(57)【要約】【課題】パターン断面形状が台形形状となる隔壁を製造しうる感光性ペーストを提供する。【解決手段】［１］（Ａ）無機粒子、（Ｂ）アルカリ可溶性樹脂、（Ｃ）架橋剤、（Ｄ）酸発生剤、（Ｅ）有機溶媒、（Ｆ）（Ｆ）下記式（１０）で表される化合物を含有することを特徴とする感光性ペースト。2008052003.tif 000023（式中、Ｘは炭素数２〜４のアルケニル基を表し、Ｙは、テトラヒドロフリル基、テトラヒドロピラニル基、ジオキソリニル基およびジオキサニル基からなる群から選ばれる。）［２］［１］の感光性ペーストを用いてなるプラズマディスプレイ用隔壁。［３］［２］の隔壁を備えたプラズマディスプレイ用部材。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）無機粒子
（Ｂ）アルカリ可溶性樹脂
（Ｃ）架橋剤
（Ｄ）酸発生剤
（Ｅ）有機溶媒
（Ｆ）下記式（１０）で表される化合物
を含有することを特徴とする感光性ペースト。
2008052003.tif 000018
（式中、Ｘは炭素数２〜４のアルケニル基を表し、Ｙは、置換基を有していてもよいテトラヒドロフリル基、置換基を有していてもよいテトラヒドロピラニル基、置換基を有していてもよいジオキソリニル基および置換基を有していてもよいジオキサニル基からなる群から選ばれる。）
【請求項２】
前記（Ｆ）が、前記式（１０）におけるＹが置換基を有していてもよいテトラヒドロフリル基である化合物および／または置換基を有していてもよいテトラヒドロピラニル基である化合物である請求項１記載の感光性ペースト。
【請求項３】
前記（Ｆ）が、前記式（１０）におけるＹが下記の（ｉ−１）〜（ｉ−５）から選ばれる化合物である請求項１記載の感光性ペースト。
2008052003.tif 000019
【請求項４】
前記感光性ペーストに対する、前記（Ａ）〜（Ｆ）の含有比率が、それぞれ（Ａ）２０〜９５質量％、（Ｂ）２〜３０質量％、（Ｃ）１〜３０質量％、（Ｄ）０.０１〜２０質量％、（Ｅ）１〜４０質量％、および（Ｆ）０．０１〜３質量％である請求項１〜３のいずれかに記載の感光性ペースト。
【請求項５】
前記（Ｂ）が、ノボラック樹脂および／またはノボラック樹脂の一部の水酸基をＯＲ3基（ただし、Ｒ3は炭素数１〜２０の一価の有機基である）で置換されてなる樹脂であり、前記（Ｃ）が式（３）で示される含エポキシ基ケイ素化合物である、請求項１〜４のいずれかに記載の感光性ペースト。
2008052003.tif 000020
（式中、Ｑ2、Ｑ3は、それぞれ独立に式（４）で表される基であり、Ｑ1は式（５ａ）または式（５ｂ）で示される２価の基を表す。）
2008052003.tif 000021
（式中、Ｔ1は炭素数１〜６のアルキレン基、炭素数１〜６のアルキレンオキシアルキレン基またはフェニレン基を表す。ｍは０または１である。）
2008052003.tif 000022
（式中、Ｔ2〜Ｔ7は、それぞれ独立にメチル基またはフェニル基を表す。Ｔ8は酸素原子、メチレン基、エテニレン基、エチニレン基、フェニレン基、ナフタレンジイル基およびビフェニルジイル基からなる群から選ばれる。）
【請求項６】
前記（Ｅ）が、２５℃における屈折率が１．４０〜１．８０である有機溶媒である、請求項１〜５のいずれかに記載の感光性ペースト。
【請求項７】
前記（Ａ）が、軟化点が４００℃〜６００℃の低融点ガラス粒子を含む無機粒子である、請求項１〜６のいずれかに記載の感光性ペースト。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれかに記載の感光性ペーストを用いて製造されるプラズマディスプレイパネル用隔壁。
【請求項９】
請求項８記載のプラズマディスプレイパネル用隔壁を備えるプラズマディスプレイ用部材。
【請求項１０】
請求項９記載のプラズマディスプレイ用部材を備えるプラズマディスプレイパネル。
【請求項１１】
下記の工程を有するプラズマディスプレイパネル用隔壁の製造方法。
（Ｉ）請求項１〜５のいずれかに記載の感光性ペーストを基板上に塗布して塗膜を形成する工程
（II）上記（Ｉ）で得られた塗布後の塗膜を加熱する工程
（III）上記（II）で得られた塗膜を露光する工程
（IV）上記（III）で露光した塗膜を加熱する工程
（V）上記（IV）で得られた塗膜を現像する工程
（VI）上記（V）で現像して得られたパターンを有する基板を４５０℃〜６００℃の温度で焼成する工程
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、感光性ペーストに関する。さらに詳しくは、プラズマディスプレイ背面板における隔壁を形成するのに好適な感光性ペーストに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ディスプレイにおいて小型・高精細化が進んでおり、それに伴ってパターン加工技術の向上が望まれている。パターン加工技術としては、例えば、感光性ペースト法などが知られており、プラズマディスプレイの部材である背面板の隔壁形成などに用いられている。
【０００３】
従来の隔壁を形成する感光性ペーストとしては、例えば、光酸発生剤、架橋剤およびノボラック樹脂を含有してなる感光性ペーストが挙げられ、該感光性ペーストを基板上に塗布し、露光、現像してパターン加工を行い、さらに焼成せしめて隔壁を形成する方法が知られている（特許文献１参照）。
【０００４】
【特許文献１】特開平１１−３３８１４４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１に開示されている感光性ペーストを用い、リソグラフィープロセスによりパターン加工を行うと、得られるパターンの断面形状が中細りのパターンが得られやすく、このようなパターンを焼成して得られる隔壁は、その機械強度が低下することが懸念されていた。隔壁の実用的な機械強度を得るためには、パターン断面形状として台形形状が好ましく、そのような隔壁が求められていた。
本発明の目的は、このような断面形状が台形形状のパターンを容易に加工することが可能であり、焼成によって高機械強度が期待される隔壁を製造することができる感光性ペーストを提供することにある。
さらに、当該感光性ペーストを用いた隔壁、該隔壁を備えるプラズマディスプレイ用部材およびプラズマディスプレイパネルを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者は、上記課題を解決できる感光性ペーストを見出すべく、鋭意検討を重ねた結果、本発明を完成させるに至った。
【０００７】
即ち、本発明は、［１］（Ａ）無機粒子
（Ｂ）アルカリ可溶性樹脂
（Ｃ）架橋剤
（Ｄ）酸発生剤
（Ｅ）有機溶媒
（Ｆ）下記式（１０）で表される化合物
を含有することを特徴とする感光性ペースト
2008052003.tif 000002
