(57)【要約】【課題】焼き付き現象の抑制には、複雑な信号処理が一般に必要とされる。【解決手段】フレーム期間内の発光期間を規定する発光期間制御信号として、立ち上がり波形が鈍った信号を供給する。立ち上がり波形の鈍った発光期間制御信号を入力することで、劣化の進んだ自発光素子の発光期間を劣化の進んでいない自発光素子に比して短くできる。結果的に、劣化の進んだ自発光素子と劣化の進んでいない自発光素子の劣化量差を自動的に縮小することができる。【選択図】図６
2008102223.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フレーム期間内の発光期間を規定する発光期間制御信号として、立ち上がり波形が鈍った信号を供給する
ことを特徴とする発光期間制御装置。
【請求項２】
請求項１に記載の発光期間制御装置において、
前記発光期間制御信号は、自発光素子に対して直列接続されるトランジスタの駆動信号である
ことを特徴とする発光期間制御装置。
【請求項３】
請求項１に記載の発光期間制御装置において、
前記発光期間制御信号は、自発光素子に接続される電源線の駆動信号である
ことを特徴とする発光期間制御装置。
【請求項４】
請求項１に記載の発光期間制御装置は、
立ち上がり波形が急峻な矩形形状のパルス信号を発生するパルス発生部と、
前記パルス信号より前記発光期間制御信号を生成するローパスフィルタと
を有することを特徴とする発光期間制御装置。
【請求項５】
請求項１に記載の発光期間制御装置は、
前記発光期間制御信号の伝送路と等価的にローパスフィルタを構成する出力段を有する
ことを特徴とする発光時間制御装置。
【請求項６】
請求項１に記載の発光時間制御装置は、
自発光表示装置の使用時間が判定閾値を超えるまでの間、立ち上がり時間の短い発光期間制御信号を供給し、
自発光表示装置の使用時間が判定閾値を超えた後、立ち上がり波形の鈍った発光期間制御信号を供給する
ことを特徴とする発光時間制御装置。
【請求項７】
請求項６に記載の発光時間制御装置は、
使用時間がより大きい判定閾値を越えるたび、立ち上がり波形の鈍りが徐々に大きくなるように制御する
ことを特徴とする発光時間制御装置。
【請求項８】
請求項１に記載の発光時間制御装置は、
自発光表示装置の使用時間の経過に伴い、立ち上がり波形の鈍りが徐々に大きくなるように制御する
ことを特徴とする発光時間制御装置。
【請求項９】
請求項１に記載の発光時間制御装置は、
検出された劣化量差が判定閾値を超えるまでの間、立ち上がり時間の短い発光期間制御信号を供給し、
検出された劣化量差が判定閾値を超えた後、立ち上がり波形の鈍った発光期間制御信号を供給する
ことを特徴とする発光時間制御装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の発光時間制御装置は、
前記劣化量差がより大きい判定閾値を越えるたび、立ち上がり波形の鈍りを徐々に大きく制御する
ことを特徴とする発光時間制御装置。
【請求項１１】
請求項１に記載の発光時間制御装置は、
自発光表示装置の特定領域に限り前記立ち上がり波形の鈍った発光期間制御信号を供給する
ことを特徴とする発光時間制御装置。
【請求項１２】
自発光素子をマトリクス状に配置した表示パネルと、
前記表示パネルのフレーム期間内の発光期間を規定する発光期間制御信号として、立ち上がり波形が鈍った信号を供給する発光期間制御部と
を有することを特徴とする自発光表示装置。
【請求項１３】
自発光素子をマトリクス状に配置した表示パネルと、
前記表示パネルのフレーム期間内の発光期間を規定する発光期間制御信号として、立ち上がり波形が鈍った信号を供給する発光期間制御部と、
前記表示パネルに表示する情報の信号処理部と
を有することを特徴とする電子機器。
【請求項１４】
フレーム期間内の発光期間を規定する発光期間制御信号であって、立ち上がり波形の鈍った発光期間制御信号を自発光表示装置に供給させる処理をコンピュータに実行させる
ことを特徴とするコンピュータプログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この明細書で説明する発明は、自発光表示装置の発光期間制御を通じて焼き付き現象を抑制又は改善する技術に関する。発明者が提案する発明は、発光期間制御装置、自発光表示装置、電子機器及びコンピュータプログラムとしての側面を有する。
