(57)【要約】【課題】光電変換装置と光電変換装置を実装する部材の固着強度を増大させ、光電変換装置と部材の剥離を抑制することを課題とする。【解決手段】端部が斜めあるいは溝状に削られた第１の基板と、第１の基板上に、フォトダイオードと、フォトダイオードの出力電流を増幅する増幅回路と、フォトダイオード及び増幅回路に電気的に接続され、第１の基板の端部上に設けられた第１の電極と、フォトダイオード及び増幅回路に電気的に接続され、第１の基板の端部上に設けられた第２の電極と、第２の基板上に、第３の電極と、第４の電極とを有し、第１の電極及び第３の電極、並びに、第２の電極及び第４の電極は、それぞれ向かい合った面、並びに、第１の電極の側面及び第２の電極の側面に設けられた導電性材料により接着されている光電変換装置に関するものである。【選択図】図１
2008227476.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面を有する基板の一表面に、光を受光するフォトダイオードと、前記フォトダイオードの出力を増幅する増幅回路が設けられ、
前記フォトダイオード及び前記増幅回路を被覆する絶縁層の表面に、前記フォトダイオードと接続する第１の出力端子と、前記増幅回路と接続する第２の端子が設けられ、
前記出力端子のそれぞれと接続し、前記絶縁層の上面から側面及び前記基板の側面にかけて連続して延びる一対の接続電極を有することを特徴とする光電変換装置。
【請求項２】
絶縁表面を有する基板の一表面に、光を受光するフォトダイオードと、前記フォトダイオードの出力を増幅する増幅回路が設けられ、
前記フォトダイオード及び前記増幅回路を被覆する絶縁層の表面に、前記フォトダイオードと接続する第１の出力端子と、前記増幅回路と接続する第２の出力端子が設けられ、
前記基板は、端面から前記一表面に向けて内側に傾斜するテーパ部を有し、
前記出力端子のそれぞれと接続し、前記絶縁層の上面から側面及び前記テーパ部にかけて連続して延びる一対の接続電極を有することを特徴とする光電変換装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記フォトダイオードは、ｐ型半導体層と、ｉ型半導体層と、ｎ型半導体層が積層された構造を有することを特徴とする光電変換装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか１項において、
前記増幅回路は、カレントミラー回路であることを特徴とする光電変換装置。
【請求項５】
請求項４において、
前記カレントミラー回路は、薄膜トランジスタで構成されていることを特徴とする光電変換装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載された光電変換装置を有する電子機器。
【請求項７】
絶縁表面を有する基板上に、増幅回路及び前記増幅回路に接続するフォトダイオードを形成し、
前記増幅回路及び前記フォトダイオードを被覆する絶縁層を形成し、
前記フォトダイオードと接続する第１の出力端子と、前記増幅回路と接続する第２の端子を前記絶縁層の表面に形成し、
前記出力端子のそれぞれと接続し、前記絶縁層の上面から側面及び前記基板の側面にかけて連続して延びる一対の接続電極を形成することを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【請求項８】
絶縁表面を有する基板上に、光を受光するフォトダイオードと、フォトダイオードの出力を増幅する増幅回路を含む複数の集積回路を形成し、
前記複数の集積回路を被覆する絶縁層を形成し、
前記絶縁表面に、前記フォトダイオードと接続する第１の出力端子と、前記増幅回路と接続する第２の端子を、前記複数の集積回路のそれぞれについて形成し、
前記複数の集積回路において、一の集積回路と、他の集積回路との間に、前記絶縁表面側から前記基板に達するＶ字状の溝を形成し、
前記出力端子のそれぞれと接続し、前記絶縁層の上面から前記Ｖ字状の溝を充填するように接続電極を形成し、
前記Ｖ字状の溝の略中央で前記複数の集積回路を分断することを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体を用いて構成される光電変換装置及びそれを備えた電子機器、並びに光電変換装置の作製方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
光電変換装置の一態様として、波長４００ｎｍ〜７００ｎｍの可視光線領域に感度を持つものは光センサ若しくは可視光センサと呼ばれている。光センサ若しくは可視光センサは、光信号を検知して情報を読み取る用途、周辺環境の明るさを検知して電子機器等の動作を制御する用途などが知られている。
【０００３】
例えば、携帯電話機やテレビジョン装置では、表示画面の明るさを、それが置かれた周辺環境の明るさに応じて調節するために光センサが用いられている。（特許文献１参照）。
【０００４】
図３（Ａ）は特許文献１に開示された光センサの構成を示す。基板１６０１上に開口部１６０５、１６０６が形成された透光性電極１６０２と光反射性電極１６０４ｂに挟まれるように光電変換層１６０３が設けられている。光電変換層１６０３はｐｉｎ接合を内包し、透光性電極１６０２及び光反射性電極１６０４ｂと組み合わせることでダイオードを構成している。すなわち、二端子素子としての形態を有しており、一方の外部接続端子は光電変換層１６０３に設けられた開口部１６０７を通して透光性電極１６０２と接続する光反射性電極１６０４ａで構成され、他方の外部接続端子は光反射性電極１６０４ｂで構成されている。受光面は透光性の基板１６０１側となり、基板１６０１を透過した光が光電変換層１６０３に入射する。
【０００５】
図３（Ｂ）は基板１６１０上に光反射性電極１６１１、光電変換層１６１２、透光性電極１６１３が順次設けられた光センサを示している。この光センサは、透光性電極１６１３側から光電変換層１６１２に光が入射する構成となっている。光反射性電極１６１１及び光電変換層１６１２には貫通孔が形成されそこに開口部１６１４、１６１５が設けられ、基板１６１０の端部と分離され短絡を防いでいる。透光性電極１６１３と透光性電極１６１９は、光電変換層１６１２上に設けられた絶縁層１６１６によって絶縁分離されている。外部接続端子１６１７は透光性電極１６１９と接して設けられ、光電変換層１６１２に形成された開口部１６１４で光反射性電極１６１１と電気的に導通している。他方、外部接続端子１６１８は透光性電極１６１３と接して設けられている。
【０００６】
