(57)【要約】【課題】  非製品用基板を用いずに処理室内の状態安定化処理を実行可能とすることで，非製品用基板の搬送等にかかる時間を省き，製品用基板の処理のスループットを向上させる。【解決手段】  処理室２０２内でウエハＷのプロセス処理を開始するのに先立って，サセプタ２０５にウエハＷを載置しない状態で，処理室内に所定のガスを供給しながら処理室内の排気を行って，サセプタ２０５に高周波電力を印加して，処理室内の状態を安定化させる処理を実行させる。【選択図】    図４
2008251967.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に所定のプロセス処理を施す処理室を含む処理ユニットと，この処理ユニットに接続され，この処理ユニットと前記基板を収納する基板収納容器との間で基板の受け渡しを行う搬送ユニットとを備えた基板処理装置であって，
前記処理室内に配置され，前記基板を載置するサセプタと，
前記サセプタに高周波電力を供給する高周波電源と，
前記処理室内に所定のガスを供給するガス供給手段と，
前記処理室内の排気を行う排気手段と，
前記処理室内で前記基板のプロセス処理を開始するのに先立って，前記サセプタに前記基板を載置しない状態で，前記処理室内に前記ガス供給手段から所定のガスを供給しながら前記排気手段で排気を行って，前記高周波電源からの高周波電力を前記サセプタに印加して，前記処理室内の状態を安定化させる処理を実行させる制御部と，
を備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記制御部は，前記基板が前記基板収納容器から前記処理室内へ搬送されるまでの間に，前記処理室内の状態安定化処理を実行させることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記制御部は，前記基板を複数枚ごとに連続してプロセス処理する場合には，連続処理する基板群のプロセス処理開始前であって，前記基板群のうちの最初にプロセス処理を行う基板が前記基板収納容器から前記処理室内へ搬送されるまでの間に，前記処理室内の状態安定化処理を実行させることを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記制御部は，前記基板が前記処理室内に搬入される前に，前記処理室内の状態安定化処理が終了するように，前記処理室内の状態安定化処理の実行を開始するタイミングを調整することを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記サセプタの基板載置面に形成された複数の噴出口から伝熱ガスを噴出させて，前記基板載置面とそこに載置された基板との間に伝熱ガスを供給する伝熱ガス供給手段を備え，
前記制御部は，前記処理室内の状態安定化処理を行っている間は，前記サセプタの基板載置面に基板を載置しない状態でも，前記伝熱ガス供給手段により前記噴出口から伝熱ガスを噴出させておくことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記制御部は，前記処理室内の状態安定化処理のための複数の処理条件を予め設定記憶する記憶手段を備え，前記処理室内の状態安定化処理を行う際に前記処理条件を前記記憶手段から読出し，前記処理条件に基づいて前記処理室内の状態安定化処理を実行することを特徴とする請求項５に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記処理室内の状態を安定化させる処理は，複数のステップよりなり，
前記処理条件は，前記複数ステップの処理ごとに設定可能としたことを特徴とする請求項６に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記処理条件には，少なくとも前記伝熱ガス供給手段から供給する伝熱ガスの設定圧力を含み，
前記伝熱ガスの設定圧力は，前記基板のプロセス処理を行う際の処理条件よりも低く設定されていることを特徴とする請求項６に記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記処理条件には，少なくとも前記高周波電源から印加する高周波電力の設定電力を含み，
前記設定電力は，前記基板のプロセス処理を行う際の処理条件よりも低く設定されていることを特徴とする請求項６に記載の基板処理装置。
【請求項１０】
基板に対して所定のプロセス処理を実行する処理室を備える基板処理装置の処理室内の状態安定化方法であって，
前記基板処理装置は，前記処理室内に配置され，前記基板を載置するサセプタと，前記サセプタに高周波電力を供給する高周波電源と，前記処理室内に所定のガスを供給するガス供給手段と，前記処理室内の排気を行う排気手段とを備え，
前記処理室内で前記基板のプロセス処理を開始するのに先立って，前記サセプタに前記基板を載置しない状態で，前記処理室内に前記ガス供給手段から所定のガスを供給する工程と，
前記排気手段で前記処理室内の排気を行う工程と，
前記高周波電源からの高周波電力を前記サセプタに印加する工程と，
を有することを特徴とする基板処理装置の処理室内の状態安定化方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は，基板処理装置及びその処理室内の状態安定化方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、半導体デバイスの製造工程にあっては、基板例えば半導体ウエハ（以下，単に「ウエハ」とも称する。）に各種の処理，例えばプラズマエッチング，スパッタリング，ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）等のプロセス処理が複数回繰返し行なわれる。このようなプロセス処理のうち，同種又は異種の処理を施す処理室を複数結合し，各処理室にウエハを次々と連続して搬送することで，ウエハのプロセス処理を連続的に施すことができるようにして処理の効率化を図ることができる，いわゆるクラスタツール型（又はマルチチャンバ型）の基板処理装置が知られている。
【０００３】
このような基板処理装置では，電源を投入して装置を稼働して各処理室内へのウエハの搬送を開始し，各処理室内でウエハのプロセス処理を連続して実行する。ところが，各処理室でウエハのプロセス処理を連続して実行すると，処理室内が副生成物等によって汚染されたり，内部部品が消耗したりする。このため，基板処理装置を一旦停止し，処理室内のクリーニングや消耗品の交換等のメンテナンスを行い，メンテナンス終了後に基板処理装置を再稼働するようにしていた。
【０００４】
このような基板処理装置の各処理室においては，装置の稼働開始時やメンテナンス後の再稼働時などには，直ぐに処理室内で製品用のウエハの処理を実行してしまうと，未だ処理室内の状態が安定していないので，最初の複数枚のウエハについてはそのプロセス特性（ウエハ上に成膜される薄膜の膜厚，エッチングにより形成される素子の形状など）がばらつく虞がある。
【０００５】
このようなプロセスの初期の特性を安定させるため，各処理室で製品用のウエハを処理する前に，例えば処理室の内部部品の温度を定常状態にしたり，処理室内の内壁表面の状態（例えば処理室の内壁に堆積する副生成物などの状態）を調整して製品用ウエハのプロセス処理になじませるシーズニングなどを行い，処理室内の状態を製品用ウエハの生産時に要求される最適な状態に安定化させる処理室内の状態安定化処理（コンディショニングという場合もある）が行われる。
【０００６】
このような処理室内の状態安定化処理は，従来，製品用ウエハとは別に専用のダミーウエハ（非製品用基板）を用意しておき，製品用ウエハの処理を開始する前に，ダミーウエハを各処理室まで搬送して，製品用ウエハのプロセス処理を行う場合と同様の複数の設定条件（プラズマ生成用の高周波電力，処理室内圧力，ガス流量，温度など）を複数のステップごとに設定できるマルチステップによるダミー処理により行われていた（例えば特許文献１参照）。
