(57)【要約】【課題】  本発明は、露光装置内においてレチクルの保持に使用されるレチクルチャック、レチクル、レチクルの吸着構造および露光装置に関し、レチクルの着脱を迅速に行うことを目的とする。【解決手段】  吸着面にレチクルを吸着するレチクルチャックにおいて、前記レチクルに埋設される永久磁石を吸着する電磁石を有することを特徴とする。レチクルチャックの吸着面に吸着されるレチクルにおいて、前記レチクルチャックに埋設される電磁石に吸着される永久磁石を有することを特徴とする。【選択図】      図１
2008171998.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
吸着面にレチクルを吸着するレチクルチャックにおいて、
前記レチクルに埋設される永久磁石を吸着する電磁石を有することを特徴とするレチクルチャック。
【請求項２】
請求項１記載のレチクルチャックにおいて、
前記吸着面に凹部を形成し、前記凹部の内側に前記電磁石を埋設してなることを特徴とするレチクルチャック。
【請求項３】
請求項１または請求項２記載のレチクルチャックにおいて、
前記電磁石は、偏平形状をしていることを特徴とするレチクルチャック。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３のいずれか１項記載のレチクルチャックにおいて、
前記レチクルを前記吸着面に吸着する静電チャック機能を有することを特徴とするレチクルチャック。
【請求項５】
請求項１ないし請求項４のいずれか１項記載のレチクルチャックにおいて、
前記吸着面を下にして用いられることを特徴とするレチクルチャック。
【請求項６】
レチクルチャックの吸着面に吸着されるレチクルにおいて、
前記レチクルチャックに埋設される電磁石に吸着される永久磁石を有することを特徴とするレチクル。
【請求項７】
請求項６記載のレチクルにおいて、
前記レチクルの前記吸着面側に凹部を形成し、前記凹部の内側に前記永久磁石を埋設してなることを特徴とするレチクル。
【請求項８】
請求項６または請求項７記載のレチクルにおいて、
前記永久磁石は、偏平形状をしていることを特徴とするレチクル。
【請求項９】
レチクルチャックの吸着面にレチクルを吸着するレチクルの吸着構造において、
前記レチクルチャックに電磁石を埋設するとともに、前記レチクルに永久磁石を埋設してなることを特徴とするレチクルの吸着構造。
【請求項１０】
請求項９記載のレチクルの吸着構造において、
前記電磁石は、鉄心の外側にコイルを巻回してなることを特徴とするレチクルの吸着構造。
【請求項１１】
請求項９または請求項１０記載のレチクルの吸着構造において、
前記レチクルチャックは、静電チャックであることを特徴とするレチクルの吸着構造。
【請求項１２】
請求項１ないし請求項５のいずれか１項記載のレチクルチャックを有することを特徴とする露光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、露光装置内においてレチクルの保持に使用されるレチクルチャック、レチクル、レチクルの吸着構造および露光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
真空雰囲気中において露光を行うＥＵＶ露光装置、電子線露光装置等の露光装置では、真空吸着チャックを使用できないため、通常、静電チャックにレチクルを保持している。
【特許文献１】特開平９−１３９４１９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、静電チャックは、静電気力を用いているため、着脱の応答が遅いという問題があった。特に、レチクルを静電チャックから離脱する際には、残留吸着力により長い時間が必要になり、スループットの低下をもたらす。
