(57)【要約】【課題】現像後のパターン表面の欠陥を改良するための現像後レジスト基板処理液およびそれを用いたレジスト基板の処理方法の提供。【解決手段】窒素含有水溶性ポリマーまたは酸素含有水溶性ポリマー、例えばポリアミン、ポリオールまたはポリエーテルと、溶媒とを含んでなることを特徴とするレジスト基板処理液、ならびに現像処理後のレジストパターンを、そのレジスト基板処理液により処理し、純水により洗浄をさらに行うことを特徴とするレジスト基板の処理方法。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
窒素含有水溶性ポリマーまたは酸素含有水溶性ポリマーと、溶媒とを含んでなることを特徴とする、現像済みレジスト基板処理液。
【請求項２】
窒素含有水溶性ポリマーが、アミノ基含有水溶性ポリマーである、請求項１に記載の現像済みレジスト基板処理液。
【請求項３】
アミノ基が１級アミノ基である、請求項２に記載の現像済みレジスト基板処理液。
【請求項４】
酸素含有水溶性ポリマーが、ポリオールまたはポリエーテルである、請求項１に記載の現像済みレジスト基板処理液。
【請求項５】
窒素含有水溶性ポリマーまたは酸素含有水溶性ポリマーの、現像済みレジスト基板処理液の総重量を基準とした濃度が０．０１％〜１０％である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の現像済みレジスト基板処理液。
【請求項６】
現像処理後のレジストパターンを、窒素含有水溶性ポリマーまたは酸素含有水溶性ポリマーと、溶媒とを含んでなるレジスト基板処理液により処理し、純水により洗浄をさらに行うことを特徴とする、レジスト基板の処理方法。
【請求項７】
前記レジストパターンを前記レジスト基板処理液により処理する時間が、１〜３００秒である、請求項６に記載のレジスト基板の処理方法。
【請求項８】
前記レジスト基板処理液による処理の直前に、純水により洗浄を行うことをさらに含んでなる、請求項６または７に記載のレジスト基板の処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レジスト基板処理液に関するものである。さらに詳細には、本発明は、半導体デバイス、液晶表示素子などのフラットパネルディスプレー（ＦＰＤ）、電荷結合素子（ＣＣＤ）、カラーフィルター、磁気ヘッド等の製造に用いられる感光性樹脂組成物の現像工程で好適に用いられるレジスト用基板処理液に関するものである。また、本発明はそのレジスト基板処理液を用いた現像済みレジスト基板の処理方法にも関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＬＳＩなどの半導体集積回路や、ＦＰＤの表示面の製造、カラーフィルター、サーマルヘッドなどの回路基板の製造等を初めとする幅広い分野において、微細素子の形成或いは微細加工を行うために、従来からフォトリソグラフィー技術が利用されている。フォトリソグラフィー法においては、レジストパターンを形成するためポジ型またはネガ型の感光性樹脂組成物が用いられている。これら感光性樹脂組成物のうち、ポジ型フォトレジストとしては、例えば、アルカリ可溶性樹脂と感光性物質であるキノンジアジド化合物とからなる感光性樹脂組成物が広く利用されている。
【０００３】
ところで、近年、ＬＳＩの高集積化と高速度化に伴い、微細電子デバイス製造業界においてはデザインルールがハーフミクロンからクオーターミクロンへ、或いは更にそれ以下への微細化が求められている。このようなデザインルールの更なる微細化に対応するためには、露光光源として可視光線或いは近紫外線（波長４００〜３００ｎｍ）など従来使用されてきたものでは充分ではなく、ＫｒＦエキシマレーザー（２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザー（１９３ｎｍ）等の遠紫外線や更にはＸ線、電子線等のようなより短波長の放射線を用いることが必要とされ、これら露光光源を用いるリソグラフィープロセスが提案され、実用化されつつある。このデザインルールの微細化に対応するべく、微細加工の際にフォトレジストとして用いられる感光性樹脂組成物にも高解像性のものが要求されている。さらに、感光性樹脂組成物には、解像性に加え、感度、パターン形状、画像寸法の正確さなどの性能向上も同時に求められている。これに対し、短波長の放射線に感光性を有する高解像度の感放射線性樹脂組成物として、「化学増幅型感光性樹脂組成物」が提案されている。この化学増幅型感光性樹脂組成物は、放射線の照射により酸を発生する化合物を含み、放射線の照射によりこの酸発生化合物から酸が発生され、発生された酸による触媒的な画像形成工程により、高い感度が得られる点等で有利であるため、従来の感光性樹脂組成物に取って代わり、普及しつつある。
