(57)【要約】【課題】半導体デバイス近傍に配置させる集積化受動素子において、小型で高い信頼性を有する集積化受動素子及びこの集積化受動素子を内蔵した多層配線基板並びにそれらの製造方法を提供する。【解決手段】基板上に形成された薄膜受動素子１２１に接続される第１の配線１０７を、その断面形状が薄膜受動素子１２１との接続部を下底とした台形状をなし、上底より下底の方が大きくなるように形成する。また、第１の絶縁層１１０に対して、第１の配線１０７の上面に通じる開口１０９ａと、第１の配線１０７に設けられる第１の配線斜面１０８に通じる開口１０９ｂとを設け、これらの開口を介して第１の配線１０７と第２の配線１１１とを接続する。【選択図】図１
2008198798.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された複数の薄膜受動素子と、前記基板上に形成され前記薄膜受動素子に接続された第１の配線と、前記第１の配線上に形成された第１の絶縁層と、この第１の絶縁層上に形成され前記第１の絶縁層に設けられた開口を介して前記第１の配線に接続された第２の配線と、を有し、前記第１の配線の断面形状は、前記第１の配線と前記薄膜受動素子との接続部を下底とした台形状をなし、上底より下底の方が大きいことを特徴とする集積化受動素子。
【請求項２】
前記開口が、前記第１の配線１本につき少なくとも１箇所設けられていることを特徴とする請求項１に記載の集積化受動素子。
【請求項３】
前記開口が、前記第１の配線の台形の傾斜面に対して、１面につき少なくとも１箇所設けられていることを特徴とする請求項１又は２に記載の集積化受動素子。
【請求項４】
前記第１の配線の台形断面の上底端と下底端とを結んだ斜辺が、下に凸の曲線であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の集積化受動素子。
【請求項５】
前記薄膜受動素子が、抵抗体並びに下部電極、誘電体及び上部電極からなるキャパシタのうちの少なくとも一方を有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の集積化受動素子。
【請求項６】
前記薄膜受動素子がキャパシタを有し、前記キャパシタの誘電体端部を保護するための前記第１の絶縁層とは異なる層間絶縁膜を有することを特徴とする請求項５に記載の集積化受動素子。
【請求項７】
前記層間絶縁膜が前記上部電極と前記第１の配線とで狭持されていないことを特徴とする請求項６に記載の集積化受動素子。
【請求項８】
前記薄膜受動素子が更に抵抗体を有し、前記層間絶縁膜が、更に前記抵抗体を保護するように形成されていることを特徴とする請求項６又は７に記載の集積化受動素子。
【請求項９】
前記薄膜受動素子が更に抵抗体を有し、前記層間絶縁膜上に、前記抵抗体が形成されていることを特徴とする請求項６又は７に記載の集積化受動素子。
【請求項１０】
前記第１の絶縁層が、絶縁性樹脂により形成されていることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の集積化受動素子。
【請求項１１】
前記基板が、基体と、この基体の上に形成された絶縁体とを有するものであることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の集積化受動素子。
【請求項１２】
前記基板が、シリコン基板であることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の集積化受動素子。
【請求項１３】
前記基板が、ガラス基板であることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の集積化受動素子。
【請求項１４】
基板上に形成された薄膜受動素子の上に、断面形状が台形状をなし、下底が前記薄膜受動素子に接続され、上底が下底より小さい第１の配線を形成することを特徴とする集積化受動素子の製造方法。
【請求項１５】
前記第１の配線を形成する工程は、導電膜を基板全面に形成する工程と、この導電膜を化学エッチングによって断面が上底より下底が大きい台形状になるように加工する工程と、を有することを特徴とする請求項１４に記載の集積化受動素子の製造方法。
【請求項１６】
前記第１の配線を形成する工程は、断面形状が台形で上底が下底より大きい複数の樹脂パターンを形成する工程と、この樹脂パターンの間に導電膜を形成する工程と、前記樹脂パターンを除去して前記導電膜からなる第１の配線を形成する工程と、を有することを特徴とする請求項１４に記載の集積化受動素子の製造方法。
【請求項１７】
請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の集積化受動素子の前記第１及び第２の配線が多層配線構造の一部を構成することを特徴とする集積化受動素子内蔵多層配線基板。
【請求項１８】
請求項１４乃至１６のいずれか１項に記載の集積化受動素子の製造方法により前記第１の配線が多層配線構造に組み込まれた集積化受動素子内蔵多層配線基板を製造することを特徴とする集積化受動素子内蔵多層配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体デバイス近傍に配置される集積化受動素子及び集積化受動素子内蔵多層配線基板並びにそれらの製造方法に関し、特に、高い信頼性を有する集積化受動素子及び受動素子内蔵多層配線基板並びにそれらの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の高性能化・高機能化を図るために、受動部品の高密度実装に対する市場の要求が高まっている。このような要求に応えるために様々な技術開発が進められている。例えば高周波回路及びアナログ回路に利用される多層配線基板では、これらの回路で用いられる受動素子（抵抗、キャパシタ、インダクタ）の集積化が図られている。より具体的には、フィルム（薄膜）状の部品及びチップ部品を、樹脂などを基材とした多層配線基板に埋め込むことが行われている。
【０００３】
