(57)【要約】【課題】大面積の基板を均一的に製膜する薄膜形成装置およびプラズマ発生方法を提供することを目的とする。【解決手段】プラズマを利用して基板の表面に薄膜を形成する薄膜形成装置であって、前記基板の表面に対向して配置される少なくとも２つの電極と、前記電極と前記基板を介して反対側に配置され、各前記電極との間にプラズマを発生させるための基板支持部材と、前記電極に高周波電圧を供給する少なくとも１つの高周波電源と、隣り合う前記電極に印加される電圧を逆位相とする少なくとも１つの移相器と、を備え、隣り合う前記電極間の距離は、両者間で放電が発生しない距離であり、かつ、いずれも略等しく設定されていることを特徴とする。【選択図】図１
2008251682.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマを利用して基板の表面に薄膜を形成する薄膜形成装置であって、
前記基板の表面に対向して配置される少なくとも２つの電極と、
前記電極と前記基板を介して反対側に配置され、各前記電極との間にプラズマを発生させるための基板支持部材と、
前記電極に高周波電圧を供給する少なくとも１つの高周波電源と、
隣り合う前記電極に印加される電圧を逆位相とする少なくとも１つの位相調整手段と、
を備え、
隣り合う前記電極間の距離は、両者間で放電が発生しない距離であり、かつ、いずれも略等しく設定されている薄膜形成装置。
【請求項２】
プラズマの発生する方向に略直交する方向に基板を移動させ、該基板の表面にプラズマを利用して薄膜を形成する薄膜形成装置であって、
移動する前記基板の表面に対向するように配置される少なくとも２つの電極と、
前記電極と前記基板を介して反対側に配置され、各前記電極との間にプラズマを発生させるための基板支持部材と、
前記電極に高周波電圧を供給する少なくとも１つの高周波電源と、
少なくとも１つの前記電極に印加される電圧を逆位相とする位相調整手段と、
を備え、
隣り合う前記電極間の距離が、両者間で放電が発生しない距離とされている薄膜形成装置。
【請求項３】
前記電極に印加される電圧の位相を変調する位相変調手段を備え、
前記電極の表面の長さ方向の距離が、前記高周波電圧の４分の１波長以上である請求項１または２に記載の薄膜形成装置。
【請求項４】
プラズマを利用して基板の表面に薄膜を形成させるためのプラズマ発生方法であって、
前記基板の表面に対向するように少なくとも２つの電極を配置するとともに、前記基板を介して前記電極と反対側に各前記電極との間にプラズマを発生させるための基板支持部材を配置し、
隣り合う前記電極に逆位相となる高周波電圧を供給し、
隣り合う前記電極間の距離が、両者間で放電が発生しない距離であり、かつ、いずれも略等しく設定されているプラズマ発生方法。
【請求項５】
プラズマの発生する方向に略直交する方向に基板を移動させ、プラズマを利用して基板の表面に薄膜を形成させるためのプラズマ発生方法であって、
移動する前記基板の表面に対向するように、少なくとも２つの電極を配置するとともに、前記基板を介して前記電極と反対側に、各前記電極との間にプラズマを発生させるための基板支持部材を配置し、
隣り合う前記電極に逆位相となる高周波電圧を供給し、
隣り合う前記電極間の距離が、両者間で放電が発生しない距離とされているプラズマ発生方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマを用いて基板上に薄膜形成を行なう薄膜形成装置およびプラズマを発生させる方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
基板に薄膜を形成する方法として、プラズマ放電により活性化させた反応ガスを基板上に供給し、基板表面において化学反応させることによって所望の薄膜を形成する方法がある。この方法は、低温下での薄膜形成が可能であることから、半導体製品に広く用いられている。
【０００３】
上記反応を行う薄膜形成装置について、近年、薄膜太陽電池等の半導体製品の生産性向上のために、高品質な薄膜を、高速・大面積で製膜することが求められている。
