(57)【要約】【課題】複数の半導体素子を搭載することで性能が効率的に向上する半導体素子を提供する。【解決手段】本発明によって提供される半導体装置Ａは、第１と第２の半導体素子４１，４２と、表面に第１と第２の半導体素子４１，４２がダイボンディングされた第１と第２のダイボンディングパッド１１，２１と、半導体素子４１，４２を覆う樹脂パッケージ６０と、を備えており、上記第１のダイボンディングパッド１１と上記第２のダイボンディングパッド２１とは、第１の半導体素子４１と第２の半導体素子４２とが正対する配置とされており、かつそれぞれの裏面の少なくとも一部ずつが樹脂パッケージ６０から露出していることを特徴とする。【選択図】  図２
2008130750.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１以上の半導体素子と、
表面に上記半導体素子がボンディングされた１以上のダイボンディングパッドと、
上記半導体素子を覆う樹脂パッケージと、
を備えた半導体装置であって、
上記１以上の半導体素子は、第１の半導体素子と第２の半導体素子とを含んでおり、
上記１以上のダイボンディングパッドは、上記第１の半導体素子がボンディングされた第１のダイボンディングパッドと、上記第２の半導体素子がボンディングされた第２のダイボンディングパッドとを含んでおり、
上記第１のダイボンディングパッドと上記第２のダイボンディングパッドとは、上記第１の半導体素子と上記第２の半導体素子とが正対する配置とされており、かつそれぞれの裏面の少なくとも一部ずつが上記樹脂パッケージから露出していることを特徴とする、半導体装置。
【請求項２】
上記第１の半導体素子に対して第１のワイヤ群を介して導通する第１のリード群と、上記第２の半導体素子に対して第２のワイヤ群を介して導通する第２のリード群と、を備えており、
上記第１のリード群と上記第２のリード群とは、上記第１および第２の半導体素子が正対する方向と直角である方向において反対の方向に向かって上記樹脂パッケージから延出しており、
上記第１のワイヤ群と上記第２のワイヤ群とは、上記第１および第２の半導体素子が正対する方向と直角である方向において互いに重ならない配置とされている、請求項１に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の半導体素子を搭載して構成される半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、複数の半導体素子を１つのパッケージに組み込む、半導体装置の複合化の要求が強くなっている。このような複合化は、たとえば、特許文献１に記載されている半導体装置のように、２つの半導体素子を同じリード部材に並列にボンディングすることで行われていた。
【０００３】
図５には、従来の手法によって２つの半導体素子９４１，９４２がボンディングされた半導体装置Ｘの平面図を示している。半導体装置Ｘは、ダイボンディングパッド９１１と端子部９１２とで構成されたメインリード９１０と、ダイボンディングパッド９１１上に搭載された半導体素子９４１，９４２と、半導体素子９４１，９４２とワイヤ群９５０を介して導通する端子群９３０とを備えている。また、図５では省略して仮想線で示しているが、この半導体装置Ｘは、半導体素子９４１，９４２およびワイヤ群９５０を保護するための樹脂パッケージ９６０を有している。この半導体装置Ｘは、端子部９１２、端子群９３０を介して外部の回路に接続され、２つの半導体素子９４１，９４２を駆動させることができる。
【０００４】
しかしながら、半導体装置Ｘにおいては、半導体素子９４１と半導体素子９４２を搭載するためにメインリード９１０が図５の上下方向に沿って長く延びている。このため、半導体装置Ｘの外形寸法は、半導体素子９４１と半導体素子９４２とを別々に１つずつ搭載した半導体装置を２つ並べたのと同等の大きさになっていた。
