(57)【要約】【課題】  薄膜トランジスタパネル１と該薄膜トランジスタパネル１下に対向配置された対向パネル２１とがシール材を介して貼り合わされ、シール材の内側における両パネル１、２１間に液晶３１が封入され、対向パネル２１下にバックライト３２が配置された液晶表示装置において、外光反射に起因するコントラスト低下を抑制する。【解決手段】  ゲート電極８（走査ラインを含む）、ソース電極１４、ドレイン電極１５、データライン４および補助容量ライン７は、反射率が２０％以下の低反射金属によって形成されている。これにより、外光反射に起因するコントラスト低下を抑制することができる。なお、ゲート電極８（走査ラインを含む）、ソース電極１４、ドレイン電極１５、データライン４および補助容量ライン７をアルミニウム系金属等によって形成し、それらの上面に低反射金属膜を設けるようにしてもよい。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄膜トランジスタパネルと該薄膜トランジスタパネル下に対向配置された対向パネルとがシール材を介して貼り合わされ、前記シール材の内側における前記両パネル間に液晶が封入され、前記対向パネル下にバックライトが配置された液晶表示装置において、前記薄膜トランジスタパネルは、アクティブ基板と、前記アクティブ基板下に設けられ、ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極を有する薄膜トランジスタと、前記アクティブ基板下に設けられ、前記ゲート電極に接続された走査ラインと、前記アクティブ基板下に設けられ、前記ドレイン電極に接続されたデータラインと、前記アクティブ基板下に設けられ、前記ソース電極に接続された画素電極とを備え、前記ゲート電極、前記ソース電極、前記ドレイン電極、前記走査ラインおよび前記データラインの少なくとも前記バックライトと対向する面とは反対側の表面層は反射率が２０％以下の低反射金属によって形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
薄膜トランジスタパネルと該薄膜トランジスタパネル下に対向配置された対向パネルとがシール材を介して貼り合わされ、前記シール材の内側における前記両パネル間に液晶が封入され、前記対向パネル下にバックライトが配置された液晶表示装置において、前記薄膜トランジスタパネルは、アクティブ基板と、前記アクティブ基板下に設けられ、ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極を有する薄膜トランジスタと、前記アクティブ基板下に設けられ、前記ゲート電極に接続された走査ラインと、前記アクティブ基板下に設けられ、前記ドレイン電極に接続されたデータラインと、前記アクティブ基板下に設けられ、前記ソース電極に接続された画素電極とを備え、前記アクティブ基板下において前記ゲート電極、前記ソース電極、前記ドレイン電極、前記走査ラインおよび前記データラインの前記バックライトと対向する面と反対の面側に反射率が２０％以下の低反射金属からなる低反射金属膜が設けられていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
請求項２に記載の発明において、前記各低反射金属膜は、前記ゲート電極、前記ソース電極、前記ドレイン電極、前記走査ラインおよび前記データラインの各上面に設けられていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】
請求項２に記載の発明において、前記各低反射金属膜は前記アクティブ基板の下面に設けられ、前記各低反射金属膜を含む前記アクティブ基板の下面に絶縁膜が設けられ、前記絶縁膜下に前記ゲート電極、前記ソース電極、前記ドレイン電極、前記走査ラインおよび前記データラインが設けられていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５】
請求項２に記載の発明において、前記アクティブ基板の下面に前記ソース電極、前記ドレイン電極および前記データラインに対応する前記各低反射金属膜が設けられ、当該各低反射金属膜を含む前記アクティブ基板の下面に絶縁膜が設けられ、前記絶縁膜の下面に前記ゲート電極および前記走査ラインに対応する前記各低反射金属膜が設けられ、当該各低反射金属膜の下面に前記ゲート電極および前記走査ラインが設けられていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項６】