高品質な薄膜を高速で製膜するためには、高圧下（例えば１ｋＰａ以上）において高周波数の電圧を電極に印加することが必要となり、さらに、電極と基板との距離を狭くすることが必要となる。
また、大面積の薄膜を形成する際には、電極上での定在波の影響を低減するために、位相変調方式が用いられる。位相変調方式は１つの電極に複数の給電点を設け、各給電点に給電する高周波の位相差を時間的に変化させるものである（例えば特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００２−２６１０３１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来の薄膜形成装置の一例を図７に示す。薄膜形成装置１００は、反応室１０５と、反応室１０５内に互いに対向して配置されたカソード部１０１および基板支持部材１０４とを主な構成要素として備えている。また、導線１０７により、カソード部１０１は高周波電源１０３に接続されている。また、導線１０８により、基板支持部材１０４は高周波電源１０３に接続されている。基板支持部材１０４は、接地電位とされたアノード部であるとともに、基板１１０を支持可能でかつその基板１１０を加熱する役割をなしている。
【０００５】
薄膜形成装置１００における薄膜の形成は以下のように行なわれる。まず反応室１０５を真空排気系（図示せず）によって排気しながら、ガス導入系（図示せず）により反応室１０５が一定のガス圧となるように反応ガスが導入される。さらに、カソード部１０１に高周波電源１０３によって高周波電圧が印加され、かつ基板支持部材１０４が接地電位とされることによりプラズマ１１５を生じさせる。このプラズマ１１５により、基板支持部材１０４によって所定の温度に加熱された基板１１０上に膜が形成される。
【０００６】
しかしながら、アノード部である基板支持部材１０４を大面積化すると、図７に示すように、電流が高周波電源１０３に帰ってくる経路（以下、「リターンパス」という。）が長くなる、あるいはカソード部１０１によってリターンパスの長さや経路が異なるといった現象が生じる。その結果、薄膜形成装置１００全体として、放電に最適なインピーダンスを得ることが困難となるので、基板１１０上の膜分布の均一性が低下するという問題が生じる。
【０００７】
上記問題の対策として、リターンパスの長さを等しくするために基板と独立したカソード部とアノード部との間でプラズマを生成する薄膜形成装置の一例を図８に示す。
薄膜形成装置１００は、基板１１０を支持および加熱する基板支持部材１０４と、基板支持部材１０４に対向して配置されたカソード部１２１およびアノード部１２２を主に有している。また、アノード部１２２はアースブロック１２３に設置され、カソード部１２１は絶縁材１２５を介してアースブロック１２３に設置されている。
【０００８】
上記構成を有する薄膜形成装置１２０において、基板支持部材１０４とカソード部１２１およびアノード部１２２との距離が、基板１１０の薄膜形成に与える影響を以下に説明する。
図８（ａ）に示すように、カソード部１２１と基板支持部材１０４との距離が広い場合には、カソード部１２１とアノード部１２２との間にプラズマが生ずるためリターンパスは等しくなるが、プラズマと基板との距離が遠く、プラズマにより生成される製膜前駆体が基板に届きにくくなるため、製膜速度が遅くなるという問題があった。一方で、図８（ｂ）に示すように、カソード部１２１と基板支持部材１０４との距離が狭い場合には、カソード部１２１と基板１１０との間で放電するため、十分な製膜速度が得られるが、リターンパスが長くなるという問題があった。
【０００９】
上述のとおり、従来の薄膜形成装置では、大面積の薄膜を形成するに際し、リターンパスを等しく保ちつつ高速にて製造することができなかった。
【００１０】
本発明は、上記問題を解決するためになされたもので、大面積の基板を均一的に製膜する薄膜形成装置およびプラズマ発生方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するために、本発明は以下の手段を採用する。
