(57)【要約】【課題】ガスを供給するガス供給管と放電電極との接続を安定的に行うとともに、膜厚分布や膜質分布の発生を抑制することが可能な薄膜製造装置を提供する。【解決手段】薄膜製造装置は、製膜室２と、製膜室２内に設けられ接地された対向電極５と、製膜室２内に設けられ表側を対向電極５に対向しガスを放出する放電電極３と、外部から製膜室２内に伸び、放電電極３に高周波電力を供給する給電線８と、製膜室２内において放電電極３の裏側に接続され放電電極３の放電を調整するように設けられた放電調整部６と、外部から製膜室２内に伸び放電電極３の裏側に接続され放電電極３にガスを供給する導体製のガス供給管１０とを具備する。放電調整部６とガス供給管１０とは、放電電極３の裏側において略一体となり、略一体の当該部分が共に放電電極３に接続される。【選択図】図２
2008056998.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
接地された対向電極と、
表側を前記対向電極に対向し、前記表側からガスを放出する放電電極と、
前記放電電極に高周波電力を供給する給電線と、
前記放電電極における前記対向電極と反対側となる裏側に接続され、前記放電電極の放電を調整するように設けられた放電調整部と、
前記放電電極の前記裏側に接続され、前記放電電極に前記ガスを供給する導体製のガス供給管と
を具備し、
前記放電調整部と前記ガス供給管とは、前記放電電極の裏側において略一体となり、略一体の当該部分が共に前記放電電極に接続される
薄膜製造装置。
【請求項２】
請求項１に記載の薄膜製造装置において、
前記給電線は、
前記放電電極の一端側に第１電力を供給する第１給電線と、
前記放電電極の他端側に第２電力を供給する第２給電線と
を備え、
前記第１給電線と前記第２給電線とを接続するループ伝送路をさらに具備する
薄膜製造装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の薄膜製造装置において、
前記放電調整部は、
前記放電電極の前記裏側の面に略平行に設けられ、接地された接地部材と、
前記放電電極の前記裏側と前記接地部材とを接続する複数の接続部材と
を備え、
前記ガス供給管は、前記放電電極の前記裏側において、前記接地部材の一部及び少なくとも一つの前記接続部材に沿い且つ接続され、前記接続部材の接続点近傍で前記放電電極に接続している
薄膜製造装置。
【請求項４】
請求項３に記載の薄膜製造装置において、
前記ガス供給管は、前記放電電極の前記裏側において、前記放電電極の一端側から他端側までに対応する前記接地部材及び前記一端側と前記他端側の前記接続部材に沿っている
薄膜製造装置。
【請求項５】
請求項４に記載の薄膜製造装置において、
前記ガス供給管は、前記放電電極の前記裏側において、前記一端側から前記他端側までの前記放電電極に対応する前記接地部材及び前記一端側と前記他端側の前記接続部材と同一である
薄膜製造装置。
【請求項６】
請求項１又は２に記載の薄膜製造装置において、
前記放電調整部は、前記ガス供給管の途中に設けられ、前記放電電極のインピーダンスを変換するインピーダンス変換部を備える
薄膜製造装置。
【請求項７】
請求項６に記載の薄膜製造装置において、
前記ガス供給管及び前記インピーダンス変換部は、複数設けられている
薄膜製造装置。
【請求項８】
薄膜製造装置を用いた太陽電池の製造方法であって、
ここで、前記薄膜製造装置は、
接地された対向電極と、
表側を前記対向電極に対向し、前記表側にガスを放出する放電電極と、
前記放電電極に高周波電力を供給する給電線と、
前記放電電極における前記対向電極と反対側となる裏側に接続され、前記放電電極の放電を調整するように設けられた放電調整部と、
前記放電電極の前記裏側に接続され、前記放電電極に前記ガスを供給する導体製のガス供給管と
を具備し、
前記放電調整部と前記ガス供給管とは、前記放電電極の裏側において略一体となり、略一体の当該部分が共に前記放電電極に接続され、
前記太陽電池の製造方法は、
（ａ）前記対向電極に基板を保持する工程と、
（ｂ）前記ガス供給管及び前記放電電極を介して製膜用の前記ガスを前記放電電極と前記対向電極との間に導入する工程と、
（ｃ）前記ガスを導入しながら、前記給電線を介して前記放電電極に前記高周波電力を供給して、前記基板上に太陽電池用の薄膜を形成する工程と
を具備する
太陽電池の製造方法。
【請求項９】
請求項８に記載の太陽電池の製造方法において、
前記給電線は、
前記放電電極の一端側に第１電力を供給する第１給電線と、
前記放電電極の他端側に第２電力を供給する第２給電線と
を備え、
前記第１給電線と前記第２給電線とを接続するループ伝送路をさらに具備する
太陽電池の製造方法。
【請求項１０】
請求項８又は９に記載の太陽電池の製造方法において、
前記放電調整部は、
前記放電電極の前記裏側の面に略平行に設けられ、接地された接地部材と、
前記放電電極の前記裏側と前記接地部材とを接続する複数の接続部材と
を備え、
前記ガス供給管は、前記放電電極の前記裏側において、前記接地部材の一部及び少なくとも一つの前記接続部材に沿い且つ接続され、前記接続部材の接続点近傍で前記放電電極に接続している
太陽電池の製造方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の太陽電池の製造方法において、
前記ガス供給管は、前記放電電極の前記裏側において、前記放電電極の一端側から他端側までに対応する前記接地部材及び前記一端側と前記他端側の前記接続部材に沿っている
太陽電池の製造方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の太陽電池の製造方法において、
前記ガス供給管は、前記放電電極の前記裏側において、前記一端側から前記他端側までの前記放電電極に対応する前記接地部材及び前記一端側と前記他端側の前記接続部材と同一である
太陽電池の製造方法。
【請求項１３】
請求項８又は９に記載の太陽電池の製造方法において、
前記インピーダンス調整部は、前記ガス供給管の途中に設けられ、前記放電電極のインピーダンスを変換するインピーダンス変換部を備える
太陽電池の製造方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載の太陽電池の製造方法において、
前記ガス供給管及び前記インピーダンス変換部は、複数設けられている
太陽電池の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜製造装置及び太陽電池の製造方法に関し、特にプラズマを用いて処理を行う薄膜製造装置及び太陽電池の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
