(57)【要約】【課題】本発明は、コンピュータ等の記録装置として使用される磁気記録装置の磁気抵抗効果ヘッドに関し、特に、磁気記録媒体との接触によるトンネル効果型磁気抵抗効果素子の劣化を防ぐことが出来るようにする。【解決手段】本発明は、浮上面から見たシールド兼電極層の露出面積を小さくし、さらに、当該シールド兼電極層の外側にもシールド層を設けることで、シールド効果を低下させることなく、磁気記録媒体との接触によるトンネル効果型磁気抵抗効果素子の劣化を防ぐことが出来るトンネル効果型磁気抵抗ヘッドを提供する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録媒体から磁気情報を読み出す磁気抵抗効果素子を有する磁気センサにおいて、
該磁気抵抗効果素子を挟むように配置し、かつ該磁気抵抗効果素子に電流を印加する磁性体よりなる一対の電極層と、
少なくとも一方の電極層の該磁気抵抗効果素子と向かい合う面と反対側に配置し、該記録媒体が発する磁束から該磁気抵抗効果素子をシールドするシールド層と、
該少なくとも一方の電極層と該シールド層との間に配置し、該電極層と該シールド層とを電気的に絶縁する絶縁層と、
を有することを特徴とする磁気センサ。
【請求項２】
該シールド層は、各電極層の該磁気抵抗効果素子と向かい合う面と反対側にそれぞれ配置し、
該絶縁層は、該電極層と該シールド層との間に配置していることを特徴とする請求項１記載の磁気センサ。
【請求項３】
該シールド層と該磁気抵抗効果素子との間に配置する該電極層の幅は、該シールド層の幅よりも狭いことを特徴とする請求項１または２に記載の磁気センサ。
【請求項４】
該シールド層と該磁気抵抗効果素子との間に配置する該電極層の厚さは、該シールド層の厚さよりも小さいことを特徴とする請求項１または２に記載の磁気センサ。
【請求項５】
磁気情報を記録する記録媒体と、該記録媒体に対して磁気情報の書き込み及び読み出しを行う磁気ヘッドを有する磁気ディスク装置において、
該磁気ヘッドは、該磁気抵抗効果素子を挟むように配置し、かつ該磁気抵抗効果素子に電流を印加する磁性体よりなる一対の電極層と、少なくとも一方の電極層の該磁気抵抗効果素子と向かい合う面と反対側に配置し、該記録媒体が発する磁束から該磁気抵抗効果素子をシールドするシールド層と、該少なくとも一方の電極層と該シールド層との間に配置し、該電極層と該シールド層とを電気的に絶縁する絶縁層とから構成される磁気センサを有することを特徴とする磁気ディスク装置。
【請求項６】
該一対の電極層間の幅は、該磁気ディスクにおいて磁気情報が記録される単位の幅よりも狭いことを特徴とする請求項５記載の磁気ディスク装置。
【請求項７】
該シールド層と該磁気抵抗効果素子との間に配置する該電極層の幅は、該シールド層の幅よりも狭いことを特徴とする請求項５または６に記載の磁気ディスク装置。
【請求項８】
該シールド層と該磁気抵抗効果素子との間に配置する該電極層の厚さは、該シールド層の厚さよりも小さいことを特徴とする請求項５または６に記載の磁気ディスク装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気ディスクから磁気情報を再生する磁気センサに関する発明である。
【背景技術】
【０００２】
磁気ディスク装置は記憶容量の増加が求められており、磁気ディスクの記録密度は高くなっている。記録密度を高めるためには、磁気ディスクのビット間を狭くして、記録できる信号を多くする必要がある。しかし、ビット間が狭くなるとビット間を構成する磁石が小さくなるため、当該磁石が発する磁束も小さくなってしまう。そのため、磁気ヘッドの浮上量を下げなければ磁束を磁気センサに流入させることができない。
【０００３】
磁気ヘッドの浮上量が下がると、磁気ヘッドの浮上面が磁気ディスクに接触する危険性が生じる。浮上面が磁気ディスクに接触すると、熱が発生する。発生した熱が磁気センサに流入すると、磁気センサが破壊されたり、磁気センサが読み出す信号にノイズが乗ったりして、読出信号が劣化してしまう。
