(57)【要約】【課題】低背化が可能な半導体装置及びその製造方法を提供すること。【解決手段】本発明は、第１開口部１２を有する第１絶縁性フィルム１０と、第１開口部１２内から第１絶縁性フィルム１０上に延びる第１配線層１４と、第１絶縁性フィルム１０上に実装され、第１配線層１４と電気的に第１半導体チップ１６と、第１半導体チップ１６を覆うように、第１絶縁性フィルム１０上に設けられた樹脂部３２と、を具備することを特徴とする半導体装置である。【選択図】図５
2008198916.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１開口部を有する第１絶縁性フィルムと、
前記第１開口部内から前記第１絶縁性フィルム上に延びる第１配線層と、
前記第１絶縁性フィルム上に実装され、前記第１配線層と電気的に接続される半導体チップと、
前記半導体チップを覆うように、前記第１絶縁性フィルム上に設けられた樹脂部と、を具備することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第１半導体チップと前記第１配線層とを接続するボンディングワイヤを具備することを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記樹脂部上に設けられ、第２開口部を有する第２絶縁性フィルムと、
前記第２開口部内から前記第２絶縁性フィルムと前記樹脂部との間に延びる第２配線層と、を具備することを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第２絶縁性フィルム下に設けられ、前記第２配線層と電気的に接続される第２半導体チップを具備し、
前記樹脂部は、前記第２半導体チップを覆っていることを特徴とする請求項３記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第１配線層と前記第２配線層とを接続する貫通電極を具備することを特徴とする請求項３または４記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第１開口部内の前記第１配線層の厚さと前記第１絶縁性フィルム上の前記第１配線層の厚さとは同じであることを特徴とする請求項１から５のいずれか一項記載の半導体装置。
【請求項７】
請求項１から６のいずれか一項記載の半導体装置が積層されたことを特徴とする積層半導体装置。
【請求項８】
第１開口部を有する第１絶縁性フィルム上に、前記第１開口部内から延びる第１配線層を形成する工程と、
前記第１絶縁性フィルム上に前記第１配線層と電気的に接続される第１半導体チップを実装する工程と、
前記半導体チップを覆うように、前記第１絶縁性フィルム上に樹脂部を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
ダミー基板上にレジストを塗布し、前記レジストより前記第１絶縁性フィルムを形成する工程を有することを特徴とする請求項８記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
第２開口部を有する第２絶縁性フィルム上に、前記第２開口部内から延びる第２配線層を形成する工程と、
前記第２配線層が前記第２絶縁性フィルムと前記樹脂部との間となるように前記樹脂部上に前記第２絶縁性フィルムを設ける工程と、を有することを特徴とする請求項９記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記樹脂部を形成する工程は、
前記第１絶縁性フィルム及び前記第２絶縁性フィルムの一方を対応する前記第１配線層または前記第２配線を上に金型の底部に配置する工程と、
前記第１絶縁性フィルム及び前記第２絶縁性フィルムの一方上に溶融した樹脂を配置する工程と、
前記溶融した樹脂上に前記第１絶縁性フィルム及び前記第２絶縁性フィルムの他方を、対応する前記第１配線層または前記第２配線層を下に配置し加圧することにより前記樹脂部を形成する工程と、を有することを特徴とする請求項１０記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記第１絶縁性フィルム及び前記第２絶縁性フィルムの一方を金型の底部に配置する工程は、前記第１絶縁性フィルム及び前記第２絶縁性フィルムの一方が前記ダミー基板に貼り付けられた状態で金型の底部に配置する工程であり、
