(57)【要約】【課題】  ターゲットにイオン注入する不純物の濃度プロファイルを自由に制御できるイオン注入装置及びイオン注入方法を実現する。【解決手段】  イオン注入装置１０は、イオンビームＩＢの通過経路１３にガスを導入して、通過経路１３を所定の内圧に制御する内圧制御装置１５を備えており、内圧制御装置１５により、イオンビームの通過経路１３にガスを導入し、通過経路１３の内圧を所定の内圧に制御した後に、半導体基板３０にイオン注入を行うため、イオンビームＩＢの軌道にガスを存在させることができる。これにより、ガスにイオンビームＩＢを衝突させて、イオンの乖離や中性化を生じさせることができるので、半導体基板３０にイオン注入する不純物の濃度プロファイルを自由に制御できることができる。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
イオンビ−ムを引き出すイオン源と、引き出されたイオンビームの通過経路と、前記通過経路に設けられ、前記引き出されたイオンビームから特定のイオン種を選別する質量分析マグネットと、ターゲットにイオン注入を行う注入室と、を備えたイオン注入装置において、
前記イオンビームの通過経路にガスを導入して、前記通過経路を所定の内圧に制御する内圧制御手段を備えていることを特徴とするイオン注入装置。
【請求項２】
前記内圧制御手段は、前記通過経路のうち前記質量分析マグネットが設けられた領域にガスを導入するように構成されていることを特徴とする請求項１に記載のイオン注入装置。
【請求項３】
前記質量分析マグネットから導出されたイオンビームを加減速する加減速管を備えたことを特徴とする請求項１または請求項２に記載のイオン注入装置。
【請求項４】
前記イオン注入装置は、大電流イオン注入装置であることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１つに記載のイオン注入装置。
【請求項５】
イオンビ−ムを引き出すイオン源と、引き出されたイオンビームの通過経路と、前記通過経路に設けられ、前記引き出されたイオンビームから特定のイオン種を選別する質量分析マグネットと、前記質量分析マグネットから導出されたイオンビームを加減速する加減速管と、ターゲットにイオン注入を行う注入室と、前記イオンビームの通過経路にガスを導入して、前記通過経路を所定の内圧に制御する内圧制御手段と、を備えたイオン注入装置を用い、
前記内圧制御手段により、前記イオンビームの通過経路にガスを導入し、前記通過経路の内圧を所定の内圧に制御した後に、ターゲットにイオン注入を行うことを特徴とするイオン注入方法。
【請求項６】
前記内圧制御手段は、前記通過経路のうち前記質量分析マグネットが設けられた領域にガスを導入するように構成されていることを特徴とする請求項５に記載のイオン注入方法。
【請求項７】
前記内圧制御手段により、前記イオンビームの通過経路に導入されるガスは、不活性ガスであることを特徴とする請求項５または請求項６に記載のイオン注入方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、イオンビームから必要なイオン種を選別した後にターゲットに入射し、イオン注入を行うイオン注入装置及びイオン注入方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
イオン注入装置は、半導体基板などのターゲットに所定のイオンを注入する装置であり、注入する元素をイオン化し、イオンビームとして引き出すイオン源と、イオンビームから所定のイオン種を選別する質量分析マグネットと、イオンビームの通過、加速、走査などが行われる通過経路とを備えている。
イオン源から引き出されたイオンビームは、高真空に保たれた通過経路を通過し、質量分析マグネットにおいて所定のイオン種が選別された後に、ターゲットに照射される。これにより、ターゲットに所定のイオン種を注入することができる。
このようなイオン注入装置として、例えば、特許文献１には、イオン源、該イオン源に接続されたイオン加速管、該イオン源から排気する排気装置、該イオン源から該イオン加速管にいたる部分及び排気装置を囲み、該イオン加速管入口側の電圧印加電極に接続された気密ボックス、該気密ボックスから電気的に絶縁されて該ボックスを囲み、イオン加速管出口側の電圧印加電極に接続されるとともに接地されたシールドキャビネットなどを備えているイオン注入装置が開示されている。
