(57)【要約】【課題】下層部の金属膜（例えば、Ｃｕ膜）の上面が上層部の金属膜（例えば、Ｃｒ膜）によって過不足無く覆われた金属多層膜の製造方法を提供する。【解決手段】  第１の金属膜と、第１の金属膜に積層された第２の金属膜からなる多層膜を形成する第１の工程と、前記多層膜を所定の平面形状に加工するとともに、第１の金属膜の頂上を覆う第２の金属膜の幅を第１の金属膜の幅より広くして庇を形成する第２の工程と、第１の金属膜との付け根で、前記庇を物理的に破断する工程とからなる金属多層膜の製造方法である。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の金属膜と、第１の金属膜に積層された第２の金属膜からなる多層膜を形成する第１の工程と、
前記多層膜を所定の平面形状に加工するとともに、第１の金属膜の頂上を覆う第２の金属膜の幅を第１の金属膜の幅より広くして庇を形成する第２の工程と、
第１の金属膜との付け根で、前記庇を物理的に破断する工程とからなる金属多層膜の製造方法。
【請求項２】
前記第２の工程が、
流体を噴き当てて、前記付け根で、前記庇を破断する工程であることを特徴とする請求項１に記載の金属多層膜の製造方法。
【請求項３】
前記金属多層膜が、プラズマ・ディスプレイ・パネルに形成されたアドレス電極、維持電極上に形成されたバス電極、または走査電極上に形成されたバス電極の何れかであることを特徴とする請求項１又は２に記載の金属多層膜の製造方法。
【請求項４】
前記多層膜が、基板上に形成されたＣｒ膜と、前記Ｃｒ膜上に積層されたＣｕからなる第１の金属膜と、第１の金属膜に積層されたＣｒからなる第２の金属膜とからなる多層膜であることを特徴とする請求項１乃至３に記載の金属多層膜の製造方法。
【請求項５】
第１の金属膜と第１の金属膜に積層された第２の金属膜からなり、第１の金属膜の頂上を覆う第２の金属膜の幅を第１の金属膜の幅より広くして庇を形成した多層膜が設けられた基板を載せる支持台と、
前記基板に流体を噴き当てる流体噴射装置とからなる金属多層膜の製造装置。
【請求項６】
第１の金属膜と第１の金属膜に積層された第２の金属膜からなり、第１の金属膜の頂上を覆う第２の金属膜の幅を第１の金属膜の幅より広くして庇を形成した多層膜が設けられた基板を載せる支持台と、
前記基板に流体を噴き当てる流体噴射装置と、
前記支持台が前記基板を一方向に搬送する搬送機構を有し、
前記流体噴射装置が、前記一方向に垂直な面内で前記流体の噴射流を広げて、前記基板に前記流体を噴き当てる流体噴射機構を有する金属多層膜の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、金属多層膜の製造方法およびその装置に関し、特に、プラズマ・ディスプレイ・パネル（Plasma Display Panel ; PDP）で用いられる金属多層膜の製造方法およびその装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器は、電極が設けられた多数の電子部品とその電子部品を接続する配線によって構成される。そして、その電極や配線は、殆どの場合基板上に形成された金属膜によって構成されている。例えば、ＰＤＰのガラス基板、液晶のガラス基板、電子回路のプリント基板、更には半導体基板等には配線が張り巡らされ、これらの配線が、同一基板上に形成された各種電子部品の電極に接続されている。
【０００３】
この電極や配線は、銅（以下、Ｃｕと表す）やアルミニウム（以下、Ａｌと表す）等の電気伝導率の高い金属によって形成される。しかし、これらの金属は単独では使いづらいため、他の金属と重ね合わせて用いられる場合が多い。
【０００４】
例えば、ＰＤＰでは、アドレス電極やバス電極はＣｕで形成されるが、Ｃｕはガラス基板等の下地に密着しずらく剥離し易い。そこで、図８のように、基板１上にクロム（以下、Ｃｒと表す）からなる薄膜２を堆積してから、その上にＣｕ膜３を堆積する。
【０００５】
更に、Ｃｕは酸化され易く、その結果形成される酸化銅がＰＤＰの製造上大きな問題を引き起こす。そこで、Ｃｕ膜３の上に更にＣｒからなる薄膜４を堆積して、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ多層膜５を形成する。この多層膜を線状に加工して、アドレス電極またはバス電極とする。
