(57)【要約】【課題】  基板に乾燥欠陥が生じることを十分に防止することができる基板処理装置を提供する。【解決手段】内槽４０内で洗浄された基板Ｗが、基板移動機構３０により内槽４０の上方へ引き上げる。そこで、処理槽４上では、引き上げられた基板ＷにドライエアＤＦが供給される。これにより、基板Ｗに付着した純水がドライエアＤＦにより置換され、基板Ｗの表面が乾燥される。ここで、基板Ｗが内槽４０から引き上げられる直前において、処理液ミキシング装置５０は、一時的に内槽４０へ供給する処理液の量を増加させる。これにより、内槽４０の上端から外槽４３に流れ出る純水の量が増加する。このとき外槽４３に流れ込む純水の一部は、処理液排出管４４から排出される。さらに、外槽４３に流れ込む純水のうち処理液排出管４４から排出しきれない純水は、外槽４３のドライエア排気ダクト６３側の上端からさらに補助槽４５に流れ出る。【選択図】図１
2008251655.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に所定の処理を行う基板処理装置であって、
処理液を貯留する処理槽と、
前記処理槽内の前記処理液中と前記処理槽の上方位置との間で基板を昇降させる基板昇降機構と、
前記処理槽の上端に沿って、前記処理槽の一側方から他側方へ気体を供給して、前記基板昇降機構により前記処理槽から引き上げられる基板に気体を供給する気体供給部と、
前記処理槽に処理液を供給する処理液供給部とを備え、
前記処理槽は、
前記処理液を貯留するとともに基板を収容可能な内槽と、
前記内槽の周囲を取囲むように設けられ、前記内槽から溢れる処理液が流入する外槽とを備え、
前記処理槽の前記他側方に位置する前記外槽の側壁の少なくとも一部の上端は、他の部分の上端よりも低くかつ前記内槽の側壁の上端よりも高く形成され、
前記処理液供給部は、基板が前記基板昇降機構により前記処理槽から引き上げられる際に、前記内槽から前記外槽に流入する処理液がさらに前記外槽から溢れ出るように前記内槽に処理液を供給することを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記処理槽は、前記外槽の前記少なくとも一部の上端から溢れる処理液が流入する補助槽をさらに備えることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記外槽の前記少なくとも一部の上端は、前記他の部分の上端よりも５ｍｍ以上１０ｍｍ以下の範囲で低く形成されたことを特徴とする請求項１または２記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記気体供給部は、
前記処理槽の前記一側方に配置され、前記処理槽の上端に沿って前記一側方から前記他側方へ気体を供給する気体流出口を有する気体供給ダクトと、
前記気体供給ダクトに気体を供給する気体供給系とを備え、
前記外槽の前記他の部分の上端から前記気体供給ダクトの前記気体流出口の下端までの高さが３ｍｍよりも大きく１０ｍｍ以下となるように、前記気体流出口が配置されたことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記処理槽の前記他側方に配置され、前記処理槽上の雰囲気を排出するための気体排出部をさらに備えたことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板に種々の処理を行う基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、半導体ウェハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板等の基板に種々の処理を行うために、基板処理装置が用いられている。
【０００３】
複数の基板を処理槽に貯留された処理液に浸漬し、洗浄処理を行う基板処理装置がある（例えば、特許文献１参照）。この基板処理装置においては、処理槽内で基板の表面が薬液および純水により洗浄処理される。洗浄処理の施された基板は処理槽内から引き上げられる。
【０００４】