【背景技術】
【０００２】
自発光型の表示素子には、発光量と時間に比例して発光輝度が低下する特性がある。この発光輝度の低下は、発光特性の劣化が原因である。発光特性の劣化が進行すると、同じ駆動条件下でも輝度低下が次第に進行し、初期輝度を維持できなくなる。
【０００３】
ところで、発光輝度の低下は一般には一様に進行せず、画面内で発光特性の劣化にばらつきが生じる。これは、表示内容が一様でないこと等が原因である。この輝度劣化のばらつきが視覚的に認識される状態を“焼き付き現象”という。
【０００４】
従来、焼き付き現象の抑制には、発光素子材料の発光寿命を長くすることが最も好ましいと考えられていた。
しかし、発光素子材料の発光寿命が長くても、焼き付き現象の発生を原理的に無くすことはできないし、焼き付きが生じ易い映像信号のみが継続的に入力される場合もある。
【０００５】
そこで、焼き付きの発生を遅らせたり、発生した焼き付きを目立たなくする仕組みが従来より検討されている。
【特許文献１】特開２００３−２２８３２９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところが、既存の技術は、一般にフレームメモリや複雑な信号処理を必要とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
そこで発明者は、フレーム期間内の発光期間を規定する発光期間制御信号として、立ち上がり波形が鈍った信号を供給する仕組みを提案する。
【発明の効果】
【０００８】
発明者は、立ち上がり波形の鈍い信号を発光期間制御信号として自発光素子に供給し、劣化の進んでいる自発光素子ほど発光開始までの時間を自律的に長くする仕組みを導入する。すなわち、劣化の進んだ自発光素子の発光時間は、劣化の進んでいない自発光素子の発光時間よりも相対的に短くなる。
【０００９】
このことは、劣化の進行した自発光素子の劣化速度は、劣化の進行が少ない自発光素子の劣化速度よりも低下することを意味する。従って、この発光制御状態の継続は、自発光素子間の劣化差を縮小させる方向に作用し、焼き付き現象は抑制又は改善される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、発明に係る発光期間制御装置の形態例を説明する。
なお、本明細書で特に図示又は記載されない部分には、当該技術分野の周知又は公知技術を適用する。
また以下に説明する形態例は、発明の一つの形態例であって、これらに限定されるものではない。
【００１１】
（Ａ）形態例１
この形態例では、発光期間制御装置を有機ＥＬパネルモジュールに実装する場合について説明する。
【００１２】
（Ａ−１）機能構成
図１に、有機ＥＬ表示パネルモジュール１の機能構成例を示す。有機ＥＬ表示パネルモジュール１は、タイミングジェネレータ３、データ線ドライバ５、スキャンドライバ７、発光期間制御ドライバ９及び有機ＥＬディスプレイパネル１１で構成される。
【００１３】
タイミングジェネレータ３は、映像信号に含まれるタイミング信号に基づいて画面表示に必要な各種のタイミング信号を発生するデバイスとして機能する。例えば書き込みパルス等を発生する。
【００１４】
データ線ドライバ５は、有機ＥＬディスプレイパネル１１のデータ線を駆動するデバイスとして機能する。データ線ドライバ５は、各画素の発光輝度を指定する階調値をアナログ電圧値に変換し、データ線に供給する動作を実行するディジタル／アナログ変換器で構成される。
【００１５】
スキャンドライバ７は、階調値を書き込み対象である水平ラインの選択に用いられるデバイスとして機能する。スキャンドライバ７は、水平方向に配線されたゲート線を線順次に選択する書き込みパルスを発生し、有機ＥＬディスプレイパネル１１に供給する。
【００１６】
発光期間制御ドライバ９は、フレーム期間内の発光期間を規定する発光期間制御信号ＶＣＰとして、立ち上がり波形が鈍ったパルス信号を有機ＥＬ素子専用の電源線３３（図３）に供給するデバイスである。
【００１７】
