(57)【要約】【課題】ウェハーを各素子領域に分割する際における歩留まりを向上できる化合物半導体素子の製造方法を提供する。【解決手段】分割工程が、ウェハー３０を第一方向αに沿って分割して、素子部１０が第一方向αに少なくとも２列配列されてなる第一短冊ウェハーとする第１分割工程と、  第一短冊ウェハーを第二方向βに沿って分割して、素子部１０が第二方向βに一列配列されてなる第二短冊ウェハーとする第２分割工程と、第二短冊ウェハーを素子部１０毎に分割して、素子部１０を備えた化合物半導体素子を形成する第３分割工程とを備える化合物半導体素子の製造方法とする。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の主面上に、第一方向および前記第一方向に直交する第二方向に沿ってマトリクス状に複数の素子部を形成してウェハーとする素子形成工程と、
前記ウェハーを前記素子部毎に分割して化合物半導体素子とする分割工程とを備える化合物半導体素子の製造方法において、
前記分割工程が、前記ウェハーを第一方向に沿って分割して、前記素子部が前記第一方向に少なくとも２列配列されてなる第一短冊ウェハーとする第１分割工程と、
前記第一短冊ウェハーを前記第二方向に沿って分割して、前記素子部が前記第二方向に一列配列されてなる第二短冊ウェハーとする第２分割工程と、
前記第二短冊ウェハーを前記素子部毎に分割して、前記素子部を備えた化合物半導体素子を形成する第３分割工程とを備えることを特徴とする化合物半導体素子の製造方法。
【請求項２】
前記素子形成工程と前記分割工程との間に、
前記基板の主面上に前記第一方向および前記第二方向に沿って、前記素子部毎に分離するためのハーフカット溝を設ける区画工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の化合物半導体素子の製造方法。
【請求項３】
前記ハーフカット溝をレーザ法を用いて形成することを特徴とする請求項２に記載の化合物半導体素子の製造方法。
【請求項４】
前記分割工程において、前記ハーフカット溝に沿って刃物を押し当てて、前記ハーフカット溝からクラックを生じさせ、前記ウェハー、前記第一短冊ウェハーまたは前記第二短冊ウェハーを分割することを特徴とする請求項２または請求項３に記載の化合物半導体素子の製造方法。
【請求項５】
前記第一短冊ウェハーは、前記第一方向に前記素子部が２列〜５配列されてなるものであることを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれかに記載の化合物半導体素子の製造方法。
【請求項６】
前記基板がサファイア基板であり、前記主面がＣ面であり、前記第一の方向が（１１‐２０）面に垂直な方向であることを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれかに記載の化合物半導体素子の製造方法。
【請求項７】
前記分割工程を行なう前に、前記主面と反対側の面を研磨して前記基板の厚みを６０μｍ〜９０μｍとする工程を備えることを特徴とする請求項１〜請求項６のいずれかに記載の化合物半導体素子の製造方法。
【請求項８】
前記化合物半導体素子が、ＩＩＩ族窒化物半導体発光素子であることを特徴とする請求項１〜請求項７のいずれかに記載の化合物半導体素子の製造方法。
【請求項９】
請求項１〜請求項８のいずれかに記載の化合物半導体素子の製造方法により得られた化合物半導体素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、化合物半導体素子の製造方法および化合物半導体素子に係り、特に、ウェハーを素子部毎に分割して化合物半導体素子とする際における歩留まりを向上できる化合物半導体素子の製造方法およびこの方法により得られた化合物半導体素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、化合物半導体素子として、ｐｎ接合型の発光ダイオード（ＬＥＤ）やレーザダイオード（ＬＤ）等の半導体発光素子が知られている。このような発光素子において、ＩＩＩ族窒化物半導体（ＡｌｘＧａｙＩｎｚＮ：０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）を発光層に用いると、近紫外光、青色光または緑色光を発光する発光素子が得られる。このようなＩＩＩ族窒化物半導体発光素子では、一般に、基板として、電気絶縁性のサファイア（α−Ａｌ2Ｏ3）単結晶からなる基板が利用されているが、炭化珪素（ＳｉＣ）からなる基板が用いられる場合もある。
【０００３】
また、化合物半導体素子は、従来から、基板上に複数の化合物半導体素子が規則的に配列されてなるウェハーを形成した後、ウェハーを分割して個々の化合物半導体素子を形成する方法によって製造されている。ウェハーの分割には、通常、ダイサーやスクライバーが用いられる。ダイサーとは、ダイヤモンドからなる刃先を有する円盤状の刃（ダイシングブレード）の回転運動により、ウェハーを切断する装置である。一方、スクライバーとは、ダイヤモンドからなる先端を有する針により、ウェハーに極めて細い線状溝（スクライブライン）を例えば碁盤目状に形成した後、ウェハーに外力を付与することによって分割する装置である。
【０００４】
しかしながら、サファイア基板上にＩＩＩ族窒化物半導体のエピタキシャル層構造が形成された半導体発光素子を製造する場合、ＩＩＩ族窒化物半導体層とサファイア基板との格子定数の差が大きいため、両者の界面に大きな歪みが発生する。また、サファイア基板は六方晶系という性質上、へき開性を有していない。さらに、サファイア基板もＩＩＩ族窒化物半導体もともにモース硬度がほぼ９と非常に硬い物質である。したがって、ＩＩＩ族窒化物半導体発光素子構造の形成されたサファイア基板をスクライバーで分割することにより、綺麗に形状の整った半導体発光素子を歩留まりよく製造することは困難であった。また、ＩＩＩ族窒化物半導体発光素子構造の形成されたサファイア基板をダイサーで分割した場合、切断面にクラックやチッピングが発生しやすく、綺麗に切断することは困難であり、ＩＩＩ族窒化物半導体層がサファイア基板から剥がれる場合もあった。
【０００５】
