(57)【要約】    【課題】ヒータ通電を伴う記録時のクリアランスを正確に測定して高精度に制御可能とする。    【解決手段】校正時に、振幅測定部７８がヘッドを任意の測定トラックに位置付けた状態で、測定トラックのデータ領域にライトクリアランス制御部９０によりライトヒート状態としてユーザデータを書き込んだ後に、リードクリアランス制御部９２によるリードヒート状態に切替えてサーボ領域内のプリアンブル部からの読出信号の振幅を検出する処理を繰り返す。分散算出部８０は振幅測定部７８で測定された複数の振幅測定値から分散を算出し、接触判定部８２は分散が所定の閾値未満の場合はベースヒータ制御値を順次増加させながら振幅測定部７８により測定処理を繰り返し、分散が閾値を上回った場合は、ヘッドが媒体に接触したことを判定する。ライトクリアランス算出部８４は、接触判定時のベースヒータ制御値の増加量からヘッドのライトヒート時のクリアランスを算出する。    【選択図】      図３
2008171520.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
読出素子と記録素子を備えると共に、通電加熱に伴う熱膨張により突出量を変化させるヒータを設け、回転する記憶媒体上で浮上してデータにアクセスするヘッドを備えた記憶装置の制御装置に於いて、
記録時に、所定のベースヒータ制御値による前記ヒータの通電でライトヒートするライトクリアランス制御部と、
再生時に、前記所定のベースヒータ制御値と調整ヒータ制御値を加算した制御値による前記ヒータの通電でリードヒートするリードクリアランス制御部と、
所望の校正時に、前記ヘッドを任意の測定トラックに位置付けた状態で、前記ライトクリアランス制御部によりライトヒート状態として前記測定トラックのデータ領域に記録を行った後に、前記リードクリアランス制御部によるリードヒート状態に切替えて前記測定トラックの所定領域の再生を行い、読出信号の振幅を検出する処理を繰り返す振幅測定部と、
前記振幅測定部で測定された複数の振幅測定値から分散を算出する分散算出部と、
前記分散が所定の閾値未満の場合は前記ライトクリアランス制御部により前記ベースヒータ制御値を順次増加させながら前記測定トラックのデータ領域に記録を行った後に、前記リードクリアランス制御部によるリードヒート状態に切替えて前記測定トラックの所定領域の再生を行い、読出信号の振幅を検出する前記振幅測定部による測定処理を繰り返し、前記分散が前記閾値を上回った場合は前記ヘッドが媒体に接触したことを判定する接触判定部と、
前記接触判定部による接触判定時の前記ベースヒータ制御値の増加量から前記ヘッドのライトヒート時のクリアランスを算出するライトクリアランス算出部と、
を備えたことを特徴とする制御装置。
【請求項２】
請求項１記載の制御装置に於いて、前記分散算出部は、複数の振幅測定値をＡｉ、平均振幅をＡａｖとした場合、前記分散を
【数１】
2008171520.tif 000008
として算出することを特徴とする制御装置。
【請求項３】
請求項１記載の制御装置に於いて、更に、前記ライトクリアランスと所定の最小クリアランスとの誤差により前記パラメータ管理部で登録管理しているベースヒータ制御値を補正するパラメータ補正部を設けたことを特徴とする制御装置。
【請求項４】
読出素子と記録素子を備えると共に、通電加熱に伴う熱膨張により突出量を変化させるヒータを設け、回転する記憶媒体上で浮上してデータにアクセスするヘッドを備えた記憶装置の制御装置に於いて、
記録時に、所定のベースヒータ制御値による前記ヒータの通電でライトヒートするライトクリアランス制御ステップと、
再生時に、前記所定のベースヒータ制御値と調整ヒータ制御値を加算した制御値による前記ヒータの通電でリードヒートするリードクリアランス制御ステップと、
所望の校正時に、前記ヘッドを任意の測定トラックに位置付けた状態で、前記ライトクリアランス制御ステップによりライトヒート状態として前記測定トラックのデータ領域に記録を行った後に、前記リードクリアランス制御ステップによるリードヒート状態に切替えて前記測定トラックの所定領域の再生を行い、読出信号の振幅を検出する処理を繰り返す振幅測定ステップと、
前記振幅測定ステップで測定された複数の振幅測定値から分散を算出する分散算出ステップと、
前記分散が所定の閾値未満の場合は前記ライトクリアランス制御ステップにより前記ベースヒータ制御値を順次増加させながら前記測定トラックのデータ領域に記録を行った後に、前記リードクリアランス制御ステップによるリードヒート状態に切替えて前記測定トラックの所定領域の再生を行い、読出信号の振幅を検出する前記振幅測定ステップによる測定処理を繰り返し、前記分散が前記閾値を上回った場合は前記ヘッドが媒体に接触したことを判定する接触判定ステップと、
前記接触判定ステップによる接触判定時の前記ベースヒータ制御値の増加量から前記ヘッドのライトヒート時のクリアランスを算出するライトクリアランス算出ステップと、
を備えたことを特徴とする制御方法。
【請求項５】
読出素子と記録素子を備えると共に、通電加熱に伴う熱膨張により突出量を変化させるヒータを設け、回転する記憶媒体上で浮上してデータにアクセスするヘッドを備えた記憶装置に於いて、
記録時に、所定のベースヒータ制御値による前記ヒータの通電でライトヒートするライトクリアランス制御部と、
再生時に、前記所定のベースヒータ制御値と調整ヒータ制御値を加算した制御値による前記ヒータの通電でリードヒートするリードクリアランス制御部と、
所望の校正時に、前記ヘッドを任意の測定トラックに位置付けた状態で、前記ライトクリアランス制御部によりライトヒート状態として前記測定トラックのデータ領域に記録を行った後に、前記リードクリアランス制御部によるリードヒート状態に切替えて前記測定トラックの所定領域の再生を行い、読出信号の振幅を検出する処理を繰り返す振幅測定部と、
前記振幅測定部で測定された複数の振幅測定値から分散を算出する分散算出部と、
前記分散が所定の閾値未満の場合は前記ライトクリアランス制御部により前記ベースヒータ制御値を順次増加させながら前記測定トラックのデータ領域に記録を行った後に、前記リードクリアランス制御部によるリードヒート状態に切替えて前記測定トラックの所定領域の再生を行い、読出信号の振幅を検出する前記振幅測定部による測定処理を繰り返し、前記分散が前記閾値を上回った場合は前記ヘッドが媒体に接触したことを判定する接触判定部と、
前記接触判定部による接触判定時の前記ベースヒータ制御値の増加量から前記ヘッドのライトヒート時のクリアランスを算出するライトクリアランス算出部と、
を備えたことを特徴とする記憶装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回転する記憶媒体上でヘッドを浮上させてデータを読み書きする制御装置、制御方法及び記憶装置に関し、特に、ヘッドに設けられたヒータの通電加熱に伴う熱膨張により突出量を変化させてヘッドと記憶媒体面に対するクリアランスを所定の目標クリアランスとなるように制御する制御装置、制御方法及び記憶装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、磁気ディスク装置の高記録密度を実現するため磁気ディスクの記録面に対するヘッドのクリアランスを低下させる必要があり、磁気ヘッドが配置されるスライダーと磁気記録媒体間に流入する空気の圧力(正圧／負圧)を利用してヘッドの浮上によるクリアランスを一定になるように設計している。
【０００３】
記録密度を向上するためにはヘッドと媒体の距離を近づける必要があり、このためヘッドのクリアランスは記録密度の高密度化に伴い年々低下してきており、近年にあっては、１０ｎｍオーダーのクリアランスが実現されている。
【０００４】
従来のヘッドでは空気の圧力のみでクリアランスを保つため、環境温度によるクリアランスの変化や、磁気ヘッドを実装する際に生じる実装ばらつきや、ヘッド毎に生じる製造ばらつきなどのヘッド毎に生じるクリアランスのばらつきを補正することができない。
【０００５】
このため、これらのバラツキを見込んだ条件でクリアランスを設計する必要があるが、ヘッドごとのクリアランスのばらつきがメカの公差範囲で存在するため、媒体接触を考慮すると、クリアランスを公差範囲を超えて低く設定することができない問題がある。
【０００６】
また磁気ディスク装置では媒体は高速で回転しているため、ヘッドのクリアランスが低下すると磁気ディスク面の微小突起との衝突が発生しやすくなり、媒体と磁気ヘッドを接触させた場合はヘッドの摩耗や、ヘッドと媒体が接触することによって発生するコンタミ(塵埃)等の理由のため、装置寿命を満足させることが出来ない問題がある。
【０００７】
そこで近年にあっては、特許文献１のように、ライトヘッドの温度上昇によりヘッド浮上面が磁気ディスク方向に突き出してしまう現象（サーマルプロトリューション：ＴＰＲ）による突出量（ＴＰＲ量）の変化を試験工程などで測定して磁気ディスク上に保持しておき、このデータを用いてヘッドごとにクリアランスを管理する方法が提案されている。
【０００８】
更に、ヘッドにヒータを内蔵し、ヒータの通電に伴うヘッド浮上面の熱膨張による突出現象を利用して、ヘッドと磁気ディスクの記録面とのクリアランスをコントロールする特許文献２，３のような方法も提案されている。
