(57)【要約】【課題】研磨時の研磨残渣によって発生する可能性のあるＴＭＲ素子の短絡を簡易な手段で効果的に防止する。【解決手段】薄膜磁気ヘッドは、外部磁界に対して磁化方向が固定されたピンド層３２１と、外部磁界に応じて磁化方向が変化するフリー層３２３と、ピンド層とフリー層との間に設けられた非導電性のトンネルバリア層３２２と、を有する素子３２を備え、素子を挟むように設けられた一対の電極層３１，３３から素子に膜面直交方向にセンス電流が流れるようにされている。本薄膜磁気ヘッドの製造方法は、薄膜磁気ヘッドの媒体対向面となるべき面を、媒体対向面と直交する方向の素子の寸法が所定の値となるように研磨するステップと、研磨された薄膜磁気ヘッドの素子３２に、センス電流と同じ方向または反対方向の電流５１，５２を流すステップと、を有している。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部磁界に対して磁化方向が固定されたピンド層と、外部磁界に応じて磁化方向が変化するフリー層と、該ピンド層と該フリー層との間に設けられた非導電性のトンネルバリア層と、を有する素子を備え、該素子を挟むように設けられた一対の電極層から該素子に膜面直交方向にセンス電流が流れるようにされた薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、
前記薄膜磁気ヘッドの媒体対向面となるべき面を、該媒体対向面と直交する方向の前記素子の寸法が所定の値となるように研磨するステップと、
研磨された前記薄膜磁気ヘッドの前記素子に、前記センス電流と同じ方向または反対方向の電流を流すステップと、
を有する、薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２】
前記電流を流すステップは、前記一対の電極層に電圧を印加することによって該電流を流すことを含む、請求項１に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項３】
前記電流は１ｍＡ以上、３ｍＡ以下である、請求項１または２に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項４】
前記電流を流すステップに続いて、研磨された前記面に保護膜を形成するステップを有する、請求項１から３のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は薄膜磁気ヘッドの製造方法に関し、特に、ＴＭＲ(Tunneling Magneto-resistance)素子を用いた薄膜磁気ヘッドの研磨方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ハードディスク装置等に用いられる薄膜磁気ヘッドとして、センス電流を膜面直交方向に流すＴＭＲ素子を用いた薄膜磁気ヘッドが知られている。ＴＭＲ素子はセンス電流を膜面水平方向に流すＣＩＰ(Current In Plane)−ＧＭＲ素子を用いた薄膜磁気ヘッドに対して、一層の高感度、高出力要求を満たす磁気ヘッドとして注目されている。
【０００３】
ＴＭＲ素子は、磁性体からなるピンド層と、同じく磁性体からなるフリー層とが、非磁性・非導電性のトンネルバリア層を挟んで積層された構成を有している。ピンド層とは、外部磁界に対して磁化方向が固定された磁性層である。フリー層とは、外部磁界に応じて磁化方向が変化する磁性層である。センス電流を膜面直交方向に流すと、電子はトンネルバリア層のエネルギ障壁を通過して、ピンド層からフリー層へ（またはその逆に）流れる。センス電流に対する抵抗値は、フリー層の磁化の向きとピンド層の磁化の向きとの相対的な角度に応じて変化する。ＴＭＲ素子は、フリー層の磁化の向きが外部磁界に応じて変化することによって生じる、センス電流に対する抵抗値の変化（磁気抵抗変化）を検出して、記録媒体の磁気情報を読み取る。
