(57)【要約】【課題】磁区壁移動を利用した情報記録媒体を提供する。【解決手段】複数の磁区を有した第１磁性層と、第１磁性層上に形成された第２磁性層と、第１磁性層及び第２磁性層間に形成された第１連結層と、第１磁性層及び第２磁性層と第１連結層との間に形成された抵抗性磁性層とを備える磁区壁移動を利用した情報記録媒体である。これにより、磁区壁を移動させるために電流を印加する場合、磁性層の結合領域での電流漏れを防止できる。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁区壁移動を利用した情報記録媒体において、
複数の磁区を有した第１磁性層と、
前記第１磁性層上に形成された第２磁性層と、
前記第１磁性層及び前記第２磁性層間に形成された連結層と、
前記第１磁性層及び前記第２磁性層と前記連結層との間に形成された抵抗性磁性層とを備えることを特徴とする磁区壁移動を利用した情報記録媒体。
【請求項２】
前記連結層と対応する前記第１磁性層領域の周辺部にさらに形成された抵抗性磁性層を備えることを特徴とする請求項１に記載の磁区壁移動を利用した情報記録媒体。
【請求項３】
前記連結層と対応する前記第２磁性層領域の周辺部にさらに形成された抵抗性磁性層を備えることを特徴とする請求項１に記載の磁区壁移動を利用した情報記録媒体。
【請求項４】
前記抵抗性磁性層は、前記第１磁性層または前記第２磁性層のうち少なくともいずれか一つより１０倍ないし１００００倍の抵抗値を有していることを特徴とする請求項１に記載の磁区壁移動を利用した情報記録媒体。
【請求項５】
前記抵抗性磁性層の比抵抗は、前記第１磁性層、前記第２磁性層の比抵抗より１００倍ないし１００００倍大きい物質から形成されていることを特徴とする請求項１ないし請求項４のうちいずれか１項に記載の磁区壁移動を利用した情報記録媒体。
【請求項６】
前記抵抗性磁性層は、磁性物質から形成されていることを特徴とする請求項１ないし請求項４のうちいずれか１項に記載の磁区壁移動を利用した情報記録媒体。
【請求項７】
前記第１磁性層は、非晶質強磁性体から形成されていることを特徴とする請求項１ないし請求項４のうちいずれか１項に記載の磁区壁移動を利用した情報記録媒体。
【請求項８】
前記抵抗性磁性層は、Ｃｏ−Ｚｒ−ＮｂまたはＣｏ−Ｆｅ−Ｂから形成されていることを特徴とする請求項１ないし請求項４のうちいずれか１項に記載の磁区壁移動を利用した情報記録媒体。
【請求項９】
前記抵抗性磁性層は、磁性物質にＣｒ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｍｎ、Ｈｆ、Ａｕ、Ｉｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、ＮｉまたはＳｉのうちいずれか１つの物質を付加して形成されたことを特徴とする請求項１ないし請求項４のうちいずれか１項に記載の磁区壁移動を利用した情報記録媒体。
【請求項１０】
前記第１磁性層または前記第２磁性層は、Ｎｉ−Ｆｅ、Ｃｏ、Ｃｏ−Ｎｉ、Ｃｏ−Ｆｅ、Ｃｏ−Ｃｒ、Ｆｅ−ＰｔまたはＣｏ−Ｆｅ−Ｎｉから形成されていることを特徴とする請求項１ないし請求項４のうちいずれか１項に記載の磁区壁移動を利用した情報記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、情報記録媒体に係り、さらに詳細には、磁性材料の磁区壁（magnetic domain wall）移動を誘導し、情報の記録、保存及び消去を行うことができる磁区壁移動を利用した情報記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