【０００４】
しかしながら上記のように微細化が進むと、パターン表面に付着する異物、パターン倒れ、パターンラフネスなどの問題が顕在化してくる。これらに対する改良方法も検討されてきており、例えばレジスト組成物の改良がなどが検討されている。例えば、パターン表面の欠陥などを改良するための技術も検討されている（特許文献１および２）。
【特許文献１】特開２００４−７８２１７号公報
【特許文献２】特開２００４−１８４６４８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、現像後のパターン表面の欠陥（異物の再付着）を改良するためのレジスト基板処理液およびそれを用いたレジスト基板の処理方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明による現像済みレジスト基板処理液は、窒素含有水溶性ポリマーまたは酸素含有水溶性ポリマーと、溶媒とを含んでなることを特徴とするものである。
【０００７】
また、本発明によるレジスト基板の処理方法は、現像処理後のレジストパターンを、窒素含有水溶性ポリマーまたは酸素含有水溶性ポリマーと、溶媒とを含んでなるレジスト基板処理液で処理し、純水により洗浄をさらに行うことを特徴とするものである。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、製造コストや製造効率を大きく損なうことなく、レジスト表面およびレジストが除去された後の基板表面に再付着したレジストに起因する欠陥の少ないパターンを形成させることができる。特に、製造プロセスにおいて、新たな装置を導入するなどの必要がなく、また比較的安価な材料を利用するので、製造コストの増大を抑えながら、表面性状の優れたパターンを製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
本発明によるパターン形成方法を詳細に説明すると以下の通りである。
本発明のパターン形成方法は、現像後のレジストパターンに対してレジスト基板処理液による処理を行うものである。レジストパターンを現像して、元になるパターンを形成させるための方法は特に限定されず、任意の方法で行うことができる。したがって、元のパターンを形成させるリソグラフィー工程は、公知のポジ型の感光性樹脂組成物、ネガ型の感光性樹脂組成物を用いてレジストパターンを形成する方法として知られた何れのものであってもよい。本発明のレジスト基板処理液が適用される代表的なパターン形成方法をあげると、次のような方法が挙げられる。
【００１０】
まず、必要に応じて前処理された、シリコン基板、ガラス基板等の基板の表面に、感光性樹脂組成物をスピンコート法など従来から公知の塗布法により塗布して、感光性樹脂組成物層を形成させる。感光性樹脂組成物の塗布に先立ち、レジスト上層または下層に反射防止膜が塗布形成されてもよい。このような反射防止膜により断面形状および露光マージンを改善することができる。
【００１１】
本発明のパターン形成方法には、従来知られている何れの感光性樹脂組成物を用いることもできる。本発明のパターン形成方法に用いることができる感光性樹脂組成物の代表的なものを例示すると、ポジ型では、例えば、キノンジアジド系感光剤とアルカリ可溶性樹脂とからなるもの、化学増幅型感光性樹脂組成物などが、ネガ型では、例えば、ポリケイ皮酸ビニル等の感光性基を有する高分子化合物を含むもの、芳香族アジド化合物を含有するもの或いは環化ゴムとビスアジド化合物からなるようなアジド化合物を含有するもの、ジアゾ樹脂を含むもの、付加重合性不飽和化合物を含む光重合性組成物、化学増幅型ネガ型感光性樹脂組成物などが挙げられる。
【００１２】
ここでキノンジアジド系感光剤とアルカリ可溶性樹脂とからなるポジ型感光性樹脂組成物において用いられるキノンジアジド系感光剤の例としては、１，２−ベンゾキノンジアジド−４−スルホン酸、１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸、１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸、これらのスルホン酸のエステル或いはアミドなどが、またアルカリ可溶性樹脂の例としては、ノボラック樹脂、ポリビニルフェノール、ポリビニルアルコール、アクリル酸或はメタクリル酸の共重合体などが挙げられる。ノボラック樹脂としては、フェノール、ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、キシレノール等のフェノール類の１種又は２種以上と、ホルムアルデヒド、パラホルムアルデヒド等のアルデヒド類の１種以上から製造されるものが好ましいものとして挙げられる。
