(57)【要約】【課題】半導体レーザ素子の放熱効率を向上させ、発光効率を向上させることを目的とする。【解決手段】半導体レーザ素子設置基板１を拡大して気密封止ＣＡＰ６と接触させることにより、半導体レーザ素子設置基板１の面積を大きくして放熱性を高めることができるため、半導体レーザ素子２の放熱効率を向上させ、発光効率を向上させることができる。さらに、気密封止用ＣＡＰ６と筐体７を接触させることにより、半導体レーザ素子２の熱が気密封止ＣＡＰ６を通じ直接筐体７に放熱され、半導体レーザ素子２からの放熱パスが短くなって放熱性が高まるため、半導体レーザ素子２の放熱効率を向上させ、発光効率を向上させることができる。【選択図】図１
2008198808.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体レーザ素子を実装して気密封止することにより製造される半導体レーザ装置であって、
前記半導体レーザ素子を実装するベースとなる基板と、
前記基板上に気密封止して載置される気密封止ＣＡＰと、
前記半導体素子を設置した状態で前記基板上に搭載されて前記気密封止ＣＡＰの内面に接触する半導体レーザ素子設置基板と
を有することを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項２】
前記気密封止ＣＡＰに１または複数の穴を設け、前記基板の前記気密封止ＣＡＰに形成された前記穴と対応する位置に、前記基板を前記気密封止ＣＡＰに押し当てて固定することができる１または複数の突起を設けることを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ装置。
【請求項３】
前記基板に１または複数の穴を設け、前記気密封止ＣＡＰの前記基板に形成された前記穴と対応する位置に、前記基板を前記気密封止ＣＡＰに押し当てて固定することができる１または複数の突起を設けることを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ装置。
【請求項４】
前記気密封止ＣＡＰに、前記基板を前記気密封止ＣＡＰとではさんで固定可能な凹みを設けることを特徴とする請求項１または請求項２または請求項３のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
【請求項５】
前記基板と前記気密封止ＣＡＰの間に放熱性の高い樹脂を充填することを特徴とする請求項１または請求項２または請求項３または請求項４のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
【請求項６】
前記半導体レーザ素子をサブマウントを介して前記半導体レーザ素子設置基板に設置することを特徴とする請求項１または請求項２または請求項３または請求項４または請求項５のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
【請求項７】
光ディスクにレーザ光を発光すると共に前記光ディスクからの反射光を受光する光ピックアップ装置であって、
構成部品を保持する筐体と、
前記筐体に前記気密封止ＣＡＰが接触するように保持されて前記レーザ光を発光する請求項１または請求項２または請求項３または請求項４または請求項５または請求項６のいずれかに記載の半導体レーザ装置と、
前記筐体に保持されて前記レーザ光を前記光ディスク上に絞込む対物レンズと、
前記筐体に保持されて前記半導体レーザ装置からの出射光を前記光ディスクの方向に折り曲げる立ち上げミラーと、
前記筐体に保持されて前記光ディスクで反射した前記反射光を分岐するビームスプリッターと、
前記筐体に保持されて前記分岐された反射光を受光する受光素子と
を有することを特徴とする光ピックアップ装置。
【請求項８】
半導体レーザ素子を実装して気密封止することにより製造される半導体レーザ装置の製造方法であって、
前記半導体レーザ素子を実装するベースとなる基板に１または複数の突起を形成する工程と、
気密封止ＣＡＰの前記突起と対応する位置に前記突起の高さよりも深さの浅い１または複数の穴を形成する工程と、
前記半導体レーザ素子が搭載された前記半導体レーザ素子設置基板を前記基板に搭載する工程と、
対応する前記突起および前記穴を位置合わせして前記基板に前記気密封止ＣＡＰをはめ込む工程と、
前記突起および前記穴の接合部分を含む前記基板と前記気密封止ＣＡＰの接合部分を抵抗溶接して前記基板に搭載された前記半導体レーザ素子を前記気密封止ＣＡＰで気密封止する工程と