【０００９】
特許文献２は、装置温度や記録再生により素子温度の上昇に対し、ヘッドに設けられた電気伝導膜に印加する電力を変化させて一定素子温度に保つことで、素子と記録媒体の間に一定のクリアランスを保つようにしている。
【００１０】
特許文献３は、加熱によりヘッドの空気軸受面の一部を膨張突出させて記録再生素子と磁気ディスク面との距離を増加させるクリアランス増加用加熱装置と、加熱によりヘッド空気軸受面の他の一部を膨張突出させて記録再生素子と磁気ディスク面との距離を減少させるクリアランス減少用加熱装置とをヘッドに設け、装置起動時などに衝突を起すことなく再生できるようにクリアランスを修正している。
【特許文献１】再公表２００２−０３７４８０号公報
【特許文献２】特開２００５−０７１５４６号公報
【特許文献３】特開２００５−２７６２８４号公報
【特許文献４】特開２００３−２７３３３５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、このような従来のヘッドにヒータを設けて磁気ディスク記録面との間のクリアランスを制御する方法にあっては、ヒータ通電による再生時とヒータ通電による記録時のそれぞれについてクリアランスを測定する必要があるが、再生時のクリアランスは測定できても記録時のクリアランスが測定できず、再生時及び記録時に最適な目標クリアランスに制御するヒータ電力を正確に決めることができない問題がある。
【００１２】
即ち、従来の再生時のクリアランス測定は、クリアランスが小さくなるほどヘッド読取信号の振幅が増加する関係にあることを利用し、例えば再生時のエラーが所定値となるようにヒータ通電量を調整して最適なクリアランスを得ている。
【００１３】
一方、記録時には、ヒータ通電過熱によるヘッド浮上面の膨張突出に加え、ヘッドの記録コイルに記録電流を流すことによる発熱膨張があり、データを記録した後に再生してエラー検出によりクリアランスを測定方法では、クリアランスが更に小さくなる記録時のクリアランスが明確にならず、ヒータ通電による正確なクリアランス制御が困難である。
【００１４】
またヘッド読取信号のエラー検出に基づくクリアランス測定では、記録再生によるエラー検出精度が記録素子の記録能力および読取素子の再生出力に依存し、ヘッド毎にエラー検出感度が異なり、正確なクリアランス測定は困難であるという問題もある。
【００１５】
本発明は、ヒータ通電を伴う記録時のクリアランスを正確に測定して高精度に制御可能な制御装置、制御方法及び記憶装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
（制御装置）
本発明は、記憶装置の制御装置を提供する。本発明は、読出素子と記録素子を備えると共に、通電加熱に伴う熱膨張により突出量を変化させるヒータを設け、回転する記憶媒体上で浮上してデータにアクセスするヘッドを備えた記憶装置の制御装置に於いて、
記録時に、所定のベースヒータ制御値による前記ヒータの通電でライトヒートするライトクリアランス制御部と、
再生時に、所定のベースヒータ制御値と調整ヒータ制御値を加算した制御値によるヒータの通電でリードヒートするリードクリアランス制御部と、
所望の校正時に、ヘッドを任意の測定トラックに位置付けた状態で、ライトクリアランス制御部によりライトヒート状態として測定トラックのデータ領域に記録を行った後に、リードクリアランス制御部によるリードヒート状態に切替えて測定トラックの所定領域の再生を行い、読出信号の振幅を検出する処理を繰り返す振幅測定部と、
振幅測定部で測定された複数の振幅測定値から分散を算出する分散算出部と、
分散が所定の閾値未満の場合はライトクリアランス制御部によりベースヒータ制御値を順次増加させながら測定トラックのデータ領域に記録を行った後に、リードクリアランス制御部によるリードヒート状態に切替えて測定トラックの所定領域の再生を行い、読出信号の振幅を検出する振幅測定部による測定処理を繰り返し、分散が閾値を上回った場合はヘッドが媒体に接触したことを判定する接触判定部と、
接触判定部による接触判定時のベースヒータ制御値の増加量からヘッドのライトヒート時のクリアランスを算出するライトクリアランス算出部と、
を備えたことを特徴とする。
【００１７】
ここで、分散算出部は、複数の振幅測定値をＡｉ、平均振幅をＡａｖとした場合、分散を
【００１８】
【数２】
2008171520.tif 000003
【００１９】
として算出する。
【００２０】
また分散算出部は分散の平方根として標準偏差を算出し、接触判定部は標準偏差が所定の閾値を上回った際にヘッドが記録媒体に接触したことを判定しても良い。
【００２１】
本発明による記憶装置の制御装置は、更に、ライトクリアランスと所定の最小クリアランスとの誤差によりパラメータ管理部で登録管理しているベースヒータ制御値を補正するパラメータ補正部を設ける。
【００２２】
パラメータ補正部は、
測定ライトクリアランスが最小クリアランスより大きい場合は、測定ライトクリアランスから最小クリアランスを差し引いた差分クリアランスに対応したヒータ補正値をベースヒータ制御値に加算して修正し、
測定ライトクリアランスが最小クリアランスより小さい場合は、最小クリアランスから測定ライトクリアランスを差し引いた差分クリアランスに対応したヒータ補正値をベースヒータ制御値から減算して修正する。
【００２３】
本発明による記憶装置の制御装置は、ベースヒータ制御値をベースヒータ電力値とし、調整ヒータ制御値を調整ヒータ電力値としても良い。
【００２４】
（方法）
本発明は、記憶装置の制御方法を提供する。本発明は、読出素子と記録素子を備えると共に、通電加熱に伴う熱膨張により突出量を変化させるヒータを設け、回転する記録媒体上で浮上してデータにアクセスするヘッドを備えた記憶装置の制御方法に於いて、
記録時に、所定のベースヒータ制御値によるヒータの通電でライトヒートするライトクリアランス制御ステップと、
再生時に、所定のベースヒータ制御値と調整ヒータ制御値を加算した制御値によるヒータの通電でリードヒートするリードクリアランス制御ステップと、
所望の校正時に、ヘッドを任意の測定トラックに位置付けた状態で、ライトクリアランス制御ステップによりライトヒート状態として測定トラックのデータ領域に記録を行った後に、リードクリアランス制御ステップによるリードヒート状態に切替えて測定トラックの所定領域の再生を行い、読出信号の振幅を検出する処理を繰り返す振幅測定ステップと、
振幅測定ステップで測定された複数の振幅測定値から分散を算出する分散算出ステップと、
分散が所定の閾値未満の場合はライトクリアランス制御ステップによりベースヒータ制御値を順次増加させながら測定トラックのデータ領域に記録を行った後に、リードクリアランス制御ステップによるリードヒート状態に切替えて測定トラックの所定領域の再生を行い、読出信号の振幅を検出する振幅測定ステップによる測定処理を繰り返し、分散が閾値を上回った場合はヘッドが媒体に接触したことを判定する接触判定ステップと、
接触判定ステップによる接触判定時のベースヒータ制御値の増加量からヘッドのライトヒート時のクリアランスを算出するライトクリアランス算出ステップと、
を備えたことを特徴とする。
【００２５】
（記憶装置）
本発明は記憶装置を提供する。本発明は、読出素子と記録素子を備えると共に、通電加熱に伴う熱膨張により突出量を変化させるヒータを設け、回転する記録媒体上で浮上してデータにアクセスするヘッドを備えた記憶装置に於いて、
記録時に、所定のベースヒータ制御値によるヒータの通電でライトヒートするライトクリアランス制御部と、
再生時に、所定のベースヒータ制御値と調整ヒータ制御値を加算した制御値によるヒータの通電でリードヒートするリードクリアランス制御部と、
所望の校正時に、ヘッドを任意の測定トラックに位置付けた状態で、ライトクリアランス制御部によりライトヒート状態として測定トラックのデータ領域に記録を行った後に、リードクリアランス制御部によるリードヒート状態に切替えて測定トラックの所定領域の再生を行い、読出信号の振幅を検出する処理を繰り返す振幅測定部と、
振幅測定部で測定された複数の振幅測定値から分散を算出する分散算出部と、
分散が所定の閾値未満の場合はライトクリアランス制御部によりベースヒータ制御値を順次増加させながら測定トラックのデータ領域に記録を行った後に、リードクリアランス制御部によるリードヒート状態に切替えて測定トラックの所定領域の再生を行い、読出信号の振幅を検出する振幅測定部による測定処理を繰り返し、分散が前記閾値を上回った場合はヘッドが媒体に接触したことを判定する接触判定部と、
接触判定部による接触判定時のベースヒータ制御値の増加量からヘッドのライトヒート時のクリアランスを算出するライトクリアランス算出部と、
を備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００２６】
本発明によれば、分散が所定の閾値未満の場合はライトヒート電力を順次増加させながら記録動作を行い、その直後再生動作に切り換え振幅測定を行う処理を繰り返し、ヘッドの媒体との接触を検出する。
【００２７】
ヘッドの媒体との接触は、ヘッドが媒体に接触し始めた際の小さな突起との衝突で飛び跳ねるポンピング現象が起きることから、このポンピング現象が生じている状態で再生動作に切り替え、その際の振幅測定値の変動が測定値の分散が閾値を上回ることで検出してヘッドが媒体に接触したことを正確に判定する。
