(57)【要約】【課題】基板の十分な薄型化と電気光学パネル上への導電膜の形成とを両立することができる電気光学装置の製造方法を提供する。【解決手段】導電材料の塗布溶液をインクジェット法を用いて塗布して第１，第２の導電膜３３，３４を形成することにより、基板（例えば、第２の基板２）の十分な薄型化と液晶表示パネル２０上への各導電膜３３，３４の形成とを両立することができる。すなわち、インクジェット法を用いることにより、液晶表示パネル２０に対して減圧下での処理を行う必要がなく、導電膜形成工程前の液晶表示パネル２０の基板（例えば、第２の基板２）に対して薄型化処理を行った場合にも、基板の破損等を発生させることなく液晶表示パネル２０上に導電膜３３，３４を形成することができる。【選択図】図４
2008216966.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の基板間に電気光学物質を挟持した電気光学パネルを作製するパネル作製工程と、
前記電気光学パネルを構成する一対の基板のうち少なくとも一方の基板の外面上に導電材料の塗布溶液を液滴吐出法を用いて塗布することにより導電膜を形成する導電膜形成工程と、を具備することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項２】
前記導電膜形成工程で前記塗布溶液を塗布する領域は、前記導電膜を形成すべく前記電気光学パネルに設定される導電膜形成領域よりも狭い領域であることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項３】
前記導電膜形成工程は、前記一方の基板に第１の導電膜を形成する第１の導電膜形成工程と、
前記第１の導電膜を形成した領域、前記一方の基板の側面及び他方の前記基板に亘って第２の導電膜を形成して前記第１の導電膜と前記他方の基板とを電気的に接続する第２の導電膜形成工程と、を有することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項４】
前記導電膜形成工程は、前記一方の基板の端面から前記他方の基板にかけて傾斜部を形成する工程を含むことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項５】
前記他方の基板には前記電気光学装置の外部に電気的に導通する端子を有し、前記第２の導電膜を当該端子と重なる領域に形成して導通することを特徴とする請求項４に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項６】
前記第２の導電膜形成工程で用いる塗布溶液の粘度を、前記第１の導電膜形成工程で用いる塗布溶液の粘度よりも相対的に高く設定したことを特徴とする請求項４又は請求項５に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項７】
前記第２の導電膜形成工程で塗布する塗布溶液の単位面積当たりの塗布量を、前記第１の導電膜形成工程で塗布する塗布溶液の単位面積当たりの塗布量よりも相対的に多く設定したことを特徴とする請求項４乃至請求項６のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法を用いて製造されたことを特徴とする電気光学装置。
【請求項９】
請求項８に記載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、各種情報の表示に用いて好適な電気光学装置の製造方法、電気光学装置及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、いわゆる横電界方式と称される液晶装置等の電気光学装置が脚光を浴びている。この方式は、液晶に印加する電界の方向を基板に略平行とする方式であり、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）方式などと比較して視覚特性の向上を図ることができるという利点がある。この横電界方式の液晶装置としては、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）方式、又は、ＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ  Ｆｉｅｌｄ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）方式といった液晶装置が知られている。この横電界方式の液晶装置では、２枚の基板に液晶を挟持してなる構造を有し、櫛歯形状の画素電極と、その画素電極との間で横電界を発生させる共通電極とが、同一の基板上に設けられている。
【０００３】
