(57)【要約】【課題】スクライブ溝形成用のステージからパネル構造体を剥離する際の剥離帯電を防止することのできる電気光学装置の製造方法、電気光学装置、および電子機器を提供すること。【解決手段】液晶装置を製造するにあたって、大型基板１００、２００を貼り合わせてパネル構造体３００を形成した後、エッチング工程で大型基板１００、２００を薄板化する。その際、フォトリソグラフィ技術により、パネル構造体３００に突起３３０を形成し、パネル構造体３００をスクライブ溝形成用のステージ５５０に搭載した際、パネル構造体３００の下面とステージ５５０の上面との間に突起３３０の高さ寸法に相当する空間が形成される。従って、パネル構造体３００とステージ５５０との接触面積が狭いので、パネル構造体３００をステージ５５０上から剥離する際の剥離帯電を防止することができる。【選択図】図６
2008052167.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気光学装置の製造方法において、
第１の基板と第２の基板とを貼り合わせてパネル構造体を形成する貼り合わせ工程と、
前記パネル構造体をステージ上に載置した状態で分断予定線に沿ってスクライブ溝を形
成し、前記パネル構造体を、画素領域に複数の画素を備えた単品サイズのパネルに分断す
る分断工程と、を有し、
前記分断工程では、前記パネル構造体側および前記ステージ側の少なくとも一方に形成
された複数の突起により、前記パネル構造体の下面と前記ステージの上面との間に空間を
形成して前記パネル構造体を前記ステージ上に載置することを特徴とする電気光学装置の
製造方法。
【請求項２】
前記分断工程の前に、前記パネル構造体の外側の面のうち、前記複数の突起を形成すべ
き位置をマスクで覆うマスキング工程と、前記パネル構造体に前記マスクを形成した状態
で前記パネル構造体の外側の面をエッチングするエッチング工程とを行い、
前記パネル構造体において前記マスクで覆われた領域に前記複数の突起を形成するとと
もに前記第１の基板および前記第２の基板を薄板化することを特徴とする請求項１に記載
の電気光学装置の製造方法。
【請求項３】
前記マスキング工程では、前記パネル構造体の外側の面のうち、前記分断予定線、およ
び前記画素領域を避けた領域に前記マスクを形成することを特徴とする請求項２に記載の
電気光学装置の製造方法。
【請求項４】
前記マスキング工程では、前記パネル構造体のうち、前記単品サイズのパネルとして分
断される領域を避けた領域に前記マスクを形成することを特徴とする請求項３に記載の電
気光学装置の製造方法。
【請求項５】
前記エッチング工程では、前記第１の基板および前記第２の基板を０．５ｍｍ以下の厚
さまで薄板化することを特徴とする請求項２乃至４の何れか一項に記載の電気光学装置の
製造方法。
【請求項６】
前記ステージの上面に前記複数の突起を形成しておくことを特徴とする請求項１に記載
の電気光学装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１乃至６の何れか一項に記載の方法で製造されたことを特徴とする電気光学装置
。
【請求項８】
請求項７に記載の電気光学装置を備えていることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、２枚の基板が貼り合わされた電気光学装置の製造方法、電気光学装置、およ
び電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
各種の電気光学装置のうち、例えば、アクティブマトリクス型の液晶装置は、素子基板
と対向基板とを貼り合せたパネル構造を有しており、素子基板と対向基板との間に液晶が
保持されている。ここで、素子基板および対向基板を各々、１枚ずつ製作したのでは生産
性が低いので、単品サイズの素子基板を多数取りできる第１の大型基板と、単品サイズの
対向基板を多数取りできる第２の大型基板とを貼り合わせて大型のパネル構造体を形成し
た後、パネル構造体を単品サイズのパネルに分断する。
【０００３】
かかる分断を行う際、例えば、第１の大型基板の方を分断する際には、図１２に示すよ
うに、パネル構造体３００をステージ５５０上に載置した状態で、第１の大型基板１００
に対する分断予定線の端部からスクライブ刃５００を進入させて、第１の大型基板１００
の外側表面にスクライブ溝を形成した後、パネル構造体３００をステージ５５０から剥離
する。次に、裏面側の第２の大型基板２００の側から押圧して第１の大型基板１００を撓
ませ、その曲げ応力により、第１の大型基板１００を割断する。第２の大型基板２００を
分断する場合も同様である（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００２−３１６８２９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、大型基板１００、２００（素子基板および対向基板）において、基材と
して用いられるガラス基板は、静電気が帯電しやすいため、スクライブ溝を形成した後、
