(57)【要約】      （修正有）【課題】２次元フォトニック結晶共振器の作製誤差に起因する偏光モード分裂を微細に調整する。【解決手段】２次元スラブ型フォトニック結晶に点欠陥を生成することで構成した共振器において、点欠陥に最も近接する格子点では無い格子点の屈折率の周期構造を、第１の光閉じ込め方向（Ｘ偏光方向）及びこれと直交する第２の光閉じ込め方向（Ｙ偏光方向）に関して非対称に変化させることにより、共振器のＸ偏光モードとＹ偏光モードの共鳴波長の差を解消する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
高屈折材料と低屈折材料とで構成される周期構造を備えた２次元フォトニック結晶の格子面内に第１の光閉じ込め方向及びこれと直交する第２の光閉じ込め方向のそれそれについて対称に配置されている格子点の少なくとも一つを、点状に欠落させて点状欠陥を設けたフォトニック結晶共振器であって、
前記高屈折材料と前記低屈折材料との周期構造は、前記点状欠陥に最も近接する格子点ではない格子点において、前記第１及び第２の光閉じ込め方向で非対称に変調されたことを特徴とするフォトニック結晶共振器。
【請求項２】
前記高屈折材料はＧａＡｓであり、前記低屈折材料は、前記高屈折材料に形成された空孔であることを特徴とする請求項１記載のフォトニック結晶共振器。
【請求項３】
偏光が直交する共振器モードの共鳴波長の差が共振器モードの半値全幅の２分の１以下であることを特徴とする請求項１又は２記載のフォトニック結晶共振器。
【請求項４】
前記高屈折率材料からなる２次元スラブ内に設定された前記格子点に、前記低屈折材料が所定の同一寸法・形状で配列されており、
前記点状欠陥は前記格子点を少なくとも一つ含み、該点状欠陥に含まれる格子点には、前記低屈折材料が配置されておらず、
前記点状欠陥に最も近接して配置される前記低屈折率材料は、寸法及び形状の少なくとも一方が、前記所定の同一寸法・形状から変えられていることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項記載のフォトニック結晶共振器。
【請求項５】
請求項４記載のフォトニック結晶共振器を用いた光子対発生装置であって、
前記点状欠陥には単一の量子ドットが埋め込まれた構造を有し、前記量子ドットにおける励起子分子を生成する手段を備えており、
励起子分子発光が緩和する過程において励起子分子発光に対応する第１の光子と励起子発光に対応する第２の光子とを発生し、前記第１及び第２の光子が量子力学的にもつれあっていることを特徴とする光子対発生装置。
【請求項６】
請求項４記載のフォトニック結晶共振器を用いた光子位相変調装置であって、
前記点状欠陥には、単一の２準位系が埋め込まれた構造を有し、
前記２準位系に入射する制御光子によって前記２準位系の複素屈折率が変化することにより、該２準位系に別途入射される被制御光子の位相が変調されることを特徴とする光子位相変調装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はフォトニック結晶共振器及びこれを用いた光子対発生装置、光子位相変調装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
フォトニック結晶は、屈折率の異なる物質が周期的に分布した光学機能材料であり、光子のエネルギーと伝播方向に対してバンド構造が形成されている。このバンド構造は、光の伝播が許容されないフォトニックバンドが存在することが特徴である。
【０００３】
周期構造としては、微細加工上の都合によりスラブ状の半導体薄膜に微小な開口を周期的に設ける方法が用いられることが多い。例えば、直径の同じ円孔を三角格子状に配列することでフォトニック結晶を構成することができる。
【０００４】
フォトニック結晶は、周期的な屈折率分布を変調することによって様々な光学機能を付加することが可能である。例えば、フォトニック結晶から円孔の列を１次元的に取り除くと、フォトニックバンドギャップ中のあるエネルギーの光について伝播が許容される。この１次元的な構造は「線欠陥」と呼ばれ、特定のエネルギーの光のみがこの線欠陥を伝播する。この線欠陥は光導波路として用いられる他に、他の線欠陥と結合させることで合分波器として用いられる。
【０００５】
