(57)【要約】【課題】リードヘッドの下部シールド層や上部シールド層、ライトヘッドの下部磁極が帯電することによってＭＲ素子を損傷させる問題を回避し、ライトヘッドの動作がリードヘッドのリード特性を阻害することを防止した磁気ヘッドを提供する。【解決手段】シャント抵抗３を介して基板２に電気的に接続された下部シールド層４および上部シールド層６とを備えるリードヘッド１０と、シャント抵抗３を介して前記基板２に電気的に接続された下部磁極１２を備えるライトヘッド２０とを備え、前記下部シールド層４および上部シールド層６が、導電層４１、６１を介して前記基板３と電気的に接続され、前記下部磁極１２が、該下部磁極１２の下地層として形成された導電層１２１を介して前記基板２に電気的に接続されていることを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
シャント抵抗を介して基板に電気的に接続された下部シールド層および上部シールド層とを備えるリードヘッドと、
シャント抵抗を介して前記基板に電気的に接続された下部磁極を備えるライトヘッドとを備え、
前記下部シールド層および上部シールド層が、導電層を介して前記基板と電気的に接続され、
前記下部磁極が、該下部磁極の下地層として形成された導電層を介して前記基板に電気的に接続されていることを特徴とする磁気ヘッド。
【請求項２】
前記下部磁極の前記導電層として、該下部磁極のめっきシード層が用いられていることを特徴とする請求項１記載の磁気ヘッド。
【請求項３】
前記下部シールド層は、導通部を介して前記シャント抵抗に接続され、
前記下部磁極は、上部導通部を介して前記シャント抵抗に接続されていることを特徴とする請求項２記載の磁気ヘッド。
【請求項４】
前記上部シールド層の上面と前記上部導通部の上面とが面一に形成されていることを特徴とする請求項３記載の磁気ヘッド。
【請求項５】
前記下部磁極に形成された導電層が、該下部磁極の縁部の外側域まで延出して設けられ、前記導電層を介して前記下部磁極が前記基板に電気的に接続されていることを特徴とする請求項１記載の磁気ヘッド。
【請求項６】
前記導電層が、リードヘッドとライトヘッドに各々接続される引き出し線が、平面的に重複して配置される領域を、層間で遮蔽する平面形状に設けられていることを特徴とする請求項５記載の磁気ヘッド。
【請求項７】
めっきシード層をめっき給電層とする電解めっきにより、基板上に下部シールド層と、シャント抵抗の一端側が接続される導通部と、シャント抵抗の他端側が接続される基板導通部とを形成する工程と、
前記下部シールド層の上層に、ＭＲ素子と、両端を前記導通部と前記基板導通部とに接続して前記シャント抵抗を形成する工程と、
該ＭＲ素子とシャント抵抗を形成した上層に、前記導通部に接続してめっきシード層を形成し、該めっきシード層をめっき給電層とする電解めっきにより上部シールド層を形成するとともに、前記導通部に接続する上部導通部を形成する工程と、
該上部シールド層の上層に、前記上部導通部に接続するめっきシード層を形成し、該めっきシード層をめっき給電層とする電解めっきにより下部磁極を形成する工程と、
を備えていることを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
【請求項８】
ライトヘッドとリードヘッドとを備える磁気ヘッドが搭載されたヘッドスライダーであって、
前記リードヘッドには、シャント抵抗を介して基板に電気的に接続された下部シールド層および上部シールド層が設けられ、
前記前記ライトヘッドには、前記基板に電気的に接続された下部磁極が設けられ、
前記下部シールド層および上部シールド層が、導電層を介して前記基板と電気的に接続され、
前記下部磁極が、該下部磁極の下地層として形成された導電層を介して前記基板に電気的に接続されていることを特徴とするヘッドスライダー。
【請求項９】
前記下部磁極の前記導電層として、該下部磁極のめっきシード層が用いられていることを特徴とする請求項８記載のヘッドスライダー。
【請求項１０】
ライトヘッドとリードヘッドとを備える磁気ヘッドが作り込まれたヘッドスライダーが搭載され、磁気記録媒体との間で情報を記録・再生する磁気ディスク装置であって、
前記磁気ヘッドは、シャント抵抗を介して基板に電気的に接続された下部シールド層および上部シールド層が設けられたリードヘッドと、
前記前記ライトヘッドには、前記基板に電気的に接続された下部磁極が設けられたライトヘッドとを備え、
前記下部シールド層および上部シールド層が、導電層を介して前記基板と電気的に接続され、
