(57)【要約】【課題】接着剤層を有するチップ、すなわち、チップのボンディング面に、該面と略同形で均一な厚さを有する接着剤層が形成されたチップの製造方法を提供すること。また、上記接着剤層を有するチップが効率よく、高い信頼性で得られる製造方法を提供すること。【解決手段】本発明に係る接着剤層を有するチップの製造方法は、［１］基材と該基材上に積層されたフォトリソグラフィー可能な接着剤層とを有するフィルムの該接着剤層上に、複数のチップが間隙を隔てて付着したチップ付着フィルムを用意する工程と、［２］前記接着剤層を露光する工程と、［３］露光された前記接着剤層を現像し、前記チップが付着された部分以外の前記接着剤層を除去する工程とを含む。【選択図】図２
2008251582.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
［１］基材と該基材上に積層されたフォトリソグラフィー可能な接着剤層とを有するフィルムの該接着剤層上に、複数のチップが間隙を隔てて付着したチップ付着フィルムを用意する工程と、
［２］前記接着剤層を露光する工程と、
［３］露光された前記接着剤層を現像し、前記チップが付着された部分以外の前記接着剤層を除去する工程とを
含むことを特徴とする接着剤層を有するチップの製造方法。
【請求項２】
前記フォトリソグラフィー可能な接着剤層が、ポジ型フォトレジスト組成物から形成された接着剤層であり、
工程［２］が、前記チップ側から、前記接着剤層を露光する工程であることを特徴とする請求項１に記載の接着剤層を有するチップの製造方法。
【請求項３】
前記フォトリソグラフィー可能な接着剤層が、ネガ型フォトレジスト組成物から形成された接着剤層であり、
工程［２］が、マスクを介して前記基材側から、前記接着剤層を露光する工程であることを特徴とする請求項１に記載の接着剤層を有するチップの製造方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかに記載の接着剤層を有するチップを得た後、さらに該接着剤層を介してチップを基板に固着する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
基材と該基材上に積層されたフォトリソグラフィー可能な接着剤層とを有することを特徴とするフィルム。
【請求項６】
請求項５に記載のフィルムの前記接着剤層上に、複数のチップが間隙を隔てて付着されてなることを特徴とするチップ付着フィルム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、接着剤層を有するチップの製造方法に関する。より詳しくは、本発明は、接着剤層を有するチップの製造方法であって、基材と該基材上に積層されたフォトリソグラフィー可能な接着剤層とを有するフィルムを用いた製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造過程では、半導体ウェハを切断分離してチップに個片化するダイシング工程の後、エキスパンド工程などを経て、接着剤層を介してチップと基板とをダイボンドするダイボンディング工程が行われる。
【０００３】
ところで、近年、チップの薄型化が進んでおり、薄型チップの場合は、通常先ダイシング（ＤＢＧ：Dicing Before Grinding）工程により個片化されることがある。すなわち、半導体回路が形成されたウェハ表面から所定の深さの溝（カーフ）を形成し、該回路面に表面保護シートを貼着し、該ウェハの裏面を研削して、ウェハの厚みを薄くするとともに、最終的には個々のチップに分割されている（特許文献１参照）。次いで、得られた薄型チップを基板にダイボンドする際には、チップのダイボンディング面に該面と同じ大きさの接着剤層を形成する必要がある。
【０００４】
ここで、ペースト状の接着剤を用いると、均一な量や厚さで接着剤層を形成することが困難であり、ダイボンド時に接着剤がチップ表面まで巻き上がるという問題もあった。
このため、接着剤層と基材とからなるダイアタッチフィルム（本明細書においてＤＡＦともいう）を用いて薄型チップのダイボンディング面に接着剤層を形成し、該チップを基板に固着する方法が採用されている。この場合は、ＤＢＧ工程で最終的に個々のチップに分割し、次いで、研削面に、接着剤層と基材とからなるＤＡＦの接着剤層を貼着し、表面保護シートを剥離した後、チップ間に露出している接着剤層（カーフ幅部分の接着剤層）を切断しなければならない。
【０００５】
