(57)【要約】【課題】本発明の目的は、スパッタリングを適用して樹脂層上に膜を良好に形成することにある。【解決手段】集積回路１２が形成され、集積回路１２に電気的に接続された電極１４を有する半導体基板１０を用意する。半導体基板１０に樹脂層１８を形成する。電極１４に電気的に接続するように、電極１４上から樹脂層１８上に配線２０を形成する。配線２０の形成工程は、１００℃以下の温度で行うスパッタリングによる第１の膜２４の形成と、第１の膜２４形成の後に２００℃以上の温度で行うスパッタリングによる第２の膜２６の形成と、を含む。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積回路が形成され、前記集積回路に電気的に接続された電極を有する半導体基板を用意する工程と、
前記半導体基板に樹脂層を形成する工程と、
前記電極に電気的に接続するように、前記電極上から前記樹脂層上に配線を形成する工程と、
を含み、
前記配線の形成工程は、１００℃以下の温度で行うスパッタリングによる第１の膜形成と、前記第１の膜形成の後に２００℃以上の温度で行うスパッタリングによる第２の膜形成と、を含む半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載された半導体装置の製造方法において、
前記第１及び第２の膜形成では、Ａｕのスパッタリングを行う半導体装置の製造方法。
【請求項３】
集積回路が形成され、前記集積回路に電気的に接続された電極を有する半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された樹脂層と、
前記電極に電気的に接続されるように、前記電極上から前記樹脂層上に形成された配線と、
を有し、
前記配線は、第１の膜と、前記第１の膜上の第２の膜と、を含み、
前記第１の膜を構成する結晶粒は、前記第２の膜を構成する結晶粒よりも小さい半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
能動面に形成された樹脂層と、電極パッドの表面から樹脂層の表面にかけて配設された配線と、を備える半導体装置が知られている（特許文献１）。樹脂層とその上の配線は外部端子を構成している。樹脂層上に配線を形成するときに、スパッタリングを適用すると、熱によって樹脂層からガスが発生する。ガスの発生によって樹脂層上には膜が付きにくいという問題があった。
【特許文献１】特開平２−２７２７３７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明の目的は、スパッタリングを適用して樹脂層上に膜を良好に形成することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
（１）本発明に係る半導体装置の製造方法は、
集積回路が形成され、前記集積回路に電気的に接続された電極を有する半導体基板を用意する工程と、
前記半導体基板に樹脂層を形成する工程と、
前記電極に電気的に接続するように、前記電極上から前記樹脂層上に配線を形成する工程と、
を含み、
前記配線の形成工程は、１００℃以下の温度で行うスパッタリングによる第１の膜形成と、前記第１の膜形成の後に２００℃以上の温度で行うスパッタリングによる第２の膜形成と、を含む。本発明によれば、先に低温（１００℃以下）でスパッタリングを行うので、樹脂層からのガスの発生を減らして膜を形成することができ、その後、高温（２００℃以上）でスパッタリングを行うので効率的に膜形成を行うことができる。
（２）この半導体装置の製造方法において、
前記第１及び第２の膜形成では、Ａｕのスパッタリングを行う半導体装置の製造方法。
（３）本発明に係る半導体装置は、
集積回路が形成され、前記集積回路に電気的に接続された電極を有する半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された樹脂層と、
前記電極に電気的に接続されるように、前記電極上から前記樹脂層上に形成された配線と、
を有し、
前記配線は、第１の膜と、前記第１の膜上の第２の膜と、を含み、
前記第１の膜を構成する結晶粒は、前記第２の膜を構成する結晶粒よりも小さい。本発明によれば、第１の膜の結晶粒が小さいので緻密な膜になっており、第２の膜は結晶粒が大きいので樹脂層の立ち上がる側面上方にも形成されており、全体的に断線のない良好な配線が得られている。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００５】
図１は、本発明の実施の形態に係る半導体装置を示す平面図である。図２は、図１に示す半導体装置のII-II線断面図である。
【０００６】
半導体装置は、半導体基板１０を有する。半導体基板１０は、最終製品としての半導体装置においては半導体チップであるが、最終製品を得る前の段階では、半導体ウエハである。半導体ウエハを切断して半導体チップが得られる。半導体基板１０には、集積回路１２（半導体チップには１つの集積回路１２／半導体ウエハには複数の集積回路１２）が形成されている。半導体基板１０は、内部配線（図示せず）を介して集積回路１２に電気的に接続された電極１４を有する。半導体チップとしての半導体基板１０は、一方向に長い形状（平面形状が長方形）であって、長い方の辺に沿って、複数の電極１４が配列されていてもよい。