また、円孔を一つ又は複数個、点状に取り除くと、点欠陥を構成できる。この場合はフォトニックバンドギャップ中に特定のエネルギーの光が定在波として存在することが可能となる。すなわち、点欠陥は光を閉じ込める共振器として機能する（特許文献１、２参照）。
【０００６】
フォトニック結晶を構成する屈折率の周期分布は、光の波長の数分の１程度であるため、これらの構造によって形成される線状構造及び共振器は光の波長と同程度の大きさである。したがって、光の波長と同程度の微小な空間に光回路、共振器などの光学機能素子を実現することが可能となる。フォトニック結晶は、非常に狭い空間に光の電磁波を閉じ込めることができるため、光通信における合分波やレーザ以外の新たな分野への適用もなされている。
【０００７】
フォトニック結晶共振器では、モード体積を波長程度にまで小さくすることが可能であるため、共振器中に量子力学的な２準位系を置くと、この２準位系の上準位から下準位への自然放出レートが変化することが知られている。この効果はパーセル効果として知られている。この微小なモード体積を利用することで、蛍光の輻射寿命を制御することが可能となる。
【０００８】
この２準位系には、例えば単一の半導体量子ドットが用いられる。フォトニック結晶共振器の中の半導体量子ドットは、非特許文献１に示されるように、パーセル効果を利用して所望の時間に単一の光子を放出する単一光子光源として機能する。単一光子光源は量子暗号鍵配送に代表される量子情報処理の分野において必要とされる。
【０００９】
さらに最近では、量子ドットを利用して量子力学的な相関（エンタングルメント）のある光子対（以下、エンタングルメント光子対）を生成する試みもなされている（非特許文献２、３）。エンタングルメントは、光子や電子などの複数の粒子の間に起こる量子力学的な相関であり、測定されるまで状態が確定しないという特徴を持つ。このため、空間的に離れた点に量子力学的状態を転送する「量子テレポーテーション」に使われる。また、これを応用して、量子暗号鍵配布の長距離化を始めとする量子情報処理に応用される。
【００１０】
フォトニック結晶共振器のパーセル効果は、エンタングルメント光子対の発生効率やフィデリティと呼ばれるエンタングルメントの程度を向上させるのに有効であり、その方法が非特許文献４に開示されている。
【００１１】
しかしながら、特許文献４の方法で量子ドットによるエンタングルメント光子対源の機能を、フォトニック結晶を用いて向上させるためには次のような問題がある。
【００１２】
量子ドットから放出されるエンタングルメント光子対は、偏光について量子力学的な相関を持つ状態であり、フォトニック結晶共振器の共振器モードに偏光依存性が無いことが要求される。このため、２次元スラブ型のフォトニック結晶では、正方格子あるいは三角格子など、スラブ面内で対称性のある格子パターンが使用される。これらの格子で構成されるフォトニック結晶の第１バンドギャップ内の最もエネルギーの低い共振モードは、二つの面内で直交する双極子的な電磁場分布を示し、それぞれの共鳴エネルギーが等しいことが理論的に示されている。この共振モードを利用することで偏光依存性のないフォトニック結晶共振器を実現できる。
【００１３】
しかしながら、現実にこのようなフォトニック結晶共振器を作成すると、これらの二つの双極子的なモードは異なるエネルギーに分裂することが実験的に示されている。この分裂は、面内の対称性が完全ではないために生じており、これはフォトニック結晶を作成するプロセス（電子ビームリソグラフィ、ドライエッチング）の不完全性に起因するとされている。このため、通常の方法で作られるフォトニック結晶共振器はエンタングルメント光子対発生に用いることができない。
【００１４】
図６に、高屈折率物質１４をＧａＡｓ、低屈折率物質１３を円孔（空気）で構成したフォトニッククリスタル共振器１１を示す。格子点は三角格子によって構成され、一つの円孔を高屈折率物質１４で満たすことで点欠陥１２を形成できる。点欠陥１２による共振器をＨ１型共振器と呼ぶ。
【００１５】
このＨ１型フォトニック結晶共振器の共振器モードスペクトルを図７に示す。図に現れている二つのピーク（符号２１、２２）が偏光が直交する共振器モードに対応している。このように、フォトニック結晶を作成する上での誤差により、波長１３００ｎｍ付近において２ｎｍ程度の分裂を示す。
【００１６】
