(57)【要約】【課題】トッププレートの表面抵抗を低下させて安定した測定結果を得ることができると共にトッププレートからのリーク電流を防止し、更に製造コストを低減することができる載置台を提供する。【解決手段】本発明の載置台２０は、半導体ウエハＷの載置面を有する無酸素銅からなるトッププレート２１と、このトッププレート２１の下面２１Ａ及び側面２１Ｂの下部を連続的に被覆するアルミナからなる絶縁皮膜２２と、この絶縁皮膜２２と接触するように配置され且つ無酸素銅からなる冷却ジャケット２３と、を備えている。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被検査体を載置する載置台において、上記被検査体の載置面を有する導電性材料からなる上部板状体と、この上部板状体の上記載置面とは反対側の面及び側面の少なくとも下部を連続的に被覆する電気絶縁材料からなる絶縁皮膜と、この絶縁皮膜と接触するように配置され且つ導電性材料からなる下部板状体と、を備えたことを特徴とする載置台。
【請求項２】
上記導電性材料は、銅であることを特徴とする請求項１に記載の載置台。
【請求項３】
上記電気絶縁材料は、非金属の無機材料であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の載置台。
【請求項４】
上記無機材料は、セラミックスであることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の載置台。
【請求項５】
上記セラミックスは、アルミナを主体とすることを特徴とする請求項４に記載の載置台。
【請求項６】
上記アルミナの純度は、９９．９９重量％以上であることを特徴とする請求項５に記載の載置台。
【請求項７】
上記絶縁皮膜の膜厚は、０．３〜１．５ｍｍであることを特徴とする請求項５に記載の載置台。
【請求項８】
上記絶縁皮膜は、溶射により形成されてなることを特徴とする請求項１〜請求項７のいずれか１項に記載の載置台。
【請求項９】
上記絶縁皮膜は、塗布または蒸着により形成されてなることを特徴とする請求項１〜請求項７のいずれか１項に記載の載置台。
【請求項１０】
上記上部板状体と上記絶縁皮膜の間に、これら両者それぞれの熱膨張係数の間にある熱膨張係数を有する中間層が介在することを特徴とする請求項１〜請求項９に記載の載置台。
【請求項１１】
上記上部板状体は、少なくとも１０ｍｍの厚みを有することを特徴とする請求項１〜請求項１０のいずれか１項に記載の載置台。
【請求項１２】
上記上部板状体の載置面には上記被検査体を吸着する溝が形成されていることを特徴とする請求項１〜請求項１１のいずれか１項に記載の載置台。
【請求項１３】
上記載置面上の上記被検査体の電気的特性検査を行う際に検査用信号を印加するために用いられる配線が上記上部板状体と上記下部板状体にそれぞれ接続されていることを特徴とする請求項１〜請求項１２のいずれか１項に記載の載置台。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハ等の被検査体の電気的特性検査を行う際に、被検査体を載置する載置台に関し、更に詳しくは、例えば安定した印加電圧を得ることができる載置台に関する。
【背景技術】
【０００２】
検査装置は、一般に、被検査体（例えば、半導体ウエハ）を搬送するローダ室と、ローダ室から搬送された半導体ウエハの電気的特性検査を行うプローバ室と、を備えている。プローバ室は、半導体ウエハを載置する移動可能な載置台と、載置台の上方に配置されたプローブカードと、半導体ウエハとプローブカードの複数のプローブとのアライメントを行うアライメント機構と、を備え、アライメント後の半導体ウエハと複数のプローブとを電気的に接触させ、テスタからの検査用信号に基づいて所定の電気的特性検査を行う。
【０００３】
