(57)【要約】【課題】ミストを含むガスをミスト除去フィルターの全面にわたって均一に通過させ、ミスト除去フィルターでの液滞留およびミスト再発生を防止する。【解決手段】本発明のミスト除去装置では、ガス導入口３ａは、容器本体１側面に形成されており、ガス導入口３ａよりも上側の容器本体１側面に、容器本体１の底部１ｃ側から見てミスト除去フィルター２の周縁を遮蔽する一方、ミスト除去フィルター２における中央部を露出する仕切り板５が設けられているので、ミスト含有ガスをミスト除去フィルター２全面にわたって均一に通過させることができる。【選択図】図１
2008246351.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
竪型円筒形状の円筒部を含む回転体形状であって、側面にガス導入口が形成された容器本体を備え、
上記容器本体に、ガス導入口から導入されたミスト含有ガスの上昇流を通過させ、ミスト含有ガスからミストを除去するミスト除去フィルターが設けられたミスト除去装置であって、
ガス導入口よりも上側の容器本体側面に、上記容器本体の底部側から見て上記ミスト除去フィルターの周縁を遮蔽する一方、上記ミスト除去フィルターにおける中央部を露出する遮蔽部材が設けられていることを特徴とするミスト除去装置。
【請求項２】
上記遮蔽部材は、容器本体の中心軸近傍で開口されたドーナツ形状の遮蔽板であることを特徴とする請求項１に記載のミスト除去装置。
【請求項３】
上記ガス導入口に接続したガス導入管を備え、
上記ガス導入管は、上記容器本体側面の接線方向に設けられていることを特徴とする請求項１または２に記載のミスト除去装置。
【請求項４】
上記遮蔽部材に、容器本体の中心軸方向に貫通する貫通孔が形成されていることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載のミスト除去装置。
【請求項５】
竪型円筒形状の円筒部を含む容器本体の側面側からミスト含有ガスを導入し、容器本体内に設けられたミスト除去フィルターにミスト含有ガスの上昇流を通過させて、ミスト含有ガスからミストを除去するミスト除去方法であって、
上記ミスト含有ガスの上昇流をミスト除去フィルターに通過させる前に、該ミスト含有ガスの上昇流を、上記容器本体の底部側から見て上記ミスト除去フィルターの周縁を遮蔽する一方、上記ミスト除去フィルターにおける中央部を露出する遮蔽部材に接触させることを特徴とするミスト除去方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ガス中に存在するミストを除去するミスト除去フィルターを備えたミスト除去装置、及びミスト除去方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、各種工業プロセスで発生するミストを除去するミスト除去装置として、図１６（ａ）〜図１６（ｃ）に示されたミスト除去装置が使われている。図１６（ａ）〜図１６（ｃ）に示された従来のミスト除去装置では、ミスト除去フィルターにてミスト（ガス中に浮遊しうる微細液滴，一般に３００μｍ以下の径）を捕集し、装置容器本体の底部に向かって流下させる構成になっている。
【０００３】
より具体的には、従来のミスト除去装置は、容器本体１、容器本体１内部に設けられたミスト除去フィルター２、ガス導入管３、及びガス導出管４を備えている。そして、ガス導入管３により搬送されたミスト含有ガスが、容器本体１に導入され、ミスト除去フィルター２を経て、ミスト除去ガスがガス導出管４により容器本体１外部へ導出されるようになっている。また、ガス導入管３は、容器本体１の側面に接続されており、容器本体１の中心軸に向けてミスト含有ガスを導入するようになっている。
【０００４】
図１６（ａ）〜図１６（ｃ）に示されたミスト除去装置の他に、従来のミスト除去装置として、遠心力を利用したサイクロン式ミスト除去装置が提案されている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記従来のミスト除去装置では、以下の問題を生じる。
【０００６】
すなわち、従来のミスト除去装置では、ミストを含むガスは、ミスト除去フィルターを通過するとき、ミスト除去フィルターの一部に集中して通過することになる。ミストを含むガスがミスト除去フィルターの一部に集中すると、この集中した部分にミストが凝集して発生する液膜がスムーズに落下せず、ガス流れによりミストが再発生する場合があるため、ミスト捕集効率が必ずしも良くないという問題があった。
【０００７】
本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、ミストを含むガスをミスト除去フィルターの全面にわたって均一に通過させ、ミスト除去フィルターでの液滞留およびミスト再発生を防止することが可能なミスト除去装置、及びミスト除去方法を実現することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明のミスト除去装置は、上記課題を解決するために、竪型円筒形状の円筒部を含む回転体形状であって、側面にガス導入口が形成された容器本体を備え、上記容器本体に、ガス導入口から導入されたミスト含有ガスの上昇流を通過させ、ミスト含有ガスからミストを除去するミスト除去フィルターが設けられたミスト除去装置であって、ガス導入口よりも上側の容器本体側面に、上記容器本体の底部側から見て上記ミスト除去フィルターの周縁を遮蔽する一方、上記ミスト除去フィルターにおける中央部を露出する遮蔽部材が設けられていることを特徴としている。
【０００９】
本発明のミスト除去装置では、ミスト含有ガスが、ガス導入口から容器本体に導入されるようになっている。そして、ガス導入口から導入されたミスト含有ガスの上昇流がミスト除去フィルターを通過することで、ミストが除去される。そして、ミストが除去されたガスが容器本体外部へ導出されるようになっている。
【００１０】
また、ガス導入口が容器本体側面に形成されているので、ガス導入口から導入されたミスト含有ガスが容器本体側面に接触することになる。そして、この接触により、ミストが容器本体側面に付着し、容器本体側面にてミストを捕集することが可能になる。
【００１１】
上記の構成によれば、ガス導入口よりも上側の容器本体側面に、上記容器本体の底部側から見て上記ミスト除去フィルターの周縁を遮蔽する一方、上記ミスト除去フィルターにおける中央部を露出する遮蔽部材が設けられているので、ガス導入口から導入されたミスト含有ガスの上昇流は、容器本体側面近傍で、遮蔽部材により、その進行が乱されることになる。その結果、ミスト除去フィルター下面において、容器本体側面近傍に集中するミスト含有ガスの上昇流が緩和される。それゆえ、ミスト除去フィルター下面において、ミスト含有ガスの上昇流の速度分布を均一にすることができる。
