(57)【要約】【課題】  透過型の液晶表示装置において、光利用効率を良くする【解決手段】  薄膜トランジスタ基板２の上面において、ゲート電極１０を含む走査ライン３および補助容量ライン７下には第１、第２の反射膜８ａ、８ｂが設けられ、データライン４下には第３の反射膜８ｃが設けられ、ソース電極１６下には第４の反射膜８ｄが設けられている。そして、バックライト４２からの光が第１〜第４の反射膜８ａ、８ｂ、８ｃ、８ｄの下面に照射されると、その反射光が薄膜トランジスタ基板２、偏光板２１および導光板４３を透過して反射層４４で反射され、この反射光の少なくとも一部が表示に寄与することとなり、光利用効率を良くすることができる。【選択図】  図１
2008216607.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄膜トランジスタパネルと該薄膜トランジスタパネル上に対向配置された対向パネルとがシール材を介して貼り合わされ、前記シール材の内側における前記両パネル間に液晶が封入され、前記薄膜トランジスタパネル下にバックライトが配置された液晶表示装置において、前記薄膜トランジスタパネルは、薄膜トランジスタ基板と、前記薄膜トランジスタ基板上に設けられ、ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極を有する薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタ基板上に設けられ、前記ゲート電極に接続された走査ラインと、前記薄膜トランジスタ基板上に設けられ、前記ドレイン電極に接続されたデータラインと、前記薄膜トランジスタ基板上に設けられ、前記ソース電極に接続された画素電極とを備え、前記薄膜トランジスタ基板上において少なくとも前記走査ライン下および前記データライン下に反射膜が設けられていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載の発明において、前記各反射膜は前記薄膜トランジスタ基板の上面に互いに連続して設けられていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
請求項１に記載の発明において、前記各反射膜は前記薄膜トランジスタ基板の上面に互いに分離して設けられていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】
請求項３に記載の発明において、前記薄膜トランジスタは逆スタガ型であり、前記走査ラインはそれに対応する前記反射膜の上面に設けられていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５】
請求項４に記載の発明において、前記ゲート電極下における前記薄膜トランジスタ基板の上面に反射膜が設けられ、前記ゲート電極は当該反射膜の上面に設けられていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項６】
請求項３に記載の発明において、前記薄膜トランジスタはスタガ型であり、前記データラインはそれに対応する前記反射膜の上面に設けられていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項７】
請求項６に記載の発明において、前記ソース電極下および前記ドレイン電極下における前記薄膜トランジスタ基板の上面に反射膜が設けられ、前記ソース電極および前記ドレイン電極は当該各反射膜の上面に設けられていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項８】
請求項１に記載の発明において、前記薄膜トランジスタ基板上に補助容量ラインが設けられ、前記補助容量ライン下における前記薄膜トランジスタ基板の上面に反射膜が前記各反射膜と連続して設けられていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項９】
請求項１に記載の発明において、前記薄膜トランジスタ基板上に補助容量ラインが設けられ、前記補助容量ライン下における前記薄膜トランジスタ基板の上面に反射膜が前記各反射膜と分離して設けられていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の発明において、前記薄膜トランジスタは逆スタガ型であり、前記補助容量ラインはそれに対応する前記反射膜の上面に設けられていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１１】