【００２８】
ヘッドの媒体との接触が正確に判定できれば、接触判定までのヒータ電力の変化量からライトクリアランスを正確に算出できる。
【００２９】
このようにヘッドをライトヒートしてデータを書き込む記録時のクリアランスが正確に測定できるため、ヘッド及び媒体の記録位置（ゾーン）ごとに、記録再生時に浮上マージンを損なうことなく最小クリアランスに制御してエラーレートを改善することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
図１は本発明による磁気ディスク装置の実施形態を示したブロック図である。図１において、ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）として知られた磁気ディスク装置１０は、ディスクエンクロージャ１４と制御ボード１２で構成される。ディスクエンクロージャ１４にはスピンドルモータ（ＳＰＭ）１６が設けられ、スピンドルモータ１６の回転軸に磁気ディスク（記憶媒体）２０−１，２０−２を装着し、一定時間例えば４２００ｒｐｍで回転させる。
【００３１】
またディスクエンクロージャ１４にはボイスコイルモータ（ＶＣＭ）１８が設けられ、ボイスコイルモータ１８はヘッドアクチュエータのアーム先端にヘッド２２−１〜２２−４を搭載しており、磁気ディスク２０−１，２０−２の記録面に対するヘッドの位置決めを行う。なお、ヘッド２２−１〜２２−４には記録素子と読出素子が一体化されて搭載されている。
【００３２】
ヘッド２２−１〜２２−４はヘッドＩＣ２４に対し信号線接続されており、ヘッドＩＣ２４は上位装置となるホストからのライトコマンドまたはリードコマンドに基づくヘッドセレクト信号で１つのヘッドを選択して書込みまたは読出しを行う。またヘッドＩＣ２４には、ライト系についてはライトアンプが設けられ、リード系についてはプリアンプが設けられている。
【００３３】
制御ボード１２にはＭＰＵ２６が設けられ、ＭＰＵ２６のバス２８に対し、ＲＡＭを用いた制御プログラム及び制御データを格納するメモリ３０、ＦＲＯＭ等を用いた制御プログラムを格納する不揮発メモリ３２が設けられている。
【００３４】
またＭＰＵ２６のバス２８には、ホストインタフェース制御部３４、バッファメモリ３８を制御するバッファメモリ制御部３６、ハードディスクコントローラ４０、ライト変調部及びリード復調部として機能するリードチャネル４２、ボイスコイルモータ１８及びスピンドルモータ１６を制御する駆動部４４が設けられている。
【００３５】
ここで制御ボード１２におけるＭＰＵ２６、メモリ３０、ホストインタフェース制御部３４、バッファメモリ制御部３６、ハードディスクコントローラ４０及びリードチャネル４２は、１つの制御装置１５として構成可能であり、具体的には制御装置１５は１つのＬＳＩ装置として構成される。
【００３６】
磁気ディスク装置１０は、ホストからのコマンドに基づき書込処理及び読出処理を行う。ここで、磁気ディスク装置における通常の動作を説明すると次のようになる。
【００３７】
ホストからのライトコマンドとライトデータをホストインタフェース制御部３４で受けると、ライトコマンドをＭＰＵ２６で解読し、受信したライトデータを必要に応じてバッファメモリ３８に格納した後、ハードディスクコントローラ４０で所定のデータ形式に変換すると共にＥＣＣ処理によりＥＣＣ符号を付加し、リードチャネル４２におけるライト変調系でスクランブル、ＲＬＬ符号変換、更に書込補償を行った後、ライトアンプからヘッドＩＣ２４を介して選択した例えばヘッド２２−１の記録素子から磁気ディスク２０−１に書き込む。
【００３８】
このときＭＰＵ２６からＶＣＭモータドライバなどを備える駆動部４４にヘッド位置決め信号が与えられており、ボイスコイルモータ１８によりヘッドをコマンドで指示された目標トラックにシークした後にオントラックしてトラック追従制御を行っている。
【００３９】
一方、ホストからのリードコマンドをホストインタフェース制御部３４で受けると、リードコマンドをＭＰＵ２６で解読し、ヘッドＩＣ２４のヘッドセレクトで選択されたヘッド２２−１の読出素子により読み出された読出信号をプリアンプで増幅した後に、リードチャネル４２のリード復調系に入力し、パーシャルレスポンス最尤検出（ＰＲＭＬ）などによりリードデータを復調し、ハードディスクコントローラ４０でＥＣＣ処理を行ってエラーを検出訂正した後、バッフメモリ３８にバッファリングし、ホストインタフェース制御部３４からリードデータをホストに転送する。
【００４０】
ＭＰＵ２６にはプログラムの実行により実現される本実施形態の機能として、校正処理部４６とクリアランス制御部４８が設けられる。本実施形態のヘッド２２−１〜２２−４は、読出素子と記録素子を備えると共に、通電加熱に伴う熱膨張により突出量を変化させるヒータが設けられている。
【００４１】
校正処理部４６は、工場の試験工程などにおいて、ヘッド２２−１〜２２−４毎に、それぞれの読出素子と磁気ディスク２０−１〜２０−２の記録面との間のクリアランスの制御に必要なヒータ制御値をヘッド毎、磁気ディスクのゾーン毎に測定調整し、パラメータテーブル５０に登録して磁気ディスク２０−１，２０−２のシステム領域または装置の不揮発メモリ３２に記録している。
【００４２】
本実施形態で使用するヒータ制御値は、ベースヒータ制御値Ｂと調整用ヒータ制御値Ｒの２つであり、この２つのヒータ制御値Ｂ，Ｒを校正処理によりヘッド毎、磁気ディスクのゾーン毎に決定し、パラメータテーブル５０に登録している。
【００４３】
またパラメータテーブル５０には装置内常温３０℃でのヒータ制御値が登録されていることから、記録再生時には装置内温度Ｔを読み込んで常温との温度差ΔＴを算出し、これに単位温度当りのヒータ制御値への変換係数を乗算して求めた温度補正値を加えて温度補正する。
【００４４】
クリアランス制御部４８はヘッドに設けられたヒータに通電する電力を可変してヘッドの突出量を変化させることで、再生時及び記録時にクリアランスを所定の最小クリアランス（目標クリアランス）に制御する。
【００４５】
図２は本実施形態のヘッド構造の説明図である。図２（Ａ）は本実施形態で使用するヘッド２２を取り出しており、セラミック材料などで作られたスライダ５２の端面上に読出素子と記録素子が形成されている。
【００４６】
スライダ５２の磁気ディスク２０に相対する浮上面の先端側にはテーパ面５６が形成され、且つ浮上面のトラック方向に空気流通溝５４を形成している。
【００４７】
図２（Ｂ）はヘッド２２をトラック方向から見た断面図である。セラミックなどで作られたヘッド２２内には、記録素子として記録コイル５８と記録コア６０が設けられる。この記録素子の左側に隣接して読出素子６２が設けられる。
【００４８】
読出素子６２としては、ＧＭＲ素子（Ｇｉａｎｔ  Ｍａｇｎｅｔｏ  Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ素子）やＴＭＲ素子（Ｔｕｎｎｅｌｉｎｇ  Ｍａｇｎｅｔｏ  Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ素子）が用いられる。ヘッド２２の磁気ディスク２０に相対した面は、ＡＢＳ面（Ａｉｒ  Ｂｅａｒｉｎｇ  Ｓｅｒｆａｃｅ）６４であり、表面に保護膜６６を形成している。
【００４９】
一方、磁気ディスク２０は基板７０上に記録膜７２を形成し、記録膜７２に続いて保護膜７４を形成し、更に表面に潤滑剤７５を設けている。
【００５０】
本実施形態にあっては、ヘッド２２の記録素子を構成する記録コア６０に近接してヒータ６５が設けられている。ヒータ６５に通電して加熱することで、ヘッド２２の浮上面となるＡＢＳ面６４が破線のヘッド面６４−１に示すように磁気ディスク２０側に膨張突出することになる。
【００５１】
ヘッド２２と磁気ディスク２０の間のクリアランス７６は、読出素子６２の下端から磁気ディスク２０の記録膜７２までの間隔と定義される。
【００５２】
図３は本実施形態におけるＭＰＵ２６の機能構成の詳細を示したブロック図である。図３において、ＭＰＵ２６のファームウェアプログラムの実行により実現される機能としてクリアランス制御部４８と校正処理部４６が設けられる。クリアランス制御部４８には、パラメータ管理部８８、ライトクリアランス制御部９０及びリードクリアランス制御部９２が設けられる。
【００５３】
パラメータ管理部８８は、メモリ３０に読出し配置しているパラメータテーブル５０に対するヒータ制御値の登録と読出しの管理を行う。パラメータテーブル５０は、図４に示すように、ヘッド、ゾーンに分けて、ベースヒータ制御値Ｂと調整ヒータ制御値Ｒを登録している。パラメータテーブル５０に登録されたベースヒータ制御値Ｂと調整ヒータ制御値Ｒは、図３の校正処理部４６における校正処理の際に設定調整された制御値である。
【００５４】
ここで本実施形態におけるヒータ制御に使用しているベースヒータ制御値Ｂと調整ヒータ制御値Ｒを説明する。
【００５５】
図５は本実施形態におけるヒータ制御系統のブロック図である。図５において、ＭＰＵ２６にはメインヒータ制御値用レジスタ９４と調整ヒータ制御値用レジスタ９６が設けられている。
【００５６】