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−１３６３３２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、同じ面積内に搭載できる半導体素子の数をより増やすことが可能な半導体装置の提供を課題としている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明によって提供される半導体装置は、１以上の半導体素子と、表面に上記半導体素子がボンディングされた１以上のダイボンディングパッドと、上記半導体素子を覆う樹脂パッケージと、を備えた半導体装置であって、上記１以上の半導体素子は、第１の半導体素子と第２の半導体素子とを含んでおり、上記１以上のダイボンディングパッドは、上記第１の半導体素子がボンディングされた第１のダイボンディングパッドと、上記第２の半導体素子がボンディングされた第２のダイボンディングパッドとを含んでおり、上記第１のダイボンディングパッドと上記第２のダイボンディングパッドとは、上記第１の半導体素子と上記第２の半導体素子とが正対する配置とされており、かつそれぞれの裏面の少なくとも一部ずつが上記樹脂パッケージから露出していることを特徴とする。
【０００８】
このような構成によれば、上記第１の半導体素子と上記第２の半導体素子とをそれらが正対する方向に重ねて配置することができるので、同じ面積内により多くの、あるいは、より大きな半導体素子を搭載させることが可能となる。さらに、上記第１のダイボンディングパッドおよび上記第２のダイボンディングパッドのそれぞれの裏面の少なくとも一部ずつが上記樹脂パッケージから露出しているので、上記第１および第２の半導体装置が駆動する際に生じる熱を速やかに外部へ放熱することができる。
【０００９】
好ましい実施の形態においては、本発明によって提供される半導体装置は、上記第１の半導体素子に対して第１のワイヤ群を介して導通する第１のリード群と、上記第２の半導体素子に対して第２のワイヤ群を介して導通する第２のリード群と、を備えており、上記第１のリード群と上記第２のリード群とは、上記第１および第２の半導体素子が正対する方向と直角である方向において反対の方向に向かって上記樹脂パッケージから延出しており、上記第１のワイヤ群と上記第２のワイヤ群とは、上記第１および第２の半導体素子が正対する方向と直角である方向において互いに重ならない配置とされている。
【００１０】
このような構成によれば、上記第１のワイヤ群と上記第２のワイヤ群とが互いに重ならないので、上記第１および第２の半導体素子が正対する方向における上記半導体装置の高さを抑えることができる。
【００１１】
本発明のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明の好ましい実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。
【００１３】
図１には、本発明に係る半導体装置の実施形態の一例を示している。図２は図１のII-II線に沿う断面図であり、図３は図１のIII-III線に沿う断面図であり、図４は図２および図３におけるIV-IV線に沿う断面図である。本実施形態の半導体装置Ａは、メインリード１０，２０と、リード群３１Ａ，３２Ａと、半導体素子４１，４２と、ワイヤ群５１，５２と、樹脂パッケージ６０とを備えている。なお、図４では、樹脂パッケージ６０を省略し、その外枠のみ仮想線で示している。また、以下の説明においては、図２における上下方向を半導体装置Ａの高さ方向とする。
【００１４】
メインリード１０は、図２および図４に示すように、表面に半導体素子４１を搭載するダイボンディングパッド１１と、ダイボンディングパッド１１の両端から同じ方向に向けて突出する２本の帯状の端子部１２とで構成されている。このメインリード１０は、ダイボンディングパッド１１の裏面１１ａが樹脂パッケージ６０の外部へ露出するように樹脂パッケージ６０の下端付近に設置されている。
【００１５】
