(57)【要約】【課題】ダム用突起の延設長さを抑えつつチップ保持部材のチップ実装面上に配した流動性を有する材料の流出を抑制できる半導体センサを提供する。【解決手段】有蓋筒状をなすカバー部材の開口部に、開口部を塞ぐように蓋材が配置されている。カバー部材の内部においてチップ保持部材３が蓋材から突設され、チップ保持部材３は上面が平坦なチップ実装面となっている。チップ保持部材３のチップ実装面上にセンシングチップがベアチップ実装されるとともにゲルがセンシングチップを被覆している。チップ保持部材３のチップ実装面において蓋材側での両側の端部にダム用突起２０が設置されている。ダム用突起２０の内壁には凹状の湾曲面２３ａ，２３ｂ，２４ａ，２４ｂが形成されている。【選択図】図６
2008227446.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有蓋筒状をなすカバー部材（１）と、
前記カバー部材（１）の開口部において、当該開口部を塞ぐように配置された蓋材（２）と、
前記カバー部材（１）の内部に配置され、前記蓋材（２）から突設され、上面に平坦なチップ実装面を有するチップ保持部材（３）と、
前記チップ保持部材（３）のチップ実装面上にベアチップ実装されたセンシングチップ（４）と、
前記チップ保持部材（３）のチップ実装面上に配置された流動性を有する材料（Ｇ１〜Ｇ９）と、
を備えた半導体センサにおいて、
前記チップ保持部材（３）のチップ実装面において前記蓋材（２）側での両側の端部にダム用突起（２０）を設置するとともに、当該ダム用突起（２０）の内壁には凹状の湾曲面（２３ａ，２３ｂ，２４ａ，２４ｂ，４１）を形成したことを特徴とする半導体センサ。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体センサにおいて、
前記ダム用突起（２０）における前記蓋材（２）側とは反対側の先端部の内側の角部に、直交する面（Ｓ１，Ｓ２、Ｓ３，Ｓ４）を有する窪み（２５、２６）を、さらに設けたことを特徴とする半導体センサ。
【請求項３】
請求項１または２に記載の半導体センサにおいて、
前記ダム用突起（２０）の上面に溝（５０）を、さらに設けたことを特徴とする半導体センサ。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体センサにおいて、
前記ダム用突起（２０）の外側の壁面に溝（６０，６１）を、さらに設けたことを特徴とする半導体センサ。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体センサにおいて、
前記チップ保持部材（３）と蓋材（２）が樹脂にて一体成形され、この樹脂成形品におけるチップ保持部材（３）での厚み方向においてチップ実装面から離れた位置をパーティングライン（Ｌｐ）としたことを特徴とする半導体センサ。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体センサにおいて、
前記流動性を有する材料はゲル（Ｇ１〜Ｇ９）である半導体センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体センサに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体センサにおけるセンシングチップ（半導体チップ）のパッケーシング技術として、舌片部にセンシングチップを配置し、ターミナル（リードフレーム）を介して外部に信号を取り出す構造が知られている（特許文献１等）。
【特許文献１】特開２００６−１３２９７８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
半導体センサのセンシングチップ部は、その表面回路保護の目的でカンパッケージが用いられ、その後、部品点数やシール箇所点数を低減し小型・低コスト・高信頼性を達成するために、その保護機能をモールドＩＣ化によって代替してきた。更なる小型・低コスト・高信頼性を図る手法として、センシングチップのベアチップ実装化が次世代のトレンドとして使われ始めている。この実装方式でのチップ表面の保護材としてはゲルなどの軟質部材が用いられるが、硬化するまでの間、非常に流動性が高いため、ゲルが他部材の接着部まで流出し、接着強度を低下させるという懸念があり、実際には、四方にダム用突起（壁面）を配したチップ実装面とすることで、その懸念に対応している。