記録時または再生時には、図４に示すパラメータテーブル５０からヘッド及びゾーンの指定により、対応するベースヒータ制御値Ｂと調整ヒータ制御値Ｒが読み出され、それぞれベースヒータ制御値用レジスタ９４と調整ヒータ制御値用レジスタ９６にセットされる。
【００５７】
ヘッドＩＣ２４側にはＤＡ変換器９８，１００が設けられ、ベーヒータ制御値用レジスタ９４及び調整ヒータ制御値用レジスタ９６にセットされたヒータ制御値Ｂ，Ｒをそれぞれアナログ信号に変換して加算した後、ヘッドセレクト回路１０２を介して、そのとき選択されているヘッドに対応したヒータ６５−１〜６５−４のいずれかに電力を供給し、ヘッドを加熱膨張により突出し、媒体面に対するヘッド面との間隔であるクリアランスを、予め設定された最小クリアランス（目標クリアランス）ｄｏに制御する。
【００５８】
図６は本実施形態におけるベースヒータ制御値Ｂと調整ヒータ制御値Ｒを使用したリード時とライト時のヒータ制御の説明図である。図６（Ａ）はヒータ通電をオフした状態であり、このときＢ＝０、Ｒ＝０であり、ヘッド２２のヘッド面位置２７は熱膨張による突出はない。
【００５９】
図６（Ｂ）はリード時のヘッド面の変化を示しており、リード時にはベースヒータ制御値Ｂと調整ヒータ制御値Ｒを加算したヒータ制御値（Ｂ＋Ｒ）によりヒータに通電してヘッド２２を加熱膨張させ、これによりベースヒータ制御値Ｂによるヘッド面変化量１０４と調整ヒータ制御値Ｒによるヘッド面変化量１０６を発生させ、媒体面２５との間に最小クリアランスｄ０に対応したヒータ制御値の換算値である最小クリアランスヒータ制御値Ｓｐ相当分のスペースを確保している。
【００６０】
図６（Ｃ）はライト時のヒータ制御値によるヘッド面の変化であり、ライト時にあっては、調整ヒータ制御値Ｒはオフし、ベースヒータ制御値Ｂのみによりヒータに通電し、ベースヒータ制御値Ｂに対応したヘッド面変化量１０４を作り出している。
【００６１】
更にライト時にあっては、図２（Ｂ）に示したヘッド２２の記録コイル５８に対する記録電流を流すことによる発熱があり、ライトパワーＰｗによる熱膨張に対応したヘッド面変化量１０８が加わっている。
【００６２】
したがって記録時にあっては、ベースヒータ制御値Ｂによるヘッド面変化量１０８にライト電流によるヘッド面変化量１０８を加えたヘッド面変化量により、媒体面２５に対し最小クリアランスｄ０を確保するようにしている。
【００６３】
更に図６（Ｂ）のリード時及び図６（Ｃ）のライト時のいずれについても、ヘッド２２のヒータに通電してから熱膨張による突出量が安定するまでには時間遅れがあることから、目標セクタに対し所定の設定セクタ数だけ手前からプリヒートを行っている。
【００６４】
このプリヒートの際のヒータ制御値は、リード時及びライト時のいずれについてもベースヒータ制御値Ｂと調整ヒータ制御値Ｒを加算したヒータ制御値（Ｂ＋Ｒ）となる。この所定の設定セクタ数分のプリヒートにより、リード時に目標セクタに達した際には、図６（Ｂ）のようにリード時のヒータ制御値は同じく加算ヒータ制御値（Ｂ＋Ｒ）であることから、プリヒートのヒータ制御値をそのまま維持してリード処理を開始することになる。
【００６５】
これに対し図６（Ｃ）のライト時にあっては、ベースヒータ制御値Ｂのみであることから、プリヒートにおけるヒータ制御値（Ｂ＋Ｒ）から目標セクタに達したときに目標ヒータ制御値Ｂに切り替えてライト処理を行うことになる。
【００６６】
このような図６（Ｂ）のヒータ制御を伴うリード処理及び図６（Ｃ）のヒータ制御を伴うライト処理は、図３のクリアランス制御部４８に設けたライトクリアランス制御部９０及びリードクリアランス制御部９２のそれぞれにおいて実行されることになる。
【００６７】
ライトクリアランス制御及びリードクリアランス制御にあっては、上位装置から受領したライトコマンド及びリードコマンドの解読により目標トラックに対応したヘッドとゾーンにより図４のパラメータテーブル５０を参照し、ヘッド及びゾーンに対応したベースヒータ制御値Ｂと調整ヒータ制御値Ｒを取得し、図６（Ｂ）または（Ｃ）に示したリード時ヒータ制御及びライト時ヒータ制御を実行することになる。
【００６８】
図７は本実施形態によるライトクリアランス制御処理を示したフローチャートであり、図３のライトクリアランス制御部９０により行われる。図７において、ライトクリアランス制御処理は、まずステップＳ１でライトコマンドを解読して目標トラックを認識してヘッドとゾーンの指定により図４のパラメータテーブル５０を参照してベースヒータ制御値Ｂと調整ヒータ制御値Ｒを取得する。
【００６９】
続いてステップＳ２で、取得したベースヒータ制御値Ｂを温度補正する。この温度補正は、図４のパラメータテーブル５０には装置内常温３０℃でのヒータ制御値が登録されていることから、現在の装置内温度Ｔを読み込んで常温との温度差ΔＴを
ΔＴ＝Ｔ−３０℃
として算出し、これに単位温度当りのヒータ制御値への変換係数を乗算して温度補正値Ｂｔを求めて
Ｂ＝Ｂ＋Ｂｔ
として補正する。
【００７０】
ここで、装置内温度が３０℃より高い場合、温度補正値Ｂｔはマイナスの値となり、ベースヒータ制御値Ｂは温度補正値Ｂｔ分だけ低い値に補正される。また、装置内温度が３０℃未満の場合には、温度補正値Ｂｔはプラスの値となり、ベースヒータ制御値Ｂは温度補正値Ｂｔ分だけ高い値に補正される。
【００７１】
次にステップＳ３で設定セクタ数より手前のセクタからヒータ制御値（Ｂ＋Ｒ）でプリヒート制御を行っている。続いてステップＳ４で目標先頭セクタをチェックしており、目標先頭セクタへの到達を判別すると、ステップＳ５でヒータ制御値Ｂのライトヒート制御に切り替え、ステップＳ６で指定セクタにデータを書き込み、ステップＳ７でライト終了を判別すると、ステップＳ８でヒータ制御をオフする。
【００７２】
図８は本実施形態によるリードクリアランス制御処理を示したフローチャートであり、図３のリードクリアランス制御部９２により実行される。図８において、リードクリアランス制御処理は、まずステップＳ１でリードコマンドを解読して目標トラックを認識してヘッドとゾーンの指定により図４のパラメータテーブル５０を参照してベースヒータ制御値Ｂと調整ヒータ制御値Ｒを取得する。
【００７３】
続いてステップＳ２で取得したベースヒータ制御値Ｂを温度補正する。この温度補正は、図４のパラメータテーブル５０には常温３０℃でのヒータ制御値が登録されていることから、現在の装置内温度Ｔを読み込んで常温との温度差ΔＴを
ΔＴ＝Ｔ−３０℃
として算出し、これに単位温度当りのヒータ制御値への変換係数を乗算して温度補正値Ｂｔを求めて
Ｂ＝Ｂ＋Ｂｔ
として補正する。
【００７４】
続いて、ステップＳ３で設定セクタ数より手前のセクタからヒータ制御値（Ｂ＋Ｒ）でプリヒート制御を行う。続いてステップＳ４で目標先頭セクタへの到達を判別すると、ステップＳ５に進み、ヒータ制御値（Ｂ＋Ｒ）を変更することなく継続したままリードを開始する。そしてステップＳ６でリード終了を判別すると、ステップＳ７でヒータ制御値をオフする。
【００７５】
再び図３を参照するに、ＭＰＵ２６に設けた校正処理部４６は、装置製造段階の試験工程などでＭＰＵ２６にインストールされた校正処理用のファームウェアを実行することにより実現される機能であり、校正処理部４６には振幅測定部７８、分散算出部８０、接触判定部８２、ライトクリアランス算出部８４及びパラメータ補正部８６が設けられている。
【００７６】
振幅測定部７８は、校正時に、ヘッドを磁気ディスク上の任意の測定トラックに位置付けた状態で、ライトクリアランス制御部９０によりライトヒートした状態で測定トラックのデータ領域にユーザデータを書き込んだ後に、リードクリアランス制御部９２によるリードヒート状態に切替え、サーボ領域内のプリアンブル部からの読出信号の振幅Ａｉを検出する処理を繰り返す。ここでｉは１〜ｎの測定回数を示す整数である。
【００７７】
分散算出部８０は、振幅測定部７８で測定された複数の振幅測定値Ａｉから分散σ２を次式で算出する。
【００７８】
【数３】
2008171520.tif 000004
【００７９】
なお、本実施形態では、前記（１）式により分散を算出しているが、分散に代えて、分散の平方根として標準偏差σを算出し、接触判定部８２は標準偏差σが所定の閾値を上回った際にヘッドが磁気ディスクに接触したことを判定するようにしても良い。
【００８０】
接触判定部８２は、分散が所定の閾値未満の場合はベースヒータ制御値Ｂを所定値ΔＢずつ順次増加させながら振幅測定部７８による測定処理を繰り返し、分散が閾値を上回った場合は、ヘッドが磁気ディスクに接触したことを判定する。
【００８１】
ライトクリアランス測定部８４は、接触判定部８２による接触判定時のベースヒータ制御値Ｂの増加量を、接触判定までの測定回数ｍから(ｍ×ΔＢ)として求め、この増加量(ｍ×ΔＢ)からヘッドのライトヒート時のライトクリアランスｄを算出する。
【００８２】
ライトクリアランスｄの算出は、デジタルデータとして与えられるベースヒータ制御値Ｂの１ビット当たりのクリアランスｅ［ｎｍ／ビット］が予め判明していることから、
ｄ＝(ｍ×ΔＢ)×ｅ    ［ｎｍ］        （２）
として算出できる。
【００８３】
パラメータ補正部８６は、測定したライトクリアランスｄと所定の最小クリアランスｄｏ（最小クリアランスヒータ制御値Ｓｐの換算値）との誤差Δｄによりパラメータ管理部８８で登録管理しているパラメータテーブル５０のベースヒータ制御値Ｂを補正する。