【０００４】
ＴＭＲ素子を用いた磁気ヘッドは概略以下のプロセスによって製造される。まず、アルティック（Ａｌ2Ｏ3・ＴｉＣ）等からなる基板上に、下地層を介して、パーマロイ（ＮｉＦｅ）等からなる下部電極層を形成する。次に、下部電極層の上にＴＭＲ素子を形成する。ＴＭＲ素子は、ピンド層と、フリー層と、ピンド層とフリー層との間に設けられたトンネルバリア層と、を有している。トンネルバリア層としては、Ａｌ膜が用いられることが多い。ＴＭＲ素子の上には保護膜を介してパーマロイ等からなる上部電極層を形成する。下部電極層および上部電極層はＴＭＲ素子を挟む一対の電極膜であり、作動時にＴＭＲ素子に膜面直交方向にセンス電流を供給する電極としての機能を有している。下部電極層および上部電極層はまた、ＴＭＲ素子のシールド層としての機能も備えている。上部電極層の上にさらにインダクティブ型の書込ヘッドを形成し、保護膜で覆う。次に、これらの積層体が形成された基板をバーに切り出し、媒体対向面となるべき面を露出させる。ＴＭＲ素子は媒体対向面と直交する方向の寸法（ＭＲ高さ）の精度が極めて重要であるため、所定のＭＲ高さが得られるように、媒体対向面となるべき面を研磨する。この研磨は通常バーの状態でおこなわれる。さらに仕上げ研磨、洗浄等をおこない、研磨された面をＤＬＣ(Diamond Like Carbon)等の保護膜で覆う。その後、バーを切断することによって、薄膜磁気ヘッドが搭載されたスライダが完成する。
【０００５】
研磨は、平均粒径０．０５〜０．２μｍ程度のダイヤモンドパウダーを研磨材として研磨定盤に定着させた状態で、回転する研磨定盤にバーを押し付けることによっておこなわれる。この際、ピンド層、フリー層や上下の電極層も同時に研磨され、これらの研磨残渣が研磨面上に残存する場合がある。図７は、従来技術におけるトンネルバリア層周辺の金属層の研磨残渣を示す概念図である。研磨残渣Ｋは、研磨時にピンド層３２１、フリー層３２３、上部電極層３１、および下部電極層３３などの導電性の金属層が研磨材に引っかかれ、あるいは引きずられることによって、トンネルバリア層３２２を覆ってしまうことがある。研磨残渣Ｋがピンド層３２１とフリー層３２３とを連結するようにトンネルバリア層３２２を覆ってしまうと、トンネルバリア層３２２を迂回する短絡回路が構成され、本来トンネルバリア層３２２を流れるセンス電流Ｓ１の一部が研磨残渣Ｋを迂回して流れることになる（図中、バイパス電流Ｓ２）。ＴＭＲ素子３２は、非導電性のトンネルバリア層３２２を電子がトンネル効果によって通過し、それによって膜面直交方向のセンス電流Ｓ１を生じさせる素子であるため、このようなバイパス電流Ｓ２が発生すると、本来のＴＭＲ効果が十分に得られない場合が生じる。図７は研磨残渣がピンド層３２１とフリー層３２３との間を延びる例を示しているが、研磨残渣の態様としては、端部がいずれかの電極層まで延びている場合など様々な場合が考えられる。しかし、トンネルバリア層３２２の短絡はピンド層３２１とフリー層３２３とが電気的に連結されれば発生しうる。ＴＭＲ素子においては、トンネルバリア層３２２の膜厚が通常０．５ｎｍ程度と非常に薄いため、わずかな研磨残渣でも容易に短絡が生じる可能性がある。
【０００６】
このため、特許文献１には、電極層を塑性流動しにくいアモルファス磁性材料で構成する技術が開示されている。また、特許文献２，３には、研磨加工後に研磨面をエッチングする技術が開示されている。特許文献２に記載の技術は、ピンド層あるいはフリー層の塑性変形に起因してピンド層とフリー層とが短絡する現象の防止を目的としている。特許文献２に記載の技術は、研磨によって媒体対向面に生じる変質層の除去を目的としている。
【特許文献１】特開２００３−３１７２１３号公報
【特許文献２】特開平１１−１７５９２７号公報