【０００４】
磁気センサに関する先行技術文献としては下記のものがある。
【特許文献１】特開２０００-２１５４１５号公報
【特許文献２】特開２００２-０２６４２３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
熱の発生を抑えるためには、例えば、磁気センサを構成するシールド兼電極層の幅を狭くして、磁気ディスクとの接触面積を小さくすることが一つの方法として考えられる。しかし、シールド兼電極層の幅を狭くすると、磁気ディスクが発する磁束から磁気抵抗効果素子をシールドするシールド効果が弱まってしまう。
【０００６】
本発明の課題は、磁気ディスクとの接触による熱の発生を抑え、かつ、シールド効果も高めることである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上述した課題を解決するために、以下の手段を採用する。
【０００８】
第一の手段として：
磁気センサは、記録媒体から磁気情報を読み出す磁気抵抗効果素子を有し、さらに、該磁気抵抗効果素子を挟むように配置し、かつ該磁気抵抗効果素子に電流を印加する磁性体よりなる一対の電極層と、少なくとも一方の電極層の該磁気抵抗効果素子と向かい合う面と反対側に配置し、該記録媒体が発する磁束から該磁気抵抗効果素子をシールドするシールド層と、該少なくとも一方の電極層と該シールド層との間に配置し、該電極層と該シールド層とを電気的に絶縁する絶縁層とを有する。
【０００９】
第二の手段として：
該シールド層は、各電極層の該磁気抵抗効果素子と向かい合う面と反対側にそれぞれ配置し、該絶縁層は、該電極層と該シールド層との間に配置している。
【００１０】
第三の手段として：
該シールド層と該磁気抵抗効果素子との間に配置する該電極層の幅は、該シールド層の幅よりも狭い。
【００１１】
第四の手段として：
該シールド層と該磁気抵抗効果素子との間に配置する該電極層の厚さは、該シールド層の厚さよりも小さい。
【００１２】
第五の手段として：
磁気ディスク装置は、磁気情報を記録する記録媒体と、該記録媒体に対して磁気情報の書き込み及び読み出しを行う磁気ヘッドを有し、さらに、該磁気ヘッドは、該磁気抵抗効果素子を挟むように配置し、かつ該磁気抵抗効果素子に電流を印加する磁性体よりなる一対の電極層と、少なくとも一方の電極層の該磁気抵抗効果素子と向かい合う面と反対側に配置し、該記録媒体が発する磁束から該磁気抵抗効果素子をシールドするシールド層と、該少なくとも一方の電極層と該シールド層との間に配置し、該電極層と該シールド層とを電気的に絶縁する絶縁層とから構成される磁気センサを有する。
【００１３】
第六の手段として：
該一対の電極層間の幅は、該磁気ディスクにおいて磁気情報が記録される単位の幅よりも狭い。
【００１４】
第七の手段として：
該シールド層と該磁気抵抗効果素子との間に配置する該電極層の幅は、該シールド層の幅よりも狭い。
【００１５】
第八の手段として：
該シールド層と該磁気抵抗効果素子との間に配置する該電極層の厚さは、該シールド層の厚さよりも小さい。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、シールド兼電極層の幅を狭くし、かつ、当該シールド兼電極層の磁気抵抗効果素子と向かい合う面と反対側に、絶縁層を介してシールド層を配置する。そのため、浮上面が磁気ディスクと接触しても、シールド兼電極層から発生する熱は小さくなり、かつ、シールド層から発生する熱を絶縁層が磁気抵抗効果素子に伝えにくくする。さらに、シールド兼電極層の他にシールド層を配置するため、シールド効果を高めることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下に本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
