(57)【要約】【課題】基板と保持部材との温度差に起因する露光不良の発生を抑制し、露光処理を良好に実行できる露光装置を提供する。【解決手段】露光装置は、露光光が照射される基板を保持する保持面を有する保持部材と、保持面の温度に応じて、保持部材に保持される前の基板の温度を調整する温度調整装置とを備えている。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
露光光が照射される基板を保持する保持面を有する保持部材と、
前記保持面の温度に応じて、前記保持部材に保持される前の前記基板の温度を調整する温度調整装置と、を備えた露光装置。
【請求項２】
前記保持部材に前記基板を搬送する搬送装置を備え、
前記温度調整装置の少なくとも一部は、前記搬送装置の搬送路に配置されている請求項１記載の露光装置。
【請求項３】
前記基板は、前記保持面と接触する被保持面を有し、
前記温度調整装置は、前記被保持面の温度が前記保持面の温度と実質的に一致するように、前記基板の温度を調整する請求項１又は２記載の露光装置。
【請求項４】
前記基板は、前記保持面に接触する被保持面を有し、
前記温度調整装置は、前記保持面に接触する直前の前記被保持面の温度が前記保持面の温度と実質的に一致するように、前記基板の温度を調整する請求項１又は２記載の露光装置。
【請求項５】
前記保持部材は、前記保持面と前記基板の被保持面のほぼ全域とを接触させ、静電力で前記基板を保持する請求項３又は４記載の露光装置。
【請求項６】
前記保持部材及び前記基板の少なくとも一方は、低膨張材を含む請求項１〜５のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項７】
前記基板は、有効領域と非有効領域とを有し、
前記温度調整装置は、前記有効領域と接触しない状態で、前記基板の温度を調整する請求項１〜６のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項８】
前記温度調整装置は、前記基板の温度を調整するための電磁波を放射する放射部材を備える請求項７記載の露光装置。
【請求項９】
前記温度調整装置は、前記非有効領域を支持する支持部材を備え、
前記放射部材の放射面は、前記有効領域と対向するように配置される請求項８記載の露光装置。
【請求項１０】
前記保持面の温度を検出する第１温度センサを備え、
前記温度調整装置は、前記第１温度センサの検出結果に基づいて、前記基板の温度を調整する請求項１〜９のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項１１】
前記温度調整装置に配置されている前記基板の温度を検出する第２温度センサを備え、
前記温度調整装置は、前記第２温度センサの検出結果に基づいて、前記基板の温度を調整する請求項１〜１０のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項１２】
前記第２温度センサは、前記基板と接触しない状態で、前記基板の温度を検出する請求項１１記載の露光装置。
【請求項１３】
前記温度調整装置の状態に応じて前記温度調整装置で温度調整された前記基板の温度を予測する予測装置を備えた１〜１０のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項１４】
前記温度調整装置の状態と該温度調整装置で温度調整される前記基板の温度との関係を予め記憶した記憶装置を備え、
前記予測装置は、前記記憶装置の情報に基づいて、前記基板の温度を予測する請求項１３記載の露光装置。
【請求項１５】
少なくとも前記基板に前記露光光が照射されていないときに、前記基板の少なくとも一方の面と対向する位置にカバー部材が配置され、
前記温度調整装置は、前記カバー部材を介して、前記基板の温度を調整する請求項１〜８のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項１６】
前記カバー部材は、前記基板と対向する内面及び対向しない外面を有し、
前記温度調整装置は、前記カバー部材の外面と対向可能な対向面と、前記カバー部材の外面と前記対向面とを密着させるための力を発生する密着機構とを備え、前記対向面で前記カバー部材の温度を調整して、前記基板の温度を調整する請求項１５記載の露光装置。
【請求項１７】
前記カバー部材を介して、前記基板の温度を検出する温度センサを備え、
前記温度調整装置は、前記温度センサの検出結果に基づいて、前記基板の温度を調整する請求項１５又は１６記載の露光装置。
【請求項１８】
前記カバー部材の少なくとも一部には、前記基板から放射される電磁波を透過可能な透過部材が形成され、
前記温度センサは、前記透過部材を介した前記電磁波に基づいて、前記基板の温度を検出する請求項１７記載の露光装置。
【請求項１９】
複数の前記基板が前記保持部材に順次保持され、
先の基板が前記保持部材に保持されているときに、次の基板が前記温度調整装置で温度調整される請求項１〜１８のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項２０】
前記保持部材の温度を調整する温度調整機構を備えた請求項１〜１９のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項２１】
真空状態で前記露光光が照射される請求項１〜２０のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項２２】
パターンが形成された第１基板を前記露光光で照明し、前記第１基板からの前記露光光を感光性を有する第２基板に照射して、前記第２基板を露光し、
前記第１基板及び前記第２基板の少なくとも一方は、前記基板を含む請求項１〜２１のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項２３】
請求項１〜２２のいずれか一項記載の露光装置を用いて基板を露光することと、
前記露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。
【請求項２４】
露光光が照射される基板を保持可能な保持部材の保持面の温度に応じて、前記保持部材に保持される前の前記基板の温度を調整することと、
前記温度が調整された前記基板を前記保持面で保持して、前記基板に露光光を照射することと、を含む露光方法。
【請求項２５】
請求項２４記載の露光方法を用いて基板を露光することと、
前記露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
フォトリソグラフィ工程で用いられる露光装置は、基板（レチクル、感光基板を含む）を保持する保持部材を備えている。下記特許文献には、基板を保持する保持部材を有する保持装置の一例が開示されている。
【特許文献１】国際公開第２００２／０６５５１９号パンフレット
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
