々に傾斜することができる。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射する放射ビームにパターンを与える。
【００１９】
[00029]  本明細書において使用する「投影システム」という用語は、例えば使用する露光放射、または液浸液の使用や真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、例えば屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、磁気光学システム、電磁気光学システムおよび静電気光学システム、またはその任意の組合せを含む任意のタイプの投影システムを網羅するものとして広義に解釈されるべきである。本明細書において「投影レンズ」という用語を使用した場合、これはさらに一般的な「投影システム」という用語と同義とみなされる。
【００２０】
[00030]  ここに示している本装置は透過タイプである（例えば透過マスクを使用する）。あるいは、装置は反射タイプでもよい（例えば上記で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイを使用する、または反射マスクを使用する）。
【００２１】
[00031]  リソグラフィ装置は２つ（デュアルステージ）またはそれ以上の基板テーブル（および／または２つ以上のマスクテーブル）を有するタイプでよい。このような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブルを並行して使用するか、１つまたは複数の他のテーブルを露光に使用している間に１つまたは複数のテーブルで予備工程を実行することができる。
【００２２】
[00032]  リソグラフィ装置は、投影システムと基板との間の空間を充填するように、基板の少なくとも一部を水などの比較的高い屈折率を有する液体で覆えるタイプでもよい。液浸液は、例えばマスクと投影システムの間など、リソグラフィ装置の他の空間に使用してもよい。液浸技術は、投影システムの開口数を増加させるために当技術分野で周知である。本明細書で使用する「液浸」という用語は、基板などの構造体を液体に沈めなければならないという意味ではなく、露光中に投影システムと基板の間に液体が存在するというほどの意味である。
【００２３】
[00033]  図１ａを参照すると、イルミネータＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受ける。放射源とリソグラフィ装置とは、例えば放射源がエキシマレーザである場合に、それぞれ別々の構成要素であってもよい。このような場合、放射源はリソグラフィ装置の一部を形成するとみなされず、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラーおよび／またはビームエクスパンダなどを備えるビームデリバリシステムＢＤの補助により、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへと渡される。他の事例では、例えば放射源が水銀ランプの場合は、放射源がリソグラフィ装置の一体部分であってもよい。放射源ＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要に応じてビームデリバリシステムＢＤとともに放射システムと呼ぶことができる。
【００２４】
[00034]  イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調節するアジャスタＡＤを備えていてもよい。通常、イルミネータの瞳面における強度分布の外側および／または内側半径範囲（一般にそれぞれ、σ-outerおよびσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。また、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮおよびコンデンサＣＯなどの他の種々のコンポーネントを備えていてもよい。また、イルミネータを用いて放射ビームを調整し、その断面にわたって所望の均一性と強度分布とが得られるようにしてもよい。
【００２５】
