(57)【要約】  【課題】  パーフェクト領域［Ｐ］からなるインゴットから切出されたシリコンウェーハであっても、ウェーハ面内で均一なゲッタリング効果が得られる。  【解決手段】  純炭素をインゴット中の炭素濃度が１〜５×１０15／ｃｍ3になるように多結晶シリコン原料に添加するとともに、インゴット中の酸素濃度が１×１０18〜１．４５×１０18／ｃｍ3(旧ＡＳＴＭ)になるように、かつ領域［ＰV］と領域［ＰI］の双方からなり領域［ＰV］／領域［ＰI］が面積比で約１になるようにＶ／Ｇ（ｍｍ2／分・℃）を制御することによりインゴットを引上げた後、鏡面シリコンウェーハ裏面に厚さ０．１〜１．６μｍのポリシリコン層を形成することによりシリコンウェーハを製造する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
多結晶シリコン原料に純炭素を添加して前記原料を融解しこのシリコン融液からＶ／Ｇ（ｍｍ2／分・℃）を制御することによりパーフェクト領域［Ｐ］からなるシリコン単結晶インゴットを引上げ、前記パーフェクト領域［Ｐ］からなるインゴットから切出されたシリコンウェーハをラッピングし面取り加工を施した後、化学エッチング処理によりウェーハ表面のダメージを除去した点欠陥の凝集体が存在しない鏡面シリコンウェーハを製造する方法において、
前記純炭素を前記インゴット中の炭素濃度が１〜５×１０15／ｃｍ3になるように多結晶シリコン原料に添加するとともに、前記インゴット中の酸素濃度が１×１０18〜１．４５×１０18／ｃｍ3(旧ＡＳＴＭ)になるように、かつ領域［ＰV］と領域［ＰI］の双方からなり領域［ＰV］／領域［ＰI］が面積比で約１になるように前記Ｖ／Ｇ（ｍｍ2／分・℃）を制御することにより前記インゴットを引上げ、
前記鏡面シリコンウェーハ裏面に厚さ０．１〜１．６μｍのポリシリコン層を形成することによりシリコンウェーハを製造し、
前記製造したシリコンウェーハは酸素雰囲気下、８００℃で４時間熱処理した後、１０００℃で１６時間熱処理すると、ウェーハ表面から深さ３００μｍにおけるウェーハ中心部とウェーハの半径の１／２付近の双方において１×１０8／ｃｍ3〜１×１０11／ｃｍ3の酸素析出物が作られるウェーハであることを特徴とする点欠陥の凝集体が存在しないシリコンウェーハの製造方法。
なお、前記Ｖ／ＧのＶはインゴットの引上げ速度（ｍｍ／分）を、Ｇはインゴット−シリコン融液の接触面の温度勾配（℃／ｍｍ）をいい、前記パーフェクト領域［Ｐ］は引上げたシリコン単結晶インゴット内での格子間シリコン型点欠陥が支配的に存在する領域を［Ｉ］とし、空孔型点欠陥が支配的に存在する領域を［Ｖ］とするとき、格子間シリコン型点欠陥の凝集体及び空孔型点欠陥の凝集体が存在しない領域をいい、前記領域［ＰI］は前記領域［Ｉ］に隣接し、かつ侵入型転位を形成し得る最低の格子間シリコン型点欠陥濃度未満の格子間シリコン型点欠陥濃度を有する領域をいい、前記領域［ＰV］は前記領域［Ｖ］に隣接し、かつ酸化誘起積層欠陥を形成し得る最低の空孔型点欠陥濃度未満の空孔型点欠陥濃度を有する領域をいう。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、チョクラルスキー法（以下、ＣＺ法という。）により作られ、半導体集積回路を製造するために用いられるシリコンウェーハの製造方法に関する。更に詳しくはゲッタリング源を有し、かつ点欠陥の凝集体が存在しないシリコンウェーハの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体集積回路を製造する工程において、歩留りを低下させる原因として酸化誘起積層欠陥（Oxidation Induced Stacking Fault、以下、ＯＳＦという。）の核となる酸素析出物の微小欠陥や、結晶に起因したパーティクル（Crystal Originated Particle、以下、ＣＯＰという。）や、或いは侵入型転位（Interstitial-type Large Dislocation、以下、ＬＤという。）