薄膜トランジスタパネルと該薄膜トランジスタパネル上に対向配置された対向パネルとがシール材を介して貼り合わされ、前記シール材の内側における前記両パネル間に液晶が封入され、前記薄膜トランジスタパネル下にバックライトが配置された液晶表示装置において、前記薄膜トランジスタパネルは、薄膜トランジスタ基板と、前記薄膜トランジスタ基板上に設けられ、ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極を有する薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタ基板上に設けられ、前記ゲート電極に接続された走査ラインと、前記薄膜トランジスタ基板上に設けられ、前記ドレイン電極に接続されたデータラインと、前記薄膜トランジスタ基板上に設けられ、前記ソース電極に接続された画素電極とを備え、前記薄膜トランジスタは逆スタガ型であり、前記薄膜トランジスタ基板の上面に反射膜を兼ねた前記ゲート電極および前記走査ラインが設けられ、且つ、少なくとも前記データライン下における前記薄膜トランジスタ基板の上面に反射膜が設けられていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載の発明において、前記薄膜トランジスタ基板の上面に反射膜を兼ねた補助容量ラインが設けられていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１３】
薄膜トランジスタパネルと該薄膜トランジスタパネル上に対向配置された対向パネルとがシール材を介して貼り合わされ、前記シール材の内側における前記両パネル間に液晶が封入され、前記薄膜トランジスタパネル下にバックライトが配置された液晶表示装置において、前記薄膜トランジスタパネルは、薄膜トランジスタ基板と、前記薄膜トランジスタ基板上に設けられ、ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極を有する薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタ基板上に設けられ、前記ゲート電極に接続された走査ラインと、前記薄膜トランジスタ基板上に設けられ、前記ドレイン電極に接続されたデータラインと、前記薄膜トランジスタ基板上に設けられ、前記ソース電極に接続された画素電極とを備え、前記薄膜トランジスタはスタガ型であり、前記薄膜トランジスタ基板の上面に反射膜を兼ねた前記ソース電極、前記ドレイン電極および前記データラインが設けられ、且つ、少なくとも前記走査ライン下における前記薄膜トランジスタ基板の上面に反射膜が設けられていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１４】
請求項１３に記載の発明において、前記薄膜トランジスタ基板上に絶縁膜を介して補助容量ラインが設けられ、前記補助容量ライン下における前記薄膜トランジスタ基板の上面に反射膜が設けられていることを特徴とする液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の液晶表示装置には、薄膜トランジスタパネルと該薄膜トランジスタパネル上に対向配置された対向パネルとがほぼ方形枠状のシール材を介して貼り合わされ、シール材の内側における両パネル間に液晶が封入され、薄膜トランジスタパネル下にバックライトが配置されたものがある（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−３４５５８１号公報
【０００４】
上記従来の液晶表示装置における薄膜トランジスタパネルは、薄膜トランジスタ基板と、薄膜トランジスタ基板上に設けられ、ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極を有する薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタ基板上に設けられ、ゲート電極に接続された走査ラインと、薄膜トランジスタ基板上に設けられ、ドレイン電極に接続されたデータラインと、薄膜トランジスタ基板上に設けられ、ソース電極に接続された画素電極とを備えた構造となっている。
【０００５】
この場合、ゲート電極および走査ラインはタンタルによって形成されている。ソース電極、ドレイン電極およびデータラインはＩＴＯによって形成されている。画素電極は、ＩＴＯからなる透過用画素電極部と、銀合金からなる反射用画素電極部とからなっている。一方、対向パネルの対向基板下において走査ラインおよびデータラインに対応する部分にはブラックマトリクスが設けられている。
【０００６】
