(57)【要約】【課題】酸化スズ濃度が高いにも関わらず、焼結密度が６．４０ｇ／ｃｍ3 以上であり、かつ、残留応力が残らず、焼結後において割れの生ずることのない高濃度酸化スズＩＴＯ焼結体を提供する。【解決手段】酸化インジウム粉末と酸化スズ粉末を混合し、仮焼することにより、Ｉｎ4Ｓｎ3Ｏ12相が形成された仮焼粉末を得て、該仮焼粉末に、酸化スズの含有量が４０〜６０質量％となるように、酸化インジウム粉末を混合して原料粉末とし、該原料粉末を加圧成形し、焼成することにより、ＩＴＯ焼結体を得る。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化インジウム粉末と酸化スズ粉末を混合し、仮焼することにより、Ｉｎ4Ｓｎ3Ｏ12相が形成された仮焼粉末を得て、該仮焼粉末に、酸化スズの含有量が４０〜６０質量％となるように、酸化インジウム粉末を混合して原料粉末とし、該原料粉末を加圧成形し、焼成することにより、ＩＴＯ焼結体を得ることを特徴とする高濃度酸化スズＩＴＯ焼結体の製造方法。
【請求項２】
前記仮焼粉末における酸化スズの含有量を５０〜８０質量％とすることを特徴とする請求項１に記載の高濃度酸化スズＩＴＯ焼結体の製造方法。
【請求項３】
前記仮焼の温度を、１３００〜１５００℃とすることを特徴とする請求項１または２に記載の高濃度酸化スズＩＴＯ焼結体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイ、エレクトロ・ルミネッセンス（ＥＬ）ディスプレイ、タッチパネル等に用いる透明導電膜を形成する際に用いる高濃度酸化スズＩＴＯ焼結体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＴＯ膜は、透明導電膜として広く用いられており、ＩＴＯ膜を形成する方法に、原料となるＩＴＯ焼結体をターゲットとして用いるスパッタリング法がある。ＩＴＯ焼結体は、酸化インジウム粉末、酸化スズ粉末、あるいは必要により酸化インジウム酸化スズ複合粉末を原料とし、このような原料粉末を加圧成形し、得られた成形体を焼成することにより焼結させる粉末焼結法によって製造される。
【０００３】
ＩＴＯ膜をフィルム基板などの各種基板へ適用するために、非晶質化、高曲げ性能などの特性が、ＩＴＯ膜に求められ、このような要求を満たすためには、ＩＴＯ膜中の酸化スズ濃度を４０質量％以上と高くする必要がある。このため、このようなＩＴＯ膜の原料として、高濃度酸化スズＩＴＯ焼結体からなるターゲットが要望されている。
【０００４】
一般的に、スパッタリング法のターゲットとして用いる焼結体には、高密度であることが求められ、このような酸化スズを多く含む高濃度酸化スズＩＴＯ焼結体においても、例えば、６．４０ｇ／ｃｍ3以上の焼結密度を有することが望まれる。
【０００５】
しかし、酸化スズは、酸化インジウムに比べて蒸気圧が高いため、焼結性において劣っている。このため、酸化スズ濃度が高くなるとともに、ＩＴＯ焼結体は、焼結性が悪くなり、焼結密度が低下してしまう。ＩＴＯ焼結体の焼結密度が低いと、空孔が多くなり、スパッタリングによる成膜時にノジュールが発生しやすくなる。ノジュールとは、スパッタリング時にターゲット表面に析出する黒色の付着物をいう。ノジュールは、成膜速度の低下や異常放電の原因となる上、ノジュール自体が異物（パーティクル）の発生源になる。形成した膜にパーティクルが混在すると膜質の悪化が生じてしまう。
【０００６】
このため、高濃度酸化スズＩＴＯ焼結体の焼結密度を高める試みがなされている。例えば、特定の粒径の酸化インジウム粉末と酸化スズ粉末を混合した後、所定以上の圧力で加圧成形して得られた成形体を、所定の温度範囲の酸素雰囲気中で焼結することにより、高密度のＩＴＯ焼結体を得る方法が、特許文献１（特開２００１−７３１２３号公報）および特許文献２（特開２００４−１４３４８４号公報）に記載されている。これらの製法により、酸化スズ濃度が高い場合においても、ＩＴＯ焼結体の焼結密度を高めることが可能となっている。