【００１２】
従って、上記の構成によれば、ミストを含むガスをミスト除去フィルターの全面にわたって均一に通過させ、ミスト除去フィルターでの液滞留およびミスト再発生を防止することが可能なミスト除去装置を実現することができる。
【００１３】
本発明のミスト除去装置では、上記遮蔽部材は、円筒部の中心軸近傍で開口されたドーナツ形状の遮蔽板であってもよい。
【００１４】
上記の構成によれば、遮蔽板１枚のみで、上容器本体の底部側から見てミスト除去フィルターの周縁を遮蔽する一方、ミスト除去フィルターにおける中央部を露出することが可能になるので、装置を簡略化することができる。
【００１５】
本発明のミスト除去装置では、上記ガス導入口に接続したガス導入管を備え、上記ガス導入管は、上記容器本体側面の接線方向に設けられていることが好ましい。
【００１６】
上記の構成によれば、ガス導入管は、上記容器本体側面の接線方向に設けられているので、容器本体に導入されるミスト含有ガスは、容器本体側面に沿って旋回しながら上昇する旋回上昇流になる。それゆえ、上記の構成によれば、ミスト含有ガスが容器本体側面に接触する頻度を大きくすることができ、より効率的なミスト除去を実現することが可能になる。
【００１７】
さらに、ミスト含有ガスが容器本体側面に沿って旋回しながら上昇する旋回上昇流になっている場合、ミスト含有ガスの上昇流の速度分布は、ミスト除去フィルターの周縁に偏る分布になる。上記の構成によれば、ガス導入口よりも上側の容器本体側面に、上記容器本体の底部側から見て上記ミスト除去フィルターの周縁を遮蔽する一方、上記ミスト除去フィルターにおける中央部を露出する遮蔽部材が設けられているので、上記ミスト除去フィルターの周縁に偏った速度分布を内側にシフトするとともに、ミスト除去フィルター下面においてミスト含有ガスの上昇流の速度ベクトルを均一にすることできる。
【００１８】
本発明のミスト除去装置では、上記遮蔽部材に、容器本体の中心軸方向に貫通する貫通孔が形成されていることが好ましい。
【００１９】
これにより、ミスト除去フィルターにて捕集された流下する液は、遮蔽部材上面に留まることがなく、貫通孔を通過して、本体本体側面を伝って落下することになる。それゆえ、上記の構成によれば、遮蔽部材上面に留まる液からミストが再発生することを防止することができる。
【００２０】
本発明のミスト除去方法は、上記の課題を解決するため、竪型円筒形状の円筒部を含む容器本体の側面側からミスト含有ガスを導入し、容器本体内に設けられたミスト除去フィルターにミスト含有ガスの上昇流を通過させて、ミスト含有ガスからミストを除去するミスト除去方法であって、上記ミスト含有ガスの上昇流をミスト除去フィルターに通過させる前に、該ミスト含有ガスの上昇流を、上記容器本体の底部側から見て上記ミスト除去フィルターの周縁を遮蔽する一方、上記ミスト除去フィルターにおける中央部を露出する遮蔽部材に接触させることを特徴としている。
【００２１】
上記の構成によれば、上記ミスト含有ガスの上昇流をミスト除去フィルターに通過させる前に、該ミスト含有ガスの上昇流を、上記容器本体の底部側から見て上記ミスト除去フィルターの周縁を遮蔽する一方、上記ミスト除去フィルターにおける中央部を露出する遮蔽部材に接触させるので、該遮蔽部材により、ミスト含有ガスの上昇流の進行が、容器本体側面近傍で乱される。そして、ミスト除去フィルター下面において、容器本体側面近傍に集中するミスト含有ガスの上昇流を緩和することができる。それゆえ、上記の構成によれば、ミスト除去フィルター下面において、ミスト含有ガスの上昇流の速度分布を均一にすることができる。
【００２２】
従って、上記の構成によれば、ミストを含むガスをミスト除去フィルターの全面にわたって均一に通過させ、ミスト除去フィルターでの液滞留およびミスト再発生を防止することが可能なミスト除去方法を実現することができる。
【発明の効果】
【００２３】
本発明のミスト除去装置は、以上のように、ガス導入口よりも上側の容器本体側面に、上記容器本体の底部側から見て上記ミスト除去フィルターの周縁を遮蔽する一方、上記ミスト除去フィルターにおける中央部を露出する遮蔽部材が設けられている構成である。
【００２４】
また、本発明のミスト除去方法は、以上のように、上記ミスト含有ガスの上昇流をミスト除去フィルターに通過させる前に、該ミスト含有ガスの上昇流を、上記容器本体の底部側から見て上記ミスト除去フィルターの周縁を遮蔽する一方、上記ミスト除去フィルターにおける中央部を露出する遮蔽部材に接触させる構成である。
【００２５】
それゆえ、ミストを含むガスをミスト除去フィルターの全面にわたって均一に通過させ、ミスト除去フィルターでの液滞留およびミスト再発生を防止するという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
本発明の一実施形態について図１ないし図５に基づいて説明すると以下の通りである。
【００２７】
図１は、本実施形態のミスト除去装置（以下、本ミスト除去装置と記す）の概略構成を示し、図１（ａ）は斜視図であり、図１（ｂ）は側面図であり、図１（ｃ）は上面図である。
【００２８】
図１に示されるように、本ミスト除去装置は、容器本体１、容器本体１内部に設けられたミスト除去フィルター２、ガス導入管３、及びガス導出管４を備えている。ガス導入管３は、容器本体１へミストを含むガス（以下、ミスト含有ガスと記す）を導入するためのパイプであり、容器本体１のガス導入口３ａに接続されている。また、ガス導出管４は、容器本体１外部へミストが除去されたガス（以下、ミスト除去ガスと記す）を導出するためのパイプであり、容器本体１のガス導出口４ａに接続されている。本ミスト除去装置では、ガス導入管３により搬送されたミスト含有ガスが、ガス導入口３ａから容器本体１に導入されるようになっている。そして、ミスト除去フィルター２を経て、ミスト除去ガスがガス導出口４ａを通過し、ガス導出管４により容器本体１外部へ導出されるようになっている。
【００２９】
容器本体１は、縦型円筒形状をなす円筒部１ａと、円筒部１ａの軸方向における両端に連結された上部１ｂ・底部１ｃとから構成されている。ガス導入管３は円筒部１ａの下部側面に接続されている一方、ガス導出管４は容器本体１の上部１ｂに接続されている。それゆえ、ミスト含有ガスのガス流は、円筒部１ａ下部から上部１ｂへ向かって上昇する上昇流となる。なお、ここでは、容器本体１において、ガス導出管４と接続している側を上側とし、ガス導出管４と接続している側と反対側を下側としている。