パネル構造体３００をステージ５５０から剥離させようとした際、剥離帯電が起こりやす
い。このため、素子基板に形成した薄膜トランジスタや配線の静電破壊が発生しやすく、
場合によっては基板自身に静電破壊が発生するという問題点がある。
【０００５】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、スクライブ溝形成用のステージからパネル構
造体を剥離する際の剥離帯電を防止することのできる電気光学装置の製造方法、電気光学
装置、および電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明に係る電気光学装置の製造方法においては、第１の
基板と第２の基板とを貼り合わせてパネル構造体を形成する貼り合わせ工程と、前記パネ
ル構造体をステージ上に載置した状態で分断予定線に沿ってスクライブ溝を形成し、前記
パネル構造体を、画素領域に複数の画素を備えた単品サイズのパネルに分断する分断工程
と、を有し、前記分断工程では、前記パネル構造体側および前記ステージ側の少なくとも
一方に形成された複数の突起により、前記パネル構造体の下面と前記ステージの上面との
間に空間を形成して前記パネル構造体を前記ステージ上に載置することを特徴とする。
【０００７】
本発明においては、分断工程を行う際、パネル構造体をステージ上に載置した状態で、
パネル構造体の下面とステージの上面との間には突起が介在する。このため、パネル構造
体の下面は、ステージの上面から突起の高さ寸法分だけ浮いた状態にあるので、パネル構
造体とステージとの接触面積が狭い。それ故、パネル構造体をステージ上から剥離する際
、剥離帯電がほとんど発生しないので、剥離帯電に起因する不具合、例えば、スイッチン
グ素子の静電破壊、配線の静電破壊、さらには基板自身の静電破壊の発生を防止すること
ができる。
【０００８】
本発明において、前記分断工程の前に、前記パネル構造体の外側の面のうち、前記複数
の突起を形成すべき位置をマスクで覆うマスキング工程と、前記パネル構造体に前記マス
クを形成した状態で前記パネル構造体の外側の面をエッチングするエッチング工程とを行
い、前記パネル構造体において前記マスクで覆われた領域に前記複数の突起を形成すると
ともに前記第１の基板および前記第２の基板を薄板化することが好ましい。このように構
成すると、複数の突起の形成と、第１の基板および第２の基板の薄板化とを同時に行うこ
とができる。それ故、必要最小限の工程数で、剥離帯電に起因する不具合の発生を防止で
きるとともに、電気光学装置の薄型化を図ることができる。
【０００９】
本発明において、前記マスキング工程では、前記パネル構造体の外側の面のうち、前記
分断予定線、および前記画素領域を避けた領域に前記マスクを形成することが好ましい。
このように構成すると、分断予定線上に突起が形成されないので、スクライブ溝の形成工
程を妨げることがない。また、画素領域を避けた領域に突起を形成できるので、突起の存
在によって、画素領域で表示される画素の品位を低下させるなどの問題が発生しない。ま
た、画像領域に対して偏光板や位相差板などの光学部材を重ねて配置する場合でも、これ
らの光学部材の配置を突起が妨げることがない。
【００１０】
本発明において、前記マスキング工程では、前記パネル構造体のうち、前記単品サイズ
のパネルとして分断される領域を避けた領域に前記マスクを形成することが好ましい。こ
のように構成すると、単品のパネルに突起が残ることがないので、突起の存在によって、
電気光学装置の薄型化が妨げられることもない。
【００１１】
本発明において、前記エッチング工程では、前記第１の基板および前記第２の基板を０
．５ｍｍ以下の厚さまで薄板化することが好ましい。
【００１２】
本発明において、前記ステージの上面に前記複数の突起を形成する構成を採用してもよ
い。このように構成すると、パネル構造体の構成を変更しなくても、パネル構造体とステ
ージとの接触面積が狭いので、ステージからパネル構造体を剥離する際の剥離帯電量が少
ない。それ故、剥離帯電に起因する不具合の発生を防止することができる。
【００１３】
本発明に係る電気光学装置は、モバイルコンピュータおよび携帯電話機などといった電
子機器に用いることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の説明に用いた各
図では、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に
縮尺を相違させてある。
【００１５】
［実施の形態１］
（液晶装置の全体構成）
図１（ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態１に係る液晶装置（電気光学装置）を
その上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのＨ−Ｈ′
断面図である。
【００１６】
図１（ａ）、（ｂ）において、本形態の液晶装置１は、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍ
ａｔｉｃ）モード、ＥＣＢ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ  Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ  Ｂｉｒ
ｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、あるいはＶＡＮ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｅｄ  
Ｎｅｍａｔｉｃ）モードの透過型のアクティブマトリクス型の液晶装置である。この液晶
装置１では、矩形の素子基板１０（第１の基板）と矩形の対向基板２０（第２の基板）と
がシール材２２を介して貼り合わされたパネル３０を有しており、パネル３０では、素子
基板１０と対向基板２０との間に液晶１ｆが保持されている。素子基板１０の基材は、厚
さが０．５ｍｍ以下、さらには０．２５ｍｍ以下まで薄板化されたガラス基板１１であり
、対向基板２０の基材も、厚さが０．５ｍｍ以下、さらには０．２５ｍｍ以下まで薄板化
されたガラス基板２１である。本形態では、ガラス基板１１、２１として無アルカリガラ
ス基板が用いられている。
【００１７】
シール材２２は、素子基板１０と対向基板２０とをそれらの周辺で貼り合わせるための
光硬化樹脂や熱硬化性樹脂などからなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするた
めのグラスファイバー、あるいはガラスビーズ等のギャップ材が配合されている。シール
材２２には、その途切れ部分によって液晶注入口２５が形成され、液晶１ｆを注入した後
、封止材２５０により封止されている。
【００１８】
素子基板１０において、シール材２２で囲まれた領域内には、画素トランジスタ１ｃや
画素電極２ａがマトリクス状に形成され、その表面に配向膜１９が形成されている。対向
基板２０には、シール材２２の内側領域に遮光性材料からなる額縁２６（図１（ｂ）では
図示を省略）が形成され、その内側が画像表示領域１ａ（画素領域）になっている。対向
基板２０には、図示を省略するが、各画素の縦横の境界領域と対向する領域にブラックマ
トリクス、あるいはブラックストライプなどと称せられる遮光膜が形成され、その上層側
には、対向電極２８および配向膜２９が形成されている。また、対向基板２０において、
素子基板１０の各画素に対向する領域には、ＲＧＢのカラーフィルタ（図示せず）がその
保護膜とともに形成され、それにより、液晶装置１をモバイルコンピュータ、携帯電話機
、液晶テレビなどといった電子機器のカラー表示装置として用いることができる。なお、
図１（ａ）に模式的に示すように、素子基板１０と対向基板２０との間では、シール材２
２に配合された基板間導通用の導電材２３などにより、素子基板１０に形成された共通配
線と対向基板２０の対向電極２８とが電気的に接続されている。
【００１９】
素子基板１０は対向基板２０よりも大きく、素子基板１０は、シール材２２の外側で対
向基板２０の基板縁から張り出した張り出し領域１５を備えている。張り出し領域１５に
は、ＩＣ実装領域１ｓが形成されており、このＩＣ実装領域１ｓには、ゲート線駆動回路
６６およびソース線駆動回路６７を内蔵の駆動用ＩＣ６０がＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｇ
ｌａｓｓ）実装されている。また、素子基板１０の張り出し領域１５には、ＩＣ実装領域
１ｓより外周縁側に基板接続領域１ｔが形成されており、この基板接続領域１ｔにはフレ
キシブル配線基板７０が接続されている。従って、素子基板１０において、画像表示領域
１ａからＩＣ実装領域１ｓに向けては、画像表示領域１ａの外側領域１ｂを通って引き回
し配線１ｘ、１ｙが延びているとともに、ＩＣ実装領域１ｓと基板接続領域１ｔとの間に
は配線（図示せず）が形成されている。
【００２０】
（液晶装置１の製造方法）
図２は、図１に示す液晶装置を製造する際の貼り合わせ工程までの説明図であり、図２
（ａ）、（ｂ）、（ｃ）の各々には、液晶装置の製造に用いた第１の大型基板（第１の基
板）、第２の大型基板（第２の基板）、および第１の大型基板と第２の大型基板とを貼り
合わせた大型のパネル構造体を示してある。図３は、図１に示す液晶装置を製造する際の
マスキング工程の説明図であり、図３（ａ）、（ｂ）の各々には、パネル構造体に対して
マスクを形成した様子、および第１の大型基板に形成したマスクを拡大した様子を示して
ある。図４は、図１に示す液晶装置を製造する際のエッチング工程の説明図であり、図４
（ａ）、（ｂ）の各々には、パネル構造体に対してエッチング工程を行った後の様子、お
よび第１の大型基板に形成した複数の突起を拡大した様子を示してある。図５は、図１に
示す液晶装置を製造する際の分断工程の説明図であり、図５（ａ）、（ｂ）、（ｃ）の各
々には、大型のパネル構造体を短冊状に分断した後の様子、短冊状のパネル構造体を単品
サイズのパネルに分断した後の様子、および単品サイズのパネルに張り出し領域を形成し