また、従来から、レーザー照射によるスクライブ加工方法が提案されている（例えば、特許文献１、２、３参照）。ＩＩＩ族窒化物半導体発光素子用のウェーハにレーザー照射で割り溝を形成すると、歩留まりや量産性が向上し、綺麗に効率良く割り溝を形成することができる。
【０００６】
また、サファイア基板上に窒化ガリウム系化合物半導体が積層されたウェーハでは、化合物半導体とサファイア基板との格子定数や熱膨張率の違いにより、ウェーハに反りが生じることが知られている（例えば、特許文献４参照）。
【特許文献１】特許第３４４９２０１号公報
【特許文献２】特開平１１−１７７１３７号公報
【特許文献３】特開２００６−２４９１４号公報
【特許文献４】特開平０６‐２８３７５８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、ＩＩＩ族窒化物半導体発光素子用のウェーハにレーザー照射で割り溝を形成した場合、綺麗に効率良く割り溝を形成することはできるが、基板上に形成されている化合物半導体と基板との界面に存在する歪みや、その歪みによって生じるウェーハの反りのため、ウェハーに外力を付与して分割する際にウェハーを精度良く分割することができず、形状の揃った化合物半導体素子を歩留まりよく製造できないことが問題となっていた。特に、サファイア基板上にＩＩＩ族窒化物半導体の積層されたウェーハでは、ＩＩＩ族窒化物半導体とサファイア基板との界面に存在する歪みや、ウェーハの反りが大きいため、この問題が顕著であった。
【０００８】
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、ウェハーを素子部毎に分割して化合物半導体素子とする際における歩留まりを向上できる化合物半導体素子の製造方法を提供することを目的とする。
また、上記の製造方法によって製造された形状の揃った化合物半導体素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者は、上記問題を解決するために、基板上にマトリクス状に複数の素子部が形成されているウェハーを、素子部毎に区画する碁盤目状の境界に沿って分割し、複数の化合物半導体素子とする場合において、切断される境界の順番と、歩留まりとの関係について鋭意検討を行なった。
その結果、始めに、ウェハー上に碁盤目状に設けられた境界のうち第１方向の境界の全てを分割すると、得られた帯状の素子ブロックが基板の歪みによって大きく反ってしまうため、得られた帯状の素子ブロックを第１方向に直交する第二方向に分割してウェハーを素子部毎に分割する際に、所定外の方向にクラックが発生するなどの不都合が生じ、ウェハーが精度良く分割されないという知見を得た。
【００１０】
そこで、本発明者は、鋭意検討を重ね、始めに、碁盤目状に設けられた境界のうち第１方向の境界の一部に沿って大まかにウェハーを分割した後、得られた短冊状のウェハーを第１方向に直交する第二方向に沿って分割して、素子部が第二方向に一列配列されてなる状態とし、その後、再度第１方向に沿って分割して個々の素子部に細分することで、第二方向に分割される短冊状のウェハーにおける基板の歪みを緩和させることができることを見出し、本発明を完成した。本発明は以下に関する。
【００１１】
（１）基板の主面上に、第一方向および前記第一方向に直交する第二方向に沿ってマトリクス状に複数の素子部を形成してウェハーとする素子形成工程と、前記ウェハーを前記素子部毎に分割して化合物半導体素子とする分割工程とを備える化合物半導体素子の製造方法において、前記分割工程が、前記ウェハーを第一方向に沿って分割して、前記素子部が前記第一方向に少なくとも２列配列されてなる第一短冊ウェハーとする第１分割工程と、前記第一短冊ウェハーを前記第二方向に沿って分割して、前記素子部が前記第二方向に一列配列されてなる第二短冊ウェハーとする第２分割工程と、前記第二短冊ウェハーを前記素子部毎に分割して、前記素子部を備えた化合物半導体素子を形成する第３分割工程とを備えることを特徴とする化合物半導体素子の製造方法。
【００１２】
（２）前記素子形成工程と前記分割工程との間に、前記基板の主面上に前記第一方向および前記第二方向に沿って、前記素子部毎に分離するためのハーフカット溝を設ける区画工程を含むことを特徴とする（１）に記載の化合物半導体素子の製造方法。
（３）前記ハーフカット溝をレーザ法を用いて形成することを特徴とする（２）に記載の化合物半導体素子の製造方法。
（４）前記分割工程において、前記ハーフカット溝に沿って刃物を押し当てて、前記ハーフカット溝からクラックを生じさせ、前記ウェハー、前記第一短冊ウェハーまたは前記第二短冊ウェハーを分割することを特徴とする（２）または（３）に記載の化合物半導体素子の製造方法。
【００１３】
（５）前記第一短冊ウェハーは、前記第一方向に前記素子部が２列〜５配列されてなるものであることを特徴とする（１）〜（４）のいずれかに記載の化合物半導体素子の製造方法。
（６）前記基板がサファイア基板であり、前記主面がＣ面であり、前記第一の方向が（１１‐２０）面に垂直な方向であることを特徴とする（１）〜（５）のいずれかに記載の化合物半導体素子の製造方法。
（７）前記分割工程を行なう前に、前記主面と反対側の面を研磨して前記基板の厚みを６０μｍ〜９０μｍとする工程を備えることを特徴とする（１）〜（６）のいずれかに記載の化合物半導体素子の製造方法。
（８）前記化合物半導体素子が、ＩＩＩ族窒化物半導体発光素子であることを特徴とする（１）〜（７）のいずれかに記載の化合物半導体素子の製造方法。
【００１４】
（９）（１）〜（８）のいずれかに記載の化合物半導体素子の製造方法により得られた化合物半導体素子。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の化合物半導体素子の製造方法は、前記分割工程が、前記ウェハーを第一方向に沿って分割して、前記素子部が前記第一方向に少なくとも２列配列されてなる第一短冊ウェハーとする第１分割工程と、前記第一短冊ウェハーを前記第二方向に沿って分割して、前記素子部が前記第二方向に一列配列されてなる第二短冊ウェハーとする第２分割工程と、前記第二短冊ウェハーを前記素子部毎に分割して、前記素子部を備えた化合物半導体素子を形成する第３分割工程とを備えるので、始めに第一方向に沿って前記ウェハーを分割して、素子部が第一方向に１列配列されてなる帯状の素子ブロックとした場合と比較して、以下に示すように、第二方向に沿って分割する際における基板の歪みを緩和させることができる。
