(57)【要約】【課題】放熱性が良く、結晶欠陥の影響が少なく、加工特性に優れたステンシルマスク及びステンシルマスク製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】本発明のステンシルマスクは、放熱膜が炭素材料であり、前記放熱膜の膜厚が０．１μｍより大きいことを特徴とする。これにより、熱伝導性を飛躍的に向上させることが出来、発熱によるメンブレンの撓みを抑制することが出来る。このため、本発明のステンシルマスクは、特に、イオン注入工程に好適に用いることが期待出来る。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
貫通孔パターンを設けたパターン層と、
前記パターン層を支持する基材と、
前記貫通孔パターンを保護する放熱膜と、を少なくとも備え
前記放熱膜は炭素を主成分とする膜であり、
前記放熱膜の膜厚が０．１μｍより大きいこと
を特徴とするステンシルマスク。
【請求項２】
請求項１に記載のステンシルマスクであって、
パターン層はシリコンであり、
前記パターン層の膜厚が２μｍ以上６０μｍ以下であること
を特徴とするステンシルマスク。
【請求項３】
請求項１または２のいずれかに記載のステンシルマスクであって、
放熱膜は、ダイヤモンド膜またはダイヤモンド状カーボン膜であること
を特徴とするステンシルマスク。
【請求項４】
請求項１から３のいずれかに記載のステンシルマスクであって、
放熱膜は、ホウ素、硫黄、窒素、リン、シリコンからなる群より選ばれた、少なくとも１種類以上の不純物が含まれていること
を特徴とするステンシルマスク。
【請求項５】
少なくとも、
パターン層をパターニングする工程と、
放熱膜を形成する工程と、
前記放熱膜に貫通孔パターンを形成する工程と
を備えたことを特徴とするステンシルマスク製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載のステンシルマスク製造方法であって、
パターン層はシリコンであり、
放熱膜は炭素を主成分とする膜であり、
放熱膜に貫通孔パターンを形成する工程は、酸素を主成分とするガスを用いたドライエッチングを行う工程であること
を特徴とするステンシルマスク製造方法。
【請求項７】
請求項５または６のいずれかに記載のステンシルマスク製造方法であって、
基材と、中間層と、パターン層とを備えた基板を用い、中間層をエッチングストッパーとして、基材をエッチングし、メンブレン部を形成する工程と、
メンブレン部に接する中間層を除去する工程と、
基材側から放熱膜を形成する工程と、
パターン層をエッチングし、パターニングを行う工程と、
パターン層側からエッチングし、放熱膜に貫通孔を形成する工程と、
を備えたことを特徴とするステンシルマスク製造方法。
【請求項８】
請求項５または６のいずれかに記載のステンシルマスク製造方法であって、
基材と、中間層と、パターン層とを備えた基板を用い、中間層をエッチングストッパーとして、パターン層をエッチングし、パターニングを行う工程と、
中間層をエッチングストッパーとして、基材をエッチングし、メンブレン部を形成する工程と、
メンブレン部に接する中間層を除去する工程と、
基材側から放熱膜を形成する工程と、
パターン層側からエッチングし、放熱膜に貫通孔を形成する工程と、
を備えたことを特徴とするステンシルマスク製造方法。
【請求項９】
請求項７または８のいずれかに記載のステンシルマスク製造方法であって、
基板がＳＯＩ基板であること
を特徴とするステンシルマスク製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ステンシルマスクおよびステンシルマスク製造方法に関し、特に、イオン注入工程に用いるステンシルマスクおよびステンシルマスク製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス作製工程では、シリコンの所定の箇所にホウ素、ガリウムなどの３族の元素あるいはリン、砒素、アンチモンなどの５族の元素をドーパントとしてイオン注入し、ｐ型あるいはｎ型の導電型を有する半導体層を形成している。
【０００３】