【００１８】
（実施例１）
図１は、磁気ディスク装置の斜視図である。磁気ディスク９は磁気情報を含み、スピンドルモータ１１２によって高速で回転する。アクチュエータアーム１１４には、ステンレスで作られたサスペンション１１５が取り付けられている。また、アクチュエータアーム１１４は、支軸１１６により回転自在に筐体１１８に固定され、磁気ディスク９の半径方向に移動する。これにより、サスペンション１１５に取り付けられたスライダ１１９が磁気ディスク９上を移動して、トラック上で情報の記録、再生を行う。筐体１１８の中には再生信号を検出する検出回路装置が固定されている。検出回路装置はセンス電流を磁気ヘッドのリード部中の磁気抵抗効果素子に印加し、当該磁気抵抗効果素子での電圧変化を測定することによって、磁気ディスクから情報を復元する。
【００１９】
図２は、図１に示した磁気ディスク９、サスペンション１１５、スライダ１１９及び磁気ヘッド１２０の位置関係を示した概略図である。スライダ１１９はサスペンション１１５に取り付けられヘッドサスペンションアセンブリを構成する。高速で磁気ディスク９が回転することで、空気をスライダ１１９と磁気ディスク１３の間に引き込んで、スライダ１１９は浮上する。スライダ１１９の先端に形成された磁気ヘッド１２０は、サスペンション１１５及びアクチュエータアーム１１４上の絶縁されている導線線を介して検出回路装置に電気的に接続される。磁気ディスク９に記録された情報の読み出しには磁気ヘッド１２０が有する磁気抵抗効果素子を利用する。即ち、磁気ディスク９の記録トラックからの漏れ磁場はスライダ１１９に受け入れられ、磁気抵抗効果素子に流入する。
【００２０】
図３は、磁気ヘッド１２０を浮上面に対して垂直に切った断面図である。この磁気ヘッド１２０は、アルチック（Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＣ）からなる基板７上に、磁気抵抗効果素子５を積層方向に挟む配置に下部シールド兼電極層６と上部シールド兼電極層４を形成する。さらに、下部シールド兼電極層６の外側に下部シールド層１５を、上部シールド兼電極層４の外側に上部シールド層１４を形成する。上部シールド層１４の上にはライトヘッドの下部磁極２を形成し、書き込み用のコイル８と上部磁極1を形成して構成されている。
【００２１】
下部シールド層１５、下部シールド兼電極層６、磁気抵抗効果素子５、上部シールド兼電極層４及び上部シールド層１４がリード部を構成する。また、下部磁極２、コイル８、上部磁極1がライト部を構成する。これらの下部シールド層１５、下部シールド兼電極層６、上部シールド兼電極層４、上部シールド層１４、下部磁極２は、層間にアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等の絶縁層を介在させ、順次パターン化しながら積層して形成される。なお、図３においては、特に明示が必要な絶縁層については図示してある。
【００２２】
まず、リード部について、図４乃至図６を用いて詳細に説明する。図４は磁気ヘッド１２０を浮上面側から見た図である。リード部２０は、磁気ディスクからの漏れ磁場を受けて、再生信号を生成する磁気抵抗効果素子５と当該素子の膜厚方向の両側から挟み込むように配置された上部シールド兼電極層４及び下部シールド兼電極層６を有する。さらに、上部シールド兼電極層４及び下部シールド兼電極層６を絶縁層３を介して両側から挟み込むように配置された上部シールド層１４及び下部シールド層１５を有する。上部シールド兼電極層４、下部シールド兼電極層６、上部シールド層１４及び下部シールド層１５はＮｉＦｅよりなる。絶縁層３はAl２O３よりなる。絶縁層３は、シールド兼電極層とシールド層とが電気的に短絡してしまうのを防ぐ。シールド兼電極層とシールド層とが短絡してしまっては、磁気抵抗効果素子５に適切にセンス電流を供給することができなくなるからである。さらに、絶縁層を構成するAl２O３は、シールド兼電極層及びシールド層を構成するＮｉＦｅと比較して接触による熱が発生しにくい。
