(57)【要約】      （修正有）【課題】導電線路構造の配線間の信号クロストーク及び外来雑音に対する耐性を飛躍的に向上させ、導電線路の特性インピーダンスを容易に調整して、非常に高い信号周波数（例えば数百ＧＨｚ以上）まで安定した伝送特性を達成すること。【解決手段】基板上に、信号線と導電シールド層とが絶縁層を介して隔離形成されてなる導電線路構造において、上記絶縁層の一部又は全部を電着有機薄膜で形成した導電線路構造及びこの導電線路構造を備える配線基板。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、信号線と導電シールド層とが絶縁層を介して隔離形成されてなり、上記絶縁層の一部又は全部が電着有機薄膜で形成されていることを特徴とする導電線路構造。
【請求項２】
上記信号線としての心線、該心線の周面を取り囲む絶縁層、及び該絶縁層の外周面を取り囲む導電シールド層を備える同軸構造であることを特徴とする請求項１記載の導電線路構造。
【請求項３】
同軸導電線路の互いに隣接する導電シールド層の間の一部又は全部に該導電シールド層から連設された連結部を備え、該連結部が導電シールド層を構成する材料で導電シールド層と一体に形成されていることを特徴とする請求項２記載の導電線路構造。
【請求項４】
基板上に、導電シールド層と絶縁層と信号線としての導電線層とが順に積層されていることを特徴とする請求項１記載の導電線路構造。
【請求項５】
信号線が銅であることを特徴とする１乃至４のいずれか１項記載の導電線路構造。
【請求項６】
電着有機薄膜が電着ポリイミド薄膜であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項記載の導電線路構造。
【請求項７】
特性インピーダンスが１０〜３００Ωであることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項記載の導電線路構造。
【請求項８】
特性インピーダンスが４０〜６０Ωであることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項記載の導電線路構造。
【請求項９】
基板上に第１の金属層を形成し、該第１の金属層を所定の形状にパターニングする工程、
上記パターニングされた第１の金属層上に、第１の電着有機薄膜を形成する工程、
上記第１の電着有機薄膜上に、第２の金属層を形成し、該第２の金属層を所定の形状にパターニングして心線を形成する工程、
上記第１の電着有機薄膜と共に上記パターニングされた第２の金属層の周面を取り囲むように第２の電着有機薄膜を形成して、第１の電着有機薄膜及び第２の電着有機薄膜からなる絶縁層を形成する工程、及び
上記第１の金属層と共に上記絶縁層を取り囲むように第３の金属層を形成して、第１の金属層及び第３の金属層からなる導電シールド層を形成する工程
を備えることを特徴とする請求項２記載の導電線路構造の作製方法。
【請求項１０】
基板上に第１の金属層を形成する工程、
上記第１の金属層上に、第１の電着有機薄膜を形成し、該第１の電着有機薄膜を所定の形状にパターニングする工程、
上記パターニングされた第１の電着有機薄膜上に、第２の金属層を形成し、該第２の金属層を所定の形状にパターニングして心線を形成する工程、
上記第１の電着有機薄膜と共に上記パターニングされた第２の金属層の周面を取り囲むように第２の電着有機薄膜を形成して、第１の電着有機薄膜及び第２の電着有機薄膜からなる絶縁層を形成する工程、及び
上記第１の金属層及び上記絶縁層上に第３の金属層を形成して、第１の金属層及び第３の金属層からなる導電シールド層及びこれと連設された連結部を形成する工程
を備えることを特徴とする請求項３記載の導電線路構造の作製方法。
【請求項１１】
基板上に第１の金属層を形成する工程、
上記第１の金属層上に、第１の電着有機薄膜を形成する工程、
上記第１の電着有機薄膜上に、第２の金属層を形成し、該第２の金属層を所定の形状にパターニングして心線を形成する工程、
上記第１の電着有機薄膜と共に上記パターニングされた第２の金属層の周面を取り囲むように第２の電着有機薄膜を形成する工程、
上記第１の電着有機薄膜を所定の形状にパターニングして第１の電着有機薄膜及び第２の電着有機薄膜からなる絶縁層を形成する工程、及び
上記第１の金属層及び上記絶縁層上に第３の金属層を形成して、第１の金属層及び第３の金属層からなる導電シールド層及びこれと連設された連結部を形成する工程
を備えることを特徴とする請求項３記載の導電線路構造の作製方法。
【請求項１２】
基板上に第１の金属層を形成して導電シールド層を形成する工程、
上記第１の金属層上に、電着有機薄膜を形成して絶縁層を形成する工程、及び
上記電着有機薄膜上に、第２の金属層を形成し、該第２の金属層を所定の形状にパターニングして導電線層を形成する工程
を備えることを特徴とする請求項４記載の導電線路構造の作製方法。
【請求項１３】
上記信号線を構成する金属が銅であることを特徴とする請求項９乃至１２のいずれか１項記載の導電線路構造の作製方法。
【請求項１４】
電着有機薄膜が電着ポリイミド薄膜であることを特徴とする請求項９乃至１３のいずれか１項記載の導電線路構造の作製方法。
【請求項１５】
特性インピーダンスが１０〜３００Ωであることを特徴とする請求項９乃至１４のいずれか１項記載の導電線路構造の作製方法。
【請求項１６】
特性インピーダンスが４０〜６０Ωであることを特徴とする請求項９乃至１４のいずれか１項記載の導電線路構造の作製方法。
【請求項１７】
請求項１乃至８のいずれか１項記載の導電線路構造を備えることを特徴とする配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子情報通信システムの実装系で用いられる導電線路構造、その作製方法、及び配線基板に関するものであり、同軸線路構造等によって信号線と導電シールド層とが絶縁層を介して隔離形成されてなり、低クロストーク特性および高い雑音耐性を得ることができる導電線路構造、その作製方法、及び配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
近来の電子情報通信システムにおいては、当該システムにおいて扱われる信号周波数がより高周波化されており、これに加えて高密度実装化が進展している。このような高周波化及び高密度実装化の進展に伴い、信号伝達線路間における信号クロストーク及び信号伝達線路から輻射されるノイズ、又は外来ノイズの対策が極めて重要な課題となっている。更に、高速伝送時での信号の減衰も大きな問題となっている。
【０００３】
そこで、前記した電子情報通信システムの実装系で用いられる高密度プリント配線基板においては、前記したノイズ対策として、信号線パターンに隣接させてダミーの配線パターンを施し、当該ダミーの配線パターンに対して電源ライン又は接地ライン等の基準電位を印加する手段が提案されている。また、信号伝達線路間において発生するクロストークは、両者の線路間における静電容量に起因するものであるため、その対策として信号線間の間隔を広くする、又は信号線の線幅を互いに狭くする等の対処も考えられている。
【０００４】