載置台は、例えば図３の（ａ）に示すように、半導体ウエハ（図示せず）を載置するトッププレート１と、このトッププレート１の下面に絶縁シート２を介して配置された冷却ジャケット３及び加熱プレート（図示せず）と、加熱プレートの下面に絶縁リング４を介して配置された絶縁体５と、トッププレート１上に半導体ウエハを吸着固定する吸着手段と、を備え、ＸＹステージ（図示せず）上に昇降可能に配置されている。半導体ウエハの検査を行う時には、半導体ウエハはトップレート１上に吸着固定され、載置台がＸＹステージを介してＸ、Ｙ方向へ移動すると共に昇降機構を介して半導体ウエハを昇降させ、半導体ウエハとプローブカードの複数のプローブとが電気的に接触し、所定の電気的特性検査が行われる。
【０００４】
ところで、トッププレート１は、図３の（ｂ）に示すように、例えば厚さ約１５ｍｍで純度９９．５重量％のアルミナ等のセラミックス焼結体１Ａと、このセラミック焼結体１Ａの上下両面に形成された金、ニッケル等の導電性金属からなる第１、第２導電体膜１Ｂ、１Ｃと、を有している。第１、第２導電体膜１Ｂ、１Ｃは、いずれも例えばイオンプレーティング等によって第１、第２電極として形成されている。そこで、以下では、第１導電体膜１Ｂを第１電極１Ｂ、第２導電体膜１Ｃを第２電極１Ｃとして説明する。第１、第２電極１Ｂ、１Ｃは、それぞれテスタ側に接続され、テスタ側から所定の検査用信号が印加される。また、絶縁シート２は、例えばシリコンゴム等の耐熱性樹脂によって形成され、冷却ジャケット３をトッププレート１から電気的に絶縁している。冷却ジャケット３は、銅等の導電性金属によって形成され、第２電極１Ｃと同様に検査用信号が印加される。この冷却ジャケット３の内部に冷媒が循環する流路３Ａが形成され、冷媒が冷却ジャケット３内を循環する間にトッププレート１を介して半導体ウエハを冷却する。絶縁リング４は、雲母等の絶縁材料によって形成され、絶縁体５は、ジルコンコージライト等のセラミック焼結体によって形成されている。
【０００５】
而して、半導体ウエハの電気的特性検査を行う場合には、トッププレート１上に半導体ウエハを載置し、Ｘ、Ｙ及びＺ方向に移動し、半導体ウエハに形成された電極パッドとプローブ（図示せず）とを電気的に接触させて所定の検査を行う。この際、プローブカードのプローブから検査用電圧を印加すると共に第１電極１Ｂにバイアス電圧を印加して、例えばＣ−Ｖ法等による容量測定等を行う。
【０００６】
また、例えば特許文献１〜３にこの種の載置台が記載されている。特許文献１の載置台は、トッププレートが石英、ポリテトラフルオロエチレン等の絶縁材によって形成され、その上面に金蒸着等によって形成された導電体層が形成され、その下面にシールド部材が配置されている。特許文献２の載置台は、トッププレート自体がステンレス鋼等の導電体によって形成され、その下面に絶縁層を介してシールド板が配置されている。特許文献３には絶縁材料からなるトッププレートの上面にのみ導電体膜が形成された載置台が記載されている。
【０００７】
【特許文献１】特開昭６３−１３８７４５
【特許文献２】特開昭５８−２２０４３８
【特許文献３】特開昭６２−２９１９３７
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、従来の図３に示す載置台は、トッププレート１がセラミック焼結体１Ａを主体によって形成され、このセラミック焼結体１Ａの上下両面にイオンプレーティングによって第１、第２電極１Ｂ、１Ｃが形成されているため、セラミック焼結体１Ａを一定の品質に維持することが難しく、その表面に形成された第１、２電極１Ｂ、１Ｃが１μｍ程度と極めて薄く表面抵抗が高くなり、半導体ウエハの電気的特性の測定結果に誤差を生じる虞があった。また、トッププレート１は、セラミック焼結体１Ａの表面に第１、第２電極１Ｂ、１Ｃをイオンプレーティングにより形成されているため、トッププレート１の製造コストが高いという問題もあった。第１、第２電極１Ｂ、１Ｃの表面抵抗を低くするために、第１、第２電極を無電解メッキや電解メッキによって厚くする方法もあるが、この場合には高温測定時の温度変化によりセラミック焼結体１Ａから剥離する虞があった。
【０００９】