【００３０】
また、図１（ａ）では、このミスト含有ガスの上昇流の方向を、ガス搬送方向Ａとして示している。また、図１（ａ）〜図１（ｃ）においては、円筒部１ａの軸方向をＺ方向として、該Ｚ軸に垂直な方向をＸ・Ｙ方向としている。Ｘ方向、及びＹ方向は互いに垂直になっている。図１（ａ）に示されるように、Ｚ方向とガス搬送方向Ａとは一致している。
【００３１】
ガス導入管３は、図１（ｃ）に示されるように、円筒部１ａにおける側壁が形成する円の接線の方向に接続している。言い換えると、円筒部１ａにおける側壁が形成する円の接線と、ガス導入管３の側壁とが一致するようになっている。さらに換言すると、ガス導入管３は、円筒部１ａにおける側壁が形成する円の半径方向に対し垂直な方向から、円筒部１ａに接続している。ミスト含有ガスのガス流Ｂは、円筒部１ａの側面に沿った旋回したガス流になる。それゆえ、本ミスト除去装置では、ガス導入管３により容器本体１に導入されたミスト含有ガスは、円筒部１ａの側面に沿って旋回しながら上昇する旋回上昇流になる。このようにミスト含有ガスが円筒部１ａの側面に沿って旋回するので、ミスト含有ガスに含まれる比較的粒径が大きい（例えば粒径１０μｍ以上）ミストは、円筒部１ａの側面に付着する。これにより、ミストが円筒部１ａの側面にて捕集される。円筒部１ａの側面にて捕集された比較的粒径が大きいミストは、互いに凝集し液膜となって円筒部１ａ側面を伝って流下する。
【００３２】
なお、円筒部１ａとガス導入管３との接続構成は、図１（ｃ）に示された接続構成に限定されず、ガス導入管３が円筒部１ａの側面に接続された構成であればよい。ガス導入管３が円筒部１ａの側面に接続された構成であれば、ガス導入管３から導入されたミスト含有ガスが円筒部１ａの側面に接触することになる。そして、この接触により、ミストが円筒部１ａ側面に付着し、円筒部１ａの側面にてミストを捕集することが可能になる。
【００３３】
好ましくは、図１（ｃ）に示されるようなガス導入管３と円筒部１ａとの接続構成である。図１（ｃ）に示されるように、ミスト含有ガスのガス流を円筒部１ａの側面に沿って旋回させることで、ミスト含有ガスと円筒部１ａ側面との接触頻度が大きくなり、ミストの捕集効率が向上するという効果を奏する。
【００３４】
ガス導入管３から導入されたミスト含有ガスは、円筒部１ａの側面に沿って旋回しながら、ミスト除去フィルター２を通過する。本ミスト除去装置においては、ガス導入管３から導入されたミスト含有ガスは、ミスト除去フィルター２を通過するまで、側面に沿って旋回したガス流Ｂになっている。そこで、以下、ミスト除去フィルター２と円筒部１ａ側面と底部１ｃとにより形成される空間をガス導入室（一般にはサイクロン）１ｄと称する。一般的に、「サイクロン」の形状は、内径が底部へ向かうに従い小さくなった逆円錐形状となっている。本ミスト除去装置におけるガス導入室１ｄを形成する側壁は、円筒部１ａの側壁に限定されず、上記逆円錐形状になった側壁であってもよい。
【００３５】
すなわち、本ミスト除去装置における容器本体１は、竪型円筒形状の円筒部を含む回転体の形状であればよく、ミスト除去フィルター２よりも上側の側壁が竪型円筒形状になっている一方、ミスト除去フィルター２よりも下側の側壁（ガス導入室１ｄを形成する側壁）が上記逆円錐形状になっているものでもよい。
【００３６】
ミスト除去フィルター２は、ワイヤメッシュや金網から構成されており、いわゆる「デミスタ」といわれるものである。このミスト除去フィルター２は、ガス導入室１ｄにて捕集できない、粒径が比較的小さい（例えば粒径１０μｍ未満）ミストを捕集する。ミスト除去フィルター２を構成するワイヤメッシュや金網により、粒径が小さいミストが捕集される。そして、ミスト除去フィルター２を通過するミスト含有ガスの量が多くなるに従い、捕集されたミストは、凝集し液膜となって、円筒部１ａの側面を伝って流下する。
【００３７】
このように、本ミスト除去装置においては、ミスト含有ガスが、ガス導入室１ｄ及びミスト除去フィルター２を通過することで、ミストが除去されてミスト除去ガスとなって、ガス導出管４から外部に導出される。
【００３８】
なお、円筒部１ａの下側には、底部１ｃが連結されている。底部１ｃは回転楕円形状に形成されている。ガス導入室１ｄ及びミスト除去フィルター２にて捕集されたミスト由来の液膜は、円筒部１ａ側面を伝って流下し、最終的に底部１ｃにて溜められる、もしくは底部１ｃに設けられた排出口から排出される。
【００３９】
本ミスト除去装置の特徴は、図１（ａ）〜図１（ｃ）に示されるように、ガス導入室１ｄに仕切り板（遮蔽部材）５が設けられている点である。この仕切り板５は、ガス導入室１ｄにおける円筒部１ａの内周に渡って設けられており、円筒部１ａの中心軸近傍で開口されたドーナツ形状になっている。つまり、仕切り板５は、容器本体１の底部１ｃ側から見てミスト除去フィルター２の周縁を遮蔽する一方、ミスト除去フィルター２における中央部を露出するように設けられている。つまり、仕切り板５は、容器本体１の底部１ｃ側から見てミスト除去フィルター２の中央部を避けるように形成されている。
【００４０】
これにより、ミスト除去フィルター２下面におけるミスト含有ガスのガス上昇流の速度の分布を均一にすることが可能になる。そして、ミスト含有ガスをミスト除去フィルター２の全面に渡って均一に通過させ、ミスト除去フィルターでの液滞留およびミスト再発生を防止することが可能になる。
【００４１】
以下、本ミスト除去装置のミスト除去フィルター２下面におけるガス上昇流の速度の分布について、図２（ａ）〜図２（ｃ）、及び図３（ａ）〜図３（ｃ）に基づいて説明する。図２（ａ）〜図２（ｃ）は、従来のミスト除去装置、サイクロン式ミスト除去装置、及び本ミスト除去装置それぞれのミスト除去フィルター下面におけるガス上昇流の速度分布を模式的に示した模式図である。図２（ａ）〜図２（ｃ）に示された斜線部は、ガス上昇流の速度が相対的に大きくなった領域（ガス上昇流が集中する領域）を示している。
【００４２】
まず、図２（ａ）に示されるように、従来のミスト除去装置では、ガス上昇流の速度分布は、不均一になっており、ミスト除去フィルター２の周縁近傍の特定領域に偏った分布になっている。つまり、従来のミスト除去装置では、ミスト含有ガスの上昇流は、ミスト除去フィルター２下面の特定の領域に集中する。その結果、ミスト除去フィルター２での液滞留およびミスト再発生が起きる。
【００４３】
また、図２（ｂ）に示されるように、サイクロン式ミスト除去装置では、ガス上昇流の速度分布は、従来のミスト除去装置と比較して、不均一性が抑制されている。しかしながら、ガス上昇流の速度分布は、ミスト除去フィルター２の周縁全周に偏った分布になっている。つまり、ミスト除去フィルター２の中心から周縁へ向かうに従い、ガス上昇流の速度が高くなり、周縁におけるガス上昇流の速度が最も高くなっている。