このカーフ幅部分の接着剤層の切断方法としては、ブレードで切断する方法（特許文献２参照）、レーザーで切断する方法（特許文献３参照）などが挙げられる。また、研削面に、伸長可能な基材と脆質状の接着剤層とからなるＤＡＦの接着剤層を貼着し、該フィルムをエキスパンドしてチップ間の間隔を離間するとともに、該接着剤層を破断する方法（特許文献４参照）も試みられている。
【特許文献１】特開平５−３３５４１１号公報
【特許文献２】特開２００１−１５６０２７号公報
【特許文献３】特開２００５−１１６７３９号公報
【特許文献４】特開２００６−２０３１３３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記ウェハの裏面研削により個々のチップに分割する際やＤＡＦの接着剤層を貼着する際などに、薄型チップの位置がずれることがある。したがって、ブレードによる切断では、位置がずれたチップを破損することがあり、生産効率に改善の余地がある。また、レーザーによる切断は、カーフ幅を読み取りながら行うが、高価な装置を必要とし、さらに接着剤層の熱分解物やガス化したものがチップ表面および側面に再付着（デブリ）する問題がある。さらに、フィルムのエキスパンドによる切断は、カーフ幅部分の接着剤層が、チップのボンディング面からはみだしてチップに付着したままの状態となるため、得られる半導体装置の信頼性に改善の余地がある。
【０００７】
なお、上述した問題は、ＤＢＧ工程により得られた薄型のチップに限らずに生ずることがある。たとえば、ダイシング工程後、それぞれのチップについて良品であるか否かの検査を行った後、良品のチップのみをＤＡＦに貼付する場合がある。ここで、接着剤層付きのチップをＤＡＦの基材から剥離しダイボンドする際にも、上述した問題が起こり得る。
【０００８】
したがって、本発明の目的は、接着剤層を有するチップ、すなわち、チップのボンディング面に、該面と略同形で均一な厚さを有する接着剤層が形成されたチップの製造方法を提供することにある。また、上記接着剤層を有するチップが効率よく、高い信頼性で得られる製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者らは鋭意研究した結果、特定の接着剤層を有するフィルムにより上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明に係る接着剤層を有するチップの製造方法は、
［１］基材と該基材上に積層されたフォトリソグラフィー可能な接着剤層とを有するフィルムの該接着剤層上に、複数のチップが間隙を隔てて付着したチップ付着フィルムを用意する工程と、
［２］上記接着剤層を露光する工程と、
［３］露光された上記接着剤層を現像し、上記チップが付着された部分以外の上記接着剤層を除去する工程とを
含むことを特徴とする。
【００１０】
上記フォトリソグラフィー可能な接着剤層は、ポジ型フォトレジスト組成物から形成された接着剤層であり、工程［２］は、上記チップ側から、上記接着剤層を露光する工程であることが好ましい。
【００１１】
また、上記フォトリソグラフィー可能な接着剤層は、ネガ型フォトレジスト組成物から形成された接着剤層であり、工程［２］は、マスクを介して上記基材側から、上記接着剤層を露光する工程であることが好ましい。
【００１２】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、上記接着剤層を有するチップを得た後、さらに該接着剤層を介してチップを基板に固着する工程を含むことを特徴とする。
本発明に係るフィルムは、基材と該基材上に積層されたフォトリソグラフィー可能な接着剤層とを有することを特徴とする。
【００１３】
本発明に係るチップ付着フィルムは、上記フィルムの上記接着剤層上に、複数のチップが間隙を隔てて付着されてなることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の接着剤層を有するチップの製造方法によれば、チップのボンディング面に、該面と略同形で均一な厚さを有する接着剤層が形成できる。また、上記接着剤層を有するチップが効率よく、高い信頼性で得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明について詳細に説明する。
本発明に係る接着剤層を有するチップの製造方法は、［１］基材と該基材上に積層されたフォトリソグラフィー可能な接着剤層とを有するフィルムの該接着剤層上に、複数のチップが間隙を隔てて付着したチップ付着フィルムを用意する工程と、［２］上記接着剤層を露光する工程と、［３］露光された上記接着剤層を現像し、上記チップが付着された部