一方、特許文献１、３の技術の場合にもトッププレートが絶縁材料とその上面に形成された導電体膜とからなるため、導電体膜の表面抵抗が高く、測定結果に悪影響を及ぼす虞がある。また、特許文献２の技術の場合にはトッププレートとシールド板が絶縁シートを介して隣接し、両者が互いに近接しているため、トップレートからシールド板へ電流がリークする虞があった。
【００１０】
本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、トッププレート（上部板状体）の表面抵抗を低下させて安定した測定結果を得ることができると共にトッププレートからのリーク電流を防止し、更に製造コストを低減することができる載置台を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の請求項１に記載の載置台は、被検査体を載置する載置台において、上記被検査体の載置面を有する導電性材料からなる上部板状体と、この上部板状体の上記載置面とは反対側の面及び側面の少なくとも下部を連続的に被覆する電気絶縁材料からなる絶縁皮膜と、この絶縁皮膜と接触するように配置され且つ導電性材料からなる下部板状体と、を備えたことを特徴とするものである。
【００１２】
また、本発明の請求項２に記載の載置台は、請求項１に記載の発明において、上記導電性材料は、銅であることを特徴とするものである。
【００１３】
また、本発明の請求項３に記載の載置台は、請求項１または請求項２に記載の発明において、上記電気絶縁材料は、非金属の無機材料であることを特徴とするものである。
【００１４】
また、本発明の請求項４に記載の載置台は、請求項１または請求項２に記載の発明において、上記無機材料は、セラミックスであることを特徴とするものである。
【００１５】
また、本発明の請求項５に記載の載置台は、請請求項４に記載の発明において、上記セラミックスは、アルミナを主体とすることを特徴とするものである。
【００１６】
また、本発明の請求項６に記載の載置台は、請求項５に記載の発明において、上記アルミナの純度は、９９．９９重量％以上であることを特徴とするものである。
【００１７】
また、本発明の請求項７に記載の載置台は、請求項５に記載の発明において、上記絶縁皮膜の膜厚は、０．３〜１．５ｍｍであることを特徴とするものである。
【００１８】
また、本発明の請求項８に記載の載置台は、請求項１〜請求項７のいずれか１項に記載の発明において、  上記絶縁皮膜は、溶射により形成されてなることを特徴とするものである。
【００１９】
また、本発明の請求項９に記載の載置台は、請求項１〜請求項７のいずれか１項に記載の発明において、上記絶縁皮膜は、塗布または蒸着により形成されてなることを特徴とするものである。
【００２０】
また、本発明の請求項１０に記載の載置台は、請求項１〜請求項９に記載の発明において、上記上部板状体と上記絶縁皮膜の間に、これら両者それぞれの熱膨張係数の間にある熱膨張係数を有する中間層が介在することを特徴とするものである。
【００２１】
また、本発明の請求項１１に記載の載置台は、請求項１〜請求項１０のいずれか１項に記載の発明において、上記上部板状体は、少なくとも１０ｍｍの厚みを有することを特徴とするものである。
【００２２】
また、本発明の請求項１２に記載の載置台は、請求項１〜請求項１１のいずれか１項に記載の発明において、上記上部板状体の載置面には上記被検査体を吸着する溝が形成されていることを特徴とするものである。
【００２３】
また、本発明の請求項１３に記載の載置台は、請求項１〜請求項１２のいずれか１項に記載の発明において、上記載置面上の上記被検査体の電気的特性検査を行う際に検査用信号を印加するために用いられる配線が上記上部板状体と上記下部板状体にそれぞれ接続されていることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、トッププレート（上部板状体）の表面抵抗を低下させて安定した測定結果を得ることができると共にトッププレートからのリーク電流を防止し、更に製造コストを低減することができる載置台を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、図１、図２に示す実施形態に基づいて本発明を説明する。尚、各図中、図１は本発明の載置台の一実施形態を適用した検査装置の構造の一例を部分的に破断して示す正面図、図２の（ａ）〜（ｃ）はいずれも図１に示す検査装置に適用された載置台を示す図で、（ａ）はその断面図、（ｂ）は載置台の絶縁皮膜の一部を拡大して示す断面図、（ｃ）は載置台の一部を拡大して示す断面図である。