基板の温度と保持部材の温度とが異なった状態で、その保持部材で基板を保持すると、基板と保持部材との温度差に起因して、例えば基板が歪む可能性がある。その場合、例えばパターンの重ね合わせ精度が劣化する等、露光不良が発生する可能性がある。
【０００４】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、基板と保持部材との温度差に起因する露光不良の発生を抑制し、露光処理を良好に実行できる露光装置及び露光方法、並びにその露光装置及び露光方法を用いるデバイス製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記の課題を解決するため、本発明は実施の形態に示す各図に対応付けした以下の構成を採用している。但し、各要素に付した括弧付き符号はその要素の例示に過ぎず、各要素を限定するものではない。
【０００６】
本発明の第１の態様に従えば、露光光（ＥＬ）が照射される基板（Ｍ）を保持する保持面（１６）を有する保持部材（１７）と、保持面（１６）の温度に応じて、保持部材（１７）に保持される前の基板（Ｍ）の温度を調整する温度調整装置（４）と、を備えた露光装置（ＥＸ）が提供される。
【０００７】
本発明の第１の態様によれば、露光処理を良好に実行できる。
【０００８】
本発明の第２の態様に従えば、上記態様の露光装置（ＥＸ）を用いて基板を露光することと、露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。
【０００９】
本発明の第２の態様によれば、良好に露光処理できる露光装置を用いてデバイスを製造できる。
【００１０】
本発明の第３の態様に従えば、露光光（ＥＬ）が照射される基板（Ｍ）を保持可能な保持部材（１７）の保持面（１６）の温度に応じて、保持部材（１７）に保持される前の基板（Ｍ）の温度を調整することと、温度が調整された基板（Ｍ）を保持面（１６）で保持して、基板（Ｍ）に露光光（ＥＬ）を照射することと、を含む露光方法が提供される。
【００１１】
本発明の第３の態様によれば、露光処理を良好に実行できる。
【００１２】
本発明の第４の態様に従えば、上記態様の露光方法を用いて基板を露光することと、露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。
【００１３】
本発明の第４の態様によれば、良好に露光処理できる露光方法を用いてデバイスを製造できる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、基板と保持部材との温度差に起因する露光不良の発生を抑制し、露光処理を良好に実行できる。したがって、所望の性能を有するデバイスを製造できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。なお、以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。そして、水平面内の所定方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれに直交する方向（すなわち鉛直方向）をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわりの回転（傾斜）方向をそれぞれ、θＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。
【００１６】
＜第１実施形態＞
第１実施形態について説明する。図１は、第１実施形態に係る露光装置ＥＸを示す概略構成図である。図１において、露光装置ＥＸは、パターンが形成されたマスクＭを保持しながら移動可能なマスクステージ１と、デバイスを形成するための基板Ｐを保持しながら移動可能な基板ステージ２と、マスクステージ１に保持されているマスクＭを露光光ＥＬで照明する照明系ＩＬと、露光光ＥＬで照明されたマスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する投影光学系ＰＬと、少なくとも露光光ＥＬが通過する所定空間を真空状態に調整する真空システムを有するチャンバ装置６と、露光装置ＥＸ全体の動作を制御する制御装置５とを備えている。また、制御装置５には、露光に関する各種情報を記憶した記憶装置７が接続されている。基板Ｐは、半導体ウエハ等の基材上に感光材（レジスト）等の膜が形成されたものを含む。マスクＭは、基板Ｐ上に投影されるデバイスパターンが形成されたレチクルを含む。
【００１７】
本実施形態の露光装置ＥＸは、極端紫外光で基板Ｐを露光するＥＵＶ露光装置である。極端紫外光は、例えば波長５〜５０ｎｍ程度の軟Ｘ線領域の電磁波である。以下の説明において、極端紫外光を適宜、ＥＵＶ光、と称する。
【００１８】
本実施形態において、マスクＭは、ＥＵＶ光を反射可能な多層膜を有する反射型マスクである。露光装置ＥＸは、多層膜でパターンが形成されたマスクＭの反射面（パターン形成面）Ｍａを露光光（ＥＵＶ光）ＥＬで照明し、そのマスクＭで反射した露光光ＥＬで感光性を有する基板Ｐを露光する。マスクＭ、基板Ｐ、照明系ＩＬの各光学素子、及び投影光学系ＰＬの各光学素子には、真空状態で露光光（ＥＵＶ光）ＥＬが照射される。
【００１９】
また、本実施形態の露光装置ＥＸは、マスクステージ１にマスクＭを搬送する搬送装置３を備えている。搬送装置３は、不図示のマスク収容装置とマスクステージ１との間でマスクＭを搬送可能である。搬送装置３は、マスクステージ１に対してマスクＭを搬入（ロード）可能であるとともに、マスクステージ１からマスクＭを搬出（アンロード）可能である。本実施形態においては、チャンバ装置６内の所定位置に、マスク交換位置（ローディングポジション）ＲＰが設定されている。マスクステージ１に対するマスクＭの搬入動作及び搬出動作を実行するとき、制御装置５は、マスクステージ１をマスク交換位置ＲＰに移動する。搬送装置３は、マスク交換位置ＲＰに配置されたマスクステージ１との間で、マスクＭの搬入動作及び搬出動作の少なくとも一方を実行する。
【００２０】
また、本実施形態の露光装置ＥＸは、マスクステージ１に保持される前のマスクＭの温度を調整する温度調整装置４を備えている。温度調整装置４は、搬送装置３の搬送路上に配置されている。搬送装置３は、温度調整装置４で温度調整されたマスクＭをマスクステージ１に搬送（搬入）する。
【００２１】
照明系ＩＬは、複数の光学素子ＩＲ１〜ＩＲ４を含み、マスクＭ上の所定の照明領域を均一な照度分布の露光光ＥＬで照明する。光学素子ＩＲ１〜ＩＲ４は、ＥＵＶ光を反射可能な多層膜を備えた多層膜反射鏡を含む。光学素子ＩＲ１〜ＩＲ４の多層膜は、例えばＭｏ／Ｓｉ多層膜、Ｍｏ／Ｂｅ多層膜を含む。各光学素子ＩＲ１〜ＩＲ４は、不図示の鏡筒に保持されている。
【００２２】
