(57)【要約】【課題】不要チップが、常に貼合せ基板の所定の位置にくっ付いてブレイクされるよう調整することができる貼合せマザー基板のスクライブ方法および貼合せマザー基板の分割方法を提供する。【解決手段】方形の第１および第２基板６，７を、対向する２辺の一方の辺を揃え他方の辺を不揃いにして貼り合わせて成る貼合せ基板５を、第１および第２マザー基板２，３から成る貼合せマザー基板１から複数枚取りするスクライブ方法において、第２基板６のフルスクライブライン１２の第２マザー基板２に対するスクライブと、第１基板７のハーフスクライブライン１３の第１マザー基板３に対するスクライブとを強く行なうと共に、これに対しフルスクライブライン１２の第１マザー基板３に対するスクライブを弱く行なう。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
方形の第１基板および方形の第２基板を、対向する２辺の一方の辺を揃え他方の辺を前記第１基板が前記第２基板に対しセットバックするように不揃いにして貼り合わせて成る貼合せ基板を、
第１マザー基板および第２マザー基板を貼り合わせて成る貼合せマザー基板から複数枚取りするために行なう貼合せマザー基板のスクライブ方法において、
前記第２基板の不揃い側の辺に対応するフルスクライブラインの前記第２マザー基板に対するスクライブと、前記第１基板の不揃い側の辺に対応するハーフスクライブラインの前記第１マザー基板に対するスクライブとを強く行なうと共に、これに対し前記フルスクライブラインの前記第１マザー基板に対するスクライブを弱く行なうことを特徴とする貼合せマザー基板のスクライブ方法。
【請求項２】
方形の第１基板および方形の第２基板を、対向する２辺の一方の辺を揃え他方の辺を前記第１基板が前記第２基板に対しセットバックするように不揃いにして貼り合わせて成る貼合せ基板を、
第１マザー基板および第２マザー基板を貼り合わせて成る貼合せマザー基板から複数枚取りするために行なう貼合せマザー基板のスクライブ方法において、
前記第２基板の不揃い側の辺に対応するフルスクライブラインの前記第１マザー基板および前記第２マザー基板に対するスクライブを強く行なうと共に、これに対し前記第１基板の不揃い側の辺に対応するハーフスクライブラインの前記第１マザー基板に対するスクライブを弱く行なうことを特徴とする貼合せマザー基板のスクライブ方法。
【請求項３】
前記貼合せ基板は、前記対向する２辺以外の他の２辺において、前記第１基板と前記第２基板とが揃えて貼り合わされていることを特徴とする請求項１または２に記載の貼合せマザー基板のスクライブ方法。
【請求項４】
前記貼合せ基板は、前記対向する２辺以外の他の２辺において、一方の辺を揃え他方の辺を前記第１基板が前記第２基板に対しセットバックするように不揃いにして貼り合わされていることを特徴とする請求項１または２に記載の貼合せマザー基板のスクライブ方法。
【請求項５】
前記第１マザー基板および前記第２マザー基板は、円板状のガラス基板であることを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の貼合せマザー基板のスクライブ方法。
【請求項６】
前記スクライブは、レーザビームによる前記貼合せマザー基板の組織の改質化であることを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載の貼合せマザー基板のスクライブ方法。
【請求項７】
前記スクライブの強弱は、前記貼合せマザー基板に対する前記レーザビームの印加エネルギー量の多少で制御されることを特徴とする請求項６に記載の貼合せマザー基板のスクライブ方法。
【請求項８】
前記印加エネルギー量の制御は、前記貼合せマザー基板に対する前記レーザビームの相対的なスキャン速度、前記レーザビームのパワー、前記レーザビームの周波数、前記レーザビームのスキャン回数、前記レーザビームのビーム形状および前記レーザビームの焦点位置から成るパラメータのうち、少なくとも１以上のパラメータを可変することで行われることを特徴とする請求項７に記載の貼合せマザー基板のスクライブ方法。
【請求項９】
前記スクライブは、メカニカル式スクライブによる前記貼合せマザー基板の組織の改質化であることを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載の貼合せマザー基板のスクライブ方法。