【００４４】
これに対し、仕切り板５が設けられた本ミスト除去装置においては、図２（ｂ）に見られたミスト除去フィルター２周縁全周に偏ったガス上昇流が内側にシフトした速度分布になっている（図２（ｃ）参照）。
【００４５】
図３（ａ）〜図３（ｃ）は、従来のミスト除去装置、サイクロン式ミスト除去装置、及び本ミスト除去装置それぞれのミスト除去フィルター下面におけるガス上昇流の速度ベクトルの分布を模式的に示した模式図である。図３（ａ）〜図３（ｃ）では、ミスト除去フィルター２下面におけるガス上昇流の速度ベクトルのうち、相対的に線速度が大きい速度ベクトルのみを矢印で示している。
【００４６】
図３（ａ）に示されるように、従来のミスト除去装置では、速度ベクトルがミスト除去フィルター２の周縁近傍の特定領域に集中しており、速度ベクトルは、ミスト除去フィルター２下面に対し比較的大きな角度で上昇している。
【００４７】
また、図３（ｂ）に示されるように、サイクロン式ミスト除去装置では、速度ベクトルは、ミスト除去フィルター２の周縁に沿った方向に旋回しながら上昇している。そして、ミスト除去フィルター２下面に対し比較的大きな角度で上昇している。
【００４８】
本ミスト除去装置では、ガス導入室１ｄにて旋回上昇しているミスト含有ガスの進行が、仕切り板５により邪魔されることになる。その結果、図３（ｃ）に示されるように、ミスト除去フィルター２周縁に沿った線速度が大きい速度ベクトルが緩和されている。これにより、本ミスト除去装置では、図３（ｂ）におけるサイクロン式ミスト除去装置と比較して、ミスト含有ガスが、ミスト除去フィルター２下面で広がって旋回している。それゆえ、本ミスト除去装置では、ミスト除去フィルター２下面において、ミスト含有ガスの速度ベクトルのＺ軸成分（すなわち、上昇流）を小さくすることが可能になる。
【００４９】
以下、図１（ｂ）及び図１（ｃ）に基づいて、本ミスト除去装置に好適な寸法について、説明する。図１（ｂ）に示されたｈ１〜ｈ３はそれぞれ、ｚ軸方向における寸法である。ｈ１は、ガス導入管３の中心軸と仕切り板５下面との間の距離である。ｈ２は、仕切り板５上面とミスト除去フィルター２下面との間の距離である。ｈ３は、ミスト除去フィルター２における下面と上面との間の距離、すなわちミスト除去フィルター２のＺ軸方向における幅である。また、Ｄは、円筒部１ａの内径である。さらに、図１（ｃ）に示されたｂは、仕切り板５における開口を形成する縁部と円筒部１ａ側壁との間の距離である。
【００５０】
まず、円筒部１ａの内径Ｄは、０．２ｍ〜５ｍの範囲内であり、望ましくは、０．７ｍ〜３ｍである。
【００５１】
また、ｂと内径Ｄとの比率であるｂ／Ｄは、０．０２５〜０．３の範囲内であり、望ましくは、０．０５〜０．１５である。ｂ／Ｄが０．０５よりも小さい場合、ミスト含有ガスの上昇流をミスト除去フィルターの全面にわたって均一に通過させる効果が非常に小さくなる。また、ｂ／Ｄが０．１５よりも大きい場合、ミスト含有ガスがミスト除去フィルター中心で偏流してしまい、ミスト除去フィルター２の全面に渡って均一に通過させることができなくなる。
【００５２】
また、ｈ１と内径Ｄとの比率であるｈ１／Ｄは、０．２５〜１．０の範囲内であり、望ましくは、０．４〜０．７である。ｈ１／Ｄが０．４よりも小さい場合、ガス導入口から導入されたミスト含有ガスの一部が旋回前に仕切り板５の上側に到達してしまうという懸念がある。また、ｈ１／Ｄが０．７よりも大きく、容器本体１の軸方向の長さが長くなってしまうと、一般的にガス上昇流の旋回に伴う不均一性が緩和されるので、仕切り板５を設けた意味が薄れる。
【００５３】
また、ｈ２と内径Ｄとの比率であるｈ２／Ｄは、０．０５〜１．０の範囲内であり、望ましくは、０．１〜０．２である。ｈ２／Ｄが０．１よりも小さい場合、ガス導入口から導入されたミスト含有ガスの旋回上昇流がミスト除去フィルター２の周縁部に到達しにくくなり、ミスト含有ガスの上昇流をミスト除去フィルターの全面にわたって均一に通過させる効果がなくなる。また、ｈ２／Ｄが０．２よりも大きく、容器本体１の軸方向の長さが長くなってしまうと、一般的にガス上昇流の旋回に伴う不均一性が緩和されるので、仕切り板５を設けた意味が薄れる。
【００５４】
また、ｈ３と内径Ｄとの比率であるｈ３／Ｄは、０．１〜１．０の範囲内であり、望ましくは、０．２５〜０．６である。ｈ３／Ｄが０．２５よりも小さい場合、ミスト除去フィルター内でのミスト含有ガスの不均一性が強まる。それゆえ、仮に、ミスト除去フィルター下面にてミスト含有ガスの上昇流が均一流になったとしても、ミスト除去効果が低くなると考えられる。また、ｈ３／Ｄが０．６よりも大きくなることは、一般にミスト除去フィルターの品質過剰を意味する。また、ミスト除去フィルター内の圧力損失が大きくなり、仕切り板５を設けていなくてもミスト含有ガスの上昇流が均一化する。それゆえ、仕切り板５を設けた意味が薄れる。
【００５５】
また、ミスト除去フィルター２内での圧力損失ΔＰは、汎用流体解析ソフトであるFLUENTのPorous Media Modelを適用すれば、下記式（１）のように表現することができる。
ΔＰ／Ｌ＝（μ／α）・Ｕ＋Ｃ２・０．５ρＵ２                              （１）
ただし、μ：ガス粘度、Ｕ：ガス速度、ρ：ガス密度
本ミスト除去装置においては、ガス導入管３から容器本体１へ導入されるミスト含有ガスは、強い乱流流れになっているため、１／αをゼロとすることができる。圧力抵抗係数Ｃ２を適宜設定することで、ミスト除去フィルター２内での圧力損失ΔＰを設定することができる。本ミスト除去装置においては、圧力抵抗係数Ｃ２は、２０〜１００［１／ｍ］の範囲である。
【００５６】
また、図１（ｂ）及び図１（ｃ）には示されていないが、仕切り板５のＺ軸方向における厚さは、大きければ大きい程、ミスト含有ガスをミスト除去フィルター２全面にわたって均一に通過させることができる。しかしながら、ミスト除去装置の設計・規模を考慮すると、仕切り板５の厚さは、０．００２ｍ〜０．０１ｍの範囲であることが好ましい。
【００５７】
以下、本ミスト除去装置における遮蔽部材の変形例について、説明する。図１（ａ）〜図１（ｃ）に示されたミスト除去装置では、遮蔽部材は、円筒部１ａの中心軸近傍で開口されたドーナツ形状の仕切り板５であった。しかしながら、本ミスト除去装置における遮蔽部材は、容器本体１の底部１ｃ側から見てミスト除去フィルター２の周縁を遮蔽する一方、ミスト除去フィルター２における中央部を露出する構成であれば、特に限定されない。仕切り板５が複数設けられた構成であってもよい。
