(57)【要約】【課題】各処理を行うユニット間の基板搬送を容易且つ短時間に行い、製造コストを低減しスループットを向上することのできる基板処理装置を提供する。【解決手段】基板Ｗを浮上させるステージ３５と、ステージ３５を覆う状態でステージ３５の上面に対し平行に張架されたシート３６と、シート３６を基板搬送方向に送るローラ駆動部４０とを備え、シート３６には、基板Ｗの上面周縁部に接着する内側周縁部を下面側に有し、前記周縁部同士の接着により前記基板Ｗを保持する処理孔３６ａが基板搬送方向に沿って形成され、基板Ｗは、シート３６に形成された処理孔３６ａの下方に保持されて、ローラ駆動部４０の駆動により基板搬送方向に搬送され、シート３６の上面側における処理孔３６ａには、保持される基板Ｗの被処理面が露出している。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理基板を搬送しながら該基板に所定の処理を施す基板処理装置において、
基板搬送方向に沿って配置され、前記基板の下方に所定のガス流を形成して該基板を浮上させるステージと、前記ステージを覆う状態で該ステージの上面に対し平行に張架され、前記ステージの基板搬送方向の長さ寸法よりも長く形成されたシートと、前記シートを、その一端側から巻き取り、基板搬送方向に送るローラ駆動部とを備え、
前記シートには、前記基板の上面周縁部に接着する内側周縁部を下面側に有し、前記周縁部同士の接着により前記基板を保持する処理孔が基板搬送方向に沿って形成され、
前記基板は、前記シートに形成された処理孔の下方に保持されて、前記ローラ駆動部の駆動により基板搬送方向に搬送され、
前記シートの上面側における前記処理孔には、保持される前記基板の被処理面が露出していることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記基板は、前記ステージの上方に形成されたガス流により浮上した状態で、前記シートに形成された処理孔の下方に接着保持されることを特徴とする請求項１に記載された基板処理装置。
【請求項３】
前記シートにおいて、前記処理孔は、基板搬送方向に沿って複数形成されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載された基板処理装置。
【請求項４】
前記ローラ駆動部の駆動により基板搬送方向に搬送される前記基板に対し、前記処理孔から露出した被処理面に所定の処理を施す処理手段を備えることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載された基板処理装置。
【請求項５】
前記ステージの上方且つ前記基板の下方に所定のガス流が形成されない状態において、
前記基板は、自重により前記シートから分離することを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載された基板処理装置。
【請求項６】
前記ステージの表面には、複数のガス噴射口と、前記ガス噴射口から噴射されたガスを吸気するための複数の吸気口とが形成され、
前記ガス噴射口と前記吸気口により前記基板の下方に所定のガス流が形成され、前記基板が浮上することを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれかに記載された基板処理装置。
【請求項７】
前記保持シートは、樹脂材料により形成された長尺状のフィルムシートであることを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれかに記載された基板処理装置。
【請求項８】