た後の様子を示してある。図６は、図１に示す液晶装置を製造する際、分断工程において
スクライブ溝を形成する様子の説明図である。なお、図２、図３、図４および図５には、
大型基板やパネル構造体などを上面側（表示光が出射される側）からみた様子と、矢印Ｔ
で示すように表裏反転させて下面側（表示光が出射される側とは反対側）からみた様子と
を示してある。
【００２１】
本形態の液晶装置１において、素子基板１０および対向基板２０はいずれも、基板厚が
０．５ｍｍ以下、さらには０．２５ｍｍ以下である。但し、最初から薄い基板を用いると
、半導体プロセスを利用して画素トランジスタ１ｃ、画素電極２ａ、対向電極２８などを
形成する際に基板が割れてしまうおそれがある。また、素子基板１０および対向基板２０
を各々、１枚ずつ製作したのでは生産性が低い。
【００２２】
そこで、本形態では、図２（ａ）、（ｂ）に示すように、単品サイズの素子基板１０を
多数取りできる厚いガラス製の第１の大型基板１００と、単品サイズの対向基板２０を多
数取りできる厚いガラス製の第２の大型基板２００とを準備して、これらの大型基板１０
０、２００に対して、半導体プロセスなどを利用して、図１（ａ）、（ｂ）を参照して説
明した画素トランジスタ１ｃ、画素電極２ａ、および対向電極２８などの各構成要素を複
数の基板分を形成する。
【００２３】
次に、貼り合わせ工程では、第１の大型基板１００あるいは第２の大型基板２００に対
して、素子基板１０あるいは対向基板２０として切り出される領域の各々に対してシール
材２２（図１（ａ）、（ｂ）参照）を塗布、あるいは印刷した後、図２（ｂ）に示すよう
に、大型基板１００、２００同士をシール材２２によって貼り合わせ、大型のパネル構造
体３００を形成する。
【００２４】
ここで、第１の大型基板１００および第２の大型基板２００は、後述する分断工程にお
いて分断されるので、図２〜図５には、分断の際、スクライブ溝が形成される分断予定線
を一点鎖線で示してある。本形態において、分断予定線は、パネル構造体３００の両側の
外側表面（第１の大型基板１００の外側表面および第２の大型基板２００の外側表面）の
重なる位置において一方方向に延びた複数本の第１の分断予定線３０１、３０２と、パネ
ル構造体３００の両側の外側表面（第１の大型基板１００の外側表面および第２の大型基
板２００の外側表面）の重なる位置において第１の分断予定線３０１、３０２に対して交
差する方向に延びた複数本の第２の分断予定線３０３、３０４と、パネル構造体３００の
一方の外側表面（第２の大型基板２００の外側表面）で第１の分断予定線３０１、３０２
に並行して延びた複数本の第３の分断予定線３０５とを含んでいる。
【００２５】
次に、マスキング工程では、図３（ａ）、（ｂ）に示すように、フォトリソグラフィ技
術を用いて、パネル構造体３００の両面のうち、図４を参照して説明する複数の突起３３
０を形成すべき位置を感光性樹脂からなるマスク３４０で覆う。本形態では、パネル構造
体３００の両面のうち、単品サイズのパネル３０が切り出される領域（図３（ａ）におい
て斜線を付した領域）を避けた位置にマスク３４０が形成されている。このため、マスク
３４０は、分断予定線３０１〜３０５と重なる位置を避け、かつ、画像表示領域１ａ（画
素領域）を避けた領域に形成されていることになる。また、本形態において、パネル３０
は、パネル構造体３００において１本の切断予定線３０１〜３０４を挟んで隣接する位置
から切り出されるため、マスク３４０は、パネル構造体３００の外周縁に沿う枠状領域に
形成されており、枠状領域は、パネル構造体３００を分断した際に除去される除材領域で
ある。
【００２６】
次に、エッチング工程（薄板化工程）では、パネル構造体３００の外周縁で開口する大
型基板１００、２００の隙間をエポキシ樹脂やピッチ系塗料などの被覆材で塞いだ状態で
フッ酸を含むエッチング液にパネル構造体３００を浸漬し、パネル構造体３００の外側表
面（大型基板１００、２００の外側表面）をエッチングし、図４（ａ）に示すように、大
型基板１００、２００を０．５ｍｍ以下、さらには０．２５ｍｍ以下にまで薄板化する。
【００２７】
次に、マスク３４０を除去した後、パネル構造体３００を洗浄する。なお、被覆材とし
て用いたエポキシ樹脂やピッチ系塗料については溶剤などにより除去してもよいが、以下
に説明する分断工程により、被覆材が付着している部分を除去することが好ましい。また
、基板に対するエッチングとしては、ウエットエッチングの他、ドライエッチングを採用
してもよい。
【００２８】
このようにしてエッチング工程を行うと、図４（ａ）、（ｂ）に示すように、大型基板
１００、２００を薄板化することができるとともに、パネル構造体３００の両面には、マ
スク３４０で覆われていた複数の領域の各々に突起３３０を形成することができる。また
、突起３３０は、パネル構造体３００においてパネル３０が切り出される領域（図３（ｂ
）において斜線を付した領域）を避けた領域に形成される。
【００２９】
次に、分断工程を行う。この分断工程では、まず、図４（ａ）に示す第１の分断予定線