しかし、このような横電界方式の液晶装置では、外部からの静電気等により電極が設けられていない基板に電荷が帯電した場合に、電極が設けられている基板と電極が設けられていない基板との間にも電界が発生してしまい、適切な表示ができなくなってしまうことがある。
【０００４】
そこで、例えば、特許文献１には、液晶層を介して互いに対向して配置される一対の透明基板のうち、一対の電極（表示用電極及び基準電極）が備えられていない側の透明基板の液晶層とは反対の面側（外面側）の略全域に、ＣＶＤ法により透明導電膜（ＩＴＯ膜）を形成し、当該透明導電膜を導電テープ等を介してグランド接続した技術が開示されている。このように、液晶装置等の電気光学装置においては、基板の外面側にＩＴＯ膜等の導電膜が形成される場合がある。
【０００５】
ところで、液晶装置等の電気光学装置では、薄型化等の要求に応えるべく、一対の基板間に液晶等の電気光学物質を挟持させて電気光学パネルを作製した後の工程で、基板を研磨やエッチング等によって薄型化することが一般的である。例えば、横電界方式の液晶装置においては、一対の基板間に液晶を挟持させて液晶表示パネルを作製した後に、一対の電極が備えられていない側の基板が、例えば板厚０．１ｍｍ〜０．３ｍｍ程度の板厚となるまで薄型加工される場合がある。従って、上述の特許文献１に開示された技術において、基板の外面側に対する導電膜の形成は、必然的に、一対の基板間に液晶を挟持させた後の工程となる。
【０００６】
【特許文献１】特許第３６４５８３４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、ＣＶＤ法による導電膜の成膜は、通常、減圧下で行われるため、上述のように基板を薄型化した場合、成膜時に電気光学パネルの内外で発生する差圧によって基板が破損する虞がある。このため、電気光学パネル上への導電膜の形成を必要とする電気光学装置においては、基板の薄型化に限界があった。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、基板の十分な薄型化と電気光学パネル上への導電膜の形成とを両立することができる電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器を提供することを目的の一つとする。
【０００９】
［適用例１］本適用例にかかる電気光学装置の製造方法は、一対の基板間に電気光学物質を挟持した電気光学パネルを作製するパネル作製工程と、前記電気光学パネルを構成する一対の基板のうち少なくとも一方の基板の外面上に導電材料の塗布溶液を液滴吐出法を用いて塗布することにより導電膜を形成する導電膜形成工程と、を具備することを特徴とする。
【００１０】
このような構成によれば、作製した電気光学パネルに対して減圧下での処理を行う必要がないので、電気光学パネルを構成する基板を十分な薄さまで薄型化した場合にも、基板の破損等を発生させることなく導電膜を形成することができる。
【００１１】
［適用例２］上記適用例にかかる電気光学装置の製造方法において、前記導電膜形成工程で前記塗布溶液を塗布する領域は、前記導電膜を形成すべく前記電気光学パネルに設定される導電膜形成領域よりも狭い領域であることを特徴とする。
【００１２】
このような構成によれば、塗布溶液の拡散を考慮して所望の導電膜形成領域に導電膜を形成することができる。
【００１３】
［適用例３］上記適用例にかかる電気光学装置の製造方法において、前記導電膜形成工程は、前記一方の基板に第１の導電膜を形成する第１の導電膜形成工程と、前記第１の導電膜を形成した領域、前記一方の基板の側面及び他方の前記基板に亘って第２の導電膜を形成して前記第１の導電膜と前記他方の基板とを電気的に接続する第２の導電膜形成工程と、を有することを特徴とする。
【００１４】
このような構成によれば、一方の基板に形成した第１の導電膜の他方に基板に対する電気的な接続を、第２の導電膜を介して容易に実現することができる。
【００１５】
［適用例４］上記適用例にかかる電気光学装置の製造方法において、前記導電膜形成工程は、前記一方の基板の端面から前記他方の基板にかけて傾斜部を形成する工程を含むことを特徴とする。
【００１６】
このような構成によれば、なだらかな上面を有する傾斜部を、一方の基板の端面から他方の基板にかけて形成することで、第１の導電膜および第２の導電膜を、第２の基板の外面上、傾斜部上、および突出部上にかけて、形成することができる。これにより、第１の導電膜および第２の導電膜の十分な導通の確保を妨げる要因を排除することができる。
【００１７】
［適用例５］上記適用例にかかる電気光学装置の製造方法において、前記他方の基板には前記電気光学装置の外部に電気的に導通する端子を有し、前記第２の導電膜を当該端子と重なる領域に形成して導通することを特徴とする。