[00035]  放射ビームＢは、支持体（例えばマスクテーブルＭＴ）上に保持されたパターニングデバイス（例えばマスクＭＡ）に入射し、パターニングデバイスによってパターンが与えられる。放射ビームＢはマスクＭＡを通り抜けて、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームを集束する投影システムＰＬを通過する。第二の位置決め装置ＰＷおよび位置センサＩＦ（例えば干渉計デバイス、リニアエンコーダまたは容量センサ）の補助により、基板テーブルＷＴを、例えば放射ビームＢの経路において様々なターゲット部分Ｃに位置決めするように正確に移動できる。同様に、第一の位置決め装置ＰＭおよび別の位置センサ（図１ａには明示されていない）を使用して、例えばマスクライブラリから機械的に検索した後に、またはスキャン中に、放射ビームＢの経路に対してマスクＭＡを正確に位置決めすることができる。一般的に、マスクテーブルＭＴの移動は、第一の位置決め装置ＰＭの部分を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）を用いて実現できる。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、第二の位置決め装置ＰＷの部分を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールの補助により実現できる。ステッパの場合（スキャナとは対照的に）、マスクテーブルＭＴをショートストロークアクチュエータのみに接続するか、固定してもよい。マスクＭＡおよび基板Ｗは、マスクアラインメントマークＭ１、Ｍ２および基板アラインメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。図示のような基板アラインメントマークは、専用のターゲット位置を占有するが、ターゲット部分の間の空間に配置してもよい（スクライブレーンアラインメントマークと呼ばれる）。同様に、マスクＭＡ上に複数のダイを設ける状況では、マスクアラインメントマークをダイ間に配置してもよい。
【００２６】
[00036]  図示のリソグラフィ装置は以下のモードのうち少なくとも１つにて使用可能である。
【００２７】
[00037]  １．ステップモードにおいては、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴは、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームに与えたパターン全体が１回でターゲット部分Ｃに投影される（すなわち１回の静止露光）。次に、別のターゲット部分Ｃを露光できるように、基板テーブルＷＴがＸ方向および／またはＹ方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、１回の静止露光で像が形成されるターゲット部分Ｃのサイズが制限される。
【００２８】
[00038]  ２．スキャンモードにおいては、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴは同期的にスキャンされる一方、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する（つまり１回の動的露光）。マスクテーブルＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）および像反転特性によって求めることができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、１回の動的露光におけるターゲット部分の（非スキャン方向における）幅が制限され、スキャン動作の長さによってターゲット部分の（スキャン方向における）高さが決まる。
【００２９】
[00039]  ３．別のモードでは、マスクテーブルＭＴはプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルＷＴを移動またはスキャンさせながら、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する。このモードでは、一般にパルス状放射源を使用して、基板テーブルＷＴを移動させる毎に、またはスキャン中に連続する放射パルスの間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクなしリソグラフィに容易に利用できる。
【００３０】
[00040]  上述した使用モードの組合せおよび／または変形、または全く異なる使用モードも利用できる。
【００３１】
[00041]  図１ｂに示すように、リソグラフィ装置ＬＡはリソグラフィセルＬＣの一部を形成し、これはリソセルまたはクラスタと呼ばれることもあり、基板で露光前および露光後プロセスを実行する装置も含む。従来、これはレジスト層を付着させるスピンコータＳＣ、露光したレジストを現像するデベロッパＤＥ、冷却プレートＣＨおよびベークプレートＢＫを含む。基板ハンドラ、つまりロボットＲＯが入出力ポートＩ／Ｏ１、Ｉ／Ｏ２から基板を拾い上げ、これを異なるプロセス装置間で移動させ、これをリソグラフィ装置のローディングベイＬＢに送出する。往々にしてトラックと総称されるこれらの器具は、トラック制御ユニットＴＣＵの制御下にあり、これ自体は、リソグラフィ制御ユニットＬＡＣＵを介してリソグラフィ装置も制御する監督制御システムＳＣＳによって制御される。したがって、スループットおよび処理効率を最大限にするために、様々な装置を操作することができる。
