(57)【要約】【課題】  裏面側からダイシングラインを決定できる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】  ウェーハ１の表面１ｂに表面側電極（３ａ、３ｂ、３ｃ・・）を形成した後、研磨砥石５により裏面１ａを研磨する。この際に研磨砥石５の上方から下方に向かって圧力を加えることによりウェーハは弾性変形し、表面側電極の間隔７に突条９が発生する。研磨終了後、圧力から開放されるとウェーハは自然形状に復帰し、ウェーハ１の裏面１ａに突条１３が発生する。発生した突条１３の位置は、表面側電極の間隔７に対応し、裏面側から分光測定器１９により突条１３を計測することで、裏面側からダイシングラインを決定することができる。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウェーハをダイシングする工程を経て半導体装置を複数個製造する方法であり、
ウェーハの表面に、単位となる半導体装置を構成する単位となる半導体構造に対応する単位となる表面側電極を複数個、前記ウェーハを平面視したときに格子状に配置されている位置関係で形成する工程と、
前記ウェーハの裏面に表面に向かう圧力をかけて前記ウェーハの前記表面側電極同士の間隔に位置する部分を表面側に弾性変形させた状態で前記ウェーハの裏面を研磨する工程と、
前記圧力を開放したときに前記ウェーハの裏面に発生する突条を基準にして前記ウェーハの裏面側から前記ウェーハをダイシングする工程と、
を備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記ウェーハの裏面を研磨する工程と、前記ウェーハの裏面側からダイシングする工程の間に、前記ウェーハの裏面に裏面側電極を形成する工程を実施することを特徴とする請求項１の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウェーハをダイシングする工程を経て、複数個の半導体装置を製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ウェーハをダイシングする工程を経ることによって、１枚のウェーハから複数個の半導体装置を製造する方法が普及している。
１枚のウェーハから複数個の半導体装置を製造する場合、（１）単位となる半導体装置を構成する単位となる半導体構造の複数個を、ウェーハを平面視したときに格子状に配置されている位置関係で、１枚のウェーハ内に形成する工程と、（２）単位となる半導体構造に対応する単位となる表面側電極の複数個を、ウェーハを平面視したときに格子状に配置されている位置関係で、１枚のウェーハの表面に形成する工程を実施する。
【０００３】
表面側電極が格子状に配置されているウェーハを表面側からダイシングする場合、格子状に配置されている表面側電極の位置を基準にしてダイシングラインを決定することができる。
しかしながら、裏面側からウェーハをダイシングする場合、表面側電極を視認できないことからダイシングラインを決定することが困難となる。
【０００４】
裏面側からウェーハを観測してダイシングラインを決定する技術が特許文献１と特許文献２に開示されている。これらの公報に開示されている技術では、赤外線の発光素子と受光素子を備えている透視型の計測装置を利用する。ウェーハの裏面側からウェーハに向けて赤外線を照射すると、ウェーハ自体は赤外線に透明なのに対し、表面側電極は赤外線を反射することから、ウェーハの裏面側でウェーハから帰ってくる赤外線を受光することによって、ウェーハを透視して表面側電極が配置されている位置を計測することができる。格子状に配置されている表面側電極の位置が透視できれば、ダイシングラインを決定することが可能となる。
【０００５】
【特許文献１】特開平２００４−２２９３６号公報
【特許文献２】特開平１１−３３００１３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１と特許文献２に開示されている透視技術を用いれば、問題なく、ウェーハを裏面側からダイシングすることができるように思われる。
しかしながら、裏面側から透視して表面側電極の配置位置を計測することが困難なことがある。例えば、裏面を研磨して薄板化したウェーハの裏面の状態が粗いと、透視に用いる赤外線が裏面で散乱してしまうことから、裏面側から透視して表面側電極の配置位置を計測することができないことがある。また、裏面にも電極が形成されている縦型の半導体装置を製造する場合、裏面側電極が赤外線の通過を妨げることから、裏面側から透視して表面側電極の配置位置を計測することができないことがある。
透視技術によらないで、ウェーハの裏面側から観測してダイシングラインを決定できる方法が必要とされている。ウェーハを裏面側からダイシングしたという要求は種々の場合に生じる。裏面側からダイシングしたほうが半導体構造に与えるストレスが少なくてすみ、良質な半導体装置を歩留まりよく製造できる場合もある。ウェーハの裏面側に大きな凹凸が形成されているために、ウェーハの裏面をダイシングテープで固定できないために、ウェーハを裏面側からダイシングするほかはない場合もある。