【０００６】
アドレス電極またはバス電極は、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ多層膜５を化学エッチングして形成される。この際、最上部のＣｒが過剰にエッチングされてＣｕ膜３の上面が露出しないように、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ多層膜５のエッチングは選択性エッチング液によって行われる。しかし、その過程でＣｕ膜がサイドエッチングされ、Ｃｕ膜の上にＣｒの庇が形成されてしまう。このような庇は、アドレス電極等の断線の原因となる。従って、電極形成の最終工程で、この庇は除去される（特許文献１）。
【０００７】
以下、図９にしたがって、従来のＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒ電極の製造方法ついて説明する。
【０００８】
まず、スパッタリング法や蒸着法を用いて、ガラス基板１上に第１のＣｒ膜２、Ｃｕ膜３、第２のＣｒ膜４を順次成膜し、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ多層膜を形成する。この際、第２のＣｒ膜４は第１のＣｒ膜２より厚く成膜される（工程（ａ））。
【０００９】
次に、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ多層膜上に、周知のフォトリソグラフィー法により、配線パターン形成用のレジストパターン６を形成する（工程（ｂ））。
【００１０】
次に、たとえば、塩化アルミニウムと燐酸を主成分とする酸性のエッチング液を用いて、第２のＣｒ膜４を選択的にエッチングする（工程（ｃ）。
【００１１】
次に、たとえば、硫酸第２鉄と硫酸を主成分とする酸性のエッチング液を用いて、Ｃｕ膜３を選択的にエッチングする（工程（ｄ））。
【００１２】
次に、第２のＣｒ膜４とＣｕ膜３のエッチングに用いたレジストパターン６を、水酸化ナトリウムや水酸化カルシウムを含むアルカリ性溶液を用いて剥離する（工程（ｅ））。
【００１３】
最後に、たとえば、フェリシアン化カリウムあるいは過マンガン酸カリウムを含むアルカリ性のエッチング液を用いて、第１のＣｒ膜２を選択的にエッチングをする（工程（ｆ））。
【００１４】
Ｃｕ膜３の選択エッチングを行う工程（ｄ）によって、第２のＣｒ膜４に対してＣｕ膜３がアンダーカットされ庇７が形成される。この庇７は、第１のＣｒ膜２を工程（ｆ）でエッチングする際、同時に除去される。この時、第２のＣｒ膜４はレジストによって被覆されていないので庇７以外の部分もエッチングされる。しかし、第２のＣｒ膜４は第１のＣｒ膜２より厚く成膜されているので、Ｃｕ膜３の上には第２のＣｒ膜４が残される。
【特許文献１】特開２０００−１１８６３
【特許文献２】特開２００６−１３４７７２
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
しかし、化学エッチングの面内均一性は必ずしも高くなく、また堆積した金属膜の厚さも面内で均一でない。従って、Ｃｕ膜３上に形成された第２のＣｒ膜４からなる庇を化学エッチングによって除去する従来の配線形成方法では、同一基板上でも場所によって、庇７がエッチングされきれずに残ったり、逆に第２のＣｒ４膜が過剰にエッチングされＣｕ膜３の上面が露出してしまったりする。このような欠陥を持った電極や配線で電子機器を製造すると、種々のトラブルが発生する。
【００１６】
以下、ＰＤＰを例として、この問題について具体的に説明する。
【００１７】
図１０は、ＡＣ（交流）面放電型のＰＤＰの斜視図である。ガラス基板からなる透明な前面側の基板５１上に、走査電極５２と維持電極５３とで対をなすストライプ状の表示電極５４が複数形成されている。走査電極５２及び維持電極５３は、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）からなる透明電極６１と金属膜からなるバス電極６２によって構成されている。
【００１８】
そして、表示電極５４を覆うように第１の誘電体層５５が形成され、その誘電体層５５上には保護層５６が形成される。一方、ガラス基板からなる背面側の基板５７上には、表示電極５４と立体交差するように、第２の誘電体層５８で覆われた複数のストライプ状のアドレス電極５９が形成されている。このアドレス電極５９間の誘電体層５８上には、アドレス電極５９と平行に複数の隔壁（リブ）６０が配置され、この隔壁６０間の誘電体層５８上には蛍光体層７１が設けられる。