アモルファスシリコン太陽電池や微結晶シリコン太陽電池、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）などで用いる薄膜を製造する薄膜製造装置では、生産効率の向上等の面から基板の大面積化が進められている。そのような大面積基板（例示：１ｍ×１ｍ以上）の製膜を行う場合、高周波プラズマを用いる方法が有用である。高周波プラズマを用いる場合、単なる平行平板型の製膜装置ではなく、梯子型電極を用いた製膜方法がプラズマの均一性を確保するにあたり有効である。そのよう製膜方法の従来技術として、例えば、特開２００２−３２２５６３号公報のラダー電極を用いた技術がある。ラダー電極を用いた薄膜製造装置では、ラダー電極と対向電極との間にガスを供給し、両電極間で当該ガスの高周波プラズマを発生させる。それにより、供給されたガスが製膜用のガスであれば、対向電極にセットされた基板上に所望の膜が形成される。なお、供給されたガスがクリーニング用のガス（フッ素系ガスなど）であれば、製膜室内部に付着した膜や粉類がエッチング除去されクリーニングされる。
【０００３】
そのような薄膜製造装置では、ガスを供給する方法として、当該ガスをラダー電極内の流路に通し、ラダーに設けられた複数の開口部から両電極間に放出する方法がある。例えば、特開２００４−１０７７２５号公報には、真空処理装置が開示されている。この真空処理装置は、製膜室内に、管材電極と基板支持台とが設けられている。前記基板支持台は、基板を支持するとともに接地されている。前記管材電極には、ガス導入管材が挿入されている。該ガス導入管材に絶縁管材が接続され、前記管材電極への前記ガス供給管材による電位の影響を受けないようにされている。ガス供給管材から前記絶縁管材を通して製膜ガスが供給される。真空処理装置は、高周波電流が供給されることにより、前記製膜室内にてプラズマを生じさせて前記基板に製膜を施す。前記絶縁管材と前記ガス導入管材との間、及び前記絶縁管材と前記ガス供給管材との間、及び前記管材電極と前記ガス導入管材との間には、気密部材が備えられている。
【０００４】
図１は、従来の真空処理装置の構成を示す概略側面図である。真空処理装置１０１は、製膜室１０２、管材電極１０３、基板支持台１０５、防着板１０４、高周波給電伝送路１０８、整合器１１３、高周波電源１１２、ガス供給管材１１０ａ、絶縁管材１１０ｂを具備する。なお、本図において、ガス排気に関する構成は省略している。管材電極１０３は、ラダー電極であり、ラダーの内部にガス導入管材（図示されず）が挿入されている。該ガス導入管材に絶縁管材１１０ｂが接続される。ガス供給管材１１０ａから絶縁管材１１０ｂを通してラダー電極（管材電極１０３）へ製膜ガスが供給される。管材電極１０３は、ラダーに設けられた複数の小孔による開口部から管材電極１０３と基板支持台１０５との間に製膜ガスを略均一に放出する。そして、高周波電源１１２が整合器１１３及び高周波給電伝送路１０８を介して管材電極１０３に高周波電力を供給することにより、製膜ガスのプラズマ領域１３０が生成される。それにより、基板支持台１０５上の基板１２０に所望の膜が製膜される。
【０００５】
ここで、ラダー電極（管材電極１０３）とガス供給管材１１０ａとの間に絶縁管材１１０ｂが挿入されているのは、ラダー電極に印加した高電圧が、接地されている金属製（導体製）のガス供給管材１１０ａから漏れ出さないようにするためである。漏れ出すと、供給電圧の分布が生じてプラズマの不均一が発生し、大面積基板に均一な膜を製膜出来なくなる。また、放電に用いられる電力が低下するため、製膜速度が落ちて所望の膜質の膜が得られなくなる可能性もある。加えて、生産性が低下やコストの増加に繋がるおそれもある。
【０００６】
絶縁管材１１０ｂとしては、絶縁耐性や耐腐食性の面からアルミナ等によるセラミックス部材が用いられる。しかし、プラズマ領域１３０と接しているラダー電極（金属製）は放電するときと放電しないときとで温度変化が大きい。そのため、セラミックス部材と金属部材との熱膨張差によりラダー電極（金属製）との接続部分で発生する熱応力のために、絶縁管材１１０ｂが破損したり、接続部分から緩み隙間が発生するおそれがある。その場合、発生した亀裂からガスがリークし、プラズマの不均一や、成膜室内部の気相中でガスが反応してパーティクルを発生させたり、基板１２０上の膜の均一性を低下させることが考えられる。ガス供給管と放電電極（ラダー電極）とをできるだけ簡易に確実に安定的に接続するために絶縁部材を用いないことが可能な技術が望まれる。
【０００７】
【特許文献１】特開２００２−３２２５６３号公報
【特許文献２】特開２００４−１０７７２５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の目的は、ガスを供給するガス供給管と放電電極との接続を安定的に行うことが可能な薄膜製造装置及び太陽電池の製造方法を提供することにある。
【０００９】
本発明の他の目的は、ガスを供給するガス供給管と放電電極との接続を安定的に行うとともに、膜厚分布や膜質分布の発生を抑制することが可能な薄膜製造装置及び太陽電池の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
以下に、発明を実施するための最良の形態で使用される番号・符号を用いて、課題を解決するための手段を説明する。これらの番号・符号は、特許請求の範囲の記載と発明を実施するための最良の形態との対応関係を明らかにするために括弧付きで付加されたものである。ただし、それらの番号・符号を、特許請求の範囲に記載されている発明の技術的範囲の解釈に用いてはならない。
【００１１】
本発明の薄膜製造装置は、対向電極（５）と、放電電極（３）と、給電線（８）と、放電調整部（６／１５）と、ガス供給管（１０）とを具備する。対向電極（５）は、接地されている。放電電極（３）は、表側を対向電極（５）に対向し、対向電極側となる表側からガスを放出する。給電線（８）は、放電電極（３）に高周波電力を供給する。放電調整部（６／１５）は、放電電極（３）における対向電極と反対側となる裏側に接続され、放電電極（３）の放電を調整するように設けられる。ガス供給管（１０）は、放電電極（３）の裏側に接続され、放電電極（３）にガスを供給し、導体製である。放電調整部（６／１５）とガス供給管（１０）とは、放電電極（３）の裏側において略一体となり、略一体の当該部分が共に放電電極（３）に絶縁部材を用いることなく接続されている。
本発明では、放電を調整する放電調整部（６／１５）は、放電電極（３）に当然に電気的に（直流的に導通可能に）接続されている。ガス供給管（１０）は、放電電極（３）の裏側に放電調整部（６／１５）と共に略一体となって接続されている。すなわち、当該略一体となった部分は放電調整部（６／１５）と同等の電気的特性を有しているとみなすことが出来る。そのため、当該部分は放電調整部（６／１５）と同様に、放電電極（３）に直接接続することが出来る。すなわち、ガス供給管（１０）を全て金属製の導体で形成することが出来、放電電極（３）との接続部分に絶縁性部材を用いる必要がなく、金属どうしの強固で安定した結合となる。安定した結合なので、真空処理装置を継続的に使用しても、経時的な変化が無く当該結合を維持でき、例えば、熱膨張や機械的外力があってもリークが発生しない。したがって、熱応力等の理由で放電電極（３）との接続部分が損傷する事態を回避することが可能となる。ここで、略一体とは、完全に一体となっていなくても、部分部分で接触したり近接位置にあることで、電気的には一体（導通している）とみなせる状態である。例えば、高周波電力の波長の（１／４）波長以内の距離ごとに、部分部分で接触していても良い。