洗浄処理後の基板に純水が付着していると、基板にパーティクルが付着し易くなる。また、基板に付着した純水が自然乾燥すると、基板にウォーターマークが形成される。したがって、特許文献１の基板処理装置においては、基板の処理槽内からの引き上げ時に乾燥処理が行われている。乾燥処理は、次のように行われる。
【０００５】
図７は、特許文献１の基板処理装置による基板の乾燥処理を説明するための図である。図７（ａ）に示すように、洗浄処理終了時において、基板Ｗは純水Ｌ１の満たされた処理槽５６２内に存在する。
【０００６】
その後、図７（ｂ）に示すように、基板Ｗはリフタ５６３とともに上昇を開始する。それにより、基板Ｗは純水Ｌ１から外部雰囲気中に徐々に露出していく。
【０００７】
そこで、基板Ｗと純水Ｌ１の液面ＴＬ１との相対移動と並行して、窒素ガスＦＧが窒素ガス噴射部５６５から液面ＴＬ１の直上で露出する基板Ｗの表面に対して連続的に噴射される。窒素ガスＦＧは、処理槽５６２に貯留された純水Ｌ１の液面ＴＬ１の直上を通過し、窒素ガス排気部５６８から排気される。
【０００８】
窒素ガスＦＧが基板Ｗに吹き付けられることにより、露出する基板Ｗに付着した純水Ｌ１が吹き飛ばされる。また、窒素ガスＦＧにより発生する気流は、液面ＴＬ１近傍の雰囲気の湿度を低下させるので、基板Ｗに付着する純水Ｌ１の蒸発が促進される。
【０００９】
上記のように乾燥処理が行われることにより、基板Ｗが処理槽５６２から完全に引き上げられる際には基板Ｗの全面が乾燥する。
【特許文献１】特開平１１−３５４４８８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
ここで、上記の特許文献１の基板処理装置においては、乾燥処理時に窒素ガスＦＧが純水Ｌ１の液面ＴＬ１の直上を通過する。これにより、液面ＴＬ１の純水Ｌ１が、気流により窒素ガス噴射部５６５側から窒素ガス排気部５６８側に押し流される。それにより、その液面ＴＬ１に波立ちが発生する場合がある。このように、液面ＴＬ１に波立ちが発生すると、処理液の飛沫が乾燥中の基板Ｗに付着し、基板にウォータマーク等の乾燥欠陥が生じる。
【００１１】
本発明の目的は、基板に乾燥欠陥が生じることを十分に防止することができる基板処理装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
（１）本発明に係る基板処理装置は、基板に所定の処理を行う基板処理装置であって、処理液を貯留する処理槽と、処理槽内の処理液中と処理槽の上方位置との間で基板を昇降させる基板昇降機構と、処理槽の上端に沿って、処理槽の一側方から他側方へ気体を供給して、基板昇降機構により処理槽から引き上げられる基板に気体を供給する気体供給部と、処理槽に処理液を供給する処理液供給部とを備え、処理槽は、処理液を貯留するとともに基板を収容可能な内槽と、内槽の周囲を取囲むように設けられ、内槽から溢れる処理液が流入する外槽とを備え、処理槽の他側方に位置する外槽の側壁の少なくとも一部の上端は、他の部分の上端よりも低くかつ内槽の側壁の上端よりも高く形成され、処理液供給部は、基板が基板昇降機構により処理槽から引き上げられる際に、内槽から外槽に流入する処理液がさらに外槽から溢れ出るように内槽に処理液を供給するものである。
【００１３】
この基板処理装置においては、処理槽に処理液が貯留され、基板昇降機構により処理槽内の処理液中と処理槽の上方位置との間で基板が昇降される。
【００１４】
基板が基板昇降機構により処理槽から引き上げられる際には、処理液供給部により内槽から外槽に流入する処理液がさらに外槽から溢れ出るように内槽に処理液が供給される。
【００１５】
このとき、気体供給部により処理槽の上端に沿って、処理槽の一側方から他側方へ気体が供給される。それにより、処理槽内の処理液中から引き上げられる基板の表面が乾燥する。そして、気体の供給により発生する気流は、処理槽に貯留された処理液の表面の処理液を処理槽の一側方から他側方に押し流す。
【００１６】
ここで、処理槽の他側方に位置する外槽の側壁の少なくとも一部の上端は、他の部分の上端よりも低くかつ内槽の側壁の上端よりも高く形成されている。これにより、気流により押し流される処理液は、外槽の側壁の少なくとも一部の上端から溢れて円滑に流れ出る。それにより、気流に起因して処理液の表面に発生する波立ちが低減される。