を有し、前記突起にて前記基板を突っ張ることにより、前記半導体レーザ素子設置基板を前記気密封止ＣＡＰに密着させることを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、情報記録媒体への情報の記録またはその再生を行うための光ピックアップ装置の光源として好適な半導体レーザ装置および半導体レーザ装置の製造方法ならびに光ピックアップ装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
以下、従来の半導体レーザ装置について説明する。
図１０は従来の半導体レーザ装置の構成を示す図であり、図１０（ａ）は従来の半導体レーザ装置の構成を示す断面図、図１０（ｂ）は従来の半導体レーザ装置の構成を示すＡ−Ａ’断面図である。図１０において、１は半導体レーザ素子設置基板、２は半導体レーザ素子、３は金ワイヤー、４はアウターリード固定用ベース、５はアウターリード、６は気密封止ＣＡＰ、７は筐体である。
【０００３】
以上のように構成された半導体レーザ装置について、以下その動作を説明する。
半導体レーザ素子設置基板１に配設された半導体レーザ素子２は、レーザ出射部分が半導体レーザ装置のほぼ中心点にくるように設置され、金ワイヤー３等によりアウターリード固定用ベース４のアウターリード５と配線される。半導体レーザ素子２を設置した半導体レーザ素子設置基板１はアウターリード固定用ベース４に搭載固定され、気密封止ＣＡＰ６とアウターリード固定用ベース４は抵抗溶接等により気密封止され、さらに、アウターリード固定用ベース４が筐体７と接触固定されている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開昭６３−２２７０８８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記従来の構成では、半導体レーザ設置基板１と気密封止ＣＡＰ６に隙間があり、半導体レーザ設置基板１の面積が小さいために放熱性が悪く、また、半導体レーザ設置基板１はアウターリード固定用ベース４と筐体７部間での接触固定であり、発熱源である半導体レーザ素子２からの放熱パスが長く、半導体レーザ素子２の温度特性に影響を与え発光効率が低下するという問題点を有していた。
【０００５】
本発明は、上記従来の問題点を解決するもので、半導体レーザ素子の放熱効率を向上させ、発光効率を向上させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
この目的を達成するために、請求項１記載の半導体レーザ装置は、半導体レーザ素子を実装して気密封止することにより製造される半導体レーザ装置であって、前記半導体レーザ素子を実装するベースとなる基板と、前記基板上に気密封止して載置される気密封止ＣＡＰと、前記半導体素子を設置した状態で前記基板上に搭載されて前記気密封止ＣＡＰの内面に接触する半導体レーザ素子設置基板とを有することを特徴とする。
【０００７】
請求項２記載の半導体レーザ装置は、請求項１記載の半導体レーザ装置において、前記気密封止ＣＡＰに１または複数の穴を設け、前記基板の前記気密封止ＣＡＰに形成された前記穴と対応する位置に、前記基板を前記気密封止ＣＡＰに押し当てて固定することができる１または複数の突起を設けることを特徴とする。
【０００８】
請求項３記載の半導体レーザ装置は、請求項１記載の半導体レーザ装置において、前記基板に１または複数の穴を設け、前記気密封止ＣＡＰの前記基板に形成された前記穴と対応する位置に、前記基板を前記気密封止ＣＡＰに押し当てて固定することができる１または複数の突起を設けることを特徴とする。
【０００９】
請求項４記載の半導体レーザ装置は、請求項１または請求項２または請求項３のいずれかに記載の半導体レーザ装置において、前記気密封止ＣＡＰに、前記基板を前記気密封止ＣＡＰとではさんで固定可能な凹みを設けることを特徴とする。
【００１０】
請求項５記載の半導体レーザ装置は、請求項１または請求項２または請求項３または請求項４のいずれかに記載の半導体レーザ装置において、前記基板と前記気密封止ＣＡＰの間に放熱性の高い樹脂を充填することを特徴とする。
【００１１】
請求項６記載の半導体レーザ装置は、請求項１または請求項２または請求項３または請求項４または請求項５のいずれかに記載の半導体レーザ装置において、前記半導体レーザ素子をサブマウントを介して前記半導体レーザ素子設置基板に設置することを特徴とする。
