(57)【要約】【課題】プラズマ処理装置の稼働時間を増加させるため、ガス流量制御器検定にかかる時間を短縮する。【解決手段】真空容器内に配置された処理室と処理室内部を排気して所定の圧力に減圧する真空排気装置と処理室内に供給される処理用のガスの流量を調節するガス流量制御器とを備え、処理室内に処理用のガスから形成したプラズマを用いて処理室内に配置された試料を処理するプラズマ処理装置であって、ガス流量制御器に連結されて処理室外に配置され、ガス流量制御器からのガスの流量を検定するガス流量測定器と該ガス流量測定器が配置された検定用のガス流路とを有し、真空排気装置による前記処理室内の排気とガス流量測定器による検定とを相互に間欠的に行う。【選択図】図３
2008251969.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空容器内に配置された処理室と、前記処理室内部を排気して所定の圧力に減圧する真空排気装置と、前記処理室内に供給される処理用のガスの流量を調節するガス流量制御器とを備え、前記処理室内に前記処理用のガスから形成したプラズマを用いて前記処理室内に配置された試料を処理するプラズマ処理装置であって、
前記ガス流量制御器に連結されて前記処理室外に配置され、前記ガス流量制御器からのガスの流量を検定するガス流量測定器と前記ガス流量測定器が配置された検定用のガス流路とを有し、前記真空排気装置による前記処理室内の排気と前記ガス流量測定器とよる検定とを相互に間欠的に行うことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載のプラズマ処理装置において、前記真空排気装置の排気口に連結された排気経路と、前記排気経路からの前記処理室内の排気と前記検定用のガス流路のガスの通流とを切替える切替え手段とを備えていることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載のプラズマ処理装置において、前記真空排気装置に接続された前記排気経路に前記検定用のガス流路の下流端部が連結されていることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項４】
請求項３に記載のプラズマ処理装置において、前記排気経路上に配置された前記切替え手段と、前記真空排気装置と前記排気口との間の前記排気経路上に配置され前記検定用のガス流路内のガスの通流中の前記ガス流量測定器による検定中に閉塞された前記排気経路内の前記排気口から排気されたガスを滞留させる空間部とを備えていることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項５】
請求項４に記載のプラズマ処理装置において、前記空間部において前記排気経路の径が大きくされていることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項６】
請求項４に記載のプラズマ処理装置において、前記空間部が前記排気経路を構成する管路を複数箇所湾曲させて構成されていることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項７】
請求項３乃至請求項６の何れかに記載のプラズマ処理装置において、前記真空排気装置が前記真空容器の下部と連結されて配置され、前記プラズマ処理装置が設置された床面と前記真空容器との間に配置されて前記真空容器を前記床面上で支持する台の上方に配置されたものであり、前記台上に前記切替え手段が配置されていることを特徴とするプラズマ処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、処理室内部に半導体ウエハなど製品である被処理物を格納し、前記処理室内部を減圧した状態で、処理室内部にガス流量制御器によって流量制御された処理用ガスを導入して前記被処理物にエッチング処理などの処理を施すプラズマ処理装置に係る。
【背景技術】
【０００２】
処理室内部に半導体ウエハなど製品である被処理物を格納し、前記処理室内部を減圧した状態で、処理室内部にガス流量制御器によって流量制御された処理用ガスを導入して前記被処理物にエッチング処理などの処理を施すプラズマ処理装置において、その処理性能は処理室の温度や圧力、前記処理用ガスの流量などに依存する。
