(57)【要約】【課題】裁断性能、遮断性能及び通電性能を兼備した接点材料を原料の損失を低減して製造可能な接点材料の製造方法を提供する。【解決手段】３０〜５０重量％の銀からなる導電成分と、４８．５〜６８．５重量％の炭化タングステンからなる耐弧成分と、０．２〜５重量％のコバルト、鉄、及びニッケルの少なくともいずれかからなる補助成分とを混合して混合粉末を得る工程（Ｓ１）と、混合粉末を空隙率が２５〜３５％となるように成形して成形体を得る工程（Ｓ２）と、成形体を還元性雰囲気中で１１５０〜１２５０℃で熱処理して熱処理体を得る工程（Ｓ３）と、熱処理体を空隙率が１０％以下となるように加圧して加圧体を得る工程（Ｓ４）とを含む。【選択図】      図３
2008171682.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
３０〜５０重量％の銀からなる導電成分と、４８．５〜６８．５重量％の炭化タングステンからなる耐弧成分と、０．２〜５重量％のコバルト、鉄、及びニッケルの少なくともいずれかからなる補助成分とを混合して混合粉末を得る工程と、
前記混合粉末を空隙率が２５〜３５％となるように成形して成形体を得る工程と、
前記成形体を還元性雰囲気中で１１５０〜１２５０℃で熱処理して熱処理体を得る工程と、
前記熱処理体を空隙率が１０％以下となるように加圧して加圧体を得る工程
とを含む接点材料の製造方法。
【請求項２】
前記加圧体を得る工程の後に、前記加圧体を８００〜１２５０℃で熱処理する工程を更に含むことを特徴とする請求項１に記載の接点材料の製造方法。
【請求項３】
５〜２５重量％の銀及び２５〜３５重量％の銅からなる導電成分と、４８．５〜６８．５重量％の炭化タングステンからなる耐弧成分と、０．２〜５重量％のコバルト、鉄、及びニッケルの少なくともいずれかからなる補助成分とを混合して混合粉末を得る工程と、
前記混合粉末を空隙率が２５〜３５％となるように成形して成形体を得る工程と、
前記成形体を還元性雰囲気中で１１５０〜１２５０℃で熱処理して熱処理体を得る工程と、
前記熱処理体を空隙率が１０％以下となるように加圧する工程
とを含む接点材料の製造方法。
【請求項４】
３０〜５０重量％の銀からなる導電成分と、炭化タングステン以外の１０重量％以下の炭化物を含む４８．５〜６８．５重量％の全炭化物からなる耐弧成分と、０．２〜５重量％のコバルト、鉄、及びニッケルの少なくともいずれかからなる補助成分とで構成される原料粉末を混合して混合粉末を得る工程と、
前記混合粉末を空隙率が２５〜３５％となるように成形して成形体を得る工程と、
前記成形体を還元性雰囲気中で１１５０〜１２５０℃で熱処理して熱処理体を得る工程と、
前記熱処理体を空隙率が１０％以下となるように加圧して加圧体を得る工程
とを含む接点材料の製造方法。
【請求項５】
３０〜５０重量％の銀からなる導電成分と、４８．５〜６８．５重量％の炭化タングステンからなる耐弧成分と、０．２〜５重量％のコバルト、鉄、及びニッケルの少なくともいずれかからなる補助成分とを混合して混合粉末を得るステップ、前記混合粉末を空隙率が２５〜３５％となるように成形して成形体を得るステップ、前記成形体を還元性雰囲気中で１１５０〜１２５０℃で熱処理して熱処理体を得るステップと、前記熱処理体を空隙率が１０％以下となるように加圧するステップとにより接点材料を製造する工程と、
前記接点材料を８００〜９５０℃で一対の電極にそれぞれ接合する工程
とを含むことを特徴とする真空バルブの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、接点材料の製造方法及び真空バルブの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
低裁断性を有する炭化タングステン（ＷＣ）を含んだ真空バルブ用接点材料としては、Ａｇ−ＷＣ系接点が優れた特性を有することが知られている。Ａｇ−ＷＣ系接点材料の製造方法には、溶浸法と焼結法の２種類が存在する。
【０００３】