【００１９】
これらの基板５１と基板５７とは、表示電極５４とアドレス電極５９とが直交するように、微小な放電空間を挟んで対向配置される。更に、基板５１と基板５７は周囲が封止され、そして放電空間には、例えばネオン（Ｎｅ）とキセノン（Ｘｅ）の混合ガスが放電ガスとして封入される。
【００２０】
バス電極６２及びアドレス電極５９には、大きな電流を流すことのできるＣｒ/Ｃｕ/Ｃｒ電極が用いられる。中間層のＣｕは低抵抗であり、電流を流すためのものである。一方、最下層のＣｒは、ガラス基板５７や透明電極６１との密着性を良くするためのものである。また、最上層のＣｒは、Ｃｕが酸化し抵抗値が上昇することを防止するためのものである。
【００２１】
上述したとおり、バス電極６２及びアドレス電極５９は、第１及び２の誘電体層５５,５８で覆われている。誘電体層５５,５８は、バス電極６２及びアドレス電極５９が形成された基板５１,５７上に、誘電体ガラス材料（低融点ガラス）を塗布し焼成することによって形成される。
【００２２】
この時、第２のＣｒ膜４が庇を形成していたり、逆に後退してＣｕ膜の上面の一部が露出していたりすると次のような問題が生じる。
【００２３】
図１１は、図９の工程（ｆ）において、第２のＣｒ膜４のエッチングが不十分で庇７が残留してしまったアドレス電極５９近傍の断面図である。誘電体層５８が形成される過程で、庇７が残留した部分に気泡８が発生する。このような気泡８が発生すると、ＰＤＰの動作時にこの場所で集中的に放電９が発生し、大電流がアドレス電極５９に流れる。その結果、庇７が残留したアドレス電極５９は断線し易くなる。
【００２４】
一方、図９の工程（ｆ）において、第２のＣｒ膜４のエッチングが過剰でＣｕ膜３の上面の一部が露出すると、図１２のように、その部分が酸化され酸化銅１２で覆われる。このような状態で誘電体ガラス材料を塗布すると、酸化銅１２と誘電体ガラスが反応して気泡１０が発生する。この気泡１０は、表面に向かって上昇し一部は誘電体ガラス５８の表面に到達して窪み１１を形成する。このまま誘電体ガラスを焼結すると、窪み１１および気泡１０は誘電体層５８に固定される。このため窪み１１によってＰＤＰの表面の平坦性は損なわれ、その結果ＰＤＰの表示性能が低下する。尚、酸化銅はＣｕ膜３の側面にも形成される。しかし、Ｃｕ膜の厚さは高々数μｍであり横幅に比べて圧倒的に小さいので、Ｃｕ膜３の側面に形成される酸化銅が問題になることは殆どない。従って、図１２には、Ｃｕ膜３側面の酸化銅は描かなかった。
【００２５】
以上、ＰＤＰのアドレス電極を例に挙げ、従来のＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒ配線の製造方法に於ける問題点を説明した。全く同じ問題が、バス電極６２にも存在している。更に、同様の問題は、多層膜構造を持つ他の配線（または電極）でも起こる。
【００２６】
そこで、発明の目的は、図８のように下層部の金属膜（例えば、Ｃｕ膜３）の上面が上層部の金属膜（例えば、第２のＣｒ膜４）によって過不足無く覆われた金属多層膜、すなわち庇の形成も上層部の金属の後退もない金属多層膜を、基板全体に亘って均一に形成する金属多層膜の製造方法およびそのための装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００２７】
上記の目的を達成するために、本発明の第１の側面は、第１の金属膜と、第１の金属膜に積層された第２の金属膜からなる多層膜を形成する第１の工程と、前記多層膜を所定の平面形状に加工するとともに、第１の金属膜の頂上を覆う第２の金属膜の幅を第１の金属膜の幅より広くして庇を形成する第２の工程と、第１の金属膜との付け根で、前記庇を物理的に破断する工程とからなる金属多層膜の製造方法である。
【００２８】
本発明の第１の側面によれば、第１の金属膜の頂上を覆う第２の金属膜の幅を第１の金属膜の幅より広くして庇を形成しこの庇を物理的に破断するので、第１の金属膜の頂上が過不足なく第２の金属膜で覆われた金属多層膜を形成することができる。
【００２９】
