(57)【要約】【課題】洗浄後の基板、たとえばフォトマスク基板、フォトマスクブランク及びフォトマスクおよびそれらの製造中間体等を温水処理してから乾燥しても微小異物（パーティクル）が極めて少ない基板を得ることができる基板の乾燥方法を提供する。【解決手段】洗浄後の基板の乾燥方法であって、少なくとも、基板を加温した純水で処理する工程を行った後に、該基板の表面温度を下げる工程を行い、その後乾燥工程を行うことを特徴とする基板の乾燥方法。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
洗浄後の基板の乾燥方法であって、少なくとも、基板を加温した純水で処理する工程を行った後に、該基板の表面温度を下げる工程を行い、その後乾燥工程を行うことを特徴とする基板の乾燥方法。
【請求項２】
前記基板の表面温度を下げる工程を、加温しない純水を用いてリンスすることにより行うことを特徴とする請求項１に記載の基板の乾燥方法。
【請求項３】
前記乾燥工程をスピン乾燥により行うことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の基板の乾燥方法。
【請求項４】
前記基板を加温した純水で処理する工程を行ってから、前記乾燥工程を開始するまでの間、前記基板の表面の乾燥防止処理を行うことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の基板の乾燥方法。
【請求項５】
前記乾燥防止処理を、前記基板の表面温度を下げる工程を開始するまでは加温したまたは加温しない純水を用いたリンスにより行い、前記基板の表面温度を下げる工程以降は加温しない純水を用いたリンスにより行うことを特徴とする請求項４に記載の基板の乾燥方法。
【請求項６】
前記基板として、硫酸又は硫酸塩を含有する材料で処理する工程を行った基板を用いることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の基板の乾燥方法。
【請求項７】
前記基板を、フォトマスク基板、フォトマスクブランク、フォトマスクおよびそれらの製造中間体のいずれかとすることを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の基板の乾燥方法。
【請求項８】
前記基板を、波長２００ｎｍ以下の露光光源を使用するリソグラフィーで用いるものとすることを特徴とする請求項７に記載の基板の乾燥方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置等の製造に用いる基板の乾燥方法に関し、特に、リソグラフィーで用いるフォトマスク基板、フォトマスクブランク、フォトマスクおよびそれらの製造中間体の乾燥方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣ、ＬＳＩ又はＶＬＳＩ等の半導体集積回路の製造をはじめとして、広範囲な用途に用いられているフォトマスクは、基本的には透光性基板上に金属化合物薄膜による遮光膜を成膜したフォトマスクブランクの該遮光膜を、電子線フォトリソグラフィー法等を用いて、所定の遮光膜パターンに加工することにより得られる。近年では半導体集積回路の高集積化等の市場要求に伴ってパターンの微細化が急速に進み、これに対して露光工程でのレジスト解像度を上げるために、露光波長の短波長化及びレンズの開口数の増大を図ることにより対応している。
【０００３】
上記半導体集積回路の製造等に使用するフォトリソグラフィー法には、回路パターンをフォトレジストに焼き付ける原図として、露光光に対して透明な基板上に金属化合物による遮光部を形成したフォトマスクが使用される。しかし、フォトマスクが極めて微細なパターンの露光に用いられてくると、極めて微細な異物及びヘイズ（くもり）も欠陥となるので、フォトマスク及びそれを製造する材料は、極めて清浄であることが求められる。
【０００４】
フォトマスクは、露光光をほぼ完全に遮断する遮光部を持つバイナリーマスクや、光を減衰させつつ光透過部に対して光の位相を反転させ、露光光の回折による明暗のコントラスト低下を防止するハーフトーン位相シフトマスク等が実用化されているが、これらは石英やＣａＦ２等の透明基板上にクロム化合物や金属シリサイド化合物の遮光部を持つものである。