【００１２】
請求項７記載の光ピックアップ装置は、光ディスクにレーザ光を発光すると共に前記光ディスクからの反射光を受光する光ピックアップ装置であって、構成部品を保持する筐体と、前記筐体に前記気密封止ＣＡＰが接触するように保持されて前記レーザ光を発光する請求項１または請求項２または請求項３または請求項４または請求項５または請求項６のいずれかに記載の光学デバイスと、前記筐体に保持されて前記レーザ光を前記光ディスク上に絞込む対物レンズと、前記筐体に保持されて前記光学デバイスからの出射光を前記光ディスクの方向に折り曲げる立ち上げミラーと、前記筐体に保持されて前記光ディスクで反射した前記反射光を分岐するビームスプリッターと、前記筐体に保持されて前記分岐された反射光を受光する受光素子とを有することを特徴とする。
【００１３】
請求項８記載の半導体レーザ装置の製造方法は、半導体レーザ素子を実装して気密封止することにより製造される半導体レーザ装置の製造方法であって、前記半導体レーザ素子を実装するベースとなる基板に１または複数の突起を形成する工程と、気密封止ＣＡＰの前記突起と対応する位置に前記突起の高さよりも深さの浅い１または複数の穴を形成する工程と、前記半導体レーザ素子が搭載された前記半導体レーザ素子設置基板を前記基板に搭載する工程と、対応する前記突起および前記穴を位置合わせして前記基板に前記気密封止ＣＡＰをはめ込む工程と、前記突起および前記穴の接合部分を含む前記基板と前記気密封止ＣＡＰの接合部分を抵抗溶接して前記基板に搭載された前記半導体レーザ素子を前記気密封止ＣＡＰで気密封止する工程とを有し、前記突起にて前記基板を突っ張ることにより、前記半導体レーザ素子設置基板を前記気密封止ＣＡＰに密着させることを特徴とする。
【００１４】
以上により、半導体レーザ素子の放熱効率を向上させ、発光効率を向上させることができる。
【発明の効果】
【００１５】
以上のように、本発明の半導体レーザ装置によれば、半導体レーザ素子設置基板を拡大して気密封止ＣＡＰと接触させることにより、半導体レーザ素子設置基板の面積を大きくすると共に放熱経路を確保して放熱性を高めることができるため、半導体レーザ素子の放熱効率を向上させ、発光効率を向上させることができる。さらに、気密封止用ＣＡＰと筐体を接触させることにより、半導体レーザ素子の熱が気密封止ＣＡＰを通じ直接筐体に放熱され、半導体レーザ素子からの放熱パスが短くなって放熱性が高まるため、半導体レーザ素子の放熱効率を向上させ、発光効率を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
本発明の半導体レーザ装置は、半導体レーザ素子をレーザ出射部分が半導体レーザ装置のほぼ中心点にくるように設置し、アウターリード固定用ベース等の基板に搭載された半導体レーザ素子設置基板が、従来の半導体レーザ装置の半導体レーザ素子設置基板に対して半導体レーザ素子設置面に対向する方向に延伸するように拡大されて、気密封止用ＣＡＰと接触する構造を有することが従来の半導体レーザ装置と異なる。この構成によって、半導体レーザ素子設置基板の表面積を大きくし、半導体レーザ素子からの放熱パスが短くすることにより、放熱性が高まり、半導体レーザ素子の放熱効率を向上させ、発光効率を向上させることができる。
【００１７】
以下、本発明の実施の形態について、図１から図６を用いて具体的に説明する。
図１は本発明の実施形態１における半導体レーザ装置の構成を示す図であり、図１（ａ）は実施形態１における半導体レーザ装置の構成を示す断面図、図１（ｂ）は実施形態１における半導体レーザ装置の構成を示すＡ−Ａ’断面図である。図２は本発明の実施形態１における気密ＣＡＰに突起を備える半導体レーザ装置の構成を示す図であり、図２（ａ）は実施形態１における気密ＣＡＰに突起を備える半導体レーザ装置の構成を示す断面図、図２（ｂ）は実施形態１における気密ＣＡＰに突起を備える半導体レーザ装置の構成を示すＡ−Ａ’断面図である。図３は本発明の実施形態１における気密ＣＡＰに突起を備える半導体レーザ装置の構成を示す図であり、図３（ａ）は実施形態１における気密ＣＡＰに凹みを備える半導体レーザ装置の構成を示す断面図、図３（ｂ）は実施形態１における気密ＣＡＰに凹みを備える半導体レーザ装置の構成を示すＡ−Ａ’断面図である。図４は本発明の実施形態１における放熱性樹脂を備える半導体レーザ装置の構成を示す図であり、図４（ａ）は実施形態１における放熱性樹脂を備える半導体レーザ装置の構成を示す断面図、図４（ｂ）は実施形態１における放熱性樹脂を備える半導体レーザ装置の構成を示すＡ−Ａ’断面図である。図５は本発明の実施形態１におけるサブマウントを備える半導体レーザ装置の構成を示す図であり、図５（ａ）は実施形態１におけるサブマウントを備える半導体レーザ装置の構成を示す断面図、図５（ｂ）は実施形態１におけるサブマウントを備える半導体レーザ装置の構成を示すＡ−Ａ’断面図である。