【００１８】
このような構成によれば、第２の導電膜を電気光学装置の外部に対する電気的な導通を的確に実現することができる。
【００１９】
［適用例６］上記適用例にかかる電気光学装置の製造方法において、前記第２の導電膜形成工程で用いる塗布溶液の粘度を、前記第１の導電膜形成工程で用いる塗布溶液の粘度よりも相対的に高く設定したことを特徴とする。
【００２０】
このような構成によれば、一方の基板から他方の基板に亘って形成される第２の導電膜の導通を的確に確保することができる。
【００２１】
［適用例７］上記適用例にかかる電気光学装置の製造方法において、前記第２の導電膜形成工程で塗布する塗布溶液の単位面積当たりの塗布量を、前記第１の導電膜形成工程で塗布する塗布溶液の単位面積当たりの塗布量よりも相対的に多く設定したことを特徴とする。
【００２２】
このような構成によれば、一方の基板から他方の基板に亘って形成される第２の導電膜の導通を的確に確保することができる。
【００２３】
［適用例８］本適用例にかかる電気光学装置は、上記記載の電気光学装置の製造方法を用いて製造されたことを特徴とする。
【００２４】
このような構成によれば、作製した電気光学パネルに対して減圧下での処理を行う必要がないので、電気光学パネルを構成する基板を十分な薄さまで薄型化した場合にも、基板の破損等を発生させることなく導電膜を形成することができる。
【００２５】
［適用例９］本適用例にかかる電子機器は、上記記載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする。
【００２６】
このような構成によれば、電子機器の十分な薄型化を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、図面を参照して本発明の実施形態を説明する。
（第１実施形態）
【００２８】
図面は本発明の第１実施形態にかかわり、図１は液晶装置の要部断面図、図２は液晶装置の平面図、図３は液晶装置のサブ画素における断面図及び平面図、図４は液晶装置の製造方法を示すフローチャート、図５は液晶表示パネルに対する導電膜の形成領域を示す説明図、図６は導電膜材料噴射ヘッドの底面図、図７は導電膜の形成工程を示す説明図、図８は図１の変形例を示す要部断面図である。
【００２９】
図１及び図２に示す電気光学装置の一例としての液晶装置１００は、例えば、ＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ  Ｆｉｅｌｄ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）方式の液晶装置であり、この液晶装置１００は、電気光学パネルとしての液晶表示パネル２０を有する。
【００３０】
液晶表示パネル２０は、ガラスもしくは石英等からなる一対の基板（第１，第２の基板１，２）を有し、これら第１，第２の基板１，２は、シール材３を介して貼り合わされている。そして、第１，第２の基板１，２は、シール材３によって画成されたセル内部に電気光学物質である液晶４を挟持する。
【００３１】
ここで、液晶表示パネル２０の内部構造について、図３を参照して説明する。なお、図３は、液晶表示パネル２０内における１つのサブ画素を拡大して示すものである。
【００３２】
図３（ａ）に示すように、第１の基板１には、液晶４と対向する側の面（内面）上に一対の電極が絶縁膜を介して形成されている。すなわち、第１の基板１の内面上には、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−ｔｉｎ−ｏｘｉｄｅ）等の透明導電材料により共通電極５が形成され、この共通電極５の上層にはアクリル樹脂等からなる絶縁層７が形成されている。さらに、絶縁層７の上層には、ＩＴＯ等の透明導電材料により画素電極８が形成されている。図３（ｂ）に示すように、画素電極８は、櫛歯形状をなしている。具体的には、画素電極８は、所定間隔毎に配列された、直線形状をなす複数の導電部８ａ〜８ｅを有し、これら導電部８ａ〜８ｅの一端部側が互いに連結されて要部が構成されている。そして、各導電部８ａ〜８ｅは、共通電極５との間に、基板１，２と略平行な方向の成分を有する電界（いわゆる横電界）Ｅを発生させる。
【００３３】
一方、第２の基板２には、液晶４と対向する側の面（内面）上に、カラーフィルタを構成する着色層６が形成され、この着色層６の上層には配向膜９が形成されている。
【００３４】
