(57)【要約】【課題】本発明は、低コストで生産され、かつ、充分に静電破壊防止やノイズ抑制を図ることができるサスペンション用基板を提供することを主目的とするものである。【解決手段】本発明は、金属基板と、上記金属基板上に形成され、上記金属基板が露出する開口部を有する絶縁層と、上記絶縁層上に形成され、かつ、上記開口部近傍に配置された接地用配線層と、上記開口部に形成され、上記金属基板および上記接地用配線層に接触するグランド端子と、を有するサスペンション用基板であって、上記グランド端子が、融点４５０℃以下の金属から形成されていることを特徴とするサスペンション用基板を提供することにより、上記課題を解決する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属基板と、前記金属基板上に形成され、前記金属基板が露出する開口部を有する絶縁層と、前記絶縁層上に形成され、かつ、前記開口部近傍に配置された接地用配線層と、前記開口部に形成され、前記金属基板および前記接地用配線層に接触するグランド端子と、を有するサスペンション用基板であって、
前記グランド端子が、融点４５０℃以下の金属から形成されていることを特徴とするサスペンション用基板。
【請求項２】
前記グランド端子が、平面視上、前記開口部の領域内に頂点を有する凸部形状を有していることを特徴とする請求項１に記載のサスペンション用基板。
【請求項３】
前記グランド端子を形成する金属が、鉛フリーはんだであることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のサスペンション用基板。
【請求項４】
前記接地用配線層が、平面視上、前記開口部を囲むように形成され、かつ、前記接地用配線層が、前記グランド端子を形成する際に生じるエア溜りを抑制するエアベント部を有していることを特徴とする請求項１から請求項３までのいずれかの請求項に記載のサスペンション用基板。
【請求項５】
前記開口部近傍での前記接地用配線層の形状が、ライン状であることを特徴とする請求項１から請求項３までのいずれかの請求項に記載のサスペンション用基板。
【請求項６】
前記グランド端子が、前記開口部の端部で囲まれた領域の内部のみに形成されていることを特徴とする請求項１から請求項５までのいずれかの請求項に記載のサスペンション用基板。
【請求項７】
前記グランド端子と前記金属基板との接合界面に、金属間化合物層が形成されていることを特徴とする請求項１から請求項６までのいずれかの請求項に記載のサスペンション用基板。
【請求項８】
金属基板と、前記金属基板上に形成され、前記金属基板が露出する開口部を有する絶縁層と、前記絶縁層上に形成され、かつ、前記開口部近傍に配置された接地用配線層と、を有する基板形成用部材を用い、
前記開口部に、融点４５０℃以下の金属を溶融した状態で定量的に滴下することにより、前記金属基板および前記接地用配線層に接触するグランド端子を形成するグランド端子形成工程を有することを特徴とするサスペンション用基板の製造方法。
【請求項９】
前記金属を溶融した状態で定量的に滴下する滴下方法が、所定の直径を有する金属ボールを用い、前記金属ボールを順次溶融させて滴下する方法であることを特徴とする請求項８に記載のサスペンション用基板の製造方法。
【請求項１０】
前記金属を溶融した状態で滴下する際に、溶融した金属の径が、前記開口部の径よりも小さいことを特徴とする請求項８または請求項９に記載のサスペンション用基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、低コストで生産され、かつ、充分に静電破壊防止やノイズ抑制を図ることができるサスペンション用基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、インターネットの普及等によりパーソナルコンピュータの情報処理量の増大や情報処理速度の高速化が要求されてきており、それに伴って、パーソナルコンピュータに組み込まれているハードディスクドライブ（ＨＤＤ）も大容量化や情報伝達速度の高速化が必要となってきている。そして、このＨＤＤに用いられる磁気ヘッドを支持している磁気ヘッドサスペンションと呼ばれる部品も、従来の金ワイヤ等の信号線を接続するタイプから、ステンレスのばねに直接銅配線等の信号線が形成されている、いわゆるワイヤレスサスペンションと呼ばれる配線一体型のものに移行している。
【０００３】
最近では、携帯用途を初めとする各種小型機器に搭載するＨＤＤへの要求が増加してきており、そのためＨＤＤが高密度化すると共に磁気ヘッドの小型化が進み、磁気ヘッドはその高感度化により、静電気の帯電による影響を受け易くなっている。したがって、スライダーに溜まる電荷により、小型の磁気ヘッド素子の特性が変化したり、最悪の場合は破壊するという問題があった。
【０００４】
また、別の問題として、ＨＤＤの信号伝達速度および精度を向上させるために、近年、より高周波数の電気信号が用いられる傾向があるが、周波数が高くなるにつれ、送信される電気信号のノイズが増加するという問題があった。ノイズの発生原因は、金属基板と配線層との電位差によるものだと考えられている。
【０００５】
これらの問題に対して、例えば特許文献１においては、磁気ヘッドの静電破壊防止のために、磁気ヘッドとサスペンションとの間に導電性樹脂を用いて電気的接続を行うこと、およびサスペンション側の接地（アース）電極を銅等の導電性材料をスパッタリング法、めっき法、または蒸着法等により形成すること等を開示している。
【０００６】
また、例えば特許文献２においては、ノイズ発生を抑制するために、配線付きサスペンション上に配線とサスペンション用基板とを短絡させるグランド端子を設けることを開示している。そのグランド端子の形成プロセスにおいては、アディティブ法を用いているため、ドライプロセスによる給電層形成工程、および電解めっき法による配線層形成工程が必要であった。
【０００７】
上記の従来技術によると、接地電極やグランド端子の形成時に、スパッタリング法、めっき法、蒸着法といった比較的時間を要するプロセスを行う必要があった。そのため、生産性が低く、またコスト的にも高くなるといった問題があった。
【０００８】
【特許文献１】特開平８−１１１０１５号公報