【特許文献１】特開２０００−３０６５４２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ところで、このようなイオン注入装置において、イオンビームの通過経路の真空度、イオンの分解能などは、通過経路を排気する排気ポンプの性能、配置やイオンビームから不要なイオン種を取り除く分離スリットの構造などの装置構成に依存している。これにより、同じ照射条件でターゲットに注入されたイオンの濃度プロファイルがイオン注入装置により異なることがある。
図４は、イオンビームの通過経路の真空度が異なるイオン注入装置による半導体基板への注入イオンの濃度プロファイルを示す説明図である。ここでは、イオンビームの通過経路の真空度が高いイオン注入装置Ｈと、真空度が低いイオン注入装置Ｌとにより、半導体基板にＢＦ２＋イオンを注入する場合について説明する。図３において、横軸は半導体基板の表面からの深さ、縦軸はＢの濃度を示す。
【０００４】
図４に示すように、イオン注入装置Ｈによる濃度プロファイルは、イオン注入装置Ｌによる濃度プロファイルと、半導体基板の表面から１５００オングストローム程度深い領域から差異を生じ、低濃度側にシフトしている。この差異は、以下に示す現象に起因して生じる。
【０００５】
各イオン注入装置において、質量分析マグネットによりＢＦ２＋イオンが選別されたイオンビームは、通過経路内を半導体基板に向かって輸送されるが、その過程で通過経路内の残留ガスに衝突し、ＢＦ２＋イオンの一部が乖離し、例えばＢ＋イオンが生成する。これにより、イオンビームには、ＢＦ２＋イオン以外にＢ＋イオンが加わることになる。
ここで、ＢＦ２＋イオンが乖離して生成するＢ＋イオンの量は、通過経路の真空度に依存する。真空度が低いイオン注入装置Ｌでは、イオンビームと残留ガスが衝突する確率が高くなるため、ＢＦ２＋イオンが乖離しやすくなるので、イオン注入装置Ｈに比べてイオンビーム中のＢ＋イオンの量が増大する。
【０００６】
ＢＦ２＋イオンに比べて質量の小さいＢ＋イオンは、半導体基板表面から深い領域にイオン注入されやすいため、イオン注入装置Ｌを用いた場合には、１５００オングストローム以上深い領域において、Ｂ＋イオンの注入量が増大するので、上述した濃度プロファイルの差異を生じることになる。
【０００７】
このように、イオン注入装置Ｈでは、イオン注入装置Ｌを用いた場合の濃度プロファイルを再現することができないので、イオン注入装置Ｈによりイオン注入された半導体基板から製造される製品では、イオン注入装置Ｌによりイオン注入された半導体基板から製造される製品で合わせ込んだ所定の特性が得られないことがあった。
つまり、イオン注入する不純物の濃度プロファイルを制御することができないため、製品に合わせてイオン注入装置を使い分ける必要があり、製造コストが増大するという問題があった。
【０００８】
そこで、この発明は、ターゲットにイオン注入する不純物の濃度プロファイルを自由に制御できるイオン注入装置及びイオン注入方法を実現することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、イオンビ−ムを引き出すイオン源と、引き出されたイオンビームの通過経路と、前記通過経路に設けられ、前記引き出されたイオンビームから特定のイオン種を選別する質量分析マグネットと、ターゲットにイオン注入を行う注入室と、を備えたイオン注入装置において、前記イオンビームの通過経路にガスを導入して、前記通過経路を所定の内圧に制御する内圧制御手段を備えている、という技術的手段を用いる。
【００１０】
請求項１に記載の発明によれば、イオン注入装置が、イオンビームの通過経路にガスを導入して、通過経路を所定の内圧に制御する内圧制御手段を備えているため、イオンビームの軌道にガスを存在させることができる。これにより、ガスにイオンビームを衝突させて、イオンの乖離や中性化を生じさせることができるので、ターゲットにイオン注入する不純物の濃度プロファイルを自由に制御できることができる。
【００１１】
請求項２に記載の発明では、請求項１に記載のイオン注入装置において、前記内圧制御手段は、前記通過経路のうち前記質量分析マグネットが設けられた領域にガスを導入するように構成されている、という技術的手段を用いる。