図１，２に示すように、第１実施形態において、第１の基板１は、第２の基板２に対して相対的に突出する突出部３０を有する。この突出部３０上には複数の配線２３が形成され、各配線２３は、第１の基板１の縁辺部に沿って突出部３０上に配列された外部接続端子２６と電気的に接続されている。また、突出部３０上には、共通電極５と電気的に接続する配線２４が形成され、さらに、画素電極８と電気的に接続する配線２５が形成されている。ここで、第１実施形態において、複数の配線２３のうち、一側の最外部に位置する配線２３ａはグランド用配線として設定されており、このグランド用配線２３ａは、第２の基板２の端部近傍で突出部３０上に形成されたグランド端子２７と電気的に接続されている。なお、上述の配線２３，２４，２５、外部接続端子２６、及びグランド端子２７は、例えば、フォトエッチング法を用いて銅箔をパターニングすることにより形成される。
【００３５】
また、突出部３０上には、液晶駆動用ＩＣ（ドライバ）たるドライバＩＣ２１がＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）技術により直接配置され、さらに、各外部接続端子２６と電気的に接続するフレキシブル基板（ＦＰＣ：Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）２２が配置されている。
【００３６】
そして、ＦＰＣ２２は、配線２３を通じて、ドライバＩＣ２１の一部の端子と電気的に接続されている。また、画素電極８は、配線２４を通じて、ドライバＩＣ２１の共通電位用端子（ＣＯＭ端子）と電気的に接続されている。さらに、画素電極８は、配線２５を通じて、ドライバＩＣ２１の一部の端子と電気的に接続されている。これにより、ドライバＩＣ２１は、ＦＰＣ２２を介して外部から供給された制御信号を基に電界Ｅの大きさを制御する。横電界方式の液晶表示パネル２０では、電界Ｅの大きさを制御することにより、液晶４における液晶分子の配向状態を変化させ、表示画面における階調を変化させる。なお、突出部３０上における短絡等を防止するため、ドライバＩＣ２１は、各配線２３，２４，２５等とともに絶縁体２８で覆われている。
【００３７】
このように構成された液晶表示パネル２０において、第１の基板１の液晶４と対向しない側の面（外面）上には、偏光板３１が設置されている。
【００３８】
一方、第２の基板２の液晶４と対向しない側の面（外面）上には、導電膜（第１の導電膜）３３を介して偏光板３２が設置されている。ここで、第１実施形態において、第１の導電膜３３は、例えば、ＩＴＯ等の透明導電材料からなる塗布溶液を、インクジェット法（液滴吐出法）を用いて塗布することにより、第２の基板２の外面の略前面に形成されている。
【００３９】
また、第１の導電膜３３には第２の導電膜３４が連設されており、この第２の導電膜３４を介して、第１の導電膜３３はグランド端子２７と電気的に接続されている。すなわち、図１，２に示すように、第２の導電膜３４は、第２の基板２の外面上に形成された第１の導電膜３３の縁部から、第２の基板２の端面を経て突出部３０上のグランド端子２７の上層まで延設する帯状の膜で構成されている。ここで、第１実施形態において、第２の導電膜３４は、第１の導電膜３３と同様に、例えば、ＩＴＯ等の透明導電材料からなる塗布溶液を、インクジェット法（液滴吐出法）を用いて塗布することにより形成される。その際、第２の導電膜３４の膜厚は、第１の導電膜３３の膜厚と同等の膜厚に形成されることが望ましい。この場合において、第２の基板２の板厚や、第１，第２の基板１，２間のセルギャップ等に起因する段差部においても的確な導通を確保するため、第２の導電膜３４を形成する際の塗布溶液の粘度は、第１の導電膜３３を形成するときのものよりも相対的に高く設定されることが望ましい。
【００４０】
但し、第２の導電膜３４の十分な導通を確保することが困難な場合には、上述の実施形態の第２の導電膜３４の十分な導通を確保する変形例として、以下に示すものであってもよい。図８（ａ）および（ｂ）に、変形例１および変形例２を示す。
（変形例１）
【００４１】
例えば、図８（ａ）に示すように、第２の導電膜３４を形成する際の塗布溶液の単位面積当たりの塗布量を、第１の導電膜３３に対するものよりも相対的に多く設定する等して、第２の導電膜３４の膜厚を第１の導電膜３３の膜厚よりも相対的に厚く形成することも可能である。
（変形例２）
【００４２】
また、例えば、第１の導電膜３３を形成する塗布溶液と第２の導電膜３４を形成する塗布溶液とを異ならせる場合等には、第２の導電膜３４の形成を、第１の導電膜３３の形成とは独立して行うことも可能である。この場合、例えば図８（ｂ）に示すように、第１の導電膜３３に、偏光板３２から一部突出する端子３３ａを設け、この端子３３ａに第２の導電膜３４の一部を重ねることにより、両導電膜３３，３４間の的確な導電を実現することができる。
【００４３】