溶浸法は、耐弧成分を主成分とする粉体の成形体又は必要によってこれを予備焼結した焼結体の空隙に導電成分を溶浸する製造方法である。特許文献１に記載されているＡｇ−ＷＣ接点材料は、この方法により製造されている。溶浸法は耐弧成分のスケルトンの焼結体の空隙に重力と毛細管力とのバランスによって導電成分を溶浸する方法であるため、スケルトンの空隙を丁度満たす量より多い導電成分を溶浸せねばならない。更に、溶浸体の表面付近には空隙が完全に満たされていない部分が存在するため健全性が確保できる表面から一定の深さまで溶浸体表面を切削除去しなければならない。このように、溶浸法では原料の損失量が多いといった問題がある。
【０００４】
一方、焼結法は、導電成分と耐弧成分と必要によってはこれらに加えて補助成分とからなる混合粉末の成形体を高温にて焼結する製造方法である。特許文献２に記載されているＡｇ−Ｃｕ−ＷＣ接点材料は、この方法により製造されている。焼結法は成形によって最終形状に近い形状とし易いことから原料の損失を低減することが可能となるが、原料表面の酸化物や吸着酸素の除去に問題があった。これは焼結法では一般に成形時の相対密度を高くする必要があるため、残された空隙は閉鎖空間となり、この内部に閉じ込められた酸化物又は酸素は還元除去不可能となることによるものである。特に低裁断化特性を必要とするＡｇ−ＷＣでは、接点材料の均質化を図るため、原料のＷＣ粉末やＡｇ粉末は微細粒子である必要があり、原料表面の酸化物や吸着酸素は甚だしく多く、焼結法では、水素雰囲気において焼結することにより酸素量低減が図られている。しかしながら焼結法では、閉鎖空間内に水素が侵入することができても酸素と反応して水蒸気となってしまうと閉鎖空間から材料外部に出ることは不可能であり、酸素含有量は高くなる。従って、焼結法で製造した接点材料では溶浸法で製造した接点材料のような高い遮断性能が得られていない。また、低密度の成形体として焼結した場合には、焼結後の密度が不十分であるため、一旦還元された接点材料内部が加圧工程に進むまでの間に再酸化され、再加圧時に酸素が閉鎖空隙内部に閉じ込められてしまい、高い遮断性能は得られない。
【０００５】
このように、従来の溶浸法及び焼結法では、原料の損失を低減しつつ、優れた低裁断性能及び遮断性能を兼備した接点材料を製造することは困難であった。
【特許文献１】特願平６−３３４７号公報
【特許文献２】特開２００６−１２０３７３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、優れた裁断性能及び遮断性能を兼備した接点材料を原料の損失を低減して製造可能な接点材料の製造方法及び真空バルブの製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本願発明の一態様によれば、（イ）３０〜５０重量％の銀からなる導電成分と、４８．５〜６８．５重量％の炭化タングステンからなる耐弧成分と、０．２〜５重量％のコバルト、鉄、及びニッケルの少なくともいずれかからなる補助成分とを混合して混合粉末を得る工程と、（ロ）混合粉末を空隙率が２５〜３５％となるように成形して成形体を得る工程と、（ハ）成形体を還元性雰囲気中で１１５０〜１２５０℃で熱処理して熱処理体を得る工程と、（ニ）熱処理体を空隙率が１０％以下となるように加圧して加圧体を得る工程とを含む接点材料の製造方法が提供される。
【０００８】
本願発明の他の態様によれば、（イ）５〜２５重量％の銀及び２５〜３５重量％の銅からなる導電成分と、４８．５〜６８．５重量％の炭化タングステンからなる耐弧成分と、０．２〜５重量％のコバルト、鉄、及びニッケルの少なくともいずれかからなる補助成分とを混合して混合粉末を得る工程と、（ロ）混合粉末を空隙率が２５〜３５％となるように成形して成形体を得る工程と、（ハ）成形体を還元性雰囲気中で１１５０〜１２５０℃で熱処理して熱処理体を得る工程と、（ニ）熱処理体を空隙率が１０％以下となるように加圧する工程とを含む接点材料の製造方法が提供される。
【０００９】
