(57)【要約】【課題】蛍光体の寿命を長くし蛍光体形成の製造コストを下げる。【解決手段】前面側の第１の基板１０上に複数の表示電極１１とそれを被覆する誘電体層１４とそれを被覆する保護層１５を形成し，第２の基板２０上に表示電極に交差して交差部に単位発光領域を形成する複数のアドレス電極ＡＤＤを形成し，第２の基板と蛍光体３６を挟んで接着される第３の基板３０とを有し，第１と第２の基板とが単位発光領域を区画する隔壁２４を介して封着される。蛍光体３６が第２の基板２０により放電空間から隔離されるので，イオン衝撃による劣化が防止される。【選択図】図２
2008027789.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放電空間内にプラズマ放電を生じさせて所定の表示を行うプラズマディスプレイパネルにおいて，
前記放電空間側の面に，複数の表示電極と，当該表示電極を被覆する誘電体層と，前記誘電体層を被覆し当該誘電体層を前記プラズマ放電時に発生するイオン衝撃から保護すると共に二次電子を放出する保護層とを有する透明の第１の基板と，
前記第１の基板と前記放電空間を介して対向し，前記放電空間側の面に，前記表示電極に交差するように配置された複数のアドレス電極を有する第２の基板と，
前記第２の基板の前記放電空間と反対面に，前記表示電極とアドレス電極とが交差する単位発光領域に対応する位置に設けられた蛍光体を挟んで接着される第３の基板とを有し，
前記第１の基板と第２の基板とが前記単位発光領域を区画する隔壁を挟んで封着されていることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項２】
請求項１において，
前記第３の基板は，前記表示電極とアドレス電極とが交差する単位発光領域に対応する位置に凹部が設けられ，当該凹部に前記蛍光体が充填されていることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項３】
請求項２において，前記第３の基板の凹部は，前記単位発光領域に沿った複数のストライプ状の溝構造，または，前記単位発光領域に対応してマトリクス状に形成された複数の溝構造のいずれかであることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項４】
請求項２において，前記第３の基板の凹部に前記蛍光体による発光光を反射する反射層が形成され，当該反射層上に前記蛍光体が充填されていることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項５】
請求項４において，前記反射層が，Ｃｒ，Ｃｕの少なくとも一つを有する層であることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項６】
請求項１において，前記隔壁の側面に，前記プラズマ放電時に二次電子を放出する二次電子放出層が設けられていることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項７】
請求項６において，前記保護層と二次電子放出層とが共にＭｇＯ層であることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項８】
請求項１において，前記アドレス電極は透明電極材料で形成され，当該アドレス電極には前記蛍光体に対応する位置に紫外線透過用の孔が形成されていることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。  
【請求項９】
請求項８において，前記アドレス電極の透明電極材料が，ＩＴＯ，ＳｎＯ２，Ｇａ２Ｏ３のいずれかであることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項１０】
請求項１において，前記隔壁は，前記単位発光領域を挟んで一方向に延びる複数のストライプ隔壁を有する構造，または，前記単位発光領域を挟んで縦方向に延びる複数の縦隔壁と横方向に延びる複数の横隔壁とを有する構造のいずれかであることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項１１】
