(57)【要約】【課題】磁気記録媒体を破断することなく、その磁気記録媒体における所定部位の長さについての長さ情報を取得し得る長さ情報取得方法を提供する。【解決手段】凸部２１の形成領域（記録領域）と凹部２２の形成領域（非記録領域）とが交互に並んで規定されている磁気ディスク１Ａ（磁気記録媒体）を対象として凸部２１を構成する記録層１４（記録領域構成用の記録材料）の表面と記録層１４の上の非磁性材料１５（非記録領域構成用の非記録材料）の表面との間の磁気ディスク１Ａの厚み方向に沿った長さＬ１ａについての長さ情報を取得する際に、導電性ＡＦＭ測定法によって磁気ディスク１Ａの表面における各部の導通電流値を測定する電流値測定処理を実行し、電流値測定処理によって測定された各部の導通電流値に基づいて長さ情報を取得する。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録領域と非記録領域とが交互に並んで規定されている磁気記録媒体を対象として当該記録領域構成用の記録材料の表面と当該記録材料上における当該非記録領域構成用の非記録材料の表面との間の当該磁気記録媒体の厚み方向に沿った長さについての長さ情報を取得する際に、導電性ＡＦＭ測定法によって当該磁気記録媒体の表面における各部の導通電流値を測定する電流値測定処理を実行し、当該電流値測定処理によって測定された前記各部の前記導通電流値に基づいて前記長さ情報を取得する長さ情報取得方法。
【請求項２】
記録領域と非記録領域とが交互に並んで規定されると共にその表面に保護層が形成されている磁気記録媒体を対象として当該記録領域構成用の記録材料の表面と当該保護層の表面との間の当該磁気記録媒体の厚み方向に沿った長さについての長さ情報を取得する際に、導電性ＡＦＭ測定法によって当該磁気記録媒体の表面における各部の導通電流値を測定する電流値測定処理を実行し、当該電流値測定処理によって測定された前記各部の前記導通電流値に基づいて前記長さ情報を取得する長さ情報取得方法。
【請求項３】
前記記録領域構成用の記録材料の表面が前記非記録領域構成用の非記録材料から露出している部位において前記導通電流値を測定し、当該測定した導通電流値を基準値として前記長さ情報を補正する請求項１または２記載の長さ情報取得方法。
【請求項４】
少なくとも突端部が前記記録材料で形成された複数の凸部と当該各凸部の間に形成された凹部とを有する凹凸パターンが情報媒体用基材の上に直接または所定の機能層を介して形成されると共に当該凹部内に前記非記録材料が埋め込まれて前記記録領域および前記非記録領域が形成されている前記磁気記録媒体を対象として前記長さ情報を取得する際に、前記凹部の容積を前記凸部の面積で除した値がデータトラックパターン領域内の前記凹部の容積を当該データトラックパターン領域内の前記凸部の面積で除した値よりも大きい前記凹凸パターンが形成されると共に当該データトラックパターン領域およびサーボパターン領域とは異なる所定領域内の前記記録領域において、前記基準値としての前記導通電流値を測定する請求項３記載の長さ情報取得方法。
【請求項５】
少なくとも突端部が前記記録材料で形成された複数の凸部と当該各凸部の間に形成された凹部とを有する凹凸パターンが情報媒体用基材の上に直接または所定の機能層を介して形成されると共に当該凹部内に前記非記録材料が埋め込まれて前記記録領域および前記非記録領域が形成されている前記磁気記録媒体を対象として前記長さ情報を取得する際に、前記凹部の容積を前記凸部の面積で除した値がサーボパターン領域内の前記凹部の容積を当該サーボパターン領域内の前記凸部の面積で除した値よりも大きい前記凹凸パターンが形成されると共にデータトラックパターン領域および当該サーボパターン領域とは異なる所定領域内の前記記録領域において、前記基準値としての前記導通電流値を測定する請求項３記載の長さ情報取得方法。
【請求項６】
少なくとも突端部が前記記録材料で形成された複数の凸部と当該各凸部の間に形成された凹部とを有する凹凸パターンが情報媒体用基材の上に直接または所定の機能層を介して形成されると共に当該凹部内に前記非記録材料が埋め込まれて前記記録領域および前記非記録領域が形成されている前記磁気記録媒体を対象として前記長さ情報を取得する際に、前記凹部の深さがデータトラックパターン領域内の前記凹部の深さよりも深い前記凹凸パターンが形成されると共に当該データトラックパターン領域およびサーボパターン領域とは異なる所定領域内の前記記録領域において、前記基準値としての前記導通電流値を測定する請求項３記載の長さ情報取得方法。
【請求項７】
少なくとも突端部が前記記録材料で形成された複数の凸部と当該各凸部の間に形成された凹部とを有する凹凸パターンが情報媒体用基材の上に直接または所定の機能層を介して形成されると共に当該凹部内に前記非記録材料が埋め込まれて前記記録領域および前記非記録領域が形成されている前記磁気記録媒体を対象として前記長さ情報を取得する際に、前記凹部の深さがサーボパターン領域内の前記凹部の深さよりも深い前記凹凸パターンが形成されると共にデータトラックパターン領域および当該サーボパターン領域とは異なる所定領域内の前記記録領域において、前記基準値としての前記導通電流値を測定する請求項３記載の長さ情報取得方法。
【請求項８】
前記導通電流値に基づいて前記各部の導通状態を示す画像を前記長さ情報として生成する請求項１から７のいずれかに記載の長さ情報取得方法。
【請求項９】
請求項１から８のいずれかに記載の長さ情報取得方法に従って取得した前記長さ情報に基づいて製造条件を規定して前記磁気記録媒体を製造する磁気記録媒体製造方法。
【請求項１０】
少なくとも突端部が記録領域構成用の記録材料で形成された複数の凸部と当該各凸部の間に形成された凹部とを有する凹凸パターンが情報媒体用基材の上に直接または所定の機能層を介して形成されると共に当該凹部内に非記録領域構成用の非記録材料が埋め込まれて当該記録領域および当該非記録領域が形成され、かつ、前記凹部の容積を前記凸部の面積で除した値がデータトラックパターン領域内の前記凹部の容積を当該データトラックパターン領域内の前記凸部の面積で除した値よりも大きい前記凹凸パターンが形成されると共に前記記録材料の表面が前記非記録材料から露出するように前記凹凸パターンが形成された所定領域が当該データトラックパターン領域およびサーボパターン領域とは別個に設けられている磁気記録媒体。
【請求項１１】
少なくとも突端部が記録領域構成用の記録材料で形成された複数の凸部と当該各凸部の間に形成された凹部とを有する凹凸パターンが情報媒体用基材の上に直接または所定の機能層を介して形成されると共に当該凹部内に非記録領域構成用の非記録材料が埋め込まれて当該記録領域および当該非記録領域が形成され、かつ、前記凹部の容積を前記凸部の面積で除した値がサーボパターン領域内の前記凹部の容積を当該サーボパターン領域内の前記凸部の面積で除した値よりも大きい前記凹凸パターンが形成されると共に前記記録材料の表面が前記非記録材料から露出するように前記凹凸パターンが形成された所定領域がデータトラックパターン領域および当該サーボパターン領域とは別個に設けられている磁気記録媒体。
【請求項１２】
少なくとも突端部が記録領域構成用の記録材料で形成された複数の凸部と当該各凸部の間に形成された凹部とを有する凹凸パターンが情報媒体用基材の上に直接または所定の機能層を介して形成されると共に当該凹部内に非記録領域構成用の非記録材料が埋め込まれて当該記録領域および当該非記録領域が形成され、かつ、前記凹部の深さがデータトラックパターン領域内の前記凹部の深さよりも深い前記凹凸パターンが形成されると共に前記記録材料の表面が前記非記録材料から露出するように前記凹凸パターンが形成された所定領域が当該データトラックパターン領域およびサーボパターン領域とは別個に設けられている磁気記録媒体。
【請求項１３】
少なくとも突端部が記録領域構成用の記録材料で形成された複数の凸部と当該各凸部の間に形成された凹部とを有する凹凸パターンが情報媒体用基材の上に直接または所定の機能層を介して形成されると共に当該凹部内に非記録領域構成用の非記録材料が埋め込まれて当該記録領域および当該非記録領域が形成され、かつ、前記凹部の深さがサーボパターン領域内の前記凹部の深さよりも深い前記凹凸パターンが形成されると共に前記記録材料の表面が前記非記録材料から露出するように前記凹凸パターンが形成された所定領域がデータトラックパターン領域および当該サーボパターン領域とは別個に設けられている磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、記録領域と非記録領域とが交互に並んで規定されている磁気記録媒体、その磁気記録媒体における所定部位の長さについての長さ情報を取得する長さ情報取得方法、およびその長さ情報取得方法に従って取得した長さ情報に基づいて製造条件を規定して磁気記録媒体を製造する磁気記録媒体製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
この種の磁気記録媒体およびその製造方法として、出願人は、凹凸パターンで形成された記録層を有する磁気記録媒体およびその製造方法を特開２００５−２３５３５６号公報に開示している。この製造方法では、まず、下地層、軟磁性層、配向層および連続記録層をガラス基板上に形成した加工出発体に加工を施すことにより、連続記録層を所定の凹凸パターンで多数の記録要素に分割する。具体的には、第１のマスク層、第２のマスク層およびレジスト層を上記の連続記録層の上にこの順で形成した状態において、インプリント法等によってレジスト層に凹凸パターンを形成する。次いで、レジスト層に形成された凹部における底面の第２のマスク層をイオンビームエッチング処理によって除去して第２のマスク層に凹部を形成し、その凹部における底面の第１のマスク層を反応性イオンエッチング処理によって除去する。これにより、第１のマスク層における凹部の底面において連続記録層が露出する。
【０００３】
続いて、第１のマスク層における凹部の底面の連続記録層を反応性イオンエッチング処理によって除去することにより、連続記録層を多数の記録要素に分割して記録層を形成する。この後、記録要素の上に残存する第１のマスク層を反応性イオンエッチングによって除去する。これにより、被加工体が形成される。次いで、各記録要素の間の凹部（凹凸パターンの凹部）に非磁性材を充填する（非磁性材充填工程）。具体的には、バイアススパッタリング法によって被加工体の表面に非磁性材の薄膜を形成することで、記録要素の間の凹部に非磁性材料を充填する。この際には、各記録要素の表面が非磁性材によって完全に被覆されるように十分な厚みの薄膜を形成する。
【０００４】
次いで、イオンビームエッチング処理によって記録要素上の非磁性材の層を除去することにより、記録要素および非磁性材の表面を平坦化する。この際には、加工用ガスとして用いる不活性ガスの種類、不活性ガスの流量、イオンビームの入射角度、および処理時間などのエッチング条件を適宜規定することにより、一例として、記録要素の上面が非磁性材料の層から露出するまで処理を実行する。これにより、非磁性材および記録要素の上面が平坦化される。この後、必要に応じて記録要素および非磁性材の上にＣＶＤ法によって保護層を形成し、さらに、形成した保護層の上にディッピング法によって潤滑層を塗布する。これにより、磁気記録媒体が完成する。
【特許文献１】特開２００５−２３５３５６号公報（第５−９頁、第１−１０図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところが、出願人が開示している磁気記録媒体およびその製造方法には、以下の改善すべき課題がある。すなわち、出願人が開示している製造方法では、記録要素（連続記録層に形成した凹凸パターンの凸部）の上、および凹部内に充填した非磁性材料の層の一部をイオンビームエッチング処理によって除去して例えば記録要素の表面（突端面）を露出させるようにして磁気記録媒体を平坦化している。この場合、エッチング処理による非磁性材料のエッチング量が不足したときには、凸部の上に設計値を超える過剰に厚い非磁性材料（残渣）が残存する状態となる。したがって、凸部の突端面と非磁性材料の層の表面（磁気記録媒体の表面）との間の磁気記録媒体の厚み方向に沿った長さが長くなるため、これに起因してスペーシングロスが大きくなる結果、磁気的信号の好適な記録および好適な再生が困難となるおそれがある。
【０００６】
一方、非磁性材料のエッチング量が多過ぎるときには、凸部の上の非磁性材料が完全に除去されることにより、スペーシングロスが設計値を超えて大きくなる事態は回避される。しかしながら、凸部の間の凹部内の非磁性材料が除去されて、凸部の突端面と凹部内の非磁性材料の表面との間に磁気記録媒体の厚み方向で設計値を超える高さ（長さ）の段差が生じる。この結果、磁気ヘッドのヘッド浮上量を好適な状態に維持するのが困難となり、最悪の場合には、磁気ヘッドが磁気記録媒体に接触して磁気記録媒体および磁気ヘッドの破損を招くおそれがある。したがって、この種の磁気記録媒体においては、凸部の突端面（連続記録層を形成している記録材料の表面）と、非磁性材料の層の表面との間の磁気記録媒体の厚み方向における長さ（「長さ＝０」を含む）がその磁気記録媒体の設計に応じて所望の長さとなっているか否かが非常に重要な要素となっている。
【０００７】
したがって、出願人は、一例として、製造した磁気記録媒体を所定枚数おきに抽出して、凸部の突端面と凸部上の非磁性材料の層の表面との間の長さが所望の長さとなっているか否かを検査している。具体的には、抽出した磁気記録媒体を破断して所定の加工処理を実行することで検査用の試料を製作し、この試料を例えばＴＥＭ（透過電子顕微鏡）によって観察することで、上記の長さを測定している。しかしながら、出願人が実施しているこの方法では、長さの測定に用いた磁気記録媒体が破断されて製品としての利用ができない状態となるため、所定枚数おきに抽出した磁気記録媒体（破断された磁気記録媒体）の分だけ、歩留まりが低下して磁気記録媒体の製造コストが高騰しているという課題がある。また、ＴＥＭで観察可能な試料の製作に多くの工程（研磨処理や、試料のコーティング処理等）と長い処理時間とを要するため、これに起因して、磁気記録媒体の製造コストが高騰しているという課題もある。
【０００８】
本発明は、かかる課題に鑑みてなされたものであり、磁気記録媒体を破断することなく、その磁気記録媒体における所定部位の長さについての長さ情報を取得し得る長さ情報取得方法、その長さ情報取得方法に従って取得した長さ情報に基づいて製造条件を規定する磁気記録媒体製造方法、および、磁気記録媒体を提供することを主目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成すべく本発明に係る長さ情報取得方法は、記録領域と非記録領域とが交互に並んで規定されている磁気記録媒体を対象として当該記録領域構成用の記録材料の表面と当該記録材料上における当該非記録領域構成用の非記録材料の表面との間の当該磁気記録媒体の厚み方向に沿った長さについての長さ情報を取得する際に、導電性ＡＦＭ測定法によって当該磁気記録媒体の表面における各部の導通電流値を測定する電流値測定処理を実行し、当該電流値測定処理によって測定された前記各部の前記導通電流値に基づいて前記長さ情報を取得する。
【００１０】
また、本発明に係る長さ情報取得方法は、記録領域と非記録領域とが交互に並んで規定されると共にその表面に保護層が形成されている磁気記録媒体を対象として当該記録領域構成用の記録材料の表面と当該保護層の表面との間の当該磁気記録媒体の厚み方向に沿った長さについての長さ情報を取得する際に、導電性ＡＦＭ測定法によって当該磁気記録媒体の表面における各部の導通電流値を測定する電流値測定処理を実行し、当該電流値測定処理によって測定された前記各部の前記導通電流値に基づいて前記長さ情報を取得する。
【００１１】
この場合、本明細書における「記録領域」とは、「記録された磁気的信号を読み出し可能に保持するように構成された領域（つまり磁気的信号を読み出し可能に保持する能力を有するように構成された領域）」を意味する。また、本明細書における「非記録領域」とは、「磁気的信号を読み出し可能に保持する上記の能力が記録領域の能力よりも低くなるように構成された領域、または、その能力を実質的に有しないように構成された領域」を意味する。具体的には、本明細書における「非記録領域」とは、「磁気的信号を記録した状態において、その領域から発生する磁界が上記の記録領域よりも小さい領域、または、その領域から発生する磁界が実質的には存在しない領域」を意味する。なお、この「記録領域」および「非記録領域」に関する定義については、磁気記録媒体の使用に際して実際に記録データやサーボデータに対応する磁気的信号の記録や再生が行われる領域であるか否かを問わない。したがって、磁気記録媒体上において磁気的信号の記録や再生を目的として使用されることのない領域内であっても、上記の能力を有するように構成された領域は「記録領域」であり、上記の能力が低いかまたは実質的に有しないように構成された領域は「非記録領域」であることを意味する。
【００１２】
また、本明細書における「記録材料」とは、「記録された磁気的信号を読み出し可能に保持し得る領域を構成可能な材料（つまり磁気的信号を読み出し可能に保持する能力を有する材料）」を意味する。この場合、「記録領域構成用の記録材料」とは、記録領域を構成するための材料、すなわち、記録領域を構成している主たる材料（記録領域が上記の能力を有するために主として寄与している材料）を意味する。また、本明細書における「非記録材料」とは、「磁気的信号を読み出し可能に保持する上記の能力が記録領域の能力よりも低い領域、または、その能力を実質的に有しない領域を構成可能な材料」を意味する。具体的には、本明細書における「非記録材料」とは、「その材料で構成された領域に磁気的信号を記録した状態において、その領域から発生する磁界が上記の記録材料で構成された領域よりも小さくなる材料、または、その材料で構成された領域から発生する磁界が実質的には存在しない材料」を意味する。この場合、「非記録領域構成用の非記録材料」とは、非記録領域を構成するための材料、すなわち、非記録領域を構成している主たる材料（非記録領域の上記の能力が所望の状態となるように主として寄与している材料）を意味する。