照明系ＩＬは、光源８からの露光光ＥＬでマスクＭを照明する。本実施形態の光源８は、レーザ励起型プラズマ光源であって、ハウジング９と、レーザ光を射出するレーザ装置１０と、キセノンガス等のターゲット材料をハウジング９内に供給する供給部材１１とを含む。レーザ装置１０から射出され、集光光学系１２で集光されたレーザ光は、供給部材１１の先端から射出されるターゲット材料に照射される。レーザ光が照射されたターゲット材料は、プラズマ化してＥＵＶ光を含む光（露光光ＥＬ）を発生する。供給部材１１の先端で発生した光は、コンデンサ１３によって集光される。コンデンサ１３を介した光は、ハウジング９の外側に配置されているコリメータミラー１４に入射する。なお、光源８は、放電型プラズマ光源、あるいは他の光源でもよい。
【００２３】
マスクステージ１は、露光光ＥＬが照射されるマスクＭを保持する保持面１６を有する保持部材１７と、保持部材１７を支持するステージ本体１８とを含み、保持部材１７でマスクＭを保持しながら、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６自由度の方向に移動可能である。本実施形態においては、マスクステージ１は、マスクＭの反射面ＭａとＸＹ平面とがほぼ平行となるように、マスクＭを保持する。また、本実施形態においては、マスクステージ１は、マスクＭの反射面Ｍａが−Ｚ方向を向くように、マスクＭを保持する。マスクステージ１（マスクＭ）の位置情報は、レーザ干渉計（不図示）によって計測される。レーザ干渉計は、マスクステージ１に設けられた計測ミラーを用いて、マスクステージ１のＸ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向に関する位置情報を計測する。また、マスクステージ１に保持されているマスクＭの表面の面位置情報（Ｚ軸、θＸ、及びθＹに関する位置情報）は、フォーカス・レベリング検出システム（不図示）によって検出される。制御装置５は、レーザ干渉計の計測結果及びフォーカス・レベリング検出システムの検出結果に基づいて、マスクステージ１に保持されているマスクＭの位置を制御する。
【００２４】
投影光学系ＰＬは、複数の光学素子ＰＲ１〜ＰＲ４を含み、マスクＭのパターンの像を所定の投影倍率で基板Ｐに投影する。光学素子ＰＲ１〜ＰＲ４は、ＥＵＶ光を反射可能な多層膜を備えた多層膜反射鏡を含む。光学素子ＰＲ１〜ＰＲ４の多層膜は、例えばＭｏ／Ｓｉ多層膜、Ｍｏ／Ｂｅ多層膜を含む。各光学素子ＰＲ１〜ＰＲ４は、不図示の鏡筒に保持されている。また、本実施形態においては、投影光学系ＰＬの各光学素子Ｒ１〜ＰＲ４は、専用の真空チャンバ１５に収容されている。なお、専用の真空チャンバは無くてもよい。
【００２５】
基板ステージ２は、露光光ＥＬが照射される基板Ｐを保持する保持面１９を有する保持部材２０と、保持部材２０を支持するステージ本体２１とを含み、保持部材２０で基板Ｐを保持しながら、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向に移動可能である。本実施形態においては、基板ステージ２は、基板Ｐの表面ＰａとＸＹ平面とがほぼ平行となるように、基板Ｐを保持する。また、本実施形態においては、基板ステージ２は、基板Ｐの表面Ｐａが＋Ｚ方向を向くように、基板Ｐを保持する。基板ステージ２（基板Ｐ）の位置情報は、レーザ干渉計（不図示）によって計測される。レーザ干渉計は、基板ステージ２に設けられた計測ミラーを用いて、基板ステージ２のＸ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向に関する位置情報を計測する。また、基板ステージ２に保持されている基板Ｐの表面Ｐａの面位置情報（Ｚ軸、θＸ、及びθＹに関する位置情報）は、フォーカス・レベリング検出システム（不図示）によって検出される。制御装置５は、レーザ干渉計の計測結果及びフォーカス・レベリング検出システムの検出結果に基づいて、基板ステージ２に保持されている基板Ｐの位置を制御する。
【００２６】
図２は、マスクステージ１の保持部材１７、温度調整装置４、及び搬送装置３を示す模式図である。図２に示すように、マスクＭは、プレート状の基材Ｇと、基材Ｇの一方の面に形成された多層膜Ｆとを含む。上述のように、本実施形態のマスクＭは、ＥＵＶ光を反射可能な多層膜Ｆを有する反射型マスクである。多層膜Ｆは、例えばＭｏ／Ｓｉ多層膜、Ｍｏ／Ｂｅ多層膜を含む。また、基材Ｇは、例えばコーニング社製ＵＬＥ、ショット社製Ｚｅｒｏｄｕｒ（登録商標）等の超低膨張ガラスを含む。なお、基材Ｇが、低膨張セラミックスで形成されていてもよい。基材Ｇが低膨張材なので、基材Ｇの熱変形、ひいてはパターンの変形が抑制される。
【００２７】
マスクステージ１の保持部材１７は、マスクＭを保持する保持面１６を有する。また、マスクＭは、保持面１６と接触可能な裏面Ｍｂを有し、保持面１６は、マスクＭの裏面Ｍｂを保持する。マスクＭの裏面Ｍｂは、露光光ＥＬが照射される反射面Ｍａとは反対側の面であって、基材Ｇの他方の面を含む。
【００２８】
本実施形態の保持部材１７は、静電チャック機構を含み、保持面１６は、マスクＭの裏面Ｍｂを静電力で保持する。保持面１６は、マスクＭの裏面Ｍｂの広い領域（ほぼ全域）と接触可能なように、所定の大きさを有する。保持部材１７は、保持面１６とマスクＭの裏面Ｍｂのほぼ全域とを接触させ、静電力でマスクＭを保持する。
【００２９】
本実施形態においては、保持面１６は、ＸＹ平面とほぼ平行となるように配置される。保持面１６は、−Ｚ方向を向くように配置される。また、本実施形態の保持部材１７は、低膨張セラミックスで形成されている。保持部材１７が低膨張材なので、保持部材１７の熱変形、ひいては保持したマスクＭの変形が抑制される。また、保持部材１７に計測マーク、計測部材等が配置されている場合には、それら計測マーク、計測部材の変形が抑制される。
【００３０】
本実施形態の静電チャック機構は、所謂、双極方式であって、少なくとも１つの正極と、その正極に対応する負極とを含む。本実施形態においては、保持部材１７の内部に正極、負極を含む電極が配置される。保持面１６は、上述の低膨張セラミックスを含む絶縁材料で形成されている。
【００３１】
制御装置５は、静電チャック機構の正極及び負極に所定の電圧を印加することにより、保持面１６とマスクＭの裏面Ｍｂとの間にクーロン力（ジャンセン・ラーベック力）を発生させる。これにより、マスクＭが保持部材１７に吸着されるように保持される。
【００３２】
温度調整装置４は、保持部材１７の保持面１６の温度に応じて、マスクステージ１の保持部材１７に保持される前のマスクＭの温度を調整する。
【００３３】
本実施形態の露光装置ＥＸは、保持部材１７の保持面１６の温度を検出する第１温度センサ２２を備えている。第１温度センサ２２は、制御装置５と接続されており、第１温度センサ２２の検出結果は制御装置５に出力される。
【００３４】