図４は、従来構造の集積化受動素子の一例を示す断面図である。図４において、基材１０１上には薄膜受動素子１２１が形成されている。薄膜受動素子１２１は、例えば薄膜抵抗素子、薄膜キャパシタ素子又は薄膜インダクタ素子である。薄膜受動素子１２１上には第１の配線１０７が形成されている。第１の配線１０７の断面は矩形状である。第１の配線１０７上には第１の絶縁膜１１０が形成されている。第１の絶縁膜１１０には、第１の配線１０７の上面において第１の配線１０７と第２の配線１１１とが接続されるように開口１０９ａが設けられている。第１の絶縁膜１１０上には第２の配線１１１が形成されている。第２の配線１１１は、開口１０９ａを介して第１の配線１０７と接続される。
【０００４】
ここで、フィルム状の受動部品では、その厚みが数１０μｍ程度と薄い部品がある。これらフィルム状の受動部品を樹脂からなる多層配線基板内に配置することで、チップ部品を多層配線基板に表面実装した場合に比べて、小型化・薄型化が可能となる。しかし、例えばフィルム状の抵抗素子では、多層配線基板内に埋め込む熱プレス工程での応力により、抵抗薄膜に亀裂が生じ、断線あるいは高抵抗化するという問題点があった。この問題点に対して、特許文献１では熱プレス工程で内蔵する受動部品に印加される応力を分散するために、上下層の配線構造で受動素子への応力を緩和する構造が提案されている。また特許文献２では、多層配線基板に埋め込むフィルム状部品に空隙を設けることで、多層配線基板への内蔵工程で掛かる応力を吸収する構造が提案されている。これらの構造によれば、多層配線基板への薄膜受動部品を内蔵する工程における受動部品の電気特性変動、短絡及び開放不良を抑制することが可能である。
【０００５】
一方、受動部品を樹脂からなる多層配線基板に内蔵する技術に対して、非特許文献１に開示された手法が行われている。即ち、薄膜受動素子及び配線をシリコン又はガラスを基材とする平坦でかつリジッドである基板の上に形成する。その後、配線層を形成し、集積化受動素子を高度に集積化することが行われている。ここで、集積化受動素子を有する多層配線基板に用いられる層間絶縁膜はＢＣＢ(ベンゾシクロブテン)、ポリイミド、エポキシ樹脂などからなる。これらは、シリコン酸化膜又はシリコン窒化膜のような無機絶縁膜に比して膜厚を厚く形成できる樹脂である。このため、これらの樹脂を用いた多層配線基板は高周波特性に優れた特性が得られる。
【０００６】
しかしながら、これらの樹脂の熱膨張係数は上記シリコン基板又はガラス基板及び薄膜受動素子を構成する材料の熱膨張係数に比べ、１桁程度大きい。このため、多層配線基板の信頼性試験の一種である熱サイクル試験時において、層間絶縁樹脂の熱膨張及び熱収縮によって生じる熱応力によって配線から層間絶縁膜が剥離することが明らかになった。更に、薄膜集積化受動素子と数μｍ厚の配線との接合面外周部においては、配線の内部応力のみならず熱応力が集中する。これにより、薄膜集積化受動素子に亀裂が生じたり薄膜受動素子から層間絶縁膜が剥離したりする。その結果として、抵抗素子では抵抗値上昇及び断線が引き起こされることが明らかになった。また、キャパシタ素子では静電容量変化、絶縁破壊及び開放不良が引き起こされることが明らかになった。上述の層間絶縁膜が剥離する問題点に対しては、特許文献３で配線とその上に形成する層間絶縁膜との密着性を強化するための密着強化層を挿入する製造方法が提案されている。
【０００７】
【特許文献１】特開２００４−３１１６２８号公報
【特許文献２】特開２００４−７１５８９号公報
【特許文献３】特許２６２１７２９号
【非特許文献１】ＩＥＥＥ  Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ  Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ  ２０００  Ａｓｉａ−Ｐａｃｉｆｉｃ，ｐ２２１−２２４
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、化学的な結合によって層間絶縁膜と配線又は集積化受動素子の密着性を強化させた場合、以下のような問題点があった。即ち、例えば抵抗素子では抵抗膜と層間絶縁膜密着層との間に抵抗体とは抵抗率が異なる界面層形成により、層間絶縁膜の形成前後において抵抗値が変動するという問題点があった。また、その後の信頼性試験においても、密着層と抵抗膜で形成された界面層によって、受動素子の特性変動が大きくなるという問題点があった。更に、層間絶縁膜の剥離が、薄膜受動素子の特性に影響を与えないような配置とすると、集積化受動素子を内蔵した多層配線基板の専有面積が大きくなるという問題点があった。
【０００９】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであって、集積化受動素子及び集積化受動素子を内蔵した多層配線基板の専有面積を拡大することなく、薄膜受動素子の亀裂の発生及び層間絶縁膜の剥離を抑制することで、高い信頼性を有する集積化受動素子及び集積化受動素子を内蔵した多層配線基板並びにそれらの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明に係る集積化受動素子は、基板上に形成された複数の薄膜受動素子と、前記基板上に形成され前記薄膜受動素子に接続された第１の配線と、前記第１の配線上に形成された第１の絶縁層と、この第１の絶縁層上に形成され前記第１の絶縁層に設けられた開口を介して前記第１の配線に接続された第２の配線と、を有し、前記第１の配線の断面形状は、前記第１の配線と前記薄膜受動素子との接続部を下底とした台形状をなし、上底より下底の方が大きいことを特徴とする。
【００１１】
このように、本発明においては、第１の配線の断面形状を、薄膜受動素子と接続される下底と、この下底より小さい上底とを有する台形状としたので、第１の配線の側面と薄膜受動素子の表面とがなす角度が鈍角になる。このため、第１の配線と薄膜受動素子との接合部の縁部に熱サイクルに起因した熱応力が繰り返し印加されても、この接合部の縁部に応力集中が生じることを低減することができる。これにより、熱サイクルによる接合部の縁部における薄膜受動素子の亀裂の発生を防止することができる。
【００１２】
この場合に、前記開口が、前記第１の配線１本につき少なくとも１箇所設けられているか、又は前記開口が、前記第１の配線の傾斜面に対して、１面につきに少なくとも１箇所設けられているように構成することができる。
【００１３】
また、前記第１の配線の台形断面の上底端と下底端とを結んだ斜辺が、下に凸の曲線であるように構成することができる。
【００１４】
