(57)【要約】【課題】同一被写体の２つの画像を同時に撮像できる小型軽量な複合型固体撮像素子を提供する。【解決手段】入射光を受光し光電変換する第１固体撮像素子１と、第１固体撮像素子１を透過した光を受光し光電変換する第２固体撮像素子２とを重ね合わせて構成する。好適には、第１固体撮像素子１および第２固体撮像素子２の少なくとも一方を裏面照射型固体撮像素子とし、更に、第２固体撮像素子２の画素ピッチが第１固体撮像素子１の画素ピッチと等ピッチまたは整数倍で整列して重ね合わされている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
入射光を受光し光電変換する第１固体撮像素子と、該第１固体撮像素子を透過した光を受光し光電変換する第２固体撮像素子とを重ね合わせて構成したことを特徴とする複合型固体撮像素子。
【請求項２】
前記第１固体撮像素子および前記第２固体撮像素子の少なくとも一方を裏面照射型固体撮像素子としたことを特徴とする請求項１に記載の複合型固体撮像素子。
【請求項３】
前記第２固体撮像素子の画素ピッチが前記第１固体撮像素子の画素ピッチと等ピッチまたは整数倍で整列して重ね合わされていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の複合型固体撮像素子。
【請求項４】
前記第１固体撮像素子で光電変換する光の中心波長の焦点位置を前記第１固体撮像素子の光電変換領域に合わせたときに前記第２固体撮像素子で光電変換する光の中心波長の焦点位置を該第２固体撮像素子の光電変換領域に合わせる焦点距離調整用スペーサを前記第１固体撮像素子と前記第２固体撮像素子との間に介挿したことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の複合型固体撮像素子。
【請求項５】
前記焦点距離調整用スペーサが光学フィルタを兼用する構成としたことを特徴とする請求項４に記載の複合型固体撮像素子。
【請求項６】
前記第２固体撮像素子がＭＯＳタイプの裏面照射型固体撮像素子であることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の複合型固体撮像素子。
【請求項７】
前記ＭＯＳタイプの裏面照射型固体撮像素子が動画像撮像用もしくはモニタリング用であることを特徴とする請求項６に記載の複合型固体撮像素子。
【請求項８】
前記第１固体撮像素子がＣＣＤタイプの裏面照射型固体撮像素子であることを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれかに記載の複合型固体撮像素子。
【請求項９】
前記ＣＣＤタイプの裏面照射型固体撮像素子が静止画像撮像用であることを特徴とする請求項８に記載の複合型固体撮像素子。
【請求項１０】
前記第１固体撮像素子が紫外光撮像用であることを特徴とする請求項１乃至請求項９のいずれかに記載の複合型固体撮像素子。
【請求項１１】
前記第２固体撮像素子が近赤外光撮像用であることを特徴とする請求項１乃至請求項９のいずれかに記載の複合型固体撮像素子。
【請求項１２】
前記第１固体撮像素子が紫外光及び可視光撮像用であり、前記第２固体撮像素子が可視光及び近赤外光撮像用であることを特徴とする請求項１乃至請求項９のいずれかに記載の複合型固体撮像素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、同一被写体の２つの画像を同時に撮像することができる複合型固体撮像素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、下記の特許文献１には、同一被写体の２つの画像を同時に撮像できるカメラが開示されている。この従来のカメラは内部に２つの固体撮像素子を搭載し、入射光をハーフミラーなどの光路分割素子で２分割し、ハーフミラーを直進した一方の分割入射光を第１固体撮像素子で受光して被写体の動画像を撮像し、ハーフミラーで直角方向に反射した他方の分割入射光を第２固体撮像素子で受光して被写体の静止画像を撮像する様になっている。
【０００３】