【００１７】
その結果、処理液の飛沫が乾燥中の基板に付着することが防止され、基板に乾燥痕等の乾燥欠陥が生じることが十分に防止される。
【００１８】
（２）処理槽は、外槽の少なくとも一部の上端から溢れる処理液が流入する補助槽をさらに備えてもよい。
【００１９】
この場合、外槽の少なくとも一部の上端から溢れる処理液が補助槽に流入する。これにより、処理液を効率的に回収することができる。
【００２０】
（３）外槽の少なくとも一部の上端は、他の部分の上端よりも５ｍｍ以上１０ｍｍ以下の範囲で低く形成されてもよい。これにより、処理液の表面に発生する波立ちがより十分に低減される。
【００２１】
（４）気体供給部は、処理槽の一側方に配置され、処理槽の上端に沿って一側方から他側方へ気体を供給する気体流出口を有する気体供給ダクトと、気体供給ダクトに気体を供給する気体供給系とを備え、外槽の他の部分の上端から気体供給ダクトの気体流出口の下端までの高さが３ｍｍよりも大きく１０ｍｍ以下となるように、気体流出口が配置されてもよい。
【００２２】
この場合、気体供給系から気体供給ダクトに気体が供給され、気体供給ダクトの気体流出口から処理槽の上端に沿って、処理槽の一側方から他側方へ気体が供給される。
【００２３】
ここで、外槽の他の部分の上端から気体供給ダクトの気体流出口の下端までの高さが３ｍｍよりも大きく１０ｍｍ以下となるように、気体流出口が配置されている。これにより、気体流出口からの気流が処理槽の一側方側で処理液の表面に接触することが防止される。その結果、処理液の表面に発生する波立ちがより十分に低減される。
【００２４】
（５）基板処理装置は、処理槽の他側方に配置され、処理槽上の雰囲気を排出するための気体排出部をさらに備えてもよい。
【００２５】
この場合、処理槽の一方側に配置された気体供給部から処理槽の他方側に配置された気体排出部へ円滑に気体が流れ、処理槽上の空間における乱流の発生が防止される。これにより、基板をより均一かつより効率的に乾燥させることができる。
【発明の効果】
【００２６】
本発明によれば、基板に乾燥欠陥が生じることを十分に防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
本発明の一実施の形態に係る基板処理装置について説明する。以下の説明において、基板とは、半導体ウェハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板等をいう。
【００２８】
（１）基板処理装置の構成および動作
図１は、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の構成を示す模式的断面図である。図１に示すように、本実施の形態に係る基板処理装置１００は、処理槽４、ダウンフローダクト２０、基板移動機構３０、処理液ミキシング装置５０、ドライエア発生装置６０、制御部７０およびファンフィルタユニットＦＦＵを備える。
【００２９】
ダウンフローダクト２０の上方にファンフィルタユニットＦＦＵが配置されている。ファンフィルタユニットＦＦＵは、ファンおよびフィルタを備える。ファンフィルタユニットＦＦＵのファンが動作することにより、ダウンフローダクト２０内に清浄な下降気流（ダウンフロー）が発生する。
【００３０】
ダウンフローダクト２０内の下部に処理槽４が設けられている。処理槽４は複数の基板Ｗを収納可能な内槽４０、内槽４０の上部外周を取囲むように設けられた外槽４３、および外槽４３の外側に設けられた補助槽４５により形成されている。内槽４０は略直方体形状を有する。
【００３１】
内槽４０の底部には、内槽４０内に処理液を供給するための処理液供給管４１および内槽４０内の処理液を排出するための処理液排出管４２が接続されている。本実施の形態において、内槽４０内では基板Ｗの洗浄処理が行われる。洗浄処理時に内槽４０内に供給される処理液は、洗浄液またはリンス液である。
【００３２】
すなわち、内槽４０内に洗浄液を供給し、洗浄液の貯留された内槽４０内に基板Ｗを浸漬することにより、基板Ｗの表面を洗浄する。その後、内槽４０内の洗浄液をリンス液に置換する。