【０００７】
しかしながら、かかる製法により得られた高濃度酸化スズＩＴＯ焼結体では、焼結後のＩＴＯ焼結体に残留応力が残り、加工中または保管中に割れが発生するという問題がある。このため、安定して、高濃度酸化スズＩＴＯ焼結体を多量に収率よく生産することは困難である。
【特許文献１】特開２００１−７３１２３号公報
【特許文献２】特開２００４−１４３４８４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、酸化スズ濃度が高いにもかかわらず、高い焼結密度を実現しつつ、保管中および加工中に割れの発生しない高濃度酸化スズＩＴＯ焼結体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係る高濃度酸化スズＩＴＯ焼結体の製造方法では、酸化インジウム粉末と酸化スズ粉末を混合し、仮焼することにより、Ｉｎ4Ｓｎ3Ｏ12相が形成された仮焼粉末を得て、該仮焼粉末に、酸化スズの含有量が４０〜６０質量％となるように、酸化インジウム粉末を混合して原料粉末とし、該原料粉末を加圧成形し、焼成することにより、ＩＴＯ焼結体を得ることを特徴とする。
【００１０】
本発明の対象となる高濃度酸化スズＩＴＯ焼結体における酸化スズの含有量は４０〜６０質量％であるが、前記仮焼粉末を得る工程においては、該仮焼粉末における酸化スズの含有量を５０〜８０質量％となるようにし、その後、仮焼粉末と酸化インジウム粉末を混合した原料粉末における酸化スズの含有量が４０〜６０質量％となるようにすることが、好ましい。
【００１１】
また、前記仮焼の温度を、１３００〜１５００℃とすることが好ましい。
【発明の効果】
【００１２】
本発明により、高い焼結密度を実現しつつ、保管中および加工中に割れの発生しない高濃度酸化スズＩＴＯ焼結体を得ることができる。かかる焼結体をスパッタリングターゲットとして用いることにより、フィルム基板等に適用し得る高密度酸化スズＩＴＯ膜を安定して、かつ、低コストに得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
本発明者が鋭意研究したところ、ＩＴＯ焼結体の割れは、酸化スズが２０質量％を超える濃度領域の焼結体において主相となる中間化合物のＩｎ4Ｓｎ3Ｏ12相に起因して発生するとの知見を得た。
【００１４】
ＩＴＯ焼結体は、主として、スズ原子が固溶するＩｎ2Ｏ3相と中間化合物のＩｎ4Ｓｎ3Ｏ12相からなるが、酸化スズの含有量が増加するに従い、Ｉｎ4Ｓｎ3Ｏ12相の比率が高くなる。高濃度酸化スズＩＴＯ焼結体の主相となるＩｎ4Ｓｎ3Ｏ12相は、層構造を有し、焼結時に歪みを蓄積しやすい。よって、酸化スズの含有量が４０質量％を超える場合には、残留応力がこの相に残ってしまうために、焼結後の割れが生じてしまうものと考えられる。
【００１５】
これに対して、本発明者は、第１段階として、酸化スズ粉末と酸化インジウム粉末を混合し、仮焼することにより、かかる中間化合物のＩｎ4Ｓｎ3Ｏ12相を形成した仮焼粉末を得た後、第２段階として、該仮焼粉末と酸化インジウム粉末とを混合し、加圧成形し、焼成して、原料粉末の成形体を焼結させている。第１段階で形成されるＩｎ4Ｓｎ3Ｏ12相は、拘束されていない粉末状態で形成されるために残留応力の蓄積が少なく、そのため、第２段階で得られる焼結体中の残留応力が従来よりも少なくなり、焼結体が割れ難くなっているものと推察される。このように、高濃度酸化スズＩＴＯ焼結体の製造において、焼結体を得る焼成の前に、予め残留応力の蓄積が少ないＩｎ4Ｓｎ3Ｏ12相を形成することで、焼結体における残留応力の発生を抑制し得るとの知見を得た。