【０００５】
更にフォトマスクは、上記のような透明基板に、上記の遮光膜材料の薄膜を成膜し、それに電子線リソグラフィー法等によりレジストパターンを形成し、エッチングにより遮光材料へパターンを転写するといった手順で製造されるが、上記の通り、極めて高い清浄度を求められることから、各工程においては厳密な洗浄が行われる。
【０００６】
ところが、露光光としてＡｒＦエキシマレーザー光のような高エネルギー線を使用すると、基板に残留していた硫酸イオンとアンモニウムイオンより硫酸アンモニウムの微結晶が生成し、これがパーティクルとなって欠陥としてカウントされる現象が見出され、問題となった。
【０００７】
この問題の大きな原因は硫酸イオンであることは明らかとなっているが、硫酸イオンが除去しにくいことはよく知られている。加温した純水でフォトマスク材料をリンスしてやる方法は、特許文献１で先に提案したものであるが、この温水を用いた方法が常温の水を用いるより硫酸イオンを除く効果が高いことが特許文献２に示されている。
【０００８】
ところで、フォトマスク基板やフォトマスクブランク中間体、フォトマスクブランク、フォトマスク等の洗浄を行った際、異物汚染を低く抑えて乾燥することができる乾燥方法として、スピン乾燥法がある（特許文献３参照）。
スピン乾燥法は被乾燥基板を高速回転させることにより、遠心力により表面の水滴を吹き飛ばしながら乾燥させる方法である。但し、材料の回転のみで乾燥を行おうとした場合、長時間の乾燥時間が必要である。そこで、被乾燥基板を予め温水で処理しておくことにより、基板温度を上げることで乾燥時間を短縮することができることは特許文献１で開示した。
【０００９】
しかし、このように温水処理を用いて乾燥した基板について、より微細な異物欠陥を調べたところ、常温の純水で処理した場合よりも異物欠陥が増加するケースがあることが判明した。そこで、加温した純水による処理は、簡単で硫酸イオンの低減に効果があるものの、上記微小異物が増加する問題を解決する必要がある。
【００１０】
【特許文献１】特開２００４−１９９９４号公報
【特許文献２】特開２００４−５３８１７号公報
【特許文献３】特開平２−２３７０２９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明はこのような問題点に鑑みてなされたもので、洗浄後の基板、たとえばフォトマスク基板、フォトマスクブランク及びフォトマスク等を温水処理してから乾燥しても微小異物（パーティクル）が極めて少ない基板を得ることができる基板の乾燥方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、洗浄後の基板の乾燥方法であって、少なくとも、基板を加温した純水で処理する工程を行った後に、該基板の表面温度を下げる工程を行い、その後乾燥工程を行うことを特徴とする基板の乾燥方法を提供する（請求項１）。
【００１３】
このように、基板の表面温度を下げる工程を行うことで、洗浄後の基板を温水処理した後に乾燥しても基板上にミストに基づくより微細なパーティクルが多量に発生することがない。従って、温水処理により欠陥の原因となる硫酸イオンが除かれ、しかも、ミストに基づくパーティクルの増加が防がれるので、欠陥およびパーティクルが低減された極めて清浄度の高い基板を得ることができる。
【００１４】
この場合、前記基板の表面温度を下げる工程を、加温しない純水を用いてリンスすることにより行うことが好ましい（請求項２）。
【００１５】
このように加温しない純水を用いてリンスすることで、非常に簡便にかつ清浄度を保って基板の表面温度を下げることができ、基板のパーティクルの増加を防止することができる。
【００１６】
また、前記乾燥工程をスピン乾燥により行うことが好ましい（請求項３）。
このようにスピン乾燥を行うことで異物汚染をより低く抑えて乾燥することができる。
【００１７】
また、前記基板を加温した純水で処理する工程を行ってから、前記乾燥工程を開始するまでの間、前記基板の表面の乾燥防止処理を行うことが好ましい（請求項４）。
このように温水処理後に乾燥防止処理を行って基板表面が乾燥しないようにすれば、高温の水滴が乾燥して生じる乾燥斑の発生を防止することができる。従って、乾燥斑が低減された極めて清浄度の高い基板を得ることができる。
