(57)【要約】【課題】ガラス基板の破損や曲りを発生させることなく、液晶パネル等といった基板を容易に薄く形成する薄型基板の製造方法を提供する。【解決手段】透光性基板の平面領域であるパネル領域を選択的に薄く形成するガラス基板パターニング工程Ｐ４と、薄く形成されたパネル領域内の少なくとも一方の表面に基板要素を形成する基板要素形成工程Ｐ８と、基板要素形成工程Ｐ８の後に透光性基板のうちのパネル領域以外の部分である外縁領域を除去する外縁領域除去工程Ｐ２２及びＰ２５とを有する薄型基板の製造方法である。【選択図】図１
2008216835.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透光性基板の平面領域であるパネル領域を選択的に薄く形成するパネル領域形成工程と
、
薄く形成された前記パネル領域内の少なくとも一方の表面に少なくとも１つの基板要素
を形成する基板要素形成工程と、
前記基板要素形成工程の後に、前記透光性基板のうちの前記パネル領域以外の領域であ
る外縁領域を除去する外縁領域除去工程と、
を有することを特徴とする薄型基板の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の薄型基板の製造方法において、
前記パネル領域形成工程は、
前記透光性基板の前記外縁領域にレジストを形成する工程と、
前記パネル領域をエッチング処理によって所定厚さ除去する工程と、
前記レジストを除去する工程と
を有することを特徴とする薄型基板の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２記載の薄型基板の製造方法において、前記パネル領域形成工程と
前記基板要素形成工程の間に、前記透光性基板の両面に強化層を形成する強化層形成工程
をさらに有することを特徴とする薄型基板の製造方法。
【請求項４】
請求項３記載の薄型基板の製造方法において、前記透光性基板はアルカリガラスを用い
て形成され、前記強化層形成工程では化学強化処理によって前記強化層が形成されること
を特徴とする薄型基板の製造方法。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれか１つに記載の薄型基板の製造方法において、前記パネ
ル領域形成工程では、複数の前記パネル領域を前記透光性基板の平面内に並べて形成する
ことを特徴とする薄型基板の製造方法。
【請求項６】
請求項１から請求項５のいずれか１つに記載の薄型基板の製造方法において、前記外縁
領域除去工程では、前記パネル領域以外の領域を前記透光性基板から切断することを特徴
とする薄型基板の製造方法。
【請求項７】
請求項６記載の薄型基板の製造方法において、前記外縁領域除去工程では、前記パネル
領域以外の領域をレーザを用いて切断することを特徴とする薄型基板の製造方法。
【請求項８】
請求項１から請求項７のいずれか１つに記載の薄型基板の製造方法において、
前記基板要素形成工程は、
前記透光性基板の一方の表面に少なくとも１つの第１導電パターンを形成する工程と、
前記透光性基板の他方の表面に少なくとも１つの第２導電パターンを形成する工程と
を有することを特徴とする薄型基板の製造方法。
【請求項９】
請求項１から請求項７のいずれか１つに記載の薄型基板の製造方法において、
前記基板要素形成工程は、
前記透光性基板の一方の表面に少なくとも１つの第１導電パターンを形成する工程と、
前記第１導電パターンを覆う絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜上に複数の第２導電パターンを形成する工程と
を有することを特徴とする薄型基板の製造方法。
【請求項１０】
請求項１から請求項７のいずれか１つに記載の薄型基板の製造方法において、
前記薄型基板は、互いに対向する２枚の基板から成る液晶パネルの第１基板であり、
前記基板要素形成工程は、
前記透光性基板の一方の表面に複数の第１導電パターンを形成する工程と、
前記第１導電パターン上に配向膜を形成する工程と
を有することを特徴とする薄型基板の製造方法。
【請求項１１】
請求項１から請求項７のいずれか１つに記載の薄型基板の製造方法において、
前記薄型基板は、互いに対向する２枚の基板から成る液晶パネルの第２基板であり、
前記基板要素形成工程は、
前記透光性基板の一方の表面に複数の着色膜を隣接して形成する工程と、
互いに隣接する前記着色膜同士の間に遮光膜を形成する工程と、
前記着色膜及び前記遮光膜を覆う樹脂膜を形成する工程と、
前記樹脂膜上に前記着色膜に平面的に重なる複数の第２導電パターンを形成する工程と
、
前記樹脂膜上の前記遮光膜と平面的に重なる位置にスペーサを形成する工程と、
前記第２導電パターン及び前記スペーサを覆う配向膜を形成する工程と
を有することを特徴とする薄型基板の製造方法。
【請求項１２】
請求項１から請求項７記載の薄型基板の製造方法において、
前記薄型基板は、互いに対向する２枚の基板から成る液晶パネルの第１基板及び第２基
板であり、
前記第１基板の基板要素形成工程は、
前記透光性基板の一方の表面に複数の第１導電パターンを形成する工程と、
前記第１導電パターン上に配向膜を形成する工程と、を有し、
前記第２基板の基板要素形成工程は、
前記透光性基板の一方の表面に複数の着色膜を隣接して形成する工程と、
互いに隣接する前記着色膜同士の間に遮光膜を形成する工程と、
前記着色膜及び前記遮光膜を覆う樹脂膜を形成する工程と、
前記樹脂膜上に前記着色膜に平面的に重なる複数の帯状の電極を形成する工程と、
前記樹脂膜上の前記遮光膜と平面的に重なる位置にスペーサを形成する工程と、
前記帯状電極及び前記スペーサを覆う配向膜を形成する工程と、を有し、
前記第１基板の基板要素形成工程及び前記第２基板の基板要素形成工程の後には、
前記第１基板と前記第２基板とを、前記基板要素が形成された面を互いに対向させて貼
り合せる工程と、
互いに貼り合わせた前記第１基板と前記第２基板の間に液晶層を形成する工程と、
をさらに有することを特徴とする薄型基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、透光性基板を用いて導電膜等のパターンを有する薄型の基板を製造する薄型
基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、携帯電話機、携帯情報端末機等といった各種の電子機器において、例えば、当該
電子機器に関する各種の情報を視覚的に表示するための表示部として、液晶装置やＥＬ（
Electro luminessence）装置等といった電気光学装置が広く用いられている。また、これ
らの電気光学装置にはタッチパネル等といった入力装置が設けられることがある。これら
の電気光学装置や入力装置には、一般に、透明導電膜や金属膜等といった種々の要素を透
光性基板、例えばガラス基板上に形成して成るパネルが用いられている。
【０００３】
上記の電気光学装置や入力装置は薄型化が求められている。この薄型化に関しては、ガ
ラス基板を薄型に形成することが有効である。このようにガラス基板を薄く形成すること
により、そのガラス基板を用いて構成される電気光学装置や入力装置の全体の厚みを薄く
することができる。
【０００４】
電気光学装置等に用いるパネルを製造する作業としては、例えば、ガラス基板の表面に
導電パターン等を形成する作業やガラス基板同士を貼り合わせる作業等があり、それらの
作業の間には基板を搬送する作業がある。これらの作業を薄く形成されたガラス基板に対
して行うと、そのガラス基板が破損したり、自重により反って曲がったりするおそれがあ
る。特に、大判のガラス基板を用いて複数個分のパネルを一度に形成する、いわゆる多数
個取りの手法を用いる場合には、ガラス基板の破損や曲りが発生する可能性が高くなり作
業が困難となる。そのため、薄型のガラス基板を用いてパネルを製造するには、作業中に
破損や曲りが生じないようにガラスを補強しておく等といった対策が必要である。
【０００５】
ガラス基板を用いてパネルを製造する方法として、従来、液晶装置を構成する液晶パネ
ルの複数個分の面積を有する一対のガラス基板をシール材を用いて貼り合わせた後に、ガ
ラス基板の少なくとも一方の表面をエッチング処理により除去してガラスを薄くする方法
が知られている（例えば、特許文献１参照）。この方法では、個々の液晶パネルのうちの
シール材の内側に対応する部分のガラスを除去し、シール材を含めた周縁部にガラス厚が
厚い部分を残している。
【０００６】
【特許文献１】特開平５−２４９４２３号公報（第４頁、図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献１に開示された液晶装置の製造方法は、表示に寄与する部分のガラス基板を薄
くすることによりそのガラスにおいて光が屈折することに起因して発生する反射光の経路
のずれを小さくして、鮮明な表示を得ることを目的としている。また、作製された個々の
液晶装置の周縁部分にガラス厚が厚い部分を残すことにより、ガラス基板を薄く形成して
もそのガラス基板の強度を確保できるという効果がある。しかしながら、ガラス基板の周
縁部分にガラス厚が厚い部分が残されることから、そのガラス基板を用いて液晶装置等と
いった電気光学装置を薄型に形成することは難しい。また、特許文献１の製造方法では、
一対のガラス基板を貼り合わせた状態でガラス基板の薄い部分を形成しているため、１枚
のガラス基板を用いてパネル基板を形成する場合、例えばタッチパネル等を形成する場合
に特許文献１の製造方法を適用することは難しい。
【０００８】
本発明は、上記の問題点に鑑みて成されたものであって、ガラスの破損や曲りを発生さ
せることなく、液晶パネル等といった薄型の基板を容易に形成する薄型基板の製造方法を
提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係る薄型基板の製造方法は、透光性基板の平面領域であるパネル領域を選択的
に薄く形成するパネル領域形成工程と、薄く形成された前記パネル領域内の少なくとも一
方の表面に少なくとも１つの基板要素を形成する基板要素形成工程と、前記基板要素形成
工程の後に、前記透光性基板のうちの前記パネル領域以外の領域である外縁領域を除去す
る外縁領域除去工程とを有することを特徴とする。本明細書において、基板要素とは、透
光性基板上に形成される種々の要素、例えば透光性基板上に積層される導電膜や絶縁膜等
のことをいう。
【００１０】
上記の薄型基板の製造方法では、パネル領域形成工程が終了した状態で、透光性基板の
パネル領域のみが選択的に薄く形成され、当該パネル領域以外、すなわちパネル領域の外