本願発明の更に他の態様によれば、（イ）３０〜５０重量％の銀からなる導電成分と、炭化タングステン以外の１０重量％以下の炭化物を含む４８．５〜６８．５重量％の全炭化物からなる耐弧成分と、０．２〜５重量％のコバルト、鉄、及びニッケルの少なくともいずれかからなる補助成分とで構成される原料粉末を混合して混合粉末を得る工程と、（ロ）混合粉末を空隙率が２５〜３５％となるように成形して成形体を得る工程と、（ハ）成形体を還元性雰囲気中で１１５０〜１２５０℃で熱処理して熱処理体を得る工程と、（ニ）熱処理体を空隙率が１０％以下となるように加圧して加圧体を得る工程とを含む接点材料の製造方法が提供される。
【００１０】
本願発明の更に他の態様によれば、（イ）３０〜５０重量％の銀からなる導電成分と、４８．５〜６８．５重量％の炭化タングステンからなる耐弧成分と、０．２〜５重量％のコバルト、鉄、及びニッケルの少なくともいずれかからなる補助成分とを混合して混合粉末を得るステップ、混合粉末を空隙率が２５〜３５％となるように成形して成形体を得るステップ、成形体を還元性雰囲気中で１１５０〜１２５０℃で熱処理して熱処理体を得るステップと、熱処理体を空隙率が１０％以下となるように加圧するステップとにより接点材料を製造する工程と、（ロ）接点材料を８００〜９５０℃で一対の電極にそれぞれ接合する工程とを含む真空バルブの製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、優れた裁断性能及び遮断性能を兼備した接点材料を原料の損失を低減して製造可能な接点材料の製造方法及び真空バルブの製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
次に、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法との関係、各層の厚みの比率等は現実のものとは異なることに留意すべきである。したがって、具体的な厚みや寸法は以下の説明を参酌して判断すべきものである。又、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることはもちろんである。
【００１３】
また、以下に示す実施の形態は、この発明の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、この発明の技術的思想は、構成部品の材質、形状、構造、配置等を下記のものに特定するものでない。この発明の技術的思想は、特許請求の範囲において、種々の変更を加えることができる。
【００１４】
本発明の実施の形態に係る真空バルブの部分断面図を図１に示す。図１において、遮断室１は、絶縁材料によりほぼ円筒状に形成された絶縁容器２と、絶縁容器２の両端に封止金具３ａ、３ｂを介して設けた金属製の蓋体４ａ、４ｂとで真空気密に構成されている。遮断室１内には、導電棒５，６の対向する端部に取付けられた一対の電極７，８が配設され、上部の電極７を固定電極、下部の電極８を可動電極としている。電極８の電極棒６にはベローズ９が取付けられ、遮断室１内を真空気密に保持しながら電極８の軸方向の移動を可能にしている。ベローズ９上には金属製のアークシールド１０が設けられている。アークシールド１０によりベローズ９がアーク蒸気で覆われることを防止している。電極７，８を覆うように、遮断室１内に金属製のアークシールド１１が設けられている。アークシールド１１により絶縁容器２がアーク蒸気で覆われることを防止している。
【００１５】
電極８は、図２に示すように、導電棒６にろう材１２によってろう付けして固定されるか、又はかしめによって圧着接続されている。接点１３ｂは、電極８にろう材１４によってろう付けして取付けられる。図１に示した接点１３ａは、電極７にろう付けにより取付けられる。
【００１６】
次に、本発明の実施の形態に係る接点材料の製造方法及びその接点材料を用いた真空バルブの製造方法の一例を、図３のフローチャートを参照しながら説明する。
【００１７】
ステップＳ１において、３０〜５０重量％（以下、「ｗｔ％」という。）程度のＡｇからなる導電成分と、４８．５〜６８．５ｗｔ％程度のＷＣからなる耐弧成分と、０．２〜５ｗｔ％程度のコバルト（Ｃｏ）、鉄（Ｆｅ）、及びニッケル（Ｎｉ）の少なくともいずれかからなる補助成分とで構成される原料粉末を混合して混合粉末を得る。補助成分としては、Ｃｏ、Ｆｅ及びＮｉのいずれか２つ以上を組み合わせて混合しても良い。
【００１８】