本発明に係る薄膜形成装置は、プラズマを利用して基板の表面に薄膜を形成する薄膜形成装置であって、前記基板の表面に対向して配置される少なくとも２つの電極と、前記電極と前記基板を介して反対側に配置され、各前記電極との間にプラズマを発生させるための基板支持部材と、前記電極に高周波電圧を供給する少なくとも１つの高周波電源と、隣り合う前記電極に印加される電圧を逆位相とする少なくとも１つの位相調整手段と、を備え、隣り合う前記電極間の距離は、両者間で放電が発生しない距離であり、かつ、いずれも略等しく設定されていることを特徴とする。
【００１２】
このような薄膜形成装置によれば、隣り合う電極間に逆位相の高周波電圧を印加するので、基板支持部材の電位を隣り合う電極の間にすることが可能となる。これにより、一の電極と基板支持部材との間、および、基板支持部材と該一の電極に隣接する電極（以下「隣接電極」という。）との間にプラズマを発生させることが可能となる。また、このとき、一の電極、基板支持部材、隣接電極へ流れる電流の流路が形成されることとなるが、隣り合う電極間の距離はいずれも等しく設定されているので、リターンパスを等しくすることが可能となる。これにより、大面積の基板においてもリターンパスの長さを均一とすることができ、リターンパスの長さによってインピーダンスが変化することを防止することができる。その結果、薄膜の形成にとって好適なインピーダンスを得ることができ、薄膜を均一的に形成することが可能となる。また、電極の設置数を基板の面積に応じて変えることにより、基板の面積にかかわらず均一な薄膜を形成させることが可能となる。
【００１３】
本発明に係る薄膜形成装置は、プラズマの発生する方向に略直交する方向に基板を移動させ、該基板の表面にプラズマを利用して薄膜を形成する薄膜形成装置であって、移動する前記基板の表面に対向するように配置される少なくとも２つの電極と、前記電極と前記基板を介して反対側に配置され、各前記電極との間にプラズマを発生させるための基板支持部材と、前記電極に高周波電圧を供給する少なくとも１つの高周波電源と、少なくとも１つの前記電極に印加される電圧を逆位相とする位相調整手段と、を備え、隣り合う前記電極間の距離が、両者間で放電が発生しない距離とされていることを特徴とする。
【００１４】
このような薄膜形成装置によれば、隣り合う電極間に逆位相の高周波電圧を印加するので、基板支持部材の電位を隣り合う電極の間にすることが可能となる。これにより、一の電極と基板支持部材との間、および、基板支持部材と隣接電極との間の空間にプラズマを発生させることが可能となる。また、このとき、一の電極、基板支持部材、隣接電極へ流れる電流の流路が形成されることとなる。
また、上記構成によれば、基板支持部材を接地する必要がないため、基板支持部材に対する電気的接続が不要となる。これにより、移動物との電気的接触が不要となり、電気的な安定性を確保することができるため、薄膜を形成する際の再現性を向上させることが可能となる。
【００１５】
本発明に係る薄膜形成装置は、前記電極に印加される電圧の位相を変調する位相変調手段を備え、前記電極の表面の長さ方向の距離が、前記高周波電圧の４分の１波長以上であることを特徴とする。
【００１６】
各電極の表面の長さ方向の距離が、前記高周波電圧の４分の１波長以上とされているので、各電極において定在波を発生させることが可能となる。この場合において、位相変調手段により電極上の定在波の節および腹の位置を変化させることにより、各電極上におけるプラズマの発生位置を移動させ、均一的に薄膜を形成することが可能となる。また、定在波の節および腹の位置を隣接する電極間で対応させることにより、リターンパスの長さを一定とすることが可能となる。さらに、各電極の表面の長さ方向の距離を大きくすることにより、電極数および電極への配線数等を減少させることができるため、効率良く基板に薄膜を形成することが可能となる。
【００１７】
本発明に係るプラズマ発生方法は、プラズマを利用して基板の表面に薄膜を形成させるためのプラズマ発生方法であって、前記基板の表面に対向するように少なくとも２つの電極を配置するとともに、前記基板を介して前記電極と反対側に各前記電極との間にプラズマを発生させるための基板支持部材を配置し、隣り合う前記電極に逆位相となる高周波電圧を供給し、隣り合う前記電極間の距離が、両者間で放電が発生しない距離であり、かつ、いずれも略等しく設定されていることを特徴とする。
