(57)【要約】【課題】基板を均一かつ効率的に乾燥させることができる基板処理装置を提供する。【解決手段】ドライエア排出ダクト６３は、吸気装置６５０に接続されている。吸気装置６５０は、ドライエア排出ダクト６３を通して処理槽４上の雰囲気を吸引し、吸引した雰囲気を外部へ排出する。ドライエア排出ダクト６３は、複数の排出ダクト６３ａ〜６３ｅからなる。基板の処理前には、複数の排出ダクト６３ａ〜６３ｅに対応する処理槽４上の複数の測定点Ｐ１〜Ｐ５でドライエアＤＦの流速が測定される。基板の乾燥処理時には、処理槽４に貯留された処理液から基板が引き上げられる。そして、引き上げられる基板にドライエアＤＦが供給される。このとき、予め得られた流速分布の測定結果に基づいて、排出ダクト６３ａ〜６３ｅの内部に取り付けられた弁ｖａ〜ｖｅの開度が個別に調整される。【選択図】図３
2008251656.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に所定の処理を行う基板処理装置であって、
処理液を貯留する処理槽と、
前記処理槽内の処理液中と前記処理槽の上方位置との間で基板を昇降させる基板昇降機構と、
前記基板昇降機構により前記処理槽から引き上げられる基板に気体を供給する気体供給部と、
前記気体供給部に対向して配置され、基板に供給された気体を前記処理槽上の空間から排出する複数の排出口を有する気体排出部と、
前記複数の排出口における気体の流速をそれぞれ調整する流速調整部とを備えたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記気体供給部による気体の供給路および前記気体排出部による気体の排出路を除いて前記処理槽上の空間を取り囲むように設けられる遮断部材をさらに備えることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記流速調整部は、予め測定された前記処理槽上の気体の流速分布に基づいて前記複数の排出口における気体の流速をそれぞれ調整することを特徴とする請求項１または２記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記処理槽上の気体の流速分布を測定する流速分布測定器をさらに備え、
前記流速調整部は、前記流速分布測定器により測定される前記処理槽上の気体の流速分布に基づいて前記複数の排出口における気体の流速をそれぞれ調整することを特徴とする請求項１または２記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記複数の排出口は、略水平に並ぶように設けられたことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板に種々の処理を行う基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、半導体ウェハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板等の基板に種々の処理を行うために、基板処理装置が用いられている。
【０００３】
複数の基板を処理槽に貯留された処理液に浸漬し、洗浄処理を行う基板処理装置がある（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
特許文献１の基板処理装置においては、処理槽内で基板の表面が薬液および純水により洗浄処理される。洗浄処理の施された基板は処理槽内から引き上げられる。
【０００５】
洗浄処理後の基板に純水が付着していると、基板にパーティクルが付着し易くなる。また、基板に付着した純水が自然乾燥すると、基板にウォーターマークが形成される。したがって、特許文献１の基板処理装置においては、処理槽内から引き上げられた基板にドライエアが供給される。これにより、基板に付着した純水がドライエアにより置換され、基板の表面が乾燥される。
【０００６】
なお、特許文献１において、ドライエアとは極めて露点の低い気体をいい、基板に供給されるドライエアの露点は例えば約−７０℃である。
【特許文献１】特開２００６−３１０７５９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、基板周辺の雰囲気の露点分布を均一化することにより、複数の基板を均一かつ効率的に乾燥させることができる。基板周辺の雰囲気の露点は、基板周辺を流れるドライエアの流速に応じて変化する。したがって、基板に供給されるドライエアの流速が処理槽上でばらつくと、処理槽上の雰囲気の露点分布を均一化することはできない。
【０００８】