情報産業が発達するにつれて大容量の情報処理が要求され、高容量の情報を保存することができる情報記録媒体への需要が持続的に増大している。一般的に、情報記録媒体として広く使われるハードディスクドライブ（ＨＤＤ）は、読み取り／書き込みヘッドと、情報が記録される回転する媒体とを備えており、１００ＧＢ（gigabyte）以上の高容量情報が保存されうる。しかし、ＨＤＤのように回転する部分を有する保存装置は、摩耗される傾向があって、動作時にフェイル（fail）の発生可能性が高いために、信頼性が落ちるという短所がある。
【０００３】
最近では、磁性物質の磁区壁移動原理を利用する新しいデータ保存装置に関する研究及び開発がなされている。一般的に、磁性体を構成する磁気的な微小領域を磁区（magnetic domain）という。磁区内では、電子の自転、すなわち磁気モーメントの方向が同じであるという特徴を有している。磁区の大きさ及び磁化方向は、磁性材料の形態、大きさ及び外部のエネルギーにより適切に制御されうる。磁区壁は、互いに異なる磁化方向を有する磁区の境界部分を表し。磁区壁は、磁性材料に印加される磁場または電流により移動されうる特徴がある。
【０００４】
図１Ａないし図１Ｃは、磁区壁の移動原理を表した図面である。
【０００５】
図１Ａを参照すれば、第１磁区１１、第２磁区１２、及び第１磁区１１と第２磁区１２との境界である磁区壁１３を備える磁性層が開示されている。
【０００６】
図１Ｂを参照すれば、第２磁区１２から第１磁区１１側に外部から磁場を加えれば、磁区壁１３は、第２磁区１２から第１磁区１１側、すなわち外部磁場の印加方向と同じ方向に移動する。同じ原理により、第１磁区１１で、第２磁区１２側に磁場を印加する場合に磁区壁１３は、第１磁区１１から第２磁区１２側に移動する。
【０００７】
図１Ｃを参照すれば、第１磁区１１から第２磁区１２側に外部から電流を印加すれば、磁区壁１３は、第２磁区１２から第１磁区１１側に移動する。電流を印加する場合に電子は、反対方向に流れるようになって、磁区壁１３は、電子の移動方向に共に移動する。結果的に、磁区壁は、外部電流の印加方向と反対方向に移動することが分かる。同じ原理で、第２磁区１２から第１磁区１２側に電流を印加する場合に、磁区壁１３は、第１磁区１１から第２磁区１２側に移動する。
【０００８】
磁区壁移動原理は、ＨＤＤや不揮発性ＲＡＭ（Random Access Memory）のような情報保存装置に適用されうる。すなわち、特定方向に磁化された磁区及びそれらの境界である磁区壁を有する磁性物質で、磁区壁が移動するにつれて磁性物質内の電圧が変化する原理を利用し、「０」または「１」のデータを使って読み取ることができる不揮発性メモリ素子を具現できる。その場合、ライン状の磁性物質内に特定電流を流して磁区壁の位置を変化させつつデータを使って読み取ることができるために、非常に簡単な構造を有する高集積素子具現が可能である。
【０００９】
磁区壁移動原理は、ＨＤＤや不揮発性ＲＡＭのような情報保存装置に適用される場合、情報保存密度を高めるために、多層構造の磁性層及びそれらの間に連結層が設けられねばならない。その場合、多層構造の磁性層の間で磁区を移動させて情報を保存したり、または情報を読み取らねばならない。ところで、磁区の移動のために多層構造間の連結層を介して電流を印加しなければならないが、連結層領域で電流密度が低下して磁区壁の移動が困難であるという問題点がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は、前述の従来技術の問題点を改善するためのものであり、連結層領域で電流密度低下を防止し、連結層領域で磁区の移動を容易に構成した磁区壁移動を利用したデータ記録媒体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