そして、第１実施形態の液晶装置１００では、第２の基板２の外面に第１の導電膜３３が形成され、当該第１の導電膜３３が第２の導電膜３４を介してグランド接続されることにより、第２の基板２が静電気等によって帯電して第１，第２の基板１，２間に電界が発生することを的確に防止して、液晶表示パネル２０による適切な表示を実現できる。
【００４４】
次に、第１実施形態に係る液晶装置１００の製造方法について説明する。
図４に示すように、先ず、ステップＳ１において、液晶表示パネル２０の作製工程が行われる。すなわち、第１，第２の基板１，２が貼り合わされ、貼り合わされた第１，第２の基板１，２間に液晶４が挟持された後、第１の基板１の突出部３０上にパターニングされた配線２３，２４，２５と電気的に接続されるように、ＣＯＧ技術によりドライバＩＣ２１、ＦＰＣ２２が基板１に配置される。さらに、例えば、液状の絶縁物質を第１の基板１の突出部３０に塗布した後、硬化することで、突出部３０に配置されているドライバＩＣ２１や配線２３，２４，２５等が絶縁体２８で覆われる。
【００４５】
続く、ステップＳ２において、液晶表示パネル２０を構成する第２の基板２が研磨やエッチング等を用いて例えば０．１ｍｍ〜０．３ｍｍ程度まで薄型化された後（薄型化工程）、ステップＳ３において、第１，第２の導電膜３３，３４の形成が行われる（導電膜形成工程）。
【００４６】
第１実施形態において、第１，第２の導電膜３３，３４の形成は、例えば、ＩＴＯ等の透明導電材料からなる塗布溶液を、インクジェット法を用いて塗布した後、塗布溶液を焼成することにより形成される。
【００４７】
例えば、インクジェット法を用い、塗布溶液を塗布する方法として、図７に示すように、液晶表示パネル２０に塗布溶液を塗布する塗布装置２００は、液晶表示パネル２０を位置決め保持するステージ２０１と、当該ステージ２０１に対して相対移動可能に構成されたヘッド２０２と、ヘッド２０２から噴射（吐出）される塗布溶液の噴射量及び噴射タイミング等を制御するとともに、ステージ２０１とヘッド２０２との相対位置を制御する制御部２０３とを備えて構成されている。
【００４８】
第１実施形態において、ヘッド２０２は、制御部２０３からの信号に基づいて、第１の導電膜３３形成用の第１の塗布溶液と、第２の導電膜３４形成用の第２の塗布溶液とを選択的に噴射可能となっている。すなわち、例えば、図６に示すように、ヘッド２０２の底面には、第１の塗布溶液を噴射するための複数のノズルが配列された第１のノズル群２０２ａと、第２の塗布溶液を噴射するための複数のノズルが配列された第２のノズル群２０２ｂとが形成され、これらノズル群２０２ａ，２０２ｂからいずれかの塗布溶液を選択的に噴射することが可能となっている。なお、第２の塗布溶液の粘度は第１の塗布溶液の粘度よりも相対的に高く設定されている。また、第２のノズル群２０２ｂを形成する各ノズルの開口径を、第１のノズル群２０２ａを形成する各ノズルの開口径よりも大きく設定すれば、第２のノズル群２０２ｂから噴射される塗布溶液の単位面積当たりの噴射量（塗布量）を、第１のノズル群２０２ａからのものよりも相対的に多くなるよう設定することも可能である。
【００４９】
ここで、図５に示すように、第１の塗布溶液を塗布すべく液晶表示パネル２０に設定される第１の塗布領域Ｂ１は、第１の導電膜３３の形成領域Ａ１よりも狭い領域に設定されている。同様に、液晶表示パネル２０に対して第２の塗布溶液を塗布すべく液晶表示パネル２０に設定される第２の塗布領域Ｂ２は、第２の導電膜３４の形成領域Ａ２よりも狭い領域に設定されている。すなわち、各塗布領域Ｂ１，Ｂ２は、各塗布溶液の粘度や塗布量等に基づいて想定される塗布溶液の周囲への拡散量等を考慮した上で、各導電膜３３，３４の形成領域Ａ１，Ａ２よりも相対的に狭い領域に設定されている。
【００５０】
そして、第１の塗布領域Ｂ１に対し、ヘッド２０２の第１のノズル群２０２ａから第１の塗布溶液が噴射（塗布）されることにより（図７（ａ）参照）、所望の領域（形成領域Ａ１）に第１の導電膜３３が形成される。同様に、第２の塗布領域Ｂ２に対し、ヘッド２０２の第２のノズル群２０２ｂから塗布溶液が噴射（塗布）されることにより（図７（ｂ）参照）、所望の領域（形成領域Ａ２）に第２の導電膜３４が形成される。
【００５１】
その後、ステップＳ４において、第１の基板１上に偏光板３１が配置されると共に、第１の導電膜３３が形成された第２の基板２上に偏光板３２が配置される。
【００５２】
このような実施形態によれば、導電材料の塗布溶液をインクジェット法を用いて塗布して第１，第２の導電膜３３，３４を形成することにより、基板（例えば、第２の基板２）の十分な薄型化と液晶表示パネル２０上への各導電膜３３，３４の形成とを両立することができる。すなわち、インクジェット法を用いることにより、液晶表示パネル２０に対して減圧下での処理を行う必要がなく、導電膜形成工程前の液晶表示パネル２０の基板（例えば、第２の基板２）に対して薄型化処理を行った場合にも、基板の破損等を発生させることなく液晶表示パネル２０上に導電膜３３，３４を形成することができる。この場合、特に、第２の基板２側から第１の基板１側へと３次元的に形成される第２の導電膜３４の形成は、第２の基板２を薄型化する程、有利なものとなる。