また、特開２００３−２４９７３１号公報（特許文献１）には、同軸線路構造により、これらの問題を解決することが提案されているが、報告されている機械加工によって作製された配線基板では、レーザー加工などの機械加工を使用する工程があることから、導電線路構造の更なる微細化は困難である。導電線路構造を、ウェハプロセスを適用して作製することが可能となれば、信号伝達線路の微細化と共に、大幅な精度の向上も期待できる。
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−２４９７３１号公報
【特許文献２】特開昭４９−５２２５２号公報
【特許文献３】特開昭５２−３２９４３号公報
【特許文献４】特開昭６３−１１１１９９号公報
【特許文献５】特開平９−１０４８３９号公報
【特許文献６】特開２００３−３２７９０５号公報
【特許文献７】特開２００３−３２７９０７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、上記事情に鑑みなされたものであり、配線間の信号クロストークおよび外来雑音に対する耐性を飛躍的に向上させることができる、プリント配線基板等の配線基板の配線構造として好適な導電線路構造、及び上記導電線路構造を備える配線基板を提供することを目的とする。
また、本発明においては、導電線路構造及び配線基板において、導電線路の特性インピーダンスを容易に調整して、非常に高い信号周波数（例えば数百ＧＨｚ以上）まで安定した伝送特性が達成された導電線路構造及び配線構造を提供することを目的とする。
更に、本発明は、このような導電線路構造及び配線基板を、ウェハプロセス（薄膜積層プロセス）を適用して微細、かつ高精度に作製する方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者は、上記目的を達成するため鋭意検討を行った結果、基板上に、信号線と導電シールド層とが絶縁層を介して隔離形成されてなる導電線路構造において、絶縁層の一部又は全部を電着ポリイミド薄膜等の電着有機薄膜で形成することにより、配線間の信号クロストーク及び外来雑音に対する耐性を飛躍的に向上させることができること、また、信号線の径と絶縁層の厚さを制御することにより、導電線路の特性インピーダンスを容易に調整して、非常に高い信号周波数（例えば数百ＧＨｚ以上）まで安定した伝送特性が達成できること、更に、絶縁層を電着有機薄膜、特に電着ポリイミド薄膜として形成することにより、導電線路構造及び配線基板を微細、かつ高精度に作製できることを見出し、本発明をなすに至った。
【０００８】
即ち、本発明は下記の導電線路構造、その作製方法、及び配線基板を提供する。
［１］  基板上に、信号線と導電シールド層とが絶縁層を介して隔離形成されてなり、上記絶縁層の一部又は全部が電着有機薄膜で形成されていることを特徴とする導電線路構造。
［２］  上記信号線としての心線、該心線の周面を取り囲む絶縁層、及び該絶縁層の外周面を取り囲む導電シールド層を備える同軸構造であることを特徴とする［１］記載の導電線路構造。
［３］  同軸導電線路の互いに隣接する導電シールド層の間の一部又は全部に該導電シールド層から連設された連結部を備え、該連結部が導電シールド層を構成する材料で導電シールド層と一体に形成されていることを特徴とする［２］記載の導電線路構造。
［４］  基板上に、導電シールド層と絶縁層と信号線としての導電線層とが順に積層されていることを特徴とする［１］記載の導電線路構造。
［５］  信号線が銅であることを特徴とする［１］乃至［４］のいずれかに記載の導電線路構造。
［６］  電着有機薄膜が電着ポリイミド薄膜であることを特徴とする［１］乃至［５］のいずれかに記載の導電線路構造。
［７］  特性インピーダンスが１０〜３００Ωであることを特徴とする［１］乃至［６］のいずれかに記載の導電線路構造。
［８］  特性インピーダンスが４０〜６０Ωであることを特徴とする［１］乃至［６］のいずれかに記載の導電線路構造。
［９］  基板上に第１の金属層を形成し、該第１の金属層を所定の形状にパターニングする工程、
上記パターニングされた第１の金属層上に、第１の電着有機薄膜を形成する工程、
上記第１の電着有機薄膜上に、第２の金属層を形成し、該第２の金属層を所定の形状にパターニングして心線を形成する工程、
上記第１の電着有機薄膜と共に上記パターニングされた第２の金属層の周面を取り囲むように第２の電着有機薄膜を形成して、第１の電着有機薄膜及び第２の電着有機薄膜からなる絶縁層を形成する工程、及び
上記第１の金属層と共に上記絶縁層を取り囲むように第３の金属層を形成して、第１の金属層及び第３の金属層からなる導電シールド層を形成する工程
を備えることを特徴とする［２］記載の導電線路構造の作製方法。
［１０］  基板上に第１の金属層を形成する工程、
上記第１の金属層上に、第１の電着有機薄膜を形成し、該第１の電着有機薄膜を所定の形状にパターニングする工程、
上記パターニングされた第１の電着有機薄膜上に、第２の金属層を形成し、該第２の金属層を所定の形状にパターニングして心線を形成する工程、
上記第１の電着有機薄膜と共に上記パターニングされた第２の金属層の周面を取り囲むように第２の電着有機薄膜を形成して、第１の電着有機薄膜及び第２の電着有機薄膜からなる絶縁層を形成する工程、及び
上記第１の金属層及び上記絶縁層上に第３の金属層を形成して、第１の金属層及び第３の金属層からなる導電シールド層及びこれと連設された連結部を形成する工程
を備えることを特徴とする［３］記載の導電線路構造の作製方法。
［１１］  基板上に第１の金属層を形成する工程、
上記第１の金属層上に、第１の電着有機薄膜を形成する工程、
上記第１の電着有機薄膜上に、第２の金属層を形成し、該第２の金属層を所定の形状にパターニングして心線を形成する工程、
上記第１の電着有機薄膜と共に上記パターニングされた第２の金属層の周面を取り囲むように第２の電着有機薄膜を形成する工程、
上記第１の電着有機薄膜を所定の形状にパターニングして第１の電着有機薄膜及び第２の電着有機薄膜からなる絶縁層を形成する工程、及び
上記第１の金属層及び上記絶縁層上に第３の金属層を形成して、第１の金属層及び第３の金属層からなる導電シールド層及びこれと連設された連結部を形成する工程
を備えることを特徴とする［３］記載の導電線路構造の作製方法。
［１２］  基板上に第１の金属層を形成して導電シールド層を形成する工程、
上記第１の金属層上に、電着有機薄膜を形成して絶縁層を形成する工程、及び
上記電着有機薄膜上に、第２の金属層を形成し、該第２の金属層を所定の形状にパターニングして導電線層を形成する工程
を備えることを特徴とする［４］記載の導電線路構造の作製方法。
［１３］  上記信号線を構成する金属が銅であることを特徴とする［９］乃至［１２］のいずれかに記載の導電線路構造の作製方法。
［１４］  電着有機薄膜が電着ポリイミド薄膜であることを特徴とする［９］乃至［１３］のいずれかに記載の導電線路構造の作製方法。
［１５］  特性インピーダンスが１０〜３００Ωであることを特徴とする［９］乃至［１４］のいずれかに記載の導電線路構造の作製方法。
［１６］  特性インピーダンスが４０〜６０Ωであることを特徴とする［９］乃至［１４］のいずれかに記載の導電線路構造の作製方法。
［１７］  ［１］乃至［８］のいずれかに記載の導電線路構造を備えることを特徴とする配線基板。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、導電線路構造の配線間の信号クロストーク及び外来雑音に対する耐性を飛躍的に向上させ、導電線路の特性インピーダンスを容易に調整して、非常に高い信号周波数（例えば数百ＧＨｚ以上）まで安定した伝送特性を達成することができる。