前記保持シートに形成された処理孔の周縁部には、保持する基板の位置合わせに用いるマークが付されていることを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれかに記載された基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、本発明は、被処理基板を搬送しながら該基板に所定の処理を施す基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスやフラットパネルディスプレイの製造におけるフォトリソグラフィ工程においては、例えば半導体ウエハ、ＬＣＤ基板等の被処理基板上に、塗布液であるレジスト液を塗布しレジスト膜を形成するレジスト塗布処理、塗布処理後のウエハを加熱処理するプリベーキング処理（ＰＡＢ）、レジスト膜を所定のパターンに露光する露光処理、露光後にレジスト膜内の化学反応を促進させるポストエクスポージャベーキング処理（ＰＥＢ）、露光されたレジスト膜を現像する現像処理等が順次行われ、基板上に所定のレジストパターンが形成される。
さらに、フォトリソグラフィ工程後は、前記レジストパターンをマスクとして、基板上の下地膜、例えば酸化膜を除去するエッチング処理が行われ、所定のパターンが形成される。
【０００３】
ところで、このようなフォトリソグラフィ工程においては、従来、例えば特許文献１に開示されるように図６に示す構成の塗布プロセス部２００が用いられている。
この塗布プロセス部２００は、搬送コロからなる搬入ユニット２０１と、基板Ｇにレジスト液を塗布するレジスト塗布ユニット（ＣＴ）２０２と、チャンバ内を減圧することによりレジスト膜を乾燥処理する減圧乾燥ユニット（ＶＤ）２０３と、基板周縁部の余分なレジストを除去するエッジリムーバ・ユニット（ＥＲ）２０４と、搬送コロ等からなる搬出ユニット２０５とが、支持台２０６上に搬送ラインに沿って一列に配置されている。
【０００４】
また、支持台２０６上には、支持台２０６の両側に平行に敷設された一対のガイドレール２０７と、ガイドレール２０７に沿って移動する一組または複数組の搬送アーム２０８が設けられ、搬送アーム２０８により基板Ｇは各ユニット間で搬入出されるように構成されている。
【特許文献１】特開２００５−１１９３６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１に開示されるような従来の装置にあっては、前記したようにユニット間での基板Ｇの搬入出において、搬送アーム２０８のような搬送ロボットが用いられている。
しかしながら、搬送ロボットによる基板搬入出は時間を要するため効率が悪く、スループットが低下するという課題があった。
また、スループット向上のためには、複数の搬送ロボットや処理ユニットが必要となるため、装置にかかるコストが高くなるという課題があった。
【０００６】
本発明は、前記したような事情の下になされたものであり、被処理基板に複数の処理を連続して施す基板処理装置において、各処理を行うユニット間の基板搬送を容易且つ短時間に行い、製造コストを低減しスループットを向上することのできる基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記した課題を解決するため、本発明に係る基板処理装置は、被処理基板を搬送しながら該基板に所定の処理を施す基板処理装置において、基板搬送方向に沿って配置され、前記基板の下方に所定のガス流を形成して該基板を浮上させるステージと、前記ステージを覆う状態で該ステージの上面に対し平行に張架され、前記ステージの基板搬送方向の長さ寸法よりも長く形成されたシートと、前記シートを、その一端側から巻き取り、基板搬送方向に送るローラ駆動部とを備え、前記シートには、前記基板の上面周縁部に接着する内側周縁部を下面側に有し、前記周縁部同士の接着により前記基板を保持する処理孔が基板搬送方向に沿って形成され、前記基板は、前記シートに形成された処理孔の下方に保持されて、前記ローラ駆動部の駆動により基板搬送方向に搬送され、前記シートの上面側における前記処理孔には、保持される前記基板の被処理面が露出していることに特徴を有する。
【０００８】
尚、前記基板は、前記ステージの上方に形成されたガス流により浮上した状態で、前記シートに形成された処理孔の下方に接着保持されることが望ましい。
また、前記シートにおいて、前記処理孔は、基板搬送方向に沿って複数形成されていることが望ましい。
また、前記ローラ駆動部の駆動により基板搬送方向に搬送される前記基板に対し、前記処理孔から露出した被処理面に所定の処理を施す処理手段を備えることが望ましい。
また、前記保持シートは、樹脂材料により形成された長尺状のフィルムシートであることが望ましい。