更に、前記薄膜受動素子が、抵抗体並びに下部電極、誘電体及び上部電極からなるキャパシタのうちの少なくとも一方を有するように構成することができる。
【００１５】
更にまた、前記薄膜受動素子がキャパシタを有し、前記キャパシタの誘電体端部を保護するための前記第１の絶縁層とは異なる層間絶縁膜を有するように構成することができる。
【００１６】
更にまた、前記層間絶縁膜が前記上部電極と前記第１の配線とで狭持されていないように構成することができる。
【００１７】
更にまた、前記薄膜受動素子が更に抵抗体を有し、前記層間絶縁膜が、更に前記抵抗体を保護するように形成されているように構成することができる。
【００１８】
更にまた、前記薄膜受動素子が更に抵抗体を有し、前記層間絶縁膜上に、前記抵抗体が形成されているように構成することができる。
【００１９】
更にまた、前記第１の絶縁層が、絶縁性樹脂により形成されているように構成することができる。
【００２０】
更にまた、前記基板が、基体と、この基体の上に形成された絶縁体とを有するものであるように構成することができる。
【００２１】
更にまた、前記基板が、シリコン基板であるように構成することができる。
【００２２】
更にまた、前記基板が、ガラス基板であるように構成することができる。
【００２３】
本発明に係る集積化受動素子の製造方法は、基板上に形成された薄膜受動素子の上に、断面形状が台形状をなし、下底が前記薄膜受動素子に接続され、上底が下底より小さい第１の配線を形成することを特徴とする。
【００２４】
この場合に、前記第１の配線を形成する工程は、導電膜を基板全面に形成する工程と、この導電膜を化学エッチングによって断面が上底より下底が大きい台形状になるように加工する工程と、を有していてもよい。
【００２５】
また、前記第１の配線を形成する工程は、断面形状が台形で上底が下底より大きい複数の樹脂パターンを形成する工程と、この樹脂パターンの間に導電膜を形成する工程と、前記樹脂パターンを除去して前記導電膜からなる第１の配線を形成する工程と、を有していてもよい。
【００２６】
本発明に係る集積化受動素子内蔵多層配線基板は、請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の集積化受動素子の前記第１及び第２の配線が多層配線構造の一部を構成することを特徴とする。
【００２７】
本発明に係る集積化受動素子内蔵多層配線基板の製造方法は、請求項１４乃至１６のいずれか１項に記載の集積化受動素子の製造方法により前記第１の配線が多層配線構造に組み込まれた集積化受動素子内蔵多層配線基板を製造することを特徴とする。
【発明の効果】
【００２８】
本発明によれば、集積化受動素子の専有面積を拡大することなく、第１の配線と薄膜受動素子との接合部縁部における薄膜受動素子の亀裂の発生及び層間絶縁膜の剥離を防止することができる。従って、高い信頼性を有する集積化受動素子が得られる。
【００２９】
この場合に、第１の配線１本につき少なくとも１箇所の開口部を介して第１の配線と第２の配線とを接続することにより、第２の配線と第１の絶縁膜との接続面積を拡大させることができる。そのため、密着性をより強固にし、第１の絶縁膜の剥離を効果的に抑制することができる。
【００３０】
また、第１の絶縁膜の開口を第１の配線斜面１面につき少なくとも１箇所設けることにより、この開口部が第１の配線と第１の絶縁膜との熱膨張係数差による熱応力を分散させる。このため、第１の絶縁膜の剥離を効果的に抑制することができる。
【００３１】
更に、第１の配線の台形断面の斜辺を下に凸の曲線とすることにより、第１の配線の側面と薄膜受動素子の表面とがなす角度はより大きい鈍角となる。従って、第１の配線の内部応力及び第１の絶縁膜の熱応力を緩和する効果をより高めることができる。
【００３２】
更にまた、抵抗体並びに下部電極、誘電体及び上部電極とからなるキャパシタのうち少なく一方を薄膜受動素子とすることにより、集積化受動素子をより小型化・薄型化することができる。
【００３３】
更にまた、キャパシタの誘電体端部を保護するための第１の絶縁層とは異なる層間絶縁膜を設けることにより、第１の配線形成時のエッチング残りによるキャパシタの上部電極間の絶縁抵抗低下をより効果的に防止することができる。
【００３４】
更にまた、層間絶縁膜がキャパシタの上部電極と第１の配線とで狭持されていないように構成することにより、構造を簡素化することができる。また、第１の配線の内部応力及び層間絶縁膜の熱応力などの影響を抑制することができる。
【００３５】
更にまた、抵抗体の縁部に層間絶縁膜を形成することにより、抵抗体縁部と基板等との密着性が上がる。従って、繰り返し熱応力が印加されても抵抗体をはがれにくくすることができる。
【００３６】
更にまた、層間絶縁膜上に抵抗体を形成することにより、第１の絶縁膜と基板との熱膨張係数差による熱応力などの抵抗体への影響を、基板と抵抗体との間の層間絶縁膜により更に緩和することができる。
【００３７】
更にまた、第１の絶縁膜に樹脂絶縁体を用いることにより、第１の絶縁膜の膜厚を厚くすることができるため、高周波特性に優れた集積化受動素子が得られる。
【００３８】
更にまた、基体と、この基体の上に形成された絶縁体とを有する基板を用いることにより、電子回路の特性等に合わせて多様な種類の基材を選定することができる。
【００３９】
更にまた、基板としてシリコン基板を用いることにより、平坦でかつリジッドな基板の上に薄膜受動素子及び配線等を形成し、集積化受動素子を高度に集積化することができる。
【００４０】
更にまた、基板としてガラス基板を用いることにより、集積化受動素子の製造コストを下げることができる。
【００４１】
また、本発明によれば、多層配線化しても第１の配線と薄膜受動素子との接合部縁部における薄膜受動素子の亀裂の発生及び層間絶縁膜の剥離を抑制することできる。従って、高い信頼性を有する、集積化受動素子内蔵多層配線基板が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４２】
以下、本発明の実施形態について添付の図面を参照して具体的に説明する。先ず、本発明の第１の実施形態について説明する。図１（ａ）、（ｂ）は、本第１実施形態に係る集積化受動素子を示す断面図である。図１（ａ）は図１（ｂ）に示すＡ−Ａ線による断面図に相当し、図１（ｂ）は図１（ａ）に示すＸ−Ｘ線による断面を上方向から見た図に相当する。
【００４３】
