(57)【要約】【課題】コモン電極を個別に駆動するトランジスタのサイズを小さく済ませる。【解決手段】画素１１０は、一端が画素電極に接続され、他端がコモン電極に接続された画素容量と蓄積容量とを含む。コモン電極１０８は、１〜３２０行のそれぞれに対応して設けられ、コモン電極駆動回路１７０は、各行のそれぞれにおいてＴＦＴ１７１、１７２を有する。奇数行目のいずれかの走査線が選択されたとき、その走査線行のＴＦＴ１７１、１７２がオンし、第１コモン信号出力回路３１は、第１検出線１８１が第１目標信号Ｖc1refの電圧となるように第１コモン信号Ｖc1を第１給電線１６１に出力する。偶数行目のいずれかの走査線が選択されたとき、第２コモン信号出力回路３２は、第２検出線１８２が第２目標信号Ｖc2refの電圧となるように第２コモン信号Ｖc2を第２給電線１６２に出力する。【選択図】図１
2008102242.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数行の走査線と、
複数列のデータ線と、
前記複数行の走査線に対応して設けられた複数のコモン電極と、
前記複数行の走査線と前記複数列のデータ線との交差に対応して設けられ、
各々は、
一端が自身に対応するデータ線に接続されるとともに、自身に対応する走査線が選択さ
れたときに導通状態となる画素スイッチング素子と、
一端が前記画素スイッチング素子の他端に接続されるとともに、他端がコモン電極に接
続された画素容量と、
を含み、当該画素容量の保持電圧に応じた階調となる画素と、
を有する電気光学装置の駆動回路であって、
前記走査線を所定の順番で選択する走査線駆動回路と、
前記複数のコモン電極のそれぞれに対応した第１トランジスタを有し、
一のコモン電極に対応する第１トランジスタは、当該一のコモン電極に対応する走査線
が選択されたときに、当該一のコモン電極を、所定電圧が印加された給電線に接続するコ
モン電極駆動回路と、
当該一の走査線が選択されたときに、当該一の走査線に対応するコモン電極の検出電圧
が目標電圧となるような電圧のコモン信号を、前記給電線に供給するコモン信号出力回路
と、
選択された走査線に対応する画素に対し、当該画素の階調に応じた電圧のデータ信号を
、データ線を介して供給するデータ線駆動回路と、
を具備することを特徴とする電気光学装置の駆動回路。
【請求項２】
前記コモン信号出力回路は、
当該一の走査線が選択される期間の開始側である第１期間において、前記目標電圧をバ
ッファリングし、
当該一の走査線が選択される期間の終了側である第２期間において、前記コモン電極の
電圧が前記目標電圧となるように負帰還制御したコモン信号を出力する
ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の駆動回路。
【請求項３】
前記コモン信号出力回路は、
前記目標電圧として、
奇数行の走査線に設けられたコモン電極に対しては、低位側または高位側のいずれか一
方の電圧とし、
偶数行の走査線に設けられたコモン電極に対しては、低位側または高位側のいずれか他
方の電圧とする
ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の駆動回路。
【請求項４】
前記コモン信号出力回路は、
奇数行に対応して設けられた第１コモン信号出力回路と、
偶数行に対応して設けられた第２コモン信号出力回路と、を有し、
前記第１コモン信号出力回路は、奇数行の走査線が選択されたときに、その走査線に対
応して設けられたコモン電極の電圧を検出するとともに、当該検出した電圧が、前記低位
側または高位側のいずれか一方の電圧となるように制御した第１コモン信号を第１給電線
に供給し、
前記第２コモン信号出力回路は、偶数行の走査線が選択されたときに、その走査線に対
応して設けられたコモン電極の電圧を検出するとともに、当該検出した電圧が、前記低位
側または高位側のいずれか他方の電圧となるように制御した第２コモン信号を第２給電線
に供給し、
前記コモン電極駆動回路は、選択された走査線が奇数行であれば、当該選択された奇数
行に対応するコモン電極を前記第１給電線に接続し、選択された走査線が偶数行であれば
、当該選択された偶数行に対応するコモン電極を前記第２給電線に接続する
ことを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置の駆動回路。
【請求項５】
前記コモン信号出力回路は、
低位側または高位側のいずれか一方の電圧を選択するスイッチ回路を有し、
前記スイッチ回路は、奇数行の走査線が選択されたときに、低位側または高位側のいず
れか一方の電圧を選択し、偶数行の走査線が選択されたときに、低位側または高位側のい
ずれか他方の電圧を選択して、それぞれ選択した電圧を、前記コモン信号出力回路におけ
る目標電圧として供給する
ことを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置の駆動回路。
【請求項６】
前記コモン電極駆動回路は、
前記コモン電極の各々に対応して、前記第１トランジスタとともに第２トランジスタを
含み、
一のコモン電極に対応する前記第１トランジスタは、ゲート電極が当該一のコモン電極
に対応する走査線に接続され、ソース電極が前記給電線に接続され、ドレイン電極が当該
一のコモン電極に接続され、
当該一のコモン電極に対応する前記第２トランジスタは、ゲート電極が当該一のコモン
電極に対応する走査線に接続され、ソース電極が当該一のコモン電極に接続され、ドレイ
ン電極が検出線に接続されて、
前記コモン信号出力回路は、
前記検出線の電圧が前記目標電圧となるようにコモン信号を前記給電線に出力する
ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の駆動回路。
【請求項７】
前記コモン電極駆動回路は、
前記コモン電極の各々に対応して、前記第１トランジスタとともに補助容量を含み、
一のコモン電極に対応する前記第１トランジスタは、ゲート電極が当該一のコモン電極
に対応する走査線に接続され、ソース電極が前記給電線に接続され、ドレイン電極が当該
一のコモン電極に接続され、
当該一のコモン電極に対応する前記補助容量の一端は、当該一のコモン電極に接続され
、他端が検出線に接続されて、
前記コモン信号出力回路は、
前記検出線の電圧が前記目標電圧となるようにコモン信号を前記給電線に出力する
ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の駆動回路。
【請求項８】
複数行の走査線と、
複数列のデータ線と、
前記複数行の走査線に対応して設けられた複数のコモン電極と、
前記複数行の走査線と前記複数列のデータ線との交差に対応して設けられ、
各々は、
一端が自身に対応するデータ線に接続されるとともに、自身に対応する走査線が選択さ
れたときに導通状態となる画素スイッチング素子と、
一端が前記画素スイッチング素子の他端に接続されるとともに、他端がコモン電極に接
続された画素容量と、
を含み、当該画素容量の保持電圧に応じた階調となる画素と、
前記走査線を所定の順番で選択する走査線駆動回路と、
前記複数のコモン電極のそれぞれに対応した第１トランジスタを有し、
一のコモン電極に対応する第１トランジスタは、当該一のコモン電極に対応する走査線
が選択されたときに、当該一のコモン電極を、所定電圧が印加された給電線に接続するコ
モン電極駆動回路と、
当該一の走査線が選択されたときに、当該一の走査線に対応するコモン電極の検出電圧
が目標電圧となるような電圧のコモン信号を、前記給電線に供給するコモン信号出力回路
と、
選択された走査線に対応する画素に対し、当該画素の階調に応じた電圧のデータ信号を
、データ線を介して供給するデータ線駆動回路と、
を具備することを特徴とする電気光学装置。
【請求項９】
請求項８に記載の電気光学装置を有する
ことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶などの電気光学装置における表示むらを抑えた上で、額縁領域の増加防