（式中、Ｘは炭素数２〜４のアルケニル基を表し、Ｙは、置換基を有していてもよいテトラヒドロフリル基、置換基を有していてもよいテトラヒドロピラニル基、置換基を有していてもよいジオキソリニル基および置換基を有していてもよいジオキサニル基からなる群から選ばれる。）
【０００８】
さらに、本発明は前記［１］に係る好適な実施様態として、下記の［２］〜［７］を提供する。
［２］前記（Ｆ）が、前記式（１０）におけるＹが置換基を有していてもよいテトラヒドロフリル基である化合物および／または置換基を有していてもよいテトラヒドロピラニル基である化合物である［１］の感光性ペースト
［３］前記（Ｆ）が、前記式（１０）におけるＹが下記の（ｉ−１）〜（ｉ−５）から選ばれる化合物である［１］の感光性ペースト
2008052003.tif 000003
［４］前記感光性ペーストに対する、前記（Ａ）〜（Ｆ）の含有比率が、それぞれ（Ａ）２０〜９５質量％、（Ｂ）２〜３０質量％、（Ｃ）１〜３０質量％、（Ｄ）０.０１〜２０質量％、（Ｅ）１〜４０質量％、および（Ｆ）０．０１〜３質量％である［１］〜［３］のいずれかの感光性ペースト。
［５］前記（Ｂ）が、ノボラック樹脂および／またはノボラック樹脂の一部の水酸基をＯＲ3基（ただし、Ｒ3は炭素数１〜２０の一価の有機基である）で置換されてなる樹脂であり、前記（Ｃ）が式（３）で示される含エポキシ基ケイ素化合物である、［１］〜［４］のいずれかの感光性ペースト
2008052003.tif 000004
（式中、Ｑ2、Ｑ3は、それぞれ独立に式（４）で表される基であり、Ｑ1は式（５ａ）または式（５ｂ）で示される２価の基を表す。）
2008052003.tif 000005
（式中、Ｔ1は炭素数１〜６のアルキレン基、炭素数１〜６のアルキレンオキシアルキレン基またはフェニレン基を表す。ｍは０または１である。）
2008052003.tif 000006
（式中、Ｔ2〜Ｔ7は、それぞれ独立にメチル基またはフェニル基を表す。Ｔ8は酸素原子、メチレン基、エテニレン基、エチニレン基、フェニレン基、ナフタレンジイル基およびビフェニルジイル基からなる群から選ばれる。）
［６］前記（Ｅ）が、２５℃における屈折率が１．４０〜１．８０である有機溶媒である、［１］〜［５］のいずれかの感光性ペースト
［７］前記（Ａ）が、軟化点が４００℃〜６００℃の低融点ガラス粒子を含む無機粒子である、［１］〜［６］のいずれかの感光性ペースト
【０００９】
また、本発明は前記いずれかの感光性ペーストを用いてなる下記［８］〜［１１］を提供する。
［８］［１］〜［７］のいずれかに記載の感光性ペーストを用いて製造されるプラズマディスプレイパネル用隔壁
［９］［８］のプラズマディスプレイパネル用隔壁を備えるプラズマディスプレイ用部材。
［１０］［９］のプラズマディスプレイ用部材を備えるプラズマディスプレイパネル。
［１１］下記の工程を有するプラズマディスプレイパネル用隔壁の製造方法。
（Ｉ）前記いずれかに記載の感光性ペーストを基板上に塗布して塗膜を形成する工程
（II）上記（Ｉ）で得られた塗布後の塗膜を加熱する工程
（III）上記（II）で得られた塗膜を露光する工程
（IV）上記（III）で露光した塗膜を加熱する工程
（V）上記（IV）で得られた塗膜を現像する工程
（VI）上記（V）で現像して得られたパターンを有する基板を４５０℃〜６００℃の温度で焼成する工程
【発明の効果】
【００１０】
本発明の感光性ペーストによれば、リソグラフィープロセスにより断面形状が台形形状となるパターンを容易に形成することが可能となる。かかるパターンは焼成によって、高機械強度が期待される隔壁を製造し得る。
また、当該隔壁はプラズマディスプレイ用背面板として、好適に用いることができ、さらに該背面板から、プラズマディスプレイパネルを提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の好適な実施形態について説明する。
【００１２】
本発明の感光性ペーストは、
（Ａ）無機粒子
（Ｂ）アルカリ可溶性樹脂
（Ｃ）架橋剤
（Ｄ）酸発生剤
（Ｅ）有機溶媒
（Ｆ）前記式（１０）で表される化合物
を含有することを特徴とする。
【００１３】
前記式（１０）において、Ｘは炭素数２〜４のアルケニル基を表し、ビニル基、アリル基、イソプロペニル基、１−ブテニル基あるいは２−ブテニル基等が挙げられる。
【００１４】
また、式（１０）で表される基は、下記式（ｉ−１）または（ｉ−２）で例示されるテトラヒドロフリル基、（ｉ−３）〜（ｉ−５）で例示されるテトラヒドロピラニル基、（ｉ−６）または（ｉ−７）で例示されるジオキソリニル基および（ｉ−８）〜（ｉ−１０）で例示されるジオキサニル基からなる群から選ばれ、かかる基の環に、１つまたは２つ以上の置換基を有していてもよい。
2008052003.tif 000007
2008052003.tif 000008
2008052003.tif 000009
2008052003.tif 000010
【００１５】
前記（ｉ−１）〜（ｉ−１０）で表される基が有していてもよい置換基としては、前記（Ｄ）を失活させない基が好ましく、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、炭素数２〜６のアシル基、炭素数２〜６のアルキルオキシカルボニル基、水酸基が挙げられる。
該アルキル基としてはメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘキシル基等が挙げられ、炭素数が３以上の場合は分岐していても、環状でもよい。該アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ヘキシルオキシ機等が挙げられ、炭素数が３以上の場合は分岐していても、環状でもよい。該アシル基としてはアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、ペンチルカルボニル基等が挙げられ、炭素数が４以上の場合は分岐していても、環状でもよい。該アルキルオキシカルボニル基としては、メチルオキシカルボニル基、プロピルオキシカルボニル基、ペンチルオキシカルボニル基等が挙げられ、炭素数が４以上の場合は分岐していても、環状でもよい。
【００１６】
前記（Ｆ）としては、前記式（１０）におけるＹが置換基を有していてもよいテトラヒドロフリル基である化合物および／または置換基を有していてもよいテトラヒドロピラニル基である化合物であると、より好ましく、とりわけ好ましくは実質的に置換基を有していない基であり、前記例示の中で、（ｉ−１）〜（ｉ−５）で表される基をＹとして有する化合物が好ましい。
【００１７】
特に、（Ｆ）として好ましくは下記式（１１）で表される化合物および／または式（１２）で表される化合物である。
2008052003.tif 000011
これらは（メタ）アクリル酸、（メタ）アクリル酸エステルまたは（メタ）アクリル酸ハロゲド等のアルケニル基を有する化合物と、テトラヒドロピラニル−２−オールと反応させることで容易に製造することもできるし、市場から容易に入手可能であることからも好ましい。