【００１２】
請求項２に記載の発明によれば、内圧制御手段は、通過経路のうち質量分析マグネットが設けられた領域にガスを導入するように構成されているため、排気ポンプを設けることができない当該領域に導入したガスを安定に滞留させることができるとともに、イオン種の選別が行われる領域において、イオンビームをガスに衝突させることができる。
これにより、ガスにイオンビームを衝突させてイオンの乖離や中性化を生じさせる効率を向上させ、精度良く制御することができるので、より少ないガス量でターゲットにイオン注入する不純物の濃度プロファイルを精度良く制御することができる。
【００１３】
請求項３に記載の発明では、請求項１または請求項２に記載のイオン注入装置において、前記質量分析マグネットから導出されたイオンビームを加減速する加減速管を備えた、という技術的手段を用いる。
【００１４】
請求項３に記載の発明のように、本発明は、質量分析マグネットから導出されたイオンビームを加減速する加減速管を備えたイオン注入装置に適用することができる。
【００１５】
請求項４に記載の発明では、請求項１ないし請求項３のいずれか１つに記載のイオン注入装置において、前記イオン注入装置は、大電流イオン注入装置である、という技術的手段を用いる。
【００１６】
請求項４に記載の発明のように、本発明は、イオンビームの通過経路の内圧の変化により注入イオンの濃度プロファイルの変動が生じやすい大電流イオン注入装置に適用すると好適である。
【００１７】
請求項５に記載の発明では、イオン注入方法において、イオンビ−ムを引き出すイオン源と、引き出されたイオンビームの通過経路と、前記通過経路に設けられ、前記引き出されたイオンビームから特定のイオン種を選別する質量分析マグネットと、前記質量分析マグネットから導出されたイオンビームを加減速する加減速管と、ターゲットにイオン注入を行う注入室と、前記イオンビームの通過経路にガスを導入して、前記通過経路を所定の内圧に制御する内圧制御手段と、を備えたイオン注入装置を用い、前記内圧制御手段により、前記イオンビームの通過経路にガスを導入し、前記通過経路の内圧を所定の内圧に制御した後に、ターゲットにイオン注入を行う、という技術的手段を用いる。
【００１８】
請求項５に記載の発明によれば、内圧制御手段により、イオンビームの通過経路にガスを導入し、通過経路の内圧を所定の内圧に制御した後に、ターゲットにイオン注入を行うため、イオンビームの軌道にガスを存在させることができる。これにより、ガスにイオンビームを衝突させて、イオンの乖離や中性化を生じさせることができるので、ターゲットにイオン注入する不純物の濃度プロファイルを自由に制御できることができる。
【００１９】
請求項６に記載の発明では、請求項５に記載のイオン注入方法において、前記内圧制御手段は、前記通過経路のうち前記質量分析マグネットが設けられた領域にガスを導入するように構成されている、という技術的手段を用いる。
【００２０】
請求項６に記載の発明によれば、内圧制御手段は、通過経路のうち質量分析マグネットが設けられた領域にガスを導入するように構成されているため、排気ポンプを設けることができない当該領域に導入したガスを安定に滞留させることができるとともに、イオン種の選別が行われる領域において、イオンビームをガスに衝突させることができる。
これにより、ガスにイオンビームを衝突させてイオンの乖離や中性化を生じさせる効率を向上させ、精度良く制御することができるので、より少ないガス量でターゲットにイオン注入する不純物の濃度プロファイルを精度良く制御することができる。
【００２１】
請求項７に記載の発明では、請求項５または請求項６に記載のイオン注入方法において、前記内圧制御手段により前記イオンビームの通過経路に導入されるガスは、不活性ガスである、という技術的手段を用いる。
【００２２】
請求項７に記載の発明のように、内圧制御手段によりイオンビームの通過経路に導入されるガスは、不活性ガスであるため、イオンビームと相互作用がなく、イオン源でイオン化する影響を少なくすることができる。
なお、ここで、不活性ガスとは、窒素やＨｅ，Ａｒ，Ｘｅなどの不活性ガス及びこれらの混合ガスを指す。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
