(57)【要約】【課題】ガラス成分を含有する基板本体の少なくとも一面に高い密着強度のパッドや配線層などの導体層を有する配線基板、およびその製造方法を提供する。【解決手段】ガラス成分を含有する第１絶縁層Ｓ１と、かかる第１絶縁層Ｓの一面上に配置され、且つ第１絶縁層Ｓ１よりもガラス成分の含有量が少ない第２絶縁層Ｓ２と、かかる第２絶縁層Ｓ２の表面（一面）３に形成されたＴｉ層１１またはＣｒ層１１を含むパッド（導体層）５と、を備えている、配線基板１。【選択図】  図２
2008227222.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス成分を含有する第１絶縁層と、
上記第１絶縁層の少なくとも一面上に配置され、且つ第１絶縁層よりもガラス成分の含有量が少ない第２絶縁層と、
上記第２絶縁層の一面に形成されたＴｉ層またはＣｒ層を含む導体層と、
を備えている、
ことを特徴とする配線基板。
【請求項２】
焼成後に第１絶縁層となるガラス成分を含有する未焼成の第１絶縁層の少なくとも一面に、焼成後に少なくとも一部分が第２絶縁層となり、上記未焼成の第１絶縁層よりもガラス成分の含有量が少ない絶縁性のペーストを印刷して、未焼成積層体を形成する工程と、
上記未焼積層体を焼成する工程と、
上記焼成後の積層体において、含有されるガラス成分が少ない側の表面に、Ｔｉ層またはＣｒ層を形成する工程と、を含む、
ことを特徴とする配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ガラス成分を含有する基板本体の少なくとも一面に高い密着強度のパッドや配線層などの導体層を有する配線基板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
配線基板の表面に優れた配線パターンを形成するため、アルミナなどのセラミックからなるベース基板の表面全体にＴｉ層およびＣｕ層をスパッタリングにより形成し、これらの上に形成したレジストパターン間の底面に露出するＣｕ層の上にＣｕメッキ層およびＮｉメッキ層を形成し、上記レジストパターンを除去した後、上記Ｔｉスパッタ層、Ｃｕスパッタ層、Ｃｕメッキ層、およびＮｉメッキ層からなる配線パターンの基礎部分の表面にＡｕメッキ層を形成する、配線基板の製造方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】特開２００１−６８８２８号公報  （第１〜９頁、図２）
【０００４】
ところで、基板本体が主にガラス−セラミックからなる配線基板の場合、その基板本体の表面に形成したパッドや配線層などの導体層は、上記基板本体を形成するガラス−セラミック自体の強度が低いため、不用意な外力を受けた際に、上記基板本体における表面側の一部と共に剥離して、脱落することがある。
更に、ガラス−セラミックからなる基板本体の表面に形成すべき導体層の一部にＴｉ層を用いる場合、導体層の形成に不要な位置のＴｉ層を除去する際にエッチング剤として用いるフッ酸が、上記基板本体中のガラス成分を溶解する場合がある。このため、Ｔｉ層を用いることができず、高い密着強度の導体層をガラス−セラミックからなる基板本体の表面に形成し難い、という問題があった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、背景技術において説明した問題点を解決し、ガラス成分を含有する基板本体の少なくとも一面に高い密着強度のパッドや配線層などの導体層を有する配線基板、および、かかる配線基板が確実に得られる製造方法を提供する、ことを課題とする。
【課題を解決するための手段および発明の効果】
【０００６】
本発明は、前記課題を解決するため、主にガラス−セラミックからなる基板本体の導体層を形成すべき一面側に、表層がほぼセラミックからなる絶縁層を形成する、ことに着想して成されたものである。