イオン注入装置は、所定の元素からなるイオンを作製し、イオンを加速し、ターゲット基板にイオンを注入する装置である。従って、半導体基板上の所定の箇所にイオンを注入するためには何らかの手段で非イオン注入領域をマスキングしなければならない。
【０００４】
従来、非イオン注入領域をマスキングする方法として、半導体基板の上に形成されたレジスト膜またはシリコン酸化膜を利用する方法が取られてきた。これらの膜に対しフォトリソグラフィー技術などを用いてパターニングし開口部を形成することで、イオン注入領域と非イオン注入領域を区別することができる。しかし、この方法では、レジストコート、露光、現像などの前処理、レジスト除去、洗浄などの後処理が必要であるため、非常に長い工程となり、工期、製造コストの両面から問題視されてきた。
【０００５】
このような状況の中、ステンシルマスクを用いたイオン注入技術が提案され、開発が進められている。イオン注入用ステンシルマスクにおいて、発熱によるメンブレンの撓みが大きな問題となっている。非イオン注入領域はステンシルマスクによってマスキングされるため、高エネルギーのイオンビームがステンシルマスクのメンブレン部にも大量に注入される。その結果、例えばパターン層がシリコンで形成されたステンシルマスクのメンブレン部では、イオン注入量によっては温度が数百度に達する可能性がある。高温になったシリコンメンブレンは撓んでしまい、イオン注入領域の寸法精度及び位置精度が非常に悪くなるという問題がある。
【０００６】
そこで、パターン層に、シリコンより熱伝導性に優れたダイヤモンドを用いたイオン注入用ステンシルマスクが提案されている（特許文献１参照）。
【０００７】
また、荷電粒子露光工程に用いるステンシルマスクでは、薄膜シリコンメンブレン上に炭素を主成分とする膜を形成する方法が提案されている（特許文献２参照）。
【特許文献１】特開２００５−１２１８７号公報
【特許文献２】特開２００５−９３４８４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、シリコンメンブレンマスクと比較し、ダイヤモンドメンブレンマスクは結晶の完全性の面で劣る。従って、例えば、ダイヤモンドメンブレンのピンホール欠陥などを通過したイオンがターゲット基板の非イオン注入領域に注入されてしまう等の問題がある。また、積層欠陥や転位欠陥を起点とし使用中にマスクが破損するなど、信頼性の面で問題がある。また、ダイヤモンドそのものの精密加工技術は難易度が高く、非常に使いづらいといった問題がある。
【０００９】
また、パターン層に貫通孔を形成した後、裏面側に放熱膜を形成するという方法では、放熱膜が貫通孔パターンの寸法を小さくしてしまう恐れがある。上述した問題は、放熱膜の膜厚を厚く形成する場合に顕著となる。
【００１０】
そこで、本発明は、上記問題点を解決するためなされたものであり、放熱性が良く、結晶欠陥の影響が少なく、更には加工特性に優れたステンシルマスク及びステンシルマスク製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
請求項１に記載の本発明は、貫通孔パターンを設けたパターン層と、前記パターン層を支持する基材と、前記貫通孔パターンを保護する放熱膜と、を少なくとも備え前記放熱膜は炭素を主成分とする膜であり、前記放熱膜の膜厚が０．１μｍより大きいことを特徴とするステンシルマスクである。
【００１２】
請求項２に記載の本発明は、請求項１に記載のステンシルマスクであって、パターン層はシリコンであり、前記パターン層の膜厚が２μｍ以上６０μｍ以下であることを特徴とするステンシルマスクである。
【００１３】
請求項３に記載の本発明は、請求項１または２のいずれかに記載のイオン注入用マスクであって、放熱膜は、ダイヤモンド膜またはダイヤモンド状カーボン膜であることを特徴とするステンシルマスクである。
【００１４】
請求項４に記載の本発明は、請求項１から３のいずれかに記載のステンシルマスクであって、放熱膜は、ホウ素、硫黄、窒素、リン、シリコンからなる群より選ばれた、少なくとも１種類以上の不純物が含まれていることを特徴とするステンシルマスクである。
【００１５】
請求項５に記載の本発明は、少なくとも、パターン層をパターニングする工程と、放熱膜を形成する工程と、前記放熱膜に貫通孔パターンを形成する工程とを備えたことを特徴とするステンシルマスク製造方法である。
