(57)【要約】【課題】  異種金属を、高い信頼性で接合することを容易にする構造を持つ放熱部品およびそれを用いた放熱構造体を提供する。【解決手段】  金属製の熱伝導板１と、フィン３ａと熱伝導板の金属と異なる金属の基部３ｂとで構成される基部付フィン３とを備え、熱伝導板と基部とは接合され、熱伝導板１および基部３ｂの接合側の面の少なくとも一方に、相手方の位置を規制する位置規制機構である枠体６が設けられていることを特徴とする。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属製の熱伝導板と、
フィンと前記熱伝導板の金属と異なる金属の基部とで構成される基部付フィンとを備え、
前記熱伝導板と前記基部とは接合され、
前記熱伝導板および基部の接合側の面の少なくとも一方に、相手方の位置を規制する位置規制機構が設けられていることを特徴とする、放熱部品。
【請求項２】
前記位置規制機構が、前記相手方を取り囲む枠体であることを特徴とする、請求項１に記載の放熱部品。
【請求項３】
前記位置規制機構が、前記相手方を嵌め入れる凹部であるであることを特徴とする、請求項１に記載の放熱部品。
【請求項４】
前記位置規制機構が、前記基部と前記熱伝導板とを互いに係止するように、一方に設けられた凸部と、それに適合するように他方に設けられた凹部であることを特徴とする、請求項１に記載の放熱部品。
【請求項５】
前記熱伝導板および基部の接合側の面の少なくとも一方に、当該面の端側へと通じる開通路となる溝が形成されていることを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の放熱部品。
【請求項６】
前記熱伝導板および基部の接合側の面の少なくとも一方に、所定の地点を頂上として端側へと低くなるような丘が形成されていることを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の放熱部品。
【請求項７】
前記熱伝導板と基部との接合に鉛フリーのはんだが用いられていることを特徴とする、請求項１〜６のいずれかに記載の放熱部品。
【請求項８】
発熱体との間に、熱伝導性絶縁層、ヒートスプレッダおよび配線材の少なくとも１つを介在させて、前記請求項１〜７のいずれかに記載の放熱部品の熱伝導板が前記介在された物の底部に接続されていることを特徴とする、放熱構造体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放熱部品および放熱構造体に関し、より具体的には、各種の発熱体の温度上昇を抑えるための放熱部品および放熱構造体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
高速のデータ処理演算装置、通信装置、自動車等には多くの半導体デバイスが用いられており、これらの半導体デバイスからは損失電力に起因する多くの熱が発生する。これら装置では、装置の大容量化、小型化、処理の高速化などに伴い、半導体デバイスから発生する熱問題が深刻化している。十分な放熱をしない場合には、半導体デバイスの温度が上昇し、正常な動作を遂行することができなくなるので、半導体デバイスには放熱フィンを設けた放熱部品を接続する方策がとられてきた。上記放熱部品の配設は、半導体デバイスの温度上昇を抑制する上では有効に機能するが、放熱経路に大きな熱勾配が生じるため、放熱経路に剥離、反りなどの熱変形が発生し、大きな問題となっている。
【０００３】
上記半導体デバイスの放熱経路おける熱応力に対しては、多くの取り組みがなされてきた。たとえば、半導体素子に近似した熱膨張係数をもち、熱伝導性にも優れたＷ、Ｍｏ等の粒子にＣｕまたはＡｇのめっき層を形成した複合粒子を成形し焼結した後、断面減少率５０％以上の圧延を行うという放熱部材製造方法の提案がなされた（特許文献１）。この方法によれば、上記焼結圧延された単一の部材は、強度・靭性および熱伝導性に優れ、ならびに異種金属の組み合わせにより熱膨張係数が半導体素子に近似するために、放熱経路における熱応力を抑制することができる。
【０００４】