【００１０】
また、絶縁層を電着ポリイミド薄膜等の電着有機薄膜とすることにより、導電線路構造や配線基板の作製時、同軸導電線路構造においては、同軸の心線（信号線）を包み込むように（つまり３次元的に）絶縁層を形成できるという大きなメリットがあるため、加工の難しい絶縁層を簡単に選択的に形成できるという優位性がある。
【００１１】
更に、信号線の径に対して、厚さを調整して絶縁層を形成することが容易であるため、インピーダンス整合（他の機器と特性インピーダンスを合わせること）が容易となり、従来に比べて高速伝送設定が容易である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明について更に詳しく説明する。
本発明の導電線路構造は、基板上に、信号線と導電シールド層とが絶縁層を介して隔離形成されてなる導電線路構造であり、この絶縁層の一部又は全部が電着ポリイミド薄膜等の電着有機薄膜で形成されている。本発明の導電線路構造において電着有機薄膜は、電着によって形成されたエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等の有機薄膜である。
【００１３】
このような導電線路構造として具体的には、図１〜３に示されるようなものが例示される。図１は、信号線としての心線、この心線の周面を取り囲む絶縁層、及びこの絶縁層の外周面を取り囲む導電シールド層を備える同軸構造の導電線路構造（第１の態様）の一例であり、径方向（導電線路の長手方向に直交する方向、以下同じ）の断面を示している。
【００１４】
この場合、信号線（心線）２と、信号線２の周面を取り囲むように形成された絶縁層３と、絶縁層３の外周面を取り囲むように形成された導電シールド層４で構成された同軸構造の導電線路構造が、基板１上に、同軸構造が互いに離間して配設されているものを示している。そして、信号線２と絶縁層３と導電シールド層４との同軸構造により、信号線２と導電シールド層４とが絶縁層３により隔離されている。
【００１５】
また、図２は、第１の態様の構造の同軸導電線路に、更に同軸導電線路の互いに隣接する導電シールド層の間の一部又は全部に導電シールド層から連設された連結部が設けられ、この連結部が導電シールド層を構成する材料で導電シールド層と一体に形成されている同軸構造の導電線路構造（第２の態様）の一例であり、径方向の断面を示している。
【００１６】
この場合、信号線（心線）２と、信号線２の周面を取り囲むように形成された絶縁層３と、絶縁層３の外周面を取り囲むように形成された導電シールド層４で構成された同軸構造の導電線路構造が、基板１上に、同軸構造が導電シールド層から連設された連結部５によって連結されて配設されているものを示している。そして、この場合も、信号線２と絶縁層３と導電シールド層４との同軸構造により、信号線２と導電シールド層４とが絶縁層３により隔離されている。
【００１７】
一方、図３は、基板上に、導電シールド層と絶縁層と信号線としての導電線層とが順に積層されている導電線路構造（第３の態様）の一例であり、径方向の断面を示している。この構造は、いわゆるマイクロストリップ線路と呼ばれている構造である。
【００１８】
この場合、基板１上に、導電シールド層４と絶縁層３と信号線（導電線層）２１とが順に積層され、信号線２１と導電シールド層４とが絶縁層３により隔離されている。
【００１９】
そして、上記第１〜第３の態様のいずれの場合においても、信号線において信号伝送がなされ、導電シールド層は接地（ＧＮＤ）されて、配線間の信号線における信号ノイズが低減されるように用いられる。
【００２０】
信号線（心線又は導電線層）は、金属導体からなり、金、銀、銅、アルミニウムなど抵抗が比較的低い金属であればよく、導電性の面から銅が好ましい。形成方法は、どのような方法でもよく、たとえば、ワイヤーを絶縁層上の所定の箇所に載置する方法も可能である。また、銅箔等を張り付けサブストラクト法により形成することも可能である。しかしながら、これらの方法は作製精度の問題から微細化には不向きであるため、信号線は、薄膜プロセスで作製することが望ましい。例えば、蒸着法やスパッタリング法などの乾式めっき法、電気めっき、無電解めっきなどの湿式めっき法などが適用できる。電気めっきの場合、シード層（導電層）が必要となる場合があるが、シード層は、無電解めっき法、スパッタ法、蒸着法などの公知の方法によって成膜することができる。比較的厚い膜を形成するので、湿式法により作製することが望ましく、電気めっき法により作製することがより望ましい。
【００２１】
信号線の厚さ（高さ）と幅は特に限定されず、また、全線路において一定でなくてもよく、適宜選択すればよいが、各々１〜５０μｍから選択することが好ましく、幅は特に３〜２５μｍが好ましく、５〜１０μｍ程度がなおよい。一方、厚さは特に１〜１５μｍが好ましく、３〜１０μｍ程度がなおよい。
【００２２】
信号線（心線又は導電線層）は、中心からの距離が一定なほどノイズが生じにくいので、信号線の幅と厚さは、等しい方が望ましい。特に同じ長さであれば、より望ましい。
【００２３】
図４は、導電線路構造の信号線（心線又は導電線層）の断面形状を示す模式図であり、左上に示された矩形状のものから、より右側又は下側に向かうに従って、信号線の幅と厚さがより等しいものとなり、その周辺部に均一の厚さで絶縁層を設け、更に絶縁層の周辺部に導電シールド層を形成すれば、右下に示された円形状のものが、中心からの距離が一定であり、シールド層までの距離も一定となるため最もノイズが生じにくいものとなる。ノイズは、心線の中心からの距離のバラツキに依存し、心線の縦横比（幅と高さの比）をできる限り１に、またエッジ部を極力丸くする方がよいと言うことになる。
【００２４】
上述した同軸構造の導電線路構造においても、断面楕円形状や断面円形状、特に断面円形状の心線が最もノイズの低減に効果的であり、上述した同軸構造の導電線路構造においては、このような断面形状の心線の周辺部に、絶縁層を均一の厚さで設け、更に絶縁層の周辺部に導電シールド層を形成したもの（断面円形状の心線の場合、心線を中心に、絶縁層及び導電シールド層が順に同心円状に設けられたもの）が最もノイズ低減に効果的なものとなる。
【００２５】
更に、この観点からすれば、上述した第３の態様としては、更に図５に示される態様のものを好ましく挙げることができる。図５（Ａ）〜（Ｄ）は、導電シールド層と絶縁層と信号線としての導電線層とが順に積層されている導電線路構造（第３の態様）の一例であり、径方向の断面を示している。図５（Ａ）及び（Ｂ）の場合、基板１上に、導電シールド層４と絶縁層３とが平面状に積層され、この上に、信号線（導電線層）２１が、図５（Ａ）の場合、断面半円状、図５（Ｂ）の場合、断面略半楕円状に各々積層され、信号線２１と導電シールド層４とが絶縁層３により隔離されている。なお、図５（Ａ）及び（Ｂ）中、８１はシード層である
【００２６】
一方、図５（Ｃ）及び（Ｄ）の場合、基板上に、予め断面半円状（図５（Ｃ））又は断面略半楕円状（図５（Ｄ））の溝が形成され、この溝の周面上に、導電シールド層４と絶縁層３とが順に積層され、更に、信号線（導電線層）２１が、半円状又は略半楕円状の中心部を埋めるように積層されて、信号線２１と導電シールド層４とが絶縁層３により隔離されている。この場合、導電シールド層４と絶縁層３と信号線２１とで形成される同軸構造を、軸を中心に軸方向に２分割したものと同様の構造をなしている。