止を図る技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶などの電気光学装置では、走査線とデータ線との交差に対応して画素容量（液晶容
量）が設けられるが、この画素容量を交流駆動する際に、データ線の電圧振幅を抑えるた
めに、コモン電極を走査線毎（行毎）に個別化するとともに、走査線が選択されるときに
、当該選択走査線に対応するコモン電極を、書込極性に応じた電圧の給電線にトランジス
タを介して接続する技術が知られている（特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００５−３００９４８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、この技術では、コモン電極を給電線に接続するトランジスタのオン抵抗
が大きいと、表示むらの発生原因となる。当該トランジスタのオン抵抗を低下させると、
今度は、当該トランジスタのサイズが大きくなり、素子基板において表示に寄与しない領
域の面積が増大してしまう、という別の問題が発生してしまう。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、コモン
電極を個別に駆動する構成において、表示むらの発生を抑えるとともに、コモン電極を給
電線に接続するトランジスタのサイズを大きくさせないで済ますことが可能な電気光学装
置、駆動回路および電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
上記目的を達成するために、本発明に係る電気光学装置の駆動回路は、複数行の走査線
と、複数列のデータ線と、前記複数行の走査線に対応して設けられた複数のコモン電極と
、前記複数行の走査線と前記複数列のデータ線との交差に対応して設けられ、各々は、一
端が自身に対応するデータ線に接続されるとともに、自身に対応する走査線が選択された
ときに導通状態となる画素スイッチング素子と、一端が前記画素スイッチング素子の他端
に接続されるとともに、他端がコモン電極に接続された画素容量と、を含み、当該画素容
量の保持電圧に応じた階調となる画素と、を有する電気光学装置の駆動回路であって、前
記走査線を所定の順番で選択する走査線駆動回路と、前記複数のコモン電極のそれぞれに
対応した第１トランジスタを有し、一のコモン電極に対応する第１トランジスタは、当該
一のコモン電極に対応する走査線が選択されたときに、当該一のコモン電極を、所定電圧
が印加された給電線に接続するコモン電極駆動回路と、当該一の走査線が選択されたとき
に、当該一の走査線に対応するコモン電極の検出電圧が目標電圧となるような電圧のコモ
ン信号を、前記給電線に供給するコモン信号出力回路と、選択された走査線に対応する画
素に対し、当該画素の階調に応じた電圧のデータ信号を、データ線を介して供給するデー
タ線駆動回路と、を具備することを特徴とする。本発明によれば、コモン信号出力回路は
、一の走査線が選択されたときに、当該一の走査線に対応するコモン電極の検出電圧が目
標電圧となるようなコモン信号を、第１トランジスタを介して当該コモン電極に供給する
ので、当該第１トランジスタのオン抵抗を小さくしないで済む。
本発明において、前記コモン信号出力回路は、当該一の走査線が選択される期間の開始
側である第１期間において、前記目標電圧をバッファリングし、当該一の走査線が選択さ
れる期間の終了側である第２期間において、前記コモン電極の電圧が前記目標電圧となる
ように負帰還制御したコモン信号を出力する構成が好ましい。
【０００５】
また、本発明において、前記コモン信号出力回路は、前記目標電圧として、奇数行の走
査線に設けられたコモン電極に対しては、低位側または高位側のいずれか一方の電圧とし
、偶数行の走査線に設けられたコモン電極に対しては、低位側または高位側のいずれか他
方の電圧とする構成としても良い。この構成において、前記コモン信号出力回路は、奇数
行に対応して設けられた第１コモン信号出力回路と、偶数行に対応して設けられた第２コ
モン信号出力回路と、を有し、前記第１コモン信号出力回路は、奇数行の走査線が選択さ
れたときに、その走査線に対応して設けられたコモン電極の電圧を検出するとともに、当
該検出した電圧が、前記低位側または高位側のいずれか一方の電圧となるように制御した
第１コモン信号を第１給電線に供給し、前記第２コモン信号出力回路は、偶数行の走査線
が選択されたときに、その走査線に対応して設けられたコモン電極の電圧を検出するとと
もに、当該検出した電圧が、前記低位側または高位側のいずれか他方の電圧となるように
制御した第２コモン信号を第２給電線に供給し、前記コモン電極駆動回路は、選択された
走査線が奇数行であれば、当該選択された奇数行に対応するコモン電極を前記第１給電線
に接続し、選択された走査線が偶数行であれば、当該選択された偶数行に対応するコモン
電極を前記第２給電線に接続しても良いし、低位側または高位側のいずれか一方の電圧を
選択するスイッチ回路を有し、前記スイッチ回路は、奇数行の走査線が選択されたときに
、低位側または高位側のいずれか一方の電圧を選択し、偶数行の走査線が選択されたとき
に、低位側または高位側のいずれか他方の電圧を選択して、それぞれ選択した電圧を、前
記コモン信号出力回路における目標電圧として供給しても良い。
【０００６】
本発明において、前記コモン電極駆動回路は、前記コモン電極の各々に対応して、前記
第１トランジスタとともに第２トランジスタを含み、一のコモン電極に対応する前記第１
トランジスタは、ゲート電極が当該一のコモン電極に対応する走査線に接続され、ソース
電極が前記給電線に接続され、ドレイン電極が当該一のコモン電極に接続され、当該一の
コモン電極に対応する前記第２トランジスタは、ゲート電極が当該一のコモン電極に対応
する走査線に接続され、ソース電極が当該一のコモン電極に接続され、ドレイン電極が検
出線に接続されて、前記コモン信号出力回路は、前記検出線の電圧が前記目標電圧となる
ようにコモン信号を前記給電線に出力しても良い。
一方、本発明において、前記コモン電極駆動回路は、前記コモン電極の各々に対応して
、前記第１トランジスタとともに補助容量を含み、一のコモン電極に対応する前記第１ト
ランジスタは、ゲート電極が当該一のコモン電極に対応する走査線に接続され、ソース電
極が前記給電線に接続され、ドレイン電極が当該一のコモン電極に接続され、当該一のコ
モン電極に対応する前記補助容量の一端は、当該一のコモン電極に接続され、他端が検出
線に接続されて、前記コモン信号出力回路は、前記検出線の電圧が前記目標電圧となるよ
うにコモン信号を前記給電線に出力しても良い。
なお、本発明は、電気光学装置の駆動回路のみならず、電気光学装置としても、さらに
は、当該電気光学装置を有する電子機器としても概念することが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【０００８】
＜第１実施形態＞
まず、本発明の第１実施形態について説明する。図１は、本発明の第１実施形態に係る
電気光学装置の構成を示すブロック図である。
この図に示されるように、電気光学装置１０は、表示領域１００を有し、この表示領域
１００の周辺に、走査線駆動回路１４０、コモン電極駆動回路１７０、データ線駆動回路
１９０が配置した周辺回路内蔵型のパネル構成となっている。また、制御回路２０、第１
コモン信号出力回路３１および第２コモン信号出力回路３２は、１群の回路モジュールで
あり、上記周辺回路内蔵型のパネルとは、例えばＦＰＣ（flexible printed circuit）基
板によって接続される。
【０００９】
表示領域１００は、画素１１０が配列する領域であり、本実施形態では、１行目から３
２０行目までの走査線１１２が行（Ｘ）方向に延在する一方、２４０列のデータ線１１４