請求項２に記載の発明において、前記アクティブ基板の下面に前記ゲート電極および前記走査ラインに対応する前記各低反射金属膜が設けられ、当該各低反射金属膜の下面に前記ゲート電極および前記走査ラインが設けられ、前記ゲート電極および前記走査ラインを含む前記アクティブ基板の下面に絶縁膜が設けられ、前記絶縁膜の下面に前記ソース電極、前記ドレイン電極および前記データラインに対応する前記各低反射金属膜が設けられ、当該各低反射金属膜下に前記ソース電極、前記ドレイン電極および前記データラインが設けられていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項７】
請求項１に記載の発明において、前記アクティブ基板下に反射率が２０％以下の低反射金属からなる補助容量ラインが設けられていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項８】
請求項２に記載の発明において、前記アクティブ基板下に設けられた補助容量ラインの上面に反射率が２０％以下の低反射金属からなる低反射金属膜が設けられていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項９】
請求項２に記載の発明において、前記アクティブ基板の下面においてその下に設けられた補助容量ライン上に絶縁膜を介して反射率が２０％以下の低反射金属からなる低反射金属膜が設けられていることを特徴とする液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の液晶表示装置には、薄膜トランジスタパネルと該薄膜トランジスタパネル下に対向配置された対向パネルとがほぼ方形枠状のシール材を介して貼り合わされ、シール材の内側における両パネル間に液晶が封入され、対向パネル下にバックライトが配置されたものがある（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−２８５９７６号公報（図２、図５、第７１段落）
【０００４】
ところで、上記従来の液晶表示装置では、薄膜トランジスタパネルの基板の内面にアルミニウムを含む材料からなる低抵抗化のための第１の膜および高融点金属であるチタンを含む材料からなる遮光のための第２の膜からなる２層構造の積層膜が設けられ、積層膜の内面側に薄膜トランジスタが設けられている。
【０００５】
そして、バックライトからの光が第２の膜に照射されても、第２の膜での反射を防止することにより、このような反射光が薄膜トランジスタに入射されるのを防止し、且つ、外光が第２の膜で遮光されることにより、外光が薄膜トランジスタに入射されるのを防止するようにしている。低抵抗の第１の膜は、積層膜を配線として利用可能とするためのものである。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記従来の液晶表示装置では、薄膜トランジスタパネルの基板の内面に高反射率の導電性材料であるアルミニウムを含む材料からなる第１の膜を設けているので、外光がこの第１の膜で反射され、外光反射に起因するコントラスト低下が生じるという問題があった。また、積層膜で主として薄膜トランジスタを覆っているので、薄膜トランジスタに接続された走査ラインやデータラインによる外光反射も生じるという問題があった。
【０００７】
そこで、この発明は、外光反射に起因するコントラスト低下を抑制することができる液晶表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
請求項１に記載の発明は、薄膜トランジスタパネルと該薄膜トランジスタパネル下に対向配置された対向パネルとがシール材を介して貼り合わされ、前記シール材の内側における前記両パネル間に液晶が封入され、前記対向パネル下にバックライトが配置された液晶表示装置において、前記薄膜トランジスタパネルは、アクティブ基板と、前記アクティブ基板下に設けられ、ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極を有する薄膜トランジスタと、前記アクティブ基板下に設けられ、前記ゲート電極に接続された走査ラインと、前記アクティブ基板下に設けられ、前記ドレイン電極に接続されたデータラインと、前記アクティブ基板下に設けられ、前記ソース電極に接続された画素電極とを備え、前記ゲート電極、前記ソース電極、前記ドレイン電極、前記走査ラインおよび前記データラインの少なくとも前記バックライトと対向する面とは反対側の表面層は反射率が２０％以下の低反射金属によって形成されていることを特徴とするものである。