即ち、本発明の配線基板（請求項１）は、ガラス成分を含有する第１絶縁層と、かかる第１絶縁層の少なくとも一面上に配置され、且つ第１絶縁層よりもガラス成分の含有量が少ない第２絶縁層と、かかる第２絶縁層の一面に形成されたＴｉ層またはＣｒ層を含む導体層と、を備えている、ことを特徴とする。
【０００７】
これによれば、ガラス成分を含有する第１絶縁層の少なくとも一面上に、かかる第１絶縁層よりもガラス成分の含有量が少ない第２絶縁層が配置され、かかる第２絶縁層の一面にＴｉ層またはＣｒ層を含む導体層が形成されている。このため、かかる導体層に含まれるＴｉ層またはＣｒ層と、第２絶縁層のうちほぼセラミック成分からなる表層とが強固に密着している。従って、接続信頼性などが高い導体層を有する配線基板を提供することが可能となる。
尚、本発明には、複数の前記配線基板を縦横に隣接して配置した製品領域と、かかる領域の外周の少なくとも一部に沿い且つ前記第１・第２絶縁層からなる耳部と、を有する多数個取り基板の形態も含まれる。
【０００８】
付言すれば、本発明には、前記導体層は、前記Ｔｉ層またはＣｒ層と、その表面に順次形成されたＣｕ層、Ｎｉ層、およびＡｕ層と、からなる、配線基板も含まれ得る。これによる場合、Ｔｉ層またはＣｒ層とＣｕ層とからなる本体部と、かかる本体部の表面全体に順次形成されたＮｉ層およびＡｕ層からなり、密着強度が高く且つ耐食性にも優れた導体層を有する配線基板とすることが可能となる。
尚、前記第１絶縁層におけるガラス成分とセラミック成分との重量割合は、一方が６０〜４０ｗｔ％であり、他方が４０〜６０ｗｔ％である。
【０００９】
また、焼成によって得られた基板本体は、前記第１・第２絶縁層からなる。このうち、第２絶縁層は、厚みが０．５〜５μｍの範囲で、その一面（表面）付近がほぼセラミック成分からなり、且つ第１絶縁層に近付くに連れてセラミック成分の含有量が次第に低減し且つガラス成分の含有量が次第に増加する。一方、第１絶縁層は、ガラス−セラミックの割合が全体としてほぼ均一であるが、隣接する第２絶縁層に近付く程、ガラス成分の含有量が徐々に低くなる。場合によっては、第１絶縁層と第２絶縁層との境界は、明確ではないこともある。
更に、前記導体層は、パッド、配線層、または、端子の何れかである。
また、前記第１絶縁層がビア導体を有する形態では、第２絶縁層（ペースト層）を貫通して形成されたビアホール内にも、上記ビア導体が形成されている。
更に、前記第１絶縁層は、複数の絶縁層からなり且つそれらの間に配線層と、かかる配線層同士の間を接続するビア導体とを形成した形態も含まれる。
加えて、前記第１絶縁層の両面に第２絶縁層が形成され、かかる第２絶縁層ごとの一面（表・裏面）にそれぞれ前記導体層が形成された形態の配線基板も含まれる。
【００１０】
一方、本発明の配線基板の製造方法（請求項２）は、焼成後に第１絶縁層となるガラス成分を含有する未焼成の第１絶縁層の少なくとも一面に、焼成後に少なくとも一部分が第２絶縁層となり、上記未焼成の第１絶縁層よりもガラス成分の含有量が少ない絶縁性のペーストを印刷して、未焼成積層体を形成する工程と、かかる未焼積層体を焼成する工程と、かかる焼成後の積層体において、含有されるガラス成分が少ない側の表面に、Ｔｉ層またはＣｒ層を形成する工程と、を含む、ことを特徴とする。
これによれば、ガラス成分を含有する第１絶縁層の少なくとも一面上に、かかる第１絶縁層よりもガラス成分の含有量が少ない第２絶縁層を形成し、かかる第２絶縁層の一面にＴｉ層またはＣｒ層を形成するため、かかるＴｉ層またはＣｒ層を含み且つ高い密着強度を持った導体層を有する前記配線基板を確実に製造することが可能となる。
【００１１】