本発明は、かかる従来の問題を解決するためになされたもので、レチクルの着脱を迅速に行うことができるレチクルチャック、レチクル、レチクルの吸着構造および露光装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
第１の発明のレチクルチャックは、吸着面にレチクルを吸着するレチクルチャックにおいて、前記レチクルに埋設される永久磁石を吸着する電磁石を有することを特徴とする。
第２の発明のレチクルチャックは、第１の発明のレチクルチャックにおいて、前記吸着面に凹部を形成し、前記凹部の内側に前記電磁石を埋設してなることを特徴とする。
第３の発明のレチクルチャックは、第１または第２の発明のレチクルチャックにおいて、前記電磁石は、偏平形状をしていることを特徴とする。
【０００５】
第４の発明のレチクルチャックは、第１ないし第３のいずれか１の発明のレチクルチャックにおいて、前記レチクルを前記吸着面に吸着する静電チャック機能を有することを特徴とする。
第５の発明のレチクルチャックは、第１ないし第４のいずれか１の発明のレチクルチャックにおいて、前記吸着面を下にして用いられることを特徴とする。
【０００６】
第６の発明のレチクルは、レチクルチャックの吸着面に吸着されるレチクルにおいて、前記レチクルチャックに埋設される電磁石に吸着される永久磁石を有することを特徴とする。
第７の発明のレチクルは、第６の発明のレチクルにおいて、前記レチクルの前記吸着面側に凹部を形成し、前記凹部の内側に前記永久磁石を埋設してなることを特徴とする。
【０００７】
第８の発明のレチクルは、第６または第７の発明のレチクルにおいて、前記永久磁石は、偏平形状をしていることを特徴とする。
第９の発明のレチクルの吸着構造は、レチクルチャックの吸着面にレチクルを吸着するレチクルの吸着構造において、前記レチクルチャックに電磁石を埋設するとともに、前記レチクルに永久磁石を埋設してなることを特徴とする。
【０００８】
第１０の発明のレチクルの吸着構造は、第９の発明のレチクルの吸着構造において、前記電磁石は、鉄心の外側にコイルを巻回してなることを特徴とする。
第１１の発明のレチクルの吸着構造は、第９または第１０の発明のレチクルの吸着構造において、前記レチクルチャックは、静電チャックであることを特徴とする。
第１２の発明の露光装置は、第１ないし第５のいずれか１の発明のレチクルチャックを有することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明では、レチクルの着脱を迅速に行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明の実施形態を図面を用いて詳細に説明する。
(第１の実施形態)
図１は、本発明のレチクルの吸着構造の第１の実施形態を示している。この実施形態では、本発明のレチクルの吸着構造がＥＵＶ露光装置のレチクルステージに適用される。
この実施形態のレチクルの吸着構造では、レチクルチャック１１にレチクル１３が吸着保持される。
【００１１】
レチクルチャック１１は、露光装置のレチクルステージ１５の下面に固定されている。レチクルチャック１１は、セラミック、低熱膨張金属等からなる。レチクルチャック１１の下面には、レチクル１３を吸着する吸着面１１ａが形成されている。
レチクルチャック１１の両側には、電磁石１７が埋設されている。電磁石１７は、レチクル１３に埋設される永久磁石１９を吸着する。電磁石１７は、鉄心２１の外側にコイル２３を巻回してなる。電磁石１７は、レチクルチャック１１の両側に形成される貫通穴１１ｂ内に収容され固定されている。
【００１２】
レチクルチャック１１は、図２に示すように矩形形状をしている。レチクルチャック１１の両側には、それぞれ一対の貫通穴１１ｂが形成されている。貫通穴１１ｂは、レーシングトラック状をした偏平状をしており、長手方向をレチクルチャック１１の両側の辺部１１ｃに沿って延在されている。一対の貫通穴１１ｂは、辺部１１ｃの方向に所定間隔を置いて形成されている。また、辺部１１ｃにできるだけ近い位置に形成されている。