【００２６】
まず、本実施形態の載置台を備えた検査装置について図１を参照しながら説明する。検査装置は、例えば図１に示すように、半導体ウエハＷの電気的特性検査を行うプローバ室１０と、プローバ室１０に半導体ウエハＷを搬送するローダ室（図示せず）と、を備えている。
【００２７】
プローバ室１０は、図１に示すように、半導体ウエハＷを載置する載置台２０と、載置台２０をＸ、Ｙ方向へ移動させるＸＹテーブル３０と、載置台２０の上方に配置されたプローブカード４０と、プローブカード４０の複数のプローブ４１と載置台２０上の半導体ウエハＷとのアライメントを行うアライメント機構（図示せず）と、プローブカード４０の上面の複数の端子電極と電気的に接続されたテストヘッド５０と、を備え、アライメント機構によって載置台２０上の半導体ウエハＷとプローブカード４０の複数のプローブ１５Ａとのアライメントを行った後、複数のプローブ４１と半導体ウエハＷとを電気的に接触させて半導体ウエハＷの電気的特性検査を行う。電気的特性検査を行う時には、テスタ（図示せず）からテストヘッド５０を介してプローブカード４０の複数のプローブ４１へ高周波信号等の検査用信号を印加すると共に載置台２０の載置面にバイアス電圧を印加して、Ｃ−Ｖ法による容量測定等の電気的特性検査を行う。尚、プローブカード４０は、ヘッドプレート１１の開口部に固定されている。
【００２８】
載置台２０は、例えば図２の（ａ）に示すように、例えば半導体ウエハＷを載置面で真空吸着できる上部板状体（トッププレート）２１と、トッププレート２１の載置面とは反対側の面（下面）２１Ａ及び側面２１Ｂの上部近傍までを連続的に被覆する電気絶縁材料からなる絶縁皮膜２２と、この絶縁皮膜２２と接触するように配置され且つ導電性材料からなる下部板状体（冷却ジャケット）２３と、冷却ジャケット２３に下方に絶縁リング２４を介して配置された絶縁体２５と、これらの部材を一体的に昇降させる昇降機構（図示せず）と、を備えている。また、トッププレート２１から絶縁体２５に至る部材は、所定の角度範囲内で一体的にθ方向へ回転可能になっている。
【００２９】
而して、トッププレート２１は、導電性材料によって形成されている。導電性材料は、導電性金属であれば特に制限されない。トッププレート２１の導電性材料としては、例えば電導性に優れた無酸素銅が好ましい。トッププレート２１の厚さは、半導体ウエハＷの大きさにもよるが、例えば３００ｍｍ径の半導体ウエハＷ用のトッププレート２１は、検査用の高周波信号等に対する低抵抗性と機械的強度を確保するため、厚さが少なくとも１０ｍｍあることが好ましい。本実施形態では、トッププレート２１は、例えば１４．８ｍｍの厚さに形成されている。側面２１Ｂを被覆する絶縁皮膜２２は、トッププレート２１の無垢の面と冷却ジャケット２３との間でのリーク電流を防止するため、下面２１Ａから１０ｍｍ以上形成されていることが好ましい。
【００３０】
また、無酸素銅からなるトッププレート２１の表面にはニッケル、アルミニウム等の酸化し難い金属の無電解めっきによりめっき層（図示せず）が施されていることが好ましい。このめっき層によりトッププレート２１の無酸素銅に対して耐酸化性が付与され、トッププレート２１としての電気的特性を長時間に渡って維持することができる。めっき層は、無酸素銅の酸化を防止することができれば、その厚さは特に制限されない。本実施形態では、めっき層は例えば３μｍの厚さに形成されている。
【００３１】