付言すれば、本発明には、前記スパッタリング工程の後、前記Ｔｉ層またはＣｒ層の表面全体に、スパッタリングによりＣｕ（スパッタ）層を形成する工程と、かかるＣｕ層の上に所定のパターン（孔）を有するレジストを形成する工程と、かかるパターン上にＣｕメッキ層を形成する工程と、上記レジストを除去する工程と、上記Ｃｕメッキ層の位置を除いたＴｉ層またはＣｒ層およびＣｕ層をエッチングにより除去する工程と、残ったＣｕメッキ層などの表面に、電解メッキによりＮｉ、Ａｕを順次形成する工程を有する、配線基板の製造方法も含まれ得る。
これによる場合、Ｔｉ層またはＣｒ層、Ｃｕ層、Ｃｕメッキ層、および、これらの表面全体に順次形成されたＮｉメッキ層およびＡｕメッキ層からなり、密着強度が高く且つ耐食性にも優れた導体層を有する配線基板を確実に製造することが可能となる。
【００１２】
尚、前記製造方法の具体的な形態としては、ガラス−セラミックのグリーンシートの一面に、アルミナなどのセラミック粉末を含有する絶縁性のペーストを印刷にて形成し、かかるペーストを含む上記グリーンシートにパンチングなどにより貫通孔を形成し、かかる貫通孔に導電性ペーストを充填してビア導体を形成し、かかるグリーンシートと別途にビア導体を形成した他のグリーンシートとを積層して未焼成（グリーンシート）積層体を形成し、かかる積層体を焼成した後の積層体のガラス成分が少ない側の表面に対し、スパッタリングによりＴｉ層またはＣｒ層を形成する、配線基板の製造方法が挙げられる。
かかる製造方法の場合、貫通孔を明けても、上記ペーストの形が変形しないように、アルミナなどのセラミック粉末を含む絶縁性ペーストの粘度を調整することが必要となる。
【００１３】
また、前記導体層がパッドまたは端子である場合、前記セラミック積層体には、かかるパッドまたは端子と接続するビア導体が形成されている。
更に、スパッタリングにより形成される前記Ｔｉ層またはＣｒ層の厚みは、約５００Åである。一方、スパッタリングにより形成される前記Ｃｕ層の厚みは、約５０００Åである。
また、前記Ｃｕ、Ｎｉ、およびＡｕをメッキする工程は、無電解メッキまたは電解メッキにより行われる。このうち、Ｃｕメッキ層の厚みは、約８μｍである。
更に、第１絶縁層（グリーンシート）と第２絶縁層（ペースト層）とに含まれるセラミックは、同一または同種のセラミック（例えば、アルミナ）が望ましい。これにより、焼成時の収縮を均一にすることが容易となり、焼成された積層体の反りを防止できる。
加えて、前記第１絶縁層（グリーンシート）は、単層の形態のほか、複層で且つその間に配線層を形成した形態も含まれる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下において、本発明を実施するための最良の形態について説明する。
図１は、本発明の一形態である配線基板１を示す断面図である。
配線基板１は、図１に示すように、ガラス−アルミナ（セラミック）からなる第１絶縁層Ｓ１と、かかる第１絶縁層Ｓ１の一面（表面）に形成され、当該第１絶縁層Ｓ１よりもガラス成分の含有量が少ないガラス−アルミナからなる第２絶縁層Ｓ２と、が一体に積層された基板本体２を備えている。かかる基板本体２の表面（第２絶縁層Ｓ２の一面）３には、複数のパッド（導体層）５が形成されている。
第１絶縁層Ｓ１は、図１に示すように、内部に所定パターンの配線層７，８と、裏面４に設けた複数の端子１０と、これらの間を接続するビア導体９と、を有している。上記パッド５と配線層７との間にも、第１・第２絶縁層Ｓ１，Ｓ２を貫通するビア導体６が形成されている。尚、配線層７，８、ビア導体６，９、および端子１０は、例えば、ＡｇまたはＣｕからなる。
【００１５】
第２絶縁層Ｓ２は、厚みが０．５〜５μｍで、図２の右側の模式的グラフで示すように、その表面３付近がほぼ１００％のセラミック成分からなり、且つ第１絶縁層Ｓ１に近付くに連れて（図２中のａ部分）セラミック成分の含有量が次第に低減し且つガラス成分の含有量が次第に増加している。