【００５３】
また、インクジェット法を用いた成膜方法を採用することにより、予め設定された塗布領域（第１、第２の塗布領域Ｂ１，Ｂ２）にのみ塗布溶液を塗布することができ、塗布溶液を無駄なく使用することができる。しかも、所望の導電膜（第１，第２の導電膜３３，３４）を形成する際にエッチング等の処理を必要としないため、簡単な工程で導電膜を形成することができる。
【００５４】
また、グランド端子２７に対する第１の導電膜３３のグランド接続を、第２の導電膜３４を介して行うことにより、導電テープ等を介して行う場合に比べ、第２の基板２を小型化することができる。すなわち、第１の導電膜３３のグランド接続を導電テープ等を介して行った場合、第２の基板２上に導電テープ等の貼着スペースを必要とするが、第２の導電膜３４を用いた場合には、このようなスペースを必要としないため、第２の基板２を小型化することができる。
【００５５】
なお、上述の実施形態においては、第１の導電膜３３を突出部３０上においてグランド接続した一例について説明したが、例えば、サブディスプレイを連設する液晶装置のように、グランドラインが突出部３０以外にも配索される液晶装置においては、当該グランドラインが配索されている任意の場所で第１の導電膜３３をグランド接続することが可能である。
【００５６】
また、上述の実施形態においては、液晶表示パネル２０上の各塗布領域Ｂ１，Ｂ２に対応する２種類のノズル群２０２ａ，２０２ｂをヘッド２０２に設定し、これら各ノズル群２０２ａ，２０２ｂから塗布溶液を選択的に噴射することで第１，第２の導電膜３３，３４を形成する一例について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、単一のノズル群が設定されたヘッドを用いて各導電膜３３，３４を形成することも可能である。この場合、例えば、各塗布領域Ｂ１，Ｂ２に対する塗布溶液の塗布回数を調整することで、各導電膜３３，３４の膜厚等を制御することが可能である。
【００５７】
また、上述の実施形態においては、液晶表示パネル２０に対し、第１，第２の導電膜３３，３４をインクジェット法を用いて形成した一例について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、第１の導電膜３３のみをインクジェット法を用いて形成し、当該第１の導電膜３３を導電テープを介してグランド接続してもよいことは勿論である。さらに、液晶表示パネル２０に対し、他の用途に供する導電膜をインクジェット法を用いて形成してもよいことは勿論である。
（第２実施形態）
【００５８】
以下に、第２実施形態について説明する。図９に第２実施形態による液晶装置の概略図を示す。第１実施形態と同様の構成および製造工程については、同一の符号および工程名称を付与し、説明を省略する。
【００５９】
第２実施形態による液晶装置が、第１実施形態による液晶装置に対して相違する点は、傾斜部４０を備えることである。
図９に示すように、一方の基板２の端面から他方の基板１にかけて、傾斜部４０が形成されている。つまり、第２の基板２の板厚や、第１，第２の基板１，２間のセルギャップ等に起因する上述の段差部から突出部３０上にかけて、紫外線硬化性を有するＵＶモールド樹脂などからなる傾斜部４０が形成されている。傾斜部４０は、上述の段差部の一部を覆い隠している。そして、傾斜部４０は、第２の基板２の外面から、突出部３０上にかけて、傾斜している。つまり、上述の段差部の急峻と比較して、傾斜部４０の上面は、なだらかに形成されている。
【００６０】
第２実施形態による液晶装置の製造方法が、第１実施形態による液晶装置の製造方法に対して相違する点は、ステップＳ２において薄膜化された後に傾斜部４０を形成し、その後ステップＳ３が行われることである。
【００６１】
ステップＳ２において、傾斜部４０を形成する方法について、以下に説明する。
段差部から突出部３０上にかけて、紫外線硬化性を有するＵＶモールド樹脂を塗布する。その後、紫外線照射を行うことによりＵＶモールド樹脂を硬化処理する。
【００６２】
その後、ステップＳ３において、第２の基板２の外面上、傾斜部４０上、および突出部３０上にかけて、ＩＴＯ等の透明導電材料からなる第１の塗布溶液および第２の塗布溶液を、第１実施形態と同様に、インクジェット法を用いて塗布する。その後、塗布溶液を焼成することにより、第１の導電膜３３および第２の導電膜３４を形成する。