分以外の上記接着剤層を除去する工程とを含むことを特徴とする。
【００１６】
具体的には、上記フォトリソグラフィー可能な接着剤層が、ポジ型フォトレジスト組成物から形成された接着剤層である場合と、ネガ型フォトレジスト組成物から形成された接着剤層である場合とに大別されるため、以下それぞれについて図面を参照しながら説明する。
【００１７】
＜ポジ型フォトレジスト組成物を用いる場合＞
［工程［１］］
工程［１］では、基材４と該基材上に積層されたポジ型のフォトリソグラフィー可能な接着剤層３Ａとを有するフィルム５Ａの該接着剤層３Ａ上に、複数のチップ１が間隙２を隔てて付着したチップ付着フィルム１０Ａを用意する（図１、図２（ａ）参照）。なお、図２（ａ）は、図１におけるＡ−Ａ線断面図である。また、図１に示されるように、複数のチップ１が接着剤層３Ａ上に付着しており、図１のチップ１間の実線は、チップ１間の間隙２を示す。したがって、間隙２では接着剤層３Ａが露出している。
【００１８】
工程［１］に用いるフィルム５Ａは、上述のように、基材４とフォトリソグラフィー可能な接着剤層３Ａとを有し、該フォトリソグラフィー可能な接着剤層３Ａは該基材４上に積層されている。
【００１９】
基材４としては、特に限定されないが、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブチレン、ポリブタジエン、ポリメチルペンテン、ポリ塩化ビニル、エチレン酢酸ビニル共重合体、エチレン（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン（メタ）アクリル酸エステル共重合体、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリウレタン、ポリスチレン、ポリカーボネート、アイオノマーなどの樹脂フィルムが挙げられる。また、上記樹脂フィルムの表面をシリコーン系、フッ素系、長鎖アルキル系等の剥離剤で処理した樹脂フィルムが挙げられる。
【００２０】
基材４の厚さは、好ましくは１０〜１０００μm、より好ましくは２０〜８００μmである。
フォトリソグラフィー可能な接着剤層３Ａは、ポジ型フォトレジスト組成物から形成された接着剤層である。
【００２１】
上記ポジ型フォトレジスト組成物の光変性機構は、特に限定されるものではなく、一般に知られている系全てから選択できる。具体的には、o-ナフトキノンジアジド・ノボラックの系(通常，o-ナフトキノンジアジドはスルホン酸エステルが用いられる)、ポリ(p-ホ
ルミロキシスチレン)の系、o-ニトロベンジルコリン酸エステル・メチルメタクリレート
とメタクリル酸の共重合体の系、ジヒドロピリジンの系、N-置換マレイミド・スチレン共重合体の系などである。
【００２２】
これらの系は複合系でもよく、その系に適宜熱硬化性樹脂を混合させて組成物とする。上記熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂が好適に用いられる。
また、光分解(光崩壊や光解重合で低分子化することにより溶解度を増大させる系)や化学増幅型(アルカリ可溶性樹脂，溶解阻止物質，光酸発生剤からなる系)の機構も使用することができ、その系中に適宜熱硬化性樹脂を混合させて組成物とする。
【００２３】
上記アルカリ可溶性樹脂としては、フェノール、クレゾール、エチルフェノール、ｔ−ブチルフェノール、キシレノール、ナフトール、1,4−ジヒドロキシベンゼン、1,3−ジヒドロキシベンゼン等のヒドロキシ芳香族化合物とホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、ベンズアルデヒド、フルフラール等のアルデヒドとを縮重合させたいわゆるノボラック樹
脂、ポリヒドロキシスチレンおよびその誘導体などが好適に用いられる。
【００２４】
上記1,2−ナフトキノンジアジド基を含む化合物としては、1,2−ベンゾキノンジアジド−４−スルホン酸エステル、1,2−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステル、1,2−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステルなどが挙げられる。
【００２５】
必要に応じて、上記組成物には有機溶媒、無機フィラー、有機フィラー、顔料、染料などが含まれていてもよい。