前記樹脂部を形成する工程は、前記第１絶縁性フィルム及び前記第２絶縁性フィルムの他方が別のダミー基板に貼り付けられた状態で、前記溶融した樹脂上に配置する工程を含むことを特徴とする請求項１１記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置及びその製造方法に関し、特に絶縁性フィルム上に半導体チップが実装された半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体チップを実装した半導体装置は低背化が進められている。特許文献１及び特許文献２には、絶縁性基板の少なくとも一面に配線を有し半導体装置が内蔵されたモジュール（従来例１）が開示されている。図１は従来例１に係る半導体装置の断面図である。図１を参照に、第１半導体チップ１６は第１配線層１４にダイ付け材１５を用い実装されている。第１半導体チップ１６と第１配線層１４とは、ボンディングワイヤ１８を用い電気的に接続されている。第１半導体チップ１６及びボンディングワイヤ１８は樹脂部３５により封止されている。樹脂部３５は樹脂部３２に埋め込まれ、樹脂部３５と樹脂部３２とは一体化している。樹脂部３２の両面には第１配線層１４及び第２配線層２４が設けられている。樹脂部３２を貫通し第１配線層１４及び第２配線層２４を接続する貫通電極３４が設けられている。
【特許文献１】特許第３５９８０６０号公報
【特許文献２】特開２００５−１０１５８０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
従来例１においては、第１半導体チップ１６を封止する樹脂部３５が形成され、樹脂部３５が樹脂部３２に埋め込まれているため、樹脂部３２を薄くすることが難しい。また、第１配線層１４及び第２配線層２４が露出しているため配線層間で短絡しやすい。これを抑制するため、第１配線層１４及び第２配線層２４の表面に絶縁性フィルムを設けると、半導体装置が厚くなってしまう。
【０００４】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、低背化が可能な半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、第１開口部を有する第１絶縁性フィルムと、前記第１開口部内から前記第１絶縁性フィルム上に延びる第１配線層と、前記第１絶縁性フィルム上に実装され、前記第１配線層と電気的に接続される半導体チップと、前記半導体チップを覆うように、前記第１絶縁性フィルム上に設けられた樹脂部と、を具備することを特徴とする半導体装置である。本発明によれば、第１開口部における第１配線層の厚さを小さくすることができる。よって、半導体装置を低背化することができる。
【０００６】
上記構成において、前記第１半導体チップと前記第１配線層とを接続するボンディングワイヤを具備する構成とすることができる。この構成によれば、低背化の難しい第１半導体チップと第１配線層とをボンディングワイヤを用い接続する半導体装置においても、低背化が可能となる。
【０００７】
上記構成において、前記樹脂部上に設けられ、第２開口部を有する第２絶縁性フィルムと、前記第２開口部内から前記第２絶縁性フィルムと前記樹脂部との間に延びる第２配線層と、を具備する構成とすることができる。この構成によれば、両面に配線層を形成でき、かつ低背化が可能となる。
【０００８】
上記構成において、前記第２絶縁性フィルム下に設けられ、前記第２配線層と電気的に接続される第２半導体チップを具備し、前記樹脂部は、前記第２半導体チップを覆っている構成とすることができる。この構成によれば、２つ以上の半導体チップを有するため、半導体チップの実装効率を高めることができる。
【０００９】
上記構成において、前記第１配線層と前記第２配線層とを接続する貫通電極を具備する構成とすることができる。この構成によれば、貫通電極により第１配線層と第２配線層とを電気的に接続することができる。
【００１０】
上記構成において、前記第１開口部内の前記第１配線層の厚さと前記第１絶縁性フィルム上の前記第１配線層の厚さとは同じである構成とすることができる。