【００１８】
本発明に係るプラズマ発生方法は、プラズマの発生する方向に略直交する方向に基板を移動させ、プラズマを利用して基板の表面に薄膜を形成させるためのプラズマ発生方法であって、移動する前記基板の表面に対向するように、少なくとも２つの電極を配置するとともに、前記基板を介して前記電極と反対側に、各前記電極との間にプラズマを発生させるための基板支持部材を配置し、隣り合う前記電極に逆位相となる高周波電圧を供給し、隣り合う前記電極間の距離が、両者間で放電が発生しない距離とされていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、大面積の基板を均一的に製膜することができるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
［第１の実施形態］
以下に、本発明に係る薄膜形成装置およびプラズマ発生方法の一実施形態について、図面を参照して説明する。
図１において、本実施形態に係る薄膜形成装置１は、反応室１２と、反応室１２内に設けられたプラズマ発生装置５とを備えている。プラズマ発生装置５は、基板１０の表面に対向して配置され、互いに所定の間隔をおいて配置される複数の電極３と、電極３と基板１０を介して反対側に配置され、電極３との間の空間にプラズマを発生させるための基板支持部材１１と、隣り合う前記電極３に印加される電圧を逆位相とする移相器（位相調整手段）４とを主な構成として備えている。
【００２１】
上記電極３は、例えば、基板１０の長さ方向および幅方向に、所定の間隔をおいて２次元的に配置されている。また、各電極３は、反応室１２の外側に設けられた高周波電源２に接続されている。なお、図１では、説明の便宜上、３つの電極３ａ，３ｂ，３ｃのみを図示している。また、以降の説明において、全ての電極を示すときは単に符号「３」を付し、各電極を示すときは符号「３ａ」、「３ｂ」等を付すこととする。
上記移相器４は、３つの電極３ａ，３ｂ，３ｃのうち、中央に設けられた電極３ｂに接続され、電極３ｂに印加される電圧を、電極３ｂと隣り合う電極３ａおよび電極３ｃに印加される電圧とは逆位相とする。
【００２２】
上記基板支持部材１１は基板１０を支持可能であり、基板１０を加熱する役割をなす。基板支持部材１１は、例えば、基板ヒータである。基板１０と電極３とで挟まれた空間は、プラズマが発生するプラズマ形成領域１５を構成する。また、基板支持部材１１は電極３とは絶縁されている。
【００２３】
電極３ａ、電極３ｂ、および電極３ｃは、等間隔で配置されているとともに隣接する電極間で放電が発生しない距離に設定されている。例えば、パッシェンの法則に基づき、電極３ａ、電極３ｂ、および電極３ｃの間隔をある閾値以下とすることにより、隣接する電極間での放電を防止することができる。ここで、パッシェンの法則とは、放電は、電界で加速された電子が気体分子と衝突して気体を電離させることによっておこるので、電極間の距離が短いと電子が衝突までに充分加速できないため、放電するための電極間の距離は最低値を有するというものである。
また、上記の電極間の距離は、長すぎても電子が気体分子と衝突しすぎてエネルギーを失ってしまい、電極まで到達することができないためにプラズマを維持することができなくなる。したがって、電極３ａ、電極３ｂ、および電極３ｃの間隔をある閾値以上とすることによっても、隣り合う電極間での放電を防止することができる。
なお、隣り合う電極間に絶縁体を設けることによっても同様の効果が得られる。
【００２４】
上記構成を有する薄膜形成装置における薄膜の形成は以下のように行なわれる。