【００５８】
図４（ａ）及び図４（ｂ）は、本ミスト除去装置における遮蔽部材の一変形例を示し、図４（ａ）は容器本体１の底部１ｃから見た下面図であり、図４（ｂ）はＺ軸方向における断面図である。
【００５９】
図４（ａ）に示されるように、遮蔽部材は、複数の仕切り板５ａ・５ｂにより構成されていてもよい。仕切り板５ａ・５ｂはそれぞれ、Ｕ字形状になっている。そして、図４（ｂ）に示されるように、仕切り板５ａ・５ｂは、Ｚ軸方向において互い違いになるように配されている。遮蔽部材としての仕切り板５ａ・５ｂは、底部１ｃ側から見てミスト除去フィルター２の周縁を遮蔽する一方、ミスト除去フィルター２の中央部を露出する構成になっている。
【００６０】
また、本ミスト除去装置においては、遮蔽部材に、容器本体１の中心軸方向（Ｚ軸方向）に貫通する貫通孔が形成されていてもよい。
【００６１】
例えば、図５（ａ）及び図５（ｂ）に示されるように、仕切り板５における容器本体１側壁近傍に、Ｚ軸方向に貫通する貫通孔６が形成されている。これにより、ミスト除去フィルター２にて捕集されたミストの液滴は、仕切り板５上面に留まることがなく、貫通孔６を通過して、本体本体１側面を伝って落下することになる。それゆえ、仕切り板５に貫通孔６が形成されていることにより、仕切り板５上面に留まるミスト由来の液が再飛散することを防止することができる。
【００６２】
なお、仕切り板５における貫通孔６の形成位置は、特に限定されないが、容器本体１の側壁近傍の位置に形成されていることが好ましい。これにより、容器本体１側面を伝って落下するミストの液滴をスムーズに貫通孔６に通過させることができる。
【００６３】
以下、実施例を示し、本発明の実施の形態についてさらに詳しく説明する。もちろん、本発明は以下の実施例に限定されるものではなく、細部については様々な態様が可能であることはいうまでもない。さらに、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、それぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。
【実施例】
【００６４】
〔実施例１〕
図１（ａ）〜図１（ｃ）に示された本ミスト除去装置について、シュミレーション解析を行った。
【００６５】
なお、このシミュレーションにおける計算条件は、以下の通りである。
FLUENT Ver.6.1.26、乱流：Reynolds Stress Model（旋廻流に適したモデル）
ガス密度：０．４２７ｋｇ／ｍ３，ガス粘度：０．００６ｃＰ（６×１０−６Ｐａｓ）
ミスト密度：７１３ｋｇ／ｍ３
重力加速度：９．８ｍ／ｓ２
ガス流量（溶媒蒸発量）：２４．５ｔ／Ｈｒ
ガス入口線速度：４１．５ｍ／ｓ（ガス導入口の内径は０．７ｍφ）
また、ミスト除去フィルター部内における圧力損失については、下記式（１）に基づいて、シミュレーションを行った。
【００６６】
すなわち、FLUENTのPorous Media Modelを適用すれば、ミスト除去フィルター部内での圧力損失ΔＰは、以下の式（１）で表現される。
ΔＰ／Ｌ＝（μ／α）・Ｕ＋Ｃ２・０．５ρＵ２                              （１）
ただし、μ：ガス粘度、Ｕ：ガス速度、ρ：ガス密度
上記式（１）において、１／αをゼロ、Ｃ２(Inertial Resistance)を４０［１／ｍ］として、この条件でのミスト除去フィルター部内の圧力損失ΔＰを約０．２ｋＰａにした。
【００６７】
また、シミュレーションに用いたミスト除去装置の寸法は以下の通りである。
内径Ｄ＝１．７ｍ，
ｂ＝０．２ｍ（ｂ／Ｄ＝０．１２），
ｈ１＝０．７６ｍ（ｈ１／Ｄ＝０．４５），
ｈ２＝０．２４ｍ（ｈ２／Ｄ＝０．１４），
ｈ３＝０．８４ｍ（ｈ３／Ｄ＝０．５）
上記の条件下で、ミスト除去装置におけるミスト分離性能、ミスト含有ガスの流れの軌跡、ミスト除去フィルター通過前のガス上昇速度の分布、速度ベクトル、及び圧力損失の状況のシミュレーションを行った。
【００６８】
〔比較例１〕
比較例として、図１６（ａ）〜図１６（ｃ）に示された従来のミスト除去装置について、シュミレーション解析を行った。なお、シミュレーションにおける計算条件、及びミスト除去フィルター部内における圧力損失の設定は、上記実施例１と同様である。
【００６９】
シミュレーションに用いたミスト除去装置の寸法は以下の通りである。なお、下記の寸法（内径Ｄ、ｈ１’、及びｈ３）は、図１６（ｂ）にて規定した寸法である。
内径Ｄ＝１．７ｍ，
ｈ１’＝１．１ｍ，
ｈ３＝０．８４ｍ
上記の条件下で、ミスト除去装置におけるミスト分離性能、ミスト含有ガスの流れの軌跡、ミスト除去フィルター通過前のガス上昇速度の分布、速度ベクトル、及び圧力損失の状況のシミュレーションを行った。
【００７０】
〔比較例２〕
さらに他の比較例として、サイクロン式ミスト除去装置について、シュミレーション解析を行った。シミュレーションにおける計算条件、及びミスト除去フィルター部内における圧力損失の設定は、上記実施例１と同様である。
【００７１】
比較例２にて適用したサイクロン式ミスト除去装置の構成は、仕切り板５が設けられていないこと以外、図１（ａ）〜図１（ｃ）に示された本ミスト除去装置と同様の構成である。シミュレーションに用いたミスト除去装置の寸法は以下の通りである。
ｈ１＋ｈ２＝１．１ｍ，
ｈ３＝０．８４ｍ
上記の条件下で、ミスト除去装置におけるミスト分離性能、ミスト含有ガスの流れの軌跡、ミスト除去フィルター通過前のガス上昇速度の分布、速度ベクトル、及び圧力損失の状況のシミュレーションを行った。
【００７２】
以下に、実施例１、比較例２、及び比較例３の比較結果を説明する。
【００７３】
（ｉ）ミスト分離性能の比較
実施例１、比較例２、及び比較例３のミスト除去装置について、ミスト（ミスト含有ガス）がどのような分布、量で発生・飛来するかを調べた。具体的には、実施例１、比較例２、及び比較例３の各ミスト除去装置について、通常考えられるミスト径１〜１００μｍφのミストをガス導入口３ａに配置し、容器本体１内でのミストの軌跡のシミュレーションを行った。そして、仕切り板５の配置位置（すなわち、ガス導入管３の中心軸からＺ軸方向に０．７６ｍの位置）よりも下側の容器本体１壁面でのミストの捕集（トラップ）率を算出した。なお、ミストの捕集率は、ミストが容器本体１壁面に衝突すれば、捕集（トラップ）されたとみなし、捕集率を算出した。すなわち、容器本体１に導入されたミストに対する、容器本体１壁面に衝突したミストの割合を捕集率とした。図６は、実施例１、比較例２、及び比較例３のミスト除去装置における、ミストの粒径と捕集（トラップ）率との関係を示すグラフである。