【０００４】
四方にダム用突起（壁面）を配する関係上、より一層の小型化に弊害となり、狭い箇所へのセンサの装着可否の面で、競争力を低下させる要因となっていた。流動性を有する接着剤を前述のチップ実装面に配する場合にも同様の問題が生じる。
【０００５】
本発明は、このような背景の下になされたものであり、その目的は、ダム用突起の延設長さを抑えつつチップ保持部材のチップ実装面上に配した流動性を有する材料の流出を抑制できる半導体センサを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記の課題を解決するために、請求項１に記載の発明では、チップ保持部材のチップ実装面において蓋材側での両側の端部にダム用突起を設置するとともに、当該ダム用突起の内壁には凹状の湾曲面を形成したことを要旨とする。
【０００７】
請求項１に記載の発明によれば、チップ保持部材のチップ実装面における流動性を有する材料の蓋材外周側への流出経路である蓋材側での両側の端部にダム用突起が設置され、部分的にしかダム用突起（壁面）がない構造となっており、ダム用突起の延設長さが抑えられている。また、このダム用突起の内壁には凹状の湾曲面が形成されており、チップ保持部材のチップ実装面上を、流動性を有する材料がダム用突起に進入しても、流動性を有する材料の蓋材外周側への流出（這い上がり）を抑制することができる。
【０００８】
請求項１に記載の半導体センサにおいて、請求項２に記載のように、前記ダム用突起における前記蓋材側とは反対側の先端部の内側の角部に、直交する面を有する窪みを、さらに設けると、流動性を有する材料が回り込んできてもこの直交する面を有する窪みにトラップして回り込みを抑制することができる。
【０００９】
また、請求項３に記載のように、請求項１または２に記載の半導体センサにおいて、前記ダム用突起の上面に溝を、さらに設けると、流動性を有する材料が進入してきてもこの溝にトラップして流出を抑制することができる。
【００１０】
請求項４に記載のように、請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体センサにおいて、前記ダム用突起の外側の壁面に溝を、さらに設けると、流動性を有する材料が進入してきてもこの溝にトラップして流出を抑制することができる。
【００１１】
請求項５に記載のように、請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体センサにおいて、前記チップ保持部材と蓋材が樹脂にて一体成形され、この樹脂成形品におけるチップ保持部材での厚み方向においてチップ実装面から離れた位置をパーティングラインとすることにより、以下の作用効果を奏する。パーティングラインをチップ実装面から離すことにより、チップ保持部材のチップ実装面における流動性を有する材料のパーティングラインに沿う蓋材外周側への流出経路が無くなり、これによって、チップ保持部材のチップ実装面上から流動性を有する材料の蓋材外周側への流出（這い上がり）を抑制することができる。即ち、パーティングラインに発生する微小な段差や凹凸やバリ等に沿って流動性を有する材料が蓋材外周側に流出することを抑制することができる（這い上がりを抑制することができる）。
【００１２】
請求項６に記載のように、請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体センサにおいて、前記流動性を有する材料はゲルであるとよい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明を具体化した一実施形態を図面に従って説明する。
図１は、本実施形態における半導体センサの斜視図である。カバー部材１およびバイアス磁石６を取り外した状態での半導体センサの平面図を図２に示す。図３は、カバー部材１およびバイアス磁石６を取り外した状態での半導体センサの側面図である。図４は半導体センサの分解斜視図である。図５は図２のＡ−Ａ線での縦断面図である。