図３は、温度調整装置４を示す図である。温度調整装置４は、マスクＭの所定領域を支持する支持部材２３と、支持部材２３を支持するベース部材２４とを備えている。マスクＭの反射面Ｍａは、パターンが形成された有効領域２５と、パターンが形成されていない非有効領域２６とを含む。マスクＭのパターン（デバイスパターン）は、基材Ｇの一方の面に多層膜を形成した後、その多層膜の一部の領域を加工することによって形成される。有効領域２５は、加工によってパターンが形成された領域であり、非有効領域２６は、有効領域２５以外の領域である。本実施形態の有効領域２５は、マスクＭの反射面Ｍａの中央領域である。非有効領域２６は、反射面Ｍａにおいて、有効領域２５を囲む周縁領域である。
【００３５】
温度調整装置４の支持部材２３は、マスクＭの反射面（下面）Ｍａの非有効領域２６を支持する。これにより、パターンが形成されたマスクＭの有効領域２５の劣化が抑制される。
【００３６】
温度調整装置４は、マスクＭの有効領域２５と接触しない状態で、マスクＭの温度を調整する。温度調整装置４は、マスクＭの温度を調整するための電磁波を放射する放射部材２７及び放射部材２７に接続された熱電素子（ペルチェ素子）２９を含む温調ユニット２８を備える。温調ユニット２８は制御装置５に接続されており、温調ユニット２８の動作は、制御装置５に制御される。
【００３７】
放射部材２７の放射面２７Ａは、支持部材２３で支持されたマスクＭの有効領域２５と対向するように配置される。本実施形態においては、放射部材２７は、ベース部材２４に配置されている。放射面２７Ａは、支持部材２３に支持されたマスクＭの有効領域２５と対向するベース部材２４の上面２４Ａの一部を形成する。支持部材２３で支持されたマスクＭの有効領域２５と、ベース部材２４に配置されている放射部材２７の放射面２７Ａとは、所定のギャップを介して、対向するように配置される。
【００３８】
本実施形態において、放射部材２７は、所定の熱量を受けることによって所定の赤外光を放射可能な赤外光放射部材を含む。放射部材２７は、例えばセラミックスを含む。本実施形態においては、放射部材２７は、プレート状のセラミックスである。
【００３９】
図４は、温調ユニット２８を示す斜視図の一部破断図、図５は、温調ユニット２８の側断面図である。温調ユニット２８は、ペルチェ素子２９と、放射部材２７とを有している。ペルチェ素子２９は、第１電極２９Ａと、第２電極２９Ｂと、第１電極２９Ａと第２電極２９Ｂとの間に配置されたＮ型半導体ブロック２９Ｎ及びＰ型半導体ブロック２９Ｐとを備えている。第１電極２９Ａ及び第２電極２９Ｂは、例えば銅によって形成されている。放射部材２７は、第１電極２９Ａの上面及び第２電極２９Ｂの下面のそれぞれに接続されている。
【００４０】
図６は、ペルチェ素子２９の模式図である。ペルチェ素子２９は、Ｎ型半導体及びＰ型半導体を熱的に並列に配置し、電気的に直列に接続して電流を流すと、ペルチェ効果により、その半導体の一方の面において吸熱反応が生じ、他方の面において放熱反応が生じる素子である。
【００４１】
図６において、ペルチェ素子２９は、第１電極２９Ａと、第２電極２９Ｂと、第１電極２９Ａと第２電極２９Ｂとの間に配置されたＮ型半導体ブロック２９Ｎ及びＰ型半導体ブロック２９Ｐとを備えている。Ｎ型半導体ブロック２９ＮとＰ型半導体ブロック２９Ｐとは並列に配置される。図６においては、第１電極２９Ａは１つ設けられ、第２電極２９Ｂは２つ設けられており、２つの第２電極２９Ｂ、２９Ｂは、配線２９Ｃを介して電力供給装置（電源）３０に接続される。
【００４２】
電力供給装置３０よりペルチェ素子２９に電力が印加されると、電力供給装置３０の極性に応じた電流が、第１電極２９Ａ及び第２電極２９Ｂを介して、Ｎ型半導体ブロック２９ＮとＰ型半導体ブロック２９Ｐとに流れる。そして、電力供給装置３０の極性（電流を流す向き）に応じて、第１電極２９Ａ及び第２電極２９Ｂの一方側で吸熱反応が生じ、他方側で放熱反応が生じる。また、電力供給装置３０の極性（電流を流す向き）が反転すると、第１電極２９Ａ及び第２電極２９Ｂの一方側で放熱反応が生じ、他方側で吸熱反応が生じる。
【００４３】
例えば、第１電極２９Ａ側で吸熱反応が生じた場合には、第２電極２９Ｂ側では放熱反応が生じる。第１電極２９Ａ側で吸熱反応が生じた場合、第１電極２９Ａ側の温度が低下し、第１電極２９Ａ及びその第１電極２９Ａに接続された放射部材２７は冷却される。第２電極２９Ｂ側で放熱反応が生じた場合、第２電極２９Ｂ側の温度が上昇し、第２電極２９Ｂ及びその第２電極２９Ｂに接続された放射部材２７は加熱される。
【００４４】
電力供給装置３０の極性（電流を流す向き）が反転すると、第１電極２９Ａ側で放熱反応が生じ、第２電極２９Ｂ側で吸熱反応が生じる。第１電極２９Ａ側で放熱反応が生じた場合、第１電極２９Ａ側の温度が上昇し、第１電極２９Ａ及びその第１電極２９Ａに接続された放射部材２７は加熱される。第２電極２９Ｂ側で吸熱反応が生じた場合、第２電極２９Ｂ側の温度が低下し、第２電極２９Ｂ及びその第２電極２９Ｂに接続された放射部材２７は冷却される。
【００４５】
このように、温度調整装置４は、電力供給装置３０からペルチェ素子２９に印加する電力を調整することによって、すなわち、電力供給装置３０の極性（電流を流す向き）を調整することによって、ペルチェ素子２９の電極及びその電極に接続された放射部材２７の加熱及び冷却の少なくとも一方を実行することができる。すなわち、ペルチェ素子２９は、放射部材２７を加熱する加熱装置及び冷却する冷却装置の少なくとも一方として機能する。
【００４６】
また、ペルチェ素子２９の第１電極２９Ａ及び第２電極２９Ｂのそれぞれにおける吸熱量及び放熱量は、半導体ブロック２９Ｎ、２９Ｐに流す電流量に応じて変化する。したがって、温度調整装置４は、電力供給装置３０から半導体ブロック２９Ｎ、２９Ｐに流す電流量を調整することによって、ペルチェ素子２９の電極及びその電極に接続された放射部材２７の温度を調整することができる。
【００４７】
すなわち、温度調整装置４は、電力供給装置３０からペルチェ素子２９に印加する電力（極性、電流量を含む）を調整することによって、ペルチェ素子２９の電極及びその電極に接続された放射部材２７の温度を調整することができる。
【００４８】
そして、温度調整装置４は、ペルチェ素子２９に印加する電力を調整して、マスクＭの反射面Ｍａ（有効領域２５）と対向するペルチェ素子２９の第１電極２９Ａに接続された放射部材２７の温度調整（加熱及び冷却の少なくとも一方）を実行することによって、その放射部材２７に対向するマスクＭの温度調整（加熱及び冷却の少なくとも一方）を実行することができる。
【００４９】
このように、温度調整装置４は、マスクＭの有効領域２５と離れた位置に配置されている放射部材２７を含む温調ユニット２９を用いてマスクＭの温度を調整できる。これにより、マスクＭの有効領域２５の劣化が抑制される。
【００５０】
なお、第２電極２９Ｂに接続されている放射部材２７の周囲への影響を抑えるために、その第２電極２９Ｂに接続されている放射部材２７の周囲に断熱部材を配置することが好ましい。
【００５１】