【００１２】
上記の薄膜製造装置において、給電線（８）は、放電電極（３）の一端側に第１電力を供給する第１給電線（８−１）と、放電電極（３）の他端側に第２電力を供給する第２給電線（８−２）とを備える。第１給電線（８−１）と第２給電線（８−２）とを（直流的に導通可能に）接続するループ伝送路（７）をさらに具備する。
本発明では、ループ伝送路（７）を有しているので、放電電極（３）から給電線（８）を介した高周波電力供給部への反射波を抑制することが出来る。
【００１３】
上記の薄膜製造装置において、放電調整部（６）は、放電電極（３）の裏側の面に略平行に設けられ接地された接地部材（６ａ）と、放電電極（３）の裏側と接地部材（６ａ）とを接続する複数の接続部材（６ｂ）とを備える。ガス供給管（１０）は、放電電極（３）の裏側において、接地部材（６ａ）の一部及び少なくとも一つの接続部材（６ｂ）に沿い且つ（直流的に導通可能に）接続され、接続部材（６ｂ）の接続点近傍で絶縁材料を用いることなく放電電極（３）に接続している。
本発明では、放電調整部（６）として放電電極（３）の裏面の一部を接地する接地部材（６ａ）及び接続部材（６ｂ）を有している。したがって、ガス供給管（１０）を、それら接地部材（６ａ）等と電気的に（直流的に導通可能に）接触させてそれらの機能を同様に担わせることで、ガス供給管（１０）を接地部材（６ａ）及び接続部材（６ｂ）とみなすことが出来る。それにより、ガス供給管（１０）を絶縁部材を用いることなく直接放電電極（３）に接続することが可能となる。
【００１４】
上記の薄膜製造装置において、ガス供給管（１０）は、放電電極（３）の裏側において、放電電極（３）の一端側から他端側までに対応する接地部材（６ａ）及び一端側と他端側の接続部材（６ｂ）に沿っている。
本発明では、ガス供給管（１０）を放電電極（３）の一端側と他端側とに分けて、放電電極（３）に接続している。すなわち、放電電極（３）の複数箇所で放電を調整できる（均一化できる）と共に、放電電極（３）の複数箇所にガスを同時に供給することが出来る。
【００１５】
上記の薄膜製造装置において、ガス供給管（１０）は、放電電極（３）の裏側において、一端側から他端側までの放電電極（３）に対応する接地部材（６ａ）及び一端側と他端側の接続部材（６ｂ）と同一である。
本発明では、ガス供給管（１０）の一部が、接地部材（６ａ）及び接続部材（６ｂ）の一部と同一であるので、その構成を簡略化することが出来る。
【００１６】
上記の薄膜製造装置において、放電調整部（１５）は、ガス供給管（１０）の途中に設けられ、放電電極（３）のインピーダンスを変換するインピーダンス変換部（１５）を備える。
本発明では、放電調整部（６）としてインピーダンス変換部（１５）を有している。したがって、ガス供給管（１０）を、インピーダンス変換部（１５）と電気的に接触させてそれらの電気的特性を同様に担わせることで、ガス供給管（１０）をインピーダンス変換部（１５）とみなすことが出来る。それにより、ガス供給管（１０）を絶縁材料を用いることなく直接放電電極（３）に接続することが可能となる。
【００１７】
上記の薄膜製造装置において、ガス供給管（１０）及びインピーダンス変換部（１５）は、複数設けられている。すなわち、放電電極（３）の複数箇所にガスを同時に供給することが出来る。
本発明では、複数のガス供給管（１０）及びインピーダンス変換部（１５）を有しているので、放電電極（３）の複数箇所でインピーダンスを調整できると共に、放電電極（３）の複数箇所にガスを同時に供給することが出来る。
【００１８】
本発明は、薄膜製造装置を用いた太陽電池の製造方法である。ここで、薄膜製造装置は、接地された対向電極（５）と、対向電極側となる表側を対向電極（５）に対向し表側にガスを放出する放電電極（３）と、放電電極（３）に高周波電力を供給する給電線（８）と、放電電極（３）の対向電極と反対側となる裏側に接続され放電電極（３）の放電を調整するように設けられる放電調整部（６／１５）と、放電電極（３）の裏側に接続され放電電極（３）にガスを供給する導体製のガス供給管（１０）とを具備する。放電調整部（６／１５）とガス供給管（１０）とは、放電電極（３）の裏側において略一体となり、略一体の当該部分が共に放電電極（３）に接続されている。太陽電池の製造方法は、（ａ）対向電極（５）に基板（２０）を保持する工程と、（ｂ）ガス供給管（１０）及び放電電極（３）を介して製膜用のガスを放電電極（３）と対向電極（５）との間に導入する工程と、（ｃ）ガスを導入しながら、給電線（８）を介して放電電極（３）に高周波電力を供給して、基板（２０）上に太陽電池用の薄膜を形成する工程とを具備する。
本発明では、ガス供給管（１０）と放電調整部（６／１５）とが略一体となった部分は放電調整部（６／１５）と同等の電気的特性を有しているとみなすことが出来る。そのため、ガス供給管（１０）を全て金属製の導体で形成することが出来、放電電極（３）との接続部分に絶縁性部材を用いる必要がなく金属部材どうしの強固で安定した結合となる。したがって、太陽電池用の薄膜の製膜中やその前後に発生する熱応力等の理由で放電電極３との接続部分が損傷する事態を回避することが可能となる。
【００１９】
上記の太陽電池の製造方法において、給電線（８）は、放電電極（３）の一端側に第１電力を供給する第１給電線（８）と、放電電極（３）の他端側に第２電力を供給する第２給電線（８）とを備える。第１給電線（８）と第２給電線（８）とを（直流的に導通可能に）接続するループ伝送路（７）をさらに具備する。
【００２０】
上記の太陽電池の製造方法において、放電調整部（６）は、放電電極（３）の裏側の面に略平行に設けられ、接地された接地部材（６ａ）と、放電電極（３）の裏側と接地部材（６ａ）とを接続する複数の接続部材（６ｂ）とを備える。ガス供給管（１０）は、放電電極（３）の裏側において、接地部材（６ａ）の一部及び少なくとも一つの接続部材（６ｂ）に沿い且つ（直流的に導通可能に）接続され、接続部材（６ｂ）の接続点近傍で絶縁部材を用いることなく放電電極（３）に接続している。
【００２１】
上記の太陽電池の製造方法において、ガス供給管（１０）は、放電電極（３）の裏側において、放電電極（３）の一端側から他端側までに対応する接地部材（６ａ）及び一端側と他端側の接続部材（６ｂ）に沿っている。
【００２２】
上記の太陽電池の製造方法において、ガス供給管（１０）は、放電電極（３）の裏側において、一端側から他端側までの放電電極（３）に対応する接地部材（６ａ）及び一端側と他端側の接続部材（６ｂ）と同一である。