【００１４】
本実施形態の半導体センサは回転センサであって、ロータに対し接近して配置され、センシングチップ４の感磁素子を用いて磁界の変化からロータの回転を検出するものである。
【００１５】
図４に示すように、半導体センサは、カバー部材１と蓋材（ハウジング）２とチップ保持部材（平面プレート）３とセンシングチップ４と回路チップ５とバイアス磁石６等を具備している。
【００１６】
カバー部材１は有蓋円筒状をなし、樹脂やセラミック等の非磁性材料により構成されている。カバー部材１の開口部には円板状の蓋材２が配置され、カバー部材１の開口部は蓋材２により塞がれている。蓋材２は、図２，３に示すように、大径部２ａの一面から小径部２ｂが突出した形状をなしている。蓋材２の大径部２ａの外周面とカバー部材１の内周面とがエポキシ系接着剤やシリコン系接着剤により接着固定されている。
【００１７】
カバー部材１の内部において蓋材（ハウジング）２から平板状のチップ保持部材（舌片）３が突出している。つまり、チップ保持部材３はカバー部材１の内部に配置され、蓋材２から突設されている。チップ保持部材３はその上面に平坦なチップ実装面を有している。蓋材２およびチップ保持部材３は樹脂よりなり、両者は一体成形されている。
【００１８】
平板状のチップ保持部材３の上面のチップ実装面上においてセンシングチップ４と回路チップ５が接着剤により接着固定されている。センシングチップ４はチップ保持部材３の先端部に配置されている。センシングチップ４は感磁素子としての磁気抵抗素子を有している。センシングチップ４は、ベアチップの状態で実装されている（ベアチップ実装されている）。回路チップ５は信号処理回路を有している。このようにして、平板状のチップ保持部材（舌片）３のチップ実装面上にベアチップ実装されたセンシングチップ４と回路チップ５はカバー部材１及び蓋材２による空間に収納されている。
【００１９】
センシングチップ４と回路チップ５とはボンディングワイヤ１０により電気的に接続されている。回路チップ５は磁気抵抗素子により検出される信号の差動増幅や２値化などの各種処理を行う。
【００２０】
蓋材２およびチップ保持部材３には４本のターミナル（リードフレーム）１１がインサート成形により埋設され、その一端がチップ保持部材３の上面に露出するとともに他端が蓋材２から外部に突出している。回路チップ５とターミナル１１の一端とがボンディングワイヤ１２により電気的に接続されている。４本のターミナル１１は、ＧＮＤ（接地）用、出力用、調整用、給電用である。このように、チップ・チップ間とチップ・ターミナル間はボンディングワイヤを介して接続され、これにより外部との電気的な信号のやりとりが行われる。
【００２１】
図２に示すように、チップ保持部材３の上面のチップ実装面においてチップコンデンサ１３が電源用とグランド用のターミナル間に導電性接着剤にて接着されている。また、チップ保持部材３の上面のチップ実装面においてチップコンデンサ１４が出力用とグランド用のターミナル間に導電性接着剤にて接着されている。
【００２２】
また、バイアス磁石６は中空部を有する筒状からなり、カバー部材１の内面に固着されている。磁石６は、中空部内に収容されるセンシングチップ４に対してバイアス磁界を付与するものであり、これにより、ロータ回転時にこのバイアス磁界と協働して生じる磁気ベクトルの変化が磁気抵抗素子の抵抗値変化として感知されてロータの回転状態が検出されるようになる。
【００２３】
このようなベアチップ実装構造を有する半導体センサにおいて、図８，９に示すように、チップ保持部材３の上面、即ち、チップ実装面上にはゲルＧ１〜Ｇ９が配置されている。詳しくは、ゲルＧ１はセンシングチップ４を、ゲルＧ２は回路チップ５を、ゲルＧ３，Ｇ４，Ｇ５，Ｇ６はボンディングワイヤ１２のターミナル１１側の接合部を、ゲルＧ７，Ｇ８，Ｇ９はチップコンデンサ１３，１４の電極部を、それぞれ、被覆するように配置されている。このように、チップ上面、ボンディング部、チップコンデンサ電極部はコーティング材としてゲルで覆われ、導電性物質、汚染物質から保護している。このゲルは硬化後も軟質性状を保つ保護材であり、硬化前には非常に流動性が高い。