【００１３】
また、化学増幅型の感光性樹脂組成物は、ポジ型およびネガ型のいずれであっても本発明のパターン形成方法に用いることができる。化学増幅型レジストは、放射線照射により酸を発生させ、この酸の触媒作用による化学変化により放射線照射部分の現像液に対する溶解性を変化させてパターンを形成するもので、例えば、放射線照射により酸を発生させる酸発生化合物と、酸の存在下に分解しフェノール性水酸基或いはカルボキシル基のようなアルカリ可溶性基が生成される酸感応性基含有樹脂からなるもの、アルカリ可溶樹脂と架橋剤、酸発生剤からなるものが挙げられる。
【００１４】
基板上に形成された感光性樹脂組成物層は、例えばホットプレート上でプリベークされて感光性樹脂組成物中の溶剤が除去され、フォトレジスト膜とされる。プリベーク温度は、用いる溶剤或いは感光性樹脂組成物により異なるが、通常２０〜２００℃、好ましくは５０〜１５０℃程度の温度で行われる。
【００１５】
フォトレジスト膜はその後、高圧水銀灯、メタルハライドランプ、超高圧水銀ランプ、ＫｒＦエキシマレーザー、ＡｒＦエキシマレーザー、軟Ｘ線照射装置、電子線描画装置など公知の照射装置を用い、必要に応じマスクを介して露光が行われる。
【００１６】
露光後、必要に応じベーキングを行った後、例えばパドル現像などの方法で現像が行われ、レジストパターンが形成される。レジストの現像は、通常アルカリ性現像液を用いて行われる。アルカリ性現像液としては、例えば水酸化ナトリウム、水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）などの水溶液或いは水性溶液が用いられる。現像処理後、必要に応じてリンス液、好ましくは純水、を用いてレジストパターンのリンス（洗浄）が行われる。なお、形成されたレジストパターンは、エッチング、メッキ、イオン拡散、染色処理などのレジストとして用いられ、その後必要に応じ剥離される。
【００１７】
本発明によるレジスト基板の処理方法は、任意のパターンサイズを有するレジストパターンにも適用することができる。しかしながら、特に精密な表面性状やサイズを要求される微細なレジストパターンに対して適用した場合に顕著な改良効果を得ることができる。したがって、本発明によるレジスト基板の処理方法は、このような微細なレジストパターンが形成されるリソグラフィー工程、すなわち、露光光源として、ＫｒＦエキシマレーザーやＡｒＦエキシマレーザー、更にはＸ線、電子線などを用いる、２５０ｎｍ以下の露光波長での露光を含むリソグラフィー工程を組み合わせることが好ましい。さらに、レジストパターンのパターン寸法でみると、ライン・アンド・スペース・パターンにおける線幅のスペース部が３００ｎｍ以下、好ましくは２００ｎｍ以下、またはコンタクトホール・パターンにおける孔径が３００ｎｍ以下、好ましくは２００ｎｍ以下、のレジストパターンを形成するリソグラフィー工程を含むものが好ましい。
【００１８】
レジストパターンの膜厚などは用いられる用途などに応じて適宜選択されるが、一般に０．１〜５μｍ、好ましくは０．１〜２．５μｍ、さらに好ましくは０．２〜１．５μｍ、の膜厚が選択される。
【００１９】
本発明によるレジスト基板の処理方法においては、レジストパターンを現像後、窒素含有水溶性ポリマーまたは酸素含有水溶性ポリマーと、水とを含んでなるレジスト基板処理液を用いて処理する。ここで、窒素含有水溶性ポリマーまたは酸素含有水溶性ポリマーは、その構造中に窒素原子または酸素原子を有し、かつ水溶性であるものであれば任意のものを選択することができる。
【００２０】
窒素含有水溶性ポリマーとしては、窒素原子をアミノ基、ピラゾール基、アミド基などの形態で分子中に含むものがあげられる。これらのうち、アミノ基を含む水溶性ポリマーが好ましい。ポリマーに含まれる窒素原子の数は限定されないが、パターンサイズの微細化の効果を強く発現させるために、１分子あたり５〜５０００個であることが好ましく、５〜２０００個であることがより好ましい。
【００２１】