【００３３】
洗浄液としては、ＢＨＦ（バッファードフッ酸）、ＤＨＦ（希フッ酸）、フッ酸、塩酸、硫酸、硝酸、リン酸、酢酸、シュウ酸またはアンモニア等の薬液が用いられる。リンス液としては、純水、炭酸水、水素水、電解イオン水等が用いられる。
【００３４】
処理液供給管４１の上流端が処理液ミキシング装置５０に接続されている。処理液ミキシング装置５０には、例えば薬液および純水が供給されている。処理液ミキシング装置５０は、供給される薬液および純水を所定の割合で混合することができる。したがって、処理液ミキシング装置５０は、薬液、純水またはそれらの混合液を洗浄液またはリンス液として処理液供給管４１を介して内槽４０内に供給する。本実施の形態では、洗浄液として薬液と純水との混合液を用い、リンス液として純水を用いる。
【００３５】
外槽４３の底部には、内槽４０の上部から溢れ出し（オーバーフロー）、外槽４３内に流れ込む処理液を排出するための処理液排出管４４が接続されている。
【００３６】
本実施の形態においては、後述する基板Ｗの乾燥処理時に、補助槽４５により覆われる外槽４３の上端の一部から処理液が溢れ出す。そして、その処理液は、補助槽４５内に流れ込む。補助槽４５の底部には、外槽４３の一部から補助槽４５に流れ込む処理液を排出するための処理液排出管４６が接続されている。詳細は後述する。
【００３７】
内槽４０の上方位置に基板移動機構３０が設けられている。基板移動機構３０は複数の基板Ｗを保持する保持部３３を上下方向に移動させる。
【００３８】
ダウンフローダクト２０の上部には、搬送エリアＴＥが設けられている。搬送エリアＴＥは、基板Ｗを保持する保持部３３と図示しない搬送機構との間で基板Ｗの受け渡しを行う際に用いられる。
【００３９】
搬送エリアＴＥを取囲むダウンフローダクト２０の部分において、対向する２つの側面にはそれぞれ開口２０ｈが形成されている。２つの開口２０ｈの近傍には、それぞれ開口２０ｈを開閉可能なシャッタＳＨおよびシャッタ駆動部ＳＤが設けられている。シャッタ駆動部ＳＤは、シャッタＳＨを駆動することによりダウンフローダクト２０の開口２０ｈの開閉を行う。
【００４０】
例えば、シャッタＳＨが開くことにより、洗浄処理前の基板Ｗを保持する搬送機構（図示せず）がダウンフローダクト２０内に搬入され、保持部３３に基板Ｗが受け渡される。また、洗浄処理後の基板Ｗを保持部３３から受け渡された搬送機構（図示せず）がダウンフローダクト２０内から、ダウンフローダクト２０外に搬出される。
【００４１】
処理槽４の上端部近傍に位置するダウンフローダクト２０の部分において、対向する２つの側面にはそれぞれドライエア供給ダクト６２およびドライエア排気ダクト６３が取り付けられている。ドライエア供給ダクト６２は配管６１を介してドライエア発生装置６０と接続されている。
【００４２】
ドライエア発生装置６０により発生されたドライエアＤＦが、配管６１を通じてドライエア供給ダクト６２に送られる。それにより、内槽４０から引き上げられる基板ＷにドライエアＤＦが吹き付けられ、基板Ｗの乾燥処理が行われる。基板ＷにドライエアＤＦが吹き付けられることにより、基板Ｗ周辺の雰囲気がドライエア排気ダクト６３から排気される。
【００４３】
本実施の形態において、ドライエアＤＦとは、極めて露点の低い気体をいう。ドライエア供給ダクト６２からダウンフローダクト２０内に供給されるドライエアＤＦの露点は、例えば約−７０℃である。
【００４４】
図１に示すように、制御部７０は基板移動機構３０、処理液ミキシング装置５０、ドライエア発生装置６０、シャッタ駆動部ＳＤおよびファンフィルタユニットＦＦＵと接続されている。制御部７０がこれら構成部の動作を制御することにより、ダウンフローダクト２０内のダウンフロー、基板処理装置１００に対する基板Ｗの搬入搬出動作、基板Ｗの洗浄処理および基板Ｗの乾燥処理が制御される。
【００４５】
例えば、制御部７０はファンフィルタユニットＦＦＵを制御することにより、ダウンフローダクト２０内にダウンフローを発生させる。
【００４６】