ステップＳ２において、混合粉末を空隙率が２５〜３５％程度となるように成形して成形体を得る。
【００１９】
ステップＳ３において、成形体を還元性雰囲気中で１１５０〜１２５０℃程度で還元熱処理する。ここで、ステップＳ１において、Ｃｏ，Ｆｅ，Ｎｉ等の補助成分を０．２〜５ｗｔ％程度で混合しているので、ステップＳ３の還元熱処理時にＣｏ等の補助成分の成形体表面への拡散に伴う酸素除去作用により成形体表面の酸素量を低減することができる。更に、ステップＳ２において成形体の空隙率を２５〜３５％程度の範囲としているので、ステップＳ３の還元熱処理時に閉鎖空隙の形成を抑制し、還元性ガスが空隙部の表面を含む成形体の表面に接触して酸化物を十分に還元除去することができる。更に、ステップＳ３において熱処理温度をＡｇの融点（９６１℃）以上の１１５０〜１２５０℃程度としているので、Ａｇ表面の酸素又は酸化物を除去することができる。更に、Ｃｏ等の補助成分を添加して熱処理しているので、焼結を急速に進展させ、還元熱処理終了時には、一旦還元された成形体内部の空隙を完全な閉鎖状態とすることができる。したがって、取り出し後、次工程に進むまでの間又は次工程において外気により接点材料内部が再酸化されることを抑制することができる。
【００２０】
ステップＳ４において、熱処理体を再加圧して空隙率が１０％程度以下となるように高密度化し、加圧体を得る。なお、ステップＳ３における熱処理後のＣｏ等の補助成分の添加による収縮作用によっても高密度化を更に促進することができる。
【００２１】
ステップＳ５において、必要に応じて、加圧体を８００〜１２５０℃程度の温度にて熱処理し、再熱処理体を得る。高い通電性も要求される場合については、ステップＳ４における再加圧により導電率が低減するが、この再熱処理工程により導電性を十分回復させることができ、遮断性能を向上させることができる。その後、再熱処理体を所定の形状に加工して、真空バルブ用接点材料が完成する。
【００２２】
この真空バルブ用接点材料を用いて真空バルブを製造するときには、ステップＳ６において、真空バルブ用接点材料を図１に示した接点１３ａ，１３ｂに採用し、接点１３ａ，１３ｂと電極７，８とをそれぞれロウ付けすることにより接合して、真空バルブを組み立てる。このとき、必要に応じて、加圧体を８００〜１２５０℃程度の温度にて熱処理することで、導電率を回復させることができる。
【００２３】
このように、本発明の実施の形態に係る真空バルブ用接点材料及び真空バルブの製造方法によれば、優れた遮断性能、裁断特性を兼備した接点材料及びその接点材料を用いた真空バルブを実現可能となる。
【００２４】
本発明の実施の形態に係る接点材料の製造方法を用いて試料（実施例１〜３２及び比較例１〜１８）を作製して評価を行った。評価を行うために、標準工程を設定する。図３に示したステップＳ１において、平均粒径２．５μｍのＷＣと、２μｍのＡｇ粉末と、５μｍのＣｏ粉末を混合する。Ａｇ、ＷＣ及びＣｏの混合割合は、体積％で４０：５８．５：１．５である。ステップＳ２において、空隙率が３０％となるように混合粉末を成形して、成形体を得る。ステップＳ３において、成形体を水素雰囲気において、１２００℃で２時間熱処理することにより、熱処理体（焼結体）を得る。ステップＳ４において、空隙率を７％まで減少させるように焼結体を再加圧して加圧体を得る。ステップＳ５において、加圧体を８５０℃にて再熱処理することにより、接点材料を製造する。ステップＳ６において、この接点材料を所定の形状に加工した後、８５０℃にて電極に接合した。この接点材料の製造工程及び接点材料と電極との接合工程を「標準工程」として、標準工程から特定のパラメータを変更した時の特性について検討した。
【００２５】
次に、試料（実施例１〜３２及び比較例１〜１８）の評価方法及び評価条件について説明する。評価方法としては、材料特性評価及び電気特性評価を行う。材料特性評価では、空隙率、酸素含有量及び導電率で評価する。「空隙率」は、寸法測定により密度を測定して組成比から真密度を求めて相対密度に換算し、相対密度の値を１００％から引いた残りの値とした。「酸素含有量」は、試作材から小片状の分析サンプルを切りだし、赤外線吸収法により求めた。「導電率」は、試作した材料表面を渦電流測定方式により１０点測定し、その平均値とした。