【０００７】
【特許文献１】特開２００６−１２１０３０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら，このような従来の処理室内の状態安定化処理は，製品用ウエハとは別に用意した専用のダミーウエハを製品用ウエハと同様に処理室内まで搬送してダミー処理を実行し，それが終了するとダミーウエハを処理室内から搬出してからでなければ，製品用ウエハのプロセス処理を実行できなかった。このため，ダミーウエハの搬送にかかる時間だけ，製品用ウエハのプロセス処理を開始するのが遅れるという問題があった。
【０００９】
また，処理室内状態が最適な状態になるように安定化させるためには，複数枚のダミーウエハの連続処理が必要な場合もあり，必要なダミーウエハの枚数が多いほど各ダミーウエハの搬送にかかる時間も増えるので，処理室内の状態安定化処理が完了するまでに時間がかかり，スループットが低下してしまう。
【００１０】
さらに，専用のダミーウエハは非常に高価であるため，処理室内の状態安定化処理に必要なダミーウエハの枚数が多いほど，基板処理装置の運転コストも多くかかるという問題もあった。
【００１１】
そこで，本発明は，このような問題に鑑みてなされたもので，その目的とするところは，非製品用基板を用いずに処理室内の状態安定化処理を実行できるようにすることで，非製品用基板の搬送等にかかる時間を省くことができ，製品用基板の処理のスループットを向上させることができる基板処理装置等を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記課題を解決するために，本発明のある観点によれば，基板に所定のプロセス処理を施す処理室を含む処理ユニットと，この処理ユニットに接続され，この処理ユニットと前記基板を収納する基板収納容器との間で基板の受け渡しを行う搬送ユニットとを備えた基板処理装置であって，前記処理室内に配置され，前記基板を載置するサセプタと，前記サセプタに高周波電力を供給する高周波電源と，前記処理室内に所定のガスを供給するガス供給手段と，前記処理室内の排気を行う排気手段と，前記処理室内で前記基板のプロセス処理を開始するのに先立って，前記サセプタに前記基板を載置しない状態で，前記処理室内に前記ガス供給手段から所定のガスを供給しながら前記排気手段で排気を行って，前記高周波電源からの高周波電力を前記サセプタに印加して，前記処理室内の状態を安定化させる処理を実行させる制御部とを備えることを特徴とする基板処理装置が提供される。
【００１３】
上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，基板に対して所定のプロセス処理を実行する処理室を備える基板処理装置の処理室内の状態安定化方法であって，前記基板処理装置は，前記処理室内に配置され，前記基板を載置するサセプタと，前記サセプタに高周波電力を供給する高周波電源と，前記処理室内に所定のガスを供給するガス供給手段と，前記処理室内の排気を行う排気手段とを備え，前記処理室内で前記基板のプロセス処理を開始するのに先立って，前記サセプタに前記基板を載置しない状態で，前記処理室内に前記ガス供給手段から所定のガスを供給する工程と，前記排気手段で前記処理室内の排気を行う工程と，前記高周波電源からの高周波電力を前記サセプタに印加する工程と，を有することを特徴とする基板処理装置の処理室内の状態安定化方法が提供される。
【００１４】
このような本発明によれば，製品基板のプロセス処理に先立って行う処理室内の状態を安定化させる処理を，サセプタに前記基板を載置しない状態で実行できるので，従来必要であった高価な非製品用基板を不要にすることができる。これにより，基板処理装置の運転コストを削減することができるとともに，非製品用基板の搬送等にかかる時間を省くことができ，製品用基板の処理のスループットを向上させることができる。また，非製品用基板を用いなくても，処理室内にガス供給手段から所定のガスを供給しながら排気手段で排気を行って，高周波電源からの高周波電力をサセプタに印加させる処理を行うので，処理室内の状態を所望の状態に安定化させることができる。
【００１５】
また，上記制御部は，前記基板が前記基板収納容器から前記処理室内へ搬送されるまでの間に，前記処理室内の状態安定化処理を実行させるようにしてもよい。これによれば，基板の搬送処理と並行して処理室内の状態安定化処理を行うことができるので，製品用基板の処理が終了する時間を短縮することができる。
【００１６】
また，上記制御部は，前記基板を複数枚ごとに連続してプロセス処理する場合には，連続処理する基板群のプロセス処理開始前であって，前記基板群のうちの最初にプロセス処理を行う基板が前記基板収納容器から前記処理室内へ搬送されるまでの間に，前記処理室内の状態安定化処理を実行させるようにしてもよい。これによれば，一群の基板のプロセス処理にかかる時間を短縮することができるので，処理全体のスループットを向上させることができる。
【００１７】
また，上記制御部は，前記基板が前記処理室内に搬入される前に，前記処理室内の状態安定化処理が終了するように，前記処理室内の状態安定化処理の実行を開始するタイミングを調整するようにしてもよい。これによれば，例えば基板が搬入されるまでに時間がかかる処理室であっても，室内状態安定化処理の終了直後の最適な状態でウエハのプロセス処理を実行させることができるので，プロセス特性のさらに向上させることができる。
【００１８】
また，上記サセプタの基板載置面に形成された複数の噴出口から伝熱ガスを噴出させて，前記基板載置面とそこに載置された基板との間に供給する伝熱ガス供給手段を備え，前記制御部は，前記処理室内の状態安定化処理を行っている間は，前記サセプタの基板載置面に基板を載置しない状態でも，前記伝熱ガス供給手段により前記噴出口から伝熱ガスを噴出させておくことが好ましい。これによれば，処理室内の状態安定化処理を行っている間，サセプタ上にウエハがないために露出してしまう各噴出口からパーティクルなどの侵入を防ぐことができる。
【００１９】
また，上記制御部は，前記処理室内の状態安定化処理のための複数の処理条件を予め設定記憶する記憶手段を備え，前記処理室内の状態安定化処理を行う際に前記処理条件を前記記憶手段から読出し，前記処理条件に基づいて前記処理室内の状態安定化処理を実行することが好ましい。この場合，上記処理室内の状態を安定化させる処理は，複数のステップより構成し，前記処理条件は前記複数ステップの処理ごとに設定可能とすることで，非製品用ウエハを用いずに行う処理室内の状態安定化処理であっても，製品用ウエハと同様に複数のステップで複数の処理条件を設定可能となり，処理室内の状態をより最適な状態にすることができる。
【００２０】
また，上記処理条件には，少なくとも前記伝熱ガス供給手段から供給する伝熱ガスの設定圧力を含み，前記伝熱ガスの設定圧力は，前記基板のプロセス処理を行う際の処理条件よりも低く設定されていることが好ましい。これによれば，処理室内の状態安定化処理の間にサセプタ表面に露出している噴出口から伝熱ガスがそのまま処理室内に噴出されても，例えば処理室内で発生したプラズマなどに影響を与えることもない。
【００２１】
また，上記処理条件には，少なくとも前記高周波電源から印加する高周波電力の設定電力を含み，前記設定電力は，前記基板のプロセス処理を行う際の処理条件よりも低く設定されていることが好ましい。非製品用基板なしの処理室内状態安定化処理では，サセプタが処理室内に露出しているので，製品用基板のプロセス処理の場合と同様の高周波電力を印加したのでは，例えばプラズマが発生したときにサセプタの表面に異常放電が発生する虞があるからこれを防止するためである。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば，非製品用基板を用いずに処理室内の状態安定化処理を実行できるので，非製品用基板の搬送等にかかる時間を省くことができ，製品用基板の処理のスループットを向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下に添付図面を参照しながら，本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお，本明細書及び図面において，実質的に同一の機能構成を有する構成要素については，同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００２４】