が列（Ｙ）方向に延在するように、それぞれ設けられている。そして、これらの１〜３２
０行目の走査線１１２と１〜２４０列目のデータ線１１４との交差に対応して、画素１１
０がそれぞれ配列している。したがって、本実施形態では、画素１１０が表示領域１００
において縦３２０行×横２４０列でマトリクス状に配列することになるが、本発明をこの
配列に限定する趣旨ではない。
また、１〜３２０行目の走査線１１２に対応して、それぞれコモン電極１０８がＸ方向
に延在して設けられている。このため、本実施形態において、コモン電極１０８について
は、１〜３２０行目の各走査線１１２に対応してそれぞれ設けられることになる。
【００１０】
ここで、画素１１０の詳細な構成について説明する。図２は、画素１１０の構成を示す
図であり、ｉ行及びこれに下方向で隣接する（ｉ＋１）行と、ｊ列及びこれに右方向で隣
接する（ｊ＋１）列との交差に対応する２×２の計４画素分の構成が示されている。
なお、ｉ、（ｉ＋１）は、画素１１０が配列する行を一般的に示す場合の記号であって
、１以上３２０以下の整数であり、ｊ、（ｊ＋１）は、画素１１０が配列する列を一般的
に示す場合の記号であって、１以上２４０以下の整数である。
【００１１】
図２に示されるように、各画素１１０は、画素スイッチング素子として機能するｎチャ
ネル型の薄膜トランジスタ（thin film transistor：以下単に「ＴＦＴ」と略称する）１
１６と、画素容量（液晶容量）１２０と、蓄積容量１３０とを有する。各画素１１０につ
いては互いに同一構成なので、ｉ行ｊ列に位置するもので代表して説明すると、当該ｉ行
ｊ列の画素１１０において、ＴＦＴ１１６のゲート電極はｉ行目の走査線１１２に接続さ
れる一方、そのソース電極はｊ列目のデータ線１１４に接続され、そのドレイン電極は画
素容量１２０および蓄積容量１３０の一端にそれぞれ接続されている。また、画素容量１
２０の他端および蓄積容量１３０の他端は、それぞれコモン電極１０８に接続されている
。
図２において、Ｙｉ、Ｙ（ｉ＋１）は、それぞれｉ、（ｉ＋１）行目の走査線１１２に
供給される走査信号を示し、また、Ｃｉ、Ｃ（ｉ＋１）は、それぞれｉ、（ｉ＋１）行目
のコモン電極１０８の電圧を示している。なお、これらの画素容量１２０の光学特性等に
ついては、後述する。
【００１２】
説明を再び図１に戻すと、制御回路２０は、各種制御信号を出力して電気光学装置１０
における各部の制御等をするとともに、第１目標信号Ｖc1refおよび期間指定信号Ｈaを、
第１コモン信号出力回路３１に供給し、第２目標信号Ｖc2refおよび期間指定信号Ｈaを、
第２コモン信号出力回路３２に供給する。
【００１３】
表示領域１００の周辺には、上述したように、走査線駆動回路１４０や、コモン電極駆
動回路１７０、データ線駆動回路１９０などの周辺回路が設けられている。
このうち、走査線駆動回路１４０は、制御回路２０による制御にしたがって、１フレー
ムの期間にわたって走査信号Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、…、Ｙ３２０を、それぞれ１、２、３、
…、３２０行目の走査線１１２に供給するものである。詳細には、走査線駆動回路１４０
は、走査線１１２を図１において上から数えて１、２、３、…、３２０行目という順番で
選択して、選択した走査線への走査信号を、電圧Ｖddに相当するＨレベルとし、それ以外
の走査線への走査信号を非選択電圧（接地電位Ｇnd）に相当するＬレベルとする。
なお、走査線駆動回路１４０は、図５に示されるように、制御回路２０から供給される
スタートパルスＤyを、クロック信号Ｃlyにしたがって順次シフトすること等によって、
走査信号Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４、…、Ｙ３２０を、この順番でＨレベルとさせる。
また、本実施形態において１フレームの期間には、図５に示されるように、走査信号Ｙ
１がＨレベルになってから走査信号Ｙ３２０がＬレベルになるまでの有効走査期間Ｆaの
ほか、それ以外の帰線期間が含まれる。なお、１行の走査線１１２が選択される期間が水
平走査期間（Ｈ）である。
【００１４】
コモン電極駆動回路１７０は、本実施形態では、１〜３２０行目のコモン電極１０８に
対応して設けられたｎチャネル型のＴＦＴ１７１、１７２の組から構成される。ここで、
ｉを奇数（１、３、５、…、３１９）とした場合、奇数ｉ行目のＴＦＴ１７１（第１トラ
ンジスタ）では、そのゲート電極がｉ行目の走査線１１２に接続され、そのソース電極が
第１給電線１６１に接続され、そのドレイン電極がｉ行目のコモン電極１０８に接続され
、また、同じｉ行目のＴＦＴ１７２（第２トランジスタ）では、そのゲート電極が同じｉ
行目の走査線１１２に接続され、そのソース電極がｉ行目のコモン電極１０８に接続され
、そのドレイン電極が第１検出線１８１に接続されている。
一方、ｉに続く（ｉ＋１）を偶数（２、４、６、…、３２０）とした場合、偶数（ｉ＋
１）行目では、ＴＦＴ１７１のソース電極が第２給電線１６２に接続され、ＴＦＴ１７２
のドレイン電極が第２検出線１８２に接続される点以外、奇数ｉ行目のＴＦＴ１７１、１
７２と同様である。
【００１５】
データ線駆動回路１９０は、走査線駆動回路１４０により選択される走査線１１２に位
置する画素１１０の階調に応じた電圧であって、極性指定信号Ｐolで指定された極性に応
じた電圧のデータ信号を、データ線１１４に供給するものである。
詳細には、データ線駆動回路１９０は、縦３２０行×横２４０列のマトリクス配列に対
応した記憶領域（図示省略）を有し、各記憶領域には、それぞれ対応する画素１１０の階
調値（明るさ）を指定する表示データＤaが記憶される。ここで、データ線駆動回路１９
０は、ある走査線１１２が選択されたとき、当該走査線１１２に位置する画素１１０の表
示データＤaを記憶領域から読み出すとともに、当該読み出した表示データで指定された
階調に応じた電圧であって指定された極性に応じた電圧に変換し、データ信号としてデー
タ線１１４に供給する。この供給動作を、データ線駆動回路１９０は、選択される走査線
１１２に位置する１〜２４０列のそれぞれについて実行する。
なお、記憶領域に記憶される表示データＤaは、表示内容に変更が生じた場合に、制御
回路２０によってアドレスとともに変更後の表示データＤaが供給されて書き換えられる
。
【００１６】
また、制御回路２０は、クロック信号Ｃlyの論理レベルが遷移するタイミングにおいて
ラッチパルスＬpをデータ線駆動回路１９０に供給する。上述したように、走査線駆動回
路１４０は、スタートパルスＤyをクロック信号Ｃlyにしたがって順次シフトすること等
によって、走査信号Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４、…、Ｙ３２０を出力するので、走査線が選
択される期間の開始タイミングは、クロック信号Ｃlyの論理レベルが遷移するタイミング
となる。したがって、データ線駆動回路１９０は、例えばラッチパルスＬpを１フレーム
の期間開始からカウントし続けることによって何行目の走査線が選択されるのかを知り、
さらに、ラッチパルスＬpの供給タイミングによって、その選択の開始タイミングを知る
ことができる。
【００１７】
極性指定信号Ｐolは、本実施形態では、Ｈレベルであれば、奇数行の走査線に対して正
極性書込を指定し、偶数行の走査線に対して負極性書込を指定する一方、Ｌレベルであれ
ば、奇数行の走査線に対して負極性書込を指定し、偶数行の走査線に対して正極性書込を
指定する信号であり、図５に示されるように、あるフレーム（「ｎフレーム」と表記）の
期間において同一レベルに維持される。このため、本実施形態では、画素への書き込み極
性が１行毎に反転する行反転（ライン反転、走査線反転ともいう）方式となる。なお、極
性指定信号Ｐo lは、１フレームの期間毎に論理反転されるが、このように書込極性を反
転する理由は、直流成分の印加による液晶の劣化を防止するためである。