このトッププレート２１は、図２の（ａ）に示すようにテストヘッド５０に同軸ケーブル５１の中心導体５１Ａを介して電気的に接続されている。そして、検査時にプローブ４１から半導体ウエハＷの電極パッドに検査用信号を印加すると同時にテストヘッド５０からトッププレート２１に検査用信号を印加し、Ｃ−Ｖ法等により半導体ウエハＷの所定の容量測定等を行う。トッププレート２１を上述の厚さにすることで、トッププレート２１の表面抵抗が小さいため、テストヘッド５０から印加された検査用信号が安定し、信頼性の高い検査を行うことができる。
【００３２】
また、トッププレート２１の上面にはウエハ吸着用の第１の溝２１Ｃが同心円状に複数形成され、これらの溝２１Ｃは互いに径方向に形成されたウエハ吸着用の第２の溝（図示せず）によって互いに連結されている。各第１の溝２１Ｃの底部にはトッププレート２１の内部に形成された排気用の通路（図示せず）が複数箇所で開口し、排気用の通路に接続された排気装置によってトッププレート２１上の半導体ウエハＷを真空吸着し、半導体ウエハＷをトッププレート２１上に固定するようにしてある。
【００３３】
絶縁皮膜２２は、電気絶縁材料によって形成されている。電気絶縁材料は、電気絶縁性のある材料であれば特に制限されないが、高絶縁性、高耐電圧性及び高耐熱性の材料が好ましい。このような電気絶縁材料としては、例えば非金属の無機材料が好ましく、中でもアルミナ等のセラミックスが好ましい。例えばアルミナであれば、その純度が９９．９９重量％以上のものが好ましい。従来技術では、純度９９．５重量％のアルミナ焼結体で実現していた耐電圧性を、純度９９．９９重量％以上のアルミナの溶射皮膜で実現することができる。溶射であれば、溶射皮膜がトッププレート２１の下面と側面に容易に密着して絶縁皮膜を形成することができるため、溶射皮膜は、コスト面及び絶縁性能面の双方において優れている。
【００３４】
絶縁皮膜２２は、トッププレート２１の下面２１Ａ及び側面２１Ｂで同一の厚さに形成されていることが好ましいが、側面２１Ｂを下面２１Ａより薄くすることでコストを低減することができる。絶縁皮膜２２がトッププレート２１の側面２１Ｂの上端近傍まで形成されていることにより、トッププレート２１の無垢の側面を導電性材料からなる冷却ジャケット２３から遠ざけて、高電圧が印加された場合でもトッププレート２１から冷却ジャケット２３へのリーク電流を確実に防止し、トッププレート２１の電位を安定化することができる。この絶縁皮膜２２は、種々の手法によって形成することができるが、例えば溶射技術によって形成されていることが好ましい。絶縁皮膜２２がアルミナ溶射によって形成されている場合には、アルミナ溶射膜のマイクロクラックへシリカ（ＳｉＯ２）を含浸させて、絶縁皮膜２２の表面での吸湿性を抑制することが好ましい。絶縁皮膜２２は、溶射技術以外にも、塗布や蒸着によっても形成することができる。
【００３５】
絶縁皮膜２２の厚さは、特に制限されないが、例えば０．３〜１．５ｍｍの範囲が好ましい。０．３ｍｍ未満になると耐電圧性が低下し、１．５ｍｍを超えると必要以上の耐電圧のオーバースペックになってコスト的に高くなる。本実施形態では、絶縁皮膜２２は、純度９９．９９重量％以上のアルミナで例えば０．７ｍｍの厚さに形成されている。この場合には、実験により、２５０℃で１２ＫＶでも絶縁破壊がないことを確認されている。
【００３６】
また、図２の（ｂ）にしめすように絶縁皮膜２２にはトッププレート２１との中間層２２Ａが形成されている。この中間層２２Ａは、トッププレート２１の熱膨張係数と絶縁皮膜２２の熱膨張係数の間の熱膨張係数を有する無機材料であり、高温時の熱膨張による絶縁皮膜２２の割れを防止している。中間層２２Ａの無機材料としては、その熱膨張係数がトッププレート２１の熱膨張係数と絶縁皮膜２２の熱膨張係数の中間程度であれば特に制限されないが、例えばニッケルとアルミニウムを主成分とする材料が好ましい。本実施形態では、中間層２２Ａは、例えば６０μｍの厚さに形成されている。
【００３７】