近年、ハイブリッドカーや電気自動車などの実用化に伴い、大容量のＩＧＢＴ(Insulated Gate Bipolar Transistor)やＭＯＳＦＥＴ  (  Metal  Oxide Semiconductor Field  Effect Transistor)が用いられ、上記の熱応力の課題解決は、熱量の増大に加えて小サイズ化の制約が課せられ、さらにハードルが高くなっている。このような課題に対して、セラミックス基板と、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｗなどの３層構造の放熱板とを用いたセラミックス回路基板の提案がなされている（特許文献２）。このセラミックス回路基板には、Ｍｏ、Ｗなどの半導体素子に近い熱膨張係数をもつ金属と、熱伝導性に優れたＣｕとを組み合わせた３層構造の放熱板を用いるので、熱応力を抑制し、かつ熱伝導性を確保して放熱性を高めることができる。特許文献１および２は、半導体素子の放熱経路の熱応力に対処するのに、異種金属を組み合わせることが有効であることを示している。すなわち、発熱体を構成する素材と放熱フィンの熱膨張率のミスマッチを緩和するために、異なる金属で放熱経路を形成することが有効な方策として認められるにいたっている。
【０００５】
上記の異種金属層の組み合わせによる発熱体と放熱フィンの熱膨張率のミスマッチの緩和のために、異種金属同士の接合が必要になる。とくにアルミニウム層と銅層とは、ともに熱伝導性に優れるため、放熱経路の構成の多くの場面で両金属層の接合が必要とされる。一般には、銅とアルミニウムとの接合は、銅とアルミニウムを各々、表面にめっき層を形成した後、はんだ付けして接合する方法（めっき形成はんだ付け法）による。また、とくにめっき処理を省略して、高い接合強度を得るために、銅とアルミニウムとの間に銀層をインサートしてろう付けする方法（銀インサートろう付け法）が提案されている（特許文献３）。この方法によれば、めっき処理をしないで信頼性の高いアルミニウム／銅の接合を得ることができる。
【０００６】
上記の放熱経路の熱応力の問題とは別に、放熱部品の製造の容易化、とくに多数の放熱部（フィン）を形成する際の煩雑さを簡単化するための構造の提案がなされてきた。たとえば、ベース金属板に溝を設け、その溝に金属板に溝加工して形成したフィン（一列フィン）を順次挿し込んで組み立てる構造が提案されている（特許文献４）。また、上下のカバープレートによって並行する多数の薄板状のプレートフィンを挟んで係止する構造が提案された（特許文献５）。上記特許文献４〜５に開示の構造によれば、放熱部品の構成を簡単化して製造を容易化することが可能である。
【特許文献１】特開平５−２４３４３６号公報
【特許文献２】特開２００６−１００６４０号公報
【特許文献３】特開２００５−５２８８５号公報
【特許文献４】特開平６−２７５７４７号公報
【特許文献５】特開２００１−１２７４７３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１および２に開示の方法は、放熱経路を異種材料の組み合わせで形成することで、発熱体とフィンの熱膨張率のミスマッチを緩和することはできるが、異種金属を接合することに関しては、有効な方法は提案されていない。また、特許文献４および５に開示の放熱部品では、フィンおよびそのフィンが取り付けられるベース部材（基部）の金属を、異なる種類の金属で形成することは可能である。これらの方法では、ともにめっき処理したフィンおよびベース部材同士を機械的に止め、上述のろう付け処理を施せばよいからである。また特許文献３に開示の方法は、銅とアルミニウムとの接合を可能にするが、この方法は、比較的、高温域のろう材を用いるため、銅とアルミニウムの熱膨張率の相違により、反りが発生しやすい。反りを防ぐために、融点の低いろう材やはんだ材を用いると、異種金属で組み上げた放熱部品を、半導体デバイスの放熱経路とする際、半導体デバイスの実装のはんだ材等とほとんど同じ温度での接合となり、半導体デバイス実装時のリフロー炉内において、上記フィン付放熱部品の接合部が緩む可能性がある。
【０００８】
近年のハイブリッドカーのパワーモジュールのような、チップを多数配列した装置は、不可避的に大面積となり、放熱は、この大面積の装置をひとくくりにして、１つの大面積の放熱経路で対処するのが熱効率の点から好ましい。このような放熱に用いる放熱部品は、フィンが立つベース部分と、他の異種金属とを接合して、複合化された大面積の放熱部品または放熱フィンとすることができれば、熱応力の緩和を得ながら放熱を促進することができる。しかしながら、上述のように、現在、断面積の大小によらず、銅とアルミニウムを、高い信頼性で、かつ反りが問題にならない程の低い融点のはんだ材等を用いて接合する方法は存在しない。
【０００９】