３０１、３０２に沿ってパネル構造体３００（第１の大型基板１００および第２の大型基
板２００）を分断して、図５（ａ）に示す短冊状のパネル構造体３５０を得る。
【００３０】
かかる分断工程において、例えば、第１の大型基板１００を分断するには、まず、図６
に示すように、第２の大型基板２００を下向きにして、パネル構造体３００をステージ５
５０上に載置した後、第１の大型基板１００に対して、第１の分断予定線３０１の端部か
らスクライブ刃５００を進入させて、第１の分断予定線３０１に沿ってスクライブ溝を形
成する。次に、パネル構造体３００をステージ５５０上から剥離して表裏反転させた後、
第２の大型基板２００の側からブレークバーやブレークローラなどによって押圧して第１
の大型基板１００を撓ませ、その曲げ応力により、第１の大型基板１００を割断する。第
２の大型基板２００を割断する際も同様な方法を用いる。
【００３１】
このような分断工程を行う際、第１の大型基板１００および第２の大型基板２００の外
側表面には複数の突起３３０が形成されているため、パネル構造体３００をステージ５５
０上に載置した状態で、パネル構造体３００の下面とステージ５５０の上面との間には突
起３３０が介在する。このため、パネル構造体３００の下面とステージ５５０の上面との
間には、突起３３０の高さ寸法に相当する空間が形成され、パネル構造体３００の下面は
、ステージ５５０の上面から突起３３０の高さ寸法分だけ浮いた状態にある。従って、パ
ネル構造体３００とステージ５５０との接触面積が狭いので、パネル構造体３００をステ
ージ５５０上から剥離する際、剥離帯電がほとんど発生しない。
【００３２】
このようにして、大型のパネル構造体３００を短冊状のパネル構造体３５０に分断する
と、図１に示すシール材２２の途切れ部分が液晶注入口２５として、短冊状のパネル構造
体３５０の外周縁で開口するので、液晶注入口２５から液晶をパネル内に注入した後、液
晶注入口２５を封止材２５０により封止する。
【００３３】
次に、図５（ａ）に示す第２の分断予定線３０３、３０４に沿って短冊状のパネル構造
体３５０を分断して、図５（ｂ）に示すように、単品サイズのパネル３０を得る。かかる
分断を行う際も、図６に示すように、第１の大型基板１００を分断するには、第２の大型
基板２００を下向きにして、パネル構造体３５０をステージ５５０上に載置した後、第１
の大型基板１００に対して、スクライブ刃５００によって、第２の分断予定線３０３に沿
ってスクライブ溝を形成する。次に、パネル構造体３５０をステージ５５０上から剥離し
て表裏反転させた後、第２の大型基板２００の側からブレークバーやブレークローラなど
によって押圧して第１の大型基板１００を撓ませ、その曲げ応力により、第１の大型基板
１００を割断する。第２の大型基板２００を割断する際も同様な方法を用いる。
【００３４】
このような分断工程を行う際も、短冊状のパネル構造体３５０の両面には、その両端部
に突起３３０が形成されているため、パネル構造体３５０をステージ５５０上に載置した
状態で、パネル構造体３５０の下面とステージ５５０の上面との間には突起３３０が介在
する。このため、パネル構造体３５０の下面は、ステージ５５０の上面から突起３３０の
高さ寸法分だけ浮いた状態にある。従って、パネル構造体３５０とステージ５５０との接
触面積が狭いので、パネル構造体３５０をステージ５５０上から剥離する際、剥離帯電が
ほとんど発生しない。
【００３５】
次に、図５（ｂ）に示す第３の分断予定線３０５に沿って対向基板２０を分断して、図
５（ｃ）に示すように、対向基板２０のうち、素子基板１０の張り出し領域１５に被さる
部分を除去し、張り出し領域１５に形成されているＩＣ実装領域１ｓや基板接続領域１ｔ
の上方を開放する。かかる分断を行う際も、素子基板１０を下向きにして、パネル３０を
ステージ５５０上に載置した後、対向基板２０に対して、スクライブ刃５００によって、
第３の分断予定線３０５に沿ってスクライブ溝を形成する。次に、パネル３０をステージ
５５０上から剥離して表裏反転させた後、ブレーク処理として、素子基板１０の側からブ
レークバーやブレークローラなどによって押圧して対向基板２０を撓ませ、その曲げ応力
により、対向基板２０を割断する。このような分断工程を行う際、パネル３０には、既に
突起３３０がないので、パネル３０の下面とステージ５５０の上面とは密着するが、パネ
ル構造体３００、３５０の場合と違って、パネル３０自身の面積が狭いので、パネル３０
とステージ５５０との接触面積が狭い。それ故、パネル３０をステージ５５０上から剥離
する際、剥離帯電がほとんど発生しない。
【００３６】
（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態の液晶装置１の製造方法では、分断工程を行う際、パネル
構造体３００、３５０をステージ５５０上に載置した状態で、パネル構造体３００、３５
０の下面とステージ５５０の上面との間には突起３３０が介在する。このため、パネル構
造体３００、３５０の下面は、ステージ５５０の上面から突起の高さ寸法分だけ浮いた状