前記下部磁極が、該下部磁極の下地層として形成された導電層を介して前記基板に電気的に接続されていることを特徴とする磁気ディスク装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は磁気ヘッドおよびその製造方法に関し、より詳細には、ＭＲ素子が静電気によって損傷を受けることを防止する構成を備える磁気ヘッドおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
図１６は、CIP型であるＧＭＲ(Giant Magneto Resistance)型のＭＲ素子５を備えた磁気ヘッドの構成を、ABS面に垂直な断面から見た状態を示す。磁気ヘッドは、アルチック（Al2O3-TiC）からなる基板２上に、リードヘッド１０とライトヘッド２０を積層して形成される。リードヘッド１０は、下部シールド層４および上部シールド層６と、これらの中間に配されたＭＲ素子５を備え、ライトヘッド２０は、ライトギャップを挟む配置に設けられた下部磁極１２および上部磁極１４と、励磁用のコイル１６とを備える。 
【０００３】
磁気ヘッドと媒体との接触等により、下部シールド層４や上部シールド層６が帯電することがあり、ＭＲ素子５は静電気に対する耐性が低いことから、ＭＲ素子５が静電気によって損傷を受けないよう、下部シールド層４および上部シールド層６をシャント抵抗３を介して基板２に電気的に接続し、下部シールド層４と上部シールド層６が帯電することを防止している。
図１６に示す磁気ヘッドにおいては、下部シールド層４と上部シールド層６をめっきによって形成する際に使用するめっきシード層４１、６１を導通部４ａに接続し、シャント抵抗３を介して基板２に電気的に接続している。
【０００４】
なお、ライトヘッド２０の下部磁極１２についても基板２に電気的に接続して帯電を防止することがなされている。図１６に示す磁気ヘッドでは、下部磁極１２の上部シールド層６に対向する面に突起１２ａを設け、突起１２ａを上部シールド層６の上面に若干くい込ませる構成として下部磁極１２と上部シールド層６とを電気的に接続し、これによって下部磁極１２を基板２に電気的に接続している。
【０００５】
ＴＭＲ素子等のCPP型の磁気ヘッドでは、下部シールド層４と上部シールド層６がリードヘッドの電極を兼用するから、下部シールド層４と上部シールド層６は各々別個にシャント抵抗を介して基板２に電気的に接続される。下部磁極１２についても基板２に電気的に接続する場合は、下部磁極１２をさらに別のシャント抵抗を介して基板２に電気的に接続する構成とされる。
特許文献１には、上部シールド層６と下部磁極１２の腐蝕を防止する方法として上部シールド層６と下部磁極１２とが導電層により導通された構成が記載されている。
【特許文献１】特開２００３−８５７１０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
図１７は、図１６に示す磁気ヘッドにおける下部磁極１２、上部シールド層６、めっきシード層６１を平面方向から見た状態を示す。下部磁極１２、上部シールド層６、下部シールド層４は平面形状が四角形状に形成され、めっきシード層６１は上部シールド層６の端縁から平面形状が四角形状に延出する形態に設けられる。
下部磁極１２の上部シールド層６に対向する面に設けられた突起１２ａは、上部シールド層６の幅方向に延びる細長の形状に形成され、上部シールド層６の上面に設けられた凹部に連結される。導通部４ａはめっきシード層６１の延出端側でめっきシード層６１の幅方向の中央位置で接続される。
【０００７】
この従来例のように、下部磁極１２の突起１２ａを上部シールド層６に食い込ませるようにして下部磁極１２と上部シールド層６とを接続した場合は、ライトヘッド２０による書き込み操作の際の磁界が上部シールド層６の磁区構成に影響を与え、これによってリード特性が変動するといった問題が生じる。下部シールド層４および上部シールド層６は、不要な外部磁界がＭＲ素子に作用しないようにシールドするためのものであり、上部シールド層６の磁区構成が変動することはリード特性のノイズを発生させる原因になる。
【０００８】
本発明は、リードヘッドの下部シールド層および上部シールド層、ライトヘッドの下部磁極を基板に電気的に接続することによって、ＭＲ素子が静電気の作用によって損傷することを防止し、リードヘッドのリード特性を阻害することなくすぐれた特性を備えた磁気ヘッドを提供すること、またその磁気ヘッドの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、上記目的を達成するため次の構成を備える。
すなわち、磁気ヘッドにおいて、シャント抵抗を介して基板に電気的に接続された下部シールド層および上部シールド層とを備えるリードヘッドと、シャント抵抗を介して前記基板に電気的に接続された下部磁極を備えるライトヘッドとを備え、前記下部シールド層および上部シールド層が、導電層を介して前記基板と電気的に接続され、前記下部磁極が、該下部磁極の下地層として形成された導電層を介して前記基板に電気的に接続されていることを特徴とする。