【００１６】
請求項６に記載の本発明は、請求項５に記載のステンシルマスク製造方法であって、パターン層はシリコンであり、放熱膜は炭素を主成分とする膜であり、放熱膜に貫通孔パターンを形成する工程は、酸素を主成分とするガスを用いたドライエッチングを行う工程であることを特徴とするステンシルマスク製造方法である。
【００１７】
請求項７に記載の本発明は、請求項５または６のいずれかに記載のステンシルマスク製造方法であって、基材と、中間層と、パターン層とを備えた基板を用い、中間層をエッチングストッパーとして、基材をエッチングし、メンブレン部を形成する工程と、メンブレン部に接する中間層を除去する工程と、基材側から放熱膜を形成する工程と、パターン層をエッチングし、パターニングを行う工程と、パターン層側からエッチングし、放熱膜に貫通孔を形成する工程と、を備えたことを特徴とするステンシルマスク製造方法である。
【００１８】
請求項８に記載の本発明は、請求項５または６のいずれかに記載のステンシルマスク製造方法であって、基材と、中間層と、パターン層とを備えた基板を用い、中間層をエッチングストッパーとして、パターン層をエッチングし、パターニングを行う工程と、中間層をエッチングストッパーとして、基材をエッチングし、メンブレン部を形成する工程と、メンブレン部に接する中間層を除去する工程と、基材側から放熱膜を形成する工程と、パターン層側からエッチングし、放熱膜に貫通孔を形成する工程と、を備えたことを特徴とするステンシルマスク製造方法である。
【００１９】
請求項９に記載の本発明は、請求項７または８のいずれかに記載のステンシルマスク製造方法であって、基板がＳＯＩ基板であることを特徴とするステンシルマスク製造方法である。
【発明の効果】
【００２０】
本発明のステンシルマスクは、放熱膜が炭素材料であり、前記放熱膜の膜厚が０．１μｍより大きいことを特徴とする。放熱膜の膜厚が厚いほど放熱特性は向上するため、熱伝導性を向上させることが出来る。このため、発熱によるメンブレンの撓みを抑制することが出来る。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明のステンシルマスクの一形態を、図１を用いて説明する。
【００２２】
本発明のステンシルマスク１０は、
貫通孔パターン７を設けたパターン層４と、
前記パターン層４を支持する基材２と、
前記貫通孔パターン７を保護する放熱膜１と、を少なくとも備え
前記放熱膜１は炭素を主成分とする膜であり、
前記放熱膜１の膜厚が０．１μｍより大きいこと
を特徴とするステンシルマスクである。
【００２３】
パターン層としては、イオン注入工程に際して、ピンホール欠陥などを通過したイオンがターゲット基板の非イオン注入領域に注入されないように、結晶欠陥が少ない材料であることが好ましい。例えば、シリコンなどを用いても良い。
【００２４】
また、パターン層がシリコンである場合、パターン層の膜厚としては、２μｍ以上６０μｍ以下であることが好ましい。２μｍ以下の場合、イオン注入に際して、メンブレンの変形や破損が発生し易くなり、６０μｍ以上の場合、貫通孔パターンのパターン精度が悪くなる恐れがある。
【００２５】
基材としては、パターン層を支持できるような形状、材料であればよく、形状、材料共に、特に、限定されるものではない。例えば、メンブレン部を支える梁を設けても良い。
【００２６】
放熱膜としては、熱伝導性に優れた材料であることが好ましく、炭素を主成分とする膜であることがより好ましい。このとき、炭素を主成分とする膜としては、多結晶あるいはナノ結晶からなるダイヤモンド膜、ダイヤモンド状カーボン膜を好ましく用いることが出来る。また、カーボンナノチューブ、フラーレン、無定形炭素などを用いることが出来る。
【００２７】
特に、イオン注入工程に用いるステンシルマスクの場合、ターゲット基板に注入するイオンのイオン注入深さは、一般的に０．１μｍ以下であるため、メンブレン部にイオン注入の影響を与えないためには、放熱膜は０．１μｍより大きいことが好ましい。放熱膜を０．１μｍより大きくすることで、ステンシルマスクに注入されたエネルギーを放熱膜で吸収し放熱することが出来る。よって、パターン層を注入イオンから保護することが出来る。