【特許文献２】特開２００６−１２２０５公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、低コストで生産され、かつ、充分に静電破壊防止やノイズ抑制を図ることができるサスペンション用基板を提供することを主目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するために、本発明においては、金属基板と、上記金属基板上に形成され、上記金属基板が露出する開口部を有する絶縁層と、上記絶縁層上に形成され、かつ、上記開口部近傍に配置された接地用配線層と、上記開口部に形成され、上記金属基板および上記接地用配線層に接触するグランド端子と、を有するサスペンション用基板であって、上記グランド端子が、融点４５０℃以下の金属から形成されていることを特徴とするサスペンション用基板を提供する。
【００１１】
本発明によれば、グランド端子を形成するために用いられる金属の融点もしくは液相点が比較的低いことから、容易にグランド端子を形成することができるという利点を有する。
【００１２】
上記発明においては、上記グランド端子が、平面視上、上記開口部の領域内に頂点を有する凸部形状を有していることが好ましい。このような形状のグランド端子は、例えば、融点４５０℃以下の金属を溶融した状態で定量的に滴下する方法により形成することができ、この方法は低コスト化や工程の簡略化を図ることが容易だからである。
【００１３】
上記発明においては、上記グランド端子を形成する金属が、鉛フリーはんだであることが好ましい。環境への負荷を低減できるからである。
【００１４】
上記発明においては、上記接地用配線層が、平面視上、上記開口部を囲むように形成され、かつ、上記接地用配線層が、上記グランド端子を形成する際に生じるエア溜りを抑制するエアベント部を有していることが好ましい。エア溜りの発生を抑制することで、グランド端子と金属基板との接触面積を充分に大きくすることができるからである。
【００１５】
上記発明においては、上記開口部近傍での上記接地用配線層の形状が、ライン状であることが好ましい。エア溜まりが発生しにくいからである。
【００１６】
上記発明においては、上記グランド端子が、上記開口部の端部で囲まれた領域の内部のみに形成されていることが好ましい。開口部近傍に配置された接地用配線層を小型化することができ、省スペースや軽量化を図ることができるからである。
【００１７】
上記発明においては、上記グランド端子と上記金属基板との接合界面に、金属間化合物層が形成されていることが好ましい。グランド端子と金属基板との電気的接続がより良好になり、電気抵抗が低くなるからである。
【００１８】
本発明においては、金属基板と、上記金属基板上に形成され、上記金属基板が露出する開口部を有する絶縁層と、上記絶縁層上に形成され、かつ、上記開口部近傍に配置された接地用配線層と、を有する基板形成用部材を用い、上記開口部に、融点４５０℃以下の金属を溶融した状態で定量的に滴下することにより、上記金属基板および上記接地用配線層に接触するグランド端子を形成するグランド端子形成工程を有することを特徴とするサスペンション用基板の製造方法を提供する。
【００１９】
本発明によれば、溶融した金属を開口部に滴下しグランド端子を形成することにより、低コスト化や工程の簡略化を図ることができる。
【００２０】
上記発明においては、上記金属を溶融した状態で定量的に滴下する滴下方法が、所定の直径を有する金属ボールを用い、上記金属ボールを順次溶融させて滴下する方法であることが好ましい。原料となる金属ボールの直径を適宜選択することで、溶融した金属の滴下量を自由に調整することができるからである。
【００２１】
上記発明においては、上記金属を溶融した状態で滴下する際に、溶融した金属の径が、上記開口部の径よりも小さいことが好ましい。溶融した金属の径を、開口部の径よりも小さくすることで、溶融した金属をより確実に着弾させることができるからである。
【発明の効果】
【００２２】
本発明においては、低コストで生産され、かつ、充分に静電破壊防止やノイズ抑制を図ることができるサスペンション用基板を提供することができるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、本発明のサスペンション用基板およびその製造方法について詳細に説明する。
【００２４】
Ａ．サスペンション用基板
まず、本発明のサスペンション用基板について説明する。本発明のサスペンション用基板は、金属基板と、上記金属基板上に形成され、上記金属基板が露出する開口部を有する絶縁層と、上記絶縁層上に形成され、かつ、上記開口部近傍に配置された接地用配線層と、上記開口部に形成され、上記金属基板および上記接地用配線層に接触するグランド端子と、を有するサスペンション用基板であって、上記グランド端子が、融点４５０℃以下の金属から形成されていることを特徴とするものである。
【００２５】
本発明によれば、グランド端子を形成するために用いられる金属の融点が比較的低いことから、容易にグランド端子を形成することができるという利点を有する。また、従来のスパッタリング法、蒸着法、めっき法等で形成されるグランド端子は、比較的時間を要するプロセスを経るため、生産性が低く、コスト的にも高くなるといった問題があったが、本発明においては、例えば後述するように、溶融した金属を開口部に滴下することで、容易にグランド端子を形成することができる。
【００２６】
次に、本発明のサスペンション用基板について図面を用いて説明する。図１は、本発明のサスペンション用基板の一例を示す概略平面図であり、より具体的には、磁気ヘッドスライダーが搭載される先端部を拡大して示す概略平面図である。図１に示されたサスペンション用基板は、バネ性を有する金属基板１としてのＳＵＳ上に、絶縁層２としてのポリイミドを介して、Ｃｕからなるパターン状の配線層（接地用配線層３ａ、書込み用配線層３ｂ、読出し用配線層３ｃ）が形成された構造を有している。さらに、図１に示されるサスペンション用基板は、金属基板１と接地用配線層３ａとを導通させるグランド端子４を有している。
【００２７】
図２は、図１のＸ−Ｘ断面図である。図２に示すように、本発明のサスペンション用基板は、金属基板１と、金属基板１上に形成され、金属基板１が露出する開口部５を有する絶縁層２と、絶縁層２上に形成され、かつ、開口部５近傍に配置された接地用配線層３ａと、開口部５に形成され、金属基板１および接地用配線層３ａに接触するグランド端子４と、を有するものである。本発明においては、グランド端子４が、特定の融点を有する金属から形成されていることを特徴とする。
【００２８】