【００１３】
貫通穴１１ｂ内には、貫通穴１１ｂの形状に対応する形状の電磁石１７が嵌挿され固定されている。貫通穴１１ｂの上下には、凹部１１ｄが座ぐり状に形成されている。凹部１１ｄは、貫通穴１１ｂの開口部に沿ってレーシングトラック状に形成されている。このように凹部１１ｄを形成することにより、電磁石１７の通電時に、凹部１１ｄ内にゴミが吸引される。従って、レチクルチャック１１のレチクルステージ１５側の取付面１１ｅおよび吸着面１１ａにゴミが付着することを防止することができる。
【００１４】
レチクル１３は、レチクルチャック１１の吸着面１１ａに吸着保持される。レチクル１３は低熱膨張ガラス等からなる。レチクル１３の下面にはパターン面１３ａが形成されている。パターン面１３ａには露光パターンが形成されている。パターン面１３ａで反射したＥＵＶ光Ｅにより露光が行われる。
レチクル１３の両側には、レチクルチャック１１の電磁石１７に対応する位置に永久磁石１９が埋設されている。永久磁石１９は、レチクルチャック１１に埋設される電磁石１７に吸着される。永久磁石１９は、レチクル１３の両側に形成される貫通穴１３ｂ内に収容され固定されている。
【００１５】
レチクル１３は、図３に示すように矩形形状をしている。レチクル１３の両側には、それぞれ一対の貫通穴１３ｂが形成されている。貫通穴１３ｂは、レーシングトラック状をした偏平状をしており、長手方向をレチクル１３の両側の辺部１３ｃに沿って延在されている。一対の貫通穴１３ｂは、辺部１３ｃの方向に所定間隔を置いて形成されている。また、辺部１３ｃにできるだけ近い位置に形成されている。このように貫通穴１３ｂを形成することにより、レチクル１３のパターン面１３ａのパターンを外れた位置に貫通穴１３ｂを比較的容易に形成することができる。
【００１６】
貫通穴１３ｂ内には、貫通穴１３ｂの形状に対応する形状の永久磁石１９が嵌挿され固定されている。貫通穴１３ｂの上下には、凹部１３ｄが座ぐり状に形成されている。凹部１３ｄは、貫通穴１３ｂの開口部に沿ってレーシングトラック状に形成されている。このように凹部１３ｄを形成することにより、永久磁石１９に吸引されたゴミが凹部１３ｄ内に吸引される。従って、レチクル１３の吸着面１１ａ側およびパターン面１３ａ側にゴミが付着することを防止することができる。この実施形態では、レチクル１３の貫通穴１３ｂは、レチクルチャック１１の貫通穴１１ｂに対応する位置に同一形状および同一の大きさで形成されている。また、レチクル１３の凹部１３ｄは、レチクルチャック１１の凹部１１ｄより深さが浅いことを除いて同一形状および同一の大きさで形成されている。
【００１７】
図１において符号２５は電源制御部を示している。電源制御部２５は電磁石１７のオン，オフを行う。また、電磁石１７への電圧の印加方向を制御する。
上述したレチクルの吸着構造では、レチクルチャック１１へのレチクル１３の着脱が以下述べるようにして行われる。
レチクルチャック１１へのレチクル１３の装着時には、電源制御部２５によりレチクルチャック１１の電磁石１７をオフにした状態で、搬送アーム(不図示)によりレチクル１３がレチクルチャック１１の下方近傍の所定位置に搬送される。この状態では、永久磁石１９は、電磁石１７の鉄心２１に直接吸着しない距離だけ離間されている。そして、この状態から、電源制御部２５によりレチクルチャック１１の電磁石１７を、電磁石１７の永久磁石１９側が永久磁石１９の電磁石１７側の極性と反対になるようにオンすることによりレチクル１３の永久磁石１９がレチクルチャック１１の電磁石１７に吸着され、レチクル１３がレチクルチャック１１に保持される。そして、電源制御部２５により電磁石１７がオフにされる。この状態では、永久磁石１９は電磁石１７の鉄心２１に直接吸着する距離だけ接近しており、レチクル１３のレチクルチャック１１への保持が維持される。なお、電源制御部２５により電磁石１７をオフにすることなく保持を行うようにしても良い。