図３（Ｃ）は、図３（Ａ）に示す光センサを配線基板１８００に実装する態様を示している。配線基板１８００と光センサとは、外部接続端子である光反射性電極１６０４ａ、１６０４ｂと、配線１８５０が対向する形で、光または熱硬化型の樹脂１８５２によって固定されている。光反射性電極１６０４ａ、１６０４ｂと配線１８５０とは導電性粒子１８５１により電気的に接続されている。また、図３（Ｄ）は、図３（Ｂ）に示す光センサを配線基板１８００に実装する態様を示している。配線基板１８００と光センサとは、外部接続端子１６１７、１６１８と、配線１８５０が対向する形で、クリーム半田や銀ペーストなどの導電性材料１８５３により接着されている。
【特許文献１】特開２００２−６２８５６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
図３（Ｃ）に示す光センサの実装形態は、光反射性電極１６０４ａ、１６０４ｂが形成された面のみで配線基板１８００と接着されている。また、図３（Ｄ）に示す光センサの実装形態では、外部接続端子１６１７、１６１８と配線基板１８００とが導電性材料１８５３のみで接着される構成となっている。しかしながら、このような構成では、配線基板１８００に曲げ応力が加わると、端子部の接触不良が生じてしまい、ともすると光センサが配線基板１８００から剥離してしまうという問題があった。
【０００８】
そこで本発明は、光センサの如き光電変換装置を配線基板等に実装するときに、その固着強度を向上させ、接触不良や剥離等の問題を解決することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係る光電変換装置の一態様は、絶縁表面を有する基板の一表面に、光を受光するフォトダイオードと、フォトダイオードの出力を増幅する増幅回路が設けられ、フォトダイオード及び増幅回路を被覆する絶縁層の表面に、フォトダイオードと接続する第１の出力端子と、増幅回路と接続する第２の出力端子が設けられ、出力端子のそれぞれと接続し、絶縁層の上面から側面及び基板の側面の一部に連続して延びる一対の接続電極を備えるものである。
【００１０】
本発明に係る光電変換装置の作製方法における一態様は、絶縁表面を有する基板上に、光を受光するフォトダイオードと、フォトダイオードの出力を増幅する増幅回路を形成し、増幅回路及びフォトダイオードを被覆する絶縁層を形成し、フォトダイオードと接続する第１の出力端子と、増幅回路と接続する第２の出力端子を絶縁層の表面に形成し、出力端子のそれぞれと接続し、絶縁層の上面から側面及び基板の側面の一部に連続して延びる一対の接続電極を形成するものである。
【００１１】
絶縁表面を有する基板の一表面に、光を受光するフォトダイオードと、前記フォトダイオードの出力を増幅する増幅回路が設けられ、前記フォトダイオード及び前記増幅回路を被覆する絶縁層の表面に、前記フォトダイオードと接続する第１の出力端子と、前記増幅回路と接続する第２の端子が設けられ、前記出力端子のそれぞれと接続し、前記絶縁層の上面から側面及び前記基板の側面にかけて連続して延びる一対の接続電極を有することを特徴とする光電変換装置が含まれる。
【００１２】
絶縁表面を有する基板の一表面に、光を受光するフォトダイオードと、前記フォトダイオードの出力を増幅する増幅回路が設けられ、前記フォトダイオード及び前記増幅回路を被覆する絶縁層の表面に、前記フォトダイオードと接続する第１の出力端子と、前記増幅回路と接続する第２の端子が設けられ、前記基板は、端面から前記一表面に向けて内側に傾斜するテーパ部を有し、記出力端子のそれぞれと接続し、前記絶縁層の上面から側面及び前記テーパ部にかけて連続して延びる一対の接続電極を有することを特徴とする光電変換装置が含まれる。
【００１３】
前述の光電変換装置を有する電子機器が含まれる。
【００１４】
絶縁表面を有する基板上に、増幅回路及び前記増幅回路に接続するフォトダイオードを形成し、前記増幅回路及び前記フォトダイオードを被覆する絶縁層を形成し、前記フォトダイオードと接続する第１の出力端子と、前記増幅回路と接続する第２の端子を前記絶縁層の表面に形成し、前記出力端子のそれぞれと接続し、前記絶縁層の上面から側面及び前記基板の側面にかけて連続して延びる一対の接続電極を形成することを特徴とする光電変換装置の作製方法が含まれる。
【００１５】
絶縁表面を有する基板上に、光を受光するフォトダイオードと、フォトダイオードの出力を増幅する増幅回路を含む複数の集積回路を形成し、前記複数の集積回路を被覆する絶縁層を形成し、前記絶縁表面に、前記フォトダイオードと接続する第１の出力端子と、前記増幅回路と接続する第２の端子を、前記複数の集積回路のそれぞれについて形成し、前記複数の集積回路において、一の集積回路と、他の集積回路との間に、前記絶縁表面側から前記基板に達するＶ字状の溝を形成し、前記出力端子のそれぞれと接続し、前記絶縁層の上面から前記Ｖ字状の溝を充填するように接続電極を形成し、前記Ｖ字状の溝の略中央で前記複数の集積回路を分断することを特徴とする光電変換装置の作製方法が含まれる。
【００１６】
また前記フォトダイオードは、ｐ型半導体層と、ｉ型半導体層と、ｎ型半導体層が積層された構造を有する。
【００１７】
また前記増幅回路は、カレントミラー回路である。
【００１８】
さらに前記カレントミラー回路は、薄膜トランジスタで構成されている。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、基板と光電変換素子の固着強度が高く、基板と光電変換素子の剥離を防ぐことができる。これにより光電変換装置の信頼性が向上する。
【００２０】
また本発明によれば、基板と光電変換素子を接着する導電材料を側面まで形成するため、光電変換素子をバランスよく基板に接着することができ、基板と光電変換素子を水平に実装することが可能となる。これにより信頼性の高い光電変換装置を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
本発明の実施形態を、図面を用いて以下に説明する。ただし本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明の実施形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、本発明の実施形態を説明するための全図において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【００２２】
［実施の形態１］
本実施の形態を、図１、図２（Ａ）〜図２（Ｂ）、図４（Ａ）〜図４（Ｂ）、図５（Ａ）〜図５（Ｂ）、図６（Ａ）〜図６（Ｂ）、図７（Ａ）〜図７（Ｂ）、図８（Ａ）〜図８（Ｂ）、図９、図１０、図１１、図１２、図１３、図１４、図１５、図１６、図１７（Ａ）〜図１７（Ｄ）、図１８、図１９、図２０用いて以下に説明する。
【００２３】
まず、基板１０１上に、絶縁膜１０２を形成する（図４（Ａ）参照）。基板１０１としては、透光性を有する基板、例えば、ガラス基板や石英基板を用いることが可能である。本実施の形態では、基板１０１としてガラス基板を用いる。