また、図２及び図３に示すように、本実施形態の露光装置ＥＸは、温度調整装置４に配置されているマスクＭの温度を検出する第２温度センサ３１を備えている。第２温度センサ３１は、マスクＭの裏面Ｍｂと対向するように配置される。第２温度センサ３１は、非接触方式の温度センサであって、所謂、放射温度センサ（赤外放射温度センサ）を含む。第２温度センサ３１は、対象物（マスクＭ）から放射される赤外光を集光する光学素子と、光学素子を介した赤外光を検出する検出素子（サーモパイル）とを含み、マスクＭと接触しない状態で、マスクＭの温度を検出可能である。本実施形態においては、第２温度センサ３１は、マスクＭの裏面Ｍｂと対向するように配置されており、マスクＭの裏面Ｍｂの温度を良好に検出できる。
【００５２】
第２温度センサ３１は、制御装置５と接続されており、第２温度センサ３１の検出結果は制御装置５に出力される。制御装置５は、第２温度センサ３１の検出結果を温度調整装置４に出力する。
【００５３】
本実施形態においては、基板Ｐの露光を行うために、図１に示すように、マスクＭがマスクステージ１の保持部材１７に保持され、基板Ｐが基板ステージ２の保持部材２０に保持される。マスクステージ１の保持部材１７に保持されたマスクＭは、光源装置８より射出され、照明系ＩＬを介した露光光（ＥＵＶ光）ＥＬで照明される。照明系ＩＬより射出された露光光ＥＬは、マスクＭの反射面Ｍａに入射する。マスクＭの反射面Ｍａに照射され、その反射面Ｍａで反射した露光光ＥＬは、投影光学系ＰＬの物体面側から投影光学系ＰＬに入射する。投影光学系ＰＬの物体面側から投影光学系ＰＬに入射した露光光ＥＬは、投影光学系ＰＬの像面側に射出され、基板Ｐの表面（露光面）Ｐａに照射される。これにより、露光光ＥＬで照明されたマスクＭのパターンの像が、投影光学系ＰＬを介して、感光性の基板Ｐに投影され、基板Ｐは露光される。
【００５４】
１つの基板Ｐが終了した後、不図示の搬送装置によって、露光後の基板Ｐが基板ステージ２から搬出（アンロード）されるとともに、新たな基板Ｐが基板ステージ２に搬入（ロード）される。そして、その基板ステージ２に保持された基板Ｐが露光され、露光後の基板Ｐは基板ステージ２から搬出される。このように、複数の基板Ｐが基板ステージ２の保持部材２０に順次保持され、露光されるとともに、露光後の基板Ｐは、基板ステージ２から順次搬出される。
【００５５】
また、１つのマスクＭを用いた露光が終了した後、搬送装置３によって、露光処理を終えたマスクＭがマスクステージ１から搬出（アンロード）されるとともに、新たなマスクＭがマスクステージ１に搬入（ロード）される。そして、そのマスクステージ１に保持されたマスクＭを用いた露光処理が実行され、露光処理を終えたマスクＭは、マスクステージ１から搬出される。このように、複数のマスクＭがマスクステージ１の保持部材１７に順次保持されるとともに、露光処理を終えたマスクＭは、マスクステージ１から順次搬出される。
【００５６】
次に、上述の構成を有する露光装置ＥＸを用いて基板Ｐを露光する方法の一例について、図７に示すフローチャート図を参照しながら説明する。
【００５７】
本実施形態においては、制御装置５は、温度調整装置４を用いて、マスクステージ１の保持部材１７にロードされる前（保持される前）のマスクＭの温度を調整する。上述のように、マスクステージ１の保持部材１７には複数のマスクＭが順次保持される。図１に示すように、制御装置５は、先のマスクＭが保持部材１７に保持されているときに、次のマスクＭを温度調整装置４で温度調整する。
【００５８】
温度調整装置４は、搬送装置３の搬送路上に配置されており、制御装置５は、搬送装置３を用いてマスク収容装置から搬出したマスクＭを、マスクステージ１の保持部材１７に搬送する前に、温度調整装置４に搬送する。制御装置５は、保持部材１７に保持される前のマスクＭの温度調整を温度調整装置４で実行するために、搬送装置３を用いて、そのマスクＭを温度調整装置４に搬送（搬入）する。温度調整装置４は、搬送装置３によって搬送（搬入）されたマスクＭを支持部材２３で支持する（ステップＳ１）。
【００５９】
温度調整装置４は、搬入されたマスクＭの温度調整動作を開始する（ステップＳ２）。温度調整装置４は、保持部材１７の保持面１６の温度に応じて、支持部材２３で支持しているマスクＭの温度を調整する。
【００６０】
温度調整装置４がマスクＭの温度調整動作を実行しているとき、保持部材１７に保持されているマスクＭを用いた露光動作が実行されている。すなわち、本実施形態においては、保持部材１７に保持されたマスクＭを用いた露光動作と、温度調整装置４に配置されたマスクＭの温度調整動作の少なくとも一部とが、並行して行われる。
【００６１】
温度調整装置４は、マスクＭの裏面Ｍｂと保持部材１７の保持面１６との温度差が小さくなるように、支持部材２３で支持したマスクＭの温度を調整する。すなわち、温度調整装置４は、温度調整装置４に配置されているマスクＭの裏面Ｍｂの温度が、保持部材１７の保持面１６の温度と実質的に一致するように、温度調整装置４に配置されているマスクＭの温度を調整する。
【００６２】
本実施形態においては、保持部材１７の保持面１６の温度が第１温度センサ２２で検出され、温度調整装置４に配置されているマスクＭの裏面Ｍｂの温度が第２温度センサ３１で検出される。制御装置５は、第１温度センサ２２及び第２温度センサ３１それぞれの温度検出結果を温度調整装置４に出力する。温度調整装置４は、第１温度センサ２２及び第２温度センサ３１それぞれの温度検出結果に基づいて、温度調整装置４に配置されているマスクＭの裏面Ｍｂの温度が、保持部材１７の保持面１６の温度と実質的に一致するように、温調ユニット２８を制御する。上述のように、温度調整装置４は、電力供給装置３０からペルチェ素子２９に印加する電力（極性、電流量を含む）を調整することによって、放射部材２７の温度を調整でき、その放射部材２７の放射面２７Ａと対向する位置に配置されているマスクＭの温度を調整できる。
【００６３】
保持部材１７に保持されているマスクＭを用いた露光処理が終了すると、そのマスクＭは保持部材１７からアンロードされる。そして、制御装置５は、図８に示す模式図のように、温度調整装置４によって温度調整が実行された後のマスクＭを、搬送装置３を用いて保持部材１７に搬入（ロード）する。搬送装置３は、マスクＭの非有効領域２６を支持するので、有効領域２５の劣化が抑制される。保持部材１７は、搬入されたマスクＭを、静電力で保持する（ステップＳ３）。制御装置５は、保持部材１７で保持されたマスクＭに露光光ＥＬを照射して、マスクＭを用いた露光処理を開始する（ステップＳ４）。
【００６４】
マスクＭの温度と保持部材１７の温度とが異なった状態で、その保持部材１７でマスクＭを保持すると、マスクＭと保持部材１７との温度差に起因して、例えばマスクＭが歪む可能性がある。特に、本実施形態のように、保持面１６とマスクＭの裏面Ｍｂのほぼ全域とを接触させ、静電力でマスクＭを保持する方式の場合には、マスクＭは保持部材１７の温度の影響を受け易く、マスクＭと保持部材１７との温度差に起因して、マスクＭが歪む可能性が高くなる。
【００６５】