【００２７】
絶縁層の厚さは、絶縁がとれればよいので１μｍ以上あればよいが、配線基板において、高速信号伝送を実現するためには、特性インピーダンスを制御する必要があるために、一定の厚さにすることが重要である。また、インピーダンスを高くするためには、比較的厚い絶縁層が必要である。そのため、本発明の導電線路構造においては、絶縁層は、電着法により成膜された電着有機薄膜で形成されている。絶縁層の厚さは、特に限定されないが、通常１〜１００μｍであることが好ましい。なお、基板上に同軸構造の導電線路構造を形成する場合、絶縁層を２つに分けて形成することが好ましく、通常、絶縁層の一部（第１の絶縁層）を形成した後、信号線を形成し、更に絶縁層の残部（第２の絶縁層）を形成することが好ましい。この場合、前者の絶縁層の形成と後者の絶縁層の形成とを異なる形成法としてもよく、その場合、少なくとも一方において電着法により有機皮膜を形成すればよく、電着法以外の方法としては、ＣＶＤ法などを挙げることができるが、双方を電着法により、同種の材料で形成することが好ましい。
【００２８】
この場合、電着する膜としては、エポキシやポリイミドなどの樹脂薄膜が挙げられるが、電着ポリイミド薄膜が耐電圧性、厚い絶縁膜を形成可能なことから非常に優れている。
【００２９】
ポリイミド薄膜は、カルボキシル基を分子構造内に有するアニオン性ポリイミドの水と有機溶媒との混合溶媒溶液を電着液（電着用組成物）として成膜することができるが、このような電着液としては、電着によるポリイミド薄膜の成膜に用いられる公知の電着液を用いることができる。
【００３０】
ポリイミド電着液としては、例えば、特開昭４９−５２２５２号公報（特許文献２）、特開昭５２−３２９４３号公報（特許文献３）、特開昭６３−１１１１９９号公報（特許文献４）等に記載されているポリイミド前駆体を用いるもの、例えば、ポリアミック酸を、水、又は水と極性有機溶媒等の有機溶媒とに溶解させた溶液を電着液として用いるものが挙げられる。
【００３１】
また、アニオン性ポリイミド、例えば、特開平９−１０４８３９号公報（特許文献５）等に記載されているランダム共重合アニオン性ポリイミドを用いるもの、特開２００３−３２７９０５号公報（特許文献６）、特開２００３−３２７９０７号公報（特許文献７）等に記載されているブロック共重合ポリイミドを用いる電着液を挙げることもできるが、得られる電着ポリイミド膜の密着性が良好となる観点から、ブロック共重合アニオン性ポリイミドを用いるものが特に好ましい。
【００３２】
この電着液としては、ジアミンと酸二無水物との反応生成物からなるランダム共重合アニオン性ポリイミド又はブロック共重合アニオン性ポリイミドを含むものが挙げられる。
【００３３】
上記ジアミンとしては、芳香族ジアミンを含むことが好ましく、芳香族ジアミンとしては、ｏ−，ｍ−，ｐ−フェニレンジアミン、２，４−ジアミノトルエン、２，５−ジアミノトルエン、２，４−ジアミノキシレン、ジアミノジュレン、１，５−ジアミノナフタレン、２，６−ジアミノナフタレン、ベンジジン、４，４’−ジアミノターフェニル、４，４’−ジアミノクォーターフェニル、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、１，２−ビス（アニリノ）エタン、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、ジアミノジフェニルスルホン、２，２−ビス（ｐ−アミノフェニル）プロパン、３，３’−ジメチルベンジジン、３，３’−ジメチル−４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、３，３’−ジメチル−４，４’−ジアミノジフェニルメタン、ジアミノトルエン、１，４−ビス（ｐ−アミノフェノキシ）ベンゼン、４，４’−ビス−（ｐ−アミノフェノキシ）ビフェニル、２，２−ビス｛４−（ｐ−アミノフェノキシ）フェニル｝プロパン、４，４’−ビス（３−アミノフェノキシフェニル）ジフェニルスルホン、２，２−ビス｛４−（ｐ−アミノフェノキシ）フェニル｝ヘキサフルオロプロパンなどが挙げられる。また、２，６−ジアミノピリジンなどの芳香族ジアミン以外のジアミンを含んでいてもよい。２，６−ジアミノピリジンを含むポリイミドは、分子内に酸基と塩基とを持ち、ポリマー相互作用によって、良好なポリイミド薄膜を成膜する。更には、水に対する親和性を増し、水溶性電着液として安定となり、得られた電着膜が平滑で緻密になる利点がある。
【００３４】
また、酸二無水物としては、ピロメリット酸二無水物、１，２，３，４−ベンゼンテトラカルボン酸二無水物、３，４，３’，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、３，４，３’，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，３，２’，３’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，３，３’，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、２，２−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エーテル二無水物、ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）エーテル二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）スルホン二無水物、ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）スルホン二無水物、４，４’−｛２，２，２−トリフルオロ−１−（トリフルオロメチル）エチリデン｝ビス（１，２−ベンゼンジカルボン酸無水物）、９，９−ビス｛４−（３，４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル｝フルオレン二無水物、１，２，５，６−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、２，３，６，７−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、１，４，５，８−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボン酸二無水物、２，３，５，６−ピリジンテトラカルボン酸二無水物、ビシクロ［２．２．２］オクト−７−エン−２，３，５，６−テトラカルボン酸二無水物等の芳香族テトラカルボン酸二無水物を挙げることができる。
【００３５】