【００１１】
本発明は、上記半導体装置が積層されたことを特徴とする積層半導体装置である。
【００１２】
本発明は、第１開口部を有する第１絶縁性フィルム上に、前記第１開口部内から延びる第１配線層を形成する工程と、前記第１絶縁性フィルム上に前記第１配線層と電気的に接続される第１半導体チップを実装する工程と、前記半導体チップを覆うように、前記第１絶縁性フィルム上に樹脂部を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法である。本発明によれば、第１開口部における第１配線層の厚さを小さくすることができる。よって、半導体装置を低背化することができる。
【００１３】
上記構成において、ダミー基板上にレジストを塗布し、前記レジストより前記第１絶縁性フィルムを形成する工程を有する構成とすることができる。この構成によれば、第１絶縁性フィルムを薄く形成することができ、半導体装置を低背化することができる。
【００１４】
上記構成において、第２開口部を有する第２絶縁性フィルム上に、前記第２開口部内から延びる第２配線層を形成する工程と、前記第２配線層が前記第２絶縁性フィルムと前記樹脂部との間となるように前記樹脂部上に前記第２絶縁性フィルムを設ける工程と、を有する構成とすることができる。この構成によれば、樹脂部の両側に配線層を有する半導体装置を製造することができる。
【００１５】
上記構成において、前記樹脂部を形成する工程は、前記第１絶縁性フィルム及び前記第２絶縁性フィルムの一方を対応する前記第１配線層または前記第２配線層を上に金型の底部に配置する工程と、前記第１絶縁性フィルム及び前記第２絶縁性フィルムの一方上に溶融した樹脂を配置する工程と、前記溶融した樹脂上に前記第１絶縁性フィルム及び前記第２絶縁性フィルムの他方を、対応する前記第１配線層または前記第２配線層を下に配置し加圧することにより前記樹脂部を形成する工程と、を有する構成とすることができる。この構成によれば、第１半導体チップを直接樹脂部で封止することができる。よって、半導体装置の低背化が可能となる。
【００１６】
上記構成において、前記第１絶縁性フィルム及び前記第２絶縁性フィルムの一方を金型の底部に配置する工程は、前記第１絶縁性フィルム及び前記第２絶縁性フィルムの一方が前記ダミー基板に貼り付けられた状態で金型の底部に配置する工程であり、前記樹脂部を形成する工程は、前記第１絶縁性フィルム及び前記第２絶縁性フィルムの他方が別のダミー基板に貼り付けられた状態で、前記溶融した樹脂上に配置する工程を含む構成とすることができる。この構成によれば、ダミー基板を用い第１絶縁性フィルム及び第２絶縁性フィルムを補強することができる。これにより、第１絶縁性フィルム及び第２絶縁性フィルムを薄くでき、半導体装置の低背化が可能となる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、第１開口部における第１配線層の厚さを小さくすることができる。よって、半導体装置を低背化することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、図面を用い本発明に係る実施例について説明する。
【実施例１】
【００１９】
実施例１は、配線基板として使用可能な半導体装置の例である。図２（ａ）から図５（ｃ）を用い実施例１に係る半導体装置の製造方法について説明する。図２（ａ）を参照に、金属または絶縁体等からなるダミー基板４１上にエポキシ樹脂からなるレジストを塗布し第１絶縁性フィルム１０を形成する。露光技術を用い第１絶縁性フィルム１０に第１開口部１２を形成する。このように、第１開口部１２を有する第１絶縁性フィルム１０を形成する。図２（ｂ）を参照に、ダミー基板４２上にも同様に第２開口部２２を有する第２絶縁性フィルム２０を形成する。
【００２０】
図２（ｃ）を参照に、第１絶縁性フィルム１０には複数の第１開口部１２が設けられている。第２絶縁性フィルム２０も同様に第２開口部２２設けられている。第１絶縁性フィルム１０及び第２絶縁性フィルム２０は、エポキシ樹脂以外の材料を用いてもよく、例えば、ポリイミド樹脂やシリコン樹脂を用いることもできる。また、第１絶縁性フィルム１０及び第２絶縁性フィルム２０は、図４において後述する樹脂部３２を形成する際の温度に耐える耐熱性を有することが好ましい。