この分裂量は、共振器モード設計波長１３００ｎｍの約１．５％である。半導体結晶に作られる２次元スラブ型のフォトニック結晶は、電子ビーム（ＥＢ）リソグラフィによる格子パターン描画、ドライエッチングによる空孔の形成、ウエットエッチングによる犠牲層の除去という手順で作成される。したがって、この分裂量は、プロセスの各工程における面内の２方向の誤差の累積に相当する。
【００１７】
この問題を解決するための一つの方法が非特許文献５に開示されている。非特許文献５には、双極子的な共振器モードを構成する一つの偏波成分を選び、この共振器モードで電場密度分布が高い領域を選択的に酸化させて、この偏波成分の共鳴周波数を変化させる方法が開示されている。局所的な酸化には、ＡＦＭ酸化を用いている。ＡＦＭ酸化とは大気中においてＡＦＭを用いて試料表面に局所的に電流を流し、大気中の水分と酸素とによって試料表面を酸化させる方法である。
【００１８】
この方法では、酸化させる部分の面積を変化させることが可能である。そこで、非特許文献１では、酸化の面積に応じて偏波モードのピークが短波長側にシフトし、最終的に分裂していた偏波モードの共鳴周波数を一致させている。
【００１９】
一方、非特許文献６では、２次元スラブ型フォトニック結晶共振器で偏光モード分裂を制御する方法として、点欠陥周囲に近接する６個の円孔を非対称に変化させている。
【特許文献１】特開２００４−２４５８６６号公報
【特許文献２】特開２００４−２７９８００号公報
【非特許文献１】Dirk Englund, David Fattal Edo Waks, Glenn Solomon, Bingyang Zhang, Toshihiro Nakaoka, Yasuhiko Arakawa, Yoshihisa Yamamoto, and Jelena Vukovic, Phys.Rev.Lett.85,013904(2005)
【非特許文献２】R.M.Stevenson, R.J.Young, P.Atokinson, K.Cooper, D.A.Ritchie, and A.J.Shields, Nature(London) 439,179(2006)
【非特許文献３】N.Akopian, N.H.Lindner, E.Poem, Ｙ.Berlazky, J.Avron, D.Gershoni, B.D.Gerardot, and P.M.Petroff, Phys.Rev.Lett.96,130501(2006)
【非特許文献４】F.Troiani, J.I.Perea, and C.tejedor, Physical Review B 74,235310（2006）
【非特許文献５】K.Hennessy, C.hogerle, E.Hu, A.Badolato, and A.Imamoglu, Applied Physics Letters, 89,041118（2006）
【非特許文献６】O.Painter and K.Srinivasan, Optics Letters, 27 p339（2002）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２０】
非特許文献５の方法は、作成した個々のフォトニック結晶共振器に見られる偏光モード分裂を解消するのに優れているが、１回につき一つのフォトニック結晶しか調整できないという問題がある。また、ＡＦＭ酸化で表面に構成される酸化物の屈折率は、酸化される前の半導体の屈折率よりも低く、調整による偏光モードのピークは常に短波長側にシフトし、調整の範囲に制限がある。
【００２１】
一方、非特許文献６に示されているフォトニック結晶共振器の測定データは、Ｑ値が１００程度であるが、単一光子光源やエンタングルメント光子対源に求められるＱ値が数千を超えるフォトニック結晶において、同様な方法で偏光モード分裂の共鳴波長を微細に調整するためには、点欠陥に最近接する円孔を非常に精密に制御して変化させる必要があり、作成精度の限界を超えることが予想される。
例えば、Ｈ１型フォトニック結晶共振器において、最近接の円孔の直径及び位置を変調してＱ値を５０００程度に最適化したフォトニック結晶共振器においては、試算によれば最近接の円孔について半径１ｎｍの変化に対して共振器の波長シフトは約２．３ｎｍと求められている。このようなフォトニック結晶共振器における偏光モードの線幅は、０．２６ｎｍ程度であり、偏光モード分裂を共振器モードの線幅以下にするには、０．１ｎｍ以下の精度で最近接の円孔の半径を調整する必要があるが、これは現在の微細加工技術の限界を超えている。
【００２２】