一方、第１絶縁層Ｓは、ガラス−セラミックの割合が全体としてほぼ均一（例えば、アルミナ成分が６０〜４０ｗｔ％で、ガラス成分が４０〜６０ｗｔ％：図２中のｃ部分）であるが、隣接する第２絶縁層Ｓ２に近付く程（図２中のｂ部分）、ガラス成分の含有量が徐々に低くなっている。
また、図１の一部を拡大した図２に示すように、パッド８は、厚みが５００ÅのＴｉ層１１またはＣｒ層１１と、その上に形成された厚みが５０００ÅのＣｕ層１２ａと、その上に形成された厚みが約８μｍのＣｕメッキ層１２ｂと、かかるＴｉ層１１またはＣｒ層１１、Ｃｕ層１２ａ、および、Ｃｕメッキ層１２ｂからなるほぼ円柱形の本体部の側面および上面に、順次形成されたＮｉメッキ層１３およびＡｕメッキ層１４とからなる。
【００１６】
以上のような配線基板１によれば、ガラス−アルミナからなる第１絶縁層Ｓ１の一面上に、かかる第１絶縁層Ｓ１よりもガラス成分の含有量が少ないガラス−アルミナからなる第２絶縁層Ｓ２が形成され、かかる第２絶縁層Ｓ２のうち、アルミナ（セラミック）がほぼ１００％である表面（表層）３にＴｉ層１１またはＣｒ層１１を含むパッド（導体層）５が形成されている。このため、かかるパッド５に含まれたＴｉ層１１またはＣｒ層１１と、第２絶縁層Ｓ２のうちほぼセラミック成分からなる表面３付近とが強固に密着している。従って、接続信頼性の高いパッド５を複数有する配線基板１となっている。
尚、前記第１絶縁層Ｓ１の両面に前記第２絶縁層Ｓ２を形成した基板本体２と、その表面３に形成した前記パッド５と、基板本体２の裏面４に、前記Ｔｉ層１１（またはＣｒ層１１）、Ｃｕ層１２ａ、およびＣｕメッキ層１２ｂを有し、且つこれらの表面にＮｉメッキ層１３およびＡｕメッキ層１４を形成した導体層の端子と、を有する形態の配線基板としても良い。
また、複数の配線基板１を縦横に隣接して有し、これらの外周に沿った耳部を有する多数個取り基板の形態としても良い。
【００１７】
前記配線基板１は、以下のような製造方法によって製造した。
予め、アルミナ粉末、ガラス粒子、有機系バインダ、および溶剤を所定量ずつ配合して、セラミックスラリを形成し、これをドクターブレード法によりシート状に成形することで、図３に示すように、複数のグリーンシートｓ１〜ｓ３を形成した。かかるグリーンシートｓ１〜ｓ３は、それぞれ厚みが約１２５〜２５０μｍで、含有するアルミナ（セラミック成分）とガラス成分との重量比が６：４であり、追って前記第１絶縁層Ｓ１となる未焼成の第１絶縁層である。
先ず、グリーンシートｓ１の一面（上面）に、アルミナ粉末、有機系バインダ、および溶剤を所定量ずつ配合した絶縁性のペーストｐを約１〜５μｍの厚みで印刷した。尚、かかるペーストｐと同様な組成の絶縁性のシートを接着しても良い。
次いで、図３に示すように、絶縁性のペーストｐが形成されたグリーンシートｓ１と、グリーンシートｓ２，ｓ３との所定の位置に対し、パンチングを施して、スルーホールｈを形成した。上記ペーストｐは、かかるパンチングによって、変形しない程度に、予め粘性が調整されている。
【００１８】
次に、図４に示すように、絶縁性のペーストｐが形成されたグリーンシートｓ１と、グリーンシートｓ２，ｓ３とにおける各スルーホールｈに、Ａｇ粉末を含む導電性ペーストを充填して、ビア導体６，９を形成した。また、グリーンシートｓ２，ｓ３の表面に上記同様の導電性ペーストをスクリーン印刷して、所定パターンの配線層７，８を形成した。更に、グリーンシートｓ３の裏面にも上記同様の導電性ペーストを印刷して、複数の端子１０を形成した。尚、上記Ａｇ粉末に替えて、Ｃｕ粉末を含む導電性ペーストを用いても良い。
次いで、図５に示すように、絶縁性のペーストｐが形成されたグリーンシートｓ１と、グリーンシートｓ２，ｓ３とを積層した。その結果、グリーンシートｓ１〜ｓ３からなる未焼成の第１絶縁層Ｓ１と上記ペーストｐとを備え、表面３および裏面４を有する未焼成積層体ＧＳが形成された（未焼成積層体の形成工程）。この際、配線層７，８および端子１０は、ビア導体９を介して接続された。