【００１６】
上記知見からは、高濃度酸化スズＩＴＯ焼結体を得るためには、仮焼時に、中間化合物のＩｎ4Ｓｎ3Ｏ12相をすべて形成させ、その後の焼結時においてＩｎ4Ｓｎ3Ｏ12相の形成を抑止することが望ましいことになる。つまり、仮焼粉末におけるインジウムとスズの原子比が４：３、すなわち酸化スズの混合比率を約４５質量％として、仮焼粉末を得るための酸化インジウム粉末と酸化スズ粉末を混合させることが望ましいことになる。
【００１７】
しかし、中間化合物のＩｎ4Ｓｎ3Ｏ12相は、焼結性に劣るため、高密度な焼結体を得るためには、仮焼粉末に酸化インジウム粉末を混合した上で焼成し、焼結体を得る必要がある。なお、高密度な焼結体を得るためには、仮焼粉末と混合する酸化インジウム粉末の量を増やすことが好ましい。このため、仮焼粉末においては、酸化スズの混合比率を５０質量％以上にすることが好ましく、酸化スズの混合比率を６０質量％以上にすることがさらに好ましい。
【００１８】
ただし、仮焼時の酸化スズの混合比率が８０質量％を超えると、仮焼粉末において、Ｉｎ4Ｓｎ3Ｏ12相の形成に消費されなかった酸化スズが、その後の焼結時においてＩｎ4Ｓｎ3Ｏ12相を形成することになるため、焼結体中に焼結時に形成された中間化合物のＩｎ4Ｓｎ3Ｏ12相が増加することになり、割れの原因を抑制することができなくなる。このため、酸化スズの混合比率は８０％以下にすることが好ましい。
【００１９】
仮焼粉末の作製に用いる粉末は、酸化インジウム粉末および酸化スズ粉末ともに、平均粒径が１μｍ以下であることが好ましい。特に、０．８μｍ以下であることがさらに好ましい。焼結体の焼結密度がより高まるからである。
【００２０】
この原料粉末と、純水と、分散剤としてのポリカルボン酸アンモニウム塩とを、原料粉末の濃度が４０〜６０質量％のスラリーとなるように混合タンクにて調合し、スラリーを作製する。このようにして得られたスラリーを、スプレードライヤー装置にて、噴霧および乾燥し、粒径の小さい混合粉末を得る。
【００２１】
仮焼温度は１３００〜１５００℃、好ましくは１３５０〜１４５０℃にする。１３００℃未満の温度で、仮焼すると、Ｉｎ2Ｏ3相のＩｎサイトにＳｎを固溶させたり、あるいは、固溶されない酸化スズのすべてを中間化合物のＩｎ4Ｓｎ3Ｏ12相としたりすることが困難となり、得られた仮焼粉末に、ＳｎＯ2相が多く存在することになる。ＳｎＯ2相は、焼結性に劣り、また、焼結時にＩｎ4Ｓｎ3Ｏ12相を生成させる起因となるため、好ましくない。一方、１５００℃を超える温度では、酸化スズが揮発するようになるため、好ましくない。
【００２２】
仮焼粉末と、別途用意された酸化インジウム粉末とを混合し、原料粉末とする。この際、純水、有機バインダーとしてのポリビニルアルコール、および、分散剤としてのポリカルボン酸アンモニウム塩も混合する。より具体的には、原料粉末の濃度が５０〜７０質量％、好ましくは５５〜６５質量％となるように混合する。このようにして混合して得られたスラリーを粉砕し、粉砕し微粒子化する。原料粉末の混合および粉砕をする方法としては、粒子間に存在する空孔を除去できる粉砕方法が望ましく、微粒子化が可能であるボールミルまたはビーズミルが望ましい。
【００２３】
そして、スプレードライヤー等の乾燥設備を用いてスラリーを噴霧し、乾燥させ、造粒する。造粒粉末は、平均粒径が１０μｍ以上の顆粒状にすることが望ましい。これにより、流動性がよくなり、成形型への充填が容易となる。また、造粒粉末の水分量を調整し、造粒粉末が固くなり過ぎないようにすることが望ましい。
【００２４】