【００２４】
絶縁膜１０２としては、スパッタリング法又はプラズマＣＶＤ法により、酸化珪素、窒素を含む酸化珪素、窒化珪素、酸素を含む窒化珪素、金属酸化材料からなる膜を形成すればよい。
【００２５】
あるいは絶縁膜１０２を、下層絶縁膜と上層絶縁膜と二層で形成してもよい。下層絶縁膜として、例えば酸素を含む窒化珪素膜（ＳｉＯｘＮｙ：ｙ＞ｘ）を用い、上層絶縁膜として、例えば窒素を含む酸化珪素膜（ＳｉＯｘＮｙ：ｘ＞ｙ）を用いるとよい。絶縁膜１０２を二層にすることにより、基板１０１側からの水分などの混入物を防ぐことが可能となる。
【００２６】
次に、結晶性半導体膜を島状にエッチングして島状半導体膜１７１を形成する（図１７（Ａ）参照）。
【００２７】
なお、図１７（Ａ）〜図１７（Ｄ）は、ＴＦＴ１０３の周辺部分のみを抜き出した図となっている。
【００２８】
島状半導体膜１７１中には、ソース領域、ドレイン領域、及びチャネル形成領域が形成されている。さらに島状半導体膜１７１を覆うゲート絶縁膜１０４、島状半導体膜１７１のチャネル形成領域上に形成された、下層ゲート電極１７２及び上層ゲート電極１７３が設けられている（図１７（Ｂ）参照）。図１７（Ｂ）では、ゲート電極は、下層ゲート電極１７２及び上層ゲート電極１７３の二層構造としたが、単層構造のゲート電極を作製してもよい。下層ゲート電極１７２及び上層ゲート電極１７３を合わせてゲート電極１７４とする。
【００２９】
なお本実施の形態では、ＴＦＴ１０３はトップゲート型ＴＦＴを形成するが、ボトムゲート型ＴＦＴであってもよい。またチャネル形成領域が１つであるシングルゲート型ＴＦＴであっても、チャネル形成領域が複数存在するマルチゲート型ＴＦＴであってもよい。
【００３０】
下層ゲート電極１７２及び上層ゲート電極１７３を有するゲート電極１７４、ゲート絶縁膜１０４を覆って、層間絶縁膜１０５を形成する（図１７（Ｃ）参照）。
【００３１】
なお、層間絶縁膜１０５は、単層の絶縁膜で形成されていてもよいし、異なる材料の絶縁層の積層膜であってもよい。
【００３２】
層間絶縁膜１０５上には、島状半導体膜１７１中のソース領域及びドレイン領域に電気的に接続された、ソース電極１８１及びドレイン電極１８２が形成されている。さらにゲート電極１７４に電気的に接続された、ゲート配線１８３が形成されている（図１７（Ｄ）、図４（Ｂ）参照）。以上のようにして、ＴＦＴ１０３が形成される。
【００３３】
なお、図１７（Ｄ）及び図４（Ｂ）までの工程では、ＴＦＴは１つしか示されていない。しかし実際は、ＴＦＴ１０３は、光電変換層１１５にて得られる光電流を増幅する増幅回路、例えばカレントミラー回路を構成するＴＦＴであり、少なくとも２つは形成される。
【００３４】
図１２に、光電変換層１１５を含むフォトダイオード２０３、ＴＦＴ２０４及びＴＦＴ２０５からなるカレントミラー回路２１１の回路構成を示す。図４（Ｂ）及び図１７（Ｄ）のＴＦＴ１０３は、ＴＦＴ２０４あるいはＴＦＴ２０５の一方である。
【００３５】
図１２では、カレントミラー回路２１１を構成するＴＦＴ２０４のゲート電極は、カレントミラー回路２１１を構成するもう１つのＴＦＴ２０５のゲート電極に電気的に接続され、更にＴＦＴ２０４のソース電極またはドレイン電極の一方であるドレイン電極（「ドレイン端子」ともいう）に電気的に接続されている。
【００３６】
ＴＦＴ２０４のドレイン端子は、フォトダイオード２０３、ＴＦＴ２０５のドレイン端子、及び高電位電源ＶＤＤに電気的に接続されている。
【００３７】
ＴＦＴ２０４のソース電極またはドレイン電極の他方であるソース電極（「ソース端子」ともいう）は、低電位電源ＶＳＳ及びＴＦＴ２０５のソース端子に電気的に接続されている。
【００３８】
またカレントミラー回路２１１を構成するＴＦＴ２０５のゲート電極は、ＴＦＴ２０４のゲート電極及びドレイン端子に電気的に接続されている。
【００３９】
また、ＴＦＴ２０４及びＴＦＴ２０５のゲート電極は互いに接続されているので共通の電位が印加される。
【００４０】
図１２では２個のＴＦＴによる、カレントミラー回路の例を図示している。この時、ＴＦＴ２０４とＴＦＴ２０５が同一の特性を有する場合、参照電流と出力電流の比は、１：１の関係となる。
【００４１】
出力値をｎ倍とするための回路構成を図１３に示す。図１３の回路構成は、図１２のＴＦＴ２０５をｎ個にしたものに相当する。図１３に示すようにＴＦＴ２０４とＴＦＴ２０５の比を１：ｎにすることで、出力値をｎ倍とすることが可能となる。これは、ＴＦＴのチャネル幅Ｗを増加させ、ＴＦＴに流すことのできる電流の許容量をｎ倍とすることと同様の原理である。
【００４２】
例えば、出力値を１００倍に設計する場合、ｎチャネルＴＦＴ２０４を１個、ｎチャネル型ＴＦＴ２０５を１００個並列接続することで、目標とした電流を得ることが可能となる。
【００４３】
ＴＦＴ２０５ｉのゲート電極は、端子２１９ｉに電気的に接続されている。またＴＦＴ２０５ｉのドレイン端子は、端子２２０ｉに電気的に接続されている。またＴＦＴ２０５ｉのソース端子は、端子２２１ｉに電気的に接続されている。
【００４４】
なお、回路２１８ｉは図１２の回路構成を基にしているので、図１３の符号において「ｉ」の付いている符号は、図１２の「ｉ」の付いていない符号と同じものである。すなわち、例えば図１２のＴＦＴ２０５と図１３のＴＦＴ２０５ｉは同じものである。
【００４５】
したがって図１３においては、ＴＦＴ２０５は、ｎ個のＴＦＴ２０５ａ、２０５ｂ、、２０５ｉ、等から構成されていることとなる。これによりＴＦＴ２０４に流れる電流がｎ倍に増幅されて出力される。
【００４６】
尚、図１３において図１２と同じものを指示している場合は、同じ符号で示してある。
【００４７】
また、図１２はカレントミラー回路２１１を、ｎチャネル型ＴＦＴを用いた等価回路として図示したものであるが、このｎチャネル型ＴＦＴに代えてｐチャネル型ＴＦＴを用いてもよい。
【００４８】
増幅回路をｐチャネル型ＴＦＴで形成する場合は、図１４に示す等価回路となる。図１４に示すように、カレントミラー回路２３１はｐチャネル型ＴＦＴ２３４及び２３５を有している。なお図１２〜図１３と図１４で同じものは同じ符号で示している。
【００４９】
以上のようにしてＴＦＴ１０３を作製したら、層間絶縁膜１０５上に、電極１１１、電極１１２を形成する。図５（Ａ）では電極１１２を電極１１２ａ、電極１１２ｂ、電極１１２ｃ、電極１１２ｄ等と、複数形成しており、図１８では電極１１２は１つしか形成されていない。
【００５０】
なお本実施の形態では、電極１１１及び電極１１２は、チタン（Ｔｉ）を４００ｎｍの厚さで成膜したチタン膜を用いて形成する。
【００５１】
なお電極１１１及び電極１１２は、ソース電極１８１及びドレイン電極１８２と同じ工程で作成してもよい。