また本発明においては、図２に示すように、平面視上（図２の方向Ａ）、グランド端子４が、開口部５の領域内に頂点を有する凸部形状を有していることが好ましい。このような形状のグランド端子は、例えば、溶融した金属を開口部に滴下する方法により形成することができ、この方法は低コスト化や工程の簡略化を図ることが容易だからである。通常、溶融した金属を開口部に滴下すると、着弾後に、溶融した金属がフローするため、着弾地点を頂点とする凸部形状が形成される。また、別の表現で表すと、上記グランド端子は、融点４５０℃以下の金属を溶融した状態で定量的に滴下することにより形成されたものであることが好ましい。一方、本発明におけるグランド端子をめっき法により形成すると、図３に示すように、グランド端子４の形状は、開口部５の中心付近に凹部を有するものとなる。
以下、本発明のサスペンション用基板について、構成ごとに説明する。
【００２９】
１．グランド端子
まず、本発明に用いられるグランド端子について説明する。本発明に用いられるグランド端子は、後述する開口部に形成され、金属基板および接地用配線層に接触し、両者を導通させる機能を有するものである。さらに、本発明に用いられるグランド端子は、融点４５０℃以下の金属から形成されていることを特徴とする。中でも、上記金属の融点は３５０℃以下、特に２５０℃以下であることが好ましい。上記金属の融点が低ければ、金属の溶融が容易となり、簡便にグランド端子を形成することができるからである。
【００３０】
なお、本発明において「融点」とは、一定圧力のもとで固相状態の物質が液相と平衡を保つときの温度をいい、融解点ともいう。なお、単体金属若しくは、２種以上の成分で共晶組成（２成分以上を含む液体から、同時に晶出する２種以上の結晶の混合物）の場合、融点は凝固点（液体が固体化する温度）と一致する。また、平衡を保って共存する２種以上の成分からなる共晶組成ではない金属の場合、平衡を保って共存する２種以上の成分からなる液体および固体の組成と、温度すなわち融点との関係を表わす状態図を見た場合、縦軸に温度(融点)、横軸に組成(成分の割合)をとって、液相と固相とが平衡を保つ温度を液相の組成について描くと液相線(liquidus)が得られるが、ここでの液相点のことを融点とする。
また、上記金属の融点の下限は、常温（２５℃）で固体であれば特に限定されるものではないが、通常１００℃以上である。
【００３１】
上記金属の融点は、ＪＩＳ  Ｚ３１９８−１に準拠し、示差熱分析（ＤＴＡ）もしくは示差走査熱量測定（ＤＳＣ）により測定することができる。熱分析装置としては、例えばリガク社製ＤＳＣ８２３０、ＴＧ８１２０等を挙げることができる。
【００３２】
本発明に用いられる金属は、上述した融点以下の金属であれば、単体金属であっても良く、合金であっても良いが、中でも本発明においては、上記金属が合金であることが好ましい。低融点の金属を混ぜることで、融点の低い合金を容易に得ることができ、幅広い種類の金属を用いることができるからである。
【００３３】
上記合金としては、上述した融点以下の合金であれば特に限定されるものではないが、具体的には、スズ（Ｓｎ）、鉛（Ｐｂ）、亜鉛（Ｚｎ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、インジウム（Ｉｎ）、ビスマス（Ｂｉ）、アンチモン（Ｓｂ）、ニッケル（Ｎｉ）およびゲルマニウム（Ｇｅ）からなる群から選択される少なくとも２種類以上の金属を含む合金等を挙げることができる。中でも、本発明においては、上記合金がスズ（Ｓｎ）、鉛（Ｐｂ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）およびビスマス（Ｂｉ）からなる群から選択される少なくとも２種類以上の金属を含む合金であることが好ましい。
【００３４】
また、本発明においては、上記合金として、はんだを用いることが好ましい。なお、はんだは、一般的に、鉛含有はんだと、鉛フリーはんだとに大別することができる。本発明において、鉛含有はんだとは、鉛（Ｐｂ）およびスズ（Ｓｎ）を主成分とし、融点が上述した温度以下の溶融材をいうこととする。鉛フリーはんだとは、鉛（Ｐｂ）を含まずスズ（Ｓｎ）を主成分とし、融点が上述した温度以下の溶融材をいうこととする。中でも、本発明においては、上記合金として、鉛フリーはんだを用いることが好ましい。環境への負荷を低減できるからである。
【００３５】
上記鉛フリーはんだとしては、具体的には、Ｓｎ−Ｓｂ系、Ｓｎ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ｃｕ−Ｎｉ系、Ｓｎ−Ａｇ系、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ−Ｂｉ系、Ｓｎ−Ｚｎ系、Ｓｎ−Ａｇ−Ｉｎ−Ｂｉ系、Ｓｎ−Ｚｎ系、Ｓｎ−Ｂｉ系、およびＳｎ−Ｉｎ系、Ｓｎ−Ｓｂ系のはんだ等を挙げることができる。
【００３６】
上記鉛含はんだとしては、具体的には、Ｓｎ−Ｐｂ系、Ｓｎ−Ａｇ−Ｐｂ系、Ｓｎ−Ｐｂ−Ｂｉ系、Ｓｎ−Ｓｂ−Ｐｂ系、Ｓｎ−Ａｇ−Ｓｂ−Ｐｂ系のはんだ等を挙げることができる。
【００３７】
一方、上記単体金属としては、上述した融点以下の金属であれば特に限定されるものではないが、例えばスズ（Ｓｎ）および鉛（Ｐｂ）等を挙げることができる。
【００３８】
上記グランド端子の形状としては、金属基板と接地用配線層とを導通させることができれば特に限定されるものではない。上記グランド端子の形状は、後述する開口部の形状等により異なるものである。
【００３９】
上記グランド端子の抵抗値としては、特に限定されるものではないが、例えば、５Ω以下、中でも１Ω以下、特に０．５Ω以下であることが好ましい。
【００４０】
本発明においては低融点の金属を溶融させ、絶縁層の開口部に滴下することによりグランド端子を形成する場合は、ＳＵＳ等の金属表面に形成された金属酸化物膜を除去するために、フラックス処理を行っても良い。なお、このようなフラックス処理は、グランド端子をめっき法等で形成する場合には行われないものである。そのため、フラックス残渣の存在を調べることで、グランド端子がめっき法等により製造されたものか否かを判断することができる。なお、フラックス残渣の存在は、イオンクロマトグラフィー、ＡＥＳ(Atomic Emission Spectroscopy)およびＸＰＳ(X-ray Photoelectron Spectroscopy)により確認することができる。
【００４１】
また、本発明においては、上記グランド端子が、上記開口部の端部で囲まれた領域の内部のみに形成されていることが好ましい。開口部近傍に配置された接地用配線層を小型化することができ、省スペースや軽量化を図ることができるからである。また、グランド端子近傍の軽量化を図ることができれば、金属基板の薄型化を図ることも可能となる。