この発明に係るイオン注入装置及びイオン注入方法について、図を参照して説明する。図１は、イオン注入装置の構成を示す説明図である。図２は、イオンビームの通過経路の内圧と注入イオンの濃度プロファイルとの関係を示す説明図である。
ここでは、イオン注入装置として、数十ｍＡ以下の高いビーム電流でイオン注入を行う高電流イオン注入装置を例に説明する。
【００２４】
イオン注入装置１０は、ターゲットに注入するイオンを発生させるための原料ガスを供給するガスボトル１１と、原料ガスをプラズマ化し、引出し電極に電圧を印加することによってイオンビ−ムＩＢとして引き出すイオン源１２と、イオンビームＩＢの通過経路１３と、通過経路１３を排気する排気ポンプ１４と、通過経路１３内にガスを導入し、内圧を制御する内圧制御装置１５と、通過経路１３に設けられ、イオン源１２から引き出されたイオンビームＩＢから特定のイオン種を選別する質量分析マグネット１６と、質量分析マグネット１６から導出されたイオンビームＩＢの一部を遮蔽してイオンビームＩＢを整形する可変アパチャー１７と、質量分析マグネット１６から導出されたイオンビームＩＢを所定のエネルギーとなるように加減速する加減速管１８と、注入イオン数を計測するファラデーカップ１９と、ターゲット（半導体基板３０）を保持、走査し、イオン注入を行う注入室２０と、注入室の排気を行う排気ポンプ２１とを備えている。
【００２５】
内圧制御装置１５は、質量分析マグネット１６の近傍において通過経路１３に接続されている。内圧制御装置１５は、イオンビームＩＢと相互作用がなく、イオン源１２でイオン化する影響が少ないガスを、流量を制御して通過経路１３内に導入して、所定の内圧に制御する。例えば、数ｃｃ／ｍｉｎの流量でガスを導入することにより、通過経路１３内の不活性ガス圧を１０-５〜１０-６ｔｏｒｒ程度の範囲で制御することができる。導入するガスは、窒素やＨｅ，Ａｒ，Ｘｅなどの不活性ガス及びこれらの混合ガスが好適に用いられる。
【００２６】
可変アパチャー１７は、質量分析マグネット１６から導出されたイオンビームＩＢの一部を遮蔽してイオンビームＩＢを整形する。イオンビームＩＢが通過するアパチャー幅を調節することにより、イオンビームＩＢの遮蔽量を制御することができ、所望のイオン種以外のイオンをイオンビームＩＢの軌道から除外したり、照射量を調節したりすることができる。
【００２７】
次に、イオン注入装置１０によるイオン注入方法について説明する。ここでは、半導体基板３０にＢＦ２＋イオン及びＢ＋イオンを注入する方法について例示する。
まず、ガスボトル１１から原料ガスであるＢＦ３をイオン源１２に導入する。次に、イオン源１２においてＢＦ３をプラズマ化してイオンを発生させ、引出し電極にマイナス電位を印加して、イオンビ−ムＩＢを引き出す。このとき、イオンビ−ムＩＢには、ＢＦ２＋、ＢＦ＋、Ｂ＋、Ｂ２＋、Ｂ＋＋イオンなどが混在している。
【００２８】
続いて、内圧制御装置１５により、通過経路１３に窒素ガスを、例えば３ｃｃ／ｍｉｎの流量で導入し、内圧を制御する。このとき、通過経路１３は、導入された窒素ガスと排気ポンプ１４による排気とのバランスで１．０×１０-５ｔｏｒｒに保たれる。ここで、図示しない真空計からの出力を用いて、窒素ガスの流量を制御することもできる。
イオン源１２から引き出されたイオンビ−ムＩＢは、通過経路１３内を輸送され、質量分析マグネット１６により軌道を曲げて質量分析することによりＢＦ２＋イオンを選別する。
【００２９】
質量分析マグネット１６を通過したイオンビームＩＢは、主にＢＦ２＋イオンからなる。イオンビームＩＢは、通過経路１３内を注入室２０に向かって輸送されるが、その過程で窒素ガスに衝突し、ＢＦ２＋イオンの一部が乖離し、Ｂ＋イオンが生成する。これにより、イオンビームＩＢには、ＢＦ２＋イオン以外にＢ＋イオンが加わることになる。また、中性化したＢも生成される。
ここで、ＢＦ２＋イオンが乖離して生成するＢ＋イオンの量は、通過経路１３の真空度に依存する。通過経路１３の真空度が低いほど、イオンビームＩＢと窒素ガスが衝突する確率が高くなるため、ＢＦ２＋イオンが乖離しやすくなるので、イオンビームＩＢ中のＢ＋イオンなどの量が増大する。また、中性化したＢの量も増大する。
【００３０】
続いて、ＢＦ２＋イオン及びＢ＋イオンを含むイオンビームＩＢは、可変アパチャー１７を通過し、所定のエネルギーとなるように加減速管１８にて加減速された後に、注入室２０において半導体基板３０に照射される。半導体基板３０は、図示しない走査機構によって機械的に走査され、均一性が高い状態でイオン注入が行われる。