導電層を介してシャント構造を構成する場合に、導電層とは別にシャント抵抗を形成して構成することもでき、また、導電層自体の抵抗をシャント抵抗としてシャント構造とすることもできる。なお、本発明はCIP型の磁気ヘッド、CPP型の磁気ヘッドに共通に適用できる。
【００１０】
また、前記下部磁極の前記導電層として、該下部磁極のめっきシード層が用いられていることを特徴とする。めっきシード層を導電層とすることによって、めっきにより下部磁極を形成する際に、容易かつ確実に下部磁極を基板に電気的に接続することができる。
また、前記下部磁極は、前記上部シールド層のめっきシード層上に形成された上部導通部を介して前記シャント抵抗に接続されていることを特徴とする。
また、前記上部シールド層の上面と前記上部導通部の上面とが面一に形成されていることにより、上部シールド層と下部磁極との電気的な分離がさらに確実になされる。
【００１１】
また、前記下部磁極に形成された導電層が、該下部磁極の縁部の外側域まで延出して設けられ、前記導電層を介して前記下部磁極が前記基板に電気的に接続されていることにより、導電層と基板とを接続する引き出し線の配置を容易にすることができる。
また、前記導電層が、リードヘッドとライトヘッドに各々接続される引き出し線が平面的に重複して配置される領域を、層間で遮蔽する平面形状に設けられていることにより、リードヘッドとライトヘッドとの電気的な干渉を抑制し、磁気ヘッドの特性を向上させることができる。
【００１２】
また、磁気ヘッドの製造方法において、めっきシード層をめっき給電層とする電解めっきにより、基板上に下部シールド層と、シャント抵抗の一端側が接続される導通部と、シャント抵抗の他端側が接続される基板導通部とを形成する工程と、前記下部シールド層の上層に、ＭＲ素子と、両端を前記導通部と前記基板導通部とに接続して前記シャント抵抗を形成する工程と、該ＭＲ素子とシャント抵抗を形成した上層に、前記導通部に接続してめっきシード層を形成し、該めっきシード層をめっき給電層とする電解めっきにより上部シールド層を形成するとともに、前記導通部に接続する上部導通部を形成する工程と、該上部シールド層の上層に、前記上部導通部に接続するめっきシード層を形成し、該めっきシード層をめっき給電層とする電解めっきにより下部磁極を形成する工程と、を備えていることを特徴とする。
【００１３】
また、ライトヘッドとリードヘッドとを備える磁気ヘッドが搭載されたヘッドスライダーであって、前記リードヘッドには、シャント抵抗を介して基板に電気的に接続された下部シールド層および上部シールド層が設けられ、前記前記ライトヘッドには、前記基板に電気的に接続された下部磁極が設けられ、前記下部シールド層および上部シールド層が、導電層を介して前記基板と電気的に接続され、前記下部磁極が、該下部磁極の下地層として形成された導電層を介して前記基板に電気的に接続されていることを特徴とする。
また、前記下部磁極の前記導電層として、該下部磁極のめっきシード層が用いられていることを特徴とする。
【００１４】
また、ライトヘッドとリードヘッドとを備える磁気ヘッドが作り込まれたヘッドスライダーが搭載され、磁気記録媒体との間で情報を記録・再生する磁気ディスク装置であって、前記磁気ヘッドは、シャント抵抗を介して基板に電気的に接続された下部シールド層および上部シールド層が設けられたリードヘッドと、前記ライトヘッドには、前記基板に電気的に接続された下部磁極が設けられたライトヘッドとを備え、前記下部シールド層および上部シールド層が、導電層を介して前記基板と電気的に接続され、前記下部磁極が、該下部磁極の下地層として形成された導電層を介して前記基板に電気的に接続されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明に係る磁気ヘッドによれば、ライトヘッドの下部磁極がリードヘッドの上部シールド層とは分離されてリードヘッドの下部シールド層および上部シールド層と、ライトヘッドの下部磁極とのシャント構造が構成されるから、ライトヘッドとリードヘッドの動作が干渉することがなく、磁気ヘッドの特性を向上させ、かつ磁気ヘッドの静電気耐性を向上させることができる。また、本発明に係る磁気ヘッドの製造方法によれば、従来の磁気ヘッドの製造工程を大きく変えることなく、リード特性および静電気耐性のすぐれた磁気ヘッドを製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
（磁気ヘッドの構成）