【００１３】
さらに、本発明における「導電性ＡＦＭ測定法」とは、いわゆる「コンダクティングＡＦＭ（原子間力顕微鏡）測定法」であって、試料（この例では、磁気記録媒体）にバイアス電圧を印加しつつ、導電性ＡＦＭプローブを試料に接触させた状態でその表面を走査して、プローブと、試料（試料に接触させた電極）との間を導通する導通電流値を測定する測定方法を意味する。
【００１４】
また、本発明に係る長さ情報取得方法は、前記記録領域構成用の記録材料の表面が前記非記録領域構成用の非記録材料から露出している部位において前記導通電流値を測定し、当該測定した導通電流値を基準値として前記長さ情報を補正する。
【００１５】
さらに、本発明に係る長さ情報取得方法は、少なくとも突端部が前記記録材料で形成された複数の凸部と当該各凸部の間に形成された凹部とを有する凹凸パターンが情報媒体用基材の上に直接または所定の機能層を介して形成されると共に当該凹部内に前記非記録材料が埋め込まれて前記記録領域および前記非記録領域が形成されている前記磁気記録媒体を対象として前記長さ情報を取得する際に、前記凹部の容積を前記凸部の面積で除した値がデータトラックパターン領域内の前記凹部の容積を当該データトラックパターン領域内の前記凸部の面積で除した値よりも大きい前記凹凸パターンが形成されると共に当該データトラックパターン領域およびサーボパターン領域とは異なる所定領域内の前記記録領域において、前記基準値としての前記導通電流値を測定する。
【００１６】
また、本発明に係る長さ情報取得方法は、少なくとも突端部が前記記録材料で形成された複数の凸部と当該各凸部の間に形成された凹部とを有する凹凸パターンが情報媒体用基材の上に直接または所定の機能層を介して形成されると共に当該凹部内に前記非記録材料が埋め込まれて前記記録領域および前記非記録領域が形成されている前記磁気記録媒体を対象として前記長さ情報を取得する際に、前記凹部の容積を前記凸部の面積で除した値がサーボパターン領域内の前記凹部の容積を当該サーボパターン領域内の前記凸部の面積で除した値よりも大きい前記凹凸パターンが形成されると共にデータトラックパターン領域および当該サーボパターン領域とは異なる所定領域内の前記記録領域において、前記基準値としての前記導通電流値を測定する。
【００１７】
さらに、本発明に係る長さ情報取得方法は、少なくとも突端部が前記記録材料で形成された複数の凸部と当該各凸部の間に形成された凹部とを有する凹凸パターンが情報媒体用基材の上に直接または所定の機能層を介して形成されると共に当該凹部内に前記非記録材料が埋め込まれて前記記録領域および前記非記録領域が形成されている前記磁気記録媒体を対象として前記長さ情報を取得する際に、前記凹部の深さがデータトラックパターン領域内の前記凹部の深さよりも深い前記凹凸パターンが形成されると共に当該データトラックパターン領域およびサーボパターン領域とは異なる所定領域内の前記記録領域において、前記基準値としての前記導通電流値を測定する。
【００１８】
また、本発明に係る長さ情報取得方法は、少なくとも突端部が前記記録材料で形成された複数の凸部と当該各凸部の間に形成された凹部とを有する凹凸パターンが情報媒体用基材の上に直接または所定の機能層を介して形成されると共に当該凹部内に前記非記録材料が埋め込まれて前記記録領域および前記非記録領域が形成されている前記磁気記録媒体を対象として前記長さ情報を取得する際に、前記凹部の深さがサーボパターン領域内の前記凹部の深さよりも深い前記凹凸パターンが形成されると共にデータトラックパターン領域および当該サーボパターン領域とは異なる所定領域内の前記記録領域において、前記基準値としての前記導通電流値を測定する。
【００１９】
さらに、本発明に係る長さ情報取得方法は、前記導通電流値に基づいて前記各部の導通状態を示す画像を前記長さ情報として生成する。
【００２０】
また、本発明に係る磁気記録媒体製造方法は、上記のいずれかに記載の長さ情報取得方法に従って取得した前記長さ情報に基づいて製造条件を規定して前記磁気記録媒体を製造する。
【００２１】
また、本発明に係る磁気記録媒体は、少なくとも突端部が記録領域構成用の記録材料で形成された複数の凸部と当該各凸部の間に形成された凹部とを有する凹凸パターンが情報媒体用基材の上に直接または所定の機能層を介して形成されると共に当該凹部内に非記録領域構成用の非記録材料が埋め込まれて当該記録領域および当該非記録領域が形成され、かつ、前記凹部の容積を前記凸部の面積で除した値がデータトラックパターン領域内の前記凹部の容積を当該データトラックパターン領域内の前記凸部の面積で除した値よりも大きい前記凹凸パターンが形成されると共に前記記録材料の表面が前記非記録材料から露出するように前記凹凸パターンが形成された所定領域が当該データトラックパターン領域およびサーボパターン領域とは別個に設けられている。
【００２２】
また、本発明に係る磁気記録媒体は、少なくとも突端部が記録領域構成用の記録材料で形成された複数の凸部と当該各凸部の間に形成された凹部とを有する凹凸パターンが情報媒体用基材の上に直接または所定の機能層を介して形成されると共に当該凹部内に非記録領域構成用の非記録材料が埋め込まれて当該記録領域および当該非記録領域が形成され、かつ、前記凹部の容積を前記凸部の面積で除した値がサーボパターン領域内の前記凹部の容積を当該サーボパターン領域内の前記凸部の面積で除した値よりも大きい前記凹凸パターンが形成されると共に前記記録材料の表面が前記非記録材料から露出するように前記凹凸パターンが形成された所定領域がデータトラックパターン領域および当該サーボパターン領域とは別個に設けられている。
【００２３】
また、本発明に係る磁気記録媒体は、少なくとも突端部が記録領域構成用の記録材料で形成された複数の凸部と当該各凸部の間に形成された凹部とを有する凹凸パターンが情報媒体用基材の上に直接または所定の機能層を介して形成されると共に当該凹部内に非記録領域構成用の非記録材料が埋め込まれて当該記録領域および当該非記録領域が形成され、かつ、前記凹部の深さがデータトラックパターン領域内の前記凹部の深さよりも深い前記凹凸パターンが形成されると共に前記記録材料の表面が前記非記録材料から露出するように前記凹凸パターンが形成された所定領域が当該データトラックパターン領域およびサーボパターン領域とは別個に設けられている。
【００２４】
また、本発明に係る磁気記録媒体は、少なくとも突端部が記録領域構成用の記録材料で形成された複数の凸部と当該各凸部の間に形成された凹部とを有する凹凸パターンが情報媒体用基材の上に直接または所定の機能層を介して形成されると共に当該凹部内に非記録領域構成用の非記録材料が埋め込まれて当該記録領域および当該非記録領域が形成され、かつ、前記凹部の深さがサーボパターン領域内の前記凹部の深さよりも深い前記凹凸パターンが形成されると共に前記記録材料の表面が前記非記録材料から露出するように前記凹凸パターンが形成された所定領域がデータトラックパターン領域および当該サーボパターン領域とは別個に設けられている。
【発明の効果】
【００２５】
本発明に係る長さ情報取得方法では、導電性ＡＦＭ測定法によって磁気記録媒体の表面における各部の導通電流値を測定する電流値測定処理を実行し、電流値測定処理によって測定された各部の導通電流値に基づいて、記録領域構成用の記録材料の表面と記録材料上の非記録領域構成用の非記録材料の表面との間の磁気記録媒体の厚み方向に沿った長さについての長さ情報を取得する。また、本発明に係る長さ情報取得方法では、導電性ＡＦＭ測定法によって磁気記録媒体の表面における各部の導通電流値を測定する電流値測定処理を実行し、電流値測定処理によって測定された各部の導通電流値に基づいて、記録領域構成用の記録材料の表面と保護層の表面との間の磁気記録媒体の厚み方向に沿った長さについての長さ情報を取得する。したがって、本発明に係る長さ情報取得方法によれば、対象とする磁気記録媒体を破断することなく長さ情報を取得することができるため、長さ情報の取得に使用した磁気記録媒体が無駄にならない分だけ、製造の歩留まりを向上させることができる結果、磁気記録媒体の製造コストを十分に低減することができる。また、長さ情報を取得するための煩雑な試料作成処理を不要とすることができるため、磁気記録媒体の製造コストを一層低減することができる。さらに、長さ情報の取得に際して磁気記録媒体を破断する必要がないことで、例えば、製造したすべての磁気記録媒体を対象として長さ情報を取得することができる。
【００２６】
また、本発明に係る長さ情報取得方法では、記録領域構成用の記録材料の表面が非記録領域構成用の非記録材料から露出している部位において導通電流値を測定し、測定した導通電流値を基準値として長さ情報を補正する。したがって、本発明に係る長さ情報取得方法によれば、プローブの摩耗状態や、原子間力顕微鏡（導電性ＡＦＭ測定法を実施する装置）に対して供給される電圧の変動等に起因して、例えば、プローブの先端部を記録領域に接触させた状態において測定される導通電流値が変動した状態においても、対象とする磁気記録媒体の各部において測定した導通電流値を正確に補正することができる。したがって、上記のように導通電流値が変動する状態においても、測定した各部毎の導通電流値を補正することで、正確な長さ情報を取得することができる。
【００２７】
さらに、本発明に係る長さ情報取得方法では、凹部の容積を凸部の面積で除した値がデータトラックパターン領域内の凹部の容積をデータトラックパターン領域内の凸部の面積で除した値よりも大きい凹凸パターンが形成されると共にデータトラックパターン領域およびサーボパターン領域とは異なる所定領域内と、凹部の容積を凸部の面積で除した値がサーボパターン領域内の凹部の容積をサーボパターン領域内の凸部の面積で除した値よりも大きい凹凸パターンが形成されると共にデータトラックパターン領域およびサーボパターン領域とは異なる所定領域内と、凹部の深さがデータトラックパターン領域内の凹部の深さよりも深い凹凸パターンが形成されると共にデータトラックパターン領域およびサーボパターン領域とは異なる所定領域内と、凹部の深さがサーボパターン領域内の凹部の深さよりも深い凹凸パターンが形成されると共にデータトラックパターン領域およびサーボパターン領域とは異なる所定領域内とのうちのいずれかの領域内の記録領域において、基準値としての導通電流値を測定する。
【００２８】
したがって、本発明に係る長さ情報取得方法によれば、記録材料の表面が非記録材料から確実に露出している部位において基準値としての導通電流値を測定することができるため、例えば、記録材料の上に非記録材料が残存している部位において基準値としての導通電流値を測定することで、補正処理に使用する基準値自体が非記録材料の存在に起因して不正確となる事態を回避することができる。これにより、この長さ情報の取得方法によれば、一層正確な長さ情報を取得することができる。
【００２９】
さらに、本発明に係る長さ情報取得方法では、導通電流値に基づいて各部の導通状態を示す画像を長さ情報として生成する。したがって、本発明に係る長さ情報取得方法によれば、例えば数値等によって記録材料の表面と非記録材料の層の表面との間の長さを報知する方法と比較して、電流値像を見るだけで、記録材料の表面と非記録材料の層の表面との間の長さを直感的に認識させることができる。
【００３０】
また、本発明に係る磁気記録媒体製造方法では、上記のいずれかの長さ情報取得方法に従って取得した長さ情報に基づいて製造条件を規定して磁気記録媒体を製造する。したがって、本発明に係る磁気記録媒体製造方法によれば、記録材料の表面と非記録材料の層の表面との間の長さが確実に所望の長さとなっている磁気記録媒体を製造することができる。
【００３１】
また、本発明に係る磁気記録媒体では、凹部の容積を凸部の面積で除した値がデータトラックパターン領域内の凹部の容積をデータトラックパターン領域内の凸部の面積で除した値よりも大きい凹凸パターンが形成されると共に記録材料の表面が非記録材料から露出するように凹凸パターンが形成された所定領域がデータトラックパターン領域およびサーボパターン領域とは別個に設けられている。また、本発明に係る磁気記録媒体では、凹部の容積を凸部の面積で除した値がサーボパターン領域内の凹部の容積をサーボパターン領域内の凸部の面積で除した値よりも大きい凹凸パターンが形成されると共に記録材料の表面が非記録材料から露出するように凹凸パターンが形成された所定領域がデータトラックパターン領域およびサーボパターン領域とは別個に設けられている。
【００３２】
また、本発明に係る磁気記録媒体では、凹部の深さがデータトラックパターン領域内の凹部の深さよりも深い凹凸パターンが形成されると共に記録材料の表面が非記録材料から露出するように凹凸パターンが形成された所定領域がデータトラックパターン領域およびサーボパターン領域とは別個に設けられている。また、本発明に係る磁気記録媒体では、凹部の深さがサーボパターン領域内の凹部の深さよりも深い凹凸パターンが形成されると共に記録材料の表面が非記録材料から露出するように凹凸パターンが形成された所定領域がデータトラックパターン領域およびサーボパターン領域とは別個に設けられている。
【００３３】
したがって、本発明に係る磁気記録媒体によれば、この磁気記録媒体を対象として長さ情報を取得する際に、所定領域内において記録材料の表面が非記録材料から確実に露出しているため、この部位において基準値としての導通電流値を測定することができる結果、例えば、記録材料の上に非記録材料が残存している部位において基準値としての導通電流値を測定することに起因して基準値自体が不正確となる事態を回避することができる。これにより、この磁気記録媒体によれば、正確な長さ情報を取得することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
以下、添付図面を参照して、本発明に係る長さ情報取得方法、磁気記録媒体製造方法、および磁気記録媒体の最良の形態について説明する。
【００３５】
図１に示す磁気記録媒体製造システム１００は、後述するようにして、本発明に係る長さ情報取得方法に従って長さ情報Ｄを取得して、本発明に係る磁気記録媒体製造方法に従って図２〜４に示す磁気ディスク１Ａなどを製造可能に構成されている。この場合、磁気ディスク１Ａは、本発明に係る磁気記録媒体の一例である両面記録型のディスクリートトラック媒体（パターンド媒体の一例）であって、図２に示すように、全体として円板状に形成されている。なお、図４、および、後に参照する磁気ディスク１Ａ等の製造工程を示す各図では、本発明についての理解を容易とするために、磁気ディスク１Ａにおける一方の面側のみを図示している。
【００３６】
この磁気ディスク１Ａは、図４に示すように、軟磁性層１２、中間層１３および記録層１４がガラス基材１１の一方の面および他方の面にこの順でそれぞれ形成されて、一例として、垂直記録方式による記録データの記録が可能に構成されている。また、記録層１４は、一例として、突端部側（同図における上端部側）が記録材料（一例として、磁性材料の粒界に非磁性材料を存在させた材料）で形成された複数の凸部２１と、隣り合う凸部２１の間の凹部２２とが形成されて凹凸パターン２０（データトラックパターン２０ｔおよび測定用パターン２０ｘなど）を構成する。また、凹凸パターン２０の各凹部２２内には、ＳｉＯ２、Ｃ（炭素）、樹脂材料、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）およびＳＯＧ（スピン・オン・グラス）等の非磁性材料１５（本発明における非記録材料：一例としてＳｉＯ２）が埋め込まれ、これにより、磁気ディスク１Ａの表面における主たる領域が平坦化されている。この場合、この磁気ディスク１Ａでは、凸部２１の形成領域が本発明における記録領域に相当し、凹部２２の形成領域が本発明における非記録領域に相当する。
【００３７】
なお、本明細書における「平坦」との状態は、「実質的に平坦」であることを意味し、磁気記録媒体の表面を構成する材料に応じた極く小さな凹凸や、製造時に生じた極く僅かな凹凸が存在する状態がこれに含まれる。また、図４では、本発明についての理解を容易とするために、データトラックパターン領域Ａｔ内の凸部２１の上に非磁性材料１５が残存している状態を図示しているが、例えば、図２３に示す磁気ディスク１Ａａのように、データトラックパターン領域Ａｔ内の凸部２１の上に非磁性材料１５（本発明における非記録領域構成用の非記録材料）が存在しない状態（凸部２１上の非磁性材料１５の厚みが「０」の状態）に構成することもできる。また、図４に示すように、この磁気ディスク１Ａでは、各凹部２２内に埋め込まれた（隣り合う凸部２１，２１の間に埋め込まれた）非磁性材料１５、および記録層１４（凸部２１）の表面を覆うようにして、ＤＬＣ等によって厚みが３ｎｍ程度の保護層１６（ＤＬＣ膜）が形成されると共に、保護層１６の表面には、一例として、フッ素系の潤滑剤が塗布されている。
【００３８】