（基板処理装置の構成例）
先ず，本発明の実施形態にかかる基板処理装置について図面を参照しながら説明する。図１は本発明の実施形態にかかる基板処理装置の概略構成を示す断面図である。この基板処理装置１００は，基板例えば半導体ウエハ（以下，単に「ウエハ」ともいう。）Ｗに対して真空圧雰囲気中でウエハＷに例えば成膜処理（例えばプラズマＣＶＤ処理）やエッチング処理（例えばプラズマエッチング処理）などの所定の処理を施す複数の処理室を備える処理ユニット１１０と，この処理ユニット１１０に対してウエハＷを搬出入させる搬送ユニット１２０とを備える。ここでは，ウエハＷに対してエッチング処理を施す６つのプラズマ処理装置２００Ａ〜２００Ｆを備え，これらの処理室２０２Ａ〜２０２Ｆを共通搬送室１５０の周りに接続した場合を例に挙げて説明する。
【００２５】
搬送ユニット１２０は例えば図１に示すように構成される。搬送ユニット１２０は基板収納容器例えば後述するカセット容器１３２（１３２Ａ〜１３２Ｃ）と処理ユニット１１０との間でウエハＷを搬出入する搬送室１３０を有している。搬送室１３０は，断面略多角形の箱体状に形成されている。搬送室１３０における断面略多角形状の長辺を構成する一側面には，複数のカセット台１３１（１３１Ａ〜１３１Ｃ）が並設されている。これらカセット台１３１Ａ〜１３１Ｃはそれぞれ，基板収納容器の１例としてのカセット容器１３２Ａ〜１３２Ｃを載置可能に構成されている。
【００２６】
各カセット容器１３２（１３２Ａ〜１３２Ｃ）には，例えばウエハＷの端部を保持部で保持することにより，例えば最大２５枚のウエハＷを等ピッチで多段に載置して収容できるようになっており，内部は例えばＮ２ガス雰囲気で満たされた密閉構造となっている。そして，搬送室１３０はその内部へゲートバルブ１３３（１３３Ａ〜１３３Ｃ）を介してウエハＷを搬出入可能に構成されている。なお，カセット台１３１とカセット容器１３２の数は，図１に示す場合に限られるものではない。
【００２７】
上記搬送室１３０の端部，すなわち断面略多角形状の短辺を構成する一側面には，内部に回転載置台１３８とウエハＷの周縁部を光学的に検出する光学センサ１３９とを備えた位置決め装置としてのオリエンタ（プリアライメントステージ）１３６が設けられている。このオリエンタ１３６では，例えばウエハＷのオリエンテーションフラットやノッチ等を検出して位置合せを行う。
【００２８】
上記搬送室１３０内には，ウエハＷをその長手方向（図１に示す矢印方向）に沿って搬送する搬送ユニット側搬送機構（搬送室内搬送機構）１７０が設けられている。搬送ユニット側搬送機構１７０が固定される基台１７２は，搬送室１３０内の中心部を長さ方向に沿って設けられた案内レール１７４上にスライド移動可能に支持されている。この基台１７２と案内レール１７４にはそれぞれ，リニアモータの可動子と固定子とが設けられている。案内レール１７４の端部には，このリニアモータを駆動するための図示しないリニアモータ駆動機構が設けられている。リニアモータ駆動機構には，制御部３００が接続されている。これにより，制御部３００からの制御信号に基づいてリニアモータ駆動機構が駆動し，搬送ユニット側搬送機構１７０が基台１７２とともに案内レール１７４に沿って矢印方向へ移動するようになっている。
【００２９】
搬送ユニット側搬送機構１７０は，２つのピック１７３Ａ，１７３Ｂを有するダブルアーム機構より構成されており，一度に２枚のウエハＷを取り扱うことができるようになっている。これにより，例えばカセット容器１３２，オリエンタ１３６，各ロードロック室１６０Ｍ，１６０Ｎなどに対してウエハＷを搬出入する際に，ウエハＷを交換するように搬出入することができる。なお，搬送ユニット側搬送機構１７０のピックの数は上記のものに限られず，例えば１つのみのピックを有するシングルアーム機構であってもよい。
【００３０】
次に，処理ユニット１１０の構成例について説明する。例えばクラスタツール型の基板処理装置の場合には，処理ユニット１１０は図１に示すように多角形（例えば六角形）に形成された共通搬送室１５０の周囲に，６つのプラズマ処理装置２００Ａ〜２００Ｆの処理室２０２Ａ〜２０２Ｆ及びロードロック室１６０Ｍ，１６０Ｎを気密に接続して構成される。
【００３１】
各処理室２０２Ａ〜２０２Ｆ内にはそれぞれ，サセプタ２０５Ａ〜２０５Ｆがそれぞれ設けられている。このサセプタ２０５Ａ〜２０５Ｆは下部電極として機能するとともに，ウエハＷを載置する載置台としても機能する。本実施形態にかかるプラズマ処理装置２００Ａ〜２００Ｆは，ウエハＷに対するプラズマエッチング処理を行うのに先立って，それぞれの処理室２０２Ａ〜２０２Ｆ内の状態を安定化させてウエハＷの処理になじませる処理室内状態安定化処理を実行可能に構成されている。このようなプラズマ処理装置２００Ａ〜２００Ｆの具体的構成例は後述する。
【００３２】
上記共通搬送室１５０は，上述したような各処理室２０２Ａ〜２０２Ｆの間，又は各処理室２０２Ａ〜２０２Ｆと各第１，第２ロードロック室１６０Ｍ，１６０Ｎとの間でウエハＷを搬出入する機能を有する。共通搬送室１５０は多角形（例えば六角形）に形成されており，その周りに上記各処理室２０２Ａ〜２０２Ｆがそれぞれゲートバルブ１４４Ａ〜１４４Ｆを介して接続されているとともに，第１，第２ロードロック室１６０Ｍ，１６０Ｎの先端がそれぞれゲートバルブ（真空圧側ゲートバルブ）１５４Ｍ，１５４Ｎを介して接続されている。第１，第２ロードロック室１６０Ｍ，１６０Ｎの基端は，それぞれゲートバルブ（大気圧側ゲートバルブ）１６２Ｍ，１６２Ｎを介して搬送室１３０における断面略多角形状の長辺を構成する他側面に接続されている。
【００３３】
第１，第２ロードロック室１６０Ｍ，１６０Ｎは，ウエハＷを一時的に保持して圧力調整後に，次段へパスさせる機能を有している。各第１，第２ロードロック室１６０Ｍ，１６０Ｎの内部にはそれぞれ，ウエハＷを載置可能な受渡台１６４Ｍ，１６４Ｎが設けられている。
【００３４】
このような処理ユニット１１０では，上述したように共通搬送室１５０と各処理室２０２Ａ〜２０２Ｆとの間及び共通搬送室１５０と上記各ロードロック室１６０Ｍ，１６０Ｎとの間はそれぞれ気密に開閉可能に構成され，クラスタツール化されており，必要に応じて共通搬送室１５０内と連通可能になっている。また，上記第１及び第２の各ロードロック室１６０Ｍ，１６０Ｎと上記搬送室１３０との間も，それぞれ気密に開閉可能に構成されている。
【００３５】
共通搬送室１５０内には，例えば屈伸・昇降・旋回可能に構成された多関節アームよりなる処理ユニット側搬送機構（共通搬送室内搬送機構）１８０が設けられている。この処理ユニット側搬送機構１８０は基台１８２に回転自在に支持されている。基台１８２は，共通搬送室１５０内の基端側から先端側にわたって配設された案内レール１８４上を例えば図示しないスライド駆動用モータによりスライド移動自在に構成されている。なお，基台１８２には例えばアーム旋回用のモータなどの配線を通すためのフレキシブルアーム１８６が接続されている。このように構成された処理ユニット側搬送機構１８０によれば，この処理ユニット側搬送機構１８０を案内レール１８４に沿ってスライド移動させることにより，各ロードロック室１６０Ｍ，１６０Ｎ及び各処理室２０２Ａ〜２０２Ｆにアクセス可能となる。
【００３６】