【００２３】
上記の太陽電池の製造方法において、放電調整部（６）は、ガス供給管（１０）の途中に設けられ、放電電極（３）のインピーダンスを変換するインピーダンス変換部（１５）を備える。
【００２４】
上記の太陽電池の製造方法において、ガス供給管（１０）及びインピーダンス変換部（１５）は、複数設けられている。
【発明の効果】
【００２５】
本発明により、ガスを供給するガス供給管と放電電極との接続を安定的に行うとともに、基板に製膜処理をするにあたり膜厚分布や膜質分布の発生を抑制することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、本発明の薄膜製造装置及び太陽電池の製造方法の実施の形態に関して、添付図面を参照して説明する。
【００２７】
（第１の実施の形態）
本発明の薄膜製造装置の第１の実施の形態の構成について説明する。図２は、本発明の薄膜製造装置の第１の実施の形態の構成を示す概略側面図である。薄膜製造装置１は、製膜室２、放電電極３、防着板４、対向電極５、アースバー６、ループ伝送路７、高周波給電伝送路８、１４、接地線９、ガス供給管１０、整合器１３、高周波電源１２を具備する。図中に矢印でＸＹＺ方向を示す。なお、本図において、ガス排気に関する構成は省略している。
【００２８】
製膜室２は、真空容器であり、その内部で基板２０に膜が製膜される。接地線９により接地されている。対向電極５は、基板２０を保持可能な保持手段（図示されず）を有する金属製の板である。対向電極５は、製膜時、放電電極３に対向する電極（例示：接地側）となる。製膜室２を介して接地されている。また、図では基板２０と放電電極３などが上下方向（図中のｙ方向）に設置されているが、上下方向（ｙ方向）に対して傾斜して設置しても、水平方向（ｚ方向）へ設置しても良い。大型基板を製膜処理するにあたり、製膜装置の設置面積を抑えるとともに基板２０と対向電極５との密着性を確保するためには、基板２０と放電電極３などを＋Ｚ方向へ略１０°傾斜させることが好適である。
【００２９】
放電電極３は、梯子状に構成した電極である。複数の梯子状電極を有していても良い。放電電極３は、一方の端部の給電点５３−１に高周波給電伝送路８−１が、他方の端部の給電点５３−２に高周波給電伝送路８−２がそれぞれ接続されている。製膜又はクリーニング時、高周波給電伝送路８−１と給電点５３−１、及び、高周波給電伝送路８−２と給電点５３−２を介して、高周波電力を供給される。
【００３０】
また、放電電極３は、その裏側の一方の端部近傍のガス供給点５１−１にガス供給管１０−１が、他方の端部近傍のガス供給点５１−２にガス供給管１０−２がそれぞれ接続されている。製膜又はクリーニング時、ガス供給管１０−１とガス供給点５１−１、及び、ガス供給管１０−２とガス供給点５１−２を介して、ガス（製膜の場合には原料ガス、クリーニングの場合にはクリーニングガス）を供給される。供給されたガスは梯子状電極中のガス流路を経由して、梯子状電極に設けられた複数の小孔の開口孔から対向電極５（プラズマ領域３０）へ向って略均一に放出される。
【００３１】
このように、放電電極３に高周波電力及びガスが供給されることにより、対向電極５（例示：接地側）とそれに対向する放電（例示：高周波電力投入側）としての放電電極３との間にプラズマ（プラズマ領域３０）が発生する。このプラズマにより、原料ガスが分解されて製膜時には基板２０に膜が製膜され、クリーニング時には製膜室２内がクリーニングされる。
【００３２】
防着板４は、製膜室２を介して接地されている。それにより、プラズマの広がる範囲を抑えて、膜が製膜される範囲を制限する。図２の場合、製膜室２の内側における防着板４の後ろ側（基板２０と反対の側）の壁に膜が製膜されないようにしている。
【００３３】
アースバー６は、放電電極３の対向電極５と反対側となる裏側に接続され、放電電極３の放電を調整し、より均一化するように設けられている。アースバー６は、接地部材６ａと、接続部材６ｂとを備える。接地部材６ａは、放電電極３の裏側の面に略平行に設けられた、略棒状の導電体である。両端を防着板４に接続され、防着板４を介して接地されている。接続部材６ｂは、放電電極３と接地部材６ａとの間に並列に略垂直に接続された、略棒状の導電体である。これら複数の接続部材６ｂは、それぞれ放電電極３に対して等間隔に配置されているが、本発明はその例に限定されるものではない。接地部材６ａ及び接続部材６ｂは、放電に磁気的な影響を与えず、クリーニングガスに対して耐食性を有する必要があることから、非磁性の金属であることが好ましい。例えば、ＳＵＳ３０４やＳＵＳ３１６製の棒である。
【００３４】
接続部材６ｂを放電電極３の裏側の適切な位置に接続、配置することにより、放電電極３は地絡することなく放電状態を調整し、放電電極３に印可された高周波電力の放電電極３における電圧定在波分布を制御して、プラズマ領域３０をより均一化することができる。これにより、放電電極３に大電力の高周波電力を入射しようとする場合でも、放電電極３の給電点５３における高周波電力の反射を抑制し、高周波電力の跳ね返りによる高周波電源１２の故障を未然に防止できる。また、これにより、生成されるプラズマ密度を均一化させるために変動させていた高周波電力の電圧位相変動幅（後述）を小さくすることが出来る。そして、電極における高周波電力の電圧位相制御が容易になる。そして、大面積基板に対しても、その製膜速度を向上させることが出来る他、生成された膜厚の均一化が実現できる。
【００３５】
ガス供給管１０（ガス供給点５１−１に接続する方をガス供給管１０−１、ガス供給点５１−２に接続する方をガス供給管１０−２）は、外部から製膜室２内に伸び、一端をガス供給部（図示されず）に、他端を放電電極３の裏側における給電点５３の近傍（ガス供給管１０−１は給電点５３−１の近傍、ガス供給管１０−２は給電点５３−２の近傍）のガス供給点５１にそれぞれ接続されている。ガス供給管１０は、金属の導体製であり、ガス供給部（図示されず）から放電電極３にガスを供給する。ガス供給管１０は製膜室２の壁面との間でＯリング等を用いて真空シールをして、ガス供給源に接続する。
【００３６】
ガス供給管１０は、ガスが流通可能に接続されたガス供給管１０ａとガス供給管１０ｂとを含む。ガス供給管１０ａは、製膜室２内において防着板４の側面板（ガス供給管１０−１の場合は上面板、ガス供給管１０−２の場合は下面板）を貫通して、接地部材６ａの端部から接地部材６ａと上方（ガス供給管１０−１の場合）又は下方（ガス供給管１０−２の場合）の接続部材６ｂとの接続部分まで、接地部材６ａに沿って伸びている。ガス供給管１０ｂは、その接続部分から接続部材６ｂに沿うように曲がり、接続部材６ｂと放電電極３との接続点近傍のガス供給点５１で放電電極３に接続している。ガス供給管１０ａと接地部材６ａ及びガス供給管１０ｂと接続部材６ｂは、電気的に（直流的に導通可能に）接続されている。ただし、互いに全面的に電気的に接触（接続）している必要はなく、使用される高周波電力の波長の１／４の長さの範囲で、少なくとも一箇所電気的に接触（接続）していれば良い。
