(57)【要約】【課題】光情報記録媒体の記録密度向上を図るために伴うコストアップを抑制することと、記録密度の向上と、再生耐久性とを併せて実現する。【解決手段】再生装置の有する光学系解像限界以下の記録マーク長を含む記録マークパターンにより情報が表される光情報記録媒体であって、再生光の入射側から、透光層１０と、第１情報記録層２０と、中間層３０と、第２情報記録層４０と、基板５０とがこの順に積層されている。記録マークパターンは少なくとも第１及び第２情報記録層２０・４０に形成され、これら第１及び第２情報記録層２０・４０は、再生装置の有する光学系解像限界以下のマーク長の信号を再生するための第１及び第２再生膜２１・４１と、再生光を吸収し熱に変換する第１及び第２吸光膜２２・４２とを含む。ここで、第１吸光膜２２はＳｉからなり、第２吸光膜４２はＧｅからなる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
再生装置の有する光学系解像限界以下の記録マーク長を含む記録マークパターンにより情報が表される光情報記録媒体であって、
再生光の入射側から、透光層と、第１情報記録層と、中間層と、第２情報記録層と、基板とがこの順に積層されると共に、
上記記録マークパターンは少なくとも第１情報記録層及び第２情報記録層に形成され、
これら第１情報記録層及び第２情報記録層は、
再生光を吸収して熱に変換する吸光膜と、
該吸光膜の発熱によって加熱され、前記解像限界以下の記録マーク長の信号を再生可能とする再生膜とを含み、
上記第１情報記録層の吸光膜がＳｉの単体もしくはＳｉを主成分とした合金からなり、
上記第２情報記録層の吸光膜がＧｅの単体もしくはＧｅを主成分とした合金からなることを特徴とする光情報記録媒体。
【請求項２】
上記記録マークパターンがプリピットとスペースにて形成されていることを特徴とする請求項１に記載の光情報記録媒体。
【請求項３】
上記記録マークパターンは、記録マークがマークエッジ記録方式に基づいて配列していることを特徴とする請求項１に記載の光情報記録媒体。
【請求項４】
上記記録マークパターンは記録マークとスペースからなり、記録マークおよびスペースの読み出し方向の長さの値が、少なくとも２値以上に規格化されていることを特徴とする請求項１に記載の光情報記録媒体。
【請求項５】
上記第１情報記録層或いは第２情報記録層における再生膜が、金属酸化物を主成分とすることを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載の光情報記録媒体。
【請求項６】
上記金属酸化物が酸化亜鉛である、又は酸化亜鉛を主成分とすることを特徴とする請求項５に記載の光情報記録媒体。
【請求項７】
請求項１〜６の何れか１項に記載の光情報記録媒体を再生可能であるレーザーパワーのレーザー光を上記第１情報記録層或いは第２情報記録層に照射し、上記光情報記録媒体からの反射光を読み取る光学読取手段を備えていることを特徴とする光情報記録媒体再生装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、情報が光学的に記録され、再生される光情報記録媒体、及び該光情報記録媒体に記録された情報を再生する光情報記録媒体再生装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、光情報記録媒体においては、画像等の膨大な情報の処理のために、ますます情報記録密度を増加させることが求められている。その解決法の１つとして、再生時における情報処理向上技術の１つである超解像再生技術がある。超解像再生技術とは、再生装置が有する光学的解像限界以下のマーク長(レーザー波長及び光学系の開口数によって決まる)の信号を再生する技術である。このような超解像再生技術を用いることで、より小さなマーク長を使用した記録が可能となり、実質的な記録密度が増加する。このことはつまり、高密度化する際の問題は、記録技術ではなく、再生技術にあることを意味している。
【０００３】
また、情報記録密度を増加させる別の解決法として、情報記録層を多層化し、それぞれの情報記録層に対して情報を記録／再生する多層光情報記録媒体もある。
【０００４】
さらに、これら超解像再生技術と多層光情報記録媒体の技術とを組み合わせることも考えられている。例えば特許文献１には、超解像再生が可能な情報記録層を多層化した積層光情報記録媒体が開示されている。以下、特許文献１を例に超解像再生技術及び多層光情報記録媒体技術について説明する。
【０００５】
超解像再生技術とは、前述したように、再生装置の有する光学系解像限界以下のマーク長の信号を再生するための技術である。特許文献１の場合、再生レーザー光の強度分布（中心部に近づくに従って強度が増す）に応じて、超解像再生層の一部の光学定数を変化させ、光学マスク或いは光学開口として機能させることで、再生スポットを実質的に小さくし、微小記録マークを高分解能に再生することを可能とするものである。
【０００６】
超解像再生層の例としては、相変化材料及びフォトンモード型の吸収飽和が起こる半導体材料が開示されている。例えば、相変化材料の場合、結晶状態の相変化により光学定数が変化する材料であり、常温の結晶状態で光透過率が高く（／あるいは低く）、光照射などによる加熱により溶融状態に相変化した時に光透過率が低下（／増加）することで超解像再生を行う。
【０００７】
また、半導体材料の吸収飽和を利用した場合、超解像再生層はＳｉＯ２などのガラスマトリクス中に半導体の微粒子が分散された構成である。上記半導体のバンドギャップエネルギーに相当する波長よりも若干短い波長の光を照射することで電子が励起され、吸収飽和が起こって透過率が変化する。この現象は光強度に依存するため（フォトンモード）、光強度に対する超解像再生層の透過率変化を利用して超解像再生を行う。
【０００８】
次に、特許文献１に用いられている多層光情報記録媒体技術について説明する。再生光入射面より、基板上に第１の記録部、第２の記録部という順に情報記録層を設け、主に樹脂からなる中間層により各情報層を分離した構造となっている。このような構造では、再生光入射面から最も遠い情報記録層以外は、再生光が一部透過するような半透明層になっており、再生光入射面から入射した再生光は、各情報記録層にフォーカスされる。したがって、この多層光情報記録媒体は、情報記録層の総数が増えるにしたがって情報記録密度を増加させることができる光情報記録媒体であると言える。
【０００９】
このように、光情報記録媒体の高密度化について、上記２手法が、そしてそれらを組み合わせた技術が提案されている。
【特許文献１】特開２００１−８４６３９号公報（２００１年３月３０日公開）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、超解像再生技術を用いた多くの光情報記録媒体（以降、超解像媒体と呼ぶ）では、光学マスク或いは光学開口として機能する層（特許文献１では、超解像再生層）であるマスク層自体が、直接に光又は熱を吸収することによって、光学的に変化するようになっている。そのため、マスク層自体にかかる負担が大きくなりやすく、再生耐久性に乏しいという問題がある。
【００１１】
さらに、通常、超解像媒体に使用される再生膜は、色素や相変化材料などが多く、超解像技術が用いられない通常の光情報記録媒体に使用される膜材料に比べて高価である。したがって、超解像媒体は、情報記録層数を同じとする通常の光情報記録媒体よりも高価になるという問題もある。
【００１２】
特に、特許文献１に記載の超解像再生技術では、超解像再生層として、相変化媒体及び電子励起吸収飽和半導体が用いられているが、相変化媒体の場合、再生の度に相変化すなわち構造変化するため、再生耐久性を低下させる原因となっていた。
【００１３】
また、電子励起吸収飽和半導体の場合、光学特性が半導体微粒子の粒径に大きな影響を受けるため、光学特性制御のためには粒径の制御が不可欠であり、作製が困難であった。しかも、均質な微粒子を得るためには成膜条件も限られ、実用化あるいは大量生産には課題があった。また、０．１ｎｍ〜５０ｎｍ程度の微粒子がマトリクス中に分散しているため、微粒子表面積（マトリクスとの界面の表面積）が大きく、再生時の温度上昇に伴い、微粒子表面が酸化されやすく表面安定性が悪く、それに伴う変質などの経時変化が起こりやすく、場合によっては微粒子同士がくっついてしまって所望の特性が得られなくなるなどの課題があった。
【００１４】
また、特許文献１においては、信号特性の指標として、０．４１μｍ長の単一サイズ記録マークが等間隔に周期配列したパターンのＣＮＲを採用しているが、この評価法について課題が２点ある。
【００１５】
ひとつは、このマーク長は、特許文献１に記載の評価光学系の解像限界よりも大きなサイズであり、超解像領域の再生評価としては不充分であるといった点である。光情報記録媒体の再生光学系の解像度は、検出可能な信号の周波数限界の制約を受け、一般的にλ／２Ｎ.Ａ.程度と言われている（λ：再生光波長、Ｎ.Ａ.：レンズの開口率）。上記は単一サイズの記録マークとスペースの繰り返しからなるパターンの周期サイズの解像限界に相当し、記録マークの長さはその半分のλ／４Ｎ.Ａ.程度が解像限界となることが知られている（以下、解像限界をλ／４Ｎ.Ａ.とする）。従って、上記マーク長は、特許文献１に記載の評価光学系の解像限界よりも大きなサイズであり、超解像領域の再生評価としては不充分であると言える。