本発明の第２の側面は、第１の側面において、前記第２の工程が、流体を噴き当てて、前記付け根で、前記庇を破断する工程であることを特徴とする。
【００３０】
本発明の第２の側面によれば、流体を噴き当てて前記庇を破断するので、前記庇を効率的に破断することができる。また、流体とともに破断した庇を洗い流すことができる。
【００３１】
本発明の第３の側面は、第１または第２の側面において、前記金属多層膜が、プラズマ・ディスプレイ・パネルに形成されたアドレス電極、維持電極上に形成されたバス電極、または走査電極上に形成されたバス電極の何れかであることを特徴とする。
【００３２】
本発明の第３の側面によれば、アドレス電極またはバス電極近傍の誘電体層の欠陥をなくすことができ、放電電流の集中による電極の断線や誘電体層表面の窪みをなくすことができる。
【００３３】
本発明の第４の側面は、第１乃至３の側面において、前記多層膜が、基板上に形成されたＣｒ膜と、前記Ｃｒ膜上に積層されたＣｕからなる第１の金属膜と、第１の金属膜に積層されたＣｒからなる第２の金属膜とからなる多層膜であることを特徴とする。
【００３４】
本発明の第４の側面によれば、Ｃｒ/Ｃｕ/Ｃｒ多層膜からなるアドレス電極またはバス電極近傍の誘電体層の欠陥をなくすことができ、放電電流の集中による電極の断線や誘電体層表面の窪みをなくすことができる。
【００３５】
本発明の第５の側面は、第１の金属膜と第１の金属膜に積層された第２の金属膜からなり、第１の金属膜の頂上を覆う第２の金属膜の幅を第１の金属膜の幅より広くして庇を形成した多層膜が設けられた基板を載せる支持台と、前記基板に流体を噴き当てる流体噴射装置とからなる金属多層膜の製造装置である。
【００３６】
本発明の第５の側面によれば、第１の金属膜の頂上が過不足なく第２の金属で覆われた金属多層膜を形成することができる。また、流体とともに破断した庇を洗い流すことができる。
【００３７】
本発明の第６の側面は、第１の金属膜と第１の金属膜に積層された第２の金属膜からなり、第１の金属膜の頂上を覆う第２の金属膜の幅を第１の金属膜の幅より広くして庇を形成した多層膜が設けられた基板を載せる支持台と、前記基板に流体を噴き当てる流体噴射装置と、前記支持台が前記基板を一方向に搬送する搬送機構を有し、前記流体噴射装置が、前記一方向に垂直な面内で前記流体の噴射流を広げて、前記基板に前記流体を噴き当てる流体噴射機構を有する金属多層膜の製造装置である。
【００３８】
本発明の第６の側面によれば、第１の金属膜の頂上が過不足なく第２の金属で覆われた金属多層膜を効率的に形成することができる。
【発明の効果】
【００３９】
本発明によれば、図８のように下層部の金属膜（例えば、Ｃｕ膜３）の上面が上層部の金属膜（例えば、第２のＣｒ膜４）によって過不足無く覆われた配線（または電極）、すなわち庇の形成も上層部の金属の後退もない金属多層膜を、基板全体に亘って均一に形成することができる。
【００４０】
従って、本発明によってＰＤＰのアドレス電極やバス電極を製造すれば、これらの電極近傍で発生する誘電体層の欠陥をなくすことができ、その結果放電電流の集中による電極の断線や誘電体層表面の窪みによる表示性能の劣化をなくすことができる。
【００４１】
また、従来の金属多層膜の製造方法における庇をエッチングで除去する工程がなくなるので、そのためのエッチング液が不要になり、製造コストを抑えることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４２】
以下、図面にしたがって本発明の実施の形態について説明する。但し、本発明の技術的範囲はこれらの実施の形態に限定されず、特許請求の範囲に記載された事項とその均等物まで及ぶものである。
【００４３】
本実施の形態は、図８のように下層部の金属膜（例えば、Ｃｕ膜３）の上面が上層部の金属膜（例えば、第２のＣｒ膜４）によって過不足無く覆われた金属多層膜の製造方法及びそのための装置に係るものである。
【００４４】
本実施の形態では、まず下層金属膜の頂上を覆う上層金属膜の幅を下層金属膜の幅より広くして庇を設けた金属多層膜を基板全面に形成し、この金属多層膜に流体（純水等）を噴き当てることにより、付け根部分からこの庇を破断して下層部の金属膜の上面が過不足無く上層部の金属膜で覆われた金属多層膜を形成する。
【００４５】
図１は、この工程を模式的に示したものである。
【００４６】