【００１６】
すなわち、本発明において、第２分割工程で分割される第一短冊ウェハーは、前記素子部が第一方向に少なくとも２列配列されてなるものであるので、素子部が第一方向に１列配列されてなる帯状の素子ブロックと比較して、第二方向の寸法が長い幅広のものとなる。このため、本発明における第一短冊ウェハーでは、第一方向の基板の歪みが、第二方向に延在している部分によって分散されて逃がされる。したがって、本発明では、第２分割工程で分割される第一短冊ウェハーの反りが緩和され、分割工程の全工程において反りの少ない状態でウェハーを分割することができ、ウェハーを精度良く分割できる。その結果、本発明によれば、形状の揃った化合物半導体素子が得られ、分割工程における歩留まりを向上できる。
【００１７】
また、本発明の化合物半導体素子は、上記の化合物半導体素子の製造方法により得られたものであるので、形状の揃ったものとなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明に係る化合物半導体素子の製造方法および化合物半導体素子の一実施形態について、図面を適宜参照して説明する。
本実施形態においては、本発明の化合物半導体素子の製造方法の一例として、ＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法について説明する。本実施形態においてＩＩＩ族窒化物半導体発光素子を製造するには、まず、基板の主面上に、複数のＬＥＤ素子構造（素子部）を形成してウェハーとする。
（素子形成工程）
図１は、本実施形態のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法の一工程を説明するための概略断面図である。素子形成工程においては、まず、図１に示すように、基板１の主面１ａ上にＩＩＩ族窒化物半導体のエピタキシャル層７を形成する。
【００１９】
基板１としては、サファイア単結晶、ＳｉＣ単結晶などからなるものを使用できる。基板１としてサファイア基板を用いる場合、（０００１）Ｃ面を主面（表面）とすることが望ましい。基板１の面方位は、結晶面に対してオフ角が０°でもよく、オフ角を付与してあっても良い。
基板１上にＩＩＩ族窒化物半導体のエピタキシャル層７を形成する場合、基板１として２５０〜１０００μｍの厚みのものを用いることが好ましい。基板１の厚さが２５０μｍ未満であると、エピタキシャル層の成長の途中で基板１が反ってしまい不都合である。また１０００μｍを超える厚みの基板１は、エピタキシャル層の成長後、研磨により薄くするのに労力を要する。
【００２０】
基板１上にＩＩＩ族窒化物半導体のエピタキシャル層７を形成する場合、基板１上にバッファ層（図示略）と、バッファ層上に形成される下地層（図示略）とを介してエピタキシャル層７を形成することが好ましい。
バッファ層は、ＩＩＩ族窒化物半導体の柱状結晶の集合体からなり、基板１を高温における化学反応から守り、基板１とエピタキシャル層７との格子定数の違いを緩和するために設けられる。
下地層は、ＩＩＩ族窒化物半導体からなるものであり、下地層の材料はバッファと同じであっても異なっていても構わない。また、下地層は、必要に応じてＳｉ、ＧｅおよびＳｎ等のｎ型不純物をドープしても良いが、アンドープとすることもでき、アンドープの方が良好な結晶性の維持という点で好ましい。
【００２１】
ＩＩＩ族窒化物半導体のエピタキシャル層７は、図１に示すように、ｎ型電極を形成するためのｎ型コンタクト層を含むｎ型層２と、発光部となる発光層３と、ｐ型電極を形成するためのｐ型コンタクト層を含むｐ型層４とを有する。
【００２２】
ｎ型層２は、通常ｎコンタクト層とｎクラッド層とから構成される。ｎコンタクト層はｎクラッド層を兼ねることができる。
ｎコンタクト層は、ＡｌｘＧａ１−ｘＮ層（０≦ｘ＜１、好ましくは０≦ｘ≦０．５、さらに好ましくは０≦ｘ≦０．１）から構成されることが好ましい。また、ｎコンタクト層にはｎ型不純物がドープされていることが好ましい。ｎ型不純物としては、例えば、Ｓｉ、ＧｅおよびＳｎ等が挙げられ、好ましくはＳｉおよびＧｅが挙げられる。
ｎコンタクト層と発光層３との間には、ｎクラッド層を設けることが好ましい。ｎクラッド層はＡｌＧａＮ、ＧａＮ、ＧａＩｎＮなどで形成することが可能である。
【００２３】
ｎ型層２の上に積層される発光層３としては、単一量子井戸構造あるいは多重量子井戸構造などの発光層３がある。量子井戸構造の井戸層としては、Ｇａ１−ｙＩｎｙＮ（０＜ｙ＜０．４）からなるＩＩＩ族窒化物半導体層が通常用いられる。また、多重量子井戸構造の発光層３の場合は、上記Ｇａ１−ｙＩｎｙＮを井戸層とし、井戸層よりバンドギャップエネルギーが大きいＡｌｘＧａ１−ｘＮ（０≦ｚ＜０．３）を障壁層とする。井戸層および障壁層には、設計により不純物をドープしてもしなくてもよい。
【００２４】
ｐ型層４は、通常、ｐクラッド層およびｐコンタクト層から構成される。ｐコンタクト層はｐクラッド層を兼ねてもよい。
ｐクラッド層としては、発光層３のバンドギャップエネルギーより大きくなる組成であり、発光層３へのキャリアの閉じ込めができるものであれば特に限定されないが、好ましくはＡｌｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ≦０．４）からなるものが挙げられる。ｐクラッド層が、このようなＡｌＧａＮからなる場合、発光層へのキャリアの閉じ込めの点で好ましい。ｐクラッド層のｐ型ドープ濃度は、１×１０１８〜１×１０２１／ｃｍ３が好ましく、より好ましくは１×１０１９〜１×１０２０／ｃｍ３である。
【００２５】
ｐコンタクト層は、ＡｌｘＧａ１−ｘＮ（０≦ｘ≦０．４）からなることが好ましい。Ａｌ組成が上記範囲であると、良好な結晶性の維持およびｐオーミック電極との良好なオーミック接触の点で好ましい。また、ｐコンタクト層は、ｐ型不純物（ドーパント）を１×１０１８〜１×１０２１／ｃｍ３の濃度、好ましくは５×１０１９〜５×１０２０／ｃｍ３の濃度で含有していると、良好なオーミック接触の維持、クラック発生の防止、良好な結晶性の維持の点で好ましい。ｐ型不純物としては、特に限定されないが、例えば好ましくはＭｇが挙げられる。