【００５２】
図５（Ａ）における電極１１２及びその周辺部の上面図を図１６に、図１８における電極１１２及びその周辺部の上面図を図１５に示す。
【００５３】
図１６において、電極１１２は格子状の電極であり、後述する工程で形成される光電変換層１１５と複数の箇所で接続されている。そのため電極１１２の断面を見ると、図５（Ａ）のように、電極１１２が複数形成されているように見えるが、全て同一材料及び同一工程により作製されるものである。図１６のように電極１１２を格子状に形成すると、光電変換層１１５の抵抗値が小さくなるという利点がある。
【００５４】
また図１５において、電極１１２は先端部が丸い矩形状の電極であるので、断面を見ると、図１８のように、電極１１２は１つのみ形成されているように見える。
【００５５】
なお図１５及び図１６において、電極１１２はカレントミラー回路２１１と電気的に接続されている。カレントミラー回路２１１は、ＴＦＴ１０３を２個〜（ｎ＋１）個有している。
【００５６】
すなわち、上述のように、参照電流と出力電流の比を１：１としたい場合は、参照側のＴＦＴ及び出力側のＴＦＴを１個ずつ形成すればよく、その回路図は図１２となる。また参照電流と出力電流の比を１：ｎとしたい場合は、参照側のＴＦＴを１個及び出力側のＴＦＴをｎ個形成すればよい。その場合の回路図は図１３となる。
【００５７】
図１５及び図１６に示すように、カレントミラー回路２１１は、高電位電源ＶＤＤに接続する接続電極２４１と配線２４４を介して電気的に接続されており、また低電位電源ＶＳＳに接続する接続電極２４２と配線２４５を介して電気的に接続されている。なお本実施の形態では、接続電極２４２と電極１１１は同じものであるが、これに限定されず別に設けてもよい。また接続電極２４１は、電極１１１及び電極１１２と同じ工程、同じ材料で形成される。
【００５８】
次いで、図５（Ｂ）に示すように、電極１１２及び層間絶縁膜１０５上に、オーバーコート層１１３（オーバーコート層１１３ａ、１１３ｂ、１１３ｃ、等を含む）を設ける。なお図５（Ｂ）は、図５（Ａ）の構成にオーバーコート層１１３を形成した構成になっているが、もちろん図１８の構成を用いても構わない。
【００５９】
オーバーコート層１１３は、後の工程で形成される光電変換層１１５のｐ型半導体層１１５ｐとｎ型半導体層１１５ｎがショートしないように、端部をなだらかにして形状を改善する機能と、光電変換層１１５への汚染物質の混入を抑制する機能と、光電変換層１１５に入射する光を調整する機能がある。またオーバーコート層１１３は、透光性のある絶縁材料を用いて形成すればよい。例えば、アクリル、ポリイミドというような有機樹脂材料、また窒化珪素、酸化珪素、窒素を含む酸化珪素、酸素を含む窒化珪素といった無機材料を用いることが可能である。またこれらの材料を積層した積層膜を用いて形成することが可能である。本実施の形態では、オーバーコート層１１３としてポリイミドを用いる。
【００６０】
次いで電極１１２及びオーバーコート層１１３上に、ｐ型半導体膜、ｉ型半導体膜、ｎ型半導体膜を成膜し、エッチングして、ｐ型半導体層１１５ｐ、ｉ型半導体層１１５ｉ及びｎ型半導体層１１５ｎを含む光電変換層１１５を形成する（図６（Ａ）及び図１９参照）。なお図６（Ａ）の光電変換層１１５付近を拡大したものが図１９である。
【００６１】
ｐ型半導体層１１５ｐは、１３属の不純物元素、例えばホウ素（Ｂ）を含んだ非晶質半導体膜をプラズマＣＶＤ法にて成膜して形成すればよい。
【００６２】
図６（Ａ）及び図１９では、電極１１２に光電変換層１１５の最下層、本実施の形態ではｐ型半導体層１１５ｐと接している。
【００６３】
ｐ型半導体層１１５ｐを形成したら、さらにｉ型半導体層１１５ｉ及びｎ型半導体層１１５ｎを順に形成する。これによりｐ型半導体層１１５ｐ、ｉ型半導体層１１５ｉ及びｎ型半導体層１１５ｎを有する光電変換層１１５が形成される。
【００６４】
ｉ型半導体層１１５ｉとしては、例えばプラズマＣＶＤ法で非晶質半導体膜を形成すればよい。またｎ型半導体層１１５ｎとしては、１５属の不純物元素、例えばリン（Ｐ）を含む非晶質半導体膜を形成してもよいし、非晶質半導体膜を形成後、１５属の不純物元素を導入してもよい。
【００６５】
なお非晶質半導体膜として、非晶質珪素膜、非晶質ゲルマニウム膜等を用いてもよい。
【００６６】
なお本明細書においては、ｉ型半導体膜とは、半導体膜に含まれるｐ型もしくはｎ型を付与する不純物が１×１０２０ｃｍ−３以下の濃度であり、酸素及び窒素が５×１０１９ｃｍ−３以下の濃度であり、暗伝導度に対して光伝導度が１００倍以上である半導体膜を指す。またｉ型半導体膜には、ホウ素（Ｂ）が１０〜１０００ｐｐｍ添加されていてもよい。
【００６７】
またｐ型半導体層１１５ｐ、ｉ型半導体層１１５ｉ、ｎ型半導体層１１５ｎとして、非晶質半導体膜だけではなく、微結晶半導体膜（セミアモルファス半導体膜ともいう）を用いてもよい。
【００６８】
あるいは、ｐ型半導体層１１５ｐ及びｎ型半導体層１１５ｎを微結晶半導体膜を用いて形成し、ｉ型半導体層１１５ｉとして非晶質半導体膜を用いてもよい。
【００６９】
なおセミアモルファス半導体膜とは、非晶質半導体と結晶構造を有する半導体（単結晶、多結晶を含む）の中間的な構造の半導体を含む膜である。このセミアモルファス半導体膜は、自由エネルギー的に安定な第３の状態を有する半導体膜であって、短距離秩序を持ち格子歪みを有する結晶質なものであり、その粒径を０．５〜２０ｎｍとして非単結晶半導体膜中に分散させて存在せしめることが可能である。セミアモルファス半導体膜は、そのラマンスペクトルが５２０ｃｍ−１よりも低波数側にシフトしており、またＸ線回折ではＳｉ結晶格子に由来するとされる（１１１）、（２２０）の回折ピークが観測される。また、未結合手（ダングリングボンド）を終端化させるために水素またはハロゲンを少なくとも１原子％またはそれ以上含ませている。本明細書では便宜上、このような半導体膜をセミアモルファス半導体（ＳＡＳ）膜と呼ぶ。さらに、ヘリウム、アルゴン、クリプトン、ネオンなどの希ガス元素を含ませて格子歪みをさらに助長させることで安定性が増し良好なセミアモルファス半導体膜が得られる。なお微結晶半導体膜（マイクロクリスタル半導体膜）もセミアモルファス半導体膜に含まれる。
【００７０】
またＳＡＳ膜は珪素（シリコン）を含む気体をグロー放電分解することにより得ることができる。代表的な珪素（シリコン）を含む気体としては、ＳｉＨ４であり、その他にもＳｉ２Ｈ６、ＳｉＨ２Ｃｌ２、ＳｉＨＣｌ３、ＳｉＣｌ４、ＳｉＦ４などを用いることができる。また水素や、水素にヘリウム、アルゴン、クリプトン、ネオンから選ばれた一種または複数種の希ガス元素を加えたガスで、この珪素（シリコン）を含む気体を希釈して用いることで、ＳＡＳ膜の形成を容易なものとすることができる。希釈率は２倍〜１０００倍の範囲で珪素（シリコン）を含む気体を希釈することが好ましい。またさらに、珪素（シリコン）を含む気体中に、ＣＨ４、Ｃ２Ｈ６などの炭化物気体、ＧｅＨ４、ＧｅＦ４などのゲルマニウム化気体、Ｆ２などを混入させて、エネルギーバンド幅を１．５〜２．４ｅＶ、若しくは０．９〜１．１ｅＶに調節しても良い。