本発明はかかる問題に鑑みてなされたものであり、高いＱ値のフォトニック結晶共振器の作成誤差に起因する偏光モード分裂を微細に調整する方法を提供することと目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２３】
上記目的を達成するため、本発明は、第１の態様として、高屈折材料と低屈折材料とで構成される周期構造を備えた２次元フォトニック結晶の格子面内に第１の光閉じ込め方向及びこれと直交する第２の光閉じ込め方向のそれそれについて対称に配置されている格子点の少なくとも一つを、点状に欠落させて点状欠陥を設けたフォトニック結晶共振器であって、高屈折材料と低屈折材料との周期構造は、点状欠陥に最も近接する格子点ではない格子点において、第１及び第２の光閉じ込め方向で非対称に変調されたことを特徴とするフォトニック結晶共振器を提供するものである。
【００２４】
本発明の第１の態様においては、高屈折材料はＧａＡｓであり、低屈折材料は、高屈折材料に形成された空孔であることが好ましい。また、偏光が直交する共振器モードの共鳴波長の差が共振器モードの半値全幅の２分の１以下であることが好ましい。
【００２５】
また、上記目的を達成するため、本発明は第２の態様として、上記本発明の第１の態様のいずれかの構成に係る２次元フォトニック結晶共振器であって、高屈折率材料からなる２次元スラブ内に設定された格子点に、低屈折材料が所定の同一寸法・形状で配列されており、点状欠陥は格子点を少なくとも一つ含み、該点状欠陥に含まれる格子点には、低屈折材料が配置されておらず、点状欠陥に最も近接して配置される低屈折率材料は、寸法及び形状の少なくとも一方が、所定の同一寸法・形状から変えられていることを特徴とする２次元フォトニック結晶共振器を提供するものである。
また、上記目的を達成するため、本発明は、第３の態様として、上記本発明の第２の態様にかかる２次元フォトニック結晶共振器を用いた光子対発生装置であって、点状欠陥には単一の量子ドットが埋め込まれた構造を有し、量子ドットにおける励起子分子を生成する手段を備えており、励起子分子発光が緩和する過程において励起子分子発光に対応する第１の光子と励起子発光に対応する第２の光子とを発生し、第１及び第２の光子が量子力学的にもつれあっていることを特徴とする光子対発生装置を提供するものである。
【００２６】
また、上記目的を達成するため、本発明は、第３の態様として、上記本発明の第２の態様にかかる２次元フォトニック結晶共振器を用いた光子位相変調装置であって、点状欠陥には、単一の２準位系が埋め込まれた構造を有し、２準位系に入射する制御光子によって２準位系の複素屈折率が変化することにより、該２準位系に別途入射される被制御光子の位相が変調されることを特徴とする光子位相変調装置を提供するものである。
【発明の効果】
【００２７】
本発明によれば、フォトニック結晶共振器は、所望の偏光モードの共鳴波長を微細に調整することが可能となる。微細加工プロセスが有する面内の系統的な作成誤差を補正するのに有効である。これにより、フォトニック結晶共振器の偏光モードの分裂を解消するために用いることができる。このようなフォトニック結晶共振器は例えばエンタングルメント光子対源を構成するために用いることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
本発明による２次元フォトニック結晶共振器は、面内で対称な高屈折材料と低屈折材料とから構成される２次元フォトニック結晶の点状欠陥からなる微小共振器であり、共鳴波長をシフトさせる偏光モードに対応する電磁場が閉じ込められている方向において、点欠陥を中心として最近接ではない屈折率の周期構造が、所定の格子点から変位されているか、所定の周期構造とは異なる大きさであるかの少なくともいずれかとなっている。
ここで、最近接ではない周期構造とは、電磁場が閉じ込められている方向において点欠陥と同一直線上にある一つの周期構造には限定されず、所定の目的が達成されるのであれば、それに隣接する周期構造を含めて良い。
【００２９】
図１に、本発明の好適な実施の形態にかかる２次元フォトニック結晶共振器の構成を示す。従来のフォトニック結晶と同様に、高屈折率物質をＧａＡｓ、低屈折率物質を空気（円孔）、格子点を三角格子とし、一つの円孔を高屈折率物質で満たすことで点欠陥を構成している。また、所望のＱ値を得るため、点欠陥に最も近接する６個の円孔の直径及び位置を点対称に変位してある。説明のため、図１においては円孔の外周のみ示している。ここで、２次元スラブ面内にＸＹ直交座標系が存在するものとする。