図２に、この形態例で使用する発光期間制御ドライバ９の構成例を示す。発光期間制御ドライバ９は、発光期間制御パルス発生器２１とローパスフィルタ２３とで構成される。発光期間制御パルス発生器２１は、１フレーム期間内の発光期間を規定する矩形形状のパルス信号を発生する。
【００１８】
ローパスフィルタ２３は、矩形形状のパルス信号の立ち上がりを鈍らせる回路として機能する。図２の場合、ローパスフィルタ２３は、抵抗Ｒ０と容量Ｃ０で構成する。ここでの抵抗値Ｒ０と容量値Ｃ０は、立ち上がり波形を鈍らせるのに十分な時定数τに設定される。もっとも、実際の回路では、最適な立ち上がり波形が得られる回路構成を採用する。
【００１９】
この形態例の場合、発光期間制御ドライバ９は、１水平ラインに１つずつ配置する。各水平ラインに対応する発光期間制御信号ＶＣＰは、水平同期信号に同期して発生される。各水平ラインに対応する発光期間制御信号ＶＣＰは、対応する水平ラインに対する映像信号の書き込みから１フレーム期間の発光期間を規定する。
【００２０】
有機ＥＬディスプレイパネル１１は、有機ＥＬ素子がマトリクス状に配置された自発光型の表示デバイスである。なお、有機ＥＬディスプレイパネル１１はカラー表示用である。従って、表示上の１画素（ピクセル）は、ＲＧＢの三色に対応する画素（サブピクセル）で構成される。
【００２１】
（Ａ−２）画素回路の構成
図３に、データ線と選択線との交点位置に形成される画素回路３１と周辺回路との接続関係を示す。
画素回路３１は、スイッチ素子Ｔ１、キャパシタＣ１、電流供給素子Ｔ２及び有機ＥＬ素子Ｄ１で構成される。
【００２２】
ここで、スイッチ素子Ｔ１は、データ線を通じて与えられるアナログ電圧値の取り込み（書き込み）を実行するトランジスタである。書き込みパルスは、水平同期信号ＨＳに同期したタイミングで書き込み線を通じて供給される。
【００２３】
キャパシタＣ１は、各画素について書き込まれたアナログ電圧値を１フレーム期間保持する記憶素子である。キャパシタＣ１を用いることで、データの書き込みが線順次走査駆動方式により実行される場合でも、面順次走査駆動方式と同じ発光態様を実現することができる。
【００２４】
電流供給素子Ｔ２は、キャパシタＣ１に保持されているアナログ電圧値に応じた駆動電流を有機ＥＬ素子Ｄ１に供給するトランジスタである。この電流供給素子Ｔ２による駆動電流の供給と停止は、電源線３３に供給される発光期間制御信号ＶＣＰにより制御される。すなわち、有機ＥＬ素子Ｄ１の点灯と消灯は、電源線３３に供給される発光期間制御信号ＶＣＰにより制御される。
【００２５】
具体的には、発光期間制御信号ＶＣＰとして正電圧が印加されている期間に限り駆動電流が有機ＥＬ素子Ｄ１に流れ、その他の期間では駆動電流の供給が停止される。すなわち、発光期間制御信号ＶＣＰとして正電圧が印加されている期間に限り有機ＥＬ素子Ｄ１は点灯制御される。
【００２６】
（Ａ−３）発光期間制御信号の供給による焼き付き抑制効果
以下、立ち上がり波形を鈍らせた発光期間制御信号ＶＣＰの供給により焼き付きを抑制できることを説明する。
まず、図４に、既存の発光期間制御信号ＶＣＰを供給する場合の発光制御動作を説明する。
【００２７】
図４（Ａ）は、データ線に印加される映像信号の波形例である。映像信号はアナログ電圧値として水平ライン期間毎にデータ線ドライバ５より与えられる。
図４（Ｂ）は、ある水平ラインに対する書き込みパルスＷＳの入力例を示す。
図４（Ｃ）は、水平同期信号ＨＳを示す。
【００２８】
図４（Ｄ）及び（Ｆ）は、現在使用されている一般的な発光期間制御信号ＶＣＰの波形例である。図４に示す発光期間制御信号ＶＣＰは、立ち上がり波形が急峻な矩形形状となる。勿論、非常に短い時間スケール出見れば、発光期間制御信号ＶＣＰの波形が立ち上がるまでの遷移時間は存在するが、水平ライン期間に対して十分短い時間である。
【００２９】
図４（Ｅ）及び（Ｇ）は、有機ＥＬ素子Ｄ１の電極間に発生する電圧変化を示す。図４（Ｅ）及び（Ｇ）に示すように、有機ＥＬ素子Ｄ１の電極間に発生する電圧ＶELの立ち上がり波形は鈍った波形となる。
【００３０】
なお、図４（Ｄ）及び（Ｅ）は、有機ＥＬ素子Ｄ１の劣化が進んでいない状態での信号波形関係を示し、図４（Ｆ）及び（Ｇ）は、有機ＥＬ素子Ｄ１の劣化が進んだ状態での信号波形関係を示す。