【００７４】
また、図７は、実施例１、比較例２、及び比較例３のミスト除去装置について、容器本体１内でのミスト（ミスト粒子径２０μｍ）の軌跡のシミュレーションを行った結果を示す図である。なお、図７では、黒色（ミスト速度０ｍ／ｓ）から灰色（ミスト速度３０ｍ／ｓ以上）へのグレースケールの変化により、ミスト速度の軌跡を示している。
【００７５】
図６に示されるように、比較例２のミスト除去装置は、粒子径７μｍ〜１２μｍのミストの捕集率が、比較例１のミスト除去装置よりも高くなっていることがわかる。これは、ミスト除去装置をサイクロン式とすることにより、ミストの捕集率が増加したことを示す。
【００７６】
実施例１のミスト除去装置では、粒子径７μｍ〜１２μｍのミストの捕集率が、比較例２のミスト除去装置よりもさらに高くなっていることがわかる。このことから、仕切り板５を設けることにより、ミスト除去フィルター２下面における速度分布を均一にするのに加え、ガス導入室１ｄにおけるミストの捕集率が増加するという効果を奏することがわかる。
【００７７】
（ｉｉ）ミスト除去フィルター２下面におけるミスト含有ガスの上昇流の速度分布の比較
実施例１、比較例２、及び比較例３のミスト除去装置について、ミスト除去フィルター２下面におけるミスト含有ガスの上昇流の不均一性を評価した。具体的には、ミスト除去フィルター２下面におけるミスト含有ガスの上昇流のＺ軸成分の速度分布を調べた。図８は、実施例１、比較例２、及び比較例３の各ミスト除去装置の、ミスト除去フィルター２下面におけるミスト含有ガスの上昇流のＺ軸成分の速度分布を示した図である。なお、図８では、黒色（Ｚ軸成分速度０ｍ／ｓ）から灰色（Ｚ軸成分速度速度２０ｍ／ｓ）へのグレースケールの変化により、Ｚ軸成分の速度分布を示している。図８における白色（空白）部分は、Ｚ軸成分速度が０ｍ／ｓ〜２０ｍ／ｓの範囲から外れる部分である。図８においては、Ｚ軸成分の平均上昇速度は７．０ｍ／ｓである。
【００７８】
図８に示されるように、ガス流量（溶媒蒸発量）が２４．５ｔ／Ｈｒである場合、比較例１のミスト除去装置では、ミスト除去フィルター２の周縁の特定の領域にＺ軸成分の速度の偏流が見られた。そして、比較例２のミスト除去装置では、比較例１のミスト除去装置に見られたＺ軸成分の速度の偏流が均一化していた。これは、ミスト除去装置をサイクロン式とすることにより、ガス上昇流（Ｚ軸成分）の速度分布は、従来のミスト除去装置と比較して、不均一性が抑制されたことを示す。しかしながら、比較例２のミスト除去装置では、ガス上昇流（Ｚ軸成分）の速度分布は、ミスト除去フィルター２の周縁全周に偏った分布になっている。
【００７９】
これに対し、実施例１のミスト除去装置では、比較例２のミスト除去装置で見られたミスト除去フィルター２周縁全周に偏ったガス上昇流（Ｚ軸成分）が内側にシフトした速度分布になっている。このことから、仕切り板５を設けることにより、ミスト除去フィルター２下面におけるミスト含有ガスの上昇流を均一化することができることがわかる。
【００８０】
（ｉｉｉ）速度ベクトルの比較
実施例１、比較例２、及び比較例３のミスト除去装置について、ガス導入口３ａ、ミスト除去フィルター２下面、及びミスト除去フィルター２上面におけるミスト含有ガスの上昇流の速度ベクトルの分布を比較した。図９に、その比較結果を示す。なお、図９では、黒色（速度ベクトルの線速度０ｍ／ｓ）から灰色（速度ベクトルの線速度３０ｍ／ｓ）へのグレースケールの変化により、速度ベクトルの線速度の分布を示している。
【００８１】
図９に示されるように、比較例２のミスト除去装置では、サイクロン化により、容器本体１内側面に沿った旋回上昇流が発生することがわかる。そして、ミスト除去フィルター２下面における速度ベクトルの線速度は、比較例１のミスト除去装置よりも大きくなっていた。
【００８２】
実施例１のミスト除去装置では、仕切り板５を設けることにより、ミスト除去フィルター２下面における速度ベクトルの線速度の上昇が抑制されていた。
【００８３】
（ｉｖ）圧力損失（静圧）の比較
実施例１、比較例２、及び比較例３のミスト除去装置について、圧力損失の状況を比較した。ここでは、ガス導出口４ａにおける平均圧力をゼロとして、容器本体１内における圧力分布を表示した。表１は、実施例１、比較例２、及び比較例３の各ミスト除去装置の、ガス導入口３ａ、ミスト除去フィルター２下面、ミスト除去フィルター２上面、ミスト除去フィルター２内での圧力損失を算出した結果を示す表である。図１０は、実施例１、比較例２、及び比較例３のミスト各除去装置における、容器本体１内の圧力分布を示した図である。なお、図１０では、黒色（圧力０ｋＰａ）から灰色（圧力１．３ｋＰａ）へのグレースケールの変化により、圧力の分布を示している。
【００８４】
【表１】
2008246351.tif 000003
【００８５】
実施例１、比較例２、及び比較例３のミスト除去装置について、圧力損失の状況を比較した結果を以下に説明する。
【００８６】
比較例２のミスト除去装置は、比較例１のミスト除去装置よりも、圧力損失が約０．０７ｋＰａ上昇していた。さらに、実施例１のミスト除去装置は、比較例２のミスト除去装置よりも、圧力損失が約０．１１ｋＰａ上昇していた。
【００８７】
〔実施例２〕
本ミスト除去装置について、シュミレーション解析を行った。シミュレーションに用いたミスト除去装置の寸法は、以下のｂの寸法以外、上記実施例１と同様である。
ｂ＝０．１ｍ（ｂ／Ｄ＝０．０６）
なお、このシミュレーションにおける計算条件は、以下の条件を除いて上記実施例１と同様である。
ガス流量（溶媒蒸発量）：１８．５ｔ／Ｈｒ
ガス入口線速度：３１．３４ｍ／ｓ（ガス導入口の内径は０．７ｍφ）
また、ミスト除去フィルター部内における圧力損失については、上記実施例１と同様の設定でシミュレーションを行った。
【００８８】
上記の条件下でシミュレーションを行い、ミスト除去装置におけるミスト分離性能、ミスト含有ガスの流れの軌跡、ミスト除去フィルター通過前のガス上昇速度の分布、速度ベクトル、及び圧力損失の状況を表示した。
【００８９】
〔実施例３〕
本ミスト除去装置について、シュミレーション解析を行った。シミュレーションに用いたミスト除去装置の寸法は、以下のｂの寸法以外、上記実施例１と同様である。
ｂ＝０．３ｍ（ｂ／Ｄ＝０．１８）
シミュレーションにおける計算条件、及びミスト除去フィルター部内における圧力損失の設定は、上記実施例２と同様である。
【００９０】
上記の条件下でシミュレーションを行い、ミスト除去装置におけるミスト分離性能、ミスト含有ガスの流れの軌跡、ミスト除去フィルター通過前のガス上昇速度の分布、速度ベクトル、及び圧力損失の状況を表示した。