【００１８】
図１において、１は気密封止ＣＡＰの内面と接触している半導体レーザ素子設置基板である。なお、２は半導体レーザ素子、３は金ワイヤー、４は半導体レーザ素子２やアウターリード等が設置されるアウターリード固定用ベース、５はアウターリード、６は気密封止ＣＡＰ、７は筐体であり、これらは、気密封止ＣＡＰ６に半導体レーザ素子設置基板１の内面が接触している以外は従来例の構成と同じである。
【００１９】
以上のように構成された本実施形態の半導体レーザ装置について、以下その動作を説明する。図１において、半導体レーザ素子設置基板１以外は従来例と同じ動作を行い、その説明を省略する。半導体レーザ素子設置基板１は気密封止ＣＡＰ６と接触するように設計されており、従来に比べて半導体レーザ素子設置基板１を大きくし、半導体レーザ素子設置基板１の表面積を大きくしている。また、半導体レーザ素子設置基板１の気密封止ＣＡＰ６と接触する半導体レーザ素子２設置面と対向する面を、気密封止ＣＡＰ６の形状に合わせて加工し、接触面積を大きくしている。
【００２０】
なお、図１においてはアウターリード固定用ベース４を気密封止ＣＡＰ６の形状に合わせて略円形としたが、図２に示すように、気密封止ＣＡＰ６に１または複数の穴を設け、気密封止ＣＡＰ６に押し当てて固定することができる気密封止ＣＡＰ６の穴に嵌合する１または複数の突起９をアウターリード固定用ベース４に設けることにより、アウターリード固定用ベース４と気密封止ＣＡＰ６との接触性を更に高めることが可能となり、半導体レーザ素子２の熱を半導体レーザ素子設置基板１，アウターリード固定用ベース４を介して気密封止ＣＡＰ６から、より効率的に放熱することができる。つまり、突起を設けることにより、アウターリード固定用ベース４が突っ張って、半導体レーザ素子２が設置された半導体レーザ素子設置基板１を気密封止ＣＡＰ６に密着するように押し付けることができる。図２では、気密封止ＣＡＰ６に１または複数の穴を設け、アウターリード固定用ベース４に突起９を設ける場合について説明したが、気密封止ＣＡＰ６に１または複数の突起を設け、アウターリード固定用ベース４に穴を設けても同様の効果を奏する。また、図２では、アウターリード固定用ベース４に段差を設けて突起９を設けたが、段差を設けずに突起９を設けても良い。
【００２１】
また、図３に示すように、気密封止ＣＡＰ６に凹み１０を設けることにより、凹み１０と気密封止ＣＡＰ６とで半導体レーザ素子設置基板１をはさんで固定することができ、更に半導体レーザ素子設置基板１と気密封止ＣＡＰ６との接触性を高めることが可能となり、半導体レー素子２の熱を半導体レーザ素子設置基板１を介して気密封止ＣＡＰ６から、より効率的に放熱することができる。ここでは、図２に示す気密封止ＣＡＰ６に凹み１０を設けたが、図１に示す気密封止ＣＡＰ６に凹み１０を設けることにより、図１に示す半導体レーザ装置に対して、より放熱効率を向上させることが可能である。また、図４に示すように、半導体レーザ素子設置基板１と気密封止ＣＡＰ６の間隔に放熱性の高い樹脂１１を充填することにより、更に半導体レーザ素子設置基板１と気密封止ＣＡＰ６との接触性を高めることが可能となり、半導体レーザ素子２の熱を半導体レーザ素子設置基板１を介して気密封止ＣＡＰ６からより効率的に放熱することができる。ここでは、図１に示す半導体レーザ装置に対して樹脂１１を設けたが、図２および図３に示す半導体レーザ装置に対して樹脂１１を設けることにより、さらなる放熱効率の向上が可能となる。また、図５に示すように、半導体レーザ素子設置基板１と半導体レーザ素子２間にサブマウント８をスタックボンドしてもよく、これにより、半導体レーザ素子２から半導体レーザ素子設置基板１にわたる放熱効率を向上させることができる。ここでは、図１に示す半導体レーザ装置に対してサブマウント８を設けたが、図２，図３および図４に示す半導体レーザ装置に対してサブマウント８を設けることにより、さらなる放熱効率の向上が可能となる。