請求項１０において，前記隔壁は，前記第２の基板上，または前記第１の基板上のいずれかに形成され，前記第１及び第２の基板が封着された結果当該第１及び第２の基板の間に設けられることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項１２】
請求項１において，前記第２の基板は，紫外線と可視光を透過するガラス基板または樹脂基板であることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項１３】
放電空間内にプラズマ放電を生じさせて所定の表示を行うプラズマディスプレイパネルの製造方法において，
前記放電空間側の面に，複数の表示電極と，当該表示電極を被覆する誘電体層と，前記誘電体層を被覆する保護層とを有する透明の第１の基板を形成する工程と，
前記放電空間側の面に，前記表示電極に交差するように配置された複数のアドレス電極を有する第２の基板を形成する工程と，
第３の基板の前記表示電極とアドレス電極とが交差する単位発光領域に対応する位置に凹部を形成し，当該凹部内に蛍光体を充填する工程と，
前記第３の基板の前記凹部が形成された面に，前記アドレス電極が形成される前のまたは前記アドレス電極が形成された後の第２の基板を貼り合わせる工程と，
前記第１の基板と第２の基板とを，両基板の間に前記単位発光領域を区画する隔壁を挟んで封着する工程とを有することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１４】
請求項１３において，
前記第３の基板に前記凹部を形成する工程が，前記第３の基板の前記凹部形成領域を直接彫るプロセスにより行われることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１５】
請求項１４において，
前記第３の基板の前記凹部の内面に前記蛍光体による発光光を反射する反射層を形成する工程を有することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１６】
請求項１３において，
前記隔壁を前記第１の基板または第２の基板に形成する工程を有し，さらに，前記隔壁の上に前記プラズマ放電時に二次電子を放出する二次電子放出層を形成する工程を有することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は，プラズマディスプレイパネル及びその製造方法に関し，特に，蛍光体の寿命を改善し特性劣化をなくしたプラズマディスプレイパネルの新規な構造とその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年において普及しているプラズマディスプレイパネルは，３電極面放電タイプの構造であり，前面基板に横方向に延びる表示電極と，表示電極を被覆する誘電体層と，その誘電体層を保護する保護膜とが形成され，背面基板に表示電極と交差するアドレス電極と，表示電極とアドレス電極とが交差する単位発光領域を区画するストライプ状または格子状の隔壁と，アドレス電極上及び隔壁の側壁上に設けられた蛍光体とが形成される。
【０００３】
上記の３電極面放電タイプのプラズマディスプレイパネルでは，表示電極とアドレス電極との間でアドレス放電を発生して壁電荷を誘電体層上に蓄積し，表示電極対間で維持放電を繰り返して所望の輝度の発光を行う。放電の大部分を占める維持放電が表示電極対間で生じるので蛍光体が放電時のイオン衝撃を受けることが少なく，蛍光体の寿命を長くすることができる。また，単位発光領域を区画する隔壁を形成することで，単位発光領域間の発光の干渉を抑制し誤放電をなくしている。
【０００４】
蛍光体の形成では，一般に，蛍光体粉体を樹脂，有機溶剤，可塑剤などからなるビヒクルに混ぜたペーストを，アドレス電極と隔壁を形成した背面基板表面に塗布し，熱処理によりビヒクルを揮発し焼成することが行われる。
【０００５】
上記の３電極面放電タイプのプラズマディスプレイパネルについては，特許文献１などに記載されている。この特許文献には，蛍光体の経時的劣化を抑制して発光効率を高く維持することができるＰＤＰとその製造方法が記載されている。
【特許文献１】特開２００５−１８３１２５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