冷却ジャケット２３は、上述のように導電性材料によって形成されている。導電性材料は、導電性のある金属であれば特に制限されない。冷却ジャケット２３の導電性材料としては、例えば無酸素銅が好ましい。この冷却ジャケット２３には同軸ケーブル５１の外部導体５１Ｂが接続され、冷却ジャケット２３は、トッププレート２１と同じ検査用信号が印加され、トッププレート２１から電流がリークしないようにしてある。冷却ジャケット２３の厚さは、半導体ウエハＷの大きさによって好ましい範囲が異なる。本実施形態では、冷却ジャケット２３は、１０．０ｍｍの厚さに形成されている。
【００３８】
冷却ジャケット２３内には冷媒の通路２３Ａが形成され、この通路２３には冷媒の供給部２３Ｂが接続されている。この供給部２３Ｂには冷媒タンク（図示せず）が接続され、冷媒タンクの冷媒が供給部２３Ｂを介して冷却ジャケット２３の流路２３Ａ内を循環してトッププレート２１を冷却し、低温検査をするようにしてある。また、図示してないが、冷却ジャケット２３の下面には面ヒータが配置され、面ヒータによってトッププレート２１を加熱し、高温検査を行うようにしてある。
【００３９】
また、絶縁リング２４は、冷却ジャケット２３及び面ヒータを下部の絶縁体３５から熱的に遮断すると共に電気的に遮断している。絶縁リング２４は、例えば耐熱性にも優れた雲母等の無機材料によって形成され、絶縁体２５は、例えばアルミナ等のセラミックスによって形成されている。本実施形態では、絶縁リング２４は、例えば８．５４ｍｍの厚さに形成され、絶縁体２５は、例えば１０．９ｍｍの厚さに形成されている。
【００４０】
また、図２の（ｃ）に示すように上記の各部材には貫通孔２０Ａが複数箇所（例えば、３箇所）に周方向等間隔を空けて形成され、これらの貫通孔２０Ａにピン２６が昇降可能に配置されている。これらのピン２６は、トッププレート２１の載置面において半導体ウエハＷを昇降させ、ローダ室との間で半導体ウエハＷの受け渡しを行うために用いられる。貫通孔２０Ａの内周面にはブッシュ２７が装着されている。このブッシュ２７はアルミナ焼結体や樹脂（例えば、四フッ化エチレン樹脂、ポリイミド）等の絶縁材料によって形成されていることが好ましい。また、ブッシュ２７に代えて貫通孔２０Ａにアルミナ溶射を施しても良い。このように貫通孔２０Ａの内周面に絶縁材料を施すことにより、トッププレート２１と冷却ジャケット２３との間のリーク電流をより確実に防止することができる。
【００４１】
次に、動作について説明する。プローバ室１０内で載置台２０がローダ室からプリアライメントされた半導体ウエハＷを受け取ると、ピン２６が下降してウエハＷをトッププレート２１上に載置すると、排気装置が駆動して半導体ウエハＷをトッププレート２１の載置面に吸着固定する。次いで、ＸＹテーブル３０が作動して載置台２０がＸ方向及びＹ方向へ移動し、アライメント機構を介して半導体ウエハＷとプローブカード４０のプローブ４１とのアライメントを行う。
【００４２】
然る後、載置台２０がプローブ４１の真下へ移動し、昇降機構を介してトッププレート２１等が一体的に上昇し、半導体ウエハＷの電極パッドとプローブ４１とが接触し、更にトッププレート２１がオーバードライブされて半導体ウエハＷの電極パッドとプローブ４１とが電気的に接触する。この状態でテストヘッド５０からプローブ４１を介して半導体ウエハＷへ高周波信号を印加すると共にトッププレート２１へ検査用信号を印加する。
【００４３】
この時、トッププレート２１は、無酸素銅によって所定の厚さに形成されて表面抵抗が低いため、トッププレート２１には所望の検査用信号が印加され、０Ｖの電圧であっても電位が安定し、Ｃ−Ｖ法等による容量測定等の電気的特性検査を確実且つ安定的に行うことができる。また、トッププレート２１の側面２１Ｂは上端近傍まで絶縁皮膜２２によって被覆されているため、トッププレート２１に高電圧を印加してもトッププレート２１から冷却ジャケット２３へのリーク電流を防止することができ、安定した検査を行うことができ、信頼性を高めることができる。また、絶縁皮膜２２は極めて耐電圧性が高いため、トッププレート２１に高電圧の検査用信号を印加しても絶縁皮膜２２が絶縁破壊することもない。