【００２６】
一方、電気特性評価は、遮断特性及び裁断特性を評価する。遮断特性としては、試作した接点材料を真空バルブに搭載し、合成遮断試験により遮断性能を評価し、使用した真空バルブの最大遮断電流値を測定した。評価は、φ４０ｍｍの電極を用い、印加電圧は７．２ｋＶで１２．５ｋＡの条件にて３回実施し、各回の平均値を求め、標準工程で製造した実施例２との相対値で示し、０．９超過を良好と判定した。裁断特性としては、抵抗負荷回路により７０Ａｒｍｓで裁断電流値を５００回測定し、平均値を求めた。評価結果は実施例２との相対値で表示し、１．５未満を良好と判定した。
【００２７】
（実施例１〜３と比較例１及び２）
図４は、原料混合工程におけるＡｇ含有量を２５〜５５ｗｔ％の範囲で変更した実施例１〜３と比較例１及び２の接点材料を試作し、真空バルブに搭載して評価を実施した結果を示す。実施例１〜３と比較例１及び２のいずれも成形体の空隙率を３０％とし、この空隙を利用して粉体表面の酸素を還元し、且つＣｏを添加して１２００℃にて熱処理することにより前述の空隙を閉鎖状態として、取り出し後に外気により再酸化されることを抑制したので１００ｐｐｍ以下の低い酸素含有量とすることができている。更に加圧することによって空隙率を７％として導電率も高めている。ここで、Ａｇ含有量が３０〜５０ｗｔ％の範囲にある実施例１〜３では、Ａｇ及びＷＣ成分量が適切であるので遮断性能、裁断特性ともに良好である。これに対して、Ａｇ含有量が２５ｗｔ％と実施例１〜３の範囲より少ない比較例１では、導電率が低くなりすぎるために十分な遮断性能が得られていない。他方、Ａｇ含有量が５５ｗｔ％と実施例１〜３の範囲より多い比較例２では、裁断特性低減作用を有するＷＣが少なすぎるため裁断特性が不十分となっている。
【００２８】
（実施例４〜６と比較例３及び４）
図５は、原料混合工程における補助成分のＣｏの含有量を０．１〜５ｗｔ％の範囲で変更した実施例４〜６と比較例３及び４の接点材料を試作し、真空バルブに搭載して評価を実施した結果を示す。Ｃｏ含有量が０．２〜５ｗｔ％の範囲にある実施例４〜６ではＣｏの作用により熱処理体の密度が高められ、再加圧後の空隙率が１０％以下まで低くできるため遮断性能、裁断特性ともに良好である。これに対して、Ｃｏ含有量が０．１ｗｔ％とこの範囲より少ない比較例３では、熱処理体の空隙率が高く、再加圧により十分な密度が得られず導電率が低くなりすぎるために十分な遮断性能が得られていない。また、Ｃｏ含有量が７ｗｔ％と前述の範囲より多い比較例４ではＷＣ表面に形成されたＣｏを主成分とする相がＷＣの熱電子放出を阻害するため裁断特性が不十分となっている。
【００２９】
（実施例７〜１２及び比較例５〜８）
図６は、原料混合工程における補助成分をＣｏからＦｅ又はＮｉに変更し、変更したＦｅ又はＮｉの含有量を０．１〜５ｗｔ％の範囲で変更した実施例７〜１２及び比較例５〜８の接点材料を試作し、真空バルブに搭載して評価を実施した結果を示す。Ｆｅの含有量が０．２〜５ｗｔ％の範囲にある実施例７〜９及びＮｉの含有量が０．２〜５ｗｔ％の範囲にある実施例１０〜１２では、Ｃｏを補助成分とした場合と同様、熱処理体の密度が高められ、再加圧後の空隙率が１０％以下まで低くできるため遮断性能、裁断特性ともに優れている。特にＮｉを添加した場合の遮断性能、裁断特性が良好である。これに対してＦｅ又はＮｉの含有量が０．１ｗｔ％と実施例７〜１２の範囲より少ない比較例５及び６では、熱処理体の空隙率が高く、再加圧により十分な密度が得られず導電率が低くなりすぎるために十分な遮断性能が得られていない。他方、Ｆｅ又はＮｉの含有量が７ｗｔ％と実施例７〜１２の範囲より多い比較例７及び８では、ＷＣ表面に形成されたＦｅ又はＮｉを主成分とする相がＷＣの熱電子放出を阻害するため裁断特性が不十分となっている。
【００３０】
（実施例１３〜１５と比較例９及び１０）