得られた造粒粉末を、９８ＭＰａ以上の圧力で加圧成形して、成形体を得る。９８ＭＰａ未満であると、粒子間に存在する空孔を除去することが困難となり、得られる高濃度酸化スズＩＴＯ焼結体の密度低下をもたらす。また、成形体強度も低くなるため、安定した製造が困難となる。従って、高圧力が得られるプレス機、例えば、冷間静水圧プレスＣＩＰ（Cold Isostatic Press）を用いることが望ましい。
【００２５】
得られた成形体を、常圧の酸素雰囲気中で、焼結保持温度を１５００〜１６００℃、焼結時間を２０〜４０時間、好ましくは２５〜３５時間として、焼成することにより、焼結体を得る。この時、成形体表面を酸化スズ粉末で覆うようにすることが好ましい。これにより、焼結の際に、ターゲット中に存在する酸化スズの揮発を抑えることができる。酸素雰囲気とは、純酸素雰囲気または高濃度酸素雰囲気のことである。焼結温度が１５００℃未満では、体積拡散および表面拡散が進まず、得られる高濃度酸化スズＩＴＯ焼結体が高密度とならない。一方、焼結温度が１６００℃を超えると、酸化スズが焼結体から激しく揮発するようになり、また、炉床板との反応が激しくなる。
【００２６】
かかる製造方法により、焼結密度が６．４０ｇ／ｃｍ3以上の高密度の焼結体を得ることができるとともに、該焼結体は、残留応力の生成が抑止されていることから、加工中および保管中における焼結体の割れを防止することが可能となる。
【実施例】
【００２７】
（実施例１）
平均粒径が１μｍ以下の酸化インジウム粉末が４０質量％、平均粒径が１μｍ以下の酸化スズ粉末が６０質量％となるように、それぞれ秤量し、混合した。かかる粉末と、純水と、分散剤としてのポリカルボン酸アンモニウム塩とを、該粉末の濃度が６０％のスラリーとなるように混合タンクにて調合し、スラリーを作製した。
【００２８】
得られたスラリーを、スプレードライヤー装置（大川原化工機株式会社製、ＯＤＬ−２０型）にて、噴霧および乾燥し、粒径が約５０μｍの混合粉末を得た。
【００２９】
得られた混合粉末を、大気圧焼結炉にて、１４００℃、２０時間、大気中にて仮焼して、仮焼粉末を得た。この仮焼粉末を、Ｘ線回折測定により分析したところ、Ｉｎ4Ｓｎ3Ｏ12相とＳｎＯ2相から形成されていることを確認した。
【００３０】
次いで、この仮焼粉末（酸化スズ６０質量％含有）１００質量部に対して、平均粒径が１μｍ以下の酸化インジウム粉末５０質量部を混合し、原料粉末とした。すなわち、酸化インジウム６０質量％、酸化スズ４０質量％の組成となるようにした。次いで、この原料粉末（酸化インジウム６０質量％、酸化スズ４０質量％）と、純水と、有機バインダーとしてのポリビニルアルコールと、分散剤としてのポリカルボン酸アンモニウム塩とを、混合粉末の濃度が６０％となるように混合し、スラリーを作製した。得られたスラリーを、ボールミルにて２０時間程度、混合および粉砕した。さらに、このスラリーを、熱風温度１６０℃でスプレードライヤー装置（大川原化工機株式会社製、ＯＤＬ−２０型）にて、噴霧および乾燥し、粒径１０〜１００μｍ、タップ密度１．６０ｇ／ｃｍ3の造粒粉末を得た。
【００３１】
得られた造粒粉末を用いて、ＣＩＰ装置（株式会社神戸製鋼所製）を用いて、常温にて１９６ＭＰａの圧力で成形体を作製した。その後、得られた成形体表面を酸化スズ粉末で覆い、１５５０℃で３０時間、本焼成し、２８０×１３０×１０ｍｍの焼結体を得た。
【００３２】
得られた焼結体の焼結密度は、６．８５ｇ／ｃｍ3であった。
【００３３】
５０枚の焼結体を作製したが、いずれも、焼結後の割れや、加工中の割れは、発生しなかった。
【００３４】
（実施例２）