【０００３】
したがって、処理性能を均一にするために、処理室の温度や圧力、処理用ガス流量を高精度に制御して均一に保っている。特に、処理用ガス流量については、複数のガスを所定のガス流量比で混合した混合ガスを高精度のガス流量に制御して処理室内部に導入されており、各種ガスは、ガス流量制御器を用いて高精度に流量制御されている。このガス流量制御器はガス流量を測定するセンサとガス流量を設定流量に制御する流量制御バルブを有している。
【０００４】
前記センサや前記ガス流量制御バルブの性能は長期間使用することで次第に特性が変化することがあり、長期的に安定したガス流量を供給するためには、定期的にガス流量制御器によって制御されたガス流量を測定し、正しい流量が出力されているか確認する必要がある。ここでガス流量測定値が設定流量に対して許容誤差量以上に偏差していた場合、ガス流量制御器を交換したり、あるいは、校正したりする必要がある。
【０００５】
例えば、特許文献１には、流量制御装置の流量を診断するには、例えばロットの切替時や装置の起動時等の被処理体の処理が中断した時点で流量診断専用の工程を設けて流量診断を行わざるを得ず、それだけスループットが低下するため、チャンバー内にプロセスガスを所定流量で供給し、チャンバー内でウエハＷを処理する際、プロセスガスでウエハＷを処理する度毎にプロセスガスの流量を診断する方法が開示されている。
【０００６】
ガス流量を測定する方法としては、前記プラズマ処理室や流量検定用容器などその容積が既知の容器について、その内部を真空状態にして密封した状態で、その内部にガス流量制御器によって流量制御されたガスを導入しながら処理室の圧力を測定することにより、その圧力上昇の割合からガス流量を計測する方法がある。あるいは、ガス流路上に流量測定器を設置して測定する方法がある。
【０００７】
このように、ガス流量制御器によって流量制御されたガス流量が設定流量どおりに正しく出力されているかを測定し、不良があったときにガス流量制御器を交換、あるいは、校正する作業をガス流量制御器の検定と呼ぶ。
【特許文献１】特開２００２−２９６０９６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ガス流量制御器の検定は、従来技術の方法では、いずれの方法においても製品の処理中に同時に実施することは不可能であり、ガス流量制御器の検定中は製品の処理を中断しなければならない。したがって、ガス流量制御器の検定を実施することにより装置稼働時間は低下することになる。前記プラズマ装置にはこのようなガス流量制御器が１０ないし２０個設置されたものもあり、さらに、近年では多様化する処理内容に対応するため、プラズマ処理装置に実装するガス流量制御器の数は増加傾向にある。このようにガス流量制御器の数が増えることにより、ガス流量制御器の検定にかかる時間が長くなり、益々装置稼働時間への影響が大きくなっている。
【０００９】
プラズマ処理装置の稼働時間を増加させるため、ガス流量制御器の検定にかかる時間を短縮することが課題であり、本発明の目的は、ガス流量制御器の検定の実施による装置稼働時間の低下を最小とするプラズマ処理装置を提案することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明のプラズマ処理装置は、真空容器内に配置された処理室と、前記処理室内部を排気して所定の圧力に減圧する真空排気装置と、前記処理室内に供給される処理用のガスの流量を調節するガス流量制御器とを備え、前記処理室内に前記処理用のガスから形成したプラズマを用いて前記処理室内に配置された試料を処理するプラズマ処理装置であって、前記ガス流量制御器に連結されて前記処理室外に配置され、前記ガス流量制御器からのガスの流量を検定するガス流量測定器と前記ガス流量測定器が配置された検定用のガス流路とを有し、前記真空排気装置による前記処理室内の排気と前記ガス流量測定器による検定とを相互に間欠的に行うことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、プラズマ処理装置において、ガス流量制御器の検定の実施による装置稼働時間の低下を最小とすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。