【００３２】
[00042]  リソグラフィ装置によって露光する基板を正確かつ一貫して露光するために、露光した基板を検査して、引き続く層間のオーバレイエラー、線の太さ、クリティカルディメンジョン（ＣＤ）などの特性を測定することが望ましい。エラーが検出された場合は、特に同じバッチの他の基板をまだ露光するのに十分なほどすぐに、かつ迅速に検査を実行できる場合、引き続く基板の露光を調節することができる。また、既に露光した基板を取り除いて再加工し、歩留まりを改善するか、廃棄し、それによって欠陥があることが分かっている基板での露光の実行を回避することができる。基板の一部のターゲット部分のみに欠陥がある場合は、良好であるターゲット部分のみで、さらなる露光を実行することができる。
【００３３】
[00043]  検査装置を使用して、基板の特性を、特に異なる基板または同じ基板の異なる層で、特性が層毎にいかに異なるかを求める。検査装置は、リソグラフィ装置ＬＡまたはリソセルＬＣに組み込むか、独立式器具でよい。最も迅速な測定を可能にするために、検査装置は、露光直後に露光したレジスト層で特性を測定することが望ましい。しかし、レジストの潜像はコントラストが非常に低く、放射で露光したレジストの部分と露光していない部分とには、屈折率に非常に小さい差しかなく、全ての検査装置が、潜像を有効に測定するほど十分な感度を有するわけではない。したがって、習慣的に露光した基板で実行する最初のステップであり、レジストの露光部分と非露光部分とのコントラストを向上させる露光後ベークステップ（ＰＥＢ）の後に、測定を実行することができる。この段階で、レジスト内の像を半潜在性と言うことができる。レジストの露光部分または非露光部分が除去されているポイントで、またはエッチングなどのパターン転写ステップの後に、現像したレジスト像を測定することも可能である。後者の可能性は、欠陥がある基板を再加工する可能性を制限するが、それでも有用な情報を提供することができる。
【００３４】
[00044]  図２は、本発明で使用できるスッキャトロメータを示す。これは基板Ｗに放射を投影する広帯域（白色光）放射プロジェクタ２を備える。反射した放射は分光検出器４へと渡され、これは鏡面反射した放射のスペクトル１０（波長の関数としての強度）を測定する。このデータから、検出したスペクトルを生じさせる構造または輪郭を、例えば厳密結合波解析および非線形回帰によって、または図２の底部に示すようにシミュレーションしたスペクトルのライブラリとの比較によって再構成することができる。概して、再構築するためには、構造の全体的形態が知られ、幾つかのパラメータは、構造を作成したプロセスの知識から想定され、構造の幾つかのパラメータのみが、スッキャトロメータ測定データから求めるように残されている。このようなスッキャトロメータは、垂直入射スッキャトロメータまたは斜め入射スッキャトロメータとして構成することができる。
【００３５】
[00045]  本発明で使用できる別のスッキャトロメータが、図３に図示されている。このデバイスでは、放射源２によって放出された放射は、レンズシステム１２を使用して干渉フィルタ１３および偏光器１７を通して集束され、部分反射表面（ビームスプリッタ）１６によって反射し、好ましくは少なくとも０．９およびさらに好ましくは少なくとも０．９５という高い開口数（ＮＡ）を有する顕微鏡の対物レンズ１５を介して基板Ｗに集束される。液浸スッキャトロメータは、開口数が１を超えるレンズを有してもよい。反射した放射は、次に部分反射表面１６を通過して、散乱スペクトルを検出するために検出器１８に入る。検出器は、逆投影された瞳面１１に配置することができ、これはレンズシステム１５の焦点距離にあるが、瞳面は、補助光学系（図示せず）で検出器へと再結像することができる。瞳面は、放射の半径方向位置が入射角度を規定し、角度位置が放射の方位角を規定する面、および任意の実質的に共役の面である。検出器は、基板ターゲットの２次元角度散乱スペクトルを測定できるように、２次元検出器であることが好ましい。検出器１８は、例えばＣＣＤまたはＣＭＯＳセンサのアレイでよく、例えば１フレーム当たり４０ミリ秒という積分時間を有してよい。
【００３６】
[00046]  基準ビームは、例えば入射放射の強度を測定するために使用されることが多い。それを実行するには、放射ビームがビームスプリッタ１６に入射すると、その一部を基準ビームとして基準ミラー１４に向かって透過させる。次に、基準ビームを同じ検出器１８の異なる部分に投影する。