前記技術的課題を達成するために、磁区壁移動を利用した情報記録媒体において、複数の磁区を有した第１磁性層と、前記第１磁性層上に形成された第２磁性層と、前記第１磁性層及び前記第２磁性層間に形成された連結層と、前記第１磁性層及び前記第２磁性層と前記第１連結層間に形成された抵抗性磁性層とを備える磁区壁移動を利用した情報記録媒体を提供する。
【００１２】
本発明において、前記連結層と対応する前記第１磁性層領域の周辺部にさらに形成された抵抗性磁性層とを備えることを特徴とする。
【００１３】
本発明において、前記連結層と対応する前記第２磁性層領域の周辺部にさらに形成された抵抗性磁性層とを備えることを特徴とする。
【００１４】
本発明において、前記抵抗性磁性層は、前記第１磁性層または前記第２磁性層のうち少なくともいずれか一つより１０倍ないし１００００倍の抵抗値を有していることを特徴とする。
【００１５】
本発明において、前記抵抗性磁性層の比抵抗は、前記第１磁性層、前記第２磁性層の比抵抗より１００倍ないし１００００倍大きい物質から形成されていることを特徴とする。
【００１６】
本発明において、前記抵抗性磁性層は、磁性物質から形成されていることを特徴とする。
【００１７】
本発明において、前記第１磁性層は、非晶質強磁性体から形成されていることを特徴とする。
【００１８】
本発明において、前記抵抗性磁性層は、Ｃｏ−Ｚｒ−ＮｂまたはＣｏ−Ｆｅ−Ｂから形成されていることを特徴とする。
【００１９】
本発明において、前記抵抗性磁性層は、磁性物質にＣｒ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｍｎ、Ｈｆ、Ａｕ、Ｉｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、ＮｉまたはＳｉのうちいずれか１つの物質を付加して形成されたことを特徴とする。
【００２０】
本発明において、前記第１磁性層または前記第２磁性層は、Ｎｉ−Ｆｅ、Ｃｏ、Ｃｏ−Ｎｉ、Ｃｏ−Ｆｅ、Ｃｏ−Ｃｒ、Ｆｅ−ＰｔまたはＣｏ−Ｆｅ−Ｎｉから形成されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２１】
本発明の実施形態による磁区壁移動を利用した情報記録媒体は、複数の磁性層の結合領域に抵抗性磁性層を形成することによって、磁区壁を移動させるために電流を印加する場合、磁性層の結合領域での電流拡散を防止して電流密度を維持させ、かつ電流密度低下防止により、媒体に／から情報の記録／読み取りを行う場合には、必要電力を少なくすることが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明の実施形態による磁区壁移動を利用した情報記録媒体について、添付された図面を参照しつつ詳細に説明する。ここで、図面に図示された各層の厚さ及び幅は、説明のために多少誇張されていることを明らかにしておく。
【００２３】
図２は、本発明の実施形態による磁区壁を利用したデータ記録媒体を概略的に示した斜視図である。
【００２４】
図２を参照すれば、本発明の実施形態による磁区壁移動を利用した情報記録媒体は、第１磁性層２１ａ及び第２磁性層２１ｂを備えており、第１磁性層２１ａ及び第２磁性層２１ｂの間には、第１磁性層２１ａ及び第２磁性層２１ｂを連結する連結層２３を備えている。第１磁性層２１ａ及び連結層２３の間と、第２磁性層２１ｂ及び連結層２３の間とには、抵抗性磁性層２０２が形成されている。また、第１磁性層２１ａ及び第２磁性層２１ｂの連結層２３と対応する領域の周辺にも、抵抗性磁性層２０１，２０３が形成されている。図示しないが、第１磁性層２１ａ及び第２磁性層２１ｂは、複数の磁区を備えている。
【００２５】