請求項２に記載の発明は、薄膜トランジスタパネルと該薄膜トランジスタパネル下に対向配置された対向パネルとがシール材を介して貼り合わされ、前記シール材の内側における前記両パネル間に液晶が封入され、前記対向パネル下にバックライトが配置された液晶表示装置において、前記薄膜トランジスタパネルは、アクティブ基板と、前記アクティブ基板下に設けられ、ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極を有する薄膜トランジスタと、前記アクティブ基板下に設けられ、前記ゲート電極に接続された走査ラインと、前記アクティブ基板下に設けられ、前記ドレイン電極に接続されたデータラインと、前記アクティブ基板下に設けられ、前記ソース電極に接続された画素電極とを備え、前記アクティブ基板下において前記ゲート電極、前記ソース電極、前記ドレイン電極、前記走査ラインおよび前記データラインの前記バックライトと対向する面と反対の面側に反射率が２０％以下の低反射金属からなる低反射金属膜が設けられていることを特徴とするものである。
請求項３に記載の発明は、請求項２に記載の発明において、前記各低反射金属膜は、前記ゲート電極、前記ソース電極、前記ドレイン電極、前記走査ラインおよび前記データラインの各上面に設けられていることを特徴とするものである。
請求項４に記載の発明は、請求項２に記載の発明において、前記各低反射金属膜は前記アクティブ基板の下面に設けられ、前記各低反射金属膜を含む前記アクティブ基板の下面に絶縁膜が設けられ、前記絶縁膜下に前記ゲート電極、前記ソース電極、前記ドレイン電極、前記走査ラインおよび前記データラインが設けられていることを特徴とするものである。
請求項５に記載の発明は、請求項２に記載の発明において、前記アクティブ基板の下面に前記ソース電極、前記ドレイン電極および前記データラインに対応する前記各低反射金属膜が設けられ、当該各低反射金属膜を含む前記アクティブ基板の下面に絶縁膜が設けられ、前記絶縁膜の下面に前記ゲート電極および前記走査ラインに対応する前記各低反射金属膜が設けられ、当該各低反射金属膜の下面に前記ゲート電極および前記走査ラインが設けられていることを特徴とするものである。
請求項６に記載の発明は、請求項２に記載の発明において、前記アクティブ基板の下面に前記ゲート電極および前記走査ラインに対応する前記各低反射金属膜が設けられ、当該各低反射金属膜の下面に前記ゲート電極および前記走査ラインが設けられ、前記ゲート電極および前記走査ラインを含む前記アクティブ基板の下面に絶縁膜が設けられ、前記絶縁膜の下面に前記ソース電極、前記ドレイン電極および前記データラインに対応する前記各低反射金属膜が設けられ、当該各低反射金属膜下に前記ソース電極、前記ドレイン電極および前記データラインが設けられていることを特徴とするものである。
請求項７に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記アクティブ基板下に反射率が２０％以下の低反射金属からなる補助容量ラインが設けられていることを特徴とするものである。
請求項８に記載の発明は、請求項２に記載の発明において、前記アクティブ基板下に設けられた補助容量ラインの上面に反射率が２０％以下の低反射金属からなる低反射金属膜が設けられていることを特徴とするものである。
請求項９に記載の発明は、請求項２に記載の発明において、前記アクティブ基板の下面においてその下に設けられた補助容量ライン上に絶縁膜を介して反射率が２０％以下の低反射金属からなる低反射金属膜が設けられていることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【０００９】
この発明によれば、ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極、走査ラインおよびデータライン少なくともバックライトと対向する面とは反対側の表面層を反射率が２０％以下の低反射金属によって形成することにより、あるいは、ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極、走査ラインおよびデータラインのバックライトと対向する面と反対の面側に反射率が２０％以下の低反射金属からなる低反射金属膜を設けることにより、外光反射に起因するコントラスト低下を抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