【００３１】
ここで、可変アパチャー１７のアパチャー幅を制御することにより、半導体基板３０に照射されるＢ＋イオンの量を制御することができる。例えば、Ｂ＋イオンの照射を制限しない場合には、可変アパチャー１７のアパチャー幅をＢ＋イオンを遮断しないように拡げて、イオン注入することができる。
【００３２】
以上のように、本実施形態のイオン注入装置１０は内圧制御装置１５を備えているため、イオンビームＩＢの通過経路１３に窒素ガスを導入することによって、イオンビームＩＢの軌道に窒素ガスを存在させることができる。この窒素ガスにイオンビームＩＢが衝突して、ＢＦ２＋イオンが乖離してＢ＋イオンが生成するため、真空度が低いイオン注入装置のイオンビームの状態を再現することができる。
【００３３】
次に、通過経路１３に導入する窒素ガスの流量を変えて、通過経路１３の内圧を変化させたときの半導体基板３０のＢの濃度プロファイルの変化について図２を用いて説明する。図２において、横軸は半導体基板３０の表面からの深さ、縦軸はＢの濃度を示す。
ガス流量は１ｃｃ／ｍｉｎ，３ｃｃ／ｍｉｎ，４ｃｃ／ｍｉｎの３水準とし、イオン注入装置１０に比べてイオンビームの通過経路の真空度が低いイオン注入装置Ｌ１と比較した。
ここで、ガス流量１ｃｃ／ｍｉｎ，３ｃｃ／ｍｉｎ，４ｃｃ／ｍｉｎは、通過経路１３の内圧４．６×１０-６ｔｏｒｒ、１．０×１０-５ｔｏｒｒ、２．１×１０-５ｔｏｒｒにそれぞれ相当する。
【００３４】
ガス流量１ｃｃ／ｍｉｎにおける濃度プロファイルは、イオン注入装置Ｌ１による濃度プロファイルと、半導体基板３０の表面から１５００オングストローム程度深い領域から差異を生じ、低濃度側にシフトしている。
ガス流量を増大させて通過経路１３の内圧を上昇させると、表面から１５００オングストローム以上深い領域におけるＢの濃度が高濃度側にシフトする。
【００３５】
これは、通過経路１３の内圧が高くなるのに伴い、イオンビームＩＢが窒素ガスに衝突する確率が増大するため、ＢＦ２＋イオンの乖離によるＢ＋イオンや中性化したＢの生成量が増大するので、表面から１５００オングストローム以上深い領域に質量の小さいＢ＋イオンなどがイオン注入されやすくなるからである。そして、ガス流量を３ｃｃ／ｍｉｎとすると、イオン注入装置１０による濃度プロファイルを、イオン注入装置Ｌ１による濃度プロファイルと一致させることができる。
このように、ガス流量を増大させて通過経路１３に導入するガス流量によって通過経路１３の内圧を制御することにより、Ｂの濃度プロファイルを制御することができる。更に、可変アパチャー１７、加減速管１８による制御を組み合わせることで、Ｂの濃度プロファイルの制御の自由度を増大させることができる。
【００３６】
内圧制御装置１５を備えていないイオン注入装置では、イオンビームの通過経路の真空度が低いイオン注入装置Ｌ１による濃度プロファイルを再現できないため、イオン注入装置の使い分けをする必要がある。
一方、本実施形態のイオン注入装置１０では、真空度の低いイオン注入装置Ｌ１による半導体基板の濃度プロファイルを再現することができるので、イオン注入装置Ｌ１により製造していた製品を製造することができるとともに、Ｂ＋イオンなどを含まない純度の高いイオン注入も行うことができる。
【００３７】
［最良の形態の効果］
（１）イオン注入装置１０は、イオンビームＩＢの通過経路１３にガスを導入して、通過経路１３を所定の内圧に制御する内圧制御装置１５を備えており、内圧制御装置１５により、イオンビームの通過経路１３にガスを導入し、通過経路１３の内圧を所定の内圧に制御した後に、半導体基板３０にイオン注入を行うため、イオンビームＩＢの軌道にガスを存在させることができる。これにより、ガスにイオンビームＩＢを衝突させて、イオンの乖離や中性化を生じさせることができるので、半導体基板３０にイオン注入する不純物の濃度プロファイルを自由に制御することができる。
内圧制御装置１５によりイオンビームＩＢの通過経路１３に導入されるガスとして、窒素やＨｅ，Ａｒ，Ｘｅなどの不活性ガス及びこれらの混合ガスを用いると、イオンビームＩＢと相互作用がなく、イオン源１２でイオン化する影響を少なくすることができる。
