(57)【要約】【課題】半導体素子の使用温度を適正化することにより装置の演算効率の向上ができる半導体試験装置を実現する。【解決手段】基板に取り付けられた半導体素子と、この半導体素子に一面が取り付けられた第１のヒートシンクと、この第１のヒートシンクを冷却する冷却液循環パイプとを具備する半導体試験装置において、前記半導体素子に一面が取り付けられた第２のヒートシンクと、この第２のヒートシンクの他面に一面が取り付けられ他面が前記第１のヒートシンクに取り付けられたペルチェ素子とを具備したことを特徴とする半導体試験装置である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に取り付けられた半導体素子と、この半導体素子に一面が取り付けられた第１のヒートシンクと、この第１のヒートシンクを冷却する冷却液循環パイプとを具備する半導体試験装置において、
前記半導体素子に一面が取り付けられた第２のヒートシンクと、
この第２のヒートシンクの他面に一面が取り付けられ他面が前記第１のヒートシンクに取り付けられたペルチェ素子と
を具備したことを特徴とする半導体試験装置。
【請求項２】
前記第２のヒートシンクに設けられた温度センサと、
この温度センサの測定信号により前記ペルチェ素子を制御する制御手段と
を具備したことを特徴とする請求項１記載の半導体試験装置。
【請求項３】
前記制御手段は温度コントローラが使用されたこと
を特徴とする請求項２記載の半導体試験装置。
【請求項４】
前記半導体素子と前記第２のヒートシンクとの間に設けられた伝熱シート
を具備したことを特徴とする請求項１乃至請求項３の何れかに記載の半導体試験装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体素子の使用温度を適正化することにより装置の演算効率の向上ができる半導体試験装置に関するものである。
更に詳述すれば、本発明はメモリテスタ装置のテストヘッド部ピンエレクトロニクスカード冷却用ヒートシンクユニットを有する半導体試験装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体試験装置に関連する先行技術文献としては次のようなものがある。
【０００３】
【非特許文献１】横河電機株式会社発行、トレーニング用テキスト、「ＭＴ６１２１  メモリテキストシステム  メンテナンス」、２００６年２月２８日、１版、Ｐ１−７、Ｐ１−８
【非特許文献２】横河電機株式会社発行、トレーニング用テキスト、「ＭＴ６１２１  メモリテキストシステム  ＡＶｉＰＳ操作手順書」、２００６年１１月、２版、Ｐ１−７
【０００４】
図３は従来より一般に使用されている従来例の構成説明図で、（ａ）は正面図、（ｂ）は側面図、（ｃ）はヒートシンクと冷却液循環パイプが半分カットされた平面図である。
図４は冷却液システムに組み込まれた実施例の説明図である。
【０００５】
ＩＣチップ２はプリント基板１に一面が取り付けられている。
この場合は、ＩＣチップ２はプリント基板１に半田付け３されている。
伝熱シート４はＩＣチップ２の他面に一面が接続されている。
第１のヒートシンク５は、伝熱シート４の他面に一面が接続されている。
伝熱シート４は、自己粘着性により保持されている。
冷却液循環パイプ６は、第１のヒートシンク５の他面に接続されている。
【０００６】
以上の構成において、図４に示す如く、冷却液循環パイプ６には、熱交換器７を通じて冷却液が流される。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
このような装置においては、以下の間題点がある。
ＩＣチップ２の発熱は伝熱シート４を介し、冷却液循環パイプ６により冷却された第１のヒートシンク５にて吸熱され、ＩＣチップ２の目標温度の近似温度で使用される。
このため、ＩＣチップ２の個々への直接的かつ積極的な温度制御ではなく、各第１のヒートシンク５間での温度差を有したままＩＣチップ２の性能の最適温度とはやや異なる状態で使用されている。
【０００８】
本発明の目的は、上記の課題を解決するもので、伝熱シートとヒートシンクとの間にペルチェ冷却素子を組み込むことにより、ＩＣチップの温度を積極的に制御し、ＩＣチップの性能の最適化を図る半導体試験装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
このような課題を達成するために、本発明では、請求項１の半導体試験装置においては、
基板に取り付けられた半導体素子と、この半導体素子に一面が取り付けられた第１のヒートシンクと、この第１のヒートシンクを冷却する冷却液循環パイプとを具備する半導体試験装置において、前記半導体素子に一面が取り付けられた第２のヒートシンクと、この第２のヒートシンクの他面に一面が取り付けられ他面が前記第１のヒートシンクに取り付けられたペルチェ素子とを具備したことを特徴とする。
【００１０】
本発明の請求項２の半導体試験装置においては、請求項１記載の半導体試験装置において、
前記第２のヒートシンクに設けられた温度センサと、この温度センサの測定信号により前記ペルチェ素子を制御する制御手段とを具備したことを特徴とする。
【００１１】
本発明の請求項３の半導体試験装置においては、請求項２記載の半導体試験装置において、
前記制御手段は温度コントローラが使用されたことを特徴とする。
【００１２】
本発明の請求項４の半導体試験装置においては、請求項１乃至請求項３の何れかに記載の半導体試験装置において、
前記半導体素子と前記第２のヒートシンクとの間に設けられた伝熱シートを具備したことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の請求項１によれば、次のような効果がある。
半導体素子の使用温度をペルチェ素子により適正化することにより装置の演算効率の向上ができる半導体試験装置が得られる。