例えば処理ユニット側搬送機構１８０を各ロードロック室１６０Ｍ，１６０Ｎ及び対向配置された処理室２０２Ａ，２０２Ｆにアクセスさせる際には，処理ユニット側搬送機構１８０を案内レール１８４に沿って共通搬送室１５０の基端側寄りに位置させる。また，処理ユニット側搬送機構１８０を４つの処理室２０２Ｂ〜２０２Ｅにアクセスさせる際には，処理ユニット側搬送機構１８０を案内レール１８４に沿って共通搬送室１５０の先端側寄りに位置させる。これにより，１つの処理ユニット側搬送機構１８０により，共通搬送室１５０に接続されるすべてのロードロック室１６０Ｍ，１６０Ｎや各処理室２０２Ａ〜２０２Ｆにアクセス可能となる。処理ユニット側搬送機構１８０は，２つのピック１８３Ａ，１８３Ｂを有しており，一度に２枚のウエハＷを取り扱うことができるようになっている。
【００３７】
なお，処理ユニット側搬送機構１８０の構成は上記のものに限られず，２つの搬送機構によって構成してもよい。例えば共通搬送室１５０の基端側寄りに屈伸・昇降・旋回可能に構成された多関節アームよりなる第１搬送機構を設けるとともに，共通搬送室１５０の先端側寄りに屈伸・昇降・旋回可能に構成された多関節アームよりなる第２搬送機構を設けるようにしてもよい。また，処理ユニット側搬送機構１８０のピックの数は，２つの場合に限られることはなく，例えば１つのみのピックを有するものであってもよい。
【００３８】
上記基板処理装置１００には，各プラズマ処理装置２００Ａ〜２００Ｆ，搬送ユニット側搬送機構１７０，処理ユニット側搬送機構１８０，各ゲートバルブ１３３，１４４，１５４，１６２，オリエンタ１３６などの制御を含め，基板処理装置全体の動作を制御する制御部３００が設けられている。
【００３９】
（制御部の構成例）
ここで，制御部３００の構成例を図面を参照しながら説明する。制御部３００は，図２に示すように，ＣＰＵ（中央処理装置）３１０，ＣＰＵ３１０が各部を制御するデータなどを格納するＲＯＭ（Ｒｅａｄ−Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）３２０，ＣＰＵ３１０が行う各種データ処理のために使用されるメモリエリアなどを設けたＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ−Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）３３０，操作画面や選択画面などを表示する液晶ディスプレイなどで構成される表示手段３４０，オペレータによる種々のデータの入出力などを行うことができる入出力手段３５０，例えばブザーのような警報器などで構成される報知手段３６０，基板処理装置１００の各部を制御するための各種コントローラ３７０，基板処理装置１００に適用される各種プログラムデータを格納するプログラムデータ記憶手段３８０，およびプログラムデータに基づくプログラム処理を実行するときに使用する各種設定情報を記憶する設定情報記憶手段３９０を備える。プログラムデータ記憶手段３８０と設定情報記憶手段３９０は，例えばフラッシュメモリ，ハードディスク，ＣＤ−ＲＯＭなどの記録媒体で構成され，必要に応じてＣＰＵ３１０によってデータが読み出される。
【００４０】
プログラムデータ記憶手段３８０には，例えば搬送ユニット側搬送機構１７０と処理ユニット側搬送機構１８０の動作を制御する搬送プログラム３８２と，各処理室２０２Ａ〜２０２Ｆなどの処理を行うための各種処理プログラム３８４が記憶されている。各種処理プログラム３８４としては，例えば各処理室２０２Ａ〜２０２ＦにおけるウエハＷに対するプロセス処理（ここではプラズマエッチング処理）を行うためのプロセス処理プログラム，後述する各処理室２０２Ａ〜２０２Ｆ内の状態を安定化させる処理を行うための処理室内状態安定化処理プログラムが挙げられる。
【００４１】
また，設定情報記憶手段３９０には，例えば処理ユニット側搬送機構１８０と搬送ユニット側搬送機構１７０がアクセスするポイントの位置座標などウエハＷの搬送処理を行う際に必要な搬送設定情報３９２が記憶されている。また，各種の処理に必要な処理条件のデータ（レシピデータ）などの各種処理設定情報３９４が記憶されている。各種処理設定情報３９４としては，例えばプロセス処理における処理室内圧力，ガス流量，高周波電力，伝熱ガス圧力，温度，処理時間等の処理条件，処理室内状態安定化処理における処理室内圧力，ガス流量，高周波電力，伝熱ガス圧力，温度，処理時間等の処理条件などが記憶されている。
【００４２】
これらのＣＰＵ３１０，ＲＯＭ３２０，ＲＡＭ３３０，表示手段３４０，入出力手段３５０，報知手段３６０，各種コントローラ３７０，プログラムデータ記憶手段３８０，および設定情報記憶手段３９０は，制御バス，システムバス，データバスなどのバスラインによって電気的に接続されている。
【００４３】
（基板処理装置の動作）
次に，上記のように構成された基板処理装置１００の動作について説明する。例えばカセット容器１３２Ａに収容されたウエハＷの処理を行う際には，搬送ユニット側搬送機構１７０によりカセット容器１３２ＡからウエハＷを搬出する。オリエンタ１３６まで搬送されてオリエンタ１３６の回転載置台１３８に移載され，ここで位置決めされる。位置決めされたウエハＷは，オリエンタ１３６から搬出されてロードロック室１６０Ｍ又は１６０Ｎ内へ搬入される。このとき，必要なすべての処理が完了した処理完了ウエハＷがロードロック室１６０Ｍ又は１６０Ｎにあれば，処理完了ウエハＷを搬出してから，未処理ウエハＷを搬入する。
【００４４】
ロードロック室１６０Ｍ又は１６０Ｎへ搬入されたウエハＷは，処理ユニット側搬送機構１８０によりロードロック室１６０Ｍ又は１６０Ｎから搬出され，そのウエハＷが例えばプラズマ処理装置２００Ａの処理室２０２Ａへ搬入される。ウエハＷは，処理室２０２Ａ内の下部電極として機能するサセプタ２０５Ａ上に載置され，後述するプラズマエッチング処理が施される。
【００４５】
処理室２０２Ａでの処理が完了した処理済ウエハＷは，処理ユニット側搬送機構１８０により処理室２０２Ａから搬出され，ロードロック室１６０Ｍ又は１６０Ｎに戻される。そして，ロードロック室１６０Ｍ又は１６０ＮのウエハＷは搬送ユニット側搬送機構１７０により搬出され，元のカセット容器１３２Ａに戻される。
【００４６】
（プラズマ処理装置の構成例）
次に，このようなプラズマ処理装置２００Ａ〜２００Ｆの具体的構成例について図面を参照しながら説明する。なお，本実施形態にかかる基板処理装置１００では，プラズマ処理装置２００Ａ〜２００Ｆは同様に構成される場合を例に挙げるため，以下，符号のＡ〜Ｆを省略したプラズマ処理装置２００によって代表して説明する。図３はこのようなプラズマ処理装置２００の概略構成を示す断面図である。プラズマ処理装置２００は平行平板型のプラズマエッチング装置である。
【００４７】
図３に示すように，プラズマ処理装置２００の処理室２０２は，例えば表面が陽極酸化処理（アルマイト処理）されたアルミニウムから成る円筒形状に成形された処理容器により構成される。この処理室２０２は接地されている。処理室２０２内の底部にはセラミックなどの絶縁板２０３を介して，略円柱状のサセプタ支持台２０４が設けられており，このサセプタ支持台２０４上にサセプタ２０５が設けられている。このサセプタ２０５にはハイパスフィルタ（ＨＰＦ）２０６が接続されている。サセプタ２０５は，下部電極として機能するとともに，ウエハＷを載置する載置台としても機能する。
【００４８】
サセプタ支持台２０４の内部には，温度調節媒体室２０７が設けられている。そして，導入管２０８を介して温度調節媒体室２０７に温度調節媒体（例えば冷媒）が導入，循環され，排出管２０９から排出される。このような温度調節媒体の循環により，サセプタ２０５を所望の温度に調整できる。
【００４９】
サセプタ２０５は，その上側中央部が凸状の円板状に成形され，その上にウエハＷと略同形の静電チャック２１１が設けられている。静電チャック２１１は，絶縁材の間に電極２１２が介在された構成となっている。この電極２１２には直流電源２１３がスイッチ２１３ａを介して電気的に接続されている。このように構成される静電チャック２１１によれば，直流電源２１３からの直流電圧（例えば１．５ｋＶ）により，クーロン力でウエハＷをサセプタ２０５上に吸着保持することができる。
【００５０】