【００３７】
[00047]  例えば４０５〜７９０ｎｍの範囲、または２００〜３００ｎｍなどのさらに低い対象の波長を選択するために、１セットの干渉フィルタ１３が使用可能である。干渉フィルタは、１セットの様々なフィルタを備えるのではなく、調整可能でもよい。干渉フィルタではなく回折格子を使用することもできる。
【００３８】
[00048]  検出器１８は、１つの波長（または狭い波長範囲）で散乱光の波長を測定するか、複数の波長で別個に強度を測定するか、ある波長の範囲にわたって積分することができる。さらに、検出器は、ＴＭ偏光（transverse magnetic-polarized light）、およびＴＥ偏光（transverse electric-polarized light）の強度および／またはＴＭ偏光とＴＥ偏光の間の位相差を別個に測定することができる。
【００３９】
[00049]  広帯域光源（つまり光の周波数または波長が、したがって色が広範囲にわたる光源）の使用が可能であり、これは大きい面積効率を与え、複数波長の混合を可能にする。広帯域の複数の波長は、それぞれλδの帯域幅および少なくとも２λδの間隔（つまり波長の２倍）を有することが好ましい。幾つかの放射「源」は、ファイバ束を使用して分割されている拡張放射源の異なる部分でよい。この方法で、角度分解した散乱スペクトルを複数の波長にて並列で測定することができる。３次元スペクトル（波長および２つの異なる角度）を測定することができ、これは２次元スペクトルより多くの情報を含む。これによって、より多くの情報を測定することができ、これは測定プロセスの堅牢性を向上させる。これについては米国特許出願公開第２００６／００６６８５５Ａ１号および第２００６／００３３９２１Ａ１号にさらに詳細に記載されている。
【００４０】
[00050]  基板Ｗ上のターゲットは、現像後に回折格子のバーがソリッドレジスト線で形成されるように印刷された回折格子でよい。あるいは、バーを基板にエッチングしてよい。このパターンは、リソグラフィ装置、特に投影システムＰＬの色収差に対して敏感であり、このような収差の照明対称性および存在は、印刷された回折格子の変動で現れる。幅および形状などの回折格子のパラメータは、印刷ステップおよび／または他のスッキャトロメータ測定プロセスの知識から再構成プロセスに入力することができる。
【００４１】
[00051]  本発明は、基板Ｗ上にターゲットを再構成することに関する。回折格子のバーは、その断面の長さおよび形状を含む形状を有する。というのは、通常はプリズム形と想定されるからである。バーの断面形状は、その輪郭として知られる。以降では、バーをスッキャトロメータ測定オブジェクトと呼ぶ。しかし、輪郭は単純にその断面ではなく、全体的に３次元のオブジェクトも備えてよいことに留意されたい。その例は、スッキャトロメータ測定オブジェクトが「コンタクトホール」のアレイである場合である。これらのコンタクトホールは、図９に示すように、円錐形および円筒形状で構成したものとみなされる。この特定の例について、以降で検討する。
【００４２】
[00052]  再構成のために、輪郭は通常、均質な長方形断面の層および台形（または上述したように円筒および円錐）の積み重ねで構成されるとみなされる。放射ビームは、スッキャトロメータ測定オブジェクトの表面で回折される。この回折ビームが検出器で検出され、次に回折パターンからスッキャトロメータ測定信号を生成する。測定信号は、均質な層と台形との積み重ねによって画定されたモデル輪郭に基づく信号計算値と比較される。信号計算値が信号測定値と一致しない場合、モデル輪郭は、関連するモデル信号が、実際のオブジェクトの実際の輪郭にさらに類似するように、モデル輪郭を変更する。このプロセスを、測定信号と計算信号が実際に許容可能な公差内で一致するまで続行する。各反復中に変更可能な自由度は、例えば高さ、クリティカルディメンジョン（ＣＤ）、側壁角度（例えば基板表面または基板表面への法線に対する輪郭の側壁の角度）、丸めた側部の接線（または法線）間の角度など、または台形を作成する材料の屈折率または他の光学定数などの非幾何パラメータである。反復する毎に、測定した信号と比較すべき新しいモデル信号を生成するために、少なくとも１つの自由度を変更した状態で、新しい計算を実行する。
【００４３】
