(57)【要約】【課題】安定した封着を行うことができるとともに強度の信頼性が向上した気密容器およびこれを備えた画像表示装置を提供する。【解決手段】気密容器は、第１部材、およびこの第１部材に対向配置された第２部材と、第１部材と第２部材と間に設けられ、これら第１および第２部材を互いに封着した封着部４０と、を備えている。封着部は、第１および第２部材の周縁部に沿って延びた枠体１８と、この枠体と第１部材との間および枠体と第２部材との間に充填された封着材３２と、枠体のコーナー部から外側に延出し枠体に通電する電極を構成した突出部材４２と、を有している。突出部材は低抵抗の金属材料で形成されているとともに、封着材に対して耐食性、密着性、濡れ性を有した金属膜４４で被覆されている。【選択図】      図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と、前記第１基板と隙間を置いて対向配置された第２基板と、前記第１基板および第２基板の周縁部同士を封着した封着部と、を備え、
前記封着部は、前記第１および第２基板の周縁部に沿って延びた枠体と、この枠体と第１基板との間および枠体と第２基板との間に充填された封着材と、前記枠体のコーナー部から外側に延出し前記枠体に通電する電極を構成した突出部材と、を有し、
前記突出部材は低抵抗の金属材料で形成されているとともに、前記封着材に対して耐食性、密着性、濡れ性を有した金属膜で被覆されている気密容器。
【請求項２】
前記突出部材は、ＣｕまたはＡｌの純金属またはその合金で形成されている請求項１に記載の気密容器。
【請求項３】
前記封着材は、Ｓｎの純金属またはその合金である請求項１に記載の気密容器。
【請求項４】
前記金属膜は、メッキ膜、窒化膜、炭化膜のいずれかである請求項１に記載の気密容器。
【請求項５】
前記突出部材はＣｕまたはその合金で形成され、前記メッキ膜は、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｎｉのいずれかの成分が含まれる請求項４に記載の気密容器。
【請求項６】
前記メッキ膜の膜厚は、１〜５０μｍである請求項５に記載の気密容器。
【請求項７】
前記突出部材はＡｌまたはその合金で形成され、前記金属膜は、アルマイト処理により形成されている請求項１に記載の気密容器。
【請求項８】
前記アルマイト処理により形成された金属膜の膜厚は１〜２０μｍである請求項７に記載の気密容器。
【請求項９】
第１基板と、第１基板に隙間を置いて対向した第２基板と、第１基板および第２基板の周辺部同士を接合した封着部と、を有する真空外囲器と、
前記第１基板上に配置された表示面と、
前記第２基板上に設けられ前記表示面を励起する複数の電子源と、を備え、
前記封着部は、前記第１および第２基板の周縁部に沿って延びた枠体と、この枠体と第１基板との間および枠体と第２基板との間に充填された封着材と、前記枠体のコーナー部から外側に延出し前記枠体に通電する電極を構成した突出部材と、を有し、
前記突出部材は低抵抗の金属材料で形成されているとともに、前記封着材に対して耐食性、密着性、濡れ性を有した金属膜で被覆されている画像表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、内部が気密に遮蔽された気密容器、および気密容器を備えた画像表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、軽量・薄型の画像表示装置として、液晶の配向を利用して光の強弱を制御する液晶ディスプレイ（以下、ＬＣＤと称する）、プラズマ放電の紫外線により蛍光体を発光させるプラズマディスプレイパネル（以下、ＰＤＰと称する）、電界放出型電子放出素子の電子ビームにより蛍光体を発光させるフィールドエミッションディスプレイ（以下、ＦＥＤと称する）、表面伝導型電子放出素子の電子ビームにより蛍光体を発光させる表面伝導型電子放出ディスプレイ（以下、ＳＥＤと称する）などが開発されている。