【００１８】
レチクルチャック１１からのレチクル１３の離脱時には、電源制御部２５によりレチクルチャック１１の電磁石１７をオフにした状態で、搬送アーム(不図示)が、レチクル１３の下方近傍の所定位置に位置される。そして、この状態から、電源制御部２５によりレチクルチャック１１の電磁石１７を、電磁石１７の永久磁石１９側が永久磁石１９の電磁石１７側の極性と同一になるようにオンすることによりレチクル１３の永久磁石１９がレチクルチャック１１の電磁石１７に対して反発し、レチクル１３がレチクルチャック１１から離脱し搬送アーム(不図示)に保持される。
【００１９】
上述したレチクルの吸着構造では、レチクルチャック１１の電磁石１７によりレチクル１３の永久磁石１９を吸着してレチクル１３をレチクルチャック１１に吸着し、また、レチクルチャック１１の電磁石１７によりレチクル１３の永久磁石１９を反発してレチクル１３をレチクルチャック１１から離脱するようにしたので、レチクル１３の着脱を迅速に行うことができる。
(第２の実施形態)
図４は、本発明のレチクルの吸着構造の第２の実施形態を示している。
【００２０】
なお、この実施形態において第１の実施形態と同一の要素には、同一の符号を付して詳細な説明を省略する。
この実施形態では、本発明が静電チャックに適用される。
レチクルチャック１１Ａは、ジョンソン・ラーベック力型の静電チャックであり、チャック本体２７内には、一対の内部電極２９Ａ，２９Ｂが配置されている。内部電極２９Ａに電源制御部２５Ａにより、例えば正の電圧を印加し、内部電極２９Ｂに負の電圧を印加することにより静電気力が発生しレチクル１３が吸着される。そして、電源制御部２５Ａによる電圧の印加を解除すると、内部電極２９Ａ，２９Ｂが接地される。
【００２１】
チャック本体２７の両側には、第１の実施形態と同様にして電磁石１７が配置されている。また、レチクル１３の両側には、第１の実施形態と同様にして永久磁石１９が配置されている。
この実施形態では、レチクルチャック１１Ａへのレチクル１３の着脱が以下述べるようにして行われる。
【００２２】
レチクルチャック１１Ａへのレチクル１３の装着時には、電源制御部２５Ａによりレチクルチャック１１Ａの電磁石１７および内部電極２９Ａ，２９Ｂをオフにした状態で、搬送アーム(不図示)によりレチクル１３がレチクルチャック１１Ａの下方近傍の所定位置に搬送される。そして、この状態から、電源制御部２５Ａによりレチクルチャック１１Ａの電磁石１７を、電磁石１７の永久磁石１９側が永久磁石１９の電磁石１７側の極性と反対になるようにオンする。また、同時に電源制御部２５Ａにより内部電極２９Ａ，２９Ｂをオンにする。これによりレチクル１３の永久磁石１９がレチクルチャック１１Ａの電磁石１７に吸着され、同時に、レチクル１３が静電気力によりチャック本体２７に吸着され、レチクル１３がレチクルチャック１１Ａに迅速に保持される。そして、電源制御部２５Ａにより電磁石１７のみがオフにされ、内部電極２９Ａ，２９Ｂはオンの状態を維持される。この状態では、静電気力によりレチクル１３がチャック本体２７に吸着されレチクル１３のレチクルチャック１１Ａへの保持が維持される。
【００２３】
レチクルチャック１１Ａからのレチクル１３の離脱時には、電源制御部２５Ａによりレチクルチャック１１Ａの電磁石１７をオフにし内部電極２９Ａ，２９Ｂをオンにした状態で、搬送アーム(不図示)が、レチクル１３の下方近傍の所定位置に位置される。そして、この状態から、電源制御部２５Ａによりレチクルチャック１１Ａの電磁石１７を、電磁石１７の永久磁石１９側が永久磁石１９の電磁石１７側の極性と同一になるようにオンする。また、同時に電源制御部２５Ａにより内部電極２９Ａ，２９Ｂをオフにする。これによりレチクル１３の永久磁石１９がレチクルチャック１１Ａの電磁石１７に対して反発し、レチクル１３がレチクルチャック１１Ａから迅速に離脱し搬送アーム(不図示)に保持される。