フィルム５Ａは、たとえば、上記ポジ型フォトレジスト組成物の粘度を適宜調整し、該組成物を基材４上に塗布した後、加熱乾燥し、有機溶媒などを揮発させて得られる。
【００２６】
フィルム５Ａにおいて、接着剤層３Ａの厚さは、好ましくは１〜１００μm、より好ま
しくは５〜５０μmである。
得られた上記フィルムは、本発明に使用されるまで、保護フィルムを接着剤層３Ａ上に積層して保存しておくことが好ましい。上記保護フィルムとしては、適度な剥離性を有していれば特に制限されず、上記基材４の具体例と同じ樹脂フィルムが用いられる。保護フィルムを有する場合は、基材４よりも接着剤層３Ａとの接着力が小さいフィルムを用いることが好ましい。
【００２７】
チップ付着フィルム１０Ａは、上述したフィルム５Ａを用いて、たとえば、先ダイシング（ＤＢＧ： Dicing Before Grinding）工程により得られる。
ＤＢＧ工程では、特開平５−３３５４１１号公報に記載されているように、半導体回路が形成されたウェハ表面から所定の深さの溝（カーフ）を形成し、該回路面に表面保護シートを貼着し、該ウェハの裏面を研削して、ウェハの厚みを薄くするとともに、最終的には個々のチップに分割される。
分割されたチップの研削面に本発明のフィルム５Ａを貼着した後、表面保護シートを剥離すれば、チップ付着フィルムが得られる。なお、表面保護シートを剥離する際は、フィルム側を吸着固定しておくことが好ましい。
【００２８】
なお、ウェハダイシング装置としては、たとえば、ディスコ社製  ハーフカットウェハダイシング装置DFD6361が用いられる。裏面研削装置としては、たとえば、ディスコ社製
裏面研削装置DPG8760が用いられる。表面保護シートとしては、従来各種物品の保護、
半導体ウェハの加工などに用いられてきた各種の保護シートが挙げられる。特に、本発明においては、特開２０００−６８２３７号公報、特開２００１−１２７０２９号公報などに記載された表面保護シートが好ましく用いられる。
【００２９】
このようなＤＢＧ工程によれば、複数の薄型のチップ１が間隙２を隔てて付着されてなるチップ付着フィルム１０Ａが得られる。チップ１の厚さは通常３０〜２００μｍである。分割されたチップの研削面に、従来のＤＡＦが貼着された場合は、基板に接着剤層付きチップをダイボンドするにあたって、チップ間に露出した接着剤層をブレードやレーザーで切断する必要がある。
【００３０】
しかしながら、薄型チップは、個片化やＤＡＦの貼着時に位置がずれやすく、上記のブレードやレーザーによる切断では生産効率の観点から問題があった。さらに、ブレードによる切断では、位置がずれたチップを破損することがあり、レーザーによる切断で得られる接着剤層は、接着剤層の熱分解物やガス化したものがチップ表面および側面に再付着（デブリ）する問題があった。これに対して、本件発明によれば、薄型チップの位置がずれたときであっても、後述する露光、現像工程を経れば、チップのボンディング面に、該面と略同形で均一な厚さを有する接着剤層が形成できる。また、上記接着剤層を有するチップが効率よく、高い信頼性で形成できる。
【００３１】
また、本発明において、チップ付着フィルム１０Ａは、従来のダイシング工程の後、たとえば検査工程などを経て得られるチップを集積したチップ付着フィルムであってもよい。
【００３２】
具体的には、まず、ダイシング工程では、ダイシングテープ上にウェハを貼着し、ブレードなどにより該ウェハをチップに切断分離する。次に、たとえば、必要に応じてそれぞれのチップについて良品であるか否かの検査を行った後、良品のチップのみをフィルム５Ａ上に所定の間隙で複数付着すれば、チップ付着フィルム１０Ａが得られる。
【００３３】
［工程［２］］
工程［２］では、接着剤層３Ａを露光する（図２（ｂ）参照）。
露光に先立って、チップ付着フィルム１０Ａをリングフレーム６に固定しておくことが好ましい。
【００３４】
また、チップ１側から、接着剤層３Ａを露光する。ポジ型フォトレジスト組成物を用いたときは、後述する現像工程で露光された部分の接着剤層３Ａが除去される。したがって、チップ自体がマスクの役割も兼ねるため、ネガ型フォトレジスト組成物を用いたときのようにマスクを用意する必要がない。
【００３５】
工程［２］に用いられる照射光源７としては、たとえば、低圧水銀灯、中圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、キセノンランプ、メタルハライドランプが挙げられる。また、電子線、Ｘ線、ＥＵＶ、ＫｒＦエキシマ、ＡｒＦエキシマ等の各種レーザー光線などを用いてもよい。露光量は、使用する光源、接着剤層３Ａの厚さなどによって適宜選定される。たとえば、高圧水銀灯からの紫外線照射の場合、接着剤層３Ａの厚さ５〜２０μｍでは、５０〜１０００ｍＪ／ｃｍ2程度である。