そこで、特許文献１の基板処理装置では、ドライエアを基板に供給するドライエア供給ダクトの構造を改善することにより処理槽上に強い気流を発生させる旨が記載されている。
【０００９】
しかしながら、実際には、ドライエア供給ダクトの構造を改善した場合であっても、処理槽周辺の他の構成部材（例えばドライエア排出ダクトまたはダウンフローダクト等）の製造上のばらつきにより、処理槽上を流れるドライエアの流速分布にばらつきが発生する場合がある。
【００１０】
本発明の目的は、基板を均一かつ効率的に乾燥させることができる基板処理装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
（１）本発明に係る基板処理装置は、基板に所定の処理を行う基板処理装置であって、処理液を貯留する処理槽と、処理槽内の処理液中と処理槽の上方位置との間で基板を昇降させる基板昇降機構と、基板昇降機構により処理槽から引き上げられる基板に気体を供給する気体供給部と、気体供給部に対向して配置され、基板に供給された気体を処理槽上の空間から排出する複数の排出口を有する気体排出部と、複数の排出口における気体の流速をそれぞれ調整する流速調整部とを備えたものである。
【００１２】
この基板処理装置においては、処理槽に処理液が貯留され、基板昇降機構により処理槽内の処理液中と処理槽の上方位置との間で基板が昇降される。基板が基板昇降機構により処理槽から引き上げられる際には、気体供給部により、基板に気体が供給される。これにより、処理槽内の処理液中から引き上げられる基板の表面が乾燥する。
【００１３】
基板に供給された気体は、気体排出部の複数の排出口から排出される。このとき、複数の排出口における気体の流速が流量調整部によりそれぞれ調整される。これにより、処理槽上の気体の流速分布を均一に調整することができる。
【００１４】
その結果、処理槽上の雰囲気の露点分布を容易に均一化することができ、基板を均一かつ効率的に乾燥させることができる。
【００１５】
（２）基板処理装置は、気体供給部による気体の供給路および気体排出部による気体の排出路を除いて処理槽上の空間を取り囲むように設けられる遮断部材をさらに備えてもよい。
【００１６】
この場合、処理槽上の空間が遮断部材により取り囲まれる。この状態で、基板が処理槽から引き上げられる場合、基板の周囲の雰囲気が遮断部材により外気から遮断される。それにより、基板の周囲の雰囲気に外気が浸入することによる露点の上昇が十分に防止される。その結果、処理槽上の雰囲気の露点を低い状態に維持し、基板の乾燥効率を向上させることができる。
【００１７】
（３）流速調整部は、予め測定された処理槽上の気体の流速分布に基づいて複数の排出口における気体の流速をそれぞれ調整してもよい。
【００１８】
この場合、複数の排出口における気体の流速の調整は、予め測定された流速分布に基づいて行われる。これにより、基板処理装置の運転を妨げることなく処理槽上の雰囲気の露点分布を容易かつ正確に均一化することができる。
【００１９】
（４）基板処理装置は、処理槽上の気体の流速分布を測定する流速分布測定器をさらに備え、流速調整部は、流速分布測定器により測定される処理槽上の気体の流速分布に基づいて複数の排出口における気体の流速をそれぞれ調整してもよい。
【００２０】
この場合、流速分布測定器により処理槽上の気体の流速分布が測定される。そして、複数の排出口における気体の流速の調整は、その流速分布の測定結果に基づいて行われる。これにより、処理槽上の気体の流速分布が変化する場合でも、流速分布の変化に応じて処理槽上の雰囲気の露点分布を容易かつ正確に均一化することができる。
【００２１】
（５）複数の排出口は、略水平に並ぶように設けられてもよい。この場合、処理槽内の処理液の表面に略平行な面内での流速分布を均一に調整することができる。それにより、複数の基板を同時にかつ均一に乾燥させることができる。
【発明の効果】
【００２２】
本発明に係る基板処理装置によれば、処理槽上に供給される気体の流速分布を均一に調整することができる。その結果、処理槽上の雰囲気の露点分布を容易に均一化することができ、基板を均一かつ効率的に乾燥させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
本発明の一実施の形態に係る基板処理装置について説明する。以下の説明において、基板とは、半導体ウェハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板等をいう。
【００２４】
（１）第１の実施の形態
（１−ａ）基板処理装置の構成および動作