本実施形態においては、温度調整装置４によって、保持部材１７に保持される前のマスクＭ（裏面Ｍｂ）の温度を、保持部材１７（保持面１６）の温度と実質的に等しくなるように調整しているので、マスクＭと保持部材１７との温度差に起因するマスクＭの歪み等の発生を抑制できる。そして、そのマスクＭを用いて露光処理を実行することにより、露光不良の発生を抑制し、基板Ｐを良好に露光できる。
【００６６】
以上説明したように、本実施形態によれば、マスクＭと保持部材１７との温度差に起因する露光不良の発生を抑制でき、基板Ｐを良好に露光できる。
【００６７】
露光光ＥＬの照射によって、マスクＭの温度が上昇する可能性がある。露光光ＥＬの照射によってマスクＭの温度が上昇すると、その露光光ＥＬが照射されるマスクＭを保持する保持部材１７の温度も上昇する可能性がある。本実施形態においては、マスクＭ及び保持部材１７は真空中に配置されており、一旦温度上昇したマスクＭ及び保持部材１７は、冷却され難い可能性がある。保持部材１７でマスクＭを保持した状態で、保持部材１７とマスクＭとが一緒に温度上昇する場合には、マスクＭに生じる温度分布、歪み等は、許容される範囲内に収まる可能性が高いが、一旦温度上昇した保持部材１７に次の（新たな）マスクＭが保持されると、保持部材１７とマスクＭとの温度差によって、マスクＭに大きな温度分布が生じたり、マスクＭが大きく歪む（熱変形する）可能性が高くなる。すなわち、マスクＭに非線形な歪みが生じる可能性がある。
【００６８】
また、上述のように、保持部材１７は、低膨張材で形成されている。一般に、低膨張材は、熱伝導率が低い。すなわち、一旦温度上昇した保持部材１７の温度が、所望の温度に到達する（冷却される）までには、長時間を要する可能性がある。
【００６９】
また、露光処理を開始する前に、保持部材１７の温度とマスクＭの温度とを実質的に一致させるために、保持部材１７にマスクＭをロードしてから露光処理を開始するまでに待ち時間を設けることも考えられる。すなわち、マスクＭを保持部材１７に保持した後、マスクＭの温度と保持部材１７の温度とが実質的に一致するまで（温度が馴染むまで）、待つことが考えられる。本実施形態においては、保持部材１７及びマスクＭは、低膨張材を含む。上述のように、低膨張材は、熱伝導率が低いため、保持部材１７の温度とマスクＭの温度とが、互いの熱交換によって実質的に一致するまでには、長時間を要する可能性がある。その場合、露光装置ＥＸの稼動率、スループットが低下する可能性がある。
【００７０】
本実施形態においては、保持部材１７に保持される前に、保持部材１７とは別の位置で、保持部材１７の保持面１６の温度に応じて、マスクＭの温度を調整するようにしたので、マスクＭと保持部材１７との温度差を小さくした状態で、そのマスクＭを保持部材１７で保持することができる。したがって、マスクＭの非線形な歪み等が発生することを抑制し、マスクＭを保持部材１７で保持した後、短時間で、露光動作に移行できる。
【００７１】
また、露光光ＥＬの照射によって、保持部材１７の温度が変化する可能性があるが、本実施形態では、第１温度センサ２２で保持面１６の温度を検出し、その温度検出結果に基づいて、温度調整装置４によるマスクＭに対する温度調整動作が実行されるので、保持部材１７（保持面１６）の温度が変化する場合でも、保持部材１７とマスクＭとの温度差を小さくすることができる。
【００７２】
＜第２実施形態＞
次に、第２実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
【００７３】
図９は、第２実施形態に係る温度調整装置４Ｂを示す図である。本実施形態においては、マスクＭの反射面Ｍａと対向する位置には、第１カバー部材４１が配置され、裏面Ｍｂと対向する位置には、第２カバー部材４２が配置される。第１カバー部材４１は、第２カバー部材４２との間で空間４３を形成可能である。マスクＭは、空間４３の内側に配置される。マスクＭの反射面Ｍａと対向する第１カバー部材４１の内面４１Ａには、マスクＭの非有効領域２６を支持する支持部材４４が設けられている。支持部材４４に支持されたマスクＭの有効領域と第１カバー部材４１の内面４１Ａとの間には所定のギャップが形成される。
【００７４】
第１、第２カバー部材４１、４２は、例えばアルミニウム、ステンレス鋼等の金属、あるいは合成樹脂で形成可能である。
【００７５】
温度調整装置４Ｂは、マスクＭの有効領域と接触しない状態で、マスクＭの温度を調整する。本実施形態の温度調整装置４Ｂは、第１カバー部材４１を介して、マスクＭの温度を調整する。第１カバー部材４１は、マスクＭと対向しない外面４１Ｂを有する。温度調整装置４Ｂは、第１カバー部材４１の外面４１Ｂと対向可能な上面２４ＡＢを有するベース部材２４Ｂと、第１カバー部材４１の外面４１Ｂと上面２４ＡＢとを密着させるための力を発生する密着機構４５とを備えている。本実施形態においては、密着機構４５は、ベース部材２４Ｂに配置された静電チャック機構を含む。ベース部材２４Ｂは、静電力で、上面２４ＡＢと第１カバー部材４１の外面４１Ｂとを密着させる。なお、密着機構は、例えば第２カバー部材４２と第１カバー部材４１とを一緒に上方から上面２４ＡＢに対して押し付ける機構を有していてもよい。また、第１カバー部材４１がアルミニウム、ステンレス鋼等の金属を含む場合には、密着機構は、上面２４ＡＢの少なくとも一部に配置された磁石を有するものであってもよい。
【００７６】
本実施形態の温度調整装置４Ｂは、上述の第１実施形態の温度調整装置４と同様、放射部材２７を含む温調ユニット２８を有する。温調ユニット２８は、ベース部材２４Ｂに配置されており、放射部材２７の放射面２７Ａは、ベース部材２４Ｂの上面２４ＡＢの一部を形成する。本実施形態においては、密着機構４５によって、第１カバー部材４１の外面４１Ｂと放射面２４Ａを含む上面２４ＡＢとが密着する。
【００７７】
温度調整装置４Ｂは、温調ユニット２８を用いて、放射面２７Ａを含む上面２４ＡＢで、第１カバー部材４１及び第２カバー部材４２の温度を調整して、その第１カバー部材４１と第２カバー部材４２とで形成される空間４３の内側に配置されているマスクＭの温度を調整する。
【００７８】
本実施形態においては、温調ユニット２８を用いて温度調整するとき、密着機構４５によって、放射面２４Ａを含むベース部材２４Ｂの上面２４ＡＢと第１カバー部材４１の外面４１Ｂとが密着されるので、放射面２４Ａからの熱（赤外光）を第１カバー部材４１及び第２カバー部材４２に良好に伝達することができる。
【００７９】
なお、放射面２４Ａから放射される電磁波（赤外光）を第１、第２カバー部材４１、４２が良好に吸収できるために、第１、第２カバー部材４１、４２の表面（外面）に、例えばセラミックスをコーティングしてもよい。また、第１、第２カバー部材４１、４２が、セラミックスで形成されてもよい。
【００８０】