【００４２】
具体的には、図４（ａ）に示すように、グランド端子４が、開口部５の端部Ｂで囲まれた領域の内部のみに形成されたもの等を挙げることができる。なお、本発明においては、図４（ｂ）に示すように、接地用配線層３ａが、開口部５よりも小さい開口を有するものであっても良い。また、接合信頼性を向上させる観点からは、グランド端子が開口部を満たすように形成されていることが好ましい。一方、軽量化の観点からは、グランド端子が開口部を一部満たさないように形成されていても良い。
【００４３】
なお、このようなグランド端子の形成方法としては、例えば、後述する「Ｂ．サスペンション用基板の製造方法」に記載するように、金属を溶融した状態で開口部に滴下する際に、溶融した金属の径を、開口部の径よりも小さくする方法等を挙げることができる。
【００４４】
また、本発明においては、上記グランド端子と上記金属基板との接合界面に、金属間化合物層が形成されていることが好ましい。グランド端子と金属基板との電気的接続がより良好になり、電気抵抗が低くなるからである。具体的には、図５に示すように、グランド端子４と金属基板１との接合界面に、金属間化合物層２１が形成されているもの等を挙げることができる。
【００４５】
上記金属間化合物層は、通常、グランド端子を構成する金属と、金属基板を構成する金属との両方の成分を有するものである。例えば、グランド端子を構成する金属としてCu,Auを用いて、金属基板としてＳＵＳ３０４を用いた場合、金属間化合物層は、Cu元素、Au元素、Sn元素等を有する。
また、金属間化合物層の組成は、例えば断面をEDXもしくは、AESにより測定することができる。
上記金属間化合物層の膜厚としては、グランド端子と金属基板との電気的接続性を向上できれば特に限定されるものではないが、例えば０．１μｍ〜５．０μｍの範囲内、中でも１．０μｍ〜３．０μｍの範囲内であることが好ましい。
【００４６】
なお、このような金属間化合物層の形成方法としては、例えば、後述する「Ｂ．サスペンション用基板の製造方法」に記載するように、露出する金属基板に対して酸化膜除去を行い、その後、洗浄後の金属基板の表面に金属酸化物膜が形成される前までに、溶融した金属と、露出する金属基板とを接触させる方法等を挙げることができる。
【００４７】
２．絶縁層および接地用配線層
次に、本発明に用いられる絶縁層および接地用配線層について説明する。本発明に用いられる絶縁層は、金属基板上に形成され、金属基板が露出する開口部を有するものである。一方、本発明に用いられる接地用配線層は、絶縁層上に形成され、かつ、開口部近傍に配置されるものである。
【００４８】
本発明に用いられる絶縁層は、グランド端子が形成される位置に、金属基板が露出する開口部を有する。上記開口部の形状としては、グランド端子が金属基板と接地用配線層とを導通させることができる形状であれば特に限定されるものではないが、例えば、円状；楕円状；四角形、五角形等の任意の多角形状、櫛状、十字状および棒状等を挙げることができる。なお、開口部の形状としては、円状が一般的である。開口部の形状が円である場合、その直径は、通常５０μｍ〜３００μｍ程度である。
【００４９】
上記開口部の位置としては、グランド端子が金属基板と接地用配線層とを導通させることができる位置であれば、特に限定されるものではなく、任意の場所に形成可能である。例えば、上述した図１に示すように、磁気ヘッドスライダーが搭載される、サスペンション用基板の先端部に設けても良く、図６に示すように、サスペンション用基板の先端部以外の部分に設けても良い。図６においては、接地用配線層３ａが、書込み用配線層３ｂと読出し用配線層３ｃとの間に形成され、その接地用配線層３ａが形成された絶縁層２の領域内に、開口部５が設けられている。
【００５０】
一方、本発明に用いられる接地用配線層は、絶縁層上に形成され、かつ、開口部近傍に配置されるものである。本発明においては、接地用配線層と金属基板とを、グランド端子を介して導通させる。なお「開口部近傍」とは、グランド端子を介して、実質的に開口部と接地することができる位置をいう。例えば、開口部の端部から５０μｍの範囲内の領域をいう。
【００５１】
上記接地用配線層の形状は、グランド端子を介して、金属基板と導通することができる形状であれば特に限定されるものではなく、任意の形状に設定することができる。通常、上記接地用配線層は、平面視上、開口部を囲むように形成される。具体的には、図７に示すように、接地用配線層３ａが、平面視上、絶縁層２に形成された開口部５を囲むように形成される。
【００５２】
なお上記のように、接地用配線層が、平面視上、開口部を囲むように形成される場合であって、かつ、後述するように、低融点の金属を溶融させ、開口部に滴下することによりグランド端子を形成する場合には、滴下の際にエアの逃げ場が無くなり、エア溜りが発生し、その結果、グランド端子と金属基板との接触が不充分になる可能性がある。具体的には、図８に示すように、エア溜り６が発生し、グランド端子４と金属基板１との接触が不充分になる可能性がある。
【００５３】
そのため、上記のような場合は、接地用配線層および絶縁層の少なくとも一方が、上記グランド端子を形成する際に生じるエア溜りを抑制するエアベント部を有していることが好ましい。エア溜りの発生を抑制することで、グランド端子と金属基板との接触面積を充分に大きくすることができるからである。エアベント部を有する接地用配線層の一例としては、例えば図９（ａ）に示すように、エアベント部７を有する接地用配線層３ａ等を挙げることができる。同様に、接地用配線層３ａおよび絶縁層２の両方が、エアベント部７を有しても良く（図９（ｂ））、絶縁層のみがエアベント部を有していても良い（図示せず）。なお、接地用配線層が銅からなる場合は、２０μｍ〜５０μｍ程度のエアベント部を設けることができる。また、接地用配線層または絶縁層は、複数のエアベント部を有していても良い。
【００５４】
また、本発明においては、上記接地用配線層を、平面視上、開口部を囲むように形成しなくても良い。具体的には、図１０（ａ）に示すように、接地用配線層３ａを、単に開口部５の近傍に形成した場合であっても良い。すなわち、開口部近傍での接地用配線層の形状はライン状であっても良い。このような場合であっても、図１０（ｂ）に示すように、グランド端子４は、接地用配線層３ａと金属基板１とを充分に導通させることができる。この場合、接地用配線層または絶縁層に、上述したエアベント部を設ける必要はない。また、図１１（ａ）に示すように、複数のライン状の接地用配線層３ａが、開口部５の近傍に形成されていても良い。これにより、接合信頼性を向上させることができる。一方、図１１（ｂ）に示すように、平面視上、開口部５と接するように、ライン状の接地用配線層３ａを形成しても良い。これにより、開口部の位置の設計自由度を向上させることができる。