[00053]  例えば長方形の断面を有する均質な層は、１つの幾何学的自由度しか有さず、それは厚さ（または基板表面からの高さ）である。他方で、台形は、例えば３つの自由度、つまり高さ、側壁角度および底面におけるＣＤを有する。円錐形は少なくとも２つの自由度、つまり高さおよび基礎直径を有する。自由度の数が多いほど、不安定な解になる可能性が大きくなり、異なる自由度の間の相互相関が高くなる（自由度は可変パラメータとしても知られる）。「不安定な解」により、以下のことが理解される。つまり計算した信号の変化は自由度毎に異なると仮定される。実際には、異なる幾何パラメータの計算した信号の変化は同様になることがあり、これによって最適化アルゴリズムが正しい解を見いだすことが困難になる。一例では、２つの台形の積み重ねは、輪郭を推定するオブジェクトになる。数ｎｍだけ第一の台形の高さを増加させ、それと同時に数ｎｍだけ第二の台形の高さを減少させると、非常に類似した信号計算値が生じる（全体的な高さが同じままの場合は、特にそうである）。測定した信号はノイズを免れないので、同じターゲットを１００回測定すると、結果は多種多様になる。これらの結果は不安定な結果として知られる。つまり、パラメータ間に相互相関がある。つまり、測定した信号の変化は、自由度Ａの変化、または自由度Ｂの変化によって説明することができる。最適化アルゴリズムは、Ａを選択することもあれば、Ｂを選択することもある。本発明で求められるのは、この不安定性に対する解である。
【００４４】
[00054]  オブジェクトの輪郭が、積み重ねられた２つ以上の異なる形状を備える場合に、多数の自由度が生じる。例えば、１つの台形を別の台形に積み重ねる場合、下の方にある台形の高さの増加は、上の方にある台形の高さの減少と強力な相関があり、したがって全体的な高さは同じままである。不安定な解の結果、輪郭の測定エラーが生じ、したがって基板Ｗ上のターゲットの再構成に欠陥がある。
【００４５】
[00055]  古典的な再構成方法は、多数の自由度を非常に良好に扱っていない。例えば輪郭にＭ個の台形があり、それぞれにＮ個の自由度がある場合、古典的方法は、輪郭の不連続部を考慮する場合はＭ×Ｎ個の自由度を扱い、輪郭に不連続部がない場合（つまりぴったり積み重ねた台形の場合）はＮ＋Ｍ（Ｎ−１）個の自由度を扱わねばならない。
【００４６】
[00056]  この古典的な再構成方法の別の問題は、１回に１つの輪郭しかモデル化できないことである。しかし、例えばダブルパターニングの用途など、１つのユニットセルに複数の輪郭が存在する場合がある。
【００４７】
[00057]  ２つの台形を積み重ねて、さらに複雑な輪郭を生成する場合は、上の台形の底部を下の台形の頂部に「取り付ける」。以下の例では、下の台形を「足」と呼び、上の台形を「主要区画」と呼ぶ。従来、足の高さおよび主要区画の高さは、別個の自由度である。したがって、別個に調節可能であり、したがってオブジェクトの全体的輪郭を求めるために実行すべき計算の反復の一因となる別個のパラメータがある。本発明は、自由度の数を減少させ、したがって計算を安定させることを目指す。そのために、例えば以下のような単純な数式を使用して、足の高さ「Ｆ」と主要区画の高さ「Ｍ」との間の関係を確立する。
（ａ）Ｆ＝０．２×Ｍ、
（ｂ）Ｆ＝３０＋０．１×Ｍ、または
（ｃ）Ｆ＝３０＋Ｍ−Ｍnominal
【００４８】
[00058]  したがって、概して任意の自由度または可変パラメータは、単純な式を使用して、任意の他の自由度または可変パラメータとリンクさせることができる。台形の材料の屈折率でさえ、化学気相成長（ＣＶＤ）などの特定のプロセスにおける台形の高さにリンクさせることができる。
【００４９】
[00059]  使用すべき式の演繹は、以下のように実行される。つまり、スッキャトロメータ測定モデルの構築を開始する前に、焦点露光マトリクス（ＦＥＭ）を測定する。ＦＥＭ内に、様々な焦点およびドーズ量設定でパターンを印刷し、これは輪郭に大きな変動を生じる。既知のオブジェクト形状の輪郭断面を測定することにより、輪郭の規則および関連するスッキャトロメータ測定の結果を演繹することができる。このような物理的断面を作成するには、多大な計算時間がかかる。結果が良好に安定することと、測定した信号と計算した信号とに差がほとんど、または全くないこととの両方を組み合わせる特定の規則を獲得できるように、様々な規則を実験し、選択することができる。
【００５０】
[00060]  自由度を相互にリンクさせることにより、自由度の数が減少し、計算時間の短縮、および最終結果の安定化につながる。
【００５１】
[00061]  図４および図５は、様々な自由度をリンクするために実行する方法を示す。任意の形状のグループを、コンポーネント形状の自由度を相互にリンクさせることにより、せいぜい３つの自由度でオブジェクトに変換することができる。
【００５２】