【００２１】
図３（ａ）を参照に、メッキ法等を用い、第１開口部１２内から第１絶縁性フィルム１０上に延びＣｕ（銅）等の導電性材料からなる第１配線層１４を形成する。第１配線層１４のうちダイアタッチ部１４ａ上にダイ付け材１５を用いシリコン等からなる第１半導体チップ１６を実装する。つまり、第１絶縁性フィルム１０上に第１半導体チップ１６を実装する。第１半導体チップ１６と第１配線層１４とを導電性のボンディングワイヤ１８を用い電気的に接続する。
【００２２】
図３（ｂ）を参照に、図３（ａ）と同様に、第２開口部２２内から第２絶縁性フィルム２０上に延びＣｕ等の導電性材料からなる第２配線層２４を形成する。図３（ｃ）を参照に、第１絶縁性フィルム１０上に第１配線層１４が形成されている。第１配線層１４は、第１半導体チップ１６を実装するダイアタッチ部１４ａ、第１開口部１２を覆うように設けられたパッド部１４ｃ、パット部１４ｃ同士またはパッド部１４ｃとダイアタッチ部１４ａとを接続する配線部１４ｂからなる。
【００２３】
図４を参照に、凹部４５を有する下部金型４３の底面に第２絶縁性フィルム２０が設けられたダミー基板４２を配置する。第２絶縁性フィルム２０及び第２配線層２４上にエポキシ系の熱硬化樹脂を溶融した樹脂３０を配置する。上部金型４４に第１半導体チップ１６が実装された第１絶縁性フィルム１０をダミー基板４１とともに配置する。下部金型４３と上部金型４４とを合わせ、第１半導体チップ１６が溶融した樹脂３０内に浸される。さらに、圧力及び１７５℃程度の熱を加えることにより、溶融した樹脂３０より樹脂部３２が形成される。
【００２４】
図５（ａ）を参照に、上部金型４４及び下部金型４３を剥がすことにより、樹脂部３２の両面に第１配線層１４及び第２配線層２４と第１絶縁性フィルム１０及び第２絶縁性フィルム２０とが形成される。つまり、第１半導体チップ１６を覆うように、第１絶縁性フィルム１０上（図５（ａ）では下）に樹脂部３２が設けられる。図５（ｂ）を参照に、ダミー基板４１及びダミー基板４２を剥がす。図５（ｃ）を参照に、レーザを用い第１開口部１２から第２開口部２２にかけて樹脂部３２を貫通する貫通孔を形成する。貫通孔内に例えばＣｕ等の導電性材料からなる貫通電極３４を形成する。これにより、第１配線層１４と第２配線層２４とが電気的に接続される。以上により実施例１に係る半導体装置１００が完成する。
【００２５】
図１の従来例１において、第１配線層１４間の短絡を防止するため第１配線層１４の下面に第１絶縁性フィルムを設ける場合、第１絶縁性フィルムに形成した開口部内には第１配線層１４とは別に電極が形成される。一方、実施例１に係る半導体装置は、図３（ａ）のように、第１絶縁性フィルム１０の第１開口部１２から第１絶縁性フィルム１０上に延びるように第１配線層１４が設けられている。これにより、実施例１によれば、第１配線層１４間の短絡を防止し、かつ第１開口部１２における第１配線層１４の厚さを小さくすることができる。よって、半導体装置を低背化することができる。
【００２６】
図２（ａ）のように、ダミー基板４１上にレジストを塗布し、レジストより第１絶縁性フィルム１０を形成することにより、第１絶縁性フィルム１０を薄く形成することができる。また、第１開口部１２内の第１配線層１４と第１絶縁性フィルム１０上の第１配線層１４とを同時に形成することにより、図５（ｃ）のように、第１開口部１２内の第１配線層１４の厚さｔ４と第１絶縁性フィルム１０上の第１配線層１４の厚さｔ５とはほぼ同じ大きさとなる。
【００２７】
さらに、図５（ｃ）のように、樹脂部３２上（図５（ｃ）では下）に第２開口部２２を有する第２絶縁性フィルム２０が設けられている。図３（ｂ）のように、第２配線層２４は第２開口部２２内から第２絶縁性フィルム２０と樹脂部３２との間に延びている。このように、樹脂部３２の両面にそれぞれ第１配線層１４及び第２配線層２４が設けられているため、実施例１に係る半導体装置１００は、半導体チップを内蔵し両面を配線層とした配線基板として用いることができる。第２配線層２４も第２開口部２２内から第２絶縁性フィルム２０と樹脂部３２との間に延びているため、低背化が可能となる。
【００２８】