【実施例１】
【００１３】
図１乃至図６は、本発明の第１の実施例を説明する図である。
図１は、本発明の第１の実施例に係るプラズマ処理装置の全体的構成の概略を示す図である。図１（ａ）は、プラズマ処理装置を上方から見て構成の概略を示す横断面図である。図１（ｂ）は、プラズマ処理装置の斜視図である。
【００１４】
図１に示す本実施例に係るプラズマ処理装置１００は、大きく分けて、大気側ブロック１０１と真空側ブロック１０２とを備えている。大気側ブロック１０１は大気圧下でウエハを搬送、収納位置決め等をする部分であり、真空側ブロック１０２は大気圧から減圧された圧力下でウエハ等の基板状の試料を搬送し、予め定められた処理ユニット内において処理等を行なうブロックであり、これら搬送や処理を行う箇所と大気側ブロック１０１との間で、試料を内部に有した状態で圧力を大気圧と真空圧との間で上下させる部分を備えている。
【００１５】
大気側ブロック１０１は、内部に大気側搬送ロボット１０９を備えた略直方体形状の筐体１０６を有し、この筐体１０６の前面側（図上右側）に取付けられ、処理用又はクリーニング用の試料が収納されているカセットがその上に載せられる複数のカセット台１０７を備えている。
【００１６】
真空側ブロック１０２は、平面形状が略多角形状（本実施例では５角形状）の真空搬送容器１０４の側壁面の周囲に、内部が減圧されその内部に試料が搬送され処理される処理室を有する真空容器を備えた４つの処理ユニット１０３と、真空搬送容器１０４と大気側ブロック１０１との間に配置され試料を大気側と真空側との間でやりとりする２つのロック室１０５を備えている。この真空側ブロック１０２は減圧されて高い真空度の圧力に維持可能な処理ユニットである。
【００１７】
真空搬送容器１０４内の搬送室には、真空下で試料をロック室１０５と処理ユニット１０３内の処理室との間で搬送する真空搬送ロボット１０８がその中央に配置されている。この真空搬送ロボット１０８のアーム上に試料が載せられて、各処理ユニット１０３の処理室内に配置された試料台上と何れかのロック室１０５内の試料台との間で搬入、搬出が行われる。これら処理ユニット１０３、ロック室１０５と真空搬送容器１０４内の搬送室との間は、各々気密に閉塞、開放可能なバルブにより連通する通路が開閉される。
【００１８】
カセット台１０７の何れか上に載せられたカセット内に収納された複数の半導体ウエハ等の試料は、図示しない真空処理装置１００の動作を調節する制御装置が判断し、または、真空処理装置１００が設置される製造ラインの制御装置等からの指令を受けて、その処理が開始される。制御装置からの指令を受けた大気側搬送ロボット１０９がカセット内の特定の試料をカセットから取り出し、２つのロック室の何れかに搬送する。
【００１９】
ロック室１０５では、搬送された試料を収納した状態でバルブが閉塞されて密封され、所定の圧力まで減圧される。その後、真空搬送容器１０４内の搬送室に面した側のバルブが開放されてロック室１０５内と搬送室内とが連通され、真空搬送ロボット１０８のアームがロック室１０５内に伸張して、内部の試料を搬出する。真空搬送ロボット１０８上のアームに載せられた試料は、カセットから取り出される際に予め定められた処理ユニット１０３の何れか内の真空にされた処理室内に搬入される。
【００２０】
試料が何れかの処理ユニット１０３内の処理室に搬送された後、この処理室内と搬送室との間を開放、遮蔽するバルブが閉じられて処理室が封止される。この後、処理室内に処理用のガスが導入されプラズマが処理室内に形成されて試料が処理される。
【００２１】
試料の処理が終了したことが検出されると、前記バルブが開放されて真空搬送ロボット１０８により、処理室内に搬入された場合と逆にロック室１０５へ向けて搬出される。ロック室１０５の何れかに試料が搬送されると、このロック室１０５内と搬送室とを連通する通路を開閉するバルブが閉じられて内部が密封され、ロック室１０５内の圧力が大気圧まで上昇させられる。
【００２２】