【００８４】
図９は本実施形態の校正処理部４６によるライトクリアランス測定のための機能構成をプリアンブル読出信号の振幅を検出する回路部と共に示したブロック図である。
【００８５】
図９において、ＭＰＵ２６には図３に示したように校正処理部４６が設けられている。校正処理部４６には振幅測定部７８、分散算出部８０、接触判定部８２、ライトクリアランス算出部８４及びパラメータ補正部８６が設けられ、これによってライトクリアランスの測定処理を行う。
【００８６】
図１０（Ａ）は本実施形態で使用する磁気ディスク２０を取り出しており、磁気ディスク２０の記録面には一定の角度間隔でサーボ領域１２２−１，１２２−２・・・が予め記憶されており、その間がデータ領域となる。
【００８７】
図１０（Ｂ）は磁気ディスク２０における測定トラックの１フレームを取り出しており、説明を簡単にするためフレームを直線で示している。１フレームはサーボ領域１２２−１とデータ領域１２４−１で構成されている。サーボ領域１２２−１には下側に拡大して示すようにプリアンブル領域１２６、同期領域１２８、トラック番号領域１３０、サーボ情報領域１３２及び偏心補正領域１３４で構成されている。
【００８８】
このうちプリアンブル領域１２６についてはユーザデータの基本周波数より低い所定周波数の繰り返しパターンが記憶されており、本実施形態にあってはこのプリアンブルパターンを読み出してその振幅を測定している。ゆえに、プリアンブルを利用することで特別な測定トラックを設ける必要は無く、フォーマット効率に影響を与えない。
【００８９】
なお、特別な測定トラックを設け、測定トラックに振幅測定用領域を設けても良い。例えば、データ領域と振幅測定用領域を交互に設けることで、ポンピング現象が生じている記録動作の直後すぐに再生動作に切り替えることが可能であり、振幅測定値の変動を検出することが可能である。
【００９０】
また、図１０における複数のサーボ領域のうち特定の１つについてはサーボ領域の中にインデックス領域が設けられ、このインデックス領域のインデックス信号を読み取ることで回転基準値を検出することができる。
【００９１】
プリアンブル読出信号の振幅測定は図９の回路部を使用して行われる。図９の回路部は図１の磁気ディスク装置１０におけるリードチャネル４２とヘッドＩＣ２４を取り出している。
【００９２】
ヘッドＩＣ２４には読出装置から得られた読出信号を増幅させるプリアンプ１１０が設けられ、プリアンプ１１０からの出力信号はリードチャネル４２の可変利得アンプＶＧＡ１１２で増幅された後、可変イコライザ１１４で等価され、ＡＤコンバータ１１６でサンプリングされてデジタルデータに変換され、復調回路１１８でデータ及びサーボ情報の復調が行われる。
【００９３】
ここで可変利得アンプ１１２に対してはＡＤコンバータ１１６よりアンプ出力振幅を一定に保つようなＡＧＣ制御信号（自動利得制御信号）Ｅ１が供給されている。本実施形態にあっては可変利得アンプ１１２に対するＡＧＣ信号Ｅ１をレジスタ１２０に保持し、これに基づきＭＰＵ２６がレジスタ１２０のＡＧＣ信号からヘッド読取信号の振幅、すなわちヘッド読取信号として得られたプリアンブル読出信号の振幅を振幅測定値として取得している。
【００９４】
この場合の読取信号の振幅測定は、ＡＧＣ信号Ｅ１によるゲインをＧとすると、変利得アンプＶＧＡ１１２の入出力は
（一定出力振幅）＝（ゲインＧ）×（入力振幅）
の関係にあることから、
（入力振幅）＝（一定出力振幅）／（ゲインＧ）
として求めることができる。
【００９５】
図１１は図９の振幅測定部７８による処理を示したタイムチャートである。図１１（Ａ）は測定トラックであり、直線に延ばして示しており、サーボ領域１２２−１，１２２−２，１２２−３，１２２−４，・・・の間にデータ領域１２４−１，１２４−２，１２４−３，１２４−４，・・・を配置しており、サーボ領域の数ｎは例えばｎ＝１７４である。
【００９６】
サーボフレーム１２２−１にはインデックス１２５が書き込まれており、インデックス１２５を検出することで磁気ディスクの回転基準位置、即ち先頭サーボ領域１２２−１を知ることができる。
【００９７】
サーボ領域１２２−１，１２２−２，１２２−３，１２２−４・・・には、図１０（Ｂ）のフレーム領域１２２−１について取り出して示したように、プリアンブル１２６−１，１２６−２，１２６−３，１２６−４，・・・が含まれている。
【００９８】
本実施形態の振幅測定処理にあっては、図１１（Ｂ）に示すように、サーボ領域１２２−１のインデックス１２５の検出を開始位置として、ベースヒータ制御値Ｂをデータ領域１２４−１の開始位置から１トラック分に亘りオンし、ベースヒータ制御値ＢをＡＤ変換してヒータを通電過熱するライトヒートを行っている。
【００９９】
同時に、図１１（Ｃ）に示すように、１トラック分のユーザデータのライトコマンドを発行し、このライトコマンドに基づきライトゲートＷＧをデータ領域１２４−１，１２４−２，１２４−３，…のタイミングでビット０からビット１に立ち上げて有効とし、データ領域１２４−１，１２４−２，１２４−３，・・・のそれぞれにユーザデータをライトヒート状態で書き込んでいる。
【０１００】
また図１１（Ｄ）に示すように、調整ヒータ制御値Ｒが測定トラックにおけるデータ領域１２４−１，１２４−２，１２４−３，…に続くサーボ領域１２２−２，１２２−３，１２２−４，・・・のそれぞれのタイミングで調整ヒータ制御値Ｒによるヒータ通電をオンし、このとき図１１（Ｂ）のベースヒータ制御値Ｂは既にオンしていることから、両者を加算したヒータ制御値（Ｂ＋Ｒ）をＡＤ変換した電流によるヒータの加熱、即ちリードヒートを行っている。
【０１０１】
そして図１１（Ｅ）に示すように、サーボ領域１２２−２，１２２−３，１２２−４，・・・のタイミングでリードゲートＲＧがビット０からビット１に立ち上がって有効となり、このタイミングでサーボ領域１２２−２，１２２−３，１２２−４，・・・のそれぞれに存在するプリアンブル部１２６−２，１２６−３，１２６−４・・・の振幅を測定する。
【０１０２】
具体的には図９の回路部に示したＡＤコンバータ１１６から可変利得アンプ１１２に出力されるアンプ出力振幅を一定に保つようなＡＧＣ制御信号（自動利得制御信号）Ｅ１をレジスタ１２０に保持していることから、このレジスタ１２０のＡＧ制御信号からプリアンブル読出信号の振幅を示す振幅測定値を取得している。
【０１０３】
図１１の測定トラックに対するライトヒート制御に伴うデータ領域のユーザデータの書込みと、リードヒート制御に伴うサーボ領域からのプリアンブルの振幅測定は、１トラック単位に実行される。
【０１０４】
１回の測定トラックの振幅測定によりｎ個の振幅測定値Ａ１〜Ａｎが得られると、図９の分散算出部８０により前記（１）式に従って分散σ２を算出し、接触判定部８２で所定の閾値より小さい場合には、ベースヒータ制御値Ｂを所定値ΔＢだけ増加させて、測定トラックに対する同じ振幅測定処理を繰り返す。
【０１０５】
図１２は本実施形態における振幅測定時の１トラックごとに順次増加されるベースヒータ制御値Ｂの変化を示している。
【０１０６】
図１２において、１回目の測定処理にあっては、データ領域についてはパラメータテーブル５０から得られたベースヒータ制御値Ｂを使用してライトヒート状態としてユーザデータを書き込んでいる。
【０１０７】
また１回目のリードヒートについては、点線で示すように、ベースヒータ制御値Ｂに調整ヒータ制御値Ｒを加えたヒータ制御値（Ｂ＋Ｒ）によるリードヒート状態で、サーボ領域のプリアンブル部の読出信号に基づき振幅を測定している。
【０１０８】
１回目の測定処理で測定振幅の分散が閾値を超えなかった場合には、２回目の測定処理でベースヒータ制御値Ｂを所定値ΔＢだけ増加した（Ｂ＋ΔＢ）として、データ領域ついてライトヒートした状態でユーザデータを書き込んでいる。一方、サーボ領域のプリアンブルの読出信号を得るためのリードヒートについては、１回目と同じヒータ制御値（Ｒ＋Ｂ）に固定している。
【０１０９】
２回目の測定で分散が閾値より小さければ、同様に３回目、４回目、５回目と、ベースヒータ制御値をΔＢずつ順次増加している。このようにライトヒートに使用するベースヒータ制御値ＢをΔＢずつ順次増加していくと、ライトヒートによるヘッドの熱膨張により、磁気ディスクとの間のクリアランスが順次減少し、ある値に増加したときにヘッドが磁気ディスクに接触することになる。
【０１１０】
図１２にあっては、例えば６回目のベースヒータ制御値（Ｂ＋５ΔＢ）に増加したときに、振幅測定値から算出された分散が閾値を超えることで、ヘッドが磁気ディスクに接触したことを判定する。
【０１１１】
図１３は本実施形態における平均振幅Ａａと分散の平方根である標準偏差σの関係を示した実測結果のグラフである。図１３において、平均振幅Ａａの測定曲線１３６は、ベースヒータ制御値Ｂの所定値ΔＢずつの増加に伴うヒータ電力Ｐの増加に応じクリアランスが減少することで増加している。
【０１１２】
一方、標準偏差σの測定曲線１３８にあっては、ヒータ電力Ｐが６５ｍＷに増加するまでは判定閾値として設定したσｔｈより小さいが、６５ｍＷを超えると標準偏差σが急激に１．６以上に増加し、この状態が８０ｍＷより少し手前まで続いた後、再び判定閾値σｔｈ以下に戻る変化を示している。