さらに、図４のように、樹脂部３２を形成する際に、第２絶縁性フィルム２０を第２配線層２４が上になるように下部金型４３の底部に配置する。第２絶縁性フィルム２０上に溶融した樹脂３０を配置する。溶融した樹脂３０上に第１絶縁性フィルム１０を第１配線層１４が下となるように配置し加圧することにより樹脂部３２を形成している。このような方法により、第１半導体チップ１６を直接樹脂部３２で封止することができる。図１の従来例１では、半導体チップ１６を樹脂部３５で封止するため、樹脂部３５と第１半導体チップ１６の上面との間の厚さｔ１は２００μｍから３００μｍの厚さが必要となる。さらに、樹脂部３５上の樹脂部３２の厚さｔ２として５０μｍ程度必要となる。一方、実施例１によれば、図５（ｃ）のように、樹脂部３５を形成しないため、第１半導体チップ１６上（図５（ｃ）では下）の樹脂部３２の厚さｔ３は１００μｍ程度とすることができる。このように、半導体装置１００の低背化が可能となる。
【００２９】
図４のように、第２絶縁性フィルム２０はダミー基板４２に貼り付けられた状態で下部金型４３の底部に配置され、第１絶縁性フィルム１０は別のダミー基板４１に貼り付けられた状態で溶融した樹脂３０上に配置される。このように、第１絶縁性フィルム１０及び第２絶縁性フィルム２０を補強した状態で樹脂部３２を形成することが好ましい。これにより、第１絶縁性フィルム１０及び第２絶縁性フィルム２０を薄くでき、半導体装置の低背化が可能となる。なお、図４において、第１絶縁性フィルム１０を下部金型４３の底部に配置し、第２絶縁性フィルム２０を溶融した樹脂３０の上に配置してもよい。
【００３０】
さらに、第１半導体チップ１６と第１配線層１４とを接続するボンディングワイヤ１８が設けられている。第１半導体チップ１６と第１配線層１４とをボンディングワイヤ１８を用いて接続した場合、従来例１の図１に係る半導体装置においては、樹脂部３５からボンディングワイヤ１８が露出しないように、樹脂部３５の厚さｔ１を厚くしなければならない。一方、実施例１では、ボンディングワイヤ１８と第１配線層１４との間に樹脂部３２が設けられていればよい。よって、図５（ｃ）の厚さｔ３を約１００μｍ程度と薄くすることができる。このように、第１半導体チップ１６と第１配線層１４とがボンディングワイヤ１８で接続されている場合に、図５（ｃ）のように、樹脂部３２を形成することが有効である。
【００３１】
図５（ｃ）を参照に、第１配線層１４と第２配線層２４とを接続する貫通電極３４が設けられている。これにより、第１配線層１４と第２配線層２４とを接続することができる。
【実施例２】
【００３２】
図６は実施例２に係る半導体装置の断面図である。実施例２に係る半導体装置は、第２絶縁性フィルム２０下（図６では上）に第２半導体チップ２６がダイ付け材２５を介し実装されている。第２半導体チップ２６と第２配線層２４とはボンディングワイヤ２８を用い電気的に接続されている。樹脂部３２は、第２半導体チップ２６を覆っている。その他の構成は実施例１と同じであり説明を省略する。
【００３３】
実施例２のように、第１絶縁性フィルム１０及び第２絶縁性フィルム２０の両方に半導体チップが実装されていてもよい。また、第１絶縁性フィルム１０及び第２絶縁性フィルム２０の少なくとも一方に複数の半導体チップが実装されていてもよい。複数の半導体チップを実装することにより、半導体チップの実装効率を向上させることができる。
【実施例３】
【００３４】
実施例３は第２絶縁性フィルムが設けられていない例である。図７を参照に、実施例３に係る半導体装置は、第２絶縁性フィルム２０及び第２配線層２４が設けられていない。その他の構成は実施例１と同じであり説明を省略する。実施例３のように、絶縁性フィルム及び配線層は樹脂部３２の少なくとも一方の面に設けられていればよい。実施例３のように、絶縁性フィルム及び配線層は樹脂部３２の片方の面にのみ設けることにより、半導体装置の低背化は実現できる。しかしながら、半導体チップのパッケージング効率は小さくなる。
【実施例４】
【００３５】
実施例４は、第２配線層としてリードフレームを用いる例である。図８を参照に、第２絶縁性フィルム２０が設けられておらず、第２配線層２４としてリードフレーム２４ｄが用いられている。その他の構成は実施例２と同じであり説明を省略する。実施例４のように、絶縁性フィルムは樹脂部３２の片方の面のみに設け、配線層は樹脂部３２の両面に設けることもできる。
【実施例５】
【００３６】