【００２３】
下部シールド兼電極層６及び上部シールド兼電極層４は、再生分解能を向上させるためのギャップを形成している。つまり、磁気ディスクから磁気抵抗効果素子５に流入させるべき磁束以外の磁束を下部シールド兼電極層６及び上部シールド兼電極層４が吸収することで、磁気抵抗効果素子５に余計な磁束が流入することを防いでいる。また、下部シールド兼電極層６及び上部シールド兼電極層４は磁気抵抗効果素子５を通過した磁束を吸収する。さらに、特に図示しないが、下部シールド兼電極層６及び上部シールド兼電極層４には電流源が接続されており、センス電流が供給されている。磁気抵抗効果素子５の抵抗の変化に応じて一対の端子間の電圧が変化し、磁気ディスク９に記録された磁気情報を電圧信号として再生することができる。なお、磁気抵抗効果素子５については図５を用いて後述する。
【００２４】
図５に示すように、本発明における磁気抵抗効果素子５は、下部シールド兼電極層６の側から順に反強磁性体のピン層２２、強磁性体のピンド層２３、絶縁体のバリア層２６及び強磁性体のフリー層２４が積層されてなるトンネル効果型磁気抵抗効果素子である。ピン層２２は、反強磁性材料であるＰｔ、Ｐｄ、Ｍｇなどの材料で形成される。フリー層２４は、磁気的に軟磁性を示す強磁性体であり、例えば、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、ＣｏＦｅ、ＮｉＦｅ、ＣｏＺｒＮｂなどの材料で形成される。ピンド層２３は図では一層構造として表しているが、図６に示すように実際にはＣｏＦｅ、Ｒｕ、ＣｏＦｅの三層構造になっている。バリア層２６は、Ａｌ２Ｏ３で形成される。さらに磁気抵抗効果素子５の両側には縦バイアス層２５が形成される。縦バイアス層２５は図中に示した方向に磁化を持つ。そのため、縦バイアス層２５に挟まれているフリー層２４も図中に示した方向に磁化方向が半固定されている。ピンド層２３の磁化の方向はピン層２２によって、図中に示した方向に磁化を持つ。トンネル効果型磁気抵抗効果素子では、通常はバリア層２６が存在する。磁気ディスク９からの漏れ磁場によって、フリー層２４の磁化の方向が変化することで、トンネル効果による電流が変化する。なお、ピンド層２３とフリー層２４の磁化方向は信号の入力が無い状態では直交している。
【００２５】
このように、磁気抵抗効果素子５は、漏れ磁場の大きさの変化に応じて、その抵抗値が変化する。そのため、上述したように磁気抵抗効果素子５の抵抗の変化に応じて一対の端子間の電圧が変化し、磁気ディスク９に記録された磁気情報を電圧信号として再生することができるようになる。なお、図３において矢印で示したように、上部シールド兼電極層４及び下部シールド兼電極層６に挟まれた間隔はリードギャップと呼ばれる。磁気ディスクは記録密度の向上に伴い、１ビットを記録する幅が小さくなっている。そのため、リードギャップも狭くして、磁気抵抗効果素子５に流入させるべき磁束以外の磁束をシールド兼電極層が吸収している。
【００２６】
リード部は、さらに、下部シールド兼電極層６及び上部シールド兼電極層４の外側に、絶縁層３を介してそれぞれ下部シールド層１５及び上部シールド層１４が形成される。磁気ディスクから磁気抵抗効果素子５に流入させるべき磁束以外の磁束を下部シールド層１５及び上部シールド層１４が吸収することで、磁気抵抗効果素子５に余計な磁束が流入することを防いでいる。また、下部シールド層１５及び上部シールド層１４は磁気抵抗効果素子５を通過した磁束を吸収する。このように、本発明では、下部シールド兼電極層６及び上部シールド兼電極層４の外側にも下部シールド層１５及び上部シールド層１４を形成することで、シールド効果を高めている。
【００２７】