【００２４】
この実施形態では、レチクルチャック１１Ａの電磁石１７によりレチクル１３の永久磁石１９を吸着してレチクル１３をレチクルチャック１１Ａに吸着し、また、レチクルチャック１１Ａの電磁石１７によりレチクル１３の永久磁石１９を反発してレチクル１３をレチクルチャック１１Ａから離脱するようにしたので、レチクル１３の着脱を迅速に行うことができる。
【００２５】
すなわち、一般に静電チャックは、静電気力を用いているため、着脱の応答が比較的遅くなる。特に、レチクル１３を静電チャックから離脱する際には、残留吸着力により長い時間が必要になり、スループットの低下をもたらす。しかしながら、この実施形態では、レチクルチャック１１Ａの電磁石１７によりレチクル１３の永久磁石１９を吸着してレチクル１３をレチクルチャック１１Ａに吸着するようにしたので、レチクル１３のレチクルチャック１１Ａへの装着を迅速に行うことが可能になる。また、レチクルチャック１１Ａの電磁石１７によりレチクル１３の永久磁石１９を反発してレチクル１３をレチクルチャック１１Ａから離脱するようにしたので、レチクル１３のレチクルチャック１１Ａからの離脱を迅速に行うことが可能になる。従って、スループットを向上することができる。
(第３の実施形態)
図５は、本発明のレチクルの吸着構造の第３の実施形態を示している。
【００２６】
なお、この実施形態において第１の実施形態と同一の要素には、同一の符号を付して詳細な説明を省略する。
この実施形態では、本発明が光透過形のレチクルの吸着構造に適用される。
この実施形態では、レチクルステージ１５Ａの上面にレチクルチャック１１Ｂが配置されている。また、レチクルチャック１１Ｂの上面に光透過形のレチクル１３Ａが配置されている。レチクルチャック１１Ｂおよびレチクルステージ１５Ａには、レチクル１３Ａを透過した光Ｌを通過させるための光通過穴１１ｆ，１５ａが形成されている。
【００２７】
そして、レチクルチャック１１Ｂの両側には、第１の実施形態と同様にして電磁石１７が配置されている。また、レチクル１３Ａの両側には、第１の実施形態と同様にして永久磁石１９が配置されている。
この実施形態では、レチクルチャック１１Ｂへのレチクル１３Ａの着脱が以下述べるようにして行われる。
【００２８】
レチクルチャック１１Ｂへのレチクル１３Ａの装着時には、電源制御部２５によりレチクルチャック１１Ｂの電磁石１７をオフにした状態で、搬送アーム(不図示)によりレチクル１３Ａがレチクルチャック１１Ｂの上方近傍の所定位置に搬送される。その後、レチクル１３Ａは搬送アーム(不図示)により鉛直下方に搬送され、レチクルチャック１１Ｂ上に置かれる。そして、この状態から、電源制御部２５によりレチクルチャック１１Ｂの電磁石１７を、電磁石１７の永久磁石１９側が永久磁石１９の電磁石１７側の極性と反対になるようにオンすることによりレチクル１３Ａの永久磁石１９がレチクルチャック１１Ｂの電磁石１７に吸着され、レチクル１３Ａがレチクルチャック１１Ｂに保持される。そして、電源制御部２５により電磁石１７がオフにされる。この状態では、永久磁石１９は電磁石１７の鉄心２１に直接吸着する距離だけ接近しており、レチクル１３Ａのレチクルチャック１１Ｂへの保持が維持される。なお、電源制御部２５により電磁石１７をオフにすることなく保持を行うようにしても良い。
【００２９】