【特許文献１】特開２００６―８６９６７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
同一被写体の２つの画像を同時に撮像する場合、従来は、ハーフミラーなどの光路分割素子を２つの固体撮像素子の間に介在させて入射光を２分割する構成になっているため、装置が大型化してしまうという問題がある。
【０００５】
本発明の目的は、同一被写体の２つの画像を同時に撮像できる小型軽量な複合型固体撮像素子を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の複合型固体撮像素子は、入射光を受光し光電変換する第１固体撮像素子と、該第１固体撮像素子を透過した光を受光し光電変換する第２固体撮像素子とを重ね合わせて構成したことを特徴とする。
【０００７】
本発明の複合型固体撮像素子は、前記第１固体撮像素子および前記第２固体撮像素子の少なくとも一方を裏面照射型固体撮像素子としたことを特徴とする。
【０００８】
本発明の複合型固体撮像素子は、前記第２固体撮像素子の画素ピッチが前記第１固体撮像素子の画素ピッチと等ピッチまたは整数倍で整列して重ね合わされていることを特徴とする。
【０００９】
本発明の複合型固体撮像素子は、前記第１固体撮像素子で光電変換する光の中心波長の焦点位置を前記第１固体撮像素子の光電変換領域に合わせたときに前記第２固体撮像素子で光電変換する光の中心波長の焦点位置を該第２固体撮像素子の光電変換領域に合わせる焦点距離調整用スペーサを前記第１固体撮像素子と前記第２固体撮像素子との間に介挿したことを特徴とする。
【００１０】
本発明の複合型固体撮像素子は、前記焦点距離調整用スペーサが光学フィルタを兼用する構成としたことを特徴とする。
【００１１】
本発明の複合型固体撮像素子は、前記第２固体撮像素子がＭＯＳタイプの裏面照射型固体撮像素子であることを特徴とする。
【００１２】
本発明の複合型固体撮像素子は、前記ＭＯＳタイプの裏面照射型固体撮像素子が動画像撮像用もしくはモニタリング用であることを特徴とする。
【００１３】
本発明の複合型固体撮像素子は、前記第１固体撮像素子がＣＣＤタイプの裏面照射型固体撮像素子であることを特徴とする。
【００１４】
本発明の複合型固体撮像素子は、前記ＣＣＤタイプの裏面照射型固体撮像素子が静止画像撮像用であることを特徴とする。
【００１５】
本発明の複合型固体撮像素子は、前記第１固体撮像素子が紫外光撮像用であることを特徴とする。
【００１６】
本発明の複合型固体撮像素子は、前記第２固体撮像素子が近赤外光撮像用であることを特徴とする。
【００１７】
本発明の複合型固体撮像素子は、前記第１固体撮像素子が紫外光及び可視光撮像用であり、前記第２固体撮像素子が可視光及び近赤外光撮像用であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、第１固体撮像素子と第２固体撮像素子とを入射光の同一光軸上に直列に並べて重ね合わせる構成のため、ビームスプリッタ等が不要となり小型軽量化を図ることができ、同一被写体の２つの画像を同時に撮像することが可能となる。また、第１固体撮像素子を透過した光を第２固体撮像素子が光電変換する構成のため、光利用効率が高くなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明の一実施形態について、図面を参照して説明する。
【００２０】
図１は、本発明の一実施形態に係る複合型固体撮像素子の要部断面模式図である。図示する実施形態の複合型固体撮像素子１００は、図２に示すＣＣＤタイプの裏面照射型固体撮像素子１と、図３に示すＣＭＯＳタイプの裏面照射型固体撮像素子２とを、図１に示すスペーサ３を介して貼り合わせることで構成されている。実際には、多数の固体撮像素子１を製造した半導体ウェハと、多数の固体撮像素子２を製造した半導体ウェハとを、スペーサ３を介して貼り合わせ、個々の複合型固体撮像素子１００をダイシングして個片化することで製造される。
【００２１】