この場合、上記の非磁性材料１５としてＤＬＣを採用した場合においては、各凸部２１上に所望の厚みの非磁性材料１５の層を残存させることで、この保護層１６を不要とすることができる。なお、図２３に示すように、前述した磁気ディスク１Ａａでは、データトラックパターン領域Ａｔ内のデータトラックパターン２０ｔにおける凸部２１の突端面の上、および凹部２２内の非磁性材料１５の上（凹部２２内）に保護層１６が形成されている。この場合、保護層１６を構成するＤＬＣは、前述したように、非磁性材料（非記録材料）の一種である。しかしながら、この磁気ディスク１Ａａでは、この保護層１６を構成するＤＬＣは、本発明における非記録領域を構成している主たる材料ではないため、このＤＬＣは本発明における「非記録領域構成用の非記録材料」に該当するものではない。なお、この保護層１６の表面に塗布されている潤滑剤は、保護層１６を構成しているＤＬＣ等と同様にして、本発明における非記録領域を構成している主たる材料ではないため、この潤滑剤も本発明における「非記録領域構成用の非記録材料」に該当するものではない。これに対して、凹部２２内に埋め込まれた非磁性材料１５（一例として、ＳｉＯ２）は、磁気ディスク１Ａおよび磁気ディスク１Ａａの双方において本発明における非記録領域を構成している主たる材料であり、この非磁性材料１５は「非記録領域構成用の非記録材料」に相当する。
【００３９】
また、保護層１６を構成する材料としては、後述するように導電性ＡＦＭ測定法によって磁気記録媒体の表面における各部の導通電流値を測定して記録領域構成用の記録材料の表面と記録材料上における非記録領域構成用の非記録材料の表面との間の磁気記録媒体の厚み方向に沿った長さについての長さ情報を取得する際の情報取得精度を十分に高めるために、その電気伝導率が、非磁性材料１５（この例では、ＳｉＯ２）の電気伝導率以上の材料を採用するのが好ましい。また、凸部２１上の保護層１６の厚みを過剰に厚くしても、凸部２１（記録層１４）や磁気ヘッドの傷付きを回避する保護能力が飛躍的に高まることはなく、スペーシングロスが大きくなると共に上記の長さ情報の情報取得精度が低下する。したがって、保護層１６の厚みについては、１０ｎｍ以下とするのが好ましい。
【００４０】
ガラス基材１１は、本発明における情報媒体用基材に相当し、ガラス板を表面研磨して厚みが０．６ｍｍ程度の円板状に形成されている。なお、本発明における情報媒体用基材は、ガラス基材に限定されず、アルミニウムやセラミックなどの各種非磁性材料で円板状に形成した基材を使用することができる。軟磁性層１２は、中間層１３と相俟って本発明における「所定の機能層」を構成する。この軟磁性層１２は、ＣｏＺｒＮｂ合金などの軟磁性材料をスパッタリングすることによって厚みが５０ｎｍ〜２００ｎｍ程度の薄膜状に形成されている。中間層１３は、記録層１４を形成するための下地層として機能する層であって、Ｒｕ、ＣｒおよびＣｏＣｒ非磁性合金などの中間層形成用材料をスパッタリングすることによって厚みが４０ｎｍ程度の薄膜状に形成されている。
【００４１】
記録層１４は、前述したように、凹凸パターン２０を構成する層であって、例えばＣｏＣｒＰｔ合金等の記録材料をスパッタリングした層に対してエッチング処理することによって各凹部２２が形成されて凸部２１の形成部位が凹部２２によって分断されている。なお、本明細書において参照する各図では、記録層１４が単一の層（単一の記録材料で形成された層）で構成された状態を図示しているが、本発明における磁気記録媒体の構成はこれに限定されず、各種記録材料で形成された複数の層を有する多層構造や、磁性材料の層と非磁性材料の層とを有する多層構造で記録層１４を構成することができる。また、記録層１４を構成する材料としては、後述するように導電性ＡＦＭ測定法によって磁気記録媒体の表面における各部の導通電流値を測定して記録領域構成用の記録材料の表面と記録材料上における非記録領域構成用の非記録材料の表面との間の磁気記録媒体の厚み方向に沿った長さについての長さ情報を取得する際の情報取得精度を十分に高めるために、その電気伝導率が、非磁性材料１５（この例では、ＳｉＯ２）の電気伝導率よりも高い材料を採用するのが好ましい。
【００４２】
この場合、図２に示すように、この磁気ディスク１Ａでは、各データトラックパターン領域Ａｔの間にサーボパターン領域Ａｓが規定されてデータトラックパターン領域Ａｔおよびサーボパターン領域Ａｓが磁気ディスク１Ａの回転方向（矢印Ｒの向き）において交互に並ぶように規定され、データトラックパターン領域Ａｔに凹凸パターン２０によってデータトラックパターン２０ｔが形成されると共に、サーボパターン領域Ａｓに凹凸パターン２０によってサーボパターン２０ｓが形成されている。
【００４３】
なお、本明細書では、回転方向において並ぶ２つのデータトラックパターン領域Ａｔによって挟まれた領域（１つのデータトラックパターン領域Ａｔにおける回転方向に対して下流側の端部から、他の１つのデータトラックパターン領域Ａｔにおける回転方向に対して上流側の端部までの間の領域）をサーボパターン領域Ａｓとする。また、データトラックパターン領域Ａｔにおける回転方向側の端部は、そのデータトラックパターン領域に形成された複数のデータ記録トラック（各凸部２１）における回転方向側の各端部を連結した仮想線分（磁気ディスク１Ａの半径方向に沿った直線状または円弧状の線分）と一致しているものとする。
【００４４】
また、この磁気ディスク１Ａを搭載したハードディスクドライブ（図示せず）では、磁気ディスク１Ａを角速度一定で回転させるように構成されている。したがって、図２に示すように、この磁気ディスク１Ａでは、単位時間当たりに磁気ヘッドの下方を通過させられる磁気ディスク１Ａ上の長さに比例して、磁気ディスク１Ａの回転方向に沿ったデータトラックパターン領域Ａｔの長さ、および回転方向に沿ったサーボパターン領域Ａｓの長さがデータトラックパターン２０ｔの中心Ｏから離間するほど長くなるように（データトラックパターン領域Ａｔおよびサーボパターン領域Ａｓがその内周側領域よりも外周側領域ほど幅広となるように）規定されている。
【００４５】
この結果、データトラックパターン領域Ａｔ内に形成されたデータ記録トラック（凸部２１）における突端面の回転方向に沿った長さや、サーボパターン領域Ａｓ内に形成されたサーボパターン２０ｓ用の各凸部２１における突端面の回転方向に沿った基準の長さ、およびサーボパターン２０ｓ用の各凹部２２の回転方向に沿った基準の開口長（隣り合う２つの凸部２１における両突端面において対向する端部の間の長さ：例えば、単位信号長に対応する長さ）は、磁気ディスク１Ａの内周側領域よりも外周側領域ほど長くなっている。
【００４６】
また、図３に示すように、データトラックパターン領域Ａｔには、上記の凹凸パターン２０によってデータトラックパターン２０ｔが形成されている。なお、同図では、凹凸パターン２０における凸部２１の形成領域（本発明における記録領域）を斜線で塗り潰して図示している。この場合、データトラックパターン領域Ａｔ内のデータトラックパターン２０ｔは、中心Ｏ（図２参照）を中心として所定の配列ピッチで互いに分割された同心円状（または、螺旋状）の数多くのデータ記録用トラックを構成する複数の凸部２１（磁気ディスク１Ａの回転方向（同図における矢印Ｒの向き）に沿って連続的に形成されて回転方向に長い帯状の凸部２１）と、ガードバンド部を構成する複数の凹部２２（トラック間凹部：本発明おける非記録領域）とを備えて構成されている。
【００４７】
また、データトラックパターン領域Ａｔ内の各凸部２１および各凹部２２は、一例として、凸部２１の半径方向における幅Ｗｔ１ａと、凹部２２の半径方向における幅Ｗｔ２ａとが互いにほぼ等しくなるように（一例として、幅Ｗｔ１ａ＝幅Ｗｔ２ａ＝１００ｎｍとなるように）規定されている。また、このデータトラックパターン領域Ａｔ内の各凸部２１は、その形成ピッチ（すなわち、データ記録トラックのトラックピッチ）や、磁気ディスク１Ａの半径方向における長さ（すなわち、データ記録トラックやガードバンド部の半径方向の長さ）が磁気ディスク１Ａの内周部から外周部までの全域において互いにほぼ等しくなるように形成されている。なお、磁気ディスク１Ａの回転中心とデータトラックパターン２０ｔの中心Ｏとが一致しているのが好ましいが、磁気ディスク１Ａの回転中心とデータトラックパターン２０ｔの中心Ｏとの間には、製造誤差に起因する３０〜５０μｍ程度の極く小さなずれが生じることがある。しかし、この程度のずれ量であれば磁気ヘッドに対するトラッキングサーボ制御が十分に可能であるため、回転中心と中心Ｏとは、実質的には同様であるといえる。
【００４８】
一方、サーボパターン領域Ａｓには、複数の領域が回転方向において並んで規定されて、各領域内にトラッキングサーボ制御用の各種サーボパターンを構成する複数の凸部２１および複数の凹部２２を有する凹凸パターン２０（サーボパターン２０ｓ：図２参照）が形成されている。具体的には、サーボパターン領域Ａｓ内には、サーボパターン２０ｓによってプリアンブルパターンが形成されたプリアンブルパターン領域と、サーボパターン２０ｓによってサーボアドレスマーク（サーボアドレスマークパターン）が形成されたサーボアドレスマーク領域と、サーボパターン２０ｓによってアドレスパターンが形成されたアドレスパターン領域と、サーボパターン２０ｓによってバーストパターンが形成されたバーストパターン領域とが回転方向において順に規定されている（図示せず）。また、バーストパターン領域内には、バーストパターンにおける各信号領域に対応する４つのバースト領域が規定されている（図示せず）。
【００４９】
また、図２に示すように、この磁気ディスク１Ａでは、データトラックパターン領域Ａｔおよびサーボパターン領域Ａｓが規定されている環状の領域よりも内周側（本発明におけるデータトラックパターン領域およびサーボパターン領域とは相違する領域の一例）に、本発明における所定領域に相当する測定用パターン領域Ａｘが規定されて、この測定用パターン領域Ａｘ内に凹凸パターン２０によって測定用パターン２０ｘが形成されている。この測定用パターン２０ｘは、後述するようにして原子間力顕微鏡１５０による導電性ＡＦＭ測定処理を実行する際に、基準となる導通電流値（基準値）を取得するためのパターンであって、図３に示すように、中心Ｏ（図２参照）を中心として所定の配列ピッチで互いに分割された同心円状（または、螺旋状）の記録領域を構成する複数の凸部２１（磁気ディスク１Ａの回転方向（同図における矢印Ｒの向き）に沿って連続的に形成されて回転方向に長い帯状の凸部２１）と、同心円状（または、螺旋状）の非記録領域を構成する複数の凹部２２（各凸部２１の間の凹部２２）とを備えて構成されている。
【００５０】
この場合、この磁気ディスク１Ａでは、一例として、測定用パターン領域Ａｘ内の凸部２１の半径方向における幅Ｗｘ１ａが、測定用パターン領域Ａｘ内の凹部２２の半径方向における幅Ｗｘ２ａに対して１／２の幅で、幅Ｗｘ２ａが前述した幅Ｗｔ２ａと等しくなるように規定されている。したがって、この幅Ｗｘ１ａは、前述した幅Ｗｔ１ａに対して１／２の幅（一例として、５０ｎｍ）となっている。また、測定用パターン２０ｘを構成する各凸部２１は、その形成ピッチや、磁気ディスク１Ａの半径方向における長さが、測定用パターン領域Ａｘ内における内周部から外周部までの全域において互いにほぼ等しくなるように形成されている。
【００５１】
この場合、図４に示すように、この磁気ディスク１Ａでは、データトラックパターン領域Ａｔ内に形成された凹凸パターン２０（データトラックパターン２０ｔ）における凹部２２の深さＤｔａと、測定用パターン領域Ａｘ内に形成された凹凸パターン２０（測定用パターン２０ｘ）における凹部２２の深さＤｘａとが互いに等しい深さとなるように（一例として、深さＤｔａ＝深さＤｘａ＝２０ｎｍとなるように）記録層１４に（中間層１３の上に）凹凸パターン２０が形成されている。また、前述したように、データトラックパターン領域Ａｔ内と測定用パターン領域Ａｘ内とで凹部２２の幅が等しく、かつ、凸部２１の幅が相違するため、この磁気ディスク１Ａでは、測定用パターン領域Ａｘ内の凹部２２の容積を測定用パターン領域Ａｘ内の凸部２１の面積で除した値がデータトラックパターン領域Ａｔ内の凹部２２の容積をデータトラックパターン領域Ａｔ内の凸部２１の面積で除した値よりも大きくなっている。
【００５２】
具体的には、一例として、図３に示す測定用パターン領域Ａｘ内における領域Ａｘａ内（一例として、半径方向に沿った一辺の長さが１５０ｎｍで、回転方向に沿った一辺の長さが２００ｎｍの矩形状の領域内）の凹部２２の容積（一例として、４０００００ｎｍ３（１００ｎｍ（半径方向の長さ）×２００ｎｍ（回転方向の長さ）×２０ｎｍ（深さ）））を領域Ａｘａ内の凸部２１の面積（一例として、１００００ｎｍ２（５０ｎｍ（半径方向の長さ）×２００ｎｍ（回転方向の長さ）））で除した値（この例では、４０ｎｍ）が、データトラックパターン領域Ａｔ内における領域Ａｔａ内（一例として、半径方向に沿った一辺および回転方向に沿った一辺の長さが共に２００ｎｍの方形状の領域内）の凹部２２の容積（一例として、４０００００ｎｍ３（１００ｎｍ（半径方向の長さ）×２００ｎｍ（回転方向の長さ）×２０ｎｍ（深さ）））を領域Ａｔａ内の凸部２１の面積（一例として、２００００ｎｍ２（１００ｎｍ（半径方向の長さ）×２００ｎｍ（回転方向の長さ）））で除した値（この例では、２０ｎｍ）よりも大きくなっている。これにより、図４に示すように、後述するようにして磁気ディスク１Ａの製造過程において非磁性材料１５の層をエッチング処理する際に、データトラックパターン領域Ａｔ内に段差を生じさせることなく、測定用パターン領域Ａｘ内において凸部２１（記録層１４）を非磁性材料１５の層から露出させることが可能となっている。
【００５３】
一方、図１に示すように、磁気記録媒体製造システム（以下、「製造システム」ともいう）１００は、スパッタリング装置１１０、スピンコート装置１２０、エッチング装置１３０、制御装置１４０および原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）１５０と、図示しない塗布装置およびカッティング装置（露光処理装置）などを備えて磁気ディスク１Ａや後述する磁気ディスク１Ｂ〜１Ｈなどを製造可能に構成されている。スパッタリング装置１１０は、ガラス基材１１の上に軟磁性層１２を形成する処理、軟磁性層１２の上に中間層１３を形成する処理、中間層１３の上に記録層１４を形成する処理、および、後述するようにして凹凸パターン２０を覆うようにして非磁性材料１５の層を形成する処理を実行する。
【００５４】
スピンコート装置１２０は、非磁性材料１５の層を覆うようにしてＳＯＧ材料（一例として、無機材料成分としてＳｉを含んで構成され、加熱処理によってＳｉＯ２となるＳＯＧ材料）等をスピンコートすることで、ＳＯＧ層１７（図７参照）を形成する。エッチング装置１３０は、制御装置１４０の制御に従い、後述するようにして、ＳＯＧ層１７をエッチングによって完全に除去すると共に、その下の非磁性材料１５の層の一部をエッチングによって除去する。制御装置１４０は、後述するようにして原子間力顕微鏡１５０を用いて取得された長さ情報Ｄに基づいて、制御装置１４０によるエッチング処理の処理条件（本発明における製造条件の一例）を規定し、規定した条件に基づいてエッチング装置１３０に制御信号Ｓを出力する（エッチング装置１３０を制御する）。また、制御装置１４０は、後述するようにして、原子間力顕微鏡１５０を用いて測定されて基準値（基準となる導通電流値）に基づいて、長さ情報Ｄを補正する補正処理を実行する。
【００５５】
原子間力顕微鏡１５０は、本発明における導電性ＡＦＭ測定法によって磁気ディスク１Ａの各部の導通電流値を測定し、その測定結果を測定位置に対応させて記憶する。また、原子間力顕微鏡１５０は、後述するようにして、測定した導通電流値と長さ情報取得用基準データとに基づいて、長さ情報Ｄを生成して制御装置１４０に出力する。さらに、原子間力顕微鏡１５０は、生成した長さ情報Ｄに基づく電流値画像（図１０〜１２参照）を図示しない表示部に表示させる。なお、後述する一連の測定処理においては、一例として、先端部の曲率半径が２０ｎｍ程度の単結晶シリコンプローブの表面にＲｈ等をコーティングすることで導電性を持たせたプローブと、測定対象の磁気ディスク１Ａ等の表面に接触させられる（磁気ディスク１Ａにおける記録層１４に電気的に接続される）電極とを使用して、原子間力顕微鏡１５０におけるコンダクティングＡＦＭ測定モードによって、プローブと電極との間を導通する導通電流値を測定しつつ、磁気ディスク１Ａ等の表面に生じている段差の高さ（厚み方向に沿った長さ）を測定する測定処理を実行する。
【００５６】
この場合、上記の「長さ情報取得用基準データ」は、磁気ディスク１Ａ上の任意の位置における「記録領域構成用の記録材料の表面（この例では、凸部２１の突端面）と記録材料上における非記録領域構成用の非記録材料の表面（この例では、凸部２１上の非磁性材料１５の表面）との間の磁気ディスク１Ａの厚み方向に沿った長さ」と、「導電性ＡＦＭ測定法による測定処理時にその任意の位置で測定される導通電流値」との関係を特定可能な情報で構成されている。また、この長さ情報取得用基準データは、磁気ディスク１Ａ（または、磁気ディスク１Ａの完成前の中間体）と同様にして製造された磁気ディスク（試料）を用いて予め取得されている。なお、試料（磁気ディスク１Ａと同様に製造された磁気ディスク）から長さ情報取得用基準データを取得する際には、一例として、原子間力顕微鏡１５０を用いて試料の各位置毎に上記の「導通電流値」を測定すると共に、測定した試料を破断して、例えばＴＥＭによって上記の「記録領域構成用の記録材料の表面と記録材料上における非記録領域構成用の非記録材料の表面との間の試料の厚み方向に沿った長さ」を測定する。
【００５７】
次に、磁気ディスク１Ａの製造方法について説明する。
【００５８】