縁に、厚さが厚いままの外縁領域が残されている。この状態で基板要素形成工程を行えば
、厚さが厚い外縁領域によって基板の曲げに対する強度を確保できるので、厚さが薄いパ
ネル領域内に基板要素を形成する際に、透光性基板が損傷したり、透光性基板が反って曲
がることを防止できる。さらに、厚さが厚い外縁領域は、基板要素形成工程後の外縁領域
除去工程において除去される。その結果、薄型の透光性基板上に基板要素を形成した薄型
基板を、破損や曲りを発生させることなく製造することができる。
【００１１】
次に、本発明に係る薄型基板の製造方法において、前記パネル領域形成工程は、前記透
光性基板の前記外縁領域にレジストを形成する工程と、前記パネル領域をエッチング処理
によって所定厚さ除去する工程と、前記レジストを除去する工程とを有することが望まし
い。本発明態様は、フォトリソグラフィ処理とエッチング処理とを組み合わせて成る、い
わゆるフォトエッチング処理によって透光性基板の一部を選択的に除去してパネル領域の
厚さを薄くする方法である。フォトエッチング処理は、透光性基板上に基板要素を形成す
る際に一般に用いられる手法であるので、既存の製造装置によって容易に処理できる。ま
た、エッチングの条件、例えばエッチング液の種類、処理時間等を選択することによって
、透光性基板の厚さを容易に調節することができる。
【００１２】
次に、本発明に係る薄型基板の製造方法において、前記パネル領域形成工程と前記基板
要素形成工程の間に、前記透光性基板の両面に強化層を形成する強化層形成工程をさらに
有することが望ましい。この強化層は、透光性基板の強度、例えば面押し強度等といった
透光性基板にかかる荷重に対する強度（耐荷重性）や割れや傷に対する強度（耐衝撃性）
を向上させることができる層である。この強化層を透光性基板に形成することにより、パ
ネル領域形成工程において透光性基板のパネル領域の厚さを薄く形成したとしても、透光
性基板が破損したり曲がったりすることを防止できる。それ故、外縁領域を除去した後の
透光性基板の厚さをより薄くできる。
【００１３】
なお、強化層形成工程は、パネル領域形成工程の後であって基板要素形成工程より前に
行うことにした。仮に、パネル領域形成工程より前に強化層形成工程を実施した場合には
、例えばエッチング処理等といった透光性基板の一部を除去する処理によって、基板表面
の強化層も除去されてしまうことがある。これに対し本発明態様では、パネル領域形成工
程の後に強化層を形成することにより、強化層が除去されることなく透光性基板を確実に
強化できる。また、強化層形成工程の後に基板要素形成工程を行うことにより、基板要素
形成工程における透光性基板の破損や曲りをより確実に防止できる。
【００１４】
次に、基板の両面に強化層を形成する薄型基板の製造方法において、前記透光性基板は
アルカリガラスを用いて形成され、前記強化層形成工程では化学強化処理によって前記強
化層が形成されることが望ましい。アルカリガラスは、ガラス基板として液晶パネルやタ
ッチパネル等に一般に用いられているガラスである。このアルカリガラスに強化層を形成
するには、化学強化処理、いわゆるイオン交換処理が施される。イオン交換処理は、アル
カリガラス基板の表面のイオン半径が小さいアルカリイオン（例えば、ナトリウムイオン
）をイオン半径の大きなアルカリイオン（例えば、カリウムイオン）に置換する処理であ
る。
【００１５】
このイオン交換処理は、例えば、ナトリウムイオンを含有するガラス基板を、カリウム
イオンを含む溶融処理塩で処理することにより行うことができる。このようなイオン交換
処理が行われることにより、ガラス基板表面に所定の厚み（深さ）の強化層が形成される
。この強化層は、いわゆる圧縮応力層と呼ばれるものである。このようにアルカリガラス
を用いて透光性基板を形成すれば、化学強化処理によって強化層を容易に形成できる。な
お、こうして形成された強化層の組成はイオン交換処理前の組成と若干異なるが、強化層
より深い部分における基板の組成はイオン交換処理前の組成と略同じである。
【００１６】
次に、本発明に係る薄型基板の製造方法において、前記パネル領域形成工程では、複数
の前記パネル領域を前記透光性基板の平面内に並べて形成することができる。本発明態様
は、大面積の１枚の基板から複数個のパネルを形成する、いわゆる多数個取りの手法を用
いた製造方法に好適に適用できる。このように大面積の基板を用いる場合には、従来、自
重による透光性基板の反りや曲りが大きくなる傾向にあるので薄い透光性基板を用いるこ
とが難しかった。本発明態様では、パネル領域形成工程においてパネル領域のみを薄く形
成し、パネル領域以外の外縁領域の厚さを厚くしている。これにより、基板の製造工程中
においては厚さが厚い外縁領域によって透光性基板の曲げに対する強度を確保できる。ま
た、外縁領域除去工程において外縁領域が除去されるので、完成したパネルは薄く形成さ
れる。
【００１７】
次に、本発明に係る薄型基板の製造方法において、前記外縁領域除去工程では、前記パ
ネル領域以外の部分を前記透光性基板から切断によって除去することが望ましい。こうす
れば、外縁領域を容易に除去できる。また、前記外縁領域除去工程では、前記パネル領域
以外の部分をレーザを用いて切断することが望ましい。一般に、ガラス基板を切断する際
には、ガラススクライバによってスクライブ（すなわち罫書き）を行い、その後個々のパ
ネルにブレーク（すなわちチッピング）する。
【００１８】
しかしながら、本発明の薄型基板の製造方法では、透光性基板の厚みが薄い部分（パネ
ル領域）と厚い部分（外縁領域）とにわたって切断するので、例えば厚い部分と薄い部分
の段差においてスクライバによるスクライブ処理ができない部分が生じることが考えられ
る。また、強化層を形成した透光性基板を切断する場合には、スクライバを用いると基板
表面をきれいにスクライブできないことがある。例えば、スクライブした線に沿って基板
表面に割れが発生し、ブレイク後の基板切断面が凹凸形状になったり損傷が発生するおそ
れがある。本発明態様では、レーザを用いて切断するので、透光性基板の厚みの差に関係
なく当該基板を切断できる。また、強化層を形成した透光性基板を切断する場合にも、切
断面が損傷することがなくなる。
【００１９】
次に、本発明に係る薄型基板の製造方法において、前記基板要素形成工程は、前記透光
性基板の一方の表面に少なくとも１つの第１導電パターンを形成する工程と、前記透光性
基板の他方の表面に少なくとも１つの第２導電パターンを形成する工程とを有することが
できる。このように透光性基板の両面に導電パターンを形成するものとして、例えば静電
容量方式の入力装置、いわゆるタッチパネルがある。また、第１導電パターンとしては、
例えば、透光性基板の一方の面に形成された透光性の電極や端子等がある。一方、第２導
電パターンとしては、例えば、透光性基板の他方の面に形成された透光性の電極、端子、
配線等がある。
【００２０】
静電容量方式のタッチパネルは、基板の一方の面に設けられた第１導電パターンとして
の電極と基板の他方の面に設けられた第２導電パターンとしての電極の間に形成された静
電容量の変化に基づいて位置を検出するものである。この静電容量方式のタッチパネルで
は、基板の一方の面に設けられた導電膜に入力手段（例えば、指、ペン）が触れるか又は
その導電膜に入力手段が近づくことにより、基板の一方の面に設けられた導電膜と基板の
他方の面に設けられた導電膜との間の電気力線が入力手段によって吸収されて静電容量が
減少する。この静電容量の減少による電流変化を、例えば位置検出手段を用いて検出する
ことにより、入力した位置を検出することができる。
【００２１】
本発明態様においても、パネル領域形成工程が終了した状態で、パネル領域のみが選択
的に薄く形成され、当該パネル領域以外、すなわちパネル領域の外縁に、厚さが厚いまま
の外縁領域が残されているので、透光性基板の曲げに対する強度を確保でき、その結果、
基板要素形成工程の際に透光性基板が損傷したり、透光性基板が反って曲がることを防止
できる。さらに、厚さが厚い外縁領域を基板要素形成工程後の外縁領域除去工程において
除去するので、基板要素を形成した薄型の基板を破損や曲りを発生させることなく製造す
ることができる。従って、本発明態様の薄型基板であるタッチパネルも、損傷や曲りが発
生することなく薄型に形成できる。
【００２２】
次に、本発明に係る薄型基板の製造方法において、前記基板要素形成工程は、前記透光
性基板の一方の表面に少なくとも１つの第１導電パターンを形成する工程と、前記第１導
電パターンを覆う絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上に複数の第２導電パターンを形
成する工程とを有することができる。このように、基板の一方の面上に、絶縁膜を挟んで
第１導電パターンと第２導電パターンを形成することにより、静電容量方式のタッチパネ
ルを形成することができる。このタッチパネルの原理は、既述の基板の両面に導電パター
ンを形成するものと同じである。本発明態様においても、損傷や曲りが発生することなく
基板を薄く形成できるので、薄型基板であるタッチパネルを薄く形成できる。
【００２３】
次に、本発明に係る薄型基板の製造方法において、前記薄型基板は互いに対向する２枚
の基板から成る液晶パネルの第１基板として形成することができる。この場合、前記基板
要素形成工程は、前記透光性基板の一方の表面に複数の第１導電パターンを形成する工程
と、前記第１導電パターン上に配向膜を形成する工程とを有することが望ましい。この第
１基板は、透過型単純マトリクス方式の液晶パネルのうちの一方の基板である。本発明態
様においても、パネル領域を薄く形成した後に基板要素を形成し、その後、外縁領域を除
去することにより損傷や曲りが発生することなく第１基板を薄く形成することができる。
【００２４】
また、前記薄型基板は互いに対向する２枚の基板から成る液晶パネルの第２基板として
形成することができる。この場合、前記基板要素形成工程は、前記透光性基板の一方の表
面に複数の着色膜を隣接して形成する工程と、互いに隣接する前記着色膜同士の間に遮光
膜を形成する工程と、前記着色膜及び前記遮光膜を覆う樹脂膜を形成する工程と、前記樹
脂膜上に前記着色膜に平面的に重なる複数の第２導電パターンを形成する工程と、前記樹
脂膜上であって前記遮光膜と平面的に重なる位置にスペーサを形成する工程と、前記第２
導電パターン及び前記スペーサを覆う配向膜を形成する工程とを有することが望ましい。
この第２基板は、上記の第１基板に対向する基板である、いわゆる第２基板である。本発