【００７１】
なお、本明細書では、光電変換層１１５、光電変換層１１５を含むフォトダイオード２０３、さらにフォトダイオード２０３を含む素子を、光電変換素子、あるいは光電変換装置と呼ぶこともある。
【００７２】
次いで、光電変換層１１５の上面に補助電極１１６を形成する（図６（Ｂ）参照）。補助電極１１６は、光電変換層１１５の抵抗が大きい場合にのみ形成すればよく、光電変換層１１５の抵抗が小さければ、補助電極１１６は形成しなくてもよい。本実施の形態では、補助電極１１６としてチタン（Ｔｉ）を２０〜３０ｎｍの厚さで形成する。
【００７３】
また、ｐ型半導体膜、ｉ型半導体膜、ｎ型半導体膜を成膜後、補助電極１１６となる導電膜を形成し、次いで導電膜をエッチングして補助電極１１６を形成し、さらにｐ型半導体膜、ｉ型半導体膜、ｎ型半導体膜をエッチングして光電変換層１１５を形成してもよい。
【００７４】
次いで、層間絶縁膜１０５の両端部、光電変換層１１５の端部、補助電極１１６の端部をエッチングにて除去する（図７（Ａ）参照）。以上のようにして、フォトダイオード２０３の光電変換層１１５と、フォトダイオード２０３の出力を増幅する増幅回路である、カレントミラー回路２１１に含まれるＴＦＴ１０３が、基板１０１の同一平面上に形成される。
【００７５】
次いで露出している面を覆って、保護膜１１７を形成する（図７（Ｂ）参照）。保護膜１１７として、本実施の形態では窒化珪素膜を用いる。この保護膜１１７は、後の工程で層間絶縁膜１２１をエッチングする際に、ＴＦＴ１０３のゲート配線１８３、ソース電極１８１、ドレイン電極１８２がエッチングされないように保護するためのものである。また保護膜１１７により、ＴＦＴ１０３や光電変換層１１５に、水分や有機物等の不純物が混入するのを防ぐことができる。
【００７６】
次いで保護膜１１７上に、層間絶縁膜１２１を形成する（図８（Ａ）参照）。層間絶縁膜１２１は平坦化膜としても機能する。本実施の形態では、層間絶縁膜１２１として、ポリイミドを２μｍの厚さで成膜する。
【００７７】
次に層間絶縁膜１２１をエッチングしてコンタクトホールを形成する。この際に保護膜１１７があるので、ＴＦＴ１０３のゲート配線１８３、ソース電極１８１、ドレイン電極１８２はエッチングされない。次いで電極１２３及び電極１２４が形成される領域の保護膜１１７をエッチングしてコンタクトホールを形成する。さらに層間絶縁膜１２１上に、層間絶縁膜１２１及び保護膜１１７中に形成されたコンタクトホールを介して電極１１１に電気的に接続される電極１２３、並びに、層間絶縁膜１２１及び保護膜１１７中に形成されたコンタクトホールを介して補助電極１１６と電気的に接続される電極１２４を形成する（図８（Ｂ）参照）。電極１２３および電極１２４としては、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、銀（Ａｇ）等を用いることが可能である。
【００７８】
本実施の形態では、電極１２３及び電極１２４として、チタン（Ｔｉ）を３０〜５０ｎｍで成膜した導電膜を用いる。
【００７９】
なお、補助電極１１６を形成しなかった場合は、光電変換層１１５の最上層、本実施の形態では、ｎ型半導体層１１５ｎに、電極１２４が電気的に接続されていればよい。
【００８０】
次いで、層間絶縁膜１２１上に、スクリーン印刷法あるいはインクジェット法にて、層間絶縁膜１２５を形成する（図９参照）。その際には、電極１２３及び電極１２４上には、層間絶縁膜１２５は形成しない。本実施の形態では、層間絶縁膜１２５として、エポキシ樹脂を用いる。
【００８１】
次いで、層間絶縁膜１２５上に、例えばニッケル（Ｎｉ）ペーストを用いて印刷法により、電極１２３に電気的に接続される電極１２７、及び、電極１２４に電気的に接続される電極１２８を作製する（図１０参照）。
【００８２】
次いで、図１１に示すように、基板１０１及び層間絶縁膜１２５の端部を、ダイシング工程によりテーパ角が付くように除去する。すなわち断面が斜めになるように、基板１０１及び層間絶縁膜１２５の端部を削って除去する。
【００８３】
実際には、図１、図４〜図１１に示す、光電変換層１１５及びＴＦＴ１０３等を含む１つの光センサ素子は、大面積基板上にそれぞれ素子材料を形成された後で、個々に分断されるものである。その様子を図２（Ａ）〜図２（Ｂ）に示す。
【００８４】
図２（Ａ）においては、大面積基板１６１上に、素子層１５１、層間絶縁膜１２５、電極１２７、電極１２８が形成されている。素子層１５１とは、図１１において、基板１０１から層間絶縁膜１２５との間に形成されている構造全てを含む。
【００８５】
隣り合う素子層１５１の間の、層間絶縁膜１２５及び基板１６１は、ダイシング工程により、それらの側面が削られ、楔状（あるいはＶ字状）の空隙が形成される。さらに層間絶縁膜１２５上の電極１２７及び電極１２８を覆い、層間絶縁膜１２５及び基板１６１の側面に形成された楔状の空隙を充填して、電極１５２が形成される。電極１５２は、銅（Ｃｕ）ペーストを用いて印刷法により形成される。
【００８６】
また層間絶縁膜１２５及び基板１６１は、ダイシングではなくレーザ照射によって分断してもよい。
【００８７】
レーザは、レーザ媒質、励起源、共振器により構成される。レーザを、媒質により分類すると、気体レーザ、液体レーザ、固体レーザがあり、発振の特徴により分類すると、自由電子レーザ、半導体レーザ、Ｘ線レーザがあるが、本実施の形態では、いずれのレーザを用いてもよい。なお、好ましくは、気体レーザ又は固体レーザを用いるとよく、さらに好ましくは固体レーザを用いるとよい。
【００８８】
気体レーザには、ヘリウムネオンレーザ、炭酸ガスレーザ、エキシマレーザ、アルゴンイオンレーザ等がある。エキシマレーザには、希ガスエキシマレーザ、希ガスハライドエキシマレーザがある。希ガスエキシマレーザには、アルゴン、クリプトン、キセノンの励起分子による発振がある。また気体レーザには金属蒸気イオンレーザがある。
【００８９】
液体レーザには、無機液体レーザ、有機キレートレーザ、色素レーザがある。無機液体レーザ及び有機キレートレーザは、固体レーザに利用されているネオジムなどの希土類イオンをレーザ媒質として利用する。
【００９０】
固体レーザが用いるレーザ媒質は、固体の母体にレーザ作用をする活性種がドープされたものである。固体の母体とは、結晶又はガラスである。結晶とは、ＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット結晶）、ＹＬＦ、ＹＶＯ４、ＹＡｌＯ３、サファイア、ルビー、アレキサンドライトである。また、レーザ作用をする活性種とは、例えば、３価のイオン（Ｃｒ３＋、Ｎｄ３＋、Ｙｂ３＋、Ｔｍ３＋、Ｈｏ３＋、Ｅｒ３＋、Ｔｉ３＋）である。