まず、図１（ａ）のように基板１の上に、第１の金属膜２０、第２の金属膜２１及び第３の金属膜２２からなる多層膜を堆積し、第３の金属膜２２が庇７を形成するようにこの多層膜を加工する。尚、図１（ａ）の下半分に描かれた図面は平面図であり、上半分に記載された図面はＡ−Ａ´線における断面を矢印の方向から見た断面図である（以下、同じ）。
【００４７】
このように庇７の形成された多層膜２３に、ノズル等から噴射した流体（純水等）を当てる図１（ｂ）。すると、庇７は、流体２４の圧力に耐え切れずにその付け根２５で破断され、第２の金属膜２１の上面が第３の金属膜２２によって過不足無く覆われた金属多層膜が形成される（図１（ｃ））。最後に、噴き当てらた流体の流れにのせて、破断された庇７を基板１表面から取洗い流す（図１（ｄ））。
【００４８】
この結果、第２の金属膜２１の上面が第３の金属膜２２によって過不足無く覆われた金属多層膜が形成される。また、破断された庇７は基板１上から除去される。
【００４９】
以下、ＰＤＰのアドレス電極およびバス電極の製造に、本実施の形態に係る製造法およびその装置を適用した例について説明する。
【００５０】
（１）ＰＤＰの製造工程
まず、本実施の形態における多層電極の製造方法を適用した、ＰＤＰの製造工程の全体像を説明する。
【００５１】
図７は、本実施の形態におけるＰＤＰの製造工程の概要である。この図に示された範囲では、ＰＤＰの一般的な製造工程と異なる点はない。また、図７に示す製造工程で製造されるＰＤＰは、電極構造を除き、図１０に示したＰＤＰと同一である。
【００５２】
まず、Ｓ１〜Ｓ４の工程で、表示電極の設けられた前面板が形成される。一方、Ｓ５〜Ｓ８の工程で、アドレス電極の設けられた背面板が形成される。この二つの基板がＳ９の工程で組み立てられ、Ｓ１０の工程で放電ガスが封入されてＰＤＰが完成される。
【００５３】
前面板は、以下のように形成される。まず、ガラス基板５１にインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）膜をスパッタ法で堆積し、この堆積膜をストライプ状に加工して透明電極６１を形成する（Ｓ１）。次に、透明電極６１が形成されたガラス基板５１上に、第１のＣｒ膜２、Ｃｕ膜３、第２のＣｒ膜４を順次堆積してＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒ多層膜を成膜する。次に、このＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒ多層膜をストライプ状に加工してバス電極６２を形成する（Ｓ２）。次に、バス電極６２が形成された基板５１に誘電体ガラス材料（低融点ガラス）をスクリーン印刷し焼成して誘電体層５５を形成する（Ｓ３）。最後に、この誘電体層５５上にＭｇＯを蒸着して保護膜５６を形成する（Ｓ４）。
【００５４】
後面板は、以下のように形成される。まず、ガラス基板５７上に、第１のＣｒ膜２、Ｃｕ膜３、第２のＣｒ膜４を順次堆積してＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒ多層膜を成膜する。次に、このＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒ多層膜をストライプ状に加工してアドレス電極５９を形成する（Ｓ５）。次に、アドレス電極５９の形成されたガラス基板５７上に誘電体ガラス材料（低融点ガラス）をスクリーン印刷し焼成して誘電体層５８を形成する（Ｓ６）。次に、誘電体層５８上に誘電体ガラス材料（低融点ガラス）を再度塗布し、塗布された誘電体ガラス材料をサンドブラストによってリブ状に加工する。その後、リブ状に加工された誘電体ガラス材料を焼成して隔壁６０を形成する（Ｓ７）。最後に、隔壁６０の間に蛍光体をペースト印刷し、その後焼成して蛍光体層７１を形成する。（Ｓ８）。
【００５５】
以上のようにして形成した前面板と背面板を、表示電極５４とアドレス電極５９とが直交するように、微小な放電空間を挟んで対向配置し、基板５１と基板５７の周囲を封止する（Ｓ９）。最後に、この放電空間に、例えばネオン（Ｎｅ）とキセノン（Ｘｅ）の混合ガスを放電ガスとして封入する（Ｓ１０）。
【００５６】
（２）アドレス電極およびバス電極の製造工程