制御部７０は基板移動機構３０を制御することにより、洗浄処理の開始時に基板Ｗを保持する保持部３３を内槽４０内に移動させる。この状態で、制御部７０は処理液ミキシング装置５０を制御することにより、薬液と純水との混合液を洗浄液として内槽４０内に供給する。これにより、基板Ｗが内槽４０内で洗浄液に浸漬され、基板Ｗの表面が洗浄される。
【００４７】
その後、制御部７０は処理液ミキシング装置５０を制御することにより、純水をリンス液として内槽４０内に供給し、内槽４０内の洗浄液を純水に置換する。これにより、基板Ｗが内槽４０内で純水に浸漬される。それにより、基板Ｗの洗浄処理が完了する。
【００４８】
制御部７０は基板移動機構３０を制御することにより、洗浄処理が完了した基板Ｗを内槽４０の上方へ引き上げる。そこで、制御部７０はドライエア発生装置６０を制御することにより、引き上げられた基板ＷにドライエアＤＦを供給する。これにより、基板Ｗに付着した純水がドライエアＤＦにより置換され、基板Ｗの表面が乾燥される（乾燥処理）。
【００４９】
なお、乾燥処理時以外において、制御部７０はドライエア発生装置６０を制御することにより、ダウンフローダクト２０内へのドライエアＤＦの供給量を低減している（スローリーク）。
【００５０】
基板Ｗを内槽４０から引き上げる直前（乾燥処理直前）において、制御部７０は、処理液ミキシング装置５０を制御することにより、一時的に内槽４０へ供給する純水の量を増加させる。これにより、内槽４０の上端から外槽４３に流れ出る純水の量が増加する。
【００５１】
このとき外槽４３に流れ込む純水の一部は、処理液排出管４４から排出される。さらに、外槽４３に流れ込む純水のうち処理液排出管４４から排出しきれない純水は、外槽４３の上端からさらに補助槽４５に流れ出る。補助槽４５に流れ出た純水は、処理液排出管４６から排出される。これにより、処理槽４における純水の液面の高さが変化する（液面制御）。
【００５２】
このように、制御部７０は、乾燥処理の直前に、内槽４０へ供給する純水の量を増加させることにより、内槽４０のみならず外槽４３から補助槽４５へ純水を溢れさせる。そして、制御部７０は、外槽４３から純水が溢れることにより、外槽４３から一定量の純水が補助槽４５へ流れ出るように、内槽４０に供給する純水の量を調整する。この状態で、基板Ｗが内槽４０から引き上げられ、乾燥処理時が行われる。詳細は後述する。
【００５３】
処理液供給管４１および処理液排出管４２，４４には、それぞれ図示しないバルブが設けられている。制御部７０はこれらのバルブの開閉動作も制御する。これにより、処理槽４内の処理液の供給系および排出系の開閉動作が、制御部７０により制御される。
【００５４】
（２）処理槽の構造の詳細
図２は図１の処理槽４の外観斜視図であり、図３は図２の処理槽４の上面図であり、図４は図３のＫ−Ｋ線断面図である。図２〜図４においては、図１のドライエア供給ダクト６２、ドライエア排気ダクト６３および処理槽４が図示されている。
【００５５】
図２の太線で示すように、処理槽４の上部においては、内槽４０の上端部近傍を取り囲むように、外槽４３が設けられている。図３に示すように、外槽４３は、内槽４０の４つの側壁にそれぞれ沿うように配置された第１の側壁４３ａ、第２の側壁４３ｂ、第３の側壁４３ｃおよび第４の側壁４３ｄを有する。
【００５６】
本例では、第１の側壁４３ａがドライエア供給ダクト６２側に位置し、第３の側壁４３ｃがドライエア排気ダクト６３側に位置する。
【００５７】
これらの側壁４３ａ〜４３ｄの上端は、それぞれ内槽４０の側壁の上端よりも高くなるように形成されている。さらに、図４に示すように、第１〜第４の側壁４３ａ〜４３ｄのうち、ドライエア排気ダクト６３側に位置する第３の側壁４３ｃの上端は、他の側壁４３ａ，４３ｂ，４３ｄの上端よりも低くなるようにかつ内槽４０の側壁の上端４０Ｔよりも高くなるように形成されている。
【００５８】
第３の側壁４３ｃの上端と、他の側壁４３ａ，４３ｂ，４３ｄの上端との高さの差ｄｈ１は、例えば約５ｍｍ以上約１０ｍｍ以下の範囲内であることが好ましい。
【００５９】
また、外槽４３の第１、第２および第４の側壁４３ａ，４３ｂ，４３ｄの上端は、ドライエア供給ダクト６２の下端よりも低く形成される。これらの側壁４３ａ，４３ｂ，４３ｄの上端と、ドライエア供給ダクト６２の下端との高さの差ｄｈ２は、例えば約３ｍｍ以上約１０ｍｍ以下の範囲内であることが好ましい。