【０００９】
このように構成することにより、シートに保持されて搬送される被処理基板に対し、処理手段での処理を連続して行うことができる。
即ち、シート（搬送路）から基板を取り出すことなく、搬送路上で搬送しながら処理を行うことができ、さらにユニット間での基板の搬送は、シートに基板を保持した状態のまま行われる。また、前記シートには、搬送方向に沿って複数の処理孔が連続して形成されているため、それら処理孔の下方に夫々基板を保持することにより、複数の基板に対する処理を連続的に行うことができる。
また、処理孔に露出した被処理面にレジスト液を塗布する場合には、基板の被処理面側の周縁部は、シートによってマスキングされるため、レジスト塗布後に余分なレジスト液が付着することがなく、従来のようなエッジリムーバ・ユニットが不要となる。
したがって、従来のように搬送ロボットにより処理ユニット毎の基板の搬入出を行う必要が無く、処理ユニット数も低減できるため、複数の基板に対する処理効率が良好となり、コスト低減と共にスループットを向上することができる。
【００１０】
また、前記ステージの上方且つ前記基板の下方に所定のガス流が形成されない状態において、前記基板は、自重により前記シートから分離することが望ましい。
このように構成することにより、本発明に係る基板処理装置からの基板の搬出を容易なものとすることができる。
【００１１】
また、前記ステージの表面には、複数のガス噴射口と、前記ガス噴射口から噴射されたガスを吸気するための複数の吸気口とが形成され、前記ガス噴射口と前記吸気口により前記基板の下方に所定のガス流が形成され、前記基板が浮上することが望ましい。
このように構成することにより、前記ステージ上に基板を浮上させることができる。
【００１２】
また、前記保持シートに形成された処理孔の周縁部には、保持する基板の位置合わせに用いるマークが付されていることが望ましい。
このように構成すれば、基板のノッチ部やオリフラ部を合わせて保持することで容易に位置合わせをすることができる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、被処理基板に複数の処理を連続して施す基板処理装置において、各処理を行うユニット間の基板搬送を容易且つ短時間に行い、製造コストを低減しスループットを向上することのできる基板処理装置を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明にかかる実施の形態につき、図に基づいて説明する。図１は、本発明に係る基板処理装置を具備する塗布現像処理システムの平面図である。図２は、この塗布現像処理システム１における１枚の被処理基板に対する処理の手順を示すフローである。
最初に、この塗布現像処理システム１について、図１の平面図を用い、図２のフローに沿って簡単に説明する。尚、塗布現像処理システム１は、クリーンルーム内に設置され、たとえば半導体シリコンウエハを被処理基板（以下、ウエハＷと呼ぶ）とし、半導体製造プロセスにおいてフォトリソグラフィ工程を行うものとする。
【００１５】
先ず、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）２において、搬送機構３が搬送アーム３ａを用い、ステージ４上のいずれか１つのカセットＣからウエハＷを一枚取り出し、その取り出したウエハＷをプロセスステーション（Ｐ／Ｓ）５のプロセスラインＡ側の搬入部である平流し搬送路６の始点に仰向けの姿勢（基板の被処理面を上にして）で搬入する（図２のステップＳ１）。
こうして、ウエハＷは、平流し搬送路６上を仰向けの姿勢でプロセスラインＡの下流側へ向けて搬送される。初段の洗浄プロセス部７において、ウエハＷは、エキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）８およびスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）９により紫外線洗浄処理およびスクラビング洗浄処理を順次施される（ステップＳ２、Ｓ３）。
【００１６】
スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）９では、平流し搬送路６上を移動するウエハＷに対して、ブラッシング洗浄やブロー洗浄を施すことにより基板表面から粒子状の汚れを除去し、その後にリンス処理を施し、最後にエアーナイフ等を用いてウエハＷを乾燥させる。スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）９における一連の洗浄処理を終えると、ウエハＷはそのまま平流し搬送路６を下って第１の熱的処理部１０を通過する。
【００１７】
第１の熱的処理部１０において、ウエハＷはアドヒージョンユニット（ＡＤ）１１に搬入されると先ず加熱により脱水ベーク処理を受け、水分を取り除かれる。
アドヒージョンユニット１１において脱水ベーク処理がなされたウエハＷは、蒸気状のＨＭＤＳを用いるアドヒージョン処理を施され、被処理面を疎水化される（ステップＳ４）。このアドヒージョン処理の終了後に、ウエハＷは冷却ユニット（ＣＯＬ）１２で所定の基板温度まで冷却される（ステップＳ５）。この後、ウエハＷは平流し搬送路６上を搬送され、塗布プロセス部１３に渡される。
【００１８】
塗布プロセス部１３において、ウエハＷは平流し搬送路６上を搬送されながら、最初にレジスト塗布ユニット（ＣＴ）１４において例えばスリットノズルを用いたウエハ上面（被処理面）へのレジスト液の塗布がなされ、直後に乾燥ユニット（ＨＤ）１５でヒータによる乾燥処理（プリベーク前の予備的な乾燥処理）を受ける（ステップＳ６）。
尚、塗布プロセス部１３において、本発明の基板処理装置を好適に用いることができるため、その構成及び作用効果については詳細に後述する。
【００１９】
この後、ウエハＷは平流し搬送路６上を搬送され、第２の熱的処理部１６を通過する。第２の熱的処理部１６において、ウエハＷは、最初にプリベークユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）１７でレジスト塗布後の熱処理または露光前の熱処理としてプリベーキングを受ける（ステップＳ７）。このプリベーキングによって、ウエハＷ上のレジスト膜中に残留していた溶剤が蒸発除去し、ウエハＷに対するレジスト膜の密着性も強化される。
【００２０】
次に、ウエハＷは、冷却ユニット（ＣＯＬ）１８で所定の基板温度まで冷却される（ステップＳ８）。しかる後、ウエハＷは、平流し搬送路６の終点（搬出部）からインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１９の搬送装置２０に引き取られる。
インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１９において、ウエハＷは、エクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）２１から周辺装置２２の周辺露光装置（ＥＥ）に搬入され、そこでウエハＷの周辺部に付着するレジストを現像時に除去するための露光を受けた後に、隣の露光装置２３へ送られる（ステップＳ９）。
露光装置２３ではウエハＷ上のレジストに所定の回路パターンが露光される。そして、パターン露光を終えた基板Ｇは、露光装置２３からインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１９に戻されると、先ず周辺装置２２のタイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）に搬入され、そこで基板上の所定の部位に所定の情報が記される（ステップＳ１０）。
【００２１】
しかる後、ウエハＷはエクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）２１に戻される。インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１９におけるウエハＷの搬送および露光装置２３とのウエハＷのやりとりは搬送装置２０、２４によって行われる。最後に、ウエハＷは、搬送装置２４よりプロセスステーション（Ｐ／Ｓ）５のプロセスラインＢ側に敷設されている平流し搬送路２５の始点（搬入部）に搬入される。