次に、本実施の形態における、アドレス電極５９およびバス電極６２の製造工程を詳しく説明する。図２及び図３は、本実施の形態におけるアドレス電極５９の製造工程を、要部断面図によって示したものである。
【００５７】
まず洗浄したガラス基板５７の上にスパッタリング法によって、第１のＣｒ膜２、Ｃｕ膜３、および第２のＣｒ膜４を成膜する。ここで第１のＣｒ膜２は約０．０５μｍ、Ｃｕ膜３は１〜３μｍ、第２のＣｒ膜４は約０．１５μｍの膜厚で成膜する（図２（ａ））。
【００５８】
これらの膜厚は、夫々の金属膜が果す役割に応じて最適化されている。第１のＣｒ膜２は、ガラス基板５７にアドレス電極５９を密着させるためのものである。Ｃｕ膜３は放電電流を流すためのものであり、電流の大きさにより１〜３μｍの範囲で膜厚が設定される。第２のＣｒ膜４は、Ｃｕ膜３の酸化を防止するためのものである。
【００５９】
次に、第２のＣｒ膜４の上に感光性のレジスト７１を塗布し（図２（ａ））、フォトリソグラフィー法によってレジスト７５をストライプ状のレジストパターン７２に加工する（図２（ｂ））。レジスト７１としては、アルカリ性水溶液によって剥離する安価なレジストを用いる。
【００６０】
次に、レジストパターン７２を保護マスクとして、第２のＣｒ膜４を塩酸（ＨＣｌ）水溶液で選択的にエッチングする（図２（ｃ））。
【００６１】
次に、Ｃｕ膜３を塩化第二鉄（ＦｅＣｌ3）水溶液で選択的にエッチングする。この際、Ｃｕ膜３がサイドエッチングされる（図２（ｄ））。
【００６２】
次に、第１のＣｒ膜２を塩酸（ＨＣｌ）水溶液で選択的にエッチングする（図３（ｅ））。
【００６３】
次に、水酸化ナトリウム水溶液等のアルカリ性の溶液でレジスト膜７１を剥離する（図３（ｆ））。尚、図２（ａ）〜図３（ｅ）に示された工程で用いられたエッチング液は、総て酸性である。従って、これらのエッチング液によってはレジスト膜７１は剥離されない。
【００６４】
次に、下記「（３）金属多層膜の製造装置」で説明する金属多層膜の製造装置を用いて、上記Ｃｒ/Ｃｕ/Ｃｒ多層膜が形成されたガラス基板５７全体に、ノズルから噴射された純水３０を当てて庇７をその付け根２５の部分で破断する（図３（ｇ））。この際、破断された庇は、噴き当てられた流体によって洗い流され、ガラス基板５７上から取り除かれる。
【００６５】
最後に、上記「金属多層膜の製造装置」からガラス基板５７を取り出し乾燥させると、Ｃｕ膜３の上面が第２のＣｒ膜４によって過不足無く覆われたアドレス電極が、ガラス基板５７全体に亘って均一に形成される（図３（ｈ））。
【００６６】
以上説明したように、本実施の形態では、まず、第１のＣｒ膜２と、Ｃｕ膜３と、第２のＣｒ膜４からなる多層膜を形成する。次に、このＣｒ/Ｃｕ/Ｃｒ多層膜をストライプ状の平面形状に加工するが、その際、第２のＣｒ膜４によってＣｕ膜３の縁に庇が形成されるようにする。最後に、流体を噴き当てて前記庇をＣｕ膜３との付け根で破断して、アドレス電極を形成する。この結果、Ｃｕ膜３の上面が第２のＣｒ膜４によって過不足無く覆われたアドレス電極が形成される。
【００６７】
このため、以後の誘電体層の形成工程（Ｓ６）によって、アドレス電極５９側面に気泡８が形成されたり、誘電体層５８の表面に窪み１１が形成されたりすることはない。従って、気泡８の形成された部分に放電が集中してアドレス電極が断線したり、窪み１１によって誘電体層５８の表面の平坦性が損なわれて表示性能が低下することはない。
【００６８】
以上、アドレス電極５９の製造方法について説明したが、バス電極６２も全く同じようにして製造することができる。ただし、電極の形成される下地が、ガラス基板５７であるか透明電極６１であるかという点では相違する。すなわち、バス電極６２は、透明電極６１を介してガラス基板５７の上に形成される点でアドレス電極５９とは相違する。
【００６９】
なお、庇付きＣｒ/Ｃｕ/Ｃｒ多層膜に純水を噴き当てる工程は、レジストパターン７２の剥離液を洗浄する工程と共通化してもよい。その場合には、下記「金属多層膜の製造装置」ではなくレジスト剥離液洗浄装置を用い、レジスト剥離液を洗い流すためにガラス基板５７に浴びせる流水の速度を適宜強くすればよい。
【００７０】
（３）金属多層膜の製造装置
図４および図５は、本実施の形態における金属多層膜の製造装置８０の構成を示す。図４は、この金属多層膜の製造装置８０のブロック図である。
【００７１】