ジアミンと酸二無水物との反応生成物からなるランダム共重合アニオン性ポリイミド又はブロック共重合アニオン性ポリイミドでアニオンになる基は、テトラカルボン酸二無水物成分が有していてもよいが、アニオン性基を有するジアミンをジアミン成分の１つとして用いることも好ましい。ポリイミドの耐熱性、被電着物との密着性、重合度向上のため、このようなアニオン性基含有ジアミンは、芳香族ジアミンであることが好ましい。アニオン基はカルボキシル基が望ましく、ジアミノカルボン酸が好ましい。このようなアニオン性基含有芳香族ジアミンの例として、３，５−ジアミノ安息香酸、２，４−ジアミノフェニル酢酸、２，５−ジアミノテレフタル酸、３，３’−ジカルボキシ−４，４’−ジアミノジフェニルメタン、３，５−ジアミノパラトルイル酸、３，５−ジアミノ−２−ナフタレンカルボン酸、１，４−ジアミノ−２−ナフタレンカルボン酸等の芳香族ジアミノカルボン酸を挙げることができ、３，５−ジアミノ安息香酸が特に好ましい。このようなアニオン性基含有芳香族ジアミンは、単独で用いることもできるし、複数種類を組み合わせて用いることもできる。また、アニオン基を有さないジアミンと組み合わせてもよい。
【００３６】
ランダム共重合アニオン性ポリイミド及びブロック共重合アニオン性ポリイミドは、これらのジアミンと酸二無水物とをほぼ等量用いて、加熱、脱水することにより得られる。ブロック共重合アニオン性ポリイミドの場合は、逐次添加反応によって製造され、第一段階で、酸二無水物とジアミンからポリイミドオリゴマーとし、第二段階で、更に酸二無水物及び／又はジアミンを添加して、重縮合してブロック共重合アニオン性ポリイミドとする。本発明において、ランダム共重合アニオン性ポリイミド及びブロック共重合アニオン性ポリイミドの分子量（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）によるポリスチレン換算値）は５０，０００〜１００，０００、特に６０，０００〜８０，０００が好適である。
【００３７】
このランダム共重合アニオン性ポリイミド及びブロック共重合アニオン性ポリイミドは、通常、塩基性化合物で中和したものとして電着液に用いられる。この塩基性化合物としては、Ｎ−ジメチルエタノール、トリエチルアミン、トリエタノールアミン、Ｎ−ジメチルベンジルアミン、Ｎ−メチルモルホリンが用いられるが、Ｎ−ジメチルエタノールやＮ−メチルモルホリンが好適である。中和剤（塩基性化合物）の使用量はポリイミドが溶液中で溶解または安定に分散する程度であって、通常は化学量論中和量の３０モル％以上、特に３０〜２００モル％であることが好ましい。また、電着液中の中和されたポリイミドの固形分濃度は５〜１５質量％であることが好ましい。
【００３８】
一方、電着液の溶媒としては、水と有機溶媒とが用いられ、有機溶媒としては、このランダム共重合アニオン性ポリイミド及びブロック共重合アニオン性ポリイミドを溶解する水溶性極性有機溶媒、例えば、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ，Ｎ’−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ’−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、テトラメチル尿素、テトラヒドロチオフェン−１，１−オキシド等が用いられる。好ましくは毒性の少ないＮ−メチルピロリドン、テトラヒドロチオフェン−１，１−オキシドが好ましい。これら水溶性極性有機溶媒は、上述したブロック共重合アニオン性ポリイミドを製造する際の反応溶媒として用いたものでもよい。
【００３９】
また、電着液に含まれる有機溶媒としては、ランダム共重合アニオン性ポリイミド及びブロック共重合アニオン性ポリイミドを溶解する油溶性溶媒を用いてもよい。油溶性溶媒は、電着後の被着物に析出したポリイミド樹脂のフロー性を高め、塗膜の平滑性を向上させる点で効果がある。またその結果として、電着液の貯蔵安定性を高めることができる。ここで油溶性溶媒とは、実質的に水に不溶性か又は難溶性の有機溶媒を意味する。ランダム共重合アニオン性ポリイミド及びブロック共重合アニオン性ポリイミドを溶解する油溶性溶媒としては、１−アセトナフトン、アセトフェノン、ベンジルアセトン、メチルアセトフェノン、ジメチルアセトフェノン、プロピオフェノン、バレロフェノン、アニソール、安息香酸メチル、安息香酸ベンジルなどが挙げられる。
【００４０】
更に、電着液に含まれる有機溶媒としては、フェニル基、フルフリル基又はナフチル基を有するアルコール等のポリイミドに対する貧溶媒を併用することが好ましく、このようなものとしては、例えばベンジルアルコール、置換ベンジルアルコール、フルフリルアルコールなどを挙げることができる。
【００４１】
電着液中の溶媒の濃度は８５〜９５質量％であるが、有機溶媒の濃度は１５〜８５質量％、特に２０〜７０質量％であり、溶媒として水を併用する場合、これと上述した中和されたポリイミドの固形分濃度との残部が水の濃度となる。なお、上記油溶性溶媒を用いる場合、電着液中の油溶性溶媒の濃度は１０〜３０質量％であることが好ましく、また、上記ポリイミドに対する貧溶媒を用いる場合、電着液中の貧溶媒の濃度は５〜１５質量％であることが好ましい。電着液のｐＨは、ほぼ中性乃至弱塩基性（例えばｐＨ＝７〜９、好ましくは７．５〜８）であることが好ましい。
【００４２】
上述した電着液としては、株式会社ピーアイ技術研究所製の可溶型ブロック共重合ポリイミド電着液Ｑ−ＥＤシリーズ（例えば、Ｑ−ＥＤ−２１−１２９等）などの市販品を用いることができる。
【００４３】
電着条件は、従来公知の条件をそのまま採用することができる。例えば、ランダム共重合アニオン性ポリイミド又はブロック共重合アニオン性ポリイミドを用いる場合、導電性被着物を温度１５〜３５℃にて電着液に浸漬し、陰極としてＣｕ、Ｐｔ等の電極を用い、電圧２０〜４００Ｖ、好ましくは５０〜２００Ｖで、通電時間３０秒〜１０分間、好ましくは１〜５分間通電することにより導電性被着物の表面に溶媒を含むポリイミド薄膜が成膜される。なお、電着環境下で溶出する可能性がある金属を用いる場合、バリア層を設けるなど、信号線に例えばＮｉめっき等で電着時に金属の溶出がないような処理を施すことが好ましい。この場合のＮｉめっき皮膜等のバリア層の膜厚は１０〜５００ｎｍ程度が望ましい。
【００４４】
更に、洗浄、風乾後、９０〜２２０℃、好ましくは９０〜１８０℃で、１０分〜２時間、好ましく３０分〜１時間加熱して溶媒を揮発させることにより乾燥され、固化したポリイミド薄膜が得られる。また、溶媒を揮発させ乾燥させる方法としては、基材を減圧雰囲気に置いてもよい。このときの圧力は１／２気圧以下、処理時間としては３０分以上が望ましい。更に、加熱処理と減圧雰囲気に置くことを組み合わせても別途に実施してもよい。
【００４５】
導電シールド層及び連結部は、金属導体からなり、金、銀、銅、アルミニウムなど抵抗が比較的低い金属であればよく、湿式めっき法で成膜する場合は、金、銀、銅が好ましいが、導電性の面から銅が特に好ましい。上述した第２の態様のような連結部を備える導電線路構造の場合、連結部は導電シールド層を構成する材料で導電シールド層と一体に形成される。導電シールド層は、絶縁層上に密着性よく、均一に形成されている必要がある。成膜方法は、どのような方法でもよく、例えば、蒸着法やスパッタリング法などの乾式めっき法、電気めっき、無電解めっきなどの湿式めっき法などが適用できる。電気めっきの場合、シード層（導電層）が必要となる場合があるが、シード層は、無電解めっき法、スパッタ法、蒸着法などの公知の方法によって成膜することができる。
【００４６】