[00062]  図４では、合計７の自由度で３つの台形２０、２２、２４の積み重ねが図示されている。台形２０、２２、２４それぞれの高さおよび側面角度はそれぞれ、独立した自由度である。しかし、各台形の幅はリンクすることができる。図４の断面ａでは、例えば上の２つの台形２０、２２の幅をリンクすることができ、したがって下の台形２４の幅は、各台形の高さおよび側壁角度とともに第七自由度である。図４の断面ｂでは、上下の台形２０、２４の幅をリンクすることができ、したがって中央の台形の幅が第七自由度である。図４の断面ｃでは、独立した自由度は上の台形の幅でよい。輪郭形状に不連続部がないように、異なる台形の幅をリンクする。つまり、１つの台形の底部ＣＤは、例えば図４に示すように２つの台形の輪郭がともに連続的であるように、隣接する台形の頂部ＣＤと一致しなければならない。１つの台形のＣＤが分かれば、台形の側壁角度および高さを使用して、他の台形のＣＤを計算することができる。
【００５３】
[00063]  図４の下の２つの台形２２、２４を組み合わせることにより、図５の２つの下の台形２２’、２４’を、図５の断面ａ’に示すように３つの自由度のみで、１つの多角形ｐとして扱うことができる。断面ｂ’では、２つの台形で構成された下の大きい方の台形２６’は、３つの自由度を有し、上の台形２０’もなお、３つの自由度を有する。次に、１つの多角形ｐを１つの台形２６’と見なす。図５の図ｃ’は、輪郭全体で３つの自由度しかない状態で、１つの台形２８’を形成するために、３つの台形２０’、２２’、２４’を全てリンクさせることを示す。
【００５４】
[00064]  図４に示すように自由度をリンクするか、図５に示すように形状を組み合わせると、両方とも自由度の数を減少させ、結果の安定化につながる。その結果は、さらに安定する。というのは、自由度が１つのみの場合、測定した信号に変化があれば、その１つのパラメータの変化に変換しなければならないからである。多くの自由度がある場合は、様々なパラメータに多くの組合せがあり、その結果、測定した信号と計算した信号の間に同様の差が生じる。自由度の数が少ないほど、推定した輪郭と実際の輪郭とを一致するために、これらの自由度のうち１つが鍵となる可能性が高くなる。
【００５５】
[00065]  この方法は、数タイプの輪郭形状で機能する。重なった形状で輪郭形状を作成するスッキャトロメータ測定オブジェクトがある。例えば、図６に示すように、回折格子バー１の周囲に、薄いコーティング２を設けることができる。コーティングおよび回折格子バーの形状を別個に求め、次に組み合わせて、コーティングしたバーの輪郭を獲得することができる。しかし、２つの形状をリンクすると、コーティングの厚さを一定に維持することができるか、輪郭の１つが変化した場合に拡大縮小できるようになる。この寸法では、輪郭上のコーティングを規定し、制御することが、はるかに容易になる。例えば、
（ｄ）コーティングした要素の底部ＣＤ＝主要要素の底部ＣＤ＋１０ｎｍ、
（ｅ）コーティングした要素の高さ＝主要要素の高さ＋５ｎｍ、
（ｆ）コーティングした要素の側壁角度＝主要要素の側壁角度
である。コーティングの厚さは、以前の測定から、または上述したようなＦＥＭでの実験から知ることができる。
【００５６】
[00066]  上述したように、図７に示すようなユニットセルに複数の輪郭があることが可能である。２つの輪郭の自由度をリンクした状態のユニットセルを使用しても、輪郭を再構成する計算に必要な自由度を減少させるのに役立つ。これによって、小さい位相エラーを含むレベンソン型（alternating）位相シフトマスクで印刷される回折格子またはターゲットをモデリングすることができる。同じユニットセルの輪郭が同じパラメータを有する必要はない。
【００５７】
[00067]  通常、オブジェクト輪郭内の様々な形状の中心は、水平方向に位置合わせされる。これによって、対称の輪郭では計算が容易になる。しかし、図８に示すような非対称の輪郭がある可能性がある。様々な形状のＸ位置（つまり相対的な水平方向の位置合わせ）が分かれば、さらに複雑な輪郭のモデリングが可能になる。これらの輪郭をリンクすると、形状が変化しても、効率的な計算が可能になる。例えば、
（ｇ）要素Ａの左側壁角度＝要素Ａの右側壁角度＋３
である。
【００５８】
[00068]  右側壁角度のみ規定が必要で、左側壁角度は計算することができる。
【００５９】
[00069]  この方法は、図９に示すような３次元形状でも機能する。断面ａは切頭体の頂部に積み重ねた円筒で構成された形状の側面図を示す。円筒形部品は高さｈ１を有し、切頭体は高さｈ２を有する。以上の式（ａ）から（ｃ）で説明した台形の足および主要区画と同じ方法で、一方が他方に依存するように、ｈ１とｈ２をリンクすることができる。
【００６０】
[00070]  自由度を減少させ、したがって測定すべきパラメータを減少させることの利点は、結果を安定化させることである。したがって、計算時間が短縮され、費用を最低限に抑え、解を発見するためにかかる時間が短縮される。したがって、さらに複雑な輪郭も扱うことができる。