【特許文献３】特開２０００−１４９２３３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献１の技術は電極層をアモルファス磁性材料で構成するものであるが、ピンド層やフリー層は従来と同様の磁性層を用いるため、ピンド層やフリー層から発生する研磨残渣については完全には除去することは困難で、依然として短絡の可能性が残ってしまう。また、電極層として一般的に用いられるパーマロイが使用できない。
【０００８】
特許文献２，３に記載の技術は、エッチングを用いてトンネルバリア層を覆う研磨残渣等を除去するものであるが、エッチングレートは各層で異なるため、せっかく平坦に研磨した研磨面に凹凸が生じてしまう。ＴＭＲ素子のエッチングレートが電極層より大きい場合には、ＴＭＲ素子が電極層よりも研磨され、奥に引き込んでしまうため、記録媒体からの距離が増大する。実際には、基盤材料であるアルティックのエッチングレートが最も低いので、その分ＴＭＲ素子の記憶媒体からの距離が増大する。このため、記録媒体からの磁気信号が減衰し、読み取り特性の劣化を招く可能性がある。
【０００９】
本発明はかかる従来技術の問題点に鑑みてなされ、研磨時の研磨残渣によって発生する可能性のあるＴＭＲ素子の短絡を簡易な手段で効果的に防止することのできる、薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、外部磁界に対して磁化方向が固定されたピンド層と、外部磁界に応じて磁化方向が変化するフリー層と、ピンド層とフリー層との間に設けられた非導電性のトンネルバリア層と、を有する素子を備え、素子を挟むように設けられた一対の電極層から素子に膜面直交方向にセンス電流が流れるようにされた薄膜磁気ヘッドの製造方法である。本製造方法は、薄膜磁気ヘッドの媒体対向面となるべき面を、媒体対向面と直交する方向の素子の寸法が所定の値となるように研磨するステップと、研磨された薄膜磁気ヘッドの素子に、センス電流と同じ方向または反対方向の電流を流すステップと、を有している。
【００１１】
媒体対向面となるべき面を研磨する際には研磨面に研磨残渣が発生する。研磨残渣はフリー層とピンド層とを短絡するように、トンネルバリア層を覆うように発生する場合もある。本発明の対象となる薄膜磁気ヘッドは、センス電流が膜面直交方向に流れるようにされているため、トンネルバリア層周辺の層は導電性である。したがって、トンネルバリア層近傍に生じた研磨残渣も導電性である。素子にセンス電流と同じ方向または反対方向に電流を流すと、トンネルバリア層は非導電性であるため電流のほとんどは導電性の研磨残渣に集中して流れる。研磨残渣の断面積は一般的には極めて小さいため、研磨残渣は、電流が集中するトンネルバリア層と接している部分でわずかな電流で容易に焼き切れ、ピンド層とフリー層との間の電気的短絡が有効に防止される。
【００１２】
電流を流すステップは、一対の電極層に電圧を印加することによって電流を流すことを含んでいてもよい。
【００１３】
電流は１ｍＡ以上、３ｍＡ以下であることが望ましい。
【００１４】
電流を流すステップに続いて、研磨された面に保護膜を形成するステップを有していてもよい。
【発明の効果】
【００１５】
以上説明したように、本発明によれば、研磨時の研磨残渣によって発生する可能性のあるＴＭＲ素子の短絡を簡易な手段で効果的に防止することのできる、薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
まず、本発明が適用される薄膜磁気ヘッドの概要について、図面を用いて説明する。図１は、薄膜磁気ヘッドが形成されたスライダの断面図である。図において、記録媒体Ｐは、媒体対向面ＡＢＳに対向して、図面と垂直な方向に広がっている。薄膜磁気ヘッド２８は、記録媒体Ｐから磁気記録を読み出す磁気抵抗効果素子（ＴＭＲ素子３２）と、記録媒体Ｐに磁気記録の書き込みを行なう誘導型磁気変換素子とを有しているが、誘導型磁気変換素子は省略されていてもかまわない。誘導型磁気変換素子は、記録媒体Ｐの面内方向への記録を行なう水平記録方式と、記録媒体Ｐの面外方向への記録を行なう垂直記録方式のいずれでもよい。