【０１１３】
このようなヒータ電力Ｐを増加したときの標準偏差σの急激な上昇は、ヒータ電力の増加に伴いヘッドが熱膨張してクリアランスが減少し、膨張したヘッドが磁気ディスクに接触する直前の状態でディスク面の僅かな凹凸による接触で飛び跳ねるポンピング現象を生じていることに起因している。
【０１１４】
このヘッドが磁気ディスクに接触する直後に起きるポンピング現象により、測定トラックにつき得られるｎ個の振幅測定値は大きくばらつくこととなり、これが標準偏差σの急激な増加として捕らえることができる。
【０１１５】
そして更にヒータ電力を増加すると、ヘッドは熱膨張により磁気ディスクに完全に接触して飛び跳ねることがなくなるため、再び標準偏差σは判定閾値σｔｈ以下に安定する。
【０１１６】
また本実施形態にあっては、図１１のタイムチャートに示したように、データ領域１２４−１，１２４−２，１２４−３、・・・のタイミングでΔＢずつ増加したベースヒータ制御値Ｂによるライトヒート状態でユーザデータを書き込み、それぞれの直後のサーボ領域１２２−２，１２２−３，１２２−４，・・・のタイミングでリードヒート状態に切替え、その中のプリアンブル１２６−２，１２６−３，１２６−４，・・・の読取信号から振幅測定値を測定しており、記録時に測定している訳ではない。
【０１１７】
しかしながら、ベースヒータ制御値Ｂによる加熱でヘッドが磁気ディスクに接触直前の状態にあるときには、データ領域においてヘッドが磁気ディスクの僅かな凹凸と接触して飛び跳ねるポンピング現象を生じており、このポンピング現象による飛び跳ねは直後のサーボ領域に入ってもその影響が続いている。
【０１１８】
したがって、リードヒートによるプリアンブルの読取信号に基づく振幅測定であるが、その直前のサーボ領域のライトヒートによるヘッドと磁気ディスクの接触による飛び跳ね現象を反映した振幅測定結果を得ることができ、図１３に示す例えば標準偏差σの増加から、ヘッドの磁気ディスクへの接触を正確に判定することができる。
【０１１９】
なお図１３の実測結果にあっては、標準偏差σが判定閾値σｔｈを超えた後もヒータ電力Ｐを増加しているが、実際には判定閾値σｔｈを超えた段階で、それ以上のヒータ電力の増加は停止し、不必要なヘッドの磁気ディスクへの接触は行わないようにする。
【０１２０】
図１４は図３の校正成処理部４６による構成処理を示したフローチャートである。図１４において、校正処理は製造段階の試験工程などで実行され、ステップＳ１で図４に示したパラメータテーブル５０に対し、ヘッド及びゾーンごとにベースヒータ制御値Ｂ及び調整ヒータ制御値Ｒを設定する。
【０１２１】
この最初に行うパラメータテーブル５０に対するパラメータ設定は、設計段階及び実験段階で準備されたベースヒータ制御値Ｂ及び調整ヒータ制御値Ｒのディフォルト値を、そのまま全てのヘッド単位に分類した全ゾーンに格納する。
【０１２２】
続いてステップＳ２に進み、ライトクリアランス測定処理を、パラメータテーブル５０におけるヘッド及びゾーンごとに実行し、ライトクリアランスｄを測定する。続いてステップＳ３で、測定されたライトクリアランスからヒータ補正値Ｂａを求め、ディフォルト値として設定したパラメータテーブル５０の値を実測結果に応じた最適なベースヒータ制御値Ｂに補正する。
【０１２３】
図１５は本実施形態におけるライトクリアランス測定処理のフローチャートであり、図９を参照して説明すると次のようになる。
【０１２４】
図１５において、ライトクリアランス測定処理はステップＳ１でヘッドを選択し、続いてステップＳ２で選択したヘッドに対応する磁気ディスクの媒体面におけるゾーンを選択する。本実施形態にあっては、全ヘッドにつき磁気ディスクの全ゾーンを選択してライトクリアランス測定処理を実行する場合を例に取っている。
【０１２５】
次にステップＳ３で、選択したゾーンの予め定めた測定トラックにシークしてオントラックした後、ステップＳ４で補正前のパラメータテーブル５０に予め書き込んでいるベースヒータ制御値Ｂと調整ヒータ制御値Ｒをコマンドパラメータとして、１トラックライトのライトコマンドを発行する。
【０１２６】
この１トラックライトのライトコマンドの発行により、図１に示したハードディスクコントローラ４０は、図１１（Ｃ）のライトゲートＷＧ及び図１１（Ｅ）のリードゲートＲＧを出力する。
【０１２７】
続いてステップＳ５で、ライトゲートのオン即ちビット１への立ち上がりを検出したか否かチェックしており、ライトゲートがオンしたことを検出すると、ステップＳ６に進み、ベースヒータ制御値Ｂのみによるライトヒート制御を行い、これによりデータ領域に対し１トラックライトのライトコマンドに基づくユーザデータの書込みが行われる。
【０１２８】
続いてステップＳ７でライトゲートのオフの検出を判別すると、ステップＳ８に進み、ヒータ制御値をベースヒータ制御値Ｂに調整ヒータ制御値Ｒを加算したヒータ制御値（Ｂ＋Ｒ）に切り替えてリードヒート制御を行い、ステップＳ９でリードヘッド状態におけるサーボ領域のプリアンブルの読取信号から得られた振幅Ａｉを測定する。
【０１２９】
もちろん、この振幅Ａｉは、図９に示したＡＤコンバータ１１６から可変利得アンプ１１２のアンプ出力を一定にするための利得制御信号Ｅ１のレジスタ１２０の保持で得られた値である。
【０１３０】
続いてステップＳ１０に進み、１トラックライト終了の有無をチェックし、未終了であれば、ステップＳ５に戻り、次のデータ領域のライトヒートによるユーザデータの書込みと、これに続くサーボ領域のプリアンブルの読出信号からの振幅測定の処理を、ステップＳ５〜Ｓ９により繰り返す。
【０１３１】
ステップＳ１０で１トラックライト終了が判別されると、このときｎ個の測定振幅Ａ１〜Ａｎが得られていることから、ステップＳ１１に進み、前記（１）式により測定振幅から分散σ２を計算し、ステップＳ１２で所定の閾値σ２ｔｈと比較する。
【０１３２】
算出された分散σ２が閾値σ２ｔｈより小さければ、ステップＳ１３に進み、ベースヒータ制御値ＢをΔＢだけ増加して、
Ｂ＝Ｂ＋ΔＢ
とし、再びステップＳ４に戻り、同じ測定トラックにつき、増加したベースヒータ制御値Ｂとデフォルトとして得られている固定した調整ヒータ制御値Ｒをコマンドパラメータとして１トラックライトのライトコマンドを発行し、１回目と同様、ステップＳ５〜Ｓ１０の処理を繰り返し、１トラックライト終了でステップＳ１１で分散σ２を計算し、ステップＳ１２で閾値σ２ｔｈと比較し、小さければ再びステップＳ１３で、更にベースヒータ制御値ＢをΔＢだけ増加し、ステップＳ４からの処理を繰り返す。
【０１３３】
このような測定トラックごとの振幅測定に基づく分散の算出により、ベースヒータ制御値Ｂが順次増加してヘッドが膨張し、磁気ディスクとのクリアランスが減少して、ある値に増加したときに、膨張したヘッドが磁気ディスクと接触を開始するようになる。
【０１３４】
このヘッドの接触開始に伴う飛び跳ねによりポンピング現象を起こし、ステップＳ１１で算出される分散σ２が急激に増加し、ステップＳ１２で閾値σ２ｔｈを超えることが判定される。
【０１３５】
分散σ２が閾値σ２ｔｈを超えた場合にはステップＳ１４に進み、それまでのベースヒータ制御値Ｂの増加回数をｍ回とすると、その変化量（ｍ×ΔＢ）からライトクリアランスｄを計算する。
【０１３６】
即ち、ライトクリアランスｄはベースヒータ制御値Ｂの１ビット当たりのクリアランス変化量ｅ［ｎｍ／ビット］が判明していることから、ライトクリアランスｄは
ｄ＝（ｍ×ΔＢ）×ｅ    ［ｎｍ］
として算出される。
【０１３７】
続いてステップＳ１５で全ゾーンの終了の有無をチェックし、未終了であれば、ステップＳ２に戻り、次のゾーンを選択してステップＳ３からの処理を繰り返す。
【０１３８】
ステップＳ１５で全ゾーンの終了を判別した場合には、ステップＳ１６に進み、全ヘッドの終了の有無をチェックし、未終了であればステップＳ１に戻り、次のヘッドを選択して、ステップＳ２からの処理を繰り返し、ステップＳ１６で全ヘッドを終了すると、一連のライトクリアランス測定処理を終了する。
【０１３９】
図１６は図１５のライトクリアランス測定処理で得られたライトクリアランスｄに基づく図４のパラメータテーブル５０のベースヒータ制御値Ｂの補正処理の説明図であり、図１４のステップＳ３のパラメータ補正処理の詳細を示している。
【０１４０】
図１６（Ａ）は、測定されたライトクリアランスｄが最小クリアランスヒータ制御値Ｓｐに対応した最小クリアランスｄｏより大きかった場合の補正処理である。
【０１４１】
ここで、ヘッド２２の右側にはヒータ制御値を示し、右側には対応するクリアランス［ｎｍ］を示している。
【０１４２】
この場合、測定したライトクリアランスｄに対し、最小クリアランスｄｏが小さいことから、クリアランス補正値Δｄとして
Δｄ＝ｄ−ｄｏ
を求め、このクリアランス差分値Δｄから補正のためのヒータ補正値Ｂａを算出して、ベースヒータ制御値Ｂを補正する。
【０１４３】
即ち、Δｄ＝ｄ−ｄｏはヒータ補正値Ｂａに換算すると
Ｂａ＝Δｄ／ｅ
として求まる。
【０１４４】
このようにして求めたヒータ補正値Ｂａを、この場合にはディフォルトのベースヒータ制御値Ｂに加算した
Ｂ＝Ｂ＋ａ
として補正した後に、パラメータテーブル５０に格納する。
【０１４５】