ところで、上記従来の液晶表示装置では、透過型として使用するとき、バックライトからの光が透過用画素電極部等を透過して対向パネルの上面側に出射され、表示が行なわれる。このとき、バックライトからの光が反射用画素電極部で反射され、この反射光がバックライトでさらに反射され、この反射光が透過用画素電極部を透過すると、この透過光が表示に寄与することになる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上記従来の液晶表示装置では、走査ラインが反射率が低いタンタルによっ形成されているため、バックライトからの光が走査ラインでほとんど反射されず、またデータラインが透明なＩＴＯによって形成され、対向基板下においてデータラインに対応する部分にブラックマトリクスが設けられているため、バックライトからの光がデータラインを透過してもブラックマトリクスでほとんど反射されず、光利用効率が悪いという問題があった。
【０００８】
そこで、この発明は、光利用効率を良くすることができる液晶表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
請求項１に記載の発明は、薄膜トランジスタパネルと該薄膜トランジスタパネル上に対向配置された対向パネルとがシール材を介して貼り合わされ、前記シール材の内側における前記両パネル間に液晶が封入され、前記薄膜トランジスタパネル下にバックライトが配置された液晶表示装置において、前記薄膜トランジスタパネルは、薄膜トランジスタ基板と、前記薄膜トランジスタ基板上に設けられ、ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極を有する薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタ基板上に設けられ、前記ゲート電極に接続された走査ラインと、前記薄膜トランジスタ基板上に設けられ、前記ドレイン電極に接続されたデータラインと、前記薄膜トランジスタ基板上に設けられ、前記ソース電極に接続された画素電極とを備え、前記薄膜トランジスタ基板上において少なくとも前記走査ライン下および前記データライン下に反射膜が設けられていることを特徴とするものである。
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記各反射膜は前記薄膜トランジスタ基板の上面に互いに連続して設けられていることを特徴とするものである。
請求項３に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記各反射膜は前記薄膜トランジスタ基板の上面に互いに分離して設けられていることを特徴とするものである。
請求項４に記載の発明は、請求項３に記載の発明において、前記薄膜トランジスタは逆スタガ型であり、前記走査ラインはそれに対応する前記反射膜の上面に設けられていることを特徴とするものである。
請求項５に記載の発明は、請求項４に記載の発明において、前記ゲート電極下における前記薄膜トランジスタ基板の上面に反射膜が設けられ、前記ゲート電極は当該反射膜の上面に設けられていることを特徴とするものである。
請求項６に記載の発明は、請求項３に記載の発明において、前記薄膜トランジスタはスタガ型であり、前記データラインはそれに対応する前記反射膜の上面に設けられていることを特徴とするものである。
請求項７に記載の発明は、請求項６に記載の発明において、前記ソース電極下および前記ドレイン電極下における前記薄膜トランジスタ基板の上面に反射膜が設けられ、前記ソース電極および前記ドレイン電極は当該各反射膜の上面に設けられていることを特徴とするものである。
請求項８に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記薄膜トランジスタ基板上に補助容量ラインが設けられ、前記補助容量ライン下における前記薄膜トランジスタ基板の上面に反射膜が前記各反射膜と連続して設けられていることを特徴とするものである。
請求項９に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記薄膜トランジスタ基板上に補助容量ラインが設けられ、前記補助容量ライン下における前記薄膜トランジスタ基板の上面に反射膜が前記各反射膜と分離して設けられていることを特徴とするものである。
請求項１０に記載の発明は、請求項９に記載の発明において、前記薄膜トランジスタは逆スタガ型であり、前記補助容量ラインはそれに対応する前記反射膜の上面に設けられていることを特徴とするものである。