図１は、第１の実施の形態に係る基板処理装置の構成を示す模式的断面図である。図１に示すように、本実施の形態に係る基板処理装置１００は、処理槽４、ダクト２０、昇降機構３０、処理液ミキシング装置５０、ドライエア発生装置６０、外気遮断部材７０、制御部８０、搬送駆動部３００、搬送ロボット３１０、開閉駆動部７００およびドライエア排出機構ＢＭを備える。
【００２５】
ダクト２０は、矩形の筒形状を有し、鉛直方向の軸に沿うように立設されている。ダクト２０の上端部には外気遮断部材７０が開閉自在に取り付けられている。
【００２６】
外気遮断部材７０は、上蓋部７１、筒部７２およびヒンジ部７３を含む。外気遮断部材７０の上蓋部７１は、矩形の平板形状を有し、ヒンジ部７３を中心として回動可能である。
【００２７】
外気遮断部材７０は、開閉駆動部７００により駆動される。この場合、上蓋部７１がヒンジ部７３を中心として回動する。それにより、ダクト２０の上端部が開放または閉塞する。
【００２８】
筒部７２は、ダクト２０よりも小さい矩形の略筒形状を有する。上蓋部７１がダクト２０の上端部を閉塞した状態で、筒部７２は上蓋部７１の下面に形成されている。外気遮断部材７０の構造の詳細は後述する。
【００２９】
ダクト２０の内部には、処理槽４が設けられている。処理槽４は複数の基板Ｗを収容可能な内槽４０および内槽４０の上部外周を取り囲むように設けられた外槽４３により形成されている。内槽４０は略直方体形状を有する。
【００３０】
内槽４０の底部には、内槽４０内に処理液を供給するための処理液供給管４１の一端および内槽４０内の処理液を排出するための処理液排出管４２の一端が接続されている。本実施の形態において、内槽４０内では処理液により基板Ｗの洗浄処理が行われる。洗浄処理時に内槽４０内に供給される処理液は、洗浄液またはリンス液である。
【００３１】
すなわち、内槽４０内に洗浄液を供給し、洗浄液の貯留された内槽４０内に基板Ｗを浸漬することにより、基板Ｗの表面を洗浄する。その後、内槽４０内の洗浄液をリンス液に置換する。
【００３２】
洗浄液としては、ＢＨＦ（バッファードフッ酸）、ＤＨＦ（希フッ酸）、フッ酸、塩酸、硫酸、硝酸、リン酸、酢酸、シュウ酸またはアンモニア等の薬液が用いられる。リンス液としては、純水、炭酸水、水素水、電解イオン水等が用いられる。
【００３３】
本実施の形態では、処理液供給管４１の他端が処理液ミキシング装置５０に接続されている。処理液ミキシング装置５０には、例えば薬液および純水が供給されている。処理液ミキシング装置５０は、供給される薬液および純水を所定の割合で混合することができる。したがって、処理液ミキシング装置５０は、薬液、純水またはそれらの混合液を処理液またはリンス液として処理液供給管４１を介して内槽４０内に供給する。
【００３４】
外槽４３の底部には、内槽４０の上部から溢れ出し（オーバーフロー）、外槽４３内に流れ込む処理液を排出するための処理液排出管４４の一端が接続されている。
【００３５】
ダクト２０の内部とダクト２０の上方位置との間で上下方向に移動可能な昇降機構３０が設けられている。昇降機構３０は、複数の基板Ｗを保持する保持部３１を内槽４０の内部とその上方位置との間で上下方向に移動させる。これにより、複数の基板Ｗを内槽４０内の処理液中に浸漬し、処理液から引き上げることができる。
【００３６】
処理槽４の上端部近傍に位置するダクト２０の部分において、対向する２つの側面にはそれぞれドライエア供給ダクト６２およびドライエア排出ダクト６３が取り付けられている。
【００３７】
本実施の形態において、ドライエア供給ダクト６２には複数の通気ガイド６２ａが設けられている。ドライエア供給ダクト６２は配管６１を介してドライエア発生装置６０と接続されている。ドライエア排出ダクト６３には複数の通気ガイド６３ａが設けられるとともにドライエア排出機構ＢＭが取り付けられている。
【００３８】
ドライエア発生装置６０により発生されたドライエアＤＦが、配管６１を通してドライエア供給ダクト６２に送られる。それにより、昇降機構３０により内槽４０から引き上げられる基板ＷにドライエアＤＦが吹き付けられ、基板Ｗの乾燥処理が行われる。
【００３９】
ドライエア排出機構ＢＭが取り付けられたドライエア排出ダクト６３は、複数（本例では５つ）の排出ダクトからなり、処理槽４上の雰囲気を吸引して外部へ排出する。これにより、基板Ｗに吹き付けられたドライエアＤＦおよび基板Ｗ周辺の雰囲気がドライエア排出ダクト６３から排出される。詳細は後述する。
【００４０】
なお、本実施の形態において、ドライエアＤＦとは、極めて露点の低い気体をいう。ドライエア供給ダクト６２からダウンフローダクト２０内に供給されるドライエアＤＦの露点は、例えば約−７０℃である。
【００４１】
外気遮断部材７０の上方には、搬送エリアＴＥが設けられている。搬送エリアＴＥには、搬送ロボット３１０が移動可能に設けられている。