【００６０】
第３の側壁４３ｃの外側、すなわちドライエア排気ダクト６３側に、補助槽４５が設けられている。補助槽４５は、第３の側壁４３ｃに沿うように形成された側壁４５ａを有する。図４に示すように、この側壁４５ａの上端は、第１、第２および第４の側壁４３ａ，４３ｂ，４３ｄの上端の高さと等しくなるように形成されている。
【００６１】
図２および図３には、内槽４０の内部に収容される複数の基板Ｗとそれらの基板Ｗを保持する保持部３３が図示されている。また、図３には、外槽４３におけるドライエア供給ダクト６２側の底部に設けられる処理液排出口４４Ｘ、補助槽４５の底部に設けられる処理液排出口４５Ｘ、およびダウンフローダクト２０に形成される開口部２０Ｍが図示されている。
【００６２】
（３）洗浄処理時および乾燥処理時における液面制御の詳細
図５および図６は、洗浄処理時および乾燥処理時に処理槽４に貯留される処理液の液面制御を説明するための図である。
【００６３】
図５（ａ）に、洗浄処理時の処理液の液面状態が示されている。洗浄処理時には、上述のように、内槽４０内に処理液としての洗浄液（例えば薬液と純水との混合液）およびリンス液（例えば純水）がこの順で図１の処理液ミキシング装置５０から供給される。
【００６４】
ここで、処理液ミキシング装置５０は、洗浄処理時に内槽４０内に貯留される処理液が、内槽４０からわずかに溢れるように処理液の供給量を調整する。その結果、図５（ａ）に示すように、洗浄処理時には、処理液の液面ＬＳが、内槽４０の側壁の上端４０Ｔよりもわずかに高くなるように維持される。
【００６５】
なお、このとき、ドライエア供給ダクト６２からは、スローリークによる微量のドライエアＤＦが処理槽４上の空間に供給されている（図５（ａ）破線参照）。
【００６６】
図５（ｂ）に、乾燥処理直前の処理液の液面状態が示されている。乾燥処理直前には、上述のように、処理液ミキシング装置５０から内槽４０内への処理液の供給量が増加する。
【００６７】
これにより、内槽４０の上端から外槽４３に流れ出る処理液の量が増加すると、図１の処理液排出管４４から排出しきれない処理液が、外槽４３内に滞留する。その結果、図５（ｂ）に示すように、処理液の液面ＬＳが外槽４３内で徐々に上昇する。
【００６８】
そして、図６（ｃ）に示すように、処理液の液面ＬＳが、外槽４３の第３の側壁４３ｃの上端に達した後、外槽４３の第３の側壁４３ｃの上端よりもわずかに高くなると、外槽４３内の処理液が第３の側壁４３ｃの上端から補助槽４５内に流れ出る。
【００６９】
処理液ミキシング装置５０は、処理液の液面ＬＳが第３の側壁４３ｃの上端よりもわずかに高くなる状態で維持されるように、内槽４０への処理液の供給量を調整する。
【００７０】
なお、上述のように、外槽４３の第１、第２および第４の側壁４３ａ，４３ｂ，４３ｄの上端は、いずれも第３の側壁４３ｃの上端よりも高い。したがって、外槽４３から溢れる処理液が、補助槽４５以外の場所に流れ出ることが防止されている。
【００７１】
図６（ｄ）に、乾燥処理時の処理液の液面状態が示されている。乾燥処理時には、ドライエア供給ダクト６２から処理槽４の上端に沿って供給されるドライエアＤＦの供給量が増加する。そして、複数の基板Ｗが内槽４０内から引き上げられる。これにより、処理液の液面ＬＳから露出する基板Ｗの部分にドライエアＤＦが吹き付けられ、基板Ｗの表面が迅速に乾燥する。
【００７２】
この乾燥処理時において、ドライエアＤＦの供給により発生する気流は、液面ＬＳを形成する処理液を、処理槽４のドライエア供給ダクト６２側からドライエア排気ダクト６３側に押し流す。
【００７３】
それにより、処理槽４に貯留される処理液の液面ＬＳでは、ドライエア供給ダクト６２側からドライエア排気ダクト６３側に処理液の流れが発生する。
【００７４】
ここで、外槽４３のドライエア排気ダクト６３側に位置する第３の側壁４３ｃの上端からは、処理液が継続して補助槽４５に流れ出る。それにより、気流に起因して処理液の液面ＬＳに発生する波立ちが低減される。
【００７５】