請求項１１に記載の発明は、薄膜トランジスタパネルと該薄膜トランジスタパネル上に対向配置された対向パネルとがシール材を介して貼り合わされ、前記シール材の内側における前記両パネル間に液晶が封入され、前記薄膜トランジスタパネル下にバックライトが配置された液晶表示装置において、前記薄膜トランジスタパネルは、薄膜トランジスタ基板と、前記薄膜トランジスタ基板上に設けられ、ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極を有する薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタ基板上に設けられ、前記ゲート電極に接続された走査ラインと、前記薄膜トランジスタ基板上に設けられ、前記ドレイン電極に接続されたデータラインと、前記薄膜トランジスタ基板上に設けられ、前記ソース電極に接続された画素電極とを備え、前記薄膜トランジスタは逆スタガ型であり、前記薄膜トランジスタ基板の上面に反射膜を兼ねた前記ゲート電極および前記走査ラインが設けられ、且つ、少なくとも前記データライン下における前記薄膜トランジスタ基板の上面に反射膜が設けられていることを特徴とするものである。
請求項１２に記載の発明は、請求項１１に記載の発明において、前記薄膜トランジスタ基板の上面に反射膜を兼ねた補助容量ラインが設けられていることを特徴とするものである。
請求項１３に記載の発明は、薄膜トランジスタパネルと該薄膜トランジスタパネル上に対向配置された対向パネルとがシール材を介して貼り合わされ、前記シール材の内側における前記両パネル間に液晶が封入され、前記薄膜トランジスタパネル下にバックライトが配置された液晶表示装置において、前記薄膜トランジスタパネルは、薄膜トランジスタ基板と、前記薄膜トランジスタ基板上に設けられ、ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極を有する薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタ基板上に設けられ、前記ゲート電極に接続された走査ラインと、前記薄膜トランジスタ基板上に設けられ、前記ドレイン電極に接続されたデータラインと、前記薄膜トランジスタ基板上に設けられ、前記ソース電極に接続された画素電極とを備え、前記薄膜トランジスタはスタガ型であり、前記薄膜トランジスタ基板の上面に反射膜を兼ねた前記ソース電極、前記ドレイン電極および前記データラインが設けられ、且つ、少なくとも前記走査ライン下における前記薄膜トランジスタ基板の上面に反射膜が設けられていることを特徴とするものである。
請求項１４に記載の発明は、請求項１３に記載の発明において、前記薄膜トランジスタ基板上に絶縁膜を介して補助容量ラインが設けられ、前記補助容量ライン下における前記薄膜トランジスタ基板の上面に反射膜が設けられていることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１０】
この発明によれば、薄膜トランジスタ基板上において少なくとも走査ライン下およびデータライン下に反射膜を設けることにより、または、薄膜トランジスタが逆スタガ型であるとき、薄膜トランジスタ基板の上面に反射膜を兼ねたゲート電極および走査ラインを設け、且つ、少なくともデータライン下における薄膜トランジスタ基板の上面に反射膜を設けることにより、あるいは、薄膜トランジスタがスタガ型であるとき、薄膜トランジスタ基板の上面に反射膜を兼ねたソース電極、ドレイン電極およびデータラインを設け、且つ、少なくとも走査ライン下における薄膜トランジスタ基板の上面に反射膜を設けることにより、光利用効率を良くすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
（第１実施形態）
図１はこの発明の第１実施形態としての液晶表示装置の要部の断面図を示し、図２は同液晶表示装置の薄膜トランジスタパネルの一部の透過平面図を示す。この場合、図１は図２のＩ−Ｉ線に沿う部分の断面図に相当する。この液晶表示装置は、薄膜トランジスタパネル１と該薄膜トランジスタパネル１上に対向配置された対向パネル３１とがほぼ方形枠状のシール材（図示せず）を介して貼り合わされ、シール材の内側における両パネル１、３１間に液晶４１が封入され、薄膜トランジスタパネル１下にバックライト４２が配置された構造となっている。
【００１２】
まず、図２を参照して、薄膜トランジスタパネル１の平面的な構造について説明する。薄膜トランジスタパネル１はガラス等からなる薄膜トランジスタ基板２を備えている。薄膜トランジスタ基板２上には複数の走査ライン３および複数のデータライン４がマトリクス状に設けられている。この場合、複数の走査ライン３は行方向に延びて設けられ、複数のデータライン４は列方向に延びて設けられている。