【００２６】
このようなＩＩＩ族窒化物半導体のエピタキシャル層７を基板１上に形成するには、ＭＯＣＶＤ法（有機金属化学気相成長法）、ＨＶＰＥ法（ハイドライド気相成長法）法、ＭＢＥ（分子線エピタキシー法）、スパッタ法などの方法を使用することができる。特に好ましい成長方法として、膜厚制御性、量産性の観点からＭＯＣＶＤ法が挙げられる。
【００２７】
ＩＩＩ族窒化物半導体のＭＯＣＶＤ法による成長の場合、キャリアガスとして水素（Ｈ2）または窒素（Ｎ2）、ＩＩＩ族原料であるＧａ源としてトリメチルガリウム（ＴＭＧ）またはトリエチルガリウム（ＴＥＧ）、Ａｌ源としてトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）またはトリエチルアルミニウム（ＴＥＡ）、Ｉｎ源としてトリメチルインジウム（ＴＭＩ）またはトリエチルインジウム（ＴＥＩ）、Ｖ族原料であるＮ源としてアンモニア（ＮＨ3）、ヒドラジン（Ｎ2Ｈ4）などが用いられる。また、ドーパントとしては、ｎ型にはＳｉ原料としてモノシラン（ＳｉＨ4）またはジシラン（Ｓｉ2Ｈ6）が、Ｇｅ原料として有機ゲルマニウムが用いられ、ｐ型にはＭｇ原料としてはビスシクロペンタジエニルマグネシウム（Ｃｐ2Ｍｇ）またはビスエチルシクロペンタジエニルマグネシウム（（ＥｔＣｐ）2Ｍｇ）が用いられる。
【００２８】
このようにして基板１上にＩＩＩ族窒化物半導体のエピタキシャル層７を形成した後、エピタキシャル層７のｐ型層４上の所定の位置に公知のフォトリソグラフィー技術およびリフトオフ技術を用いて、図１に示すように、透光性正極５を形成する。透光性正極５の材料としては、ＩＴＯ（Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２）、ＡＺｎＯ（ＺｎＯ−Ａｌ２Ｏ３）、ＩＺｎＯ（Ｉｎ２Ｏ３−ＺｎＯ）、ＧＺＯ（ＺｎＯ−ＧｅＯ２）から選ばれる少なくとも一種などが用いられる。また、透光性正極５の構造としては、従来公知の構造を含めて如何なる構造のものも何ら制限なく用いることができる。
【００２９】
続いて、図１に示すように、透光性正極５上の所定の位置に、公知のフォトリソグラフィー技術を用いて正極ボンディングパッド８ａを形成する。正極ボンディングパッド８ａとしては、Ａｕ、Ａｌ、ＮｉおよびＣｕ等を用いた各種構造が周知であり、これら周知の材料、構造を何ら制限無く用いることができる。
【００３０】
図２は、本実施形態の窒化物半導体発光素子の製造方法の一工程を説明するための図であり、図２（ａ）はウェハーの平面図、図２（ｂ）は図２（ａ）に示すウェハーの一部を示した拡大平面図、図２（ｃ）は図２（ｂ）のＡ−Ａ‘断面図である。なお、図２（ａ）においては、図面を見やすくするために、ＬＥＤ素子構造および後述する分離帯域の記載を省略して示している。
次に、図１に示す正極ボンディングパッド８ａまで形成された基板１を構成するエピタキシャル層７を、公知のフォトリソグラフィー技術および反応性イオンエッチング技術によりエッチングして溝部を形成し、図２（ｂ）および図２（ｃ）に示す分離帯域６を形成するとともに、分離帯域６に臨む所定の位置にｎ型層２のｎコンタクト層を半円状に露出させる。
【００３１】
分離帯域６は、ＬＥＤ素子構造１０毎に区画する後述する素子領域１５の境界となる領域を含む位置に形成され、図２（ａ）および図２（ｂ）において矢印αで示される第一方向に平行な方向と、矢印βで示される第一方向αに直交する第二方向とに沿って、所定のピッチｄ１及び幅ｄ２で碁盤目状に形成されている。本実施形態においては、第一方向αは、図２（ａ）において符号ＯＦで示される基板１のオリフラ（１１‐２０）面に垂直な方向とされている。
【００３２】
図２（ｂ）および図２（ｃ）に示す分離帯域６のピッチｄ１は、製造される窒化物半導体発光素子の寸法によって適宜決定され、例えば２００μｍ〜１２００μｍとされる。また、分離帯域６の幅ｄ２は、２００μｍ〜１２００μｍとされる。
【００３３】
その後、露出されたｐ型層４のｎコンタクト層に、図２（ｂ）および図２（ｃ）に示す負極ボンディングパッド８ｂを形成する。負極ボンディングパッド８ｂとしては、Ｔｉ、Ａｕなどを用いた各種組成や構造が周知であり、これら周知の組成や構造を何ら制限無く用いることができ、この技術分野でよく知られた慣用の手段で設けることができる。
【００３４】
このようにして基板１の主面１ａ上に、分離帯域６で分離された複数のＬＥＤ素子構造１０の形成された図２（ａ）〜図２（ｃ）に示すウェハー３０が得られる。次に、このようにして得られたウェハー３０上に、図３に示すように、各々１つのＬＥＤ素子構造１０を有する複数の素子領域１５を区画する。
（区画工程）
図３は、本実施形態の窒化物半導体発光素子の製造方法の一工程を説明するための図であり、図３（ａ）はウェハーの平面図、図３（ｂ）は図３（ａ）に示すウェハーの一部を示した拡大平面図、図３（ｃ）は図３（ｂ）のＢ−Ｂ‘断面図である。なお、図３（ａ）においては、図面を見やすくするために、ＬＥＤ素子構造および分離帯域の記載を省略して示し、図３（ａ）および図３（ｂ）においては、後述する保護膜の記載を省略して示している。
【００３５】
本実施形態の区画工程においては、図３（ａ）〜図３（ｃ）に示すように、ＬＥＤ素子構造１０毎に分離するためのハーフカット溝１３を設けることにより、矩形の素子領域１５を区画する。
本実施形態では、ハーフカット溝１３を形成する前に、図３（ｃ）に示すように、ウェハー３のＬＥＤ素子構造１０側の面に保護膜９を形成することが好ましい。図３（ａ）〜図３（ｃ）に示すハーフカット溝１３を例えばレーザ法で形成した場合、ＬＥＤ素子構造１０および基板１の成分であるＡｌ、Ｏ、Ｓｉなどの汚れがウェハー３０に付着して、ＬＥＤ素子の光取り出し効率を低下させてしまう場合がある。図３（ｃ）に示すように、ハーフカット溝１３の形成後に除去可能な保護膜９を、ハーフカット溝１３を形成する前に形成しておき、ハーフカット溝１３の形成後に汚れと共に除去することで、ハーフカット溝１３の形成に起因するウェハー３０の汚れを防止できる。