【請求項１０】
前記スクライブは、ダイヤモンド刃を有する回転カッタを、前記貼合せマザー基板に押し当てつつ回転且つ移動させてスクライブ溝を形成することを特徴とする請求項９に記載の貼合せマザー基板のスクライブ方法。
【請求項１１】
前記スクライブの強弱は、前記貼合せマザー基板に対する前記ダイヤモンド刃の相対的移動速度、前記ダイヤモンド刃の押付け圧力および前記ダイヤモンド刃の押込み深さから成るパラメータのうち、少なくとも１以上のパラメータを可変することで行われることを特徴とする請求項１０に記載の貼合せマザー基板のスクライブ方法。
【請求項１２】
前記貼合せ基板がＴＦＴ液晶パネルであり、前記貼合せマザー基板がＯＤＦマザー基板であることを特徴とする請求項１ないし１１のいずれかに記載の貼合せマザー基板のスクライブ方法。
【請求項１３】
請求項１ないし１２のいずれかに記載の貼合せマザー基板のスクライブ方法を実行するスクライブ工程と、
前記フルスクライブラインおよび前記ハーフスクライブラインに沿って前記貼合せマザー基板を破断し、前記セットバック部分に対応する不要チップ付きの前記貼合せ基板を複数枚取りするブレイク工程と、を備えたことを特徴とする貼合せマザー基板の分割方法。
【請求項１４】
前記ブレイク工程の後、不要チップ付きの前記各貼合せ基板から前記不要チップを破断するチップブレイク工程、を更に備えたことを特徴とする請求項１３に記載の貼合せマザー基板の分割方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、主として、ＯＤＦ（One Drop Filling）マザー基板からＴＦＴ（Thin Film Transistor）液晶パネルを複数枚取りするための貼合せマザー基板のスクライブ方法および貼合せマザー基板の分割方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ガラス基板にレーザビームを照射して、スクライブラインを形成するスクライブ方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。このスクライブ方法は、ガラス基板の表面にレーザビームを照射して加熱しつつ、その加熱領域の内部に冷却領域を形成することにより、スクライブ予定ラインに沿って、ブラインドクラックを形成するようにしている。
【特許文献１】特開２００４−１０４６６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ところで、ＴＦＴ基板と対向基板を貼り合わせた液晶パネルでは、その１の辺においてＴＦＴ基板に対し対向基板がセットバック（不揃い）しており、この部分のＴＦＴ基板上に、ＦＰＣ等を接続するための端子エリアが構成されている。このため、液晶パネルを貼合せマザー基板から複数枚取り（分割）する場合、図６（ａ）に示すように、ＴＦＴ基板ａの端面の位置にフルスクライブクラインｃを形成すると共に、対向基板ｂの端面の位置にハーフスクライブラインｄを形成しておいて、ブレイクを行なうようにしている。これにより、上記の端子エリアに相当する不要チップｆ付きの液晶パネルｅが複数枚取りされる。
このスクライブラインの形成に、上記従来のスクライブ方法を用いると、ＴＦＴ基板ａおよび対向基板ｂは一様にスクライブされ、各ラインのブレイク応力も略同一となる。このような貼合せマザー基板をブレイクすると、図６（ｂ）に示すように、不要チップｆが先方側にくっ付いた液晶パネルｅと、不要チップｆが手前側にくっ付いた液晶パネルｅと、が適宜分割される。
このため、不要チップｆのブレイク工程において、不要チップｆの位置による上記２種類のパターンの一方を良品とし他方を不良品とするか、２種類のパターンに対応する２種類のブレイク機構、或いはブレイク装置を用意する必要があった。
【０００４】