の存在が挙げられている。ＯＳＦは、結晶成長時にその核となる微小欠陥が導入され、半導体デバイスを製造する際の酸化工程等で顕在化し、作製したデバイスのリーク電流の増加等の不良原因になる。また鏡面研磨後のシリコンウェーハをアンモニアと過酸化水素の混合液で洗浄すると、ウェーハ表面にピットが形成され、このウェーハをパーティクルカウンタで測定すると、ピットも本来のパーティクルとともにパーティクルとして検出される。上記ピットは結晶に起因したものであり、本来のパーティクルと区別するために、ＣＯＰと称される。このウェーハ表面のピットであるＣＯＰは電気的特性、例えば酸化膜の経時絶縁破壊特性（Time Dependent dielectric Breakdown、ＴＤＤＢ）、酸化膜耐圧特性（Time Zero Dielectric Breakdown、ＴＺＤＢ）等を劣化させる原因となる。またＣＯＰがウェーハ表面に存在するとデバイスの配線工程において段差を生じ、この段差は断線の原因となって、製品の歩留りを低くする。更にＬＤは、転位クラスタとも呼ばれたり、或いはこの欠陥を生じたシリコンウェーハをフッ酸を主成分とする選択エッチング液に浸漬するとピットを生じることから転位ピットとも呼ばれる。
【０００３】
以上のことから、半導体集積回路を製造するために用いられるシリコンウェーハからＯＳＦ、ＣＯＰ及びＬＤを減少させることが必要となっている。
このＯＳＦ、ＣＯＰ及びＬＤを有しない無欠陥のシリコンウェーハが開示されている（例えば、特許文献１参照。）。この無欠陥のシリコンウェーハは、シリコン単結晶インゴット内での空孔型点欠陥の凝集体及び格子間シリコン型点欠陥の凝集体がそれぞれ存在しないパーフェクト領域を［Ｐ］とするとき、パーフェクト領域［Ｐ］からなるインゴットから切出されたシリコンウェーハである。パーフェクト領域［Ｐ］は、格子間シリコン型点欠陥が支配的に存在する領域［Ｉ］と、シリコン単結晶インゴット内で空孔型点欠陥が支配的に存在する領域［Ｖ］との間に介在する。
一方、半導体デバイスメーカーの中には、ＯＳＦ、ＣＯＰ及びＬＤを有しない上に、デバイス工程で生じる汚染をゲッタリングする能力を有するシリコンウェーハを求めるメーカーが存在する。ゲッタリング能力が十分に備わっていないウェーハでは、デバイス工程での汚染により接合リーク等を生じ、これにより製品の歩留まりを低下させる。
【特許文献１】特開平１１−１３９３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、上記パーフェクト領域［Ｐ］からなるインゴットから切出されたシリコンウェーハの中で空孔型点欠陥濃度が比較的低いウェーハは、デバイス工程の熱処理においてウェーハ面内で均一に酸素析出が起らず、これによりゲッタリング効果が十分に得られない場合がある。
本発明の目的は、パーフェクト領域［Ｐ］からなるインゴットから切出されたシリコンウェーハであっても、ウェーハ面内で均一なゲッタリング効果が得られるシリコンウェーハを製造する方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
請求項１に係る発明は、多結晶シリコン原料に純炭素を添加して前記原料を融解しこのシリコン融液からＶ／Ｇ（ｍｍ2／分・℃）を制御することによりパーフェクト領域［Ｐ］からなるシリコン単結晶インゴットを引上げ、前記パーフェクト領域［Ｐ］からなるインゴットから切出されたシリコンウェーハをラッピングし面取り加工を施した後、化学エッチング処理によりウェーハ表面のダメージを除去した点欠陥の凝集体が存在しない鏡面シリコンウェーハを製造する方法において、前記純炭素を前記インゴット中の炭素濃度が１〜５×１０15／ｃｍ3になるように多結晶シリコン原料に添加するとともに、前記インゴット中の酸素濃度が１×１０18〜１．４５×１０18／ｃｍ3(旧ＡＳＴＭ)になるように、かつ領域［ＰV］と領域［ＰI］の双方からなり領域［ＰV］／領域［ＰI］が面積比で約１になるように前記Ｖ／Ｇ（ｍｍ2／分・℃）を制御することにより前記インゴットを引上げ、前記鏡面シリコンウェーハ裏面に厚さ０．１〜１．６μｍのポリシリコン層を形成することによりシリコンウェーハを製造し、前記製造したシリコンウェーハは酸素雰囲気下、８００℃で４時間熱処理した後、１０００℃で１６時間熱処理すると、ウェーハ表面から深さ３００μｍにおけるウェーハ中心部とウェーハの半径の１／２付近の双方において１×１０8／ｃｍ3〜１×１０11／ｃｍ3の酸素析出物が作られるウェーハであることを特徴とする。