この後、筐体１０６内側のバルブが開放されてロック室１０５内と筐体１０６内の大気搬送室とが連通され、大気側搬送ロボット１０９によりロック室１０５から元のカセットに試料が搬送されてのカセット内の元の位置に戻される。
【００２３】
図２は、図１に示す実施例の処理ユニット１０３の構成の概略を示す縦断面図である。
【００２４】
本図において、処理ユニット１０３は、真空容器とその上部に配置された電波源と真空容器下方に配置された排気装置とを備えて構成されている。真空容器は、上部に配置された蓋２０１、ガス導入リング２０２、ガス拡散板２０４、壁部材２０３を備えている。処理容器は前記ガス拡散板２０４を境界にして、バッファ室２１７とプラズマ処理室２１８を形成している。これら構成部品は各々図示しないＯリング等のシール手段により気密に接続され内側の空間と外部の空間とを高い気圧差に維持可能に構成されている。
【００２５】
前記プラズマ処理室２１８内部には試料台２０５が設置され、試料Ｗは試料台２０５の上に積載され、プラズマ処理される。
【００２６】
前記プラズマ処理室２１８は壁部材２０３下部に接続された排気装置である高真空用排気ポンプ２０６により排気され高い真空度に維持される。
【００２７】
前記高真空用排気ポンプ２０６は背圧（下流側圧力）が大気圧状態のときは動作不可であり、前記背圧を規定の圧力以下に維持しなければ使用できない。そこで、低真空用排気ポンプ２１５を前記高真空用排気ポンプ２０６の背圧側に設置し、この低真空用排気ポンプ２１５で前記高真空用排気ポンプ２０６の背圧を規定の圧力以下になるように排気しながら運用している。この低真空用排気ポンプ２１５はその背圧が大気圧状態でも動作可能であり、前記高真空用排気ポンプ２０６の背圧を規定の圧力以下に維持するのに十分な排気性能を有している。
【００２８】
前記高真空用排気ポンプ２０６によってプラズマ処理室２１８を高い真空度まで排気した後、バルブ２１１を開いてガス流量制御器２１０ａあるいは２１０ｂによって流量制御された処理用ガスを前記バッファ室２１７に導入する。前記バッファ室２１７に導入された前記処理用ガスは、前記ガス拡散版２０４によって試料Ｗ積載位置に対して均一な濃度分布となるようプラズマ処理室２１８内部に導入される。
【００２９】
プラズマ処理室２１８内部に導入された前記処理用ガスは、高周波電源２１３およびソレノイドコイル２０９によって励磁される高周波電磁波によってプラズマ化される。試料台２０５には高周波バイアス電源２１４によって高周波バイアス電圧が印荷され、前記プラズマイオンを静電力によって試料Ｗに引き付け、衝突させることによって、化学的、物理的に試料Ｗをプラズマ処理する。
【００３０】
本実施例では前記ガス流量制御器は２１０ａおよび２１０ｂの２つ搭載である。ガス流量制御器の搭載数については、プラズマ処理装置の処理内容や仕様毎に異なり、搭載数が多い例では１０乃至２０のガス流量制御器が搭載される。
【００３１】
前記ガス流量制御器２１０ａ、２１０ｂは設定流量に対して高精度に流量出力できる機能を有しているが、長期間使用しているうちに、その内部に格納されているセンサ性能の経時変化などが起こり、設定流量に対して流量出力が基準値以上に偏差する可能性がある。そこで、定期的に前記ガス流量制御器の検定を実施する。
【００３２】
本実施例で示すガス流量制御器の検定は、バルブ２１１を閉じてバルブ２１２を開いた状態でガス流量測定器２１９を用いて実施する。対象のガス流量制御器にて設定流量に制御したガスを前記ガス流量測定器２１９で測定する。設定流量に対して前記ガス流量測定器２１９で測定した結果が許容誤差量以上に偏差していた場合、そのガス流量制御器を交換あるいは校正する。
【００３３】
ところで、前記プラズマ処理装置は、プラズマ処理を繰り返す内に、前記壁部材２０３や前記ガス拡散板２０４などに反応生成物などが付着し堆積することがある。このような堆積物によりプラズマの性質が変化しプラズマ処理性能が変化したり、前記堆積物が何らかの拍子に剥がれ落ちて試料の上に落ちるなどして歩留まり低下要因となったりする可能性がある。そこで、前記プラズマ処理装置は定期的に処理室内部を大気圧状態にして、その内部の部品をアルコールや純水などで洗浄したり、新品部品と交換したりしている。このようなメンテナンス作業をウエットクリーニングと呼ぶ。
【００３４】