【００３６】
保護膜９としては、レジスト、透明樹脂、ガラス、金属膜および絶縁膜など、ハーフカット溝１３の形成後に除去可能な材料からなるものを何ら制限なく用いることができる。例えば、レジストとしてはフォトリソグラフィーで用いられる水溶性のレジストが挙げられる。透明樹脂としてはアクリル樹脂、ポリエステル、ポリイミド、塩ビおよびシリコン樹脂などが挙げられる。金属膜としてはニッケルおよびチタンなどが挙げられ、絶縁膜としては酸化珪素および窒化珪素などが挙げられる。
これらの保護膜９は、塗布法、蒸着法およびスパッタリング法など周知の手段により形成することができる。
【００３７】
保護膜９の厚さは、０．０１μｍ〜５μｍの範囲とすることが好ましく、０．０１μｍ〜１μｍの範囲とすることがより好ましい。保護膜９の厚さが０．０１μｍ未満であると、ハーフカット溝１３の形成時に保護膜９が損傷してＬＥＤ素子構造１０を十分に保護できない恐れがある。また、保護膜９の厚さが５μｍを超えると、ハーフカット溝１３をレーザで形成する場合に保護膜９がレーザを吸収して剥離する恐れがある。
【００３８】
次に、図３（ａ）〜図３（ｃ）に示すように、ウェハー３０上に、矢印αで示される第一方向に平行に並べられた複数の第一割り溝１１と、矢印βで示される第一方向αに直交する第二方向に平行に並べられた複数の第二割り溝１２とからなるハーフカット溝１３を設ける。本実施形態においては、第一方向αは基板１のオリフラ（１１‐２０）面に垂直な方向とされている。
【００３９】
ハーフカット溝１３は、図３（ｂ）および図３（ｃ）に示すように、所定のピッチｄ３及び幅ｄ４で碁盤目状に形成されている。ハーフカット溝１３のピッチｄ３は、分離帯域６のピッチｄ１と同じとされ、製造される窒化物半導体発光素子の寸法によって適宜決定される。
また、図３（ｃ）に示すハーフカット溝１３の深さｈは、６μｍ〜５０μｍとすることが好ましく、１０μｍ〜４０μｍとすることがより好ましく、２０μｍ〜３０μｍとすることが特に好ましい。ハーフカット溝１３の深さｈが１０μｍ以上であると、分割後に得られる化合物半導体素子の形状を精度良く制御できる。また、ハーフカット溝１３の深さｈが６μｍ未満であると、ウェハー３０を各ＬＥＤ素子構造１０毎に分割する際に断面が斜めになり、分割後に得られる化合物半導体素子の形状が不揃いになる原因となる。
また、図３（ｃ）に示すハーフカット溝１３の幅ｄ４は、ハーフカット溝１３の深さｈを所定の深さとするために、３〜５０μｍとされることが好ましい。
【００４０】
また、ハーフカット溝１３の断面形状は、矩形、Ｕ字状およびＶ字状等どのような形状でもよいが、好ましくはＶ字状またはＵ字状にすると良い。中でも、図３（ｃ）に示すように、ハーフカット溝１３の断面形状をＶ字状とすることが特に好ましい。ハーフカット溝１３の断面形状をＶ字状にした場合、ウェハー３０を各ＬＥＤ素子構造１０毎に分割する際に、Ｖ字状のハーフカット溝１３の底部付近からクラックが発生しやすくなるので、分割後に得られる化合物半導体素子の形状が揃い、不良率が低下する。
【００４１】
ハーフカット溝１３は、レーザー照射を用いるレーザースクライブを用いて形成するのが好ましい。レーザースクライブでは、ハーフカット溝１３を所望の深さまで容易に形成することができる。また、ハーフカット溝１３をレーザースクライブによって形成する場合、ビーム径および焦点位置等のレーザー光学系の制御によりハーフカット溝１３の断面形状を容易にコントロールできる。また、レーザースクライブを用いる場合、エッチング法を用いる場合と比較して、迅速にハーフカット溝１３を形成できる。さらに、レーザースクライブは、通常のスクライブ法やダイシング法に比べて、ブレードやダイヤモンド針の消耗および劣化による加工精度のバラツキがないし、刃先の交換などに発生するコストを低減することもできる。また、レーザースクライブで形成したハーフカット溝１３の側面を微分干渉系光学顕微鏡で観察すると、側面に凹凸が形成されていることが分かる。このハーフカット溝１３の側面の凹凸により、分割後に得られる化合物半導体素子の光の取り出し効率を向上させることができる。さらに、レーザースクライブでハーフカット溝１３を形成した場合、ハーフカット溝１３の交点、即ち、分割後の化合物半導体素子の角部においてハーフカット溝１３の深さｈが深くなるので、ウェハー３０の分割が確実で高精度となる。
【００４２】
レーザースクライブに用いることができるレーザー加工機としては、ＣＯ2レーザー、ＹＡＧレーザー、エキシマ・レーザーおよびパルスレーザーなどが挙げられる。中でもパルスレーザーを用いることが好ましい。
【００４３】
レーザーの波長としては、３５５ｎｍ、２６６ｎｍなどを用いることができ、さらに短い波長でもよい。周波数は１〜１０００００Ｈｚが好ましく、３００００〜７００００Ｈｚがさらに好ましい。出力はハーフカット溝１３の幅ｄ４および深さｈによって異なるが、所望のハーフカット溝１３を得るのに必要な最小限の出力であることが好ましい。余分なレーザー出力は、基板１やＬＥＤ素子構造１０に熱損傷を与えるので、通常２Ｗ以下が好ましく、１Ｗ以下がさらに好ましい。
【００４４】
また、レーザー加工機によって照射されるレーザーは、レンズなどの光学系によって所望の位置に焦点位置を調整させることができる。焦点はエピタキシャル層７の近傍、特にエピタキシャル層７の表面に合わせることが好ましい。
【００４５】
ハーフカット溝１３の形成が完了した後、ハーフカット溝１３を形成する前に形成しておいた保護膜９を、ハーフカット溝１３の形成に伴ってウェハー３０に付着した汚れと共に除去する。
【００４６】
次に、ウェハー３０を構成する基板１の主面１ａと反対側の面を研磨して、基板１の厚みを４０μｍ〜２５０μｍ、好ましくは５０μｍ〜１５０μｍ、より好ましくは６０μｍ〜９０μｍとすることが好ましい。基板１の厚みが２５０μｍを超えると、サファイアなどからなる非常に硬い基板１を精度良く分割することが困難となる。また、基板１の厚みが８０μｍ未満であると、基板１とエピタキシャル層７との間の格子定数や熱膨張率の違いに起因する反りが顕著となり、基板１を精度良く分割することが困難となる。基板１の厚さを上記範囲とすることで、ウェハー３０の分割が容易になり、効率よく綺麗にウェハー３０を分割することが出来る。