金属多層膜の製造装置８０は、庇付きの金属多層膜が形成された基板８１が搬入されるチャンバー８４と、チャンバー８４内で基板８１を搬送する搬送ローラ８２と、純水を供給する供給タンク８５と、供給タンク８５から供給を受けた純水を加圧して送出する高圧発生装置８６と、高圧発生装置８６から送出された純水を濾過し送出するフィルター８７と、フィルター８７から送出された純水を基板８１に向かって噴出する高圧ノズル８３（高圧均等扇形ノズル）とから構成されている。そして、チャンバー８４には、基板搬入口８８と基板搬出口８９が設けられている。
【００７２】
図５（ａ）は、基板８１が、搬送ローラ８２によってチャンバー８４内を搬送され、純水を噴き当てられている状態を横から見た図である。一方、図５（ｂ）は、この状態を搬送方向１００から見た図である。
【００７３】
本実施の形態で搬送される基板８１すなわちＰＤＰの前面板（または背面板）の長さＬは１４６０ｍｍ、幅Ｗは１０３０ｍｍである。チャンバー８４および搬送ローラ８２は、このようなＰＤＰの前面板（または背面板）に適合するように構成されている。
【００７４】
高圧ノズル８３に純水を供給するノズル配管９０が、搬送方向１００に対して垂直つまり形成される電極の延在方向に沿った方向に配置されている。このノズル配管８９には、高圧ノズル８３が８本等間隔で配置されている。高圧ノズル８３と基板８１の間隔Ｔが約３００ｍｍになるように、ノズル配管８９が設置される。
【００７５】
高圧ノズル８３の噴霧パターンは扇形であり、図５（ｂ）のように搬送方向１００に対して垂直な方向に広がっている。噴霧流量は、噴出方向に依らず略一定である。図６は、ノズルの噴霧パターンを説明する図である。噴霧パターンの広がり角をθ、基板８１上における噴霧パターンの幅をｌ、基板８１までの距離をＴとすると、θ＝２５°,ｌ＝１３３ｍｍ  ,Ｔ＝３００ｍｍである。
【００７６】
高圧発生装置８６によって純水に印加される圧力は１０ＭＰａであり、個々の高圧ノズル８３は、この圧力を受けて１１.４Ｌ/ｍｉｎの流量で純水を噴射する。
【００７７】
次に、この金属多層膜の製造装置８０を用いて金属多層膜から庇を破断してアドレス電極を形成する工程について説明する。
【００７８】
まず、図３（ｆ）のような庇７付きのＣｒ/Ｃｕ/Ｃｒ多層膜が形成された背面板を、基板搬入口８８からチャンバー８４に搬入する。搬入された基板８１は、搬送ローラ８２によって基板搬出口８９に向かって搬送される。搬送される途中で、基板８１は、８本の高圧ノズル８３によって噴射される純水のシャワー１０１を順次前方から後方に向かって浴びる。シャワーの幅ＷＨは、噴霧パターンの幅ｌの約８倍すなわち１０７０ｍｍである。この幅は、基板８１（背面板）の幅１０３０ｍｍより広い。従って、基板８１全体が、均等に純水のシャワー１０１を浴びることになる。
【００７９】
基板８１上のＣｒ/Ｃｕ/Ｃｒ多層膜は、純水のシャワー１０１の下を通過する時、純水の高速流に晒され庇７がその根元で破断される（図３（ｇ））。破断された庇は、純水とともに流され供給タンク８５に回収される。従って、破断された庇が基板８１上に残留して、ＰＤＰの動作不良の原因となることはない。
【００８０】
庇７の破断は、基板８１の搬送にともなって、基板８１の前方から後方に進む。従って、基板８１全体がチャンバー８４の搬出口から搬出された時には、基板８１全面で庇の破断が完了し、図３（ｈ）に示すようなＣｕ膜３の頂上が第２のＣｒ膜４によって過不足無く覆われたアドレス電極が形成される。
【００８１】
一方、基板８１に噴射された純水は、庇の除去後供給タンク８５に回収され再利用される。庇を含む純粋は高圧発生装置８６に供給され、１０ＭＰａに加圧されてフィルタ８７に送出される。ここで、純水に混入された庇はフィルター８７により捕捉され、基板８１には清浄な純水が、高圧ノズル８３によって噴き当てられる。
【００８２】
尚、フィルター８７と高圧ノズル８３の間には、図示されていない圧力計や流量計が取り付けられている。これらの計器によって測定される圧力値や流量値からフィルター８７や高圧ノズル８３を、交換または清掃する時期を判断する。従って、加工条件のバラツキを抑えることができる。
【００８３】