【００４２】
搬送ロボット３１０は、アームヒンジ部３１１および２本のアーム３１２を備える。搬送ロボット３１０は、搬送駆動部３００により駆動される。この場合、２本のアーム３１２がアームヒンジ部３１１を中心としてそれぞれ対称な方向に回動し、搬送ロボット３１０の下端部が開閉する。これにより、搬送ロボット３１０は、複数の基板Ｗを保持する保持部３１を２本のアーム３１２の間に挟み込んで保持することができる。また、搬送ロボット３１０は、搬送駆動部３００により駆動されることにより、搬送エリアＴＥ内を移動する。
【００４３】
図１に示すように、制御部８０は、昇降機構３０、処理液ミキシング装置５０、ドライエア発生装置６０、搬送駆動部３００、開閉駆動部７００およびドライエア排出機構ＢＭと接続されている。
【００４４】
制御部８０がこれらの構成部の動作を制御することにより、複数の基板Ｗを保持する保持部３１の昇降動作、基板Ｗの洗浄処理、基板Ｗの乾燥処理、処理槽４に対する基板Ｗの搬入搬出動作、ダクト２０の上端部の開閉動作、および処理槽４上の雰囲気の排出動作が制御される。
【００４５】
なお、図１に示すように、外気遮断部材７０の筒部７２には、流量センサＦＳが取り付けられる。この流量センサＦＳは、ドライエア供給ダクト６２から処理槽４上に供給されるドライエアＤＦの流速分布を測定し、制御部８０に与える。詳細は後述する。
【００４６】
（１−ｂ）外気遮断部材の構造の詳細
図２は、図１の外気遮断部材７０の構造の詳細を説明するための斜視図である。なお、図２では、外気遮断部材７０の構造を明確に示すために、処理槽４の外槽４３およびダクト２０の図示を省略している。
【００４７】
図２に示すように、外気遮断部材７０の筒部７２は、第１の遮断側板７２ａ、第２の遮断側板７２ｂ、第３の遮断側板７２ｃおよび第４の遮断側板７２ｄを有する。第１の遮断側板７２ａおよび第２の遮断側板７２ｂが互いに対向し、第３の遮断側板７２ｃおよび第４の遮断側板７２ｄが互いに対向している。
【００４８】
ダクト２０（図１）の上端部が上蓋部７１により閉塞された状態で、第１の遮断側板７２ａはドライエア供給ダクト６２の上部に位置し、第２の遮断側板７２ａはドライエア排出ダクト６３の上部に位置する。
【００４９】
第１および第２の遮断側板７２ａ，７２ｂは、上蓋部７１の下面からドライエア供給ダクト６２およびドライエア排出ダクト６３の上端部まで延びている。一方、第３および第４の遮断側板７３ａ，７３ｂは、上蓋部７１の下面から処理槽４の上端部まで延びている。
【００５０】
これにより、ダクト２０（図１）の上端部が上蓋部７１により閉塞された場合には、処理槽４の直上の空間ＷＵが、上蓋部７１の下面、筒部７２の第１〜第４の遮断側板７２ａ〜７２ｄ、ドライエア供給ダクト６２のドライエア供給口６２１およびドライエア排出ダクト６３の排気口６３１により取り囲まれる。それにより、空間ＷＵ内の雰囲気が外部の雰囲気から遮断される。
【００５１】
その結果、処理槽４の内槽４０から引き上げられる基板Ｗにドライエア供給ダクト６２からドライエアＤＦを供給する際に、その基板Ｗ周辺の雰囲気の露点を十分に低い状態に維持することができ、基板Ｗの乾燥効率を向上させることができる。
【００５２】
（１−ｃ）基板処理装置による基板処理時の一連の動作
基板処理装置１００による基板処理時の一連の動作を図１および図２に基づき説明する。初めに、図１に示すように、外気遮断部材７０がダクト２０の上端部を閉塞した状態で、内槽４０内に処理液が貯留される。そして、外気遮断部材７０の上蓋部７１がヒンジ部７３を中心として回動する（図２の太線矢印参照）。これにより、ダクト２０の上端部が開放される。
【００５３】
次に、複数の基板Ｗを保持する保持部３１を搬送する図１の搬送ロボット３１０が搬送エリアＴＥ内でダクト２０の上方位置に移動する。さらに、搬送ロボット３１０は、ダクト２０の上方位置から下降し、複数の基板Ｗを保持する保持部３１をダクト２０内に搬入する。
【００５４】
続いて、図１の昇降機構３０が、ダクト２０内に搬入された保持部３１を下降させる。これにより、保持部３１により保持された複数の基板Ｗが下降し、内槽４０内に収容される。
【００５５】
搬送ロボット３１０がダクト２０から退避した後、外気遮断部材７０の上蓋部７１が再びヒンジ部７３を中心として回動し、ダクト２０の上端部が閉塞される。
【００５６】
上記のように、複数の基板Ｗが内槽４０内に収容されることにより、複数の基板Ｗが処理液に浸漬される。これにより、各基板Ｗの洗浄処理が行われる。なお、上述のように、図１の処理液ミキシング装置５０は、初めに内槽４０内に洗浄液を供給し、その後内槽４０内にリンス液を供給する。
【００５７】