【００９１】
なお、本実施の形態に用いるレーザには、連続発振型のレーザやパルス発振型のレーザを用いることができる。レーザビームの照射条件（例えば、周波数、パワー密度、エネルギー密度、ビームプロファイル等）は、基板１６１及び層間絶縁膜１２５の厚さやその材料等を考慮して適宜制御する。
【００９２】
基板１６１がガラス基板の場合には、レーザとして、好ましくは、紫外光領域である１ｎｍ以上３８０ｎｍ以下の波長を有する固体レーザを用いるとよい。さらに好ましくは、紫外光領域である１ｎｍ以上３８０ｎｍ以下の波長を有するＮｄ：ＹＶＯ４レーザを用いるとよい。紫外光領域の波長のレーザでは、他の長波長側のレーザに比べて、基板（特にガラス基板）に光が吸収されやすく、アブレーション加工が容易だからである。また、Ｎｄ：ＹＶＯ４レーザは、特に、アブレーション加工が容易だからである。
【００９３】
また、ガラス基板にレーザビームを照射して、ガラス基板に溝を形成する場合では、その溝の切断面は、丸みを帯びている。切断面に角がある場合と比較すると、切断面が丸みを帯びていると、切断面の角部の欠けや、亀裂の発生を防止することができる。このような利点により、主にロボット等を使用したガラス基板の搬送の際に、その扱いを容易とすることができる。また、製品に実装する際も、欠けや亀裂の発生を抑制し、基板の損傷や破壊を抑制することができる。
【００９４】
なお、アブレーション加工とは、レーザビームを照射した部分、つまり、レーザビームを吸収した部分の分子結合が切断されて光分解し、気化して蒸発する現象を用いた加工である。つまり、本実施の形態の溝の作製方法では、基板にレーザビームを照射して、レーザビームが照射された部分の分子結合を切断し、光分解し、気化して蒸発させることにより、基板に溝を形成する。
【００９５】
なお、上記のレーザビームを照射するためのレーザ照射装置は、移動テーブル、基板、ヘッド部及び制御部を有する。移動テーブルには、吸着孔が設けられている。基板は、移動テーブル上の吸着孔に保持されている。ヘッド部は、レーザ発振装置から射出したレーザビームを、レーザヘッドを介して照射する。制御部は、移動テーブルとヘッド部の一方又は両方を移動させることにより、基板表面の任意の場所にレーザヘッドを位置させ、レーザビームを照射する。なお、制御部は、ＣＣＤカメラが撮像した基板上の位置決めマークを基準に相対的な位置から加工箇所を認識及び決定する。
【００９６】
次いで電極１５２の中心線に沿ってダイシングを行い、電極１５２及び基板１６１を分断して、１つの光電変換素子を形成する（図１及び図２（Ｂ）参照）。
【００９７】
この工程もダイシングではなく、レーザ照射によって行ってもよい。すなわち、電極１５２の中心線に沿ってレーザビームを照射し、電極１５２及び基板１６１を分断して、１つの光電変換素子素子を形成することも可能である。
【００９８】
電極１５２は分断され、電極１２７に接続している電極１３１、電極１２８に接続している電極１３２が形成される。電極１３１及び電極１３２は、ダイシング工程によって露出した、層間絶縁膜１２５及び基板１０１の表面にも形成されている。
【００９９】
これを電極１９２及び電極１９３が形成されたプリント基板１９１に固着させる（図２０参照）。電極１３１及び電極１３２、並びに電極１９２及び電極１９３を向かい合わせ、導電性材料１９４及び１９５によって接着させる。このとき、接着面が、電極１９２及び電極１９３、並びに、電極１３１及び電極１３２の上面だけではなく、電極１３１及び電極１３２の側面も含まれるので、固着強度が増大する。よって、プリント基板１９１と光電変換素子の剥離を抑制することができる。
【０１００】
またプリント基板１９１と光電変換素子を接着する際に、導電性材料１９４及び１９５が溶けてしまう状態になるが、導電性材料１９４及び１９５を光電変換素子の側面まで形成するため、光電変換素子をバランスよくプリント基板１９１に接着することができ、プリント基板１９１と光電変換素子を水平に実装することが可能となる。
【０１０１】
なお導電性材料１９４及び１９５としては、半田等を用いることができる。
【０１０２】
導電性材料１９４及び１９５に半田を用いる場合は、リフロー法、すなわち、プリント基板上にペースト状の半田を印刷し、その上に部品を載せてから熱を加えて半田を溶かす方法を用いる。加熱方法には、赤外線式や熱風式などがある。
【０１０３】
本実施の形態により作製した光電変換素子を含む光電変換装置は、内に含まれる光電変換素子とプリント基板がより強固に接着されているため、従来の光電変換装置に比べてより剥離しにくく、信頼性の高い光電変換装置となる。
【０１０４】
また本実施の形態により得られる光電変換素子を含む光電変換装置は、内に含まれる光電変換素子とプリント基板が水平に接着することができるため、より信頼性の高い光電変換装置となる。
【０１０５】
［実施の形態２］
本実施の形態では、実施の形態１とは異なる構成を有する光電変換装置の作製方法について、図２６（Ａ）〜図２６（Ｂ）、図２７（Ａ）〜図２７（Ｂ）、図２８、図２９（Ａ）〜図２９（Ｂ）を用いて説明する。なお実施の形態１と同じものは同じ符号で示している。
【０１０６】
まず実施の形態１の記載に基づいて、図１０までの工程を行う。図２６（Ａ）には、図１０の構成が基板１６１上に複数個形成されている様子を示す。
【０１０７】
そして素子層１５１間をダイシング工程により、基板１６１の途中まで削って除去し（本明細書では「ハーフカット」ともいう）、溝３０１を形成する（図２６（Ｂ）参照）。
【０１０８】
本実施の形態では、溝３０１の深さを、基板１６１の厚さの半分とする。具体的には、幅０．２ｍｍのブレードにより溝３０１を形成し、基板１６１を０．５ｍｍの厚さを持つガラス基板を用い、溝３０１の深さを０．２５ｍｍとした。
【０１０９】
次いで、電極１２７及び電極１２８を覆い、溝３０１を充填して、電極３０２が形成される（図２６（Ａ）参照）。電極３０２は、銅（Ｃｕ）ペーストを用いて印刷法により形成される。
【０１１０】
次いで電極３０２の中心線に沿ってダイシングを行い（図２７（Ｂ）参照）、電極３０２及び基板１６１を分断して、１つの光電変換素子を形成する（図２９（Ａ）及び図２８参照）。
【０１１１】
本実施の形態では、電極３０２及び基板１６１を分断を、幅０．１ｍｍのブレードにより行った。
【０１１２】
電極３０２は分断され、電極１２７に接続している電極３１１、電極１２８に接続している電極３１２が形成される。電極３１１及び電極３１２は、ダイシング工程によって露出した、層間絶縁膜１２５及び基板１０１の表面にも形成されている。