【００１６】
もうひとつは、単一サイズ記録マークが等間隔に周期配列したパターンは、あくまで等間隔マークの羅列であり、実質的な記録情報に基づいたマークを評価しているとは言えない点である。実用化されている光情報記録媒体の実際の記録マークは単一サイズが等間隔に並んでいるわけではなく間隔はランダムである。
【００１７】
さらに、記録方式には大きく分けて２種類ある。ひとつはマークポジション記録であり、もうひとつはマークエッジ記録と呼ばれる。マークポジション記録では、単一サイズ記録マークがランダムに配列しているが、この方式は記録密度が低い。また、マークエッジ記録は、記録すべきデータを変調して長さの異なる記録マークがランダムに配列するものであり、マークポジション記録に比べて記録密度が高くなる。
【００１８】
すなわち、記録密度を向上させるためには、マークエッジ記録で記録する必要があり、そのための評価として、長さの異なる記録マークが、ランダムに配列した記録マークパターン（これ以降「ランダムパターン」と表現する）における記録マークの再生特性を評価する必要がある。ランダムパターンによるマークエッジ記録が記録密度的に有利であることは、実用化されている光情報記録媒体はほぼすべてと言っていいほど、ランダムパターンの記録マーク配列（マークエッジ記録）によるデータ記録がなされていることからも明らかである。
【００１９】
加えて、特許文献１で行われているような単一サイズマーク列のＣＮＲ評価は、あくまで該当サイズの等間隔パターンのみの評価であるため、その特性は他のサイズでのＣＮＲ特性とは異なる場合がある。特に超解像再生を行う場合、記録マーク長が変わればＣＮＲの再生パワー依存性や最適パワーが異なる可能性がある。しかしながら実際にランダムパターンを再生するためには、いずれのサイズの記録マークも共通の再生パワーで再生する必要がある。ＣＮＲ最適になる再生パワーが記録マークのサイズに対してそれぞれ異なる場合には、ランダムパターントータルとしての最適再生パワーを判断するために別の評価指標が必要である。
【００２０】
つまり、ランダムパターン配列を評価するためには単一サイズの記録マーク列のＣＮＲ評価では不充分である。
【００２１】
上記のように、特許文献１に代表される従来の光情報記録媒体には、これら材料上の課題、評価指標の課題など、多くの問題があった。
【００２２】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであって、安価であり、再生耐久性に優れた超解像再生技術を用いた、ランダムパターン（マークエッジ記録）のジッター値が良好な多層光情報記録媒体を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００２３】
本発明に係る光情報記録媒体は、上記課題を解決するために、再生装置の有する光学系解像限界以下の記録マーク長を含む記録マークパターンにより情報が表される光情報記録媒体であって、再生光の入射側から、透光層と、第１情報記録層と、中間層と、第２情報記録層と、基板とがこの順に積層されると共に、上記記録マークパターンは少なくとも第１情報記録層及び第２情報記録層に形成され、これら第１情報記録層及び第２情報記録層は、再生光を吸収して熱に変換する吸光膜と、該吸光膜の発熱によって加熱され、前記解像限界以下の記録マーク長の信号を再生可能とする再生膜とを含み、上記第１情報記録層の吸光膜がＳｉの単体もしくはＳｉを主成分とした合金からなり、上記第２情報記録層の吸光膜がＧｅの単体もしくはＧｅを主成分とした合金からなることを特徴としている。
【００２４】
上記の構成では、第１情報記録層に記録された情報を再生するときには、再生光が透光層から照射されて第１情報記録層にフォーカスされる。第１情報記録層においては、吸光膜が再生光を吸収することで光を熱に変換し、その熱を再生膜に伝達する。再生時、当該媒体が回転しているので、レーザーの温度分布によってビームスポットの後端部の温度が高くなる。すなわち温度が高い位置が中心からずれる。このことにより、高温領域の再生膜の透過率が変化し、第１情報記録層の解像限界以下のマーク長（記録マークがピットである場合はピット長）で記録された情報を読み出すことができる。
【００２５】
また、第２情報記録層に記録された情報を再生する時には、再生光が、透光層と、第１情報記録層と、中間層とを透過して照射され、第２情報記録層にフォーカスされる。そして、第１情報記録層と同様にして、第２情報記録層の解像限界以下のマーク長で記録された情報を読み出すことができる。これにより、第１及び第２情報記録層ともに、実質的な記録密度（再生可能な記録密度の意）を光学解像限界により規制された記録密度よりも高めることができる。
【００２６】
このように、第１及び第２情報記録層は、光スポットにおける光強度の高い中心部分のみの温度変化を利用して、超解像再生効果により情報読み取りが可能になる。これにより、第１及び第２情報記録層の記録密度が解像限界以下となるため、製造コストに対して光情報記録媒体の記録容量を向上させることが可能になり、コストパフォーマンスの高い記録媒体を提供することができる。
【００２７】
それゆえ、第１及び第２情報記録層を備えることで、同じ記録容量を有する記録媒体を作製する場合、通常の多層光情報記録媒体よりも記録層数を減少させることが可能になる。したがって、製造ラインにおいて、記録層をスパッタリングで形成するための高価な真空装置の台数を削減することができ、記録層を増加させるのに伴う記録媒体の製造コストを大幅に低減させることができる。
【００２８】
そして、上記構成では、第１及び第２情報記録層において、再生膜とは別に吸光膜を形成し、再生膜と吸収膜を分離形成している。これにより、再生膜自体が光吸収して分子構造を変化させるなどにより光学特性を変化させることがない。それゆえ、第１及び第２情報記録層における再生膜に多くの負担をかけることなく超解像再生が可能となり、再生耐久性の向上が可能になる。
【００２９】
しかも、上記構成では、第１情報記録層の吸光膜をＳｉの単体もしくはＳｉを主成分とした合金から形成し、第２情報記録層の吸光膜はＧｅの単体もしくはＧｅを主成分とした合金から形成している。
【００３０】
Ｓｉ、Ｇｅの単体もしくはそれらを主成分とした合金は、他の金属膜などと比較して、再生光が照射された際に温度が上昇しやすく、発生した熱によって効率よく再生膜を加熱することができる。したがって、これらよりなる吸光膜とすることで、より低い再生パワーにて最適特性を得ることができ、再生感度向上が可能となる。
【００３１】
また、Ｓｉ単体もしくはそれを主成分とした合金は、Ｇｅ単体もしくはそれを主成分とした合金と比較して、光利用効率が高い。そのため、Ｓｉ単体もしくはそれを主成分とした合金を、第１情報記録層の吸光膜に利用することで、比較的低い再生強度にて第２情報記録層への再生光強度を充分に得ることができ、より低い再生パワーにて最適特性を得ることができる。また、光利用効率が高いために、特に多層光情報記録媒体において、再生光を次の情報記録層へと透過させる必要のある情報記録層の吸収膜として望ましく、省電力化も可能となる。光利用効率が高いことで、光学設計の自由度を高くできる。
【００３２】
一方、第２情報記録層の吸光膜には、Ｓｉ単体もしくはそれを主成分とした合金よりもＧｅ単体もしくはそれを主成分とした合金を用いる方が、より低い再生パワーにて最適特性を得ることを確認している。多層光情報記録媒体においては、再生光を次の情報記録層へと透過させる必要のない情報記録層の吸収膜としては、Ｇｅ単体もしくはそれを主成分とした合金を用いることが望ましいと言える。
【００３３】
したがって、このように第１情報記録層の吸光膜をＳｉの単体もしくはＳｉを主成分とした合金から形成すると共に、第２情報記録層の吸光膜はＧｅの単体もしくはＧｅを主成分とした合金から形成することで、より低い再生パワーにて最適特性を得ることができ、再生感度向上を図れるといった効果を奏する。
【００３４】
上記光情報記録媒体において、上記記録マークパターンは、記録マークがマークエッジ記録方式に基づいて配置されていることが好ましく、より具体的に言えば、上記記録マークパターンは、記録マークとスペースとからなり、記録マークおよびスペースの読み出し方向の長さの値が、少なくとも２値以上に規格化されていることが好ましい。
【００３５】
記録マークがマークエッジ記録方式に基づいて位置していれば、マークポジション記録方式に比較して高密度化でき、光情報記録媒体として大容量が達成できる。また、スペースの読み出し方向の長さの値だけでなく、記録マークの同方向の長さも、少なくとも２値以上に規格化されている方が、記録マークの長さが一定である場合に比べて、記録密度を高くすることができ、光情報記録媒体として大容量が達成できる。
【００３６】
上記光情報記録媒体において、上記記録マークパターンを例えばプリピットとスペースにて形成することができ、その場合、当該媒体は再生専用媒体となる。
【００３７】
上記光情報記録媒体において、第１情報記録層或いは第２情報記録層における再生膜が、金属酸化物を主成分とすることが好ましい。
【００３８】