また、本実施形態の露光装置ＥＸは、第２カバー部材４２を介して、温度調整装置４Ｂに配置されたマスクＭの温度を検出可能な温度センサ３１Ｂを備えている。第２カバー部材４１の一部には、マスクＭから放射される電磁波（赤外光）を透過可能な透過部材４６が形成されている。温度センサ３１Ｂは、透過部材４６の上方において、透過部材４６と対向するように配置される。マスクＭは、マスクＭの裏面Ｍｂと透過部材４６とが対向するように配置される。透過部材４６は、例えば石英等の光学部材（ガラス部材）であり、マスクＭから放射される電磁波（赤外光）を透過可能である。温度センサ３１Ｂは、放射温度センサ（赤外放射温度センサ）を含み、透過部材４６を介したマスクＭからの電磁波（赤外光）に基づいて、マスクＭの裏面Ｍｂの温度を検出する。
【００８１】
温度調整装置４Ｂは、保持部材１７の保持面１６の温度を検出する第１温度センサ２２、及びマスクＭの裏面Ｍｂの温度を検出する温度センサ３１Ｂそれぞれの検出結果に基づいて、第１、第２カバー部材４１、４２を介して、温調ユニット２８を用いて、マスクＭの温度を調整する。
【００８２】
温度調整装置４ＢでマスクＭの温度調整が実行された後、第２カバー部材４２が第１カバー部材４１から外される。換言すれば、第２カバー部材４２が、マスクＭの裏面Ｍｂと対向する位置から退かされる。そして、図１０に示すように、マスクＭは、第１カバー部材４１の支持部材４４に支持された状態で、搬送装置３Ｂによって、保持部材１７に搬送される。搬送装置３Ｂは、第１カバー部材４１の外面４１Ｂを支持可能であり、マスクＭともに、第１カバー部材４１を搬送する。搬送装置３Ｂは、第１カバー部材４１とともにマスクＭを搬送して、マスクＭの裏面Ｍｂと保持部材１７の保持面１６とを接触させる。保持部材１７は、静電力で、マスクＭを保持する。
【００８３】
マスクＭが保持部材１７に保持された後、搬送装置３Ｂは、図１１に示すように、第１カバー部材４１を、マスクＭから離れるように搬送する。これにより、第１カバー部材４１が、マスクＭの反射面Ｍａと対向する位置から退かされる。そして、露光処理を実行するために、マスクＭに露光光ＥＬが照射される。
【００８４】
このように、第１、第２カバー部材４１、４２は、少なくともマスクＭに露光光ＥＬが照射されていないときに、マスクＭの反射面Ｍａ、裏面Ｍｂと対向する位置に配置され、マスクＭを保護する。そして、マスクＭに露光光ＥＬが照射されるときには、第１、第２カバー部材４１、４２は、マスクＭと対向する位置から退かされる。
【００８５】
なお、上述の第１、第２実施形態では、温度調整装置４は、第１温度センサ２２及び第２温度センサ３１それぞれの検出結果に基づいて、保持部材１７の保持面１６の温度と、温度調整装置４に配置されているマスクＭの裏面Ｍｂの温度とが実質的に一致するように、マスクＭの温度を調整している。マスクＭは低膨張材で形成されているものの、温度調整装置４から保持部材１７へ搬送されるまでの間に、マスクＭの温度が変化する可能性がある。そのような場合には、その搬送中のマスクＭの温度変化量を予め求めておき（予測しておき）、その求めた温度変化量に基づいて、温度調整装置４でマスクＭの温度を調整することができる。なお、搬送中のマスクＭの温度変化量は、例えば実験又はシミュレーション等によって予め求めることができる。
【００８６】
すなわち、温度調整装置４は、温度調整装置４から保持部材１７までの搬送中のマスクＭの温度変化量を考慮して、保持部材１７の保持面１６に接触する直前のマスクＭの裏面Ｍｂの温度が保持面１６の温度と実質的に一致するように、マスクＭの温度を調整する。これにより、マスクＭの歪み等を抑制できる。
【００８７】
なお、上述の各実施形態において、保持部材１７に対して第１温度センサ２２を複数配置し、保持部材１７の保持面１６の温度分布を検出するようにしてもよい。温度調整装置４は、保持面１６の温度分布に応じて、マスクＭの裏面Ｍｂの温度分布を調整する。この場合、マスクＭに対して温調ユニット２８を複数配置することによって、マスクＭの温度分布を調整できる。また、マスクＭに対して第２温度センサ３１を複数配置し、マスクＭの裏面Ｍｂの温度分布を検出するようにしてもよい。温度調整装置４は、複数の第１温度センサ、及び複数の第２温度センサそれぞれの検出結果に基づいて、保持部材１７の保持面１６の温度分布とマスクＭの裏面Ｍｂの温度分布が実質的に合致するように、マスクＭの温度分布を調整する。
【００８８】
なお、上述の各実施形態では、第２温度センサ３１によって、温度調整装置４に配置されているマスクＭの温度を検出しているが、第２温度センサ３１を省略することもできる。制御装置５は、例えばペルチェ素子２９に印加する電力、使用する放射部材２７の材質等を含む温度調整装置４の状態に応じて、温度調整装置４で温度調整されるマスクＭの温度を予測できる。記憶装置７には、温度調整装置４の状態とその温度調整装置４で温度調整されるマスクＭの温度との関係が予め記憶されており、制御装置５は、その記憶装置７の記憶情報に基づいて、マスクＭの温度を予測できる。制御装置５は、その予測情報に応じて、マスクＭが所望の温度（保持面１６と実質的に一致する温度）となるように、温度調整装置４を制御する。温度調整装置４の制御は、ペルチェ素子２９に印加する電力、温度調整装置４による温度調整時間等を含む。こうすることによっても、マスクＭを所望の温度に調整できる。
【００８９】
同様に、第１温度センサ２２を省略することもできる。制御装置５は、例えば保持部材１７に保持されたマスクＭに対する露光光ＥＬの照射量、保持部材１７の材質等に応じて、保持部材１７（保持面１６）の温度を予測できる。記憶装置７には、露光光ＥＬの照射量等とその照射量での保持部材１７の温度との関係が予め記憶されており、制御装置５は、その記憶装置７の記憶情報に基づいて、保持面１６の温度を予測できる。制御装置５は、その予測情報に応じて、保持面１６の温度とマスクＭの温度とが実質的に一致するように、温度調整装置４を制御する。
【００９０】
また、図１２の模式図に示すように、保持部材１７に温度調整機構５０を設けることができる。図１２に示すマスクステージ１Ｃは、マスクＭを保持する保持面１６を有する保持部材１７と、保持部材１７（保持面１６）の温度を調整する温度調整機構５０とを備えている。温度調整機構５０は、保持部材１７の内部に形成され、温度調整用流体が流れる流路と、その流路に温度調整用流体を供給する供給機構と、流路を流れた温度調整用流体を回収する回収機構とを含む。制御装置５は、保持部材１７の保持面１６とマスクＭの裏面Ｍｂとの温度差が小さくなるように、温度調整機構５０、及び上述の実施形態で説明した温度調整装置４（４Ｂ）の少なくとも一方を調整することができる。
【００９１】
なお、上述の各実施形態においては、温度調整装置４を用いて、マスクＭの温度を調整する場合を例にして説明したが、基板Ｐの温度を調整することもできる。図１３に示す温度調整装置４Ｃは、基板ステージ２の保持部材２０の保持面１９の温度に応じて、その保持部材２０に保持される前の基板Ｐの温度を調整する。温度調整装置４Ｃは、例えば上述の第１実施形態で説明した温度調整装置４と同等の構成を有する。温度調整装置４Ｃは、ベース部材２４Ｃと、ベース部材２４Ｃの上面２４ＡＣに配置され、基板Ｐの裏面Ｐｂの所定位置を支持する支持部材２３Ｃと、支持部材２３Ｃに支持された基板Ｐの裏面Ｐｂと対向する位置に配置された放射面２７Ａを含む放射部材とを備える。放射面２７Ａは、上面２４ＡＣの一部を形成する。基板ステージ２の保持部材２０に保持される前の基板Ｐの温度を調整することによって、基板Ｐの裏面Ｐｂと保持部材２０の保持面１９との温度差に起因する基板Ｐの歪み等を抑制できる。