２枚の半導体ウェハをスペーサを介して貼り合わせる技術としては、例えば三菱重工技報ＶＯＬ．４３  Ｎｏ．１：２００６の５１頁「ＭＥＭＳデバイスの高効率・低コスト生産に貢献するウェハ常温接合装置」後藤崇之等に記載されている技術などがある。
【００２２】
尚、図１に示す実施形態では、ＣＣＤタイプとＣＭＯＳタイプとを貼り合わせているが、両方ともＣＣＤタイプでも良く、また、両方ともＣＭＯＳタイプでも良い。あるいは別のタイプの固体撮像素子を貼り合わせても良い。また、ＣＣＤタイプには、インターライントランスファ型やフレームトランスファー型，フルフレーム型などがあるが、そのＣＣＤタイプでもよい。
【００２３】
図２に示すＣＣＤタイプの裏面照射型固体撮像素子１はインターライン型ＣＣＤであり、ｐ型半導体基板２０の表面側に垂直電荷転送路（ＶＣＣＤ）２１とフォトダイオード（光電変換素子）２２とが形成され、裏面側に、カラーフィルタ（赤（Ｒ），緑（Ｇ），青（Ｂ））層２３及びマイクロレンズ２４が積層される。
【００２４】
半導体基板２０の裏面側表面部には高濃度ｐ層２５が形成され、このｐ層２５が接地される。高濃度ｐ層２５の上には入射光に対して透明な酸化シリコンや窒化シリコン等の絶縁層２６が積層され、その上に、窒化シリコンやダイヤモンド構造炭素膜等の入射光に対して透明な高屈折率層２７が反射防止層として積層され、その上に、カラーフィルタ層２３，マイクロレンズ（トップレンズ）層２４が順に積層される。各マイクロレンズ２４は、対向する位置に設けられた対応のフォトダイオード（光電変換素子）２２の中心に焦点が合うように形成される。
【００２５】
カラーフィルタ層２３は画素（フォトダイオード）単位に区画され、カラーフィルタ層２３の半導体基板２０側の隣接区画間には、画素間の混色を防ぐための遮光部材２８が設けられる。この遮光部材２８は、裏面から入射する被写界光が垂直電荷転送路２１に裏面側から浸入するのも阻止する。
【００２６】
半導体基板２０の表面側に形成される垂直電荷転送路（ＶＣＣＤ）２１は、高濃度ｎ層の埋め込みチャネル３１と、半導体基板２０の表面側最表面に形成されたシリコン酸化膜やＯＮＯ（酸化膜―窒化膜―酸化膜）構造の絶縁膜でなるゲート絶縁層３２を介して積層された転送電極膜３３とで構成される。
【００２７】
垂直電荷転送路２１は、図示しない水平電荷転送路（ＨＣＣＤ）が延びる方向に対して垂直方向に延びる様に形成され、且つ、複数本の垂直電荷転送路２１が形成される。そして、隣接する垂直電荷転送路２１間に、垂直電荷転送路２１に沿う方向に複数のｎ領域（フォトダイオード）２２が所定ピッチで形成される。
【００２８】
信号電荷の蓄積領域となるフォトダイオード２２の表面側の表面部には暗電流抑制用の薄いｐ型高濃度表面層３８が形成され、表面層３８の中央表面部に、コンタクト部としてｎ＋層３９が形成される。
【００２９】
垂直電荷転送路２１の埋め込みチャネル（ｎ＋層）３１の下には基板２０よりｐ濃度の高いｐ層４１が形成されており、このｎ層３１及びｐ層４１と、図示の例では右隣のフォトダイオード２２との間に、素子分離帯としてのｐ＋領域４３が形成される。
【００３０】
垂直電荷転送路２１の埋め込みチャネル３１の下に形成されたｐ層４１は、図示の例では左隣のｎ領域２２の表面端部の上まで延び、この端部分のｐ＋表面層３８は、ｎ領域２２の右端面位置より後退した位置になっている。そして、転送電極膜３３の左端面は、ｐ層４１の左端面まで重なる様に延設され、ｎ領域２２と、転送電極膜３３及びｐ層４１の表面端部とが若干オーバーラップする構成になっている。
【００３１】
この様なオーバーラップ構成が可能なのは、裏面照射型では半導体基板２０の表面側に面積的な余裕があるためである。被写体からの入射光が、基板２０の表面側から入射する表面照射型イメージセンサでは、開口を確保するため面積的余裕がなく、転送電極膜の端部をフォトダイオード上部へ延設するのが容易でないが、裏面照射型では容易となる。
【００３２】
本実施形態の様に、転送電極膜３３とｎ領域２２との間にｐ層４１を介在させると、転送電極膜（読出電極兼用）３３に印加する読出電圧の低電圧化を図ることができ、ＣＣＤ型固体撮像素子の低消費電力化を図ることが可能となる。
【００３３】