基材１０１上には薄膜受動素子１２１が形成されている。基材１０１として、例えば無機絶縁体、樹脂絶縁体を上面に有するシリコン基板又はＣｕ基板が用いられる。また、ステンレス基板（ＳＵＳ基板）のように複数の層で構成されている基板及びガラス基板等も使用することができる。薄膜受動素子１２１は、例えば薄膜抵抗素子、薄膜キャパシタ素子又は薄膜インダクタ素子である。
【００４４】
薄膜受動素子１２１上には第１の配線１０７が形成されている。第１の配線１０７は、例えばＣｕ等の導電性の高い金属からなる。第１の配線１０７の断面は台形状をなすように形成されている。この台形の下底は薄膜受動素子１２１との接続部である。第１の配線１０７の台形断面の下辺が対向する上底より大きくなるように、第１の配線斜面１０８が第１の配線１０７に設けられている。
【００４５】
第１の配線１０７上には第１の絶縁膜１１０が形成されている。第１の絶縁膜１１０は、例えば無機絶縁体又は樹脂絶縁体からなる。第１の絶縁膜１１０には、第１の配線１０７及び第２の配線１１１を接続するための開口が設けられている。そのうち、開口１０９ａは、第１の配線１０７の上面で第２の配線１１１と接続するように設けられている。また、開口１０９ｂは、第１の配線１０７に形成されている配線斜面１０８で第２の配線１１１と接続するように設けられている。なお、開口１０９ａは第１の配線１０７の１本につき少なくとも１箇所設けられている。開口１０９ｂは第１の配線斜面１０８の１面につき少なくとも１箇所設けられている。
【００４６】
第１の絶縁膜１１０上には第２の配線１１１が形成されている。第２の配線１１１は、例えばＣｕ等の導電性の高い金属からなる。第２の配線１１１は、第１の絶縁膜１１０に設けられている開口１０９ａ及び１０９ｂを介して、第１の配線１０７と接続される。なお、第１の配線１０７及び第２の配線１１１については厚膜に形成することが望ましい。特に、Ｃｕを用いて１０μｍ前後の厚膜とすることで、第１の配線１０７及び第２の配線１１１が持つ抵抗値を十分低減させることができ好ましい。
【００４７】
次に、上述の如く構成された本実施形態の集積化受動素子の動作について説明する。一般に集積化受動素子は通電時に配線抵抗等によりその温度が上昇する。換言すると、集積化受動素子が繰り返し使用されると、集積化受動素子には熱サイクルが働く。そして、集積化受動素子内の各部には、各部品間の熱膨張係数差により繰り返し熱応力が加わることとなる。この繰り返し応力に対して、例えば第１の配線１０７と薄膜受動素子１２１については、接合部の形状によっては接合部外周のコーナー部に応力が集中する場合がある。この部分に繰り返し応力が加わると、薄膜受動素子１２１に亀裂が生じることがある。また、例えば第１の絶縁膜１１０について、材料である例えばＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）、ポリイミド、及びエポキシ樹脂は、基板又は薄膜受動素子等を構成する材料に比して熱膨張係数が１桁程度大きい。従って、第１の絶縁膜１１０に加わる熱応力は大きくなりやすい。このため、繰り返し応力が加わると、第１の絶縁膜１１０の剥離が起きることがある。これらの亀裂及び剥離は、抵抗素子では抵抗値上昇及び断線等を、キャパシタ素子では静電容量変化、絶縁破壊、及び開放不良等が引き起こす原因となる。
【００４８】
しかしながら、本実施形態の集積化受動素子においては、第１の配線１０７の断面形状が下底（薄膜受動素子１２１との接合部）が上底より大きい台形状をなしている。このため、薄膜受動素子１２１と第１の配線１０７との接合部の縁部において、第１の配線１０７の側面（斜面１０８）と薄膜受動素子１２１の表面とがなす角度は鈍角である。このため、本実施形態の構成は、熱応力等が働く際にこの接合部縁部での応力集中を低減することができる。これにより、熱サイクルによる接合部縁部における薄膜受動素子１２１の亀裂の発生を効果的に防止することができる。なお、接合部縁部での応力集中を低減するためには、第１の配線１０７の斜面１０８の傾斜角度は小さい程望ましい。
【００４９】
また、本実施形態では、第１の絶縁膜１１０に対し開口１０９ａが第１の配線１０７の１本につき少なくとも１箇所設けられている。この開口によって、第１の絶縁膜１１０と第１の配線１０７との熱膨張係数の差に基づく熱応力は緩和される。また、本実施形態の構成では、第１の絶縁膜１１０に対し開口１０９ｂが第１の配線斜面１０８の１面につき少なくとも１箇所設けられている。この開口によっても第１の絶縁膜１１０と第１の配線１０７との熱膨張係数の差に基づく熱応力は緩和される。そのため、開口１０９ａに加えて開口１０９ｂを設けることで、熱応力を緩和する効果を更に高めることができる。従って、これらの開口１０９ａ，１０９ｂを設けることで、第１の絶縁膜１１０が熱サイクルにより第１の配線１０７から剥離するのを効果的に防止することができる。
【００５０】
以上のように構成することで、集積化受動素子の専有面積を拡大することなく、第１の配線１０７と薄膜受動素子１２１との接合部縁部における薄膜受動素子１２１の亀裂の発生及び層間絶縁膜１０５の剥離を効果的に抑制することができる。これにより、高い信頼性を有する集積化受動素子を提供することができる。
【００５１】
なお、本実施形態では第１の配線１０７の断面を台形状としているため、この断面において第１の配線の側面（斜面１０８）は直線状であるが、本発明はこれに限定されるものではない。即ち、第１の配線１０７の斜面１０８が断面形状において曲線を描いてもよい。例えば、第１の配線斜面１０８を下に凸の曲線状とすることで、第１の配線１０７の斜面１０８と薄膜受動素子１２１とがなす角度を薄膜受動素子１２１の表面近傍においてより大きな鈍角とすることができる。
【００５２】
以下、上述の第１の実施形態の集積化受動素子の製造方法について説明する。先ず、基材１０１として例えば０．２μｍ厚のシリコン酸化膜を基材１０１表面に有する０．５ｍｍ厚のシリコン基板を準備する。次に、基材１０１上に、薄膜受動素子１２１を形成する。次に、薄膜受動素子１２１をフォトリソグラフィー法とエッチングによって所望のパターンに加工する。
【００５３】
次に、外部接続用電極としての第１の配線１０７を形成するために、ＤＣスパッタ法により全面にＴｉ、Ｃｕの順に積層成膜する。膜厚は例えばＴｉが５０ｎｍ、Ｃｕが３００ｎｍである。ここで、Ｔｉは基材１０１上のみならず、基材１０１上に形成された薄膜受動素子１２１と、次工程の電解めっきの際に給電層となるＣｕとの密着を高めるための密着層である。次に、Ｃｕ／Ｔｉ積層膜を給電層とし電解めっき法により全面にＣｕめっきを例えば１０μｍ形成する。