本発明は、不要チップが、常に貼合せ基板の所定の位置にくっ付いてブレイクされるよう調整することができる貼合せマザー基板のスクライブ方法および貼合せマザー基板の分割方法を提供することを課題としている。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の貼合せマザー基板のスクライブ方法は、方形の第１基板および方形の第２基板を、対向する２辺の一方の辺を揃え他方の辺を第１基板が第２基板に対しセットバックするように不揃いにして貼り合わせて成る貼合せ基板を、第１マザー基板および第２マザー基板を貼り合わせて成る貼合せマザー基板から複数枚取りするために行なう貼合せマザー基板のスクライブ方法において、第２基板の不揃い側の辺に対応するフルスクライブラインの第２マザー基板に対するスクライブと、第１基板の不揃い側の辺に対応するハーフスクライブラインの第１マザー基板に対するスクライブとを強く行なうと共に、これに対しフルスクライブラインの第１マザー基板に対するスクライブを弱く行なうことを特徴とする。
【０００６】
この構成によれば、フルスクライブラインの第２マザー基板と、ハーフスクライブラインの第１マザー基板とが強くスクライブされ、且つフルスクライブラインの第１マザー基板が弱くスクライブされているため、貼合せマザー基板をブレイクして貼合せ基板に分割すると、上記のセットバック部分に対応する不要チップが、常に貼合せ基板における第１基板の揃え辺側に残ることになる。すなわち、貼合せマザー基板をブレイクすると、不要チップが揃え辺側にくっ付いた貼合せ基板が複数枚取りされることになる。したがって、この不要チップをブレイクして貼合せ基板から切り離す後工程を、画一化させることができる。これにより、不要チップが貼合せ基板のどちら側にくっ付いてブレイクされるかで生ずる不良品を無くすことができ、或いはブレイク形態の異なる２種類のブレイク装置を用意する必要がない。なお、この場合のスクライブは、スクライブ溝を形成するもの、レーザビームにより組織を熱的に脆弱化させるもの、レーザビームにより組織を改質させるもの等がある。また、スクライブを強く行なうとブレイク応力（ブレイク強度）が小さくなり、弱く行なうとブレイク応力が大きくなることは、いうまでもない。
【０００７】
本発明の他の貼合せマザー基板のスクライブ方法は、方形の第１基板および方形の第２基板を、対向する２辺の一方の辺を揃え他方の辺を第１基板が第２基板に対しセットバックするように不揃いにして貼り合わせて成る貼合せ基板を、第１マザー基板および第２マザー基板を貼り合わせて成る貼合せマザー基板から複数枚取りするために行なう貼合せマザー基板のスクライブ方法において、第２基板の不揃い側の辺に対応するフルスクライブラインの第１マザー基板および第２マザー基板に対するスクライブを強く行なうと共に、これに対し第１基板の不揃い側の辺に対応するハーフスクライブラインの第１マザー基板に対するスクライブを弱く行なうことを特徴とする。
【０００８】
この構成によれば、フルスクライブラインの第１マザー基板および第２マザー基板が強くスクライブされ、且つハーフスクライブラインの第１マザー基板が弱くスクライブされるため、貼合せマザー基板をブレイクして貼合せ基板に分割すると、上記のセットバック部分に対応する不要チップが、常に貼合せ基板における第１基板の不揃い辺側に残ることになる。すなわち、貼合せマザー基板をブレイクすると、不要チップが不揃い辺側にくっ付いた貼合せ基板が複数枚取りされることになる。したがって、この不要チップをブレイクして貼合せ基板から切り離す後工程を、画一化させることができる。これにより、不要チップが貼合せ基板のどちら側にくっ付いてブレイクされるかで生ずる不良品を無くすことができ、或いはブレイク形態の異なる２種類のブレイク装置を用意する必要がない。なお、この場合のスクライブは、スクライブ溝を形成するもの、レーザビームにより組織を熱的に脆弱化させるもの、レーザビームにより組織を改質させるもの等がある。また、スクライブを強く行なうとブレイク応力（ブレイク強度）が小さくなり、弱く行なうとブレイク応力が大きくなることは、いうまでもない。
【０００９】
この場合、貼合せ基板は、対向する２辺以外の他の２辺において、第１基板と第２基板とが揃えて貼り合わされていることが、好ましい。
【００１０】
同様に、貼合せ基板は、対向する２辺以外の他の２辺において、一方の辺を揃え他方の辺を第１基板が第２基板に対しセットバックするように不揃いにして貼り合わされていることが、好ましい。
【００１１】
これらの構成によれば、３辺が揃い残りの１辺が不揃いとなる前者の貼合せ基板は元より、隣接する２辺が揃い残りの２辺が不揃いとなる後者の貼合せ基板でも、不要チップをブレイクする後工程を、画一化させることができる。