【００２８】
また、放熱膜の膜厚は、膜厚が厚いほど放熱特性は向上するため、厚いことが好ましい。このため、放熱膜の膜厚は、０．１μｍより大きいことが好ましく、０．５μｍより大きいことがより好ましい。
【００２９】
また、放熱膜には、ホウ素、硫黄、窒素、リン、シリコンからなる群より選ばれた、少なくとも１種類以上の不純物が含まれていることが好ましい。これにより、放熱膜が導電性を有するため、チャージアップによるイオン注入不良やマスクの破損を防止することが出来る。
【００３０】
貫通孔パターンは、パターン層と放熱膜の両方を貫通する開口パターンである。イオン注入工程においては、貫通孔パターンを通してターゲット基板の所望の箇所に不純物イオンを注入する。
【００３１】
以下、本発明のステンシルマスクの製造方法について説明を行う。
【００３２】
本発明のステンシルマスクの製造方法は、
パターン層をパターニングする工程と、
放熱膜を形成する工程と、
前記放熱膜に貫通孔パターンを形成する工程と
を備えたことを特徴とする。
【００３３】
＜パターン層をパターニングする工程＞
パターン層をパターニングする工程としては、適宜公知のパターニング方法を用いることができ、例えば、公知のリソグラフィー技術および公知のエッチング技術を用いて形成しても良い。
【００３４】
＜放熱膜を形成する工程＞
放熱膜を形成する工程としては、適宜公知の薄膜形成方法を用いることができ、例えば、化学的気相成長法を用いて形成しても良い。
【００３５】
＜放熱膜に貫通孔パターンを形成する工程＞
放熱膜に貫通孔パターンを形成する工程としては、適宜公知のパターニング方法を用いることができ、例えば、公知のリソグラフィー技術および公知のエッチング技術を用いて形成しても良い。
【００３６】
放熱膜を形成した後に、放熱膜に貫通孔パターンを形成することにより、放熱膜により貫通孔パターンの寸法が変形することを抑制することが出来る。このため、特に、放熱膜の膜厚が厚い場合であっても、貫通孔パターンの寸法変動を抑制出来る。よって、特に、放熱膜の膜厚が厚いステンシルマスクを製造するのに好適に用いることが出来る。
【００３７】
パターン層がシリコンであり、放熱膜が炭素を主成分とする膜である場合、放熱膜に貫通孔パターンを形成する工程は、酸素を主成分とするガスを用いたドライエッチングを行う工程であることが好ましい。酸素を主成分とするガスを用いたドライエッチングは、炭素を主成分とする膜に対して、シリコンよりもエッチングレートが大きい。このため、パターン層に設けられたパターンを、放熱膜の貫通孔パターンを形成するためのマスクとして用いることが出来る。よって、貫通孔パターンの実効的な寸法変動を抑制し、放熱膜に貫通孔を形成することが出来る。
【００３８】
以下、本発明のステンシルマスク製造方法の実施の一形態について、具体的に、図２（ａ）〜図２（ｆ）を用いて説明を行う。
【００３９】
＜基材をエッチングし、メンブレン部を形成する工程＞
まず、基材と、中間層と、パターン層とを備えた基板を用意する（図２（ａ））。基材とパターン層に関しては上述の要件を満たすものであれば良く、中間層としては、基材およびパターン層に対して、エッチング処理のストッパー層として機能するものであれば良い。
【００４０】
このとき、基板としてＳＯＩ基板を好適に用いることが出来る。ＳＯＩ基板は絶縁膜上に単結晶シリコンを形成した基板である。このとき、絶縁膜を中間層、単結晶シリコンをパターン層として用いることが出来る。ＳＯＩ基板は半導体材料として流通しているため、入手容易であり、絶縁膜を挟んで最低３層の構成となっていることから、本発明のステンシルマスク製造方法に好適に用いることが出来る。
【００４１】
次に、基材をエッチングし、基材側開口部２１０を形成する（図２（ｂ））。このとき、適宜公知のパターニング方法を用いることができ、例えば、公知のリソグラフィー技術および公知のエッチング技術を用いて形成しても良い。このとき、基材側開口部２１０の一部に基材部分が残るようにパターニングを行うことで、ステンシルマスクのメンブレン部を支持する梁を形成することが出来る。
【００４２】
＜メンブレン部に接する中間層を除去する工程＞