平均粒径が１μｍ以下の酸化インジウム粉末が５０質量％、平均粒径が１μｍ以下の酸化スズ粉末が５０質量％となるように、それぞれ秤量し、得られた５０質量％の酸化スズが含まれる混合粉末を使用したこと以外は、実施例１と同様に、仮焼粉末を得た。実施例１と同様にこの仮焼粉末を、Ｘ線回折測定により分析したところ、Ｉｎ4Ｓｎ3Ｏ12相とＳｎＯ2相から形成されていることを確認した。
【００３５】
得られた仮焼粉末（酸化スズ５０質量％含有）１００質量部に対して、平均粒径が１μｍ以下の酸化インジウム粉末２５質量部を用い、酸化インジウム６０質量％および酸化スズ４０質量％の組成となるように、仮焼粉末と酸化インジウム粉末からなる原料粉末を得たこと以外は、実施例１と同様に、焼結体を得た。
【００３６】
また、得られた焼結体の焼結密度は、６．４７ｇ／ｃｍ3 であった。
【００３７】
実施例１と同様に、５０枚の焼結体を作製したが、いずれも、焼結後の割れや、加工中の割れは、発生しなかった。
【００３８】
（実施例３）
平均粒径が１μｍ以下の酸化インジウム粉末が２０質量％、平均粒径が１μｍ以下の酸化スズ粉末が８０質量％となるように、それぞれ秤量し、得られた８０質量％の酸化スズが含まれる混合粉末を使用したこと以外は、実施例１と同様に、仮焼粉末を得た。実施例１と同様にこの仮焼粉末を、Ｘ線回折測定により分析したところ、Ｉｎ4Ｓｎ3Ｏ12相とＳｎＯ2相から形成されていることを確認した。
【００３９】
得られた仮焼粉末（酸化スズ５０質量％含有）１００質量部に対して、平均粒径が１μｍ以下の酸化インジウム粉末６０質量部を用い、酸化インジウム５０質量％および酸化スズ５０質量％の組成となるように、仮焼粉末と酸化インジウム粉末の原料粉末を得たこと以外は、実施例１と同様に、焼結体を得た。
【００４０】
得られた焼結体の焼結密度は、６．４５ｇ／ｃｍ3 であった。
【００４１】
実施例１と同様に、５０枚の焼結体を作製したが、いずれも、焼結後の割れや、加工中の割れは、発生しなかった。
【００４２】
（実施例４）
平均粒径が１μｍ以下の酸化インジウム粉末が２０質量％、平均粒径が１μｍ以下の酸化スズ粉末が８０質量％となるように、それぞれ秤量し、得られた８０質量％の酸化スズが含まれる混合粉末を使用したこと以外は、実施例１と同様に、仮焼粉末を得た。実施例１と同様にこの仮焼粉末を、Ｘ線回折測定により分析したところ、Ｉｎ4Ｓｎ3Ｏ12相とＳｎＯ2相から形成されていることを確認した。
【００４３】
得られた仮焼粉末（酸化スズ８０質量％含有）１００質量部に対して、平均粒径が１μｍ以下の酸化インジウム粉末３３．３質量部を用いることにより、酸化インジウム４０質量％および酸化スズ６０質量％の組成となるように、仮焼粉末と酸化インジウム粉末の原料粉末を得たこと以外は、実施例１と同様に、焼結体を得た。
【００４４】
得られた焼結体の焼結密度は、６．４０ｇ／ｃｍ3 であった。
【００４５】
実施例１と同様に、５０枚の焼結体を作製したが、いずれも、焼結後の割れや、加工中の割れは、発生しなかった。
【００４６】
（実施例５）
平均粒径が１μｍ以下の酸化インジウム粉末が１０質量％、平均粒径が１μｍ以下の酸化スズ粉末が９０質量％となるように、それぞれ秤量し、得られた８０質量％の酸化スズが含まれる混合粉末を使用したこと以外は、実施例１と同様に、仮焼粉末を得た。実施例１と同様にこの仮焼粉末を、Ｘ線回折測定により分析したところ、Ｉｎ4Ｓｎ3Ｏ12相とＳｎＯ2相から形成されていることを確認した。
【００４７】
得られた仮焼粉末（酸化スズ９０質量％含有）１００質量部に対して、平均粒径が１μｍ以下の酸化インジウム粉末５０質量部を用いることにより、酸化インジウム４０質量％および酸化スズ６０質量％の組成となるように、仮焼粉末と酸化インジウム粉末の原料粉末を得たこと以外は、実施例１と同様に、焼結体を得た。
【００４８】
得られた焼結体の焼結密度は、６．４０ｇ／ｃｍ3 であった。
【００４９】