【００２２】
また、半導体レーザ素子として多波長ＬＤを設置した場合であっても放熱性を高められることは言うまでもない。
以上のように実施形態１によれば、半導体レーザ素子設置基板１と気密封止用ＣＡＰ６が接触している構造を有しており、この構成によって、半導体レーザ素子設置基板１の面積を大きくすることが可能となり放熱性を高めることができるため、半導体レーザ素子の放熱効率を向上させ、発光効率を向上させることができる。
【００２３】
図６は本発明の実施形態２の光ピックアップ装置における半導体レーザ装置部分の構成を示す図であり、図６（ａ）は実施形態２の光ピックアップ装置における半導体レーザ装置の構成を示す断面図、図６（ｂ）は実施形態２の光ピックアップ装置における半導体レーザ装置の構成を示すＡ−Ａ’断面図である。図７は実施形態２における光ピックアップ装置の構成を示す図である。
【００２４】
図６において、７は気密封止ＣＡＰ６と接触している筐体である。なお、１は半導体レーザ素子設置基板、２は半導体レーザ素子、３は金ワイヤー、４はアウターリード固定用ベース、５はアウターリード、６は気密封止ＣＡＰであり、これらは図１の構成と同じである。
【００２５】
以上のように構成された本実施形態の半導体レーザ装置について、以下その動作を説明する。
図６において、まず、筐体７以外は従来の実施形態１と同じ動作を行い、その説明を省略する。筐体７は気密封止ＣＡＰ６と接触するように設計されている。なお、図２，３，４および５の筐体部分を本実施例２の気密封止ＣＡＰと接触する筐体とすることにより放熱性が高まることは言うまでもない。
【００２６】
図７において、本実施形態の光ピックアップ装置２１は、光学部品を支持する筐体７を有し、図６のように筐体７に気密封止ＣＡＰ６を接触させた半導体レーザ装置２９より出射したレーザ光２０は、コリメートレンズ２３により平行光にコリメートされ、立ち上げミラー２４により光路を９０°折り曲げられたのち、対物レンズ２５により光ディスク２６上に記録されたピット上に焦点を結ぶ。このピット上の信号を読み取ったレーザ光２０は光ディスク２６で反射されて、同じ経路を逆に戻りビームスプリッター２７にて分岐され、受光素子２８に入射して光ディスク２６に記録された信号を読み取る。ここでは、図６に示す半導体レーザ装置を搭載する光ピックアップ装置について説明したが、図１〜図５に示す半導体レーザ装置を搭載することも可能である。
【００２７】
以上のように、実施形態２によれば、半導体レーザ素子設置基板１と気密封止用ＣＡＰ６が接触している構造を有しており、この構成によって、半導体レーザ素子設置基板の面積を大きくすることが可能で放熱性を高めることができ、さらに、気密封止用ＣＡＰ６と筐体７を接触させることにより、半導体レーザ素子２の熱が気密封止ＣＡＰ６を通じ直接筐体７に放熱されるため、半導体レーザ素子２からの放熱パスが短くなり、放熱性が高まり、半導体レーザ素子の放熱効率を向上させ、発光効率を向上させることができる。
【００２８】
以上の説明では、気密封止ＣＡＰを円筒形として説明したが、半導体レーザ素子等を封止できれば、その形状は任意である。
次に、実施形態３として図２で説明した半導体レーザ装置の製造方法について図８，図９を用いて説明する。
【００２９】
図８は実施形態３における半導体レーザ装置の製造方法を示す工程断面図、図９は実施形態３の半導体レーザ装置における突起部分周辺の概略断面図である。
図８に示すように、まず、アウターリード５が設置されたアウターリード固定用ベース４の気密封止ＣＡＰ６と接続する部分にアウターリード固定用ベース４と材質の異なる突起９を形成する（図８（ａ））。次に、半導体レーザ素子２を設置した半導体レーザ素子設置基板を、レーザ出射部分が半導体レーザ装置のほぼ中心点にくるようにアウターリード固定用ベース４上に搭載し、半導体レーザ素子２の端子を金ワイヤー３等によりアウターリード固定用ベース４のアウターリード５と配線する（図８（ｂ））。次に、突起９と対応する位置に穴を設けた気密封止ＣＡＰ６を、突起９と穴が嵌合するようにアウターリード固定用ベース４にはめ込み、突起９を含めた気密封止ＣＡＰ６とアウターリード固定用ベース４の接続部分を抵抗溶接により気密封止する（図８（ｃ））。