【００５４】
次に、第１の配線１０７に第１の配線斜面１０８を形成するために、以下の処理を行う。即ち、フォトリソグラフィー法により所望の形状のレジストパターンを形成し、Ｃｕめっきに対して化学エッチング法によりエッチングを行う。この場合に、化学エッチングでは等方的にエッチングが進行するため、先ず、レジストパターンがない第１の配線１０７のＣｕのエッチングを完了させ、その後、第１の配線斜面１０８を有する第１の配線１０７を所望のパターンに形成する。次に、有機溶剤及び酸素プラズマ処理によってフォトレジストを除去する。次に、必要としない５０ｎｍのＴｉシード層を化学エッチング法により除去する。
【００５５】
次に、エポキシ樹脂からなる第１の絶縁膜１１０を形成する。この場合に、露光及び現像により、外部接続用電極となる第１の配線１０７と外部配線とを接続するための開口を設けるように第１の絶縁膜１１０のパターンを形成する。より具体的には、開口１０９ａを第１の配線１０７上面に、また、開口１０９ｂを第１の配線斜面１０８上に有するように第１の絶縁膜１１０のパターンを形成する。ここで、開口１０９ｂは第１の配線斜面１０８の１面につき、例えば、１箇所以上とする。次に、窒素雰囲気中で加熱、保持することでエポキシ樹脂を硬化させ、第１の絶縁膜１１０を形成する。
【００５６】
次に、第２の配線１１１を形成するため、ＤＣスパッタ法により基板全面にＴｉ、Ｃｕの順に積層成膜する。次に、フォトリソグラフィー法により所望の形状のレジストパターンを形成し、電解めっき法により所望のパターンの第２の配線１１１を形成する。その後、有機溶剤及び酸素プラズマ処理によってフォトレジストを除去する。次に、不要な給電層Ｃｕ／Ｔｉを化学エッチングによって除去することで第２の配線１１１を得る。以上により、図１に示す本実施形態の集積化受動素子が得られる。
【００５７】
なお、上述の製造方法において、第１の絶縁膜１１０として感光性エポキシ樹脂の例を述べたが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、第１の絶縁膜１１０は非感光性の樹脂であってもよく、またエポキシ樹脂に限定されなくてもよい。非感光性の樹脂の場合には、樹脂形成後に露光及び現像により、外部接続用電極となる第１の配線１０７と外部配線とを接続するための開口を設けるようにレジストパターンを形成し、その後、酸素やＣＦ４などのガスでドライエッチングすることで、第１の絶縁膜１１０のパターンを形成することができる。
【００５８】
上述の如く製造される本実施形態の集積化受動素子について、熱サイクル試験（−６５／１５０℃）を１０００サイクル実施した。その結果、薄膜受動素子１２１の薄膜抵抗素子の抵抗値上昇及び開放不良は見られなかった。また、亀裂の有無を確認するために、第２の配線１１１、第１の配線１０７のＣｕを化学エッチングによって除去したのちに、更に第１の絶縁膜１１０を酸素プラズマ処理と化学エッチングで除去した。上記の除去処理を行った第１の配線１０７と薄膜受動素子１２１との接合部縁部を電子顕微鏡で平面観察したが、薄膜受動素子１２１に亀裂は見られなかった。更に、電子顕微鏡で本発明の集積化受動素子の断面構造を観察したが、第１の配線１０７と第１の絶縁膜１１０との間に空隙は見られなかった。以上により、信頼性の高い集積化受動素子が得られたことが確認された。
【００５９】
これに対して、上述した図４に示す従来の集積化受動素子について同様に熱サイクル試験を実施した。集積化受動素子については、その形成直後には、薄膜受動素子１２１に亀裂は見られなかった。また、第１の配線１０７及び第１の絶縁膜１１０の間に空隙は確認できなかった。しかしながら、集積化受動素子について、熱サイクル試験（−６５／１５０℃）を３００サイクル実施したところ、薄膜受動素子１２１のうち薄膜抵抗素子について開放不良が生じた。この熱サイクル試験後の集積化受動素子の断面構造を電子顕微鏡で観察した。この結果、熱サイクル試験後においては、第１の配線１０７と第１の絶縁膜１１０との間に空隙１２３が形成されているのが確認された。また、薄膜受動素子１２１については、第１の配線１０７との接合部縁部において亀裂１２２が生じているのが確認された。
【００６０】
次に、本発明の第２の実施形態について説明する。図２（ａ）は、本実施形態の集積化受動素子において、薄膜受動素子としてキャパシタを用いた場合を示す断面図である。なお、図２（ａ）、（ｂ）について以下に示す事項以外は第１の実施形態と同様であるので、図２（ａ）、（ｂ）において、図１と同一構成物には同一符号を付してその詳細な説明は省略する。
【００６１】
図２（ａ）では、基材１０１上に薄膜キャパシタが形成されている。薄膜キャパシタは、下部電極１０２、誘電体１０３、及び上部電極１０４からなる。なお、薄膜キャパシタは単独で形成されていてもよいが、その一部がほかの薄膜受動素子に含まれていてもよい。本実施形態では、図２（ａ）に示すように薄膜キャパシタの下部電極１０２が隣の薄膜受動素子１２１（例えば抵抗素子）の一部に含まれるように形成されている。キャパシタの上部電極１０４上には第１の配線１０７が形成されている。第１の配線１０７は、第１の実施形態と同様の台形断面を有している。また、第１の実施形態と同様に、第１の配線斜面１０８が第１の配線１０７に設けられている。
【００６２】
層間絶縁膜１０５は、薄膜キャパシタの外周部に設けられている。層間絶縁膜１０５には、例えば感光性を有するポリイミド樹脂が用いられる。層間絶縁膜１０５は、下部電極１０２、誘電体１０３、及び上部電極１０４の外周部を覆うように形成されている。下部電極１０２が隣の薄膜受動素子１２１の一部に含まれている部分においては、層間絶縁膜１０５は誘電体１０３及び上部電極１０４の外周部を覆うように形成されている。
【００６３】
次に、本実施形態の集積化受動素子の動作について説明する。上述の第１実施形態で説明したように、第１の配線１０７を形成する前に、全面に電解めっきにおける給電層となる例えばＣｕ／Ｔｉの積層膜を成膜する場合がある。その場合には、その後Ｃｕめっきを行い、エッチングにより第１の配線１０７のパターンを形成する。その後の工程で形成される第１の絶縁膜１１０により、薄膜キャパシタの下部電極１０２と上部電極との絶縁性が確保される。しかし、第１の配線１０７を形成する際にエッチング残りがあると、これにより下部電極１０２と上部電極１０４との間の絶縁抵抗が低下する虞がある。