金属酸化膜は、熱によるバンドギャップ変化により光学特性が変化する特性を有するので、このような金属酸化膜を再生膜として用いることにより、通常の組成変化や相変化などの構造変化によって光学特性が変化する色素や相変化材料を用いた再生膜を用いた光情報記録媒体と比較して、再生耐久性をより向上させることができる。
【００３９】
上記光情報記録媒体において、上記再生膜の金属酸化物が酸化亜鉛からなる、または酸化亜鉛を含むことが好ましい。
【００４０】
これにより、光情報記録媒体のコストを低減でき、さらに、酸化亜鉛からなる、または酸化亜鉛を含むことにより、他の金属酸化膜を用いるよりも高い超解像特性を得ることができるため、光情報記録媒体の記録容量を向上させることが可能になる。また、特許文献１に開示されている電子励起吸収飽和半導体の微粒子分散のような粒径の制御も不要なため、作製が容易で大量生産が可能である。加えて、微粒子粒界の変質などの経時変化も起こりにくく、再生耐久性が向上する。
【００４１】
本発明に係る光情報記録媒体再生装置は、上記の課題を解決するために、上記のいずれかの光情報記録媒体を再生可能であるレーザーパワーのレーザー光を上記第１或いは第２情報記録層に照射し、上記光情報記録媒体からの反射光を読み取る光学読取手段を備えていることを特徴としている。
【００４２】
この光情報記録媒体再生装置は、光学読取手段によって、光情報記録媒体を再生可能なレーザーパワーのレーザー光を照射することで光情報記録媒体からの反射光を読み取るので、より高密度に記録された光情報記録媒体からの安定した情報再生が可能となる。このような光情報記録媒体を再生可能とするには、レーザーパワーが従来のレーザーパワーより高い値に設定される。
【００４３】
このようにして、光情報記録媒体の再生が可能となれば、２層超解像媒体での再生が可能となる。例えば、同じ記録容量で３層以上必要となる通常媒体を再生する場合に比較して層数が減少するので、フォーカスしなければならない情報記録層の数も減少する。層数が減少することにより製造コストが低くなる。また、フォーカス層数も減少するので光学読取装置（光ピックアップ）のフォーカス制御が簡素になるので、光学読取装置のコスト上昇が抑制されると共に、フォーカスに要する時間が短縮されるので、再生命令に対する反応が向上する。したがって、より低コストで高性能な再生装置を提供することができる。
【発明の効果】
【００４４】
以上のように、本発明の光情報記録媒体は、再生装置の有する光学系解像限界以下の記録マーク長を含む記録マークパターンにより情報が表される光情報記録媒体であって、再生光の入射側から、透光層と、第１情報記録層と、中間層と、第２情報記録層と、基板とがこの順に積層されると共に、上記記録マークパターンは少なくとも第１情報記録層及び第２情報記録層に形成され、これら第１情報記録層及び第２情報記録層は、再生光を吸収して熱に変換する吸光膜と、該吸光膜の発熱によって加熱され、前記解像限界以下の記録マーク長の信号を再生可能とする再生膜とを含み、上記第１情報記録層の吸光膜がＳｉの単体もしくはＳｉを主成分とした合金からなり、上記第２情報記録層の吸光膜がＧｅの単体もしくはＧｅを主成分とした合金からなる構成である。
【００４５】
これにより、同じ記録容量を有する記録媒体を作製するとした場合、各情報記録層の記録密度が解像限界により規制された記録密度である通常の多層光情報記録媒体と比べると、より記録層数を減少させることが可能になる。したがって、コストに対して光情報記録媒体の記録容量を向上させることが可能になるという効果を奏する。
【００４６】
また、吸光膜と再生膜とが分離して形成されているので、再生膜自体に多くの負担をかけることなく超解像再生が可能となり、従来の超解像多層超解像媒体では達成できない再生耐久性が得られるという効果も奏する。
【００４７】
さらに、第１情報記録層の吸光膜をＳｉの単体もしくはその合金から形成すると共に、第２情報記録層の吸光膜をＧｅの単体もしくはその合金から形成することで、第１、第２の情報記録層が、他の金属膜よりなる構成や、第２情報記録層の吸光膜がＳｉの単体もしくはその合金からなり、第１情報記録層の吸光膜がＧｅの単体もしくはその合金からなる構成に比して、再生感度向上と共に省電力化が図れ、光学設計の自由度も高くなるといった効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４８】
〔実施の形態１〕
本発明の実施の一形態について図１ないし図６に基づいて説明すると、以下の通りである。なお、本実施の形態では、第１及び第２情報記録層において情報は、プリピットによる凹凸形状にて記録されている構成を例示する。
【００４９】
図１は、実施の形態に係る光情報記録媒体と６０の断面構造を示している。図１に示すように、光情報記録媒体６０は、透光層１０と、第１情報記録層２０と、中間層３０と、第２情報記録層４０と、基板５０とを備え、光入射面からこの順に積層されている。
【００５０】
透光層１０は、再生光を十分に透過すればよく、透明な樹脂によって形成されており、紫外線硬化樹脂などを用いることもできる。透光層１０に用いることのできる樹脂材料としては、例えば、エポキシアクリレート、ウレタンアクリレート、ポリエステルアクリレート、フッ素化アクリル樹脂、エポキシ樹脂等がある。透光層１０は１層構成に限られるものではなく、ポリカーボネートフィルム等の透明樹脂フィルムと透明粘着樹脂層の２層構成とすることもできる。また、透光層１０の光入射面に、ハードコート層を設けてもよい。
【００５１】
中間層３０は、第１情報記録層２０と第２情報記録層４０との間に設けられた透光性を有する樹脂層であり、例えば、透明紫外線硬化樹脂等の樹脂を用いることができる。中間層３０に用いることのできる樹脂材料としては、例えば、エポキシアクリレート、ウレタンアクリレート、ポリエステルアクリレート、フッ素化アクリル樹脂、エポキシ樹脂等がある。
【００５２】
基板５０は、ポリオレフィン系樹脂等の樹脂によって形成されている。基板５０には、その他、ポリカーボネート樹脂や、圧縮成型可能な他の樹脂、或いはガラスを用いることもできる。また、基板５０は透明である必要はないので、金属等を用いることもできる。
【００５３】
中間層３０における第１情報記録層２０と接する側の面には、図２（ａ）の拡大斜視図に示すように、情報が記録されているプリピット３１が形成されている。また、基板５０における第２情報記録層４０と接する側の面には、図２（ｂ）の拡大斜視図に示すように、情報が記録されているプリピット５１が形成されている。
【００５４】
そして、これら中間層３０及び基板５０における、プリピット３１、プリピット５１が形成されている各面に、第１情報記録層２０及び第２情報記録層４０がそれぞれ成膜されることにより、第１情報記録層２０及び第２情報記録層４０には、プリピット３１、プリピット５１が凹凸形状としてそれぞれ転写された状態となっている。
【００５５】
従って、光情報記録媒体６０は、第１及び第２情報記録層２０・４０が、凹凸形状としての情報を記録している状態であり、いわゆる再生専用光情報記録媒体として形成されている。
【００５６】
第１情報記録層２０は、第１再生膜２１（再生膜）及びＳｉの単体もしくはＳｉを主成分とした合金からなる第１吸光膜２２（吸光膜）を含んでいる。第１吸光膜２２は、再生光を吸収して、光を、第１再生膜２１を加熱しうる熱に変換する。第１再生膜２１は、第１吸光膜２２で生じる熱によって加熱されると、自身の光学定数が変化することによって、再生装置の有する光学系解像限界以下のマーク（ピット）長の信号を再生可能にする。
【００５７】
第２情報記録層４０は、第２再生膜４１（再生膜）及びＧｅの単体もしくはＧｅを主成分とした合金からなる第２吸光膜４２（吸光膜）を含んでいる。第２吸光膜４２は、再生光を吸収して、光を、第２再生膜４１を加熱しうる熱に変換する。第２再生膜４１は、第２吸光膜４２で生じる熱によって加熱されると、自身の光学定数が変化することによって、再生装置の有する光学系解像限界以下のマーク（ピット）長の信号を再生可能にする。
【００５８】
上記第１及び第２再生膜２１・４１、並びに第１及び第２吸光膜２２・４２は、真空装置においてスパッタリングによって形成されている。
【００５９】
第１及び２の再生膜２１・４１は、熱によるバンドギャップ変化により光学特性が変化するという特性を有する金属酸化膜からなることが好ましい。これにより、通常の組成変化や相変化などの構造変化によって光学特性が変化する色素や相変化材料を用いた従来の記録媒体における再生膜と比較して、第１及び第２再生膜２１・４１の再生耐久性を向上させることができる。また、金属酸化膜は一般に透明であるため、第１及び第２の各吸光膜２２・４２への透過性がよく吸光膜２２・４２がより効率的に作用するという利点もある。
【００６０】
金属酸化膜の中でも、特に比較的安価で豊富な酸化亜鉛が好ましく、上記第１及び第２再生膜２１・４１は、酸化亜鉛からなる、または酸化亜鉛を含むことが好ましい。これにより、光情報記録媒体６０のコストを低減できる。さらに、酸化亜鉛、または酸化亜鉛を含む材料からなることで、他の金属酸化膜を用いるよりも高い超解像特性を得ることができるため、光情報記録媒体６０の記録容量を向上させることが可能になる。また、特許文献１に開示されている電子励起吸収飽和半導体の微粒子分散のような粒径の制御も不要なため、作製が容易で大量生産が可能である。加えて、微粒子粒界で発生する変質などの経時変化も起こりにくく、再生耐久性が向上する。