サセプタ２０５は，その基板載置面に形成された複数の噴出口２１４ａから，基板載置面とそこに載置されたウエハＷとの間に伝熱ガス（例えばＨｅガスなどのバックサイドガス）を供給する伝熱ガス供給手段を備える。伝熱ガス供給手段は，絶縁板２０３，支持台２０４，サセプタ２０５，静電チャック２１１に形成されたガス通路２１４を備える。このガス通路２１４は，その下流側が噴出口２１４ａに連通しており，上流側には図示しない伝熱ガス源（例えばチラーユニット）が接続されている。伝熱ガス源からの伝熱ガスは，ガス通路２１４を通って噴出口２１４ａからウエハＷの裏側へ供給される。この伝熱ガスを介してサセプタ２０５とウエハＷとの間の熱伝達がなされ，ウエハＷが所定の温度に維持される。
【００５１】
サセプタ２０５の上端周縁部には，静電チャック２１１上に載置されたウエハＷを囲むように，環状のフォーカスリング２１５が配置されている。このフォーカスリング２１５は，セラミックスもしくは石英などの絶縁性材料，または導電性材料によって構成されている。フォーカスリング２１５が配置されることによって，エッチングの均一性が向上する。
【００５２】
また，下部電極であるサセプタ２０５の上方には，このサセプタ２０５と平行に対向して上部電極として機能するシャワーヘッド２２１が設けられている。シャワーヘッド２２１は，処理室２０２内へ所定のガスを導入するガス供給手段としても機能する。シャワーヘッド２２１は，絶縁材２２２を介して，処理室２０２の内部に支持されている。シャワーヘッド２２１は，サセプタ２０５との対向面を構成し多数の吐出孔２２３を有する上部電極を構成する電極板２２４と，この電極板２２４を支持する電極支持体２２５とによって構成されている。電極板２２４は例えば石英から成り，電極支持体２２５は例えば表面がアルマイト処理されたアルミニウムなどの導電性材料から成る。なお，下部電極であるサセプタ２０５と上部電極であるシャワーヘッド２２１との間隔は，調節可能とされている。
【００５３】
シャワーヘッド２２１における電極支持体２２５の中央には，ガス導入口２２６が設けられている。このガス導入口２２６には，ガス供給管２２７が接続されている。さらにこのガス供給管２２７には，バルブ２２８およびマスフローコントローラ２２９を介して，ガス供給源２３０が接続されている。
【００５４】
このガス供給源２３０から，例えばエッチング処理のための処理ガスやエッチング処理に先立って行われる後述の処理室内状態安定化処理のための処理ガスが供給されるようになっている。なお，図３にはガス供給管２２７，バルブ２２８，マスフローコントローラ２２９，およびガス供給源２３０等から成るガス供給系を１つのみ示しているが，プラズマ処理装置２００は，複数のガス供給系を備えている。例えば，ＣＦ４，ＣＨＦ３，Ｃ４Ｆ８，Ａｒ，Ｎ２，Ｏ２等のガスが，それぞれ独立に流量制御され，処理室２０２内に供給される。例えばＣＦ４，ＣＨＦ３，Ｃ４Ｆ８，Ａｒ，Ｎ２などはエッチング処理に用いられ，Ｏ２，Ａｒは処理室内状態安定化処理に用いられる。
【００５５】
処理室２０２の底部には排気管２３１が接続されており，この排気管２３１には排気手段２３５が接続されている。排気手段２３５は，ターボ分子ポンプなどの真空ポンプを備えており，処理室２０２内を所定の減圧雰囲気に調整する。
【００５６】
上部電極であるシャワーヘッド２２１には，第１の高周波電源２４０が接続されており，その給電線には第１の整合器２４１が介挿されている。また，シャワーヘッド２２１にはローパスフィルタ（ＬＰＦ）２４２が接続されている。この第１の高周波電源２４０は，５０〜１５０ＭＨｚの範囲の周波数を有する電力を出力することが可能である。このように高い周波数の第１の高周波電力を上部電極であるシャワーヘッド２２１に印加することにより，処理室２０２内に好ましい解離状態でかつ高密度のプラズマを形成することができ，低圧条件下のプラズマ処理が可能となる。第１の高周波電源２４０の第１の高周波電力の周波数は，５０〜８０ＭＨｚが好ましく，典型的には図示した６０ＭＨｚまたはその近傍の周波数が使われる。
【００５７】
下部電極であるサセプタ２０５には，第２の高周波電源２５０が接続されており，その給電線には第２の整合器２５１が介挿されている。この第２の高周波電源２５０は数百ｋＨｚ〜十数ＭＨｚの範囲の周波数を有する電力を出力することが可能である。このような範囲の周波数の電力をサセプタ２０５に印加することにより，被処理体であるウエハＷに対してダメージを与えることなく適切なイオン作用を与えることができる。第２の高周波電源２５０の出力電力の周波数は，典型的には図示した２ＭＨｚまたは１３．５６ＭＨｚ等に調整される。本実施形態においては，２ＭＨｚとした。
【００５８】
（プラズマ処理装置の処理）
このような構成のプラズマ処理装置２００で実行される処理について説明する。本実施形態にかかるプラズマ処理装置２００では，ウエハＷのプラズマエッチング処理を実行する。制御部３００により設定情報記憶手段３９０の各種処理設定情報３９４から予め設定されたエッチング処理の処理条件（レシピ）と，プログラムデータ記憶手段３８０の各種処理プログラム３８４からエッチング処理プログラムが読出され，そのエッチング処理の処理条件に基づいてエッチング処理プログラムが実行されて，ウエハＷに対するエッチング処理が行われる。
【００５９】
具体的には，図３に示すようにウエハＷがゲートバルブ１４４を介して搬入され，サセプタ２０５上に載置されると，処理室２０２内は所定の真空圧力に保持され，サセプタ２０５の温度が温度調整媒体によって所定の温度に調整される。この状態で，所定の処理ガス（例えばＣＦ４，ＣＨＦ３など）が導入され，上部電極であるシャワーヘッド２２１と下部電極であるサセプタ２０５にそれぞれ所定の高周波電力が印加されると，処理ガスのプラズマが発生し，ウエハＷにエッチング処理などのプロセス処理が施される。
【００６０】
このようなプロセス処理は，例えば次のような複数のステップにより実行される。すなわち，プラズマを立ち上げて安定させる初期ステップと，次に実行されるウエハＷに対して所定時間のエッチングを行うエッチング処理ステップと，エッチング実行後の処理室２０２内の状態を整える終了ステップである。なお，終了ステップには，直前のエッチング処理工程におけるエッチング処理を終点で終了する終点工程も含まれる。
【００６１】
これらのステップでは，例えば処理室内圧力，各電極（ここでは上部電極と下部電極）に印加する高周波電力，ＣＦ４，ＣＨＦ３などの各ガス流量，伝熱ガス（ここではＨｅガス）の圧力，サセプタ温度，処理時間などの処理条件が各ステップごとに設定されている。
【００６２】
なお，プロセス処理のステップは，上記のものに限られるものではなく，また，上記の各ステップ（初期ステップ，エッチング処理ステップ，終了ステップ）をそれぞれさらに細かい複数のステップで構成することもできる。また，プロセス処理の処理条件（レシピ）も上記のものに限られるものではない。
【００６３】
ところで，このようなプラズマ処理装置２００では，装置の稼働開始時やメンテナンス後の再稼働時などには，直ぐに処理室２０２内で製品用のウエハＷの処理を実行してしまうと，未だ処理室２０２内の状態（例えばプラズマの状態，処理室２０２内のサセプタ等のパーツの温度や処理室内圧力，処理室２０２の内表面の状態など）が最適な状態に安定していないので，最初に処理される複数枚のウエハについてはプロセス特性（ウエハ上に成膜される薄膜の膜厚，エッチングにより形成される素子の形状など）がばらつく虞がある。
【００６４】
このようなプロセスの初期の特性を安定させるため，処理室２０２で製品用のウエハＷを処理する前に，例えば処理室２０２のサセプタ２０５などの内部部品の温度を定常状態にしたり，処理室内の内壁表面の状態（例えば処理室の内壁に堆積する副生成物などの状態）を調整して製品用ウエハのプロセス処理になじませるシーズニングなどを行ったりして，処理室２０２内の状態を製品用ウエハの生産時に要求される最適な状態に安定化させる処理室内の状態安定化処理（コンディショニングという場合もある）を行う。
【００６５】