実施例５は第１半導体チップをフリップチップ実装した例である。図９を参照に、第１半導体チップ１６にはボンディングワイヤ１８は接続しておらず、第１半導体チップ１６の表面（図９では下面）に例えばスタッドバンプ１９が形成されている。スタッドバンプ１９は第２配線層２４に電気的に接続している。その他の構成は実施例１と同じであり説明を省略する。実施例５のように、第１半導体チップ１６と第１配線層１４とはスタッドバンプ１９、第２配線層２４及び貫通電極３４を介し接続されてもよい。実施例５によれば、ボンディングワイヤ１８が不要なため、実施例１に比べ低背化することができる。
【実施例６】
【００３７】
実施例１０は実施例１に係る半導体装置を積層した積層半導体装置の例である。図１０を参照に、実施例１に係る半導体装置１００ａ及び１００ｂが積層されている。半導体装置１００ａの下面の第２配線層２４には半田ボール５０が設けられている。実施例６のように、実施例１に係る半導体装置１００を積層してもよい。積層する半導体装置は実施例１以外にも実施例２から実施例５のいずれかであってもよい。
【実施例７】
【００３８】
実施例７は実施例１の半導体装置１００上に別の半導体チップを実装した例である。図１１を参照に、実施例１に係る半導体装置１００上に半導体チップ５６がダイ付け材５５を用い実装されている。半導体チップ５６と半導体装置１００の第１配線層１４とはボンディングワイヤ５８を用い電気的に接続されている。半導体チップ５６及びボンディングワイヤ５８は樹脂部５２により封止されている。
【００３９】
実施例７のように、実施例１から実施例５の半導体装置を配線基板として用い、半導体チップ５６を実装することができる。なお、実施例７では、半導体チップ５６はフェースアップ実装されているが、フリップチップ実装等のフェースダウン実装されていてもよい。
【００４０】
以上、本発明の好ましい実施例について詳述したが、本発明は係る特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】図１は従来例１に係る半導体装置の断面図である。
【図２】図２（ａ）から図２（ｃ）は実施例１に係る半導体装置の製造方法を示す図（その１）である
【図３】図３（ａ）から図３（ｃ）は実施例１に係る半導体装置の製造方法を示す図（その２）である
【図４】図４は実施例１に係る半導体装置の製造方法を示す図（その３）である。
【図５】図５（ａ）から図５（ｃ）は実施例１に係る半導体装置の製造方法を示す図（その４）である
【図６】図６は実施例２に係る半導体装置の断面図である。
【図７】図７は実施例３に係る半導体装置の断面図である。
【図８】図８は実施例４に係る半導体装置の断面図である。
【図９】図９は実施例５に係る半導体装置の断面図である。
【図１０】図１０は実施例６に係る半導体装置の断面図である。
【図１１】図１１は実施例７に係る半導体装置の断面図である。
【符号の説明】
【００４２】
１０            第１絶縁性フィルム
１２            第１開口部
１４            第１配線層
１６            第１半導体チップ
１８            ボンディングワイヤ
２０            第２絶縁性フィルム
２２            第２開口部
２４            第２配線層
２６            第２半導体チップ
２８            ボンディングワイヤ
３０            溶融した樹脂
３２            樹脂部
３４            貫通電極
４１、４２      ダミー基板
【図１】
2008198916.tif 000003
【図２】
2008198916.tif 000004
【図３】
2008198916.tif 000005
【図４】
2008198916.tif 000006
【図５】
2008198916.tif 000007
【図６】
2008198916.tif 000008
【図７】
2008198916.tif 000009
【図８】
2008198916.tif 000010
【図９】
2008198916.tif 000011
【図１０】
2008198916.tif 000012
【図１１】
2008198916.tif 000013