その結果、処理液の飛沫が乾燥中の基板Ｗに付着することが防止され、基板Ｗにウォータマーク等の乾燥欠陥が生じることが十分に防止される。
【００７６】
上述のように、本実施の形態において、外槽４３の第１、第２および第４の側壁４３ａ，４３ｂ，４３ｄの上端は、ドライエア供給ダクト６２の下端よりも低く形成される。
【００７７】
この場合、ドライエアＤＦの供給により発生する気流が、処理槽４のドライエア供給ダクト６２側で処理液の液面ＬＳに接触することが防止される。これにより、処理液の液面ＬＳの波立ちがより十分に低減される。
【００７８】
本実施の形態に係る基板処理装置１００には、処理槽４上の空間の雰囲気を排気するドライエア排気ダクト６３が設けられている。これにより、基板Ｗの乾燥処理時には、ドライエア供給ダクト６２からドライエア排気ダクト６３に円滑な気流が形成される。それにより、処理槽４上の空間における乱流の発生が防止される。その結果、基板Ｗをより均一かつより効率的に乾燥させることができる。
【００７９】
本実施の形態において、乾燥処理時に基板Ｗに供給されるドライエアＤＦの流速は、例えば約６ｍ／ｓ以上約７ｍ／ｓ以下に設定される。
【００８０】
また、本実施の形態では、乾燥処理は基板ＷにドライエアＤＦを供給することにより行われているが、基板Ｗに供給する気体はドライエアＤＦに限られない。ドライエアＤＦに代えて、例えばＩＰＡ（イソプロピルアルコール）蒸気を用いてもよいし、低温のＮ２  （窒素）ガスを用いてもよい。
【００８１】
（４）  請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応関係
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
【００８２】
上記実施の形態では、基板移動機構３０が基板昇降機構の例であり、ドライエア発生装置６０、配管６１およびドライエア供給ダクト６２が気体供給部の例であり、処理液ミキシング装置５０および制御部７０が処理液供給部の例である。
【００８３】
また、第１の側壁４３ａ、第２の側壁４３ｂ、第３の側壁４３ｃおよび第４の側壁４３ｄが外槽の側壁の例であり、第３の側壁４３ｃの上端が外槽の側壁の少なくとも一部の上端の例であり、ドライエア発生装置６０および配管６１が気体供給系の例であり、ドライエア排気ダクト６３が気体排出部の例である。
【００８４】
なお、請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
【産業上の利用可能性】
【００８５】
本発明に係る基板処理装置は、半導体ウェハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板等の基板の製造に有効に利用できる。
【図面の簡単な説明】
【００８６】
【図１】本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の構成を示す模式的断面図である。
【図２】図１の処理槽４の外観斜視図である。
【図３】図２の処理槽４の上面図である。
【図４】図３のＫ−Ｋ線断面図である。
【図５】洗浄処理時および乾燥処理時に処理槽に貯留される処理液の液面制御を説明するための図である。
【図６】洗浄処理時および乾燥処理時に処理槽に貯留される処理液の液面制御を説明するための図である。
【図７】特許文献１の基板処理装置による基板の乾燥処理を説明するための図である。
【符号の説明】
【００８７】
４  処理槽
３０  基板移動機構
４０  内槽
４０Ｔ  内槽の側壁の上端
４３  外槽
４３ａ  第１の側壁
４３ｂ  第２の側壁
４３ｃ  第３の側壁
４３ｄ  第４の側壁
４５  補助槽
５０  処理液ミキシング装置
６０  ドライエア発生装置
６１  配管
６２  ドライエア供給ダクト
６３  ドライエア排気ダクト
７０  制御部
１００  基板処理装置
Ｗ  基板
【図１】
2008251655.tif 000003
【図２】
2008251655.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2008251655.tif 000009