【００３７】
ガス供給管１０は、導電性があり、放電に磁気的な影響を与えず、クリーニングガスに対して耐食性を有する必要があることから、非磁性の耐食性金属であることが好ましい。例えば、ＳＵＳ３１６製の円筒管である。
【００３８】
ガス供給管１０は、接地されたアースバー６の接地部材６ａ及び接続部材６ｂに電気的に接続され、それら沿って放電電極３の裏側から回り込むように、放電電極３に接続されている。すなわち、ガス供給管１０はその一部がアースバー６の一部と略一体となり、当該一体となった部分はアースバー６と同等の機能を有しているとみなすことが出来る。そのため、当該部分はアースバー６と同様に、放電電極３に直接接続することが出来る。すなわち、ガス供給管１０を全て金属で形成し、放電電極３との接続部分に絶縁性部材を用いる必要がなくなる。したがって、熱応力等の理由で放電電極３との接続部分が損傷する事態を回避することが可能となる。
【００３９】
高周波電源１２（高周波給電伝送路１４−１に接続する方を高周波電源１２−１、高周波給電伝送路１４−２に接続する方を高周波電源１２−２）は、高周波給電伝送路１４、整合器１３及び高周波給電伝送路８を介して、放電電極３へ高周波電力を供給する。高周波電源１２−１及び１２−２の出力する高周波電力うち、一方の周波数及び位相を一定とし他方の周波数を僅かにずらし位相を変調させる。この電圧位相制御により、給電点５３−１と５３−２との間に発生する定在波を、給電点５３−１と５３−２との間で振動させて、基板２０上に製膜される膜の均一性を向上させる。この動作及び効果の詳細は、特開２００２−３２２５６３号公報のとおりである。
【００４０】
整合器１３（高周波給電伝送路１４−１に接続する方を整合器１３−１、高周波給電伝送路１４−２に接続する方を整合器１３−２）は、出力側のインピーダンスを整合（調整）する。そして、高周波電源１２−１から高周波給電伝送路１４を介して高周波電力を供給され、高周波給電伝送路８（整合器１３−１に接続する方を高周波給電伝送路８−１、整合器１３−２に接続する方を高周波給電伝送路８−２）を介して放電電極３へ送電する。
【００４１】
高周波給電伝送路８（給電点５３−１に接続する方を高周波給電伝送路８−１、給電点５３−２に接続する方を高周波給電伝送路８−２）は、外部から製膜室２内に伸び、一方を放電電極３に、他方を整合器１３に、それぞれ電気的に接続されている。整合器１３から供給される高周波電力を放電電極３へ供給する。対向電極側となる製膜室２の壁面との間で絶縁材とＯリング等を用いて真空シールをする。
【００４２】
ループ伝送路７は、放電電極３で反射された高周波電力のみを高周波電源１２に戻さずに、反射電力を最小化する。すなわち、当該ループ回路の端部において、反射電力が互いに逆位相となっている当該ループ回路の両端部からそれぞれ反射されてきた反射電力どうしを相殺させて、反射電力を最小化する。ループ伝送路７は、製膜室２の外において、高周波給電伝送路８−１上の接続点５５−１と高周波給電伝送路８−２上の接続点５５−２とを接続している。接続点５５−１と接続点５５−２の位置は、それぞれ高周波給電伝送路８−１及び高周波給電伝送路８−２上の任意位置で良い。ループ伝送路７は、高周波電源１２から出力される高周波電力の波長の整数倍の長さ（電気的な長さ）を有する。ただし、ループ伝送路７と接続点５５−１及び接続点５５−２との間に、それぞれインダクタンス成分としてのインダクタ（図示されず）又はキャパシタンス成分としてのコンデンサ（図示されず）を接続していても良い。更に、高周波給電伝送路８上の任意位置に、スタブ（図示されず）が並列に接続されていても良い。スタブには、インダクタ、又はコンデンサ、任意のインピーダンスを形成することができるインダクタとコンデンサと同軸ケーブルの組み合わせ等が適用される。スタブにおける高周波給電伝送路８に接続されていない方の端部は接地される。
【００４３】
放電電極３の給電点５３−１及び５３−２で反射される高周波電力のみを引き込むように、当該ループ伝送路７の電気的長さや、インダクタのインダクタンス値、あるいはコンデンサのキャパシタンス値を設定する。これにより構成される閉ループ経路（ループ伝送路７−高周波給電伝送路８−１−放電電極３−高周波給電伝送路８−２−ループ伝送路７）により、放電電極３で反射された高周波電力のみを、高周波電源１２に戻さずに当該ループ伝送路７に導入させることが出来る。そして、接続点５５−１及び５５−２のそれぞれから導入されてきた反射電力同士を、ループ伝送路７において相殺させて反射電力を最小化することが出来る。これにより、放電電極３に投入できる実効高周波電力量が増大しプラズマ発生効率を向上させ、基板２０上における製膜速度を向上させると伴に、高周波電源１２の反射波による故障を未然に防止する。
【００４４】
また、スタブの接続位置、接続するスタブのインダクタのインダクタンス値又はコンデンサのキャパシタンス値を最適化することにより、放電電極３における高周波電力の電圧位相制御の特性を調整し、プラズマ密度が均一となる電圧位相変調角度の最小化、および放電電極３端部における反射電力の最小化を実現することが出来る。
【００４５】
図３は、本発明の薄膜製造装置の第１の実施の形態の構成の一部を示す部分斜視図である。図中に矢印でＸＹＺ方向を示す。放電電極３は、梯子状の電極を備える。本実施の形態では８個の梯子状電極としての放電電極３ａ〜３ｈを備える。ただし、梯子状電極の数は、この数に限定されるものではなく、高周波を均一に給電してプラズマを均一化できることと、製作が容易であることから適切な数を選定できる。また放電電極３を１個の梯子状電極で構成しても良い。放電電極３ａ〜３ｈの各々は、互いに略平行にＸ方向へ伸びる二本の横電極２２と、二本の横電極２２の間に設けられ、互いに略平行にＹ方向（Ｘ方向へ垂直）へ伸びる複数の縦電極２１とを備える。横電極２２と縦電極２１内部にはガスが流通可能な流路（図示されず）が設けられている。縦電極２１の表面には行列状に並んだ複数の小孔の開口孔（図示されず）が設けられている。そして、ガス供給点５１から供給されて流路を流れてきたガスは、その小孔の開口孔から略均一に放出される。
【００４６】
放電電極３ａ〜３ｈの各々に対して、高周波電源１２（図示されず）、高周波給電伝送路１４、整合器１３、及び高周波給電伝送路８が設けられ、給電点５３に接続されている。アースバー６は、放電電極３の裏側に、放電電極３と略平行に伸び、接続部材（図示されず）で放電電極３に接続されている。ガス供給管１０は、防着板４を貫通し、アースバー６に沿って伸び、放電電極３の裏側（給電点５３近傍）で接続されている。図５では、放電電極３ａのみに関する各構成について示している。放電電極３ａ〜３ｈの各々は、ガス供給管１０から原料ガスを供給される。放電電極３ａ〜３ｈの各々は、供給された原料ガスを、図中の矢印に示す方向、すなわち基板２０（対向電極５）の方向へその表面から放出する。