【００１２】
これらの場合、第１マザー基板および第２マザー基板は、円板状のガラス基板であることが、好ましい。
【００１３】
この構成によれば、特に小型の貼合せ基板を効率良く、複数枚取りすることができる。
【００１４】
これらの場合、スクライブは、レーザビームによる貼合せマザー基板の組織の改質化であることが、好ましい。
【００１５】
この構成によれば、改質化の強弱を容易に調整することができると共に、無用なダメージ部分を極力少なくすることができ、シュリンク化を向上させることができる。なお、スクライブには、ファムト秒レーザー（のレーザビーム）を用いることが、好ましい。
【００１６】
この場合、スクライブの強弱は、貼合せマザー基板に対するレーザビームの印加エネルギー量の多少で制御されることが、好ましい。
【００１７】
具体的には、印加エネルギー量の制御は、貼合せマザー基板に対するレーザビームの相対的なスキャン速度、レーザビームのパワー、レーザビームの周波数、レーザビームのスキャン回数、前記レーザビームのビーム形状およびレーザビームの焦点位置から成るパラメータのうち、少なくとも１以上のパラメータを可変することで行われることが、好ましい。
【００１８】
これらの構成によれば、スクライブ（改質化）の強弱を容易に調整することができる。なお、強いスクライブとは、スクライブ後の貼合せマザー基板を運搬等する際に、自身の重み等でブレイクしない程度のものであり、弱いスクライブとは、強いスクライブ部分をブレイクしたときに一緒にブレイクされない程度のものであることが、好ましい。
【００１９】
一方、スクライブは、メカニカル式スクライブによる貼合せマザー基板の組織の改質化であることが、好ましい。
【００２０】
この場合、スクライブは、ダイヤモンド刃を有する回転カッタを、貼合せマザー基板に押し当てつつ回転且つ移動させてスクライブ溝を形成することが、好ましい。
【００２１】
またこの場合、スクライブの強弱は、貼合せマザー基板に対するダイヤモンド刃の相対的移動速度、ダイヤモンド刃の押付け圧力およびダイヤモンド刃の押込み深さから成るパラメータのうち、少なくとも１以上のパラメータを可変することで行われることが、好ましい。
【００２２】
これらの構成によれば、いわゆる物理的にスクライブ溝を形成する場合（メカスクライブ法）も、同様にスクライブの強弱をつけることが可能となる。なお、ダイヤモンド刃を有する回転カッタとは、いわゆるホイールカッタである。
【００２３】
これらの場合、貼合せ基板がＴＦＴ液晶パネルであり、貼合せマザー基板がＯＤＦマザー基板であることが、好ましい。
【００２４】
この構成によれば、液晶パネルを、簡単に且つ歩留り良好に作製することができ、液晶パネルのコストを低減することができる。
【００２５】
本発明の貼合せマザー基板の分割方法は、上記した貼合せマザー基板のスクライブ方法を実行するスクライブ工程と、フルスクライブラインおよびハーフスクライブラインに沿って貼合せマザー基板を破断し、セットバック部分に対応する不要チップ付きの貼合せ基板を複数枚取りするブレイク工程と、を備えたことを特徴とする。
【００２６】
また、ブレイク工程の後、不要チップ付きの各貼合せ基板から不要チップを破断するチップブレイク工程、を更に備えることが、好ましい。
【００２７】
この構成によれば、貼合せマザー基板から貼合せ基板を、歩留り良く複数枚取りすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下、本発明の一実施形態に係る貼合せマザー基板のスクライブ方法および貼合せマザー基板の分割方法について説明する。実施形態の貼合せマザー基板は、円板上のいわゆるＯＤＦマザー基板であり、実施形態の分割方法では、このＯＤＦマザー基板をマトリクス状に分割して、小型のＴＦＴ液晶パネルを複数枚取りするようになっている。
【００２９】
図１に示すように、ＯＤＦマザー基板１は、複数のＴＦＴをマトリクス状に作りこんだ円形のガラス基板であるＴＦＴマザー基板（アレイ基板：第２マザー基板）２と、これに液晶を滴下したシール材４を介して、円形のガラス基板である対向マザー基板（カラーフィルタ基板：第１マザー基板）３と、を貼り合わせて構成されている（同図（ａ）参照）。一方、ＯＤＦマザー基板１から分割されたＴＦＴ液晶パネル５は、シール材４を介して、ＴＦＴ基板（第２基板）６に対向基板（第１基板）７を貼り合わせた構成を有し、全体として方形に形成されている。この場合、ＴＦＴ液晶パネル５におけるＴＦＴ基板６と対向基板７とは、縦方向の２辺と横方向の１辺とにおいて揃っており、残りの横方向の１辺が、ＴＦＴ基板６に対し対向基板７がセットバックして不揃いとなっている。そして、このセットバックした部分のＴＦＴ基板６上にＦＰＣ等を接続するための端子エリア６ａが構成されている（同図（ｂ）参照）。