態にあるので、パネル構造体３００、３５０とステージ５５０との接触面積が狭い。それ
故、パネル構造体３００、３５０をステージ５５０上から剥離する際、剥離帯電がほとん
ど発生しないので、剥離帯電に起因する不具合、例えば、画素スイッチング素子の静電破
壊、配線の静電破壊、さらには基板自身の静電破壊の発生を防止することができる。
【００３７】
また、本形態では、パネル構造体３００にマスク３４０を形成した状態でパネル構造体
３００の両面をエッチングするので、大型基板１００、２００を薄板化することができる
とともに、パネル構造体３００の両面においてマスク３４０で覆われた領域に突起３３０
を形成することができる。それ故、必要最小限の工程数で、剥離帯電に起因する不具合の
発生を防止できるとともに、液晶装置１の薄型化を図ることができる。
【００３８】
また、マスキング工程では、パネル構造体３００のうち、単品サイズのパネル３０とし
て分断される領域を避けた領域にマスク３４０を形成したので、単品のパネル３０に突起
３３０が残らない。それ故、突起３３０の存在によって、液晶装置１の薄型化が妨げられ
ることがない。また、分断予定線３０１〜３０５上を避けた位置に突起３３０を形成した
ので、スクライブ溝の形成が妨げられることがない。さらに、画像表示領域１ａを避けた
領域に突起３３０を形成したので、突起３３０の存在によって、画素表示領域１ａで表示
される画素の品位を低下させるなどの問題が発生しない。さらにまた、画素表示領域１ａ
に対して偏光板や位相差板などの光学部材を重ねて配置する場合でも、これらの光学部材
の配置を突起３３０が妨げることがない。
【００３９】
さらに、本形態では、エッチング工程では、ウエットエッチングを採用したため、ドラ
イエッチングに比して、多数のパネル構造体３００を一括処理できるなどの利点がある。
【００４０】
［実施の形態２］
図７は、本発明の実施の形態２に係る液晶装置の製造方法を示す説明図であり、図７（
ａ）、（ｂ）の各々には、パネル構造体に対してマスクキング工程を行った後の様子、お
よびエッチング工程を行った後の様子を示してある。図８は、本発明の実施の形態２に係
る液晶装置を製造する際、分断工程においてスクライブ溝を形成する様子の説明図である
。なお、本形態および後述する実施の形態３、４は、基本的な構成が実施の形態１と同様
であるため、共通する部分には同一の符号を付して図示し、それらの説明を省略する。
【００４１】
本形態でも、図７（ａ）に示すように、第１の大型基板１００および第２の大型基板２
００に対して、半導体プロセスなどを利用して、図１（ａ）、（ｂ）を参照して説明した
画素トランジスタ１ｃ、画素電極２ａ、および対向電極２８などの各構成要素を複数の基
板分を形成した後、貼り合わせ工程において、大型基板１００、２００同士をシール材２
２（図１（ａ）、（ｂ）参照）によって貼り合わせ、大型のパネル構造体３００を形成す
る。
【００４２】
ここで、大型のパネル構造体３００に対する分断予定線は、実施の形態１と同様、パネ
ル構造体３００の両側の外側表面（第１の大型基板１００の外側表面および第２の大型基
板２００の外側表面）の重なる位置において一方方向に延びた複数本の第１の分断予定線
３０１、３０２と、パネル構造体３００の両側の外側表面（第１の大型基板１００の外側
表面および第２の大型基板２００の外側表面）の重なる位置において第１の分断予定線３
０１、３０２に対して交差する方向に延びた複数本の第２の分断予定線３０３、３０４と
、パネル構造体３００の一方の外側表面（第２の大型基板２００の外側表面）で第１の分
断予定線３０１、３０２に並行して延びた複数本の第３の分断予定線３０５とを含んでい
る。
【００４３】
但し、本形態では、パネル３０として切り出される領域（図７（ａ）において斜線を付
した領域）の境界部分には、第１の分断予定線３０１、３０２、および第２の分断予定線
３０３、３０４が各々、２本ずつ設定されている。このため、パネル構造体３００では、
外周縁に沿う枠状領域、２本の第１の分断予定線３０１、３０２で挟まれた領域、および
２本の第２の分断予定線３０３、３０４で挟まれた領域が、パネル構造体３００を分断す
るときに除去される除材領域である。
【００４４】
次に、マスキング工程では、フォトリソグラフィ技術を用いて、パネル構造体３００の
両面のうち、図７（ｂ）を参照して説明する複数の突起３３０を形成すべき位置を感光性
樹脂からなるマスク３４０で覆う。本形態では、パネル構造体３００の両面のうち、パネ
ル構造体３００の外周縁に沿う枠状領域、および２本の第２の分断予定線３０３、３０４
で挟まれた領域（パネル３０が切り出される領域の間）に対して、マスク３４０を形成す
る。
【００４５】
次に、エッチング工程（薄板化工程）では、パネル構造体３００の外周縁で開口する大
型基板１００、２００の隙間をエポキシ樹脂やピッチ系塗料などの被覆材で塞いだ状態で
フッ酸を含むエッチング液にパネル構造体３００を浸漬し、パネル構造体３００の外側表
面（大型基板１００、２００の外側表面）をエッチングする。
【００４６】