こうして、ウエハＷは、今度は平流し搬送路２５上を仰向けの姿勢でプロセスラインＢの下流側に向けて搬送される。
プロセスラインＢでは、最初の現像ユニット（ＤＥＶ）２６において、ウエハＷは、平流しで搬送される間に現像、リンス、乾燥の一連の現像処理を施される（ステップＳ１１）。
【００２２】
現像ユニット（ＤＥＶ）２６で一連の現像処理を終えたウエハＷは、そのまま平流し搬送路２５に載せられたまま下流側隣のｉ線照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２７を通り、そこでｉ線照射による脱色処理を受ける（ステップＳ１２）。その後も、ウエハＷは平流し搬送路２５に載せられたまま第３の熱的処理部２８および検査ユニット（ＡＰ）２９を順次通過する。
【００２３】
第３の熱的処理部２８において、ウエハＷは、最初にポストベークユニット（ＰＯＢＡＫＥ）３０で現像処理後の熱処理としてポストベーキングを受ける（ステップＳ１３）。  このポストベーキングによって、ウエハＷ上のレジスト膜に残留していた現像液や洗浄液が蒸発除去し、基板に対するレジストパターンの密着性も強化される。
次に、ウエハＷは、冷却ユニット（ＣＯＬ）３１で所定の基板温度に冷却される（ステップＳ１４）。検査ユニット（ＡＰ）２９では、ウエハＷ上のレジストパターンについて非接触の線幅検査や膜質・膜厚検査等が行われる（ステップＳ１５）。
【００２４】
そしてカセットステーション（Ｃ／Ｓ）２側では、搬送機構３が搬送アーム３ａを用い、平流し搬送路２５の終点（搬出部）から塗布現像処理の全工程を終えたウエハＷを受け取り、受け取ったウエハＷをいずれか１つ（通常は元）のカセットＣに収容する（ステップＳ１に戻る）。
尚、前記のように処理が行われる塗布現像処理システム１においては、両プロセスラインＡ，Ｂの間に補助搬送空間３２が設けられており、必要に応じて各処理ユニットに対しウエハＷを直接、搬入出できるよう、ウエハＷを１枚単位で水平に載置可能なシャトル３３が図示しない駆動機構によってプロセスライン方向（Ｘ方向）で双方向に移動できるようになっている。
【００２５】
この塗布現像処理システム１においては、前記したように、塗布プロセス部１３に本発明に係る基板処理装置を適用することができる。
以下、図３に基づき、塗布プロセス部１３の構成及び動作について説明する。図３は、塗布プロセス部１３の概略構成を示す斜視図である。
【００２６】
図３に示すように、塗布プロセス部１３における平流し搬送路６は、ウエハＷを所定の高さ浮上させるためのステージ３５と、ステージ３５上に浮上したウエハＷを保持して搬送するためのフィルム状の保持シート３６とにより構成される。
ステージ３５は、搬送路に沿って設けられ、その上面に所定のガス（例えば、空気や窒素ガス）を上方（Ｚ方向）に向かって噴射するための多数のガス噴射口３５ａと、吸気を行うための多数の吸気口３５ｂとが夫々、Ｘ方向とＹ方向に一定間隔で直線上に並ぶように交互に形成された構造を有している。そして、ガス噴射口３５ａから噴射されるガス噴射量と吸気口３５ｂからの吸気量とをバランスさせる（つまり、圧力負荷を一定とする）ことによって所定のガス流を形成し、ウエハＷをステージ３５の表面から一定の高さに浮上させるよう構成されている。
【００２７】
また、保持シート３６は、例えばポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）、ポリオレフィン（ＰＥ）、ＰＥＴ等の樹脂材料により形成された長尺状のフィルムシート（例えば、Ｙ方向の幅４００ｍｍ、厚さ０．０５ｍｍ）であって、ステージ３５を覆う状態でステージ３５に対し平行に張架されている。
【００２８】
保持シート３６には、図３に示すようにウエハＷの被処理面形状に合わせた処理孔３６ａが基板搬送方向に沿って連続的に複数形成されており、図４に示すようにウエハＷの上面周縁部Ｗ１がシート下面側における処理孔３６ａの内側周縁部に接着剤により接着し、これによりウエハＷを保持するように構成されている。尚、接着剤としては、両面に粘着剤の膜が形成されたダイシング用テープ等を用いることができる。
【００２９】