上記の磁気ディスク１Ａの製造に際しては、まず、軟磁性層１２、中間層１３、記録層１４（凹凸パターン２０が形成されていない状態の記録層１４）、金属マスク層およびレジスト層が形成された中間体（図示せず）と、磁気ディスク１Ａを製造するためのスタンパー（凹凸パターン２０とは凹凸位置関係が反転しているスタンパー：凹凸パターン２０における凸部２１に対応する凹部と、凹凸パターン２０における凹部２２に対応する凸部を有する凹凸パターンが形成されたスタンパー：図示せず）とを用意する。次いで、上記の中間体およびスタンパーを用いたインプリント処理によって、凹凸パターン２０と凹凸位置関係が一致する凹凸パターン（図示せず）を中間体のレジスト層に形成する。
【００５９】
続いて、凹凸パターンが形成されたレジスト層をマスクとして用いて金属マスク層をエッチング処理することで、凹凸パターン２０と凹凸位置関係が一致する凹凸パターン（図示せず）を金属マスク層に形成する。次いで、凹凸パターンが形成された金属マスク層をマスクとして用いて記録層１４をエッチング処理することで、図５に示すように、凹部２２の底面が中間層１３に達する凹凸パターン２０を形成する。なお、エッチング処理が完了した時点においては、凹凸パターン２０における各凸部２１の上に金属マスク層が残存しているが、同図では、この金属マスク層をエッチング処理によって選択的に除去した後の状態を図示している。これにより、データトラックパターン２０ｔ、サーボパターン２０ｓ（図示せず：以下の説明においても同様）および測定用パターン２０ｘなど（凹凸パターン２０）が中間層１３の上にそれぞれ形成される。
【００６０】
次いで、スパッタリング装置１１０を用いて、非磁性材料１５としてのＳｉＯ２を中間体の表面（凹凸パターン２０の形成面）にスパッタリングすることで、図６に示すように、凹凸パターン２０の形成面を非磁性材料１５でそれぞれ覆う。この際には、中間体の全域（データトラックパターン領域Ａｔ、サーボパターン領域Ａｓおよび測定用パターン領域Ａｘの全域）において凹凸パターン２０における各凹部２２内に非磁性材料１５が十分に充填されるように、十分な厚みの非磁性材料１５の層（一例として、凸部２１上における厚みが３５ｎｍの非磁性材料１５の層）を形成する。なお、同図および後に参照する図７，１８，１９では、中間体に形成された凹凸パターン２０と、非磁性材料１５の層の表面に形成された凹凸パターンとが同一形状となっている状態を図示しているが、実際には、非磁性材料１５の層の表面に形成される凹凸パターンは、凸部および凹部の形成位置（凹凸位置関係）が凹凸パターン２０と一致しているものの、凸部の突端面や凹部の底面において角部が丸みを帯びて凹凸形状が鈍った状態となる。続いて、図７に示すように、スピンコート装置１２０によって非磁性材料１５の層の上にＳＯＧ材料やエネルギー線硬化型の樹脂材料等の流動性材料（塗布時において流動性を有する各種材料：この例では、ＳＯＧ材料）をスピンコートする。次いで、熱処理装置による加熱処理によってＳＯＧ材料を硬化させてＳＯＧ層１７（流動性材料を硬化させた層）を形成する。
【００６１】
この場合、この中間体では、測定用パターン領域Ａｘ内の凹部２２の容積を測定用パターン領域Ａｘ内の凸部２１の面積で除した値がデータトラックパターン領域Ａｔ内の凹部２２の容積をデータトラックパターン領域Ａｔ内の凸部２１の面積で除した値よりも大きくなっている。したがって、中間体における測定用パターン領域Ａｘおよびデータトラックパターン領域Ａｔの双方に対して、単位面積当りの塗布量が等しくなるようにＳＯＧ材料を塗布（スピンコート）したときには、測定用パターン領域Ａｘ内の塗膜の厚みＴｘよりもデータトラックパターン領域Ａｔ内の塗膜の厚みＴｔ（一例として、７５ｎｍ）の方が厚くなる。したがって、このような状態のＳＯＧ材料を硬化させたときには、図７に示すように、データトラックパターン領域Ａｔ内のＳＯＧ層１７の表面と、測定用パターン領域Ａｘ内のＳＯＧ層１７の表面との間に、中間体の厚み方向に沿った長さＬ３ａの段差が生じた状態（測定用パターン領域Ａｘ内が長さＬ３ａだけ低い状態）となる。
【００６２】
続いて、エッチング装置１３０を用いて、非磁性材料１５の層およびＳＯＧ層１７に対してイオンビームエッチング処理を実行する。この際には、後述するようにして取得した長さ情報Ｄに基づき、制御装置１４０が、一例として、データトラックパターン領域Ａｔ内の凸部２１（記録層１４）の上の非磁性材料１５の厚み（図４，８に示す長さＬ１ａ）が所望の厚みとなり、かつ、測定用パターン領域Ａｘ内の凸部２１（記録層１４）が非磁性材料１５から露出する（すなわち、図４，８に示す長さＬ２ａが「０」となる）エッチング条件を規定する。また、エッチング条件の規定に際しては、非磁性材料１５の層およびＳＯＧ層１７の双方に対するエッチングレートが等しくなるように、イオンビームの入射角度やエッチング用ガスの種類などを決定する。さらに、エッチング用ガスとしては、一例として、Ａｒガスを使用する。次いで、制御装置１４０は、規定したエッチング条件に従い、エッチング装置１３０に制御信号Ｓを出力してエッチング処理を開始させる。
【００６３】
この際には、まず、非磁性材料１５の層の上のＳＯＧ層１７がエッチングされて非磁性材料１５の上から除去され、ＳＯＧ層１７の除去が完了した領域から順に、非磁性材料１５の層に対するエッチングが行われる。この場合、上記したようにデータトラックパターン領域Ａｔ内のＳＯＧ層１７よりも測定用パターン領域Ａｘ内のＳＯＧ層１７の方が長さＬ３ａだけ薄いため、測定用パターン領域Ａｘ内において、データトラックパターン領域Ａｔ内よりもＳＯＧ層１７のエッチングが短時間で完了して非磁性材料１５の層に対するエッチングが開始される。したがって、図８に示すように、データトラックパターン領域Ａｔ内において上記の長さＬ１ａが十分に薄い所望の長さとなるまでエッチング処理を継続することで、測定用パターン領域Ａｘ内において凸部２１（記録層１４）の上の非磁性材料１５の層が完全に除去されて（長さＬ２ａが「０」となって）、測定用パターン領域Ａｘ内において凸部２１の突端面（記録層１４の表面）が非磁性材料１５から確実に露出する。この場合、図８では、非磁性材料１５のエッチングレートと、記録層１４のエッチングレートとがほぼ等しくなるエッチング条件を規定してエッチング処理を行った例を図示している。
【００６４】
なお、上記の例では、データトラックパターン領域Ａｔ内の凸部２１（記録層１４）の上に所望の厚み（長さＬ１ａ）の非磁性材料１５を残存させているが、磁気記録媒体に求められる記録再生特性によっては、データトラックパターン領域Ａｔ内において凸部２１の突端面（記録層１４の表面）が非磁性材料１５から露出するように（上記の長さＬ１ａが「０」となるように）エッチング処理を実行することもできる。このような場合においても、前述したように測定用パターン領域Ａｘ内においてデータトラックパターン領域Ａｔ内よりもＳＯＧ層１７が薄くなっているため、測定用パターン領域Ａｘ内において凸部２１の突端面（記録層１４の表面）を非磁性材料１５から確実に露出させることが可能となっている。次いで、エッチング処理を完了した中間体の表面に例えばＣＶＤ法によってＤＬＣの薄膜を成膜する。これにより、保護層１６が形成される。この後、保護層１６の表面に潤滑剤を塗布する。なお、以下に説明する長さ情報Ｄの取得処理、および取得した長さ情報Ｄに基づく検査処理の対象とする磁気ディスク１Ａについては、一例として、取得処理および検査処理を完了した後に潤滑剤を塗布する。これにより、図２〜４に示すように、磁気ディスク１Ａが完成する。
【００６５】
次いで、上記の磁気ディスク１Ａを対象として長さ情報Ｄを取得する長さ情報取得方法について、図面を参照して説明する。
【００６６】
前述したように、出願人は、上記の製造方法に従って製造される各磁気ディスク１Ａについて、凸部２１の突端面（記録層１４の表面）と、非磁性材料１５の層の表面との間の磁気ディスク１Ａの厚み方向における長さＬ１ａ（凸部２１上の残渣の厚み）がその設計値どおりの所望の長さ（厚み）となっているかを検査することで、設計値を超えるスペーシングロスの発生や、ヘッド浮上量の異常の発生を回避している。この場合、以下に説明する方法によれば、従来の方法とは異なり、磁気ディスク１Ａを破断することなく、データトラックパターン領域Ａｔ内における凸部２１の突端面（記録層１４の表面）と、その上の非磁性材料１５の層の表面との間の磁気ディスク１Ａの厚み方向における長さＬ１ａ（凸部２１上の非磁性材料１５の厚み）を測定することができる。したがって、製造したすべての磁気ディスク１Ａを対象として長さＬ１ａを測定する（全製品検査を実行する）こともできるが、以下の例では、一例として、製造される磁気ディスク１Ａについて数百枚当たり１つの検査対象体を抽出し、抽出した磁気ディスク１Ａ（検査対象体）を対象として長さＬ１ａについての長さ情報Ｄを取得する。
【００６７】
具体的には、検査対象（測定対象）の磁気ディスク１Ａ（一例として、潤滑剤が塗布されていない状態の磁気ディスク１Ａ）を原子間力顕微鏡１５０におけるステージ上にセットして、磁気ディスク１Ａにおける例えば外周部側の表面に電極を接触させた後に、コンダクティングＡＦＭ測定モードによる電流値測定処理を開始する。この際には、まず、測定用パターン領域Ａｘ内の凸部２１の形成領域（本発明における「記録材料の表面が非記録材料から露出している部位」の一例）にプローブを移動させて接触させる。この際に、この磁気ディスク１Ａでは、前述したように、測定用パターン領域Ａｘ内において凸部２１の突端面（記録層１４の表面）が非磁性材料１５から露出しているため、測定用パターン領域Ａｘ内において凸部２１の形成領域（本発明における記録領域）に接触させることで、プローブの先端部は、記録層１４に接するように形成された保護層１６の表面（記録材料の上に非記録材料が存在しない領域）に接触する。次いで、磁気ディスク１Ａの表面に接触させられている電極と、プローブとの間を導通する導通電流値を測定する。
【００６８】
この場合、この種の原子間力顕微鏡１５０では、プローブの摩耗状態や、原子間力顕微鏡１５０に対して供給される電圧の僅かな変動などの測定環境の変動に起因して、プローブの先端部を記録層１４に接するように形成された保護層１６の表面に接触させた状態において測定される導通電流値が極く僅かながら変動する。したがって、一連の測定処理に先立って記録層１４が非磁性材料１５から露出している部位の保護層１６の表面（この例では、測定用パターン領域Ａｘ内の凸部２１の形成領域）にプローブを接触させた状態において導通電流値を測定することにより、後に測定される磁気ディスク１Ａの各部の導通電流値に基づいて取得される長さ情報Ｄを測定環境の変動等に起因する誤差を生じさせることのないように正確に補正することが可能となる。
【００６９】
具体的には、プローブの摩耗等が生じていない状態においては、図９に示すように、凸部２１の上に非磁性材料１５の層が存在しない部位：すなわち、凸部２１の突端面と非磁性材料１５の層の表面との間の長さが「０．０ｎｍ」となっている部位においてプローブの先端部を保護層１６の表面に接触させたときに、６．５ｎＡとの導通電流値が測定される。しかしながら、プローブの摩耗等が生じている状態においては、凸部２１の上に非磁性材料１５の層が存在しない部位においてプローブの先端部を保護層１６の表面に接触させたときに、例えば、６．３ｎＡとの導通電流値が測定される。したがって、後に説明する測定処理時において凸部２１の突端面が非磁性材料１５の層から露出している部位にプローブを接触させた際に６．３ｎＡとの導通電流値が測定されることにより、実際には、長さが「０．０ｎｍ」であるにも拘わらず、長さが「０．１ｎｍ」程度であると誤って特定されることとなる。
【００７０】
したがって、測定用パターン領域Ａｘ内における凸部２１の形成領域にプローブを接触させた状態において、６．５ｎＡ（長さ情報取得用基準データにおいて厚みが「０」の部位に対応する導通電流値）とは相違するＮｎＡ（Ｎは電流値）の導通電流値が測定されたときには、この後に、測定用パターン領域Ａｘ内およびデータトラックパターン領域Ａｔ内の各部毎に測定される導通電流値ＭｎＡ（Ｍは電流値）に対して６．５／Ｎを乗算して補正する。なお、各導通電流値の補正については、以下に説明する「測定用パターン領域Ａｘ内およびデータトラックパターン領域Ａｔ内の各部毎の導通電流値の測定が完了した後に測定された導通電流値を一括して補正する方法と、各部毎の導通電流値の測定と並行して、各導通電流値と順次補正する方法とのいずれかが採用されている。
【００７１】
上記のようにして、導通電流値を補正するための基準値の取得が完了した後に、一例として、測定用パターン領域Ａｘ内における１μｍ×１μｍの方形状の領域内でプローブを磁気ディスク１Ａの半径方向で蛇行するように移動させつつ、矩形状の領域内の各部において、電極とプローブとの間を導通する導通電流値をそれぞれ測定する（導電性ＡＦＭ測定法による導通電流値の測定処理）。この際に、図１０に示すように、原子間力顕微鏡１５０によって測定された測定用パターン領域Ａｘ内の各部の導通電流値を表す電流値像では、凸部２１の形成領域（本発明における記録領域：同図における黒色の帯状の領域）と、凹部２２の形成領域（本発明における非記録領域：同図における白色の帯状の領域）とを明確に区別可能なパターンとなっている。なお、図１０は、凸部２１の突端面（記録層１４の表面）が非磁性材料１５の層から露出した状態のデータトラックパターン２０ｔが形成されたデータトラックパターン領域Ａｔを撮像した電流値像であるが、この磁気ディスク１Ａの測定用パターン領域Ａｘについても、凸部２１の形成領域（黒色の帯状の領域）の幅が同図に示す状態よりも細くなるだけで、この電流値像と同様の電流値像が表示される。
【００７２】
続いて、データトラックパターン領域Ａｔ内（一例として、磁気ディスク１Ａにおける最内周部側）にプローブを移動させ、その状態において、データトラックパターン領域Ａｔ内における１μｍ×１μｍの方形状の領域内でプローブを磁気ディスク１Ａの半径方向で蛇行するように移動させつつ、矩形状の領域内の各部において、電極とプローブとの間を導通する導通電流値をそれぞれ測定する（導電性ＡＦＭ測定法による導通電流値の測定処理）。この場合、この磁気ディスク１Ａでは、データトラックパターン領域Ａｔ内の各凸部２１の上に所望の厚み（長さＬ１ａ：一例として、１．７ｎｍ）の非磁性材料１５の層が形成されている。しかしながら、前述した製造方法におけるエッチング処理が不足して、各凸部２１の上の非磁性材料１５の層の厚み（長さＬ１ａ）が、上記の所望の厚みよりも厚い厚み（例えば、５．８ｎｍ）となっている不良品の磁気ディスク１Ａでは、図９に示すように、プローブの先端部が凸部２１の形成領域に接触しているときに、電極とプローブとの間を電流が導通することなく、０．０ｎＡとの導通電流値（または、上記の補正処理の結果、０．０ｎＡとの値に補正される極く小さな導通電流値）が測定される。
【００７３】
また、プローブの先端部が凹部２２の形成領域（すなわち、凹部２２内に充填された非磁性材料１５に接するように形成された保護層１６の表面）に接触しているときには、凸部２１の上の非磁性材料１５の層の長さとは関係なく、電極とプローブとの間を電流が導通しないため、０．０ｎＡとの導通電流値（または、０．０ｎＡとの値に補正される極く小さな導通電流値）が測定される。したがって、図１２に示すように、原子間力顕微鏡１５０によって測定されたデータトラックパターン領域Ａｔ内の各部の導通電流値を表す電流値像では、凸部２１の形成領域と、凹部２２の形成領域とを区別することができず、全体として、ほぼ同一色で塗り潰された状態となる。したがって、この電流値像を参照することで、データトラックパターン領域Ａｔ内の凸部２１の上（記録領域内）において過剰に厚い非磁性材料１５の層が残存した状態となっていると認識することが可能となっている。
【００７４】
一方、各凸部２１の上に所望の厚み（長さＬ１ａ：この例では、１．７ｎｍ）の非磁性材料１５の層が形成されている良品の磁気ディスク１Ａでは、図９に示すように、プローブの先端部が凸部２１の形成領域、すなわち、凸部２１の上に所望の厚みの非磁性材料１５の層が形成されている部位（非磁性材料１５の厚み（長さＬ１ａ）が「１．７ｎｍ」の部位）に接触しているときに、一例として、３．５ｎＡとの導通電流値（または、３．５ｎＡとの値に補正される導通電流値）が測定される。また、良品の磁気ディスク１Ａでは、プローブの先端部が凹部２２の形成領域（すなわち、凹部２２内に充填された非磁性材料１５に接するように形成された保護層１６の表面）に接触しているときに、電極とプローブとの間を電流が導通することなく、０．０ｎＡとの導通電流値（または、０．０ｎＡとの値に補正される極く小さな導通電流値）が測定される。
【００７５】
この際に、図１１に示すように、原子間力顕微鏡１５０によって測定されたデータトラックパターン領域Ａｔ内の各部の導通電流値を表す電流値像では、凸部２１の形成領域（本発明における記録領域：同図における黒色および灰色の帯状の領域）と、凹部２２の形成領域（本発明における非記録領域：同図における白色の帯状の領域）とを比較的明確に区別可能なパターンとなっている。したがって、この電流値像を参照することで、データトラックパターン領域Ａｔ内の凸部２１の上（記録領域内）において過剰に厚い非磁性材料１５の層が残存していない状態となっていると認識することが可能となっている。また、測定用パターン領域Ａｘについての上記の電流値像と比較することで、データトラックパターン領域Ａｔ内の凸部２１の上（記録領域内）において極く薄厚の非磁性材料１５の層が形成された状態となっていると認識することも可能となっている。
【００７６】