ここで、ヒータ補正値Ｂａは校正時の装置内温度での値であることから、標準温度３０℃に温度補正した後にパラメータテーブル５０から読み出したベースヒータ制御値Ｂに加算して補正してからパラメータテーブル５０に再登録する。
【０１４６】
図１６（Ｂ）は測定したライトクリアランスｄが最小クリアランスｄｏより小さかった場合である。この場合には、クリアランス誤差Δｄは
Δｄ＝ｄｏ−ｄ
として算出され、これをヒータ補正値Ｂａに換算すると
Ｂａ＝Δｄ／ｅ
として求められる。
【０１４７】
この場合には、算出された補正ヒータ制御値Ｂａだけ膨張を少なくする必要があるため、ヒータ制御値Ｂからヒータ補正値Ｂａを引くことにより、
Ｂ＝Ｂ−Ｂａ
として補正したベースヒータ制御値Ｂをパラメータテーブル５０に格納する。
【０１４８】
勿論、ヒータ補正値Ｂａは校正時の装置内温度での値であることから、標準温度３０℃に温度補正した後にパラメータテーブル５０から読み出したベースヒータ制御値Ｂに加算して補正してからパラメータテーブル５０に再登録する。
【０１４９】
また本発明は図１の磁気ディスク装置に設けたＭＰＵ２６で実行される校正処理のためのプログラム、即ち校正処理のためのファームウェアプログラムを提供するものであり、このファームウェアプログラムは図７，図８，図１４及び図１５のフローチャートに示した処理内容となる。
【０１５０】
また本発明は図１の磁気ディスク装置の制御装置を提供するものであり、この制御装置は本実施形態にあっては図１の制御ボードに実装したＬＳＩ装置として実現される制御装置１５に相当する。
【０１５１】
なお上記の実施形態にあっては、図５に示したように、ＭＰＵ２６側にベースヒータ制御値用レジスタ９４と調整ヒータ制御値用レジスタ９６を設け、これに対応してレジスタごとにヘッドＩＣ２４側にＤＡ変換器９８，１００を設けているが、ＭＰＵ２６側の２つのレジスタに対し、ヘッドＩＣ２４側に単一のＤＡ変換器を設け、このＤＡ変換器に対しレジスタそれぞれの値もしくは加算値を入力してＤＡ変換することでヒータ制御を行うようにしてもよい。
【０１５２】
また上記の実施形態にあっては、ヒータ電力量ではなく、ヒータ電力量を得るためのＤＡ変換器に入力するヒータ制御値（ディジタルデータ）をパラメータテーブル５０に設定して校正処理を行なう場合を例に取っているが、ヒータ制御値としての扱いを行わず、ヒータ制御値に対応したヒータ電力そのものの値を対象に校正処理を行うようにしてもよい。
【０１５３】
この場合には、ベースヒータ制御値ＢはＤＡ変換器９８で変換された出力電流によるヒータ電力量Ｐｄとして扱い、また調整ヒータ制御値ＲはＤＡ変換器１００で変換された出力電流によるヒータ電力Ｐｒとして扱えばよい。もちろん、この場合の最小クリアランスヒータ制御値Ｓｐについても、ヒータ電力量に換算した最小クリアランスヒータ電力値Ｐｓｐとして扱うことになる。
【０１５４】
また上記の実施形態にあっては、製造時の試験工程で校正処理のファームウェアを磁気ディスク装置にインストールして校正処理を行い、校正処理が済んだ後は、校正処理のファームウェアを削除した状態でユーザに出荷する場合を例に取っているが、この構成処理のファームウェアを削除せずに残したままユーザに対し出荷することで、ユーザが使用中において必要に応じて本実施形態のパラメータの校正処理を行うようにしてもよい。
【０１５５】
また上記の実施形態にあっては、ライトクリアランスの測定処理と、その測定結果に基づくベースヒータ制御値の補正を全ヘッド及び全ゾーンについて行う場合を例に取っているが、これ以外に、ヘッドごとに磁気ディスクの特定の測定トラック例えばインナーまたはアウターのシステム領域の測定トラックについてのみ、ライトクリアランス測定処理を行ってベースヒータ制御値Ｂを補正するようにしてもよい。
【０１５６】
また、全ゾーンではなく、最外周のゾーンと最内周のゾーンの２ゾーンでライトクリアランスを測定し、その間については補間計算によりライトクリアランスを求め、最終的にパラメータテーブル５０のベースヒータ制御値Ｂを補正するようにしてもよい。
【０１５７】
また本発明は、その目的と利点を損なうことのない適宜の変形を含み、更に上記の実施形態に示した数値による限定は受けない。
【０１５８】
ここで本発明の特徴をまとめて列挙すると次の付記のようになる。
（付記）
（付記１）（制御装置）
読出素子と記録素子を備えると共に、通電加熱に伴う熱膨張により突出量を変化させるヒータを設け、回転する記録媒体上で浮上してデータにアクセスするヘッドを備えた記憶装置の制御装置に於いて、
記録時に、所定のベースヒータ制御値による前記ヒータの通電でライトヒートするライトクリアランス制御部と、
再生時に、前記所定のベースヒータ制御値と調整ヒータ制御値を加算した制御値による前記ヒータの通電でリードヒートするリードクリアランス制御部と、
所望の校正時に、前記ヘッドを任意の測定トラックに位置付けた状態で、前記ライトクリアランス制御部によりライトヒート状態として前記測定トラックのデータ領域に記録を行った後に、前記リードクリアランス制御部によるリードヒート状態に切替えて前記測定トラックの所定領域の再生を行い、読出信号の振幅を検出する処理を繰り返す振幅測定部と、
前記振幅測定部で測定された複数の振幅測定値から分散を算出する分散算出部と、
前記分散が所定の閾値未満の場合は前記ライトクリアランス制御部により前記ベースヒータ制御値を順次増加させながら前記測定トラックのデータ領域に記録を行った後に、前記リードクリアランス制御部によるリードヒート状態に切替えて前記測定トラックの所定領域の再生を行い、読出信号の振幅を検出する前記振幅測定部による測定処理を繰り返し、前記分散が前記閾値を上回った場合は前記ヘッドが媒体に接触したことを判定する接触判定部と、
前記接触判定部による接触判定時の前記ベースヒータ制御値の増加量から前記ヘッドのライトヒート時のクリアランスを算出するライトクリアランス算出部と、
を備えたことを特徴とする制御装置。（１）
【０１５９】
（付記２）（分散計算）
付記１記載の制御装置に於いて、前記分散算出部は、複数の振幅測定値をＡｉ、平均振幅をＡａｖとした場合、前記分散を
【０１６０】
【数４】
2008171520.tif 000005
【０１６１】
として算出することを特徴とする制御装置。（２）
【０１６２】
（付記３）（標準偏差）
付記１記載の制御装置に於いて、前記分散算出部は前記分散の平方根として標準偏差を算出し、前記接触判定部は前記標準偏差が所定の閾値を上回った際に前記ヘッドが記録媒体に接触したことを判定することを特徴とする制御装置。
【０１６３】
（付記４）（ベースヒータ制御値の補正）
付記１記載の制御装置に於いて、更に、前記ライトクリアランスと所定の最小クリアランスとの誤差により前記パラメータ管理部で登録管理しているベースヒータ制御値を補正するパラメータ補正部を設けたことを特徴とする制御装置。（３）
【０１６４】
（付記５）（補正の詳細）
付記４記載の制御装置に於いて、前記パラメータ補正部は、
前記測定ライトクリアランスが最小クリアランスより大きい場合は、前記測定ライトクリアウランスから最小クリアランスを差し引いた差分クリアランスに対応したヒータ補正値を前記ベースヒータ制御値に加算して修正し、
前記測定ライトクリアランスが最小クリアランスより小さい場合は、前記最小クリアランスから測定ライトクリアランスを差し引いた差分クリアランスに対応したヒータ補正値を前記ベースヒータ制御値から減算して修正することを特徴とする制御装置。
【０１６５】
（付記６）（ヒータ制御値の電力値表現）
付記１記載の制御装置に於いて、前記ベースヒータ制御値をベースヒータ電力値とし、前記調整ヒータ制御値を調整ヒータ電力値としたことを特徴とする制御装置。
【０１６６】
（付記７）（方法）
読出素子と記録素子を備えると共に、通電加熱に伴う熱膨張により突出量を変化させるヒータを設け、回転する記憶媒体上で浮上してデータにアクセスするヘッドを備えた記憶装置の制御方法に於いて、
記録時に、所定のベースヒータ制御値による前記ヒータの通電でライトヒートするライトクリアランス制御ステップと、
再生時に、前記所定のベースヒータ制御値と調整ヒータ制御値を加算した制御値による前記ヒータの通電でリードヒートするリードクリアランス制御ステップと、
所望の校正時に、前記ヘッドを任意の測定トラックに位置付けた状態で、前記ライトクリアランス制御ステップによりライトヒート状態として前記測定トラックのデータ領域に記録を行った後に、前記リードクリアランス制御ステップによるリードヒート状態に切替えて前記測定トラックの所定領域の再生を行い、読出信号の振幅を検出する処理を繰り返す振幅測定ステップと、
前記振幅測定ステップで測定された複数の振幅測定値から分散を算出する分散算出ステップと、
前記分散が所定の閾値未満の場合は前記ライトクリアランス制御ステップにより前記ベースヒータ制御値を順次増加させながら前記測定トラックのデータ領域に記録を行った後に、前記リードクリアランス制御ステップによるリードヒート状態に切替えて前記測定トラックの所定領域の再生を行い、読出信号の振幅を検出する前記振幅測定ステップによる測定処理を繰り返し、前記分散が前記閾値を上回った場合は前記ヘッドが媒体に接触したことを判定する接触判定ステップと、
前記接触判定ステップによる接触判定時の前記ベースヒータ制御値の増加量から前記ヘッドのライトヒート時のクリアランスを算出するライトクリアランス算出ステップと、