次に、基材側開口部２１０内の中間層１２０を除去し、メンブレン部２２０を形成する（図２（ｃ））。除去する工程としては、適宜公知の薄膜除去方法を用いることができ、例えば、公知のエッチング技術を用いて除去しても良い。
【００４３】
＜基材側から放熱膜を形成する工程＞
次に、基材側のメンブレン部２２０表面及び基材表面に放熱膜２３０を形成する（図２（ｄ））。放熱膜としては、炭素を主成分とする膜であることが好ましく、適宜公知の形成方法を用いて形成してよい。例えば、放熱膜として、ダイヤモンド膜またはダイヤモンド状カーボン膜を形成する場合、化学的気相成長法を用いて形成しても良い。
【００４４】
＜パターン層をエッチングし、パターニングを行う工程＞
次に、メンブレン２２０に所望のパターン２４０を形成する（図２（ｅ））。パターン層をパターニングする工程としては、適宜公知のパターニング方法を用いることができ、例えば、公知のリソグラフィー技術および公知のエッチング技術を用いて形成しても良い。このとき、パターニングを行う工程に際して、パターン層のメンブレン部の直下には、中間層が存在しない。このため、中間層の応力に起因した歪みを考慮することなくパターニングを行うことが出来、パターンの位置精度を向上することが出来る。特に、ＳＯＩ基板を用いたとき、絶縁膜の歪みの影響を受けないため、効果を奏する。
【００４５】
＜放熱膜に貫通孔を形成する工程＞
次に、放熱膜２３０に貫通孔パターン２５０を形成し、本発明のステンシルマスクを得る（図２（ｆ））。放熱膜に貫通孔パターンを形成する工程としては、適宜公知のパターニング方法を用いることができ、例えば、公知のリソグラフィー技術および公知のエッチング技術を用いて形成しても良い。ＳＯＩ基板を用いたとき、放熱膜に貫通孔を形成する工程は、酸素を主成分とするガスを用いたドライエッチングを行う工程であることが好ましい。酸素を主成分とするガスを用いたドライエッチングは、炭素を主成分とする膜に対して、シリコンよりもエッチングレートが大きい。このため、パターン層に設けられた貫通孔パターンを、放熱膜の貫通孔パターンを形成するためのマスクとして用いることが出来る。よって、貫通孔パターンの実効的な寸法変動を抑制し、放熱膜に貫通孔を形成することが出来る。
【００４６】
以下、本発明のステンシルマスク製造方法の別の実施の一形態について、具体的に、図３（ａ）〜図３（ｆ）を用いて説明を行う。
【００４７】
＜パターン層をエッチングし、パターニングを行う工程＞
まず、基板を用意する（図３（ａ））。基板については上述の実施の形態と同様に用意してよい。
【００４８】
次に、中間層をエッチングストッパーとして、パターン層をエッチングし、パターニングを行う（図３（ｂ））。このとき、パターニングを行う工程に際して、パターン３１０の直下には中間層１２０および基材１１０が存在している。このとき、基板の温度調整を行うことにより、パターン３１０の寸法精度を向上することが出来る。
【００４９】
＜基材をエッチングし、メンブレン部を形成する工程＞（図３（ｃ））
＜メンブレン部に接する中間層を除去する工程＞（図３（ｄ））
＜基材側から放熱膜を形成する工程＞（図３（ｅ））
＜放熱膜に貫通孔を形成する工程＞（図３（ｆ））
これらの工程については、上述の実施の形態と同様に実施して良い。
【００５０】
以上より、本発明のステンシルマスクの製造方法について、実施することが出来る。
【００５１】
以下、本発明のステンシルマスクを用いた、イオン注入工程について図４を用いながら説明を行う。
【００５２】
図４はイオン注入装置におけるステンシルマスクの近傍を拡大した図である。イオンビーム４００がステンシルマスク１０を通してターゲット基板４１０に注入されている。このとき、ステンシルマスク１０は、放熱膜１がイオンビーム側になるように設置する。放熱膜１がイオンビーム側になるように設置することにより、イオンビームによる熱が放熱膜１を通してチャック４２０へ逃がされるため、イオン注入用ステンシルマスクのメンブレン部が熱により撓むことを抑制することが出来る。
【実施例】
【００５３】
＜実施例１＞
まず、ＳＯＩ基板（パターン層の厚み：２０μｍ、基材の厚み：５２５μｍ）を用意した（図２（ａ））。
【００５４】