図７は、成形工程における成形体の空隙率を２０〜４０％の範囲で変更した実施例１３〜１５と比較例９及び１０の接点材料を試作し、真空バルブに搭載して評価を実施した結果を示す。成形体空隙率が２５〜３５％の範囲にある実施例１３〜１５では、空隙を利用した水素による粉末表面の還元が良好に行われ、且つＣｏを添加して１２００℃にて熱処理することにより前述の空隙を閉鎖状態として取り出し後に外気により再酸化されることを抑制したので１００ｐｐｍ以下まで酸素含有量を低くすることができ遮断性能、裁断特性ともに良好である。これに対して、成形体空隙率が２０％と実施例１３〜１５の範囲より低い比較例９では、空隙が部分的に閉鎖されており、水素により十分還元されず酸素量が高い値となっているため、十分な遮断性能が得られていない。他方、成形体空隙率が４０％と実施例１３〜１５の範囲より高い比較例１０では、再加圧により十分な密度が得られず導電率が低くなりすぎるために十分な遮断性能が得られていない。
【００３１】
（実施例１６及び比較例１１）
図８は、還元熱処理工程における雰囲気が水素である標準工程で製造した実施例１６と、この熱処理時の雰囲気を真空とした比較例１１を比較評価した結果を示す。実施例１６では、原料粉末の還元が十分であるため酸素含有量を低減することができ、遮断性能、裁断特性ともに良好である。これに対して比較例１１では、原料粉末の還元が不十分であるため酸素含有量が非常に高くなり、遮断性能が不十分となっている。
【００３２】
（実施例１７〜１９と比較例１２及び１３）
図９は、還元熱処理工程における熱処理温度を１１００〜１３００℃の範囲で変更した実施例１７〜１９と比較例１２及び１３の接点材料を試作し、真空バルブに搭載して評価を実施した結果を示す。熱処理温度が１１５０〜１２５０℃の範囲にある実施例１７〜１９では、熱処理することにより前述の空隙を閉鎖状態とすることができ、取り出し後に外気により再酸化されることが抑制されるため１２０ｐｐｍ以下まで酸素含有量を低くすることができ遮断性能、裁断特性ともに良好である。これに対して、実施例１７〜１９より熱処理温度が１１００℃と低い比較例１２では、熱処理後空隙の一部に閉鎖されていない部分があり、再酸化され、酸素量が高い値となっているため、十分な遮断性能が得られていない。熱処理温度が１３００℃と高い比較例１３では、熱処理体中のＡｇが蒸発損耗するため、導電率が低くなりすぎるために十分な遮断性能が得られていない。
【００３３】
（実施例２０〜２２及び比較例１４）
図１０は、加圧工程における加圧体の空隙率を３〜１２％の範囲で変更した実施例２０〜２２及び比較例１４の接点材料を試作し、真空バルブに搭載して評価を実施した結果を示す。成形体空隙率が３〜１０％の範囲にある実施例２０〜２２では、空隙が十分低減され、導電率が高められていることから遮断性能、裁断特性ともに良好である。実施例２０のように、空隙率は設備能力上３％以下にすることは困難であるが、導電率は空隙率が低いほど高められ、遮断性能も高められることから、空隙率３％未満においても本発明は有効である。これに対して、加圧体の空隙率が１２％と高い比較例１４では、十分導電率が低くなっていないため、遮断性能が不十分となっている。
【００３４】
（実施例２３〜２５と比較例１５及び１６）
図１１は、再熱処理工程における再熱処理温度を７５０〜１３００℃の範囲で変更した実施例２３〜２５と比較例１５及び１６の接点材料を試作し、真空バルブに搭載して評価を実施した結果を示す。再熱処理温度が８００〜１２５０℃の範囲にある実施例２３〜２５では再加圧によって低下した導電率が十分回復しているため遮断性能が十分となっている。これに対して、再熱処理の温度が７５０℃と低い比較例１５では、導電率が十分回復していないため遮断性能が不十分である。一方、１３００℃で再熱処理した比較例１６では、熱処理体中のＡｇが蒸発損耗して、導電率が低くなりすぎるために十分な遮断性能が得られていない。
【００３５】
（実施例２６〜２８と比較例１７及び１８）
図１２は、真空バルブの電極／接点接合工程における接合温度を７５０〜１０００℃の範囲で変更した実施例２６〜２８と比較例１７及び１８の接点材料を試作し、真空バルブに搭載して評価を実施した結果を示す。再熱処理温度が８００〜９５０℃の範囲にある実施例２６〜２８では再加圧によって低下した導電率が十分回復しているため遮断性能が十分となっている。これに対して、再熱処理の温度が７５０℃と低い比較例１７では、導電率が十分回復していないため遮断性能が不十分である。一方１０００℃で接合した比較例１８では、熱処理体中のＡｇが溶融流出して、導電率が低くなりすぎるために十分な遮断性能が得られていない。