本発明は、異種金属を、高い信頼性で接合することを容易にする構造を持つ放熱部品およびそれを用いた放熱構造体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の放熱部品は、金属製の熱伝導板と、フィンと熱伝導板の金属と異なる金属の基部とで構成される基部付フィンとを備え、熱伝導板と基部とは接合される。そして、熱伝導板および基部の接合側の面の少なくとも一方に、相手方の位置を規制する位置規制機構が設けられていることを特徴とする。
【００１１】
上記により、異種金属を組み合わせた放熱部品を、上記の接合によって簡単に製作することができ、発熱体と放熱部品の熱膨張率のミスマッチを緩和するのに貢献することができる。上記の放熱部品は、なかでもパワーモジュール等の大面積の放熱部品の異種金属同士の接合を、接合面に設けた位置規制機構という簡単な機構により、容易に行うことができる。また、放熱経路上に半導体デバイスを実装する際に、リフロー温度に加熱されて上記の接合材料が緩むことがあっても、接合が外れたり逸脱することはなく、正常な位置関係を保って、最終的に問題のない位置関係を確保することができる。
【００１２】
上記の位置規制機構を、相手方を取り囲む枠体とすることができる。これによって、互いの動きを規制して、接合を容易化し、また熱伝導板と基部付フィンとの上記の位置関係が、正常な状態から逸脱することが防止される。
【００１３】
上記の位置規制機構を、相手方を嵌め入れる凹部とすることができる。これによって、相互の動きを規制することにより接合を容易にして、また熱伝導板と基部付フィンとの上記の位置関係が、正常な状態から逸脱することが防止される。
【００１４】
上記の位置規制機構として、基部と熱伝導板とを互いに係止するように、一方に設けられた凸部と、それに適合するように他方に設けられた凹部とすることができる。これによって、熱伝導板の動きを規制することにより接合を容易にして、また熱伝導板と基部付フィンとの上記の位置関係が、正常な状態から逸脱することが防止される。
【００１５】
上記の熱伝導板および基部の接合側の面の少なくとも一方に、当該面の端側へと通じる開通路となる溝を形成することができる。これによって、異種の金属層を接合するためのはんだやろう等に付随する気泡を、上記の面の端側へと追い出すことができる。この結果、ボイド等の欠陥のない高い信頼性の異種金属接合部を溝という簡単な機構で実現することができる。
【００１６】
上記の熱伝導板および基部の接合側の面の少なくとも一方に、所定の地点を頂上として端側へと低くなるような丘を形成することができる。これによって、異種の金属層を接合するためのはんだやろう等に付随する気泡を、上記の面の端側へと追い出すことができる。この結果、ボイド等の欠陥のない高い信頼性の異種金属接合部を溝という簡単な機構で実現することができる。
【００１７】
上記の熱伝導板と基部との接合に、鉛フリーのはんだを用いることができる。これによって、鉛害を防止することができる。
【００１８】
本発明の放熱構造体は、発熱体との間に、熱伝導性絶縁層、ヒートスプレッダおよび配線材の少なくとも１つを介在させて、上記のいずれかの放熱部品の熱伝導板が介在された物の底部に接続された構成とすることを特徴とする。
【００１９】
この構成によれば、放熱性を確保して発熱体とフィンとの熱膨張率のミスマッチを緩和する上で、製造が容易なこの放熱部品を用いて、他の部分の材料選択の余地を大きくすることができる。
【発明の効果】
【００２０】
本発明の放熱部品および放熱構造体によれば、基部と熱伝導板の異種金属間の接合を容易に行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１における放熱部品の断面図である。この放熱部品１０では、金属製の熱伝導板１と、フィン３ａおよび基部３ｂからなる一体物の基部付フィン３とが、低融点金属５により接合されている。相手方の位置を規制する位置規制機構として、基部３ｂに固定された枠体６を設けて、熱伝導板１の動きを抑えている。図２に示す枠体６の高さｈは、１ｍｍ未満とするのがよく、たとえば０．５ｍｍとするのがよい。
【００２２】
熱伝導板１は銅とするのがよく、また一体物のフィン３ａおよび基部３ｂからなる基部付フィン３は、加工性に優れたアルミニウムで形成するのがよい。アルミニウムをたとえばダイキャスト法で製造するが、その際に、枠体６と一体成形で形成するのがよい。ダイキャスト法の場合は雌型に対して、枠体６が形成される型を形成する。