また、ウエハＷを保持シート３６により保持した状態で、保持シート３６の上面側には、処理孔３６ａにウエハＷの被処理面が露出するようになされており、その露出した被処理面に対しレジスト膜の形成処理が施される。尚、ウエハＷの周縁部Ｗ１は、保持シート３６によりマスキングされた状態となるため、余分なレジスト液がウエハＷの周縁部に付着することがなく、この塗布プロセス部１３においては従来のようなエッジリムーバ・ユニットは不要となる。
【００３０】
また、図４に示すようにウエハＷの保持力に影響するウエハＷの外周と処理孔３６ａの内周との間の距離ｄは、ウエハＷの直径、厚さ等の諸条件に基づき決定されるが、少なくともステージ３５上方でウエハＷへの浮力が与えられない状態では、ウエハＷの自重によりウエハＷは保持シート３６から分離するようになされている。
また、保持シート３６の上面側における各処理孔３６ａの内側周縁部には、位置合わせマーク３７が付されており、ウエハＷのノッチ部やオリフラ部を合わせて保持することにより容易に位置合わせができるようになされている。
【００３１】
また、保持シート３６は、その基板搬送方向の長さ寸法が、ステージ３５の基板搬送方向の長さ寸法よりも長く形成されている。そして、シート塗布プロセス部１３の両端付近には、保持シート３６を一方向（基板搬送方向）に移動するためのロール部３８、３９が設けられ、ローラ駆動部４０が少なくとも一端側のロール部を一方向に回転駆動することにより、保持シート３６が連続的に所定速度で基板搬送方向に送られるようになされている。即ち、図示する例では、基板搬送方向の下流側に設けられたロール部３９が巻き上げ駆動側となることにより、保持シート３６が基板搬送方向に送られるように構成されている。このような塗布プロセス部１３における平流し搬送路６の構成により図５に示すように、ウエハＷは保持シート３６の下面側に接着保持された状態で連続的に所定速度で搬送される。
【００３２】
尚、図３に示すように、ステージ３５上方に張架された保持シート３６の下方には、搬送方向に沿った複数個所において、保持シート３６に密着し、Ｙ方向の軸周りに回転駆動することにより保持シート３６を搬送方向に送るドライブローラ５２と、ドライブローラ５２の保持シート３６に対するグリップ力を与えるために保持シート３６を吸引して下方に引き付ける吸引ブロック５３とが設けられている。
【００３３】
また、ステージ３５は、複数の小ステージが基板搬送方向に並べられることにより構成されている。このうち基板搬送方向に沿って最も上流側には、ウエハＷを搬入するための搬入ステージ６０が設けられ、最も下流側には、ウエハＷを搬出するための搬出ステージ６１が設けられている。少なくとも、これら搬入ステージ６０及び搬出ステージ６１は、他の小ステージとは独立した（ステージ上の）気流形成制御が可能に構成されており、他のステージにおけるウエハＷへの処理に対し影響を与えることなくウエハＷの搬入出ができるようになされている。
尚、搬入ステージ６０及び搬出ステージ６１には、ステージ上の気流が形成されない場合にステージ上でウエハＷを支持するための支持ピン（図示せず）が設けられている。
【００３４】
具体的に説明すると、ウエハＷを保持シート３６により保持する際には、先ず、搬送アーム（図示せず）等によりウエハＷが塗布プロセス部１３に搬入される。そして、ウエハＷは、搬入ステージ６０上に設けられた支持ピン（図示せず）上に載置される。
支持ピン上にウエハＷが載置されると、搬入ステージ６０上に基板浮上のための所定のガス流が形成され、これによりウエハＷが浮上し上昇する。
このとき、ウエハＷが浮上するタイミングが制御され、ウエハＷの保持シート３６に対する接触位置と、処理孔３６ａの位置とが合わされ、ウエハＷは保持シート３６の下面側に接着され、保持される。
【００３５】
一方、塗布プロセス部１３での処理を終了し、ウエハＷを保持シート３６から解除する際には、搬出ステージ６１上における基板浮上のためのガス流形成が停止され、ウエハＷが自重により保持シート３６から開放され（分離され）、支持ピン（図示せず）上に載置される。そして、搬送アーム（図示せず）等によりウエハＷが搬出され、後段の処理ユニットである第２の熱的処理部１６に引き渡される。
【００３６】