なお、前述した磁気ディスク１Ａａ（図２３参照）を対象として上記の一連の処理を実行したときには、測定用パターン領域Ａｘ内の各部の導通電流値を表す電流値像と、データトラックパターン領域Ａｔ内の各部の導通電流値を表す電流値像とを比較することで、データトラックパターン領域Ａｔ内において凸部２１の突端面が非磁性材料１５から露出しているか否か（凸部２１の突端面と凸部２１上の非磁性材料１５の表面との間の長さＬ１ａが「０」となっているか否か）を容易に認識することができる。具体的には、測定用パターン領域Ａｘについての電流値像と、データトラックパターン領域Ａｔについての電流値像との双方が同様のパターン（凸部２１の形成領域と凹部２２の形成領域とを明確に区別可能なパターン）であるときには、データトラックパターン領域Ａｔ内において、測定用パターン領域Ａｘ内と同様にして凸部２１の突端面が非磁性材料１５から露出している旨を容易に認識することができる。
【００７７】
これに対して、測定用パターン領域Ａｘについての電流値像と、データトラックパターン領域Ａｔについての電流値像とが相違するパターンであるとき（データトラックパターン領域Ａｔについての電流値像において、測定用パターン領域Ａｘについての電流値像よりも、凸部２１の形成領域と凹部２２の形成領域とを区別するのが困難となっているとき）には、データトラックパターン領域Ａｔ内において、凸部２１の突端面が非磁性材料１５から露出していない旨を容易に認識することができる。このように、データトラックパターン領域Ａｔ（または、サーボパターン領域Ａｓ）において凸部２１上に非磁性材料１５を存在させない磁気ディスク１Ａａ等を製造する際においては、データトラックパターン領域Ａｔ（または、サーボパターン領域Ａｓ）についての電流値像と、測定用パターン領域Ａｘについての電流値像とを比較可能に表示することで、その磁気ディスク１Ａａ等が良品か否かを確実かつ容易に区別することができる。
【００７８】
次いで、磁気ディスク１Ａ上の各部の導通電流値と、長さ情報取得用基準データ（一例として、図９に示す電流値と厚みとの関係を特定可能な情報）とに基づき、長さ情報Ｄを生成する。具体的には、図９に示すように、データトラックパターン領域Ａｔ内の凸部２１の形成領域において、０．０ｎＡとの導通電流値が測定されたとき（または、前述した補正処理の結果、導通電流値が０．０ｎＡとの値に補正されたとき）には、厚み方向に沿った長さが５．８ｎｍ以上の厚手の非磁性材料１５の層がデータトラックパターン領域Ａｔ内の凸部２１上に存在するとの長さ情報Ｄが生成される。また、データトラックパターン領域Ａｔ内の凸部２１の形成領域において、例えば０．９ｎＡとの導通電流値が測定されたとき（または、０．９ｎＡとの値に補正されたとき）には、厚み方向に沿った長さが３．２ｎｍの非磁性材料１５の層がデータトラックパターン領域Ａｔ内の凸部２１上に存在するとの長さ情報Ｄが生成される。
【００７９】
さらに、データトラックパターン領域Ａｔ内の凸部２１の形成領域において、例えば１．７ｎＡとの導通電流値が測定されたとき（または、１．７ｎＡとの値に補正されたとき）には、厚み方向に沿った長さが２．５ｎｍの非磁性材料１５の層がデータトラックパターン領域Ａｔ内の凸部２１上に存在するとの長さ情報Ｄが生成される。また、データトラックパターン領域Ａｔ内の凸部２１の形成領域において、例えば３．５ｎＡとの導通電流値が測定されたとき（または、３．５ｎＡとの値に補正されたとき）には、厚み方向に沿った長さが１．７ｎｍの非磁性材料１５の層がデータトラックパターン領域Ａｔ内の凸部２１上に存在するとの長さ情報Ｄが生成される。
【００８０】
さらに、データトラックパターン領域Ａｔ内の凸部２１の形成領域において、例えば６．５ｎＡとの導通電流値が測定されたとき（または、６．５ｎＡとの値に補正されたとき）には、厚み方向に沿った長さが０．０ｎｍの非磁性材料１５の層がデータトラックパターン領域Ａｔ内の凸部２１上に存在する（すなわち、凸部２１の突端面が非磁性材料１５の層から露出している）との長さ情報Ｄが生成される。以上により、データトラックパターン領域内の凸部２１の突端面と、その上の非磁性材料１５の層の表面との間の長さＬ１ａについての長さ情報Ｄの取得処理が完了する。
【００８１】
なお、上記の一連の処理に準じた方法で、長さ情報Ｄに代えて、凸部２１の突端面（記録層１４の表面）と保護層１６の表面との間の磁気ディスク１Ａの厚み方向に沿った長さＬ４ａ（図４参照）についての長さ情報Ｄを取得することもできる。具体的には、まず、上記の長さＬ１ａについての長さ情報Ｄの取得時と同様にして、原子間力顕微鏡１５０を用いたコンダクティングＡＦＭ測定モードによる電流値測定処理を実行する。次いで、データトラックパターン領域Ａｔの各部毎の導通電流値と、長さ情報取得用基準データとに基づいて長さＬ４ａを特定する。この際には、上記の長さ情報取得用基準データに代えて、凸部２１の突端面および保護層１６の表面の間の長さと、測定される電流値との関係を特定可能な長さ情報取得用基準データを使用する。これにより、データトラックパターン領域内の凸部２１の突端面と、その上の保護層１６の表面との間の長さＬ４ａについての長さ情報Ｄの取得処理が完了する。
【００８２】
この後、原子間力顕微鏡１５０による測定処理によって生成された（取得された）長さ情報Ｄ（長さＬ１ａについての長さ情報Ｄ、または、長さＬ４ａについての長さ情報Ｄ）が原子間力顕微鏡１５０から制御装置１４０に出力されたときに、制御装置１４０は、データトラックパターン領域Ａｔ内における凸部２１の突端面とその上の非磁性材料１５の表面との間の長さＬ１ａ（すなわち、凸部２１上の非磁性材料１５の層の厚み）、または、凸部２１の突端面とその上の保護層１６の表面との間の長さＬ４ａが所望の長さとなっているか否かを検査する検査処理を実行する。この際に、長さ情報Ｄに基づいて特定した上記の長さＬ１ａまたは長さＬ４ａが所望の長さのときには、制御装置１４０は、エッチング装置１３０によるＳＯＧ層１７および非磁性材料１５の層に対するエッチング処理の処理条件を維持して、磁気ディスク１Ａの製造を継続して実行させる。
【００８３】
一方、長さ情報Ｄに基づいて特定した上記の長さＬ１ａ、または、長さＬ４ａが所望の長さよりも長いときや、所望の長さよりも短いときには、制御装置１４０は、所望の長さと長さ情報Ｄに基づいて特定した長さＬ１ａ、または、長さＬ４ａとの差異に応じて、エッチング装置１３０によるＳＯＧ層１７および非磁性材料１５の層に対するエッチング処理の処理条件を変更し、変更後の処理条件で磁気ディスク１Ａの製造を実行させる。これにより、その後に製造される磁気ディスク１Ａにおいて、データトラックパターン領域Ａｔ内における凸部２１の突端面とその上の非磁性材料１５の表面との間の長さＬ１ａ、または、凸部２１の突端面とその上の保護層１６の表面との間の長さＬ４ａが所望の長さとなる（長さ情報に基づいて製造条件を規定して磁気記録媒体を製造する製造方法の一例）。
【００８４】
なお、上記のようにして長さＬ１ａについての長さ情報Ｄを生成する一連の処理は、完成状態の磁気ディスク１Ａを対象として実施する方法に限定されず、例えば、磁気ディスク１Ａの製造過程において保護層１６の形成を開始する以前の状態の中間体（保護層１６が存在しない中間体）や、潤滑剤の塗布が完了した状態の磁気ディスク１Ａを対象として実施することもできる。このような方法を採用する場合においては、上記の長さ情報取得用基準データに代えて、保護層１６が形成されていない状態の上記の中間体、または、潤滑剤の塗布が完了した状態の磁気ディスク１Ａから予め取得した長さ情報取得用基準データ（上記の中間体のような状態において、凸部２１の突端面およびその上の非磁性材料１５の層の表面の間の長さと、測定される電流値との関係を特定可能な長さ情報取得用基準データ）を使用する。これにより、上記の磁気ディスク１Ａ（潤滑剤が塗布されていない状態の磁気ディスク１Ａ）と同様の長さ情報Ｄが取得される。
【００８５】
また、例えば前述した磁気ディスク１Ａａのように、データトラックパターン領域Ａｔ内（または、サーボパターン領域Ａｓ内）において凸部２１の上に非磁性材料１５を存在させない構成の磁気記録媒体を対象として長さ情報Ｄを取得する場合には、上記の原子間力顕微鏡１５０による電流値測定処理と並行して、段差の高さ測定処理（磁気記録媒体の表面に生じている段差の高さを測定する処理）を実行し、この高さ測定処理によって測定した段差の高さ情報をＡＦＭ像として表示させるのが好ましい。この場合、例えば、データトラックパターン領域Ａｔ内において凸部２１の突端面および凹部２２内の非磁性材料１５の表面が面一となっている状態（同一平面上に形成されている状態：図示せず）と、図２３に示す磁気ディスク１Ａａにように、データトラックパターン領域Ａｔ内において凸部２１の突端面および凹部２２内の非磁性材料１５の表面の間に磁気ディスク１Ａａの厚み方向で所定の長さが生じている状態とでは、いずれも、凸部２１の形成領域（記録領域）において同一の導通電流値が測定される。
【００８６】
したがって、前述した電流値測定処理によって測定された各電流値を表す電流値像では、対象とする磁気記録媒体が、上記の２つの状態のうちのいずれの状態であるかを区別することはできない。一方、高さ測定処理によって測定した段差の高さ情報に基づくＡＦＭ像（図示せず）では、対象とする磁気記録媒体の表面に段差が生じているか否かを確実かつ容易に区別することができる。このため、前述した電流値測定処理と、高さ測定処理とを並行して実行し、測定された導通電流値に基づく電流値像と、測定された段差の高さ情報に基づくＡＦＭ像とを表示させることにより、対象とする磁気記録媒体の状態を一層詳しく認識させることができる。
【００８７】
次に、本発明に係る長さ情報取得方法、磁気記録媒体製造方法および磁気記録媒体の他の実施形態について、図面を参照して説明する。なお、上記の磁気ディスク１Ａおよびその製造方法や、磁気ディスク１Ａを対象とする長さ情報Ｄの取得方法および製造システム１００と共通する構成要素については、同一の符号を付して重複する説明を省略する。また、後述する磁気ディスク１Ｂ〜１Ｈにおける特に言及しない構成については、上記の磁気ディスク１Ａと同様に構成されているものとする。
【００８８】
図２，１３，１４に示す磁気ディスク１Ｂは、本発明に係る磁気記録媒体の他の一例である両面記録型のディスクリートトラック媒体（パターンド媒体の一例）であって、前述した磁気ディスク１Ａと同様にして、突端部側（図１４における上端部側）が記録材料で形成された複数の凸部２１と、隣り合う凸部２１の間の凹部２２とを有する凹凸パターン２０が形成されている。また、凹凸パターン２０の各凹部２２内には、非磁性材料１５（本発明における非記録材料）が埋め込まれ、これにより、磁気ディスク１Ｂの表面における主たる領域が平坦化されている。この場合、この磁気ディスク１Ｂでは、前述した磁気ディスク１Ａと同様にして、凸部２１の形成領域が本発明における記録領域に相当し、凹部２２の形成領域が本発明における非記録領域に相当する。なお、図１４では、本発明についての理解を容易とするために、サーボパターン領域Ａｓ内の凸部２１の上に非磁性材料１５が残存している状態を図示しているが、同図における測定用パターン領域Ａｘ内の凸部２１のように、サーボパターン領域Ａｓ内の凸部２１の上に非磁性材料１５が存在しない状態（凸部２１上の非磁性材料１５の厚みが「０」の状態）に構成することもできる。
【００８９】
この場合、図１３に示すように、磁気ディスク１Ｂのサーボパターン領域Ａｓにおけるバーストパターン領域には、磁気ディスク１Ｂ上における磁気ヘッドの位置を補正するためのバースト信号を得るためのバーストパターン（位置検出用のサーボパターン）が形成されている。具体的には、この磁気ディスク１Ｂでは、一例として、各バースト領域内に平面視四角形状の複数の凸部２１（本発明における記録領域）が形成されて単位バースト領域が構成されると共に、各凸部２１の間に凹部２２（本発明における非記録領域）が形成されている。なお、同図では、凹凸パターン２０（サーボパターン２０ｓ）における凸部２１の形成領域（本発明における記録領域）を斜線で塗り潰して図示している。この場合、磁気ディスク１Ｂの回転中心とサーボパターン２０ｓの中心Ｏとが一致しているのが好ましいが、磁気ディスク１Ｂの回転中心とサーボパターン２０ｓの中心Ｏとの間には、製造誤差に起因する３０〜５０μｍ程度の極く小さなずれが生じることがある。しかし、この程度のずれ量であれば磁気ヘッドに対するトラッキングサーボ制御が十分に可能であるため、回転中心と中心Ｏとは、実質的には同様であるといえる。
【００９０】
また、サーボパターン領域Ａｓ内の凹凸パターン２０（サーボパターン２０ｓ：この例では、バーストパターン）は、一例として、磁気ディスク１Ｂの半径方向（同図における左右方向）に沿った凸部２１の幅Ｗｓ１１ｂと、半径方向において隣接する２つの凸部２１，２１の間の凹部２２の半径方向に沿った幅Ｗｓ２１ｂとが互いに等しくなるように（一例として、幅Ｗｓ１１ｂ＝幅Ｗｓ２１ｂ＝２００ｎｍ）規定されている。また、磁気ディスク１Ｂの回転方向（矢印Ｒの向き：同図における上下方向）に沿った凸部２１の幅Ｗｓ１２ｂと、回転方向において隣接する２つの凸部２１，２１の間の凹部２２の回転方向に沿った幅Ｗｓ２２ｂとが互いに等しくなるように（一例として、サーボパターン領域Ａｓの最内周部＝中心Ｏからの距離が９．３ｍｍの部位において、幅Ｗｓ１２ｂ＝幅Ｗｓ２２ｂ＝７５ｎｍ）規定されている。したがって、この磁気ディスク１Ｂでは、サーボパターン領域Ａｓにおけるサーボパターン領域内の単位面積当り（一例として、同図における領域Ａｓｂ内）の凸部２１の面積に対する凹部２２の面積が３倍となっている。
【００９１】
また、図２に示すように、この磁気ディスク１Ｂでは、データトラックパターン領域Ａｔおよびサーボパターン領域Ａｓが規定されている環状の領域よりも内周側（本発明におけるデータトラックパターン領域およびサーボパターン領域とは相違する領域の一例）に、本発明における所定領域に相当する測定用パターン領域Ａｘが規定されて、この測定用パターン領域Ａｘ内に凹凸パターン２０によって測定用パターン２０ｘが形成されている。この測定用パターン２０ｘは、前述した磁気ディスク１Ａにおける測定用パターン２０ｘと同様にして、原子間力顕微鏡１５０による導電性ＡＦＭ測定処理を実行する際に、基準となる導通電流値（基準値）を取得するためのパターンであって、図１３に示すように、上記のサーボパターン領域Ａｓ内におけるバーストパターン領域内と同様にして、複数の凸部２１と、各凸部２１の間の凹部２２とが形成されている。
【００９２】
この場合、この磁気ディスク１Ｂにおける測定用パターン２０ｘは、一例として、磁気ディスク１Ｂの半径方向（同図における左右方向）に沿った凸部２１の幅Ｗｘ１１ｂが、半径方向において隣接する２つの凸部２１，２１の間の凹部２２の半径方向に沿った幅Ｗｘ２１ｂに対して１／２の幅（一例として、１００ｎｍ）となるように規定されている。また、磁気ディスク１Ｂの回転方向（矢印Ｒの向き：同図における上下方向）に沿った凸部２１の幅Ｗｘ１２ｂと、回転方向において隣接する２つの凸部２１，２１の間の凹部２２の回転方向に沿った幅Ｗｘ２２ｂとが互いに等しくなるように（一例として、幅Ｗｘ１２ｂ＝幅Ｗｘ２２ｂ＝７５ｎｍ）規定されている。したがって、この磁気ディスク１Ｂでは、測定用パターン領域Ａｘ内の単位面積当り（一例として、同図における領域Ａｘｂ内）の凸部２１の面積に対する凹部２２の面積が５倍となっている。
【００９３】
この場合、図１４に示すように、この磁気ディスク１Ｂでは、サーボパターン領域Ａｓ内に形成された凹凸パターン２０（サーボパターン２０ｓ）における凹部２２の深さＤｓｂと、測定用パターン領域Ａｘ内に形成された凹凸パターン２０（測定用パターン２０ｘ）における凹部２２の深さＤｘｂとが互いに等しい深さ（一例として、２０ｎｍ）となるように記録層１４に（中間層１３の上に）凹凸パターン２０が形成されている。また、この磁気ディスク１Ｂでは、測定用パターン領域Ａｘ内の凹部２２の容積を測定用パターン領域Ａｘ内の凸部２１の面積で除した値がサーボパターン領域Ａｓ内の凹部２２の容積をサーボパターン領域Ａｓ内の凸部２１の面積で除した値よりも大きくなっている。
【００９４】
具体的には、一例として、図１３に示す測定用パターン領域Ａｘ内における領域Ａｘｂ内（一例として、半径方向に沿った一辺の長さが３００ｎｍで、回転方向に沿った一辺の長さが１５０ｎｍの矩形状の領域内）の凹部２２の容積（一例として、７５００００ｎｍ３（１００ｎｍ（半径方向の長さ）×７５ｎｍ（回転方向の長さ）×２０ｎｍ（深さ）×５））を領域Ａｘｂ内の凸部２１の面積（一例として、７５００ｎｍ２（１００ｎｍ（半径方向の長さ）×７５ｎｍ（回転方向の長さ）））で除した値（この例では、１００ｎｍ）が、サーボパターン領域Ａｓ内（一例として、サーボパターン領域Ａｓにおける最内周部：中心Ｏからの距離が９．３ｍｍの領域）における領域Ａｓｂ内（一例として、半径方向に沿った一辺の長さが４００ｎｍで、回転方向に沿った一辺の長さが１５０ｎｍの矩形状の領域内）の凹部２２の容積（一例として、９０００００ｎｍ３（２００ｎｍ（半径方向の長さ）×７５ｎｍ（回転方向の長さ）×２０ｎｍ（深さ）×３））を領域Ａｓｂ内の凸部２１の面積（一例として、１５０００ｎｍ２（２００ｎｍ（半径方向の長さ）×７５ｎｍ（回転方向の長さ）））で除した値（この例では、６０ｎｍ）よりも大きくなっている。これにより、図１４に示すように、後述するようにして磁気ディスク１Ｂの製造過程において非磁性材料１５の層をエッチング処理する際に、サーボパターン領域Ａｓ内に段差を生じさせることなく、測定用パターン領域Ａｘ内において凸部２１（記録層１４）を非磁性材料１５の層から露出させることが可能となっている。