【００１８】
前記（Ｆ）の使用量は、感光性ペースト総量に対して、通常０．０１〜３質量％、好ましくは０．１〜２質量％、さらに好ましくは０．２〜１質量％である。（Ｆ）の使用量が、前記の範囲であると、解像度が良好になる傾向があり、好ましい。
【００１９】
次に（Ａ）無機粒子について説明する。
（Ａ）の比誘電率は、測定温度２０℃において、好ましくは４．０以上９．５以下であり、より好ましくは４．０以上９．０以下である。比誘電率が、前記の範囲にあると、プラズマディスプレイパネルとして駆動した際の無効電力が少なくなるため好ましい。ここで比誘電率は、市販のブリッジ型誘電率測定装置（例えば、安藤電気社製  型番ＴＲ−１０Ｃを挙げることができる）を用いて測定することができる。
【００２０】
また、（Ａ）の屈折率は、測定温度２５℃において、好ましくは１．４０〜２．５０の範囲であり、より好ましくは１．４３〜２．２０の範囲であり、とりわけ好ましくは１．４３〜１．８０の範囲である。無機粒子の屈折率が前記の範囲にあると、露光時に光の散乱が小さいため良好なパターンを形成することができる傾向があり、好ましい。なお、屈折率は、市販のプリズム屈折率測定装置（例えば、ＯＰＴＥＣ社製  型番ＧＰ１−Ｐを挙げることができる）を用いて測定することができる。
【００２１】
さらに、（Ａ）の体積平均粒径は、測定温度２５℃において、好ましくは０．０１〜４０μｍであり、より好ましくは０．１〜１０μｍであり、とりわけ好ましくは１〜８μｍである。該平均粒径が、前記の範囲にあると、感光性ペーストを用いて形成される隔壁中における無機粒子の充填量を増加させることができることから、焼成時の収縮が少ないため好ましく、また露光時の光の散乱が小さいため良好なパターンを形成できる傾向があり、好ましい。なお、体積平均粒径は、市販の光散乱粒径測定装置（例えば大塚電子社製  型番ＤＬＳ−７０００を挙げることができる）を用いて測定することができる。
【００２２】
本発明の感光性ペーストにおいては、体積平均粒径の異なる無機粒子を任意の割合で混合して、（Ａ）として用いてもよい。
【００２３】
また、無機粒子の形状は特に限定されず、破砕状でも、球状でもよいが、球状であることが特に好ましい。
【００２４】
前記無機粒子としては、例えば、コロイダルシリカに由来するシリカ粒子、エアロジル、シリカゲルなどのシリカ粒子、軟化点が４００℃〜６００℃である低融点ガラス粒子または軟化温度が６０１℃以上であるガラス粒子、またはこれらの混合物が挙げられる。特に、低融点ガラス粒子を含む無機粒子を（Ａ）として含む感光性ペーストが、後述の方法により得られる隔壁の強度が高いため好ましい。ここで、低融点ガラス粒子としては、例えば、酸化亜鉛系ガラス、酸化錫リン酸系ガラス、酸化ビスマス系ガラス、鉛ガラス等からなるガラス粒子が挙げられる
【００２５】
本発明の感光性ペーストに用いられる（Ａ）の添加割合は、感光性ペースト全量に対して、好ましくは２０〜９５質量％であり、より好ましくは４０〜９５質量％である。
【００２６】
（Ａ）の添加割合が前記の範囲にあると、焼成時の膜収縮が小さくなり基板から剥離しにくくなる傾向が見られ、また露光時の光の散乱が小さくなり良好なパターンを形成できる傾向があり、好ましい。
【００２７】
次に（Ｂ）アルカリ可溶性樹脂について説明する。
ここで、アルカリ可溶性樹脂において、アルカリ可溶性の表記は、アルカリ水溶液、アルカリ性を示す有機溶剤またはアルカリ性を示す有機溶剤−水混合溶液のいずれかに溶解しうることを表す。かかるアルカリ可溶性を発現するアルカリ可溶性基としては、カルボキシル基（−ＣＯＯＨ）、フェノール性水酸基、ホスホン酸基（−ＰＯ3Ｈ2）、スルホン酸基（−ＳＯ3Ｈ）およびスルホン酸イミド基（−ＳＯ2ＮＨＳＯ2−）からなる群から選ばれる少なくも１種の酸基であるか、無水カルボン酸基や、フェノール性水酸基をエステル化あるいはエーテル化によって保護した基など、加水分解によって容易に酸基に転化する基を挙げることができる。該アルカリ可溶性基を有する樹脂としては、公知の樹脂を用いることができ、例えば、例えば、ノボラック樹脂およびその誘導体、スチレン−無水マレイン酸共重合体、ポリビニルヒドロキシベンゾエートおよびその誘導体、ポリヒドロキシスチレンおよびその誘導体、カルボキシル基含有アクリル樹脂およびその誘導体、ポリスチレンスルホン酸およびその誘導体等を挙げることができる。
【００２８】
とりわけ、前記アルカリ可溶性樹脂の例示の中でも、本発明に適用する（Ｂ）としては、フェノール性水酸基を有するノボラック樹脂、あるいは該ノボラック樹脂のフェノール性水酸基の一部がエーテル化されて保護された変性ノボラック樹脂が好ましい。
具体的には、下記の（ａ）および（ｂ）から選択された１種あるいは２種以上を（Ｂ）として用いることが望ましい。
（ａ）式（１）で表されるフェノール化合物と式（２）で示されるアルデヒド化合物を重縮合させたノボラック樹脂
2008052003.tif 000012
（式中、ｎは０以上２以下の整数を表わす。Ｒ1は炭素数１〜２０の一価の有機基を表し、ｎが２の場合、２つあるＲ1は同一あるいは異なっていてもよい。）
2008052003.tif 000013
（式中、Ｒ2は、水素原子又は炭素数１〜２０の一価の有機基を表す）
（ｂ）ノボラック樹脂（ａ）のフェノール性水酸基の一部をＯＲ3基に置換されてなる樹脂（ここで、Ｒ3は炭素数１〜２０の一価の有機基である）
【００２９】
前記（ａ）は、上記の式（１）で表されるフェノール化合物と式（２）で示されるアルデヒド化合物を重縮合させたノボラック樹脂であり、ここで、式（１）におけるＲ1は炭素数１〜２０の一価の有機基を表す。炭素数１〜２０の一価の有機基としては、直鎖、分岐、環状のいずれであってもよく、例えば、炭素数１〜２０の直鎖状脂肪族炭化水素基、炭素数３〜２０の分岐状脂肪族炭化水素基、炭素数３〜２０の環状脂肪族炭化水素基、炭素数６〜２０の芳香族炭化水素基などが挙げられる。炭素数６〜２０の芳香族炭化水素基はアルキル基、アルケニル基等で置換されていてもよい。
【００３０】
これらの中で、炭素数１〜６の直鎖状炭化水素基、炭素数３〜６の分岐状炭化水素基、炭素数３〜６の環状炭化水素基、炭素数６〜２０の芳香族炭化水素基が好ましい。
【００３１】
炭素数１〜２０の直鎖状脂肪族炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ドデシル基、ウンデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、イコシル基などが挙げられ、特に、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基が好ましい。
【００３２】
炭素数３〜２０の分岐状脂肪族炭化水素基としては、例えば、イソプロピル基、イソブチル基、ターシャリーブチル基、ターシャリーオクチル基などが挙げられ、特に、イソプロピル基、イソブチル基が好ましい。