前記ウエットクリーニングは前記高真空用排気ポンプは稼動したまま実施する。すなわち、前記プラズマ処理室２１８を前記高真空用排気ポンプ２０６によって高真空にした状態で、前記高真空用排気ポンプの前後のバルブ（バルブ２２０およびバルブ２０８）を閉じて高真空用排気ポンプの内部を高真空に保った状態で、前記プラズマ処理室２１８の内部を加圧して大気圧状態とし、ウエットクリーニングを実施する。これは、高真空用排気ポンプの立ち下げ、立上げには長い時間を必要とするため、高真空用排気ポンプの立ち下げ、立上げにかかる時間を省き、装置非稼働時間を短縮するためである。
【００３５】
従来は、前記ガス流量制御器の検定は前記ウエットクリーニングと同時期に実施されていた。製品のプラズマ処理後、前記処理室内部を大気圧状態まで加圧してウエットクリーニングを実施し、前記処理室内部を高真空排気する。処理室内部の高真空排気が完了後、前記ガス流量制御器の検定を実施し、前記ガス流量制御器の検定が終了後、再び製品のプラズマ処理を開始していた。
【００３６】
本発明の実施例で示すプラズマ処理装置は、前記ウエットクリーニングおよびウエットクリーニング後のプラズマ処理室の真空排気による処理室内の処理準備と前記ガス流量制御器の検定とを並行，並列に実施することを可能としている。
【００３７】
ウエットクリーニング時に同時にガス流量制御器の検定を実施する方法を図３を用いて説明する。ウエットクリーニング実施時は、バルブ２１１、バルブ２２０、バルブ２０８が閉じられる。したがって、プラズマ処理装置は、ウエットクリーニング領域３０１、高真空用排気ポンプ領域３０２、ガス流量制御器の検定領域３０３に分割される。
【００３８】
前記ウエットクリーニング領域３０１はウエットクリーニング中は大気圧状態にあり、前記蓋２０１、前記ガス拡散板２０４を取り外して、その内部の部品を洗浄したり交換したりすることが出来る。
【００３９】
前記高真空用排気ポンプ領域３０２は高真空用排気ポンプ２０６の上流側は高真空状態に保たれ、下流側は高真空用排気ポンプが稼動可能な許容圧力以下の圧力に保たれており、高真空排気ポンプ２０６は稼動状態にしてある。
【００４０】
前記ガス流量制御器の検定で使用するガス排気配管は、ガス流量測定精度を高めるため、ガス流量制御器の検定実施前にガス排気配管に残っているガスを排気して、ガス流量制御器の検定時の配管内部の状態を揃える必要がある。本実施例では、前記ガス流量制御器の検定領域３０３は前記低真空用排気ポンプ２１５によって排気され低真空状態にあり、ガス流量制御器の検定が実施可能な状態にある。
【００４１】
ガス流量制御器の検定を実施する際は、バルブ２１２を開いた状態で、対象のガス流量制御器（例えば、ガス流量制御器２１０ａ）により設定流量に制御したガスを流し、流量をガス流量測定器２１９で測定する。ガス流量測定器２１９の測定結果が前記設定流量と比べて許容誤差量以上に偏差していた場合、前記ガス流量制御器を交換、あるいは、校正する。
【００４２】
ガス流量制御器の検定中は、設定流量のガスを流し続けるため、ガス流量制御器の検定を実施していない時と比べて、前記ガス流量制御器の検定領域３０３のガス配管内部の圧力は上昇している。特に、前記設定流量を大流量に設定するほどこの圧力上昇は大きくなる。したがって、前記バルブ２０８を開いた状態でガス流量制御器の検定を実施すると、前記高真空用排気ポンプの背圧が許容圧力以上に上昇してしまう恐れがある。そこで、前述のようにガス流量制御器の検定実施中は前記バルブ２０８を閉じる必要がある。
【００４３】
ウエットクリーニングが終了すると図４（ａ）に示すように、前記蓋２０１、前記ガス拡散板２０４を取り付け、前記プラズマ処理室を排気始める。前記プラズマ処理室はバルブ２２０、バルブ２０８を開いて前記高真空用排気ポンプ２０６によって排気される。前記高真空用排気ポンプ２０６の背圧は前記低真空用排気ポンプ２１５によって排気され許容圧力以下の圧力に維持される。前記プラズマ処理室は、排気時間と共に徐々に圧力が低下して、いずれ略定常の圧力に至る。プラズマ処理を開始するために必要な判定基準を満たすと排気を終了し、再び試料の処理を開始する。
【００４４】