【００４７】
ただし、８分割した放電電極３ａ〜３ｈへの電力供給を、８組の構成に限定することはない。８組未満または８組を超える構成（高周波電源１２、整合器１３及び高周波給電伝送路８、１４）で行うことも可能である。その場合、その組の数に対応するように、放電電極３ａ〜３ｈを組み分けや増設する。また、放電電極３を１個の梯子状電極で構成して、１組の構成から電力を供給しても良い。
【００４８】
次に、図２、図３を参照して、本発明の太陽電池の製造方法の第１の実施の形態について説明する。ここでは、上記に示した薄膜製造装置１を用いて、シリコン系薄膜の太陽電池を製造する場合を説明する。
【００４９】
ただし、シリコン系とは、シリコン（Ｓｉ）やシリコンカーバイド（ＳｉＣ）やシリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）を含む。ここでは、シリコン系薄膜として、微結晶シリコン又はアモルファスシリコンを例とする。
【００５０】
（１）ガラスのような透光性の基板２０を薄膜製造装置１へ導入し、対向電極５にセットする。基板２０は、例えば、１．４ｍ×１．１ｍ、板厚４ｍｍのソーダフロートガラスで、基板端面は破損防止にコーナー面取りやＲ面取り加工されていることが望ましい。基板２０の表面には酸化錫膜を主成分とする透明導電膜を約５００ｎｍから８００ｎｍの膜厚となるよう熱ＣＶＤ装置にて約５００℃で形成されている。多接合型（タンデム型）太陽電池において微結晶シリコン層をボトム電池層として製膜する際は、基板２０には透明導電膜とアモルファスシリコン太陽電池層（ｐ層、ｉ層、ｎ層）が形成されている。その後、製膜室２を所定の真空度（例示：１００−５００Ｐａ）にする。対向電極５の温度は、例えば２００℃で一定となるように熱媒循環などを利用した基板加熱装置（図示されず）で温度制御されている。基板２０−放電電極３間距離は、３ｍｍから１５ｍｍが例示され、例えば、５ｍｍである。
【００５１】
（２）製膜用のガスを、ガス供給管１０、ガス供給点５１、放電電極３内部の流路（図示されず）及び小孔の開口孔（図示されず）を介して放電電極３と基板２０との間に供給する。微結晶シリコン薄膜（ｐ層）を形成する場合、ガスは、例えば、Ｈ２＋ＳｉＨ４にドーパントとしてＢを加えたガスとする。製膜圧力の範囲は、例えば、微結晶シリコン薄膜（ｐ層）を形成する場合、１００〜５００Ｐａである。
【００５２】
（３）続いて、微結晶シリコン薄膜（ｉ層）を形成する。アースバー６やスタブ（図示されず）は、予め理論的、実験的、経験的に適切な値及び構成に設定されている。高周波電源１２は、数１０ＭＨｚから数１００ＭＨｚが利用可能で、たとえば６０ＭＨｚの高高周波を使用し、高周波給電伝送路１４、出力側のインピーダンスが整合された整合器１３、高周波給電伝送路８及び給電点５３を介して放電電極３へ所定の高周波電力を供給する。これにより、放電電極３と対向電極５との間にガスのプラズマが発生し、基板２０上にシリコン薄膜が製膜される。微結晶シリコン薄膜（ｉ層）を形成する場合、高周波電力は、例えば、５Ｗ／ｃｍ２を上回る大電力が投入されるため放電電極３の電位特性へ影響を与えない周辺形態、特に本願で取り上げるガス供給管１０の接続方法が重要である。基板温度及び膜厚は、２００℃及び１．５μｍから３μｍである。基板温度が高く放電電極３温度も高いところへ大電力の高周波を印可するので、放電電極３とガス供給管１０の接続部分の温度分布が発生し易く、この接続部分の強固で安定した接合が重要である。ただし、スタブ（図示されず）や整合器１３の調整は、製膜中でも可能であり、必要に応じて実行する。
【００５３】
（４）ｐ層微結晶シリコン薄膜、ｉ層微結晶シリコン薄膜に引続き、ｎ層微結晶シリコン薄膜を製膜する。
（５）その後、ｎ層上に銀やアルミニウムによる裏面導電膜をスパッタリング装置で形成して、太陽電池が製造される。
【００５４】
このとき、ガス供給管１０は、接地された防着板４を貫通し、接地されたアースバー６の接地部材６ａ及び接続部材６ｂに電気的（直流的に導通可能に）に接続され、それらに沿って放電電極３の裏側から回り込むように、放電電極３に接続されている。アースバー６は放電電極３の放電を調整するためのものであり、高周波電力を接地へ漏洩させたり放電電極の電位分布に不均一を増加させるような悪影響は無い。そのため、ガス供給管１０を金属で形成し、アースバー６に沿わせて（接触させて）放電電極３に接続することで、ガス供給管１０は擬似的に電気的にアースバー６と同じ状態になるので、アースバー６と同様に放電電極３に悪影響を与えずに放電電極３接続することが出来る。すなわち、ガス供給管１０を全て金属で形成することが出来る。それにより、放電電極３との接続部分に絶縁性部材を用いる必要がなく金属どうしで強固で安定した接続ができる。安定しているので、真空処理装置を継続的に使用しても、経時的な変化が無く接続を維持でき、例えば、熱膨張や機械的外力があってもリークが発生しない。したがって、熱応力等の理由で放電電極３とガス供給管１０の接続部分が損傷する事態を回避することが可能となる。
【００５５】
なお、ｐ層シリコン薄膜、ｉ層シリコン薄膜、及びｎ層シリコン薄膜をそれぞれ異なる製膜室２で形成しても良い。更には異なる薄膜製造装置で形成しても良い。また、必要に応じて各層の間に他の薄膜を形成しても良い。そのような他の膜や透明導電膜、裏面導電膜については、本発明の薄膜製造装置用いなくても良い。また、特に記載していないが、太陽電池として直列集積構造するために、途中工程にＹＡＧレーザーなどを用いた膜のエッチング工程を実施して、短冊状のセルを直列接続する。
【００５６】
上記の太陽電池の製造方法では、微結晶シリコン太陽電池を一つ製造する例を示している。しかし、本発明がこの例に限定されるものではなく、アモルファスシリコン太陽電池と微結晶シリコン太陽電池とシリコンゲルマ太陽電池を各１層〜複数層に積層させたタンデム型（多接合型）太陽電池のような他の種類の薄膜太陽電池にも同様に適用可能である。
【００５７】
（第２の実施の形態）
本発明の薄膜製造装置の第２の実施の形態の構成について説明する。図４は、本発明の薄膜製造装置の第２の実施の形態の構成を示す概略側面図である。薄膜製造装置１Ａは、製膜室２、放電電極３、防着板４、対向電極５、アースバー６、ループ伝送路７、高周波給電伝送路８、１４、接地線９、ガス供給管１０Ａ、整合器１３、高周波電源１２を具備する。図中に矢印でＸＹＺ方向を示す。なお、本図において、ガス排気に関する構成は省略している。本実施の形態における薄膜製造装置１Ａは、ガス供給管１０Ａの構成において第１の実施の形態の薄膜製造装置１と異なる。
【００５８】
ガス供給管１０Ａは、外部から製膜室２内に伸び、一端をガス供給部（図示されず）に、他端を放電電極３の裏側における給電点５３の近傍（給電点５３−１の近傍、及び給電点５３−２の近傍）のガス供給点５１にそれぞれ接続されている。ガス供給管１０Ａは、金属の導体製であり、ガス供給部（図示されず）から放電電極３にガスを供給する。ガス供給管１０Ａは製膜室２の壁面との間でＯリング等を用いて真空シールをする。