【００６３】
その後、ステップ４を行う。これにより、図９に示す液晶装置１００を得る。ここで、第１の塗布溶液および第２の塗布溶液の粘度は、第１実施形態と同様に設定されることに限らず、同等の粘度であってもよい。
【００６４】
第２実施形態によれば、第１実施形態と同様の効果を得るとともに、以下に示す効果を得ることができる。
【００６５】
したがって、第２実施形態によれば、なだらかな上面を有する傾斜部４０を、上述の段差部に形成することで、第１の導電膜３３および第２の導電膜３４を、第２の基板２の外面上、傾斜部４０上、および突出部３０上にかけて、形成することができる。これにより、第１の導電膜３３および第２の導電膜３４の十分な導通の確保を妨げる要因を排除することができる。特に、第２の基板２の外面と端面とが接する部分およびこの部分の近傍において、十分な導通の確保を妨げる要因を排除することができる。ここで、十分な導通の確保を妨げる要因としては、第１の導電膜３３および第２の導電膜３４の厚さが確保されないことが例示される。また、第２の基板２の外面と端面とが接する部分およびこの部分の近傍において、第１の導電膜３３および第２の導電膜３４の少なくとも一部が破断されることが例示される。
【００６６】
また、第１の塗布溶液および第２の塗布溶液の粘度は、第１実施形態と同様に設定されることに限定されないため、第１の塗布溶液からなる第１の導電膜３３と、第２の塗布溶液からなる第２の導電膜３４とは、粘度または材質などが相違することによる不具合を排除することができる。ここで、この不具合としては、第１の導電膜３３と第２の導電膜３４とが、連続的に形成されない、途切れる、または破断するなどが挙げられる。そして、この不具合による第１の導電膜３３と第２の導電膜３４との間の導通不良も、この不具合として含まれる。
（第３実施形態）
【００６７】
以下に、第３実施形態について説明する。図１０に第３実施形態による液晶装置の概略図を示す。第３実施形態による液晶装置は、図９に示した第２実施形態と同様の構成であるが、製造方法が相違する。このため、同一の符号を付与し、構成の説明を省略する。
【００６８】
以下に、第３実施形態に係る液晶装置１００の製造方法について説明する。
第３実施形態による液晶装置が、第２実施形態による液晶装置に対して相違する点は、第１の導電膜を形成する材料である。第１の導電膜を形成する材料は、透明導電材料を含む樹脂からなる塗布溶液である。
そして、第３実施形態による液晶装置の製造方法が、第２実施形態による液晶装置の製造方法に対して相違する点は、ステップＳ３において、偏光板３２に塗布溶液を塗布して第１の導電膜３３ｂを形成することである。
【００６９】
ステップＳ３において、形成領域Ａ１または塗布領域Ｂ１（図５参照）に、透明導電材料を含む樹脂からなる塗布溶液を塗布する。そして、透明導電材料を含む樹脂からなる塗布溶液を、塗布装置２００を用いて、塗布領域Ｂ２（図５参照）に塗布する。ここで、塗布する方法は、前述と同様にインクジェット法に限らず、スクリーン印刷などのウェットプロセスであってもよい。
【００７０】
その後、ステップＳ４において、透明導電材料を含む樹脂からなる塗布溶液により第１の導電膜３３ｂが形成された偏光板３２を配置する。これにより、第２の基板２と偏光板３２とを、塗布溶液により貼り合わせる。その後、焼成することにより、第１の導電膜３３および第２の導電膜３４を形成する。ここで、第１の塗布溶液および第２の塗布溶液の粘度は、第１実施形態と同様に設定されることに限らず、同等の粘度であってもよい。
【００７１】
これにより、図１０に示す液晶装置１００を得る。したがって、第３実施形態によれば、上述の各実施形態と同様の効果を得ることができる。
（第４実施形態）
【００７２】
以下に、第４実施形態について説明する。図１１に第４実施形態による液晶装置の概略図を示す。第３実施形態と同様の構成および製造工程については、同一の符号および工程名称を付与し、説明を省略する。
【００７３】
以下に、第４実施形態に係る液晶装置１００の製造方法について説明する。
第４実施形態が、第３実施形態に対して相違する点は、第２の導電膜を形成する材料および方法である。つまり、第４実施形態は、ステップＳ３において、スパッタリングに代表されるドライプロセスによる製造方法で、第２の導電膜３４ｂを形成する。
【００７４】
ステップＳ３において、ＩＴＯ等の透明導電材料を、スパッタリングにより、塗布領域Ｂ２（図５参照）に第２の導電膜３４ｂを形成する。つまり、第２の基板２の外面上、傾斜部４０上、および突出部３０上にかけて、スパッタリングにより、第２の導電膜３４ｂを形成する。
【００７５】