この場合、導電シールド層及び連結部は、均一に成膜しなければならないことから、湿式成膜法（湿式めっき法）が望ましい。絶縁層が形成されている部分に導電シールド層を形成する場合は、絶縁層には電気が流れないため、無電解めっき又はダイレクトプレーティングが望ましい。なお、無電解めっき皮膜の膜厚は、通常２０ｎｍ〜５μｍである。無電解めっきで形成しためっき皮膜の膜厚が薄い場合は、無電解めっきで成膜しためっき皮膜を通電層として、更に電気めっきを行ってもよい。導電シールド層の厚さは、１００ｎｍ〜１０μｍ、特に、５００ｎｍ〜５μｍが望ましい。なお、基板上に同軸構造の導電線路構造を形成する場合、導電シールド層を２つに分けて形成することが好ましく、通常、導電シールド層及び必要に応じて形成される連結部の一部（第１の導電シールド層及び必要に応じて形成される第１の連結部）を形成した後、信号線及び絶縁層を形成し、更に導電シールド層及び必要に応じて形成される連結部の残部（第２の導電シールド層及び必要に応じて形成される第２の連結部）を形成することが好ましい。この場合、前者の導電シールド層及び必要に応じて形成される連結部の形成と後者の導電シールド層及び必要に応じて形成される連結部の形成とを異なる形成法としてもよいが、双方を同一の形成法により形成することが好ましい。
【００４７】
無電解めっきを行うためには、下地を形成しなければならないが、この下地の形成は、ポリイミド等の有機物上への無電解めっきに用いる従来公知の手法を適用することができる。このような方法としては、例えば、ポリイミドにＵＶランプを照射することで、Ｃ−Ｃ結合、Ｃ−Ｏ結合などを切断し、マイクロアンカーを形成させ、絶縁層の表面に数１０ｎｍのラフネスを形成させて、ナノアンカー効果を利用する方法（ＵＶ法）、強アルカリを用いてポリイミドのイミド結合を開裂させ、内部にＰｄイオンを浸透させ、その後、還元によりポリイミド表層に無電解めっきのためのＰｄ触媒化層を形成する方法（アルカリ法）、ポリイミド表面を酸素アッシングすることで水酸基を形成し、その後にシランカップリング剤をポリイミド上に塗布して、アミノ基を形成後に触媒化する方法（有機シラン自己組織化単分子膜法）などがある。
【００４８】
また、下地の形成方法として、ポリイミドの表面を、互いに離間する分子鎖両末端にアミノ基を各々一つ以上有する有機アミン化合物を含有する水溶液で表面処理し、次いで、金属を含む活性化溶液で触媒化処理することにより、上記アミン化合物分子の他方の末端のアミノ基に金属触媒を付与する方法を用いることもできる。
【００４９】
この場合、まず、電着ポリイミド表面を、有機アミン化合物を含有する水溶液で表面処理することにより、ポリイミド表面上のカルボキシル基（−ＣＯＯＨ）及び／又はカルボキシル誘導基（−ＣＯＯ−Ｒ＋（Ｒ＋は３級アミニウム等の有機カチオン基又はＬｉ＋、Ｎａ＋、Ｋ＋、Ｒｂ＋、Ｃｓ＋、Ｆｒ＋等の無機カチオンを示す）と、有機アミン化合物のアミノ基とを反応させて、カルボキシル基及び／又はカルボキシル誘導基をアミン化合物分子で修飾する。
【００５０】
このような有機アミン化合物としては、例えば、エチレンジアミン、プロピレンジアミン等のアルキルジアミン、ジエチレントリアミン等の好ましくは炭素数２以上、好ましくは２〜５のアルキルポリアミン化合物を挙げることができる。アミノ基は、互いに離間する分子鎖両末端にアミノ基を各々一つ以上有していればよく、アミノ基を３個以上有する場合は、上記分子鎖両末端以外のアミノ基は、分子鎖末端に位置していても、分子鎖末端以外に位置していてもよい。
【００５１】
この表面処理は、有機アミン化合物を含有する水溶液中にポリイミドを浸漬させるなどの方法で接触させればよい。有機アミン化合物水溶液中の有機アミン化合物の濃度は０．００１〜１０ｍｏｌ／Ｌ、特に０．０１〜１ｍｏｌ／Ｌとすることができる。浸漬は、有機アミン化合物の濃度にもよるが、室温（例えば２０℃）〜９０℃で、５秒〜３０分、特に１〜１０分とすることができる。表面処理後、必要により水洗により過剰の有機アミン化合物を除去すればよい。
【００５２】
次に、金属を含む活性化溶液で触媒化処理（活性化処理）することにより、アミン化合物分子のカルボキシル基及び／又はカルボキシル誘導基と反応していない他方の末端のアミノ基に金属触媒を付与する。この触媒化は、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｕなど無電解めっきを行うための触媒となるものならば、いずれの金属を用いてもよいが、通常、活性の高いＰｄ、Ａｇが用いられ、Ｐｄが一般的である。このような触媒化処理に用いられる活性化溶液は、市販の活性化溶液を用いることができ、例えば、浸漬処理等の方法で、アミノ基に対する触媒化処理の公知の条件で処理することができる。また、必要に応じて、触媒化処理後に、ジメチルアミンボラン水溶液等のアクセラレーション処理液に浸漬することによりアクセラレーション処理を施してもよい。なお、触媒化処理後及びアクセラレーション処理後は、いずれも水洗により過剰の触媒化溶液、アクセラレーション処理液を除去すればよい。
【００５３】
そして、金属触媒を核として無電解めっき皮膜が積層される。この無電解めっきには従来公知の無電解めっき浴を用いることができ、例えば、無電解ＮｉＰめっき浴や無電解ＮｉＢめっき浴を用いて無電解ニッケル皮膜、無電解Ｃｕめっきを用いて無電解Ｃｕめっき薄膜を形成することが可能である。
【００５４】
本発明の導電線路構造は、プリント配線基板等の配線基板の導電線路構造としてのみならず、単一の導電線路としてもよく、複数の導電線路の集合体としてもよい。
【００５５】
次に、導電線路構造の作製方法について、図６〜１１を参照して説明する。
図６は、図１に示されるような、第１の態様の同軸構造の導電線路構造を作製する手順の一例を示している。まず、基板１上に第１の金属層４１を形成し、第１の金属層４１を所定の形状にパターニングする（図６（Ａ））。
【００５６】
次に、パターニングされた第１の金属層４１上に、第１の電着有機薄膜３１を形成する（図６（Ｂ））。この場合、パターン化した第１の金属層４１を導電層として電着法により第１の金属層４１のパターンを反映させてパターン化された第１の電着有機薄膜３１を形成してもよい。
【００５７】
次に、第１の電着有機薄膜３１上に、第２の金属層２を形成し、第２の金属層２を所定の形状にパターニングして、第１の電着有機薄膜３１上の中央部に心線（信号線）２を形成する（図６（Ｃ））。
【００５８】
次に、第１の電着有機薄膜３１と共にパターニングされた第２の金属層２の周面を取り囲むように第２の電着有機薄膜３２を形成して、第１の電着有機薄膜３１及び第２の電着有機薄膜３２からなる絶縁層３を形成する（図６（Ｄ））。この場合、第２の金属層２を導電層として電着法により、第２の金属層２の形状を反映させて、第２の金属層２の上面及び側面に第２の電着有機薄膜３２を形成することができ、第１の電着有機薄膜３１及び第２の電着有機薄膜３２により心線２が取り囲まれる。
【００５９】
そして、第１の金属層４１と共に絶縁層３を取り囲むように第３の金属層４２を形成して、第１の金属層４１及び第３の金属層４２からなる導電シールド層４を形成する（図６（Ｅ））。この場合、絶縁層３上に、第３の金属層４２が形成されると共に、第１の金属層４１の側面にも第３の金属層４２が形成される。
【００６０】
図７は、図２に示されるような、第２の態様の同軸構造の導電線路構造を作製する手順の一例を示している。まず、基板１上に第１の金属層４１を形成する（図７（Ａ））。この場合、第１の金属層４１はパターニングされず、第１の金属層４１の一部は、後述する連結部となる。