明態様においても、パネル領域を薄く形成した後に基板要素を形成し、その後、外縁領域
を除去することにより損傷や曲りが発生することなく第２基板を薄く形成することができ
る。
【００２５】
さらに、前記第１基板の基板要素形成工程及び前記第２基板の基板要素形成工程の後に
は、前記第１基板と前記第２基板とを、前記基板要素が形成された面を互いに対向させて
貼り合せる工程と、互いに貼り合わせた前記第１基板と前記第２基板の間に液晶層を形成
する工程とをさらに有することが望ましい。このように第１基板と第２基板を貼り合せ、
その第１基板と第２基板の間に液晶を注入して液晶層を形成することにより、液晶パネル
が形成される。
【００２６】
既述の通り、本発明の薄型基板の製造方法を適用することにより、液晶パネルの第１基
板及び第２基板を損傷や曲りが発生することなく薄く形成することができる。従って、こ
れらの第１基板と第２基板を貼り合せて形成される本発明態様の液晶パネルも損傷や曲り
が発生することなく薄く形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
（薄型基板の製造方法の第１実施形態）
以下、本発明に係る基板の製造方法を一実施形態に基づいて説明する。本実施形態では
、ＳＴＮ（Super Twisted Nematic）液晶を用いた透過型で単純マトリクス方式の液晶装
置に本発明を適用した場合を例示する。なお、これ以降に説明する実施形態は本発明の一
例であって、本発明を限定するものではない。また、これからの説明では必要に応じて図
面を参照するが、この図面では、複数の構成要素から成る構造のうち重要な構成要素をわ
かり易く示すため、各要素を実際とは異なった相対的な寸法で示している。
【００２８】
まず、本実施形態の基板の製造方法を用いて製造される液晶装置について説明する。
図５は、単純マトリクス方式でカラー表示が可能なＳＴＮ透過型の液晶装置１を示して
いる。この図に示された構造は、その構造に含まれる複数の構成要素を分かり易く示すた
めに、それらの構成要素を実際の寸法比とは異なる寸法比で描いてある。
【００２９】
図５において、本実施形態の液晶装置１は、液晶パネル２と、この液晶パネル２に実装
された半導体要素である駆動用ＩＣ３と、照明装置４とを有する。この液晶装置に関して
は、矢印Ａが描かれた側が観察側である。
【００３０】
照明装置４は、光源としてのＬＥＤ（Light Emitting Diode）６と、ＬＥＤ６から出射
する点状の光を面状に変換する導光体７とを有する。ＬＥＤ６は図５の紙面垂直方向（行
方向Ｘ）に関して複数個、例えば４個程度、設けられる。各ＬＥＤ６から出射した光は、
導光体７の光入射面７ａから導光体７の内部へ導かれ、導光体７の内部を伝播した後、光
出射面７ｂから面状の光となって液晶パネル２へ向けて出射する。
【００３１】
液晶パネル２は、第１基板１１と第２基板１２とを矢印Ａ方向（基板法線方向）から見
て正方形又は長方形で枠状のシール材８で貼り合わせることによって形成されている。第
１基板１１は、照明装置４側に設けられた基板である。一方、第２基板１２矢印Ａが描か
れた観察側に設けられた基板である。第１基板１１と第２基板１２との間には、間隙、い
わゆるセルギャップＧが形成され、そのセルギャップＧ内には、液晶、本実施形態ではＳ
ＴＮ（Super Twisted Nematic）液晶が封入されて液晶層９が形成されている。
【００３２】
第１基板１１は、第１の透光性基板１１ａを有する。この第１透光性基板１１ａはその
１辺が第２基板１２の外側へ張り出して張出し部１３を形成している。この第１透光性基
板１１ａは本実施形態では化学強化ガラス（いわゆるアルカリ強化ガラス）によって形成
されている。この化学強化ガラスは、例えば図６に示すように、ガラス基材２２と、その
ガラス基材２２の両側の表面に形成された強化層２３と、強化層２３上に形成されたＳｉ
Ｏ２層２４とによって構成されている。強化層２３はガラス表面に形成された圧縮応力層
である。この圧縮応力層をガラス基材２２の両面に被覆することによりガラス基材２２の
傷等に対する強度（耐衝撃性）と荷重に対する強度（耐荷重性）を向上させている。また
、ＳｉＯ２層２４はガラス基材２２又は強化層２３に含まれる成分が第１透光性基板１１
の表面に形成される種々の要素に流出することを防止するために設けられている。これら
の強化層２３及びＳｉＯ２層２４は、第１透光性基板１１ａの両面に形成されている。
【００３３】
ガラス基材２２は、Ｎａ（ナトリウム）を多く含む、厚みが約０．４ｍｍのアルカリガ
ラスである。このガラス基材２２の表面部分のＮａをＫ（カリウム）に置換し、焼成する
ことによって、ガラス基材２２の表面に強化層２３が形成される。この強化層２３の層厚
は、例えば約２０μｍとすることができる。強化層２３上に設けられるＳｉＯ２層２４は
、例えばＳｉＯ２から成り、スパッタ処理によって約１００Åの厚さの膜に形成される。
なお、図５においては、図６の強化層２３及びＳｉＯ２層２４の図示を省略している。
【００３４】
図５において、第１透光性基板１１ａの外側表面には、偏光層１７ａが、貼着等によっ
て装着される。一方、第１透光性基板１１ａの内側の表面には、紙面左右方向（列方向Ｙ
）へ直線的に延びる第１導電パターンとしての複数の帯状電極１５ａが形成され、さらに
その上に配向膜１６ａが形成される。これらの帯状電極１５ａ及び配向膜１６ａは第１基
板１１を構成する要素である。以下の説明において、これらの要素を基板要素３０ａとい
うことがある。配向膜１６ａには配向処理、例えばラビング処理が施され、これにより、
第１基板１１の近傍における液晶分子の初期配向が決められる。本実施形態において、第
１透光性基板１１ａの外側の表面が第１主面Ｓ１であり、内側の表面（すなわち、基板要
素３０ａが形成される面）が第２主面Ｓ２である。
【００３５】
紙面左右方向に帯状に延びる複数の電極１５ａは、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide：
インジウム錫酸化物）等といった金属酸化物によって形成される。また、その上に形成さ
れた配向膜１６ａは、例えばポリイミド等によって形成される。
【００３６】
次に、第１基板１１に対向する第２基板１２は、基板の法線方向から見て長方形又は正
方形の第２の透光性基板１２ａを有する。この第２透光性基板１２ａは本実施形態では化
学強化ガラス（いわゆるアルカリ強化ガラス）によって形成されている。この化学強化ガ
ラスには、第１透光性基板１１ａと同じ構造（すなわち、図６に示す構造）のガラスが用
いられている。また、この第２透光性基板１２ａの外側表面には、偏光層１７ｂが、貼着
等によって装着される。
【００３７】
図５において、第２透光性基板１２ａの内側の表面には、複数の着色膜１８及びそれら
を取り囲む遮光膜１９が形成され、その上にオーバーコート層２０が形成され、その上に
紙面垂直方向へ直線的に延びる第２導電パターンとしての複数の帯状電極１５ｂと複数の
柱状のスペーサ２１が形成され、さらにその上に配向膜１６ｂが形成される。これらの着
色膜１８、遮光膜１９、オーバーコート層２０、帯状電極１５ｂ、スペーサ２１及び配向
膜１６ｂは第２基板１２を構成する要素である。以下の説明において、これらの要素を基
板要素３０ｂということがある。また、本実施形態において、第２透光性基板１２ａの外
側の表面が第１主面Ｓ１であり、内側の表面（すなわち、基板要素３０ｂが形成される面
）が第２主面Ｓ２である。
【００３８】
着色膜１８は、例えば、１つ１つが図５の矢印Ａ方向から見て長方形のドット状に形成
され、１つの着色膜１８は、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３色のいずれか１つの光を
通す材料によって形成されている。これら各色の着色膜１８は、平面的に見てストライプ
配列に並べられている。これらの着色膜１８は、ストライプ配列に代えて、デルタ配列、
モザイク配列、その他適宜の配列となるように並べることもできる。なお、着色膜１８は
、Ｃ(シアン)、Ｍ（マゼンタ）、Ｙ(イエロー)の３原色によって形成することもできる。
このように着色膜１８が形成された第２基板１２はカラーフィルタ基板として機能する。
【００３９】
遮光膜１９は、例えばＣｒ（クロム）等といった遮光性の材料によって、複数の着色膜
１８の間を埋める状態に形成される。なお、遮光膜１９は、着色膜１８を構成するＲ，Ｇ
，Ｂの各着色膜を重ねること、すなわち積層することによっても形成することができる。
オーバーコート層２０は、例えば、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等といった感光性の樹
脂によって形成される。複数のスペーサ２１は、オーバーコート層２０上であって各帯状
電極１５ｂの間、すなわち遮光膜１９に平面的に重なる位置に形成される。これらのスペ
ーサ２１は、例えば感光性樹脂を用いて形成される。
【００４０】
図５の紙面垂直方向に帯状に延びる複数の電極１５ｂは、例えばＩＴＯ等といった金属
酸化物によって形成される。また、その上に形成された配向膜１６ｂは、例えばポリイミ
ド等によって形成される。配向膜１６ｂには配向処理、例えばラビング処理が施され、こ
れにより、第２基板１２の近傍における液晶分子の初期配向が決められる。
【００４１】
次に、図７は、図５の液晶パネル２を基板の法線方向から平面的に見た図である。図７
では、主に配線や電極を示しており、他の要素の図示を省略している。また、図７では、
配線及び電極の構造を解り易くするため、第２基板１２の第２透光性基板１２ａを鎖線で
示している。
【００４２】
図５の第１基板１１に設けられる複数の帯状電極１５ａは、図７に示すように、全体と
して縦方向（列方向Ｙ）へ延びてストライプ状に設けられている。また、図５において第
１基板１１に対向する第２基板１２に設けられる複数の帯状電極１５ｂは、図７に示すよ
うに、全体として横方向（行方向Ｘ）へ延びてストライプ状に形成されている。これらの
帯状電極１５ｂは、図５のように第２基板１２と第１基板１１とをシール材８によって貼
り合わせたとき、帯状電極１５ａに対して直角の方向に延び、第１基板１１側の帯状電極
１５ａと第２基板１２側の帯状電極１５ｂとは、互いが交差する位置で平面的に重なり合
う。このように、帯状電極１５ａと帯状電極１５ｂとが重なり合う領域が、表示の最小単
位であるサブ画素Ｐを構成する。複数のサブ画素Ｐが縦方向及び横方向に複数個、マトリ
クス状に並べられて表示領域Ｖが形成され、この表示領域Ｖに文字、数字、図形等といっ
た像が表示される。
【００４３】