メインリード２０は、図２および図４に示すように、表面に半導体素子４２を搭載するダイボンディングパッド２１と、ダイボンディングパッド２１の両端から突出する２本の傾斜部２３と、傾斜部２３の先端に形成された端子部２２とで構成されている。ダイボンディングパッド２１は、ダイボンディングパッド１１と少なくとも半導体素子４１，４２の高さを足した長さよりも長い間隔を隔てて、互いの表面同士が正対するように配置されている。また、ダイボンディングパッド２１はその裏面２１ａが樹脂パッケージ６０外部へ露出するように樹脂パッケージ６０の上端付近に設置されている。端子部２２は樹脂パッケージ６０の下端付近に位置しており、端子部１２とは逆の方向に向けて樹脂パッケージ６０から突出している。傾斜部２３は、樹脂パッケージ６０の上端付近に位置するダイボンディングパッド２１と、下端付近に位置する端子部２２とをつなぐように所定の傾斜を有するように形成されている。
【００１６】
リード群３１Ａは、２つの端子部１２の間に、図４における上下方向に沿って並列配置された４つのリード３１によって構成されている。各リード３１は、端子部３１ａと、傾斜部３１ｂと、ワイヤボンディングパッド３１ｃとで構成されている。各端子部３１ａは、いずれも端子部１２と同じ高さにあり、端子部１２，２２とともに半導体装置Ａを他の回路に組み込むときの接続端子として機能する。ワイヤボンディングパッド３１ｃは、図３に示すように、半導体素子４１と同じ高さに配置されており、端子部３１ａより高い位置に配置されている。端子部３１ａとワイヤボンディングパッド３１ｃとは、傾斜部３１ｂによって連結されている。
【００１７】
リード群３２Ａは、２つの端子部２２の間に、図４における上下方向に沿って並列配置された４つのリード３２によって構成されている。各リード３２は、端子部３２ａと、傾斜部３２ｂと、ワイヤボンディングパッド３２ｃとで構成されている。各端子部３２ａは、いずれも端子部２２と同じ高さにあり、端子部１２，２２，３１ａとともに半導体装置Ａを他の回路に組み込むときの接続端子として機能する。ワイヤボンディングパッド３２ｃは、図３に示すように、半導体素子４２と同じ高さに配置されており、端子部３２ａより高い位置に配置されている。端子部３２ａとワイヤボンディングパッド３２ｃとは、傾斜部３２ｂによって連結されている。
【００１８】
半導体素子４１は、ダイボンディングパッド１１にボンディングされており、ワイヤ群５１を介してワイヤボンディングパッド３１ｃと導通している。一方、半導体素子４２は、ダイボンディングパッド２１にボンディングされており、ワイヤ群５２を介してワイヤボンディングパッド３２ｃと導通している。ワイヤボンディングパッド３１ｃは、図４における左寄りの位置にあるので、半導体素子４１におけるワイヤ群５１との接合部は、図４における左寄りの位置にある。逆に、ワイヤボンディングパッド３２ｃは、図４における右寄りの位置にあるので、半導体素子４２におけるワイヤ群５２との接合部は、図４における右寄りの位置にある。また、半導体素子４１におけるワイヤ群５１との接合部と、半導体素子４２におけるワイヤ群５２との接合部とは、図４における上下方向に沿って異なる位置になるようにそれぞれ配置されている。なお、図２および図３では半導体素子４１と半導体素子４２とは同様の形状に示しているが、半導体素子４１と半導体素子４２とは全く異なった形状や大きさであっても構わない。
【００１９】
半導体素子４１におけるワイヤ群５１との接合部と、半導体素子４２におけるワイヤ群５２との接合部と、が上記のような配置になっているので、図４の面内において、ワイヤ群５１とワイヤ群５２とは、互いに重ならない配置になっている。ワイヤ群５１，５２はそれぞれ４本のワイヤからなっている。これらの４本のワイヤは、それぞれワイヤボンディングパッド３１ｃ，３２ｃのいずれかにボンディングされている。なお、ワイヤ群５１，５２は、ワイヤの本数を増やしてもよく、たとえば、ワイヤボンディングパッド３１ｃ，３２ｃのそれぞれに対して２本以上のワイヤがボンディングされていても構わない。
【００２０】
樹脂パッケージ６０は、ダイボンディングパッド１１，１２、ワイヤボンディングパッド３１ｃ，３２ｃ、半導体素子４１，４２およびワイヤ群５１，５２を封止するように、たとえばエポキシ樹脂などによって形成されている。この樹脂パッケージ６０は、ダイボンディングパッド１１，２１の裏面１１ａ，２１ａを外部へ露出させるように形成されている。本実施形態では、樹脂パッケージ６０は傾斜部２３，３１ｂ，３２ｂを覆っているが、それらの全部もしくは一部を露出させても構わない。また、樹脂パッケージ６０の半導体素子４１を覆う部分と半導体素子４２を覆う部分とが分離し別々になっていてもよい。