半導体基板２０の最表面に形成される絶縁層３２の上に例えばポリシリコン膜でなる転送電極膜３３が形成され、その上に、２酸化シリコン等の絶縁層４５が積層される。そして、ｎ＋層３９の上の絶縁層３２，４５に開口が開けられ、この開口がタングステン等の金属材料で埋められることでコンタクト部３９に接続される配線４６が形成される。各配線４６は固体撮像素子１の外部に引き出され、裏面照射型固体撮像素子１のオーバーフロードレインとして機能する。
【００３４】
斯かる構成の裏面照射型固体撮像素子１で被写体画像を撮像する場合、被写界からの入射光は、半導体基板２０の裏面側から入射する。この入射光はマイクロレンズ２４で集光され、カラーフィルタ層２３を通り、半導体基板２０内に浸入する。
【００３５】
マイクロレンズ２４で集光された光が半導体基板１内に入射すると、この入射光は当該マイクロレンズ２４及びカラーフィルタ２３に対応するフォトダイオード２２の方向に集光しながら進み、半導体基板２０に光吸収され、光電変換されて正孔電子対が発生する。発生した正孔は、ｐ層２５を通しアースに廃棄される。
【００３６】
各画素の光電変換領域（ｐ層２５からｎ領域２２までの領域）で発生した電子は、当該画素におけるｎ領域２２に蓄積され、読出電極兼用の転送電極膜３３に読出電圧が印加されると、ｎ領域２２から、図示する例では右隣の埋め込みチャネル３１に読み出される。以後、垂直電荷転送路２１に沿って水平電荷転送路（図示せず）まで転送され、水平電荷転送路に沿ってアンプまで転送され、アンプが信号電荷量に応じた電圧値信号を撮像画像信号として出力する。
【００３７】
図３に示すＣＭＯＳタイプの固体撮像素子２は、ｐ型半導体基板５０に製造される。ｐ型半導体基板５０の裏面側にはアースに接続される高濃度ｐ型不純物層５１が形成され、その裏面側表面には、２酸化シリコン等の絶縁層５２が形成される。
【００３８】
ｐ型半導体基板５０の表面側には、フォトダイオードを構成するｎ領域５３が形成され、その表面に、暗電流抑制用の高濃度ｐ型表面層５４が形成される。図示する例では、ｎ領域５３及び表面層５４の左隣には基板５０より不純物濃度が高いｐ領域５５が形成され、素子分離領域として機能する。
【００３９】
ｎ領域５３の右隣には若干離間した位置にドレインとなるｎ領域５７が形成され、その下部に基板５０より不純物濃度が高いｐ領域５８が形成される。このｐ領域５８は、図示の例では左隣のｎ領域５３の表面端部の上まで延び、この端部分のｐ＋表面層５４は、ｎ領域５３の右端面位置より後退した位置になっている。そして、ｎ領域５３とｐ領域５８とが若干オーバーラップする構成になっている。このオーバーラップ構成は、図２のｐ領域４１のオーバーラップ構成と同様に、読出電圧の低電圧化を図るためである。
【００４０】
ｎ領域５７の表面中央部分にはコンタクト部としての高濃度ｎ領域５９が形成され、ｎ領域５７及びｐ領域５８の右隣には、図示しない右側のｎ領域５３と素子分離を行うｐ領域５５が設けられる。
【００４１】
ｐ型半導体基板５０の表面側最表面には、２酸化シリコン等のゲート絶縁膜６１が形成され、ｎ領域５７の左端から上記オーバーラップしたｐ領域５８の左端までの絶縁膜６１の上に、ポリシリコンでなるゲート電極膜６２が形成される。
【００４２】
ゲート電極膜６２及び絶縁膜６１の上には絶縁層６３が形成され、この中にＣＭＯＳイメージセンサ等で用いられる３層配線６４が埋設される。また、３層配線６４と、コンタクト部５９及びゲート電極膜６２とは夫々配線６５，６６で接続される。
【００４３】
斯かるＣＭＯＳタイプの裏面照射型固体撮像素子２に裏面側から被写界光が入射すると、入射光は基板５０に吸収されて正孔電子対が発生する。正孔は高濃度ｐ型層５１からアースに廃棄され、電子は、ｎ領域５３に蓄積される。
【００４４】
ｎ領域５３の蓄積電荷は、ゲート電極膜６２に読み出し電圧が印加されると対応のドレイン５７に読み出され、この電荷量に応じた撮像画像信号が３層配線６４により素子２の外部に読み出される。
【００４５】
本実施形態の複合型固体撮像素子１００は、図１に示す様に、上述したＣＣＤタイプの裏面照射型固体撮像素子１の上（表面側）に、スペーサ３を介して、ＣＭＯＳタイプの裏面照射型固体撮像素子２を貼り合わせることで構成される。