洗浄処理が終了すると、昇降機構３０が、保持部３１を上昇させる。これにより、保持部３１により保持された複数の基板Ｗが上昇する。このとき、図１のドライエア発生装置６０が、内槽４０から引き上げられる複数の基板ＷにドライエアＤＦを供給する。これにより、各基板Ｗに付着した処理液（リンス液）がドライエアＤＦにより置換され、各基板Ｗの表面が乾燥される（乾燥処理）。なお、このとき基板Ｗに供給されるドライエアＤＦの流速は、例えば約６ｍ／ｓ以上約７ｍ／ｓ以下に設定される。
【００５８】
乾燥処理時以外において、ドライエア発生装置６０は、ダクト２０内へのドライエアＤＦの供給量を低減している（スローリーク）。
【００５９】
乾燥処理時には、処理液ミキシング装置５０が少量の処理液を継続して内槽４０内に供給している。したがって、複数の基板Ｗの内槽４０からの引き上げ時には、内槽４０の上部開口から処理液が溢れ出している。内槽４０から溢れ出した処理液は外槽４３へ流れ込み、外槽４３に接続された処理液排出管４４から排出される。
【００６０】
最後に、外気遮断部材７０の上蓋部７１がヒンジ部７３を中心として回動し、ダクト２０の上端部が開放される。そして、搬送ロボット３１０が複数の基板Ｗを保持する保持部３１を受け取るとともに上昇し、保持部３１をダクト２０から搬出する。
【００６１】
その後、搬送ロボット３１０は、ダクト２０の上方位置から移動する。搬送ロボット３１０がダクト２０から退避した後、外気遮断部材７０の上蓋部７１がヒンジ部７３を中心として回動する。これにより、ダクト２０の上端部が閉塞される。
【００６２】
（１−ｄ）処理槽上の流速分布の測定
一般に、基板処理装置においては、複数の基板Ｗを含むロットごとに基板処理が行われ、基板Ｗに対する処理液の供給条件およびドライエアＤＦの供給条件もロットごとに管理される。
【００６３】
本実施の形態においては、ロットごとの基板処理が行われる前に、図１の流量センサＦＳにより処理槽４上の流速分布が測定される。
【００６４】
図３は、処理槽４上の流速分布が測定されるときの基板処理装置１００の主要部の模式的横断面図である。
【００６５】
図３には、図１のドライエア供給ダクト６２、処理槽４およびドライエア排出ダクト６３とともに、図１のドライエア排出機構ＢＭの構成が示されている。
【００６６】
以下の説明では、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を定義する。図３の矢印Ｘおよび矢印Ｙで示すように、Ｘ方向およびＹ方向は水平面内で互いに直交し、Ｘ方向はドライエア供給ダクト６２、処理槽４およびドライエア排出ダクト６３が並ぶ方向に相当する。また、Ｚ方向は鉛直方向に相当する。
【００６７】
図３に示すように、ドライエア排出ダクト６３は、Ｘ方向に延びる５つの排出ダクト６３ａ，６３ｂ，６３ｃ，６３ｄ，６３ｅがＹ方向に沿って並ぶように連結された構造を有する。処理槽４側に位置する５つの排出ダクト６３ａ〜６３ｅの一端が、処理槽４上の雰囲気の排出口ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅとして機能する。
【００６８】
ドライエア排出機構ＢＭは、弁駆動装置６４０、吸気装置６５０および流速測定装置７１０を備える。弁駆動装置６４０は、ドライエア排出ダクト６３の各排出ダクト６３ａ〜６３ｅの内部に取り付けられた弁ｖａ，ｖｂ，ｖｃ，ｖｄ，ｖｅを含む。流速測定装置７１０は流量センサＦＳを含む。
【００６９】
吸気装置６５０には、５つの排出ダクト６３ａ〜６３ｅの他端が接続される。これにより、吸気装置６５０は、処理槽４上の流速分布の測定時、および基板Ｗの乾燥処理時に、５つの排出ダクト６３ａ〜６３ｅを通して処理槽４上の雰囲気を吸引し、排出する。
【００７０】
流速分布の測定は、次のようにして行われる。まず、図１の外気遮断部材７０がダクト２０の上端部を閉塞した状態で、ドライエア供給ダクト６２から処理槽４上へ速度ｆｖのドライエアＤＦが均一に供給される。
【００７１】
これと同時に、吸気装置６５０が動作する。これにより、ドライエアＤＦを含む処理槽４上の雰囲気が、ドライエア排出ダクト６３から吸引され、排出される。それにより、処理槽４上に、ドライエア供給ダクト６２側からドライエア排出ダクト６３側に流れるドライエアＤＦの気流が形成される。
【００７２】
このとき、弁駆動装置６４０は、ドライエア排出ダクト６３を構成する５つの排出ダクト６３ａ〜６３ｅに取り付けられた弁ｖａ〜ｖｅの開度を共通の開度に維持する。
【００７３】
続いて、予め定められた処理槽４上の複数の測定点Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４，Ｐ５で、ドライエアＤＦの流速が測定される。複数の測定点Ｐ１〜Ｐ５は、例えばＹ方向に沿う軸Ｌ１上に、ほぼ等間隔に設定される。