なお、本実施形態における書込極性については、画素容量１２０に対して階調に応じた
電圧を保持させる際に、画素電極１１８の電位をコモン電極１０８の電位よりも高位側と
する場合を正極性といい、低位側とする場合を負極性という。電圧については、特に説明
のない限り、電源の接地電位Ｇndを論理レベルのＬレベルに相当するとともに、電圧ゼロ
の基準としている。
【００１８】
また、第１目標信号Ｖc1refは、極性指定信号ＰolがＨレベルであるときに電圧Ｖslと
なり、極性指定信号ＰolがＬレベルであるときに電圧Ｖshとなる。一方、第２目標信号Ｖ
c2refは、反対に、極性指定信号ＰolがＨレベルであるときに電圧Ｖshとなり、極性指定
信号ＰolがＬレベルであるときに電圧Ｖslとなる。
ここで、電圧Ｖsl、Ｖshは、（Ｇnd≦）Ｖsl＜Ｖsh（≦Ｖdd）という関係にあり、電圧
Ｖslが、電圧Ｖshよりも相対的に低い電圧となっている。
【００１９】
さて、電気光学装置におけるパネルは、素子基板と対向基板との一対の基板が一定の間
隙を保って貼り合わせた構成となっており、この間隙に液晶が封入されている。また、素
子基板には、上述した走査線１１２や、データ線１１４、コモン電極１０８、画素電極１
１８およびＴＦＴ１１６、１７１、１７２が形成されて、この電極形成面が対向基板と対
向するように貼り合わせられる。この構成のうち、表示領域１００とコモン電極駆動回路
１７０との境界付近を平面的に示したものが図３である。
【００２０】
図３からも判るように、表示領域１００は、液晶にかかる電界方向を基板面方向とした
ＩＰＳモードの変形であるＦＦＳ（fringe field switching）モードとしたものである。
また、本実施形態では、ＴＦＴ１１６、１７１、１７２は、アモルファスシリコン型で
あって、そのゲート電極が半導体層よりも下側（紙面奥側）に位置するボトムゲート型で
ある。
詳細には、第１導電層となるゲート電極層のパターニングによって、走査線１１２や、
コモン電極１０８、接続配線が形成され、その上にゲート絶縁膜（図示省略）が形成され
、さらにＴＦＴの半導体層が島状に形成されている。この半導体層の上には、保護層を介
して第２導電層となるＩＴＯ（indium tin oxide）層のパターニングにより、櫛歯形状の
画素電極１１８が形成され、さらに、第３導電層となるアルミニウムなどの金属層のパタ
ーニングによって、ＴＦＴのソース電極や、ドレイン電極とともに、データ線１１４、第
１給電線１６１、第２給電線１６２、第１検出線１８１および第２検出線１８２のほか、
各種の接続電極を形成されている。
【００２１】
本実施形態において、蓄積容量１３０は、画素電極１１８とコモン電極１０８とが絶縁
層を介した積層構造によって生じる容量成分である。また、素子基板と対向基板との間隙
には、液晶も封入されるので、画素電極１１８とコモン電極１０８との間には、誘電体た
る液晶を介した構造によっても容量成分が生じる。この液晶を介したことによる容量成分
を、本実施形態では、画素容量１２０としている。
このような構成においては、画素容量１２０と蓄積容量１３０との並列容量の保持電圧
に応じた電界が、素子基板面に沿い、かつ、画素電極１１８の櫛歯と直交するＸ方向に発
生して、液晶の配向状態を変化させる。これにより、偏光子（図示省略）を通過する光量
は、当該保持電圧の実効値に応じた値となる。
なお、本実施形態では、ＦＦＳモードとしたが、ＩＰＳモードとしても良いし、電気的
な等価回路が図２で示されるような回路であれば、他のモードであっても良い。
【００２２】
ここで、上記並列容量の保持電圧は、画素電極１１８およびコモン電極１０８の差電圧
であるから、ｉ行ｊ列の画素を目的の階調とするには、ｉ行目の走査線１１２にＨレベル
の電圧Ｖddを印加してＴＦＴ１１６を導通（オン）状態とさせるとともに、上記差電圧が
画素の階調に応じた値なるような電圧のデータ信号Ｘｊを、ｊ列目のデータ線１１４と、
ｉ行ｊ列でオンしたＴＦＴ１１６とを介して画素電極１１８に供給すれば良いことになる
。
なお、本実施形態では説明の便宜上、当該電圧実効値がゼロに近ければ、光の透過率が
最大となって白色表示になる一方、電圧実効値が大きくなるにつれて透過する光量が減少
して、ついには透過率が最小の黒色表示になるノーマリーホワイトモードとする。
【００２３】
一方、各行の走査線１１２は、表示領域１００においては上述したようにＸ方向に延在
して設けられる。ここで、ｉ行目の走査線１１２は、コモン電極駆動回路１７０において
Ｙ（下）方向に分岐する部分を２箇所有し、このうち、一方がＴＦＴ１７１のゲート電極
となり、他方がＴＦＴ１７２のゲート電極となっている。
また、ＴＦＴ１７１のドレイン電極およびＴＦＴ１７２のソース電極を兼用する接続電
極１７は、上記第３導電層をパターニングしたものであるが、ゲート電極層をパターニン
グしたコモン電極１０８との間には絶縁層が介在するので、両者電極同士は、当該絶縁層
を貫通するコンタクトホール（図において×印で表記）によって接続される。接続電極１
２２は、同じく第３導電層をパターニングしたものであり、画素電極１１８をＴＦＴ１１
６のドレイン電極に接続するためのものである。
一方、接続配線１７１ａ、１７２ａは、それぞれゲート電極層をパターニングしたもの
であり、このうち、接続配線１７１ａは、偶数行目に対応するＴＦＴ１７１のソース電極
１７１ｂを、第１給電線１６１とアンダークロスして第２給電線１６２に接続するための
ものであり、また、接続配線１７２ａは、偶数行目に対応するＴＦＴ１７２のドレイン電
極１７２ｂを、第１検出線１８１とアンダークロスして第２検出線１８２に接続するため
のものである。
なお、各行のコモン電極１０８は、１〜２４０列目のデータ線１１４とは絶縁層を介し
て交差するので、図２において破線で示されるように、寄生容量を介して互いに容量結合
することになる。
【００２４】
図３に示した構成は、あくまでも一例であり、ＴＦＴの型については他の構造、例えば
ゲート電極の配置でいえばトップゲート型としても良いし、プロセスでいえばポリシリコ
ン型としても良い。また、コモン電極駆動回路１７０の素子を表示領域１００と同じプロ
セスで基板上に造り込むのではなく、ＩＣチップを素子基板に実装する構成としても良い
。
ＩＣチップを素子基板に実装する場合、走査線駆動回路１４０、コモン電極駆動回路１
７０を、データ線駆動回路１９０とともに半導体チップとしてまとめても良いし、それぞ
れ別々のチップとしても良い。一方で、制御回路２０については、第１コモン信号出力回
路３１および第２コモン信号出力回路３２とともに、素子基板に造り込む構成としても良
い。
また、本実施形態については、透過型や、反射型、さらには、透過型および反射型の両
者を組み合わせた、いわゆる半透過半反射型としても良い。このため、反射層等について
は特に言及していない。
【００２５】
続いて、第１コモン信号出力回路３１について図４を参照して説明する。この図に示さ
れるように、第１コモン信号出力回路３１は、オペアンプ３００と、スイッチ３１１、３
１２と、ＮＯＴ回路３１５と、抵抗器３１６とを有する。
オペアンプ３００の出力端は、第１給電線１６１およびスイッチ３１１の一端に接続さ
れ、第１検出線１８１がスイッチ３１２の一端に接続されている。スイッチ３１１、３１
２の他端は、オペアンプ３００の負入力端（−）にそれぞれ接続されている。一方、オペ
アンプ３００の正入力端（＋）には、制御回路２０からの第１目標信号Ｖc1refが供給さ
れる。そして、オペアンプ３００の出力端と負入力端（−）との間に抵抗器３１６が挿入
されている。
スイッチ３１１、３１２は、制御回路２０による期間指定信号Ｈaの論理レベルに応じ
て互いに排他的にオンオフするものである。詳細には、スイッチ３１１は、期間指定信号
ＨaがＨレベルであればオンし、スイッチ３１２は、期間指定信号Ｈの論理レベルをＮＯ
Ｔ回路３１５によって反転させた信号がＨレベルであればオンする。
【００２６】
ここで、期間指定信号Ｈaは、図５に示されるように、水平走査期間（Ｈ）の前半期間