【００１９】
かかる状態で、未焼成積層体ＧＳを所定の温度域で焼成した（焼成工程）。
その結果、図６に示すように、前記グリーンシートｓ１〜ｓ３が焼成されて一体となった第１絶縁層Ｓ１と、その一面（上面）に形成され且つ当該第１絶縁層Ｓ１よりもガラス成分の含有量が少ない第２絶縁層Ｓ２とを備え、表面３および裏面４を有する基板本体２からなる焼成後の積層体ＳＳが形成された。同時に、前記配線層７，８、ビア導体６，９、および端子１０も焼成された。
【００２０】
前記焼成工程において、未焼成の第１絶縁層Ｓ１（グリーンシートｓ１〜ｓ３）中のガラス成分は、前記焼成時の熱によって溶解し、その一部が前記ペーストｐ中に浸透・拡散した。その結果、前記図２で示したように、前記ペーストｐが焼成された第２絶縁層Ｓ２において、その表面３付近ではアルミナ（セラミック成分）がほぼ１００％であるが、第１絶縁層Ｓ１に近付くに連れて徐々に浸透したガラス成分の含有量が増大していた。一方、第１絶縁層Ｓ１では、ほぼ全域でアルミナ（セラミック成分）とガラス成分との重量比が６：４であったが、第２絶縁層Ｓ２に隣接する部分では、溶けたガラス成分が焼成時の熱により溶解し、前記ペーストｐ中に浸透・拡散したため、ガラス成分の含有量が若干減少していた。
【００２１】
次に、焼成後の積層体ＳＳの基板本体２における表面３で、且つ前記ビア導体６が露出する位置の上方に、パッド（導体層）５を以下のようにして形成した。
先ず、図７の左側に示すように、第２絶縁層Ｓ２の表面（基板本体２の表面）３全体に、スパッタリングを施して、厚みが約５００ÅのＴｉ層１１を形成した（Ｔｉ層またはＣｒ層形成工程）。上記スパッタリング時の高熱を受けても、第２絶縁層Ｓ２の表面３付近は、ほぼ１００％のアルミナであるため、何らの影響も受けていなかった。尚、上記Ｔｉ層１１に替えて、ほぼ同じ厚みのＣｒ層をスパッタリングにて形成しても良い。
【００２２】
次いで、上記Ｔｉ層１１の表面全体に、スパッタリングを行って、厚みが約５０００ÅのＣｕ（スパッタ）層１２ａを形成を形成した。
次に、図７の右側に示すように、Ｃｕ層１２ａの上にレジストＲを形成した後、各ビア導体６ごとの真上付近に、平面視が円形となるパターン（孔）を、フォトリソグラフィ技術によって形成した。かかる状態で、電解Ｃｕメッキを施して、上記パターンの底面に露出するＣｕ層１２ａの上に、厚みが約８μｍのＣｕメッキ層１２ｂを形成した。
次いで、図８の左側に示すように、上記レジストＲを除去した。その結果、第２絶縁層Ｓ２の表面３には、上記レジストＲに覆われていた部分のＴｉ層１１、Ｃｕ層１２ａ、および上記パターンに倣ったＣｕメッキ層１２ｂのみが残った。
【００２３】
次に、上記Ｃｕメッキ層１２ｂの位置を除いた部分のＴｉ層１１とＣｕ層１２ａとに対し、フッ酸を含むエッチング液を接触させるエッチングを行った。その結果、図８の右側に示すように、全体がほぼ円柱形を呈するＴｉ層１１、Ｃｕ層１２ａ、およびＣｕメッキ層１２ｂからなるパッドの本体部が形成された。尚、上記エッチングした際に、Ｃｕメッキ層１２ｂの頂部付近も若干除去された。
更に、図９の右側に示すように、上記Ｔｉ層１１およびＣｕ層１２ａの側面とＣｕメッキ層１２ｂの側面および上面とに対し、電解Ｎｉメッキを行って、厚みが約３〜５μｍのＮｉメッキ層１３を形成した。
【００２４】
そして、上記Ｎｉメッキ層１３の表面に電解Ａｕメッキを施して、厚みが約０．０５〜０．１０μｍのＡｕメッキ層１４を形成した。その結果、図９の右側に示すように、全体がほぼ円柱形を呈するＴｉ層１１、Ｃｕ層１２ａ、およびＣｕメッキ層１２ｂからなるパッドの本体部と、その表面に形成されたＮｉメッキ層１３およびＡｕメッキ層１４と、からなるパッド（導体層）５が形成され、前記図１に示した配線基板１を得ることができた。