【０１１３】
これを電極１９２及び電極１９３が形成されたプリント基板１９１に固着させる（図２９（Ｂ）参照）。電極３１１及び電極３１２、並びに電極１９２及び電極１９３を向かい合わせ、導電性材料１９４及び１９５によって接着させる。このとき、接着面が、電極１９２及び電極１９３、並びに、電極３１１及び電極３１２の上面だけではなく、電極３１１及び電極３１２の側面も含まれるので、固着強度が増大する。よって、プリント基板１９１と光電変換素子の剥離を抑制することができる。
【０１１４】
本実施の形態により作製した光電変換素子を含む光電変換装置は、内に含まれる光電変換素子とプリント基板がより強固に接着されているため、従来の光電変換装置に比べてより剥離しにくく、信頼性の高い光電変換装置となる。
【０１１５】
また本実施の形態により得られる光電変換素子を含む光電変換装置は、内に含まれる光電変換素子とプリント基板が水平に接着することができるため、より信頼性の高い光電変換装置となる。
【０１１６】
［実施の形態３］
本実施の形態では、実施の形態１〜実施の形態２により得られた光電変換装置を様々な電子機器に組み込んだ例について説明する。本形態で示す電子機器の一例として、コンピュータ、ディスプレイ、携帯電話、テレビなどが挙げられる。それらの電子機器の具体例を、図２１、図２２（Ａ）〜図２２（Ｂ）、図２３（Ａ）〜図２３（Ｂ）、図２４、図２５（Ａ）〜図２５（Ｂ）に示す。
【０１１７】
図２１は携帯電話であり、本体（Ａ）７０１、本体（Ｂ）７０２、筐体７０３、操作キー７０４、音声入力部７０５、音声出力部７０６、回路基板７０７、表示パネル（Ａ）７０８、表示パネル（Ｂ）７０９、蝶番７１０、透光性材料部７１１、実施の形態１〜実施の形態２により得られる光電変換装置７１２を有している。
【０１１８】
光電変換装置７１２は透光性材料部７１１を透過した光を検知し、検知した外部光の照度に合わせて表示パネル（Ａ）７０８及び表示パネル（Ｂ）７０９の輝度コントロールを行ったり、光電変換装置７１２で得られる照度に合わせて操作キー７０４の照明制御を行う。これにより携帯電話の消費電流を抑えることができる。
【０１１９】
図２２（Ａ）及び図２２（Ｂ）に携帯電話の別の例を示す。図２２（Ａ）及び図２２（Ｂ）の携帯電話は、本体７２１、筐体７２２、表示パネル７２３、操作キー７２４、音声出力部７２５、音声入力部７２６、実施の形態１〜実施の形態２により得られる光電変換装置７２７及び光電変換装置７２８を有している。
【０１２０】
図２２（Ａ）に示す携帯電話では、本体７２１に設けられた光電変換装置７２７により外部の光を検知することにより表示パネル７２３及び操作キー７２４の輝度を制御することが可能である。
【０１２１】
また図２２（Ｂ）に示す携帯電話では、図２２（Ａ）の構成に加えて、本体７２１の内部に光電変換装置７２８を設けている。光電変換装置７２８により、表示パネル７２３に設けられているバックライトの輝度を検出することも可能となる。
【０１２２】
図２３（Ａ）はコンピュータであり、本体７３１、筐体７３２、表示部７３３、キーボード７３４、外部接続ポート７３５、ポインティングデバイス７３６等を含む。
【０１２３】
また図２３（Ｂ）は表示装置でありテレビ受像器などがこれに当たる。本表示装置は、筐体７４１、支持台７４２、表示部７４３などによって構成されている。
【０１２４】
図２３（Ａ）のコンピュータに設けられる表示部７３３、及び図２３（Ｂ）に示す表示装置の表示部７４３として、液晶パネルを用いた場合の詳しい構成を図２４に示す。
【０１２５】
図２４に示す液晶パネル７６２は、筐体７６１に内蔵されており、基板７５１ａ及び７５１ｂ、基板７５１ａ及び７５１ｂに挟まれた液晶層７５２、偏光フィルタ７５５ａ及び７５５ｂ、及びバックライト７５３等を有している。また筐体７６１には、実施の形態１〜実施の形態２により得られる光電変換装置を有する光電変換装置形成領域７５４が形成されている。
【０１２６】
光電変換装置形成領域７５４はバックライト７５３からの光量を感知し、その情報がフィードバックされて液晶パネル７６２の輝度が調節される。
【０１２７】
図２５（Ａ）及び図２５（Ｂ）は、光電変換装置を、カメラ、例えばデジタルカメラに組み込んだ例を示す図である。図２５（Ａ）は、デジタルカメラの前面方向から見た斜視図、図２５（Ｂ）は、後面方向から見た斜視図である。
【０１２８】
図２５（Ａ）において、デジタルカメラには、リリースボタン８０１、メインスイッチ８０２、ファインダ窓８０３、フラッシュ８０４、レンズ８０５、鏡胴８０６、筺体８０７が備えられている。
【０１２９】
また、図２５（Ｂ）において、ファインダ接眼窓８１１、モニタ８１２、操作ボタン８１３が備えられている。
【０１３０】
リリースボタン８０１は、半分の位置まで押下されると、焦点調整機構および露出調整機構が作動し、最下部まで押下されるとシャッターが開く。
【０１３１】
メインスイッチ８０２は、押下又は回転によりデジタルカメラの電源のＯＮ／ＯＦＦを切り替える。
【０１３２】
ファインダ窓８０３は、デジタルカメラの前面のレンズ８０５の上部に配置されており、図２５（Ｂ）に示すファインダ接眼窓８１１から撮影する範囲やピントの位置を確認するための装置である。
【０１３３】
フラッシュ８０４は、デジタルカメラの前面上部に配置され、被写体輝度が低いときに、リリースボタンが押下されてシャッターが開くと同時に補助光を照射する。
【０１３４】
レンズ８０５は、デジタルカメラの正面に配置されている。レンズは、フォーカシングレンズ、ズームレンズ等により構成され、図示しないシャッター及び絞りと共に撮影光学系を構成する。また、レンズの後方には、ＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｄｅｖｉｃｅ）等の撮像素子が設けられている。
【０１３５】
鏡胴８０６は、フォーカシングレンズ、ズームレンズ等のピントを合わせるためにレンズの位置を移動するものであり、撮影時には、鏡胴を繰り出すことにより、レンズ８０５を手前に移動させる。また、携帯時は、レンズ８０５を沈銅させてコンパクトにする。なお、本実施の形態においては、鏡胴を繰り出すことにより被写体をズーム撮影することができる構造としているが、この構造に限定されるものではなく、筺体８０７内での撮影光学系の構成により鏡胴を繰り出さずともズーム撮影が可能なデジタルカメラでもよい。
【０１３６】
ファインダ接眼窓８１１は、デジタルカメラの後面上部に設けられており、撮影する範囲やピントの位置を確認する際に接眼するために設けられた窓である。
【０１３７】
操作ボタン８１３は、デジタルカメラの後面に設けられた各種機能ボタンであり、セットアップボタン、メニューボタン、ディスプレイボタン、機能ボタン、選択ボタン等により構成されている。
【０１３８】