【００２４】
図２および図５に示すように、チップ保持部材３のチップ実装面において蓋材２側での両側の端部にゲルダム用突起２０が設置されている。ゲルダム用突起２０の詳細を図６，７に示す。図６（ａ）はゲルダム用突起２０の平面図であり、図６（ｂ）は図６（ａ）でのＡ矢視図である。図７はゲルダム用突起２０の斜視図である。
【００２５】
図６，７において、ゲルダム用突起２０の内側の壁部には高さ方向に段差が形成され、下部構成部２１と上部構成部２２の二段構造をなしている。下部構成部２１において内壁には凹状の湾曲面２３ａ，２３ｂが形成されている。湾曲面２３ａ，２３ｂは上下方向（チップ実装面に直交する方向）に延設されている。湾曲面２３ａ，２３ｂは円弧を二段にわたり連続して形成した構成となっている。同様に、上部構成部２２において内壁には凹状の湾曲面２４ａ，２４ｂが形成されている。湾曲面２４ａ，２４ｂも上下方向（チップ実装面に直交する方向）に延設されている。湾曲面２４ａ，２４ｂも円弧を二段にわたり連続して形成した構成となっている。さらに、下部構成部２１においてはダム用突起２０における蓋材２側とは反対側の先端部の内側の角部が切り欠かれ、窪み２５が設けられている。窪み２５は直交する面Ｓ１，Ｓ２を有している。また、上部構成部２２においてもダム用突起２０における蓋材２側とは反対側の先端部の内側の角部が切り欠かれ、窪み２６が設けられている。窪み２６は直交する面Ｓ３，Ｓ４を有している。
【００２６】
次に、本実施の形態の半導体センサの製造方法について説明する。
まず、有蓋筒状に形成したカバー部材１の内面に筒状の磁石６を配設する。一方、一体形成された蓋材２およびチップ保持部材３におけるチップ保持部材３の上面の実装面にベアチップ状態のセンシングチップ４及び回路チップ５、チップコンデンサ１３，１４を組み付ける。さらに、センシングチップ４と回路チップ５、および、回路チップ５とターミナル１１の一端をワイヤ１０，１２によりボンディングする。
【００２７】
その後、チップ保持部材３の上面のチップ実装面にゲルＧ１〜Ｇ９を滴下する。その後、蓋材２にカバー部材１を組み付ける。このとき、蓋材２の外周面に接着剤を塗布する。これにより、蓋材２にカバー部材１が接着固定され、本実施の形態のセンサ装置が製造される。なお、蓋材２とカバー部材１との固定は、接着剤による接着に代わり、レーザー溶着で接合することにより行うようにしてもよい。
【００２８】
図１６，１７，１８には比較のための構造を示す。この比較例の図１６，１７，１８は図１，２，８に代わるものであり、ゲルダム用突起２０が設けられていない。図８，１８に示す所定の領域を狙ってゲルを滴下するが、極めて流動性が高いため広がっていく。このとき、比較例においては、周囲に壁（ダム）がないため、製造工程におけるゲルの硬化前においては非常に流動性が高いので角部では強い毛細管現象が発生し４ｍｍ程度の段差は容易に這い上がって図１８において矢印で示すようにゲルの流出が起き、カバー部材１（蓋材２を本体としたときの他部材）との接着部にまで到達してカバー部材１の接着に影響を与えてしまう。
【００２９】
この毛細管現象を抑えるために、図１，２，８においては、チップ保持部材３の上面のチップ実装面において他部材（カバー部材１）へと続く本体（蓋材２）との境界部は、ゲル流出経路を遮断するように部分的な壁（ゲルダム用突起２０）が設けられ、しかも、ゲルダム用突起２０における内壁には図６，７に示すように凹状の湾曲面２３ａ，２３ｂ，２４ａ，２４ｂが形成されている。このように、内壁を凹状の湾曲面にすることにより（Ｒ掛けを実施して凹形状のエッジをなくすことで）、その毛細管現象を５０％程度に抑制でき、これによりゲルの這い上がりを抑制してゲルの流出を抑えることができる。
【００３０】
また、図１０に示すように、ゲルダム用突起２０の先端部の内側の角部において、直交する面Ｓ１，Ｓ２を有する窪み２５、および、直交する面Ｓ３，Ｓ４を有する窪み２６が形成されており、あえてエッジ形状とし、ゲルをトラップする構造とし、エッジにゲル３０，３１を這い上がらせることでこの部分にトラップさせて外側へのゲルの回り込みによるはみ出しを抑制している。