図１および図２は、本発明に係る磁気ヘッドの第１の実施の形態の構成を示す断面図および平面図である。本実施形態の磁気ヘッドはGMR型の磁気ヘッドであり、基本的な構成は図１２に示す磁気ヘッドと同様である。すなわち、アルチック（Al2O3-TiC)からなる基板２上に、下部シールド層４とＭＲ素子５と上部シールド層６とを絶縁層を介して積層して形成されたリードヘッド１０と、ライトギャップを挟む配置に設けられた下部磁極１２および上部磁極１４と、励磁用のコイル１６とを備えたライトヘッド２０が設けられている。
【００１７】
また、図１２に示す磁気ヘッドと同様に、ＭＲ素子５が静電気の作用によって損傷しないように、リードヘッド１０を構成する下部シールド層４および上部シールド層６が、シャント抵抗３を介して基板２に電気的に接続され、かつライトヘッド２０を構成する下部磁極１２がシャント抵抗３を介して基板２に電気的に接続して形成されている。
下部シールド層４は下部シールド層４の下地層である導電層としてのめっきシード層４１および導通部４ａを介してシャント抵抗３の一端に接続され、上部シールド層６はめっきシード層６１を介してシャント抵抗３の一端に接続する。シャント抵抗３の他端は基板２上に形成された基板導通部４ｂの上面に接続され、シャント抵抗３は基板導通部４ｂを介して基板２に電気的に接続される。
【００１８】
本実施形態の磁気ヘッドにおいて特徴的な構成はライトヘッド２０の下部磁極１２をシャント抵抗３に接続する構成である。すなわち、従来の磁気ヘッドにおいては、下部磁極１２に突起１２ａを設け、突起１２ａを上部シールド層６に連結して下部磁極１２と上部シールド層６とを電気的に接続している。本実施形態においては、めっきによって下部磁極１２を形成する際に使用するめっきシード層１２１を利用して、上部シールド層６とは分離して下部磁極１２をシャント抵抗３に接続している。
【００１９】
めっきシード層１２１とシャント抵抗３との電気的接続は、ハイト方向でABS面とは離間する方向にめっきシード層１２１を延出させ、このめっきシード層１２１の延出端を、導通部４ａ上に柱状に積み上げて形成した上部導通部６ａに接続することによってなされる。
図２に示すように、下部磁極１２は平面形状が長方形に形成され、上部シールド層６および下部シールド層４も下部磁極１２と同一の平面形状が長方形に形成される。
下部磁極１２を形成する際に用いられるめっきシード層１２１は、ABS面とは離間する方向に端縁部を延出して形成され、延出端位置で上部導通部６ａに接続される。
【００２０】
図３および図４は、本発明に係る磁気ヘッドの第２の実施の形態の構成を示す断面図および平面図である。本実施形態の磁気ヘッドも、第１の実施の形態におけると同様に、リードヘッド１０の上部シールド層６とは分離してライトヘッド２０の下部磁極１２が形成され、下部磁極１２を形成する際に使用するめっきシード層１２１と、上部シールド層６を形成する際に形成される上部導通部６ａとを介して、シャント抵抗３に下部磁極１２が電気的に接続されている。
【００２１】
図３に示す実施形態の磁気ヘッドにおいて特徴的な構成は、上部シールド層６と上部導通部６ａの上面を面一にしてライトヘッド２０の下部磁極１２を形成し、めっきシード層１２１により下部磁極１２と上部導通部６ａとを電気的に接続する構成とした点にある。
このように、上部シールド層６の表面に平坦化処理を施すことにより、下部磁極１２のめっきシード層１２１が厚さ方向で上部シールド層６に入り込む形態となることを防止することができ、下部磁極１２とリードヘッド１０とが干渉すること（クロストーク）を防止し、リードヘッドとライトヘッドを完全に分離することができる。
【００２２】
上記第１の実施の形態および、第２の実施の形態において示したように、ライトヘッド２０の下部磁極１２をめっきシード層１２１とは絶縁層を介して分離した構成とし、電気的にはめっきシード層１２１および上部導通部６ａを介してシャント抵抗３に接続する構成としたことによって、ライトヘッドの動作がリードヘッド１０のリード特性に影響が及ぶことを防止してリードヘッド１０のリード特性を良好に維持することができ、またライトヘッド２０の下部磁極１２が帯電することを防止してＭＲ素子５の静電気耐性を向上させることができる。
【００２３】
なお、上述した磁気ヘッドはCIP型の磁気ヘッドであるが、TMR型の磁気ヘッドについても同様な構成とすることができる。TMR型の磁気ヘッドでは、下部シールド層４と上部シールド層６がリードヘッドの電極を兼ねるから、シャント抵抗３が形成される面内で、下部シールド層４に接続されるシャント抵抗と、上部シールド層６に接続されるシャント抵抗とを別パターンとして形成し、下部シールド層４と上部シールド層６を別のシャント抵抗を介して基板２に接続するようにすればよい。また、ライトヘッドの下部磁極１２については、めっきシード層１２１を介してシャント抵抗３とは別に基板２に電気的に接続する構成とすればよい。