従来の３電極面放電タイプのパネルは，蛍光体を背面側基板に設けることでプラズマ放電時のイオン衝撃を受けにくくしているが，それでも，蛍光体が放電空間内に存在するために，表示電極とアドレス電極間に生じるアドレス放電や表示電極間に生じる維持放電に伴うイオン衝撃による損傷を完全に避けることはできない。アドレス放電の回数は少ないものの，蛍光体はそのイオン衝撃にさらされることになるし，維持放電は前面基板の表示電極間の面放電ではあるが，隔壁の側壁上部に設けられた蛍光体はそのイオン衝撃を受けることになる。イオン衝撃は蛍光体の劣化を招きパネルの寿命を短くする原因となる。
【０００７】
さらに，蛍光体ペースト内のビヒクルを熱処理により除去しているが，必ずしも完全に除去することができず，蛍光体に微少量の有機物が残留してしまう。この有機物は蛍光体の劣化の原因となるので，前面基板と背面基板とを封止してパネル化した後に，連続的に放電するエージング工程を実施して輝度の安定化を図っている。かかるエージング工程は製造コストの上昇を招いている。
【０００８】
そこで，本発明の目的は，蛍光体のイオン衝撃による劣化をなくしまたはエージング工程によるコストアップを回避できるプラズマディスプレイパネルとその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記の目的を達成するために，本発明の第１の側面によれば，前面側の第１の基板上に複数の表示電極とそれを被覆する誘電体層とそれを被覆する保護層を形成し，第２の基板上に表示電極に交差して交差部に単位発光領域を形成する複数のアドレス電極を形成し，第２の基板と蛍光体を挟んで接着される第３の基板とを有し，第１と第２の基板とが単位発光領域を区画する隔壁を介して封着される。
【００１０】
第１の側面によれば，蛍光体が第２の基板により放電空間から分離されるので，蛍光体がイオン衝撃を受けることがなく，寿命を長くすることができる。
【００１１】
上記の目的を達成するために，本発明の第２の側面によれば，放電空間内にプラズマ放電を生じさせて所定の表示を行うプラズマディスプレイパネルにおいて，
前記放電空間側の面に，複数の表示電極と，当該表示電極を被覆する誘電体層と，前記誘電体層を被覆し当該誘電体層を前記プラズマ放電時に発生するイオン衝撃から保護すると共に二次電子を放出する保護層とを有する透明の第１の基板と，
前記第１の基板と前記放電空間を介して対向し，前記放電空間側の面に，前記表示電極に交差するように配置された複数のアドレス電極を有する第２の基板と，
前記第２の基板の前記放電空間と反対面に，前記表示電極とアドレス電極とが交差する単位発光領域に対応する位置に設けられた蛍光体を挟んで接着される第３の基板とを有し，
前記第１の基板と第２の基板とが前記単位発光領域を区画する隔壁を挟んで封着されていることを特徴とする。
【００１２】
上記の第２の側面において，好ましい態様によれば，隔壁の側面上に二次電子放出層が形成される。これによれば，実効的放電電圧を低下させ発光効率を向上することができる。また，別の好ましい態様によれば，蛍光体を反射層上に形成することで，蛍光体で発光した光を前面側に有効に導くことができる。
【００１３】
上記の目的を達成するために，本発明の第３の側面によれば，放電空間内にプラズマ放電を生じさせて所定の表示を行うプラズマディスプレイパネルの製造方法において，
前記放電空間側の面に，複数の表示電極と，当該表示電極を被覆する誘電体層と，前記誘電体層を被覆する保護層とを有する透明の第１の基板を形成する工程と，
前記放電空間側の面に，前記表示電極に交差するように配置された複数のアドレス電極を有する第２の基板を形成する工程と，
第３の基板の前記表示電極とアドレス電極とが交差する単位発光領域に対応する位置に凹部を形成し，当該凹部内に蛍光体を充填する工程と，
前記第３の基板の前記凹部が形成された面に，前記アドレス電極が形成される前のまたは前記アドレス電極が形成された後の第２の基板を貼り合わせる工程と，
前記第１の基板と第２の基板とを，両基板の間に前記単位発光領域を区画する隔壁を挟んで封着する工程とを有することを特徴とする。
【００１４】
上記第３の側面によれば，蛍光体粉体を，第３の基板に形成した凹部または第２の基板に形成した凹部に充填するようにすることで，エージング工程をなくすことができる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば，蛍光体のイオン衝撃による劣化をなくし寿命を長くすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下，図面にしたがって本発明の実施の形態について説明する。但し，本発明の技術的範囲はこれらの実施の形態に限定されず，特許請求の範囲に記載された事項とその均等物まで及ぶものである。