本実施形態では，サセプタ２０５上にウエハＷを載置しない状態でも製品用ウエハのプロセス処理を行う場合と同様にマルチステップによる処理室内状態安定化処理を行うことができるようにして，従来のような専用のダミーウエハを不要とした点に特徴がある。
【００６６】
従来はダミーウエハを用いていたので，製品用ウエハのプロセス処理を行う場合と同様に，サセプタへ印加する高周波電力，処理室内圧力，ガス流量，温度など複数の設定条件を複数のステップごとに設定できるマルチステップによる処理室内状態安定化処理を行うことが可能であった。
【００６７】
ところが，従来のプラズマ処理装置では，サセプタ上にウエハＷを載置しない状態では，製品用ウエハと同様のマルチステップによる処理を行うこと自体想定されておらず，このようなマルチステップによる処理ができるようにはなっていなかった。これは，サセプタ上にウエハＷを載置しない状態では，例えばサセプタの表面が処理室内に露出してしまうなど，ウエハＷを載置している状態とは処理室内の状態が異なるので，従来のように製品用ウエハと同様のマルチステップによる処理を行うと，プラズマを発生させたときに異常放電が生じたり，サセプタの表面に露出した伝熱ガスの孔からパーティクル等が侵入したりといった問題が考えられるからである。
【００６８】
従って，従来のプラズマ処理装置では，ウエハＷなしで処理室内の状態安定化処理を行おうとしても，例えばサセプタの設定温度など設定可能な項目が極めて限定されており，しかも単一のステップだけの処理でしか設定できなかったので，ダミーウエハがない状態では，最適な処理室内状態安定化処理を行うことができなかった。
【００６９】
そこで，本実施形態にかかるプラズマ処理装置２００では，サセプタ２０５上に従来のような専用のダミーウエハがなくても，製品用ウエハのプロセス処理を行う場合と同様にマルチステップによる処理室内状態安定化処理を行うことができるようにして，従来のような専用のダミーウエハを不要としたものである。また，本実施形態にかかる処理室内状態安定化処理では，その処理条件の一部を，製品用ウエハのプロセス処理を行う場合の処理条件とは変えることにより，サセプタ２０５上にウエハＷがない状態で実行する場合の問題が発生しないように，最適な処理室内状態安定化処理を実行することができる。
【００７０】
（処理室内状態安定化処理の具体例）
このような本実施形態にかかる処理室内状態安定化処理の具体例について図面を参照しながら説明する。図４は，本実施形態にかかる処理室内状態安定化処理におけるプラズマ処理装置２００の動作を説明するための図である。なお，図４は，説明を分かり易くするために，図３に示すプラズマ処理装置の構成の主要部を拡大したものであり，構成の一部を省略して記載している。ここでは，Ｏ２ガス，Ａｒガスの混合ガスを処理ガスとして用いて処理室内状態安定化処理を行う場合を例に挙げる。制御部３００により設定情報記憶手段３９０の各種処理設定情報３９４から予め設定された処理室内状態安定化処理の処理条件（レシピ）と，プログラムデータ記憶手段３８０の各種処理プログラム３８４から処理室内状態安定化処理プログラムが読出され，その処理室内状態安定化処理の処理条件に基づいて処理室内状態安定化処理プログラムが実行されて，処理室内状態安定化処理が行われる。
【００７１】
図４に示すようにサセプタ２０５にウエハＷが載置されていない状態で，処理室２０２内は所定の真空圧力に保持され，サセプタ２０５の温度が温度調整媒体によって所定の温度に調整される。この状態で，所定の処理ガス（ここでは，Ｏ２ガス，Ａｒガスの混合ガス）が導入され，上部電極であるシャワーヘッド２２１と下部電極であるサセプタ２０５にそれぞれ所定の高周波電力が印加されると，処理ガスのプラズマが発生し，処理室２０２内の状態がこれから製品用ウエハのエッチング処理を行うのに最低な状態に安定化される。
【００７２】
このような処理室内状態安定化処理は，例えば次のような複数のステップにより実行される。すなわち，プラズマを立ち上げて安定させる初期ステップと，次に実行されるサセプタ２０５の温度など各パーツを安定させる安定ステップと，最後に実行される処理室２０２内のパーティクル除去などの最終ステップである。
【００７３】
これらのステップでは，例えば処理室内圧力，各電極（ここでは上部電極と下部電極）に印加する高周波電力，Ｏ２，Ａｒの各ガス流量，伝熱ガス（ここではＨｅガス）の圧力，サセプタ温度，処理時間などの処理条件が各ステップごとに設定されている。
【００７４】
各ステップの処理条件のうち，各電極に印加する高周波電力については，製品用ウエハのプロセス処理（ここではエッチング処理）の場合よりも低く設定することが好ましい。これは，本実施形態にかかるウエハなしの処理室内状態安定化処理では，図４に示すようにサセプタ２０５が処理室２０２内に露出しているので，製品用ウエハのプロセス処理の場合と同様の高周波電力を印加したのでは，例えばプラズマが発生したときにサセプタ２０５の表面に異常放電が発生する虞があるからこれを防止するためである。
【００７５】
また，本実施形態にかかる処理室内状態安定化処理では，サセプタ２０５にウエハＷを載置しないので，サセプタ２０５の表面上に伝熱ガスを供給する必要はないとも考えられるが，図４に示すようにサセプタ２０５の表面には伝熱ガスの複数の噴出口２１４ａが露出してしまうので，各噴出口２１４ａからパーティクルなどの侵入を防ぐために，伝熱ガスについても供給する。
【００７６】
但し，伝熱ガスの圧力は，製品用ウエハのエッチング処理の場合よりも低く設定することが好ましい。これは，ウエハＷがないので，ウエハＷを伝熱ガスで例えば冷却する必要がなく，また図４に示すように伝熱ガスは噴出口２１４ａからそのまま処理室２０２内に噴出されるので，処理室２０２内で発生したプラズマなどに影響を与えないように，噴出口２１４ａからパーティクルなどの侵入を防ぐことができる程度で十分だからである。
【００７７】
なお，処理室内状態安定化処理のステップは，上記のものに限られるものではなく，また，上記の各ステップ（初期ステップ，安定ステップ，終了ステップ）をそれぞれさらに細かい複数のステップで構成することもできる。また，処理室内状態安定化処理の処理条件（レシピ）も上記のものに限られるものではない。
【００７８】
このように，本実施形態では，サセプタ２０５にウエハＷが載置されていない状態でも，製品用ウエハと同様のマルチステップによる処理室内状態安定化処理を可能とすることにより，ダミーウエハＷを使用することなく，処理室２０２内の状態を製品用ウエハの処理に最適な状態に安定化させることができる。
【００７９】
これにより，高価なダミーウエハを用いなくて済むため，運転コストを低下させることができる。さらに，ダミーウエハの搬送処理等を省略することができるので，処理室内状態安定化処理にかかる時間を短縮することができ，全体のスループットを向上させることができる。また，本実施形態にかかる処理室内状態安定化処理は，ダミーウエハＷの搬送処理が必要ないので，各処理室２０２Ａ〜２０２Ｆの状態安定化処理を実行するタイミングを，その処理室の運用に合わせて自由に調整することができる。例えばウエハＷがカセット容器１３２から処理室２０２内へ搬送されるまでの間にウエハＷの搬送と並行して行うことができるので，製品用ウエハの処理が終了する時間を短縮することができる。さらに，プラズマ処理装置２００の装置を稼働した直後（装置の立上げ直後）に各処理室２０２Ａ〜２０２Ｆの状態安定化処理を実行してもよく，また一群のウエハ（１ロット（例えば２５枚）のウエハ）ごとに連続してプロセス処理を実行する場合には，各ロットごとの最初の製品用ウエハのプロセス処理前に各処理室２０２Ａ〜２０２Ｆの状態安定化処理を実行するようにしてもよい。これによれば，一群のウエハＷのプロセス処理にかかる時間を短縮することができるので，処理全体のスループットを向上させることができる。
【００８０】
（処理室内状態安定化処理の実行タイミングの具体例）