【００３３】
炭素数３〜２０の環状脂肪族炭化水素基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基などが挙げられ、特に、シクロペンチル基、シクロヘキシル基が好ましい。
【００３４】
炭素数６〜２０の芳香族炭化水素基としては、芳香環を有し、且つ基を構成している炭素数の総和が６〜２０のものである。ここで、芳香環の置換基を例示すると、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基等のアルキル基、アリル基、ビニル基等のアルケニル基、アリルオキシ基などのアルケニルオキシ基、エチニル基などのアルキニル基、エチニルオキシ基等のアルキニルオキシ基が挙げられる。
【００３５】
該芳香族炭化水素基を具体的に例示すると、フェニル基、ナフチル基、アンスリル基、トリル基、キシリル基、トリメチルフェニル基、エチルフェニル基、ジエチルフェニル基、トリエチルフェニル基、プロピルフェニル基、ブチルフェニル基、メチルナフチル基、ジメチルナフチル基、トリメチルナフチル基、ビニルナフチル基、メチルアンスリル基、エチルアンスリル基等が挙げられ、特に、フェニル基、トリル基、キシリル基が好ましい。
【００３６】
式(１)におけるＲ1の置換位は、フェノール水酸基から２位、４位、６位の中で少なくとも２箇所が置換されていないものが好ましく、具体的に例示すると、フェノール（ヒドロキシベンゼン）、ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、ｏ−エチルフェノール、ｍ−エチルフェノール、ｐ−エチルフェノール、ｏ−プロピルフェノール、ｍ−プロピルフェノール、ｐ−プロピルフェノール、ｏ−イソプロピルフェノール、ｍ−イソプロピルフェノール、ｐ−イソプロピルフェノール、ｏ−ターシャリーブチルフェノール、ｍ−ターシャリーブチルフェノール、ｏ−ヘキシルフェノール、ｍ−ヘキシルフェノール、ｏ−デシルフェノール、ｍ−デシルフェノール、ｏ−ドデシルフェノール、ｍ−ドデシルフェノール、ｏ−ヘキサデシルフェノール、ｍ−ヘキサデシルフェノール、ｏ−イコシルフェノール、ｍ−イコシルフェノール、ｏ−シクロペンチルフェノール、ｍ−シクロペンチルフェノール、ｏ−シクロヘキシルフェノール、ｍ−シクロヘキシルフェノール、ｏ−シクロヘプチルフェノール、ｍ−シクロヘプチルフェノール、ｏ−フェニルフェノール、ｍ−フェニルフェノール、ｏ−トルイルフェノール、ｍ−トルイルフェノール、ｏ−ナフチルフェノール、ｍ−ナフチルフェノール、
２，５−キシレノール、２，３−キシレノール、３，５−キシレノール、２−エチル−５−メチルフェノール、２−エチル−３−メチルフェノール、３−エチル−５−メチルフェノール、２−イソプロピル−５−メチルフェノール、２−イソプロピル−３−メチルフェノール、３−イソプロピル−５−メチルフェノール、２−ターシャリーブチル−５−メチルフェノール、２−ターシャリーブチル−３−メチルフェノール、３−ターシャリーブチル−５−メチルフェノール、２−ヘキシル−５−メチルフェノール、２−ヘキシル−３−メチルフェノール、３−ヘキシル−５−メチルフェノール、２−シクロヘキシル−５−メチルフェノール、２−シクロヘキシル−３−メチルフェノール、３−シクロヘキシル−５−メチルフェノール、２−フェニル−５−メチルフェノール、２−フェニル−３−メチルフェノール、３−フェニル−５−メチルフェノール、２−ナフチル−５−メチルフェノール、２−ナフチル−３−メチルフェノール、３−ナフチル−５−メチルフェノール、２，５−ジエチルフェノール、２，３−ジエチルフェノール、３，５−ジエチルフェノール、２，５−ジプロピルフェノール、２，３−ジプロピルフェノール、３，５−ジプロピルフェノール、２，５−ビスシクロヘキシルフェノール、２，３−ビスシクロヘキシルフェノール、３，５−ビスシクロヘキシルフェノール、２，５−ジフェニルフェノール、２，３−ジフェニルフェノール、３，５−ジフェニルフェノール等が挙げられる。
特に、フェノール（ヒドロキシベンゼン）、ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、２，５−キシレノール、３，５−キシレノール、２，３−キシレノール、２−ブチルフェノール、２−イソブチルフェノール、２−シクロヘキシルフェノール、２−フェニルフェノールが好ましく、とりわけ、フェノール（ヒドロキシベンゼン）、ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾールが好ましい。
【００３７】
式（２）におけるＲ2基は水素原子または炭素数１〜２０の１価の有機基から選ばれ、該１価の有機基は、前記のＲ1基と同等のものが例示できる。式（２）で示されるアルデヒド化合物を具体的に例示すると、ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロパナール、ブタナール、ヘキサナール、オクタナール、デカナール、ドデカナール、ヘキサデカナール、イコサナール、２−メチルプロパナール、２−メチルブタナール、２−エチルブタナール、２，２−ジメチルプロパナール、アクロレイン、２−ブテナール、２−ヘキセナール、２−オクテナール、アセチレンアルデヒド、２−ブチナール、２−ヘキシナール、２−オクチナール、シクロヘプチルカルバルアルデヒド、シクロヘキシルカルバルアルデヒド、ベンズアルデヒド、１−ナフチルアルデヒド、２−ナフチルアルデヒド、スチリルアルデヒド等が挙げられる。また、アルデヒド化合物は、解重合可能な高分子化合物を使用することもできるし、アルデヒド基をアセタール基またはヘミアセタール基で保護してもよい。
【００３８】
式（２）で示されるアルデヒド化合物の中で、特に、ホルムアルデヒド、アセトアルデヒドが好ましく、とりわけホルムアルデヒドが好ましい。ホルムアルデヒドは、解重合可能な高分子化合物であるパラホルムアルデヒドや、水溶液であるホルマリンを使用することもできる。
【００３９】
式（１）で表される化合物と、式（２）で表されるアルデヒド化合物の重縮合方法は特に限定されないが、例えば、反応溶媒の存在下または不在下、酸触媒またはアルカリ触媒を用いることで達成できる。反応温度としては０〜２００℃、好ましくは５０〜１５０℃であり、反応時間としては、０．１〜３０時間、好ましくは１〜２０時間である。酸触媒としては、硫酸、塩酸、硝酸、燐酸、酢酸、シュウ酸、マロン酸、トルエンスルホン酸等が挙げられ、アルカリ触媒としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化セシウム、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、アンモニア、水酸化テトラメチルアンモニウム、トリエチルアミン、モルホリン、ピリジン等が挙げられる。
【００４０】