においてＨレベルとなり、後半期間においてＬレベルとなるので、スイッチ３１１、３１
２は、水平走査期間（Ｈ）の前半期間においてオン、オフする一方、後半期間においてオ
フ、オンすることになる。
このため、第１コモン信号出力回路３１は、水平走査期間（Ｈ）の前半期間において第
１目標信号Ｖc1refの電圧をバッファリングする一方、その後半期間において、第１検出
線１８１の電圧が第１目標信号Ｖc1refの電圧となるように負帰還制御した第１コモン信
号Ｖc1を出力することになる。
【００２７】
一方、第２コモン信号出力回路３２についても、図４の括弧書で示したように、第１コ
モン信号出力回路３１と同様な構成である。このため、第２コモン信号出力回路３２は、
水平走査期間（Ｈ）の前半期間において第２目標信号Ｖc2refの電圧をバッファリングす
る一方、その後半期間において、第２検出線１８２の電圧が第２目標信号Ｖc2refの電圧
となるように負帰還制御した第２コモン信号Ｖc2を出力することになる。
なお、抵抗器３１６は、帰還量を規定するが、バッファリング期間では、この抵抗器３
１６の抵抗値が低い方が精度等の面で好ましく、そのためにスイッチ３１１により抵抗器
３１６の両端を短絡する構成となっている。したがって、精度等において問題がなければ
、スイッチ３１１は省略可能である。
【００２８】
このような第１コモン信号出力回路３１から出力される第１コモン信号Ｖc1は、図５の
括弧書で示したように第１目標信号Ｖc1refの電圧と同視でき、同様に、第２コモン信号
出力回路３２から出力される第２コモン信号Ｖc2は、第２目標信号Ｖc2refの電圧と同視
できる。
このため、奇数ｉ行目のコモン電極１０８は、走査信号ＹｉがＨレベルである期間にお
いて第１目標信号Ｖc1refの電圧となり、偶数（ｉ＋１）行目のコモン電極１０８は、走
査信号Ｙ（ｉ＋１）がＨレベルである期間において第２目標信号Ｖc2refの電圧となる。
【００２９】
次に、本実施形態に係る電気光学装置１０の動作について説明する。
上述したように本実施形態において、制御回路２０は、図５に示されるように、ｎフレ
ームの期間にわたって、極性指定信号ＰolをＨレベルとし、第１目標信号Ｖc1refを電圧
Ｖslとし、第２目標信号Ｖc2refを電圧Ｖshとする。
ｎフレームにおいては、走査線駆動回路１４０によって最初に走査信号Ｙ１がＨレベル
になる。走査信号Ｙ１がＨレベルになるタイミングにおいてラッチパルスＬpが出力され
ると、データ線駆動回路１９０は、１行目であって１、２、３、…、２４０列目の画素の
表示データＤaを読み出すとともに、当該表示データＤaで指定された電圧だけ、電圧Ｖsl
を基準に高位側とした電圧のデータ信号Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、…、Ｘ２４０に変換し、それ
ぞれ１、２、３、…、２４０列のデータ線１１４に供給する。これにより例えば、ｊ列目
のデータ線１１４には、１行ｊ列の画素１１０の表示データＤaで指定された電圧だけ電
圧Ｖslよりも高位側とした電圧がデータ信号Ｘｊとして印加される。
走査信号Ｙ１がＨレベルになると、１行１列〜１行２４０列の画素におけるＴＦＴ１１
６がオンするので、これらの画素電極１１８には、データ信号Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、…、Ｘ
２４０が印加される。
【００３０】
一方、走査信号Ｙ１がＨレベルになると、コモン電極駆動回路１７０では、１行目のＴ
ＦＴ１７１、１７２がオンするので、１行目のコモン電極１０８は、第１給電線１６１に
接続される。ｎフレームにおいて、第１給電線１６１には、第１コモン信号出力回路３１
によって第１目標信号Ｖc1 refの電圧Ｖslとなるように制御された第１コモン信号Ｖc1が
供給されるので、１行目のコモン電極１０８は、電圧Ｖslとなる。
したがって、１行１列〜１行２４０列の画素容量１２０および蓄積容量１３０の並列容
量には、それぞれ階調に応じた正極性の電圧が書き込まれることになる。
【００３１】
次に走査信号Ｙ１がＬレベルになるとともに、走査信号Ｙ２がＨレベルになる。
ここで、走査信号Ｙ１がＬレベルになると、１行１列〜１行２４０列の画素におけるＴ
ＦＴ１１６がオフするとともに、コモン電極駆動回路１７０にあっては、１行目のＴＦＴ
１７１、１７２もオフする。
このため、１行１列〜１行２４０列の各画素１１０にあっては、それぞれ画素電極１１
８が、電気的にどの部分にも接続されないハイ・インピーダンス状態になるが、１行目の
コモン電極１０８も同様にハイ・インピーダンス状態になるので、１行１列〜１行２４０
列の画素容量１２０および蓄積容量１３０の並列容量に書き込まれた電圧状態が変更され
ないで、その電圧保持状態が維持されることになる。
【００３２】
また、走査信号Ｙ２がＨレベルになるタイミングにおいてラッチパルスＬpが出力され
ると、データ線駆動回路１９０は、２行目であって１、２、３、…、２４０列目の画素の
表示データＤaを読み出すとともに、当該表示データＤaで指定された電圧だけ、電圧Ｖsh
を基準に低位側とした電圧のデータ信号Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、…、Ｘ２４０に変換し、それ
ぞれ１、２、３、…、２４０列のデータ線１１４に供給する。これにより例えば、ｊ列目
のデータ線１１４には、２行ｊ列の画素１１０の表示データＤaで指定された電圧だけ電
圧Ｖshよりも低位側とした電圧がデータ信号Ｘｊとして印加される。
走査信号Ｙ２がＨレベルになると、２行１列〜２行２４０列の画素におけるＴＦＴ１１
６がオンするので、これらの画素電極１１８には、データ信号Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、…、Ｘ
２４０が印加される。
一方、走査信号Ｙ２がＨレベルになると、コモン電極駆動回路１７０では、２行目のＴ
ＦＴ１７１、１７２がオンするので、２行目のコモン電極１０８は、第２給電線１６２に
接続される。ｎフレームにおいて、第２給電線１６２には、第２コモン信号出力回路３２
によって第２目標信号Ｖc2refの電圧Ｖshとなるように制御された第２コモン信号Ｖc2が
供給されるので、２行目のコモン電極１０８は、電圧Ｖshとなる。
したがって、２行１列〜２行２４０列の画素容量１２０および蓄積容量１３０の並列容
量には、それぞれ階調に応じた負極性の電圧が書き込まれることになる。
【００３３】
次に走査信号Ｙ２がＬレベルになるとともに、走査信号Ｙ３がＨレベルになる。
ここで、走査信号Ｙ２がＬレベルになると、２行１列〜２行２４０列の画素におけるＴ
ＦＴ１１６がオフするとともに、コモン電極駆動回路１７０にあっては、２行目のＴＦＴ
１７１、１７２もオフする。このため、２行１列〜２行２４０列の各画素１１０にあって
は、それぞれ画素電極１１８がハイ・インピーダンス状態になるが、２行目のコモン電極
１０８も同様にハイ・インピーダンス状態になるので、２行１列〜２行２４０列の画素容
量１２０および蓄積容量１３０の並列容量に書き込まれた電圧状態が変更されないで、そ
の電圧保持状態が維持されることになる。
【００３４】
また、走査信号Ｙ３がＨレベルになると、３行目の画素容量１２０および蓄積容量１３
０の並列容量には、それぞれ階調に応じた正極性の電圧が書き込まれることになり、次に
、走査信号Ｙ４がＨレベルになると、４行目の画素容量１２０および蓄積容量１３０の並
列容量には、それぞれ階調に応じた負極性の電圧が書き込まれることになる。
以下同様な動作が３２０行目まで繰り返され、これにより、ｎフレームにあっては、奇
数行目の画素容量１２０および蓄積容量１３０の並列容量には、それぞれ階調に応じた正
極性の電圧が書き込まれ、偶数行目の画素容量１２０および蓄積容量１３０の並列容量に
は、それぞれ階調に応じた負極性の電圧が書き込まれる。このように、すべての画素にお