【００６１】
また、酸化亜鉛以外の他の金属酸化物、例えばＴｉＯ２，ＣｅＯ２からなる材料や、これら金属酸化物を主とした材料にて、上記第１及び第２再生膜２１・４１を形成することも可能であり、その場合も、酸化亜鉛やそれを含む材料と同等の再生耐久性を有するが、現時点では、酸化亜鉛以上の超解像特性は得られていない。
【００６２】
なお、第１及び２の再生膜２１・４１の材料として、色素等の有機材料や、相変化材料や、他の金属酸化物(例えばTiO2，CeO2)からなる材料や、主に金属酸化物からなる材料等を用いてもよい。例えば、色素等の有機材料や、相変化材料の場合は、実施の形態１の光情報記録媒体には耐久性が及ばないものの、少なくとも吸光膜が分離しているため、再生膜材料自体で再生光を吸収する従来の超解像膜構造に比較して再生耐久性が高いことが容易に予想できる。また、第１及び２の再生膜２１・４１に透明膜を用いた場合、吸光膜への透過性がよく吸光膜がより効率的に作用するという利点もある。
【００６３】
以上のように、光情報記録媒体６０は、第１及び第２情報記録層２０・４０において、再生光を吸収して発熱する第１及び第２吸光膜２２・４２と、第１及び第２吸光膜２２・４２のそれぞれによる加熱で加熱部分の光学定数を変化させる第１及び第２再生膜２１・４１を備えている。
【００６４】
これにより、第１及び第２情報記録層２０・４０ともに、実質的な記録密度（再生可能な記録密度の意）を、解像限界により規制された記録密度よりも高められる。それゆえ、同じ記録容量を有する記録媒体を作製する場合、各情報記録層が解像限界により規制された記録密度である通常の多層光情報記録媒体よりも、積層される情報記録層の数を減少させることが可能になる。したがって、製造ラインにおいて、情報記録層をスパッタリングで形成するための高価な真空装置の台数を削減することができ、情報記録層を増加させるのに伴う記録媒体の製造コストを大幅に低減させることができる。
【００６５】
上記の構成では、第１情報記録層２０に記録された情報を再生するときには、再生光が透光層１０から照射されて第１情報記録層２０にフォーカスされる。第１情報記録層２０においては、吸光膜２２が再生光を吸収することで光を熱に変換し、その熱を再生膜２１に伝達する。ただし、光情報記録媒体６０は、再生時、回転しているので、レーザーの温度分布によってビームスポットの後端部の温度が高くなる。すなわち温度が高い位置が中心からずれる。このことにより、高温領域の再生膜２１の透過率が変化し、第１情報記録層２０の解像限界以下のマーク（ピット）長で記録された情報を読み出すことができると考えられる。
【００６６】
また、第２情報記録層４０に記録された情報を再生する時には、再生光が、透光層１０と、第１情報記録層２０と、中間層３０とを透過して照射され、第２情報記録層４０にフォーカスされる。そして、第１情報記録層２０と同様にして、第２情報記録層４０の解像限界以下のマーク（ピット）長で記録された情報を読み出すことができる。これにより、第１及び第２情報記録層２０・４０ともに、実質的な記録密度（再生可能な記録密度の意）を光学解像限界により規制された記録密度よりも高めることができる。
【００６７】
このように、第１及び第２情報記録層２０・４０は、光スポットにおける光強度の高い中心部分のみの温度変化を利用して、超解像再生効果により情報読み取りが可能になる。これにより、第１及び第２情報記録層２０・４０の最小記録マーク（ピット）のサイズを解像限界以下にできるため、記録密度が向上し、製造コストに対して光情報記録媒体の記録容量を向上させることが可能になり、コストパフォーマンスの高い記録媒体を提供することができる。
【００６８】
それゆえ、第１及び第２情報記録層２０・４０を備えることで、同じ記録容量を有する記録媒体を作製する場合、通常の多層光情報記録媒体よりも積層する情報記録層の数を減少させることが可能になる。したがって、製造ラインにおいて、情報記録層をスパッタリングで形成するための高価な真空装置の台数を削減することができ、情報記録層を増加させるのに伴う記録媒体の製造コストを大幅に低減させることができる。
【００６９】
しかも、光情報記録媒体６０では、第１及び第２再生膜２１・４１とは別に第１及び第２吸光膜２２・４２をそれぞれ形成し、再生膜と吸収膜とを分離形成しているので、第１及び第２再生膜２１・４１自体が光吸収して分子構造を変化させるなどにより光学特性を変化させることがない。それゆえ、第１及び第２情報記録層２０・４０における第１及び第２再生膜２１・４１に多くの負担をかけることなく超解像再生が可能となり、再生耐久性の向上が可能になる。
【００７０】
さらに、光情報記録媒体６０では、第１情報記録層２０の吸光膜２２をＳｉの単体もしくはＳｉを主成分とした合金から形成し、第２情報記録層４０の吸光膜４２をＧｅの単体もしくはＧｅを主成分とした合金から形成している。
【００７１】
再生光が入射する面に近い側の第１情報記録層２０における第１吸光膜２２がＳｉの単体もしくはＳｉを主成分とした合金からなることで、第１吸光膜２２が他の金属膜などよりなる構成と比較して、再生光が照射された際に温度が上昇しやすく、発生した熱によって効率よく第１再生膜２２を加熱することができ、より低い再生パワーにて最適特性を得ることができる。すなわち再生感度の向上が可能となる。また、Ｓｉの単体もしくはＳｉを主成分とした合金は、Ｇｅの単体もしくはＧｅを主成分とした合金よりも光利用効率が高いので、比較的低い再生強度にて第２情報記録層４０への再生光強度を充分に得ることができ、特に多層光情報記録媒体として望ましく、また省電力化が可能となる。また、光利用効率が高いため、光学設計の自由度が高くなるといった作用もある。
【００７２】
一方、再生光が入射する面に遠い側の第２情報記録層４０の第２吸光膜４２には、Ｇｅの単体もしくはＧｅを主成分とした合金を用いることで、他の金属膜を用いた場合よりも、再生光が照射された際に温度が上昇しやすく、発生した熱によって効率よく第２再生膜４１を加熱することができる。そして、Ｓｉの単体もしくはＳｉの合金を第２吸光膜４２に用いた場合よりも低い再生パワーにて最適特性を得ることができ、再生感度向上が可能となる。
【００７３】
ここで、図１に示す実施の形態に係る光情報記録媒体６０の構成を有する実施例について説明する。実施例の光情報記録媒体６０は、透光層１０としての、光入射側からポリカーボネートフィルム（膜厚：５５μｍ）及び透明粘着樹脂層、膜厚：２０μｍ）と、第１情報記録層２０としての、酸化亜鉛よりなる第１再生膜２１（膜厚：１２５ｎｍ）及びＳｉよりなる第１吸光膜２２（膜厚：７．５ｎｍ）と、中間層３０としての透明紫外線硬化樹脂（膜厚：２５μｍ）と、第２情報記録層４０としての、酸化亜鉛よりなる第２再生膜４１（膜厚：１５７ｎｍ）及びＧｅよりなる第２吸光膜４２（膜厚：５０ｎｍ）と、基板５０としてのポリオレフィン系樹脂基板とを備え、光入射面よりこの順に積層された構造となっている。この構成を実施例１とする。
【００７４】
なお、ここで、上記透光層１０を構成する２層のうち、ポリカーボネートフィルムと第１再生膜２１の間に位置する透明粘着樹脂層は、両者を接着している。
【００７５】
実施例１の作製方法としては例えば次のようである。プリピット５１が設けられた基板５０にスパッタリングにより第２吸光膜４２、第２再生膜４１が順に形成され、成膜後に液状の中間層３０が塗布される。そして、塗布した中間層３０の表面に、透明樹脂からなるスタンパを用いて２Ｐ転写によってプリピット３１を転写し、その状態のまま紫外線照射されることで、中間層３０はプリピット３１を表面に有する固形樹脂となる。
【００７６】
スタンパ剥離後、スパッタリングにより第１吸光膜２２、第１再生膜２１が順に形成され、最後に透光層１０（具体的にはポリカーボネートフィルムと透明粘着樹脂層からなる積層構造）が第１再生膜２１に接着されて完成する。上記スパッタリングのターゲットとしては、酸化亜鉛として純度９９．９９％のＺｎＯ焼結ターゲット、純度９９．９９％のＧｅターゲット、単結晶Ｓｉターゲットを用い、これらのターゲットをＲＦマグネトロンスパッタして成膜を行った。ただし、本実施例１においては上記材料・ターゲットを用いたが、実際はこれに限るものではなく、本願における技術思想、機能を満たすものであれば材料を限定するものではない。
【００７７】
これに対し、図３に、本実施例１の光情報記録媒体６０に対する比較例１として、情報記録層を２層有する従来構成の光情報記録媒体７０の断面構造を示す。なお、本比較例１において、実施例１の光情報記録媒体６０における構成要素と同等の機能を有する構成要素については、同一の符号を付記する。
【００７８】
図３に示すように、比較例１の光情報記録媒体７０は、透光層１０としてのポリカーボネートフィルム１１（膜厚５５μｍ）及び透明粘着樹脂層１２（膜厚２０μｍ）と、第１情報記録層８０としての半透明反射膜８１（Ａｕ，膜厚１５ｎｍ）と、中間層３０としての透明紫外線硬化樹脂層（膜厚２５μｍ）と、第２情報記録層９０としての反射膜９１（Ａｕ，膜厚５０ｎｍ）と、基板５０としてのポリオレフィン系樹脂基板とを備え、光入射面より、この順に積層された構造となっている。
【００７９】