（第１実施形態）
図１はこの発明の第１実施形態としての液晶表示装置の要部の断面図を示し、図２は同液晶表示装置の薄膜トランジスタパネルの一部の透過平面図を示す。この場合、図１は図２のＩ−Ｉ線に沿う部分の断面図に相当する。この液晶表示装置は、薄膜トランジスタパネル１と該薄膜トランジスタパネル１下に対向配置された対向パネル２１とがほぼ方形枠状のシール材（図示せず）を介して貼り合わされ、シール材の内側における両パネル１、２１間に液晶３１が封入され、対向パネル２１下にバックライト３２が配置された構造となっている。
【００１１】
まず、図２を参照して、薄膜トランジスタパネル１の平面的な構造について説明する。薄膜トランジスタパネル１はガラス等からなるアクティブ基板２を備えている。アクティブ基板２下には複数の走査ライン３および複数のデータライン４がマトリクス状に設けられている。この場合、複数の走査ライン３は行方向に延びて設けられ、複数のデータライン４は列方向に延びて設けられている。
【００１２】
アクティブ基板２下において走査ライン３とデータライン４とで囲まれた領域内には画素電極５が設けられている。ここで、図２を明確にする目的で、画素電極５の縁部に斜めの短い実線のハッチングが記入されている。画素電極５はスイッチング素子としての薄膜トランジスタ６を介して走査ライン３およびデータライン４に接続されている。アクティブ基板２上には複数の補助容量ライン７が行方向に延びて設けられている。
【００１３】
画素電極５との間で補助容量部を形成するための補助容量ライン７は、基本的には、当該画素電極５の上側に配置されているが、この実施形態では、当該画素電極５の上辺部に対応する位置において走査ライン３と平行するように設けられたライン部７ａと、このライン部７ａから当該画素電極５の左辺部および右辺部に沿ってそれぞれ引き出された引出部７ｂ、７ｃとからなっている。
【００１４】
この場合、ライン部７ａのうちの当該画素電極５の内側に対応する部分は当該画素電極５の上辺部と重ね合わされている。左側の引出部７ｂの当該画素電極５の内側に対応する部分は当該画素電極５の左辺部と重ね合わされている。右側の引出部７ｃの当該画素電極５の内側に対応する部分は当該画素電極５の右辺部と重ね合わされている。そして、これらの重ね合わされた部分により補助容量部が形成されている。なお、左側の引出部７ｂおよび右側の引出部７ｃは、画素電極５間に配置されたデータライン４を挟んで、それぞれ、そのデータライン４の両側に張り出すように、一体に形成され、当該データライン４の幅よりも幅広になっている。
【００１５】
次に、図１および図２を参照して薄膜トランジスタパネル１の縦構造および平面構造を説明する。アクティブ基板２の下面の所定の箇所にはゲート電極８および該ゲート電極８に接続された走査ライン３が設けられている。アクティブ基板２の下面の他の所定の箇所には補助容量ライン７が設けられている。この場合、ゲート電極８、走査ライン３および補助容量ライン７は、クロム酸化物、ニッケル酸化物、それらの合金の酸化物等のアルミニウムや銀等よりも低反射率の金属によって形成されている。すなわち、クロム酸化物、ニッケルの酸化物、それらの合金の酸化物等は、反射率が２０％以下であり、アルミニウムや銀等よりも反射率が低い。
【００１６】
ゲート電極８、走査ライン３および補助容量ライン７を含むアクティブ基板２の下面には窒化シリコン等からなるゲート絶縁膜９が設けられている。ゲート電極８下におけるゲート絶縁膜９の下面の所定の箇所には真性アモルファスシリコンからなる半導体薄膜１０が設けられている。半導体薄膜１０の下面ほぼ中央部には窒化シリコン等からなるチャネル保護膜１１が設けられている。チャネル保護膜１１の下面両側およびその両側における半導体薄膜１０の下面にはｎ型アモルファスシリコンからなるオーミックコンタクト層１２、１３が設けられている。
【００１７】
オーミックコンタクト層１２、１３の下面にはソース電極１４およびドレイン電極１５が設けられている。ゲート絶縁膜９の下面の所定の箇所にはデータライン４がドレイン電極１５に接続されて設けられている。この場合、ソース電極１４、ドレイン電極１５およびデータライン４は、クロム酸化物、ニッケルの酸化物、それらの合金の酸化物等の反射率が２０％以下の低反射金属によって形成されている。