レチクルチャック１１Ｂからのレチクル１３Ａの離脱時には、電源制御部２５によりレチクルチャック１１Ｂの電磁石１７をオフにした状態で、搬送アーム(不図示)によりレチクル１３Ａを把持する。そして、この状態から、電源制御部２５によりレチクルチャック１１Ｂの電磁石１７を、電磁石１７の永久磁石１９側が永久磁石１９の電磁石１７側の極性と同一になるようにオンすることによりレチクル１３Ａの永久磁石１９がレチクルチャック１１Ｂの電磁石１７に対して反発し、レチクル１３Ａがレチクルチャック１１Ｂから離脱し搬送アーム(不図示)に保持される。
【００３０】
この実施形態では、レチクルチャック１１Ｂの電磁石１７によりレチクル１３Ａの永久磁石１９を吸着してレチクル１３Ａをレチクルチャック１１Ｂに吸着し、また、レチクルチャック１１Ｂの電磁石１７によりレチクル１３Ａの永久磁石１９を反発してレチクル１３Ａをレチクルチャック１１Ｂから離脱するようにしたので、レチクル１３Ａの着脱を迅速に行うことができる。
【００３１】
そして、この実施形態では、第１の実施形態と同様に、レチクル１３Ａおよびレチクルチャック１１Ｂの貫通穴１３ｂ，１１ｂを偏平状にし、長手方向をレチクル１３Ａおよびレチクルチャック１１Ｂの両側の辺部１３ｃ，１１ｃに沿って延在したので、貫通穴１３ｂ，１１ｂにより光Ｌの通過が邪魔されることが比較的少なくなる。従って、レチクル１３Ａおよびレチクルチャック１１Ｂをコンパクトにすることができる。
(露光装置の実施形態)
図６は、図１のレチクルステージ１５を備えたＥＵＶ露光装置のＥＵＶ光リソグラフィシステムを模式化して示している。なお、この実施形態において第１の実施形態と同一の部材には、同一の符号を付している。
【００３２】
この実施形態では、露光の照明光としてＥＵＶ光が用いられる。ＥＵＶ光は０．１〜４００ｎｍの間の波長を持つもので、この実施形態では特に１〜５０ｎｍ程度の波長が好ましい。投影像は像光学系システム１０１を用いたもので、ウエハＷ上にレチクル１３によるパターンの縮小像を形成するものである。
ウエハＷ上に照射されるパターンは、レチクルステージ１５の下側にレチクルチャック１１を介して配置されている反射型のレチクル１３により決められる。また、ウエハＷはウエハステージ１０５の上に載せられている。典型的には、露光はステップ・スキャンによりなされる。
【００３３】
露光時の照明光として使用するＥＵＶ光は大気に対する透過性が低いので、ＥＵＶ光が通過する光経路は、適当な真空ポンプ７３を用いて真空に保たれた本体チャンバ２１に囲まれている。またＥＵＶ光はレーザプラズマＸ線源によって生成される。レーザプラズマＸ線源はレーザ源１０８（励起光源として作用）とキセノンガス供給装置１０９からなっている。レーザプラズマＸ線源は真空チャンバ１１０によって取り囲まれている。レーザプラズマＸ線源によって生成されたＥＵＶ光は真空チャンバ１１０の窓１１１を通過する。
【００３４】
放物面ミラー１１３は、キセノンガス放出部の近傍に配置されている。放物面ミラー１１３はプラズマによって生成されたＥＵＶ光を集光する。放物面ミラー１１３は集光光学系を構成し、ノズル１１２からのキセノンガスが放出される位置の近傍に焦点位置がくるように配置されている。ＥＵＶ光は放物面ミラー１１３の多層膜で反射し、真空チャンバ１１０の窓１１１を通じて集光ミラー１１４へと達する。集光ミラー１１４は反射型のレチクル１３へとＥＵＶ光を集光、反射させる。ＥＵＶ光は集光ミラー１１４で反射され、レチクル１３の所定の部分を照明する。すなわち、放物面ミラー１１３と集光ミラー１１４はこの装置の照明システムを構成する。
【００３５】
レチクル１３は、ＥＵＶ光を反射する多層膜とパターンを形成するための吸収体パターン層を持っている。レチクル１３でＥＵＶ光が反射されることによりＥＵＶ光は「パターン化」される。パターン化されたＥＵＶ光は投影システム１０１を通じてウエハＷに達する。
この実施形態の像光学システム１０１は、凹面第１ミラー１１５ａ、凸面第２ミラー１１５ｂ、凸面第３ミラー１１５ｃ、凹面第４ミラー１１５ｄの４つの反射ミラーからなっている。各ミラー１１５ａ〜１１５ｄにはＥＵＶ光を反射する多層膜が備えられている。