なお、半透明反射膜８１の膜厚は、比較例１の第１情報記録層８０が、実施例１の第１情報記録層２０の反射率（約３０％）と同じ反射率となるよう設定した。本願で示す反射率、透過率などの数値は、特に示さない限り、該当の膜構成（この場合は第１情報記録層２０のみ）を透光性ガラス基板上に形成した試料について、分光光度計にて波長４０５ｎｍにおいて測定した透過率、反射率の値を示したものである。この波長４０５ｎｍは、後ほど説明するディスク信号評価光学系の再生波長である。
【００８０】
実施例１の第１情報記録層２０の場合、透過率４２．８％、反射率２９．１％、比較例１の第１情報記録層８０の場合、透過率３３．５％、反射率３０．４％であった。実施例１の方が、透過率が約１０％程度高いことが分かる。実施例１と比較例１の各第１情報記録層２０・８０の反射率が同様で、透過率が約１０％程度高いことから、実施例１の方が比較例１よりも光利用効率が高いと言える。
【００８１】
また、比較例１の第１及び第２情報記録層８０・９０は、中間層３０及び基板５０における、情報が記録されているプリピット３１・５１の形成面に成膜されているので、本実施例の光情報記録媒体６０と同様に、比較例の光情報記録媒体７０においても、第１及び第２情報記録層８０・９０は、対応するプリピット３１・５１の凹凸が転写された状態となっている。つまり、光情報記録媒体７０も光情報記録媒体６０と同様に、いわゆる再生専用光情報記録媒体として形成されている。
【００８２】
続いて、実施例１の光情報記録媒体６０と比較例１の光情報記録媒体７０との各種特性の比較について説明する。
【００８３】
再生測定は波長４０５ｎｍ半導体レーザーと、Ｎ.Ａ.（開口率）０．８５の光学系を有するディスク測定器（パルステック社製ＤＤＵ１０００）にて行った。また、〔発明が解決しようとする課題〕の項で述べたように、光情報記録媒体の実用化検討のためには、記録すべきデータを変調してランダムな記録マークパターン（「ランダムパターン」と表現する）として記録し、その超解像再生特性を評価する必要がある。
【００８４】
まず、ここでランダムパターンについて詳しく説明する。ピットの配列（記録マークパターン）は以下の３種類に分類することができる。単一サイズ記録マーク（ピット）が等間隔周期的に配列している「モノトーンパターン」、単一サイズ記録マーク（ピット）が何種類かの間隔でランダムに配列している「マークポジション記録方式」、記録すべきデータを変調して異なる長さの記録マーク（ピット）としてランダムに配列する「マークエッジ記録方式」である。
【００８５】
本実施の形態で採用したランダムパターン（ランダムな記録マークパターン）とは、記録マーク（ピット）のサイズも配置間隔も単一ではない構成であり、マークエッジ記録方式に基づいて配列している。マークエッジ記録は、記録すべきデータを変調して長さの異なる記録マークがランダムに配列するものであり、モノトーンパターン、マークポジション記録に比べて記録密度が高くなる。すなわち、実用化に有利な方式であり、数多くの実用化例がある。
【００８６】
例えば、ＣＤにおいては、ピットとランド（スペースとも言う）の境界を「１」、それ以外を「０」と定義する。すなわちマークのエッジを１としたマークエッジ記録である。ただし本来のデータをそのままマークエッジに記録しようとすると、１のチャネルが連続する場合にＣＤの再生光学系の解像限界より小さな記録マーク（ピット）となって通常は検出できない。従って、この問題を回避するために、実際には１のデータが連続するパターンを、０を含むパターンに変換して記録する。
【００８７】
ＣＤの場合はこの変換にＥＦＭ（８−１４）変調方式（Eight to Fourteen Modulation）を採用し、８ｂｉｔのデータを１４ｂｉｔのデータに変換している。なお、ＤＶＤ、Ｂｌｕ−ＲａｙＤｉｓｃ（ＢＤ）、ＨＤ  ＤＶＤでは変調方式がそれぞれＣＤとは異なり、ＤＶＤではＥＦＭＰｌｕｓ（８−１６）変調、ＢＤでは１−７ＰＰ変調、ＨＤ  ＤＶＤではＥＴＭ（８−１２）変調がそれぞれ採用されているが、いずれもマークエッジ記録である。
【００８８】
この中でＤＶＤを例に取ると、ＥＦＭＰｌｕｓ（８−１６）ＲＬＬ（２，１０）変調を採用しているため、記録マークのエッジの間に０が最小２個、最大１０個入ることになる。従って記録マークの長さは、エッジ間の距離なので基準クロック時間をＴとして３Ｔ〜１１Ｔの９種類となる。なお、記録マーク同士の間のスペースの長さについてもエッジ間の距離であるから同様に９種類である。他のマークエッジ記録の変調方式においても、同様に記録マークの長さ、記録マーク間のスペースの長さが数種類の値に規格化されている。つまり、実用化のための評価としては、長さの異なる記録マークがランダムに配列したランダムパターン記録マークの再生特性を評価する必要がある。
【００８９】
上述のプリピット３１・５１は、最短マーク（ピット）の長さが０．１２μｍのランダムパターンとして基板（中間層３０或いは基板５０）に設けられている。０．１２μｍのプリピットは上述の本実施形態の評価光学系の解像限界（λ／４Ｎ.Ａ.）程度のサイズであり、通常の光情報記録媒体ではこのサイズのピット及びスペースが隣接したパターンは光学系として検出できず、再生不可能なサイズである。なお、このランダムパターンのうち、０．１２μｍ長の最短マークのみが評価光学系の解像限界程度のサイズであり、最短マーク以外のプリピットはすべて光学系の解像限界よりも大きなサイズであった。
【００９０】
本実施の形態では、実施例１と比較例１に共通のプリピット３１・５１を用いたため、このランダムパターンの再生評価結果を比較することにより、両媒体の超解像再生効果を比較することができる。
【００９１】
本実施の形態ではジッターを信号評価指標とした。基板に記録されている本来のパターンに対して、実際に光ピックアップによるディスク再生で得られた信号の、時間軸方向のゆらぎがジッターであり、具体的には標準偏差の値を基準クロック時間で割ったものを％単位で表し、この値が小さければ小さいほど望ましい。
【００９２】
このジッター値は、光情報記録媒体におけるランダムパターンの信号品質の評価指標として一般的に用いられており、この値が大きくなると、ノイズや音とびが生ずるなど、光情報記録媒体としての品質が劣化する。本実施の形態では、実施例１と比較例１に共通のプリピット３１・５１を用いたため、ジッター値の比較は、各媒体における第１情報記録層２０・８０と第２情報記録層４０・９０とをそれぞれ比較することに相当する。なお、ジッター測定は、線速度約４ｍ／ｓにて行った。
【００９３】
図４（ａ）及び図４（ｂ）は、上述のディスク測定器にて、上記実施例１及び比較例１のそれぞれにおける、第１情報記録層２０・８０、及び第２情報記録層４０・９０のジッターの再生パワーＰｒ依存性を測定した結果である。
【００９４】
図４（ａ）は実施例１及び比較例１それぞれの第１情報記録層２０及び８０の結果を、図４（ｂ）は同じく第２情報記録層４０及び９０の結果を示す。なお、ジッター値があまりにも大きくなった場合や、信号品質が悪く測定が良好に行えなかった結果に関してはプロットしていない。
【００９５】
図４（ａ）及び図４（ｂ）より明らかなように、実施例１は第１及び第２情報記録層２０・４０の両方において、比較例１の第１及び第２情報記録層８０・９０に比べて、それぞれ同再生パワーにおけるジッター値が低くなり、ランダムパターンの再生特性、つまり検出能力が向上している。
【００９６】
さらに、この再生パワー範囲においては、実施例１においてジッターが最も小さくなる値（以降「ジッター底値」と称する）は、比較例１では達成できない値である。たとえば第１情報記録層２０・８０について、実施例１がジッター底値をとる最適再生パワー０．７ｍＷで比較すると、実施例１は比較例１に対してジッターが２．６％低減している。第２情報記録層４０・９０については、同様に実施例１がジッター底値をとる最適再生パワー３．０ｍＷで比較すると、ジッターが４．６％低減している。
【００９７】
なお、以降、上記のようにジッター底値をとる時の再生パワーを最適再生パワーと表現することとし、最適再生パワーが複数存在する場合（複数の再生パワーにて同じジッター底値をとる場合）は、そのうち最低の再生パワーを最適再生パワーと表現することとする。
【００９８】
この理由は次のように考えられる。比較例１ではマーク（ピット）長０．１２μｍの最短ピットが再生光学系の解像限界付近で信号検出できないのに対し、実施例１では０．１２μｍの最短ピットの信号検出が可能であったためと考えられる。すなわち、比較例１では再生不可能であった解像限界付近のマーク（ピット）長の信号が、実施例１では再生可能であることを示しており、従来よりもランダムパターンを良好に再生することが可能であると言える。なお、上記の比較で見られたように、実施例１では解像限界付近のマーク（ピット）長信号の再生能力が改善できた。言い方を変えれば、本発明の構成により実質的に解像限界をより小さくできたと言える。つまり、従来通常の媒体では検出できなかった再生光学系の解像限界付近だけでなく、解像限界よりある程度は短いマーク（ピット）長の信号でさえも検出・再生が可能になることを示している。
【００９９】
次に、評価指標としてのジッターとＣＮＲとの違いについて具体的に説明する。両指標の比較のため検証用の光情報記録媒体についてジッターとＣＮＲの評価を行った。