本実施形態のように、Ｒ，Ｇ，Ｂの３色から成る着色膜１８を用いてカラー表示を行う
場合は、Ｒ，Ｇ，Ｂの３色に対応する３つの着色膜１８に対応する３つのサブ画素Ｐによ
って１つの画素が形成される。他方、白黒又は任意の２色でモノカラー表示を行う場合は
、１つのサブ画素Ｐによって１つの画素が形成される。
【００４４】
図７において、第１基板１１の張出し部１３上には、複数の配線２６及び複数の外部接
続用端子２７が形成されている。上記複数の配線２６の一部は、第１基板１１側の帯状電
極１５ａに直接につながっている。そして、複数の配線２６の残りの部分は、一対の基板
１１，１２を接合しているシール材８の中に含まれる導通材を介して、矢印Ｂで示す位置
において第２基板１２側の帯状電極１５ｂに導電接続される。
【００４５】
また、第１基板１１の張出し部１３上には駆動用ＩＣ３が、例えばＡＣＦ（Anisotropi
c Conductive Film：異方性導電膜）を用いたＣＯＧ（Chip On Glass）方式によって実装
されている。駆動用ＩＣ３の入力用バンプがＡＣＦ内の導電粒子を介して外部接続用端子
２７に導電接続され、さらに、駆動用ＩＣ３の出力用バンプがＡＣＦ内の導電粒子を介し
て配線２６に導電接続されている。
【００４６】
張出し部１３に関する以上の構成により、図示しない外部回路から外部接続用端子２７
を介して駆動用ＩＣ３へ信号が供給される。そして、駆動用ＩＣ３から駆動用の信号、す
なわち走査信号及びデータ信号が、第１基板１１側の電極１５ａ及び第２基板１２側の電
極１５ｂに供給される。走査信号を電極１５ａ及び電極１５ｂのどちらへ供給し、データ
信号を電極１５ａ及び電極１５ｂのどちらへ供給するか、については必要に応じて適宜に
設定する。
【００４７】
本実施形態に係る液晶装置１は以上のように構成されているので、図５において、照明
装置４の導光体７の光出射面７ｂから出射された面状の光Ｌ０が第１基板１１を通って液
晶層９へ供給される。液晶層９はサブ画素Ｐごとに電圧が制御され、これにより、液晶分
子の配向がサブ画素Ｐごとに制御される。この配向制御により光が変調され、この変調さ
れた光が第２透光性基板１２ａを通して偏光層１７ｂに与えられることにより、その偏光
層１７ｂの表面に文字、数字、図形等といった像が表示される。本実施形態では、第２基
板１２に着色膜１８を設けたので、表示はカラーによって行われる。また、偏光層１７ｂ
に加えて位相差膜を設ければ、ＳＴＮの液晶層９で変調された光の偏光特性を補償、再変
調等することにより、無彩色化や視野角特性の改善が行われる。
【００４８】
以上に説明したように、液晶パネル２は、片面に導電パターンを有する基板をシール材
によって貼り合せて形成されたパネルである。以下、この液晶パネル２を製造する方法に
ついて説明する。なお、本実施形態では、パネルを１つずつ作製するのではなく、面積の
大きな透光性基板（いわゆるマザー透光性基板）を用いて複数の基板を同時に作製する、
いわゆる多数個取りの手法に基づいて基板を作製するものとする。このような多数個取り
の製造方法においては、図７に示すパネル２を１つずつ形成するのではなく、図８に示す
ように、複数の液晶パネル２を同時に形成する。
【００４９】
図８は、図７の液晶パネル２の要素を複数個形成した状態のマザー基板２’を示す平面
図である。また、図９は、図８に示すマザー基板２’のうちのマザー第１基板１１’を示
す平面図である。また、図１０は、図８に示すマザー基板２’のうちのマザー第２基板１
２’を示す平面図である。図９及び図１０においては、紙面手前側が第１主面Ｓ１であり
紙面奥側が第２主面Ｓ２である。本実施形態の製造方法で製造される液晶パネル２は、図
５に示すように、第１基板１１の第２主面Ｓ２と第２基板１２の第２主面Ｓ２が対向する
構成となっている。従って、図８のパネル構造体２’は、図９のマザー基板１１’を裏返
した状態で図１０のマザー基板１２’の紙面奥側に配置した構成となっている。なお、図
８〜図１０の各図では、透光性基板上に形成される基板要素として主に電極を示しており
、他の要素の図示を省略している。
【００５０】
液晶パネルの製造工程では、まず、図９に示すように、複数の液晶パネルを形成できる
大きさの面積を有するマザー透光性基板１１ａ’の上に、第１基板１１の複数個分の基板
要素（すなわち、図５の帯状電極１５ａ及び配向膜１６ａ）３０ａを同時に形成してマザ
ー第１基板１１’を形成する。一方、図１０に示すように、複数の液晶パネル２を形成で
きる大きさの面積を有するマザー透光性基板１２ａ’の上に、第２基板１２の複数個分の
基板要素（すなわち、図５の着色膜１８や帯状電極１５ｂ等）３０ｂを同時に形成してマ
ザー第２基板１２’を形成する。そして、図８に示すように、基板１１’と基板１２’を
シール材８によって貼り合わせ、液晶パネル２を縦及び横に複数列含む大きさの大面積の
パネル構造体２’を作製する。そして、その大面積のパネル構造体２’に対して、縦方向
及び横方向に、レーザを用いて切断して分割することにより、個々の液晶パネル２が作製
される。
【００５１】
以下、液晶パネル２の具体的な製造方法について説明する。図１は、図５の液晶パネル
２を製造するための本実施形態の製造方法を示している。また、図２〜図４は、図１の各
工程において形成される基板の構造を工程順に示す構造変遷図である。図２、図３、図４
（ｉ）及び図４（ｊ）は、図９又は図１０のＺ１−Ｚ１線に従った断面を示している。ま
た、図４（ｋ）及び図４（ｌ）は、図８のＺ２−Ｚ２線に従った断面、すなわち複数の帯
状電極１５ａを横切る方向に沿った断面であって、帯状電極１５ｂの延在方向（行方向Ｘ
）に沿った断面を示している。
【００５２】
図１において、工程Ｐ１〜工程Ｐ９は図９のマザー第１基板１１’を形成する工程であ
る。そのうちの工程Ｐ１〜工程Ｐ７がマザー第１透光性基板１１ａ’を形成する工程Ｑ１
である。一方、工程Ｐ１１〜工程Ｐ１９は図１０のマザー第２基板１２’を形成する工程
である。そのうちの工程Ｐ１１〜Ｐ１７がマザー第２透光性基板１２ａ’を形成する工程
Ｑ２である。
【００５３】
まず、図９に示すマザー第１基板１１’の製造工程について説明する。本実施形態にお
いてマザー透光性基板１１ａ’は、例えば３７０ｍｍ×４７０ｍｍの面積を有し、厚みが
０．４ｍｍであるアルカリガラスを用いて形成される。このアルカリガラスは、Ｎａ（ナ
トリウム）イオンを含有するガラスである。図１の工程Ｐ１において、図２（ａ）のマザ
ー透光性基板１１ａ’を所定の洗浄液によって洗浄する。次に、図１の工程Ｐ２において
、図２（ｂ）に示すように、マザー透光性基板１１ａ’の第２主面Ｓ２上に保護膜３１を
、例えばラミネートにより貼り付ける。この保護膜３１は、後の工程において基板１１ａ
’の第２主面Ｓ２を保護するために設けられる。
【００５４】
次に、図１の工程Ｐ３において、図２（ｂ）のマザー透光性基板１１ａ’の第１主面Ｓ
１上にレジストパターンを形成する。具体的には、図２（ｃ）に示すように、マザー透光
性基板１１ａ’の第１主面Ｓ１上にポジ型の感光性樹脂を、例えばスピンコートによって
一様な厚さに塗布することによりレジスト膜３２’を成膜する。次に、プレベークを行っ
てレジスト膜３２’内の溶媒を除去する。その後、図２（ｄ）において、レジスト膜３２
’をフォトエッチング処理によってパターニングする。
【００５５】
具体的には、マザー基板１１ａ’を露光装置、例えば一括露光装置又はステッパの所定
位置に設置し、さらに露光マスク３３をマザー基板１１ａ’に対向する所定位置に設置す
る。露光マスク３３は、ガラス基板３４によって形成された完全光透過領域Ａ０と遮光パ
ターン３５によって形成された完全遮光領域Ａ１の２つの領域を有する２階調の露光マス
クである。この露光マスク３３は、完全光透過領域Ａ０がレジスト膜３２’を除去する部
分に対向し、完全遮光領域Ａ１がレジスト膜３２’を残す部分に対向するように、マザー
基板１１ａ’に対向する位置に設置される。この状態で露光マスク３３を通してレジスト
膜３２’へ一定光量の露光光Ｌ１を照射すると、鎖線で示す露光像が形成されて露光され
た部分Ｂ１が可溶化する。
【００５６】
次に、現像処理を行う。具体的には、図２（ｄ）のマザー基板１１ａ’を現像液に所定
時間、浸漬する。すると、図２（ｄ）において可溶化した部分Ｂ１のレジスト膜３２’が
除去されて、レジスト膜３２’が図３（ｅ）に示す形状にパターニングされてレジストパ
ターン３２が形成される。このレジストパターン３２に、ポストベークを、例えば約１２
０℃の温度で行い、後のエッチング処理に用いるエッチング液に対するレジストパターン
３２の耐性を調整する。
【００５７】
次に、図１のパネル領域形成工程としてのガラス基板パターニング工程Ｐ４において、
マザー基板１１ａ’に対してレジストパターン３２をマスクとしてエッチング処理を行う
ことにより、図３（ｆ）に示すように、基板１１ａ’のマスク以外の領域が所定厚さ除去
されて薄く形成される。この薄く形成された領域が後に基板要素を形成するパネル領域で
ある。本実施形態では、厚さ０．４ｍｍのガラス基板においてパネル領域の厚さを、例え
ば０．２ｍｍにすることができる。
【００５８】
上記のエッチング処理の後、図１の工程Ｐ５において、マスクとして使用したレジスト
パターン３２を、例えば有機溶剤等によって剥離して除去することにより、図３（ｇ）に
示すように、基板１１ａ’に厚みが薄いパネル領域Ｔｐと厚みが厚い外縁部分Ｔｏとが形
成される。この状態の基板１１ａ’を第１主面Ｓ１側から平面的に見ると、図９に示すよ
うに、複数のパネル領域Ｔｐが窓形状に形成され、外縁領域（斜線で示す領域）Ｔｏが複
数のパネル領域Ｔｐを囲む窓枠形状に形成されている。
【００５９】
次に、強化層形成工程としての図１の強化処理工程Ｐ６において、基板１１ａ’の第１
主面Ｓ１及び第２主面Ｓ２に強化層２３（図６参照）を形成する。具体的には、Ｎａイオ
ンを含有したアルカリガラスから成る基板１１ａ’をＫ（カリウム）イオンを含む溶融処
理塩（例えば、ＫＮＯ３）に浸漬することによりイオン交換を行う。これにより、基板１
１ａ’の表面のイオン半径が小さいＮａイオンがイオン半径の大きなＫイオンに置換され
る。これにより、基板１１ａ’の両面に透明な強化層２３（図６参照）である圧縮応力層
が形成される。本実施形態において、強化層２３は約２０μｍの厚さに形成される。
【００６０】
次に、図１の工程Ｐ７において、図３（ｈ）に示すように、化学強化処理を施した基板
１１ａ’の第１主面Ｓ１上及び第２主面Ｓ２上にＳｉＯ２層２４を、例えばスパッタ処理
によって約１００Åの厚さに成膜する。このＳｉＯ２層２４は、図６に示すＳｉＯ２層２