実施例１と同様に、５０枚の焼結体を作製したが、いずれも、焼結後の割れや、加工中の割れは、発生しなかった。
【００５０】
（実施例６）
平均粒径が１μｍ以下の酸化インジウム粉末が５５質量％、平均粒径が１μｍ以下の酸化スズ粉末が４５質量％となるように、それぞれ秤量し、得られた４５質量％の酸化スズが含まれる混合粉末を使用したこと以外は、実施例１と同様に、仮焼粉末を得た。実施例１と同様にこの仮焼粉末を、Ｘ線回折測定により分析したところ、Ｉｎ4Ｓｎ3Ｏ12相とＳｎＯ2相から形成されていることを確認した。
【００５１】
得られた仮焼粉末（酸化スズ４５質量％含有）１００質量部に対して、平均粒径が１μｍ以下の酸化インジウム粉末１２．５質量部を用いることにより、酸化インジウム６０質量％および酸化スズ４０質量％の組成となるように、仮焼粉末と酸化インジウム粉末の原料粉末を得たこと以外は、実施例１と同様に、焼結体を得た。
【００５２】
得られた焼結体の焼結密度は、６．４０ｇ／ｃｍ3であった。
【００５３】
実施例１と同様に、５０枚の焼結体を作製したが、いずれも、焼結後の割れや、加工中の割れは、発生しなかった。
【００５４】
（比較例１）
平均粒径が１μｍ以下の酸化インジウム粉末が６０質量％、平均粒径が１μｍ以下の酸化スズ粉末が４０質量％となるように、それぞれ秤量し、原料粉末を得た。そして、この原料粉末と、純水と、有機バインダーとしてのポリビニルアルコールと、分散剤としてのポリカルボン酸アンモニウム塩とを、原料粉末の濃度が６０％であるスラリーとなるように混合タンクにて調合し、スラリーを作製した。この際、ボールミルにて２０時間程度、混合および粉砕を行った。そして、得られたスラリーを、熱風温度１６０℃でスプレードライヤー装置（大川原化工機株式会社製、ＯＤＬ−２０型）にて、噴霧および乾燥し、平均粒径が約５０μｍである造粒粉末を得た。このように、仮焼粉末を使用せずに造粒粉末を得た。
【００５５】
得られた造粒粉末を用いて、常温にて１９６ＭＰａの圧力で成形体を作製した。その後、得られた成形体表面を酸化スズ粉末で覆い、１５５０℃で３０時間、焼結し、２８０×１３０×１０ｍｍの焼結体を得た。
【００５６】
得られた焼結体の焼結密度は、６．６６ｇ／ｃｍ3であった。
【００５７】
また、５０枚の焼結体を作製したが、焼結後の割れが２０枚、加工中の割れが２５枚、発生し、高濃度酸化スズＩＴＯ焼結体を安定的に得ることができなかった。
【００５８】
（比較例２）
平均粒径が１μｍ以下の酸化インジウム粉末が５０質量％、平均粒径が１μｍ以下の酸化スズ粉末が５０質量％となるように、それぞれ秤量し、原料粉末を得た。この原料粉末を使用したこと以外は、比較例１と同様に、造粒粉末を得た。
【００５９】
得られた造粒粉末を用いて、比較例１と同様に焼結体を得た。
【００６０】
得られた焼結体の焼結密度は、６．２５ｇ／ｃｍ3であった。
【００６１】
また、５０枚の焼結体を作製したが、焼結後の割れが５枚、加工中の割れが１０枚、発生し、高濃度酸化スズＩＴＯ焼結体を安定的に得ることができなかった。
【００６２】
（比較例３）
平均粒径が１μｍ以下の酸化インジウム粉末が４０質量％、平均粒径が１μｍ以下の酸化スズ粉末が６０質量％となるように、それぞれ秤量し、原料粉末を得た。この原料粉末を使用したこと以外は、比較例１と同様に、造粒粉末を得た。
【００６３】
得られた造粒粉末を用いて、比較例１と同様に焼結体を得た。
【００６４】
得られた焼結体の焼結密度は、６．２２ｇ／ｃｍ3であった。
【００６５】
また、５０枚の焼結体を作製したが、焼結後の割れが３枚、加工中の割れが３枚、発生し、高濃度酸化スズＩＴＯ焼結体を安定的に得ることができなかった。
【００６６】
【表１】
2008260660.tif 000002