まず反応室１２を真空排気系（図示せず）によって排気しながら、ガス導入系（図示せず）により反応室１２が一定のガス圧となるように反応ガスが導入される。さらに、電極３ａ、電極３ｂ、および電極３ｃに高周波電源２によって高周波電圧が印加される。ここで、電極３ｂには、移相器４によって電極３ａおよび電極３ｃに印加される電圧とは逆位相の電圧が印加される。その結果、基板支持部材１１の電位は、電極３ａおよび電極３ｃの電位と電極３ｂの電位との間となる。これにより、高周波電源２から電極３ａおよび電極３ｃにプラスの電圧が供給されている期間においては、電極３ｂにはマイナスの電圧が供給されることとなる。その結果、電極３ａおよび電極３ｃと基板支持部材１１との間、基板支持部材１１と電極３ｂとの間にプラズマが発生し、電極３ａおよび電極３ｃ、基板支持部材１１、電極３ｂを通るリターンパスが形成される。また、高周波電源２から電極３ａおよび電極３ｃにマイナスの電圧が供給されている期間においては、電極３ｂにはプラスの電圧が供給されることとなる。その結果、電極３ｂと基板支持部材１１との間、基板支持部材１１と電極３ａおよび電極３ｃとの間にプラズマが発生し、電極３ｂ、基板支持部材１１、電極３ａおよび電極３ｃを通るリターンパスが形成される。
そして、このようにして発生したプラズマにより、基板支持部材１１によって所定の温度に加熱された基板１０の表面上に膜が形成される。
この場合において、電極３ａ、電極３ｂ、および電極３ｃは、等間隔で配置されているため、いずれの電極においても、上記のリターンパスは等しい長さとなる。したがって、リターンパスのインピーダンスを均一化することができ、薄膜を均一的に形成することが可能となる。
【００２５】
以上、説明したように、本実施形態に係る薄膜形成装置によれば、隣り合う電極３の間に逆位相の高周波電圧を印加するので、基板支持部材１１の電位を隣接する電極３の間にすることが可能となる。これにより、プラズマによって形成されるリターンパスを局在化することができる。この場合において、各電極３は等間隔で配置されているので、各電極におけるリターンパスの長さを等しくすることが可能となる。これにより、リターンパスの長さによってインピーダンスが変化することを防止することができる。その結果、薄膜を均一的に形成することが可能となる。
また、基板の大きさに応じて電極３の設置数を増減させることで、大面積の基板であっても均一な薄膜を形成することができる。
【００２６】
なお、上述した本実施形態において、電極３と基板支持部材１１との距離を調整可能としてもよい。このようにすることで、プラズマ強度を調整することができ、薄膜の品質および形成速度を向上させることが可能となる。
特に、直線的移動機構等を電極３に設け、反応室１２外部から電極３の位置を調整可能とすれば、容易にプラズマ強度を調整することが可能となる。
【００２７】
〔第２の実施形態〕
次に、本発明の第２の実施形態について、図２を用いて説明する。
本実施形態の薄膜形成装置が第１の実施形態と異なる点は、基板が電極に対して相対的に移動する点である。以下、本実施形態の薄膜形成装置について、第１の実施形態と共通する点については説明を省略し、異なる点について主に説明する。
【００２８】
図２において、本実施形態に係る薄膜形成装置２０は、反応室１２と、反応室１２内に設けられたプラズマ発生装置２８とを備えている。プラズマ発生装置２８は、互いに所定の間隔をおいて配置される少なくとも２つの電極２３と、電極２３の上方を移動する基板１０の上部に配置され、電極２３との間でプラズマを発生させるための基板支持部材２１と、隣り合う前記電極２３に印加される電圧を逆位相とする移相器４とを主な構成として備えている。
上記電極２３は、基板１０の移動経路の下方に配置されており、上方を移動する基板の長さ方向（移動方向と一致）および幅方向（移動方向と直交する方向）に沿って２次元的に配置されている。また、電極２３は、反応室１２の外側に設けられた高周波電源２に接続されている。なお、図２では、説明の便宜上、２つの電極２３ａ，２３ｂのみを図示している。また、以降の説明において、全ての電極を示すときは単に符号「２３」を付し、各電極を示すときは符号「２３ａ」、「２３ｂ」を付すこととする。
電極２３は隣接する電極間で放電が起きないように配置されている。また、電極２３は、上記基板１０の幅方向において、等間隔に配置されている。
【００２９】
上記構成を有する薄膜形成装置における薄膜の形成は以下のように行なわれる。