重縮合反応に用いる反応溶媒としては、メタノール、エタノール、イソプロパノール、ターシャリーブチルアルコール等のアルコール類；メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、メチルヘキシルケトン、メチルヘプチルケトン、シクロヘキシルケトン等のケトン類；酢酸プロピル、酢酸ブチル、酢酸イソブチル、プロピオン酸メチル、乳酸エチル、酢酸プロピレングリコール等のエステル類；ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、ジオキサン等のエーテル類；ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類；ジクロロメタン、クロロホルム、四塩化炭素、ブロモホルム等のハロゲン化炭化水素類；ヘキサン、ヘプタン、デカン、石油エーテル等の炭化水素類を用いることができ、これらは１種または２種以上を混合して使用することができる。また、反応系に水を共存させてもよく、水と互いに相溶しない溶媒の場合は２層に分離した反応溶媒を用いてもよい。蒸留脱水等で水を除去してもよい。
【００４１】
前記の重縮合反応の例示において、ケトン類、エステル類、芳香族炭化水素類を反応溶媒として用い、酢酸、シュウ酸、マロン酸、トルエンスルホン酸等の有機酸またはアンモニア、水酸化テトラメチルアンモニウム、トリエチルアミン等のアルカリを触媒とするのが好ましい。該触媒は、用いた反応溶媒に対し、溶解していてもよいし、溶解しなくてもよい。
【００４２】
前記（ｂ）は、上記のようにして得られるノボラック樹脂（ａ）のフェノール性水酸基の一部をＯＲ3基に置換したものである。ここで、Ｒ3基は炭素数１〜２０の一価の有機基であり、前記のＲ1またはＲ2と同等の例示を挙げることができる。
【００４３】
フェノール性水酸基をＯＲ3基に置換する反応としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、金属ナトリウム、金属リチウム、金属カリウム、ｎ−ブチルリチウム、ナトリウムナフタレート、ナトリウムメトキシド等の強アルカリを使用し、前記フェノール性水酸基を金属フェノラート基に変換し、式（６）で示される化合物を反応せしめて得ることができる。
2008052003.tif 000014
（式中、Ｒ3は前記と同等の定義である。Ｔはフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、メシル基およびトシル基からなる群から選ばれる。）
式（６）で示される化合物は、使用するノボラック樹脂（ａ）のフェノール性水酸基１モル当量に対して、０．９９モル当量以下、好ましくは０．８モル当量以下、特に好ましくは０．５モル当量以下を使用する。
ここで、使用するノボラック樹脂（ａ）中のフェノール性水酸基のモル当量はアルカリ滴定法を用いて求めることができる。
【００４４】
式（６）で示される化合物の具体例は、フッ化メチル、フッ化エチル、フッ化デシル、フッ化ヘキシル、フッ化オクチル、フッ化ドデシル、フッ化ヘキサデシル、フッ化イコシル、塩化メチル、塩化エチル、塩化デシル、塩化ヘキシル、塩化オクチル、塩化ドデシル、塩化ヘキサデシル、塩化イコシル、臭化メチル、臭化エチル、臭化デシル、臭化ヘキシル、臭化オクチル、臭化ドデシル、臭化ヘキサデシル、臭化イコシル、臭化ベンジル、ヨウ化メチル、ヨウ化エチル、ヨウ化デシル、ヨウ化ヘキシル、ヨウ化オクチル、ヨウ化ドデシル、ヨウ化ヘキサデシル、ヨウ化イコシル、ヨウ化ベンジル、エチルスルホン酸メチル、ブチルスルホン酸メチル、オクチルスルホン酸メチル、デシルスルホン酸メチル、エチルスルホン酸トルイル、ブチルスルホン酸トルイル、オクチルスルホン酸トルイル、デシルスルホン酸トルイル等が挙げられ、臭化メチル、臭化エチル、ヨウ化メチル、ヨウ化エチルが好ましい。
【００４５】
反応溶媒としては、メタノール、エタノール、イソプロパノール、ターシャリーブチルアルコール等のアルコール類；メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、メチルヘキシルケトン、メチルヘプチルケトン、シクロヘキシルケトン等のケトン類；ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、ジオキサン等のエーテル類；ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類；ジクロロメタン、クロロホルム、四塩化炭素、ブロモホルム等のハロゲン化炭化水素類；ヘキサン、ヘプタン、デカン、石油エーテル等の炭化水素類を用いることができ、これらは１種または２種以上を混合して使用することができる。とりわけ、エーテル類、芳香族炭化水素類又はハロゲン化炭化水素類が好ましい。また、反応には、使用する反応剤が失活しない限りにおいて、水を共存させてもよいが、水分１００ｐｐｍ以下の脱水された溶媒が好ましい。反応温度は、０．１〜２０時間、好ましくは１〜１０時間、反応温度は−６０〜１００℃、好ましくは−２０〜５０℃で行うことができる。
【００４６】
特に、本発明の（Ｂ）としては、式（１）におけるＲ1が水素原子またはメチル基である化合物とホルムアルデヒドを重合させたフェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂が特に好ましい。フェノールノボラック樹脂またはクレゾールノボラック樹脂は、溶解コントラストが高いために好ましく用いることができる。また、本発明の感光性ペーストに用いられる（Ｂ）の添加割合は、感光性ペースト全量に対して、好ましくは２〜３０質量％であり、より好ましくは３〜２０質量％である。
【００４７】
上記のようにして得られたアルカリ可溶性樹脂は、重縮合反応あるいは置換反応に使用した触媒あるいは触媒残渣、未反応の式（１）で示されるフェノール化合物、未反応の式（２）で示されるアルデヒド化合物あるいは未反応の式（６）で示される化合物を公知の方法で除去することが好ましい。また、上記の縮合反応あるいは上記の転換反応に使用した反応溶媒も公知の方法に除去することもできるが、後述の（Ｅ）２５℃における屈折率が１．４０〜１．８０の有機溶媒と同じものを使用した場合は、除去せず、アルカリ可溶性樹脂を溶解させた溶液として、本発明の感光性ペーストの調整に使用してもよい。
【００４８】
アルカリ可溶性樹脂（Ｂ）のゲルパーミエイションクロマトグラフィー法（以下、「ＧＰＣ法」と呼ぶ）によるポリスチレン換算重量平均分子量は、好ましくは３５０〜３０，０００であり、より好ましくは３５０〜１０，０００である。該重量平均分子量が、前記の範囲にあると、露光部の硬化性が高い傾向があり、また未露光部の溶解性が高く、パターン形成特性が良好になる傾向があり、好ましい。
【００４９】
本発明の感光性ペーストに用いられる（Ｂ）の添加割合は、感光性ペースト全量に対して、好ましくは１〜３０質量％であり、より好ましくは５〜２０質量％である。
【００５０】