【００５５】
また、本発明においては、図１２（ａ）に示すように、接地用配線層３ａが、開口部５よりも小さい開口を有していても良く、図１２（ｂ）に示すように、接地用配線層３ａが、開口部５と同じ大きさの開口を有していても良く、図１２（ｃ）に示すように、接地用配線層３ａが、開口部５よりも大きい開口を有していても良い。
【００５６】
本発明においては、後述するように、開口部に融点４５０℃以下の金属を溶融した状態で定量的に滴下することにより、金属基板および接地用配線層に接触するグランド端子を形成することができる（後述する図１６参照）。この場合、従来のめっき法等でグランド端子を形成する方法と比較して、接地用配線層を小型化することができ、省スペースや軽量化を図ることができる。なお、絶縁層の劣化を防止するという観点からは、グランド端子と絶縁層とが接触しないように、接地用配線層を形成することが好ましい。ここで、図１３に示すように、開口部５の端部と、開口部５から離れた側における接地用配線層３ａの端部との距離を、距離Ｃとする。本発明においては、上記の方法を用いてグランド端子を形成する場合は、従来のめっき法等と比較して接地用配線層を小型化することができる。この場合、距離Ｃを７５μｍ以下、中でも５０μｍ以下とすることが可能である。
【００５７】
さらに、本発明においては、後述するように、金属を溶融した状態で開口部に滴下する際に、溶融した金属の径を、開口部の径よりも小さくすることが好ましい（後述する図１７参照）。開口部近傍に配置された接地用配線層をさらに小型化することができるからである。この場合、距離Ｃを４０μｍ以下、中でも３０μｍ以下とすることが可能である。一方、距離Ｃは、接地用配線層の機械的強度を確保する観点から、通常２０μｍ以上である。
【００５８】
上記絶縁層の厚みとしては、所望の絶縁性を発揮することができれば、特に限定されるものではないが、通常５μｍ〜１０μｍ程度である。一方、上記接地用配線層の厚みとしては、所望の導電性を発揮することができれば、特に限定されるものではないが、通常６μｍ〜１８μｍ程度である。
【００５９】
上記絶縁層の材料としては、例えばポリイミド（ＰＩ）等を挙げることができる。一方、上記接地用配線層の材料としては、例えば銅（Ｃｕ）等を挙げることができる。さらに、上記接地用配線層には、ニッケル（Ｎｉ）や金（Ａｕ）でめっき処理がなされていても良い。特に金（Ａｕ）めっき処理を行うと、はんだと接地用配線層との接合性が高まるが、金めっき厚が厚いと、はんだとの接合界面にて、脆いめっきのＡｕとはんだのＳｎが相互拡散し、非常に脆いＡｕ−Ｓｕの金属間化合物が生成したり、相互の金属の拡散速度の違いによるカーケンダルボイドが生成し、接合状態が不安定になることがあるので、好ましい金めっき厚は、０．５μｍ以下、より好ましくは、０．１μｍ〜０．２μｍ程度である。
【００６０】
３．金属基板
次に、本発明に用いられる金属基板について説明する。本発明に用いられる金属基板は、導電性を有するものであれば特に限定されるものではない。本発明のサスペンション用基板は、サスペンション用途に用いられるため、通常、金属基板は、適度なばね性を有している。
【００６１】
本発明においては、上記金属基板が、開口部が形成される表面側に、導電層を有していることが好ましい。導電層を設けることにより、グランド端子による導通がより効率的になるからである。上記導電層の材料としては、具体的には、銅（Ｃｕ）等を挙げることができる。上記導電層は、例えばめっき法等により形成することができる。
【００６２】
上記金属基板の厚さとしては、金属基板の材料等により異なり、特に限定されるものではないが、通常５μｍ〜２０μｍの範囲内である。また、上記金属基板の材料としては、例えばＳＵＳ等を挙げることができる。
【００６３】
４．その他
本発明のサスペンション用基板は、上述した金属基板、開口部を有する絶縁層、接地用配線層およびグランド端子を少なくとも有するものである。さらに、通常、本発明のサスペンション用基板は、接地用配線層上にカバーレイ（ＣＬ）を有する。本発明においては、図１４（ａ）に示すように、接地用配線層３ａの一部を覆うように、カバーレイ８が形成されていても良く、図１４（ｂ）に示すように、接地用配線層３ａを覆わないようにカバーレイ８が形成されていても良い。なお、前者はいわゆるＳＭＤ（solder mask defined）に該当し、後者はいわゆるＮＳＭＤ（Non-solder mask defined）に該当する。上記カバーレイの厚みとしては、特に限定されるものではないが、通常５μｍ〜３０μｍ程度であり、中でも５μｍ〜１５μｍの範囲内であることが好ましい。上記カバーレイの材料としては、特に限定されるものではなく、一般的なフレキシブル基板等に用いられるカバーレイと同様のものを用いることができる。
【００６４】
図１５は、本発明におけるグランド端子周辺の構造を例示する概略平面図である。図１５（ａ）は、カバーレイ８が接地用配線層３ａを覆わないＮＳＭＤ型のグランド端子４を示し、接地用配線層３ａの開口に沿ってグランド端子４が形成される。図１５（ｂ）は、カバーレイ（接地用配線層用カバーレイ）８が接地用配線層３ａの一部を覆うＳＭＤ型のグランド端子４を示し、エアベント部７、接地用配線層用カバーレイ８および絶縁層用カバーレイ８´を有するものである。この場合、接地用配線層用カバーレイ８の開口に沿ってグランド端子４が形成される。図１５（ｃ）は、カバーレイ８が接地用配線層３ａの一部を覆うＳＭＤ型のグランド端子４を示し、ライン状の接地用配線層３ａを有するものである。この場合、カバーレイ８の開口に沿ってグランド端子４が形成される。図１５（ｄ）は、カバーレイ８が接地用配線層３ａの一部を覆わないＮＳＭＤ型のグランド端子４を示し、エアベント部７を有するものである。この場合、接地用配線層３ａの開口に沿ってグランド端子４が形成される。
【００６５】
また、本発明のサスペンション用基板は、上述した接地用配線層の他に、通常、書込み用配線層および読出し用配線層を有する。書込み用配線層および読出し配線層は、上述した接地用配線層と同じ材料から形成されていても良く、異なる材料から形成されていても良いが、通常、同じ材料から形成される。コストの低減を図ることができるからである。