【００４６】
図示する例では、固体撮像素子１の画素（ｎ領域２２）ピッチに対して固体撮像素子２の画素（ｎ領域５３）ピッチを２倍とし、固体撮像素子２の素子分離領域５５を、固体撮像素子１の遮光部材２８に整列させて設けているが、両固体撮像素子１，２の画素ピッチを等ピッチとしたり、３倍以上の整数倍とすることでも良い。
【００４７】
被写体からの入射光は、紫外光から可視光，近赤外光，赤外光まで及ぶ。シリコンなどの半導体基板は、光吸収係数の波長依存性があり、波長が短い光は侵入距離の浅い部分で多く吸収されて正孔電子対が発生し、波長が長い光は侵入距離の深い部分で大きく吸収されて正孔電子対が発生する。
【００４８】
従って、図１に示す複合型固体撮像素子１００を構成する固体撮像素子１の厚さ（光電変換素子として機能する半導体部分の厚さ）を薄くしておくと、固体撮像素子１は、可視光の半分位の光を吸収して被写体の画像を撮像するが、可視光のうちの残り半分位の光は固体撮像素子１を透過して固体撮像素子２に漏れ込み、固体撮像素子２は可視光の被写体画像を撮像することができる。
【００４９】
固体撮像素子２の厚さ（光電変換素子として機能する半導体部分の厚さ）が薄ければ、近赤外光や赤外光は固体撮像素子２も透過してしまうことになるが、固体撮像素子２の厚さを厚くしておけば、固体撮像素子２は、近赤外光や赤外光による被写体画像を撮像することができる。
【００５０】
このため、固体撮像素子１や固体撮像素子２の夫々の厚さ（同上）は、どの様な波長域の被写体画像を撮像するかによって設計することになる。例えば、固体撮像素子１の厚さ（同上）を１μｍ未満や０．５μｍ未満とする（カバーガラスやマイクロレンズやフィルタ等の光学特性をその波長帯に合わせたものにする）ことで、光入射側に配置される固体撮像素子１は、近紫外光や紫外光の被写体画像を撮像することができ、固体撮像素子２に透過する可視光の光量を増大させることができる。
【００５１】
図１に示す実施形態の複合型固体撮像素子１００では、固体撮像素子１で被写体の可視光像を静止画像として撮像し、固体撮像素子２で、被写体の近赤外光像や赤外光像を動画像として撮像する構成にしている。
【００５２】
このため、固体撮像素子１の厚さ（ｐ層２５からｎ領域２２までの距離）を３〜５μｍとし、固体撮像素子２の厚さを５μｍ以上や１０μｍ以上（例えば２０〜３０μｍ）としている。
【００５３】
例えば、デジタルカメラで静止画像を撮像する場合、固体撮像素子から静止画像を取り込む前に、固体撮像素子から動画状態で出力される撮像画像データを用いて、ＡＥ（自動露出）処理やＡＦ（自動焦点）処理等を行うのが普通である。そこで、本実施形態の複合型固体撮像素子１００では、ＣＭＯＳタイプの裏面照射型固体撮像素子２の出力信号を用いてＡＥ処理やＡＦ処理を行い、ＣＣＤタイプの裏面照射型固体撮像素子１で静止画像の撮像を行う。
【００５４】
このとき問題となるのは、入射光の結像位置（焦点位置）が、波長依存性を持つことである。短波長の光の焦点位置は手前となり、長波長の焦点位置は奥の方となる。つまり、図１に示す固体撮像素子１の光電変換領域に被写体入射光（可視光）の焦点位置が合うようにしても、このとき、固体撮像素子２の光電変換領域に被写体入射光（近赤外光）の焦点位置が合わなければ、固体撮像素子２の出力を用いてＡＦ処理を行っても、固体撮像素子１は被写体のピンボケな静止画像しか撮像できなくなってしまう。
【００５５】
そこで、本実施形態の複合型固体撮像素子１００では、固体撮像素子１の光電変換対象波長域の中心波長における焦点位置を固体撮像素子１の光電変換領域に合わせたとき、固体撮像素子２の光電変換対象波長域の中心波長における焦点位置が固体撮像素子２の光電変換領域に合うように、焦点調整用の透明なスペーサ３を介挿している。このスペーサ３に、光学的フィルタ機能を持たせることも可能である。
【００５６】
図１に示す複合型固体撮像素子１００で、固体撮像素子１，２共に可視光像を撮像できる厚さに設計した場合、静止画像を撮像する固体撮像素子１の個々の画素２２には異なる色のカラーフィルタ２３が設けられているためカラーの静止画像を撮像できる。