次に、架橋剤（Ｃ）について説明する。
架橋剤（Ｃ）としては、式（３）で示される含エポキシ基ケイ素化合物が挙げられる。
2008052003.tif 000015
（式中、Ｑ2、Ｑ3は、それぞれ独立に式（４）で表される基であり、Ｑ1は式（５ａ）または式（５ｂ）で示される基である。）
2008052003.tif 000016
（式中、Ｔ1は炭素数１〜６のアルキレン基、炭素数１〜６のアルキレンオキシアルキレン基またはフェニレン基を表す。ｍは０または１である。）
2008052003.tif 000017
（式中、Ｔ2〜Ｔ7は、それぞれ独立にメチル基またはフェニル基を表す。Ｔ8は酸素原子、メチレン基、エテニレン基、エチニレン基、フェニレン基、ナフタレンジイル基およびビフェニルジイル基からなる群から選ばれる。）
【００５１】
ここで、Ｑ2、Ｑ3はそれぞれ独立に、式（４）で示されるエポキシ基またはオキセタン基を有する基を示す。ここで、Ｔ1がアルキレン基の場合は、グリシジル基、１，２−エポキシブチル基、１，２−エポキシヘキシル基等が挙げられ、アルキレンオキシアルキレン基の場合は、グリシジルオキシエチル基、グリシジルオキシプロピル基、グリシジルオキシブチル基、１，３−エポキシブチル基、１，３−エポキシヘキシル基等が挙げられる。Ｔ1がフェニレン基の場合は１，２−エポキシエチルフェニル基、１，３−エポキシプロピルフェニル基等が挙げられる。特に、Ｔ1がアルキレンオキシアルキレン基の場合が、製造上簡便であるため好ましく、とりわけグリシジルオキシプロピル基が好ましい。
Ｑ1は、式（５ａ）または式（５ｂ）で示される、ケイ素原子を１個または２個有する２価の基であり、ジメチルシランジイル基、ジフェニルシランジイル基、１，１，３，３−テトラメチルジシロキサンジイル基、１，１，３，３−テトラフェニルジシロキサンジイル基、１，１，３，３−テトラメチルジシラメチレンジイル基、フェニレンビス（ジメチルシリレン）基等が挙げられ、１，１，３，３−テトラメチルジシロキサンジイル基が特に好ましい。
前記（Ｃ）としては、１，３−ジ（３’−グリシジルオキシプロピル）−１，１，３，３，−テトラメチルジシロキサンが特に好ましい。１，３−ジ（３’−グリシジルオキシプロピル）−１，１，３，３，−テトラメチルジシロキサンは、エポキシ樹脂改質剤用途として、市販されているものであり、容易に入手可能である。
【００５２】
本発明の感光性ペーストに用いられる（Ｃ）の添加割合は、感光性ペースト全量に対して、好ましくは１〜３０質量％であり、より好ましくは１〜２０質量％である。
【００５３】
次に（Ｄ）酸発生剤について説明する。
（Ｄ）としては、例えば、光酸発生剤、光カチオン重合開始剤などが挙げられる。
【００５４】
光酸発生剤としては、例えば、［シクロヘキシル−（２−シクロヘキサノニル）−メチル］スルホニウム  トリフルオロメタンスルフォネート、ビス（ｐ−トリルスルフォニル）ジアゾメタン、ビス（シクロヘキシルスルフォニル）ジアゾメタン、ターシャリーブチルカルボニルメチル−テトラヒドロチオフェニウム  トリフルオロメタンスルフォネートなどが挙げられる。光酸発生剤としては、前記の他に、特開平１１―２０２４９５号公報記載の化合物を使用することもできる。
【００５５】
光カチオン重合開始剤としては、例えば、ヨードニウム塩、スルホニウム塩、ホスフェート塩、アンチモネート塩などを挙げることができる。具体的には、ロードシルフォトイニシエーター２０７４（ローデル社製）、アデカオプトマーＳＰ−１５０、アデカオプトマーＳＰ−１５２、アデカオプトマーＳＰ−１７０、アデカオプトマーＳＰ−１７２（いずれも旭電化工業（株）製）などが挙げられる。また、前記の他に、特開平９−１１８６６３号公報に記載された化合物も使用することができる。
【００５６】
本発明の感光性ペーストに対する（Ｄ）の含有量は、感光性ペースト総量に対して、好ましくは０．０１〜２０質量％であり、より好ましくは０．０５〜１０質量％である。
（Ｄ）の含有量が、前記の範囲にあると、生産性よくパターンを形成できる傾向があり、好ましい。
【００５７】
次に（Ｅ）について説明する。
（Ｅ）は、２５℃における屈折率が１．４０〜１．８０の有機溶媒であり、さらには、屈折率が１．４１〜１．７０の有機溶媒が好ましく、とりわけ、屈折率が１．４２〜１．６０の有機溶媒が好ましい。有機溶媒の屈折率が前記の範囲にあると、製膜後の感光性ペーストの透明性が高い傾向があり、好ましい。有機溶媒の屈折率は、測定温度２５℃において、屈折率計（例えば、京都電子工業（株）製  ＲＡ−５２０Ｎを挙げることができる）を用いて測定することができる。また、屈折率は、例えば、改訂４版  化学便覧  基礎編ＩＩ  ５１４−５２０頁（日本化学会編  丸善（株）  平成５年９月３０日  発行）等の文献に記載されており、この値から有機溶媒を選択することもできる。
【００５８】
ここで、２５℃における屈折率が１．４０〜１．８０である有機溶媒としては、例えば、プロピレングリコールモノブチルエーテル（屈折率１．４２）、ポリプロピレングリコールジベンゾエート（屈折率１．５２）、２−ヘプタノン（屈折率１．４１）、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート（屈折率１．４０）、ガンマ−ブチロラクトン（屈折率１．４４）、１，２−プロパンジオールジベンゾエート（屈折率１．５４）、エチレングリコールジアセテート（屈折率１．４２）等が挙げられる。
【００５９】
本発明の感光性ペーストにおける（Ｅ）の含有量としては、感光性ペースト全量に対して質量分率で、通常、１〜４０質量％であり、好ましくは３〜３０質量％であり、より好ましくは５〜２０質量％である。
【００６０】
さらに、本発明の感光性ペーストには、必要に応じて、光吸収剤、光増感剤、可塑剤、分散剤、沈殿防止剤、界面活性剤などの添加剤を添加してもよい。
【００６１】
次に、本発明の感光性ペーストを用いて隔壁を製造する方法について、一例を挙げて説明するが、本発明は該方法に限定されるものではない。
かかる製造方法における好適な例としては、下記の（I）〜（VI）に示す工程を有する製造方法が挙げられる。
（Ｉ）前記いずれかに記載の感光性ペーストを基板上に塗布して塗膜を形成する工程
（II）上記（Ｉ）で得られた塗布後の塗膜を加熱する工程
（III）上記（II）で得られた塗膜を露光する工程
（IV）上記（III）で露光した塗膜を加熱する工程
（V）上記（IV）で得られた塗膜を現像する工程
（VI）上記（V）で現像して得られたパターンを有する基板を４５０℃〜６００℃の温度で焼成する工程
【００６２】
まず、（I）について説明する。基板上に、本発明の感光性ペーストを全面塗布、または部分的に塗布する。塗布方法としては、例えば、バーコーター、ロールコーター、ダイコーター、スクリーン印刷等の方法を用いることができる。塗布厚みは、塗布回数、ペーストの粘度を選ぶことにより調整することができ、通常、５〜５００μｍ程度である。
【００６３】