４と同じ膜である。以上により、マザー第１透光性基板１１ａ’を形成する図１の工程Ｑ
１が終了する。
【００６１】
次に、基板要素形成工程Ｐ８において、図４（ｉ）に示すように、マザー透光性基板１
１ａ’の第２主面Ｓ２上の各パネル領域Ｔｐ内に、第１基板１１を構成する基板要素３０
ａが形成される。具体的には、まず、基板１１ａ’のＳｉＯ２層２４上に、図５に示す複
数の帯状電極１５ａを、例えばＩＴＯを材料としてフォトエッチング処理によって形成す
る。次に、複数の帯状電極１５ａ上に、配向膜１６ａを、例えばポリイミドを印刷するこ
とによって形成する。次に、図１の工程Ｐ９において、図５の配向膜１６ａに対して配向
処理、例えばラビング処理が施される。以上により、図９に示すマザー第１基板１１’が
形成される。
【００６２】
次に、図１０に示すマザー第２基板１２’の製造工程について説明する。なお、図１の
工程Ｐ１１〜工程Ｐ１７において、図１０のマザー第２透光性基板１２ａ’を形成するの
であるが、このマザー第２透光性基板１２ａ’は図９のマザー第１基板１１’に用いられ
るマザー第１透光性基板１１ａ’と同じ基板である。従って、図１のマザー第２透光性基
板形成工程Ｑ２は、マザー第１透光性基板形成工程Ｑ１と同じである。
【００６３】
すなわち、工程Ｐ１１において、図２（ａ）のマザー透光性基板１２ａ’を所定の洗浄
液によって洗浄し、工程Ｐ１２において、図２（ｂ）のマザー透光性基板１２ａ’の第２
主面Ｓ２上に保護膜３１を貼り付け、工程Ｐ１３において、図２（ｂ）のマザー透光性基
板１２ａ’の第１主面Ｓ１上に、図２（ｄ）に示すようにフォトエッチング処理によって
レジストパターン３２を形成する。その後、図１のパネル領域形成工程としてのガラス基
板パターニング工程Ｐ１４において、マザー基板１２ａ’に対してレジストパターン３２
をマスクとしてエッチング処理を行うことにより、図３（ｆ）に示すように、基板１２ａ
’のマスク以外の領域を所定厚さ除去して薄く形成し、その後、工程Ｐ１５においてレジ
ストパターン３２を除去することにより、図３（ｇ）に示すように、基板１２ａ’に厚み
が薄いパネル領域Ｔｐと厚みが厚い外縁部分Ｔｏとを形成する。この状態の基板１２ａ’
を第１面Ｓ１側から平面的に見ると、図１０に示すように、複数のパネル領域Ｔｐが窓形
状に形成され、外縁領域（斜線で示す領域）Ｔｏが複数のパネル領域Ｔｐを囲む窓枠形状
に形成されている。
【００６４】
次に、強化層形成工程としての図１の強化処理工程Ｐ１６において、基板１２ａ’の第
１主面Ｓ１及び第２主面Ｓ２に強化層２３（図６参照）を形成し、その後工程Ｐ１７にお
いて、図３（ｈ）に示すように、化学強化処理を施した基板１２ａ’の第１主面Ｓ１上及
び第２主面Ｓ２上にＳｉＯ２層２４を形成する。以上により、マザー第２透光性基板１２
ａ’を形成する図１の工程Ｑ２が終了する。
【００６５】
次に、基板要素形成工程Ｐ１８において、図４（ｊ）に示すように、マザー透光性基板
１２ａ’の第２主面Ｓ２上の各パネル領域Ｔｐ内に、第２基板１２を構成する基板要素３
０ｂが形成される。具体的には、まず、基板１２ａ’のＳｉＯ２層２４上に、図５の遮光
膜１９を、例えばＣｒ等を材料としてフォトエッチング処理によって所定のパターンに形
成し、さらに着色膜１８を形成する。この着色膜１８は、例えばＲ，Ｇ，Ｂ各色の顔料や
染料を感光性樹脂に分散させて成る着色材料を用いてフォトリソグラフィ処理によって所
定の配列に形成される。なお、Ｒ，Ｇ，Ｂの積層によって上記の遮光膜１９を形成するこ
ともできる。
【００６６】
そしてその後、オーバーコート層２０を、例えばアクリル樹脂、ポリイミド樹脂等とい
った感光性樹脂を材料としてフォトリソグラフィ処理によって形成する。そして、オーバ
ーコート層２０の上に帯状電極１５ｂを、例えばＩＴＯを材料としてフォトエッチング処
理によって形成する。また、オーバーコート層２０上であって遮光膜１９に平面的に重な
る位置に、スペーサ２１を、例えば感光性樹脂材料を材料としてフォトリソグラフィ処理
によって形成する。そしてさらに、配向膜１６ｂを、例えばポリイミドを印刷することに
よって形成する。次に、図１の工程Ｐ１９において、図５の配向膜１６ｂに対して配向処
理、例えばラビング処理が施される。以上により、図１０に示すマザー第２基板１２’が
形成される。ここで、マザー透光性基板１１ａ’とマザー透光性基板１２ａ’の板厚、エ
ッチング量、強化処理層の厚みは、異なる設定としても良い。
【００６７】
次に、図１の工程２１において、図４（ｋ）に示すように、マザー第１基板１１’とマ
ザー第２基板１２’とを貼り合わせる。これにより、第１基板１１’と第２基板１２’と
がシール材８を挟んで貼り合わされ、さらにシール材８を熱硬化または紫外線硬化によっ
て硬化させて両基板を接着してパネル構造体２’が形成される。シール材８は、個々の液
晶パネル２に対応した各パネル領域Ｔｐ内に形成される。
【００６８】
次に、外縁領域除去工程としての図１の工程Ｐ２２において、図８に示す大面積のパネ
ル構造体２’を１次切断、すなわち１次ブレークする。この１次ブレーク工程Ｐ２２によ
り、図８の鎖線Ｘ０に沿ってパネル構造体２’が切断され、行方向Ｘに延びる外縁領域Ｔ
ｏがパネル領域Ｔｐから除去される。また、この１次ブレーク工程Ｐ２２により、液晶パ
ネル２の複数が１列に並んだ状態で含まれる中面積のパネル構造体、いわゆる短冊状のパ
ネル構造体２’’が複数形成される。この１次ブレーク工程Ｐ２２によりシール材８に形
成した開口（図示せず）が外部へ露出する。
【００６９】
なお、本実施形態において１次ブレーク工程Ｐ２２では、レーザを用いてパネル構造体
２’が切断される。これにより、互いに厚みが異なるパネル領域Ｔｐと外縁領域Ｔｏとに
わたって切断することができる。また、工程Ｐ２２では基板１１ａ’又は基板１２ａ’の
強化層２３を切断することになるのであるが、レーザを用いて切断することにより、切断
面が荒れることがなく基板を損傷することがない。
【００７０】
次に、図１の工程Ｐ２３において、シール材８の開口（図示せず）を通して上記の短冊
状のパネル構造体２’’の内部の個々のパネル領域内へ液晶を注入し、その注入の完了後
、図１の工程Ｐ２４において、その開口を樹脂によって封止する。その後、外縁領域除去
工程としての図１の工程Ｐ２５において、図８の列方向Ｙに延びる鎖線Ｘ１に沿って２回
目の切断、すなわち２次ブレークを行う。この鎖線Ｘ１は、図４（ｋ）に示す鎖線Ｘ１と
同じである。この２次ブレーク工程Ｐ２５も１次ブレーク工程Ｐ２２と同じくレーザを用
いてパネル構造体２’を切断する。この２次ブレーク工程Ｐ２５により、図４（ｌ）に示
すように外縁領域Ｔｏがパネル領域Ｔｐから切断される。すなわち、図８に示す短冊状の
パネル構造体２’’の列方向Ｙに延びる外縁領域Ｔｏがパネル領域Ｔｐから除去される。
これにより、短冊状のパネル構造体２’’から図７及び図４（ｌ）に示す個々の液晶パネ
ル２が切り出される。以上により、液晶パネル２が完成する。
【００７１】
ところで、液晶パネルを薄く形成するためには、ガラス基板を薄く形成することが有効
であるが、薄いガラス基板を用いて液晶パネルを作製しようとすると、例えばガラス基板
上に基板要素を形成する作業、ガラス基板同士を貼り合せる作業、さらにそれらの作業の
間には基板を搬送する作業等（以下の説明では、上記３つの作業を総じて「パネル形成作
業」という）において、ガラス基板が破損したり、自重により反って曲がったりするおそ
れがある。特に、本実施形態のように、大判のガラス基板を用いて複数個分のパネルを形
成する場合には、ガラス基板の破損や曲りが発生する可能性が高くなる。
【００７２】
これに対し本実施形態では、ガラス基板である図８のマザー透光性基板１１ａ’，１２
ａ’に加工を施すことにより、パネル形成作業に耐える十分な強度を確保することにした
。具体的には、図１の工程Ｐ４，Ｐ１４において、図３（ｇ）に示すように、電極１５ａ
，１５ｂ等といった基板要素３０ａ，３０ｂ（図５参照）を形成する領域であるパネル領
域Ｔｐを選択的に薄く形成し、それ以外の外縁領域Ｔｏの厚みを厚くしておくことにした
。こうすれば、工程Ｐ８，Ｐ１８以降のパネル形成作業において、厚さが厚い外縁領域Ｔ
ｏによってマザー透光性基板１１ａ’，１２ａ’の曲げに対する強度を確保することがで
きるので、厚さが薄いパネル領域Ｔｐに基板要素３０ａ，３０ｂを形成する際に、基板１
１ａ’，１２ａ’が反って曲がったり損傷したりすることを防止できる。
【００７３】
さらに本実施形態では、図１の工程Ｐ２１において、図４（ｋ）に示すようにマザー第
１基板１１’及びマザー第２基板１２’をシール材８によって貼り合せ、その貼り合せた
状態で１次ブレーク（図１の工程Ｐ２２）及び２次ブレーク（図１の工程Ｐ２５）を行う
ことによりパネル領域Ｔｐから外縁領域Ｔｏを切断して除去することにした。こうして形
成された液晶パネル２は、ガラス基板パターニング工程Ｐ４，Ｐ１４において薄く形成さ
れた部分である基板１１ａ及び１２ａを用いて構成されている。従って、第１基板１１及
び第２基板１２の厚さを薄く形成でき、その結果、液晶パネル全体の厚みを薄く形成でき
る。
【００７４】
また、本実施形態では、図１の第１透光性基板形成工程Ｑ１において、ガラス基板パタ
ーニング工程Ｐ４と基板要素形成工程Ｐ８の間に強化処理工程Ｐ６を行うことにした。ま
た、第２透光性基板形成工程Ｑ２において、ガラス基板パターニング工程Ｐ１４と基板要
素形成工程Ｐ１８の間に強化処理工程Ｐ１６を行うことにした。工程Ｐ６又はＰ１６にお
いて透光性基板に強化層を形成することにより、透光性基板１１ａ，１２ａの耐衝撃性及
び耐荷重性を向上させることができる。その結果、強化層が形成されない従来の製造方法
に比べて基板１１ａ’のパネル領域の厚さをさらに薄く形成しても、基板要素形成工程Ｐ
８において基板１１ａ’が破損したり曲がったりすることを防止できる。それ故、外縁部
分を除去した後の基板１１ａの厚さをより薄くできる。例えば、強化処理が施されない従
来の基板は厚さが約０．４ｍｍであったものが、強化処理を施した本実施形態の基板１１
ａは約０．２ｍｍの厚さに形成できる。また、基板に強化処理が施されることにより、薄
く形成した基板を用いて液晶パネルを形成したとしても、耐荷重性が高い（すなわち、面
押し強度が強い）液晶パネルを形成できる。
【００７５】
なお、本実施形態では、強化処理工程Ｐ６を、ガラス基板パターニング工程Ｐ４の後で
あって基板要素形成工程Ｐ８より前に行うことにした。こうすれば、ガラス基板パターニ
ング工程Ｐ４におけるエッチング処理によって強化層が除去されることなく、基板１１ａ
’及び基板１２ａ’の強化処理を確実に行うことができる。