【００４４】
また、冷却ジャケット２３がトッププレート２１の保護電極として機能するため、高周波検査を行っても高周波のリークを防止することができ、半導体ウエハＷのゲート酸化膜が超薄膜化してもＣ−Ｖ法による容量測定等を確実に行うことができる。
【００４５】
半導体ウエハＷの検査を終了した後、載置台２０はローダ室側へ移動し、検査済みの半導体ウエハをローダ室へ引き渡すと共に次の半導体ウエハを受け取って上述の検査を繰り返す。
【００４６】
以上説明したように本実施形態によれば、半導体ウエハＷの載置面を有する無酸素銅からなるトッププレート２１と、このトッププレート２１の下面２１Ａ及び側面２１Ｂの下部を連続的に被覆するアルミナからなる絶縁皮膜２２と、この絶縁皮膜２２と接触するように配置され且つ無酸素銅からなる冷却ジャケット２３と、を備えているため、トッププレート２１の表面抵抗が低く、トッププレート２１に低電圧から高電圧まで如何なる検査用信号を印加しても安定した電位を得ることができ、安定した信頼性の高いＣ−Ｖ法等による容量測定等の電気的特性検査を行うことができる。
【００４７】
この際、絶縁皮膜２２は極めて高い絶縁性を有し、しかもトッププレート２１の下面２１Ａは勿論のこと側面２１Ｂの上端近傍まで被覆しているため、高電圧を印加しても絶縁破壊することがなく、また、トッププレート２１から冷却ジャケット２３へのリーク電流を防止することができ、高電圧を印加するパワーデバイス等であっても信頼性の高い検査を行うことができる。
【００４８】
また、本実施形態によれば、トッププレート２１が無酸素銅で形成され、絶縁皮膜２２が溶射技術によって形成されているため、載置台２０の製造コストを従来よりも低減することができる。トッププレート２１に吸着用の溝２１Ｃが形成されているため、半導体ウエハをトッププレート２１上に確実に固定することができる。また、絶縁皮膜２２は、純度９９．９９重量％以上のアルミナによって０．３〜１．５ｍｍの厚さに形成されているため、耐電圧性が極めて高く、２５０℃で１２ＫＶの高電圧でも絶縁破壊しない高い耐電圧性を得ることができる。トッププレート２１と絶縁皮膜２２の間に、これら両者２１、２２と中間の熱膨張係数を有する中間層２２Ａが介在するため、高温検査による大きな温度変化があっても絶縁皮膜２２にひび割れを生じる虞がない。更に、トッププレート２１は、少なくとも１０ｍｍの厚さに形成されているため、低電圧から高電圧まで安定した電位を維持することができる。
【００４９】
尚、本発明は、上記実施形態に何等制限されるものではなく、必要に応じて適宜設計変更することができる。また、上記実施形態では、絶縁皮膜を溶射技術によって形成する場合について説明したが、その他、塗布や蒸着等の手段によっても形成することができる。
【産業上の利用可能性】
【００５０】
本発明は、検査装置の載置台に好適に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本発明の載置台の一実施形態を適用した検査装置の構造の一例を部分的に破断して示す正面図である。
【図２】（ａ）〜（ｃ）はいずれも図１に示す検査装置に適用された載置台を示す図で、（ａ）はその断面図、（ｂ）は載置台の絶縁皮膜の一部を拡大して示す断面図、（ｃ）は載置台の一部を拡大して示す断面図である。
【図３】従来の載置台の一例を示す断面図である。
【符号の説明】
【００５２】
２０    載置台
２１    トッププレート（上部板状体）
２１Ａ  下面
２１Ｂ  側面
２１Ｃ  吸着用の溝
２２    絶縁皮膜
２２Ａ  中間層
２３    冷却ジャケット（下部板状体）
５１Ａ  中心導体（検査用信号を印加するための配線）
５１Ｂ  外部導体（検査用信号を印加するための配線）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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