【００１８】
この場合、前記乾燥防止処理を、前記基板の表面温度を下げる工程を開始するまでは加温したまたは加温しない純水を用いたリンスにより行い、前記基板の表面温度を下げる工程以降は加温しない純水を用いたリンスにより行うことが好ましい（請求項５）。
このように加温したまたは加温しない純水を用いたリンスにより、簡便に基板表面の乾燥を防止することができる。
【００１９】
また、前記基板として、硫酸又は硫酸塩を含有する材料で処理する工程を行った基板を用いることができる（請求項６）。
硫酸又は硫酸塩を含有する材料で処理する工程を行った基板には、硫酸イオンが残留して欠陥の原因となり易い。このような基板を本発明の乾燥方法により乾燥すれば、温水処理により欠陥の原因となる硫酸イオンが除かれ、しかも、基板の表面温度を下げる工程によりミストに基づくパーティクルの増加が防がれるので、硫酸イオンに基づく欠陥およびミストに基づくパーティクルが低減された極めて清浄度の高い基板を得ることができる。
【００２０】
また、前記基板を、フォトマスク基板、フォトマスクブランク、フォトマスクおよびそれらの製造中間体のいずれかとすることができる（請求項７）。
フォトマスク基板、フォトマスクブランク、フォトマスクおよびそれらの製造中間体は極めて高い清浄度を求められるため、本発明の乾燥方法により好適に乾燥することができる。
【００２１】
この場合、前記基板を、波長２００ｎｍ以下の露光光源を使用するリソグラフィーで用いるものとすることができる（請求項８）。
【００２２】
前記基板が特にこのような高エネルギー線で露光される場合は、基板に残留する硫酸イオンが原因となり硫酸アンモニウムの微結晶が生成して欠陥となりやすい。従って、温水処理により硫酸イオンを除く必要がある。本発明の乾燥方法によれば、温水処理により硫酸イオンが除かれ、しかも、温水処理が引き起こすパーティクルの増加が防がれるので、欠陥およびパーティクルが低減された極めて信頼性の高い基板を得ることができる。
【発明の効果】
【００２３】
以上説明したように、本発明の基板の乾燥方法を用いれば、温水処理により欠陥の原因となる硫酸イオンが除かれ、しかも、温水処理が引き起こすパーティクルの増加が防がれるので、硫酸イオンに基づく欠陥および温水処理によるミストに基づくパーティクルが低減された極めて清浄度の高い基板を得ることができる。従って、本発明の乾燥方法により乾燥したフォトマスク基板、フォトマスクブランク、フォトマスクおよびそれらの製造中間体等の基板を、フォトマスク製造工程、デバイス製造工程等で用いた場合、生産性と歩留まりの向上を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明についてさらに詳細に説明する。
フォトマスク基板、フォトマスクブランク、フォトマスク等の基板は洗浄工程において、例えばレジスト剥離液のような硫酸含有洗浄液、あるいは硫酸塩を含有する界面活性剤等、工程中で硫酸イオンと接触するものが多い。また、硫酸イオンの上記基板上への付着性が高いことから、作業雰囲気の中で偶然に硫酸イオンが吸着され、上記のような処理を行わない場合にも硫酸イオンが基板表面に観測されることがある。
【００２５】
このように基板上に残留する硫酸イオンは、アンモニウムイオンと反応して硫酸アンモニウムの微結晶となり、これがパーティクルとなって、パターンの欠陥となる現象が見出され、問題となった。
この問題に対して、温水を用いて基板をリンスすることで、基板上に残留する硫酸イオンを除去する方法が行われている。
【００２６】
ところが、本発明者は、温水処理をした上述のような基板をスピン乾燥すると微小パーティクルが増加してしまう現象を見出した。なお、常温の洗浄液及び純水リンスを行った基板ではこの現象は見られない。
この現象の原因として、本発明者は基板表面への水滴の再付着を強く疑い、ミストがその由来であると推定した。
【００２７】
すなわち温水を用いて基板をリンスすると、温水から気化した水蒸気（雰囲気温度より高い）が雰囲気に冷やされて過飽和となり水滴化する（ミスト、霧）。このミストが、気流の影響など（下降気流、または回転によるポンプ効果）で基板上に再度付着してパーティクルの原因となると考えられる。