前記プラズマ処理室の排気を終了させて試料の処理を開始する判定基準としては、例えば、リークレートを測定して、リークレート測定値が基準値以下となることを判定基準とする。リークレートとはプラズマ処理室を密閉したときに、前記処理室の外部から内部に流入するガス流量と前記処理室壁部材などに吸着していたガス分子が剥離してプラズマ処理室に放出されるガス流量の総和を表す。リークレート測定時はバルブ２１１、バルブ２２０を閉じてプラズマ処理室２１８の圧力上昇を測定する。プラズマ処理室の容積は既知であるため、リークレートが計測される。
【００４５】
前記ウエットクリーニングが終了してプラズマ処理室の排気を開始してから、前記リークレートが基準値以下となるまでにかかる時間は、前記処理室の容積や、前記処理室を構成する部品の表面積や材質、ウエットクリーニングを実施した時間などによって大きく変化するが、通常は、３時間から１２時間程度の排気時間を必要とする。
【００４６】
本実施例では、前記プラズマ処理室を排気しながら同時にガス流量制御器の検定を実施可能としている。
【００４７】
前記ガス流量制御器の検定はプラズマ処理室の内部を排気して、前記リークレートが基準値以下となってから実施する。本実施例では、ガス流量制御器の検定を開始する基準値をリークレート１．０Ｐａ・Ｌ／ｓ以下、前記プラズマ処理室の排気を終了し、プラズマ処理を開始可能とするとする基準リークレートを０．１Ｐａ・Ｌ／ｓ以下としている。前記プラズマ処理室を排気して、処理室リークレートが１．０Ｐａ・Ｌ／ｓ以下となったら、バルブ２０８を閉じてバルブ２１２を閉じて、ガス流量測定器２１９を用いてガス流量制御器の検定を実施する。この間、バルブ２２０は開いた状態でバルブ２０８は閉じた状態とする。したがって、前記プラズマ処理室は高真空用排気ポンプ２０６によって排気されている。ただし、前記バルブ２０８は閉じられており、前記処理室から排気されたガスはタンク２０７に貯められるので、排気時間と共にタンク２０７の圧力は上昇する。本実施例ではタンクの容量は１．０Ｌとしている。
【００４８】
本実施例では、前記高真空用排気ポンプ２０６からバルブ２０８までの間の容積には前記タンク２０７を設置している。このタンクは高真空用排気ポンプ２０６とバルブ２０８とを連結する管路の内径を一部の箇所で大きくした大径部であり、排気口との内部で滞留できるようになっている。その他の形状としては、例えば前記高真空用排気ポンプ２０６と前記バルブ２０８を排気配管で接続し、その排気配管の容積が１．０Ｌとなるように配管径、長さに設定すれば、この配管容積に前記タンクと同等の機能を持たせることができる。従来、排気の効率を考慮して高真空用排気ポンプ２０６からの管路長は短い方が望ましいと考えられていた。本実施例では、管路長や内径等の形状や迂回路等の配置により、滞留させ高圧にする容積の空間を備えている。
【００４９】
本実施例では、前記高真空用排気ポンプ２０６は、動作可能背圧が２００Ｐａ以下の高真空用排気ポンプを使用する。また前記低真空用排気ポンプ２１５には、少なくとも１０Ｐａ程度の圧力まで排気可能な排気能力をもつポンプを使用する。本実施例では、前記高真空用排気ポンプの背圧が１００Ｐａ以下となるよう運用する。
【００５０】
前記ガス流量制御器の検定を開始する基準値であるリークレート１．０Ｐａ・Ｌ／ｓのガス流量が前記高真空用排気ポンプ２０６によって排気され、すべて前記タンクに流入したとすると、前記タンクの圧力上昇の割合は、１．０Ｐａ／秒であり、前記タンクの圧力が９０Ｐａ昇圧するのに要する時間は９０秒である。
【００５１】
すなわち、前記バルブ２２０を開けて前記バルブ２０８を閉じた状態で前記処理室２１８を真空排気するとき、前記処理室２１８の前記リークレートが１．０Ｐａ・Ｌ／ｓのとき、９０秒後にタンク２０７の圧力（前記高真空用排気ポンプの背圧）が使用限度圧力である１００Ｐａに到達する。
【００５２】
したがって、前記処理室２１８の前記リークレートが１．０Ｐａ・Ｌ／ｓのとき、少なくとも９０秒に一回はバルブ２０８を開いて前記タンク２０７の圧力を約１０Ｐａ程度まで排気させれば、前記バルブ２０２を開けて、前記バルブ２０８を閉じた状態で排気しても前記タンク圧力を１００Ｐａ以下に維持可能である。
【００５３】