【００９１】
〔実施例４〕
本ミスト除去装置について、シュミレーション解析を行った。シミュレーションに用いたミスト除去装置の寸法は、以下のｂの寸法以外、上記実施例１と同様である。
ｂ＝０．５ｍ（ｂ／Ｄ＝０．２９）
シミュレーションにおける計算条件、及びミスト除去フィルター部内における圧力損失の設定は、上記実施例２と同様である。
【００９２】
上記の条件下でシミュレーションを行い、ミスト除去装置におけるミスト分離性能、ミスト含有ガスの流れの軌跡、ミスト除去フィルター通過前のガス上昇速度の分布、速度ベクトル、及び圧力損失の状況を表示した。
【００９３】
〔比較例３〕
比較例として、図１６（ａ）〜図１６（ｃ）に示された従来のミスト除去装置について、シュミレーション解析を行った。なお、シミュレーションにおける計算条件、及びミスト除去フィルター部内における圧力損失の設定は、上記実施例２と同様である。
【００９４】
シミュレーションに用いたミスト除去装置の寸法は上記比較例１と同様である。
【００９５】
上記の条件下でシミュレーションを行い、ミスト除去装置におけるミスト分離性能、ミスト含有ガスの流れの軌跡、ミスト除去フィルター通過前のガス上昇速度の分布、速度ベクトル、及び圧力損失の状況を表示した。
【００９６】
〔比較例４〕
さらに他の比較例として、サイクロン式ミスト除去装置について、シュミレーション解析を行った。シミュレーションにおける計算条件、及びミスト除去フィルター部内における圧力損失の設定は、上記実施例２と同様である。
【００９７】
シミュレーションに用いたミスト除去装置の寸法は上記比較例２と同様である。
【００９８】
上記の条件下でシミュレーションを行い、ミスト除去装置におけるミスト分離性能、ミスト含有ガスの流れの軌跡、ミスト除去フィルター通過前のガス上昇速度の分布、速度ベクトル、及び圧力損失の状況を表示した。
【００９９】
以下に、実施例２〜４、比較例３、及び比較例４の比較結果を説明する。
【０１００】
（ｉ）ミスト分離性能の比較
実施例２〜４、比較例３、及び比較例４のミスト除去装置について、ミスト（ミスト含有ガス）がどのような分布、量で発生・飛来するかを調べるため、通常考えられるミスト径１〜１００μｍφのミストをガス導入口３ａに配置し、容器本体１内でのミストの軌跡のシミュレーションを行った。そして、仕切り板５の配置位置（すなわち、ガス導入管３の中心軸からＺ軸方向に０．７６ｍの位置）よりも下側の容器本体１壁面でのミストの捕集（トラップ）率を算出した。なお、ミストの捕集率は、ミストが容器本体１壁面に衝突すれば、捕集（トラップ）されたとみなし、捕集率を算出した。すなわち、容器本体１に導入されたミストに対する、容器本体１壁面に衝突したミストの割合を捕集率とした。図１１は、実施例２〜４、比較例３、及び比較例４のミスト除去装置における、ミストの粒径と捕集（トラップ）率との関係を示すグラフである。
【０１０１】
また、図１２は、実施例２〜４、比較例３、及び比較例４のミスト除去装置について、容器本体１内でのミスト（ミスト粒子径２０μｍ）の軌跡のシミュレーションを行った結果を示す図である。なお、図１２では、黒色（ミスト速度０ｍ／ｓ）から灰色（ミスト速度３０ｍ／ｓ以上）へのグレースケールの変化により、ミスト速度の軌跡を示している。
【０１０２】
図１１に示されるように、容器本体１内側面に沿ってミスト含有ガスを旋回させる比較例４、及び実施例２〜４のミスト除去装置では、比較例３よりも、粒子径１０μｍ以上のミストの捕集率が向上しており、ミスト分離性能が向上していることがわかる。比較例４、、及び実施例２〜４のミスト除去装置を比較すると、仕切り板５を設けることにより、粒子径１０μｍ以上のミストの捕集率が向上している。そして、仕切り板５におけるｂの寸法が大きくなるに従い、粒子径１０μｍ以上のミストの捕集率が向上していくことがわかる。
【０１０３】
また、図１２に示された粒子軌跡から、比較例３のミスト除去装置では、ミストが、ミスト除去フィルター２下面近傍を１０ｍ／ｓを超える速度で通過し、発生したミストを巻き上げる方向に流れていることがわかる。一般的に、液膜付近のガス通過速度が１０ｍ／ｓを超えると、壁面からミストが再発生する可能性がある（例えば、植田辰洋著、養賢堂、昭和５６年９月２０日発行、「気液二相流−流れと熱伝達−」、ｐ１３８−１３９参照）。
【０１０４】
（ｉｉ）ミスト除去フィルター２下面におけるミスト含有ガスの上昇流の速度分布の比較
実施例２〜４、比較例３、及び比較例４のミスト除去装置について、ミスト除去フィルター２下面におけるミスト含有ガスの上昇流の不均一性を評価した。具体的には、ミスト除去フィルター２下面におけるミスト含有ガスの上昇流のＺ軸成分の速度分布を調べた。図１３は、実施例２〜４、比較例３、及び比較例４の各ミスト除去装置の、ミスト除去フィルター２下面におけるミスト含有ガスの上昇流のＺ軸成分の速度分布を示した図である。なお、図１３では、黒色（Ｚ軸成分速度０ｍ／ｓ）から灰色（Ｚ軸成分速度速度２０ｍ／ｓ）へのグレースケールの変化により、Ｚ軸成分の速度分布を示している。図１３における白色（空白）部分は、Ｚ軸成分速度が０ｍ／ｓ〜２０ｍ／ｓの範囲から外れる部分である。
【０１０５】
図１３に示されるように、ガス流量（溶媒蒸発量）が１８．５ｔ／Ｈｒである場合でも、比較例３のミスト除去装置では、ミスト除去フィルター２の周縁の特定の領域にＺ軸成分の速度の偏流が見られた。そして、比較例４のミスト除去装置では、比較例３のミスト除去装置に見られたＺ軸成分の速度の偏流が均一化していた。
【０１０６】
また、実施例４（ｂ＝０．５ｍ）のミスト除去装置では、ミスト除去フィルター２中央部近傍で強いミスト含有ガスの上昇流が発生し、ミスト除去フィルター２下面における上昇流が不均一化することが分かった。このことから、仕切り板５のｂを大きくしすぎると、ミスト除去フィルター２下面で上昇流が不均一化することがわかった。ミスト除去フィルター２下面において上昇流を均一化させるのに適した寸法ｂの範囲は、０．５ｍ以下であり、好ましくは０．１ｍ〜０．３ｍの範囲である。
【０１０７】
（ｉｉｉ）速度ベクトルの比較
実施例２〜４、比較例３、及び比較例４のミスト除去装置について、ガス導入口３ａ、ミスト除去フィルター２下面、及びミスト除去フィルター２上面におけるミスト含有ガスの上昇流の速度ベクトルの分布を比較した。図１４に、その比較結果を示す。なお、図１４では、黒色（速度ベクトルの線速度０ｍ／ｓ）から灰色（速度ベクトルの線速度３０ｍ／ｓ）へのグレースケールの変化により、速度ベクトルの線速度の分布を示している。
【０１０８】