【００３６】
［工程［３］］
工程［３］では、露光された接着剤層３Ａを現像し、チップ１が付着された部分以外の接着剤層３Ａを除去する（図２（ｃ）参照）。
【００３７】
現像はアルカリ水溶液により行うことができ、該アルカリ水溶液としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水等の無機アルカリ類、エチルアミン、ｎ−プロピルアミン等の第一級アミン類、ジエチルアミン、ジ−ｎ−プロピルアミン等の第二級アミン類、トリエチルアミン、メチルジメチルアミン等の第三級アミン類、テトラメチルアンモニウムハイドロオキシド、トリメチルヒドロキシエチルアンモニウムハイドロオキシド等の第四級アンモニウム塩などが挙げられる。また、これらにアルコール、界面活性剤などを添加したて用いてもよい。
【００３８】
現像の方法としてはシャワー現像、スプレー現像、浸漬現像、パドル現像などが挙げられる。
現像条件は通常２０〜６０℃で１〜１０分間である。
【００３９】
このようにして、接着剤層を有するチップ２０Ａが製造される。
本発明においては、上記接着剤層を有するチップ２０Ａを製造した後、続いてチップ２０Ａを基板に固着する工程に進み半導体装置の製造を行ってもよい。また、チップ２０Ａが、所望の部分が除去された接着剤層を介して基材４に支持された状態で保管や搬送を行うようにしてもよい。このようにすれば、良品のチップのみを次工程やユーザーに搬送することができるので工程管理が簡便となる。この場合、基材４はチップＡを保管、搬送するダイソートフィルムとしての役割を有する。なお、接着剤層を除去する前の状態で保管、搬送を行ってもよい。
【００４０】
＜ネガ型フォトレジスト組成物を用いる場合＞
［工程［１］］
工程［１］では、基材４と該基材上に積層されたネガ型のフォトリソグラフィー可能な接着剤層３Ｂとを有するフィルム５Ｂの該接着剤層３Ｂ上に、複数のチップ１が間隙２を隔てて付着したチップ付着フィルム１０Ｂを用意する（図３（ａ）参照）。なお、図３（ａ）は、図１におけるＡ−Ａ線断面図である。
【００４１】
工程［１］に用いるフィルム５Ｂは、上述のように、基材４とフォトリソグラフィー可能な接着剤層３Ｂとを有し、該フォトリソグラフィー可能な接着剤層３Ｂは該基材４上に積層されている。
【００４２】
基材４としては、フィルム５Ａの場合と同様の樹脂フィルムが用いられるが、後述するように基材４側から接着剤層３Ｂを露光するため、照射される光を吸収しないような該光に透明なフィルムが好適に用いられる。
【００４３】
フォトリソグラフィー可能な接着剤層３Ｂは、ネガ型フォトレジスト組成物から形成された接着剤層である。
上記ネガ型フォトレジスト組成物は、たとえば、アルカリ現像可能な感光性樹脂、光重合開始剤を含む。
【００４４】
上記アルカリ現像可能な感光性樹脂としては、カルボキシル基、水酸基、アミド基などの親水性基と、アクリレート基、メタクリレート基，ビニル基，アリール基などの二重結合性基とを有する化合物であれば特に分子量や構造に限定されず用いられ、その他の配合物の物性・極性・相溶性や全体のアルカリ現像性を考慮して適宜選択できる。
【００４５】
上記光重合開始剤としては、アセトフェノン類、ベンゾフェノン類、チオキサントン類などが挙げられる。
また、これらの系は複合系でもよく、その系に適宜熱硬化性樹脂を混合させて組成物とする。上記熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂が好適に用いられる。
【００４６】
必要に応じて、上記組成物には感光性多官能モノマー、有機溶媒、、無機フィラー、有機フィラー、顔料、染料などが含まれていてもよい。
フィルム５Ｂの製造方法、本発明に使用されるまで保護フィルムを接着剤層３Ｂ上に積層して保存しておくことが好ましい点、およびフィルム５Ｂにおける接着剤層３Ｂの厚さも、フィルム５Ａの場合と同様である。
【００４７】
チップ付着フィルム１０Ｂは、チップ付着フィルム１０Ａと同様に、ＤＢＧ工程により得られるフィルムであってもよい。また、このチップ付着フィルム１０Ｂは、上述したＤＢＧ工程において、フィルム５Ａの代わりにフィルム５Ｂを用いれば得られる。また、チップ付着フィルム１０Ｂは、チップ付着フィルム１０Ａと同様に、従来のダイシング工程の後、たとえば検査工程を経て得られたチップを集積したフィルムであってもよい。