反応ガスが導入された反応室１２において、電極２３ａおよび電極２３ｂに高周波電源２によって高周波電圧が印加される。ここで、電極２３ａには、移相器４によって電極２３ｂに印加される電圧とは逆位相の電圧が印加される。その結果、基板支持部材２１の電位は、電極２３ａの電位と電極２３ｂの電位との間となり、これらの電位差によってプラズマ形成領域２５にプラズマが生じる。このプラズマにより、基板支持部材２１によって所定の温度に加熱されながら矢印２６の方向に移動する基板１０の表面上に膜が形成される。
【００３０】
本実施形態に係る薄膜形成装置によれば、基板支持部材を接地する必要がないため、基板支持部材に対する電気的接続が不要となる。これにより、移動物との電気的接触が不要となり、電気的な安定性を確保することができるため、薄膜を形成する際の再現性を向上させることが可能となる。
また、本実施形態によれば、電極２３に対して基板１０を相対的に移動させるので、上述した第１の実施形態と比較して、電極２３の設置数を削減することが可能となる。
【００３１】
〔第３の実施形態〕
次に、本発明の第３の実施形態について、図４を用いて説明する。
本実施形態の薄膜形成装置が上記の第１の実施形態と異なる点は、電極３の表面の長さ方向（基板に対向する面における紙面の左右方向）の距離が高周波電圧の４分の１波長以上である点および電極３に印加される電圧の位相を変調する位相変調器（位相変調手段）８を備えている点である。以下、電極３ａ，３ｂを例に挙げて説明する。
【００３２】
本実施形態に係る薄膜形成装置３０における電極３の表面の長さ方向の距離は、高周波電圧の４分の１波長以上とされているので、電極３において定在波を発生させることが可能となる。
この場合において、基板１０上の薄膜を均一に形成するために、位相変調器８によって電極３上における定在波の腹および節の位置を移動させる。具体的には、図３および図４に示すように、定在波の腹および節の位置を継時的に変化させることにより、プラズマが発生する位置を移動させる。
図３には、ある時刻Ａにおける電極３ａ、電極３ｂ、および基板支持部材１１の長さ方向の位置と、該位置における各電位との関係が示されている。また、図４には、時刻Ａとは異なる時刻Ｂにおける電極３ａ、電極３ｂ、および基板支持部材１１の長さ方向の位置と、該位置における各電位との関係が示されている。
図３において、電極３ａと基板支持部材１１との電位差および基板支持部材１１と電極３ｂとの電位差は、電極３の略中央部で最大となっている。この場合において、放電は電極３の略中央部で行われることとなる。
一方、時刻Ａとは異なる時刻Ｂにおける電極３ａと基板支持部材１１との電位差および基板支持部材１１と電極３ｂとの電位差は、図４に示すように、電極３の端部近傍で最大となっている。この場合において、放電は電極３の端部近傍で行われることとなる。
【００３３】
電極３と基板支持部材１１のある位置における電位と時刻との関係を図６に示す。図６において、時刻Ｔ１において電極３ａから基板支持部材１１への放電および基板支持部材１１から電極３ｂへの放電が発生し、時刻Ｔ２において電極３ｂから基板支持部材１１への放電および基板支持部材１１から電極３ａへの放電が発生することとなる。
上記のように、電極３上のある地点における電極３ａ、電極３ｂ、および基板支持部材１１の電位を継時的に変化させることにより、プラズマ発生位置を移動させ、基板１０上の薄膜を更に均一に形成することが可能となる。
また、定在波の節および腹の位置を、隣接する電極３ａと電極３ｂとの間で対応させることにより、リターンパスの長さを一定とすることが可能となる。
【００３４】
以上のように、本実施形態に係る薄膜形成装置によれば、位相変調器８により電極３上の定在波の節および腹の位置を変化させることにより、各電極上におけるプラズマの発生位置を移動させるので、基板１０上に薄膜を更に均一的に形成することが可能となる。また、定在波の節および腹の位置を対となる電極３の間で対応させることにより、リターンパスの長さを一定とすることができ、インピーダンスが変化することを防止することが可能となる。さらに、各電極３の表面の長さ方向の距離を大きくすることにより、電極３の数および電極３への配線数等を減少させることができるため、効率良く基板に薄膜を形成することが可能となる。
【００３５】
〔第４の実施形態〕
次に、本発明の第４の実施形態について、図９を用いて説明する。