【００４７】
なお、基板１の厚みを薄くするための研磨は、後述する分割工程を行なう前に行なえばよく、ウェハー３０にハーフカット溝１３を形成する前に行なってもよいし、ウェハー３０にハーフカット溝１３を形成した後に行なってもよい。
しかし、例えば、エピタキシャル層７の厚さが５μｍ以上である場合、ハーフカット溝１３を形成した後に基板１の厚みを薄くするための研磨を行なった方が良い。基板１を薄くしたときのウェーハ３０の反りは、エピタキシャル層７の膜厚が厚くなるほど大きくなる。ウェハー３０の反りが大きくなると、ハーフカット溝１３の形成に支障を来たす場合がある。このため、エピタキシャル層７の厚さが５μｍ以上と厚い場合には、ハーフカット溝１３を形成してから基板１を薄くするための研磨を行うことが好ましい。
【００４８】
続いて、ウェハー３０を構成する基板１の主面１ａと反対側の面を鏡面に研磨する。ウェハー３０は、通常、エピタキシャル層７側の面が凸面となって反っている。このウェハー３０の反りは、基板１の主面１ａと反対側の面の粗さを制御することで調整可能である。すなわち、基板１の面粗さＲａ（算術平均粗さ）を大きくするほど、ウェハー３０は平坦となる。Ｒａは０．００１μｍ以上が好ましく、０．０１μｍ以上がさらに好ましい。但し、Ｒａを大きくし過ぎると、エピタキシャル層７側が逆に凹面となって反るので、Ｒａは２μｍ以下であることが好ましく、０．３μｍ以下であることがさらに好ましい。
【００４９】
なお、本実施形態において説明したように、ウェハー３０のＬＥＤ素子構造１０の形成された側にハーフカット溝１３を設けることができるが、ウェハー３０の基板１側にハーフカット溝を形成してもよい。また、ハーフカット溝１３は、ＬＥＤ素子構造１０の形成された側と基板１側の両側に形成してもよい。しかし、ハーフカット溝１３を形成した後に基板１の主面１ａと反対側の面を研磨する場合は、ＬＥＤ素子構造１０の形成された側にハーフカット溝１３を形成することが好ましい。また、ウェハー３０の基板１側にハーフカット溝を形成する場合には、ハーフカット溝を形成する前に保護膜９をウェハー３０の基板１側に形成しておくことが好ましい。
また、本実施形態では、区画工程をハーフカット溝１３を設ける工程としたが、区画工程は、ハーフカット溝１３を設けずに、素子部毎に位置決めする工程であってもよい。
【００５０】
次に、図３（ａ）に示すウェハー３０を各素子領域１５に分割することにより、ＬＥＤ素子構造１０毎に分割してＩＩＩ族窒化物半導体発光素子とする。
（分割工程）
本実施形態においては、分割工程を行なう前に、分割後に得られる化合物半導体素子がバラバラにならないように、ウェハーのＬＥＤ素子領域側の表面にシートを貼りつける。そして、分割工程では、まず、図４（ａ）に示すように、第一方向αに平行に並べられた第一割り溝１１に沿ってウェハー３０を分割して、第一短冊ウェハー１７とする（第１分割工程）。
ここで、ウェハー３０を分割するには、例えば、ナイフ状刃物２０を用いることができる。ナイフ状刃物２０としては、図４（ｂ）に示すように、Ｚｒなどからなり、四角柱の側面の一辺が山状に隆起してなる線状の刃を有するものなどが用いられる。このようなナイフ状刃物２０の刃を、図４（ｃ）に示すように、ウェハー３０の基板１側における第一割り溝１１と対向する位置にカメラなどを用いて位置合わせして、ウェハー３０の基板１側から第一割り溝１１に沿って当接させ、ナイフ状刃物２０を基板１に押し当てて、第一割り溝１１からクラックを生じさせることによってウェハー３０を分割することができる。
【００５１】
ナイフ状刃物２０をウェハー３０に押し込む深さは、１０μｍ〜１５０μｍとするのが好ましく、１０μｍ〜４０μｍとするのがより好ましい。ナイフ状刃物２０をウェハー３０に押し込む深さが、１０μｍ未満であると、未分割となる場合がある。また、ナイフ状刃物２０をウェハー３０に押し込む深さが、１５０μｍを超えると、ハーフカット溝１３に歪みが生じて、分割された素子の配列が不良となったり、亀裂が生じたりする場合がある。また、ナイフ状刃物２０をウェハー３０に押し込む深さが、１５０μｍを超えると、分割工程前にウェハーのＬＥＤ素子領域側の表面に貼りつけられたシートまで切断されてしまい、分割後に得られる化合物半導体素子がバラバラになってしまう場合がある。
【００５２】
第一短冊ウェハー１７は、ＬＥＤ素子構造１０が第一方向αに少なくとも２列（図４（ａ）においては３列）配列されてなるものであり、ＬＥＤ素子構造１０が第一方向αに２列〜５配列されてなるものであることが好ましい。
第一短冊ウェハー１７に存在するＬＥＤ素子構造１０が第一方向αに２列未満であると、第二方向βの寸法の短い幅の狭いものとなり、第一方向αの基板１の歪みが大きいものとなる。図４（ｃ）は、ウェハー３０の第一方向αの断面図である。図４（ｃ）に示すように、ＬＥＤ素子構造１０を形成してハーフカット溝１３を設け、研磨により基板１を所定の厚みとしたウェハー３０は、外径が２インチのものでは、符号Ｄで示すように３０μｍ〜４０μｍ程度反っている。図４（ｃ）に示す状態では、ウェハー３０の反りは、ウェハー３０が分割できないほど顕著ではない。これは、ウェハー３０の歪みが、一方向に集中せず、円形のウェハー３０上でつながっている全ての素子領域１５によって全方向に分散されているためである。しかし、ウェハー３０の反りは、第１分割工程において、図４（ａ）に示すように、第一方向αにウェハー３０を分割すると、第一方向αの基板の歪みが増大するため、顕著となる。例えば、第一短冊ウェハー１７に存在するＬＥＤ素子構造１０を第一方向αに１列にすると、第一方向の基板の歪みが大きくなり、第二方向βの分割に支障をきたす。
【００５３】
また、第一短冊ウェハー１７に存在するＬＥＤ素子構造１０が第一方向αに５列を超えた場合、第一短冊ウェハー１７の反りを緩和させる効果に変化は無い。しかし、第一短冊ウェハー１７に存在するＬＥＤ素子構造１０が第一方向αに５列を超えると、後述する第二短冊ウェハーの歪みが大きくなるため好ましくない。
【００５４】
また、第１分割工程では、第一割り溝１１の長さの短いところから順に、ウェハー３０を分割することが好ましい。第一割り溝１１の長さの短いところから順にウェハー３０を分割することで、第１分割工程においてウェハー３０に割れが生じるのを効果的に防止できる。