【００５９】
ガス供給管１０Ａは、ガスが流通可能に接続されたガス供給管１０ａ、ガス供給管１０ｃ及びガス供給管１０ｂを含む。ガス供給管１０ａは、製膜室２内において防着板４の上部板を貫通して、接地部材６ａの端部から放電電極３の中央部分に対応する部分まで、接地部材６ａに沿って伸びている。ガス供給管１０ｃは、接地部材６ａにおける放電電極３の中央部分に対応する部分（ガス供給管１０ａとの接続部分）から二手に分かれている。一方は接地部材６ａと上方の接続部材６ｂとの接続部分まで、他方は接地部材６ａと下方の接続部材６ｂとの接続部分まで、接地部材６ａに沿って伸びている。ガス供給管１０ｂは、それらの接続部分から接続部材６ｂに沿うように曲がり、上方の接続部材６ｂと放電電極３との接続点近傍のガス供給点５１−１、及び下方の接続部材６ｂと放電電極３との接続点近傍のガス供給点５１−２の各々で放電電極３に接続している。ガス供給管１０ａ、１０ｃと接地部材６ａ及びガス供給管１０ｂと接続部材６ｂは、それぞれ電気的（直流的に導通可能に）に接続されている。ただし、互いに全面的に電気的に接触（接続）している必要はなく、使用される高周波電力の波長の１／４の長さの範囲で、少なくとも一箇所電気的に接触（接続）していれば良い。
【００６０】
ガス供給管１０Ａは、金属で導電性があり、放電に影響を与えず、クリーニングガスに対して耐食性を有する必要があることから、非磁性の耐食性金属であることが好ましい。例えば、ＳＵＳ３１６製の円筒管である。
【００６１】
ガス供給管１０Ａは、接地されたアースバー６の接地部材６ａ及び接続部材６ｂに電気的に接続され、それら沿って放電電極３の裏側から回り込むように、放電電極３に接続されている。すなわち、ガス供給管１０Ａはその一部がアースバー６の一部と略一体となり、当該一体となった部分はアースバー６と同等の機能を有しているとみなすことが出来る。そのため、当該部分はアースバー６と同様に、放電電極３に直接接続することが出来る。すなわち、ガス供給管１０Ａを全て金属で形成し、放電電極３との接続部分に絶縁性部材を用いる必要がなくなり金属どうしの強固で安定した接続ができる。したがって、熱応力等の理由で放電電極３とのガス供給管１０Ａの接続部分が損傷する事態を回避することが可能となる。
【００６２】
製膜室２、放電電極３、防着板４、対向電極５、アースバー６、ループ伝送路７、接地線９、高周波電源１２（高周波電源１２−１、高周波電源１２−２）、高周波給電伝送路１４（高周波給電伝送路１４−１、高周波給電伝送路１４−２）、整合器１３（整合器１３−１、整合器１３−２）、高周波給電伝送路８（高周波給電伝送路８−１、高周波給電伝送路８−２）は、第１の実施の形態と同様であるので、その説明を省略する。
【００６３】
本発明の薄膜製造装置の第２の実施の形態の構成の一部を示す部分斜視図については、ガス供給管１０Ａの構成が図４のようであるほかは、図３と同様である。
【００６４】
本発明の太陽電池の製造方法の第２の実施の形態については、薄膜製造装置１Ａを用いている他は第１の実施の形態と同様であるのでその説明を省略する。
【００６５】
この場合も、第１の実施の形態と同様の効果を得ることができる。加えて、製膜室２に導入されるガス供給管１０Ａの本数が薄膜製造装置１に比較して少ないので、製膜室２周辺の配管を簡素化することが出来る。
【００６６】
（第３の実施の形態）
本発明の薄膜製造装置の第３の実施の形態の構成について説明する。図５は、本発明の薄膜製造装置の第３の実施の形態の構成を示す概略側面図である。薄膜製造装置１Ｂは、製膜室２、放電電極３、防着板４、対向電極５、アースバー６Ａ、ループ伝送路７、高周波給電伝送路８、１４、接地線９、ガス供給管１０Ｂ、整合器１３、高周波電源１２を具備する。図中に矢印でＸＹＺ方向を示す。なお、本図において、ガス排気に関する構成は省略している。本実施の形態における薄膜製造装置１Ｂは、アースバー６Ａ及びガス供給管１０Ｂの構成において第２の実施の形態の薄膜製造装置１Ａと異なる。
【００６７】
ガス供給管１０Ｂは、ガスが流通可能に接続されたガス供給管１０ａ、ガス供給管１０ｃ及びガス供給管１０ｂを含む。ここで、第２の実施の形態におけるアースバー６の接地部材６ａとガス供給管１０ｃとが重なっていた部分が、本実施の形態ではガス供給管１０ｃのみとなり、接地部材６ａの一部の構成を代替している。すなわち、第２の実施の形態における接地部材６ａは、本実施の形態ではガス供給管１０ｃとその両端に接続された補助接地部材６ｃとで代替されている。ここで、補助接地部材６ｃは、それぞれガス供給管１０ｃの上方の端部と防着板４とを接続し、ガス供給管１０ｃの下方の端部と防着板４とを接続している。
【００６８】
同様に、第２の実施の形態におけるアースバー６の接続部材６ｂとガス供給管１０ｂとが重なっていた部分が、本実施の形態ではガス供給管１０ｂのみとなり、その部分の接続部材６ｂを代替している。すなわち、第２の実施の形態における放電電極３の上部及び下部の接続部材６ｂは、本実施の形態ではガス供給管１０ｂで代替されている。したがって、ガス供給管１０Ｂはその一部がアースバー６の一部と略同一となり、当該同一となった部分はアースバー６と同等の機能を有しているとみなすことが出来る。そのため、当該部分は、放電電極３に直接接続することが出来る。すなわち、ガス供給管１０Ｂを全て金属で形成し、放電電極３との接続部分に絶縁性部材を用いる必要がなくなり金属どうしの強固で安定した接続ができる。したがって、熱応力等の理由で放電電極３とガス供給管１０ｂの接続部分が損傷することを防止できる。その他の構成については第２の実施の形態と同様であるので、その説明を省略する。
【００６９】
アースバー６Ａは、接続部材６ｂと接地部材６ａとしてのガス供給部１０ｃ及び補助接地部材６ｃとを含む。接地部材６ａがガス供給部１０ｃ及び補助接地部材６ｃで構成され、接続部材６ｂの一部がガス供給部１０ｂで構成されているほかは、第２の実施の形態のアースバー６と同様であるので、その説明を省略する。
【００７０】
製膜室２、放電電極３、防着板４、対向電極５、アースバー６、ループ伝送路７、接地線９、高周波電源１２（高周波電源１２−１、高周波電源１２−２）、高周波給電伝送路１４（高周波給電伝送路１４−１、高周波給電伝送路１４−２）、整合器１３（整合器１３−１、整合器１３−２）、高周波給電伝送路８（高周波給電伝送路８−１、高周波給電伝送路８−２）は、第２の実施の形態と同様であるので、その説明を省略する。
【００７１】
本発明の薄膜製造装置の第３の実施の形態の構成の一部を示す部分斜視図については、ガス供給管１０Ｂの構成が図５のようであるほかは、図３と同様である。
【００７２】
本発明の太陽電池の製造方法の第３の実施の形態については、薄膜製造装置１Ｂを用いている他は第１の実施の形態と同様であるのでその説明を省略する。
【００７３】