ライト部について、図３乃至図４を用いて詳細に説明する。ライト部は、上部磁極１、コイル８、下部磁極２を有する。コイル８の周囲には絶縁層が形成され、絶縁層上には軟磁性材料からなる上部磁極１が形成される。コイル８は上部磁極１と下部磁極２との間に挟み込まれている。上部磁極１と下部磁極２とはコイル８の周りを１周する磁気回路を形成している。コイル８に電流が印加されると、磁束流が生起される。そして、磁束流は下部磁極２と上部磁極１との間を行き交い外部に飛び出す。この外部に飛び出した磁束流によって、磁気ディスク９の磁化の方向が変えられ、情報が書き込まれる。つまり、コイル８に記録すべき情報で変調された電流を流すことにより、電流値に応じた磁界が誘導されて、磁気ディスク９に情報を磁気的に記録することができる。
【００２８】
続いて、図４を用いて各部材の形状について述べる。浮上面から見て、下部シールド層１５の形状は、幅４０〜１００μｍ、奥行き２０〜４０μｍ、厚さ１．０〜２．０μｍとなっており、上部シールド層１４の形状は、幅４０〜１００μｍ、奥行き２０〜４０μｍ、厚さ１．０〜２．０μｍとなっている。上部シールド兼電極層４、下部シールド兼電極層６の幅は、上部シールド層１４、下部シールド層１５の幅よりも狭く、それぞれ１０〜２０μｍとなっている。厚さもシールド層の厚さよりも小さく、２．０μｍ以下となっている。また、絶縁層３の厚さは０．２５〜０．５μｍとなっている。なお、図４において、幅とはＺ方向、厚さとはＸ方向、奥行きとはＹ方向のことである。
【００２９】
（実施例２）
実施例１では、磁気抵抗効果素子５を積層方向に挟む配置に下部シールド兼電極層６及び上部シールド兼電極層４を形成する例について説明したが、他の構成にすることも考えられる。
【００３０】
図７は、実施例２における磁気ヘッド１２０を浮上面に対して垂直に切った断面図である。この磁気ヘッド１２０は、アルチック（Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＣ）からなる基板７上に、磁気抵抗効果素子５を積層方向に挟む配置に下部シールド兼電極層６と上部シールド兼電極層４を形成する。さらに、上部シールド兼電極層４の外側に上部シールド層１４を形成する。上部シールド層１４の上にはライトヘッドの下部磁極２を形成し、書き込み用のコイル８と上部磁極1を形成して構成されている。
【００３１】
下部シールド兼電極層６、磁気抵抗効果素子５、上部シールド兼電極層４及び上部シールド層１４がリード部を構成する。また、下部磁極２、コイル８、上部磁極1がライト部を構成する。これらの下部シールド兼電極層６、上部シールド兼電極層４、上部シールド層１４、下部磁極２は、層間にアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等の絶縁層を介在させ、順次パターン化しながら積層して形成される。なお、図７、８においては、特に明示が必要な絶縁層については図示してある。
【００３２】
まず、リード部について、図７を用いて詳細に説明する。図７は磁気ヘッド１２０を浮上面側から見た図である。リード部２０は、磁気ディスクからの磁界を受けて、磁界に応じた再生信号を生成する磁気抵抗効果素子５と当該素子の膜厚方向の両側から挟み込むように配置された上部シールド兼電極層４及び下部シールド兼電極層６を有する。さらに、上部シールド兼電極層４の外側に絶縁層３を介して配置された上部シールド層１４を有する。このように、本発明では、上部シールド兼電極層４の外側にも上部シールド層１４を形成することで、シールド効果を高めている。
【００３３】