【００６１】
次に、第１の金属層４１上に、第１の電着有機薄膜３１を形成し、第１の電着有機薄膜３１を所定の形状にパターニングする（図７（Ｂ））。
【００６２】
次に、パターニングされた第１の電着有機薄膜３１上に、第２の金属層２を形成し、第２の金属層２を所定の形状にパターニングして、第１の電着有機薄膜３１上の中央部に心線（信号線）２を形成する（図７（Ｃ））。
【００６３】
次に、第１の電着有機薄膜３１と共にパターニングされた第２の金属層２の周面を取り囲むように第２の電着有機薄膜３２を形成して、第１の電着有機薄膜３１及び第２の電着有機薄膜３２からなる絶縁層３を形成する（図７（Ｄ））。この場合、第２の金属層２を導電層として電着法により、第２の金属層２の形状を反映させて、第２の金属層２の上面及び側面に第２の電着有機薄膜３２を形成することができ、第１の電着有機薄膜３１及び第２の電着有機薄膜３２により心線２が取り囲まれる。
【００６４】
そして、第１の金属層４１及び絶縁層３上に、第１の金属層４１と共に絶縁層３を取り囲むように第３の金属層４２を形成して、第１の金属層４１及び第３の金属層４２からなる導電シールド層４及びこれと連設された連結部５を形成する（図７（Ｅ））。
【００６５】
図８は、図２に示されるような、第２の態様の同軸構造の導電線路構造を作製する手順を他の例を示している。まず、基板１上に第１の金属層４１を形成する（図８（Ａ））。この場合、第１の金属層４１はパターニングされず、第１の金属層４１の一部は、後述する連結部となる。
【００６６】
次に、第１の金属層４１上に、第１の電着有機薄膜３１を形成する（図８（Ｂ））。この場合、第１の電着有機薄膜３１はパターニングされず、後述する第１の電着有機薄膜３１のパターニングにおいて、第２の電着有機薄膜３２と共にエッチングすることによりパターニングされる。
【００６７】
次に、第１の電着有機薄膜３１上に、第２の金属層２を形成し、第２の金属層２を所定の形状にパターニングして、第１の電着有機薄膜３１上の中央部に心線（信号線）２を形成する（図８（Ｃ））。
【００６８】
次に、第１の電着有機薄膜３１と共にパターニングされた第２の金属層２の周面を取り囲むように第２の電着有機薄膜３２を形成する（図８（Ｄ））。この場合、第２の金属層２を導電層として電着法により、第２の金属層２の形状を反映させて、第２の金属層２の上面及び側面に第２の電着有機薄膜３２を形成することができ、第１の電着有機薄膜３１及び第２の電着有機薄膜３２により心線２が取り囲まれるが、次の第１の電着有機薄膜３１のパターニングにおいて、第２の電着有機薄膜３２がエッチングされることを考慮して、その分、厚く形成する。
【００６９】
次に、第１の電着有機薄膜３１を所定の形状にパターニングして第１の電着有機薄膜３１及び第２の電着有機薄膜３２からなる絶縁層３を形成する（図８（Ｅ））。この場合、上述したように第２の電着有機薄膜３２は、第１の電着有機薄膜３１のパターニングと共に、所定の厚さまでエッチングされる。
【００７０】
そして、第１の金属層４１及び絶縁層３上に、第１の金属層４１と共に絶縁層３を取り囲むように第３の金属層４２を形成して、第１の金属層４１及び第３の金属層４２からなる導電シールド層４及びこれと連設された連結部５を形成する（図８（Ｆ））。
【００７１】
これら図６〜８で示される態様の場合、絶縁層３は、第１の電着有機薄膜（第１の絶縁層）３１と、第２の電着有機薄膜（第２の絶縁層）３２との２つに分けて形成され、第１の絶縁層３１と第２の絶縁層３２との２つで絶縁層３が構成されている。また、導電シールド層４（及び必要に応じて形成される連結部５）は、第１の金属層（第１の導電シールド層及び必要に応じて形成される連結部）４１と、第３の金属層（第２の導電シールド層及び必要に応じて形成される連結部）４２との２つに分けて形成され、第１の導電シールド層４１と第２の導電シールド層４２との２つで導電シールド層４及び必要に応じて形成される連結部５が構成されている。
【００７２】
一方、図９は、図３に示されるような、第３の態様の導電線路構造（マイクロストリップライン）を作製する手順の一例を示している。この場合、まず、基板１上に第１の金属層４を形成する（図９（Ａ））。次に、第１の金属層４上に、電着有機薄膜３を形成する（図９（Ｂ））。次に、電着有機薄膜３上に、第２の金属層２を形成し、第２の金属層２を所定の形状にパターニングして、電着有機薄膜３上に導電線層（信号線）２１を形成する（図９（Ｃ））。
【００７３】
また、図１０は、図５（Ａ）に示されるような、第３の態様の導電線路構造を作製する手順の一例を示している。この場合、まず、基板１上に第１の金属層４を形成する（図１０（Ａ））。次に、第１の金属層４上に、電着有機薄膜３を形成する（図１０（Ｂ））。次に、電着有機薄膜３上に、シード層８１を形成する（図１０（Ｃ））。次に、シード層８１上に、レジスト１０のパターンを形成し（図１０（Ｄ））、このレジスト１０のパターンに、めっきにより、第２の金属層２１を形成し（図１０（Ｅ））、レジスト１０を剥離して、電着有機薄膜３上にシード層８１を介して導電線層（信号線）２１を形成する（図１０（Ｆ））。エッジ部の析出を抑制する作用を有する添加剤を含むめっき液を用いてめっきすることや、パルスめっき、パルスリバースめっきなどを単独、もしくは組み合わせて用いることで、第２の金属層２１の中心部の厚さを相対的に厚くすることが可能である。シード層は、ウェットエッチングや、ＲＩＥ（反応性イオンエッチング）法等のドライエッチングを適用して除去でき、図５（Ａ）の形状とすることができる。なお、図５（Ｂ）に示される導電線路構造も同様の手法で作製することができる。
【００７４】
更に、図１１は、図５（Ｃ）に示されるような、第３の態様の導電線路構造を作製する手順の一例を示している。この場合、まず、基板１に、断面半円状の溝１１を形成（図１１（Ａ））し、この溝１１の周面上に第１の金属層４を形成する（図１１（Ｂ））。次に、第１の金属層４上に、電着有機薄膜３を形成する（図１１（Ｃ））。次に、電着有機薄膜３上に、第２の金属層２１を半円状の中心部を埋めるように形成して、電着有機薄膜３上に導電線層（信号線）２１を形成する（図１１（Ｄ））。この場合、第１の金属層４及び第２の金属層２１は、ビアフィル、トレンチフィル用のめっき液を用いためっき法により形成することが望ましい。なお、図５（Ｄ）に示される導電線路構造も同様の手法で作製することができる。
【００７５】
また更に、図５（Ｃ）又は（Ｄ）に示される導電線路構造に、更に、図１０により示したレジストを使用したフォトリソグラフィによる導電線層（信号線）の形成手法を適用して、導電線層（信号線）２１上に、上部導電線層（信号線）２１ａを形成すれば、図１１（Ｅ）に示されるように、導電線層（信号線）２１及び上部導電線層（信号線）２１ａからなる導電線層（信号線）を、断面円形状（又は断面略楕円状）に形成することも可能である。
【００７６】
更に、断面円形状（又は断面略楕円形状）に形成した導電線層（信号線）の上面に上部絶縁層３ａを形成し、更に上部絶縁層３ａの上面に上部導電シールド層４ａを形成して、図１１（Ｆ）に示されるような同軸構造の導電線路構造を形成することも可能であり、この方法によれば、断面円形状（又は断面略楕円形状）の心線を中心に、絶縁層及び導電シールド層が順に同心円状（又は同心楕円状）に設けられた同軸構造の導電線路構造（上述した第１又は第２の態様の導電線路構造）を形成することも可能である。