本発明の実施形態による磁区壁移動を利用した情報記録媒体は、第１磁性層２１ａ及び第２磁性層２１ｂの連結部位で電流拡散を防止して磁区壁移動を容易にするために、抵抗性磁性層２０１，２０２，２０３を形成していることを特徴とする。これについて詳細に説明すれば、次の通りである。
【００２６】
磁区壁移動を利用した情報記録媒体は、１つの磁区を単位情報に関連して設定したものであり、磁化方向が第１方向または第２方向である磁区を備えている。例えば、磁化方向が上方である場合には「１」と設定し、磁化方向が下方である場合には「０」と設定する。すなわち、磁化方向が上方または下方である磁区は単位ビットとなる。磁区壁移動を利用した情報記録媒体に情報を記録する「書き込み動作」は、特定の磁化方向を有した磁区を磁性物質から形成されている磁性層の所定位置に保存することによってなされる。
【００２７】
例えば、第１磁性層２１ａを書き込み用トラック、またはバッファトラックとして設定し、第２磁性層２１ｂを情報保存トラックとして、第２磁性層２１ｂの右側領域に「０」の情報値を保存する方法を、説明すれば次の通りである。
【００２８】
まず、第１磁性層２１ａは、磁化方向が上方である磁区及び磁化方向が下方である磁区を備えている。第１磁性層２１ａの両側端部の電極（図示せず）を介して電流を印加し、磁化方向が下方である磁区を第１磁性層２１ａ内で移動させ、連結層２３の下方に位置させる。第２磁性層２１ｂの右側に情報を保存させるためには、磁化方向が下方である磁区を連結層２３を介して第２磁性層２１ｂの右側に移動させねばならない。従って、第１磁性層２１ａの一側端部と、第２磁性層２１ｂの右側端部とに連結された電極（図示せず）を介して電流を印加する。このとき電流は、第２磁性層２１ｂから第１磁性層２１ａ側に流れるように設定する。この場合に電子は、第１磁性層２１ａから第２磁性層２１ｂ側に流れるので、連結層２３下部の第１磁性層２１ａに位置していた磁区は、連結層２３を通過し、第２磁性層２１ｂの右側に移動させる。結果的に、電流の印加を介して第２磁性層２１ｂの所定領域に磁化方向が下方である磁区を位置させることによって、第２磁性層２１ｂに「０」の情報値を保存するようになるということである。保存された情報値を読み取る場合には、例えばＧＭＲ（Giant Magneto Resistance）ヘッド、またはＴＭＲ（Tunneling Magneto Resistance）ヘッドのような磁気抵抗ヘッド（図示せず）を第１磁性層２１ｂの下方に位置させ、第２磁性層２１ｂの磁区を連結層２３を介して第１磁性層２１ａ側に移動させて磁化方向を読み込むことができる。
【００２９】
ここで、単に第１磁性層２１ａで、第２磁性層２１ｂ側またはその反対方向に電流を印加して連結層２３を介して磁区壁を移動させる場合、連結層２３と隣接する第１磁性層２１ａ及び第２磁性層２１ｂ領域で、電流拡散により密度が大きく低下するようになる。電流密度が低下する場合、連結層２３を介して磁区壁の移動が困難になる。また、磁区壁移動のための消費電力が増加する問題点がある。従って、本発明の実施形態による磁区壁移動を利用した情報記録媒体では、第１磁性層２１ａ及び第２磁性層２１ｂの連結部位に抵抗性磁性層２０１，２０２を形成したことを特徴とする。抵抗性磁性層２０１，２０２を形成する場合、連結部位での電流拡散現象を防止することによって、電流密度低下を防止できるという長所がある。
【００３０】
図２を参照すれば、第１磁性層２１ａ及び連結層２３の間と、連結層２３及び第２磁性層２１ｂの間に、抵抗性磁性層２０２が形成されていることが分かる。また、連結層２３と対応する第１磁性層２１ａ及び第２磁性層２１ｂの周辺領域にも、抵抗性磁性層２０１が形成されていることが分かる。第１磁性層２１ａ及び連結層２３間の抵抗性磁性層２０２がない場合には、第１磁性層２１ａ両側に電流を印加して磁区を第１磁性層２１ａ内で移動させるとき、連結層２３の上方に電流が漏れて磁区壁を移動させ難い。従って、第１磁性層２１ａ及び連結層２３間の抵抗性磁性層２０２は、連結層２３側への電流拡散を防止する役割を果たす。また、第１磁性層２１ａ及び第２磁性層２１ｂ内部の抵抗性磁性層２０１は、連結層を介して磁区壁を移動させる場合に電流拡散を防止する役割を果たす。