ここで，このようなダミーウエハを用いずに行う処理室内状態安定化処理の実行タイミングの具体例を図面を参照しながら基板処理装置全体の動作とともに説明する。ここでは，一群の製品用ウエハを連続処理する場合に最初の製品用ウエハのプロセス処理前に処理室内状態安定化処理を実行する場合を例に挙げる。図５は本実施形態にかかる処理室内状態安定化処理を行う場合の基板処理装置全体のウエハの搬送シーケンスの具体例を示す図であって，基板処理装置１００が立ち上げられて（電源投入時又はメンテナンス後の再稼働時を含む），一群の製品用ウエハを連続処理する場合である。
【００８１】
なお，ここでは説明を簡単にするため，図１に示す処理室２０２Ａ〜２０２Ｆのうちの１つの処理室（ここでは「ＰＭ１」とする。）のみを稼働し，カセット容器１３２Ａ〜１３２Ｃのうちの１つのカセット容器（ここでは「ＦＯＵＰ」とする）に収容された一群の製品用ウエハＡ（例えば１ロット２５枚の製品用ウエハＡ０１〜Ａ２５）を１枚ずつ取出して処理室ＰＭ１に順次搬送し，連続して製品用ウエハＡのエッチング処理を実行する場合を例に挙げる。また，カセット容器ＦＯＵＰ１から取出された製品用ウエハＡは第１ロードロック室１６０Ｍを介して搬送室１３０から共通搬送室１５０へ搬入され，処理室ＰＭ１でのエッチング処理が終了した製品用ウエハＡは第２ロードロック室１６０Ｎを介して共通搬送室１５０から搬送室１３０へ戻されることとする。この場合の第１，第２ロードロック室１６０Ｍ，１６０Ｎをそれぞれ，ここでは「ＬＬＭ１」，「ＬＬＭ２」とする。さらに，オリエンタ１３６，搬送ユニット側搬送機構１７０，処理ユニット側搬送機構１８０をそれぞれ，ここでは「ＯＲＴ」，「ＬＭＡ」，「ＴＭＡ」とする。
【００８２】
図５に示す斜線部分は，基板処理装置１００の各部が処理を実行している時間（例えばウエハ搬送では製品用ウエハＡを搬送処理している時間，プロセスでは製品用ウエハＡに対してエッチング処理を行っている時間，真空引きではプロセス・モジュールの真空引き処理を行っている時間），すなわち各部のアクティブ時間を示す。図５において，説明を簡単にするために，各部のアクティブ時間は，升目を利用して表している。１つの升目の横幅は，一定時間（例えば８〜２０秒）の基本単位時間Ｔを示しており，各部のアクティブ時間（斜線部分の長さ）は，上記基本単位時間Ｔの整数倍で表している。
【００８３】
図５に示すように，基板処理装置１００が立ち上げられると，その直後（ｔ０）から処理室ＰＭ１の状態安定化処理が開始される。それと同時（ｔ０）に最初の製品用ウエハＡ０１の搬送が開始される。すなわち，搬送ユニット側搬送機構ＬＭＡによりカセット容器ＦＯＵＰから製品用ウエハＡ０１が取出され（ｔ０〜ｔ１），オリエンタＯＲＴに搬送され（ｔ１〜ｔ２），位置合わせが行われる（ｔ２〜ｔ４）。位置合わせが終了した製品用ウエハＡ０１は，搬送ユニット側搬送機構ＬＭＡによりオリエンタＯＲＴから取出され（ｔ４〜ｔ５），第１ロードロック室ＬＬＭ１へ搬入される（ｔ５〜ｔ６）。
【００８４】
第１ロードロック室ＬＬＭ１で大気圧状態から所定の減圧状態への圧力調整がされると（ｔ６〜ｔ８），処理ユニット側搬送機構ＴＭＡにより第１ロードロック室ＬＬＭ１から製品用ウエハＡ０１が取出され（ｔ８〜ｔ９），処理室ＰＭ１に搬入される（ｔ９〜ｔ１０）。このとき，製品用ウエハＡ０１が処理室ＰＭ１に搬入される前には，その処理室ＰＭ１の状態安定化処理が終了している（ｔ０〜ｔ９）。
【００８５】
一方，製品用ウエハＡ０１を第１ロードロック室ＬＬＭ１に搬入した直後（ｔ６）に，搬送ユニット側搬送機構ＬＭＡによりカセット容器ＦＯＵＰから次の製品用ウエハＡ０２が取出され（ｔ６〜ｔ７），オリエンタＯＲＴに搬送され（ｔ７〜ｔ８），位置合わせが行われる（ｔ８〜ｔ１０）。こうして，搬送ユニット側搬送機構ＬＭＡは，オリエンタＯＲＴの製品用ウエハを第１ロードロック室ＬＬＭ１に搬入すると，次の製品用ウエハをカセット容器ＦＯＵＰに取りに行く。こうして，カセット容器ＦＯＵＰの製品用ウエハは順次第１ロードロック室ＬＬＭ１へ搬入される。
【００８６】
そして，オリエンタＯＲＴで製品用ウエハＡ０２の位置合わせが終了すると（ｔ８〜ｔ１０），処理室ＰＭ１で製品用ウエハＡ０１のプロセス処理が行われている間に，第１ロードロック室ＬＬＭ１に搬入される（ｔ１３〜ｔ１４）。次いで第１ロードロック室ＬＬＭ１で大気圧状態から所定の減圧状態への圧力調整がされると（ｔ１４〜ｔ１６），処理ユニット側搬送機構ＴＭＡにより第１ロードロック室ＬＬＭ１から製品用ウエハＡ０２が取出されて処理室ＰＭ１の手前まで搬送され（ｔ１６〜ｔ１７），処理室ＰＭ１で製品用ウエハＡ０１のプロセス処理が終了するまで待機状態となる。その後，製品用ウエハＡ０１のプロセス処理が終了すると（ｔ１９），処理済みの製品用ウエハＡ０１との交換で製品用ウエハＡ０２が処理室ＰＭ１に搬入され（ｔ１９〜ｔ２１），プロセス処理が開始される（ｔ２１）。
【００８７】
処理済みの製品用ウエハＡ０１は，処理ユニット側搬送機構ＴＭＡにより第２ロードロック室ＬＬＭ２に搬入される（ｔ２３〜ｔ２４）。次いで第２ロードロック室ＬＬＭ２で所定の減圧状態から大気圧状態への圧力調整がされると（ｔ２４〜ｔ２６），搬送ユニット側搬送機構ＬＭＡにより第２ロードロック室ＬＬＭ２から取出され（ｔ２６〜ｔ２７），元のカセット容器ＦＯＵＰに戻される。こうして，一群の製品用ウエハＡ０１〜Ａ２５の処理が順次連続して行われる。
【００８８】
このように，本実施形態では，ダミーウエハを使わずに状態安定化処理を行うことができるので，基板処理装置１００の立上げ直後（ｔ０）から処理室ＰＭ１の状態安定化処理を開始することができ，最初の製品用ウエハＡ０１を処理室ＰＭ１まで搬送している間に（ｔ０〜ｔ１０），状態安定化処理を終了（ｔ９）させることができる。これにより，最初の製品用ウエハＡ０１は処理室ＰＭ１に搬送されると直ぐにエッチングなどのプロセス処理を開始できるので，処理のスループットを向上させることができる。
【００８９】
これと比較するために，ダミーウエハＷｄを用いて行う処理室内状態安定化処理を行う場合の基板処理装置全体のウエハの搬送シーケンスの比較例を図６に示す。ここでは，ダミーウエハＷｄが製品用ウエハＡ０１〜Ａ２５と同じカセット容器ＦＯＵＰに収納されているものとする。
【００９０】
ダミーウエハＷｄを用いる場合には，図６に示すように，最初の製品用ウエハＡ０１にエッチング処理を施す前に，カセット容器ＦＯＵＰからダミーウエハＷｄを取出して（ｔ０〜ｔ１），処理室ＰＭ１まで搬入して（ｔ１〜ｔ１０），処理室内状態安定化処理を行う（ｔ１０〜ｔ１９）。このため，図５に示す最初の製品用ウエハＡ０１の搬送処理（ｔ０〜ｔ１０），プロセス処理（ｔ１０〜ｔ１９）を行う時間に，ダミーウエハＷｄの搬送処理，処理室内状態安定化処理が行われることになるので，その分だけ１ロット分の製品用ウエハＡ０１〜Ａ２５のプロセス処理を開始する時間が遅れてしまうことがわかる。しかも，ダミーウエハＷｄが処理室ＰＭ１内に搬送されてからでないと，処理室内状態安定化処理を開始できないので，その分だけ処理室内状態安定化処理が終了するまでに時間がかかる。従って，製品用ウエハの各ロットごとにダミーウエハＷｄを用いて処理室内状態安定化処理を行うと，各ロットごとにダミーウエハＷｄを搬送しなければならないので，その分各ロットごとに製品用ウエハのプロセス処理が完了するまでに時間がかかる。
【００９１】
これに対して，ダミーウエハＷｄを用いない場合には，図５に示すように，ダミーウエハＷｄの搬送処理を省略することができるので，製品用ウエハＡ０１の搬送処理の開始（ｔ０）と同時に処理室内状態安定化処理を実行することもでき，最初の製品用ウエハＡ０１を搬送している間に処理室内状態安定化処理を終了させることができるので，図６に示す場合に比して１ロット分の製品用ウエハＡ０１〜Ａ２５のプロセス処理を開始できるタイミング（ｔ１０）も早い。従って，このようなダミーウエハＷｄを用いない処理室内状態安定化処理を，各ロットの製品用ウエハごとに行うことにより，図６に示す場合に比して各ロットごとに製品用ウエハのプロセス処理が完了するまでの時間を短縮することができる。これにより，製品用ウエハの処理のスループットを向上させることができる。