【００１７】
図１は，従来の３電極面放電型のプラズマディスプレイパネルの断面図である。前面側のガラス基板１０の放電空間側の面に，透明電極１２とそれと重なる高い導電性金属（Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒの３層構造）のバス電極１３とからなる表示電極１１が形成され，表示電極１１を被覆する誘電体層１４が形成され，さらに誘電体層１４をカバーするＭｇＯからなる保護層１５が形成される。
【００１８】
一方，背面側の基板２０の放電空間側の面には，表示電極１１と交差しその交差部に単位発光領域を形成するアドレス電極ＡＤＤと，アドレス電極ＡＤＤを被覆する誘電体層２２が形成され，さらに，誘電体層２２上にストライプ状または縦壁と横壁からなる格子状の隔壁２４が形成される。この隔壁２４が，単位発光領域を区画し，隣接する単位発光領域間の放電干渉を防止している。
【００１９】
背面基板２０の誘電体層２２の上と隔壁２４の側面上には，ＲＧＢの３色の蛍光体２６が設けられる。蛍光体２６は，蛍光体粉体をビヒクルに混合したペーストを隔壁２４を形成した背面基板２０の表面に塗布し，高温処理によりビヒクルを揮発させ焼成して，蛍光体粉体のみを残すことで形成される。
【００２０】
図１のプラズマディスプレイパネルでは，アドレス期間において，表示電極１１とアドレス電極ＡＤＤ間でアドレス放電を発生させ，放電で発生した電荷を誘電体層１４と保護層１５の表面に蓄積する。そして，アドレス期間後の維持放電期間において，隣接する表示電極間に交互に電圧を印加してアドレス期間で蓄積された壁電荷を利用して維持放電を繰り返す。放電発生時に生成された紫外線が蛍光体を励起して発光させることで，上方向の矢印で示されるとおり，蛍光体の発光光が前面基板側に出力される。この維持放電の回数により所望の輝度表示を可能にしている。
【００２１】
図１に示されるとおり，蛍光体２６が背面基板側に設けられ，大半のプラズマ放電である維持放電が前面基板の表示電極間の面放電であるので，蛍光体２６が放電時のイオン衝撃を直接受けることはない。しかしながら，そうはいっても，蛍光体２６が放電空間内に露出されているので，プラズマ放電時のイオン衝撃を完全に回避することはできない。特に，隔壁２４の頂上部付近の蛍光体２６は，表示電極間の維持放電により発生したイオン衝撃を受けやすい。したがって，蛍光体が劣化してパネルの寿命を短くする原因になる。
【００２２】
また，蛍光体ペーストを印刷法などにより塗布して高温処理をしているが，ペーストのビヒクル（樹脂，有機溶剤，可塑剤など）を完全に除去することができず，パネル化した後に高電圧を印加してエージングを行っている。このエージング工程がコストアップを招いている。
【００２３】
図２は，第１の実施の形態におけるプラズマディスプレイパネルの断面図である。前面側の第１の基板１０の構成は図１と同じであるが，第１の実施の形態で特徴的な点は，アドレス電極ＡＤＤが形成される背面側の第２の基板２０が，隔壁２４と上下の基板１０，２０で囲まれた放電空間から蛍光体３６を分離していることにある。これにより，蛍光体３６がプラズマ放電時のイオン衝撃を受けることがなく，蛍光体の経年劣化を抑制し，パネルの寿命を長くすることができる。
【００２４】
そして，第２の基板２０の放電空間と反対側の面に接着させる第３の基板３０が設けられる。そして，第３の基板３０には，単位発光領域に対応する位置に凹部３２が形成され，凹部３２内に蛍光体粉体が充填される。ただし，この凹部３２は，第２の基板２０の背面側に設けても良く，いずれにしても，蛍光体３６が挟まれて第２の基板２０と第３の基板３０とが接着されている。凹部３２に蛍光体粉体を充填することができるので，従来のように蛍光体ペーストを塗って高温処理する必要がなく，製造コストを上げていたエージング工程が不要になる。
【００２５】
図２の構成例では，第２の基板２０がプラズマ放電で発生した紫外線を透過させ，蛍光体による発光光である可視光を透過させる透明基板からなり，第２の基板２０に単位発光領域を区画する隔壁２４が設けられる。また，蛍光体３６が第２の基板２０の背面側に設けられるので，紫外線の減衰を回避するために，アドレス電極ＡＤＤを被覆する低融点ガラス材料からなる誘電体層は設けられていない。