【００７６】
なお、本実施形態では、図５に示すように、透過型で単純マトリクス方式の液晶装置を
製造する方法を例示したが、これに代えて、外部光を反射した光を表示に用いる反射型や
、透過型表示と反射型表示のいずれかを選択的に行うことができる半透過反射型の液晶装
置を製造する場合に本発明を適用することもできる。また、本実施形態では、基板１１ａ
’と基板１２ａ’の両基板を薄型強化する場合を説明したが、どちらか一方のみを薄く強
化する場合でも、同様な効果が得られる。
【００７７】
（薄型基板の製造方法の第２実施形態）
図１１は本発明に係る基板の製造方法の第２実施形態を示している。本第２実施形態で
は、薄型基板として、基板の両面に導電パターンを有する静電容量方式のタッチパネルを
製造する方法を例示する。
【００７８】
まず、本実施形態の製造方法で製造する静電容量方式タッチパネルについて説明する。
図１３（ａ）は、本実施形態の製造方法において製造されるタッチパネル４１の平面の
構造を示している。図１３（ｂ）は、図１３（ａ）を矢印ＺＭ方向から見た側面の構造を
示している。
【００７９】
タッチパネル４１は、図１３（ｂ）に示すように、透光性基板４２と、その基板４２の
両面に形成された複数の導電パターンを有する。透光性基板４２の第１主面（図１３（ｂ
）の上側面）Ｓ１上には、第１導電パターンとしての複数の第１電極４３と、個々の第１
電極４３の端部に形成された端子部４５ａが設けられている。以下の説明において、これ
らの要素を基板要素４０ａということがある。一方、透光性基板４２の第２主面（図１３
（ｂ）の下側面）Ｓ２上には、第２導電パターンとしての複数の第２電極４４と、複数の
端子部４５ｂと、第２電極４４と端子部４５ｂとを接続する配線４９とが設けられている
。以下の説明において、これらの要素を基板要素４０ｂということがある。このタッチパ
ネル４１では、基板４２の第１主面Ｓ１側が位置入力側である。
【００８０】
透光性基板４２は、図１３（ａ）に示す平面視で、長方形又は正方形に形成されている
。本実施形態においてこの透光性基板４２は、アルカリガラスによって形成されている。
第１電極４３及び第２電極４４は、透光性の導電材料、本実施形態ではＩＴＯを用いて形
成されている。
【００８１】
第１電極４３は、その個々が横方向Ｙ（すなわち、図の左右方向）に延びる帯状に形成
されている。そしてそれら帯状の第１電極４３の複数が、縦方向Ｘ（すなわち、図の上下
方向）に間隔を空けて設けられている。各第１電極４３の端部には端子部４５ａが設けら
れている。
【００８２】
図１３（ｂ）において、タッチパネル４１の位置入力側の面上であって図の左側端部に
は、配線基板４６ａが接続されている。図１３（ａ）では、配線基板４６ａを鎖線で示し
ている。この配線基板４６ａの一端は、各端子部４５ａに電気的に接続されている。配線
基板４６ａの他端は、外部の制御回路、例えば位置検出回路等（図示せず）に接続され、
その制御回路と端子部４５ａに接続された第１電極４３との間で信号の入力又は出力が行
われる。
【００８３】
第２電極４４は、図１３（ａ）に示すように、その個々が縦方向Ｘに延びて帯状に形成
されている。そしてそれら帯状の第２電極４４の複数が、横方向Ｙに間隔を空けて設けら
れている。配線４９は複数本設けられている。これらの配線４９は、透光性基板４２の横
方向Ｙに延びる端辺４２ｂ及び４２ｃの近傍で横方向Ｙに沿って延在する部分と、縦方向
Ｘへ延在する部分とによって形成されている。個々の配線４９同士は互いに間隔を空けて
設けられている。
【００８４】
図１３（ｂ）において、配線４９の左側の先端部分４９ａの上に導電部材５０が設けら
れ、その先端部分４９ａ及びその導電部材５０によって端子部４５ｂが形成されている。
以下、先端部分４９ａを端子部４５ｂの第１層といい、導電部材５０を端子部４５ｂの第
２層という。端子部４５ｂは図１３（ａ）に示すように透光性基板４２上に複数個、設け
られている。これらの端子部４５ｂは透光性基板４２の縦方向Ｘに延びる端辺４２ａの近
傍で縦方向Ｘに沿って間隔を空けて並んでいる。個々の端子部４５ｂは、平面的に見て正
方形状又は長方形状のドット状に形成されている。なお、端子部４５ｂを円形状に形成し
ても良い。
【００８５】
図１３（ｂ）において、配線４９は端子部４５ｂの第１層４９ａを含めて金属によって
形成されている。本実施形態ではその金属として単層構造のＣｒ（クロム）を用いている
。端子部４５ｂの第２層５０は、第２電極４４と同じく、透光性の導電材料であるＩＴＯ
を用いて形成されている。なお、配線４９は、Ｃｒ及びそれを覆うＩＴＯから成る積層膜
によって形成することも可能である。この場合には、端子部４５ｂの第２層５０は第１層
４９ａを形成する積層膜の上層そのものとなる。
【００８６】
タッチパネル４１の位置入力側と反対側の面上であって図の左側端部には、配線基板４
６ｂが接続されている。この配線基板４６ｂの一端は、各端子部４５ｂに電気的に接続さ
れている。配線基板４６ｂの他端は、外部の制御回路、例えば位置検出回路等（図示せず
）に接続され、その制御回路と端子部４５ｂに接続された第２電極４４との間で信号の入
力又は出力が行われる。
【００８７】
透光性基板４２の第１主面Ｓ１上には、複数の第１電極４３を覆うように樹脂膜４７が
設けられている。また、透光性基板４２の第２主面Ｓ２上にも、複数の第２電極４４を覆
うように樹脂膜４７が設けられている。これらの樹脂膜４７は、透光性を有した感光性樹
脂、例えばアクリル樹脂等を用いて形成できる。樹脂膜４７は、第１電極４３及び第２電
極４４が水分等によって腐蝕することを防止する保護膜として設けられている。また、本
実施形態において、図１３（ｂ）の樹脂膜４７は、透光性基板４２の第１主面Ｓ１上及び
第２主面Ｓ２上に設けているが、それに代えて、第１主面Ｓ１上又は第２主面Ｓ２上のい
ずれか一方に設けることもできる。
【００８８】
タッチパネル４１の表面という場合、樹脂膜４７が設けられているときには、その樹脂
膜４７の表面がタッチパネル４１の表面である。また、樹脂膜４７が設けられていないと
きには、基板４２及び電極４３，４４の表面がタッチパネル４１の表面である。また、必
要に応じて樹脂膜４７の上に適宜の光学膜が設けられる場合には、その光学膜の表面がタ
ッチパネル４１の表面である。
【００８９】
本実施形態におけるタッチパネル４１は、透光性基板４２の一方の面に設けられた第１
電極４３と他方の面に設けられた第２電極４４との間に形成された静電容量の変化に基づ
いて、指、ペン等といった入力手段が触れた位置（以下、入力位置とする）を検出する、
いわゆる静電容量方式のタッチパネルである。このタッチパネル４１における入力位置を
検出する原理を、図１３（ａ）のＺＮ−ＺＮ線に従った断面図である図１４を用いて説明
する。第１電極４３にはパルス信号が印加されている。矢印ＺＲで示す部分において第１
電極４３に何も触れていない状態では、電気力線が第１電極４３と第２電極４４の間に形
成されて静電容量Ｃ１が形成される。この状態で、図１４の矢印ＺＳで示す部分に示すよ
うに、入力手段４８が第１電極４３に触れるか又は接近すると第１電極４３と第２電極４
４の間の電気力線が入力手段４８に吸収されて静電容量Ｃ１がＣ２（Ｃ２＜Ｃ１）に減少
する。このように静電容量Ｃ１がＣ２に減少することに起因する電流変化を検出すること
により、入力位置を検出することができる。
【００９０】
以下、薄型基板としての上記のタッチパネル４１の製造方法を図１１、図２、図３、図
１２及び図１５を用いて説明する。本実施形態においても、図１３に示すタッチパネル４
１を１つずつ形成するのではなく、図１５に示すように、複数個のタッチパネル４１を同
時に形成する、いわゆる多数個取りの手法に基づいて基板を作製するものとする。また、
図１２は図１５のＺL−ＺL線に従った断面を示している。
【００９１】
本実施形態において、図１１の透光性基板形成工程Ｑ３（工程Ｐ３１〜工程Ｐ３７）は
、先の第１実施形態における図１の第１透光性基板形成工程Ｑ１（工程Ｐ１〜工程Ｐ７）
と同じである。すなわち、図１１の工程Ｐ３１において、図２（ａ）のマザー透光性基板
４２’を所定の洗浄液によって洗浄し、図１１の工程Ｐ３２において、図２（ｂ）のマザ
ー透光性基板４２’の第２主面Ｓ２上に保護膜３１を、例えばラミネートにより貼り付け
る。
【００９２】
次に、図１１の工程Ｐ３３において、図２（ｃ）にいてのマザー透光性基板４２’の第
１主面Ｓ１上にポジ型の感光性樹脂を塗布してレジスト膜３２’を成膜し、プレベークを
行ってレジスト膜３２’内の溶媒を除去し、図２（ｄ）においてレジスト膜３２’をフォ
トエッチング処理によってパターニングして、図３（ｅ）のレジストパターン３２を形成
する。
【００９３】
次に、図１１のパネル領域形成工程としてのガラス基板パターニング工程Ｐ３４におい
て、マザー基板４２’に対してレジストパターン３２をマスクとしてエッチング処理を行
うことにより、図３（ｆ）に示すように、基板４２’のマスク以外の領域、すなわちパネ
ル領域が所定厚さ除去されて薄く形成される。本実施形態では、厚さ０．４ｍｍのガラス
基板においてパネル領域の厚さを、例えば０．２ｍｍにすることができる。
【００９４】
上記のエッチング処理の後、図１１の工程Ｐ３５において、レジストパターン３２を、
例えば有機溶剤等によって剥離して除去することにより、図３（ｇ）に示すように、基板
４２’に厚みが薄いタッチパネル領域Ｔｐ（以下パネル領域Ｔｐと記載）と厚みが厚い外
縁領域Ｔｏとが形成される。この状態の基板４２’を平面的に見ると、図１５に示すよう
に、複数のパネル領域Ｔｐが窓形状に形成され、外縁領域（斜線で示す領域）Ｔｏが複数
のパネル領域Ｔｐを囲む窓枠形状に形成されている。
【００９５】
次に、強化層形成工程としての図１１の強化処理工程Ｐ３６において、基板４２’の第
１主面Ｓ１及び第２主面Ｓ２に強化層２３（図６参照）を形成し、図１１の工程Ｐ３７に
おいて、図３（ｈ）に示すように、化学強化処理を施した基板４２’の第１主面Ｓ１上及
び第２主面Ｓ２上にＳｉＯ２層２４を形成する。以上により、マザー透光性基板４２’を
形成する図１１の工程Ｑ３が終了する。
【００９６】
次に、図１５に示すマザー透光性基板４２’に対する図１１の第２導電パターン形成工
程Ｑ４について説明する。この第２導電パターン形成工程Ｑ４では、図１２（ａ）に示す
ように、基板要素４０ｂをマザー基板４２’の第２主面Ｓ２上であってパネル領域Ｔｐ内
に形成する。まず、図１１の工程Ｐ３８において、図１５の配線４９及び第１層４９ａが
形成される。具体的には、図１２（ａ）のマザー基板４２’の第２主面Ｓ２上に材料層を