【０００３】
例えばＦＥＤでは、一般に、所定の隙間を置いて対向配置された前面基板および背面基板を有し、これらの基板は、矩形枠状の側壁を介して周辺部同士を互いに接合することにより内部が気密に遮蔽された真空外囲器を構成している。前面基板の内面には蛍光体スクリーンが形成され、背面基板の内面には蛍光体を励起して発光させる電子放出源として多数の電子放出素子が設けられている。
【０００４】
背面基板および前面基板に加わる大気圧荷重を支えるために、これら基板の間には複数の支持部材が配設されている。背面基板側の電位はほぼアース電位であり、蛍光面にはアノード電圧として例えば１０ｋＶが印加される。蛍光体スクリーンを構成する赤、緑、青の蛍光体に電子放出素子から放出された電子ビームを照射し、蛍光体を発光させることによって画像を表示する。
【０００５】
このようなＦＥＤでは、電子放出素子の大きさがマイクロメートルオーダーであり、前面基板と背面基板との間隔をミリメートルオーダーにすることができる。このため、現在のテレビやコンピュータのディスプレイとして使用されている陰極線管（ＣＲＴ）などと比較して、高解像度化、軽量化、薄型化を達成することができる。
【０００６】
このようなＦＥＤにおいては、真空外囲器内部を高い真空度に維持することが重要となる。真空度が低いと、安定した電子放出ができず、画像表示装置の寿命が低下することになるからである。
【０００７】
真空外囲器内部の真空度を上げる方法としては、外囲器を構成する前面基板、背面基板および側壁の最終組立を真空槽内にて行う方法が提案されている（例えば、特許文献１）。このような方法で作成された真空外囲器は、封着工程と真空封止工程を兼ねるうえ、排気管の排気に伴なう多大な時間が要らず、かつ、良好な真空度を得ることができる。
【０００８】
また、外囲器を封着する封着材としてインジウム等の低融点金属を使用した装置が提供されている。封着時間を短縮するためには、封着材のみを加熱することが望ましく、封着材および側壁に通電することでこれらを局所的に加熱する方法が提案されている（例えば、特許文献２参照）。この場合、封着時に、側壁から突出した突出部を電極として用いる手法が取られている。通電手法の一例として、側壁の４コーナーに電極を配置し、基板の対角に相当する電極同士で交互に通電することで、側壁の辺部とコーナー部の温度を均一に上昇させる方法が提案されている。
【特許文献１】特開２００５−３３２６１８号公報
【特許文献２】特開２００１−３１６９２１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、この場合、電極には側壁の辺部に対して２倍の電流が流れるため、辺部より発熱量が大きく、温度も高くなる。そのため、電極が設けられたコーナー部の冷却時間を長くとる必要があり、基板に熱歪み応力が発生し基板が割れることが懸念される。
【００１０】
このような問題を解消するため、電極を低抵抗な材料、例えば、Ｃｕ、Ａｌにより電極を形成し、発熱量を制御することが考えられる。しかし、Ｓｎ系合金を封着材とした場合、ＣｕやＡｌはＳｎへの拡散速度が速いために、封着前の真空加熱の温度が高いと、ＣｕやＡｌは溶食されて消失してしまい、電極として使用することが困難となる。また、Ｃｕの溶食により金属間化合物が生成される。この化合物は硬くてもろい為、肥大化すると強度特性が極めて低下し、基板が破断する場合もある。
【００１１】
この発明は以上の点に鑑みなされたもので、安定した封着を行うことができるとともに強度の信頼性が向上した気密容器およびこれを備えた画像表示装置を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