【００１７】
スライダ１は、アルティック（Ａｌ2Ｏ3・ＴｉＣ）等のセラミック材料からなる基板２７と、基板２７上に図中左側に向けて順次積層されて形成された薄膜磁気ヘッド２８と、を有している。薄膜磁気ヘッド２８は、基板２７上（図中では左側。以下同じ。）に絶縁層（図示せず）を介して形成された下部電極層３１を備えている。下部電極層３１は例えばパーマロイ（ＮｉＦｅ）からなっている。下部電極層３１の上には、読み込み素子であるＴＭＲ素子３２が、媒体対向面ＡＢＳに面して設けられている。ＴＭＲ素子３２には、外部から電圧の供給を受けるための一対のリード層（図示せず）が接続されている。
【００１８】
ＴＭＲ素子３２の上には、例えば、パーマロイやＣｏＮｉＦｅ等の、めっき法によって成膜可能な磁性材料からなる上部電極層３３が形成されている。下部電極層３１および上部電極層３３は、ＴＭＲ素子３２にセンス電流を供給する電極としての機能のほか、ＴＭＲ素子３２のシールド層としての機能も備えている。上部電極層３３はさらに、書き込み素子の下部磁極層としての機能も備えている。
【００１９】
上部電極層３３の上には、絶縁のための記録ギャップ３４を介して、上部磁極層３５が設けられている。記録ギャップ３４の材料としては、例えば、ＮｉＰ等のめっき法によって成膜可能な非磁性金属材料が用いられる。上部磁極層３５の材料としては、例えば、パーマロイやＣｏＮｉＦｅ等のめっき法によって成膜可能な磁性材料が用いられる。上部電極層３３と上部磁極層３５は接続部３６によって接続され、全体で一つのＵ字型磁性体を形成している。
【００２０】
上部磁極層３５と上部電極層３３との間の、媒体対向面ＡＢＳと接続部３６との間には、銅等の導電性材料からなる２段積みのコイル３７ａ、３７ｂが設けられている。コイル３７ａ、３７ｂは接続部３６を中心に巻回して設けられ、上部磁極層３５と上部電極層３３とに磁束を供給する。コイル３７ａは絶縁層３８に、コイル３７ｂは絶縁層３９、４０に取り囲まれて周囲から絶縁されている。コイル３７ｂには外部からの電流信号を受けるリード層（図示せず）が接続している。上部磁極層３５とリード層とを覆うように、オーバーコート層４１が形成されている。オーバーコート層４１の材料には、例えばアルミナ等の絶縁材料が用いられる。
【００２１】
ＴＭＲ素子３２のリード層には外部から電圧の供給を受ける配線部４４，４５が接続し、配線部４４，４５はオーバーコート層４１の表面に形成された一対のパッド４６，４７に接続している。スライダ１がヘッドジンバルアセンブリに組込まれる際には、パッド４６，４７が外部電源と接続し、ＴＭＲ素子３２にセンス電流を供給する。
【００２２】
図２はＴＭＲ素子の詳細を示す、図１のＡ部の部分断面図である。ＴＭＲ素子３２は下部電極層３１と上部電極層３３との間に挟まれた多層膜である。下部電極層３１の上（図中左）には、反強磁性層（図示せず）を介して、強磁性層からなるピンド層３２１が形成され、さらにその上に、Ａｌ等の非磁性・非導電性材料からなるトンネルバリア層３２２を介して、強磁性層からなるフリー層３２３が形成されている。フリー層３２３の上部はキャップ層（図示せず）で覆われ、その上に上部電極層３３が位置している。上部電極層３３と下部電極層３１との間に印加された電圧によってセンス電流Ｓ１がＴＭＲ素子３２を膜面直交方向に流れる。
【００２３】
次に、以上説明したスライダの製造方法、特に媒体対向面の研磨方法を図３のフロー図および図４〜６を参照して説明する。
【００２４】
（ステップＳ１）まず、図４（ａ）のように、基板２７の上に多数個の薄膜磁気ヘッド２８を薄膜工程によって積層し、図４（ｂ）のように、基板２７を短冊状の複数のバー７２に切断する。基板２７および切断されたバー７２には、ステップＳ３における研磨量を管理するため、あらかじめ複数の薄膜磁気ヘッド２８ごとに、または各薄膜磁気ヘッド２８の間に測定素子７３が設けられている。