下部シールド兼電極層６及び上部シールド兼電極層４は、再生分解能を向上させるためのギャップを形成している。つまり、磁気ディスクから磁気抵抗効果素子５に流入させるべき磁束以外の磁束を下部シールド兼電極層６及び上部シールド兼電極層４が吸収することで、磁気抵抗効果素子５に余計な磁束が流入することを防いでいる。また、下部シールド兼電極層６及び上部シールド兼電極層４は磁気抵抗効果素子５を通過した磁束を吸収する。さらに、特に図示しないが、下部シールド兼電極層６及び上部シールド兼電極層４には電流源が接続されており、センス電流が供給されている。磁気抵抗効果素子５の抵抗の変化に応じて一対の端子間の電圧が変化し、磁気ディスク９に記録された磁気情報を電圧信号として再生することができる。磁気抵抗効果素子５については図５を用いて説明したのと同様なのでその説明を省略する。
【００３４】
ライト部については、実施例１において説明したのと同様なので、その説明を省略する。
【００３５】
続いて、図８を用いて各部材の形状について述べる。浮上面から見て、下部シールド兼電極層６の形状は、幅４０〜１００μｍ、奥行き２０〜４０μｍ、厚さ１．０〜２．０μｍとなっており、上部シールド層１４の形状は、幅４０〜１００μｍ、奥行き２０〜４０μｍ、厚さ１．０〜２．０μｍとなっている。上部シールド兼電極層４の幅は、上部シールド層１４の幅よりも狭く、１０〜２０μｍとなっている。厚さもシールド層の厚さよりも小さく、２．０μｍ以下となっている。また、絶縁層３の厚さは０．２５〜０．５μｍとなっている。なお、図８において、幅とはＺ方向、厚さとはＸ方向、奥行きとはＹ方向のことである。
【００３６】
（本発明の有効性）
最後に、本発明の有効性について説明する。例えば、図９、１０に示した磁気ヘッドと比較して説明する。図９は、磁気ヘッドを浮上面に対して垂直に切った断面図であり、図１０は、磁気ヘッドを浮上面側から見た図である。図９、１０において、幅とはＺ方向、厚さとはＸ方向、奥行きとはＹ方向のことである。
【００３７】
この磁気ヘッド１２０は、アルチック（Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＣ）からなる基板７上に、磁気抵抗効果素子５を積層方向に挟む配置に下部シールド兼電極層６と上部シールド兼電極層４を形成する。上部シールド兼電極層４の上にはライトヘッドの下部磁極２を形成し、書き込み用のコイル８と上部磁極1を形成して構成されている。これらの下部シールド兼電極層６、上部シールド兼電極層４、下部磁極２は、層間にアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等の絶縁層を介在させ、順次パターン化しながら積層して形成される。
【００３８】
図３及び図９に示したように、磁気ヘッドの浮上面は磁気ディスク９と接触してしまうことがある。接触によって発生する熱は、磁気抵抗効果素子５の破壊の原因となる。ここで、素子の破壊とは、熱によってピン層２２、ピンド層２３、バリア層２６、２４が溶けて混ざってしまったり、熱によってピン層２２とピンド層２３との結合が解けてしまったりして、磁化の方向が定まらなくなってしまうことを言う。
【００３９】
図９に示した磁気ヘッドでは、磁気抵抗効果素子５を挟み込む上部シールド兼電極層４及び下部シールド兼電極層６の幅が、図３に示した上部シールド兼電極層４及び下部シールド兼電極層６の幅よりも広く、かつ、厚さも大きい。そのため、磁気ディスク９と接触する浮上面の面積が大きくなってしまい、発生する熱も大きくなる。その結果、磁気抵抗効果素子５に与える熱が大きくなってしまう。これに対し、本発明における磁気ヘッドでは、磁気抵抗効果素子５を挟み込むシールド兼電極層の幅が狭く、かつ、厚さも小さい。そのため、磁気ディスク９と接触する浮上面の面積が小さくなり、発生する熱も小さくなる。その結果、磁気抵抗効果素子５に与える熱も小さくなる。さらに、シールド兼電極層の外側には絶縁層３を介してシールド層を形成しているため、シールド層が磁気ディスク９と接触しても、熱は絶縁層３を介すため、磁気抵抗効果素子５に伝わりにくくなる。また、絶縁層はＡｌ２Ｏ３より形成されているため、ＮｉＦｅより形成されているシールド兼電極層及びシールド層と比べて磁気ディスク９との接触による熱が発生しにくい。