【０１００】
作成、評価した媒体は、図５に示すように、実施例１の構成に対してプリピット３１及び第１情報記録層２０を設けない構成の検証用光情報記録媒体７１である。それ以外の構成については同様である。
【０１０１】
すなわち、入射光側より、透光層１０としての、ポリカーボネートフィルム（膜厚：５５μｍ）及び透明粘着樹脂層（膜厚：２０μｍ）と、中間層３０としての透明紫外線硬化樹脂（膜厚：２５μｍ）と、第２情報記録層４０としての、酸化亜鉛よりなる第２再生膜４１（膜厚：１５７ｎｍ）及びＧｅよりなる第２吸光膜４２（膜厚：５０ｎｍ）と、基板５０としてのポリオレフィン系樹脂基板とが順に形成されている構成である。この光情報記録媒体７１を比較例２とし、その断面図を図５に示す。
【０１０２】
この比較例２について第２情報記録層４０の評価を行った。なお、比較例２は実施例１に比べると、プリピット３１及び第１情報記録層２０が設けられていないため、再生パワーが同じでも第２情報記録層４０への到達光量が多くなる。そのため、再生パワー感度が良好となるが、ジッターとＣＮＲ評価の比較という意味では、実施例１と同じ傾向を示すと考えてよい。
【０１０３】
第２情報記録層４０のジッターとＣＮＲ評価のために、プリピット５１には以下の２種類のパターンピットを設けた。ひとつには、実施例１と同様のランダムパターン、もうひとつはマーク（ピット）長０．１２μｍの単一サイズピット列が等間隔に周期配列したパターン、具体的には０．１２μｍピット、０．１２μｍスペース、０．１２μｍピット、０．１２μｍスペース・・・という配列となっている。０．１２μｍ長ピットは、評価光学系の光学解像限界付近のサイズのピットであり、実施例１と同様のランダムパターンにおける最短ピット０．１２μｍと同じ大きさであることから、最短ピットの信号特性が確認できると考えてよい。
【０１０４】
このような比較例２の構成において、ランダムパターンのジッター評価及び、単一サイズピットパターンのＣＮＲ評価を行った結果を図６に示す。なお、ＣＮＲ評価時の線速度は３ｍ／ｓとした。
【０１０５】
図６は、上記比較例２の第２情報記録層４０について、ランダムパターンのジッター及び０．１２μｍ単一サイズピット列のＣＮＲについて、再生パワー依存性を表したグラフである。
【０１０６】
図６によると、この再生パワー範囲において、ＣＮＲは再生パワー１．７５ｍＷの時に最も高いＣＮＲ値を取り、信号品質として最も良好となる。これに比べジッターは再生パワー１．４〜１．５ｍＷの時に最も低いジッター底値を取り、信号品質として最も良好となる。最適再生パワーは１．４ｍＷである。従って、ＣＮＲ、ジッターの各評価指標が最適となる再生パワーは必ずしも一致しないことが分かる。
【０１０７】
このことは次のように説明できる。単一サイズピット列のＣＮＲ評価は、あくまで該当サイズパターンのみの評価であるため、その特性は他のサイズのＣＮＲ特性と共通であるとは限らない。特に超解像再生を行う場合は、ピット長が変わればＣＮＲの再生パワー依存性が異なる可能性がある。すなわち、ＣＮＲが最適となる再生パワーは、ピットのサイズによってそれぞれ異なることが多い。
【０１０８】
一方、ランダムパターン中には規格化された様々なサイズのピットが含まれる。そのランダムパターンを再生する時には、一定の再生パワーにて様々なサイズのピットを再生する必要がある。従って、ランダムパターントータルとしての最適再生パワーを決定する、ＣＮＲとは別の評価指標（ジッターなど）が必要である。
【０１０９】
本実施の形態でジッター評価に用いたランダムパターンは、単一サイズピット列よりも光情報記録媒体の実用化により近い形であり、実際に使用が想定される数種のマーク長のピット及びスペースからなる。すなわち超解像再生特性のピット長依存性を含めたトータルでの最適状態を評価することが可能である。単一サイズピット列のＣＮＲ評価よりもランダムパターンのジッター評価の方が、より光情報記録媒体の再生特性を評価できる。従って本願ではランダムパターンのジッター評価を評価指標として採用している。
【０１１０】
次に、実施例１の再生耐久性について説明する。実施例１における第１再生膜２１及び第２再生膜４１はいずれも酸化亜鉛からなる。また、第１吸光膜２２はＳｉから、第２吸光膜４２はＧｅからなる。これらの材料は無機物からなり、融点が１０００℃以上と高く安定な材料である。
【０１１１】
特許文献１などで提案されている相変化材料や、マトリクス中に分散された半導体微粒子材料に比べると、前者のような構造変化を伴わず、後者のような作製条件複雑性や材料不安定性もなく比較的安定な材料である。そのため、数万回の連続再生によっても変質せず安定な再生が実現できると考えられる。
【０１１２】
以上のように、実施例１は、通常の超解像光情報媒体では得られない再生耐久性を有し、従来の２層構成の光情報記録媒体とほぼ同様の作製プロセスにて生産可能であることが示された。
【０１１３】
なお、酸化亜鉛等の金属酸化物による第１再生膜２１及び第２再生膜４１は、それぞれ第１吸光膜２２及び第２吸光膜４２で生じる熱によって加熱されると、第１再生膜２１及び第２再生膜４１の光学定数が変化することによって、再生装置の有する光学系解像限界以下のマーク（ピット）長の信号を再生可能にすると考えられる。
【０１１４】
次に、実施例１の構成を基本とし、第２吸光膜４２の材料依存性について検討を行った結果について説明する。ただし、第２情報記録層４０の特性だけを比較するためには、第１情報記録層２０は必ずしも必要ではなく、逆に、各光情報記録媒体それぞれの第１情報記録層２０の特性がもし異なっていたら、第２情報記録層４０の比較に悪影響を与える。
【０１１５】
そこで、第２情報記録層４０の比較を行うために、第１情報記録層２０を除去した単層光情報記録媒体の特性確認を行った。具体的には、実施例１に対して、図５に示す検証用光情報記録媒体７１である比較例２は、第２情報記録層４０が共通であり、第１情報記録層２０（及びプリピット３１）が存在するかしないかの関係である。これらの光情報記録媒体について、第２情報記録層４０のジッター評価結果を図７に示す。
【０１１６】
図７によると、比較例２の第２情報記録層４０のジッター評価結果として、最適再生パワーは１．４ｍＷであり、実施例１の評価結果は３．０ｍＷであった。また、比較例２及び実施例１での第２情報記録層４０のそれぞれのジッター底値はほぼ同じ程度であった。
【０１１７】
これらの結果から次のことが言える。比較例２の最適再生パワーに比べ、実施例１の最適再生パワーは２倍以上大きい。これは実施例１には、第１情報記録層２０（及びプリピット３１）が存在し、第１情報記録層２０における反射、吸収、散乱によって光が失われ、一部透過した光のみが第２情報記録層４０に到達し、再生に利用されるためである。
【０１１８】
すなわち、同様の超解像再生を実現するためには、比較例２の場合と同等の光を第２情報記録層４０に到達させる必要があるため、第１情報記録層２０で失われる分も含めて大きな再生パワーが必要となるのである。ただし、再生パワーを大きくしてやれば、得られるジッター底値はほぼ同程度の値が得られていることから、第１情報記録層２０が有ることによって第２情報記録層４０の信号品質が低下するものではないことが分かる。
【０１１９】
以上のことから、再生パワー依存性を除けば、第２情報記録層４０の信号特性は第１情報記録層２０の有無に影響を受けないと考えることができる。すなわち、第２情報記録層４０の特性を比較検討するにおいては、第１情報記録層２０の無い構成において比較を行っても、本質を損なうものではない。それだけでなく、第１情報記録層２０の影響を受けることなく第２情報記録層４０だけを純粋に比較することができ、また、第１情報記録層２０で起こる光損失もなく、比較的低い再生パワーにて検討が可能であるという利点もある。
【０１２０】
以上を受けて、まず、第１情報記録層２０が存在しない構成において、第２吸光膜４２の材料依存性を確認するため、第２情報記録層４０のジッターについて、前述の比較例２と、新たな比較例３とを作成し、比較を行った。
【０１２１】
比較例２は、既に説明したように、実施例１において、第１情報記録層２０（及びプリピット３１）を除いた構成であり、第２再生膜４１は、酸化亜鉛よりなり、膜厚：１５７ｎｍで、第２吸光膜４２はＧｅよりなり、膜厚：５０ｎｍである。
【０１２２】
一方、比較例３は、比較例２と共通の構成で、第２再生膜４１は酸化亜鉛よりなる膜厚が：１７０ｎｍで、第２吸光膜４２はＳｉよりなり、膜厚：５０ｎｍである。
【０１２３】
比較例２及び比較例３において第２情報記録層４０のジッターについて評価を行った結果を図８（ａ）に示す。なお、比較のために、比較例２と共通の構成で、第２情報記録層４０の代わりにＡｕ５０ｎｍを設けた構成の評価結果も併せてグラフ化した。
【０１２４】
図８（ａ）より以下のことが言える。１つは、比較例２、比較例３とも通常媒体であるＡｕ５０ｎｍに比べてジッター底値が低くて良好である。すなわち、いずれも超解像再生が実現できている。２つめには、比較例２の最適再生パワー（１．４ｍＷ）の方が比較例３の最適再生パワー（１．８ｍＷ）よりも小さくて、より低い再生パワーにてジッター底値をとる。すなわち再生パワー感度が良好である。さらに、それぞれ最適再生パワーで再生する時のジッター底値も比較例２の方が比較例３より低く良好である。