ここで、好ましい窒素含有水溶性ポリマーは下記の構造（Ｉ）を有するポリアミンである。
【化１】
2008102343.tif 000002
式中、Ｌ１およびＬ２は２価の連結基、例えば単結合または２価の官能基である。Ｌ１およびＬ２の炭素数は特に制限されないが、０〜２０であることが好ましく、０〜５であることがより好ましい。また、Ｌ１およびＬ２の種類は特に限定されないが、一般に炭化水素基であり、アルキレン基またはアリーレン基であることが好ましく、アルキレン基であることがより好ましい。Ｒ１およびＲ２は任意の官能基である。Ｒ１とＲ２の炭素数は特に制限されないが、一般に水素または炭化水素基であり、０〜２０であることが好ましく、０〜５であることがより好ましい。また、Ｒ１およびＲ２の種類は特に限定されないが、一般に炭化水素基であり、アルキル基またはアリール基であることが好ましく、アルキル基であることがより好ましい。また、Ｒ１とＲ２は相互に結合して環を形成してもよく、あるいはＲ１またはＲ２は、Ｌ１またはＬ２に含まれる炭素と環を形成してもよい。ｐは重合度を表す数である。Ｌ１、Ｌ２、Ｒ１、およびＲ２は、必要に応じて他の官能基、例えば水酸基、カルボキシル基、アミノ基、カルボニル基、エーテル基などにより置換されてもよく、さらにＬ１、Ｌ２、Ｒ１、およびＲ２は、１分子中で複数の種類のものが混在していてもよい。また、Ｌ１、Ｌ２、Ｒ１、およびＲ２が炭素を含む場合、その炭素数は化合物が所定の濃度で水に溶解しえるように選択される。これらのうち、Ｌ１がアルキレン基、Ｌ２がメチレン基であることが好ましい。このようなポリアミンの具体例として、ポリアリルアミン、ポリＮ−メチルアリルアミン、ポリＮ，Ｎ‘−ジメチルアリルアミン、ポリ（Ｎ−メチル−３，５−ピペリジンジイルメチレン）などが挙げられる。これらのポリアミンの重合度は、モノマーの構造や、レジスト基板処理液の濃度や適用されるレジストの種類などに応じて任意の選択されるので、特に限定されないが、ポリアリルアミンの場合にはｐは５〜５００、好ましくは１０〜４００であり、ポリＮ，Ｎ‘−ジメチルアリルアミンの場合には、ｐは５〜５０、好ましくは５〜３０であり、ポリ（Ｎ−メチル−３，５−ピペリジンジイルメチレン）の場合には、ｐは５〜５０、好ましくは１０〜３０である。これらの好ましいポリマーの具体的な構造と重合度との具体例は下記のようなものである。これらは例えば日東紡績株式会社などから市販されている。
【化２】
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【００２２】
ここで、Ｒ１とＲ２が同時に水素である場合、すなわち式（Ｉ）中の窒素が１級アミンを形成する場合、例えば前記の（Ｉａ）または（Ｉｂ）は、本発明の効果が強く発現するので特に好ましい。
【００２３】
酸素含有水溶性ポリマーとしては、酸素原子を水酸基、エーテル基、カルボキシル基、カルボニル基、アミド基などの形態で分子中に含むものがあげられる。これらのうち、水酸基またはエーテル基を含む水溶性ポリマーが好ましい。ポリマーに含まれる酸素原子の数は限定されないが、パターンサイズの微細化の効果を強く発現させるために、１分子あたり５〜３０００個であることが好ましく、５〜１０００個であることがより好ましい。
【００２４】
ここで、好ましい酸素含有水溶性ポリマーは、下記の構造（ＩＩ）を有するポリオールまたは下記の構造（ＩＩＩ）をポリエーテルである。
【化３】
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【００２５】
式中、Ｌ３〜Ｌ５は２価の連結基、例えば単結合または２価の官能基である。これらの連結基の炭素数は特に制限されないが、０〜２０であることが好ましく、０〜５であることがより好ましい。また、これらの連結基の種類は特に限定されないが、一般に単結合または炭化水素基であり、炭化水素基である場合にはアルキレン基またはアリーレン基であることが好ましく、アルキレン基であることがより好ましい。Ｒ３は任意の官能基であり、アセタール基、アセチル基、ベンジル基などの保護基、あるいは水素またはアルキル基であることが好ましい。Ｒ３の炭素数は特に制限されないが、一般に水素または炭化水素基であり、０〜２０であることが好ましく、０〜５であることがより好ましい。ｑおよびｒは重合度を表す数である。Ｌ３〜Ｌ５およびＲ３は、必要に応じて他の官能基、例えば水酸基、カルボキシル基、アミノ基、カルボニル基、エーテル基などにより置換されてもよく、さらにＬ３〜Ｌ５およびＲ３は、１分子中で複数の種類のものが混在していてもよい。また、Ｌ３〜Ｌ５およびＲ３が炭素を含む場合、その炭素数は化合物が所定の濃度で水に溶解しえるように選択される。このような酸素含有水溶性ポリマーの具体例として、下記の化合物をあげることができる。