【００２４】
（磁気ヘッドの製造方法）
図５、６、７は、第１の実施の形態に示す磁気ヘッドの製造工程を示す。図５は、リードヘッドの下部シールド層４と、導通部４ａおよび基板導通部４ｂ、シャント抵抗３を形成するまでの工程を示す。
図５（ａ）は、基板２の表面の全面に、たとえばアルミナをスパッタリングして絶縁層７を形成し、基板導通部４ｂを形成する位置に合わせて導通穴７ａを形成した状態を示す。導通穴７ａを形成するには、レジストにより絶縁層７の表面を被覆し、導通穴７ａを形成する部位を露出させるようにレジストをパターニングし、レジストをマスクとしてイオンミリングを施せばよい。
【００２５】
図５（ｂ）、（ｃ）は、下部シールド層４と、導通部４ａと、基板導通部４ｂとめっきにより形成する工程である。図５（ｂ）では、ワークの表面にめっきシード層４１を形成し、めっきシード層４１の表面にレジスト４２を被着し、下部シールド層４、導通部４ａ、基板導通部４ｂを形成する部位が露出するようにレジスト４２をパターニングした状態を示す。
図５（ｃ）は、めっきシード層４１をめっき給電層とする電解めっきにより、下部シールド層４、導通部４ａ、基板導通部４ｂを形成した状態である。下部シールド層４は、NiFe等の軟磁性材によって形成する。したがって、導通部４ａおよび基板導通部４ｂも下部シールド層４と同一の軟磁性材（導体）によって形成される。
【００２６】
図５（ｄ）は、めっきシード層４１の不要部分をイオンミリングによって除去する工程である。ワークの表面でめっきシード層４１として残す領域を覆うようにレジスト４３をパターニングし、レジスト４３をマスクとしてイオンミリングを施し、めっきシード層４１の基板２上で露出する領域部分を除去する。レジスト４３は、下部シールド層４と導通部４ａとがめっきシード層４１によって接続されるようにパターン形成する。
【００２７】
図５（ｅ）は、下部シールド層４、導通部４ａ、基板導通部４ｂの表面を覆うように、ワークの表面に絶縁材としてたとえばアルミナをスパッタリングした後、ワークの表面を研磨（CMP）し、下部シールド層４、導通部４ａ、基板導通部４ｂおよび絶縁層４４の表面を平坦化した状態を示す。
この状態で、下部シールド層４の上にＭＲ素子５を形成する（図５（ｆ））。ＭＲ素子５は、ワークの表面に絶縁層を形成し、ＭＲ素子５を構成する磁気抵抗効果膜を積層して成膜した後、ＭＲ素子５の配置（形状）に合わせて磁性薄膜層をイオンミリングすることによって形成する。シャント抵抗３は、ＭＲ素子５を形成する工程とは別工程で導通部４ａと基板導通部４ｂとの間に、導電膜を細幅で平面形状が屈曲するパターンにパターニングして抵抗体として形成する。
【００２８】
図６は、上部シールド層６と、シャント抵抗３と接続してめっきシード層６１を形成するまでの工程を示す。
図６（ａ）は、ＭＲ素子５およびシャント抵抗３を絶縁層４５によって被覆する工程である。導通部４ａの表面をレジスト４６により被覆した後、ワークの表面に絶縁材として、たとえばアルミナをスパッタリングして絶縁層４５を形成する。
【００２９】
図６（ｂ）は、次に、絶縁層４５の表面に上部シールド層６を形成するためのめっきシード層６１を形成する工程である。レジスト４６を除去した後、スパッタリングによりワークの表面の全面にめっきシード層６１を形成する。導通部４ａの表面が露出しているから、めっきシード層６１は導通部４ａに接続して形成される。
【００３０】
図６（ｃ）は、次に、めっきシード層６１をめっき給電層とする電解めっきを施し、上部シールド層６と、上部導通部６ａを形成した状態である。めっきシード層６１の表面に、めっきシード層６１上で上部シールド層６と上部導通部６ａを形成する部位を露出させるようにレジスト４７をパターン形成し、めっきを盛り上げて上部シールド層６と上部導通部６ａを形成する。
【００３１】
図６（ｄ）は、レジスト４７を除去した後、めっきシード層６１として残す部位をレジス４８によって被覆した状態である。レジスト４８は、上部シールド層６と上部導通部６ａとが接続されるようにめっきシード層６１を被覆するパターンに形成する。
図６（ｅ）は、レジスト４８をマスクとしてイオンミリングを施してめっきシード層６１の不要部位を除去した後、レジスト４８を除去した状態である。
【００３２】
図７は、めっきシード層１２１とライトヘッドの下部磁極１２を形成するまでの工程を示す。
図７（ａ）は、上部シールド層６とライトヘッド２０の下部磁極１２とを電気的に絶縁する絶縁層６２を形成する工程である。ワークの表面に絶縁材としてアルミナをスパッタリングし、ワークの表面を絶縁層６２によって被覆する。ワークの表面に形成された上部シールド層６、上部導通部６ａの凹凸形状がワークの表面に若干凹凸形状としてあらわれている。