【００１３】
薄膜トランジスタ基板２上において走査ライン３とデータライン４とで囲まれた領域内には長方形状の画素電極５が設けられている。ここで、図２を明確にする目的で、画素電極５の縁部に斜めの短い実線のハッチングが記入されている（以下、同様）。画素電極５はスイッチング素子としての薄膜トランジスタ６を介して走査ライン３およびデータライン４に接続されている。
【００１４】
薄膜トランジスタ基板２上には複数の補助容量ライン７が行方向に延びて設けられている。画素電極５との間で補助容量部を形成するための補助容量ライン７は当該画素電極５の上辺部と重ね合わされている。この場合、補助容量ライン７のデータライン４と交差する部分の幅はその他の部分の幅よりも狭くなっている（図５参照）。
【００１５】
次に、図１および図２を参照して説明する。薄膜トランジスタ基板２の上面の所定の箇所には銀や銀合金等の高反射性金属からなる第１〜第４の反射膜８ａ、８ｂ、８ｃ、８ｄが設けられている。第１〜第４の反射膜８ａ、８ｂ、８ｃ、８ｄについては、後で説明する。第１〜第４の反射膜８ａ、８ｂ、８ｃ、８ｄを含む薄膜トランジスタ基板２の上面には窒化シリコン等からなる下層絶縁膜９が設けられている。
【００１６】
下層絶縁膜９の上面の所定の箇所にはクロム等からなるゲート電極１０（図５参照）および該ゲート電極１０に接続された走査ライン３が設けられている。下層絶縁膜９の上面の他の所定の箇所にはクロム等からなる補助容量ライン７が設けられている。ゲート電極１０、走査ライン３および補助容量ライン７を含む薄膜トランジスタ基板２の上面には窒化シリコン等からなるゲート絶縁膜１１が設けられている。
【００１７】
ゲート電極１０上におけるゲート絶縁膜１１の上面の所定の箇所には真性アモルファスシリコンからなる半導体薄膜１２が設けられている。半導体薄膜１２の上面ほぼ中央部には窒化シリコン等からなるチャネル保護膜１３が設けられている。チャネル保護膜１３の上面両側およびその両側における半導体薄膜１２の上面にはｎ型アモルファスシリコンからなるオーミックコンタクト層１４、１５が設けられている。
【００１８】
オーミックコンタクト層１４、１５の上面にはクロム等からなるソース電極１６およびドレイン電極１７が設けられている。ゲート絶縁膜１１の上面の所定の箇所にはクロム等からなるデータライン４がドレイン電極１７に接続されて設けられている。ここで、薄膜トランジスタ６は、逆スタガ型であり、ゲート電極１０、ゲート絶縁膜１１、半導体薄膜１２、チャネル保護膜１３、オーミックコンタクト層１４、１５、ソース電極１６およびドレイン電極１７により構成されている。
【００１９】
薄膜トランジスタ６およびデータライン４を含むゲート絶縁膜１１の上面には窒化シリコン等からなるオーバーコート膜１８が設けられている。オーバーコート膜１８の上面の所定の箇所にはＩＴＯ等からなる画素電極５が設けられている。画素電極５は、オーバーコート膜１８に設けられたコンタクトホール１９を介してソース電極１６に接続されている。画素電極５を含むオーバーコート膜１８の上面には配向膜２０が設けられている。薄膜トランジスタ基板２の下面には偏光板２１が設けられている。
【００２０】
一方、対向パネル３１はガラス等からなる対向基板３２を備えている。対向基板３２の下面にはブラックマトリクス３３、カラーフィルタ３４、ＩＴＯ等からなる対向電極３５および配向膜３６が設けられている。ブラックマトリクス３３については、後で説明する。対向基板３２の上面には偏光板３７が設けられている。
【００２１】
バックライト４２は、導光板４３の下面に反射層４４が設けられ、導光板４３の一端面の外側に発光ダイオード等からなる光源（図示せず）が設けられた構造となっている。そして、光源が点灯すると、光源からの光が導光板４３で導光され且つ反射層４４で反射された後に導光板４３の上面からそのほぼ垂直上方に出射されるようになっている。
【００２２】
ここで、図３は図１および図２に示す第１〜第４の反射膜８ａ、８ｂ、８ｃ、８ｄ等を説明するために示す平面図である。第１、第２の反射膜８ａ、８ｂは互いに連続して行方向に延びて設けられている。第３の反射膜８ｃは、相隣接する第１、第２の反射膜８ａ、８ｂ間において列方向に延びて設けられている。第４の反射膜８ｄは、第１の反射膜８ａの上辺の所定の箇所から上方に突出するように設けられている。この場合、第１〜第４の反射膜８ａ、８ｂ、８ｃ、８ｄは互いに連続するように形成されている。
【００２３】