以上、ＰＤＰで用いられるＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒ多層膜からなる電極を例に本発明を説明してきた。しかし、本発明に係る金属多層膜は、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃ多層膜に限られるものでなく、例えばＡｌ／Ｃｒ／Ａｌ多層膜（特許文献２）のような他の金属多層膜であってもよい。また、金属多層膜の層数も３層に限られるものではなく、２層または４層以上であってもよい。
【００８４】
また、金属多層膜に形成した庇を破断する方法としては、純水を噴き当てる以外にも、他の液体や気体を噴き当ててもよい。更に、流体を噴き当てるのではなく、金属多層膜を純水中に浸し超音波を照射してもよい。すなわち、庇をその付け根で破断する方法としては、物理的な種々の方法を採用してもよい。
【産業上の利用可能性】
【００８５】
本発明は、電子機器の製造業、特にＰＤＰの製造業において利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００８６】
【図１】本発明の実施の形態における多層金属膜の製造方法の工程図である。
【図２】本発明の実施の形態におけるアドレス電極の製造工程を、要部断面図によって示した第１の工程図である。
【図３】本発明の実施の形態におけるアドレス電極の製造工程を、要部断面図によって示した第２の工程図である。
【図４】本発明の実施の形態における金属多層膜の製造装置のブロック図である。
【図５】本発明の実施の形態における金属多層膜の製造装置によって、基板が搬送ローラによってチャンバー内を搬送され、純水を噴き当てられている状態を示す図である。
【図６】高圧ノズルの噴霧パターンである。
【図７】本発明の実施の形態における多層電極の製造方法を適用した、ＰＤＰの製造工程である。
【図８】Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ多層膜の概念図である。
【図９】従来のＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒ電極の製造方法を示す概念図である。
【図１０】ＰＤＰの斜視図である。
【図１１】従来の製造方法で形成したＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒ電極の問題点を説明する第１の概念図である。
【図１２】従来の製造方法で形成したＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒ電極の問題点を説明する第２の概念図である。
【符号の説明】
【００８７】
１       基板
２,４           Ｃｒ膜
３       Ｃｕ膜
５       Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ多層膜
６       レジストパターン
７       庇
８,１０         気泡
９       放電
１１     窪み
１２     酸化銅
２０     第１の金属膜
２１     第２の金属膜
２２     第３の金属膜
２３     多層膜
２４     流体
２５     庇の付け根
３０     ノズルから噴射された純水
５１     前面側の基板
５２     走査電極
５３     維持電極
５４     表示電極
５５     第１の誘電体層
５６     保護膜
５７     背面側の基板
５８      第２の誘電体層
５９     アドレス電極
６０     隔壁（リブ）
６１     透明電極
６２     バス電極
７１     蛍光体層
７２     レジストパターン
７５     レジスト
８０     金属多層膜の製造装置
８１     庇付きの金属多層膜が形成された基板
８２     搬送ローラ
８３     高圧ノズル
８４     チャンバー
８５     供給タンク
８６     高圧発生装置
８７     フィルター
８８     基板搬入口
８９     基板搬出口
９０     ノズル配管
１００   搬送方向
１０１   純水のシャワー
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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