【００３０】
したがって、同図（ａ）に示すように、ＴＦＴ液晶パネル５を複数枚取りするＯＤＦマザー基板１では、ＴＦＴ液晶パネル５の幅に合致する（縦方向の２辺に対応する）縦フルスクライブライン１１と、ＴＦＴ液晶パネル５の長さに合致する（横方向の２辺に対応する）横フルスクライブライン１２と、が形成されると共に、対向基板７の不揃い側の辺に対応する横ハーフスクライブライン１３が、形成されるようになっている。そして、ＴＦＴ基板６の端子エリア６ａを構成すべく、対向マザー基板３におけるこの部分は分割されて不要チップ８となる。
【００３１】
次に、図２を参照して、ＯＤＦマザー基板１からＴＦＴ液晶パネル５を複数枚取りするスクライブ・ブレイク工程について、説明する。
先ず、ＯＤＦマザー基板１を用意し（同図（ａ））、レーザスクライブ装置２０により、ＯＤＦマザー基板１にスクライブを行なう（同図（ｂ））。レーザスクライブ装置２０は、ファムト秒レーザ（Ｆｓレーザ）であり、機台２１上にＸＹテーブル２２を搭載すると共に、レーザー発振器２３とレーザー発振器２３から発振されたレーザビームをＯＤＦマザー基板１に照射する光学ホルダ２４とを搭載している。光学ホルダ２４には、ミラー２５とオートフォーカスのレンズユニット２６が組み込まれており、レーザビームの焦点距離（焦点位置）を微調整できるようになっている。
【００３２】
ＯＤＦマザー基板１は、ＸＹテーブル２２にアライメント状態でセットされ、ＸＹテーブル２２によるＸ軸方向およびＹ軸方向への移動と、これに同期するレーザビームの照射とにより、スクライブされる。すなわち、ＯＤＦマザー基板１のＸ軸方向への移動とレーザビームの照射とにより、上記の縦フルスクライブライン１１が形成され、ＯＤＦマザー基板１のＹ軸方向への移動とレーザビームの照射とにより、上記の横フルスクライブライン１２および横ハーフスクライブライン１３が形成される（同図（ｃ））。実際の作業では、先ず上側の対向マザー基板３に対し、縦フルスクライブライン１１、横フルスクライブライン１２および横ハーフスクライブライン１３が形成され、次にＯＤＦマザー基板１を上下反転させてセットし、ＴＦＴマザー基板２に縦フルスクライブライン１１および横フルスクライブライン１２が形成される。
【００３３】
また、各スクライブライン１１，１２，１３の形成では、複数回のスキャニングにより、各マザー基板２，３に対しその厚み方向に深さを増しながら段階的にスクライブを行なうようにしている。すなわち、ＸＹテーブル２２の複数の往復移動（スキャン）と、このスキャン毎にオートフォーカスによるレーザビームの焦点を徐々に下げてゆき、各マザー基板２，３に対しその厚み方向に段階的に改質部を形成してゆく（改質化）。このように、複数回のスキャニングにより改質部（スクライブ）を厚み方向に延ばしてゆくようにしているため、スキャニングの回数や改質部のピッチ等により、スクライブの強度を自在に調整することができる（詳細は後述する）。
【００３４】
このようにして、ＯＤＦマザー基板１に各スクライブライン１１，１２，１３を形成したら、次にこれをブレイク装置３０にセットしてブレイクする（同図（ｄ））。ブレイク装置３０は、４本の支柱３１上に、メインテーブル３２とメインテーブル３２の端部に回動自在に取り付けたサブテーブル３３とを搭載して、構成されている。メインテーブル３２とサブテーブル３３とは、いずれも吸着テーブルで構成されており、サブテーブル３３には、これを下方に回動させるエアーシリンダ３４が連結されている。
【００３５】
スクライブ済みのＯＤＦマザー基板１は、先ず最外端の横フルスクライブライン１２を、メインテーブル３２とサブテーブル３３との境界線に位置あわせしてセットされ、両テーブル３２，３３により吸着された後、エアーシリンダ３４によりサブテーブル３３を回動させることによりブレイクされる。この手順で、順次、横フルスクライブライン１２に沿ってＯＤＦマザー基板１をブレイクし、短冊状の複数のＯＤＦマザー基板１に分割する。次に、各短冊状の複数のＯＤＦマザー基板１を、今度は縦フルスクライブライン１１に沿って上記と同様の手順で１つずつ分割してゆく。もちろん、短冊状のＯＤＦマザー基板１を、別のブレイク装置を用いてブレイクするようにしてもよい。