【００６１】
[00071]  本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることは言うまでもない。例えば、これは、集積光学装置、磁気ドメインメモリ用誘導および検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどである。こうした代替的な用途に照らして、本明細書で「ウェーハ」または「ダイ」という用語を使用している場合、それぞれ、「基板」または「ターゲット部分」という、より一般的な用語と同義とみなしてよいことは、当業者に明らかである。本明細書に述べている基板は、露光前または露光後に、例えばトラック（通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール）、メトロロジツールおよび／またはインスペクションツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上およびその他の基板処理ツールに適用することができる。さらに、基板は、例えば多層ＩＣを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。
【００６２】
[00072]  以上では光学リソグラフィとの関連で本発明の実施形態の使用に特に言及しているが、本発明は、インプリントリソグラフィなどの他の用途においても使用可能であり、状況が許せば、光学リソグラフィに限定されないことが理解される。インプリントリソグラフィでは、パターニングデバイスの微細構成によって、基板上に生成されるパターンが画定される。パターニングデバイスの微細構成を基板に供給されたレジストの層に押しつけ、その後に電磁放射、熱、圧力またはその組合せにより、レジストを硬化する。パターニングデバイスをレジストから離し、レジストを硬化した後にパターンを残す。
【００６３】
[00073]  本明細書で使用する「放射」および「ビーム」という用語は、イオンビームあるいは電子ビームといったような粒子ビームのみならず、紫外線（ＵＶ）放射（例えば、３６５ｎｍ、３５５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍまたは１２６ｎｍの波長を有する）および極端紫外線光（ＥＵＶ）放射（例えば、５ｎｍ〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）を含むあらゆるタイプの電磁放射を網羅する。
【００６４】
[00074]  「レンズ」という用語は、状況が許せば、屈折、反射、磁気、電磁気および静電気光学部品を含む様々なタイプの光学部品のいずれか、またはその組合せを指す。
【００６５】
[00075]  以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることが理解される。例えば、本発明は、上記で開示したような方法を述べる機械読み取り式命令の１つまたは複数のシーケンスを含むコンピュータプログラム、またはその内部に記憶されたこのようなコンピュータプログラムを有するデータ記憶媒体（例えば半導体メモリ、磁気または光ディスク）の形態をとることができる。
【００６６】
[00076]  上記の説明は例示的であり、限定的ではない。したがって、請求の範囲から逸脱することなく、記載されたような本発明を変更できることが当業者には明白である。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１ａ】[00014]  リソグラフィ装置を示した図である。
【図１ｂ】[00015]  リソグラフィセルまたはクラスタを示した図である。
【図２】[00016]  スッキャトロメータの第一実施形態を示した図である。
【図３】[00017]  スッキャトロメータの第二実施形態を示した図である。
【図４】[00018]  本発明による方法の３つのステージを示した図である。
【図５】[00019]  本発明による方法の３つのさらなるステージを示した図である。
【図６】[00020]  重なった輪郭を示した図である。
【図７】[00021]  単一セルの複数の輪郭を示した図である。
【図８】[00022]  非対称の輪郭を示した図である。
【図９】[00023]  ２次元のオブジェクト形状およびその同等の３次元オブジェクト形状を示した図である。
【図１ａ】
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【図１ｂ】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【外国語明細書】
2008102125000001.pdf