図７（ａ）では、ワークの表面を絶縁層６２によって被覆した後、ワークの表面をレジスト６４により被覆し、レジスト６４をパターニングして上部導通部６ａに位置合わせして開口６４ａを形成した状態を示す。
【００３３】
図７（ｂ）は、レジスト６４をマスクとしてイオンミリングを施し、絶縁層６２に上部導通部６ａの上面が底面に露出する露出穴６２ａを形成した状態である。
図７（ｃ）は、次に、スパッタリングにより、ワークの表面に下部磁極１２のめっきシード層１２１を形成した状態を示す。めっきシード層１２１は絶縁層６２の表面と露出穴６２ａ内に露出する上部導通部６ａの表面および露出穴６２ａの内側面に被着される。これによって、めっきシード層１２１は上部導通部６ａと導通状態となる。
【００３４】
図７（ｄ）は、めっきシード層１２１をめっき給電層とする電解めっきにより、ライトヘッド２０の下部磁極１２を形成する工程である。めっきシード層１２１の表面にレジスト６５を被着し、下部磁極１２となる部位を露出させるようにレジスト６５をパターニングする。下部磁極１２はめっきシード層１２１上にめっきを盛り上げて形成される。
図７（ｅ）は、めっきシード層１２１の不要部位をイオンミリングによって除去するため、ワークの表面をレジスト６６により被覆し、めっきシード層１２１のうち不要部位を露出させるようにレジスト６６をパターニングした状態を示す。レジスト６６は、下部磁極１２と上部導通部６ａとを接続する部位のめっきシード層１２１が被覆されるようにパターン形成する。
【００３５】
図８（ａ）は、レジスト６６をマスクとしてイオンミリングを施し、めっきシード層１２１でワークの表面に露出する部分（不要部分）を除去した状態である。
下部磁極１２を形成した後、ライトギャップ１８を挟んで上部磁極１４と、コイル１６を形成する。こうして、図８（ｂ）に示すリードヘッド１０とライトヘッド２０を備えた磁気ヘッドが形成される。
【００３６】
本実施形態の磁気ヘッドの製造方法においては、上部シールド層６を形成する際に上部導通部６ａを形成し、絶縁層６２をイオンミリングして上部導通部６ａにまで通じる露出穴６２ａを形成し、めっきシード層１２１を上部導通部６ａに導通させる工程が必要になる。これらの工程は従来の磁気ヘッドの製造工程を若干改変するだけで適用できるものであり、従来の製造工程を利用して磁気ヘッドの特性を向上させることができるという利点がある。
【００３７】
図９は、図３に示した、第２の実施の形態における磁気ヘッドの製造方法を示す。本実施形態においては、上部シールド層６と上部導通部６ａとを形成し、ワークの表面を絶縁層６２によって被覆した後、ワークの表面を研磨加工し（CMP）、上部シールド層６と上部導通部６ａの上面とを面一に形成することを特徴とする。
【００３８】
図９（ａ）は、ワークの表面を絶縁層６２により被覆した状態である。図９（ｂ）は、ワークの表面を研磨加工し、上部シールド層６と上部導通部６ａの上面を面一にした状態である。図９（ｃ）は、上部シールド層６とライトヘッド２０の下部磁極１２とを絶縁する絶縁層６３を設け、絶縁層６３に上部導通部６ａの端面を露出する露出穴６３ａを設けた状態である。露出穴６３ａを形成する部位をレジストにより被覆して、アルミナ等の絶縁材をスパッタリングすることによって絶縁層６３を形成することができる。
【００３９】
図９（ｄ）は、ワークの表面に下部磁極１２のめっきシード層１２１を形成した状態を示す。めっきシード層１２１は、絶縁層６３の表面を被覆するとともに、上部導通部６ａの表面および露出穴６３ａの内側面に被着し、めっきシード層１２１と上部導通部６ａとが電気的に導通する。
めっきシード層１２１を形成した後、めっきシード層１２１をめっき給電層として下部磁極１２を形成し、次いで、めっきシード層１２１の不要部分を除去する。
図９（ｅ）は、上部磁極１４およびコイル１６を形成し、ライトヘッド２０を形成した状態を示す。こうして、図３に示す磁気ヘッドが得られる。
【００４０】
なお、上記製造方法においては、下部シールド層４、上部シールド層６および下部磁極１２をめっきによって製造する方法によるもので、電解めっきにおいて用いるめっきシード層４１、６１、１２１を利用して下部シールド層４、上部シールド層６および下部磁極１２を基板２に電気的に接続する構成としたものである。めっきシード層のかわりにめっきシード層と同様のパターンに導電層を形成し、これら下部シールド層４、上部シールド層６および下部磁極１２と基板２とを導電層を介して電気的に接続してもよい。
【００４１】
（下部磁極のシャント構造）
上述した各実施の形態において示したように、下部シールド層４、上部シールド層６および下部磁極１２を導電層を利用して基板２に電気的に接続する構造は、磁気ヘッドの静電気耐性を向上させる上で有効である。