本発明は、種々の理由でウェーハを裏面側からダイシングする際に、透視技術によらないで、ウェーハの裏面側から観測してダイシングラインを決定する方法を提供する。
【０００７】
本発明は、ウェーハを裏面側からダイシングする工程を経て、複数個の半導体装置を製造する方法に関する。
本発明の製造方法は、下記の工程を備えている。
（１）ウェーハの表面に、単位となる半導体装置を構成する単位となる半導体構造に対応する単位となる表面側電極を複数個、ウェーハを平面視したときに格子状に配置されている位置関係で形成する工程、
（２）ウェーハの裏面に表面に向かう圧力をかけてウェーハの表面側電極同士の間隔に位置する部分を表面側に弾性変形させた状態でウェーハの裏面を研磨する工程、
（３）前記圧力を開放したときにウェーハの裏面に発生する突条を基準にしてウェーハの裏面側からウェーハをダイシングする工程。
【０００８】
上記方法では、ウェーハの裏面に表面に向かう圧力をかけた状態で裏面を研磨する。ウェーハの裏面に表面に向かう圧力をかけると、表面側電極が形成されている部位のウェーハは変形しないのに対し、表面側電極同士の間隔に位置する部位ではウェーハが表面側に弾性変形する。この状態で裏面を研磨して平坦化してから圧力を開放すると、表面側電極同士の間隔に位置する部位では表面側に弾性変形していたウェーハが自然形状に復帰し、ウェーハの裏面に突条が発生する。裏面に発した突条の位置は、表面側電極同士の間隔に対応している。この結果、ウェーハの裏面側から観測することによってダイシングラインを決定することが可能となる。本発明の方法は、透視技術に依拠しない。
上記の方法は、透視技術に依拠しないので、例えば裏面が荒れているために透視できない場合、あるいは、裏面側電極が形成されているために透視できない場合にも、裏面側から観察して表面側電極の配置位置を計測することができる。
上記に方法によると、例えば半導体構造に与えるストレスを低減するために裏面側からダイシングする場合、あるいは裏面側に大きな凹凸が形成されているために裏面側からしかダイシングできない場合等に、表面側電極の配置位置を計測することができ、正しいダイシングラインに沿ってダイシングすることが可能となる。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の方法によれば、種々の理由でウェーハを裏面側からダイシングする際に、透視技術によらないで、ダイシングラインを決定することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下に説明する実施例の主要な特徴を最初に整理する。
（特徴１）ウェーハの表面に保護テープを貼り付けた状態で、研磨工程を実施する。
（特徴２）ウェーハの表面にダイシングテープを貼り付け、そのダイシングテープをダイシングフレームに固定した状態で、研磨工程を実施する。
【実施例】
【００１１】
図１（ａ）に、ウェーハ１を裏面１ａ側から斜視した図を示し、図１（ｂ）に、ウェーハ１の断面図を示す。ウェーハ１は、（１）ウェーハ内に、単位となる半導体装置（図示されていない）を構成する単位となる半導体構造（図示されていない）を複数個、ウェーハを平面視したときに格子状に配置されている位置関係で形成する工程と、（２）ウェーハの表面に、単位となる半導体構造に対応する単位となる表面側電極を複数個（３ａ，３ｂ，３ｃ・・）、ウェーハを平面視したときに格子状に配置されている位置関係で形成する工程を経て製造されている。表面側電極３ａ，３ｂ，３ｃ・・は、ウェーハ１の表面１ｂに間隔７を挟んで格子状に配置されており、ウェーハ１内にはそれに対応する半導体構造が形成されている。表面側電極３ｂ，３ｃ・・は、表面側電極３ａと同一のパターンを備えている。
【００１２】
ウェーハ１の裏面１ａを研磨する工程では、ウェーハ１の表面側電極３ａ，３ｂ，３ｃ・・の保護またはウェーハ１の補強のために、ウェーハ１の表面１ｂに保護テープ１０を貼り付けた状態で加工が進められる。
図２（ａ）に、ウェーハ１を薄板化するためにウェーハ１の裏面１ａを研磨する工程を示し、図２（ｂ）に、該工程中のウェーハ１の断面図を示す。研磨工程では、研磨砥石５に上方から下方に向かう力を加える。表面側電極３ａ，３ｂ，３ｃ・・は所定の厚みを備えているために、表面側電極同士３ａ，３ｂ，３ｃ・・の間隔７に位置する部位では、ウェーハ１の表面１ｂが下方から支えられていない。研磨砥石５がウェーハ１の裏面１ａに表面１ｂに向かう圧力を加えると、表面側電極同士３ａ，３ｂ，３ｃ・・の間隔７に位置しておりウェーハ１の表面１ｂが下方から支えられていない部位では、ウェーハ１が表面１ｂ側に弾性変形する。研磨工程では、表面側電極同士３ａ，３ｂ，３ｃ・・の間隔７に位置するウェーハ１が表面１ｂ側に弾性変形している状態で、裏面１ａをフラットに研磨する。
【００１３】
研磨工程を完了して研磨砥石５を裏面１ａから離すと、ウェーハ１を弾性変形させていた圧力が開放され、表面側電極同士３ａ，３ｂ，３ｃ・・の間隔７に位置する部位で表面側に弾性変形していたウェーハ１が自然形状に復帰し、ウェーハ１の裏面１ａに突条１３が発生する。裏面１ａに発生した突条１３の位置は、表面側電極同士３ａ，３ｂ，３ｃ・・の間隔７に対応している。この結果、ウェーハ１の裏面１ａから観測することによってダイシングラインを決定することが可能となる。