なお、前記Ｖ／ＧのＶはインゴットの引上げ速度（ｍｍ／分）を、Ｇはインゴット−シリコン融液の接触面の温度勾配（℃／ｍｍ）をいい、前記パーフェクト領域［Ｐ］は引上げたシリコン単結晶インゴット内での格子間シリコン型点欠陥が支配的に存在する領域を［Ｉ］とし、空孔型点欠陥が支配的に存在する領域を［Ｖ］とするとき、格子間シリコン型点欠陥の凝集体及び空孔型点欠陥の凝集体が存在しない領域をいい、前記領域［ＰI］は前記領域［Ｉ］に隣接し、かつ侵入型転位を形成し得る最低の格子間シリコン型点欠陥濃度未満の格子間シリコン型点欠陥濃度を有する領域をいい、前記領域［ＰV］は前記領域［Ｖ］に隣接し、かつ酸化誘起積層欠陥を形成し得る最低の空孔型点欠陥濃度未満の空孔型点欠陥濃度を有する領域をいう。
【発明の効果】
【０００６】
本発明によれば、領域［ＰV］／領域［ＰI］が面積比で約１にし、ウェーハ中の炭素濃度を通常のＣＺウェーハより高い１〜５×１０15／ｃｍ3になるよう、また酸素濃度を１×１０18〜１．４５×１０18／ｃｍ3(旧ＡＳＴＭ)になるようにそれぞれ制御するとともにウェーハ裏面に厚さ０．１〜１．６μｍのポリシリコン層を形成することにより、領域［ＰI］が豊富であって、即ち空孔型点欠陥よりも格子間シリコン型点欠陥に富んだウェーハであっても、このウェーハを酸素雰囲気下、８００℃で４時間熱処理した後、１０００℃で１６時間熱処理すれば、ウェーハのすべての面において酸素析出物が作られ、ウェーハ周縁部及びウェーハ中心部との間でばらつきのない均一なイントリンシックゲッタリング効果が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
本発明のシリコンウェーハは、ＣＺ法によりホットゾーン炉内のシリコン融液からインゴットをボロンコフ（Voronkov）の理論に基づいた所定の引上げ速度プロファイルで引上げた後、このインゴットをスライスして作製される。
一般的に、ＣＺ法によりホットゾーン炉内のシリコン融液からシリコン単結晶のインゴットを引上げたときには、シリコン単結晶における欠陥として、点欠陥（point defect）と点欠陥の凝集体（agglomerates：三次元欠陥）が発生する。点欠陥は空孔型点欠陥と格子間シリコン型点欠陥という二つの一般的な形態がある。空孔型点欠陥は一つのシリコン原子がシリコン結晶格子で正常的な位置の一つから離脱したものである。このような空孔が空孔型点欠陥になる。一方、原子がシリコン結晶の格子点以外の位置（インタースチシャルサイト）で発見されるとこれが格子間シリコン点欠陥になる。
【０００８】
点欠陥は一般的にシリコン融液（溶融シリコン）とインゴット（固状シリコン）の間の接触面で形成される。しかし、インゴットを継続的に引上げることによって接触面であった部分は引上げとともに冷却し始める。冷却の間、空孔型点欠陥又は格子間シリコン型点欠陥は拡散により互いに合併して、空孔型点欠陥の凝集体（vacancy agglomerates）又は格子間シリコン型点欠陥の凝集体（interstitial agglomerates）が形成される。言い換えれば、凝集体は点欠陥の合併に起因して発生する三次元構造である。空孔型点欠陥の凝集体は前述したＣＯＰの他に、ＬＳＴＤ（Laser Scattering Tomograph Defects）又はＦＰＤ（Flow Pattern Defects）と呼ばれる欠陥を含み、格子間シリコン型点欠陥の凝集体は前述したＬＤと呼ばれる欠陥を含む。ＦＰＤとは、インゴットをスライスして作製されたシリコンウェーハを３０分間セコ（Secco）エッチング液で化学エッチングしたときに現れる特異なフローパターンを呈する痕跡の源であり、ＬＳＴＤとは、シリコン単結晶内に赤外線を照射したときにシリコンとは異なる屈折率を有し散乱光を発生する源である。