この場合も、第２の実施の形態と同様の効果を得ることができる。加えて、ガス供給管１０Ｂとアースバー６Ａとが一部構成を兼用しているので、製膜室２内の構成を簡素化することが出来る。
【００７４】
（第４の実施の形態）
本発明の薄膜製造装置の第４の実施の形態の構成について説明する。図６は、本発明の薄膜製造装置の第４の実施の形態の構成を示す概略側面図である。薄膜製造装置１Ｃは、製膜室２、放電電極３、防着板４、対向電極５、ループ伝送路７、高周波給電伝送路８、１４、接地線９、ガス供給管１０Ｃ、インピーダンス変換部１５、整合器１３、高周波電源１２を具備する。図中に矢印でＸＹＺ方向を示す。なお、本図において、ガス排気に関する構成は省略している。本実施の形態における薄膜製造装置１Ｃは、ガス供給管１０Ｃの構成や、アースバー６を設けない点において第１の実施の形態の薄膜製造装置１と異なる。
【００７５】
ガス供給管１０Ｃ（ガス供給点５１−１に接続される方をガス供給管１０Ｃ−１、ガス供給点５１−２に接続される方をガス供給管１０Ｃ−２）は、外部から製膜室２内に伸び、一端をガス供給部（図示されず）に、他端を放電電極３の裏側における給電点５３の近傍（ガス供給管１０Ｃ−１は給電点５３−１の近傍、ガス供給管１０Ｃ−２は給電点５３−２の近傍）のガス供給点５１にそれぞれ接続されている。ガス供給管１０Ｃは、ガス供給部（図示されず）から放電電極３にガスを供給する。ガス供給管１０Ｃは製膜室２の壁面との間でＯリング等を用いて真空シールをする。
【００７６】
ガス供給管１０Ｃは、金属の導体製であり、製膜室２の壁面などを利用して接地されている。ガス供給管１０Ｃの接地と放電電極３の接続部（ガス供給点５１）との距離は、位相がそろうように例えば、高周波電源１２から入力される高周波電力の線路内における半波長を基本とした整数倍の長さを有する長さにすることが好ましい。ガス供給管１０Ｃは、ガス供給部（図示されず）と放電電極３との間（途中）にインピーダンス変換部１５（ガス供給管１０Ｃ−１に設けられる方をインピーダンス変換部１５−１、ガス供給管１０Ｃ−２に設けられる方をインピーダンス変換部１５−２）を有する。すなわち、ガス供給管１０Ｃは、インピーダンス変換部１５を放電電極３に電気的に接続している。
【００７７】
インピーダンス変換部１５は、インダクタ、可変コンデンサ、又はそれらの組み合わせに例示される。可変コンデンサを調整することで、放電電極３は地絡することなくインピーダンスを変換することが出来る。インピーダンス変換部１５の位置は、製膜室２の内部だけでなく、製膜室２の外側にあっても良い。更に、ガス供給管１０Ｃと接地との間に別のインピーダンス変換部１５を有していても良い。その場合、製膜室２を大気曝露しなくてもインピーダンスの値をより広範囲で調整することが出来る。
【００７８】
インピーダンス変換部１５はそのインダクタンスとキャパシタンスの値の調整により、放電電極３のインピーダンスを調整することが出来る。加えて、ガス供給管１０Ｃは接地までの長さの調整することで、放電電極３のインピーダンスを調整することも可能である。すなわち、ガス供給管１０Ｃとインピーダンス変換部１５とは、一体となり放電電極３のインピーダンスの変換に寄与している。インピーダンス変換部１５とガス供給管１０Ｃとが一体となった構成を、放電電極３の適切な位置をコンピュータシミュレーションなどで選定しておき、ここに接続（配置）することで、放電の分布（プラスマの分布）を調整することが出来る。それにより、大面積な放電電極３上のプラズマをより均一にすることが出来る。プラズマが均一化することで、基板２０上に形成される薄膜の膜厚及び膜質の分布を均一化することが可能となる。
【００７９】
ガス供給管１０Ｃは、導電性があり、放電に影響を与えず、クリーニングガスに対して耐食性を有する必要があることから、非磁性の耐食性金属であることが好ましい。例えば、ＳＵＳ３１６製の円筒管である。
【００８０】
製膜室２、放電電極３、防着板４、対向電極５、ループ伝送路７、接地線９、高周波電源１２（高周波電源１２−１、高周波電源１２−２）、高周波給電伝送路１４（高周波給電伝送路１４−１、高周波給電伝送路１４−２）、整合器１３（整合器１３−１、整合器１３−２）、高周波給電伝送路８（高周波給電伝送路８−１、高周波給電伝送路８−２）は、第１の実施の形態と同様であるので、その説明を省略する。
【００８１】
本発明の薄膜製造装置の第４の実施の形態の構成の一部を示す部分斜視図については、ガス供給管１０Ｃの構成が図６のようであるほかは、図３と同様である。
【００８２】
本発明の太陽電池の製造方法の第４の実施の形態については、薄膜製造装置１Ｃを用いている他は第１の実施の形態と同様であるのでその説明を省略する。
【００８３】
この場合も、第１の実施の形態と同様の効果を得ることができる。加えて、本来ならば同軸ケーブル等を用いるところをガス供給管１０Ｃで兼用させることが出来るので、製膜室２内部の構造を薄膜製造装置１に比較してより簡素化することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【００８４】
【図１】図１は、従来の真空処理装置の構成を示す概略側面図である。
【図２】図２は、本発明の薄膜製造装置の第１の実施の形態の構成を示す概略側面図である。
【図３】図３は、本発明の薄膜製造装置の第１の実施の形態の構成の一部を示す部分斜視図である。
【図４】図４は、本発明の薄膜製造装置の第２の実施の形態の構成を示す概略側面図である。
【図５】図５は、本発明の薄膜製造装置の第３の実施の形態の構成を示す概略側面図である。
【図６】図６は、本発明の薄膜製造装置の第４の実施の形態の構成を示す概略側面図である。
【符号の説明】
【００８５】
１、１Ａ、１Ｂ、１Ｃ    薄膜製造装置
２、１０２    製膜室
３（３ａ〜３ｈ）、１０３    放電電極
４、１０４    防着板
５    対向電極
６、６Ａ    アースバー
６ａ    接地部材
６ｂ    接続部材
６ｃ    補助接地部材
７    ループ伝送路
８（−１、−２）、１４（−１、−２）、１０８    高周波給電伝送路
９    接地線
１０（−１、−２）、１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ（−１、−２）    ガス供給管
１２（−１、−２）、１１２    高周波電源
１３（−１、−２）、１１３    整合器
１５（−１、−２）    インピーダンス変換部
２０、１２０    基板
３０、１３０    プラズマ領域
５１（−１、−２）    ガス供給点
５３（−１、−２）    給電点
５５（−１、−２）    接続点
１０１    真空処理装置
１０３    管材電極
１０５    基板支持台
１１０ａ    ガス供給管材
１１０ｂ    絶縁管材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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