【００５７】
しかし、固体撮像素子２の各画素５３は、４つの画素２２の異なる色のカラーフィルタを通した光が混色して入射するため、カラーの動画像を撮像することはできず、モノクロの動画像しか撮像できない。勿論、ＡＥ処理，ＡＦ処理だけであれば問題ないが、カラーの動画像を撮像したい場合には、４つの画素２２のカラーフィルタのうちの一色を選択するカラーフィルタをスペーサ３に設けることで、カラーの動画像を撮像することが可能となる。
【００５８】
以上述べた様に、上述した実施形態では、２つの固体撮像素子を貼り合わせて複合型固体撮像素子を製造したため、同一被写体の２つの画像を同時に撮像することが可能となる。しかも、入射光の光路を分割するハーフミラーなどを用いていないため、カメラに搭載したとき小型軽量化を図ることが可能となる。しかも、入射光の多くを半導体基板に吸収して光電変換するため、光利用効率が高く、明るい画像を撮像することができる。
【００５９】
また、上述した実施形態では、光入射側に配置した固体撮像素子１をＣＣＤタイプとしたため、高Ｓ／Ｎの静止画像を撮像することができ、固体撮像素子１を透過した入射光を受光する固体撮像素子２をランダムアクセス可能なＣＭＯＳタイプとしたため、ＡＥ処理，ＡＦ処理を高速に行うことが可能となる。
【００６０】
尚、上述した実施形態では、固体撮像素子１，２共に裏面照射型としているが、これに限るものではない。半導体基板の光入射面の側にフォトダイオードを設けた表面照射型は、光電変換領域が浅くなるため短波長領域の入射光しか利用できず、光利用効率が低い。このため、固体撮像素子１，２共に表面照射型にすると、上述した固体撮像素子１，２の厚さの設計の自由度がなくなってしまう。
【００６１】
これに対し、裏面照射型は、半導体基板に入射した光の光電変換領域を深くとることができるため光利用効率が高く、また、上述した厚さの設計の自由度が広くなる。このため、固体撮像素子１，２の少なくとも一方を裏面照射型とするのが良い。
【００６２】
また、ＣＭＯＳタイプの固体撮像素子は、配線層が３層配線となるので、３層配線が入射光の光路に入らない様にするのが好ましく、図１に示す実施形態の様に、固体撮像素子２をＣＭＯＳタイプとして、且つ裏面照射型とするのが良い。
【００６３】
尚、図１に示した複合型固体撮像素子１００において、マイクロレンズ２４から絶縁膜６１に至るまでの間に設けられた構成部材の多くは半導体製あるいは酸化膜等であるため光透過性を有するが、遮光部材２８とオーバーフロードレイン用電極４６は金属であるため光透過性が無い。特に第２固体撮像素子２への光路中に存在する電極４６は光が当たると光を散乱させるため、図示の例では、ｎ領域５３の真下に電極４６を設けているが、この電極４６を、ｎ領域５３への光路からなるべく避ける位置に設けるのが良いことは勿論である。
【産業上の利用可能性】
【００６４】
本発明に係る複合型固体撮像素子は、小型軽量な固体撮像素子で被写体の２つの画像を同時に撮像することができるため、デジタルカメラ等に搭載すると有用である。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】本発明の一実施形態に係る複合型固体撮像素子の断面模式図である。
【図２】図１に示す複合型固体撮像素子を構成するＣＣＤタイプの裏面照射型固体撮像素子の断面模式図である。
【図３】図１に示す複合型固体撮像素子を構成するＣＭＯＳタイプの裏面照射型固体撮像素子の断面模式図である。
【符号の説明】
【００６６】
１  ＣＣＤタイプの裏面照射型固体撮像素子
２  ＣＭＯＳタイプの裏面照射型固体撮像素子
３  焦点距離調整用のスペーサ
２０，５０  ｐ型半導体基板
２１  垂直電荷転送路（ＶＣＣＤ）
２２，５３  フォトダイオードを構成するｎ領域
２３  カラーフィルタ
２４  マイクロレンズ
２５，５１  高濃度ｐ型不純物層
５７  ドレイン（ｎ領域）
６４  ３層配線
１００  複合型固体撮像素子
【図１】
2008227250.tif 000003
【図２】
2008227250.tif 000004
【図３】
2008227250.tif 000005