【００３１】
結果的に、本発明の実施形態による磁区壁移動を利用した情報記録媒体は、連結層２３周辺の第１磁性層２１ａ及び第２磁性層２１ｂの連結部位での電流漏れを防止することによって磁区壁移動を容易にするために、抵抗性磁性層２０１，２０２を形成したのである。ここで、抵抗性磁性層２０１，２０２は、第１磁性層２１ａまたは第２磁性層２１ｂに比べて比抵抗値が高い物質によって形成されることが望ましい。具体的に、第１磁性層２１ａまたは第２磁性層２１ｂに比べて比抵抗値が１０倍ないし１００００倍であることを特徴とし、望ましくは１００倍ないし１０００倍である。また基本的に、磁区が移動できなければならないので、磁性物質から形成するが、抵抗値を高めるために、他の元素を付加して形成されうる。抵抗性磁性層２０１，２０２は、Ｃｏ−Ｚｒ−Ｎｂ合金またはＣｏ−Ｆｅ−Ｂ合金から形成されうる。また磁性物質に、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｍｎ、Ｈｆ、Ａｕ、Ｉｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、ＮｉまたはＳｉのような元素を添加することによって、抵抗を高めて使用できる。
【００３２】
第２磁性層２１ｂ上には、複数の磁性層がさらに形成されて多層構造に形成できる。この場合にも、磁性層間の連結領域には、抵抗性磁性層を備えることが望ましい。
【００３３】
以下、図３Ａないし図３Ｊを参照しつつ、本発明の実施形態による磁区壁移動を利用した情報記録媒体の製造方法について詳細に説明する。
【００３４】
図３Ａを参照すれば、基板３０上に磁性物質を塗布し、第１磁性層３１ａを形成する。磁性物質は、垂直磁化または水平磁化の特性を有した物質、一般的に磁気記録媒体に使われる物質を使用できる。例えば、Ｎｉ−Ｆｅ、Ｃｏ、Ｃｏ−Ｎｉ、Ｃｏ−Ｆｅ、Ｃｏ−Ｃｒ、Ｆｅ−Ｐｔ及びＣｏ−Ｆｅ−Ｎｉのうちから選択されうる。第１磁性層３１ａを形成した後、図３Ｂに図示されているように、所定領域をエッチングして溝ｈ１を形成する。
【００３５】
図３Ｃを参照すれば、抵抗性磁性層を形成するために、第１磁性層３１ａより比抵抗値が大きい磁性物質を塗布して平坦化させることによって、抵抗性磁性物質層３２を形成する。抵抗性磁性物質層３２は、Ｃｏ−Ｚｒ−Ｎｂ合金、Ｃｏ−Ｆｅ−Ｂ合金などで形成できる。非晶質強磁性物質（amorphous ferro-magnet）も使用可能であり、また磁性物質にＣｒ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｍｎ、Ｈｆ、Ａｕ、Ｉｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、ＮｉまたはＳｉのような元素をドーピングして抵抗を増大させて使用できる。基本的に、第１磁性層３１ａより比抵抗値が１０倍ないし１００００倍の範囲を有するように形成することが望ましい。そして、図３Ｄを参照すれば、抵抗性磁性物質層３２の内部をエッチングして抵抗性磁性層３０１を形成した後、図３Ｅに図示されているように、抵抗性磁性層３０１の内部を磁性物質、例えば第１磁性層３１ａと同じ物質で充填する。
【００３６】
図３Ｆを参照すれば、第１磁性層３１ａ上に絶縁物質を塗布し、絶縁層３４を形成する。絶縁物質は、ＳｉＯ２のような一般的な絶縁物質を使用できる。
【００３７】