ける並列容量には、それぞれ階調に応じた電圧が書き込まれるので、表示領域１００にお
いては１枚（フレーム）の画像が表示されることになる。
【００３５】
次の（ｎ＋１）フレームにあっては、制御回路２０は、図５に示されるように、極性指
定信号ＰolをＬレベルとし、第１目標信号Ｖc1refを電圧Ｖshとし、第２目標信号Ｖc2ref
を電圧Ｖslとする。これにより、（ｎ＋１）フレームにあっては、奇数行目の画素容量１
２０および蓄積容量１３０の並列容量には、それぞれ階調に応じた負極性の電圧が書き込
まれ、偶数行目の並列容量には、それぞれ階調に応じた正極性の電圧が書き込まれる。
【００３６】
このような電圧の書き込みについて図６を参照して説明する。図６は、ｉ行ｊ列の画素
電極１１８における電圧Ｐix(i,j)と、（ｉ＋１）行ｊ列の画素電極１１８における電圧
Ｐix(i+1,j)とを、それぞれ走査信号Ｙｉ、Ｙ（ｉ＋１）との関係において示す図である
。なお、図６において電圧を示す縦スケールは、便宜的に図５における縦スケールよりも
拡大してある。
この図に示されるように、正極性書込が指定されるフレームにおいて走査信号ＹｉがＨ
レベルになったときに、奇数ｉ行目のコモン電極１０８の電圧Ｃｉは、ＴＦＴ１７１のオ
ンにより第１給電線１６１の電圧Ｖslとなる一方、ｊ列目のデータ線１１４には、当該電
圧Ｖslよりも、ｉ行ｊ列の画素の階調に応じた電圧だけ高位側の電圧（図において↑で示
される）のデータ信号Ｘｊが供給される。走査信号ＹｉがＨレベルであると、ｉ行目のＴ
ＦＴ１１６がオンするので、ｉ行ｊ列の画素電極１１８はデータ信号Ｘｊの電圧となり、
これにより、ｉ行ｊ列の画素容量１２０および蓄積容量１３０の並列容量には、画素電極
１１８の電圧Ｐix(i,j)とコモン電極１０８の電圧Ｖslとの差電圧、すなわち、階調に応
じた電圧が書き込まれることになる。なお、図６において、上記差電圧はハッチングを付
した部分に相当する。
【００３７】
ここで、走査信号ＹｉがＬレベルになると、ＴＦＴ１１６、１７１がオフするので、ｉ
行目にあっては各画素電極１１８とともに、ｉ行目のコモン電極１０８もハイ・インピー
ダンス状態になり、ｉ行目の各列において書き込まれた電圧がそのまま保持されることに
なる。なお、図において、電圧Ｃｉの破線部分は、ハイ・インピーダンス状態にあること
を示している。
【００３８】
１フレームの期間が経過して、再び走査信号ＹｉがＨレベルになったときに、負極性書
込が指定されるので、奇数ｉ行目のコモン電極１０８の電圧Ｃｉは電圧Ｖshとなる一方、
ｊ列目のデータ線１１４には、当該電圧Ｖshよりも、ｉ行ｊ列の画素の階調に応じた電圧
だけ低位側の電圧（図において↓で示される）のデータ信号Ｘｊが供給される。これによ
り、ｉ行ｊ列の画素容量１２０および蓄積容量１３０の並列容量には、階調に応じた電圧
が極性反転されて書き込まれることになる。
なお、ｉ行目に対して正極性書込が指定されるフレームにおいては、（ｉ＋１）行目に
対し負極性書込が指定され、ｉ行目に対して負極性書込が指定されるフレームにおいては
、（ｉ＋１）行目に対し正極性書込が指定される。このため、本実施形態において書込極
性は、走査線毎に反転することになる。
【００３９】
このような実施形態によれば、正極性書込が指定された行のコモン電極１０８は、当該
行の走査線１１２が選択されたときに相対的に低い電圧Ｖslとなって、この電圧よりも階
調に応じた電圧だけ高位側の電圧がデータ信号として供給される一方、負極性書込が指定
された行のコモン電極１０８は、当該行の走査線１１２が選択されたときに相対的に高い
電圧Ｖshとなって、この電圧よりも階調に応じた電圧だけ低位側の電圧がデータ信号とし
て供給される。
したがって、データ信号の電圧振幅は、コモン電極１０８の電圧を一定とした場合と比
較して狭くなるので、データ線駆動回路１９０の構成素子に要求される耐圧性が低く抑え
られて、その分構成の簡易化を図ることができるとともに、電圧変化によって無駄に消費
される電力を抑えることも可能となる。
【００４０】
ところで、本実施形態では、ｉ行目でみたときに、走査信号ＹｉがＨレベルになるとｉ
行目に対応するＴＦＴ１１６のオンにより、画素容量１２０と蓄積容量１３０とには、そ
れぞれデータ信号に応じた電圧が充電される。このときの充電電流は、ｉ行目のコモン電
極１０８を介して、オンしたＴＦＴ１７１に流れることになる。ここで、ＴＦＴ１７１の
オン抵抗が高いと、ｉ行目のコモン電極１０８にノイズが発生する可能性がある。
一方、各行のコモン電極１０８は、上述したように１〜２４０列のデータ線１１４とゲ
ート絶縁膜等を介して交差しているので、これらのデータ線１１４の電圧変化、すなわち
、データ信号Ｘ１〜Ｘ２４０の変化が、寄生容量を介してコモン電極１０８に伝搬して、
ノイズを発生させることになる。
このように各行のコモン電極１０８には、主に２つの要因でノイズが発生する。この２
つの要因のうち、どちらが支配的であるかについては、パネルの構成や駆動方法などの様
々な条件が絡み合うので、一概には言えないが、いずれにしても各行のコモン電極１０８
にはノイズが発生しやすい、ということができる。
【００４１】
上述したように、ｉ行目のコモン電極１０８の電圧Ｃｉは、同じｉ行目の走査線の選択
が終了するタイミング、すなわち、走査信号ＹｉがＨからＬレベルに変化するタイミング
において、正極性書込が指定されていれば電圧Ｖslに、負極性書込が指定されていれば電
圧Ｖshに、それぞれ達していなければならない。ここで、図６に示されるように、ノイズ
によって、電圧Ｖslから電圧ΔＶだけシフトしてしまうと、画素容量１２０および蓄積容
量１３０の並列容量には、階調に応じた電圧ではなく、当該階調に応じた電圧からΔＶだ
けシフトした電圧が保持されて、この保持された電圧に応じた光学特性（透過率または反
射率）になってしまうことになる。
この現象は、ｉ行ｊ列だけでなく、ｉ行目のコモン電極１０８に対応する画素１行分に
ついても同様に発生するので、横方向の表示むらとなって視認されることになる。
【００４２】
なお、上記２つの要因のうち、データ信号の書き込みによる充電電流は、ｉ行目の画素
１行分の表示内容によって定まり、１〜２４０列のデータ線における電圧変化は、１行前
の（ｎ−１）行目とｎ行目との画素２行分の表示内容によって定まる。したがって、走査
信号ＹｉがＨからＬレベルに変化するときにおけるｉ行目のコモン電極１０８のシフト電
圧ΔＶは、ｉ行目のみならず、１つ前の行における表示内容に依存することになる。
ここではｉ行目のコモン電極１０８の電圧Ｃｉについて説明しているが、隣接する（ｉ
＋１）行でも同様に、すなわち１〜３２０行目でも同様である。
【００４３】
本実施形態では、奇数行への走査信号ＹｉがＨレベルとなる期間についてはＴＦＴ１７
２をオンさせることによってｉ行目のコモン電極１０８が第１検出線１８１に接続される
。これにより、第１コモン信号出力回路３１は、第１検出線１８１を介して検出したコモ
ン電極１０８の電圧が第１目標信号Ｖc1refの電圧となるように、第１コモン信号Ｖc1を
第１給電線１６１に出力するので、走査信号ＹｉがＨレベルとなる期間におけるｉ行目の
コモン電極１０８は、ノイズ等の影響があっても、正極性書込が指定されていれば電圧Ｖ
slに、負極性書込が指定されていれば電圧Ｖshに、それぞれ保たれることになる。
同様に偶数行への走査信号Ｙ（ｉ＋１）がＨレベルとなる期間については（ｉ＋１）行
目のコモン電極１０８が第２検出線１８２に接続される。これにより、第２コモン信号出
力回路３２は、第２検出線１８２を介して検出したコモン電極１０８の電圧が第２目標信
号Ｖc2refの電圧となるように、第２コモン信号Ｖc2を第２給電線１６２に出力するので
、走査信号Ｙ（ｉ＋１）がＨレベルとなる期間における（ｉ＋１）行目のコモン電極１０
８は、ノイズ等の影響があっても、負極性書込が指定されていれば電圧Ｖshに、正極性書
込が指定されていれば電圧Ｖslに、それぞれ保たれることになる。