【００３６】
レチクル１３により反射されたＥＵＶ光は第１ミラー１１５ａから第４ミラー１１５ｄまで順次反射されて、レチクルパターンの縮小（例えば、１／４、１／５、１／６）された像を形成する。像光学系システム１０１は、像の側（ウエハＷの側）でテレセントリックになるようになっている。
レチクル１３は可動のレチクルステージ１５によって少なくともＸ−Ｙ平面内で支持されている。ウエハＷは、好ましくはＸ，Ｙ，Ｚ方向に可動なウエハステージ１０５によって支持されている。ウエハＷ上のダイを露光するときには、ＥＵＶ光が照明システムによりレチクル１３の所定の領域に照射され、レチクル１３とウエハＷは像光学系システム１０１に対して像光学システム１０１の縮小率に従った所定の速度で動く。このようにして、レチクルパターンはウエハＷ上の所定の露光範囲（ダイに対して）に露光される。
【００３７】
露光の際には、ウエハＷ上のレジストから生じるガスが像光学システム１０１のミラー１１５ａ〜１１５ｄに影響を与えないように、ウエハＷはパーティション１１６の後ろに配置されることが望ましい。パーティション１１６は開口１１６ａを持っており、それを通じてＥＵＶ光がミラー１１５ｄからウエハＷへと照射される。パーティション１１６内の空間は真空ポンプ１１７により真空排気されている。このように、レジストに照射することにより生じるガス状のゴミがミラー１１５ａ〜１１５ｄあるいはレチクル１３に付着するのを防ぐ。それゆえ、これらの光学性能の悪化を防いでいる。
【００３８】
この実施形態の露光装置では、レチクルチャック１１へのレチクル１３の着脱を迅速に行うことができるため、スループットを向上することができる。
（実施形態の補足事項）
以上、本発明を上記の実施形態によって説明してきたが、本発明の技術的範囲は上記実施形態に限定されるものではない。例えば、以下のような形態でも良い。
【００３９】
(１)上述した実施形態では、貫通穴１１ｂ，１３ｂを、レーシングトラック状にした例について説明したが、例えば、長方形形状あるいは長楕円形状等の偏平状にしても良い。
(２)上述した実施形態では、レチクルチャック１１およびレチクル１３に貫通穴１１ｂ，１３ｂを形成した例について説明したが、貫通穴を形成することなく止まり穴を形成し、止まり穴に電磁石または永久磁石を収容しても良い。
【００４０】
(３)上述した実施形態では、電磁石１７を、鉄心２１の外側にコイル２３を巻回して構成した例について説明したが、鉄心２１を配置することなくコイル２３のみで構成しても良い。
(４)上述した実施形態では、ＥＵＶ光を用いた露光装置の例を説明したが、その他、荷電粒子線、ｉ線、ｇ線、ＫｒＦ、ＡｒＦ、Ｆ２等を用いた露光装置にも勿論適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明のレチクルの吸着構造の第１の実施形態を示す説明図である。
【図２】図１のレチクルチャックを示す上面図である。
【図３】図１のレチクルを示す上面図である。
【図４】本発明のレチクルの吸着構造の第２の実施形態を示す説明図である。
【図５】本発明のレチクルの吸着構造の第３の実施形態を示す説明図である。
【図６】本発明の露光装置の一実施形態を示す説明図である。
【符号の説明】
【００４２】
１１，１１Ａ，１１Ｂ…レチクルチャック、１１ａ…吸着面、１１ｄ…凹部、１３，１３Ａ…レチクル、１３ｄ…凹部、１７…電磁石、１９…永久磁石、２１…鉄心、２３…コイル、２５…電源制御部、２９Ａ，２９Ｂ…内部電極。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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