図３Ｇを参照すれば、絶縁層３４をエッチングして溝Ｈ２を形成し、第１磁性層３１ａを露出させる。そして、第１磁性層３１ａの表面に抵抗性磁性物質を塗布して抵抗性磁性層３１１を形成する。そして、図３Ｈに図示されているように、抵抗性磁性層３１１上に磁性物質を塗布して連結層３５を形成し、その連結層３５の上部に抵抗性磁性物質を塗布して抵抗性磁性層３１２を形成した後で平坦化する。連結層３５を形成する場合、Ｈｉｇｈ−ＫｕまたはＬｏｗ−Ｋｕの物質にかかわらず、磁性物質ならば使用でき、第１磁性層３１ａと同じ物質も使用可能である。
【００３８】
図３Ｈを参照すれば、絶縁層３４及び抵抗性磁性層３１２上に磁性物質を塗布し、第２磁性層３１ｂを形成する。図３Ｉを参照すれば、第２磁性層３１ｂに溝ｈ３を形成し、抵抗性磁性層３１２を露出させる。そして、図３Ｃ及び図３Ｄと同じ工程を実施する。具体的に説明すれば、抵抗性磁性層３１２及び溝ｈ３の側部に抵抗性磁性物質を塗布して抵抗性磁性層３０２を形成する。そして、図３Ｊに図示されているように、磁性物質で溝ｈ３内部を充填した後、第２磁性層３１ｂの表面を平坦化する。
【００３９】
第２磁性層３１ｂ上に磁性層をさらに形成することができ、これは、前述の工程を反復して実施できる。
【００４０】
図４Ａ及び図４Ｂは、本発明の実施形態による磁区壁移動を利用した情報記録媒体の変形例を示した図面である。図４Ａ及び図４Ｂを参照すれば、第１磁性層４１上には、垂直方向に複数の第２磁性層４２が形成されており、第１磁性層４１及び第２磁性層４２の間には、抵抗性磁性層４３が形成されている。図４Ａの場合、第１磁性層４１が水平方向に形成されており、図４Ｂは、第１磁性層４１が垂直方向に形成されている構造を開示している。抵抗性磁性層４３は、基本的に２つの磁性層が連結される部位に形成され、また抵抗性磁性層４３と接触する第１磁性層４１の領域周辺にも、抵抗性磁性層をさらに形成できる。
【００４１】
図５Ａないし図５Ｃは、本発明の実施形態による磁区壁移動を利用した情報記録媒体の磁性層５１の両側に電流を印加し、磁性層５１の交差領域での電流密度を示したシミュレーション結果の図面である。
【００４２】
部材番号５２ａ，５２ｂ及び５２ｃは、互いに異なる磁性層の交差する位置を表しており、磁性層５１の下部には、磁性層５１と交差する方向に他の磁性層が形成され、それらの間には、抵抗性磁性層（図示せず）が形成される。図５Ａは、磁性層及び抵抗性磁性層の比抵抗値の比が１：１０である場合であり、図５Ｂは、１：１００であり、図５Ｃは、１：１０００である場合を示した。図５Ａないし図５Ｃを参照すれば、抵抗性磁性層の比抵抗が抵抗層５１の比抵抗より１０倍大きい場合（図５Ａ）、連結部位５２ａ，５２ｂ，５２ｃでの電流密度が大きく低下していることが分かる。抵抗性磁性層の比抵抗が抵抗層５１の比抵抗より大きくなるほど、連結部位５２ａ，５２ｂ，５２ｃでの電流密度が次第に上昇し、１０００倍大きくなった場合（図５Ｃ）には、連結部位５２ａ，５２ｂ，５２ｃでの電流密度低下が小さいことが分かる。すなわち、結果的に、多層の磁性層を有した磁区壁移動を利用した情報記録媒体の場合、磁性層間の結合領域で、比抵抗値が高い抵抗性磁性層を使用することが望ましいということが分かる。
【００４３】
前記の説明で多くの事項が具体的に記載されているが、それらは、発明の範囲を限定するものとするより、望ましい実施形態の例示として解釈されるものである。例えば、本発明が属する技術分野の当業者ならば、本発明で提案した磁性層数を増加させて情報保存容量を増大させることができ、磁性層の配列構造などを変更することもできるであろう。従って、本発明の範囲は、説明された実施形態によって定められるのではなく、特許請求の範囲に記載された技術的思想によってのみ定められるものである。
【産業上の利用可能性】
【００４４】