そして、第１、第２の反射膜８ａ、８ｂは、図２に示すゲート電極１０を含む走査ライン３、補助容量ライン７およびその間の隙間のすべてと重ね合わされている。第３の反射膜８ｃは、相隣接する第１、第２の反射膜８ａ、８ｂ間において、図２に示すデータライン４のすべてと重ね合わされている。第４の反射膜８ｄは、図２に示すソース電極１６のうちゲート電極１０の上方に突出された部分のすべてと重ね合わされている。
【００２４】
次に、図３を参照して、ブラックマトリクス３３について説明する。図３において画素電極５よりもやや小さめの二点鎖線で示すものは、ブラックマトリクス３３の開口部３３ａを示す。ブラックマトリクス３３の開口部３３ａの外側領域に遮光性の金属材料が配置されており、内側領域が開口された領域である。この場合、ブラックマトリクス３３は、第１〜第４の反射膜８ａ、８ｂ、８ｃ、８ｄと画素電極５との間の隙間から、バックライト４２からの光が漏れるのを防止するためのものである。
【００２５】
そして、この液晶表示装置では、バックライト４２を点灯させると、バックライト４２からの光が偏光板２１、薄膜トランジスタ基板２、下層絶縁膜９、ゲート絶縁膜１１、オーバーコート膜１８、画素電極５、配向膜２０、液晶４１、配向膜３６、対向電極３５、カラーフィルタ３４、対向基板３２および偏光板３７を透過して偏光板３７の上面側に出射され、これにより表示を行なう。
【００２６】
ところで、このような表示を行なっている状態において、バックライト４２からの光が第１〜第４の反射膜８ａ、８ｂ、８ｃ、８ｄの下面に照射されると、その反射光が薄膜トランジスタ基板２、偏光板２１および導光板４３を透過して反射層４４で反射され、この反射光の少なくとも一部が表示に寄与することとなり、光利用効率を良くすることができる。なお、第１〜第４の反射膜８ａ、８ｂ、８ｃ、８ｄは電気的にどことも接続されていないようにしてもよく、また走査ライン３、データライン４および補助容量ライン７のいずれかと同じ電位あるいはそれらと異なる電位を与えるようにしてもよい。
【００２７】
（第２実施形態）
図４はこの発明の第２実施形態としての液晶表示装置の要部の断面図を示し、図５は同液晶表示装置の薄膜トランジスタパネルの一部の透過平面図を示す。この場合、図４は図５のIV−IV線に沿う部分の断面図に相当する。また、図６は図４および図５に示す反射膜を説明するために示す平面図である。
【００２８】
この液晶表示装置において、図１〜図３に示す液晶表示装置と異なる点は、第１〜第４の反射膜８ａ、８ｂ、８ｃ、８ｄを互いに分離した点である。この場合、第１の反射膜８ａは、ゲート電極１０を含む走査ライン３のすべてと重ね合わされている。第２の反射膜８ｂは、補助容量ライン７のすべてと重ね合わされている。
【００２９】
このようにした場合には、走査ライン３、補助容量ライン７、データライン４およびソース電極１６が第１〜第４の反射膜８ａ、８ｂ、８ｃ、８ｄを介して互いに寄生容量を持つのを防止することができる。なお、第１、第２の反射膜８ａ、８ｂは電気的にどことも接続されていないようにしてもよく、また適当な電位を与えるようにしてもよい。
【００３０】
（第３実施形態）
図７はこの発明の第３実施形態としての液晶表示装置の要部の断面図を示す。この液晶表示装置において、図４に示す液晶表示装置と異なる点は、下層絶縁膜９を省略し、薄膜トランジスタ基板２の上面に第１〜第４の反射膜８ａ、８ｂ、８ｃ、８ｄを設け、第１の反射膜８ａの上面にゲート電極１０を含む走査ライン３を設け、第２の反射膜８ｂの上面に補助容量ライン７を設けた点である。
【００３１】
このようにした場合には、下層絶縁膜９を有していないので、下層絶縁膜９を成膜するための工程が不要となり、その分だけ工程数を低減することができる。また、ゲート電極１０を含む走査ライン３および補助容量ライン７は、実質的には、第１、第２の反射膜８ａ、８ｂを有する２層構造となるので、その配線抵抗が低下し、時定数を小さくすることができる。なお、第３の反射膜８ｃは電気的にどことも接続されていないようにしてもよく、また適当な電位を与えるようにしてもよい。
【００３２】
（第４実施形態）
図８はこの発明の第４実施形態としての液晶表示装置の要部の断面図を示す。この液晶表示装置において、図７に示す液晶表示装置と異なる点は、第１、第２の反射膜８ａ、８ｂを省略し、ゲート電極１０を含む走査ライン３および補助容量ライン７を第３、第４の反射膜８ｃ、８ｄと共に銀や銀合金等の高反射性金属によって形成し、ゲート電極１０を含む走査ライン３および補助容量ライン７に反射膜を兼ねさせた点である。
【００３３】
このようにした場合には、ゲート電極１０を含む走査ライン３、補助容量ライン７および第３、第４の反射膜８ｃ、８ｄを同一の工程で形成することができるので、図７に示す場合と比較して、その分だけ工程数を低減することができる。なお、第３の反射膜８ｃは電気的にどことも接続されていないようにしてもよく、また適当な電位を与えるようにしてもよい。