その後、ステップＳ４を第３実施形態と同様に行う。これにより、図１１に示す液晶装置１００を得る。したがって、第４実施形態によれば、上述の各実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００７６】
次に、上述の実施形態に係る液晶装置１００を携帯電話機の表示部に適用した例について説明する。図１２に示すように、携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０１の他、受話口１２０２、送話口１２０３と共に上述した液晶装置１００を備えるものである。なお、同図においては、液晶表示パネル２０の表示領域が、カバーガラス１２０４を介して外嵌として現れている。
【産業上の利用可能性】
【００７７】
なお、上述の実施形態の電気光学装置は、ＦＦＳ方式の液晶装置だけでなく、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）方式の液晶装置に対しても同様に適用することが可能であり、さらに、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）方式の液晶装置等にも適用可能である。また、液晶装置だけでなく、エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置、プラズマディスプレイ装置、電気泳動ディスプレイ装置、電子放出を用いた装置（Field Emission Display 及び Surface-Conduction Electron-Emitter Display 等）、ＤＬＰ（登録商標）（Digital Light Processing）（別名ＤＭＤ：Digital Micromirror Device）等の各種の電気光学装置においても上述の実施形態を同様に適用することが可能である。
【００７８】
また、上述の実施形態は、半導体基板に素子を形成する表示用デバイス、例えばＬＣＯＳ（Liquid Crystal On Silicon）等にも適用可能である。
【００７９】
ＬＣＯＳでは素子基板として単結晶シリコン基板を用い、画素や周辺回路に用いるスイッチング素子としてトランジスタを単結晶シリコン基板に形成する。また、画素には反射型の画素電極を用い、画素電極の下層に画素の各素子を形成する。
【００８０】
また、上述の実施形態の電気光学装置が適用される電子機器としては、携帯電話の他にも、デジタルスチルカメラや、ノートパソコン、液晶テレビ、ビューファインダ型（またはモニタ直視型）のビデオレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等が挙げられる。そして、これらの各種電子機器の表示装置として、上述した電気光学装置が適用可能であることは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００８１】
【図１】第１実施形態の液晶装置の要部断面図。
【図２】第１実施形態の液晶装置の平面図。
【図３】第１実施形態の液晶装置のサブ画素における断面図及び平面図。
【図４】第１実施形態の液晶装置の製造方法を示すフローチャート。
【図５】第１実施形態の液晶表示パネルに対する導電膜の形成領域を示す説明図。
【図６】第１実施形態の導電膜材料噴射ヘッドの底面図。
【図７】第１実施形態の導電膜の形成工程を示す説明図。
【図８】第１実施形態の変形例を示す要部断面図。
【図９】第２実施形態の液晶装置を示す概略図。
【図１０】第３実施形態の液晶装置を示す概略図。
【図１１】第４実施形態の液晶装置を示す概略図。
【図１２】本発明の液晶装置を適用した電子機器を示す概略図。
【符号の説明】
【００８２】
１…第１の基板（他方の基板）、２…第２の基板（一方の基板）、４…液晶（電気光学物質）、２０…液晶表示パネル（電気光学パネル）、２７…グランド端子、３３…第１の導電膜、３４…第２の導電膜、１００…液晶装置（電気光学装置）、１２００…携帯電話機、Ａ１，Ａ２…導電膜の形成領域、Ｂ１，Ｂ２…塗布領域。
【図１】
2008216966.tif 000003
【図２】
2008216966.tif 000004
【図３】
2008216966.tif 000005
【図４】
2008216966.tif 000006
【図５】
2008216966.tif 000007
【図６】
2008216966.tif 000008
【図７】
2008216966.tif 000009
【図８】
2008216966.tif 000010
【図９】
2008216966.tif 000011
【図１０】
2008216966.tif 000012
【図１１】
2008216966.tif 000013
【図１２】
2008216966.tif 000014