【００２８】
この場合、基板に付いたミストが乾燥する過程で、ミストに含まれている物質、例えばミスト形成の核となった物質等が水の蒸発と共に凝集して固化し、異物（パーティクル）としてカウントされる。また、ミストに含まれる物質だけでなく、付着したミストに基板表面の異物が溶かし込まれて凝集されることにより、パーティクルとしてカウントされる可能性もある。
【００２９】
この問題を解決するためには、温水処理した被乾燥基板表面を低温化して、水蒸気の発生を抑制し、基板表面に高い温度の水滴が存在しにくくなるようにしてやれば良い。すなわち、本発明者は、温水処理後に基板表面の積極的低温化処理、例えば加温していない純水でのリンス等を行えばよいことに想到し、本発明を完成した。
【００３０】
すなわち、本発明は、洗浄後の基板の乾燥方法であって、少なくとも、基板を加温した純水で処理する工程を行った後に、該基板の表面温度を下げる工程を行い、その後乾燥工程を行うことを特徴とする基板の乾燥方法を提供する。
【００３１】
このように、基板を温水処理後に基板の表面温度を下げる工程を行うことで、水蒸気が多量に発生することを抑制できるので、ミストの発生を抑制して、基板表面にミストが付着しにくくなるようにすることができる。これにより、基板上にパーティクルが多量に発生することを防止できる。従って、本発明の方法によれば、温水処理により欠陥の原因となる硫酸イオンが除かれ、しかも、温水処理が引き起こすパーティクルの増加が防がれるので、硫酸イオンに基づく欠陥およびミストに基づくパーティクルが低減された極めて清浄度の高い基板を得ることができる。
【００３２】
前記基板の表面温度を下げる工程は、これに限定されないが、好ましくは加温しない純水を用いてリンスすることにより行うことができる。加温しない純水を用いたリンスは、基板の清浄度を維持して極めて簡便な装置で行うことができるからである。なお、ここでの純水とはイオン交換等により、蒸発で残渣が残る可能性を極力下げた水をいい、いわゆる超純水の他、通常電子材料製造に用いられる炭酸ガスを含有させたものや、オゾン水、水素水のようないわゆる機能水も含まれる。
また、前記基板の表面温度を下げる工程は、たとえば、エアーブローや揮発性アルコールを用いて行うこともできる。
【００３３】
また、前記乾燥工程は、これに限定されないが、スピン乾燥により行うことができる。
スピン乾燥は被乾燥基板を高速回転させることにより、遠心力により表面の水滴を吹き飛ばしながら乾燥させる方法である。この方法は、水滴が基板表面で濃縮乾固されないため、異物凝集によるパーティクル化を生じにくい好ましい方法であるが、装置の構造上ミスト問題を生じやすいため、本発明を好ましく適用することができる。
【００３４】
更に、スピン乾燥の場合、加温しない純水を用いてリンスを行った後にすぐにスピン乾燥に入れば、スピン開始により表面の主な水滴が除かれた後、振り切りに入った段階では被乾燥基板本体の潜熱により表面温度が高くなる状態でスピン乾燥を行うことができ、パーティクル発生を抑制するだけでなく、乾燥時間を短縮する効果も同時に得ることができる。
【００３５】
スピン乾燥以外には、温風乾燥、減圧乾燥、赤外線ランプでの乾燥等を用いることができる。
【００３６】
また、前記基板を加温した純水で処理する工程を行ってから、前記乾燥工程を開始するまでの間、前記基板の表面の乾燥防止処理を行うことが好ましい。
【００３７】
この乾燥防止処理を、前記基板の表面温度を下げる工程を開始するまでは加温したまたは加温しない純水を用いたリンスにより行い、前記基板の表面温度を下げる工程以降は加温しない純水を用いたリンスにより行うことができる。
【００３８】
基板の表面の乾燥防止処理を行うとは、基板表面の濡れを維持するのに、積極的に基板表面を乾燥させないような処理を施すことである。たとえば、温水処理後に乾燥防止処理として加温しない純水を用いたリンスを行うことができる。この場合、このリンスは基板の表面温度を下げる工程をも兼ねることになる。
【００３９】
このように温水処理後から、乾燥工程を開始するまでの間、基板表面を濡らしておけば、基板上に再付着したミストは、リンス水とともに基板上から流出する。従って、仮にミストが発生しても、再付着した水滴が基板上に留まってパーティクル増加を引き起こす恐れがより小さくなる。さらに、高温の水滴が乾燥して生じる乾燥斑の発生を防止することができる。従って、乾燥斑が低減された極めて清浄度の高い基板を得ることができる。