尚、このようにウエハＷが保持される間、及び保持から開放される間においても、保持シート３６は基板搬送方向に連続的に所定速度で搬送される状態が望ましく、それにより、保持シート３６の送り動作が中断されず、複数のウエハＷを連続的に処理することができ、処理効率を良好なものとすることができる。
【００３７】
また、このように構成された塗布プロセス部１３における平流し搬送路６上には、レジスト塗布ユニット（ＣＴ）１４（処理手段）と、乾燥ユニット（ＨＤ）１５（処理手段）とが搬送路に沿って設けられている。
【００３８】
レジスト塗布ユニット（ＣＴ）１４は、ステージ３５上で浮上し、保持シート３６により搬送されるウエハＷの被処理面にレジスト液を供給するレジストノズル４１と、レジストノズル４１を洗浄等するためのノズル洗浄ユニット４２とを備えている。
また、レジスト塗布ユニット（ＣＴ）１４は、レジストノズル４１を塗布位置とノズル洗浄ユニット４２との間で移動させるためのノズル移動機構４３を備え、このノズル移動機構４３は、レジストノズル４１をＺ方向に昇降移動させる昇降機構４４と、昇降機構４４を保持する支柱部材４５と、支柱部材４５をＸ軸方向で移動させるための水平駆動機構４６とを有している。
また、レジストノズル４１には、レジスト供給源４７よりレジスト液が供給され、ウエハＷに対しＹ方向に長いスリット状の吐出口から帯状にレジスト液を吐出するようになされている。
【００３９】
また、乾燥ユニット（ＨＤ）１５は、レジスト塗布ユニット（ＣＴ）１４において塗布された直後のレジスト液を、ウエハＷへの加熱処理によって、ある程度まで乾燥させるヒータプレート４９と、ヒータプレート４９の熱で昇温したウエハＷの温度を所定温度まで引き下げるクーラープレート５１とを備え、それらがステージ３５上に順に設けられている。
尚、ヒータプレート４９の温度設定制御は加熱制御部４８により行われ、クーラープレート５１の温度設定制御は冷却制御部５０により行われる。
この乾燥ユニット（ＨＤ）１５においては、レジスト塗布ユニット（ＣＴ）１４で塗布されたレジスト液を、ある程度まで乾燥させることによって、その後のプリベークユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）１７での支持ピン等によるレジスト液への転写を防止するようになされている。
【００４０】
このように構成された塗布プロセス部１３においては、次のように処理が施される。
第１の熱的処理部１０での処理を終えたウエハＷは、先ず、搬送アーム（図示せず）等により搬入ステージ６０の上面に設けられた支持ピン（図示せず）上に載置される。
次いで、搬入ステージ６０の上面に形成されたガス噴射口３５ａから所定のガスを噴射し、噴射されたガスを吸気口３５ｂから吸気することにより搬入ステージ６０上に所定のガス流が形成される。搬入ステージ６０上のガス流の流量、流速等が制御されることにより、ウエハＷは所定のタイミングで上方に浮上し、保持シート３６下面側における処理孔３６ａの所定位置に接着し、保持シート３６により保持される。
【００４１】
保持シート３６によりウエハＷが保持されると、ローラ駆動部４０の駆動により基板搬送方向に送られる保持シート３６に保持されたウエハＷはレジスト塗布ユニット（ＣＴ）１４に搬入される。
レジスト塗布ユニット（ＣＴ）１４は、ノズル移動機構４３によりレジストノズル４１を処理孔３６ａの上方の所定位置に配置され、搬送されるウエハＷの、処理孔３６ａから露出した被処理面に対し所定のタイミングでレジスト液を吐出し、被処理面にレジスト膜を形成する。
【００４２】
レジスト膜が形成されたウエハＷは、保持シート３６に保持された状態で乾燥ユニット（ＨＤ）１５に搬入される。
乾燥ユニット（ＨＤ）１５では、搬送されるウエハＷに対し、最初にヒータプレート４９からの加熱処理が施され、これによりレジスト膜の表面が乾燥処理される。
ヒータプレート４９により加熱され、昇温したウエハＷはクーラープレート５１により所定温度まで冷却され、保持シート３６により保持された状態で搬出ステージ６１上方まで搬送される。
【００４３】
次いで搬出ステージ６１の上面に設けられたガス噴射口３５ａからのガス噴射量が減少され、これにより浮力が低下し、ウエハＷが自重により保持シート３６から分離し開放される。