尚、基板本体２の裏面４側に位置する前記端子１０に対しても、上記Ｎｉメッキ層１３およびＡｕメッキ層１４を、各電解メッキ時に同時に形成しても良い。
【００２５】
以上のような配線基板１の製造方法によれば、ガラス成分を含有する第１絶縁層Ｓ１の一面上に、かかる第１絶縁層Ｓ１よりもガラス成分の含有量が少ない第２絶縁層Ｓ２を形成し、かかる第２絶縁層Ｓ２におけるほぼアルミナ１００％の表面３にＴｉ層１１またはＣｒ層１１を形成する。このため、かかるＴｉ層１１またはＣｒ層１１を含み且つ高い密着強度を持ったパッド（導体層）５を、基板本体２の表面３に有する前記配線基板１を確実に製造することができる。
尚、未焼成の第１絶縁層Ｓ１の両面に、前記絶縁性のペーストｐを印刷して、前記と同様な未焼成積層体（ＧＳ）を形成し、これを焼成して得られた基板本体２の裏面４に、前記Ｔｉ層１１（またはＣｒ層１１）およびＣｕ層１２ａをスパッタリングで形成し、更に、Ｃｕメッキ層１２ｂ、Ｎｉメッキ層１３、およびＡｕメッキ層１４を形成して、裏面４にも導体層の端子を有する配線基板を製造することも可能である。
また、前記製造方法は、前記グリーンシートｓ１〜ｓ３を大版のシートとし、複数の配線基板１を縦横に隣接して形成し、それらの外周に第１・第２絶縁層Ｓ１，Ｓ２からなる耳部を有する多数個取り基板を製造する形態としても良い。
【００２６】
図１０は、異なる形態の配線基板１ａを示す断面図である。
かかる配線基板１ａは、図１０に示すように、ガラス−アルミナからなる第１絶縁層Ｓ１と、かかる第１絶縁層Ｓ１の一面に配置され、当該第１絶縁層Ｓ１よりもガラス成分の含有量が少ないガラス−アルミナからなる第２絶縁層Ｓ２と、が積層された基板本体２を備えている。かかる基板本体２の表面３には、所定パターンの配線層（導体層）５ａが形成されている。かかる配線層５ａの断面も、前記図２と同様に、前記Ｔｉ層１１（またはＣｒ層１１）、Ｃｕ層１２ａ、およびＣｕメッキ層１２ｂと、これらの表面に形成したＮｉメッキ層１３およびＡｕメッキ層１４を有している。
以上のような配線基板１ａも、前記同様の製造方法によって得られ、配線層５ａに含まれるＴｉ層１１（またはＣｒ層１１）が、第２絶縁層Ｓ２におけるアルミナがほぼ１００％の表面３に強固に密着しているため、高い信頼性を有する。
【実施例】
【００２７】
ここで、本発明の具体的な実施例について、比較例と共に説明する。
アルミナとガラス成分との重量比が６：４で且つ厚みが２５０μｍのグリーンシートである未焼成の第１絶縁層Ｓ１を、３０枚用意した。このうち、２０枚のグリーンシートの一面に、アルミナ粉末、有機系バインダ、および溶剤を一定量ずつ配合した絶縁性のペーストを約５μｍの厚みで印刷し、２０個の未焼成積層体（ＧＳ）を得た。残りのグリーンシートには、上記ペーストを印刷しなかった。
次に、上記未焼成積層体（ＧＳ）と残り１０個のグリーンシートとを、同じ温度で焼成した。その結果、図１１の左右に示すように、第１絶縁層Ｓ１の一面に第２絶縁層Ｓ２が形成された実施例用の焼成積層体（ＳＳ）と、第１絶縁層Ｓ１のみからなる比較例用の焼成体とが得られた。
【００２８】
次いで、１０個の焼成積層体（ＳＳ）における第２絶縁層Ｓ２の表面３に、前記製造方法と同様に、スパッタリングにより直径が０．１ｍｍで且つ厚みが５００ÅのＴｉ層１１、および厚みが５０００ÅのＣｕ層１２ａを順次形成した。更に、その表面に電解Ｃｕメッキにより厚みが８μｍのＣｕメッキ層１２ｂを形成し、これらの表面に厚みが４μｍのＮｉメッキ層１３、および厚みが０．１μｍのＡｕメッキ層１４を形成した。
その結果、図１１の左側に示すように、第２絶縁層Ｓ２の表面３に、パッド５を設けた実施例１の配線基板を１０個得た。
残り１０個の焼成積層体（ＳＳ）における第２絶縁層Ｓ２の表面３に、前記製造方法と同様に、スパッタリングにより直径が０．１ｍｍで且つ厚みが５００ÅのＣｒ層１１、および厚みが５０００ÅのＣｕ層１２ａを順次を形成し、その表面に前記と同じ厚みのＣｕメッキ層１２ｂ、Ｎｉメッキ層１３、およびＡｕメッキ層１４とを形成した。その結果、図１１の左側に示すように、パッド５を設けた実施例２の配線基板を１０個得た。