【００７４】
本実施の形態において、軸Ｌ１は処理槽４上の空間におけるドライエア排出ダクト６３側に設定される。軸Ｌ１とドライエア排出ダクト６３の複数の排出口ａ〜ｅとの間の距離ＬＤは、例えば約２０ｍｍ程度に設定される。また、軸Ｌ１上の各測定点Ｐ１〜Ｐ５は、ドライエア排出ダクト６３の複数の排出口ａ〜ｅに対向する位置に設定される。図３において、測定点Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４，Ｐ５は、それぞれ排出ダクト６３ａ，６３ｂ，６３ｃ，６３ｄ，６３ｅに対応する。
【００７５】
ここで、流量センサＦＳによるドライエアＤＦの流速分布の測定動作を、流速測定装置７１０の構成とともに説明する。
【００７６】
図４は、図３の流速測定装置７１０の模式的縦断面図である。図４には、流速測定装置７１０とともに、図１のドライエア排出ダクト６３、外気遮断部材７０および処理槽４が示されている。以下の説明においても、図３と同様に、互いに直交するＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を定義する。
【００７７】
図４に示すように、図３の流速測定装置７１０は、流量センサＦＳ、スライド支持棒７１３、ヒンジ部７１２および棒駆動部７１１を備える。棒駆動部７１１は、外気遮断部材７０の筒部７２の下端部近傍に取り付けられる。
【００７８】
棒駆動部７１１は、ヒンジ部７１２を有し、ヒンジ部７１２にはスライド支持棒７１３の一端が接続されている。スライド支持棒７１３の他端に流量センサＦＳが取り付けられている。流速分布の測定開始時において、スライド支持棒７１３は鉛直方向を向いた状態になっている。
【００７９】
上述のように、基板Ｗの処理が行われる前に処理槽４上のドライエアＤＦの流速分布が測定される場合、流速測定装置７１０は次のように動作する。
【００８０】
まず、棒駆動部７１１は、矢印Ｊ１で示すように、スライド支持棒７１３をヒンジ部７１２を中心として下方に回動させ、Ｙ方向すなわち軸Ｌ１と平行にする。それにより、スライド支持棒７１３の他端に取り付けられた流量センサＦＳが測定点Ｐ５に位置する。そして、測定点Ｐ５におけるドライエアＤＦの流速が流量センサＦＳにより測定される。
【００８１】
続いて、棒駆動部７１１は、矢印Ｊ２で示すように、スライド支持棒７１３を順次Ｙ方向へ伸ばす。これにより、スライド支持棒７１３の他端に取り付けられた流量センサＦＳが測定点Ｐ４，Ｐ３，Ｐ２，Ｐ１に順次移動する。そして、各測定点Ｐ４，Ｐ３，Ｐ２，Ｐ１におけるドライエアＤＦの流速が流量センサＦＳにより測定される。
【００８２】
測定点Ｐ１〜Ｐ５におけるドライエアＤＦの流速が測定されると、棒駆動部７１１は、スライド支持棒７１３を縮めるとともに、ヒンジ部７１２を中心として上方に回動させる。これにより、流量センサＦＳが流速分布の測定開始時と同じ状態に戻る。
【００８３】
上記のようにして、処理槽４上の流速分布が測定された後、測定された処理槽４上の流速分布は、流速測定装置７１０から制御部８０に与えられる。そこで、制御部８０は、流速分布の測定結果（流速ｆｖ１〜ｆｖ５）に基づいて、弁駆動装置６４０の動作を制御する。
【００８４】
（１−ｅ）弁駆動装置による流速分布の調整
処理槽４上の流速分布の測定後、弁駆動装置６４０は、制御部８０により制御される。これにより、弁駆動装置６４０は、測定された流速分布にばらつきがある場合に、弁ｖａ〜ｖｅの開度を個別に調整する。
【００８５】
図５は、処理槽４上の流速分布が調整されるときの基板処理装置１００の主要部の模式的横断面図である。
【００８６】
例えば、図３の矢印ｆｖ４で示したように、測定点Ｐ４におけるドライエアＤＦの流速ｆｖ４が測定点Ｐ１〜Ｐ３におけるドライエアＤＦの流速ｆｖ１〜ｆｖ３に比べて小さい場合、弁駆動装置６４０は弁ｖｄの開度を大きくする。
【００８７】
これにより、ドライエア排出ダクト６３の排出ダクト６３ｄから吸引されるドライエアＤＦの吸引量が増大し、排出口ｄにおけるドライエアＤＦの流速が大きくなる。その結果、図５の矢印ｆｖ４で示すように、排出口ｄに対向する測定点Ｐ４におけるドライエアＤＦの流速を、測定点Ｐ１〜Ｐ３におけるドライエアＤＦの流速ｆｖ１〜ｆｖ３と等しくすることができる。
【００８８】
また、図３の矢印ｆｖ５で示したように、測定点Ｐ５におけるドライエアＤＦの流速ｆｖ５が、測定点Ｐ１〜Ｐ３におけるドライエアＤＦの流速ｆｖ１〜ｆｖ３に比べて著しく小さい場合、弁駆動装置６４０は弁ｖｅの開度をさらに大きくする。
【００８９】