【００３０】
まず、Ｘ方向に偏りのある共振器モード（以下、Ｘ偏光モード）の共鳴波長を調整する方法を説明する。Ｘ偏光モードに対して電磁波の閉じ込めはＹ方向に起こり、点欠陥を中心にＹ方向に共振器が構成される。このＸ偏光モードの共鳴波長を調整するためには、図中に符号３１、３２で示した点欠陥から２番目のＹ方向の円孔の位置及び直径の少なくとも一方を変化させる。
【００３１】
一例として、円孔３１、３２の位置をシフトさせた場合のＸ偏光モードの共鳴波長の波長依存性をＦＤＴＤ（Finite Difference Time Domain）計算によってシミュレートした。ここでは１．３μｍ付近にダイポールライクなモードの共鳴がある例として、スラブ厚さが２４０ｎｍ、格子定数３５０ｎｍ、円孔直径２４０ｎｍの三角格子型のフォトニック結晶中の点欠陥による共振器について説明する。
【００３２】
図２は、図１の円孔３１及び３２のシフト量を−２０ｎｍから＋２０ｎｍまで適当な間隔で設定した場合のＸ偏光モードの共鳴波長とＹ偏光モードの共鳴波長との変化を表す。ここで、正のシフト量は円孔３１及び３２が点欠陥から離れる方向であり、負のシフト量は同じ円孔が点欠陥に近づくことを示している。また、シフト量０ｎｍは円孔３１及び３２が所定の格子点にあることを示している。
【００３３】
図２から、円孔３１及び３２の位置がシフトするのにともなって、Ｘ偏光モードの共鳴波長が変化していることが分かる。円孔のシフト量１ｎｍに対する共鳴波長の変化量は約０．３８ｎｍである。
一方、Ｙ偏光モードについては円孔のシフト量１ｎｍに対して約０．０６ｎｍの変化が共鳴波長に見られる。このように、円孔３１、３２のシフトによって、Ｘ偏光モード及びＹ偏光モードの共鳴波長の波長差を解消させることが可能であることが分かる。解消される波長差は、円孔のシフト量±１０ｎｍに対して約±３ｎｍである。
【００３４】
ここではシミュレーションの例として円孔の配置を格子点に対してシフトさせた。正のシフト量に対しては円孔３１、３２の点欠陥側の領域において実効的な屈折率が高くなるため、共鳴波長が長波長側にシフトする。円孔の配置をシフトさせる代わりに、円孔の直径を変化させることでも同様な効果が期待できる。
【００３５】
図３の円孔５１、５２のように、円孔の直径を小さくすることで、円孔の配置を正の方向にシフトさせることと同様の効果を期待できる。円孔の配置のシフト及び直径の変化は、単独で用いても良いし、組み合わせて用いても良い。
【００３６】
ここで、位置をシフトさせたり直径を変化させたりする円孔は、電磁場が閉じ込められている方向において点欠陥と同一直線上にある円孔３１、３２（５１、５２）だけには限定されず、Ｘ偏光モード及びＹ偏光モードの共鳴波長の波長差を解消できるのであれば、これらにＸ方向に隣接する円孔を含めても良い。
【００３７】
次に、図４を用いてＹ偏光モードの共鳴波長を調整する方法を説明する。Ｙ偏光モードは、Ｘ偏光モードに直交しているため、シフトさせる円孔を６１、６２とする。円孔６１、６２のシフト量に対するＹ偏光モードの共鳴波長の変位量は、Ｘ偏光モードの円孔の配置のシフトに対する共鳴波長の変位量に準ずる。
【００３８】
Ｙ偏光モードについてもＸ偏光モードの場合と同様に、円孔をシフトさせる代わりに円孔の直径を変化させることによって共鳴波長を調整することができる。図５に示すように、円孔７１、７２の直径を変化させることに対応する。Ｙ偏光モードについても、円孔の配置のシフトと直径の変化とは単独で用いても良いし、組み合わせて用いても良い。
【００３９】
また、位置をシフトさせたり直径を変化させたりする円孔は、電磁場が閉じ込められている方向において点欠陥と同一直線上にある円孔６１、６２（７１、７２）だけには限定されず、Ｘ偏光モード及びＹ偏光モードの共鳴波長の波長差を解消できるのであれば、これらにＹ方向に隣接する円孔を含めても良い。
【００４０】
次に、この方法を用いてＨ１型フォトニック結晶共振器の偏光モード分裂を補正する方法を説明する。
【００４１】