【００９５】
この磁気ディスク１Ｂの製造に際しては、前述した磁気ディスク１Ａの製造時と同様にして、金属マスク層を用いたエッチング処理によって、凹部２２の底面が中間層１３に達する凹凸パターン２０を形成することで、データトラックパターン２０ｔ、サーボパターン２０ｓおよび測定用パターン２０ｘを中間層１３の上にそれぞれ形成する。次いで、中間体の表面（凹凸パターン２０の形成面）に非磁性材料１５としてのＳｉＯ２をスパッタリングして凹凸パターン２０の形成面に非磁性材料１５の層を形成した後に、その非磁性材料１５の層の上にＳＯＧ材料をスピンコートして硬化させることにより、ＳＯＧ層１７を形成する。
【００９６】
この場合、この中間体では、測定用パターン領域Ａｘ内の凹部２２の容積を測定用パターン領域Ａｘ内の凸部２１の面積で除した値がサーボパターン領域Ａｓ内の凹部２２の容積をサーボパターン領域Ａｓ内の凸部２１の面積で除した値よりも大きくなっている。したがって、中間体における測定用パターン領域Ａｘおよびサーボパターン領域Ａｓの双方に対して、単位面積当りの塗布量が等しくなるようにＳＯＧ材料を塗布（スピンコート）したときには、測定用パターン領域Ａｘ内の塗膜（図示せず）の厚みよりもサーボパターン領域Ａｓ内の塗膜（図示せず）の厚みの方が厚くなる。したがって、このような状態のＳＯＧ材料を硬化させたときには、サーボパターン領域Ａｓ内のＳＯＧ層１７の表面と、測定用パターン領域Ａｘ内のＳＯＧ層１７の表面との間に段差が生じた状態（測定用パターン領域Ａｘ内が図１４に示す長さＬ３ｂと同程度だけ低い状態：図示せず）となる。
【００９７】
続いて、非磁性材料１５の層およびＳＯＧ層１７に対してイオンビームエッチング処理を実行する。この際には、サーボパターン領域Ａｓ内のＳＯＧ層１７よりも測定用パターン領域Ａｘ内のＳＯＧ層１７の方が薄い分だけ、測定用パターン領域Ａｘ内において、サーボパターン領域Ａｓ内よりもＳＯＧ層１７のエッチングが短時間で完了して非磁性材料１５の層に対するエッチングが開始される。したがって、サーボパターン領域Ａｓ内において凸部２１（記録層１４）の上の非磁性材料１５の層の厚み（図１４における長さＬ１ｂ）が十分に薄い所望の状態となるまでエッチング処理を継続することで、測定用パターン領域Ａｘ内において凸部２１（記録層１４）の上の非磁性材料１５の層が完全に除去されて（図１４における長さＬ２ｂが「０」となって）、測定用パターン領域Ａｘ内において凸部２１の突端面（記録層１４の表面）が非磁性材料１５から確実に露出する。次いで、保護層１６の形成および潤滑剤の塗布を順次実行する。なお、以下に説明する長さ情報Ｄの取得処理、および取得した長さ情報Ｄに基づく検査処理の対象とする磁気ディスク１Ｂについては、一例として、取得処理および検査処理を完了した後に潤滑剤を塗布する。これにより、図２，１３，１４に示すように、磁気ディスク１Ｂが完成する。
【００９８】
この磁気ディスク１Ｂ（一例として、潤滑剤が塗布されていない状態の磁気ディスク１Ｂ）を対象として、サーボパターン領域Ａｓ内の凸部２１の突端面およびその上の非磁性材料１５の表面の間の長さＬ１ｂ（すなわち、凸部２１上の非磁性材料１５の厚み）についての長さ情報Ｄを取得する取得処理、または、サーボパターン領域Ａｓ内の凸部２１の突端面およびその上の保護層１６の表面の間の長さＬ４ｂについての長さ情報Ｄを取得する取得処理を実行する際には、前述した磁気ディスク１Ａを対象とする一連の処理と同様の処理を実行する。この場合、この磁気ディスク１Ｂを対象とする長さ情報Ｄの取得処理時における測定処理に際しては、磁気ディスク１Ａを対象とする長さ情報Ｄの取得処理時においてデータトラックパターン領域Ａｔ内で実行した測定処理をサーボパターン領域Ａｓ内で実行する点が相違するが、その他の一連の処理は、前述した測定処理と同様に実行する。したがって、この測定処理についての説明を省略する。次いで、測定した導通電流値と、長さ情報取得用基準データとに基づいて長さ情報Ｄを生成（取得）する生成処理を実行する。この処理時においては、予め取得した磁気ディスク１Ｂ用の長さ情報取得用基準データを使用する。なお、この長さ情報Ｄの生成処理の具体的内容については、上記の磁気ディスク１Ａを対象とする長さ情報Ｄの生成処理と同様であるため、その説明を省略する。
【００９９】
この後、原子間力顕微鏡１５０による測定処理によって生成された（取得された）長さ情報Ｄが原子間力顕微鏡１５０から制御装置１４０に出力されたときに、制御装置１４０は、サーボパターン領域Ａｓ内における凸部２１の突端面とその上の非磁性材料１５の表面との間の長さＬ１ｂ（すなわち、凸部２１上の非磁性材料１５の厚み）、または、サーボパターン領域Ａｓ内における凸部２１の突端面とその上の保護層１６の表面との間の長さＬ４ｂが所望の長さとなっているか否かを検査する検査処理を実行する。なお、この検査処理についても、上記の磁気ディスク１Ａを対象とする検査処理の方法と同様であるため、その説明を省略する。これにより、その後に製造される磁気ディスク１Ｂにおいて、サーボパターン領域Ａｓ内における上記の長さＬ１ｂ、または、長さＬ４ｂが所望の長さとなる（長さ情報に基づいて製造条件を規定して磁気記録媒体を製造する製造方法の他の一例）。
【０１００】
次いで、本発明に係る長さ情報取得方法、磁気記録媒体製造方法および磁気記録媒体のさらに他の実施形態について、図面を参照して説明する。なお、上記の磁気ディスク１Ａ，１Ｂおよびその製造方法や、磁気ディスク１Ａ，１Ｂを対象とする長さ情報Ｄの取得方法および製造システム１００と共通する構成要素については、同一の符号を付して重複する説明を省略する。
【０１０１】
図２，１５，１６に示す磁気ディスク１Ｃは、本発明に係る磁気記録媒体のさらに他の一例である両面記録型のディスクリートトラック媒体（パターンド媒体の一例）であって、前述した磁気ディスク１Ａ，１Ｂと同様にして、突端部側（図１６における上端部側）が記録材料で形成された複数の凸部２１と、隣り合う凸部２１の間の凹部２２とを有する凹凸パターン２０が形成されている。また、凹凸パターン２０の各凹部２２内には、非磁性材料１５（本発明における非記録材料）が埋め込まれ、これにより、磁気ディスク１Ｃの表面における主たる領域が平坦化されている。この場合、この磁気ディスク１Ｃでは、凸部２１の形成領域が本発明における記録領域に相当し、凹部２２の形成領域が本発明における非記録領域に相当する。なお、図１６では、本発明についての理解を容易とするために、データトラックパターン領域Ａｔ内の凸部２１の上に非磁性材料１５が残存している状態を図示しているが、同図における測定用パターン領域Ａｘ内の凸部２１のように、データトラックパターン領域Ａｔ内の凸部２１の上に非磁性材料１５が存在しない状態（凸部２１上の非磁性材料１５の厚みが「０」の状態）に構成することもできる。
【０１０２】
この場合、図１５に示すように、この磁気ディスク１Ｃのデータトラックパターン領域Ａｔに形成されたデータトラックパターン２０ｔの各凸部２１および各凹部２２は、一例として、凸部２１の半径方向における幅Ｗｔ１ｃと、凹部２２の半径方向における幅Ｗｔ２ｃとが互いにほぼ等しくなるように（一例として、幅Ｗｔ１ｃ＝幅Ｗｔ２ｃ＝１００ｎｍ）規定されている。また、データトラックパターン領域Ａｔ内の各凸部２１は、その形成ピッチ（すなわち、データ記録トラックのトラックピッチ）や、磁気ディスク１Ｃの半径方向における長さ（すなわち、データ記録トラックやガードバンド部の半径方向の長さ）が磁気ディスク１Ｃの内周部から外周部までの全域において互いにほぼ等しくなるように形成されている。
【０１０３】
また、この磁気ディスク１Ｃの測定用パターン領域Ａｘに形成された測定用パターン２０ｘの各凸部２１および各凹部２２は、一例として、凸部２１の半径方向における幅Ｗｘ１ｃが上記の幅Ｗｔ１ｃとほぼ等しくなるように（一例として、幅Ｗｘ１ｃ＝幅Ｗｔ１ｃ＝１００ｎｍ）規定されると共に、凹部２２の半径方向における幅Ｗｘ２ｃが上記の幅Ｗｘ１ｃおよび幅Ｗｔ２ｃに対して２倍となるように（一例として、幅Ｗｘ２ｃ＝２００ｎｍ）規定されている。また、この磁気ディスク１Ｃでは、各凸部２１の半径方向における形成ピッチや、凸部２１および凹部２２の半径方向の長さが測定用パターン領域Ａｘ内の内周部から外周部までの全域において互いにほぼ等しくなるように形成されている。
【０１０４】
この場合、図１６に示すように、この磁気ディスク１Ｃでは、データトラックパターン領域Ａｔ内に形成された凹凸パターン２０（データトラックパターン２０ｔ）における凹部２２の深さＤｔｃよりも、測定用パターン領域Ａｘ内に形成された凹凸パターン２０（測定用パターン２０ｘ）における凹部２２の深さＤｘｃの方が深くなるように記録層１４に（中間層１３の上に）凹凸パターン２０が形成されている。具体的には、一例として、データトラックパターン領域Ａｔ内の凹部２２の深さＤｔｃが２０ｎｍで、測定用パターン領域Ａｘ内の凹部２２の深さＤｘｃが２４ｎｍとなるように凹凸パターン２０が形成されている。これにより、図１６に示すように、後述するようにして磁気ディスク１Ｃの製造過程において非磁性材料１５の層をエッチング処理する際に、データトラックパターン領域Ａｔ内に段差を生じさせることなく、測定用パターン領域Ａｘ内において凸部２１（記録層１４）を非磁性材料１５の層から露出させることが可能となっている。
【０１０５】
次に、磁気ディスク１Ｃの製造方法について説明する。なお、金属マスク層によるマスクパターン（図示せず）を形成するまでの一連の製造工程については、前述した磁気ディスク１Ａ，１Ｂの製造方法と同様であるため、その説明を省略する。
【０１０６】
前述した磁気ディスク１Ａの製造時と同様にして、金属マスク層によるマスクパターンを形成した中間体を対象として、記録層１４をエッチング処理することで、図１７に示すように、凹部２２の底面が中間層１３に達する凹凸パターン２０を形成する。この場合、磁気ディスク１Ｃを製造するための中間体に対するエッチング処理時においては、データトラックパターン領域Ａｔ内のマスクパターンにおける凹部（前述したデータトラックパターン２０ｔにおける凹部２２に対応する凹部）よりも、測定用パターン領域Ａｘ内のマスクパターンにおける凹部（前述した測定用パターン２０ｘにおける凹部２２に対応する凹部）の方が半径方向における幅が広いため、所定のエッチング条件を規定してエッチング処理を行うことで、測定用パターン領域Ａｘ内においてデータトラックパターン領域Ａｔ内よりもエッチングの進行が早くなる。
【０１０７】
このため、同図に示すように、データトラックパターン領域Ａｔ内に形成される凹部２２の深さＤｔｃよりも深い深さＤｘｃの凹部２２が測定用パターン領域Ａｘ内に形成される。なお、エッチング処理が完了した時点においては、凹凸パターン２０における各凸部２１の上に金属マスク層が残存しているが、同図では、この金属マスク層をエッチング処理によって選択的に除去した後の状態を図示している。これにより、データトラックパターン２０ｔ、サーボパターン２０ｓおよび測定用パターン２０ｘ（凹凸パターン２０）が中間層１３の上にそれぞれ形成される。
【０１０８】
次いで、スパッタリング装置１１０を用いて、非磁性材料１５としてのＳｉＯ２を中間体の表面（凹凸パターン２０の形成面）にスパッタリングすることで、図１８に示すように、凹凸パターン２０の形成面を非磁性材料１５でそれぞれ覆う。この際には、中間体の全域（データトラックパターン領域Ａｔ、サーボパターン領域Ａｓおよび測定用パターン領域Ａｘの全域）において凹凸パターン２０における各凹部２２内に非磁性材料１５が十分に充填されるように、十分な厚みの非磁性材料１５の層を形成する。この場合、非磁性材料１５をスパッタリングする中間体の表面に凹凸パターン２０が形成されているため、同図に示すように、非磁性材料１５の層の表面が凹凸パターン２０の凸部２１および凹部２２に対応する凸部３１および凹部３２を有する凹凸パターン３０が非磁性材料１５の表面に形成される。この場合、データトラックパターン領域Ａｔ内の凹部３２の深さＤｔｃ１は、上記の深さＤｔｃとほぼ等しくなり、測定用パターン領域Ａｘ内の凹部３２の深さＤｘｃ１は、上記の深さＤｘｃとほぼ等しくなる。
【０１０９】
続いて、エッチング装置１３０を用いて、非磁性材料１５の層に対してイオンビームエッチング処理を実行する。この際には、Ａｒなどの希ガスを加工用ガスとして使用する。また、制御装置１４０は、後述するようにして取得した長さ情報Ｄに基づき、一例として、データトラックパターン領域Ａｔ内の凸部２１（記録層１４）の上の非磁性材料１５の厚み（図１６，２０に示す長さＬ１ｃ）が所望の厚みとなり、かつ、測定用パターン領域Ａｘ内の凸部２１（記録層１４）が非磁性材料１５から露出する（すなわち、図１６，２０に示す長さＬ２ｃが「０」となる）エッチング条件を規定してエッチング装置１３０に制御信号Ｓを出力する。
【０１１０】
この場合、イオンビームエッチング処理等のドライエッチング処理時においては、エッチング対象体の表面に生じている凸部（この例では、非磁性材料１５の表面に形成された凹凸パターン３０の凸部３１）が、その周囲（この例では、凹部３２の形成部位）よりも選択的にエッチングされる傾向がある。したがって、エッチング対象体の表面に凹凸が生じている場合には、凸部（凸部３１）が比較的早い段階においてエッチングされて、エッチング対象体（この例では、非磁性材料１５の層）が平坦化される。また、前述したように、この中間体では、データトラックパターン領域Ａｔ内における凹部３２の深さＤｔｃ１よりも測定用パターン領域Ａｘ内における凹部３２の深さＤｘｃ１の方が深くなっている。したがって、非磁性材料１５の層に対するエッチング処理時においては、データトラックパターン領域Ａｔ内における凹部３２の底面よりも測定用パターン領域Ａｘ内における凹部３２の底面の方が短時間で凸部２１の突端面（記録層１４の表面）と同じ高さとなるように非磁性材料１５の層がエッチングされる。
【０１１１】
このため、測定用パターン領域Ａｘ内においては、凹部３２内に進入したエッチング用のガスによって凸部２１の突端面における凹部２２側の端部上において非磁性材料１５がエッチングされ（凸部３１の側面部分がエッチングされ）、図１９に示すように、凸部２１の端部領域が非磁性材料１５の層から露出する。この後、データトラックパターン領域Ａｔ内において上記の長さＬ１ｃが十分に薄い所望の長さとなるまでエッチング処理を継続することで、図２０に示すように、測定用パターン領域Ａｘ内において凸部２１（記録層１４）の端部領域上の非磁性材料１５の層が除去されて（長さＬ２ｃが「０」となって）、測定用パターン領域Ａｘ内において凸部２１の突端面（記録層１４の表面）が非磁性材料１５から確実に露出する。この場合、図１９では、非磁性材料１５のエッチングレートが記録層１４のエッチングレートよりも大きくなるエッチング条件を規定してエッチング処理を行った例を図示している。
【０１１２】
なお、上記の例では、データトラックパターン領域Ａｔ内の凸部２１（記録層１４）の上に所望の厚み（長さＬ１ｃ）の非磁性材料１５を残存させているが、磁気記録媒体に求められる記録再生特性によっては、データトラックパターン領域Ａｔ内において凸部２１の突端面（記録層１４の表面）が非磁性材料１５から露出するように（上記の長さＬ１ｃが「０」となるように）エッチング処理を実行することもできる。このような場合においても、測定用パターン領域Ａｘ内の非磁性材料１５の表面に形成される凹部３２の深さＤｘｃ１がデータトラックパターン領域Ａｔ内の非磁性材料１５の表面に形成される凹部３２の深さＤｔｃ１よりも深くなるように凹凸パターン２０が形成されているため、非磁性材料１５の層に対するエッチング処理時において、測定用パターン領域Ａｘ内の凸部２１の突端面を比較的短時間で非磁性材料１５の層から露出させ、測定用パターン領域Ａｘ内において凸部２１の突端面（記録層１４の表面）を非磁性材料１５から確実に露出させることが可能となっている。次いで、保護層１６の形成および潤滑剤の塗布を順次実行する。なお、以下に説明する長さ情報Ｄの取得処理、および取得した長さ情報Ｄに基づく検査処理の対象とする磁気ディスク１Ｃについては、一例として、取得処理および検査処理を完了した後に潤滑剤を塗布する。これにより、図２，１５，１６に示すように、磁気ディスク１Ｃが完成する。
【０１１３】
この磁気ディスク１Ｃ（一例として、潤滑剤が塗布されていない状態の磁気ディスク１Ｃ）を対象として、データトラックパターン領域Ａｔ内の凸部２１の突端面およびその上の非磁性材料１５の表面の間の長さＬ１ｃ（すなわち、凸部２１上の非磁性材料１５の厚み）についての長さ情報Ｄを取得する取得処理、または、データトラックパターン領域Ａｔ内の凸部２１の突端面およびその上の保護層１６の表面の間の長さＬ４ｃについての長さ情報Ｄを取得する取得処理を実行する際には、まず、前述した磁気ディスク１Ａ，１Ｂを対象とする一連の測定処理と同様の測定処理を実行する。次いで、測定した導通電流値に基づいて長さ情報Ｄを生成する（取得する）生成処理を実行する。この処理時においては、予め取得した磁気ディスク１Ｃ用の長さ情報取得用基準データを使用する。なお、この長さ情報Ｄの生成処理の具体的内容については、上記の磁気ディスク１Ａ，１Ｂを対象とする長さ情報Ｄの生成処理と同様であるため、その説明を省略する。
【０１１４】