【００１８】
ここで、薄膜トランジスタ６は、ゲート電極８、ゲート絶縁膜９、半導体薄膜１０、チャネル保護膜１１、オーミックコンタクト層１２、１３、ソース電極１４およびドレイン電極１５により構成されている。
【００１９】
薄膜トランジスタ６およびデータライン４を含むゲート絶縁膜９の下面には窒化シリコン等からなるオーバーコート膜１６が設けられている。オーバーコート膜１６の下面の所定の箇所にはＩＴＯ等からなる画素電極５が設けられている。画素電極５は、オーバーコート膜１６に設けられたコンタクトホール１７を介してソース電極１４に接続されている。アクティブ基板２の上面には表面側偏光板１８が設けられている。
【００２０】
一方、対向パネル２１はガラス等からなる対向基板２２を備えている。対向基板２２の上面には、クロム酸化物、ニッケル酸化物、それらの合金の酸化物等の反射率が２０以下の低反射金属からなるブラックマスク２３、樹脂等からなるカラーフィルタ２４およびＩＴＯ等からなる対向電極２５が設けられている。対向基板２２の下面には裏面側偏光板２６が設けられている。
【００２１】
この場合、ブラックマスク２３は、図２において二点鎖線で示すように、行方向に延びて設けられ、バックライト３２からの光が薄膜トランジスタ６の半導体薄膜１０に入射するのを防止し、且つ、バックライト３２からの光が薄膜トランジスタ６の周囲や走査ライン３と補助容量ライン７との間の隙間等から漏れるのを防止するためのものである。
【００２２】
そして、この液晶表示装置では、バックライト３２を点灯させると、バックライト３２からの光が裏面側偏光板２６、対向基板２２、カラーフィルタ２４、対向電極２５、液晶３１、画素電極５、オーバーコート膜１６、ゲート絶縁膜９、アクティブ基板２および表面側偏光板１８を透過して表面側偏光板１８の上面側に出射され、これにより表示を行なう。
【００２３】
このような表示を行なっている状態において、表面側偏光板１８の上面側から外光が表面側偏光板１８に入射されると、この入射された外光は表面側偏光板１８およびアクティブ基板２を透過してゲート電極８の上面に照射されるが、ゲート電極８は、クロム酸化物、ニッケルの酸化物、それらの合金の酸化物等の遮光性金属によって形成されているため、ゲート電極８下に設けられた半導体薄膜１０のチャネル領域（チャネル保護膜１１の上面に設けられた半導体薄膜１０）への外光の入射が防止される。
【００２４】
また、外光は、表面側偏光板１８およびアクティブ基板２を透過してゲート電極８、走査ライン４および補助容量ライン７の各上面に照射され、さらにゲート絶縁膜９等を透過してデータライン４、ソース電極１４およびドレイン電極１５の各上面に照射される。しかるに、ゲート電極８、走査ライン４、補助容量ライン７、データライン４、ソース電極１４およびドレイン電極１５は、反射率が２０％以下と、アルミニウムや銀等よりも低反射率の金属によって形成されているため、これらの上面で外光の反射が起こりにくく、外光反射に起因するコントラスト低下を抑制することができる。
【００２５】
さらに、外光は、オーバーコート膜１８、液晶３１、対向電極２５およびカラーフィルタ２４を透過してブラックマスク２３の上面にも照射されるが、ブラックマスク２３は、反射率が２０％以下と、アルミニウムや銀等よりも低反射率の金属によって形成されているため、これらの上面で外光の反射が起こりにくく、外光反射に起因するコントラスト低下を抑制することができる。
【００２６】
（第２実施形態）
図３はこの発明の第２実施形態としての液晶表示装置の要部の断面図を示す。この液晶表示装置において、図１に示す液晶表示装置と異なる点は、ゲート電極８（走査ライン４を含む）、補助容量ライン７、データライン４、ソース電極１４およびドレイン電極１５を上記低反射金属よりも低抵抗のアルミニウム系金属等によって形成し、且つ、それらの上面に反射率が２０％以下の低反射金属からなる低反射金属膜８Ａ、７Ａ、４Ａ、１４Ａ、１５Ａを設けた点である。
【００２７】
この液晶表示装置では、反射率が２０％以下の低反射金属膜８Ａにより、半導体薄膜１０のチャネル領域への外光の入射を防止することができ、反射率が２０％以下の低反射金属膜８Ａ、７Ａ、４Ａ、１４Ａ、１５Ａにより、外光反射に起因するコントラスト低下を抑制することができ、さらにアルミニウム系金属等からなるゲート電極８（走査ライン４を含む）、補助容量ライン７、データライン４、ソース電極１４およびドレイン電極１５を低抵抗化することができる。また、第１実施形態と同様、反射率が２０％以下のブラックマスク２３により、外光反射に起因するコントラスト低下を抑制することができる。