【００３６】
このようにして、ＯＤＦマザー基板１をブレイクしてゆくと、最終的に上記の不要チップ８が先方側にくっ付いた複数のＴＦＴ液晶パネル５が単品化される（同図（ｅ））。ここで、単品化された各ＴＦＴ液晶パネル５を図外の装置にセットし、更に不要チップ８をブレイクして、作業を完了する（同図（ｆ））。
【００３７】
次に、図３を参照して、不要チップ８が常にＴＦＴ液晶パネル５の先方側にくっ付いてブレイクされるように、スクライブを工夫したＯＤＦマザー基板１のスクライブ方法について説明する。
同図に示すように、ＯＤＦマザー基板１に対し、横フルスクライブライン１２のＴＦＴマザー基板２に対するスクライブ（改質化）を強く行なう一方、対向マザー基板３に対するスクライブ（改質化）を弱く行なう（同図（ａ））。また、横ハーフスクライブライン１３の対向マザー基板３に対するスクライブ（改質化）を強く行なう（同図（ａ））。なお、縦フルスクライブライン１１については、ＴＦＴマザー基板２および対向マザー基板３に対するスクライブ（改質化）を強く行なうようにしている。
【００３８】
この場合のスクライブの強弱は、言い換えればブレイク応力の大小であり、ＴＦＴマザー基板２や対向マザー基板３に対する改質化（スクライブ）が強ければ、これらマザー基板２，３のブレイク応力（ブレイク強度）が小さくなり、弱ければ、これらマザー基板２，３のブレイク応力（ブレイク強度）が大きくなる。また、スクライブの強弱の程度は、例えば強いスクライブとは、スクライブ後のＯＤＦマザー基板１を運搬等する際に、自身の重み等でブレイクしない程度のものであり、弱いスクライブとは、強いスクライブ部分をブレイクしたときに一緒にブレイクされない程度のものであることが、好ましい。
【００３９】
一方、スクライブの強弱は、レーザスクライブ装置２０において、ＴＦＴマザー基板２や対向マザー基板３に対するレーザビームの印加エネルギー量の多少で制御される。具体的には、レーザビームの相対的なスキャン速度である上記ＸＹテーブル２２の移動速度またはスキャン回数、照射するレーザビームのパワー、レーザビームの周波数、さらにはレーザビームのビーム形状およびレーザビームの焦点位置等のパラメータのうち、少なくとも１以上のパラメータを可変することで行われる。他のパラメータは同一として、ＸＹテーブル２２の移動速度が遅ければ、レーザビームの印加エネルギー量が多くなってスクライブは強く行なわれ、速ければ、レーザビームの印加エネルギー量が少なくなってスクライブは弱く行なわれる。同様に、スキャン回数が多ければスクライブは強く行なわれ、少なければスクライブは弱く行なわれる。レーザビームのパワーおよび周波数についても、同様である。また、レーザビームのビーム形状（スポット）において、小さく集光すればスクライブが強く行なわれ、広げればスクライブは弱く行なわれる。さらに、レーザビームの焦点位置を基板の厚さ方向において、両端部寄りに集中させればスクライブは強く行なわれ、中央部寄りに集中させればスクライブは弱く行なわれる。
【００４０】
このようにして、横フルスクライブライン１２および横ハーフスクライブライン１３に対し、そのスクライブに強弱を持たせることにより、ＴＦＴ液晶パネル５は、常に不要チップ８が先方側にくっ付いてブレイクされることになる（同図（ａ））。このため、後工程（チップブレイク工程）において、不要チップ８の付き方による不良品が生ずることがなく、且つ単一種のブレイク機構やブレイク装置により、不要チップ８を効率良くブレイクすることができる（同図（ｃ））。
【００４１】
次に、図４を参照して、第２実施形態に係るＯＤＦマザー基板１のスクライブ方法について説明する。
この実施形態のスクライブ方法では、ＯＤＦマザー基板１に対し、横フルスクライブライン１２のＴＦＴマザー基板２および対向マザー基板３に対するスクライブ（改質化）を強く行なうと共に、横ハーフスクライブライン１３の対向マザー基板３に対するスクライブ（改質化）を弱く行なう（同図（ａ））ようにしている。
【００４２】