【００４２】
図１０は、磁気ヘッドを平面方向から見た状態を示す。図は、磁気ヘッドを形成している工程途中の状態を示すもので、Ａ−Ａ線は、最終的に浮上面となる位置を示す。下部磁極１２は平面形状が長方形に形成され、下部磁極１２の下層に、下部磁極１２と同一の平面形状に形成された上部シールド層６と下部シールド層４が設けられている。
リードヘッド１０の下部シールド層４と上部シールド層６には引き出し線２２ａ、２２ｂが接続され、引き出し線２２ａ、２２ｂはリード用の端子２４ａ、２４ｂに接続される。なお、ライトヘッド２０のコイル１６にも引き出し線が接続され、これらの接続線がライト用の端子に接続される。図１０では、ライトヘッド２０の一方の引き出し線２６を示している。
これらのライトヘッド２０とリードヘッド１０に接続される引き出し線は、設計上、製品によって種々のパターンに形成される。
【００４３】
CPP型の磁気ヘッドについて、ライトヘッド２０のシャント構造として従来採用されている構造は、図１０に示すように、下部磁極１２の上面からシャント用の引き出し線３０を引き出し、引き出し線３０を基板２に電気的に接続する導通部３２に接続する方法である。具体的には、コイル１６をパターン形成する際に同時にシャント用の引き出し線３０をパターン形成し、このシャント用の引き出し線３０を導通部３２に接続する。
ところが、最近の磁気ヘッドでは、リード特性を安定させること、ヘッドスライダーを加工する際に素子が短絡することを防止すること、媒体と磁気ヘッドとの接触による損傷を低減させるため磁極の大きさを小さくするために、下部磁極１２や下部シールド層４、上部シールド層６の大きさを従来にくらべて縮小させる傾向にある。
【００４４】
図１１は、下部磁極１２および下部シールド層４、上部シールド層６を小さく設計した例を示す。このように下部磁極１２を小さく形成すると、シャント用の引き出し線３０と下部磁極１２との接続位置がライトヘッド２０のコア部に接近することになるから、ライトヘッド２０のコイル１６と接続位置が重複、干渉して引き出し線３０を形成することが困難になるという問題が生じる。
【００４５】
図１２は、本発明方法のシャント構造を示したもので、下部磁極１２に接続してその下層に、下部磁極１２よりも外側に張り出すように導電層５０を形成し、導電層５０にシャント用の引き出し線３０を接続する構成としたものである。導電層５０は下部磁極１２の外側域にまで延出して形成されるから、シャント用の引き出し線３０を接続する場合には、ライトヘッド２０と干渉することなくシャント用の引き出し線３０を形成することができる。
図１２では、平面形状が長方形に導電層５０を形成したが、導電層５０は任意の平面形状に形成することができる。
【００４６】
ライトヘッド２０の引き出し線２６とリードヘッドの引き出し線２２ａは、磁気ヘッドのコア部２０ａの近傍で交錯した配置になることが多いから、導電層５０を形成する際に、ライトヘッド２０とリードヘッドの引き出し線が重複する部位を遮蔽する配置および形状とすることにより、ライトヘッドとリードヘッドとの間の電気的な干渉を導電層５０によって遮蔽することができる。
【００４７】
図１３は、ライトヘッド２０の下部磁極１２に導電層５０を形成した状態を断面方向から見た状態を示す。導電層５０が下部磁極１２のハイト方向の端縁から高さ方向（図の右方向）に延出し、導電層５０にシャント用の引き出し線３０が接続され、引き出し線３０に導通部４ｃが接続する。導電層５０およびシャント用の引き出し線３０は数Ω程度の抵抗値を有する。下部磁極１２はとくに電極に接続されるものではないから、シャント抵抗を作り込むといった必要はない。いいかえれば、導電層５０および引き出し線３０そのものがシャント抵抗として機能する。なお、下部シールド層４と上部シールド層６は、シャント抵抗３ａ、３ｂを介して基板２に接続されている。
【００４８】
導電層５０を形成するには、上部シールド層６を形成した後、ワークの表面を絶縁材により被覆し、平坦化加工し、スパッタリングにより所定パターンに形成する。下部磁極１２を形成した後、ワークの表面を絶縁層により被覆し、平坦化処理後、コイル１６をパターン形成する際に、導電層５０に電気的に接続してシャント用の引き出し線３０を形成する。
【００４９】
図１３では、導電層５０のコア部側の端部をABS面（Ａ−Ａ線位置）からハイト方向に若干引き込んだ配置としているが、ABS面まで導電層５０を設けてもよい。導電層５０は適宜導体材によって形成できるが、耐腐蝕性にすぐれたTa、Ruなどが好適に使用できる。また、上記例では、コイル１６を形成する際に引き出し線３０を設けて導電層５０を介して下部磁極１２を基板２に接続する構成としたが、導電層５０を形成する際に、導電層５０と導通部３２とを接続する引き出し線部分を同時にパターン形成することも可能である。