【００３４】
（第５実施形態）
図９はこの発明の第５実施形態としての液晶表示装置の要部の断面図を示す。この液晶表示装置において、図１に示す液晶表示装置と大きく異なる点は、薄膜トランジスタ６をスタガ型とした点である。
【００３５】
すなわち、薄膜トランジスタ６は、下層絶縁膜９の上面に設けられたクロム等からなるソース電極１６およびドレイン電極１７と、ソース電極１６およびドレイン電極１７の上面に設けられたｎ型アモルファスシリコンからなるオーミックコンタクト層１４、１５と、オーミックコンタクト層１４、１５の上面およびその間の下層絶縁膜９の上面に設けられたアモルファスシリコンからなる半導体薄膜１２と、半導体薄膜１２上におけるゲート絶縁膜１１の上面に設けられたクロム等からなるゲート電極１０と、により構成されている。
【００３６】
この場合、ゲート電極１０に接続された走査ライン３および補助容量ライン７は、ゲート絶縁膜１１の上面にクロム等によって形成されて設けられている。ドレイン電極１７に接続されたデータライン４は、下層絶縁膜９の上面にクロム等によって形成されて設けられている。画素電極５は、ゲート絶縁膜１１およびオーバーコート膜１８に設けられたコンタクトホール１９を介してソース電極１６に接続されている。
【００３７】
なお、このようなスタガ型の薄膜トランジスタ６を備えた液晶表示装置において、図１０に示すこの発明の第６実施形態のように、第１〜第４の反射膜８ａ、８ｂ、８ｃ、８ｄを互いに分離するようにしてもよい。
【００３８】
また、図１１に示すこの発明の第７実施形態のように、下層絶縁膜９を省略し、第３の反射膜８ｃの上面にドレイン電極１７を含むデータライン４を設け、第４の反射膜８ｄの上面にソース電極１６を設けるようにしてもよい。この場合、ゲート電極１０を除く走査ライン３下における薄膜トランジスタ基板２の上面には第１の反射膜８ａ（図示せず）が設けられている。
【００３９】
さらに、図１２に示すこの発明の第８実施形態のように、ドレイン電極１７を含むデータライン４およびソース電極１６を第２の反射膜８ｂ（およびゲート電極１０を除く走査ライン３下における薄膜トランジスタ基板２の上面に設けられた第１の反射膜８ａ）と共に銀や銀合金等の高反射性金属によって形成するようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】この発明の第１実施形態としての液晶表示装置の要部の断面図。
【図２】図１に示す液晶表示装置の薄膜トランジスタパネルの一部の透過平面図。
【図３】図１および図２に示す反射膜等を説明するために示す平面図。
【図４】この発明の第２実施形態としての液晶表示装置の要部の断面図。
【図５】図４に示す液晶表示装置の薄膜トランジスタパネルの一部の透過平面図。
【図６】図４および図５に示す反射膜を説明するために示す平面図。
【図７】この発明の第３実施形態としての液晶表示装置の要部の断面図。
【図８】この発明の第４実施形態としての液晶表示装置の要部の断面図。
【図９】この発明の第５実施形態としての液晶表示装置の要部の断面図。
【図１０】この発明の第６実施形態としての液晶表示装置の要部の断面図。
【図１１】この発明の第７実施形態としての液晶表示装置の要部の断面図。
【図１２】この発明の第８実施形態としての液晶表示装置の要部の断面図。
【符号の説明】
【００４１】
１  薄膜トランジスタパネル
２  薄膜トランジスタ基板
３  走査ライン
４  データライン
５  画素電極
６  薄膜トランジスタ
７  補助容量ライン
８ａ、８ｂ、８ｃ、８ｄ  第１〜第４の反射膜
９  下層絶縁膜
１０  ゲート電極
１１  ゲート絶縁膜
１２  半導体薄膜
１３  チャネル保護膜
１４、１５  オーミックコンタクト層
１６  ソース電極
１７  ドレイン電極
１８  オーバーコート膜
２０  配向膜
２１  偏光板
３１  対向パネル
３２  対向基板
３３  ブラックマトリクス
３４  カラーフィルタ
３５  対向電極
３６  配向膜
３７  偏光板
４１  液晶
４２  バックライト
４３  導光板
４４  反射層
【図１】
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【図２】
2008216607.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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