【００４０】
以下、本発明の一つの実施の形態として、洗浄した基板を加温した純水で処理する工程、加温しない純水で処理する工程、スピン乾燥工程を順に行う場合を説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００４１】
用いられる基板は特に限定されず、精密基板、たとえば、フォトマスク基板、フォトマスクブランク、フォトマスクおよびそれらの製造中間体等を挙げることができる。より具体的には、フォトマスクを製造するための石英、フッ化カルシウム等の露光光に対して透明なフォトマスク用基板、フォトマスク基板上に位相シフト膜等の光学膜を成膜したフォトマスクブランク製造中間体、また、位相シフト膜、遮光膜等を単独あるいは組み合わせて成膜したフォトマスクブランク、更にはフォトマスクブランクをリソグラフィー法によりエッチング加工したフォトマスク中間体又は加工が終了したフォトマスク等である。
【００４２】
本発明に係る温水処理の前に行われる基板の洗浄については、特に限定されず、従来用いられている洗浄を行うことができる。たとえば、熱硫酸による浸漬洗浄、界面活性剤によるスクラブ洗浄、フッ酸水溶液、水酸化カリウム水溶液及び超純水によるシャワー洗浄等を用いることができる。
【００４３】
しかし特に、基板をレジスト剥離液のような硫酸含有洗浄液、硫酸塩を含有する界面活性剤のような、硫酸又は硫酸塩を含有する材料で洗浄した場合は、本発明の乾燥方法により硫酸イオンが除かれ、しかも、ミストによるパーティクルの増加も防がれるので、欠陥およびパーティクルが低減された極めて清浄度の高い基板を得ることができるため好ましい。特に、前記基板が、波長２００ｎｍ以下の露光光源を使用するリソグラフィーで用いるものであれば、極めて高い清浄度を要求されるため、本発明の方法を好適に用いることができる。
【００４４】
このように洗浄した基板を加温した純水で処理する。
この温水処理を行う方法は、特に限定されず、たとえば温水槽に基板を浸漬したり、スピン乾燥装置上の乾燥処理前の基板に温水を供給してもよい。
【００４５】
加温した純水で処理する工程、加温しない純水で処理する工程、スピン乾燥工程を連続してスピン乾燥装置上で行う場合は、基板に加温した純水を供給するラインと加温していない純水を供給するラインを持つスピン乾燥装置を使用することができる。更にその乾燥装置には排気ラインがあることが好ましく、高温の純水を供給した際に、装置内にミストが長時間滞留することを防止できることが好ましい。
【００４６】
加温した純水は、好ましくは４０℃以上１００℃未満で制御されることが好ましく、より好ましくは６０℃以上９５℃未満である。処理時間は基板の大きさ、供給温水の単位時間供給量等が関係することから、適宜調整する必要があるが、一般的には３０秒〜２０分程度温水を基板上に供給してやることが好ましい。これにより、特に基板表面に残留する硫酸イオンを除去することができる。
【００４７】
次に、基板を加温しない純水で処理する。
この処理は、基板の表面温度を下げる工程と、基板の表面の乾燥防止処理を兼ねる。基板を加温しない純水で処理することで、基板表面等からの多量の水蒸気の発生を抑えられると共に、乾燥装置中にある高濃度の水蒸気が排気される間、ミストが発生した際にも基板表面が汚染されないよう、基板表面を純水でカバーすることができる。
この時に用いる純水は、通常フォトマスク製造に好ましく使用される状態に管理された純水であれば良く、温度はその管理温度内で十分である。たとえば１０〜３５℃程度のものを用いることができる。
【００４８】
純水の供給量については、特に限定されず、条件により適宜選択することができる。たとえば、加温しない純水で処理してすぐにスピン乾燥に入る場合であれば、表面の温水を流すための最低量で十分である。また、加温しない純水で処理してスピン乾燥に移るまでに時間がかかるような条件で行う際には、表面に残った水が基板の潜熱により再度高い温度にならない程度に表面温度を下げる流量を選択すればよい。
【００４９】