【００４８】
［工程［２］］
工程［２］では、接着剤層３Ｂを露光する（図３（ｂ）参照）。
露光に先立って、チップ付着フィルム１０Ａの場合と同様に、チップ付着フィルム１０Ｂをリングフレーム６に固定しておくことが好ましい。
【００４９】
また、マスク８を介して基材４側から、接着剤層３Ｂを露光する。マスク８は、チップ１間に露出する接着剤層３Ｂが露光されないようなパターンを有しており、マスク８は、チップ１間に露出する接着剤層３Ｂが露光されないような位置に配置される。したがって、ネガ型フォトレジスト組成物を用いたときは、後述する現像工程で露光されなかった部分の接着剤層３Ｂが除去される。
【００５０】
工程［２］に用いられる照射光源７、露光量については、チップ付着フィルム１０Ａの場合と同様の手段、同程度の露光量が用いられる。
［工程［３］］
工程［３］では、露光された接着剤層３Ｂを現像し、チップ１が付着された部分以外の接着剤層３Ｂを除去する（図３（ｃ）参照）。
【００５１】
現像はアルカリ水溶液により行うことができ、該アルカリ水溶液、現像の方法、現像条件については、チップ付着フィルム１０Ａの場合と同様である。
このようにして、接着剤層を有するチップ２０Ｂが製造される。
【００５２】
本発明においては、チップ２０Ａの場合と同様に、上記接着剤層を有するチップ２０Ｂを製造した後、続いてチップ２０Ｂを基板に固着する工程に進み半導体装置の製造を行ってもよい。また、チップ２０Ｂが、所望の部分が除去された接着剤層を介して基材４に支持された状態で保管や搬送を行うようにしてもよい。この場合、基材４はチップＢを保管、搬送するダイソートフィルムとしての役割を有する。なお、接着剤層を除去する前の状態で保管、搬送を行ってもよい。
【００５３】
＜半導体装置の製造方法＞
本発明に係る半導体装置の製造方法は、上述のように、ポジ型フォトレジスト組成物またはネガ型フォトレジスト組成物を用いて得られた接着剤層を有するチップを製造した後、さらに該接着剤層を介して該チップを基板に固着する工程（固着工程）を含む。
【００５４】
具体的には、まず、接着剤層を有するチップ２０Ａまたは２０Ｂをピックアップする。必要に応じて、エキスパンドを行えば、チップ間の隙間が広がり、ピックアップ装置のチップ認識性が向上する。
【００５５】
このピックアップされた接着剤層を有するチップ２０Ａまたは２０Ｂは、所定の基板上にダイボンドされ、接着剤層を加熱硬化することによりチップと基板とが強固に固着される。接着剤層に依存するが、加熱温度は通常１００〜２００℃であり、加熱時間は通常１０〜２００分である。また、この加熱硬化条件は段階硬化（ステップキュア）であってもよく、その加熱硬化装置としては、通常の加熱オーブン、加熱加圧オーブン、ホットプレート、電磁波誘導加熱装置などが挙げられるが、その装置・手法は限定されない。
【００５６】
通常、上記の固着工程に続いて、接着剤層の加熱硬化が行われた基板を半導体装置に組立加工する組立工程が行われる。たとえば、ワイヤーを結線するワイヤーボンディング工程、封止樹脂によるモールディング工程などが行われる。このようにして半導体装置が製造される。本発明によれば、ボンディング面と略同形で均一な厚さの接着剤層を有するチップを用いているため、効率よく、高い信頼性を有する半導体装置が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】図１は、本発明の接着剤層を有するチップの製造方法を説明するための図である。
【図２】図２は、本発明の接着剤層を有するチップの製造方法を説明するための図である。
【図３】図３は、本発明の接着剤層を有するチップの製造方法を説明するための図である。
【符号の説明】
【００５８】
１：      チップ
２：      間隙
３Ａ：    フォトリソグラフィー可能な接着剤層
３Ｂ：    フォトリソグラフィー可能な接着剤層
４：      基材
５Ａ：    フィルム
５Ｂ：    フィルム
６：      リングフレーム
７：      照射光源
８：      マスク
１０Ａ：  チップ付着フィルム
１０Ｂ：  チップ付着フィルム
２０Ａ：  接着剤層付きチップ
２０Ｂ：  接着剤層付きチップ
【図１】
2008251582.tif 000003
【図２】
2008251582.tif 000004
【図３】
2008251582.tif 000005