【０００９】
ボロンコフの理論は、欠陥の数が少ない高純度インゴットを成長させるために、インゴットの引上げ速度をＶ（ｍｍ／分）、ホットゾーン構造でインゴット−シリコン融液の接触面の温度勾配をＧ（℃／ｍｍ）とするときに、Ｖ／Ｇ（ｍｍ2／分・℃）を制御することである。この理論では、図１に示すように、Ｖ／Ｇをよこ軸にとり、空孔型点欠陥濃度と格子間シリコン型点欠陥濃度を同一のたて軸にとって、Ｖ／Ｇと点欠陥濃度との関係を図式的に表現し、空孔領域と格子間シリコン領域の境界がＶ／Ｇによって決定されることを説明している。より詳しくは、Ｖ／Ｇ比が臨界点以上では空孔型点欠陥濃度が上昇したインゴットが形成される反面、Ｖ／Ｇ比が臨界点以下では格子間シリコン型点欠陥濃度が上昇したインゴットが形成される。図１において、［Ｉ］は格子間シリコン型点欠陥が支配的であって、格子間シリコン型点欠陥が存在する領域（(Ｖ／Ｇ)1以下）を示し、［Ｖ］はインゴット内での空孔型点欠陥が支配的であって、空孔型点欠陥の凝集体が存在する領域（(Ｖ／Ｇ)2以上）を示し、［Ｐ］は空孔型点欠陥の凝集体及び格子間シリコン型点欠陥の凝集体が存在しないパーフェクト領域（(Ｖ／Ｇ)1〜(Ｖ／Ｇ)2）を示す。領域［Ｐ］に隣接する領域［Ｖ］にはＯＳＦ核を形成する領域（(Ｖ／Ｇ)2〜(Ｖ／Ｇ)3）が存在する。
【００１０】
このパーフェクト領域［Ｐ］は更に領域［ＰI］と領域［ＰV］に分類される。［ＰI］はＶ／Ｇ比が上記(Ｖ／Ｇ)1から臨界点までの領域であり、［ＰV］はＶ／Ｇ比が臨界点から上記(Ｖ／Ｇ)2までの領域である。即ち、［ＰI］は領域［Ｉ］に隣接し、かつ侵入型転位を形成し得る最低の格子間シリコン型点欠陥濃度未満の格子間シリコン型点欠陥濃度を有する領域であり、［ＰV］は領域［Ｖ］に隣接し、かつＯＳＦを形成し得る最低の空孔型点欠陥濃度未満の空孔型点欠陥濃度を有する領域である。
【００１１】
本発明の所定の引上げ速度プロファイルは、インゴットがホットゾーン炉内のシリコン溶融物から引上げられる時、温度勾配に対する引上げ速度の比（Ｖ／Ｇ）が格子間シリコン型点欠陥の凝集体の発生を防止する第１臨界比（(Ｖ／Ｇ)1）以上であって、空孔型点欠陥の凝集体をインゴットの中央にある空孔型点欠陥が支配的に存在する領域内に制限する第２臨界比（(Ｖ／Ｇ)2）以下に維持されるように決められる。
【００１２】
この引上げ速度のプロファイルは、実験的に基準インゴットを軸方向にスライスすることで、又はこれらの技術を組合わせることで、シミュレーションによって上記ボロンコフの理論に基づき決定される。即ち、この決定は、シミュレーションの後、インゴットの軸方向スライス及びスライスされたウェーハの確認を行い、更にシミュレーションを繰り返すことによりなされる。シミュレーションのために複数種類の引上げ速度が所定の範囲で決められ、複数個の基準インゴットが成長される。図２に示すように、シミュレーションのための引上げ速度プロファイルは１．２ｍｍ／分のような高い引上げ速度（a）から０．５ｍｍ／分の低い引上げ速度（c）及び再び高い引上げ速度（d）に調整される。上記低い引上げ速度は０．４ｍｍ／分又はそれ以下であることもあってもよく、引上げ速度（b）及び（d）での変化は線形的なものが望ましい。
【００１３】
異なった速度で引上げられた複数個の基準インゴットは各別に軸方向にスライスされる。最適のＶ／Ｇが軸方向のスライス、ウェーハの確認及びシミュレーションの結果の相関関係から決定され、続いて最適な引上げ速度プロファイルが決定され、そのプロファイルでインゴットが製造される。実際の引上げ速度プロファイルは所望のインゴットの直径、使用される特定のホットゾーン炉及びシリコン融液の品質等を含めてこれに限定されない多くの変数に依存する。
【００１４】