純水の供給時間についても、特に限定されず、条件により適宜選択することができる。ただし、スピン乾燥装置内からミストを発生させる高温の蒸気が排気される間の時間、加温していない純水が供給されれば、ミストの付着と基板表面の乾燥が防止されるので好ましい。
【００５０】
なお、温水処理から乾燥開始までの間で基板が一旦乾燥してしまわないことが乾燥斑を防止するために好ましい。それゆえ、基板を温水処理した後、乾燥開始までの間、基板を加温しない純水で処理することが好ましい。従って、スピン乾燥装置には、少なくとも加温していない純水を供給するラインが設置されていることが好ましい。そのような装置を使用することにより、被乾燥基板の本体の温度を下げることなく、表面のみの温度を下げてミストを防ぐと共に、本体の潜熱により乾燥時間を短縮する効果を得ることができる。
【００５１】
次に、基板をスピン乾燥する。
スピン乾燥自体はすでに上述のように公知であり、公知の方法により行うことができる。回転数及び時間は、装置及び基板の大きさにも依存して設定されるが、例えば１５２ｍｍ角の基板での一例としては、回転数１０００ｒｐｍ程度で２分間スピン乾燥してやることで乾燥ができる。
【００５２】
上記のような処理を行うことで、温水処理により欠陥の原因となる硫酸イオンが除かれ、しかも、温水処理が引き起こすミスト起因のパーティクルの増加が防がれるので、極めて清浄度の高い基板を得ることができる。
【実施例】
【００５３】
以下、実施例及び比較例を示して本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの記載によって限定されるものではない。
【００５４】
１５２ｍｍ角の石英基板に最表面がモリブデンを含有するケイ素酸化窒化膜となるように成膜されたフォトマスクブランク製造中間体を４枚用意した。この製造中間体に一般的な方法による洗浄工程を行った後、室温の水でリンスし、１０００ｒｐｍで２分間のスピン乾燥を行った。
【００５５】
次に、欠陥検出装置（レーザーテック社製ＭＡＧＩＣＳ）を用いて、得られた基板の表面パーティクルを計測して、位置を特定した。特定された基板毎の０．０６〜０．１μｍの欠陥数は基板Ａが４４個、基板Ｂが３８個、基板Ｃが３６個、基板Ｄが４８個であった。
【００５６】
（実施例１）
上記で得たフォトマスクブランク製造中間体モデルである基板Ａに、７０℃に加温した純水を１０分間、スピン乾燥機中で乾燥処理前に供給し、次に１５０秒間２３℃の純水を供給して基板表面の温度を下げた後、１０００ｒｐｍで３０秒間スピン乾燥を行った。
この処理工程により乾燥された基板の表面欠陥数を上記と同様に計測したところ、２３個であり、処理前に観察された欠陥と異なる位置に観測された欠陥は５個であった。
【００５７】
（実施例２）
上記で得たフォトマスクブランク製造中間体モデルである基板Ｂに、９０℃に加温した純水を１０分間、スピン乾燥機中で乾燥処理前に供給し、次に１５０秒間２３℃の純水を供給して基板表面の温度を下げた後、１０００ｒｐｍで３０秒間スピン乾燥を行った。
この処理工程により乾燥された基板の表面欠陥数を上記と同様に計測したところ、１５個であり、処理前に観察された欠陥と異なる位置に観測された欠陥は３個であった。
【００５８】
（比較例１）
上記で得たフォトマスクブランク製造中間体モデルである基板Ｃに、７０℃に加温した純水を１０分間、スピン乾燥機中で乾燥処理前に供給した後、そのまま１０００ｒｐｍで３０秒間スピン乾燥を行った。
この処理工程により乾燥された基板の表面欠陥数を上記と同様に計測したところ、１１８４個であった。
【００５９】
（比較例２）
上記で得たフォトマスクブランク製造中間体モデルである基板Ｄに、９０℃に加温した純水を１０分間、スピン乾燥機中で乾燥処理前に供給した後、そのまま１０００ｒｐｍで３０秒間スピン乾燥を行った。
この処理工程により乾燥された基板の表面欠陥数を上記と同様に計測したところ、２７３７個であった。
【００６０】
以上の結果から、基板を温水処理した後に、基板の表面温度を下げる工程を行うことで、パーティクル数の増加が防止され、極めて清浄度の高い乾燥基板が得られることが確認できた。
【００６１】
尚、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。