この発明の態様に係る気密容器は、第１基板と、前記第１基板と隙間を置いて対向配置された第２基板と、前記第１基板および第２基板の周縁部同士を封着した封着部と、を備え、前記封着部は、前記第１および第２基板の周縁部に沿って延びた枠体と、この枠体と第１基板との間および枠体と第２基板との間に充填された封着材と、前記枠体のコーナー部から外側に延出し前記枠体に通電する電極を構成した突出部材と、を有し、前記突出部材は低抵抗の金属材料で形成されているとともに、前記封着材に対して耐食性、密着性、濡れ性を有した金属膜で被覆されている。
【００１３】
この発明の他の態様に係る画像表示装置は、第１基板と、第１基板に隙間を置いて対向した第２基板と、第１基板および第２基板の周辺部同士を接合した封着部と、を有する真空外囲器と、前記第１基板上に配置された表示面と、前記第２基板上に設けられ前記表示面を励起する複数の電子源と、を備え、  
前記封着部は、前記第１および第２基板の周縁部に沿って延びた枠体と、この枠体と第１基板との間および枠体と第２基板との間に充填された封着材と、前記枠体のコーナー部から外側に延出し前記枠体に通電する電極を構成した突出部材と、を有し、前記突出部材は低抵抗の金属材料で形成されているとともに、前記封着材に対して耐食性、密着性、濡れ性を有した金属膜で被覆されている。
【発明の効果】
【００１４】
以上詳述したように、この本発明によれば、ＣｕやＡｌを突出部材かつ電極として用いた場合でも、真空加熱時に溶食されることなく、安定した封着ができるとともに強度の信頼性が向上した気密容器、およびこれを備えた画像表示装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、図面を参照しながら、この発明を画像表示装置としてのＦＥＤに適用した実施形態について詳細に説明する。  
図１および図２に示すように、このＦＥＤは、それぞれ矩形状のガラスからなる前面基板１１、および背面基板１２を備え、これらの基板は所定の隙間を置いて対向配置されている。前面基板１１および背面基板１２は、矩形枠状の側壁１８を介して周縁部同士が接合され、内部が真空状態に維持された偏平な矩形状の真空外囲器１０を構成している。真空外囲器１０は、気密容器を構成し、例えば、前面基板１１は第１部材を、また、背面基板１２は第２部材を構成している。
【００１６】
真空外囲器１０の内部には、前面基板１１および背面基板１２に加わる大気圧荷重を支えるため、複数の板状の支持部材１４が設けられている。これらの支持部材１４は、外囲器１０の一辺、例えば、長辺と平行な方向にそれぞれ延在しているとともに、上記一辺と直交する方向に沿って所定の間隔を置いて配置されている。各支持部材１４の長手方向両端部は、それぞれ側壁１８と隙間を置いて対向している。各支持部材１４は、例えば、背面基板１２に取り付けられている。なお、支持部材１４の形状については特にこれに限定されるものではなく、柱状の支持部材を用いてもよい。
【００１７】
図２および図３に示すように、前面基板１１の内面上には表示面として機能する蛍光体スクリーン１６が形成されている。蛍光体スクリーン１６は、赤、緑、青の蛍光体層Ｒ、Ｇ、Ｂ、およびこれらの蛍光体層間に位置した黒色の遮光層２０を並べて構成されている。赤、緑、青の３色の蛍光体層Ｒ、Ｇ、Ｂは、第１方向に隙間を置いて交互に並んで形成され、同一色の蛍光体層が第１方向と直交する第２方向に隙間を置いて配列されている。蛍光体層Ｒ、Ｇ、Ｂはそれぞれ、赤、緑、青の単色でサブピクセルを構成し、３色のサブピクセルを合わせて一画素を構成している。
【００１８】
蛍光体スクリーン１６上には、アルミニウム膜等からなるメタルバック層１７が形成されている。本実施形態によれば、メタルバック層１７は、縦方向および横方向に分断され、互いに電気的に分離した複数の分断領域を有している。電気的に分断したメタルバック層１７は、蛍光体層Ｒ、Ｇ、Ｂに夫々重なって設けられている。また、メタルバック層１７に重ねてゲッタ膜１３が形成されている。
【００１９】