これにより、ドライエア排出ダクト６３の排出ダクト６３ｅから吸引されるドライエアＤＦの吸引量が増大し、排出口ｅにおけるドライエアＤＦの流速が大きくなる。その結果、図５の矢印ｆｖ５で示すように、排出口ｅに対向する測定点Ｐ５におけるドライエアＤＦの流速を、測定点Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３におけるドライエアＤＦの流速ｆｖ１〜ｆｖ３と等しくすることができる。
【００９０】
上記のようにして、弁ｖａ〜ｖｅの開度を個別に調整することにより、測定点Ｐ１〜Ｐ５におけるドライエアＤＦの流速ｆｖ１〜ｆｖ５が全て等しく測定されると、弁駆動装置６４０により設定される弁ｖａ〜ｖｅの開度が制御部８０に記憶される。
【００９１】
上記のように、本実施の形態に係る基板処理装置１００においては、ロットごとの基板処理が行われる前に、図１の流量センサＦＳにより処理槽４上の流速分布が測定される。そして、その測定結果に基づいて、処理槽４上の流速分布を均一化することが可能な弁ｖａ〜ｖｅの開度が制御部８０に記憶される。
【００９２】
基板Ｗの乾燥処理時には、制御部８０に記憶された弁ｖａ〜ｖｅの開度に基づいて、弁駆動装置６４０が弁ｖａ〜ｖｅを個別に駆動する。それにより、処理槽４上のドライエアＤＦの流速分布を均一に調整することができる。その結果、処理槽４上の雰囲気の露点分布を容易に均一化することができ、図１の保持部３１により保持された複数の基板Ｗを均一かつ効率的に乾燥させることができる。
【００９３】
本実施の形態では、ロットごとの基板Ｗの処理が行われる前に、処理槽４上のドライエアＤＦの流速分布が測定され、ドライエア排出ダクト６３の弁ｖａ〜ｖｅの開度調整が行われる。これにより、処理槽４上のドライエアＤＦの流速分布がロットごとに変化する場合でも、その変化に応じて流速分布を均一化することができる。したがって、処理槽４上の雰囲気の露点分布を容易かつ正確に均一化することができる。
【００９４】
なお、弁ｖａ〜ｖｅの開度を調整するための流速分布の測定は、必ずしもロットごとに行う必要はない。例えば、所定の時間間隔（例えば、１日おき、または１ヶ月おき）で、予め定められた時間に行ってもよいし、処理対象となる基板Ｗの種類に応じて行ってもよい。
【００９５】
本実施の形態においては、流量センサＦＳを含む流速測定装置７１０により処理槽４上の流速分布が測定されるが、作業者が流量センサＦＳを用いて流速分布を手動で測定してもよい。
【００９６】
（２）第２の実施の形態
第２の実施の形態に係る基板処理装置１００について、第１の実施の形態に係る基板処理装置１００と異なる点を説明する。
【００９７】
図６（ａ）は第２の実施の形態に係る基板処理装置１００の主要部の模式的横断面図であり、図６（ｂ）は第２の実施の形態に係る基板処理装置１００の主要部の模式的横断面図である。図６においても、図３と同様にＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を定義する。
【００９８】
図６（ａ）および図６（ｂ）に示すように、本実施の形態に係る基板処理装置１００においては、ドライエア排出ダクト６３を構成する排出ダクト６３ａ〜６３ｅの構造が第１の実施の形態で用いられる排出ダクト６３ａ〜６３ｅの構造と異なる。なお、図６（ａ）および図６（ｂ）において、図３で説明した制御部８０、流速測定装置７１０および流量センサＦＳの図示は省略する。
【００９９】
排出ダクト６３ａ〜６３ｅは、いずれも同じ構造を有する。そこで、以下では、排出ダクト６３ｅの構造のみを説明する。
【０１００】
図６（ｂ）に示すように、排出ダクト６３ｅは、主管部ｅｘ０、第１の排出経路ｅｘ１および第２の排出経路ｅｘ２からなる。主管部ｅｘ０の一端が、第１の実施の形態において説明した排出口ｅとして機能する。
【０１０１】
主管部ｅｘ０は、Ｘ方向に沿って延びている。その主管部ｅｘ０から下方に分岐するように第１の排出経路ｅｘ１が形成されている。また、主管部ｅｘ０からＸ方向に沿って分岐するように第２の排出経路ｅｘ２が形成されている。
【０１０２】
主管部ｅｘ０から延びる第１の排出経路ｅｘ１の端部は、第１の吸気装置６５０ａに接続される。また、第２の排出経路ｅｘ２の端部は、第２の吸気装置６５０ｂに接続される。
【０１０３】
これにより、第１の吸気装置６５０ａは、基板Ｗの乾燥処理時に、主管部ｅｘ０および第１の排出経路ｅｘ１を通して処理槽４上の雰囲気を吸引して排出する。また、第２の吸気装置６５０ｂは、基板Ｗの乾燥処理時に、主管部ｅｘ０および第２の排出経路ｅｘ２を通して処理槽４上の雰囲気を吸引して排出する。
【０１０４】
ここで、分岐部近傍の第２の排出経路ｅｘ２の内部には、弁ｖｅが取り付けられている。この弁ｖｅの開度は弁駆動装置６４０により調整される。