【００２６】
さらに，隔壁２４の側面上には，ＭｇＯからなる二次電子放出層２６が形成される。第１の基板１０側の保護層１５もＭｇＯ層であり，これらの層１５，２６がプラズマ放電時におけるイオン衝撃に対して二次電子を放出する。したがって，放電時の二次電子の放出量を増大させて，実効的な放電電圧を低下させるか同じ放電電圧であれば発光量を増大させ，発光効率を向上させる。つまり，蛍光体を第２の基板２０の背面側に設けたことにより，隔壁２４の上にＭｇＯからなる二次電子放出層２６を形成することができるのである。
【００２７】
また，第３の基板の蛍光体粉体が充填される凹部３２の内面には，Ｃｒ，Ｃｕなどの反射層３４が形成される。凹部３２内に比較的多くの蛍光体粉体３６を充填し，その蛍光体が発する光が反射層３４で反射されるので，発光光を効率的に前面側に導出することができ，発光効率を高めることができる。
【００２８】
第２の基板２０の表面に形成されるアドレス電極ＡＤＤは，蛍光体からの発光光を透過できるように透明電極材料で形成される。たとえば，透明電極材料は，ＩＴＯやＳｎＯ２やＧａ２Ｏ３などである。そして，アドレス電極ＡＤＤの中央部には，紫外線を通過させるための紫外線通過孔ＨＯＬＥが形成される。中央の孔ＨＯＬＥを介して紫外線がその直下の蛍光体３６に導かれ，斜め方向の隣接する単位発光領域の蛍光体３６への導出は抑制される。
【００２９】
図２に示したプラズマディスプレイパネルにおいて，第１の基板１０の構造は，図１の従来例と同じであるので，その製造プロセスの説明は省略する。そして，第２の基板２０と第３の基板３０について平面図を参照しながら製造プロセスを説明する。
【００３０】
図３，図４は第２の基板の製造プロセスを示す平面図である。まず，透明の樹脂基板からなる第２の基板２０の表面にレーザ加工法やケミカルエッチング法などにより隔壁２４の領域以外を直接彫ることで，複数のストライプ状の隔壁２４を形成する。或いは，透明のガラス基板または樹脂基板からなる第２の基板２０の表面に低融点ガラスペーストを厚く塗布し，マスクフィルムを利用したサンドブラスト法により複数のストライプパターンを形成し，高温焼成することで，隔壁２４を形成してもよい。この状態が図３の平面図である。隔壁２４の実線が底面を破線が頂上の面をそれぞれ示しており，隔壁２４に挟まれた領域に単位発光領域が形成される。
【００３１】
次に，図４に示されるとおり，前述の透明電極材料よりなるアドレス電極ＡＤＤが，隔壁２４の間に形成される。このアドレス電極の形成は，全面に透明電極材料をスパッタ蒸着した後，通常のリソグラフィ技術によりストライプ状に形成するか，ストライプ状の通過パターンを有するマスクを基板上面に配置した状態でスパッタ蒸着することで，ストライプ状のアドレス電極を形成するかのいずれかにより行われる。このアドレス電極ＡＤＤの単位発光領域に対応する位置に，紫外線を通過させるための矩形の孔ＨＯＬＥが形成される。
【００３２】
そして，図示されていないが，隔壁の側壁と頂上にＭｇＯからなる二次電子放出層を形成する。この形成は，アドレス電極の形成と同様に，全面にＭｇＯをスパッタ蒸着した後通常のリソグラフィ技術により隔壁上に残存させるか，ストライプ状の通過パターンを有するマスクを基板上面に配置した状態でＭｇＯをスパッタ蒸着するかのいずれかが望ましい。
【００３３】
本実施の形態において，アドレス電極ＡＤＤを被覆する誘電体層は形成されない。図１の従来例では，誘電体層２２を設けることで，その上の隔壁形成のためにガラスペースト層をサンドブラスト法によりパターニングすることを可能にしている。つまり，誘電体層２２が，サンドブラスト工程でのアドレス電極を保護する機能と，サンドブラスト工程のマスクフィルムの剥離の時の基板と隔壁との密着性向上の機能とを有している。しかし，本実施の形態では，紫外線を第２の基板２０の背面の蛍光体に照射させる必要があるので，かかる紫外線を減衰させるような誘電体層は設けない方が好ましい。
【００３４】
図５は，図４の第２の基板に表示電極を重ねた平面図である。表示電極とアドレス電極とが交差する位置の単位発光領域とアドレス電極の紫外線透過孔ＨＯＬＥとの関係を示している。表示電極１１は，透明電極１２とその中央部に重ねて形成されるバス電極１３で構成される。そして，透明電極１２が対向する領域であって隔壁２４に挟まれた領域が，単位発光領域に該当する。この単位発光領域に重なる位置に，アドレス電極ＡＤＤの紫外線透過孔ＨＯＬＥが形成される。