を備えたことを特徴とする制御方法。（４）
【０１６７】
（付記８）（分散計算）
付記７記載の制御方法に於いて、前記分散算出ステップは、複数の振幅測定値をＡｉ、平均振幅をＡａｖとした場合、前記分散を
【０１６８】
【数５】
2008171520.tif 000006
【０１６９】
として算出することを特徴とする制御方法。
【０１７０】
（付記９）（標準偏差）
付記７記載の制御方法に於いて、前記分散算出ステップは前記分散の平方根として標準偏差を算出し、前記接触判定ステップは前記標準偏差が所定の閾値を上回った際に前記ヘッドが記録媒体に接触したことを判定することを特徴とする制御方法。
【０１７１】
（付記１０）（ベースヒータ制御値の補正）
付記７記載の記憶装置の制御方法に於いて、更に、前記ライトクリアランスと所定の最小クリアランスとの誤差により前記パラメータ管理ステップで登録管理しているベースヒータ制御値を補正するパラメータ補正ステップを設けたことを特徴とする制御方法。
【０１７２】
（付記１１）（補正の詳細）
付記１０記載の制御方法に於いて、前記パラメータ補正ステップは、
前記測定ライトクリアランスが最小クリアランスより大きい場合は、前記測定ライトクリアウランスから最小クリアランスを差し引いた差分クリアランスに対応したヒータ補正値を前記ベースヒータ制御値に加算して修正し、
前記測定ライトクリアランスが最小クリアランスより小さい場合は、前記最小クリアランスから測定ライトクリアランスを差し引いた差分クリアランスに対応したヒータ補正値を前記ベースヒータ制御値から減算して修正することを特徴とする制御方法。
【０１７３】
（付記１２）（ヒータ制御値の電力値表現）
付記７記載の記憶装置の制御方法に於いて、前記ベースヒータ制御値をベースヒータ電力値とし、前記調整ヒータ制御値を調整ヒータ電力値としたことを特徴とする制御方法。
【０１７４】
（付記１３）（記憶装置）
読出素子と記録素子を備えると共に、通電加熱に伴う熱膨張により突出量を変化させるヒータを設け、回転する記憶媒体上で浮上してデータにアクセスするヘッドを備えた記憶装置に於いて、
記録時に、所定のベースヒータ制御値による前記ヒータの通電でライトヒートするライトクリアランス制御部と、
再生時に、前記所定のベースヒータ制御値と調整ヒータ制御値を加算した制御値による前記ヒータの通電でリードヒートするリードクリアランス制御部と、
所望の校正時に、前記ヘッドを任意の測定トラックに位置付けた状態で、前記ライトクリアランス制御部によりライトヒート状態として前記測定トラックのデータ領域に記録を行った後に、前記リードクリアランス制御部によるリードヒート状態に切替えて前記測定トラックの所定領域の再生を行い、読出信号の振幅を検出する処理を繰り返す振幅測定部と、
前記振幅測定部で測定された複数の振幅測定値から分散を算出する分散算出部と、
前記分散が所定の閾値未満の場合は前記ライトクリアランス制御部により前記ベースヒータ制御値を順次増加させながら前記測定トラックのデータ領域に記録を行った後に、前記リードクリアランス制御部によるリードヒート状態に切替えて前記測定トラックの所定領域の再生を行い、読出信号の振幅を検出する前記振幅測定部による測定処理を繰り返し、前記分散が前記閾値を上回った場合は前記ヘッドが媒体に接触したことを判定する接触判定部と、
前記接触判定部による接触判定時の前記ベースヒータ制御値の増加量から前記ヘッドのライトヒート時のクリアランスを算出するライトクリアランス算出部と、
を備えたことを特徴とする記憶装置。（５）
【０１７５】
（付記１４）（分散計算）
付記１３記載の記憶装置に於いて、前記分散算出部は、複数の振幅測定値をＡｉ、平均振幅をＡａｖとした場合、前記分散を
【０１７６】
【数６】
2008171520.tif 000007
【０１７７】
として算出することを特徴とする記憶装置。
【０１７８】
（付記１５）（標準偏差）
付記１３記載の記憶装置に於いて、前記分散算出部は前記分散の平方根として標準偏差を算出し、前記接触判定部は前記標準偏差が所定の閾値を上回った際に前記ヘッドが記憶媒体に接触したことを判定することを特徴とする記憶装置。
【０１７９】
（付記１６）（ベースヒータ制御値の補正）
付記１３記載の記憶装置の記憶装置に於いて、更に、前記ライトクリアランスと所定の最小クリアランスとの誤差により前記パラメータ管理部で登録管理しているベースヒータ制御値を補正するパラメータ補正部を設けたことを特徴とする記憶装置。
【０１８０】
（付記１７）（補正の詳細）
付記１６記載の記憶装置に於いて、前記パラメータ補正部は、
前記測定ライトクリアランスが最小クリアランスより大きい場合は、前記測定ライトクリアウランスから最小クリアランスを差し引いた差分クリアランスに対応したヒータ補正値を前記ベースヒータ制御値に加算して修正し、
前記測定ライトクリアランスが最小クリアランスより小さい場合は、前記最小クリアランスから測定ライトクリアランスを差し引いた差分クリアランスに対応したヒータ補正値を前記ベースヒータ制御値から減算して修正することを特徴とする記憶装置。
【０１８１】
（付記１８）（ヒータ制御値の電力値表現）
付記１３記載の記憶装置に於いて、前記ベースヒータ制御値をベースヒータ電力値とし、前記調整ヒータ制御値を調整ヒータ電力値としたことを特徴とする記憶装置。
【図面の簡単な説明】
【０１８２】
【図１】本発明による記憶装置の一実施形態を示した磁気ディスク装置のブロック図
【図２】本実施形態のヘッド構造の説明図
【図３】本実施形態におけるＭＰＵの機能構成の詳細を示したブロック図
【図４】本実施形態で使用するパラメータテーブルの説明図
【図５】本実施形態におけるヒータ制御系統のブロック図
【図６】本実施形態におけるベースヒータ制御値と調整ヒータ制御値を使用した再生時と記録時のヒータ制御の説明図
【図７】本実施形態によるライトクリアランス制御処理を示したフローチャート
【図８】本実施形態によるリードクリアランス制御処理を示したフローチャート
【図９】本実施形態による校正処理の機能構成をプリアンブル読取信号の振幅を検出する回路部と共に示したブロック図
【図１０】磁気ディスクのサーボフレームと測定トラックの説明図
【図１１】本実施形態におけるライトクリアランス測定処理を示したタイムチャート
【図１２】本実施形態のライトクリアランス測定処理における接触判定のためのベースヒータ制御値の増加変化を示した説明図
【図１３】本実施形態におけるヒータ電力の増加に対する平均振幅と標準偏差の測定結果を示したグラフ図
【図１４】本実施形態における校正処理のフローチャート
【図１５】本実施形態におけるライトクリアランス測定処理を示したフローチャート
【図１６】本実施形態における測定したライトクリアランスに基づくベースヒータ制御値の補正処理の説明図
【符号の説明】
【０１８３】
１０：磁気ディスク装置
１１：ホスト
１２：制御ボード
１４：ディスクエンクロージャ
１５：制御装置
１６：スピンドルモータ
１８：ボイスコイルモータ
２０，２０−１，２０−２：磁気ディスク
２２，２２−１〜２２−４：ヘッド
２４：ヘッドＩＣ
２５：媒体面
２６：ＭＰＵ
２８：バス
３０：メモリ
３２：不揮発メモリ
３４：ホストインタフェース制御部
３６：バッファメモリ制御部
３８：バッファメモリ
４０：ハードディスクコントローラ
４２：リードチャネル
４４：駆動部
４６：校正処理部
４８：クリアランス制御部
５０：パラメータテーブル
５２：スライダ
５４：空気流通溝
５６：テーパ面
５８：記録コイル
６０：記録コア
６２：読出素子
６４：ＡＢＳ面
６５，６５−１〜６５−４：ヒータ
６６，７４：保護膜
６７：熱膨張ヘッド面
７０：基板
７２：記録膜
７５：潤滑剤
７６：クリアランス
７８：振幅測定部
８０：分散算出部
８２：接触判定部
８４：ライトクリアランス算出部
８６：パラメータ補正部
８８：パラメータ管理部
９０：ライトクリアランス制御部
９２：リードクリアランス制御部
９４：ベースヒータ制御値用レジスタ
９６：調整ヒータ制御値用レジスタ
９８，１００：ＤＡ変換器
１０２：ヘッドセレクト回路
１１０：プリアンプ
１１２：可変利得アンプ
１１４：可変イコライザ
１１６：ＡＤコンバータ
１１８：復調回路
１２０：レジスタ
【図１】
2008171520.tif 000009
【図２】
2008171520.tif 000010
【図３】
2008171520.tif 000011
【図４】
2008171520.tif 000012
【図５】
2008171520.tif 000013
【図６】
2008171520.tif 000014
【図７】
2008171520.tif 000015
【図８】
2008171520.tif 000016
【図９】
2008171520.tif 000017
【図１０】
2008171520.tif 000018
【図１１】
2008171520.tif 000019
【図１２】
2008171520.tif 000020
【図１３】
2008171520.tif 000021
【図１４】
2008171520.tif 000022
【図１５】
2008171520.tif 000023
【図１６】
2008171520.tif 000024