【００９２】
なお、上述の実施形態の基板Ｐとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスク又はレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）等が適用される。
【００９３】
露光装置ＥＸとしては、マスクＭと基板Ｐとを同期移動してマスクＭのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニングステッパ）の他に、マスクＭと基板Ｐとを静止した状態でマスクＭのパターンを一括露光し、基板Ｐを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ）にも適用することができる。
【００９４】
さらに、ステップ・アンド・リピート方式の露光において、第１パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第１パターンの縮小像を基板Ｐ上に転写した後、第２パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第２パターンの縮小像を第１パターンと部分的に重ねて基板Ｐ上に一括露光してもよい（スティッチ方式の一括露光装置）。また、スティッチ方式の露光装置としては、基板Ｐ上で少なくとも２つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板Ｐを順次移動させるステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。
【００９５】
また、例えば米国特許第６，６１１，３１６号に開示されているように、２つのマスクのパターンを、投影光学系を介して基板上で合成し、１回の走査露光によって基板上の１つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置などにも本発明を適用することができる。
【００９６】
また、本発明は、米国特許６，３４１，００７号、米国特許６，４００，４４１号、米国特許６，５４９，２６９号、米国特許６，５９０,６３４号、米国特許６，２０８，４０７号、米国特許６，２６２，７９６号などに開示されているような複数の基板ステージを備えたツインステージ型の露光装置にも適用できる。
【００９７】
更に、例えば特開平１１−１３５４００号公報（対応国際公開第１９９９／２３６９２号パンフレット）、米国特許第６，８９７，９６３号等に開示されているように、基板を保持する基板ステージと基準マークが形成された基準部材及び／又は各種の光電センサを搭載した計測ステージとを備えた露光装置にも本発明を適用することができる。また、複数の基板ステージと計測ステージとを備えた露光装置にも適用することができる。
【００９８】
露光装置ＥＸの種類としては、基板Ｐに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）、マイクロマシン、ＭＥＭＳ、ＤＮＡチップ、あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。
【００９９】
なお、法令で許容される限りにおいて、上述の各実施形態及び変形例で引用した露光装置等に関する全ての公開公報及び米国特許の開示を援用して本文の記載の一部とする。
【０１００】
以上のように、本願実施形態の露光装置ＥＸは、本願請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度及びクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
【０１０１】
半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図１４に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ２０１、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作するステップ２０２、デバイスの基材である基板を製造するステップ２０３、前述した実施形態に従って、マスクのパターンの像で基板に露光し、露光した基板を現像する基板処理（露光処理）を含む基板処理ステップ２０４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む）２０５、検査ステップ２０６等を経て製造される。
【０１０２】
なお、上述のように本発明の実施形態を説明したが、本発明は上述した全ての構成要素を適宜組み合わせて用いる事が可能であり、また、一部の構成要素を用いない場合もある。
【図面の簡単な説明】
【０１０３】
【図１】第１実施形態に係る露光装置の一例を示す模式図である。
【図２】第１実施形態に係るマスクステージ、温度調整装置、及び搬送装置を示す図である。
【図３】第１実施形態に係る温度調整装置の一例を示す図である。
【図４】温度調整装置の温調ユニットの一例を示す斜視図である。
【図５】温度調整装置の温調ユニットの一例を示す側断面図である。
【図６】温度調整装置の温調ユニットの一例を示す模式図である。
【図７】第１実施形態に係る露光装置の動作の一例を説明するためのフローチャート図である。
【図８】第１実施形態に係る露光装置の動作の一例を説明するための模式図である。
【図９】第２実施形態に係る温度調整装置の一例を示す図である。
【図１０】第２実施形態に係る露光装置の動作の一例を説明するための模式図である。
【図１１】第２実施形態に係る露光装置の動作の一例を説明するための模式図である。
【図１２】マスクステージの一例を示す図である。
【図１３】基板ステージの一例を示す側断面図である。
【図１４】マイクロデバイスの製造工程の一例を示すフローチャート図である。
【符号の説明】
【０１０４】
１…マスクステージ、２…基板ステージ、３…搬送装置、４…温度調整装置、５…制御装置、７…記憶装置、１６…保持面、１７…保持部材、２２…第１温度センサ、２３…支持部材、２５…有効領域、２６…非有効領域、２７…放射部材、２７Ａ…放射面、３１…第２温度センサ、４１…第１カバー部材、４１Ａ…内面、４１Ｂ…外面、４２…第２カバー部材、４５…密着機構、４６…透過部材、５０…温度調整機構、ＥＬ…露光光、ＥＸ…露光装置、Ｍ…マスク、Ｍａ…反射面、Ｍｂ…裏面、Ｐ…基板、Ｐａ…表面、Ｐｂ…裏面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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