【００３１】
このように、凹状の湾曲面（Ｒ）とエッジの適切な組み合わせのゲルダム用突起２０を、チップ保持部材３と蓋材２との境界部に設置することで、チップ保持部材３（舌片部）の四方に壁面を設定することなく、流動性の高い保護材であるゲルのカバー部材１（他部材）との接着部への滲み出しを防止することができる。これにより、センシング部外形の小型化を図ることができる。また、図７に示すように、ゲルダム用突起２０の内側の壁部には高さ方向に段差が形成されているので（下部構成部２１と上部構成部２２の二段構造をなしているので）、この段差（エッジ）でゲルを止めることもできる。
【００３２】
上記実施形態によれば、以下のような効果を得ることができる。
（１）チップ保持部材３のチップ実装面において蓋材２側での両側の端部にダム用突起２０を設置するとともに、ダム用突起２０の内壁には凹状の湾曲面２３ａ，２３ｂ，２４ａ，２４ｂを形成した。これにより、チップ保持部材３のチップ実装面におけるゲル（流動性を有する材料）の蓋材２への流出経路である蓋材２側での両側の端部にダム用突起２０が設置され、部分的にしかダム用突起２０（壁面）がない構造となっており、ダム用突起２０の延設長さが抑えられている。また、このダム用突起２０の内壁には凹状の湾曲面２３ａ，２３ｂ，２４ａ，２４ｂが形成されており、チップ保持部材３のチップ実装面上をゲルがダム用突起２０に進入しても、ゲルの蓋材２外周側への流出（這い上がり）を抑制することができる。
【００３３】
（２）ダム用突起２０における蓋材２側とは反対側の先端部の内側の角部に、直交する面Ｓ１，Ｓ２を有する窪み２５、および、直交する面Ｓ３，Ｓ４を有する窪み２６を、さらに設けた。よって、ゲルが回り込んできても直交する面Ｓ１，Ｓ２を有する窪み２５、および、直交する面Ｓ３，Ｓ４を有する窪み２６にトラップしてゲルの回り込みを抑制することができる。
【００３４】
なお、前記実施形態は以下のように変更してもよい。
図６（ａ）では凹状の湾曲面２３ａ，２３ｂ（２３ａ，２４ｂ）の平面形状として湾曲面を二段にわたり形成とした構成としたが、湾曲面を一段のみ形成した構成であってもよく、また、湾曲面を三段以上にわたり形成してもよい。
【００３５】
図５に代わる図１１、および図７に代わる図１２に示すように、ゲルダム用突起２０における縦断面形状として内壁に、円弧状の湾曲面４１を形成してもよい（ゲルの流出経路に円弧面を配置する）。このように、湾曲面４１は水平方向、即ち、チップ実装面に沿う方向に延設されていてもよく、この場合には、図１２で想定されるゲル流出経路Ｒ１においてエッジ部Ｅ１でゲルが止まり、想定されるゲル流出経路Ｒ１をここで遮断することができる（ゲルがエッジ部Ｅ１を乗り越えられないようにすることができる）。図１１，１２の場合においてもＲ２で示すゲル回り込みルートが存在し得るので、図７で示した他の構成（湾曲面の形成や段差の形成や窪み（切り欠き）の形成）との併用が望ましい。
【００３６】
また、図５に代わる図１３、および図７に代わる図１４に示すように、ゲルダム用突起２０の上面においてＶ溝５０を形成して、ゲルが進入してきてもこのＶ溝５０にトラップして流出を抑制するようにしてもよい。
【００３７】
また、図６（ａ）および図７に代わる図１５（ａ），（ｂ）に示すように、ゲルダム用突起２０の外側の壁面に溝（切欠き）６０，６１を設けて、ゲルが進入してきてもこの溝６０，６１にトラップして流出を抑制するようにしてもよい。
【００３８】
また、前記実施形態では、チップ保持部材のチップ実装面上にゲルを塗布する場合について述べてきたが、流動性を有する接着剤（例えばシリコン系やエポキシ系接着剤）をチップ実装面に配する場合に適用してもよい。例えば、チップコンデンサ１３，１４の下面とチップ実装面との間に流動性を有する接着剤を配する場合に用いてもよい。つまり、接着剤の硬化前において強い毛細管現象が発生し這い上がってカバー部材１との接着部にまで到達してしまうのを抑制する構成としてもよい。
【００３９】
また、センサは回転センサに限ることなく、他のセンサに適用してもよい。