【００２８】
（第３実施形態）
図４はこの発明の第３実施形態としての液晶表示装置の要部の断面図を示す。この液晶表示装置において、図１に示す液晶表示装置と異なる点は、第１に、ゲート電極８（走査ライン４を含む）、補助容量ライン７、データライン４、ソース電極１４およびドレイン電極１５を上記低反射金属よりも低抵抗のアルミニウム系金属等によって形成した点である。
【００２９】
第２に、ゲート電極８（走査ライン４を含む）および補助容量ライン７を含むゲート絶縁膜９とアクティブ基板２との間に窒化シリコン等からなる層間絶縁膜４１を設け、アクティブ基板２の下面においてゲート電極８、ソース電極１４およびドレイン電極１５と対応する領域、データライン４と対応する領域および補助容量ライン７と対応する領域に反射率が２０％以下の低反射金属からなる低反射金属膜４２、４Ａ、７Ａを設けた点である。
【００３０】
この場合、図示はしないが、図２を参照して説明すると、低反射金属膜４２は薄膜トランジスタ６の領域を覆うような平面形状を有し、低反射金属膜４Ａは、データライン４に沿って、該データライン４を覆う平面形状に形成される。また、低反射金属膜７Ａは、補助容量ライン７に沿って、該補助容量ライン７を覆う平面形状に形成される。この場合、低反射金属膜４２、４Ａ、７Ａは互いに接続されていても、別に問題はない。
【００３１】
（第４実施形態）
図５はこの発明の第４実施形態としての液晶表示装置の要部の断面図を示す。この液晶表示装置において、図４に示す液晶表示装置と異なる点は、ゲート電極８（走査ライン４を含む）および補助容量ライン７の上面に反射率が２０％以下の低反射金属からなる低反射金属膜８Ａ、７Ａを設け、アクティブ基板２の下面においてゲート電極８を除くソース電極１４およびドレイン電極１５と対応する領域に反射率が２０％以下の低反射金属からなる低反射金属膜１４Ａ、１５Ａを設け、アクティブ基板２の下面においてデータライン４と対応する領域に反射率が２０％以下の低反射金属からなる低反射金属膜４Ａを設けた点である。
【００３２】
（第５実施形態）
図６はこの発明の第５実施形態としての液晶表示装置の要部の断面図を示す。この液晶表示装置において、図５に示す液晶表示装置と異なる点は、アクティブ基板２の下面に、反射率が２０％以下の低反射金属膜８Ａをゲート電極８（走査ライン４を含む）の上層として該ゲート電極８（走査ライン４を含む）に積層して形成し、また、反射率が２０％以下の低反射金属膜７Ａを補助容量ライン７の上層として該補助容量ライン７に積層して形成し、層間絶縁膜４１の下面に反射率が２０％以下の低反射金属膜４Ａ、１４Ａ、１５Ａを設けた点である。この場合、ゲート絶縁膜９および層間絶縁膜４１により、実質的なゲート絶縁膜が構成されている。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】この発明の第１実施形態としての液晶表示装置の要部の断面図。
【図２】図１に示す液晶表示装置の薄膜トランジスタパネルの一部の透過平面図。
【図３】この発明の第２実施形態としての液晶表示装置の要部の断面図。
【図４】この発明の第３実施形態としての液晶表示装置の要部の断面図。
【図５】この発明の第４実施形態としての液晶表示装置の要部の断面図。
【図６】この発明の第５実施形態としての液晶表示装置の要部の断面図。
【符号の説明】
【００３４】
１  薄膜トランジスタパネル
２  アクティブ基板
３  走査ライン
４  データライン
５  画素電極
６  薄膜トランジスタ
７  補助容量ライン
８  ゲート電極
９  ゲート絶縁膜
１０  半導体薄膜
１１  チャネル保護膜
１２、１３  オーミックコンタクト層
１４  ソース電極
１５  ドレイン電極
１６  オーバーコート膜
２１  対向パネル
３１  液晶
３２  バックライト
４１  層間絶縁膜
４２  低反射金属膜
４Ａ、７Ａ、８Ａ、１４Ａ、１５Ａ  低反射金属膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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