感光性ペーストを基板上に塗布する場合、基板と塗布膜との密着性を高めるために基板表面を表面処理液で処理してもよい。
【００６４】
前記の表面処理液としては、例えば、グリシジルオキシプロピルトリエトキシシラン、グリシジルオキシプロピルトリメトキシシシラン、オキセタニルオキシプロピルトリエトキシシランなどのシランカップリング剤が挙げられる。シランカップリング剤は、例えば、エチレングリコールモノメチルエーテル、メチルアルコール、エチルアルコール、プロピルアルコール、ブチルアルコールなどの有機溶媒で０．１〜５％の濃度に希釈したものを用いることが好ましい。
【００６５】
表面処理の方法は、例えば、表面処理液をスピナーなどで基板上に均一に塗布した後、８０〜１４０℃で５〜６０分間乾燥する方法を挙げることができる。乾燥方法としては、ホットプレート、遠赤外線オーブン等を用いるのが好ましい。
【００６６】
上記のように、必要に応じて、表面処理を施した基板に、感光性ペーストを塗布し、（II）遠赤外線オーブン等を用いて、通常８０〜１３０℃で、５〜１００分間乾燥させる。
【００６７】
乾燥後、（III）露光装置を用いて露光を行なう。露光装置としては、例えば、プロキシミティ露光機等が挙げられる。
【００６８】
大面積の露光を行なう場合には、基板上に感光性ペーストを塗布した後に、移動させながら露光を行なうことによって、小さな露光面積の露光機で、大きな面積を露光することができる。露光とは、作成するマスクパターンを、感光性ペースト塗布膜に電離放射線で描画するものであり、電離放射線としては、例えば、紫外線、電子線、Ｘ線、可視光、近赤外光等を使用することができる。
【００６９】
前記露光における照射量としては、使用する露光源あるいは感光性ペーストに使用した（Ｃ）の種類により適宜最適化できるが、（Ｃ）が酸を発生する量以上であれば、本発明の効果を阻害しない範囲内で、適宜最適化できる。
【００７０】
特に、好ましくは、露光源として高圧水銀灯を使用した波長３６５ｎｍの光源を使用し、温度は室温（２５±５℃）下で、露光量１００ｍJ/cm2〜２０００ｍJ/cm2で達成される。
【００７１】
露光後、（IV）遠赤外線オーブン等を用いて、通常８０〜１５０℃で、３〜６０分間乾燥を行うことが好ましい。次いで、（V）現像を行なう。現像は、通常、浸漬法、スプレー法、ブラシ法等で行われる。
【００７２】
現像液としては、例えば、水酸化テトラメチルアンモニウム、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、水酸化ナトリウム、炭酸ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸カリウム等のアルカリの水溶液等が挙げられる。
【００７３】
水溶液中のアルカリ濃度は、好ましくは０．０５〜５質量％であり、より好ましくは０．１〜５質量％である。アルカリ濃度が前記の範囲にあると、現像除去するべき部分の除去性が良好であり、また残存すべきパターンが剥離したり侵食されたりする傾向が小さく、好ましい。
【００７４】
現像時の温度は、その工程管理上、好ましくは１５〜５０℃である。
【００７５】
上記のようにしてパターンを形成後、焼成炉にて焼成を行なうことにより隔壁を形成することができる。焼成雰囲気や焼成温度は、感光性ペーストや基板の種類によって異なるが、空気中、窒素などの雰囲気中で、通常、４５０〜６００℃で焼成することができる。焼成炉は、バッチ式の焼成炉やベルト式の連続型焼成炉を用いることができる。
【００７６】
特に、ガラス基板上に隔壁を製造する場合は、通常、４５０〜６００℃の温度で１０〜６０分間焼成が行なわれる。
【００７７】
上記のようにして得られた隔壁の表面にはコート層を形成してもよい。コート層は、低融点ガラス粒子とバインダー樹脂からなるペースト剤やセラミックコーティング剤などのコート剤を塗布・乾燥し、焼成して隔壁の表面に形成するか、または前記のパターン形成後、該コート剤を塗布した後、焼成を行なうことにより、隔壁の形成と同時に隔壁の表面に形成してもよい。
【００７８】
低融点ガラス粒子としては、前記と同等の例示が挙げられる。
【００７９】
前記のバインダー樹脂としては、例えば、ブチラール樹脂、ポリビニルアルコール、アクリル樹脂、ポリα-メチルスチレンなどが挙げられる。
【００８０】
前記のセラミックコート剤としては、水性金属塩系コート剤、アルコキシ金属塩系コート剤などを用いることができ、具体的には、水性金属塩系コート剤としてはＭＳ−１７００、アルコキシ金属塩系コート剤としてはＧ−３０１、Ｇ−４０１（いずれも、（株）日本セラミック製）などを挙げることができる。
【００８１】
コート層の焼成温度は、低融点ガラス粒子とバインダー樹脂よりなるペースト剤を用いる場合、通常、２５０〜６００℃程度であり、セラミックコート剤を用いる場合、通常、室温〜５００℃である。
【００８２】
上記の露光、現像および焼成を含む隔膜製造を行なうことにより、従来、断面形状（プロファイル）が中細りを有する形状（図１）となりやすい感光性ペーストを用いた隔璧に比べて、断面形状が好適な台形形状となり、機械強度が良好となる隔壁（図２）を得ることができる。
【００８３】
上記のようにして得られた隔壁は、プラズマディスプレイ用部材である背面板の隔壁として好適に使用することができる。背面板の製造方法は、前記の隔壁を形成した基板に、蛍光層形成等の公知の処理を施すことにより、達成される。
また、このようにして製造された背面板は、公知の方法により製造されたプラズマディスプレイ用の前面板と封着し、前面板と背面板の間隔に形成された空間に放電ガスを封入して、プラズマディスプレイパネルを得ることができる。
【実施例】
【００８４】
以下、実施例によって本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例によって限定されるものではない。
【００８５】
また、下記の実施例、比較例において感光性ペースト調製に使用した原料は下記のとおりであり、それぞれの例においては、原料を略号で表す。
（Ａ−１）球状シリカ（（株）アドマテックス製；ＳＯ−Ｃ６）
（Ａ−２）低融点無鉛ガラス粒子（ヤマト電子（株）製、ＹＥＢ２−６７０１）
（Ｂ−１）フェノールノボラック樹脂のエチレングリコールジアセテート５０重量％溶液
（群栄化学工業（株）製、ＰＳＭ−４３２６）
（Ｂ−２）ポリアクリル酸（アルドリッチ製  Ｍｗ：１２５０）のガンマ−ブチロラクトン５０重量％溶液
（Ｃ−１）１，３−ジ（３’−グリシジルオキシプロピル）−１，１，３，３，−テトラメチル−ジシロキサン（ローデル社製、ＳＩＬＣＯＬＥＡＳＥ  ＰＣ−６０６ＰＥＸ）
（Ｄ−１）ロードシルフォトイニシエーター（ローデル社製、ＰＩ−２０７４）
（Ｇ−１）増感剤（川崎化成工業（株）製、ＤＢＡ）
（Ｅ−１）エチレングリコールジアセテート（東京化成製）
（Ｅ−２）１，２−プロパンジオールジベンゾエート（アルドリッチ製）
（Ｅ−３）ガンマ−ブチロラクトン