【００６６】
本発明のサスペンション用基板の用途としては、特に限定されるものではないが、例えばハードディスクドライブ（ＨＤＤ）の磁気ヘッドサスペンション等に用いられる。
【００６７】
Ｂ．サスペンション用基板の製造方法
次に、本発明のサスペンション用基板の製造方法について説明する。本発明のサスペンション用基板の製造方法は、金属基板と、上記金属基板上に形成され、上記金属基板が露出する開口部を有する絶縁層と、上記絶縁層上に形成され、かつ、上記開口部近傍に配置された接地用配線層と、を有する基板形成用部材を用い、上記開口部に、融点４５０℃以下の金属を溶融した状態で定量的に滴下することにより、上記金属基板および上記接地用配線層に接触するグランド端子を形成するグランド端子形成工程を有することを特徴とするものである。
【００６８】
本発明によれば、溶融した金属を開口部に滴下しグランド端子を形成することにより、低コスト化や工程の簡略化を図ることができる。例えば、従来のめっき法によりグランド端子を形成する場合は、ドライフィルムをラミネートする工程、ドライフィルムを露光する工程、露光後のドライフィルムを現像する工程、グランド端子を形成する開口部のＳＵＳ表面の酸化膜を除去する工程、開口部にめっきを行う工程、ドライフィルムを剥離する工程等の多くの工程が必要であった。さらに、微小な開口部にめっきをするために、その他の多くの領域にマスクをする必要があり、非常に効率の悪い作業であった。これに対して、本発明においては、溶融した金属を滴下する工程と、必要に応じて行われる、金属基板の前処理工程のみでグランド端子を形成することができ、低コスト化や工程の簡略化を図ることができる。
【００６９】
さらに、本発明においては、金属を溶融するために加熱が必要であるが、グランド端子形成前のサスペンション用基板（基板形成用部材）に対しては、原則的に加熱を必要としない。そのため、例えば絶縁層として用いられるポリイミド等の劣化を防止することができる。また、例えば、開口部の形状が複雑な場合に、従来のめっき法でグランド端子を形成すると、得られるグランド端子が脆くなり、充分な強度を有しない場合があった。これに対して、本発明においては、金属を溶融状態で滴下するため、めっき法のように、得られるグランド端子が脆くなることが無いといった利点を有する。また、本発明によれば、任意の形状の開口部に対して、グランド端子を形成することができる。
【００７０】
次に、本発明のサスペンション用基板の製造方法について図面を用いて説明する。図１６は、本発明のサスペンション用基板の製造方法の一例を示す工程図である。図１６に示されるサスペンション用基板の製造方法は、金属基板１と、金属基板１上に形成され、金属基板１が露出する開口部５を有する絶縁層２と、絶縁層２上に形成され、かつ、開口部５近傍に配置された接地用配線層３ａと、を有する基板形成用部材１０を用意し（図１６（ａ））、次に、滴下装置１１を用い、溶融した金属１２を開口部５に定量的に滴下することにより（図１６（ｂ））、金属基板１および接地用配線層３ａに接触するグランド端子４を形成するグランド端子形成工程を有するものである（図１６（ｃ））。
【００７１】
１．グランド端子形成工程
まず、本発明におけるグランド端子形成工程について説明する。本発明におけるグランド端子形成工程においては、上述した基板形成用部材が用いられる。この基板形成用部材は、金属基板、開口部を有する絶縁層、接地用配線層およびグランド端子を少なくとも有するものである。これらの構成部材については、上記「Ａ．サスペンション用基板」に記載した内容と同様であるので、ここでの説明は省略する。また、本工程においては、特定の範囲の融点を有する金属が用いられる。この金属についても、上記「Ａ．サスペンション用基板」に記載した内容と同様であるので、ここでの説明は省略する。
【００７２】
上記金属を溶融した状態で滴下する滴下方法としては、定量的に溶融した金属を滴下することができる方法であれば特に限定されるものではないが、例えば、所定の直径を有する金属ボールを用い、上記金属ボールを順次溶融させて滴下する方法、および所定の容器の中に金属を溶融した状態で溜めておき、その容器から、少量ずつ定量的に滴下する方法等を挙げることができる。
【００７３】
中でも、本発明においては、上記滴下方法が、所定の直径を有する金属ボールを用い、上記金属ボールを順次溶融させて滴下する方法であることが好ましい。原料となる金属ボールの直径を適宜選択することで、溶融した金属の滴下量を自由に調整することができるからである。金属ボールの直径としては、特に限定されるものではないが、通常１００μｍ〜２５０μｍ程度である。本発明においては、開口部の大きさ等を考慮して、金属ボールの直径を決定することが好ましい。
【００７４】
上記金属ボールを用いて滴下を行う滴下装置としては、例えば、上記金属ボールを供給する原料供給部と、供給された上記金属ボールを溶融する溶融部と、溶融した上記金属ボールを滴下する滴下部と、を有するもの等を挙げることができる。このような装置においては、まず、原料となる金属ボールを原料供給部に充填し、その後、原料供給部から溶融部に金属ボールを順次供給し、供給された金属ボールを溶融させる。溶融させる方法としては、例えばＹＡＧレーザー等を挙げることができる。その後、溶融した金属ボールを滴下部から、開口部に滴下する。溶融した金属ボールを滴下する方法としては、例えばＮ２等の不活性ガスにより溶融した金属ボールを押出す方法等を挙げることができる。このような滴下装置としては、具体的には、PAC-TECH PACKAGING TECHNOLOGIES Gmbh社製、ＳＢ２−ＪＥＴ等を挙げることができる。
【００７５】
本発明においては、グランド端子を形成するために必要な所定量の溶融した金属を、１回で滴下しても良く、複数回に分けて滴下しても良い。１回で滴下する場合は工程数が少ないという利点を有し、複数回に分けて滴下する場合は、少量ずつ滴下することにより、エア溜りの発生を抑制することができるという利点を有する。すなわち、複数回に分けて溶融した金属を滴下する場合は、接地用配線層または絶縁層に、上記「Ａ．サスペンション用基板」で記載したエアベント部を設けなくても良いという利点を有する。
【００７６】