【０１２５】
以上のことから、比較例２、比較例３の比較により、第２吸光膜４２の材料がＳｉよりもＧｅの方が最適再生パワーも低く、ジッター底値も低く、より望ましいと言える。なお、比較例２と比較例３で第２再生膜４１の膜厚が同一ではないが、膜厚差は１０ｎｍ程度であり、再生波長において同様の光干渉状態を実現するための微調整であり、ジッター値や最適再生パワーに影響を与えない程度の差であり、実質的には第２再生膜４１は共通と考えてよい。従って、ジッターの評価結果の差は、第２吸光膜の材料がＳｉとＧｅの違いによるものと考えてよい。従って、第２吸光膜４２はＧｅからなることが望ましい。
【０１２６】
次に、比較例２、比較例３の評価結果をもとに、第１情報記録層２０が存在する光情報記録媒体において比較を行った。
【０１２７】
比較例４は、実施例１と共通の構成で、第２情報記録層４０における第２再生膜４１が酸化亜鉛よりなり、膜厚：１７０ｎｍで、第２吸光膜４２がＧｅに代えてＳｉよりなり、膜厚：５０ｎｍである。別の表現をすれば、比較例３に実施例１の第１情報記録層２０（及びプリピット３１）を設けた構成を、比較例４とした。
【０１２８】
同様に別の表現をすれば、実施例１は比較例２に実施例１の第１情報記録層２０（及びプリピット３１）を設けた構成と表現することができる。すなわち、実施例１と比較例４を比較すれば、比較例２と比較例３で得られた結果が、情報記録層を２層有する光情報記録媒体６０においても妥当であるか検証することができる。
【０１２９】
図８（ｂ）に、上記実施例１、比較例４及び比較のために比較例１の第２情報記録層４０、９０におけるジッター評価結果を示した。
【０１３０】
図８（ｂ）より以下のことが言える。１つは、実施例１、比較例４とも通常媒体である比較例１に比べてジッター底値が低くて良好である。すなわち、いずれも超解像再生が実現できている。２つめには、実施例１の最適再生パワー（３．０ｍＷ）の方が比較例４の最適再生パワー（４．０ｍＷ以上）よりも小さくて、より低い再生パワーにてジッター底値をとる。すなわち再生パワー感度が良好である。さらに、それぞれ最適再生パワーで再生する時のジッター底値も実施例１の方が比較例４より低く良好である。
【０１３１】
以上のことから、実施例１、比較例４の比較により、情報記録層を２層有する光情報記録媒体においても、第２吸光膜の材料がＳｉよりもＧｅの方が最適再生パワーも低く、ジッター底値も低く、より望ましいと言える。なお、実施例１と比較例４で第２再生膜４１の膜厚が同一ではないが、膜厚差は１０ｎｍ程度であり、再生波長において同様の光干渉状態を実現するための微調整であり、ジッター値や最適再生パワーに影響を与えない程度の差であり、実質的には第２再生膜４１は共通と考えてよい。従って、ジッターの評価結果の差は、第２吸光膜の材料がＳｉとＧｅの違いによるものと考えてよい。従って、第２吸光膜４２はＧｅからなることが望ましい。
【０１３２】
第２吸光膜の材料がＧｅの方が望ましい理由は、以下のように考えることができる。キッテル著の「キッテル固体物理学入門（上）」（，第６版，丸善株式会社，p.117）によると、バルク材料の熱伝導率が紹介されており、Ｓｉが１．４８、Ｇｅが０．６０（ともに単位はＷ／（ｃｍ・Ｋ））とＧｅがＳｉの半分以下となっている。一般的に薄膜状態はバルク材料の物性値をそのまま反映するとは言えないが、傾向としては薄膜においてもＧｅの熱伝導率はＳｉに比べて小さいことが推測される。すなわち、Ｇｅの熱伝導率がＳｉよりも低いため、照射光を吸収することで発生した熱が拡散しにくく、第２再生膜４１の温度が上がりやすいためと考えられる。
【０１３３】
続いて、第１情報記録層２０の第１吸光膜の材料依存性について検討を行った結果を説明する。比較を行ったのは実施例１及び比較例５である。比較例５は、実施例１と共通の構成で、第１情報記録層２０における第１再生膜２１が酸化亜鉛よりなり、膜厚：１２５ｎｍ程度で、第１吸光膜２２がＳｉに代えてＧｅよりなり、膜厚：７．５ｎｍである。すなわち、第１吸光膜２２がＳｉの代わりにＧｅからなること以外、実施例１と共通の構成である。
【０１３４】
実施例１と比較例５の第１情報記録層２０の透過率、反射率について測定を行った。実際には、該当の膜構成（この場合は第１情報記録層２０のみ）を透光性ガラス基板上に形成した試料について、分光光度計にてディスク信号評価光学系の再生波長４０５ｎｍにおいて測定した。その結果、実施例１の第１情報記録層２０の場合、透過率４２．８％、反射率２９．１％、比較例５の第１情報記録層２０の場合、透過率３０．２％、反射率２９．０％であった。なお実際には、比較のために第１再生層２１をなす酸化亜鉛の膜厚を微調整することで、比較例５の光干渉状態及び反射率を実施例１と同様の値に調整した。
【０１３５】
これらの結果から、実施例１と比較例５の第１情報記録層２０の反射率が同様で、実施例１の透過率が１０％以上高いことから、光利用効率が高いと言える。この結果は、第１吸光膜２２がＧｅに対してＳｉであることによって得られたものと考えてよい。従って、第１吸光膜２２はＳｉからなることが望ましい。
【０１３６】
さらに詳しく説明する。第１吸光膜２２は第２吸光膜４２に比べ、厳しい条件が要求される。その理由を以下に示す。１つには、第２情報記録層４０を再生するためにある程度の再生光を透過しなければならず、第１吸光膜２２が半透過膜でなければならないこと。２つめには、そのために第１吸光膜２２が数ｎｍ〜３０ｎｍ程度と薄くする必要があり、薄い膜厚でも高い耐久性を確保しなければならないこと、３つめには上記２点を満たした上で良好な信号特性・超解像再生特性を得る必要があることである。従って第１吸光膜２２は、Ｇｅに比べて、第１情報記録層２０の透過率、反射率を、さらには光利用効率を大きくとることができるＳｉからなることがより望ましい。
【０１３７】
また、これまで説明してきた実施例の構造で、第１及び第２情報記録層２０・４０に他の膜等を追加した場合でも、上記に示したような特性が大きく失われることはない。
【０１３８】
さらに、コストと記録容量のバランスがとれるならば、本願技術の情報記録層を３層以上有する多層光情報記録媒体に適応することも可能である。
【０１３９】
なお、光情報記録媒体としては、ＣＤ−ＲＯＭ(Compact Disc Read Only Memory)、ＤＶＤ−ＲＯＭ(Digital Versatile Disc Read Only Memory)、ＢＤ−ＲＯＭ（Blu-ray Disc Read Only Memory）、ＨＤ ＤＶＤ−ＲＯＭ（High Definition Digital Versatile Disc Read Only Memory）、等の光学読取式のディスク等、種々の光ディスクを適応する光情報記録媒体の形式として挙げることができる。
【０１４０】
なお、本発明は、記録の方式や大きさを問うものではない。また、以上に述べたことから明らかなように、本光情報記録媒体６０を用いて、情報の再生を行うことにより、より高密度に記録された光情報記録媒体からの安定した情報再生が可能となることがわかる。
【０１４１】
〔実施の形態２〕
本発明のその他の実施の形態について説明する。なお、説明の便宜上、実施の形態１で用いた部材と同じ機能を有する部材には同じ符号を付して説明を省略する。
【０１４２】
本実施の形態の光情報記録媒体６１は、図９に示すように、透明な樹脂よりなる透光層１０に代えて、透明基板１１を備えている。なお、透光層１０に、透明基板１１が含まれている構成であってもよい。
【０１４３】
このような透明基板１１を用いる構造では、中間層３０に設けていたプリピット３１を上記透明基板１１上に設けることが可能となる。ここでは、透明基板１１に、プリピットが設けられており、中間層３１における第１情報記録層２０側の面には、プリピットは形成されていない。なお、透明基板１１上のプリピットの向きは、前記プリピット３１とは向きが逆になる。
【０１４４】
このような光情報記録媒体６１は、例えば、上記プリピットが形成された上記透明基板１１の上に第１情報記録層２０をなす第１再生膜２１及び第１吸光膜２２が順に形成され、あらかじめ第２情報記録層４０をなす第２吸収膜４２及び第２再生膜４１が形成された基板５０と上記透明基板１１とが、中間層３１によって第１情報記録層２０の面と第２情報記録層４０の面とが貼り合わされる。
【０１４５】
このような構成では、単に２枚の基板１１・５０を貼り合わせるだけで良いので、実施の形態１のように、複雑な工程を要する２Ｐ転写を用いて中間層３０にプリピット３１を形成する必要がなく、より安価に光情報記録媒体を製造することができる。
【０１４６】
また、この構造は、ＤＶＤの規格に適合しているので、安価に高密度のＤＶＤ（ＨＤ−ＤＶＤ）を提供することができる。
【０１４７】
〔実施の形態３〕
本発明のその他の実施の形態について図１０及び図１１に基づいて説明すると、以下の通りである。
【０１４８】
本実施の形態では、実施の形態１、２で説明した光情報記録媒体６０・６１を再生するための光情報記録媒体再生装置について説明する。図１０は、その光情報記録媒体再生装置１００の概略構成を示す図である。
【０１４９】
