(57)【要約】【課題】半導体装置の製造工程における半導体ウェハの変形を低減する。【解決手段】  半導体ウェハの裏面を切削するときは、半導体ウェハの主表面に支持基板を接着し、半導体ウェハの主表面に端子や封止樹脂を形成するときは、半導体ウェハの裏面に支持基板を接着する。少なくとも半導体ウェハを切断・個片化するまでは製造工程のどの工程においても、半導体ウェハのどちらか一方の面には支持基板を有することで、半導体ウェハの湾曲・変形を低減する。【選択図】図１
2008251781.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主表面に回路を形成した半導体ウェハの前記主表面に、接着剤を介して第１支持基板を接着する工程と、
前記第１支持基板を接着した状態で、前記半導体ウェハの裏面を切削する工程と、
前記半導体ウェハの切削した前記裏面に第２支持基板を接着する工程と、
前記接着剤が残存するように、前記第１支持基板を前記半導体ウェハから剥離する工程と、
前記接着剤を貫通して前記回路と電気的に接続された端子を形成する工程と、
前記接着剤の表面に、前記端子の一部を露出する絶縁膜を形成する工程と、
前記第２支持基板を前記半導体ウェハから剥離後、若しくは前記第２支持基板を前記半導体ウェハから剥離前に、前記半導体ウェハ、前記接着剤、前記絶縁膜をそれぞれ切断し、個片化する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
主表面に回路を形成した半導体ウェハの前記主表面に、第１支持基板を接着する工程と、
前記第１支持基板を接着した状態で、前記半導体ウェハの裏面を切削する工程と、
前記半導体ウェハの切削した前記裏面に第２支持基板を接着する工程と、
前記第１支持基板を前記半導体ウェハから剥離する工程と、
前記回路と電気的に接続された端子を形成する工程と、
前記半導体ウェハの前記主表面に、前記端子の一部を露出する絶縁膜を形成する工程と、
前記第２支持基板を前記半導体ウェハから剥離後、若しくは前記第２支持基板を前記半導体ウェハから剥離前に、前記半導体ウェハ、前記絶縁膜をそれぞれ切断し、個片化する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は支持基板を用いた半導体装置の製造方法に関し、特にChip Size Package（ＣＳＰ）と称される薄型半導体装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の半導体装置であり、ＣＳＰと称される薄型半導体装置について図４を用いて説明する。
【０００３】
ＣＳＰ型半導体装置は半導体チップ３１、封止樹脂３２、端子３３からなる。半導体チップ３１の主表面には回路が形成されている（図示せず）。封止樹脂３２は、その半導体チップ３１の回路形成面のみを覆っている。そして、端子３３は半導体チップ３１に形成された回路と電気的に接続されており、封止樹脂３２を貫通して封止樹脂３２から露出している。
【０００４】
ＣＳＰ型半導体装置は、上記のような構造を有する。したがって、半導体チップ全体を樹脂で覆うタイプの半導体装置に比べて、半導体装置そのものを小型化・薄型化できる利点がある。
【０００５】
従来のＣＳＰ型半導体装置は、半導体ウェハの主表面に回路を形成し、回路と電気的に接続された端子を形成し、端子の一部を露出するように半導体ウェハの主表面を封止樹脂で覆い、最後に半導体ウェハを分割し、これを半導体チップに個片化して製造する。
【０００６】
従来のＣＳＰ型半導体装置の製造方法としては、下記特許文献１に開示されたものがある。また、支持基板を用いた半導体装置の製造方法としては、下記特許文献２に開示されたものがある。
【０００７】
【特許文献１】特開２００６―１４０３０４号公報
【特許文献２】特開平５―１６００９０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
従来のＣＳＰ型半導体装置を製造する際、半導体ウェハと封止樹脂とは膨張率が異なる。この膨張率の差に起因して、半導体ウェハと封止樹脂との間に応力が発生する。これにより、半導体ウェハ全体が反るように湾曲・変形する問題が生じる。もっとも、かかる問題は、図４に示すように半導体ウェハを分割して半導体チップにした後は、半導体装置のサイズが小さくなるためあまり重要ではない。しかし、半導体チップがまだ分割されておらず、半導体ウェハの状態である製造工程においてはこの問題を無視できない。
【０００９】
本発明の課題は、上記問題点を解決して、変形の少ないＣＳＰ型半導体装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
かかる問題を解決するため、本発明に係る実施例１の半導体装置の製造方法は、主表面に回路を形成した半導体ウェハの主表面に、接着剤を介して第１支持基板を接着し、第１支持基板を接着した状態で、半導体ウェハの裏面を切削し、半導体ウェハの切削した裏面に第２支持基板を接着し、接着剤が残存するように、第１支持基板を半導体ウェハから剥離し、接着剤を貫通して回路と電気的に接続された端子を形成し、接着剤の表面に、端子の一部を露出する絶縁膜を形成し、第２支持基板を半導体ウェハから剥離後、半導体ウェハ、接着剤、絶縁膜をそれぞれ切断し、個片化する。
【発明の効果】
【００１１】