先に例に挙げたＨ１型フォトニック結晶共振器は、厚さ２００ｎｍのＧａＡｓスラブに格子定数３５０ｎｍの三角格子状に直径２４０ｎｍの円孔が配列されている。所望のＱ値を得るために、点欠陥に最近接する６個の円孔の直径を例えば１１８ｎｍに設定すると、ＦＤＴＤ計算によって得られるフォトニック結晶共振器のＱ値は約１５０００である。この設計を用いて実際にフォトニック結晶共振器を作成し、その結果、双極子的な共振器モードのＱ値が約５０００のフォトニック結晶共振器が得られたとする。
【００４２】
このフォトニック結晶共振器は双極子的な共振器モードが偏光モード分裂を起こし、分裂量の平均値が２ｎｍであり、Ｘ偏光モードが常にＹ偏光モードよりも長い共鳴波長を示すものとする。このようなフォトニック結晶の作成条件の下において偏光無依存なフォトニック結晶を得るためには、図１の円孔３１、３２を−６．２５ｎｍシフトさせることで分裂量の平均値をゼロとすることが可能になる。また、シフト量の精度を０．８ｎｍ以下とすることで、分裂量の制御の値を共振器モードの線幅０．２６ｎｍ以下にすることが可能である。
【００４３】
このように、本発明によれば、フォトニック結晶共振器を作成する条件（設計条件のみならず環境条件をも含む）が再現するという条件の下、作成誤差に起因する面内の歪みを補正することが可能になる。この方法によって、偏光無依存なフォトニック結晶共振器を作成する際の歩留まりを向上させることが可能となる。この偏光無依存なフォトニック結晶共振器は、量子ドットを用いたエンタングルメント光子対発生装置に用いることができる。
【００４４】
また、この方法によって得られる偏光無依存のフォトニック結晶共振器は、エンタングルメント光子対発生器以外にも次のような使用が考えられる。Q.A.Turchette, C.J.Hood, W.Lange, H.Mabuchi, and H.J.Kimble, Physical Review Letters 75,4710(1995)  では、共振器の中の単一原子を利用して、光子の位相を光子によって制御する実験が説明されている。この光子の位相を制御する素子は、光子を量子ビットとする量子情報処理において制御ノットゲートとして機能する。上記文献の原子を量子ドットに、共振器をフォトニック結晶共振器に置き換えることで、同様な制御ノットゲートを固体素子で実現可能である。このとき、光子の偏光が量子ビットの基底となるため、量子ドットが埋め込まれるフォトニック結晶共振器は偏光無依存である必要がある。本発明の偏光無依存のフォトニック結晶共振器はこの制御ノットゲートにも適用可能である。
【００４５】
ここでは具体例として、格子点が三角格子であるフォトニック結晶共振器について説明したが、正方格子によって構成されるフォトニック結晶共振器であっても同様の効果が得られる。
【産業上の利用可能性】
【００４６】
本発明によれば、偏光に無依存なフォトニック結晶共振器を作成できるため、エンタングルメント光子対発生装置のような量子情報処理デバイスに適用可能である。
一般に、光子の偏光状態を損なうことなく、量子ドット中の励起子や、不純物準位の電子、分子の励起状態などの物質の量子状態に、光子の量子状態を効率よく変換することが必要とされる量子情報処理デバイスにおいて本発明によって実現される偏光無依存のフォトニック結晶共振器は有効である。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】Ｈ１型フォトニック結晶共振器のＸ偏光モードに共鳴波長を調整するために円孔の配置をシフトさせた状態を示す図である。
【図２】円孔の配置のシフト量に対する共振器モードの波長依存性を示す図である。
【図３】Ｘ偏光モードの共鳴波長を調整するために円孔の直径を変化させた状態を示す図である。
【図４】Ｙ偏光モードの共鳴波長を調整するために円孔の配置をシフトさせた状態を示す図である。
【図５】Ｙ偏光モードの共鳴波長を調整するために円孔の直径を変化させた状態を示す図である。
【図６】本発明の好適な実施の形態に係る２次元フォトニック結晶共振器の構成を示す図である。
【図７】Ｈ１型フォトニック結晶共振器の第１バンドギャップ内の共振器モードスペクトルを示す図である。
【符号の説明】
【００４８】
１１    フォトニッククリスタル共振器
１２    点欠陥
１３    低屈折率物質
１４    高屈折率物質
３１、３２、５１、５２、６１、６２、７１、７２    円孔
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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