【００３６】
（実施例２９〜３２）
図１３は、原料混合工程において耐弧成分としてのＷＣの全体量（全炭化物）のうち１０ｗｔ％以下を炭化チタン（ＴｉＣ）、炭化バナジウム（ＶＣ）、炭化ジルコニウム（ＺｒＣ）又は炭化ケイ素（ＳｉＣ）に置き換えた実施例２９〜３２の接点材料を試作し、真空バルブに搭載して評価を実施した結果を示す。即ち、実施例２９〜３２では、３０〜５０ｗｔ％のＡｇからなる導電成分と、ＷＣ以外の１０ｗｔ％以下の炭化物を含む４８．５〜６８．５ｗｔ％の全炭化物からなる耐弧成分と、０．２〜５ｗｔ％のＣｏ、Ｆｅ、及びＮｉの少なくともいずれかからなる補助成分とで構成される原料粉末を混合している。図１３において、実施例２９〜３２のいずれも、良好な遮断性能と裁断特性を示しているのが分かる。なお、実施例２９〜３２では、ＴｉＣ、ＶＣ、ＺｒＣ又はＳｉＣをそれぞれ置換した場合を説明したが、ＴｉＣ、ＶＣ、ＺｒＣ及びＳｉＣを組み合わせて採用しても良好な遮断性能と裁断特性を得ることができる。
【００３７】
（その他の実施の形態）
上記のように、本発明は実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
【００３８】
例えば、図３のステップＳ１の原料混合工程において、Ａｇからなる導電成分のうちの２５〜３５ｗｔ％を銅（Ｃｕ）に置換しても良い。即ち、５〜２５ｗｔ％のＡｇ及び２５〜３５ｗｔ％のＣｕからなる導電成分と、４８．５〜６８．５ｗｔ％のＷＣからなる耐弧成分と、０．２〜５ｗｔ％のＣｏ，Ｆｅ，Ｎｉの少なくともいずれかからなる補助成分とで構成される原料粉末を混合しても良い。この場合も、導電成分が３０〜５０ｗｔ％のＡｇのみからなる場合と同様に、遮断性能、裁断特性が良好な接点材料を実現可能である。
【００３９】
また、図４〜図１３に示した実験データは一例であって、実際には更に膨大なデータから本発明の知見を見出しているのは勿論である。
【００４０】
このように、本発明はここでは記載していない様々な実施の形態等を含むことは勿論である。したがって、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明の実施の形態に係る真空バルブ用接点材料が適用される真空バルブの遮断室を断面表示した部分断面図である。
【図２】図１に示した電極部分を拡大した部分断面図である。
【図３】本発明の実施の形態に係る真空バルブ用接点材料の製造方法及び真空バルブの製造方法の一例を説明するためのフローチャートである。
【図４】本発明の実施の形態に係る実施例１〜３、及び比較例１及び２の評価結果を示す表である。
【図５】本発明の実施の形態に係る実施例４〜６、及び比較例３及び４の評価結果を示す表である。
【図６】本発明の実施の形態に係る実施例７〜１２及び比較例５〜８の評価結果を示す表である。
【図７】本発明の実施の形態に係る実施例１３〜１５と比較例９及び１０の評価結果を示す表である。
【図８】本発明の実施の形態に係る実施例１６及び比較例１１の評価結果を示す表である。
【図９】本発明の実施の形態に係る実施例１７〜１９と比較例１２及び１３の評価結果を示す表である。
【図１０】本発明の実施の形態に係る実施例２０〜２２及び比較例１４の評価結果を示す表である。
【図１１】本発明の実施の形態に係る実施例２３〜２５と比較例１５及び１６の評価結果を示す表である。
【図１２】本発明の実施の形態に係る実施例２６〜２８と比較例１７及び１８の評価結果を示す表である。
【図１３】本発明の実施の形態に係る実施例２９〜３２の評価結果を示す表である。
【符号の説明】
【００４２】
１…遮断室
２…絶縁容器
３ａ…封止金具
４ａ…蓋体
５，６…導電棒
７，８…電極
９…ベローズ
１０，１１…アークシールド
１２，１４…ろう材
１３ａ，１３ｂ…接点
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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