本発明に係る実施例１の半導体装置の製造方法は、半導体装置の製造工程に支持基板を用いることによって、半導体ウェハの湾曲・変形を低減できる。また、半導体ウェハを安定して切削できるので、半導体装置を容易に薄型化することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、この発明の最良の形態を示す実施例について、図面を用いて説明する。尚、図中、各構成成分の大きさ、形状、配置関係は、この発明が理解できる程度に概略的に示してあるにすぎない。また、同一の構成要素は各実施例に共通の同一の記号を付与し、重複した説明を省略する。
【実施例１】
【００１３】
図１及び図２は、本発明に係る実施例１の半導体装置の製造方法に関する工程図である。図１及び図２を用いて、本発明の実施例１について説明する。
まず、主表面に回路（図示せず）を形成した半導体ウェハ１の主表面に接着剤２を塗布する。そして、接着剤２を介して支持基板３を半導体ウェハ１の主表面に接着する（図１・Ａ）。
【００１４】
次に、支持基板３を主表面に接着した状態で、半導体ウェハ１の裏面を切削する（図１・Ｂ）。
【００１５】
そして、半導体ウェハ１の切削した裏面に接着剤４を塗布する。さらに、接着剤４を介して支持基板５を半導体ウェハ１の裏面に接着する（図１・Ｃ）。
【００１６】
その後、支持基板３を半導体ウェハ１から、接着剤２が残存するように剥離する（図１・Ｄ）。
【００１７】
続いて、残存した接着剤２にエッチングやレーザー等を用いた加工処理によってスルーホール６を開口する。このとき実施例１では、スルーホールを開口した接着剤２をレジストとして、半導体ウェハ１に対してさらに処理を行うことができる（図２・Ａ）。
【００１８】
そして、スルーホール６を介して半導体ウェハ１の主表面に形成した回路と電気的に接続された端子７を形成する（図２・Ｂ）。
【００１９】
さらに、端子７の一部を露出する絶縁膜８を、接着剤２の表面に形成する（図２・Ｃ）。絶縁膜８の材質としては、絶縁性が高く低粘度で、接着剤２との親和性・接着性が高い材質が望ましい。具体的には、エポキシ系樹脂、シリコーン系樹脂、ポリイミド等を用いることができる。
【００２０】
そして、半導体ウェハ１の裏面に接着した支持基板５を剥離し、半導体ウェハ１の裏面に塗布した接着剤４も除去する（図２・Ｄ）。
【００２１】
最後に、半導体ウェハ１を接着剤２、絶縁膜８と共に切断し、半導体チップ９を有する半導体装置１０を形成する（図２・Ｅ）。
【００２２】
なお、図２・Ｄにおける支持基板５の剥離を行わず、支持基板５を接着したまま半導体ウェハ１の切断を行ってもよい。このときは、半導体ウェハ１の切断後に支持基板５を剥離する。
【００２３】
支持基板５の剥離を半導体ウェハ１の切断前に行えば、剥離を半導体チップ９ごとに行う必要がないので、剥離が容易に行える。また、支持基板５の剥離を半導体ウェハ１の切断後に行えば、切断が容易に行える。
【００２４】
本発明に係る実施例１の半導体装置の製造方法は、半導体ウェハの切断直前まで半導体ウェハのどちらか一方の面に支持基板を有する。したがって、半導体装置の製造工程における半導体ウェハの湾曲・変形を低減できる。また、搬送その他のウェハの取り扱いを容易に行うことができる。さらに、半導体ウェハを安定して切削できるので、半導体装置を容易に薄型化することができる。
【実施例２】
【００２５】
図２は、本発明に係る実施例２の半導体装置の製造方法に関する工程図である。図２を用いて、本発明の実施例２について説明する。
本発明の実施例２は、半導体ウェハ１の裏面を切削後、支持基板２を接着するまで（図１・Ｃ）は実施例１と同様である。したがって、本発明の実施例２は、それ以降の工程について説明する。
【００２６】
裏面を切削した半導体ウェハ１半導体ウェハ１から、支持基板３を剥離する。このとき、実施例１と異なり接着剤２を除去する（図３・Ａ）。
【００２７】
続いて、半導体ウェハ１の主表面に形成した回路と電気的に接続された端子７を形成する（図３・Ｂ）。
【００２８】
さらに、端子７の一部を露出するポリイミド等の絶縁膜８を、接着剤２の表面に形成する（図３・Ｃ）。
【００２９】
そして、半導体ウェハ１の裏面に接着した支持基板５を剥離し、半導体ウェハ１の裏面に塗布した接着剤４も除去する（図３・Ｄ）。
【００３０】
最後に、半導体ウェハ１を絶縁膜８と共に切断し、半導体チップ９を有する半導体装置１０を形成する（図３・Ｅ）。
【００３１】
なお、図３・Ｄにおける支持基板５の剥離を行わず、支持基板５を接着したまま半導体ウェハ１の切断を行ってもよい。このときは、半導体ウェハ１の切断後に支持基板５を剥離する。
【００３２】
支持基板５の剥離を半導体ウェハ１の切断前に行えば、剥離を半導体チップ９ごとに行う必要がないので、剥離が容易に行える。また、支持基板５の剥離を半導体ウェハ１の切断後に行えば、切断が容易に行える。
【００３３】
本発明に係る実施例２の半導体装置の製造方法は、以上のような工程を有するので、実施例１と同様の効果を奏する。さらに、接着剤の塗布やスルーホールを形成する工程を省略することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】本発明に係る半導体装置の製造方法を示す実施例１の工程図である。
【図２】本発明に係る半導体装置の製造方法を示す実施例１の工程図である。
【図３】本発明に係る半導体装置の製造方法を示す実施例２の工程図である。
【図４】従来の半導体装置の断面図である。
【符号の説明】
【００３５】
１：半導体ウェハ
２，４：接着剤
３，５：支持基板
６：スルーホール
７：端子
８：絶縁膜
９：半導体チップ
【図１】
2008251781.tif 000003
【図２】
2008251781.tif 000004
【図３】
2008251781.tif 000005
【図４】
2008251781.tif 000006