【００２１】
メインリード１０，２０および各リード３１，３２は、同じリードフレームから切り出されたものであり、たとえばＣｕ，Ｎｉなどの電気伝導性および熱伝導性に優れた金属で形成されるのが望ましい。また、ワイヤ群５１，５２は、たとえばＡｕなどで形成されているのが望ましい。
【００２２】
次に、半導体装置Ａの作用について説明する。
【００２３】
このような構成の半導体装置Ａによれば、従来では１個の半導体素子しか搭載できなかった面積内に２個の半導体素子を搭載することが可能となっている。このため、半導体装置Ａは、半導体素子４１，４２をそれぞれ１個ずつ搭載する半導体装置を並べる場合に比べて、必要な実装面積を大幅に減らすことが可能となっている。
【００２４】
また、この半導体装置Ａは、たとえば、樹脂パッケージ６０の下端を基板に載せ、上端にヒートシンクを載せて使用される。このとき、ダイボンディングパッド１１の裏面１１ａが基板に直接接触し、ダイボンディングパッド２１の裏面２１ａがヒートシンクに直接接触する。したがって、半導体素子４１，４２が駆動時に放出する熱を効率よく外部へ放熱することができる。
【００２５】
さらに、半導体装置Ａは、ワイヤ群５１，５２が図４の面内で互いに重ならない配置になっている。このため、半導体素子４１と半導体素子４２との間隔を狭く抑えることができ、半導体装置Ａの高さを抑えることが可能となっている。
【００２６】
本発明に係る半導体装置の別の実施形態においては、半導体装置Ａにおける半導体素子４１または半導体素子４２のかわりに複数の半導体素子が搭載されていてもよい。たとえば、ダイボンディングパッド１１に２つの半導体素子を搭載し、ダイボンディングパッド２１にも２つの半導体素子をボンディングすることで、４つの半導体素子を備えた半導体装置も実施可能である。また、ダイボンディングパッド１１にボンディングされる半導体素子の数と、ダイボンディングパッド２１にボンディングされる半導体素子の数が異なっていても構わない。さらに、ダイボンディングパッド１１，１２に複数の半導体素子がボンディングされる場合に、ダイボンディングパッド１１，１２がそれぞれ分割されていてもよい。
【００２７】
本発明に係る半導体装置は、上述した実施形態に限定されるものではない。本発明に係る半導体装置の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。たとえば、ダイボンディングパッド１１，２１の裏面１１ａ，２１ａのうち一部だけが樹脂パッケージ６０の外部へ露出する場合も本発明の範囲内である。さらに、端子部１２，２２の数も変更可能であり、リード群３１Ａ，３２Ａの数および並び方も変更可能である。また、リード群３１Ａ，３２Ａの各リード３１，３２の一部または全部が電気的に導通するように形成されている場合も実施可能である。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明に係る半導体装置の平面図である。
【図２】図１のII-II線に沿う断面図である。
【図３】図１のIII-III線に沿う断面図である。
【図４】図２および図３のIV-IV線に沿う断面図である。
【図５】従来の半導体装置の平面図である。
【符号の説明】
【００２９】
Ａ              半導体装置
１０，２０      メインリード
１１，２１      ダイボンディングパッド
１１ａ，２１ａ  裏面
１２，２２      端子部
２３            傾斜部
３１Ａ，３２Ａ  リード群
３１，３２      リード
３１ａ，３２ａ  端子部
３１ｂ，３２ｂ  傾斜部
３１ｃ，３２ｃ  ワイヤボンディングパッド
４１，４２      半導体素子
５１，５２      ワイヤ群
６０            樹脂パッケージ
【図１】
2008130750.tif 000003
【図２】
2008130750.tif 000004
【図３】
2008130750.tif 000005
【図４】
2008130750.tif 000006
【図５】
2008130750.tif 000007