【００２５】
（ステップＳ２）次に、バー７２の裏面４３（図１参照）を研磨する。研磨作業は例えば、ダイヤモンド砥粒を含む水溶性または油性のラップ液を供給しながら、回転する研磨台上にバー７２を固定し、裏面４３を押し当てておこなわれる。これによって裏面４３が平滑化され、完成したスライダ１がヘッドジンバルアセンブリに確実に固定される。
【００２６】
（ステップＳ３）次に、媒体対向面となるべき面（以下、研磨面ＡＢＳ１という。）を研磨する。この研磨作業は、図５に示すように、ＴＭＲ素子３２のＭＲ高さ（ＭＲ素子の媒体対向面ＡＢＳから反対側の端部までの高さ）をあらかじめ余裕をもって形成しておき、研磨面ＡＢＳ１を研磨することによって所定のＭＲ高さを形成するようにおこなわれる。研磨作業は例えば、Ｓｎ（スズ）からなる研磨定盤の表面に平均粒径０．０５〜０．２μｍ程度のダイヤモンドパウダーを埋め込み研磨定盤に定着させた状態で、回転する研磨定盤の表面にバー７２の研磨面ＡＢＳ１を押し当てておこなわれる。
【００２７】
図６は研磨残渣の状況を示す概念図である。図６（ａ）に示すように、トンネルバリア層３２２周囲の金属層（ピンド層３２１、フリー層３２３、キャップ層、反強磁性層、下部電極層３１、上部電極層３３等）の研磨時の引っかきや引きずりによって、トンネルバリア層３２２の上を導電性の研磨残渣Ｋ１が覆っている。
【００２８】
（ステップＳ４）次に、図６（ｂ）に示すように、下部電極層３１と上部電極層３３との間に電圧を印加する。電圧は、パッド４６，４７にプロープを押し当てることによって印加するのが合理的であるが、他の適宜の方法でおこなうこともできる。バー７２の全ての薄膜磁気ヘッド２８に同時に電圧を印加してもよいし、順次印加していってもよい。電流の向きはどちらでもかまわないため、センス電流と同一方向またはセンス電流と逆方向のいずれでもよい。
【００２９】
ＴＭＲ素子の場合、センス電流が膜面直交方向に流れるため、トンネルバリア層３２２以外の層（ピンド層３２１、フリー層３２３、キャップ層、反強磁性層等）は導電性を有している。また、研磨残渣Ｋ１もこれらの層あるいは電極層３１，３３から発生しているものであるため、導電性を有している。このため、下部電極層３１と上部電極層３３との間に電圧を印加すると、下部電極層３１または上部電極層３３の一方を出た電流（電子）は、トンネルバリア層３２２以外の層では主に断面積の大きいＴＭＲ素子３２の内部を流れるが（電流５１）、一部の電流は研磨残渣Ｋ１の内部を電流５１と平行して流れる（電流５２）。しかし、電流５１は電気抵抗の大きいトンネルバリア層３２２をほとんど流れることができないため、トンネルバリア層３２２の近傍では実質的に全ての電流５１，５２が研磨残渣Ｋ１に流入する。研磨残渣Ｋ１の断面積は一般にＴＭＲ素子３２と比べて格段に小さいので、電流が集中することによって容易に焼き切られる。焼き切られて残存した研磨残渣Ｋ２，Ｋ３は、電流が集中するトンネルバリア層３２２付近で電気的に分離しているので、ピンド層３２１とフリー層３２３との間の短絡が生じることはなく、ＴＭＲ素子本来の性能を発揮することができる。研磨残渣Ｋ１が短絡回路として存在している限り電流５１，５２は研磨残渣Ｋ１を流れ、ＴＭＲ素子３２に大きな電流が流れることはないので、ＴＭＲ素子３２への影響は軽微である。
【００３０】
研磨残渣の形状によっては、図６（ｃ）のように、トンネルバリア層３２２近傍以外の部位が先に焼き切れる場合も考えられる。たとえば、当該部分の断面積が極端に小さく、わずかな電流によって焼き切れるような場合である。この場合、研磨残渣Ｋ１はトンネルバリア層３２２を覆う研磨残渣Ｋ５と、研磨残渣Ｋ５から電気的に分離された研磨残渣Ｋ４とに分かれる。しかし、引き続き電位の印加を継続すると、図６（ｄ）に示すように、トンネルバリア層３２２を覆っている研磨残渣Ｋ５に電流５３が集中して流れるため、最終的にはトンネルバリア層３２２を覆う部分も焼き切れ、研磨残渣Ｋ５は、トンネルバリア層３２２を挟んで、研磨残渣Ｋ６，Ｋ７に分断される。