この場合も、ＴＦＴ液晶パネル５は、常に不要チップ８が手前側にくっ付いてブレイクされることになる（同図（ｂ））。このため、後工程（チップブレイク工程）において、不要チップ８の付き方による不良品が生ずることがなく、且つ単一種のブレイク機構やブレイク装置により、不要チップ８を効率良くブレイクすることができる（同図（ｃ））。
【００４３】
図５は、他の実施形態のＴＦＴ液晶パネル５を表している。このＴＦＴ液晶パネル５におけるＴＦＴ基板６と対向基板７とは、縦方向および横方向の隣接する２辺が揃っており、残りの縦横２辺が、それぞれＴＦＴ基板６に対し対向基板７がセットバックして不揃いとなっている。したがって、ＴＦＴ基板６上に縦横２つの端子エリア６ａ，６ａが構成されている。
この場合には、ＯＤＦマザー基板１に対し、縦フルスクライブライン１１、横フルスクライブライン１２および横ハーフスクライブライン１３に加えて、縦ハーフスクライブライン１４を形成するようにする。また、これらブレイクラインにおけるブレイクの強弱は、上記第１実施形態および第２実施形態において、横を縦に変更したパターンとなることは、いうまでもない。
【００４４】
なお、本実施形態では、ファムト秒レーザーによるＯＤＦマザー基板１の改質によりスクライブを行なうようにしているが、本発明は、スクライブ溝を形成するもの、レーザビームにより組織を熱的に脆弱化させるもの等のスクライブ法にも、適用可能である。前者のものでは、形成するスクライブ溝の深さ等によりスクライブの強弱を調整し、後者のものでは、印加する熱量等によりスクライブの強弱を調整することが、好ましい。また、本発明の貼合せマザー基板は、実施形態のＯＤＦマザー基板１に限定されるものではない。
【００４５】
ところで、スクライブ溝をメカ的に形成する前者のものでは、いわゆるダイヤモンド刃を有する回転カッタであるホイールカッタを用いるものである。すなわち、ダイヤモンド刃をＯＤＦマザー基板１に押し当てつつ回転させて（前進させる）スクライブ溝を形成する。このスクライブ方法も、メカニカル式スクライブによるＯＤＦマザー基板１の組織の改質化に相当する。そして、この場合のスクライブの強弱は、ＯＤＦマザー基板１に対するダイヤモンド刃の相対的移動速度、ダイヤモンド刃の押付け圧力およびダイヤモンド刃の押込み深さから成るパラメータのうち、少なくとも１以上のパラメータを可変することで行われる。
【００４６】
ＯＤＦマザー基板１に対するダイヤモンド刃の相対的移動速度が遅ければ、スクライブは強く行なわれ、速ければ、スクライブは弱く行なわれる。また、ダイヤモンド刃の押付け圧力が強ければスクライブは強く行なわれ、弱ければスクライブは弱く行なわれる。レーザビームのパワーおよび周波数についても、同様である。同様に、ダイヤモンド刃の押込み深さ（溝の深さに相当）が深ければスクライブは強く行なわれ、浅ければスクライブは弱く行なわれる。
このように、いわゆる物理的にスクライブ溝を形成する場合（メカスクライブ法）も、同様にスクライブの強弱をつけることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】ＯＤＦマザー基板（ａ）およびＴＦＴ液晶パネル（ｂ）の外観斜視図である。
【図２】ＯＤＦマザー基板からＴＦＴ液晶パネルを複数枚取りするスクライブ・ブレイク工程を表した説明図である。
【図３】第１実施形態に係るＯＤＦマザー基板のスクライブ方法を表した模式図である。
【図４】第２実施形態に係るＯＤＦマザー基板のスクライブ方法を表した模式図である。
【図５】他の実施形態に係るＴＦＴ液晶パネルの外観斜視図である。
【図６】従来のマザー基板のスクライブ方法を表した模式図である。
【符号の説明】
【００４８】
１  ＯＤＦマザー基板、２  ＴＦＴマザー基板、３  対向マザー基板、５  ＴＦＴ液晶パネル、６  ＴＦＴ基板、６ａ  端子エリア、７  対向基板、８  不要チップ、１１  縦フルスクライブライン、１２  横フルスクライブライン、１３  横ハーフスクライブライン、１４  縦ハーフスクライブライン、２０  レーザスクライブ装置、３０  ブレイク装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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