【化４】
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式中Ｒ’はカルボキシル基であり、分子量は約２４０００である。この式（ＩＩａ）のポリマーは株式会社クラレよりＰＶ−２０５として市販されている。また、このほか酸素含有水溶性ポリマーとしては、ポリオール、ポリアクリル酸およびポリメタクリル酸も挙げることができる。これらの水溶性ポリマーは、ジュリマーＡＣ−１０ＳＬ（商品名：日本純薬株式会社製）、ポバール（商品名：株式会社クラレ製）などとして市販されている。
【００２６】
これらの窒素含有水溶性ポリマーまたは酸素含有水溶性ポリマーは、必要に応じて任意の分子量のものを用いることができ、その分子量は、一般に５００〜２００，０００、好ましくは１，０００〜１００，０００である。なお、ポリマーの主鎖構造や官能基の種類などによりポリマーの適切な分子量は変化するので、前記の範囲外のポリマーを用いることも可能である。
【００２７】
これらのポリマーは、必要に応じて２種類以上を組み合わせて用いることもできる。
【００２８】
本発明におけるレジスト基板処理液は、前記した窒素含有水溶性ポリマーまたは酸素含有水溶性ポリマーと溶媒とを含んでなるものである。溶媒は特に限定されず、任意のものを用いることができるが、現像液やリンス液との親和性の観点から、水を用いることが好ましい。また、濡れ性などを改良するために少量の有機溶媒を共溶媒として用いてもよい。このような共溶媒としてはメチルアルコール、エチルアルコール等のアルコール類、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン類、酢酸エチル等のエステル等が挙げられる。また、必要に応じてさらなる成分を含むことができる。例えば、本願発明の効果を損なわない範囲で、界面活性剤、酸性物質あるいは塩基性物質を含むこともできる。
【００２９】
ここで処理液に含まれる窒素含有水溶性ポリマーまたは酸素含有水溶性ポリマーの濃度は特に限定されないが、目的や使用方法に応じて調整されることが好ましい。すなわち、一般に濃度が高い方が、処理時間が短時間で済む傾向にあり、またパターン表面の異物再付着改良の効果が大きい。一方、一般に濃度が低い方が、処理後の純水によるリンス工程が短時間で済む傾向にある。また用いられる感光性樹脂組の種類などに応じて、最適なポリマーの種類や濃度が変化する。このため、求められる特性に応じてバランスのよい濃度とすることが好ましい。したがって、窒素含有水溶性ポリマーまたは酸素含有水溶性ポリマーの最適な濃度は特定されないが、現像済みレジスト基板処理液の総重量を基準として、一般に０．０１〜１０％、好ましくは０．１〜５％、より好ましくは０．１〜２％である。
【００３０】
レジストパターンをレジスト基板処理液により処理する方法は、レジスト基板をレジスト基板処理液に浸漬したり、レジスト基板にレジスト基板処理液をディッピングやパドル塗布により塗布する方法などが挙げられる。また、レジスト基板をレジスト基板処理液により処理する時間、すなわち処理時間は特に制限されないが、パターン表面の異物再付着改良の効果を強く発現させるために、１秒以上であることが好ましく、１０秒以上であることがより好ましい。また、処理時間の上限は特に制限されないが、製造過程における効率の観点からは３００秒以下であることが好ましい。
【００３１】
また、レジスト基板処理液の温度も特に限定されないが、パターン表面の異物再付着改良の効果の観点から、５〜５０℃とするのが一般的であり、２０〜３０℃とすることが好ましい。
【００３２】
一般に、現像後のレジスト基板は、その現像後に残ったレジストの表面や、レジストが除去された後に露出した基板表面に現像により除去されたレジストが異物として再付着していることが多い。本発明によるレジスト基板の処理方法によれば、再付着したレジストが除去され、欠陥が少ない表面を形成させることができる。この理由は明確ではないが、レジスト処理液に含まれる水溶性ポリマーを構成する酸素原子または窒素原子が、再付着したレジストを水素結合や不対電子により吸着し、それによって再付着したレジストが基板またはレジスト表面から除去されるためと考えられる。
【００３３】