図１４に示されるように、比較例４のミスト除去装置では、サイクロン化により、容器本体１内側面に沿った旋回上昇流が発生することがわかる。そして、ミスト除去フィルター２下面における速度ベクトルの線速度は、比較例３のミスト除去装置よりも大きくなっていた。
【０１０９】
また、実施例２〜４の各ミスト除去装置を比較すると、実施例３（ｂ＝０．３ｍ）のミスト除去装置が、ミスト除去フィルター２下面における上昇流の速度ベクトルの流れが最も穏やかであることがわかった。
【０１１０】
（ｉｖ）圧力損失（静圧）の比較
実施例２〜４、比較例３、及び比較例４のミスト除去装置について、圧力損失の状況を比較した。ここでは、ガス導出口４ａにおける平均圧力をゼロとして、容器本体１内における圧力分布のシミュレーションを行った。表２は、実施例２〜４、比較例３、及び比較例４の各ミスト除去装置の、ガス導入口３ａ、ミスト除去フィルター２下面、ミスト除去フィルター２上面、ミスト除去フィルター２内での圧力損失を算出した結果を示す表である。図１５は、実施例２〜４、比較例３、及び比較例４の各ミスト除去装置における、容器本体１内の圧力分布を示した図である。なお、図１５では、黒色（圧力０ｋＰａ）から灰色（圧力１．３ｋＰａ）へのグレースケールの変化により、圧力の分布を示している。
【０１１１】
【表２】
2008246351.tif 000004
【０１１２】
実施例２〜４、比較例３、及び比較例４のミスト除去装置について、圧力損失の状況を比較した結果を以下に説明する。
【０１１３】
比較例４のミスト除去装置は、比較例３のミスト除去装置よりも、圧力損失が約０．０４ｋＰａ上昇していた。さらに、実施例２〜４の各ミスト除去装置を比較すると、寸法ｂが大きくなればなるほど、圧力損失も上昇していた。
【０１１４】
本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能である。すなわち、請求項に示した範囲で適宜変更した技術的手段を組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。
【産業上の利用可能性】
【０１１５】
本発明においては、ミストを含むガスをミスト除去フィルターの全面にわたって均一に通過させ、ミスト除去フィルターでの液滞留およびミスト再発生を防止することが可能であるので、各種工業プロセスにおいてミスト除去を要するあらゆる分野で適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１１６】
【図１】本発明の実施の一形態のミスト除去装置の概略構成を示し、（ａ）は斜視図であり、（ｂ）は側面図であり、（ｃ）は上面図である。
【図２】（ａ）〜（ｃ）は、従来のミスト除去装置、サイクロン式ミスト除去装置、及び図１（ａ）〜（ｃ）に示されたミスト除去装置それぞれのミスト除去フィルター下面におけるガス上昇流の速度分布を模式的に示した模式図である。
【図３】（ａ）〜（ｃ）は、従来のミスト除去装置、サイクロン式ミスト除去装置、及び本ミスト除去装置それぞれのミスト除去フィルター下面におけるガス上昇流の速度ベクトルの分布を模式的に示した模式図である。
【図４】本ミスト除去装置における遮蔽部材の変形例を示し、（ａ）は容器本体の底部から見た下面図であり、（ｂ）はＺ軸方向における断面図である。
【図５】本ミスト除去装置における遮蔽部材のさらに他の変形例を示し、（ａ）は容器本体の底部から見た下面図であり、（ｂ）はＺ軸方向における断面図である。
【図６】実施例１、比較例２、及び比較例３のミスト除去装置における、ミストの粒径と捕集（トラップ）率との関係を示すグラフである。
【図７】実施例１、比較例２、及び比較例３のミスト除去装置について、容器本体内でのミスト（ミスト粒子径２０μｍ）の軌跡のシミュレーションを行った結果を示す図である。
【図８】実施例１、比較例２、及び比較例３の各ミスト除去装置の、ミスト除去フィルター下面におけるミスト含有ガスの上昇流のＺ軸成分の速度分布を示した図である。
【図９】実施例１、比較例２、及び比較例３のミスト除去装置について、ガス導入口、ミスト除去フィルター下面、及びミスト除去フィルター上面におけるミスト含有ガスの上昇流の速度ベクトルの分布を比較した結果を示す図である。
【図１０】実施例１、比較例２、及び比較例３の各ミスト除去装置における、容器本体内の圧力分布を示した図である。
【図１１】実施例２〜４、比較例３、及び比較例４のミスト除去装置における、ミストの粒径と捕集（トラップ）率との関係を示すグラフである。
【図１２】実施例２〜４、比較例３、及び比較例４のミスト除去装置について、容器本体１内でのミスト（ミスト粒子径２０μｍ）の軌跡のシミュレーションを行った結果を示す図である。
【図１３】実施例２〜４、比較例３、及び比較例４の各ミスト除去装置の、ミスト除去フィルター下面におけるミスト含有ガスの上昇流のＺ軸成分の速度分布を示した図である。
【図１４】実施例２〜４、比較例３、及び比較例４のミスト除去装置について、ガス導入口、ミスト除去フィルター下面、及びミスト除去フィルター上面におけるミスト含有ガスの上昇流の速度ベクトルの分布を比較した結果を示す図である。
【図１５】実施例２〜４、比較例３、及び比較例４の各ミスト除去装置における、容器本体内の圧力分布を示した図である。
【図１６】従来のミスト除去装置の概略構成を示し、（ａ）は斜視図であり、（ｂ）は側面図であり、（ｃ）は上面図である。
【符号の説明】
【０１１７】
１    容器本体
１ａ    円筒部
１ｂ    上部
１ｃ    底部
２    ミスト除去フィルター
３    ガス導入管
４    ガス導出管
５    仕切り板（遮蔽部材）
６    貫通孔
【図１】
2008246351.tif 000005
【図２】
2008246351.tif 000006
【図３】
2008246351.tif 000007
【図４】
2008246351.tif 000008
【図５】
2008246351.tif 000009
【図６】
2008246351.tif 000010
【図１１】
2008246351.tif 000011
【図１６】
2008246351.tif 000012
【図７】
2008246351.tif 000013
【図８】
2008246351.tif 000014
【図９】
2008246351.tif 000015
【図１０】
2008246351.tif 000016
【図１２】
2008246351.tif 000017
【図１３】
2008246351.tif 000018
【図１４】
2008246351.tif 000019
【図１５】
2008246351.tif 000020