【００２３】
上記により、異種金属を組み合わせた放熱部品を、上記の接合によって簡単に製作することができ、発熱体と放熱部品の熱膨張率のミスマッチを緩和するのに貢献することができる。上記の放熱部品は、なかでもパワーモジュール等の大面積の放熱部品の異種金属同士の接合を、接合面に設けた位置規制機構という簡単な機構により、容易に行うことができる。図１に示す構造の放熱部品１０は、さらに次のような作用を有する。
【００２４】
図３は、図１に示す放熱部品１０を組み込んだ放熱構造体５０を示す図である。図３において、半導体デバイス３０ははんだ層２７により配線材３７に接続され、配線材３７は絶縁性接続層３８により放熱部品１０に接続されている。配線材３７は、通常、銅板または（銅板＋めっき）によって形成される。本実施の形態において、上述の位置規制機構である枠体６の作用は、次の点に現れる。すなわち、放熱経路上に半導体デバイス３０を実装する際に、放熱構造体５０がリフロー炉に装入され、はんだ層２７の溶融温度であるリフロー温度に放熱構造体５０が加熱される。鉛害を防ぐためのＰｂフリーのはんだを用いる場合、はんだ層２７と接合層５に用いられる両はんだの融点の相違を実質的に大きくとることができず、ほとんど同じ融点のはんだを用いざるをえない。このため、はんだ層２７の溶融を目的とするリフロー炉装入の際、放熱部品１０における熱伝導板１と基部３ｂとの上記の接合層５の材料が緩むことがある。しかし、上記の位置規制機構の枠体の作用によって、接合層５における接合が外れたり逸脱することはなく、熱伝導板１および基板付フィン３は、正常な位置関係を保ち、最終的に問題のない位置関係を確保することができる。図３の、放熱構造５０については、図１３において、もう一度説明する。
【００２５】
図４は、図１に示した放熱部品１０の変形例を示す図である。図１の放熱部品との相違は、枠体６の代わりに、相手方である熱伝導板１を嵌め込む凹部７を設けた点にある。しかし、視点を変えれば、凹部７の周囲の基部３ｂの部分（端の部分）を基部３ｂに設けたと見ることができるので、図４に示す放熱部品は、図１の放熱部品と本質的な相違はない。したがって、発熱体と放熱部品の熱膨張率のミスマッチを緩和することができること、および半導体デバイスの実装時のリフロー炉装入における接合層５の解消もしくは外れ等を防止すること、において図１の放熱部品と共通する作用効果を有する。
【００２６】
図５は、位置規制機構である、相手方係止のための凸部３ｅおよび凹部１ｅを示す断面図である。図５では、凸部３ｅを基部付フィン３に、また凹部１ｅを熱伝導板１に設けた例を示すが、凸部を熱伝導板１に、また凹部を基部付フィン３に設けてもよい。互いに相手を係止するこれら凸部および凹部は、図１に示す枠体６または図４に示す凹部７とともに、または枠体６および凹部７とは関係なく単独で、位置規制機構として用いることができる。この結果、大面積の異種金属の接合を信頼性の高いものにし、かつ上述の半導体デバイスの際のリフロー加熱処理の際に上記接合の外れまたは逸脱を防止することができる。
【００２７】
（実施の形態２）
図６は、本発明の実施の形態２の放熱部品における基部付フィンを示す斜視図である。この基部付フィン３の接合側面には、熱伝導板を取り囲むように枠体６または凹部７が設けられるとともに、当該面に、端に開口する溝３ｃが形成されている。溝３ｃは、中心を共通にする同心円状の溝と、上記の中心から外方に延びる放射状溝とが組み合わされている。溝３ｃの形態は、図７に示すように枠体の内壁を通って外に開口しており、略半円形の断面を持つように形成するのがよい。溝３ｃの深さｄは１ｍｍ以下とするのがよい。
【００２８】
上記のアルミニウム製の基部付フィン３と、銅の熱伝導板１とを、ろう付けまたははんだ付けによって接合する。ろう付けまたははんだ付けにおいて、溶融状態のろうまたははんだを基部３ｂの面に置いて銅板１と貼り合わせる際、溝３ｃのパターンが基部３ｂの面全体に設けられているので、ろうまたははんだが全面に行き渡り、また生じる気泡は面の端に追い出すことが可能となる。
【００２９】
上記の溝３ｃは、基部３ｂに設けただけでもよいが、図８に示すような溝１ｃを有する銅板１を併用することができる。相対向する面の両方に溝３ｃ，１ｃを設けることにより、溶融状態のはんだ材またはろう材を偏在させることなく、溝３ｃ，１ｃのパターンに付随して広く、かつ均一に濡れさせた状態を実現することができ、高品質の接合部を得ることができる。