図２に示すように、背面基板１２の内面上には、蛍光体スクリーン１６の蛍光体層Ｒ、Ｇ、Ｂを励起する電子源として、それぞれ電子ビームを放出する多数の電子放出素子が設けられている。すなわち、背面基板１２の内面上には、導電性カソード層２４が形成され、この導電性カソード層上には多数のキャビティ２５を有した二酸化シリコン膜２６が形成されている。二酸化シリコン膜２６上には、モリブデンやニオブ等からなるゲート電極２８が形成されている。背面基板１２の内面上において各キャビティ２５内にはモリブデンなどからなるコーン状の電子放出素子２２が設けられている。これらの電子放出素子２２は、画素に対応して複数列および複数行に配列されている。
【００２０】
導電性カソード層２４およびゲート電極２８は、それぞれ直交する方向にストライプ状に形成され、背面基板１２の周縁部には、これら導電性カソード層およびゲート電極に電位を供給する多数本の配線２３（図１参照）が形成されている。
【００２１】
上記のように構成されたＦＥＤにおいて、映像信号は、単純マトリックス方式に形成された電子放出素子２２とゲート電極２８に入力される。電子放出素子２２を基準とした場合、最も輝度の高い状態の時、＋１００Ｖのゲート電圧が印加される。また、蛍光体スクリーン１６には＋１０ｋＶが印加される。そして、電子放出素子２２から放出される電子ビームの大きさは、ゲート電極２８の電圧によって変調され、この電子ビームが蛍光体スクリーン１６の蛍光体層を励起して発光させることにより画像を表示する。
【００２２】
このように蛍光体スクリーン１６には高電圧が印加されるため、前面基板１１、背面基板１２、および支持部材１４用の板ガラスには、高歪点ガラスが使用されている。また、図２に示すように、前面基板１１および背面基板１２の周縁部は封着部４０により互いに接合されている。すなわち、前面基板１１の内面周縁部に位置した封着面と、背面基板１２の内面周縁部に位置した封着面との間には、枠体として機能する側壁１８が配置されている。また、前面基板１１と側壁１８との間、および背面基板１２と側壁１８との間は、各基板の封着面上に形成された下地層３１とこの下地層上に形成されたＳｎを主成分とする低融点金属層３２とが融合した封着層３３によってそれぞれ封着されている。これら封着層３３および側壁１８により封着部４０が構成されている。
【００２３】
枠体として機能する側壁１８は、例えば、Ｎｉ合金等の金属により形成されている。側壁１８の各コーナー部から外側に突出部材４２が突出している。突出部材４２は、低抵抗の金属材料、例えば、Ｃｕにより形成され、側壁１８に接合されている。各突出部材４２は、整合工程において側壁１８に通電するための電極を構成している。突出部材４２の表面は、金属膜４４、例えば、Ｆｅのメッキ膜により被覆されている。各突出部材４２と前面基板１１との間、および突出部材と背面基板１２との間は、封着時に流れたＳｎ系の封着材により接着されている。
【００２４】
次に、上記のように構成された気密容器を有するＦＥＤの製造方法について詳細に説明する。  
まず、前面基板１１となる板ガラスに蛍光体スクリーン１６を形成する。これは、前面基板１１と同じ大きさの板ガラスを準備し、この板ガラスにプロッターマシンで蛍光体層のストライプパターンを形成する。この蛍光体ストライプパターンを形成された板ガラスと前面基板用の板ガラスとを位置決め治具に載せて露光台にセットすることにより、露光、現像して蛍光体スクリーン１６を生成する。
【００２５】
続いて、背面基板用の板ガラスに電子放出素子２２を形成する。この場合、板ガラス上にマトリックス状の導電性カソード層を形成し、この導電性カソード層上に、例えば熱酸化法、ＣＶＤ法、あるいはスパッタリング法により二酸化シリコン膜の絶縁膜を形成する。
【００２６】
その後、この絶縁膜上に、例えばスパッタリング法や電子ビーム蒸着法によりモリブデンやニオブなどのゲート電極形成用の金属膜を形成する。次に、この金属膜上に、形成すべきゲート電極に対応した形状のレジストパターンをリソグラフィーにより形成する。このレジストパターンをマスクとして金属膜をウェットエッチング法またはドライエッチング法によりエッチングし、ゲート電極２８を形成する。