【００３１】
図４（Ｅ）及び（Ｇ）を比較して分かるように、同じ発光期間制御信号ＶＣＰを印加する場合でも、劣化の進んだ有機ＥＬ素子Ｄ１がオン電圧に達する時間が長くなる。すなわち、同じ発光期間制御信号ＶＣＰを与えても、劣化の進んだ有機ＥＬ素子Ｄ１の発光時間は、劣化の進んでいない有機ＥＬ素子Ｄ１の発光時間に比して短くなる。
【００３２】
これは、有機ＥＬ素子Ｄ１のＩ−Ｖ特性が劣化の進行につれて変化するためである。
図５に、有機ＥＬ素子Ｄ１のＩ−Ｖ特性を示す。図５に破線で示すように、劣化の進んだ有機ＥＬ素子Ｄ１では、Ｉ−Ｖ特性が劣化の進んでいない有機ＥＬ素子Ｄ１のＩ−Ｖ特性に比して右側に傾いた状態に変化する。従って、同じ電流値ｉを流しても、劣化の進んだ有機ＥＬ素子Ｄ１では、劣化の進んでいない場合に比して電圧ＶELがΔＶだけ大きくなる。
【００３３】
このことは、劣化の進行につれて、有機ＥＬ素子Ｄ１の抵抗成分が大きくなることを意味する。すなわち、劣化の進行につれて、時定数τが大きくなることを意味する。
従って、有機ＥＬ素子Ｄ１の電極間に発生する電圧ＶELの立ち上がり時間や立ち下がり時間は劣化が進むほど長くなる。
【００３４】
これらの特性に着目し、発明者は、前述したように意図的に立ち上がり波形を鈍らせた発光期間制御信号ＶＣＰを発生して電源線２３に供給し、劣化の進んだ有機ＥＬ素子Ｄ１と劣化の進んでいない有機ＥＬ素子Ｄ１との間で生じる立ち上がり時間差を拡大する。すなわち、発光時間差を拡大する。
【００３５】
図６を用い、立ち上がり波形の鈍った発光期間制御信号ＶＣＰによる発光制御動作を説明する。
図６（Ａ）は、データ線に印加される映像信号の波形例である。映像信号はアナログ電圧値として水平ライン期間毎にデータ線ドライバ５より与えられる。
図６（Ｂ）は、ある水平ラインに対する書き込みパルスＷＳの入力例を示す。
図６（Ｃ）は、水平同期信号ＨＳを示す。
【００３６】
図６（Ｄ）及び（Ｆ）は、この形態例で使用する発光期間制御信号ＶＣＰの波形例である。図６に示すように、発光期間制御信号ＶＣＰの立ち上がり波形と立ち下がり波形が大きく鈍った波形を使用する。
【００３７】
図６（Ｅ）及び（Ｇ）は、有機ＥＬ素子Ｄ１の電極間に発生する電圧変化を示す。図６（Ｅ）及び（Ｇ）に示すように、有機ＥＬ素子Ｄ１の電極間に発生する電圧ＶELの立ち上がり波形と立ち下がり波形は、発光期間制御信号ＶＣＰの波形以上に鈍った波形となる。
【００３８】
なお、図６（Ｄ）及び（Ｅ）は、有機ＥＬ素子Ｄ１の劣化が進んでいない状態での信号波形関係を示し、図６（Ｆ）及び（Ｇ）は、有機ＥＬ素子Ｄ１の劣化が進んだ状態での信号波形関係を示す。
【００３９】
図６（Ｅ）及び（Ｇ）を比較して分かるように、同じ発光期間制御信号ＶＣＰを印加する場合でも、劣化の進んだ有機ＥＬ素子Ｄ１がオン電圧Ｖに達する時間は、劣化の進んでいない有機ＥＬ素子Ｄ１がオン電圧Ｖに達する時間より長くなる。
【００４０】
なお、この形態例１の場合、オン電圧に達するまでの時間差は、矩形形状の発光期間制御信号ＶＣＰ（図４）を供給する場合に比して大幅に拡大される。従って、同じ駆動タイミングで同じ発光期間制御信号ＶＣＰで制御する場合にも、劣化の進行度合いによって画素間の発光期間差を大きくすることができる。
【００４１】
ところで、前述したように、有機ＥＬ素子Ｄ１の劣化の進行は発光時間に比例する。従って、劣化の進んでいる有機ＥＬ素子Ｄ１ほど発光時間が短くなるように作用し、劣化の進みが少ない有機ＥＬ素子Ｄ１ほど発光時間が長くなるように作用する。
結果的に、この発光期間差は、有機ＥＬ素子Ｄ１間の劣化量差を自律的に縮小させる効果を発揮する。
【００４２】
図７に、焼き付き現象の抑制効果が発揮される様子を示す。図７は、ある２つの画素の劣化の進行度合いを発光輝度の推移で示す図である。各画素に対応する発光輝度の遷移図は、各時点に１００％輝度を入力した場合の発光輝度を表している。なお、図７では、時点Ｔ２まで既存の発光期間制御信号ＶＣＰ（図４）が与えられているものとする。
【００４３】