その結果、大型基板１００、２００を０．５ｍｍ以下、さらには０．２５ｍｍ以下にま
で薄板化することができるとともに、図７（ｂ）に示すように、パネル構造体３００の両
面に複数の突起３３０を形成することができる。また、突起３３０は、パネル構造体３０
０においてパネル３０が切り出される領域（図７（ｂ）において斜線を付した領域）を避
けた領域に形成される。より具体的には、パネル構造体３００の外周縁に沿う枠状領域、
および２本の第２の分断予定線３０３、３０４で挟まれた領域（パネル３０が切り出され
る領域の間）に対して突起３３０が形成される。
【００４７】
次に、実施の形態１と同様、分断工程を行い、単品サイズのパネル３０を得る。かかる
分断工程を行う際、図８に示すように、パネル構造体３００、３５０をステージ５５０上
に載置するが、パネル構造体３００、３５０の下面とステージ５５０の上面との間には突
起３３０が介在することになる。このため、パネル構造体３００、３５０の下面は、ステ
ージ５５０の上面から突起の高さ寸法分だけ浮いた状態にあるので、パネル構造体３００
、３５０とステージ５５０との接触面積が狭い。それ故、パネル構造体３００、３５０を
ステージ５５０上から剥離する際、剥離帯電がほとんど発生しないので、剥離帯電に起因
する不具合、例えば、画素スイッチング素子の静電破壊、配線の静電破壊、さらには基板
自身の静電破壊の発生を防止することができるなど、実施の形態１と同様な効果を奏する
。
【００４８】
また、本形態では、パネル構造体３００の外周縁に沿う枠状領域、および２本の第２の
分断予定線３０３、３０４で挟まれた領域（パネル３０が切り出される領域の間）に対し
て突起３３０を形成したため、図８に示すように、パネル構造体３００をステージ５５０
上に載置した状態で、パネル構造体３００の下面とステージ５５０の上面との間には、そ
の端部に加えて、内側領域にも突起３３０が介在する。このため、パネル構造体３００に
は、多くの突起３３０で支持されるので、内側に撓みが発生しない。それ故、パネル構造
体３５０にスクライブ溝を精度よく形成することができる。
【００４９】
特に、第１の分断予定線３０１、３０２に沿ってパネル構造体３００を分断して短冊状
のパネル構造体３５０を形成した状態において、短冊状のパネル構造体３５０では、実施
の形態１と違って、その両端部だけでなく、長さ方向の途中部分にも突起３３０が存在す
る。このため、短冊状のパネル構造体３５０をステージ５５０上に載置した状態で、パネ
ル構造体３５０の下面とステージ５５０の上面との間は、両端部だけではなく、長さ方向
の途中部分にも突起３３０が介在するので、パネル構造体３５０は、長さ方向の途中部分
に撓みが発生しない。それ故、パネル構造体３５０にスクライブ溝を精度よく形成するこ
とができる。
【００５０】
［実施の形態３］
図９は、本発明の実施の形態３に係る液晶装置の製造方法を示す説明図であり、パネル
構造体に対して突起を形成した様子を示してある。
【００５１】
実施の形態１、２では、パネル構造体３００を分断するときに除去される除材領域にマ
スク３４０（突起３３０）を形成した例であったが、図９に示すように、パネル３０とし
て切り出される領域のうち、画像表示領域１を避けた領域に突起３３０を形成してもよい
。例えば、第１の大型基板１００の外側表面のうち、図１（ａ）、（ｂ）を参照して説明
した張り出し領域１５に相当する領域や、第２の大型基板２００の外側表面のうち、図１
（ａ）、（ｂ）を参照して説明した張り出し領域１５と重なる領域（第１の分断予定線３
０２と第３の分断予定線３０５との間の領域）に突起３３０を形成してもよい。
【００５２】
また、第１の大型基板１００および第２の大型基板２００の外側表面のうち、図１（ａ
）、（ｂ）を参照して説明した張り出し領域１５と反対側の端部に相当する領域に突起３
３０を形成してもよい。
【００５３】
［実施の形態４］
図１０は、本発明の実施の形態４に係る液晶装置の製造方法を示す説明図であり、分断
工程においてスクライブ溝を形成する様子の説明図である。
【００５４】
実施の形態１〜３では、分断工程においてパネル構造体３００、３５０をステージ５５
０上に載置した状態で、パネル構造体３００、３５０の下面をステージ５５０の上面から
浮かせるにあたって、パネル構造体３００、３５０に突起を形成したが、図１０に示すよ
うに、本形態では、パネル構造体３００、３５０に突起を形成しない代わりに、ステージ
５５０の上面に複数の突起５６０を形成してある。
【００５５】
このように構成した場合も、パネル構造体３００、３５０の下面は、ステージ５５０の
上面から突起の高さ寸法分だけ浮いた状態にあるので、パネル構造体３００、３５０とス
テージ５５０との接触面積が狭い。それ故、パネル構造体３００、３５０をステージ５５
０上から剥離する際、剥離帯電がほとんど発生しないので、剥離帯電に起因する不具合、
例えば、画素スイッチング素子の静電破壊、配線の静電破壊、さらには基板自身の静電破
壊の発生を防止することができる。
【００５６】
［その他の実施の形態］
上記形態では、分断工程として、スクライブ溝形成工程の後、ブレーク処理を行ったが