この後、原子間力顕微鏡１５０による測定処理によって生成された（取得された）長さ情報Ｄが原子間力顕微鏡１５０から制御装置１４０に出力されたときに、制御装置１４０は、データトラックパターン領域Ａｔ内における凸部２１の突端面とその上の非磁性材料１５の表面との間の長さＬ１ｃ（すなわち、凸部２１上の非磁性材料１５の厚み）、または、データトラックパターン領域Ａｔ内における凸部２１の突端面とその上の保護層１６の表面との間の長さＬ４ｃが所望の長さとなっているか否かを検査する検査処理を実行する。なお、この検査処理についても、上記の磁気ディスク１Ａ，１Ｂを対象とする検査処理の方法と同様であるため、その説明を省略する。これにより、その後に製造される磁気ディスク１Ｃにおいて、データトラックパターン領域Ａｔ内における上記の長さＬ１ｃ、または、長さＬ４ｃが所望の長さとなる（長さ情報に基づいて製造条件を規定して磁気記録媒体を製造する製造方法の他の一例）。
【０１１５】
続いて、本発明に係る長さ情報取得方法、磁気記録媒体製造方法および磁気記録媒体のさらに他の実施形態について、図面を参照して説明する。なお、上記の磁気ディスク１Ａ〜１Ｃおよびその製造方法や、磁気ディスク１Ａ〜１Ｃを対象とする長さ情報Ｄの取得方法および製造システム１００と共通する構成要素については、同一の符号を付して重複する説明を省略する。
【０１１６】
図２，２１，２２に示す磁気ディスク１Ｄは、本発明に係る磁気記録媒体の他の一例である両面記録型のディスクリートトラック媒体（パターンド媒体の一例）であって、前述した磁気ディスク１Ａ〜１Ｃと同様にして、突端部側（図２２における上端部側）が記録材料で形成された複数の凸部２１と、隣り合う凸部２１の間の凹部２２とを有する凹凸パターン２０が形成されている。また、凹凸パターン２０の各凹部２２内には、非磁性材料１５（本発明における非記録材料）が埋め込まれ、これにより、磁気ディスク１Ｄの表面における主たる領域が平坦化されている。この場合、この磁気ディスク１Ｄでは、凸部２１の形成領域が本発明における記録領域に相当し、凹部２２の形成領域が本発明における非記録領域に相当する。なお、図２２では、本発明についての理解を容易とするために、サーボパターン領域Ａｓ内の凸部２１の上に非磁性材料１５が残存している状態を図示しているが、サーボパターン領域Ａｓ内の凸部２１の上に非磁性材料１５が存在しない状態（凸部２１上の非磁性材料１５の厚みが「０」の状態：図示せず）に構成することもできる。
【０１１７】
この場合、図２１に示すように、この磁気ディスク１Ｄのサーボパターン領域Ａｓにおけるバーストパターン領域には、単位バースト領域が非記録領域（凹部２２）で構成されたバーストパターン（位置検出用のサーボパターン）が形成されている。具体的には、この磁気ディスク１Ｄでは、一例として、各バーストパターン領域内に平面視四角形状の複数の凹部２２（本発明における非記録領域）が形成されると共に、各凹部２２の周囲に凸部２１（本発明における記録領域）が形成されている。この場合、この磁気ディスク１Ｄでは、一例として、磁気ディスク１Ｄの半径方向（同図における左右方向）に沿った凹部２２の幅Ｗｓ２１ｄと、半径方向において隣接する２つの凹部２２，２２の間の凸部２１の半径方向に沿った幅Ｗｓ１１ｄとが互いに等しくなるように（一例として、幅Ｗｓ２１ｄ＝幅Ｗｓ１１ｄ＝２００ｎｍ）規定されている。また、磁気ディスク１Ｄの回転方向（矢印Ｒの向き：同図における上下方向）に沿った凹部２２の幅Ｗｓ２２ｄと、回転方向において隣接する２つの凹部２２，２２の間の凸部２１の回転方向に沿った幅Ｗｓ１２ｄとが互いに等しくなるように（一例として、サーボパターン領域Ａｓの最内周部＝中心Ｏからの距離が９．３ｍｍの部位において、幅Ｗｓ２２ｄ＝幅Ｗｓ１２ｄ＝７５ｎｍ）規定されている。
【０１１８】
また、この磁気ディスク１Ｄの測定用パターン領域Ａｘに形成された測定用パターン２０ｘは、複数の凸部２１と、各凸部２１の間に形成された凹部２２とを備え、一例として、磁気ディスク１Ｄの半径方向（同図における左右方向）に沿った凸部２１の幅Ｗｘ１１ｄと、半径方向において隣接する２つの凸部２１，２１の間の凹部２２の半径方向に沿った幅Ｗｘ２１ｄとが互いに等しく、かつ、上記の幅Ｗｓ１１ｄ，Ｗｓ２１ｄとも等しくなるように（一例として、幅Ｗｘ１１ｄ＝幅Ｗｘ２１ｄ＝幅Ｗｓ１１ｄ＝幅Ｗｓ２１ｄ＝２００ｎｍ）規定されている。また、磁気ディスク１Ｄの回転方向（矢印Ｒの向き：同図における上下方向）に沿った凸部２１の幅Ｗｘ１２ｄと、回転方向において隣接する２つの凸部２１，２１の間の凹部２２の回転方向に沿った幅Ｗｘ２２ｄとが互いに等しくなるように（一例として、幅Ｗｘ１２ｄ＝幅Ｗｘ２２ｄ＝７５ｎｍ）規定されている。
【０１１９】
また、図２２に示すように、この磁気ディスク１Ｄでは、測定用パターン領域Ａｘ内に形成された凹凸パターン２０（測定用パターン２０ｘ）における凹部２２の深さＤｘｄが、サーボパターン領域Ａｓ内に形成された凹凸パターン２０（サーボパターン２０ｓ）における凹部２２の深さＤｓｄよりも深くなるように記録層１４に（中間層１３の上に）凹凸パターン２０が形成されている。具体的には、一例として、測定用パターン領域Ａｘ内の凹部２２の深さＤｘｄが２６ｎｍで、サーボパターン領域Ａｓ内の凹部２２の深さＤｓｄが２０ｎｍとなるように凹凸パターン２０が形成されている。これにより、図２２に示すように、後述するようにして磁気ディスク１Ｄの製造過程において非磁性材料１５の層をエッチング処理する際に、サーボパターン領域Ａｓ内に段差を生じさせることなく、測定用パターン領域Ａｘ内において凸部２１（記録層１４）を非磁性材料１５の層から露出させることが可能となっている。
【０１２０】
この磁気ディスク１Ｄの製造に際しては、前述した磁気ディスク１Ｃの製造時と同様にして、凹凸パターン２０の形成が完了した中間体（図示せず）の表面に非磁性材料１５の層を形成したときに、この非磁性材料１５の層の表面に上記の凹凸パターン２０と同様の凹凸パターン（前述した磁気ディスク１Ｃの製造過程において形成された凹凸パターン３０に対応する凹凸パターン：図示せず）が形成された状態（非磁性材料１５の表面に凹凸パターン２０における各凹部２２と同程度の深さの凹部が形成された状態）となる。したがって、この非磁性材料１５の層に対するエッチング処理時においては、サーボパターン領域Ａｓ内における凹部の底面よりも測定用パターン領域Ａｘ内における凹部の底面の方が短時間で凸部２１の突端面（記録層１４の表面）と同じ高さとなるように非磁性材料１５の層がエッチングされる。
【０１２１】
このため、測定用パターン領域Ａｘ内においては、非磁性材料１５の層の凹部内に進入したエッチング用のガスによって凸部２１の突端面における凹部２２側の端部の上の非磁性材料１５（凸部３１の側面部分）がエッチングされ、凸部２１の端部領域が非磁性材料１５の層から露出する。この後、サーボパターン領域Ａｓ内において凸部２１（記録層１４）の上の非磁性材料１５の層の厚み（長さＬ１ｄ）が十分に薄い所望の状態となるまでエッチング処理を継続することで、測定用パターン領域Ａｘ内において凸部２１（記録層１４）の端部領域上の非磁性材料１５の層が除去されて（長さＬ２ｄが「０」となって）、測定用パターン領域Ａｘ内において凸部２１の突端面（記録層１４の表面）が非磁性材料１５から確実に露出する。次いで、保護層１６の形成および潤滑剤の塗布を順次実行する。なお、以下に説明する長さ情報Ｄの取得処理、および取得した長さ情報Ｄに基づく検査処理の対象とする磁気ディスク１Ｄについては、一例として、取得処理および検査処理を完了した後に潤滑剤を塗布する。これにより、図２，２１，２２に示すように、磁気ディスク１Ｄが完成する。なお、図２２にでは、非磁性材料１５のエッチングレートが記録層１４のエッチングレートよりも大きくなるエッチング条件を規定してエッチング処理を行った例を図示している。
【０１２２】
この磁気ディスク１Ｄ（一例として、潤滑剤が塗布されていない状態の磁気ディスク１Ｄ）を対象として、サーボパターン領域Ａｓ内の凸部２１の突端面およびその上の非磁性材料１５の表面の間の長さＬ１ｄ（すなわち、凸部２１上の非磁性材料１５の厚み）についての長さ情報Ｄを取得する取得処理、または、サーボパターン領域Ａｓ内の凸部２１の突端面およびその上の保護層１６の表面の間の長さＬ４ｄについての長さ情報Ｄを取得する取得処理を実行する際には、まず、前述した磁気ディスク１Ａ〜１Ｃを対象とする一連の測定処理と同様の処理を実行する。次いで、測定した導通電流値に基づいて長さ情報Ｄを生成する（取得する）生成処理を実行する。この処理時においては、予め取得した磁気ディスク１Ｄ用の長さ情報取得用基準データを使用する。なお、この長さ情報Ｄの生成処理の具体的内容については、上記の磁気ディスク１Ａ〜１Ｃを対象とする長さ情報Ｄの生成処理と同様であるため、その説明を省略する。
【０１２３】
この後、原子間力顕微鏡１５０による測定処理によって生成された（取得された）長さ情報Ｄが原子間力顕微鏡１５０から制御装置１４０に出力されたときに、制御装置１４０は、データトラックパターン領域Ａｔ内における凸部２１の突端面とその上の非磁性材料１５の表面との間の長さＬ１ｄ（すなわち、凸部２１上の非磁性材料１５の厚み）、または、サーボパターン領域Ａｓ内における凸部２１の突端面とその上の保護層１６の表面との間の長さＬ４ｄが所望の長さとなっているか否かを検査する検査処理を実行する。なお、この検査処理についても、上記の磁気ディスク１Ａ〜１Ｃを対象とする検査処理の方法と同様であるため、その説明を省略する。これにより、その後に製造される磁気ディスク１Ｄにおいて、サーボパターン領域Ａｓ内における上記の長さＬ１ｄ、または、長さＬ４ｄが所望の長さとなる（長さ情報に基づいて製造条件を規定して磁気記録媒体を製造する製造方法の他の一例）。
【０１２４】
このように、上記の長さ情報Ｄの取得方法では、原子間力顕微鏡１５０による導電性ＡＦＭ測定法によって磁気ディスク１Ａ〜１Ｄの表面における各部の導通電流値を測定する電流値測定処理を実行し、電流値測定処理によって測定された各部の導通電流値に基づいて、記録領域（この例では、凸部２１の形成領域）を構成する記録材料の表面（記録層１４の表面：凸部２１の突端面）と記録材料上の非記録材料（非磁性材料１５）の表面との間の磁気ディスク１Ａ〜１Ｄの厚み方向に沿った長さＬ１ａ〜Ｌ１ｄについての長さ情報Ｄを取得する。また、上記の長さ情報Ｄの取得方法では、原子間力顕微鏡１５０による導電性ＡＦＭ測定法によって磁気ディスク１Ａ〜１Ｄの表面における各部の導通電流値を測定する電流値測定処理を実行し、電流値測定処理によって測定された各部の導通電流値に基づいて、記録領域（この例では、凸部２１の形成領域）を構成する記録材料の表面（記録層１４の表面：凸部２１の突端面）と保護層１６の表面との間の磁気ディスク１Ａ〜１Ｄの厚み方向に沿った長さＬ４ａ〜Ｌ４ｄについての長さ情報Ｄを取得する。
【０１２５】
したがって、この長さ情報Ｄの取得方法によれば、対象とする磁気ディスク１Ａ〜１Ｄを破断することなく長さ情報Ｄを取得することができるため、長さ情報Ｄの取得に使用した磁気ディスク１Ａ〜１Ｄが無駄にならない分だけ、製造の歩留まりを向上させることができる結果、磁気ディスク１Ａ〜１Ｄの製造コストを十分に低減することができる。また、長さ情報Ｄを取得するための煩雑な試料作成処理を不要とすることができるため、磁気ディスク１Ａ〜１Ｄの製造コストを一層低減することができる。さらに、長さ情報Ｄの取得に際して磁気ディスク１Ａ〜１Ｄを破断する必要がないことで、例えば、製造したすべての磁気ディスク１Ａ〜１Ｄを対象として長さ情報Ｄを取得することができる。
【０１２６】
また、上記の長さ情報Ｄの取得方法では、本発明における記録領域を構成するための記録材料（記録層１４）の表面が本発明における非記録領域を構成するための非記録材料（非磁性材料１５）から露出している部位（凸部２１の突端面が露出している部位）において上記の導通電流値を測定し、測定した導通電流値を基準値として長さ情報Ｄを補正する。したがって、この長さ情報Ｄの取得方法によれば、プローブの摩耗状態や、原子間力顕微鏡１５０に対して供給される電圧の変動等に起因して、例えば、プローブの先端部を記録領域（凸部２１の形成領域）に接触させた状態において測定される導通電流値が変動した状態においても、対象とする磁気ディスク１Ａ〜１Ｄの各部において測定した導通電流値を正確に補正することができる。したがって、上記のように導通電流値が変動する状態においても、測定した各部毎の導通電流値を補正することで、正確な長さ情報Ｄを取得することができる。
【０１２７】
さらに、上記の長さ情報Ｄの取得方法では、凹部２２の容積を凸部２１の面積で除した値がデータトラックパターン領域Ａｔ内の凹部２２の容積をデータトラックパターン領域Ａｔ内の凸部２１の面積で除した値よりも大きい凹凸パターン２０が形成されると共にデータトラックパターン領域Ａｔおよびサーボパターン領域Ａｓとは異なる測定用パターン領域Ａｘ（所定領域）と、凹部２２の容積を凸部２１の面積で除した値がサーボパターン領域Ａｓ内の凹部２２の容積をサーボパターン領域Ａｓ内の凸部２１の面積で除した値よりも大きい凹凸パターン２０が形成されると共にデータトラックパターン領域Ａｔおよびサーボパターン領域Ａｓとは異なる測定用パターン領域Ａｘと、凹部２２の深さがデータトラックパターン領域Ａｔ内の凹部２２の深さよりも深い凹凸パターン２０が形成されると共にデータトラックパターン領域Ａｔおよびサーボパターン領域Ａｓとは異なる測定用パターン領域Ａｘと、凹部２２の深さがサーボパターン領域Ａｓ内の凹部２２の深さよりも深い凹凸パターン２０が形成されると共にデータトラックパターン領域Ａｔおよびサーボパターン領域Ａｓとは異なる測定用パターン領域Ａｘとのいずれかの領域内の記録領域（この例では、凸部２１の形成領域）において、上記の基準値としての導通電流値を測定する。
【０１２８】
したがって、これらの長さ情報Ｄの取得方法によれば、凸部２１の突端面（記録層１４の表面）が非磁性材料１５の層から確実に露出している部位において本発明における基準値としての導通電流値を測定することができるため、例えば、凸部２１の上（記録層１４の上）に非磁性材料１５の層が残存している部位において基準値としての導通電流値を測定することで、補正処理に使用する基準値自体が非磁性材料１５の存在に起因して不正確となる事態を回避することができる。これにより、この長さ情報Ｄの取得方法によれば、一層正確な長さ情報Ｄを取得することができる。
【０１２９】
また、上記の長さ情報Ｄの取得方法では、導通電流値に基づいて各部の導通状態を示す画像（電流値像）を本発明における長さ情報として生成する。したがって、この長さ情報Ｄの取得方法によれば、例えば数値等によって凸部２１（記録層１４）の上の非磁性材料１５の層の厚み（記録層１４の表面と非磁性材料１５の層の表面との間の長さ）を報知する方法と比較して、電流値像を見るだけで、凸部２１（記録層１４）の上の非磁性材料１５の層の厚み（記録層１４の表面と非磁性材料１５の層の表面との間の長さ）を直感的に認識させることができる。
【０１３０】
また、上記の磁気ディスク１Ａ〜１Ｄの製造方法では、上記の長さ情報取得方法に従って取得した長さ情報Ｄに基づいて製造条件（この例では、エッチング装置１３０によるエッチング処理条件）を規定して磁気ディスク１Ａ〜１Ｄを製造する。したがって、この磁気ディスク１Ａ〜１Ｄの製造方法によれば、凸部２１（記録層１４）の上の非磁性材料１５の層の厚み（記録層１４の表面と非磁性材料１５の層の表面との間の長さ）が確実に所望の厚み（長さ）となっている磁気ディスク１Ａ〜１Ｄを製造することができる。
【０１３１】
また、上記の磁気ディスク１Ａでは、凹部２２の容積を凸部２１の面積で除した値がデータトラックパターン領域Ａｔ内の凹部２２の容積をデータトラックパターン領域Ａｔ内の凸部２１の面積で除した値よりも大きい凹凸パターン２０が形成されると共に記録材料（記録層１４）の表面（この例では、凸部２１の突端面）が非記録材料（非磁性材料１５）から露出するように凹凸パターン２０が形成された測定用パターン領域Ａｘ（所定領域）がデータトラックパターン領域Ａｔおよびサーボパターン領域Ａｓとは別個に設けられている。また、上記の磁気ディスク１Ｂでは、凹部２２の容積を凸部２１の面積で除した値がサーボパターン領域Ａｓ内の凹部２２の容積をサーボパターン領域Ａｓ内の凸部２１の面積で除した値よりも大きい凹凸パターン２０が形成されると共に記録材料（記録層１４）の表面（この例では、凸部２１の突端面）が非記録材料（非磁性材料１５）から露出するように凹凸パターン２０が形成された測定用パターン領域Ａｘ（所定領域）がデータトラックパターン領域Ａｔおよびサーボパターン領域Ａｓとは別個に設けられている。
【０１３２】
また、上記の磁気ディスク１Ｃでは、凹部２２の深さＤｘｃがデータトラックパターン領域Ａｔ内の凹部２２の深さＤｔｃよりも深い凹凸パターン２０が形成されると共に記録材料（記録層１４）の表面（この例では、凸部２１の突端面）が非記録材料（非磁性材料１５）から露出するように凹凸パターン２０が形成された測定用パターン領域Ａｘ（所定領域）がデータトラックパターン領域Ａｔおよびサーボパターン領域Ａｓとは別個に設けられている。また、上記の磁気ディスク１Ｄでは、凹部２２の深さＤｘｄがサーボパターン領域Ａｓ内の凹部２２の深さＤｓｄよりも深い凹凸パターン２０が形成されると共に記録材料（記録層１４）の表面（この例では、凸部２１の突端面）が非記録材料（非磁性材料１５）から露出するように凹凸パターン２０が形成された測定用パターン領域Ａｘ（所定領域）がデータトラックパターン領域Ａｔおよびサーボパターン領域Ａｓとは別個に設けられている。
【０１３３】
したがって、これらの磁気ディスク１Ａ〜１Ｄによれば、この磁気ディスク１Ａ〜１Ｄを対象として長さ情報Ｄを取得する際に、測定用パターン領域Ａｘ内の凸部２１の突端面（記録層１４の表面）が非磁性材料１５の層から確実に露出しているため、この部位において本発明における基準値としての導通電流値を測定することができる結果、例えば、凸部２１の上（記録層１４の上）に非磁性材料１５の層が残存している部位において基準値としての導通電流値を測定することに起因して基準値自体が不正確となる事態を回避することができる。これにより、この磁気ディスク１Ａ〜１Ｄによれば、正確な長さ情報Ｄを取得することができる。