図７の場合、時点Ｔ１までは２つの画素の劣化が同じ状態で進行している。しかし、時点Ｔ１と時点Ｔ２の間の発光状態により劣化の進行度合いに差が発生するに至り、時点Ｔ２では大きな輝度差が発生している。
図７に示す点線は、既存の発光期間制御信号ＶＣＰの供給が時点Ｔ３まで継続する場合の発光輝度の推移を示す。点線で示すように、画素間の輝度差はますます拡大し、画面上では焼き付き現象が知覚されるようになる。
【００４４】
しかし、図７に実線で示すように、立ち上がり波形を鈍らせた発光期間制御信号ＶＣＰを供給する場合には、劣化の進んでいる画素よりも劣化の進んでいない画素の方が同じ発光条件でもより劣化が進むため、画素間の輝度差は縮小する方向に推移する。すなわち、焼き付き現象の抑制又は改善が可能なことを意味する。
【００４５】
（Ａ−４）効果
以上説明したように、有機ＥＬ素子専用の電源線３３に立ち上がり波形の鈍った発光期間制御信号ＶＣＰを供給することにより、有機ＥＬ素子Ｄ１の劣化度合いに応じて発光時間を自律的に最適化することができる。すなわち、劣化の進行している有機ＥＬ素子Ｄ１の発光時間を、相対的に劣化の進行していない有機ＥＬ素子Ｄ１の発光時間に比して短縮することができる。
【００４６】
この結果、複雑な信号処理を一切必要とすることなく、有機ＥＬ素子Ｄ１間の劣化量差を短縮する方向に制御することができる。
なお、この形態例の場合には、有機ＥＬパネルモジュール１の使用開始当初から立ち上がり波形の鈍った発光期間制御信号ＶＣＰを供給する。従って、焼き付き現象が知覚されるまで画素間の劣化量差が拡大され難くなる。すなわち、焼き付き現象の発生を抑制することができる。
【００４７】
また、形態例に示す有機ＥＬ表示パネルモジュール１は、既存のパネル構造に必要な数のローパスフィルタ２３を追加するだけで実現することができる。これらローパスフィルタ２３の回路面積は、ごくわずかであり、既存のパネル構造をほとんどそのまま使用できる。
【００４８】
すなわち、レイアウト変更や実装空間の変更を必要としない。このため、製造コストの面でも有利である。
例えば、画面サイズが大型化する場合でも演算量やシステム規模が増加せずに済む。また例えば、画面サイズが小さい携帯型の電子機器に搭載される場合でも、実装空間に大きな変更が無く実装に有利である。
【００４９】
（Ｂ）他の形態例
（Ｂ−１）他の発光期間制御信号例
前述した形態例１においては、発光期間制御信号ＶＣＰにより有機ＥＬ素子専用の電源線３３を駆動する場合について説明した。
しかし、発光期間制御信号は、有機ＥＬ素子Ｄ１に直列に接続される発光期間制御素子Ｔ３の駆動信号（デューティパルス信号ＤＳ）として実現することができる。
【００５０】
図８に、この場合に対応する画素回路４１の構成例を示す。図８の場合、電源線４３には常に一定の電源電圧が供給する。また、電源線４３と電流供給素子Ｔ２の間に発光期間制御素子Ｔ３を接続する。なお、発光期間制御素子Ｔ３は、電流供給素子Ｔ２と有機ＥＬ素子Ｄ１との間に接続することもできる。図８の場合、発光期間制御素子Ｔ３は、ＮチャネルＦＥＴで構成する。
【００５１】
図９を用い、発光期間制御信号ＤＳによる発光制御動作を説明する。
図９（Ａ）は、データ線に印加される映像信号の波形例である。映像信号はアナログ電圧値として水平ライン期間毎にデータ線ドライバ５より与えられる。
図９（Ｂ）は、ある水平ラインに対する書き込みパルスＷＳの入力例を示す。
図９（Ｃ）は、水平同期信号ＨＳを示す。
【００５２】
図９（Ｄ）及び（Ｆ）は、この形態例で使用する発光期間制御信号ＤＳ波形例である。この場合も、発光期間制御信号ＤＳの立ち上がり波形は大きく鈍った波形を使用する。
図９（Ｅ）及び（Ｇ）は、有機ＥＬ素子Ｄ１の電極間に発生する電圧変化を示す。図９（Ｅ）及び（Ｇ）に示すように、有機ＥＬ素子Ｄ１の電極間に発生する電圧ＶELの立ち上がり波形は、発光期間制御信号ＤＳの波形以上に鈍った波形となる。
【００５３】
なお、図９（Ｄ）及び（Ｅ）は、有機ＥＬ素子Ｄ１の劣化が進んでいない状態での信号波形関係を示し、図９（Ｆ）及び（Ｇ）は、有機ＥＬ素子Ｄ１の劣化が進んだ状態での信号波形関係を示す。
【００５４】
図９（Ｅ）及び（Ｇ）を比較して分かるように、同じ発光期間制御信号ＤＳを印加する場合でも、劣化の進んだ有機ＥＬ素子Ｄ１がオン電圧に達する時間は、劣化の進んでいない有機ＥＬ素子Ｄ１がオン電圧に達する時間より長くなる。