【００１４】
ペルチェ素子は第２のヒートシンクと第１のヒートシンクとの間に挟み込んで設けられたので、適正なヒートポンプ効果が得られると共に、ペルチェ素子の交換が容易な半導体試験装置が得られる。
【００１５】
本発明の請求項２によれば、次のような効果がある。
第２のヒートシンクに設けられた温度センサと、温度センサの測定信号によりペルチェ素子を制御する制御手段とが設けられたので、より半導体素子の使用温度を適正化することにより装置の演算効率の向上ができる半導体試験装置が得られる。
【００１６】
本発明の請求項３によれば、次のような効果がある。
制御手段は温度コントローラが使用されたので、直接にペルチェ素子の温度コントロールができ、安価な半導体試験装置が得られる。
【００１７】
本発明の請求項４によれば、次のような効果がある。
伝熱シートが半導体素子と第２のヒートシンクとの間に設けられたので、高さの異なる半導体素子をグループ的にまとめて、半導体素子の使用温度を適正化でき、装置の演算効率の向上ができると共に、安価にできる半導体試験装置が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下本発明を図面を用いて詳細に説明する。
図１は本発明の一実施例の要部構成説明図で、（ａ）は正面図、（ｂ）は側面図、（ｃ）はヒートシンクと冷却液循環パイプが半分カットされた平面図である。
図２は冷却液システムに組み込まれた実施例の説明図である。
図において、図３と同一記号の構成は同一機能を表す。
以下、図３との相違部分のみ説明する。
【００１９】
図１において、ＩＣチップ１２はプリント基板１１に一面が取り付けられている。
この場合は、ＩＣチップ１２はプリント基板１１に半田付け１３されている。
伝熱シート１４はＩＣチップ１２の他面に一面が接続されている。
第２のヒートシンク１５は、伝熱シート１４の他面に一面が接続されている。
【００２０】
伝熱シート１４は、自己粘着性により保持されている。
ペルチェ素子１６は、ヒートシンク内に設けられている。
この場合は、ペルチェ素子１６は、第２のヒートシンク１５と第１のヒートシンク１７との間に挟み込んで設けられている。
【００２１】
温度センサ１８は、第２のヒートシンク１５に設けられている。
制御手段１９は、温度センサ１８の測定信号により、ペルチェ素子１６を制御する。
この場合は、制御手段１９は温度コントローラ１９１が使用されている。
冷却液循環パイプ２１は、第１のヒートシンク１７の他面に接続されている。
【００２２】
以上の構成において、図２に示す如く、冷却液循環パイプ２１には、熱交換器２２を通じて冷却液が流される。
温度センサ１８で温度のモニタリングを行い、第２のヒートシンク１５を所定の目的温度になる様に温度制御を行う。
【００２３】
この結果、ＩＣチップ１２の使用温度をペルチェ素子１６により適正化することにより装置の演算効率の向上ができる半導体試験装置が得られる。
【００２４】
ペルチェ素子１６は第２のヒートシンク１５と第１のヒートシンク１７との間に挟み込んで設けられたので、適正なヒートポンプ効果が得られると共に、ペルチェ素子１６の交換が容易な半導体試験装置が得られる。
【００２５】
第２のヒートシンク１７に設けられた温度センサ１８と、温度センサ１８の測定信号によりペルチェ素子１６を制御する制御手段１９とが設けられたので、よりＩＣチップ１２の使用温度を適正化することにより装置の演算効率の向上ができる半導体試験装置が得られる。
【００２６】
制御手段１９は温度コントローラ１９１が使用されたので、直接にペルチェ素子１６の温度コントロールができ、安価な半導体試験装置が得られる。
【００２７】
伝熱シート１４がＩＣチップ１２と第２のヒートシンク１５との間に設けられたので、高さの異なるＩＣチップ１２をグループ的にまとめて、ＩＣチップ１２の使用温度を適正化でき、装置の演算効率の向上ができると共に、安価にできる半導体試験装置が得られる。
【００２８】
なお、ＩＣチップ１２の適正温度が異なる場合でも、個々の温度制御ができ、各ＩＣチップ１２の最適化による性能向上を見込むことができる半導体試験装置が得られる。
また、温度制御を行わない場合、温度差によるペルチェ素子１６の発電効果（ゼーベック効果）により装置内の電力消費に還元することで省電力効果を求めることができる。
【００２９】
なお、以上の説明は、本発明の説明および例示を目的として特定の好適な実施例を示したに過ぎない。
したがって本発明は、上記実施例に限定されることなく、その本質から逸脱しない範囲で更に多くの変更、変形をも含むものである。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本発明の一実施例の要部構成説明図である。
【図２】図１が冷却液システムに組み込まれた実施例の説明図である。
【図３】従来より一般に使用されている従来例の構成説明図である。
【図４】図３が冷却液システムに組み込まれた実施例の説明図である。
【符号の説明】
【００３１】
１      プリント基板
２      ＩＣチップ
３      半田付け
４      伝熱シート
５      第１のヒートシンク
６      冷却液循環パイプ
７      熱交換器
１１    プリント基板
１２    ＩＣチップ
１３    半田付け
１４    伝熱シート
１５    第２のヒートシンク
１６    ペルチェ素子
１７    第１のヒートシンク
１８    温度センサ
１９    制御手段
１９１  温度コントローラ
２１    冷却液循環パイプ
２２    熱交換器
【図１】
2008216088.tif 000003
【図２】
2008216088.tif 000004
【図３】
2008216088.tif 000005
【図４】
2008216088.tif 000006