引上げ速度を徐々に低下させてＶ／Ｇを連続的に低下させたときのインゴットの断面図を描いてみると、図３に示される事実が分かる。図３には、インゴット内での空孔型点欠陥が支配的に存在する領域が［Ｖ］、格子間シリコン型点欠陥が支配的に存在する領域が［Ｉ］、及び空孔型点欠陥の凝集体及び格子間シリコン型点欠陥の凝集体が存在しないパーフェクト領域が［Ｐ］としてそれぞれ示される。図３に示すように、インゴットの軸方向位置Ｐ1は、中央に空孔型点欠陥が支配的に存在する領域を含む。位置Ｐ3は格子間シリコン型点欠陥が支配的に存在するリング領域及び中央のパーフェクト領域を含む。また位置Ｐ2は、本発明に関連する中央に空孔型点欠陥の凝集体もなく、縁部分に格子間シリコン型点欠陥の凝集体もないので全てパーフェクト領域である。
【００１５】
図３から明らかなように、位置Ｐ1に対応したウェーハＷ1は、中央に空孔型点欠陥が支配的に存在する領域を含む。位置Ｐ3に対応したウェーハＷ3は、格子間シリコン型点欠陥が支配的に存在するリング及び中央のパーフェクト領域を含む。また位置Ｐ2に対応したウェーハＷ2は、本発明に係るウェーハであって、中央に空孔型点欠陥の凝集体もないし、縁部分に格子間シリコン型点欠陥の凝集体もないので全てパーフェクト領域である。この空孔型点欠陥が支配的に存在する領域のパーフェクト領域に接する僅かな領域（図１の(Ｖ／Ｇ)2〜(Ｖ／Ｇ)3）は、ウェーハ面内でＣＯＰもＬＤも発生していない領域である。しかしこのシリコンウェーハＷ1に対して、従来のＯＳＦ顕在化熱処理に従った、酸素雰囲気下、１０００℃±３０℃の温度で２〜５時間熱処理し、引続き１１３０℃±３０℃の温度で１〜１６時間熱処理すると、ＯＳＦを生じる。図４に示すように、ウェーハＷ1ではウェーハの半径の１／２付近にＯＳＦリングが発生する。このＯＳＦリングで囲まれた空孔型点欠陥が支配的に存在する領域はＣＯＰが出現する傾向がある。
【００１６】
本発明のシリコンウェーハが上述したように領域［ＰV］／領域［ＰI］が面積比で約１の場合には、空孔型点欠陥濃度が低いため、ウェーハ中の炭素濃度を１〜５×１０15／ｃｍ3になるように、また酸素濃度を１×１０18〜１．４５×１０18／ｃｍ3(旧ＡＳＴＭ)になるようにそれぞれ制御し、かつウェーハ裏面に厚さ０．１〜１．６μｍのポリシリコン層を形成する。上記制御及び加工を行うことにより空孔型点欠陥濃度が低くても、所定の熱処理により酸素析出物が作られ、ウェーハ面内で均一なイントリンシックゲッタリング効果を有するようになる。この所定の熱処理は、デバイス製造工程におけるウェーハ熱処理などである。一例を挙げれば、窒素や酸素雰囲気下、８００℃で４時間熱処理した後、窒素や酸素雰囲気下、１０００℃で１６時間熱処理する。
【００１７】
ウェーハ中の炭素濃度の制御は、ＣＺ法に基づいて多結晶シリコンを融解するときに純炭素を添加して、インゴット中の炭素濃度[Ｃｓ]が１〜５×１０15／ｃｍ3になるように行われる。炭素濃度が１×１０15／ｃｍ3未満ではイントリンシックゲッタリング効果に乏しく、５×１０15／ｃｍ3を超えると、所定の熱処理時に酸素析出核の析出過多が起こり過剰な酸素析出物を生じる不具合がある。
またウェーハ裏面のポリシリコン層の形成は、上記条件で引上げられたインゴットをスライスして作製されたシリコンウェーハの裏面に、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により例えばＳｉＨ4を用いて６５０℃±３０℃の温度でポリシリコン層が厚さ０．１〜１．６μｍ、好ましくは０．５〜１．０μｍで形成される。ポリシリコン層の厚さが０．１μｍ未満ではイントリンシックゲッタリング効果に乏しく、１．６μｍを超えると生産性が低下する不具合を生じる。なお、本発明のシリコンウェーハ中の酸素濃度は、１×１０18〜１．４５×１０18／ｃｍ3(旧ＡＳＴＭ)に制御される。
【実施例】
【００１８】
次に本発明の実施例を比較例とともに説明する。
＜実施例１＞