【００３５】
図６は，第３の基板の平面図である。第３の基板３０は，ガラス基板または樹脂基板であり，単位発光領域に対応する位置に，凹部３２がストライプパターンに形成される。このストライプ形状は，図２，３に示したように，ストライプ状の隔壁２４の間の領域に整合する。また，第３の基板３０が樹脂基板の場合は，第２の基板２０と接着剤で貼り合わせることができ，その接着剤を塗布するための溝が基板３０の周囲に形成される。
【００３６】
凹部３２もシール剤塗布用の溝も，基板を直接彫ることで形成される。この直彫りプロセスは，レーザ加工やケミカルエッチングにより行われる。蛍光体を充填する凹部３２の深さは，例えば１００〜３００μｍ程度が好ましい。
【００３７】
そして，凹部３２内面に反射層を形成する。この反射層の形成は，全面に反射膜をスパッタ蒸着して通常のリソグラフィ技術により凹部３２の内面のみ残すパターニングをすることにより行われる。あるいは，マスクを第３の基板３０上に固定した状態で反射層材料を凹部内にのみスパッタ蒸着してもよい。その後，反射層が形成された凹部３２内に３原色（ＲＧＢ）の蛍光体粉体を充填する。この充填法は，ディスペンス法またはブレード法が好ましい。そして，ここでは，従来例のような蛍光体ペーストは使用しない。
【００３８】
図７は，第３の基板の別の平面図である。図７の例では，第３の基板３０に直彫りプロセスにより形成される凹部３２は，ストライプパターンではなく，マトリクス状に配置された複数の矩形パターンである。この矩形の凹部３２は，前述の第１，第２の基板の表示電極とアドレス電極とが交差する単位発光領域に整合する位置に形成される。したがって，矩形の凹部３２は，アドレス電極ＡＤＤに形成される紫外線透過孔ＨＯＬＥとも整合する。そして，凹部３２の内面に反射層が形成され，蛍光体粉体が充填される。
【００３９】
図８は，第２の実施の形態におけるプラズマディスプレイパネルの断面図である。図２に示した第１の実施の形態と異なるところは，単位発光領域を区画する隔壁１６が第１の基板１０に形成され，誘電体層１４と隔壁１６の表面にＭｇＯからなる保護層兼二次電子放出層１５が形成されていることである。それ以外は，第１の実施の形態と同じである。
【００４０】
透明の第１の基板１０には，透明電極１２とバス電極１３からなる表示電極１１が形成され，それを被覆する誘電体層１４が形成されている。そして，誘電体層１４の上に，ストライプパターンまたは横壁と縦壁からなる格子状パターンの隔壁１６が形成され，その誘電体層１４上と隔壁１６上にＭｇＯ層１５が形成されている。
【００４１】
透明の第２の基板２０には，アドレス電極ＡＤＤが形成されるだけである。そして，第２の基板２０の背面側には，凹部３２に蛍光体粉体を充填した第３の基板３０が接着されている。凹部３２の内面には反射層３４が形成され，蛍光体の発光光が前面側に導かれるようになっている。
【００４２】
第２の実施の形態も，蛍光体３６が第２の基板２０により放電空間から隔てられているので，放電に伴うイオンの衝撃を受けることがなく，蛍光体の寿命を長くすることができる。また，蛍光体粉体を凹部３２に充填するので，蛍光体ペーストを利用する必要がなく，輝度安定化のためのエージング工程が不要になる。
【００４３】
また，ＭｇＯからなる保護層兼二次電子放出層１５により発光効率が向上し，さらに，凹部３２内面の反射膜３４によっても発光効率が向上する。
【００４４】
第２の実施の形態では，蛍光体を第３の基板３０側に設けているので，アドレス電極ＡＤＤを被覆する誘電体層を設けないようにして，放電時の紫外線が減衰しないようにしている。また，蛍光体を第３の基板３０側に設けているので，隔壁１６を第２の基板側に設けてその側壁上に蛍光体を設ける必要がない。そこで，第２の実施の形態では，側壁１６を第１の基板側に設けて，隔壁のパターンの自由度を向上させている。
【００４５】
つまり，第２の基板２０上に隔壁を形成する場合は，アドレス電極ＡＤＤを形成した後にガラスペーストを塗布してサンドブラスト法でパターニングし高温焼成を行うことになる。このサンドブラスト法では，アドレス電極ＡＤＤを保護するなどの目的でアドレス電極を誘電体層で被覆する必要がある。しかし，誘電体層を設けると紫外線が減衰して第３の基板の蛍光体に十分届かなくなるおそれがある。そこで，蛍光体が第３の基板側に形成されることに伴い，第２の基板上に隔壁を形成する必要性がなくなるので，隔壁を第１の基板側に形成し，アドレス電極上の誘電体層もなくしている。