【００６４】
しかしながら、本実施形態では、第１の配線１０７及び第１の絶縁膜１１０の形成前に層間絶縁膜１０５を薄膜キャパシタの外周部に形成されている。これにより、給電層等の形成前にキャパシタ外周部が層間絶縁膜１０５によって保護される。従って、後工程の影響によって下部電極１０２と上部電極１０４との絶縁性は低下しない。以上のように本実施形態によれば、薄膜受動素子１２１に薄膜キャパシタを用いた場合の下部電極１０２と上部電極１０４との絶縁信頼性をより高めることができる。
【００６５】
なお、本実施形態では、薄膜キャパシタの外周部を保護するために層間絶縁膜１０５を設けているが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、抵抗体１０６の上に層間絶縁膜１０５を形成し、抵抗体１０６を保護することとしてもよい。また、図２（ｂ）に示すように、層間絶縁膜１０５の上に抵抗体１０６（又は他の種類の薄膜受動素子１２１）を形成することとしてもよい。
【００６６】
以下に、図２に示す第２の実施形態の集積化受動素子の製造方法について説明する。先ず、基材１０１として、例えば０．２μｍ厚シリコン酸化膜を基材１０１表面に有する０．５ｍｍ厚のシリコン基板を使用する。次に、基材１０１上に薄膜受動素子１２１として薄膜キャパシタを以下に示す方法により形成する。最初に、基材１０１上に、ＤＣスパッタ法により室温にてＴｉ、Ｐｔの順に、基板上全面に積層成膜して、積層膜の下部電極１０２を形成する。膜厚は例えばＴｉが２０ｎｍ、Ｐｔが２００ｎｍである。なお、Ｐｔは耐酸化電極であり、Ｔｉは基材１０１との密着層である。次に、下部電極１０２上に、基板温度を例えば６００℃としＲＦスパッタ法により、ペロブスカイト構造のＳｒＴｉＯ３を例えば１００ｎｍ成膜して、誘電体１０３を得る。次に、誘電体１０３上に、ＤＣスパッタ法により室温にてＰｔを例えば２００ｎｍ成膜する。以上の手順により、下部電極１０２、誘電体１０３、及び上部電極１０４からなる薄膜キャパシタを有する薄膜受動素子を得る。
【００６７】
次に、フォトリソグラフィー法により、上部電極１０４上にフォトレジスト膜のパターンを形成する。次に、そのレジストパターンを用いて、イオンビームエッチング又は化学エッチング法によりＰｔをエッチングすることで、所望の上部電極１０４のパターンを形成する。その後、有機溶剤及び酸素プラズマ処理によりフォトレジスト膜を除去する。次に、誘電体１０３について、上部電極１０４の加工法と同様に、フォトリソグラフィー法及び、イオンビームエッチング又は化学エッチング法により所望のパターンを形成する。更に、下部電極１０２についても、同様の手法で所望のパターンを形成する。
【００６８】
次に、誘電体１０３による、キャパシタの下部電極１０２と上部電極１０４との絶縁性を高めるために、層間絶縁膜１０５を形成する。層間絶縁膜１０５としては、感光性を有するポリイミド樹脂を用いる。ポリイミド樹脂を基板上に塗布し、露光及び現像することでキャパシタの外周部に層間絶縁膜１０５の露出部を形成する。その後、窒素雰囲気中で加熱、保持することで樹脂を硬化させ、層間絶縁膜１０５を形成する。
【００６９】
次に、外部接続用電極としての第１の配線１０７を形成するため、ＤＣスパッタ法により、全面に窒化タンタル、Ｃｕの順に積層成膜する。膜厚は例えば窒化タンタルが５０ｎｍ、Ｃｕが３００ｎｍである。ここで、窒化タンタルは基材１０１上のみならず、基材１０１上に形成された上部電極１０４及び層間絶縁膜１０５と、次工程の電解めっきの際に給電層となるＣｕとの密着を高める為の密着層である。
【００７０】
次に、Ｃｕ／窒化タンタル積層膜を給電層として、電解めっき法により全面にＣｕめっきを例えば１０μｍ形成する。次に、フォトリソグラフィー法により所望の形状のレジストパターンを形成する。次に、Ｃｕめっきを化学エッチングによりエッチングを行う。これにより、第１の配線斜面１０８を有する第１の配線１０７を所望のパターンに形成する。第１の配線斜面１０７を所望のパターンに形成した後に、有機溶剤及び酸素プラズマ処理によってフォトレジストを除去する。
【００７１】
次に、フォトリソグラフィー法とイオンビームエッチング又は化学エッチング法により、窒化タンタルからなる抵抗体１０６を所望のパターンに形成する。次に、第１の絶縁膜１１０及び第２の配線１１１については実施例１と同様のプロセスにて形成する。以上により、図２に示す本実施形態の集積化受動素子が得られる。
【００７２】
なお、上述の製造方法において、薄膜キャパシタの上部電極及び下部電極としてＰｔの例を述べたが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、Ｒｕ、Ｉｒ、又はこれらの酸化物であってもよい。また、例えばＳｒＲｕＯ３のような導電性酸化物であってもよい。
【００７３】
また、上述の製造方法において、薄膜キャパシタの誘電体としてＳｒＴｉＯ３の例を述べたが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ３又は（Ｐｂ，Ｚｒ）ＴｉＯ３のようなペロブスカイト型酸化物であってもよい。また、例えばＡｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＨｆＯ２、ＺｒＯ２、Ｙ２Ｏ３、Ｌａ２Ｏ３、Ｎｂ２Ｏ５又はこれらの固溶体であってもよい。
【００７４】
また、上述の製造方法において、層間絶縁膜１０５は感光性ポリイミド樹脂の例を述べたが、本発明はこれに限定されるものではない。層間絶縁膜１０５は非感光性の樹脂であってもよく、またポリイミド樹脂に限定されなくてもよい。非感光性の樹脂の場合には、樹脂形成後に露光及び現像により、外部接続用電極となる第１の配線１０７と外部配線とを接続するための開口を設けるようにレジストパターンを形成し、その後、酸素やＣＦ４などのガスでドライエッチングすることで、第１の絶縁膜１１０のパターンを形成することができる。
【００７５】
また、上述の第１及び第２実施形態の製造方法において、密着層としてＴｉの例を述べたが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｗ又はこれらを含む化合物であってもよい。