このオン電圧の関係は、形態例１で説明した関係と同じである。すなわち、形態例１と同様、自律的に画素間の劣化量差を縮小し、焼き付きの発生を抑制又は改善することができる。
【００５５】
（Ｂ−２）他の画素回路例
前述した形態例１の場合、キャパシタＣ１の１つの電極をスイッチ素子Ｔ１と電流供給素子Ｔ２の接続中点に接続し、他の電極を電源線に接続する場合について説明した。
しかし、図８にも示したように、画素回路の構造はこれに限らない。
【００５６】
例えば図１０に示す画素回路５１のように、キャパシタＣ１の１つの電極をスイッチ素子Ｔ１と電流供給素子Ｔ２の接続中点に接続し、他の電極を電流供給素子Ｔ２と有機ＥＬ素子Ｄ１との接続中点に接続しても良い。
【００５７】
（Ｂ−３）発光期間制御信号の供給範囲
前述の形態例１においては、全ての水平ラインに立ち上がり波形の鈍った発光期間制御信号を供給する場合について説明した。
しかし、焼き付きの現れやすい一部の表示範囲についてのみ立ち上がり波形の鈍った発光期間制御信号を供給しても良い。
【００５８】
図１１に、供給例を示す。図１１は、現在時刻のように高輝度固定パターンが表示される画面内上部の表示範囲にのみ立ち上がり波形の鈍った発光期間制御信号を供給する例を示す。
【００５９】
もっとも図１１は一例である。例えば表示内容によっては、焼き付きが発生しやすい表示領域が他に現れる場合もある。従って、立ち上がり波形の鈍った発光期間制御信号は、使用態様に応じて供給範囲を自由に変更することが望ましい。
【００６０】
（Ｂ−４）発光期間の他の設定例
前述した形態例１においては、発光期間を１フレーム期間内に１つ設定する場合について説明した。
しかし、図１２（Ｃ）に示すように、発光期間を１フレーム期間内に複数設定しても良い。
【００６１】
なお、図１２（Ａ）は、データ線に印加される映像信号の波形例である。図１２（Ｂ）は、ある水平ラインに対する書き込みパルスＷＳの入力例である。図１２（Ｄ）は、有機ＥＬ素子Ｄ１の電極間に発生する電圧変化例である。
１フレーム内に複数回の発光期間を設定すると、立ち上がり回数も複数回となる。
【００６２】
すなわち、発光期間の短縮効果が形態例１の場合の複数回分に拡大されることになる。従って、劣化の進行度合いに応じた発光時間の違いがより拡大され、焼き付き抑制効果を高めることができる。
【００６３】
（Ｂ−５）発光期間制御ドライバの他の構成例
前述の形態例１においては、図２に示すように、発光期間制御ドライバ９を発光期間制御パルス発生器２１とローパスフィルタ２３とで構成する場合について説明した。
しかし、立ち上がり波形の鈍った発光期間制御信号は、その他の回路構成によっても実現できる。
【００６４】
図１３に、発光期間制御ドライバ９の他の構成例を示す。図１３に示す発光期間制御ドライバ９は、図１４に示すように、トランジスタＴ１１〜Ｔ１３を順番にオン制御することにより立ち上がりの鈍った発光期間制御信号を発生する。なお、電源電圧Ｖ１〜Ｖ３と各トランジスタをオン制御するタイミングは、実現しようとする立ち上がり波形の鈍り具合に応じて選択する。
【００６５】
なお、トランジスタＴ１１〜Ｔ１３をオン制御しても、実際にはキャパシタＣ２に電荷が蓄積されるまでに一定の時間を要するため、発光期間制御信号の立ち上がり波形は徐々に増加する。
この回路構成の場合、トランジスタＴ１１〜Ｔ１３をオン制御するタイミングは、コンピュータプログラムによる制御を通じて実現できる。また、コンピュータプログラムの場合、オン制御するタイミングを調整して立ち上がり波形の形状を最適化することができる。
【００６６】
なお、前述した形態例１においては、矩形形状のパルス信号の立ち上がり波形を鈍らせるためにローパスフィルタ２３を配置する場合について説明したが、発光期間制御信号の伝送路と等価的にローパスフィルタを構成する出力段を発光期間制御パルス発生器２１に使用すれば、同じ立ち上がり波形の鈍った発光期間制御信号を発生することができる。
【００６７】
（Ｂ−６）劣化量差に応じた立ち上がり波形の可変制御
前述の形態例１においては、基本的に使用開始から同じ信号波形を使用する場合について説明した。