なお、ここでは奇数ｉ行目と、これに続く偶数（ｉ＋１）行目とで代表させて説明して
いるが、１〜３２０行目のすべてのコモン電極１０８についても同様である。したがって
、本実施形態では、横方向の表示むらの発生を各行にわたって抑えることが可能となる。
【００４４】
ここで、ＴＦＴ１７１のオン抵抗を小さくすれば、コモン電極１０８に発生するノイズ
を小さくすることができるが、そのためには、ＴＦＴ１７１のトランジスタサイズを大き
くする必要がある。ＴＦＴ１７１のトランジスタサイズを大きくすると、素子基板にＴＦ
Ｔを造り込む構成においては、表示領域１００よりも外側の、いわゆる額縁領域が、大き
くしたＴＦＴ１７１の分だけ余計に必要となるが、この額縁領域は、表示に寄与しないの
で、表示装置としてみた場合にデッドスペースとなり、１枚のマザー基板からの取り数を
低下させて、コストアップを招くことになる。
これに対して、本実施形態では、ある行の走査線が選択されたときに、当該行のＴＦＴ
１７２をオンさせて、当該行のコモン電極の電圧を検出するとともに、検出したコモン電
極１０８の電圧が、第１目標信号Ｖc1ref（または第２目標信号Ｖc2ref）の電圧となるよ
うな第１コモン信号Ｖc1（または第２コモン信号Ｖc2）を、当該コモン電極１０８に供給
するので、ＴＦＴ１７１のオン抵抗が大きくても良いことになる。
【００４５】
一方、ｉ行目でみたときに、ｉ行目の走査線の水平走査期間（Ｈ）開始するタイミング
、すなわち、走査信号ＹｉがＬからＨレベルに変化するタイミングは、データ信号Ｘ１〜
Ｘ２４０の電圧が変化するタイミングであるから、ノイズが比較的大きいと考えられる。
このため、第１コモン信号出力回路３１において、水平走査期間（Ｈ）の開始タイミング
から終了タイミングまでにわたって負帰還制御を行うような構成を採用すると、ノイズを
相殺しようとするためにオペアンプ３００の消費電力が大きくなったり、また、発振等の
誤動作をしないようにするためにオペアンプ３００の回路規模や自己消費電力が大きくな
ってしまったりする可能性がある。
【００４６】
ここで、ｉ行目のコモン電極１０８において、重要な点は、走査信号ＹｉがＨからＬレ
ベルに変化した直後において正しく電圧Ｖslまたは電圧Ｖshに達しているかどうかにあり
、走査信号ＹｉがＬからＨレベルに変化した直後の電圧はそれほど重要ではない。すなわ
ち、ノイズが発生しても、水平走査期間（Ｈ）の終了時までに減衰して目標の電圧Ｖslま
たは電圧Ｖshに達してさえすれば良いのである。
そこで、本実施形態の第１コモン信号出力回路３１については、水平走査期間（Ｈ）の
前半期間において、スイッチ３１１、３１２をそれぞれオン、オフさせる一方、水平走査
期間（Ｈ）の後半期間において、スイッチ３１１、３１２をそれぞれオフ、オンさせる構
成としている。
これにより、第１コモン信号出力回路３１は、水平走査期間（Ｈ）の前半期間において
第１目標信号Ｖc1refを単にバッファリングした第１コモン信号Ｖc1を出力し、水平走査
期間（Ｈ）の後半期間において第１検出線１８１の電圧が第１目標信号Ｖc1refの電圧と
なるように負帰還制御した第１コモン信号Ｖc1を出力する構成となっている。
このような構成によれば、水平走査期間（Ｈ）の前半期間においてはノイズの発生を許
容しつつ、水平走査期間の後半期間においてはノイズの影響を抑える構成を採用している
ので、横方向の表示むらの発生を抑えた上で、第１コモン信号出力回路３１および第２コ
モン信号出力回路３２における回路規模の肥大化防止と、これら回路における低消費電力
化とを達成することが可能となる。
【００４７】
なお、この構成において、第１コモン信号出力回路３１が第１コモン信号Ｖc1を安定化
する必要があるのは、奇数行の走査線が選択される期間であり、第２コモン信号出力回路
３２が第２コモン信号Ｖc2を安定化する必要があるのは、偶数行の走査線が選択される期
間であって、両期間は、水平走査期間（Ｈ）毎に交互である。したがって、第１コモン信
号出力回路３１については、関係のない偶数行の走査線が選択される期間においてアイド
リング状態とし、第２コモン信号出力回路３２については、関係のない奇数行の走査線が
選択される期間においてアイドリング状態とする構成としても良い。
また、例えば電気光学装置が小型である場合、ノイズ等によるコモン電極の電圧変動が
小さいと考えられるので、第１コモン信号出力回路３１および第２コモン信号出力回路３
２において、水平走査期間（Ｈ）の開始時から負帰還制御を行うような構成としても良い
。この構成では、期間指定信号Ｈaが不要となるだけでなく、スイッチ３１１、３１２、
ＮＯＴ回路３１５が不要となるので、その分、回路構成を簡素化することが可能となる。
【００４８】
＜第２実施形態＞
次に、本発明の第２実施形態について説明する。
上述した第１実施形態では、奇数行に対応して第１コモン信号出力回路３１を設け、  
偶数行に対応して第２コモン信号出力回路３２を設けたが、上述したように、１つの行の
走査線が選択されたときに、動作させる必要があるのは、いずれか一方のみである。
そこで、この第２実施形態では、１つのコモン信号出力回路により、第１コモン信号Ｖ
c1、第２コモン信号Ｖc2を切り替える構成としたものである。
【００４９】
図７は、この第２実施形態に係る電気光学装置１０の構成を示す図である。
この図において、コモン信号出力回路３５は、構成的には第１実施形態における第１コ
モン信号出力回路３１（第２コモン信号出力回路３２）と同一であるが、スイッチ回路３
６によって、第１目標信号Ｖc1ref、または、第２目標信号Ｖc2refのいずれか一方だけが
供給される。
また、極性指定信号Ｐolは、この第２実施形態では、Ｈレベルであれば、そのときに選
択されている行の走査線に対して正極性書込を、Ｌレベルであれば、そのときに選択され
ている行の走査線に対して負極性書込を、それぞれ指定する信号であり、図９に示される
ように、ｎフレームの期間にあっては、走査信号Ｙ１がＨレベルとなる水平走査期間（Ｈ
）にわたってＨレベルとなり、以降、水平走査期間（Ｈ）毎に論理反転する一方、（ｎ＋
１）フレームの期間にあっては、走査信号Ｙ１がＨレベルとなる水平走査期間（Ｈ）にわ
たってＬレベルとなり、以降、水平走査期間（Ｈ）毎に論理反転する。本実施形態におい
ても、第１実施形態と同様に、走査線１１２が、１、２、３、…、３２０行目という順番
で選択されるので、書込極性がライン毎に反転することになる。
【００５０】
また、奇数行信号Ｏddは、奇数行の走査線１１２に対する走査信号がＨレベルとなると
きにＨレベルとなり、偶数行の走査線１１２に対する走査信号がＨレベルとなるときにＬ
レベルとなる信号である。
スイッチ回路３６は、奇数行信号ＯddがＨレベルである場合は、図において実線の位置
となって第１目標信号Ｖc1refを、奇数行信号ＯddがＬレベルである場合には、図におい
て破線の位置となって第２目標信号Ｖc2refを、それぞれコモン信号出力回路３５におけ
るオペアンプ３００の正入力端（＋）に供給する。
なお、第１目標信号Ｖc1refおよび第２目標信号Ｖc2refについては、図９に示されるよ
うに、第１実施形態と同一である。
【００５１】
コモン信号出力回路３５は、期間指定信号ＨaがＨレベルであれば、供給された第１目
標信号Ｖc1refまたは第２目標信号Ｖc2refの一方の電圧をバッファリングしたコモン信号
Ｖcを、期間指定信号ＨaがＬレベルであれば、検出線１８５の電圧が第１目標信号Ｖc1re
fまたは第２目標信号Ｖc2refの一方の電圧に一致するように負帰還制御したコモン信号Ｖ
cを給電線１６５に出力する。
また、コモン電極駆動回路１７０では、奇数行および偶数行の区別なく、各行において
ＴＦＴ１７１のソース電極が給電線１６５に接続され、ＴＦＴ１７２のドレイン電極が検
出線１８５に接続されている。
【００５２】
この第２実施形態によれば、コモン信号出力回路３５から出力されるコモン信号Ｖcは
、図９に示されるように、奇数行の走査線が選択される期間においては第１目標信号Ｖc1