また、本発明は、イオンビームＩＢの通過経路１３の内圧の変化により注入イオンの濃度プロファイルの変動が生じやすい大電流イオン注入装置に好適に適用できる。
【００３８】
（２）イオンビームＩＢの遮蔽量が可変である可変アパチャー１７が、質量分析マグネット１６の下流側に設けられているため、所望のイオン種以外のイオンをイオンビームＩＢの軌道から除外したり、半導体基板３０に照射されるイオンの量を調節したりすることができる。これにより、濃度プロファイルの制御の自由度を増大させることができる。
【００３９】
［その他の実施形態］
（１）本発明は、数１００μＡ以下の低いビーム電流でイオン注入を行う中電流イオン注入装置に適用することもできる。中電流イオン注入装置は、加速管の下流側にイオンビームの整形を行う四極子レンズ、イオンビームを電気的に走査するスキャンプレート、イオンビームがターゲットに垂直に照射されるように電界を加えて平行にするダイポールレンズなどを備えていてもよい。
【００４０】
（２）イオン注入するイオン種として、Ｂ以外にも、例えばＰ、Ａｓなどを用いることができる。このとき、原料ガスとしてＰＦ３またはＰＨ３、ＡｓＨ３をそれぞれ用いることができる。
【００４１】
（３）内圧制御装置１５により通過経路１３にガスを導入する位置は、質量分析マグネット１６近傍に限らず、通過経路１３の内圧を安定させることができる位置であればよい。
例えば、通過経路１３のうち、質量分析マグネット１６が設けられている領域に、内圧制御装置１５によりガスを導入することができる。図３に示すように、質量分析マグネット１６は、通過経路１３を上下方向から挟むように設けられた上部マグネット１６ａと下部マグネット１６ｂとから構成されている。内圧制御装置１５からガスを導入する導入口１５ａは、上部マグネット１６ａと下部マグネット１６ｂとに挟まれた領域１３ａにガスを導入するように設けられている。  上部マグネット１６ａと下部マグネット１６ｂとに挟まれた領域１３ａには、質量分析マグネット１６の磁場や電場の影響により排気ポンプ１４を設けることができないため、導入したガスを領域１３ａに安定に滞留させることができるとともに、イオン種の選別が行われる領域において、イオンビームＩＢを導入されたガスに衝突させることができる。
これにより、ガスにイオンビームＩＢを衝突させて、イオンの乖離や中性化を生じさせる効率を向上させ、精度良く制御することができるので、より少ないガス量で半導体基板３０にイオン注入する不純物の濃度プロファイルを精度良く制御することができる。
上部マグネット１６ａと下部マグネット１６ｂとに挟まれた領域１３ａのうちでも、イオンビームＩＢの上流側からガスを導入すると、イオンビームＩＢが領域１３ａでガスに衝突する確率を増大させることができるので好適である。また、上部マグネット１６ａと下部マグネット１６ｂとに挟まれた領域１３ａのうちでも、排気ポンプ１４より遠い側からガスを導入すると、更にガスを領域１３ａに滞留させやすくなり好適である。
その他、例えば、質量分析マグネット１６と可変アパチャー１７との間からガスを導入する構成を採用することもできる。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】イオン注入装置の構成を示す説明図である。
【図２】イオンビームの通過経路の内圧と注入イオンの濃度プロファイルとの関係を示す説明図である。
【図３】イオンビームの通過経路のうち質量分析マグネットが設けられている領域にガスを導入する構成を示す縦断面説明図である。
【図４】イオンビームの通過経路の真空度が異なるイオン注入装置による半導体基板への注入イオンの濃度プロファイルを示す説明図である。
【符号の説明】
【００４３】
１０    イオン注入装置
１２    イオン源
１３    通過経路
１３ａ  領域
１５    内圧制御装置（内圧制御手段）
１６    質量分析マグネット
１６ａ  上部マグネット
１６ｂ  下部マグネット
１７    可変アパチャー
１８    加減速管
２０    注入室
３０    半導体基板（ターゲット）
ＩＢ    イオンビーム
【図１】
2008198589.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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