【０００７】
半導体基板１０には、電極１４の少なくとも一部が露出する様にパッシベーション膜１６が形成されている。パッシベーション膜１６は、例えば、ＳｉＯ２やＳｉＮ等の無機材料のみで形成されていてもよい。パッシベーション膜１６は、集積回路１２の上方に形成されている。
【０００８】
パッシベーション膜１６上に樹脂層１８が形成されている。樹脂層１８の材料としては、例えばポリイミド樹脂、シリコーン変性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ；benzocyclobutene）、ポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ；polybenzoxazole）、フェノール系樹脂等の樹脂を用いてもよい。
【０００９】
複数の電極１４上からそれぞれ樹脂層１８上に複数の配線２０が形成されている。配線２０が、電極１４に電気的に接続されて樹脂層１８上に形成されている。配線２０は、電極１４上から、パッシベーション膜１６上を通って、樹脂層１８上に至る。配線２０は、電極１４上で電極１４に電気的に接続している。配線２０と電極１４は直接接触していてもよいし、両者間に導電膜（図示せず）が介在していてもよい。配線２０は、樹脂層１８の、電極１４とは反対側の端部を越えて、パッシベーション膜１６上に至るように形成されている。
【００１０】
配線２０は、樹脂層１８に密着する下地膜（例えばＴｉＷ膜）２２と、下地膜２２上に形成された第１の膜２４と、第１の膜２４上に第１の膜２４と同一材料（例えばＡｕ）から形成された第２の膜２６と、を含む。第１の膜２４を構成する結晶粒は、第２の膜２６を構成する結晶粒よりも小さい。本実施の形態によれば、第１の膜２４の結晶粒が小さいので緻密な膜になっており、第２の膜２６は結晶粒が大きいので樹脂層１８の立ち上がる側面上方にも形成されており、全体的に断線のない良好な配線２０が得られている。
【００１１】
図３（Ａ）〜図３（Ｄ）は、本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。本実施の形態では、集積回路１２が形成され、集積回路１２に電気的に接続された電極１４を有する半導体基板１０を用意する。図３（Ａ）に示すように、半導体基板１０に樹脂層１８を形成する。そして、電極１４に電気的に接続するように、電極１４上から樹脂層１８上に配線２０を形成する。配線２０の形成工程では、電極１４及び樹脂層１８上に下地膜（例えばＴｉＷ膜）２２を形成する。
【００１２】
図３（Ｂ）に示すように、下地膜２２上に、１００℃以下の温度（例えば室温）で行うスパッタリングによって第１の膜２４を形成する。第１の膜２４の形成では、Ａｕのスパッタリングを行う。低温によるスパッタリングであるため、樹脂層１８からのガスの発生を抑えることができる。
【００１３】
図３（Ｃ）に示すように、第１の膜２４の形成後に２００℃以上の温度で行うスパッタリングによって第２の膜２６を第１の膜２４上に形成する。第２の膜２６の形成では、Ａｕのスパッタリングを行う。高温によるスパッタリングであるため、樹脂層１８の立ち上がる側面上方にも粒子を付着させることができるが、樹脂層１８からガスが発生する。しかし、第１の膜２４にて樹脂層１８が覆われているので、第２の膜２６の形成を良好に行うことができる。
【００１４】
本実施の形態によれば、先に低温（１００℃以下）でスパッタリングを行うので、樹脂層１８からのガスの発生を減らして第１の膜２４を形成することができ、その後、高温（２００℃以上）でスパッタリングを行うので効率的に第２の膜２６の形成を行うことができる。なお、低温のスパッタリングによって形成された膜の結晶粒は、高温のスパッタリングによって形成された膜の結晶粒よりも小さいことが知られている。
【００１５】
図３（Ｄ）に示すように、第１及び第２の膜２４，２６を配線２０の形状にエッチングしてパターニングする。パターニングされた第１及び第２の膜２４，２６をマスクとして下地膜２２をウェットエッチングによってパターニングする（図２参照）。
【００１６】
本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び結果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】図１は、本発明の実施の形態に係る半導体装置を示す平面図である。
【図２】図２は、図１に示す半導体装置のII-II線断面図である。
【図３】図３（Ａ）〜図３（Ｄ）は、本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。
【符号の説明】
【００１８】
１０…半導体基板、  １２…集積回路、  １４…電極、  １６…パッシベーション膜、  １８…樹脂層、  ２０…配線、  ２２…下地膜、  ２４…第１の膜、  ２６…第２の膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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