本実施形態の薄膜形成装置が上記の各実施形態と異なる点は、隣り合ってペアを形成する電極間にて基板支持部材を介して放電を行う点である。以下、ペアとなる電極４０ａ，４０ｂおよび電極４１ａ，４１ｂを例に挙げて説明する。
【００３６】
本実施形態に係る薄膜形成装置４０において、電極４０ａと電極４０ｂとは隣り合って設置され、ペアを形成している。また、電極４１ａと電極４１ｂとは隣り合って設置され、ペアを形成している。電極４０ａと電極４０ｂとの距離および電極４１ａと電極４１ｂとの距離は、放電が発生しない距離であり、かつ、略等しく設定されている。
移相器４３は、電極４０ａに印加される電圧を、電極４０ｂに印加される電圧とは逆位相とする。移相器４４は、電極４１ａに印加される電圧を、電極４１ｂに印加される電圧とは逆位相とする。
【００３７】
上記構成を有する薄膜形成装置４０において、電極４０ａおよび電極４０ｂに高周波電源４６によって高周波電圧が印加される。ここで、電極４０ａには、移相器４３によって電極４０ｂに印加される電圧とは逆位相の電圧が印加される。同様に、高周波電源４７によって電極４１ａと電極４１ｂに高周波電圧が印加され、電極４１ａには、移相器４４によって電極４１ｂに印加される電圧とは逆位相の電圧が印加される。また、高周波電源４６と高周波電源４７とを同調することにより、電極４０ｂと、電極４０ｂに隣接する電極４１ｂとに同位相の高周波電圧を印加する。これにより、電極４０ｂと電極４１ｂとの間および電極４０ａと電極４１ａとの間では、同位相であるためリターンパスを形成せず、ペアとなる電極間でのみリターンパスを形成することとなる。
【００３８】
以上、説明したように、本実施形態に係る薄膜形成装置によれば、ペアとなる電極間には逆位相の高周波電圧を印加し、ペアを形成せずに隣接する電極間には同位相の高周波電圧を印加するので、プラズマによって形成されるリターンパスをペアとなる電極間に局在化することができる。リターンパスをペアとなる電極間に限定することにより、各電極と基板指示部材１１との放電を安定化させることができる。また、ペアとなる電極間の距離は略等しく設定されているので、各ペアにおけるリターンパスの長さを等しくすることが可能となる。これにより、リターンパスの長さによってインピーダンスが変化することを防止することができる。その結果、薄膜を均一的に形成することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る薄膜形成装置の構成を概略的に示す概略図である。
【図２】本発明の第２の実施形態に係る薄膜形成装置の構成を概略的に示す概略図である。
【図３】本発明の第３の実施形態に係る薄膜形成装置の構成を概略的に示す概略図である。
【図４】本発明の第３の実施形態に係る薄膜形成装置の時刻Ａにおける電極位置と電位との関係を示すグラフ図である。
【図５】本発明の第３の実施形態に係る薄膜形成装置の時刻Ｂにおける電極位置と電位との関係を示すグラフ図である。
【図６】本発明の第３の実施形態に係る薄膜形成装置の電位と時刻との関係を示すグラフ図である。
【図７】従来の薄膜形成装置の構成を概略的に示す概略図である。
【図８】従来の薄膜形成装置の電極およびアノード部と基板支持部材との位置関係を概略的に示す概略図である。
【図９】本発明の第４の実施形態に係る薄膜形成装置の構成を概略的に示す概略図である。
【符号の説明】
【００４０】
１，２０，３０  薄膜形成装置
２  高周波電源
３，２３  電極
４  移相器
５，２８，３５  プラズマ発生装置
８  位相変調器
１０  基板
１１，２１  基板支持部材
【図１】
2008251682.tif 000003
【図２】
2008251682.tif 000004
【図３】
2008251682.tif 000005
【図４】
2008251682.tif 000006
【図５】
2008251682.tif 000007
【図６】
2008251682.tif 000008
【図７】
2008251682.tif 000009
【図８】
2008251682.tif 000010
【図９】
2008251682.tif 000011