【００２７】
次に、レジストパターン及びゲート電極をマスクとして絶縁膜をウェットエッチングまたはドライエッチング法によりエッチングして、キャビティ２５を形成する。そして、レジストパターンを除去した後、背面基板表面に対して所定角度傾斜した方向から電子ビーム蒸着を行うことにより、ゲート電極２８上に、例えばアルミニウムやニッケルからなる剥離層を形成する。この後、背面基板表面に対して垂直な方向から、カソード形成用の材料として、例えばモリブデンを電子ビーム蒸着法により蒸着する。これによって、各キャビティ２５の内部に電子放出素子２２を形成する。続いて、剥離層をその上に形成された金属膜とともにリフトオフ法により除去する。
【００２８】
続いて、周縁部に配置される側壁１８を形成する。これは、金属製の断面が矩形またはこれに高さ規定部材が備わった棒材を、各辺毎に４本用意する。棒材の両端部は４５°にカットされ、この端部同士をレーザ溶接することで矩形枠状の側壁１８が形成される。図４に示すように、この側壁１８のコーナー部４箇所に、金属製の突出部材４２をレーザ溶接する。溶接の際、つなぎ目個所の凹凸が残らないことが望ましい。突出部材４２はＣｕで形成され、表面がメッキ処理されＦｅの金属膜４４により被覆されている。この金属膜４４は、後述するように、Ｃｕが封着材であるＳｎに拡散し溶食することを抑制する。
【００２９】
金属膜４４としては、封着材に対して耐食性、濡れ性、密着性の高い金属材料を用いる。ここで、密着性とは、封着材層および突出部材に対して剥がれ難く、せん断応力が高いこと、つまり、剥がれる際のせん断応力が高いことを示している。金属膜４４としては、Ｆｅの他、Ｃｒ、Ｎｉ等を用いることができる。
【００３０】
次いで、前面基板１１の周縁部に位置した封着面、および背面基板１２の周縁部に位置した封着面上に、それぞれスクリーン印刷法により銀ペーストを塗布し、下地層３１を形成する。続いて、各下地層３１の上に、金属封着材料としてのＳｎ系の低融点金属材を塗布し、それぞれ下地層の全周に亘って延びたＳｎ系低融点金属層３２を形成する。この際、各基板のコーナー部では、封着時に溶融したＳｎ系合金がはみ出し易いように、Ｓｎ系合金層を下地層３１より５ｍｍ程度外側まで形成しておく。
【００３１】
金属封着材料としては、融点が約３５０℃以下で密着性、接合性に優れた低融点金属材料を使用することが望ましい。本実施形態で用いるＳｎ系合金は、融点約２２０℃、蒸気圧が低い、低温でも脆くならないなどの優れた特徴がある。しかも、条件によってはガラスに直接接合することができるので、本発明の目的に好適した材料である。
【００３２】
その後、背面基板１２と前面基板１１とを側壁１８を介して互いに封着する。この場合、図５に示すように、封着面に下地層３１および低融点金属層３２が形成された背面基板１２と、低融点金属層３２上に側壁１８が載置された前面基板１１とは、封着面同士が向かい合った状態で、かつ、所定の距離をおいて対向した状態で治具等により保持され、真空処理装置に投入される。
【００３３】
図６に示すように、この真空処理装置１００は、並んで配設されたロード室１０１、べーキング、電子線洗浄１０２、冷却室１０３、ゲッタ膜の蒸着室１０４、組立室１０５、冷却室１０６、およびアンロード室１０７、各室の温度、真空度を調整する駆動装置１２０、装置全体の動作を制御する制御部１２１を備えている。真空処理装置１００の各室は、真空処理が可能な処理室として構成され、ＦＥＤの製造時には全室が真空排気されている。これら各処理室間は図示しないゲートバルブ等により接続されている。
【００３４】