【００５５】
次に、第１分割工程と同様に、図４（ｂ）に示すナイフ状刃物２０をカメラを用いて位置合わせし、第一短冊ウェハー１７の基板１側から第二割り溝１２に沿って当接させ、ナイフ状刃物２０を基板１に押し当てる。このことによって、第二割り溝１２からクラックを生じさせて、図５（ａ）に示すように、第二割り溝１２に沿って第一短冊ウェハー１７を分割し、ＬＥＤ素子構造１０が第二方向βに一列配列されてなる第二短冊ウェハー１８とする（第２分割工程）。
【００５６】
その後、第１分割工程と同様に、図４（ｂ）に示すナイフ状刃物２０をカメラを用いて位置合わせし、第二短冊ウェハー１８の基板１側から第一割り溝１１に沿って当接させ、ナイフ状刃物２０を基板１に押し当てる。このことによって、第一割り溝１１からクラックを生じさせて、図５（ｂ）に示すように、第一割り溝１１に沿って第二短冊ウェハー１８を分割して各素子領域１５とし、ＬＥＤ素子構造１０を備えたＩＩＩ族窒化物半導体発光素子を形成する（第３分割工程）。
【００５７】
本実施形態の化合物半導体素子の製造方法は、分割工程が、第一方向αに沿ってウェハー３０を分割して、ＬＥＤ素子構造１０が第一方向αに少なくとも２列配列されてなる第一短冊ウェハー１７とする第１分割工程と、第一方向αに直交する第二方向βに沿って第一短冊ウェハー１７を分割して、ＬＥＤ素子構造１０が第二方向βに一列配列されてなる第二短冊ウェハー１８とする第２分割工程と、第二短冊ウェハー１８をＬＥＤ素子構造１０毎に分割して、ＬＥＤ素子構造１０を備えたＩＩＩ族窒化物半導体発光素子を形成する第３分割工程とを備えるので、反りの少ない状態でウェハー３０を分割することができ、ウェハー３０を精度良く分割できる。よって、基板１としてサファイア基板を用い、サファイア基板上にサファイア基板との格子定数の違いの大きいＩＩＩ族窒化物半導体のエピタキシャル層７を形成した場合であっても、形状の揃った化合物半導体素子を歩留まりよく製造できる。
【実施例】
【００５８】
次に、本発明を、実施例および比較例を示してより詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例にのみ限定されるものではない。
（実施例１）
化合物半導体素子として、窒化ガリウム系化合物半導体を備えたＬＥＤ素子構造を有するＩＩＩ族窒化物半導体発光素子を以下に示すようにして作製した。まず、基板の主面上に、複数のＬＥＤ素子構造を形成してウェハーを作成した。
【００５９】
（素子形成工程）
外径２５０μｍのＣ面サファイア基板の主面上に、ＡｌＮからなるバッファ層を介してアンドープＧａＮからなる厚さ４μｍの下地層、Ｓｉドープ（濃度１×１０19／ｃｍ3）ＧａＮからなる厚さ２μｍのｎコンタクト層、Ｓｉドープ（濃度１×１０18／ｃｍ3）Ｉｎ0.1Ｇａ0.9Ｎからなる厚さ１２．５ｎｍのｎクラッド層、ＧａＮからなる厚さ１６ｎｍの障壁層とＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎからなる厚さ２．５ｎｍの井戸層を交互に５回積層させた後、最後に障壁層を設けた多重量子井戸構造の発光層、Ｍｇドープ（濃度１×１０20／ｃｍ3）Ａｌ0.07Ｇａ0.93Ｎからなる厚さ２．５ｎｍのｐクラッド層およびＭｇドープ（濃度８×１０19／ｃｍ3）ＧａＮからなる厚さ０．１５μｍのｐコンタクト層を順次積層してなる厚み９μｍのＩＩＩ族窒化物半導体からなるエピタキシャル層を形成した。
【００６０】
次に、エピタキシャル層のｐコンタクト層上の所定の位置に公知のフォトリソグラフィー技術およびリフトオフ技術を用いて、ｐコンタクト層側から順にＡｕおよびＮｉＯを積層した構造を持つ透光性正極を形成した。続いて、公知のフォトリソグラフィー技術を用い、半導体側からＴｉ／Ａｌ／Ｔｉ／Ａｕ層構造よりなる正極ボンディングパッドを形成した。
【００６１】
上記の方法により作製した透光性正極の波長４７０ｎｍの光における透過率は６０％であった。なお、透過率は、上記と同じ透光性正極を透過率測定用の大きさに形成したもので測定した。
【００６２】
次に、正極ボンディングパッドまで形成された基板を構成するエピタキシャル層を、公知のフォトリソグラフィー技術および反応性イオンエッチング技術によりエッチングしてピッチ３５０μｍ、幅２０μｍ、深さ１μｍの溝部からなる分離帯域を形成するとともに、分離帯域に臨む所定の位置にｎコンタクト層を半円状に露出させた。その後、露出させたｎコンタクト層にＴｉ／Ａｕ二層構造の負極ボンディングパッドを当業者周知の方法で形成した。このようにして基板上に、分離帯域で分離された複数のＬＥＤ素子構造を有する発光素子用のウェハーを得た。
【００６３】
次に、このようにして得られたウェハー上に、各々１つのＬＥＤ素子構造を有する複数の素子領域を区画した。
（区画工程）
まず、ウェハーのＬＥＤ素子構造側の表面全体に、水溶性のレジストをスピンコーターで均一に塗布し、乾燥させて、厚さ０．２μｍの保護膜９を形成した。次に、ウェハーの基板側にＵＶテープを貼りつけ、レジストの洗浄を行ない、ＵＶテープを剥がした。
【００６４】
その後、ウェハーをパルスレーザー加工機のステージ上に真空チャックで固定した。ステージはＸ軸（左右）およびＹ軸（前後）方向に移動することができ、回転可能な構造となっているものを用いた。ウェハーを固定した後、レーザーの焦点が溝部のエピタキシャル層表面に結ばれるようにレーザー光学系を調整し、サファイア基板のオリフラ（１１‐２０）面に垂直な方向（第一方向）にピッチ３５０μｍ、幅５μｍ、基板表面からの深さ２０μｍ、断面形状Ｖ字状の第一割り溝を溝部の底面に形成した。レーザーの波長は２６６ｎｍ、周波数は５０ｋＨｚ、出力は１．６Ｗであった。この条件下で、加工スピード７０ｍｍ／秒で良好な第一割り溝が形成できた。さらに、ステージを９０°回転させ、第一方向に直交する第二方向に同様にして第二割り溝を形成し、第一割り溝および第二割り溝からなるハーフカット溝を形成した。ハーフカット溝の形成後、真空チャックを解放し、ウェハーをステージから剥ぎ取った。
【００６５】