【００４６】
図９は，第２の実施の形態における第１の基板の平面図である。第１の基板１０上には表示電極１１と誘電体層１４が形成されているが，図９には示されていない。そして，図９には，ストライプパターンの隔壁１６が示されている。前述と同様に実線が隔壁の下側部分を，破線が頂上部を示している。ストライプパターンの隔壁１６の間に単位発光領域が位置することになる。
【００４７】
図１０は，第２の実施の形態における第１の基板の別の平面図である。この例では，隔壁１６が，縦方向の壁と横方向の壁からなる格子状パターンであり，隔壁１６が単位発光領域Ｃを４方向で区画し，隣接する単位発光領域Ｃを完全に分離している。
【００４８】
図１１は，図１０の格子状の隔壁１６に，表示電極１１とアドレス電極ＡＤＤを重ねて示した平面図である。格子状の隔壁１６で区画された単位発光領域Ｃには，２つの隣接する表示電極１１の透明電極１２が対向して配置され，また，表示電極１１のバス電極１３は横方向に延びる隔壁１６と重なるように配置される。これにより，隔壁１６で区画された単位発光領域Ｃを遮る不透明材料がなく，開口率を高くすることができる。また，アドレス電極ＡＤＤの紫外線透過孔ＨＯＬＥも，単位発光領域Ｃに対応する位置に配置される。
【００４９】
第２の実施の形態において，第３の基板の平面図は，図６，図７と同じである。
【００５０】
図１２は，第３の実施の形態におけるプラズマディスプレイパネルの断面図である。第３の実施の形態は，第２の実施の形態と異なり，第２の基板２０の放電空間側とは反対側の面に凹部３２が形成され，その側面に反射層３４が形成され，凹部３２に蛍光体粉体３６が充填されている。そして，第３の基板３０には，蛍光体３６に対応する位置に反射層３４が形成されている。また，隔壁１６は，第２の実施の形態と同様に第１の基板１０側に形成されているが，第２の基板に形成されていてもよい。それ以外の構造は，第１，第２の実施の形態と同様である。
【００５１】
以上説明したとおり，本実施の形態によれば，透明の第２の基板により蛍光体を放電空間から分離したので蛍光体の寿命を長くすることができ，蛍光体を第３の基板または第２の基板の凹部に充填するようにしたので，蛍光体ペーストを利用した時に必要なエージング工程が不要になる。また，蛍光体の周りに反射層を設け，隔壁の上にもＭｇＯ層を設けたので，実効的な発光効率が向上する。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】従来の３電極面放電型のプラズマディスプレイパネルの断面図である。
【図２】第１の実施の形態におけるプラズマディスプレイパネルの断面図である。
【図３】第２の基板の製造プロセスを示す平面図である。
【図４】第２の基板の製造プロセスを示す平面図である。
【図５】図４の第２の基板に表示電極を重ねた平面図である。
【図６】第３の基板の平面図である。
【図７】第３の基板の別の平面図である。
【図８】第２の実施の形態におけるプラズマディスプレイパネルの断面図である。
【図９】第２の実施の形態における第１の基板の平面図である。
【図１０】第２の実施の形態における第１の基板の別の平面図である。
【図１１】図１０の格子状の隔壁１６に，表示電極１１とアドレス電極ＡＤＤを重ねて示した平面図である。
【図１２】第３の実施の形態におけるプラズマディスプレイパネルの断面図である。
【符号の説明】
【００５３】
１０：第１の基板                  １１：表示電極
１４：誘電体層                    １５：保護層
２０：第２の基板                  ２４：隔壁
２６：二次電子放出層              ＡＤＤ：アドレス電極
ＨＯＬＥ：紫外線透過孔            ３０：第３の基板
３２：凹部                        ３４：反射層
３６：蛍光体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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