図１０に示すように、本光情報記録媒体再生装置１００は、前述の光情報記録媒体６０（６１）に対して光ビームを照射し、その反射光を検出することによって光情報記録媒体６０に記録された情報を再生するための装置である。なお、本実施の形態では、光情報記録媒体６０が円盤状の光ディスクである場合について説明するが、光情報記録媒体６０は必ずしも円盤状の光ディスクでなくてもよい。
【０１５０】
図１０に示すように、光情報記録媒体再生装置１００は、光情報記録媒体６０をスピンドルモータ１０１にて回転駆動し、光ピックアップ装置１０２にて、光情報記録媒体６０からの情報の読み出しを行う。また、光ピックアップ装置１０２及びスピンドルモータ１０１の制御は制御部１０３で行われる。
【０１５１】
スピンドルモータ１０１は、光情報記録媒体６０を回転することにより、光スポットを光情報記録媒体６０上で走査させる。制御部１０３は、信号処理部１０３ａ、駆動制御部１０３ｂ等を含む。
【０１５２】
信号処理部１０３ａは、光情報記録媒体６０上の記録マークからの反射光より得られた光ピックアップ装置１０２からの電気信号に基づいて記録情報を検出することにより、光情報記録媒体６０上に記録マークによって記録された情報を読み取る。また、信号処理部１０３ａは、光情報記録媒体６０上の記録マークからの反射光より得られた光ピックアップ装置１０２からの電気信号に基づいて、後述のフォーカスエラー信号及びトラッキングエラー信号を生成する。
【０１５３】
駆動制御部１０３ｂは、光ピックアップ装置１０２から読み出されて信号処理部１０３ａで生成された電気信号や外部からの指示に基づいて、スピンドルモータ１０１及び光ピックアップ装置１０２の駆動を制御するめにサーボ回路を有している。特に、駆動制御部１０３ｂは、信号処理部１０３ａからのフォーカスエラー信号及びトラッキングエラー信号に基づいて対物レンズ１０２ｅの位置を補正し、レーザー光のオートフォーカス及びトラッキングを行うためのサーボ回路を上記のサーボ回路として含んでいる。
【０１５４】
図１１は、光ピックアップ装置１０２の構成を示す。図１１に示すように、光ピックアップ装置１０２は、半導体レーザー１０２ａ、コリメートレンズ１０２ｂ、ビーム整形プリズム（ビームを円形にするプリズム）１０２ｃ、ビームスプリッタ１０２ｄ、対物レンズ１０２ｅ、レンズアクチュエータ１０２ｆ、及び検出光学系１０２ｇを備えている。
【０１５５】
また、光ピックアップ装置１０２は、光源である半導体レーザー１０２ａから照射されたレーザー光をビーム状に整形して光情報記録媒体６０上に集光する装置である。この光ピックアップ装置１０２では、レーザー光源として半導体レーザー１０２ａを用いている。ただし、これに限らず、他の光源を用いてもよい。
【０１５６】
また、半導体レーザー１０２ａのレーザーパワーは、超解像特性を発現させるために従来のレーザーパワーより高く設定することが可能であり、従来のレーザーパワーとの切り替えも可能である。これにより、情報記録層を２層有する超解像媒体での再生が可能となるため、同じ記録容量で、情報記録層が３層以上必要となる通常媒体より低コストの２層超解像媒体を用いた再生が可能になる。
【０１５７】
また、同じ記録容量で３層以上必要となる通常媒体を再生する場合に比較して、層数が少なくなることから、各層へのフォーカス回数が減少する。それゆえ、フォーカスに要する時間が短縮されるので、再生命令に対する反応が向上する。
【０１５８】
半導体レーザー１０２ａからのレーザー光は、コリメートレンズ１０２ｂによってほぼ平行光に変換され、ビーム整形プリズム１０２ｃによって光強度の分布がほぼ円形となるように整形される。このほぼ円形の平行光は、ビームスプリッタ１０２ｄを透過した後、対物レンズ１０２ｅによって光ビーム（入射光）として光情報記録媒体６０に集光される。なお、対物レンズ１０２ｅの開口数（Ｎ.Ａ.）は０．６５又は０．８５に設定されている。
【０１５９】
また、光情報記録媒体６０からの反射光は、ビームスプリッタ１０２ｄで分岐され、検出光学系１０２ｇに導かれる。検出光学系１０２ｇでは、光情報記録媒体６０からの反射光の偏光方向の変化や反射光強度の変化（反射光レベルの高低）等から記録情報、焦点ずれ情報及びトラック位置ずれ情報が識別され、これらの情報が電気信号に変換される。なお、変換された電気信号は、信号処理部１０３ａに送られる。
【０１６０】
上記の反射光には、光情報記録媒体６０上に設けられたプリピット３１，５１の一部によって構成されるアドレス情報マークからの反射光も含まれている。検出光学系１０２ｇは、その反射光から得られた電気信号、すなわちアドレス情報マークを再生することにより得られた電気信号から、光情報記録媒体６０における光ビーム照射面に形成される光スポット（光ビームの集光部）の光情報記録媒体６０に対するフォーカスエラー信号とトラッキングエラー信号とを検出する。
【０１６１】
レンズアクチュエータ１０２ｆは、上記のフォーカスエラー信号がフィードバックされることにより、光スポットの光軸方向の位置ずれを補正する。これにより、光ピックアップ装置１０２は、光情報記録媒体６０における所望の第１情報記録層２０又は第２情報記録層４０に光スポットを形成できる。また、レンズアクチュエータ１０２ｆは、トラッキングエラー信号がフィードバックされることにより、光スポットのトラック幅方向の位置ずれを補正する。これにより、光ピックアップ装置１０２は、光情報記録媒体６０における目標のトラックに光スポットを追従させることができる。
【０１６２】
従来の多層光情報記録媒体再生装置では、多くの記録層に再生光をフォーカスして情報を再生するために、コストアップの伴うピックアップの性能を向上させる必要がある。これに対し、本光情報記録媒体再生装置１００においては、実施の形態１、２の光情報記録媒体６０・６１を用いて再生を行うので、フォーカスさせる情報記録層数が通常媒体のみを再生する従来装置に比べて減少することから、ピックアップ装置１０２のコストアップを抑制することができる。すなわち、より低コストの再生装置が実現できる。また、本光情報記録媒体再生装置１００は、高密度に記録された光情報記録媒体６０・６１を用いることにより、安定した情報再生を行うことができる。
【０１６３】
本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。
【産業上の利用可能性】
【０１６４】
本発明の光情報記録媒体は、情報記録層において、再生光を収集して熱に変換する吸光膜と、その熱で加熱された部分の光透過率を変化させる再生膜とを設けることによって、製造コストの低減、情報記録密度の向上及び情報記録層の再生耐久性の向上を図ることができるので、光密度記録へ好適に利用できる。
【図面の簡単な説明】
【０１６５】
【図１】本発明にかかる実施の一形態の光情報記録媒体、及び実施例１の光情報記録媒体の構造を示す断面図である。
【図２】（ａ）は上記光情報記録媒体における中間層に設けられるプリピットの構造を示す斜視図であり、（ｂ）は上記光情報記録媒体における基板に設けられるプリピットの構造を示す斜視図である。
【図３】比較例１の光情報記録媒体の構造を示す断面図である。
【図４】（ａ）は実施例１及び比較例１の光情報記録媒体における第１情報記録層についての各ジッターの再生パワーＰｒ依存性を示す特性図であり、（ｂ）は実施例１及び比較例１の光情報記録媒体における第２情報記録層の各ジッターの再生パワーＰｒ依存性を示す特性図である。
【図５】ジッターとＣＮＲの評価指標の比較のために作製した比較例２の光情報記録媒体の構造を示す断面図である。
【図６】比較例２の光情報記録媒体における第２情報記録層についてのジッター及びＣＮＲの再生レーザーパワー依存性を示す特性図である。
【図７】実施例１及び比較例２の光情報記録媒体における各第２情報記録層についてのジッターの再生パワーＰｒ依存性を示す特性図である。
【図８】（ａ）は比較例２、比較例３及びＡｕ５０ｎｍの光情報記録媒体における第２情報記録層についての各ジッターの再生パワーＰｒ依存性を示す特性図であり、（ｂ）は実施例１、比較例１、及び比較例４の光情報記録媒体における第２情報記録層の各ジッターの再生パワーＰｒ依存性を示す特性図である。
【図９】本発明にかかるその他の実施の形態の光情報記録媒体の構造を示す断面図である。
【図１０】本発明にかかる実施の形態の光情報記録媒体再生装置の概略構成を示す図である。
【図１１】上記光情報記録媒体再生装置における光ピックアップ装置の概略構成を示す図である。
【符号の説明】
【０１６６】
１０    透光層
２０    第１情報記録層
２１    第１再生膜（再生膜）
２２    第１吸光膜（吸光膜）
３０    中間層
３１    プリピット
４０    第２情報記録層
４１    第２再生膜（再生膜）
４２    第２吸光膜（吸光膜）
５０    基板
５１    プリピット
６０    光情報記録媒体
１００  光情報記録媒体再生装置
１０２  光ピックアップ装置（光学読取手段）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2008052873.tif 000009
【図８】
2008052873.tif 000010
【図９】
2008052873.tif 000011
【図１０】
2008052873.tif 000012
【図１１】
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