光電変換装置を、図２５（Ａ）及び図２５（Ｂ）に示すカメラに組み込むと、光電変換装置が光の有無及び強さを感知することができ、これによりカメラの露出調整等を行うことができる。
【０１３９】
また光電変換装置はその他の電子機器、例えばプロジェクションテレビ、ナビゲーションシステム等に応用することが可能である。すなわち光を検出する必要のあるものであればいかなるものにも用いることが可能である。
【０１４０】
以上述べられてきた光電変換装置を電子機器に設けることにより、入射する光を検出することができ、消費電力を抑制することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【０１４１】
【図１】本発明の光電変換装置の断面図。
【図２】本発明の光電変換装置の作製工程を示す断面図。
【図３】従来の光電変換装置を示す断面図。
【図４】本発明の光電変換装置の作製工程を示す断面図。
【図５】本発明の光電変換装置の作製工程を示す断面図。
【図６】本発明の光電変換装置の作製工程を示す断面図。
【図７】本発明の光電変換装置の作製工程を示す断面図。
【図８】本発明の光電変換装置の作製工程を示す断面図。
【図９】本発明の光電変換装置の作製工程を示す断面図。
【図１０】本発明の光電変換装置の作製工程を示す断面図。
【図１１】本発明の光電変換装置の作製工程を示す断面図。
【図１２】本発明の光電変換装置の回路図。
【図１３】本発明の光電変換装置の回路図。
【図１４】本発明の光電変換装置の回路図。
【図１５】本発明の光電変換装置の上面図。
【図１６】本発明の光電変換装置の上面図。
【図１７】本発明の光電変換装置の作製工程を示す断面図。
【図１８】本発明の光電変換装置の作製工程を示す断面図。
【図１９】本発明の光電変換装置の作製工程を示す断面図。
【図２０】本発明の光電変換装置の断面図。
【図２１】本発明の半導体装置を実装した装置を示す図。
【図２２】本発明の半導体装置を実装した装置を示す図。
【図２３】本発明の半導体装置を実装した装置を示す図。
【図２４】本発明の半導体装置を実装した装置を示す図。
【図２５】本発明の半導体装置を実装した装置を示す図。
【図２６】本発明の光電変換装置の作製工程を示す断面図。
【図２７】本発明の光電変換装置の作製工程を示す断面図。
【図２８】本発明の光電変換装置の作製工程を示す断面図。
【図２９】本発明の光電変換装置の作製工程を示す断面図。
【符号の説明】
【０１４２】
１０１    基板
１０２    絶縁膜
１０３    ＴＦＴ
１０４    ゲート絶縁膜
１０５    層間絶縁膜
１１１    電極
１１２    電極
１１２ａ    電極
１１２ｂ    電極
１１２ｃ    電極
１１２ｄ    電極
１１３    オーバーコート層
１１３ａ    オーバーコート層
１１３ｂ    オーバーコート層
１１３ｃ    オーバーコート層
１１５    光電変換層
１１５ｉ    ｉ型半導体層
１１５ｎ    ｎ型半導体層
１１５ｐ    ｐ型半導体層
１１６    補助電極
１１７    保護膜
１２１    層間絶縁膜
１２３    電極
１２４    電極
１２５    層間絶縁膜
１２７    電極
１２８    電極
１３１    電極
１３２    電極
１５１    素子層
１５２    電極
１６１    基板
１７１    島状半導体膜
１７２    下層ゲート電極
１７３    上層ゲート電極
１７４    ゲート電極
１８１    ソース電極
１８２    ドレイン電極
１８３    ゲート配線
１９１    プリント基板
１９２    電極
１９３    電極
１９４    導電性材料
２０３    フォトダイオード
２０４    ＴＦＴ
２０５    ＴＦＴ
２０５ａ    ＴＦＴ
２０５ｉ    ＴＦＴ
２１１    カレントミラー回路
２１８ａ    回路
２１８ｂ    回路
２１８ｉ    回路
２１９ａ    端子
２１９ｂ    端子
２１９ｉ    端子
２２０ａ    端子
２２０ｂ    端子
２２０ｉ    端子
２２１ａ    端子
２２１ｂ    端子
２２１ｉ    端子
２３１    カレントミラー回路
２３４    ｐチャネル型ＴＦＴ
２３５    ｐチャネル型ＴＦＴ
２４１    接続電極
２４２    接続電極
２４４    配線
２４５    配線
３０１    溝
３０２    電極
３１１    電極
３１２    電極
３２２    電極
７０１    本体（Ａ）
７０２    本体（Ｂ）
７０３    筐体
７０４    操作キー
７０５    音声入力部
７０６    音声出力部
７０７    回路基板
７０８    表示パネル（Ａ）
７０９    表示パネル（Ｂ）
７１０    蝶番
７１１    透光性材料部
７１２    光電変換装置
７１２      光電変換装置
７２１    本体
７２２    筐体
７２３    表示パネル
７２４    操作キー
７２５    音声出力部
７２６    音声入力部
７２７    光電変換装置
７２８    光電変換装置
７３１    本体
７３２    筐体
７３３    表示部
７３４    キーボード
７３５    外部接続ポート
７３６    ポインティングデバイス
７４１    筐体
７４２    支持台
７４３    表示部
７５１ａ    基板
７５１ｂ    基板
７５２    液晶層
７５３    バックライト
７５４    光電変換装置形成領域
７５５ａ    偏光フィルタ
７５５ｂ    偏光フィルタ
７６１    筐体
７６２    液晶パネル
８０１    リリースボタン
８０２    メインスイッチ
８０３    ファインダ窓
８０４    フラッシュ
８０５    レンズ
８０６    鏡胴
８０７    筺体
８１１    ファインダ接眼窓
８１２    モニタ
８１３    操作ボタン
１６０１    基板
１６０２    透光性電極
１６０３    光電変換層
１６０４ａ    光反射性電極
１６０４ｂ    光反射性電極
１６０５    開口部
１６０６    開口部
１６０７    開口部
１６１０    基板
１６１１    光反射性電極
１６１２    光電変換層
１６１３    透光性電極
１６１４    開口部
１６１５    開口部
１６１７    外部接続端子
１６１８    外部接続端子
１６１９    透光性電極
１８００    基板
１８５０    配線
１８５１    導電性粒子
１８５２    樹脂
１８５３    導電性材料
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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