次に、ウェハーを洗浄機のステージに設置し、ウェハーを回転させつつ、ＬＥＤ素子構造側の表面にシャワー水を流すことによって、ハーフカット溝を形成する前に形成しておいた保護膜を除去した。その後、高回転数で回転させてシャワー水を吹き飛ばして乾燥させた。
次に、ウェハーのサファイア基板側をラッピングおよびポリッシングすることで、エピタキシャル層の厚みと基板の厚みとを合わせた総厚が８０μｍとなるようにサファイア基板を薄板化した。基板背面のＲａは０．００５μｍであった。
【００６６】
得られたウェハーのＬＥＤ素子構造側の表面には、目視検査で汚れは全く観察されなかった。次に、ウェハーを各素子領域に分割することにより、ＬＥＤ素子構造毎に分割してＩＩＩ族窒化物半導体発光素子とした。
（分割工程）
分割工程を行なう前に、ウェハーのＬＥＤ素子領域側の表面にシートを貼りつけた。その後、第一割り溝の長さの短いところから順に、第一割り溝に沿ってウェハーを分割して、ＬＥＤ素子構造が第一方向αに２列配列されてなる第一短冊ウェハーを得た（第１分割工程）。ウェハーの分割は、Ｚｒからなるナイフ状刃物をウェハーの基板側から第一割り溝に沿って当接させ、ナイフ状刃物を基板に押し当てて、ナイフ状刃物をウェハーに４０μｍの深さで押し込み、第一割り溝からクラックを生じさせて行なった。
【００６７】
次に、Ｚｒからなるナイフ状刃物を第一短冊ウェハーの基板側から第二割り溝に沿って当接させ、ナイフ状刃物を基板に押し当てて、ナイフ状刃物をウェハーに４０μｍの深さで押し込み、第二割り溝からクラックを生じさせた。このことによって、第二割り溝に沿って第一短冊ウェハーを分割して、ＬＥＤ素子構造が第二方向βに一列配列されてなる第二短冊ウェハーを得た（第２分割工程）。
その後、Ｚｒからなるナイフ状刃物を第二短冊ウェハーの基板側から第一割り溝に沿って当接させ、ナイフ状刃物を基板に押し当てて、ナイフ状刃物をウェハーに４０μｍの深さで押し込み、第一割り溝からクラックを生じさせた。このことによって、第一割り溝に沿って第二短冊ウェハーを分割し、各素子領域とし、ＬＥＤ素子構造を備えた３５０μｍ角のチップ（ＩＩＩ族窒化物半導体発光素子）を得た（第３分割工程）。
実施例１において得られたチップは、ベアチップマウントした状態の積分球測定において、電流２０ｍＡで５．１ｍＷの発光出力を示した。
【００６８】
（実施例２〜実施例５、比較例１）
第１分割工程において、第一方向αに表１に示す数のＬＥＤ素子構造の列が配列されてなる第一短冊ウェハーを形成したことと、ナイフ状刃物をウェハーに押し込む深さを表１に示す深さとしたこと以外は、実施例１と同様にして、実施例２〜実施例５、比較例１のチップを得た。
【００６９】
【表１】
2008198845.tif 000003
【００７０】
実施例１〜実施例５、比較例１において、得られたチップの中から外形不良の無いものを取り出して、歩留まりを調べた。その結果を表１に示す。
表１より、第一短冊ウェハーに存在するＬＥＤ素子構造を第一方向αに１列にした比較例１のチップでは、実施例１〜実施例５のチップと比較して歩留まりが悪かった。
また、第一短冊ウェハーに存在するＬＥＤ素子構造が第一方向αに６列配置された実施例５のチップは、第一短冊ウェハーに存在するＬＥＤ素子構造が第一方向αに５列配置された実施例４のチップよりも歩留まりが低くなっており、第一短冊ウェハーに存在するＬＥＤ素子構造が第一方向αに５列を超えると、第二短冊ウェハーの歪みが大きくなるため、歩留まりが低下したものと推定される。
また、ＬＥＤ素子構造の配列数が２〜５列の範囲である実施例１〜実施例４では、ＬＥＤ素子構造の列が多くなるのに伴って歩留まりが上昇するという結果となった。
【００７１】
（実施例６）
実施例１と同様にして得られたウェハー上に、実施例１と同様にして区画工程を行なった。その後、分割工程を行なった。
このとき生じた亀裂の状況を図６に示す。図６は、ウェハー上に発生した亀裂を示した写真である。
【００７２】
（比較例２）
実施例１と同様にして得られたウェハー上に実施例１と同様にして区画工程を行なった。その後、第一短冊ウェハーをＬＥＤ素子構造が第一方向αに１列配列されたものとしたこと以外は、実施例６と同様にして分割工程を行なった。
このとき生じた亀裂の状況を図７に示す。図７は、ウェハー上に発生した亀裂を示した写真である。
【００７３】
図６および図７より、実施例６では、第一短冊ウェハーをＬＥＤ素子構造が第一方向αに２列配列されてなるものとしたので、歪が緩和されて、比較例２と比較して亀裂が短くなることが確認できた。
【産業上の利用可能性】
【００７４】
本発明の製造方法によれば、化合物半導体素子を歩留まりよく製造できるため化合物半導体素子の製造における産業上の利用価値は極めて大きい。
【図面の簡単な説明】
【００７５】
【図１】図１は、本実施形態の窒化物半導体発光素子の製造方法の一工程を説明するための概略断面図である。
【図２】図２は、本実施形態の窒化物半導体発光素子の製造方法の一工程を説明するための図である。
【図３】図３は、本実施形態の窒化物半導体発光素子の製造方法の一工程を説明するための図である。
【図４】図４は、本実施形態の窒化物半導体発光素子の製造方法の一工程を説明するための図である。
【図５】図５は、本実施形態の窒化物半導体発光素子の製造方法の一工程を説明するための図である。
【図６】ウェハー上に発生した亀裂を示した写真である。
【図７】ウェハー上に発生した亀裂を示した写真である。
【符号の説明】
【００７６】
１…基板、１ａ…主面、２…ｎ型層、３…発光層、４…ｐ型層、５…透光性正極、６…分離帯域、７…エピタキシャル層、８ａ…正極ボンディングパッド、８ｂ…負極ボンディングパッド、９…保護膜、１０…ＬＥＤ素子構造（素子部）、１１…第一割り溝、１２…第二割り溝、１３…ハーフカット溝、１５…素子領域、１７…第一短冊ウェハー、１８…二短冊ウェハー、２０…ナイフ状刃物、３０…ウェハー。
【図１】
2008198845.tif 000004
【図２】
2008198845.tif 000005
【図３】
2008198845.tif 000006
【図４】
2008198845.tif 000007
【図５】
2008198845.tif 000008
【図６】
2008198845.tif 000009
【図７】
2008198845.tif 000010