ここで、気密封止ＣＡＰ６のはめ込みの際に、突起９に対して穴の大きさを小さくすることにより、アウターリード固定用ベース４が気密封止ＣＡＰ６を突っ張る形となり、突起９が形成された面と反対側のアウターリード固定用ベース４が気密封止ＣＡＰ６に押し付けられ、その方向に半導体レーザ素子設置基板１を設けておくと、半導体レーザ素子設置基板１も押し付けられて気密封止ＣＡＰ６に密着させることができる。そのために、半導体レーザ素子設置基板の表面積を大きくし、半導体レーザ素子からの放熱パスが短くすることにより、放熱性が高まり、半導体レーザ素子の放熱効率を向上させ、発光効率を向上させることができる。ここで言う穴の大きさとは、穴の開口部分の突起の断面に対する面積の大きさや突起の高さに対する穴の深さを言う。また、アウターリード固定用ベース４と気密封止ＣＡＰ６とを抵抗溶接により接続するため、その接続界面近傍には、アウターリード固定用ベース４の材質金属と気密封止ＣＡＰ６の材質金属との金属化合物が形成される。したがって、突起９は溶解して気密封止ＣＡＰ６の材質金属と金属化合物を形成し、完全に消滅、あるいは、多少の残存物を残して消滅する。突起９があった部分の金属間化合物の様子は、図９に示すように、穴のあった部分を完全に埋め込んで、突起９のあった部分からその周辺に向かって濃度勾配を持って分布される。図では、突起９が完全に消滅した場合を例として示したが、突起９の残存物が残る場合もあり得る。また、図８，図９では、突起９をアウターリード固定用ベース４に形成する場合について説明したが、突起９を気密封止ＣＡＰ６に形成することも可能である。その場合、対応する穴をアウターリード固定用ベース４に形成する。
【産業上の利用可能性】
【００３０】
本発明は、半導体レーザ素子の放熱効率を向上させ、発光効率を向上させることができ、情報記録媒体への情報の記録またはその再生を行うための光ピックアップ装置の光源として好適な半導体レーザ装置および半導体レーザ装置の製造方法ならびに光ピックアップ装置等に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】（ａ）実施形態１における半導体レーザ装置の構成を示す断面図（ｂ）実施形態１における半導体レーザ装置の構成を示すＡ−Ａ’断面図
【図２】（ａ）実施形態１における気密ＣＡＰに突起を備える半導体レーザ装置の構成を示す断面図（ｂ）実施形態１における気密ＣＡＰに突起を備える半導体レーザ装置の構成を示すＡ−Ａ’断面図
【図３】（ａ）実施形態１における気密ＣＡＰに凹みを備える半導体レーザ装置の構成を示す断面図（ｂ）実施形態１における気密ＣＡＰに凹みを備える半導体レーザ装置の構成を示すＡ−Ａ’断面図
【図４】（ａ）実施形態１における放熱性樹脂を備える半導体レーザ装置の構成を示す断面図（ｂ）実施形態１における放熱性樹脂を備える半導体レーザ装置の構成を示すＡ−Ａ’断面図
【図５】（ａ）実施形態１におけるサブマウントを備える半導体レーザ装置の構成を示す断面図（ｂ）実施形態１におけるサブマウントを備える半導体レーザ装置の構成を示すＡ−Ａ’断面図
【図６】（ａ）実施形態２の光ピックアップ装置における半導体レーザ装置の構成を示す断面図（ｂ）実施形態２の光ピックアップ装置における半導体レーザ装置の構成を示すＡ−Ａ’断面図
【図７】実施形態２における光ピックアップ装置の構成を示す図
【図８】実施形態３における半導体レーザ装置の製造方法を示す工程断面図
【図９】実施形態３の半導体レーザ装置における突起部分周辺の概略断面図
【図１０】（ａ）従来の半導体レーザ装置の構成を示す断面図（ｂ）従来の半導体レーザ装置の構成を示すＡ−Ａ’断面図
【符号の説明】
【００３２】
１    半導体レーザ素子設置基板
２    半導体レーザ素子
３    金ワイヤー
４    アウターリード固定用ベース
５    アウターリード
６    気密封止ＣＡＰ
７    筐体
８    サブマウント
９    突起
１０    凹み
１１    樹脂
２０    レーザ光
２１    光ピックアップ装置
２３    コリメートレンズ
２４    立ち上げミラー
２５    対物レンズ
２６    光ディスク
２７    ビームスプリッター
２８    受光素子
２９    半導体レーザ装置
【図１】
2008198808.tif 000003
【図２】
2008198808.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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