【０１０５】
これにより、排出ダクト６３ｅから吸引されるドライエアＤＦの吸引量が調整される。それにより、処理槽４上の測定点Ｐ５におけるドライエアＤＦの流速が調整される。
【０１０６】
上述のように、排出ダクト６３ａ〜６３ｅはいずれも同じ構成を有する。したがって、本実施の形態では、弁駆動装置６４０が排出ダクト６３ａ〜６３ｅの第２の排出経路ｅｘ２に取り付けられた弁ｖａ，ｖｂ，ｖｃ，ｖｄ，ｖｅの開度を個別に調整することにより、処理槽４上の測定点Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４，Ｐ５におけるドライエアＤＦの流速が調整される。それにより、基板Ｗの乾燥処理時に、処理槽４上のドライエアＤＦの流速分布を均一に調整することができる。
【０１０７】
（３）変形例
第１および第２の実施の形態においては、処理槽４上の流速分布の均一化は複数の排出ダクト６３ａ〜６３ｅに設けられた弁ｖａ〜ｖｅの開度を調整することにより行われるが、複数の排出ダクト６３ａ〜６３ｅ内に弁ｖａ〜ｖｅの代わりにシャッタを設け、シャッタの開閉により処理槽４上の流速分布を調整してもよい。
【０１０８】
本実施の形態において、乾燥処理は基板ＷにドライエアＤＦを供給することにより行われているが、基板Ｗに供給する気体はドライエアＤＦに限られない。ドライエアＤＦに代えて、例えばＩＰＡ（イソプロピルアルコール）蒸気を用いてもよいし、低温のＮ２  （窒素）ガスを用いてもよい。
【０１０９】
（４）  請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応関係
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
【０１１０】
上記第１および第２の実施の形態では、昇降機構３０が基板昇降機構の例であり、ドライエア発生装置６０、配管６１およびドライエア供給ダクト６２が気体供給部の例であり、排出ダクト６３ａ，６３ｂ，６３ｃ，６３ｄ，６３ｅの排出口ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅが複数の排出口の例であり、ドライエア排出ダクト６３、吸気装置６５０、第１の吸気装置６５０ａおよび第２の吸気装置６５０ｂが気体排出部の例である。
【０１１１】
また、制御部８０、弁駆動装置６４０、吸気装置６５０、第１の吸気装置６５０ａおよび第２の吸気装置６５０ｂが流量調整部の例であり、外気遮断部材７０が遮断部材の例であり、流量センサＦＳおよび流速測定装置７１０が流速分布測定器の例である。
【０１１２】
なお、請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
【産業上の利用可能性】
【０１１３】
本発明に係る基板処理装置は、半導体ウェハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板等の基板の製造に有効に利用できる。
【図面の簡単な説明】
【０１１４】
【図１】第１の実施の形態に係る基板処理装置の構成を示す模式的断面図である。
【図２】図１の外気遮断部材の構造の詳細を説明するための斜視図である。
【図３】処理槽上の流速分布が測定されるときの基板処理装置の主要部の模式的横断面図である。
【図４】図３の流速測定装置の模式的縦断面図である。
【図５】処理槽上の流速分布が調整されるときの基板処理装置の主要部の模式的横断面図である。
【図６】（ａ）は第２の実施の形態に係る基板処理装置の主要部の模式的横断面図であり、（ｂ）は第２の実施の形態に係る基板処理装置の主要部の模式的横断面図である。
【符号の説明】
【０１１５】
４  処理槽
３０  昇降機構
６０  ドライエア発生装置
６１  配管
６２  ドライエア供給ダクト
６３  ドライエア排出ダクト
６３ａ，６３ｂ，６３ｃ，６３ｄ，６３ｅ  排出ダクト
７０  外気遮断部材
８０  制御部
１００  基板処理装置
６４０  弁駆動装置
６５０  吸気装置
６５０ａ  第１の吸気装置
６５０ｂ  第２の吸気装置
７１０  流速測定装置
ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅ  排出口
ＤＦ  ドライエア
ＦＳ  流量センサ
Ｗ  基板
【図１】
2008251656.tif 000003
【図２】
2008251656.tif 000004
【図３】
2008251656.tif 000005
【図４】
2008251656.tif 000006
【図５】
2008251656.tif 000007
【図６】
2008251656.tif 000008