また、図８，９に代わる構成として、図１９，２０に示すように構成してもよい。図１９，２０において、蓋材２の一方の面（図１９，２０の左面）には蓋材２よりも径が大きな取付部６９が一体的に形成され、取付部６９は段差を有している。この取付部６９がセンサ取付プレートＫ１の取付口に嵌め込まれ、レーザー溶着にて固定されるようになっている。一方、チップ保持部材３と蓋材２（および取付部６９）が樹脂にて一体成形され、この樹脂成形品におけるチップ保持部材３での厚み方向Ｘにおいてチップ実装面３ａから離れた位置をパーティングラインＬｐとしている。パーティングラインＬｐをチップ実装面３ａから離すことにより、チップ保持部材３のチップ実装面３ａにおけるゲル（流動性を有する材料）のパーティングラインＬｐに沿う蓋材２外周側への流出経路が無くなり、これによって、図２１，２２に示すように、ゲルＧ１０がチップ実装面３ａにおいて広がりチップ実装面３ａのエッジＥ１０に達した場合、チップ保持部材３のチップ実装面３ａ上からゲルＧ１０の蓋材２外周側への流出（這い上がり）を抑制することができる。即ち、図２１でのＡ矢視方向からの斜視図である図２３に示すように、パーティングラインＬｐに発生する微小な段差や凹凸やバリ等に沿ってゲルＧ１０が蓋材２外周側に流出することを抑制することができる（這い上がりを抑制することができる）。
【００４０】
以下、詳しく説明する。
部分的にしか壁面を設定できない構造部（樹脂成形品）におけるパーティングラインＬｐをチップ保持部材３のチップ実装面３ａのエッジＥ１０から離すことにより、ゲル（樹脂）の滲み出し経路が無くなり、塗布樹脂材としてのゲルの他部位への流出を防止することができる。即ち、チップ実装面３ａの四方に壁面を設定せずに他部材との接着面につながる型割位置（パーティングライン）をチップ実装面３ａのエッジＥ１０から離れた位置に設定することで、パーティングラインＬｐに発生する微小な段差や凹凸やバリ等に沿って、ゲルなどの流動性の高い保護材やエポキシなどの接着剤が他部材との接合に影響を与えるような滲み出し（這い上がり）を防止することができ、これにより、センシング部外形の小型化を図ることができる。図２２においてチップ実装面３ａとパーティングラインＬｐとの距離ΔＨは０．３ｍｍ以上とするとよい（パーティングラインＬｐはチップ実装面３ａから０．３ｍｍ以上離すとよい）。
【００４１】
図２４，２５は図２２，２３と比較するための図である。図２４において、チップ実装面３ａのエッジＥ１０に型割位置を設けてチップ実装面３ａのエッジＥ１０上を一点鎖線で示すパーティングラインＬｐとしている。なお、図２４では、エッジＥ１０を示す実線と、一点鎖線で示すパーティングラインＬｐとは重ねて描画できないため、接近した２本の線で表現しているが、実際には図２５に示すように、チップ実装面３ａのエッジＥ１０上にパーティングラインＬｐが位置している。コーティング材としてのゲルは硬化後も軟質性状を保つ保護材であり、硬化前には非常に流動性が高い。このため、チップ実装面３ａのエッジＥ１０に設定されたパーティングラインＬｐに発生する微小な段差や凹凸やバリ等において強い毛細管現象が発生し、図２５に示すように微小な段差や凹凸やバリ等に沿って他部材との接着部にまでゲルなどの流動性の高い樹脂（Ｇ１０）が滲み出して（這い上がり）他の部品との接着部位等に到り、他部品との接合性に影響を与えてしまう。これに対し、本実施形態においては、図２２，２３に示すように、この毛細現象を誘発するパーティングラインＬｐを流動性の高いゲルを配するチップ実装面３ａから切り離すことで、滲み出しを防止することができる。こうすることで、チップ実装面３ａ（舌片部）の四方に壁面を設定することなく、流動性の高いゲルなどの樹脂材の他部材との接着部への滲み出しをより確実に防止することができる。
【００４２】