【００７６】
上述の集積化受動素子について、熱サイクル試験（−６５／１５０℃）を１０００サイクル実施したが、抵抗体の抵抗値上昇及び開放不良は見られなかった。また、薄膜キャパシタ素子の絶縁不良及び絶縁破壊は見られなかった。更に、熱サイクル試験後に、電子顕微鏡にて本実施例に係る集積化受動素子の断面を観察したが、抵抗体１０６に亀裂は見られなかった。また、薄膜キャパシタ素子の上部電極１０４、誘電体１０３及び下部電極１０２のいずれにも亀裂は見られなかった。加えて第１の配線１０７と第１の絶縁膜１１１の間にも空隙は見られなかった。以上により、信頼性の高い集積化受動素子が得られたことが確認された。
【００７７】
以下に、図２に示す第２の実施形態の集積化受動素子の別の製造方法について説明する。先ず、第１の配線１０７を電解めっき法により形成するための給電層となるＣｕ／窒化タンタル積層膜を形成する工程までは上述の製造方法と同じである。次に、Ｃｕ／窒化タンタル積層を給電層として、電解めっき法により、基板全面にＣｕめっきを例えば２０μｍ形成する。その後、連続してＮｉめっきを例えば３μｍ形成し、Ｎｉめっき／Ｃｕめっきの積層膜からなる第１の配線１０７を得る。次に、Ｎｉめっき上にレジストを塗布し、フォトリソグラフィー法により所望のレジストパターンを形成する。次に、Ｃｕを浸食しないＮｉエッチング液を用いて、所望のＮｉパターンを形成する。次に、ＮｉをＣｕエッチングでのマスクとして、Ｃｕを化学エッチングによってエッチングする。これにより、第１の配線斜面１０８を有する第１の配線１０７を所望のパターンに形成する。第１の配線１０７を所望のパターンに形成した後に、有機溶剤及び酸素プラズマ処理によってフォトレジストを除去する。
【００７８】
次に、フォトリソグラフィー法とイオンビームエッチング又は化学エッチング法により窒化タンタルからなる抵抗体１０６を所望のパターンに形成する。次に、第１の絶縁膜１１０及び第２の配線１１１については実施例１と同様のプロセスにて形成する。以上により、図２に示す本実施形態の集積化受動素子を得ることができる。
【００７９】
上述の集積化受動素子について、熱サイクル試験（−６５／１５０℃）を１０００サイクル実施したが、抵抗体及び薄膜キャパシタに絶縁性劣化並びに開放不良は見られなかった。また、熱サイクル試験後に本発明の集積化受動素子の断面を観察したが、抵抗体１０６並びに薄膜キャパシタ素子の上部電極１０４、誘電体１０３及び下部電極１０２のいずれにも亀裂は見られなかった。更に、第１の配線１０７を構成するＮｉめっき／Ｃｕめっきの積層体での密着力が強いため、レジストのようにＣｕエッチング中に剥離することがなく、より厚く第１の配線１０７を形成することができた。以上により、配線抵抗を低下させた信頼性の高い集積化受動素子が得られたことが確認された。
【００８０】
以下に、図２に示す第２の実施形態の集積化受動素子の更に別の製造方法について説明する。先ず、第１の配線１０７を電解めっき法により形成するための給電層となるＣｕ／窒化タンタル積層膜を形成する工程までは同じである。膜厚は例えば窒化タンタルが５０ｎｍ、Ｃｕが２０００ｎｍである。次に、Ｃｕ／窒化タンタル積層膜上にレジストを塗布し、その後、フォトリソグラフィー法により所望のレジストパターンを形成する。次に、Ｃｕ／窒化タンタルを給電層とし電解めっき法により所望のパターンのＣｕめっきを例えば１０μｍ形成し、断面形状が矩形である第１の配線１０７を形成する。次に、有機溶剤及び酸素プラズマ処理によってフォトレジストを除去する。
【００８１】
次に、イオンビームの入射角を例えば２０°としイオンビームエッチングにより第１の配線１０７に対して第１の配線斜面１０８を形成する。なお、イオンビームの入射角は上記角度に限定されないが小さい方が好ましい。また、給電層として成膜したＣｕがエッチング不足である場合には、化学エッチングによって不要なＣｕをエッチングしてもよい。
【００８２】
次に、フォトリソグラフィー法とイオンビームエッチング又は化学エッチング法により、窒化タンタルからなる抵抗体１０６を所望のパターンに形成する。そして第１の絶縁膜１１０及び第２の配線１１１については実施例１及び２と同様のプロセスにて形成する。以上により、図２に示す本実施形態の集積化受動素子が得られる。
【００８３】
なお、抵抗体として窒化タンタルの例を述べたが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、窒化チタン、ニクロム（ＮｉとＣｒの化合物）、又はこれらを含む材料でもよい。また、薄膜キャパシタの上部電極材料、下部電極材料を含む抵抗体であってもよい。
【００８４】
上述の集積化受動素子について、熱サイクル試験（−６５／１５０℃）を１０００サイクル実施したが、抵抗体１０６に亀裂は見られなかった。また、薄膜キャパシタ素子の上部電極１０４、誘電体１０３及び下部電極１０２のいずれにも亀裂は見られず、絶縁性劣化及び開放不良も見られなかった。以上により、信頼性の高い集積化受動素子が得られたことが確認された。
【００８５】
以下に、図２に示す第２の実施形態の集積化受動素子の更に他の製造方法について説明する。先ず、第１の配線１０７を形成するための給電層となるＣｕ／窒化タンタル積層膜を形成する工程までは上述の製造方法と同じである。膜厚は例えば窒化タンタルが５０ｎｍ、Ｃｕが３００ｎｍである。次に、Ｃｕ／窒化タンタル積層膜上にポジ型レジストを全面に塗布する。その後、フォトリソグラフィー法により第１の配線１０７と抵抗体１０６及び薄膜キャパシタの上部電極１０４、下部電極１０２で開口するようにレジストパターンを形成する。ここで、露光量を、矩形状のレジストパターンを形成する適正露光量に比して例えば５０％増しとする。このように露光することで、Ｃｕに接したレジストに照射される露光量が、レジスト上面での照射量よりも多くなり、一定の現像時間での溶解量がレジスト上面及び底部で異なり、Ｃｕに接したレジストパターンの面積が、対向するレジストパターンの面積よりも小さい逆先細レジストパターンを形成することができる。なお、適正露光量から増加させた露光量は、上記に限定されることはないが、適正露光量に対して３０％から８０％の範囲内で増加させることが好ましい。
【００８６】