また、本発明においては、上記金属を溶融した状態で滴下する際に、開口部の端部との接触が生じないように、溶融した金属の径を設定することが好ましい。具体的には、上記金属を溶融した状態で滴下する際に、溶融した金属の径が、上記開口部の径よりも小さいことが好ましい。溶融した金属の径を、開口部の径よりも小さくすることで、溶融した金属をより確実に着弾させることができるからである。これにより、エア溜まりの発生を抑制することができ、金属基板とグランド端子との接合面積が増え、接合信頼性が向上する。さらに、着弾の精度が向上することにより、開口部近傍に配置された接地用配線層を小型化することができ、省スペースや軽量化を図ることができる。また、グランド端子近傍の軽量化を図ることができれば、金属基板の薄型化を図ることも可能となる。
【００７７】
具体的には、図１７（ａ）に示すように、滴下装置１１を用い、溶融した金属１２を開口部５に滴下する際に、溶融した金属１２の水平方向の径１２ｘを、開口部５の径よりも小さくする。これにより、図１７（ｂ）に示すように、溶融した金属１２を開口部５から露出する金属基板１の表面に着弾させやすくなる。さらに、図１７（ｃ）に示すように、得られたグランド端子４は、開口部５の端部で囲まれた領域の内部のみに形成される。なお、得られるグランド端子については、上記「Ａ．サスペンション用基板」に記載した内容と同様であるので、ここでの説明は省略する。
【００７８】
本発明において、溶融した金属の径とは、滴下装置等から滴下された溶融した金属が開口部に侵入する際における、水平方向の大きさをいう（図１７（ａ）の符号１２ｘ）。一方、開口部の径とは、開口部の形状により異なるものであるが、例えば開口部の形状が円である場合はその直径をいう。本発明において、溶融した金属の径（実際は溶融前のはんだボールサイズのみ明記可能で、溶融中の金属系は計測不能です）は、開口部の径と比較して、例えば１０μｍ以上小さいことが好ましく、中でも１５μｍ〜３０μｍの範囲内で小さいことが好ましい。
なお、例えば図１６（ａ）に示すように、接地用配線層３ａの径が開口部５の径よりも小さい場合は、溶融した金属の径が、接地用配線層の径と比較して、上記範囲内で小さいことが好ましい。
【００７９】
また、溶融した金属の径が小さすぎると、形成されるグランド端子が、金属基板と接地用配線層とを充分に接続できない可能性がある。そのため、一回の滴下でグランド端子を形成する場合は、金属基板と接地用配線層とを充分に接続できる程度に、溶融した金属の径を設定することが好ましい。この際、溶融した金属の体積と開口部の面積との関係を考慮することが好ましい。一方、溶融した金属の径が小さすぎる場合であっても、上述したように、複数回に分けて滴下することにより、金属基板と接地用配線層とを充分に接続することは可能である。
【００８０】
溶融した金属の径としては、特に限定されるものではないが、通常４０μｍ〜１５０μｍの範囲内であり、中でも６０μｍ〜１００μｍの範囲内であることが好ましい。一方、開口部の径は、上記「Ａ．サスペンション用基板」で記載したように、通常５０μｍ〜３００μｍ程度であるが、溶融した金属の径を開口部の径よりも小さくする場合は、例えば８０μｍ〜１５０μｍの範囲内であることが好ましい。
【００８１】
また、本発明においては、上記開口部で露出する金属基板に対して酸化膜除去処理を行い、その後、洗浄後の上記金属基板の表面に金属酸化物膜が形成される前までに、溶融した金属と、露出する上記金属基板とを接触させることが好ましい。金属酸化物膜の形成前にグランド端子を形成することにより、抵抗の低いグランド端子を得ることができるからである。また、後述するフラックスを用いる方法と比較して、フラックス塗布工程やフラックス洗浄工程が不要であるため、工程の簡略化を図ることができる。さらに、フラックスを用いる場合は、溶融した金属を滴下すると、フラックスが飛散し、同時にグランド端子も飛散してしまう可能性がある。これに対して、酸化膜除去処理であれば、フラックスの飛散等の問題が生じず、グランド端子の飛散も防止することができる。
【００８２】
また一般的に、金属基板に対して酸化膜除去処理を行うと、金属基板の表面に存在する金属酸化物膜を除去することができるが、酸化膜除去処理後に金属基板を大気中等に放置しておくと、金属基板の表面に再び金属酸化物膜が形成されることが考えられる。この金属酸化物膜は、グランド端子の抵抗を高くする成分であることから、金属酸化物膜が形成される前に、グランド端子を形成することが好ましい。
【００８３】
本発明において、「金属基板の表面に金属酸化物膜が形成される前」とは、グランド端子が目的とする抵抗値を発揮できる程度に、金属酸化物膜が形成されていない状態をいう。目的とする電気抵抗値は、サスペンション用基板の用途等により異なるものであるが、例えば１．０Ω以下、中でも０．３Ω以下の範囲内であることが好ましい。
【００８４】
なお、金属酸化物膜の形成前にグランド端子を形成することにより、グランド端子と金属基板との接合界面に金属間化合物層が形成されると考えられる。金属間化合物層については、上記「Ａ．サスペンション用基板」に記載した内容と同様であるので、ここでの説明は省略する。また、本発明においては、上記開口部で露出する金属基板に対して酸化膜除去処理を行い、その後、上記グランド端子と上記金属基板との接合界面に金属間化合物層を形成可能な時間である金属間化合物層形成可能時間の範囲内に、溶融した金属と、露出する上記金属基板とを接触させることが好ましい。
【００８５】
本発明において、金属基板としてＳＵＳ３０４を用いた場合、酸化膜除去処理前におけるＳＵＳ３０４表面の元素組成を測定すると、Ｆｅ／Ｃｒの元素組成比は１未満である。これは、ＳＵＳ３０４表面に酸化クロム膜が形成されているためであると考えられる。一方、ＳＵＳ３０４に対して酸化膜除去処理を行うと、ＳＵＳ３０４表面の酸化クロム膜が除去され、Ｆｅ／Ｃｒの元素組成比は増加する傾向にある。
【００８６】
また、本発明においては、原料である金属ボールを予め開口部に配置し、その金属ボールを溶融させることにより、グランド端子を形成しても良い。この方法は、いわゆるＳＢＢ（solder ball bonding）と同様の方法である。
【００８７】
２．その他の工程
本発明においては、溶融した金属を開口部に滴下する前に、基板形成用部材の前処理を行っても良い。上記前処理としては、具体的には、開口部で露出する金属基板表面の金属酸化物膜を除去するフラックス処理工程、開口部で露出する金属基板表面の金属酸化物膜を除去する酸洗工程、開口部で露出する金属基板表面に残存する有機物を除去するプラズマ洗浄工程、および開口部で露出する金属基板表面に残存する油分を除去する脱脂工程等を挙げることができる。特に、本発明においては、上記前処理工程として、プラズマ洗浄工程を行うことが好ましい。また、本発明においては、上記前処理を２種類以上組み合わせても良い。