【００３０】
本実施の形態における放熱部品１０は、面積の大小によらず、高い信頼性の接合部を得ることができる。とくに多数チップを搭載するパワーモジュールの場合の大面積の放熱経路に用いて、従来品にない有用性を発揮することができる。
【００３１】
上記のような中心部を有する溝パターンは、１つと限定されず、複数個、配置される形態であってもよい。また、図９に示すように格子状の溝３ｃ（１ｃ）でもよいし、図１０に示すように、一方向に揃った溝３ｃ（１ｃ）でもよい。
【００３２】
上記の放熱部品１０は、断面積の小さい１チップ用の放熱経路でも、また多数チップのモジュール用に大面積用の放熱経路にも用いることができ、とくに、大きな断面積のパワーモジュール用の放熱部品に適している。
【００３３】
（実施の形態３）
図１１は、本発明の実施の形態３における放熱部品を示す断面図である。本実施の形態では、位置規制機構である枠体６を基部３ｂに設けた上で、基部３ｂの面に、表面地形として丘を設けた点に特徴を有する。丘の頂上において、接合相手の熱伝導板１との距離ｄ１は０．０５ｍｍ程度とし、端における上記距離ｄ２は０．２ｍｍ程度となるように丘を形成するのがよい。
【００３４】
熱伝導板１を銅とし、フィン３ａおよび基部３ｂが一体成形加工で製造された基部付フィン３をアルミニウムで形成するのが望ましいことは、上記実施の形態１および２と同じである。フィン部３の製造方法については、ダイキャスト法によるのがよい。
【００３５】
ろう付けまたははんだ付けにおいて、溶融状態のろうまたははんだを基部３ｂの面に置いて銅板１と貼り合わせる際、丘の緩い勾配が基部３ｂの面全体に設けられているので、ろうまたははんだの濡れの制御が容易化され、ろう材等を容易に全面に行き渡らせ、また生じる気泡は面の端に追い出すことが可能となる。上記の丘の形状は、基部３ｂに設けただけでもよいが、銅板１にも設けることができる。
【００３６】
また、図３に示す放熱部品１０に、本実施の形態の放熱部品１０を組み込んだ場合、次の利点を得ることができる。すなわち、放熱経路上に半導体デバイス３０を実装する際に、放熱構造体５０がリフロー炉に装入され、はんだ層２７の溶融温度であるリフロー温度に放熱構造体５０が加熱される。鉛害を防ぐためのＰｂフリーのはんだを用いる場合、はんだ層２７と接合層５に用いられる両はんだの融点の相違を実質的に大きくとることができず、ほとんど同じ融点のはんだを用いざるをえない。このため、はんだ層２７の溶融を目的とするリフロー炉装入の際、放熱部品１０における熱伝導板１と基部３ｂとの上記の接合層５が緩むことがある。両方のはんだ材を同じものとした場合には、接合層５は、緩むというよりは、溶融することになる。上記の枠体６または凹部がなければ、溶融したはんだ材は基部３ｂから流れ落ちることになる。しかし、上記の位置規制機構の枠体の作用によって、接合層５におけるはんだ材が流れ、接合が外れることはなく、熱伝導板１および基板付フィン３は、正常な位置関係を保ち、最終的に問題のない位置関係を確保することができる。
【００３７】
本実施の形態における放熱部品１０は、面積の大小によらず、高い信頼性の接合部を得ることができる。とくに多数チップを搭載するパワーモジュールの場合の大面積の放熱経路に用いて、熱応力を抑制しながら、効率のよい放熱を推進でき、従来品にない有用性を発揮することができる。
【００３８】
（実施の形態４）
図１２は、本発明の実施の形態４における放熱構造体５０を示す図である。この放熱構造体５０には、図１、図４もしくは図１１に示した放熱部品１０または図６に示す基板付フィン３を含む放熱部品が組み込まれている。図１２において、発熱体である半導体デバイス３０の底面にはんだ層２７を介してアルミニウム板または銅板２５が配置されている。そのアルミニウム板または銅板の下には、ＡｌＮなどの熱伝導性絶縁板３１が配置され、さらにその下にアルミニウム板または銅板２５が配置される。さらに、その下にはんだ層２９によってヒートスプレッダ３３が接続され、そのヒートスプレッダ３３の下に放熱部品１０が配置される。放熱部品１０は、基部１をヒートスプレッダ３３に図示しないグリースなどを介して接して、図示しない壁状フィンは、筐体３５と基部１とで形成された熱媒体流路内に位置している。ヒートスプレッダ３３と、放熱部品１０と、筐体３５とは、ねじ２３によって締結されている。
【００３９】