しかし、焼き付き現象が知覚される原因である劣化量差の状態に応じて発光期間制御信号の立ち上がり波形を変更しても良い。
【００６８】
図１５に、有機ＥＬ表示パネルモジュール１の他の構成例を示す。この有機ＥＬ表示パネルモジュール１は、劣化量差検出部６１と、発光期間制御ドライバ９と、有機ＥＬディスプレイパネル１１とで構成する。
劣化量差検出部６１は、映像信号に基づいて画素間の劣化量差を検出する処理デバイスである。この劣化量差検出部６１には、既知の回路構成を適用する。
【００６９】
例えば画素毎に劣化量を算出し、劣化量の最大値と最小値との差を劣化量差として検出しても良い。また例えば入力映像信号の画面平均値を基準として各画素の劣化量差を算出し、その劣化量差の最大値を検出しても良い。
なお、劣化量差検出部６１は、複数の判定閾値と検出した劣化量差を比較し、その比較結果に基づいて信号波形の変更信号を出力する。
【００７０】
図１６に、この形態例に適したローパスフィルタ２３の構成例を示す。なお、ローパスフィルタ２３は、発光期間制御パルス発生器２１と共に、発光期間制御ドライバ９を構成する。
【００７１】
図１６に示すローパスフィルタ２３は、信号波形の変更信号に基づいてオンオフ制御するトランジスタＴ１１〜Ｔ１３と、各トランジスタに対応するキャパシタＣ１１〜Ｃ１３とで構成する。トランジスタＴ１１〜Ｔ１３は、同時に１つだけオン制御しても良いし、同時に複数オン制御しても良い。
【００７２】
いずれにしても、トランジスタＴ１１〜Ｔ１３のオン制御によって容量値を変更し、時定数τを可変する。基本的に、劣化量差が大きくなるほど、立ち上がり波形の鈍り具合が大きくなるように（時定数τが大きくなるように）制御する。
図１７に、信号波形の変更例を示す。図１７に示すように、ある時点を境に立ち上がり波形の鈍り具合が大きくなる様子が分かる。
【００７３】
なお、劣化量差が縮小する場合には、より小さい判定閾値を越える度に立ち上がり波形の鈍り具合が小さくなるように制御する。
【００７４】
（Ｂ−７）使用時間に応じた立ち上がり波形の可変制御
前述の形態例１においては、基本的に使用開始から同じ信号波形を使用する場合について説明した。
しかし、使用時間に応じて発光期間制御信号の立ち上がり波形を変更しても良い。
【００７５】
図１８に、有機ＥＬ表示パネルモジュール１の他の構成例を示す。この有機ＥＬ表示パネルモジュール１は、使用時間タイマー７１と、発光期間制御ドライバ９と、有機ＥＬディスプレイパネル１１とで構成する。
使用時間タイマー７１は、有機ＥＬ表示パネルモジュール１の使用時間を計測する処理デバイスである。この使用時間タイマー７１は、例えば電源ボタンがオンである期間を計測する。
【００７６】
なお、使用時間タイマー７１は、複数の判定閾値とタイマーのカウント値を比較し、その比較結果に基づいて信号波形の変更信号を出力する。
ここでの発光期間制御ドライバ９にも図１３や図１６に示す構成を採用することができる。
【００７７】
図１９に、使用開始から一定期間内は既存の発光期間制御信号（矩形形状のパルス信号）を使用し、タイマーのカウント値がある判定閾値を越えた以降は立ち上がり波形の鈍った発光期間制御信号を用いる場合の制御例を示す。
【００７８】
もっとも、最初から立ち上がり波形の鈍った発光期間制御信号を使用し、使用時間に応じて立ち上がり波形の鈍り方を大きくしても良い。
なお、複数の判定閾値を使用する場合には、より大きい判定閾値を越えるたびに、発光期間制御信号の立ち上がり波形の鈍り具合が徐々に大きくなるように制御すれば良い。
【００７９】
（Ｂ−８）他の実装例
前述した形態例１においては、発光期間制御ドライバ７を有機ＥＬ表示パネルモジュール１（自発光表示装置）に実装する場合について説明した。
しかし、発光期間制御ドライバ９は、自発光表示デバイスを搭載する各種の電子機器に実装することができる。
【００８０】
図２０に、電子機器８１の機能構成例を示す。電子機器８１は、発光期間制御ドライバ９、有機ＥＬディスプレイパネル１１及び信号処理部８３で構成される。信号処理部８３で実行される処理内容は、電子機器８１に応じて異なる。