refとなり、偶数行の走査線が選択される期間においては第２目標信号Ｖc2refとなるので
、第１実施形態と同様に、コモン電極１０８を電圧ＶslまたはＶshとして上で、階調に応
じた電圧が画素容量１２０と蓄積容量１３０との並列容量に書き込まれる。このため、第
２実施形態においても横方向の表示むらの発生を抑えることができる。
ここで、図８は、第２実施形態における素子基板のうち、表示領域１００とコモン電極
駆動回路１７０との境界付近を示す平面図である。この図に示す第２実施形態では、図３
の第１実施形態と比較して判るように、給電線および検出線がそれぞれ１本ずつ省略され
るとともに、これに伴って、偶数行における接続配線１７１ａ、１７２ａも省略される。
このため、第２実施形態では、配線やコンタクトホールを形成しないで済む分だけ、第１
実施形態と比較して構成の簡易化や信頼性を向上させることが可能となるだけでなく、コ
モン電極駆動回路１７０に要する面積を削減することができる。
【００５３】
＜第３実施形態＞
次に、本発明の第３実施形態について説明する。図１０は、本発明の第３実施形態に係
る電気光学装置の構成を示すブロック図である。
この図に示される構成が第１実施形態（図１参照）と主に相違する部分は、コモン電極
駆動回路１７０の各行においてＴＦＴ１７２の代わりとして補助容量１７５が設けられて
いる点である。
詳細には、奇数行に対応する補助容量１７５は、その一端が当該行のコモン電極１０８
（ＴＦＴ１７１のドレイン電極）に接続され、その他端が第１検出線１８１に接続される
一方、偶数行に対応する補助容量１７５は、その一端が当該行のコモン電極１０８に接続
され、その他端が第２検出線１８２に接続されている。
【００５４】
図１１は、第３実施形態において、素子基板のうち、表示領域１００とコモン電極駆動
回路１７０との境界付近を示す平面図である。
この図に示されるように、奇数ｉ行の補助容量１７５は、ｉ行目のコモン電極１０８を
幅広とした部分に、第１検出線１８１を幅広とした部分が絶縁層を介して重なることによ
って構成されている。同様に、偶数（ｉ＋１）行の補助容量１７５は、（ｉ＋１）行目の
コモン電極１０８を幅広とした部分に、第２検出線１８２を幅広とした部分が絶縁層を介
して重なることによって構成されている。
【００５５】
第３実施形態によれば、奇数行の走査線１１２が選択される水平走査期間（Ｈ）におい
て、当該選択された奇数行のコモン電極１０８にノイズが発生した場合、そのノイズは、
当該選択された奇数行の補助容量１７５を介して第１検出線１８１に伝搬する。本実施形
態において、第１コモン信号出力回路３１は、伝搬したノイズの反転信号を第１目標信号
Ｖc1refに加算して第１コモン信号Ｖc1として出力すると、当該選択された奇数行のコモ
ン電極１０８において発生したノイズが相殺されることになる。
一方、偶数行の走査線１１２が選択される水平走査期間（Ｈ）において、当該選択され
た偶数行のコモン電極１０８にノイズが発生した場合、そのノイズは、当該選択された偶
数行の補助容量１７５を介して第２検出線１８２に伝搬する。本実施形態において、第２
コモン信号出力回路３２は、伝搬したノイズの反転信号を第２目標信号Ｖc2refに加算し
て第２コモン信号Ｖc2として出力すると、当該選択された偶数行のコモン電極１０８にお
いて発生したノイズが相殺されることになる。
これにより、第３実施形態においても、選択された走査線に対応するコモン電極１０８
に発生するノイズの影響が低減されるので、横方向の表示むらの発生を抑えることが可能
となる。
【００５６】
なお、上述した走査線駆動回路１４０においては、走査線１１２を１、２、３、…、３
２０行目という順番で選択したが、３２０、３１９、３１８、…、１行目という順番で選
択しても良い。また、垂直帰線期間においては書込極性を指定することは無意味であるの
で、期間指定信号Ｈaなどの論理信号を一定のレベルに固定しても良い。
また、実施形態では、画素容量１２０をノーマリーホワイトモードとしたが、電圧無印
加状態において暗い状態となるノーマリーブラックモードとしても良い。また、Ｒ（赤）
、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３画素で１ドットを構成して、カラー表示を行うとしても良いし
、さらに、別の１色（例えばシアン（Ｃ））を追加し、これらの４色の画素で１ドットを
構成して、色再現性を向上させる構成としても良い。
【００５７】
＜電子機器＞
次に、上述した実施形態に係る電気光学装置１０を表示装置として有する電子機器の例
について説明する。
図１２は、実施形態に係る電気光学装置１０を用いた携帯電話１２００の構成を示す図
である。この図に示されるように、携帯電話１２００は、複数の操作ボタン１２０２のほ
か、受話口１２０４、送話口１２０６とともに、上述した電気光学装置１０を備えるもの
である。
【００５８】
なお、電気光学装置１０が適用される電子機器としては、図１２に示した携帯電話の他
にも、デジタルスチルカメラ、ノートパソコン、液晶テレビ、ビデオレコーダ、カーナビ
ゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、
テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネル等などの機器が挙げられる。そして、これらの各
種電子機器の表示装置として、上述した電気光学装置１０が適用可能であることは言うま
でもない。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】本発明の第１実施形態に係る電気光学装置の構成を示す図である。
【図２】同電気光学装置における画素の構成を示す図である。
【図３】同電気光学装置の素子基板における要部構成を示す平面図である。
【図４】同電気光学装置における第１コモン信号出力回路の構成を示す図である。
【図５】同電気光学装置の動作を説明するための図である。
【図６】同電気光学装置における画素電極の電圧波形を示す図である。
【図７】本発明の第２実施形態に係る電気光学装置の構成を示す図である。
【図８】同電気光学装置の素子基板における要部構成を示す平面図である。
【図９】同電気光学装置の動作を説明するための図である。
【図１０】本発明の第３実施形態に係る電気光学装置の構成を示す図である。
【図１１】同電気光学装置の素子基板における要部構成を示す平面図である。
【図１２】実施形態に係る電気光学装置を用いた携帯電話を示す図である。
【符号の説明】
【００６０】
１０…電気光学装置、２０…制御回路、３１…第１コモン信号出力回路、３２…第２コモ
ン信号出力回路、３５…コモン信号出力回路、３６…スイッチ回路、１００…表示領域、
１０８…コモン電極、１１０…画素、１１２…走査線、１１４…データ線、１１６…ＴＦ
Ｔ、１２０…画素容量、１３０…蓄積容量、１４０…走査線駆動回路、１６１…第１給電
線、１６２…第２給電線、１６５…給電線、１７０…コモン電極駆動回路回路、１７１、
１７２…ＴＦＴ、１７５…補助容量、１８１…第１検出線、１８２…第２検出線、１８５
…検出線、１９０…データ線駆動回路、１２００…携帯電話
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
2008102242.tif 000006
【図５】
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【図６】
2008102242.tif 000008
【図７】
2008102242.tif 000009
【図８】
2008102242.tif 000010
【図９】
2008102242.tif 000011
【図１０】
2008102242.tif 000012
【図１１】
2008102242.tif 000013
【図１２】
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