（Ｆ−１）前記式（１１）で表される化合物（新中村化学製）
【００８６】
比較例１
（Ａ−１）    ５４．３５質量部
（Ａ−２）    ８１．５３質量部
（Ｂ−１）    ４０．７６質量部
（Ｂ−２）      ３．４０質量部
（Ｃ−１）      ７．６４質量部
（Ｄ−１）      ３．４０質量部
（Ｇ−１）      ０．４２質量部
（Ｅ−１）      ４．２５質量部
（Ｅ−２）      ４．２５質量部
をポリプロピレン製密閉容器に入れ、攪拌脱泡機（（株）キーエンス社製；ＨＭ−５００）を用いて攪拌して均一な感光性ペーストを調製した。
得られた感光性ペーストの組成重量比は（Ａ）６７．９４％、（Ｂ）１１．０４％、（Ｃ）３．８２％、（Ｄ）１．７０％、（Ｅ）１５．２９％、（Ｆ）０％であった。
調製した感光性ペーストを３００μｍギャップのアプリケーターを用いて、誘電体付きガラス基板上に１回塗布した。塗布後９０℃のオーブンで４０分乾燥して塗膜を調製した。
【００８７】
次いで、乾燥後の塗膜を、４５μｍライン、２４０μｍピッチのマスクを用いて、プロキシミティ露光機（大日本スクリーン製造（株）製；ＭＡＰ−１３００）で露光した。照射露光量は、４００ｍＪ／ｃｍ2であった。露光後、１４０℃で１０分間ベークした後、０．４ｗｔ％水酸化ナトリウム水溶液で現像した。パターンの断面を走査型電子顕微鏡（Ｓ−４５００；（株）日立製作所製）で観察したところ、形状はトップ部分、ボトム部分は矩形であるが、中細りが観察された。このようにして得られた中細りの断面形状を有するパターンを５８０℃で焼成して隔壁を得ると、機械強度が低い隔壁となる。
【００８８】
実施例１
（Ａ−１）    ５４．１２質量部
（Ａ−２）    ８１．１８質量部
（Ｂ−１）    ４０．５９質量部
（Ｂ−２）      ３．３８質量部
（Ｃ−１）      ７．６１質量部
（Ｄ−１）      ３．３８質量部
（Ｇ−１）      ０．４２質量部
（Ｅ−１）      ４．２３質量部
（Ｅ−２）      ４．２３質量部
（Ｆ−１）      ０．８５質量部
をポリプロピレン製密閉容器に入れ、攪拌脱泡機（（株）キーエンス社製；ＨＭ−５００）を用いて攪拌して均一な感光性ペーストを調製した。
得られた感光性ペーストの組成重量比は（Ａ）６７．６５％、（Ｂ）１０．９９％、（Ｃ）３．８１％、（Ｄ）１．６９％、（Ｅ）１５．２２％、（Ｆ）０．４２％であった。
調製した感光性ペーストを３００μｍギャップのアプリケーターを用いて、誘電体付きガラス基板上に１回塗布した。塗布後９０℃のオーブンで４０分乾燥して塗膜を調製した。
【００８９】
次いで、乾燥後の塗膜を、４５μｍライン、２４０μｍピッチのマスクを用いて、プロキシミティ露光機（大日本スクリーン製造（株）製；ＭＡＰ−１３００）で露光した。照射露光量は、７００ｍＪ／ｃｍ2であった。露光後、１４０℃で１０分間ベークした後、０．４ｗｔ％水酸化ナトリウム水溶液で現像した。パターンの断面を走査型電子顕微鏡（Ｓ−４５００；（株）日立製作所製）で観察したところ、形状は台形で良好であった。このようにして得られた良好な断面形状を有するパターンを５８０℃で焼成して隔壁を得ると、高機械強度の隔壁を得ることができる。
【００９０】
実施例２
（Ａ−１）    ５４．２４質量部
（Ａ−２）    ８１．３６質量部
（Ｂ−１）    ４０．６８質量部
（Ｂ−２）      ３．３９質量部
（Ｃ−１）      ７．６３質量部
（Ｄ−１）      ３．３９質量部
（Ｇ−１）      ０．４２質量部
（Ｅ−１）      ４．２４質量部
（Ｅ−２）      ４．２４質量部
（Ｆ−１）      ０．４２質量部
をポリプロピレン製密閉容器に入れ、攪拌脱泡機（（株）キーエンス社製；ＨＭ−５００）を用いて攪拌して均一な感光性ペーストを調製した。
得られた感光性ペーストの組成重量比は（Ａ）６７．８０％、（Ｂ）１１．０２％、（Ｃ）３．８１％、（Ｄ）１．６９％、（Ｅ）１５．２５％、（Ｆ）０．２１％であった。
調製した感光性ペーストを３００μｍギャップのアプリケーターを用いて、誘電体付きガラス基板上に１回塗布した。塗布後９０℃のオーブンで４０分乾燥して塗膜を調製した。
【００９１】
次いで、乾燥後の塗膜を、４５μｍライン、２４０μｍピッチのマスクを用いて、プロキシミティ露光機（大日本スクリーン製造（株）製；ＭＡＰ−１３００）で露光した。照射露光量は、４００ｍＪ／ｃｍ2であった。露光後、１４０℃で１０分間ベークした後、０．４ｗｔ％水酸化ナトリウム水溶液で現像した。パターンの断面を走査型電子顕微鏡（Ｓ−４５００；（株）日立製作所製）で観察したところ、形状は台形で良好であった。このようにして得られた良好な断面形状を有するパターンを５８０℃で焼成して隔壁を得ると、高機械強度の隔壁を得ることができる。
【００９２】
実施例３
（Ａ−１）    ５３．８９質量部
（Ａ−２）    ８０．８４質量部
（Ｂ−１）    ４０．４２質量部
（Ｂ−２）      ３．３７質量部
（Ｃ−１）      ７．５８質量部
（Ｄ−１）      ３．３７質量部
（Ｇ−１）      ０．４２質量部
（Ｅ−１）      ４．２１質量部
（Ｅ−２）      ４．２１質量部
（Ｆ−１）      １．６８質量部
をポリプロピレン製密閉容器に入れ、攪拌脱泡機（（株）キーエンス社製；ＨＭ−５００）を用いて攪拌して均一な感光性ペーストを調製した。
得られた感光性ペーストの組成重量比は（Ａ）６７．３７％、（Ｂ）１０．９５％、（Ｃ）３．７９％、（Ｄ）１．６８％、（Ｅ）１５．１６％、（Ｆ）０．８４％であった。
調製した感光性ペーストを３００μｍギャップのアプリケーターを用いて、誘電体付きガラス基板上に１回塗布した。塗布後９０℃のオーブンで４０分乾燥して塗膜を調製した。
【００９３】
次いで、乾燥後の塗膜を、４５μｍライン、２４０μｍピッチのマスクを用いて、プロキシミティ露光機（大日本スクリーン製造（株）製；ＭＡＰ−１３００）で露光した。照射露光量は、４００ｍＪ／ｃｍ2であった。露光後、１４０℃で１０分間ベークした後、０．４ｗｔ％水酸化ナトリウム水溶液で現像した。パターンの断面を走査型電子顕微鏡（Ｓ−４５００；（株）日立製作所製）で観察したところ、形状は台形で良好であった。このようにして得られた良好な断面形状を有するパターンを５８０℃で焼成して隔壁を得ると、高機械強度の隔壁を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００９４】
【図１】断面形状が中細りを有する形状のパターンを模式的に示す図である。
【図２】断面形状が台形形状であるパターンを模式的に示す図である。
【符号の説明】
【００９５】
１・・・基板、２・・・断面形状が中細りの形状を有するパターン（隔壁）、３・・・中細り部、４・・・断面形状が台形形状のパターン（隔壁）
【図１】
2008052003.tif 000024
【図２】
2008052003.tif 000025