次に、Ｃｕ／窒化タンタルを給電層とし電解めっき法により所望のパターンのＣｕめっきを例えば１０μｍ形成し、第１の配線１０７を形成する。その際、上述の逆先細レジストパターンによって第１の配線斜面１０８を形成も同時に形成する。次に、有機溶剤及び酸素プラズマ処理によってフォトレジストパターンを除去する。次に、抵抗体１０６、第１の絶縁膜１１０及び第２の配線１１１については実施例１及び２に記載のプロセスと同様のプロセスにて形成する。以上により、図２に示す本実施形態の集積化受動素子が得られる。
【００８７】
なお、上述の製造方法において、上述の適正露光量に対して露光量を増すことで断面形状が台形で上底が下底より大きいレジストパターンを形成するが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、矩形状のレジストパターンを形成するための適正現像時間に対して現像時間を増すことで、同様に断面形状が台形で上底が下底より大きいレジストパターンを形成することも可能である。
【００８８】
また、上述の製造方法において、ポジ型レジストの例を述べたが、ポジ型レジストに限定されることなく、ネガ型のレジストを用いても良い。ネガ型の場合では、露光量を適正露光量よりも少なくすることで、給電層のＣｕ接触面側のレジストパターンで露光量不足が生じ、特に開口部の縁部近傍のレジスト上面及び下面において、現像液に対する溶解性が異なる。このため、現像工程で、レジストパターンの断面形状が台形で上底が下底より大きい逆先細レジストパターンを形成することができる。
【００８９】
上述の集積化受動素子について、熱サイクル試験（−６５／１５０℃）を１０００サイクル実施したが、５０ｎｍ厚の抵抗体１０６に亀裂は見られなかった。また、薄膜キャパシタ素子の上部電極１０４、誘電体１０３及び下部電極１０２のいずれにも亀裂は見られず、絶縁性劣化及び開放不良も見られなかった。更に、第１の配線１０７と第１の絶縁膜１１０との間に空隙は見られなかった。以上により、信頼性の高い集積化受動素子が得られたことが確認された。
【００９０】
次に、本発明の第３の実施形態について説明する。図３は、本実施形態の多層配線基板を示す断面図であり、第２の実施形態に係る集積化受動素子を含む多層配線基板の断面図である。なお、図３について以下に示す事項以外は第２の実施形態と同様であるので、図３において、図２と同一構成物には同一符号を付してその詳細な説明は省略する。
【００９１】
図３に示す本実施形態は、基材１０１上に第２の配線１１１が形成されるまでの構成は第１及び第２の実施形態と同様である。ただし、第２の配線１１１形成時に同時に薄膜受動素子１２１が形成される場合がある。図３に示す例では、第２の配線１１１形成時にインダクタ１１２が形成されている。
【００９２】
第２の配線１１１の上には第２の絶縁膜１１３が形成されている。また、その上に第３の配線１１４が形成されている。更に、その上に第３の絶縁膜１１５が形成されている。これにより本実施形態は全体として多層配線基板を構成する。なお、基板表面には部品のはんだ付けに伴い形成されるはんだボール１１６が存在する。
【００９３】
多層配線化すると、集積化受動素子を内蔵する多層配線基板内の内部応力は大きくなる。従って、集積化受動素子に加わる応力はより大きくなる。そこで、本実施形態では第２の実施形態に係る集積化受動素子を含む多層配線基板とした。このように構成することで、集積化受動素子については上述した第１又は第２の実施形態の効果を得つつ、多層配線基板を構成することができる。即ち、多層配線基板の専有面積を拡大することなく、第１の配線１０７と薄膜受動素子１２１との接合部縁部における薄膜受動素子１２１の亀裂の発生及び層間絶縁膜１０５の剥離を効果的に抑制することができる。これにより、高い信頼性を有する、集積化受動素子を内臓する多層配線基板を提供することができる。
【００９４】
以下に、図３に示す第３の実施形態の多層配線基板の製造方法について説明する。第２の絶縁膜１１３及び第３の絶縁膜１１５については、実施例１乃至５に記載の第１の絶縁膜１１０と同様のプロセスで形成する。また、第２の配線１１１及びインダクタ１１２、並びに第３の配線１１４については、図１に示す第２の配線１１１と同様のプロセスにより形成する。以上により、図３に示す集積化受動素子内臓多層配線基板が得られる。
【００９５】
上述の集積化受動素子内蔵多層配線基板に対して、熱サイクル試験（−６５／１５０℃）を１０００サイクル実施した。その結果、抵抗体１０６、薄膜キャパシタ素子の上部電極１０４、誘電体１０３及び下部電極１０２のいずれにも亀裂は見られなかった。また、絶縁性劣化及び開放不良も見られなかった。更に、第１の配線１０７と第１の絶縁膜１１１との間に空隙は見られなかった。なお、本発明の集積化受動素子内蔵多層配線基板ではフィルターとしての機能を持つ回路を構成したが、素子単体の特性同様にフィルター特性の変動は見られなかった。以上により、信頼性の高い集積化受動素子内蔵多層配線基板が得られたことが確認された。
【産業上の利用可能性】
【００９６】
本発明は、例えば半導体デバイス近傍に配置される集積化受動素子及びこの集積化受動素子を内蔵した多層配線基板に好適に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００９７】
【図１】（ａ）及び（ｂ）は本発明の第１の実施形態に係る集積化受動素子を示す断面図であり、（ａ）は（ｂ）に示すＡ−Ａ線による断面図、（ｂ）は（ａ）に示すＸ−Ｘ線による断面図である。
【図２】（ａ）及び（ｂ）は本発明の第２の実施形態に係る集積化受動素子を示す断面図である。
【図３】本発明の第３の実施形態に係る集積化受動素子内蔵多層配線基板を示す断面図である。
【図４】は従来の集積化受動素子を示す断面図である。
【符号の説明】
【００９８】
１０１；基材
１０２；下部電極
１０３；誘電体
１０４；上部電極
１０５；層間絶縁膜
１０６；抵抗体
１０７；第１の配線
１０８；第１の配線斜面
１０９ａ、１０９ｂ；開口
１１０；第１の絶縁膜
１１１；第２の配線
１１２；インダクタ
１１３；第２の絶縁膜
１１４；第３の配線
１１５；第３の絶縁膜
１１６；はんだボール
１２１；薄膜受動素子
１２２；亀裂
１２３；空隙
【図１】
2008198798.tif 000003
【図２】
2008198798.tif 000004
【図３】
2008198798.tif 000005
【図４】
2008198798.tif 000006