所定の間隔をおいて対向した背面側組立体および前面基板１１は、ロード室１０１に投入され、ロード室１０１内を真空雰囲気とした後、べーキング、電子線洗浄１０２へ送られる。べーキング、電子線洗浄１０２では、１０−５Ｐａ程度の高真空度に達した時点で、背面基板側組立体および前面基板を３００℃程度の温度に加熱してベーキングし、各部材の表面吸着ガスを十分に放出させる。
【００３５】
この温度ではＳｎ系の低融点金属層（融点約２２０℃）３２が溶融する。しかし、低融点金属層３２はＳｎ対して親和性の高い下地層３１上に形成されているため、Ｓｎが流動することなく下地層３１上に保持され、この低融点金属層により側壁１８と前面基板１１とが接合される。以後、側壁１８と接着された前面基板１１を前面側組立体と称する。
【００３６】
また、溶融した低融点金属は、その一部がコーナー部から流出し突出部材４２と接触するが、突出部材の表面がＦｅメッキで形成された金属膜４４により被覆されているため、突出部材を構成しているＣｕがＳｎに拡散せず、または、拡散が抑制される。そのため、突出部材４２は、形状を保持することができ、以後の工程において、電極として機能することができる。
【００３７】
べーキング、電子線洗浄１０２では、加熱と同時に、図示しない電子線発生装置から、前面基板１１の蛍光体スクリーン面、および背面基板１２の電子放出素子面に電子線を照射する。この電子線は、電子線発生装置外部に装着された偏向装置によって偏向走査されるため、蛍光体スクリーン面、および電子放出素子面の全面を電子線洗浄することが可能となる。
【００３８】
加熱、電子線洗浄後、背面基板側組立体および前面基板１１は冷却室１０３に送られ、例えば約１５０℃の温度の温度まで冷却される。続いて、背面側組立体および前面基板１１はゲッタ膜の蒸着室１０４へ送られ、ここで蛍光体スクリーンの外側にゲッタ膜としてＢａ膜が蒸着形成される。このＢａ膜は、表面が酸素や炭素などで汚染されることが防止され、活性状態を維持することができる。
【００３９】
次に、前面側組立体および背面基板１２は組立室１０５に送られ、ここで、互いに封着される。封着は、封着材であるＳｎ系合金に通電してＳｎ系合金を溶融させることで行われる。通電は、基板の各４コーナーに設けられた突出部材４２を電極として用い、基板の対角に相当する電極同士で交互に通電する。これにより、低融点金属層３２の各辺部とコーナー部との温度を均一に上昇させる。この通電加熱による封着方法により、封着を短時間で行うことができる。
【００４０】
ここで２５０℃まで加熱され低融点金属層３２は再び液状に溶融あるいは軟化される。この状態で、側壁１８および背面基板１２を接合して所定の圧力で加圧する。この時、加圧された溶融状態の封着材の一部は、側壁１８のコーナー部から突出した突出部材４２と背面基板１２との間に流れる。これにより、溶融した封着材が表示領域または配線領域の方向へはみ出すことを抑制することができる。
【００４１】
その後、Ｓｎ系合金を除冷して固化させる。これにより、背面基板１２と側壁１８とが、Ｓｎ系の低融点金属層３２および下地層３１を融合した封着層によって封着され、真空外囲器１０が形成される。また、各突出部材４２と前面基板１１との間、および各突出部材と背面基板１２との間は、流れ出た封着材により封着される。
【００４２】
このようにして形成された真空外囲器１０は、冷却室１０６で常温まで冷却された後、アンロード室１０７から取り出される。以上の工程により、ＦＥＤが完成する。
【００４３】
以上のように構成されたＦＥＤおよびその製造方法によれば、真空雰囲気中で前面基板１１、および背面基板１２の封着を行なうことにより、ベーキングおよび電子線洗浄の併用によって基板の表面吸着ガスを十分に放出させることができ、ゲッタ膜も酸化されず十分なガス吸着効果を得ることができる。これにより、高い真空度を維持可能なＦＥＤを得ることができる。
【００４４】
電極として用いる突出部材に表面処理を施すことで、真空加熱時に溶食され消失することなく、封着時に封着材および枠体を通電加熱するための電極として利用できる。そのため、通電加熱を利用して短時間で安定して気密容器を作製することができる。また、溶食による金属間化合物の肥大化を抑制し、強度信頼性の向上した画像表示装置が得られる。