【００５０】
（ヘッドスライダー）
上述したシャント構造を備えた磁気ヘッドは、ヘッドスライダーに作り込まれ、ウエハから個片に切断され、図１４に示すようなヘッドスライダー７０として提供される。
ヘッドスライダー７０の磁気ディスクに対向する面（浮上面）には、スライダー本体７１の側縁に沿ってヘッドスライダー７０を磁気ディスク面から浮上させるための浮上用レール７２ａ、７２ｂが設けられている。上述したリードヘッドおよびライトヘッドを備える磁気ヘッド８０は、ヘッドスライダー７０の前端側（気流が流出する側）に磁気ディスクに対向して配置される。磁気ヘッド８０は保護膜７４によって保護される。
【００５１】
図１５は、ヘッドスライダー７０を搭載した磁気ディスク装置の例を示す。磁気ディスク装置９０は、矩形の箱状に形成されたケーシング９１内に、スピンドルモータ９２によって回転駆動される複数の磁気記録ディスク９３を備える。磁気記録ディスク９３の側方には、ディスク面に平行に揺動可能に支持されたキャリッジアーム９４が配置されている。キャリッジアーム９４の先端には、ヘッドサスペンション９５が取り付けられ、ヘッドサスペンション９５の先端にヘッドスライダー７０が取り付けられる。ヘッドスライダー７０は、ヘッドサスペンション９５のディスク面に対向する面に取り付けられる。
【００５２】
ヘッドスライダー７０は、ヘッドサスペンション９５によりディスク面に弾性的に押圧され、磁気記録ディスク９３の回転が停止している際にはディスク面に接触している（コンタクトスタート）。スピンドルモータ９２により磁気記録ディスク９３が回転駆動されると、磁気記録ディスク９３の回転によって生じた気流によってヘッドスライダー７０がディスク面から浮上する。ヘッドスライダー７０に設けられた磁気ヘッド８０により磁気記録ディスク９３に情報を記録し情報を再生する処理は、制御部によって制御されるアクチュエータ９６により、キャリッジアーム９４を所定位置に揺動させる操作（シーク動作）とともになされる。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】磁気ヘッドの第１の実施の形態の構成を示す断面図である。
【図２】磁気ヘッドの第１の実施の形態の構成を示す平面図である。
【図３】磁気ヘッドの第２の実施の形態の構成を示す断面図である。
【図４】磁気ヘッドの第２の実施の形態の構成を示す平面図である。
【図５】本発明に係る磁気ヘッドの製造工程を示す説明図である。
【図６】磁気ヘッドの製造工程を示す説明図である。
【図７】磁気ヘッドの製造工程を示す説明図である。
【図８】磁気ヘッドの製造工程を示す説明図である。
【図９】磁気ヘッドの他の製造工程を示す説明図である。
【図１０】CPP型の磁気ヘッドの従来のシャント構造を示す平面図である。
【図１１】CPP型の磁気ヘッドの従来のシャント構造を示す平面図である。
【図１２】CPP型の磁気ヘッドの本発明でのシャント構造を示す平面図である。
【図１３】本発明の磁気ヘッドのシャント構造を示す断面図である。
【図１４】磁気ヘッドが搭載されたヘッドスライダーの斜視図である。
【図１５】磁気ディスク装置の平面図である。
【図１６】磁気ヘッドの従来の構成を示す断面図である。
【図１７】磁気ヘッドの従来の構成を示す平面図である。
【符号の説明】
【００５４】
２  基板
３  シャント抵抗
４  下部シールド層
４ａ  導通部
４ｂ  基板導通部
５  ＭＲ素子
６  上部シールド層
６ａ  上部導通部
１０  リードヘッド
１２  下部磁極
１２ａ  突起
１４  上部磁極
１６  コイル
１８  ライトギャップ
２０  ライトヘッド
２２ａ、２２ｂ、２６  引き出し線
２４ａ、２４ｂ  端子
３０  引き出し線
４１、６１、１２１  めっきシード層
４２、４３、４６、４７、４８、６４、６５、６６  レジスト
４４、４５、６２、６３  絶縁層
７０  ヘッドスライダー
８０  磁気ヘッド
９０  磁気ディスク装置
９３  磁気記録ディスク
【図１４】
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【図１５】
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【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１６】
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【図１７】
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