【００２９】
更に、比較例用の焼成体における第１絶縁層Ｓ１の表面３に、実施例２と同じ条件のパッド５を設けて、図１１の右側に示すように、比較例の配線基板を、１０個得た。
実施例１，２および比較例の配線基板における各パッド５に対し、ショア試験を行った。図１１に示すように、各パッド５に対し、表面３に沿って移動させたブレードｂを押し付け、各例のパッド５、第１絶縁層Ｓ１、または第２絶縁層Ｓ２の何れかで破損した際に、要した強度を測定し、各例ごとの平均値を算出して、表１に示した。尚、表１の下方に上記ショア試験の条件を示した。
【００３０】
【表１】
2008227222.tif 000003
【００３１】
表１によれば、実施例１のショア強度（平均値、以下同じ）は、０．０１４１ｇ／μｍ２、実施例２のショア強度は、０．００９１ｇ／μｍ２であったのに対し、比較例のショア強度は、０．００５９ｇ／μｍ２と低くなっていた。
また、実施例１，２では、全数においてパッド５自体が第２絶縁層Ｓ２の表面３から剥離したのに対し、比較例では、殆どがパッド５を含む表面３付近の第１絶縁層Ｓ１からの剥離であった。
かかる結果は、実施例１，２では、第２絶縁層Ｓ２の表面３付近が、ほぼ１００％のアルミナであったことで、これとパッド５に含まれるＴｉ層１１またはＣｒ層１１とが強固に密着していたためであり、比較例では、第１絶縁層Ｓ１自体の強度が低いことに起因していた、ものと推定される。
以上の実施例１，２によって、本発明の作用が理解され、且つその効果を確認することができた。
【００３２】
尚、前記第１絶縁層（グリーンシート）Ｓ１と第２絶縁層（ペースト層）Ｓ２とに含まれるセラミックは、アルミナ以外の同一または同種のセラミック（例えば、窒化アルミニウムやムライトなど）としても良く、これらによっても、焼成時の収縮を均一にすることが容易となり、焼成された積層体の反りを防止できる。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本発明の一形態の配線基板を示す断面図。
【図２】図１中の部分拡大図および第２絶縁層付近のセラミック含有量を示す模式的グラフ。
【図３】上記配線基板の一製造工程を示す概略図。
【図４】図３に続く製造工程を示す概略図。
【図５】図４に続く製造工程を示す概略図。
【図６】図５に続く製造工程を示す概略図。
【図７】図６に続く製造工程を示す概略図。
【図８】図７に続く製造工程を示す概略図。
【図９】図８に続く製造工程を示す概略図。
【図１０】異なる形態の配線基板を示す断面図。
【図１１】実施例および比較例の配線基板を示す部分断面図。
【符号の説明】
【００３４】
１，１ａ……配線基板
３……………表面（一面）
５……………パッド（導体層）
５ａ…………配線層（導体層）
１１…………Ｔｉ層またはＣｒ層
Ｓ１…………第１絶縁層
Ｓ２…………第２絶縁層
ｓ１〜ｓ３…グリーンシート（未焼成の第１絶縁層）
ｐ……………絶縁性のペースト
ＧＳ…………未焼成積層体
ＳＳ…………焼成後の積層体
【図１】
2008227222.tif 000004
【図２】
2008227222.tif 000005
【図３】
2008227222.tif 000006
【図４】
2008227222.tif 000007
【図５】
2008227222.tif 000008
【図６】
2008227222.tif 000009
【図７】
2008227222.tif 000010
【図８】
2008227222.tif 000011
【図９】
2008227222.tif 000012
【図１０】
2008227222.tif 000013
【図１１】
2008227222.tif 000014