また、図２，５に代わる構成として、図２６，２７に示すように構成してもよい。図２６において、チップ保持部材３のチップ実装面において蓋材２側での両側にダム用突起７０を設置する。図２７において、ダム用突起７０の内壁には上下方向Ｙにおいて斜状なる面７０ａが形成されている。この面７０ａは上方ほど幅広となるように直線的に延びている。これにより、チップ保持部材３のチップ実装面におけるゲル（流動性を有する材料）の蓋材２外周側への流出経路である蓋材２側での両側にダム用突起７０が設置され、部分的にしかダム用突起（壁面）７０がない構造となっており、ダム用突起７０の延設長さが抑えられている。また、このダム用突起７０の内壁には斜状面７０ａが形成されており、チップ保持部材３のチップ実装面上をゲルがダム用突起７０に進入しても、ゲルの蓋材２外周側への流出（這い上がり）を抑制することができる。以上のように、有蓋筒状をなすカバー部材１と、カバー部材１の開口部において、開口部を塞ぐように配置された蓋材２と、カバー部材１の内部に配置され、蓋材２から突設され、上面に平坦なチップ実装面を有するチップ保持部材３と、チップ保持部材３のチップ実装面上にベアチップ実装されたセンシングチップ４と、チップ保持部材３のチップ実装面上に配置された流動性を有する材料（ゲルＧ１〜Ｇ９）と、を備えた半導体センサにおいて、チップ保持部材３のチップ実装面において蓋材２側での両側にダム用突起７０を設置するとともに、ダム用突起７０の内壁には傾斜した斜状面７０ａを形成した半導体センサとする。これにより、チップ保持部材３のチップ実装面における流動性を有する材料の蓋材２外周側への流出経路である蓋材２側での両側にダム用突起７０が設置され、部分的にしかダム用突起（壁面）がない構造となっており、ダム用突起の延設長さが抑えられている。また、このダム用突起７０の内壁には斜状面７０ａが形成されており、チップ保持部材３のチップ実装面上を、流動性を有する材料がダム用突起７０に進入しても、流動性を有する材料の蓋材２外周側への流出（這い上がり）を抑制することができる。
【００４３】
この図２６，２７に示した構成において、図１９，２０で説明したように、チップ保持部材３と蓋材２が樹脂にて一体成形され、この樹脂成形品におけるチップ保持部材３での厚み方向Ｘにおいてチップ実装面３ａから離れた位置をパーティングラインＬｐとしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本実施形態における半導体センサの斜視図。
【図２】カバー部材およびバイアス磁石を取り外した状態での半導体センサの平面図。
【図３】カバー部材およびバイアス磁石を取り外した状態での半導体センサの側面図。
【図４】半導体センサの分解斜視図。
【図５】図２のＡ−Ａ線での縦断面図。
【図６】（ａ）はゲルダム用突起の平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ矢視図。
【図７】ゲルダム用突起の斜視図。
【図８】カバー部材およびバイアス磁石を取り外した状態での半導体センサの平面図。
【図９】カバー部材およびバイアス磁石を取り外した状態での半導体センサの側面図。
【図１０】ゲルダム用突起の平面図。
【図１１】別例の半導体センサの縦断面図。
【図１２】別例のゲルダム用突起の斜視図。
【図１３】別例の半導体センサの縦断面図。
【図１４】別例のゲルダム用突起の斜視図。
【図１５】（ａ）は別例のゲルダム用突起の平面図、（ｂ）は別例のゲルダム用突起の斜視図。
【図１６】比較のための半導体センサの斜視図。
【図１７】比較のための半導体センサの平面図。
【図１８】比較のための半導体センサの平面図。
【図１９】別例の半導体センサの平面図。
【図２０】別例の半導体センサの側面図。
【図２１】別例の半導体センサの平面図。
【図２２】別例の半導体センサの側面図。
【図２３】図２１でのＡ矢視方向からの斜視図。
【図２４】比較のための半導体センサの側面図。
【図２５】比較のための半導体センサの斜視図。
【図２６】他の別例の半導体センサの平面図。
【図２７】図２６のＡ−Ａ線でのチップ保持部材についての縦断面図。
【符号の説明】
【００４５】
１…カバー部材、２…蓋材、３…チップ保持部材、４…センシングチップ、２０…ゲルダム用突起、２３ａ，２３ｂ，２４ａ，２４ｂ…湾曲面、２５…窪み、２６…窪み、４１…湾曲面、５０…Ｖ溝、６０，６１…溝、Ｇ１〜Ｇ９…ゲル、Ｌｐ…パーティングライン。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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