半導体デバイス３０は、ハイブリッドカーに用いられる電力用スイッチング素子のパワー半導体では、非常に多量の発熱があり、効率のよい放熱経路の構築は必須となる。上記の放熱構造体５０は、半導体デバイスで発生した多量の熱を、放熱部品１０によって効率よく熱媒体に放熱して、しかもその放熱部品１０は、異なる２種の金属で形成されているので、半導体デバイスとフィンの熱膨張率のミスマッチを緩和することができ、熱応力を低減することができる。上記の異種金属の接合は、大面積であるにも係わらず、上述のいずれかの放熱部品を用いているので、高い信頼性の接合部となっている。とくに、鉛フリーのはんだ材による実装および接合において、半導体デバイスの実装時のリフロー加熱処理においても位置ずれを生じない高精度の接合部となっている。
【００４０】
（実施の形態５）
図１３は、本発明の実施の形態５における放熱構造体５０を示す図である。実施の形態３の放熱構造体５０との相違は、半導体デバイス３０から放熱部品１０にいたる放熱経路の構成だけにあり、放熱部品１０の構成は、実施の形態５と同じである。本実施の形態においては、実施の形態４における（アルミニウム板または銅板２５＋熱伝導性絶縁基板３１＋アルミニウム板または銅板２５）で構成される配線機能を配線材３７で置き換えた点に特徴を有する。図１３において、半導体デバイス３０ははんだ層２７により配線材３７に接続され、配線材３７は絶縁性接続層３８により放熱部品１０に接続されている。配線材３７は、通常、銅板または（銅板＋めっき）によって形成される。
【００４１】
図１３の放熱構造体５０では、製造工程を簡単化することができる。さらに半導体デバイス３０から放熱部品１０にいたる放熱経路の長さを短縮して、熱伝導を促進することができる。また、上述のように放熱部品１０は、異種材料で形成されているので、半導体デバイスとフィンの熱膨張率のミスマッチを緩和することができ、熱応力を低減することができる。半導体デバイス実装時の作用効果についても、実施の形態４と同様の作用効果を得ることができる。ハイブリッドカーのパワーモジュールに好適に用いることができる点では、上記実施の形態４で説明したことがそのまま該当する。
【００４２】
上記において、本発明の実施の形態および実施例について説明を行ったが、上記に開示された本発明の実施の形態および実施例は、あくまで例示であって、本発明の範囲はこれら発明の実施の形態に限定されない。本発明の範囲は、特許請求の範囲の記載によって示され、さらに特許請求の範囲の記載と均等の意味および範囲内でのすべての変更を含むものである。
【産業上の利用可能性】
【００４３】
本発明の放電部品および放熱構造体によれば、信頼性の高い異種金属間の接合を容易にできるので、とくに多数チップを搭載したパワーモジュール用の大面積の放熱経路を熱応力を抑制して実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本発明の実施の形態１における放熱部品の断面図である。
【図２】図１の放熱部品における枠体の断面図である。
【図３】図１の放熱部品を放熱構造体に組み込んだ場合の利点を説明するための図である。
【図４】図１の放熱部品の変形例を示す図である。
【図５】位置規制機構の別の例を示す図である。
【図６】本発明の実施の形態２の放熱部品における基部付フィンを示す斜視図である。
【図７】図６の放熱部品の溝を説明するための図である。
【図８】実施の形態２の放熱部品において溝を熱伝導板に設けた例を示す図である。
【図９】実施の形態２の放熱部品における溝パターンの変形例を示す図である。
【図１０】実施の形態２の放熱部品における溝パターンの別の変形例を示す図である。
【図１１】本発明の実施の形態３における放熱部品を示す断面図である。
【図１２】本発明の実施の形態４における放熱構造体を示す図である。
【図１３】本発明の実施の形態５における放熱構造体を示す図である。
【符号の説明】
【００４５】
１  熱伝導板（銅板）、１ｃ  溝、３  基部付フィン、３ａ  フィン、３ｂ  基部、３ｃ  溝、５  ろう材またははんだ材、６  枠体、７  凹部、２３  ねじ、２５  アルミニウム板または銅板、２７，２９  はんだ、３０  半導体デバイス、３１  熱伝導性絶縁層（ＡｌＮ基板）、３３  ヒートスプレッダ、３５  筐体、３７  配線材、３８  絶縁性接続層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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