この種の電子機器８１には、例えば放送波受信装置、オーディオ装置、通信装置、撮像装置、情報処理装置その他の機器を想定する。
【００８１】
例えば放送波受信装置の商品形態には、テレビジョン番組受信機、ラジオ番組受信機、放送波受信機能を搭載する携帯型の電子機器等を想定する。
また例えばオーディオ装置の商品形態には、携帯型の音楽機器、携帯電話機等を想定する。
【００８２】
また例えば通信装置の商品形態には、据え置き型の電話機、携帯電話機、通信機能を搭載する携帯型の電子機器等を想定する。
また例えば撮像装置の商品形態には、デジタルカメラ、ビデオカメラ、撮像機能を搭載する携帯型の電子機器等を想定する。
【００８３】
また例えば情報処理装置の商品形態には、ゲーム機、電子ブック、電子辞書、コンピュータ、測定装置等を想定する。
【００８４】
（Ｂ−９）他の表示デバイス例
前述した形態例１においては、表示デバイスが有機ＥＬ表示パネルモジュール１である場合について説明した。
しかし、表示デバイスは、その他のＥＬディスプレイにも適用できる。例えば無機ＥＬディスプレイ装置、ＬＥＤを配列する表示装置にも適用できる。また、表示デバイスは、ＦＥＤディスプレイ装置やＰＤＰディスプレイ装置その他の自発光表示装置でも良い。
【００８５】
（Ｂ−１０）制御デバイス構成
前述の説明では、発光期間制御信号ＶＣＰ又はＤＳをハードウェア的に生成する場合について説明した。
しかし、発光期間制御信号ＶＣＰ又はＤＳは、ソフトウェア処理により生成することも、ハードウェアとソフトウェアの組み合わせにより生成しても良い。
【００８６】
（Ｂ−１１）その他
前述した形態例には、発明の趣旨の範囲内で様々な変形例が考えられる。また、本明細書の記載に基づいて創作される又は組み合わせられる各種の変形例及び応用例も考えられる。
【図面の簡単な説明】
【００８７】
【図１】有機ＥＬ表示パネルモジュールの機能構成例を示す図である。
【図２】発光期間制御ドライバの機能構成例を示す図である。
【図３】画素回路の構成例を説明する図である。
【図４】既存の発光期間制御信号と有機ＥＬ素子の電極間に発生する電圧との関係を説明する図である。
【図５】有機ＥＬ素子の劣化に伴うＩ−Ｖ特性の変化を示す図である。
【図６】立ち上がり波形の鈍った発光期間制御信号と有機ＥＬ素子の電極間に発生する電圧との関係を説明する図である。
【図７】焼き付き現象の抑制効果を説明する図である。
【図８】画素回路の他の構成例を説明する図である。
【図９】立ち上がり波形の鈍った発光期間制御信号と有機ＥＬ素子の電極間に発生する電圧との他の関係を説明する図である。
【図１０】画素回路の他の構成例を説明する図である。
【図１１】発光期間制御信号の供給範囲例を示す図である。
【図１２】発光期間の他の設定例を示す図である。
【図１３】発光期間制御ドライバの他の構成例を示す図である。
【図１４】立ち上がりの鈍った発光期間制御信号の生成例を示す図である。
【図１５】劣化量差に応じて立ち上がり波形を可変できる装置例を示す図である。
【図１６】時定数可変型のローパスフィルタの構成例を示す図である。
【図１７】劣化量差に応じた立ち上がり波形の変化を説明する図である。
【図１８】使用時間に応じて立ち上がり波形を可変できる装置例を示す図である。
【図１９】使用時間に応じた立ち上がり波形の変化を説明する図である。
【図２０】電子機器への実装例を説明する図である。
【符号の説明】
【００８８】
１        有機ＥＬパネルモジュール
９        発光期間制御ドライバ
２１      発光期間制御パルス発生器
２３      ローパスフィルタ
６１      劣化量差検出部
７１      使用時間タイマー
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2008102223.tif 000007
【図６】
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【図７】
2008102223.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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