そして、保持シート３６による保持から開放されたウエハＷは、搬出ステージ６１に設けられた支持ピン（図示せず）により支持され、搬送アーム（図示せず）等によって後段の処理ユニットである第２の熱的処理部１６に搬入される。
【００４４】
以上のように、本発明に係る実施の形態によれば、保持シート３６に保持されて搬送されるウエハＷに対し、レジスト塗布ユニット（ＣＴ）１４及び乾燥ユニット（ＨＤ）１５での処理が連続して行われる。
即ち、保持シート３６（搬送路）からウエハＷを取り出すことなく、搬送路上で搬送しながら処理を行うことができ、さらにユニット間でのウエハＷの搬入出は、保持シート３６にウエハＷを保持した状態のまま行われる。
また、保持シート３６には、搬送方向に沿って複数の処理孔３６ａが連続して形成され、それら処理孔３６ａの下方に夫々ウエハＷを保持することにより、複数のウエハＷに対する処理が連続的に行われる。
【００４５】
さらに、ウエハＷの被処理面側の周縁部Ｗ１は、処理孔３６ａ周縁の保持シート３６によってマスキングされるため、レジスト塗布後に余分なレジスト液が付着することがなく、従来のようなエッジリムーバ・ユニットが不要となる。
したがって、従来のように、処理ユニット毎に、搬送ロボットを用いたウエハＷの搬入出を行う必要が無く、処理ユニット数も低減できるため、複数の基板に対する処理効率が良好となり、コスト低減と共にスループットを向上することができる。
【００４６】
尚、本発明における被処理基板は半導体ウエハに限るものではなく、ＬＣＤ基板等のフラットパネルディスプレイ用の各種基板や、ＣＤ基板、ガラス基板、フォトマスク、プリント基板等も可能である。
その場合、前記実施の形態で示した処理孔３６ａは、被処理基板の形状に合わせて形成すればよく、また、レジスト塗布ユニット（ＣＴ）１４等の処理手段が間欠運転可能な場合には、基板を保持するタイミングに自由度を持たせるために、基板搬送方向に長い長尺状の処理孔を形成し、その処理孔の基板搬送方向の両側縁部で基板を保持するようにしてもよい。
【００４７】
また、本発明に係る基板処理装置は、前記した実施の形態のように塗布プロセス部１３への適用に限定されるものではなく、処理孔から露出した被処理面に対し所定の処理を行う装置に対し広く適用することができる。
【産業上の利用可能性】
【００４８】
本発明は、半導体ウエハ等の被処理基板に対し所定の処理を実施する基板処理装置に適用でき、半導体製造業界、電子デバイス製造業界等において好適に用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】図１は、本発明に係る基板処理装置を具備する塗布現像処理システムの平面図である。
【図２】図２は、図１の塗布現像処理システムの基板処理の流れを示すフローである。
【図３】図３は、本発明に係る基板処理装置が適用される塗布プロセス部の概略構成を示す斜視図である。
【図４】図４は、塗布プロセス部が備える保持シート３６の一部を拡大した平面図である。
【図５】図５は、塗布プロセス部における平流し搬送部の側面図である。
【図６】図６は、従来の塗布プロセス部の概略構成を示す平面図である。
【符号の説明】
【００５０】
１                      塗布現像処理システム
１３                    塗布プロセス部（基板処理装置）
１４                    レジスト塗布ユニット（処理手段）
１５                    乾燥ユニット
３５                    ステージ
３６                    保持シート（シート）
３６ａ                  処理孔
３７                    位置合わせマーク（マーク）
Ｗ                      半導体ウエハ（被処理基板）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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