本発明によるレジスト基板の処理方法においては、前記のレジスト基板処理液によりレジスト基板を処理した後、さらに純水で洗浄処理、すなわちリンス処理を行う。このリンス処理はレジスト基板処理液を洗浄するために行われるものである。特にレジスト基板処理液の濃度が高い場合には、レジスト基板が後の工程、例えばエッチング工程でレジスト表面に残った処理液成分が問題を起こすことがあり、処理後のリンス処理は必須である。
【００３４】
本発明によるレジスト基板の処理方法においては、現像後、本発明によるポリマーを含む処理液でレジスト基板を処理する前にもリンス処理を行うことが好ましい。このリンス処理は、レジストパターンに付着した現像液を洗浄するために行われるものである。レジスト基板処理液が現像液により汚染されることを防ぎ、また最少量のレジスト基板処理液により処理をするためには、現像後、処理液による処理を行う前に、純水によるリンス処理を行うことが好ましい。
【００３５】
純水によるリンス処理の方法は任意の方法により行うことができ、例えばレジスト基板をリンス液に浸漬したり、回転しているレジスト基板表面にリンス液を滴下、噴霧または吹き付けにより供給することにより行うことができる。
【００３６】
本発明においては、現像後のレジストパターンを前記のレジスト基板処理液により処理する。一般に、現像後、あるいは純水によるリンス処理後、乾燥をせずに処理液により処理するが、必要に応じて、現像直後、あるいは現像後のリンス処理後に一度乾燥させてから処理液により処理することによっても本発明の効果を得ることができる。
【００３７】
本発明によるレジスト基板の処理方法により表面性状が改良されたレジストパターンは、引き続き用途に応じた加工が施される。この際、本発明によるレジスト基板の処理方法を用いたことによる制限は特になく、慣用の方法により加工することができる。
【００３８】
このように本発明の方法により形成されたパターンは、半導体デバイス、液晶表示素子などのフラットパネルディスプレー（ＦＰＤ）、電荷結合素子（ＣＣＤ）、カラーフィルター、磁気ヘッドなどに、従来の方法で製造されたパターンと同様に適用することができる。
【００３９】
本発明を諸例を用いて説明すると以下の通りである。なお、本発明の態様はこれらの例に限定されるものではない。
【００４０】
比較例１
ＡＺエレクトロニックマテリアルズ社製反射防止膜ＡＺ ＫｒＦ−１７Ｂ（‘ＡＺ’は登録商標、以下同じ）を東京エレクトロン社製スピンコーターにより８インチシリコンウェハーに回転塗布し、１８０℃、６０秒間ホットプレートにてベークを行い、８００Åの膜が得られるように調整した。膜厚はプロメトリスク社製膜厚測定装置にて測定した。次にＡＺエレクトロニックマテリアルズ社製フォトレジストＡＺ ＤＸ６８５０Ｐ（ポリスチレンを骨格としたポリマーを含む２４８ｎｍ露光用化学増幅型レジスト）を、得られた反射防止膜上に回転塗布し、１００℃、９０秒間ホットプレートにてベークを行い、０．６８μｍのレジスト膜が得られるように調整した。そしてキヤノン社製縮小投影露光装置ＦＰＡ３０００ＥＸ５（波長２４８ｎｍ）にて、Ｑｕａｄｒｏｐｏｌｅを使用し露光した。露光後、ホットプレートにて１１０℃、６０秒間ベークを行い、ＡＺエレクトロニックマテリアルズ社製現像液ＡＺ ３００ＭＩＦデベロッパー（２．３８重量％水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液）を用いパドル現像（２３℃、１分間）した。次いで、純水でリンス処理を行い、スピン乾燥し、２５０ｎｍのショートラインパターンを得た。
【００４１】
比較例２
比較例１と同様に現像を行った後、
（ａ）純水でリンスせずにそのままレジスト基板処理液で２０秒間処理、
（ｂ）純水でリンスせずにそのままレジスト基板処理液で２０秒間処理し、純水で１５秒間リンス、
（ｃ）純水でリンスし、レジスト基板処理液で１５秒間処理し、さらに純水で１５秒間リンス、
の各処理を行った。レジスト基板処理液は、トリエタノールアミンを表１に記載された濃度で含むものを用いた。
【００４２】
実施例
比較例２と同様に各処理を行った。レジスト基板処理液は、表１に記載されたポリマーを表１に記載された濃度で含むものを用いた。
【００４３】
得られたレジスト基板について、欠陥検査装置ＫＬＡ２１１５（ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製）により観察し、パターン表面に再付着した異物を評価した。得られた結果は表１に示すとおりであった。
【００４４】
【表１】
2008102343.tif 000006