【００１４】
図３（ａ）に、研磨工程完了後のウェーハ１を裏面１ａ側から斜視した図を示し、図１（ｂ）に、ウェーハ１の断面図を示す。ウェーハ１の裏面１ａには、表面側電極同士３ａ，３ｂ，３ｃ・・の間隔７に対応する位置において、突条１３が発生している。突条１３は、格子状に伸びている間隔７に対応しており、裏面１ｂ上において格子状に現れる。
【００１５】
つぎに、図４に示すように、裏面１ａに格子上の突条１３が現れたウェーハ１をダイシングする。ウェーハ１の表面に貼り付けられている保護テープ１０を剥離した後、ウェーハ１の表面１ａにダイシングテープ１５に貼り付け、そのダイシングテープ１５をダイシングフレーム１７に固定する。その状態で、突条１３の位置を分光測定器１９によって計測し、計測された突条１３に沿ってダイシングブレード２３を移動させることによって、ウェーハ１をダイシングする。ウェーハ１は、単位となる半導体構造と表面側電極を仕切っている格子線に沿ってダイシングされる。
【００１６】
突条１３の計測方法は、特定の方法に限られない。ウェーハ１の裏面１ａの高さ分布を計測して突条１３の位置を計測してもよい。あるいは、ウェーハ１の厚みの分布を計測して突条１３の位置を計測してもよい。干渉測定を含む光学式の計測方法の他、機械的計測方法、あるいは魔鏡を利用する計測方法によることも可能である。ウェーハ１の裏面１ａの高さ分布あるいは厚みの分布を計測する際の水平方向と垂直方向の検出精度が１μｍ程度あれば、突条１３の位置を計測して正しいダイシングラインの位置を決定することができる。
【００１７】
図５に示すように、ウェーハ２１の裏面２１ａを薄板化する段階では、ウェーハ２１の裏面２１ａの中央部のみを研磨し、ウェーハ２１の裏面２１ａの周辺部にリブ１１を残してもよい。この場合、周辺部に形成されているリブ１１は厚肉であり、中削り部１２を非常に薄くしても、ウェーハ２１が破壊されない利点が得られる。
このようなウェーハ２１の場合、裏面２１ａの大きな凹凸があり、裏面２１ａをダイシングテープで固定することができない。表面２１ｂを固定して裏面２１ａの側からダイシングする必要がある。本発明の技術は、裏面２１ａに中削り部１２を有するウェーハ２１をダイシングするのに特に有効である。
【００１８】
図６に示すように、ダイシングラインを示す突条１３がウェーハ３１の裏面３１ａに現れた後に、ウェーハ３１の裏面３１ａに裏面側電極３３を形成してもよい。裏面側電極３３の形成後も、ダイシングラインを示す突条１３の位置に突条３５が残るために、裏面側電極３３を形成したあとに、突条３５に沿ってダイシングすればよい。分光測定器１９をも用いることによって、裏面側電極３３の露出面に現れる突条３５の位置を計測することができる。
【００１９】
図７に示すように、ダイシンブレードに代えてレーザビーム３７を用いてウェーハをダイシングしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】（ａ）はウェーハ１を裏面１ａ側から斜視した図であり、（ｂ）はそのウェーハの断面図である
【図２】（ａ）はウェーハ１を研磨する工程を示す図であり、（ｂ）はその工程中のウェーハの断面図である。
【図３】（ａ）は研磨後のウェーハ１を裏面１ａ側から斜視した図であり、（ｂ）はそのウェーハの断面図である。
【図４】図４は分光測定器１９を使って突条１３を計測し、その測定結果を基準にしてウェーハ１をダイシングする工程を示した図である。
【図５】図５は別実施例図２に対応する図であり、リブ１１と中削り部１２を形成してウェーハ２１を研磨する様子を示している。
【図６】図６は他の実施例の図３に対応する図であり、ウェーハ３１の裏面３１ａに裏面側電極３１を形成したウェーハの様子を示している。
【図７】図７は別実施例図４に対応する図であり、レーザビーム３７を使用してウェーハをダイシングする工程を示している。
【符号の説明】
【００２１】
１・・・ウェーハ
３ａ、３ｂ、３ｃ・・・表面側電極
５・・・研磨砥石
７・・・表面側電極の間隔
９・・・表面側の突条
１０・・・保護テープ
１１・・・リブ
１３・・・裏面側の突条
１５・・・ダイシングテープ
１７・・・ダイシングフレーム
１９・・・分光測定器
２１・・・中削りウェーハ
２３・・・ダイシングブレード
３１・・・裏面側電極を形成したウェーハ
３３・・・裏面側電極
３５・・・裏面側電極上の突条
３７・・・レーザビーム
【図１】
2008198779.tif 000003
【図２】
2008198779.tif 000004
【図３】
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【図４】
2008198779.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
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