【００３１】
（ステップＳ５）次に、レジスト（図示せず）によって研磨面ＡＢＳ１の一部を覆い、ミリング等の手段によって研磨面ＡＢＳ１に凹部２６（図１参照）を形成する。凹部２６はスライダ１の浮上特性を改善する目的で設けられる。その後、有機系溶液によりレジストを剥離する。
【００３２】
（ステップＳ６）次に、バー７２を仕上げ研磨し、シリコン膜を接着剤として厚さ１〜４ｎｍ程度の保護膜４２（図１参照）を形成する。保護膜４２としては、ＤＬＣ膜やＳｉＯ2などの無機系材料を用いることができる。
【００３３】
（ステップＳ７）次に、バー７２を洗浄し、切断して１片毎のスライダピースを作成する。
【００３４】
（実施例）
次に本発明の実施例として、実際のＴＭＲ素子に上記の手順を適用し本発明の効果を確認した。実験条件は以下のとおりである。
・ＴＭＲ素子膜構成
フリー層及びピンド層は、例えば、ＮｉＦｅ、ＮｉＦｅＣｏ、ＣｏＦｅなどの一般的な材料を用いて構成した。反強磁性層はＩｒＭｎ、バリア層はＡｌ2Ｏ3で形成した。
・上下電極層構成
上下電極層はＮｉＦｅから構成し、その厚みは１．０〜１．５μｍとした。
・ジャンクションサイズ
センサの幅は６０ｎｍ程度、リードギャップは４０ｎｍ程度とした。
・研磨条件
研磨はラフラッピングとファインラッピングの２つの工程に分けておこなった。研磨に使用されるダイヤモンドスラリーの平均粒径は１００ｎｍとした。ラフラッピング時の研磨盤の回転数は０．５〜５０ｒｐｍ、研磨スピードは０．１〜１．０μｍ／ｍｉｎとした。ファインラッピング時は遊離砥粒を流し出して研磨を行い、その時の研磨盤の回転数は０．５〜５０ｒｐｍ、研磨スピードは５〜２０ｎｍ／ｍｉｎとした。
【００３５】
研磨面を研磨して媒体対向面を形成した後、パッドから電流を供給して媒体対向面を観察した。研磨直後には媒体対向面に研磨残渣が確認された。電流値を０ｍＡから徐々に上げていき、媒体対向面の外観を観察した。１ｍＡ程度の電流を印加するとトンネルバリア層を覆っていた研磨残渣が除去され本発明の効果が認められた。さらに電流を上げていくと、３ｍＡ程度までの範囲内では本発明の効果が認められるとともに、トンネルバリア層への影響も生じないことが確認された。これより、研磨残渣を焼き切るために印加する電流は１ｍＡ以上、３ｍＡ以下程度が好適であることが確認された。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】薄膜磁気ヘッドが形成されたスライダの断面図である。
【図２】ＴＭＲ素子の詳細を示す、図１のＡ部の部分断面図である。
【図３】本発明の研磨方法を説明するフロー図である。
【図４】本発明の研磨方法におけるステップ１を説明する概念図である。
【図５】本発明の研磨方法におけるステップ３を説明する概念図である。
【図６】研磨残渣の状況を示す概念図である。
【図７】従来技術におけるトンネルバリア層周辺の金属層の研磨残渣を示す概念図である。
【符号の説明】
【００３７】
１  スライダ
２７  基板
２８  薄膜磁気ヘッド
３１  上部電極層
３２  ＴＭＲ素子
３２１  ピンド層
３２２  トンネルバリア層
３２３  フリー層
３３  下部電極層
４６，４７  パッド
Ｓ１  センス電流
Ｓ２  バイパス電流
Ｋ，Ｋ１，Ｋ２，Ｋ３，Ｋ４，Ｋ５，Ｋ６，Ｋ７  研磨残渣
【図１】
2008171486.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
2008171486.tif 000006
【図５】
2008171486.tif 000007
【図６】
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【図７】
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