次に、基材１１０の表面にレジストを塗布し、フォトリソグラフィー技術を用いて所定の開口レジストパターンを形成し、該開口レジストパターンをマスクとし、中間層１２０をエッチングストッパーとして、フッ素系のガスを用いて基材１１０をドライエッチングし、基材側開口部２１０を形成し、硫酸と過酸化水素水の混合液を用いて開口レジストパターンを除去した（図２（ｂ））。
【００５５】
次に、５％のフッ酸溶液を用いて、基材側開口部２１０内の中間層１２０を除去し、メンブレン部２２０を形成した（図２（ｃ））。
【００５６】
次に、基材側のメンブレン２２０表面及び基材表面に、放熱膜２３０として化学的気相成長法によりダイヤモンド膜を０．５μｍの厚さとなるように形成した（図２（ｄ））。
【００５７】
次に、パターン層表面にレジストを塗布し、ＥＢリソグラフィーの技術を用いて所定のレジストパターンを形成した。該レジストパターンをマスクとし、メンブレン２２０をフッ素系のガスを用いてドライエッチングし、パターン２４０を形成し、硫酸と過酸化水素水の混合液を用いてレジストを除去した（図２（ｅ））。
【００５８】
次に、パターン２４０をマスクとして酸素ガスを用いてダイヤモンド膜をドライエッチングし、貫通孔パターン２５０を形成し、本発明のステンシルマスクを製造した（図２（ｆ））。
【００５９】
＜実施例２＞
まず、ＳＯＩ基板（パターン層の厚み：２０μｍ、基材の厚み：５２５μｍ）を用意した（図３（ａ））。
【００６０】
次に、パターン層１３０の表面にレジストを塗布し、ＥＢリソグラフィーの技術を用いて所定のレジストパターンを形成した。該レジストパターンをマスクとし、中間層１２０をエッチングストッパーとして、フッ素系のガスを用いてドライエッチングし、パターン層１３０にパターン３１０を形成し、硫酸と過酸化水素水の混合液を用いてレジストを除去した（図３（ｂ））。
【００６１】
次に、基材１１０の表面にレジストを塗布し、フォトリソグラフィーの技術を用いて所定の開口レジストパターンを形成し、該開口レジストパターンをマスクとし、中間層１２０をエッチングストッパーとして、フッ素系のガスを用いて基材１１０をドライエッチングし、基材側開口部３２０を形成し、硫酸と過酸化水素水の混合液を用いてレジストを除去した。（図３（ｃ））。
【００６２】
次に、５％のフッ酸溶液を用いて、中間層１２０の一部を除去しパターン３３０を形成した（図３（ｄ））。
【００６３】
次に、パターン３３０の基材側表面及び基材表面に、放熱膜２３０として化学的気相成長法によりダイヤモンド膜を０．５μｍの厚さとなるように形成した（図３（ｅ））。
【００６４】
次に、パターン３３０をマスクとして酸素ガスを用いてダイヤモンドをドライエッチングし、貫通孔パターン３５０を形成し、本発明のステンシルマスクを製造した（図２（ｆ））。
【産業上の利用可能性】
【００６５】
本発明のステンシルマスクは、放熱性に優れ、従って、特に、イオン注入工程において用いるステンシルマスクとして好適に使用することが期待出来る。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】本発明のステンシルマスクの一例を示す概略図である。
【図２】本発明のステンシルマスク製造方法の実施の一形態を示す断面工程図である。
【図３】本発明のステンシルマスク製造方法の実施の一形態を示す断面工程図である。
【図４】本発明のステンシルマスクを用いたイオン注入工程を示す説明図である。
【符号の説明】
【００６７】
１０……ステンシルマスク
２……基材
３……中間層
４……パターン層
５……パターン層のメンブレン部
６……放熱膜のメンブレン部
７……貫通孔パターン
１００……ＳＯＩ基板
１１０……基材
１２０……中間層
１３０……パターン層
２１０、３２０……基材側開口部
２２０……メンブレン部
２３０、３４０……放熱膜
２４０、３１０、３３０……パターン層のパターン
２５０、３５０……貫通孔パターン
４００……イオンビーム
４１０……ターゲット基板
４２０……チャック
【図１】
2008171917.tif 000003
【図２】
2008171917.tif 000004
【図３】
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【図４】
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