本発明の磁区壁移動を利用した情報記録媒体は、例えば、情報保存関連の技術分野に効果的に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１Ａ】磁区壁移動に関する基本原理を示した図面である。
【図１Ｂ】磁区壁移動に関する基本原理を示した図面である。
【図１Ｃ】磁区壁移動に関する基本原理を示した図面である。
【図２】本発明の実施形態による磁区壁移動を利用した情報記録媒体の構造を示した断面図である。
【図３Ａ】本発明の実施形態による磁区壁移動を利用した情報記録媒体の製造方法を説明するための図面である。
【図３Ｂ】本発明の実施形態による磁区壁移動を利用した情報記録媒体の製造方法を説明するための図面である。
【図３Ｃ】本発明の実施形態による磁区壁移動を利用した情報記録媒体の製造方法を説明するための図面である。
【図３Ｄ】本発明の実施形態による磁区壁移動を利用した情報記録媒体の製造方法を説明するための図面である。
【図３Ｅ】本発明の実施形態による磁区壁移動を利用した情報記録媒体の製造方法を説明するための図面である。
【図３Ｆ】本発明の実施形態による磁区壁移動を利用した情報記録媒体の製造方法を説明するための図面である。
【図３Ｇ】本発明の実施形態による磁区壁移動を利用した情報記録媒体の製造方法を説明するための図面である。
【図３Ｈ】本発明の実施形態による磁区壁移動を利用した情報記録媒体の製造方法を説明するための図面である。
【図３Ｉ】本発明の実施形態による磁区壁移動を利用した情報記録媒体の製造方法を説明するための図面である。
【図３Ｊ】本発明の実施形態による磁区壁移動を利用した情報記録媒体の製造方法を説明するための図面である。
【図４Ａ】本発明の実施形態による磁区壁移動を利用した情報記録媒体の変形例を示した図面である。
【図４Ｂ】本発明の実施形態による磁区壁移動を利用した情報記録媒体の変形例を示した図面である。
【図５Ａ】抵抗変化による連結層領域の電流密度を示したシミュレーション図面である。
【図５Ｂ】抵抗変化による連結層領域の電流密度を示したシミュレーション図面である。
【図５Ｃ】抵抗変化による連結層領域の電流密度を示したシミュレーション図面である。
【符号の説明】
【００４６】
１１  第１磁区
１２  第２磁区
１３  磁区壁
２１ａ，３１ａ，４１  第１磁性層
２１ｂ，３１ｂ，４２  第２磁性層
２３，３５  連結層
３０  基板
３２  抵抗性磁性物質層
３４  絶縁層
４３，２０１，２０２，２０３，３０１，３０２，３１１，３１２  抵抗性磁性層
５１  磁性層
５２ａ，５２ｂ，５２ｃ  磁性層の連結部位
ｈ１，ｈ２，ｈ３  ホール
【図１Ａ】
2008130227.tif 000003
【図１Ｂ】
2008130227.tif 000004
【図１Ｃ】
2008130227.tif 000005
【図３Ａ】
2008130227.tif 000006
【図３Ｂ】
2008130227.tif 000007
【図３Ｃ】
2008130227.tif 000008
【図３Ｄ】
2008130227.tif 000009
【図３Ｅ】
2008130227.tif 000010
【図３Ｆ】
2008130227.tif 000011
【図３Ｇ】
2008130227.tif 000012
【図３Ｈ】
2008130227.tif 000013
【図３Ｉ】
2008130227.tif 000014
【図３Ｊ】
2008130227.tif 000015
【図４Ａ】
2008130227.tif 000016
【図４Ｂ】
2008130227.tif 000017
【図２】
2008130227.tif 000018
【図５Ａ】
2008130227.tif 000019
【図５Ｂ】
2008130227.tif 000020
【図５Ｃ】
2008130227.tif 000021