そこで、前記バルブ２０８が閉じている間に前記低真空側排気ポンプ２１５を用いて前記ガス流量制御器の検定を実施する。前記ガス流量制御器の検定では、複数種のガス流量制御器に対してそれぞれ複数の設定流量でガス流量を測定する。本実施例では、各ガス流量制御器でそれぞれ５つの設定流量でガス流量を測定する。本実施例で示すプラズマ処理装置はガス流量制御器を２つ搭載しているので、ガス流量測定回数は全部で１０回である。
【００５４】
本実施例で搭載する前記ガス流量測定器２１９の流量測定時間は６０秒以下である。バルブ２２０を開いて、バルブ２０８を閉じた状態で高真空用排気ポンプ２０６によりプラズマ処理室２１８を真空排気しながら、同時にガス流量測定器２１９、低真空用排気ポンプ２１５を用いて前記ガス流量制御器の検定を実施する。ガス流量測定器によりガス流量を測定するのにかかる時間は６０秒以下であり、プラズマ処理室リークレート１．０Ｐａ・Ｌ／ｓのときバルブ２０８を閉じた状態で前記タンクが１００Ｐａ以下を維持できる時間は９０秒であるため、がる流量測定を１条件測定し終わる毎にバルブ２０８を開いて前記タンク圧力を１０Ｐａ程度まで排気することで、プラズマ処理室の真空排気とガス流量制御器の検定を同時に実施可能としている。
【００５５】
本実施例では、前記のようにリークレート、タンク容量等設定してあるが、プラズマ処理装置の仕様や流量測定器の仕様、運用方法などによって、それぞれ最適な値を設定して使用すればよい。
【００５６】
ただし、予測外の事態により前記タンク圧力が２００Ｐａ以上の圧力に到達すると、前記高真空用排気ポンプの背圧が許容圧力以上となり、前記高真空用排気ポンプを破損するなどの恐れがある。そこで、前記タンク２０７の内部と前記バルブ２０８の下流側の圧力を測定する圧力計を取付けており、圧力計測定値が１２０Ｐａとなったとき、ガス流量制御器の検定を中止してガス流量制御器の出力をゼロに設定し、バルブ２１９を閉じる。バルブ２０８の下流側の圧力が１００Ｐａ以下となっていることを確認して、バルブ２０８を開いてタンク内部の圧力を排気する。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】本発明の第一の実施例に係るプラズマ処理装置の全体的構成の概略を表す図である。
【図２】図１に示す実施例の処理ユニットの構成の概略を示す縦断面図である。
【図３】プラズマ処理容器をウエットクリーニングしているときのプラズマ処理装置の状態の概略を示す縦断面図である。
【図４】プラズマ処理容器をウエットクリーニングする際に、同時にガス流量制御器の検定を実施するときの作業方法の概略を示すシーケンス図である。
【図５】プラズマ処理容器を真空排気する際に、同時にガス流量制御器の検定を実施するときの作業方法を示すシーケンス図である。
【図６】プラズマ処理容器を真空排気する際に、同時にガス流量制御器の検定を実施するときの作業方法を示すタイミングチャート図である。
【符号の説明】
【００５８】
１０１    大気側ブロック
１０２    真空側ブロック
１０３    処理室
１０４    真空搬送容器
１０５    ロック室
１０６    筐体
１０７    カセット
１０８    真空搬送ロボット
１０９    大気搬送ロボット
２０１    蓋
２０２    ガス導入リング
２０３    壁部材
２０４    ガス拡散板
２０５    試料台
２０６    高真空用排気ポンプ
２０７    タンク
２０８    バルブ
２０９    コイル
２１０    ガス流量制御器
２１１    バルブ
２１２    バルブ
２１３    高周波電源
２１４    高周波バイアス電源
２１５    低真空用排気ポンプ
２１６    コントローラ
２１７    バッファ室
２１８    プラズマ処理室
２１９    ガス流量測定器
２２０    バルブ
２２１    ヒータ
２２２    圧力計
２２３    圧力計
３０１    ウエットクリーニング領域
３０２    高真空用排気ポンプ領域
３０３    ガス流量制御器の検定領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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