【００４０】
上述したように、本発明では、上部シールド兼電極層４及び下部シールド兼電極層６の少なくとも一方の外側に絶縁層を介してシールド層を形成し、シールド効果を高めた構造となっている。さらに、絶縁層を形成するＡｌ２Ｏ３はシールド層及びシールド兼電極層を形成するＮｉＦｅと比べて磁気ディスクとの接触による熱が発生しにくく、かつ熱を伝えにくい。そのため、磁気ヘッドの浮上面が磁気ディスクと接触しても、絶縁層からは熱が発生しにくく、外側の上部シールド層１４及び下部シールド層１５が磁気ディスクと接触して熱を発生しても、その熱を絶縁層が上部シールド兼電極層４及び下部シールド兼電極層６に伝えにくくする。ゆえに、磁気抵抗効果素子に流入する熱は少なくなり、素子が破壊されにくくなる。
【００４１】
以上の実施の形態は、本発明をより良く理解させるために具体的に説明したものであって、別形態を制限するものではない。従って、発明の趣旨を変更しない範囲で変更可能である。例えば、実施例２においては、上部シールド兼電極層４のみの外側にシールド層を配置する構成にしたが、下部シールド兼電極層６のみの外側にシールド層を配置する構成にしても良い。また、例えば、図１１及び図１２に示したように、絶縁層を介して配置したシールド層の外側にさらに絶縁層を介してシールド層を配置する構成にしても良い。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明の実施の形態における磁気ディスク装置を示す図である。
【図２】サスペンション、スライダ及び磁気ヘッドの位置関係を示す図である。
【図３】本発明の実施の形態における磁気ヘッドを示す断面図（その１）である。
【図４】本発明の実施の形態における磁気ヘッドを媒体側から見た図（その１）である。
【図５】磁気抵抗効果素子の構成図である。
【図６】ピンド層の構成図である。
【図７】本発明の実施の形態における磁気ヘッドを示す断面図（その２）である。
【図８】本発明の実施の形態における磁気ヘッドを媒体側から見た図（その２）である。
【図９】磁気ヘッドを示す断面図である。
【図１０】磁気ヘッドを媒体側から見た図である。
【図１１】本発明の実施の形態における磁気ヘッドを示す断面図（その３）である。
【図１２】本発明の実施の形態における磁気ヘッドを媒体側から見た図（その３）である。
【符号の説明】
【００４３】
１  上部磁極
２  下部磁極
３  絶縁層
４  上部シールド兼電極層
５  磁気抵抗効果素子
６  下部シールド兼電極層
７  基板
８  コイル
９  磁気ディスク
１０  上部電極
１１  下部電極
１４  上部シールド層
１５  下部シールド層
１８  スライダ
１９  サスペンション
２０  リード部
２１  ライト部
２２  ピン層
２３  ピンド層
２４  フリー層
２５  縦バイアス層
２６  バリア層
５０  磁気ディスク装置
５１  磁気ヘッド
１２０  磁気ヘッド
２３１  ＣｏＦｅ層
２３２  Ｒｕ層
【図１】
2008052885.tif 000003
【図２】
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【図３】
2008052885.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
2008052885.tif 000008
【図７】
2008052885.tif 000009
【図８】
2008052885.tif 000010
【図９】
2008052885.tif 000011
【図１０】
2008052885.tif 000012
【図１１】
2008052885.tif 000013
【図１２】
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