【００７７】
なお、金属層及び電着有機薄膜のパターニングには、フォトリソグラフィ法が適用できる。また、サブストラクティブ法、フルアディティブ法、セミアディティブ法などいずれの方法でも可能である。エッチングには、ウェットエッチングや、ＲＩＥ（反応性イオンエッチング）法等のドライエッチングが適用できる。なお、金属層及び電着有機薄膜の形成においては、それら各々の形成の前後に、上述した下地（下地層）、バリア層、シード層などを必要に応じて形成することができる。
【００７８】
本発明の同軸構造の導電線路構造において、同軸構造の幅及び厚さ（高さ）は適宜選定され、信号線の幅及び厚さ、絶縁層の誘電率及び厚さ、並びに導電シールド層の厚さによって決まるが、通常、幅は１〜５０μｍ、特に３〜２５μｍ程度、厚さ（高さ）は１〜１５μｍ、特に３〜１０μｍ程度であることが好ましい。また、本発明の同軸構造においては、絶縁層は、比較的広い厚さ範囲において均一に形成されることから、信号線を所望の幅及び厚さとし、信号線の幅及び厚さに応じて、これに必要な厚さの絶縁層をその厚さを制御して、例えば、表１に示されるような信号線径と絶縁層厚さ（この場合、信号線の幅及び厚さを同一とし、断面形状を円形とした理想的な同軸構造）のように算出した径を信号線の径とし、これを適用して、所望の特性インピーダンスに設定することができ、例えば１０〜３００Ωの範囲とすることができる。特に、特性インピーダンスが４０〜６０Ωの範囲ならば、現状で要求されている５０Ω前後の特性インピーダンスを備える導電線路構造とすることが可能である。更に特性インピーダンスが４５〜５５Ωの範囲ならば、高い周波数においても非常に安定して信号を伝送できる。
【００７９】
【表１】
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【００８０】
また、本発明の導電線路構造を基板上に形成し、プリント配線基板等の配線基板として用いると、導電線路構造を、小径で、従来に比べて高い特性インピーダンスを有するものとすることができることから、有効にノイズを低減することができると共に、高い信号周波数（例えば数十〜数百ＧＨｚ）においても安定した信号伝送を得ることができる。
【００８１】
次に、本発明の配線基板の更に具体的な例を示す。
図１２は、同軸構造の導電線路構造を有する配線基板の一例である。この例は、上述した第２の態様の導電線路を適用した配線基板であり、この場合、信号線（心線）２と、信号線２の周面を取り囲むように形成された第１の絶縁層３１及び第２の絶縁層３２からなる絶縁層３と、絶縁層３の外周面を取り囲むように形成された第１の導電シールド層４１及び第２の導電シールド層４２からなる導電シールド層４で構成された同軸構造の導電線路構造が、基板１上に、同軸構造が導電シールド層４から連設された連結部５によって連結されて配設されているものを示している。そして、この場合も、信号線２と絶縁層３と導電シールド層４との同軸構造により、信号線２と導電シールド層４とが絶縁層３により隔離されている。また、基板１と第１の導電シールド層４１との間、及び第１の絶縁層３１と信号線２との間には、各々Ｔｉ層６１及びＣｕ層６２からなるめっき形成のためのシード層６が設けられている。更に、第１の導電シールド層４１と第１の絶縁層３１との間、及び信号線２と第２の絶縁層３２との間には、各々電着における第１の導電シールド層４１又は信号線２の溶出を防ぐためのバリア層７が設けられている。なお、図１２中、８は無電解Ｎｉめっき層、９はコンタクトホールに充填されたビアフィル配線である。
【００８２】
図１３は、マイクロストリップラインの導電線路構造を有する配線基板の一例である。この例は、上述した第３の態様の導電線路を適用した配線基板であり、この場合、基板１上に、導電シールド層４と絶縁層３と信号線（導電線層）２１とが順に積層され、信号線２１と導電シールド層４とが絶縁層３により隔離されている。また、基板１と第１の導電シールド層４との間、及び絶縁層３と信号線２との間には、各々Ｔｉ層６１及びＣｕ層６２からなるめっき形成のためのシード層６が設けられている。更に、導電シールド層４と絶縁層３との間には、電着における導電シールド層４の溶出を防ぐためのバリア層７が設けられている。なお、図１３中、９はコンタクトホールに充填されたビアフィル配線である。
【００８３】
本発明では、段差部や立体交差など、３次元的に同軸配線が作製可能であり、また機械加工を用いず、ウェハプロセスのみでも作製が可能である。そのため、非常に微細なパターンの作製が可能である。更に、プリント配線基板等の配線基板のみならず、パッケージ基板やインターポーザなどの微細多層配線板に応用が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００８４】
【図１】本発明の導電線路構造の一例（第１の態様）を示す断面図であり、同軸構造の導電線路構造を示す。
【図２】本発明の導電線路構造の一例（第２の態様）を示す断面図であり、同軸構造の導電線路構造を示す。
【図３】本発明の導電線路構造の一例（第３の態様）を示す断面図であり、マイクロストリップ線路構造を示す。
【図４】種々の信号線（導電線層）の断面形状とノイズの影響を説明するための模式図である。
【図５】本発明の導電線路構造の一例（第３の態様）を示す断面図である。
【図６】本発明の導電線路構造（第１の態様）の作製方法の一例を説明するための導電線路構造の断面図である。
【図７】本発明の導電線路構造（第２の態様）の作製方法の一例を説明するための導電線路構造の断面図である。
【図８】本発明の導電線路構造（第２の態様）の作製方法の他の例を説明するための導電線路構造の断面図である。
【図９】本発明の導電線路構造（第３の態様）の作製方法の一例を説明するための導電線路構造の断面図である。
【図１０】本発明の導電線路構造（第３の態様）の作製方法の他の例を説明するための導電線路構造の断面図である。
【図１１】本発明の導電線路構造（第３の態様）の作製方法の別の例を説明するための導電線路構造の断面図である。
【図１２】本発明の配線基板の一例を示す断面図であり、（Ｂ）は（Ａ）のＸ−Ｘ部における断面図である。
【図１３】本発明の配線基板の他の例を示す断面図であり、（Ｂ）は（Ａ）のＸ−Ｘ部における断面図である。
【符号の説明】
【００８５】
１  基板
２  心線（第２の金属層）
２１  導電線層（第２の金属層）
２１ａ  上部導電線層
３  絶縁層
３ａ  上部絶縁層
３１  第１の絶縁層（第１の電着有機薄膜）
３２  第２の絶縁層（第２の電着有機薄膜）
４  導電シールド層
４ａ  上部導電シールド層
４１  第１の導電シールド層（第１の金属層）
４２  第２の導電シールド層（第３の金属層）
５  連結部
６  シード層
６１  Ｔｉ層
６２  Ｃｕ層
７  無電解ＮｉＰめっき層（バリア層）
８  無電解ＮｉＢめっき層
８１  シード層
９  ビアフィル配線
１０  レジスト
１１  溝
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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