、例えば、基板に予め撓みを与えた上でスクライブ溝を形成し、スクライブ溝の形成と同
時に真空吸引などで撓みを強めて基板を分断するなどの方法を採用した場合に本発明を適
用してもよい。
【００５７】
また、上記実施の形態では、ＴＮモード、ＥＣＢモード、ＶＡＮモードのアクティブマ
トリクス型の液晶装置を例に説明したが、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎ
ｇ）モードの液晶装置（電気光学装置）に本発明を適用してもよい。
【００５８】
さらに、電気光学装置として液晶装置に限らず、例えば、有機ＥＬ（エレクトロルミネ
ッセンス）装置、さらにはその他の電気光学装置に対して本発明を適用してもよい。
【００５９】
［電子機器の実施形態］
図１１は、本発明に係る液晶装置を各種の電子機器の表示装置として用いる場合の一実
施形態を示している。ここに示す電子機器は、パーソナルコンピュータや携帯電話機など
であり、表示情報出力源１７０、表示情報処理回路１７１、電源回路１７２、タイミング
ジェネレータ１７３、そして液晶装置１を有する。また、液晶装置１は、パネル１７５お
よび駆動回路１７６を有しており、前述した液晶装置１を用いることができる。表示情報
出力源１７０は、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ
Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）等といったメモリ、各種ディスク等といったストレージ
ユニット、デジタル画像信号を同調出力する同調回路等を備え、タイミングジェネレータ
１７３によって生成された各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号
等といった表示情報を表示情報処理回路１７１に供給する。表示情報処理回路１７１は、
シリアル−パラレル変換回路や、増幅・反転回路、ローテーション回路、ガンマ補正回路
、クランプ回路等といった周知の各種回路を備え、入力した表示情報の処理を実行して、
その画像信号をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路１７６へ供給する。電源回路１７２は
、各構成要素に所定の電圧を供給する。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】（ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態１に係る液晶装置（電気光学装置）をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのＨ−Ｈ′断面図である。
【図２】図１に示す液晶装置を製造する際の貼り合わせ工程までの説明図である。
【図３】図１に示す液晶装置を製造する際のマスキング工程の説明図である。
【図４】図１に示す液晶装置を製造する際のエッチング工程の説明図である。
【図５】図１に示す液晶装置を製造する際の分断工程の説明図である。
【図６】図１に示す液晶装置を製造する際、分断工程においてスクライブ溝を形成する様子の説明図である。
【図７】本発明の実施の形態２に係る液晶装置の製造方法を示す説明図である。
【図８】本発明の実施の形態２に係る液晶装置を製造する際、分断工程においてスクライブ溝を形成する様子の説明図である。
【図９】本発明の実施の形態３に係る液晶装置の製造方法を示す説明図である。
【図１０】本発明の実施の形態４に係る液晶装置を製造する際、分断工程においてスクライブ溝を形成する様子の説明図である。
【図１１】本発明に係る液晶装置を各種の電子機器の表示装置として用いた場合の説明図である。
【図１２】従来の液晶装置の製造方法においてスクライブ溝を形成する様子を示す説明図である。
【符号の説明】
【００６１】
１・・液晶装置、１０・・素子基板（第１の基板）、２０・・対向基板（第２の基板）、
３０・・単品サイズのパネル、１００・・第１の大型基板（第１の基板）、２００・・第
２の大型基板（第２の基板）、３００、３５０・・パネル構造体、３０１、３０２・・第
１の分断予定線、３０３、３０４・・第２の分断予定線、３０５・・第３の分断予定線、
３３０・・パネル構造体の突起、３４０・・マスク、５００・・スクライブ刃、５５０・
・ステージ、５６０・・ステージの突起
【図１】
2008052167.tif 000003
【図２】
2008052167.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
2008052167.tif 000008
【図７】
2008052167.tif 000009
【図８】
2008052167.tif 000010
【図９】
2008052167.tif 000011
【図１０】
2008052167.tif 000012
【図１１】
2008052167.tif 000013
【図１２】
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