【００９２】
なお，図５において処理室内状態安定化処理の処理時間（ｔ０〜ｔ９）は，例えば製品用ウエハＡ０１のプロセス処理の処理時間（ｔ１０〜ｔ１９）と同じにした場合について説明したが，プロセス処理の処理時間と異なっていてもよい。すなわち，処理室内状態安定化処理の処理時間は，例えば処理室内の状況や製品用ウエハのプロセス処理の種類やレシピ等に応じて，製品ウエハの処理の処理時間よりも長くしてもよく，短くしてもよい。
【００９３】
また，上述した実施形態では，処理室内状態安定化処理を開始するタイミングをプラズマ処理装置の立上げ直後とした場合について説明したが，必ずしもこれに限定されるものではなく，各処理室２０２にウエハが搬送されてプロセス処理が開始されるまでに，処理室内状態安定化処理が終了するようにその開始タイミングを調整するようにしてもよい。これによれば，例えばウエハが搬入されるまでに時間がかかる処理室であっても，室内状態安定化処理の終了直後の最適な状態でウエハのプロセス処理を実行させることができるので，プロセス特性をさらに向上させることができる。
【００９４】
上記実施形態により詳述した本発明については，複数の機器から構成されるシステムに適用しても，１つの機器からなる装置に適用してもよい。上述した実施形態の機能を実現するソフトウェアのプログラムを記憶した記憶媒体等の媒体をシステム或いは装置に供給し，そのシステム或いは装置のコンピュータ（またはＣＰＵやＭＰＵ）が記憶媒体等の媒体に格納されたプログラムを読み出して実行することによっても，本発明が達成されることは言うまでもない。
【００９５】
この場合，記憶媒体等の媒体から読み出されたプログラム自体が上述した実施形態の機能を実現することになり，そのプログラムを記憶した記憶媒体等の媒体は本発明を構成することになる。プログラムを供給するための記憶媒体等の媒体としては，例えば，フロッピー（登録商標）ディスク，ハードディスク，光ディスク，光磁気ディスク，ＣＤ−ＲＯＭ，ＣＤ−Ｒ，ＣＤ−ＲＷ，ＤＶＤ−ＲＯＭ，ＤＶＤ−ＲＡＭ，ＤＶＤ−ＲＷ，ＤＶＤ＋ＲＷ，磁気テープ，不揮発性のメモリカード，ＲＯＭ，或いはネットワークを介したダウンロードなどを用いることができる。
【００９６】
なお，コンピュータが読み出したプログラムを実行することにより，上述した実施形態の機能が実現されるだけでなく，そのプログラムの指示に基づき，コンピュータ上で稼動しているＯＳなどが実際の処理の一部または全部を行い，その処理によって上述した実施形態の機能が実現される場合も，本発明に含まれる。
【００９７】
さらに，記憶媒体等の媒体から読み出されたプログラムが，コンピュータに挿入された機能拡張ボードやコンピュータに接続された機能拡張ユニットに備わるメモリに書き込まれた後，そのプログラムの指示に基づき，その機能拡張ボードや機能拡張ユニットに備わるＣＰＵなどが実際の処理の一部または全部を行い，その処理によって上述した実施形態の機能が実現される場合も，本発明に含まれる。
【００９８】
以上，添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが，本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された範疇内において，各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【００９９】
例えば，本発明は，図１に示すクラスタツールタイプの基板処理装置に限られず，様々なタイプの基板処理装置に適用できる。また，基板処理装置に設けられる処理室についてもプラズマエッチング処理装置の処理室のみならず，成膜装置，熱処理装置など他の装置の処理室であってもよい。また，プラズマ処理装置は，必ずしも上部電極と下部電極に別々の高周波電力を印加するものでなくてもよく，例えば下部電極のみに高周波電力を印加するものであってもよい。
【産業上の利用可能性】
【０１００】
本発明は，基板処理装置及びその処理室内の状態安定化方法に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１０１】
【図１】本発明の実施形態にかかる基板処理装置の構成例を示す断面図である。
【図２】本実施形態にかかる制御部の構成例を示すブロック図である。
【図３】本実施形態にかかる基板処理装置に設けられるプラズマ処理装置の構成例を示す断面図である。
【図４】本実施形態にかかる処理室内状態安定化処理を行う場合の動作を説明するための図である。
【図５】本実施形態にかかるダミーウエハを用いない処理室内状態安定化処理を行う場合の基板処理装置全体のウエハの搬送シーケンスの具体例を示す図である。
【図６】ダミーウエハを用いた処理室内状態安定化処理を行う場合の基板処理装置全体のウエハの搬送シーケンスの比較例を示す図である。
【符号の説明】
【０１０２】
１００      基板処理装置
１１０      処理ユニット
１２０      搬送ユニット
１３０      搬送室
１３１（１３１Ａ〜１３１Ｃ）      カセット台
１３２（１３２Ａ〜１３２Ｃ）      カセット容器
１３３（１３３Ａ〜１３３Ｃ）      ゲートバルブ
１３６      オリエンタ
１３８      回転載置台
１３９      光学センサ
１４４（１４４Ａ〜１４４Ｆ）      ゲートバルブ
１５０      共通搬送室
１５４Ｍ，１５４Ｎ      ゲートバルブ
１６２Ｍ，１６２Ｎ      ゲートバルブ
１６０（１６０Ｍ，１６０Ｎ）      ロードロック室
１６４（１６４Ｍ，１６４Ｎ）      受渡台
１７０      搬送ユニット側搬送機構
１７２      基台
１７３Ａ，１７３Ｂ      ピック
１７４      案内レール
１８０      処理ユニット側搬送機構
１８２      基台
１８３Ａ，１８３Ｂ      ピック
１８４      案内レール
１８６      フレキシブルアーム
２００（２００Ａ〜２００Ｆ）      プラズマ処理装置
２０２（２０２Ａ〜２０２Ｆ）      処理室
２０３      絶縁板
２０４      サセプタ支持台
２０５（２０５Ａ〜２０５Ｆ）      サセプタ（下部電極）
２０６      ハイパスフィルタ
２０７      温度調節媒体室
２０８      導入管
２０９      排出管
２１１      静電チャック
２１２      電極
２１３      直流電源
２１３ａ    スイッチ
２１４      ガス通路
２１４ａ    噴出口
２１５      フォーカスリング
２２１      シャワーヘッド
２２２      絶縁材
２２３      吐出孔
２２４      電極板
２２５      電極支持体
２２６      ガス導入口
２２７      ガス供給管
２２８      バルブ
２２９      マスフローコントローラ
２３０      ガス供給源
２３１      排気管
２３５      排気手段
２４０      第１の高周波電源
２４１      第１の整合器
２４２      ローパスフィルタ
２５０      第２の高周波電源
２５１      第２の整合器
３００      制御部
３１０      ＣＰＵ
３２０      ＲＯＭ
３３０      ＲＡＭ
３４０      表示手段
３５０      入出力手段
３６０      報知手段
３７０      各種コントローラ
３８０      プログラムデータ記憶手段
３８２      搬送プログラム
３８４      各種処理プログラム
３９０      設定情報記憶手段
３９２      搬送設定情報
３９４      各種処理設定情報
Ｗ，Ａ        ウエハ
Ｗｄ      ダミーウエハ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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