【００８８】
上記フラックス処理工程において、用いられるフラックス剤としては、特に限定されるものではなく、金属基板の種類に応じて適宜選択することが好ましい。このようなフラックス剤としては、一般的なはんだ等に用いられるフラックス剤と同様のものを使用することができる。
【００８９】
上記プラズマ洗浄工程において、金属基板上の有機物残渣除去を行うと同時に、金属基板上の酸化膜除去を行う。処理ガスは、Ｈｅ、Ｎ２、Ａｒそれぞれ単独か、３％以下の水素混合ガスが選択され、プラズマ装置は、平行平板タイプ、マグネトロンタイプ等のエネルギー効率の高いタイプが好ましい。
【００９０】
上記酸洗工程において、用いられる酸洗液としては、例えば塩酸、硫酸、過酸化水素水、りん酸、酸性フッ化アンモン等が挙げられ、これらを単体もしくは混合物で使用できる。
【００９１】
上記脱脂工程において、用いられる脱脂の方法としては、特に限定されるものではないが、例えば炭酸ナトリウム、水酸化ナトリウム等を用いたアルカリ脱脂；エマルジョン脱脂；溶剤脱脂；りん酸、ケイ酸塩等を用いた酸性脱脂；界面活性剤、キレート剤等を用いた脱脂等が挙げられ、これらを一種で、もしくは二種以上併せて用いることができる。
【００９２】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と、実質的に同一の構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなる場合であっても本発明の技術的範囲に包含される。
【実施例】
【００９３】
以下、実施例を用いて、本発明をさらに具体的に説明する。
［実施例１］
（基板形成用部材の作製）
厚さ２０μｍのＳＵＳ３０４（金属基板）、厚さ１０μｍのポリイミド層（絶縁層）、厚さ１８μｍの電解銅箔からなるＣｕ配線層（配線層）が、この順に積層された積層体を用意し、この積層体に以下に述べる化学エッチング等を行うことにより、基板形成用部材を得た。まずグランド端子が形成されるＣｕ配線層の領域（接地用Ｃｕ配線層）を化学エッチングにて外径２５０μｍ、内径（開口径）１００μｍの形状に加工し、次にサスペンション用基板の外形を規定するためにＳＵＳを化学エッチングし、次にポリイミド層に化学エッチングを行い、直径１００μｍの開口部を形成した。その後、接地用Ｃｕ配線層表面にＮｉを電解で０．２μｍ程度めっきし、Ａｕを電解で０．５μｍ程度めっきした。さらに、配線保護の為の感光性カバーレイを塗工し、露光、現像し、所定の形状のカバーレイを形成することにより、基板形成用部材を得た。
【００９４】
（サスペンション用基板の作製）
次に、開口部におけるＳＵＳ表面を活性化させるために、前処理として、りん酸を用いて処理（酸洗）を行った。その後、直径０．１ｍｍのＳｎ−３．０Ａｇ−０．５Ｃｕの鉛フリーはんだ（はんだボール）を用意し、Ｐａｃ−Ｔｅｃｈ社製のＳＢ２−ＪＥＴを用いて、はんだボールを溶融させながら開口部に滴下することにより、本発明のサスペンション用基板を複数枚得た。これらのサスペンション用基板のグランド端子における抵抗値は平均６．１０Ωであり、そのうち５Ω以下のものが４０％、１Ω以下のものが５％であった。
【００９５】
［実施例２］
溶融したはんだを滴下する前に、酸洗の代わりに、マーチプラズマシステムズ社製の平行平板型プラズマ洗浄装置にて、Ａｒガスで５分間の処理を行い、ＳＵＳ表面を活性化したこと以外は、実施例１と同様にしてサスペンション用基板を複数枚得た。これらのサスペンション用基板のグランド端子における抵抗値は平均１．２５Ωであり、そのうち５Ω以下のものが９０％、１Ω以下のものが６５％であった。
【００９６】
［実施例３］
溶融したはんだを滴下する前に、酸洗の代わりに、ＳＵＳ用フラックス（日本スペリア社製  ＮＳ−２３）の塗布を行い、ＳＵＳ表面を活性化したこと以外は、実施例１と同様にしてサスペンション用基板を複数枚得た。これらのサスペンション用基板のグランド端子における抵抗値は平均５．５５Ωであり、そのうち５Ω以下のものが６０％、１Ω以下のものが５％であった。
【００９７】
［実施例４］
まず、実施例１と同様の基板形成用部材を用意した（開口径は１００μｍ）。次に、直径０．１ｍｍのＳｎ−３．０Ａｇ−０．５Ｃｕの鉛フリーはんだ（はんだボール）を用意し、Ｐａｃ−Ｔｅｃｈ社製のＳＢ２−ＪＥＴを用いて、溶融したはんだボールの水平方向の径を８０μｍに調整して、開口部に滴下し、グランド端子を形成した。
【図面の簡単な説明】
【００９８】
【図１】本発明のサスペンション用基板の一例を示す概略平面図である。
【図２】図１のＸ−Ｘ断面図である。
【図３】めっき法により形成されたグランド端子の形状を示す概略断面図である。
【図４】本発明におけるグランド端子を説明する概略断面図である。
【図５】本発明におけるグランド端子を説明する概略断面図である。
【図６】本発明のサスペンション用基板の他の例を示す概略平面図である。
【図７】本発明に用いられる接地用配線層を説明する概略平面図である。
【図８】エア溜りを説明する概略断面図である。
【図９】エアベント部を説明する概略平面図である。
【図１０】本発明に用いられる接地用配線層を説明する説明図である。
【図１１】本発明に用いられる接地用配線層を説明する概略平面図である。
【図１２】本発明に用いられる接地用配線層を説明する概略断面図である。
【図１３】本発明に用いられる接地用配線層の大きさを説明する概略断面図である。
【図１４】本発明に用いられるカバーレイを説明する概略断面図である。
【図１５】本発明におけるグランド端子周辺の構造を例示する概略平面図である。
【図１６】本発明のサスペンション用基板の製造方法の一例を示す工程図である。
【図１７】本発明のサスペンション用基板の製造方法の他の例を示す工程図である。
【符号の説明】
【００９９】
１  …  金属基板
２  …  絶縁層
３ａ  …  接地用配線層
３ｂ  …  書込み用配線層
３ｃ  …  読出し用配線層
４  …  グランド端子
５  …  開口部
６  …  エア溜り
７  …  エアベント部
８  …  カバーレイ
１０  …  基板形成用部材
１１  …  滴下装置
１２  …  溶融した金属
【図１】
2008027570.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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