原料の多結晶シリコンに純炭素を加えてこれを融解し、このシリコン融液からインゴット全長が図３に示した位置Ｐ2に対応する領域であって、図１に示したＶ／Ｇが(Ｖ／Ｇ)1以上(Ｖ／Ｇ)2以下の領域に入り、かつ領域［ＰV］／領域［ＰI］が面積比で約１になるようにインゴットを引上げた。引上げられたインゴットからスライスされたシリコンウェーハをラッピングし、面取り加工を施した後、化学エッチング処理によりウェーハ表面のダメージを除去して鏡面シリコンウェーハを得た。この鏡面シリコンウェーハ裏面にＣＶＤ法により、ＳｉＨ4を用いて６５０℃で１．０μｍの厚さでポリシリコン層を形成した。その後、鏡面研磨してシリコンウェーハを得た。
＜実施例２＞
原料の多結晶シリコンに加える純炭素の量を多くした以外、実施例１と同様にして鏡面ウェーハを得た。
＜実施例３＞
ウェーハ裏面のポリシリコン層の厚さを１．５μｍにした以外は、実施例１と同様にして鏡面ウェーハを得た。
＜実施例４＞
ウェーハ裏面のポリシリコン層の厚さを１．５μｍにした以外は、実施例２と同様にして鏡面ウェーハを得た。
【００１９】
＜比較例１＞
インゴット全長が図３に示した位置Ｐ2に対応する領域であって、図１に示したＶ／Ｇが臨界点以上(Ｖ／Ｇ)2以下の領域に入り、かつ領域［ＰV］／領域［ＰI］が面積比で約１になるようにインゴットを引上げた。引上げられたインゴットからスライスされたシリコンウェーハをラッピングし、面取り加工を施した後、化学エッチング処理によりウェーハ表面のダメージを除去して鏡面ウェーハを得た。
＜比較例２＞
原料の多結晶シリコンに加える純炭素の量を比較例１より多くし、ウェーハ裏面に実施例１と同様にして１．０μｍの厚さでポリシリコン層を形成した。それ以外は、比較例１と同様にして鏡面ウェーハを得た。
【００２０】
＜比較例３＞
ウェーハ裏面のポリシリコン層の厚さを１．５μｍにした以外は、比較例２と同様にして鏡面ウェーハを得た。
【００２１】
＜比較評価＞
実施例１〜４及び比較例１〜３の各シリコンウェーハ中のカーボン濃度を荷電粒子放射化分析により、ウェーハ中の酸素濃度をフーリエ変換赤外分光（ＦＴ−ＩＲ）によりそれぞれ測定した。更に各ウェーハを酸素雰囲気下、８００℃で４時間熱処理した後、酸素雰囲気下、１０００℃で１６時間熱処理した。熱処理した後、各ウェーハを劈開し、更にウェーハ表面をライト（Wright）エッチング液で選択エッチングを行い、光学顕微鏡の観察により、ウェーハ表面から深さ３００μｍにおけるウェーハ中心部と、ウェーハの半径の１／２付近の酸素析出物（Bulk Micro Defect、以下、ＢＭＤという。）を測定しその密度を求めた。これらの結果を表１に示す。
【００２２】
【表１】
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【００２３】
表１から明らかなように、シリコンウェーハの熱処理後に、比較例１〜３ではウェーハ中心部とウェーハの半径の１／２付近の双方において、ＢＭＤ密度がイントリンシックゲッタリング効果があるとされる１×１０8／ｃｍ3〜１×１０11／ｃｍ3の範囲に入らなかったのに対して、実施例１〜４のシリコンウェーハではウェーハ中心部とウェーハの半径の１／２付近の双方において、ＢＭＤ密度がイントリンシックゲッタリング効果があるとされる１×１０8／ｃｍ3〜１×１０11／ｃｍ3の範囲に入っていた。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】ボロンコフの理論を基づいた、Ｖ／Ｇ比が臨界点以上では空孔豊富インゴットが形成され、Ｖ／Ｇ比が臨界点以下では格子間シリコン豊富インゴットが形成されることを示す図。
【図２】所望の引上げ速度プロファイルを決定するための引上げ速度の変化を示す特性図。
【図３】本発明による基準インゴットの空孔が支配的に存在する領域、格子間シリコンが支配的に存在する領域及びパーフェクト領域を示すＸ線トポグラフィの概略図。
【図４】図３の位置Ｐ1に対応するシリコンウェーハＷ1にＯＳＦリングが出現する状況を示す図。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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