【００４５】
従って、低抵抗のＣｕやＡｌを突出部材かつ電極として用いた場合でも、真空加熱時に溶食されることなく、安定した封着ができるとともに強度の信頼性が向上した気密容器、およびこれを備えた画像表示装置を提供することができる。
【００４６】
なお、突出部材の表面処理は、Ｓｎ系合金へのＣｕの拡散を抑制することができればよく、Ｆｅメッキに限らず、ＣｒやＮｉメッキでも良い。また、Ｆｅメッキは表面が錆びる可能性があり、Ｆｅメッキの上にＮｉメッキを積層する構造でも良い。メッキ厚は、１μｍ以上であれば突き出し部材の溶食抑制効果が得られる。メッキ厚は厚すぎると、電極としての抵抗値が高くなるため、５０μｍ以下が望ましい。
【００４７】
突出部材の母材は、Ｃｕの純金属に限らず、低抵抗な材料であればよく、Ｃｕ合金、Ａｌの純金属およびその合金を用いてもよい。Ａｌの純金属やその合金を用いた場合、表面を被覆する金属膜は、アルマイト処理による酸化膜が適当である。アルマイト処理膜は柱状構造の高抵抗膜であるが、柱状物の根元ではＡｌ母材に近く、かつ、欠陥のある領域から容易にＡｌがＳｎへ拡散するために、Ｓｎと突出部材との導通がとれ、電極として利用することが可能となる。しかし、アルマイト処理膜の柱状物の先端および、欠陥のない領域ではＡｌがＳｎへ拡散しないために、突き出し部材が激しく溶食されることはない。このアルマイト処理の膜厚は、１μｍ以上で溶食抑制効果がえられ、２０μｍ以下であれば、Ｓｎ系合金との安定した導通性が得られる。
【００４８】
ＡｌやＣｕの純金属およびその合金によらず、表面金属膜として、メッキ膜の他、窒化膜、炭化膜、酸化膜を用いてもよく、この場合でも、溶食抑制効果が得られる。
【００４９】
この発明は上述した実施の形態に限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。実施の形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよいし、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。
【００５０】
上述した実施形態では、封着部の封着を真空雰囲気中で行う構成としたが、これに限らず、安定ガス雰囲気中で行ってもよい。前面基板と背面基板の封着についても、インライン型の真空処理装置の他、バッチ式の大気焼成炉を用いても良い。  
この発明は、上述したＦＥＤ等に限定されること無く、ＳＥＤ、ＰＤＰ、蛍光表示管等の他の表示装置、あるいは、他の電子機器の気密容器にも適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】図１は、この発明の実施形態に係るＦＥＤを一部破断して示す斜視図。
【図２】図２は、図１の線Ａ−Ａに沿ったＦＥＤの断面図。
【図３】図３は、上記ＦＥＤの蛍光体スクリーンを示す平面図。
【図４】図４は、上記ＦＥＤの真空外囲器を構成する側壁、および封着面に下地層および低融点金属層が形成された前面基板を示す斜視図。
【図５】図５は、上記封着部に下地層および低融点金属が形成された前面側組立体と背面基板とを対向配置した状態を示す断面図。
【図６】図６は、上記ＦＥＤの製造に用いる真空処理装置を概略的に示す図。
【符号の説明】
【００５２】
１０…真空外囲器、１１…前面基板、１２…背面基板、１４…支持部材、
１６…蛍光体スクリーン、１８…側壁、２２…電子放出素子、３１…下地層、
３２…低融点金属層、４０…封着部、４２…突出部材、４４…金属膜、
１００…真空処理装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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