、例えばＣｒを材料としてスパッタリングによって成膜する。この材料層は、図１３（ｂ
）の端子部４５ｂの第１層４９ａ及び配線４９の材料層である。その後、材料層をフォト
エッチング処理によってパターニングすることにより、図１５の配線４９及び端子部４５
ｂの第１層４９ａ（図１２（ａ）参照）が形成される。
【００９７】
次に、図１１の工程Ｐ３９において、図１５に示す第２電極４４及び端子部４５ｂの第
２層５０を形成する。具体的には、図１２（ａ）に示すように、マザー基板４２’の第２
主面Ｓ２上であってパネル領域Ｔｐ内に、第２電極４４の材料であるａ（アモルファス）
−ＩＴＯ膜を、スパッタリングによって成膜する。その後、ａ−ＩＴＯ膜をフォトエッチ
ング処理によってパターニングすることにより、図１５の複数の第２電極４４及び端子部
４５ｂの第２層５０が形成される。
【００９８】
その後、第２電極４４及び第２層５０を所定の温度（例えば２２０℃）で焼成する。こ
の焼成工程により、ａ−ＩＴＯで形成された第２電極４４及び第２層５０がポリ化（すな
わち結晶化又は多結晶化）する。これにより、第２電極４４及び第２層５０の透光性を向
上させ、且つ抵抗値を低くすることができる。以上により、第２主面Ｓ２上に第２導電パ
ターンを形成するための第２導電パターン形成工程Ｑ４が終了する。
【００９９】
なお、第２導電パターン形成工程Ｑ４の後に、第２電極４４、配線４９及び端子部４５
ｂを覆う保護膜を設けることもできる。この保護膜は、以下に説明する、第１主面Ｓ１上
に第１導電パターンを形成する工程において第２導電パターンが損傷することを防止する
ためのものである。
【０１００】
次に、図１５に示すマザー透光性基板４２’に対して行われる図１１の第１導電パター
ン形成工程Ｑ５について説明する。この第１導電パターン形成工程Ｑ５では、図１２（ｂ
）に示すように、基板要素４０ａをマザー基板４２’の第１主面Ｓ１上であってパネル領
域Ｔｐ内に形成する。まず、図１１の工程Ｐ４０において、第１導電パターンとしての図
１５の第１電極４３及び端子部４５ａを形成する。具体的には、図１２（ｂ）において、
基板４２’の第１面Ｓ１上に、第１電極４３の材料であるａ（アモルファス）−ＩＴＯ膜
を、スパッタリングによって成膜する。その後、ａ−ＩＴＯ膜をフォトエッチング処理に
よってパターニングすることにより、図１５の複数の第１電極４３及び端子部４５ａが形
成される。
【０１０１】
その後、第１電極４３及び端子部４５ａを所定の温度（例えば２２０℃）で焼成する。
この焼成工程により、ａ−ＩＴＯで形成された第１電極４３及び端子部４５ａがポリ化（
すなわち結晶化又は多結晶化）する。これにより、第１電極４３及び端子部４５ａの透光
性を向上させ、且つ抵抗値を低くすることができる。以上により、第１主面Ｓ１上に第１
導電パターンを形成するための第１導電パターン形成工程Ｑ５が終了する。
【０１０２】
その後、第２主面Ｓ２上に保護膜を形成している場合には、所定の有機溶剤を用いてそ
の保護膜を除去する。以上により、マザー基板４２’の両面に導電パターンが形成された
図１５のパネル構造体４１’が完成する。
【０１０３】
次に、図１１において、外縁領域除去工程としての分割工程Ｐ４１が実行される。具体
的には、図１５及び図１２（ｂ）の鎖線Ｘ０に沿って、パネル構造体４１’をレーザを用
いて切断して分割する。このとき、外縁領域Ｔｏとパネル領域Ｔｐとの間には、それらの
厚みの違いに従って段差が形成されているのであるが、レーザを用いることにより段差部
分も確実に切断できる。こうして、図１２（ｃ）に示す外縁領域Ｔｏがパネル領域Ｔｐか
ら切断される。すなわち、図１５のパネル構造体４１’が図１３（ａ）に示す個々の基板
４１に分割され、個々の基板４１が形成される。その後、図１３（ａ）の配線基板４６ａ
，４６ｂを接続することにより、タッチパネル４１が完成する。
【０１０４】
本実施形態においても、先の第１実施形態と同様に、ガラス基板であるマザー透光性基
板４２’に加工を施すことにより、パネル形成作業に耐える十分な強度を確保することに
した。具体的には、図１５において、第１主面Ｓ１上に形成される第１電極４３や第２主
面Ｓ２上に形成される第２電極４４等といった基板要素４０ａ，４０ｂを形成する領域で
あるパネル領域Ｔｐを選択的に薄く形成し、それ以外の外縁領域Ｔｏの厚みを厚くしてお
くことにした。こうすれば、図１１の工程Ｐ３８以降のパネル形成作業において、厚さが
厚い外縁領域Ｔｏによってマザー透光性基板４２’の曲げに対する強度を確保することが
できるので、厚さが薄いパネル領域Ｔｐに基板要素４０ａ，４０ｂを形成する際に、基板
４２’が損傷したり、反って曲がることを防止できる。
【０１０５】
さらに本実施形態では、図１１の工程Ｐ４１において、図１５のパネル構造体４１’を
図１２（ｃ）においてレーザを用いた切断処理によりパネル領域Ｔｐから外縁部分Ｔｏを
切断して除去することにした。こうして形成されたタッチパネル４１は、図１１のガラス
基板パターニング工程Ｐ３４において薄く形成された部分である基板４２を用いて構成さ
れている。従って、タッチパネル４１全体の厚みを薄く形成できる。
【０１０６】
また、本実施形態では、図１１の透光性基板形成工程Ｑ３において、ガラス基板パター
ニング工程Ｐ３４と第１導電パターン形成工程Ｑ４の間に強化処理工程Ｐ３６を行うこと
にした。工程Ｐ３６において透光性基板４２’に強化層を形成することにより、透光性基
板４２’の耐衝撃性及び耐荷重性を向上させることができる。その結果、強化層が形成さ
れない従来の製造方法に比べて基板４２’のパネル領域Ｔｐの厚さをさらに薄く形成して
も、第１導電パターン形成工程Ｑ４において基板４２’が破損したり曲がったりすること
を防止できる。それ故、外縁部分を除去した後の基板４２の厚さをより薄くできる。例え
ば、強化処理が施されない従来の基板は厚さが約０．４ｍｍであったものが、強化処理を
施した本実施形態の基板４２は約０．２ｍｍの厚さに形成できる。また、基板に強化処理
が施されることにより、薄く形成した基板を用いてタッチパネルを形成したとしても、使
用に耐え得る十分な面押し強度を確保できる。
【０１０７】
なお、本実施形態では、強化処理工程Ｐ３６を、ガラス基板パターニング工程Ｐ３４の
後であって第１導電パターン形成工程Ｑ４より前に行うことにした。こうすれば、ガラス
基板パターニング工程Ｐ３４におけるエッチング処理によって強化層が除去されることな
く、基板４２’の強化処理を確実に行うことができる。
【０１０８】
（薄型基板の製造方法の第３実施形態）
図１６は本発明に係る基板の製造方法の第３実施形態を示している。本第３実施形態に
おいても、薄型基板として静電容量方式のタッチパネルを製造するものとする。先の第２
実施形態では、図１４に示すように、透光性基板４２の両面に導電パターンを形成するこ
とにより静電容量方式のタッチパネル４１を形成している。これに対し本実施形態では、
図１８に示すように、透光性基板５２の片面のみに導電パターンを形成している。
【０１０９】
まず、本実施形態の製造方法で製造する静電容量方式タッチパネルについて説明する。
タッチパネル５１は、図１８に示すように、透光性基板５２と、透光性基板５２の第１
主面（図１８の上側面）Ｓ１上に設けられた複数の基板要素６０とを有する。第１主面Ｓ
１上には、第２導電パターンとしての複数の第２電極４４と、複数の端子部４５ｂと、そ
れらの第２電極４４と端子部４５ｂとを電気的に接続する配線４９が設けられている。端
子部４５ｂを除き、第２電極４４、及び配線４９上には、それらを覆う樹脂膜５６が設け
られている。当該樹脂膜５６上には、第１導電パターンとしての複数の第１電極４３が配
設されている。このタッチパネル５１では、基板５２の第１主面Ｓ１側が位置入力側であ
る。
【０１１０】
透光性基板５２はアルカリガラスによって形成されており、図１３（ａ）に示す透光性
基板４２と同じく、平面視で長方形又は正方形に形成されている。図１８において、第１
電極４３、端子部４５ａ、第２電極４４及び端子部４５ｂは、透光性の導電材料、本実施
形態ではＩＴＯを用いて形成されている。個々の第１電極４３の端部に形成された端子部
４５ａは、端子部４５ｂと電気的に絶縁された端子として、透光性基板５２の第１主面Ｓ
１上で、且つ平面的に端子４５ｂとはＸ方向に指定間隔を隔てて、並べて設けられている
。第２実施形態の図１３（ａ）において、端子部４５ａと端子部４５ｂが、平面的に重な
らない様に、Ｘ方向にずらしている点を除けば他の構成は同じである。また、図１８の配
線４９の平面的な構成は図１３（ａ）の配線４９と同じである。
【０１１１】
また、タッチパネル５１における位置検出の原理は、図１４のタッチパネル４１と同じ
であるが、図１８のタッチパネル５１では、第１電極４３と第２電極４４とは樹脂膜５６
を挟んで設けられているので、第１電極４３と第２電極４４との間に形成される静電容量
Ｃ１及びＣ２は、樹脂膜５６内に形成されることになる。
【０１１２】
図１８において、タッチパネル５１の位置入力側であって図の左側端部には、配線基板
４６ａ及び４６ｂが接続されている。配線基板４６ａの一端は、各端子部４５ａに電気的
に接続されている。配線基板４６ａの他端は、外部の制御回路、例えば位置検出回路等（
図示せず）に接続され、その制御回路と端子部４５ａに接続された第１電極４３との間で
信号の入力又は出力が行われる。一方、配線基板４６ｂの一端は、各端子部４５ｂに電気
的に接続されている。配線基板４６ｂの他端は、外部の制御回路、例えば位置検出回路等
（図示せず）に接続され、その制御回路と端子部４５ｂに接続された第２電極４４との間
で信号の入力又は出力が行われる。
【０１１３】
以下、薄型基板としての上記のタッチパネル５１の製造方法を図１６、図２及び図１７
を用いて説明する。本実施形態においても、図１８に示すパネル５１を１つずつ形成する
のではなく、複数個のパネル５１を同時に形成する、いわゆる多数個取りの手法に基づい
て基板を作製するものとする。なお、タッチパネル５１の平面構造は図１３（ａ）のタッ
チパネル４１と同じなので、複数のパネル５１の要素を含んだパネル構造体５１’の平面
構造は図１５を用いて説明する。図１７は図１５のＺＬ−ＺＬ線に従った断面を示してい
る。
【０１１４】
本実施形態において、図１６の透光性基板形成工程Ｑ６（工程Ｐ５１〜工程Ｐ５７）は
、先の第１実施形態における図１の第１透光性基板形成工程Ｑ１（工程Ｐ１〜工程Ｐ７）
と同じである。すなわち、図１６の工程Ｐ５１において、図２（ａ）のマザー透光性基板
５２’を所定の洗浄液によって洗浄し、図１６の工程Ｐ５２において、図２（ｂ）のマザ