【０１３４】
なお、本発明は、上記の構成および方法に限定されない。例えば、上記の磁気ディスク１Ａ，１Ｂの製造時において、中間体に形成した凹凸パターン２０を覆うようにして非磁性材料１５の層を形成し、この非磁性材料１５の層を覆うようにしてＳＯＧ層１７を形成した後にエッチング処理によって中間体の表面を平坦化する方法について説明したが、本発明に係る磁気記録媒体の製造方法はこれに限定されない。具体的には、一例として、非磁性材料１５の層を形成することなく、中間体に形成した凹凸パターン２０を覆うようにして、前述した流動性材料を塗布して硬化させた層（一例として、ＳＯＧ層１７）を凹凸パターン２０の上に直接形成した後にエッチング処理によって中間体の表面（ＳＯＧ層１７の表面）を平坦化する方法を採用することができる。この場合、この製造方法に従って製造した磁気記録媒体（図示せず）では、凹凸パターン２０を覆うようにして流動性材料を塗布して硬化させた層が本発明における「非記録領域構成用の非記録材料」に相当する。
【０１３５】
このような製造方法を採用した場合においても、前述した磁気ディスク１Ａ，１Ｂの製造方法と同様にして、中間体上に形成したＳＯＧ層１７の厚みが、データトラックパターン領域Ａｔと測定用パターン領域Ａｘとで相違する（または、サーボパターン領域Ａｓと測定用パターン領域Ａｘとで相違する）状態となるため、平坦化処理後において、測定用パターン領域Ａｘ内の凸部２１の突端面（記録層１４の表面）をＳＯＧ層１７から確実に露出させることができる。
【０１３６】
また、上記の長さ情報Ｄの取得処理では、磁気ディスク１Ａ〜１Ｄにおける測定用パターン領域Ａｘ内の凸部２１の形成領域において、本発明における基準値として導通電流値を測定したが、本発明に係る長さ情報取得方法は、測定用パターン領域Ａｘ（本発明における「データトラックパターン領域およびサーボパターン領域とは相違する所定領域」）が規定された磁気記録媒体を対象とする方法に限定されない。具体的には、例えば、データトラックパターン領域Ａｔ内の凸部２１の表面と、その凸部２１上の非磁性材料１５の層の表面との間の磁気ディスクの厚み方向に沿った長さ（すなわち、凸部２１上の非磁性材料１５の層の厚み）についての長さ情報Ｄ、または、データトラックパターン領域Ａｔ内の凸部２１の表面と、その上の保護層１６の表面との間の磁気ディスクの厚み方向に沿った長さについての長さ情報Ｄを取得する際に、サーボパターン領域Ａｓ内の所定の凸部２１の形成領域において、本発明における基準値として導通電流値を測定する方法を採用することができる。
【０１３７】
この場合、例えばサーボパターン領域Ａｓ内のバーストパターン領域において、単位バースト領域が凸部２１（記録領域）で構成されている磁気ディスクでは、バーストパターン領域内の凹部２２の容積をバーストパターン領域内の凸部２１の面積で除した値がデータトラックパターン領域Ａｔ内の凹部２２の容積をデータトラックパターン領域Ａｔ内の凸部２１の面積で除した値よりも大きくなっている。したがって、データトラックパターン領域Ａｔ内の凸部２１の上に所望の厚み（長さ）の非磁性材料１５が残存する程度まで非磁性材料１５の層をエッチング処理したときには、サーボパターン領域Ａｓにおけるバーストパターン領域において、凸部２１の突端面（記録層１４の表面）が非磁性材料１５から露出することとなる。したがって、バーストパターン領域における凸部２１の形成領域にプローブを接触させることで、前述した磁気ディスク１Ａ〜１Ｄにおける測定用パターン領域Ａｘ内の凸部２１の形成領域にプローブを接触させたときと同様にして、本発明における基準値としての導通電流値を正確に測定することができる。
【０１３８】
また、例えば、サーボパターン領域Ａｓ内の凸部２１の表面と、その凸部２１上の非磁性材料１５の層の表面との間の磁気ディスクの厚み方向に沿った長さ（すなわち、凸部２１上の非磁性材料１５の層の厚み）についての長さ情報Ｄ、または、サーボパターン領域Ａｓ内の凸部２１の表面と、その上の保護層１６の表面との間の磁気ディスクの厚み方向に沿った長さについての長さ情報Ｄを取得する際に、データトラックパターン領域Ａｔ内の所定の凸部２１の形成領域において、本発明における基準値として導通電流値を測定する方法を採用することもできる。さらに、本発明における基準値としての導通電流値については、対象とする磁気ディスクとは相違する基準値取得用の試料（例えば、その表面の全域が記録層１４で形成された試料）を用いて測定する方法を採用することもできる。
【０１３９】
さらに、本発明における磁気記録媒体は、測定用パターンがその１カ所のみに形成されているものに限定されず、２カ所以上の複数箇所に測定用パターン（凸部２１の突端面を非磁性材料１５の層から露出させ得るパターン）を形成する構成を採用することができる。また、１種類の測定用パターン２０ｘが測定用パターン領域Ａｘに形成された磁気ディスク１Ａ〜１Ｄについて説明したが、本発明に係る長さ情報を取得する対象の磁気記録媒体の構成はこれに限定されない。具体的には、２種類以上の測定用パターンを形成した磁気記録媒体を対象として、本発明に係る長さ情報取得方法を実施することができる。このような構成を採用することにより、例えば、製造時におけるエッチング処理の過不足のばらつきが大きい場合においても、複数種類の測定用パターンのうちのいずれかにおいて凸部２１の突端面を非磁性材料１５の層から露出させることができるため、いずれかの測定用パターンの形成部位において、基準値としての導通電流値を確実に測定することができる。
【０１４０】
さらに、データトラックパターン領域Ａｔやサーボパターン領域Ａｓにおいて、凸部２１の上（記録材料としての記録層１４の上）に非磁性材料１５（非記録材料）の層が存在する状態の磁気ディスク１Ａ〜１Ｄを例に挙げて説明したが、本発明における磁気記録媒体の構成はこれに限定されず、例えば、データトラックパターン領域Ａｔおよびサーボパターン領域Ａｓの全域において、凸部２１の突端面（記録層１４の表面）が非磁性材料１５の層から露出した構成を採用することができる。このような構成の磁気ディスク（図示せず）を製造する際には、前述したＳＯＧ層１７および非磁性材料１５の層に対するエッチング処理時において、使用するエッチング用ガスの種類などを適宜変更することで、一例として、記録層１４および非磁性材料１５の層の双方に対して等しいまたはほぼ等しいエッチングレートとなる条件下でエッチング処理を実行する。これにより、好適なエッチング条件を規定してエッチング処理することで、その磁気ディスクの全域において段差を生じさせることなく、全域において凸部２１の突端面（記録層１４の表面）を露出させることができる。
【０１４１】
なお、データトラックパターン領域Ａｔやサーボパターン領域Ａｓ内に段差が生じている状態であっても、ヘッド浮上量の異常が生じない程度の高さの段差であれば、正常な記録再生を実行することができる。したがって、例えば、図２３に示す磁気ディスク１Ａａのように、その製造時において、データトラックパターン領域Ａｔおよびサーボパターン領域Ａｓ（この例では、データトラックパターン領域Ａｔ）において凸部２１の突端面（記録層１４の表面）と凹部２２内の非磁性材料１５の層の表面との間に許容範囲内の段差が生じるように非磁性材料１５の層をエッチング処理することで、データトラックパターン領域Ａｔおよびサーボパターン領域Ａｓを含む磁気ディスク１Ａａの全域において凸部２１の突端面（記録層１４の表面）を非磁性材料１５の層から露出させる（すなわち、凸部２１上に非磁性材料１５が存在しない状態とする：凸部２１の突端面と凸部２１上の非磁性材料１５の表面との間の長さＬ１ａを「０」とする）構成を採用することもできる。
【０１４２】
また、凹凸パターン２０（データトラックパターン２０ｔ、サーボパターン２０ｓおよび測定用パターン２０ｘ）における各凸部２１の突端部側から基端部までのほぼ全体を記録層１４（記録材料）で形成した磁気ディスク１Ａ〜１Ｄを例に挙げて説明したが、本発明に係る磁気記録媒体の構成はこれに限定されない。具体的には、例えば、図２４に示す磁気ディスク１Ｅのように、各凸部２１のみならず、各凹部２２の底部を含めて記録層１４（本発明における記録材料）で形成して凹凸パターン２０（データトラックパターン２０ｔ、サーボパターン２０ｓおよび測定用パターン２０ｘ）を構成することもできる。この場合、この磁気ディスク１Ｅでは、凸部２１の形成領域が本発明における記録領域に相当し、凹部２２の形成領域が本発明における非記録領域に相当する。
【０１４３】
さらに、図２５に示す磁気ディスク１Ｆのように、ガラス基材１１に形成した凹凸パターン（凹凸パターン２０と凹凸の位置関係が同様の凹凸パターン）を覆うようにして記録層１４（本発明における記録材料の薄膜）を形成することにより、その表面が記録材料で形成された複数の凸部２１と底面が記録材料で形成された複数の凹部２２とによって凹凸パターン２０（データトラックパターン２０ｔ、サーボパターン２０ｓおよび測定用パターン２０ｘ）を構成することができる。この場合、この磁気ディスク１Ｆでは、凸部２１の形成領域が本発明における記録領域に相当し、凹部２２の形成領域が本発明における非記録領域に相当する。
【０１４４】
また、図２６に示す磁気ディスク１Ｇのように、その突端部のみが記録層１４（本発明における記録材料）で形成されて基端部側が非磁性材料または軟磁性材料（この例では、ガラス基材１１）で形成された複数の凸部２１を備えて凹凸パターン２０（データトラックパターン２０ｔ、サーボパターン２０ｓおよび測定用パターン２０ｘ）を構成することができる。この場合、この磁気ディスク１Ｇでは、凸部２１の形成領域が本発明における記録領域に相当し、凹部２２の形成領域が本発明における非記録領域に相当する。なお、同図に示す磁気ディスク１Ｇでは、凸部２１の突端部のみが記録層１４で形成されているが、隣り合う凸部２１，２１の間の凹部２２の底面にも記録層１４を形成した構成（前述した磁気ディスク１Ｆにおける凸部２１の側面部位に記録層１４が存在しない構成：図示せず）を採用することもできる。
【０１４５】
また、各凸部２１の少なくとも突端面を記録層１４（本発明における記録材料）で形成すると共に、凸部２１，２１の間の凹部２２に非磁性材料１５（本発明における非記録材料）を充填した磁気ディスク１Ａ〜１Ｇについて説明したが、本発明に係る長さ情報取得方法の対象となる磁気記録媒体の構成はこれに限定されない。例えば、図２７に示す磁気ディスク１Ｈのように、非磁性材料１５（非記録材料）の層に形成した凹凸パターン４０の凹部４２内に上記の記録層１４を構成する記録材料を埋め込むことで非磁性材料１５の層における凸部４１の部位を非記録領域（磁気ディスク１Ａ等における凹部２２に対応する領域）とし、凹部４２内に埋め込まれた記録材料の部位を記録領域（磁気ディスク１Ａ等における凸部２１に対応する領域）とした磁気記録媒体を対象とすることもできる。この場合、この磁気ディスク１Ｈでは、凸部４１の形成領域が本発明における非記録領域に相当し、凹部４２の形成領域が本発明における記録領域に相当する。
【０１４６】
なお、上記の磁気ディスク１Ｈを対象として、本発明に係る長さ情報取得方法に準じて、導電性ＡＦＭ測定法によって磁気ディスク１Ｈの表面における各部の導通電流値を測定する電流値測定処理を実行し、電流値測定処理によって測定された各部の導通電流値に基づいて、凸部４１の突端面（非記録領域構成用の非記録材料の表面）と凸部４１上における記録領域構成用の記録材料（凹部４２内の記録層１４を構成している記録材料）の表面との間の磁気ディスク１Ｈの厚み方向に沿った長さ（この例では、「０」）についての長さ情報を取得することもできる。この方法によれば、前述した磁気ディスク１Ａ等を対象とする長さ情報Ｄの取得方法と同様にして、磁気ディスク１Ｈを破断することなく、凸部４１上の記録材料の厚みについての長さ情報を取得することができる。
【０１４７】
さらに、データトラックパターン領域Ａｔやサーボパターン領域Ａｓよりも内周側に測定用パターン領域Ａｘ（本発明における所定領域）を規定した磁気ディスク１Ａ〜１Ｈについて説明したが、本発明はこれに限定されず、磁気記録媒体における内周側の領域のみならず、データトラックパターン領域やサーボパターン領域よりも外周側の領域にも本発明における所定領域（測定用パターン領域Ａｘ）を規定した構成や、データトラックパターン領域やサーボパターン領域よりも外周側のみに本発明における所定領域（測定用パターン領域Ａｘ）を規定した構成を採用することができる。加えて、ディスクリートトラック型の磁気ディスク１Ａ〜１Ｈについて説明したが、本発明における磁気記録媒体はこれに限定されず、パターンド媒体（一例として、データトラックパターン領域において、凹凸パターンの凹部によって磁気記録媒体の半径方向および回転方向の両方向に分離された凸部（単位記録要素）が同心円状または螺旋状に配列されているパターンド媒体）がこれに含まれる。
【図面の簡単な説明】
【０１４８】
【図１】製造システム１００の構成を示すブロック図である。
【図２】磁気ディスク１Ａ〜１Ｈの平面図である。
【図３】磁気ディスク１Ａにおけるデータトラックパターン領域Ａｔおよび測定用パターン領域Ａｘの平面図である。
【図４】磁気ディスク１Ａにおけるデータトラックパターン領域Ａｔおよび測定用パターン領域Ａｘの断面図である。
【図５】磁気ディスク１Ａの製造過程において中間層１３の上（記録層１４）に凹凸パターン２０が形成された状態の断面図である。
【図６】図５に示す凹凸パターン２０を覆うようにして非磁性材料１５の層を形成した状態の断面図である。
【図７】図６に示す非磁性材料１５の層を覆うようにしてＳＯＧ層１７を形成した状態の断面図である。
【図８】図７に示すＳＯＧ層１７および非磁性材料１５の層に対する平坦化処理（エッチング処理）を実行した状態の断面図である。
【図９】凸部２１上の非磁性材料１５の層の厚みと、原子間力顕微鏡１５０によって測定される電流値との関係について説明するための説明図である。
【図１０】保護層１６の形成が完了した状態における磁気ディスク１Ａの表面を原子間力顕微鏡１５０で観察した際の電流値像を示す図面代用写真である。
【図１１】保護層１６の形成が完了した状態における他の磁気ディスク１Ａの表面を原子間力顕微鏡１５０で観察した際の電流値像を示す図面代用写真である。
【図１２】保護層１６の形成が完了した状態におけるさらに他の磁気ディスク１Ａの表面を原子間力顕微鏡１５０で観察した際の電流値像を示す図面代用写真である。
【図１３】磁気ディスク１Ｂにおけるサーボパターン領域Ａｓおよび測定用パターン領域Ａｘの平面図である。
【図１４】磁気ディスク１Ｂにおけるサーボパターン領域Ａｓおよび測定用パターン領域Ａｘの断面図である。
【図１５】磁気ディスク１Ｃにおけるデータトラックパターン領域Ａｔおよび測定用パターン領域Ａｘの平面図である。
【図１６】磁気ディスク１Ｃにおけるデータトラックパターン領域Ａｔおよび測定用パターン領域Ａｘの断面図である。
【図１７】磁気ディスク１Ｃの製造過程において中間層１３の上（記録層１４）に凹凸パターン２０が形成された状態の断面図である。
【図１８】図１７に示す凹凸パターン２０を覆うようにして非磁性材料１５の層を形成した状態の断面図である。
【図１９】図１８に示す非磁性材料１５の層をエッチング処理している状態の断面図である。
【図２０】図１９に示す非磁性材料１５の層に対する平坦化処理（エッチング処理）を実行した状態の断面図である。
【図２１】磁気ディスク１Ｄにおけるサーボパターン領域Ａｓおよび測定用パターン領域Ａｘの平面図である。
【図２２】磁気ディスク１Ｄにおけるサーボパターン領域Ａｓおよび測定用パターン領域Ａｘの断面図である。
【図２３】他の実施の形態に係る磁気ディスク１Ａａの断面図である。
【図２４】他の実施の形態に係る磁気ディスク１Ｅの断面図である。
【図２５】他の実施の形態に係る磁気ディスク１Ｆの断面図である。
【図２６】他の実施の形態に係る磁気ディスク１Ｇの断面図である。
【図２７】他の実施の形態に係る磁気ディスク１Ｈの断面図である。
【符号の説明】
【０１４９】
１Ａ〜１Ｈ  磁気ディスク
１１  ガラス基材
１２  軟磁性層
１３  中間層
１４  記録層
１５  非磁性材料
１６  保護層
１７  ＳＯＧ層
２０，３０，４０  凹凸パターン
２０ｓ  サーボパターン
２０ｔ  データトラックパターン
２０ｘ  測定用パターン
２１，３１，４１  凸部
２２，３２，４２  凹部
１００  磁気記録媒体製造システム
１１０  スパッタリング装置
１２０  スピンコート装置
１３０  エッチング装置
１４０  制御装置
１５０  原子間力顕微鏡
Ａｓ  サーボパターン領域
Ａｔ  データトラックパターン領域
Ａｘ  測定用パターン領域
Ａｔａ，Ａｘａ，Ａｓｂ，Ａｘｂ  領域
Ｄ  長さ情報
Ｄｔａ，Ｄｘａ，Ｄｓｂ，Ｄｘｂ，Ｄｔｃ，Ｄｘｃ，Ｄｔｃ１，Ｄｘｃ１，Ｄｓｄ，Ｄｘｄ  深さ
Ｌ１ａ〜Ｌ４ａ，Ｌ１ｂ〜Ｌ４ｂ，Ｌ１ｃ，Ｌ２ｃ，Ｌ４ｃ，Ｌ１ｄ，Ｌ２ｄ，Ｌ４ｄ  長さ
Ｗｔ１ａ，Ｗｘ１ａ，Ｗｔ１ｃ，Ｗｘ１ｃ，Ｗｓ１１ｂ，Ｗｘ１１ｂ，Ｗｓ１２ｂ，Ｗｘ１２ｂ，Ｗｓ１１ｄ，Ｗｘ１１ｄ，Ｗｓ１２ｄ，Ｗｘ１２ｄ  幅
Ｗｔ２ａ，Ｗｘ２ａ，Ｗｔ２ｃ，Ｗｘ２ｃ，Ｗｓ２１ｂ，Ｗｘ２１ｂ，Ｗｓ２２ｂ，Ｗｘ２２ｂ，Ｗｓ２１ｄ，Ｗｘ２１ｄ，Ｗｓ２２ｄ，Ｗｘ２２ｄ  幅
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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