ー透光性基板５２’の第２主面Ｓ２上に保護膜３１を、例えばラミネートにより貼り付け
る。その後、図１６の工程Ｐ５３において、図２（ｃ）のマザー透光性基板５２’の第１
主面Ｓ１上にポジ型の感光性樹脂を用いてフォトエッチング処理によってパターニングす
ることにより、図３（ｅ）のレジストパターン３２を形成する。
【０１１５】
次に、図１６のパネル領域形成工程としてのガラス基板パターニング工程Ｐ５４におい
て、マザー基板５２’に対してレジストパターン３２をマスクとしてエッチング処理を行
うことにより、図３（ｆ）に示すように、基板５２’のマスク以外の領域、すなわちパネ
ル領域が所定厚さ除去されて薄く形成される。本実施形態では、厚さ０．４ｍｍのガラス
基板においてパネル領域の厚さを、例えば０．２ｍｍにすることができる。その後、図１
６の工程Ｐ５５において、レジストパターン３２を、例えば有機溶剤等によって剥離して
除去することにより、図３（ｇ）に示すように、基板５２’に厚みが薄いパネル領域Ｔｐ
と厚みが厚い外縁領域Ｔｏとが形成される。
【０１１６】
次に、強化層形成工程としての図１６の強化処理工程Ｐ５６において、基板５２’の第
１主面Ｓ１及び第２主面Ｓ２に強化層２３（図６参照）を形成し、図１６の工程Ｐ５７に
おいて、第１主面Ｓ１上及び第２主面Ｓ２上にＳｉＯ２層２４を形成する（図３（ｈ））
ことにより、マザー透光性基板４２’を形成する図１１の工程Ｑ３が終了する。
【０１１７】
次に、図１６の第２導電パターン形成工程Ｑ７において、図１５の第２電極４４、端子
部４５ｂ及び配線４９を第１主面Ｓ１上であってパネル領域Ｔｐ内に形成する。まず、図
１６の工程Ｐ５８において、図１５の配線４９及び第１層４９ａを、例えばＣｒを材料と
して成膜し、フォトエッチング処理によってパターニングすることにより形成する。次に
、図１６の工程Ｐ５９において、図１５に示す第２電極４４及び第２層５０を、ａ−ＩＴ
Ｏ膜を成膜し、フォトエッチング処理によってパターニングすることにより形成する。そ
の後、第２電極４４及び第２層５０を所定の温度（例えば２２０℃）で焼成してポリ化す
る。以上により、第２導電パターンを形成するための第２導電パターン形成工程Ｑ７が終
了する。
【０１１８】
次に、工程Ｐ６０において、第２電極４４、端子部４５ｂ及び配線４９を覆う樹脂膜５
６を、例えば感光性樹脂をスピンコートによって一様な厚さに塗布した後、フォトリソ法
で端子部４５ｂと外縁領域Ｔｏのみを除去し、焼成する。
【０１１９】
次に、図１６の第１導電パターン形成工程Ｑ８において、図１５の第１電極４３及び端
子部４５ａを樹脂膜５６上であってパネル領域Ｔｐ内に形成する。図１６の工程Ｐ６１に
おいて、図１５の第２電極４３及び端子部４５ａを、ａ−ＩＴＯ膜を成膜し、フォトエッ
チング処理によってパターニングすることにより形成する。その後、第１電極４３及び端
子部４５ａを所定の温度（例えば２２０℃）で焼成してポリ化する。以上により、第１導
電パターンを形成するための第１導電パターン形成工程Ｑ８が終了する。更に、樹脂膜５
６で第２電極４３を被覆する。以上により、マザー基板５２’の第１主面Ｓ１側に導電パ
ターンが形成された図１５及び図１７（ｃ）のパネル構造体５１’が完成する。
【０１２０】
次に、図１６において、外縁領域除去工程としての分割工程Ｐ６２が実行される。具体
的には、図１５及び図１７（ｃ）の鎖線Ｘ０に沿って、パネル構造体５１’をレーザを用
いて切断する。このとき、外縁領域Ｔｏとパネル領域Ｔｐとの間には、それらの厚みの違
いに従って段差が形成されているのであるが、レーザを用いることにより段差部分も確実
に切断できる。これにより、図１７（ｃ）に示す外縁領域Ｔｏがパネル領域Ｔｐから切断
される。すなわち、図１５のパネル構造体５１’が図１３（ａ）に示す個々の基板５１に
分割され、個々の基板５１が形成される。その後、図１３（ａ）の配線基板４６ａ，４６
ｂを接続することにより、タッチパネル５１が完成する。
【０１２１】
本実施形態においても、マザー透光性基板５２’においてパネル領域Ｔｐを選択的に薄
く形成し、それ以外の外縁領域Ｔｏの厚みを厚くしておくことにした。こうすれば、図１
６の工程Ｐ５８以降のパネル形成作業において、厚さが厚い外縁領域Ｔｏによってマザー
透光性基板５２’の曲げに対する強度を確保することができるので、厚さが薄いパネル領
域Ｔｐに基板要素６０を形成する際に、基板５２’が損傷したり、反って曲がることを防
止できる。
【０１２２】
さらに、図１６の工程Ｐ６２において、図１７（ｃ）に示すようにパネル構造体５１’
のパネル領域Ｔｐから外縁部分Ｔｏをレーザを用いた切断処理により切断して除去するこ
とにしたので、基板５２の薄い部分を用いてタッチパネル５１を薄く形成できる。
【０１２３】
また、本実施形態では、図１６の工程Ｐ５６において透光性基板５２’に強化層を形成
することにより、透光性基板５２’の耐衝撃性及び耐荷重性を向上させることができる。
その結果、強化層が形成されない従来の製造方法に比べて基板５２’のパネル領域Ｔｐの
厚さをさらに薄く形成しても、後の工程において基板５２’が破損したり曲がったりする
ことを防止できる。また、基板に強化処理が施されることにより、薄く形成した基板を用
いてタッチパネルを形成したとしても、使用に耐え得る十分な面押し強度を確保できる。
なお、本実施形態では、強化処理工程Ｐ５６を、ガラス基板パターニング工程Ｐ５４の後
に行うことにしたので、工程Ｐ５４におけるエッチング処理によって強化層が除去される
ことなく、基板５２’の強化処理を確実に行うことができる。
【０１２４】
（その他の実施形態）
以上、好ましい実施形態を挙げて本発明の薄型基板の製造方法を説明したが、本発明は
その実施形態に限定されるものでなく、請求の範囲に記載した発明の範囲内で種々に改変
できる。
例えば、上記の実施形態では、図１の工程Ｐ４において、ガラス基板のパターニングは
図３（ｆ）に示すように、透光性基板４２’の片側面（第１主面Ｓ１）に対して行うこと
にした。しかしながら、このガラス基板のパターニングは、パターニング後の基板の厚み
を確保できれば、ガラス基板の両面（第１主面Ｓ１及び第２主面Ｓ２）に対して行うこと
もできる。
【０１２５】
また、第１実施形態では、本発明の製造方法を薄型基板である単純マトリクス方式の液
晶パネルの製造方法に適用しているが、これに限られず、スイッチング素子を用いたアク
ティブマトリクス方式の液晶パネルの製造方法にも適用できる。
【図面の簡単な説明】
【０１２６】
【図１】本発明に係る薄型基板の製造方法の一実施形態を示す工程図である。
【図２】図１の工程図に対応して基板の構造の変遷を示す図である。
【図３】図２に続いて基板の構造の変遷を示す図である。
【図４】図３に続いて基板の構造の変遷を示す図である。
【図５】本発明に係る薄型基板の製造方法を用いて製造される基板の一例である液晶装置を示す断面図である。
【図６】図５に示す基板の構成要素である透光性基板の構造を示す図である。
【図７】図５の基板法線方向から見た平面図である。
【図８】図１の製造方法によって製造される大面積のパネル構造体の一部を示す平面図である。
【図９】図８のパネル構造体のうちの一方の基板を示す平面図である。
【図１０】図８のパネル構造体のうちの他方の基板を示す平面図である。
【図１１】本発明に係る基板の製造方法の他の実施形態を示す工程図である。
【図１２】図１１の工程図に対応して基板の構造の変遷を示す図である。
【図１３】本発明に係る基板の製造方法を用いて製造される基板の他の例であるタッチパネルを示す図であり、（ａ）はその平面図、（ｂ）はその側面図である。
【図１４】図１３のタッチパネルの構造を示す断面図である。
【図１５】図１１の製造方法によって製造される大面積のパネル構造体の一部を示す平面図である。
【図１６】本発明に係る基板の製造方法のさらに他の実施形態を示す工程図である。
【図１７】図１６の工程図に対応して基板の構造の変遷を示す図である。
【図１８】本発明に係る基板の製造方法を用いて製造される基板のさらに他の例であるタッチパネルの構造を示す断面図である。
【符号の説明】
【０１２７】
１．液晶装置、  ２．液晶パネル（薄型基板）、  ３．駆動用ＩＣ、  ４．照明装置、
６．ＬＥＤ、  ７．導光体、  ８．シール材、  ９．液晶層、  
１１．第１基板、  １１ａ．第１透光性基板、  
１２．第２基板、  １２ａ．第２透光性基板、  
１３．張出し部、  １５ａ．帯状電極（第１導電パターン）、
１５ｂ．帯状電極（第２導電パターン）、  １６ａ，１６ｂ．配向膜、  １７．偏光層、
１８．着色膜、  １９．遮光部材、  ２０．オーバーコート層、  ２１．スペーサ、
２２．ガラス基材、  ２３．強化層、  ２４．ＳｉＯ２層、  ２６．配線、  
２７．外部接続用端子、  ３１．保護膜、  ３２．レジストパターン、
３２’．レジスト膜、  ３３．露光マスク、  ３４．ガラス基板、  
３５．遮光パターン、  ４１，５１．タッチパネル（薄型基板）、  
４１’，５１’．マザー基板、  ４２，５２．透光性基板、  
４２’，５２’．マザー透光性基板、  ４３．第１電極（第１導電パターン）、  
４４．第２電極（第２導電パターン）、  ４５ａ，４５ｂ．端子部、  
４６ａ，４６ｂ．配線基板、  ４７．樹脂膜、  ４８．入力手段、  ４９．配線、
４９ａ．端子部の第１層、  ４９’．材料層、  ５０．端子部の第２層、  
５６．樹脂膜、  ６０．基板要素、  Ｇ．セルギャップ、  Ｐ．サブ画素、
Ｖ．表示領域、
【図１】
2008216835.tif 000003
【図２】
2008216835.tif 000004
【図３】
2008216835.tif 000005
【図４】
2008216835.tif 000006
【図５】
2008216835.tif 000007
【図６】
2008216835.tif 000008
【図７】
2008216835.tif 000009
【図８】
2008216835.tif 000010
【図９】
2008216835.tif 000011
【図１０】
2008216835.tif 000012
【図１１】
2008216835.tif 000013
【図１２】
2008216835.tif 000014
【図１３】
2008216835.tif 000015
【図１４】
2008216835.tif 000016
【図１５】
2008216835.tif 000017
【図１６】
2008216835.tif 000018
【図１７】
2008216835.tif 000019
【図１８】
2008216835.tif 000020